(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略四角形板状のセラミック基体と、該セラミック基体の少なくとも１辺の上面外周部側から内部側に延設させて設けるＡｇ−Ｐｄ導体からなる複数本の導体配線パターンと、前記セラミック基体の前記上面外周部側部分に設ける複数本の前記導体配線パターンの各々に、一方の端部を導電性接着材を介して電気的に導通状態で固着させて接続部を設け、他方の端部を前記セラミック基体の外部に突出させる複数本の外部接続端子と、前記セラミック基体の大きさと略同等の外形寸法で中央部にくり抜いた開口部を有してなり、前記外部接続端子の前記接続部を上方から被覆すると共に、前記セラミック基体の前記内部側部分に設ける前記導体配線パターンを前記開口部から露出させて前記セラミック基体の上面に絶縁性接着材を介して接合する窓枠状のセラミック枠体を有することを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載のセラミックパッケージにおいて、前記セラミック基体、及びセラミック枠体が造粒粉体をプレス成形して焼成した焼成体からなり、前記導体配線パターンが前記焼成体の前記セラミック基体の上面に導体ペーストを印刷して焼成したＡｇ−Ｐｄ導体からなることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項３】
請求項２記載のセラミックパッケージにおいて、前記導電性接着材が加熱して接合されるＰｂフリー半田からなり、前記絶縁性接着材が前記セラミック枠体に予め仮付けして設けられた後に加熱して接合されるＰｂフリーガラス、又は樹脂からなることを特徴とするセラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置や電子装置等に用いるために撮像素子や、半導体素子等の電子部品素子を搭載するためのセラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型や、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型の撮像素子や、シリコンや、ガリウム砒素の半導体素子等の電子部品素子を収納するためのパッケージは、電子部品素子を搭載させた装置、例えば、デジタルカメラや、デジタルビデオカメラや、デジタルカメラ付き携帯電話等の高性能化から多数本の外部接続端子を有している。また、このようなパッケージには、電子装置の小型化の要求から軽薄短小化が求められているので、気密信頼性の高いセラミック製が好適となっている。このセラミックパッケージのキャビティ部には、例えば、撮像素子からなる電子部品素子が実装された後、パッケージにガラス板等からなる蓋体を接合して、電子部品素子をキャビティ部に中空状態で気密封止すると共に、電子部品素子に外部からの光を取り入れることができるようにしている。そして、電子部品素子が実装されたパッケージは、電子部品素子で外部からの光を電気信号に変換させると共に、電気信号を外部接続端子を介して外部に取り出している。
【０００３】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来のセラミックパッケージ５０は、セラミック基体５１の上面の外周部に、セラミック基体５１の内部に延設し外部に突出するようにして多数本からなる金属製の外部接続端子５２の下面側を、ガラス等の絶縁性接着材５３で接合している。更に、外部接続端子５２の上面側、及び絶縁性接着材５３の上には、外部接続端子５２の内部に延設する端部の上面側を窓枠状の開口部５４から露出させるようにしてセラミック枠体５５をガラス等の絶縁性接着材５３ａで接合している。このセラミックパッケージ５０は、セラミック基体５１の上面と、セラミック枠体５５の内周壁面で形成されるキャビティ部５６に電子部品素子５７を搭載させるようになっている。そして、電子部品素子５７は、キャビティ部５６に露出する外部接続端子５２とボンディングワイヤ５８を介して電気的に導通させ、パッケージの外部に突出する外部接続端子５２で外部と電気的に導通することができるように実装されるようになっている。このセラミックパッケージ５０を構成するセラミック基体５１や、セラミック枠体５５は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック粉末にバインダー等を混合して形成される造粒粉末をプレス型で成形し、高温で焼成して焼成体にして作製している。また、外部接続端子５２は、セラミックと熱膨張係数が近似する金属板からなり、エッチングや、パンチング等を用いてタイバー部でそれぞれが連接するリードフレーム状に作製している。更に、セラミック基体５１やセラミック枠体５５と、外部接続端子５２を接合する絶縁性接着材５３、５３ａは、通常、低い温度で溶解する低融点ガラスが用いられている。そして、このセラミックパッケージ５０には、キャビティ部５６に電子部品素子５７が実装された後、ガラス板等からなる蓋体５９をセラミック枠体５５の上面に接合することで、電子部品素子５７を気密に封止している。
【０００４】
しかしながら、上記のセラミックパッケージ５０は、外部接続端子５２が多数本からなるので、絶縁性接着材５３の厚みバラツキの影響でキャビティ部５６に露出する多数本の外部接続端子５２のそれぞれの中の最も上にある上面と、最も下にある上面との差（コプラナリティ）の発生が大きく、全体としての平坦性確保が難しくなっている。また、電子部品素子５７が実装されたセラミックパッケージ５０は、電子装置として用いるためにボード等に搭載させなければならない。このためには、外部接続端子５２のパッケージの外部に突出する部分は、Ｌ字形状等にする必要がある。この外部接続端子５２のＬ字曲げ加工をセラミック基体５１に接合させる前に予め施す場合には、曲げ応力の影響でそれぞれの外部接続端子５２の全体としての上面の平坦性確保が更に難しくなっている。この外部接続端子５２の上面の平坦性が劣るセラミックパッケージ５０は、ボンディングワイヤ５８の接続強度にバラツキが発生し接続信頼性の低下となっている。更に、上記のセラミックパッケージ５０は、外部接続端子５２の上、下面にガラス等の絶縁性接着材５３、５３ａを設けているので、セラミックパッケージ５０全体の厚みが大きくなって、電子装置の軽薄短小化の要求を満たすことができなくなっている。
【０００５】
従来のセラミックパッケージには、セラミック基体上にセラミック枠体の内側からセラミック枠体との接合部を通過してセラミック基体の周縁まで導体配線パターンが引き出されて設けられ、導体配線パターンの端部に外部接続端子が接合されたパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２９１２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来のセラミックパッケージは、次のような問題がある。
特開平６−２９１２１３号公報で開示される導体配線パターンの端部に外部接続端子が接合されたセラミックパッケージは、キャビティ部に露出する部分がセラミック基体上に形成される導体配線パターンであるので、導体配線パターン上面の平坦性を確保できボンディングワイヤの接続信頼性を確保できる。しかしながら、このセラミックパッケージは、外部接続端子が導体配線パターンの端部のみの接合で固定されているので、外部接続端子の接続部の導電性接着材が、例えば、半田のような場合には、接続部の接合強度が低く、接合信頼性の低下となっている。また、このようなセラミックパッケージをセラミックグリーンシートと、そこに形成する導体配線パターンの同時焼成で形成する、所謂積層技術で形成する場合には、高価な導体配線パターン用の材料、高価な貴金属めっき被膜用の材料、高価な貴金属ろう材による導電性接着材等と、高価な製造設備を必要とすると共に、製造工程が複雑で作製に時間が掛かるので、セラミックパッケージが高価なものとなっている。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ボンディングワイヤの接続信頼性や、外部接続端子の接合信頼性の低下を防止すると共に、パッケージの軽薄短小化に対応できる安価なセラミックパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う本発明に係るセラミックパッケージは、略四角形板状のセラミック基体と、セラミック基体の少なくとも１辺の上面外周部側から内部側に延設させて設けるＡｇ−Ｐｄ導体からなる複数本の導体配線パターンと、セラミック基体の上面外周部側部分に設ける複数本の導体配線パターンの各々に、一方の端部を導電性接着材を介して電気的に導通状態で固着させて接続部を設け、他方の端部をセラミック基体の外部に突出させる複数本の外部接続端子と、セラミック基体の大きさと略同等の外形寸法で中央部にくり抜いた開口部を有してなり、外部接続端子の接続部を上方から被覆すると共に、セラミック基体の内部側部分に設ける導体配線パターンを開口部から露出させてセラミック基体の上面に絶縁性接着材を介して接合する窓枠状のセラミック枠体を有する。
【００１０】
ここで、上記のセラミックパッケージは、セラミック基体、及びセラミック枠体が造粒粉体をプレス成形して焼成した焼成体からなり、導体配線パターンが焼成体のセラミック基体の上面に導体ペーストを印刷して焼成したＡｇ−Ｐｄ導体からなるのがよい。
【００１１】
また、上記のセラミックパッケージは、導電性接着材が加熱して接合されるＰｂフリー半田からなり、絶縁性接着材がセラミック枠体に予め仮付けして設けられた後に加熱して接合されるＰｂフリーガラス、又は樹脂からなるのがよい。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１又はこれに従属する請求項２又は３記載のセラミックパッケージは、略四角形板状のセラミック基体と、セラミック基体の少なくとも１辺の上面外周部側から内部側に延設させて設けるＡｇ−Ｐｄ導体からなる複数本の導体配線パターンと、セラミック基体の上面外周部側部分に設ける複数本の導体配線パターンの各々に、一方の端部を導電性接着材を介して電気的に導通状態で固着させて接続部を設け、他方の端部をセラミック基体の外部に突出させる複数本の外部接続端子と、セラミック基体の大きさと略同等の外形寸法で中央部にくり抜いた開口部を有してなり、外部接続端子の接続部を上方から被覆すると共に、セラミック基体の内部側部分に設ける導体配線パターンを開口部から露出させてセラミック基体の上面に絶縁性接着材を介して接合する窓枠状のセラミック枠体を有するので、ボンディングワイヤを接続させる部位が平坦性に優れるセラミック基体上に形成した導体配線パターンであり、コプラナリティの発生が小さく、ボンディングワイヤを圧接させるときの接続強度のバラツキが小さくなり接続信頼性を向上させることができる。また、このセラミックパッケージは、外部接続端子を導体配線パターンのそれぞれの外周部側の端部に導電性接着材で固着すると共に、セラミック枠体で接続部を上部から絶縁性接着材を介して覆って接合するので、外部接続端子の接合信頼性を向上させることができる。また、このセラミックパッケージは、セラミック基体上に形成した導体配線パターン上に外部接続端子を直接導電性接着材で固着し、外部接続端子の下面にガラス等の厚みの厚い絶縁性接着材が存在しないので、パッケージの軽薄短小化の要求に対応することができる。更には、このセラミックパッケージは、導体配線パターン用の材料が比較的安価なＡｇ−Ｐｄ導体で、高価な貴金属めっき被膜を必要とせず、比較的安価な導電性接着材等で構成することができ、簡単な製造設備で作製することができると共に、製造工程が簡単で容易に作製することができるので、セラミックパッケージを安価にすることができる。
【００１３】
特に、請求項２記載のセラミックパッケージは、セラミック基体、及びセラミック枠体が造粒粉体をプレス成形して焼成した焼成体からなり、導体配線パターンが焼成体のセラミック基体の上面に導体ペーストを印刷して焼成したＡｇ−Ｐｄ導体からなるので、セラミック基体、及びセラミック枠体が造粒粉体をプレス成形して焼成した所望の形状を有する焼成体を安価に作製することができ、導体配線パターンが比較的安価なＡｇ−Ｐｄ導体ペーストを用いて、焼成済セラミック基体上に簡単な厚膜印刷手法であるスクリーン印刷でパターンを形成し、簡単な焼成炉を用いてパッケージを作製することができ、安価なセラミックパッケージを提供することができる。
【００１４】
また、特に、請求項３記載のセラミックパッケージは、導電性接着材が加熱して接合されるＰｂフリー半田からなり、絶縁性接着材がセラミック枠体に予め仮付けして設けられた後に加熱して接合されるＰｂフリーガラス、又は樹脂からなるので、導電性接着材がＰｂを含まない安全な半田で、比較的低温で接合でき、セラミックパッケージを安価にすることができる。また、このセラミックパッケージは、絶縁性接着材がＰｂを含まない安全なガラス、又は樹脂からなり、しかも予めセラミック枠体に仮付けしておいてから比較的低温で加熱して片面側から接合されるので、パッケージの軽薄短小化の要求に対応することができる安価なセラミックパッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図、図２（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製するための各部材の平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製する方法の一部説明図、図４（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製する方法の一部説明図である。
【００１６】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０は、略四角形板状の焼成されたセラミック基板を基体とするセラミック基体１１を有している。このセラミック基体１１は、例えば、セラミックの一例であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなり、この造粒粉末原料を金型を用いてプレス成形して成形体を形成し焼成することで、所望する形状の焼成体を形成している。あるいは、セラミック基体１１は、予め作製したセラミックグリーンシートを所望形状に打ち抜いた成形体を焼成することで作製することもできる。
【００１７】
このセラミックパッケージ１０は、セラミック基体１１の少なくとも１辺の上面外周部側から内部側に延設させて設けるＡｇ−Ｐｄ導体からなる複数本の導体配線パターン１２を有している。この導体配線パターン１２のＡｇ−Ｐｄ導体は、通常の厚膜形成手法に使用されているＡｇと、Ｐｄの微粉末に少量の低融点ガラス粉末を添加混合し有機バインダー溶液でペースト状にした導体ペーストが用いられている。そして、Ａｇ−Ｐｄ導体は、この導体ペーストを用いて焼成体のセラミック基体１１の上面にスクリーン印刷でパターンを形成し、７５０〜９５０℃程度の温度で焼成して形成している。そして、Ａｇ−Ｐｄ導体の外部に露出する表面には、約０．０３μｍ程度の薄いＡｕフラッシュめっき被膜を形成している。
【００１８】
また、このセラミックパッケージ１０は、導体配線パターン１２のそれぞれの外周部側の端部からセラミック基体１１の外部に突出させて導電性接着材１３で固着する複数本の外部接続端子１４を有している。この外部接続端子１４は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属板からなり、エッチングや、パンチング等で加工して形成している。なお、外部接続端子１４の突出部分の形状は、電子部品素子が実装されたパッケージがボード等に搭載されるときの形態によって、様々な形状が選択されている。この形状には、例えば、突出部分をＬ字状や、Ｊ字状に曲げて、曲げられた部分でボード等に接合できたり、突出部分をフラットの状態のままとしてボード等のくり抜かれた部分にパッケージを落とし込み外部接続端子１４のフラット部分で支えながら接合できたりすることが可能なようにしている。
【００１９】
更に、このセラミックパッケージ１０は、セラミック基体１１と同材料で大きさがセラミック基体１１の大きさと略同等の外形寸法からなり、中央部にくり抜いた開口部１５を有し、セラミック基体１１と同様にして作製される窓枠状のセラミック枠体１６を有している。このセラミック枠体１６は、外部接続端子１４のセラミック基体１１との接続部を上方から被覆すると共に、セラミック枠体１６の内周壁面と、セラミック基体１１の上面とで形成される電子部品素子１８を搭載するためのキャビティ部１９の底部外周部に導体配線パターン１２の内部側の端部を開口部１５から露出させてセラミック基体１１の上面に絶縁性接着材１６を介して接合している。
【００２０】
上記のセラミックパッケージ１０には、キャビティ部１９にＣＣＤ型や、ＭＯＳ型等の撮像装置用の撮像素子や、各種電子装置用の半導体素子等の電子部品素子１８が実装されるようになっている。この電子部品素子１８は、キャビティ部１９内に露出するＡｇ−Ｐｄ導体からなる導体配線パターン１２とボンディングワイヤ２０を介して接続することで、電子部品素子１８と、外部接続端子１４が電気的に接続状態となっている。このようにして電子部品素子１８がキャビティ部１９に実装された後、セラミック枠体１６の上面には、ガラス板や、セラミック板等からなる蓋体２１が接合されて、電子部品素子１８がセラミックパッケージ１０内に気密に封止されるようになっている。
【００２１】
上記のセラミックパッケージ１０は、セラミック基体１１、及びセラミック枠体１６がセラミック粉末と、バインダー等を混合した水溶液をスプレードライヤーで乾燥して作製した造粒粉体をプレス成形して焼成した焼成体からなるのがよい。この焼成体は、所望の形状のものを容易に作製でき、しかも、安価に作製することができる。また、セラミックパッケージ１０は、導体配線パターン１２が焼成体のセラミック基体１１の上面に導体ペーストを印刷して焼成したＡｇ−Ｐｄ導体からなるのがよい。焼成済の平坦性に優れるセラミック基体１１の上面に形成されるＡｇ−Ｐｄ導体は、この上面に更に、Ａｕフラッシュめっき被膜が形成されているので、後述するボンディングワイヤ２０の接続強度を確保できると共に、上面のコプラナリティに優れるので、ボンディングワイヤ２０の接続信頼性に優れている。
【００２２】
上記のセラミックパッケージ１０は、導電性接着材１３が加熱して接合されるＰｂフリー半田からなるのがよい。このＰｂフリー半田には、例えば、約２２０℃程度の低温で接合することができるＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田が好ましい。このＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田は、Ｐｂを含まないので、環境に優れている。また、このＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田は、比較的低温でＡｇ−Ｐｄ導体からなる導体配線パターン１２に外部接続端子１４を接合させることができるので、Ａｇ−Ｐｄ導体とセラミック基体１１との間に剥がれ等の損傷を与えることなくＡｇ−Ｐｄ導体に接合させることができる。
【００２３】
また、上記のセラミックパッケージ１０は、絶縁性接着材１７がセラミック枠体１６に予め仮付けして設けられた後に加熱して接合されるＰｂフリーガラス、例えば、約４５０℃程度の低温で接合できるＢｉ系Ｐｂフリーガラスや、約４００℃程度の低温で接合できるＶ２Ｏ５系Ｐｂフリーガラスからなるのがよい。又は、上記のセラミックパッケージ１０は、絶縁性接着材１７がセラミック枠体１６に予め仮付けして設けられた後に接合されるＰｂを含まない樹脂、例えば、窒素雰囲気や、大気雰囲気中の低温で接合できるエポキシ系樹脂からなるのがよい。このＰｂフリーガラスや、樹脂は、Ｐｂを含まないので、環境に優れている。また、このＰｂフリーガラスや、樹脂は、セラミック基体１１と、セラミック枠体１６との間の気密信頼性を確保できると共に、外部接続端子１４を強固に保持させることができる。
【００２４】
次いで、図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ａ）、（Ｂ）、図４（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０の作製方法を説明する。なお、この作製方法の説明では、セラミックパッケージ１０の形態を、電子部品素子１８の内のＣＣＤ型や、ＭＯＳ型の撮像素子が収納されるパッケージの一例の形態で説明する。また、セラミック基体１１や、セラミック枠体１５の作製には、造粒粉体が用いられる形態で説明する。
【００２５】
先ず、図２（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０を作製するための部材を説明する。
図２（Ａ）に示すように、セラミックパッケージ１０に用いられるセラミック基体１１の作製には、例えば、Ａｌ２Ｏ３等のセラミック粉末と、バインダー等を混合した水溶液をスプレードライヤーで乾燥して作製した造粒粉体が用いられている。この造粒粉末は、上金型、下金型、及びダイス等からなるプレス用金型で所望の大きさ、形状の板状にプレス成形して成形体を形成している。なお、このセラミック基体１１には、所望の大きさ、形状にプレス成形すると同時に、矩形形状の対向する２辺（図２（Ａ）、（Ｂ）では短辺方向の２辺）のそれぞれの中間部に切り欠き部２２を設けている。次いで、成形体は、焼成炉で約１５５０℃程度の高温で焼成して焼成体のセラミック基体１１を作製している。更に、焼成体からなるセラミック基体１１には、Ａｇ−Ｐｄ導体ペーストを用いて、スクリーン印刷でパターンを形成し、約９８０℃程度の温度で焼成して導体配線パターン１２を形成している。この導体配線パターン１２は、セラミック基体１１の少なくとも１辺の上面外周部側から内部側に延設させて設けられている。そして、この導体配線パターン１２の外周部側の端部には、外部接続端子１４が接合されることになっている。また、導体配線パターン１２の内部側の端部は、セラミック枠体１６の開口部１５から露出するようになっており、そこにボンディングワイヤが接続されることになっている。
【００２６】
図２（Ｂ）に示すように、セラミックパッケージ１０に用いられるセラミック枠体１６の作製には、セラミック基体１１を作製する場合と同じ造粒粉体が用いられている。この造粒粉末は、上金型、下金型、及びダイス等からなるプレス用金型で外形がセラミック基体１１と同じ大きさ、形状で中央部にくり抜いた開口部１５を設けて板状にプレス成形して成形体を形成している。なお、開口部１５の大きさは、導体配線パターン１２の内部側の端部が露出できる所望の大きさとなっている。また、セラミック枠体１６にも、セラミック基体１１に設ける切り欠き部２２と同様の形状にして実質的に同じ位置に切り欠き部２２ａを設けている。次いで、成形体は、セラミック基体１１の場合と同様に、焼成炉で約１５５０℃程度の高温で焼成して焼成体のセラミック枠体１６を作製している。そして、セラミック枠体１６の額縁状の一方の主面には、絶縁性接着材１７として用いるためのＰｂフリーガラス、例えば、Ｂｉ系Ｐｂフリーガラスや、Ｖ２Ｏ５系Ｐｂフリーガラス等の低融点ガラスからなるガラスペーストをスクリーン印刷等で貼着して乾燥して仮付けしている。あるいは、セラミック枠体１６の額縁状の一方の主面には、絶縁性接着材１７として用いるためのＰｂのような有害物質を含まない樹脂、例えば、エポキシ樹脂等からなる樹脂ペーストをスクリーン印刷等で貼着して乾燥して仮付けしている。
【００２７】
図２（Ｃ）に示すように、セラミックパッケージ１０に用いられる外部接続端子１４を形成するためのリードフレーム２３は、ＫＶや、４２アロイ等の金属板からなり、この金属板をエッチングや、パンチング等で加工して形成されている。このリードフレーム２３は、複数のリード端子部２４の一方の端部をセラミック基体１１に形成した導体配線パターン１２の外周部側の端部に重なる位置となるようにして内周側に開放している。また、このリードフレーム２３は、リード端子部２４の他方の端部を外周側で支持するタイバー部２５に接続するようにして所望の形状に形成している。なお、リードフレーム２１には、セラミック基体１１、及びセラミック枠体１６との間に入れて重ね合わせた時に、セラミック基体１１、及びセラミック枠体１６の切り欠き部２２、２２ａに露出するような位置合わせ部２６が設けられている。
【００２８】
次に、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、上記のセラミック基体１１、セラミック枠体１６、及びリードフレーム２３を用いてセラミックパッケージ１０を構成する方法を説明する。
図３（Ａ）に示すように、セラミックパッケージ１０を構成するためには、先ず、セラミック基体１１を外周部から位置決めできる治具（図示せず）に入れ、治具に設けるガイドピンと、リードフレーム２３に設ける位置合わせ部２６を嵌合させてセラミック基体１１の上面に、リードフレーム２３を載置している。この載置に当たっては、導体配線パターン１２の外周部側の端部に、導電性接着材１３を介してリードフレーム２３のリード端子部２４の一方の端部が当接できるようにしている。導電性接着材１３は、これをペースト状にして導体配線パターン１２の外周部側の端部にスクリーン印刷で設けたり、リードフレーム２３のリード端子部２４の一方の端部にクラッド状に圧接させて設けたりすることができる。そして、組み立て体は、治具ごと加熱して、セラミック基体１１の導体配線パターン１２の外周部側の端部に、リードフレーム２３のリード端子部２４の一方の端部を接合している。
【００２９】
図３（Ｂ）に示すように、リードフレーム２３を接合したセラミック基体１１の上面には、セラミック枠体１６を、セラミック基体１１に設けた導体配線パターン１２の内部側に延設させた端部をセラミック枠体１６の開口部１５から露出させるようにして、セラミック枠体１６に仮付けされた絶縁性接着材１７を介して当接している。そして、組み立て体は、加熱して仮付けされた絶縁性接着材１７を再溶融や、硬化させたりして接合している。この接合によって形成された接合体には、電子部品素子１８を搭載させるためのキャビティ部１９が形成されることになる。なお、リードフレーム２３の接合体の外部に突出する部分には、通常、錫めっき被膜を設けている。この錫めっき被膜は、キャビティ部１９にめっき液を進入させないためのシール用のマスキングテープを開口部１５を塞ぐように貼着させ、めっき浴中でリードフレーム２３のタイバー部２５に通電する電解めっき法で形成することができる。錫めっき被膜形成後は、マスキングテープを剥離、除去している。
【００３０】
次に、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、セラミック基体１１、リードフレーム２３、及びセラミック枠体１６の接合体は、リードフレーム２３からタイバー部２５を切断線２７で切断して除去することで、セラミック基体１１、外部接続端子１４、及びセラミック枠体１６の接合体からなるセラミックパッケージ１０を形成している。なお、このセラミックパッケージ１０は、必要に応じて外部接続端子１４の突出部分をＬ字状や、Ｊ字状等に曲げている。また、特に、外部接続端子１４の突出部分をＬ字状とする場合には、接合体を形成する前のリードフレーム２３の状態のときにＬ字状に折り曲げておいて、この状態で接合体を形成することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明のセラミックパッケージは、撮像デバイス用の電子部品素子を歩留よく搭載するためのセラミックパッケージのみならず小型化、高信頼性化、低価格化等の要求の高い通常の電子部品素子を歩留よく搭載するためのセラミックパッケージとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製するための各部材の平面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製する方法の一部説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージを作製する方法の一部説明図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来のセラミックパッケージの平面図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０：セラミックパッケージ、１１：セラミック基体、１２：導体配線パターン、１３：導電性接着材、１４：外部接続端子、１５：開口部、１６：セラミック枠体、１７：絶縁性接着材、１８：電子部品素子、１９：キャビティ部、２０：ボンディングワイヤ、２１：蓋体、２２、２２ａ：切り欠き部、２３：リードフレーム、２４：リード端子部、２５：タイバー部、２６：位置合わせ部、２７：切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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