(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（I）
【化１】
0004975616.tif 000015
で表される化合物、式（II）
【化２】
0004975616.tif 000016
［式中、Xはハロゲン、ONO2、OSO3H、OSO2Ra（式中、Raは置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す）またはOC(=O)Rb（式中、Rbは前記Raと同義である）を表す］で表される化合物、及び式（III）
【化３】
0004975616.tif 000017
（式中、R1、R2及びR3は、同一または異なって置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す）で表される化合物を反応させることを特徴とする、式（IV）
【化４】
0004975616.tif 000018
（式中、X、R1、R2及びR3はそれぞれ前記と同義である）で表されるインダゾール-3-イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである請求項１記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項３】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がフェニルである請求項１記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項４】
Ｘがハロゲンである請求項１〜３のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項５】
ＸがＯＮＯ２、ＯＳＯ３Ｈ、ＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である請求項１〜３のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項６】
ＸがＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）である請求項１〜３のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項７】
ＸがＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である請求項１〜３のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
【請求項８】
式（Ｉ）
【化１７】
0004975616.tif 000019
で表される化合物、式（ＩＩ）
【化１８】
0004975616.tif 000020
（式中、Ｘは前記と同義である）で表される化合物、及び式（ＩＩＩ）
【化１９】
0004975616.tif 000021
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義である）で表される化合物を反応させ、式（ＩＶ）
【化２０】
0004975616.tif 000022
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義である）で表されるインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩を得る工程を含むことを特徴とする、式（Ｖ）
【化２１】
0004975616.tif 000023
（式中、Ａｒは置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の複素環基を表す）で表されるインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
【請求項９】
Ａｒが置換もしくは非置換のアリールである請求項８記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
【請求項１０】
Ａｒが置換もしくは非置換のフェニルである請求項８記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
【請求項１１】
Ａｒが置換もしくは非置換の芳香族複素環基である請求項８記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
【請求項１２】
式（ＩＶａ）
【化２２】
0004975616.tif 000024
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義であり、ＸａはＯＮＯ２、ＯＳＯ３Ｈ、ＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）を表す］で表されるインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
【請求項１３】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである請求項１２記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
【請求項１４】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がフェニルである請求項１２記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
【請求項１５】
ＸａがＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である請求項１２記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等に関する。
【背景技術】
【０００２】  式（ＩＶｂ）【０００３】
【化１】
0004975616.tif 000002
【０００４】（式中、Ｐｈはフェニルを表し、Ｘｂは塩素、臭素またはヨウ素の各原子を表す）で表されるインダゾール−３−イルメチルトリフェニルホスホニウム塩［化合物（ＩＶｂ）］は、抗腫瘍剤またはタンパク質キナーゼ阻害剤として有用なインダゾール誘導体の合成中間体として有用であることが知られている（特許文献１及び特許文献２参照）。
該公報の記載によると、化合物（ＩＶｂ）は市販のインダゾール−３−カルボン酸より、非特許文献１または非特許文献２に記載の方法に準じて４工程を経て製造される。しかし、この方法は、工程数が多く、工業的な大量製造には適さない。従って、インダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩の、より簡便で効率的な製造法が求められている。【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００５／０１２２５７号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００５／０１２２５８号パンフレット
【非特許文献１】「ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」、１９８７年、第５２巻、ｐ．１９
【非特許文献２】「カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミストリー（Ｃａｎａｄｉａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」、１９７３年、第５１巻、ｐ．７９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  本発明の目的は、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明は、以下の（１）〜（１５）に関する。
（１）式（Ｉ）【０００８】
【化２】
0004975616.tif 000003
【０００９】で表される化合物、式（ＩＩ）【００１０】
【化３】
0004975616.tif 000004
【００１１】［式中、Ｘはハロゲン、ＯＮＯ２、ＯＳＯ３Ｈ、ＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記Ｒａと同義である）を表す］で表される化合物、及び式（ＩＩＩ）【００１２】
【化４】
0004975616.tif 000005
【００１３】（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一または異なって置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す）で表される化合物を反応させることを特徴とする、式（ＩＶ）【００１４】
【化５】
0004975616.tif 000006
【００１５】（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義である）で表されるインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（２）Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである前記（１）記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（３）Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がフェニルである前記（１）記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。【００１６】（４）Ｘがハロゲンである前記（１）〜（３）のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（５）ＸがＯＮＯ２、ＯＳＯ３Ｈ、ＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（６）ＸがＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（７）ＸがＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
（８）式（Ｉ）【００１７】
【化６】
0004975616.tif 000007
【００１８】で表される化合物、式（ＩＩ）【００１９】
【化７】
0004975616.tif 000008
【００２０】（式中、Ｘは前記と同義である）で表される化合物、及び式（ＩＩＩ）【００２１】
【化８】
0004975616.tif 000009
【００２２】（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義である）で表される化合物を反応させ、式（ＩＶ）【００２３】
【化９】
0004975616.tif 000010
【００２４】（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義である）で表されるインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩を得る工程を含むことを特徴とする、式（Ｖ）【００２５】
【化１０】
0004975616.tif 000011
【００２６】（式中、Ａｒは置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の複素環基を表す）で表されるインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
（９）Ａｒが置換もしくは非置換のアリールである前記（８）記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
（１０）Ａｒが置換もしくは非置換のフェニルである前記（８）記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
（１１）Ａｒが置換もしくは非置換の芳香族複素環基である前記（８）記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
（１２）式（ＩＶａ）【００２７】
【化１１】
0004975616.tif 000012
【００２８】［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ前記と同義であり、ＸａはＯＮＯ２、ＯＳＯ３Ｈ、ＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）を表す］で表されるインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
（１３）Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである前記（１２）記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
（１４）Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がフェニルである前記（１２）記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
（１５）ＸａがＯＳＯ２Ｒａ（式中、Ｒａは前記と同義である）またはＯＣ（＝Ｏ）Ｒｂ（式中、Ｒｂは前記と同義である）である前記（１２）記載のインダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
【発明の効果】
【００２９】  本発明により、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】  以下、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＩＶａ）及び（Ｖ）で表される化合物を、それぞれ化合物（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＩＶａ）及び（Ｖ）という。他の式番号の化合物についても同様である。
化合物（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（ＩＶａ）の各基の定義において、
低級アルキルとしては、例えば直鎖または分岐状の炭素数１〜１０のアルキル、より具体的にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル等が挙げられる。【００３１】  アリールとしては、例えば炭素数６〜１４の単環性、二環性または三環性のアリール、より具体的にはフェニル、ナフチル、インデニル、アントラニル等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性芳香族複素環基、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族複素環基等が挙げられ、より具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ベンゾイミダゾリル、２−オキソベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、プリニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾジオキソリル、インダゾリル、インドリル、イソインドリル、プリニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、ピロリル、ピラゾリル、キナゾリニル、シンノリニル、トリアゾリル、テトラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、チエニル、フリル等が挙げられる。【００３２】  ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素の各原子を表す。
置換低級アルキルにおける置換基としては、例えば同一または異なって置換数１〜１０の、より具体的にはハロゲン、低級アルコキシ、アリール、芳香族複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン、アリール及び芳香族複素環基は、それぞれ前記と同義であり、低級アルコキシの低級アルキル部分は、前記低級アルキルと同義である。【００３３】  置換アリール及び置換芳香族複素環基における置換基としては、例えば同一または異なって置換数１〜１０の、より具体的にはハロゲン、ヒドロキシ、シアノ、モノもしくはジ（置換もしくは非置換の低級アルキル）アミノ［該置換低級アルキルアミノ及びジ（置換低級アルキル）アミノにおける置換基としては、例えば同一または異なって置換数１〜３のハロゲン、アミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等が挙げられる］、ニトロ、カルボキシ、スルホ、低級アルキル、低級アルコキシ等が挙げられる。ここで、ハロゲン及び低級アルキルはそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ及びモノもしくはジ低級アルキルアミノの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義である。なお、ジ低級アルキルアミノの２つの低級アルキル部分は同一でも異なっていてもよい。【００３４】  化合物（Ｖ）の各基の定義において、
アリールは前記と同義である。
複素環基としては、例えば芳香族複素環基、脂環式複素環基等が挙げられる。
芳香族複素環基は前記と同義である。
脂環式複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む、単環性脂環式複素環基、２つ以上の環が縮合した縮環性脂環式複素環基等が挙げられ、より具体的にはピロリジニル、２，５−ジオキソピロリジニル、チアゾリジニル、オキサゾリジニル、ピペリジル、１，２−ジヒドロピリジル、ピペラジニル、ホモピペラジニル、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラゾリニル、オキサゾリニル、ジオキソラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル、テトラヒドロキノキサリニル、オクタヒドロキノリル、ジヒドロインドリル、１，３−ジオキソイソインドリニル等が挙げられる。【００３５】  置換アリール、置換フェニル及び置換複素環基における置換基としては、同一または異なって、例えば置換数１〜３の、ハロゲン、ニトロ、ニトロソ、カルボキシ、ヘテロアロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換の低級アルケニル、置換もしくは非置換の低級アルキニル、置換もしくは非置換の低級アルコキシカルボニル、置換もしくは非置換の低級アルカノイル、置換もしくは非置換のシクロアルキルカルボニル、置換もしくは非置換のアリール［該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］、置換もしくは非置換の脂環式複素環カルボニル（該置換脂環式複素環カルボニルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、低級アルキル、低級アルコキシ等である）、ＮＲ４ａＲ４ｂ｛式中、Ｒ４ａ及びＲ４ｂは同一または異なって、水素原子、低級アルキルスルホニル、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換の低級アルケニル、置換もしくは非置換の低級アルキニル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ、置換もしくは非置換の低級アルカノイル、置換もしくは非置換のシクロアルキルカルボニル、置換もしくは非置換のアリール［該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］、置換もしくは非置換のアロイル［該置換アロイルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低���アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］または置換もしくは非置換の複素環基［該置換複素環基における置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］を表すか、またはＲ４ａ及びＲ４ｂが隣接する窒素原子と一緒になって置換もしくは非置換の複素環基［該隣接する窒素原子と一緒になって形成される置換複素環基における置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、アミノ、ニトロ、ヒドロキシ、オキソ、シアノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、ヘテロアロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ、低級アルコキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ、低級アルコキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルカノイル（該置換低級アルカノイルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のアミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級アルカノイルアミノ、Ｎ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノ等である）、置換もしくは非置換の脂環式複素環カルボニル（該置換脂環式複素環カルボニルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、低級アルキル、低級アルコキシ等である）等である］を形成する｝、ＣＯＮＲ４ｃＲ４ｄ（式中、Ｒ４ｃ及びＲ４ｄはそれぞれ前記Ｒ４ａ及びＲ４ｂと同義である）、ＯＲ５｛式中、Ｒ５は水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリール［該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］または置換もしくは非置換の複素環基［該置換複素環基における置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］等を表す｝等が挙げられ���。また、置換複素環基における置換基は、前記に加え、オキソまたは−Ｏ（ＣＲ６ａＲ６ｂ）ｎＯ−（式中、Ｒ６ａ及びＲ６ｂは、同一または異なって水素原子または低級アルキルを表し、ｎは２または３を表し、末端の２つの酸素原子は、置換複素環基上の同一炭素原子に結合する）であってもよい。【００３６】  置換アリール及び置換複素環基における置換基の定義において、ハロゲン、低級アルキル、アリール及び複素環基はそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル、Ｎ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノ及び低級アルキルスルホニルの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義であり、アラルキルのアルキレン部分は前記低級アルキルから水素原子を１つ除いたものと同義であり、アラルキル及びアロイルのアリール部分は前記アリールと同義であり、ヘテロアロイルの芳香族複素環基部分は前記芳香族複素環基と同義であり、脂環式複素環カルボニルの脂環式複素環基部分は前記脂環式複素環基と同義である。【００３７】  シクロアルキル及びシクロアルキルカルボニルのシクロアルキル部分としては、例えば炭素数１〜１０のシクロアルキル、より具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロデシル、ノルアダマンチル、アダマンチル、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、ビシクロ［２．２．２］オクチル、ビシクロ［３．３．０］オクチル、ビシクロ［３．３．１］ノニル等が挙げられる。【００３８】  低級アルケニルとしては、例えば炭素数２〜１０の直鎖または分岐状のアルケニル、より具体的にはビニル、アリル、１−プロペニル、１−ブテニル、３−ブテニル、２−ペンテニル、４−ペンテニル、２−ヘキセニル、５−ヘキセニル、２−デセニル、９−デセニル等が挙げられる。
低級アルキニルとしては、例えば炭素数２〜１０の直鎖または分岐状のアルキニル、より具体的にはエチニル、２−プロピニル、３−ブチニル、４−ペンチニル、５−ヘキシニル、９−デシニル等が挙げられる。【００３９】  低級アルカノイル、低級アルカノイルアミノ及びＮ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノの低級アルカノイル部分としては、例えば炭素数１〜８の直鎖または分岐状のアルカノイル、より具体的にはホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、オクタノイル等が挙げられる。【００４０】  隣接する窒素原子と一緒になって形成される複素環基としては、例えば少なくとも１個の窒素原子を含む５員または６員の単環性複素環基（該単環性複素環基は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい）、３〜８員の環が縮合した二環または三環性で少なくとも１個の窒素原子を含む縮環性複素環基（該縮環性複素環基は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい）等が挙げられ、より具体的にはピロリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル、モルホリノ、チオモルホリノ、ホモピペリジノ、ホモピペラジニル、テトラヒドロピリジル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル等が挙げられる。【００４１】  置換低級アルキル、置換シクロアルキル、置換低級アルケニル、置換低級アルキニル、置換低級アルコキシ、置換低級アルコキシカルボニル、置換低級アルカノイル及び置換シクロアルキルカルボニルにおける置換基としては、同一または異なって、例えば置換数１〜３の、ヒドロキシ、オキソ、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイルアミノ、Ｎ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノ、ヘテロアロイル、アリールスルホニル、置換もしくは非置換のアリール（該置換アリールにおける置換基は、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル等である）、置換もしくは非置換の複素環基（該置換複素環基における置換基は、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル等である）、ＣＯＮＲ７ａＲ７ｂ｛式中、Ｒ７ａ及びＲ７ｂは同一または異なって、水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル［該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］または置換もしくは非置換のシクロアルキル［該置換シクロアルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］を表すか、またはＲ７ａ及びＲ７ｂが隣接する窒素原子と一緒になって置換もしくは非置換の複素環基［該隣接する窒素原子と一緒になって形成される置換複素環基における置換基は、例えば置換数１〜３のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル（該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）、置換もしくは非置換の低級アルコキシ（該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数１〜３のヒドロキシ等である）等である］を形成する｝、ＮＲ７ｃＲ７ｄ（式中、Ｒ７ｃ及びＲ７ｄはそれぞれ前記Ｒ７ａ及びＲ７ｂと同義である）等が挙げられる。【００４２】  ここで、ハロゲン、低級アルキル、シクロアルキル、低級アルカノイル、低級アルカノイルアミノ及びＮ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノの低級アルカノイル部分、アリール、複素環基及び隣接する窒素原子と一緒になって形成される複素環基はそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル及びＮ−低級アルカノイル−Ｎ−低級アルキルアミノの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義であり、アラルキルのアルキレン部分は前記低級アルキルから水素原子を１つ除いたものと同義であり、アラルキル、アロイル及びアリールスルホニルのアリール部分は前記アリールと同義であり、ヘテロアロイルの芳香族複素環基部分は前記芳香族複素環基と同義である。【００４３】  化合物（ＩＶ）及び化合物（Ｖ）の塩としては、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩、クエン酸塩、フマル酸塩、グルコン酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、リンゴ酸塩、シュウ酸塩、メタンスルホン酸塩、酒石酸塩等の有機酸塩等の酸付加塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、マグネシウム塩、カルシウム塩等のアルカリ土類金属塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム等のアンモニウム塩、モルホリン付加塩、ピペリジン付加塩等の有機アミン付加塩、グリシン付加塩、フェニルアラニン付加塩、リジン付加塩、アスパラギン酸付加塩、グルタミン酸付加塩等のアミノ酸付加塩等が挙げられる。【００４４】  次に、化合物（ＩＶ）の製造法について説明する。
製造法【００４５】
【化１２】
0004975616.tif 000013
【００４６】（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＸはそれぞれ前記と同義である）
化合物（ＩＶ）は、化合物（Ｉ）、化合物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）を溶媒中もしくは無溶媒で反応させることにより、得ることができる。
化合物（ＩＩ）としては、例えば塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、フッ化水素酸等のハロゲン化水素、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類、酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、メチル安息香酸、メトキシ安息香酸、トリクロロ安息香酸、トリフルオロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、ニコチン酸等のカルボン酸類、硫酸、硝酸等が挙げられる。化合物（ＩＩ）は、化合物（Ｉ）に対して通常０．５〜１０当量、好ましくは０．９〜１．５当量用いられる。【００４７】  化合物（ＩＩＩ）としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリピリジルホスフィン、トリフリルホスフィン等が挙げられる。化合物（ＩＩＩ）は、化合物（Ｉ）に対して通常０．５〜１０当量、好ましくは０．９〜１．５当量用いられる。
また、化合物（ＩＩ）及び化合物（ＩＩＩ）は、例えばトリフェニルホスフィン臭化水素酸塩等の様に塩の形態として用いることもできる。【００４８】  溶媒としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、アセトニトリル、プロピオニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の非芳香族系有機溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル等のエステル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、２−プロパノール等のアルコール、水等が挙げられ、これらを単独で、または混合して用いることができる。溶媒は、通常化合物（ＩＩ）に対して１〜１００倍重量、好ましくは５〜２５倍重量用いられる。【００４９】  反応は、−２０℃から用いる溶媒の沸点の間、好ましくは４０〜１００℃の間の温度で行われ、５分間から４８時間で終了する。
なお、化合物（Ｉ）は、インダゾール−３−カルボン酸よりＷＯ０３／０３５６４４またはＵＳ５５３２４６に記載の方法あるいはそれらに準じて得ることができる。化合物（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）は、市販品をそのまま、もしくは精製して用いることができる。【００５０】  化合物（Ｖ）は、本発明の製造法で得られる化合物（ＩＶ）から、例えばＷＯ２００５／０１２２５７またはＷＯ２００５／０１２２５８記載の方法によって製造することができる。
上記各製造法における目的化合物は、有機合成化学で常用される分離精製法、例えば、濾過、抽出、洗浄、乾燥、濃縮、再結晶、各種クロマトグラフィー等に付して単離精製することができる。また、化合物（Ｉ）は特に精製することなく反応に供することも可能である。【００５１】  化合物（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）の中には、幾何異性体、光学異性体等の立体異性体が存在し得るものもあるが、本発明は、これらを含め、全ての可能な異性体及びそれらの混合物を包含する。
また、化合物（ＩＶ）及び化合物（Ｖ）は、水あるいは各種溶媒との付加物の形で存在することもあるが、これらの付加物も本発明に包含される。【００５２】  本発明によって得られる化合物（ＩＶ）の具体例を表１に示す。【００５３】
【表１】
0004975616.tif 000014
【００５４】  以下に、本発明の態様を実施例及び参考例で説明する。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００５５】塩化［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物１）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１．００ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（２０ｍＬ）に溶解し、氷冷下、８．０ｍｏｌ／Ｌ塩酸（８４４μＬ，６．７５ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１．７７ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、１０時間攪拌した。反応溶液を氷冷下、２時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル（５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物１（２．３３ｇ，５．４３ｍｍｏｌ，８０％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），６．９７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．２８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６６−７．８８（１５Ｈ，ｍ），１３．４２（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５１．０Ｈｚ），１１０．３，１１８．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．７，１２０．２，１２２．５（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝６．２Ｈｚ），１２６．３，１２９．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．１（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝２．５Ｈｚ），１４０．３．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５３１［１．１ｍＤａ］．
融点：２７８−２７９℃．
【実施例２】
【００５６】臭化［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物２）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１．００ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（１０ｍＬ）に溶解し、氷冷下、４７％臭化水素酸水溶液（７８２μＬ，６．７５ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１．７７ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、５時間攪拌した。反応溶液を氷冷下２時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル（５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物２（２．８４ｇ，６．００ｍｍｏｌ，８８．８％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），６．９９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．３０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６６−７．８８（１５Ｈ，ｍ），１３．１６（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５２．８Ｈｚ），１１０．２，１１８．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．６，１２０．３，１２２．５（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５．６Ｈｚ），１２６．５，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝３．１Ｈｚ），１４０．３．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５２５［０．５ｍＤａ］．
融点：２６５−２６６℃．
【実施例３】
【００５７】化合物２の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（３４０ｍｇ，２．２９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（３．５ｍＬ）に溶解し、氷冷下、４７％臭化水素酸水溶液（２７９μＬ，２．４１ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（６３２ｍｇ，２．４１ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、１０時間攪拌した。反応溶液を減圧下濃縮した後、析出した結晶をアセトニトリル（２ｍＬ）に懸濁し、室温にて３時間攪拌した。結晶を濾取し、アセトニトリル（１ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物２（０．９１１ｇ，１．９２ｍｍｏｌ，８４％）を得た。
【実施例４】
【００５８】ヨウ化［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物３）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１．００ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（２０ｍＬ）に溶解し、氷冷下、５７％ヨウ化水素酸水溶液（９４７μＬ，６．７５ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１．７７ｇ，６．７５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、４．５時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル（５ｍＬ）を加え、加熱還流下、１時間攪拌した。氷冷下２時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル（５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物３（２．６９ｇ，５．１６ｍｍｏｌ，７６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５．６１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），７．００（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．３１（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６７−７．８８（１５Ｈ，ｍ），１３．１３（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５１．６Ｈｚ），１１０．２，１１８．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．６，１２０．３，１２２．５（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５．６Ｈｚ），１２６．５，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８．７Ｈｚ），１３３．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝３．１Ｈｚ），１４０．３．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５１９［−０．２ｍＤａ］．
融点：２０６−２０７℃．
【実施例５】
【００５９】メタンスルホン酸［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物４）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１００ｍｇ，０．６７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（２ｍＬ）に溶解し、氷冷下、メタンスルホン酸（５１．６μＬ，０．７０９ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１８６ｍｇ，０．７０９ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、１０時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル（１ｍＬ）を加え、氷冷下、２時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル（０．５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物４（２８７ｍｇ，０．５８６ｍｍｏｌ，８７％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２．３６（３Ｈ，ｓ），５．６０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．４Ｈｚ），６．９９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．３０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．５９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６６−７．８７（１５Ｈ，ｍ），１３．１７（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５２．２Ｈｚ），３９．７，１１０．３，１１８．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．６，１２０．３，１２２．６（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝６．２Ｈｚ），１２６．５，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝３．１Ｈｚ），１４０．３．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５２５［０．４ｍＤａ］．
融点：２１０−２１１℃．
【実施例６】
【００６０】ｐ−トルエンスルホン酸［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウ（化合物５）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１００ｍｇ，０．６７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（２ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物（１３５ｍｇ，０．７０９ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１８６ｍｇ，０．７０９ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、１０時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル（１ｍＬ）を加え、氷冷下、２時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル（０．５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物５（２８４ｍｇ，０．５０３ｍｍｏｌ，７５％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２．２７（３Ｈ，ｓ），５．５９（２Ｈ，ｄ，ＪＨ−Ｃ−Ｐ＝１５．２Ｈｚ），６．９９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．１０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．３０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．４９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）７．５８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６９−７．８６（１５Ｈ，ｍ），１３．１７（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．７，２０．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５２．２Ｈｚ），１１０．２，１１８．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．６，１２０．３，１２２．５（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝６．２Ｈｚ），１２５．４，１２６．５，１２８．０，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝３．１Ｈｚ），１３７．５，１４０．３３，１４５．８．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５１１［−０．９ｍＤａ］．
融点：２０９−２１０℃．
【実施例７】
【００６１】トリフルオロメタンスルホン酸［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物６）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１００ｍｇ，０．６７５ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（２ｍＬ）に溶解し、氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸（６２．７μＬ，０．７０９ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（１８６ｍｇ，０．７０９ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、４時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣に酢酸エチル（１ｍＬ）を加え、氷冷下２時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、酢酸エチル（０．５ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物６（２６９ｍｇ，０．４９６ｍｍｏｌ，７４％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５．５９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），７．００（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．３０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．５８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６６−７．８６（１５Ｈ，ｍ），１３．１７（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５１．６Ｈｚ），１１０．２，１１８．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８７．０Ｈｚ），１１９．６，１２０．４，１２０．７（ｑ，ＪＣ−Ｐ＝３２２．６Ｈｚ），１２２．６（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５．６Ｈｚ），１２６．５，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝３．１Ｈｚ），１４０．３．
質量分析Ｃ２６Ｈ２２Ｎ２Ｐとして、計算値：３９３．１５２１［Ｍ］＋、実測値：３９３．１５１１［−０．９ｍＤａ］．
融点：１５２−１５３℃．
【実施例８】
【００６２】トリフルオロ酢酸［（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メチル］トリフェニルホスホニウム（化合物７）の合成
参考例１で得られた化合物（Ｉ）（１５０ｍｇ，１．０１ｍｍｏｌ）をプロピオニトリル（１．５ｍＬ）に溶解し、氷冷下、トリフルオロ酢酸（８１．９μＬ，１．０６ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（２７９ｍｇ，１．０６ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下２４時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、化合物７の生成率を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）分析により算出した（生成率５９％）。
ＨＰＬＣ条件
機器：日立製作所製
カラム：ＹＭＣ−Ｐａｃｋ  ＯＤＳ  ＡＭ−３０２，１５０×４．６ｍｍ（ワイエムシイ株式会社製）
移動相：メタノール／リン酸緩衝液＝４０／６０（リン酸緩衝液は２０ｍｍｏｌのＫＨ２ＰＯ４と２０ｍｍｏｌのＫ２ＨＰＯ４を水１Ｌに溶解して調製した）
温度：３５℃
流速：１．０ｍＬ／分
検出：ＵＶ（２５４ｎｍ）
測定時間：３０分
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５．６５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），７．００（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．２９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．６３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．７１−７．８６（１５Ｈ，ｍ），１３．３６（１Ｈ，ｂｒ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ２０．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５１．０Ｈｚ），１１０．３，１１６．９（ｑ，ＪＣ−Ｐ＝２９７．７２Ｈｚ），１１８．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝８６．４Ｈｚ），１１９．６，１２０．３，１２２．６（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝５．６Ｈｚ），１２６．４，１２９．８（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１２．４Ｈｚ），１３３．２（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝９．３Ｈｚ），１３３．９（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝１０．６Ｈｚ），１３４．７（ｄ，ＪＣ−Ｐ＝２．５Ｈｚ），１４０．４，１５８．１（ｑ，ＪＣ−Ｐ＝３２．１Ｈｚ）．【００６３】参考例１：（１Ｈ−インダゾール−３−イル）メタノール［化合物（Ｉ）］の合成
市販のインダゾール−３−カルボン酸（５００ｍｇ，３．０８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）に溶解し、アルゴン雰囲気下、氷冷下にて水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム（７０％トルエン溶液，１．７８ｇ，６．１７ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、２時間攪拌した。更に氷冷下にて水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム（７０％トルエン溶液，２．６７ｇ，９．２５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下、２時間攪拌した。氷冷下、２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）を加え、室温にて１５分間攪拌した。有機層を分離し、水層をＴＨＦ（５ｍＬ×３）にて抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。水層を酢酸エチル（５ｍＬ×２）にて抽出し、全有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧下濃縮した。残渣をトルエン／ＴＨＦ（１０：１）（５ｍＬ）にて再結晶し、析出した結晶を濾取し、トルエン／ＴＨＦ（１０：１）（１ｍＬ）にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物（Ｉ）（３４９ｍｇ，２．３６ｍｍｏｌ，７７％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ４．８０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），５．１９（１Ｈ，ｂｒ），７．０９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．３３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝ｃａ．８Ｈｚ），７．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．８５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ５６．７，１０９．９，１１９．６，１２０．５，１２１．４，１２５．８，１４０．９，１４５．５．
質量分析Ｃ８Ｈ９Ｎ２Ｏとして、計算値：１４９．０７１５［Ｍ＋Ｈ］＋、実測値：１４９．０７１０［−０．５ｍＤａ］．
融点：１４２−１４３℃．【００６４】参考例２：化合物１を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物１（５００ｍｇ，１．１７ｍｍｏｌ）をメタノール（３ｍＬ）に溶解し、氷冷下、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）（２６２μＬ，１．６９ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（２１１ｍｇ，１．２８ｍｍｏｌ）を加え、室温にて７時間攪拌した。反応液を氷冷下２．５時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、メタノール（１．５ｍＬ）で洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチル（１５６ｍｇ，０．５６２ｍｍｏｌ，４８％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，ｐｐｍ）δ  ３．８７（３Ｈ，ｓ），７．２４（１Ｈ，ｍ），７．４２（１Ｈ，ｍ），７．５８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），７．６０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１６．７Ｈｚ），７．７４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１６．７Ｈｚ），７．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），８．２４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），１３．３０（１Ｈ，ｂｒ  ｓ）．
質量分析Ｃ１７Ｈ１５Ｎ２Ｏ２として、計算値：２７９．１１３４［Ｍ＋Ｈ］＋、実測値：２７９．１１３０［−０．４ｍＤａ］．【００６５】参考例３：化合物２を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物２（４．００ｇ，８．５０ｍｍｏｌ）をメタノール（３０ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ＤＢＵ（１．９０ｍＬ，１２．７ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（１．３９ｇ，８．４５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて３．５時間攪拌した。反応液を氷冷下２．５時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、メタノール（１０ｍＬ）で洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチル（１．３５ｇ，４．８６ｍｍｏｌ，５７％）を得た。【００６６】参考例４：化合物３を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物３（１０１ｍｇ，０．１９４ｍｍｏｌ）をメタノール（１ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ＤＢＵ（４４．０μＬ，０．４６７ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（３５．１ｍｇ，０．２３３ｍｍｏｌ）を加え、室温にて５時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの生成率をＨＰＬＣ分析により算出した（生成率６９％）。なお、ＨＰＬＣの測定条件は以下の通りである。
ＨＰＬＣ条件
機器：日立製作所製
カラム：Ｃａｄｅｎｚａ  ＣＤ−Ｃ−１８，７５ｍｍ×４．６ｍｍ（インタクト株式会社製）
移動相：メタノール／リン酸緩衝液＝４５／５５（０分から２５分）→６０／４０（３０分から５５分）（リン酸緩衝液は２０ｍｍｏｌのＫＨ２ＰＯ４と２０ｍｍｏｌのＫ２ＨＰＯ４を水１Ｌに溶解して調製した）
温度：３５℃
流速：１．０ｍＬ／分
検出：ＵＶ（２５４ｎｍ）
測定時間：５５分【００６７】参考例５：化合物４を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物４（５４．０ｍｇ，０．１１１ｍｍｏｌ）をメタノール（１ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ＤＢＵ（２５．０μＬ，０．２６５ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（２０．０ｍｇ，０．１３３ｍｍｏｌ）を加え、室温にて５時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの生成率を参考例４と同様にＨＰＬＣ分析により算出した（生成率５９％）。【００６８】参考例６：化合物５を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物５（５０．７ｍｇ，８９．７μｍｏｌ）をメタノール（１ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ＤＢＵ（２０．１μＬ，０．２１５ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（１６．２ｍｇ，０．１０８ｍｍｏｌ）を加え、室温にて５時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの生成率を参考例４と同様にＨＰＬＣ分析により算出した（生成率６７％）。【００６９】参考例７：化合物６を用いた（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの合成
化合物６（５０．７ｍｇ，９３．５μｍｏｌ）をメタノール（１ｍＬ）に溶解し、氷冷下、ＤＢＵ（２１．０μＬ，０．２２４ｍｍｏｌ）及び４−ホルミル安息香酸メチル（１６．９ｍｇ，０．１１２ｍｍｏｌ）を加え、室温にて５時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、（Ｅ）−４−［２−（１Ｈ−インダゾール−３−イル）ビニル］安息香酸メチルの生成率を参考例４と同様にＨＰＬＣ分析により算出した（生成率６７％）。
【産業上の利用可能性】
【００７０】  本発明により、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−３−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等が提供される。