(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内でプラズマを発生させて、シリコン基板をエッチングする工程と、前記基板に
対向して配置されたターゲットをスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を
形成する工程を、交互に繰り返して行うプラズマ処理方法であって、
前記ターゲットの表面を清浄化するコンディショニング工程を有し、
前記コンディショニング工程は、前記真空槽内でエッチングガスを含むプロセスガスの
プラズマを発生させて前記ターゲットの表面を清浄化するものであり、
前記ターゲットにバイアス電圧を印加しない第１クリーニング工程を含む
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記コンディショニング工程は、前記第１クリーニング工程と、前記ターゲットにバイアス電圧を印加する第２クリーニング工程とが順に行われる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記第２クリーニング工程では、前記プロセスガスとして不活性ガス単体が用いられる
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記エッチングガスは、ＳＦ６ガスである
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記プラズマは、前記真空槽内に磁気中性線を形成する磁場形成手段と、前記磁気中性
線に沿って交番電場を形成する電場形成手段とを用いて発生させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記ターゲットは、フッ素系樹脂からなる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン基板の表面に高アスペクト比の孔やディープトレンチを形成するのに好適なプラズマ処理方法に関し、更に詳しくは、安定したスパッタレートが得られ、生産性に優れたプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン基板の表面の加工には、プラズマエッチング（ドライエッチング）方法が広く用いられている。室温における原子状（ラジカル）フッ素とシリコンの反応は自発的であり、比較的高いエッチングレートが得られることから、シリコン基板のエッチングでは、エッチングガスとしてＳＦ6、ＮＦ3、ＣＯＦ2、ＸｅＦ2等のフッ素を含むガスが多用されている。
【０００３】
一方、フッ素を含むエッチングガスを用いたシリコン基板のドライエッチングは等方的であるため、形成された凹部（エッチングパターン）の側面にもエッチングが進行する。このため、スルーホールやディープトレンチなどの微細でアスペクト比の高いビアを高精度に形成することが困難であった。
【０００４】
そこで近年、パターンの側面に保護膜を形成しながらエッチングを行うことで、エッチングの横方向の広がりを抑え、パターン側面の垂直性を維持できるシリコン基板の深掘り加工技術が提案されている。
【０００５】
例えば特許文献１，２には、エッチング工程と保護膜形成工程を交互に繰り返して行うことで、エッチング工程で露出したパターンの底部および側面にポリマー層からなる保護膜を形成しながらエッチングを行う方法が開示されている。保護膜形成工程で凹部の側面に形成されたポリマー層は、パターンの底部に形成されたポリマー層に比べて、エッチング工程において除去される量が少ないため、このパターンの側面に形成されたポリマー層がエッチング保護膜として機能し、エッチング方向をパターンの深さ方向に制限する異方性エッチングが実現可能となる。
【０００６】
特に、特許文献１には、保護膜の成膜手法として、ＣＨＦ系ガスを用いたＣＶＤ法が開示されている。また、特許文献２には、保護膜の成膜として、基板に対向配置されたスパッタターゲットに対するアルゴンガスを用いたスパッタ法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５，５０１，８９３号明細書
【特許文献２】ＷＯ２００６／００３９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、シリコン基板の深掘り加工技術の必要性が高まっており、これに伴って生産性の向上が求められている。しかしながら、保護膜の成膜をスパッタ法で行う場合、処理開始時に所望とするスパッタレートが得られないという問題がある。これは、前工程であるシリコン基板のエッチング工程におけるスパッタターゲット表面へのエッチング反応物の一定以上の付着が原因である。
【０００９】
ターゲット表面に付着したエッチング反応物は、保護膜形成工程においてイオンのスパッタ作用により除去される。しかし、エッチング反応物の付着量が多くなると、スパッタ作用で除去されるまでの間にかなりの時間を要することになるため、速やかに安定したスパッタレートが得られない。一方、スパッタ時間を長くすることで上記問題を解消することも可能であるが、スパッタ時間が長くなることで基板の加工サイクルが長くなり、生産性の改善が図れなくなる。
【００１０】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以上の課題を解決するにあたり、本発明のプラズマ処理方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、シリコン基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置されたターゲットをスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うプラズマ処理方法であって、ターゲットの表面を清浄化するコンディショニング工程を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲットの表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。このコンディショニング工程は、定期的に行うのが好適であるが、これに限られない。定期的に行う例としては、基板を所定枚数処理するごとに、コンディショニング工程を行う。これにより、ターゲット表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。
【００１３】
本発明において、コンディショニング工程は、真空槽内でエッチングガスを含むプロセスガスのプラズマを発生させてターゲットの表面を清浄化するものであり、ターゲットにバイアス電圧を印加しない第１クリーニング工程と、ターゲットにバイアス電圧を印加する第２クリーニング工程とが順に行われる。第１クリーニング工程は、主として、ターゲット表面に付着したシリコンのエッチング反応物の除去を目的として行われる。ここで、ターゲットにバイアス電圧を印加しないのは、バイアスを印加するとターゲットから除去されたエッチング反応物が、再度ターゲットに付着してしまうからである。また、第２クリーニング工程では、主として、ターゲット表面の仕上げを目的として行われる。即ち、第１クリーニング工程を行うと、ターゲットがプロセスガスに晒された結果、その表面にＳやＦの変成層が形成されるので、これを除去して仕上げを行う必要がある。また、この第２クリーニング工程用のプロセスガスに不活性ガス単体を用いることで、ターゲット表面の仕上げ品質が高められ、より良好なスパッタレートを得ることが可能となる。
【００１４】
コンディショニング工程で用いられるプロセスガスは、エッチング工程や保護膜形成工程で用いられるプロセスガスを用いるのが有利である。同種のガスを用いることで、コンディショニング工程の時間短縮と使用ガスの共用による設備構成の簡素化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明のプラズマ処理方法によれば、ターゲット表面を清浄に維持して良好なスパッタレートを確保することができるとともに、生産性の向上を図れるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に適用されるプラズマ処理装置２０の概略構成図である。図示するプラズマ処理装置２０は、ＮＬＤ（磁気中性線放電：magnetic Neutral Loop Discharge）型のプラズマエッチング装置としての機能と、ＮＬＤを利用したスパッタ装置としての機能を有している。
【００１８】
図１において、２１は真空槽であり、内部にプラズマ形成空間２１ａを含む真空チャンバが形成されている。真空槽２１にはターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）等の真空ポンプが接続され、真空槽２１の内部が所定の真空度に真空排気されている。
【００１９】
プラズマ形成空間２１ａの周囲は、真空槽２１の一部を構成する筒状壁２２によって区画されている。筒状壁２２は石英等の透明絶縁材料で構成されている。筒状壁２２の外周側には、第１高周波電源ＲＦ１に接続されたプラズマ発生用の高周波コイル（アンテナ）２３と、この高周波コイル２３の外周側に配置された三つの磁気コイル群２４（２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ）がそれぞれ配置されている。なお、高周波コイル２３は本発明の「電場形成手段」を構成し、磁気コイル群２４は本発明の「磁場形成手段」を構成している。
【００２０】
磁気コイル２４Ａと磁気コイル２４Ｃにはそれぞれ同一方向に電流が供給され、磁気コイル２４Ｂには他の磁気コイル２４Ａ，２４Ｃと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ形成空間２１ａにおいて、磁場ゼロとなる磁気中性線２５が環状に連続して形成される。そして、高周波コイル２３により磁気中性線２５に沿った誘導電場（高周波電場）が形成されることで、放電プラズマが形成される。
【００２１】
特に、ＮＬＤ方式のプラズマ処理装置においては、磁気コイル２４Ａ〜２４Ｃに流す電流の大きさによって、磁気中性線２５の形成位置および大きさを調整することができる。すなわち、磁気コイル２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃに流す電流をそれぞれＩA，ＩB，ＩCとしたとき、ＩA＞ＩCの場合は磁気中性線２５の形成位置は磁気コイル２４Ｃ側へ下がり、逆に、ＩA＜ＩCの場合は磁気中性線２５の形成位置は磁気コイル２４Ａ側へ上がる。また、中間の磁気コイル２４Ｂに流す電流ＩBを増していくと、磁気中性線２５のリング径は小さくなると同時に、磁場ゼロの位置での磁場の勾配が緩やかになる。これらの特性を利用することで、プラズマ密度分布の最適化を図ることができる。
【００２２】
一方、真空チャンバの内部には、半導体ウエハ（シリコン基板）を支持するステージ２６が設置されている。ステージ２６は導電体で構成されており、スイッチ２７およびコンデンサ２８を介して第２高周波電源ＲＦ２に接続されている。なお、ステージ２６には、基板を所定温度に加熱するためのヒータ等の加熱源が内蔵されている。
【００２３】
プラズマ形成空間２１ａの上部には、天板２９が設置されている。天板２９は、ステージ２６の対向電極として構成されており、スイッチ３０およびコンデンサ３１を介して第３高周波電源ＲＦ３に接続されている。天板２９のプラズマ形成空間２１ａ側の面には、スパッタにより基板を成膜するためのターゲット（スパッタターゲット）３２が取り付けられている。ターゲット３２は、本実施形態では、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂材が用いられているが、これ以外の合成樹脂材料、あるいは珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材、窒化珪素材等が適用可能である。
【００２４】
天板２９の近傍には、真空槽２１の内部にプロセスガスを導入するためのガス導入管３３が設置されている。スパッタ用のプロセスガスとしては、アルゴンや窒素等の希ガスあるいは不活性ガスのほか、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3等のフッ素含有ガス、あるいは、これら不活性ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスが用いられる。本実施形態では、スパッタ用のプロセスガスとして、Ａｒが用いられる。なお、プロセスガスとしてのＣ4Ｆ8、ＣＨＦ3等のフロロカーボン系ガスはそれ自体、成膜ガスとして機能させることができ、例えば当該ガスの分解生成物とターゲット３１のスパッタ物の反応物を基板上へ堆積させることが可能となる。
【００２５】
エッチングガスとしては、ＳＦ6、ＮＦ3、ＳｉＦ4、ＸｅＦ2の少なくとも何れか一種又は不活性ガスとの混合ガスが用いられる。本実施形態では、エッチングガスとして、ＳＦ6とＡｒの混合ガスが用いられる。
【００２６】
以上のように構成される本実施形態のプラズマ処理装置２０においては、ステージ２６上に載置された基板に対してエッチング工程と保護膜形成工程を交互に繰り返し行うことで、基板表面に高アスペクト比の孔またはディープトレンチ等からなるビアを形成する。
【００２７】
図２は、本実施形態のプラズマ処理装置２０の一動作例を示すタイミングチャートである。図２において、Ａは、高周波コイル２３に供給される第１高周波電源ＲＦ１の印加タイミング、Ｂは、ステージ２６に印加される第２高周波電源ＲＦ２の印加タイミング、Ｃは、天板２９に印加される第３高周波電源ＲＦ３の印加タイミング、Ｄは、真空槽２１の内部における圧力変化を示している。この例では、エッチング工程の処理圧力（プロセスガス導入量）は、保護膜形成工程のそれよりも高く設定されている。
【００２８】
基板の表面にはあらかじめ、レジストマスクが形成されている。このレジストマスクは有機レジストやメタルマスク等が用いられる。エッチング工程および保護膜形成工程では、プラズマ形成空間２１ａに、磁気コイル群２４による環状磁気中性線２５が形成されるとともに、第１高周波電源ＲＦ１から高周波コイル２３への電力投入により、環状磁気中性線２５に沿って誘導結合プラズマが形成される。
【００２９】
エッチング工程において、真空槽２１の内部に導入されたエッチングガス（ＳＦ6とＡｒの混合ガス）は、プラズマ形成空間２１ａでプラズマ化し、生成されたイオンとラジカルによりステージ２６上の基板をエッチング処理する。このとき、第２高周波電源ＲＦ２からの電力投入で基板バイアスがＯＮとなり、イオンをステージ２６側へ加速させ、基板上のラジカル生成物をスパッタ除去してエッチング性を高める。すなわち、フッ素ラジカルがシリコンと反応してラジカル生成物を形成し、これをプラズマ中のイオンによるスパッタ作用で除去することで、シリコン基板のエッチング処理が進行する。
【００３０】
一方、エッチング処理を所定時間行った後、真空槽２１の内部に残留するエッチングガスが排気される。そして、成膜用のプロセスガス（Ａｒ）が真空槽２１の内部に導入されることで保護膜形成工程が開始される。導入されたプロセスガスは、プラズマ形成空間２１ａでプラズマ化する。このとき、基板バイアス（ＲＦ２）はＯＦＦとなり、代わりに、第３高周波電源（ＲＦ３）からの電力投入で天板バイアスがＯＮとなる。その結果、天板２９に設置されたターゲット３２はプラズマ中のイオンによりスパッタされ、そのスパッタ物が基板の表面および上述のエッチング工程で形成された凹部に付着する。以上のようにして、エッチング凹部の底部および側面に、保護膜として機能するポリマー層が形成される。
【００３１】
ここで、ターゲット３２から叩き出されたスパッタ粒子は、プラズマ形成空間２１ａに形成されているＮＬＤプラズマを通過して基板へ到達する。このとき、スパッタ粒子は、環状磁気中性線２５が形成される高密度プラズマ領域で分解、再励起されることにより、化学的蒸着法（ＣＶＤ法）に類似する成膜形態で、基板の表面に対して等方的に入射する。したがって、本実施形態によって得られるエッチングパターンの段差被膜（保護膜）は、カバレッジ性が高く、面内均一性に優れる。
【００３２】
また、保護膜形成工程のプロセスガスとして、例えばＡｒと反応ガス（Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3等）の混合ガスを用いることで、プロセスガス中の反応ガスがプラズマ形成空間２１ａにおいてプラズマ化し、そのラジカル生成物が基板表面に堆積することによって、保護膜として機能するポリマー層を形成する。更に、プロセスガスとして上記混合ガスを用いることで、Ａｒガスのみをプロセスガスとして用いる場合に比べてスパッタレートの向上を図ることが可能となる。
【００３３】
保護膜形成工程を所定時間行った後、再び上述したエッチング工程が行われる。このエッチング工程の初期段階は、エッチング凹部の底面を被覆する保護膜の除去作用に費やされる。その後、保護膜の除去により露出したエッチング凹部の底面のエッチング処理が再開される。このとき、プラズマ中のイオンは、基板バイアス作用によって基板に対して垂直方向に入射する。このため、エッチング凹部の側面を被覆する保護膜に到達するイオンは、エッチング凹部の底面に到達するイオンに比べて少ない。したがって、エッチング工程の間、エッチング凹部の側面を被覆する保護膜はほとんど除去されることなく残留する。これにより、エッチング凹部の側面とフッ素ラジカルとの接触が回避され、凹部の側面のエッチングによる侵食が防止される。
【００３４】
以後、上述のエッチング工程と保護膜形成工程が交互に繰り返し行われることで、基板表面に対して垂直方向の異方性エッチングが実現される。以上のようにして、基板の内部に高アスペクト比のビア（コンタクトホール、トレンチ）が作製される。
【００３５】
次に、本発明に係るターゲット３２のコンディショニング工程について説明する。
【００３６】
基板の処理枚数が増加すると、ターゲット３２の表面へのエッチング反応物の付着量が増加する。エッチング反応物には、シリコン基板のエッチング工程において発生するラジカル反応物あるいはシリコン化合物が含まれる。ターゲット表面に付着したエッチング反応物は、保護膜形成工程においてイオンのスパッタ作用により除去される。しかし、エッチング反応物の付着量が多くなると、スパッタ作用で除去されるまでの間にかなりの時間を要することになるため、速やかに安定したスパッタレートが得られない。一方、スパッタ時間を長くすることで上記問題を解消することも可能であるが、スパッタ時間が長くなるため基板の加工サイクルが長くなり、生産性の改善が図れなくなる。
【００３７】
そこで本実施形態では、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することを目的として、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。このコンディショニング工程では、真空チャンバ内でエッチングガスを含むプロセスガスのプラズマを発生させてターゲット３２の表面を清浄化する。なお、このコンディショニング工程においては、基板は真空槽２１から搬出された状態で行われる。
【００３８】
図３はコンディショニング工程の処理例を示している。処理例１は、プロセスガスとしてＳＦ6とＡｒの混合ガスが使用され、ターゲット３２にバイアス電圧（ＲＦ３）を印加しないで実施される例を示している。
【００３９】
処理例２および処理例３は、ターゲット３２にバイアス電圧（ＲＦ３）を印加しない第１クリーニング工程と、ターゲット３２にバイアス電圧を印加する第２クリーニング工程とが順に実施される例を示している。第１クリーニング工程は、主として、ターゲット３２の表面に付着したシリコンのエッチング反応物の除去を目的として行われる。ここで、ターゲットにバイアス電圧を印加しないのは、バイアスを印加するとターゲットから除去されたエッチング反応物が、再度ターゲットに付着してしまうからである。第２クリーニング工程は、主として、ターゲット３２の表面仕上げを目的として行われる。即ち、第１クリーニング工程を行うと、ターゲットがプロセスガスに晒された結果、その表面にＳやＦの変成層が形成されるので、これを除去して仕上げを行う必要がある。
【００４０】
なお、プロセスガスとしては、処理例２の第１，第２クリーニング工程においてはそれぞれＳＦ6とＡｒの混合ガスが使用される。一方、処理例３に関しては、第１クリーニング工程においてＳＦ6とＡｒの混合ガスが使用され、第２クリーニング工程においてＡｒガス単体が使用される。
【００４１】
図４は、上述した処理例１〜３を施した直後に実施した保護膜形成工程を実施したときのスパッタレートを示している。なお、コンディショニング工程の実施条件は以下のとおりである。
（実施条件）
・ターゲット材料：ポリテトラフルオロエチレン
・ＲＦ１：周波数  １３．５６ＭＨｚ
パワー  １５００Ｗ
・ＲＦ３：周波数１２．５ＭＨｚ
パワー  ５００Ｗ
・プロセスガス
処理例１  ＳＦ6／Ａｒ＝５０／５０（ｓｃｃｍ）
処理例２  第１クリーニング工程  ＳＦ6／Ａｒ＝５０／５０（ｓｃｃｍ）
第２クリーニング工程  ＳＦ6／Ａｒ＝５０／５０（ｓｃｃｍ）
処理例３  第１クリーニング工程  ＳＦ6／Ａｒ＝５０／５０（ｓｃｃｍ）
第２クリーニング工程  Ａｒ＝５０（ｓｃｃｍ）
・処理圧力
処理例１  ３Ｐａ
処理例２  第１クリーニング工程  ３Ｐａ
第２クリーニング工程  ３Ｐａ
処理例３  第１クリーニング工程  ３Ｐａ
第２クリーニング工程  ３Ｐａ
・処理時間
処理例１  ３０分
処理例２  第１クリーニング工程  ３０分
第２クリーニング工程  ９０秒
処理例３  第１クリーニング工程  ３０分
第２クリーニング工程  ９０秒
【００４２】
なお、本実施形態におけるコンディショニング工程においては、磁気中性線２５を形成せず、高周波コイル２３への電力（ＲＦ１）供給のみでプラズマを形成するようにしたが、これに限らず、磁気中性線２５の形成を伴ったＮＬＤプラズマを用いてターゲット３２のコンディショニング工程を実施してもよい。
【００４３】
図４に示したように、無処理の例に比べて、ターゲットのコンディショニング工程を実施する方がスパッタレートを向上させることができる。特に、処理例１〜３においては、処理例１、２、３の順でスパッタレートが向上することが確認された。これは、処理例１に比べて処理例２の方が、第２クリーニング工程においてターゲットへバイアス電圧が印加されることによってターゲットへのイオンの引き込み作用が得られる結果、ターゲットの清浄効果が高まったものと考えられる。
【００４４】
また、処理例２に比べて処理例３の方が高いスパッタレートが得られた。これは、処理例２と処理例３の第２クリーニング工程で使用されるプロセスガスの相違に起因する。すなわち、エッチングガス（ＳＦ6）を含むプロセスガスの場合、ターゲット表面からエッチング反応物を除去しながらも、ターゲット表面にフッ素やシリコンの変成層を形成する。これに対して、処理例３においては第２クリーニング工程において使用されるプロセスガスにエッチングガスが含まれていないので、当該第２クリーニング工程においてターゲット表面に上記変成層は形成されない。したがって、第１クリーニング工程においてターゲット表面に形成された上記混合層を除去する効果が得られるため、ターゲット表面の仕上げ品質が高められ、処理例２に比べて高いスパッタレートを得ることができる。
【００４５】
上述したコンディショニング工程は、基板を所定枚数処理する毎に行うことが好適である。また、処理例１に用いられるプロセスガスまたは処理例２，３の第１クリーニング工程に用いられるプロセスガスは、エッチングガスと不活性ガスの混合ガスに限らず、エッチングガス単体でもよい。特に、コンディショニング工程において使用されるプロセスガスとして、エッチング工程や保護膜形成工程に用いられるプロセスガスと同種のガスを用いることで、必要以上のガス排気が不要となるためコンディショニングの時間短縮を図れるとともに、使用ガスの共用による設備構成の簡素化を図ることができる。
【００４６】
以上のように、本実施形態によれば、ターゲットのコンディショニング工程を定期的に行うことによって、ターゲット表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となる。また、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４８】
例えば以上の実施形態では、ＮＬＤ方式のプラズマ処理装置を例に挙げて説明したが、これに限られず、例えば高周波コイルのみを用いたＩＣＰプラズマ処理装置にも本発明は適用可能である。
【００４９】
また、ターゲットのコンディショニング工程の処理条件（使用ガス、処理時間、処理圧力、天板バイアスパワー等）は上記の例に限定されず、ターゲット材料の種類や使用ガス、付着物の種類等に応じて、設定を適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態において使用されるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図３】本発明の実施形態によるコンディショニング工程の処理例を説明するタイミングチャートである。
【図４】本発明の実施形態によるコンディショニング工程の処理例ごとのスパッタレートを説明する一実験結果である。
【符号の説明】
【００５１】
２０  プラズマ処理装置
２１  真空槽
２３  高周波コイル
２４  磁気コイル群
２５  磁気中性線
２６  ステージ
２９  天板
３２  ターゲット
３３  ガス導入管
【図１】
0004958658.tif 000002
【図２】
0004958658.tif 000003
【図３】
0004958658.tif 000004
【図４】
0004958658.tif 000005