(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装基板上に搭載するための搭載手段と、
前記搭載手段を実装基板に対して近接離間させるための駆動手段と、
前記搭載手段の現在位置を検出する位置検出手段と、
半田を溶融するために前記搭載手段を加熱する加熱手段と、
前記位置検出手段から位置情報の読み込み、前記加熱手段から温度情報の読み込みを行い、前記駆動手段、前記加熱手段をコントロールする制御手段と、
を備え、
前記位置検出手段から読み込んだ位置情報から、前記半田の接合状態を判断して加熱時間の制御を行う機能を前記制御部に有することを特徴とする電子部品の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品の製造装置において、
前記制御部は、前記電子部品と前記実装基板とが前記半田を介して接触完了した後、予め定められた時間が経過するまで、少なくとも前記半田を加熱することを特徴とする電子部品の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品の製造装置において、
前記搭載手段と前記実装基板との距離が予め定められた値になってから、予め定められた時間までの経過時間が、最低保持時間以上の場合には前記制御手段は前記加熱手段に対して加熱を終了させることを特徴とする電子部品の製造装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電子部品の製造装置において、
前記搭載手段と前記実装基板との距離が予め定められた値になってから、予め定められた時間までの経過時間が、最低保持時間未満の場合には前記制御手段は前記加熱手段に対して前記最低保持時間まで加熱を継続させた後に加熱を終了させることを特徴とする電子部品の製造装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電子部品の製造装置において、
前記搭載手段と前記実装基板との距離における前記予め定められた値とは、前記搭載手段に搭載された前記電子部品と前記実装基板との間の距離であって前記半田が十分溶融した状態で安定している場合における距離であることを特徴とする電子部品の製造装置。
【請求項６】
電子部品を実装基板上に搭載するための搭載工程と、
前記電子部品を実装基板に対して近接離間させるための駆動工程と、
前記電子部品の現在位置を検出する位置検出工程と、
半田を溶融するために前記電子部品を加熱する加熱工程と、
前記位置検出工程における位置情報を読み込み、前記加熱工程における温度情報の読み込みを行い、前記駆動工程、前記加熱工程をコントロールする制御工程と、
を備え、
前記位置検出工程において読み込んだ位置情報から、前記半田の接合状態を判断して加熱時間の制御を行う機能を前記制御工程に有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
電子部品の製造装置に含まれるコンピュータを、
電子部品を実装基板上に搭載するための搭載手段、
前記搭載手段を実装基板に対して近接離間させるための駆動手段、
前記搭載手段の現在位置を検出する位置検出手段、
半田を溶融するために前記搭載手段を加熱する加熱手段、
前記位置検出手段から位置情報の読み込み、前記加熱手段から温度情報の読み込みを行い、前記駆動手段、前記加熱手段をコントロールする制御手段、
として機能させ、
前記制御部を前記位置検出手段から読み込んだ位置情報から、前記半田の接合状態を判断して加熱時間の制御を行うように機能させることを特徴とする電子部品の製造プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体組立の接合工程において、特にフリップチップ実装方式によりバンプを介して例えば半導体チップと実装基板又は半導体チップ同士を接続する電子部品の製造装置及びその製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、例えば特許文献１に記載された電子部品実装装置がある。この電子部品実装装置は、超音波インピーダンスと、ノズル変位量と、ノズル圧力と、バンプ温度とを測定し、これらの波形データ若しくは温度データと、基準データとを比較して、接合中の状態及び接合温度の良否を判断する装置である。
【０００３】
また、特許文献２に記載されている気相はんだ付け方法は、電子部品等の表面温度を測定し、あらかじめ設定した温度プロファイルと測定温度の差に応じて温度を制御し、電子部品を設定した温度プロファイルで加熱する方法である。
【特許文献１】特開２００１−９４２４５号公報
【特許文献２】特開平２−２６３５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体装置における接合プロセスは、半田接合面の可視化が困難であるため、組立完成後に電気テストや、Ｘ線検査、超音波検査等の非破壊検査を実施している。上記電気テストの場合には、半田接合後の工程が多数有することから不良品を検出するまでの間は不良品を作り続けてしまう可能性が高い。また、Ｘ線検査・超音波検査等の非破壊検査では、検査時間が長くかかるため全数実施するのは、生産局面において生産効率が低下するという課題がある。
【０００５】
また、特許文献１及び特許文献２に記載された発明のように、半田接合時の製品表面温度を測定し、最適な温度プロファイルとの比較により温度等の制御を行う方法が提案されている。しかしながら、この方法では、接合面における製品の状態は常に異なり、接合状態にばらつきが発生するため、特定のプロファイルに従って制御を行った場合でも、製品の状態によって不良になる可能性があるという課題がある。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産性を著しく低下させることなく、歩留まりを向上させることのできる電子部品の製造装置及びその製造方法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、電子部品を実装基板上に搭載するための搭載手段と、前記搭載手段を実装基板に対して近接離間させるための駆動手段と、前記搭載手段の現在位置を検出する位置検出手段と、半田を溶融するために前記搭載手段を加熱する加熱手段と、前記位置検出手段から位置情報の読み込み、前期加熱手段から温度情報の読み込みを行い、前記駆動手段、前記加熱手段をコントロールする制御手段と、前記位置検出手段から読み込んだ位置情報から、前記半田の接合状態を判断して、加熱時間の制御を行う機能を前記制御部に有することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品の製造装置において、前記制御部は、前記電子部品と前記実装基板とが前記半田を介して接触完了した後、予め定められた時間が経過するまで、少なくとも前記半田を加熱することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の電子部品の製造装置において、前記搭載手段と前記実装基板との距離が予め定められた値になってから、予め定められた時間までの経過時間が、最低保持時間以上の場合には前記制御手段は前記加熱手段に対して加熱を終了させることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の電子部品の製造装置において、前記搭載手段と前記実装基板との距離が予め定められた値になってから、予め定められた時間までの経過時間が、最低保持時間未満の場合には前記制御手段は前記加熱手段に対して前記最低保持時間まで加熱を継続させた後に加熱を終了させることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の電子部品の製造装置において、前記搭載手段と前記実装基板との距離における前記予め定められた値とは、前記搭載手段に搭載された前記電子部品と前記実装基板との間の距離であって前記半田が十分溶融した状態で安定している場合における距離であることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、電子部品を実装基板上に搭載するための搭載工程と、前記電子部品を実装基板に対して近接離間させるための駆動工程と、前記電子部品の現在位置を検出する位置検出工程と、半田を溶融するために前記電子部品を加熱する加熱工程と、前記位置検出工程における位置情報を読み込み、前記加熱工程における温度情報の読み込みを行い、前記駆動工程、前記加熱工程をコントロールする制御工程と、を備え、前記位置検出工程において読み込んだ位置情報から前記半田の接合状態を判断して加熱時間の制御を行う機能を前記制御工程に有することを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、電子部品の製造装置に含まれるコンピュータを、電子部品を実装基板上に搭載するための搭載手段、前記搭載手段を実装基板に対して近接離間させるための駆動手段、前記搭載手段の現在位置を検出する位置検出手段、半田を溶融するために前記搭載手段を加熱する加熱手段、前記位置検出手段から位置情報の読み込み、前記加熱手段から温度情報の読み込みを行い、前記駆動手段、前記加熱手段をコントロールする制御手段、として機能させ、前記制御部を前記位置検出手段から読み込んだ位置情報から前記半田の接合状態を判断して加熱時間の制御を行うように機能させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る電子部品の製造装置及びその製造方法によれば、第１の効果は、搭載ヘッドの位置情報から接合状態を判定して加熱等の制御を行うことにより、歩留まりの向上が可能ということである。この理由は、半田溶融時の搭載ヘッドの位置により、半田溶融もしくは未溶融を想定することが可能なためである。また、搭載ヘッドの位置をモニタリングして半田溶融後の経過時間を求めることにより、半田が十分溶融したかどうかを判断することが可能なためである。
【００１５】
第２の効果は、生産性を大きく低下させずに歩留まりの向上が可能なことである。この理由は、搭載動作中に接合状態によって制御を変更することにより、不良防止につながるためである。また、搭載後の検査で発見された不良を修復する場合に要する時間と比較して、接合処理を延長する時間が短いためである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明に係る電子部品の製造装置の一実施形態を示すブロック図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の電子部品の製造装置は、例えばＩＣチップ等の半導体チップ１を実装基板２上に搭載するための搭載手段としての搭載ヘッド５と、実装基板２が保持されるヒータテーブル４と、ヒータテーブル４の実装基板２に対して搭載ヘッド５を接近及び離間させる駆動手段としての上下駆動機構８と、半導体チップ１に対して実装基板２をその実装面に平行な方向に位置決めするための位置決めステージ３と、搭載ヘッド５の現在位置を検出する位置検出手段としての位置検出計９とを備えている。
【００１９】
また、搭載ヘッド５には、その搭載ヘッド５を加熱するためのヒータ６が設けられている。このヒータ６及びヒータテーブル４は、ヒータ加熱源７に接続されている。このヒータ加熱源７は、制御手段としての制御部１０に接続されている。したがって、制御部１０は、その制御信号によりヒータ加熱源７を介してヒータテーブル４及びヒータ６を加熱制御している。そして、制御部１０は、搭載ヘッド５の現在位置を検出する位置検出計９から現在位置検出信号を読み込み可能としており、またヒータテーブル４及びヒータ６からは、ヒータテーブル４及びヒータ６の温度をヒータ加熱源７からの温度信号により読み込み可能としている。また、上下駆動装置８は、制御部１０からの制御信号により加圧機構としても機能し、搭載ヘッド５の制御方式を位置決め及び荷重で制御している。
【００２０】
次に、本実施形態の動作について説明する。
【００２１】
図２は本実施形態の正常時の動作を示す説明図、図３は本実施形態の不良時の動作を示す説明図である。
【００２２】
図２に示す正常動作時において、搭載ヘッド５は、半導体チップ１を把持した状態で実装基板２と接触する高さまで降下する。この時、上下駆動機構８は、位置制御状態となっている。つまり、制御部１０は、位置検出計９からの現在位置信号を読み込みながら、半導体チップ１の接触検知を行う。半導体チップ１と実装基板２が接触したと判断した高さｈ０で、制御部１０は上下駆動機構８を荷重制御に切り替えて、接合するときの荷重値を搭載ヘッド５の荷重に設定する。この時、制御部１０は、半田が溶融するＴ１までヒータ６を加熱するようにヒータ加熱源７に制御信号を送出する。ヒータ６を加熱することで、半導体チップ１の半田ボールが膨張し、これにより搭載ヘッド５がｈ１の高さまで一旦上昇する。その後、半田の溶融とともに搭載ヘッド５は急激に下降していき、溶融した半田と上下駆動機構８の荷重とのバランスがとれた高さｈ２で、搭載ヘッド５は静止する。
【００２３】
次いで、半導体チップ１と実装基板２とが接触した接触検知時間ｔ１から半田が十分溶融すると考えられる時間が経過した後の時間ｔ３において、制御部１０は半田が完全に溶融したかどうかを判断し、溶融したと判断した場合は、上下駆動機構８を位置制御に切り換える。他方、未溶融と判断した場合は、溶融と判断されるまで状態を維持し、溶融と判断した後に上下駆動機構８を位置制御に切り換える。
【００２４】
次に、必要な距離だけ半田を引き伸ばすために、搭載ヘッド５を上昇させる。この上昇動作は、必要がなければ実施する必要はない。上下駆動機構８が位置制御に切り替わった後、半田を凝固させるためにヒータ６の温度をＴ０まで下降させる。ヒータ６の温度がＴ０に到達したことにより、半田接合が完了となる。その後、制御部１０は、搭載ヘッド５の半導体チップ１の把持を解除し、上下駆動機構８により元の位置まで上昇させる。
【００２５】
ここで、接触検知時間ｔ１から半田が十分溶融すると考えられる時間が経過した後の時間ｔ３までの時間を溶融時間Ｔ１＝ｔ３−ｔ１、搭載ヘッド５が溶融した半田とバランスが取れた高さｈ２に到達した時間ｔ２からｔ３までの時間を保持時間Ｔ２＝ｔ３−ｔ２、搭載ヘッド５が溶融した半田とバランスが取れてから半田が完全に溶融するまでに必要な時間を最低保持時間Ｔ３、搭載ヘッド５と溶融した半田のバランスがとれていると判断する高さばらつきの範囲を高さ許容範囲±ｈｄと定義する。
【００２６】
図３は、図２における半導体チップ１の半田ボール１ａ乃至１ｆの高さにばらつきが有る場合を示しており、ヒータ６の温度が上がってから（時刻ｔ１から）溶融した半田（半田ボール１ａ乃至１ｆ）と上下駆動機構８の荷重とのバランスがとれた高さｈ２に達するまでの所要時間（ｔ２―ｔ１）が図２における所要時間（ｔ２―ｔ１）よりも長くなる様子を示している。
【００２７】
制御部１０による半田が完全に溶融したかどうかの判断は、図４、図５、図６に示すフローチャートに従って行う。まず、半導体チップ１と実装基板２の接触を検知して上下駆動機構８を荷重制御としたら、接合するときの荷重値を搭載ヘッド５の荷重に設定し、一定間隔で位置検出計９から現在位置を読み込んで保存する。これを、溶融時間Ｔ１が経過するまで行う。溶融時間Ｔ１が経過したら、その時点での保持時間を算出する。
【００２８】
ここで、ｎ番目に読み込んだ現在位置をＺ（ｎ）、読み込んだ現在位置の数をＮ、現在位置を読み込む間隔をＴｃと定義する。
【００２９】
保持時間の算出は、溶融時間Ｔ１が経過した時点で読み込んだ現在位置Ｚ（Ｎ）を基準として、基準と（Ｎ−ｉ）番目に読み込んだ現在位置の差（Ｚ（Ｎ−ｉ）−Ｚ（Ｎ））が高さ許容範囲±ｈｄに入っているかどうかをｉ＝１，２，…，Ｎとして確認し、高さ許容範囲±ｈｄから外れた時のｉの値から、保持時間Ｔ２＝Ｔｃ×（ｉ−１）として求める。保持時間Ｔ２が最低保持時間Ｔ３以上である場合は半田が十分溶融したと判断して上下駆動機構８を位置制御に切り換える。
【００３０】
次に、図４、図５および図６のフローチャートを用いて、本実施形態の動作について説明する。
【００３１】
図４は本実施形態の動作を示すフローチャート図である。
【００３２】
ステップＳ１において、上下駆動機構８は搭載ヘッド５および搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１をヒータテーブル４の方向へ下降させる。制御部１０は位置検出計９から出力される信号に基づいて搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置を検出しながら、現在位置と目標位置の差分から、半導体チップ１の半田ボール１ａ乃至１ｆの少なくとも一つと、実装基板２とが接触したかを判断（検知）する。
【００３３】
現在位置と目標位置の差分が一定値以上になった場合、半導体チップ１の半田ボール１ａ乃至１ｆの少なくとも一つと実装基板２が接触したと判断し（ステップＳ１：ＹＥＳ）、ステップＳ２に進む。また、現在位置と目標位置の差分が一定値以下の場合、半導体チップ１の半田ボール１ａ乃至１ｆの少なくとも一つと実装基板２が接触したとは判断せずに（ステップＳ１：ＮＯ）、ステップＳ１をくり返す。
【００３４】
ステップＳ２において、制御部１０は、上下駆動機構８を接合するときの荷重値とする荷重制御へ切り替える。
【００３５】
ステップ３において、制御部１０は予め定められた時間に渡って、搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置を位置検出計９によって計測する（詳細は図５において説明する）。予め定められた時間が経過するとステップＳ４に進む。
【００３６】
ステップＳ４において、保持時間Ｔ２（図１または図２における（ｔ３―ｔ２）時間）を算出する（詳細は図６において説明する）。
【００３７】
ステップＳ５において、制御部１０はステップＳ４において算出された保持時間Ｔ２の値と予め定められた値である最低保持時間Ｔ３との値を比較する。
【００３８】
保持時間Ｔ２が最低保持時間Ｔ３以上である場合には（ステップＳ５：ＹＥＳ）、半田ボール１ａ乃至１ｆが完全に（十分に）溶融したと判断し、ステップＳ７に進む。
【００３９】
保持時間Ｔ２が最低保持時間Ｔ３未満である場合（ステップＳ５：ＮＯ）には、半田ボール１ａ乃至１ｆが未溶融であると判断し、ステップＳ６に進む
ステップＳ６において、制御部１０は、（最低保持時間Ｔ３―保持時間Ｔ２）が正になったか否かを判断する（保持時間Ｔ２が最低保持時間Ｔ３以上になるまで待つ）。（最低保持時間Ｔ３―保持時間Ｔ２）が負の場合（ステップＳ６：ＮＯ）の場合には、もう一度ステップＳ６を実行する。（最低保持時間Ｔ３―保持時間Ｔ２）が負の場合（ステップＳ６：ＹＥＳ）の場合には、ステップＳ７に進む。
【００４０】
ステップＳ７において、制御部１０は上下駆動機構８を上方に移動させ（Ｚ軸上昇）、半導体チップ１の半田ボール１ａ乃至１ｆに対する加圧を止める（加圧完了）。この場合半導体チップ１は、半田ボール１ａ乃至１ｆの溶融によってヒータテーブル４上の実装基板２に融着されている。
【００４１】
ステップＳ８において、制御部１０はヒータ加熱源７を介したヒータ６の加熱を止め、溶融した半田ボール１ａ乃至１ｆを冷却させる。
【００４２】
本フローチャートの説明において、搭載ヘッド５および／または搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置を検出する位置検出計９は任意の位置検出手段によって実現されるが、一例としてカメラ等の画像認識装置を用いて搭載ヘッド５および／または搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置を検出するようにすることもできる。
【００４３】
次に図５を用いて、図４におけるステップＳ３（Ｚ軸現在位置読込）の動作を詳細にフローチャートに基づき説明する。
【００４４】
ステップＳ９において、制御部１０は変数ｎに値１を代入する。
【００４５】
ステップＳ１０において、制御部１０は位置検出計９から出力される信号に基づいて搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置を検出する。検出された位置情報をＺ軸位置読込（情報）として変数Ｚ（ｎ）に代入する。
【００４６】
ステップＳ１１において、制御部１０はＴｃ時間が経過するまで待つ（ウェイトする）。
【００４７】
ステップＳ１２において、制御部１０は溶融時間Ｔ１（図１または図２における（ｔ３―ｔ１）時間）が経過したか否かを判断する。溶融時間Ｔ１が経過していない場合（ステップＳ１２：ＮＯ）には、ステップＳ１４に進む。また、溶融時間Ｔ１が経過した場合（ステップＳ１２：ＹＥＳ）には、ステップＳ１３に進む。
【００４８】
ステップＳ１３において、変数Ｎに値ｎを代入する。
【００４９】
ステップＳ１４において、変数ｎに値（ｎ＋１）を代入する。
【００５０】
以上説明したように制御部１０はＴｃ時間間隔毎に搭載ヘッド５に把持された半導体チップ１の位置情報を検出し、検出した位置情報を変数Ｚ（ｎ）に代入する。従って変数Ｚ（ｎ）に代入されている位置情報が検出された経過時間はＴｃ×（ｎ―１）で演算することによって求められる。
【００５１】
次に図６を用いて、図４におけるステップＳ４（保持時間Ｔ２（ｔ３―ｔ２）算出）の動作を詳細にフローチャートに基づき説明する。
【００５２】
ステップＳ１５において、制御部１０は変数ｉに値１を代入する。
【００５３】
ステップＳ１６において、制御部１０は、図４のステップＳ３においてＮ番目に読み込まれたＺ軸の現在位置であるＺ（Ｎ）と、Ｎ−ｉ番目に読み込まれたＺ軸の現在位置であるＺ（Ｎ−ｉ）との差分（Ｚ（Ｎ）―Ｚ（Ｎ−ｉ））を演算し、差分の絶対値が予め定められた値であるｈｄ（許容範囲）よりも小さくなっているか否かを判断する。
【００５４】
差分（Ｚ（Ｎ）―Ｚ（Ｎ−ｉ））の絶対値がｈｄ（許容範囲）よりも小さい場合（ステップＳ１６：ＮＯ）には、ステップＳ１８に進む（この場合にはＺ軸方向の変位が予め定めらえらた値ｈｄよりも小さくなっているので全ての半田ボールが安定的に溶融している状態であると考えられ、図１または図２におけるｔ２まで到達していない）。
【００５５】
また、差分（Ｚ（Ｎ）―Ｚ（Ｎ−ｉ））の絶対値がｈｄ（許容範囲）よりも大きい場合（ステップＳ１６：ＹＥＳ）には、ステップＳ１７に進む（この場合にはＺ軸方向の変位が予め定めらえらた値ｈｄよりも大きいので全ての半田ボールが安定的に溶融している状態ではないと考えられる）。
【００５６】
ステップＳ１７において、制御部１０は図１または図２における（（ｔ３―ｔ２）時間＝保持時間Ｔ２）を演算するために、Ｔｃに（ｉ−１）を乗算し、保持時間Ｔ２を求める。
【００５７】
ステップＳ１８において、制御部１０は変数ｉが値Ｎよりも小さいか否かを判断する。変数ｉが値Ｎよりも小さい場合（ステップＳ１８：ＹＥＳ）には、ステップＳ１９に進み、変数ｉが値Ｎ以上の場合（ステップＳ１８：ＮＯ）には、ステップＳ１７に進む。
【００５８】
ステップＳ１９において、制御部１０は変数ｉに値（ｉ＋１）を代入して、ステップＳ１６に進む。
（効果の説明）
第１の効果は、搭載ヘッドの位置情報から接合状態を判定して加熱等の制御を行うことで、歩留まりの向上が可能ということである。この理由は、半田溶融時の搭載ヘッドの位置により、半田溶融もしくは未溶融を想定することが可能なためである。また、搭載ヘッドの位置をモニタリングして半田溶融後の経過時間を求めることにより、半田が十分溶融したかどうかを判断することが可能なためである。
【００５９】
第２の効果は、生産性を大きく低下させずに歩留まりの向上が可能なことである。この理由は、搭載動作中に接合状態によって制御を変更することで、不良防止につながるためである。また、搭載後の検査で発見された不良を修復する場合に要する時間と比較して、接合処理を延長する時間が短いためである。
【００６０】
本効果を、図３を参照して説明する。
【００６１】
図３に示すように、半田の膨張時の高さｈ１から半田が溶融により搭載ヘッド５が下降していき、溶融した半田とバランスが取れた高さｈ２に到達するまでの時間が長く、正常品の溶融時の挙動と比較して、溶融に長時間かかっている。これは、半田ボールの高さばらつきの影響で、加熱開始時には接触していないボールが、搭載ヘッド５の下降によって途中で接触し、溶融を開始したためと考えられる。従って、溶融加熱時間が不十分な半田ボールが存在する可能性があると判断できる。
【００６２】
このため、制御部１０は最低保持時間Ｔ３から保持時間Ｔ２を引いた時間だけ加熱時間を延長し、その後上下駆動機構８を位置制御に切り換えることにより、半田ボールに高さばらつきがあった場合でも、全ての半田ボールを完全に溶融させることを可能としている。
【００６３】
（第２実施形態）
上記実施例の制御部１０による半田が完全に溶融したかどうかの判断は、溶融時間Ｔ１からｔだけ短い時間が経過した時点での保持時間を算出し、保持時間と最低保持時間Ｔ３よりｔだけ短い時間とを比較することでも可能である。
【００６４】
保持時間の方が長い場合は、溶融時間Ｔ１が経過すれば半田が十分溶融すると判断して、溶融時間Ｔ１経過後に上下駆動機構８を位置制御に切り換える。保持時間の方が短い場合は、溶融時間Ｔ１経過後に不足分だけ加熱時間を延長し、その後上下駆動機構８を位置制御に切り換える。
【００６５】
なお、図４乃至図６における動作手順を、ハードディスク等の記録媒体に予め記録しておき、或いはインターネット等のネットワークを介して予め記録しておき、これを汎用のマイクロコンピュータ等により読み出して実行することにより、当該汎用のマイクロコンピュータ等を実施形態に係わるＣＰＵとして機能させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る実施形態の基本構成図である。
【図２】本発明に係る正常時の動作説明図である。
【図３】本発明に係る不良時の動作説明図である。
【図４】本発明に係る基本動作フローである。
【図５】本発明に係るＺ軸現在位置読込動作フローである。
【図６】本発明に係る保持時間Ｔ２算出フローである。
【符号の説明】
【００６７】
１    半導体チップ
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ    半田ボール
２    実装基板
３    位置決めステージ
４    ヒータテーブル
５    搭載ヘッド
６    ヒータ
７    ヒータ加熱源
８    上下駆動機構
９    位置検出計
１０    制御部
【図１】
0005003590.tif 000002
【図２】
0005003590.tif 000003
【図３】
0005003590.tif 000004
【図４】
0005003590.tif 000005
【図５】
0005003590.tif 000006
【図６】
0005003590.tif 000007