(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子とグランドの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのインダクタンス素子の入力側とを選択的に接続するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、
を備えたことを特徴とする増幅器。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の前記出力側整合回路とグランドとの間に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのインダクタンス素子の入力側とを選択的に接続するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、を備え、
前記増幅素子と前記スイッチとが同じ中継基板上に配置されるとともに該中継基板が前記基板上に配置されることを特徴とする増幅器。
【請求項３】
前記増幅素子と前記スイッチは同じ半導体チップ上に形成されることを特徴とする請求項１記載の増幅器。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられる複数のキャパシタンス素子と、前記複数のキャパシタンス素子の出力側とグランドとの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記増幅素子と前記複数のキャパシタンス素子との間に設けられ前記増幅素子の出力側と前記複数のキャパシタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのキャパシタンス素子の入力側とを選択的に接続するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、
を備えたことを特徴とする増幅器。
【請求項５】
前記スイッチは、周波数帯域に応じて、電力効率が最適になるいずれかの前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子に接続するように切り替えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の増幅器。
【請求項６】
前記スイッチは、電力効率が50％以上となるように切り替えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の増幅器。
【請求項７】
前記スイッチは、ＭＥＭＳ高周波スイッチであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の増幅器。
【請求項８】
外部接続用端子を有する中継基板と、
前記中継基板上に設けられた増幅素子と、
前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、
前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、
前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と、前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのインダクタンス素子の入力側とを接続するように切り替えるスイッチと、を備えたことを特徴とする増幅器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅器及び増幅器モジュールに関し、特に、広帯域で高効率を得るものに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波増幅器において、例えば図７に示されるように、高周波増幅素子の入出力インピーダンスと外部回路のインピーダンスの整合用に整合回路を備えるとともに、電力効率の向上を目的としてキャパシタンス素子とインダクタンス素子を用いて形成された高調波処理回路を備えた高周波増幅器が知られている。この高周波増幅器の電力効率特性の例を図８に示す。この種の高周波増幅器は、例えば携帯機器の送信側に使用されるが、このような場合に、ＧＳＭ  （Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、ＩＭＴ−２０００  （Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  ２０００）等の様々な携帯電話の規格や、無線ＬＡＮ、ＷｉＭＡＸ  （Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｃｃｅｓｓ）などの用途に対応することが要求される。
【０００３】
しかしながら、上記図７に示す例では、高効率な周波数帯域が狭いためマルチモードに適用できない。すなわち、図８に示すように、例えば必要な電力効率を５０％とすると、電力効率が５０％以上になるのは、１．９２ＧＨｚを中心として７５ＭＨｚの帯域幅であるため、２．１ＧＨｚ帯のＩＭＴ−２０００や１．８ＧＨｚ帯のＧＳＭには使用できない。
【０００４】
このため、各種のモードにあわせた複数の高周波増幅器を用いて高周波スイッチで切り替える技術や、単一の高周波増幅器の整合回路を可変容量により変化させる案が提案されている（例えば、特許文献１乃至特許文献３参照）。
【０００５】
図９に、高周波スイッチを使用したマルチモード化の例を示す。この高周波増幅器においては、入力端子と出力端子の間に入出力部の高周波スイッチを設け、各モードにそれぞれ適した複数種類の高周波増幅器を並列させている。高周波スイッチの切り替えにより適した高周波増幅器を接続する。また、図１０に、高周波増幅器の整合回路を可変容量で切り替えた例を示す。
【特許文献１】特開２００２−８４１４８号公報
【特許文献２】特開２００７−１７４０６４号公報
【特許文献３】特開２００７−１５０４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の構造では、以下のような問題がある。すなわち、図９に示すように各モードに適した高周波増幅器を用いて入出力部の高周波スイッチを用いて切り替える技術においては、高周波増幅器を数種類使用するためにコスト高となりサイズも大きくなるという問題がある。
【０００７】
一方、図１０に示すように高周波増幅器の整合回路を可変容量で切り替えた技術においては、増幅器の数量は少なくなるが、整合回路の先に可変容量を配置するため数箇所の高周波整合回路を切り替えるのでサイズが大きくなるという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、単純な構成及び低コストで、高周波、広帯域において高い特性を維持することができる増幅器及び増幅器モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態にかかる増幅器は、基板と、前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子とグランドの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのインダクタンス素子の入力側とを選択的に接続するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の一形態にかかる増幅器は、基板と、前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、前記増幅素子の前記出力側整合回路とグランドとの間に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかインダクタンス素子の入力側とを選択的に接続するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、を備え、前記増幅素子と前記スイッチとが同じ中継基板上に配置されるとともに該中継基板が前記基板上に配置されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の一形態にかかる増幅器は、前記増幅素子と前記スイッチは同じ半導体チップ上に形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の他の一形態にかかる増幅器は、基板と、前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられる複数のキャパシタンス素子と、前記複数のキャパシタンス素子の出力側とグランドとの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記増幅素子と前記複数のキャパシタンス素子との間に設けられ前記増幅素子の出力側と前記複数のキャパシタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのキャパシタンス素子の入力側とを選択的に接続可するように切り替えるスイッチと、を有する高調波処理回路と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の他の一形態にかかる増幅器モジュールは、外部接続用端子を有する中継基板と、前記中継基板上に設けられた増幅素子と、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と、前記複数のインダクタンス素子のうち周波数帯域に応じたいずれかのインダクタンス素子の入力側とを接続するように切り替えるスイッチと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、単純な構成、低コストで、高周波、広帯域において高い特性を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下に本発明の第１実施形態にかかる高周波増幅器１（増幅器）及び増幅器パッケージ３（増幅器モジュール）について、図１乃至図４を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。
【００１６】
図１は本実施形態の高周波増幅器１の構成を示す平面図であり、図２は同側面図である。図３は同高周波増幅器１の回路図を示す。
【００１７】
高周波増幅器１は、基板２と、基板２上に形成された増幅器パッケージ３と、増幅器パッケージ３の入力側及び出力側における外部の基板２上にそれぞれパターン形成された入力側整合回路２１、出力側整合回路２２を備えている。さらに基板２の上面側には、後述する第４接続体４４を接地するためのグランドパターン２３が形成されている。
【００１８】
整合回路２１，２２は、例えばオープンスタブ等で構成され、高周波増幅器１の入力インピーダンス、出力インピーダンスを調整、整合する機能を有する。
【００１９】
増幅器パッケージ３（増幅用部品）は、基板２上に設けられたパッケージ基板３１（中継基板／基板）と、増幅チップ３２（半導体チップ）と、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）高周波スイッチ３３と、異なるインピーダンスを有する複数のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄとが設けられている。一つの増幅チップ３２内には高周波増幅素子３５とキャパシタンス素子３６が内蔵されている。
【００２０】
パッケージ基板３１上の入力側及び出力側にはパッケージパターン３８，３９がそれぞれ形成されている。また、これらパッケージパターン３８，３９と、基板２上の整合回路２１，２２を接続するように、パッケージ基板３１を貫通するビアホール３８ａ、３９ａが夫々設けられている。これらのビアホール３８ａ，３９ａを介して、半田ボール２５によって、基板２の整合回路２１とパッケージパターン３８とが電気的に接続されるとともに、整合回路２２とパッケージパターン３９とが電気的に接続される。
【００２１】
さらに、基板２の、グランドパターン２３の下部において、グランドパターン２３とその下方の接地面とを接続するため、基板２を貫通するビアホール２３ａが２つ形成されている。
【００２２】
キャパシタンス素子３６とインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄにより、電力効率の向上を目的とする高調波処理回路３７が形成される。
【００２３】
キャパシタンス素子３６とインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄとの間にＭＥＭＳ高周波スイッチ３３が配置されている。高調波処理回路３７は高周波スイッチ３３を介して高周波増幅素子３５の出力側に接続されている。ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３は高周波スイッチの一例であり、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３は１つの入力ポート３３ａと４つの出力ポート３３ｂとを備え、一つのポートを４つのポートに切り替える機能を有する。したがって、高周波スイッチ３３を切り替えることにより、電力効率を各モードに最適になるようなインダクタンス素子３４を選択的に適用することができる。
【００２４】
増幅チップ３２に内蔵された高周波増幅素子３５の入力側は、パッケージ基板３１上に形成されたパッケージパターン３８、及びパッケージ基板３１を貫通して形成されたビアホール３８ａを介して、基板２に形成された入力側整合回路２１に、半田ボール２５によって、接続されている。高周波増幅素子３５の出力側に出力側整合回路２２と並列にキャパシタンス素子３６が接続されている。キャパシタンス素子３６の出力側は第２接続体４２を介してＭＥＭＳ高周波スイッチ３３の入力ポート３３ａに接続されている。４つの出力ポート３３ｂは４つの第３接続体４３ａ、４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを介して、対応する周波数が異なる４つのインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄに接続されている。
【００２５】
スイッチの一例としてのＭＥＭＳ高周波スイッチ３３は、半導体の微細加工技術を用いて製造された微小部品であり、移動可能なカンチレバー型のアームを有する。このアームの直下の基板上に電極が配置され、この電極に印加される電圧により、オンオフが制御される構成である。このＭＥＭＳ高周波スイッチ３３は、通過信号がマイクロ波やミリ波帯のように高い周波数でも通過損失が少ない、大きな電力をもつ通過信号に対する高周波歪が小さい、オフ時の漏れ電力を示すアイソレーションが大きい、等の特長を有している。
【００２６】
インダクタンス素子３４（３４ａ〜３４ｄ）にその一端側が接続された第４接続体４４（４４ａ〜４４ｄ）の他端は、パッケージ３上に形成されたパッケージパターン３９、パッケージパッケージ基板３１の表裏を貫通して形成されたビアホール３９ａ、及び基板２に形成されたグランドパターン２３を介して、接地されている。すなわち、インダクタンス素子３４（３４ａ〜３４ｄ）はキャパシタンス素子３６とグランドとの間に設けられている。
【００２７】
第１、第２、第３、第４接続体４１，４２，４３（４３ａ〜４３ｄ），４４（４４ａ〜４４ｄ）は、例えば導電性のボンディングワイヤで構成される。
【００２８】
複数の高調波処理回路３７のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄは、ＧＳＭやＷ−ＣＤＭＡ等の各モードに応じた最適な効率となる値に設定されている。例えば、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３の出力ポートは、第１モードでは第１インダクタンス素子３４ａ、第２モードでは第２インダクタンス素子３４ｂ、第３モードでは第３インダクタンス素子３４ｃ、第４モードでは第４インダクタンス素子３４ｄに接続される。
【００２９】
キャパシタンス素子３６とインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄにより、電力効率の向上を目的とする高調波処理回路３７が形成される。一つのキャパシタンス素子３６に対して、高周波スイッチ３３を介して複数のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄのうちの一つによって、一つの高調波処理回路３７が形成される。したがって、キャパシタンス素子３６と、インダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄによって、複数の高調波処理回路３７ａ，３７ｂ，３７ｃ、３７ｄが構成される。
【００３０】
以上のように構成された高周波増幅器１においては、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３の切り替えに応じて、４つのインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄのいずれかの入力側がそれぞれ選択的にキャパシタンス素子３６の出力側に接続される。すなわち、複数のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄのうちいずれかを選択的に接続できることにより、複数の高調波処理回路３７を選択的に適用できる。一つの高調波処理回路３７がオン状態の時は、他の高調波処理回路３７はオフ状態となる。４つのインダクタンス素子３４ａ〜３４ｄの値は例えば夫々、０．６５ｎＨ，０．６ｎＨ、０．５５ｎＨ，０．５ｎＨに設定されている。
【００３１】
このように構成された高周波増幅器１によれば、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３の切り替えにより、４つのインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄを使い分けることができ、例えば図示しないインターフェイスを通じた入力により第１〜第４のいずれかのモードが選択されると、これに応じたインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄに接続されるようにＭＥＭＳ高周波スイッチ３３が機能する。例えば第１モードが選択された場合には第１インダクタンス素子３４ａに、第２モードが選択された場合には第２インダクタンス素子３４ｂに、第３モードが選択された場合には第３インダクタンス素子３４ｃに、第４モードが選択された場合には第４インダクタンス素子３４ｄに接続される。
【００３２】
図４に、本実施形態に係る高周波増幅器１における電力効率をシミュレーションした結果を示す。図４には４つの電力効率の曲線が示されている。これらはそれぞれ４つのインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄに対応するものである。すなわち、４つの電力効率曲線は、図中左から右に向かって順番に、第１インダクタンス素子３４ａ、第２インダクタンス素子３４ｂ、第３インダクタンス素子３４ｃ、第４インダクタンス素子３４ｄにそれぞれ対応している。また、比較例として高調波処理回路を設けない場合の電力効率を破線で示す。
【００３３】
本実施形態の高周波増幅器１によれば、高周波増幅器１の高調波処理回路３７を周波数帯域に応じて数種類のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄを選択的に接続することで、高周波増幅器１を高効率かつ広帯域化することが可能となる。すなわち、規格等の条件にしたがって、４つのインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄを切り替えることにより、１．８ＧＨｚ帯、１．９２ＧＨｚ帯、２．０ＧＨｚ帯２．１ＧＨｚ帯の４つの異なる周波数を中心とした４つの周波数帯域で５０％以上の電力効率を実現できる。したがって、２．１ＧＨｚ帯のＩＭＴ−２０００や１．８ＧＨｚ帯のＧＳＭにも対応でき、一般的な高周波増幅器１の構成とした場合に比べ、電力効率が５０％以上になる帯域を広くすることが可能である。本実施形態は高調波処理回路を設けない場合の電力効率からわかるように１．８ＧＨｚから２．１ＧＨｚの高周波増幅器を用いている。２．４ＧＨｚ帯の無線ＬＡＮや２．６ＧＨｚのＷｉｎＭＡＸに対応するためには、２．６ＧＨｚまでの帯域特性を持つ高周波増幅器を用いて適切なインダクタンス値のインダクタンス素子を使用すればよい。
【００３４】
また、キャパシタンス素子３６よりも出力側にＭＥＭＳ高周波スイッチ３３を設けたため、キャパシタンス素子３６を複数備える必要がなく、インダクタンス素子３４を複数備えるだけの単純な構成とすることができる。したがって、例えば図９のように高周波増幅器１を数個並べるよう方式や図１０のような数個のスイッチで整合回路を切り替える方式に比べて小型かつ低コストに実現できる。
【００３５】
高周波スイッチとして、半導体の製造技術を利用でき、通過信号がマイクロ波やミリ波帯のように高い周波数でも通過損失が少なく、さらに大きな電力もつ通過信号に対する高周波歪が小さく、オフ時の漏れ電力を示すアイソレーションが大きい、という特長を有するＭＥＭＳ高周波スイッチ３３を適用したため、従来のシリコン半導体を用いた高周波増幅器１や電源回路と同一のシリコンパッケージ基板３１上に集積化することができ、部品の小型化や低コスト化につながる。
【００３６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、他の実施形態として、図５に示すように、高周波増幅素子３５とＭＥＭＳ高周波スイッチ３３を一つのチップ上に配置すれば、さらに小型化や低コスト化が可能となる。
【００３７】
上記第１実施形態ではキャパシタンス素子３６と複数のインダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄとの間にＭＥＭＳ高周波スイッチ３３を設けた場合について説明したが、これに限るものではなく、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３をキャパシタンス素子３６の入力側に設けてもよい。例えば図６に示す高周波増幅器１００においては、高周波増幅素子３５の出力側にＭＥＭＳ高周波スイッチ３３が設けられ、この出力ポート３３ｂ側に複数のキャパシタンス素子３６ａ〜３６ｄが接続されるとともにこれら複数のキャパシタンス素子３６ａ〜３６ｄに異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子３４ａ〜３４ｄが夫々接続されている。この高周波増幅器１００において、ＭＥＭＳ高周波スイッチ３３の出力ポート３３ｂは、複数のキャパシタンス素子３６ａ〜３６ｄのいずれかの入力側に選択的に接続される。この実施形態においても上記第１実施形態と同様に高周波増幅器１００を高効率かつ広帯域化することが可能となるという効果が得られる。
【００３８】
また、上記実施形態においては第１から第４インダクタンス素子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄを用いたが、これに限られるものではなく、例えば２個や３個、５個以上のインダクタンス素子をスイッチによって切り替え可能に接続した構成であってもよい。またこれらの値も上記に限られるものではなく、適用したい帯域に応じて適宜変更可能である。
【００３９】
上記実施形態では外部接続用端子として半田ボールやスルーホールを例示したが、これに限られるものではなくワイヤボンディングや電極等を用いてもよい。
【００４０】
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
（１）
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子とグランドの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のいずれかの入力側とを選択的に接続可能なスイッチと、を有する高調波処理回路と、
を備えたことを特徴とする増幅器。
（２）
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の前記出力側整合回路とグランドとの間に設けられ、前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と前記複数のインダクタンス素子のいずれかの入力側とを選択的に接続可能なスイッチと、を有する高調波処理回路と、を備え、
前記増幅素子と前記スイッチとが同じ中継基板上に配置されるとともに該中継基板が前記基板上に配置されることを特徴とする増幅器。
（３）
前記増幅素子と前記スイッチは同じ半導体チップ上に形成されることを特徴とする（１）記載の増幅器。
（４）
基板と、
前記基板上に設けられ、入力された信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の出力側に設けられ、前記信号のインピーダンスを調整する出力側整合回路と、
前記増幅素子の出力側に前記出力側整合回路と並列に設けられる複数のキャパシタンス素子と、前記複数のキャパシタンス素子の出力側とグランドとの間に設けられ異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、前記増幅素子と前記複数のキャパシタンス素子との間に設けられ前記増幅素子の出力側と前記複数のキャパシタンス素子のいずれかの入力側とを選択的に接続可能なスイッチと、を有する高調波処理回路と、
を備えたことを特徴とする増幅器。
（５）
外部接続用端子を有する中継基板と、
前記中継基板上に設けられた増幅素子と、
前記増幅素子に接続されたキャパシタンス素子と、
前記キャパシタンス素子に接続され、異なる複数の周波数帯域に対応する複数のインダクタンス素子と、
前記複数のインダクタンス素子と前記キャパシタンス素子との間に設けられ、前記キャパスタンス素子の出力側と、前記複数のインダクタンス素子のいずれかの入力側とを接続可能なスイッチと、を備えたことを特徴とする増幅器モジュール。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波増幅器の一部を示す平面図。
【図２】同高周波増幅器の側面図。
【図３】同高周波増幅器の回路図。
【図４】同高周波増幅器の電力効率と周波数との関係を示すグラフ。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる高周波増幅器の一部を示す平面図。
【図６】本発明の他の実施形態にかかる高周波増幅器の回路図。
【図７】高周波増幅器の一例を示す回路図。
【図８】同高周波同増幅器の電力効率と周波数との関係を示すグラフ。
【図９】高周波増幅器の一例を示す回路図。
【図１０】高周波増幅器の一例を示す回路図。
【符号の説明】
【００４２】
１…高周波増幅器、２…基板、３…増幅器パッケージ、２１…入力側整合回路、
２２…出力側整合回路、２３…グランドパターン、３１…基板、３２…増幅チップ、
３３…ＭＥＭＳ高周波スイッチ、３３ａ…入力ポート、３３ｂ…出力ポート、
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ…インダクタンス素子、
３５…高周波増幅素子、３６…キャパシタンス素子、３７…高調波処理回路、４１…第１接続体、４２…第２接続体、４３…第３接続体、４４…第４接続体、１００…高周波増幅器、３６ａ〜３６ｄ…キャパシタンス素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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