(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の検出電極を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層を前記検出電極を覆って設けた基板型ガス検知素子であって、
前記ガス感応層は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子、および、当該コア粒子の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層を備えた構成粒子によって形成してある基板型ガス検知素子。
【請求項２】
前記微粒子層の厚さを１〜５ｎｍとしてある請求項１に記載の基板型ガス検知素子。
【請求項３】
前記構成粒子の表面にパラジウムを添加してある請求項１又は２に記載の基板型ガス検知素子。
【請求項４】
前記微粒子層にアンチモンを添加してある請求項１〜３の何れか一項に記載の基板型ガス検知素子。
【請求項５】
反応母液であるフッ化スズ酸錯体溶液に酸化チタンを添加して分散させる第一分散工程と、
ホウ酸水溶液を加えて析出反応を開始させる反応開始工程と、
溶液の温度を室温に維持して溶液を攪拌しながら１２〜２４時間のあいだ析出反応を持続させる析出工程と、
前記析出工程により形成された構成粒子を遠心分離する第一遠心分離工程と、
当該遠心分離された構成粒子を洗浄する洗浄工程と、
当該洗浄された構成粒子を減圧して乾燥する乾燥工程と、
乾燥した構成粒子を５００〜７５０℃で１〜３時間焼成する焼成工程と、を行うガス感応層の構成粒子の製造方法。
【請求項６】
前記洗浄工程および前記乾燥工程の間に、
洗浄した構成粒子を、塩化パラジウム水溶液中に分散させる第二分散工程と、
前記第二分散工程の後、形成された構成粒子を遠心分離する第二遠心分離工程と、を行う請求項５に記載のガス感応層の構成粒子の製造方法。
【請求項７】
前記反応母液にフッ化アンチモン酸溶液を混合してある請求項５又は６に記載のガス感応層の構成粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の検出電極を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層を前記検出電極を覆って設けた基板型ガス検知素子、および、当該ガス感応層の構成粒子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板型半導体式ガス検知素子は、例えば絶縁基板であるアルミナ基板上に一対の検出電極を蒸着し、その電極上を覆うガス感応層を形成してある。このガス感応層の抵抗は、ガス感応層の膜材料を構成する粒子表面の吸着酸素と被検知ガスとの酸化反応によって、トラップされていた電子が放されることで変化する。被検知ガスの検知はその抵抗の変化を測定して行う。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ガス感応層を、コア粒子と、当該コア粒子の表面を覆う金属酸化物の微粒子層とからなる構成粒子が集合したポーラス構造に形成してある基板型ガス検知素子が記載してある。
コア粒子はアルミナ粉体・シリカ粉体等の絶縁粒子、微粒子層は酸化スズ・酸化タングステン・酸化インジウム・酸化亜鉛および複合金属酸化物等の微粒子を使用している。
【０００４】
コア粒子の平均粒子径は、例えば数十ｎｍ〜数μｍ程度である。
微粒子層は、液相析出（ＬＰＤ）法によりコア粒子の表面に金属酸化物微粒子を析出させることで得られる。金属酸化物微粒子が酸化スズである場合、当該微粒子の平均粒子径は数〜数十ｎｍ（例えば５〜２０ｎｍ）程度であり、このとき、コア粒子を覆う微粒子層の膜厚は数十〜数百ｎｍ（例えば５０〜８００ｎｍ）程度となっている。
【０００５】
引例１におけるガス感応層の構成粒子は、コア粒子の表面上に金属酸化物をコーティングした状態でポーラス構造に形成してあるため、被検知ガスのパスである構成粒子間の空間が大きくなって、被検知ガスのガス感応層内部への拡散が容易となり速い応答が得られる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３８５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
引例１の基板型ガス検知素子は良好な応答性を有するが、設置場所などの条件により、
さらに良好なガス感度と応答速度が必要となる場合がある。さらに、ガス検知素子は、湿度依存性の小さいことが望まれる。
従って、本発明の目的は、応答特性に優れたガス感応層を有する基板型ガス検知素子、および、当該ガス感応層の構成粒子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の第一特徴構成は、一対の検出電極を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層を前記検出電極を覆って設けた基板型ガス検知素子であって、前記ガス感応層は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子、および、当該コア粒子の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層を備えた構成粒子によって形成した点にある。
【０００９】
本構成では、構成粒子であるコア粒子の主成分を酸化チタニウム、微粒子層の材質の主成分を酸化スズとした。酸化チタニウムの抵抗値は酸化スズよりはるかに高い。
ガス感応層の膜材料にこのような構成粒子を使用すると、検出電極間に流れる電流は、微粒子層を伝わる。そのため、基板型半導体式ガス検知素子の電気抵抗は微粒子層によって決定される。
後述の実施例に示したように、本構成の基板型ガス検知素子であれば、非常に応答速度が速く、被検知ガスに対して高いガス感度が得られ、さらに例えばガス感応層に酸化スズ粉体を使用した従来の基板型半導体式ガス検知素子に比べて湿度変化に対して安定した特性を有する。
【００１０】
本発明の第二特徴構成は、上記基板型ガス検知素子において、前記微粒子層の厚さを１〜５ｎｍとした点にある。
【００１１】
ガス感応層を形成する構成粒子の粒径、厚さなどのパラメータを制御することで、所望のガス感度と応答速度を得ることができる。本構成では、微粒子層の厚さを制御する。
本構成のように、微粒子層の厚さを１〜５ｎｍと超薄膜にすれば、コーティングした微粒子層の粒子径は極めて小さくなるため高活性となる。従って、本構成のように超薄膜の微粒子層を有する構成粒子を使用して構成したガス感応層により、良好なガス拡散性および高感度な特性を有するガス検知素子とすることができる。よって、当該本発明の基板型ガス検知素子は良好な応答特性を有する。
微粒子層の厚さが１〜５ｎｍである超薄膜状態では、粒子間のネック部（粒界）の伝導電子の伝道経路は殆ど閉ざされ、伝導電子の移動はポテンシャルエネルギーが高い空間電荷層を経由することとなり、空気中のガス検知素子の抵抗は高くなる。このような状態で表面吸着酸素が被検知ガスによって消費されると空間電荷層が減少し、前記ネック部の伝道経路が開いてガス検知素子の抵抗が激しく変化する。従って、本構成は高感度化する。
【００１２】
さらに、微粒子層の厚さが１〜５ｎｍである超薄膜状態では、構成粒子において、酸化チタンと酸化スズの界面附近で焼成時に金属元素の熱拡散が起こり、その結果、材料の感ガス特性が従来の酸化スズ材料と異なり、従来の酸化スズによるセンサより湿度の影響が小さくなる。
【００１３】
本発明の第三特徴構成は、上記基板型ガス検知素子において、前記構成粒子の表面にパラジウムを添加した点にある。
【００１４】
本構成のように、パラジウムを構成粒子の表面に添加することにより、さらに材料の酸化活性を高めて基板型ガス検知素子の感度を向上させることができる。また、検知対象ガスより容易に酸化される水素、エタノールなどの妨害ガスをガス感応層の表面で反応・除去して、基板型ガス検知素子のガス選択性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の第四特徴構成は、上記基板型ガス検知素子において、前記微粒子層にアンチモンを添加した点にある。
【００１６】
前記微粒子層の酸化スズは超薄膜状態となっており、このような微粒子を有するガス感応層の電気抵抗は非常に高くなる場合がある。そのため、本構成では、微粒子層にアンチモンを添加することによって、ガス感応層の電気伝導度を高めることができる。
【００１７】
本発明の第五特徴構成は、ガス感応層の構成粒子の製造方法であって、反応母液であるフッ化スズ酸錯体溶液に酸化チタンを添加して分散させる第一分散工程と、ホウ酸水溶液を加えて析出反応を開始させる反応開始工程と、溶液の温度を室温に維持して溶液を攪拌しながら１２〜２４時間のあいだ析出反応を持続させる析出工程と、前記析出工程により形成された構成粒子を遠心分離する第一遠心分離工程と、当該遠心分離された構成粒子を洗浄する洗浄工程と、当該洗浄された構成粒子を減圧して乾燥する乾燥工程と、乾燥した構成粒子を５００〜７５０℃で１〜３時間焼成する焼成工程と、を行う点にある。
【００１８】
本構成によれば、コア粒子の主成分を酸化チタニウム、微粒子層の主成分を酸化スズをとした構成粒子を作製することができる。
析出工程の時間、焼成工程の温度および時間を本構成のように制御することで、当該構成粒子の微粒子膜の膜厚を所望の厚さに形成できる。このような構成粒子を使用することで、例えば所望の応答特性・耐湿度特性を有するガス感応層を備えた基板型ガス検知素子を形成することができる。
【００１９】
本発明の第六特徴構成は、上記ガス感応層の構成粒子の製造方法において、前記洗浄工程および前記乾燥工程の間に、洗浄した構成粒子を、塩化パラジウム水溶液中に分散させる第二分散工程と、前記第二分散工程の後、形成された構成粒子を遠心分離する第二遠心分離工程とを行う点にある。
【００２０】
本構成によれば、表面にパラジウムを添加した構成粒子を形成することができる。パラジウムを表面に添加した構成粒子を使用したガス感応層を備えた基板型ガス検知素子を形成すると、さらに材料の酸化活性が高まり、ガス感度およびガス選択性を向上させることができる。
【００２１】
本発明の第七特徴構成は、上記ガス感応層の構成粒子の製造方法において、前記反応母液にフッ化アンチモン酸溶液を混合した点にある。
【００２２】
本構成によれば、微粒子層にアンチモンを添加することができる。アンチモンを添加した微粒子層を有する構成粒子を使用したガス感応層を備えた基板型ガス検知素子を形成すると、ガス感応層の電気伝導度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１〜３に示したように、本発明の基板型ガス検知素子１０は、一対の検出電極１１，１２を設けてなるアルミナ基板等の絶縁基板１３上に、金属酸化物半導体を主成分とするガス感応層１４を検出電極１１，１２を覆って設けてある。ガス感応層１４は、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子ｐ１、および、当該コア粒子ｐ１の外側に酸化スズを主成分とする微粒子層ｐ２を備えた構成粒子Ｐによって形成してある。
【００２４】
酸化チタニウムの抵抗値は酸化スズよりはるかに高い。
ガス感応層の膜材料にこのような構成粒子を使用すると、検出電極間に流れる電流は、微粒子層を伝わる。そのため、基板型半導体式ガス検知素子の電気抵抗は微粒子層によって決定される。
【００２５】
微粒子層ｐ２の厚さは１〜５ｎｍとしてある。
本構成のように、微粒子層ｐ２の厚さを１〜５ｎｍと超薄膜にすれば、コーティングした微粒子層ｐ２の粒子径は極めて小さく（＜微粒子層ｐ２の厚さ）、高活性となる。従って、本構成のように超薄膜の微粒子層ｐ２を有する構成粒子Ｐを使用して構成したガス感応層１４により、良好なガス拡散性および高感度な特性を有するガス検知素子とすることができる。よって、当該本発明の基板型ガス検知素子１０は良好な応答特性を有する。
さらに、構成粒子Ｐにおいて、酸化チタンと酸化スズの界面附近で焼成時に金属元素の熱拡散が起こり、その結果、材料の感ガス特性が従来の酸化スズ材料と異なり、従来の酸化スズによるセンサより湿度の影響が小さくなる。
微粒子層ｐ２の厚さが１〜５ｎｍとなっている範囲は、構成粒子Ｐの全表面に亘っている場合、或いは、構成粒子Ｐの全表面の一部だけの場合の何れであってもよい。
【００２６】
構成粒子Ｐの表面にはパラジウムが添加してある。
パラジウムを構成粒子Ｐの表面に添加することにより、さらに材料の酸化活性を高めて基板型ガス検知素子１０の感度を向上させることができる。また、検知対象ガスより容易に酸化される水素、エタノールなどの妨害ガスをガス感応層１４の表面で反応・除去して、基板型ガス検知素子１０のガス選択性を向上させることができる。
パラジウムは超微粒子状態で構成粒子Ｐの表面に固定化されている。
【００２７】
また、微粒子層ｐ２にはアンチモンを添加してある。
微粒子層ｐ２の酸化スズは超薄膜状態となっており、このような微粒子を有するガス感応層１４の電気抵抗は非常に高くなる場合がある。そのため、本構成では、微粒子層ｐ２にアンチモンを添加することによって、ガス感応層１４の電気伝導度を高めることができる。
【００２８】
尚、絶縁基板１３の裏面には、基板型半導体式ガス検知素子１０の動作温度を維持するため、白金薄膜ヒーター１５が設けてある。
【００２９】
＜ガス感応層の構成粒子の製造方法＞
ガス感応層１４における構成粒子Ｐは、液相析出（ＬＰＤ）法により、コアとなる酸化チタニウム（ＴｉＯ2）のコア粒子ｐ１の表面に、酸化スズ（ＳｎＯ2）を主成分とする微粒子層ｐ２を析出して形成される。
【００３０】
図４に、本発明のガス感応層１４の構成粒子Ｐの製造方法を示す。
即ち、反応母液であるフッ化スズ酸錯体溶液に酸化チタンを添加して分散させる第一分散工程Ａと、ホウ酸水溶液を加えて析出反応を開始させる反応開始工程Ｂと、溶液の温度を室温に維持して溶液を攪拌しながら１２〜２４時間のあいだ析出反応を持続させる析出工程Ｃと、当該析出工程Ｃにより形成された構成粒子を遠心分離する第一遠心分離工程Ｄと、当該遠心分離された構成粒子を洗浄する洗浄工程Ｅと、当該洗浄された構成粒子を減圧して乾燥する乾燥工程Ｈと、乾燥した構成粒子を５００〜７５０℃で１〜３時間焼成する焼成工程Ｉと、を行う。
【００３１】
好ましくは、前記洗浄工程Ｅおよび前記乾燥工程Ｈの間に、洗浄した構成粒子を、塩化パラジウム水溶液中に分散させる第二分散工程Ｆと、当該第二分散工程の後、形成された構成粒子を遠心分離する第二遠心分離工程Ｇと、を行う。
【００３２】
（第一分散工程）
反応母液（フッ化スズ酸錯体溶液）は、第一フッ化スズをイオン交換水に溶解させ、酸化により得られた酸化スズ沈殿をフッ化水素酸溶液に溶解させたものである。フッ化スズ酸錯体溶液中のスズの濃度は、例えば０．０１〜０．３ｍｏｌ/Ｌとする。
当該反応母液には、フッ化アンチモン酸溶液を混合しておいてもよい。フッ化アンチモン（ＨＳｂＦ6）酸溶液の濃度は、例えば、析出物のアンチモン含有比（Ｓｂ/Ｓｎ）が０．０１〜０．３となるように調整する。
酸化チタンは、平均粒子径φ３０〜４０ｎｍ程度の微粒子を使用する。
第一分散工程Ａでは、酸化チタン超微粒子粉体を反応母液に加えて攪拌し、超音波振動器にて均一に分散させる。
【００３３】
（反応開始工程）
ホウ酸水溶液は反応開始剤である。ホウ酸水溶液の濃度は、例えば０．４〜０．６ｍｏｌ/Ｌとする。反応開始工程Ｂは、当該ホウ酸水溶液を、第一分散工程Ａで作成した（分散）溶液に添加し、析出反応を開始させる。
【００３４】
（析出工程）
析出工程Ｃは、反応開始工程Ｂで反応を開始させた溶液を室温に維持するため、例えば恒温槽などの中で行なう。このとき、コア粒子ｐ１および構成粒子Ｐが沈殿しないように、スターラー等の攪拌手段によって攪拌しながら、或いは、反応容器を完全に密封した状態で転倒混和させながら、１２〜２４時間のあいだ、析出反応を持続させる。析出時間は、所望の微粒子層ｐ２の膜厚が得られる時間を設定する。反応母液の濃度および析出時間は、膜厚を決定する重要なパラメータとなる。本発明のガス感応層１４の構成粒子Ｐの製造方法では、当該微粒子層ｐ２の膜厚を、１〜５ｎｍに制御することが可能である。
【００３５】
（第一遠心分離工程）
第一遠心分離工程Ｄは、析出工程Ｃが終了した反応液から構成粒子Ｐを遠心分離機によって分離する。遠心分離の条件は、例えば２０００〜２５００ｒｐｍ、５〜１０分とする。
【００３６】
（洗浄工程）
洗浄工程Ｅでは、第一遠心分離工程Ｄで分離された構成粒子Ｐを、イオン交換水で洗浄する。適量のイオン交換水に当該構成粒子Ｐを加え、遠心分離機にて水と構成粒子Ｐとを分離する。遠心分離の条件は第一遠心分離工程Ｄと同様に行う。この洗浄操作を複数回行なう。
【００３７】
（第二分散工程）
第二分散工程Ｆは、洗浄工程Ｅによって洗浄した微粒子を、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2）水溶液中に分散させる。塩化パラジウム水溶液の濃度は、例えば０．０１〜０．１重量％とする。
【００３８】
（第二遠心分離工程）
第二遠心分離工程Ｇは、第二分散工程Ｆで得た分散溶液から微粒子を遠心分離機によって分離する。遠心分離の条件は第一遠心分離工程Ｄと同様に行う。
【００３９】
（乾燥工程）
乾燥工程Ｈは、上記処理によって得られた微粒子を、減圧して乾燥する。減圧条件は、例えば、２５〜５０℃、３００ｈＰａ以下とする。
【００４０】
（焼成工程）
焼成工程Ｉは、乾燥した構成粒子Ｐを５００〜７５０℃で１〜３時間焼成する。焼成後、粉砕して得られた構成粒子Ｐをガス感応層の構成材料とする。
【００４１】
析出工程の時間、焼成工程の温度および時間を本構成のように制御することで、構成粒子の微粒子膜の膜厚を所望の厚さに形成できる。よって、このような構成粒子を使用することで、所望の応答特性・耐湿度特性を有するガス感応層を備えた基板型ガス検知素子を形成することができる。
【実施例１】
【００４２】
ＬＰＤ法によって、酸化スズを主成分とする微粒子層ｐ２を、酸化チタニウムを主成分とするコア粒子ｐ１上に析出して得た構成粒子Ｐで検知素子のガス感応層１４を作製し、メタン等の可燃性を検知する基板型ガス検知素子１０を作製した。以下、その実施例を説明する。
【００４３】
第一フッ化スズ（ＳｎＦ２）を過酸化水素と反応させて低結晶性の酸化スズを合成した。この酸化スズ０．５６ｇを１．６％のフッ化水素酸水溶液４０ｍＬに溶解させ、イオン交換水で全量１２０ｍＬとなるように調整して反応母液（フッ化スズ酸錯体溶液：０．１２５ｍｏｌ/Ｌ）を作製した。
平均粒子径φが３６ｎｍの酸化チタニウム微粒子０.１ｇを上記反応母液に加えて攪拌し、超音波振動器によって反応母液中に均一に分散させた（第一分散工程Ａ）。
【００４４】
第一分散工程Ａで作成した分散溶液に、反応開始剤である０．５ｍｏｌ/Ｌのホウ酸水溶液８０ｍＬを添加した（反応開始工程Ｂ）。
【００４５】
析出反応は、恒温槽の内部で、溶液の温度を３０℃に維持して行なった。析出反応はスターラーによって攪拌しながら２４時間持続させた（析出工程Ｃ）。
【００４６】
析出反応が終了した後、遠心分離機によって反応母液から酸化チタニウムコアに酸化スズが析出した構成粒子Ｐを分離した（第一遠心分離工程Ｄ）。遠心分離は２５００ｒｐｍで５分間行なった。
【００４７】
遠心分離した構成粒子Ｐをイオン交換水で洗浄した（洗浄工程Ｅ）。適量のイオン交換水に微粒子を加え、遠心分離機にて水と構成粒子Ｐとを分離する操作を、６回繰り返した。
【００４８】
洗浄した構成粒子Ｐを、０．０５５ｍｏｌ/Ｌの塩化パラジウム水溶液中に分散させた（第二分散工程Ｆ）。第二分散工程Ｆで作成した分散溶液から構成粒子Ｐを遠心分離した（第二遠心分離工程Ｇ）。分離した構成粒子Ｐを減圧乾燥させ（乾燥工程Ｈ）、５００℃で焼いた後、粉砕してガス感応層の構成材料Ｐを得た。
【００４９】
得られた構成粒子Ｐにエチレングリコールを添加してペースト状とし、櫛型電極１１，１２が設けてあるアルミナ絶縁基板１３に塗布し、７５０℃で２時間焼成し（焼成工程Ｉ）、基板型ガス検知素子１０を作製した。
このとき作製されたガス感応層１４の厚さは５５μｍである。このように、ガス感応層１４の厚さを厚膜センサと同等にすることで、良好な長期安定性と耐被毒性を持つことができる。
【００５０】
ガス検知素子の動作温度を例えば５５０℃のように高温に設定すれば、酸化活性を向上した可燃性ガス検知素子とすることができる。一方、ガス検知素子の動作温度を例えば３００℃以下に設定すれば、応答速度の速いＣＯ検知素子とすることができる。
【実施例２】
【００５１】
実施例１で作製した基板型半導体式ガス検知素子１０を用いて、被検知ガスであるメタン、妨害ガスである水素およびエタノールを検知したときの感度特性を調べた。結果を図５に示した。
この結果、メタンに対する感度は、妨害ガスである水素およびエタノールに対する何れの感度よりも優れていることが判明した。
尚、メタンについては、さらに高濃度の場合における感度特性を調べた。メタン濃度は０〜１００００ｐｐｍまで設定した。結果を図６に示した。
【００５２】
【表１】
0005010541.tif 000002
【００５３】
この結果、１００００ｐｐｍもの高濃度のメタンについても問題なく検知できるため、本発明の基板型ガス検知素子は実用においても好適に使用することができるものと認められた。
【実施例３】
【００５４】
実施例１で作製した基板型半導体式ガス検知素子１０を用いて、被検知ガスであるメタンに対する応答特性を調べた。結果を図７に示した。基板型半導体式ガス検知素子１０の起動後、約１００秒毎にガスを注入して測定した。その結果、各時間において直ちに電気抵抗の変化を検出してその直後に電気抵抗が安定した結果が得られた。９０％のフル応答時間は３秒以下で非常に早い応答を示した。
これより、本発明の基板型ガス検知素子は、ガス感応膜１４が厚膜（５５μｍ）であるにもかかわらず、非常に応答速度が速く、被検知ガスに対して高いガス感度が得られるものと認められる。
【実施例４】
【００５５】
実施例１で作製した基板型半導体式ガス検知素子１０を用いて、湿度特性を調べた。結果を図８に示した。
図８には、測定チャンバー（２０Ｌ）内の湿度を、ＲＨ４０％からドライエアで完全ドライ雰囲気になるまで置換した時のセンサのベース抵抗の変化を示している（置換速度３．３Ｌ/ｍｉｎ）。実線はガス感応層１４に構成粒子Ｐを使用した本願発明の基板型半導体式ガス検知素子１０のベース抵抗を示し、破線はガス感応層に酸化スズ粉体を使用した従来の基板型半導体式ガス検知素子のベース抵抗をそれぞれ示している。ここでは、任意湿度下のセンサ抵抗値Ｒｓと、湿度ＲＨ４０％におけるセンサ抵抗値Ｒｓ（ＲＨ４０％）の比Ｒｓ/Ｒｓ（ＲＨ４０％）で湿度変化に対するセンサ抵抗値の変動を示している。
図８の結果より、本願発明の基板型半導体式ガス検知素子１０は、湿度変化に対して安定した特性を有するものと認められた。
【００５６】
〔別実施の形態〕
上述の実施形態では、半導体式ガス検知素子として基板型ガス検知素子である場合について説明した。しかし、これに限られるものではなく、熱線型半導体式ガス検知素子、直熱型半導体式ガス検知素子、傍熱型半導体式ガス検知素子等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、特に基板型ガス検知素子の応答特性を向上させるために利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の基板型ガス検知素子の概略図
【図２】構成粒子の概略図
【図３】基板型ガス検知素子の要部概略図
【図４】本発明のガス感応層の構成粒子の製造方法の概略を示した図
【図５】本発明の基板型ガス検知素子の感度特性を調べた結果を示した図
【図６】本発明の基板型ガス検知素子の感度特性を調べた図
【図７】本発明の基板型ガス検知素子の応答特性を調べた図
【図８】本発明の基板型ガス検知素子の湿度特性を調べた図
【符号の説明】
【００５９】
１０              基板型ガス検知素子
１１，１２        検出電極
１３              絶縁基板
１４              ガス感応層
Ｐ                構成粒子
ｐ１              コア粒子
ｐ２              微粒子層
【図１】
0005010541.tif 000003
【図２】
0005010541.tif 000004
【図３】
0005010541.tif 000005
【図４】
0005010541.tif 000006
【図５】
0005010541.tif 000007
【図６】
0005010541.tif 000008
【図７】
0005010541.tif 000009
【図８】
0005010541.tif 000010