(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板上に設けられた電極とが順次積層された積層体に、微細流路が形成された微細流路構造体であって、
前記微細流路は、前記積層体の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有し、前記電極が前記内表面の前記積層方向及び前記微細流路の流路方向に、複数露出して形成されていることを特徴とする微細流路構造体。
【請求項２】
前記角度は、３０°以上６０°以下であることを特徴とする請求項１記載の微細流路構造体。
【請求項３】
前記微細流路の内表面の形状が三角形状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の微細流路構造体。
【請求項４】
前記電極は前記基板上の一部に矩形形状に形成され、かつ前記微細流路の内表面の一部に、線状の電極が前記積層方向に所定間隔をもって露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか記載の微細流路構造体。
【請求項５】
前記基板上の一部に複数の矩形形状の電極が形成され、かつ前記微細流路の内表面の一部に、線状の電極が前記積層方向及び前記微細流路の流路方向に所定間隔をもって露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか記載の微細流路構造体。
【請求項６】
前記請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された微細流路構造体の製造方法であって、
薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、積層体を形成する工程と、
前記積層体の上面から前記積層体の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する溝を形成し、前記溝の内表面に前記電極を前記積層方向及び前記溝の延設方向に複数露出させる工程と、
前記積層体の上面に形成された溝の開口部を塞ぎ、前記溝を微細流路として形成する工程とを含むことを特徴とする微細流路構造体の製造方法。
【請求項７】
前記請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された微細流路構造体の製造方法であって、
薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、第１の積層体を形成する工程と、
前記第１の積層体の上面から前記第１の積層体の第１の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する第１の溝を形成し、前記第１の溝の内表面に前記電極を前記第１の積層方向及び前記第１の溝の延設方向に複数露出させる工程とを含む第１の基体を形成する工程と、
薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、第２の積層体を形成する工程と、
前記第２の積層体の上面から前記第２の積層体の第２の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する第２の溝を形成し、前記第２の溝の内表面に前記電極を前記第２の積層方向及び前記第２の溝の延設方向に複数露出させる工程とを含む第２の基体を形成する工程と、
前記第１の基体に形成された第１の溝と、前記第２の基体に形成された第２の溝が対峙するように、前記第１の基体と前記第２の基体とを貼り合せ、前記第１の溝及び第２の溝からなる微細流路を形成する工程を含むことを特徴とする微細流路構造体の製造方法。
【請求項８】
前記溝の断面形状がＶ字形状であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の微細流路構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学プロセス中で反応場等として用いられる微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微量の液体試料中に含まれる物質を分離したり、分析したりする微細流路構造体が知られている。
例えば、特許文献１には、図８に示すように、第１の基板（ガラス基板）１０１の一面に周縁部に隙間を有することなく埋め込み形成されこの第１の基板１０１の一面と同一平面をなす電極部１０３と、この第１の基板１０１の前記一面に一面が接して設けられた第２の基板１０２と、前記第１の基板１０１と第２の基板（ガラス基板）１０２によって形成された流路１０４を具備した微細流路構造体１００が提案されている。
この種の微細流路構造体１００にあっては、流路１０４中に電極部１０３が形成されているために、流れる微量の液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を検出することができる。
【特許文献１】特開２００６−２２４０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで微細流路内に、例えば複数の液体を流しながら混合する場合、微細流路断面方向における液体の濃度は一般的に均一にはならない。そのため、特許文献１で提案されているような微細流路構造体にあっては、電極部が第１の基板と第２の基板との接合面、即ち流路の底部のみに電極部が形成されているため、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができないという課題があった。
【０００４】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記した課題を解決するために、本発明に係る微細流路構造体は、基板と前記基板上に設けられた電極とが順次積層された積層体に、微細流路が形成された微細流路構造体であって、前記微細流路は、前記積層体の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有し、前記電極が前記内表面の前記積層方向及び前記微細流路の流路方向に、複数露出して形成されていることを特徴としている。
このように、電極が前記微細流路の内表面の積層方向に複数露出して形成されているため、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる。
更に、前記内表面は、基板と前記基板上に設けられた電極とが順次積層された積層体の積層方向に対して鋭角の角度を備えているため、前記内表面に露出する電極の露出面積を広く形成することができるため、各々の電極の感度を高めることができ、より、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃 度等を正確に検出することができる。
【０００６】
特に、前記電極が、前記微細流路の内表面の積層方向のみならず、前記微細流路の流路方向にも複数露出して形成されているため、流路方向における液体の濃度変化、あるいはまた液体中の目的物質の濃度変化等をも正確に検出することができる。
また、前記角度は、３０°以上６０°以下であることが好ましい。前記角度が、上記範囲内にある場合には、前記内表面を比較的容易に形成することが可能となる。
【０００７】
また、前記微細流路の内表面の形状が三角形状に形成されていることが望ましい。また、前記電極は前記基板上の一部に矩形形状に形成され、かつ前記微細流路の内表面の一部に、線状の電極が前記積層方向に所定間隔をもって露出していることが望ましい。更には、前記基板上の一部に複数の矩形形状の電極が形成され、かつ前記微細流路の内表面の一部に、線状の電極が前記積層方向及び前記微細流路の流路方向に所定間隔をもって露出していることが望ましい。
このような構成を備えることで、前記内表面を比較的容易に形成することが可能となる。
【０００８】
前記した課題を解決するために、本発明に係る微細流路構造体の製造方法は、上記微細流路構造体の製造方法であって、薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、積層体を形成する工程と、前記積層体の上面から前記積層体の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する溝を形成し、前記溝の内表面に前記電極を前記積層方向及び前記溝の延設方向に複数露出させる工程と、前記積層体の上面に形成された溝の開口部を塞ぎ、前記溝を微細流路として形成する工程とを含むことを特徴としている。
このような製造方法によれば、微細流路の内表面の積層方向及び微細流路の流路方向に電極を、容易に複数形成することができる。尚、前記溝の断面形状はＶ字形状であることが望ましい。溝形状がＶ字形状の場合、容易に溝を形成することができる。
【０００９】
前記した課題を解決するために、本発明に係る微細流路構造体の製造方法は、上記微細流路構造体の製造方法であって、薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、第１の積層体を形成する工程と、前記第１の積層体の上面から前記第１の積層体の第１の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する第１の溝を形成し、前記第１の溝の内表面に前記電極を前記第１の積層方向及び前記第１の溝の延設方向に複数露出させる工程とを含む第１の基体を形成する工程と、薄膜からなる電極が形成された基板を順次積層し、第２の積層体を形成する工程と、前記第２の積層体の上面から前記第２の積層体の第２の積層方向に対して鋭角の角度を備える内表面を有する第２の溝を形成し、前記第２の溝の内表面に前記電極を前記第２の積層方向及び前記第２の溝の延設方向に複数露出させる工程とを含む第２の基体を形成する工程と、前記第１の基体に形成された第１の溝と、前記第２の基体に形成された第２の溝が対峙するように、前記第１の基体と前記第２の基体とを貼り合せ、前記第１の溝及び第２の溝からなる微細流路を形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１０】
このような製造方法によれば、微細流路の内表面の積層方向及び微細流路の流路方向に電極を、容易に複数形成することができる。尚、前記溝の断面形状はＶ字形状であることが望ましい。溝形状がＶ字形状の場合、比較的容易に溝を形成することができる。この場合形成される微細流路は四角形（例 えば、菱型形状）となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る微細流路構造体の第１の実施形態について図１に基づいて説明する。尚、図１は第１の実施形態に係る微細流路構造体１０の概略構造を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ断面図である。
図１に示すように、この微細流路構造体１０は薄膜（例えば、厚さ０．１〜１０μｍ）からなる電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成された基板１ａ，１ｂ，１ｃが順次積層され、更に、前記電極２ｃが形成された基板１ｃ上に電極が形成されない基板１ｄ、１ｅが積層されている。
【００１３】
また、前記基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅが積層された積層体に、微細流路３が前記電極２ａ，２ｂ，２ｃを横切る（切断する）ように形成されている。
すなわち、微細流路３は、前記積層体の積層方向αに対して垂直な垂直方向βに形成されるように、積層体内に形成されている。
また、微細流路３の内表面３ａ、３ｂは、前記積層体の積層方向αに対して鋭角の角度θを備えている。
更に、各電極２ａ，２ｂ，２ｃは、微細流路３の内表面３ａ、３ｂの一部の積層方向αに所定間隔をもって複数露出して形成されている。
このように、電極２ａ，２ｂ，２ｃが微細流路３の内表面３ａ、３ｂの積層方向αに複数露出して形成されているため、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる。
更に、内表面３ａ、３ｂは、積層方向αに対して鋭角の角度θを備えている。なお、前記角度θが０°（内表面３ａ、３ｂが積層方向αに対して平行な場合、すなわち、微細流路３の形状が四角の場合）は、内表面３ａ、３ｂに露出する電極２ａ，２ｂ，２ｃの露出面積は、電極２ａ，２ｂ，２ｃの膜厚に相当するものとなる。この場合、電極２ａ，２ｂ，２ｃの膜厚が薄く、電極２ａ，２ｂ，２ｃの露出面積が小さい場合には、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度の検出感度が低下してしまう。このため、電極２ａ，２ｂ，２ｃの膜厚はある程度の厚さを有している必要がある。
しかしながら、本実施形態に示すように、内表面３ａ、３ｂを、積層方向αに対して鋭角の角度θを備える構成とすることで、積層方向αに平行な場合（θ＝０°）よりも、電極２ａ，２ｂ，２ｃの膜厚相当分以上の露出面積を得ることができる。これによって、内表面３ａ、３ｂに露出する各々の電極の感度を高めることができ、より流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる。
前記角度θは、３０°以上６０°以下であることが好ましい。前記角度が、上記範囲内にある場合には、製造上、比較的、容易に前記内表面３ａ、３ｂを形成することが可能となる。
【００１４】
本実施形態では、微細流路３の内表面３ａ、３ｂの形状は三角形状に形成されている。なお、微細流路３の内表面３ａ、３ｂの形状は三角形状に限定されるものではなく、前記積層方向αに対して鋭角の角度θを有していれば、内表面３ａ、３ｂの形状が半円形状であってもよく、また、図示しないが、内表面３ａ、３ｂを側壁として、底部として、積層方向αに垂直な角度（θ＝９０°）の平面を備えた台形の流路形状を有する微細流路３であってもよい。但し、微細流路３の内表面３ａ、３ｂの形状を三角形状で構成する場合には、内表面３ａ、３ｂが形成しやすく、比較的、容易に微細流路構造体を得ることができる。
但し、前記微細流路３の内表面３ａ、３ｂの一部に、電極２ａ，２ｂ，２ｃが積層方向に所定間隔をもって形成するために、前記微細流路３は、電極２ａ，２ｂ，２ｃを横切る（切断する）ように形成されている必要がある。
本実施形態では電極２ａ，２ｂ，２ｃは、各基板１ａ，１ｂ，１ｃの一部に矩形形状に形成されており、前記基板１ａ，１ｂ，１ｃを積層した状態において、積層方向に重なるように形成されている。また、各基板１ａ，１ｂ，１ｃは一定の厚さに形成されており、電極２ａ，２ｂ，２ｃは、積層方向に一定の間隔をもって配置される。
なお、電極２ａ，２ｂ，２ｃの形状は、一端が微細流路３の内表面３ａ、３ｂに露出し、かつ、他端が積層体の外周近傍又は外周に露出していれば、矩形形状に限定されるものではなく、その他、多種多様の形状を採用することができる。但し、矩形形状は形状的にシンプルであるため、比較的容易に基板１ａ，１ｂ，１ｃ上に形成することができる。
【００１５】
基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの材質は電気絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではない。好適には、プラスチック基板やガラス基板を用いることができる。
【００１６】
また、電極２ａ，２ｂ，２ｃの材質は、電気を通すものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム、銀、ニッケル、モリブデン、銅、金、白金等の金属類、又は、これらの二種類以上の合金やＩ Ｔ Ｏ 、酸化インジウム、導電性酸化錫、導電性酸化亜鉛等の導電金属酸化物類、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子類等の材質が好適に用いられる。
尚、この電極２ａ，２ｂ，２ｃを基板１ａ，１ｂ，１ｃに形成する方法も、剥がれや断線を生じない方法であれば特に限定されず、例えば、電子ビーム加熱蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰ Ｖ Ｄ 法； 各種のＣ Ｖ Ｄ 法； スクリーン印刷法； リフトオフ法； ゾル・ゲル法等を挙げることができる。即ち、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、電極２ａ，２ｂ，２ｃを基板１ａ，１ｂ，１ｃに形成することができる。
【００１７】
次に、図２、図３に基づいて第１の実施形態にかかる微細流路構造体の製造方法の一実施形態を説明する。尚、図２は、第１の実施形態にかかる微細流路構造体の製造工程を示す図であり、図３は図２（ｃ）に示したＢ−Ｂ断面図である。
先ず、図２（ａ）に示すように、３枚の基板１ａ，１ｂ，１ｃ上にそれぞれ電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成する。ここでは、基板１ａ，１ｂ，１ｃとしてガラス基板を用い、例えば、モリブデンで構成された電極２ａ，２ｂ，２ｃを、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、矩形形状にパターニングして、各々厚さ０．５μｍ形成する。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に示すように、前記電極２ａ，２ｂ，２ｃが垂直方向（積層方向α）に重なり合うように前記基板１ａ，１ｂ，１ｃを重ね合わせ、更に、基板１ｃ上に電極が形成されていない基板１ｄを重ね合わせ、積層させる。
そして、積層された基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄを加熱し、基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄを融着し、一体化する。尚、各基板を一体化する方法は、融着以外にも、各基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄ間に接着剤を介して貼り合せても良い。
【００１９】
そして、図２（ｃ）に示すように、積層した基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄの上面、すなわち、基板１ｄの電極２ｃと接する面に対向する面上から機械加工を行い、断面形状が積層方向αに対して鋭角の角度θを備える内表面を有する溝（本実施形態ではＶ字形状の溝、以下、Ｖ溝という）３ｃを形成する。
尚、この溝加工は基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄの材質に合った加工方法が任意に選択できるが、電極２ａ，２ｂ，２ｃと基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄとが異なる性質を持つことから、エッチングなどの化学的な除去方法よりはドリルやエンドミル、バイトなどを用いた機械加工が好適である。その際、溝の変形や電極の剥がれに注意して加工条件を決定する必要がある。
【００２０】
このＶ溝３ｃは、積層した基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄの上面から積層方向αに対して垂直方向βに延設され、前記Ｖ溝３ｃの内表面３ａ、３ｂに前記電極２ａ，２ｂ，２ｃが積層方向αに露出する。即ち、図２（ｃ）、図３に示すようにＶ溝３ｃの内表面３ａ、３ｂに電極２ａ，２ｂ，２ｃが相対向して夫々一対の電極が露出すると共に、Ｖ溝３ｃの内表面３ａ、３ｂの積層方向αに所定の間隔（基板の厚さの間隔）をもって規則正しく電極２ａ，２ｂ，２ｃが露出する。
【００２１】
前記Ｖ溝３ｃは、基板１ａ，１ｂ，１ｃ、１ｄの積層方向αに対する角度θが９０度未満（鋭角）に形成されている。好ましくは、積層方向に対する角度θが３０°以上６０°以下に形成されているのが良い。
【００２２】
前記したＶ溝３ｃを形成した後、図２（ｄ）に示すように、基板１ｅを前記基板１ｄの上面に融着、あるいは接着剤を介して貼り合わせる。これにより、積層された積層体に形成されたＶ溝３ｃの開口部が塞がれ、前記Ｖ溝３ｃは三角形状の断面形状を有する微細流路３として形成される。
【００２３】
次に、本発明に係る微細流路構造体の第２の実施形態について図４に基づいて説明する。図４は、本発明の微細流路構造体の第２の実施形態を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）に示したＢ−Ｂ断面図である。
本実施形態に関る微細流路構造体２０は、前記した図２（ｃ）に示した基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを積層し、Ｖ溝３ｃが形成された積層体（第１の積層体）２０ａを用意し、更に前記第１の積層体２０ａと同様に、基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを積層し、Ｖ溝３ｄが形成された積層体（第２の積層体）２０ｂを用意する。この基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃにも、前記基板１ａ，１ｂ，１ｃと同様に電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃが形成されている。
そして、前記第１の積層体２０ａに形成された溝３ｃと、前記第２の積層体２０ｂに形成された溝３ｄが対峙するように、前記第１の積層体２０ａと前記第２の積層体２０ｂとを貼り合せ、微細流路１３を形成する。
【００２４】
このようにして形成された微細流路構造体２０の微細流路１３はその断面形状が四角形（例えば、菱型形状）となり、その内表面により多くの電極（本実施形態では６対の計１２個の電極）が形成され、微細流路１３の積層方向αの濃度分布等をより正確に測定することができる。
その他の構成、製法は第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２５】
更に、本発明に係る微細流路構造体の第３の実施形態について図５、６に基づいて説明する。図５は、第３の実施形態に係る微細流路構造体の製造方法を示す図、図６は、第３の実施形態に係る微細流路構造体の概略構造を示す図である。
本実施形態に関る微細流路構造体３０は、各基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに形成される電極２ａ１〜２ａ４，２ｂ１〜２ｂ４、２ｃ１〜２ｃ４を複数形成した点に特徴がある。
【００２６】
前記第１の実施形態にあっては、基板には矩形形状の一つの電極が形成され、その微細流路３を流れる液体が液体流路３の内表面に露出した前記電極に接触した際の濃度等を測定することができる。しかし、微細流路３の流れ方向の濃度変化等は測定することができない。
本第３の実施形態にあっては、図６に示すように、基板１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの積層方向αのみならず、微細流路３の流れ方向（流路方向、前述した垂直方向βと同じ方向）γにも複数の電極２ａ１〜２ａ４，２ｂ１〜２ｂ４、２ｃ１〜２ｃ４が形成されている。
このように、電極が微細流路の内表面の積層方向のみならず、微細流路の流路方向にも複数露出して形成されているため、流路方向における液体の濃度変化、あるいはまた液体中の目的物質の濃度変化等をも正確に検出することができる。
その他の構成、製法は第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００２７】
なお、前述した第１から第３の微細流路構造体については、基板と基板上に設けられた電極とが順次積層し、さらに、その上に電極が形成されていない基板を積層した積層体の構成で説明されているが、本願発明はこれに限定されるものはなく、電極が形成されていない基板を用いなくてもよい。この場合には、図２に示す積層した基板１ａ，１ｂ，１ｃの上面、すなわち、基板１ｃの電極２ｃの面上から機械加工を行うことでＶ溝３ｃを形成する。
また、図７に示すように、微細流路３の頂点が電極２ａに位置するように溝３を形成しても良い。
更に、前述した第３の実施形態の微細流路構造体の構成、即ち微細流路３の流れ方向に複数の電極を形成する構成を、第２の実施形態の微細流路構造体の構成に取り入れても同様な効果を奏するには言うまでもない。
【実施例】
【００２８】
続いて、本発明に係る微細流路構造体について、実施例に基づきさらに説明する。
一辺が２０ｍｍの正方形形状で、厚さが０．２ｍｍのホウ珪酸塩ガラス基板の表面に、膜厚５００ｎｍ、矩形形状のＭｏ電極パターンを、リソグラフィ技術及びエッチング技術により形成した。そして、このＭｏ電極パターンが形成されたホウ珪酸塩ガラス基板を２枚製作した。更に、一の基板の電極面側に、他の基板の非電極面側が位置するように積層した。
【００２９】
そして、前記他の基板の電極面側に、Ｍｏ電極パターンが形成されていない一辺が２０ｍｍの正方形形状、厚さが０．２ｍｍのホウ珪酸塩ガラス基板を配置し、一の基板の非電極面側に、Ｍｏ電極パターンが形成されていない一辺が２０ｍｍの正方形形状、厚さが３ｍｍのホウ珪酸塩ガラス基板を配置した。
その後、Ｍｏ電極パターンが形成されていない二つの前記ホウ珪酸塩ガラス基板で、前記Ｍｏ電極パターンを有するホウ珪酸塩ガラス基板を挟み込みながら６５０℃の真空中で加圧して熱融着した。
【００３０】
その後、Ｍｏ電極パターンが形成されていない一辺が２０ｍｍの正方形形状、厚さが０．２ｍｍのホウ珪酸塩ガラス基板側から、φ２ｍｍ、先端Ｒが４μｍの単結晶ダイヤモンド・ドリルの先端で、深さ０．６ｍｍのＶ溝となるように、微細流路となるパターンを機械加工し、Ｖ溝が形成された積層体を製作した。
【００３１】
さらに、前述と同様にして、同一の構成を有する、もう一つのＶ溝が形成された積層体を製作した。そして、両積層体を、互いの溝パターンが一致するように対向させて固定し、６５０℃に加熱して熱融着し、微細流路を形成した。
これによって、微細流路内表面の積層方向に、４対、計８個の電極が形成できた。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る微細流路構造体の概略構造を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る微細流路構造体の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、図２（ｃ）示された工程のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図４は、本発明の微細流路構造体の第２の実施形態を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）に示したＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係る微細流路構造体の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、第３の実施形態に係る微細流路構造体の概略構造を示す図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る微細流路構造体の変形例を示す断面図である。
【図８】図８は、従来の微細流路構造体を示す側面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１ａ…基板
１ｂ…基板
１ｃ…基板
１ｄ…基板
１ｅ…基板
２ａ…電極
２ａ１，２ａ２，２ａ３，２ａ４…電極
２ｂ…電極
２ｂ１，２ｂ２，２ｂ３，２ｂ４…電極
２ｃ…電極
２ｃ１，２ｃ２，２ｃ３，２ｃ４…電極
３…微細流路
３ａ，３ｂ…内表面
３ｃ，３ｄ…溝
１１ａ…基板
１１ｂ…基板
１１ｃ…基板
１１ｄ…基板
１２ａ…電極
１２ｂ…電極
１２ｃ…電極
１３…微細流路
１０…微細流路構造体
２０…微細流路構造体
２０ａ…第１の積層体
２０ｂ…第２の積層体
３０…微細流路構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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