(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ接合構造を形成する方法であって、
変形可能な材料で構成されたバンプをＩＣチップ上に配設すること、
バンプと結合する部分に凹凸表面を有し、且つバンプに対向する面とＩＣチップ面に垂直な側壁面とこれら面の間のエッジとを有するパッドを、基板上に配設すること、及び、
パッドにおけるエッジ及び側壁面の周り、並びにバンプと結合する部分の凹凸表面に対してバンプの一部が可塑的な流れを起こすに足りる力で、バンプ及びパッドを互いに押し付け合うことにより、バンプに対向する面及び前記側壁面とに沿って機械的な噛み合わせをつくること、を含むことを特徴とするフリップチップ接合構造を形成する方法。
【請求項２】
前記バンプの幅が、前記パッドの幅より広い請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記バンプは、ＩＣチップ面に垂直な断面にて階段状の形状を有し、前記ＩＣチップに隣接する部分が前記パッドに押し付けられる部分より広くなっている請求項１記載の方法。
【請求項４】
ＩＣチップと、
変形可能な材料で構成されたバンプと、
基板と、
ＩＣチップ面に垂直な側壁面及びバンプに対向する面を有しめっき表面処理されたパッドとを備え、
前記パッドのめっき表面処理された表面に１〜２５μｍの複数の表面凹凸が形成され、バンプ及びパッドに圧力をかけてパッドのめっき表面の凹凸にバンプの可塑的な流れを起こすことによりバンプ及びパッドが機械的に噛み合わされ、ＩＣチップと基板との間が電気接続され、少なくとも２５μｍの塑性変形に耐え変形可能なバンプによりパッドのめっき表面の凹凸が埋められ、ＩＣチップ面に垂直な側壁面に沿った噛み合い及びバンプに対向する面に沿った噛み合いがつくられているフリップチップ接合構造。
【請求項５】
前記バンプの幅が、前記パッドの幅より広い請求項４記載のフリップチップ接合構造。
【請求項６】
ＩＣチップと、
該ＩＣチップ上に配設され変形可能な材料を含み、圧力によって変形可能な材料が可塑的に流れて形成された面を有するバンプと、
基板と、
基板上に配設されたパッドとを備え、
前記パッドは、ＩＣチップ面に垂直な側壁面と、前記バンプに対向する面とを有し、しかも前記側壁面と前記バンプに対向する面とに形成された凹凸を有し、前記凹凸を埋める前記可塑的な流れにより、前記側壁面及び前記バンプに対向する面に沿って噛み合い面が形成され、バンプと機械的に噛み合っているフリップチップ接合構造。
【請求項７】
前記バンプの幅が、前記パッドの幅より広い請求項６記載のフリップチップ接合構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフリップチップ接合構造に関し、更に詳しくは、機械的な変形と接合される表面間にある凹凸の噛み合わせとによって形成される接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】
集積回路（ＩＣ）のチップと基板とのフリップチップ接合は普通、電子パッケージ組立品内においてなされている。このような接合の最も一般的な形態は、ＩＣチップ上にあるバンプが基板上に形成されたパッドに冶金的に、通常バンプ材料を溶融して接合される。この方法は強固な接合を提供するが、溶融および固化工程中に橋絡（すなわち、隣接した接合箇所間のショート）するリスクがあるため、接合箇所のピッチを小さくすることが難しい。他の方法として、微粒子フィルムあるいはペーストを用いる方法があり、ペーストあるいはフィルム中の導電性微粒子が樹脂の収縮とともに電気的な接合を行う。この方法は、接合箇所のピッチを減少できるが、微粒子接合の妨害感受性のため、長時間の信頼性に限界があり、規定時間を超えると性能が低下する。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、フリップチップ接合構造を形成する方法であって、
変形可能な材料で構成された第１要素をＩＣチップ上に配設すること、
第１要素と結合する部分に凹凸表面を有し、且つ第１要素に対向する面とＩＣチップ面に垂直な側壁面とこれら面の間のエッジとを有する第２要素を、基板上に配設すること、及び、
第２要素におけるエッジ及び側壁面の周り、並びに前記第１要素と結合する部分の凹凸表面に対して前記第１要素の一部が可塑的な流れを起こすに足りる力で、第１要素及び第２要素を互いに押し付け合うことにより、前記第１要素に対向する面及び前記側壁面とに沿って機械的な噛み合わせをつくること、を含むことを特徴とするフリップチップ接合構造を形成する方法を提供する。
【０００４】
前記第１要素は、ＩＣチップ上に形成されたバンプとされ、典型的にはそのようなバンプのセットとされる。特に有用な第１要素の変形可能な材料として、金が挙げられる。前記第２要素は、基板上に形成されたパッドとされる。第２要素は、本発明に従って凹凸が設けられた表面パッドとされる。
【０００５】
又本発明は、本発明の方法によって製造されたフリップチップ接合構造を提供する。
【０００６】
更に本発明は、チップに接続した第１要素と基板に接続した第２要素とを備えるフリップチップ接合構造であって、第１要素が変形可能な材料であって、第１及び第２要素が、第１要素の変形可能な材料の第２要素の表面の凹凸への機械的な噛み合いによって接合されているフリップチップ接合構造を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１Ａ、１Ｂに概略的に表されているように、１０で示されるフリップチップ接合構造は、第１要素１２と第２要素１４とを備える。第１要素１２はＩＣチップ上に形成されたバンプであり、第２要素１４は基板上に形成されたパッドである。第１要素１２は、柔軟で変形可能な材料であって、低降伏強さ及び高破断伸びをもつもので構成されているのがさらに好ましい。第２要素１４は、通常のめっき表面仕上げがされ、該表面に凹凸１６（図では大げさに表されている）が形成された基板パッドを含むものが更に好ましい。凹凸の寸法は普通１μｍ〜２５μｍのオーダ−である。バンプは通常の規格材料、すなわち、ある特定の形にされた、約２５０ｇの垂直荷重に等しい力がかかった時約２５μｍを越える塑性変形に耐える材料である。本発明のバンプ用の材料として、金は特に有用である。
【０００８】
接合は、第１要素１２と第２要素１４とを互いに押しつけあい、第１要素から第２要素へ可塑的流れを起こすことによって行われる。第１要素１２の高さおよび柔軟さのため、接合が達成した後でもかなりの変形が起こる。従って、結合させるべきバンプ／パッドペアの平面性が劣っていても、接合は首尾よくいく。接合に必要な圧力及び温度は、継ぎ合せる材料の冶金的拡散が要求される従来の熱圧着に必要とされる圧力及び温度に比べると非常に小さい。これらが低減するため、チップ上に起こるダメージが非常に少なくなる。特に同時に行う接合の数が多い場合、ダメージは非常に少なくなる。
【０００９】
第１の実施の形態を図２Ａ、２Ｂに示す。第１要素２２が第２要素あるいはトレース２８の側壁２４およびエッジ２６の周りに可塑的に流れることによって、２０で示される微細噛み合い形状が形成される。第１要素２２の材料の流れは側壁２４の周りに起こり、隣接するトレース間の領域には起こらず、同じ面内の垂直方向に起こるのが好ましい。噛み合い形状２０は、接合力をあまり増大させず、噛み合う表面積を増大させているため、より強固な接合を提供する。さらに、チップ面に対して垂直方向に付加的に移動するため、複数の継ぎ合せ面の共平面性が劣っていても、容認できる範囲が広い。最後に、該接合は、通常のチップ面に対する水平の噛み合わせに加えて、チップ面に対して垂直方向の面に沿う噛み合わせもあるので、ダイと基板間の垂直方向の相対運動に対して保護されている。
【００１０】
第２の実施の形態を図３Ａ、３Ｂに示す。図中、接合は３０で示されている。第１要素３２の材料が第２要素３４周りに可塑的に流れることによって、接合３０が形成される。第２要素３４の幅は第１要素３２より小さく、従って、第１要素３２の材料は、第２要素３４の両サイド３６、３８に可塑的に流れる。
【００１１】
第２の参考形態を図４Ａ，４Ｂに示す。図中、接合は４０で示されている。第２要素４２のリードの形はＶ字型で、サブトラクティブエッチング法によって造られる、実際使用されている基板の中で最も典型的な “アンダーカット”リードの形をしているという利点がある。接合４０は、第１要素４４の材料が第２要素４２の周りに可塑的に流れることによって形成される。図示された構成は、トレースの最小幅の制限、特に従来のワイヤボンディング法では必要であった水平域４６の最小幅の制限がない。接合４０は、バイアパッドに直接、あるいはバイアホールを介して基板の次の低層に結合して形成することも意図されている。
【００１２】
図２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ中の微細噛み合い形状によって、より小さい力で接合を形成することができ、例えば、図１Ａ、１Ｂで示されている第１の参考形態に比べて２だけ下がる。このように、圧縮力を低減させると加工中にチップに加わるダメージがより少なくなる。
【００１３】
好ましい実施の形態として、接着性樹脂がチップと基板との隙間に塗布される。こうすると、硬化した樹脂によって供給された圧力が、電気接続の長時間保持特性をさらに改良する。接着性樹脂は、継ぎ合わせ面が接合する前に塗布され、前記接合の形成時に硬化する。圧力をかけて樹脂材料を前記継ぎ合わせ面から取り除き、所望の機械的に噛み合った接合を形成する。あるいは、樹脂はアンダーフィル法によって、接合の後に塗布することもできる。
【００１４】
好ましい実施の形態において、第１要素１２、２２、３２、４２の材料として、Ｃｕ、非電着性ＮｉＡｕおよびＡｕが好ましい。基板材料としては、片面ＦＲ５ラミネート、２面ＢＴ−樹脂ラミネートが好ましい。
【００１５】
バンプは、前記したように、圧縮変形前は長方形の断面をもつものの他、種々の形状がある。特に２つの有用なものとして、図５、図６に線図で示す。図５は、“階段”形状のものを示し、チップに隣接する部分（べース）が、基板上のパッドに対して押しつけられる部分（先端）より広くなっている。図６は、“スタッドバンプ”形状を示し、ベースの周辺形状が円形で、先端より広くなっている。これらの構造はどちらも、先端の寸法がより小さいので、バンプと基板上の凹凸との追従性（コンプライアンス）が改良され、ベース形状がより広くなっているため、形状安定性が良好である。
【００１６】
第２要素は、前記したように、リードでもパッドでもよい。バンプは、バイアホールに電気的に接合している従来のハンダパッドに接合してもよい。別の実施の形態として、第２要素そのものがバイアホールを含んでいてもよい。この実施の形態によれば、ハンダパッドのようなパッドの上にバンプを押しつけるというより、バンプをバイアホール内及び縁にある導電性材料に直接押しつけるため、バイアホールから少し離れて、接合が形成される。こうするとチップ上の面積をより効率的に使えることとなる。バイアホール中の開口は概して、バンプの先端より小さく、従って、バンプはバイアホールに直接プレスされ、バイアホールの中へと変形し始め、接合される。事実、バイアホールはこの構造において、凹凸として働き、バンプはバイアホールより小さいのでバイアホール中に入り込み、従って結合がバイアオープニングのリムの部分に形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】  チップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第１の参考形態を示す断面概略図。
【図１Ｂ】  チップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第１の参考形態を示す断面概略図。
【図２Ａ】  本発明のチップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第１の実施の形態を示す断面概略図。
【図２Ｂ】  本発明のチップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第１の実施の形態を示す断面概略図。
【図３Ａ】  本発明のチップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第２の実施の形態を示す断面概略図。
【図３Ｂ】  本発明のチップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第２の実施の形態を示す断面概略図。
【図４Ａ】  チップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第２の参考形態を示す断面概略図。
【図４Ｂ】  チップ接合構造を備える組立品を製造する工程における第２の参考形態を示す断面概略図。
【図５】  本発明で有用な接合用バンプの別の形を示す断面概略図。
【図６】  本発明で有用な接合用バンプの又別の形を示す断面概略図。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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