(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いたＴＦＴアレイ基板を有する液晶表示パネルを備え、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を前記液晶表示パネルにＣＯＧ実装されたＩＣの領域に配置し、液晶表示パネルの矩形状の対向する辺の一方の辺に多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、矩形状を構成する辺のうち多結晶シリコンからなる集積回路が内蔵されている辺及びその辺に対向する辺とは異なる辺に前記ＩＣ駆動用の取り出し電極を配するとともに、前記ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に前記多結晶シリコンからなる内蔵集積回路用の取り出し電極を分散して配置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を多結晶シリコンＴＦＴ基板アレイ基板上に導電性膜で形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線をＣＯＧ実装するＩＣに内蔵されたバスラインをバイパスして接続することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の液晶表示装置は、携帯電話やポケットＰＣ（Personal Computer）などに代表されるように高精細・小型化が進んでおり、特に非表示領域のサイズの縮小化が進んでいる。図４（ａ）（ｂ）に従来の液晶表示装置の構成図を示す。１は表示領域、２は低温多結晶シリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる内蔵集積回路、３は単結晶シリコンＩＣ、４は低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線、５は単結晶ＩＣより出力される画素ＴＦＴ駆動用信号配線、６は低温多結晶シリコン集積回路駆動の入力信号用取り出し電極端子、７は単結晶シリコンＩＣ駆動用取り出し電極端子である。低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵し、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ（chip on glass）実装する構成では、画素ＴＦＴ駆動信号配線には単結晶シリコンＩＣ３を使用し、画素ＴＦＴ駆動走査線には多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路２を使用する構成としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵し、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成では、単結晶シリコンＩＣ及び多結晶シリコン内蔵集積回路にはそれぞれを駆動する外部入力信号が必要であり、ＩＣ駆動用の取り出し電極端子の隣に低温多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路用の取り出し電極端子を配置することになる。電極端子部に必要な非表示領域は総端子数・端子の配置ピッチ及びＩＣのＣＯＧ実装位置によって決定する。図４（ａ）は多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成でのＩＣを表示領域のセンターに縦方向にて（Ｙ軸にて）単結晶シリコンＩＣのセンターを合わせた位置に配置した構成図を示す。ＩＣ駆動用の取り出し電極端子７をＩＣ入力信号用のＣＯＧ実装端子近傍に配置した場合、液晶表示装置中央付近にＩＣ駆動用の取り出し電極端子７が配置され、低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路２をパネル左側に配置した場合、ＩＣ駆動用取り出し電極端子７の左隣の領域に低温多結晶シリコン内蔵集積回路用の取り出し電極端子６を配置することになり、端子ピッチが広く、かつ端子数が多い場合は左横方向に多くの領域が必要になり、非表示領域が横方向に広くなる問題がある。
【０００４】
図４（ｂ）に、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成でのＩＣを表示領域センターに対して縦方向にて（Ｙ軸にて）右方向にオフセットさせた位置に配置した構成図を示す。単結晶シリコンＩＣをオフセットさせることで、オフセットさせた方向と逆側にて自動配線ピッチが狭くなることを防ぐ為にＩＣから表示領域までの自動配線領域が縦方向に多く必要になる。前記自動配線領域が縦方向に多く必要になることで、非表示領域が縦方向に広くなる問題がある。これらはパネルサイズの小さい液晶表示装置の場合に特に問題である。
【０００５】
そこで本発明の目的は、前記の問題点を解決するものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為、本発明は多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いた液晶表示装置で、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を前記液晶表示装置のガラスにＣＯＧ実装されたＩＣの領域に配置し、低温多結晶シリコン集積回路が内蔵されているパネルの辺と逆の辺にて、ＩＣの領域に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線をバイパスさせることで、ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の取り出し電極端子を配置する構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることが得られる。
【０００７】
すなわち、本発明の請求項１記載の発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いたＴＦＴアレイ基板を有する液晶表示パネルを備え、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を前記液晶表示パネルにＣＯＧ実装されたＩＣの領域に配置し、液晶表示パネルの矩形状の対向する辺の一方の辺に多結晶シリコンからなる集積回路を内蔵させ、矩形状を構成する辺のうち多結晶シリコンからなる集積回路が内蔵されている辺及びその辺に対向する辺とは異なる辺に前記ＩＣ駆動用の取り出し電極を配するとともに、前記ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に前記多結晶シリコンからなる内蔵集積回路用の取り出し電極を分散して配置することを特徴とするもので、ＩＣの領域に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線をバイパスさせることで、ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に低温多結晶シリコンＴＦＴ集積回路駆動用の取り出し電極を配置する構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１の多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を多結晶シリコンＴＦＴ基板上に導電性膜で形成することを特徴とするもので、ＩＣの領域に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線をバイパスさせることで、ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の取り出し電極を配置する構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明は、請求項1の多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線をＣＯＧ実装するＩＣに内蔵されたバスラインをバイパスして接続することを特徴とするもので、ＩＣの領域に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線をバイパスさせることで、ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の取り出し電極を配置する構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照にしながら説明する。
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態における多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンＴＦＴからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成図を示す。１は表示領域、２は低温多結晶シリコンからなる内蔵集積回路、３は単結晶シリコンＩＣ、４は低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線、５は単結晶ＩＣより出力される画素ＴＦＴ駆動用信号配線、６ａ，６ｂは低温多結晶シリコン集積回路用の取り出し電極端子、７は単結晶シリコンＩＣ駆動用の取り出し電極端子である。ＣＯＧ実装されたＩＣ３の領域に低温多結晶シリコン駆動用の入力信号配線４を配置しＣＯＧ実装されたＩＣ３の領域をバイパスさせる構成としている。つまり、取り出し電極端子６をＩＣ駆動用の取り出し電極７の左右に分散して、分散した各々に入力信号配線４を接続させている。低温多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路用の取り出し電極端子６ａ，６ｂをＩＣ駆動用取り出し電極端子７の両隣に配置する構造にして、取り出し電極に必要な非表示領域を横方向縦方向に狭くすることを可能にする。
【００１３】
（第２の実施の形態）
図２（ａ）（ｂ）は本発明の第２の実施の形態における、前記液晶表示装置にて、ＩＣの領域に配置する低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線を低温多結晶シリコンＴＦＴ基板上に導電性膜にて作成し、ＣＯＧ実装されたＩＣ３の領域をバイパスさせる構成図を示す。図２（ａ）は低温多結晶シリコンＴＦＴ基板膜面より見た図であり、図２（ｂ）はＩＣの短辺方向より見た断面図である。８はアレイ基板、９は導電膜にて形成した低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線、１０は絶縁膜、１１ａ，１１ｂは単結晶シリコンＩＣのＣＯＧ実装端子である。ＣＯＧ実装されたＩＣ領域でＣＯＧ実装端子１１とクロスしないように、もしくはＣＯＧ実装端子１１ａ，１１ｂのＮＣ端子（no-connect端子）とクロスし、ＣＯＧ実装されたＩＣ３の領域を導電膜で形成された入力信号配線をバイパスさせることで、低温多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路用の取り出し電極端子６ａ，６ｂをＩＣ駆動用取り出し電極端子７の両隣に配置する構造にして、取り出し電極に必要な非表示領域を横方向と縦方向に狭くすることを可能にする（図１）。
【００１４】
（第３の実施の形態）
図３（ａ）（ｂ）は本発明の第３の実施の形態における、前記液晶表示装置にて、ＣＯＧ実装された単結晶シリコンＩＣ３の領域に配置する低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線４を、単結晶シリコンＩＣ３内に内蔵されたバイパス配線１２を利用しバイパスさせる構造図を示す。図３（ａ）は低温多結晶シリコンＴＦＴ基板膜面より見た図であり、図３（ｂ）はＩＣ３の長辺方向より見た断面図である。９ａ，９ｂは導電膜にて形成した低温多結晶シリコン集積回路駆動用の入力信号配線、１１ｃ，１１ｄは中継端子であり、１２はＩＣ内のバイパス配線であり、ＣＯＧ実装されたＩＣ領域で、ＩＣ３内のバイパス配線１２と繋がっている一方のＩＣ実装端子（中継端子１１ｃ）に、低温多結晶シリコン集積回路からの入力信号配線９ａを接続し、ＩＣ内のバイパス配線１２のもう一方と繋がっているＩＣ実装端子（中継端子１１ｄ）に取り出し電極端子からの入力信号配線９ｂを接続する。このことで、低温多結晶シリコンからなる内蔵集積回路用の取り出し電極端子６ａ，６ｂをＩＣ駆動用取り出し電極端子７の両隣に配置する構造にして（図１）、取り出し電極に必要な非表示領域を横方向と縦方向に狭くすることを可能にする。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いた液晶表示パネルで、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の入力信号配線を液晶表示パネルのガラスにＣＯＧ実装されたＩＣの領域に配置することで、低温多結晶シリコン集積回路が内蔵されているパネルの辺と逆の辺に、前記ＩＣの領域に低温多結晶シリコン集積回路駆動用信号配線及び電源線をバイパスさせることで、ＩＣ駆動用の取り出し電極の両隣に低温多結晶シリコン集積回路駆動用の取り出し電極を配置する構造にしたものであり、取り出し電極に必要な非表示領域を横方向縦方向に狭くすることを可能にする。非表示領域を狭くすることで、携帯電話やポケットＰＣでパネルサイズに制約が有る場合、表示領域を大きくとれ、また表示領域が同サイズである場合、非表示領域が狭くなることでパネルサイズが小さくなり、商品価値を高めることが可能である。また、表示領域が同サイズの場合非表示領域が狭くなることで、低温多結晶シリコンＴＦＴ基板での取れ数が多くなり、コストダウンをすることが可能である。
【００１６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示装置の構成図
【図２】本発明の第２の実施の形態のおける液晶表示装置の構成図
【図３】本発明の第３の実施の形態のおける液晶表示装置の構成図
【図４】従来の液晶表示装置の構成図
【符号の説明】
1  表示領域
２  低温多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路領域
３  ＣＯＧ実装された単結晶シリコンＩＣ
４  低温多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路用の入力信号配線
５  単結晶ＩＣより出力される画素ＴＦＴ駆動用信号配線
６ａ，６ｂ  低温多結晶シリコン集積回路駆動用の取り出し電極端子
７  ＩＣ駆動用の取り出し電極端子
８  低温多結晶シリコンＴＦＴ基板
９，９ａ，９ｂ  導電膜にて形成した低温多結晶シリコンＴＦＴ集積回路駆動用の入力信号配線
１０  絶縁膜
１１ａ，１１ｂ  単結晶シリコンＩＣのＣＯＧ実装端子
１２  ＩＣ内のバイパス配線
【図１】
0005010070.tif 000002
【図２】
0005010070.tif 000003
【図３】
0005010070.tif 000004
【図４】
0005010070.tif 000005