(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層とこの記録層の両面に保護層を備え、レーザ光照射により前記記録層に対する情報の記録或いは再生を行う構造の光学的情報記録媒体であって、
前記記録層がレーザ光照射により相変化する相変化層からなり、前記相変化層をレーザ光照射によって光学特性が変化する超解像層とし、前記保護層がＧａの酸化物とＣｒの酸化物との混合物を組成として構成され、
この保護層を構成する酸化物の混合物の組成を、（Ｇａ２  Ｏ３  ）１−ｘ  （Ｃｒ２  Ｏ３  ）ｘ  とし、前記ｘが０．５≦ｘ≦０．８の範囲に有る値としたことを特徴とした光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記請求項１に記載の光学的情報記録媒体において、
前記超解像層は、その組成が（ＧｅＴｅ）１−ｙ  （Ｂｉ２  Ｔｅ３  ）ｙ  で表される物質により構成され、且つ前記記号ｙの値を、０．３≦ｙ≦１の範囲に有る値としたことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の光学的情報記録媒体において、
前記各保護層を（Ｇａ２  Ｏ３  ）１−ｘ  （Ｃｒ２  Ｏ３  ）ｘ  とは別の他の酸化物で構成すると共に、この各保護層と前記記録層との間に界面層をそれぞれ設け、この界面層を（Ｇａ２  Ｏ３  ）１−ｘ  （Ｃｒ２  Ｏ３  ）ｘ  で表わされる酸化物の混合物で形成し、この場合の前記記号ｘの値を、０．５≦ｘ≦０．８の範囲に有る値としたことを特徴とした光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記請求項３に記載の光学的情報記録媒体において、
前記各界面層の厚さを、前記各保護層厚さよりも薄く設定したことを特徴とした光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記請求項１に記載の光学的情報記録媒体において、
前記記録層の組成である相変化層を、Ｓｂなどの元素を多く含む相変化材料で構成したことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項６】
前記請求項１に記載の光学的情報記録媒体において、
前記記録層の組成である相変化層を、Ｇｅ１Ｓｂ２  Ｔｅ４  ，ＩｎＳｂ，又はＧａＳｂを組成物として形成したことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光照射により情報の記録あるいは再生を行う光学的情報記録媒体に関し、特に、相変化材料を超解像マスク層として含む光学的情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光照射により情報の再生を行う光学的情報記録媒体（通称は「光ディスク」）は、情報の再生のみが可能な再生専用型光ディスク、１回だけ情報の記録が可能で書き換えができない追記型光ディスク、光磁気ディスクや相変化光ディスクなどのように情報の書き換えが可能な書き換え型光ディスクに分類される。
【０００３】
光ディスクの容量は、基本的には情報の記録再生に用いられるレーザ光のビーム径に依存している。ビーム径が小さいほど、より高密度な情報を誤り無く再生することが可能となる。ここで、レーザから出射された光は対物レンズを通じて集束しても、回折の影響のために、一点としては集束されず、有限幅を有するビームとして形成される。
一般にこれを回折限界と呼んでおり、レーザ光の波長がλ、対物レンズの開口数がＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）である時、λ／（４ＮＡ) が再生分解能の限界となる。
【０００４】
このため、例えば、λ＝４０５〔ｎｍ〕、ＮＡ＝０．６５の場合には、１５６〔ｎｍ〕以下の長さのピットを正確に読みとることはできない。従って、例えば１５６〔ｎｍ〕以下の長さのピットを正確に読みとるには、レーザ光の波長を４０５〔ｎｍ〕より短くするか、対物レンズのＮＡを０．６５より大きくしなければならない。
【０００５】
しかしながら、現在のレーザ技術としては短波長のレーザを提供するのに限界があり、又、開口数の大きい対物レンズを製造するにはコスト高となるという限界がある。更に、対物レンズの開口数が大きくなるほど、ピックアップとディスク間の距離が小さくなる。このため、高密度情報の記録および再生を限界までつきつめると、光ヘッドと光ディスクとの衝突の恐れがあり、この衝突が発生すると多くはディスク表面が損傷されため、時にはデータ損失の恐れがある。
【０００６】
光ディスクの回折限界を超える技術としては、従来より媒体超解像にかかる技術が知られている（特許文献１）。この媒体超解像においては、温度により光学特性（反射率）が非線形に変化するマスク層（微小開口形成層、或いは超解像層とも呼ばれる）が用いられる。
これは、レーザ照射時に、一定温度以上になった領域ではマスク層の反射率が変化することから、レーザ光のビーム径が実効的に小さくなることを利用したものである。その結果、微小な記録マークの再生が可能となり、高密度化を実現することができる。
【０００７】
マスク層に要求される特性として、（１）反射率の温度変化がしきい値を有する（反射率がしきい値温度前後でステップ的に変化する）こと、（２）しきい値前後での反射率の変化量が大きいこと、の二つがある。
【０００８】
この二つの特性を有している材料の一例として、相変化光ディスクの記録層に用いられているＧｅＳｂＴｅ、或いはＡｇＩｎＳｂＴｅ等のカルケゴナイド系の相変化材料がある。相変化材料は融点という反射率が変化する明確なしきい値温度を有し、かつ、固相状態（結晶状態）と溶融状態で光学特性が大きく異なるので、マスク層として用いるのに適している（特許文献１，２）。
【特許文献１】特開２００４−０３０８９１
【特許文献２】特開２００５−２９３８２１
【特許文献３】特開平１０−２７５３６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
相変化材料をマスク層として用いる超解像光ディスクでは、相変化材料が結晶状態である場合と溶融状態である場合との光学特性変化を利用して再生が行われるため、再生光が照射されている領域の一部は常に相変化材料が溶融している状態となっている。
【００１０】
相変化光ディスク（以下、相変化光ディスクは通常の「書き換え型光ディスク」を表すこととする）では、記録パルスを照射した領域を溶融させることにより記録を行っているので、相変化材料を用いた超解像再生はＤＣ光による記録と同等である。従って、超解像光ディスクでは、相変化光ディスクよりも更に高い熱負荷がかかってしまい、所定の再生回数を確保するためには、相変化光ディスクよりも更に高い繰り返し耐性が要求されることとなる。
【００１１】
この場合、前述した特許文献３（特開平１０−２７５３６０号公報）などに開示されている手法、即ち、記録層に接して窒化物などの界面層を付加する手法が、相変化光ディスクの書き換え繰り返し回数向上には有効である。
【００１２】
しかしながら、それでもなお書き換え回数上限は、上述した各関連技術にあっては、１０３〜１０４回程度にとどまっており、１０５〜１０６回程度のＤＣ光による繰り返し記録回数、即ち、相変化材料を用いた超解像光ディスクにおける１０５〜１０６回程度の再生回数を実現することは非常に困難であった。
【００１３】
〔発明の目的〕
本発明は、上述した関連技術の有する不都合を改善し、特に十分な再生可能回数を確保することができる信頼性の高い高速大容量の超解像光ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明にかかる光学的情報記録媒体は、レーザ光照射により情報の記録或いは再生を行う光学的情報記録媒体であって、Ｇａの酸化物とＣｒの酸化物の混合物からなる保護層或いは界面層を有することを特徴とし、前記保護層あるいは界面層の組成が（Ｇａ２Ｏ３）１−ｘ  （Ｃｒ２Ｏ３）ｘ  で表され、ｘが０．５≦ｘ≦０．８であることを特徴とする。又、本発明では、記録層を（ＧｅＴｅ）１−ｙ  （Ｂｉ２Ｔｅ３）ｙ  で表される超解像層によって形成したものについては、ｙの値を０．３≦ｙ≦１とし、且つ当該超解像層がＧａの酸化物とＣｒの酸化物の混合物からなる誘電体層（保護層）と接していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、上述したように構成されるので、相変化材料を用いた光学的情報記録媒体にあって、繰り返し再生回数を大幅に向上させることが可能となり、高速結晶化材料に対して特に有効に機能するので、高速大容量の光学的情報記録媒体を実現することが可能となるという従来にない優れた光学的情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
ここで、最初に本実施形態の基本的な構成内容を説明し、その後に全体的な内容を説明する。
図１は、本実施形態における光学的情報記録媒体の基本的な積層構成を示す。この図１に示すように、本実施形態における光学的情報記録媒体は、記録層１１とこの記録層１１の両面に保護層１，２を備え、レーザ光照射により前記記録層１１に対する情報の記録或いは再生を行う構造となっている。この内、前述した記録層１１は、レーザ光照射により相変化する相変化層からなり、前記保護層はＧａの酸化物とＣｒの酸化物との混合物を組成として構成されている。
【００１７】
ここで、前記保護層１，２については、当該保護層１，２を構成する酸化物の混合物の組成を、本実施形態では（Ｇａ２Ｏ３）１−ｘ  （Ｃｒ２Ｏ３）ｘ  とし、更に、この式中のｘを、０．５≦ｘ≦０．８の範囲に有る値とした。
【００１８】
又、前述した記録層１１の組成である相変化層を、本実施形態では、レーザ光照射によって光学特性が変化する超解像層とした。更に、この超解像層については、その組成物を、（ＧｅＴｅ）１−ｙ  （Ｂｉ２Ｔｅ３）ｙ  で表される物質により構成し、且つ前記式中の記号ｙの値を、０．３≦ｙ≦１の範囲に有る値とした点に特徴を有する。
【００１９】
更に保護層１，２については、これを（Ｇａ２Ｏ３）１−ｘ  （Ｃｒ２Ｏ３）ｘ  とは別の他の酸化物で構成すると共に、当該各保護層１，２と前記記録層１１との間に、界面層１１Ａ，１１Ｂをそれぞれ設け、この界面層を（Ｇａ２Ｏ３）１−ｘ  （Ｃｒ２Ｏ３）ｘ  で表わされる酸化物の混合物で形成すると共に、この場合の式中の記号ｘの値を、０．５≦ｘ≦０．８の範囲に有る値とした。この場合、上記各界面層１１Ａ，１１Ｂの厚さについては、後述するように各保護層１，２の厚さよりも薄く設定してある。
【００２０】
ここで、前述した記録層１１の組成である相変化層については、これをＳｂなどの元素を多く含む相変化材料で構成してもよい。具体的には、例えば、記録層１１の組成である相変化層を、Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４，ＩｎＳｂ，又はＧａＳｂにより形成してもよい。
【００２１】
以下、これを更に具体的に説明する。
まず、上述した図１の構成は、ＲＯＭ媒体の例を表している。凹凸のピット（図示せず）が形成された基板１０上に、保護層１、記録層である超解像マスク層（超解像層）１１、保護層２、反射層１２を順に積層した構成となっている。基板１０としては、ポリカーボネート（ＰＣ）のようなプラスチック、或いはガラスなどが用いられている。
【００２２】
超解像マスク層１１としては、一般的な相変化材料を用いることができるが、高速化を実現するには結晶化速度の速い材料が特に好ましい。結晶化速度が遅い材料では、溶融後冷却して固相に戻った場合に結晶状態とならず非晶質状態となる。
ここで、非晶質状態と溶融状態はいずれも原子配列が乱れた状態であり、光学特性が類似している。その結果、反射率がほぼ同じになってしまうため、溶融領域が有効なマスク層として機能せず高密度化を実現することができない。
【００２３】
これに対して、結晶化速度が十分に速い材料であれば、溶融後冷却して固相に戻った場合に結晶状態となる。溶融状態は原子配列が乱れた状態であるのに対し、結晶状態は原子配列が秩序だった状態であり、両状態間では光学定数が異なる。その結果、反射率が大きく異なるので、溶融領域が有効なマスク層として機能する。結晶化速度が超解像効果に及ぼす影響を図２に模式的に示す。
【００２４】
溶融後冷却して固相に戻った場合に結晶になるか非晶質になるかは、物質が有する臨界冷却速度Ｒｃと実際の冷却速度Ｒ（融点前後での単位時間あたりの温度低下量）との相対関係によって決まり、Ｒ（実際の冷却速度）がＲｃ（臨界冷却速度）より小さければ、溶融後再結晶化する。実際の冷却速度Ｒは再生時の線速が速くなるほど大きくなるので、高速再生を実現するにはＲｃ（臨界冷却速度）の大きい材料、すなわち、結晶化速度の速い材料を用いる必要がある。
【００２５】
相変化光ディスクでは、高速記録実現のために、結晶化速度の速い材料が用いられているが、記録マークが形成された領域、即ち、高パワレーザが照射され溶融後固相に戻った領域では、記録層は非晶質状態となっている。
これに対し、相変化材料を用いた超解像光ディスクでは、相変化層は溶融後に非晶質状態ではなく結晶状態になる必要がある。
【００２６】
従って、高速再生が可能な超解像を実現するには、相変化光ディスクに用いられている記録層よりも更に結晶化速度の速い材料が必要である。相変化光ディスクにおいて、記録層の結晶化速度を速めることは、非晶質状態の保存安定性を劣化させる恐れがあるが、超解像に適用する場合は非晶質状態を安定に形成する必要が無いので、できるだけ結晶化速度の速い材料を用いることができる。
【００２７】
結晶化速度が速い相変化光ディスクの記録層として、（ＧｅＴｅ）−（Ｂｉ２Ｔｅ３）擬２元組成が知られており、（Ｂｉ２Ｔｅ３組成比を増やすほど結晶化速度は速くなる。（ＧｅＴｅ）１−ｙ   Ｂｉ２Ｔｅ３）ｙ  で表される組成において、ｙ≧０．３であれば、成膜直後から結晶状態であり、線速３０〔ｍ／ｓ〕程度の高線速下で溶融させても非晶質状態を形成することが困難で、高速超解像再生に適していることが分かった。
【００２８】
しかしながら、本発明者はｙを大きくすること、即ち、膜中のＢｉ組成を増やすことは繰り返し再生可能回数の減少という問題を生じることを見いだした。これは、Ｂｉが光ディスクに用いられるＺｎＳ−ＳｉＯ２保護層材料と相互拡散を生じやすいためである。
そこで、Ｂｉとの相互拡散が生じにくく、且つ熱負荷に対する耐久性が高い材料について検討した結果、Ｇａの酸化物とＣｒの酸化物との混合物からなる誘電体層が好適であることを、試行錯誤の結果、発明者は見いだした。本実施形態では、保護層１，２として、この誘電体層を使用している。
【００２９】
この誘電体層（保護層１，２）は、Ｇａ２Ｏ３とＣｒ２Ｏ３の混合ターゲットを、希ガス或いは希ガスと酸素を用いてスパッタリングして成膜すればよい。
ここで、Ｇａの酸化物とＣｒの酸化物の混合物からなる誘電体層は、記録層（超解像層１１）に接して厚さ５〔ｎｍ〕程度の界面層１１Ａ，１１Ｂ（図４参照）として用いても良く、また、前述した図１に示すように厚さ１０〔ｎｍ〕以上の保護層１，２として用いても良い。
【実施例１】
【００３０】
ＰＣ基板１０上に、誘電体層（保護層）１として（Ｇａ２Ｏ３）−（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ８０〔ｎｍ〕、超解像層（記録層）１１として（ＧｅＴｅ）０．５  （Ｂｉ２Ｔｅ３）０．５  を厚さ１５〔ｎｍ〕、誘電体層（保護層）２として（Ｇａ２Ｏ３）−（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ１５〔ｎｍ〕、反射層１２として、Ａg Ｐd Ｃu を厚さ１００〔ｎｍ〕にて、順次スパッタリングにより積層した。
誘電体層（保護層）１であるＧａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３については、（Ｇａ２Ｏ３）５０〔ｍｏｌ％〕−（Ｃｒ２Ｏ３）５０〔ｍｏｌ％〕からなるターゲットを、Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングすることにより成膜した。このＧａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３については、実際に成膜された膜組成を分析したところ、分析誤差（検出精度）の範囲内でターゲット組成と同一となっていることが確認できた。
【００３１】
ＰＣ基板として、深さ４０〔ｎｍ〕、最短ピット長１００〔ｎｍ〕の（１−７）変調されたランダムパタンピットが予め形成された基板を用いた。波長４０５〔ｎｍ〕、対物レンズのＮＡ＝０．６５の光ヘッドを用いて、線速６．６〔ｍ／ｓ〕において再生特性評価を行った。図３に誤り率と再生パワの関係を示す。
【００３２】
本光ヘッドを用いた場合の回折限界は１５６〔ｎｍ〕であるので、超解像が生じていない０．５〜２．５〔ｍＷ〕の再生パワではデータを正しく再生することができない。３〔ｍＷ〕以上の再生パワでは、ＧｅＢｉＴｅ層が溶融し超解像が生じるので、低い誤り率でデータを再生することが可能となる。３〔ｍＷ〕で１０５回繰り返し再生を行った後でも誤り率は低いままであった。
【００３３】
（比較例１）
前述した実施例１と同一の基板を用いて図４（表１）に示す構成のディスク（Ｄｉｓｋ）を作成し、再生後の誤り率を１０３回及び１０５回測定した。再生パワーは、各々のディスクに対して、初期の再生において最も誤り率が低くなるパワーに設定した。この場合の構成を図５に示す。
【００３４】
ここで、図４（表１）において、ＧａＯ−ＣｒＯは、「（Ｇａ２Ｏ３）５０〔ｍｏｌ％〕−（Ｃｒ２Ｏ３）５０〔ｍｏｌ％〕」を意味している。
又、ＺｎＳ−ＳｉＯ２として、「（ＺｎＳ）８０〔ｍｏｌ％〕−（ＳｉＯ２）２０〔ｍｏｌ％〕」を用いた。
【００３５】
更に、図５は超解像層１１と保護層１，２の間に界面層１１Ａ，１１Ｂを付した場合の説明図である。全てのディスク（Ｄｉｓｋ）Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおいて、超解像層の厚さは１５〔ｎｍ〕、界面層１１Ａ，１１Ｂを備えた場合の当該界面層１１Ａ，１１Ｂの各厚さは５〔ｎｍ〕、反射層の厚さは１００〔ｎｍ〕とした。この場合に得られる各ディスク（Ｄｉｓｋ）の再生特性を図６（表２）に示す。
【００３６】
界面層無しでＺｎＳ−ＳｉＯ２を誘電体層として保護層１，２に用いたディスク（Ｄｉｓｋ）Ａでは、再生可能回数が著しく低く、１０３回再生後は誤り率を測定することができなかった。
書き換え型の相変化光ディスクで一般に用いられているＧｅＮを界面層１１Ａ，１１Ｂに適用したディスク（Ｄｉｓｋ）Ｂでは、１０３回の再生回数は実現できるが、１０５回再生後は誤り率を測定することができなかった。
【００３７】
これに対し、Ｇａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３を界面層１１Ａ，１１Ｂ或いは保護層（誘電体層）１，２として用いたディスク（Ｄｉｓｋ）Ｃ，Ｄでは、１０５回再生後も低い誤り率を実現できることが確認できた。
【実施例２】
【００３８】
２インチサイズのガラス基板上に、保護層（誘電体層）１としてＺｎＳーＳｉＯ２を厚さ５０〔ｎｍ〕、界面層１１ＡとしてＧａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３層を厚さ５〔ｎｍ〕、超解像層１１としてＢｉ２Ｔｅ３層を厚さ１５〔ｎｍ〕、界面層１１ＢとしてＧａ２Ｏ３層を厚さ５〔ｎｍ〕、保護層（誘電体層）２としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を厚さ５０〔ｎｍ〕、を順次スパッタリングにより積層しサンプルを形成した。このサンプルを室温から６５０℃の範囲で加熱・冷却し、反射率、透過率の温度依存を測定した。
【００３９】
図７（表３）に、組成（Ｇａ２Ｏ３）１−ｘ  （Ｃｒ２Ｏ３）ｘ  におけるｘの値と加熱後室温に戻った際の試料の変化を示す。
【００４０】
Ｂｉ２Ｔｅ３の融点は約６１０℃であり、試料２或いは試料３では、６１０℃付近で溶融にともなう光学特性の変化が観測された。また、６００℃から６５０℃の温度範囲では光学特性には特に何の変化もなく、冷却過程では可逆な光学特性の変化（昇温時と降温時で同一の変化）を示した。
【００４１】
これに対し、試料１では、昇温の途中に６００℃より低い温度で試料が透明になってしまい、可逆な光学特性の変化を観測することができなかった。この変化は誘電体層のＺｎＳ−ＳｉＯ２が超解像層１１のＢｉＴｅ中に拡散した結果生じたと考えられる。
【００４２】
また、試料４では、６１０℃付近で光学特性の変化は観測されたものの、溶融時に生じた凝集に起因したと考えられるボイド（欠陥）が多数発生した。これは、Ｃｒ２Ｏ３は熱的な耐久性は高いものの、Ｂｉ含有量の多い相変化層との濡れ性が悪く、溶融した相変化層が粒状になりすいためと考えられる。
【００４３】
これらの結果（図７）より、保護層（誘電体層）１，２を構成するＺｎＳ−ＳｉＯ２と、超解像層１１を構成するＢｉ２Ｔｅ３層のＢｉとの相互拡散を防止し且つ繰り返し耐久性が確保できる好適な組成範囲として、０．５≦ｘ≦０．８が特定された。
【００４４】
この第２実施例では、上述したようにＺｎＳ−ＳｉＯ２とＢｉの相互拡散防止について説明したが、本発明にかかる保護層（又は界面層）は、Ｂｉに限らず、ＺｎＳ−ＳｉＯ２と相互拡散を生じやすいＳｂなどの元素を多く含む相変化材料（例えば、Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂなど）についても相互拡散防止として有効に機能する。
【００４５】
以上説明した実施例或いは比較例では、超解像層を適用した再生専用の光学的情報記録媒体についてのみ説明したが、これらの各素材については、これを記録型の光ディスクに適用するように構成してもよい。
この場合、例えば、レーザ入射面から、Ｇａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３層、相変化超解像層、Ｇａ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３層、記録層、誘電体層、反射層を順に積層した構成となり、記録層としてはＣｏ３Ｏ４などを用いることができる。
【００４６】
以上説明したように、Ｇａの酸化物とＣｒの酸化物からなる誘電体層を、保護層或いは界面層として、相変化材料からなるマスク層に隣接して設けることで、十分な再生可能回数を確保することができ、これにより、信頼性を著しく高めることができ且つ高速大容量の超解像光ディスクを実現することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
上述したようにＺｎＳ−ＳｉＯ２とＢｉの相互拡散防止を中心に説明したが、この発想は、記録層を主体とするディスク装置全体に共通するものであり、当該発想の有効利用によって他の相変化材料の有効利用が活性化され、より優れた素材の開発につながる点で本発明の有用性は高いものがある。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る光学情報記録媒体の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１に開示した光学情報記録媒体の記録層における相変化材料を用いた超解像にあって、マスクが形成されるメカニズムを示す図で、図２（Ａ）は結晶化速度が遅い場合を示し、図２（Ｂ）は結晶化速度が遅い場合を示す説明図である。
【図３】第１実施例における再生特性評価の一例で、再生パワーと誤り率との関係を示す線図である。
【図４】比較例１で作成した比較用のディスクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの構成内容を示す図表（表１）である。
【図５】図１の実施例に界面層を組み込んだ場合の光学情報記録媒体の積層構造を示す説明図である。
【図６】図４における各ディスクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの測定結果を示す図表（表２）である。
【図７】実施例２にて行われた光学情報記録媒体の温度依存性の測定結果を示す図表（表３）である。
【符号の説明】
【００４９】
１，２  保護層（誘電体層）
１０  基板
１１  記録層である超解像層（超解像マスク層）
１１Ａ，１１Ｂ  界面層
１２  反射層
【図１】
0004998224.tif 000002
【図２】
0004998224.tif 000003
【図３】
0004998224.tif 000004
【図４】
0004998224.tif 000005
【図５】
0004998224.tif 000006
【図６】
0004998224.tif 000007
【図７】
0004998224.tif 000008