(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（１０）と、前記電子部品（１０）と電気的に接続されたリード部（４０）と、前記電子部品（１０）および前記リード部（４０）を封止する封止材（５０）とを備えるパッケージであって、
前記リード部（４０）の一面（４１）上が前記封止材（５０）により被覆されており、
さらに、前記リード部（４０）の前記一面（４１）とは反対側の他面（４２）が、当該パッケージを外部基材（２００）に搭載するときに前記外部基材（２００）に対向する前記封止材（５０）の搭載面（５２）にて露出しており、
前記リード部（４０）の前記他面（４２）は、前記外部基材（２００）と接合されるようになっているアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、
前記封止材（５０）の一部は、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部（５５）として構成されており、
このレーザ透過部（５５）は、前記封止材（５０）における前記リード部（４０）の前記一面（４１）上に位置する外面（５１、５３）から、前記リード部（４０）の前記一面（４１）のうち前記リード部（４０）の前記他面（４２）における前記外部基材（２００）との接合部上に位置する部位に到達するように、前記封止材（５０）の一部として設けられていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記レーザ透過部（５５）は、レーザ光を透過する樹脂もしくはガラスよりなる透明な材料により構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記リード部（４０）の厚さを当該リード部（４０）の前記一面（４１）と前記他面（４２）との距離としたとき、
前記リード部（４０）のうち前記リード部（４０）の前記他面（４２）における前記外部基材（２００）との接合部に位置する部分の厚さは、前記リード部（４０）のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものであることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
前記リード部（４０）において、前記リード部（４０）の前記他面（４２）における前記外部基材（２００）との接合部に位置する部位には、前記リード部（４０）の前記一面（４１）と前記他面（４２）との間を貫通する貫通穴（４５ａ）が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
電子部品（１０）と、前記電子部品（１０）と電気的に接続されたリード部（４０）と、前記電子部品（１０）および前記リード部（４０）を封止する封止材（５０）とを備え、前記リード部（４０）の一面（４１）上が前記封止材（５０）により被覆されるとともに、前記リード部（４０）における前記一面（４１）とは反対側の他面（４２）が前記封止材（５０）から露出しているアウターリードレスタイプのモールドパッケージ（１００）を、
前記リード部（４０）の前記他面（４２）にて、外部基材（２００）とレーザ溶接するようにしたモールドパッケージの実装方法において、
前記封止材（５０）のうち前記リード部（４０）の前記一面（４１）上に位置する外面（５１、５３）から前記リード部（４０）の前記一面（４１）まで渡る部位を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部（５５）として構成し、
前記リード部（４０）の前記他面（４２）を前記外部基材（２００）に接触させた状態で、
前記レーザ透過部（５５）を介して前記リード部（４０）の前記一面（４１）に、前記レーザを照射することにより、当該レーザが照射された部位にて前記リード部（４０）と前記外部基材（２００）とが溶け合った溶融部（Ｋ）を形成することを特徴とするモールドパッケージの実装方法。
【請求項６】
前記溶融部（Ｋ）の形成を行った後、前記レーザ透過部（５５）の外表面を、紫外線を遮断する部材（７０）にて被覆することを特徴とする請求項５に記載のモールドパッケージの実装方法。
【請求項７】
前記レーザ透過部（５５）において、前記レーザの照射方向とは直交する方向に沿った幅が、前記レーザのビーム径よりも大きいことを特徴とする請求項５または６に記載のモールドパッケージの実装方法。
【請求項８】
前記封止材（５０）のうち前記リード部（４０）の前記一面（４１）上に位置する外面は、前記リード部（４０）の前記一面（４１）から当該一面（４１）の上方へ延びる面としての前記封止材（５０）の側面（５３）であり、
前記レーザ照射は、前記モールドパッケージ以外の他の部品（３００）を前記封止材（５０）の前記側面（５３）と対向させた状態で行うものであり、
前記封止材（５０）の前記側面（５３）における前記レーザ透過部（５５）の上端部（５５ａ）と前記リード部（４０）の前記一面（４１）のうち前記レーザが照射される部位（４１ａ）とを結ぶ第１の仮想線（Ｌ１）と、前記リード部（４０）の前記一面（４１）とのなす角度を第１の角度θ１とし、
前記他の部品（３００）のうち前記封止材（５０）寄りの上端部（３００ａ）と前記リード部（４０）の前記一面（４１）のうち前記レーザが照射される部位（４１ａ）とを結ぶ第２の仮想線（Ｌ２）と、前記リード部（４０）の前記一面（４１）とのなす角度を第２の角度θ２とし、
前記封止材（５０）の前記側面（５３）における前記レーザ透過部（５５）の上端部（５５ａ）と前記他の部品（３００）のうち前記封止材（５０）寄りの上端部（３００ａ）との距離をＨ３としたとき、
前記レーザ透過部（５５）を、前記封止材（５０）における前記第１の仮想線（Ｌ１）と前記第２の仮想線（Ｌ２）との間の領域の全体に配置した状態とし、
さらに、（θ１−θ２）＞０°であって前記距離Ｈ３が前記レーザのビーム径よりも大きい状態にて、前記レーザ照射を行うことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１つに記載のモールドパッケージの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止材の上面からパッケージをみたとき、封止材の外周端部からリードフレームが外側に突出していないモールドパッケージ、すなわち、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ、および、そのようなモールドパッケージを外部基材へ実装する実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種のモールドパッケージとしては、電子部品とリード部とを電気的に接続し、リード部の一面上を樹脂よりなる封止材にて封止したパッケージであって、リード部の一面上が封止材により被覆され、リード部の一面とは反対側の他面が、当該パッケージを外部基材に搭載するときに外部基材に対向する封止材の搭載面にて露出しているものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このものは、リード部の一面上に位置する封止材の上面側からパッケージをみたとき、当該封止材の外周端部からリード部が外側に突出していないアウターリードレスタイプのモールドパッケージである。典型的には、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリードパッケージ）などが知られている。
【０００４】
そして、このものを、たとえば配線基板などの外部基材に実装するときには、封止材の搭載面を外部基材に対向させ、そこから露出するリード部の他面にて、当該外部基材とはんだ付けを行うようにしている。このようなモールドパッケージは、アウターリードを持たないため、実装面積を小さくでき、高密度実装に適したものである。
【特許文献１】特許第３４２８５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このようなアウターリードレスタイプのモールドパッケージを、外部基材にはんだ付けした場合、各部の熱膨張係数差によって発生するせん断応力が、リード部とはんだとの界面における剥離やクラックなどを発生させ、それによって、接続信頼性が低下してしまう恐れがある。
【０００６】
今後、電子部品の大電流化への対応が進むことが予測される。そして、このような場合には、リード部と外部基材との接続は、従来のはんだに代えて、より接続信頼性の高いレーザ溶接により行うことが好ましいと、本発明者は考えた。
【０００７】
ここで、アウターリードを有するＱＦＰなどのパッケージでは、パッケージを基板上に搭載した後、封止材の搭載面とは反対側すなわちモールドパッケージの上方から、アウターリードに対してレーザ溶接を行うことが可能である。
【０００８】
しかし、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいては、リード部における封止材からの露出部位は、実質的に当該封止材の搭載面から露出する面のみである。そのため、実質的に可能な溶接方向は、封止材の搭載面側すなわちモールドパッケージの下方側からの溶接に限られてしまう。そして、モールドパッケージの下方側からの溶接に限られてしまうと、当該パッケージを基板などの外部基材上に搭載したときに、場合によっては溶接が行えなくなる可能性がある。
【０００９】
なお、通常この種のアウターリードレスタイプのパッケージでは、封止材の搭載面の外周端部においてもリード部の側面が露出している。しかしながら、この露出するリード部の側面は、リード部の板厚分の非常に小さな面積であり、実際にレーザ溶接に供することは難しい。
【００１０】
つまり、従来のアウターリードレスタイプのモールドパッケージについて外部基材との間でレーザ溶接を行うことは、溶接方向の制約が大きく、実装の自由度も小さくなってしまうこととなる。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、パッケージの上方からレーザ溶接によるリード部の接続を行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、封止材（５０）の一部を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部（５５）として構成し、このレーザ透過部（５５）を、封止材（５０）におけるリード部（４０）の一面（４１）上に位置する外面（５１、５３）から、リード部（４０）の一面（４１）のうちリード部（４０）の他面（４２）における外部基材（２００）との接合部上に位置する部位に到達するように、封止材（５０）の一部として設けたことを、第１の特徴とする。
【００１３】
それによれば、リード部（４０）の一面（４１）上に位置する封止材（５０）の外面（５１、５３）からレーザを照射して、リード部（４０）の一面（４１）のうち他面（４２）における外部基材（２００）との接合部上に位置する部位までレーザを到達させることができる。
【００１４】
そのため、外部基材（２００）との接合の際には、封止材（５０）の搭載面（５２）とは反対側から、すなわちモールドパッケージ（１００）の上方からレーザ照射して当該接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。その結果、パッケージの実装自由度が大きくなる。
【００１５】
ここで、レーザ透過部（５５）は、レーザ光を透過する樹脂もしくはガラスよりなる透明な材料により構成されているものにできる。
【００１６】
また、リード部（４０）の厚さを当該リード部（４０）の一面（４１）と他面（４２）との距離としたとき、リード部（４０）のうちリード部（４０）の他面（４２）における外部基材（２００）との接合部に位置する部分の厚さを、リード部（４０）のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものとするのがよい（後述の図１０等参照）。それによれば、リード部（４０）におけるレーザ溶接部の厚さが薄くなるため、レーザ溶接がしやすい。
【００１７】
また、リード部（４０）において、リード部（４０）の他面（４２）における外部基材（２００）との接合部に位置する部位に、リード部（４０）の一面（４１）と他面（４２）との間を貫通する貫通穴（４５ａ）を設けてもよい（後述の図１１参照）。この場合もレーザ溶接がしやすくなる。
【００１８】
また、本発明は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ（１００）を、リード部（４０）の他面（４２）にて、外部基材（２００）とレーザ溶接するようにしたモールドパッケージの実装方法としてもとらえることができる。
【００１９】
そして、本発明では、この実装方法において、封止材（５０）のうちリード部（４０）の一面（４１）上に位置する外面（５１、５３）からリード部（４０）の一面（４１）まで渡る部位を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部（５５）として構成し、リード部（４０）の他面（４２）を前記外部基材（２００）に接触させた状態で、レーザ透過部（５５）を介してリード部（４０）の一面（４１）に、前記レーザを照射することにより、当該レーザが照射された部位にてリード部（４０）と外部基材（２００）とが溶け合った溶融部（Ｋ）を形成することを、第２の特徴とする（後述の図１参照）。
【００２０】
それによれば、リード部（４０）の一面（４１）上に位置する封止材（５０）の外面（５１、５３）からレーザ透過部（５５）を通して、リード部（４０）の一面（４１）のうち他面（４２）における外部基材（２００）との接合部上に位置する部位まで、レーザを照射し、溶融部（Ｋ）を形成することができる。
【００２１】
そのため、外部基材（２００）との接合の際には、モールドパッケージ（１００）の上方からレーザ照射してリード部（４０）の一面（４１）のうち当該接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。その結果、パッケージの実装自由度が大きくなる。
【００２２】
ここで、上記実装方法においては、溶融部（Ｋ）の形成を行った後、レーザ透過部（５５）の外表面を、紫外線を遮断する部材（７０）にて被覆するようにしてもよい（後述の図４参照）。
【００２３】
レーザ透過部（５５）は紫外線を透過しやすい可能性があるため、使用環境としてパッケージに紫外線が当たる場合には、レーザ透過部（５５）の外表面を紫外線を遮断する部材（７０）にて被覆することで、パッケージ内部への紫外線を遮断し、封止材（５０）の劣化などを防止できる。
【００２４】
また、上記実装方法においては、レーザ透過部（５５）において、レーザの照射方向とは直交する方向に沿った幅が、レーザのビーム径よりも大きいことが好ましい（後述の図６参照）。それによれば、レーザがレーザ透過部（５５）以外の封止材（５０）に照射されて劣化する可能性を極力低減することができる。
【００２５】
また、上記実装方法において、封止材（５０）のうちリード部（４０）の一面（４１）上に位置する外面が、リード部（４０）の一面（４１）から当該一面（４１）の上方へ延びる面としての封止材（５０）の側面（５３）であり、レーザ照射を、モールドパッケージ（１０３）以外の他の部品（３００）を封止材（５０）の側面（５３）と対向させた状態で行う場合には、次のようにするのがよい。
【００２６】
この場合、封止材（５０）の側面（５３）におけるレーザ透過部（５５）の上端部（５５ａ）とリード部（４０）の一面（４１）のうちレーザが照射される部位（４１ａ）とを結ぶ第１の仮想線（Ｌ１）と、リード部（４０）の一面（４１）とのなす角度を第１の角度θ１とする。
【００２７】
また、他の部品（３００）のうち封止材（５０）寄りの上端部（３００ａ）とリード部（４０）の一面（４１）のうちレーザが照射される部位（４１ａ）とを結ぶ第２の仮想線（Ｌ２）と、リード部（４０）の一面（４１）とのなす角度を第２の角度θ２とする。
【００２８】
さらに、封止材（５０）の側面（５３）におけるレーザ透過部（５５）の上端部（５５ａ）と他の部品（３００）のうち封止材（５０）寄りの上端部（３００ａ）との距離をＨ３とする。
【００２９】
そして、このようにパラメータを定義したとき、レーザ透過部（５５）を、封止材（５０）における第１の仮想線（Ｌ１）と第２の仮想線（Ｌ２）との間の領域の全体に配置した状態とし、且つ、（θ１−θ２）＞０°であって距離Ｈ３がレーザのビーム径よりも大きい状態にて、レーザ照射を行うことが好ましい（後述の図１４参照）。
【００３０】
それによれば、モールドパッケージ（１０３）の隣に他の部品（３００）が配置されていても、レーザ透過部（５５）を介して適切にレーザ溶接を行うことが可能となる。
【００３１】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００の概略断面構成を示す図であり、本モールドパッケージ１００を外部基材２００に実装した状態を示している。
【００３４】
また、図２（ａ）は、図１のモールドパッケージ１００における封止材５０の上面５１側の概略平面構成を示す図、図２（ｂ）は、図１のモールドパッケージ１００における封止材５０の下面５２側の概略平面構成を示す図である。
【００３５】
なお、以下、各構成要素における上面、下面とは、図面と対応させてわかりやすくする目的で、図１中の各構成要素において上側に位置する面、下側に位置する面を意味するものにすぎず、実際の天地方向に相当する上下関係まで限定するものではない。つまり、或る構成要素の上面は、当該構成要素の一面であり、下面は当該一面とは反対側に位置する他面であることを意味する。
【００３６】
本モールドパッケージ１００は、大きくは、電子部品１０とリード部４０とをボンディングワイヤ６０を介して電気的に接続したものを、封止材５０により封止してなるものである。
【００３７】
電子部品１０は、ＩＣチップ、コンデンサ、抵抗素子などの表面実装部品であれば、特に限定されるものではないが、図１に示される例では、電子部品１０はシリコン半導体よりなるＩＣチップとして示されている。
【００３８】
この電子部品１０は、はんだやＡｇペーストなどのダイマウント材２０を介してダイパッド３０の上面３１に搭載され固定されている。このダイパッド３０としては、リード部４０と一体に形成されたリードフレームのアイランドよりなるものや、リードフレームにかしめなどにより固定されたヒートシンクなどが挙げられる。
【００３９】
ここで、ダイパッド３０は、電子部品１０を搭載するとともに電子部品１０の熱を放熱する機能を有するものであり、放熱性に優れた銅、モリブデン、アルミニウム、鉄などの材料よりなることが好ましい。本実施形態では、ダイパッド３０は矩形板状をなしており、ダイパッド３０の下面３２は、モールド樹脂５０の下面５２にて露出しており、放熱面として構成されている。
【００４０】
また、リード部４０は、銅などの一般的なリードフレーム材料よりなるものであり、封止材５０の内部にてダイパッド３０の周囲に配置されている。なお、リード部４０は、本実施形態では複数個配置されているが、場合によっては１個であってもよい。
【００４１】
このリード部４０は、表裏の板面である上面４１および下面４２がともに矩形状をなす矩形板状のものである。そして、電子部品１０とリード部４０の上面４１とは、ボンディングワイヤ６０により電気的に接続されている。
【００４２】
ここで、ボンディングワイヤ６０は、一般的なＡｕやアルミニウムなどよりなるもので、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。そして、本モールドパッケージ１００においては、電子部品１０とリード部４０とは、ボンディングワイヤ６０を介して電気的に接続されている。
【００４３】
また、封止材５０のうち後述するレーザ透過部５５以外の部分は、通常、この種のモールドパッケージに用いられるモールド材料、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを採用できる。ここで、図１、図２に示されるように、封止材５０は、表裏の板面である上面５１および下面５２がともに矩形状をなす矩形板状のものである。
【００４４】
また、封止材５０の下面５２は、パッケージ１００が外部基材２００に搭載されるときに外部基材２００に対向する搭載面５２として構成されている。また、封止材５０の上面５１の外周および下面５２の外周に位置する面５３は、封止材５０の外周端部を構成する側面５３である。
【００４５】
そして、本モールドパッケージ１００においては、図１、図２に示されるように、リード部４０においてボンディングワイヤ６０が接続された上面４１が封止材５０により被覆されており、このリード部４０の上面４１とは反対側の下面４２が、封止材５０の下面５２にて露出している。さらに、リード部４０において上面４１および下面４２の外周部に位置する側面４３が、封止材５０の側面５３にて露出している。
【００４６】
このように、本モールドパッケージ１００は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージの特徴として、封止材５０の上面５１または下面５２からパッケージ１００をみたとき、封止材５０の外周端部すなわち封止材５０の側面５３とリード部４０の側面４３とは実質的に同一平面上に位置しており、封止材５０の側面５３からリード部４０が外側に突出していない。
【００４７】
そして、このモールドパッケージ１００は、図１に示されるように、外部基材２００に搭載されて使用されるが、このとき、封止材５０の下面５２にて露出するリード部４０の下面４２は、外部基材２００に接合される。ここでは、リード部４０と外部基材２００とはレーザ溶接されている。
【００４８】
ここで、外部基材２００としては、配線基板のパッドやリードフレーム、あるいはバスバーなどが挙げられる。図１に示される例では、セラミック基板やプリント基板などよりなる基板２０１上に設けられたＣｕやＡｌなどよりなるパッドやリードフレームが、外部基材２００として表されている。
【００４９】
また、本実施形態の溶接は、リード部４０の下面４２に外部基材２００を接触させた状態で、図１中の矢印Ｙに示されるように、モールドパッケージ１００の上方からレーザ溶接を行うものである。
【００５０】
なお、ここで、モールドパッケージ１００の上方とは、封止材５０の搭載面５２とは反対側の上面５１側である。このパッケージの上下関係については、半導体素子やパッケージの実装分野にてフェースダウンという言葉があるように、実装部品の搭載面側を下方とするという一般的な常識に基づいている。
【００５１】
それにより、図１に示されるように、リード部４０と外部基材２００とが溶け合った溶融部Ｋが形成され、モールドパッケージ１００と外部基材２００とが電気的・機械的に接続されたものとなっている。
【００５２】
このように、本実施形態では、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００において、従来とは異なり、封止材５０の搭載面５２とは反対側の封止材５０の上面５１側から、すなわち、モールドパッケージ１００の上方から、リード部４０と外部基材２００とのレーザ溶接を可能としている。
【００５３】
このことを可能とするべく、本実施形態では、独自の構成として、封止材５０の一部を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部５５として構成している。このレーザ透過部５５は、図１、図２に示されるように、封止材５０におけるリード部４０の上面４１上に位置する外面５１、５３から、リード部４０の上面４１に到達するように、封止材５０の一部として設けられている。
【００５４】
ここで、「封止材５０におけるリード部４０の上面４１上に位置する外面５１、５３」とは、封止材５０の搭載面である下面５２以外の面であってリード部４０の上面４１よりも図１において上方に位置する外面５１、５３である。つまり、本実施形態では、当該外面５１、５３は、矩形ブロック状の封止材５０における上面５１と側面５３に相当するものである。
【００５５】
また、リード部４０の上面４１のうちレーザ透過部５５が到達する部位は、リード部４０の上面４１のうちのレーザ溶接部となるべき部位である。そして、このリード部４０の上面４１のうちのレーザ溶接部となるべき部位は、リード部４０の下面４２における外部基材２００との接合部上に位置するリード部４０の上面４１の部分である。
【００５６】
つまり、リード部４０の上面４１のうちリード部４２の下面４２における外部基材２００との接合部上に位置する部位は、当該下面４２側の当該接合部と平面的に同じ位置にある。
【００５７】
なお、リード部４０の下面４２における外部基材２００との接合部とは、リード部４０の下面４２のうち外部基材２００に接触してレーザ溶接により接合されるべき部位、すなわち上記溶融部Ｋ（図１参照）が形成されるべき部位である。
【００５８】
具体的に、本実施形態では、図１に示されるように、レーザ透過部５５は、封止材５０における上面５１の周辺部および側面５３を外表面として、リード部４０の上面４１のうちボンディングワイヤ６０との接続部を除く部位の上に設けられた断面柱状をなすものである。
【００５９】
つまり、レーザ透過部５５は、封止材５０の上面５１および側面５３から、リード部４０の上面４１のうちの上記接合部上に位置する部位まで、連続的に設けられている。そして、レーザ透過部５５は、図２（ａ）に示されるように、パッケージ１００の周辺部を取り巻くように設けられている。ここでは、レーザ透過部５５の平面形状は矩形額縁形状となっている。
【００６０】
このレーザ透過部５５としては、レーザ溶接に用いられるＮｄ−ＹＡＧレーザなどのレーザ光が透過するものであればよい。具体的には、透明エポキシ樹脂などの樹脂や、ガラスなどよりなる透明な材料が挙げられる。なお、レーザ透過部５５は、レーザ透過率５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上の材料であればよく、可視光に対して透明なものに限定されない。
【００６１】
また、封止材５０のうちレーザ透過部５５以外の部位は、通常のこの種のパッケージに用いられるエポキシ樹脂である。このエポキシ樹脂は、一般のものと同様に、カーボンブラックなどが含有されたもので不透明なものである。
【００６２】
次に、本実施形態のモールドパッケージ１００の製造方法について、図３も参照して述べる。図３（ａ）は、本製造方法においてレーザ透過部５５の形成工程を示す工程図、図（ｂ）は、封止材５０による封止工程を示す工程図であり、それぞれ当該工程中のワークを断面的に示している。
【００６３】
本製造方法は、一般的なＭＡＰ成型技術に基づくものである。また、ここでは、ダイパッド３０は、リード部４０とともに多連のリードフレームのアイランド部として構成されたものとする。このリードフレームは、図３に示されるように、複数のパッケージ単位のリード部４０およびダイパッド３０が、リード部４０の間で連結したものであり、最終的には、図３中のダイシングラインＤＬにて、各単位に分断されるものである。
【００６４】
まず、電子部品１０をダイパッド３０の上面３１に搭載し、上記ダイマウント材２０（図３では省略）を介して固定する。一方で、リード部４０の上面４１と電子部品１０との間でワイヤボンディングを行い、これら両者１０、４０をボンディングワイヤ６０により結線し電気的に接続する。
【００６５】
次に、図３（ａ）に示されるように、レーザ透過部５５を形成する（レーザ透過部形成工程）。レーザ透過部５５の配設方法としては、透明エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンス法にて塗布する方法と、透明樹脂や透明ガラスなどよりなる固体透明材料を用いる方法とが挙げられる。
【００６６】
まず、前者のディスペンス法にて塗布する方法については、リード部４０の上面４１上の適所、ここでは、ボンディングワイヤ６０が接続されていない部位に、ディスペンサを用いて、たとえば透明エポキシ樹脂よりなるレーザ透過部５５を柱状に配設する。
【００６７】
たとえば、リード部４０の下面４２側に図示しない熱板を設け、リード部４０を８０℃程度に加熱しながら塗布を行う。このとき、透明エポキシ樹脂を柱状に塗布するためには、当該樹脂の粘度としては、特に限定するものではないが、２０Ｐｓ・ｓ以上１００Ｐｓ・ｓ以下のものが挙げられる。
【００６８】
そして、この透明エポキシ樹脂などよりなる柱状のレーザ透過部５５は、加熱して仮硬化状態となるが、この状態で、レーザ透過部５５の頂部をプレス加工などにより平坦面とする。このように平坦面とするのはレーザ透過を適切に行うためであり、同じ理由から、この平坦面の表面粗度をＲｚ：２５Ｚ以下とするのがよい。こうして、透明樹脂の塗布によるレーザ透過部５５の形成が完了する。
【００６９】
また、固体透明材料を用いる方法では、予めレーザ透過部５５の形状に加工しておいたガラス等の固体透明材料を、リード部４０の上面４１上の適所に接着剤などにより固定することにより、レーザ透過部５５を形成する。
【００７０】
こうして、レーザ透過部５５を形成したワークを、図示しないモールド型に設置し、レーザ透過部５５以外の封止材５０による封止を行う。ここで、上記固体透明材料を用いた場合には、当該固体透明材料は、リード部４０の上面４１上の適所に接着されていなくてもよく、モールド型により、固体透明材料をリード部４０に抑え付けて固定した状態とし、この状態で封止工程を行ってもよい。
【００７１】
この封止工程では、ワークが固定されたモールド型内に、エポキシ樹脂などよりなる封止材５０を充填する。これにより、図３（ｂ）に示されるように、ワイヤボンディングによって接続された電子部品１０およびリード部４０、さらにはダイパッド３０が、封止材５０により封止される。
【００７２】
この封止工程後のワークにおいては、複数個のパッケージ単位のワークが、リード部４０を介して連結されている。そのため、次に、ワークを各パッケージ単位に個片化するために、ダイシングラインＤＬに沿って、リード部４０の連結部を、封止材５０とともにダイシングカットする。
【００７３】
これにより、上記図１、２に示したモールドパッケージ１００ができあがる。このパッケージ１００において、封止材５０のうちリード部４０の上面４１上に位置する外面５１、５３からリード部４０の上面４１まで渡る部位が、レーザ透過部５５として構成されたものとなっている。
【００７４】
次に、このモールドパッケージ１００を外部基材２００に実装する。具体的には、上記図１に示されるように、パッケージ１００における封止材５０の下面５２を外部基材２００に対向させた状態で、パッケージ１００を基板２０１上に搭載し、リード部４０の下面４２を外部基材２００に接触させる。
【００７５】
そして、この状態で、上記図１中の矢印Ｙに示されるように、レーザ透過部５５を介してリード部４０の上面４１に、レーザを照射する。それにより、図１に示されるように、レーザが照射された部位にてリード部４０と外部基材２００とが溶け合った溶融部Ｋが形成される。こうして、パッケージ１００と外部基材２００とがレーザ溶接され、パッケージ１００の実装が完了する。
【００７６】
ところで、本実施形態では、リード部４０の上面４１上に位置する封止材５０の上面５１および側面５３から、リード部４０の上面４１のうちリード部４０の他面４２における外部基材２００との接合部上に位置する部位にまで到達するように、封止材５０の一部としてレーザ透過部５５を設けている。
【００７７】
それにより、上述したように、封止材５０の上面５１および側面５３からレーザを照射して、リード部４０の上面４１までレーザを到達させることができる。そのため、外部基材２００との接合の際には、パッケージ１００の下方となる搭載面５２側からでなく、それとは反対側のパッケージ１００の上方からレーザ照射し、接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与することができる。
【００７８】
つまり、本実施形態によれば、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００において、はんだ接合の場合と同様に、モールドパッケージ１００の上方からレーザ溶接による接合を行うことが可能となる。その結果、パッケージ１００の実装自由度が大きくなる。
【００７９】
また、本実施形態では、上記図１に示されるように、モールドパッケージ１００を基板２０１上に搭載して外部基材２００に溶接した後に、当該基板２０１上がらモールドパッケージ１００の溶接部分を目視にて確認できるため、当該溶接部分の検査性の向上が期待できる。
【００８０】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０１の概略断面構成を示す図であり、本モールドパッケージ１０１を外部基材２００に実装した状態を示している。
【００８１】
上述したが、封止材５０のうちレーザ透過部５５以外の部位は、通常のモールド樹脂と同様に、カーボンブラックなどを含有したものであり、それによって紫外線の侵入を防ぎ、樹脂や素子の劣化を防止している。
【００８２】
本実施形態のモールドパッケージ１０１では、図４に示されるように、レーザ透過部５５の外表面に、紫外線を遮断する部材としての紫外線遮断部材７０を設け、レーザ透過部５５を被覆している。この紫外線遮断部材としては、紫外線を遮断できるものであればかまわないが、たとえば、一般的な黒色塗料などが挙げられる。
【００８３】
本実施形態のモールドパッケージ１０１は、上記第１実施形態のパッケージ実装方法において、レーザ溶接による溶融部Ｋの形成を行った後、レーザ透過部５５の外表面を、紫外線遮断部材７０にて被覆することにより、実装状態として完成する。たとえば、レーザ透過部５５の外表面に、上記黒色塗料を塗布すれば、これが紫外線遮断部材７０として構成される。
【００８４】
レーザ透過部５５を構成する材料は、紫外線を透過しやすい可能性がある。パッケージ１０１に紫外線が当たる環境でパッケージ１０１を使用する場合には、レーザ透過部５５の外表面を紫外線遮断部材７０にて被覆することで、実装状態におけるパッケージ内部への紫外線をカットし、封止材５０の劣化を防止できる。
【００８５】
また、本実施形態は、上記第１実施形態に述べたパッケージの実装方法において、溶融部Ｋの形成後に紫外線遮断部材７０の形成工程を付加したものであり、上記した紫外線遮断部材７０による効果とともに、上記第１実施形態と同様の効果も奏する。
【００８６】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０２の概略断面構成を示す図である。
【００８７】
上記第１実施形態との相違を述べると、本実施形態のモールドパッケージ１０２では、レーザ透過部５５は、上記第１実施形態に比べて細く、封止材５０の側面５３には露出せずに封止材５０の上面５１のみに露出している。つまり、本実施形態では、レーザ透過部５５が形成されている封止材５０におけるリード部４０の上面４１上に位置する外面とは、封止材５０の上面５１のみである。
【００８８】
ここで、図６（ａ）、（ｂ）は本実施形態におけるレーザ透過部５５の拡大断面図である。本実施形態のような場合、レーザ透過部５５においてレーザの照射方向とは直交する方向に沿った幅は、図６中の破線で示されるレーザＲのビーム径よりも大きいことが望ましい。
【００８９】
レーザＲは、封止材５０の上面５１からリード部４０の上面４１に向かって照射されるが、このレーザ照射の方向と直交する方向を照射直交方向（図６中の左右方向）とする。このときレーザ透過部５５における照射直交方向に沿った断面積は、レーザＲのビームの断面積よりも大きい方がよい。
【００９０】
つまり、たとえば本実施形態のレーザ透過部５５が、照射直交方向断面が円形をなす丸穴である場合には、図６（ａ）に示されるように、このレーザ透過部５５の径は、レーザＲのビーム径よりも大きいことが望ましい。それによれば、レーザ照射時に、レーザＲがレーザ透過部５５の穴の範囲に収まり、レーザ透過部５５以外の封止材５０に当たることは少ない。
【００９１】
それに対して、図６（ｂ）に示されるように、レーザ透過部５５の径がレーザＲのビーム径よりも小さいと、レーザ照射時に、レーザＲがレーザ透過部５５の穴の範囲からはみ出て、レーザ透過部５５以外の封止材５０に当たる。すると、当該封止材５０の劣化が懸念される。その点、図６（ａ）のようにすれば、レーザＲがレーザ透過部５５以外の封止材５０に照射されて劣化する可能性を極力低減できる。
【００９２】
また、本実施形態では、実質的にレーザＲが照射される経路のみにレーザ透過部５５を設けており、封止材５０全体の外表面に占めるレーザ透過部５５の外表面の割合を極力少なくしている。
【００９３】
たとえば、上記図１に示される例では、封止材５０の側面５３もレーザ透過部５５として構成されていたが、本実施形態では当該側面５３は通常のエポキシ樹脂などにより構成できるため、パッケージ側面からの紫外線劣化を防ぐことが可能となる。
【００９４】
ここで、図７（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本第３実施形態の他の例としてのアウターリードレスタイプのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。封止材５０の側面５３には露出せず上面５１からリード部４０の上面４１まで到達するレーザ透過部５５としては、これら図７（ａ）、（ｂ）に示されるようなものでもよい。
【００９５】
なお、本実施形態においても、上記同様に、モールドパッケージ１０２の上方からレーザ照射して接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。また、レーザ透過部５５の径をレーザＲのビーム径よりも大きくするという構成は、上記第１実施形態においても適用可能なことはもちろんである。
【００９６】
（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの要部を示す概略平面図である。図８では、便宜上、封止材５０のうちレーザ透過部５５の表面には点ハッチングを施し、レーザ透過部５５以外の封止材５０の表面には斜線ハッチングを施し、これら両部の識別の容易化を図っている。
【００９７】
上記第１実施形態では、上記図２（ａ）に示されるように、封止材５０の周辺部において、リード部４０の上面４１上だけでなく、リード部４０とリード部４０との間もレーザ透過部５５として構成されていた。
【００９８】
それに対して、図８に示されるように、封止材５０の周辺部において、リード部４０とリード部４０との間は、レーザ透過部５５ではない封止材５０として構成してもよい。この場合も、上記第１実施形態と同様の製造方法にて形成が可能であり、その効果も同様である。
【００９９】
（第５実施形態）
図９（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の第５実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。上記第１実施形態との相違を中心に述べる。
【０１００】
上記第１実施形態では、レーザ透過部５５は、封止材５０の上面５１および側面５３に露出していたが、図９に示される各モールドパッケージでは、レーザ透過部５５は、リード部４０の上面４１上に位置する封止材５０の側面５３にのみ露出しており、封止材５０の上面５１には露出していない。
【０１０１】
つまり、本実施形態では、レーザ透過部５５が形成されている封止材５０におけるリード部４０の上面４１上に位置する外面とは、封止材５０の側面５３のみである。これら本実施形態のパッケージもおけるレーザ透過部５５は、上記第１実施形態に示したディスペンス法にて塗布する方法や固体透明材料を用いる方法のいずれかを用いて、形成可能であることは明らかである。
【０１０２】
そして、この場合の実装においては、たとえば図９（ａ）中の矢印Ｙ’に示されるように、封止材５０の側面５３からレーザ透過部５５を介してリード部４０の上面４１に向かって、斜めにレーザを照射する。
【０１０３】
このように、本実施形態においても、モールドパッケージの上方からモールドパッケージと上記外部基材とをレーザ溶接できる。また、レーザ透過部５５の径をレーザＲのビーム径よりも大きくするという上記構成は、本実施形態においても適用可能なことはもちろんである。
【０１０４】
（第６実施形態）
図１０は、本発明の第６実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの要部を示す図であり、（ａ）はリード部４０の上面４１側の平面図、（ｂ）は（ａ）中のリード部４０の断面図である。
【０１０５】
本実施形態は、上記各実施形態のモールドパッケージにおいてリード部４０の構成を変更することで、上記各実施形態に適用可能なものである。以下、本実施形態のリード部４０における構成上の変更点を中心に述べる。
【０１０６】
本実施形態では、図１０に示されるように、リード部４０の上面４１のうちリード部４０の下面４２における上記外部基材２００（図１参照）との接合部に位置する部分に、開口部４５を設けたものである。図１０では、開口部４５を、円形の開口形状をなす有底の穴すなわち凹部４５としている。
【０１０７】
リード部４０の厚さは、リード部４０の上面４１と下面４２との距離であるが、このように凹部４５を設けることで、リード部４０のうち上記外部基材２００との接合部に位置する部分の厚さは、リード部４０のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものとなっている。
【０１０８】
リード部４０におけるレーザ溶接部の厚さは、薄い方が上記溶融部Ｋの形成のためには好ましく、たとえば約０．１ｍｍ以下が望ましいとされる。本実施形態では、このような凹部４５を設けることで、リード部４０におけるレーザ溶接部が薄くなるため、リード部４０と外部基材２００との溶融部Ｋが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
【０１０９】
また、図１１は、本実施形態における開口部を貫通穴４５ａとした例を示す図であり、（ａ）はリード部４０の上面４１側の平面図、（ｂ）は（ａ）中のリード部４０の断面図である。
【０１１０】
図１１では、リード部４０において、リード部４０の下面４２における外部基材２００との接合部に位置する部位に、リード部４０の上下両面４１、４２の間を貫通する貫通穴４５ａが設けられた構成となっている。この場合も、リード部４０と外部基材２００との溶融部Ｋが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
【０１１１】
また、図１２は、本実施形態における上記開口部を六角の開口形状をなす凹部４５とした例であり、（ａ）はリード部４０の上面４１側の平面図、（ｂ）は（ａ）中のリード部４０の断面図である。このように、上記開口部としての凹部４５の開口形状については、種々の形状が可能であり、それによる効果は実質的に同様である。
【０１１２】
また、図１３は、本実施形態における上記開口部としての貫通穴４５ａに対して外部基材２００側からの突起２００ａを挿入した例であり、（ａ）はリード部４０の上面４１側の平面図、（ｂ）は（ａ）中のリード部４０の断面図である。
【０１１３】
この場合、外部基材２００側に、当該外部基材２００と一体もしくは別体の突起２００ａを設け、これを貫通穴４５ａに挿入した状態でレーザ溶接を行うため、リード部４０と外部基材２００との溶融部Ｋが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
【０１１４】
ここで、上記各図１０〜図１３に示されるような本実施形態の各開口部４５、４５ａは、リード部４０に対して、エッチング、切削、プレス、レーザ加工などを施すことにより、形成が可能である。
【０１１５】
さらに、リード部４０におけるレーザ溶接部には、レーザを吸収しやすいような表面処理、たとえばレーザ波長を吸収しやすくする着色処理などを施してもよい。また、この処理の方法としては、蒸着、メッキ、ディスペンスなど手段を問わない。
【０１１６】
（第７実施形態）
図１４は、本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージ１０３の実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図であり、パッケージ１０３の概略断面図である。
【０１１７】
本実装方法では、レーザ透過部５５が、封止材５０の上面５１には露出せず、封止材５０の側面５３に露出している場合であり、レーザＲの照射を封止材５０の側面５３からリード部４０の上面４１に向けて斜め方向に行うものである。
【０１１８】
この場合、基板２０１上には、モールドパッケージ１０３だけでなく、モールドパッケージ１０３の隣に、コンデンサ、抵抗、他のパッケージなどからなる他の部品３００が搭載されている。
【０１１９】
つまり、本実施形態のレーザ照射工程は、他の部品３００を封止材５０の側面５３と対向させた状態で行う。このような状況において、レーザ照射が他の部品３００によって阻害されないような寸法構成を規定し、この寸法構成を確保したうえでレーザ照射を行うのが、本実施形態の実装方法である。
【０１２０】
まず、図１４において、リード部４０の上面４１のうちレーザＲが照射される部位（以下、照射部という）４１ａは、レーザＲのビームサイズに相当する領域であり、実質的に点とみなせる。
【０１２１】
そして、封止材５０の側面５３におけるレーザ透過部５５の上端部５５ａとリード部４０の一面４１のうちの照射部４１ａとを結ぶ仮想線（図１４中の破線Ｌ１）を第１の仮想線Ｌ１とする。一方、他の部品３００のうち封止材５０寄りの上端部３００ａとリード部４０の一面４１のうちの照射部４１ａとを結ぶ仮想線（図１４中の破線Ｌ２）を第２の仮想線Ｌ２とする。
【０１２２】
このとき、第１の仮想線Ｌ１とリード部４０の一面４１とのなす角度を第１の角度θ１と定義し、第２の仮想線Ｌ２とリード部４０の一面４１とのなす角度を第２の角度θ２と定義する。
【０１２３】
また、封止材５０の側面５３におけるレーザ透過部５５の上端部５５ａと他の部品３００のうち封止材５０寄りの上端部３００ａとの距離（以下、部品間距離という）をＨ３とする。
【０１２４】
このように、各パラメータθ１、θ２、Ｈ３を定義したとき、本実装方法におけるレーザ照射工程では、図１４に示されるように、レーザ透過部５５は、第１の仮想線Ｌ１と第２の仮想線Ｌ２との間の領域の全体に配置した状態としている。
【０１２５】
さらに、このようなレーザ透過部５５の配置状態に加えて、さらに、（θ１−θ２）＞０°であって部品間距離Ｈ３がレーザＲのビーム径よりも大きい状態にて、レーザ照射を行う。ここで、第１の角度θ１および第２の角度θ２との関係について、さらに言うならば、図１４に示される例では、９０°≧θ１≧θ２≧０°が満足されている。
【０１２６】
そして、このようなレーザ照射の方法によれば、モールドパッケージ１０３の隣に他の部品３００が配置されていても、レーザＲが他の部品３００に干渉することなく、レーザ透過部５５を介してリード部４０の上面４１に到達するため、適切にレーザ溶接を行うことが可能となる。
【０１２７】
（第８実施形態）
図１５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージ１００の実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図であり、パッケージの概略断面図である。
【０１２８】
上記各実施形態では、レーザ照射によりリード部４０と外部基材２００とをレーザ溶接するものであったが、本実施形態では、レーザ照射によりリード部４０と外部基材２００とを、はんだ４００を介して接合するものである。
【０１２９】
本実施形態のモールドパッケージ１００においても、上記実施形態と同様に、レーザ透過部５５を有しているため、パッケージ１００の上方からレーザ照射し、リード部４０のうち接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与することができる。そのため、図１５（ａ）に示されるように、その熱エネルギーによって、はんだ４００をリフローさせ、はんだ接合が可能となる。
【０１３０】
また、このレーザ透過部５５を介してモールドパッケージ１００の上方からレーザを照射することにより、図１５（ｂ）に示されるように、はんだ接合後においても、はんだ４００をリフローさせ、はんだ４００中に発生したクラックＣを無くすことが可能である。
【０１３１】
本実施形態によれば、レーザによって局所的に熱を加えればよいため、熱に弱い素子にも適用できる利点がある。また、はんだ接合部のリペアを容易に行えるため、製品全体の歩留まりを大幅に向上させることも可能である。
【０１３２】
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態に示したパッケージの製造方法においては、レーザ透過部５５を形成した後に、レーザ透過部５５以外の封止材５０による封止工程を行ったが、たとえば、モールド型に突起を設けてレーザ透過部５５に相当する部位を未充填にしておき、封止後に、当該未充填部位にレーザ透過部５５を充填することで形成してもよい。
【０１３３】
また、上記各実施形態では、ダイパッド上に直接、電子部品としてのＩＣチップを搭載してなるモノリシックＩＣを例にとったが、回路基板を搭載したモールドハイブリッドＩＣにも、本発明は同様に適用することができる。
【０１３４】
また、アウターリードレスタイプのモールドパッケージとしては、封止材５０の下面５２および側面５３にてリード部４０が露出するＱＦＮに限定されるものではなく、封止材５０の搭載面である下面５２からリード部４０の下面４２が露出していれば、封止材５０の側面５３ではリード部４０は露出していないものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断図である。
【図２】（ａ）は、図１のモールドパッケージにおける封止材の上面側の概略平面図、（ｂ）は、図１のモールドパッケージにおける封止材の下面側の概略平面図である。
【図３】（ａ）は、第１実施形態に係るモールドパッケージの製造方法においてレーザ透過部形成工程を示す工程図、（ｂ）は、封止工程を示す工程図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は第３実施形態におけるレーザ透過部の拡大断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態の他の例としてのモールドパッケージの概略断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略平面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す図であり、（ａ）はリード部の上面側の平面図、（ｂ）は（ａ）中のリード部の断面図である。
【図１１】第６実施形態における開口部を貫通穴とした例を示す図である。
【図１２】第６実施形態における開口部を六角の開口形状をなす凹部とした例を示す図である。
【図１３】第６実施形態における他の例を示す図である。
【図１４】本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージの実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図である。
【図１５】本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージの実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１３６】
１０…電子部品、４０…リード部、４１…リード部の一面としてのリード部の上面、
４１ａ…リード部の上面のうちレーザが照射される部位、
４２…リード部の他面としてのリード部の下面、４５ａ…貫通穴、５０…封止材、
５１…封止材の上面、５２…封止材の搭載面としての下面、５３…封止材の側面、
５５…レーザ透過部、５５ａ…封止材の側面におけるレーザ透過部の上端部、
７０…紫外線遮断部材、２００…外部基材、３００…他の部品、
３００ａ…他の部品のうち封止材寄りの上端部、Ｋ…溶融部、
Ｌ１…第１の仮想線、Ｌ２…第２の仮想線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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