(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルムが貼付されており、前記ダイボンディングフィルムの前記半導体ウェーハが貼付された面とは反対側の面に非粘着フィルムが貼付されており、かつ前記半導体ウェーハの表面に保護シートが貼付されている積層体において、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離する方法であって、
前記ダイボンディングフィルムが、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを含有し、
前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの２３℃での剥離強度が１〜１０Ｎ／ｍの範囲にあり、
前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの４０〜１００℃での剥離強度が８〜６０Ｎ／ｍで、かつ２３℃での剥離強度よりも大きく、
さらに、前記半導体ウェーハと前記保護シートとの４０〜１００℃での剥離強度が４０Ｎ／ｍ未満で、かつ前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの４０〜１００℃での剥離強度より小さくなるように、前記積層体を４０〜１００℃に加温して、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離することを特徴とする、保護シートの剥離方法。
【請求項２】
前記ダイボンディングフィルムが、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤と前記高分子ポリマーとを含む全樹脂成分の合計１００重量％中に、前記高分子ポリマーを１０〜６０重量％の範囲で含む、請求項１に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項３】
前記非粘着フィルムの主成分が、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーである、請求項１〜２のいずれか１項に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項４】
前記保護シートがアクリル系粘着剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項５】
半導体ウェーハの表面に、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼付する工程と、
保護シートが貼付された前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する工程と、
４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムと、該ダイボンディングフィルムの片面に貼付されている非粘着フィルムとを前記ダイボンディングフィルム側から、個々の半導体チップに分割された前記半導体ウェーハの裏面に貼付する工程と、
前記ダイボンディングフィルム及び前記非粘着フィルムを貼付した後、請求項１〜４のいずれか１項に記載の保護シートの剥離方法により、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離する工程と、
個々の半導体チップに分割された前記半導体ウェーハの切断部分に沿って、前記ダイボンディングフィルムを切断する工程とを備えることを特徴とする、ダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記ダイボンディングフィルムを切断した後、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと前記非粘着フィルムから剥離する工程をさらに備える、請求項５記載のダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの表面に貼付された保護シートを剥離する方法に関し、より詳細には、半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルム及び非粘着フィルムを貼付した後、半導体ウェーハの表面から保護シートを容易に剥離することを可能とする保護シートの剥離方法、及び該剥離方法により保護シートが剥離されるダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェーハから個々の半導体チップを得るに際しては、いわゆる先ダイシング法と称されているダイシング法が用いられてきている。先ダイシング法の一例は、例えば下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼付する。しかる後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くする。これにより、半導体ウェーハが個々の半導体チップに分割されている。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼付されている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に実装する作業を容易とするために、半導体チップの裏面にダイボンディングフィルムを貼付されることが多い。このダイボンディングフィルム付の半導体チップを得るには、先ず、上記先ダイシング法により得られた分割後半導体ウェーハの裏面に、ダイボンディングフィルム及びダイシングフィルムを貼付する。次に、分割後半導体ウェーハの表面に貼付されている保護シートを剥離する。しかる後、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、ダイボンディングフィルムを切断する。切断後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごとダイシングフィルムから剥離することにより、ダイボンディングフィルム付の半導体チップが得られる。
【０００５】
ところで、上記先ダイシング法において半導体ウェーハの表面に貼付される保護シートの粘着力は、半導体ウェーハの研削時に剥離等しないように、比較的高くされている。一方、分割後半導体ウェーハの裏面に貼付されるダイボンディングフィルムの粘着力は、ダイシング後に、ダイボンディングフィルム付の半導体チップをダイシングフィルムから容易に剥離し得るように、比較的低くされている。
【０００６】
従って、粘着力が比較的高い保護シートと、粘着力が比較的低いダイボンディングフィルムとが用いられているため、分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離する際に、分割後半導体ウェーハと保護シートとの界面で剥離しないことがあった。すなわち、分割後半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムとダイシングフィルムとの界面で剥離することがあった。
【０００７】
そこで、分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離するに際し、分割後半導体ウェーハと保護シートとの界面で確実に剥離するための検討がなされてきている。例えば、下記の特許文献２には、保護シートの側端部を分割後半導体ウェーハから剥離して折り返した後、折り返し面に板状部材等を用いて押圧力を付与しながら、保護シートを剥離する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００４−３１５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載の剥離方法により分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離しようとしても、保護シートと半導体ウェーハとの界面で剥離せずに、分割後半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムとダイシングフィルムとの界面で剥離することがあった。
【０００９】
近年、半導体装置では、高集積化が進行しており、半導体チップの薄型化が進行している。それに伴って、ダイボンディングフィルムの厚みも薄くされてきている。このような厚みの薄いダイボンディングフィルムを用いた場合には、特にダイボンディングフィルムとダイシングフィルムとの界面で剥離し易かった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離する際に、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面で剥離することなく、半導体ウェーハと保護シートとの界面で容易に剥離することを可能とする保護シートの剥離方法、及び該剥離方法により保護シートが剥離されるダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、半導体ウェーハの裏面にダイボンディングフィルムが貼付されており、前記ダイボンディングフィルムの前記半導体ウェーハが貼付された面とは反対側の面に非粘着フィルムが貼付されており、かつ前記半導体ウェーハの表面に保護シートが貼付されている積層体において、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離する方法であって、前記ダイボンディングフィルムは、４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムであり、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの剥離強度が８Ｎ／ｍ以上になるように前記積層体を４０〜１００℃に加温して、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離することを特徴とする、保護シートの剥離方法が提供される。
【００１２】
本発明に係る保護シートの剥離方法ある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの２３℃での剥離強度は１〜１０Ｎ／ｍの範囲にあり、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの４０〜１００℃での剥離強度は２３℃での剥離強度よりも大きく、かつ８〜６０Ｎ／ｍの範囲にある。この場合、積層体を４０〜１００℃に加温することにより、半導体ウェーハの表面から保護シートがより一層容易に剥離する。
【００１３】
本発明に係る保護シートの剥離方法の他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの４０〜１００℃での剥離強度が８〜６０Ｎ／ｍの範囲にあり、前記半導体ウェーハと前記保護シートとの４０〜１００℃での剥離強度が４０Ｎ／ｍ未満である。この場合、積層体を４０〜１００℃に加温することにより、半導体ウェーハの表面から保護シートがさらに一層容易に剥離する。
【００１４】
本発明に係る保護シートの剥離方法のさらに他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムは、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを含有する。このダイボンディングフィルムを用いた場合には、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離する際に、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面でより一層剥離し難い。
【００１５】
本発明に係る保護シートの剥離方法のさらに他の特定の局面では、ダイボンディングフィルムは、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤と前記高分子ポリマーとを含む全樹脂成分の合計１００重量％中に、前記高分子ポリマーを１０〜６０重量％の範囲で含む。この範囲で高分子ポリマーを含むと、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離する際に、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面でさらに一層剥離し難い。
【００１６】
本発明に係る保護シートの剥離方法の別の特定の局面では、非粘着フィルムの主成分は、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーである。この非粘着フィルムを用いると、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面でさらに一層剥離し難い。
【００１７】
本発明に係る保護シートの剥離方法の他の特定の局面では、保護シートはアクリル系粘着剤を含む。この場合、半導体ウェーハの表面から保護シートがより一層容易に剥離する。
【００１８】
本発明に係るダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハの表面に、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼付する工程と、保護シートが貼付された前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する工程と、４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムと、該ダイボンディングフィルムの片面に貼付されている非粘着フィルムとを前記ダイボンディングフィルム側から、個々の半導体チップに分割された前記半導体ウェーハの裏面に貼付する工程と、前記ダイボンディングフィルム及び前記非粘着フィルムを貼付した後、本発明の保護シートの剥離方法により、前記半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離する工程と、個々の半導体チップに分割された前記半導体ウェーハの切断部分に沿って、前記ダイボンディングフィルムを切断する工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係るダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムを切断した後、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと前記非粘着フィルムから剥離する工程をさらに備えている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る保護シートの剥離方法によれば、４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムを用いており、保護シート、半導体ウェーハ、ダイボンディングフィルム及び非粘着フィルムの積層体を、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度が８Ｎ／ｍ以上になるように４０〜１００℃に加温して、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離するので、半導体ウェーハの表面から保護シートを容易に剥離することができる。すなわち、半導体ウェーハと保護シートとの界面で容易に剥離し、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの界面あるいはダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面で剥離し難い。さらに、ダイボンディングフィルムの厚みが薄くても、保護シートと半導体ウェーハとの界面で容易に剥離する。
【００２１】
本発明に係るダイボンディングフィルム付半導体チップの製造方法では、保護シート、半導体ウェーハ、ダイボンディングフィルム及び非粘着フィルムの積層体を４０〜１００℃に加温して、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離するので、半導体ウェーハから保護シートを容易に剥離して、ダイボンディングフィルム付半導体チップを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態に係る保護シートの剥離方法において用いられる積層体を示す部分切欠正面断面図である。
【００２４】
図１に示すように、半導体ウェーハから保護シートを剥離するに際しては、先ず保護シート１、半導体ウェーハ２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順で積層されている積層体１１を用意する。
【００２５】
積層体１１では、半導体ウェーハ２は、個々の半導体チップ２Ａ，２Ａに分割されている。上記ダイボンディングフィルム３は、室温（２３℃）から、４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムとされている。
【００２６】
また、積層体１１はダイシングリングを貼付するためのダイシングフィルム５を含む。ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤層５ｂとを有する。ダイシングフィルム５は、粘着剤層５ｂ側から非粘着フィルム４に貼付されている。もっとも、ダイシングフィルム５は必ずしも用いられている必要はなく、この場合、例えば非粘着フィルム４はダイシングリングが貼付され得るように構成されていてもよい。保護シート１、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５の詳細については後述する。
【００２７】
上記積層体１１は特に限定されないが、例えば以下の各工程を経て得ることができる。
【００２８】
先ず、図２（ａ）に示すように、図示しない回路が表面に形成された半導体ウェーハ２を用意する。半導体ウェーハ２は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２の表面２ａには図示しないが、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップ２Ａを構成するための回路が形成されている。
【００２９】
半導体ウェーハ２を用意した後、図２（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ２の表面２ａに切り込み２ｃが形成されるように、半導体ウェーハ２を表面２ａ側からダイシングする。半導体ウェーハ２の表面２ａには、個々の半導体チップ２Ａに分割するための切り込み２ｃが形成される。ダイシングは、例えば高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２の表面２ａに、保護シート１を貼付する。しかる後、図２（ｄ）に示すように、半導体ウェーハ２の裏面２ｂを研削し、半導体ウェーハ２の厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２の裏面２ｂは、切り込み２ｃ部分まで研削されている。半導体ウェーハ２の裏面２ｂは、切り込み２ｃ部分まで研削されることが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２の表面２ａに保護シート１が貼付されているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２が個々の半導体チップ２Ａに分割されても、半導体チップ２Ａ，２Ａはばらばらにならずに保護シート１に貼付されたままである。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、複数の半導体チップ２Ａ，２Ａの集合体からなる分割後半導体ウェーハ２の裏面２ｂに、図４に示すダイシングダイボンディングテープ２１をダイボンディングフィルム３側から貼付する。ダイシングダイボンディングテープ２１では、ダイボンディングフィルム３の片面に非粘着フィルム４が貼付されており、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルム５が貼付されている。分割後半導体ウェーハ２の裏面２ｂにダイシングダイボンディングテープ２１を貼付することにより、積層体１１が得られる。
【００３２】
なお、上記ダイシングダイボンディングテープ２１に代えて、ダイシングフィルム５を有しないダイシングダイボンディングテープ３１を用いてもよい。すなわち、図５に示すように、ダイボンディングフィルム３の片面に非粘着フィルム４が貼付されているダイシングダイボンディングテープ３１を用いることもできる。この場合、非粘着フィルム４が、例えばダイシングリングが貼付され得るように、ダイシングフィルムとして機能し得るように構成され得る。また、ダイシングダイボンディングテープ２１，３１を用いずに、分割後半導体ウェーハ２の裏面２ｂにダイボンディングフィルム３を貼付し、しかる後、ダイボンディングフィルム３に非粘着フィルム４を貼付してもよい。
【００３３】
上記積層体１１において、分割後半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離するに際しては、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度が８Ｎ／ｍ以上になるように、より好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、さらに好ましくは２０Ｎ／ｍ以上になるように、積層体１１を４０〜１００℃に加温する。前述のように、本実施形態では、ダイボンディングフィルム３として、剥離時の温度である４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムを用いている。よって、積層体１１が加温され、ダイボンディングフィルム３が４０〜１００℃に加温されると、ダイボンディングフィルム３の粘着力が高められる。ダイボンディングフィルム３の粘着力が高められると、ダイボンディングフィルム３と分割後半導体ウェーハ２、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４とが強固に接合され、その剥離強度高められる。
【００３４】
積層体１１が加温され、ダイボンディングフィルム３の粘着力が増大し、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度が８Ｎ／ｍ以上とされた状態で、分割後半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する。このとき、ダイボンディングフィルム３と分割後半導体ウェーハ２及び非粘着フィルム４とが強固に接合されているので、分割後半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１が容易に剥離する。このとき、分割後半導体ウェーハ２とダイボンディングフィルム３との界面あるいはダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で剥離し難い。
【００３５】
前述のように、分割後半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離するに際しては、積層体１１は４０〜１００℃に加温される。加温温度が４０℃未満であると、ダイボンディングフィルム３の粘着力が充分に高められず、１００℃を超えると、ダイボンディングフィルム３が熱硬化性を有する場合には熱硬化してしまうことがあり、一方、ダイボンディングフィルム３が光硬化性や可塑性を有する場合には必要以上に粘度が低くなりすぎることがある。熱エネルギーを低減でき、また積層体の各層の熱劣化を抑制し得るので、上記加温温度は、４０〜６０℃がより好ましい。
【００３６】
上記積層体１１におけるダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との２３℃での剥離強度は１〜１０Ｎ／ｍの範囲が好ましい。より好ましくは、２〜８Ｎ／ｍの範囲である。この剥離強度が小さすぎると、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを取り出す際にチップ飛びが生じ易くなり、大きすぎると、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａの非粘着フィルム４からの剥離が困難になることがある。２３℃での剥離強度が上述の上限より大きい場合は、ダイボンディングフィルム３を切断した後に切断後ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを非粘着フィルム４から剥離する際に、例えば光照射や加熱によりダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離力を変化させる工程が必要とされるが、上述の範囲であれば、そのような工程を経ることなく好適に剥離することが可能である。
【００３７】
また、上記積層体１１におけるダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との４０〜１００℃での剥離強度は、２３℃での剥離強度よりも大きく、かつ８〜６０Ｎ／ｍの範囲にあることが好ましい。より好ましくは１０〜６０Ｎ／ｍの範囲であり、さらに好ましくは２０〜６０Ｎ／ｍの範囲である。この剥離強度が小さすぎると、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で剥離し易くなり、大きすぎると、保護シート１の剥離後に積層体１１を室温に戻しても、この界面での剥離強度が十分に低下せず、次工程に問題が生じることがある。
【００３８】
上記積層体１１における半導体ウェーハ２と保護シート１との２３℃での剥離強度は、１〜１０Ｎ／ｍの範囲が好ましい。より好ましくは、１〜５Ｎ／ｍの範囲である。この剥離強度が小さすぎると、半導体ウェーハ２の裏面２ｂを研削する際に、個片化された半導体チップ２Ａが剥離することがあり、大きすぎると、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、保護シート１に半導体ウェーハ２が付着した状態で剥離してしまうことがある。
【００３９】
また、上記積層体１１における半導体ウェーハ２と保護シート１との４０〜１００℃での剥離強度は、４０Ｎ／ｍ未満であることが好ましい。より好ましくは、１０Ｎ／ｍ未満の範囲である。この剥離強度が大きすぎると、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、保護シート１に半導体ウェーハ２が付着した状態で剥離してしまうことがある。
【００４０】
上記積層体１１における半導体ウェーハ２とダイボンディングフィルム３との２３℃での剥離強度は、１〜１０Ｎ／ｍの範囲が好ましい。より好ましくは、１〜８Ｎ／ｍの範囲である。この剥離強度が小さすぎると、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを取り出す際に、半導体チップ２Ａとダイボンディングフィルム３Ａとの界面で剥離し易くなり、大きすぎると、４０〜１００℃に加温しても剥離強度が充分に低下せずに、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で剥離し易くなる。
【００４１】
また、上記積層体１１における半導体ウェーハ２とダイボンディングフィルム３との４０〜１００℃での剥離強度は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度及び半導体ウェーハ２と保護シート１との剥離強度に比較して十分高いことが望ましい。
【００４２】
研削後の半導体ウェーハ２の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１０〜１００μｍである。また、上記ダイボンディングフィルム３の厚みは、特に限定されないが、好ましくは３〜１００μｍである。研削後の半導体ウェーハ２やダイボンディングフィルム３の厚みが薄い場合には、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で剥離し易くなる。本実施形態に係る保護シートの剥離方法によれば、半導体ウェーハ２やダイボンディングフィルム３の厚みが薄くても、例えば、半導体ウェーハ２が厚み１０〜３０μｍの極めて薄い半導体ウェーハであったり、ダイボンディングフィルム３の厚みが３〜２０μｍであっても、半導体ウェーハ２と保護シート１との界面で容易に剥離することができる。
【００４３】
上記保護シート１の厚みは特に限定されず、５０〜３００μｍ程度である。上記非粘着フィルム４の厚みは特に限定されず、１０〜１００μｍ程度である。また、上記ダイシングフィルム５の厚みは特に限定されず、１０〜１００μｍ程度である。
【００４４】
図３（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離した後、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを取り出すに際しては、図３（ｂ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２の切断部分２ｃに沿って、ダイボンディングフィルム３を切断する。ダイボンディングフィルム３を切断する際には、高速回転するブレードを備えるダイシング装置や、レーザーダイシング装置等、また、エクスパンドによる物理切断等が用いられ得る。
【００４５】
ダイボンディングフィルム３を個々のダイボンディングフィルム３Ａに切断した後、半導体チップ２Ａをダイボンディングフィルム３Ａごと非粘着フィルム４から剥離する。これにより、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａが得られる。
【００４６】
なお、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを取り出す際には、非粘着フィルム４やダイシングフィルム５を引き延ばして、半導体チップ２Ａ，２Ａの間隔を拡張してもよい。
【００４７】
以下、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４、保護シート１及びダイシングフィルム５の詳細について述べる。
【００４８】
上記ダイボンディングフィルム３としては、４０〜１００℃に加温されると粘着力が増大するものであれば特に限定されず、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物等からなる。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は十分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａを得た後に、ダイボンディングフィルム３Ａに熱や光のエネルギーを与えて硬化させることで、基板や他の半導体チップ等の被着体に半導体チップ２Ａを強固に接合することができる。硬化性樹脂としては、特に限定されないが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００４９】
上記熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、例えばポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５０】
上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５１】
上記光硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば感光性オニウム塩等の光カチオン触媒を含有するエポキシ樹脂や感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。これらの光硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５２】
上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はアクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等のホットメルト型接着樹脂が特に好適に用いられる。
【００５３】
上記硬化性樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。重量平均分子量が５００未満であると、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低くなりすぎることがある。重量平均分子量が１０００を超えると、ダイボンディングフィルム３を４０〜１００℃に加温しても、外力に対するダイボンディングフィルム３の追従性が低く、ダイボンディングフィルム３の変形エネルギーが充分に高められないため粘着力が充分に増大せず、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度が低くなりすぎることがある。
【００５４】
上記硬化性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマーとを含有するものがより好ましい。この硬化性樹脂組成物からなるダイボンディングフィルム３を用いた場合には、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、半導体ウェーハ２とダイボンディングフィルム３との界面あるいはダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面でより一層剥離し難い。また、このダイボンディングフィルム３を介して半導体チップ２Ａを基板や他の半導体チップに接合した場合に、接合信頼性も高められる。
【００５５】
上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いると、硬化性樹脂組成物の硬化物では、剛直で分子の運動が阻害されるので、機械的強度や耐熱性が高められるとともに、耐湿性も高められる。
【００５６】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００５７】
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。
【００５８】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、特に限定されるものではないが、重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量が５００未満であると、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度、耐熱性、耐湿性等が十分に向上しないことがあり、重量平均分子量が１０００を超えると、ダイボンディングフィルム３を４０〜１００℃に加温した場合に、外力に対するダイボンディングフィルム３の追従性が低く、ダイボンディングフィルム３の変形エネルギーが充分に高められないため粘着力が充分に増大しないことがある。また、重量平均分子量が１０００を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００５９】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いると、半導体ウェーハ２の表面２ａから保護シート１を剥離する際に、半導体ウェーハ２とダイボンディングフィルム３との界面あるいはダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面でさらに一層剥離し難い。また、エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いると、硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性を高めることができる。
【００６０】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしは、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６１】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの配合量は、全樹脂成分の合計１００重量％中、１０〜６０重量％が好ましい。より好ましくは、１０〜３０重量％である。高分子ポリマーが少なすぎると、シート成形性能が低下することがあり、多すぎると、ダイボンディングフィルム３を４０〜１００℃に加温した場合に、比較的低分子量の硬化性樹脂が移動し難く、ダイボンディングフィルム３の変形エネルギーが小さくなるため粘着力が充分に増大しないことがある。なお、全樹脂成分とは、硬化性樹脂、硬化剤、高分子ポリマー及び必要に応じて添加される他の樹脂構成成分の総和をいうものとする。
【００６２】
上記高分子ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは１万〜２００万の範囲である。より好ましくは５万〜１００万の範囲である。高分子ポリマーの重量平均分子が小さすぎると、シートの保形性が低下することがあり、大きすぎると、溶剤に溶けにくく、均一な塗膜を形成しにくいことがある。
【００６３】
上記硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６４】
上記硬化剤のなかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤が好適に用いられる。このような硬化剤を用いることにより、硬化前には常温で柔軟であってハンドリング性が良好なダイボンディングフィルム３が得られる。また、このような硬化剤を用いると、ダイボンディングフィルム３は４０〜１００℃に加温された際に外力に対する追従性が特に高められ、変形エネルギーが大きくなるため粘着力が充分に増大する。
【００６５】
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６６】
上記硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を併用しても良い。
【００６７】
上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等を調整するための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６８】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６９】
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化性樹脂組成物の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００７０】
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化後の硬化性樹脂組成物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００７１】
積層体１１では、上記ダイボンディングフィルム３の片面に非粘着フィルム４が貼付されている。
【００７２】
上記非粘着フィルム４としては特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム：ポリ塩化ビニルフィルム；ポリイミドフィルム；アクリル樹脂系フィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。
【００７３】
本明細書において、「非粘着フィルム」とは、室温（２３℃）において表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、室温において指で触ったときにくっつかない程度の微粘着フィルムをも含むものとする。室温下で非粘着性であれば、加温した場合に粘着性が発現することはかまわない。
【００７４】
また、上記非粘着フィルム４は、単一の合成樹脂フィルムからなる必要は必ずしもなく、２層以上を積層してなる積層フィルムであってもよい。
【００７５】
上記ポリオレフィン系フィルムとしては、より具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰ）フィルム、ＬＤＰフィルム＋ＰＰフィルムの積層体、ＬＤＰフィルム＋高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルムの積層体、ＬＤＰＥフィルム＋ＨＤＰＥフィルム＋ＬＬフィルムの積層体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰ）フィルムなどを挙げることができる。なかでも、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度を上記特定の範囲に容易に設定でき、半導体チップ２Ａのピックアップ時のエクスパンド性が高いので、ＬＬＤＰＥフィルムが好ましい。
【００７６】
また、上記アクリル樹脂系フィルムとしては、様々なアクリル酸エステルポリマーを主成分として含む組成物からなる非粘着フィルムを用いることができる。アクリル系樹脂フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかく、弾性率を低めて、ダイシングに際しての切削性を高めることが容易である。また、アクリル系樹脂フィルムでは、主成分となる（メタ）アクリル酸エステルポリマーを選択することにより、非粘着フィルムの極性を低めたり、弾性率を低めたり、伸度を好ましい範囲に容易に設定することができる。
【００７７】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが用いられる。非粘着フィルム４の主成分は、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合には、極性を十分に低めることができ、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、剥離性を高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となることがある。より好ましくは、アルキル基の炭素数は、６以上であり、それによって極性をより一層低めることができる。
【００７８】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものも好適に用いられる。この場合にも、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は６以上が特に好ましい。
【００７９】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。
【００８０】
尚、上記他の改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、得られた非粘着シートの極性が高くなり、結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
【００８１】
なお、本発明において「（メタ）アクリル酸」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。
【００８２】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られるものが好ましい。
【００８３】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられても、２種以上が併用されてもよい。
【００８４】
上記アクリル樹脂系フィルムの主成分としての上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、表面エネルギーが小さくなり、剥離性が高められる。
【００８５】
上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記他のモノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことや、反応過程においてエステルの加水分解が生じないように調整する方法が好ましい。
【００８６】
尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。
【００８７】
上記非粘着フィルム４がアクリル系樹脂フィルムである場合、上記主成分としての（メタ）アクリル酸エステルポリマーの他に、好ましくは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーがさらに含有される。このようなオリゴマーの含有により、保護シート１を剥離した後、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａのピックアップ性がより一層高められる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満の場合には、オリゴマーの配合による効果が得られないことがあり、５００００を超えると、粘着性が必要以上に高くなり、ダイボンディングフィルム３Ａ付の半導体チップ２Ａのピックアップ性が低下することがある。
【００８８】
上記オリゴマーとしては、特に限定されるわけではないが、好ましくは、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、ジシクロペンタジエン骨格などを有するものが望ましい。なお、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。柔軟性を有する骨格とは、該オリゴマーのＴｇが２５℃以下となるような骨格をいうものとする。ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーは柔軟性により一層優れた骨格を有するため望ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としてはＭ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などを挙げることができる。
【００８９】
上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられるが、中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を２以上有することが好ましい。
【００９０】
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合性基は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。
【００９１】
上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格、ポリエチレンオキシド骨格などが挙げることができる。
【００９２】
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、ＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００（新中村化学工業社製）、アロニックスＭ−１６００、アロニックスＭ−２２０（東亜合成社製）などを挙げることができる。
【００９３】
また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。ウレタンアクリルオリゴマーが３〜１０官能であると、骨格が適度な柔軟性を有するものとなる。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低すぎてダイボンディングフィルム３の切断時にひげ状の切削屑が生じ易く、１０官能を超えると、柔軟性が高すぎてダイボンディングフィルム３の切断時に汚染の原因となることがある。
【００９４】
上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ  Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００（新中村化学工業社製）、ＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５（根上工業社製）などを挙げることができる。
【００９５】
上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１重量部以上が望ましい。好ましい上限は５０重量部である。また、上記オリゴマーが多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が不可能となることがある。
【００９６】
両末端にアクリル基を有するオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部が好ましく、１〜５０重量部がより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１〜３０重量部がより好ましい。
【００９７】
上記非粘着フィルム４は、フィラー粒子を含むことが好ましい。フィラー粒子を含むことにより、ダイボンディングフィルム３の切断時の切削性が高められ、ダイボンディングフィルム３や半導体チップ２Ａに切削屑が付着し難い。
【００９８】
上記フィラー粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、切削性が充分に高められないことがある。
【００９９】
上記フィラー粒子としては特に限定されず、シリカ、アルミナ等を用いることができる。中でも、合成された球状のシリカフィラーが好ましい。そのようなフィラーの市販品としては例えば、ＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ、ＳＣ４０５０ＳＥＪ（すべてアドマテックス社製）等が挙げられる。
【０１００】
上記フィラー粒子の配合割合は、フィラー粒子を除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラー粒子が多すぎると、非粘着フィルム４がエクスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、切削性が十分に高められないことがある。
【０１０１】
また、上記非粘着フィルム４は、紫外線吸収材をさらに含有してもよい。紫外線吸収材を含有することにより、ダイボンディングフィルム３はレーザーダイシングする場合に好適に使用することができるものとなる。
【０１０２】
上記保護シート１としては、特に限定されないが、グラインダ用粘着シートとして一般に知られているものを用いることができる。保護シート１としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、塩化ビニルなどの基材に、例えば粘着剤を塗布したものを用いることができる。上記粘着剤としてはアクリル系粘着剤が好ましく、保護シート１は、アクリル系粘着剤を含むことが好ましい。
【０１０３】
上記保護シート１の粘着剤は、４０〜１００℃に加温されると、粘着力が低下することが好ましい。
【０１０４】
上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられており、ダイシングが行われた後のエクスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３Ａ付き半導体チップ２Ａのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、前述のように基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤層５ｂとを有する。
【０１０５】
上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
【０１０６】
上記粘着剤層５ｂを構成する粘着剤としては、特に限定されないが、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの粘着剤が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の粘着剤が非粘着フィルム４に対する貼着力、およびダイシングリングからの再剥離性、コスト面に優れているため好適に用いられる。  
【０１０７】
以下実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【０１０８】
以下のダイボンディングフィルム及び非粘着フィルムを用意した。
【０１０９】
（１）ダイボンディングフィルム
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）と、ＥＸＡ７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）と、２ＭＡＯＫ（四国化成社製、イミダゾール）と、ＫＢＭ４０３（信越化学社製、シランカップリング剤）とを下記表１に示す割合で配合し、メチルエチルケトン中に溶解させて配合物を得た。該配合物をアプリケーターにより塗工し、さらに１１０℃で３分間オーブン中にて乾燥することにより厚み１０μｍのダイボンディングフィルムＡ〜Ｃを得た。
【０１１０】
【表１】
0005108426.tif 000002
【０１１１】
（２）非粘着フィルム
重量平均分子量が７００，０００であり、かつ酸価が０．８６ｍｇＫＯＨ／ｇであるアクリル系ポリマー１、または重量平均分子量が７３０，０００であり、かつ酸価が０．３４ｍｇＫＯＨ／ｇであるアクリル系ポリマー２のいずれかを主成分とする下記の表２に示す組成のアクリル樹脂系組成物からなる非粘着フィルムＡ〜Ｃを用意した。
【０１１２】
また、ＰＥＴ５０１１（リンテック社製、シリコンＰＥＴ）を、非粘着フィルムＤとして用意した。
【０１１３】
【表２】
0005108426.tif 000003
【０１１４】
（実施例１）
厚み７６５μｍの半導体ウェーハ上に、６０℃の温度でリンテック製Ｄ６５０をマウントし、ダイシングリング付きサンプルを得た。この半導体ウェーハの表面に深さ１００μｍの切り込みを入れ、さらに半導体ウェーハの表面に保護シートとしてのバックグラインディングテープ  イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されたもの）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが３５μｍになるまで半導体ウェーハの裏面を研削した後、ＣＭＰスラリーを用いて、半導体ウェーハの厚みが３０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の鏡面仕上げを行った。
【０１１５】
次に、半導体ウェーハの裏面に、上記ダイボンディングフィルムＡを６０℃でマウントした。さらに、ダイボンディングフィルムＡの半導体ウェーハが貼付された面とは反対側の面に上記非粘着フィルムＡを貼付し、保護シート、半導体ウェーハ、ダイボンディングフィルムＡ及び非粘着フィルムＡの積層体を得た。
【０１１６】
得られた積層体をステージ上で６０℃に加温し、１８０度ピールにて半導体ウェーハの表面から保護シートの剥離を試みた。
【０１１７】
（実施例２〜７、及び比較例１〜１１）
ダイボンディングフィルムの種類、非粘着フィルムの種類、及び保護シートの剥離に際しての積層体の加温温度を下記表３に示すように代えたこと以外は実施例１と同様にして積層体を得、半導体ウェーハの表面から保護シートの剥離を試みた。
【０１１８】
（評価結果）
（１）剥離強度
２３℃及び剥離時の加温温度における半導体ウェーハと保護シートとの剥離強度を、ＪＩＳ  Ｋ６８５４−１に準拠して、９０度かつ速度３０ｍｍ／分の条件で剥離することにより測定した。また、同様にして２３℃及び剥離時の加温温度におけるダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度を測定した。結果を下記表３に示した。
【０１１９】
なお、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとは強固に接着しており、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの剥離強度は測定することができなかった。
【０１２０】
（２）剥離状態
半導体ウェーハから保護シートを剥離する際の剥離状態を下記評価基準で評価した。結果を下記表３に示した。
【０１２１】
〔剥離状態の評価基準〕
○：半導体ウェーハと保護シートとの界面で問題なく剥離した
△：剥離の初期段階では半導体ウェーハと保護シートとの界面で問題なく剥離したが、剥離途中でダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面で剥離した
×：ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面で剥離し、半導体ウェーハと保護シートとの界面で剥離しなかった
【０１２２】
【表３】
0005108426.tif 000004
【０１２３】
非粘着フィルムは、２３℃から４０℃あるいは２３℃から６０℃に加温してもその粘着力は変わらないかもしくはほとんど変わらなかった。これに対し、実施例１〜７では、上記表３に示すように、２３℃から４０℃あるいは２３℃から６０℃に加温した際に、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度は増大した。このことから、実施例１〜７で用いたダイボンディングフィルムは、２３℃から４０℃あるいは２３℃から６０℃に加温されると粘着力が増大するダイボンディングフィルムであることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る保護シートの剥離方法に用いられる積層体を示す部分切欠正面断面図。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る保護シートの剥離方法に用いられる積層体を得る各工程を説明するための部分切欠正面断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る保護シートの剥離方法により保護シートを剥離した後、ダイボンディングフィルム付半導体チップを得る各工程を説明するための部分切欠正面断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る保護シートの剥離方法に用いられるダイシングダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図。
【図５】ダイシングダイボンディングテープの他の例を示す部分切欠正面断面図。
【符号の説明】
【０１２５】
１…保護シート
２…半導体ウェーハ
２ａ…表面
２ｂ…裏面
２ｃ…切断部分
２Ａ…半導体チップ
３…ダイボンディングフィルム
３Ａ…分割されたダイボンディングフィルム
４…非粘着フィルム
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤層
１１…積層体
２１…ダイシングダイボンディングテープ
３１…ダイシングダイボンディングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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