(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線を生成する放射源であって、
燃料が放射ビームによって接触されてプラズマを形成する位置にあるプラズマ形成サイトと、
前記プラズマ形成サイトで形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成するコレクタと、
少なくとも一部が前記プラズマ形成サイトと前記コレクタとの間に位置する複数のフォイルを備える汚染物バリアと、
前記複数のフォイルに動作可能に接続された回転可能ベースであって、前記放射ビームが前記汚染物バリアを通過して前記プラズマ形成サイトに達することを可能にする回転可能ベースと、
を備え、
前記回転可能ベースは、前記放射ビームの経路と一致するように対応した回転軸を備える、放射源。
【請求項２】
前記コレクタがアパーチャを備え、前記汚染物バリアの前記回転可能ベースが、前記アパーチャを通して延びる、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記放射ビームが、前記コレクタから離れて位置するレーザによって提供される、請求項１に記載の放射源。
【請求項４】
前記汚染物バリアが、前記プラズマ形成サイトに対して前記コレクタの背後に位置する駆動装置をさらに備える、請求項１に記載の放射源。
【請求項５】
前記複数のフォイルが、使用時に遠位端から放射状に放出される液滴が前記コレクタに当たらないような位置にある遠位端を有する、請求項１に記載の放射源。
【請求項６】
前記複数のフォイルが、前記複数のフォイルと前記コレクタが前記放射方向に重ならないように構成され配置される、請求項１に記載の放射源。
【請求項７】
使用時に前記複数のフォイルによって捕集されるデブリ粒子が前記コレクタに当たらないように放射状に放出されるように、前記複数のフォイルが構成され配置される、請求項１に記載の放射源。
【請求項８】
前記汚染物バリアが、前記回転可能ベースの端部を支持するサポートをさらに備える、請求項１に記載の放射源。
【請求項９】
前記サポートが、前記コレクタと前記プラズマ形成サイトとの間に前記コレクタを横切って延びる、請求項８に記載の放射源。
【請求項１０】
前記回転可能ベースが、前記プラズマ形成サイトを越えて延びる、請求項１に記載の放射源。
【請求項１１】
前記回転可能ベースが、ビームストップによって支持される、請求項１０に記載の放射源。
【請求項１２】
前記プラズマ形成サイトの近傍に、前記回転可能ベースが複数のストラットを備える、請求項１０に記載の放射源。
【請求項１３】
前記燃料の液滴を前記プラズマ形成サイトへ送達させる液滴ジェネレータであって、前記液滴が前記ストラットの１つに当たる時に液滴が発生しないように前記汚染物バリアの回転と同期した液滴ジェネレータをさらに備える、請求項１２に記載の放射源。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射源を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１５】
極端紫外線を生成する方法であって、
燃料を放射ビームに接触させてプラズマを形成すること、
コレクタを用いて前記プラズマによって形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成すること、及び
デブリ粒子がフォイルによって阻止されるように、前記プラズマと前記コレクタとの間に少なくとも一部が位置する複数のフォイルを回転可能ベース上で回転させることを含み、
前記放射ビームが、前記燃料に接触して前記プラズマを形成する前に前記回転可能ベースの回転軸と一致するように対応する経路を通過する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、放射源及びリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、普通は基板のターゲット部分に塗布する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてＩＣの個々のレイヤ上に形成する回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）上へ転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）のレイヤ上への結像によって行われる。一般に、単一の基板は連続的にパターン付けされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することで各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながらこれに同期してこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることで各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
[0003]  パターン印刷の範囲の理論的推定は、下式（１）に示す分解能に関するレイリーの基準によって与えられる。
【数１】
0004907690.tif 000002
上式で、λは使用する放射の波長、ＮＡＰＳはパターンを印刷するために使用する投影システムの開口数、ｋ１は工程依存の調整係数（レイリー定数とも呼ばれる）、及びＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの低減が、露光波長λの短波長化、開口数ＮＡＰＳの増加、又はｋ１の値の低減という３つの方法で得られることが導かれる。
【０００４】
[0004]  露光波長の短波長化、及びそれ故、最小印刷可能サイズを低減するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射源を構成して、例えば、１０〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射を出力することができる。それ故、ＥＵＶ放射源は、リソグラフィ装置を用いて達成することができるクリティカルディメンションの低減の達成に向けた重要なステップを構成することができる。上記放射は、極端紫外線又はソフトＸ線と呼ばれ、可能な放射源は、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングからのシンクロトロン放射を含む。
【０００５】
[0005]  レーザ生成プラズマ源では、燃料の液滴にレーザビームが向けられ、それにより燃料は気化し、プラズマを形成する。プラズマはＥＵＶを放射し、ＥＵＶはコレクタ（しばしば曲面ミラー）によって収集され、焦点に合焦される。いくつかの例では、燃料の液滴の気化は不完全である。この不完全な気化の結果、デブリが放射源に導入されてコレクタ上に堆積することがある。さらに、気化した燃料（これもデブリと考えられるが）は、放射源内に残ってコレクタ上に堆積することがある。コレクタ上のデブリの堆積によって、コレクタはある期間にわたり反射性を失う。その結果、定期的にコレクタを除去及び交換又はクリーニングする必要があろう。何故なら、コレクタの交換又はクリーニング中は、リソグラフィ装置の運転は一時停止し、基板のパターン形成が中断するからである。
【０００６】
[0006]  レーザ生成プラズマ源のコレクタ上へのデブリの発生率を低減することが望ましい。これによってコレクタの交換又はクリーニングの間隔が延びる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  本発明の一態様によれば、極端紫外線を生成する放射源であって、燃料が放射ビームによって接触されてプラズマを形成する位置にあるプラズマ形成サイトと、プラズマ形成サイトで形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成するコレクタと、少なくとも一部がプラズマ形成サイトとコレクタとの間に位置する複数のフォイルを備える汚染物バリアと、複数のフォイルに動作可能に接続された回転式ベースであって放射ビームが汚染物バリアを通過してプラズマ形成サイトに達することを可能にする回転可能ベースとを備える放射源が提供される。
【０００８】
[0008]  コレクタは、アパーチャを備えることができ、汚染物バリアの回転可能ベースは、アパーチャを通して延びることができる。
【０００９】
[0009]  複数のフォイルは、使用時に遠位端から放射状に放出される液滴がコレクタに当たらないような位置にある遠位端を有することができる。
【００１０】
[0010]  回転可能ベースは、テーパしていてもよい。
【００１１】
[0011]  汚染物バリアは、回転可能ベースの端部を支持するサポートをさらに備えることができる。
【００１２】
[0012]  放射源は、燃料の液滴をプラズマ形成サイトへ送達する液滴ジェネレータであって、液滴がストラットの１つに当たる時に液滴が発生しないように汚染物バリアの回転に同期した液滴ジェネレータをさらに備えることができる。
【００１３】
[0013]  複数のフォイルの少なくとも一部は、プラズマ形成サイトを越えて延びることができ、サポートは、コレクタに対してプラズマ形成サイトの先に位置していてもよい。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、本発明の第１の態様による放射源を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、極端紫外線を生成する放射源であって、燃料が放射ビームによって接触されてプラズマを形成する位置にあるプラズマ形成サイトと、プラズマ形成サイトで形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成するコレクタと、少なくとも一部がプラズマ形成サイトとコレクタとの間に位置する複数のフォイルを備える汚染物バリアと複数のフォイルに動作可能に接続された回転可能ベースであって放射ビームが汚染物バリアを通過してプラズマ形成サイトに達することを可能にする回転可能ベースとを備える放射源と、極端紫外線ビームをパターン形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、パターン付放射を基板上に投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、極端紫外線を生成する方法であって、燃料を放射ビームに接触させてプラズマを形成すること、コレクタを用いてプラズマによって形成される極端紫外線を収集し、それにより極端紫外線ビームを形成すること、デブリ粒子がフォイルによって阻止されるようにプラズマとコレクタとの間に少なくとも一部が位置する複数のフォイルを回転可能ベース上で回転させることを含み、放射ビームが、燃料に接触してプラズマを形成する前に回転可能ベースを通過する、方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  以下、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１８】
【図１】[0018]  本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0019]  図１のリソグラフィ装置の詳細図である。
【図３】[0020]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図４ａ】[0021]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図４ｂ】[0021]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図５ａ】[0022]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図５ｂ】[0022]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図５ｃ】[0022]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図５ｄ】[0022]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【図６】[0023]  図１のリソグラフィ装置の放射源のある実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0024]  図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１の概略を示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、極端紫外線）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造又はサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２０】
[0025]  照明システムは、放射を方向付け、整形し、制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気又は他のタイプの光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２１】
[0026]  支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及びパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた形でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気又は他のクランピング技術を用いてパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定するか可動式のフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造によって、例えば、投影システムに対してパターニングデバイスが確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書に記載する「レチクル」又は「マスク」という用語のいかなる使用も「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義と考えてよい。
【００２２】
[0027]  本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、例えば、基板のターゲット部分にパターンを生成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しないこともあることに留意されたい。例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合がこれにあたる。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能レイヤに対応する。
【００２３】
[0028]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型である。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィ分野では周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプと種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射放射ビームをさまざまな方向に反射するように各々を個別に傾斜させることができる小型ミラーのマトリクス配置を使用する。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。
【００２４】
[0029]  本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用している露光放射又は液浸液の使用又は真空の使用などの他の要因に適切である屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電気光学系又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを含むものと広義に解釈すべきである。本明細書に記載する「投影レンズ」という用語のいかなる使用も「投影システム」というより一般的な用語と同義と考えてよい。
【００２５】
[0030]  本明細書に示すように、この装置は、反射型（例えば、反射マスクを使用する）である。別の方法としては、この装置は、透過型（例えば、透過マスクを使用する）であってもよい。
【００２６】
[0031]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルを並列に使用することができ、又は１つ又は複数の他のテーブルで準備ステップを実行中に１つ又は複数の他のテーブルで露光を実行することができる。
【００２７】
[0032]  リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率が大きい液体、例えば、水で覆われ、投影システムと基板の間の空間を充填するタイプであってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えば、マスクと投影システムの間に液浸液を注入することもできる。投影システムの開口数を増やす液浸技術は、当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造が液体内に浸漬されていなければならないという意味ではなく、露光時に投影システムと基板との間に液体が位置するというだけの意味である。
【００２８】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射ビームを受ける。この線源とリソグラフィ装置は、例えば、線源がエキシマレーザの場合、別のエンティティであってもよい。そのような場合、線源は、リソグラフィ装置の一部を構成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適した誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムの助けを借りて線源ＳＯからイルミネータＩＬまで伝送される。他の場合、線源は、例えば、線源が水銀ランプの場合など、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよい。線源ＳＯ及びイルミネータＩＬ、並びに必要に応じてビームデリバリシステムを放射システムと呼んでもよい。
【００２９】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを含むことができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳平面内の強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にはそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサのような種々の他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、放射ビームが断面で所望の均一性と強度分布とを有するように放射ビームを調整するために使用することができる。
【００３０】
[0035]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン付けされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後で、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、このビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、線形エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索してから、又はスキャン中に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して放射ビームＢの経路に関してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に配置することができる。一般に、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを用いて実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは違い）、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータだけに結合してもよく、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて整列してもよい。図示の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間の空間内に配置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に提供される場合では、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。
【００３１】
[0036]  図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。
[0037]  １．ステップモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち、単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光で結像するターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
[0038]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（単一動的露光）。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向）を決定する。
[0039]  ３．別のモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴが基本的に静止状態に保たれてプログラマブルパターニングデバイスを保持する。放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用される。スキャン中、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は連続する放射パルスの間に、適宜、プログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0040]  上記使用モードの組合せ及び／又はその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用してもよい。
【００３３】
[0041]  図２は、放射源ＳＯと、イルミネータＩＬと、投影システムＰＳとを含む図１の装置の詳細図を示す。放射源ＳＯは、プラズマ２から極端紫外線（ＥＵＶ）を生成する。プラズマ２は、液滴ジェネレータ４によって生成されるＳｎ又はＧｄなどの適切な材料の液滴にレーザビーム３を向けることで生成される。レーザビーム３によって液滴は気化し、プラズマ２が生成される。
【００３４】
[0042]  プラズマ２によって放出される放射は、コレクタ５によって収集されＥＵＶ放射ビームＢが形成される。ＥＵＶ放射ビームＢは、格子スペクトルフィルタ６へ向けられる。次に、ＥＵＶ放射ビームは、格子スペクトルフィルタ６を通って中間焦点７に達する。中間焦点７は、放射源ＳＯのアパーチャの仮想放射源ポイントとしての働きをする。ＥＵＶ放射ビームは、イルミネータＩＬ内で第１及び第２の垂直入射リフレクタ１０、１１を介して支持構造ＭＴ上にあるパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に反射する。第１及び第２の反射要素１３、１４を介して投影システムＰＳ内で基板テーブルＷＴ上に保持された基板Ｗに結像したパターン付ＥＵＶ放射ビーム１２が形成される。イルミネータＩＬ及び投影システムＰＳ内には一般に図示したより多くの要素があってもよい。
【００３５】
[0043]  図２には、コレクタ５とプラズマ２が形成される場所との間に少なくとも一部が位置する複数の回転フォイルを備える汚染物バリア２０が示されている。汚染物バリアは、放射源ＳＯの動作中にコレクタ５に入射するデブリの量を低減するように構成されている。
【００３６】
[0044]  放射源によって使用される燃料の液滴は、例えば、スズ（Ｓｎ）から形成することができる。放射源内ではさまざまなタイプのデブリを生成することができる。第１は、マクスウェル分布による熱化原子、すなわち、ランダムな方向及び速度を有する原子などの低速原子デブリである。第２は、プラズマによって生成される放射と同じ方向に移動可能な高速弾道速度を有するイオン、中性子、及びナノクラスタなどの高速原子デブリである。第３のタイプのデブリは、同様にプラズマによって生成される放射と同じ方向に移動するマイクロメートルサイズの弾道粒子を含む粒子である。粒子は、例えば、レーザビーム３による燃料の液滴の気化が不完全な時に（すなわち、燃料の液滴の質量が制限されていない場合に）生成されることがある。
【００３７】
[0045]  放射源の一部の詳細を図３に示す。燃料の液滴（図示せず）は、プラズマ形成サイト８に送達され、レーザビーム３によって点火されてプラズマ形成サイト８でプラズマを形成する。垂直入射コレクタであるコレクタ５は、プラズマによって放出される極端紫外線を収集するように構成されている。汚染物バリア２０は、複数のフォイル２１と、回転可能ベース２２と、駆動装置２３とを含む回転可能フォイルトラップである。回転可能ベース２２は、コレクタ５のアパーチャを通過する（アパーチャはコレクタ５の中心に提供することができる）。回転可能ベース２２は、レーザビーム３が回転可能ベース２２を通過することができるように中空である。駆動装置２３は、プラズマによって放出されるいかなるＥＵＶ放射も阻止しないようにコレクタ５の背後に位置することが望ましい。
【００３８】
[0046]  回転可能ベース２２は、プラズマ形成サイト８へ向かってテーパしている。図３に示すように、回転可能ベース２２がテーパしていることで回転可能ベースはレーザビーム３を収容しやすくなる。レーザビーム３は、プラズマ形成サイト８に合焦し、その結果、レーザビームの直径は、レーザビームが回転可能ベース２２を通過するにつれて大幅に低減する。一般に、回転可能ベース２２のテーパは、レーザビーム３の形状に対応する（しかし、回転可能ベース２２の内面とレーザビーム３との間には隙間１９が存在する場合がある）。回転可能ベースは、任意の適切な形状を有することができる。例えば、ベースは、円筒形の軸の形状をしていてもよい。しかし、回転可能ベース２２をテーパさせることで、ベースが円筒形であった場合に阻止されるＥＵＶ放射の割合と比較して回転可能ベースによって阻止されるＥＵＶ放射の割合は低減する。
【００３９】
[0047]  「回転可能ベース」("rotatable base")という用語は、フォイルを移送することができる任意の適切な回転可能装置を含むことを意図している。例えば、円筒形、円錐台形、又は円錐形に限定されることを意図していない。
【００４０】
[0048]  フォイル２１は、例えば、耐熱金属、耐熱金属の合金、又はニッケル、鉄−ニッケル又はコバルトなどに基づく超合金から製造することができる。フォイルは、高温時の機械的強度及び耐クリープ性を有する材料から製造することができる。
【００４１】
[0049]  放射源の動作時に、駆動装置２３は、回転可能ベース２２を駆動して回転軸Ａを中心に回転させ、これによってフォイル２１を回転させる。フォイル２１の回転によってフォイル２１はデブリ粒子を遮断し、それらの遮断されたデブリ粒子がコレクタ５に到達しないようにすることができる。フォイル２１による遮断に続けて、デブリ粒子は、回転軸Ａに垂直な方向に遠心力によってフォイルから放出される。フォイル２１によるデブリ粒子の遮断とそれに続く放出によってデブリがコレクタ５の上に堆積する速度が低減し、コレクタの交換又はクリーニング間隔が延びる（すなわち、リソグラフィ装置の動作時間が延びる）。
【００４２】
[0050]  回転可能ベース２２の回転軸Ａをレーザビーム３の経路に対応させることができる。さらに、回転可能ベース２２の回転軸Ａをリソグラフィシステムの光軸に対応させることもできる。
【００４３】
[0051]  汚染物バリア２０がデブリ粒子を抑制する能力は、「停止速度」、すなわち、フォイル２１によって完全に遮断されるデブリ粒子の最大速度で表される。停止速度は、ν＝ＮＬｆで与えられ、Ｎはフォイルの数、Ｌは放射源からの半径方向経路に沿ったフォイルの長さ、及びｆは汚染物バリアの回転数である。半径方向経路Ｌの例を図３に示す。
【００４４】
[0052]  フォイル２１の形状は、最小長Ｌ、すなわち、対応する最小停止速度νが全収集角にわたって（すなわち、コレクタ５がプラズマからのＥＵＶ放射及びデブリを受けるすべての角度にわたって）達成される形状であってもよい。フォイル２１の形状は、フォイルがそのベースと遠位端との中間のあるポイントよりもベースにおいて（光軸に平行な方向に測定して）長くなる形状である。フォイル２１の形状は、フォイルがそのベースと遠位端との中間のあるポイントよりもベースにおいて（プラズマ形成サイト８から放射状の方向に測定して）長くなる形状である。
【００４５】
[0053]  機械的安定性及び再放出された液滴の軌道などのその他の要因もフォイルとフォイルトラップの設計に影響を与えることがある。後者に関して、回転軸Ａから最も遠位にあるフォイル２１のポイントから液滴のかなりの部分が（すなわち、回転軸Ａに対して）放射状に再放出されることが分かっている。従って、ある実施形態では、フォイル２１は、遠位端２４から放射状に放出される液滴がコレクタ５に当たらないような位置にある遠位端２４を有する。フォイル２１は、遠位端２４を指すように、ポイントまで狭めてもよい。別の方法としては、フォイルは、遠位端で曲線の先端（図示せず）を含むことができる。
【００４６】
[0054]  ある実施形態では、汚染物バリア２０のフォイル２１は、フォイル上のいかなるポイントから放射状に放出された液滴もコレクタ５に当たらない位置にある（例えば、フォイルはそのように構成され配置されている）。フォイルは、フォイルとコレクタが放射方向に（すなわち、光軸Ａに交差して）重ならないように構成し配置してもよい。これは、例えば、フォイル２１を光軸方向に短くし、及び／又はフォイル２１をプラズマ形成サイト８に近づけることで達成することができる。
【００４７】
[0055]  図４ａ及び図４ｂは、汚染物バリア２０の機械的安定性を向上することができる本発明のある実施形態を示す（図４ａ及び図４ｂで用いる参照数字は図３で用いる参照数字に適宜対応する）。図４ａは、汚染物バリア２０の側方断面図、図４ｂは、汚染物バリア２０の正面図（すなわち、プラズマ形成サイト８から見た図）を示す。汚染物バリア２０の回転可能ベース２２は、コレクタ５に最も近いプラズマ形成サイト８の側面に提供されたサポート２６によって支持されている。サポート２６は、コレクタとプラズマ形成サイト８との間にコレクタを横切って延びる。サポートは、放射源の壁面（図示せず）から又は別の構造物まで延びる。サポート２６は、一般に、サポート２６によって阻止されるＥＵＶ放射の量を制限するために、コレクタ５の収集角のほんのわずかな部分だけを覆うように構成し配置することができる。サポート２６は、例えば、レーザビームストップ（図４ａに示さず）などの放射を阻止する別の既存の装置に整列させることができる。これによって、サポート２６は、サポートがコレクタ５によって収集され中間焦点７で合焦するＥＵＶ放射の量を低減しない形で提供することができる。図では、サポート２６は、回転可能ベース２２から二方向に延びているが、例えば、一方向にのみ（又は他の任意の数の方向に）延びることもできる。
【００４８】
[0056]  サポート２６と回転可能ベース２２との間に環状ベアリング２５を提供することができる。環状ベアリング２５は、例えば、ボールベアリング又は液体金属ベアリングであってもよい。
【００４９】
[0057]  ある実施形態では、回転可能ベース２２は、汚染物バリア２０の機械的安定性を改善するためにプラズマ形成サイト８を越えて延びることができる。この実施形態を図５ａ〜図５ｃに示す（図５ａ〜図５ｃで用いる参照数字は図３、図４ａ及び図４ｂで用いる参照数字に適宜対応する）。図５ａは、汚染物バリアの断面図を示す。回転可能ベース２２は、プラズマ形成サイト８を越えて延び、コレクタに対してプラズマ形成サイトの先の位置でサポート２７によって支持されている。サポート２７は、例えば、レーザビーム３を受光するように配置されたビームダンプであってもよい。回転可能ベース２２とサポート２７との間に環状ベアリング２８を提供することができる。環状ベアリング２８は、例えば、ボールベアリング又は液体金属ベアリングであってもよい。
【００５０】
[0058]  回転可能ベース２２のプラズマ形成サイト８を超えた部分は部分的に開いている。図５ｂは、プラズマ形成サイト８での軸Ａに沿った断面図、図５ｃは、回転可能ベース２２の部分側面図を示す。図５ｂから分かるように、プラズマ形成サイト８の近傍に、回転可能ベース２２は回転軸を中心に均等に分散した４つのストラット２２ａを備える。図５ｃから分かるように、４つのストラットは、一方の端部で回転可能ベース２２の外側にテーパした部分２２ｂに接続され（外側にテーパした部分は一部のみ図示）、反対の端部で回転可能ベースの円筒部２２ｃに接続されている。回転可能ベースの円筒部２２ｃは、環状ベアリング２８とサポート２７によって収容される。
【００５１】
[0059]  ストラット２２ａ間の開口２９によってプラズマ形成サイト８から放出されるＥＵＶ放射の大部分が回転可能ベース２２の外側へ、コレクタ５に向かって移動することができる。
【００５２】
[0060]  また、開口２９によって、燃料の液滴３０は、プラズマ形成サイト８まで移動することができる。液滴ジェネレータ４（図２を参照）によるプラズマ形成サイト８へ向けた燃料の液滴３０の放出は、燃料の液滴が開口２９を通過してプラズマ形成サイト８に達し、ストラット２２ａに当たらないように、回転可能ベース２２の回転と同期化することができる。別の方法としては、又はこれに加えて、ストラット２２ａの１つが燃料の液滴がプラズマ形成サイト８に到達するのを防止する時に、レーザがプラズマ形成サイトに入射しないようにレーザビーム３を回転可能ベース２２の回転と同期化することができる。これは、例えば、レーザに点火しないか、又はレーザビーム３が放射源に入る前に阻止することで達成することができる。
【００５３】
[0061]  図５ｂには４つのストラット２２ａが示されているが、任意の適切な数のストラットを使用することができる。例えば、ストラットの数は、２、３、４、５などであってもよい。ストラットの数を増加させることで汚染物バリアの機械的安定性が増すが、阻止されるＥＵＶ放射の量も増大する。
【００５４】
[0062]  図５ａ〜図５ｃに示す回転可能ベース２２のストラット２２ａ及び円筒形部分２２ｃは、回転するように配置されている。図５ｄに示す別の実施形態では、ストラット３１及び円筒形部分３２は、サポート２７に固定され回転しない。円筒形部分３２は、例えば、溶接又は１つ又は複数のボルトの使用などの任意の適した方法でサポート２７に固定される。同様に、ストラット３１も任意の適した方法でサポート２７に固定される。ストラット３１及び円筒形部分３２は、一片の材料から形成することができる。サポート２７、円筒形部分３２及びストラット３１は、一片の材料から形成することができる。円筒形部分３２は例示としてのものであって、円筒形でなくてもよい（任意の適切な形状であってもよい）。ストラット３１は、サポート２７に直接（すなわち、円筒形部分なしに）接続することができる。
【００５５】
[0063]  回転可能ベース２２は、例えば、ベアリング２８ａを介して、ストラット３１に接続される。これによって、回転可能ベース２２は、回転可能でありながらサポートを備える。図５ｄに示す構成の潜在的利点は、ストラット３１の間の空間２９が動かず、燃料の液滴がプラズマ形成サイト８へ移動するための永続的に開いた経路が提供される。
【００５６】
[0064]  本発明のある実施形態を図６に示す（図６で用いる参照数字は図３〜図５ｄで用いる参照数字に適宜対応する）。図６に示す実施形態では、汚染物バリア２０のフォイル２１ａは、プラズマ形成サイト８を越えて延びている（すなわち、コレクタ５に対してプラズマ形成サイトを越える位置まで延びている）。フォイルは、回転可能ベース２２の円筒形部分２２ｃに接続されている。回転可能ベースの円筒形部分２２ｃは、サポート２７によって支持されている。回転可能ベース２２の円筒形部分２２ｃとサポート２７の間には、環状ベアリング２８が提供されている。
【００５７】
[0065]  図６に示す実施形態では、回転可能ベースのプラズマ形成サイト８を超えた部分は、ストラットではなくフォイル２１ａ自体から形成される。
【００５８】
[0066]  フォイルのすべてがプラズマ形成サイト８を超える必要はない、フォイルのいくつかは、プラズマ形成サイト８まで届かなくてもよい。例えば、図３〜図５ｄに関して説明する構成を有していてもよい。ある実施形態では、フォイル２１ａのうち４つは、プラズマ形成サイト８を超えていてもよく、サポート２７に接続されていてもよく（例えば、回転可能ベースの円筒形部分２２ｃを介して）、残りのフォイルは、プラズマ形成サイトまで届かなくてもよい。別の実施形態では、サポート２７に２個、３個、５個、６個などのフォイルを接続して、例えば、残りのフォイルは、プラズマ形成サイト８まで届かなくてもよい。
【００５９】
[0067]  サポート２７に接続されたフォイル２１ａは、プラズマ形成サイト８まで届かないフォイルより厚くてもよい。言い換えれば、機械的機能を有するフォイルは、その唯一の機能がデブリの遮断であるフォイルより厚くてもよい。サポート２７に接続されたフォイル２１ａは、サポートへの機械的接続の提供とデブリの遮断の両方の役割を果たすことができる。
【００６０】
[0068]  サポート２７に接続されたフォイル２１ａの最も内側の縁部は、プラズマ形成サイト８を中心に曲線を描いていてもよく、この曲線がフォイルの最も内側の縁部を他の場合よりも（曲線がない場合と比較して）プラズマ形成サイトから離すことができる。曲線は、例えば、フォイル２１ａのどの部分もプラズマ形成サイト８へ所定の距離より近づけないような形状であってもよい。例えば、曲線は、フォイル２１ａのどの部分もプラズマ形成サイト８へ３ｃｍ（又は他の適切な距離だけ）より近づけないような形状であってもよい。
【００６１】
[0069]  汚染物バリア２０を冷却し続けるために、冷却システム（図示せず）を駆動装置２３内に提供することができる。冷却システムは、フォイル２１、２１ａを冷却するのを助ける。冷却システムは、任意の適切な冷却システムを使用することができ、能動冷却を提供することができる。
【００６２】
[0070]  回転可能ベース２２がコレクタ５に対してプラズマ形成サイトより先の場所にあるサポート２７によって支持される実施形態では、サポート２７に冷却システムを提供してもよい。冷却システムは、フォイル２１、２１ａを冷却するのを助け、ストラット２２ａを冷却するのを助ける。冷却システムは、任意の適切な冷却システムを使用することができ、能動冷却を提供することができる。冷却システムは、液体金属ベアリングなどの環状ベアリング２８を介して冷却を提供することができる。
【００６３】
[0071]  プラズマ形成サイトに隣接したフォイルの端部に非回転可能サポート２６、３１が提供される実施形態では（例えば、図４及び図５ｄに示す実施形態では）、非回転部分２６、３１内に冷却システムを提供することができる。これによって冷却がフォイル付近で提供されるので、汚染物バリアのフォイル２１の冷却が支援される。冷却システムは、液体金属ベアリングなどの環状ベアリング２８を介して冷却を提供することができる。
【００６４】
[0072]  本発明の図示された各実施形態では、燃料の液滴３０の点火がレーザビーム３を用いて達成されると記載がある。しかし、レーザ以外の放射源によって生成される放射ビームを使用することもできる。
【００６５】
[0073]  本発明の各実施形態は、回転可能フォイルトラップとレーザビームの同軸構成を備えたＬＰＰ源であって、回転可能フォイルトラップの回転可能ベースがレーザビームを通すために中空であるＬＰＰ源を提供する。この構成は以下の利点を有する。（ｉ）プラズマ形成とフォイルトラップ搬送の両方が光軸周りに回転対称である。（ｉｉ）収集可能なＥＵＶ放射の量が大幅に影響されない。（ｉｉｉ）回転可能フォイルトラップによって再放出される粒子がコレクタの外部に堆積する。
【００６６】
[0074]  本発明の各実施形態は、デブリがリソグラフィ装置のコレクタ上に堆積する速度を低減してコレクタのクリーニング又は交換の間隔を延ばすことができる。すなわち、本発明の各実施形態は、コレクタの寿命を延ばすことができるともいえる。
【００６７】
[0075]  従来技術では、回転可能フォイルトラップを汚染物バリアとして使用することが知られているが、これはかすめ入射コレクタと組み合わせた放電生成プラズマ（ＤＰＰ）ＥＵＶ放射源の話である。ＤＰＰ放射源では、放射源とかすめ入射コレクタとの間に回転可能フォイルトラップが配置され、回転可能ベースが光軸に一致する。ＤＰＰ放射源の光軸は、回転可能フォイルトラップの回転可能ベースの固有の位置を提供する。これは、光軸に沿って収集されるＥＵＶの量が多くないためである。
【００６８】
[0076]  従来技術では、ＬＰＰ放射源内に回転可能フォイルトラップを提供することを教示又は提案していない。さらに、回転可能ベースを固有の位置に提供する構成はない。従って、本発明は、従来技術に対して創意に富むステップを提供する。
【００６９】
[0077]  本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用法について具体的に述べてきたが、本明細書に記載するリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの案内及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の用途があることを理解されたい。当業者であれば、そのような別の用途の場合で、明細書の「ウェーハ」又は「ダイ」という用語のいかなる使用もそれぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えることができることを理解することができるだろう。本明細書において記載する基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、レジストレイヤを基板に貼り付けて露光されたレジストを成長させるツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツール内で処理することができる。本明細書の開示は、適宜、そのような別の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば、多層ＩＣを作成するために基板を複数回処理することができ、そのため、本明細書で用いる「基板」という用語は、また、すでに複数の処理されたレイヤを含む基板も意味することができる。
【００７０】
[0078]  本明細書で使用する「極端紫外線（ＥＵＶ）」という用語は、２０ｎｍ未満の波長、例えば、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば、５〜１０ｎｍの範囲内、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有する電磁放射を意味すると解釈することができる。
【００７１】
[0079]  文脈によっては、「レンズ」という用語は、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含むさまざまなタイプの光学コンポーネントの任意の１つ又は組合せを意味することができる。
【００７２】
[0080]  上記説明は例示としてのものであって限定するものではない。それ故、添付の請求の範囲から逸脱することなしに本発明をさまざまに変更することができることは当業者には明らかであろう。
【図１】
0004907690.tif 000003
【図２】
0004907690.tif 000004
【図３】
0004907690.tif 000005
【図４ａ】
0004907690.tif 000006
【図５ａ】
0004907690.tif 000007
【図５ｂ】
0004907690.tif 000008
【図５ｃ】
0004907690.tif 000009
【図５ｄ】
0004907690.tif 000010
【図６】
0004907690.tif 000011
【図４ｂ】
0004907690.tif 000012