(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、電気信号を伝える第１の伝送線路と、終端を目的とした抵抗素子と、前記抵抗素子の第１の端子に接続された第２の伝送線路と、前記第１の伝送線路を挟んでコプレーナ線路を構成する第１の表面グランドパターンと、前記第２の伝送線路を挟んでコプレーナ線路を構成する第２の表面グランドパターンと、が形成され、
出力端面から出力光を出力する変調器付発光素子が前記第１の表面グランドパターン上に接続され、
前記変調器付発光素子は、上面において前記出力端面の近傍に形成された変調器駆動用の電極パッドと、発光素子に給電するための電極パッドとを備え、
前記第１の伝送線路と前記変調器駆動用の電極パッドが第１のワイヤにより接続され、
前記変調器駆動用の電極パッドと前記第２の伝送線路が第２のワイヤにより接続され、
前記基板には、前記変調器付発光素子の出力光の伝播経路と前記基板の第１の側面との交点に第１の切り欠き部が形成され、
前記第１及び第２の伝送線路と前記変調器駆動用の電極パッドが一直線上に配置され、
前記第１の表面グランドパターンと前記第２の表面グランドパターンは電気的に分離され、
前記抵抗素子の第２の端子は前記第２の表面グランドパターンを介してグランド電位に接続され、
前記第１の表面グランドパターンに前記変調器付発光素子のオフセット電圧が印加されることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項２】
前記基板の表面に、前記第１の伝送線路に電気信号を伝える第３の伝送線路と、前記第３の伝送線路を挟んでコプレーナ線路を構成する第３及び第４の表面グランドパターンとが形成され、
前記第３の表面グランドパターンと前記第４の表面グランドパターンは、ＤＣ分離され、コンデンサによりＡＣ結合されていることを特徴とする請求項１に記載の光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ通信に用いられる光伝送モジュールに関し、特に歩留を向上し、コストを低減し、高周波特性の劣化を防ぐことができる光伝送モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光伝送モジュールは、電気信号を受けて光信号に変換する変調器付発光素子と、この変調器付発光素子が搭載されたセラミックス又は半導体の基板とを有する。基板の表面には、電気信号を伝える第１の伝送線路と、終端を目的とした抵抗素子と、抵抗素子に接続された第２の伝送線路と、第１及び第２の伝送線路を挟んでそれぞれコプレーナ線路を構成するグランドパターンとが形成されている。変調器付発光素子の上面には、変調器へ給電するための変調器駆動用の電極パッドが形成されている。基板の第１の伝送線路と変調器付発光素子の電極パッド、変調器付発光素子の電極パッドと基板の第２の伝送線路が、それぞれワイヤにより接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３８９８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来は、変調器付発光素子の出力端面から出力された出力光が基板に遮られて損失が発生することがないように、変調器付発光素子の出力端面と基板の側面を揃えていた。また、変調器駆動用の電極パッドは、一般的には変調器付発光素子の出力端面の近傍（即ち、変調器の真上近傍）に形成されている。そして、第１及び第２の信号線路の両脇にグランドパターンが配置されている。従って、電極パッドは基板の側面の近傍に配置され、第１及び第２の信号線路は基板の内側寄りに配置され、第１及び第２の信号線路と電極パッドは一直線上になかった。
【０００５】
また、１０Ｇｂｐｓを超える高周波領域、特に４０Ｇｂｐｓ程度の高周波領域においては、ワイヤによるインダクタンスの影響も含めて高周波設計を行う必要がある。しかし、ワイヤ長が設計値からばらつくことにより、高周波特性にもばらつきが生じる。このばらつきを低減するためには、例えば、自動ワイヤボンディング装置などを用いて所定の制御のもとでワイヤボンディングを行うのが望ましい。
【０００６】
しかし、上記のように第１及び第２の信号線路と電極パッドが一直線上にないため、第１の信号線路と電極パッドをワイヤボンディングした後、ワイヤボンディング装置の進行方向を変えて、電極パッドと第２の信号線路をワイヤボンディングする必要があった（ただし、ボンディング順番は逆でもよい）。このように進行方向を変えることでワイヤ圧着部分から伸びるワイヤを“ひねる”動作が必要である。従って、ワイヤに不要に力が加わって断線しやすく、歩留が低下するという問題があった。
また、ワイヤボンディング装置の制御が複雑となり、コストが増加するという問題があった。
また、第１及び第２の信号線路は電極パッドから光軸垂直方向のライン上にはなく、光軸方向の成分を少し加えてワイヤを打つ必要がある。従って、ワイヤがその分だけ長くなるため、インダクタンス成分の影響により高周波特性が劣化するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、歩留を向上し、コストを低減し、高周波特性の劣化を防ぐことができる光伝送モジュールを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光伝送モジュールは、基板の表面に、電気信号を伝える第１の伝送線路と、終端を目的とした抵抗素子と、抵抗素子の第１の端子に接続された第２の伝送線路と、第１の伝送線路を挟んでコプレーナ線路を構成する第１の表面グランドパターンと、第２の伝送線路を挟んでコプレーナ線路を構成する第２の表面グランドパターンと、が形成され、出力端面から出力光を出力する変調器付発光素子が第１の表面グランドパターン上に接続され、変調器付発光素子は、上面において出力端面の近傍に形成された変調器駆動用の電極パッドと、発光素子に給電するための電極パッドとを備え、第１の伝送線路と変調器駆動用の電極パッドが第１のワイヤにより接続され、変調器駆動用の電極パッドと第２の伝送線路が第２のワイヤにより接続され、基板には、変調器付発光素子の出力光の伝播経路と基板の第１の側面との交点に第１の切り欠き部が形成され、第１及び第２の伝送線路と変調器駆動用の電極パッドが一直線上に配置され、第１の表面グランドパターンと第２の表面グランドパターンは電気的に分離され、抵抗素子の第２の端子は第２の表面グランドパターンを介してグランド電位に接続され、第１の表面グランドパターンに変調器付発光素子のオフセット電圧が印加される。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、歩留を向上し、コストを低減し、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る光伝送モジュールを表す上面図、図２は側面図、図３は下面図である。
【００１１】
基板１の表面には、電気信号を伝える第１の伝送線路３と、終端を目的とした抵抗素子４と、抵抗素子４に接続された第２の伝送線路５と、グランド面を提供する表面グランドパターン６と、レーザダイオードに給電するための中継用電極パッド７とが形成されている。一方、基板１の裏面には、グランド面を提供する裏面グランドパターン８が形成されている。
【００１２】
変調器付発光素子９は、表面グランドパターン６上にＡｕ／Ｓｎ等の半田パターン１０を介して電気的・物理的に接続され、出力端面１１ａから出力光１２を出力する。変調器付発光素子９の上面に、レーザダイオードへ給電するための電極パッド１３と、変調器へ給電するための変調器駆動用の電極パッド１４とが形成されている。ただし、電極パッド１４は、変調器の真上近傍、即ち出力端面１１ａの近傍に形成されている。
【００１３】
基板１の第１の伝送線路３と変調器付発光素子９の電極パッド１４は第１のワイヤ１５により接続されている。変調器付発光素子９の電極パッド１４と基板１の第２の伝送線路５は第２のワイヤ１６により接続されている。変調器付発光素子９の電極パッド１３と基板１の中継用電極パッド７はワイヤ１７により接続されている。
【００１４】
基板１の材料としてセラミックやシリコンなどを用いる。このため、第１及び第２の伝送線路３，５などをウェハプロセスにより一括して形成することができ、大量生産・低価格化に適している。特に、基板１の材料としてセラミックを用いれば、信号の損失が少なく比較的長い信号線路を形成することができる。セラミックとしては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが用いられる。
【００１５】
第１の伝送線路３及び第２の伝送線路５は、基板１の表面で表面グランドパターン６により挟まれ、基板１の裏面に裏面グランドパターン８が設けられたグランド付きコプレーナ線路を構成している。また、第１及び第２の伝送線路３，５は、特性インピーダンスが外部の信号線路（図示せず）と同じく５０Ωとなり、作製時のインピーダンスばらつきが±５％となるように設計されている。なお、裏面グランドパターン８を省略して、第１の伝送線路３及び第２の伝送線路５をコプレーナ線路としても良い。
【００１６】
抵抗素子４の材質としてＴａ２Ｎなどを用いる。抵抗素子４は第２の伝送線路５と表面グランドパターン６の間に配置される。抵抗素子４の抵抗値は、第１及び第２の伝送線路３，５と同じく例えば５０Ωに調整される。
【００１７】
上記のように第１及び第２の伝送線路３，５と電極パッド１４をワイヤボンディングにより連結することで終端が可能となる。第１及び第２の伝送線路３，５及び抵抗素子４は、線路幅、両側に設けられた表面グランドパターン６との間隔、及び裏面グランドパターン８との距離（＝基板１の厚み）を設計することにより、それぞれ所望の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）を得ることができる。特性インピーダンスを最適化することにより、リターンロス（Ｓ１１）を最小化することができ、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００１８】
基板１の第１の側面２ａに切り欠き部１８ａ，１８ｂ，１８ｃが形成されている。そして、切り欠き部１８ａ，１８ｂ，１８ｃにはキャスタレーションが形成されている。このキャスタレーション及びヴィア１９ａ，１９ｂは、表面グランドパターン６と裏面グランドパターン８を電気的に接続する。これにより、第１及び第２の伝送線路３，５の脇にある表面グランドパターン６が容量性を持つのを防ぐことができる。なお、図１のキャスタレーションの位置・個数は一例であり、図１と異なる位置やさらに多くのキャスタレーションを設けても良い。また、表面グランドパターン６が第１の側面２ａに対向する第２の側面２ｂまで伸びている場合は、ヴィア１９ａ，１９ｂの代わりに第２の側面２ｂにキャスタレーションを設けても良い。
【００１９】
本実施の形態の特徴として、切り欠き部１８ｂ（第１の切り欠き部）が、変調器付発光素子９の出力光１２の伝播経路と第１の側面２ａとの交点に形成されている。そして、出力端面１１ａが切り欠き部１８ｂの近傍にくるように変調器付き発光素子９が配置されている。これにより、変調器付発光素子９を基板１の内側に搭載しても、変調器付発光素子９の出力端面から出力された出力光が基板１に遮られるのを防ぐことができる。従って、光モジュールの結合効率を落とすことなく、第１及び第２の伝送線路３，５と電極パッド１４を一直線上に配置することができる。
【００２０】
第１及び第２の伝送線路３，５と電極パッド１４を一直線上に配置することで、これらをワイヤボンディングする際にワイヤボンディング装置の進行方向を変える必要がないため、第１及び第２のワイヤ１５，１６に不要に力が加わって断線するのを防ぐことができ、歩留を向上することができる。そして、ワイヤボンディング装置の制御が簡単であるため、コストを低減することができる。さらに、第１及び第２のワイヤ１５，１６を短くすることができるため、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００２１】
また、抵抗素子４を別部品として構成した場合、その実装位置がばらつくことでワイヤ長もばらつく可能性がある。これに対して、抵抗素子４を第２の伝送線路５等と同一基板内に形成することで、ワイヤ長のばらつきを抑え、高周波特性のばらつきを抑えることができる。
【００２２】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２に係る光伝送モジュールを表す上面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００２３】
第１の伝送線路３の変調器付発光素子９に近い部分の幅を広げて容量性のパターン２０が形成されている。容量性のパターン２０の幅は、コプレーナ線路として例えば５０Ωの特性インピーダンスを形成する第１の伝送線路３の幅よりも大きい。このように容量性のパターン２０を挿入することで、第１のワイヤ１５のインダクタンス成分を打ち消し、リターンロス（Ｓ１１）の改善を図ることができる。
【００２４】
実施の形態３．
図５は、実施の形態３に係る光伝送モジュールを表す上面図、図６は側面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００２５】
基板１の表面に掘り込み部２１が、エッチングや機械加工・レーザ加工などにより形成されている。そして、掘り込み部２１内に変調器付発光素子９が搭載されている。なお、実施の形態２と同様に第１の伝送線路３に容量性のパターンを形成してもよい。
【００２６】
変調器付発光素子９の厚みと掘り込み部２１の深さとの差が変調器付発光素子９の厚みよりも小さくなるように、掘り込み部２１の深さが設定されている。ただし、掘り込み部２１の深さを変調器付発光素子９の厚みと同程度にすることが最も望ましい。
【００２７】
これにより、変調器付発光素子９の電極パッド１４と第１及び第２の伝送線路３，５を同程度の高さに揃えることができる。従って、実施の形態１，２よりも第１及び第２のワイヤ１５，１６を短くすることができるため、第１及び第２のワイヤ１５，１６のインダクタンス成分による高周波特性の劣化を抑えることができる。
【００２８】
実施の形態４．
図７は、実施の形態４に係る光伝送モジュールを表す上面図、図８は側面図である。図９は、３つの基板を分離した状態を示す上面図、図１０は下面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００２９】
基板は、変調器付発光素子９が搭載された第１の基板１ａと、第１の伝送線路３が表面に形成された第２の基板１ｂと、抵抗素子４及び第２の伝送線路５が表面に形成された第３の基板１ｃとに分割されている。そして、第２及び第３の基板１ｂ，１ｃは、第１の基板１ａ上に搭載されている。
【００３０】
第１，第２，第３の基板１ａ，１ｂ，１ｃの表面にはそれぞれ表面グランドパターン６ａ，６ｂ，６ｃが形成され、裏面にはそれぞれ裏面グランドパターン８ａ，８ｂ，８ｃが形成されている。表面グランドパターン６ａ，６ｂ，６ｃと裏面グランドパターン８ａ，８ｂ，８ｃは、それぞれヴィア１９ａ，１９ｂや切り欠き部１８ａ，１８ｂ，１８ｃに形成されたキャスタレーションによって電気的に接続されている。なお、実施の形態２と同様に第１の伝送線路３に容量性のパターンを形成してもよい。
【００３１】
変調器付発光素子９の厚みと第２及び第３の基板１ｂ，１ｃの厚みとの差が変調器付発光素子９の厚みよりも小さくなるように、第２及び第３の基板１ｂ，１ｃの厚みが設定されている。ただし、第２及び第３の基板１ｂ，１ｃの厚みを変調器付発光素子９の厚みと同程度にすることが最も望ましい。これにより、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
実施の形態５．
図１１は、実施の形態５に係る光伝送モジュールを表す上面図、図１２は側面図、図１３は下面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００３３】
表面グランドパターンは、第１の伝送線路３を挟んでコプレーナ線路を構成する第１の表面グランドパターン６ｄと、第２の伝送線路５を挟んでコプレーナ線路を構成する第２の表面グランドパターン６ｅとに分割されている。第１の表面グランドパターン６ｄと第２の表面グランドパターン６ｅは電気的に分離されている。
【００３４】
裏面グランドパターンも、第１の裏面グランドパターン８ｄと、第２の裏面グランドパターン８ｅとに分割されている。第１の裏面グランドパターン８ｄと第２の裏面グランドパターン８ｅも電気的に分離されている。なお、第１の裏面グランドパターン８ｄと第２の裏面グランドパターン８ｅは溝２２によって分断されているが、溝２２を設けずパターニングのみで分断しても良い。
【００３５】
第１の表面グランドパターン６ｄと第１の裏面グランドパターン８ｄは、ヴィア１９ｂ及び切り欠き部１８ｂ，１８ｃのキャスタレーションによって電気的に接続されている。第２の表面グランドパターン６ｅと第２の裏面グランドパターン８ｅは、ヴィア１９ａ及び切り欠き部１８ａのキャスタレーションによって電気的に接続されている。
【００３６】
なお、裏面に溝２２を設けずベタの裏面グランドパターンとし、第１の表面グランドパターン６ｄと第２の表面グランドパターン６ｅの一方のみがキャスタレーションによって裏面グランドパターンと電気的に接続され、他方の表面グランドパターンは所望の電位を供給する別部品上のパターンとワイヤで接続されるようにしても良い。
【００３７】
図１４は、図１１〜１３の構造を金属ブロックに搭載した状態を示す断面図である。金属ブロック２３上にコンデンサ２４が搭載されている。コンデンサ２４の上面と第１の裏面グランドパターン８ｄが接続され、金属ブロック２３の上面と第２の裏面グランドパターン８ｅが接続されている。金属ブロック２３はグランド電位である。ここで、変調器付発光素子９の変調器には、通常、逆バイアス電圧を印加する。この際、コンデンサ２４の上面の電位（オフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔ）を、金属ブロック２３の電位に対して独立に設定することができる。これにより、変調光の消光特性を自由にコントロールすることができる。
【００３８】
図１５は、変調器の消光カーブの一例を示す図である。図中で、Ｖｏｆｆｓｅｔはオフセット電圧、Ｖｐｐは電圧振幅、Ｅｘは消光比である。ここで、変調器を駆動するドライバＩＣは、ある電圧振幅Ｖｐｐの変調電圧信号を変調器に供給する。しかし、回路上の制約により、ドライバＩＣが設定できるオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔは有限である。従って、ドライバＩＣが設定できるオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔを超えた電圧で消光し始める変調器の場合、十分な変調波形を得ることができない。そこで、本実施の形態に係る光伝送モジュールを用いて、図１６に示すように、オフセット電圧を変調器が消光し始める電圧Ｖ´ｏｆｆｓｅｔに調整する。これにより、最適な変調波形を得ることができる。
【００３９】
実施の形態６．
図１７は、実施の形態６に係る光伝送モジュールを表す上面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００４０】
光伝送モジュールでは、変調器付発光素子９の変調器付発光素子９の裏面１１ｂから出力される裏面光２５のパワーをモニター用受光素子（不図示）でモニターすることにより、出力端面１１ａからの出力光のパワーを制御する。そこで、本実施の形態では、表面グランドパターン６を、変調器付発光素子９の裏面１１ｂから裏面光２５の伝播方向に向かって延在させる。なお、表面グランドパターン６を基板１の端面まで延在させても良いし、その手前まででも良い。また、実施の形態２〜５の構成に、本実施の形態６の構成を組み合わせてもよい。
【００４１】
この延在部分により変調器付発光素子９の裏面光２５を反射させ、適切な光学設計を行うことにより、モニター用受光素子で受光できる光量の損失を低減することができる。この結果として、ノイズの少ない、精度の高い制御が可能となる。
【００４２】
実施の形態７．
図１８は、実施の形態７に係る光伝送モジュールを表す上面図、図１９は側面図、図２０は下面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００４３】
基板１には、変調器付発光素子９の裏面光２５の伝播経路と第２の側面２ｂとの交点に第２の切り欠き部１８ｄが形成されている。この第２の切り欠き部１８ｄには、表面グランドパターン６と裏面グランドパターン８を電気的に接続するキャスタレーションが形成されている。なお、実施の形態２〜５の構成に、本実施の形態７の構成を組み合わせてもよい。
【００４４】
この第２の切り欠き部１８ｄにより、変調器付発光素子９の裏面光２５が基板１に遮られるのを防ぐことができる。従って、適切な光学設計を行うことにより、モニター用受光素子で受光できる光量の損失を低減することができる。この結果として、ノイズの少ない、精度の高い制御が可能となる。また、キャスタレーションを形成することで、グランド電位を強化し、高周波特性の安定化を図ることができる。
【００４５】
実施の形態８．
図２１は、実施の形態８に係る光伝送モジュールを表す上面図である。実施の形態１と異なる構成についてのみ説明する。
【００４６】
基板１は、互いに対向する第１及び第２の側面２ａ，２ｂと、第１及び第２の側面２ａ，２ｂに対して垂直であって互いに対向する第３及び第４の側面２ｃ，２ｄとを有する。第１及び第２の側面２ａ，２ｂに対して平行な基板１の中心線を第１の中心線２６ａとし、第３及び第４の側面２ｃ，２ｄに対して平行な基板１の中心線を第２の中心線２６ｂとする。基板１の平面外形は、第１の中心線２６ａに対して線対称であり、かつ第２の中心線２６ｂに対して線対称である。即ち、基板１の平面外形が上記の条件を満たすように、切り欠き部１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｆが配置されている。
【００４７】
なお、切り欠き部１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｆの配置は、図２１に示す配置に限らず、上記の条件を満たす配置であればよい。また、ヴィア１９ａ，１９ｂの両方又は何れか一方が無くても良い。また、実施の形態２〜７の構成に、本実施の形態８の構成を組み合わせてもよい。
【００４８】
上記の光伝送モジュールの製造工程について説明する。まず、図２２に示すように、ウェハ２７上に上記の光伝送モジュール２８を複数個形成する。次に、切り欠き部を形成するために、レーザ加工やサンドブラスト等により穴２９を形成する。穴２９の加工形状は、通常は円形又は楕円形となる。その後、ダイシングブレードが穴２９の中央部を通るようにウェハ２７を切断して、各光伝送モジュール２８ごとに分離する。
【００４９】
ここで、実施の形態１の光伝送モジュールの場合、第１の側面２ａにはキャスタレーションがあるが、第２の側面２ｂにはキャスタレーションが無く、基板１の平面外形が線対称ではない。従って、実施の形態１の光伝送モジュールを製造する場合、図２３に示すように、切り捨てなければならない領域３０が発生する。これに対し、実施の形態８に係る光伝送モジュールを製造する場合、ダイシングの切りしろ部分を除いては切り捨てる部分が無い。従って、一枚のウェハから取れる光伝送モジュールの数を多くすることができるため、製造コストを下げることができる。
【００５０】
実施の形態９．
図２４は、実施の形態９に係る光伝送モジュールを表す上面図、図２５は断面図である。実施の形態５と異なる構成についてのみ説明する。
【００５１】
伝送線路基板３１の表面に、第１の伝送線路３に電気信号を伝える第３の伝送線路３２と、第３の伝送線路３２を挟んでコプレーナ線路を構成する第３及び第４の表面グランドパターン３３ａ，３３ｂと、コンデンサ３４とが形成されている。伝送線路基板３１の裏面にグランドパターン３５ａ，３５ｂが形成されている。第１の伝送線路３と第３の伝送線路３２はワイヤ３５により電気的に接続され、第１の表面グランドパターン６ｄと第３の表面グランドパターン３３ａはワイヤ３６により電気的に接続されている。
【００５２】
第３の表面グランドパターン３３ａと第４の表面グランドパターン３３ｂはＤＣ分離されている。これにより、変調器付発光素子９に入力するオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔを独立に設定することができる。また、第３の表面グランドパターン３３ａと第４の表面グランドパターン３３ｂは、第３の伝送線路３２の近傍でコンデンサ３４によりＡＣ結合されている。これにより、電気信号を劣化させずに伝送することができる。なお、上記の伝送線路基板３１上の構成と同様の構成を基板１上に形成しても、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施の形態１に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図２】実施の形態１に係る光伝送モジュールを表す側面図である。
【図３】実施の形態１に係る光伝送モジュールを表す下面図である。
【図４】実施の形態２に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図５】実施の形態３に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図６】実施の形態３に係る光伝送モジュールを表す側面図である。
【図７】実施の形態４に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図８】実施の形態４に係る光伝送モジュールを表す側面図である。
【図９】３つの基板を分離した状態を示す上面図である。
【図１０】３つの基板を分離した状態を示す下面図である。
【図１１】実施の形態５に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図１２】実施の形態５に係る光伝送モジュールを表す側面図である。
【図１３】実施の形態５に係る光伝送モジュールを表す下面図である。
【図１４】図１１〜１３の構造を金属ブロックに搭載した状態を示す断面図である。
【図１５】変調器の消光カーブの一例を示す図である。
【図１６】変調器の消光カーブの一例を示す図である。
【図１７】実施の形態６に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図１８】実施の形態７に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図１９】実施の形態７に係る光伝送モジュールを表す側面図である。
【図２０】実施の形態７に係る光伝送モジュールを表す下面図である。
【図２１】実施の形態８に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図２２】実施の形態８に係る光伝送モジュールの製造工程を説明するための上面図である。
【図２３】実施の形態１に係る光伝送モジュールの製造工程を説明するための上面図である。
【図２４】実施の形態９に係る光伝送モジュールを表す上面図である。
【図２５】実施の形態９に係る光伝送モジュールを表す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  基板
１ａ  第１の基板
１ｂ  第２の基板
１ｃ  第３の基板
２ａ  第１の側面
２ｂ  第２の側面
２ｃ  第３の側面
２ｄ  第４の側面
３  第１の伝送線路
４  抵抗素子
５  第２の伝送線路
６  表面グランドパターン
６ｄ  第１の表面グランドパターン
６ｅ  第２の表面グランドパターン
８  裏面グランドパターン
９  変調器付発光素子
１１ａ  出力端面
１１ｂ  裏面
１２  出力光
１４  変調器駆動用の電極パッド
１５  第１のワイヤ
１６  第２のワイヤ
１８ｂ  第１の切り欠き部
１８ｄ  第２の切り欠き部
２０  容量性のパターン
２１  掘り込み部
２５  裏面光
２６ａ  第１の中心線
２６ｂ  第２の中心線
３１  伝送線路基板
３２  第３の伝送線路
３３ａ  第３の表面グランドパターン
３３ｂ  第４の表面グランドパターン
３４  コンデンサ
【図１】
0005003464.tif 000002
【図２】
0005003464.tif 000003
【図３】
0005003464.tif 000004
【図４】
0005003464.tif 000005
【図５】
0005003464.tif 000006
【図６】
0005003464.tif 000007
【図７】
0005003464.tif 000008
【図８】
0005003464.tif 000009
【図９】
0005003464.tif 000010
【図１０】
0005003464.tif 000011
【図１１】
0005003464.tif 000012
【図１２】
0005003464.tif 000013
【図１３】
0005003464.tif 000014
【図１４】
0005003464.tif 000015
【図１５】
0005003464.tif 000016
【図１６】
0005003464.tif 000017
【図１７】
0005003464.tif 000018
【図１８】
0005003464.tif 000019
【図１９】
0005003464.tif 000020
【図２０】
0005003464.tif 000021
【図２１】
0005003464.tif 000022
【図２２】
0005003464.tif 000023
【図２３】
0005003464.tif 000024
【図２４】
0005003464.tif 000025
【図２５】
0005003464.tif 000026