(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、支持基板の一表面側に形成された下部電極、下部電極における支持基板側とは反対側に形成され支持基板とは格子定数差のある圧電材料からなる圧電層、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極を有する共振子とを備えたＢＡＷ共振装置の製造方法であって、圧電層を支持基板に比べて当該圧電層との格子整合性の良い圧電層形成用基板の一表面側に形成する圧電層形成工程と、圧電層形成基板の前記一表面と支持基板の前記一表面側に形成した下部電極との間に圧電層が位置するように支持基板の前記一表面側に圧電層形成基板を配置し、圧電層形成基板を透過するレーザ光を圧電層形成基板の他表面側から照射し圧電層と圧電層形成基板における圧電層側の界面で吸収させて圧電層を支持基板の前記一表面側に転写する転写工程とを備えることを特徴とするＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項２】
前記圧電材料が鉛系圧電材料であり、前記圧電層形成基板として、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板を用い、前記支持基板として単結晶Ｓｉ基板を用いることを特徴とする請求項１記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【請求項３】
前記圧電層形成工程よりも前に前記圧電層形成基板の前記一表面上にＰＬＴもしくはＰＴＯもしくはＳＲＯからなるシード層を形成するシード層形成工程を備え、前記転写工程では、前記レーザ光を前記圧電層形成基板と前記シード層との界面で吸収させて前記圧電層と前記シード層との積層膜を転写することを特徴とする請求項２記載のＢＡＷ共振装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電層の厚み方向の縦振動モードを利用する共振子を有するＢＡＷ（Bulk  Acoustic  Wave）共振装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、２ＧＨｚ以上の高周波帯域で用いる共振装置としてＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）共振装置よりもＢＡＷ共振装置が適していることが知られており、近年、ＢＡＷ共振装置をＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）用フィルタに応用する場合に、ＵＷＢ用フィルタに適応できる帯域幅（例えば、３００ＭＨｚ）を確保するために、圧電層の圧電材料として、ＡｌＮに比べて電気機械結合係数（ｋeff）が大きな鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）を採用することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、上記特許文献１には、ＢＡＷ共振装置として、ＦＢＡＲ（Film  Bulk  Acoustic  Resonator）およびＳＭＲ（Solidly  Mounted  Resonator）が記載されている。
【０００３】
また、ＦＢＡＲと称されるＢＡＷ共振装置としては、上記特許文献１に開示された構造に限らず、例えば、図４（ｆ）に示すように、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板からなる支持基板１’の一表面側に第１の導電性材料（例えば、Ｐｔ，Ｉｒなど）からなる下部電極３１’と鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層３２’と第２の導電性材料（例えば、Ｐｔ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗなど）からなる上部電極３３’とを有する共振子３’を備え、支持基板１’に下部電極３１’を露出させる空洞部１ａ’が貫設された構造のものが知られている。なお、図４（ｆ）に示した構成のＢＡＷ共振装置は、圧電層３２’における下部電極３１’側とは反対側に上部電極３３’と圧電層３２’との接触面積を規定する開孔部４ａ’を有するシリコン酸化膜からなる絶縁層４’が形成されている。
【０００４】
以下、図４（ｆ）に示した構成のＢＡＷ共振装置の製造方法ついて説明する。
【０００５】
まず、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１’の上記一表面側に上記第１の導電性材料からなる下部電極３１’をスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成することによって、図４（ａ）に示す構造を得る。
【０００６】
その後、支持基板１’の上記一表面側に鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴ）からなる圧電層３２’をスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成することによって、図４（ｂ）に示す構造を得る。
【０００７】
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電層３２’を所定形状にパターニングすることによって、図４（ｃ）に示す構造を得る。
【０００８】
続いて、支持基板１’の上記一表面側に上述の開孔部４ａ’を有する絶縁層４’を形成することによって、図４（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層４’の形成にあたっては、例えば、支持基板１’の上記一表面側において絶縁層４’の形成予定領域以外の部位を覆うレジスト層を形成してから、スパッタ法やＣＶＤ法などにより支持基板１’の上記一表面側の全面に絶縁層４’を成膜し、その後、レジスト層および当該レジスト層上の絶縁層４’をリフトオフすればよい。
【０００９】
上述の開孔部４ａ’を有する絶縁層４’を形成した後、支持基板１’の上記一表面側に上部電極３３’を形成することによって、図４（ｅ）に示す構造を得る。上部電極３３’の形成にあたっては、スパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより上部電極３３’を成膜してから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して所定形状にパターニングすればよい。
【００１０】
上述の上部電極３３’を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して支持基板１’に厚み方向に貫通する空洞部１ａ’を形成することによって、図４（ｆ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得ることができる。なお、単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１’に空洞部１ａ’を形成する際のエッチャントとしては、燐酸などを用いればよい。
【００１１】
ところで、圧電層３２’の材料としてＰＺＴなどの鉛系圧電材料を利用したＢＡＷ共振装置を上述の製造方法で製造する場合には、支持基板１’として当該鉛系圧電材料との格子定数差が単結晶Ｓｉ基板に比べて小さく格子整合性の良い単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ基板を用いることにより、圧電層３２’の結晶性を向上でき機械的品質係数や電気機械結合係数などの向上を図れる。しかしながら、単結晶ＭｇＯ基板や単結晶ＳＴＯ基板は単結晶Ｓｉ基板に比べて非常に高価であり、上記特許文献１に開示されたＢＡＷ共振装置のように支持基板として単結晶Ｓｉ基板を用いる場合に比べて、コストが高くなってしまう。
【００１２】
これに対して、一対の電極間に圧電層を有するＭＥＭＳデバイスの製造方法として、単結晶ＭｇＯ基板からなる圧電層形成基板の一表面側に鉛系圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層を形成し、続いて、圧電層上に第１の接合用金属層を形成し、その後、圧電層形成基板の上記一表面側の第１の接合用金属層と単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板の一表面側に形成した第２の接合用金属層とを接合し、更にその後、圧電層形成基板を透過するレーザ光を圧電層形成基板の他表面側から照射して圧電層形成基板を圧電層から剥離することで圧電層を支持基板の上記一表面側に転写するようにした製造方法が提案されており（例えば、特許文献２）、この製造方法によれば圧電層の結晶性を向上できるとともに、単結晶ＭｇＯ基板の再利用が可能となる。なお、上記特許文献２に記載の製造方法では、第１の接合用金属層と第２の接合用金属層とで上記一対の電極の一方の電極が構成されるので、圧電層を支持基板の上記一表面側に転写した後に、他方の電極を形成すればよい。
【特許文献１】特開２００７−２９５０２５号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記特許文献２に記載された製造方法では、圧電層形成基板に形成した圧電層を支持基板側へ転写するために、圧電層形成基板の第１の接合用金属層と支持基板の第２の接合用金属層とを接合する接合工程と、当該接合工程の後でレーザ光を照射して圧電層形成基板を剥離する剥離工程との２つの工程が必要となってしまう。
【００１４】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、圧電層の結晶性を向上できるとともに圧電層形成基板の再利用が可能で且つ製造工程の簡略化を図れるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１の発明は、支持基板と、支持基板の一表面側に形成された下部電極、下部電極における支持基板側とは反対側に形成され支持基板とは格子定数差のある圧電材料からなる圧電層、圧電層における下部電極側とは反対側に形成された上部電極を有する共振子とを備えたＢＡＷ共振装置の製造方法であって、圧電層を支持基板に比べて当該圧電層との格子整合性の良い圧電層形成用基板の一表面側に形成する圧電層形成工程と、圧電層形成基板の前記一表面と支持基板の前記一表面側に形成した下部電極との間に圧電層が位置するように支持基板の前記一表面側に圧電層形成基板を配置し、圧電層形成基板を透過するレーザ光を圧電層形成基板の他表面側から照射し圧電層と圧電層形成基板における圧電層側の界面で吸収させて圧電層を支持基板の前記一表面側に転写する転写工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、圧電層を支持基板に比べて当該圧電層との格子整合性の良い圧電層形成用基板の一表面側に形成する圧電層形成工程と、圧電層形成基板の前記一表面と支持基板の前記一表面側に形成した下部電極との間に圧電層が位置するように支持基板の前記一表面側に圧電層形成基板を配置し、圧電層形成基板を透過するレーザ光を圧電層形成基板の他表面側から照射し圧電層と圧電層形成基板における圧電層側の界面で吸収させて圧電層を支持基板の前記一表面側に転写する転写工程とを備えるので、圧電層の結晶性を向上できるとともに圧電層形成基板の再利用が可能であり、しかも、圧電層形成基板に形成した圧電層を支持基板側へ転写するための工程はレーザ光を照射して圧電層を転写する転写工程だけでよいから、従来のように接合工程と剥離工程との２つの工程を必要とする場合に比べて製造工程の簡略化を図れる。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記圧電材料が鉛系圧電材料であり、前記圧電層形成基板として、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板を用い、前記支持基板として単結晶Ｓｉ基板を用いることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記圧電層の結晶性を向上できるとともに前記支持基板の低コスト化を図れる。
【００１９】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記圧電層形成工程よりも前に前記圧電層形成基板の前記一表面上にＰＬＴもしくはＰＴＯもしくはＳＲＯからなるシード層を形成するシード層形成工程を備え、前記転写工程では、前記レーザ光を前記圧電層形成基板と前記シード層との界面で吸収させて前記圧電層と前記シード層との積層膜を転写することを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、前記圧電層形成工程よりも前に前記圧電層形成基板の前記一表面上にＰＬＴもしくはＰＴＯもしくはＳＲＯからなるシード層を形成するシード層形成工程を備えていることにより、前記圧電層の結晶性をより一層向上でき、しかも、前記転写工程では、前記レーザ光を前記圧電層形成基板と前記シード層との界面で吸収させて前記圧電層と前記シード層との積層膜を転写するので、前記圧電層形成基板を再利用することができる。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明では、圧電層の結晶性を向上できるとともに圧電層形成基板の再利用が可能で且つ製造工程の簡略化を図れるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、図１（ｆ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成された下部電極３１、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成され支持基板１とは格子定数差のある圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層３２、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３を有する共振子３とを備えている。ここにおいて、下部電極３１は、第１の導電性材料（例えば、Ｉｎ，Ｐｔ，Ｉｒなど）により形成され、上部電極３３は、第２の導電性材料（例えば、Ｐｔ，Ｉｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗなど）により形成されている。
【００２３】
また、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、支持基板１の上記一表面上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜２０が形成され、当該絶縁膜２０上に下部電極３１が形成されており、支持基板１には、絶縁膜２０において共振子３の共振領域に重なる部位を露出させる空洞部１ａが貫設されている。要するに、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、支持基板１に空洞部１ａを設けることにより支持基板１側への弾性波エネルギの伝搬を抑制するようにしたＦＢＡＲを構成している。なお、支持基板１の空洞部１ａは、支持基板１の厚み方向において絶縁膜２０から離れる（つまり、下部電極３１から離れる）につれて徐々に開口面積が大きくなる形状に開孔されている。なお、支持基板１として、絶縁性基板を用いる場合には、絶縁膜２０は設ける必要はない。
【００２４】
また、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に上部電極３３と圧電層３２との接触面積を規定する開孔部４ａを有するシリコン酸化膜からなる絶縁層４が形成されている。なお、絶縁層４の材料としては、ＳｉＯ２を採用しているが、ＳｉＯ２に限らず、例えば、Ｓｉ３Ｎ４を採用してもよい。
【００２５】
また、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、圧電層３２の圧電材料として鉛系圧電材料の一種であるＰＺＴを採用しており、支持基板１として、上記一表面が（１００）面の単結晶Ｓｉ基板を用いているが、鉛系圧電材料は、ＰＺＴに限らず、例えば、ＰＺＴ−ＰＭＴや適宜の不純物を添加したＰＺＴなどを採用してもよい。
【００２６】
なお、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を５ＧＨｚに設定してあり、圧電層３２の厚みを６００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。例えば、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【００２７】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図１を参照しながら説明する。
【００２８】
まず、圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層３２を単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１に比べて当該圧電層３２との格子定数差が小さく格子整合性の良い単結晶ＭｇＯ基板からなる圧電層形成用基板１０（図１（ａ）参照）の一表面側（図１（ａ）における下面側）に形成する圧電層形成工程を行い、その後、図１（ｂ）に示すように圧電層形成基板１０の上記一表面側の圧電層３２と支持基板１の上記一表面側の絶縁膜２０上に形成した所定膜厚（例えば、１００ｎｍ）のＩｎ膜からなる下部電極３１とを対向させてから、図１（ｃ）に示すように圧電層形成基板１０の上記一表面と支持基板１の上記一表面側に形成した下部電極３１との間に圧電層３２が位置するように支持基板１の上記一表面側に圧電層形成基板を配置し、圧電層形成基板１０を透過するレーザ光を圧電層形成基板１０の他表面側（図１（ｂ）における上面側）から照射し圧電層３２と圧電層形成基板１０における圧電層３２側の界面（ここでは、圧電層形成基板１０と圧電層３２との界面）で吸収させて圧電層３２を支持基板１の上記一表面側に転写し圧電層形成基板１０を支持基板１から離す転写工程を行うことによって、図１（ｃ）に示す構造を得る。なお、圧電層形成工程において用いる圧電層形成基板１０としては、上記一表面が（１００）面で厚さが３００μｍの単結晶ＭｇＯ基板を採用しているが、単結晶ＭｇＯ基板に限らず、上記一表面が（１００）面の単結晶ＳＴＯ基板などを採用してもよい。また、圧電層形成基板１０の厚さは特に限定するものではない。
【００２９】
上述の圧電層形成工程では、圧電層３２をスパッタ法やＣＶＤ法やゾルゲル法などにより形成する。また、支持基板１の上記一表面側の下部電極３１は、スパッタ法やＣＶＤ法などにより形成すればよい。また、上述の転写工程では、レーザ光を照射する領域を制御して圧電層３２の一部を転写することで、別途に圧電層３２をパターニングする工程を不要としているが、圧電層３２の全部を転写するようにしてもよい。また、転写工程におけるレーザ光の光源としては、例えば、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用いればよく、圧電層形成基板１０が単結晶ＭｇＯ基板であり、圧電層３２の圧電材料がＰＺＴである場合には、当該ＫｒＦエキシマレーザの出力密度は０．１ｍＪ／ｍｍ２〜１．８ｍＪ／ｍｍ２の範囲で設定することが望ましい。ここで、出力密度が０．１ｍＪ／ｍｍ２未満であると、圧電層３２を転写できないことがあり、１．８ｍＪ／ｍｍ２よりも大きいと圧電層形成基板１０が割れて圧電層形成基板１０の破片が支持基板１側の圧電層３２側に付着してしまうことがある。なお、転写工程において剥離した圧電層形成基板１０に残留している圧電層３２については、例えば、適宜のエッチャント（例えば、フッ酸など）により選択的にエッチング除去すればよい。
【００３０】
上述の転写工程の後、支持基板１の上記一表面側に上述の開孔部４ａを有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、絶縁層形成工程では、例えば、支持基板１の上記一表面側において絶縁層４の形成予定領域以外の部位を覆うレジスト層を形成してから、スパッタ法やＣＶＤ法などにより支持基板１の上記一表面側の全面に絶縁層４を成膜し、その後、レジスト層および当該レジスト層上の絶縁層４をリフトオフすればよい。
【００３１】
上述の絶縁層形成工程の後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図１（ｅ）に示す構造を得る。上部電極形成工程では、スパッタ法やＥＢ蒸着法やＣＶＤ法などにより上部電極３３を成膜してから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して所定形状にパターニングすればよい。
【００３２】
上述の上部電極形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して支持基板１に厚み方向に貫通する空洞部１ａを形成する空洞部形成工程を行うことによって、図１（ｆ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得ることができる。なお、空洞部形成工程において単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１に空洞部１ａを形成する際のエッチャントとしては、燐酸などを用いればよい。
【００３３】
なお、上述のＢＡＷ共振装置の製造にあたっては、上述の支持基板１および圧電層形成基板１０それぞれウェハ状のものを用いてウェハレベルで多数のＢＡＷ共振装置を形成した後、ダイシング工程で個々のＢＡＷ共振装置に分割すればよい。
【００３４】
以上説明した本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、圧電層３２を支持基板１に比べて当該圧電層３２との格子整合性の良い圧電層形成用基板１０の上記一表面側に形成する圧電層形成工程と、圧電層形成基板１０の上記一表面と支持基板１の上記一表面側に形成した下部電極３１との間に圧電層３２が位置するように支持基板１の上記一表面側に圧電層形成基板１０を配置し、圧電層形成基板１０を透過するレーザ光を圧電層形成基板１０の上記他表面側から照射し圧電層３２と圧電層形成基板１０における圧電層３２側の界面で吸収させて圧電層３２を支持基板１の上記一表面側に転写する転写工程とを備えるので、圧電層３２の結晶性を向上でき高品質の圧電層３２を得ることができるとともに圧電層形成基板１０の再利用が可能であり、しかも、圧電層形成基板１０に形成した圧電層３２を支持基板１側へ転写するための工程はレーザ光を照射して圧電層３２を転写する転写工程だけでよいから、従来のように接合工程と剥離工程との２つの工程を必要とする場合に比べて製造工程の簡略化を図れる。
【００３５】
また、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法では、圧電層３２の圧電材料が鉛系圧電材料であり、圧電層形成基板１０として、単結晶ＭｇＯ基板もしくは単結晶ＳＴＯ基板を用い、支持基板１として単結晶Ｓｉ基板を用いるので、圧電層３２の結晶性を向上できるとともに支持基板１の低コスト化を図れる。
【００３６】
ところで、圧電層３２の圧電材料は、鉛系圧電材料に限らず、例えば、鉛フリーのＫＮＮ（ニオブ酸カリウムナトリウム）や、ＫＮ、ＮＮ、ＫＮＮに不純物（例えば、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｕなど）を添加したものでもよい。また、上述のＢＡＷ共振装置の製造方法において、圧電層形成工程よりも前に圧電層形成基板１０の上記一表面上に、圧電層３２の結晶配向を制御するためのＰＬＴもしくはＰＴＯもしくはＳＲＯからなるシード層を形成するシード層形成工程を設け、転写工程では、レーザ光を圧電層形成基板１０とシード層との界面で吸収させて圧電層３２とシード層との積層膜を転写するようにしてもよく、シード層形成工程を設けることにより、圧電層３２の結晶性をより一層向上でき、しかも、転写工程では、レーザ光を圧電層形成基板１０とシード層との界面で吸収させて圧電層３２とシード層との積層膜を転写するので、圧電層形成基板１０を再利用することができる。
【００３７】
下記表１に圧電層３２、シード層、下部電極３１、基板（支持基板１、圧電層形成基板１０）それぞれの材料の格子定数などを示す。
【００３８】
【表１】
0005060356.tif 000002
【００３９】
なお、表１における「ap」は基板の一表面に平行な方向（基板材料のａ軸方向に平行な方向）における格子間隔であり、成膜時の表面を（１００）面とすることが好ましい正方晶系および立方晶系では、「a」と同じである。また、「cp」は基板の一表面に直交する方向（基板材料のｃ軸方向に平行な方向）の格子間隔であり、成膜時の表面を（１００）面とすることが好ましい正方晶系および立方晶系では、「c」と同じである。また、斜方晶系のＳＲＯについては、成膜時の表面を（１０１）面とすることが好ましいが、ＳＲＯは、図２（ａ）に示す結晶構造を有しており、（１０１）面が図２（ｂ）に示すような二次元格子となるので、「ap」を隣り合うＳｒ元素の格子点間の間隔ではなく、隣り合うＲｕ元素とＯ元素との擬似格子点間の間隔として記載してあり、「cp」についても同様の間隔を記載してある。また、ＫＮＮ、ＫＮ、ＮＮそれぞれの「ap」，「cp」については、刊行物１〔Takehisa SAITO,et al，「Pulsed Laser Deposition of High-Quality (K,Na)NbO3Thin Films on SrTiO3 Substrate Using High-Density Ceramic Targets」，Japanese Journal of Applied Physics,Vol.43,No.9B,2004,pp.6627-6631〕において「Table II. Lattiice parameters of (K,Na)NbO3films with a psudo-tetoragonal unit cell」で「a」，「b」として報告されている値を記載してある。また、圧電層形成基板１０の材料は、圧電層３２の材料よりもヤング率が大きい材料を採用することが好ましい。
【００４０】
（実施形態２）
本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、実施形態１にて図１（ｆ）を参照しながら説明した空洞部１ａを支持基板１に設ける代わりに、図３（ｅ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１と共振子３の下部電極３１との間に、音響ミラー（音響多層膜）２が形成されている点が相違する。要するに、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置は、ＳＭＲを構成している。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００４１】
音響ミラー２は、相対的に音響インピーダンスの低い材料からなる低音響インピーダンス層２１と相対的に音響インピーダンスの高い材料からなる高音響インピーダンス層２２とが交互に積層されており、上述の下部電極３１は、最上層の低音響インピーダンス層２１上に形成されている。なお、低音響インピーダンス層２１および高音響インピーダンス層２２それぞれの膜厚は、圧電層３２の共振周波数の弾性波（バルク弾性波）の波長の４分の１の値に設定すればよい。
【００４２】
本実施形態では、低音響インピーダンス層２１の材料としてＳｉＯ２、高音響インピーダンス層２２の材料としてＷを採用しているが、これらの材料は特に限定するものではなく、低音響インピーダンス層２１の材料としては、例えば、Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，Ａｌ，ポリマーなどを採用してもよく、高音響インピーダンス層２２の材料としては、例えば、Ａｕ，Ｍｏ，ＡｌＮ，ＺｎＯなどを採用してもよい。
【００４３】
なお、本実施形態におけるＢＡＷ共振装置では、共振子３の共振周波数を４ＧＨｚに設定してあり、下部電極３１の厚みを１００ｎｍ、圧電層３２の厚みを３００ｎｍ、上部電極３３の厚みを１００ｎｍ、低音響インピーダンス層２１の厚みを４００ｎｍ、高音響インピーダンス層２２の厚みを３５０ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、共振周波数を３ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲で設計する場合には、圧電層３２の厚みは２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で、低音響インピーダンス層２１の厚みは２５０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲で、高音響インピーダンス層２２の厚みは２００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲で、それぞれ適宜設定すればよい。
【００４４】
以下、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法について図３を参照しながら説明するが、実施形態１の製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００４５】
まず、圧電材料（例えば、ＰＺＴなど）からなる圧電層３２を単結晶Ｓｉ基板からなる支持基板１に比べて当該圧電層３２との格子定数差が小さく格子整合性の良い単結晶ＭｇＯ基板からなる圧電層形成用基板１０（図３（ａ）参照）の一表面側（図３（ａ）における下面側）に形成する圧電層形成工程を行い、その後、図３（ｂ）に示すように圧電層形成基板１０の上記一表面側の圧電層３２と支持基板１の上記一表面側の音響ミラー２上に形成した所定膜厚（例えば、１００ｎｍ）のＩｎ膜からなる下部電極３１とを対向させてから、図３（ｃ）に示すように圧電層形成基板１０の上記一表面と支持基板１の上記一表面側に形成した下部電極３１との間に圧電層３２が位置するように支持基板１の上記一表面側に圧電層形成基板を配置し、圧電層形成基板１０を透過するレーザ光を圧電層形成基板１０の他表面側（図３（ｂ）における上面側）から照射し圧電層３２と圧電層形成基板１０における圧電層３２側の界面（ここでは、圧電層形成基板１０と圧電層３２との界面）で吸収させて圧電層３２を支持基板１の上記一表面側に転写し圧電層形成基板１０を支持基板１から離す転写工程を行うことによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。なお、支持基板１の上記一表面側に音響ミラー２を形成する音響ミラー形成工程は、転写工程よりも前に行えばよく、音響ミラー形成工程では、支持基板１の上記一表面側にＳｉＯ２膜からなる低音響インピーダンス層２１とＷ膜からなる高音響インピーダンス層２２とを例えばスパッタ法やＣＶＤ法などにより交互に成膜することで音響ミラー（音響多層膜）２を形成すればよい。
【００４６】
上述の転写工程の後、支持基板１の上記一表面側に上述の開孔部４ａを有する絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図３（ｄ）に示す構造を得る。
【００４７】
上述の絶縁層形成工程の後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行うことによって、図３（ｅ）に示す構造のＢＡＷ共振装置を得ることができる。
【００４８】
しかして、本実施形態のＢＡＷ共振装置の製造方法によれば、実施形態１と同様、圧電層３２の結晶性を向上でき高品質の圧電層３２を得ることができるとともに圧電層形成基板１０の再利用が可能であり、しかも、圧電層形成基板１０に形成した圧電層３２を支持基板１側へ転写するための工程はレーザ光を照射して圧電層３２を転写する転写工程だけでよいから、従来のように接合工程と剥離工程との２つの工程を必要とする場合に比べて製造工程の簡略化を図れる。
【００４９】
ところで、上記各実施形態１，２で説明した製造方法において説明した転写工程においては、Ｉｎ膜からなる下部電極３１が接合層を兼ねているが接合層は、少なくとも下部電極３１の一部により構成されていればよい。また、接合層の材料はＩｎに限らず、導電性エポキシ樹脂を採用してもよく、接合性および密着性を向上させることができる。また、転写工程において、圧電層形成基板１０の上記他表面側から圧力を印加するようにすれば、接合性および密着性を向上させることができる。また、支持基板１がフレキシブルな基板であれば、圧電層３２の応力を緩和することができる。
【００５０】
また、上記各実施形態１，２で説明したＢＡＷ共振装置を、３ＧＨｚ以上の高周波帯においてカットオフ特性が急峻で且つ帯域幅の広いフィルタ、例えば、ＵＷＢ用フィルタとして応用する場合には、複数個（例えば、８個）の共振子３を支持基板１の上記一表面側に形成し、これら複数個の共振子３をラダー型フィルタを構成するように接続すれば、ＵＷＢ用フィルタの低コスト化および小型化を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施形態１のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図２】表１の説明図である。
【図３】実施形態２のＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】従来例を示すＢＡＷ共振装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  支持基板
１ａ  空洞部
３  共振子
４  絶縁層
１０  圧電層形成用基板
２０  絶縁膜
３１  下部電極
３２  圧電層
３３  上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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