(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板の片面側に搭載され、かつ導電体を介して前記回路基板に電気的に接続された少なくとも一つの半導体チップと、
前記回路基板における前記半導体チップの搭載面側において、前記半導体チップおよび前記導電体を被覆する封止樹脂と、
前記回路基板に形成され、かつ前記回路基板に電気的に接続された外部電極端子を備えた半導体装置において、
さらに、前記回路基板上の前記封止樹脂内部であり、かつ前記チップおよび前記導電体よりも前記封止樹脂の外縁に近い位置に設置され、前記回路基板と前記封止樹脂との接着界面から前記封止樹脂側を経由し、再び前記接着界面に接続された少なくとも１つのテスト配線と、
前記回路基板に形成され、かつ前記テスト配線の両端に電気的に接続されたテスト用外部電極端子とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記回路基板の配線上に、絶縁被覆層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電体が、ワイヤボンディング法を用いて形成されたボンディングワイヤであることを特徴とする請求項１および２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電体が、フリップチップボンディング法を用いて形成された金属バンプであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記外部電極端子が、半田ボールであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外部電極端子が、ランドであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止樹脂が、トランスファーモールド法により形成された樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記封止樹脂が、ポッティング法等による液状樹脂滴下により形成された樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記テスト配線が、前記封止樹脂の内部を経由することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記テスト配線が、前記封止樹脂と前記回路基板との界面を経由することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記テスト用外部電極端子と、前記半導体チップと接続された信号配線とが、互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記テスト用外部電極端子の両方あるいはいずれか一方が、前記半導体チップと接続された信号配線と、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置を製造する製造方法であって、
前記回路基板上に、少なくとも一つの前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記回路基板とを、前記導電体によって互いに電気的に接続する工程と、
前記テスト配線を、前記回路基板上に形成する工程と、
前記テスト配線の両端に電気的に接続される前記テスト用外部電極端子を形成する工程と、
前記回路基板における前記半導体チップの搭載面側において、前記半導体チップ、前記導電体、および前記テスト配線を、前記樹脂によって封止する工程と、
前記回路基板上に形成された半導体装置を個片化する工程と、
前記テスト用外部電極端子を電気テストする工程とを備えていることを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の前記半導体装置に対し、前記テスト用外部電極端子の導通状態を電気テストすることによって、前記回路基板と前記封止樹脂との間の剥離の有無を判定することを特徴とする、半導体装置のテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止された半導体装置に関し、より詳細には、樹脂の剥離を検知するための構造を供えた半導体装置、当該半導体装置の製造方法、および当該半導体装置のテスト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高機能化によって、信号ピン数の増大、および携帯機器への高密度実装の必要性が増している。そのため、多ピンおよび高密度実装に対応可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）およびＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）というエリアアレイパッケージの採用が増大している。
【０００３】
ＢＧＡおよびＣＳＰとは、回路基板の半導体チップ搭載面が封止樹脂により被覆され、その反対面には半田ボールなどの外部電極端子が設置された構造を備える片面封止パッケージである。片面封止パッケージには、封止樹脂と回路基板との接着界面が存在する。その接着界面の物理形状について、その外縁は外部に対して露出しており、また半導体チップおよびワイヤ等の導電物が無いエリアは平面である。
【０００４】
この物理形状により、片面封止パッケージには、接着界面を起点に封止樹脂と回路基板との間（封止樹脂−回路基板間）の剥離が発生しやすいという問題がある。この問題の原因は、パッケージが極度に吸湿した状態でのリフロー実装、封止樹脂と回路基板との接着界面上の異物および汚染、および製造工程内における異常（落下および物理負荷）などさまざまである。
【０００５】
従来の片面封止パッケージでは、封止樹脂−回路基板間の剥離を防ぐため、封止樹脂および回路基板の材料構成、表面処理などのプロセス追加による物理アンカー効果、および構造変更による物理アンカー効果などによって、封止樹脂と回路基板との接着界面の密着力を向上させている。特許文献１および２では、構造変更による物理アンカー効果について、封止樹脂を外部電極端子側へ充填する方法を開示している。
【特許文献１】特開平１１‐８７５６６号公報（公開日  平成１１年３月３０日）
【特許文献２】特開２０００‐１１４４２７号公報（公開日  平成１２年４月２１日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１および２において開示されている方法を用いて、封止樹脂−回路基板間の密着力を向上させた場合にも、イレギュラーな汚染や製造工程内における異常によって、封止樹脂−回路基板間の乖離が発生する場合がある。
【０００７】
よって、片面封止パッケージには、封止樹脂−回路基板間の剥離の有無を判定することが必要である。しかし、従来の片面封止パッケージでは、電気テストによる判定において、半導体チップとワイヤボンディングした信号端子を断線するような剥離は検出できるが、信号端子を断線しない剥離は検出できない。また上記剥離は、外観テストによる判定においても、寸法精度および表裏からの観察という外観テスト方法では、検出が困難である。
【０００８】
このため、検出不可能な上記剥離には、市場へ流失する可能性があり、さらに、市場にて剥離進展および不良へ至る可能性がある。
【０００９】
一方、超音波探傷装置等の非破壊検査による観察を利用すれば、封止樹脂−回路基板間の剥離の有無を正確に判定することが可能である。しかし、生産品すべてにこの選別確認を適用することは、コスト管理という観点において、現実的ではない。したがって、従来のパッケージ製造フローでは、前述したイレギュラーな剥離を検出し、不良判定することは困難である。
【００１０】
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、片面封止パッケージにおいて、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、電気テストにより剥離の有無を判定できる半導体装置、当該半導体装置の製造方法、および当該半導体装置のテスト方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、上記の課題を解決するために、回路基板と、前記回路基板の片面側に搭載され、かつ導電体を介して前記回路基板に電気的に接続された少なくとも一つの半導体チップと、前記回路基板における前記半導体チップの搭載面側において、前記半導体チップおよび前記導電体を被覆する封止樹脂と、前記回路基板に形成され、かつ前記回路基板に電気的に接続された外部電極端子を備えた半導体装置において、さらに、前記回路基板上の前記封止樹脂内部であり、かつ前記チップおよび前記導電体よりも前記封止樹脂の外縁に近い位置に設置され、前記回路基板と前記封止樹脂との接着界面から前記封止樹脂側を経由し、再び前記接着界面に接続された少なくとも１つのテスト配線と、前記回路基板に形成され、かつ前記テスト配線の両端に電気的に接続されたテスト用外部電極端子とを備えることを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、半導体チップが回路基板と電気的に接続されるエリア以外の場所、すなわち封止樹脂‐回路基板間の接着界面が平面である物理形状の場所に、テスト配線が設置される。このテスト配線は、回路基板から封止樹脂内を経由した後に、再び回路基板に接続されている。したがって、封止樹脂‐回路基板間の界面において、半導体チップの信号端子を断線しないような小規模の剥離が発生した場合、その界面の延長上にあるテスト配線が断絶する。
【００１３】
テスト配線の断線の有無は、電気テストにより、テスト用外部電極端子が短絡しているか否かによって判定できる。具体的には、短絡状態＝正常、およびオープン（断線）状態＝剥離と判定できる。よって、本発明に係る半導体装置において、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、テスト配線の電気テストという簡易な手法によって、封止樹脂−回路基板間の剥離の有無を判定できる。
【００１４】
さらに、封止樹脂‐回路基板間の接着界面のうち、半導体チップおよびワイヤ等の導電物の無いエリアにおいて、テスト配線が配置されることにより、平面であったものが凸凹形状を有する。そのため、アンカー効果により封止樹脂−回路基板間の密着強度が向上するという副次効果を奏する。
【００１５】
また、本発明に係る半導体装置は、前記回路基板の配線上に、絶縁被覆層を有することが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る半導体装置は、前記導電体が、ワイヤボンディング法を用いて形成されたボンディングワイヤ、または、フリップチップボンディング法を用いて形成された金属バンプであってもよい。
【００１７】
また、本発明に係る半導体装置は、前記外部電極端子が、半田ボール、またはランドであってもよい。
【００１８】
また、本発明に係る半導体装置は、前記封止樹脂が、トランスファーモールド法により形成された封止樹脂、またはポッティング法等による液状樹脂滴下により形成された封止樹脂であってもよい。
【００１９】
また、本発明に係る半導体装置は、前記テスト配線が、封止樹脂内部または封止樹脂−回路基板間の界面を経由することが好ましい。封止樹脂内部を経由する場合、テスト配線はボンディングワイヤを用いることができる。封止樹脂−回路基板間の界面を経由する場合、導電性液状樹脂を用いることができる。
【００２０】
また、本発明に係る半導体装置は、前記テスト用外部電極端子と、前記半導体チップと接続された信号配線とが、互いに絶縁されていることが好ましい。上記構成により、ノイズなどの影響を除去できる。
【００２１】
一方、前記テスト用外部電極端子の両方あるいはいずれか一方が、前記半導体チップと接続された信号配線と、電気的に接続されていてもよい。上記構成では、ノイズなどの影響を除去するため、前記信号配線は電源系やグランド系の配線および端子であることが望ましい。これにより、半導体装置のデザインなどにより、外部電極端子数の制約がある場合でも、テスト配線の設置がされる。
【００２２】
また、本発明に係る半導体装置は、前記回路基板上に、少なくとも一つの前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップと前記回路基板とを、前記導電体によって互いに電気的に接続する工程と、前記テスト配線を、前記回路基板上に形成する工程と、
前記テスト配線の両端に電気的に接続される前記テスト用外部電極端子を形成する工程と、前記回路基板における前記半導体チップの搭載面側において、前記半導体チップ、前記導電体、および前記テスト配線を、前記樹脂によって封止する工程と、前記回路基板上に形成された半導体装置を個片化する工程と、前記テスト用外部電極端子を電気テストする工程とを備えていることを特徴としている。
【００２３】
上記の構成によれば、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、電気テストにより剥離の有無を判定できる半導体装置を製造できる。
【００２４】
また、本発明に係る半導体装置のテスト方法は、上述した半導体装置に形成されている前記テスト用外部電極端子の導通状態を電気テストすることによって、前記回路基板と前記封止樹脂との間の剥離の有無を判定することを特徴としている。
【００２５】
上記の構成によれば、半導体装置における半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、剥離の有無を判定できる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る半導体装置は、回路基板上の封止樹脂内部であり、かつチップおよび導電体よりも封止樹脂の外縁に近い位置に設置され、回路基板と封止樹脂との接着界面から封止樹脂側を経由し、再び接着界面に接続された少なくとも１つのテスト配線と、回路基板に形成され、かつテスト配線の両端に電気的に接続されたテスト用外部電極端子とを備えているため、半導体チップの信号端子を断線しない剥離であっても、封止樹脂−回路基板間の剥離を電気的に検出できる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の一実施形態に係る半導体装置１について、図１および図２に基づいて説明する。なお、以下の説明では、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の実施形態および図面に限定されるものではない。
【００２８】
（半導体装置１の全体構成）
本実施形態における半導体装置１の構成を、図１および図２に示す。図１は半導体装置１の断面図である。図２は、半導体装置１の三次元図であり、封止樹脂６の内部を示すために封止樹脂６の右前部を省略している。
【００２９】
図１および図２に示すように、半導体装置１は、半導体チップ２、回路基板３、半導体チップ２と回路基板３との接着層４、ボンディングワイヤ５、封止樹脂６、外部電極端子７、テスト配線８、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂ、絶縁被覆層１０、および貫通ビア１１を備えている。
【００３０】
半導体装置１では、半導体チップ２は、特に限定されず、どのような種類でも使用可能である。半導体チップ２と回路基板３との接続には、ボンディングワイヤ５によって電気的に接続するワイヤボンディング法を用いている。なお、ボンディングワイヤ５の材料は、金線を用いる場合が一般的であるが、その材料種について特に限定されない。
【００３１】
回路基板３は、片面あるいは両面に配線層を有する部材である。その構成は、特に限定されず、ガラスエポキシ材、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂（ＢＴレジン）、およびポリイミドなどの有機絶縁基材に銅配線をパターンニングしたものや、金属製のリードフレームなどが使用できる。
【００３２】
接着層４は、半導体チップ２を回路基板３に接着するための部材である。その供給形態は、特に限定されず、固体または液体のように、どのような形態の接着材であっても使用可能である。具体的には、ペースト状接着剤、シート状接着剤等、および異方導電性フィルムなどのいずれを使用してもよい。
【００３３】
封止樹脂６は、半導体チップ２を搭載した側の回路基板３において、半導体チップ２および導電体エリア（ボンディングワイヤ５およびテスト配線８を含むエリア）を被覆している。被覆方法は、プレスおよび金型を用いて高圧により樹脂成型するトランスファーモールド方法を用いている。
【００３４】
外部端子７およびテスト用外部電極端子９ａおよび９ｂは、回路基板３の半導体チップ２搭載面の裏側に形成されている。しかし、それらを形成する位置について特に限定はない。外部端子７の材質および形状は、半田ボールを使用した球形の端子形状である。またテスト用外部電極端子９ａおよび９ｂの材質および形状も同様に、半田ボールを使用した球形の端子形状である。しかし、金を使用したランド形状でもよく、それらの材質および形状について特に限定はない。
【００３５】
絶縁被覆層１０は、回路基板３の配線上に被覆され、この配線を外部から絶縁することによって保護している。絶縁被覆層１０の材料は、ソルダーレジストを用いているが、特に限定はない。
【００３６】
貫通ビア１１は、回路基板３内に設置され、テスト配線８とテスト用外部電極端子９ａおよび９ｂとを導通している。
【００３７】
（テスト配線８の構成について）
本発明に係る半導体装置１では、テスト配線８の設置によって、半導体チップ２の信号端子や、ボンディングワイヤ１１が断線しない剥離であっても、電気テストにより封止樹脂−回路基板間の剥離の有無が判定できる。このテスト配線８の構成について、図３に基づいて説明する。図３は、テスト配線８の設置部分を拡大した半導体装置１の断面図である。
【００３８】
図３に示すように、半導体装置１では、テスト配線８としてボンディングワイヤを用いている。また、テスト配線８は、ワイヤボンディング法により接続されている。テスト配線８の両端は、回路基板３上のテスト配線結線端子１２ａおよび１２ｂと接続され、それぞれ貫通ビア１１を介して、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂに接続されている。
【００３９】
（半導体装置１のテスト方法）
半導体装置１における封止樹脂６−回路基板３間の剥離の有無は、テスト配線８の導通状態を調べることによって、判定できる。そこで、図３を参照して、半導体装置１のテスト方法を説明する。図３に示すように、テスト配線８は、回路基板３から封止樹脂６内を経由した後に、回路基板３に再び接続されている。
【００４０】
上記構成によって、封止樹脂−回路基板間の界面において剥離が発生した場合、その界面の延長線上にあるテスト配線８が断線する。テスト配線８の断線の有無は、電気テストにより、テスト用外部電極端子９ａと９ｂとが短絡しているか否かによって判定できる。その結果、短絡状態＝正常、およびオープン（断線）状態＝剥離と判定できる。それゆえ、半導体装置１において、半導体チップ２の信号端子を断線しない剥離であっても、電気テストにより剥離の有無を判定できる。このように、本発明は、半導体装置１のテスト方法を提供する。
【００４１】
（テスト配線の他の形状）
図１および図２では、テスト配線８はボンディングワイヤとして形成されている。しかしテスト配線は、導電性液状樹脂によって形成されたものでもよい。この例について、図４を参照して以下に説明する。図４は、導電性液状樹脂によって形成されたテスト配線１３を備えている半導体装置１の断面図である。図４に示すように、テスト配線１３は、回路基板３から回路基板３−封止樹脂６間の界面を経由して、回路基板３へ再度接続される。
【００４２】
テスト配線１３の材料は、導電性の液状樹脂である。当該樹脂は、半導体チップ２の接着用途に使用される銀フィラーなどの導電性の充填材を混ぜた、エポキシ樹脂などの導電性接着材を用いる場合が一般的である。しかし、テスト配線１３の材料については、次の密着強度に関する条件をクリアできるものであれば、どのようなものでもよい。その密度条件とは、テスト配線１３の各材料間への密着強度が、「回路基板３−テスト配線１３＜封止樹脂６−テスト配線１３」である。
【００４３】
上記条件を満たすことにより、封止樹脂６−回路基板３間の界面において剥離等が発生した場合、その界面の延長線上にあるテスト配線１３も同様に断線する。よってボンディングワイヤを用いた場合と同様に、半導体チップ２の信号端子を断線しない剥離であっても、封止樹脂６−回路基板３間の剥離の有無を、テスト配線１３の電気テストによって容易に判定できる。
【００４４】
（テスト配線８の設置位置）
テスト配線８を設置する位置は、図１のものに限定されず、さまざまに工夫できる。いくつかの工夫例を、図５〜図７を参照して次に説明する。図５は、テスト配線８が封止樹脂６の角方向の４隅に配置された構成の半導体装置１の平面図である。図６は、テスト配線８が封止樹脂６の辺方向の４辺に配置された構成の半導体装置１の平面図である。図７は、テスト配線８が封止樹脂６の外縁部を囲うように配置された構成の半導体装置１の平面図である。
【００４５】
図５、図６、および図７に示すように、テスト配線８を配置する位置は、半導体チップ２と回路基板３とが電気的接続されているエリア以外であり、かつ外部からの剥離が発生しやすい場所、すなわち封止樹脂６が回路基板３を被覆している端面近傍であることが好ましい。これにより、剥離の検出精度が高くなる。また、図７のように、テスト配線８が封止樹脂６の外縁部を囲うように配置されれば、剥離の検出精度をより高めることができる。しかし、その位置および数量については、上記の図のものに限定されない。
【００４６】
また、本実施形態のように、樹脂封止にトランスファーモールド法を用いる場合、テスト配線８の接続方向は、金型内における樹脂流路を考慮した配置を行うことが好ましい。それにより、樹脂の封入時、テスト配線８の破断を防ぐことができる。
【００４７】
（テスト用端子の設置）
また、上記のテスト配線８およびテスト用外部電極端子９ａおよび９ｂは、半導体チップ２に接続されている他の信号端子とは電気的に独立（ノンコネクト）していること、すなわち、互いに絶縁されていることが望ましい。この場合、半導体チップ２におけるノイズの発生を防止できる。
【００４８】
しかし、半導体装置１のデザインによっては、使用可能な外部電極端子数の制約などがある。そのため、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂの両方あるいはいずれか一方が、半導体チップ２と接続された信号配線および信号端子と、電気的に接続された冗長端子であってもかまわない。その場合、ノイズなどの影響が想定されるため、結線する信号配線および信号端子は、電源系やグランド系の配線および端子であることが好ましい。これにより、ノイズの影響を最小限に抑えることができる。
【００４９】
（その他テスト用端子の設置）
また、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂは、通常の外部電極端子７とは別途設置されてもよい。この例について、図８を参照して以下に説明する。図８は、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂが、回路基板３の外部電極端子７設置面と反対側の面に設置した構成の半導体装置１の平面図である。図８の例では、数に制限のある外部電極端子７の全てを、半導体チップ２のために使用することができる。このように、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂの位置、端子形状、端子サイズおよび端子ピッチなどは、通常の外部電極端子７と同じである必要はなく、特に限定もない。
【００５０】
また、表裏に外部電極端子７が設置されるパッケージ外形も可能であるが、この場合は適用するテスト治工具を選定する必要がある。
【００５１】
（その他の変形例）
本実施形態の半導体装置１は、上述した構成のものに限定されず、図９〜図１２に示すような、他の構成としても実現できる。そこで以下では、これらの変形例について説明する。なお、図９〜図１２において、同一の部材には同一参照番号を付している。
【００５２】
（フリップチップ法を利用した構成）
まず、半導体チップ２と回路基板３との電気的接続を、上述したワイヤボンディング法とは異なる方法によって行った構成の半導体装置１について、図９を参照して説明する。図９は、半導体チップ２と回路基板３とを、金属バンプ３を介したフリップチップ法によって電気的接続した構成の半導体装置１の断面図である。この図に示す構成の半導体装置１では、回路基板３上に、フリップチップ法を用いて金属パンブ１４が形成されており、この金属バンプ上に半導体チップ２が設置されている。半導体チップ２と回路基板３とは、接着層３によって互いに接着されている。すなわち、図９の半導体装置１では、半導体チップ２と回路基板３とが、金属バンプ３を介したフリップチップ法によって電気的接続されている。
【００５３】
また、図１および図９に示す構成を適宜組み合わせて、新たな変形例を実現することもできる。この組み合わせの例について、図１０を参照して説明する。図１０は、半導体チップ２と回路基板３とをフリップチップ法によって電気的接続し、導電性液状樹脂によるテスト配線１３を用いた構成の半導体装置１の断面図である。この図に示す構成の半導体装置１は、図４に示したとテスト配線として導電性液状樹脂を用いた変形例と図９に示したフリップチップ法を用いた変形例とを組み合わせている。
【００５４】
（ポッティング法を利用した構成）
次に、封止樹脂の設置を、上述したトランスファーモールド法とは異なる方法によって行った構成の半導体装置１について、図１１を参照して説明する。図１１は、封止樹脂を、液状樹脂を滴下することにより被覆するポッティング法によって設置した構成の半導体装置１の断面図である。この図に示す構成の半導体装置１では、ポッティング法によって封止樹脂１５が形成されている。そのため、上面の四隅の角が丸くなった封止樹脂１５が半導体チップ２および導電体エリアを被覆している。
【００５５】
（複数の半導体チップが搭載された構成）
また、これまで半導体装置１について、１個の半導体チップ２が搭載された構成を説明してきたが、複数の半導体チップ２を搭載することも可能である。複数の半導体チップ２が搭載された半導体装置１について、図１２を参照して説明する。図１２は、複数の半導体チップ２が搭載された構成の半導体装置１の断面図である。この図に示す構成の半導体装置１では、２つの半導体チップ２が、１つの回路基板３上に重なり合って搭載されている。２つの半導体チップ２は、それぞれボンディングワイヤによって回路基板３と電気的接続され、封止樹脂６によって一緒に封止されている。
【００５６】
上記に示した図９〜図１２の変形例は、図１に示した半導体装置１と基本的な構成は同じである。そのため、半導体装置１において、半導体チップ２の信号端子を断線しない剥離であっても、封止樹脂６−回路基板３間の剥離の有無が電気テストによって判定できることに変わりはない。
【００５７】
（半導体装置１の製造方法）
次に、図１３を参照して、半導体装置１の製造方法を説明する。図１３は、半導体装置１の製造方法を説明するフローチャートである。なお、このフローチャートは当該製造方法を説明する一例にすぎない。
【００５８】
図１３に示すように、半導体装置１を製造する際、まず、回路基板３に半導体チップ２を搭載する（ステップＳ１）。次に、半導体チップ２と回路基板３とを電気的に接続する（ステップＳ２）。このとき、図１に示すワイヤボンディング法や、図９に示すフリップチップ法などを用いればよい。次に、テスト用外部電極端子９ａおよび９ｂをテスト配線により結線する（ステップＳ３）。このとき、テスト配線としては、図１に示すワイヤボンディング（テスト配線８）や、図４に示す導電性液状樹脂（テスト配線１３）などを用いればよい。次に、回路基板３および半導体チップ２を、封止樹脂６によって、樹脂封止する（ステップＳ４）。このとき、図１に示すトランスファーモールド法や、図１１に示すポッティング法を用いればよい。次に、外部電極端子７を形成する（ステップＳ５）。次に、半導体装置１を個片化する（ステップＳ６）。次に、テスト用外部端子９ａおよび９ｂを電気テストする（ステップＳ７）。このとき、短絡状態＝半導体装置１は正常、オープン状態＝封止樹脂−回路基板間が剥離していると判定できる。
【００５９】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲において種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲において適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップが樹脂で封止されたパッケージ状の半導体装置として、幅広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態である半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施形態である半導体装置の三次元図（カットモデル）である。
【図３】テスト配線の設置部分を拡大した半導体装置の断面図である。
【図４】導電性液状樹脂によって形成されたテスト配線を備えている半導体装置の断面図である。
【図５】テスト配線が封止樹脂の角方向の４隅に配置された構成の半導体装置の平面図である。
【図６】テスト配線が封止樹脂の辺方向の４辺に配置された構成の半導体装置の平面図である。
【図７】テスト配線が封止樹脂の外縁部を囲うように配置された構成の半導体装置の平面図である。
【図８】テスト用外部電極端子が、回路基板の外部電極端子設置面と反対側の面に設置した構成の半導体装置の平面図である。
【図９】半導体チップと回路基板とを、金属バンプを介したフリップチップ法によって電気的接続した構成の半導体装置の断面図である。
【図１０】半導体チップと回路基板とをフリップチップ法によって電気的接続し、導電性液状樹脂によるテスト配線を用いた構成の半導体装置の断面図である。
【図１１】封止樹脂を、液状樹脂を滴下することにより被覆するポッティング法によって設置した構成の半導体装置の断面図である。
【図１２】複数の半導体チップが搭載された構成の半導体装置の断面図である。
【図１３】半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体装置
２  半導体チップ
３  回路基板
４  接着層
５  ボンディングワイヤ
６  封止樹脂
７  外部電極端子
８  テスト配線
９ａ、９ｂ  テスト用外部電極端子
１０  絶縁被覆層
１１  貫通ビア
１２ａ、１２ｂ  テスト用配線結線用端子
１３  導電性液状樹脂によるテスト配線
１４  金属バンプ
１５  ポッティングによる封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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