(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層で且つ−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層、および該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を有するコア基板と、
上記コア基板の表面および裏面の上方に形成され、複数の樹脂絶縁層およびこれらの間に形成した配線層を含む表面側および裏面側ビルトアップ層と、を含み、
上記コア基板のセラミック層は、マシナブルセラミックからなり、且つ該マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物であり、
上記コア基板を形成するセラミック層の厚みは、上記樹脂絶縁層の厚みよりも厚い、
ことを特徴とする電子部品検査装置用配線基板。
【請求項２】
前記表面側および裏面側ビルトアップ層を形成する前記樹脂絶縁層は、耐熱性の樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項３】
前記表面側および裏面側ビルトアップ層は、複数の前記樹脂絶縁層の間に位置する前記配線層を接続するビア導体と、表面側ビルトアップ層の表面および裏面側ビルトアップ層の裏面に形成され、且つ上記配線層およびビア導体と導通する複数の表面側または裏面側パッドを有する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項４】
前記表面側ビルトアップ層の表面に形成された複数の表面側パッドには、それぞれプローブが取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられる配線基板に関し、特に大径のＳｉウェハなどに多数形成された電子部品ごとの電気的特性を正確に検査できる電子部品検査装置に用いられる配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品検査装置の一種であるプローブカードは、多数の微細なプローブをその表面に有し、かかるプローブをＳｉウェハに多数形成された半導体チップなどの電子部品ごとの電極に接触させることで、個々の電子部品の電気的特性を検査することに使用されている。
ところで、Ｓｉウェハは、直径が３００ｍｍあるいはそれ以上に大径化する傾向にある。これに応じて、Ｓｉウェハとプローブカードとの熱膨張率の差に起因して、一部の電子部品において、その電極とプローブとの電気的接続が不十分になるため、かかる電子部品の電気的特性を正確に検査できなくるおそれがある。
【０００３】
このため、例えば、複数の絶縁基板およびこれらの間に配設した配線層を有する測定用配線基板と、その表面に形成した複数のパッドごとの上に設けた複数の測定端子（プローブ）とを備え、上記配線基板の−４０〜＋４００℃における平均熱膨張係数を２×１０−５／℃〜５×１０−６／℃とし、且つ上記温度範囲において、上記配線基板と半導体ウェハとの伸びの差を０．０２％以下としたプローブカードなどが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２８４５４１号公報（第１〜１３頁、図１〜４）
【０００４】
前記特許文献１のプローブカードに用いられる測定用配線基板は、その絶縁基板に少なくともＺｎＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、およびＺｒＯ２の一種を含み、その含有量が１５質量％以下とし、且つコーディエライト結晶相を含む焼結体を用いている。しかしながら、かかる絶縁基板に焼成する際に生じる焼成収縮に伴って、これらの絶縁基板の間に形成した前記配線層も焼成収縮の影響を受けてしまうため、高密度で且つファィンピッチな配線を形成し難くなる。
その結果、複数の前記測定端子を介して、検査すべき電子部品から検出した多数の信号を、正確に処理できなくなり、検査精度および検査効率が低下してしまう、というおそれがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられ、例えば、大径のＳｉウェハなどに多数形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ効率良く検査できる電子部品検査装置用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、低い熱膨張率のセラミック材料で構成されるコア基板の両面に複数の樹脂絶縁層および配線層を含むビルドアップ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の電子部品検査装置用配線基板（請求項１）は、単層で且つ−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層、および該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を有するコア基板と、かかるコア基板の表面および裏面の上方に形成され、複数の樹脂絶縁層およびこれらの間に形成した配線層を含む表面側および裏面側ビルトアップ層と、を含み、上記コア基板のセラミック層は、マシナブルセラミックからなり、且つ該マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物であり、上記コア基板を形成するセラミック層の厚みは、上記樹脂絶縁層の厚みよりも厚い、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、複数の貫通導体を有する前記コア基板を形成する単層の前記セラミック層は、多数の電子部品を有するＳｉウェハの−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数の約３×１０−６／℃と近似している。このため、上記温度範囲における熱的変化を受けても、コア基板の表面側に形成されたビルドアップ層の表面に取り付けられる複数のプローブと、Ｓｉウェハに形成された多数の電子部品ごとの電極との電気的接続を確保することが容易となる。更に、前記表面側ビルドアップ層および裏面側ビルドアップ層の樹脂絶縁層間に形成された配線層は、高密度で且つファィンピッチにして配線されているので、各プローブから検出された多数の信号に対し、正確な電気的処理を施しつつ、裏面側ビルドアップ層の裏面側パッドから外部回路基板などに出力可能となっている。従って、直径が３００ｍｍあるいはそれ以上の大径であるＳｉウェハなどに多数形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ効率良くに検査することが可能となる。
しかも、前記コア基板のセラミック層は、マシナブルセラミックからなり、且つ該マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物であるので、当該コア基板は、前記温度範囲における熱膨張係数が約４．５×１０−６／℃のマシナブルセラミック、約４．３×１０−６／℃のＡｌＮ、または約４．２×１０−６／℃のムライトからなるセラミック層によって形成されている。そのため、前記温度範囲における熱膨張係数が約３．０×１０−６／℃のＳｉウェハとも、熱膨張係数がほぼ近似しているので、かかるＳｉウェハに形成された多数の電子部品の検査を正確且つ確実に行うことが可能となる。
加えて、前記コア基板を形成するセラミック層の厚みは、前記樹脂絶縁層の厚みよりも厚いため、本検査装置用配線基板全体の熱膨張係数をＳｉウェハの熱膨張係数に近似させ得ると共に、本検査装置用配線基板全体の強度および形状も容易に保つことが可能となる。
【０００８】
尚、前記コア基板に形成される貫通導体には、かかるコア基板の表面と裏面との間を貫通する貫通孔の全体がほぼ円柱形にして形成されるビア導体の形態、あるいは、上記貫通孔の内壁に沿って形成された全体がほぼ円筒形を呈し且つ内部に樹脂や金属などを充填するスルーホール導体の形態が含まれる。
また、前記コア基板のセラミック層は、次述する材料からなるグリーンシート予め焼成した後、孔明け加工による貫通孔の形成、かかる貫通孔内への導電性ペーストの充填、および該ペーストを硬化させるための加熱（キュア）が施されるため、複数の貫通導体が位置精度良く形成されている。あるいは、複数のグリーンシートに貫通孔を形成し、その内部に導電性ペーストを充填した後、積層および焼成することでも、同様にして形成し得る。
【０００９】
尚、前記マシナブルセラミックとは、機械加工、特に切削加工が容易に施せるセラミックを指し、例えば、セラミック材料に含有される結晶の著しいへき開を利用したマイカセラミック、あるいは、粒界の選択的破壊を利用したチタン酸アルミニウムセラミックなども含まれる。
【００１０】
更に、本発明には、前記表面側および裏面側ビルトアップ層を形成する前記樹脂絶縁層は、耐熱性の樹脂からなる、電子部品検査装置用配線基板（請求項２）も含まれる。これによれば、前記表面側ビルドアップ層の表面に形成した複数の表面側パッドごとに、プローブを取り付ける（プロービング）際に必要な熱を加えても、かかる表面側ビルドアップ層および裏面側ビルドアップ層へのダメージを防ぐか、抑制することができる。
尚、上記耐熱性の樹脂は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）が挙げられる。
【００１１】
また、本発明には、前記表面側および裏面側ビルトアップ層は、複数の前記樹脂絶縁層の間に位置する前記配線層を接続するビア導体と、表面側ビルトアップ層の表面側および裏面側ビルトアップ層の裏面に形成され、且つ上記配線層およびビア導体と導通する複数の表面側または裏面側パッドを有する、電子部品検査装置用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、ポリイミドなどからなる複数の樹脂絶縁層の間ごとに、ファィンピッチな配線層が所定パターンで形成され、これらの間、および表面側または裏面側パッドとの間をビア導体を介して導通可能とされている。従って、Ｓｉウェハにおける多数の電子部品ごとから検出した信号に対し、電圧の増幅や波形の整流などの電気的処理を確実且つ効率良く施し得るので、正確且つ効率の良い検査が可能となる。
尚、前記表面側パッドには、表面側ビルトアップ層の表面に形成される配線の一部である形態も含まれる。また、前記ビルドアップ層は、セミトラクティブ法、アデティブ法、セミアデティブ法などによって、製作される。
【００１２】
加えて、本発明には、前記表面側ビルトアップ層の表面に形成された複数の表面側パッドには、それぞれプローブが取り付けられる、電子部品検査装置用配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、プローブが表面側ビルトアップ層の各表面側パッドごとに取り付けられるため、例えば、Ｓｉウェハに形成された多数の電子部品ごとの電極との確実な電気的接続が可能となり、正確且つ確実な検査が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の電子部品検査装置用配線基板（以下、単に検査装置用配線基板と称する）１の断面およびその使用状態を示す概略図である。
検査装置用配線基板１は、図１に示すように、表面３および裏面４を有する単層のセラミック層Ｓ、および該セラミック層Ｓの表面３と裏面４との間を貫通する複数の貫通導体５を有するコア基板２と、該コア基板２の表面３および裏面４の上方に形成され、複数の樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ３，ｊ４〜ｊ６、およびこれらの間に形成した配線層１１，１２，１４，１５を含む表面側および裏面側ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２と、を備えている。尚、樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ３，ｊ４〜ｊ６の厚みは、それぞれ本検査装置用配線基板１の厚みの約２０〜３０％であり、上記セラミック層Ｓが該配線基板１全体の厚み約４０〜６０％を占めている。
【００１４】
前記コア基板２のセラミック層Ｓは、厚みが約４〜５ｍｍのマシナブルセラミックからなり、−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数（以下、単にＣＴＥと称する）が３．０〜４．５×１０−６／℃である。尚、上記マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物からなり、これらのＣＴＥは、約４．５×１０−６／℃である。
図１に示すように、コア基板２のセラミック層Ｓには、その表面３と裏面４との間を貫通する複数の貫通孔ｈが形成され、かかる貫通孔ｈの内壁面に沿ってほぼ円筒形を呈する貫通導体５が形成され、その内側には、充填樹脂７が充填されている。各貫通導体５の表面３および裏面４には、上記充填樹脂７を封止する配線層８，９が形成されている。尚、貫通導体５および配線層８，９は、ＡｇまたはＣｕ、あるいはこれらの何れかをベースとする合金からなる。
【００１５】
また、図１に示すように、表面側ビルドアップ層ＢＵ１は、例えばポリイミド（以下、単にＰＩと記する）などの耐熱性の樹脂からなる樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ３、これらの間に所定のパターンで形成された配線層１０，１１、および最上層の樹脂絶縁層ｊ３が形成する当該ビルドアップ層ＢＵ１の表面１２に形成された複数の表面側パッド１３を備えている。上記配線層１０，１１、表面側パッド１３、および前記配線層８間は、ほぼ逆円錐形のビア導体Ｖまたはそれよりも小型のビア導体ｖを介して導通可能とされている。尚、表面側パッド１３は、表面側ビルドアップ層ＢＵ１の表面１２に形成された配線の一部であっても良い。
更に、図１に示すように、裏面側ビルドアップ層ＢＵ２も、ＰＩなどの耐熱性の樹脂からなる樹脂絶縁層ｊ４〜ｊ６、これらの間に所定のパターンで形成された配線層１４，１５、および最下層の樹脂絶縁層ｊ６に設けた開口部ｋの底面に露出し、且つ上記配線層１５から当該ビルドアップ層ＢＵ２の裏面１６側に露出する複数の裏面側パッド１７を備えている。配線層１４，１５、および前記配線層９間は、ほぼ円錐形のビア導体Ｖを介して導通可能とされている。
【００１６】
尚、表・裏面側パッド１３，１９を含む前記配線層１０，１１，１４，１５、およびビア導体Ｖ，ｖは、ＣｕまたはＡｇ、あるいはこれらの何れかをベースとする合金からなる。また、前記裏面側パッド１７は、図示しない外部回路基板などに導通され、電源電流の入力および検査信号の出力に活用される。
図１に示すように、表面側ビルドアップ層ＢＵ１の表面１２に位置する複数の表面側パッド１３には、検査すべきＳｉウェハ２０に形成された多数の電子部品（図示せず）ごとの電極ｄと接触し、これと電気的接続が可能なプローブ１９が個別に追って取り付けられる。
【００１７】
図２は、前記配線基板１の変形形態である検査装置用配線基板１ａの断面およびその使用状態を示す概略図である。
図２に示すように、検査装置用配線基板１ａも、前記同様のセラミック層Ｓを有するコア基板２ａと、前記同様の樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ３，ｊ４〜ｊ６を有する表面側および裏面側ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２と、を備えている。
本配線基板１ａが前記配線基板１と相違するのは、コア基板２ａのセラミック層Ｓを貫通する複数の貫通孔ｈ内ごとに全体がほぼ円柱形の貫通導体６を有していることである。かかるコア基板Ｓは、図２中の一点鎖線で示すように、複数のグリーンシートを積層してから、単一層に焼成したものである。
【００１８】
以上のような検査装置用配線基板１，１ａによれば、複数の貫通導体５，６を有する前記コア基板２，２ａを形成する単層の前記セラミック層Ｓが、多数の電子部品を有するＳｉウェハ２０の−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数の約３×１０−６／℃と近似している。このため、上記温度範囲における熱的変化を受けても、コア基板２の表面３上に形成されたビルドアップ層ＢＵ１の表面１２側に取り付けられる複数のプローブ１９と、Ｓｉウェハ２０に形成された多数の電子部品ごとの電極ｄとの電気的接続を確保することが容易となる。
【００１９】
更に、前記表面側および裏面側ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２の樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ６間に形成された配線層１０，１１，１４，１５は、高密度で且つファィンピッチにして配線されているので、各プローブ１９から検出された多数の信号に対し、正確な電気的処理を施しつつ、裏面側ビルドアップ層ＢＵ２，４の裏面側パッド１７から外部回路基板などに出力可能となっている。
しかも、前記配線基板１，１ａによれば、コア基板２，２ａの厚みが配線基板１，１ａ全体の厚みの約４０〜６０％を占めるため、高強度で且つ変形し難いと共に、樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ６がＰＩなどの耐熱性の樹脂からなるため、プローブ１９を取り付ける際のプロービングに対しても確実に耐えられる。従って、直径が３００ｍｍあるいはそれ以上の大径であるＳｉウェハなどに多数形成された電子部品であっても、それらの電気的特性を正確且つ効率良くに検査することが可能となる。
【００２０】
前記検査装置用配線基板１は、次のようにして製造した。
予め、マシナブルセラミック（ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、または、ＡｌＮとＢＮとの混合物）と、樹脂バインダと、溶剤などを所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを作成し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、厚みが約５ｍｍのグリーンシートを形成した。
次に、かかるグリーンシートを所定の温度で焼成して、図３の概略断面図で示すように、表面３および裏面４を有し、厚みが約５ｍｍで、且つ−４０〜＋１５０℃におけるＣＴＥが３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層Ｓを得た。
【００２１】
次いで、上記セラミック層Ｓに対し、細径のドリルによる孔明け加工を行って、図４に示すように、その表面３と裏面４との間を貫通する複数の貫通孔ｈを形成した。
更に、上記セラミック層Ｓの各貫通孔ｈ付近ごとに、無電解Ａｇメッキおよび電解Ａｇメッキ、あるいは無電解Ｃｕメッキおよび電解Ｃｕメッキを施して、図５に示すように、両端にリング片５ａを有し、全体がほぼ円筒形で且つ軸方向に沿った中空部を有する貫通導体５を複数個形成した。
次に、図６に示すように、各貫通導体５の中空部内ごとに、例えば、エポキシ樹脂などからなる充填樹脂７を印刷・充填した。
次いで、かかるセラミック層Ｓの表面３および裏面４を砥石またはベルトサンダーなどにより研磨して、図７に示すように、両端面が表・裏面３，４と面一の貫通導体５を各貫通孔ｈごとに形成した。
【００２２】
尚、前記貫通孔ｈ内に、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストを直に印刷・充填して、前記貫通導体６を形成した後 、 上記同様の研磨を行っても良い。
更に、図８に示すように、セラミック層Ｓの表・裏面３，４で各貫通導体５の両端面が露出する位置ごとに対し、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、配線層８，９を形成した。
そして、貫通導体５、配線層８，９、および充填樹脂７を所定の温度（約２００℃）で加熱（キュア）して、それぞれ硬化させた。
その結果、図８に示すように、前記図１で示したコア基板２が得られた。
【００２３】
一方、前記ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を得るため、図９に示すように、外側面に銅箔ｃが貼り付けられたＰＩのフイルムからなる感光性の樹脂絶縁層ｊ１，ｊ４を用意した。尚、樹脂絶縁層ｊ２，ｊ３，ｊ５，ｊ６についても同様である。
次いで、銅箔ｃおよび樹脂絶縁層ｊ１，ｊ４における所定の位置に対し、レーザの照射を銅箔ｃ側から行って、図１０に示すように、ほぼ円錐台形のビアホールＨを複数個形成した。
更に、各ビアホールＨ内に対し、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストを、スキージ（図示せず）を用いて個別に充填し、図１１に示すように、表面が銅箔ｃとほぼ面一であるほぼ円錐台形の充填体ｇを形成した。かかる状態で、充填体ｇを硬化させるべく、該充填体ｇを含む樹脂絶縁層ｊ１，ｊ４を加熱した。
【００２４】
次いで、硬化された前記充填体ｇおよび銅箔ｃの上に、所定パターンのメッキレジスト（図示せず）を形成した状態で、かかるに覆われていない部分をエッチング液に接触させて除去した後、上記メッキレジストを剥離液で剥離した。
その結果、図１２に示すように、各ビアホールＨ内ごとにほぼ円錐台形のビア導体Ｖが形成された。同時に、樹脂絶縁層ｊ１，ｊ４の表面には、何れかのビア導体Ｖと接続された所定パターンの配線層１０，１４が形成された。
尚、樹脂絶縁層ｊ２，ｊ３，ｊ５についても前記同様の工程を施して、ビア導体Ｖ、配線層１１，１５、裏面側パッド１３を形成した。また、樹脂絶縁層ｊ６には、所定の位置に対して孔明け加工を行った。
【００２５】
更に、前記樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ３を積層・圧着して、図１３の上方に示すように、表面側ビルドアップ層ＢＵ１を形成すると共に、前記樹脂絶縁層ｊ４〜ｊ６を積層・圧着して、図１３の下方に示すように、裏面側ビルドアップ層ＢＵ２を形成した。この際、裏面側ビルドアップ層ＢＵ２には、その裏面１６に露出するする裏面側パッド１７が形成された。
次いで、図１３中の矢印で示すように、コア基板２の表面３上にビルドアップ層ＢＵ１を、かかるコア基板２の裏面４上（図示で下）にビルドアップ層ＢＵ２を、積層および圧着した。この際、コア基板２の配線層８，９と表・裏面側ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２の隣接するビア導体Ｖとが接続された。
その結果、コア基板２の両面にビルトアップ層ＢＵ１，ＢＵ２が積層された前記図１で示した検査装置用配線基板１を得ることができた。
そして、ビルトアップ層ＢＵ１の各パッド１３ごとの上に、プローブ１９を取り付けることで、電子部品検査装置の要部を形成することができた。
更に、裏面側ビルトアップ層ＢＵ２の各パッド１７に対し、更に外部回路基板（図示せず）を接続することで、プローブカードなどの電子部品検査装置を形成することも可能である。
【００２６】
以上のような検査装置用配線基板１の製造方法によれば、コア基板２を形成する単一のセラミック層Ｓは、前記低熱膨張係数のグリーンシートを予め焼成した後、孔明け加工されて、複数の貫通孔ｈを位置精度良く形成され、かかる貫通孔ｈごとに、ビア導体またはスルーホール導体の形態である貫通導体５が形成される。かかる低熱膨張のコア基板２の表面３および裏面４の上方に配線層１０，１１，１４，１５を有するビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を形成するため、表面１２側の各パッド１３を高い位置精度にて形成できる。そのため、かかるバッド１３ごとに取り付けられるプローブ１９と、Ｓｉウェハ２０に多数形成された電子部品ごとの電極ｄとの電気的接続を、温度変化による影響を最少にして確保できる検査装置用配線基板１を確実に製造することが可能となる。
しかも、各プローブ１９から検出された信号は、ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２内の配線層１０，１１，１４，１５、ビア導体ｖ，Ｖやコア基板２の貫通導体５などを介して、裏面１６側パッド１９から外部回路基板などに出力可能とした検査装置用配線基板１を確実に提供することが可能となる。
【００２７】
図１４，１５は、前記コア基板２ａを製造する工程を示す概略断面図である。
図１４に示すように、前記同様の材料および方法によって、複数のグリーンシートｓ１〜ｓ３を形成し、これらに複数の貫通孔ｈを形成した後、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペースト６ａを、スキージ（図示せず）を用いて、各貫通孔ｈ内に個別に充填した。
次いで、上記グリーンシートｓ１〜ｓ３を積層・圧着した後に焼成することで、前記図２で示したコア基板２ａが得られる。尚、かかる焼成時の収縮量を予め見込んだ上で、前記の各貫通孔ｈを形成すべき位置が設定されている。
そして、コア基板２ａの表面３および裏面４の上方に、前記同様の各工程を施して、表面側および裏面側ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を形成することで、前記図２で示した検査装置用配線基板１ａを得ることも可能である。
【００２８】
本発明は、前記各形態に限られるでものはない。
例えば、表面側パッドは、前記ビルドアップ層ＢＵ１の表面１２上に位置する前記パッド１３に替えて、最上層の樹脂絶縁層ｊ３に設けた開口部から上記表面１２側に露出する前記配線層１１の一部とした形態のものとしても良い。
また、前記樹脂絶縁層ｊ１〜ｊ６は、前記ＰＩに限らず、プロービングに耐えられる耐熱性を有する樹脂であれば良い。
更に、前記裏面側ビルドアップ層ＢＵ２は、その裏面１６側に開口するキャビティを形成し、かかるキャビティ内に各種の電子部品を実装することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の検査装置用配線基板の断面などを示す概略図。
【図２】上記配線基板の変形形態の検査装置用配線基板を示す概略図。
【図３】図１の検査装置用配線基板を得るための一製造工程を示す概略図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略図。
【図７】図６に続く製造工程を示す概略図。
【図８】図７に続く製造工程を示す概略図。
【図９】図８に続く製造工程を示す概略図。
【図１０】図９に続く製造工程を示す概略図。
【図１１】図１０に続く製造工程を示す概略図。
【図１２】図１１に続く製造工程を示す概略図。
【図１３】図１２に続く製造工程を示す概略図。
【図１４】図２の検査装置用配線基板を得るための一製造工程を示す概略図。
【図１５】図１４に続く製造工程を示す概略図。
【符号の説明】
【００３０】
１，１ａ…………………検査装置用配線基板
２，２ａ…………………コア基板
３，１２…………………表面
４，１６…………………裏面
５，６……………………貫通導体
１０,１１，１４,１５…配線層
１３，１７………………パッド
１９………………………プローブ
２０………………………Ｓｉウェハ（電子部品）
Ｓ…………………………セラミック層
ＢＵ１，ＢＵ２…………ビルドアップ層
ｊ１〜ｊ６………………樹脂絶縁層
ｖ，Ｖ……………………ビア導体
【図１】
0005108433.tif 000002
【図２】
0005108433.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005108433.tif 000005
【図５】
0005108433.tif 000006
【図６】
0005108433.tif 000007
【図７】
0005108433.tif 000008
【図８】
0005108433.tif 000009
【図９】
0005108433.tif 000010
【図１０】
0005108433.tif 000011
【図１１】
0005108433.tif 000012
【図１２】
0005108433.tif 000013
【図１３】
0005108433.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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