(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造であって、
窒化物を含み活性領域として機能する多量子ウェル層と、
第１の表面を有し、該第１の表面が前記多量子ウェル層に接触する導波層と、
該導波層内に埋め込まれストライプ溝によって２つの部分に分割されている短周期超格子を備えた電流ブロッキング層と、
前記導波層の上に形成されたクラッディング層であって、前記導波層の一部分が該クラッディング層と前記電流ブロッキング層との間に配置されるように形成されたクラッディング層と、
を具備し、
前記電流ブロッキング層の前記２つの部分の間に位置する前記ストライプ溝に配置された前記導波層の第１の部分の厚さが、前記電流ブロッキング層と前記多量子ウェル層との間に配置された前記導波層の第２の部分の厚さよりも大きい、ことを特徴とするインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造。
【請求項２】
インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造の製造方法であって、
窒化物を含み活性領域として機能する多量子ウェル層を準備するステップと、
第１の表面を有し、該第１の表面が前記多量子ウェル層に接触する導波層を準備するステップであって、該導波層の第１の部分を成長させることを含むステップと、
該導波層内に埋め込まれストライプ溝によって２つの部分に分割されている短周期超格子を備えた電流ブロッキング層を準備するステップであって、該電流ブロッキング層の前記２つの部分を形成すること、及び、前記導波層の第２の部分を再成長させること、を含むステップと、
前記導波層の前記第２の部分の上にクラッディング層を成長させるステップと、
を含み、
前記電流ブロッキング層の前記２つの部分の間に位置する前記ストライプ溝に配置された前記導波層の前記第２の部分の厚さが、前記電流ブロッキング層と前記多量子ウェル層との間に配置された前記導波層の前記第１の部分の厚さよりも大きい、
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、屈折率ガイド（導波）形インナーストライプレーザダイオード構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インナーストライプレーザダイオード構造は、赤色ＡlＧaＩnＰ及び赤外ＡlＧaＡsレーザダイオードの両方に一般的に使用されてきた。インナーストライプレーザダイオード構造は、低しきい値、単一モードレーザダイオードを得るための便利な手段を提供する。インナーストライプレーザダイオード構造は、２つのエピタキシャル成長ステップを必要とする。第１のエピタキシャル成長ステップは、典型的には下側クラッディング層、活動領域、上側クラッディング層の一部、及びｎ型ブロッキング層の成長を含む。ｎブロッキング層を狭いストライプにエッチングした後に、ｎクラッディング層の残余部分を成長させる。動作中に、たとえｐ金属接触パッドがストライプよりかなり広くても、ｎブロッキング層内のエッチングされたストライプ開口によって注入電流通路が限定される。
【０００３】
電流ブロッキング層が活動領域に近接して（典型的には、上側クラッディング層内への活動領域の境界から約100−200ｎｍ離間させて）配置される。ｎブロッキング層内に１−２μｍ幅のストライプを作成することは比較的容易であるので、極めて低いしきい値電流のレーザを製造することができる。この自己整列形構造内に２μｍ幅のストライプを形成することは、例えば同様に狭いリッジの導波レーザと比較して遙かに容易である。それは、リッジ導波構造が、リッジ構造のトップ上に狭いコンタクトストライプ（典型的には１−1.5μｍ）を注意深く整列させる必要があるからである。極めて狭いインナーストライプレーザダイオードは、レーザストライプの幅が減少するにつれて側方への熱の広がりが高まるので、改善された熱消散が得られる。従って、新しい半導体レーザ材料システムを開発する場合、単一モードレーザを達成するために使用される第１の構造はインナーストライプ構造であることが多い。
【０００４】
インナーストライプレーザダイオード構造は低しきい値、単一モード動作を達成するためには有利であるが、得られるビーム品質は比較的粗末であり、多くの重要な応用にとって不安定である。インナーストライプレーザダイオード構造によって正の側方屈折率ガイドが与えられないので、ビーム品質は比較的粗末になる。その代わりとして、インナーレーザストライプ構造は利得ガイドされるので、高度に非点収差を有する（アスチグマチックな）ビームが生成される。非点収差は円筒光学系を使用して補正できるが、側方へのビーム発散及び非点収差は駆動電流と共に変化し得る。
【０００５】
電流ブロッキング層を有する窒化物インナーストライプレーザダイオードが、田中等の米国特許第5,974,069号に開示されている。この田中等の特許は、ＡlyＧa1-xＮ（０＜ｙ＝１）、ＳiＯ2、Ｓi3Ｎ4、及びＡl2Ｏ3からなるグループから選択された材料を含む材料で作られた電流ブロッキングレーザを開示している。
【０００６】
図１ａは、上記田中等の米国特許の構造に類似する図１ｂに示す２クラッディング層レーザダイオード構造１１の第１の上側クラッディング層５の厚みの関数としての側方（ラテラル）屈折率ステップを示している。上記田中等の米国特許は、少なくとも100ｎｍの厚みを有する（これは、側方屈折率Δｎが４×10-3より大きくならないように制限する）第１の上側クラッディング層を開示する。図１ｂは、第１の上側クラッディング層５の下の活動領域４を示しており、第１の上側クラッディング層５は、第２の上側クラッディング層７によってカバーされている電流ブロッキング層６を支持している。曲線５０は、２つのクラッディング層を有する構造１１の場合に、第１の上側クラッディング層５の厚みが増加するにつれて、側方屈折率ステップ（及び、得られる光閉じ込め）は厚みが０である時の約11×10-3の初期側方屈折率ステップから降下することを示している。
【０００７】
【発明の概要】
インナーストライプレーザの構造は、側方屈折率ガイドを発生するように、及び印刷及び光貯蔵に必要なビーム品質が得られるように変更することができる。変更されたインナーストライプレーザ構造は、優れたビーム品質及びモード弁別力を可能にし、しかも基本的なインナーストライプレーザ構造の利点を保持している。変更されたインナーストライプレーザ構造は、窒化物レーザダイオード構造及び活動領域に接する再成長界面に対して比較的不感である他の材料システムに適用可能である。例えばＡlＧaＡs及びＡlＧaＩnＰレーザシステムにおいては、活動領域に接する再成長界面に関係付けられた欠陥状態は、レージングを禁止するのに十分である。
【０００８】
変更されたインナーストライプレーザ構造は、部分的上側導波層を含む普通のインナーストライプレーザ構造のエピタキシャル成長を含む。次いで、電流ブロッキング層が部分的上側導波層上に成長され、次に狭いストライプがブロッキング層内に開かれる。狭いストライプを限定した後にエピタキシャル再成長が遂行され、上側導波層がクラッディング及びコンタクト層と共に完成される。最後に、構造は、コンタクト金属化及び鏡形成を含む標準技法で処理される。
【０００９】
変更されたインナーストライプレーザ構造のための再成長が、上側クラッディング層の再成長に直接進むのではなく、上側導波層から開始されるので、正の側方屈折率ガイドを得ることができる。再成長を上側導波層から開始させることによって、狭いストライプ領域内の導波層の厚みは、導波層のウィング領域の厚みよりも大きくなる。上側導波層のウィング領域は、活動領域の次のブロッキング層の下の導波領域である。この厚みの差が、側方屈折率ステップを発生させるように機能する。側方屈折率導波の強さは、部分的に、ブロッキング層をどれ程活動領域に接近させて配置したかに依存し、より近く配置する程良好な側方屈折率ガイドが得られる。電流ブロッキング層はｎ型であることも、または絶縁材料、及び電流ブロッキング層のために使用できるＡlＧaＮ、ＡlＮ、ＳiＯ2、ＳiＯＮ、及びＳi3Ｎ4を含む材料であることもできる。本発明により得られる典型的な側方屈折率ステップの値は約20×10-3である。
【００１０】
本発明の長所及び目的は、以下の添付図面を参照しての本発明の好ましい実施の形態の詳細な説明から明白になるであろう。
【００１１】
【実施の形態】
屈折率ガイド（導波）形インナーストライプレーザダイオード構造は、もし再成長界面を活動領域に近接して配置することができれば（これは、もし再成長界面が比較的温和であれば可能である）実現可能である。一般に再成長界面は構造的に不完全であるか、または化学的に汚染されることが多い。しかしながら、レーザダイオードに使用することができる窒化物のような材料システムは、活動領域付近の再成長界面に対しては比較的不感であり、この不感さによってレーザダイオード構造の導波層内にエピタキシャル再成長が可能になるのである。再成長は、光閉じ込めを高めるために、低い屈折率（典型的には、ｎ〜2.5）を有する電流ブロッキング層の受入れを可能にする。
【００１２】
電流ブロッキング層材料は、典型的に900℃を越える温度と、反応性環境とを有する金属有機（ metal-organic ）化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）環境内での分解を回避するために、熱的に安定であるように選択される。電流ブロッキング層は、絶縁材料であることも、または半導体材料であることもでき、後者の場合には、電流ブロッキング層をドープすることによって活動領域へ流れる電流を閉じ込めるための電流ブロッキング逆バイアス接合を作る。半導体電流ブロッキング層は比較的高い屈折率を有しており、これは光閉じ込めに使用できる屈折率ステップを制限する。半導体電流ブロッキング層の長所は、熱安定度及び直接的な再成長を含む。等角成長は均一な表面コーティングをもたらし、一方選択的成長は選択された領域内だけに結晶核形成をもたらす。約900℃の温度において遂行される半導体材料の再成長は等角であるが、ＧaＮ成長の場合にはＳi3Ｎ4及びＳiＯ2、または類似の絶縁材料上に堆積は発生せず、即ち成長は選択的である。しかしながらＡlＧaＮ成長の場合には、粗い表面を有する多結晶材料がＳi3Ｎ4及びＳiＯ2、または類似の絶縁材料上に堆積する。
【００１３】
図２−５は、本発明の実施の形態による屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造１００の製造手順を示している。窒化物材料のための標準エピタキシャル成長がＡl2Ｏ3基体１１０上に遂行され、ＧaＮ：Ｓi層１２０、ＡlＧaＮ：Ｓiクラッディング層１３０、ＧaＮ：Ｓi導波層１４０、ＩnＧaＮ多量子ウェル領域１５０、典型的には50ｎｍ厚であるが、大きい屈折率ステップを作るためにそれより小さいことができるＧaＮ：Ｍg導波層１６０の下側部分１６０ａ、及びｎ型ブロッキング層１７０（電流ブロッキング層１７０にｎ型半導体材料が使用されているから）が成長される。ＣＡＩＢＥ（化学的に支援されたイオンビームエッチング）エッチングは、典型的には、アルゴンイオンビーム及び反応性ガス種を供給するためにＣl2／ＢＣl3ガス混合体の使用を含む。図３に示す狭いストライプ窓２５０をフォトリソグラフィで限定した後にｎ型ブロッキング層１７０を通して狭いストライプ窓２５０のＣＡＩＢＥエッチングを遂行し、下側に位置するＧaＮ導波層１６０ａを露出させる。ストライプ窓２５０の典型的な幅は、約１μｍから５μｍまでである。ＭＯＣＶＤ成長を再開する前に、図３に示すようにフォトレジストがストリップされ、部分的レーザダイオード構造１００に対して酸洗いが遂行される。
【００１４】
本発明の一実施の形態による図４ａは、ＧaＮ：Ｍg導波層１６０の上側部分１６０ｂ、ＡlＧaＮ：Ｍg ｐクラッディング層１８０（典型的には、0.5−１μｍ厚）、及びＧaＮ：Ｍg ｐコンタクト層１９０（典型的には、0.1μｍ厚）のエピタキシャル再成長を示している。再成長は、ＡlＧaＮ：Ｍg ｐクラッディング層１８０の成長へ直接進むのではなく、ＧaＮ：Ｍg導波層の上側部分１６０ｂから再開されるので、ストライプ領域２５０内のＧaＮ：Ｍg導波層１６０の厚みが層１６０ａよりも厚くなることに注目されたい。Ｍg ｐドーピングを迅速に、且つ制御しながら開始させるためには、鋼ガスラインの（Ｃ5Ｈ5）2Ｍg親和力によるドーピングターンオンを回避するために、加熱する前にＭＯＣＶＤ成長反応器内へマグネシウム前駆体を流すように注意を払うべきである。
【００１５】
ＡlＧaＮブロッキング層１７０のエピタキシャル過成長は、ブロッキング層１７０の自生酸化物によって困難になり得る。過成長は、ＡlＧaＮ電流ブロッキング層１７０に薄いｎ−ＧaＮ層（図示してない）をキャップすることによって、またはＡlＧaＮブロッキング層１７０のアルミニウム含量をＧaＮまでグレードダウンさせるか、または低アルミニウム含量合金によって促進させることができる。ＡlＧaＮ電流ブロッキング層１７０は、アルミニウム含量に関連するトレードオフを呈する。即ち、側方屈折率ガイドを最適にするにはアルミニウム組成が高い（典型的には、20％より高い）ことが望ましいが、高アルミニウム合金はＡlＧaＮブロッキング層１７０を厚くした時に割れを生じ易い。従って、ＡlＧaＮ電流ブロッキング層１７０のアルミニウム含量を増加させる場合には、この層が薄くなるように選択する。典型的には、層のアルミニウム含量を約２倍にする場合には、層の割れを防ぐために、層の厚みを約1/2まで薄くする必要がある。
【００１６】
本発明の一実施の形態によれば、図４ｂに示すように、ＡlＧaＮ電流ブロッキング層１７０は、ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５によって置換することができる。ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５は、５Å乃至1000Åの周期を有し、典型的な超格子周期は50Å（25Å ＡlＧaＮ／25Å ＧaＮ）である。成長条件は、バルクＡlＧaＮ：Ｓi層のための条件と類似している。ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５内のアルミニウム含量は、０％乃至100％の範囲内で変化させることができるが、典型的な範囲は40％乃至100％であり、ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５内の平均アルミニウム含量は典型的に20−50％の範囲である。ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子を使用すると、電流ブロッキング層に割れを発生させることなく、層の厚みを増加させることが可能になるか、または平均アルミニウム含量を典型的には２倍に増加させることができる。ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５は、典型的には層１７５全体がシリコンでドープされている。代替として、ＡlＧaＮ／ＧaＮ短周期超格子層１７５は、ＧaＮ層１８２、１８４、１８６…１８８内だけを、またはＡlＧaＮ層１８１、１８３、１８５…１８７内だけをドープすることも、またはドープしないこともできる。ＧaＮ：Ｍg層１６０ｂとの界面におけるバリヤーの高さを最大にするために、短周期超格子１７５を典型的にはＡlＧaＮ：Ｓi層１８１でキャップする。短周期超格子１７５の厚みは非破壊的であることができ、Ｘ線回折によって極めて正確に測定することができる。ＧaＮ：Ｍg層１６０ａを通して多量子ウェル領域１５０がエッチングされるのを回避するために、電流ブロッキング層１７５の正確な知識は電流ブロッキング層１７５内に窓２５０を限定するための化学的に支援されたイオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）ステップにとって重要である。
【００１７】
もし電流ブロッキング層１７０にＡlＮを選択するのであれば、エピタキシャル成長させるよりも、スパッタリングによって非晶質または多結晶フィルムを堆積させる方が好ましい。これは、電流ブロッキング層１７０の低屈折率を保持しながら、割れをもたらす格子応力を回避する。大きい分散及び吸収損失に寄与する粗末な構造品質を回避するように、注意を払うべきである。
【００１８】
本発明の一実施の形態による図５は、ｐコンタクト２００及びｎコンタクト２１０の金属化を示している。ｐコンタクト２００のパラジウムｐ金属は、Ｎ2雰囲気内で約５分間にわたって約535℃で合金にされる。第１の鏡がフォトリソグラフィによって限定され、ＣＡＩＢＥを使用してエッチングされる。堆積されたパラジウムｐ金属層が、先ず化学的にエッチングされる。ＣＡＩＢＥエッチングを約２μｍの深さまで遂行し、ＡlＧaＮ：Ｓiクラッディング層１３０の下のＧaＮ：Ｓi層１２０内へ突入させる。従って、ＣＡＩＢＥエッチングによってｎコンタクト２１０が露出される。第２の鏡が、同様にエッチングされる。典型的にはＴi-Ａlであるリフトオフ金属化を、ｎコンタクト２１０に対して遂行する。次にＴi-Ａu金属化が、ｐコンタクト２００及びｎコンタクト２１０の上にある厚みの金属を形成させる。第１及び第２の鏡は、蒸着プロセスを使用してＳiＯ2／ＴiＯ2でコーティングされる。
【００１９】
図６は、本発明による窒化物レーザダイオード構造１００の一実施の形態の、ＧaＮ：Ｍg導波層１６０の厚みｔの関数としての実効横方向（トランスバース）屈折率曲線５２０、及び光閉じ込めファクタ５４０を示している。Ａl0.07Ｇa0.93Ｎクラッディング層１８０及び１３０は、400ｎｍ波長において2.46の屈折率を有し、100ｎｍのＧaＮ導波層１４０は2.51の屈折率を有し、そして多量子ウェル活動領域１５０は、2.52の屈折率を有する65ÅのＩn0.03Ｇa0.97Ｎバリヤーによって分離された４つの35ÅのＩn0.15Ｇa0.85Ｎ量子ウェルを有している。計算された実効横方向屈折率から、屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造１００の側方屈折率プロフィルを得ることができる。
【００２０】
ｎブロッキング層１７０は、クラッディング層１８０及び１３０に使用されたものと同一の合金であるＡl0.07Ｇa0.93Ｎで形成されている。もし割れまたは過成長問題を回避するのであれば、より大きい屈折率ステップを発生させるためにアルミニウム含量がより高いブロッキング層を使用することも、または代わりに短周期超格子１７５を使用することもできる。ｎブロッキング層１７０を多量子ウェル活動領域１５０より50ｎｍ上に成長させる場合には、狭いストライプ窓２５０をフォトリソグラフィによって限定した後に100ｎｍのＧaＮ：Ｍgを堆積させて導波層１６０を完成させ、次いで約0.4−0.5μｍの厚みを有する典型的なＡl0.07Ｇa0.93Ｎクラッディング層及びＧaＮ：Ｍgキャッピング層１９０を堆積させる。図５を更に参照する。完全なＧaＮ導波層１６０は、部分的導波層１６０ａの厚みと比較すると、導波層１６０のストライプ領域内において約100ｎｍ厚くなっている。得られた横方向実効屈折率を以下の表１に示す。
0004958334.tif 000002
【００２１】
0.009の横方向実効屈折率ステップΔｎは、普通の窒化物リッジ導波レーザ構造において達成される屈折率ステップよりも大きく、しかも狭いストライプ構造は普通の窒化物リッジ導波レーザ構造より遙かに容易に製造することができる。
更に、層１６０のストライプ領域における150ｎｍの厚みが最大値に極めて近い光閉じ込めファクタを発生するので、光閉じ込めファクタに妥協を求めてはいない（図６参照）。
【００２２】
本発明の一実施の形態によれば、電流ブロッキング層は、より大きい屈折率ステップ及びより大きい側方屈折率導波を得るために、ＳiＯＮ、Ｓi3Ｎ4、またはＳiＯ2のような低屈折率絶縁材料で形成することができる。例えば、図７の屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造６００において、電流ブロッキング層６７０として1.50の屈折率を有するＳiＯ2を使用すると、多量子ウェル活動領域１５０から同等距離に配置されたＡl0.07Ｇa0.93Ｎブロッキング層１７０と比較して、側方屈折率ステップが大幅に増加する。電流ブロッキング層６７０は、図３の電流ブロッキング層１７０が第１のエピタキシ中に堆積されるのとは対照的に、第１のエピタキシの後に堆積される。絶縁体電流ブロッキング層６７０は、スパッタリング、蒸着、または高温ＣＶＤプロセスによって堆積させることができる。狭いストライプ窓６５０をフォトリソグラフィにより限定した後に、ＣＦ4／Ｏ2を用いて導波層６６０ａ内へ、しかしその層を通り抜けないようにＣＡＩＢＥまたはプラズマエッチングする。
【００２３】
ＳiＯ2ブロッキング層６７０の横方向実効屈折率は、以下の表２に要約されている。
0004958334.tif 000003
図８にプロットされている値は、図７の屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造６００に対応している。屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造６００においては、導波層６６０をＳiＯ2電流ブロッキング層６７０の上に側方にエピタキシャル成長させ、次いでＡl0.07Ｇa0.93Ｎクラッディング層１８０を堆積させる。インナーストライプ６５０が電流ブロッキング層６７０内に開いていて、電流が多量子ウェル活動領域１５０へ流れることができるようにしている。導波層６６０は、層６６０ａ及び６６０ｂで構成されている。しかしながら導波層６６０ｂは、典型的には、導波層６６０ｂの所望の厚みが達成され、ＡlＧaＮクラッディング層１８０を成長させる前の電流ブロッキング層６７０の一部を露出させる前に、電流ブロッキング層６７０の一部だけを側方に過成長させる。従って、エピタキシャル過成長の代わりに、多結晶ＡlＧaＮ領域６６６を電流ブロッキング層６７０の露出された部分の上に形成させ、一方導波層６６０ｂ上にはエピタキシャル過成長を発生させる。
【００２４】
もしＳiＯ2ブロッキング層６７０を多量子ウェル活動領域１５０に50ｎｍより近付けて配置すれば、側方屈折率ステップは増加する。ブロッキング層６７０を多量子ウェル活動領域１５０から分離させるための50ｎｍという値は内輪に選択されたものであり、より少ない分離が可能である。
【００２５】
しかしながらＳiＯ2は、もしＳiＯ2が高温ＭＯＣＶＤプロセスの状態に曝露されれば、電流ブロッキング層６７０として機能するには十分な熱安定度を有してはいない。高いＭＯＣＶＤ温度におけるＳiＯ2は、酸素の源として、またはｐ型のドーピングを困難にするｎ型のシリコンドナーとして動作し、インナーストライプレーザダイオードの性能を劣化させる。高品質の（稠密で、完全に化学量論的な）Ｓi3Ｎ4は、ＣＶＤによって高温で堆積させることができる（これは、優れた熱安定度を呈する）。従って、もし高温での処理が含まれるのであれば、Ｓi3Ｎ4は、たとえその屈折率が高く且つ小さい横方向屈折率ステップΔｎを発生するとしても、電流ブロッキング層６７０のための代替誘電体材料である。
【００２６】
図９に、電流ブロッキング層１７０または６７０が多量子ウェル領域１５０から50ｎｍに位置決めされているものとして、電流ブロッキング層１７０または６７０の厚みの関数としてシミュレートした側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８１０は、典型的なＳiＯ2の屈折率が1.5であるものとして、ＳiＯ2電流ブロッキング層６７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示す。曲線８２０は、典型的なＳiＯ2の屈折率が1.8であるものとして、ＳiＯ2電流ブロッキング層６７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８３０は、典型的なＳi3Ｎ4の屈折率が2.0であるものとして、Ｓi3Ｎ4電流ブロッキング層６７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８４０は、典型的なＡlＮの屈折率が2.1であるものとして、ＡlＮ電流ブロッキング層１７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８５０は、典型的なＡl0.5Ｇa0.5Ｎの屈折率が2.3であるものとして、Ａl0.5Ｇa0.5Ｎ電流ブロッキング層１７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８６０は、典型的なＡl0.2Ｇa0.8Ｎの屈折率が2.4であるものとして、Ａl0.2Ｇa0.8Ｎ電流ブロッキング層１７０の厚みの関数としての側方屈折率ステップΔｎを示している。曲線８１０−８４０の屈折率ステップが約0.08μｍより薄い厚みから安定水準に達するのに対して、曲線８５０の屈折率ステップは安定水準に達するまでに約0.1μｍの厚みを必要とし、また曲線８６０の屈折率ステップは、0.1μｍを越えても厚みが増加するにつれて増加していることに注目されたい。
【００２７】
図１０は、５×10-3の側方屈折率ステップ９１０、10×10-3の側方屈折率ステップ９２０、15×10-3の側方屈折率ステップ９３０、及び20×10-3の側方屈折率ステップ９４０を得るために、所与の屈折率の電流ブロッキング層１７０または６７０に要求される層の厚みを示している。もし電流ブロッキングのために短周期超格子構造１７５を使用するのであれば、その厚みは同一アルミニウム含量の電流ブロッキング層１７０と同一になろう。幾つかの代表的な材料（ＳiＯ2、ＳiＯＮ、Ｓi3Ｎ4、ＡlＮ、Ａl0.5Ｇa0.5Ｎ、及びＡl0.2Ｇa0.8Ｎ）の屈折率が横軸上に示されている。図１０から、同一の側方屈折率ステップを維持するためには、ブロッキング層１７０または６７０の屈折率が増加するにつれて、ブロッキング層１７０または６７０の厚みを増加させなければならないことが解る。20×10-3の側方屈折率ステップ９４０の場合は、ＳiＯ2以外の代表的な材料を使用してブロッキング層１７０または６７０を形成するためには、その厚みを100ｎｍより厚くする必要がある。
【００２８】
図１１は、２μｍ幅ストライプレーザ（曲線１０１０）及び１μｍ幅ストライプレーザ（曲線１０２０）における側方閉じ込めファクタ（％）Γlateral対側方屈折率ステップを示している。図１１は、側方閉じ込めファクタΓlateralが、２μｍ幅ストライプレーザの場合には約10×10-3より大きい側方屈折率ステップにおいて、１μｍ幅ストライプレーザの場合には約20×10-3より大きい側方屈折率ステップにおいて改善されることを示している。
【００２９】
図１２は、半導体電流ブロッキング層１７０を使用したデュアルスポットインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造１１００を示している。上述したインナーストライプ構造を使用して、クヮッドスポットレーザまたは他の多重スポット構成も実現可能である。デュアルスポットインナーストライプレーザダイオード１１００を構成している２つのレーザはそれぞれ、本質的に図５に示したレーザ１００と同一の層構造を有している。ＡlＧaＮ電流ブロッキング層１７０上の半導体成長はエピタキシャルであり、且つ等角である。これに対して、図１３は、例えばＳiＯ2、ＳiＯＮ、またはＳi3Ｎ4のような絶縁材料で作られた電流ブロッキング層１６７０を使用したデュアルスポットインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造１２００を示している。電流ブロッキング層１６７０は、再成長中に発生する導波層１６６０ｂによる部分的側方過成長を有している。しかしながら、導波層１６６０ｂは、典型的に層１６６０ｂが所望の厚みに到達する前に電流ブロッキング層１６７０の一部だけが横方向に過成長され、ＡlＧaＮクラッディング層１１８０を成長させる前に電流ブロッキング層１６７０の一部を露出させるようになる。従って、エピタキシャル過成長の代わりに、多結晶ＡlＧaＮ領域１６６６を電流ブロッキング層１６７０の露出された部分の上に形成させ、一方導波層１６６０ｂ上にエピタキシャル過成長を発生させる。
【００３０】
約１の屈折率を有する空気は、電流ブロッキング層６７０及び１６７０のための代替材料である。図１４は、電流ブロッキング材料として空気を有する本発明によるデュアルスポットインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造１２００を示している。電流ブロッキング層６７０及び１６７０として、ＳiＯ2、ＳiＯＮ、または他の選択的にエッチング可能な材料が使用される。インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造６００、またはデュアルスポットインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造１２００を製造した後に、それぞれの構造は、例えば露出された側壁からアンダーカットによって選択的にエッチング可能な材料をエッチングして除去し、空気間隙を設けて電流ブロッキング層６７０または１６７０として機能させる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】従来技術における第１の上側クラッディング層の厚みの関数としての側方屈折率ステップを示す図である。
【図１ｂ】従来技術のレーザダイオード構造を示す図である。
【図２】本発明による屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造の製造手順を示す図である。
【図３】図２に続く手順を示す図である。
【図４ａ】図３に続く手順を示す図である。
【図４ｂ】本発明による電流ブロッキング層として使用するための短周期超格子構造を示す図である。
【図５】本発明によるレーザダイオード構造を示す図である。
【図６】本発明による屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造の計算された横方向実効屈折率及び光閉じ込めファクタを示す図である。
【図７】本発明による絶縁体電流ブロッキング層を有する屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造を示す図である。
【図８】本発明の一実施の形態によるＳiＯ2電流ブロッキング層を有する屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造の計算された横方向実効屈折率を示す図である。
【図９】本発明による実施の形態におけるブロッキング層の厚みと側方屈折率ステップとの関係を示す図である。
【図１０】本発明による特定の側方屈折率ステップを得るために、所与の屈折率の電流ブロッキング層に要求される層の厚みを示す図である。
【図１１】側方屈折率ステップの関数としての側方光閉じ込めファクタを１μｍ及び２μｍ幅のレーザに関して示す図である。
【図１２】半導体電流ブロッキング層を使用した本発明の実施の形態によるデュアルスポットインナーストライプレーザ構造を示す図である。
【図１３】絶縁体電流ブロッキング層を使用した本発明の実施の形態によるデュアルスポットインナーストライプレーザ構造を示す図である。
【図１４】空隙電流ブロッキング層を使用する本発明の実施の形態によるデュアルスポットインナーストライプレーザ構造を示す図である。
【符号の説明】
４  活動領域
５  第１の上側クラッディング層
６  電流ブロッキング層
７  第２の上側クラッディング層
１１  ２クラッディング層レーザダイオード構造
１００、６００  屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザ構造
１１０  基体
１２０  ＧaＮ：Ｓi層
１３０  クラッディング層
１４０  導波層
１５０  多量子ウェル領域
１６０  導波層
１６０ａ、６６０ａ、１６６０ａ  導波層の下側部分
１６０ｂ、１６６０ｂ  導波層の上側部分
１７０、６７０、１６７０  電流ブロッキング層
１７５  短周期超格子層
１８０、１１８０  クラッディング層
１８１〜１８７  ＡlＧaＮ層
１８２〜１８８  ＧaＮ層
１９０  ｐコンタクト（キャッピング）層
２００  ｐコンタクト
２１０  ｎコンタクト
２５０、６５０  ストライプ窓
６６６、１６６６  多結晶ＡlＧaＮ領域
１１００、１２００  デュアルスポットインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
0004958334.tif 000006
【図３】
0004958334.tif 000007
【図４ａ】
0004958334.tif 000008
【図４ｂ】
0004958334.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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