(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂、硬化剤、チタニア、金属水酸化物、並びに前記チタニア及び金属水酸化物以外の他の無機充填材を必須成分として含有し、
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂全量に対して２０〜４０重量％の範囲で含有すると共に硬化剤がフェノールノボラックであり、
チタニアの含有量が組成物全量に対して１８〜２０重量％の範囲であり、
金属水酸化物が水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムの両方を含むと共にこの金属水酸化物の含有量が組成物全量に対して１５〜１８重量％の範囲であり、
他の無機充填材の含有量が組成物全量に対して４５〜５０重量％の範囲であることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
上記金属水酸化物における水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムの、前者対後者の含有重量比率が、３：７〜７：３の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
上記金属水酸化物が、シラン系化合物にて表面処理が施されているものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体封止用樹脂組成物にて封止して成ることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ、フォトアイソレータ、フォトトランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ＥＰＲＯＭ等の光半導体素子を封止するために用いられる光半導体封止用樹脂組成物及びこれを用いて製造される光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体の封止材料として、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性等に優れる点から、エポキシ樹脂組成物による樹脂封止が行われている。そのなかでも、エポキシ樹脂組成物によるトランスファモールドでの樹脂封止は、作業性並びに量産性の面でも優れている。
【０００３】
また、成形方式としては、大型タブレットを使用し、１回の成形で多数の半導体装置をトランスファモールドするコンベンショナル方式や、樹脂の利用効率を追求することを目的としてミニタブレットを使用したマルチブランジャー方式や、粉状樹脂組成物を使用し、成形機内で予めスティック状に加圧成形した成形体を金型内に挿入し、トランスファモールドするタイプの生産性に優れた成形方式等が導入されている。
【０００４】
一方、半導体回路基板には、フォトカプラー、フォトアイソレータ等の光半導体装置のように、電気的に絶縁を図った上で、光学的に接続を図る光半導体デバイスが搭載される。これにより、電気的なノイズの影響を受けず、光による応答接続化を図ることが可能となる。
【０００５】
また、光半導体装置のコストダウンのために、従来の対向型と呼ばれるタイプ、すなわち、リードフレームを２枚対向させて貼り合わせると共に、光透過性の高い材料と光を遮断する材料をそれぞれ成形するタイプ（ダブルモールド）から、反射型と呼ばれるタイプ、すなわち、リードフレーム１枚で組み立てることが可能で、且つ、内部での光反射効率が高く、外部からの光（外乱光）の光遮蔽効果の高い光半導体封止用樹脂組成物を用い、１回成形することで組立可能なシングルモールドタイプが開発されている。
【０００６】
通常、上記のような光遮蔽効果の高い光半導体封止用樹脂組成物には、外乱光の影響を受けず、且つ、内部の光半導体素子の光伝達効率を向上させるために、チタニア等の光隠蔽値からの高い白色顔料が添加されており、このようにして外乱光の遮蔽と内部での光反射率の両立かについて鋭意検討され、製品化されている。
【０００７】
また、光半導体封止用樹脂組成物には、封止材としての性能と環境性能との両立化についての問題もある。すなわち、半導体装置の基本性能として、耐炎性グレードがＵＬ９４−Ｖ０以上であることが要求され、そのため従来難燃剤としてブロム化合物や三酸化アンチモン等が使用されていたが（特許文献１参照）、近年高まってきた地球環境保護の観点から有害物質の使用削減のために、前記難燃剤に代替する新たな難燃剤の開発が推進され、有機・無機リン化合物、金属酸化物、金属水酸化物等が検討されている。しかし、これらの新たな難燃剤の使用は、従来の難燃剤（ブロム化合物や三酸化アンチモン等）を使用した樹脂組成物に比べ、耐炎効果が低いために、薄肉成形品での耐炎性確保が充分でなかったり、耐炎性を補う目的で添加量を増やすことによる耐湿信頼性や成形性、硬化物物性の低下を生じやすく、環境性能との両立化が非常に困難な状況となっている。
【特許文献１】特開２００５−２３２３０号公報（特に表１及び表２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、特にシングルモールドタイプのフォトカプラーにおいて、基本性能である外乱光の影響を受けにくい高い光隠蔽性を確保した上で、より環境性能の高い光半導体封止用樹脂組成物及びこれを用いて製造される光半導体装置を提供することを目的とするものであり、具体的には、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の環境規制物質を使用せずに、従来以上に耐炎性が高く、薄い肉厚の成形品でも優れた耐炎性を確保することができるような光半導体封止用樹脂組成物、及びこの光半導体封止用樹脂組成物を用いて製造される光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る光半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、チタニア、金属水酸化物、並びに前記チタニア及び金属水酸化物以外の他の無機充填材を必須成分として含有し、
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂全量に対して２０〜４０重量％の範囲で含有すると共に硬化剤がフェノールノボラックであり、
チタニアの含有量が組成物全量に対して１８〜２０重量％の範囲であり、
金属水酸化物が水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムの両方を含むと共にこの金属水酸化物の含有量が組成物全量に対して１５〜１８重量％の範囲であり、
他の無機充填材の含有量が組成物全量に対して４５〜５０重量％の範囲であることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に発明は、請求項１において、上記金属水酸化物における水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムの、前者対後者の含有重量比率が、３：７〜７：３の範囲であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２において、上記金属水酸化物が、シラン系化合物にて表面処理が施されているものであることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る光半導体装置は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体封止用樹脂組成物にて封止して成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る発明によれば、光半導体の封止用途に使用することで、特にシングルモールドタイプのフォトカプラーにおいて、外乱光に影響を受けにくく、内部光半導体素子３間の光伝達効率を高めることができると共に、誤作動を防止することができ、また環境に悪影響を及ぼすブロム化合物、三酸化アンチモン等を使用することなく、更に難燃剤を多量に使用することによる耐湿信頼性や成形性、硬化物物性の低下を引き起こすことなく、より肉厚の薄い成形品での耐炎性を向上することができ、高い環境性能を発揮しつつ良好な耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができるものである。
【００１４】
請求項２に係る発明によれば、入手容易な水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムを使用することで上記効果を奏する光半導体封止用樹脂組成物を得ることができ、しかも、熱分解温度が異なる水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムとを併用することで、より高い耐炎効果を発揮することができ、これにより難燃剤の添加量を抑えた上で、より良好な環境性能を発揮すると共に高い耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができる。
【００１５】
請求項３に係る発明によれば、表面処理が施された金属水酸化物によって成形時の流動性が向上し、成形性や硬化物の曲げ強度、耐湿信頼性、耐リフロー性等の特性を向上することができて、環境性能を発揮しつつ良好な耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができる。
【００１６】
請求項４に係る発明によれば、特にシングルモールドタイプのフォトカプラーにおいて、外乱光に影響を受けにくく、内部光半導体素子３間の光伝達効率を高めることができると共に、誤作動を防止することができ、また環境に悪影響を及ぼすブロム化合物、三酸化アンチモン等を使用することなく、更に難燃剤を多量に使用することによる耐湿信頼性や成形性、硬化物物性の低下を引き起こすことなく、より肉厚の薄い成形品での耐炎性を向上することができ、高い環境性能を発揮しつつ良好な耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１８】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、チタニア、金属水酸化物、並びに前記チタニア及び金属水酸化物以外の他の無機充填材を必須成分として含有する。
【００１９】
エポキシ樹脂としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂を、組成物中のエポキシ樹脂全量に対して２０〜４０重量％の範囲で含有するものを用いる。このため、リードフレームとの密着性を向上すると共に硬化物の吸湿率を低減することができ、耐リフロー性を向上することが可能となる。これに対して、前記含有量が２０重量％に満たないと充分な耐リフロー性を得ることができなくなり、また４０重量％を超えると成形時の熱時剛性が低下するため成形性が悪化してしまうという問題がある。
【００２０】
他のエポキシ樹脂としては、一分子中に二個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されないが、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等を用いることができる。また、前記のエポキシ樹脂の芳香環に水素が添加されたエポキシ樹脂等を用いることもできる。これらの他のエポキシ樹脂は一種単独で用い、或いは二種以上を併用することができる。
【００２１】
硬化剤としては、使用するエポキシ樹脂と反応するものであれば特に制限はないが、比較的着色の少ないものが好ましい。例えば無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。その他にアミン系硬化剤も挙げられるが、硬化時の変色が大きいため使用する際は添加量等に注意を要する。これらの硬化剤は一種単独で用い、或いは二種以上を併用することができる。エポキシ樹脂と硬化剤の化学量論上の当量比は、色目や硬化物物性の点から、エポキシ樹脂／硬化剤（当量比）＝０．８〜２の範囲であることが好ましい。
【００２２】
チタニア（二酸化チタン）は、組成物全量に対して１８〜２０重量％の範囲で含有される。このチタニアの含有量が１８重量％未満であると、光隠蔽性と光反射特性を共に高く得ることができないおそれがあり、逆に、この含有量が２０重量％を超えると、成形性や成形品の特性が低下するおそれがある。
【００２３】
このチタニアは特に制限されるものではないが、製法上、硫酸イオン、ナトリウムイオン等の不純イオンが含まれるため、イオン交換水で煮沸抽出した際に溶出するイオン中におけるカリウム、ナトリウム、硫酸イオン、塩素イオン等の少ないものを使用したり、表面コーティングされたものを使用することが、良好な耐湿信頼性を得る上で望ましい。
【００２４】
金属水酸化物としては、工業的に比較的安価で入手可能な水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムを用いる。これらは一種単独で用いるのではなく、熱分解温度が異なる両者を併用するものであり、このため、より高い耐炎性が得られる。
【００２５】
この金属水酸化物における水酸化マグネシウムと水酸化アルミニウムの比率は適宜設定されるが、前者対後者の含有重量比率が、３：７〜７：３の範囲であることが好ましく、この範囲において耐炎性の著しい向上がみられる。
【００２６】
また、これらの金属水酸化物には、予め酸化ケイ素やγ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のシラン系化合物による表面処理を施しておくことが好ましい。この場合、組成物の流動性が向上することにより、成形性や、硬化物の曲げ強度、耐湿信頼性、耐リフロー性等の特性を向上することができ、ブロム化合物や三酸化アンチモン等の環境に悪影響を及ぼすおそれのある物質の使用しないことにより環境性能を発揮しつつ、良好な耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができる。この表面処理は、例えば所定量のシラン系化合物を水酸化マグネシウム及び水酸化アルミニウムからなる金属水酸化物粉末と共にボールミル等に投入し、均一混合することにより行うことができる。
【００２７】
上記金属水酸化物の含有量は、組成物全量に対して１５〜１８重量％の範囲とする。この範囲において硬化物の耐炎性、成形性、曲げ強度を向上することができる。この含有量が前記範囲より少ないと充分な耐炎性を得ることができなくなるおそれがあり、前記範囲より多いと曲げ強度が低下するおそれがある。
【００２８】
また、金属水酸化物の平均粒径が０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。平均粒径が前記範囲より小さいと比表面積の増大による樹脂組成物の溶融粘度上昇に起因する流動性の低下を生じさせるおそれがあり、前記範囲より大きいと樹脂組成物内への均一分散性の低下を生じ、充分な耐炎性が得られないおそれがある。
【００２９】
また、金属水酸化物の最大粒径は１００μｍ以下であることが好ましく、この最大粒径が１００μｍを超えるようになると成形時に成形品の未充填が生じやすくなったり、ワイヤー変形等が生じやすくなるおそれがある。
【００３０】
また、他の無機充填材としては、シリカ粉末を挙げることができる。シリカ粉末としては溶融シリカ、結晶シリカ等が挙げられる。その形状は特に制限されず、例えば球状、破砕状等の適宜の形状のものを用いることができる。
【００３１】
他の無機充填材の含有量は組成物全量に対して４５〜５０重量％の範囲とする。このため、硬化物の吸湿率を低減すると共に、この硬化物の強度を向上し、更に硬化物の熱膨張率を低減することができる。これに対して前記含有量が４５重量％に満たないと硬化物の吸湿率を充分に低減することができず、また硬化物の強度が充分に得られなくなって、耐リフロー性が悪化してしまい、また５０重量％を超える場合には流動性が低下すると共に、溶融粘度が上昇してしまい、硬化物にボイドが生じたりワイヤー変形等の不良が発生したりするという問題がある。
【００３２】
また、この他の無機充填材の平均粒径は８〜１５μｍの範囲であることが好ましく、その最大粒径は１５０μｍ以下、特に１００μｍ以下であることが好ましい。この平均粒径が８μｍ未満であると封止成形時に樹脂漏れや樹脂バリ等に起因する成形不具合を生じて生産性や歩留まりの低下を生じるおそれがあり、逆に平均粒径が１５μｍを超えるとパッケージの薄肉部への樹脂の充填性が悪化して未充填等の成形不具合の原因となるおそれがある。また、他の無機充填材の最大粒径が１５０μｍを超えると樹脂封入時のゲート詰まり、未充填等の成形不具合に加え、薄肉部の光隠蔽性の低下を生じるおそれがある。
【００３３】
また、組成物中には必要に応じて硬化促進剤を含有させることもできる。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させる作用を有する適宜のものを用いることができ、特に限定されるものではないが、比較的着色の少ないものを用いることが好ましく、例えばトリフェニルホスフィンジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン系硬化促進剤、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン系硬化促進剤及びその有機塩類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機酸塩類、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類等が挙げられる。これらの硬化促進剤は一種単独で用い、或いは二種以上を併用することができる。また、硬化促進剤の含有量は組成物全量に対して０．０５〜５重量％の範囲であることが好ましい。硬化促進剤の含有量が０．０５重量％未満であるとエポキシ樹脂と硬化剤の反応の充分な促進効果を得ることができず、成形サイクルが悪化するおそれがあり、逆に含有量が５重量％に満たないとゲル化時間が短くなりすぎるためボイドや未充填等の成形性の悪化が引き起こされるおそれがある。
【００３４】
更に、光半導体封止用樹脂組成物中には、上記成分のほか、必要に応じて適宜の離型剤、変色防止剤、シランカップリング剤、変性剤、赤外線吸収剤、可塑剤、希釈剤等を含有させても良い。
【００３５】
光半導体封止用樹脂組成物を調製するにあたっては、上記のような各成分をミキサー、ブレンダー等で均一にドライブレンドした後、ニーダー等の連続混練機で溶融混練し、次にこの混練物を冷却・固化した後、この固化物を粉砕することによって、組成物を調製することができる。この組成物は必要に応じてタブレット状やスティック状に成形しても良い。
【００３６】
図１は光半導体装置１の一例を示すものであり、この光半導体装置１は上記のように調製した光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子３を封止することによって製造することができる。
【００３７】
具体的には、図１（ａ）に示す光半導体装置１は対向型フォトカプラーの一例であり、このフォトカプラーは次のようにして製造することができる。すなわち、光半導体素子３として、発光素子であるＬＥＤ４と受光素子であるフォトダイオード５を、対向するリードフレーム６，６にそれぞれ実装する。このときＬＥＤ４の周りは光を透過するシリコーン８等でキャスティング等により封止する。次にこのリードフレーム６，６をＬＥＤ４とフォトダイオード５とが対向した状態で、このＬＥＤ４及びフォトダイオード５ごと、光を透過する封止材９にて封止する。前記封止材９は、例えばエポキシ樹脂組成物等の適宜の透明な樹脂組成物を用い、トランスファ成形等により形成することができる。次に、前記封止材９の周囲を光半導体封止用樹脂組成物にてトランスファ成形等により封止することで、この光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２にて全面を覆い、対向型フォトカプラーを得ることができる。
【００３８】
また、図１（ｂ）に示す光半導体装置１は単チャンネル型の反射型フォトカプラーであり、このフォトカプラーは次のようにして製造することができる。すなわち、光半導体素子３として発光素子であるＬＥＤ４と受光素子であるフォトダイオード５を対向させてリードフレーム６に実装し、このＬＥＤ４とフォトダイオード５をシリコーン８等で一体にドーム状にオーバーコートした後、これらを光半導体封止用樹脂組成物でトランスファー成形等して封止することによって、この光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２にて全面を覆い、単チャンネル型の反射型フォトカプラーを製造することができる。
【００３９】
なお、図１（ｂ）では、ＬＥＤ４及びフォトダイオード５、シリコーン８等が示されているが、実際には、リードフレーム６から導出された入出力用のピン７以外は、光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２で光半導体装置１の全体が被覆されているので、外部からＬＥＤ４等を視認することはできない。
【００４０】
また、通常、フォトカプラーのＬＥＤ４としては近赤外（９００〜１０００ｎｍ）の光を出すＧａＡｓ素子が使用されるが、これに限定されるものではなく、発光波長（色）の異なる化合物半導体からなる各種のＬＥＤ４を用いても良い。ＬＥＤ４やフォトダイオード５等の光半導体素子３が応力に弱い場合には上記のように弾性率の低いシリコーン６でオーバーコートすると、光半導体素子３を保護することができる。また、光半導体装置１内に設けられるＬＥＤ４とフォトダイオード５等からなる光半導体素子３の組み合わせを増加させることによって、２チャンネル以上の多チャンネル型の光半導体装置１を製造することもできる。
【００４１】
そして、図１に示す光半導体装置１においては、この光半導体装置１を封止する光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２中にチタニアが含有されており、硬化物の光透過率を低く設定しているので、光半導体装置１の内部のフォトダイオード等の光半導体素子３に外乱光が悪影響を及ぼすことを防止することができる。また、光半導体装置１の内部において硬化物により光信号を確実に反射させて、内部の光半導体素子３間の光伝達効率を向上することができるものである。
【００４２】
また、この光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２は、金属水酸化物として熱分解温度が異なる水酸化アルミニウム（熱分解温度約２００℃）と水酸化マグネシウム（熱分解温度約３４０℃）の両者を含有するため、環境に悪影響を及ぼすブロム化合物、三酸化アンチモン等を含まないだけでなく、耐炎性に優れた光半導体装置１を提供することが可能である。更に、これらの金属水酸化物を併用することにより、耐湿信頼性や成形性、硬化物物性の低下を引き起こす有機・無機リン化合物等を含有させることなく、耐炎性を大幅に向上することができるものであり、加えて前記金属水酸化物の表面をシラン系化合物で処理してコーティングすることによって、更に成形性や硬化物の曲げ強度、耐湿信頼性、耐リフロー性等の特性を向上することができ、環境性能を発揮しつつ、高い耐炎性、耐湿信頼性、成形性、硬化物物性を発揮することができるものである。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４４】
（原材料）
エポキシ樹脂として、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（第日本インキ化学工業株式会社製「Ｎ６５５ＥＸＰ−Ｓ」）、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製「ＨＰ−７２００Ｌ」）、及びブロム化エポキシ樹脂（住友化学株式会社製「ＥＳＢ４００Ｔ」）を用いた。
【００４５】
硬化剤として、フェノールノボラック（明和化成株式会社製「ＤＬ−６５」）を用いた。
【００４６】
硬化促進剤として、トリフェニルフォスフィン（北興化学工業株式会社製「ＴＰＰ」）を用いた。
【００４７】
無機充填材として、球状シリカ（平均粒径１５μｍ、最大粒径１００μｍ）及び破砕シリカ（平均粒径８μｍ、最大粒径１００μｍ）を、前者対後者が２：８の重量比となるように混合したものを用いた。
【００４８】
顔料として、チタニアを用いた。
【００４９】
金属水酸化物としては、表面処理を施していない水酸化アルミニウム（平均粒径１μｍ、最大粒径１０μｍ）、エポキシシラン化合物による表面処理が施された水酸化アルミニウム、明和電工株式会社製「ＨＰ−３６０ＳＴＥ」）、表面処理を施していない水酸化マグネシウム（平均粒径１μｍ、最大粒径１０μｍ）、及びシラン系化合物による表面処理が施された水酸化マグネシウム（協和化学工業株式会社製「キスマ−８ＳＮ」）を用いた。
【００５０】
無機難燃剤として三酸化アンチモン（株式会社鈴裕化学製「ＡＴ−３」）を用いた。
【００５１】
シランカップリング剤として、信越化学工業株式会社製「ＫＢＭ４０３」を用いた。
【００５２】
（光半導体封止用樹脂組成物の調製）
表１に示す各成分を配合し、これをミキサーで均一にドライブレンドした後、ニーダーで溶融混練し、次にこの混練物を冷却・固化した後、この固化物を粉砕することによって、光半導体封止用樹脂組成物を封止材料として調製した。
【００５３】
（耐炎性の評価）
金型温度１７５℃、キュア時間１２０秒の成形条件で、光半導体封止用樹脂組成物を金型を用いてトランスファー成形した後、１７５℃で６時間ポストキュアすることによって、厚み１／１６インチ（１．５９ｍｍ）の試験片を作製した。この試験片に対して、ＵＬ９４試験方法に従い、耐炎性を測定した。その結果を下記表１に示す。
【００５４】
（光透過率の評価）
上記耐炎性の評価時と同一の成形条件により５０ｍｍφ×０．３ｍｍｔの寸法の円盤状のテストピースを作製した。
【００５５】
このテストピースに対し、株式会社島津製作所製の積分球付き分光光度計を使用して、波長９４０ｎｍの光透過率及び光反射率を測定した。
【００５６】
光透過率については、０．０１％未満であるものを［◎］とし、０．０１〜０．３％であるものを［○］とし、０．３％を超えるものを［×］として評価した。その結果を下記表１に示す。
【００５７】
また、光反射率については、６５％未満であるものを［×］とし、６５〜９０％であるものを［○］とし、９０％を超えるものを［◎］として評価した。その結果を下記表１に示す。
【００５８】
（外乱光遮蔽性の測定）
図１（ｂ）に示すような単チャンネル型の反射型フォトカプラー（パッケージ形状：４ピンＤＩＰ）を次のようにしてそれぞれ５０個製造した。すなわち、ＬＥＤ４（ＧａＡｓ素子）とフォトダイオード５を対向させてリードフレーム６にそれぞれ実装し、ＬＥＤ４とフォトダイオード５をシリコーン８で一体にドーム状にオーバーコートした後、これを光半導体封止用樹脂組成物でトランスファー成形して封止することによって、単チャンネルの反射型フォトカプラーを製造した。このとき光半導体封止用樹脂組成物の硬化物２の最薄肉部の厚みが０．３ｍｍとなるようにした。
【００５９】
そして、この反射型フォトカプラーに外部から太陽光（自然光）を照射した場合の受光側の出力電流を測定した。受光側の出力電流が小さければ小さいほど、最薄肉部で光信号が阻止されていることとなり、外乱光の影響を受けずに反射型フォトカプラーが駆動することとなる。そして、受光側の出力電流が０．１μＡ未満であるものを［◎］とし、０．１μＡ〜０．１ｍＡであるものを［○］とし、０．１ｍＡを超えるものを［×］として、反射型フォトカプラーの外乱光遮蔽性の良否を判定した。尚、下記表１に示す結果は、５０個の評価用の反射型フォトカプラーについての平均的な評価である。
【００６０】
（流動性評価）
各実施例及び比較例につき、流動性評価用のパッケージ（１８ＳＯＰ）を、上記耐炎性の評価の場合と同一の条件で５０個ずつ作製した。得られたパッケージにつき、超音波探査装置を用いて、封止樹脂内部に存在するボイドを測定し、封止樹脂に対するボイドの体積比率を導出した。そして、ボイドの体積比率が０．０１％未満のものを［◎］、０．０１％以上０．１％未満のものを［○］、０．１％以上のものを［×］と評価した。
【００６１】
（曲げ強度の評価）
上記成形条件により４ｍｍ×１０ｍｍ×８０ｍｍの寸法のテストピースを成形した。次に、島津製作所製のオートグラフを用い試験速度２ｍｍ／ｍｉｎにて破断強度を測定した。このとき試験条件は、支点間距離６４ｍｍとし、支持台２ｍｍＲを使用した。そして破断強度が１２０ＭＰａ以上１７０ＭＰａ未満のものを［○］、１００ＭＰａ以上１２０ＭＰａ未満のものを［△］、１００ＭＰａ未満のものを［×］と判定して評価した。
【００６２】
（耐リフロー性の評価）
上記成形条件により評価用パッケージとして１８ＳＯＰを１０個作製した。この評価用パッケージに１２５℃で１６時間ベーク処理を施した後、８５℃／８５％ＲＨ／９６ｈｒの条件で吸湿前処理を施し、更にピーク温度２６０℃でのＩＲリフロー処理を三回施した。
【００６３】
リフロー処理後、超音波探査装置を用い、チップ表面の剥離発生の有無を各１０個のパッケージについて行った。そして、チップ剥離の発生がないものを［○］、チップ剥離の発生があるものを［×］と判定して評価した。尚、下記表１に示す結果は、１０個の評価用パッケージについての平均的な評価である。
【００６４】
（耐湿信頼性の評価）
上記成形条件により評価用パッケージとして回路幅３μｍのアルミニウム配線を施したテスト用素子を実装した１６ＤＩＰを各１０個作製した。この評価用パッケージに、８５℃／８５％ＲＨ／２５Ｖ／１０００ｈｒの条件で高温高湿バイアステストを実施し、電気的なオープン不良の発生がないものを［○］、オープン不良の発生があるものを［×］と判定して評価した。尚、下記表１に示す結果は、１０個の評価用パッケージについての平均的な評価である。
【００６５】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る光半導体装置を示すものであり、（ａ）は対向型フォトカプラーの一例を示す概略断面図、（ｂ）は反射型フォトカプラーの一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  光半導体装置
【図１】
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