(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸引したウェーハを非接触状態で保持する非接触吸引保持手段と、
該非接触吸引保持手段に保持された前記ウェーハの移動を規制する規制手段と、
該規制手段と前記非接触吸引保持手段とを所定位置に移動させる移動手段とを少なくとも備えるウェーハ搬送装置であって、
前記規制手段は、
フッ素樹脂で形成され、前記ウェーハの径方向に移動自在に設けられるとともに前記ウェーハの外周部上面に接触して前記ウェーハの垂直方向の移動を規制する垂直方向規制部と、
前記ウェーハの外周面に接触して前記ウェーハの水平方向の移動を規制する水平方向規制部とを備えることを特徴とするウェーハ搬送装置。
【請求項２】
前記水平方向規制部は、前記ウェーハの外周面に離接可能に設けられ、少なくとも前記ウェーハを水平方向に搬送する際には、前記ウェーハの外周面に前記水平方向規制部を接触させることによって前記ウェーハの水平方向の移動を規制することを特徴とする請求項１に記載のウェーハ搬送装置。
【請求項３】
前記垂直方向規制部と前記水平方向規制部とが一体に形成され、前記ウェーハの外周部上面に接触する前記垂直方向規制部の接触面と、前記ウェーハの外周面に接触する前記水平方向規制部の接触面とのなす角度が、９０度より大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ搬送装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のウェーハ搬送装置を備えることを特徴とするレーザ光線を用いたウェーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハなどのウェーハの搬送装置および加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域が区画され、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削して所望の厚さに加工される。この後、ウェーハを、全ての分割予定ラインに沿って切断することで、携帯電話などの電子機器に利用されるデバイスが得られる。
【０００３】
ウェーハを個片化してデバイスを得る方法としては、例えば、デバイスの仕上がり厚さに相当する所定の深さの溝をウェーハに形成してからウェーハを研削してウェーハを個片化する先ダイシング法（ＤＢＧ：Dicing Before Grinding）がある。ＤＢＧの過程において、ウェーハに溝を形成する装置としては、切断ブレードを用いたブレードダイサーや、レーザ光線を分割予定ラインに沿って照射し、アブレーションと呼ばれる熱蒸散現象によりウェーハにスリットを形成して切断するレーザ加工装置などが用いられている。レーザ加工装置を用いて溝を形成する場合では、レーザ光線が照射された領域に熱エネルギーが集中することにより、デブリと呼ばれる蒸散成分の凝固物が発生しやすい。このデブリがデバイスに付着すると不良品になるため、従来より、ウェーハの被加工面に保護部材を塗布して、デバイスへのデブリの付着を防止することが行われている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、ＤＢＧで溝加工が形成されたウェーハは、個片化されず一体の状態である。このため、デバイスの分散を防止するダイシングテープなどを使用しなくても良い。このようなウェーハを搬送する搬送装置として、例えば、特許文献２に記載の搬送装置がある。この搬送装置によれば、非接触式吸引保持器を用いて、ウェーハを確実に搬送先へ搬送させることができるとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１８８４７５号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザ光線を照射してウェーハに溝を形成する場合、上記特許文献１に示すように、ウェーハの被加工面に保護膜が塗布されるが、この保護膜には、粘着性を有するものが使用される場合がある。粘着性を有する保護部材がウェーハの被加工面に塗布されると、ウェーハが搬送装置に貼着してしまうため、上記特許文献２に記載されているようなウェーハの被加工面に接触して搬送する搬送装置を使用することが困難になる。
【０００７】
よって本発明は、非接触式吸引保持手段を用いたウェーハの搬送装置において、表面に粘着性を有する保護部材が塗布されたウェーハであっても搬送先へ確実に搬送させることのできる搬送装置と、そのような搬送装置を備えた加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、吸引したウェーハを非接触状態で保持する非接触吸引保持手段と、非接触吸引保持手段に保持されたウェーハの移動を規制する規制手段と、規制手段と非接触吸引保持手段とを所定位置に移動させる移動手段とを少なくとも備えるウェーハ搬送装置であって、規制手段は、フッ素樹脂で形成され、ウェーハの径方向に移動自在に設けられるとともにウェーハの外周部上面に接触してウェーハの垂直方向の移動を規制する垂直方向規制部と、ウェーハの外周面に接触してウェーハの水平方向の移動を規制する水平方向規制部とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明では、垂直規制部と水平規制部とによってウェーハの垂直方向および水平方向の移動が規制される。したがって、非接触吸引保持手段によって吸引されたウェーハであっても、そのウェーハを確実に搬送先へ搬送することができる。また、本発明の垂直規制部は、フッ素樹脂で形成されている。このフッ素樹脂は、剥離性が良好である。このため、粘着性を有する保護部材が垂直規制部に接触しても、その保護部材が垂直規制部に貼着して搬送不能になることが防止される。
【００１０】
本発明の水平方向規制部は、ウェーハの外周面に離接可能に設けられ、少なくともウェーハを水平方向に搬送する際には、ウェーハの外周面に水平方向規制部を接触させることによってウェーハの水平方向の移動を規制する形態を好ましいものとしている。
【００１１】
この形態によれば、搬送される前のウェーハの位置にばらつきがある場合でも、搬送中に水平方向規制部をウェーハに接触させることによって、搬送と位置決めを同時に行うことが出来る。
【００１２】
また、本発明のウェーハ搬送装置としては、垂直方向規制部と前記水平方向規制部とが一体に形成される形態が挙げられる。この形態においては、ウェーハの外周部一面に接触する垂直方向規制部の接触面と、ウェーハの外周面に接触する水平方向規制部の接触面とのなす角度が、９０度より大きくなるように設定されると良い。
【００１３】
この形態では、垂直規制部と水平規制部が一体に形成されており可動部も無いために、ウェーハ搬送装置の構成が簡素となる。また、搬送される前のウェーハの位置にばらつきがある場合でも、非接触吸引保持手段によってウェーハが吸引される際に高精度に位置決めが可能である。
【００１４】
次に、本発明のウェーハの加工装置は、レーザ光線によってウェーハに加工を施す装置であり、上述のウェーハ搬送装置を備えた装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、非接触吸引保持手段を有するウェーハ搬送装置に、フッ素樹脂で形成された垂直方向規制部と水平方向規制部とを備えることで、被加工面に粘着性の保護部材が塗布されたウェーハであっても搬送先へ確実に搬送することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［１］半導体ウェーハ
図１の符号１は、円盤状の半導体ウェーハを示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等である。ウェーハ１の表面１ａには、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウェーハ１の外周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）４が形成されている。
【００１７】
ウェーハ１には、分割予定ライン２に沿って半導体チップ３の仕上がり厚さに相当する所定の深さの溝が形成される。すなわち、先ダイシングされる。本実施形態では、溝の形成を図２に示すレーザ式のダイシング装置１０によって行う。このダイシング装置１０にウェーハ１を供するに先立ち、半導体チップ３が形成された表面１ａ全面に、保護膜５を塗布する。保護膜５は、溝の形成時に発生する前述したデブリがウェーハ１の表面１ａに付着することを防止するために、スピンコートなどの方法により表面１ａに塗布される。保護膜５は、例えば、水溶性レジストなどの水で容易に除去できるものが好適に用いられる。ウェーハ１は、溝の形成の際には、表面１ａを露出させるために裏面１ｂをダイシング装置１０のチャックテーブル２０に合わせて載置される。溝が形成されたウェーハ１は、ウェーハ１の裏面１ｂが研削されて、半導体チップ３に個片化される。
【００１８】
［２］ダイシング装置
次に、図２に示すダイシング装置１０の構成ならびに動作を説明する。
ウェーハ１は、ダイシング装置１０が備える水平なチャックテーブル２０上に保持される。チャックテーブル２０の上方には、レーザ光線を垂直下向きに照射するレーザヘッド５０が配設されている。チャックテーブル２０は、装置１０の基台１１上において水平なＸ軸方向およびＹ軸方向に移動自在に設けられたＸＹ移動テーブル１２に設置されており、このＸＹ移動テーブル１２がＸ軸方向やＹ軸方向に移動することにより、レーザヘッド５０から分割予定ライン２にレーザ光線が照射される。
【００１９】
ＸＹ移動テーブル１２は、基台１１上にＸ軸方向に移動自在に設けられたＸ軸ベース３０と、このＸ軸ベース３０上にＹ軸方向に移動自在に設けられたＹ軸ベース４０との組み合わせで構成されている。Ｘ軸ベース３０は、基台１１上に固定されたＸ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール３１に摺動自在に取り付けられており、モータ３２でボールねじ３３を作動させるＸ軸駆動機構３４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、Ｙ軸ベース４０は、Ｘ軸ベース３０上に固定されたＹ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール４１に摺動自在に取り付けられており、モータ４２でボールねじ４３を作動させるＹ軸駆動機構４４によってＹ軸方向に移動させられる。
【００２０】
チャックテーブル２０は、多孔質のセラミックスからなり、ウェーハ１の表面１ａが露出する状態にウェーハ１を保持する円盤状のウェーハ保持部２１と、ウェーハ保持部２１の周囲に配設される基台部２２とから構成されている。チャックテーブル２０は、円筒状の支持台４５を介してＹ軸ベース４０上に回転自在に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。そしてチャックテーブル２０は、Ｘ軸ベース３０およびＹ軸ベース４０の移動に伴って、Ｘ軸方向やＹ軸方向に移動させられる。
【００２１】
ダイシング装置１０のＸ軸方向奥側には、ウェーハ１を所定の位置からチャックテーブル２０へ搬送する搬送装置６０が備わっている。搬送装置６０は、加工前のウェーハ１を所定の位置からチャックテーブル２０まで搬送し、また、加工後のウェーハ１を所定の位置へ搬送するものである。なお、搬送装置６０は、本発明に係るものであり後に詳述する。
【００２２】
チャックテーブル２０上に保持されたウェーハ１は、チャックテーブル２０を回転させることにより、一方向に延びる各分割予定ライン２がＸ軸方向と平行とされ、これに直交する他方向に延びる各分割予定ライン２がＹ軸方向と平行とされ、その状態が、チャックテーブル２０が停止することで固定される。そしてこの状態を保持して、ＸＹ移動テーブル１２のＸ軸ベース３０とＹ軸ベース４０とを適宜に移動させながら、レーザ光線がレーザヘッド５０からウェーハ１の分割予定ライン２に沿って照射される。本実施形態では、分割予定ライン２の直下にレーザ光線の焦点位置を設定し、その焦点位置に溝を形成する。
【００２３】
レーザヘッド５０はチャックテーブル２０上に向かってＹ軸方向に延びるケーシング５１のチャックテーブル側の端面５１ａに設けられている。このケーシング５１は、基台１１の上面に立設されたコラム１３に、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って上下動自在に設けられており、コラム１３内に収容された図示せぬ上下駆動機構によって上下動させられる。
【００２４】
レーザヘッド５０には、ＹＡＧレーザ発振器、あるいはＹＶＯ４レーザ発振器からなるパルスレーザ発振器が接続されており、このレーザ発振器で発振されたレーザが、レーザヘッド５０から鉛直下向きにレーザ光線として照射されるようになっている。
【００２５】
レーザヘッド５０からのレーザ光線の照射位置は、ケーシング５１の端面５１ａにレーザヘッド５０と並んで取り付けられた顕微鏡５２の撮像に基づいて制御される。この顕微鏡５２は、ケーシング５１の上下動に伴いレーザヘッド５０とともに上下動して焦点調整がなされる。チャックテーブル２０に保持されたウェーハ１は、レーザ光線照射に先立ち、顕微鏡５２の下方に移動させられて顕微鏡５２により表面のパターン画像が撮像される。そして撮像されたウェーハ１の表面１ａのパターン画像は、図示せぬ画像処理手段に取り込まれ、この画像処理手段によって切断すべき分割予定ライン２が検出されるとともに、前述のチャックテーブル２０の回転を制御し、分割予定ライン２とＸＹ軸を平行に調整する基準となる。さらに、この画像処理手段により検出された分割予定ライン２のデータに基づき、チャックテーブル２０およびＸＹ移動テーブル１２の移動動作や、レーザヘッド５０からのレーザ光線照射といった動作が制御される。
【００２６】
上記ダイシング装置１０では、Ｘ軸ベース３０をＸ軸方向に移動させながらレーザヘッド５０から分割予定ライン２にレーザ光線を照射することにより、Ｘ軸方向と平行な分割予定ライン２に沿って溝が形成される。また、Ｙ軸ベース４０をＹ軸方向に移動させながらレーザヘッド５０から分割予定ライン２にレーザ光線を照射することにより、Ｙ軸方向と平行な分割予定ライン２に沿って溝が形成される。あるいは、Ｘ軸方向の分割予定ライン２に溝を形成した後にチャックテーブル２０を９０度回転させ、再度Ｘ軸方向の分割予定ライン２に溝を形成してもよい。レーザ光線を照射する際には、ケーシング５１を上下動させてレーザヘッド５０の上下位置を調整することにより、レーザ光線の焦点位置が分割予定ライン２の直下に設定される。
【００２７】
全ての分割予定ラインに沿ってレーザ光線が照射され、溝が形成されたら、ウェーハ１は、チャックテーブル２０から取り外される。この後、ウェーハ１は次工程である研削加工装置に運搬される。レーザ光線が照射されて溝が形成されたウェーハ１は、研削加工装置により、上記のようにして形成した溝が表出するまで裏面１ｂが研削され、半導体チップ３に個片化される。
【００２８】
［３］搬送装置
次に、図２および図３を参照して、本発明に係る本実施形態の搬送装置６０を説明する。
搬送装置６０は、チャックテーブル２０側に面した側面６１ａが鉛直面であるボード６１を備えている。ボード６１の側面６１ａには、Ｙ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール６２が固定されており、このガイドレール６２にスライダ６３が摺動自在に取り付けられている。このスライダ６３は、モータ６４でボールねじ６５を作動させる搬送機構６６によってＹ軸方向に移動させられる。
【００２９】
スライダ６３の中心には、スライダ６３からＸ方向手前側に延び、先端がＺ方向下方に屈曲しているＬ字状のアーム６７が固定されている。このアーム６７の先端には、リフタ６８が昇降可能に装着されている。このリフタ６８の下端には、搬送パッド７０が設けられている。
【００３０】
図３は、搬送パッド７０を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は搬送パッド７０にウェーハ１を保持する様子を示す図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３に示すように、搬送パッド７０は、円盤状のベース７１と、ベース７１の下面側にウェーハ１を吸引する複数（図では３つ）の非接触吸引保持手段７２と、非接触吸引保持手段７２に保持されたウェーハ１の垂直方向の移動を規制する支持パッド（垂直方向規制部）７３と、ウェーハ１の水平方向の移動を規制する側面支持手段７４（水平方向規制部）とから構成されている。非接触吸引保持手段７２は、ベース７１の中心の周囲に、周方向に等間隔をおいて配設されている。非接触吸引保持手段７２としては、例えば、上記特許文献２（特開２００４−１１９７８４号公報）に記載されている非接触式吸引保持器と同様な構成のものが好適に用いられる。ウェーハ１は、非接触吸引保持手段７２の下面に発生する負圧によって非接触吸引保持手段７２に吸引される。
【００３１】
ベース７１の外周縁近傍には、径方向に延びる複数（図では６つ）の支持パッド取付孔７１ａが、周方向に等間隔をおいて形成されている。支持パッド７３の上面には、図３（ｂ）に示すように、上面にねじ孔（図示省略）が形成された凸部７３ａが形成されている。支持パッド７３は、凸部７３ａが支持パッド取付孔７１ａに下方から挿入され、ボルト７５をねじ孔に螺合させることによりベース７１に固定される。支持パッド７３は、ボルト７５を介して支持パッド取付孔７１ａに沿って移動自在とされており、ボルト７５を締結することで支持パッド取付孔７１ａの任意の位置に固定される。
【００３２】
支持パッド７３は、ウェーハ１が非接触吸引保持手段７２によって吸引されると、ウェーハ１の上面と接触して垂直方向の移動を規制する。また、支持パッド７３は、テフロン（登録商標）などのフッ素樹脂によって形成されている。このため、粘着性の有る保護部材が塗布されたウェーハが接触しても、ウェーハが支持パッド７３に貼着することが防がれる。
【００３３】
また、ベース７１には、側面支持手段取付凹部７１ｂが複数（図では３つ）形成されており、この凹部７１ｂの一周方向側には、ベース７１の径方向に延びる側面支持手段取付孔７１ｃが形成されている。側面支持手段７４は、径方向に延びるロッド７７を進退させるシリンダ７６と、ロッド７７の先端に取り付けられた支持板７８とから構成されている。側面支持手段７４は、凹部内に位置付けられ、支持板７８が径方向に移動可能な位置に取り付けられる。側面支持手段７４は、側面支持手段取付孔７１ｃの下方からボルト（図示省略）が挿入され、側面支持手段７４のねじ孔７４ａに螺合させることによりベース７１に固定される。側面支持手段７４は、ボルトを介して側面支持手段取付孔７１ｃに沿って移動自在とされており、ボルトを締結することで側面支持手段取付孔７１ｃの任意の位置に固定される。支持パッド７３および側面支持手段７４の取り付け位置は、ウェーハ１の径に合わせて適宜調整される。
【００３４】
ウェーハ１を非接触吸引保持手段７２によって吸引するとき、側面支持手段７４の支持板７８は、ウェーハ１と接触しないような位置に位置付けられる。そして、非接触吸引保持手段７２によって吸引されたウェーハ１は、側面支持手段７４の支持板７８がベース７１の中心方向内側へ移動してウェーハ１の外周面に接触することにより、水平方向の移動が規制される。
【００３５】
本実施形態でのウェーハ１のチャックテーブル２０への供給搬送方法としては、まず最初に、搬送前の搬送装置６０が移動可能な範囲内の所定の位置に位置付けられたウェーハ１が、側面支持手段７４の支持板７８がベース７１の外周方向に移動して開いている状態で、非接触式保持手段７２によって吸引される。ウェーハ１が吸引されると、図３（ｂ）に示すように、保護部材５の表面が支持パッド７３に接触し、垂直方向の移動が規制される。次いで、シリンダ７６によって支持板７８を内側へ移動させ、ウェーハ１の外周面に支持板７８を接触させることによってウェーハ１の水平方向の移動が規制される。同時に搬送前の所定の位置にあるウェーハの位置にばらつきがあった場合でも高精度に位置決めすることが出来る。次いで、垂直方向と水平方向の移動が規制された状態のウェーハ１を、搬送テーブル移動機構６６によってチャックテーブル２０の上方に移動させる。次いで、支持板７８をベース７１の外周方向へ移動させ、その後リフタ６８を下降させる。その後、非接触吸引保持手段７２の吸引を停止してチャックテーブル２０上にウェーハ１が載置される。これにより、リフタ６８が下降したときにチャックテーブル２０がウェーハ１より大きい場合でも支持板７８がチャックテーブル２０と接触しない。次いで、上述のようにウェーハ１の分割予定ライン２に沿って溝が形成される。溝の形成が終了したウェーハ１は、供給搬送方法と同様の回収搬送方法によって、次工程である研削加工装置に運搬される。研削加工装置に運搬されたウェーハ１は、ダイシング装置１０により形成された溝が表出するまで裏面１ｂが研削され、半導体チップ３に個片化される。
【００３６】
本実施形態の搬送装置６０では、ウェーハ１の外周面に支持板７８を接触させることによってウェーハ１の水平方向の移動を規制すると同時に搬送前の所定の位置にあるウェーハの位置にばらつきがあった場合でも高精度に位置決めすることが出来る。その結果、ウェーハ１を位置決めする位置決め機構を別途設ける必要はなく、省スペース化が図られるとともに装置全体の構成をよりシンプルにすることが出来る。また、ウェーハ１をチャックテーブル２０に載置するときに支持板７８を外周方向に移動して開くことが出来るので、ウェーハ１よりも大きなチャックテーブル２０を使用することが出来る。ブレードでウェーハ１を加工する場合はウェーハ１よりも大きなチャックテーブル２０を使用する必要があるため。この場合に特に有効である。
【００３７】
また、本実施形態では、支持パッド７３や側面支持手段７４の支持板７８に、ノッチ４に係合する凸部を設けることができる。この形態によれば、ウェーハ１を保持するときにノッチ４に凸部を係合させることで、搬送時の揺れなどによって生じるウェーハ１の水平方向の回転を効果的に防止することができるといった利点がある。
【００３８】
［４］他の実施形態
上記実施形態の搬送装置６０では、ウェーハ１の垂直方向および水平方向の移動を規制する手段を別個に設けていたが、ウェーハ１の、垂直方向および水平方向の移動を規制する手段を一体に形成してもよい。この形態について図４を参照して説明する。なお、上記実施形態の搬送装置６０と同一構成要素には同一の符合を付しており、それらについては簡略的に説明する。
【００３９】
図４は、搬送パッド８０を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は搬送パッド８０が備える支持パッド８２の側面図、（ｃ）は搬送パッド８０にウェーハ１を保持する様子を示す図４（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図４に示すように、搬送パッド８０は、ベース８１と、ウェーハ１を吸引する複数（図では３つ）の非接触吸引保持手段７２と、非接触吸引保持手段７２に保持されたウェーハ１の移動を規制する移動規制パッド８２とから構成されている。非接触吸引保持手段７２は、上記実施形態と同様に周方向に等間隔をおいて配設されている。移動規制パッド８２は、上記実施形態の支持パッド７３と同様にフッ素樹脂で形成されている。
【００４０】
ベース８１には、上記実施形態と同様に複数（図では６つ）の移動規制パッド取付孔８１ａが周方向等間隔に形成されている。移動規制パッド８２の上面８２ａには、図４（ｂ）に示すように、上面にねじ孔（図示省略）が形成された凸部８３が形成されている。移動規制パッド８２は、凸部８４が移動規制パッド取付孔８１ａに下方から挿入され、ボルト８３をねじ孔に螺合させることによりベース８１に固定される。移動規制パッド８２は、ボルト８３を介して移動規制パッド取付孔８１ａに沿って移動自在とされており、ボルト８３を締結することで移動規制パッド取付孔８１ａの任意の位置に固定される。移動規制パッド８１の取り付け位置は、ウェーハ１の径に合わせて適宜調整される。移動規制パッド８２の一側面８２ｂには、ウェーハ１表面１ａを接触させる垂直方向接触面８５と、ウェーハ１の側面を接触させる水平方向接触面８６が形成されている。移動規制パッド８２は、一側面８２ｂ側を内側にして取り付けられる。図５に示すように、垂直方向接触面８５と水平方向接触面８６がなす角θは、９０度以上であって、例えば、水平面と垂直方向接触面８５がなす角θ２が２．５〜５度、鉛直面と水平方向接触面８６がなす角θ３が４５度以下に設定される。
【００４１】
角θ２は垂直方向接触面８５がウェーハ１に塗布された保護膜５に接触する面積が小さくなる様に大きくする必要があるが、大きくしすぎると垂直方向の規制が出来なくなる。実験においては約２．５〜５度の範囲で垂直方向接触面８５がウェーハ１に塗布された保護膜５に接触する面積を十分に小さく出来てさらに垂直方向の規制も可能であった。
【００４２】
角θ３は大きくするにつれて、搬送前のステージ１０５の所定の位置１０４に位置付けられたウェーハ１の位置のばらつきに対する許容値が大きくなる。すなわち、角θ３を大きくするにつれて幅１０３が大きくなり、幅１０３が、搬送前の所定の位置１０４に位置付けられたウェーハ１の位置のばらつきに対する許容値になるからである。しかし、角θ３を大きくしすぎると非接触吸引保持手段７２によって吸引されたウェーハ１が水平方向接触面８６にそって位置決めされる、ということが出来なくなる。また、水平方向の規制ができなくなる。実験においては、約４５度以下の角度で非接触吸引保持手段７２によって吸引されたウェーハ１が水平方向接触面８６にそって位置決めすることが可能であった。また、水平方向の規制も可能であった。よって、搬送前の搬送装置６０が移動可能な範囲内の所定の位置に位置付けられたウェーハ１の位置のばらつきは角θ３が約４５度の際における幅１０１の範囲に収まるようにする必要がある。
【００４３】
この形態では、垂直規制部と水平規制部が一体に形成されており可動部も無いために、ウェーハ搬送装置の構成が簡素となる。また、搬送される前のウェーハの位置にばらつきがある場合でも、非接触吸引保持手段によってウェーハが吸引される際に高精度に位置決めが可能である。
【００４４】
なお、本発明の搬送装置は、上記実施形態のように保護膜が塗布されたウェーハだけでなく、ＤＡＦやレジスト液などの被加工面を覆うような処理が施されたウェーハを高い位置決め精度をもって搬送する必要がある装置にも有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態の搬送装置により搬送されるウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図２】一実施形態の搬送装置を備えたダイシング装置を示す斜視図である。
【図３】（ａ）は、一実施形態の搬送装置の搬送パッドを示す斜視図、（ｂ）は一実施形態の搬送パッドにウェーハが保持された様子を示す図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】（ａ）は、他の実施形態の搬送装置の搬送パッドを示す斜視図、他の実施形態の搬送パッドにウェーハが保持された様子を示す図４（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】他の実施形態の搬送パッドとウェーハの位置関係を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ウェーハ
６０…ウェーハ搬送装置
６６…搬送機構（移動手段）
７２…非接触吸引保持手段
７３…支持パッド（垂直方向規制部）
７４…側面支持手段（水平方向規制部）
８２…移動規制パッド（規制手段）
【図１】
0005009179.tif 000002
【図２】
0005009179.tif 000003
【図３】
0005009179.tif 000004
【図４】
0005009179.tif 000005
【図５】
0005009179.tif 000006