(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に照射される電子線をブランキングするブランキング装置であって、
前記電子線を介して相互に対向して配置される第１電極及び第２電極とを有するブランキング電極と；
前記第１電極と前記第２電極の間に電位差を生じさせる駆動信号を生成する駆動回路と；
前記駆動信号を熱エネルギーに変換する終端器と；
前記駆動回路と、前記ブランキング電極とを電気的に接続する第１伝送路と；
前記ブランキング電極と、前記終端器とを電気的に接続する第２伝送路と；
前記ブランキング電極が収容される鏡筒と；を備え、
前記駆動回路、前記第１伝送路、前記第２伝送路、前記ブランキング電極、及び終端器それぞれの特性インピーダンスは同等であり、
前記駆動回路及び前記終端器は前記鏡筒の外部に配置され、
前記第１伝送路、及び前記第２伝送路は、前記駆動信号の伝送路と、前記ブランキング電極を前記鏡筒の内部で支持する支持体とを兼ねるブランキング装置。
【請求項２】
前記第１伝送路は、内部導体と外部導体からなる同軸伝送路であって、前記内部導体及び外部導体のうちの一方は、前記第１電極に接続され、他方は、前記第２電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のブランキング装置。
【請求項３】
前記第２伝送路は、内部導体と外部導体からなる同軸伝送路であって、前記内部導体及び外部導体のうちの一方は、前記第１電極に接続され、他方は、前記第２電極に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のブランキング装置。
【請求項４】
前記第１伝送路と前記第２伝送路とは、前記ブランキング電極に対して、機械的特性が対称であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のブランキング装置。
【請求項５】
前記第１伝送路と前記第２伝送路とは、前記ブランキング電極に対して、熱的特性が対称であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のブランキング装置。
【請求項６】
電子線を用いて基板にパターンを描画する電子線描画装置であって、
前記電子ビームを射出する電子源と；
前記電子源から射出された電子線をブランキングする請求項１〜５のいずれか一項に記載のブランキング装置と；を備える電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブランキング装置及び電子線描画装置に係り、更に詳しくは、基板に照射される電子線をブランキングするブランキング装置、及び電子線を用いて基板にパターンを描画する電子線描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報のデジタル化に伴い、光ディスクやハードディスクの大容量化に対する要求が高まっており、ＣＤ（Compact Disk）や、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）などの従来型光ディスクに代わり、例えば波長が４００ｎｍ程度の紫外光により情報の記録及び再生が行なわれる次世代型の光ディスクや、高密度記録が可能なパターンドメディアの研究開発が盛んに行なわれている。
【０００３】
次世代型光ディスクの原盤（スタンパ）やパターンドメディアの記録媒体等の製造工程では、記録層に形成されるパターンが従来型の光ディスクに比べて微細であることから、例えば、極細線描画が可能な電子線描画装置がよく用いられている。この電子線描画装置は、回転する基板に電子線を照射して基板の表面にスパイラル状又は同心円状の微細パターンを描画するもの、或いは、ＸＹステージによって水平面内を移動する基板に直線上の微細パターンを描画するものである。
【０００４】
この種の電子線描画装置は、基板に描画するパターンに応じて、電子線を間欠的にブランキングさせることにより、電子線のオン・オフ制御を行うため、電子線をブランキングさせる精度及び応答性が、装置の描画性能やスループット性能に影響を与える。そこで、最近では、電子線のブランキング精度及び応答性を向上させる発明が種々提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００５】
特許文献１に記載の発明は、制御回路に、同軸伝送路を介して接続されたブランキング電極と、この電極に同軸伝送路を介して接続された終端抵抗を有する装置である。この装置では、制御回路の出力インピーダンスと電極に接続された２つの同軸伝送路双方の特性インピーダンスがほぼ一致しているため、電極に駆動信号を供給したとしても同軸伝送路までの伝送には問題が生じることはない。しかしながら、電極にて２つの同軸伝送路に分岐させているため、電極における特性インピーダンスと同軸伝送路の特性インピーダンスの整合がとれなくなり、制御回路と電極間で反射波が生じ、この反射波は制御回路側に伝搬されてしまう。この結果、電極に印加される電圧にオーバーシュートやリンキングが発生して電子線の照射位置に変動が生じ、結果的にパターン形状が鉤状になったり、涙形状になるといった不都合が生じる場合がある。
【０００６】
特許文献２に記載の発明は、内部導体、及びこの内部導体を覆うように設けられた外部導体を電極として備える装置である。この装置では、電子線のブランキング精度及び応答性の向上を図ることが可能であるが、終端器が電極としての内部導体と外部導体とに接続されている。このため、終端器での発熱による電極の伸長を回避するために、冷媒等によって電極を冷却する必要があり、装置の複雑化、ひいては装置の高コスト化を招来するという不都合がある。
【０００７】
【特許文献１】特許第３８０１３３３号公報
【特許文献２】特許第３０５７０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上述の事情の下になされたもので、その第１の目的は、装置の高コスト化を招くことなく、精度よく電子線のブランキングを行うことが可能なブランキング装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、物体の表面に精度よくパターンを描画することが可能な電子線描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１の観点からすると、基板に照射される電子線をブランキングするブランキング装置であって、前記電子線を介して相互に対向して配置される第１電極及び第２電極とを有するブランキング電極と；前記第１電極と前記第２電極の間に電位差を生じさせる駆動信号を生成する駆動回路と；前記駆動信号を熱エネルギーに変換する終端器と；前記駆動回路と、前記ブランキング電極とを電気的に接続する第１伝送路と；前記ブランキング電極と、前記終端器とを電気的に接続する第２伝送路と；前記ブランキング電極が収容される鏡筒と；を備え、前記駆動回路、前記第１伝送路、前記第２伝送路、前記ブランキング電極、及び終端器それぞれの特性インピーダンスは同等であり、前記駆動回路及び前記終端器は前記鏡筒の外部に配置され、前記第１伝送路、及び前記第２伝送路は、前記駆動信号の伝送路と、前記ブランキング電極を前記鏡筒の内部で支持する支持体とを兼ねるブランキング装置である。
【００１１】
これによれば、精度よく電子線のブランキングを行うことが可能となる。また、装置の小型化及び低コスト化を図ることが可能となる。
【００１２】
また、本発明は第２の観点からすると、電子線を用いて基板にパターンを描画する電子線描画装置であって、前記電子ビームを射出する電子源と；前記電子源から射出された電子線をブランキングする本発明のブランキング装置と；を備える電子線描画装置である。
【００１３】
これによれば、電子源から射出された電子線を、本発明のブランキング装置によって精度よくブランキングすることができるため、結果的に基板に精度よくパターンを描画することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図４に基づいて説明する。図１には本実施形態に係る電子線描画装置１００の概略構成が示されている。この電子線描画装置１００は、例えば真空度が１０-6Ｐａ〜１０-7Ｐａ程度の環境下において、レジスト材がコーティングされた基板Ｗに電子ビームを照射して、基板Ｗの描画面に微細パターンを描画する電子線描画装置である。
【００１５】
図１に示されるように、この電子線描画装置１００は、電子ビームを基板に照射する照射装置１０、基板が載置される回転テーブル３１を備える回転テーブルユニット３０、回転テーブルユニット３０を収容する真空チャンバ４０、及び上記各部を統括的に制御する制御装置５０などを備えている。
【００１６】
前記真空チャンバ４０は、直方体状の中空部材であり上面には円形の開口が形成されている。
【００１７】
前記回転テーブルユニット３０は、真空チャンバ４０内部の底壁面上に配置されている。この回転テーブルユニット３０は、基板Ｗが載置される回転テーブル３１、回転テーブル３１を、水平に支持するとともに所定の回転数で軸３２ａを介して回転するスピンドルモータ３２、及びスピンドルモータ３２を支持するとともにＸ軸方向に所定のストロークで駆動するスライドユニット３３を備えている。
【００１８】
前記照射装置１０は、長手方向をＺ軸方向とするケーシング１１と、該ケーシング１１の内部上方から下方に向かって順次配置された、電子銃１２、磁界レンズ１３、ブランキング装置２０、走査電極１６、及び対物レンズ１７を備えている。
【００１９】
前記ケーシング１１は、下方が開放された円筒状のケーシングであり、真空チャンバ４０上面に形成された開口に、上方から隙間なく嵌合されている。そして、真空チャンバ４０内部に位置する部分は、その直径が−Ｚ方向に向かって小さくなるテーパー形状となっている。また、ケーシング１１は、照射装置１０のＸＹ断面図である図２を参照するとわかるように、長手方向をＺ軸方向とする円筒状の鏡筒１１ｂと、該鏡筒１１ｂを包囲するように設けられた電磁シールド１１ａとを有している。
【００２０】
鏡筒１１ｂは、その内部空間が所定の真空度（例えば、１０-6Ｐａ〜１０-7Ｐａ程度）に維持された真空空間となっており、この真空空間には、電子銃１２、磁界レンズ１３、ブランキング装置２０に含まれるブランキング電極１４ａ,１４ｂとアパーチャ部材１５、走査電極１６、及び対物レンズ１７などが収容されている。また、電磁シールド１１ａは、電磁波等を遮蔽するシールドであり、鏡筒１１ｂに収容される機器が、外部機器からの電磁波や地磁気などによって受ける影響を遮断する。
【００２１】
図１に戻り、前記電子銃１２は、前記ケーシング１１の内部上方に配置されている。この電子銃１２は、陰極から熱と電界により取り出した電子を射出する熱電界放射型の電子銃であり、例えば、直径２０〜５０ｎｍ程度の電子ビームを下方（−Ｚ方向）へ射出する。
【００２２】
前記磁界レンズ１３は、電子銃１２の下方に配置された環状のレンズであり、電子銃１２から下方に射出された電子ビームに対して集束する方向のパワーを作用させる。
【００２３】
前記ブランキング装置２０は静電偏向型のブランキング装置であり、制御装置５０の指示に基づいて、下方に進行する電子ビームを＋Ｘ方向又は−Ｘ方向へ偏向することによって、電子ビームのブランキングを行う。このブランキング装置２０の構成及び動作は後述する。
【００２４】
前記走査電極１６は、ブランキング装置２０の下方に配置されている。この走査電極１６は、Ｘ軸方向に相互に対向するように配置された１対の電極と、Ｙ軸方向に相互に対向するように配置された１対の電極とを有し、制御装置５０によって印加される電圧に応じて、アパーチャ部材１５を通過した電子ビームをＸ軸方向又Ｙ軸方向へ偏向する。
【００２５】
前記対物レンズ１７は、走査電極１６の下方に配置され、走査電極１６を通過した電子ビームを、回転テーブル３１に載置された基板の表面に収束する。
【００２６】
次に上述したブランキング装置２０について説明する。前記ブランキング装置２０は静電偏向型のブランキング装置であり、図１及び図２を参照するとわかるように、１組のブランキング電極１４ａ,１４ｂと、ブランキング電極１４ａ,１４ｂに電気的に接続された駆動回路２１及び終端器２５と、前記ブランキング電極１４ａ,１４ｂと駆動回路２１及び終端器２５とを電気的に接続する第１同軸伝送路２４Ａ及び第２同軸伝送路２４Ｂと、ブランキング電極１４ａ,１４ｂの下方に配置されたアパーチャ部材１５などを含んで構成されている。
【００２７】
図３は、前記第１同軸伝送路２４Ａと、前記第２同軸伝送路２４Ｂとを断面して示す図である。この図３及び図２を総合して見るとわかるように、第１同軸伝送路２４Ａは、長手方向をＹ軸方向とする円柱状の内部導体２４ａと、この内部導体２４ａを包囲する、＋Ｙ側端部に段つきのフランジ部２４ｃが形成された外部導体２４ｂとを有している。内部導体２４ａの外径は、外部導体２４ｂの内径よりも十分に小さくなっており、例えば、図４に示されるように、外部導体２４ｂの＋Ｙ側端部に設けられたセラミック製の碍子２３ｃによって、内部導体２４ａが外部導体２４ｂに対して非接触で支持されることにより、内部導体２４ａと外部導体２４ｂとは電気的に絶縁されている。
【００２８】
上述のように構成された第１同軸伝送路２４Ａは、鏡筒１１ｂの＋Ｙ側に形成された開口部１１ｃに、＋Ｙ側から内部導体２４ａ及び外部導体２４ｂが挿入された状態で、フランジ部２４ｃが開口部１１ｃに隙間なく嵌合することで、鏡筒１１ｂに取り付けられている。なお、この状態のときにも、第１同軸伝送路２４Ａに設けられたフランジ部２４ｃと鏡筒１１ｂの外壁面との間に配置されたＯリング、及び内部導体２４ａと外部導体２４ｂとの間に配置された碍子２３ｃによって、鏡筒１１ｂの内部空間の気密性は維持されている。
【００２９】
前記第２同軸伝送路２４Ｂは、上述した第１同軸伝送路２４Ａと同等の構成を有し、鏡筒１１ｂの−Ｙ側に形成された開口部１１ｃに、＋Ｙ側から内部導体２４ａ及び外部導体２４ｂが挿入された状態で、フランジ部２４ｃが開口部１１ｃに隙間なく嵌合することで、鏡筒１１ｂに取り付けられている。
【００３０】
前記１組のブランキング電極１４ａ,１４ｂそれぞれは、Ｘ軸方向に所定間隔隔てて相互に対向するように配置された長方形板状の電極である。図２に示されるように、ブランキング電極１４ａは、＋Ｙ側端が第１同軸伝送路２４Ａの内部導体２４ａに接続され、−Ｙ側端が、第２同軸伝送路２４Ｂの内部導体２４ａに接続されることで、Ｚ軸方向を長手方向として支持されている。また、ブランキング電極１４ｂは、＋Ｙ側端が第１同軸伝送路２４Ａの外部導体２４ｂに接続され、−Ｙ側端が、第２同軸伝送路２４Ｂの外部導体２４ｂに接続されることで、ブランキング電極１４ａの＋Ｘ側にＺ軸方向を長手方向として支持されている。
【００３１】
前記駆動回路２１は、一例として電磁シールド１１ａの＋Ｙ側の外壁面に配置された電子基板などに形成され、制御装置５０の指示に基づいて、１組のブランキング電極１４ａ、１４ｂ間に電位差を与えるための矩形波状の駆動信号を出力する。この駆動回路２１は、一例として図４に示されるように、第１同軸伝送路２４Ａの＋Ｙ側端部に設けられた、ピン２３ａ及び外部コネクタ２３ｂからなるＢＮＣコネクタ２３Ａに接続された同軸ケーブル２２（図２参照）を介して第１同軸伝送路２４Ａに電気的に接続されている。
【００３２】
前記終端器２５は、１組のブランキング電極１４ａ、１４ｂに対して両端が電気的に接続される終端抵抗を含んで構成されている。この終端器２５は、例えば図２に示されるように、第２同軸伝送路２４Ｂの−Ｙ側端部に、ＢＮＣコネクタ２３Ｂを介して電気的に接続されている。
【００３３】
本実施形態では、同軸ケーブル２２として特性インピーダンスが５０Ωのものを使用し、第１同軸伝送路２４Ａ、第２同軸伝送路２４Ｂ、及びブランキング電極１４ａ,１４ｂの特性インピーダンスはそれぞれ５０Ωとされ、更に、駆動回路２１の出力インピーダンス及び終端器２５のインピーダンス（抵抗値）は５０Ωに調整されている。
【００３４】
例えば、第１同軸伝送路２４Ａ,及び第２同軸伝送路２４Ｂに関しては、内部導体２４ａの外径を２ａ（ｍ）、外部導体２４ｂの内径を２ｂ（ｍ）、鏡筒１１ｂの内部空間の透磁率及び誘電率をそれぞれμ０、ε０とすると、第１同軸伝送路２４Ａ、及び第２同軸伝送路２４Ｂの特性インピーダンスＺ０（Ω）は次式（１）で示される。したがって、本実施形態では、内部導体２４ａの外径を２．０×１０-3（ｍ）、外部導体２４ｂの内径を４．６×１０-3（ｍ）として設計し、第１同軸伝送路２４Ａ,及び第２同軸伝送路２４Ｂの特性インピーダンスを５０Ωとする。
【００３５】
【数１】
0004937014.tif 000002
【００３６】
また、ブランキング電極１４ａ,１４ｂに関しては、対向するブランキング電極１４ａ,１４ｂのギャップ長（距離）をｄ（ｍ）、ブランキング電極１４ａ,１４ｂのＹ軸方向の寸法をｗ（ｍ）、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間の比透磁率をμｒ、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間の比誘電率をεｒとすると、ブランキング電極１４ａ,１４ｂの特性インピーダンスＺ０は次式（２）で示される。したがって、本実施形態では、ブランキング電極１４ａ,１４ｂのギャップ長（距離）を２．０×１０-3（ｍ）、ブランキング電極１４ａ,１４ｂのＹ軸方向の寸法を１５．０×１０-3（ｍ）として設計し、ブランキング電極１４ａ,１４ｂでの特性インピーダンスを５０Ωとする。
【００３７】
【数２】
0004937014.tif 000003
【００３８】
図１に戻り、アパーチャ部材１５は、中央に電子ビームが通過する開口が設けられた板状の部材である。このアパーチャ部材１５は、ブランキング電極１４ａ,１４ｂを通過した電子ビームが収束する点近傍に開口が位置するように配置されている。
【００３９】
図１に示されるように、上述のように構成された照射装置１０では、電子銃１２から射出された電子ビームは、磁界レンズ１３を通過することにより集束され、ブランキング装置２０のアパーチャ部材１５に設けられた開口近傍（以下、クロスオーバポイントという）で一旦交差される。次に、クロスオーバポイントを通過した電子ビームは、発散しつつアパーチャ１６を通過することによりそのビーム径が整形される。そして、対物レンズ１７によって、回転テーブル３１に載置された基板Ｗの表面に収束される。
【００４０】
また、上記動作と並行して、ブランキング装置２０の駆動回路２１を駆動して、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間に電位差を生じさせ、電子ビームをＸ軸方向に偏向させることで、アパーチャ部材１５で電子ビームを遮蔽し、基板Ｗに対する電子ビームのブランキングをすることができるようになっている。また、走査電極１６に印加する電圧を制御して、電子ビームをＸ軸方向又はＹ軸方向に偏向させることにより、基板Ｗ上の電子ビーム照射位置の調整を行うことができるようになっている。
【００４１】
制御装置５０は、一例としてＣＰＵ、及び上記各部を制御するプログラムやパラメータが格納されたメモリなどを含んで構成された制御用コンピュータである。この制御装置５０は、例えばユーザから指令に基づいて、照射装置１０及び回転テーブルユニット３０を統括的に制御する。
【００４２】
上述した電子線描画装置１００では、描画開始指令が入力または通知されると、制御装置５０は、まず回転テーブルユニット３０を駆動することにより、基板Ｗを＋Ｘ方向へ微小移動させながら所定の回転数で回転させる。次に、照射装置１０を駆動して、描画パターンに基づいて電子ビームをブランキングさせることにより変調された電子ビームを、基板Ｗの表面に照射して、基板Ｗの表面に同心円状又はスパイラル状のパターンを形成する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態にかかるブランキング装置２０では、第１同軸伝送路２４Ａと第２同軸伝送路２４Ｂとによって、ブランキング電極１４ａ,１４ｂに対して、駆動回路２１、及び終端器２５が電気的に接続されている。そして、本実施形態では、駆動回路２１の出力インピーダンス、同軸ケーブル２２、第１同軸伝送路２４Ａ、第２同軸伝送路２４Ｂ、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ、及び終端器２５の特性インピーダンスが５０Ωとなっている。
【００４４】
したがって、駆動回路２１から出力される駆動信号は、第１同軸伝送路２４Ａ、第２同軸伝送路２４Ｂ、及びブランキング電極１４ａ,１４ｂで反射されることなく、終端器２５に到達し、終端器２５において熱に変換されることにより吸収される。これによって、駆動信号にオーバーシュートやリンキングが発生することがなくなり、精度よく電子線のブランキングを行うことが可能となる。
【００４５】
図５（Ａ）は、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間に矩形波状の電圧が印加されたときに、基板Ｗ上に形成されるマークＭを示す図である。本実施形態では、上述したように、駆動回路２１の出力インピーダンス、同軸ケーブル２２、第１同軸伝送路２４Ａ、第２同軸伝送路２４Ｂ、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ、及び終端器２５の特性インピーダンスが５０Ωに揃えられている。このため、駆動回路２１から終端器２５までの間で駆動信号が反射されることがなく、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間の電圧は、駆動回路２１から出力されたオフ時間Ｔ１でオン時間がＴ２となる矩形波状の駆動信号と同等となる。このため、駆動信号の値がローレベルＬ（０Ｖ）のときに、図５（Ａ）に示されるようにマークＭが基板上に形成される。
【００４６】
一方、図５（Ｂ）は、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間に、オーバーシュートやリンキング成分を含む整定性の悪い電圧が印加されたときに、基板Ｗ上に形成されるマークＭを示す図である。ブランキング電極１４ａに印加される電圧に、駆動信号の反射波成分が含まれる場合には、図５（Ｂ）に示される例のように、涙形状となってしまう。本実施形態にかかる電子線描画装置１００では、ブランキング装置２０によって、一例として図５（Ａ）に示されるように、ブランキング電極１４ａ,１４ｂに整定性の良い矩形波状の電圧が印加されるため、基板ＷにマークＭからなるパターンを精度よく描画することが可能となる。
【００４７】
また、本実施形態では、ブランキング電極１４ａ,１４ｂは、第１同軸伝送路２４Ａ、及び第２同軸伝送路２４Ｂを介して、発熱源となる駆動回路２１及び終端器２５に接続されている。したがって、ブランキング電極１４ａ,１４ｂが、駆動回路２１及び終端器２５で発生する熱による影響を受けることがない。さらに駆動回路２１及び終端器２５は、ケーシング１１の外部に配置されている。これにより、大気中への放熱効果を向上することができ、結果的に冷却機構等を装置に付属させる必要がなくなり、装置の小型化及び低コスト化を図ることが可能となる。
【００４８】
また、本実施形態では、ブランキング電極１４ａ,１４ｂそれぞれは、第１同軸伝送路２４Ａ及び第２同軸伝送路２４Ｂによって、駆動回路２１及び終端器２５と電気的に接続されるとともに、鏡筒１１ｂ内のほぼ中央で支持されている。このため、電極を他の支持部材等で支持する必要がなく、装置の構造を簡略化することが可能となる。
【００４９】
また、第１同軸伝送路２４Ａ及び第２同軸伝送路２４Ｂは相互に同等の構成を有している。このため、ブランキング電極１４ａ,１４ｂを中心に機械的特性が対称となり、ブランキング電極１４ａ,１４ｂの自重にともなう姿勢の変動を極力小さく抑えることができる。したがって、電子線に対して再現性のある安定したブランキング制御を行なうことができ、結果的に基板Ｗに対して精度よくパターンを描画することが可能となる。
【００５０】
更に、第１同軸伝送路２４Ａ及び第２同軸伝送路２４Ｂは相互に同等の構成を有していることから、駆動回路２１及び終端器２５からの発熱によって、第１同軸伝送路２４Ａ及び第２同軸伝送路２４Ｂが熱膨張する場合にも、双方が同等に熱膨張するため、電極位置のズレを回避することができる。したがって、電子線に対して再現性のある安定したブランキング制御を行なうことができ、結果的に基板Ｗに対して精度よくパターンを描画することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上説明したように、本発明のブランキング装置は、基板に照射される電子ビームをブランキングするのに適している。また、本発明の電子線描画装置は、基板にパターンを描画するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子線描画装置１００の概略的な構成を示す図である。
【図２】照射装置１０のＸＹ断面図である。
【図３】第１同軸伝送路２４Ａと、第２同軸伝送路２４Ｂとを断面して示す図である。
【図４】第１同軸伝送路２４Ａに設けられたＢＮＣコネクタ２３Ａの断面図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、ブランキング電極１４ａ,１４ｂ間に印加される電圧と基板に形成されるマーク形状との関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…照射装置、１１…ケーシング、１１ａ…電磁シールド、１１ｂ…鏡筒、１２…電子銃、１３…磁界レンズ、１４ａ,１４ｂ…ブランキング電極、１５…アパーチャ部材、１６…走査電極、１７…対物レンズ、２０…ブランキング装置、２１…駆動回路、２２…同軸ケーブル、２３Ａ,２３Ｂ…ＢＮＣコネクタ、２３ａ…ピン、２３ｂ…外部コネクタ、２３ｃ…碍子、２４Ａ…第１同軸伝送路、２４Ｂ…第２同軸伝送路、２４ａ…内部導体、２４ｂ…外部導体、２４ｃ…フランジ部、２５…終端器、３０…回転テーブルユニット、３１…回転テーブル、３２…スピンドルモータ、３２ａ…軸、３３…スライドユニット、４０…真空チャンバ、５０…制御装置、１００…電子線描画装置、Ｗ…基板。
【図１】
0004937014.tif 000004
【図２】
0004937014.tif 000005
【図３】
0004937014.tif 000006
【図４】
0004937014.tif 000007
【図５】
0004937014.tif 000008