(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を有する真空処理システムであって、処理領域内で処理雰囲気を確立するように構成された要素と、センサ配置の実際値センサとして処理領域内に瞬間的に存在する処理雰囲気を検知するように構成されたセンサ配置とを備え、要素のうちの少なくとも１つは処理領域内の処理雰囲気に対する制御回路の調整要素であり、システムはさらに、処理領域を通って室内で駆動的に移動可能な工作物キャリアを備え、要素のうちの少なくとも１つは、規定されたプロファイルに従って処理領域内の処理雰囲気を工作物キャリア位置の関数として調整し、調整は制御回路の上限周波数より上方の周波数範囲で行なわれる、システム。
【請求項２】
少なくとも１つのスパッタソースをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
処理雰囲気を調整する要素のうちの前記少なくとも１つは前記スパッタソースに対する電源を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
調節可能な所望値規定ユニットが動作するように制御回路と関連付けられ、調整は前記所望値の調整を備える、請求項１または２に記載の真空処理システム。
【請求項５】
前記処理室はガスタンク配置に接続される、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項６】
前記ガスタンク配置は作動ガスを備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記ガスタンク配置は反応ガスを備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
チョッパユニットを有する前記スパッタソースに対する電源をさらに備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
前記工作物キャリアは、前記スパッタソースに対して、線形、凹型および凸型のキャリアのうちの１つである、請求項２に記載のシステム。
【請求項１０】
前記調整は前記工作物キャリアの前記移動と同期される、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項１１】
調整特性記憶ユニットには少なくとも１つの以前に記憶された調整特性が与えられ、選択ユニットは前記少なくとも１つの調整特性を要素のうちの少なくとも１つに選択的に適用するために設けられる、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項１２】
前記工作物キャリアは、前記移動の方向で考慮して、前記スパッタソースの範囲より大きい範囲で工作物を運ぶように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項１３】
前記工作物キャリア上のそれぞれの工作物の表面に沿って均質な層厚分布を確立するように、前記工作物キャリアが移動され、かつ前記処理雰囲気が調整される、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの要素は前記処理雰囲気へのガス入口に対する調整部材を備える、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記調節部材は作動ガスおよび反応ガスのうちの少なくとも１つに対する調節部材を備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記スパッタソースはマグネトロンソースである、請求項２に記載のシステム。
【請求項１７】
ＤＣを備える出力信号を生成する前記スパッタソースに対する電気供給源をさらに備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項１８】
工作物を製造するための方法であって、工作物を真空処理へと案内するステップと、制御ループによって制御される処理領域内の処理雰囲気を通るように工作物を移動するステップと、規定されたプロファイルで工作物位置の関数として処理領域内の処理雰囲気を調整するステップとを備え、調整は前記制御ループの上限周波数より上方の周波数スペクトルで行なわれる、方法。
【請求項１９】
スパッタリングによって前記処理雰囲気内で前記工作物を処理するステップをさらに備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
スパッタソースを用いて前記スパッタリングを行なうステップをさらに備え、その電気供給はＤＣを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記スパッタリングはマグネトロンスパッタリングを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記スパッタリングは導電材料をスパッタリングすることを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記スパッタリングは反応ガスを用いたスパッタリングを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記スパッタソースに対する電気供給を生成するステップをさらに備え、前記生成は切換えを備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記調整を前記工作物の移動と同期させるステップをさらに備える、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記調整は前記スパッタリングの調整を備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記スパッタリングの調整は前記スパッタリングに対する電気供給の調整を備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記スパッタリングを調整するステップは前記処理雰囲気内で作動ガスおよび反応ガスのうちの少なくとも１つを調整することを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記スパッタリングのためのソースに対して、線形、凸型および凹型の軌道のうちの１つに沿って前記工作物を移動するステップをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
前記調整の差についてのデータを予め定めかつ記憶し、前記記憶された調整うちのの少なくとも１つを選択的に作動させるステップを備える、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項３１】
前記スパッタリングによって前記工作物の表面に沿って均質な層厚分布を生成することをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３２】
平らでないように前記工作物を設けることをさらに備える、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項３３】
前記移動の方向で考慮して前記スパッタリングのためのスパッタソースの範囲より大きい範囲で前記工作物の表面を処理するステップをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、真空処理室と、室内の処理雰囲気を提供する機関と、室内の処理領域を瞬間的に占める処理雰囲気を検知するためのセンサ配置とを備え、前記センサ配置は実際値測定器であり、前記機関の少なくとも一つは処理雰囲気制御回路の調整要素であり、さらに処理領域を駆動されて移動する工作物キャリヤとを備える、真空処理装置に関するものである。
【０００２】
この発明はさらに、制御装置によって操作される処理雰囲気内を工作物が移動する、工作物の製造方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
工作物の真空処理においては、あらかじめ定められた諸特性を遵守するように、処理雰囲気が一つまたは複数の制御装置によって制御されることが知られている。これは特に、真空処理室内で所望の処理雰囲気を実現するために進行するプロセスが所望の処理点においてそもそも不安定であり、制御装置によって初めて安定化され得る場合に必要である。典型的な例としては、ＤＣ操作の金属ターゲット、代表的にはマグネトロン配置が反応ガス雰囲気内において使用される、非伝導層、すなわち一般的には酸化層による基板被覆のための反応性スパッタプロセスがある。不活性処理ガス、例えばアルゴンの外、処理雰囲気には反応ガスが、例えば酸素や窒素が供給される。これによって、導電性に劣る層、例えば酸化物による工作物の所望の被覆が得られる一方、金属ターゲットが干渉被覆される結果ともなる。そのような反応性スパッタプロセスは、いわゆる移行モードないし中間モードでの処理点制御なしでは安定操作することができない。この移行モードにおける反応性スパッタプロセスの詳細な説明については、同出願人によるＵＳ−Ａ−５  ４２３  ９７０が参照されるが、この文献はこの点に関し、この明細書の一部を成すものとする。
そのような制御装置では制御値（実際値の測定）は、例えば特定のスペクトル線におけるプラズマ放射光の測定、ターゲット電圧の測定によって得られる。測定された制御値についてはあらかじめべき値が与えられ、制御偏差に応じて例えば反応ガス流が、上記の例では酸素流が調整されるか、あるいは、制御値として利用されない場合はターゲット電圧が調整値として前記制御回路内で調整される。これによって操作、特に所望の処理点におけるプロセスの安定化が、例えば前記移行モードにおいて可能となる。
【０００４】
図１から４には、上記のような典型的な真空処理装置の概略図が示される。そのような装置ないし、そのような装置で実現する工作物製造方法には、これから述べられるような問題点があるが、それらの問題はこの発明によって解決した。しかしながらこの発明による解決策は基本的に、処理プロセスないし処理雰囲気が制御される、始めに述べられたような装置および方法において実施可能である。
【０００５】
基板１は、ωで図示されたように、処理室内を回転する工作物運搬ドラム３に載せられて少なくとも一つのスパッタソース５の側を通過する。金属製の、したがって高導電性ターゲットを備えた、通常はマグネトロンソースとして形成されるスパッタソース５はＤＣ操作されるが、さらに同出願人のＥＰ−Ａ−０  ５６４  ７８９に詳述されるようなチョッパユニットが、ＤＣ発生器とスパッタソース５との間に中間接続されることが多い。そのようなチョッパユニットによって、スパッタソース接続部上の電流回路が間欠的に高抵抗および低抵抗で切り替えられる。
【０００６】
図１から４ではＤＣ発生器と、場合によっては設けられるチョッパユニットとがそれぞれスパッタソース給電装置のブロック７内に示される。真空室の処理雰囲気Ｕには、例えばアルゴンである処理ガスＧAの他に、例えば酸素Ｏ2である反応ガスＧRが注入されるが、特に後者の反応ガスはガス流調整弁１０を介して注入される。
【０００７】
スパッタソース５上には反応性プラズマ９が形成され、ドラム３によってスパッタ表面上を通り抜ける基板ないし工作物１はその中でスパッタ被覆される。反応プラズマ９内において形成された導電性に劣る反応生産物によって基板１のみならず、スパッタソース５の金属スパッタ表面も被覆されるので、これまでに説明された被覆プロセスは、特に最大限の被覆率を達成するには不安定である。したがって特にこれらの処理方法ないし処理装置では、処理プロセス、すなわち工作物１に作用する処理雰囲気そのものが処理領域ＢＢにおいて制御装置によって安定化される。
【０００８】
図１では、そのような制御回路の考えられ得る実施形態として、反応性プラズマ９からの放射光の特徴を示す一つまたは複数のスペクトル線の強度がプラズマ放出モニタ１２によって測定され、測定制御値Ｘaとして制御器１４aに与えられる。
【０００９】
図２では、制御回路の実測値Ｘbとして、スパッタソース５のターゲット電圧が電圧測定装置１６によって測定され、制御器１４ｂに与えられる。
【００１０】
測定制御値Ｘの検知については、図１と３および図２と４が同じである。制御器１４ａないし１４ｂではそのつど制御差を得るために、それぞれ測定された制御値ＸaないしＸbが、測定された制御値に対応する好ましくは調整可能な操作値ＷaないしＷbと比較される。
【００１１】
制御器１４ａないし１４ｂにおいて形成された制御差と、制御技術の規定により周波数様態が測定される送信区間（個別には図示されず）でのその増幅とに応じて、制御器１４の出力側に調整信号Ｓが発生される。図１および図２では、それぞれＳaaおよびＳbaで示された調整信号が反応ガスのためのガス流制御弁１０に調整要素として与えられ、それぞれ測定された制御値ＸaないしＸbが、操作値ＷaないしＷbによってあらかじめ与えられた値に導かれ、そこで固定されるよう調整される。
【００１２】
図３および４によると、制御器１４ａないし１４ｂの出力側で発生する、それぞれＳabおよびＳbbで示された調整信号はここでは、ＤＣ発生器であれ、さらに／あるいはチョッパ使用率が調整される場合に設けられ得るチョッパ・デューティー・サイクルであれ、それ自体が制御調整要素として作用するスパッタソース給電装置７に与えられる。
【００１３】
したがって、図１から４に例示された装置は、真空処理室と、処理雰囲気を提供する機関、すなわち特にスパッタソースおよび反応ガス供給部と、例としてはプラズマ放射モニタないし電圧測定器が挙げられた、室内を瞬間的に占める処理雰囲気を検知するセンサ配置とを備える真空処理装置であって、センサ配置は実際値測定器を形成し、前記機関の少なくとも一つはそれぞれある処理雰囲気制御回路の調整要素となる。
【００１４】
ある層材料成分を導電性ターゲットから遊離することにより導電性に劣る、または非導電性層を布設するための、ＵＳ−Ａ−５  ２２５  ０５７による方法は、空間的に分離された処理段階においてまず金属被覆を行い、その後この層を反応ガス段階、すなわち酸化段階で酸化する、というものである。この既知の方法では、被覆プロセスについての安定性の問題はないが、これに使用される装置形状は数段階のものとなりかなり複雑である。
【００１５】
上述のように、この発明は図１から４に説明されたような処理装置ないし製造方法を前提とするものである。そこでは、特に幅の広い基板、すなわち幅Ｂが同じ方向における長さＡより、好ましくは五倍大きい場合、および／また基板ドラム３の直径が小さい場合、領域ＢＢにおける基板のスパッタソース５に対する非直線的運動のため、基板の幅Ｂは、図１１ａに示されたようにほぼ放物線状の層厚分布がはっきりと現れることがわかった。この層厚分布がいわゆる「弦効果」である。
【００１６】
基板の有効幅とはその直線方向、すなわちスパッタソース５に対するその相対運動の方向で測定された大きさであり、相対するスパッタソースの有効長さＡとは、同じ方向において直線状に測定されたその大きさである。
【００１７】
さらに、前記「基板の幅Ｂ」は複数の並列する小さな基板によって占められることもあり得る。したがって当該基板２１とは本来バッチ基板である。
【００１８】
さらにここで強調すべきは、例えば図１において基板は、スパッタソース配置の周りをスパッタソース配置に対しここでは凹面軌道で回転するカリューゼルの内側に問題なく配置され得る、という点である。図１から４のドラム配置を前提とするこれまでの、また以下の実施例では全て、スパッタソースに対する工作物の凹面運動が同様に可能である。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、処理雰囲気内を移動する工作物の軌道および方向に関わらず、所望の層厚分布を適切に実現することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この課題は、始めに述べられたような真空処理装置において、処理雰囲気を提供する機関の少なくとも一つが、工作物キャリヤ位置の関数により、処理領域内の処理雰囲気を所与の特性に従い調整することによって、達成される。
【００２１】
ここで、始めに述べられたような装置ないし方法では、例えば処理プロセス安定化のための制御装置が、処理雰囲気をべき状態ないし処理点に保つよう、考慮されねばならない。
【００２２】
金属層布設の際にスパッタ出力を変化させることにより弦効果に対抗するＵＳ  ５  ２２５  ０５７とは異なり、この発明では、処理雰囲気の変化に抗する制御装置が備えられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
この発明の真空処理装置の好ましい第一の実施形態では、図１から４に述べられたような調整可能なべき値設定ユニットが制御回路に設けられ、この発明による調整が、べき値の調整を介して基板運動と同期的に実現される。
【００２４】
この発明の装置のもう一つの好ましい実施形態では、制御はこの発明による処理雰囲気の調整よりもゆっくりと行われる。そのため、制御は「干渉値」の調整を相殺するものとしては決してこれに従い得ない。したがってこの発明による調整では、制御技術上、相殺されるべきでない干渉値が意識的に採用される。
【００２５】
既に図１から４について説明された好ましい装置におけるように、真空室が導電性ターゲットを有するスパッタソースを内蔵し、かつスパッタソースによって遊離した材料と反応して被覆材料としては導電性に劣る材料となる反応ガスを有する反応ガスタンク配置が室に接続されている場合、好ましくはＤＣ発生器自体におけるＤＣ供電であれ、かつ／またはＤＣ発生器とスパッタソースとの間に接続され、その使用率が提供されるチョッパであれ、スパッタソースの電源においてその電流または出力が調整されるのが好ましい。
【００２６】
好ましいさらなる実施形態では、この発明による装置は、その周囲に工作物受容部が分散した回転駆動運搬ドラムを可動工作物キャリヤとして有する。調整はこの場合、ドラムの回転運動と同期化され、工作物キャリヤの通過周波数に対応する反復周波数で行われる。
【００２７】
さらにこの発明の装置は好ましくは、少なくとも一つの、好ましくは複数のあらかじめ記憶された調整過程を有する調整形態記憶ユニットと、その都度所望の調整曲線を選択的に前記調整機関に接続するための選択ユニットとを備える。
【００２８】
始めに述べられたような、この発明による工作物製造方法が優れているのは、工作物移動軌道の処理領域における処理雰囲気が、工作物の位置の関数で、所与の特性を有するように調整される、という点である。この発明による方法の好ましい実施形態は請求項７から１３に特定される。この発明による装置、ならびにこの発明による方法は、直径Ｂがスパッタソースの有効寸法Ａより大きい平らな基板において均一な層厚分布を得るのに特に適しており、また基板において、特にまた平らではない基板においても、あらかじめ定められた層厚分布を得るのに適している。
【００２９】
さらにこの発明は基本的に、スパッタソースに対し凸面または凹面軌道でスパッタソースの側を通過する基板において弦効果が補整される、基板製造方法に関するものである。
【００３０】
ＵＳ−Ａ−５  ２２５  ０５７では、上述の弦効果の補整のため金属ターゲットのスパッタ出力を調整することが知られているが、それもスパッタソースに対し基板が中央にあるとスパッタ出力が常に最大となるよう調整される。しかしながらより詳細な実験によって、この調整方法では問題の弦効果は補整できないことがわかった。すなわち、以下に示されるように、驚くべきことにソースのスパッタ出力が驚くべきことに基板位置の関数によって、基板がスパッタソースに対し中央にあればスパッタ出力が常に最小となるよう調整されねばならない。
【００３１】
さらにこの発明によって提案される製造方法では、基板がスパッタソースに対し凸面または凹面軌道で移動する場合、特に前記弦効果の影響は、好んで実施される反応性被覆プロセスでは反応ガス流の調整によって、および／または処理ガス流、すなわち不活性ガス流の調整によって除去される。
【００３２】
スパッタ出力および、スパッタソースに対する基板の凹面軌道を調整する際には、スパッタソースに対し工作物が中央にあるときスパッタ出力が最大となるよう調整されるのが好ましい。
【００３３】
したがって、基板の軌道がスパッタソースに対し凸面である場合、反応ガス流は、スパッタソースに対し工作物が中央にあるとき常に最大となり、逆に基板の軌道が凹面である場合、最小となるよう調整される。
【００３４】
この発明では、処理ガス流がそれのみで、またはその他の所与の調整値との組み合わせで調整される場合、スパッタソースに対し基板の軌道が凸面であれば、スパッタソースに対し工作物が中央にあれば、処理ガス流が常に最小となり、逆に軌道が凹面であれば最大となるのが好ましい。
【００３５】
続いて図面を例に、この発明の説明がなされる。
図５には、図示されない真空処理室内部で処理される工作物２０の運動軌道がｘで概略的に示される図である。軌道ｘに沿った工作物２０の瞬間的位置がｘsで示される。処理室内部では、工作物２０が処理領域ＢＢにおいて処理雰囲気Ｕで処理される。
【００３６】
処理雰囲気Ｕを提供するため、図５ではブロック２２で一般的に示されたように、機関が処理室内に設けられるか、あるいは処理室と作用接続される。そのような機関は例えば、処理室へのガス流入部、特に反応ガスおよび／または処理ガス流入部用の制御可能な弁配置、プラズマ放電路のための電源電圧、加熱または冷却機関、および室内に磁場を発生させるための磁気配置によって形成され得る。センサ配置２４が設けられ、処理領域ＢＢ内の処理雰囲気Ｕについて一つ、または複数の特性値を測定する。センサ配置２４の出力側には差形成ユニット２６が作用接続され、これに測定された制御値信号Ｘがセンサ２４から与えられる。差形成ユニット２６にはさらに、好ましくは調整可能なべき値設定ユニット２８から、べき値信号Ｗが与えられる。差形成ユニット２６で得られた制御差は制御器３０ないし増幅器を介して、処理雰囲気Ｕに影響する機関の少なくとも一つに調整要素として与えられる。
【００３７】
これまでに説明された図５の配置は、図１から４の実施形態に概ね対応する。この発明ではさらに、図５に位置検出器３４が概略的に示されたように、処理さるべき工作物２０の瞬間的位置ｘSが検知され、追跡される。検出配置３４の出力信号によって、位置ｘSとともに変化する調整信号Ｍが調整ユニット３２から発せられ、処理雰囲気Ｕをともに確定する図５のブロック２２にある前記機関の少なくとも一つに与えられる。したがって、処理領域ＢＢ内の処理雰囲気Ｕは調整信号Ｍに応じて適切に変えられ、その結果工作物２０は、処理領域ＢＢ内を通り抜ける間、選択された調整Ｍに応じ、処理表面に沿って所望の処理特性を有するように処理される。
【００３８】
この発明による調整の第一の実施形態では、図６に示されたように、制御回路の操作値Ｗが調整され、それによってまた処理雰囲気Ｕの適切な調整を行うために、制御回路調整要素が使用される。
【００３９】
図７から１０には、既に述べられた、図１から４による好ましい装置形状が、この発明によりさらに発展した形で示される。図５の位置検出器３４としてドラム３では例えば好ましくは、回転位置信号ωSによって調整ユニット３８における調整信号Ｍ（ωS）の出力をドラムの動きと、したがって基板の動きと同期化する、回転角設定器３６が使用される。好ましくは調整信号Ｍ（ωS）によって、制御回路の調整要素としては使用されない処理雰囲気Ｕの調整機関の一つが操作される。これは図７から１０において全て同様である。
【００４０】
好ましい実施形態で実現されたプロセスの安定制御は、始めに述べられたように、移行モードにおいて導電ターゲットから反応ガスによって導電性に劣るまたは非導電性被覆を布設するために必要なものであるが、これによってプロセス安定性が保証される一方、好ましくは低域フィルタまたは帯域フィルタであるフィルタ４４が、さらに好ましくは測定制御値の区間に設けられ、好ましくは制御回路の周波数様態が合わせられることによって、設定された調整Ｍ（ωS）のプロセス雰囲気への支配率が保証される。
【００４１】
図７から１０の好ましい実施形態では、それぞれスパッタソース５の側を通過する基板１に対応して、調整が周期的に行われるが、周期的調整信号の反復周波数は通常、閉じた制御回路の上限周波数より高い。したがって、図示されたプロセス制御の典型的な反応時間は、２、３００ミリ秒から２、３秒までの範囲であるが、ドラム回転速度ωおよび想定される基板１の数によって、ドラムの動きと同期化した周期的調整はより高い反復周波数を有する。
【００４２】
図９に例示されたように、図７，８および１０に示されたような回転角度設定器３６に代わって位置検出器４０が、ドラム周辺におけるあらかじめ規定された基板位置の到達を検出し得る。
【００４３】
さらに図９および１０に示されたように、好ましくは調整ユニット３８に、好ましくは二つ以上の調整曲線形態があらかじめ記憶され、選択ユニット４２によって、それぞれの処理プロセスについて選択的に活性化される。あらかじめ様々な調整曲線が設定されているため、同じ装置で異なる基板処理を考慮することが可能である。
【００４４】
図７および８にさらに示されたように、この発明の調整は、不活性ガス流ないし処理ガス流ＧＡの調整だけで、あるいは場合によっては、その他の反応ガス流やスパッタ出力等、これに適したプロセス値の適切な調整と組み合わされ、実施され得る。
【００４５】
さらに図９および１０に破線で示されたように、この発明で実施される調整は制御に利用される調整要素、上記の図面ではスパッタ出力７、を介してもまた実現可能である。その場合この調整は、閉じた制御回路の反応時間によるよりもゆっくりである。
【００４６】
この発明による方法は、特に光学部材製造の際に、特に反応性被覆方法に使用されるのが好ましい。驚くべきことに、この発明の調整を行うことによって、光学部材に極めて適した高品質の層および層断面が得られる。
【００４７】
この発明の方法は特に、始めに定義された基板ないし基板バッチの幅Ｂが、対応するスパッタソースの大きさＡより大きい場合、好ましくははるかに大きく、特に少なくとも５倍以上である場合に、使用される。
【００４８】
図１１に示された曲線（ａ）は、図１から４に従い、平らな基板１にソース５からのスパッタで布設された層厚分布の質を示すが、これは金属モードでのターゲット材料層の布設であるか、あるいは中間モードないし移行モード等で反応して非導電性層となる層材料の布設であるかには関わりない。図７から１０の調整Ｍ（ωX）が、図１２に示されたように行われることによって、図１１の曲線（ａ）は精確に補整可能であり、図１１の（ｂ）に示されたような基板の層厚分布が得られる。例えば図１２に破線で示されたように、この調整によって過剰に補整された場合は、図１１の（ｃ）で示されたような層厚分布となる。図１２のＰ1，Ｐ2点等では調整された処理雰囲気の強度が最低となるが、その時基板１はそれぞれスパッタソースに対し中央に位置する。
【００４９】
自明のことながら、スパッタソースに対し凸面運動軌道から凹面運動軌道に移行する際、好んで使用される調整の最小／最大割当が反転する。
【００５０】
したがって、図１から４に示されたような装置では金属モードのスパッタ被覆であっても、すなわち反応ガスを使用せずとも、基板がスパッタソースに対し中央にあるときスパッタ出力を最小にすることによって、弦効果の補整が可能であることがわかった。
【００５１】
これによって、基板幅Ｂにおける層厚の最適な均一化が可能であるが、これは例えば基板の幅が少なくとも１２ｃｍである場合に極めて重要である。また調整曲線の形態を適合させることにより、所望の処理分布、好ましくは被覆分布を適切に達成することができる。例えば基板キャリヤ等の、装置形状の機械的不正確さも、調整形態を相応に設計することにより補整可能である。必要とあれば、ドラム３上に同時に置かれた基板が異なる層厚分布で被覆せねばならない場合も、それぞれ異なる調整曲線形態を接続することにより実現可能である。例えば、どの基板がスパッタソースの処理領域ＢＢ内に入るかがカウンタ（図示されず）によって瞬間的に検知され、それに応じて対応する調整曲線形態が選択ユニット４２によって活性化される。
【００５２】
この発明によって通過する基板の層厚分布を適切に調整することが可能であるため、処理装置の精度についての要求、特にその工作物キャリヤや、スパッタソースの正確な位置決めに関する要求を下げることができる。それによって生じる主な望ましくない層厚分布は、この発明で用いられる調整によって補整される。
【００５３】
さらにまた、特定の所望の層厚分布ないし断面を、例えばグラジエントフィルタのために、適切に実現することも可能である。この発明の本質的局面はまた、平らでない基板、例えばレンズ体を均一な層厚分布で被覆することにもある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  典型的な真空処理装置の概略図である。
【図２】  典型的な真空処理装置の概略図である。
【図３】  典型的な真空処理装置の概略図である。
【図４】  典型的な真空処理装置の概略図である。
【図５】  この発明による処理装置ないし、この発明による方法の原理を示す図である。
【図６】  この発明による調整の実施形態を示す、図５と同様の概略図である。
【図７】  図１から４の装置、ないしそれに対応する製造方法をこの発明によって発展させた、図１から４と同様の図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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