(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．半導体基材に、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4及び（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は個々に水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）からなる群より選択されるテルル前駆体を提供する工程、
ｂ．該半導体基材にアルコールを提供し、該テルル前駆体と反応させてテルル層を形成する工程、及び
ｃ．堆積温度を８０℃〜５００℃に維持する工程
を含む、半導体基材上にゲルマニウム−アンチモン−テルルの三元膜を形成する方法。
【請求項２】
（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるアンチモン前駆体が前記半導体基材に提供され、テルルと反応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるゲルマニウム前駆体が前記半導体基材に提供され、テルルと反応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるゲルマニウム前駆体が前記半導体基材に提供され、テルル及びアンチモンと反応する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記アルコールがＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ａ．半導体基材に、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4及び（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は個々に水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）からなる群より選択されるテルル前駆体を提供する工程、
ｂ．反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｃ．該反応器にアルコールを提供し、該テルル前駆体と反応させて該半導体基材上にテルル層を形成する工程、
ｄ．該反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｅ．（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるアンチモン前駆体を該反応器に提供してアンチモン層を形成する工程、
ｆ．該反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｇ．（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるゲルマニウム前駆体を該反応器に提供してゲルマニウム層を形成する工程、
ｈ．該反応器を不活性ガスでパージする工程、及び
ｉ．所望の深さのゲルマニウム−アンチモン−テルル膜が形成されるまで工程ａから工程ｈを繰り返す工程
を含む、原子層堆積を用いて反応器中の半導体基材上にゲルマニウム−アンチモン−テルル膜を形成する方法。
【請求項７】
前記アルコールがＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程ｅから工程ｈの前に、工程ａから工程ｄが２回以上繰り返される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
工程ａから工程ｄが最初に行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
工程ｅから工程ｆが最初に行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
工程ｇから工程ｈが最初に行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
ａ．半導体基材に、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4及び（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は個々に水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）からなる群より選択されるテルル前駆体を提供する工程、
ｂ．反応器を不活性ガスで０．１〜１秒間パージする工程、
ｃ．該反応器にアルコールを提供し、該テルル前駆体と反応させて該半導体基材上にテルル層を形成する工程、
ｄ．該反応器を不活性ガスで０．１〜１秒間パージする工程、
ｅ．（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるアンチモン前駆体を該反応器に提供してアンチモン層を形成する工程、
ｆ．該反応器を不活性ガスで０．１〜１秒間パージする工程、
ｇ．（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）からなる群より選択されるゲルマニウム前駆体を該反応器に提供してゲルマニウム層を形成する工程、及び
ｈ．所望の深さのゲルマニウム−アンチモン−テルル膜が形成されるまで工程ａと工程ｇの間で工程を繰り返す工程
を含む、化学気相成長を用いて反応器中の半導体基材上にゲルマニウム−アンチモン−テルル膜を形成する方法。
【請求項１３】
前記アルコールがＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程ｅから工程ｈの前に、工程ａから工程ｄが２回以上繰り返される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
工程ａから工程ｄが最初に行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
工程ｅから工程ｆが最初に行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
工程ｇから工程ｈが最初に行われる、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
先端技術として、相変化材料は、新型の高度集積不揮発性メモリーデバイス、相変化ランダムアクセスメモリー（ＰＲＡＭ）の製造におけるその応用のため、ますます関心を集めている。ＰＲＡＭは、加熱によって結晶質と非晶質の２つの状態の間を「切り替わる」ことができるカルコゲナイドガラスのユニークな挙動を利用する。カルコゲナイドガラスの結晶質と非晶質の状態は、著しく異なった電気抵抗を有し、これが、データが保存される基礎を形作る。非晶質の高い抵抗状態を使用して２進法の０を表し、結晶質の低い抵抗状態が１を表す。
【０００２】
ＰＲＡＭは家庭用電子機器のための商品化段階には未だ到達していないものの、ほぼ全てのプロトタイプデバイスは、ＧＳＴと呼ばれるゲルマニウム、アンチモン及びテルル（ＧｅＳｂＴｅ）のカルコゲナイド合金を利用している。化学量論、即ち、Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ元素の比率は２：２：５である。ＧＳＴを高温（６００℃以上）に加熱すると、そのカルコゲナイド結晶性が失われる。冷却すると、これは凍結して非晶質のガラス様状態となり、その電気抵抗は高い。カルコゲナイドを結晶化温度よりも高く融点よりも低い温度に加熱することで、それは非常により低い抵抗を有する結晶質状態に変換される。
【０００３】
ＰＲＡＭセルを設計する際の技術的障害の１つは、ＧＳＴ材料を或る温度で結晶質から非晶質の状態に変換する間の放熱を克服するために、高レベルのリセット電流をかける必要があるということである。この放熱は、ＧＳＴ材料をコンタクトプラグ内に閉じこめることによって大幅に低減することができる。これは、動作に必要とされるリセット電流を低下させる。しかしながら、このような設計は、ＧＳＴ材料の薄層を製造する技術への課題を提示する。プラグ構造は高アスペクト比であるため、ＧＳＴ膜のための従来の堆積法、即ち、スパッタリング技術は、その視線効果のため、プラグ又は高アスペクト比のホールをＧＳＴ材料で満たすことが困難であることがわかっている。一方、化学気相成長（ＣＶＤ）のような化学反応に基づく堆積技術は、化学気相の移動及び反応に依存しており、視線効果を持たない。これらの技術はこのような応用により適している。特に、原子層堆積（ＡＬＤ）は、適合性が高く化学的組成が均一な膜を生成することができる。ＡＬＤとＣＶＤの間に別の技術は、このような応用に使用可能な所謂サイクリックＣＶＤである。
【０００４】
ＣＶＤ又はＡＬＤ技術を使用して必要な化学量論を有するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を形成するためには、Ｇｅ、Ｓｂ又はＴｅ層を交互に形成し、その後アニーリングを行う必要がある。各層（Ｇｅ、Ｓｂ又はＴｅ）の厚さは、最終生成物において所望の化学量論（例えば、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅが２、２、５）が達成できるように調節することができる。これら３つの層、例えばＧｅ、Ｓｂ及びＴｅのうち、Ｔｅが最も形成困難な層であろう。Ｔｅ膜を形成するための現在利用可能な方法は、高い堆積温度又はプラズマ支援のいずれかを必要とする。しかしながら、材料及び機器の性能又は製造コストのいずれの点からも、堆積は低温でかつプラズマ支援なしで実施できることが常に好ましい。
【０００５】
半導体材料としてのテルル化金属、例えばテルル化水銀及びテルル化カドミウムの製造にはテルル化水素が使用されている。ジアルキルテルル化物もまたこれらの材料の製造に使用される。
【０００６】
近年、相変化メモリーの開発では、ＧＳＴ膜を比較的低温でＡＬＤ又はＣＶＤ堆積するための適切なテルル前駆体が必要とされている。ジアルキルテルル化物及びジアミノテルル化物が使用されている。しかしながら、これらの前駆体は堆積反応に対する反応性が低い。それは必要な化学量論的組成よりも低い膜中のテルル含有量をもたらすことがある。
【０００７】
ビス（トリアルキルシリル）テルルの合成が報告されており、他のシリルテルル化合物、即ち、（Ｍｅ３Ｓｉ）３ＳｉＴｅＨの合成もまた報告されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、低温で化学気相成長法を用いて薄いＴｅ膜及びＧＳＴ膜を形成する方法を開示するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１つの態様では、本発明は、８０℃と５００℃の間の温度でＣＶＤプロセスを用いてＧＳＴ膜及びＴｅ膜を形成する方法を開示する。Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅ前駆体は、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1-5は個々に１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）からなる群より選択される。
【００１０】
ＧＳＴ膜は、選択されたシリルテルル化合物と一般式ＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）を有するアルコールとの反応によって生成されるテルル、及び選択されたアミノゲルマン及びアミノアンチモンとの間接的な反応によって堆積される。
【００１１】
別の態様では、本発明は、８０℃と５００℃の間の温度でＡＬＤプロセスを用いてＧＳＴ膜を形成する方法を開示する。Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅ前駆体は、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1-5は個々に１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）からなる群より選択される。
【００１２】
ＧＳＴ膜は、選択されたシリルテルル化合物と一般式ＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）を有するアルコールとの反応によって生成されるテルル、及び選択されたアミノゲルマン及びアミノアンチモンとの間接的な反応によって堆積される。
【００１３】
別の態様では、本発明は、８０℃と５００℃の間の温度でサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＧＳＴ膜を形成する方法を開示する。Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅ前駆体は、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ（式中、Ｒ1-5は個々に１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）からなる群より選択される。
【００１４】
ＧＳＴ膜は、選択されたシリルテルル化合物と一般式ＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直線、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）を有するアルコールとの反応によって生成されるテルル、及び選択されたアミノゲルマン及びアミノアンチモンとの間接的な反応によって堆積される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】堆積装置の概略図である。
【図２】Ｔｅ膜断面のＦＥＳＥＭ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、薄いＴｅ膜及びＧＳＴ膜を形成する方法に関する。本方法は、２つの側面、即ち、Ｔｅ系前駆体の選択、及びＴｅ前駆体と他の前駆体を用いてＧＳＴ膜を形成する堆積技術を伴う。この堆積は、８０℃〜５００℃、好ましくは１００℃〜４００℃、より好ましくは１００℃〜２００℃、最も好ましくは１００℃〜１５０℃で実施される。
【００１７】
［Ｔｅ前駆体］
テルル前駆体は、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は独立して水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有し、二重結合を持つか若しくは持たないアルキル基、又は芳香族基である）の一般構造を有するジシリルテルル、シリルアルキルテルル、シリルアミノテルルから選択することができる。
【００１８】
シリルテルル化合物はアルコール又は水に対して極めて反応性である。これらの反応は室温又は高温で起こり得、テルル元素の生成をもたらす。
【化１】
0004898764.tif 000002
【００１９】
ＡＬＤプロセスでは、テルル前駆体、アルコール、ゲルマニウム及びアンチモン前駆体、例えば（Ｍｅ2Ｎ）4Ｇｅ及び（Ｍｅ2Ｎ）3Ｓｂが、蒸気吸引又は直接液体注入（ＤＬＩ）により、周期的に任意の順序で堆積チャンバーに導入される。堆積温度は好ましくは８０℃〜５００℃の間である。
【００２０】
ＡＬＤ反応は以下のスキームで説明できる。
【化２】
0004898764.tif 000003
【００２１】
工程１：テトラキス（ジメチルアミノ）ゲルマンを導入し、基材表面にアミノゲルマンの分子層を形成する。
【００２２】
工程２：ヘキサメチルジシリルテルルをアミノゲルマン層と反応させてＴｅ−Ｇｅ結合を形成し、ジメチルアミノトリメチルシランを除去する。シリル置換基を有するＴｅ層を形成する。
【００２３】
工程３：メタノールをテルル層上に残存するシリル基と反応させ、Ｔｅ−Ｈ結合及び揮発性副生成物のメトキシトリメチルシラン（パージによって除去される）を形成する。
【００２４】
工程４：トリス（ジメチルアミノ）スチバンを導入し、テルル層の上部にアンチモン層を形成する。
【００２５】
工程５：ヘキサメチルジシリルテルルを再度導入し、テルル層を形成する。
【００２６】
工程６：メタノールを再度導入し、テルル上のシリル基を除去する。
【００２７】
次いで、所望の膜厚が得られるまで、ＡＬＤサイクルを場合により何度も十分繰り返す。次のサイクルを再び工程１から開始するなど。
【００２８】
このプロセスで用いられるシリルテルル化合物は、以下の一般構造、即ち、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）2Ｔｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＲ4及び（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｓｉ）ＴｅＮ（Ｒ4Ｒ5）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は個々に水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）を有する。
【００２９】
このプロセスで用いられるアミノゲルマン及びアミノアンチモンは、以下の一般式、即ち、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）4Ｇｅ、（Ｒ1Ｒ2Ｎ）3Ｓｂ（式中、Ｒ1及びＲ2は個々に１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）を有する。
【００３０】
このプロセスで用いられるアルコールは、以下の一般式、即ち、ＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素を直鎖、分岐又は環状の形態で有するアルキル基である）を有する。
【００３１】
［膜の堆積］
本発明に記載の方法は、図１に例示する薄膜堆積装置を用いて実証することができる。この装置は以下の部分で構成される。
・基材が配置され、前駆体蒸気が反応して膜を形成する反応器５。反応器の壁及び基材ホルダーは同じか又は異なる温度で加熱することができる。
・液体又は固体前駆体容器１及び２。この容器も同様に必要に応じて加熱することができる。
・前駆体容器から反応器への蒸気流をオン・オフ切り替えできるバルブ３及び４。バルブ３及び４をいつどのように切り替えるかを調節するためにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）ユニットを用いる。
・反応器から空気又は前駆体蒸気を送り出す真空ポンプ８。バルブ７はポンプラインのオン・オフを切り替える。
・反応器内部の圧力レベルを測定する真空計６。
・バルブ１１を介してオン・オフの切り替えがなされる不活性ガス（Ａｒ又はＮ2）１０。
【００３２】
堆積を開始する前に、注入口１０から反応器５に不活性ガス（例えば、Ａｒ又はＮ2）を満たし、次いで真空ポンプ８を用いて２０ｍＴｏｒｒ以下の真空レベルまで排気する。次いで反応器に再度不活性ガスを満たし、反応器の壁及び基材ホルダーを、堆積を開始させる８０℃〜５００℃の温度に加熱する。
【００３３】
Ｔｅ前駆体を３０℃〜１００℃の温度に加熱した前駆体容器１から供給する。この温度を堆積の間一定に保持する。ＭｅＯＨ前駆体を２０℃〜５０℃の温度に加熱した前駆体容器２から供給する。この温度も同様に堆積の間一定に保持する。
【００３４】
Ｔｅ膜を形成するためのＣＶＤプロセスは以下のとおりである。
・バルブ３を開放することによりＴｅ前駆体の蒸気を反応器に供給する。
・バルブ３を閉じてＴｅ蒸気が反応器に入るのを停止する。
・バルブ４を開放することによりＭｅＯＨ蒸気を反応器に供給する。
・バルブ４を閉じてＭｅＯＨ蒸気が反応器に入るのを停止する。
・Ｔｅ前駆体蒸気を反応器内でＭｅＯＨ蒸気と反応させて基材上にＴｅ膜を形成する。
【００３５】
Ｔｅ膜を形成するためのＡＬＤプロセスは以下のとおりである。
・バルブ７を閉じることにより真空ポンプ８に至る反応器を閉鎖する。
・バルブ３をオン・オフ切り替えすることにより０．１秒〜２秒のパルスでＴｅ前駆体の蒸気を反応器に供給する。
・ライン１０を経由してＡｒ又はＮ2を反応器内に供給し、真空ポンプ８を用いてＡｒ又はＮ2を排気することにより０．１〜５秒間反応器をパージする。
・バルブ７を閉じることにより真空ポンプ８に至る反応器を閉鎖する。
・バルブ４をオン・オフ切り替えすることにより０．０１秒〜０．１秒のパルスでＭｅＯＨ前駆体の蒸気を反応器に供給する。
・ライン１０を経由してＡｒ又はＮ2を反応器内に供給し、真空ポンプ８を用いてＡｒ又はＮ2を排気することにより０．１〜５秒間反応器をパージする。
・バルブ７を閉じることにより真空ポンプ８に至る反応器を閉鎖する。
・上記の工程を何度も繰り返す。サイクルの回数は予め定められた膜厚に従って前もって設定される。
【００３６】
Ｔｅ膜を形成するためのサイクリックＣＶＤプロセスは以下のとおりである。
・バルブ７を閉じることにより真空ポンプ８に至る反応器を閉鎖する。
・バルブ３をオン・オフ切り替えすることにより２秒〜２０秒のパルスでＴｅ前駆体の蒸気を反応器に供給する。
・バルブ４をオン・オフ切り替えすることにより０．２秒〜１０秒のパルスでＭｅＯＨ前駆体の蒸気を反応器に供給する。
・バルブ７を開放することにより真空ポンプ８を用いて反応器を排気する。
・上記の工程を何度も繰り返す。サイクルの回数は予め定められた膜厚に従って前もって設定される。
【００３７】
ＧＳＴ（Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ）膜は、Ｇｅ及びＳｂのためのプロセスをそれぞれ繰り返すことによって形成される。Ｇｅ及びＳｂの成長のためのプロセスはＴｅのためのプロセスと同様である。
【実施例】
【００３８】
［例１：ヘキサメチルジシリルテルルの合成］
２００メッシュのテルル粉末１．２８ｇ（０．０１ｍｏｌ）、水素化リチウム０．４８ｇ（０．０２ｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０ｍｌを１００ｍｌのフラスコに入れた。撹拌しながら、この混合物を４時間還流した。テルルの黒色粉末が全て消失し、濁った色の沈殿が生成した。次いで混合物を−２０℃に冷却し、トリメチルクロロシラン２．２ｇ（０．０２ｍｏｌ）を加えた。混合物を室温まで温めた。４時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒を蒸留によって除去した。ヘキサメチルジシリルテルルを減圧蒸留（２．５ｍｍＨｇで沸点５０℃）により精製した。
【００３９】
［例２：テトラメチルジシリルテルルの合成］
２００メッシュのテルル粉末３．８４ｇ（０．０３ｍｏｌ）、ナトリウム１．３８ｇ（０．０６ｍｏｌ）、ナフタレン０．７７ｈ（０．００６ｍｏｌ）及びＴＨＦ５０ｍｌを１００ｍｌのフラスコに入れた。混合物を室温で２４時間撹拌した。テルルの黒色粉末及びナトリウムが全て消失し、濁った色の沈殿が生成した。次いで混合物を−２０℃に冷却し、ジメチルクロロシラン５．７７ｇ（０．０６ｍｏｌ）を加えた。混合物を室温まで温めた。４時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒を蒸留によって除去した。テトラメチルジシリルテルルを減圧蒸留（４ｍｍＨｇで沸点５０℃）により精製した。
【００４０】
［例３：トリメチルシリル−ｔ−ブチルテルルの合成］
２００メッシュのテルル粉末６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ジエチルエーテル１００ｍｌ及びヘキサン中２．５Ｍのｔ−ブチルリチウム２０ｍｌを２５０ｍｌのフラスコに加えた。この混合物を０℃で８時間撹拌した。テルルの黒色粉末が全て消失し、濁った色の沈殿が生成した。この混合物にトリメチルクロロシラン５．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）を加えた。混合物を室温まで温めた。１時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒を蒸留によって除去した。トリメチルシリル−ｔ−ブチルテルルを減圧蒸留により精製した。
【００４１】
［例４：ジ−イソプロピルアミノトリメチルシリルテルルの合成］
ＴＨＦ５０ｍｌ中ジイソプロピルアミン５．０５ｇ（０．０５ｍｏｌ）の溶液を−２０℃に冷却した。ヘキサン中２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム２０ｍｌを加えた。反応混合物を室温まで加温した後、２００メッシュのテルル粉末６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で２４時間撹拌した。テルルの黒色粉末が全て消失し、濁った色の沈殿が生成した。次いで混合物を−２０℃に冷却し、トリメチルクロロシラン５．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）を加えた。混合物を室温まで温めた。４時間撹拌した後、混合物を不活性雰囲気下で濾過した。溶媒を蒸留によって除去した。ジイソプロピルアミノトリメチルシリルテルルを減圧蒸留により精製した。
【００４２】
［例５：テルル元素の生成］
窒素を満たしゴムの隔壁を取り付けた１００ｍｌのパイレックス（登録商標）ガラスフラスコの底にヘキサメチルジシリルテルル０．０５ｇを入れた。メタノール０．１ｇをシリンジでゆっくりと加えた。光沢のある黒色の膜がフラスコのガラス壁内部に堆積し始めた。数分後、フラスコ内部全体が黒色のテルル膜で被覆された。
【００４３】
［例６：Ｔｅ膜の堆積及び特性評価］
本発明に記載の方法を用いてＴｅの薄膜を堆積した。具体的には、ヘキサメチルジシリルテルルとメタノールを前駆体として使用し、純粋なＴｅ膜を形成した。ＧＳＴメモリーセルの金属接点にはＴｉＮが典型的に用いられるため、スパッタリング技術により１００ｎｍのＴｉＮ膜を被覆したＳｉ（１００）ウェハをＴｅ膜堆積用の基材として用いた。Ｔｅ前駆体（ヘキサメチルジシリルテルル）の容器を５０℃に加熱し、一方で、メタノールの容器を２０℃に保持した。堆積中の基材温度は１００℃に維持した。まず、堆積反応器を約２ｍＴのベース圧まで減圧し、続いて窒素を少なくとも５回フラッシュして反応器に残留している如何なるガスも除去した。堆積中は、堆積反応器内を２０ｍＴの作動圧力に維持した。ヘキサメチルジシリルテルルの流速は０．０６ｇ／分に維持し、一方で、メタノールの流速は０．４ｇ／分に維持した。
【００４４】
堆積が完了した後、膜を、厚さ及び形態について電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥＳＥＭ）で調べた。このＳＥＭ調査は、２ｋＶのＳＥＭ加速電圧で操作する日立Ｓ−４８００電界放射型ＳＥＭを用いて実施した。最良の解像度をもたらす上方二次電子検出器を用いて画像を収集した。上記のようにして堆積したＴｅ膜の典型的な断面図を図２に示す。図２からわかるように、約８０ｎｍ厚さのＴｅ膜が、Ｓｉ（１００）基材とＴｅ膜の間のＴｉＮ層の上に形成されている。このＴｅ膜は極めて均一でもある。
【図１】
0004898764.tif 000004
【図２】
0004898764.tif 000005