(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）電磁誘導により発熱する材料で発熱部が構成され、電磁誘導加熱により独立して温度制御することが可能とされた昇華部及び捕集部を有し、
（ｂ）昇華部、温度調整された複数のゾーンを有する捕集部及び真空ポンプの順に配置され、昇華部及び捕集部の温度を下流側に向かって順次温度が低下するように制御され、
（ｃ）昇華部及び捕集部が、電磁誘導により発熱する材料層を含む少なくとも２層以上の材料で構成され、昇華性物質と接触する内面又は内筒の材質を金属、ガラス、セラミックス及びふっ素樹脂から選択される昇華性物質に対して不活性な材料とされた昇華精製装置の昇華部に、
（ｄ）金属錯体から選択される昇華性物質を装入し、電磁誘導加熱により昇華部を発熱させて昇華性物質を昇華させ、
（ｅ）これを電磁誘導加熱により温度調整されたゾーンを有する捕集部に導入して、目的の昇華性物質を所定温度に制御されたゾーンで捕集することを特徴とする昇華精製方法。
【請求項２】
昇華性物質を、電磁誘導により発熱する材料で発熱部が構成され、電磁誘導加熱により独立して温度制御することが可能とされた昇華部及び捕集部を有し、且つ、昇華部及び捕集部の昇華性物質と接触する内面又は内筒の材質を金属、ガラス、セラミックス及びふっ素樹脂から選択される昇華性物質に対して不活性な材料とした昇華精製装置の昇華部に装入し、電磁誘導加熱により昇華部を発熱させて昇華させ、これを電磁誘導加熱により温度調整されたゾーンを有する捕集部に導入して目的の昇華性物質を捕集することを特徴とする昇華精製方法。
【請求項３】
昇華性物質が、金属錯体である請求項２記載の昇華精製方法。
【請求項４】
不活性材料が石英ガラス、耐熱ガラス（ホウケイ酸ガラスに限る）、硬質ガラス及び琺瑯から選択されるガラス類である請求項２又は３に記載の昇華精製方法。
【請求項５】
昇華性物質が金属錯体であり、不活性材料が金属錯体の金属と同種の金属である請求項３に記載の昇華精製方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、昇華精製方法及びこれに用いる昇華精製装置に関するものである。
背景技術
常圧又は減圧下で分解することなく昇華できる固体は、適当な温度と圧力のもとでは、原理的には全て昇華精製することができることが知られているが、昇華速度が遅いこと、精製効率が低いことからごく限られた固体の精製に使用されているに過ぎない。しかしながら、昇華精製は蒸留や再結晶精製が困難な固体の精製には有用であり、特に高温域では分解が生じるような化合物の精製には有用である。このための昇華精製装置としては、特開平６−２６３４３８号公報、特開平７−２４２０５号公報等にいくつか示されている。
昇華精製装置には、その形状から垂直型、水平型等があり、昇華方法からガス随伴型昇華装置、真空昇華装置等などに大別される。これらを適宜組み合わせることにより、様々な昇華精製装置が作られ、精製すべき昇華性物質の熱安定性、その蒸気圧と蒸発の容易性、精製量、収率、目的物質の純度などにより、昇華精製装置の種類が選択される。
しかしながら、このような従来の昇華精製装置では、精製すべき固体が比較的多量である場合、これを短時間で加熱して昇華させることが困難であり、この間に精製すべき固体が分解したり、変性する可能性が増大する。また、昇華部及び捕集部の温度をある一定範囲にわたって正確に制御することも困難であり、このため分解又は変性が生じるだけでなく、十分純度が向上しない。
更に、昇華精製装置に鉄系材料等の金属材料を使用すると、昇華物質又は含有不純物が当該金属と反応したり、金属の触媒作用によって変質することが懸念される。この結果、反応生成物や変質物に起因する精製物の汚染が起こる。特に、金属錯体等の精製については、微量金属がその性質に大きな影響を及ぼすため、精製物の汚染を防止することは重要である。
発明の開示
したがって、本発明の目的は、微量から多量の供給原料を均一に、しかも短時間に加熱すると共に、その加熱温度を精度よく制御でき、それによって熱安定性に乏しい固体材料を効率よく、高純度で昇華精製する方法及び装置を提供することにある。
本発明は、電磁誘導により発熱する材料で発熱部が構成され、電磁誘導加熱により独立して温度制御することが可能とされた昇華部及び捕集部を有する昇華精製装置であって、昇華部及び／又は捕集部の昇華性物質と接触する内面又は内筒の材質を昇華性物質に対して不活性な金属、セラミックス、ガラス、樹脂等の不活性材料としたことを特徴とする昇華精製装置である。
また、本発明は、昇華性物質を、電磁誘導により発熱する材料で発熱部が構成され、電磁誘導加熱により独立して温度制御することが可能とされた昇華部及び捕集部を有し、且つ、昇華部及び／又は捕集部の昇華性物質と接触する内面又は内筒の材質を昇華性物質に対して不活性な金属、ガラス又はセラミックス等の不活性材料とした昇華精製装置の昇華部に装入し、電磁誘導加熱により昇華部を発熱させて昇華させ、これを電磁誘導加熱により温度調整されたゾーンを有する捕集部に導入して目的の昇華性物質を捕集することを特徴とする昇華精製方法である。
本発明の昇華精製装置は、昇華部と捕集部とを有し、昇華部と捕集部は独立して温度制御可能な発熱部を有し、その発熱部は電磁誘電加熱により発熱するものであり、昇華性物質と接する内面の材料が昇華性物質に対して不活性な材料であれば、形状等には制限はない。例えば、筒状やフラスコ状の昇華部としたり、筒状やコイル状の捕集部とすることが可能である。
発熱部は、電磁誘導により発熱する材料で構成されるが、この材料が昇華性物質に対して不活性な材料であり、所定の強度や成形性を有するのであれば、この材料のみからなるものであってもよいが、そうでない場合は、２層以上にして内面層を不活性な材料とするか、不活性な材料で作られた内筒を装着などする。通常、鉄系の金属は電磁誘導による発熱性が優れ、強度、成形性も優れるので、発熱部を構成する材料として有利であるが、昇華性物質を汚染しやすいという欠点があるので、金属と不活性材料との組合せが好ましいものとして挙げられる。
昇華性物質に対して不活性な材料とは、昇華精製条件で昇華性物質と反応しないことを意味する他、昇華性物質が昇華精製の際分解して生じる化合物と反応しないこと、昇華性物質等の分解反応やこれらと他の成分との反応の触媒作用を有しないこと、精製された昇華性物質を汚染しないこと、使用中又は休止中に触れる酸素ガス等の雰囲気ガスと反応しないことなどを含む。例えば、金属が酸化されて錆ができ、これが物理的に剥がれて精製された昇華性物質を汚染するような場合も、昇華性物質に対して不活性な材料とはいえないが、精製された昇華性物質を実用上問題にならない程度かすかに汚染される程度は許容される。かかる材料としては、昇華性物質の種類によって異なるが、通常、金や白金等の貴金属、ガラス、セラミックス及びフッ素樹脂等がある。
捕集部は、昇華部の下流側に設けられ、凝固温度以下の所定の温度に加熱される。目的とする昇華性物質以外の成分が一緒に凝固することを防止するため、目的とする昇華性物質を捕集するゾーンを設け、そこの温度を所定の範囲に制御することがよい。温度の異なる複数のゾーンを設け、昇華部と捕集部との間には下流側に向かって温度がほぼ階段状に低下する温度勾配を設けることも有利である。
昇華部と捕集部の外周には、発熱材料を電磁誘導式で発熱させるための誘導コイルが設けられる。
本発明の精製方法で昇華精製する昇華性物質には格別の制限はないが、昇華温度付近では分解又は変質（結晶形の変質等を含む）する恐れのある固体材料に対して特に有効であり、例えば微量の不純物や結晶形の相違又は変質が大きな影響を与えたりすることの多い電気、電子材料用、発光材料等の光学材料用の固体材料に対して有効である。このような物質としては、エレクトロルミネッセンス素子材料、半導体素子材料などが挙げられる。特に、アルミニウム−キノリン錯体等の金属錯体系のエレクトロルミネッセンス素子材料、半導体素子材料などに有効である。しかし、これらに限られるものではなく、無水ピロメリット酸、カルバゾール、ピレン、アントラキノン等の通常の用途に用いられることの多い昇華性の固体材料に対しても、適用できることは当然である。
これらの昇華性物質の中には、昇華精製装置を構成する金属材料と反応したり、金属の触媒作用によって変性したり、金属由来の不純物によるコンタミが起こる場合がある。このため、不活性材料を用いた内面のコーティングや、内筒を装着することでコンタミを防止したり、あるいは磁性セラミックス等の不活性材料を発熱体とすることが好適である。
電磁誘導式の加熱装置は、発熱材料の周りに配置されたコイルに高周波交流電流を流すことにより発熱を生じさせるものであればよい。なお、高周波交流電流発生装置へ供給する電流の周波数は５０〜５００Ｈｚが一般的であり、商用周波数で差し支えない。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を図面を参照して説明する。また、説明を簡略にするため、昇華性物質に対して不活性な材料を「不活性材料」と、電磁誘導により発熱する材料を「発熱材料」という。
この昇華精製装置は、途中で径や断面形状が異なってもよい筒状であり、精製されるべき昇華性物質の流れの方向で、上流側に昇華部、下流側に捕集部を有する。そして、昇華部及び捕集部の少なくとも一部は、電磁誘導加熱できるように、その部分の筒状体が発熱材料から構成されており、その周囲にはコイルが配置されている。
昇華部Ａは、内部に昇華室を形成し、しかも発熱材料製の筒状体２、筒状体２の外周を囲む誘導コイル３、熱電対４、温度調節器５を備えている。温度調節器５、９は、交流電源に接続され、これを高周波電力に変換し、誘導コイル３、７へ出力すると共に、熱電対４、８からの信号により供給電力の制御が可能とされている。
筒状体２の材質は発熱材料から形成されるが、発熱材料以外の材料と共に形成されていてもよい。発熱材料は金属材料、非金属材料いずれでもよいが、導電性の磁性体であることが好ましい。筒状体２が２層以上の金属材料から構成されていても、１層の金属材料と不活性材料で構成された内層又は内筒と組み合わせても差し支えない。しかしながら、少なくとも１層は発熱材料である必要がある。
精製する固体材料は粉末等の形で連続的に昇華室に装入してもよいが、ボート等に載せて間欠的に装入することが簡便である。固体材料が熱により変質しやすい場合は、連続的に装入したり、少量づつ間欠的に装入する。
加熱は電力を供給することにより行うが、可及的短時間で昇華温度に達するように電力供給量を制御する。なお、熱容量を小さくすることも昇温速度を早めるため有効であるので、必要以上に筒状体２の径を大きくしたり、肉厚を厚くしないことが有利である。また、筒状体２の全体を発熱部とすることも有利である。
昇華部Ａの下流側には、それより温度が低く保たれる捕集部が設けられる。この捕集部は複数のゾーンを有することが好ましく、少なくとも１つのゾーンは誘導加熱可能とされている。図面では誘導加熱可能とされた捕集部Ｂのゾーンと、そうではない捕集部Ｃのゾーンが設けられており、捕集部Ｂはフランジを介して昇華部Ａと連結している。捕集部Ｂは導電性の筒状の磁性材料から形成されるが、筒状体６が２層以上の金属材料から構成されていても、少なくとも１層の金属材料と他の非金属材料から構成されていても、１層の金属材料と不活性材料で構成された内層又は内筒と組み合わせても、差し支えない。しかしながら、少なくとも１層は発熱材料である必要があり、それは導電性の磁性体であることが好ましい。この捕集部Ｂの加熱構造については、昇華部Ａと同様な構造が適用できる。そして、捕集部Ｂの下流側には、捕集部Ｃが連結されている。
図面では、この捕集部Ｃは筒状体１０からなるが、その外周は保温されていても、冷却されていても、あるいは空気と接触していても差し支えない。また、図面とは異なり、捕集部Ｂの上流側に置かれてもよい。また、誘導加熱可能とされた捕集部Ｂは、１段であっても２段以上であってもよいが、目的物として捕集すべき物質が１種類である場合は、それを捕集する部分だけが誘導加熱可能とすることでもよい。
誘導加熱する捕集部Ｂは、捕集すべき物質が一定以上の純度で捕集されるように温度を制御され、しかも一定の温度に保たれた所定長さのゾーンを有するようにされることが有利である。すなわち、昇華部と捕集部にかけて、誘導加熱により温度がほぼ一定とされたゾーンが２つ以上あり、下流側に向かって順次温度が低下するようにされる。そして、最も下流側の捕集部の出口は、ガス抜出管、トラップ１１を介して真空ポンプ１２につながっている。
以下、上記の昇華精製装置を用いて、不純物を含有する昇華性物質を精製する方法について説明する。なお、説明の便宜上、固体原料には、昇華性成分として目的の昇華性物質とそれより昇華温度の低い昇華性不純物が含まれる場合について説明する。
図１の昇華精製装置において、原料である固体材料を昇華部Ａに装入し、交流電源から誘導コイル３に交流電流を通じると、昇華部Ａの発熱材料からなる筒状体２が電磁誘導加熱により発熱し、装入原料が昇華温度に達する。昇華温度は沸点以下であるが、融点以上であっても、融点以下であっても差し支えなく、所定の蒸気圧が得られる温度であればよい。通常、この蒸気圧は１×１０−６〜７００Ｔｏｒｒ（約０．１３ｍＰａ〜９３ｋＰａ）程度である。筒状体２の温度制御は、熱電対４により昇華部Ａの内部温度を測定し、温度調節器５で交流電源をオン・オフしたり、インバータ制御することなどにより、設定温度を保持することができる。昇華部Ａの装入原料のうち昇華性物質は昇華し、捕集部Ｃの後方にある真空ポンプ１２の吸引力により、昇華ガスとなって捕集部Ｂへ移動する。装入原料に含まれる非昇華性不純物は、昇華部Ａの底部に残さとして残る。
捕集部Ｂへ移動した昇華ガスは、目的の昇華性物質の融点以下で昇華ガスに含まれる主な不純物の凝固温度以上の温度に保持された筒状体６で冷却され、筒状体６の内壁に目的物質のみが凝縮、凝固され、捕集される。捕集部Ｂにおける発熱とその温度制御は、昇華部Ａと同様に行うことができる。この温度は、不純物の露点以上の温度であって、可及的に低い温度とすることが望ましいが、不純物が多数あり、微量の混入が許容される不純物であれば、更に温度を低く設定することも可能である。昇華精製作業の終了後は、捕集部Ｂを取り外すなどして、目的の昇華性物質を回収する。
本発明の昇華精製装置において、昇華部及び捕集部を構成する筒状体は、電磁誘導加熱により発熱させるため、それを構成する筒状材料の全体又は発熱させるべき部分が金属又は非金属材料製であるか、あるいは２層以上の層で形成され、その内少なくとも１層が発熱材料である。
好ましい発熱材料としては、一般に鉄や鉄合金等の鉄系の金属が用いられるが、耐熱性と防食性の観点からステンレス鋼や、黒鉛や窒化チタン等の磁性セラミックスを用いることも可能である。
発熱材料が、鉄等の金属の場合、昇華性物質や酸素ガス等に対して不活性ではないことが多いが、このような場合は、内層を不活性材料の層とするか、不活性材料から形成された内筒を装着する。
不活性材料としては、貴金属、合金等の金属類、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂等耐熱性樹脂類、石英ガラス、パイレックス、硬質ガラス、琺瑯等のガラス類、アルミナ、窒化珪素、磁器等のセラミックス類等がある。好適な不活性材料としては、金属類、琺瑯等のガラス類、フッ素樹脂及びセラミックス類が挙げられる。これらの内、強度を有さなかったり、成形困難な材料や高価な材料は、薄膜蒸着やメッキ等の手段で内層とすることが可能である。
また、内層として、発熱材料でもあり、不活性材料でもある窒化チタン等の磁性セラミックスを使用することも有利である。更に、多層構造とする代りに、ＳｉＣ、黒鉛、窒化チタン等の発熱材料で、且つ、不活性材料でもある材料を単層で、昇華部や捕集部を構成することもできる。
昇華性物質と接触する内面又は内筒の材質としては、通常使用される金属材料ではなく他の不活性材料とすることが次のような場合、有利である。
（１）  金属錯体を昇華精製する場合：
高温下で錯体金属が異種金属と接触すると、ある割合で金属交換が起こる。従って錯体純度は低下し、ときには原料純度を下回ることも起こり得る。また、装置材質と合わせて、気密保持のためのパッキング材質選定も重要である。例えば、最近は高真空技術の進歩により、種々の金属又はそれらで被覆したパッキングが実用化されている。金属錯体は高温下で昇華精製する際に、殆どの場合分解を伴う。分解で生成した配位子は、異種金属材料と接触すれば当然その錯体を形成する。
（２）  有機化合物を昇華精製する場合：
無水カルボン酸は昇華性を有するが、吸湿、開環したカルボン酸が強い金属腐食性を示すことは多い。８−オキシキノリン、フタル酸、ピロメリット酸等のように錯体形成能を持つ場合は、金属との接触面で錯体を形成し、装置の損傷とともに、精製品を汚染する可能性が有る。コールタール由来成分のように、目的化合物が酸類、硫黄化合物、ハロゲン化合物等を含んでいる場合、金属装置を使用すると、これら不純物が金属腐食、金属の触媒作用による分解、分解物によるコンタミ等を起こす懸念がある。
筒状体２及び６を電磁誘導加熱させるために用いられる誘導コイル３、７及び温度調節器５、９には、従来から公知の電磁誘導加熱装置に用いられるものでよい。誘導コイル３及び７は、筒状体２、６を均一に加熱するため、その外周を所定の長さで囲むように設置することが肝要である。
このように、電磁誘導加熱により筒状体２及び６を発熱させることにより、昇華部Ａ及び捕集部Ｂの一定のゾーン全体を均一に発熱させることができ、例えば室温から４００℃に上げるのに数分〜６０分程度と昇温速度が大きく、また温度制御の精度も高くすることができる。
捕集部Ｂにおいては、目的の昇華性物質のみを凝縮、捕集し、原料中の不純物をガス状のまま通過させ、捕集部Ｂと直結している捕集部Ｃでこの不純物を凝縮、捕集する。したがって、捕集部Ｃは、通常行われる空冷又は液冷等により所定の温度、例えば室温程度に冷却できるようにすることでよい。
これらの昇華部Ａ、捕集部Ｂと捕集部Ｃとの間には、下流側に向かって温度がほぼ階段状に低下する温度勾配を設けることが、目的物の純度を上げると共に回収歩留を高くするために望ましい。なお、階段状とは、昇華精製装置でのガスの流れ方向に、温度がほぼ一定のゾーンが複数あることをいい、連続的に温度が低下するゾーンを有することを除外しない。そして、温度がほぼ一定のゾーンの長さは、一定組成の捕集容量を確保する観点から定められる。
精製装置内を減圧にすると、昇華温度を下げることができ、昇華物質の分解や変質を抑制するのに効果的である。その為には、図１に示すように、捕集部Ｃの末端側に真空ポンプ１３等を設けることがよい。また場合によっては、昇華部Ａの入口方向から窒素ガス等の随伴ガスを供給し、この随伴ガスにより昇華物質の移動速度を高め、昇華速度を高めることもできる。
なお、上記の昇華精製方法の説明では、昇華性成分として目的の昇華性物質とそれより昇華温度又は沸点の低い昇華性不純物が含まれる場合について説明したが、昇華性不純物の沸点が目的の昇華性物質より高いものである場合は、先ず捕集部Ｂで昇華性不純物が捕集され、次いで捕集部Ｃで目的の昇華性物質が捕集されることになる。しかし、目的とする昇華性物質が捕集される捕集部は、誘電加熱可能な捕集部とすることがよく、不純物を捕集する捕集部は誘電加熱可能でなくてもよい。
また、上記の実施の態様においては、昇華部Ａと、捕集部が２つの異なる温度ゾーンを有する、すなわち電磁誘導式で発熱させて温度調整する１つの捕集部Ｂと、通常の冷却法による１つの捕集部Ｃを備えた昇華精製装置の例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、この捕集部ＢがＢ１、Ｂ２のように異なった温度ゾーンが２つあるものなどのように、異なった温度ゾーンに調整した電磁誘導式で発熱させて温度調整する捕集部が２つ以上あり、合計３つ以上の異なる温度ゾーンを有する捕集部を備えたものであってもよい。上記例示の場合も、昇華部Ａと、捕集部Ｂ１、Ｂ２と、捕集部Ｃとの間には、下流側に向かって温度がほぼ階段状に低下する温度勾配を設けることにより、３つの異なる温度ゾーンを有する捕集部で、昇華ガス中の各成分をその融点に応じて分縮させることが可能となる。場合によっては、捕集部Ｃを省略して、２以上の電磁誘導式で発熱させて温度調整する捕集部のみで目的物質と不純物等の他成分を分縮させることも可能である。
昇華精製装置に用いる筒状体等の径や長さは、昇華性物質の種類や処理量により適宜決めればよいが、本発明の昇華精製装置は微量から多量の昇華性物質を処理することができ、また昇華温度が１００℃程度の比較的低い物質から６００℃程度の高温の物質までも昇華精製が可能である。さらに、精製装置を減圧にすることにより低温での昇華も容易となり、不安定な昇華性物質の精製にも適している。
また、通常の蒸留精製適用が困難な化合物の高温での蒸留精製に本発明の昇華精製装置を利用し、昇華部で蒸発させ、凝固点以下に保たれた捕集部で固体として捕集するようにすれば、迅速な蒸発と凝固が可能で、不必要な過熱が防止できるので、高純度な精製物が得られる。
実施例
以下、実施例に基づき、本発明の具体例を説明する。
実施例１
８−ヒドロキシキノリンとアンモニウム明礬との反応によって得られた純度９９％程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（以下、Ａｌｑ３という）を、図１に示す昇華精製装置により精製した。
昇華部Ａには、直径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭素鋼管の内面に、溶融アルミメッキを施した筒状体２を用い、捕集部Ｂには、内径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭素鋼管の内面に溶融アルミメッキを施した筒状体６を用いた。電磁誘導の交流電源は２００Ｖ、６０Ｈｚとし、温度調節器５、９にインバータを用いた。
昇華部ＡにＡｌｑ３を５ｇ装入し、筒状体２の温度を３７０℃、筒状体６の温度を２００℃とし、捕集部Ｃの外周は室温の空気に接触させてほぼ室温に維持すると共に、真空ポンプ１３により精製装置内を１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）に減圧した。
捕集部Ｂから回収された精製Ａｌｑ３は純度９９．９９％以上、その歩留は約７０％であった。また、捕集部Ｃから分解生成物と見られるものを５％回収した。
実施例２
図１と同様の装置で、電磁誘導発熱材料として昇華部Ａ及び捕集部Ｂの筒状体に直径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭素鋼管を用い、昇華部Ａに外径４８ｍｍφ、長さ１００ｍｍの石英ガラス管を、捕集部Ｂの内側に、外径４８ｍｍφ、長さ１００ｍｍの石英ガラス管を夫々内筒として挿入した。この装置を使い、実施例１と同一ロットのＡｌｑ３原料５ｇを昇華精製した。筒状体２の温度を３３０℃、筒状体６の温度を２００℃とし、昇華圧力を０．０５Ｔｏｒｒ（６．６６Ｐａ）で昇華させて、純度９９．９９％以上の精製Ａｌｑ３を歩留６５％で得た。
実施例３
図１と同様な装置で、テトラメチルベンゼンから製造した純度９８％の無水ピロメリット酸を昇華精製した。電磁誘導発熱材料として昇華部Ａ及び捕集部Ｂの筒状体にそれぞれ直径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭素鋼管を用い、昇華部Ａ、捕集部Ｂ及び捕集部Ｃの内側を琺瑯被覆し、金属部分と無水ピロメリット酸、ピロメリット酸、トリメリット酸、ヘミメリット酸等との接触を防止した。原料無水ピロメリット酸１０ｇを昇華精製し、その際の操作温度は、昇華部＝１８０℃、捕集部Ｂ＝１００℃、操作圧力＝１〜２Ｔｏｒｒ（１３３〜２６６Ｐａ）であり、昇華部Ａの末端から微量の窒素ガスを導入して、昇華速度の向上を図った。無水ピロメリット酸の回収率は針状結晶として８２％、純度９９．９％以上であり、捕集部Ｃに付着した少量固体中に、トリメリット酸等のトリカルボン酸が検出された。
実施例４
図１と同様な装置で、電磁誘導発熱材料として昇華部Ａ及び捕集部Ｂの筒状体に直径５０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭素鋼管を用い、昇華部Ａ、捕集部Ｂ及び捕集部Ｃの内側をＴｉＮでコーティングし、金属部分と昇華性物質との接触を防止した。この装置の昇華部Ａに、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス−（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤ）５ｇを装入し、昇華精製した。操作温度：昇華部＝２４０℃、捕集部Ｂ＝１４０℃、操作圧力：１×１０−４  Ｔｏｒｒ（０．０１３Ｐａ）で昇華精製を行った結果、３ｇの精製ＴＰＤを得た。高速液体クロマトグラフによる純度は原料＝９９．０％、精製品＝９９．７％以上（ａｒｅａ％）であった。
実施例５
コールタールから蒸留、晶析等の工程を経て分離した純度８５％のカルバゾールを、図１に示す昇華精製装置と同様の装置を用いて精製した。
昇華部Ａ及び捕集部Ｂの筒状体には、いずれも直径３０ｍｍφ、長さ１００ｍｍの炭化ケイ素（ＳｉＣ）管を電磁誘導発熱体として用いた。また、捕集部Ｃには直径３０ｍｍφ、長さ１５０ｍｍの炭化ケイ素管を用い、外面は空気冷却した。原料カルバゾール３ｇを昇華部Ａに挿入し、温度：昇華部Ａ＝２５０℃、捕集部Ｂ＝７０℃、圧力：３０Ｔｏｒｒ（４ｋＰａ）で昇華させ、ＨＰＬＣ純度＝９９％の精製カルバゾールを回収率５０％で得た。昇華部には未昇華カルバゾールを含むピッチが残留し、捕集部Ｃの捕集物中にはアントラセン、フェナンスレン等が検出された。
産業上の利用可能性
本発明の昇華精製方法によれば、不純物を含有する昇華性物質を電磁誘導加熱により昇華させる際に、昇華性物質に対して不活性な材料で装置を被覆することにより、装置の腐食、製品の汚染や製品の変質等を防止しながら、高純度の製品を高い精製歩留で得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の昇華性物質の精製方法を実施するための精製装置の一例を示す断面図であり、それぞれ直列に連結された筒状の昇華部Ａ、捕集部Ｂ及び捕集部Ｃからなる。
【図１】
0004866527.tif 000002