(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形平板状の誘電体基板を介して実装面に対向する複数の共振線路と、
前記複数の共振線路のいずれかに結合する、前記実装面に設けた入出力電極と、
前記入出力電極から分離して前記実装面に設けた接地電極と、
を備えるストリップラインフィルタであって、
第１の共振線路が対向する前記実装面の第１の対向領域と、前記第１の共振線路に隣接する第２の共振線路が対向する前記実装面の第２の対向領域と、を経由する形状の結合調整用電極非形成部を備え、
前記第１および第２の対向領域内では、前記結合調整用電極非形成部に前記接地電極のみが隣接する、ストリップラインフィルタ。
【請求項２】
前記誘電体基板の前記複数の共振線路を設けた上面を開放してマイクロストリップラインフィルタとした、請求項１に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項３】
前記誘電体基板に積層した別の誘電体基板を介して前記複数の共振線路に対向する上面接地電極を設けてトリプレート型とした、請求項１に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項４】
前記結合調整用電極非形成部は、前記対向領域の外まで延設されていて、前記対向領域の外で前記入出力電極を前記接地電極から分離させた請求項１〜３のいずれかに記載のストリップラインフィルタ。
【請求項５】
前記結合調整用電極非形成部により分離された前記接地電極および前記入出力電極の間隔を、前記複数の共振線路の配列方向に垂直な方向よりも、前記配列方向で広くした請求項４に記載のストリップラインフィルタ。
【請求項６】
前記共振線路のいずれかと前記入出力電極とを接続する引出電極を備える請求項１〜５のいずれかに記載のストリップラインフィルタ。
【請求項７】
前記第１の共振線路が構成する共振器と前記第２の共振線路が構成する共振器とをインターディジタル結合させた請求項１〜６のいずれかに記載のストリップラインフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体基板にストリップラインを設けたストリップラインフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
トリプレート型ストリップラインフィルタの有極化のために、複数の共振線路を結合させる結合電極を設けることがあった。また、結合電極として入出力電極を利用することがあった。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１に従来のストリップラインフィルタの構成例を示す。同図（Ａ）はこのストリップラインフィルタを実装面の反対から見た分解斜視図であり、同図（Ｂ）はこのストリップラインフィルタを実装面から見た斜視図であり、同図（Ｃ）は、図中に一点鎖線で示す断面での断面図である。
【０００４】
ストリップラインフィルタ１０１は、共振線路１１１Ａ〜１１１Ｄを主面に設けた誘電体基板１０３に、誘電体基板１０２を積層し、外面に接地電極１１０を設けたトリプレート型の構成である。共振線路１１１Ａと共振線路１１１Ｄには、入出力電極１１２Ａ，１１２Ｂがそれぞれ接続されている。入出力電極１１２Ａ，１１２Ｂの先端は、ストリップラインフィルタ１０１の実装面に延設されている。ストリップラインフィルタ１０１の小型化のため、接地電極１１０は可能な限り大きく形成されている。ここで入出力電極１１２Ａの先端はストリップラインフィルタ１０１の実装面で共振線路１１１Ｂに対向する。これにより、入出力電極１１２Ａは共振線路１１１Ｂの構成する共振器と容量結合している。
【特許文献１】特開２００１−３５８５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ストリップラインフィルタでは、広帯域化のために共振器間結合度を強める要望があった。共振器間結合度は、隣接する共振器対の間隔や各共振線路の形状により設定されていた。しかしながら、素子サイズや共振器長などの要求によって、共振器間結合度の設定には制約が生じることがあった。この場合、所望の共振器間結合度を実現できず、所望の帯域を有するフィルタ特性を得られないことがあった。
【０００６】
また、有極化のために入出力電極（結合電極）を利用するストリップラインフィルタの場合、入出力電極と２段目の共振器との飛び結合により通過帯域外に発生する減衰極を通過帯域に寄せる効果がある。しかしながら、隣接する共振器間の結合度にはほとんど影響が及ばず、通過帯域幅を広げることができなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、共振器対の間隔や各共振線路の形状の設定に寄らずに、所望の共振器対での共振器間結合度を強めて、通過帯域を広帯域化した構成のストリップラインフィルタの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明のストリップラインフィルタは、複数の共振線路と接地電極と入出力電極とを備える。複数の共振線路は、矩形平板状の誘電体基板を介して実装面に対向する。入出力電極は、実装面に設けられていて、複数の共振線路のいずれかに結合する。接地電極は、実装面に設けられていて、入出力電極から分離して形成されている。
ここで、実装面の第１の対向領域と第２の対向領域とを経由する形状の結合調整用電極非形成部を備える。第１の対向領域は、第１の共振線路が対向する実装面の領域である。第２の対向領域は、第２の共振線路が対向する実装面の領域である。第１の共振線路と第２の共振線路とは、互いに隣接する線路である。これらの対向領域内では、結合調整用電極非形成部に接地電極のみが隣接している。
【０００９】
この構成により、所望の共振器対（第１および第２の共振線路）にて、対向領域内の接地電極の面積が低減されるため、これらの共振線路それぞれの自己容量が低減される。一般に、自己容量の低減は共振器間結合度を強めるため、このストリップラインフィルタでは所望の共振器対の共振器間結合度が強められたものになる。
【００１０】
このストリップラインフィルタは、誘電体基板の上面を開放してマイクロストリップラインフィルタとしてもよい。マイクロストリップラインフィルタでは、トリプレート型の場合よりも各共振器の自己容量が片側底面の接地電極との間に集中している。したがって、結合調整用電極非形成部による自己容量の変化割合が大きく、高い結合調整効果を奏し好適である。
【００１１】
このストリップラインフィルタは、上面接地電極を設けてトリプレート型としてもよい。トリプレート型のストリップラインフィルタでは、結合調整用電極非形成部を実装面に設けることにより、上面接地電極によるシールド効果を保ったまま結合調整効果が得られる。
【００１２】
結合調整用電極非形成部によって対向領域の外で入出力電極を接地電極から分離させてもよい。この場合、電極パターンが単純で、成形が容易である。接地電極から入出力電極までの間隔を共振線路の配列方向で広くすれば、入出力電極の脇での接地電極の幅を確保し易い。これにより、入出力電極の脇に側面線路を設ける場合に、接地電極と側面線路との接続性が高められる。
【００１３】
共振器のいずれかと入出力電極とを接続する接続用電極を設ければ、入出力電極が小サイズであっても強い外部結合を得ることができ、電極非形成部のサイズを大きく取ることができ、強い共振器間結合度を実現し易い。
【００１４】
第１の共振線路が構成する共振器と第２の共振線路が構成する共振器とをインターディジタル結合させれば、コムライン結合の場合よりも大きな共振器間結合を実現でき、電極非形成部による結合調整効果と合わせて極めて強い共振器間結合を実現できる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、結合調整用電極非形成部を設けることにより、隣接する共振器対の間隔や各共振線路の形状の設定に寄らずに、所望の共振器対での共振器間結合度を強められる。したがって、ストリップラインフィルタの通過帯域を広帯域化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成例を説明する。
【００１７】
ここで示すストリップラインフィルタは帯域通過型のマイクロストリップラインフィルタであり、４GＨｚ以上の高周波帯に対応するＵＷＢ（Ultra  Wide  Band）通信に利用される。
【００１８】
図２は、同ストリップラインフィルタを説明する図であり、同図（Ａ）は上面図、同図（Ｂ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図、同図（Ｃ）は下面図である。
【００１９】
ストリップラインフィルタ１は、矩形平板状の誘電体基板２を備える。基板２は酸化チタン等からなる比誘電率が約１１１の小型直方体状のセラミック焼結基板である。基板２の組成および寸法は周波数特性などを考慮して適宜設定している。なお、誘電体基板２上には、ストリップラインフィルタ１の機械的保護、耐環境性向上などを目的として図示していないガラス層を積層する。
【００２０】
誘電体基板２の側面には側面線路２１と側面引出電極２２とを設けている。各側面での電極形状は、対向する側面の電極形状と合同にしている。側面線路２１のいくつかは、共振線路１１Ａ〜１１Ｅに非接続のダミー電極であり、ストリップラインフィルタ１の回路構成には不要である。しかし、ダミー電極を設けることにより、ストリップラインフィルタ１の対向する側面での電極形状を合同なものにすることが容易となる。各側面を対向する側面と合同にすることにより、一度で複数の誘電体基板に対して側面電極を形成する製造工程において、各誘電体基板を治具に振り込む際に姿勢制御する必要がなくなる。また、異なる回路構成であって同一基板サイズで同一側面電極形状の他製品と、側面電極形成工程を共通化できる。
【００２１】
誘電体基板２の上面には、共振線路１１Ａ〜１１Ｅと上面引出電極１２Ａ，１２Ｂとを設けている。共振線路１１Ａ〜１１Ｅは、側面引出電極２２を設けた側面に垂直な方向である図中横方向に配列している。これらの電極は厚み約５μｍ以上の銀電極であり、基板２に感光性銀ペーストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスによりパターン形成し、焼成してなる。これらの電極を感光性銀電極とすることによって、電極の形状精度を高めて、ＵＷＢ通信に利用可能なストリップラインフィルタとしている。
【００２２】
共振線路１１Ａ，１１ＥはＩ字型線路であり、先端が開放され基端が側面線路２１を介して接地され１／４波長共振線路となっている。共振線路１１Ｂ，１１ＤはＬ字型線路であり、先端が開放され基端が側面線路２１を介して接地され１／４波長共振線路となっている。共振線路１１ＣはＣ字型線路であり、両端が開放されて１／２波長共振線路となっている。各共振線路１１Ａ〜１１Ｅは開放端が互い違いの方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はインターディジタル結合する。そのため、共振器間の結合が強くなり、ストリップラインフィルタ１の通過帯域を広帯域化できる。上面引出電極１２Ａ，１２Ｂは、それぞれ、側面引出電極２２に接続されている。
【００２３】
誘電体基板２の下面は、このストリップラインフィルタ１の実装面であり、接地電極３１と入出力電極３２Ａ，３２Ｂとを備えている。入出力電極３２Ａ，３２Ｂは、このストリップラインフィルタ１を実装基板に実装する際に、高周波信号入出力端子に接続される。接地電極３１は共振器のグランド面であり、実装基板の接地電極に接続される。これらの電極は厚み約１２μｍ以上の銀電極であり、基板２にスクリーンマスクまたはメタルマスクを用いて非感光性の銀ペーストを塗布し、焼成してなる。
【００２４】
接地電極３１は誘電体基板２の下面の略全面に、入出力電極３２Ａ，３２Ｂから分離して設けられている。接地電極３１と入出力電極３２Ａ，３２Ｂとの間には、電極非形成部３３Ａ，３３Ｂが設けられている。接地電極３１は、誘電体基板２の側面に設けられた側面線路２１が接続されている。入出力電極３２Ａ，３２Ｂは、誘電体基板２の側面に設けられた側面引出電極２２が接続されている。これにより、入出力電極３２Ａが、共振線路１１Ａの構成する共振器にタップ結合し、入出力電極３２Ｂが、共振線路１１Ｅの構成する共振器にタップ結合する。タップ結合により、入出力電極３２Ａ，３２Ｂを小サイズに形成しても、強い外部結合を得ることができる。
【００２５】
以上の構成により、ストリップラインフィルタ１は、５段の共振器が結合した帯域通過フィルタとなる。
【００２６】
次に、ストリップラインフィルタ１の製造工程を説明する。図３は、ストリップラインフィルタ１の製造工程を説明するフローである。
【００２７】
（Ｓ１）まず、いずれの面にも電極を形成していない誘電体母基板を用意する。
【００２８】
（Ｓ２）次に、上記誘電体母基板に対して、下面に導電体ペーストをスクリーン印刷またはメタルマスク印刷し、焼成を経て接地電極３１、入出力電極３２Ａ，３２Ｂ、および電極非形成部３３Ａ，３３Ｂを形成する。
【００２９】
（Ｓ３）次に、誘電体母基板に対して、上面に感光性導電体ペーストを印刷し、露光、現像するフォトリソグラフィプロセスを経て、焼成により共振線路１１Ａ〜１１Ｅ、および上面引出電極１２Ａ，１２Ｂを形成する。フォトリソグラフィプロセスでは、電極を３０μｍ程度まで細線化でき、極めて高い位置精度で電極を形成できる。
【００３０】
（Ｓ４）次に、誘電体母基板の上面側にガラスペーストを印刷し、焼成を経てガラス層を形成する。
【００３１】
（Ｓ５）次に、上記のようにして構成した誘電体母基板からダイシングなどにより多数の誘電体基板２を切り出す。
【００３２】
（Ｓ６）次に、誘電体基板２を配列して、所定パターンのメタルマスクまたはスクリーンマスクにより導電体ペーストを印刷する印刷プロセスを経て、焼成により電極を形成する。この印刷プロセスを各側面に実施することで、側面引出電極２２と側面線路２１とが形成される。この印刷プロセスでは、電極は１００μｍ程度まで細線化できる。フォトリソグラフィプロセスに比べて低コストに電極を形成できる。
【００３３】
以上の工程により、ストリップラインフィルタ１は製造されている。なお、ストリップラインフィルタ１の製造後に、各フィルタ特性を測定し、必要に応じて、結合調整用の電極非形成部のサイズなどを調整してもよい。
【００３４】
図４は、入出力電極３２Ａの周辺構造を説明する拡大図である。入出力電極３２Ｂの周辺構造についての説明は省くが、入出力電極３２Ａの周辺構造と同様である。
【００３５】
入出力電極３２Ａと接地電極３１とを分離する電極非形成部３３Ａは、入出力電極３２Ａの周囲に設けられていて、先端側（基板中央側）が共振線路１１Ｂの対向領域４１Ｂを経由して、共振線路１１Ｃの対向領域４１Ｃに至るまで延設されている。この電極非形成部３３Ａは本発明の結合調整用電極非形成部に相当する。
【００３６】
共振線路の配列方向である図中横方向での接地電極３１から入出力電極３２Ａまでの間隔Ｌｗは、配列方向に垂直な方向である図中縦方向での接地電極３１から入出力電極３２Ａまでの間隔Ｌｈよりも、広くしている。このため、図中縦方向の入出力電極３２Ａの両脇での接地電極３１の幅を大きく確保でき、共振線路１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの側面線路２１と接地電極３１との接続性が高まっている。
【００３７】
また、電極非形成部３３Ａは共振線路１１Ｂの対向領域４１Ｂを経由しているため、共振線路１１Ｂが接地電極３１と対向する面積が極めて小さく、共振線路１１Ｂの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部３３Ａは共振線路１１Ｃの対向領域４１Ｃも経由しているため、共振線路１１Ｃが接地電極３１と対向する面積も極めて小さく、共振線路１１Ｃの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路１１Ｂの構成する共振器と共振線路１１Ｃの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部３３Ａが共振線路１１Ｃの対向領域４１Ｃにまで至っていない場合よりも、大きくなっている。
【００３８】
ストリップラインフィルタ１は、誘電体基板上面が開放されたマイクロストリップラインフィルタであるので、トリプレート型の構成よりも各共振線路の自己容量が片側底面の接地電極との間に集中している。このため、電極非形成部３３Ａに起因する自己容量の変化が大きく作用し、結合調整効果が大きい。また、共振線路１１Ｂおよび共振線路１１Ｃはインターディジタル結合しているので、極めて大きな共振器間結合を実現しているが、電極非形成部３３Ａが対向領域４１Ｃにまで至っているので、共振器間結合度はさらに強められている。また、入出力電極３２Ａを、側面引出電極２２によって共振線路１１Ａとタップ結合させているので、入出力電極３２Ａと共振線路１１Ａとを容量結合させる場合よりも、入出力電極３２Ａは小サイズに形成できている。
【００３９】
図５は、ストリップラインフィルタ１のフィルタ特性の例を説明する図である。ここで示すフィルタ特性はシミュレーションの結果である。
【００４０】
シミュレーションでは、接地電極３１から入出力電極３２Ａまでの間隔Ｌｗを変化させて比較を行った。なお、間隔Ｌｗを２５０μｍに設定した場合に、共振線路１１Ｂに対向する領域と共振線路１１Ｃに対向する領域との間に電極非形成部３３Ａの先端が至るような寸法設定を採用している。
【００４１】
図中の実線は、間隔Ｌｗを４５０μｍに設定して、電極非形成部３３Ａに第１および第２の対向領域を経由させた本実施形態のストリップラインフィルタの場合を示している。図中の破線は、間隔Ｌｗを１５０μｍに設定して、電極非形成部３３Ａに第１の対向領域のみを経由させた比較例のストリップラインフィルタの場合を示している。
【００４２】
同図（Ａ）のグラフ横軸は周波数を、縦軸は減衰量を示している。本実施形態のストリップラインフィルタでは、３ｄＢでの帯域幅が約５８３７ＭＨｚであった。比較例のストリップラインフィルタでは、３ｄＢでの帯域幅が約４４９５ＭＨｚであった。このことは、本実施形態のストリップラインフィルタでは、共振線路１１Ｂ，１１Ｃそれぞれの自己容量が低減され、この共振器対間の共振器間結合度が強まったためと考えられる。
【００４３】
次に、本発明の第２の実施形態に係るストリップラインフィルタについて説明する。
【００４４】
図６は、同ストリップラインフィルタの構成を説明する図であり、同図（Ａ）は実装面の反対側から見た斜視図、同図（Ｂ）は実装面側から見た斜視図、同図（Ｃ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図である。
【００４５】
ストリップラインフィルタ５０は、共振線路５１Ａ〜５１Ｄを主面に設けた誘電体基板５４の上面を開放したマイクロストリップラインフィルタである。各共振線路５１Ａ〜５１Ｄは一端開放、一端接地した１／４波長共振線路であり、開放端が互い違いの方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はインターディジタル結合する。そのため、共振器間の結合が強くなり、ストリップラインフィルタ５０の通過帯域を広帯域化できる。共振線路５１Ａと共振線路５１Ｄには、入出力電極５２Ａ，５２Ｂがそれぞれ接続されている。入出力電極５２Ａ，５２Ｂの先端は、ストリップラインフィルタ５０の実装面まで延設されている。
【００４６】
接地電極５３は誘電体基板５４の下面の略全面に、入出力電極５２Ａ，５２Ｂから分離して設けられている。接地電極５３と入出力電極５２Ａとの間には、電極非形成部５５が設けられている。電極非形成部５５は、入出力電極５２Ａの周囲に設けられていて、先端側（基板中央側）が共振線路５１Ｂの対向領域を経由して、共振線路５１Ｃの対向領域に至るまで延設されている。このため、共振線路５１Ｂが接地電極５３と対向する面積が小さく、共振線路５１Ｂの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部５５は共振線路５１Ｃの対向領域も経由しているため、共振線路５１Ｃが接地電極５３と対向する面積も小さく、共振線路５１Ｃの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路５１Ｂの構成する共振器と共振線路５１Ｃの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部５５が共振線路５１Ｃの対向領域にまで至っていない場合よりも、大きくなっている。
【００４７】
次に、本発明の第３の実施形態に係るストリップラインフィルタについて説明する。
【００４８】
図７は、同ストリップラインフィルタの構成を説明する図であり、同図（Ａ）は実装面の反対側から見た斜視図、同図（Ｂ）は実装面側から見た斜視図、同図（Ｃ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図である。
【００４９】
ストリップラインフィルタ６０は、共振線路６１Ａ〜６１Ｄを主面に設けた誘電体基板６４Ａの上面側に誘電体基板６４Ｂを積層したトリプレート型のものである。各共振線路６１Ａ〜６１Ｄは一端開放、一端接地した１／４波長共振線路であり、開放端が互い違いの方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はインターディジタル結合する。そのため、共振器間の結合が強くなり、ストリップラインフィルタ６０の通過帯域を広帯域化できる。共振線路６１Ａと共振線路６１Ｄには、入出力電極６２Ａ，６２Ｂがそれぞれ接続されている。入出力電極６２Ａ，６２Ｂの先端は、ストリップラインフィルタ６０の実装面まで延設されている。
【００５０】
接地電極６３は誘電体基板６４Ａ，６４Ｂの外面の略全面に、入出力電極６２Ａ，６２Ｂから分離して設けられている。接地電極６３と入出力電極６２Ａとの間には、電極非形成部６５が設けられている。電極非形成部６５は、入出力電極６２Ａの周囲に設けられていて、先端側（基板中央側）が共振線路６１Ｂの対向領域を経由して、共振線路６１Ｃの対向領域に至るまで延設されている。このため、共振線路６１Ｂが接地電極６３と対向する面積が小さく、共振線路６１Ｂの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部６５は共振線路６１Ｃの対向領域も経由しているため、共振線路６１Ｃが接地電極６３と対向する面積も小さく、共振線路６１Ｃの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路６１Ｂの構成する共振器と共振線路６１Ｃの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部６５が共振線路６１Ｃの対向領域にまで至っていない場合よりも、大きくなっている。
【００５１】
ストリップラインフィルタ６０は、トリプレート型のマイクロストリップラインフィルタである。このストリップラインフィルタ６０では、上面を含む外面の略全面に接地電極６３が設けられているので電磁波シールド性が極めて高い。仮にトリプレート型の構成で上面の接地電極６３に電極非形成部を設ければ、この電磁波シールド性が損なわれてしまう虞がある。しかし、本実施形態では、電極非形成部６５は、実装面にて延設されているので、高い電磁波シールド性を確保したまま、電極非形成部６５による結合調整効果を得ることができる。
【００５２】
次に、本発明の第４の実施形態に係るストリップラインフィルタについて説明する。
【００５３】
図８は、同ストリップラインフィルタの構成を説明する図であり、同図（Ａ）は実装面の反対側から見た斜視図、同図（Ｂ）は実装面側から見た斜視図、同図（Ｃ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図である。
【００５４】
ストリップラインフィルタ７０は、共振線路７１Ａ〜７１Ｄを主面に設けた誘電体基板７４の上面を開放したマイクロストリップラインフィルタである。各共振線路７１Ａ〜７１Ｄは一端開放、一端接地した１／４波長共振線路であり、開放端が互い違いの方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はインターディジタル結合する。そのため、共振器間の結合が強くなり、ストリップラインフィルタ７０の通過帯域を広帯域化できる。共振線路７１Ａと共振線路７１Ｄには、入出力電極７２Ａ，７２Ｂがそれぞれ接続されている。入出力電極７２Ａ，７２Ｂの先端は、ストリップラインフィルタ７０の実装面まで延設されている。
【００５５】
接地電極７３は誘電体基板７４の下面に、入出力電極７２Ａ，７２Ｂから分離して設けられている。接地電極７３には、入出力電極７２Ａ，７２Ｂからの分離のための電極非形成部とは別に、結合調整用の電極非形成部７５が設けられている。
【００５６】
電極非形成部７５は、共振線路７１Ｃの対向領域と共振線路７１Ｂの対向領域を経由する形状である。このため、共振線路７１Ｃが接地電極７３と対向する面積が小さく、共振線路７１Ｃの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部７５は共振線路７１Ｂの対向領域も経由しているため、共振線路７１Ｂが接地電極７３と対向する面積も小さく、共振線路７１Ｂの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路７１Ｃの構成する共振器と共振線路７１Ｂの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部７５を設けていない場合よりも、大きくなっている。
【００５７】
このように、入出力電極７２Ａ，７２Ｂを接地電極７３から分離する電極非形成部とは別に、結合調整用の電極非形成部７５を形成する場合、電極非形成部７５の位置とサイズを任意に設定することが可能である。
【００５８】
次に、本発明の第５の実施形態に係るストリップラインフィルタについて説明する。
【００５９】
図９は、同ストリップラインフィルタの構成を説明する図であり、同図（Ａ）は実装面の反対側から見た斜視図、同図（Ｂ）は実装面側から見た斜視図、同図（Ｃ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図である。
【００６０】
ストリップラインフィルタ８０は、共振線路８１Ａ〜８１Ｄを主面に設けた誘電体基板８４の上面を開放したマイクロストリップラインフィルタである。各共振線路８１Ａ〜８１Ｄは一端開放、一端接地した１／４波長共振線路であり、開放端が互い違いの方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はインターディジタル結合する。そのため、共振器間の結合が強くなり、ストリップラインフィルタ８０の通過帯域を広帯域化できる。
【００６１】
ここで、共振線路８１Ａの対向領域には入出力電極８２Ａが形成され、共振線路８１Ｄの対向領域には入出力電極８２Ｂが形成されている。入出力電極８２Ａ，８２Ｂは、共振線路８１Ａ，８１Ｄに対向して容量結合するものである。接地電極８３は誘電体基板８４の下面に、入出力電極８２Ａ，８２Ｂから分離して設けられている。接地電極８３と入出力電極８２Ａとの間には電極非形成部８５が設けられている。
【００６２】
電極非形成部８５は、共振線路８１Ｂの対向領域と共振線路８１Ｃの対向領域を経由する形状である。このため、共振線路８１Ｂが接地電極８３と対向する面積が小さく、共振線路８１Ｂの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部８５は共振線路８１Ｃの対向領域も経由しているため、共振線路８１Ｃが接地電極８３と対向する面積も小さく、共振線路８１Ｃの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路８１Ｂの構成する共振器と共振線路８１Ｃの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部８５が共振線路８１Ｃの対向領域にまで至っていない場合よりも、大きくなっている。
【００６３】
次に、本発明の第６の実施形態に係るストリップラインフィルタについて説明する。
【００６４】
図１０は、同ストリップラインフィルタの構成を説明する図であり、同図（Ａ）は実装面の反対側から見た斜視図、同図（Ｂ）は実装面側から見た斜視図、同図（Ｃ）は図中に一点鎖線で示す位置の断面図である。
【００６５】
ストリップラインフィルタ９０は、共振線路９１Ａ〜９１Ｄを主面に設けた誘電体基板９４の上面を開放したマイクロストリップラインフィルタである。各共振線路９１Ａ〜９１Ｄは一端開放、一端接地した１／４波長共振線路であり、開放端が同方向を向くように配置されていて、隣接する共振器間はコムライン結合する。
【００６６】
共振線路９１Ａと共振線路９１Ｄには、入出力電極９２Ａ，９２Ｂがそれぞれ接続されている。入出力電極９２Ａ，９２Ｂの先端は、ストリップラインフィルタ９０の実装面まで延設されている。
【００６７】
接地電極９３は誘電体基板９４の下面の略全面に、入出力電極９２Ａ，９２Ｂから分離して設けられている。接地電極９３と入出力電極９２Ａとの間には、電極非形成部９５が設けられている。電極非形成部９５は、入出力電極９２Ａの周囲に設けられていて、先端側（基板中央側）が共振線路９１Ｂの対向領域を経由して、共振線路９１Ｃの対向領域に至るまで延設されている。このため、共振線路９１Ｂが接地電極９３と対向する面積が小さく、共振線路９１Ｂの自己容量は小さくなっている。また、電極非形成部９５は共振線路９１Ｃの対向領域も経由しているため、共振線路９１Ｃが接地電極９３と対向する面積も小さく、共振線路９１Ｃの自己容量は小さくなっている。これにより、共振線路９１Ｂの構成する共振器と共振線路９１Ｃの構成する共振器との間の共振器間結合度は、電極非形成部９５が共振線路９１Ｃの対向領域にまで至っていない場合よりも、大きくなっている。
【００６８】
以上の各実施形態で示したように、結合調整用の電極非形成部を設けることにより、隣接する共振器対の間隔や各共振線路の形状の設定に寄らずに、所望の共振器対での共振器間結合度を強められる。
【００６９】
なお、上記した実施形態での共振線路や入出力電極、電極非形成部の配置や形状は製品仕様に応じたものであり、製品仕様に応じたどのような配置位置や形状であっても良い。本発明は上記構成以外であっても適用でき、多様なフィルタのパターン形状に採用できる。また、このフィルタに、他の構成（高周波回路）をさらに配しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】従来のストリップラインフィルタの構成例を説明する図である。
【図２】第１の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【図３】同ストリップラインフィルタの製造工程を説明する図である。
【図４】同ストリップラインフィルタの入出力電極の周辺構造を説明する図である。
【図５】同ストリップラインフィルタのフィルタ特性の例を説明する図である。
【図６】第２の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【図７】第３の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【図８】第４の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【図９】第５の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【図１０】第６の実施形態に係るストリップラインフィルタの構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００７１】
１，５０，６０，７０，８０，９０…ストリップラインフィルタ
２，５４，６４，７４，８４，９４…誘電体基板
１１Ａ〜１１Ｅ，５１，６１，７１，８１，９１…共振線路
１２Ａ，１２Ｂ…上面引出電極
２１…側面線路
２２…側面引出電極
３１，５３，６３，７３，８３，９３…接地電極
３２Ａ，３２Ｂ，５２，６２，７２，８２，９２…入出力電極
３３Ａ，３３Ｂ，５５，６５，７５，８５，９５…電極非形成部
４１Ｂ，４１Ｃ…対向領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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