(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、前記支持体に載置された発光素子とを備えた光源装置であって、
前記発光素子は、光を射出する複数の発光部と、前記支持体に対向する面に形成された素子電極とを有し、
前記支持体は、前記発光素子と対向する面に形成された支持体電極と、
前記素子電極と前記支持体電極とを接合する複数の接合材と、
前記素子電極及び前記支持体電極と接触し、かつ、前記接合材の熱伝導率より大きい熱伝導率である複数の伝熱部材と、を備え、
前記複数の前記発光部は、直線に配列され、
前記接合材及び前記伝熱部材は、前記直線方向に対して交差する方向に延びた柱状であり、前記直線方向に交互に配列されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置において、
前記伝熱部材が前記素子電極に接触する面積は、前記伝熱部材が前記支持体電極に接触する面積よりも大きいことを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光源装置において、
前記複数の前記伝熱部材の高さが略等しいことを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載の光源装置において、
前記素子電極は、前記複数の前記発光部に対応して設けられており、
前記発光素子の前記素子電極が形成された面には、前記素子電極と略等しい高さを有する凸部が前記素子電極を取り囲むように設けられており、
前記伝熱部材は、前記凸部及び前記支持体電極と接触していることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れか１項に記載の光源装置において、
前記支持体電極は、前記素子電極に対応して分割して設けられており、
前記接合材が絶縁材料、前記伝熱部材が導電材料で構成されていることを特徴とする光源装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１項に記載の光源装置において、
基板と、配線層とを有する配線基板を備え、
前記配線層と前記支持体電極とが導電接続されていることを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１項に記載の光源装置において、
基板と、配線層とを有する配線基板と、
前記接合材、前記伝熱部材を有する接合部材と、を備え、
前記配線層は、前記支持体と前記発光素子との間で挟持され、
前記素子電極と前記配線層とが、前記接合部材を介して導電接続されていることを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載の光源装置を備えたプロジェクタ。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか１項に記載の光源装置を備えたモニタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置、プロジェクタ、モニタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子装置においては、基台上に載置されたサブマウント上に素子チップを配置していた。また、基台とサブマウントとの接続、及びサブマウントと素子チップとの接続にはんだが用いられていた。（特許文献１）
【特許文献１】特開平１１−３０７８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、はんだの熱伝導率が小さいのではんだにより熱の伝達が阻害され、このような接続方法では、素子チップからサブマウントへの放熱を効率的に行うことができない。その結果、半導体レーザチップの温度が上昇し、レーザ特性に影響を与えている。
【０００４】
本発明は、放熱性を向上させた光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
支持体と、前記支持体に載置された発光素子とを備えた光源装置であって、前記発光素子は、光を射出する発光部と、前記支持体に対向する面に形成された素子電極とを有し、前記支持体は、前記発光素子と対向する面に形成された支持体電極を有し、前記素子電極と前記支持体電極とが、接合材と、前記接合材中に前記接合材より熱伝導率の大きな伝熱部材とを含む接合部材を介して導電接続されていることを特徴とする光源装置である。
このような構造を備えることで、前記素子電極と前記支持体電極とが、接合材と、前記接合材中に前記接合材より熱伝導率の大きな伝熱部材とを含む接合部材を介して導電接続されているので、発光素子で発生した熱は、接合部材中の熱伝導率の大きな伝熱部材を介して確実に支持体に放熱される。これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。
【０００６】
前記伝熱部材は、前記素子電極及び前記支持体電極と接触していることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記伝熱部材は、その一方が前記素子電極と、その他方が前記支持体電極と直接接触するので、発光素子で発生した熱は、素子電極から結合部材中の伝熱部材を介して確実に支持体側に放熱される。これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。
【０００７】
前記接合部材中には複数の前記伝熱部材が含まれ、前記接合部材中における複数の前記伝熱部材の高さが略等しいことが好ましい。
このような構造を備えることで、前記接合部材中には複数の前記伝熱部材が含まれ、前記接合部材中のそれらの高さが等しいので、発光素子で発生した熱は、素子電極の形成面から複数の放熱経路を通って確実に支持体に放熱される。これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。また、前記素子電極と前記支持体電極との間隔を均一にできるので、前記発光部から射出されるレーザ光の角度を一定にできる。
【０００８】
前記発光素子は、複数の前記発光部を有し、前記素子電極は、前記複数の発光部に対応して設けられており、前記発光素子の前記素子電極が形成された面には、前記素子電極と略等しい高さを有する凸部が前記素子電極を取り囲むように設けられており、前記伝熱部材は、前記凸部及び前記支持体電極と接触していることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記伝熱部材は、その一方が前記凸部と、その他方が前記支持体電極と直接接触するので、素子電極からの放熱経路に加え、凸部からの放熱経路が増加し、前記発光素子からの放熱性を向上させることができる。これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。
【０００９】
前記接合部材中の複数の前記伝熱部材は、前記接合材によって互いに分離されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記接合部材中の複数の前記伝熱部材同士は、前記接合材によって分離しているので、伝熱部材同士、さらには複数の発光部同士の熱的干渉を防止し、発光素子の温度上昇を抑えることができ、前記発光素子の特性を安定化した光源装置とすることができる。
【００１０】
前記支持体電極は、前記素子電極に対応して分割して設けられており、前記接合材が絶縁材料、前記伝熱部材が導電材料で構成されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記素子電極を電気的に独立させることができるので、前記発光部を独立して駆動することができる。これにより、前記発光部での出力を調節することが可能となり、消費電力を低減することができる。
【００１１】
基板と、配線層とを有する配線基板を備え、前記配線層と前記支持体電極とが導電接続されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、発光素子で発生した熱は伝熱部材を介して支持体に伝わり、支持体内部へ放散されるとともに、支持体電極を介して前記配線層へも放熱される。したがって発光素子からの放熱経路を拡大することができ、これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。
【００１２】
基板と、配線層とを有する配線基板を備え、前記配線層は、前記支持体と前記発光素子との間で挟持され、前記素子電極と前記配線層とが、前記接合部材を介して導電接続されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、発光素子の熱を伝熱部材を介して配線層に伝わり、配線層内部を伝達して配線基板側と支持体側との双方に放熱される。これにより、前記発光素子の自己発熱による温度上昇を抑え、前記発光素子の特性を安定化できる。
【００１３】
本発明の光源装置を備えたプロジェクタである。この構造を備えることで、光源装置の放熱性を向上させることができるので、加熱による特性の変化を抑えたプロジェクタとすることができる。
【００１４】
本発明の光源装置を備えたモニタ装置である。この構造を備えることで、光源装置の放熱性を向上させることができるので、加熱による特性の変化を抑えたモニタ装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明に係る光源装置、プロジェクタ及びモニタ装置の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態の光源装置１の概略斜視図である。図２（ａ）は、光源装置１の半導体レーザチップ（発光素子）１２及び周辺の構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。これらの図を用いて、光源装置１の構成について説明する。
【００１７】
光源装置１は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板（配線基板）２０と、固定部材４０と、波長変換素子３０とを備えている。保持部材１０上に支持体１１が載置され、支持体１１上に半導体レーザチップ（発光素子）１２が載置されている。波長変換素子３０は、半導体レーザチップ１２に対して支持体１１と反対側に配置されている。波長変換素子３０は、保持部材１０上に載置された固定部材４０に固定されている。また、半導体レーザチップ１２には、電流供給基板２０が接続されている。さらに、外部共振器としての波長選択素子を波長変換素子３０の外側の光路上に配置してもよい。
【００１８】
保持部材１０は、支持体１１と固定部材４０とを位置決めした状態で支持する部材である。保持部材１０の材質は任意のものを用いることができるが、高熱伝導性を有することが好ましい。保持部材１０の材質としては、例えば、セラミックスやＣｕ(銅)材料を挙げることができる。
【００１９】
支持体１１は、保持部材１０上に載置されて半導体レーザチップ１２を支持している。支持体１１の材質は、高熱伝導性を有するものが好ましい。支持体１１の材質としては、例えば、セラミックスやＣｕ（銅）材料を挙げることができる。
【００２０】
半導体レーザチップ１２と対向する支持体１１の上面には、半導体レーザチップ１２と電気的に接続するための支持体電極９が配置されている。本実施形態では、支持体電極９が複数のエミッタ（発光部）１２ａに対して共通の電極となっていることが特徴である。支持体電極９は、支持体１１の上面の略全面を覆って形成されている。また、半導体レーザチップ１２との接続部から半導体レーザチップ１２の外側に延出されている。
【００２１】
半導体レーザチップ１２は平面視略矩形状で、レーザ光を照射する複数のエミッタ１２ａが半導体レーザチップ１２の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って直線状に配列されている（図２（ａ））。
【００２２】
略矩形状のエミッタ基板１５上面には、カソード電極１３が各エミッタ１２ａに対応する開口部１３ｅを有して配置されている。
【００２３】
エミッタ基板１５の下面には、第１の反射層１６、活性層１７、第２の反射層１８、アノード電極（素子電極）１４が順次積層されている。第１の反射層１６、活性層１７、第２の反射層１８は各エミッタ１２ａに対して共通であるが、アノード電極１４はそれぞれのエミッタ１２ａに対応して独立に配置されている。活性層１７において、アノード電極１４上に平面視で重なる領域には、電流狭窄された活性領域１７ａが形成され、この部分からレーザ光が生成される。
【００２４】
波長変換素子３０は、入射端面３０ａが半導体レーザチップ１２のエミッタ１２ａに対向するように配置されている。波長変換素子３０は、エミッタ１２ａから射出された光の波長を変えて、赤色、緑色、青色の波長の光を得るために用いられる。
【００２５】
固定部材４０は、端面４０ａ，４０ｂ側に２つの直方体状の脚部４０ｃ，４０ｄが設けられている。そして、この２つの脚部４０ｃ，４０ｄ上に、波長変換素子３０が載置されている。このようにして、半導体レーザチップ１２と波長変換素子３０との位置関係は一定に保たれている。
【００２６】
電流供給基板２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層２４の保護層２７とが、接着剤層（絶縁層）２３を介して接続されたものである。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層２２の端子部（第１の端子）２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部（第２の端子）２４ａが引き出され、半導体レーザチップ１２と接続されている。
【００２７】
引き出されたカソード配線層２２の端子部２２ａはカソード電極１３の辺端部１３ａと導電部材１９ａを介して接続されている。引き出されたアノード配線層２４の端子部２４ａは支持体電極の端子部９ａと導電部材１９ｂを介して接続されている。導電部材１９ａ、１９ｂは、例えばインジウム、スズなどを用いることができる。
【００２８】
保護膜２１、２５、及び絶縁層２３の材質としては、ポリイミド、アクリル、エポキシなどの絶縁性を有する樹脂材料、又はガラスエポキシなどの材料が用いられる。
【００２９】
カソード配線層２２、及びアノード配線層２４の材質としてはＣｕ（銅）などが用いられる。カソード配線層２２、及びアノード配線層２４は、メッキ法などにより薄膜状に形成される。カソード配線層２２、及びアノード配線層２４の膜厚は３０μｍ以上５００μｍであることが好ましい。膜厚が３０μｍ未満では、配線層２２、２４の強度が不足し、５００μｍ以上を超える範囲では、材料費が多大となる。また、配線層と端子部の厚さを変えて、端子部だけ厚くすることも可能である。
【００３０】
また、支持体１１上に引き出されたカソード配線層２２の端子部２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部２４ａは、前述した銅の薄膜をそのまま用いてもよいが、ＣｕＷ（銅タングステン合金）、ＢｅＯ（酸化ベリリウム）などの熱伝導率が大きい材料を用いてもよい。また、銅の薄膜にＮｉ（ニッケル）や金メッキを施したものを端子部２２ａ、２４ａとして用いることもできる。これにより、端子部２２ａ、２４ａは電気伝導度が向上するとともに、高熱伝導性を有し放熱性が向上する。
【００３１】
アノード電極１４と支持体電極９と接続には、接合材５の中に伝熱部材６が分散された接合部材７を用い、加熱、加圧して両者を接着させる熱圧着法により行われる。熱圧着には圧着用治具（図示は省略）が用いられる。
【００３２】
本実施例のように、支持体電極９が複数のエミッタ１２ａに対して共通の電極となっている場合には、接合材５と伝熱部材６との組み合わせとして、次のような組み合わせとすることが考えられる。
【００３３】
第１の組み合わせは、接合材５に絶縁性を有する材料を用い、伝熱部材６には導電性を有する材料を用いた組み合わせである。
第２の組み合わせは、接合材５に導電性を有する材料を用い、伝熱部材６に絶縁性又は導電性を有する材料を用いた組み合わせである。
【００３４】
最初に、第１の組み合わせについて説明する。
絶縁性を有する接合材５としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の熱硬化性樹脂などが挙げられる。これらの絶縁性を有する結合材５は、一般的に熱伝導性が低いため、伝熱部材６には高熱伝導性を有する材質を用いる。
【００３５】
伝熱部材６としては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｂｅなどの金属単体、又はＣｕ−Ｗ、Ｃ−Ｍｏなどの合金などを挙げることができる。また、絶縁材料のＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＳｉＣなどのセラミック、又は炭素系材料の表面に導電性のＡｕ、Ｎｉ／Ａｕでメッキして導電性を付与したものなども用いることができる。表１に代表的な材質の熱伝導率を示す。伝熱部材６には、表１を参照し接合材５の熱伝導率を考慮しながら適宜最適なものを選択して使用する。
【００３６】
【表１】
0004967851.tif 000002
【００３７】
伝熱部材６は、例えば、球体、直方体、円柱などの形状に成形されたものを用いることができる。
伝熱部材６に球体を用いると、伝熱部材６が接合材５において均一に分散させた接合部材７とすることができる。この接合部材７を用いることで、アノード電極１４から支持体１１に効率よく放熱することができる。また、球体に形成された伝熱部材６の径を略均一に揃えることで、アノード電極１４と支持体１１との間隔を均一にすることができる。この結果、半導体レーザチップ１２のエミッタ１２ａと波長変換素子３０との間隔を均一にすることができる。
【００３８】
伝熱部材６には、球体に代え直方体や円柱などの柱状のものを用いることができる。この場合には、伝熱部材６がアノード電極１４、又は支持体電極９と接触する領域が広がり、放熱性を更に向上させることができる。また、配置された伝熱部材６の厚さ（Ｚ軸方向）を均一に揃えることにより、アノード電極１４と支持体１１との間隔を一定にすることができる。
【００３９】
伝熱部材６が分散された接合材５は、シート状に形成されて接合部材７とすることができる。フィルム状の接合部材７は、アノード電極１４と支持体電極９とで挟持されるように配置される。
【００４０】
伝熱部材６が球状のものは、ペースト状の接合部材７として用いることもできる。この場合、支持体電極９の上にスクリーン印刷法、ディスペンス法などにより塗布することができる。
【００４１】
伝熱部材６が導電性粒子であり、接合材５が絶縁性の可撓性材料である場合には、接合部材７として、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を採用することができる。
【００４２】
次に、第２の組み合わせについて説明する。この組み合わせでは接合材５に導電性を有する材料を用い、伝熱部材６には絶縁性又は導電性を有する材料を用いる。
【００４３】
導電性を有する接合材５としては、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎなどの低融点金属単独のほか、Ａｕ−Ｓｕ、Ｐｂ−Ｓｎなどの低融点金属との合金を用いることができる。
【００４４】
導電性を有する伝熱部材６を用いる場合には、結合材５と伝熱部材６とが導電性を有するため、アノード電極１４と支持体電極９との電気接続の信頼性を格段に向上させることができる。導電性を有する伝熱部材６としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｅなどの金属単体、又はＣｕ−Ｗ、Ｃ−Ｍｏなどの合金などを用いることができる。また、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＳｉＣなどのセラミック、又は炭素系材料の表面にＡｕ、Ｎｉ／Ａｕでメッキしたものなども用いることができる。
【００４５】
一方、絶縁性を有する伝熱部材６としては、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＳｉＣなどのセラミック、グラファイト、ダイヤモンドなどの炭素系材料を用いることができる。
【００４６】
以上、接合材５中に伝熱部材６が分散されている構成について説明したが、伝熱部材６は接合材５中に配列された構造を有することができる。図３、図４は配列された伝熱部材６を有する接合部材７の例を示す概略斜視図である。
【００４７】
図３（ａ）では、平面視略矩形の平板状の伝熱部材６ａが、その延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列されている。
【００４８】
図３（ｂ）では、伝熱部材６ａが、その断面の幅方向（Ｙ軸方向）に膨れた形状をなし、その延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列されている。
【００４９】
図３（ｃ）では、円柱状の伝熱部材６ｃが、その配列方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列されている。この図は、結合材５に伝熱部材６が配列され、シート状に形成された接合部材７ｃの加熱圧着前の状態を示す。
【００５０】
図４（ａ）では、円柱状の伝熱部材６ｄが接合部材７ｄに分散している様子を示している。伝熱部材６ｄの高さ（Ｚ軸方向）は略均一に揃えられている。
【００５１】
図４（ｂ）の接合部材７ｅでは、柱状の伝熱部材６ｅが、その延在方向と交差する方向（Ｙ軸方向）に配列されている。伝熱部材６ｅの上面６ｅ１はアノード電極１４に接し、下面６ｅ２は支持体電極９に接している。伝熱部材６ｅは断面視で略台形状であり、伝熱部材６ｅの配列方向の辺は上面６ｅ１側の辺が下面６ｅ２側の辺より長くなっている。
【００５２】
本実施例のように、支持体電極９が複数のエミッタ１２ａに対して共通の電極となっている場合には、伝熱部材６の配列方向に特別な制約は無く、また、伝熱部材６同士が接触しても良い。但し、図３及び図４に示したように、伝熱部材６を、その延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列し、更に、接合材５に、伝熱部材６より熱伝導率が小さい材質を用いることにより、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱干渉を防止し、熱をアノード電極１４から伝熱部材６内部のその延在方向へ、更に、伝熱部材６を介して支持体側へと伝搬させることができる。
【００５３】
また、接合材５が絶縁性を有し、伝熱部材６が導電性を有する場合は、接合材５のアノード電極面と対向する面の幅をアノード電極の幅より狭くする。同様に、接合材５が導電性を有し、伝熱部材６が絶縁性を有する場合は、伝熱部材６のアノード電極面と対向する面の幅をアノード電極の幅より狭くする。このような構成にすることで、アノード電極と支持体電極との電気接続を確実にすることができる。
【００５４】
（作用、効果）
以上の構成を備えた光源装置１の作用、効果を説明する。
【００５５】
アノード電極１４と支持体電極９と接続に、接合材より高熱伝導率の伝熱部材６を含む接合部材７を用いたことで、アノード電極１４から支持体電極９、更には支持体１１側への熱伝導性が向上するので、半導体レーザチップ１２の放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。
【００５６】
接合材５及び伝熱部材６に導電性を有する材質を用いることで、アノード電極１４と支持体電極９との接触抵抗が低減されるので、接合部材７での発熱を抑え放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。
【００５７】
支持体電極９の端子部９ａとアノード配線層２４の端子部２４ａとを接続したので、支持体電極９を介して支持体１１に伝導した熱を、支持体電極の端子部９ａからアノード配線層の端子部２４ａを介してアノード配線層２４にも放熱できるので、放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。
【００５８】
隣り合う伝熱部材６を離して配置することで、隣接するエミッタ１２ａとの熱的干渉を防止でき、エミッタ１２ａの配列方向に沿って半導体レーザチップ１２の中央部が高く、端部が低くなる温度分布を緩和することができるので、半導体レーザチップ１２における温度上昇を均一化させることができる。これにより、温度分布により複数のエミッタ１２ａから射出されるレーザ光の特性のばらつきを抑えることができる。
【００５９】
伝熱部材６は、アノード電極１４及び支持体電極９と接触するので、半導体レーザチップ１２で発生した熱がアノード電極１４から接合部材７の伝熱部材６を介して確実に支持体１１側に放熱される。これにより、半導体レーザチップ１２の自己発熱による温度上昇を抑え、半導体レーザチップ１２の特性を安定化できる。
【００６０】
アノード電極１４と支持体電極９との間に配置された接合部材７の伝熱部材６の厚さを等しくすることで、半導体レーザチップ１２で発生した熱を、アノード電極１４の形成面から複数の放熱経路を通って確実に支持体１１に放出させることができる。従って、半導体レーザチップ１２の自己発熱による温度上昇を抑え、発光素子の特性を安定化できる。また、半導体レーザチップ１２と支持体との間隔を均一にすることができるので、半導体レーザチップ１２と波長変換素子３０との間隔を均一化することができ、均一な光を射出することができる。
【００６１】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る光源装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
【００６２】
図５は、第２の実施形態に係る光源装置１００の配線構造を示す図である。光源装置１００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板１２０と、固定部材４０と、波長変換素子３０とを備えている。保持部材１０が支持体１１を載置し、支持体１１が半導体レーザチップ（発光素子）１２を載置している。波長変換素子３０は、半導体レーザチップ１２に対して支持体１１と反対側に配置されている。波長変換素子３０は、保持部材１０に載置された固定部材４０に固定されている。また、半導体レーザチップ１２には、電流供給基板１２０が接続されている。
【００６３】
本実施形態では、第１の実施形態と異なり、支持体１１上の支持体電極１０９は、各エミッタ１２ａに対応して分割して設けられていることを特徴としている。支持体電極１０９は、半導体レーザチップ１２との接続部から半導体レーザチップ１２の外側に延出され端子部１０９ａを有している。
【００６４】
本実施例のように、支持体電極９が複数のエミッタ１２ａに対応した個別の電極となっている場合には、エミッタ１２ａ毎に分離して、それぞれのエミッタ１２ａに対応した支持体電極９とアノード電極１４との接続をとる。このため、接合材５に絶縁性を有する材料を用い、伝熱部材６に導電性を有する材料を用いる。絶縁性を有する接合材５としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の熱硬化性樹脂などが挙げられる。伝熱部材６には高熱伝導性を有する材質が用いられる。伝熱部材６としては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｂｅなどの金属単体、又はＣｕ−Ｗ、Ｃ−Ｍｏなどの合金などを挙げることができる。また、絶縁材料のＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＳｉＣなどのセラミック、又は炭素系材料の表面に導電性のＡｕ、Ｎｉ／Ａｕでメッキしたものなどを用いることができる。伝熱部材６の形状は、例えば、球体、直方体、円柱などの形状に成形されたものを用いることができる。
【００６５】
本実施形態においても、柱状に形成された複数の伝熱部材６が配列された構造を採用することができる。具体例としては、第１の実施形態で示した図３、図４の例を挙げることができる。
【００６６】
図３（ａ）では、平面視略矩形の平板状の伝熱部材６ａが、その延在方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列されている。伝熱部材６ａが導電性を有し、接合材５ａが絶縁性を有する。伝熱部材６ａが互いに離間して配置されているので、伝熱部材６ａは、延在方向と交差する方向の幅を、隣接するアノード電極１４の隙間より狭くすることにより、隣接するアノード電極１４同士を接続させないようにすることができる。
【００６７】
また、伝熱部材６ａは、上面６ａ１でアノード電極１４に接し、下面６ａ２で支持体電極９と接しているので、アノード電極１４と支持体電極９とが電気接続すると共に、確実な放熱経路が形成されている。
【００６８】
さらに、接合材５ａに、伝熱部材６ａより熱伝導率が小さい材質を用いることで、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱的干渉を防止し、熱をアノード電極１４から伝熱部材６ａを介して支持体側に、及び伝熱部材６ａの延在方向に伝搬させることができる。
【００６９】
図３（ｂ）では、断面視で厚さ方向（Ｚ軸方向）の辺が伝熱部材の幅方向（Ｙ軸方向）に膨れた形状をなして断面視の方向（Ｘ軸方向）に延在する伝熱部材６ｂが、互いに平行に配列されている。伝熱部材６ｂが導電性を有し、接合材５ｂが絶縁性を有する。伝熱部材６ｂが互いに離間して配置されているので、伝熱部材６ｂは、延在方向の幅を、隣接するアノード電極１４の隙間より狭くすると、隣接するアノード電極１４同士を接続させないようにすることができる。
【００７０】
また、伝熱部材６ｂは、上面６ｂ１でアノード電極１４に接し、下面６ｂ２で支持体電極９と接しているので、アノード電極１４と支持体電極９とが電気接続すると共に、確実な放熱経路が形成されている。
【００７１】
さらに、接合材５ｂに、伝熱部材６ｂより熱伝導率が小さい材質を用いることで、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱的干渉を防止し、熱をアノード電極１４から伝熱部材６ａを介して支持体側に、及び伝熱部材６ａの延在方向に伝搬させることができる。
【００７２】
図３（ｃ）では、円柱状の伝熱部材６ｃが、配列方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に互いに略平行に配列されている。伝熱部材６ｃが導電性を有し、接合材５ｃが絶縁性を有する。伝熱部材６ｃが互いに離間して配置されているので、伝熱部材６ｃは、延在方向の幅を、隣接するアノード電極１４の隙間より狭くすると、隣接するアノード電極１４同士を接続させないようにすることができる。
【００７３】
また、接合材５ｃに、伝熱部材６ｃより熱伝導率が小さい材質を用いることで、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱的干渉を防止し、熱をアノード電極１４から伝熱部材６ａを介して支持体側に、及び伝熱部材６ａの延在方向に伝搬させることができる。
なお、図３（ｃ）は、熱圧着をする前のシート状接合部材の状態を示す。
【００７４】
図４（ｂ）の接合部材７ｅでは、柱状の伝熱部材６ｅが、延在方向と交差する方向（Ｙ軸方向）に配列されている。伝熱部材６ｅの上面６ｅ１はアノード電極１４に接し、下面６ｅ２は支持体電極９に接している。伝熱部材６ｅは断面視で略台形状であり、伝熱部材６ｅの配列方向の辺は上面６ｅ１側の辺が下面６ｅ２側の辺より長くなっている。伝熱部材６ｅが導電性を有し、接合材５ｅが絶縁性を有する。伝熱部材６ｅが互いに離間して配置されているので、伝熱部材６ｅは、延在方向の幅を、隣接するアノード電極１４の隙間より狭くすると、隣接するアノード電極１４同士を接続させないようにすることができる。
【００７５】
また、伝熱部材６ｅは、上面６ｅ１でアノード電極１４に接し、下面６ｅ２で支持体電極９と接しているので、アノード電極１４と支持体電極９とが電気接続すると共に、確実な放熱流路が形成されている。
【００７６】
さらに、接合材５ｅに、伝熱部材６ｅより熱伝導率が小さい材質を用いることで、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱的干渉を防止し、熱をアノード電極１４から伝熱部材６ｅを介して支持体側に、及び伝熱部材６ｅの延在方向に伝搬させることができる。
【００７７】
以上の説明においては、図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ｂ）で、シート状の接合部材７ｅと半導体レーザチップ１２、支持体１１とを、精密な位置合わせ（アライメント）をせずに接合する場合について説明したが、シート状の接合部材７ｅと半導体レーザチップ１２、支持体１１とを、精密に位置合わせする場合は、伝熱部材６ａ、６ｂ、６ｅの延在方向と交差する方向（Ｙ軸方向）の幅を、アノード電極１４の幅と同じかそれ以上とすることができる。
この場合、隣接するエミッタ１２ａ同士の熱的干渉の防止効果が更に向上するとともに、伝熱部材６ａ、６ｂ、６ｅと、アノード電極１４及び支持体電極９との接触面積が向上するので放熱性が更に向上する。
【００７８】
電流供給基板１２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層１２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層１２４の保護層２７とが、接着剤層２３を介して接続されたものである。平面視では、複数のアノード配線層１２４と、これらのアノード配線層１２４を挟持するようにカソード配線層１２２が配置されている。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層１２２の端子部１２２ａ、及びアノード配線層１２４の端子部１２４ａが引き出されている。引き出されたカソード配線層１２２の端子部１２２ａは、導電部材１９ａを介してアノード電極１３の辺端部１３ｂ、１３ｃに接続されている。支持体１１上に引き出された複数のアノード配線層１２４ａは、導電部材１９ｂを介して複数の支持体電極９の端子部９ａにそれぞれ接続されている。
【００７９】
本実施形態では、エミッタ１２ａごとに支持体電極１０９及びアノード配線層１２４を形成しているので、各エミッタ１２ａを独立に駆動できるようになっている。
【００８０】
以上の構成を備えた光源装置１００の作用、効果を説明する。
【００８１】
伝熱部材６ａの延在方向に伝搬された熱をアノード配線層１２２の端子部１２２ａを介して電流供給基板１２０側に放熱することができるので、隣接するエミッタ１２ａ間の熱的干渉を防止でき、エミッタ１２ａの配列方向に沿って半導体レーザチップ１２の中央部が高く、端部が低くなる温度分布を緩和することができるので、半導体レーザチップ１２における温度上昇を均一化させることができる。これにより、温度分布による複数のエミッタ１２ａから射出される光の特性のばらつきを抑えることができるので、均一な光を射出することができる。
【００８２】
各エミッタ１２ａを独立して駆動できるようにすれば、エミッタ１２ａの出力を調整することが可能になるので、発熱量を抑えることができる。これにより、消費電力を抑えることができる。
【００８３】
（変形例）
図６は、第２の実施形態の変形例に係る、（ａ）半導体レーザチップ１２の底面図、（ｂ）Ｃ−Ｃ’における要部断面図である。なお、図６（ｂ）では、アノード電極１４と支持体電極９との接続部を拡大したもので、接合部材７及び支持体電極９を含めた領域を示している。以下、本図を用いて変形例について説明する。
【００８４】
本変形例では、第２の反射層１８上に、アノード電極１４と、絶縁層１０８ａ及び絶縁層１０８ｂとが形成されている。絶縁層１０８ａ、１０８ｂは、第２の反射層１８から外側に突出する凸部であり、第２の反射層１８上においてアノード電極１４を取り囲むように島状に配置されている。絶縁層１０８ａ、１０８ｂには、絶縁性と高熱伝導性とを有する材質を用いることが好ましい。絶縁層１０８ａ、１０８ｂは、アノード電極１４の配列方向（Ｙ軸方向）に長手の矩形形状であり、アノード電極１４を挟持するように配置されている。
【００８５】
絶縁層１０８ａは、各アノード電極１４に対応して配置されており、延在方向（Ｙ軸方向）に配列されている。絶縁層１０８ｂも、各アノード電極１４に対応して配置されており、延在方向（Ｙ軸方向）に配列されている。アノード電極１４、絶縁層１０８ａ、及び絶縁層１０８ｂの厚さ（Ｚ軸方向）は略等しくなっており、アノード電極１４の表面と絶縁層１０８ａ、１０８ｂの表面は側面視で同じ高さになっている。アノード電極１４、絶縁膜１０８ａ、及び絶縁膜１０８ｂは、接合部材７を介して支持体電極９と接続されている。
【００８６】
半導体レーザチップ１２に絶縁層１０８ａ、１０８ｂを備えることで、伝熱部材６と、半導体レーザチップ１２、及び、支持体電極９との接触面積を広げることができるので、放熱性が向上する。また、半導体レーザチップ１２を支持体１１上に安定して設置することができる。
【００８７】
また、絶縁層１０８ａ、１０８ｂに高熱伝導性の材質を用いることで、半導体レーザチップ１２から支持体電極９への放熱流路を確保できるので、放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑えることができるので、安定した光を射出することができる。
【００８８】
なお、半導体レーザチップ１２のアノード電極１４間に、図示は省略の絶縁層を備えることができる。この絶縁層は、アノード電極１４の配列方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ方向）に長手の矩形形状とすることができる。更に、アノード電極１４間の絶縁層に対向する支持体１１の面上には支持体電極が形成されていないので、アノード電極１４間の絶縁膜の厚さ（Ｚ方向）は、アノード電極１４及び、絶縁層１０８ａ，ｂの厚さ（Ｚ方向）より支持体電極９の厚さだけ厚くすることが好ましい。
【００８９】
このような構造を備えることで、伝熱部材６は、アノード電極１４間の絶縁層及び支持体１１と接触するので、放熱性が向上する。また、半導体レーザチップ１２を支持体１１上に安定して設置することができる。
【００９０】
［第３の実施形態］
図７は、第３の実施形態に係る光源装置２００の配線構造を示す図である。光源装置２００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板２２０とを備えている。保持部材１０が支持体１１を載置し、支持体１１が半導体レーザチップ（発光素子）１２を載置している。半導体レーザチップ１２には、電流供給基板２２０が接続されている。
【００９１】
電流供給基板２２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層２２４の保護層２７とが、接着剤層２３を介して接続されたものである。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層２２の端子部２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部２４ａが引き出されている。
【００９２】
引き出されたカソード配線層２２の端子部２２ａは、導電部材１９ａを介してカソード電極１３の辺端部１３ａに接続されている。引き出されたアノード配線層２２４の端子部２２４ａは、半導体レーザチップ１２の下部まで引き込まれ、半導体レーザチップ１２と支持体１１とで挟持されている。アノード電極１４とアノード配線層２２４の端子部２２４ａとの接続には接合部材７が用いられている。また、アノード配線層２２４と支持体１１との接続には導電部材１９ｂが用いられている。導電部材１９ａ、１９ｂは、例えばインジウム、スズなどのほか、接合部材７を用いることもできる。
【００９３】
カソード配線層２２の端子部２２ａ、及びアノード配線層２２４の端子部２２４ａは配線層２２、２２４よりも厚く形成されていてもよい。このように端子部を形成することで、半導体レーザチップ１２からの放熱性を向上させることができる。なお、本図では、端子部２２４ａを厚く形成したものを採用している。
【００９４】
半導体レーザチップ１２で発生した熱を、接合部材７を介してアノード配線層２２４内部に伝導し、電流供給基板２２０側と支持体１１側の双方に放熱することができるので、放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、射出される光の特性を維持することができる。
【００９５】
複数のエミッタ１２ａにかかる幅広のアノード配線層２２４を形成することで、アノード電極２２４の端子部２２４ａからの放熱流路を拡げることができるので、放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑えることができるので、安定した光を射出することができる。
【００９６】
［第４の実施形態］
図８（ａ）は、第４の実施形態に係る光源装置４００の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＥ−Ｅ’における断面図である。
光源装置４００は、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板２０と、第１のプリズム４７３と、第２のプリズム４７４と、波長変換素子４７１と、波長選択素子４７２と、保持部材４１０とを備えている。本実施形態に係る光源装置４００は、図６に示すように、波長変換素子４７１及び波長選択素子４７２を保持部材４１０上で横置きに配置しており、半導体レーザチップ１２から射出された光を保持部材４１０の面方向に導光するようになっている。
【００９７】
保持部材４１０上に載置された支持体１１上に、半導体レーザチップ１２が載置されている。電流供給基板２０は、半導体レーザチップ１２の側面１２ｆ側に配置されており、半導体レーザチップ１２と電気的に接続されている。半導体レーザチップ１２の上方には、第１のプリズム４７３と、第２のプリズム４７４と、プリズム４７３、４７４に挟持されたダイクロイック層４７５とを備えたプリズム素子４８０が配置されている。
プリズム素子４８０はその長手方向の両端部を、保持部材４１０上に設けられた２個のスペーサ４７７により支持されている。プリズム素子４８０は半導体レーザチップ１２との間に隙間を有して半導体レーザチップ１２の上空に固定されている。
【００９８】
プリズム素子４８０は、エミッタ１２ａから射出された光を内面で反射させて波長変換素子４７１に導光するとともに、波長変換素子４７１側から入射する光のうち特定波長域の成分をダイクロイック層４７５により反射させて波長変換素子４７１の外側に導く機能を奏する。
【００９９】
半導体レーザチップ１２に隣接して、電流供給基板２０と反対側には、保持部材４１０上の支持台４７１ａに載置された波長変換素子４７１が配置されている。波長変換素子４７１から見て半導体レーザチップ１２と反対側には、保持部材４１０上の支持台４７２ａに載置された波長選択素子４７２が配置されている。図６（ｂ）に示すように、波長変換素子４７１の支持台４７１ａ、波長選択素子４７２の支持台４７２ａ及びスペーサ４７７は、複数の固定ピン４７８により保持部材４１０上に位置決めされて固定されている。
【０１００】
波長変換素子（第２高調波発生素子、ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）４７１は、入射光のうち所定の波長を有する成分を変換せずにそのまま透過する一方、それ以外の波長を有する成分をほぼ半分の波長の光に変換する非線形光学素子である。すなわち、半導体レーザチップ１２から射出された第１の波長の光を、それよりも短い第２の波長の光に変換して射出する。
【０１０１】
波長選択素子４７２は、特定波長の光（波長変換素子４７１で波長変換された第２の波長の光）を透過させる一方、波長変換素子４７１で波長が変換されなかった第１の波長の光を含むほとんどの光を側壁４７２ｂで反射させる。そのため、波長選択素子４７２は、半導体レーザチップ１２の外部共振器ミラーとして機能する。波長選択素子４７２としては、例えば、周期格子を有するホログラムのような光学素子を用いることができる。
【０１０２】
上記の構成において、エミッタ１２ａから射出された第１の波長の光は、プリズム素子４８０の第１のプリズム４７３の斜面部（鉛直方向に対して略４５°の角度を成して配置された面）で反射されてダイクロイック層４７５に入射し、これを透過して第２のプリズム４７４から射出されて波長変換素子４７１に入射する。
【０１０３】
ここで、図６（ｂ）に実線で示す光Ｗ１は、エミッタ１２ａから射出されて波長選択素子４７２側へ進行する光を示しており、破線で示す光Ｗ２は、光Ｗ１のうち、波長選択素子４７２で反射された成分を示している。また波長選択素子４７２から延びる鎖線で示す光Ｗ３は、光Ｗ１のうち波長選択素子４７２を透過した成分を示す。さらに光Ｗ４は、光Ｗ２のうち、ダイクロイック層４７５により反射された成分を示している。
なお、図６（ｂ）では、説明の都合上、光Ｗ１，Ｗ２を異なる位置に示しているが、実際には両者は同一の経路を辿る光である。
【０１０４】
まず、エミッタ１２ａから射出されて波長変換素子４７１に入射した光Ｗ１は、波長変換素子４７１を透過する間にその一部がほぼ半分の波長の光（第２の波長の光）に変換されて、波長選択素子４７２に入射する。波長選択素子４７２に入射した光Ｗ１のうち、波長選択素子４７２を透過する特定波長（第２の波長）の成分は、光源光である光Ｗ３として波長選択素子４７２から外部に射出される。
一方、波長選択素子４７２で反射された成分（第１の波長の光）は、逆向きの光Ｗ２となって半導体レーザチップ１２側へ戻される。
【０１０５】
波長変換素子４７１からプリズム素子４８０に入射した光Ｗ２は、ダイクロイック層４７５に入射する。ダイクロイック層４７５は、本実施形態では、波長変換素子４７１により変換された光（第２の波長の光）を選択的に反射し、その他の光を透過するようになっているので、光Ｗ２のうち第１の波長の成分は、ダイクロイック層４７５を透過して半導体レーザチップ１２に入射する。そして、半導体レーザチップ１２のミラーで反射され、光Ｗ１として再度射出される。このように、波長選択素子４７２で反射される第１の波長の光は、波長選択素子４７２と半導体レーザチップ１２との間で反射を繰り返して増幅される。
【０１０６】
ところで、光Ｗ２の一部は、波長変換素子４７１内を進行する間に第２の波長の光に変換される。この第２の波長の光は、ダイクロイック層４７５により反射されて第２のプリズム４７４の斜面部（鉛直方向に対して略４５°の角度を成して配置された斜面部）に入射し、そこで反射された光Ｗ４としてプリズム素子４８０の外側に取り出される。すなわち本実施形態では、波長選択素子４７２を透過して射出された光Ｗ３と、ダイクロイック層４７５で反射されてプリズム素子４８０から射出された光Ｗ４とが、光源光として外部に射出されるようになっている。
【０１０７】
以上の構成を備えた本実施形態の光源装置４００では、半導体レーザチップ１２と電流供給基板２０との接続構造として、第１の実施形態の光源装置１と共通の接続構造が採用されている。したがって、半導体レーザチップ１２と支持体１１との間に配置されたカソード配線層２４を介して半導体レーザチップ１２の熱を放散することができ、放熱性を向上させた光源装置４００とすることができる。
【０１０８】
なお、本実施形態の光源装置４００では、第１実施形態と同様の接続構造を有する半導体レーザチップ１２、及び電流供給基板２０を用いたが、これに代えて、第２又は第３の実施形態の構成を採用してもよい。これらの光源装置と同様の構成を採用した場合にも、放熱性を向上させた光源装置４００とすることができる。
【０１０９】
［プロジェクタ］
図９は、本発明に係る光源装置を備えたプロジェクタ５００の概略模式図である。本図を用いて、プロジェクタ５００について説明する。なお、本図においては、簡略化のためプロジェクタ５００を構成する筐体は省略している。
【０１１０】
プロジェクタ５００において、赤色光、緑色光、青色光を射出する赤色レーザ光源（光源装置）４００Ｒ，緑色レーザ光源（光源装置）４００Ｇ、青色レーザ光源（光源装置）４００Ｂとしては、上記第４の実施形態の光源装置４００を用いる。
【０１１１】
また、プロジェクタ５００は、レーザ光源４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂから射出されたレーザ光をそれぞれ変調する液晶ライトバルブ（光変調装置）５８４Ｒ，５８４Ｇ，５８４Ｂと、液晶ライトバルブ５８４Ｒ，５８４Ｇ，５８４Ｂから射出された光を合成して投写レンズ５８７に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）５８６と、液晶ライトバルブ５８４Ｒ，５８４Ｇ，５８４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン５９０に投射する投射レンズ（投射装置）５８７とを備えている。
【０１１２】
さらに、プロジェクタ５００は、レーザ光源４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂから射出されたレーザ光の照度分布を均一化させるため、各レーザ光源４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系５８２Ｒ，５８２Ｇ，５８２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ５８４Ｒ，５８４Ｇ，５８４Ｂを照明している。例えば、均一化光学系５８２Ｒ，５８２Ｇ、５８２Ｂは、例えば、ホログラム５８２ａ及びフィールドレンズ５８２ｂによって構成される。
【０１１３】
各液晶ライトバルブ５８４Ｒ，５８４Ｇ，５８４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５８６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ５８７によりスクリーン５９０上に投写され、拡大された画像が表示される。
【０１１４】
本実施形態のプロジェクタの光源の部材として、本発明の光源装置の支持体１１、半導体レーザチップ１２、及び電流供給基板２０を用いることにより、放熱性を向上させることができるので、加熱によるレーザ特性の変化を抑えることができる。
【０１１５】
なお、本実施形態のプロジェクタにおいて、赤色，緑色及び青色のレーザ光源４００Ｒ，４００Ｇ、４００Ｂについては、第４の実施形態の光源装置４００を用いたものを説明したが、第１から第４の実施形態の光源装置を用いることも可能である。このとき、各光源装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂのそれぞれに異なる実施形態の光源装置を採用することも可能であるし、同じ実施形態の光源装置を採用することも可能である。
【０１１６】
また、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いても良いし、反射型のライトバルブを用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１１７】
図１０は、プロジェクタの変形例である、画像表示装置６００の概略模式図である。第１から第４の実施形態の光源装置は、走査型の画像表示装置にも適用される。図１０に示した画像表示装置６００は、第４の実施形態の光源装置４００と、光源装置４００から射出された光をスクリーン６１０に向かって走査するＭＥＭＳミラー（走査手段）６０２と、光源装置４００から射出された光をＭＥＭＳミラー６０２に集光させる集光レンズ６０３とを備えている。光源装置４００から射出された光は、ＭＥＭＳミラー６０２を動かすことによって、スクリーン６１０上を横方向、縦方向に走査するように導かれる。カラーの画像を表示する場合は、半導体レーザチップ１２を構成する複数のエミッタ（図示は省略）を、赤、緑、青のピーク波長を持つエミッタの組み合わせによって構成すれば良い。
【０１１８】
［モニタ装置］
図１１は、モニタ装置７００の概略模式図である。本図を用いて、第４の実施形態に係る光源装置４００を応用したモニタ装置７００の構成例について説明する。図１１は、モニタ装置の概略を示す模式図である。モニタ装置７００は、装置本体７１０と、光伝送部７２０とを備える。装置本体７１０は、前述した第４の実施形態の光源装置４００を備える。
【０１１９】
光伝送部７２０は、光を送る側と受ける側の２本のライトガイド７２１，７２２を備える。各ライトガイド７２１，７２２は、多数本の光ファイバを束ねたもので、レーザ光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド７２１の入射側には光源装置４００が配設され、その出射側には拡散板７２３が配設されている。光源装置４００から出射したレーザ光は、ライトガイド７２１を伝って光伝送部７２０の先端に設けられた拡散板７２３に送られ、拡散板７２３により拡散されて被写体を照射する。
【０１２０】
光伝送部７２０の先端には、結像レンズ７２４も設けられており、被写体からの反射光を結像レンズ７２４で受けることができる。その受けた反射光は、受け側のライトガイド７２２を伝って、装置本体７１０内に設けられた撮像手段としてのカメラ７１１に送られる。この結果、光源装置４００により出射したレーザ光により被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像をカメラ７１１で撮像することができる。
【０１２１】
第４の実施形態に係る光源装置４００を備えたことで、放熱性を向上させたモニタ装置７００とすることができるので、加熱によるレーザ特性の変化を抑えて使用することができる。
【０１２２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
本図では、第４の実施形態と同様の構造の光源装置４００を用いたが、これに代えて、第１から第４実施形態の光源装置を備えていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１の実施形態に係る光源装置１の概略斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る光源装置１を示す上面図及び要部断面図である。
【図３】伝熱部材６の配置パターンの例を示した図である。
【図４】伝熱部材６の配置パターンの例を示した図である。
【図５】第２の実施形態に係る光源装置１００を示す上面図及び要部断面図である。
【図６】変形例の半導体レーザチップ１２の底面図及び要部断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る光源装置２００を示す上面図及び要部断面図である。
【図８】第４の実施形態に係る光源装置４００を示す上面図及び要部断面図である。
【図９】プロジェクタ５００の概略模式図
【図１０】画像表示装置６００の概略模式図
【図１１】モニタ装置７００の概略模式図
【符号の説明】
【０１２４】
１…光源装置、５…接合材、６…伝熱部材、７…接合部材、９…支持体電極、１０…保持部材、１１…支持体、１２…半導体レーザチップ、１２ａ…エミッタ、１３…カソード電極、１４…アノード電極、１５…エミッタ基板、１８…第２の反射層、１９ａ…導電部材、１９ｂ…導電部材、２０…電流供給基板、２１…第１の保護膜、２２…カソード配線層、２３…絶縁層、２４…アノード配線層、２５…第２の保護膜、３０…波長変換素子、４０…固定部材、１００…光源装置、１０８ａ…絶縁層、１０８ｂ…絶縁層、１０９…支持体電極、１２０…電流供給基板、１２２…カソード配線層、１２４…アノード配線層、２００…光源装置、２２０…電流供給基板、２２４…アノード配線層、４００…光源装置、５００…プロジェクタ、６００…画像表示装置、７００…モニタ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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