(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機ＥＬ素子とを備え、
前記アノードは、
アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物と酸素とを含み、導電性を有するＡｌ合金膜と、
前記Ａｌ合金膜の上に形成された透明導電膜と、
を有し、
前記Ａｌ合金膜は、酸素が含まれる混合ガス中において形成されるか、又は、酸素が含まれるスパッタリングターゲットを用いて形成される有機電界発光型表示装置。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜に添加する前記不純物の組成比率は、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下であり、
前記透明導電膜は、金属の酸化物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光型表示装置。
【請求項３】
前記Ａｌ合金膜に添加する酸素の組成比率は、０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光型表示装置。
【請求項４】
前記Ａｌ合金膜は、希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上をさらに含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置。
【請求項５】
前記Ａｌ合金膜に添加する希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上の元素の組成比率の合計は、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％未満であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光型表示装置。
【請求項６】
前記Ａｌ合金膜の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置。
【請求項７】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機ＥＬ素子とを備える有機電界発光型表示装置の製造方法であって、
前記アノードの形成工程は、
アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物と酸素とを含み、導電性を有するＡｌ合金膜を形成する工程と、
前記Ａｌ合金膜の上に透明導電膜を形成する工程と、
を含み、
前記Ａｌ合金膜を、アルゴンガスに酸素を混合した混合ガスを用いたスパッタリング方により形成するか、又は、アルミニウムに前記不純物と酸素とを含むＡｌ合金スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法で形成することを特徴とする有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記Ａｌ合金膜をアルミニウムに前記不純物を０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下の組成比率で添加したＡｌ合金スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により形成し、
前記透明導電膜を、金属の酸化物を主成分とするもので形成することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記Ａｌ合金膜に添加する酸素の組成比率が、０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下となるように形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の有機電界型表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記Ａｌ合金スパッタリングターゲットとして、酸素を０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下の組成比率で添加したものを用いることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記Ａｌ合金膜を、アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物と、希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上をさらに含むＡｌ合金スパッタリングターゲットを用いて形成することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記Ａｌ合金膜に添加する希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上の元素の組成比率の合計が、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％未満となるように形成することを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記Ａｌ合金膜の膜厚が、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように形成することを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アノードは、前記Ａｌ合金膜の下に形成され、アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物を含むＡｌ合金膜をさらに備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光型表示装置及びその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリックス型基板上に、電気光学素子として有機電界発光型（Electro-Luminescence：ＥＬ）素子（以後、有機ＥＬ素子と呼ぶ）を形成してなる有機電界発光型表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学素子として有機ＥＬ素子のような発光体を用いた有機電界発光型表示装置が、表示パネルのひとつとして一般に用いられるようになってきた。有機ＥＬ素子は、陽極電極（アノードともいう）と陰極電極（カソードともいう）の間に、有機ＥＬ層を含む電界発光層を挟んだ構造を基本構成とする。アノードとカソードの間に電圧を加えることで、アノード側から正孔（ホール）が、カソード側からは電子が注入されることによって有機ＥＬ層の発光が得られる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置である有機電界発光型表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ）が配置されたＴＦＴアクティブマトリックス基板を有している。アノード、電界発光層、カソードがこの順に積層された有機ＥＬ素子が、アクティブマトリクス基板上の表示パネル領域の各画素に形成されている。
【０００４】
従来からの一般的な有機電界発光型表示装置には、下面発光型（ボトムエミッション型）と呼ばれるものがある。ボトムエミッション型の有機電界発光型表示装置では、ガラスのような透明絶縁性基板上にＴＦＴや有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層から発生した光を透明絶縁性基板のＴＦＴが形成されていない裏側へ放射させるため、アノードは、酸化インジウムＩｎ２Ｏ３＋酸化スズＳｎＯ２（以後、ＩＴＯと呼ぶ）のような透光性を有する導電性材料で構成されている。
【０００５】
有機ＥＬ層へのホール注入効率をあげるために、アノードには仕事関数値の高い導電性材料が好ましいとされている。例えば、特許文献１では、アノードの好ましい仕事関数値の値は、４．０ｅＶ以上であることが述べられている。ＩＴＯは仕事関数値が４．７ｅＶ前後であり、アノードとして好ましい材料である。
【０００６】
しかしながら、ボトムエミッション型では、基板に形成されたＴＦＴパターンや配線パターン、あるいは信号駆動用回路パターンなどが形成された領域では光を透過させることができない。このため、有効な発光面積が狭くなってしまうという問題がある。この問題を解決するため、発光面積を広く取ることができる上面発光型（トップエミッション型）と呼ばれる構造のものが開発されている。
【０００７】
トップエミッション型の有機電界発光型表示装置では、上述のアノードが光反射性を有する金属材料で形成されている。このため、有機ＥＬ層で発生した光を、カソードを透過させて基板の上部へ放射させる際に、この金属材料からなるアノードで反射された反射光も同時に基板の上部へ放射させることができ、明るい表示画像を得ることができる。
【０００８】
トップエミッション型の有機電界発光型表示装置において、発光効率が高く明るい画像を得るために、アノードには高い仕事関数値と高い光反射率が求められる。パターンニング加工性を考慮した上で、高い仕事関数値を有する金属材料として、例えば、Ｃｒ（約４．５ｅＶ）やＭｏ（約４．６ｅＶ）を選択することができる。しかしながら、これらの金属膜は光反射率が低く、アノードに適用した場合には反射光の損失が大きいという問題がある。本発明者らの測定によれば、波長５５０ｎｍにおける光反射率は、Ｃｒは６７％、Ｍｏは６０％である。また、これらの材料は、比抵抗値が１０μΩ・ｃｍ以上と高く、ホール注入効率が低くなるため、発光効率が低くなってしまうという問題がある。
【０００９】
一方で、光反射率が９０％以上と高く、比抵抗値が１０μΩ・ｃｍ以下と低い値を示す金属材料として、例えば、ＡｌやＡｇ及びこれらの合金を選択することができる。しかしながら、これらの金属膜は、仕事関数値が好ましい４．０ｅＶよりも低いため、有機ＥＬ素子の発光効率が上げられないという問題がある。
【００１０】
以上の問題を解決するために、光反射率が高く、比抵抗値が低いＡｇ、Ａｌ及びこれらの合金の上層に、仕事関数が高い導電性材料を積層させた少なくとも二層構造として、高い反射率と、高いホール注入効率とを両立させた構成のアノードが開示されている（例えば、特許文献２〜５参照。）仕事関数の高い導電性材料としては、金属の酸化物薄膜が挙げられる。これらの多くは透光性を有しており、下層の金属による光反射率を大きく低下させることがないという利点がある。
【００１１】
しかしながら、高反射率材料として、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜を用いた場合、これらの材料は化学的に非常に活性で、大気中での表面酸化による反射率の経時劣化が大きく、実際のプロセス適用時に難があった。
【００１２】
また、下層である光反射膜を構成する金属膜や合金膜の上に、上層として透光性導電酸化膜を形成した場合、下層の金属膜の金属原子と上層に含まれる酸素との新たな酸化物反応層が、上層と下層との界面に形成される。この酸化物反応膜は電気的絶縁物であり、特許文献６〜８にも記載されている通り、デバイスとしての抵抗値を異常に高くしてしまうという公知の問題を引き起こす。
【００１３】
図７に、金属膜と透光性導電酸化膜とのコンタクト抵抗における金属膜の材質依存性についての本発明者らの実験結果を示す。図７に示すグラフからも明らかなように、従来例として示したＡｌ膜と透光性導電酸化膜であるＩＴＯ膜を積層した場合の界面における電気的コンタクト抵抗値は、比較例１として示しているＣｒとＩＴＯ膜を積層した場合を１とすると、１０７倍という非常に大きな値となってしまう結果が得られている。
【００１４】
アノードが、下層であるＡｌ合金膜上にＩＴＯ膜を単に積層しただけの構成からなる場合にも同様に、電気的絶縁体である酸化物反応層が界面に形成される。このため、有機ＥＬ層へのホール注入効率を著しく低下されてしまうという問題点がある。さらに、Ａｌ膜の場合には、ヒロックをはじめとする表面凹凸が発生しやすく、有機ＥＬ層を挟んだ対向のカソードとのショートモード故障や、ダークスポットと呼ばれる表示不良が発生しやすいという問題点もある。上述の特許文献においては、これらの問題点の対策についてはなんら記載されておらず、実際のデバイスへの適用は実質的に不可能であった。
【００１５】
それらを解決する方法として、例えば、特許文献９、１０には、ＡｌにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどを添加することによって、透明導電膜との電気的コンタクト抵抗を低減させる方法が開示されている。
【特許文献１】特許第２５９７３７７号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１５９５号公報
【特許文献３】特開２００３−７７６８１号公報
【特許文献４】特開２００３−２８８９９３号公報
【特許文献５】特開２００４−３１３２４号公報
【特許文献６】特開平４−２５３３４２号公報
【特許文献７】特開平６−１９６７３６号公報
【特許文献８】特開２０００−７７６６６号公報
【特許文献９】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献１０】特開２００４−３６３５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
特許文献９、１０に記載されている方法、例えば、ＡｌにＮｉを添加したＡｌＮｉ合金では、Ａｌの界面にＡｌの酸化物形成を防止することによって透明導電膜との良好なコンタクト抵抗を得ることができる。しかしながら、本発明者らの実験によれば、透明導電膜、例えばＩＴＯの酸化インジウムが還元されて金属Ｉｎが部分的に析出し、この部分がダークスポットとなって表示不良を起こすという問題点が発生することが明らかになった。
【００１７】
本発明はこのような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、発光効率を高め、明るい表示画像を得ることができる有機電界発光型表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様に係る有機電界発光型表示装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機ＥＬ素子とを備え、前記アノードは、アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物と酸素とを含み、導電性を有するＡｌ合金膜と、前記Ａｌ合金膜の上に形成された透明導電膜とを有し、前記Ａｌ合金膜は、酸素が含まれる混合ガス中において形成されるか、又は、酸素が含まれるスパッタリングターゲットを用いて形成されるものである。
【００１９】
本発明の一態様に係る有機電界発光型表示装置の製造方法は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、少なくともアノード、電界発光層、カソードがこの順に積層されて形成された有機ＥＬ素子とを備える有機電界発光型表示装置の製造方法であって、前記アノードの形成工程は、アルミニウムにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる１種以上の不純物と酸素とを含み、導電性を有するＡｌ合金膜を形成する工程と、前記Ａｌ合金膜の上に透明導電膜を形成する工程とを含み、前記Ａｌ合金膜を、アルゴンガスに酸素を混合した混合ガスを用いたスパッタリング方により形成するか、又は、アルミニウムに前記不純物と酸素とを含むＡｌ合金スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、発光効率を高め、明るい表示画像を得ることができる有機電界発光型表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
上記のような問題点を改善するために本発明者らが検討した結果、ＡｌＮｉ合金に窒素や酸素を添加すれば、透明導電膜、例えば、ＩＴＯの酸化インジウムの還元が防止されることが明らかとなった。これは、ＮやＯを添加したことによって、Ｎｉによる透明導電膜の還元が抑制されたためであると考えられる。
【００２２】
図１は、本発明者らの実験によるＡｌ−２ａｔ％ＮｉにＮ又はＯを添加した場合の反射率の低下を示すグラフである。図１において、黒丸がＯを添加した場合を示し、黒四角がＮを添加した場合を示している。図１から明らかなように、Ａｌ−２ａｔ％ＮｉにＮ又はＯを添加した場合、添加量が増加するにつれて反射率は低下していく。しかし、Ｎを添加した場合に比べ、Ｏを添加した場合は反射率の低下を大きく抑制できることが分かった。
【００２３】
さらに、図２は、ＡｌＮｉにＮ又はＯを添加した場合の比抵抗値の変化を表すグラフである。図２において、黒丸がＯを添加した場合を示し、黒四角がＮを添加した場合を示している。図２を見ると明らかなように、Ｎを添加した場合には、添加量が増加するにつれて比抵抗値は単調に増加していく。これに対し、Ｏを添加した場合には、添加量を増加しても比抵抗値が低下する領域があることが判った。本発明は、以上から得られた知見をもとになされたものである。
【００２４】
以下、本発明を適用可能な実施の形態について説明する。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。
【００２５】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る有機電界発光型表示装置について、図３を参照して説明する。図３は、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す断面図である。なお、図３においては、説明のため有機電界発光型表示装置構成するＴＦＴ基板とその上部に形成されている有機ＥＬ素子を含む画素部について図示している。図３に示すように、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置１００は、絶縁性基板１、ＳｉＮ層２、ＳｉＯ２層３、ポリシリコン膜４、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６、第１層間絶縁膜７、ソース電極１０、ドレイン電極１１、第２層間絶縁膜１２、平坦化膜１３、アノード１５、分離膜１６、電界発光層１７、カソード１８、封止層１９、対向基板２０を有している。
【００２６】
絶縁性基板１は、ガラス基板や石英基板等の透光性を有する基板である。絶縁性基板１上には、透光性絶縁膜であるＳｉＮ層２、ＳｉＯ２層３が順次積層して形成されている。ＳｉＮ層２、ＳｉＯ２層３は、絶縁性基板１から流出する不純物から後述するＴＦＴを保護するバッファ層としての役割を果たす。
【００２７】
ＳｉＯ２層３上には、半導体膜であるポリシリコン膜４が設けられる。ポリシリコン膜４は、ＳｉＯ２層３上に島状に形成されている。ポリシリコン膜４は、ソース領域４ａ、ドレイン領域４ｂ、チャネル領域４ｃとなる領域を含む。ＳｉＯ２層３、ポリシリコン膜４を覆うようにして、ゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート絶縁膜５上には、ゲート電極６が形成されている。
【００２８】
ゲート電極６の上には、ＳｉＯ２等からなる第１層間絶縁膜７が形成されている。第１層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５には、これらの膜を貫通して設けられたコンタクトホール８、９が設けられている。コンタクトホール８は、下層に形成されたソース領域４ａを露出するように開口されている。コンタクトホール９は、下層に形成されたドレイン領域４ｂを露出するように開口されている。
【００２９】
第１層間絶縁膜７上には、ソース電極１０、ドレイン電極１１が形成されている。ソース電極１０は、第１層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５に形成されたコンタクトホール８を介して、ソース領域４ａと接続されている。また、ドレイン電極１１は、第１層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５に形成されたコンタクトホール９を介して、ドレイン領域４ｂと接続されている。ソース電極１０、ドレイン電極１１、第１層間絶縁膜７上には、ＳｉＮやＳｉＯ２等からなる第２層間絶縁膜１２が設けられている。また、第２層間絶縁膜１２の上には、表面を平坦化するため、有機樹脂からなる平坦化膜１３が設けられている。
【００３０】
第２層間絶縁膜１２、平坦化膜１３には、下層のドレイン電極１１を露出させるコンタクトホール１４、開口部がそれぞれ形成されている。平坦化膜１３上には、アノード１５が設けられている。アノード１５は、第２層間絶縁膜１２、平坦化膜１３にそれぞれ形成されたコンタクトホール１４、開口部を介して、下層のドレイン電極１１と接続されている。アノード１５は、第１アノードであるＡｌ合金膜１５ａと、その上層に形成された第２アノードであるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂとを積層してなる。Ａｌ合金膜１５ａは、８族３ｄ遷移金属の１種以上と酸素とを含み、導電性を有する。アモルファスＩＴＯ膜１５ｂは、金属の酸化物を主成分とする透光性導電酸化膜（透明導電膜）である。アノード１５の構成については、後に詳述する。
【００３１】
アノード１５及び平坦化膜１３の上には、分離膜１６が設けられている。分離膜１６は、隣接する画素間を分離するために、画素周囲に額縁のように土手状に形成されている。分離膜１６には、アノード１５を露出する開口部が設けられている。分離膜１６の開口部には、アノード１５に接触するように、有機ＥＬ材料からなる電界発光層１７が設けられている。電界発光層１７は、図４に示すように、ホール輸送層１７ａ、有機ＥＬ層１７ｂ、電子輸送層１７ｃの順に積層される３層構造からなる。なお、ホール輸送層１７ａとアノード１５との間に挟まれるホール注入層（不図示）、あるいは電子輸送層１７ｃの直上に形成される電子注入層（不図示）の、いずれか少なくとも１層を追加した公知の構造でもよい。その場合、電界発光層１７は、４層あるいは５層構造で形成される。
【００３２】
分離膜１６、電界発光層１７上には、カソード１８が設けられている。アノード１５、電界発光層１７、カソード１８が積層されて、ＥＬ素子が形成される。有機電界発光型表示装置には、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成されている。カソード１８は、ＩＴＯ等で形成されている。アノード１５とカソード１８との間の電位差により、電界発光層１７に電流を流す。カソード１８の上には、封止層１９が設けられている。封止層１９は、電界発光層１７を水分や不純物から遮断するために設けられている。封止層１９上には、絶縁性基板１と対向するように対向基板２０が設けられている。
【００３３】
図３に示す有機電界発光型表示装置においては、ソース電極１０から伝わる信号電圧がドレイン電極１１を介してアノード１５に印加される。アノード１５とカソード１８との電位差により電界発光層１７に電流が流れることにより有機ＥＬ層が発光するため、表示に必要な光を得ることができる。
【００３４】
本実施の形態においては、アノード１５の第１アノードであるＡｌ合金膜１５ａは、光反射率の高いＡｌに、少なくとも８族３ｄ遷移金属の１種以上を不純物として含み、反応性スパッタにより酸素が添加されており、導電性を有するものである。アノード１５は、Ａｌ合金膜１５ａの上層にアモルファスＩＴＯ膜１５ｂを積層した、少なくとも２層膜として形成されている。このため、Ａｌ合金膜１５ａと、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂとの界面においては、例えばアルミナ等の電気的絶縁性の界面反応物が存在しないと同時に、酸化インジウムの還元による金属Ｉｎの析出物が発生しない。
【００３５】
さらに、Ａｌ合金膜１５ａにおける、８族３ｄ遷移元素から選ばれる１種以上の元素からなる不純物の組成比を０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下とし、酸素の組成比を０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下とする。これにより、光反射率が高く、透明導電膜であるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂの還元によるダークスポットが発生しないアノード１５を得ることができる。そのため、有機ＥＬ素子から発生する光の反射率が高いうえに、電界発光層１７へのホール注入効率を高めることができる。従って、発光効率が高く、明るい表示画像を表示することができる有機電界発光型表示装置を得ることが可能となる。
【００３６】
次に、本実施の形態に係る有機電界発光装置の製造方法について、図５、６を参照して説明する。図５、６は、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置の製造方法を説明するための製造工程断面図である。なお、説明を簡単にするため、図５、６においては、ｐ型のトランジスタのみを示している。
【００３７】
図５（Ａ）に示すように、まず、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、絶縁性基板１の主表面上に、ＳｉＮ膜２、ＳｉＯ２膜３、及びアモルファスシリコン膜４０を順に形成する。
【００３８】
なお、アモルファスシリコン膜４０を形成した後、アモルファスシリコン膜４０に含まれるＨ（水素）濃度を低減するために熱処理を実施しても良い。この場合、後に続くレーザアニール工程において、アモルファスシリコン膜４０中の水素突沸によるクラックが発生することを防止することができる。
【００３９】
その後、図５（Ｂ）に示すように、エキシマレーザ（Excimer laser）から波長３０８ｎｍのレーザ光をアモルファスシリコン膜４０に向けて照射する。この際、レーザ光は、所定の光学系を通過して線状のビームプロファイルに変換された後、アモルファスシリコン膜４０に向けて照射される。このレーザアニール工程によって、アモルファスシリコン膜４０を多結晶化し、ポリシリコン膜４が形成される。
【００４０】
なお、本実施の形態では、アモルファスシリコン膜４０を多結晶化する手段としてパルス型のエキシマレーザを用いたが、これに限定されるものではない。例えば、ＹＡＧレーザやＣＷレーザ（Continuous-wave laser）を用いてもよい。また、熱アニールを実施して、アモルファスシリコン膜４０を多結晶化することも可能である。熱アニールを実施する場合、Ｎｉ（ニッケル）などの触媒を使用すれば、より大きい粒径のポリシリコン膜４を得ることができる。
【００４１】
次に、ポリシリコン膜４の上に、所定の開口パターンを有する図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして、ポリシリコン膜４をエッチングし、ポリシリコン膜４を所定の形状とする。その後、レジスト膜を除去する。
【００４２】
次に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ポリシリコン膜４を覆うゲート絶縁膜５を形成する。そして、スパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜５上にゲート電極６となる金属膜を形成する。この金属膜上に所定の開口パターンを有する図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして、金属膜をエッチングし、ゲート電極６を形成する。その後レジスト膜を除去する。
【００４３】
その後、イオンドーピング法を用いて、ポリシリコン膜４に所定のドーズ量でボロンを注入する。このとき、ゲート電極６がマスクとなり、ボロンがポリシリコン膜４の両端に形成される。これにより、ポリシリコン膜４にソース領域４ａ、ドレイン領域４ｂが形成される。また、ボロンが注入されなかった箇所は、チャネル領域４ｃとなる。
【００４４】
次に、図５（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５上にゲート電極６を覆う第１層間絶縁膜７を形成する。そして、第１層間絶縁膜７上に所定の開口パターンを有する図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして第１層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５にエッチングを行うことにより、ソース領域４ａ、ドレイン領域４ｂにそれぞれ到達するコンタクトホール８、９を形成する。その後、レジスト膜を除去する。
【００４５】
次に、図５（Ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜７上に、所定の形状を有するソース電極１０、ドレイン電極１１を形成し、コンタクトホール８を介してソース電極１０とソース領域４ａとを接続し、コンタクトホール９を介してドレイン電極１１とドレイン領域４ｂとを接続する。ソース電極１０、ドレイン電極１１を形成した後、水素プラズマ雰囲気中に３０分間、晒した状態とする。この工程により、ポリシリコン膜４に存在する欠陥をＨ（水素）で終端することができ、信頼性が高く、性能の高いトランジスタを形成することができる。
【００４６】
次に、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１層間絶縁膜７上に、ソース電極１０、ドレイン電極１１を覆う第２層間絶縁膜１２を形成する。この第２層間絶縁膜１２上に、所定の開口パターンを有する図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして第２層間絶縁膜１２をエッチングし、ドレイン電極１１に到達するコンタクトホール１４を形成する。その後、レジスト膜を除去する。
【００４７】
次に、図５（Ｅ）に示すように、第２層間絶縁膜１２上に、コンタクトホール１４の一部又は全部と重なるようにドレイン電極１１に到達する開口部を有する平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３としては、有機樹脂膜、例えば、透光性のアクリル系観光樹脂膜であるＪＳＲ社製の製品名ＰＣ３３５を用いることができる。有機樹脂膜を約２μｍの膜厚となるようにスピンコート法を用いて塗布形成し、フォトリソグラフィ法を用いてドレイン電極１１に到達する開口部を形成する。その後、平坦化膜１３をキュアするために、２２０℃のアニールを施す。これにより、所定の開口部を有する平坦化膜１３が形成される。このように平坦化膜１３を形成することにより、ゲート電極６やソース電極１０、ドレイン電極１１などの表面凹凸を被覆し、アレイ表面を平坦にすることができる。
【００４８】
次に、平坦化膜１３の上に、アノード１５を形成する。具体的には、まず、アノード１５の第１アノードとして、Ａｌ合金膜１５ａを形成する。
【００４９】
本実施例では、アルミニウム（Ａｌ）にニッケル（Ｎｉ）を添加したターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）に酸素（Ｏ）を不純物として混合した成膜ガスを用い、反応性スパッタリング法により、アルミニウムにニッケルを不純物として２ａｔ％、酸素を２ａｔ％添加した導電性を有するＡｌ合金膜１５ａを５０ｎｍの厚さで成膜した。続いて、Ａｌ合金膜１５ａの上に、アノード１５の第２アノードとして、透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂを２０ｎｍの厚さで成膜した。
【００５０】
その後、写真製版工程により、アノード１５上に所定の開口パターンを有するレジスト膜を形成する。そのレジスト膜をマスクとして、アノード１５をエッチングする。まずシュウ酸を含む溶液を用い、続いて燐酸＋硝酸＋酢酸を含む溶液を用いて、順次アモルファスＩＴＯ膜１５ｂ、酸素を含み導電性を有するＡｌ合金膜１５ａをエッチングする。その後、レジスト膜を除去する。これにより、所望のパターンのＡｌ合金膜１５ａ、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂの２層構造のアノード１５が形成される。
【００５１】
なお、本実施の形態においては、Ａｌに不純物としてＮｉを添加したが、これに限定されるものではない。例えば、他の８族３ｄ遷移金属であるＦｅ、Ｃｏのいずれかを１種以上添加していれば良い。Ａｌに８族３ｄ遷移金属を１種以上添加することにより、上層に積層される透光性導電酸化膜との界面に絶縁性酸化物反応層が形成されるのを抑制することができ、ホール注入効率の低下を防止することができる。
【００５２】
図７に、金属膜と透光性導電酸化膜とのコンタクト抵抗値における、金属膜の材質依存性の結果を示す。図７から、ＡｌにＮｉが添加されているＡｌ合金膜にＩＴＯ膜を積層した本実施例のコンタクト抵抗は、Ｎｉを添加していないＡｌ膜とＩＴＯ膜とを積層した従来例のコンタクト抵抗と比較すると、大幅に低減されていることがわかる。また、本実施例のコンタクト抵抗値は、比較例１、比較例２で示される、高融点金属であるＭｏやＣｒとＩＴＯ膜を積層した場合のコンタクト抵抗値とほぼ同程度である。
【００５３】
このように、ＡｌにＮｉを０．１ａｔ％以上添加することにより、Ａｌ合金膜と透光性導電酸化膜であるＩＴＯ膜との間に形成される絶縁性酸化物反応層の生成を抑制することができる。これにより、良好な電気的コンタクト特性を得ることができる。
【００５４】
図８に、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ合金膜の光反射率のＮｉ組成依存性を示す。図８に示すように、Ｎｉの添加量が増加するにつれて、Ａｌ合金膜の反射率が低下することが分かる。Ｎｉの添加量を１５ａｔ％以下とした場合には、Ａｌ合金膜の光反射率を比較例１のＣｒや、比較例２のＭｏの光反射率と同等以上にすることができる。これにより、電界発光層１７からの光をＡｌ合金膜で反射させ、表示光として寄与させることができる。従って、Ａｌ合金膜１５ａの、Ａｌに添加するＮｉの組成比は、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下であることが好ましい。
【００５５】
また、本実施の形態では、Ａｌ合金膜１５ａとして、Ｎｉのほかにさらに不純物としてＯを２ａｔ％添加したＡｌ合金膜を用いたが、これに限定されない。Ｏの添加量は、０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下にすることが望ましい。Ｏを０．１ａｔ％以上添加することにより、透明導電膜であるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂの、Ｎｉによる還元を抑制することができる。このため、ダークスポットによる表示不良を防ぐことができる。
【００５６】
図１に、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ合金膜の光反射率のＯ組成依存性を示す。図１に示すように、Ｏの添加量が増加するにつれて、Ａｌ合金膜の反射率が低下することが分かる。Ｏの添加量を８ａｔ％以下とした場合には、Ａｌ合金膜の光反射率をＮを添加した場合の光反射率と同等以上にすることができる。これにより、電界発光層１７からの光をＡｌ合金膜で反射させ、表示光として寄与させることができる。従って、Ａｌ合金膜１５ａとしては、Ａｌに添加するＯの組成比は、０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下であることが好ましい。
【００５７】
さらに、Ａｌ合金膜１５ａに、希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上をさらに添加することが望ましい。これらの不純物を添加することにより、Ａｌ合金膜１５ａの耐熱性を向上することができ、ヒロックを初めとする表面凹凸の発生を抑制することができる。このため、表面凹凸によるカソードとの電気的ショートを防止することができるため、所謂ダークスポットなどの表示不良の発生を抑制することができ、表示品位を向上させることができる。また、Ａｌ合金膜１５ａに添加する希土類元素であるＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒの１種以上の元素の組成比率は、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％未満とし、前記８族３ｄ遷移金属と合わせた組成比率の合計が１５ａｔ％以下であることが好ましい。
【００５８】
本実施の形態においては、Ａｌ合金膜１５ａの膜厚を５０ｎｍとしたが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であれば良い。図９に、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ合金膜の光反射率と光透過率に対するＡｌの膜厚依存性を示す。図９から分かるように、Ａｌ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以上の場合、光透過率を十分低減でき、Ａｌ合金膜の光反射率を比較例１、２で示されたＣｒやＭｏと同等以上にすることができる。これにより、電界発光層１７からの光をＡｌ合金膜で反射させ、表示光として寄与させることができる。また、Ａｌ合金膜の膜厚が厚くなると、グレインサイズが大きくなり表面凹凸が粗くなる。このため、有機電界発光型表示装置のアノードとして用いる場合には、電界発光層１７による被覆不良を引き起こし、カソード１８とのショートモード故障等の要因となる。従って、アノード１５の表面平滑性の指針としては、平均粗さＲａが、１．０ｎｍ以下とすることが好ましい。この点を考慮すると、Ａｌ合金膜１５ａの膜厚は、２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５９】
また、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂの膜厚を２０ｎｍとしたが、これに限らず、３．５ｎｍ以上の膜厚であればよい。３．５ｎｍの膜厚であれば、層上に成長した均一な膜を形成することが可能であり、膜欠損による表示不良を防止できるという効果がある。
【００６０】
アモルファスＩＴＯ膜１５ｂは、ホール注入効率を高めるという作用のほかに、電界発光層１７からの光が、アノード１５のＡｌ合金膜１５ａの表面で反射した場合の、光学経路要素のひとつとして作用することになる。従って、発光層である有機ＥＬ層１７ｂからの光のうち、直接カソード１８側へ放射される成分と、アノード１５のＡｌ合金膜１５ａで反射されてカソード１８側へ放射される成分との干渉効果を考慮して、高い発光効率が得られるように、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂの膜厚を設定することが好ましい。さらに、後述するように、電界発光層１７における有機ＥＬ層１７ｂの下層にホール輸送層１７ａ等の膜が形成される場合には、これらの膜と、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂとの積層構造による光学経路に基づいて、これらの層の厚みをそれぞれ設定することが好ましい。
【００６１】
以上のような、好ましい膜厚で成膜された透光性導電膜であるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂ、酸素を含んだ導電性を有するＡｌ合金膜１５ａとの積層膜を、上述したように、写真製版工程により形成した所定のパターンを有するレジスト膜をマスクとして、エッチングする。まずシュウ酸を含む溶液を用い、続いて燐酸＋硝酸＋酢酸を含む溶液を用いて、順次エッチングすることより、アノード１５を所望のパターンに加工した。燐酸＋硝酸＋酢酸を含む溶液を用いたエッチングにおいては、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂは、Ａｌ合金膜１５ａよりもエッチング速度が遅い。このため、アノード１５のパターンの断面は、Ａｌ合金膜１５ａの下層部のほうが狭く、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂの上層のほうが広い庇形状となる。すなわち、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂのパターンは、下層のＡｌ合金膜１５ａのパターンから庇の分だけ飛び出している。つまり、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂのパターンは、Ａｌ合金膜１５ａのパターンを内包した形となる。
【００６２】
このような庇形状を残したまま、図６（Ｆ）に示すように、アノード１５の上に、分離膜１６を形成すると、アノード１５の庇の下部に空洞が形成されるため、そこに内包された水分や気泡等の不純物が、電界発光層１７の劣化を引き起こす可能性がある。従って、レジスト膜を除去する前に、さらにシュウ酸を含む溶液でエッチングを追加しても良い。シュウ酸は、アモルファスＩＴＯ膜１５ｂをエッチングするが、酸素を含んだ導電性を有するＡｌ合金膜１５ａをエッチングしないという選択性を有する。このような処理をすることにより、アノード１５のパターンのエッジ部において、通常形成されるアモルファスＩＴＯ膜１５ｂの庇形状が改善され、略直線状又は図５（Ｅ）に示すように、順階段状に形成することができる。このため、この後に形成する分離膜１６の被覆性を向上させることができ、電界発光層１７の劣化を引き起こすおそれのある不純物の内包も防止できる。
【００６３】
本実施の形態においては、透光性導電酸化膜としてアモルファスＩＴＯ膜１５ｂを用いたが、これに限らず、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）酸化亜鉛（ＺｎＯ）及びこれら酸化物を混合した材料であれば良い。これらは、燐酸＋硝酸＋酢酸でのエッチングが可能であるため、Ａｌ合金膜１５ａとの一括エッチングが可能であり、プロセスの簡略化ができるという効果を奏する。さらに、ＺｎＯ膜は、ＩＴＯ膜やＩｎ２Ｏ３膜、ＳｎＯ２膜と比較して、Ａｌ合金膜１５ａとの界面反応性が低く、界面の凝集物の発生が少なくなる。この界面凝集物は、パネルの表示不良を引き起こすとともに、パネルの連続点灯によりさらにその生成に新構成を有するものである。従って、このような界面凝集物の生成を抑制できることは、パネルの高い表品質並びに高い信頼性を得るといった点で大きな利点がある。
【００６４】
さらに、透光性導電酸化膜として酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を混合した材料（ＩＴＺＯ）でもよい。ＩＴＺＯ膜の場合、ＺｎＯ膜の場合と同様に、Ａｌ合金膜１５ａとの界面反応性が低く、界面の凝集物の生成の抑制効果が大きい、さらに、ＩＴＺＯ膜の場合、アモルファスＩＴＯ膜と同様に、熱処理によって結晶化するため、化学的安定性が向上するという効果も奏する。
【００６５】
次に、図６（Ｆ）に示すように、図３で示した電界発光層１７を各画素部に分離して形成するための領域を確保するために、平坦化膜１３及びアノード１５の上に、ポリイミド等からなる有機樹脂膜を塗布形成し、写真製版工程により、分離膜１６を形成する。分離膜１６は、それぞれの画素領域を取り囲むように、額縁形状となるように設けられ、隣接する画素（不図示）間を分離するような土手状の凸部として形成される。分離膜１６を形成する有機樹脂膜は、有機ＥＬ層１７ｂの特性や信頼性に悪影響を及ぼす吸着水分の少ないポリイミド系の材料を用いることが望ましい。本実施の形態では、東レ社製の製品名ＤＬ１００を約２μｍの膜厚で塗布し、写真製版工程により額縁形状の分離膜１６を形成した。
【００６６】
次に、図６（Ｇ）に示すように、蒸着等の方法を用いて、電界発光層１７となる有機材料を画素領域に形成する。本実施の形態では、電界発光層１７として、図４に示すように、ホール輸送層１７ａ、有機ＥＬ層１７ｂ、電子輸送層１７ｃをこの順に積層して形成した。ホール輸送層１７ａとしては、公知のトリアリールアミン類、芳香族ヒドラゾン類、芳香族置換ピラゾリン類、スチルベン類等の有機系材料から幅広く選択することができる。例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１'−ジフェニル−４，４'ジアミン（ＴＰＤ）等を１〜２００ｎｍの膜厚で形成する。
【００６７】
有機ＥＬ層１７ｂとしては、公知のジシアノメチレンピラン誘導体（赤色発光）、クマリン系（緑色発光）、キナクリドン系（緑色発光）、テトラフェニルブタジエン系（青色発光）、ジスチリルベンゼン系（青色発光）等の材料を１〜２００ｎｍの厚さで形成する。電子輸送層１７ｃとしては公知のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、クマリン誘導体等から選ばれる材料を０．１〜２００ｎｍの膜厚で形成する。
【００６８】
上記の実施の形態では、電界発光層１７をホール輸送層１７ａ、有機ＥＬ層１７ｂ、電子輸送層１７ｃを順次積層した構成としたが、これに限定されるものではない。電界発光層１７の発光効率を上げるために、ホール輸送層１７ａとアノード１５との間に、さらにホール注入層を設けてもよく、また電子輸送層１７ｃと後述するカソード１８との間に電子注入層を設ける公知の構成としてもよい。
【００６９】
次に、図６（Ｇ）に示すように、カソード１８として、透明導電膜であるＩＴＯ膜をスパッタリング法を用いて、１００ｎｍの厚さに形成する。カソード１８は、画素領域において、下層の電界発光層１７に接続される。また、カソード１８は、図示しないコンタクトホールを介して、下層の陰極接地用電極（不図示）を接続される。カソード１８は、膜面が高い平坦性を有することが好ましい。従って、膜組織に結晶粒界がない、アモルファスＩＴＯ膜を形成することが好ましい。アモルファスＩＴＯ膜は、例えば、ＡｒガスにＨ２Ｏガスを混合させたガス中でのスパッタリングにより形成することができる。また、酸化インジウムと酸化亜鉛を混合させたＩＺＯ膜、あるいは、ＩＴＯ膜に酸化亜鉛を混合させたＩＴＺＯ膜を用いることも可能である。
【００７０】
最後に、図６（Ｈ）に示すように、水分や不純物による電界発光層１７の発光特性の劣化を防止するため、電界発光層１７が形成されている画素領域全体を封止層１９で覆い、その上に、対向基板２０を配置する。これにより、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置が完成する。
【００７１】
なお、上記の実施の形態においては、画素を駆動するスイッチング素子となるＴＦＴの半導体膜として、ポリシリコン膜４を用いたが、これに限らず、アモルファスシリコン膜を用いてもよい。また、ＴＦＴの構造も、本実施の形態１で示したようなトップゲート型に限らず、例えば、ボトムゲート逆スタッガード型等の構造としてもよい。また、本実施の形態１においては、ＴＦＴを１個しか図示しなかったが、画素ごとにＴＦＴが複数個あってもよい。
【００７２】
実施の形態１では、アノード１５の第１アノードであるＡｌ合金膜１５ａを、アルミニウムにニッケルを添加したターゲットを用い、アルゴンに酸素を不純物として混合した成膜ガスを用いた反応性スパッタリング法を用いて形成したが、これに限定されない。例えば、Ａｌに８族３ｄ遷移金属と酸素を添加したターゲットを用いて、Ａｒを成膜ガスとして用いたスパッタリング法により形成しても、同様の効果を得ることができる。
【００７３】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る有機電界発光型表示装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、本実施の形態に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態１と異なる点は、アノード２１を第１Ａｌ合金膜２１ａ、第２Ａｌ合金膜２１ｂ、アモルファスＩＴＯ膜２１ｃの３層構造とした点である。なお、図１０において、図３と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
【００７４】
図１０に示すように、本実施の形態では、アノード２１は、第１アノードである第１Ａｌ合金膜２１ａと、その上層に形成された第２アノードである第２Ａｌ合金膜２１ｂと、さらに上層に形成された第３アノードであるアモルファスＩＴＯ膜２１ｃとを積層した、少なくとも３層膜として形成されている。
【００７５】
第１Ａｌ合金膜２１ａは、光反射率の高いＡｌに、少なくとも８族３ｄ遷移元素から選ばれる１種以上の元素を不純物として含む。また、第２Ａｌ合金膜２１ｂは、Ａｌに少なくとも８族３ｄ遷移金属の１種以上を不純物として含み、反応性スパッタにより酸素が添加されており、導電性を有するものである。このため、第２Ａｌ合金膜２１ｂと、アモルファスＩＴＯ膜２１ｃとの界面においては、例えばアルミナ等の電気的絶縁性の界面反応物が存在しない。
【００７６】
さらに、第１Ａｌ合金膜２１ａにおける、８族３ｄ遷移元素から選ばれる１種以上の元素からなる不純物の組成比を、０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下とする。また、第２Ａｌ合金膜２１ｂにおける、８族３ｄ遷移元素から選ばれる１種以上の元素からなる不純物の組成比を０．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下とし、酸素の組成比を０．１ａｔ％以上８ａｔ％以下とする。これにより、実施の形態１で説明したように、光反射率が高く、アモルファスＩＴＯ膜２１ｃの還元によるダークスポットが発生しない。
【００７７】
このようなアノード２１の製造方法としては、まず、アノード２１の第１アノードとして、第１Ａｌ合金膜２１ａを形成する。本実施例では、アルミニウム（Ａｌ）にニッケル（Ｎｉ）を添加したターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）を成膜ガスとして用いたスパッタリング法により、アルミニウムにニッケルを不純物として２ａｔ％添加した第１Ａｌ合金膜２１ａを５０ｎｍの厚さで成膜した。
【００７８】
次に、第１Ａｌ合金膜２１ａの上に、アノード２１の第２アノードとして、第２Ａｌ合金膜２１ｂを形成する。本実施例では、アルミニウム（Ａｌ）にニッケル（Ｎｉ）を添加したターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）に酸素（Ｏ）を不純物として混合した成膜ガスを用い、反応性スパッタリング法により、アルミニウムにニッケルを不純物として２ａｔ％、酸素を２ａｔ％添加した導電性を有する第２Ａｌ合金膜２１ｂを１０ｎｍの厚さで成膜した。続いて、第２Ａｌ合金膜２１ｂの上に、アノード２１の第３アノードとして、透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜２１ｃを２０ｎｍの厚さで成膜した。
【００７９】
その後、写真製版工程により、アノード２１上に所定の開口パターンを有するレジスト膜を形成する。そのレジスト膜をマスクとして、アノード２１をエッチングし、所望のパターンの第１Ａｌ合金膜２１ａ、第２Ａｌ合金膜２１ｂ、アモルファスＩＴＯ膜２１ｃの３層構造のアノード２１が形成される。
【００８０】
実施の形態１では、アノード１５の第１アノードをＡｌ合金膜１５ａの単層構造としたが、実施の形態２のように、Ａｌに少なくとも８族３ｄ遷移金属の１種以上を不純物として含み、反応性スパッタにより酸素が添加されており、導電性を有する第２Ａｌ合金膜２１ｂを上層とした積層構造としても、同様の効果を得ることができる。
【００８１】
なお、酸素を含む導電性を有する第２Ａｌ合金膜２１ｂの膜厚を１０ｎｍとしたが、これに限らず、３．５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であればよい。３．５ｎｍ以上の膜厚であれば、透明導電膜であるアモルファスＩＴＯ膜２１ｃの、Ｎｉによる還元を抑制することができ、ダークスポットによる表示不良の発生を防ぐことができる。また、Ａｌ合金膜の膜厚が厚くなると、グレインサイズが大きくなり表面凹凸が粗くなる。このため、有機電界発光型表示装置のアノードとして用いる場合には、電界発光層１７による被覆不良を引き起こし、カソード１８とのショートモード故障等の要因となる。従って、アノード２１の表面平滑性の指針としては、平均粗さＲａが、１．０ｎｍ以下とすることが好ましい。この点を考慮すると、第２Ａｌ合金膜２１ｂの膜厚は、２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００８２】
また、上記の実施の形態では、第２Ａｌ合金膜２１ｂを、アルミニウムにニッケルを添加したターゲットを用い、アルゴンに酸素を不純物として混合した成膜ガスを用いた反応性スパッタリング法を用いて形成したが、これに限定されない。例えば、Ａｌに８族３ｄ遷移金属と酸素を添加したターゲットを用いて、Ａｒを成膜ガスとして用いたスパッタリング法により形成しても、同様の効果を得ることができる。
【００８３】
なお、その場合には、第１アノードである第１Ａｌ合金膜２１ａ、第２アノードである第２Ａｌ合金膜２１ｂのそれぞれにターゲットが必要となる。反応性スパッタを用いた場合には、第１アノードと第２アノードを同一のターゲットによる形成することができるため、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】ＡｌＯ膜及びＡｌＮ膜の反射率のＯ、Ｎ組成依存性を示すグラフである。
【図２】ＡｌＮｉにＮとＯを添加した場合の比抵抗値の変化を示すグラフである。
【図３】実施の形態１に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す図である。
【図４】実施の形態１に係る有機ＥＬ層の構成例を示す図である。
【図５】実施の形態１に係る有機電界発光型表示装置の製造方法を説明するための製造工程断面図である。
【図６】実施の形態１に係る有機電界発光型表示装置の製造方法を説明するための製造工程断面図である。
【図７】透光性導電酸化膜とアノード金属膜とのコンタクト抵抗値を示すグラフである。
【図８】ＡｌＮｉ膜の反射率のＮｉ組成依存性を示すグラフである。
【図９】Ａｌ膜の反射理知及び透過率と膜厚の関係を示す図である。
【図１０】実施の形態２に係る有機電界発光型表示装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  絶縁性基板
２  ＳｉＮ膜
３  ＳｉＯ２膜
４  多結晶シリコン膜
４ａ  ソース領域
４ｂ  ドレイン領域
４ｃ  チャネル領域
５  ゲート絶縁膜
６  ゲート電極
７  第１層間絶縁膜
８、９  コンタクトホール
１０  ソース電極
１１  ドレイン電極
１２  第２層間絶縁膜
１３  平坦化膜
１４  コンタクトホール
１５、２１  アノード
１５ａ  Ａｌ合金膜
１５ｂ、２１ｃ  アモルファスＩＴＯ膜
１６  分離膜
１７  電界発光層
１７ａ  ホール輸送層
１７ｂ  有機ＥＬ層
１７ｃ  電子輸送層
１８  カソード
１９  封止層
２０  対向基板
２１ａ  第１Ａｌ合金膜
２１ｂ  第２Ａｌ合金膜
４０  アモルファスシリコン膜
【図１】
0005007246.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005007246.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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