(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つ端子を有するＤＵＴの電気的パラメーターを測定する方法であって、
前記ＤＵＴの第１の端子に第１の交流電圧を印加する工程と;
前記ＤＵＴの第２及び第３の端子の電圧が仮想の第２の電圧になるのに必要な電流を前記第２及び第３の端子にそれぞれ流して、前記第２及び第３の端子を前記仮想の第２の電圧にする工程と；
前記第１の交流電圧と、それぞれ前記仮想の第２の電圧にある前記第２及び第３の端子に流す前記電流とに基づいて前記ＤＵＴの電気的パラメーターを測定する工程
とから成る電気的パラメーター測定方法。
【請求項２】
少なくとも３つの端子を有するＤＵＴの電気的パラメーターを測定する方法であって、
前記ＤＵＴの第１の端子の電圧が仮想の第１の電圧になるのに必要な電流を前記第１の端子に流して、前記第１の端子を前記仮想の第１の電圧にする工程と；
前記ＤＵＴの第２及び第３の端子が第２の交流電圧になるのに必要な駆動電圧を印加して前記第２及び第３の端子を前記第２の交流電圧にする工程と;
前記第１の端子に流す前記電流と、前記第２及び第３の端子の前記第２の交流電圧とに基づいて前記ＤＵＴの電気的パラメーターを測定する工程
とから成る電気的パラメーター測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密交流測定に関し、特に、インピーダンス測定に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被測定物(ＤＵＴ)上のＩＶ及びＣＶ(あるいはＬＣＲ)の両方を測定することがしばしば望まれている。典型的には、少なくとも３つの端子を有するＤＵＴ(例えば、ＭＯＳＦＥＴ又はＢＪＴ)上でのＩＶ測定とＣＶ測定との間の切り替えは、ケーブルの接続代え（リケーブル）をするか、ＤＵＴ近くにスイッチング回路類を配置することを必要としている。その理由は、高周波反射を回避するために、２つ以上の端子が、ＤＵＴ又はその付近で、短絡されるが、ＩＶ測定では、端子は、典型的には短絡されることがない。
【０００３】
図１を参照すると、ＤＵＴ１２（４-端子のＭＯＳＦＥＴ)用のＣＶ測定のための典型的な先行技術の構成が示されている。コンデンサー１４、１６、１８、２０は、接地された漏れキャパシタンスである。電圧２２は、ＤＵＴ１２の一側に印加される。ＤＵＴ１２の短絡点２４は、オートバランスブリッジ（ＡＢＢ）２６に接続されている。ＡＢＢ２６は、短絡点２４を強制的に仮想接地し、そのようにするのに必要な電流２８を測定する。短絡点２４は、仮想接地されているので、コンデンサー１６、１８、２０に電位がなく、従って漏れ電流もない。電圧２２及び電流２８は、漏れキャパシタンスと無関係に、ＤＵＴ１２を横切ってインピーダンス（オームの法則）を定めるのに用いられる。電圧と電流の二重性によって、電圧及び電流は、それぞれ相互に交換することができ、それでもなお、同じ結果を生ずる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、ＤＵＴ上のＩＶとＣＶとの測定間の切り替えに際して、ケーブルの接続変えをしたりＤＵＴ又はその付近にスイッチング回路類を設けたりする問題を回避しつつ、ＤＵＴの電気的パラメーターを測定することができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、少なくとも３つの端子を有するＤＵＴの電気的パラメーターを測定する方法である。かかる方法は、先ず、ＤＵＴの第１の端子に第１の交流電圧を印加する。次に、ＤＵＴの第２及び第３の端子の電圧が仮想の第２の電圧になるのに必要な電流をこれら第２及び第３の端子にそれぞれ流して、これら第２及び第３の端子を仮想の第２の電圧にする。第１の交流電圧と、それぞれ仮想の第２の電圧にある第２及び第３の端子に流す電流とに基づいてＤＵＴの電気的パラメーターを測定することを含んでいる。
【発明の効果】
【０００６】
ＤＵＴ上のＩＶ測定とＣＶ測定との間の切り替えに際して、ケーブルの接続変えをしたりＤＵＴ又はその付近にスイッチング回路類を設けたりする問題を回避しつつ、ＤＵＴの電気的パラメーターを測定することができる
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図２を参照すると、端子を短絡することなく、ＣＶ測定を行なうための構成は、ＤＵＴ１１０の１つの端子（例えば、ＭＯＳＦＥＴのゲート）用の電圧源１０２と、ＤＵＴ１１０の他の３つの端子（例えば、ＭＯＳＦＥＴのソース、バルク、ドレイン）用のＡＢＢ１０４、１０６、１０８を含んでいる。
【０００８】
ＡＢＢ１０４、１０６、１０８は、それぞれの端子を仮想接地するように駆動する。これは、実際上短絡接続することなく、図１に示すのと同じＣＶ測定が行われるようにソースとバルクとドレインとを一体に短絡している。ＩＭｅａｓｕｒｅ  ＝  ＩＳｏｕｒｃｅ  ＋  ＩＢｕｌｋ  ＋  ＩＤｒａｉｎ  が成り立つ。これは、ケーブルの接続変えをしたり、ＤＵＴ１１０又はその付近にスイッチング回路類を設けたりする問題を回避する。更に、ゲート端子に関する各端子の個々のインピーダンスは、ゲート電圧やそれぞれの端子電流を用いることにより得ることができる。
【０００９】
一般に、ＤＵＴが少なくとも３つの端子を有する場合、第１の交流電圧が第１の端子に印加され、第２、第３の端子（又はそれ以上の端子）の電圧が仮想の第２の電圧になるのに必要な電流をこれら第２、第３の端子にそれぞれ流して、これら第２、第３の端子を仮想の第２の電圧にする。ＤＵＴの電気的パラメーターは、第１の交流電圧と、それぞれ仮想の第２の電圧である第２、第３の端子に流す電流とに基づいて測定される。
【００１０】
図３を参照して説明すると、同様の構成が基本的には電圧と電流とを相互に変えている。第１の端子（例えば、ＭＯＳＦＥＴゲート)上のＡＢＢ１０２’は、ゲート漏れキャパシタンスを排除してそのようにするのに必要な電流を測定する仮想接地を形成している。交流源１０４’、１０６’、１０８’は、それぞれ、ソース、バルク、ドレインで同じ大きさと位相を供給するように調節される（０である必要はない）。従って、測定電圧ＶSource、ＶBulk及びＶDrainは、図２の方法と同様のインピーダンスをすべて決定するために測定ゲート電流と共に用いられることができる。
【００１１】
図４を参照して説明すると、本発明の方法の一層の拡張した態様を採用することができる。例えば、３-端子ＤＵＴ２１０は、端子間毎に１つで、合計３つのインピーダンスを含むと考えることができる。それぞれのＡＢＢ２０２、２０４、２０６は、各端子に接続される。インピーダンスの両端が同じ仮想ポテンシャル（等価的には、0電流）まで駆動されると、それが回路から有効になくなった時に、インピーダンスが保護されると言うことができる。従って、例えば、インピーダンスＺ１を測定するために、ＡＢＢ２０４及び２０６は、それぞれ仮想接地に駆動される。これは、インピーダンスＺ２及びＺ３を保護する（Ｚ２、Ｚ３を経てＡＢＢ２０６へ電流が流れないので）。従って、ＡＢＢ２０２からの電圧とＡＢＢ２０６からの電流がＺ１の値を決定する。
【００１２】
一般に、仮想電圧とそれぞれの電流とは、第１、第２及び第３の端子（又はそれ以上の端子）の少なくとも１対のインピーダンスを、他の対のインピーダンスを保護することにより、測定するのに用いられる。電圧は0以外の他の値を基準としてもよい。
【００１３】
典型的には合成値である交流値（例えば、大きさと位相)の他に、ＡＢＢは、バイアスの如き直流値を適用するのに用いることができる。
【００１４】
この開示は、例示的なものであり、この開示に含まれる教示の公平な範囲から逸脱することなく、細部を付加したり、修正したり、削除したりすることにより種々の変更を行なうことができることは明白である。従って、本発明は、請求項が必要的に限定している範囲を除いて、この開示の特定の細部に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】先行技術による自動バランス・ブリッジ測定システムの回路図である。
【図２】本発明の一面を使用する測定システムの一例の回路図である。
【図３】本発明の他の面を使用する測定システムの他の例の回路図である。
【図４】本発明の付加的な面を使用する測定システムの付加的な例の回路図である。
【符号の説明】
【００１６】
１０２、１０２’、２１０  端子
１０４、１０６、１０８、１０４’、１０６’、１０８’、 ２０２、２０４、２０６  ＡＢＢ
１１０、２１０  ＤＵＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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