(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、該誘電体層の上表面に配置された高周波線路と、誘電体層の内層に配され、平面透視して前記高周波線路の直下に透過用開口が形成された内部導体層と、前記誘電体層の下表面に形成され、平面透視して前記透過用開口が内側に含まれる大きさの下面開口が形成されるとともに導波管に接続される下面導体層と、平面透視して前記下面開口の周囲を取り囲むように配置されるとともに、前記内部導体層と前記下面導体層とを接続するシールド導体とを具備する高周波線路−導波管変換器において、
前記下面開口の内側の前記誘電体層の下表面に凹面及び凸面が設けられており、
前記凸面が前記下面開口の中央部に設けられていることを特徴とする高周波線路−導波管変換器。
【請求項２】
前記下面開口の内周に沿うように前記凹面が設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波線路−導波管変換器。
【請求項３】
前記下面開口は平面視形状が長方形であり、向かい合う２長辺に沿うように前記凹面が設けられていることを特徴とする請求項２記載の高周波線路−導波管変換器。
【請求項４】
前記下面開口の中央部に、長辺方向に沿って前記凸面が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波線路−導波管変換器。
【請求項５】
前記凹面及び前記凸面の間の段差Ｌは、前記誘電体層内における高周波信号の波長λの１２分の１以下（Ｌ≦λ/１２）であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の高周波線路−導波管変換器。
【請求項６】
前記高周波線路は、前記誘電体層の上表面に形成された線路導体と、該線路導体の両側に前記線路導体と一定間隔をもって配置された同一面接地導体層とから成るコプレーナ線路であり、平面透視して前記透過用開口の直上に、前記線路導体と直交するように形成されて前記透過用開口と電磁気的に結合されたスロットを備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の高周波線路−導波管変換器。
【請求項７】
前記高周波線路は、前記誘電体層の上表面に形成された線路導体と、前記内部導体層とから成るマイクロストリップ線路であり、前記線路導体と前記透過用開口とが電磁気的に結合されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の高周波線路−導波管変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波やミリ波等の超高周波領域において使用され、平面高周波線路と導波管とを接続する高周波線路−導波管変換器の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波線路−導波管変換器として、図６（ａ），図６（ｂ）に示す高周波線路−導波管変換器が知られている。図６において、図６（ａ）は高周波線路−導波管変換器の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−ＣＣ断面図であり、101は高周波線路、102は内部導体層、103は下面導体層、104はシールド導体、105は誘電体層、105aは誘電体整合器、106は導波管を示す。
【０００３】
この高周波線路−導波管変換においては、高周波信号は、高周波線路101から内部導体102に形成された透過用開口102ａを介して、伝播モードを変換しながら誘電体整合器105aに入射し、さらに下面導体層103に形成された下面開口103ａを介して、導波管106へ伝わる。
【０００４】
ここで、内部導体102から下面導体103までの誘電体層105の厚さ、すなわち、誘電体整合器105aの厚さを高周波信号の信号波長の略１／４にしている。これは高周波線路101と導波管106との特性インピーダンスの違いを誘電体105による１／４波長整合器で整合したものである。
【０００５】
この構成により、内部導体層102の透過用開口102ａから放射され、誘電体整合器105ａと導波管106との境界で反射した電磁波は、内部導体層102で反射し、再び誘電体整合器105ａと導波管106との境界に戻ってくる。このとき誘電体整合器105ａの厚さを信号波長の１／４にしておけば、境界で反射して再び戻ってきた電磁波（反射波）と、内部導体102の透過用開口102ａから直接境界まで伝播してきた電磁波（直接波）との行路差が信号波長の１／２になり、反射波が内部導体層102で反射する際に位相が反転していることから、境界では直接波と反射波が同位相になって強め合い、効率良く、導波管へ高周波信号を伝送することができる。
【特許文献１】特開２００４−１５３４１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、誘電体整合器105aでは、誘電体105の誘電率に応じて実効波長が短縮されてしまうことにより、基本伝播モードであるTE10とは異なる共振モード（TM01δなど）が発生し、その結果、変換効率の劣化や、導波管へ変換する周波数帯域が狭くなり、変換特性のバラツキが大きくなるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたもので、その目的は、変換効率が高く、変換特性のばらつきが小さい高周波線路−導波管変換器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の高周波線路−導波管変換器は、誘電体層と、この誘電体層の上表面に配置された高周波線路と、誘電体層の内層に配され、平面透視して前記高周波線路の直下に透過用開口が形成された内部導体層と、前記誘電体層の下表面に形成され、平面透視して前記透過用開口が内側に含まれる大きさの下面開口が形成されるとともに導波管に接続される下面導体層と、平面透視して前記下面開口の周囲を取り囲むように配置されるとともに、前記内部導体層と前記下面導体層とを接続するシールド導体とを具備する高周波線路−導波管変換器において、前記下面開口の内側の前記誘電体層の下表面に凹面及び凸面が設けられており、凸面が下面開口の中央部に設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記下面開口の内周に沿うように凹面が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記下面開口は平面視形状が長方形であり、向かい合う２長辺に沿うように凹面が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記下面開口の中央部に、長辺方向に沿って凸面が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記凹凸面の間の段差Ｌは、前記誘電体層内における高周波信号の波長λの１２分の１以下（Ｌ≦λ/１２）であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記高周波線路は、前記誘電体層の上表面に形成された線路導体と、該線路導体の両側に前記線路導体と一定間隔をもって配置された同一面接地導体層とから成るコプレーナ線路であり、平面透視して前記透過用開口の直上に、前記線路導体と直交するように形成されて前記透過用開口と電磁気的に結合されたスロットを備えていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の高周波線路−導波管変換器において好ましくは、前記高周波線路は、前記誘電体層の上表面に形成された線路導体と、前記内部導体層とから成るマイクロストリップ線路であり、前記線路導体と前記透過用開口とが電磁気的に結合されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の高周波線路−導波管変換器は、誘電体層と、この誘電体層の上表面に配置された高周波線路と、誘電体層の内層に配され、平面透視して高周波線路の直下に透過用開口が形成された内部導体層と、誘電体層の下表面に形成され、平面透視して透過用開口が内側に含まれる大きさの下面開口が形成されるとともに導波管に接続される下面導体層と、平面透視して下面開口の周囲を取り囲むように配置されるとともに、内部導体層と下面導体層とを接続するシールド導体とを具備し、下面開口の内側の誘電体層の下表面に凹凸面が設けられていることから、内部導体層と下面導体層間の誘電体層、すなわち誘電体整合器内で発生する共振モード（TM01δなど）の電磁界を変化させることにより、共振周波数をシフトさせ、導波管へ変換する周波数帯域を広げることができる。また、誘電体整合器の寸法誤差に対する変換特性のばらつきを小さくすることができる。
【００１７】
本発明において、下面開口の内周に沿うように凹面が設けられている場合には、凹面内の誘電率の変化により、共振モードの電界に影響を与え、共振周波数をシフトさせ、導波管へ変換する周波数帯域を広げることができる。
【００１８】
本発明において、下面開口は平面視形状が長方形であり、向かい合う２長辺に沿うように凹面が設けられている場合には、凹面内の誘電率の変化により、共振モードの電界に影響を与え、共振周波数をシフトさせ、導波管へ変換する周波数帯域を広げることができる。かつ、基本伝播モードであるTE10に対しては、内部導体層に形成された透過用開口直下の誘電体整合器の厚みが確保されているため、高い変換効率を得ることができる。
【００１９】
本発明において、下面開口の中央部に凸面が設けられていることから、共振モードには極力影響を与えず、基本伝播モードであるTE10に対して効果的な誘電体整合器厚みを調整することができるので、より高い変換効率を得ることができる。
【００２０】
本発明において、下面開口の中央部に、長辺方向に沿って凸面が設けられている場合には、基本伝播モードであるTE10に対して効果的な誘電体整合器厚みとすることができる。また、基本伝播モードであるTE10に対しては、内部導体層に形成された透過用開口直下の誘電体整合器の厚みが確保されているため、高い変換効率を得ることができる。
【００２１】
本発明において、凹凸面の間の段差Ｌは、誘電体層内における高周波信号の波長λの１２分の１以下（Ｌ≦λ/１２）である場合には、基本伝送モードの周波数特性に大きな影響を与えることなく、効果的に共振周波数をシフトさせることができる。
【００２２】
本発明において、高周波線路は、誘電体層の上表面に形成された線路導体と、この線路導体の両側に線路導体と一定間隔をもって配置された同一面接地導体層とから成るコプレーナ線路であり、平面透視して透過用開口の直上に、線路導体と直交するように形成されて透過用開口と電磁気的に結合されたスロットを備えている場合には、コプレーナ線路から導波管に効率良く伝送モードを変換することができ、かつ、スロットが表面に形成されていることにより、内部導体層との位置ずれに対する許容度を大きくすることができる。
【００２３】
本発明において、高周波線路は、誘電体層の上表面に形成された線路導体と、内部導体層とから成るマイクロストリップ線路であり、線路導体と透過用開口とが電磁気的に結合されている場合には、直接、マイクロストリップ線路から導波管に効率良く伝送モードを変換することができ、マイクロストリップ式平面高周波回路と導波管との変換を行なえる高周波線路−導波管変換器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２５】
図１は本発明の高周波線路−導波管変換器の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は上からみた平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面図である。図１において、１は高周波線路、２は高周波線路１の直下に透過用開口２ａが形成された内部導体層、３は誘電体層５の下表面７に形成され、平面透視して透過用開口２ａが内側に含まれる大きさの下面開口３ａが形成されるとともに導波管６に接続される下面導体層、４は平面透視して下面開口３ａの周囲を取り囲むように配置されるとともに、内部導体層２と下面導体層３とを接続するシールド導体、５は誘電体層、５aは誘電体整合器、６は導波管、７は誘電体層５の下表面、７ａは下表面７に設けられた凹面、７ｂは下表面７に設けられた凸面を示す。
【００２６】
なお、図１において、高周波線路１は、誘電体層の上表面に形成された線路導体１ａと、この線路導体１ａの両側に線路導体１ａと一定間隔をもって配置された同一面接地導体層１ｂとによるコプレーナ線路である。線路導体１ａは終端が同一面接地導体層１ｂに接続されている。また、線路導体１aの終端部にはスロット１ｃが設けられる。本実施の形態において、内部導体２を接地面として機能させることにより、グランデッドコプレーナ線路とすることもできる。
【００２７】
これら本発明の高周波線路−導波管変換器の例においては、高周波信号は、高周波線路１から内部導体２に形成された透過用開口２ａを介して、伝播モードを変換しながら誘電体整合器５ａに入射し、さらに下面導体層３に形成された下面開口３ａを介して、導波管６内に電磁波として放射される。または、高周波信号は、逆の経路で導波管６から高周波線路１に伝送される。
【００２８】
下面開口３ａは、その下面に接続される導波管の形状にしたがった形状とされる。通常、方形導波管が用いられることが多いことから、下面開口３ａも通常長方形状とされることが多い。また、平面視において、下面開口３ａ透過用開口２ａスロット１ｃの各中心がほぼ一致するように整列されているが、下面開口３ａの範囲内で位置を調整してもよい。
【００２９】
誘電体層５の平面方向においては、内部導体層２に形成された透過用開口２ａ、下面導体層３に形成された下面開口３ａおよび誘電体整合器５ａを取り囲むようにして、誘電体層５の内部に配されたシールド導体４によりシールドされており、これにより誘電体整合器５ａが機能するとともに電磁波が漏れ出すことを防ぎ、変換効率が低下しないようにしている。
【００３０】
さらに、下面導体層３の内側の誘電体層５、すなわち、誘電体整合器５ａの下表面７に凹凸面７ａ，７ｂが設けられていることにより、誘電体整合器５ａ内で発生する共振モード（TM01δなど）の電磁界を変化させることができる。透過用開口２ａ直下の透過用開口２ａと凸面７ｂとの間は高周波信号の波長λの略１／４の長さとされる。これにより、誘電体整合器５ａとして機能するとともに、凹面７ａによって共振周波数をシフトさせ、導波管６へ変換される高周波信号の周波数帯域を広げることができる。また、誘電体整合器５ａの寸法誤差に対する変換特性のばらつきを小さくすることができる。本実施の形態の構成は、積層法を用い易いという特徴がある。
【００３１】
本発明の高周波線路−導波管変換器において、好ましくは、図１に示すように、下面導体層３の下面開口３ａは平面視形状が長方形であり、向かい合う２長辺に沿うように凹面７ａが設けられ、凹面７ａの間の下面７の中央部に凸面７ｂが形成されている場合には、凹面７ａ内の誘電率の変化により、特に共振モードの電界に影響を与え、共振周波数をシフトさせて、導波管６へ変換する周波数帯域を広げることができる。かつ、基本伝播モードであるTE10に対しては、内部導体層２に形成された透過用開口２ａ直下の誘電体整合器５ａのλ／４厚みが確保されているため、高い変換効率を得ることができる。
【００３２】
また、図２は、本発明の高周波線路−導波管変換器の実施形態の他の例を示し、（ａ）は本発明の高周波線路−導波管変換器の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面図である。図２において、図１と対応する部分には同じ符合を付している。図２の実施形態において、凹面７ａは下面開口３ａの内周に沿って一周するように設けられ、凸面７ｂは下表面７の中央部に凹面７ａに周囲を取り囲まれるようにして配置されている。また、透過用開口２ａ直下の透過用開口２ａと凸面７ｂとの間が高周波信号の波長λの略１／４の長さとされる。このようにして下表面７に凹凸面が設けられる。
【００３３】
本発明の高周波線路−導波管変換器において、図２に示すように、下面導体層３の下面開口３ａの中央部に凸面７ｂが設けられている場合には、共振モードを抑えつつ、基本伝播モードであるTE10に対して効果的な誘電体整合器厚み５ａを調整することができるので、より高い変換効率を得ることができる。
【００３４】
また、図３は、本発明の高周波線路−導波管変換器の実施形態のさらに他の例を示し、（ａ）は本発明の高周波線路−導波管変換器の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面図である。図３において、図１と対応する部分には同じ符合を付している。図３の実施形態において、凸面７ｂは下表面７の下面開口３ａ中央部に設けられ、下面導体層３は凹面７ａの底面と同一面に設けられている。すなわち、誘電体層５の下表面７は、凸面７ｂ部分のみが他の部分より突出するような凹凸面とされている。そして、透過用開口２ａ直下の透過用開口２ａと凸面７ｂとの間が高周波信号の波長λの略１／４の長さとされる。
【００３５】
図３に示す実施形態によれば、図２に示す実施形態と同様に、下面導体層３の下面開口３ａの中央部に凸面７ｂが設けられていることによって、共振モードを抑えつつ、基本伝播モードであるTE10に対して効果的な誘電体整合器厚み５ａを調整することができるので、より高い変換効率を得ることができる。また、高周波線路−導波管変換器を薄くすることができる。
【００３６】
また、図４は、本発明の高周波線路−導波管変換器の実施形態の別の例を示し、（ａ）は高周波線路−導波管変換器の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ―ＡＡ断面図である。図４において、図１と対応する部分には同じ符合を付している。図４に示すように、誘電体層５の下表面の中央部のみに凹面７ａを設けることにより下表面７に凹凸面を設けてもよい。そして、誘電体整合器５ａの下面外周部に凸面７ｂが設けられ、内部導体層２と凸面７ｂとの間が高周波信号の波長λの略１／４の長さとされる。
【００３７】
図４の実施形態による高周波線路−導波管変換器において、下面導体層３の下面開口３ａの内周に沿うように凹面７ａが設けられている場合には、凹面７ａ内の誘電率の変化により、特に共振モードの電界に影響を与え、共振周波数をシフトさせることができる。また、誘電体整合器５ａの製造誤差に対する変換特性のばらつきを小さくすることができる。
【００３８】
また、図５は、本発明の高周波線路−導波管変換器の高周波線路１部分をマイクロストリップ線路にて実現する例を示す。図５の実施形態において、誘電体層５の上表面には線路導体１ａが形成され、接地の機能を果たす内部導体層２とでマイクロストリップ線路が構成されている。線路導体１ａの終端は開放端とされ、線路導体１ａと内部導体層２に形成された透過用開口２ａとが電磁気的に結合されている。なお、線路導体１ａの終端を内部導体層２に接続した短絡端とすることもできる。図５の実施形態において、誘電体層５の下表面７は図１の実施形態と同じ凹凸面７ａ，７ｂのものとしたが、他の実施形態の構成としてもよいことは言うまでもない。
【００３９】
また上記図１〜図５の実施形態において、好ましくは、凹面７ａと凸面７ｂの段差Ｌは、誘電体層５内における高周波信号の波長λの１２分の１以下（Ｌ≦λ/１２）である場合には、基本伝送モードの周波数特性に大きな影響を与えることなく、効果的に共振周波数をシフトさせることができ、その結果、変換効率が高く、変換特性のばらつきが小さい高周波線路−導波管変換器を得ることができる。
【００４０】
誘電体層５を形成する誘電体材料としては、酸化アルミニウム，窒化アルミニウム，窒化珪素，ムライト等を主成分とするセラミック材料，ガラス，あるいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成して形成されたガラスセラミック材料，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の有機樹脂系材料，有機樹脂−セラミック（ガラスも含む）複合系材料等が用いられる。
【００４１】
高周波線路１、内部導体層２、下面導体層３、およびシールド導体４を形成する導体材料としては、タングステン，モリブデン，金，銀，銅等を主成分とするメタライズ、あるいは金，銀，銅，アルミニウム等を主成分とする金属箔等が用いられる。
【００４２】
特に、高周波線路−導波管変換器を、高周波部品を搭載する配線基板に内蔵する場合は、誘電体層５を形成する誘電体材料としては、誘電正接が小さく、かつ気密封止が可能であることが望ましい。特に望ましい誘電体材料としては、酸化アルミニウム，窒化アルミニウム，ガラスセラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種の無機材料が挙げられる。このような硬質系材料で構成すれば、誘電正接が小さく、かつ搭載した高周波部品を気密に封止することができるので、搭載した高周波部品の信頼性を高める上で好ましい。この場合、導体材料としては、誘電体材料との同時焼成が可能なメタライズ導体を用いることが、気密封止性と生産性の上で望ましい。
【００４３】
本発明の高周波線路−導波管変換器は以下のようにして作製される。例えば誘電体材料に酸化アルミニウム質焼結体を用いる場合であれば、まず酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合してスラリー状にし、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。また、タングステンやモリブデン等の高融点金属，酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合してメタライズペーストを作製する。
【００４４】
次に、セラミックグリーンシートに、例えば打ち抜き法によりシールド導体４としての貫通導体を形成するための貫通孔を形成し、例えば印刷法により、その貫通孔にメタライズペーストを埋め込み、続いて高周波線路１、内部導体層２、下面導体層３の形状にメタライズペーストを印刷する。誘電体層５が複数の誘電体層の積層構造からなる場合には、これら導体が埋め込み，印刷されたセラミックグリーンシートを積層し、加圧して圧着し、高温（約1600℃）で焼成する。さらに、高周波線路１、下面導体層３等の表面に露出する導体の表面には、ニッケルめっきおよび金めっきを被着させる。
【００４５】
シールド導体４を複数のシールド用貫通導体で形成すると、誘電体層５のシールド導体４で囲まれた領域の形状を任意に設計することができる。
【００４６】
また、シールド用貫通導体同士の隙間は、信号波長の１／４未満、すなわちλ／４未満にすることが望ましい。これは、信号波長の１／４未満とすることにより電磁波がシールド用貫通導体間の隙間から漏れにくくなるので、シールド効果を高めることができるからである。
【００４７】
なお、シールド導体４を構成するシールド用貫通導体は、貫通孔の内壁に導体層が被着されたいわゆるスルーホール導体であってもよく、貫通孔の内部が導体で充填されたいわゆるビア導体であってもよい。
【００４８】
導波管６の形状は特に制約はなく、例えば方形導波管として規格化されているＷＲシリーズを用いると、測定用校正キットが充実しているので種々の特性評価が容易になるが、使用する高周波信号の周波数に応じてシステムの小型軽量化のために導波管のカットオフが発生しない範囲で小型化した方形導波管を用いてもよい。また、円形導波管を用いてもよい。
【００４９】
導波管６は、金属で構成し、管内壁を電流による導体損低減や腐食防止のために金，銀等の貴金属で被覆するとよい。また、樹脂を必要な導波管形状に成型し、金属の場合と同様に管内壁を金，銀等の貴金属で被覆したものであってもよい。導波管６の高周波線路−導波管変換器への取り付けは、ろう材による接合やねじによる締め付け等によって行なわれる。
【００５０】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更を行なっても差し支えない。
【００５１】
例えば、図１，図２，図３，図４，図５では、凹凸面7a，７bが平面視で矩形の形状の場合の例を示したが、導波管６が円形導波管の場合、凹凸面７ａ，７ｂも円形であっても構わない。また、誘電体層５の上にさらに誘電体層を積層してもよいし、これによって接地導体層を増やし、高周波線路１をグランデッドコプレーナ線路またはストリップ線路としても構わない。
【実施例】
【００５２】
本発明の高周波線路−導波管変換器の実施例を以下に説明する。
【００５３】
まず、比誘電率が8.6からなるアルミナセラミックスから成り、厚みが0.45ｍｍの誘電体層５の上面に高周波線路１として特性インピーダンスが50Ωとなるようなコプレーナ線路を配置した。
【００５４】
そして、図１に示すように長さが2.3ｍｍ、幅が0.3ｍｍ、深さが0.1ｍｍの２組の凹面
７ａを誘電体層５の下表面７に形成した。
【００５５】
ここで、接続する導波管６をＷＲ−10（75ＧＨｚ〜110ＧＨｚ）に設定し、高周波３次
元構造シミュレータ（Ａｎｓｏｆｔ社製ＨＦＳＳ）を用いて76.5ＧＨｚを中心周波数として設計した。
【００５６】
その結果、凹面７ａを形成しない場合、使用周波数帯域である76〜77ＧＨｚ内に共振が発生するのに対し、凹面７ａを形成することにより、共振周波数を80ＧＨｚ以上にシフトできることが確認された。
【００５７】
これにより、高周波モジュールで使用される上で実用的な高周波線路−導波管変換器が得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の高周波線路−導波間変換器の実施の形態の一例を示し、（ａ）は上面からみた平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面図である。
【図２】本発明の高周波線路−導波間変換器の実施の形態の他の例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面を示す断面図である。
【図３】本発明の高周波線路−導波間変換器の実施の形態の他の例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面を示す断面図である。
【図４】本発明の高周波線路−導波間変換器の実施の形態の他の例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面を示す断面図である。
【図５】本発明の高周波線路−導波間変換器の実施の形態の他の例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のＡ−ＡＡ断面を示す断面図である。
【図６】従来の高周波線路−導波間変換器の例を示し、（ａ）は上面からみた平面図を、（ｂ）は（ａ）のＣ−ＣＣ断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１：高周波線路
２：内部導体層
２ａ：透過用開口
３：下面導体層
３ａ：下面開口
４：シールド導体
５：誘電体層
６：導波管
７：下表面
７ａ：凹面
７ｂ：凸面
【図１】
0005004826.tif 000002
【図２】
0005004826.tif 000003
【図３】
0005004826.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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