(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスによって前記放射ビームに付けられたパターンを基板上に投影するように配置された投影システムと、
露光中、前記投影システムの要素の加熱による投影された像の収差および／または他の誤差である計測結果が特定の閾値を超えた場合に、スループットを自動的に減少させるように配置された制御システムと、
先行して露光された基板の前記計測結果を受けるように構成された入力モジュールと、
前記基板と前記投影システムとの間の相対移動を生じさせるように構成されたポジショナと、
を含み、
前記ポジショナは、
蛇行移動を生じさせるように構成され、前記蛇行移動の各サイクルは、前記基板のターゲット部分の露光が実行されるスキャン部分、前記スキャン部分の前後にそれぞれ位置するリードイン部分およびリードアウト部分、並びに次のターゲット部分の露光のために前記基板が位置付けられる蛇行部分を含み、
前記制御システムは、
入力された前記先行して露光された前記基板の前記計測結果に応答して前記装置に要求されるスループットの減少の程度を判定し、
（１）前記基板の経路の（ｉ）前記リードイン部分、（ｉｉ）前記リードアウト部分、（ｉｉｉ）前記蛇行部分、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択されたいずれかの組合せを増加させ、露光と露光との間に前記投影システムを通り抜けないビームに割かれる時間を増加させることによって、前記装置のデューティサイクルを減少させること；および
（２）前記基板の経路の（ｖ）前記スキャン部分における前記放射ビームの強度を減少させ、かつ、前記放射ビームの強度の減少に対応させて前記基板のスキャン速度を減少させること； 
の双方によって、前記スループットを減少させるように構成される、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記制御システムは、前記露光のパラメータに基づいて、前記計測結果を予測するように配置されたモデルを含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記露光の前記パラメータは、照明モード、ビームの強度またはパワー、結像される前記パターンのパラメータ、前記パターニングデバイスの透過率、および前記装置によって行われる露光の履歴を含むグループから選択される少なくとも１つのパラメータを含む、
請求項２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への、投影システムを利用した結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置の動作中、投影システムの要素は、ビームから一定量のエネルギーを必然的に吸収し、従って温度上昇する。この現象は、「レンズ加熱（lens-heating）」として知られているが、これは、屈折および反射屈折投影システムのミラーにも当てはまる。「レンズ加熱」という用語は以下で使用されるが、屈折光学素子の使用のみに発明を限定するとみなされるべきでなく、またはレンズの加熱のみに限定されるべきでない。投影システムの要素が温度上昇すると、その形および／または位置は変化し、投影される像の収差や他の誤差をもたらし得る。これは、もちろん望ましくなく、従って、レンズ加熱作用を減少させるまたは補償するために様々な取り組みがなされてきた。こうした取り組みには、レンズを冷却すること、追加のヒータでレンズを加熱することにより温度勾配を減少させること、および投影システムへの調整素子の導入によりレンズ加熱作用を補償することが含まれる。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  レンズ加熱の問題を扱う既存の技術は、常にこの問題に対処するわけではなく、いくらかの残存収差が依然として残り得る。例えば、レンズ加熱作用の減少および／または改善のための付加的な技術を提供することが望ましい。
【０００５】
[0005]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように配置された投影システム、および露光中、前記投影システムの要素の加熱による投影された像の収差および／または他の誤差が特定の閾値を超えた場合に、前記装置のスループットを自動的に減少させるように配置された制御システムを含む、リソグラフィ装置が提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、投影システムを使用して基板上にパターンの像を繰り返し投影すること、前記投影システムの要素の加熱の結果としての、投影されたパターンの収差および／または他の誤差を判定すること、および前記判定された収差および／または他の誤差が特定の閾値を超える場合に、デバイス製造率を自動的に減少させることを含む、デバイス製造方法が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の一態様によれば、投影システムを有するリソグラフィ装置を制御してデバイス製造方法を実行するためのコード手段を記憶するコンピュータ読み取り可能な媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記方法が、前記投影システムを使用して基板上にパターンの像を繰り返し投影すること、前記投影システムの要素の加熱の結果としての、投影されたパターンの収差および／または他の誤差を判定すること、および前記判定された収差および／または他の誤差が特定の閾値を超える場合に、デバイス製造率を自動的に減少させることを含む、コンピュータプログラム製品が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【０００９】
【図１】[0009]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0010]  図２は、本発明の一実施形態の制御システムを示す図である。
【図３】[0011]  図３は、基板のターゲット部分に対するビームの軌道を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[0012]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１１】
[0013]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１２】
[0014]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１３】
[0015]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指しているものと、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与したパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１４】
[0016]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００１５】
[0017]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１６】
[0018]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１７】
[0019]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１８】
[0020]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば、水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００１９】
[0021]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２０】
[0022]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されるアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２１】
[0023]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからパターニング構造を機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２２】
[0024]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２３】
[0025]  １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２４】
[0026]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２５】
[0027]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
[0028]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２７】
[0029]  リソグラフィ装置が作動中、小さいが無視できない、ビームＢのエネルギーの一部は、投影システムの要素によって吸収される。吸収されるエネルギー量は、ビームのタイプおよび投影システムの要素に依存する。吸収されるエネルギーの割合は、例えば、反射レンズ要素および２００ｎｍ未満の紫外線放射、または多層ミラーおよびＥＶＵ放射によって非常に高くなり得る。吸収されるエネルギーは、投影システムの要素を温度上昇させ、従って膨張させる。この膨張は、特に放射の吸収が均一でない場合、要素の形状変化を引き起こし得る。要素の位置および／または間隔が変化することもあり得る。このような変化は、投影された像に収差および／または他の誤差をもたらすことがあり、従って、望ましくない。前記の「投影された像の他の誤差」は、例えば、パターンフィーチャの所望の形状からの偏差を示し得る。そして、このフィーチャは、プリントされるパターンの一部である。誤差は、ＣＤ誤差、例えば、パターンフィーチャの所望のクリティカルディメンジョンからの偏差であり得る。パターンフィーチャは、例えば、レジストの潜像、現像されたレジスト層の空間、または基板上の未溶解レジストのフィーチャとして存在してもよい。このような、プリントされたフィーチャのサイズまたは形状の誤差は、以下で説明するように、レジストモデルを含むリソグラフィパターニングプロセスのシミュレーションモデルを使用して予測することができる、または、測定することができる。
【００２８】
[0030]  投影システムの要素がレンズでない場合にも一般的に「レンズ加熱」と呼ばれるこの問題に対処する様々なアプローチが、提案され使用されてきた。第一に、これらのアプローチは、投影システムの要素を一定で均一な温度に維持しようとする冷却配置（arrangement）を含む。この問題を解決する他のアプローチは、レンズ加熱および追加の加熱デバイスまたは工程が引き起こす収差を補償して投影システムの要素の温度勾配を減少させるための、投影システム内の調整要素の使用を含む。しかし、これらの技術は、組み合わせて使用する場合であっても、レンズ加熱が引き起こす収差を常に完全に除去するわけではなく、しばしば残存誤差がある。残差を減少させるために投影システムに他の補正要素を追加することは、困難かつ高価である。
【００２９】
[0031]  残存レンズ加熱誤差が許容限度を超える場合のデバイス製造において、リソグラファ（lithographer）は、基板と基板との間または基板内のダイとダイとの間で行われるアライメント工程といった１つ以上の追加の工程を、基板のバッチについての「レシピ」に組み込んで、投影システムの要素が冷却するための追加の時間を設けてもよい。この手法は、試行錯誤に基づいて、かつ、通常は、基板のバッチに問題が見つかった場合にのみ実行され得る。従って、これは、残存レンズ加熱誤差を補正する方法として非常に非効率的である。
【００３０】
[0032]  従って、本発明の実施形態は、残存レンズ加熱誤差を扱うための自動化方法および装置を提供しようとするものであり、それにより、誤差を可能な限り許容限度内に維持できるようにする。従って、本発明の実施形態は、図２に示すように、リソグラフィ装置用の改良制御システムを提供する。
【００３１】
[0033]  図２において、リソグラフィ装置の該当する機能要素が、中心線上に示されている。放射源ＳＯは、ビームの強度を制御可能な可変アテニュエータＶＡＴを介して、放射をイルミネータＩＬに搬送する。イルミネータに含まれるものは、第１のエネルギーセンサＥＳ１であり、この第１のエネルギーセンサＥＳ１は、例えば、部分的銀被覆ミラー（partially silvered mirror）を介してビームエネルギーの一定の部分を受ける。ビームＢは、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳを通り抜けて基板テーブルＷＴに保持されている基板Ｗに到達する。第２のエネルギーセンサＥＳ２は、基板テーブル上に設けられて、基板レベルでのビームエネルギーの計測が可能となる。しかし、第２のエネルギーセンサＥＳ２は、基板Ｗに隣接して設けられるため、製造時の露光中ではないときに、キャリブレーションに使用される。２つのエネルギーセンサＥＳ１、ＥＳ２は、本発明の実施形態のレンズ加熱制御システム１０への入力を提供する。像および収差センサは、ビームＢ、特にレンズ加熱誘導収差の実際の測定に関する情報を提供するために使用され得る。制御システム１０へ入力されるのは、デバイス露光で使用するために選択される照明モードを示す情報、およびパターニングデバイスＭＡ内で具現化される、またはパターニングデバイスＭＡによって提供されるパターンの情報である。こうした情報は、制御システム１０に自動的に提供されてもよいし、または適切な入力デバイスを介して装置のユーザによって入力されてもよい。パターンの情報は、パターンのサイズおよびレイアウト、パターンの密度、デバイスパターンのピッチおよびフィーチャサイズ、パターニングデバイスのタイプ（例えば、バイナリ、位相シフト）、レジストのタイプ、実行される露光のシーケンス、および、投影システム内で発生する加熱および現像された像に対して加熱が与える作用を予測するのに有用な他のすべての情報を含み得る。
【００３２】
[0034]  レンズ加熱制御システム１０は、レンズ加熱モデル１２およびコントローラ１１を含む。レンズ加熱モデル１２は、投影された像に対するレンズ加熱作用のソフトウェアモデルである。レンズ加熱モデル１２は、入力として、実行される露光に関する情報、および例えばエネルギーセンサＥＳ１、ＥＳ２から得られる、ビーム強度といった装置のステータス情報を取り込む。これらの入力に基づいて、レンズ加熱モデル１２は、レンズ加熱の結果としての、投影された像内で予測される収差および／または他の誤差を計算する。このようなモデルは、露光プロセスの経験的データまたはシミュレーションに基づき得る。レンズ加熱モデル１２の予測に基づいて、コントローラ１１は、こうした誤差を補正または少なくとも改善するために行われる適切な補正を計算する。この補正は、投影システムの１つ以上の調整光学要素を介して行うことで投影システムの１つ以上の加熱および／または冷却要素が与える予測収差および／または補正を直接的に補償して温度勾配を減少させるための補正を含み得る。
【００３３】
[0035]  本発明の一実施形態によると、投影システムの調整要素といった他の手段によって行われ得る補正が、レンズ過熱によって引き起こされる収差を許容限度内にまで減少させるのに十分でないとコントローラが判定すると、コントローラは、リソグラフィ装置のスループットを減少させる効果をもたらす補正をさらに行う。リソグラフィ装置のスループットを減少させることにより、投影システムの１つ以上の使用可能なマニピュレータによって誤差が同様に減少して補正できるようになること、または許容限度内に収まることを目的として、投影システムの要素の加熱量が減少される。
【００３４】
[0036]  装置のスループットを減少させるためにコントローラ１１によって実施され得る付加的な制御は、放射源ＳＯの光パワーセットポイントを減少させること、可変アテニュエータＶＡＴが付与する減衰を調整すること、および／または露光プロファイルジェネレータＥＰＧを制御して装置のデューティサイクルを減少させることを含み得る。装置のデューティサイクルは、総経過時間に対する実際の露光時間の割合である。デューティサイクルを減少させることには、投影システムの要素を実際の露光と露光との間でより冷却できるという効果がある。装置のデューティサイクルを減少させることは、実際の露光が妨げられないように露光制御ユニットＥＣによって設定される、ビームパワーおよびスキャン速度といったビーム設定を可能とするので、レンズ加熱を減少させるための望ましい選択肢であり得る。設定変更が付加的な厄介な問題を引き起こし得るような比較的狭いプロセス・ウィンドウにおける適切な露光を確実なものとする露光のために、このような設定は、最適化され得る。
【００３５】
[0037]  装置のデューティサイクルは、様々な方法で減少させることができ、これを、基板上の２つのターゲット部分Ｄ１およびＤ２に対するビームＢの中心の経路を示す図３を参照して説明する。なお、便宜上、図３はターゲット部分に対して移動するビームを示しているが、実際にはほとんどの装置において、ビームは静止しており、基板はその下を移動する。図３から分かるように、ビームの経路は、基板が並べられ、かつ適切な速度まで達するリードイン（lead-in）部分Ｌｉ、実際のスキャン露光が実行されるスキャン部分Ｓ、スキャン軌道の正確さを確認できるリードアウト（lead-out）部分Ｌｏ、および基板が減速され、Ｘ方向に移動され、次のターゲット部分Ｄ２の露光に向けて再加速される蛇行部分Ｍを含む。通常、装置のスループットは、図３に点線で示す軌道を使用することによって最大化され、このために、ビームの軌道のリードイン、リードアウト、および蛇行部分が最小化される。
【００３６】
[0038]  本発明の一実施形態によると、スキャン部分Ｓに影響を及ぼさずに、リードイン、リードアウト、および蛇行部分のうちの1つ以上のパラメータを変更することによって、スループットを減少させることができる。例えば、リードインおよびリードアウト部分は、容易に延長させることができる。さらに、またはあるいは、オブジェクトテーブルのスキャン範囲が許すのであれば、図３の実線が示す延長された経路上にそのまま乗るビーム軌道を実現するために、蛇行部分の減速および加速を減少させることが可能である。そのような変化のあらゆる適切な組合せを、必要に応じて採用してデューティサイクルの必要な減少を達成することが可能であり、それにより、投影システムの１つ以上の使用可能なマニピュレータによって、レンズ加熱作用が完全に補正されうる、または、残差が許容レベルまで減少する点まで、レンズ加熱作用を減少することができる。本発明の一実施形態においては、ドリフトを避けるために、装置が完全に停止することを可能にせずに軌道の蛇行経路を減速させることが望ましいかもしれない。というのは、これは、装置の既存の制御システムに対する最小の変更を行うことで達成できるからである。他の場合においては、工程と工程との間に遅延を生じさせることが望ましいかもしれない。他の方法で、例えば、振動を減少させたり、整定や計測のための追加の時間を設けることによって露光を改善し得る軌道調整が、望ましいかもしれない。
【００３７】
[0039]  デューティサイクルを減少させることに加えて、またはその代わりに、ビーム強度（strength）、およびこれに対応してスキャン速度を、基板レベルで同一の効果量が与えられるように減少させることが可能である。しかし、このような変化は、レジストタイプに応じて、１つ以上の他の制御と組合せる必要があるかもしれない。
【００３８】
[0040]   フィードフォワード補正について、予測されるレンズ加熱作用に基づいて述べてきたが、複数の基板のバッチを露光する際に、バッチのセンド−アヘッド（send-ahead）基板、すなわち先行基板の計測誤差に基づいたスループットの減少を含むことが可能である。また、本発明の一実施形態は、動作のスキャンモードに関して説明されてきたが、ステッピング装置または動作のステッピングモードにも適用可能である。このようなモードまたは装置において、フラッシュ露光間のステッピング動作に遅延を生じさせることは容易である。さらに、当然のことながら、本発明の実施形態は、新たに設計および構築された装置に組み込まれてもよいし、既存の装置に対するプログラムの更新を経て達成されてもよい。
【００３９】
[0041]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を付与し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジ（計測）ツール、および／またはインスペクション（検査）ツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４０】
[0042]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４１】
[0043]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４２】
[0044]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４３】
[0045]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００４４】
[0046]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
0005037550.tif 000002
【図２】
0005037550.tif 000003
【図３】
0005037550.tif 000004