(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の欠陥を検査する方法であって、
表面に欠陥のない基板である基準サンプルの表面画像を、処理単位となるダイ毎に分割するステップと、
基準サンプルの注目する全てのダイ毎に、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量に、前記ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量をさらに含めた情報に基づいて、基準サンプル状態指標を算出するステップと、
検査対象となる基板である検査サンプルの表面画像を、処理単位となるダイ毎に分割するステップと、
検査サンプルの注目する全てのダイ毎に、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量に、前記ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量をさらに含めた情報に基づいて、検査サンプル状態指標を算出するステップと、
前記基準サンプル状態指標に対する前記検査サンプル状態指標の比率から注目する全てのダイについての異常度を算出するステップと、
前記注目する全てのダイ毎に前記異常度と閾値とを比較し、欠陥の有無を判定するステップとを実行することを特徴とする基板の欠陥検査方法。
【請求項２】
前記基準サンプル状態指標及び検査サンプル状態指標は、基板中心から当該指標を求める注目ダイまでを結ぶ距離を半径とした円周上であって前記注目ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの前記特徴量をさらに含めた情報に基づき算出されることを特徴とする請求項１に記載された基板の欠陥検査方法。
【請求項３】
前記近傍ダイは、
基板中心から前記注目ダイまでを結ぶ距離を半径ｒ0、基板中心座標を（ｘc，ｙc）、注目ダイの中心座標を（ｘ0，ｙ0）、ダイの大きさの縦横比をｗ＝ｄｙ／ｄｘ、基板中心と注目ダイの中心座標とを結ぶ直線と水平線との角度をθ、近傍ダイ抽出のための角度の刻み幅をφ、ｎを正の整数とすると、
【数１】
0005071782.tif 000008
に基づき、算出された座標（ｘi，ｙi）を含むダイであることを特徴とする請求項２に記載された基板の欠陥検査方法。
【請求項４】
基板中心から所定半径の円内の領域に前記注目ダイが存在する場合においては、前記注目ダイに隣接するダイが前記近傍ダイとして定義されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載された基板の欠陥検査方法。
【請求項５】
前記基準サンプル状態指標及び検査サンプル状態指標は、
当該状態指標をＤ、注目ダイと近傍ダイとの違いを評価する指標をＤ1、近傍ダイのばらつきを評価する指標をＤ2、注目ダイの明度の平均値をＶ0、注目ダイの彩度の平均値をＳ0、注目ダイの明度の標準偏差をσ0、近傍ダイの明度の平均値をＶi、近傍ダイの彩度の平均値をＳi、近傍ダイの明度の標準偏差をσi、重み係数をｋ（０＜ｋ＜１の定数）及びｊ（定数）、近傍ダイの数を２ｎ（ｎは正の整数）とすると、
【数２】
0005071782.tif 000009
により算出されることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載された基板の欠陥検査方法。
【請求項６】
さらに全てのダイについて、前記基準サンプルにおける明度と前記検査サンプルにおける明度との明度差を算出するステップと、
ダイ毎に前記明度差と閾値とを比較し、欠陥の有無を判定するステップと、
前記異常度に基づく判定結果と、前記明度差に基づく判定結果とに基づき最終的に欠陥の有無を判定するステップとを実行することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板の欠陥検査方法。
【請求項７】
前記請求項１乃至請求項６のいずれかに記載されたステップをコンピュータに実行させることを特徴とする基板の欠陥検査プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板上に生じた欠陥を検査する欠陥検査方法及び欠陥検査プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ工程においては、半導体ウエハ等の基板上に、塗布液であるレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、塗布処理後の基板を加熱処理するプリベーキング処理（ＰＡＢ）、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させるポストエクスポージャベーキング処理（ＰＥＢ）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が順次行われ、被処理基板上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
そして、一連のフォトリソグラフィ工程を終了した基板は、検査装置によって、基板表面に所定のレジスト膜が形成されているか否か、あるいは適切な露光処理が行われているかどうかについて、所謂マクロ欠陥検査が行なわれている。
【０００４】
前記したマクロ欠陥検査は、基板を載置している載置台が、同一平面上をＸ−Ｙ方向に移動し、基板の上方に固定して設けられているＣＣＤカメラなどの撮像手段によって基板上を走査して基板表面を撮像することによって行なわれる（特許文献１）。そして、撮像によって得られた画像を画像処理して、欠陥の有無を検出するようにしている。より具体的に説明すると、正常な基板とデフォーカスや塗布ムラ等のマクロ欠陥のある基板とでは、撮像した画像において、輝度や明暗差が生じ、これが画像データ上では画素値の差となって現れる。従来は、このことを利用して、検査対象となった基板の画像から、正常な基板の画像を差し引いた絶対値の差分画像を求め、その差分画像を単純に２値化して数値化し、当該数値が予め設定した閾値を超えているかどうかによって、基板の正常、異常、即ち欠陥があるかどうかを判断している（特許文献２、特許文献３）。
【特許文献１】特開２００１−１６８０１０号公報
【特許文献２】特開平６−１８４３６号公報
【特許文献３】特開２００４−８５５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体ウエハは、通常少なからず同心円状の色ムラ（干渉縞）を有している。この色ムラは、欠陥ではないが、例えば、デバイス製造工程の１つであるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理において、ウエハ表面の膜が面内で不均一に研磨され、そのウエハを構成する下地多層膜との光干渉の違いで発生する。
【０００６】
しかしながら、この色ムラは、前記したマクロ欠陥検査において欠陥として検知され、欠陥の誤検知率が高くなるという課題があった。
このような課題に対しては、色ムラの模様に対応したフィルタを適用することにより色ムラ成分を除去するという方法があるが、色ムラの模様は一様ではなく、全てのムラの模様に対応したフィルタを毎回、設計するのは困難であった。また、全ての色ムラの模様に対応したフィルタを設計したとしても、各フィルタを用いた高精度の処理に時間を要し、スループットが大幅に低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、下地膜の色ムラ（干渉縞）を欠陥として誤検知することなく高精度に欠陥検出をすることのできる欠陥検査方法及び欠陥検査プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板の欠陥検査方法は、基板表面の欠陥を検査する方法であって、表面に欠陥のない基板である基準サンプルの表面画像を、処理単位となるダイ毎に分割するステップと、基準サンプルの注目する全てのダイ毎に、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量に、前記ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量をさらに含めた情報に基づいて、基準サンプル状態指標を算出するステップと、検査対象となる基板である検査サンプルの表面画像を、処理単位となるダイ毎に分割するステップと、検査サンプルの注目する全てのダイ毎に、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量に、前記ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差からなる特徴量をさらに含めた情報に基づいて、検査サンプル状態指標を算出するステップと、前記基準サンプル状態指標に対する前記検査サンプル状態指標の比率から注目する全てのダイについての異常度を算出するステップと、前記注目する全てのダイ毎に前記異常度と閾値とを比較し、欠陥の有無を判定するステップとを実行することに特徴を有する。
【０００９】
このようなステップを踏むことにより、ダイ単位で基板上の欠陥を判定するための状態指標の算出に、明度の平均値、彩度、明度の標準偏差が特徴量として用いられるため、基準サンプルと検査サンプルの状態指標の比率を用いる欠陥の判定を、従来の明度のみを特徴量とした場合よりも高精度に行なうことができる。
【００１０】
また、前記基準サンプル状態指標及び検査サンプル状態指標は、基板中心から当該指標を求める注目ダイまでを結ぶ距離を半径とした円周上であって前記注目ダイの近傍に存在する複数の近傍ダイの前記特徴量をさらに含めた情報に基づき算出されることが望ましい。
このように、各ダイに対する状態指標を算出する際に、その注目ダイと同心円状にある複数の近傍ダイの状態を含めて算出を行ない、明度の平均値、彩度、明度の標準偏差が近似した近傍ダイを加えることにより、同心円状に生じる色ムラを欠陥として誤検出することなく、正確な状態指標の算出を行なうことができる。
【００１１】
尚、前記近傍ダイは、基板中心から前記注目ダイまでを結ぶ距離を半径ｒ0、基板中心座標を（ｘc，ｙc）、注目ダイの中心座標を（ｘ0，ｙ0）、ダイの大きさの縦横比をｗ＝ｄｙ／ｄｘ、基板中心と注目ダイの中心座標とを結ぶ直線と水平線との角度をθ、近傍ダイ抽出のための角度の刻み幅をφ、ｎを正の整数とすると、
【数１】
0005071782.tif 000002
に基づき、算出された座標（ｘi，ｙi）を含むダイであることが望ましい。
尚、基板中心から所定半径の円内の領域に前記注目ダイが存在する場合においては、前記注目ダイに隣接するダイが前記近傍ダイとして定義されることが望ましい。
【００１２】
また、前記基準サンプル状態指標及び検査サンプル状態指標は、当該状態指標をＤ、注目ダイと近傍ダイとの違いを評価する指標をＤ1、近傍ダイのばらつきを評価する指標をＤ2、注目ダイの明度の平均値をＶ0、注目ダイの彩度の平均値をＳ0、注目ダイの明度の標準偏差をσ0、近傍ダイの明度の平均値をＶi、近傍ダイの彩度の平均値をＳi、近傍ダイの明度の標準偏差をσi、重み係数をｋ（０＜ｋ＜１の定数）及びｊ（定数）、近傍ダイの数を２ｎ（ｎは正の整数）とすると、
【数２】
0005071782.tif 000003
により算出されることが望ましい。
【００１３】
また、さらに全てのダイについて、前記基準サンプルにおける明度と前記検査サンプルにおける明度との明度差を算出するステップと、ダイ毎に前記明度差と閾値とを比較し、欠陥の有無を判定するステップと、前記異常度に基づく判定結果と、前記明度差に基づく判定結果とに基づき最終的に欠陥の有無を判定するステップとを実行することが望ましい。
このようなステップをさらに実行することにより、より正確に基板上の欠陥の有無を判定することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、下地膜の色ムラ（干渉縞）を欠陥として誤検知することなく高精度に欠陥検出をすることのできる欠陥検査方法及び欠陥検査プログラムを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る欠陥検査装置を具備する塗布現像装置１００の概略構成図を示している。
図１に示すように、塗布現像装置１００は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から搬入出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入出したりするカセットステーション２０と、フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各処理ユニットを多段に配置している処理ステーション３０と、この処理ステーション３０に隣接して設けられ、露光装置（図示せず）との間でウエハの受け渡しをするインターフェイス部４０とを一体に接続した構成を有している。
【００１６】
この塗布現像装置１００では、カセットステーション２０からウエハＷを受け取った処理ステーション３０において、ウエハＷは先ず矢印Ａに沿って搬送され、レジスト塗布処理、プリベーキング処理等がなされる。次いで、ウエハＷはインターフェイス部４０を介して露光装置（図示せず）により露光処理された後、再びインターフェイス部４０を介して処理ステーション３０に受け渡される。露光後のウエハＷは、矢印Ｂに沿って搬送され、ポストエクスポージャベーキング処理、現像処理等が順次行われ、被処理基板上に所定のレジストパターンが形成される
【００１７】
本発明に係る欠陥検査装置が適用される検査装置１は、図１に示すように例えば処理ステーション３０に設けられ、前記したフォトリソグラフィ工程後のウエハＷに対し欠陥検査を行なうものである。続いて、この検査装置１について図２を用いて説明する。
検査装置１は、所謂マクロ欠陥を検査する装置として構成されている。図２に示すように、検査装置１のケーシング２内には、検査サンプルである基板、例えばウエハＷ２（或いは基準サンプルのウエハＷ１）を吸着して保持するステージ３が設けられている。ステージ３は、回転部４によって、回転可能であり、任意の角度に回転、停止させることができる。ステージ３を支持する基台５は、ステージ３を回転させる回転駆動部、例えばサーボモータ等が収納されている。
【００１８】
基台５は、その全体がＸ方向（図１中の左右方向）に伸びるレール６上に移動可能である。また、レール６自体は、Ｘ方向と直交するＹ方向に伸びるレール７上に移動自在に設けられており、図示しない駆動機構によって、Ｙ方向にも移動可能である。したがって、ステージ３は、水平方向において回転自在であると共に、Ｘ方向、Ｙ方向に移動自在である。
【００１９】
ステージ３上方には、ウエハＷ１、Ｗ２の表面を撮像するための撮像装置、例えばＣＣＤカメラ１１が設けられている。このＣＣＤカメラ１１は、ステージ３上のウエハＷ１、Ｗ２表面に指向して設けられている。そして、前記したステージ３のＸ方向、Ｙ方向の移動によって、ＣＣＤカメラ１１は、ウエハＷ１、Ｗ２上の所定の領域を１ショットずつ、例えば１デバイス領域ずつ撮影することができる。したがって１ショット撮影後、ステージ３を適宜Ｘ方向、Ｙ方向に移動させ、その都度ＣＣＤカメラ１１によって撮影された画像データは、検査装置１の外部に設けられている制御部１２に出力される。
【００２０】
制御部１２は、ＣＣＤカメラ１１によって撮影された画像データに対し所定の処理を施す画像処理部１３と、画像処理部１３の処理結果として出力されたデータが記録される記憶部１４と、制御部１２内の全体制御を行ない、所定の演算処理を行うＣＰＵ１５とで構成される。
また、記憶部１４には、本発明に係る検査方法を処理するためのコンピュータプログラムが記憶されており、ＣＰＵ１５がこのプログラムを実行することによりウエハＷ２上の欠陥を検出できるようになされている。
【００２１】
続いて、このように構成された検査装置１を用いたウエハＷ２（検査サンプル）に対する欠陥検査方法について、図３のフローに沿って説明する。
所定サイズの半導体ウエハＷ２からなる検査サンプルに対し、欠陥の有無を検査する場合、先ず、基準となる正常なウエハ、即ち、欠陥を有さないウエハＷ１（基準サンプル）の取得・登録を行なう（図３のステップＳ１）。この作業では、検査装置１のステージ３に基準サンプルとなるウエハＷ１を吸着保持し、ＣＣＤカメラ１１によりウエハ表面を撮影し、取得した画像データを制御部１２の記憶部１４に登録する。登録される画像データは、例えば図４に示すように、所定の方形状の画素エリア（図では２０４８×２０４８ピクセル）内にウエハ表面画像が記録され、その表面は半導体デバイスのサイズに基づき設定されたダイＤの単位でエリアが区切られる（ダイマップと呼ぶ）。また、各ダイＤは、ダイマップ上のｘｙ座標に基づき、その位置、大きさ、番号が配置情報として登録される。このように各ダイＤの配置情報が登録されることにより、ダイ単位での特徴量の算出、抽出が容易になされる。
【００２２】
次いで、制御部１２においては、取得した画像データから各ダイＤについて、取り扱うデータをＲＧＢ表色系からＨＳＶ表色系に変換し、明度の平均値Ｖ、彩度の平均値Ｓ、明度の標準偏差σを特徴量（Ｖ，Ｓ，σ）として抽出する（図３のステップＳ２）。
欠陥検査はダイ毎に行われるが、検査するダイ（注目ダイと呼ぶ）と、その近傍ダイが抽出、指定される（図３のステップＳ３）。ここで、近傍ダイとは、ウエハ中心から注目ダイまでを結ぶ距離を半径ｒ0（以下の式（１））とした円周（同心円）上に配置されているダイのうち、以下の式（２）〜式（５）で算出される座標位置（ｘi，ｙi）を含有する２ｎ個（複数個、ｎは正の整数）のダイのことである。
【００２３】
尚、図５、図６に示すように、（ｘc，ｙc）はウエハ中心座標位置、（ｘ0，ｙ0）は注目ダイＤ０の中心座標位置、ｒ0はウエハ中心から注目ダイＤ０までの距離、ｗは各ダイＤの大きさの縦横比（ｗ＝ｄｙ／ｄｘ）、（ｘi，ｙi）は近傍ダイ抽出のために算出した座標位置、θは注目ダイＤ０の中心座標位置と水平線との角度、φは近傍ダイ抽出のための角度の刻み幅である。
また、ダイマップ上のウエハ外周部付近において、算出された座標（ｘi，ｙi）にダイＤが存在しない場合は、そのダイ特徴量（Ｖ，Ｓ，σ）は、（０，０，０）とみなされる。また、ウエハ中心部付近において、算出された座標（ｘi，ｙi）が同一ダイに複数含まれる場合には、共にそのダイ特徴量（Ｖ，Ｓ，σ）が用いられる。尚、このような問題を避けるため、前記刻み幅角度θは任意の角度に可変であることが望ましい。
【００２４】
【数３】
0005071782.tif 000004
【００２５】
これらの式に基づき、算出された座標（ｘi，ｙi）を含むダイが近傍ダイとなされる。例えば、２ｎ（個）＝８のとき、図６に示すように、注目ダイＤ０の近傍において座標（ｘ1〜8，ｙ1〜8）を含む近傍ダイＤ１〜Ｄ８が抽出される。
尚、注目ダイＤ０が図６に示すように基板中心から半径ｒ１内の領域に存在する場合、円周方向に近傍ダイを定義することは困難である。このため、その場合には、図８に示すように注目ダイＤ０に隣接するダイ（図ではＤ１〜Ｄ８）が近傍ダイと定義される。
尚、前記半径ｒ１はダイの大きさ等に応じて、任意の長さ寸法に設定可能とするのが望ましい。
全ての注目ダイＤ０及び近傍ダイ（例えばＤ１〜Ｄ８）が抽出されると、続いて各ダイについて状態指標ＤGが計算される（図３のステップＳ４）。
この状態指標ＤGでは、以下の式（６）に示す指標Ｄ1（注目ダイと近傍ダイとの違いを評価する指標）と、式（７）に示す指標Ｄ2（近傍ダイのばらつきを評価する指標）と、式（８）に示す指標Ｄ1と指標Ｄ2の比率に基づき算出される。
【００２６】
尚、注目ダイの明度の平均値をＶ0、注目ダイの彩度の平均値をＳ0、注目ダイの明度の標準偏差をσ0、注目ダイの近傍ダイの明度の平均値をＶi、注目ダイの近傍ダイの彩度の平均値をＳi、注目ダイの近傍ダイの明度の標準偏差をσi、重み係数をｋ（０＜ｋ＜１の定数）及びｊ（定数）、近傍ダイの数を２ｎ（ｎは正の整数）とする。
【数４】
0005071782.tif 000005
【００２７】
尚、このように状態指標ＤＧを求める際、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差が近似した近傍ダイを加えることにより、同心円状に生じる色ムラを欠陥として誤検出することのない状態指標が得られる。
このように基準サンプルに関する状態指標ＤＧが求められると、続いて検査サンプルとなる半導体ウエハＷ２の取得・登録作業を行う（図３のステップＳ５）。この作業では、検査装置１のステージ３に検査サンプルとなるウエハＷ２を吸着保持し、ＣＣＤカメラ１１によりウエハ表面を撮影し、取得した画像データを制御部１２の記憶部１４に登録する。
そして、基準サンプルＷ１のときと同様に、制御部１２において、取得した画像データから各ダイＤについて、取り扱うデータをＲＧＢ表色系からＨＳＶ表色系に変換し、明度の平均値Ｖ、彩度の平均値Ｓ、明度の標準偏差σからなる特徴量（Ｖ，Ｓ，σ）を抽出する（図３のステップＳ６）。
【００２８】
次いで、検査する注目ダイＤ０と、その近傍ダイ（例えばＤ１〜Ｄ８）が抽出、指定される（図３のステップＳ７）。全ての注目ダイ及び近傍ダイが抽出されると、前記した式（６）〜（８）に基づき続いて各ダイＤについて状態指標ＤＴが計算される（図３のステップＳ８）。
基準サンプルＷ１についての状態指標ＤＧ（基準サンプル状態指標）及び検査サンプルＷ２についての状態指標ＤＴ（検査サンプル状態指標）が求められると、式（９）に基づき異常度Ｆが求められる（図３のステップＳ９）。この異常度Ｆの算出は全てのダイＤについて行なわれる。
【数５】
0005071782.tif 000006
【００２９】
全てのダイＤについて異常度Ｆが求められると、この異常度Ｆと、予め設定された閾値ＴＨＳとが比較され、その大小により正常（欠陥無し）か異常（欠陥有り）かの一次判定が行なわれる（図３のステップＳ１０）。
ここで、図９に、各ダイについて求められた異常度Ｆの値と、閾値ＴＨＳ＞１．２とした場合の異常と判定されたダイ（ハッチングで示すダイ）を例示する。即ち、この例の場合、図４のダイマップに対応させると、図１０にハッチングで示すダイＤが欠陥を有することになる。
【００３０】
また、基準サンプルにおける明度ＶGと検査サンプルにおけるＶTを用いて、式（１０）に基づき明度差ΔＶが算出される。
【数６】
0005071782.tif 000007
【００３１】
そして、求められた明度差ΔＶと予め設定された判定用閾値ＴＨVとが比較され、その大小により正常（欠陥無し）か異常（欠陥有り）かの二次判定が行なわれる（図３のステップＳ１１）。
最後に、ステップＳ１０での一次判定とステップＳ１１での二次判定の結果がマージされ、最終判定がなされる（図３のステップＳ１２）。この最終判定では、例えば、一次判定と二次判定が共に正常であった場合に正常と判定され、いずれか一方が異常と判定されている場合には、他方が正常の判定であっても最終的に異常と判定される。
【００３２】
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、ダイ単位で基板上の欠陥を判定するための状態指標の算出に、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差が特徴量として用いられる。即ち、基準サンプルと検査サンプルの状態指標の比率を用いる欠陥の判定を、従来の明度のみを特徴量とした場合よりも高精度に行なうことができる。
また、各ダイに対する状態指標を算出する際に、その注目ダイと同心円状にある複数の近傍ダイの状態を含めて算出が行なわれる。即ち、明度の平均値、彩度の平均値、明度の標準偏差が近似した近傍ダイを加えることにより、同心円状に生じる色ムラを欠陥として誤検出することなく、正確な状態指標の算出を行なうことができる。
【００３３】
尚、前記実施の形態においては、欠陥の検査単位として各ダイとしたが、ダイをさらに任意の数のブロックに細分割（例えば、さらに４分割）し、分割された各ブロックを欠陥の検査単位としてもよい。
また、本発明に係る欠陥検査方法は、レジストパターン形成後のウエハの欠陥検査のみならず、パターン形成前の半導体ウエハに対する欠陥検査にも適用することができる。
また、本発明において検査可能な基板は半導体ウエハに限るものではなく、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に対し欠陥検査を実施する+欠陥検査方法に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本発明に係る欠陥検査装置を具備する塗布現像装置の概略構成図である。
【図２】図２は、本発明に係る欠陥検査方法を実施するために用いられる検査装置の概略構成図である。
【図３】図３は、図１の検査装置を用いたウエハに対する欠陥検査方法の手順を示すフローである。
【図４】図４は、基板表面の画像データから作成したダイマップの例である。
【図５】図５は、ダイマップ上における各ダイの配置の定義を説明するための図である。
【図６】図６は、ダイマップにおいて、注目ダイに対する近傍ダイの選択方法を説明するための図である。
【図７】図７は、注目ダイが基板中央付近に存在する場合の近傍ダイの定義を説明するための図である。
【図８】図８は、注目ダイが基板中央付近に存在する場合の近傍ダイの例を示す図である。
【図９】図９は、ダイマップ上の各ダイにおける異常度値と、欠陥と判定されたダイの例である。
【図１０】図１０は、ダイマップ上において欠陥を有するダイの位置を示す例である。
【符号の説明】
【００３６】
１                      検査装置
２                      ケーシング
３                      ステージ
４                      回転部
５                      基台
６                      レール
７                      レール
１１                    ＣＣＤカメラ
１２                    制御部
１３                    画像処理部
１４                    記憶部
１５                    ＣＰＵ
Ｄ                      ダイ
Ｗ１                    基準サンプル
Ｗ２                    検査サンプル（基板）
【図１】
0005071782.tif 000010
【図２】
0005071782.tif 000011
【図３】
0005071782.tif 000012
【図４】
0005071782.tif 000013
【図５】
0005071782.tif 000014
【図６】
0005071782.tif 000015
【図７】
0005071782.tif 000016
【図８】
0005071782.tif 000017
【図９】
0005071782.tif 000018
【図１０】
0005071782.tif 000019