(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の熱膨張係数及び第１の熱伝導率を有する熱発生電子機器のための吸熱器であって、
前記第１の熱膨張係数よりも大きな第２の熱膨張係数と、前記第１の熱伝導率よりも大きな第２の熱伝導率とを有して前記熱発生電子機器から熱を除去する躯体部と、
前記第１の熱膨張係数に略整合する熱膨張係数を有し、前記第１の熱伝導率よりも大きく、前記第２の熱伝導率よりも小さいかあるいは同等の熱伝導率を有する材料から成り、前記熱発生電子機器と前記躯体部との間に配置される中間領域部とを具備して成り、
前記中間領域部は、前記躯体部よりも薄く形成され、
前記熱発生電子機器の加熱または冷却によって引き起こされる応力が、前記躯体部と前記中間領域部の接合部において概ね生じるように、前記躯体部と前記中間領域部が接合されてなることを特徴とする吸熱器。
【請求項２】
前記躯体部と前記中間領域部が接着層によって接合されることを特徴とする、請求項１に記載の吸熱器。
【請求項３】
前記中間領域部が、前記熱発生電子機器と熱接触状態にあることを特徴とする、請求項１または２に記載の吸熱器。
【請求項４】
前記中間領域部の前記熱膨張係数が、前記熱発生電子機器の前記第１の熱膨張係数よりも約４．０×１０−６・Ｋ−１以上大きいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の吸熱器。
【請求項５】
前記中間領域部が、約４．５×１０−６・Ｋ−１以上から約１０．０×１０−６・Ｋ−１までの熱膨張係数を有する材料から成ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の吸熱器。
【請求項６】
前記中間領域部が炭化ケイ素アルミニウム合金ＡｌＳｉＣから成り、また前記躯体部がアルミニウムから成ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の吸熱器。
【請求項７】
前記吸熱器が、更に、前記中間領域部の上部と前記躯体部の底部との間に１つ以上の分離層を具備して成り、前記各分離層がその真下の分離層よりも大きな熱膨張係数を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の吸熱器。
【請求項８】
前記躯体部が、更に、冷却用ファンを具備して成ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の吸熱器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱発生電子機器と吸熱器との間の熱的に整合された境界面に関し、更に詳しくは、所定の熱膨張係数及び熱伝導率を有する材料から成る熱的に整合された成分勾配付きの境界面に関するものであり、該境界面は、熱発生集積回路とプリント回路基板上の吸熱器の主要な部分との間に配設される。
【０００２】
【従来の技術】
現在、高効率集積回路装置、特にコンピュータ用の高速中央演算処理装置は、その動作中に相当量の熱エネルギーを発生させる。この熱が連続的に除去されなければ、前記装置は損傷を受けるか、またはその作動性能が著しく減少される。
【０００３】
前記中央演算処理装置から余分の熱を除去するために好ましい方法は吸熱器を備えることである。重要な用途における熱除去の好ましい手段は、ファン付き吸熱器の利用である。前記吸熱器自体は、例えばアルミニウムのような高い熱伝導率を有する材料から形成され、前記アルミニウム材は、前記集積回路から熱を容易に取り去り且つ表面領域を増加させ、空気流を向けるために各フィンが取り付けられる。前記吸熱器は、前記集積回路装置上に配置されてその集積回路装置と接触する。通常、前記吸熱器は、ブラケットまたはフレームによって機械的に固定される。前記ブラケットまたはフレームが用いられる場合、前記集積回路と前記吸熱器との間にサーマル・グリースを介在させる。それに代わって、前記吸熱器は、半田または接着剤で前記集積回路に結合される。
【０００４】
前記ファン付き吸熱器において、前記ファンは、冷風を引き込んで前記吸熱器に接触させ、前記電子機器から熱を効率的に取り去る。そのようなファン付き吸熱器は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第５，７８５，１１６号明細書に記載され且つ本明細書に参照されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような効率的な吸熱器の使用に伴う問題は、熱循環によって下方に位置する電子機器が摩滅することである。即ち、使用中に前記集積回路が加熱及び冷却されると、応力が前記吸熱器と前記集積回路の接合部に発生する。前記集積回路が前記吸熱器に物理的に結合されると、前記集積回路自体、電気的接続部、及び前記下方に位置するプリント回路基板は、それら構成部品の熱膨張係数の相違によって、異なった速度で反復的に膨張及び収縮を行なう。前記サーマル・グリースが前記集積回路装置と前記吸熱器との間で使われると、前記サーマル・グリース機能が反復的な熱循環によって著しく減退する。前記吸熱器が前記集積回路に単に隣接して配置されても、前記集積回路と前記吸熱器との間に最適な接触が少なく、前記集積回路からの熱の伝導を低減させる。
【０００６】
前記集積回路と同等の熱膨張係数を有する種々の材料が前記吸熱器を形成するために利用される。しかしながら、それらの材料は通常、良好な熱伝導体である金属よりも低い熱伝導率を有する。そのような低熱伝導率材料から成る吸熱器は、その結果、熱放散で非効率的になり、前記電子機器あるいは実用上余りにも大型で嵩張り過ぎる吸熱器のために必要な要件に損傷を与えることになる。
【０００７】
本発明は、前述した従来技術の問題点を解消し、有害な応力を誘発することなく、電子機器から実用的且つ効率的に熱を除去する吸熱器を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【問題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、第１の熱膨張係数及び第１の熱伝導率を有する熱発生電子機器のための吸熱器であって、前記第１の熱膨張係数よりも大きな第２の熱膨張係数と、前記第１の熱伝導率よりも大きな第２の熱伝導率とを有して前記熱発生電子機器から熱を除去する躯体部と、前記第１の熱膨張係数に略整合する熱膨張係数を有し、前記第１の熱伝導率よりも大きく、前記第２の熱伝導率よりも小さいかあるいは同等の熱伝導率を有する材料から成り、前記熱発生電子機器と前記躯体部との間に配置される中間領域部とを具備して成ることを特徴とする吸熱器によって達成される。
【０００９】
【作用】
本発明によれば、熱発生電子機器と吸熱器躯体部とから成る組立体は、それらの間に中間の熱的に整合された成分勾配付き領域が配設される。ここで言う前記中間の成分勾配付き領域は、下方に位置する熱発生電子機器と吸熱器躯体部との間の領域を意味し、前記中間の成分勾配付き領域は、前記下方に位置する電子機器よりも大きいけれども前記吸熱器躯体部よりも小さいかあるいは同等の熱伝導率を有する。
前記中間の成分勾配領域は、前記熱発生電子機器の熱膨張係数と略整合する熱膨張係数と、該熱発生電子機器の熱伝導率よりも大きいが前記吸熱器躯体部の熱伝導率よりも小さい熱伝導率とを有する１つ以上の材料から成る。前記中間の成分勾配領域の配設は、熱循環によって生ずる前記熱発生電子機器上の応力を大幅に低減する。
【００１０】
別の実施態様において、特別に適合される中間の成分勾配領域は、熱発生部品と前記吸熱器躯体部との間に配設される。前記中間の成分勾配領域は、前記下方に位置する熱発生部品（例えば、コンピュータの中央演算処理装置）の熱膨張係数と略整合する一方、より高い熱伝導率を有する第１の基部を有する。更に、前記中間の成分勾配領域は、前記第１の基部と一体的になって、ハイブリッド式中間成分勾配領域の主要熱放散要素として作用する第２の部分を有する。
前記第２の部分は、前記第１の基部または前記下方に位置する電子部品のいずれよりも高い熱伝導率を有する。従って、熱循環によって生じる応力は、前記下方に位置する熱発生電子機器または回路基板よりもむしろ前記上方に位置する中間の成分勾配領域及び前記吸熱器躯体部によって吸収されて前記熱発生電子機器への損傷を阻止する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の吸熱器の一実施態様について、添付した図面に基づき以下に詳述する。
図１に示した本発明の実施態様によれば、組立体２は、熱発生電子機器４，６，８を有する。前記各熱発生電子機器４，６，８は、コンピュータの中央処理装置チップとして図示され、夫々略同等の第１の熱膨張係数と第１の熱伝導率を有する。
更に、前記組立体２は、吸熱器躯体部１０と中間領域部１２とを特徴とする吸熱器主要部３を有する。前記吸熱器躯体部１０は、良好な熱伝導率を有する材料から成り、その作動中に前記各熱発生電子機器４，６，８から熱を取り去るように特に寸法及び形状を設定される。前記吸熱器躯体部１０は、前記各熱発生電子機器４，６，８よりも大きな熱膨張係数と熱伝導率とを有する。
【００１２】
前記各熱発生電子機器４，６，８と前記吸熱器躯体部１０との間の前記中間領域部１２は、前記各熱発生電子機器４，６，８の熱膨張係数と略整合する熱膨張係数を有する材料から成る。前記中間領域１２の熱伝導率は、前記各熱発生電子機器４，６，８の熱伝導率よりも大きいが、前記吸熱器躯体部１０の熱伝導率よりも小さいかあるいは同等である。
【００１３】
図１に示すように、前記吸熱器躯体部１０及び前記中間領域部１２は個別に形成される。前記中間領域部１２の上部１４は、前記吸熱器躯体部１０の底部１６に隣接し、且つ同一の広がりを有するように図示されている。前記上部１４及び前記底部１６は、充填材入りエポキシのような熱伝導及び熱膨張の適正な物理的特性を有する化学接着層３６によって前記吸熱器躯体部１０と前記各熱発生電子機器またはチップ４，６，８に夫々結合される。それに代わって、前記接着層３６は、適正な半田またはサーマル・グリースであってもよい。別の実施態様において、前記吸熱器躯体部１０及び前記中間領域部１２は、永久的な取付を形成するために一緒に燒結される。
【００１４】
再度、図１を参照すれば、前記吸熱器主要部３は、前記各熱発生電子機器４，６，８を有する。前記吸熱器主要部３は、第１の熱膨張係数と第１の熱伝導率とを有する。前記各熱発生電子機器４，６，８から熱を取り去るための前記吸熱器主要部３は、第１の中間領域部１２と第２の吸熱器躯体領域部１０とを有する。
【００１５】
前記吸熱器主要部３の前記中間領域部１２は、前記各熱発生電子機器４，６，８に隣接する。前記中間領域部１２は、前記各熱発生電子機器４，６，８の第１の熱膨張係数と略整合する第２の熱膨張係数を有する一方、前記各熱発生電子機器４，６，８の第１の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する。
【００１６】
前記吸熱器主要部３の前記吸熱器躯体領域部１０は、前記中間領域部１２の第２の熱膨張係数よりも大きな第３の熱膨張係数を有する一方、前記中間領域部１２の熱伝導率よりも大きなあるいは同等の第３の熱伝導率を有する。
【００１７】
図２に示した本発明の別の実施態様によれば、熱発生電子機器を冷却するために使用されるフィン付きターボクーラの吸熱器躯体部２０は、使用中に前各記熱発生電子機器に隣接して配設される第１の基部領域２２を有する。前記第１の基部領域２２は、それが冷却する前記各熱発生電子機器に略整合する熱膨張係数を有する材料から成る一方、それが冷却する前記各熱発生電子機器よりも大きな熱伝導率を有する。
【００１８】
前記第１の基部領域２２から離れているが、熱的に接触状態にある第２の領域２４は、前記第１の基部領域２２よりも大きな熱膨張係数と熱伝導率とを有する金属材から成る。一実施態様において、前記吸熱器躯体部の材料の成分は、非常に均一な成分勾配を伴って前記第１の基部領域２２から前記第２の領域２４まで変化する。
例えば、前記第１の基部領域２２は炭化ケイ素アルミニウム合金AlSiCであり、一方、前記第２の領域２４はアルミニウム金属で、残りの領域２６は炭化ケイ素アルミニウム合金AlSiCからアルミニウム金属へと成分的に変化する。そのような様々な成分の合着体は、燒結、スエージ加工、鋳造、その他当業界で既知の方法によって形成される。更に、前記吸熱器躯体部２０は、所定位置に各フィン４４を配して形成されるか、あるいはビレットから機械加工される。
【００１９】
本発明によれば、図１の前記各熱発生電子機器４，６，８のように中央演算処理装置中の熱循環によって誘発される応力を低減する方法は、前記各熱発生電子機器４，６，８に隣接して前記吸熱器主要部３を設けることである。前記吸熱器主要部３は、前記各熱発生電子機器４，６，８に隣接した前記中間領域部１２中で前記各熱発生電子機器４，６，８の熱膨張係数と略整合する熱膨張係数と前記各熱発生電子機器４，６，８よりも大きな熱伝導率とを有する。
前記中間領域部１２に隣接する前記吸熱器躯体領域部１０は、前記中間領域部１２よりも大きい熱膨張係数を有し、前記中間領域部域１２以上の熱伝導率を有する。前記吸熱器主要部３は、連続する熱貫流径路が前記各熱発生電子機器４，６，８、前記中間領域部１２、及び前記吸熱器躯体領域部１０との間に形成されるように下方に位置する前記各熱発生電子機器４，６，８に結合される。
【００２０】
図１を更に詳細に参照すると、前記吸熱器組立体２は、下方に位置する前記各中央演算処理チップ４，６，８を冷却するために使用される前記吸熱器主要部３から成る。前記組立体２は、前記中間領域部１２と前記吸熱器躯体領域部１０とを有する。図１に示すように、前記中間領域部１２は、ファンで冷却される前記吸熱器躯体領域部１０よりも薄い。一部の熱は熱的に整合された前記中間領域部１２によって放散される一方、前記吸熱器躯体領域部１０は主要な吸熱機能を果たす。
前記吸熱器躯体領域部１０は、その外部周辺に各フィン３０が角度を付けて配設される中空状円筒形を呈する。冷却用ファン（図示せず）は、前記吸熱器躯体領域部１０の中央に配設され、前記各フィン３０の高い表面領域の周辺で空気を高速に移動させるように駆動されて熱を放散させる。例えば、前記吸熱器躯体領域部１０は、先に参照した米国特許第５，７８５，１１６号明細書に記載されているように構成可能である。
【００２１】
それに代わって、前記吸熱器躯体領域部１０は、当業者にとって既知である熱伝導材料から成るブロック、ヒートパイプ、圧電気クーラまたはその他の吸熱器のような他の種類の吸熱器躯体部または装置でもよい。特殊な吸熱器の形状及び寸法はその用途に応じて設定され、そのような設計は当業界で周知である。
本発明は、１つの熱膨張係数整合中間層１２を以て記述されて来たが、その真下のものよりも高い熱伝導率を有する各追加層を前記熱膨張係数整合中間層１２と前記吸熱器躯体領域部１０との間に介在させてもよい。
【００２２】
前記吸熱器躯体領域部１０は、特許請求の範囲に記載された各限定に準ずる全ての適正な熱放散材料から形成される。前記吸熱器躯体領域部１０に好ましい材料は、アルミニウム及びアルミニウム合金であるが、例えば銅、銀、ニッケル、鉄及びそれらの合金のようなその他の材料が当業者によって選択可能である。
【００２３】
前記中間の成分勾配界面領域１２は、前記吸熱器躯体領域部１０の下方に位置し、熱が前記中間または成分勾配界面領域１２から前記吸熱器躯体領域部１０に引き上げられるように、前記中間の成分勾配界面領域１２と熱的に結合される。図１において、前記吸熱器躯体領域部１０は、前記接着層３６によって前記中間層領域部１２に結合される。前記中間層領域部１２の底部３２は、前記各熱発生チップ４，６，８の上方に位置し、接着層３４によってそれらに結合される。前記各熱発生チップ４，６，８は支持体３８上の所望する位置に配設され、前記支持体３８は伝導ピン４２によってエポキシ合成プリント回路基板４０に取り付けられる。本発明に従って熱的に整合された前記中間層領域部１２を包含することは、下方に位置する前記各熱発生チップ４，６，８上の熱循環に起因する応力を大幅に減少させるので、前記接着ボンドの機能減退が生じ難くなる。
【００２４】
図２は、図１の前記吸熱器躯体領域部１０及び前記中間層領域部１２の組合せと外観において類似する各冷却用フィン４４付きの熱的に整合された成分勾配吸熱器の他の実施態様を示す。前記吸熱器躯体部２０は、下方に位置する熱発生電子機器と熱的に整合された前記基部領域２２から比較的高い熱伝導率を有する頂部及び末端フィン領域２４まで成分が変化する材料から成る。前記吸熱器躯体部２０の成分は、前記基部領域２２から前記頂部及び末端フィン領域２４まで徐々に且つ均一に変化する。あるいは、前記基部領域２２はある材料で形成させ、前記吸熱器躯体部２０の残りの部分を別の材料で形成させる。
【００２５】
例えば、前記基部領域２２は、炭化ケイ素アルミニウム合金AlSiCで、且つ前記吸熱器躯体部２０の残りの部分はアルミニウム金属でもよい。それに代わって、前記基部領域２２は炭化ケイ素アルミニウム合金AlSiCで、且つ前記吸熱器躯体部２０の残りの部分は、前記頂部及び末端フィン領域２４が略アルミニウム金属となるまで、徐々にアルミニウムを増加させて構成される。
【００２６】
前記各熱発生素子に隣接して存在する吸熱器組立体の一部及び前記吸熱器躯体主要部を形成するために使用される材料は、下方に位置する前記各熱発生チップ４，６，８のものと略整合する熱膨張係数を有するように選択される。表１は、通常の２つの半導体材料の熱膨張係数及び熱伝導率を示すものである。
【００２７】
【表１】
0005047422.tif 000002
【００２８】
表２は、電子機器製造用のプリント回路基板及び通常の接着材料の熱膨張係数を示すものである。
【００２９】
【表２】
0005047422.tif 000003
【００３０】
電子機器パッケージまたは部品の熱膨張係数が決定されると、次に、それに隣接して配設される前記吸熱器の部分の材料選択がなされる。単一の吸熱器組立体が異なった熱膨張係数を有して下方に位置する各部品を冷却するために使用される場合、熱膨張係数の平均値が算出される。
【００３１】
前記吸熱器躯体部に隣接する前記中間領域部は、冷却すべき前記部品の熱膨張係数と略整合する熱膨張係数を有することが好ましい。好ましい実施態様において、前記境界面の熱膨張係数は、冷却すべき前記部品の熱膨張係数よりも大きく、通常約１．５×１０-6・K-1から約４．０×１０-6・K-1までの範囲内にある。大部分の半導体中央処理装置において、前記境界面の熱膨張係数は、約４．５×１０-6・K-1から１０．０×１０-6・K-1までの範囲内にある。
【００３２】
また、前記部品境界面領域の熱伝導率は、前記部品から熱を取り去って前記中間領域部への熱伝導を促進するために、冷却すべき前記部品の熱伝導率と同等あるいはより大きいものであることが注目に値する。
【００３３】
主要な熱放散領域（例えば、図１の前記吸熱器躯体領域部１０、及び図２の前記頂部及び末端フィン領域２４と前記残りの領域２６）は、前記中間層領域部１２よりも大きな熱膨張係数及び熱伝導率を有する。従って、熱循環によって発生する応力は、前記中間層領域部１２の上部と前記吸熱器躯体領域部１０との間の接合部で主に発生し、それによって前記下方に位置する部品上の応力を減少させる。
【００３４】
表３は、前記吸熱器の前記境界面領域部と前記主要な熱放散躯体部用の多数の適用可能な材料に関する各熱膨張係数及び熱伝導率を示すものである。当業者は、本発明を実施するために適正な材料を選択するため、適正な熱膨張係数と熱伝導率を有する材料を選択することにそのような表を使用できる。例えば、ＢｅＯから成る層は、ヒ化ガリウム半導体チップとアルミニウム吸熱器躯体部との間の前記境界面領域部として使用される。
【００３５】
【表３】
0005047422.tif 000004
【００３６】
本発明はその特定の実施態様に関連して説明されているが、他の形態は当業者によって容易に適応可能である。例えば、前記主要な成分勾配吸熱器用に適正な多数の材料が示唆されているが、当業者は本発明から逸脱することなくその置換を行なうことができるであろう。全ての実施態様は本明細書で記述できないので、本発明の範囲は、特許請求の範囲に従ってのみ特定されるものである。なお、本発明の吸熱器の各実施態様を列挙すれば、概ね以下の通りである。
【００３７】
１）  第１の熱膨張係数及び第１の熱伝導率を有する熱発生電子機器のための吸熱器であって、前記第１の熱膨張係数よりも大きな第２の熱膨張係数と、前記第１の熱伝導率よりも大きな第２の熱伝導率とを有して前記熱発生電子機器から熱を除去する躯体部と、前記第１の熱膨張係数に略整合する熱膨張係数を有し、前記第１の熱伝導率よりも大きく、前記第２の熱伝導率よりも小さいかあるいは同等の熱伝導率を有する材料から成り、前記熱発生電子機器と前記躯体部との間に配置される中間領域部とを具備して成ることを特徴とする吸熱器。
【００３８】
２）  上記１）の吸熱器であって、前記躯体部及び前記中間領域部が一体的であることを特徴とする吸熱器。
【００３９】
３）  上記１）あるいは２）の吸熱器であって、前記中間領域部が、前記熱発生電子機器と熱接触状態にあることを特徴とする吸熱器。
【００４０】
４）  上記１）〜３）の何れかの吸熱器であって、前記中間領域部の前記熱膨張係数が、前記熱発生電子機器の前記第１の熱膨張係数よりも約４．０×１０-6・K-1以上大きいことを特徴とする吸熱器。
【００４１】
５）  上記１）〜３）の何れかの吸熱器であって、前記中間領域部が、約４．５×１０-6・K-1から約１０．０×１０-6・K-1までの熱膨張係数を有する材料から成ることを特徴とする吸熱器。
【００４２】
６）  上記１）〜３）の何れかの吸熱器であって、前記中間領域部が炭化ケイ素アルミニウム合金AlSiCから、また前記躯体部がアルミニウムから成ることを特徴とする吸熱器。
【００４３】
７）  上記１）〜３）の何れかの吸熱器であって、前記吸熱器が、更に、前記中間領域部の上部と前記躯体部の底部との間に１つ以上の分離層を具備して成り、前記各分離層がその真下の分離層よりも大きな熱膨張係数を有することを特徴とする吸熱器。
【００４４】
８）  上記１）〜３）の何れかの吸熱器であって、前記躯体部が、更に、冷却用ファンを具備して成ることを特徴とする吸熱器。
【００４５】
９）  第１の熱膨張係数及び第１の熱伝導率を有する装置における熱循環によって誘発される応力を低減する方法であって、前記装置に隣接して前記第１の熱膨張係数に略整合する第２の熱膨張係数と、前記第１の熱伝導率よりも大きな第２の熱伝導率とを有する第１の躯体部を配設し、前記第１の躯体部に隣接して前記第２の熱膨張係数よりも大きな第３の熱膨張係数と、前記第２の熱伝導率よりも大きいかあるいは同等の第３の熱伝導率とを有する第２の躯体部を配設し、そして、連続した熱貫流径路が前記装置、前記第１の躯体部及び前記第２の躯体部との間に形成されるように、前記装置を前記第１の躯体部に、且つ前記第１の躯体部を前記第２の躯体部に結合することを特徴とする方法。
【００４６】
１０）  上記９）の方法であって、前記装置が、電子回路であることを特徴とする方法。
【００４７】
【発明の効果】
以上、記述した本発明の吸熱器は、次に記すよう新規な効果を奏するものである。即ち、本発明の吸熱器は、前記第１の熱膨張係数よりも大きな第２の熱膨張係数と、前記第１の熱伝導率よりも大きな第２の熱伝導率とを有して前記熱発生電子機器から熱を除去する前記躯体部と、前記第１の熱膨張係数に略整合する熱膨張係数を有し、前記第１の熱伝導率よりも大きく、前記第２の熱伝導率よりも小さいかあるいは同等の熱伝導率を有する材料から成り、前記熱発生電子機器と前記躯体部との間に配置される前記中間領域部とを具備して成るので、前記中間領域部の配設で熱循環によって生ずる前記熱発生電子機器上の応力を大幅に低減することが可能になった。
【００４８】
なお、特別に適合される前記中間の成分勾配領域は、前記下方に位置する熱発生部品（例えば、コンピュータの中央演算処理装置）の熱膨張係数と略整合する一方、より高い熱伝導率を有する第１の基部と、該第１の基部と一体的になって、ハイブリッド型中間成分勾配領域の主要熱放散要素として作用する第２の部分とを有し、前記第２の部分が、前記第１の基部または前記下方に位置する電子部品のいずれよりも高い熱伝導率を有するので、熱循環によって生じる応力が前記下方に位置する熱発生電子機器または回路基板よりもむしろ前記上方に位置する中間の成分勾配領域及び前記吸熱器躯体部によって吸収されて前記熱発生電子機器への損傷を阻止することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】共通基板上の３つの熱発生集積回路と、その回路上に存在するファン付き吸熱器躯体部と、中間の熱的に整合された層とを有する回路基板の側面図である。
【図２】熱的に整合された吸熱器躯体部の側面図である。
【符号の説明】
２  組立体
３  吸熱器
４，６，８  熱発生電子機器
１０  吸熱器躯体部
１２  中間領域部
１４  上部
１６  底部
２０  吸熱器躯体部
２２  基部領域
２４  上部及び末端フィン領域
２６  残りの領域
３０  フィン
３２  底部
３４  接着層
３６  接着層
３８  支持体
４０  エポキシ合成プリント回路基板
４２  伝導ピン
４４  フィン
【図１】
0005047422.tif 000005
【図２】
0005047422.tif 000006