(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板と、
偏光層と、
前記基板と前記偏光層とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする偏光板。
【請求項２】
前記偏光層は、偏光フィルムと、該偏光フィルムとは異なる機能を有する他のフィルムとの積層体をなし、
偏光板の平均厚さをＴ（μｍ）、前記基板の平均厚さをＴ１（μｍ）、前記偏光フィルムの平均厚さをＴ２（μｍ）、前記他のフィルムの平均厚さをＴ３（μｍ）としたとき、０．９９≦（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）／Ｔの関係を満足する請求項１に記載の偏光板。
【請求項３】
前記偏光層は、偏光フィルムと、該偏光フィルムとは異なる機能を有する他のフィルムとの積層体をなし、
前記偏光フィルムと前記基板とが、前記接合膜を介して接合されている請求項１または２に記載の偏光板。
【請求項４】
前記偏光層は、偏光フィルムと、該偏光フィルムとは異なる機能を有する他のフィルムとを有する積層体をなし、
前記他のフィルムと前記基板とが、前記接合膜を介して接合されている請求項１または２に記載の偏光板。
【請求項５】
前記他のフィルムは、前記偏光フィルムを保護する保護フィルムや、透過光の所定の方向の速度を遅くする機能、入射光の一部の波長の光成分のみを透過する機能、入射光の一部の波長の光成分を吸収または反射する機能、または入射光の反射を防止する機能から選択される少なくとも一つの機能を有する光学フィルムである請求項２ないし４のいずれかに記載の偏光板。
【請求項６】
前記偏光フィルムと前記他のフィルムとが、前記接合膜と同様の接合膜を介して接合している請求項２ないし５のいずれかに記載の偏光板。
【請求項７】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし６のいずれかに記載の偏光板。
【請求項８】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし７のいずれかに記載の偏光板。
【請求項９】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし８のいずれかに記載の偏光板。
【請求項１０】
前記脱離基は、アルキル基である請求項９に記載の偏光板。
【請求項１１】
前記接合膜は、プラズマ重合により形成されたものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の偏光板。
【請求項１２】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項１１に記載の偏光板。
【請求項１３】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物である請求項１２に記載の偏光板。
【請求項１４】
光透過性を有する基板と、
偏光層と、
前記基板と前記偏光層とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子、該金属原子に結合する酸素原子、および前記金属原子または前記酸素原子に結合する脱離基、を含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする偏光板。
【請求項１５】
光透過性を有する基板と、
偏光層と、
前記基板と前記偏光層とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子、有機成分で構成される脱離基、を含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする偏光板。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の偏光板と画像表示素子とを備えたことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光板、画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置、プラズマ表示装置等の画像表示装置には、偏光板が広く用いられている。例えば、ＴＮ型の液晶表示装置は、液晶表示素子（液晶パネル）の両面にお互いに偏光方向を直交させた偏光板が設けられたものである。
ところで、このような偏光板は、偏光能を有する偏光フィルムの両面または片面に、偏光フィルムを保護したり、偏光板の機械的強度を向上させる目的で、光透過性を有する基板（基材）と接合（接着）されたものである。従来、このような偏光フィルムと基板との接合方法としては、アクリル系粘接着剤等の透明性の高い光学用の粘接着剤を用いる方法が多く用いられてきた（例えば、特許文献１参照）。
このように粘接着剤を用いて偏光フィルムと基板とを接着する際には、液状またはペースト状の粘接着剤を接着面に塗布し、塗布された粘接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により粘接着剤を硬化させることにより、偏光フィルムと基板とを接合する。
【０００３】
ところが、このような粘接着剤を用いて偏光フィルムと基板とを接合する場合、以下のような問題があった。すなわち、偏光フィルムと基板との接着強度が低く、偏光フィルムと基板との間で剥離が起こり、偏光板の耐久性を十分なものとすることができなかった。また、このような粘接着剤を硬化させてなる粘接着剤層は厚みムラが生じやすく、十分な寸法精度で偏光フィルムと基板とを接合することができなかった。さらに、このような粘接着剤は、硬化時に体積収縮を起こし、形成される粘接着剤層に残留応力が発生する。その結果、このような偏光板を適用した画像表示装置では、表示される画像に、黒表示状態において光が漏れる現象（いわゆる、白抜け現象）が起こるという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−９５２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光透過性を有する基板と入射光を偏光させる機能を有する偏光層とが高い寸法精度で強固に接合され、かつ、耐久性に優れるとともに、白抜け現象の発生が抑えられた偏光板、かかる偏光板を備えた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の偏光板は、光透過性を有する基板と、
偏光層とを有し、
前記基板と前記偏光層とが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする。
これにより、光透過性を有する基板と入射光を偏光させる機能を有する偏光層とが高い寸法精度で強固に接合され、かつ、耐久性に優れるとともに、白抜け現象の発生が抑えられた偏光板が得られる。
【０００７】
本発明の偏光板では、前記偏光層は、偏光フィルムと、該偏光フィルムとは異なる他のフィルムとを有する積層体をなし、
前記偏光フィルム側が前記接合膜を介して前記基板に接合されるものであることが好ましい。
これにより、偏光フィルムが外部環境（光、熱、湿度など）の影響により劣化するのが確実に防止され、偏光板の耐久性（耐候性）を長期間にわたって優れたものとすることができる。
【０００８】
本発明の偏光板では、前記偏光フィルムは、あらかじめ、その表面に水酸基を有していることが好ましい。
これにより、基板と偏光層との接合強度をさらに高めることができ、結果として、偏光板の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
本発明の偏光板では、前記偏光層は、偏光フィルムと、該偏光フィルムとは異なる他のフィルムとを有する積層体をなし、
前記他のフィルム側が前記接合膜を介して前記基板に接合されるものであることが好ましい。
これにより、偏光層が複数のフィルムを有する積層体であっても、基板と偏光層とが高い寸法精度で強固に接合され、耐久性に優れるとともに、白抜け現象の発生が抑えられた偏光板とすることができる。
【０００９】
本発明の偏光板では、前記他のフィルムは、あらかじめ、その表面に水酸基を有していることが好ましい。
これにより、基板と偏光層との接合強度をさらに高めることができ、結果として、偏光板の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
本発明の偏光板では、前記基板は、あらかじめ、その表面に水酸基を有するものであることが好ましい。
これにより、基板と偏光層との接合強度をさらに高めることができる。
【００１０】
本発明の偏光板では、前記他のフィルムは、前記偏光フィルムを保護する保護フィルムや、透過光の所定の方向の速度を遅くする機能、入射光の一部の波長の光成分のみを透過する機能、入射光の一部の波長の光成分を吸収または反射する機能、または入射光の反射を防止する機能から選択される少なくとも一つの機能を有する光学フィルムであることが好ましい。
これにより、入射光を精度良く偏光させる機能に加えて、上述したような機能を確実に発現した偏光板を得ることができる。
本発明の偏光板では、前記偏光層は、前記偏光フィルムと前記光学フィルムとを前記接合膜と同様の接合膜を介して接合してなるものであることが好ましい。
これにより、偏光板の耐久性を十分に優れたものとしつつ、各構成フィルムが有する機能を確実に発現させることができる偏光板を得ることができる。
【００１１】
本発明の偏光板では、偏光板の平均厚さをＴ（μｍ）、前記基板の平均厚さをＴ１（μｍ）、前記偏光フィルムの平均厚さをＴ２（μｍ）、前記他のフィルムの平均厚さをＴ３（μｍ）としたとき、０．９９≦（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）／Ｔの関係を満足することが好ましい。
これにより、偏光層を透過する光に、不本意な位相のずれが生じるのをより確実に防止
することができ、偏光層を構成する各フィルムが有する機能をより確実に発現させることができる。
本発明の偏光板では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、基板と偏光層とを十分に高い寸法精度で強固に接着させることができる。
【００１２】
本発明の偏光板では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体が強固なものとなる。また、かかる接合膜は、基板および偏光層に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００１３】
本発明の偏光板では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、基板と偏光層とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の偏光板では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は特にランダムな原子構造を含むものとなる。そして、寸法精度および接着性により優れた接合膜が得られ、結果として、基板と偏光層とをより高い寸法精度で強固に接着することができる。
【００１４】
本発明の偏光板では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、基板と偏光層との接着性をより高度化することができる。
本発明の偏光板では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
これにより、耐候性および耐薬品性に優れた接合膜が得られる。その結果、得られる偏光板の耐久性をさらに優れたものとすることができる。
【００１５】
本発明の偏光板では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、基板と偏光層とは、接合膜を介して、特に強固に接合し得る偏光板が得られる。また、プラズマ重合法で形成された接合膜は、エネルギーが付与されて脱離基が脱離した状態（活性化状態）が比較的長時間にわたって維持されるため、得られる偏光板の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１６】
本発明の偏光板では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接着性により優れた接合膜が得られ、基板と偏光層とをより強固に接着させることができる。また、この接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の偏光板では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接合膜を介して接合される基板と偏光層との接合強度は特に優れたものとなる。
【００１７】
本発明の偏光板では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、基板と偏光層とを、従来に比べて格段に高い寸法精度で接合することができるとともに、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
本発明の偏光板では、前記基板の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、基板の表面を清浄化および活性化し、基板と接合膜との接合強度を高めることができる。
【００１８】
本発明の偏光板では、前記偏光層の前記接合膜と接している面には、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、偏光層の接合膜と接する表面を清浄化および活性化し、偏光層と接合膜との接合強度を高めることができる。
本発明の偏光板では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、基板と偏光層との接合強度を特に優れたものとすることができる。
【００１９】
本発明の偏光板では、前記基板と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、信頼性の高い偏光板を得ることができる。
本発明の偏光板では、前記偏光層と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、信頼性の高い偏光板を得ることができる。
本発明の偏光板では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基板と偏光層との間の接合強度を特に高めることができる。
【００２０】
本発明の偏光板は、光透過性を有する基板と、
偏光層とを有し、
前記基板と前記偏光層とが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする。
これにより、光透過性を有する基板と入射光を偏光させる機能を有する偏光層とが高い寸法精度で強固に接合され、かつ、耐久性に優れるとともに、白抜け現象の発生が抑えられた偏光板が得られる。
【００２１】
本発明の偏光板は、光透過性を有する基板と、
偏光層とを有し、
前記基板と前記偏光層とが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記基板と前記偏光層とを接合していることを特徴とする。
これにより、光透過性を有する基板と入射光を偏光させる機能を有する偏光層とが高い寸法精度で強固に接合され、かつ、耐久性に優れるとともに、白抜け現象の発生が抑えられた偏光板が得られる。
本発明の画像表示装置は、本発明の偏光板と画像表示素子とを備えたことを特徴とする。
これにより、白抜け現象が抑えられ、耐久性に優れた画像表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の偏光板および画像表示装置を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の偏光板は、光透過性を有する基板と、入射光を偏光させる機能を有する偏光層とが、接合膜を介して接合されたものである。
この偏光板を構成する接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。
【００２３】
このような接合膜は、接合膜の平面視における少なくとも一部の領域、すなわち、平面視における接合膜の全面または一部の領域に対して、エネルギーを付与したことにより、接合膜の少なくとも表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離したものである。そして、この接合膜は、脱離基の脱離によって、その表面のエネルギーが付与された領域に、接着性が発現し、基板と偏光層とを接合するという特徴を有するものである。
このような接合膜を有する偏光板は、基板と偏光層とが高い寸法精度で強固に接合し、耐久性に優れたものとなり、偏光板の信頼性を高いものとすることができる。
【００２４】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の偏光板の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の偏光板の第１実施形態を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の偏光板１は、光透過性を有する基板２と、偏光層４としての偏光フィルム４１と、基板２と偏光フィルム４１との間に接合膜３とを有している。以下、これらの各部について順次説明する。
【００２５】
［基板］
偏光板１を構成する基板２は、光透過性を有するものであり、偏光フィルム４１に傷が付くのを防止したり、偏光板１全体としての機械的強度を向上させるものである。
このような基板２を構成する材料としては、上述したような機能を有するものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系開環重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリビニルブチラール、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００２６】
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜５００μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、偏光板１の光透過性を十分に高いものとしながらも、偏光板１の機械的強度を十分に高いものとすることができる。
また、基板２は、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
【００２７】
また、基板２の少なくとも接合膜３と接する領域には、基板２の構成材料に応じて、基板２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基板２の接合膜３と接する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、基板２と接合膜３との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基板２と偏光フィルム４１との接合強度を高めることができる。
【００２８】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、基板２の表面は特に最適化され、基板２と接合膜３との接合強度は特に優れたものとなる。
なお、表面処理を施す基板２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基板２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基板２の構成材料としては、例えば、前述したような各種ガラス系材料、各種シリコン系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００２９】
このような材料で構成された基板２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基板２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、基板２と接合膜３とを強固に接合することができる。
なお、この場合、基板２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３と接する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【００３０】
さらに、基板２の少なくとも接合膜３と接する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、基板２と接合膜３との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、基板２の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、基板２と接合膜３との接合強度は特に優れたものとなる。
【００３１】
また、表面処理に代えて、基板２の少なくとも接合膜３と接する領域には、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基板２と接合膜３とを接合することになり、信頼性の高い接合体、すなわち偏光板１を得ることができる。
【００３２】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基板２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。
【００３３】
［偏光フィルム］
次に、偏光フィルムについて説明する。
偏光フィルム４１は、入射した光を偏光させる機能を有するものであり、後述する接合膜３を介して、基板２と接合されるものである。
偏光フィルム４１としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、部分ホルマール化ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、エチレン−酢酸ビニル共重合体部分ケン価物等で構成された高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着、染色させ、一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等のポリエン系配向フィルム等が挙げられる。
【００３４】
これらの中でも、偏光フィルム４１は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を主材料とした高分子フィルムに、ヨウ素または二色性染料を吸着、染色させ、一軸延伸したものが好ましい。ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）は透明性、耐熱性、染色剤であるヨウ素または二色性染料との親和性、延伸時の配向性のいずれもが優れた材料である。したがって、ＰＶＡを主材料とする偏光フィルム４１は、耐熱性に優れたものとなるとともに、偏光能に優れたものとなる。
このような偏光フィルム４１の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜８０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、偏光フィルム４１の光透過性を十分に高いものとしつつ、偏光板１の機械的強度を十分に高いものとすることができる。
【００３５】
また、偏光フィルム４１の少なくとも接合膜３と接する領域には、偏光フィルム４１の構成材料に応じて、偏光フィルム４１と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と偏光フィルム４１との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基板２と偏光フィルム４１との接合強度を高めることができる。
なお、表面処理としては、基板２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができるが、中でも、コロナ放電処理、窒化プラズマ処理を用いることにより、偏光フィルム４１の表面は特に最適化され、偏光フィルム４１と接合膜３との接合強度は特に優れたものとなる。
【００３６】
さらに、偏光フィルム４１の少なくとも接合膜３と接する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と偏光フィルム４１との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、基板２の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。また、上述したような基または物質の中でも、偏光フィルム４１の表面が水酸基を有しているのが好ましい。これにより、基板２の接合膜３に対する接合強度を特に優れたものとすることができる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３と偏光フィルム４１の接合強度は特に優れたものとなる。
【００３７】
また、表面処理に代えて、偏光フィルム４１の少なくとも接合膜３と接する領域には、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と偏光フィルム４１とを接合することになり、結果として、基板２と偏光フィルム４１との接合強度は特に優れたものとすることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００３８】
［接合膜］
次に、接合膜について詳細に説明する。
なお、図２は、本発明の偏光板が有する接合膜のエネルギー付与前の表面付近の状態を示す部分拡大図、図３は、本発明の偏光板が有する接合膜のエネルギー付与後の表面付近の状態を示す部分拡大図である。
【００３９】
接合膜３は、前述した基板２と偏光フィルム４１との間に位置し、これらの基板２と偏光フィルム４１との接合を担うものである。
かかる接合膜３は、図２、３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを有するものであり、本発明の偏光板は、主にこの接合膜３に特徴を有する。
【００４０】
このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる偏光板１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【００４１】
また、偏光板１において、接合膜３は、エネルギーが付与され、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、図３に示すように、接合膜３の表面および内部に、活性手３０４が生じたものである。このような接合膜３の表面は接着性が発現したものとなる。
かかる接着性が発現した接合膜３を有する偏光板１では、基板２と偏光フィルム４１とが、高い寸法精度で強固に効率よく接合したものとなる。
【００４２】
このような偏光板１では、基板と偏光フィルムとの接合方法で従来用いられていた粘接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、基板２と偏光フィルム４１とが接合されている。このため、偏光板１は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。また、このような接合膜３は、厚みムラが生じ難いものであるとともに、粘接着剤を熱や光により硬化させてなる粘接着剤層の厚さ（約数十μｍ）よりも極めて厚さが薄いものである。そのため、粘接着剤で基板と偏光フィルムとを接合して得られる従来の偏光板に比べ、偏光板１の寸法精度は飛躍的に向上する。また、このような偏光板１は、基板と偏光フィルムとの接合に粘接着剤を用いた従来の偏光板よりも、その厚さを薄くすることができる。これにより、偏光板１を透過可能な光成分（偏光）が、偏光板１で不本意に吸収されるのが抑制され、偏光板１の光透過率を高いものとすることができる。
【００４３】
また、従来から用いられている粘接着剤は、硬化時に体積収縮を起こし、形成される粘接着剤層に残留応力が生じるものであったが、上述したような接合膜３は、体積収縮が起こらず、残留応力がほとんど発生しないものである。このような残留応力は、基板および偏光フィルムの形状を歪めてしまう。その結果、粘接着剤層に残留応力が蓄積した偏光板を画像表示装置に適用すると、表示される画像に、黒表示状態において光が漏れる現象（白抜け現象）が起こるという問題があり、特に大型の画像表示装置（例えば、液晶ディスプレイなど）で顕著であった。これに対して、偏光板１を適用した画像表示装置では、このような問題が発生するのを確実に防止することができ、結果として、偏光板１を適用する画像表示装置の歩留まりを優れたものとすることができる。また、画像表示装置のサイズを問わず、上述したような白抜け現象の発生を確実に防止することができるため、特に、大型の画像表示装置に偏光板１を好適に適用することができる。
【００４４】
また、基板と偏光フィルムとを粘接着剤で接合させる場合には、粘接着剤と接合面との間に空気を巻き込み易いという問題があったが、偏光板１では、接合膜３と接合される基板２または偏光フィルム４１との間に、空気が入るのを抑制することができる。
また、このような接合膜３は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来、流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、基板２と偏光フィルム４１との寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００４５】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体が強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、基板２および偏光フィルム４１に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００４６】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００４７】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００４８】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００４９】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００５０】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、基板２および偏光フィルム４１に対して特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と偏光フィルム４１とを強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００５１】
なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、エネルギーを付与されることにより、表面に接着性が発現するとともに、表面以外の部分においては、前述したアルキル基による作用・効果が得られるという利点も有する。したがって、接合膜３は、耐候性、撥水性、および耐薬品性に優れたものとなる。これにより、例えば、偏光フィルム４１の材料として、吸湿性の高いポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いた場合には、以下のような効果を得ることができる。すなわち、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３を介して、基板２とＰＶＡを主材料とする偏光フィルム４１とを接合することにより、偏光フィルム４１が吸湿により反るのが確実に防止され、偏光板１の耐久性を特に優れたものとすることができる。
【００５２】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、本発明の偏光板１に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００５３】
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、基板２と偏光フィルム４１との寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、基板２ろ偏光フィルム４１との寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００５４】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせた際に、接合膜３と、基板２および偏光フィルム４１との密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００５５】
このような接合膜３は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製されたものが好ましい。プラズマ重合法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、耐久性に優れるとともに、基板２と偏光フィルム４１とを強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、偏光板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００５６】
また、偏光板１を構成する基板２と偏光フィルム４１との熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。基板２および偏光フィルム４１の熱膨張率がほぼ等しければ、接合膜３と基板２、および接合膜３と偏光フィルム４１との接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる偏光板１において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
また、基板２と偏光フィルム４１は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができる。
【００５７】
次に上述した偏光板１の製造方法について説明する。
図４および図５は、図１に示す偏光板の製造方法の好適な実施形態を示すための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図４または図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本実施形態にかかる偏光板の製造方法は、基板２を用意する工程と、基板２上に接合膜３を形成する工程と、基板２上に形成された接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３中から脱離基を脱離させることにより、接合膜３を活性化させる工程と、偏光フィルム４１を用意し、基板２上に形成された接合膜３と偏光フィルム４１とが密着するように、これらを貼り合わせ、偏光板１を得る工程とを有する。
【００５８】
以下、本実施形態にかかる偏光板の製造方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、基板２を用意する。（図４（ａ）参照）
基板２としては、前述したようなものを用いることができる。
また、基板２の接合膜３が形成される領域には、あらかじめ、前述したような表面処理が施されているのが好ましい。これにより、基板２と後述する接合膜３との密着性を特に優れたものとすることができる。
また、上述したような表面処理に代えて、基板２の接合膜３が形成される領域には、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。このような中間層としては前述したような材料で構成されたものを用いることができる。
【００５９】
［２］次に、基板２上に接合膜３を形成する。（図４（ｂ）参照）
このような接合膜３は、基板２と偏光フィルム４１との間に位置し、基板２と偏光フィルム４１との接合を担うものである。
前述したように、接合膜３は、図２、３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを有するものである。このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる偏光板１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【００６０】
基板２の表面に接合膜３を形成する方法は、特に限定されず、前述したようにプラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製することができるが、以下、一例として、プラズマ重合法により基板２の表面に接合膜３を形成する方法について説明する。
まず、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、基板２上にプラズマ重合法を用いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明する。
【００６１】
図６は、プラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図６に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、基板２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【００６２】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図６に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【００６３】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【００６４】
第１の電極１３０は、板状をなしており、基板２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図６に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【００６５】
第１の電極１３０の基板２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図６に示すように、基板２を鉛直方向に沿って支持することができる。また、基板２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板２をプラズマ処理に供することができる。
【００６６】
第２の電極１４０は、基板２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
【００６７】
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図６に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【００６８】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して基板２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【００６９】
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００７０】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００７１】
次に、上記のプラズマ重合装置１００を用いて、基板２上に接合膜３を形成する方法について説明する。
図７は、基板２上に接合膜３を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
接合膜３は、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を基板２上に堆積させることにより得ることができる。以下、詳細に説明する。
【００７２】
まず、用意された基板２をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される（図７（ａ）参照）。
【００７３】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００７４】
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、図７（ｂ）に示すように、重合物が基板２に付着・堆積する。これにより、基板２上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される（図７（ｃ）参照）。
【００７５】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００７６】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【００７７】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。
また、基板２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、基板２上に接合膜３を形成することができる。
【００７８】
［３］次に、基板２の接合膜３の表面３６に対してエネルギーを付与する。（図４（ｃ）参照）
エネルギーが付与されると、接合膜３では、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、接合膜３の表面３６および内部に活性手が生じる。これにより、接合膜３の表面３６に、偏光フィルム４１との接着性が発現する。
このような状態の接合膜３は、偏光フィルム４１と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【００７９】
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、エネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【００８０】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図４（ｃ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を発現させることができる。
【００８１】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００８２】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３６付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
【００８３】
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
【００８４】
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基板２の変質・劣化を防止することができる。
【００８５】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、基板２と偏光フィルム４１との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３６および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【００８６】
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図２に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図３に示すように、接合膜３の表面３６に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【００８７】
ここで、接合膜３を「活性化させる」とは、接合膜３の表面３６および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【００８８】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、偏光フィルム４１に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【００８９】
［４］次に、偏光フィルム４１を用意する。そして、図４（ｄ）に示すように、活性化させた接合膜３と偏光フィルム４１とが密着するように、接合膜３を介して基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせる。これにより、図５（ｅ）に示すような偏光板１を得る。
このようにして得られた偏光板１では、接合膜３を介して基板２と偏光フィルム４１とを接合することにより得られる前述したような効果を確実に得ることができる。
【００９０】
また、本実施形態では、接合に供される基板２および偏光フィルム４１のうち、基板２のみに接合膜３が設けられている。基板２上に接合膜３を形成する際に、接合膜３の形成方法によっては、基板２が比較的長時間にわたってプラズマに曝されることになるが、本実施形態では、偏光フィルム４１は、プラズマに曝されることはない。したがって、例えば、偏光フィルム４１の構成材料が、プラズマに対する耐久性が比較的低いものであっても、本実施形態にかかる方法によれば、偏光フィルム４１が有する特性（機械的強度、偏光性能など）を維持しつつ、基板２と偏光フィルム４１とを、高い寸法精度で強固に接合することができる。
【００９１】
ここで、用意する偏光フィルム４１は、前述したようなものを用いることができる。
また、前述したように、偏光フィルム４１の熱膨張率は、基板２の熱膨張率とほぼ等しいのが好ましい。基板２と偏光フィルム４１の熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる偏光板１において、剥離等の不具合が発生するのをより確実に防止することができる。
【００９２】
また、基板２と偏光フィルム４１の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、基板２と偏光フィルム４１とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基板２と偏光フィルム４１の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００９３】
具体的には、基板２と偏光フィルム４１との熱膨張率差にもよるが、基板２および偏光フィルム４１の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基板２と偏光フィルム４１の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、偏光板１における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
また、この場合、基板２と偏光フィルム４１との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
【００９４】
また、このような偏光フィルム４１の接合膜３との接合に供される領域には、偏光フィルム４１の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、偏光フィルム４１と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
このような表面処理としては、前述したような表面処理を好適に用いることができる。
また、表面処理に代えて、偏光フィルム４１の少なくとも接合膜３と接する領域には、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と偏光フィルム４１とを接合することになり、結果として、基板２と偏光フィルム４１との接合強度は特に優れたものとすることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００９５】
ここで、本工程において、接合膜３と偏光フィルム４１とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、偏光フィルム４１の接合膜３との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３と偏光フィルム４１とが接触するように、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３６に存在する水酸基と、偏光フィルム４１の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３を備える基板２と偏光フィルム４１とが接合されると推察される。
【００９６】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と偏光フィルム４１との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３を介して基板２と偏光フィルム４１とがより強固に接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と偏光フィルム４１との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３を介して基板２と偏光フィルム４１とがより強固に接合されると推察される。
【００９７】
なお、前記工程［３］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［３］の終了後、できるだけ早く本工程［４］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［３］の終了後、６０分以内に本工程［４］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を備える基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接着強度を得ることができる。
【００９８】
このようにして接合された基板２と偏光フィルム４１との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い偏光板１が得られる。
以上のようにして、図５（ｅ）に示す偏光板１を得ることができる。
また、偏光板１を得た後、この偏光板１に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［５Ａ］、［５Ｂ］および［５Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（偏光板１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、偏光板１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【００９９】
［５Ａ］図５（ｆ）に示すように、得られた偏光板１を、基板２と偏光フィルム４１とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基板２の表面および偏光フィルム４１の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、偏光板１における接合強度をより高めることができる。
また、偏光板１を加圧することにより、偏光板１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、偏光板１における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、偏光板１を加圧する際の圧力は、偏光板１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して偏光板１における接合強度を高めることができる。
【０１００】
なお、この圧力は、基板２および偏光フィルム４１の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基板２および偏光フィルム４１の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、偏光板１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基板２および偏光フィルム４１の各構成材料によっては、基板２および偏光フィルム４１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、偏光板１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１０１】
［５Ｂ］図５（ｆ）に示すように、得られた偏光板１を加熱する。
これにより、偏光板１における接合強度をより高めることができる。
このとき、偏光板１を加熱する際の温度は、室温より高く、偏光板１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、偏光板１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１０２】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［５Ａ］、［５Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図５（ｆ）に示すように、偏光板１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、偏光板１の接合強度を特に高めることができる。
【０１０３】
［５Ｃ］図５（ｇ）に示すように、得られた偏光板１に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と基板２および偏光フィルム４１との間に形成される化学結合を増加させ、基板２および偏光フィルム４１と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、偏光板１の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［３］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
以上のような工程を行うことにより、偏光板１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１０４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の偏光板の第２実施形態について説明する。
図８は本発明の偏光板の第２実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態にかかる偏光板について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０５】
図８に示すように、本実施形態の偏光板１は、光透過性を有する基板２と、偏光層４としての偏光フィルム４１と、偏光フィルム４１の基板２とは反対の面側に設けられ、偏光フィルム４１を保護する機能を有する保護フィルム４２とを有し、基板２と偏光フィルム４１との間、および偏光フィルム４１と保護フィルム４２との間には、それぞれ、接合膜３１、接合膜３２が設けられている。すなわち、本実施形態の偏光板１は、偏光層４が偏光フィルム４１と保護フィルム４２との積層体であるとともに、接合膜３２を介して偏光フィルム４１と保護フィルム４２とが接合されている以外は、前記実施形態１と同様である。
【０１０６】
このような偏光板１は、基板２と偏光フィルム４１との間、および偏光フィルム４１と保護フィルム４２との間に、それぞれ、前述したような特徴を有する接合膜３１、３２を有するものである。これにより、基板２と偏光フィルム４１、および偏光フィルム４１と保護フィルム４２、それぞれの接合強度は優れたものとなるとともに、偏光板１の厚みムラを好適に抑制することができる。その結果、偏光板１は、高い寸法精度を有し、耐久性に優れたものとなる。また、偏光板１を構成する各部（基板２、偏光フィルム４１、および保護フィルム４２）が、高い寸法精度で接合されたものであるため、偏光板１の光学設計をより精密に行うことができる。さらに、偏光板１では、偏光フィルム４１が接合膜３１、３２を介して、それぞれ、基板２および保護フィルム４２と接合されたものであり、偏光フィルム４１は直接、外部環境（光、熱、湿度など）の影響を受けない。そのため、偏光板１は、耐候性に優れたものとなる。特に、偏光フィルム４１として、吸湿性の高い材料（例えば、前述したＰＶＡなど）を用いた場合でも、偏光フィルム４１が吸湿するのがより確実に防止される。その結果、偏光板１は、高温湿潤な環境下で長期間使用した場合であっても、偏光性能の劣化がない耐久性に優れたものとなる。
【０１０７】
このような保護フィルム４２を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系ポリマー、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系開環重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等が挙げられる。
このような保護フィルム４２の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜８０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、偏光フィルム４１の光透過性を十分に高いものとしつつ、偏光板１の機械的強度を十分に高いものとすることができる。
【０１０８】
また、偏光板１の平均厚さをＴ（μｍ）、基板の平均厚さをＴ１（μｍ）、偏光フィルム４１の平均厚さをＴ２（μｍ）、保護フィルム４２の平均厚さをＴ３（μｍ）としたとき、０．９９≦（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）／Ｔの関係を満足するのが好ましく、０．９９５≦（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）／Ｔの関係を満足するのがより好ましい。これにより、偏光板１を透過する光に、不本意な位相のずれが生じるのをより確実に防止することができ、偏光板１の光学設計をより容易なものとすることができる。
【０１０９】
また、保護フィルム４２の少なくとも接合膜３２と接する領域には、保護フィルム４２の構成材料に応じて、保護フィルム４２と接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜３と保護フィルム４２との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、偏光フィルム４１と保護フィルム４２との接合強度を高めることができる。
【０１１０】
なお、表面処理としては、偏光フィルム４１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
さらに、保護フィルム４２の少なくとも接合膜３と接する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３と保護フィルム４２との接合強度を十分に高くすることができる。
【０１１１】
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、保護フィルム４２の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。また、上述したような基または物質の中でも、保護フィルム４２の表面が水酸基を有しているのが好ましい。これにより、保護フィルム４２の接合膜３に対する接合強度を特に優れたものとすることができる。
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜３と保護フィルム４２の接合強度は特に優れたものとなる。
【０１１２】
また、表面処理に代えて、保護フィルム４２の少なくとも接合膜３と接する領域には、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜３と保護フィルム４２とを接合することになり、結果として、保護フィルム４２と偏光フィルム４１との接合強度は特に優れたものとすることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述の基板２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１１３】
次に本実施形態の偏光板１の製造方法について説明する。
本実施形態にかかる偏光板１の製造方法は、基板２、偏光フィルム４１、および保護フィルム４２のお互いに接合する面のいずれにも前述した接合膜が設けられている以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる偏光板１の製造方法は、基板２と偏光フィルム４１と保護フィルム４２とを用意する工程と、基板２と保護フィルム４２の一方の面、および偏光フィルム４１の両面に接合膜を形成する工程と、基板２、偏光フィルム４１、および保護フィルム４２に設けられた各接合膜に対して、エネルギーを付与して、各接合膜（接合膜３１１、３１２、３２１、３２２）を活性化させる工程と、接合膜３１１、３１２同士、および接合膜３２１、３２２同士がそれぞれ密着するように基板２と偏光フィルム４１と保護フィルム４２とを貼り合わせ、偏光板１を得る工程とを有する。
【０１１４】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
図９および図１０は、図８に示す偏光板１の製造方法の好適な実施形態を示すための図（縦断面図）である。
［１］まず、基板２、偏光フィルム４１、および保護フィルム４２とを用意する。（図示せず）なお、このような基板２、偏光フィルム４１、および保護フィルム４２としては、前述したようなものを用いることができる。
【０１１５】
［２］次に、基板２と保護フィルム４２の一方の面、および偏光フィルム４１の両面に、前記第１実施形態と同様にして接合膜（接合膜３１１、３１２、３２１、３２２）を成形する。（図９（ａ）参照）なお、本実施形態では、基板２上に接合膜３１１が成形され、偏光フィルム４１の基板２と接合する面上に接合膜３１２、また、保護フィルム４２と接合する面上に接合膜３２１がそれぞれ形成され、保護フィルム４２上に接合膜３２２が形成されている。
【０１１６】
［３］次に、図９（ｂ）に示すように、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２に対して、それぞれエネルギーを付与する。各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２にエネルギーが付与されると、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２では、図２に示す脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図３に示すように、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２の表面および内部に活性手３０４が生じ、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２が活性化される。これにより、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２にそれぞれ接着性が発現する。
なお、エネルギー付与方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
【０１１７】
ここで、接合膜３を「活性化させる」とは、前述したように、各接合膜３１１、３１２、３２１、３２２の表面３１１６、３１２６、３２１６、３２２６および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１に終端化されていない結合手（未結合手）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
したがって、活性手３０４とは、未結合手または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。
【０１１８】
［４］次に、図９（ｃ）に示すように、接着性が発現した接合膜３１１と接合膜３１２とを密着するように基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせるとともに、同じく、接着性は発現した接合膜３２１と接合膜３２２とを貼り合わせ、偏光板１を得る。
ここで、本工程において、接合膜同士を密着させて接合するが、この接合は、以下のような２つのメカニズム（ｉ）、（ii）の双方または一方に基づくものであると推察される。ここでは、基板２と偏光フィルム４１とを接合膜３１１、接合膜３１２を介して接合する場合を例に説明する。
【０１１９】
（ｉ）例えば、各接合膜３１１、３１２の表面３１１６、３１２６に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせたとき、接合膜３１１、３１２の表面３１１６、３１２６に存在する水酸基同士が、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、基板２と偏光フィルム４１とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、基板２と偏光フィルム４１との間では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、基板２と偏光フィルム４１とがより強固に接合されると推察される。
【０１２０】
（ii）基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせると、各接合膜３１１、３１２の表面３１１６、３１２６や内部に生じた終端化されていない結合手（未結合手）同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。これにより、各接合膜３１１、３１２を構成するそれぞれの母材（Ｓｉ骨格３０１）同士が直接接合して、各接合膜３１１、３１２同士が一体化する。
また、偏光フィルム４１と保護フィルム４２とを接合膜３２１、接合膜３２２を介して接合する場合も、上記と同様のメカニズムで接合されるものと推測される。
【０１２１】
以上のような（ｉ）または（ii）のメカニズムにより、図９（ｄ）に示すような偏光板１が得られる。
なお、偏光板１を得た後、この偏光板１に対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［５Ａ］、［５Ｂ］および［５Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
【０１２２】
例えば、図１０（ｅ）に示すように、偏光板１を加圧しつつ、加熱することにより、偏光板１の基板２と偏光フィルム４１、および偏光フィルム４１と保護フィルム４２のいずれもが、より近接する。これにより、接合膜３１を構成する接合膜３１１と接合膜３１２との界面、および接合膜３２を構成する接合膜３２１と接合膜３２２との界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、各接合膜３１、３２は、それぞれを構成する接合膜３１１、３１２、および接合膜３２１、３２２のそれぞれの一体化がより進行する。その結果、図１０（ｆ）に示すように、ほぼ完全に一体化された各接合膜３１’、３２’を有する偏光板１’が得られる。
【０１２３】
また、上述したような保護フィルム４２の代わりに、次に示すような機能を有する光学フィルムを用いた場合には、以下のような効果を得ることができる。なお、このような光学フィルムとしては、例えば、透過光の所定の方向の速度を遅くする機能、入射光の一部の波長の光成分のみを透過する機能、入射光の一部の波長の光成分を吸収または反射する機能、または入射光の反射を防止する機能から選択される少なくとも一つの機能を有する光学フィルムが挙げられる。
【０１２４】
すなわち、保護フィルム４２の代わりに、上述したような機能を有する光学フィルムを用いた偏光板は、偏光フィルム４１が有する偏光性能と、上述したような光学フィルムが有する機能とを確実に発揮することができるものとなる。また、前述したように、偏光フィルム４１と光学フィルムとを接合する接合膜の厚さは、従来から偏光板を構成する各部の接合に用いられている接着剤層の厚さに比べて、極めて薄いものであり、接合膜で生じる位相差（リタデーション）を極めて小さくすることができる。その結果、偏光板の光学設計をより容易なものとすることができる。
【０１２５】
また、本実施形態の偏光板１は、偏光層４が偏光フィルム４１と保護フィルム４２とを接合膜３２を介して接合されたものとして説明したが、接合膜３２の代わりに、粘接着剤により接合したり、熱処理により偏光フィルム４１と保護フィルム４２とを融着させたものを偏光層として用いてもよい。
また、本実施形態では、偏光板１は、偏光層４が偏光フィルム４１と一層の保護フィルム４２との積層体であるとして説明したが、本発明の偏光板は、これに限定されず、例えば、偏光層が前述したような偏光フィルム４１および保護フィルム４２に加え、上述したような機能を有する光学フィルムを有するものであってもよい。
【０１２６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の偏光板の第３実施形態について説明する。
図１１は、本発明の偏光板の第３実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、偏光板の第３実施形態について説明するが、前記第１実施形態および前記第２実施形態にかかる偏光板との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１２７】
図１１に示すように、本実施形態の偏光板１は、光透過性を有する基板２と、偏光層４としての保護フィルム４３と偏光フィルム４１と保護フィルム４４とがこの順番で積層され、基板２は、保護フィルム４３と接合されるものである。また、基板２と保護フィルム４３との間、保護フィルム４３と偏光フィルム４１との間、および、偏光フィルム４１と保護フィルム４４との間には、それぞれ、接合膜３３、３４、３５が設けられている。すなわち、偏光層４が、前述した偏光層４の基板２と接合される側に、さらに保護フィルム４３を接合膜３３を介して接合されたものであること以外は、前記実施形態２と同様である。
このように、偏光フィルム４１が接合膜３３、３５を介して、前述したような保護フィルム４３、４４と接合されることにより、偏光フィルム４１が外部環境の影響により劣化するのがより確実に防止される。その結果、偏光板１は長期間にわたって偏光性能の劣化がなく、耐久性（耐候性）に特に優れたものとなる。
【０１２８】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の偏光板の第４実施形態について説明する。
図１２は、本発明の偏光板の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１３は、本発明の偏光板の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１２および図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１２９】
以下、偏光板の第４実施形態について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第３実施形態にかかる偏光板との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる偏光板は、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１３０】
すなわち、本実施形態にかかる偏光板は、接合膜３がそれぞれエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３は、それぞれ、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態ないし前記第３実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１３１】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる偏光板１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１３２】
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を用いて得られた偏光板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１３３】
また、本発明では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述する偏光板１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。これにより、例えば、このような偏光板１を、液晶表示素子（液晶パネル）の両面に備えた液晶表示装置では、液晶パネルに不本意な電圧がかかるのが確実に防止される。結果として、このような液晶表示装置は、各画素における光の透過、または遮断を確実に行うことができ、より安定的に鮮明な画像表示を行えるものとなる。
また、接合膜３が導電性を有する場合、接合膜３の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０１３４】
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３の表面３６付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３６付近に偏在していてもよい。なお、脱離基３０３が表面３６付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合を担う機能の他に、導電性や透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３の導電性や透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
【０１３５】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性と透明性とを発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１３６】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができるようになる。
【０１３７】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１３８】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、基板２と偏光フィルム４１との接着性をより高度なものとすることができる。
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
【０１３９】
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
【０１４０】
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、基板２に対して特に強固に接着するとともに、偏光フィルム４１に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基板２と偏光フィルム４１とを強固に接合することができる。
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、偏光板１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、偏光板１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１４１】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせた際に、接合膜３の偏光フィルム４１に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【０１４２】
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３の表面３６付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１４３】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、基板２上に接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞  Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を基板２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１４４】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、偏光フィルム４１に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、偏光板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１４５】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１４６】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、基板２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図１４は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１５は、図１４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４７】
図１４に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【０１４８】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１４９】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１５に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図１４に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【０１５０】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
【０１５１】
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【０１５２】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【０１５３】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、基板２および接合膜３が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１５４】
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【０１５５】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして接合膜３が形成される。
ここでは、基板２上に接合膜３を成膜する方法について説明する。
まず、基板２を用意し、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【０１５６】
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０１５７】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１５８】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１５９】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が基板２上に堆積することにより、接合膜３が形成される。
【０１６０】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【０１６１】
＜Ｂ＞  一方、Ｂの方法では、接合膜３は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１６２】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１６３】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、基板２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１６４】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１６５】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１６６】
［ｉ］  まず、基板２を用意する。そして、この基板２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１６７】
［iii］  次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１６８】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、基板２上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１６９】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１７０】
［iv］  次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、基板２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１７１】
［v］  次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【０１７２】
なお、チャンバー２１１内は、前記工程［ii］において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１７３】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１７４】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３６付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
以上のような第４実施形態にかかる偏光板においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１７５】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の偏光板の第５実施形態について説明する。
以下、本発明の偏光板の第５実施形態について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第４実施形態にかかる偏光板との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる偏光板は、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１７６】
すなわち、本実施形態にかかる偏光板は、接合膜３がそれぞれエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第４実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１７７】
以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
接合膜３は、基板２上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の少なくとも表面３６付近から脱離し、図１３に示すように、接合膜３の少なくとも表面３６付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３６に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた基板２は、偏光フィルム４１に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる偏光板１においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１７８】
このような接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３を用いて得られた偏光板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１７９】
また、本発明では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述する偏光板１において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。これにより、例えば、このような偏光板１を、液晶表示素子（液晶パネル）の両面に備えた液晶表示装置では、液晶パネルに不本意な電圧がかかるのが確実に防止される。結果として、このような液晶表示装置は、各画素における光の透過、または遮断を確実に行うことができ、より安定的に鮮明な画像表示を行えるものとなる。
【０１８０】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１８１】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性をより高めることができる。
【０１８２】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【０１８３】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１８４】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１８５】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１８６】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、偏光板１の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、基板２と偏光フィルム４１とをより強固に接合することができる。
【０１８７】
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、偏光板１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、基板２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、基板２と偏光フィルム４１とを貼り合わせた際に、接合膜３の偏光フィルム４１に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【０１８８】
以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０１８９】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０１９０】
図１６は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１６に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
【０１９１】
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、基板２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１９２】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、基板２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、基板２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１９３】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０１９４】
また、本実施形態では、有機金属材料供給手段４６０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１９５】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１９６】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１９７】
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして基板２上に接合膜３が形成される。
［ｉ］  まず、基板２を用意する。そして、この基板２を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
【０１９８】
［ii］  次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガス供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１９９】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０２００】
［iii］  次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２０１】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、基板２０上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、基板２０上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を基板２上に形成することができる。
【０２０２】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０２０３】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、基板２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
【０２０４】
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３を成膜することができる。
以上のような第５実施形態にかかる偏光板においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０２０５】
＜画像表示装置＞
次に、本発明の偏光板を備えた画像表示装置である液晶表示装置の好適な実施形態について説明する。
図１７は、液晶表示装置の好適な実施形態を示す断面図である。同図に示すように、液晶表示装置６０は、基板６１１と、基板６１１上に形成された複数の隔壁（バンク）６１３と、基板６１１上に形成され、複数の隔壁６１３間に設けられた着色部６１２とを有するカラーフィルター６１と、カラーフィルター６１の着色部１２が設けられた面側に配された基板（対向基板）６７と、カラーフィルター６１と基板６７との間の空隙に封入された液晶よりなる液晶層６３と、カラーフィルター６１の基板６１１の液晶層６３に対向する面とは反対の面側（図７中下側）に設けられた第１の偏光板６８と、基板６７の液晶層６３に対向する面とは反対の面側（図７中上側）に設けられた第２の偏光板６９とを有している。そして、カラーフィルター６１の着色部６１２および隔壁６１３が設けられた面（着色部６１２および隔壁６１３の基板６１１に対向する面とは反対の面）には、共通電極６２が設けられており、基板（対向基板）６７の液晶層６３、カラーフィルター６１に対向する面には、カラーフィルター６１の各着色部６１２に対応する位置に、マトリクス状に、画素電極６６が配されている。さらに、共通電極６２と液晶層６３との間には配向膜６５が設けられ、基板６７（画素電極６６）と液晶層６３との間には配向膜６４が設けられている。なお、第１の偏光板６８および第２の偏光板６９は、前述したような本発明の偏光板である。
【０２０６】
基板６１１および基板６７は、可視光に対して光透過性を有する基板であり、例えば、ガラス基板である。
カラーフィルター６１を構成する隔壁６１３は、隣接する着色部６１２同士が混色してしまうのを防止したり、隣接する画素間からの光漏れを防止するために設けられ、例えば、カーボンブラック等の遮光性を有する材料で構成されている。また、着色部６１２は、各色（例えば、赤、緑、青）に対応する顔料等を主とする材料で構成されたものである。
共通電極６２、画素電極６６は、可視光に対して光透過性を有する材料で構成されたものであり、例えば、ＩＴＯ等で構成されている。
【０２０７】
また、図中省略しているが、各画素電極６６に対応するように、複数のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）が設けられている。そして、各着色部６１２に対応する各画素電極６６について、共通電極６２との間での電圧の印加状態を制御することにより、各着色部６１２（各画素電極６６）に対応する領域での、光の透過性を制御することができる。
【０２０８】
液晶表示装置６０では、図示しないバックライトから発せられた光が、第２の偏光板６９側（図１７中上側）から入射するようになっている。そして、液晶層６３を透過し、カラーフィルター６１の各着色部６１２に入射した光は、各着色部６１２に対応する色の光として、第１の偏光板６８（図１７中下側）から出射する。
このような液晶表示装置６０は、上述したように、第１の偏光板６８および第２の偏光板６９として、前述したような本発明の偏光板を適用したものである。このような第１の偏光板６８および第２の偏光板６９は、偏光フィルムと基板とを粘接着剤を用いて接合したような従来の偏光板に比べて、その厚さを十分に薄くすることができるとともに、厚みムラのない、寸法精度に優れたものである。結果として、液晶表示装置６０は、第１の偏光板６８および第２の偏光板６９での不本意な透過光の吸収が抑制され、鮮明な画像表示を行えるものとなる。また、偏光層と基板とを粘接着剤で接合した従来の偏光板を備えた画像表示装置では、表示される画像に、黒表示状態において光が漏れる現象（白抜け現象）が起こるという問題があり、特に大型の画像表示装置（例えば、液晶ディスプレイなど）で顕著であった。これに対して、第１の偏光板６８および第２の偏光板６９として、前述したような本発明の偏光板を適用した液晶表示装置６０では、このような問題の発生を確実に防止することができる。結果として、液晶表示装置６０により表示される画像を、長期間にわたって鮮明なものとすることができるとともに、このような液晶表示装置６０の歩留まりを優れたものとすることができる。また、液晶表示装置６０のサイズを問わず、上述したような白抜け現象の発生を確実に防止することができるため、特に、大型の液晶表示装置に本発明の偏光板を好適に適用することができる。
【０２０９】
《電子機器》
前述したような本発明の偏光板を有する液晶表示装置等の画像表示装置（電気光学装置）１０００は、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図１８は、本発明の画像表示装置を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０２１０】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が画像表示装置１０００を備えている。
【０２１１】
なお、本発明の画像表示装置は、上述したパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）の他にも、例えば、テレビ（例えば、液晶テレビ）や、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。中でも、テレビは、近年の表示部の大型化の傾向が顕著であるが、このような大型の表示部（例えば、対角線長８０ｃｍ以上の表示部）を有する電子機器では、上述したような白抜け現象の発生が特に問題となっていたが、本発明を適用すれば、このような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、上記のような大型の表示部を有する電子機器に適用した場合に、本発明の効果は、より顕著に発揮される。
【０２１２】
以上、本発明の偏光板、画像表示装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
また、前述した各実施形態では、各接合膜を介して基板２と偏光フィルム４１（あるいは、偏光フィルム４１と保護フィルム４２）とを接合する際に、あらかじめ、各接合膜にエネルギーを付与し、各接合膜を活性化させてから、各部材同士を貼り合わせるものとして説明したが、各部材同士を貼り合わせる方法はこれに限定されない。例えば、基板２と偏光フィルム４１（あるいは、偏光フィルム４１と保護フィルム４２）とを、活性化前の接合膜を介して密着させ、重ね合わせてなる積層体中の接合膜に対してエネルギーを付与して、接合膜を活性化させ、接着性を発現させることにより、基板２と偏光フィルム４１（あるいは、偏光フィルム４１と保護フィルム４２）とを接合させてもよい。
【０２１３】
また、上記の説明では、画像表示装置として液晶表示装置（透過型液晶表示装置）について説明したが、本発明の画像表示装置は、これに限定されず、例えば、本発明の偏光板を備えた反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、液晶プロジェクター、有機ＥＬ表示装置、無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイであってもよい。
【０２１４】
また、本発明の偏光板を製造する方法では、前記実施形態の構成に限定されず、工程の順序が前後してもよい。また、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよく、不要な工程を削除してもよい。
また、本発明の偏光板は、各実施形態の任意の構成を組み合わせたものであってもよい。
【実施例】
【０２１５】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．偏光板の製造
（実施例１）
まず、ヨウ素で染色されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）製の偏光フィルムと、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）製の基板を用意した。なお、このような偏光フィルムの厚さは５０μｍであり、基板の厚さは７０μｍであった。
次いで、基板を図６に示すプラズマ重合装置のチャンバー内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
【０２１６】
次に、表面処理を行った面に、平均厚さ２００ｎｍのプラズマ重合膜（接合膜）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・原料ガスの組成    ：オクタメチルトリシロキサン
・原料ガスの流量    ：５０ｓｃｃｍ
・キャリアガスの組成：アルゴン
・キャリアガスの流量：１００ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力  ：１００Ｗ
・チャンバー内圧力  ：１Ｐａ（低真空）
・処理時間          ：１５分
・基板温度          ：２０℃
このようにして成膜されたプラズマ重合膜は、オクタメチルトリシロキサン（原料ガス）の重合物で構成されており、シロキサン結合を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、アルキル基（脱離基）とを含むものである。
【０２１７】
次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度  ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：５分
一方、偏光フィルムの片面に対して、酸素プラズマによる表面処理を行った。
【０２１８】
次に、紫外線を照射してから１分後に、プラズマ重合膜の紫外線を照射した面と、偏光フィルムの表面処理を施した面とが接触するように、ガラス基板と偏光フィルムとを貼り合わせた。これにより、偏光板を得た。
次に、得られた偏光板を、３ＭＰａで圧縮しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、偏光板の接合強度の向上を図った。
【０２１９】
（実施例２）
まず、ヨウ素で染色されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）製の偏光フィルムと、２枚のトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）製の基板を用意した。なお、このような偏光フィルムの厚さは５０μｍであり、基板の厚さは７０μｍであった。
次いで、偏光フィルムの両面、および２枚の基板の一方の面に、前記実施例１と同様にして、プラズマ重合膜を成膜した。
【０２２０】
次に、偏光フィルムの両面に形成されたプラズマ重合膜、および２枚の基板上に形成されたプラズマ重合膜に、それぞれ紫外線を照射した。
次に、各プラズマ重合膜同士が密着するように、２枚の基板を偏光フィルムに貼り合わせた。これにより、偏光フィルムの両面がプラズマ重合膜を介して基板と接合された偏光板を得た。
次に、得られた偏光板を、３ＭＰａで圧縮しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、偏光板の接合強度の向上を図った。
【０２２１】
（実施例３）
まず、実施例２と同様にして、偏光フィルムの両面がプラズマ重合膜を介してＴＡＣ製の基板と接合された積層体を得た。
次に、ガラス基板を用意し、前記実施例１と同様にして、上述した積層体の一方の面、およびガラス基板の一方の面にプラズマ重合膜を成膜した。
【０２２２】
次に、積層体およびガラス基板上に形成されたプラズマ重合膜に、それぞれ紫外線を照射した。
次に、各プラズマ重合膜同士が密着するように、積層体とガラス基板とを貼り合わせた。これにより、偏光板を得た。
次に、得られた偏光板を、３ＭＰａで圧縮しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、偏光板の接合強度の向上を図った。
【０２２３】
（実施例４）
まず、ヨウ素で染色されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）製の偏光フィルムと、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）製の基板を用意した。なお、このような偏光フィルムの厚さは５０μｍであり、基板の厚さは７０μｍであった。
次いで、基板を図１４に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
【０２２４】
次に、表面処理を行った面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、ＩＴＯに水素原子が導入された接合膜（平均厚さ１００ｎｍ）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット                      ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度          ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力      ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量                  ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度              ：２０℃
・イオンビームの加速電圧          ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧  ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧    ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流                ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種    ：Ｋｒガス
・処理時間                        ：２０分
このようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯに水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
【０２２５】
次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度  ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：５分
一方、偏光フィルムの片面に対して、酸素プラズマによる表面処理を行った。
【０２２６】
次に、紫外線を照射してから１分後に、接合膜の紫外線を照射した面と、偏光フィルムの表面処理を施した面とが接触するように、基板と偏光フィルムとを貼り合わせた。これにより、偏光板を得た。
次に、得られた偏光板を、３ＭＰａで圧縮しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、偏光板の接合強度の向上を図った。
【０２２７】
（実施例５）
接合膜を以下のようにして成膜した以外は、前記実施例４と同様である。
基板を図１６に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、表面処理を行った面に、原材料を２，４−ペンタジオネート−銅（II）とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気            ：窒素ガス  ＋  水素ガス
・有機金属材料（原材料）          ：２，４−ペンタジオネート−銅（II）
・有機金属材料の流量              ：１ｓｃｃｍ
・キャリアガス                    ：窒素ガス
・水素ガスの流量                  ：０．２ｓｃｃｍ
・チャンバーの到達真空度          ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力      ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度              ：２７５℃
・処理時間                        ：１０分
以上のようにして成膜された接合膜は、金属原子として銅原子を含み、脱離基として、２，４−ペンタジオネート−銅（II）に含まれる有機物の一部が残存しているものである。
なお、以上のようにして得られた偏光板を、１０ＭＰａで圧縮しつつ、１２０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、偏光板の接合強度の向上を図った。
（比較例）
基板と偏光フィルムとの間の接合部を、ポリビニルアルコール系の接着剤で接合するようにした以外は、前記実施例１と同様にして偏光板を製造した。
【０２２８】
２．偏光板の評価
２．１  寸法精度の評価
各実施例および比較例で得られた偏光板について、それぞれ寸法精度を測定した。
その結果、各実施例で得られた偏光板では、いずれも、比較例で得られた偏光板に比べて寸法精度が高かった。
【０２２９】
２．２  白抜き現象の有無
各実施例および比較例で得られた偏光板を、図１７に示すような液晶表示装置に適用した。
このようにして得られた液晶表示装置を、６０℃、相対湿度８０％ＲＨの環境下で２００時間静置した後、これらの画像表示装置を画像表示させ、表示される画像に白抜き現象が起こるかを目視で確認した。
【０２３０】
その結果、各実施例で得られた偏光板を適用した画像表示装置では、白抜き現象（黒表示状態において光が漏れる現象）が発生しなかったのに対して、比較例の偏光板を適用した液晶表示装置では、このような白抜き現象の発生が認められた。
また、各実施例の偏光板は、優れた接合強度を有しており、耐久性に優れたものであった。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】本発明の偏光板の第１実施形態を示すための図（断面図）である。
【図２】本発明の偏光板が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図３】本発明の偏光板が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図４】偏光板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】偏光板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】第１実施形態にかかる偏光板が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図７】基板上に接合膜を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の偏光板の第２実施形態を示すための図（断面図）である。
【図９】偏光板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図１０】偏光板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図１１】本発明の偏光板の第３実施形態を示すための図（断面図）である。
【図１２】本発明の偏光板の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図１３】本発明の偏光板の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１４】第４実施形態にかかる偏光板が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１５】図１４に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１６】第５実施形態にかかる偏光板が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１７】液晶表示装置の実施形態を示す断面図である。
【図１８】本発明の画像表示装置を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２３２】
１……偏光板  ２……基板  ２６……上面  ３、３１、３１’、３１１、３１２、３２、３２’、３２１、３２２、３３、３４、３５……接合膜  ３０１……Ｓｉ骨格  ３０２……シロキサン結合  ３０３……脱離基  ３０４……活性手  ３６、３１１６、３１２６、３２１６、３２２６……表面  ４……偏光層  ４１…偏光フィルム  ４２、４３、４４…保護フィルム  １００……プラズマ重合装置  １０１……チャンバー  １０２……接地線  １０３……供給口  １０４……排気口  １３０……第１の電極  １３９……静電チャック  １４０……第２の電極  １７０……ポンプ  １７１……圧力制御機構  １８０……電源回路  １８２……高周波電源  １８３……マッチングボックス  １８４……配線  １９０……ガス供給部  １９１……貯液部  １９２……気化装置  １９３……ガスボンベ  １９４……配管  １９５……拡散板  ２００……成膜装置  ２１１……チャンバー  ２１２……基板ホルダー  ２１５……イオン源  ２１６……ターゲット  ２１７……ターゲットホルダー  ２１９……ガス供給源  ２２０……第１のシャッター  ２２１……第２のシャッター  ２３０……排気手段  ２３１……排気ライン  ２３２……ポンプ  ２３３……バルブ  ２５０……開口  ２５３……グリッド  ２５４……グリッド  ２５５……磁石  ２５６……イオン発生室  ２５７……フィラメント  ２６０……ガス供給手段  ２６１……ガス供給ライン  ２６２……ポンプ  ２６３……バルブ  ２６４……ガスボンベ  ４００……成膜装置  ４１１……チャンバー  ４１２……基板ホルダー  ４２１……シャッター  ４３０……排気手段  ４３１……排気ライン  ４３２……ポンプ  ４３３……バルブ  ４６０……有機金属材料供給手段  ４６１……ガス供給ライン  ４６２……貯留槽  ４６３……バルブ  ４６４……ポンプ  ４６５……ガスボンベ  ４７０……ガス供給手段  ４７１……ガス供給ライン  ４７３……バルブ  ４７４……ポンプ  ４７５……ガスボンベ  ６０…液晶表示装置  ６１…カラーフィルター  ６１１…基板  ６１２…着色部  ６１３…隔壁  ６２…共通電極  ６３…液晶層  ６４、６５…配向膜  ６６…画素電極  ６７…基板（対向基板）  ６８…第１の偏光板  ６９…第２の偏光板  １０００…画像表示装置  １１００…パーソナルコンピュータ  １１０２…キーボード  １１０４…本体部  １１０６…表示ユニット
【図１】
0004894713.tif 000002
【図２】
0004894713.tif 000003
【図３】
0004894713.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004894713.tif 000006
【図６】
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【図７】
0004894713.tif 000008
【図８】
0004894713.tif 000009
【図９】
0004894713.tif 000010
【図１０】
0004894713.tif 000011
【図１１】
0004894713.tif 000012
【図１２】
0004894713.tif 000013
【図１３】
0004894713.tif 000014
【図１４】
0004894713.tif 000015
【図１５】
0004894713.tif 000016
【図１６】
0004894713.tif 000017
【図１７】
0004894713.tif 000018
【図１８】
0004894713.tif 000019