(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラムと、
前記ダイアフラムの上面側に設けられた抵抗体と、
前記抵抗体の上面及び前記ダイアフラムの上面を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記抵抗体と接触すると共に、前記抵抗体上に配置された部分の前記絶縁膜を貫通するビアと、
前記ビアを介して、前記抵抗体と電気的に接続される配線と、を備えた半導体圧力センサであって、
前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁膜に、略平坦な底面を有した凹部を設けて、前記凹部の底面に前記配線を設けると共に、前記凹部の深さを前記配線の厚さと略等しくしたことを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記凹部の側面は、前記凹部の上端部から前記凹部の底面に向かうにつれて前記凹部の開口径が小さくなるような傾斜面であることを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記凹部が形成された前記絶縁膜と前記配線とを覆う保護膜を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体圧力センサ。
【請求項４】
ダイアフラムと、前記ダイアフラムの上面側に設けられた抵抗体と、ビアを介して、前記抵抗体と電気的に接続される配線と、を備えた半導体圧力センサの製造方法であって、
前記ダイアフラムの母材となる半導体基板の上面側に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体が形成された前記半導体基板の上面を覆うように第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、
前記配線の形成領域に対応する部分の前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記抵抗体を露出する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記貫通部に露出された部分の前記抵抗体を覆うように第２の絶縁膜を形成して、前記配線の形成領域に対応する部分の前記第２の絶縁膜上に、前記配線の厚さと略等しい深さを有した凹部を形成する凹部形成工程と、
前記抵抗体上に配置された部分の前記第２の絶縁膜を貫通するように前記ビアを形成するビア形成工程と、
前記凹部の底面上に前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線形成工程後に、前記半導体基板をエッチングして前記ダイアフラムを形成するダイアフラム形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項５】
前記ビアと前記配線とを同時に形成することを特徴とする請求項４記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項６】
前記配線形成工程と前記ダイアフラム形成工程との間に、前記第１及び第２の絶縁膜と前記配線とを覆う保護膜を形成する保護膜形成工程を設けたことを特徴とする請求項４又は５記載の半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、特に、ダイアフラムに形成された抵抗体と、抵抗体及びダイアフラムを覆う絶縁膜上に設けられた配線とを絶縁膜に設けられたビアにより電気的に接続する半導体圧力センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１９は、従来の半導体圧力センサの断面図である。図１９において、Ｊは配線１１２が形成される領域（以下、「配線形成領域Ｊ」とする）、Ｋは配線１１３が形成される領域（以下、「配線形成領域Ｋ」とする）をそれぞれ示している。
【０００３】
図１９を参照するに、従来の半導体圧力センサ１００は、ダイアフラム１０１と、ダイアフラム支持体１０２と、第１の抵抗体１０４と、第２の抵抗体１０５と、絶縁膜１０７と、ビア１０８，１０９と、配線１１２，１１３と、保護膜１１５とを有する。
【０００４】
ダイアフラム１０１は、外部から圧力が印加された際、変形可能なように薄板形状とされている。ダイアフラム支持体１０２は、額縁形状とされており、ダイアフラム１０１の外周部に設けられている。ダイアフラム支持体１０２の厚さは、ダイアフラム１０１の厚さよりも厚くなるように構成されている。ダイアフラム支持体１０２は、ダイアフラム１０１を支持するためのものである。ダイアフラム１０１及びダイアフラム支持体１０２の母材としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【０００５】
第１及び第２の抵抗体１０４，１０５は、ダイアフラム１０１の上面１０１Ａ側に設けられている。第１の抵抗体１０４は、基準となる抵抗体であり、ダイアフラム１０１の略中央に配置されている。第２の抵抗体１０５は、ダイアフラム１０１の外周縁に配置されている。
【０００６】
絶縁膜１０７は、ダイアフラム１０１の上面１０１Ａと第１及び第２の抵抗体１０４，１０５の上面の一部とを覆うように設けられている。絶縁膜１０７の上面１０７Ａは、平坦な面とされている。絶縁膜１０７は、第１の抵抗体１０４の上面を露出する貫通孔１１７と、第２の抵抗体１０５の上面を露出する貫通孔１１８とを有する。
【０００７】
ビア１０８は、貫通孔１１７に設けられている。ビア１０８の下端部は、第１の抵抗体１０４と接触している。ビア１０９は、貫通孔１１８に設けられている。ビア１０９の下端部は、第２の抵抗体１０５と接触している。
【０００８】
配線１１２は、ビア１０８の形成位置に対応する部分（配線形成領域Ｊに対応する部分）の絶縁膜１０７の上面１０７Ａに設けられている。配線１１２の下面は、ビア１０８の上端部と接触している。これにより、配線１１２は、ビア１０８を介して、第１の抵抗体１０４と電気的に接続されている。
【０００９】
配線１１３は、ビア１０９の形成位置に対応する部分（配線形成領域Ｋに対応する部分）の絶縁膜１０７の上面１０７Ａに設けられている。配線１１３の下面は、ビア１０９の上端部と接触している。これにより、配線１１３は、ビア１０９を介して、第２の抵抗体１０５と電気的に接続されている。
【００１０】
保護膜１１５は、配線１１２，１１３と絶縁膜１０７の上面１０７Ａとを覆うように設けられている。保護膜１１５は、配線１１２，１１３を保護するための膜である。
【００１１】
上記構成とされた半導体圧力センサ１００は、ダイアフラム１０１に圧力が印加されてダイアフラム１０１が変形した際、第１及び第２の抵抗体１０４，１０５の抵抗値の差分に基づいて、ダイアフラム１０１に印加された圧力を検出する（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−１４０６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来の半導体圧力センサ１００では、平坦な面とされた絶縁膜１０７の上面１０７Ａに配線１１２，１１３を形成していたため、配線形成領域Ｊ，Ｋに対応する部分のダイアフラム１０１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１０７、ビア１０８又はビア１０９、配線１１２又は配線１１３、及び保護膜１１５からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ｊ，Ｋの近傍に位置する部分のダイアフラム１０１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１０７）の厚さとが異なってしまう。これにより、配線形成領域Ｊ，Ｋに対応する部分のダイアフラム１０１の変形量と、配線形成領域Ｊ，Ｋの近傍に位置する部分のダイアフラム１０１の変形量とが異なってしまうため、ダイアフラム１０１に印加された圧力の検出精度が低下してしまうという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ダイアフラムに印加された圧力の検出精度を向上させることのできる半導体圧力センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、ダイアフラム（１１）と、前記ダイアフラム（１１）の上面（１１Ａ）側に設けられた抵抗体（１４，１５）と、前記抵抗体（１４，１５）の上面及び前記ダイアフラム（１１）の上面（１１Ａ）を覆うように設けられた絶縁膜（１７）と、前記抵抗体（１４，１５）と接触すると共に、前記抵抗体（１４，１５）上に配置された部分の前記絶縁膜（１７）を貫通するビア（１８，１９）と、前記ビア（１８，１９）を介して、前記抵抗体（１４，１５）と電気的に接続される配線（２１，２２）と、を備えた半導体圧力センサ（１０）であって、前記配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の前記絶縁膜（１７）に、略平坦な底面（２６Ａ，２７Ａ）を有した凹部（２６，２７）を設けて、前記凹部（２６，２７）の底面（２６Ａ，２７Ａ）に前記配線（２１，２２）を設けると共に、前記凹部（２６，２７）の深さ（Ｄ１，Ｄ２）を前記配線（２１，２２）の厚さ（Ｍ１，Ｍ２）と略等しくしたことを特徴とする半導体圧力センサ（１０）が提供される。
【００１５】
本発明によれば、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の絶縁膜（１７）に凹部（２６，２７）を設け、凹部（２６，２７）の深さ（Ｄ１，Ｄ２）を配線（２１，２２）の厚さ（Ｍ１，Ｍ２）と略等しくすることにより、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分のダイアフラム（１１）上に形成された構造体の厚さと、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）の近傍に位置する部分のダイアフラム（１１）上に形成された構造体の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分のダイアフラム（１１）の変形量と、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）の近傍に位置する部分のダイアフラム（１１）の変形量との差が小さくため、ダイアフラム（１１）に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００１６】
本発明の他の観点によれば、ダイアフラム（１１）と、前記ダイアフラム（１１）の上面（１１Ａ）側に設けられた抵抗体（１４，１５）と、ビア（１８，１９）を介して、前記抵抗体（１４，１５）と電気的に接続される配線（２１，２２）と、を備えた半導体圧力センサ（４０）の製造方法であって、前記ダイアフラム（１１）の母材となる半導体基板（３３）の上面（３３Ａ）側に抵抗体（１４，１５）を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体（１４，１５）が形成された前記半導体基板（３３）の上面（３３Ａ）を覆うように第１の絶縁膜（４１）を形成する第１の絶縁膜形成工程と、前記配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の前記第１の絶縁膜（４１）をエッチングして、前記抵抗体（１４，１５）を露出する貫通部（４６，４７）を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部（４６，４７）に露出された前記抵抗体（１４，１５）を覆うように第２の絶縁膜（４２）を形成して、前記配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の前記第２の絶縁膜（４２）上に、前記配線（２１，２２）の厚さ（Ｍ１，Ｍ２）と略等しい深さ（Ｄ３，Ｄ４）を有した凹部（４３，４４）を形成する凹部形成工程と、前記抵抗体（１４，１５）上に配置された部分の前記第２の絶縁膜（４２）を貫通するように前記ビア（１８，１９）を形成するビア形成工程と、前記凹部（４３，４４）の底面（４３Ａ，４４Ａ）上に前記配線（２１，２２）を形成する配線形成工程と、前記配線形成工程後に、前記半導体基板（３３）をエッチングして前記ダイアフラム（１１）を形成するダイアフラム形成工程と、を含むことを特徴とする半導体圧力センサ（４０）の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明によれば、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の第１の絶縁膜（４１）に抵抗体（１４，１５）を露出する貫通部（４６，４７）を形成し、その後、貫通部（４６，４７）に露出された部分の抵抗体（１４，１５）を覆うように第２の絶縁膜（４２）を形成することで、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分の第２の絶縁膜（４２）上に配線（２１，２２）の厚さ（Ｍ１，Ｍ２）と略等しい深さ（Ｄ３，Ｄ４）を有した凹部（４３，４４）を形成することにより、半導体基板（３３）の面内における凹部（４３，４４）の深さ（Ｄ３，Ｄ４）のばらつきが小さくなるため、凹部（４３，４４）に形成される配線（２１，２２）の上面と第１の絶縁膜（４１）の上面（４１Ａ）とが略面一となるように、凹部（４３，４４）の深さ（Ｄ３，Ｄ４）を精度良く制御することが可能となる。これにより、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）に対応する部分のダイアフラム（１１）の変形量と、配線（２１，２２）の形成領域（Ａ，Ｂ）の近傍に位置する部分のダイアフラム（１１）の変形量との差がほとんどなくなるため、ダイアフラム（１１）に印加された圧力を高精度に検出することができる。
【００１８】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ダイアフラムに印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。
【００２２】
図１を参照するに、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０は、ダイアフラム１１と、ダイアフラム支持体１２と、第１の抵抗体１４と、第２の抵抗体１５と、絶縁膜１７と、ビア１８，１９と、配線２１，２２と、保護膜２４とを有する。
【００２３】
ダイアフラム１１は、外部から圧力が印加された際、変形可能なように薄板形状とされている。ダイアフラム１１の厚さは、例えば、４０μｍとすることができる。
【００２４】
ダイアフラム支持体１２は、額縁形状とされており、ダイアフラム１１の外周部に設けられている。ダイアフラム支持体１２の厚さは、ダイアフラム１１の厚さよりも厚くなるように構成されている。ダイアフラム支持体１２の厚さは、例えば、４００μｍとすることができる。ダイアフラム支持体１２は、ダイアフラム１１を支持するためのものである。ダイアフラム１１及びダイアフラム支持体１２の母材としては、例えば、半導体基板（具体的には、例えば、シリコン基板）を用いることができる。
【００２５】
第１及び第２の抵抗体１４，１５は、ダイアフラム１１の上面１１Ａ側に設けられている。第１の抵抗体１４は、基準となる抵抗体であり、ダイアフラム１１の略中央に配置されている。第２の抵抗体１５は、ダイアフラム１１の外周縁に配置されている。ダイアフラム１１の母材となる半導体基板としてＮ型半導体基板を用いた場合、第１及び第２の抵抗体１４，１５は、例えば、ダイアフラム１１にＰ型不純物を拡散させることで形成する。
【００２６】
絶縁膜１７は、ダイアフラム１１の上面１１Ａと第１及び第２の抵抗体１４，１５の上面の一部とを覆うように設けられている。絶縁膜１７は、凹部２６，２７と、貫通孔２８，２９とを有する。凹部２６は、配線２１の形成領域（以下、「配線形成領域Ａ」とする）に対応する部分の絶縁膜１７に形成されている。凹部２６の底面２６Ａは、配線２１が形成される面であり、略平坦な面とされている。凹部２６の深さＤ１は、配線２１の厚さＭ１と略等しくなるように構成されている。配線２１の厚さＭ１が１μｍの場合、凹部２６の深さＤ１は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２１の幅Ｗ３が１μｍの場合、凹部２６の底部の幅Ｗ１は、例えば、２μｍとすることができる。
【００２７】
このように、配線２１が形成される凹部２６の深さＤ１を配線２１の厚さＭ１と略等しくすることにより、配線２１の上面と絶縁膜１７の上面１７Ａとが略面一となるため、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１７、ビア１８、及び配線２１からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１７）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００２８】
凹部２６の側面２６Ｂは、凹部２６の上端部から凹部２６の底面２６Ａに向かうにつれて凹部２６の開口径が小さくなるような傾斜面とされている。凹部２６の底面２６Ａと凹部２６の側面２６Ｂとが成す角度θ１は、例えば、１２０度とすることができる。
【００２９】
このように、凹部２６の側面２６Ｂを凹部２６の上端部から凹部２６の底面２６Ａに向かうにつれて凹部２６の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、凹部２６の側面２６Ｂと配線２１との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。
【００３０】
凹部２７は、配線２２の形成領域（以下、「配線形成領域Ｂ」とする）に対応する部分の絶縁膜１７に形成されている。凹部２７の底面２７Ａは、配線２２が形成される面であり、略平坦な面とされている。凹部２７の深さＤ２は、配線２２の厚さＭ２と略等しくなるように構成されている。配線２２の厚さＭ２が１μｍの場合、凹部２７の深さＤ２は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２２の幅Ｗ４が１μｍの場合、凹部２７の底部の幅Ｗ２は、例えば、２μｍとすることができる。
【００３１】
このように、配線２２が形成される凹部２７の深さＤ２を配線２２の厚さＭ２と略等しくすることにより、配線２２の上面と絶縁膜１７の上面１７Ａとが略面一になるため、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１７、ビア１９、及び配線２２からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体（具体的には、絶縁膜１７）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００３２】
凹部２７の側面２７Ｂは、凹部２７の上端部から凹部２７の底面２７Ａに向かうにつれて凹部２７の開口径が小さくなるような傾斜面とされている。凹部２７の底面２７Ａと凹部２７の側面２７Ｂとが成す角度θ２は、例えば、１２０度とすることができる。
【００３３】
このように、凹部２７の側面２７Ｂを凹部２７の上端部から凹部２７の底面２７Ａに向かうにつれて凹部２７の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、凹部２７の側面２７Ｂと配線２２との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。絶縁膜１７としては、例えば、酸化膜を用いることができる。
【００３４】
貫通孔２８は、配線形成領域Ａに対応する部分の絶縁膜１７を貫通するように形成されている。貫通孔２８は、第１の抵抗体１４の上面を露出している。貫通孔２９は、配線形成領域Ｂに対応する部分の絶縁膜１７を貫通するように形成されている。貫通孔２９は、第２の抵抗体１５の上面を露出している。
【００３５】
ビア１８は、貫通孔２８に設けられている。ビア１８の下端部は、第１の抵抗体１４と接触している。ビア１９は、貫通孔２９に設けられている。ビア１９の下端部は、第２の抵抗体１５と接触している。ビア１８，１９の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。
【００３６】
配線２１は、凹部２６の底面２６Ａに設けられている。配線２１の下面は、ビア１８の上端部と接触している。これにより、配線２１は、ビア１８を介して、第１の抵抗体１４と電気的に接続されている。配線２１の厚さＭ１は、例えば、１μｍとすることができ、配線２１の幅Ｗ３は、例えば１μｍとすることができる。配線２２は、凹部２７の底面２７Ａに設けられている。配線２２の下面は、ビア１９の上端部と接触している。これにより、配線２２は、ビア１９を介して、第２の抵抗体１５と電気的に接続されている。配線２２の厚さＭ２は、例えば、１μｍとすることができ、配線２１の幅Ｗ４は、例えば１μｍとすることができる。配線２１，２２の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。
【００３７】
保護膜２４は、凹部２６，２７が形成された絶縁膜１７の上面側及び配線２１，２２を覆うように設けられている。このような保護膜２４を設けることにより、配線２１，２２を保護することができる。保護膜２４としては、例えば、酸化膜を用いることができる。保護膜２４の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００３８】
本実施の形態の半導体装置によれば、配線２１が形成される配線形成領域Ａに対応する部分の絶縁膜１７に凹部２６を設けて、凹部２６の深さＤ１を配線２１の厚さＭ１と略等しくすると共に、配線２２が形成される配線形成領域Ｂに対応する部分の絶縁膜１７に凹部２７を設けて、凹部２７の深さＤ２を配線２２の厚さＭ２と略等しくすることにより、配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体の厚さと配線形成領域Ａ，Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａ，Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００３９】
図２〜図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図である。図２〜図９において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４０】
図２〜図９を参照して、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、ダイアフラム１１及びダイアフラム支持体１２の母材となる半導体基板３３上に、周知の手法により、第１及び第２の抵抗体１４，１５と、絶縁膜１７とを順次形成する。半導体基板３３としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。半導体基板３３の厚さは、例えば、４００μｍとすることができる。半導体基板３３としてＮ型半導体基板を用いた場合、第１及び第２の抵抗体１４，１５は、例えば、半導体基板３３にＰ型不純物を拡散させることで形成する。絶縁膜１７としては、例えば、酸化膜を用いることができる。絶縁膜１７は、例えば、ＣＶＤ法や熱酸化法等の方法により形成することができる。絶縁膜１７の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００４１】
次いで、図３に示す工程では、絶縁膜１７上に開口部３４Ａ，３４Ｂを有したレジスト膜３４を形成する。開口部３４Ａは、配線形成領域Ａに対応する部分の絶縁膜１７の上面１７Ａを露出するように形成する。また、開口部３４Ｂは、配線形成領域Ｂに対応する部分の絶縁膜１７の上面１７Ａを露出するように形成する。
【００４２】
次いで、図４に示す工程では、レジスト膜３４をマスクとして、絶縁膜１７をエッチング（具体的には、例えば、ドライエッチング法やウエットエッチング法を用いたエッチング）して、配線形成領域Ａに対応する部分の絶縁膜１７に凹部２６を形成すると共に、配線形成領域Ｂに対応する部分の絶縁膜１７に凹部２７を形成する。
【００４３】
このとき、凹部２６の深さＤ１が配線２１の厚さＭ１と略等しくなるように凹部２６を形成する。配線２１の厚さＭ１が１μｍの場合、凹部２６の深さＤ１は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２１の幅Ｗ３が１μｍの場合、凹部２６の底部の幅Ｗ１は、例えば、２μｍとすることができる。
【００４４】
このように、配線２１が形成される凹部２６の深さＤ１を配線２１の厚さＭ１と略等しくすることにより、凹部２６の底面２６Ａに形成される配線２１の上面と絶縁膜１７の上面１７Ａとが略面一となるため、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、絶縁膜１７、ビア１８、及び配線２１からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、絶縁膜１７）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００４５】
また、凹部２６は、凹部２６の側面２６Ｂが凹部２６の上端部から凹部２６の底面２６Ａに向かうにつれて凹部２６の開口径が小さくなるような傾斜面となるように形成する。
【００４６】
このように、凹部２６の側面２６Ｂを凹部２６の上端部から凹部２６の底面２６Ａに向かうにつれて凹部２６の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、凹部２６の側面２６Ｂと配線２１との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。凹部２６の底面２６Ａと凹部２６の側面２６Ｂとが成す角度θ１は、例えば、１２０度とすることができる。
【００４７】
凹部２７は、凹部２７の深さＤ２が配線２２の厚さＭ２と略等しくなるように形成する。配線２２の厚さＭ２が１μｍの場合、凹部２７の深さＤ２は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２２の幅Ｗ４が１μｍの場合、凹部２７の底部の幅Ｗ２は、例えば、２μｍとすることができる。
【００４８】
このように、配線２２が形成される凹部２７の深さＤ２を配線２２の厚さＭ２と略等しくすることにより、凹部２７の底面２７Ａに形成される配線２２の上面と絶縁膜１７の上面１７Ａとが略面一となるため、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、絶縁膜１７、ビア１９、及び配線２２からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、絶縁膜１７）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００４９】
また、凹部２７は、凹部２７の側面２７Ｂが凹部２７の上端部から凹部２７の底面２７Ａに向かうにつれて凹部２７の開口径が小さくなるような傾斜面となるように形成する。
【００５０】
このように、凹部２７の側面２７Ｂを凹部２７の上端部から凹部２７の底面２７Ａに向かうにつれて凹部２７の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、凹部２７の側面２７Ｂと配線２２との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。凹部２７の底面２７Ａと凹部２７の側面２７Ｂとが成す角度θ２は、例えば、１２０度とすることができる。絶縁膜１７としては、例えば、酸化膜を用いることができる。
【００５１】
次いで、図５に示す工程では、図４に示すレジスト膜３４を除去する。次いで、図６に示す工程では、周知の手法により、配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分の絶縁膜１７をエッチングして、貫通孔２８，２９を形成する。このとき、貫通孔２８は、第１の抵抗体１４を露出するように形成し、貫通孔２９は、第２の抵抗体１５を露出するように形成する。
【００５２】
次いで、図７に示す工程では、ビア１８，１９及び配線２１，２２を同時に形成する。具体的には、例えば、図６に示す構造体を覆うように金属膜を形成し、続いて、金属膜上に金属膜をエッチングする際のマスクとなる開口部を有したレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクとする異方性エッチングにより、金属膜をパターニングしてビア１８，１９及び配線２１，２２を同時に形成する。
【００５３】
このように、ビア１８，１９及び配線２１，２２を同時に形成することにより、ビア１８，１９と配線２１，２２とを別々に形成した場合と比較して、半導体圧力センサ１０の製造工程を簡略化することができる。配線２１の厚さＭ１は、例えば、１μｍとすることができ、配線２１の幅Ｗ３は、例えば１μｍとすることができる。また、配線２２の厚さＭ２は、例えば、１μｍとすることができ、配線２１の幅Ｗ４は、例えば１μｍとすることができる。配線２１，２２の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。
【００５４】
次いで、図８に示す工程では、図７に示す構造体の上面側を覆うように、保護膜２４を形成する。保護膜２４は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。保護膜２４としては、例えば、酸化膜を用いることができる。保護膜２４の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００５５】
次いで、図９に示す工程では、図８に示す半導体基板３３の下面３３Ｂ側から半導体基板３３をエッチング（例えば、ウエットエッチング）して、ダイアフラム１１及びダイアフラム支持体１２を形成する。これにより、半導体圧力センサ１０が製造される。ダイアフラム１１の厚さは、例えば、４０μｍとすることができる。また、ダイアフラム支持体１２の厚さは、例えば、４００μｍとすることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。図１０において、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５７】
図１０を参照するに、第２の実施の形態の半導体圧力センサ４０は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０に設けられた絶縁膜１７の代わりに第１及び第２の絶縁膜４１，４２と凹部４３，４４を設けた以外は、第１の実施の形態の半導体圧力センサ１０と同様に構成される。
【００５８】
第１の絶縁膜４１は、ダイアフラム１１上及びダイアフラム支持体１２上に設けられている。第１の絶縁膜４１は、貫通部４６，４７を有する。貫通部４６は、第１の抵抗体１４の上面を露出するように形成されている。貫通部４６の側面４６Ａは、貫通部４６の上端部から貫通部４６の下端部に向かうにつれて貫通部４６の開口径が小さくなるような傾斜面とされている。貫通部４６の側面４６Ａとダイアフラム１１の上面１１Ａとが成す角度θ３は、例えば、６０度とすることができる。
【００５９】
このように、貫通部４６の側面４６Ａを貫通部４６の上端部から貫通部４６の下端部に向かうにつれて貫通部４６の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、貫通部４６の側面４６Ａと配線２１との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。
【００６０】
貫通部４７は、第２の抵抗体１５の上面を露出するように形成されている。貫通部４７の側面４７Ａは、貫通部４７の上端部から貫通部４７の下端部に向かうにつれて貫通部４７の開口径が小さくなるような傾斜面とされている。貫通部４７の側面４７Ａとダイアフラム１１の上面１１Ａとが成す角度θ４は、例えば、６０度とすることができる。
【００６１】
このように、貫通部４７の側面４７Ａを貫通部４７の上端部から貫通部４７の下端部に向かうにつれて貫通部４７の開口径が小さくなるような傾斜面とすることにより、貫通部４７の側面４７Ａと配線２１との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。上記構成とされた第１の絶縁膜４１の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００６２】
第２の絶縁膜４２は、貫通部４６，４７に露出された第１及び第２の抵抗体１４，１５（具体的には、シリコンからなる半導体基板３３）を熱酸化することにより形成される膜である。配線形成領域Ａに対応する部分に設けられた第２の絶縁膜４２は、貫通孔５１を有する。貫通孔５１は、第２の絶縁膜４２を貫通すると共に、第１の抵抗体１４の上面を露出するように形成されている。配線形成領域Ａに対応する部分に設けられた第２の絶縁膜４２の上面は、凹部４３の底面４３Ａに対応する面であり、略平坦な面とされている。
【００６３】
配線形成領域Ｂに対応する部分に設けられた第２の絶縁膜４２は、貫通孔５２を有する。貫通孔５２は、第２の絶縁膜４２を貫通すると共に、第２の抵抗体１５の上面を露出するように形成されている。配線形成領域Ｂに対応する部分に設けられた第２の絶縁膜４２の上面は、凹部４４の底面４４Ａに対応する面であり、略平坦な面とされている。配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分に設けられた第２の絶縁膜４２の厚さは、例えば、０．５μｍとすることができる。
【００６４】
凹部４３は、貫通部４６の側面４６Ａに対応する部分の第１の絶縁膜４１と、貫通部４６に設けられた部分の第２の絶縁膜４２の上面とにより構成されている。凹部４３は、配線２１を配設するためのものである。凹部４３の深さＤ３は、配線２１の厚さＭ３と略等しくなる（凹部４３に形成された配線２１の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となる）ように構成されている。配線２１の厚さＭ１が１μｍの場合、凹部４３の深さＤ３は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２１の幅Ｗ３が１μｍの場合、凹部４３の底部の幅Ｗ５は、例えば、２μｍとすることができる。
【００６５】
このように、配線２１が形成される凹部４３の深さＤ１を配線２１の厚さＭ１と略等しくすることにより、凹部４３の底面４３Ａに形成される配線２１の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となるため、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、第１及び第２の絶縁膜４１，４２、ビア１８、及び配線２１からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、第１の絶縁膜４１）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００６６】
凹部４４は、貫通部４７の側面４７Ａに対応する部分の第１の絶縁膜４１と、貫通部４７に設けられた部分の第２の絶縁膜４２の上面とにより構成されている。凹部４４は、配線２２を配設するためのものである。凹部４４の深さＤ４は、配線２２の厚さＭ２と略等しくなる（凹部４４に形成された配線２２の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となる）ように構成されている。配線２２の厚さＭ２が１μｍの場合、凹部４４の深さＤ４は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２２の幅Ｗ４が１μｍの場合、凹部４４の底部の幅Ｗ６は、例えば、２μｍとすることができる。
【００６７】
このように、配線２２が形成される凹部４４の深さＤ４を配線２２の厚さＭ２と略等しくすることにより、凹部４４の底面４４Ａに形成される配線２２の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となるため、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、第１及び第２の絶縁膜４１，４２、ビア１９、及び配線２２からなる構造体）の厚さと、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成される構造体（具体的には、第１の絶縁膜４１）の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００６８】
保護膜２４は、凹部４３，４４が形成された第１及び第２の絶縁膜４１，４２の上面側及び配線２１，２２を覆うように設けられている。
【００６９】
本実施の形態の半導体装置によれば、配線２１が形成される配線形成領域Ａに対応する部分の第１及び第２の絶縁膜４１，４２により凹部４３を構成して、凹部４３の深さＤ３を配線２１の厚さＭ１と略等しくすると共に、配線２２が形成される配線形成領域Ｂに対応する部分の第１及び第２の絶縁膜４１，４２により凹部４４を構成して、凹部４４の深さＤ４を配線２２の厚さＭ２と略等しくすることにより、配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体の厚さと、配線形成領域Ａ，Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１上に形成された構造体の厚さとを略等しくすることが可能となる。これにより、配線形成領域Ａ，Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａ，Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差が小さくなるので、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００７０】
図１１〜図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図である。図１１〜図１８において、第２の実施の形態の半導体圧力センサ４０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７１】
始めに、図１１に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図２に示す工程と同様な処理を行うことにより、半導体基板３３の上面側に第１及び第２の抵抗体１４，１５を形成（抵抗体形成工程）し、その後、第１及び第２の抵抗体１４，１５が形成された半導体基板３３上に第１の絶縁膜４１を形成（第１の絶縁膜形成工程）する。第１の絶縁膜４１としては、例えば、酸化膜を用いることができる。第１の絶縁膜４１は、例えば、ＣＶＤ法や熱酸化法等の方法により形成することができる。第１の絶縁膜４１の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００７２】
次いで、図１２に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図３に示す工程と同様な処理を行うことにより、第１の絶縁膜４１上に開口部３４Ａ，３４Ｂを有したレジスト膜３４を形成する。
【００７３】
次いで、図１３に示す工程では、レジスト膜３４をマスクとして、第１及び第２の抵抗体１４，１５の上面が露出するまで第１の絶縁膜４１をエッチング（具体的には、例えば、ドライエッチング法やウエットエッチング法を用いたエッチング）して、配線形成領域Ａに対応する部分の第１の絶縁膜４１に貫通部４６を形成すると共に、配線形成領域Ｂに対応する部分の第１の絶縁膜４１に貫通部４７を形成する（貫通部形成工程）。この際、第１の絶縁膜４１と第１及び第２の抵抗体１４，１５とは、エッチングレートが異なるため、第１及び第２の抵抗体１４，１５をエッチングストッパーとして、容易に貫通部４６，４７を形成することができる。
【００７４】
貫通部４６，４７の側面４６Ａ，４７は、貫通部４６，４７の上端部から貫通部４６，４７の下端部に向かうにつれて貫通部４６，４７の開口径が小さくなるような傾斜面となるように形成する。これにより、貫通部４６の側面４６Ａと配線２１との間に形成された隙間、及び貫通部４７の側面４７Ａと配線２２との間に形成された隙間を充填するように保護膜２４を形成することができる。貫通部４６の側面４６Ａと半導体基板３３の上面３３Ａとが成す角度θ３は、例えば、６０度とすることができる。また、貫通部４７の側面４７Ａと半導体基板３３の上面３３Ａとが成す角度θ４は、例えば、６０度とすることができる。
【００７５】
次いで、図１４に示す工程では、図１２に示すレジスト膜３４を除去する。次いで、図１５に示す工程では、図１４に示す構造体の貫通部４６，４７に露出された部分の第１及び第２の抵抗体１４，１５を熱酸化して、第１及び第２の抵抗体１４に第２の絶縁膜４２を形成する。これにより、配線形成領域Ａに対応する部分の第２の絶縁膜４２上に凹部４３が形成されると共に、配線形成領域Ｂに対応する部分の第２の絶縁膜４２上に凹部４４が形成される（凹部形成工程）。
【００７６】
このように、貫通部４６，４７に露出された部分の第１及び第２の抵抗体１４，１５を熱酸化して、凹部４３，４４の底部となる第２の絶縁膜４２を形成することにより、絶縁膜１７の膜中でエッチングをストップさせて凹部２６，２７を形成する場合（図４参照）と比較して、凹部４３，４４に形成される配線２１，２２の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となるように、凹部４３，４４の深さＤ３，Ｄ４を精度良く制御することが可能となる。これにより、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差、及び配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と、配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差がほとんどなくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００７７】
また、凹部４３は、凹部４３の深さＤ３が配線２１の厚さＭ１と略等しくなるように形成する。配線２１の厚さＭ１が１μｍの場合、凹部４３の深さＤ３は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２１の幅Ｗ３が１μｍの場合、凹部４３の底部の幅Ｗ５は、例えば、２μｍとすることができる。また、凹部４４は、凹部４４の深さＤ４が配線２２の厚さＭ２と略等しくなるように形成する。配線２２の厚さＭ２が１μｍの場合、凹部４４の深さＤ４は、例えば、１μｍとすることができる。また、配線２２の幅Ｗ４が１μｍの場合、凹部４４の底部の幅Ｗ６は、例えば、２μｍとすることができる。
【００７８】
次いで、図１６に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図６に示す工程と同様な手法により、第２の絶縁膜４２に貫通孔５１，５２を形成する。次いで、図１７に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図７に示す工程と同様な手法により、ビア１８，１９及び配線２１，２２を同時に形成する（ビア形成工程及び配線形成工程）。
【００７９】
このように、ビア１８，１９及び配線２１，２２を同時に形成することにより、ビア１８，１９と配線２１，２２とを別々に形成した場合と比較して、半導体圧力センサ４０の製造工程を簡略化することができる。
【００８０】
次いで、図１８に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図８に示す工程と同様な手法により、図１６に示す構造体上を覆うように保護膜２４を形成（保護膜形成工程）し、その後、第１の実施の形態で説明した図９に示す工程と同様な手法により、半導体基板３３をエッチングして、ダイアフラム１１及びダイアフラム支持体１２を形成する。これにより、半導体圧力センサ４０が製造される。
【００８１】
本実施の形態の半導体圧力センサの製造方法によれば、第１の絶縁膜４１に第１及び第２の抵抗体１４，１５を露出する貫通部４６，４７を形成し、その後、貫通部４６，４７に露出された部分の第１及び第２の抵抗体１４，１５を熱酸化して、凹部４３，４４の底部となる第２の絶縁膜４２を形成することにより、絶縁膜１７の膜中でエッチングをストップさせて凹部２６，２７を形成する場合（図４参照）と比較して、凹部４３，４４に形成される配線２１，２２の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとが略面一となるように、凹部４３，４４の深さＤ３，Ｄ４を精度良く制御することが可能となる。
【００８２】
これにより、配線形成領域Ａに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と配線形成領域Ａの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差、及び配線形成領域Ｂに対応する部分のダイアフラム１１の変形量と配線形成領域Ｂの近傍に位置する部分のダイアフラム１１の変形量との差がほとんどなくなるため、ダイアフラム１１に印加された圧力の検出精度を向上させることができる。
【００８３】
なお、本実施の形態では、第２の絶縁膜４２として、熱酸化膜を用いた場合を例に挙げて説明したが、熱酸化膜の代わりにＣＶＤ法により形成された酸化膜を用いてもよい。このような構成とされた半導体圧力センサは、本実施の形態で説明した図１５の工程の代わりに、図１４に示す構造体の上面を覆うようにＣＶＤ法により酸化膜を形成する工程と、第１の絶縁膜４１の上面４１Ａから突出した部分の酸化膜をエッチバックにより除去して、エッチバック後の酸化膜の上面と第１の絶縁膜４１の上面４１Ａとを面一にする工程とを設け、その後、本実施の形態で説明した図１６〜図１８に示す工程と同様な処理を行うことにより製造することができる。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、ダイアフラムに形成された抵抗体と、抵抗体及びダイアフラムを覆う絶縁膜上に設けられた配線とを絶縁膜に設けられたビアにより電気的に接続する半導体圧力センサ及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その６）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その７）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その８）である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その１）である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その２）である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その３）である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その４）である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その５）である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その６）である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その７）である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体圧力センサの製造工程を示す図（その８）である。
【図１９】従来の半導体圧力センサの断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０，４０  半導体圧力センサ
１１  ダイアフラム
１１Ａ，１７Ａ，４１Ａ  上面
１２  ダイアフラム支持体
１４  第１の抵抗体
１５  第２の抵抗体
１７  絶縁膜
１８，１９  ビア
２１，２２  配線
２４  保護膜
２６，２７，４３，４４  凹部
２６Ａ，２７Ａ，４３Ａ，４４Ａ  底面
２６Ｂ，２７Ｂ，４６Ａ，４７Ａ  側面
２８，２９，５１，５２  貫通孔
３３  半導体基板
３３Ｂ  下面
３４  レジスト膜
３４Ａ，３４Ｂ  開口部
４１  第１の絶縁膜
４２  第２の絶縁膜
４６，４７  貫通部
Ａ，Ｂ  配線形成領域
Ｄ１〜Ｄ４  深さ
Ｍ１〜Ｍ２  厚さ
Ｗ１〜Ｗ６  幅
θ１〜θ４  角度
【図１】
0004967907.tif 000002
【図２】
0004967907.tif 000003
【図３】
0004967907.tif 000004
【図４】
0004967907.tif 000005
【図５】
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【図６】
0004967907.tif 000007
【図７】
0004967907.tif 000008
【図８】
0004967907.tif 000009
【図９】
0004967907.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004967907.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0004967907.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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