(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に配されている発光構造とを有するエレクトロルミネセント装置であって、
前記発光構造は、
第１の電極層と、第１の有機発光材料層と、第２の電極層とが積層されてなる第１の発光部と、
第３の電極層と、第２の有機発光材料層と、第４の電極層とが積層されてなり、前記第３の電極層が導電性突出部を含む第２の発光部と、
前記第１の電極層と前記第３の電極層を部分的に覆うと共に、所定の厚さに被着された支持材料層と、
を有しており、
ここで、前記支持材料層は複数の凹部を有し、当該複数の凹部のうちの第１の凹部は前記第１の電極層の一部を露出させ、当該複数の凹部のうちの第２の凹部と第３の凹部は前記第３の電極層の一部を露出させており、前記第１の凹部の中で、前記第１の有機発光材料層が前記第１の電極層の上に堆積され、前記第２の電極層が前記第１の有機発光材料層の上に堆積され、前記第２の電極層と前記第１の有機発光材料層は前記第２の凹部まで延び、前記導電性突出部が前記第２の凹部において前記第１の有機発光材料層を通過して延び、当該導電性突出部を通じて前記第２の電極層と前記第３の電極層とが電気的に接続され、ここで、前記第１の有機発光材料層は、前記導電性突出部を部分的に覆い、
ここで、第３の凹部の中で、前記第２の有機発光材料層が前記第３の電極層の上に堆積され、前記第４の電極層が前記第２の有機発光材料層の上に堆積されており、
前記第１の電極層と前記第３の電極層とは、互いに絶縁されており、かつ、同一の層レベルに配されており、
前記第１の有機発光材料層と前記第２の有機発光材料層とは、互いに絶縁されており、かつ、同一の層レベルに配されており、
前記第２の電極層と前記第４の電極層とは、前記支持材料層上に形成された電気的に絶縁するバリアによって互いに絶縁されており、かつ、同一の層レベルに配されており、前記電気的に絶縁するバリアは、前記第２の凹部と前記第３の凹部との間に位置している、
エレクトロルミネセント装置。
【請求項２】
前記第１の電極層に接続されるソースドレイン経路を有するトランジスタであって、前記発光構造を流れる電流を制御するトランジスタを前記基板上に含む、請求項１に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項３】
前記第１の発光部と前記第２の発光部とが直列に接続されている、請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項４】
前記第１の電極層と前記第３の電極層とは、同一の層から形成されたものである、請求項３に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項５】
前記第１の発光部及び前記第２の発光部に直列に接続される少なくとも１つの他の発光部を含む、請求項３又は４に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項６】
第１の電極層と、第１の有機発光材料層と、第２の電極層とが積層されてなる第１の発光部と、
第３の電極層と、第２の有機発光材料層と、第４の電極層とが積層されてなる第２の発光部と、
を有する発光構造を基板上に有する、エレクトロルミネセント装置を製造する方法であって、
前記第１の電極層と前記第３の電極層とを同一の層レベルに離隔して配し、互いに絶縁するステップと、
前記第１の電極層と前記第３の電極層の上に所定の厚さの支持材料層を被着するステップと、
前記支持材料層が複数の凹部を有し、当該複数の凹部のうちの第１の凹部は前記第１の電極層の一部を露出させ、当該複数の凹部のうちの第２の凹部と第３の凹部は前記第３の電極層の一部を露出させるように、前記支持材料層を部分的にエッチングして、前記第１の電極層と前記第３の電極層を部分的に露出させるステップと、
前記第２の凹部において前記第３の電極層が導電性突出部を有するように、前記第３の電極層を処理するステップと、
前記支持材料層上であって、前記第２の凹部と前記第３の凹部との間に電気的に絶縁するバリアを形成するステップと、
前記第１の電極層、前記第３の電極層、および前記支持材料層の上に有機発光材料を被着させ、互いに絶縁された前記第１の有機発光材料層と前記第２の有機発光材料層を形成するステップであって、前記第１の有機発光材料層は前記第１の凹部及び前記第２の凹部の中に堆積され、前記第２の有機発光材料層は前記第３の凹部の中に堆積され、前記第１の有機発光材料層は前記導電性突出部を部分的に覆い、前記導電性突出部は前記第１の有機発光材料層を通過して延びるステップと、
電気的に絶縁するバリアによって電気的に分離された前記第２の電極層と前記第４の電極層を堆積させ、ここで、前記第２の電極層は前記第１の有機発光材料層の上に堆積させ、前記第４の電極層は前記第２の有機発光材料層の上に堆積させ、前記導電性突出部を通じて前記第２の電極層と前記第３の電極層とを電気的に接続させるステップと、
を有する、エレクトロルミネセント装置を製造する方法。
【請求項７】
前記第１の電極層と前記第３の電極層との一部を、前記有機発光材料に対するぬれ性を高めるように処理するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の方法によって製造されるエレクトロルミネセント装置。
【請求項９】
前記基板上の前記発光構造を複数有することによって形成されているマトリックスを有する、請求項１乃至５の何れか一項に記載のエレクトロルミネセント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイで使用することができるエレクトロルミネセント（ＥＬ）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業界で周知のように、発光材料は、表示をするために画素のマトリックスにおいてフラットパネル上で使用される場合がある。有機発光材料は、例えばポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）を使用することができ、電子及び正孔をその有機材料に注入するアノード及びカソードの形の上部電極と下部電極との間に配され、その有機材料において電子及び正孔は結合しフォトンを発生する。発光有機材料の例が、ＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８号及びＵＳ４，５３９，５０７号に記載されている。従来のＥＬマトリックスディスプレイの例が、ＧＢ−Ａ−２，３４７，０１５号（ＰＣＴ／ＷＯ０１／３９２７２号及びＰＣＴ／ＷＯ０２／４１４００号）に記載されている。
【０００３】
ＥＬ装置は、画素に関連する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の制御の下で動作することができ、それはトランジスタを個々に切り替えるものであり、例えばＥＰ−Ａ−０７１７４４６号に記載されている。
【０００４】
典型的には、ＥＬ装置では、インジウムチタン酸化物（ＩＴＯ）で形成することができるアノード電極が、基板上に被着される。次に、有機発光ポリマーが、例えばインクジェットプリンティングによって、アノード上に被着され、次に、カソードが、例えばスパッタリングによって有機ポリマー上に被着される。この構成に関する問題は、ポリマー材料が通常のフォトリソグラフィで使われる化学製品に耐性がなく、且つ水に晒されることにより劣化するので、有機ポリマーを通常のシリコンリソグラフィ及びエッチングの技術によって処理することができないということである。
【０００５】
従って、通常は、カソードをフラットパネル上の回路に接続する目的で、特別に作られた相互接続部が、行又は列又は各画素のエッジに備えられる必要がある。これは、必要以上に回路を複雑にするので、不利である。例えば、我々の同時係属中のＧＢ０１３０４１１．２には、複数のＥＬ表示デバイスが個々の画素に対して直列に接続される構造が記載されている。これは、画素用の電源ラインに沿って生じ得る大きな電圧降下を低減するという利点を有するが、ダイオード間の直列接続部が複雑なマスキングと複雑な製作技術を必要とする不利な点を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、有機発光材料を通じて接続ができる、装置と製造方法との両方を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの態様によれば、基板と、前記基板上に発光構造と、前記基板上に、前記発光構造の下側に存在する導電領域とを有するＥＬ装置であって、前記発光構造は有機発光材料を有し、前記有機発光材料は、前記有機発光材料に発光させるために電荷担体を前記有機発光材料に供給するための第１の電極層と第２の電極層との間に配され、前記第１の電極層と前記第２の電極層は、それぞれ前記有機発光材料の下側及び上側に存在し、前記有機発光材料の上側に存在する第２の電極層及び前記有機発光材料の下側に存在する第１の電極層は前記有機発光材料の厚さを介して電気的に接続される、ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
前記下側に存在する第１の電極に接続されるソースドレイン経路を有するトランジスタであって、前記発光構造を流れる電流を制御するトランジスタを前記基板上に構成することができる。
【０００９】
第２の電極は、多くの異なる方法で、下側に存在する導電領域に接続することができる。一実施例では、前記下側に存在する導電領域が、前記有機発光材料をはじくように、前記下側に存在する導電領域のエリアにおいて処理され、前記第２の電極は、前記処理されたエリアにおいて、前記下に存在する導電領域に電気的に接続されるために、前記有機発光材料の厚さを介して延在する。
【００１０】
別の実施例では、前記下側に存在する導電領域は、前記有機発光材料の厚さを通り抜けて延在する導電突出部を伴なって形成され、前記第２の電極は、前記突出部に電気的に接続される。
【００１１】
他の実施例では、前記有機発光材料は、前記第２の通導領域の上に存在するエリアにおいて損傷を受け、前記第２の電極は、前記損傷を受けたエリアを通じて前記下側に存在する導電領域に電気的に接続される。
【００１２】
本発明は、例えば単一画素において、発光構造が直列に接続されることを可能にする。第１及び第２の発光構造を伴なう本発明による装置では、この接続は、前記第１の発光構造に対して、前記上側に存在する第２の電極層は前記下側に存在する第１の導電領域に接続され、前記第２の発光構造に対して、前記下に存在する第１の電極層は前記下側に存在する第１の導電領域に接続されるようにすることができる。
【００１３】
本発明は、ＥＬ装置を製造する方法であって、前記方法が、基板上に発光構造と前記基板上に前記発光構造の下側に存在する導電領域とを製造するステップであって、前記発光構造は有機発光材料を有し、前記有機発光材料は、前記有機発光材料に発光させるために電荷担体を前記有機発光材料に供給するための第１の電極層と第２の電極層との間に配され、前記第１の電極層と前記第２の電極層は、それぞれ前記有機発光材料の下側及び上側に存在するようなステップ、及び前記有機発光材料の厚さを介して、前記上側に存在する第２の電極層と前記下側に存在する導電領域との間に電気的接続を形成するステップ、を有する方法も含む。
【００１４】
本発明がより十分に理解されることができるようにするため、本発明の実施例が、添付図面を基準にして例として記載されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１及び図２を参照すると、アクティブマトリックスＥＬ装置は、透明ガラスプレートを有することができる基板１上、又はプラスチック材料の基板上に形成された矩形状の画素Ｐｘ，ｙのアレイを有する。画素は、概略的に示されるｙドライバ回路２の制御下で、列導体ｙ０、ｙ１...からデータが供給される。画素の個々の行は、行アドレスラインａ０，ａ１...によって個々にアドレス指定することができる。行供給ラインｓ０、ｓ１...は、画素の行への電流供給をする。行ラインは、概略的に示されるｘドライバ回路３で駆動される。図１には簡単のため数個の画素のみが示されているが、実際は、数百の画素の行及び列が存在し得る。
【００１６】
個々の画素Ｐ０，０は図２に更に詳細に示されており、アレイの他の画素が同様の構成であることが理解されるだろう。画素は、トランジスタＴ１の制御の下で充電されるコンデンサＣを含む。コンデンサＣの充電は、供給ラインＳ０とグランドとの間に直列に接続された３つの発光ダイオードＬＥＤ１、２、及び３に直列に接続されたソース／ドレイン経路を有するトランジスタＴ２の動作を制御する。
【００１７】
使用中は、行毎に、個々の画素のコンデンサＣにデータが書き込まれる。画素Ｐ０，０について考えると、行アドレス信号がアドレスラインａ０に印加され、コンデンサＣが列ラインｙ０上のデータ値に依存するレベルに充電されるように、トランジスタＴ１のソース／ドレイン経路をオンに切り替える。トランジスタＴ２は、電流が、供給ラインｓ０から、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ１、２及び３を通じてグランドに流れるように電流源として作用する。電流は、コンデンサＣによって蓄積される電荷レベルの関数である。コンデンサＣ上の電荷がリフレッシュされると、次の行アドレス期間まで、ＬＥＤは照明したままである。
【００１８】
各画素に直列接続されたＬＥＤを有する利点は、その直列接続されたＬＥＤを流れる電流が単一のＬＥＤと比較して低減され、これは、供給ラインｓに沿って生じる得る電圧降下を低減し、これによって、画素のマトリックス全体に渡って、個々の画素からの光出力の均一性が向上する。個々のＬＥＤ１、２、３は、全て同じ色の光（例えば、赤の光のような原色）を発生し、隣接する画素は、発生する光の色を異なる色の出力の混合によって制御できるように、異なる原色を発生する直列接続されたＬＥＤを含むことができる。
【００１９】
ＬＥＤ１、２及び３の間の直列接続は、図３及び図４を基準にして更に詳細に記載されている。
【００２０】
図３を参照すると、データ列ラインｙ０とｙ１との間、アドレスライン及び供給ラインａ０、ｓ０とａ１、ｓ１との間に位置する画素Ｐ０，０が平面図で示されている。画素Ｐ０，０は、トランジスタＴ１及びＴ２、コンデンサＣ、及び３つの発光ダイオードＬＥＤ１−３を含む。以下に更に詳細に説明されるように、発光ダイオードはいわゆる「paddo」４によって境界がつけられている。トランジスタＴ１は、当業界において周知のやり方でポリシリコントラック５に形成されたソースＳ１及びドレインＤ１を有する。トランジスタのゲートＧ１は、アドレスラインａ０に結合されている。ポリシリコントラック５は、フォトリソグラフィ及びエッチングによって規定される導体金属トラック６（アルミニウム（１％）ＴＩで形成することができる）に接続されている。トラック６は、トランジスタＴ２のゲートＧ２を形成し、コンデンサＣへの接続も提供する。
【００２１】
図４の断面図は、画素Ｐ０，０に対する、ＬＥＤ１、２及び３の間の直列接続と、トランジスタＴ２のソース／ドレイン経路とを示す。画素は、通常のＰＥＣＶＤ技術によって窒化ケイ素の層７が１００ｎｍの厚さに被着されることによって準備されたガラス基板１上に形成される。その後、二酸化ケイ素の層８を、３００−４００ｎｍの厚さに成長させる。
【００２２】
薄膜トランジスタＴ２は、一般に通常の技術によって基板上に形成される。トランジスタＴ２は、通常のリソグラフィ及びエッチングによって規定されるポリシリコンチャネル９を含む。当業界で知られているように、チャネルは４０ｎｍのオーダーの厚さとすることができ、初めはアモルファスシリコン層として被着され、続いて、それは、ポリシリコンに変換するために例えばエキシマレーザを使用することによってアニールされ、トランジスタ用のソース／ドレインチャネルを提供することができる。チャネル９は、ゲート絶縁体を形成する、例えば４０−１５０ｎｍの厚さの絶縁二酸化ケイ素層１０で覆われる。次に、当業者に周知のやり方で、金属ゲートＧ２が形成され、ソース領域及びドレイン領域がインプラントされ活性化される。ゲート酸化物層１０は、２００−５００ｎｍの厚さに被着された二酸化ケイ素の他の層１１によって覆われている。
【００２３】
二酸化ケイ素層１１は、１００−２００ｎｍの厚さのＩＴＯ層１２によって覆われ、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング技術によって適切にパターニングされ、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ１、２及び３の間の相互接続を提供する分離したコンタクトパッド１２−１、１２−２及び１２−３を形成する。コンタクトパッド１２−１は、バイア１３を通じてトランジスタＴ２のドレイン領域Ｄ２に接続されている。あるいは、Ｄ２をＩＴＯ領域１２−１に接続するために、金属ストラップ（図示せず）を使用することができる。同じようなバイア１４が、供給レールｓ０とトランジスタのソースＳ２と間に接続を与える。供給レールｓ０は適切な導通経路を提供するために金属で形成され、前記のストラップは供給レールと同じ被着ステップの一部として形成することができる。
【００２４】
ＩＴＯコンタクト領域１２は直列接続されたＬＥＤによって覆われ、それは、５００ｎｍ−１０００ｎｍの厚さに被着された支持材料（例えば、二酸化ケイ素）の層１５の凹部に形成されている。
【００２５】
これらＬＥＤは、発光材料の層１６の個別の部分を含む。当業者に明らかなように、層１６はＰＰＶを有することができ、他の発光有機材料を使用することもできる。実際、層１６は二重のサブレイヤー、つまり、ＩＴＯ層１２（ＩＴＯ層１２自体はＰＰＶにより覆われている）に重なるＰＥＤＯＴポリマーを有することができる。ＰＥＤＯＴは、ＩＴＯ層１２からの正孔注入を高める。ＰＥＤＯＴは水溶性である。個々のＬＥＤのカソードは、反射性で、電気導通材料（通常は、良好な電子注入のための高仕事関数の金属）の層１７から形成される。カルシウム、バリウム及びアルミニウム／バリウム合金を使用することができる。光が上方へ放射できるように透明カソードを備えることが望ましい場合があり、この場合、そのカソードは上部に、ＩＴＯを有する薄い金属部を有することができる。カソードは、スパッタリング又は物理蒸着法（ＰＶＤ）によって被着することができる。ＬＥＤは、フォトレジスト又は規定されたポリマーから作られる電気的に絶縁するバリヤを有する前記の「paddo」４によって、互いに電気的に切り離されている。図４に示すように、paddo４は、高さに伴なって増加する厚さを有するように支持層１５上に形成されている。（Paddoは、マッシュルームのオランダ語であり、以下に更に詳細に説明されるように、バリヤ４の一般的な性質を記述する技術用語として考えることができる）。
【００２６】
従って、ダイオードＬＥＤ１は、下側に存在するアノード領域１２−１、有機発光材料の領域１６−１、及び金属層１７から形成された上側に存在するカソード１７−１を有する。
【００２７】
二酸化ケイ素層１５は、ダイオードＬＥＤ１とＬＥＤ２との間に直列接続を確立するように、コンタクト領域１９−１において、ＬＥＤ１のカソード１７−１がＬＥＤ２の下側に存在するアノード１２−２と電気的に接続することを可能にする凹部１８−１も含む。
【００２８】
ダイオードＬＥＤ２及びＬＥＤ３は、同様に直列に接続される。ダイオードの種々の要素が図４に接尾数字２及び３で示されており、ＬＥＤ２はアノード１２−２、ＰＰＶ領域１６−２、及びカソード１７−２を有し、ＬＥＤ３はアノード１２−３、ＰＰＶ領域１６−３、及びカソード１７−３を有する。
【００２９】
装置を製作する方法は、図５を基準にして詳述される。図５Ａを参照すると、先に記載したように、ＰＥＣＶＤ工程によって窒化ケイ素の層７及び上に存在する二酸化ケイ素の層８を被着することによって、基板１が準備される。次に、アモルファスシリコンの層９がＰＥＣＶＤによって被着され、層９がポリシリコンに変換されるように例えばエキシマレーザによってアニールされる。層９は、チャネル領域９を規定するために、通常のフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングされる。次に、二酸化ケイ素層１０を、４０ｎｍ−１５０ｎｍの厚さに成長させる。更なる詳細のために、J. Appl. Phys. 82 (8) 15 November 1997, S. D. Brotherton, J. D. McCullochが参照される。
【００３０】
その後は、Ａｌ（１％）ＴＩ層６は、スパッタ被着法により、０．５μｍ−１μｍの厚さに被着される。次に、結果として得られた金属層は、図５Ａに示されるゲート領域Ｇ２を規定するために、通常のフォトリソグラフィック技術及びエッチング技術を使用してパターニングされる。
【００３１】
ゲート領域Ｇ２は、ｎ＋ドーパントをチャネル９のソース領域Ｓ２及びドレイン領域Ｄ２に与えることを可能にするため、それ自体周知の方法で、自己整合マスクとして使用することができる。
【００３２】
図５Ｂを参照すると、ＰＥＣＶＤによって二酸化ケイ素層１１が被着され、通常のフォトリソグラフィ及びエッチングによってバイア１３、１４が形成される。
【００３３】
次に、図５Ｃで示すように、ＩＴＯ層１２が層１１の上に存在し、ドレイン接続を提供するためにバイア１３内にも達するように、被着される。また、供給レールｓ０がバイア１４内に達し、ソース接続を提供するように被着される。
【００３４】
次に、層１２は層２０で覆われ、これは、層１６の材料、即ちＰＥＤＯＴ及びＰＰＶをはじく。この例では、はじき層２０は、容易には酸化しない金属（ＰＶＤ又は当業界で既知の他の技術によって被着される例えば銀又は金）の薄膜を有する。次に、ＩＴＯ層１２及びはじき層２０は、個々のコンタクト領域１２−１、１２−２及び１２−３を備えるように、通常のフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングされる。
【００３５】
次に、図５Ｄに示すように凹部２１−２５を含むように、酸化物層１５がＰＥＣＶＤによって被着され、通常のフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングされる。凹部２１−２５は、２つの別のグループの中でエッチングされる。初めに、凹部２１、２３及び２５が形成され、エッチングプロセスによって凹部の各々の底面においてコンタクト領域１２−１、１２−２及び１２−３が露出する。凹部２１、２３及び２５の露出したコンタクト領域は、発光層１６をはじく材料２０のコーティングを有する。しかし、発光有機層１６は、凹部２１、２３及び２５に塗布されるべきであり、従って、これら凹部は発光材料を受け入れる準備が必要である。この目的のため、凹部２１、２３及び２５の底面におけるはじきコーティングの露出領域２０−１、２０−３及び２０−５は、通常のエッチング技術によって除去される。
【００３６】
また、凹部２１、２３及び２５の側壁は、続いて塗布される層構造１６によるぬれ性が高まるように処理される。ぬれ性を高めることは、ＨＭＤＳ（hexamethyldisilizane）のようなプライマーを塗布する、酸素プラスマ照射、又はＵＶオゾン（ＵＶＯ）照射によって実行することができる。
【００３７】
レジスト（図示せず）が凹部２１、２３及び２５を保護するために塗布され、凹部２２及び２４が二酸化ケイ素層１５にエッチングされる。エッチングは、層１６をはじくコーティング２０の領域２０−２及び２０−４を露出する。レジストは、へこみ２２、２４の形成の後に除去される。次に、図５Ｄ及び図３の平面図にも示すように、ＰＥＣＶＤによるＳｉＯ２の被着及び選択エッチングによって、ＬＥＤ１及びＬＥＤ２を形成する領域の周囲にpaddo４が形成される。
【００３８】
これから説明されるように、次に、凹部２１、２３及び２５にＬＥＤ１、２及び３が形成され、ダイオード間の直列カソード接続が凹部２２及び２４に作られる。
【００３９】
図５Ｅを参照すると、層１６は、例えば、当業界で周知のスピンコーティングによって又はインクジェットプリンティングによって塗布される。先に説明したように、これは上側に存在するＰＥＤＯＴ及びＰＰＶの副層を有することができる。
【００４０】
paddo４は、層１６を、ダイオードＬＥＤ１、２及び３用の個々の領域１６−１、１６−２及び１６−３に分ける。領域１６−１、１６−２及び１６−３は、互いに電気的に絶縁される。領域１６−１は、前記のぬれ性を高めることにより補助を受けて、凹部２１の壁を覆うが、はじきコーティング２０の領域２０−２のはじき作用により凹部２２の壁は覆わず、結果として、コンタクト領域１９−１は層領域１６−１によって覆われない。同様に、層領域１６−２は、ぬれ性を高めることにより補助を受けて、凹部２３の壁を覆うが、領域２０−４のはじき作用のためコンタクト領域１９−２を覆わない。層領域１６−３は、前記のぬれ性を高めることにより補助を受けて、凹部２５の側壁を覆う。
【００４１】
その後、図４に示す構造を実現するために、例えばスパッタリング又はＰＶＤによって金属層１７が設けられる。paddo４の効果は、ダイオードＬＥＤ１及びＬＥＤ２の周辺に、電気的絶縁バリヤ壁を備えるように層１７の連続性に分断部を提供することである。paddoはその上面がその底面よりも広いように構成され、結果として、被着された層１７はそれがpaddo上に存在する場所において分断され、paddo壁の断面形状は、連続する層の形成を禁止し、これによって、層１７に分断部が生じ、領域１７−１、１７−２及び１７−３を互いに電気的に分離する。paddoの使用の一例の更なる詳細について、2002年5月23日に公開された我々のＷＯ０２／４１４００Ａ１が参考にされる。
【００４２】
従って、図４から、カソード領域１７−１は、ＰＰＶ領域１６−１の厚さを越えて、ＬＥＤ１のＰＰＶ領域１６−１上に存在し、凹部１８−１にも延在し、コンタクト領域１９−１において下側に存在するＩＴＯ領域１２−２と電気的接触を形成することがわかる。従って、カソード１７−１はＬＥＤ２の下側のアノード領域１９−１への接触を形成し、これによって２つのダイオードの間に直列接続を提供する。同様に、領域１９−２においてＬＥＤ３の下側のアノード１２−３との電気的接触を形成するようにＬＥＤ２の上側のカソード１７−２がＰＰＶ領域１６−２の厚さを越えて凹部１８−２に延在するので、ＬＥＤ２はダイオードＬＥＤ３に直列に接続される。ぬれ剤（wetting agent）が図５Ｅに示される凹部２１及び２３に塗布されたので、ＰＰＶ領域はコンタクト領域１９−１に付着せず、カソード層１７が設けられるときそれがダイオード間に直列接続を提供するためにＰＰＶ領域１６−１，１６−２の厚さを介して接続を形成することが理解されるだろう。
【００４３】
ＰＰＶ層１６が凹部２２及び２４に入るのを防止する別の方法を使用することができ、図６は第１の別の方法を示す。コンタクト領域１９−１の表面は拡大されて示されている。ＩＴＯコンタクト領域１２−２は、一連の突出部２６がＩＴＯ層に形成されるように、表面粗さを備えるために処理される。装置の製造において、はじき層が使用される必要がなく、発光材料層１６−１は凹部２２の内側の表面上に延在することができる。しかし、突出部２６は層１６−１を貫通して延在し、金属カソード１７−１と電気的接続を形成する。突出部２６は、例えば厚さ２００ｎｍ−５００ｎｍの厚いＩＴＯ層１２を粗くし、それを凹部１８−１においてのみエッチングすることによって作ることができる。ドライエッチＨＣｌ／ＨＢｒ混合物を使用することもできるが、適切なウエットエッチャントは塩化鉄（ＩＩＩ）と塩酸との混合物である。粗くする別の方法は、アルミニウムのような金属をＩＴＯ層１２上に被着し、それを凹部の領域においてパターニングすることである。これはかなり粒状且つ粗いものであり、酸化層１５の被着の間、又は３００℃−４００℃における熱処理によって、スパイク及びヒロックとなる。
【００４４】
別の代わりのものが図７に示されおり、ここでは、はじき剤が使用されないが、その代わりに、層１６−１が、領域２７が導電性となるように凹部１８−１において処理され、その結果、上側に存在するカソード１７−１が導電領域２７を通じてコンタクト領域１９−１と電気的接続を形成するように領域２７が導電性となって上側に存在するカソード１７−１がコンタクト領域１９−１と電気的接続を形成する。
【００４５】
層１６−１を処理する１つの方法は、例えば塩類溶液（salt solution）から、層１６−１をウエットにすること、又は層１６−１をイオンドープすることであり、ウエッティングは、例えば、層１６−１を凹部の底部において、その表面の残りがレジストで保護されている間に、塩類溶液に浸し、それを乾燥させることによって、凹部１８−１の底部において選択的に実行される。
【００４６】
従って、この処理は層１６の発光特性を損なうが、これは、発光が装置の動作にとって発光が重要ではないコンタクト領域１９−１、１９−２で発生するので、その発光特性は低下しない。
【００４７】
本開示を読むことにより、当業者にとっては、他の変形例及び修正例が明らかとなるであろう。斯かる変形例及び修正例は、エレクトロルミネセント装置及び他の半導体装置を有する電子装置、及びその部品の設計、製造及び使用において既知であり、且つ、上述した特徴の代わりに又はそれらに追加して使用することが出来るような同等の及び他の特徴を含むことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明によるＥＬ装置の概略平面図である。
【図２】図１に示される装置の画素の概略回路図である。
【図３】図２に示される画素の概略平面図である。
【図４】図３のラインＡ−Ｂに沿う概略断面図である。
【図５Ａ】図３及び図４に示される装置の製造におけるステップを示す。
【図５Ｂ】図３及び図４に示される装置の製造におけるステップを示す。
【図５Ｃ】図３及び図４に示される装置の製造におけるステップを示す。
【図５Ｄ】図３及び図４に示される装置の製造におけるステップを示す。
【図５Ｅ】図３及び図４に示される装置の製造におけるステップを示す。
【図６】図４の装置のサブ画素を相互接続する第１の別の方法を示す。
【図７】サブ画素間の接続を形成する第２の別の方法を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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