(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)所定の工程を含む第１の製造処理を実行して第１の数の製品を得るステップと、
(b)前記所定の工程に対応する内容のみ異なり他は前記第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して第２の数の前記製品を得るステップと、
(c)前記第１の数及び前記第２の数の前記製品それぞれが所定の効果を得たか否かを判定するステップと、
(d)前記製品の製造処理が前記第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び前記所定の効果の有無により前記製品を４つに分類するステップと、
(e)前記(d)の分類に基づき、前記所定の工程の実行に伴う前記所定の効果の度合を解析して解析結果を得るステップとを備え、
前記解析結果は、第１の製造処理を実行した前記製品の集合である第１の集合、前記所定の工程の影響によって前記所定の効果をもたらしたと推定される製品の集合である第２の集合、及び前記所定の工程以外の影響によって前記所定の効果をもたらしたと推定される製品の集合である第３の集合を有するベン図の表示を含み、
前記ベン図は前記第２の集合に関する情報を強調表示したベン図を含む、
工程解析方法。
【請求項２】
請求項１記載の工程解析方法であって、
前記解析結果は、前記所定の工程が前記製品に前記所定の効果をもたらす割合と推定される工程実行効果率を含む、
工程解析方法。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２記載の工程解析方法であって、
前記解析結果は、前記所定の工程の実行の影響のみによって前記所定の効果をもたらした製品数と推定される効果増加数を含む、
工程解析方法。
【請求項４】
請求項１記載の工程解析方法であって、
前記ベン図は前記第２の集合に該当する前記製品の数が表示されたベン図を含む、
工程解析方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうち、いずれか１項に記載の工程解析方法であって、
前記所定の効果は前記製品の良品化を含む、
工程解析方法。
【請求項６】
請求項５記載の工程解析方法であって、
前記第２の製造処理は前記所定の工程を実行しない製造処理を含む、
工程解析方法。
【請求項７】
請求項６記載の工程解析方法であって、
前記所定の工程は所定の洗浄処理工程を含む、
工程解析方法。
【請求項８】
請求項５記載の工程解析方法であって、
前記第２の製造処理は、前記所定の工程と内容の少なくとも一部が異なる類似の工程を行う製造処理を含む、
工程解析方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のうち、いずれか１項に記載の工程解析方法であって、
前記製品は半導体装置を含み、
前記所定の工程は所定の半導体処理工程を含む、
工程解析方法。
【請求項１０】
請求項１記載の工程解析方法における前記ステップ(d) 及び(e) をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
(a)所定の工程を含む第１の製造処理を実行して第１の数の製品を得るステップと、
(b)前記所定の工程に対応する内容のみ異なり他は前記第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して第２の数の前記製品を得るステップと、
(c)前記第１の数及び前記第２の数の前記製品それぞれが所定の効果を得たか否かを判定するステップと、
(d)前記製品の製造処理が前記第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び前記所定の効果の有無により前記製品を４つに分類するステップと、
(e)前記(d)の分類に基づき、前記所定の工程の実行に伴う前記所定の効果の度合を解析して解析結果を得るステップとを備え、
前記所定の効果は前記製品の良品化を含み、
前記第２の製造処理は、前記所定の工程と内容の少なくとも一部が異なる類似の工程を行う製造処理を含む、
工程解析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は製造処理の一工程である所定の工程の実行に伴う所定の効果の達成度合を解析する工程解析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＤＲＡＭ，マイクロコンピュータ等の半導体デバイス等の製品は複数の工程よりなる製造処理を経て製造され、その製造処理が完了した後の製品に対して、総合的な電気的特性の良否テスト等を行い製品の歩留まりを求めていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、製造処理は複数の工程からなるため、単純に歩留まりを求めるだけでは、製造処理をなす複数の工程のうちの一工程である所定の工程の実行に伴う製品の良否等の所定の効果達成度合を正確に解析することが困難であった。
【０００４】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、製品を製造する製造処理における一工程である所定の工程の実行に伴う所定の効果達成度合を正確に解析することができる工程解析方法を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１の工程解析方法は、(a)所定の工程を含む第１の製造処理を実行して第１の数の製品を得るステップと、(b)前記所定の工程に対応する内容のみ異なり他は前記第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して第２の数の前記製品を得るステップと、(c)前記第１の数及び前記第２の数の前記製品それぞれが所定の効果を得たか否かを判定するステップと、(d)前記製品の製造処理が前記第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び前記所定の効果の有無により前記製品を４つに分類するステップと、(e)前記(d)の分類に基づき、前記所定の工程の実行に伴う前記所定の効果の度合を解析して解析結果を得るステップとを備え、前記解析結果は、第１の製造処理を実行した前記製品の集合である第１の集合、前記所定の工程の影響によって前記所定の効果をもたらしたと推定される製品の集合である第２の集合、及び前記所定の工程以外の影響によって前記所定の効果をもたらしたと推定される製品の集合である第３の集合を有するベン図の表示を含み、前記ベン図は前記第２の集合に関する情報を強調表示したベン図を含んでいる。
【０００６】
また、請求項２の発明は、請求項１記載の工程解析方法であって、前記解析結果は、前記所定の工程が前記製品に前記所定の効果をもたらす割合と推定される工程実行効果率を含む。
【０００７】
また、請求項３の発明は、請求項１あるいは請求項２記載の工程解析方法であって、前記解析結果は、前記所定の工程の実行の影響のみによって前記所定の効果をもたらした製品数と推定される効果増加数を含む。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項１記載の工程解析方法であって、前記ベン図は前記第２の集合に該当する前記製品の数が表示されたベン図を含む。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のうち、いずれか１項に記載の工程解析方法であって、前記所定の効果は前記製品の良品化を含む。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項５記載の工程解析方法であって、前記第２の製造処理は前記所定の工程を実行しない製造処理を含む。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項６記載の工程解析方法であって、前記所定の工程は所定の洗浄処理工程を含む。
【００１４】
また、請求項８の発明は、請求項５記載の工程解析方法であって、前記第２の製造処理は、前記所定の工程と内容の少なくとも一部が異なる類似の工程を行う製造処理を含む。
【００１５】
また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のうち、いずれか１項に記載の工程解析方法であって、前記製品は半導体装置を含み、前記所定の工程は所定の半導体処理工程を含む。
【００１６】
この発明に係る請求項１０記載のプログラムは、請求項１記載の工程解析方法における前記ステップ(d) 及び(e) をコンピュータに実行させるためのプログラムである。
この発明に係る請求項１１記載の工程解析方法は、(a)所定の工程を含む第１の製造処理を実行して第１の数の製品を得るステップと、(b)前記所定の工程に対応する内容のみ異なり他は前記第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して第２の数の前記製品を得るステップと、(c)前記第１の数及び前記第２の数の前記製品それぞれが所定の効果を得たか否かを判定するステップと、(d)前記製品の製造処理が前記第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び前記所定の効果の有無により前記製品を４つに分類するステップと、(e)前記(d)の分類に基づき、前記所定の工程の実行に伴う前記所定の効果の度合を解析して解析結果を得るステップとを備え、前記所定の効果は前記製品の良品化を含み、前記第２の製造処理は、前記所定の工程と内容の少なくとも一部が異なる類似の工程を行う製造処理を含んでいる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実行フロー）
図１はこの発明の実施の形態であるの洗浄処理工程解析方法を示すフローチャートである。具体的には、複数の工程からなる半導体装置の製造処理のうちの一工程である所定の洗浄処理工程のチップ良品化効果を解析する方法を図１で示している。以下、同図を参照して洗浄処理工程解析方法の処理手順を説明する。
【００１８】
まず、ステップＳ１で、各々が複数のチップにより形成される所定数のウェハを洗浄対象ウェハと非洗浄対象ウェハとに分類する。
【００１９】
続いて、ステップＳ２で、洗浄対象ウェハに対して所定の洗浄処理工程を含む第１の製造処理を実行して、洗浄対象ウェハ上にチップ（半導体装置）を製造する。
【００２０】
ステップＳ３において、非洗浄対象ウェハに対して所定の洗浄処理工程を含まず、それ以外の内容は第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して、非洗浄対象ウェハ上にチップを製造する。
【００２１】
ステップＳ４において、電気テスタによる良否判定を洗浄対象ウェハ及び非洗浄対象ウェハそれぞれのチップ全てに対して行う。
【００２２】
そして、ステップＳ５で、ウェハ種別（洗浄対象ウェハ及び非洗浄対象ウェハ）及び良・不良判定結果に基づきチップを４分類する。
【００２３】
図２はステップＳ５の分類内容を表形式で示す説明図である。同図の例では、２枚の洗浄対象ウェハ（２７０（１３５×２）チップ）及び１枚の非洗浄対象ウェハ（１３５チップ）と良・不良判定結果に基づく４分類がなされている。
【００２４】
図２に示すように、▲１▼において、非洗浄対象ウェハにおける不良のチップ数である、洗浄非実行不良数Ｎ１の“２９”が示され、▲２▼において、非洗浄対象ウェハにおける良品のチップ数である、洗浄非実行良品数Ｎ２の“１０６”が示され、▲３▼において、洗浄対象ウェハにおける不良のチップ数である洗浄実行不良数Ｎ３の“１６”が示され、▲４▼において、洗浄対象ウェハにおける良品のチップ数である洗浄実行良品数Ｎ４の“２５４”が示されている。
【００２５】
図１に戻って、ステップＳ６で、ステップＳ５の４分類をチップ分類データとして洗浄処理工程に伴うチップの良品化効果を解析する。
【００２６】
（解析処理の詳細）
図３はステップＳ６の解析処理の説明用の説明図である。解析に際して、所定の洗浄処理工程が実行されたチップの集合として洗浄処理チップ集合ＣＡ１、所定の洗浄処理工程の影響を受けて良品となったと推定されるチップの集合である洗浄処理効果集合ＣＥ１、所定の洗浄処理工程以外の影響を受けて良品となったと推定されるチップの集合（所定の洗浄処理工程による影響も受けたものを含む）である洗浄処理外効果集合ＣＥ２をベン図形式で表現したのが図３である。
【００２７】
同図に示すように、図２の全チップ（４０５チップ）を全領域Ｒall内に洗浄処理チップ集合ＣＡ１が存在し、洗浄処理チップ集合ＣＡ１内に洗浄処理効果集合ＣＥ１が存在する。また、洗浄処理外効果集合ＣＥ２は洗浄処理チップ集合ＣＡ１及び洗浄処理効果集合ＣＥ１と一部重複して存在する。
【００２８】
また、良品分類領域Ｒ１は所定の洗浄処理工程を行っていない良品チップの集合（確定）を意味し、良品分類領域Ｒ２は所定の洗浄処理工程を行ったが、所定の洗浄処理工程の影響を受けず所定の洗浄処理工程外の影響により良品となったチップの集合（推定）を意味し、良品分類領域Ｒ３は所定の洗浄処理工程及び所定の洗浄処理外双方の影響により良品となったチップの集合（推定）を意味し、良品分類領域Ｒ４は所定の洗浄処理工程の影響のみにより良品となったチップの集合（推定）を意味し、不良品分類領域Ｒ５は所定の洗浄処理工程を行ったが不良品となったチップの集合（確定）を意味し、不良品分類領域Ｒ６は所定の洗浄処理工程を行うことなく不良品となったチップの集合（確定）を意味する。
【００２９】
したがって、洗浄非実行不良数Ｎ１は不良品分類領域Ｒ６のチップ数、洗浄非実行良品数Ｎ２は良品分類領域Ｒ１のチップ数、洗浄実行不良数Ｎ３は不良品分類領域Ｒ５のチップ数、洗浄実行良品数Ｎ４は良品分類領域Ｒ２〜Ｒ４のチップ総数となる。
【００３０】
図４は図３のベン図の各領域Ｒ１〜Ｒ６の確率分布を示す説明図である。図４では、全領域Ｒallに対する洗浄処理チップ集合ＣＡ１の確率（比率）をａ１（以下、「洗浄実施確率ａ１」という、）、洗浄処理効果集合ＣＥ１となる確率をｅ１（以下、「洗浄実行良品チップ確率ｅ１」という。）、洗浄処理外効果集合ＣＥ２となる確率をｅ２（以下、「洗浄無影響良品チップ確率ｅ２」という。）とし、これらの比率及び確率は互いに独立であると仮定した場合の、各領域Ｒ１〜Ｒ６に該当する部分確率Ｐ１〜Ｐ６を示している。
【００３１】
ここで、図２で示した４分類に該当する確率（比率）Ｐ（▲１▼）〜Ｐ（▲４▼）は同様にして、以下の(1)式〜(4)式で表現される。なお、(1)式〜(4)式において、チップ総数をＮall（＝Ｎ１＋Ｎ２＋Ｎ３＋Ｎ４）としている。
【００３２】
【数１】
0005031157.tif 000002
【００３３】
【数２】
0005031157.tif 000003
【００３４】
【数３】
0005031157.tif 000004
【００３５】
【数４】
0005031157.tif 000005
【００３６】
(1)式〜(4)式から、洗浄実行良品チップ確率ｅ１、洗浄無影響良品チップ確率ｅ２及び洗浄実施確率ａ１をＮ１〜Ｎ４で表すことを考える。まず、(3)式と(4)式との和により、洗浄実施確率ａ１を以下の(5)式で導くことができる。
【００３７】
【数５】
0005031157.tif 000006
【００３８】
また、所定の洗浄処理工程がチップの良品化に寄与した洗浄効果率ｅ１／ａ１は以下の(6)式で表される。
【００３９】
【数６】
0005031157.tif 000007
【００４０】
そして、(5)式及び(6)式から洗浄実行良品チップ確率ｅ１を以下の(7)式で導くことができる。
【００４１】
【数７】
0005031157.tif 000008
【００４２】
また、(2)式及び(5)式から、洗浄無影響良品チップ確率ｅ２を以下の(8)式で導くことができる。
【００４３】
【数８】
0005031157.tif 000009
【００４４】
図５は良品部分確率Ｐ２〜Ｐ４を用いて図３で示した全領域Ｒallの個数分布をベン図を用いて示した説明図である。
【００４５】
同図に示すように、良品分類領域Ｒ１，不良品分類領域Ｒ５及びＲ６の個数分布はそれぞれ洗浄非実行良品数Ｎ２、洗浄実行不良数Ｎ３及び洗浄実行良品数Ｎ４で確定しており、良品分類領域Ｒ２〜Ｒ４の個数分布はそれぞれＮall・Ｐ２、Ｎall・Ｐ３、Ｎall・Ｐ４で推定することができる。
【００４６】
ここで、(5)，(7)及び(8)式によって、良品部分確率Ｐ２〜Ｐ４をＮ１〜Ｎ４を用いて表現し、良品分類領域Ｒ２〜Ｒ４の個数分布を求めることができる。
【００４７】
図６は図２の分類に基づく全４０５チップの解析結果をベン図形式で表示した場合を示す説明図である。同図に示すように、解析前は不明であった、良品分類領域Ｒ２の個数の５８．５チップ、良品分類領域Ｒ３の個数の１５３．５チップ、良品分類領域Ｒ４の個数の４２．０チップを求めることができる。
【００４８】
以上の解析処理を実行した結果、所定の洗浄処理工程の実行に伴うチップ良品化度合を以下のように解析することができる。
【００４９】
(6)式に基づき、所定の洗浄処理工程がチップ良品化をもたらす割合と推定される洗浄効果率ｅ１／ａ１（＝７２．４（％））を得ることができる。この洗浄効果率ｅ１／ａ１によって所定の洗浄処理工程がチップの良品化をもたらす有効性を定量的に認識することができる。
【００５０】
また、所定の洗浄工程処理の影響のみによってチップの良品化効果を達成した洗浄処理良化増加数ＣＵ（＝４２．０チップ（良品分類領域Ｒ４のチップ数））を求めることができる。この洗浄処理良化増加数ＣＵにより、所定の洗浄処理工程がチップの良品化をもたらす有効性を所定の洗浄処理工程を実行したチップ数と対比させた数値で明確に認識することができる。
【００５１】
このように、洗浄効果率ｅ１／ａ１によって所定の洗浄処理工程がチップを良品にする割合を推定することができる。洗浄処理良化増加数ＣＵによって洗浄処理工程の実行によって良品が増えた度合いを推定することができる。この例では２７０チップの集合に対して所定の洗浄処理工程を適用した場合、４２チップの良品が増えることを認識することができる。
【００５２】
このように、本実施の形態では、複数の工程からなる製造処理の一工程である所定の洗浄処理工程を適用することによるチップの良化度合を正確に解析することができる。また、所定の洗浄処理工程を行うチップ数と行わないチップ数とが異なっていても十分正確に解析することができる。
【００５３】
図７は図２の分類に基づく全４０５チップの解析結果を図６とは異なるベン図形式で表示した説明図である。同図に示すように、図３の良品分類領域Ｒ３，Ｒ４を併せて、洗浄効果率用良品分類領域Ｒ７（すなわち、洗浄処理効果集合ＣＥ１）として強調表示している。
【００５４】
図７のように表示することにより、洗浄処理効果集合ＣＥ１の数を視覚的に極めて容易に認識することができる。
【００５５】
なお、図２で示した分類を入力として図３〜図６及び(1)〜(8)式で示した処理を行う解析処理プログラムをコンピュータに実行させて、図６あるいは図７で示す解析結果を自動的に表示させることにより、解析に要する手間の低減化を図ることができる。
【００５６】
また、領域Ｒ１〜Ｒ７の大きさをそのチップ数によって変更することにより、視覚的な効果として、洗浄処理効果集合ＣＥ１（洗浄効果率ｅ１／ａ１）や洗浄処理良化増加数ＣＵの大小度合を認識することができる。
【００５７】
（製造処理における一般化）
実施の形態では、半導体製造処理である洗浄処理工程の有無に基づくチップ（半導体装置）良品化効果を解析する方法を示したが、この考え方を応用して複数の工程からなる製造処理によって製品（実施の形態のチップ（半導体装置）に対応）を製造した場合における一工程である所定の工程の実行に伴う所定の効果達成度合を解析する工程解析方法として本発明を捉えることができる。
【００５８】
図８は所定の工程における所定の効果達成度合の解析結果をベン図形式で示す説明図である。同図において、実施の形態で示した内容と同様に、所定の工程実行製品集合Ａ１（実施の形態の洗浄処理チップ集合ＣＡ１に対応）、所定の工程実行効果達成集合Ｅ１（実施の形態の洗浄処理効果集合ＣＥ１に対応）及び所定の工程外効果達成集合Ｅ２（実施の形態の洗浄処理外効果集合ＣＥ２に対応）とかなるベン図形式の解析結果を示している。
【００５９】
図９は所定の工程の例を表形式で示す説明図である。同図に示すように、所定の工程として、本実施の形態で述べた（半導体の）洗浄処理工程の他に、写真製版処理、イオン注入処理、エッチング処理、ＣＭＰ処理、雰囲気制御処理、加熱処理、冷却処理、加圧処理、減圧処理、薬品等の材料の添加処理、パターニング処理全般の工程が挙げられる。
【００６０】
上述した各所定の工程と対応する内容の相違点は所定の工程の有無（洗浄処理、雰囲気制御処理、加熱処理、冷却処理、加圧処理、減圧処理、添加処理）や、所定の工程の内容を示す条件（写真製版条件、イオン注入量、エッチング条件、ＣＭＰ条件、設計条件）の相違等がある。
【００６１】
所定の効果として各処理あるいは条件変更等による良品化効果が挙げられ、所定の効果となる個体（製品）数としては良品チップ数や良品数が挙げられる。
【００６２】
図１０は本発明に適用可能な所定の製造処理における所定の工程による効果達成度合の解析方法（工程解析方法）を示すフローチャートである。
【００６３】
まず、ステップＳ１１で、所定の製品材料等に対し所定の工程を含む第１の製造処理を実行して第１の数の製品を製造する。
【００６４】
そして、ステップＳ１２において、上記所定の製品材料等に対し、所定の工程に対応する内容のみ異なり他は第１の製造処理と同内容の第２の製造処理を実行して第２の数の製品を製造する。
【００６５】
ステップＳ１３において、所定の効果が得られたか否かをステップＳ１１及びＳ１２で製造された製品全てに対して判定する。
【００６６】
その後、ステップＳ１４で、図２で示したように、製造処理種別（製品が第１及び第２の製造処理のうちいずれの製造処理で製造されたのか）及び所定の効果の有無に基づき、製品を４分類する。
【００６７】
そして、ステップＳ１５において、図３〜図７及び(1)〜(8)式等で示した内容と同様に、所定の工程実行に伴う所定の効果達成度合を解析する。
【００６８】
このように実行する、本発明の工程解析方法は、製品の製造処理の一工程である所定の工程を適用することによる所定の効果達成度合を正確に解析することができる。
【００６９】
＜プログラムへの応用＞
本実施の形態で示した洗浄処理工程解析方法で代表される工程解析方法の少なくとも一部（図１のステップＳ５，Ｓ６、図１０のステップＳ１４，Ｓ１５に相当する部分）をプログラムとしてコンピュータに実行させることにより、工程解析処理を自動的に実行することができ、解析処理の労力を大幅に削減することができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明における請求項１記載の工程解析方法は第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び所定の効果の有無による４分類の製品を分類データとすることにより、所定の工程を含む第１の製造処理と所定の工程そのものは含まない第２の製造処理との相関を考慮して、所定の効果の達成度合の解析結果を精度良く得ることができる。
さらに、請求項１記載の工程解析方法は、解析結果としてベン図を表示することにより、所定の工程が所定の効果をもたらす有効性を視覚的認識することができる。
加えて、請求項１記載の工程解析方法は、所定の工程の影響によって所定の効果をもたらしたと推定される製品の集合である第２の集合に関する情報を強調表示することにより、第２の集合に関する情報を視覚的に容易に認識することができる。
【００７１】
請求項２記載の工程解析方法は、解析結果として、所定の工程が製品に所定の効果をもたらす割合と推定される工程実行効果率を得ることにより、所定の工程が所定の効果をもたらす有効性を定量的に認識することができる。
【００７２】
請求項３記載の工程解析方法は、解析結果として、所定の工程の実行の影響のみによって所定の効果をもたらした製品数と推定される効果増加数を得ることにより、所定の工程が所定の効果をもたらす有効性を第１の数と対比させた数値で明確に認識することができる。
【００７５】
請求項４記載の工程解析方法で表示される、第２の集合に該当する製品の数が表示されたベン図によって、第２の集合に該当する製品の数を極めて容易に認識することができる。
【００７６】
請求項５記載の工程解析方法によって、所定の工程を含む第１の製造処理によって製造される製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【００７７】
請求項６記載の工程解析方法によって、所定の工程の実行の有無に基づく製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【００７８】
請求項７記載の工程解析方法によって、所定の洗浄処理工程の実行の有無に基づく製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【００７９】
請求項８記載の工程解析方法によって、所定の工程と上記類似の工程との相違に基づく製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【００８０】
請求項９記載の工程解析方法によって、所定の半導体処理工程を含む第１の製造処理によって製造される半導体装置の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【００８１】
請求項１０記載のプログラムをコンピュータに実行させることにより、工程解析処理を自動的に行い、かつ所定の効果の達成度合の解析結果を精度良く得ることができる。
この発明における請求項１１記載の工程解析方法は第１及び第２の製造処理のいずれであるか及び所定の効果の有無による４分類の製品を分類データとすることにより、所定の工程を含む第１の製造処理と所定の工程そのものは含まない第２の製造処理との相関を考慮して、所定の効果の達成度合の解析結果を精度良く得ることができる。
さらに、請求項１１記載の工程解析方法によって、所定の工程を含む第１の製造処理によって製造される製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
加えて、請求項１１記載の工程解析方法によって、所定の工程と上記類似の工程との相違に基づく製品の良品化度合の解析結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態であるの半導体装置の製造方法の解析方法を示すフローチャートである。
【図２】  解析用の分類内容を表形式で示す説明図である。
【図３】  本実施の形態の解析処理の説明用の説明図である。
【図４】  図３で示したベン図の各領域の確率分布を示す説明図である。
【図５】  良品部分確率を用いて図３で示した全領域の個数分布をベン図を用いて示した説明図である。
【図６】  図２の分類に基づく全４０５チップの解析結果をベン図形式で示した説明図である。
【図７】  図２の分類に基づく全４０５チップの解析結果をベン図形式で表示した説明図である。
【図８】  所定の工程における所定の効果達成度合をベン図形式で示す解析結果を示す説明図である。
【図９】  所定の工程の例を表形式で示す説明図である。
【図１０】  本発明に適用可能な所定の製造処理における所定の工程による効果達成度合の解析方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
Ａ１  所定の工程実行製品集合、ＣＡ１  洗浄処理チップ集合、ＣＥ１  洗浄処理効果集合、ＣＥ２  洗浄処理外効果集合、Ｅ１  所定の工程効果達成集合、Ｅ２  所定の工程外効果達成集合、Ｒ１〜Ｒ４  良品分類領域、Ｒ５，Ｒ６  不良品分類領域、Ｒ７  洗浄効果率用良品分類領域。
【図１】
0005031157.tif 000010
【図２】
0005031157.tif 000011
【図３】
0005031157.tif 000012
【図４】
0005031157.tif 000013
【図５】
0005031157.tif 000014
【図６】
0005031157.tif 000015
【図７】
0005031157.tif 000016
【図８】
0005031157.tif 000017
【図９】
0005031157.tif 000018
【図１０】
0005031157.tif 000019