(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路上に設置され、前記第２のフィルタ回路からの放射波を遮断し、前記マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックとを備えた高周波モジュール。
【請求項２】
上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路からの放射波を遮断するカットオフブロックと、前記キャリアに形成された第１の穴部と、この第１の穴部を介して前記キャリアを前記筐体に固定するキャリア固定部材と、前記第１の穴部と異なる位置で前記キャリアに形成された第２の穴部と、この第２の穴部と連通し、前記カットオフブロックに形成された第３の穴部、この第３の穴部と第２の穴部とを介して前記カットオフブロックを前記キャリアに固定するブロック固定部材と、前記キャリアと前記カットオフブロックとの間に設けられたブロック用導電性パッキンと、前記蓋部と前記カットオフブロックとの間に設けられた蓋部用導電性パッキンとを備えた高周波モジュール。
【請求項３】
上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路上に設置され、前記第２のフィルタ回路からの放射波を遮断し、前記マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックと、前記キャリアに形成された第１の穴部と、この第１の穴部を介して前記キャリアを前記筐体に固定するキャリア固定部材と、前記第１の穴部と異なる位置で前記キャリアに形成された第２の穴部と、この第２の穴部と連通し、前記窪み部を避けて前記カットオフブロックに形成された第３の穴部、この第３の穴部と第２の穴部とを介して前記カットオフブロックを前記キャリアに固定するブロック固定部材と、前記キャリアと前記カットオフブロックとの間に設けられたブロック用導電性パッキンと、前記蓋部と前記カットオフブロックとの間に設けられた蓋部用導電性パッキンとを備えた高周波モジュール。
【請求項４】
前記蓋部用導電性パッキンは、棒状で複数本並べられ、前記蓋部、前記カットオフブロック、前記蓋部用導電性パッキンとで形成される空間を前記増幅回路パッケージからの不要波に対する遮断空間として動作させることを特徴する請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記カットオフブロックは、前記増幅回路パッケージの上方まで延びた鍔部を有する請求項１〜４のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記鍔部と増幅回路パッケージとの間に設けられた鍔部用導電性パッキンを有する請求項５に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高出力増幅器から生じる高調波を含む不要波を抑圧するフィルタを有する高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波モジュールは増幅器から出力される不要波を抑圧する手法として、増幅器と出力端子との間に帯域素子フィルタ（濾波回路）を挿入することにより、所望波以外の帯域を抑圧する構造をとるものがある（例えば、特許文献１参照）。このような高周波モジュールを用いた送受信モジュールには、シーリングや電磁シールド板などにより増幅回路などの各モジュール間で干渉が生じないようにしたものがある（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
なお、高周波モジュールに使用される帯域素子フィルタには、誘電体基板に構成された側路（スタブ）を有するマイクロストリップ線路を有し、誘電体基板上に使用周波数帯域において遮断となる空洞（溝部）を形成したカットオフブロックを載置したものがある（例えば、特許文献３参照）。また、高周波モジュールに使用される電磁シールド用ガスケットには、高周波モジュールのケース蓋体を閉じて蓋体締付部により締め付けを行った時に、電磁シールド用ガスケットが、高周波モジュールのケース本体とケース蓋体との両方に密着して、この両者を導通させ、ケース本体とケース蓋体との合わせ部を電磁遮蔽するものがある（例えば、特許文献４参照）。さらに、高周波モジュールには、蓋（ＬＩＤ）及びマイクロストリップ線路（マイクロストリップアンテナ）が形成された基板に、それぞれビスが挿通されるビス穴が設けられ、このビス穴にビスを挿入してメタルベース（マザーボード）に設けられたねじ穴に締結（共締め）し、蓋及び基板をメタルベースに固定するものがある（例えば、特許文献５参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１１３３７号公報（第６図、第２図、第３図）
【０００５】
【特許文献２】特開２００１−２５１２０６号公報（第１図）
【０００６】
【特許文献３】特開２００６−１７３７９２号公報（第４図）
【０００７】
【特許文献４】特開２０００−１２４６５４号公報（第２図）
【０００８】
【特許文献５】特開平１１−３４０４１４号公報（第５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、高周波モジュールにおいて高出力増幅器を用いた場合、不要波として高調波が出力され、不要波出力を抑圧する帯域素子フィルタを追加する必要がある。この不要波を抑圧するフィルタに対し抑圧量を増大させた場合、設計自由度の低下及び所望波通過損失の増大といった機能的な性能劣化につながりうる課題があった。
【００１０】
さらに、帯域素子フィルタで抑圧された不要波が放射することにより、高周波モジュールの出力端子に空間を介して結合し、帯域素子フィルタ単体で設計された不要波抑圧量の性能が確保できないという課題や不要波抑圧量が大きい帯域素子フィルタは面積も大きくなってしまうという課題もあった。
【００１１】
この発明は、上記のような課題を解消するためになされたもので、不要放射を抑圧する回路とモジュール出力側のデバイスのアイソレーションを確保できる構造を有する高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明に係る高周波モジュールは、上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路上に設置され、前記第２のフィルタ回路からの放射波を遮断し、前記マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックとを備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項２の発明に係る高周波モジュールは、上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路からの放射波を遮断するカットオフブロックと、前記キャリアに形成された第１の穴部と、この第１の穴部を介して前記キャリアを前記筐体に固定するキャリア固定部材と、前記第１の穴部と異なる位置で前記キャリアに形成された第２の穴部と、この第２の穴部と連通し、前記カットオフブロックに形成された第３の穴部、この第３の穴部と第２の穴部とを介して前記カットオフブロックを前記キャリアに固定するブロック固定部材と、前記キャリアと前記カットオフブロックとの間に設けられたブロック用導電性パッキンと、前記蓋部と前記カットオフブロックとの間に設けられた蓋部用導電性パッキンとを備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項３の発明に係る高周波モジュールは、上面に開口を有し、下面がメタルベースとなる導電性の筐体と、この筐体の上部の開口を封止する導電性の蓋部と、前記筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、この増幅回路パッケージの入力部に入力信号を供給する入力信号線路と、前記増幅回路パッケージにバイアスを供給するバイアス線路と、このバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、前記増幅回路パッケージが前記入力部からの入力信号を増幅し、前記出力部から送出する出力信号を導波する出力信号線路と、この出力信号線路の一部である前記筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、前記増幅回路パッケージからの不要波を抑圧する前記マイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路上に設置され、前記第２のフィルタ回路からの放射波を遮断し、前記マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックと、前記キャリアに形成された第１の穴部と、この第１の穴部を介して前記キャリアを前記筐体に固定するキャリア固定部材と、前記第１の穴部と異なる位置で前記キャリアに形成された第２の穴部と、この第２の穴部と連通し、前記窪み部を避けて前記カットオフブロックに形成された第３の穴部、この第３の穴部と第２の穴部とを介して前記カットオフブロックを前記キャリアに固定するブロック固定部材と、前記キャリアと前記カットオフブロックとの間に設けられたブロック用導電性パッキンと、前記蓋部と前記カットオフブロックとの間に設けられた蓋部用導電性パッキンとを備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項４の発明に係る高周波モジュールは、前記蓋部用導電性パッキンが、棒状で複数本並べられ、前記蓋部、前記カットオフブロック、前記蓋部用導電性パッキンとで形成される空間を前記増幅回路パッケージからの不要波に対する遮断空間として動作させることを特徴する請求項２又は３に記載のものである。
【００１６】
請求項５の発明に係る高周波モジュールは、前記カットオフブロックが、前記増幅回路パッケージの上方まで延びた鍔部を有する請求項１〜４のいずれかに記載のものである。
【００１７】
請求項６の発明に係る高周波モジュールは、前記鍔部と増幅回路パッケージとの間に設けられた鍔部用導電性パッキンを有する請求項５に記載のものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように、請求項１〜６に係る発明によれば、増幅回路パッケージ内の第１のフィルタ回路と増幅回路パッケージ外の第２のフィルタ回路とを設けることにより、第１のフィルタ回路で、ある程度不要波を抑圧することにより、第２のフィルタ回路が容易に所望のレベルまで不要波を抑圧することができる高周波モジュールを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について図１〜３を用いて説明する。図１は実施の形態１に係る高周波モジュールの構成図、図１（ａ）は高周波モジュールの外観図、図１（ｂ）は蓋部を外した高周波モジュールの外観図、図１（ｃ）は、増幅回路パッケージの蓋部と第２のフィルタ回のカットオフブロックとを外した高周波モジュールの外観図、図２は実施の形態１に係る高周波モジュールのカットオフブロックの構成図、図２（ａ）はカットオフブロックの上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のカットオフブロックを右側の矢印方向からみた外観図、図２（ｃ）は図２（ａ）のカットオフブロックを下側の矢印方向からみた外観図、図４はカットオフブロックの下面図（誘電体基板を含むキャリアを外した状態）、図３は実施の形態１に係る高周波モジュールの増幅回路パッケージと第２のフィルタ回路とのブロック図であり、図１〜３において、１は高周波モジュールの導電性の筐体、２は筐体１の上部の開口を封止する導電性の蓋部、３は蓋部２を筐体１に固定する蓋部固定ねじ、３ａは蓋部固定ねじ３が挿入される蓋部固定ねじ穴、４は高周波モジュールの出力端子（出力端子４は、図面においては、後述の同軸コネクタを指す。また、入力端子は省略する。）、５は筐体１の内部に載置された増幅回路パッケージ、５ａは増幅回路パッケージ５内の増幅部、５ｂは増幅部５ａに直流電源を供給する直流給電バイアス線、６は増幅回路パッケージの出力部（増幅回路パッケージの入力部は省略する。）、７はバイアス線路から供給されるバイアスに応じて、増幅回路パッケージ５が入力部からの入力信号を増幅し、出力部６から送出する出力信号を導波する出力信号線路（入力信号線路は省略する。）、８は出力信号線路７の一部である筐体１の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板、９は誘電体基板８を載置するキャリア、１０は増幅回路パッケージ５内の増幅部５ａの後段で出力部６側に形成された第１のフィルタ回路、１０ａは増幅回路パッケージ５からの不要波を抑圧するマイクロストリップ線路の導体パターン（スタブ）による第２のフィルタ回路であり、第２のフィルタ回路１０は出力信号線路７の一部であるともいえる。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。
【００２０】
引き続き、図１〜３において、１１は第２のフィルタ回路１０上に設置され、第２のフィルタ回路１０からの放射波を遮断し、マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部（後述）が形成されたカットオフブロック、１２はキャリア９に形成されたキャリア固定用ねじ穴（第１の穴部）、１３はキャリア固定用ネジ穴１２を介してキャリア９を筐体に固定するキャリア固定用ねじ（キャリア固定部材）、１４はキャリア固定用ねじ穴１２（キャリア固定用ねじ１３）と異なる位置でキャリア９に形成されたカットオフブロック固定用ねじ穴（第２の穴部）、１５はブロック固定用ねじ穴１４と連通し、前記窪み部を避けて前記カットオフブロックに形成されたブロック固定用ねじ穴（第３の穴部）、１６はブロック固定用ねじ穴１４，１５とを介してカットオフブロック１１をキャリア９に固定するブロック固定用ねじ（ブロック固定部材）、１７はキャリア９とカットオフブロック１１との間に設けられたブロック用導電性パッキン、１７ａはブロック用導電性パッキン溝部、１８は蓋部２とカットオフブロック１１との間に設けられた蓋部用導電性パッキン、１８ａは蓋部用導電性パッキン溝部、１９は高周波モジュールの出力端子４である同軸コネクタ（高周波モジュールの出力端子の入力端子は省略する。）、２０は同軸コネクタ１９と出力信号線路７と電気的に接続する電気接続部、２１は第２のフィルタ回路１０と出力信号線路７とを電気的に接続する電気接続部であり、この場合は、第２のフィルタ回路１０と出力信号線路７とを別体として解釈すればよい。２２はカットオフブロック１１に形成された窪み部、２２ａはカットオフブロック１１の側面の開口付近に形成された窪み部である。なお、出力部６は、増幅回路パッケージ５の側部の開口とカットオフブロック１１の側部の開口とから引き出されている。電気接続部２０は、カットオフブロック１１の側部の開口から引き出されている。同軸コネクタ１９は、筐体１の側部の開口に挿入されている。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。
【００２１】
次に動作について説明する。高出力高周波モジュールの構成には、供給された所望波に対する増幅機能を主とする構成、更にＩＦ（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）周波数供給に基づきミキシング及び逓倍機能も付加された構成、更に規準信号に基づき発振器機能も付加された構成等がある。いずれの構成についても不要波が各能動デバイスにて出力される構成であり、法令及びシステム性能維持といった観点より不要波を抑圧させる必要がある。ただし一般的な高出力高周波モジュールについては、電力効率の観点より所望波を増幅させる高出力増幅回路が構成上能動デバイスの最終段に位置する場合が殆どであり、主に高出力増幅回路にて出力される高調波を抑圧するフィルタ回路が配置されている。ここではその一般的な構成に基づき、高出力増幅器、フィルタ回路、高出力高周波モジュールの出力端の構成について、図１から図３にて説明していく。本発明においては、特にフィルタ回路については高出力増幅器に含まれる第１のフィルタ回路１０とモジュール側で追加される第２のフィルタ回路１０ａを分けて定義する。増幅回路パッケージ５は、図１（ｂ）に示すように、増幅回路パッケージ５用の蓋部により電磁遮蔽されている。入力信号線路から増幅回路パッケージ５の入力部に入力信号が供給され、増幅回路パッケージ５（増幅部５ａ）が直流給電バイアス線５ｂなどから供給されるバイアスに応じて、入力部からの入力信号を増幅し、出力部６から後段の第２のフィルタ回路に送出する出力信号が送出される（図面上では、直流給電バイアス線５ｂ以外のバイアス線は省略している）。出力部６の手前には、第１のフィルタ回路１０が形成されており、出力信号以外の不要波を抑圧する。しかし、第１のフィルタ回路１０は、回路規模が大きくならない程度の面積で実現されたフィルタ回路であるので、所望のレベルまでは不要波を抑圧できない。この抑圧できなかった不要波を第２のフィルタ回路１０ａが抑圧することになる。なお、第２のフィルタ回路１０ａからの発振は、カットオフブロック１１により抑圧する。
【００２２】
続いて、図２を用いて、キャリア９とカットオフブロック１１との構造を説明する。カットオフブロック１１は、第２のフィルタ回路１０ａ上に設置され、第２のフィルタ回路１０ａを構成するマイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されている。第２のフィルタ回路１０ａは、誘電体基板８に前述のマイクロストリップ線路のパターンに形成され、キャリア９に固定されている。キャリア９は、筐体１の下面であるメタルベースにキャリア固定用ねじ９により固定されている。そして、カットオフブロック１１は、ブロック固定用ねじ１６によりキャリア９に固定されるが、ブロック固定用ねじ１６は、キャリア９上でキャリア固定用ねじ９に干渉しない位置に形成されたカットオフブロック固定用ねじ穴１４とこのカットオフブロック固定用ねじ穴１４と位置合わせされてカットオフブロック１１自身に窪み部２２，２２ａを避けた位置で形成されたブロック固定用ねじ穴１５との二つのねじ穴に挿入されている。なお、ブロック固定用ねじ１６用のねじ穴は、メタルベースにまで達していてもよい。
【００２３】
このように、キャリア９をメタルベースに固定するねじとカットオフブロック１１とキャリア９に固定するねじとを別にしたことにより、キャリア９を固定したまま、カットオフブック１１をキャリア９から外すことが可能になるので、高周波モジュールを製造する際の工作性が簡便化される。以下、キャリア９をメタルベースに固定するねじとカットオフブロック１１とキャリア９に固定するねじとを別にしたことにより、悪化するキャリア９とカットオフブロック１１との電気接触を改善し、アイソレーションがキャリア９をメタルベースに固定するねじとカットオフブロック１１とキャリア９に固定するねじとを同じねじで固定した場合（共締め）と遜色がないことを説明する。
【００２４】
図１（ｃ）及び図２（ｂ）に示すように、キャリア９とカットオフブロック１１との間には、軟性導電部材で形成されたブロック用導電性パッキン１７が設けれ、キャリア９とカットオフブロック１１との電気接触の改善が図れている。ブロック用導電性パッキン１７は、高周波モジュール内において平行平板モードで高周波信号の伝搬が予想される位置に配置すればよい。また、ブロック用導電性パッキン１７と同質の軟性導電部材を蓋部２とカットオフブロック１１に配置する（挟み込む）ことにより、筐体１内のアイソレーションを高めてもよい。具体的には、図２（ａ）に示すようにカットオフブロック１１の上面に、蓋部用導電性パッキン溝部１８ａを設けて、この溝に図１（ｂ）に示すように、蓋部用導電性パッキン１８を載置する。なお、蓋部用導電性パッキン１８は、棒状で複数本並べられ、蓋部１、カットオフブロック１１、蓋部用導電性パッキン１８とで形成される空間を増幅回路パッケージ５からの不要波に対する遮断空間として動作させてもよい。
【００２５】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２について図４及び５を用いて説明する。図４は実施の形態２に係る高周波モジュールの増幅回路パッケージ及びフィルタ回路の構成図、図５は実施の形態２に係る高周波モジュールに使用する軟性導電部材の実装図、図２（ａ）〜（ｃ）は軟性導電部材が挟み込まれた図であり、図４及び図５において、１１ａは、増幅回路パッケージ５の上方まで延びたカットオフブロック１１の鍔部、２３は鍔部１１ａと増幅回路パッケージ５の上面（蓋部）との間に設けられた軟性導電部材の鍔部用導電性パッキン、２４は鍔部用導電性パッキン溝部である。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。実施の形態１に係る高周波モジュールと実施の形態２に係る高周波モジュールとの違いは、鍔部１１ａとこの鍔部１１ａの存在により、必要となった部材のみで、それ以外は同様である。また、図４においては、直流給電バイアス線５ｂは図示していない。
【００２６】
鍔部１１ａを増幅回路パッケージ５上に被せて、その間に鍔部用導電性パッキン２３を挟みことにより、さらに、筐体１内のアイソレーションを高めることができる。また、鍔部用導電性パッキン２３の挟み込み方は、図５（ａ）のように、鍔部用導電性パッキン溝部２４を設けずに、鍔部用導電性パッキン２３を挟み込んでもよいし、図５（ｂ）（ｃ）のように、鍔部用導電性パッキン溝部２４を設けて、鍔部用導電性パッキン２３を挟み込んでもよい。また、図示していないが鍔部用導電性パッキン溝部２４は、実施の形態１に係る高周波モジュールのブロック用導電性パッキン溝部１７ａのように（図２（ｂ））のように、鍔部１１ａと増幅回路パッケージ５とのいずれか一方のみに形成してもよい。言い換えると、実施の形態１に係る高周波モジュールのブロック用導電性パッキン溝部１７ａや蓋部用導電性パッキン溝部１８ａに関しても、図５（ａ）〜（ｃ）に示すような状態で実施してもよいということになる。ブロック用導電性パッキン溝部１７ａや蓋部用導電性パッキン溝部１８ａが接触している部材の溝の有無も図５（ａ）〜（ｃ）と同様である。
【００２７】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３について図６を用いて説明する。図６は実施の形態３に係る高周波モジュールの構成図、図６（ａ）は高周波モジュールの上面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の一点鎖線で区切られた断面を矢印方向から見た断面図であり、図６において、９ａは誘電体基板などの構成される後述の高周波回路を載置する高周波回路キャリア、１１ｂは高周波回路２５上に設置され、高周波回路２５の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロック用カバー、１３ａは高周波回路キャリア９ａを固定するキャリア固定用ねじ（キャリア固定部材）、１６ａはカットオフブロック用カバー１１ｂを高周波回路キャリア９ａに固定するブロック固定用ねじ（ブロック固定部材）、１７ｂは高周波回路キャリア９ａとカットオフブロック用カバー１１ｂとの間に設けられたブロック用導電性パッキン、２５は誘電体基板の上面と下面に導体パターンなどの導体層が形成された高周波回路（例えば、マイクロストリップ線路）、２６は、高周波回路２５の前段や後段に接続される電子デバイスである。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。なお、図６においては、カットオフブロック用カバー１１ｂ及びブロック固定用ねじ１６ａは透視図とし、点線で表現している。
【００２８】
実施の形態１及び２では、キャリア９をメタルベースに固定するねじとカットオフブロック１１とキャリア９に固定するねじとを別にしたことにより、キャリア９を固定したまま、カットオフブック１１をキャリア９から外すことが可能になるので、高周波モジュールを製造する際の工作性が簡便化されることを説明したが、実施の形態３では、図６を用いて、さらに詳細を説明する。従来の高周波モジュールでは、モジュールの小型化と回路面積確保を両立する手段としてネジ実装に必要な面積については削減する必要があり、カットオフブロック用のカバーと回路基板を実装するキャリアに対して共締めネジを多用する傾向がある。しかし、共締めネジについては異なるキャリアに実装された回路基板同士の配線を接続する際にキャリアをモジュールに仮止めしておき、カットオフブロック用のカバーを取り付ける際に仮止め処置を一旦解除し、改めてカットオフブロック用カバーとキャリアをネジにて共締めする必要が出るため、作業性を低下させる。また、前項に示した作業性を改善する一つの手段として、カットオフブロックの一部に、配線や他の回路との接続用以外の穴または切り欠けを設けておき、キャリア上の回路基板同士の配線接続を、カットオフブロックを取り付けた状態で可能とさせる方法もある。ただしこの場合は、カットオフブロック本来の電気的遮蔽機能の低下をさせる場合がある。
【００２９】
実施の形態３（実施の形態１及び２）に係る高周波モジュールでは、高周波モジュール内部の回路面積を小型化させ、高周波回路キャリア９ａ単体を固定するネジ止め位置を対角上に配置させ（キャリア固定用ねじ１３ａ）、カットオフブロック用カバー１１ｂと高周波回路キャリア９ａを共締めするネジ止め位置は、高周波回路キャリア９ａ単体を固定するネジ位置と逆対角に配置させ（ブロック固定用ねじ１６ａ）、４点以上のネジ止め位置を確保できる。高周波回路キャリア９ａ単体を固定した状態にて、高周波回路キャリア９ａに実装された高周波回路２５や他のキャリアに実装された電子デバイス２６間の接続をおこない、その後カットオフブロック用カバー１１ｂを取り付け、仮止め作業を不要とさせ、工作作業性を向上させている。
【００３０】
また、ネジ止め個所と回路間に軟性導電部材で形成されたブロック用導電性パッキン１７ｂを配置させ、カットオフブロック用カバー１１ｂの４隅が固定されずとも、電気的アイソレーションを確保することが可能となる。このように本発明によれば、電気的アイソレーションの性能を維持しつつ、工作作業性を向上させうる効果が実現できる。図６に示すカットオフブロック用カバー１１ｂと高周波回路キャリア９ａとの間に挟まれるブロック用導電性パッキン１７ｂ（１７）の状態及びカットオフブロック用カバー１１ｂ（１１）と高周波回路キャリア９ａ（９）の形状は、図２（ｂ）の下図と同様である。もちろん、図５のような状態になるような状態・形状を選択してもよい。なお、高周波回路２５と電子デバイス２６とは、同一のキャリアに実装してもよい。また、実施の形態３に係る高周波モジュールは、実施の形態１及び２に係る高周波モジュールとは、増幅回路パッケージ５が電子デバイス２６に置き換わったこと以外は、基本的に同じである。これは、実施の形態３に係る高周波モジュールも、実施の形態１及び２で説明した筐体１のような筐体内に実装されるものであることを指す。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールのカットオフブロックの構成図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの増幅回路パッケージと第２のフィルタ回路とのブロック図である。
【図４】この発明の実施の形態２に係る高周波モジュールの増幅回路パッケージ及びフィルタ回路の構成図である。
【図５】この発明の実施の形態２に係る高周波モジュールに使用する軟性導電部材の実装図である。
【図６】この発明の実施の形態３に係る高周波モジュールの構成図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…筐体、２…蓋部、３…蓋部固定ねじ、３ａ…蓋部固定ねじ穴、４…出力端子、
５…増幅回路パッケージ、５ａ…増幅部、５ｂ…直流給電バイアス線、６…出力部、
７…出力信号線路、８…誘電体基板、９…キャリア、９ａ…高周波回路キャリア、
１０…第１のフィルタ回路、
１０ａ…第２のフィルタ回路、１１…カットオフブロック、１１ａ…鍔部、
１１ｂ…カットオフブロック用カバー、１２…キャリア固定用ねじ穴（第１の穴部）、
１３…キャリア固定用ねじ（キャリア固定部材）、
１３ａ…キャリア固定用ねじ（キャリア固定部材）、
１４…カットオフブロック固定用ねじ穴（第２の穴部）、
１５…ブロック固定用ねじ穴（第３の穴部）、
１６…ブロック固定用ねじ（ブロック固定部材）、
１６ａ…ブロック固定用ねじ（ブロック固定部材）、
１７…ブロック用導電性パッキン、１７ａ…ブロック用導電性パッキン溝部、
１７ｂ…ブロック用導電性パッキン、１８…蓋部用導電性パッキン、
１８ａ…蓋部用導電性パッキン溝部、１９…同軸コネクタ、２０…電気接続部、
２１…電気接続部、２２…窪み部、２２ａ…窪み部、２３…鍔部用導電性パッキン、
２４…鍔部用導電性パッキン溝部、２５…高周波回路、２６…電子デバイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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