(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端面から光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザの出射光を入射して内部反射させる一つ以上の反射プリズムと、
前記一つ以上の反射プリズムにおける複数の反射面で形成された光周回路を周回する右回りと左回りの光をいずれかの反射面において一部だけ透過させる透過ミラーと、
前記透過ミラーを透過した前記右回りと左回りの光を合波するビーム合波プリズムと
を備え、
前記反射プリズムのうち少なくとも一つは、コーナーキューブプリズムであることを特徴とする半導体リングレーザジャイロ。
【請求項２】
前記ビーム合波プリズムは、前記反射プリズムの反射面に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体リングレーザジャイロ。
【請求項３】
前記反射プリズムと前記ビーム合波プリズムは、同一材料で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体リングレーザジャイロ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体を光源に用いた半導体リングレーザジャイロに関し、特に光周回路に反射プリズムを用いた半導体リングレーザジャイロに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、物体の角速度を計測する手段の一つとして、ジャイロスコープが知られている。その中でも、サニャック効果を利用して角速度を計測するリングレーザジャイロは、高精度に計測できることから、航空機やロケットの分野を中心に多用されている。このリングレーザジャイロを構成するレーザ光源は、主にＨｅ−Ｎｅガスが利用されているが、近年では、装置の小型化や低消費電力化に有利な半導体レーザの適用が試みられている（例えば、特許文献１〜３）。
【０００３】
図８は、従来の半導体リングレーザジャイロの一例を示す上面図である。半導体リングレーザジャイロは、シリコン基板上に搭載された半導体レーザ３０、４つのミラー３１〜３４、干渉光（ビート光）取出用ミラー３５・３６から構成される。半導体レーザ３０は、両端面に反射防止膜が形成され、両端から光を出射する（特許文献３参照）。半導体レーザ３０の両端面からの出射光は、４つのミラー３１〜３４により右回りと左回りにつつみ状に周回し、半導体レーザ３０の他端面に入射する。この光周回路はリング共振器として機能し、半導体レーザ３０は両端面からレーザ発振する。４つのミラー３１〜３４は、シリコン基板の異方性エッチング（シリコンマイクロマシーニング技術）により形成され、金属膜または誘電体多層膜が成膜される（特許文献２の段落００３７参照）。また、４つのミラー３１〜３４のうち少なくとも一つは、ビート光取出用ミラー３５・３６に光の一部を導くための透過ミラーである。
【０００４】
この半導体リングレーザジャイロによれば、シリコン基板の法線を回転軸（感度軸）として物体が回転すると、サニャック効果により右回りと左回りの光の光路差が生じ、発振周波数の差に基づくビート信号が検出される。このビート信号の周波数△ｆから以下の数１に基づいて角速度Ωが算出される（特許文献３の段落００１５参照）。なお、Ａはリング光路が囲む面積、λはリングレーザ発振波長、Ｌはリング光路長である。
【０００５】
【数１】
0005027584.tif 000002
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−５０７５３号公報
【特許文献２】特開２００３−１３９５３９号公報
【特許文献３】特開２００６−３１９１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のシリコンマイクロマシーニング技術を応用した半導体リングレーザジャイロは、複数のミラーを高い位置決め精度で作成できる点で優れている。しかしながら、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合するために高価な製造装置が必要であり、また、シリコンの反射率は波長依存性が大きいため、使用可能な半導体レーザの波長が制約される。また、所定の波長に対する反射率を大きくするために、ミラーに反射膜を成膜する方法も採り得るが、シリコン基板上で垂直に隆起するエッチング面に反射膜として金属膜または誘電体多層膜を均一に成膜させるには高度の成膜技術が必要となる。
【０００８】
一方、半導体リングレーザジャイロは、使用環境によっては、大きな加速度を有する衝撃を受ける場合があり、この衝撃によって光軸が大きくずれるとリング共振が停止してしまうという問題がある。また、通常のリングレーザジャイロでは、ロックイン現象を防止する手段として、ビート周波数よりも高い周波数でリングレーザジャイロを感度軸に対して振動（ディザリング）させる方法が採用されているが、このディザリングによっても光軸ずれが発生する虜がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、安価で製造が容易であり、外乱に対する影響が小さく、計測精度が安定した半導体リングレーザジャイロを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、両端面から光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザの出射光を入射して内部反射させる一つ以上の反射プリズムと、前記一つ以上の反射プリズムにおける複数の反射面で形成された光周回路を周回する右回りと左回りの光をいずれかの反射面において一部だけ透過させる透過ミラーと、前記透過ミラーを透過した前記右回りと左回りの光を合波するビーム合波プリズムとを備え、前記反射プリズムのうち少なくとも一つは、コーナーキューブプリズムであることを特徴とする半導体リングレーザジャイロである。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、光周回路が安価な材料の反射プリズムで形成されるため、高価な製造装置が不要であり、半導体リングレーザジャイロは安価に製造される。また、光周回路は反射プリズムの内部反射を利用して形成されるため、金属膜や誘電体多層膜を成膜する高度の成膜技術が不要である。よって、半導体リングレーザジャイロは、安価で容易に製造される。
【００１２】
コーナーキューブプリズムは、反射光を必ず入射光軸と平行に出射するため、特に外部衝撃やロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する堅牢性に優れている。また、半導体リングレーザジャイロの光軸調整が容易であり、光軸調整の自由度も高くなる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ビーム合波プリズムは、前記反射プリズムの反射面に接合されていることを特徴とする。この態様によれば、光路を形成する部材が一体形成されるため、外部衝撃やロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する影響が小さくなる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記反射プリズムと前記ビーム合波プリズムは、同一材料で形成されていることを特徴とする。この態様によれば、光路を形成する部材間に熱膨張係数の差がないため、環境温度の変化などの外乱に対する影響が小さくなる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体リングレーザジャイロは、安価で製造が容易であり、外乱に対する影響が小さいため、計測精度が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
１．第１の実施形態
第１の実施形態では、光周回路に一つ以上の反射プリズムを用いた半導体リングレーザジャイロにおいて、特に一つ以上の反射プリズムが直角プリズムと台形プリズムである一例について詳述する。
【００１８】
（第１の実施形態の構成）
図１は半導体リングレーザジャイロの斜視図であり、図２は半導体リングレーザジャイロの上面図である。図１に示す半導体リングレーザジャイロ１は、主に半導体レーザ２、駆動電源３、２つのコリメータレンズ４・５、２つの直角プリズム６・７、台形プリズム８、透過ミラー９、ビーム合波プリズム１０、受光部１１、および信号処理部１２から構成される。
【００１９】
半導体レーザ２は、可視光、赤外光などの波長の光を発光するＡｌＧａＡｓ系、ＧａＡｓ系の材料で形成される。半導体レーザ２は、一般的なダブルへテロ構造のｎ型クラッド層／活性層／ｐ型クラッド層、および電極などで構成され、活性層の両端面には反射防止膜が成膜される。よって、半導体レーザ２は、活性層の両端面から光を出射し、リング共振器の一部として配置される。この反射防止膜は、半導体レーザ２の活性層の屈折率、相性などが考慮された誘電体またはその多層膜で形成される。
【００２０】
半導体レーザ２の電極には駆動電源３が接続される。駆動電源３は、半導体レーザ２の電極間に電圧を印加して半導体レーザ２の活性層から光子を誘導放出させる。誘導放出した光は、活性層の両端面から出射する。半導体レーザ２の一方の端面からの出射光は、リング共振器内を周回して他方の端面の活性層内に入射し、新たに光子を誘導放出する。この現象により、半導体レーザ２はレーザ発振に至る。このようにレーザ光源に半導体レーザを用いた態様によれば、Ｈｅ−Ｎｅガスを用いる場合と比べて、半導体リングレーザジャイロ１は小型化、低消費電力化される。
【００２１】
コリメータレンズ４・５は、石英ガラス（ＳｉＯ２）、プラスチックなどの透明樹脂（例えば、熱可塑性樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）などの材料で形成された平凸レンズである。コリメータレンズ４・５は、半導体レーザ２の出射軸方向の前後に配置される。半導体レーザ２の活性層の両端面からの出射光は、コリメータレンズ４・５により集光されて平行光とされ、直角プリズム６・７に入射する。なお、コリメータレンズ４・５は、直角プリズム６・７に接合される態様でもよく、直角プリズム６・７の入射面を非球面形状に切削した一体型の態様でもよい。この態様によれば、コリメータレンズ４・５を固定するマウント機構が不要となり、ロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する影響が小さくなる。
【００２２】
直角プリズム６・７は、コリメータレンズ４・５の上述の材料、またはコリメータレンズ４・５と同一材料で形成され、半導体レーザ２の出射軸方向の前後に配置される。直角プリズム６・７の反射面６ａ・７ａは、図２に示すように、半導体レーザ２の出射軸に対して４５度傾斜している。また、直角プリズム６の反射面６ａと直角プリズム７の反射面７ａは、半導体レーザ２を中心に対称に配置される。直角プリズム６・７は、コリメータレンズ４・５からの平行光を入射し、反射面６ａ・７ａで反射角４５度に内部反射させて出射する。よって、空気の屈折率が１とすると、直角プリズム６・７の屈折率ｎは、スネルの法則により以下の数２の式から約１．４以上となる。
【００２３】
【数２】
0005027584.tif 000003
【００２４】
台形プリズム８は、コリメータレンズ４・５の上述の材料、またはコリメータレンズ４・５と同一材料で形成され、２つの直角プリズム６・７に対向して配置される。台形プリズム８の２つの反射面８ａ・８ｂは、直角プリズム６・７からの出射軸に対して４５度傾斜し、直角プリズム６・７の反射面６ａ・７ａと各々対称に配置される。台形プリズム８は、直角プリズム６・７からの出射光を入射し、反射面８ａ・８ｂにおいて反射角４５度で２回内部反射させて出射する。よって、台形プリズム８の屈折率ｎも、上記の数２の式から約１．４以上となる。この態様によれば、台形プリズム８は、入射光と平行な出射光を出射するため、光軸調整が容易となる。
【００２５】
半導体リングレーザジャイロ１の光周回路は、上述の２つの直角プリズム６・７と台形プリズム８の内部反射を利用して四角形状に形成される。この態様によれば、直角プリズム６・７と台形プリズム８が安価な材料であり、高価な製造装置が不要であるため、半導体リングレーザジャイロ１は安価に製造される。また、直角プリズム６・７と台形プリズム８の反射面に金属膜または誘電体多層膜を成膜する成膜工程が不要であり、直角プリズム６・７と台形プリズム８の反射面が光軸上で各々対称に配置される工程で済むため、半導体リングレーザジャイロ１は容易に製造できる。さらに、光周回路は直角プリズム６・７と台形プリズム８の内部反射を利用して形成されるため、ゴミや汚れによる反射率や反射角への影響が小さい。
【００２６】
透過ミラー９は、高屈折率膜Ｈと低屈折率膜Ｌを交互に重ねた誘電体多層膜（例えば、Ｈ：ＴｉＯ２、Ｌ：ＳｉＯ２）または金属膜（Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等）などで形成された一部透過膜または半透過膜（ハーフミラー）である。透過ミラー９は、光周回路を形成する直角プリズム６・７または台形プリズム８の反射面のいずれかに成膜される。この例において、透過ミラー９は、図１および図２に示すように、直角プリズム７の反射面７ａに成膜されている。よって、光周回路を右回りに周回する光（ＣＷ光）と左回りに周回する光（ＣＣＷ光）の一部が反射面７ａを透過する。透過した２つの光はビーム合波プリズム１０に入射する。
【００２７】
ビーム合波プリズム１０は、コリメータレンズ４・５の上述の材料、またはコリメータレンズ４・５と同一材料で形成され、光周回路を形成する直角プリズム６・７または台形プリズム８のいずれかの反射面に透過ミラー９を介して接合される。この例において、ビーム合波プリズム１０は、透過ミラー９が成膜された直角プリズム７の反射面７ａに接合される。この態様によれば、光路を形成する部材が一体形成されるため、外部衝撃やロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する影響が小さくなる。また、ビーム合波プリズム１０は、ＣＷ光とＣＣＷ光を入射して内部反射させ、ＣＷ光とＣＣＷ光の出射軸は同一に調整される。これにより、ＣＷ光とＣＣＷ光の合成波、すなわち干渉光（ビート光）が取り出される。ＣＷ光とＣＣＷ光のビート光は受光部１１に入射する。
【００２８】
受光部１１は、ビーム合波プリズム１０が出射する出射軸上に配置され、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＩＣなどで構成される。受光部１１は、ビーム合波プリズム１０が出射したビート光を受光して光量を電流値に変換する。また、電流はオペアンプにより適宜増幅され、可変抵抗を介して電圧値に変換される。電圧値は、図示省略するコンパレータにより基準電圧値と比較され、０または１のパルス信号（ビート信号）に変換される。
【００２９】
信号処理部１２は、プログラムおよびデータを記憶するＲＯＭ（リードオンリーメモリ）、ＲＯＭに記憶されたプログラムに基づいて演算処理を行うＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＣＰＵが実行するプログラムおよびデータを一時的に記憶するＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、パルス信号のクロック数を計測するカウンタ、およびクロック発振器などから構成されるマイクロコンピュータである。信号処理部１２は、受光部１１からのビート信号を入力し、カウンタにビート信号のクロック数（ビート周波数）を計測させる。信号処理部１２は、計測したビート周波数から角速度を算出する。すなわち、半導体リングレーザジャイロ１は、物体が回転したときに生じるサニャック効果（ＣＷ光とＣＣＷ光との光路差）を利用して、物体の回転角速度を検出できる。
【００３０】
（第１の実施形態の優位性）
以下、第１の実施形態の優位性について述べる。光周回路が直角プリズム６・７と台形プリズム８という安価な材料で形成されており、高価な製造装置が不要であるため、半導体リングレーザジャイロ１は安価に製造される。また、光周回路は、直角プリズム６・７と台形プリズム８の内部反射を利用して形成されるため、高度な成膜工程も不要である。また、半導体リングレーザジャイロ１は、直角プリズム６・７と台形プリズム８の反射面が光軸上で各々対称に配置される工程で製造されるため、光軸調整が容易であり、光軸調整の自由度も高く、製造が容易である。さらに、光路を形成する反射プリズム（直角プリズム６・７および台形プリズム８）とビーム合波プリズム１０が、同一材料で形成された場合には、光路を形成する部材間に熱膨張係数の差がないため、温度変化による屈折率変動の差もなく、外乱に対する影響が小さい。よって、半導体リングレーザジャイロ１は、安価で製造が容易であり、外乱に対する影響が小さいため、計測精度が安定する。
【００３１】
２．第２の実施形態
第２の実施形態では、光周回路が一つ以上の反射プリズムで形成された半導体リングレーザジャイロにおいて、特に反射プリズムの一つがコーナーキューブプリズムである一例について詳述する。なお、第１の実施形態と同様の構成については、その内容が援用される。
【００３２】
（第２の実施形態の構成）
図３はコーナーキューブプリズムの斜視図であり、図４は半導体リングレーザジャイロの上面図である。図３に示すコーナーキューブプリズム１３は、石英ガラス（ＳｉＯ２）、プラスチックなどの透明樹脂（熱可塑性樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）などの材料で形成される。また、コーナーキューブプリズム１３は、図３に示すように、直角に交わる３つの直角二等辺三角平面（以下、反射面１３ａ・１３ｂ・１３ｃとする）を有する三角錐であって、底辺の角が例えば円筒状に切削された形状を呈している。コーナーキューブプリズム１３は、底面１３ｄからの入射光を２つの反射面または３つの反射面で反射し、必ず反射光を入射軸の方向に出射する特性を有しているため、半導体リングレーザジャイロ１４の光軸調整が容易であり、光軸調整の自由度も高い。
【００３３】
図４に示す半導体リングレーザジャイロ１４は、反射プリズムの一つがコーナーキューブプリズム１３の一例である。コーナーキューブプリズム１３は、底面１３ｄが入射軸に対して垂直であり、かつ、入射軸とコーナーキューブプリズム１３の頂点を含む平面が、感度軸に対して垂直平面となるように配置される。この態様によれば、入射光は、コーナーキューブプリズム１３の３つの反射面で３回反射し、反射光は感度軸と垂直平面内において入射軸と平行に出射する。
【００３４】
なお、コーナーキューブプリズム１３は、３つの反射面のうちいずれかの反射面（例えば、反射面１３ｃ）が半導体リングレーザジャイロ１４の感度軸に対して垂直であり、かつ、他の２つの反射面（例えば、反射面１３ａ・１３ｂ）が直角プリズム６・７の反射面６ａ・７ａと対称に配置される態様でもよい。この態様によれば、入射光は、コーナーキューブプリズム１３の２つの反射面（例えば、反射面１３ａ・１３ｂ）で２回反射し、反射光は入射軸と平行に出射する。
【００３５】
（第２の実施形態の優位性）
反射プリズムの一つがコーナーキューブプリズムである第２の実施形態によれば、半導体リングレーザジャイロ１４は、第１の実施形態の優位性を有するが、外部衝撃やロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する影響が小さい。すなわち、コーナーキューブプリズム１３への入射光が３つの反射面で３回反射した場合には、外乱等によってコーナーキューブプリズム１３の頂点を中心とした回転変位が生じたとしても、基本的に反射軸が変化しないという利点がある。また、光軸調整が容易であり、光軸調整の自由度も高い。
【００３６】
３．第３の実施形態
第３の実施形態では、光周回路が一つ以上の反射プリズムで形成された半導体リングレーザジャイロにおいて、第１および第２の実施形態の変形例について詳述する。なお、第１および第２の実施形態と同様の構成については、その内容が援用される。
【００３７】
（第３の実施形態の構成）
図５は半導体リングレーザジャイロの上面図である。半導体リングレーザジャイロ１５の光周回路は、第１の実施形態に係る台形プリズム２つで形成される。台形プリズム１６・１７は、台形プリズム１６の反射面１６ａ・１６ｂと台形プリズム１７の反射面１７ａ・１７ｂが半導体レーザ２を中心として各々対称となるように配置される。なお、半導体リングレーザジャイロ１５の光周回路は、第２の実施形態に係るコーナーキューブプリズム２つで形成されてもよい。この場合、２つのコーナーキューブプリズムは、半導体レーザ２を中心として対称に配置される。
【００３８】
（第３の実施形態の優位性）
光周回路が、台形プリズムまたはコーナーキューブプリズム２つで形成された第３の実施形態によれば、半導体リングレーザジャイロ１５は、第１および第２の実施形態の優位性を有するとともに、光周回路を構成する部材点数が少ないため、光軸調整がさらに容易であり、光軸調整の自由度もより向上する。
【００３９】
４．第４の実施形態
第４の実施形態では、光周回路が複数の反射面を有する単体の反射プリズムで形成された半導体リングレーザジャイロにおいて、特に光周回路が四角形状に形成された一例について詳述する。なお、第１の実施形態と同様の構成については、その内容が援用される。
【００４０】
（第４の実施形態の構成）
図６は半導体リングレーザジャイロの上面図である。半導体リングレーザジャイロ１７の光周回路は、図６に示すように、４つの反射面を有する単体の多面体プリズム１８で形成される。多面体プリズム１８は、石英ガラス（ＳｉＯ２）、プラスチックなどの透明樹脂（熱可塑性樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）などの材料で形成される。また、多面体プリズム１８は、半導体レーザ２およびコリメータレンズ４・５を配置するための凹みと、入射光軸に対して４５度傾斜した４つの反射面（１８ａ・１８ｂ・１８ｃ・１８ｄ）とを備えている。
【００４１】
（第４の実施形態の優位性）
光周回路が、４つの反射面を有する単体の多面体プリズム１８により四角形状に形成された第４の実施態様によれば、半導体リングレーザジャイロ１７は、第１の実施形態の優位性を有するとともに、温度変化による屈折率変動、ロックイン現象防止用のディザリングなどの外乱に対する影響が小さくなる。
【００４２】
５．第５の実施形態
第５の実施形態では、光周回路が複数の反射面を有する単体の反射プリズムで形成された半導体リングレーザジャイロにおいて、特に光周回路が三角形状に形成された一例について詳述する。なお、第１の実施形態と同様の構成については、その内容が援用される。
【００４３】
（第５の実施形態の構成）
図７は半導体リングレーザジャイロの上面図である。半導体リングレーザジャイロ１９の光周回路は、図７に示すように、３つの反射面を有する単体の多面体プリズム２０で形成される。多面体プリズム２０は、第４の実施形態に係る多面体プリズム１８と同様の材料で形成される。また、多面体プリズム２０は、半導体レーザ２およびコリメータレンズ４・５を配置するための凹みと、入射光軸に対して６０度傾斜した３つの反射面（２０ａ・２０ｂ・２０ｃ）とを備えている。反射角が３０度であるため、多面体プリズム２０の屈折率は、上述の数２の式から約２以上となる。
【００４４】
（第５の実施形態の優位性）
光周回路が、３つの反射面を有する単体の多面体プリズム２０により三角形状に形成された第５の実施形態によれば、半導体リングレーザジャイロ１９は、第１および第４の実施形態の優位性を有するとともに、反射面が少ないため光軸調整がさらに容易となる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、航空機、ロケット、人工衛星、潜水艦、ロボット、自動車等の姿勢制御用、航法用の半導体リングレーザジャイロに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの上面図である。
【図３】第２の実施形態に係るコーナーキューブプリズムの斜視図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの上面図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの上面図である。
【図６】第４の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの上面図である。
【図７】第５の実施形態に係る半導体リングレーザジャイロの上面図である。
【図８】従来の半導体リングレーザジャイロの一例を示す上面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…半導体リングレーザジャイロ、２…半導体レーザ、４・５…コリメータレンズ、６・７…直角プリズム、８…台形プリズム、９…透過ミラー、１０…ビーム合波プリズム、１１…受光部、１２…信号処理部、１３…コーナーキューブプリズム、１６・１７…台形プリズム、１８、２０…多面体プリズム。
【図１】
0005027584.tif 000004
【図２】
0005027584.tif 000005
【図３】
0005027584.tif 000006
【図４】
0005027584.tif 000007
【図５】
0005027584.tif 000008
【図６】
0005027584.tif 000009
【図７】
0005027584.tif 000010
【図８】
0005027584.tif 000011