(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）、ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）、有機溶剤（Ｄ）、および下記一般式（Ｅ１−０）で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤（Ｅ１）を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
【化１】
0004903096.tif 000017
［式（Ｅ１−０）中、Ｒｆは炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基であり、Ｒ１１は炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合である。］
【請求項２】
前記フッ素系界面活性剤（Ｅ１）が、下記一般式（Ｅ１−１）で表される構造を有する化合物を含む請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【化２】
0004903096.tif 000018
［式（Ｅ１−１）中、Ｒｆは炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基であり、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合であり、Ｒ１３は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基であり、ｎ１は１〜５０であり、ｎ２は０または１である。］
【請求項３】
さらに、分子量１０００以下のフェノール性水酸基含有化合物（Ｂ）を含有する請求項１または２記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項４】
支持体の塗布面全面に請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型ホトレジスト組成物を塗布する工程、前記支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、所定のパターンが形成されたマスクを介して、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーが用いられている。また、これらより短波長のＦ２エキシマレーザー、電子線、ＥＵＶ（極紫外線）やＸ線などについても検討が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、たとえば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とを有機溶剤に溶解してなる、ｉ線（３６５ｎｍ）リソグラフィー用に好適なポジ型ホトレジスト組成物が用いられている。当該ポジ型ホトレジスト組成物は、感度、解像性、耐熱性に優れる材料であるとして、半導体素子製造の分野など広く実用に供されている。
前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノールなどのフェノール類を少なくとも２種含有する混合フェノール類と、アルデヒド類もしくはケトン類との縮合反応により合成されるポリマーが一般に用いられている（特許文献１、２参照）。
【０００４】
また、ポジ型ホトレジスト組成物の支持体への塗布性を向上させるために、界面活性剤としてパーフルオロオクタン酸（ＰＦＯＡ）、パーフルオロオクタンスルホン酸（ＰＦＯＳ）、またはそれらの誘導体（ＰＦＯＡ類またはＰＦＯＳ類）を使用することが知られているが、近年は、非ＰＦＯＡ化、非ＰＦＯＳ化への要望が高まっており、非ＰＦＯＡ、非ＰＦＯＳの界面活性剤への切り替えが望まれている。
【特許文献１】特開平５−６１１９５号公報
【特許文献２】特開２００７−２３０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、レジストパターンの微細化はますます進み、レジスト材料には、高解像性への要望がさらに高まるにつれ、レジストパターン形状や種々のリソグラフィー特性の向上が求められている。
そして、微細なパターニングを精度良く行うためには、レジスト膜の膜厚を均一にすることも重要な課題の一つである。
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２に記載されているような従来のポジ型ホトレジスト組成物においては、レジスト塗布法により支持体上に塗布した場合、レジスト膜にすじ状痕（以下、「ストリエーション」という。）が形成される場合がある。このストリエーションは、本発明者らの検討によると、レジスト膜の膜厚不均一の原因になることが確認されている。
また、ポジ型ホトレジスト組成物の使用量を抑制（省レジスト化）するため、少ない塗布液量でも均一に支持体上に塗布できるレジスト組成物が望まれている。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、支持体上に塗布した際、塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができるポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、特定の界面活性剤を配合したポジ型ホトレジスト組成物を用いることにより、前記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明の第一の態様は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）、ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）、有機溶剤（Ｄ）、および下記一般式（Ｅ１−０）で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤（Ｅ１）を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物である。
【０００９】
【化１】
0004903096.tif 000002
［式（Ｅ１−０）中、Ｒｆは炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基であり、Ｒ１１は炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合である。］
【００１０】
また、本発明の第二の態様は、支持体の塗布面全面に前記第一の態様のポジ型ホトレジスト組成物を塗布する工程、前記支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。
【００１１】
なお、本明細書および本特許請求の範囲において、「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状、および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状、および環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「低級アルキル基」は、炭素原子数１〜５のアルキル基を意味する。
「露光」とは、光の照射のみならず、電子線等の放射線の照射全般を含む概念とする。
「支持体の塗布面」とは、支持体のうちポジ型ホトレジスト組成物が塗布されるべき領域を指しており、一般的には支持体の一面全面を意味する。
「構成単位」とは、樹脂成分（重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、支持体上に塗布した際の塗布性が良好であって、塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができるポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
≪ポジ型ホトレジスト組成物≫
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）（以下、（Ａ）成分という。）、ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）（以下、（Ｃ）成分という。）、有機溶剤（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という。）、および前記一般式（Ｅ１−０）で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤（Ｅ１）（以下、（Ｅ１）成分という。）を含有する。
【００１４】
＜（Ａ）成分＞
本発明において、（Ａ）成分はアルカリ可溶性ノボラック樹脂であり、ポジ型ホトレジスト組成物において被膜形成物質として通常用いられ得るものの中から任意に選択して利用することができる。
（Ａ）成分の具体例としては、フェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂などが挙げられる。
【００１５】
前記フェノール類としては、たとえばフェノール；ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらのフェノール類の中では、２，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが特に好ましい。
これらは、単独で用いてもよいし、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、２種以上を組み合わせて用いることが好ましく、２，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、ｍ−クレゾール、およびｐ−クレゾールから選ばれる２種以上を組み合わせて用いることが特に好ましい。具体的には、ｍ−クレゾール／２，５−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノール、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２，５−キシレノール、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノール、ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール、およびｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２，５−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノール等の組み合わせが好適に挙げられる。これらの組み合わせやその配合割合は、解像性の向上や重合時の反応性等、目的に応じて適宜選択や調整すればよい。安価に入手しやすいという点では、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを組み合わせて用いることが最も好ましい。
【００１６】
前記アルデヒド類としては、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド類の中では、入手のしやすさからホルムアルデヒドが好ましい。
これらは、単独で用いてもよいし、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１７】
前記酸性触媒としては、たとえば塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられ、シュウ酸が好ましい。
【００１８】
（Ａ）成分は、１種のノボラック樹脂からなっていてもよく、２種以上のノボラック樹脂からなっていてもよい。
本発明の（Ａ）成分としては、例えばｍ−クレゾール／ｐ−クレゾールの組み合わせを用いる場合、以下に例示する（Ａ’）成分を含むものが好ましい。
【００１９】
［（Ａ’）成分］
本発明において、（Ａ’）成分は、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとの仕込みの割合（モル比）が好ましくはｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝２０／８０〜８０／２０、より好ましくはｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝３０／７０〜７０／３０の混合フェノール類に対し、ホルムアルデヒドを縮合剤として用いて合成された、Ｍｗが４０００〜１００００のノボラック樹脂である。
【００２０】
本発明において、（Ａ）成分は、（Ａ’）成分以外のノボラック樹脂を含んでいてもよく、その含有割合についても、上述したとおり、解像性の向上や重合時の反応性等の目的に応じて適宜調整すればよい。
（Ａ）成分中における（Ａ’）成分の合計の含有割合は、特に限定されず、１００質量％までの範囲で調整することが可能であるが、例えば、安価に入手しやすいという点から、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましく、最も好ましくは１００質量％である。
【００２１】
（Ａ）成分全体の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、４０００以上であることが好ましく、４０００〜５００００であることがより好ましく、５０００〜２００００であることがさらに好ましい。該Ｍｗが４０００以上であると、レジスト膜の膜厚を均一にする上で好ましい。
（Ａ）成分が２種以上のノボラック樹脂からなる場合、それぞれのノボラック樹脂のＭｗは特に限定されるものではなく、（Ａ）成分全体としてＭｗが４０００以上となるように調製されていることが好ましい。
【００２２】
＜（Ｃ）成分＞
本発明において、（Ｃ）成分はナフトキノンジアジド基含有化合物であり、感光性成分である。（Ｃ）成分は、従来、ポジ型ホトレジスト組成物の感光性成分として用いられてきたものを用いることができる。
（Ｃ）成分の具体例としては、たとえば、後述の一般式（ＩＩＩ）で表わされるフェノール性水酸基含有化合物と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応生成物（以下、（ｃ１）成分という。）が好適なものとして挙げられる。
【００２３】
前記１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物としては、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル化合物等が挙げられ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物が好ましい。
前記（ｃ１）成分の平均エステル化率は、５０〜７０％であることが好ましく、５５〜６５％であることがより好ましい。該平均エステル化率が５０％以上であると、アルカリ現像後の膜減りが抑制され、残膜率が高くなる点で好ましい。該平均エステル化率が７０％以下であれば、保存安定性が向上する。
【００２４】
また、（Ｃ）成分としては、前記（ｃ１）成分以外に、他のキノンジアジドエステル化物（ｃ２）（以下、（ｃ２）成分という。）を用いることができる。
（ｃ２）成分としては、たとえば、下記化学式（ＩＩ）で表されるフェノール性水酸基含有化合物と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物（好ましくは、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物または１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル化合物）とのエステル化反応生成物（以下、（ｃ２）成分という。）が挙げられる。該（ｃ２）成分は、非常に安価でありながら、高感度のポジ型ホトレジスト組成物を調製できる点で特に好ましい。
【００２５】
【化２】
0004903096.tif 000003
【００２６】
（Ｃ）成分中の（ｃ２）成分の含有割合は、５０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることが特に好ましい。
【００２７】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物における（Ｃ）成分の含有割合は、（Ａ）成分と、必要に応じて配合される（Ｂ）成分（後述）との合計量１００質量部に対して１５〜４５質量部の範囲内であることが好ましく、２０〜４０質量部の範囲内であることがより好ましく、２５〜３５質量部の範囲内であることがさらに好ましい。（Ｃ）成分の含有割合が１５質量部以上であると、転写性が向上して、所望の形状のレジストパターンが形成されやすくなる。一方、４５質量部以下であれば、感度や解像性が向上し、また、アルカリ現像処理後における残渣物の発生が抑制される。
【００２８】
＜（Ｄ）成分＞
本発明において、（Ｄ）成分は有機溶剤である。本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、レジスト材料を（Ｄ）成分に溶解させて製造することができる。
（Ｄ）成分としては、使用する各レジスト材料を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、レジスト組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
上記のなかでも、塗布性に優れ、レジスト膜の膜厚の均一性に優れている点から、ＰＧＭＥＡ、２−ヘプタノン、ＥＬ、ピルビン酸エチルが特に好ましい。
【００２９】
（Ｄ）成分は、１種単独で用いてもよく、または２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
【００３０】
本発明においては、（Ｄ）成分を用いて、ポジ型ホトレジスト組成物中における（Ａ）成分および（Ｃ）成分と、後述の（Ｂ）成分との合計の含有割合（以下、「固形分濃度」という場合がある）を、４５質量％以下に調整することが好ましく、４０質量％以下に調整することがより好ましく、３５質量％以下に調整することがさらに好ましい。下限値は５質量％以上に調整することが好ましく、１０質量％以上に調整することがより好ましい。該含有割合が前記範囲であると、良好な塗布性が得られる。また、該塗布の後、スピンした場合に良好な流動性が得られるため、膜厚の均一性が良好なレジスト膜を歩留まり良く形成する上で好ましい。
また、本発明のポジ型ホトレジスト組成物は上記の固形分濃度の範囲で調製することが可能なことから、１〜１００ｍＰａ・ｓという幅広い粘度が得られ、多岐に渡って使用することが可能である。
ここで、本明細書において、「ポジ型ホトレジスト組成物の粘度」とは、キャノン・フェンスケ粘度計ＶＭＣ−２５２（製品名、離合社製）を用いて２５℃の温度条件下で測定される値を示す。
【００３１】
＜（Ｅ１）成分＞
本発明において、（Ｅ１）成分は下記一般式（Ｅ１−０）で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤である。
（Ｅ１）成分を含有することにより、支持体上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布した際の塗布性が良好であって、塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができる。さらに、（Ｅ１）成分は、近年要望が高まりつつある非ＰＦＯＡ類・非ＰＦＯＳ類のフッ素系界面活性剤である。
従来、レジスト組成物においては、界面活性剤の含有量が多い場合、形成されたレジストパターンの表面に欠陥（ディフェクト）が発生しやすくなるという問題がある。本発明における（Ｅ１）成分を用いると、レジスト組成物中の含有量が少なくても充分に上記の効果（塗布性、塗布液量の低減、膜厚の均一性）が得られるため、前記欠陥（ディフェクト）の発生を抑制できる。
【００３２】
【化３】
0004903096.tif 000004
［式（Ｅ１−０）中、Ｒｆは炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基であり、Ｒ１１は炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合である。］
【００３３】
前記式（Ｅ１−０）中、Ｒｆは、炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基である。炭素原子数が６以下であるため、いわゆるＰＦＯＡ類やＰＦＯＳ類には該当しない。
該フッ素化アルキル基としては、炭素数１〜３であることが好ましく、炭素数１または２であることが特に好ましい。
また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率（アルキル基中のフッ素原子の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、水素原子をすべてフッ素原子で置換したフッ素化アルキル基（パーフルオロアルキル基）が最も好ましい。
Ｒ１１は、炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましく、メチレン基が最も好ましい。
【００３４】
（Ｅ１）成分の好適なものとしては、たとえば、下記一般式（Ｅ１−１）で表される構造を有する化合物が挙げられる。
【００３５】
【化４】
0004903096.tif 000005
［式（Ｅ１−１）中、Ｒｆは炭素原子数１〜６のフッ素化アルキル基であり、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合であり、Ｒ１３は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基であり、ｎ１は１〜５０であり、ｎ２は０または１である。］
【００３６】
前記式（Ｅ１−１）中、ＲｆおよびＲ１１は、前記式（Ｅ１−０）におけるＲｆおよびＲ１１とそれぞれ同じである。
Ｒ１２は、炭素原子数１〜５のアルキレン基または単結合であり、メチレン基、エチレン基が好ましく、メチレン基が最も好ましい。
Ｒ１３は、水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基であり、水素原子、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
ｎ１は、１〜５０であり、本発明の効果がより向上することから、１〜４０が好ましく、３〜３５がより好ましい。
ｎ２は、０または１であり、１が好ましい。
【００３７】
（Ｅ１）成分の分子量は、２００〜７０００であることが好ましく、１２００〜６０００であることがより好ましく、１２００〜４５００であることがさらに好ましい。
（Ｅ１）成分の分子量が前記範囲であると、支持体上にレジスト組成物を塗布した際の塗布性が向上し、塗布液量をより少なくすることができる。また、レジスト膜の膜厚の均一性がより向上する。
【００３８】
（Ｅ１）成分の好適な具体例を以下に例示する。
【００３９】
【化５】
0004903096.tif 000006
【００４０】
本発明において、（Ｅ１）成分としては、前記一般式（Ｅ１−１）で表される構造を有する化合物を含むことが好ましい。
上記のなかでも、（Ｅ１）成分は、化学式（Ｅ１−１−１）〜（Ｅ１−１−４）から選択される少なくとも一種のフッ素系界面活性剤が好ましく、本発明の効果が特に良好なことから、化学式（Ｅ１−１−２）または化学式（Ｅ１−１−３）が特に好ましい。
【００４１】
（Ｅ１）成分の好適な具体例としては、たとえば、ポリフォックスシリーズのＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０（いずれも商品名、オムノバ社製）等が挙げられる。これらの中でも、特にＰＦ−６５６、ＰＦ−６３２０は、支持体上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布した際の塗布性が良好であって、塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができるため、好ましい。
【００４２】
（Ｅ１）成分は、１種単独で用いてもよく、または２種以上を併用してもよい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物における（Ｅ１）成分の含有割合は、該ホトレジスト組成物から（Ｄ）成分と（Ｅ１）成分と（Ｅ２）成分とを除いた全固形分に対して、０．００１〜７質量部であることが好ましく、０．００１〜３質量部であることがより好ましく、０．０１〜１質量部であることがさらに好ましい。
（Ｅ１）成分の含有割合が下限値以上であると、支持体上にホトレジスト組成物を塗布した際の塗布性が向上し、塗布液量を少なくすることができる。また、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができる。一方、（Ｅ１）成分の含有割合が上限値以下であると、他の成分との相溶性が向上する。
【００４３】
＜（Ｂ）成分＞
本発明においては、感度向上の効果が得られることから、さらに、分子量１０００以下のフェノール性水酸基含有化合物（Ｂ）を含有することが好ましい。
（Ｂ）成分の分子量は１０００以下であり、２００〜１０００であることが好ましい。（Ｂ）成分の分子量が１０００以下であると、感度向上の効果が得られやすくなる。
【００４４】
特に、半導体素子や液晶素子製造の分野においては、スループットの向上が非常に大きい問題であり、また、レジスト消費量が多くなりがちである。そのため、ポジ型ホトレジスト組成物にあっては、高感度でしかも安価であることが好ましく、該（Ｂ）成分を用いると、比較的安価で高感度化を達成できる。また、（Ｂ）成分を用いると、レジストパターン形成において表面難溶化層が強く形成されるため、アルカリ現像時に未露光部分のレジスト膜の膜減り量が少なく、現像時間の差から生じる現像ムラの発生が抑えられることから好ましい。
【００４５】
（Ｂ）成分としては、従来、ポジ型ホトレジスト組成物に用いられている分子量１０００以下のフェノール性水酸基含有化合物を適宜用いることができる。
（Ｂ）成分の具体例としては、たとえば、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるフェノール性水酸基含有化合物が、感度を効果的に向上できることから好適なものとして挙げられる。
【００４６】
【化６】
0004903096.tif 000007
［式（ＩＩＩ）中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、または炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表し；Ｒ２９〜Ｒ３１はそれぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し；Ｑは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ２９と結合して形成する炭素原子数３〜６のシクロアルキル基、または下記一般式（ＩＶ）で表される残基を表し；ａ、ｂは１〜３の整数を表し；ｄは０〜３の整数を表し；ｎは０〜３の整数を表す。］
【００４７】
【化７】
0004903096.tif 000008
［式（ＩＶ）中、Ｒ３２およびＲ３３はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、または炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表し；ｃは１〜３の整数を示す。］
【００４８】
前記式（ＩＩＩ）中、Ｒ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、または炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表し、炭素原子数１〜６のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ２１〜Ｒ２８において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
炭素原子数１〜６のアルキル基のなかでも、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
炭素原子数１〜６のアルコキシ基のなかでも、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましい。
Ｒ２９〜Ｒ３１は、それぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、水素原子であることが好ましい。
ａ、ｂは、１〜３の整数を表し、１であることが最も好ましい。
ｄは、０〜３の整数を表し、１であることが最も好ましい。
ｎは０〜３の整数を表し、０であることが最も好ましい。
Ｑは、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、Ｒ２９と結合して形成する炭素原子数３〜６のシクロアルキル基、または前記一般式（ＩＶ）で表される残基を表し、前記一般式（ＩＶ）で表される残基であることが最も好ましい。
【００４９】
前記式（ＩＶ）中、Ｒ３２およびＲ３３は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、または炭素原子数３〜６のシクロアルキル基を表し、水素原子であることが最も好ましい。
Ｒ３２およびＲ３３は、Ｒ２１〜Ｒ２８と同様のものが挙げられる。
ｃは、１〜３の整数を示し、１であることが最も好ましい。
【００５０】
上記の中でも、下記の化学式（Ｉ−１）、化学式（Ｉ−２）で表されるフェノール性水酸基含有化合物が、高感度化、高残膜率化に優れることから特に好ましい。
【００５１】
【化８】
0004903096.tif 000009
【００５２】
（Ｂ）成分は、１種単独で用いてもよく、または２種以上を併用してもよい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物において（Ｂ）成分を含有させる場合、その含有割合は、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜３０質量部の範囲内であることが好ましく、５〜２５質量部の範囲内であることがより好ましい。（Ｂ）成分の含有割合が１質量部以上であると、高感度化および高残膜率化の向上効果が向上する。一方、２５質量部以下であれば、アルカリ現像後の支持体表面における残渣物の発生が抑制される。また、原料コストも抑えられるため、好ましい。
【００５３】
＜その他の成分＞
本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、たとえばポジ型ホトレジスト組成物からなる層とその下層との密着性を向上させるための密着性向上剤、ハレーション防止剤、保存安定剤などを適宜、添加含有させることができる。
【００５４】
密着性向上剤の好適なものとしては、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジンが挙げられる。これを本発明のポジ型ホトレジスト組成物に適宜含有させることにより、たとえばＣｒ膜等の金属膜上にレジストパターンを形成する場合、該ポジ型ホトレジスト組成物からなる層と金属膜との密着性を効果的に向上させることができる。
密着性向上剤を含有させる場合、その配合量が多すぎると該ポジ型ホトレジスト組成物の経時変化が劣化する傾向にあり、少なすぎると密着性向上効果が充分に得られない。そのため、密着性向上剤の含有割合は、ポジ型ホトレジスト組成物の全固形分に対して０．１〜１０質量部の範囲内とすることが好ましい。
【００５５】
ハレーション防止剤としては、たとえばハレーション防止のための紫外線吸収剤、具体的には２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２'，４'−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチルアミノ−４'−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノ−４'−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等を適宜含有させることができる。
【００５６】
以上説明したように、本発明のポジ型ホトレジスト組成物によれば、支持体上に塗布した際の塗布性が良好であって、塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
【００５７】
≪レジストパターン形成方法≫
本発明のレジストパターン形成方法は、支持体の塗布面全面に前記ポジ型ホトレジスト組成物を塗布する工程、前記支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジストパターン形成方法は、たとえば以下の様にして行うことができる。
【００５８】
まず、支持体の塗布面全面に、本発明のポジ型ホトレジスト組成物を塗布する「塗布工程」を行う。
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。
【００５９】
前記支持体へのポジ型ホトレジスト組成物の塗布は、特に制限されるものではなく、例えば周知の中央滴下後スピンする塗布方法（以下、中央滴下スピン法という。）により行うことができる。
【００６０】
上記のようにして支持体の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物を塗布した後、たとえば、該ホトレジスト組成物が塗布された支持体を８０〜１５０℃の温度条件下、プレベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施してレジスト膜を形成する。その後、該レジスト膜に対し、所望のマスクパターンを介して選択的露光を行う。
露光時の波長は、ｇｈｉ線（ｇ線、ｈ線、およびｉ線）またはｉ線を好適に用いることができ、それぞれの光源を適宜用いて行うことができる。
【００６１】
その後、選択的露光後のレジスト膜に対して、８０〜１５０℃の温度条件下、ＰＥＢ（露光後加熱）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。次いで、これをアルカリ性水溶液からなるアルカリ現像液、たとえば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像処理する。
レジスト膜にアルカリ現像液を接触させる方法としては、たとえば支持体の中心付近の上部に設置されたアルカリ現像液滴下ノズルより支持体表面全体にアルカリ現像液を行き渡らせる方法を用いることができる。
そして、５０〜６０秒間程度静置してアルカリ現像した後、レジストパターン表面に残ったアルカリ現像液を純水などのリンス液を用いて洗い落とすリンス工程を行うことによりレジストパターンが得られる。
【００６２】
以上説明した本発明のレジストパターン形成方法によれば、支持体上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好であって、該ポジ型ホトレジスト組成物の塗布液量を少なくすることができると共に、レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６４】
（実施例１〜１０、比較例１〜３）
下記表１に示す各成分を混合し、溶解してポジ型ホトレジスト組成物を調製した。表１中の各略号は以下の意味を有する。
【００６５】
・アルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）
（Ａ）成分として下記の（Ａ１）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物中の（Ａ）成分の配合量を１００質量部とした。
（Ａ１）：ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとの仕込みの割合（モル比）がｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝３６／６４の混合フェノール類に対して、ホルムアルデヒドを縮合剤とし、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合反応して得られたノボラック樹脂を、水−メタノール混合溶媒にて分別処理を施して得られた、Ｍｗ５１００のノボラック樹脂。
【００６６】
・ナフトキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）
（Ｃ）成分として下記の（ｃ１）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物中の（ｃ１）の配合量を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して２９質量部とした。
（ｃ１）：（Ｂ）成分として用いた（ｂ１）と同じ化合物１モルと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライド２．１１モルとのエステル化反応生成物。
【００６７】
・有機溶剤（Ｄ）
（Ｄ）成分として下記の（ｄ１）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物の固形分濃度が２５質量％となるように（ｄ１）の配合量を調整した（当該ポジ型ホトレジスト組成物の２５℃の粘度：１８．８ｍＰａ・ｓ）。
（ｄ１）：ピルビン酸エチル。
【００６８】
・フッ素系界面活性剤（Ｅ１）
（Ｅ１）成分として下記の（ｅ１１）および（ｅ１２）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物中の（ｅ１１）および（ｅ１２）の配合量を、（Ｄ）成分と（Ｅ１）成分とを除いた全固形分に対して、それぞれ表２に示す配合量（ｐｐｍ質量部）とした。
（ｅ１１）：下記化学式（Ｅ１−１−２）で表される化合物（商品名：ポリフォックスＰＦ−６３２０、オムノバ社製）。
【００６９】
【化９】
0004903096.tif 000010
【００７０】
（ｅ１２）：下記化学式（Ｅ１−１−２）で表される化合物（商品名：ポリフォックスＰＦ−６５６、オムノバ社製）。
【００７１】
【化１０】
0004903096.tif 000011
【００７２】
・（Ｅ１）成分の比較成分（Ｅ２）
（Ｅ２）成分としてフッ素シリコーン系界面活性剤である、下記の（ｅ２１）および（ｅ２２）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物中の（Ｅ２）成分の配合量を、（Ｄ）成分と（Ｅ２）成分とを除いた全固形分に対して、それぞれ表２に示す配合量（ｐｐｍ質量部）とした。
（ｅ２１）：ＦＣ−１７１（商品名：Ｆｌｕｏｒａｄ  ＦＣ−１７１、スリーエム社製）。
（ｅ２２）：Ｒ−５０（商品名：メガファックＲ−５０、大日本インキ化学工業（株）社製）。
【００７３】
・フェノール性水酸基含有化合物（Ｂ）
（Ｂ）成分として下記の（ｂ１）を用いた。当該ポジ型ホトレジスト組成物中の（ｂ１）の配合量を、（Ａ）成分１００質量部に対して２３質量部とした。
（ｂ１）：下記化学式（Ｉ−２）で表される化合物（分子量３４８）。
【００７４】
【化１１】
0004903096.tif 000012
【００７５】
【表１】
0004903096.tif 000013
【００７６】
上記で得られたポジ型ホトレジスト組成物を、孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過して「試料」とし、該試料を用いて、以下に示す方法によりレジスト膜を形成して、塗布特性（ストリエーションの形成、膜厚の均一性、塗布液量）の評価、およびリソグラフィー特性（露光量に対する寸法変化、マスクリニアリティ、焦点深度幅（ＤＯＦ））の評価をそれぞれ行った。
その評価結果を表２、表３に示す。
【００７７】
＜塗布特性の評価＞
［レジスト膜の形成］
各試料を、中央滴下スピン塗布法による塗布装置ＳＫ−Ｗ８０Ａ−ＡＶ（製品名、大日本スクリーン社製）を用いて、８インチシリコン基板（円板状）上に塗布して、所定の膜厚の塗布膜をそれぞれ形成した。
塗布方法として具体的には、前記シリコン基板を１８００ｒｐｍで回転させながら、そのシリコン基板上の中心付近に、試料を、前記塗布装置のノズルから滴下した後、２０００ｒｐｍで回転させてシリコン基板全面に広げた。次いで、該シリコン基板を１５００ｒｐｍで回転させてエッジリンスし、その後、２０００ｒｐｍで回転させて振り切り、シリコン基板全面に塗布膜を形成した。
次いで、該塗布膜に対し、ホットプレートの温度を１１０℃とし、約０．１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベークにより９０秒間の乾燥を行い、レジスト膜を形成した。
【００７８】
［ストリエーションの形成の評価］
形成されたレジスト膜の表面をナトリウムランプ下で観察し、下記基準にしたがってストリエーションの形成の評価を行った。その結果を表２に示す。
○：ストリエーションの形成が見られなかった。
△：ストリエーションの形成がかすかに認められた。
×：ストリエーションが大きく形成された。
【００７９】
［膜厚の均一性の評価］
形成されたレジスト膜について、前記シリコン基板の直径の両端の間２５箇所（等間隔）における該レジスト膜の膜厚（Å）を、ナノスペック７００１−００６６ＸＰＷ（製品名、ナノメトリクスジャパン社製）を用いて測定し、２５箇所の膜厚の平均値、２５箇所の膜厚の標準偏差（σ）を求め、下記の基準にしたがって膜厚の均一性を評価した。その結果を表２に示す。
ここで、「標準偏差（σ）」は、その値が小さいほど膜厚の面内バラツキが小さく、膜厚の均一性の高いレジスト膜が得られたことを意味する。
評価基準
◎：標準偏差（σ）が２５未満。
○：標準偏差（σ）が２５以上３０未満。
△：標準偏差（σ）が３０以上５０未満。
×：標準偏差（σ）が５０以上。
【００８０】
［塗布液量の評価］
上記［レジスト膜の形成］において、該シリコン基板の塗布面全面にポジ型ホトレジスト組成物の塗布膜が形成されるのに必要な該ポジ型ホトレジスト組成物の最少の使用量（塗布液量）を求めた。塗布液量は、ストリエーションの形成が確認されなかった実施例および比較例のそれぞれについて、上記塗布装置における１秒あたりの吐出量および最低吐出秒数から算出した。その結果を表３に示す。
【００８１】
【表２】
0004903096.tif 000014
【００８２】
【表３】
0004903096.tif 000015
【００８３】
表２の結果から、フッ素系界面活性剤（Ｅ１）を含有する本発明に係る実施例１〜１０は、比較例１および２と同程度に、また、比較例３よりも良好に、レジスト膜におけるすじ状痕（ストリエーション）の形成が抑制され、かつ、比較例１と同程度に膜厚の均一性を向上させることができることが確認できた。
表３の結果から、本発明に係る実施例１、実施例２、実施例６、および実施例７は、比較例１〜２に比べて、塗布液量を少なくすることができることが確認できた。
【００８４】
さらに、ポジ型ホトレジスト組成物中の界面活性剤の含有量について、本発明に係る実施例１〜１０は比較例１よりも少ない量で、また、実施例１および実施例６は比較例２よりも少ない量で、ストリエーション形成の抑制、膜厚の均一性、および塗布液量の低減の効果が向上したことも確認できた。よって、本発明に係る実施例１〜１０のポジ型ホトレジスト組成物は、レジストパターン形成の際におけるディフェクト発生の抑制の効果により優れることが考えられる。
【００８５】
＜レジスト組成物の粘度依存性について＞
表２に示す実施例３、実施例７、および実施例８のポジ型ホトレジスト組成物の固形分濃度を、それぞれ２１質量％と３４．１質量％（２５℃における粘度はそれぞれ５ｍＰａ・ｓと４０ｍＰａ・ｓ）とに変化させた、表４に示すポジ型ホトレジスト組成物について、上記と同様にして［ストリエーションの形成の評価］および［膜厚の均一性の評価］を行った。結果を表４に示す。
【００８６】
【表４】
0004903096.tif 000016
【００８７】
表４の結果より、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、その粘度に依存せず、ストリエーション形成の抑制の効果、および膜厚の均一性の効果が得られることが確認できた。
【００８８】
＜リソグラフィー特性の評価＞
［レジストパターン形成］
表面にヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、表３に示す実施例および比較例のポジ型ホトレジスト組成物を、中央滴下スピン塗布法による塗布装置ＳＫ−Ｗ８０Ａ−ＡＶ（製品名、大日本スクリーン社製）を用いてそれぞれ塗布して塗布膜を形成した。
次いで、該塗布膜に対し、ホットプレートの温度を９０℃とし、約０．１ｍｍの間隔をあけたプロキシミティベークにより９０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行って、膜厚１．２６μｍのレジスト膜を成膜した。
得られたレジスト膜に対し、露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．５７，σ＝０．６０）により、ｉ線を、マスクパターン（６％ハーフトーン）を介して選択的に照射した。
そして、ホットプレートの温度を１１０℃とし、シリコン基板とホットプレートとを接着させて９０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、２３℃で２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液にて６０秒間の現像処理を行い、純水にて３０秒間のリンス、振り切り乾燥を行って下記レジストパターン（１）を形成し、露光量に対する寸法変化、マスクリニアリティ、焦点深度幅（ＤＯＦ）を評価した。
【００８９】
レジストパターン（１）：ライン幅０．５μｍ、ピッチ１．０μｍのラインアンドスペース（１：１）のレジストパターン（以下、Ｌ／Ｓパターンという）。
【００９０】
［露光量に対する寸法変化の評価］
ライン幅０．５μｍ、ピッチ１．０μｍをターゲット寸法とするＬ／Ｓパターンを、露光量を変えて、上記［レジストパターン形成］と同様にしてそれぞれ形成した。
露光量は、露光時間で１２０〜２４０秒間、１０秒毎に変化させた。
そして、各例のポジ型ホトレジスト組成物を用いて形成されたＬ／Ｓパターンの露光量に対する寸法変化について、横軸を露光量、縦軸をパターン寸法とするグラフを描いて評価した。
【００９１】
［マスクリニアリティ評価］
上記レジストパターン形成において、ライン幅０．５μｍ、ピッチ１．０μｍのＬ／Ｓパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ２）を求めた。
該Ｅｏｐにおいて、マスクパターンのＬ／Ｓ比（ライン幅とスペース幅との比）を１：１に固定し、マスクサイズ（ライン幅）を０．３６μｍ、０．３８μｍ、０．４０μｍ、０．５０μｍ、０．６０μｍ、０．７０μｍ、０．８０μｍ、１．００μｍ、１．５０μｍに変えてそれぞれＬ／Ｓパターンを形成し、形成されたＬ／Ｓパターンのサイズ（ライン幅）を測定した。
測定されたレジストパターンサイズがマスクサイズに近い、つまりマスクサイズとのずれが少ないほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。
【００９２】
［焦点深度幅（ＤＯＦ）の評価］
上記Ｅｏｐにおいて、焦点を−１μｍ〜１．２μｍの範囲で０．２μｍ毎に上下にずらしてそれぞれＬ／Ｓパターンを形成し、形成されたＬ／Ｓパターンのサイズ（ライン幅）を測定して焦点深度幅（ＤＯＦ）を評価した。
【００９３】
以上の結果、実施例１、実施例２、実施例６、および実施例７のポジ型レジスト組成物におけるリソグラフィー特性（露光量に対する寸法変化、マスクリニアリティ、焦点深度幅（ＤＯＦ））は、いずれも比較例１〜２のポジ型レジスト組成物に比べて同等レベルまたはそれらよりも良好であることが確認できた。