(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の弁金属の酸化物からなり、厚さ方向に貫通する第１のグループに属する孔と第２のグループに属する孔とが交互に複数配置された多孔板状の誘電体と、前記第１のグループに属する複数の孔内にそれぞれ形成され基端が前記誘電体の一方の主面に露出された第１の柱状電極と、前記第２のグループに属する複数の孔内にそれぞれ形成され基端が前記誘電体の他方の主面に露出された第２の柱状電極と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上に該孔を塞ぐように、また前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上に該孔を塞ぐように、それぞれ設けられた絶縁体層と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接続するように設けられた第１の引出電極と、前記誘電体の他方の主面上に前記第２の柱状電極の基端と接続するように設けられた第２の引出電極と、を有することを特徴とするコンデンサ素子。  
【請求項２】
前記絶縁体層は、導電性高分子が熱分解されたものであることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。  
【請求項３】
前記第１の引出電極と前記第２の引出電極との間に電圧印加が施されたものであることを特徴とする請求項２記載のコンデンサ素子。  
【請求項４】
前記絶縁体層はＴｉＯ２膜からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。  
【請求項５】
前記絶縁体層はＳｉＯ２膜からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。  
【請求項６】
前記絶縁体層は絶縁性樹脂層からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。
【請求項７】
前記絶縁体層は第２の弁金属の酸化物からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。  
【請求項８】
前記絶縁体層は空気層からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ素子。  
【請求項９】
第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の内面および前記第２のグループに属する凹部の内面に無電解メッキによりシード層を形成するとともに、前記誘電体の一方の主面上に第１の引出電極を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記シード層上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上、および前記第２のグループに属する孔内の前記第１の引出電極上に、それぞれ前記孔を塞ぐように電解重合により導電性高分子層を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔の内面の前記シード層上に電解メッキにより第２の柱状電極を形成するとともに、前記誘電体の他方の主面に第２の引出電極を形成する工程と、前記導電性高分子層を熱分解させ絶縁化して絶縁体層を形成する工程と、前記第１の柱状電極の先端と前記第２の引出電極との間、および前記第２の柱状電極の先端と前記第１の引出電極との間の短絡箇所を電圧印加により焼き切る工程と、を有することを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１０】
第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上の前記第１の給電電極と第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有することを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層として導電性高分子膜を形成した後、熱分解により絶縁化することを特徴とする請求項１０記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＴｉＯ２電着膜を形成した後、熱処理して絶縁化することを特徴とする請求項１０記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｉＯ２層を電解メッキすることを特徴とする請求項１０記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｎ−Ｐｄメッキ層を形成した後、該Ｓｎ−Ｐｄメッキ層上にＳｉＯ２層を湿式堆積させることを特徴とする請求項１０記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１５】
第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１の給電電極と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上及び前記第２のグループに属する複数の孔内にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有することを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上、及び前記第２のグループに属する孔内にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込んだ後、前記第２のグループに属する孔内の絶縁性樹脂を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込むことを特徴とする請求項１５記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去することを特徴とする請求項１５記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１８】
第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、
前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、
前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、
前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、
前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、
前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に第２の弁金属の層を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の第２の弁金属の層を除去する工程と、
前記第１の給電電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化することにより前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上
にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、
前記第１の給電電極をエッチングにより除去する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、
前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に第２の弁金属の層を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の第２の弁金属の層を除去する工程と、
前記第２の引出電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化することにより前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、
前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１９】
第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１の給電電極と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に前記第１の柱状電極の先端との間に空気層を介してスパッタリングにより第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に、前記第２の柱状電極の先端との間に空気層を介して、スパッタリングにより前記第１の柱状電極の基端と接続する第１の引出電極を形成する工程と、を有することを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単位体積あたりの静電容量と耐電圧との積（ＣＶ積）が従来の電解コンデンサより大きいコンデンサ素子及びコンデンサ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体皮膜として弁金属の酸化物の一種であるＡｌ２Ｏ３を用いた電解コンデンサが、従来から広く用いられている。電解コンデンサは、誘電体皮膜と電解液成分の組み合わせにより構成され、極性を有する。また、Ａｌ２Ｏ３皮膜の表面を粗化するなどにより面積の拡大がはかられているが、大容量化の限界に達しつつある。また、極性を有することから、用途が限定されるという課題があった。
これらの課題を解決して大容量化を図るため、以下の提案がなされている。具体的には、特許文献１には、図３５に平面図として示されるように多数の孔５が設けられた多孔質基板４をマスクとして用い、図３６に断面図として示されるようにコンデンサ用基板１上の面状電極２の表面に薄膜成膜処理もしくはエッチングにより多数の柱状体２ａが規則的に配列された第１電極６ａを形成し、次に図３７に断面図として示されるように、該第１電極６ａの表面に誘電率１００以上の誘電体材料をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）により成膜して誘電体薄膜８を形成し、さらに該誘電体薄膜８の表面に第２電極６ｂを形成してコンデンサ構造体を得る方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２４９４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記のような背景技術のコンデンサ構造体の製造方法においては、多孔質基板４をマスクとして用いて柱状体２ａを形成するため、前記多孔質基板４上及び該多孔質基板４の孔５の内壁への電極材料の付着や前記多孔質基板４自体のエッチングによる孔５の拡大等が生じやすい。このため、均一な断面形状で所望の長さ寸法の柱状体２ａを得るのが難しいという課題があった。
また、上記柱状体２ａが林立した構造の第１電極６ａの表面に誘電率１００以上の誘電体材料をＭＯＣＶＤにより成膜して誘電体薄膜８を形成するので、前記柱状体２ａの高さが高くなると、前記第１電極６ａの表面のうち、原料ガスの流れに面して原料ガスが当りやすいところと原料ガスが当りにくいところとで生成される誘電体薄膜８の膜厚の差が生じやすい。このため、単位体積あたりの静電容量と耐電圧の積（ＣＶ積）が高いコンデンサを安定して得ることが難しいという課題があった。
【０００４】
本発明は、以上の点に着目したもので、単位体積あたりのＣＶ積が従来の電解コンデンサより大きいコンデンサ素子を提供することを目的とする。また、極性のないコンデンサ素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、大容量で極性のないコンデンサ素子を安定して生産できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明のコンデンサ素子は、（１）第１の弁金属の酸化物からなり、厚さ方向に貫通する第１のグループに属する孔と第２のグループに属する孔とが交互に複数配置された多孔板状の誘電体と、前記第１のグループに属する複数の孔内にそれぞれ形成され基端が前記誘電体の一方の主面に露出された第１の柱状電極と、前記第２のグループに属する複数の孔内にそれぞれ形成され基端が前記誘電体の他方の主面に露出された第２の柱状電極と、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上に該孔を塞ぐように、また前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上に該孔を塞ぐように、それぞれ設けられた絶縁体層を有する。そして、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接続するように設けられた第１の引出電極と、前記誘電体の他方の主面上に前記第２の柱状電極の基端と接続するように設けられた第２の引出電極とを有する。（以下、第１の課題解決手段と称する。）
【０００６】
また、本発明のコンデンサ素子の主要な形態の一つは、（２）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は、導電性高分子が熱分解されたものである。（以下、第２の課題解決手段と称する。）
【０００７】
また、本発明のコンデンサ素子の形態の一つは、（３）前記第２の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の引出電極と前記第２の引出電極との間に電圧印加が施されたものである。（以下、第３の課題解決手段と称する。）
【０００８】
また、本発明のコンデンサ素子の他の主要な形態の一つは、（４）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層はＴｉＯ２膜からなる。（以下、第４の課題解決手段と称する。）
【０００９】
また、本発明のコンデンサ素子の他の主要な形態の一つは、（５）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層はＳｉＯ２膜からなる。（以下、第５の課題解決手段と称する。）
【００１０】
また、本発明のコンデンサ素子の他の主要な形態の一つは、（６）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は絶縁性樹脂層からなる。（以下、第６の課題解決手段と称する。）
【００１１】
また、本発明のコンデンサ素子の他の主要な形態の一つは、（７）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は第２の弁金属の酸化物からなる。（以下、第７の課題解決手段と称する。）  
【００１２】
また、本発明のコンデンサ素子の他の主要な形態の一つは、（８）前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は空気層からなる。（以下、第８の課題解決手段と称する。）  
【００１３】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法は、（９）第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、を有する。さらに、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の内面および前記第２のグループに属する凹部の内面に無電解メッキによりシード層を形成するとともに、前記誘電体の一方の主面上に第１の引出電極を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔内の前記シード層上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上および前記第２のグループに属する孔内の前記第１の引出電極上にそれぞれ前記孔を塞ぐように電解重合により導電性高分子層を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔の内面の前記シード層上に電解メッキにより第２の柱状電極を形成するとともに、前記誘電体の他方の主面に第２の引出電極を形成する工程と、を有する。さらに、前記導電性高分子層を熱分解させ絶縁化して絶縁体層を形成する工程と、前記第１の柱状電極の先端と前記第２の引出電極との間、および前記第２の柱状電極の先端と前記第１の引出電極との間の短絡箇所を電圧印加により焼き切る工程と、を有する。（以下、本発明の第９の課題解決手段と称する。）
【００１４】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法は、（１０）第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上の前記第１の給電電極と第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有する。（以下、本発明の第１０の課題解決手段と称する。）
【００１５】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の主要な形態の一つは、（１１）前記第１０の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層として導電性高分子膜を形成した後、熱分解により絶縁化する。（以下、本発明の第１１の課題解決手段と称する。）
【００１６】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の他の主要な形態の一つは、（１２）前記第１０の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＴｉＯ２電着膜を形成した後、熱処理して絶縁化する（以下、本発明の第１２の課題解決手段と称する。）
【００１７】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の他の主要な形態の一つは、（１３）前記第１０の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｉＯ２層を電解メッキする。（以下、本発明の第１３の課題解決手段と称する。）
【００１８】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の他の主要な形態の一つは、（１４）前記第１０の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｎ−Ｐｄメッキ層を形成した後、該Ｓｎ−Ｐｄメッキ層上にＳｉＯ２層を湿式堆積させる。（以下、本発明の第１４の課題解決手段と称する。）
【００１９】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法は、（１５）第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１の給電電極と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上及び前記第２のグループに属する複数の孔内にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有する。（以下、本発明の第１５の課題解決手段と称する。）
【００２０】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の主要な形態の一つは、（１６）前記第１５の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上、及び前記第２のグループに属する孔内にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込んだ後、前記第２のグループに属する孔内の絶縁性樹脂を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込む。（以下、本発明の第１６の課題解決手段と称する。）
【００２１】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法の他の主要な形態の一つは、（１７）前記第１５の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去する。（以下、本発明の第１７の課題解決手段と称する。）
【００２２】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法は、（１８）第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に第２の弁金属の層を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の第２の弁金属の層を除去する工程と、前記第１の給電電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化することにより前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上
にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記第１の給電電極をエッチングにより除去する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、
前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に第２の弁金属の層を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の第２の弁金属の層を除去する工程と、前記第２の引出電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化することにより前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、
前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有する。（以下、本発明の第１８の課題解決手段と称する。）
【００２３】
また、本発明のコンデンサ素子の製造方法は、（１９）第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１の給電電極と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に前記第１の柱状電極の先端との間に空気層を介してスパッタリングにより第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に、前記第２の柱状電極の先端との間に空気層を介して、スパッタリングにより前記第１の柱状電極の基端と接続する第１の引出電極を形成する工程と、を有する。（以下、本発明の第１９の課題解決手段と称する。）
【００２４】
上記第１の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の、第１のグループに属する複数の孔のそれぞれに第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する複数の孔のそれぞれに第２の柱状電極が、収容されるとともに、最も絶縁性が低下しやすい、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上を塞ぐように、また前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上を塞ぐように、それぞれ絶縁体層が設けられている。このため、電圧が加わっても絶縁性の低下が抑制され、ＣＶ積が向上するとともに、電解コンデンサのような極性を有さない。
【００２５】
また、上記第２の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は、導電性高分子が熱分解されたものである。このため、第１のグループに属する孔の内部、および第２のグループに属する孔の内部という絶縁性樹脂の充填が難しい箇所であっても、絶縁性を安定して得ることができる。
【００２６】
また、上記第３の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記第１の引出電極と前記第２の引出電極との間に電圧印加が施されたものである。これによれば、対向電極間の短絡部分が焼き切られる。このため、漏れ電流が低減されたコンデンサ素子を提供することができる。
【００２７】
また、上記第４の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層はＴｉＯ２膜からなる。ＴｉＯ２膜は、誘電体層を構成する第１の弁金属の酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）に比べて誘電率が高い。このため、絶縁層の厚みをコンデンサ素子の容量に寄与する程度に薄くした場合には、より高容量のコンデンサ素子を得ることができる。
【００２８】
また、上記第５の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層はＳｉＯ２膜からなる。このため、高い絶縁性を有するコンデンサ素子を提供することができる。
【００２９】
また、上記第６の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は絶縁性樹脂層からなる。このため、高い絶縁性を有するコンデンサ素子を提供することができる。
【００３０】
また、上記第７の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は第２の弁金属の酸化物からなる。このため、高い絶縁性を有するコンデンサ素子を提供することができる。
【００３１】
また、上記第８の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記第１の課題解決手段に加えて、さらに、前記絶縁体層は空気層からなる。このため、周波数インピーダンス特性における共振周波数が高い高周波特性が良好なコンデンサ素子を提供することができる。
【００３２】
また、上記第９の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板の誘電体を形成する工程と、を有する。さらに、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の内面および前記第２のグループに属する凹部の内面に無電解メッキによりシード層を形成するとともに、前記誘電体の一方の主面上に第１の引出電極を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔の内面の前記シード層上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上、および前記第２のグループに属する孔内の前記第１の引出電極上に、それぞれ前記孔を塞ぐように電解重合により導電性高分子層を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔の内面の前記シード層上に電解メッキにより第２の柱状電極を形成するとともに、前記誘電体の他方の主面に第２の引出電極を形成する工程と、を有する。さらに、前記導電性高分子層を熱分解させ絶縁化して絶縁体層を形成する工程と、前記第１の柱状電極の先端と前記第２の引出電極との間、および前記第２の柱状電極の先端と前記第１の引出電極との間の短絡箇所を電圧印加により焼き切る工程と、を有する。このため、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の第１のグループに属する孔に第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する孔に第２の柱状電極が、それぞれ収容されるとともに、最も絶縁性が低下しやすい、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上を塞ぐように、また前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上を塞ぐように、それぞれ絶縁体層が設けられている構造のコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３３】
また、上記第１０の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上の前記第１の給電電極と第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有する。このため、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の第１のグループに属する孔に第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する孔に第２の柱状電極が、それぞれ収容されるとともに、最も絶縁性が低下しやすい前記第１のグループに属する孔を塞ぐように前記第１の柱状電極の先端と前記第２の引出電極との間、および前記第２のグループに属する孔を塞ぐように前記第２の柱状電極の先端と前記第１の引出電極との間に、絶縁体層が設けられている構造のコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３４】
また、上記第１１の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１０）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層として導電性高分子膜を形成した後、熱分解により絶縁化する。このため、簡便な製造プロセスで高い絶縁性を有するコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３５】
また、上記第１２の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１０）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＴｉＯ２電着膜を形成した後、熱処理して絶縁化する。このため、簡便な製造プロセスでコンデンサ素子を安定して生産することができる。
【００３６】
また、上記第１３の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１０）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｉＯ２層を電解メッキする。このため、簡便な製造プロセスで高い絶縁性を有するコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３７】
また、上記第１４の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１０）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程、及び前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１の給電電極、及び前記第２の引出電極をそれぞれ給電層としてＳｎ−Ｐｄメッキ層を形成した後、該Ｓｎ−Ｐｄメッキ層上にＳｉＯ２層を湿式堆積させる。このため、比較的簡便なプロセスで高い絶縁性を有するコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３８】
また、上記第１５の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上及び前記第２のグループに属する複数の孔内にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ前記孔を塞ぐように絶縁体層を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に前記第１の柱状電極の基端と接するように第１の引出電極を形成する工程と、を有する。このため、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の第１のグループに属する孔に第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する孔に第２の柱状電極が、それぞれ収容されるとともに、最も絶縁性が低下しやすい、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上を塞ぐように、および前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上を塞ぐように、それぞれ絶縁体層が設けられている構造のコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００３９】
また、上記第１６の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１５）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上、及び前記第２のグループに属する孔内にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込んだ後、前記第２のグループに属する孔内の絶縁性樹脂を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上にそれぞれ絶縁性樹脂を埋め込む。このため、比較的簡便なプロセスで高い絶縁性を有するコンデンサ素子を安定して生産することができる。
【００４０】
また、上記第１７の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１５）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に絶縁性樹脂膜を形成したのち、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の絶縁性樹脂膜を除去する。このため、比較的簡便なプロセスで高い絶縁性を有するコンデンサ素子を安定して生産することができる。
【００４１】
また、上記第１８の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記（１５）に加えてさらに、前記第１の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第１の柱状電極の先端側の前記他方の主面に第２の弁金属の層を形成し、前記第１のグループに属する孔内を除く前記他方の主面上の第２の弁金属の層を除去したのち、前記第１の給電電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化するものであり、前記第２の柱状電極の先端上に絶縁体層を形成する工程は、前記誘電体の前記第２の柱状電極の先端側の前記一方の主面に第２の弁金属の層を形成し、前記第２のグループに属する孔内を除く前記一方の主面上の第２の弁金属の層を除去したのち、前記第２の引出電極を給電層として前記第２の弁金属の層を陽極酸化する。このため、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の第１のグループに属する孔に第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する孔に第２の柱状電極が、それぞれ収容されるとともに、最も絶縁性が低下しやすい、前記第１のグループに属する孔内の前記第１の柱状電極の先端上を塞ぐように、および前記第２のグループに属する孔内の前記第２の柱状電極の先端上を塞ぐように、それぞれ絶縁体層が設けられている構造のコンデンサ素子を、安定して生産することができる。
【００４２】
また、上記第１９の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、第１の弁金属の箔の一方の主面に所定の配置で複数箇所にインデンテーションにより微小凹部を形成する工程と、該第１の弁金属の箔に陽極酸化を施し、前記微小凹部を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部、および前記微小凹部を形成した複数箇所の間に前記第１のグループに属する凹部より深さが浅い第２のグループに属する凹部をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体を形成する工程と、前記誘電体の第１のグループに属する凹部の底部をエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第１のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の前記第２のグループに属する凹部が形成された一方の主面上に第１の給電電極を形成する工程と、前記第１のグループに属する孔内の前記給電電極上に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第１の柱状電極を形成する工程と、前記第１の給電電極と、前記誘電体の第２のグループに属する凹部の底部とをエッチングにより除去して前記誘電体の他方の主面側に開口する第２のグループに属する複数の孔を形成する工程と、前記誘電体の他方の主面上に前記第１の柱状電極の先端との間に空気層を介してスパッタリングにより第２の引出電極を形成する工程と、前記第２のグループに属する孔内の前記第２の引出電極上に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、電解メッキにより第２の柱状電極を形成する工程と、前記誘電体の一方の主面上に、前記第２の柱状電極の先端との間に空気層を介して、スパッタリングにより前記第１の柱状電極の基端と接続する第１の引出電極を形成する工程と、を有する。このため、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体の第１のグループに属する孔に第１の柱状電極が、また、第２のグループに属する孔に第２の柱状電極が、それぞれ収容されるとともに、前記第１の柱状電極の先端上、および前記第２の柱状電極の先端上に、それぞれ絶縁体層を設ける工程を省略して、簡便な製造プロセスでコンデンサ素子を生産することができる。
その他の本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の上記第１の課題解決手段によれば、耐電圧が向上するので、体積あたりのＣＶ積が従来の電解コンデンサより大きく、かつ極性のないコンデンサ素子を提供することができる。
【００４４】
また、本発明の上記第９の課題解決手段によれば、大容量で極性のないコンデンサ素子を安定して生産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
次に、本発明のコンデンサ素子の第１の実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。図１は第１の実施形態のコンデンサ素子１０の内部構造を説明するための拡大断面図であり、図１（Ａ）はＡ−Ａ線における横断面図であり、図１（Ｂ）はＢ−Ｂ線における縦断面図である。図２は、上記第１の実施形態のコンデンサ素子１０の変形例の内部構造を示す横断面図である。
【００４６】
図１に示すように、第１の実施形態のコンデンサ素子１０は、第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体１４と、前記誘電体１４に交互に配置された第１のグループに属する孔１５ａ３内、およびの第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、それぞれ形成された柱状電極１６ａ，１６ｂと、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記柱状電極１６ａの先端ｔ上、および前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記柱状電極１６ｂの先端ｔ上にそれぞれ形成された有機絶縁体層からなる絶縁体層１８ａ，１８ｂと、前記誘電体１４の一方及び他方の主面１４ａ、１４ｂにそれぞれ設けられ、前記柱状電極１６ａ，１６ｂにそれぞれ接続された引出電極１２ａ，１２ｂと、を有するものである。
上記柱状電極１６ａ、１６ｂは、第１のグループに属する孔１５ａ３内に形成された第１の柱状電極１６ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内に形成された第２の柱状電極１６ｂとからなる。前記第１のグループに属する孔１５ａ３，第２のグループに属する孔１５ｂ３の配置は、図１（Ａ）に示すように、特定の孔を中心にしたとき、周囲を６等分したうちの前記特定の孔を挟んで互いに対向する２方向のみに同じグループに属する孔が隣接し、他の４方向は他のグループに属する孔が囲む構造となっている。そして、図１（Ａ）に示すＢ−Ｂ線における縦断面では、図１（Ｂ）に示すように、第１のグループに属する孔１５ａ３と、第２のグループに属する孔１５ｂ３とが横方向に交互に配列されている。言い換えると、上記交互の配列が、上方向に隣接する列および下方向に隣接する列において、直線状に連続して繰り返されるものである。この場合、磁場に対する対称性が良好なことから、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が低い、高周波回路の用途に好適なコンデンサ素子である。
【００４７】
より具体的には、本実施形態のコンデンサ素子１０は、厚さ方向に貫通する第１のグループに属する孔１５ａ３と第２のグループに属する孔１５ｂ３とが交互に複数配置された第１の弁金属の酸化物からなる多孔板状の誘電体１４と、前記第１のグループに属する複数の孔１５ａ３内にそれぞれ形成され基端ｂが前記誘電体１４の一方の主面に露出された第１の柱状電極１６ａと、前記第２のグループに属する複数の孔１５ｂ３内にそれぞれ形成され基端ｂが前記誘電体１４の他方の主面に露出された第２の柱状電極１６ｂと、を有する。さらに、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上を塞ぐように、また前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上を塞ぐように、それぞれ設けられた有機絶縁体層からなる絶縁体層１８ａ，１８ｂと、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ上に設けられ前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂに接続された第１の引出電極１２ａと、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ上に設けられ前記第２の柱状電極１６ｂの基端ｂに接続された第２の引出電極１２ｂと、を有する。
【００４８】
尚、上記誘電体１４における第１のグループに属する孔１５ａと第２のグループに属する孔１５ｂの配置は、上記に限定するものではなく、例えば、下記図２（Ｃ）〜図２（Ｅ）に示すように、種々の変形例であってもよい。
【００４９】
図２（Ｃ）に横断面を示すコンデンサ素子１０’は、Ａ’−Ａ’線における縦断面が、先の図１（Ｂ）と同様であり、第１のグループに属する孔１５ａ３’と、第２のグループに属する孔１５ｂ３’とが横方向に交互に配列されているものである。そして、上記交互の配列が、上方向に隣接する列および下方向に隣接する列において、ジグザグ状に連続して繰り返されているものである。この場合、先のコンデンサ素子１０に比較して、磁場の配向性がやや低下し、ＥＳＬが多少増加する傾向にある。
【００５０】
また、図２（Ｄ）に横断面を示すコンデンサ素子１０”は、Ａ”−Ａ”線における縦断面が、先の図１（Ｂ）と同様であり、第１のグループに属する孔１５ａ３”と、第２のグループに属する孔１５ｂ３”とが横方向に交互に配列されているものである。そして、上記交互の配列が、上方向および下方向にそれぞれ一列おきにジグザグ状に繰り返されているものである。この場合、先のコンデンサ素子１０に比較して、第１の柱状電極の数と第２の柱状電極の数とが異なるため、耐電流（耐リップル）性がやや低下する。そして、ＥＳＬも、上記に比べて増加する傾向にある。
【００５１】
さらに、図２（Ｅ）に横断面を示すコンデンサ素子１０”’は、Ａ”’−Ａ”’線における縦断面が、先の図１（Ｂ）と同様であり、第１のグループに属する孔１５ａ３”’と、第２のグループに属する孔１５ｂ３”’とが横方向に交互に配列されているものである。そして、上記交互の配列が、上方向および下方向にそれぞれ一列おきに直線状に繰り返されているものである。この場合、前記コンデンサ素子１０”と同様に、先のコンデンサ素子１０に比較して、第１の柱状電極の数と第２の柱状電極の数とが異なるため、耐電流（耐リップル）性がやや低下する。そして、ＥＳＬも、上記に比べて増加する傾向にある。
【００５２】
また、本実施形態のコンデンサ素子１０は、前記の構成に加えて、さらに、前記有機絶縁体層は、導電性高分子層１７ａ，１７ｂが熱分解されたものである。
【００５３】
また、本実施形態のコンデンサ素子１０は、前記の構成に加えて、さらに、前記第１の引出電極１２ａと前記第２の引出電極１２ｂとの間に電圧印加が施され前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔと前記第２の引出電極１２ｂとの間、および前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔと前記第１の引出電極１２ａとの間の短絡箇所が焼き切られたものである。
【００５４】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第１の実施形態について、図３〜図６を参照して説明する。図３は、本実施形態のコンデンサ素子１０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図４〜図６は、該製造プロセスの各工程について説明するための上記図１（Ｂ）に対応する縦断面図であり、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ｆ）〜（ｉ），図６（ｊ）〜（ｍ）の順である。尚、図３における各工程に付与した符号は図４〜図６のカッコ内の符号と対応する。
【００５５】
まず、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法の概要は、図３に一例を示すように、ａ：第１の弁金属の箔を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔の一方の主面にたとえばインデンテーションにより微小凹部を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔の一方の主面に、異なる深さの第１のグループに属する凹部と第２のグループに属する凹部とを備えた誘電体を形成する。次に、ｆ：前記凹部の内面に、例えば無電解メッキにより、シード層を形成する。次に、ｇ：前記第１のグループに属する凹部の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔を形成する。次に、ｈ：例えば電解メッキにより、第１のグループに属する孔内に、前記誘電体の他方の主面側の前記孔の先端を残して、第１の柱状電極を形成するとともに、多孔板状の誘電体の一方の主面に第１の引出電極を形成する。次に、ｉ：上記第２のグループに属する凹部の底部を例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔を形成する。次に、ｊ：上第１のグループに属する孔および第２のグループに属する孔を塞ぐように例えば電解重合により導電性高分子層を形成する。次に、ｋ：例えば電解メッキにより、前記第２のグループに属する孔内に、前記誘電体の一方の主面側の前記孔の先端を残して、第２の柱状電極を形成するとともに、多孔板状の誘電体の他方の主面に第２の引出電極を形成する。次に、ｌ：例えば熱分解により、前記導電性高分子層を絶縁化する。次に、ｍ：例えば電圧印加により対向電極間の短絡部分を焼き切るものである。
【００５６】
より具体的には、まず、図４（ａ）に示すように、例えばＡｌ等の第１の弁金属からなる箔１３を準備する。
次に、図４（ｂ）に示すように、該第１の弁金属の箔１３を支持体１１上に載置し、一方の主面に所定の配置で複数箇所に微小突起１１ａ１が形成された押型１１ａを前記箔１３の一方の主面１３ａに押し付ける所謂インデンテーションを行い、前記箔１３の一方の主面１３ａに所定の配置で複数箇所に微小凹部１５ａ１を形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、前記第１の弁金属の箔１３に陽極酸化を施し、前記微小凹部１５ａ１を形成した箇所に第１のグループに属する凹部１５ａ２を形成する。また、前記微小凹部１５ａ１を形成した複数箇所の間に、必要により図４（ｄ）に示すように前記と同様に一方の主面に所定の配置で複数箇所に微小突起１１ｂ１が形成された押型１１ｂを前記箔１３の一方の主面１３ａに押し付ける所謂インデンテーションを行い、前記箔１３の一方の主面１３ａに所定の配置で複数箇所に微小凹部１５ｂ１を形成する。前記箔１３にさらに陽極酸化を施す。
これにより、図４（ｅ）に示すように、前記微小凹部１５ａ１を形成した箇所に所定の深さを有する第１のグループに属する凹部１５ａ２、および前記微小凹部１５ａ１を形成した複数箇所の間に、前記第１のグループに属する凹部１５ａ２より深さが浅い第２のグループに属する凹部１５ｂ２をそれぞれ形成して多孔板状の誘電体１４を形成する。
次に、図５（ｆ）に示すように、前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の内面および前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の内面に無電解メッキによりシード層Ｓを形成するとともに、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ上に第１の引出電極１２ａを形成する。
次に、図５（ｇ）に示すように、前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を化学エッチングにより除去して前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側に開口する第１のグループに属する複数の孔１５ａ３を形成する。
次に、図５（ｈ）に示すように、前記誘電体１４の前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記シード層Ｓ上に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、電解メッキにより基端ｂが前記第１の引出電極１２ａに接続された第１の柱状電極１６ａを形成する。このとき、前記柱状電極１６ａは、その先端ｔが前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに達しない長さとするとことが好ましい。
次に、図５（ｉ）に示すように、前記誘電体１４の第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部を化学エッチングにより除去して前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側に開口する第２のグループに属する複数の孔１５ｂ３を形成する。
次に、図６（ｊ）に示すように、前記誘電体１４の前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上および前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第１の引出電極１２ａ上にそれぞれ前記孔１５ａ３，１５ｂ３をそれぞれ塞ぐように電解重合により導電性高分子層１７ａ，１７ｂを形成する。
次に、図６（ｋ）に示すように、前記誘電体１４の前記第２のグループに属する孔１５ｂ３の内面の前記シード層Ｓ上に電解メッキにより第２の柱状電極１６ｂを形成するとともに、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに第２の引出電極１２ｂを形成する。
次に、上記で得られた誘電体１４を例えば３００℃に加熱して、図６（ｌ）に示すように、前記導電性高分子層１７ａ，１７ｂを熱分解させ絶縁化して有機絶縁体層からなる絶縁体層１８ａ，１８ｂを形成する。上記熱分解前の前記導電性高分子層１７ａ，１７ｂの全体としての漏れ電流の抵抗値は例えば０．８ｍΩである。また、上記熱分解後の前記有機絶縁体層からなる絶縁体層１８ａ，１８ｂの全体としての漏れ電流の抵抗値は例えば５０ｋΩである。
次に、前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔと前記第２の引出電極１２ｂとの間、および前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔと前記第１の引出電極１２ａとの間の短絡箇所を電圧印加により焼き切り、図６（ｍ）に示すように、本実施形態のコンデンサ素子１０を得る。
【００５７】
次に、上記第１の弁金属の箔１３の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記第１の弁金属としては、Ａｌが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｗ，Ｖの単体もしくはそれらの合金であってもよい。上記第１の弁金属の箔１３としては、１枚の箔から１個のコンデンサ素子を作成してもよいし、１枚の箔から複数のコンデンサ素子を作成してもよい。１枚の箔から１個のコンデンサ素子を作成する場合には、例えば、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ〜長さ１ｍｍ×幅１ｍｍ、厚さ２０μｍ〜５００μｍが好ましい。また、１枚の箔から複数のコンデンサ素子を作成する場合には、例えば長さ５００ｍｍ×幅５００ｍｍ〜長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ、厚さ２０μｍ〜５００μｍが好ましい。
【００５８】
また、上記インデンテーションの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記インデンテーションとしては、第１の弁金属の箔１３として例えばＡｌ箔を用いた場合、該Ａｌ箔の表面に、２次元三角格子状の三角格子をなす突起の格子定数７０ｎｍで、例えば複数の微小突起が形成されたＳｉＣ製の押型で押圧することが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、単一の微小突起を有する例えば円錐状の押型を用いて、所定の配置になるように複数回押圧を繰り返してもよい。
【００５９】
また、上記陽極酸化の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記陽極酸化としては、例えば、陽極酸化浴（０．３ＭのＨ２ＳＯ４、温度１０℃）中で酸化電圧を２５Ｖ一定の条件で、前記第１のグループに属する凹部１５ａ２がそれぞれ所定の深さとなるように行なうことが好ましい。
【００６０】
次に、上記誘電体層ｄの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記誘電体層ｄとしては、前記第１の弁金属の箔１３に陽極酸化を施すことにより、多孔板状に形成されることが好ましい。上記誘電体１４と同様に、前記第１の弁金属の酸化物であることが好ましく、例えば、Ａｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３が好ましい。この場合、該誘電体層ｄの誘電率は約１０である。また、これに限定されるものではなく、例えば、上記その他の弁金属、例えばＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｗ，Ｖの酸化物であってもよい。
【００６１】
次に、上記誘電体１４の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記誘電体１４としては、前記第１の弁金属の箔１３に陽極酸化を施すことにより、多孔板状に形成されることが好ましい。上記誘電体としては、前記第１の弁金属の酸化物であることが好ましく、例えば、Ａｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３が好ましいが、これに限定されるものではなく、上記その他の弁金属、例えばＴａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｗ，Ｖの酸化物であってもよい。
【００６２】
次に、上記シード層Ｓの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記シード層Ｓとしては、Ｃｕが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｎｉの単体もしくはそれらの合金であってもよい。上記シード層Ｓは、上記多孔板状の誘電体１４の一方の主面１４ａ側から前記第１のグループに属する凹部１５ａ２，および前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２のそれぞれ内面に、無電解メッキにより形成されることが好ましい。また、その厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。
【００６３】
また、上記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側に施すエッチングの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記エッチングとしては、上記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側を例えばＨｇＣｌ２溶液中に浸漬して、化学エッチングすることが好ましい。
【００６４】
次に、上記第１の柱状電極１６ａおよび第２の柱状電極１６ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記柱状電極１６ａ，１６ｂとしては、上記引出電極１２ａ，１２ｂと同様に、Ｃｕが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｎｉの単体もしくはそれらの合金であってもよい。また、上記柱状電極１６ａ，１６ｂは、上記第１のグループに属する孔１５ａ３，１５ｂ３の前記シード層Ｓ上に、電解メッキにより形成されることが好ましい。上記柱状電極１６ａ，１６ｂの直径は数ｎｍ〜数百ｎｍのものであればよい。また、上記柱状電極１６ａ，１６ｂの高さは特に制限はないが数ｎｍ〜数μｍであればよく、より好ましくは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。
【００６５】
次に、上記第１の引出電極１２ａ、および第２の引出電極１２ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記引出電極１２ａ，１２ｂとしては、Ｃｕが好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｎｉの単体もしくはそれらの合金であってもよい。上記引出電極１２ａ，１２ｂは、上記多孔板状の誘電体１４の一方の主面１４ａおよび他方の主面１４ｂをそれぞれ覆うように、電解メッキ、無電解メッキ、あるいは真空蒸着等の手段により面状に形成されることが好ましく、その厚さは１μｍ〜１００μｍが好ましい。
【００６６】
次に、上記導電性高分子層１７ａ，１７ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記導電性高分子層１７ａ，１７ｂとしては、モノマーと電解質とからなる水溶液中で上記誘電体１４に給電し、電解重合により、前記第１のグループに属する孔１５ａ３、および第２のグループに属する孔１５ｂ３をそれぞれ塞ぐように形成することが好ましい。上記モノマーとしては、例えばピロール（濃度０．２ｍｏｌ／ｌ）が好ましいが、これに限定するものではなく、例えば、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェン、トリアジンチオール、ポリ（チエニルピロール）等が好ましい。また、上記電解質としては、例えば、ｐ−スルホン酸ナトリウム（ＰＴＳ）の水溶液（濃度０．３ｍｏｌ％／ｌ）が好ましい。また、上記導電性高分子層１７ａ，１７ｂの厚さは、例えば１００ｎｍ〜１０μｍが好ましい。
【００６７】
また、上記第２の柱状電極１６ｂ、および上記第２の引出電極１２ｂの形成にあっては、上記電解メッキ法に限定するものではなく、例えば、無電解メッキ法であってもよく、また、真空蒸着法等を用いてもよい。
【００６８】
また、上記有機絶縁体層１８ａ，１８ｂの好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記導電性高分子層１７ａ，１７ｂが形成された誘電体１４を、上記導電性高分子層１７ａ，１７ｂ中の前記モノマーの分解温度（ピロールの場合は約３００℃）まで例えば空気中で昇温し、例えば１時間保持することにより前記導電性高分子層１７ａ，１７ｂを熱分解させて、絶縁体化することが好ましい。
【００６９】
次に、上記絶縁体層１８の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記絶縁体層１８としては、導電性高分子層を熱分解して得られた有機絶縁体、ＴｉＯ２電着層を熱処理して得られたＴｉＯ２膜、ＳｉＯ２電着膜、Ｓｎ−Ｐｄメッキ層上に湿式堆積されたＳｉＯ２層、絶縁性樹脂層等が好ましく、また、第２の弁金属の酸化物層や空気層であってもよい。
【００７０】
また、上記電圧印加の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記電圧印加としては、第１の引出電極１２ａと第２の引出電極１２ｂとの間に、例えば２５Ｖの電圧を印加し、例えば、前記有機絶縁体層１８ａ，１８ｂ中に残存する前記シード層等の短絡部分に電流を流し、これにより該短絡部分を焼き切ることにより、漏れ電流を低減させることが好ましい。
【００７１】
（実施例１）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、直径１０ｎｍのＳｉＣ製の押型１１ａを用いて複数箇所にインデンテーションを行い、該箔１３の一方の主面に２次元三角格子状の三角格子をなす突起の格子定数１０５ｎｍで、微小凹部を形成した。
次に、該箔１３の前記一方の主面を陽極酸化浴（０．３ＭのＨ２ＳＯ４、温度１０℃）中に浸漬して酸化電圧２５Ｖ一定の条件で陽極酸化を行ない、それぞれ内径３０ｎｍで、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。次に、前記第１および第２のグループに属する凹部１５ａ２，１５ｂ２の内面に、無電解メッキにより、シード層Ｓを形成した。次に、前記第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成した。次に、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内面のシード層Ｓに給電して、Ｃｕ電解メッキにより、第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成するとともに、多孔板状の誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の引出電極１２ａを形成した。次に、上記誘電体１４の上記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部を前記と同様に化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、モノマーであるピロール（濃度０．２ｍｏｌ／ｌ）と電解質であるｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム（ＰＴＳ）の水溶液（濃度０．３ｍｏｌ／ｌ）中で、再度給電し、電解重合により、上第１および第２のグループに属する孔を塞ぐようにポリピロールからなる導電性高分子層１７ａ，１７ｂを形成した。次に、再びＣｕ電解メッキにより、前記第２の孔１５ｂ３の内部に第２の柱状電極１６ｂを形成するとともに、多孔板状の誘電体１４の他方の主面１４ｂに第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、大気中でポリピロールの分解温度である３００℃まで昇温し、１時間保持して、前記ポリピロールからなる導電性高分子層１７ａ，１７ｂを熱分解させて導電性を失わせ、それぞれ厚さ３μｍの有機絶縁体層１８ａ，１８ｂを形成した。次に、第１の引出電極１２ａおよび第２の引出電極１２ｂの間に２５Ｖの（交流／直流）電圧を印加し、前記有機絶縁体層１８ａ，１８ｂ中に残存する例えばシード層Ｓ等の対向電極間の短絡部分を焼き切り、漏れ電流が低減した長さ１．５ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのコンデンサ素子１０を得た。尚、上記コンデンサ素子１０においては、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであり、従来の同サイズの電解コンデンサにおける静電容量４７μＦ、耐電圧４Ｖに比較して、ＣＶ積が大きいものであった。
【００７２】
尚、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第１の実施形態は、先に示した一例に限定するものではなく、例えば、以下のように変形してもよい。
図７は、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第１の実施形態の製造プロセスの他の例の概要を示すフローチャートである。
具体的には、先の一例が、ｌ：例えば熱分解により、前記導電性高分子層を絶縁化する工程の後に、ｍ：例えば電圧印加により対向電極間の短絡部分を焼き切る工程を設けていたのに対し、本変形例では、ｌ’例えば高温下で電圧印加することにより、導電性高分子層を絶縁化すると同時に短絡部分を焼き切りしてもよい。尚、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法は、すべてを湿式プロセスで構成でき、安価なコンデンサ素子を提供することができる。
また、漏れ電流を焼き切りにより制御できるという特徴を有する。
【００７３】
次に、本発明のコンデンサ素子の第２の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１２０の絶縁体層は先の第１の実施形態と同様に例えば導電性高分子層を熱分解により絶縁化して得られた有機絶縁体層からなるため説明を省略する。
【００７４】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第２の実施形態について、図８〜図１２を参照して説明する。図８は、本実施形態のコンデンサ素子１２０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図９及び図１０は、該製造プロセスの各工程について説明するための上記図１（Ｂ）に対応する縦断面図であり、先の第１の実施形態の図４（ａ）〜（ｅ）に続いて、図９（ｇ２）〜（ｉ２）、図１０（ｋ２１）〜（ｆ２２）の順である。尚、図８における各工程に付与した符号は図９及び図１０のカッコ内の符号と対応する。
【００７５】
本実施形態のコンデンサ素子の製造方法の概要は、図８に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面に例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ２：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ２１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ２：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、ｊ２１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上を塞ぐように絶縁体層１２８ａを形成する。次に、ｉ２：前記第１の給電電極１２ａ’と、前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｋ２１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ２２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、ｊ２２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上を塞ぐように絶縁体層１２８ｂを形成する。次に、ｆ２２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接続する第１の引出電極１２ａを形成する。
【００７６】
次に、本実施形態のコンデンサ素子１２０の製造方法が先の第１の実施形態のコンデンサ素子１０の製造方法と異なる点を述べる。先の実施形態においては第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上と第２のグループに属する孔１５ｂ３の底部とに絶縁体層１８を一括して形成したが、本実施形態においては、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１２８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１２８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。尚、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法は、すべてを湿式プロセスで構成でき、安価なコンデンサ素子を提供することができる。
【００７７】
次に、本実施形態のコンデンサ素子１２０の製造方法の一例を図１１及び図１２に示す。図１１は本実施形態の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図１２は、該製造プロセスの絶縁体層１８の形成工程について説明するための縦断面図である。尚、図１１における各工程に付与した符号は図１２のカッコ内の符号と対応する。
【００７８】
具体的には、本実施形態のｊ２１：第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に絶縁体層１２８ａを形成する工程が、ｊ２１１：前記第１の給電電極１２ａ’を給電層として前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に、例えば電解重合により、導電性高分子層１２７ａを形成した後、ｊ２１２：前記導電性高分子層１２７ａを例えば熱分解により絶縁化して絶縁体層１２８ａを形成するものである。同様に、本実施形態のｊ２２：前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に絶縁体層１２８ｂを形成する工程は、ｊ２２１：前記第２の引出電極１２ｂを給電層として、例えば電解重合により、前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に導電性高分子層１２７ｂを形成した後、ｊ２２２：前記導電性高分子層１２７ｂを絶縁化して絶縁体層１２８ｂを形成するものである。
【００７９】
次に、上記第１の給電電極１２ａ’の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記第１の給電電極１２ａ’の材料としては、金属（例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｌから選択された少なくとも一種）を用いることができる。また、上記第１の給電電極１２ａ’の厚さは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。また、上記第１の給電電極１２ａ’の形成方法としては、無電解メッキの他、ＰＶＤ，ＣＶＤ等を用いることができる。
【００８０】
（実施例２）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、第1のグループに属する凹部１５ａ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第１のグループに属する孔１５ａ３を形成した。次に、一方の主面１４ａ上に無電解メッキによりＮｉからなる第１の給電電極１２ａ’を形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’に給電して、Ｃｕ電解メッキにより、第1のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に該孔１５ａ３を塞ぐように電着ポリイミド樹脂からなる導電性高分子層１２７ａを形成し、３００℃で１時間熱処理して熱分解により導電性を失わせ、厚さ３μｍの有機絶縁体からなる絶縁体層１２８ａを形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’、及び前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに無電解メッキによりＮｉからなる第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記引出電極１２ｂを給電層としてＣｕ電解メッキにより、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様に前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に該孔１５ｂ３を塞ぐように電着ポリイミド樹脂からなる導電性高分子層１２７ｂを形成し、熱処理して熱分解により導電性を失わせ、厚さ３μｍの有機絶縁体からなる絶縁体層１２８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１２０を得た。尚、上記コンデンサ素子１２０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１２０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【００８１】
次に、本発明のコンデンサ素子の第３の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１３０は、前記絶縁体層がＴｉＯ２膜からなる点で、先に第１および第２の実施形態のコンデンサ素子と異なる。その他の構成は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。なお、本実施形態のコンデンサ素子は、絶縁性に優れるという特徴を有する。
【００８２】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第３の実施形態について、図１３及び図１４を参照して説明する。図１３は、本実施形態のコンデンサ素子１３０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図１４は、該製造プロセスの絶縁体層の形成工程について説明するための縦断面図である。尚、図１３における各工程に付与した符号は図１４のカッコ内の符号と対応する。
【００８３】
本実施形態のコンデンサ素子１３０の製造方法の概要は、図１３に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面に例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ３：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ３１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ３：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、先の第２の実施形態の前者の絶縁層形成工程ｊ２１に対応する工程として、ｊ３１１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に前記孔１５ａ３を塞ぐように例えば電解メッキによりＴｉＯ２電着膜１３７ａを形成した後、ｊ３１２：前記ＴｉＯ２電着膜１３７ａを例えば熱処理により絶縁化してＴｉＯ２膜からなる絶縁体層１３８ａを形成する。次に、ｉ３：前記第１の給電電極１２ａ’と、前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｋ３１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ３２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、先の第２の実施形態の後者の絶縁層形成工程ｊ２２に対応する工程として、ｊ３２１：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に孔１５ｂ３を塞ぐようにＴｉＯ２電着膜１３７ｂを形成した後、ｊ３２２：前記ＴｉＯ２電着膜１３７ｂを絶縁化してＴｉＯ２膜からなる絶縁体層１３８ｂを形成する。次に、ｆ３２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接続する第１の引出電極１２ａを形成する。
【００８４】
本実施形態のコンデンサ素子の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１３８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１３８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【００８５】
次に、上記ＴｉＯ２電着膜の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記ＴｉＯ２電着膜としては、塩化チタン溶液中で電解メッキ処理することによって得られるチタン酸化物膜を用いることができる。前記ＴｉＯ２電着膜の厚さは数十ｎｍ〜数μｍ程度が好ましい。
【００８６】
次に、上記ＴｉＯ２層の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記ＴｉＯ２層としては、厚さ数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。なお、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法においては、絶縁層の形成が容易であるという特徴を有する。
【００８７】
次に、上記熱処理の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記熱処理としては、酸素雰囲気中で例えば４５０℃で３０分間程度の熱処理条件が好ましい。
【００８８】
（実施例３）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、前記実施例２と同様にして、第１のグループに属する孔１５ａ３、第１の給電電極１２ａ’、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、塩化チタン溶液中で電解メッキ処理して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に該孔１５ａ３を塞ぐように電着ＴｉＯｘ層１３７ａを形成し、４５０℃で３０分間熱処理してＴｉＯ２からなる厚さ７．５μｍの絶縁体層１３８ａを形成した。次に、前記実施例２と同様に、第２のグループに属する孔１５ｂ３、第２の引出電極１２ｂ、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様にしてＴｉＯ２からなる厚さ７．５μｍの絶縁体層１３８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１３０を得た。尚、上記コンデンサ素子１３０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１３０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【００８９】
次に、本発明のコンデンサ素子の第４の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１４０は、前記絶縁体層がＳｉＯ２膜からなる点で、先に第１〜第３の実施形態のコンデンサ素子と異なる。その他の構成は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。なお、本実施形態のコンデンサ素子１４０は、熱安定性に優れるという特徴を有する。
【００９０】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第４の実施形態について、図１５を参照して説明する。図１５は、本実施形態のコンデンサ素子１４０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。
【００９１】
本実施形態のコンデンサ素子１４０の製造方法の概要は、図１５に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１２，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ４：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ４１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ４：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、先の第２の実施形態の前者の絶縁層形成工程ｊ２１に対応する工程として、ｊ４１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に前記孔１５ａ３を塞ぐように例えば電解メッキによりＳｉＯ２層からなる絶縁体層１４８ａを形成する。次に、ｉ４：前記第１の給電電極１２ａ’と、前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｋ４１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ４２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、先の第２の実施形態の後者の絶縁層形成工程ｊ２２に対応する工程として、ｊ４２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に孔１５ｂ３を塞ぐようにＳｉＯ２層からなる絶縁体層１４８ｂを形成する。次に、ｆ４２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接する第１の引出電極１２ａを形成する。
【００９２】
本実施形態のコンデンサ素子１４０の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１４８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１４８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【００９３】
次に、上記ＳｉＯ２層の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記ＳｉＯ２層としては、珪フッ化アンモニウム溶液中で電解メッキ処理することによって得られる珪素酸化物膜を用いることができる。前記ＳｉＯ２層の厚さは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。また、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法は、プロセスが簡便であるという特徴を有する。
【００９４】
（実施例４）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、前記実施例２と同様にして、第１のグループに属する孔１５ａ３、第１の給電電極１２ａ’、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、珪フッ化アンモニウム溶液中で電解メッキ処理して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に該孔１５ａ３を塞ぐようにＳｉＯ２膜からなる厚さ１．５μｍの絶縁体層１４８ａを形成した。次に、前記実施例２と同様に、第２のグループに属する孔１５ｂ３、第２の引出電極１２ｂ、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様にしてＳｉＯ２膜からなる厚さ１．５μｍの絶縁体層１４８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１４０を得た。尚、上記コンデンサ素子１４０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１４０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【００９５】
次に、本発明のコンデンサ素子の第５の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１５０は、前記絶縁体層がＳｉＯ２膜からなる点で、先の第４の実施形態のコンデンサ素子と同様である。その他の構成は先の第１の実施形態のコンデンサ素子１０と同様であるため説明を省略する。なお、本実施形態のコンデンサ素子１５０は、先の第４の実施形態のコンデンサ素子１４０と同様に、熱安定性に優れるという特徴を有する。
【００９６】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第５の実施形態について、図１６及び図１７を参照して説明する。図１６は、本実施形態のコンデンサ素子１５０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図１７は、該製造プロセスの絶縁体層形成工程について説明するための縦断面図である。尚、図１６における各工程に付与した符号は図１７のカッコ内の符号と対応する。
【００９７】
本実施形態のコンデンサ素子１５０の製造方法の概要は、図１６に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ５：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ５１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ５：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、先の第２の実施形態の前者の絶縁層形成工程ｊ２１に対応する工程として、ｊ５１１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に前記孔１５ａ３を塞ぐように例えば電解メッキによりＳｎ−Ｐｄメッキ層１５７ａを形成した後、ｊ５１２：前記Ｓｎ−Ｐｄメッキ層１５７ａ上に前記孔１５ａ３を塞ぐようにＳｉＯ２層からなる絶縁体層１５８ａを湿式堆積により形成する。次に、ｉ５：前記第１の給電電極１２ａ’と、前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｋ５１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ５２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、先の第２の実施形態の後者の絶縁層形成工程ｊ２２に対応する工程として、ｊ５２１：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に孔１５ｂ３を塞ぐようにＳｎ−Ｐｄメッキ層１５７ｂを形成した後、ｊ５２２：前記Ｓｎ−Ｐｄメッキ層１５７ｂ上にＳｉＯ２層からなる絶縁体層１５８ｂを湿式堆積により形成する。次に、ｆ５２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接する第１の引出電極１２ａを形成する。
【００９８】
本実施形態のコンデンサ素子１５０の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１５８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１５８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【００９９】
次に、上記Ｓｎ−Ｐｄメッキ層の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記Ｓｎ−Ｐｄメッキ層としては、ＳｎＣｌ２溶液、ＰｄＣｌ２溶液中でそれぞれ電解メッキ処理することで得られる。前記メッキ膜の厚さは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。
【０１００】
次に、上記ＳｉＯ２層の湿式堆積の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記ＳｉＯ２層の湿式堆積としては、珪フッ化アンモニウム溶液中で無電解メッキ処理で得られる珪素酸化物膜を用いることができる．厚さは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。また、本実施形態のコンデンサ素子の製造方法においては、プロセスが簡便であるという特徴を有する。また、上記ＳｉＯ２層の湿式堆積は、上記無電解メッキ処理に限定するものではなく、例えば、スラリービルド法等を用いてＳｉＯ２層を形成することもできる。
【０１０１】
（実施例５）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、前記実施例２と同様にして、第１のグループに属する孔１５ａ３、第１の給電電極１２ａ’、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、ＳｎＣｌ２溶液、ＰｄＣｌ２溶液中でそれぞれ電解メッキ処理して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に該孔１５ａ３を塞ぐようにＳｎ−Ｐｄメッキ層１５７ａを形成した。次に、珪フッ化アンモニウム溶液中で無電解メッキ処理して、前記Ｓｎ−Ｐｄメッキ層上に該孔１５ａ３を塞ぐようにＳｉＯ２膜からなる厚さ１．５μｍの絶縁体層１５８ａを形成した。次に、前記実施例２と同様に、第２のグループに属する孔１５ｂ３、第２の引出電極１２ｂ、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様にしてＳｎ−Ｐｄメッキ層１５７ｂ上にＳｉＯ２膜からなる厚さ１．５μｍの絶縁体層１５８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１５０を得た。尚、上記コンデンサ素子１５０においては、前記第１の実施例のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１５０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【０１０２】
次に、本発明のコンデンサ素子の第６の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１６０は、前記絶縁体層が絶縁性樹脂層からなる点で、先に第１〜第５の実施形態のコンデンサ素子と異なる。その他の構成は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０３】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第６の実施形態について、図１８〜図２０を参照して説明する。図１８は、本実施形態のコンデンサ素子１６０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図１９及び図２０は、該製造プロセスの各工程について説明するための上記図１（Ｂ）に対応する縦断面図であり、先の第１の実施形態の図４（ａ）〜（ｅ）に続いて、図１９（ｇ６）〜（ｊ６１）、図２０（ｋ６１）〜（ｆ６２）の順である。尚、図１８における各工程に付与した符号は図１９及び図２０のカッコ内の符号と対応する。
【０１０４】
本実施形態のコンデンサ素子１６０の製造方法の概要は、図１８に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ６：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ６１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ６：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、ｉ６：前記第１の給電電極１２ａ’と、第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｊ６１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に前記孔１５ａ３を塞ぐように絶縁体層１６８ａを形成する。次に、ｋ６１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ６２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の引出電極１２ｂ上に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、ｊ６２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に孔１５ｂ３を塞ぐように絶縁体層１６８ｂを形成する。次に、ｆ６２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接する第１の引出電極１２ａを形成する。
【０１０５】
本実施形態のコンデンサ素子１６０の製造方法は、先の第２の実施形態のコンデンサ素子の製造方法と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１６８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１６８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【０１０６】
次に、本実施形態のコンデンサ素子１６０の製造方法の一例を図２１及び図２２に示す。図２１は本実施形態の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図２２は、該製造プロセスの絶縁体層形成工程について説明するための縦断面図である。
【０１０７】
具体的には、本実施形態のｊ６１：前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に絶縁体層１６８ａを形成する工程は、まず、例えばチャンバー内で樹脂溶液中に前記誘電体１４を浸漬した状態で前記チャンバーを減圧して、ｊ６１１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上及び第２のグループに属する孔１５ｂ３内に孔１５ｂ３を塞ぐように絶縁性樹脂の溶液１６７ａを埋め込む。次に、例えば前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側から減圧吸引して、ｊ６１２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の樹脂溶液１６７ａを除去する。その後、例えば大気中１５０℃で３０分間熱処理して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上のみに選択的に残った樹脂の溶液１６７ａを硬化させて絶縁体層１６８ａを形成するものである。
【０１０８】
次に、上記絶縁性樹脂の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記絶縁性樹脂としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等が好ましい。前記絶縁性樹脂の厚さは数十ｎｍ〜数μｍが好ましい。尚、絶縁性樹脂層としてポリイミド樹脂を用いた場合には、絶縁破壊電位頻度が４０００００Ｖ／ｍと大きいという特徴を有する。また、絶縁性樹脂層としてエポキシ樹脂を用いた場合には、吸湿性が低く、リフロー半田耐熱試験の耐久性が高いという特徴を有する。
【０１０９】
（実施例６）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、第1のグループに属する凹部１５ａ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第１のグループに属する孔１５ａ３を形成した。次に、一方の主面１４ａ上に無電解メッキによりＮｉからなる第１の給電電極１２ａ’を形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’に給電して、Ｃｕ電解メッキにより、第1のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’、及び前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、ポリイミド樹脂の溶液を貯えたチャンバー内に上記誘電体１４を収容した後、前記チャンバーを減圧して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上及び前記第２のグループに属する孔１５ａ３を塞ぐように、ポリイミド樹脂の溶液を充填した。次に、前記誘電体の一方の主面１４ａ側から減圧吸引することにより前記第２のグループに属する孔１５ａ３内の樹脂溶液を除去した後、大気中１５０℃で３０分間熱処理して前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上のみに選択的に残った樹脂の溶液１６７ａを硬化させて、厚さ７５ｎｍの絶縁性樹脂からなる絶縁体層１６８ａを形成した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに無電解メッキによりＮｉからなる第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記引出電極１２ｂを給電層としてＣｕ電解メッキにより、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様に前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に該孔１５ｂ３を塞ぐように前記と同様にポリイミド樹脂の溶液１６７ｂを充填し、前記と同様に熱処理して、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上を塞ぐ厚さ７５ｎｍの絶縁性樹脂からなる絶縁体層１６８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１６０を得た。尚、上記コンデンサ素子１６０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１６０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【０１１０】
次に、本発明のコンデンサ素子の第７の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１７０は、前記絶縁体層が絶縁性樹脂層からなる点で、先の第６の実施形態のコンデンサ素子と同様であるため説明を省略する。
【０１１１】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第７の実施形態について、図２３及び図２４を参照して説明する。図２３は、本実施形態のコンデンサ素子１７０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図２４は、該製造プロセスの絶縁体層形成工程について説明するための縦断面図である。尚、図２３における各工程に付与した符号は図２４のカッコ内の符号と対応する。
【０１１２】
本実施形態のコンデンサ素子１７０の製造方法の概要は、図２３に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ７：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。次に、ｆ７１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ７：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、ｉ７：前記第１の給電電極１２ａ’と、第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、先の第６の実施形態の前者の絶縁層形成工程ｊ６１に対応する工程として、ｊ７１１：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ側の他方の主面１４ｂに絶縁性樹脂膜１７７ａを形成した後、ｊ７１２：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内を除く他方の主面１４ｂ上の絶縁性樹脂膜１７７ａを除去することにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上に前記孔１５ａ３を塞ぐように絶縁体層１７８ａを形成する。次に、ｋ７１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ７２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、先の第６の実施形態の後者の絶縁層形成工程ｊ６２に対応する工程として、ｊ７２１：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に孔１５ｂ３を塞ぐように絶縁性樹脂膜１７７ｂを形成した後、ｊ７２２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内を除く一方の主面１４ａ上の絶縁性樹脂膜１７７ｂを除去することにより、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に前記孔１５ｂ３を塞ぐように絶縁体層１７８ｂを形成する。次に、ｆ７２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接する第１の引出電極１２ａを形成する。
【０１１３】
本実施形態のコンデンサ素子１７０の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１７８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１７８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【０１１４】
次に、上記絶縁性樹脂膜の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記絶縁性樹脂膜の材料としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等が好ましい。また、前記絶縁性樹脂膜の厚さは数十ｎｍ〜数μｍ程度が好ましい。上記絶縁性樹脂膜の形成方法は、スピンコート法やスプレー法等の公知の塗布手法を用いることができる。
【０１１５】
（実施例７）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、前記実施例６と同様にして、第１のグループに属する孔１５ａ３、第１の柱状電極１６ａ、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、上記誘電体１４の他方の主面１４ｂ上にスピンコート法によりポリイミド樹脂の溶液を塗布して、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上及び前記第２のグループに属する孔１５ａ３の他方の主面１４ｂ側を塞ぐように、ポリイミド樹脂の溶液を充填して絶縁性樹脂膜１７７ａを形成した。次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内および前記他方の主面１４ｂ上の絶縁性樹脂膜１７７ａをフォトリソグラフィにより除去した後、大気中１５０℃で３０分間熱処理して前記第１のグループに属する孔１５ａ３内の前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上のみに選択的に残った絶縁性樹脂膜１７７ａを硬化させて、厚さ７５ｎｍの絶縁性樹脂からなる絶縁体層１７８ａを形成した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに無電解メッキによりＮｉからなる第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記引出電極１２ｂを給電層としてＣｕ電解メッキにより、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様に前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上に該孔１５ｂ３を塞ぐように前記と同様にポリイミド樹脂の溶液を塗布して絶縁性樹脂膜１７７ｂを形成した。次に、前記一方の主面１４ａ上の絶縁性樹脂膜１７７ｂをエッチバックにより除去した後、前記と同様に熱処理して、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上を塞ぐ厚さ７５ｎｍの絶縁性樹脂膜からなる絶縁体層１７８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１７０を得た。尚、上記コンデンサ素子１７０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１７０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【０１１６】
次に、本発明のコンデンサ素子の第８の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１８０は、前記絶縁体層が第２の弁金属の酸化物からなる点で、先に第１〜第７の実施形態のコンデンサ素子と異なる。その他の構成は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。尚、本実施形態のコンデンサ素子１８０は、絶縁体層が誘電体層と同物質である場合に、前記絶縁体層と誘電体層との親和性が高いという特徴を有する。
【０１１７】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第８の実施形態について、図２５〜図２８を参照して説明する。図２５は、本実施形態のコンデンサ素子１８０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図２６〜図２８は、該製造プロセスの各工程について説明するための上記図１（Ｂ）に対応する縦断面図であり、先の第１の実施形態の図４（ａ）〜（ｅ）工程に続いて、図２６（ｇ８）〜（ｊ８１１）、図２７（ｊ８１２）〜（ｋ８２）、図２８（ｊ８２１）〜（ｆ８２）の順である。尚、図２５における各工程に付与した符号は図２６〜図２８のカッコ内の符号と対応する。
【０１１８】
本実施形態のコンデンサ素子１８０の製造方法の概要は、図２５に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ８：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。ｆ８１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ８：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、ｉ８１：第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｊ８１１：第１のグループの属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ側の他方の主面１４ｂに第２の弁金属の層１８７ａを形成する。次に、ｊ８１２：前記第１のグループに属する孔１５ａ３内を除く他方の主面１４ｂ上の第２の弁金属の層１８７ａを除去する。次に、ｊ８１３：第１の給電電極１２ａ’を給電層として前記第２の弁金属の層１８７ａを陽極酸化して第２の弁金属の酸化物からなる絶縁体層１８８ａを形成する。次に、ｉ８２：前記第１の給電電極１２ａ’を例えば化学エッチングにより除去する。次に、ｋ８１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えば無電解メッキにより第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ８２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の引出電極１２ｂ上に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、ｊ８２１：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ側の一方の主面１４ａに第２の弁金属の層１８７ｂを形成する。次に、ｊ８２２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内を除く一方の主面１４ａ上の第２の弁金属の層１８７ｂを除去する。次に、ｊ８２３：第２の引出電極１２ｂを給電層として第２の弁金属の層１８７ｂを陽極酸化して第２の弁金属の酸化物からなる絶縁体層１８８ｂを形成する。次に、ｆ８２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接する第１の引出電極１２ａを形成する。
【０１１９】
本実施形態のコンデンサ素子１８０の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上の絶縁体層１８８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１８８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【０１２０】
次に、上記第２の弁金属の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記第２の弁金属としては、Ａｌ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｗ，Ｓｂなどを用いることができる。また、前記第２の弁金属の酸化物からなる絶縁体層の厚さは数ｎｍ〜数百ｎｍが好ましい。また、上記２の弁金属は、前記第１の弁金属と同じであってもよい。
【０１２１】
（実施例８）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、第1のグループに属する凹部１５ａ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第１のグループに属する孔１５ａ３を形成した。次に、一方の主面１４ａ上に無電解メッキによりＮｉからなる第１の給電電極１２ａ’を形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’に給電して、Ｃｕ電解メッキにより、第1のグループに属する孔１５ａ３内に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成した。次に、前記第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底をＨｇＣｌ２溶液を用いて化学エッチングにより除去して、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側にＡｌをスパッタして、前記第１のグループの属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６ａの先端ｔ上にＡｌからなる第２の弁金属の層１８７ａを形成した。次に、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内を除く他方の主面１４ｂ上の第２の弁金属の層１８７ａをエッチバックにより除去した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’を給電層として前記第２の弁金属の層１８７ａを陽極酸化して前記第２の弁金属の酸化物（Ａｌ２Ｏ３）からなる厚さ３μｍの絶縁体層１８８ａを形成した。次に、前記第１の給電電極１２ａ’を化学エッチングにより除去した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに無電解メッキによりＮｉからなる第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記引出電極１２ｂを給電層としてＣｕ電解メッキにより、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様にして、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上を塞ぐ第２の弁金属の酸化物（Ａｌ２Ｏ３）からなる厚さ３μｍの絶縁体層１８８ｂを形成した。次に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａに前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂと接するようにＣｕ電解メッキにより第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１８０を得た。尚、上記コンデンサ素子１８０においては、前記実施例１のコンデンサ素子１０と同様に、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１８０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【０１２２】
次に、本発明のコンデンサ素子の第９の実施形態について説明する。本実施形態のコンデンサ素子１９０は、前記絶縁体層が空気層からなる点で、先に第１〜第８の実施形態のコンデンサ素子と異なる。その他の構成は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。なお、本実施形態のコンデンサ素子１９０は、漏れ電流が小さいという特徴を有する。
【０１２３】
次に、本発明のコンデンサ素子の製造方法の第９の実施形態について、図２９〜図３１を参照して説明する。図２９は、本実施形態のコンデンサ素子１９０の製造方法の製造プロセスの一例の概要を示すフローチャートである。また、図３０及び図３１は、該製造プロセスの各工程について説明するための上記図１（Ｂ）に対応する縦断面図であり、先の第１の実施形態の図４（ａ）〜（ｅ）工程に続いて、図３０（ｇ９）〜（ｉ９）、図３１（ｋ９１）〜（ｆ９２）の順である。尚、図２９における各工程に付与した符号は図３０及び図３１のカッコ内の符号と対応する。
【０１２４】
本実施形態のコンデンサ素子１９０の製造方法の概要は、図２９に示すように、ａ：第１の弁金属の箔１３を準備し、ｂ，（ｄ）：該箔１３の一方の主面１３ａに例えばインデンテーションにより微小凹部１５ａ１，（１５ｂ１）を形成する。次に、ｃ，ｅ：例えば陽極酸化により、前記箔１３の一方の主面１３ａに、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを備えた誘電体１４を形成する。次に、ｇ９：前記誘電体１４の第１のグループに属する凹部１５ａ２の底部を例えば化学エッチングにより除去して第１のグループに属する孔１５ａ３を形成する。ｆ９１：例えば無電解メッキにより、前記誘電体１４の前記一方の主面１４ａに第１の給電電極１２ａ’を形成する。次に、ｈ９：例えば電解メッキにより、前記第１のグループに属する孔１５ａ３内に前記誘電体１４の他方の主面１４ｂ側の前記孔１５ａ３の先端を残して、第１の柱状電極１６ａを形成する。次に、ｉ９：第１の給電電極１２ａ’と、第２のグループに属する凹部１５ｂ２の底部とを例えば化学エッチングにより除去して第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成する。次に、ｋ９１：前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、例えばスパッタにより、前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔとの間に空気層からなる絶縁体層１９８ａを介して第２の引出電極１２ｂを形成する。次に、ｋ９２：前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の引出電極１２ｂ上に、前記誘電体１４の一方の主面１４ａ側の前記孔１５ｂ３の先端を残して、第２の柱状電極１６ｂを形成する。次に、ｆ９２：前記誘電体１４の一方の主面１４ａに、第２の柱状電極１６ｂの先端ｔとの間に空気層からなる絶縁体層１９８ｂを介して、第１の柱状電極１６ａの基端部ｂと接続する第１の引出電極１２ａを形成する。
【０１２５】
本実施形態のコンデンサ素子１９０の製造方法は、先の第２の実施形態と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３内の第１の柱状電極１６の先端ｔ上の絶縁体層１９８ａと、第２のグループに属する孔１５ｂ３内の第２の柱状電極１６ｂの先端ｔ上の絶縁体層１９８ｂとを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
【０１２６】
次に、上記空気層の好ましい実施形態について説明する。すなわち、上記空気層の厚さ寸法は、数十ｎｍ〜数μｍであることが好ましい。また、本実施形態のコンデンサ素子１９０の製造方法は、プロセスが簡便であるという特徴を有する。
【０１２７】
（実施例９）
まず、長さ３．０ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ２００μｍのＡｌ製の箔１３を準備し、先の第１の実施例と同様にして、異なる深さの第１のグループに属する凹部１５ａ２と第２のグループに属する凹部１５ｂ２とを有する多孔板状の誘電体１４を形成した。
次に、前記実施例６と同様に、第１のグループに属する孔１５ａ３、第１の柱状電極１６ａ、第２のグループに属する孔１５ｂ３を形成した。次に、前記誘電体１４の他方の主面１４ｂに、Ｎｉスパッタにより、前記第１の柱状電極１６ａの先端ｔとの間に間隙寸法８．５μｍの空気層からなる絶縁体層１９８ａを介して第２の引出電極１２ｂを形成した。次に、次に、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内に前記引出電極１２ｂを給電層としてＣｕ電解メッキにより第２の柱状電極１６ｂを形成した。次に、前記と同様に前記誘電体１４の一方の主面１４ａにＮｉスパッタにより、前記第２のグループに属する孔１５ｂ３内の前記第２の柱状電極１６ｂの先端ｔとの間に間隙寸法８．５μｍの空気層からなる絶縁体層１９８ｂを介して、前記第１の柱状電極１６ａの基端ｂに接続するように第１の引出電極１２ａを形成してコンデンサ素子１９０を得た。尚、上記コンデンサ素子１０においては、第１の柱状電極１６ａ及び第２の柱状電極１６ｂがそれぞれ、直径３０ｎｍ、第１の柱状電極１６ａと第２の柱状電極１６ｂのピッチが７０ｎｍ、前記第１の柱状電極１６ａと前記第２の柱状電極１６ｂとの対向する長さ寸法は１００μｍであった。
得られたコンデンサ素子１９０について、アジレント社製のＬＣＲメーター４２６３Ｂを用いて静電容量を測定するとともに、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製の高抵抗計Ｒ８３４０を用いて耐電圧を測定した結果、前記実施例１と同様に、静電容量が０．２５ｍＦ，耐電圧が３０Ｖの初期特性を有するものであった。
【０１２８】
上記第２〜第９の実施形態のコンデンサ素子の製造方法においては、いずれも、上記のように第１のグループに属する孔内の第１の柱状電極の先端上の絶縁体層と、第２のグループに属する孔内の第２の柱状電極の先端上の絶縁体層とを製造プロセス上の互いに独立した工程で形成するものである。
このため、上記個々の実施形態に限定するものではなく、例えば、第１の柱状電極の先端上の絶縁体層と、第２の柱状電極の先端上の絶縁体層とを、互いに異なる材質の絶縁体層で構成することができる。また、第１の柱状電極の長さと第２の柱状電極の長さとが異なる場合に、例えば、互いに異なる厚みの絶縁体層を形成することもできる。
【０１２９】
次に、本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサの第１の実施形態について、図３２を用いて説明する。図３２は前記第１の実施形態のコンデンサ素子１０をコンデンサユニットＣＵとして備えるコンデンサ２０である。該コンデンサ２０は、第１の引出電極１２ａ，および第２の引出電極１２ｂ２にそれぞれ例えば導電性の金属板からなる端子部２９ａ，２９ｂが接続されるとともに、前記コンデンサユニットＣＵを被覆する外装樹脂を有する。
上記端子部２９ａ，２９ｂとしては、Ｃｕ，りん青銅、各種ステンレス、Ｎｉ４２−Ｆｅ合金等が好ましい。また、図示省略したが、前記引出電極１２ａ，１２ｂと前記端子部２９ａ，２９ｂとの接続は、抵抗溶接や拡散接合、カーボンペースト等の導電性接着剤による接着等が好ましい。
【０１３０】
次に、本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサの第２の実施形態について、図３３を用いて説明する。図３３は上記第１の実施形態のコンデンサ素子１０をコンデンサユニットＣＵ１，ＣＵ２，ＣＵ３として備えるコンデンサ３０である。各コンデンサユニットＣＵ１，ＣＵ２，ＣＵ３はそれぞれ端子部３９ａ，３９ｂに並列に接続され、大きな静電容量を備えるものである。
【０１３１】
次に、本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサ埋め込み多層配線基板の実施形態について、図３４を用いて説明する。図３４は、上記第１の実施形態のコンデンサ素子１０をコンデンサユニットとして備えるコンデンサ埋め込み多層回路基板４０である。
上記コンデンサ埋め込み多層配線基板４０は、その底部にコンデンサユニットＣＵが埋め込まれ、第１の引出電極１２ａが前記コンデンサ埋め込み多層配線基板の内部導体と接続されている。また、第２の引出電極１２ｂが前記多層配線基板の底面に、他の端子電極とともに露出されている。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明によれば、小型で大容量のコンデンサを利用した軽薄短小の各種電子機器の用途に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明のコンデンサ素子の第１の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図２】上記第１の実施形態のコンデンサ素子の変形例を示す断面図である。
【図３】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第１の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図４】上記第１の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図５】上記第１の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図６】上記第１の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図７】上記第１の実施形態の他の例の製造工程の順序を示す図である。
【図８】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第２の実施形態の製造工程の順序を示す図である。
【図９】上記第２の実施形態の各工程を示す図である。
【図１０】上記第２の実施形態の各工程を示す図である。
【図１１】上記第２の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図１２】上記第２の実施形態の一例の絶縁体層形成工程を示す図である。
【図１３】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第３の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図１４】上記第３の実施形態の一例の絶縁体層形成工程を示す図である。
【図１５】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第４の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図１６】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第５の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図１７】上記第５の実施形態の一例の絶縁体層形成工程を示す図である。
【図１８】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第６の実施形態の製造工程の順序を示す図である。
【図１９】上記第６の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図２０】上記第６の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図２１】上記第６の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図２２】上記第６の実施形態の一例の絶縁体層形成工程を示す図である。
【図２３】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第７の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図２４】上記第７の実施形態の一例の絶縁体層形成工程を示す図である。
【図２５】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第８の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図２６】上記第８の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図２７】上記第８の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図２８】上記第８の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図２９】本発明のコンデンサ素子の製造方法の第９の実施形態の一例の製造工程の順序を示す図である。
【図３０】上記第９の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図３１】上記第９の実施形態の一例の各工程を示す図である。
【図３２】本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサの第１の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図３３】本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサの第２の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図３４】本発明のコンデンサ素子を用いたコンデンサ埋め込み多層配線基板の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図３５】背景技術のコンデンサ素子の製造方法を示す図である。
【図３６】背景技術のコンデンサ素子の製造方法を示す図である。
【図３７】背景技術のコンデンサ素子の内部構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０，１０’，１０”，１０”’、１２０，１３０，１４０，１５０，１６０，１７０，１８０，１９０：コンデンサ素子
１１：支持体
１１ａ，１１ｂ：押型
１１ａ１，１１ｂ１：微小突起
１２ａ：第１の引出電極
１２ａ’：第１の給電電極
１２ｂ：第２の引出電極
１３：第１の弁金属の箔
１３ａ：一方の主面
１３ｂ：他方の主面
１４，１４’，１４”，１４”’：多孔板状の誘電体
１４ａ：一方の主面
１４ｂ：他方の主面
１５ａ１，１５ｂ１：微小凹部
１５ａ２：第１のグループに属する凹部
１５ｂ２：第２のグループに属する凹部
１５ａ３，１５ａ３’，１５ａ３”，１５ａ３”’：第１のグループに属する孔
１５ｂ３，１５ｂ３’，１５ｂ３”，１５ｂ３”’：第２の部ループの孔
１６ａ，１６ａ’，１６ａ”，１６ａ”’：第１の柱状電極
１６ｂ，１６ｂ’，１６ｂ”，１６ｂ”’：第２の柱状電極
１７ａ，１７ｂ，１２７ａ，１２７ｂ：導電性高分子層
１３７ａ，１３７ｂ：ＴｉＯ２電着膜
１５７ａ，１５７ｂ：Ｓｎ−Ｐｄメッキ層
１６７ａ，１６７ｂ、１７７ａ，１７７ｂ：絶縁性樹脂層
１８７ａ，１８７ｂ：第２の弁金属の層
１８，１８ａ,１８ｂ，１２８ａ，１２８ｂ：絶縁体層（有機絶縁体）
１３８ａ，１３８ｂ：絶縁体層（ＴｉＯ２膜）
１４８ａ，１４８ｂ，１５８ａ，１５８ｂ：絶縁体層（ＳｉＯ２層）
１６８ａ，１６８ｂ，１７８ａ，１７８ｂ：絶縁体層（絶縁性樹脂）
１８８ａ，１８８ｂ：絶縁体層（第２の弁金属の酸化物）
１９８ａ，１９８ｂ：絶縁体層（空気層）
２０：コンデンサ
２９ａ，２９ｂ：端子部
３０：コンデンサ
３９ａ，３９ｂ：端子部
４０：コンデンサ埋め込み多層配線基板
ＣＵ，ＣＵ１，ＣＵ２：コンデンサユニット
ｂ：基端
ｄ，ｄ’，ｄ”，ｄ”’：誘電体層（第１の弁金属の酸化物）
Ｓ：シード層
ｔ：先端
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004956405.tif 000008
【図８】
0004956405.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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