(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
前記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが１．０〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが２０〜３０μｍであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材。
【請求項２】
ガラス状炭素膜により被覆される前の基体表面は、該表面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が５％以上である請求項１記載のガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入装置におけるイオンガイド用のスリット部材等において使用される、ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体に不純物をイオン状態で注入する技術は、１９７０年代に工業化された技術であり、現在ＬＳＩをはじめとして多くのシリコン半導体製品等に広く用いられている。半導体デバイスにおけるイオン注入は、シリコンウエハに目的とする不純物元素をイオン化し、数十〜数百ｅＶのエネルギーに加速して打ち込む。
【０００３】
このとき、目的とする元素以外の成分が介在しているとシリコンウエハに目的以外の不純物が打ち込まれ、初期の性能が得られなくなる危険性がある。
このため、イオン注入装置の構成部品は半導体に対して悪影響を及ぼさない、高純度の材料が要求される。
【０００４】
図２は、従来のイオン注入装置の一例を示した説明図である。
図２に示した通り、従来のイオン注入装置２０には、目的とする不純物元素を含んだ気体を高密度のプラズマ状態にするとともに、プラズマによりイオンを発生させるイオン発生装置２１、発生したイオンをイオン発生装置２１より引き出すのに必要なエネルギーを与える引き出し部２２、引き出したイオンを目的のイオンに選別するイオン分析部２３、及び、イオンを加速しイオンビームを生成する加速部２４が配設されている。
【０００５】
さらに、イオン注入装置２０には、イオンビームを収束する収束部２５、イオンビームをシリコンウエハの表面に均一に打ち込むために走査する走査部２６、及び、シリコンウエハ１９にイオンを打ち込むイオン打ち込み室２７が配設されており、このイオン注入装置２０を構成する各部材は、その内部にイオンビームを走行させることができるスリット部材２８により連結されている。
【０００６】
即ち、イオン発生装置２１において発生させたイオンは、引き出し部２２、イオン分析部２３を経て加速部２４でイオンビームとなり、このイオンビームは収束部２５、及び、走査部２６の順にスリット部材２８内を走行し、イオン打ち込み室２７内に設置したシリコンウエハ１９に打ち込まれるのである。
【０００７】
このようなイオン注入装置２０を構成する各部材におけるイオンビームと接触する部分の材料は、高純度を保持し、かつ、異物の混入を防止するための材料、及び、構造上の配慮がなされているが、中でも、イオン源であるイオン発生装置及び走査部におけるスリット部材２８には、高エネルギーのイオンが衝突するため、構成材料からの不純物、異物が混入し易く他部分の材料より配慮が必要である。
【０００８】
従来、このような高純度の材料として、シリコンウエハに悪影響を及ぼしにくい材料で、かつ、容易に高純度材質の確保が可能な黒鉛材料が利用されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、黒鉛材料はコークス等の微粒子の集合体であるため、イオンビームが衝突した場合、微細な異物（黒鉛粒子）が混入する。そのため、シリコンウエハ上に異物が付着して結果的に製品の歩留りを悪くする。
【００１０】
さらに、本発明者らは、上記問題点を解決すべく、特開平８−１７１８８３号公報に開示されているように、黒鉛基材の表面に２０〜５０μｍの高純度熱分解炭素被膜をコーティングすることにより、カーボン部品を作製することを提案した。しかしながら、このようにして形成した高純度熱分解炭素膜は、イオン注入装置におけるイオンビームによりエッチングされて消耗し、黒鉛基材が露出してしまうことがあり、また、黒鉛基材の露出を防止するために高純度熱分解炭素膜を厚くすると、基材との熱膨張係数のミスマッチにより被膜が剥離してしまうことがあり、未だ改善の余地があった。
【００１１】
また、特開平５−２４６７０３号公報には、スリット部材としてガラス状カーボンを使用することが提案されているが、このスリット部材は、硬いガラス状カーボンそのものを加工する必要があるため所望の形状のスリット部材を得ることが困難であり、また、その製造工程も複雑なものであった。
【００１２】
また、上記ガラス状カーボンからなるスリット部材は、上記黒鉛からなるスリット部材に比べて、イオンビームに晒された際、その表面から飛散する微細な異物（黒鉛粒子）の量が格段に少ないものであったが、イオンビームへ異物が混入し、該異物がシリコンウエハ上に付着すると、このシリコンウエハを用いて製造する半導体チップの不良率が大きく増加するため、イオンビームに混入する異物が、より少ないものが望まれていた。
【００１３】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、イオンビームに異物が混入することがなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができるため、異物がシリコンウエハ上に付着することがなく、また、基体に被覆されたガラス状炭素膜が容易に剥離することがないため耐久性に優れるガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材について、ガラス状炭素膜の表面状態と微細な異物発生機構との関係を種々検討した結果、ガラス状炭素膜の表面の滑らかさ及び面粗度と、異物発生量との間に密接な関係があることを見出した。
【００１５】
即ち、通常、ガラス状炭素膜は、無定形の均質な連続緻密組織を呈し、このようなガラス状炭素膜は、イオンビームに晒された場合、その表面は均一に消耗が進行し、微細な異物（黒鉛粒子）が離脱することはない。しかしながら、ガラス状炭素膜の表面の滑らかさ及び面粗度とが一定の範囲を外れると、ガラス状炭素膜の表面から飛散する異物の量が多くなったり、ガラス状炭素膜の剥離が発生することを新規に知見し、本発明を完成するに至った。
ここで、上記ガラス状炭素膜の表面の滑らかさは、ガラス状炭素膜の表面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率で評価を行い、上記ガラス状炭素膜の表面の面粗度は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａ及び最大粗さＲｍａｘで評価を行う。
【００１６】
本発明は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
上記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが０．０３〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが０．３〜３０μｍであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材である。
以下、本発明を実施の形態により、具体的に説明する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆されたガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材であって、
上記ガラス状炭素膜の表面は、該ガラス状炭素膜の表面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが０．０３〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが０．３〜３０μｍであることを特徴とするガラス状炭素被膜イオン注入装置用部材である。
【００１８】
図１は、本発明のガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材（以下、ガラス状炭素被覆部材ともいう）の一例を模式的に示した部分断面図である。
図１に示した通り、本発明のガラス状炭素被覆部材１０は、その中央付近に貫通孔を有する基体１２と、基体１２の貫通孔の内壁面に被覆されたガラス状炭素膜１１とから構成されている。
【００１９】
本発明のガラス状炭素被覆部材１０において、基体１２の貫通孔の内壁面は、ガラス状炭素膜１１により被覆されており、このガラス状炭素膜１１の表面（イオン通路壁１３）をイオンビームが走行する。即ち、基体１２の内壁面から飛散する不純物や異物が存在していたとしても、基体１２の内壁面は、ガラス状炭素膜１１で完全に被覆されているため、上記不純物や異物がイオン通路壁１３から飛散することがなく、イオンビームに混入することがない。
なお、基体１２の外周部分もガラス状炭素膜により被覆されていてもよい。基体１２の外周部分から飛散する不純物や異物も、間接的にイオンビームに混入することがあり、また、ガラス状炭素膜を被覆形成する方法によっては、基体１２の貫通孔の内壁面のみをガラス状炭素膜により被覆することが困難な場合があるからである。
【００２０】
本発明のガラス状炭素被覆部材１０において、イオン通路壁１３に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率は１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａは０．０３〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが０．３〜３０μｍである。このようなイオン通路壁１３は、その表面に殆ど凹凸が存在しないため、イオン通路壁１３に高エネルギーのイオンビームが接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合であっても、イオン通路壁１３に欠けが発生することがなく、イオンビームに異物（欠けにより発生した微粒子）が混入することがない。また、ガラス状炭素膜１１は基体１２との接着強度に優れるため、ガラス状炭素膜１１が基体１２から剥離することもない。
【００２１】
イオン通路壁１３の正反射率が１０％未満であると、イオン通路壁１３の平均粗さＲａ及び最大粗さＲｍａｘが上述した範囲内であっても、イオン通路壁１３に微小な凹凸が多数存在するようになり、高エネルギーのイオンビームが接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合、上記微小な凹凸の凸部が欠けることがあり、この欠けた凸部がシリコンウエハの表面に付着して異物となる。
【００２２】
また、イオン通路壁１３のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが０．０３μｍ未満であると、イオン通路壁１３をこのように平滑なものとするためには研磨作業等に相当な時間を要するため、生産性の低下及びコストの上昇を招く。一方、イオン通路壁１３の平均粗さＲａが３μｍを超えると、イオン通路壁１３の正反射率及び最大粗さＲｍａｘが上述した範囲内であっても、イオン通路壁１３に比較的大きな凹凸が存在している箇所が部分的に存在し、高エネルギーのイオンビームが上記凹凸の凸部に接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合に欠けが発生し、この欠けた凸部がシリコンウエハ上に付着して異物となる。
【００２３】
さらに、イオン通路壁１３のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による最大粗さＲｍａｘが０．３μｍ未満であると、イオン通路壁１３の研磨作業に相当の時間を要するため、生産性の低下及びコストの上昇を招く。一方、イオン通路１３の最大粗さＲｍａｘが３０μｍを超えると、イオン通路壁１３の正反射率及び平均粗さＲａが上述した範囲内であっても、イオン通路壁１３に大きな凹凸か存在していることとなり、高エネルギーのイオンビームが上記大きな凹凸の凸部に接触又は衝突する等の機械的衝撃が加わった場合に欠けが発生し、この欠けた凸部がシリコンウエハ上に付着して異物となる。
【００２４】
即ち、本発明のガラス状炭素被覆部材１０において、イオン通路壁１３の正反射率、平均粗さＲａ及び最大粗さＲｍａｘは、いずれもが上記範囲内である必要があり、いずれか一つでも上記範囲を外れると、本発明の効果を得ることができなくなる。
【００２５】
ガラス状炭素膜１１の原料としては、例えば、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、塩素化パラフィン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機重合体を挙げることができ、これらのなかでは、不純物の含有等を考慮すると、塩化ビニル樹脂であることが望ましい。
【００２６】
また、イオン通路壁１３の正反射率は、ガラス状炭素膜１１により被覆される前の基体１２の内壁面の正反射率よりも大きくなり、しかも、イオン通路壁１３の正反射率は、ガラス状炭素膜１１の厚さに比例して大きくなる傾向を有するため、これらの点を考慮して、ガラス状炭素膜１１の厚さを適宜決定することが望ましい。具体的には、ガラス状炭素膜１１の厚さとしては０．５〜１０μｍ程度であることが望ましい。ガラス状炭素膜１１の厚さが０．５μｍ未満であると、基体１２の表面形状が、ガラス状炭素膜１１の表面に大きな影響を及ぼすため、ガラス状炭素膜１１の正反射率、平均粗さ及び最大粗さが上述した範囲を外れることがあり、また、このように薄いガラス状炭素膜１１を、基体１２の内壁面全体に均一に形成すること自体が困難である。一方、ガラス状炭素膜１１の厚さが１０μｍを超えると、ガラス状炭素膜１１に微小なクラックが発生しやすく、不純物や異物が飛散し、イオンビームに混入することがある。
【００２７】
また、基体１２のガラス状炭素膜１１との界面には、ガラス状炭素の含浸層が形成されていることが望ましい。ガラス状炭素膜１１と基体１２との接着強度が極めて高いものとなるからである。
基体１２におけるガラス状炭素の含浸層の厚さとしては、基体１２とガラス状炭素膜１１との界面から５００〜６０００μｍ程度であることが望ましい。含浸層の厚さが５００μｍ未満であると、基体１２とガラス状炭素膜１１との接着強度が余り高いものとならず、一方、上記含浸層の厚さが６０００μｍを超えると、所定の厚さのガラス状炭素膜１１を形成するのに時間がかかり、また、ガラス状炭素膜１１の厚さを制御することが困難となる。
【００２８】
図１に示した通り、基体１２はその中央付近に貫通孔が形成された四角柱であるが、基体１２の形状はこれに限定されることはなく、例えば、その中央付近に貫通孔を有する円柱状、楕円柱状、多角柱状等任意の形状であってもよい。
また、上記貫通孔の断面形状も図示したような矩形のものに特に限定されず、例えば、円形、楕円、多角形等任意の形状であってもよい。
【００２９】
基体１２を構成する材料としては特に限定されず、例えば、黒鉛、Ｃ／Ｃコンポジット等を挙げることができる。
【００３０】
また、ガラス状炭素膜１３により被覆される前の基体１２の内壁面は、該内壁面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が５％以上であることが望ましい。基体１２の内壁面の正反射率が５％未満であると、上記内壁面は荒れた状態であり、脱離し易い粒子で覆われているため、ガラス状炭素膜１１により被覆されても、このガラス状炭素膜１１ごと粒子が脱離して、イオンビームに混入し、シリコンウエハ上に異物が付着することがある。
【００３１】
以上説明した通り、本発明のガラス状炭素被覆部材は、少なくともイオンビームが照射される基体表面がガラス状炭素膜により被覆され、該ガラス状炭素膜の表面（イオン通路壁）に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが０．０３〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが０．３〜３０μｍである。
即ち、本発明のガラス状炭素被覆部材は、イオンビームが走行するイオン通路壁の表面が非常に滑らかであるとともに、大きな凹凸は殆ど存在しないため、イオンビームが上記イオン通路壁に接触又は衝突し、機械的衝撃が加わった場合であっても、該イオン通路壁に欠け（異物）が発生することがない。
従って、本発明のガラス状炭素被覆部材によると、イオンビーム中に異物が混入することは殆どなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができ、異物がシリコンウエハ上に付着することがない。さらに、ガラス状炭素膜と基体との接着強度に優れるため、ガラス状炭素膜が基体から容易に剥離することがなく、耐久性に優れたガラス状炭素被覆部材となる。
【００３２】
次に、本発明のガラス状炭素被覆部材の製造方法について説明する。
本発明のガラス状炭素被覆部材は、基体の表面にガラス状炭素膜を形成することにより製造することができる。
【００３３】
初めに、基体を製造する。
なお、上述した通り、上記基体を構成する材料としては種々の材料を挙げることができるが、以下においては、イオン注入装置において、最も一般的に使用されている黒鉛を例に説明することとする。
【００３４】
黒鉛からなる基体を製造する方法としては、種々の方法を挙げることができるが、例えば、ＣＩＰ法、ＨＩＰ法等により得られた等方性黒鉛ブロックを切り出すことで図１に示した基体１２のようなその中央部付近に貫通孔を有する基体を製造することができる。
上記等方性黒鉛ブロックを切り出す方法としては、切削液による汚染を防止するために、乾式による切削加工や研削加工が望ましい。また、超音波や電子ビームにより等方性黒鉛ブロックを切り出してもよい。
このようにして製造した基体に、ハロゲンガス等により純化処理を施すことが望ましい。
【００３５】
上記基体の中央部付近に形成した貫通孔の内壁面には、該内壁面に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が５％以上となるように研磨処理を施すことが望ましい。また、上記光の正反射率は５〜１５％であることがより望ましい。
上記研磨処理としては、例えば、バフ、パッド、ブラシ、紙ヤスリ等の通常の研磨法で充分であるが、特にバフやパッドを使用すると、研磨により離脱した粒子が基体の細孔中に目詰めされるため、ガラス状炭素膜を被覆形成後のガス不透過性効果が大きくなる利点がある。
【００３６】
次に、上記基体の貫通孔の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成することで、ガラス状炭素膜の表面（イオン通路壁）に対し３０度の角度で入射させた光の正反射率が１０％以上であり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による平均粗さＲａが０．０３〜３μｍであり、かつ、最大粗さＲｍａｘが０．３〜３０μｍであるガラス状炭素被覆部材を製造する。
【００３７】
上記基体表面（貫通孔の内壁面）にガラス状炭素膜を被覆形成する方法としては、例えば、上述した有機重合体の熱分解物を溶媒に溶解させた有機重合体溶液を上記基体の内壁面に塗布し、不活性又は真空中で１０００〜１２００℃程度で焼成する方法等を挙げることができる。
【００３８】
上記基体の貫通孔の内壁面に上記有機重合体溶液を塗布する方法としては、刷毛等により塗布する方法やディッピングにより塗布する方法等を挙げることができる。なお、上記有機重合体溶液は、上記基体の貫通孔の内壁面のほか、上記基体の外周部分にも塗布してもよい。
その後、必要に応じて上記ガラス状炭素膜の表面にエッチング等の研磨処理を施し、ガラス状炭素膜の表面（イオン通路壁）の正反射率、平均粗さＲａ及び最大粗さＲｍａｘ等を調整してもよい。
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００３９】
実施例１〜３
図１に示した基体１２と略同形状で、嵩比重が１．８５の等方性黒鉛の表面（正反射率０．２％）を工業用パッド（スコッチブライト７４４８）で研磨し、その正反射率を１０〜１５％とした。
【００４０】
次に、ポリ塩化ビニルを窒素中３９０℃で熱分解しタール状の炭素前駆体を得た。トリクレンにこの炭素前駆体を溶解し、それを上記等方性黒鉛の表面に刷毛により塗布した後、真空雰囲気中１２００℃で焼成してガラス状炭素膜とし、その表面（イオン通路壁）の正反射率が１５〜２０％、平均粗さＲａが０．０４〜１．０μｍ、最大粗さＲｍａｘが０．５〜１０μｍ（下記表１参照）のガラス状炭素被覆部材を製造した。
【００４１】
なお、上記正反射率は、光沢計（ミノルタカメラ社製）を用いて３０度入射光の正反射率（％）を測定し、上記面粗度は、電子式表面粗さ計（三豊社製  サーフテスト  タイプ２０１）を用い、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に従って平均粗さＲａ（μｍ）及び最大粗さＲｍａｘ（μｍ）を測定した。
【００４２】
実施例４、５
図１に示した基体１２と略同形状で、嵩比重が１．６０の押出材黒鉛の表面（正反射率０．１％）を工業用パッド（スコッチプライト７４４８）で研磨し、その正反射率を５％とした。
その後、上記押出材黒鉛の表面に、実施例１と同様の方法でガラス状炭素膜の被覆を行って、イオン通路壁の正反射率が１０〜１２％、平均粗さＲａが２．０〜３．０μｍ、最大粗さＲｍａｘが２０〜２５μｍ（下記表１参照）のガラス状炭素被覆部材を製造した。
【００４３】
比較例１
等方性黒鉛基体の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成しなかったほかは、実施例１と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【００４４】
比較例２
押出材黒鉛基体の内壁面にガラス状炭素膜を被覆形成しなかったほかは、実施例４と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【００４５】
比較例３
イオン通路壁の正反射率が６％、平均粗さＲａが４．２μｍ、最大粗さＲｍａｘが４０μｍであるほかは、実施例４と同様にしてガラス状炭素被覆部材を製造した。
【００４６】
実施例１〜５、比較例１〜３で製造したガラス状炭素被覆部材のイオン通路壁から発生する異物量を以下の方法で測定し、また、ガラス状炭素膜の被覆状態を観察した。
その結果を表１に示す。
【００４７】
（１）異物量の測定
ガラスセル（１５φ×３０１）中に試料（７×７×７、３個）を入れ、振幅０．０５ｍｍ、周波数６０Ｈｚで振動を与え、０．３μｍ以上の異物（微粒子）数をパーティクルカウンターで測定した。
【００４８】
（２）ガラス状炭素膜の状態
製造したガラス状炭素被覆部材のガラス状炭素膜の被覆状態を目視により観察し、剥離の発生の有無を確認した。
【００４９】
【表１】
0004936608.tif 000002
【００５０】
表１に示した結果より明らかなように、イオン通路壁の正反射率が１０％以上、平均粗さが０．０３〜３μｍ、及び、最大粗さが０．３〜３０μｍの範囲内である実施例１〜５に係るガラス状炭素被覆部材で測定された異物量は極めて少なく、また、ガラス状炭素膜に剥離は発生していなかった。
一方、比較例１、２に係る部材は、基体がガラス状炭素膜により被覆されていないものであったため、基体から飛散した異物が大量に測定された。
また、比較例３に係るガラス状炭素被覆部材は、イオン通路壁の正反射率が低く、また、イオン通路壁の平均粗さ及び最大粗さともに、大きかったため、ガラス状炭素膜の剥離は発生していなかったが、異物量が多かった。
【００５１】
【発明の効果】
以上の説明しように、本発明のガラス状炭素被覆部材によると、イオンビームが照射される基体表面に被覆されたガラス状炭素膜の表面にイオンビームが接触又は衝突しても飛散する異物が殆ど存在しないため、イオンビーム中に不純物や異物が混入することがなく、純粋なイオンビームをシリコンウエハに注入することができ、異物がシリコンウエハ上に付着することもない。また、ガラス状炭素膜の基体に対する接着強度が優れたものであるため、ガラス状炭素膜が容易に剥離することがなく、耐久性に優れたガラス状炭素被覆部材となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガラス状炭素被覆部材の一例を模式的に示した斜視図である。
【図２】従来のイオン注入装置の一例を模式的に示した説明図である。
【符号の説明】
１０  ガラス状炭素被覆部材
１１  ガラス状炭素膜
１２  基体
１３  イオン通路壁
１９  シリコンウエハ
２０  イオン注入装置
２１  イオン発生装置
２２  引き出し部
２３  イオン分析部
２４  加速部
２５  収束部
２６  走査部
２７  イオン打ち込み室
２８  スリット部材
【図１】
0004936608.tif 000003
【図２】
0004936608.tif 000004