(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置に設置され、前記表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムの製造装置において、
前記表示装置の画素配列パターンとの干渉に伴うモアレを抑止する電磁波シールドパターンデータを選定するパターン選定処理部を有し、
前記パターン選定処理部は、
前記画素配列パターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較部と、
前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別部と、
前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを変形して前記比較部に入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するパターンデータ処理部とを有し、
前記選定された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の電磁波シールドフィルムの製造装置において、
前記パターン選定処理部は、さらに、
前記表示装置の画素配列パターンデータを入力する第１入力部と、
前記電磁波シールドパターンデータを入力する第２入力部と、
前記電磁波シールドパターンデータの回転角度、ピッチ、パターン幅のいずれか１つ以上を変化させるパターン変形部と、
入力された前記画素配列パターンデータの第１二次元フーリエスペクトルを演算する第１演算部と、
入力された前記電磁波シールドパターンデータ又は前記パターン変形部からの前記電磁波シールドパターンデータの第２二次元フーリエスペクトルを演算する第２演算部とを有し、
前記比較部は、得られた前記第１二次元フーリエスペクトルと前記第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、前記第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求め、
前記判別部は、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別し、
前記パターンデータ処理部は、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを前記パターン変形部に入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電磁波シールドフィルムの製造装置において、
前記所定の空間周波数は８ｃｍ-1であることを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムの製造装置において、
製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲が登録された情報テーブルと、
前記記憶部に記憶された複数の前記電磁波シールドパターンデータのうち、前記情報テーブルに登録された前記製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択する第１パターン選択部とを有し、
前記第１パターン選択部にて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造装置。
【請求項５】
請求項４記載の電磁波シールドフィルムの製造装置において、
使用者による操作指示を入力する操作部と、
前記パターン選択部にて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、前記操作部からの操作入力に対応した電磁波シールドパターンデータを選択する第２パターン選択部とを有し、
前記第２パターン選択部にて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造装置。
【請求項６】
表示装置に設置され、前記表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムの製造方法において、
前記表示装置の画素配列パターンとの干渉に伴うモアレを抑止する電磁波シールドパターンデータを選定するパターン選定処理ステップと、
前記選定された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造する製造ステップとを有し、
前記パターン選定処理ステップは、
前記画素配列パターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較ステップと、
前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別ステップと、
前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを変形して前記比較ステップに入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するパターンデータ処理ステップとを有することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の電磁波シールドフィルムの製造方法において、
前記パターン選定処理ステップは、さらに、
前記表示装置の画素配列パターンデータを入力する第１入力ステップと、
前記電磁波シールドパターンデータを入力する第２入力ステップと、
前記電磁波シールドパターンデータの回転角度、ピッチ、パターン幅のいずれか１つ以上を変化させるパターン変形ステップと、
入力された前記画素配列パターンデータの第１二次元フーリエスペクトルを演算する第１演算ステップと、
入力された前記電磁波シールドパターンデータ又は前記パターン変形部からの前記電磁波シールドパターンデータの第２二次元フーリエスペクトルを演算する第２演算ステップとを有し、
前記比較ステップは、得られた前記第１二次元フーリエスペクトルと前記第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、前記第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求め、
前記判別ステップは、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別し、
前記データ処理ステップは、前記判別ステップにて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを前記パターン変形ステップに入力し、前記判別ステップにて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の電磁波シールドフィルムの製造方法において、
前記所定の空間周波数は８ｃｍ-1であることを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法において、
製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲が登録された情報テーブルを使用し、
前記記憶部に記憶された複数の前記電磁波シールドパターンデータのうち、前記情報テーブルに登録された前記製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択するパターン選択ステップを有し、
前記パターン選択ステップにて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電磁波シールドフィルムの製造方法において、
使用者による操作指示を入力する操作部を使用し、
前記パターン選択ステップにて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、前記操作部からの操作入力に対応した電磁波シールドパターンデータを選択する第２パターン選択ステップを有し、
前記第２パターン選択ステップにて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。
【請求項１１】
パターンの生成方法において、
第１のパターンとの干渉に伴うモアレを抑止する第２のパターンを選定するパターン選定処理ステップと、
前記選定された前記第２のパターンデータに基づいてパターンを生成するステップとを有し、
前記パターン選定処理ステップは、
前記第１のパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２のパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較ステップと、
前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別ステップと、
前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記第２のパターンデータを変形して前記比較ステップに入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記第２のパターンデータを、選定された第２のパターンデータとして記憶部に記憶するパターン処理ステップとを有することを特徴とするパターンの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ等の表示装置に設置され、該表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムの製造装置、電磁波シールドフィルムの製造方法及びモアレの発生を抑止することができるパターン生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の電気設備や電子応用設備の利用の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増している。ＥＭＩは、電子、電気機器の誤動作、障害の原因になるほか、これらの装置のオペレーターにも健康障害を与えることが指摘されている。このため、電子・電気機器では、電磁波放出の強さを規格又は規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
上記ＥＭＩの対策には電磁波をシールドする必要があるが、それには金属の電磁波を貫通させない性質を利用すればよい。
【０００４】
優れた透光性と高い電磁波遮断性を備えたプラズマディスプレイパネル(ＰＤＰ)用電磁波シールドフィルムとしては、金属メッシュをフィルム上に形成したものを使用する方法が一般に用いられる。しかし、このようなフィルムをＰＤＰに使用した場合には、ＰＤＰの画素パターンとの干渉によりモアレが発生する場合がある。
【０００５】
例えば、従来より使用されている繊維メッシュは導電性確保のために線幅を太くしており、モアレが発生しやすい状態にある（例えば特許文献１参照）。モアレ低減のためにはメッシュパターンを細線化することが有効であり、例えば特許文献２には、銅箔エッチングメッシュで１０μｍ程度の細線が得られることが示されている。
【０００６】
また上記以外に、金属メッシュが形成されたフィルムとして、特許文献３〜５には、金属微粒子を触媒としてこれを印刷して、印刷された金属微粒子上に導電性金属を沈積させる無電解メッキ法が開示されている。また、特許文献６及び７には、銀塩拡散転写法によるメッシュ状パターン形成方法が提案されている。
【０００７】
一方、ハロゲン化銀を現像して得られる導電性金属銀で導電性メッシュを形成する方法、あるいはハロゲン化銀を現像して得られるメッシュ状の現像銀に金属銅をめっきして導電性メッシュを形成する方法も提案されている（例えば特許文献８参照）。
【０００８】
モアレを抑止するパターンを求める方法としては、例えば特許文献９が知られている。この特許文献９は、デジタル複写機に利用されるものであるが、原稿画像の周波数ベクトルとＡＭスクリーンの周波数ベクトルとの和及び差（モアレ周波数）を求め、求まったモアレ周波数が１１０線未満の場合に、モアレが発生しているものとして警告を行い、ユーザからの変更要求に基づいてＡＭスクリーンをグリーンノイズハーフトーンに切り替えるというものである。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−３２７２７４号公報
【特許文献２】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献３】特開平１１−１７０４２０号公報
【特許文献４】特開２００４−６８１１９号公報
【特許文献５】特開２００４−６８１２０号公報
【特許文献６】国際公開第０４／７８１０号パンフレット
【特許文献７】特開２００４−１７２０４１号公報
【特許文献８】特開２００４−２２１５６４号公報
【特許文献９】特開２００７−１２９５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、デジタル複写機に対応したモアレ発生の検知については特許文献９に記載があるが、電磁波シールドフィルムを構成する電磁波シールドパターン、特に、前記表示装置の画素配列パターンとの干渉で生じるモアレ発生を抑止するパターンを選定して電磁波シールドフィルムを製造する手法について考慮されていないのが現状である。
【００１１】
また、電磁波シールドパターンを選定する場合、電磁波シールドフィルムの特性、例えば、表面抵抗率や透明性も考慮しなければならず、単にモアレが発生しないパターンを選定すればよいという簡単なものではない。
【００１２】
本発明は、かかる事情に鑑みなされたものであり、モアレの発生を抑止でき、しかも、電磁波シールドフィルムの特性、特に、表面抵抗率の増大や透明性の劣化をも回避することができる電磁波シールドパターンを自動的に選定し、設置される表示装置に適合した電磁波シールドフィルムを製造することができる電磁波シールドフィルムの製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、モアレの発生を抑止することができるパターン生成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造装置は、表示装置に設置され、前記表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムの製造装置において、前記表示装置の画素配列パターンとの干渉に伴うモアレを抑止する電磁波シールドパターンデータを選定するパターン選定処理部を有し、前記パターン選定処理部は、前記画素配列パターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較部と、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別部と、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを変形して前記比較部に入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するパターンデータ処理部とを有し、前記選定された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造することを特徴とする。
【００１５】
そして、第１の本発明において、前記パターン選定処理部は、さらに、前記表示装置の画素配列パターンデータを入力する第１入力部と、前記電磁波シールドパターンデータを入力する第２入力部と、前記電磁波シールドパターンデータの回転角度、ピッチ、パターン幅のいずれか１つ以上を変化させるパターン変形部と、入力された前記画素配列パターンデータの第１二次元フーリエスペクトルを演算する第１演算部と、入力された前記電磁波シールドパターンデータ又は前記パターン変形部からの前記電磁波シールドパターンデータの第２二次元フーリエスペクトルを演算する第２演算部とを有し、前記比較部は、得られた前記第１二次元フーリエスペクトルと前記第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、前記第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求め、前記判別部は、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別し、前記パターンデータ処理部は、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを前記パターン変形部に入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するようにしてもよい。
【００１６】
この場合、前記所定の空間周波数は８ｃｍ-1であることが好ましい。これにより、モアレ周波数が高周波となり、人間の視覚特性から、人間の目では視認されなくなる。
【００１７】
また、第１の本発明において、製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲が登録された情報テーブルと、前記記憶部に記憶された複数の前記電磁波シールドパターンデータのうち、前記情報テーブルに登録された前記製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択する第１パターン選択部とを有し、前記第１パターン選択部にて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造するようにしてもよい。この場合、使用者による操作指示を入力する操作部と、前記パターン選択部にて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、前記操作部からの操作入力に対応した電磁波シールドパターンデータを選択する第２パターン選択部とを有し、前記第２パターン選択部にて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造するようにしてもよい。
【００１８】
次に、第２の本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造方法は、表示装置に設置され、前記表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムの製造方法において、前記表示装置の画素配列パターンとの干渉に伴うモアレを抑止する電磁波シールドパターンデータを選定するパターン選定処理ステップと、前記選定された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造する製造ステップとを有し、前記パターン選定処理ステップは、前記画素配列パターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較ステップと、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別ステップと、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを変形して前記比較ステップに入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するパターンデータ処理ステップとを有することを特徴とする。
【００１９】
そして、第２の本発明において、前記パターン選定処理ステップは、さらに、前記表示装置の画素配列パターンデータを入力する第１入力ステップと、前記電磁波シールドパターンデータを入力する第２入力ステップと、前記電磁波シールドパターンデータの回転角度、ピッチ、パターン幅のいずれか１つ以上を変化させるパターン変形ステップと、入力された前記画素配列パターンデータの第１二次元フーリエスペクトルを演算する第１演算ステップと、入力された前記電磁波シールドパターンデータ又は前記パターン変形部からの前記電磁波シールドパターンデータの第２二次元フーリエスペクトルを演算する第２演算ステップとを有し、前記比較ステップは、得られた前記第１二次元フーリエスペクトルと前記第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、前記第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求め、前記判別ステップは、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別し、前記パターンデータ処理ステップは、前記判別ステップにて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを前記パターン変形ステップに入力し、前記判別ステップにて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記電磁波シールドパターンデータを、選定された電磁波シールドパターンデータとして記憶部に記憶するようにしてもよい。
【００２０】
そして、第２の本発明において、前記所定の空間周波数は８ｃｍ-1であることが好ましい。
【００２１】
また、第２の本発明において、製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲が登録された情報テーブルを使用し、前記記憶部に記憶された複数の前記電磁波シールドパターンデータのうち、前記情報テーブルに登録された前記製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択するパターン選択ステップを有し、前記パターン選択ステップにて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造するようにしてもよい。
【００２２】
この場合、使用者による操作指示を入力する操作部を使用し、前記パターン選択ステップにて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、前記操作部からの操作入力に対応した電磁波シールドパターンデータを選択する第２パターン選択ステップを有し、前記第２パターン選択ステップにて選択された前記電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルムを製造するようにしてもよい。
【００２３】
次に、第３の本発明に係るパターン生成方法は、第１のパターンとの干渉に伴うモアレを抑止する第２のパターンを選定するパターン選定処理ステップと、前記選定された前記第２のパターンデータに基づいてパターンを生成するステップとを有し、前記パターン選定処理ステップは、前記第１のパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと前記第２のパターンデータの二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める比較ステップと、前記比較部にて得られた前記相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する判別ステップと、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていないと判別された場合に、前記第２のパターンデータを変形して前記比較ステップに入力し、前記判別部にて前記相対距離が前記所定の空間周波数を超えていると判別された場合に、前記第２のパターンデータを、選定された第２のパターンデータとして記憶部に記憶するパターン処理ステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造装置、製造方法によれば、モアレの発生を抑止でき、しかも、電磁波シールドフィルムの特性、特に、表面抵抗率の増大や透明性の劣化をも回避することができる電磁波シールドパターンを自動的に選定し、設置される表示装置に適合した電磁波シールドフィルムを製造することができる。
【００２５】
また、本発明に係るパターン生成方法によれば、モアレの発生を抑止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造装置、電磁波シールドフィルムの製造方法及びパターン生成方法の実施の形態例を図１〜図１７を参照しながら説明する。
【００２７】
本実施の形態に係る電磁波シールドフィルムの製造装置（以下、単に製造装置１０と記す）は、プラズマディスプレイ等の表示装置に設置され、該表示装置から発生する電磁波をシールドする電磁波シールドパターンが形成された電磁波シールドフィルムを製造するのに好適なものである。
【００２８】
電磁波シールドフィルム１２は、図１及び図２に示すように、透明支持体１４と、該透明支持体１４上に形成されたメッシュ状の導電性金属薄膜、すなわち、電磁波シールドパターン１６とを有する。なお、電磁波シールドフィルム１２を構成するメッシュ状の導電性金属薄膜の電磁波シールドパターン１６と、後述する製造装置１０にてデータ処理される電磁波シールドパターンとを区別するために、製造装置１０にてデータ処理される電磁波シールドパターンを電磁波シールドパターンデータと記す。
【００２９】
本実施の形態に係る製造装置１０は、図３に示すように、表示装置の画素配列パターンとの干渉に伴うモアレを抑止する電磁波シールドパターンデータを選定するパターン選定処理装置２０と、選定された電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルム１２を製造する製造ライン２１とを有する。
【００３０】
先ず、パターン選定処理装置２０は、図３に示すように、キーボードやマウス（座標入力装置）等の入力装置２２と、第１入力部２４と、第２入力部２６と、パターン変形部２８と、第１演算部３０と、第２演算部３２と、比較部３４と、判別部３６と、パターンデータ処理部３８と、第１パターン選択部４０と、第２パターン選択部４２と、モニタ４４とを有する。なお、これら各部は、図示しないコンピュータによって制御される。
【００３１】
第１入力部２４は、第１メモリ４６を有し、製造された表示装置や製造過程にある表示装置の画素配列パターンデータが登録された第１データベース４８から、例えば入力装置２２への操作入力に基づいて、今回対象となる表示装置の画素配列パターンデータを読み出して第１メモリ４６に記憶する。
【００３２】
第２入力部２６は、第２メモリ５０を有し、予め設計された複数の電磁波シールドパターンデータが登録された第２データベース５２から、例えば入力装置２２への操作入力に基づいて、１つの電磁波シールドパターンデータを読み出して第２メモリ５０に記憶する。
【００３３】
パターン変形部２８は、回転角変更部５４、ピッチ変更部５６、パターン幅変更部５８を有する。回転角変更部５４は、第２メモリ５０に記憶された電磁波シールドパターンデータを角度θ＝１°（図２参照）だけ一方向（例えば時計方向）に回転させて新たな電磁波シールドパターンデータとし、第２メモリ５０に記憶する。すなわち、変更前の電磁波シールドパターンデータを変更後の電磁波シールドパターンデータに書き換える（上書きする）。ピッチ変更部５６は、図２に示すように、第２メモリ５０に記憶された電磁波シールドパターンデータのピッチＰ（図２参照）を０．１μｍだけ狭くあるいは広げて新たな電磁波シールドパターンデータとし、第２メモリ５０に上書きする。パターン幅変更部５８は、入力された電磁波シールドパターンデータのパターン幅Ｗ（図２参照）を０．１μｍだけ狭くあるいは広げて新たな電磁波シールドパターンデータとし、第２メモリ５０に上書きする。
【００３４】
パターン変形の手順としては、回転角変更部５４だけでのパターン変形、ピッチ変更部５６だけでのパターン変形、パターン幅変更部５８だけでのパターン変形、回転角変更部５４及びピッチ変更部５６を組み合わせてのパターン変形、回転角変更部５４及びパターン幅変更部５８を組み合わせてのパターン変形、ピッチ変更部５６及びパターン幅変更部５８を組み合わせてのパターン変形、回転角変更部５４、ピッチ変更部５６及びパターン幅変更部５８を組み合わせてのパターン変形がある。
【００３５】
第１演算部３０は、第３メモリ６０を有し、第１入力部２４によって第１メモリ４６に読み出された画素配列パターンデータをフーリエ変換し、画素配列パターンの二次元フーリエスペクトル（第１二次元フーリエスペクトル）を求める。このデータは第３メモリに記憶される。
【００３６】
例えば画素配列パターンとして、図４に示すように、垂直線が列方向に多数配列され、且つ、水平線が行方向に多数配列された格子状のパターンを想定した場合の二次元フーリエスペクトルは図５に示すような強度特性となる。なお、図４中の数字は線幅と線間距離の比を示している。また、図５において、黒い部分は強度が高く、スペクトルピークを示している。
【００３７】
第２演算部３２は、第４メモリ６２を有し、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータのデータをフーリエ変換し、電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトル（第２二次元フーリエスペクトル）を求める。このデータは第４メモリ６２に記憶される。
【００３８】
例えば電磁波シールドパターンとして、図６に示すように、線幅：線間距離＝２：４３のメッシュパターンを想定した場合の二次元フーリエスペクトルは、図７に示すような強度特性になる。なお、図７において、黒い部分は強度が高く、スペクトルピークを示している。
【００３９】
比較部３４は、第３メモリ６０に記憶された第１二次元フーリエスペクトルと、第４メモリ６２に記憶された第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークの相対距離を求める。第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークと第２二次元フーリエスペクトルピークは各々複数存在する。複数同士の比較であるため、その相対距離の値も複数求められる。例えば、第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークが１００個、第２二次元フーリエスペクトルピークが１００個あった場合は、求められる相対距離の個数は１００×１００＝１００００個である。求められる相対距離の個数が多く、計算処理に時間がかかる場合は、予め第１二次元フーリエスペクトルピーク及び第２二次元フーリエスペクトルピークにおいて、それぞれピーク強度が強いもののみを選定しておいてもよい。その場合は、選定されたピーク同士の相対距離のみを求めることになる。
【００４０】
一例として、例えば図５に示す画素配列パターンの二次元フーリエスペクトル（第１二次元フーリエスペクトル）と図７に示す電磁波シールドパターンの二次元フーリエスペクトル（第２二次元フーリエスペクトル）とを重ね合わせた強度特性を図８に示す。この図８において、スペクトルピークの強度が強く、且つ、モアレとして認識される相対距離が８．０ｃｍ-1以下となるスペクトルピーク対を拡大図に抽出している。この図８中の拡大図において、第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ１の位置は４５．６ｃｍ-1であり、第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ２の位置は４７．０ｃｍ-1である。従って、各スペクトルピークの相対距離は、｜４７．０−４５．６｜＝１．４ｃｍ-1となる。
【００４１】
判別部３６は、比較部３４にて得られた相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する。ここで、空間周波数と人間の視覚特性に基づくコントラスト感度をグラフ化すると図９のようになる。図９から空間周波数がｆａより高いとコントラスト感度が落ち、空間周波数がｆａより低いとコントラストは高くなっている。このことから、人間の目は空間周波数が高周波になるほどコントラストを知覚しにくくなり、モアレを視認されなくなることがわかる。
【００４２】
そこで、所定の空間周波数として、モアレを視認することができない臨界の空間周波数を候補として挙げ、この臨界の空間周波数として例えば８ｃｍ-1を設定した。従って、判別部３６では、比較部３４にて得られた相対距離が８ｃｍ-1を超えているかどうかを判別する。この８ｃｍ-1の数値は、表示装置の画素配列パターンのパターン形状によって変わるため、製造段階で、モアレが発生する臨界の空間周波数を調べ、例えば第１データベース４８に、対応する画素配列パターンのデータと共に登録しておいてもよい。この場合、第１入力部２４は、第１データベース４８から画素配列パターンデータを読み出す際に、対応する臨界の空間周波数の数値も読み出すようにし、この読み出した臨界の空間周波数の値を判別部３６に供給するようにしてもよい。判別部３６では、比較部３４にて得られた相対距離が、供給された臨界の空間周波数を超えているかどうかを判別することになる。
【００４３】
パターンデータ処理部３８は、判別部３６にて相対距離が所定の空間周波数（臨界の空間周波数）を超えていないと判別された場合に、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータをパターン変形部２８に入力する。これにより、パターン変形部２８でのデータ処理、第２演算部３２でのデータ処理、比較部３４でのデータ処理、判別部３６でのデータ処理が繰り返されることになる。
【００４４】
また、パターンデータ処理部３８は、判別部３６にて相対距離が所定の空間周波数（臨界の空間周波数）を超えていると判別された場合に、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータを記録媒体６４（光ディスク、ハードディスク等）に記憶する。従って、記録媒体６４には、複数の電磁波シールドパターンデータが記憶される場合もある。
【００４５】
第１パターン選択部４０は、製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲が登録された情報テーブル６６を有し、記録媒体６４に記憶された複数の電磁波シールドパターンデータのうち、情報テーブル６６に登録された製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択して記録媒体６４の特定の記憶領域に記憶する。ここで、製造可能なピッチの範囲とは、製造ライン２１でメッシュパターンとして形成できる最短のピッチから最長のピッチの範囲である。また、製造可能なパターン幅の範囲とは、製造ライン２１でメッシュパターンとして形成でき、電磁波シールドフィルムとして良好に使用できる表面抵抗率を満足し、且つ、透明性を満足する範囲を示す。
【００４６】
第２パターン選択部４２は、第１パターン選択部４０にて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、入力装置２２からの操作入力に対応した１つの電磁波シールドパターンデータを選択して記録媒体６４の特定の記憶領域に記憶する。具体的には、第２パターン選択部４２は、記録媒体６４に記憶された１以上の電磁波シールドパターンデータをモニタ４４に逐次表示あるいはサムネイル方式で表示する表示制御部６８を有し、使用者は、モニタ４４に表示される電磁波シールドパターンを見ながら１つの電磁波シールドパターンを選択し、その表示座標あるいは識別番号を入力装置２２を使って操作入力する。第２パターン選択部４２は、記録媒体６４に記憶された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、操作入力された表示座標あるいは識別番号に対応する１つの電磁波シールドパターンデータを読み出して記録媒体６４の特定の記憶領域に記憶する。
【００４７】
ここで、製造装置１０の処理動作について図１０のフローチャートを参照しながら説明する。
【００４８】
先ず、ステップＳ１において、第１入力部２４は、使用者による入力装置２２への操作入力に基づいて、第１データベース４８から今回対象となる表示装置の画素配列パターンデータを読み出して第１メモリ４６に記憶する。
【００４９】
その後、ステップＳ２において、第２入力部２６は、使用者による入力装置２２への操作入力に基づいて、第２データベース５２から１つの電磁波シールドパターンデータを読み出して第２メモリ５０に記憶する。
【００５０】
その後、ステップＳ３において、第１演算部３０は、第１メモリ４６に記憶されている画素配列パターンデータをフーリエ変換し、画素配列パターンの二次元フーリエスペクトル（第１二次元フーリエスペクトル）を求め、第３メモリ６０に記憶する。
【００５１】
その後、ステップＳ４において、第２演算部３２は、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータをフーリエ変換し、電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトル（第２二次元フーリエスペクトル）を求め、第４メモリ６２に記憶する。
【００５２】
その後、ステップＳ５において、比較部３４は、第３メモリ６０に記憶された第１二次元フーリエスペクトルと、第４メモリ６２に記憶された第２二次元フーリエスペクトルとを比較して、第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ１ｉと第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ２ｊの相対距離（図８参照）を求める。ここでｉ、ｊは０以上の整数で、第１、第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークをナンバリングしている。
【００５３】
その後、ステップＳ６において、判別部３６は、比較部３４にて得られた相対距離が所定の空間周波数を超えるかどうかを判別する。具体的には、比較部３４にて得られた相対距離が８ｃｍ-1を超えているかどうかを判別する。求められる相対距離の個数が多すぎる場合は、第１、第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークのうち、ピーク強度の弱いものに関しては予め判別の対象からはずしてもよい。ピーク強度の弱い第１、第２二次元フーリエススペクトルの組み合わせで発生するモアレはそもそもその強度が弱いからである。
【００５４】
相対距離が所定の空間周波数（臨界の空間周波数）を超えていないと判別された場合は、次のステップＳ７に進み、パターンデータ処理部３８での第１の処理に入る。すなわち、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータをパターン変形部２８に入力する。パターン変形部２８は、上述したように、入力された電磁波シールドパターンデータの回転角度、ピッチ、パターン幅のいずれか１つ以上を変化させて新たな電磁波シールドパターンデータとし、第２メモリ５０に上書きする。
【００５５】
その後、ステップＳ４以降の処理に戻り、第２メモリ５０に記憶されている新たな電磁波シールドパターンデータの二次元フーリエスペクトル（第２二次元フーリエスペクトル）を求め、さらに、第１二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ１と第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークＰ２の相対距離を求め、得られた相対距離が所定の空間周波数（臨界の空間周波数）を超えるかどうかを判別する。
【００５６】
そして、ステップＳ６において、相対距離が所定の空間周波数を超えていると判別された場合は、ステップＳ８に進み、パターンデータ処理部３８での第２の処理に入る。すなわち、第２メモリ５０に記憶されている電磁波シールドパターンデータを記録媒体６４（光ディスク、ハードディスク等）に記憶する。
【００５７】
その後、ステップ９において、処理終了を示す要求があるか否かが判別される。この判別は、予め設定されたパターン変形部２８での処理手順が全て終了したかどうか、あるいは選定処理の終了要求があるかどうかで行われる。
【００５８】
処理終了の要求がなければ、ステップＳ７以降の処理に進み、パターン変形部２８での処理、第２演算部３２での処理、比較部３４での処理、判別部３６での処理が繰り返される。この繰り返し処理は、処理終了の要求があるまで行われ、ステップＳ８を処理するたびに、相対距離が８ｃｍ-1を超える様々な電磁波シールドパターンを有するデータが記録媒体６４に記憶されていく。
【００５９】
その後、ステップＳ１０において、第１パターン選択部４０は、記録媒体６４に記憶された複数の電磁波シールドパターンデータのうち、情報テーブル６６に登録された製造可能なピッチの範囲及びパターン幅の範囲を満足する１以上の電磁波シールドパターンデータを選択して記録媒体６４に記憶する。
【００６０】
その後、ステップＳ１１において、第２パターン選択部４２は、第１パターン選択部４０にて選択された１以上の電磁波シールドパターンデータのうち、入力装置２２からの操作入力に対応した１つの電磁波シールドパターンデータを選択して記録媒体６４の特定の記憶領域に記憶する。
【００６１】
このステップＳ１１での処理が終了した段階で、１つの電磁波シールドパターンデータが選定されることになる。
【００６２】
そして、製造ライン２１においては、選定された電磁波シールドパターンデータに基づいて電磁波シールドフィルム１２を製造する。
【００６３】
ここで、人間の視覚特性を勘案した上で、モアレの発生の強度が、パターン変形によってどのように変化するかを図４、図６、図１１〜図１３を参照しながら説明する。モアレ発生の強度は、目視による官能評価で点数をつけることも可能だが、第１、第２二次元フーリエスペクトルのスペクトルピークのピーク対のピーク強度同士の掛け算とピーク間の相対距離とに関係している。ピーク強度の掛け算値が大きいほどモアレ発生の程度が強い。ピーク間の相対距離は人間の視感度が強い領域にあるほどモアレ発生の程度が強い。
【００６４】
画素配列パターンは、上述したように（図４参照）、垂直線が列方向に多数配列され、且つ、水平線が行方向に多数配列された格子状のパターンを有し、図４中の数字は線幅と線間距離の比を示している。
【００６５】
初期の電磁波シールドパターンは、図６に示すように、線幅：線間距離＝２：４３のメッシュパターンを有する。
【００６６】
そして、回転角変更部５４において初期の電磁波シールドパターンを回転角度θを１°ずつ変化させながらモアレの発生の強度を求めると、図１１に示すように、回転角度θを時計方向に増加させるにつれてコントラスト感度が徐々に低下し、回転角度θａからθｂにかけてはモアレの発生の強度が０の部分（相対距離＞８ｃｍ-1である部分）が存在し、回転角度θｂよりもさらに時計方向に回転させていくと、モアレの発生の強度が徐々に増加するという特性を有する。従って、電磁波シールドパターンとして選定する場合、初期の電磁波シールドパターンから回転角度θａ〜θｂだけ時計方向に回転させた複数の電磁波シールドパターンデータが記録媒体６４に記憶されることになる。
【００６７】
同様に、パターン幅変更部５８において初期の電磁波シールドパターンのパターン幅を０．１μｍずつ変化させながらモアレの発生の強度を求める。パターンのピッチと回転角度を固定した場合、図１２に示すように、あるパターン幅Ｐｆを境にモアレの発生の強度が徐々に増加するという特性を有する。従って、電磁波シールドパターンとして選定する場合、初期の電磁波シールドパターンデータのほか、該初期の電磁波シールドパターンデータからパターン幅をＰｆまで広げた電磁波シールドパターンデータまでの複数の電磁波シールドパターンデータが記録媒体６４に記憶されることになる。
【００６８】
同様に、ピッチ変更部５６において初期の電磁波シールドパターンのピッチを０．１μｍずつ変化させながらモアレの発生の強度を求める。パターンのパターン幅と回転角度を固定した場合、図１３に示すように、ピッチを広げるにつれてモアレの発生の強度が徐々に低下し、ピッチＷａからＷｂにかけてはモアレの発生の強度が０の部分（相対距離＞８ｃｍ-1である部分）が存在し、ピッチＷｂよりもさらにパターン幅を広げていくと、モアレの発生の強度が徐々に増加するという特性を有する。従って、電磁波シールドパターンデータとして選定する場合、初期の電磁波シールドパターンデータに対してピッチをＷａ〜Ｗｂだけ広げた複数の電磁波シールドパターンデータが記録媒体６４に記憶されることになる。
【００６９】
このように、相対距離が８ｃｍ-1を超える様々な電磁波シールドパターンデータが記録媒体６４に記憶されていくことから、先ず、第１パターン選択部４０にて製造可能なパターンが選択され、続いて、第２パターン選択部４２にて使用者による最終的な判断に基づいて１つの電磁波シールドパターンデータが選択されることになる。
【００７０】
もちろん、選定処理を開始してから、最初に相対距離が８ｃｍ-1を超える電磁波シールドパターンデータが出現した段階で、選定処理を終了し、この選定された電磁波シールドパターンデータを採用するようにしてもよい。
【００７１】
次に、上述にようにして選定された電磁波シールドパターンに基づいて電磁波シールドフィルムを製造する製造ライン２１での製造方法について図１４〜図１７を参照しながら説明する。
【００７２】
先ず、１つの製造方法としては、透明支持体１４上に電磁波シールドパターン１６を形成する方法としては、透明支持体１４上に設けられた銀塩感光層を露光し、現像、定着することによって形成された金属銀部と、該金属銀部に担持された金属層にて電磁波シールドパターン１６を構成するようにしてもよい。
【００７３】
具体的には、図１４Ａに示すように、ハロゲン化銀７０（例えば臭化銀粒子、塩臭化銀粒子や沃臭化銀粒子）をゼラチン７２に混ぜてなる銀塩感光層７４を透明支持体１４上に塗布する。なお、図１４Ａ〜図１４Ｃでは、ハロゲン化銀７０を「粒々」として表記してあるが、あくまでも本発明の理解を助けるために誇張して示したものであって、大きさや濃度等を示したものではない。
【００７４】
その後、図１４Ｂに示すように、銀塩感光層７４に対して選定された電磁波シールドパターンの形成に必要な露光を行う。ハロゲン化銀７０は、光エネルギーを受けると感光して「潜像」と称される肉眼では観察できない微小な銀核を生成する。
【００７５】
その後、潜像を肉眼で観察できる可視化された画像に増幅するために、図１４Ｃに示すように、現像処理を行う。具体的には、潜像が形成された銀塩感光層７４を現像液（アルカリ性溶液と酸性溶液のどちらもあるが通常はアルカリ性溶液が多い）にて現像処理する。この現像処理とは、ハロゲン化銀７０ないし現像液から供給された銀イオンが現像液中の現像主薬と呼ばれる還元剤により潜像銀核を触媒核として金属銀に還元されて、その結果として潜像銀核が増幅されて可視化された銀画像（現像銀７６）を形成する。
【００７６】
現像処理を終えたあとに銀塩感光層７４中には光に感光できるハロゲン化銀７０が残存するのでこれを除去するために図１４Ｄに示すように定着処理液（酸性溶液とアルカリ性溶液のどちらもあるが通常は酸性溶液が多い）により定着を行う。
【００７７】
この定着処理を行うことによって、露光された部位には金属銀部７８が形成され、露光されていない部位にはゼラチン７２のみが残存し、光透過部となる。すなわち、透明支持体１４上に金属銀部７８による電磁波シールドパターン１６が形成されることになる。
【００７８】
ハロゲン化銀７０として臭化銀を用い、チオ硫酸塩で定着処理した場合の定着処理の反応式は以下のようである。
ＡｇＢｒ（固体）＋２個のＳ2Ｏ3イオン  →  Ａｇ（Ｓ2Ｏ3）2
（易水溶性錯体）
【００７９】
すなわち、２個のチオ硫酸イオンＳ2Ｏ3とゼラチン７２中の銀イオン（ＡｇＢｒからの銀イオン）が、チオ硫酸銀錯体を生成する。チオ硫酸銀錯体は水溶性が高いのでゼラチン７２中から溶出されることになる。その結果、現像銀７６が金属銀部７８として定着されて残ることになる。
【００８０】
従って、現像工程は、潜像に対し還元剤を反応させて現像銀７６を析出させる工程であり、定着工程は、現像銀７６にならなかったハロゲン化銀７０を水に溶出させる工程である。詳細は、Ｔ．Ｈ．Ｊａｍｅｓ，  Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ，  ４ｔｈ  ｅｄ．，  Ｍａｃｍｉｌｌｉａｎ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，Ｉｎｃ，  ＮＹ，Ｃｈａｐｔｅｒ１５，  ｐｐ．４３８−４４２．  １９７７を参照されたい。
【００８１】
なお、現像処理は多くの場合アルカリ性溶液で行われることから、現像処理工程から定着処理工程に入る際に、現像処理にて付着したアルカリ溶液が定着処理溶液（多くの場合は酸性溶液である）に持ち込まれるため、定着処理液の活性が変わるといった問題がある。また、現像処理槽を出た後、膜に残留した現像液により意図しない現像反応が更に進行する懸念もある。そこで、現像処理後で、定着処理工程に入る前に、酢酸（酢）溶液等の停止液で銀塩感光層７４を中和もしくは酸性化することが好ましい。
【００８２】
なお、図１４Ｅに示すように、例えばめっき処理（無電解めっきや電気めっきを単独ないし組み合わせる）を行って、金属銀部７８の表面のみに金属層８０を担持させることによって、透明支持体１４上に金属銀部７８と、該金属銀部７８に担持された金属層８０にて電磁波シールドパターン１６を形成するようにしてもよい。
【００８３】
ここで、上述した銀塩感光層７４を用いた方法（銀塩写真技術）と、フォトレジストを用いた方法（レジスト技術）との違いを説明する。
【００８４】
レジスト技術では、露光処理により光重合開始剤が光を吸収して反応が始まりフォトレジスト膜（樹脂）自体が重合反応して現像液に対する溶解性の増大又は減少させ、現像処理により露光部分又は未露光部分の樹脂を除去する。なおレジスト技術で現像液とよばれる液は還元剤を含まず、未反応の樹脂成分を溶解する例えばアルカリ性溶液である。一方、上述の銀塩写真技術の露光処理では上記に記載したように、光を受けた部位のハロゲン化銀７０内において発生した光電子と銀イオンからいわゆる「潜像」と呼ばれる微小な銀核が形成され、その潜像銀核が現像処理（この場合の現像液は必ず現像主薬と呼ばれる還元剤を含む）により増幅されて可視化された銀画像になる。このように、レジスト技術と銀塩写真技術とでは、露光処理から現像処理での反応が全く異なる。
【００８５】
レジスト技術の現像処理では露光部分又は未露光部分の重合反応しなかった樹脂部分が除去される。一方、銀塩写真技術の現像処理では、潜像を触媒核にして現像液に含まれる現像主薬と呼ばれる還元剤により還元反応がおこり、目に見える大きさまで現像銀７６が成長するものであって、未露光部分のゼラチン７２の除去は行われない。このように、レジスト技術と銀塩写真技術とでは、現像処理での反応も全く異なる。
【００８６】
なお、未露光部分のゼラチン７２に含まれるハロゲン化銀７０は、その後の定着処理によって溶出されるものであって、ゼラチン７２自体の除去は行われない（図１４Ｄ参照）。
【００８７】
このように、銀塩写真技術では反応（感光）主体がハロゲン化銀であるのに対し、レジスト技術では光重合開始剤である。また、現像処理では、銀塩写真技術ではバインダ（ゼラチン７２）は残存するが（図１４Ｄ参照）、レジスト技術ではバインダがなくなる。このような点で、銀塩写真技術とフォトレジスト技術は大きく相違する。
【００８８】
そして、銀塩感光層７４に対する露光にて使用されるマスクは、選定された電磁波シールドパターンデータに対応したマスクパターンを有するようにしてもよい。
【００８９】
あるいは、銀塩感光層７４に対するデジタル書込み露光によって、銀塩感光層７４に、選定された電磁波シールドパターンデータに対応した電磁波シールドパターン１６を露光するようにしてもよい。
【００９０】
その他の製造方法としては、図１５Ａに示すように、例えば透明支持体１４上に形成された銅箔８２上のフォトレジスト膜８４を露光、現像処理して、選定された電磁波シールドパターンデータに対応したレジストパターン８６を形成し、図１５Ｂに示すように、レジストパターン８６から露出する銅箔８２をエッチングすることによって、電磁波シールドパターン１６を形成するようにしてもよい。この場合、フォトレジスト膜８４に対する露光にて使用されるマスクは、選定された電磁波シールドパターンデータに対応したマスクパターンを有するようにしてもよい。
【００９１】
あるいは、フォトレジスト膜８４に対するデジタル書込み露光によって、フォトレジスト膜８４に、選定された電磁波シールドパターンデータに対応した電磁波シールドパターン１６を露光するようにしてもよい。
【００９２】
また、図１６Ａに示すように、透明支持体１４上に金属微粒子を含むペースト８８を印刷し、図１６Ｂに示すように、ペースト８８に金属めっき９０を行うことによって、選定された電磁波シールドパターンデータに対応した電磁波シールドパターン１６を形成するようにしてもよい。
【００９３】
あるいは、図１７に示すように、透明支持体１４に、選定された電磁波シールドパターンデータに対応した電磁波シールドパターン１６をスクリーン印刷版又はグラビア印刷版によって印刷形成するようにしてもよい。
【００９４】
このように、本実施の形態に係る電磁波シールドフィルム１２の製造装置１０及び製造方法においては、モアレの発生を抑止でき、しかも、電磁波シールドフィルム１２の特性、特に、表面抵抗率の増大や透明性の劣化をも回避することができる電磁波シールドパターン１６を自動的に選定し、設置される表示装置に適合した電磁波シールドフィルムを製造することができる。
【００９５】
なお、本発明に係る電磁波シールドフィルムの製造装置、電磁波シールドフィルムの製造方法及びパターン生成方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本実施の形態に係る製造装置及び製造方法にて製造される電磁波シールドフィルムの一例を一部省略して示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係る製造装置及び製造方法にて製造される電磁波シールドフィルムの一例を一部省略して示す平面図である。
【図３】本実施の形態に係る製造装置の構成、特に、パターン選定処理部の構成を示すブロック図である。
【図４】電磁波シールドフィルムが設置される表示装置の画素配列パターンの一例を一部省略して示す平面図である。
【図５】図４に示す画素配列パターンの二次元フーリエスペクトルの強度特性を示す図である。
【図６】電磁波シールドパターンの一例を一部省略して示す平面図である。
【図７】電磁波シールドパターンの二次元フーリエスペクトルの強度特性を示す図である。
【図８】画素配列パターンと電磁波シールドパターンの各二次元フーリエスペクトルの比較を示す説明図である。
【図９】空間周波数に対するコントラスト感度の変化を示す特性図である。
【図１０】本実施の形態に係る製造装置の構成、特に、パターン選定処理部の処理動作を示すフローチャートである。
【図１１】電磁波シールドパターンの回転角度に対するモアレの発生の強度の変化を示す特性図である。
【図１２】電磁波シールドパターンのピッチに対するモアレの発生の強度の変化を示す特性図である。
【図１３】電磁波シールドパターンのパターン幅に対するモアレの発生の強度の変化を示す特性図である。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｅは電磁波シールドフィルムの製造方法の一例を示す工程図である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは電磁波シールドフィルムの製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１６】図１６Ａ及び図１６Ｂは電磁波シールドフィルムの製造方法のさらに他の例を示す工程図である。
【図１７】電磁波シールドフィルムの製造方法のさらに他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０…製造装置                            １２…電磁波シールドフィルム
１４…透明支持体                          １６…電磁波シールドパターン
２０…パターン選定処理部                  ２２…入力装置
２４…第１入力部                          ２６…第２入力部
２８…パターン変形部                      ３０…第１演算部
３２…第２演算部                          ３４…比較部
３６…判別部                              ３８…パターンデータ処理部
４０…第１パターン選択部                  ４２…第２パターン選択部
４４…モニタ
【図１】
0004914805.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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