(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、前記基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を搬送しつつ、前記基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、前記形成面の汚れを取り除く除去部と、
前記基板を搬送しつつ、前記除去部により汚れが取り除かれた前記基板の形成面に、樹脂系の粘着剤を付着させる転写部と、
前記除去部により、汚れが取り除かれ、前記転写部により樹脂系の粘着剤が付着された前記基板の形成面に表面活性化処理を施す表面活性化処理部と、
前記表面活性化処理部により表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記転写部は、前記基板の形成面の全面に、樹脂系の粘着剤を付着させるものである請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記除去部の粘着体と前記転写部の粘着剤は、同じ構成である請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記表面活性化処理部は、プラズマ処理、コロナ放電処理、グロー放電処理および紫外線照射処理のいずれか１つを用いるものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記除去部の前記粘着体は、ローラ状に形成されたもの又はシート状に形成されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、前記基板に所定の膜を形成する成膜方法であって、
前記基板を搬送しつつ、前記基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、前記形成面の汚れを取り除く工程と、
前記汚れが取り除かれた前記基板の形成面に、樹脂系の粘着剤を付着させる工程と、
汚れが取り除かれ、前記樹脂系の粘着剤が付着された前記基板の形成面に表面活性化処理を施す工程と、
前記表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
前記汚れが取り除かれた前記基板の形成面に、樹脂系の粘着剤を付着させる工程は、前記汚れが取り除かれた前記基板の形成面の全面に前記樹脂系の粘着剤を付着させる請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記前記形成面の汚れを取り除く工程の粘着体と前記樹脂系の粘着剤を付着させる工程の前記粘着剤は、同じ構成である請求項６または７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記表面活性化処理は、プラズマ処理、コロナ放電処理、グロー放電処理、および紫外線照射処理のいずれか１つが用いられる請求項６〜８のいずれか１項に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成膜法により真空中で長尺の基板の表面に膜を形成する成膜装置および成膜方法に関し、特に、密着性が高く、膜質が優れた膜を連続的に形成することができる成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高分子フィルムの表面に無機物からなる膜が形成されたバリアフィルムがある。このバリアフィルムは、無機物からなる膜が形成されており、透湿性が低く、気密性を有するため、種々の用途に利用されている。
しかし、バリアフィルムは、高分子フィルムと無機物とを組み合せたものであり、無機物の膜の密着性が必ずしもよいものではない。このため、形成される膜との密着性を改善したものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１のガスバリヤ性積層体は、合成樹脂フィルムの少なくとも片面に、化学式がＲ−Ｓｉ−（ＯＲ′）３（Ｒは有機性官能基，ＯＲ′は加水分解性基）で表示される有機ケイ素化合物層が形成されており、この有機ケイ素化合物層の全面が酸素含有混合ガスによりプラズマ活性化処理されていて、有機ケイ素化合物層の表面に、金属又は金属化合物の蒸着薄膜層が形成されたものである。
この特許文献１のガスバリヤ性積層体は、蒸着薄膜のフィルム基材に対する密着性と外部負荷に対する柔軟性が改善されて、蒸着薄膜の亀裂やピンホールなどの発生を防ぎ、酸素や水蒸気などに対してバリヤ性が良好なものとなる。
【０００４】
しかしながら、高分子フィルム（合成樹脂フィルム）の表面には、ＷＢＬ（Weak Boundary Layer）が存在する場合がある。このＷＢＬは、高分子フィルム（合成樹脂フィルム）の作製時の添加剤、低分子量ポリマーが析出したもの、または大気中の浮遊有機物が付着したものである。このＷＢＬ上に、無機物の膜を成膜しても、膜の密着は不良となり、密着性が所定のレベルのバリアフィルムを得ることができない。
【０００５】
ここで、特許文献１は、密着性向上のために、合成樹脂フィルムの少なくとも一面に有機ケイ素化合物層を下地層として形成し、この有機ケイ素化合物層の全面をプラズマ活性化処理しているものの、合成樹脂フィルムのＷＢＬが除去されなければ、合成樹脂フィルムと有機ケイ素化合物層との間の密着が不良となり、密着性は改善されない。
また、ＷＢＬが形成された合成樹脂フィルムについて、プラズマ処理などで親水化処理を施しても、合成樹脂フィルムとＷＢＬとの間で剥離する。このため、密着改善には、このＷＢＬ除去後の合成樹脂フィルムの表面に親水化処理しなくては十分な効果が得られない。
【０００６】
以上のように、膜を密着性を高めるためには、ＷＢＬを取り除く必要がある。このＷＢＬの除去には、一般的に、湿式プロセスが用いられている。これ以外にも、ＷＢＬを除去して成膜する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
特許文献２の表面処理方法は、ポリイミドフィルムの表面に、不活性ガス雰囲気中でのプラズマ処理を行った後、続いて同一面に活性ガス雰囲気中でのプラズマ処理を施し、ＷＢＬを効果的に除去したのち、ＷＢＬが除去されたポリイミドフィルム表面に、親水性官能基を化学修飾することができ、その結果、ポリイミドフィルムに極めて高い接着性を付与できるものである。
【０００８】
【特許文献１】特許第３０６７５０１号公報
【特許文献２】特許第３４５１４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、高分子フィルムに形成されたＷＢＬの除去は、一般的に、湿式プロセスが用いられるものの、高分子フィルムに溶剤、または溶液が染み込むため、乾燥行程が必要となる。
また、湿式プロセスを用いた場合、真空下で高分子フィルム内から放散される気泡が膜質に悪影響を与えるため、真空成膜用に、湿式プロセスを経た高分子フィルムは好ましくない。
さらに、ＷＢＬの除去した後、大気圧下で保存した場合、保存中に再びゴミが付着し、新たなＷＢＬが高分子フィルムの表面に形成されることになる。
【００１０】
特許文献２の表面処理方法において、ＷＢＬを完全に除去するには、アルゴンガスを用いたプラズマクリーニングが必要である。しかし、このように、ＷＢＬを完全に除去するために、アルゴンガスを用いてプラズマクリーニングした場合には、フィルムの表面が粗面化されてしまう。このため、形成される膜の膜質が劣化し、膜の性能を低下させてしまう。
【００１１】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、密着性が高く、膜質が優れた膜を連続的に形成することができる成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、前記基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、前記基板を搬送しつつ、前記基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、前記形成面の汚れを取り除く除去部と、前記除去部により、汚れが取り除かれた前記基板の形成面に表面活性化処理を施す表面活性化処理部と、前記表面活性化処理部により表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置を提供するものである。
【００１３】
本発明においては、さらに、前記基板を搬送しつつ、前記除去部により汚れが取り除かれた前記基板の形成面に、樹脂系の粘着剤を付着させる転写部を有し、前記転写部により樹脂系の粘着剤が付着された前記基板の形成面が、前記表面活性化処理部により表面活性化処理されることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、前記除去部の前記粘着体は、樹脂系の粘着剤を含み、前記除去部は、前記形成面の汚れを取り除く際、前記基板の形成面に前記樹脂系の粘着剤を付着させることが好ましい。
さらに、本発明においては、前記表面活性化処理部は、プラズマ処理、コロナ放電処理、グロー放電処理および紫外線照射処理のいずれか１つを用いるものであることが好ましい。
さらにまた、本発明においては、前記除去部の前記粘着体は、ローラ状に形成されたもの又はシート状に形成されたものであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の第２の態様は、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、前記基板に所定の膜を形成する成膜方法であって、前記基板を搬送しつつ、前記基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、前記形成面の汚れを取り除く工程と、汚れが取り除かれた前記基板の形成面に表面活性化処理を施す工程と、前記表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供するものである。
【００１６】
また、本発明においては、さらに、前記形成面の汚れを取り除く工程と、前記基板の形成面に表面活性化処理を施す工程との間に、前記汚れが取り除かれた前記基板の形成面に、樹脂系の粘着剤を付着させる工程を有することが好ましい。
【００１７】
本発明の第３の態様は、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、前記基板に所定の膜を形成する成膜方法であって、前記基板を搬送しつつ、前記基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、前記形成面の汚れを取り除くとともに、前記基板の形成面に前記樹脂系の粘着剤を付着させる工程と、汚れが取り除かれた前記基板の形成面に表面活性化処理を施す工程と、前記表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供するものである。
【００１８】
また、本発明においては、前記表面活性化処理は、プラズマ処理、コロナ放電処理、グロー放電処理、および紫外線照射処理のいずれか１つが用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の成膜装置によれば、長尺な基板を真空中で搬送しつつ、基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、形成面の汚れを取り除く除去部と、この除去部により、汚れが取り除かれた基板の形成面に表面活性化処理を施す表面活性化処理部と、この表面活性化処理部により表面活性化処理された前記基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する成膜部とを設けることにより、基板における膜の形成面に形成されたＷＢＬ、および膜の形成面に付着しているゴミ、埃、塵などの汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができ、更には、基板の形成面を粗面化させることもない。なお、ＷＢＬは、密着力は非常に小さいため、粘着体により取り除かれる。このようなことから、ＷＢＬなどが取り除かれた形成面に対して、表面活性化処理を行うため、形成面に対して密着力が高い膜を形成することができる。
【００２０】
また、本発明の成膜装置によれば、形成面の汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができるため、例えば、アルゴンガスのプラズマを用いて、汚れを取り除く場合のように、汚れの程度に応じて、処理時間が変える必要がない。また、アルゴンガスのプラズマを用いた場合、処理時間によっては、汚れを取り除く以外に粗面化してしまうことがあるが、このようなこともない。
さらに、本発明の成膜装置によれば、形成面の汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができるため、アルゴンガスのプラズマを用いて汚れを取り除く場合のように、基板の汚れを取り除くことに、時間がかからないため、装置全体の生産性を高くすることができる。
さらにまた、本発明の成膜装置によれば、形成面の汚れを取り除くために、形成面に粘着体を接触させて汚れを取り除く除去部を有することにより、アルゴンガスのプラズマを用いて汚れを取り除く場合のように、プラズマ源などの設備が不要であり、装置全体の大きさを小さくすることができる。
【００２１】
本発明の成膜方法によれば、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、基板において膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、この形成面の汚れを取り除く工程と、汚れが取り除かれた基板の形成面に表面活性化処理を施す工程と、この表面活性化処理された基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する工程とを有することにより、基板における膜の形成面に形成されたＷＢＬ、および膜の形成面に付着しているゴミ、埃、塵などの汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができ、更には、基板の形成面を粗面化させることもない。なお、ＷＢＬは、密着力は非常に小さいため、粘着体により取り除かれる。このようなことから、ＷＢＬなどが取り除かれた形成面に対して、表面活性化処理を行うため、形成面に対して密着力が高い膜を形成することができる。
【００２２】
また、本発明の成膜方法によれば、形成面の汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができるため、例えば、アルゴンガスのプラズマを用いて、汚れを取り除く場合のように、汚れの程度に応じて、処理時間が変える必要がない。また、アルゴンガスのプラズマを用いた場合、処理時間によっては、汚れを取り除く以外に粗面化してしまうことがあるが、このようなこともない。
また、本発明の成膜方法によれば、形成面の汚れについて、汚れの程度に拘らず、一括に取り除くことができるため、アルゴンガスのプラズマを用いて汚れを取り除く場合のように、基板の汚れを取り除くことに、時間がかからないため、装置全体の生産性を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の成膜装置および成膜方法を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。
【００２４】
図１に示す本実施形態の成膜装置１０は、磁気記録媒体の製造、光学膜の製造、またはガスバリアフィルムの製造等に利用されるものである。
成膜装置１０は、長尺な基板Ｚ（ウェブ状の基板Ｚ）を真空中で所定の経路で搬送しつつ、長尺の基板Ｚに連続で成膜を行う装置である。
この成膜装置１０は、基本的に、長尺な基板Ｚを供給する供給室１２と、長尺な基板Ｚに表面処理を施す第１の処理室１４および第２の表面処理部１６と、長尺な基板Ｚに膜を形成し、膜が形成された長尺な基板Ｚを巻き取る成膜室（チャンバ）１８とを備え、更に真空排気部６０と、制御部５８とを有する。この制御部５８により、成膜装置１０における各要素の動作が制御される。
【００２５】
また、成膜装置１０においては、供給室１２と第１の処理室１４とを区画する壁１３、第１の処理室１４と第２の処理室１６とを区画する壁１５、および第２の処理室１６と成膜室１８とを区画する壁１７には、それぞれ基板Ｚが通過するスリット状の開口１３ａ、１５ａ、１７ａが形成されている。
なお、本実施形態においては、膜が形成された長尺な基板Ｚを成膜室１８で巻き取っているが、これに限定されるものではなく、膜が形成された長尺な基板Ｚを巻き取る巻取り室を別に設けてもよい。
【００２６】
本発明の成膜装置において、基板Ｚは、特に限定されるものではなく、気相成膜法による膜の形成が可能な各種の基板が全て利用可能である。基板Ｚとしては、例えば、ＰＥＴフィルム等の各種の樹脂フィルム、またはアルミニウムシートなどの各種の金属シート等を用いることができる。
【００２７】
成膜装置１０においては、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８には、真空排気部６０が配管６２を介して接続されている。この真空排気部６０により、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８の内部が所定の真空度にされる。
真空排気部６０は、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８を排気して所定の真空度に保つものであり、ドライポンプおよびターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有するものである。また、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８には、それぞれ内部の圧力を測定する圧力センサ（図示せず）が設けられている。
なお、真空排気部６０による供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８の到達真空度には、特に限定はなく、実施する成膜方法等に応じて、十分な真空度を保てればよい。この真空排気部６０は、制御部５８により制御される。
【００２８】
供給室１２は、長尺な基板Ｚを供給する部位であり、基板ロール２０が設けられている。
基板ロール２０は、長尺な基板Ｚを連続的に送り出すものであり、例えば、回転軸を有する円筒の表面に時計回りに基板Ｚが巻回されている。
基板ロール２０は、例えば、駆動源としてモータ（図示せず）が接続されている。このモータによって基板ロール２０が基板Ｚを巻き戻す方向ｒに回転されて、本実施形態では、反時計回りに回転されて、基板Ｚが連続的に送り出される。
【００２９】
第１の処理室１４は、長尺な基板Ｚに表面処理を施す部位であり、汚染物除去部２２（以下、除去部２２という）と、転写部３０とが設けられている。
除去部２２は、ガイドローラ２４ａ、２４ｂ、２６および汚染物除去ローラ２８を有する。
ガイドローラ２４ａと、ガイドローラ２４ｂとが、所定の間隔を設けて対向して、平行に配置されており、また、ガイドローラ２４ａ、およびガイドローラ２４ｂは、基板Ｚの搬送方向Ｄに対して、その長手方向を直交させて配置されている。
ガイドローラ２４ａと、ガイドローラ２４ｂとの間の空間ｈ１の下方にガイドローラ２６が設けられている。
【００３０】
ガイドローラ２４ａは、供給室１２に設けられた基板ロール２０から搬送された基板Ｚをガイドローラ２６に搬送するものである。このガイドローラ２４ａは、例えば、基板Ｚの搬送方向Ｄと直交する方向（以下、軸方向という）に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ２４ａは、軸方向の長さが基板Ｚの長さ（以下、基板Ｚの幅という）よりも長い。
【００３１】
ガイドローラ２４ｂは、ガイドローラ２６に巻き掛けられた基板Ｚを、転写部３０に設けられたガイドローラ３２ａに搬送するものである。このガイドローラ２４ｂは、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ２４ｂは、軸方向の長さが基板Ｚの幅よりも長い。
【００３２】
ガイドローラ２６は、その長手方向を、ガイドローラ２４ａおよびガイドローラ２４ｂの長手方向に対して平行にして配置されている。このガイドローラ２６も、軸方向における長さが基板Ｚの幅よりも長い。
ガイドローラ２６は、基板Ｚが、その表面（周面）に巻き掛けられるものであり、自身が回転することにより、搬送方向Ｄに基板Ｚを搬送するものである。
本実施形態の成膜装置１０において、ガイドローラ２４ａ、２４ｂ、２６は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。また、ガイドローラ２４ａ、２４ｂ、２６は、基板Ｚの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
【００３３】
汚染物除去ローラ（粘着体）２８は、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に形成されたＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れも除去するものであり、ガイドローラ２６の下方に、ガイドローラ２６と接して設けられている。
ガイドローラ２６と汚染物除去ローラ２８とともに回転し、基板Ｚを搬送しながら、その表面ＺｆのＷＢＬを除去する。
【００３４】
汚染物除去ローラ２８は、例えば、表面が粘着剤で覆われた汚染物除去ローラ２８（粘着ローラ）により構成される。この粘着剤としては、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤が用いられる。
このゴム系の粘着剤としては、セロハンテープなどに用いられている一般的な粘着剤が用いられる。
また、アクリル系の粘着剤としては、医療用テープなどに利用されている一般的な粘着剤が用いられる。
さらに、シリコーン系の粘着剤としては、テフロン（登録商標）テープ、ポリイミドテープなどに用いられている耐熱性を特徴とした一般的な粘着剤が用いられる。
【００３５】
本発明において、汚染物除去ローラ２８としては、例えば、除塵用粘着性ローラ（例えば、日東電工社製Ｆ−１００（型番）など）を用いることができる。
また、汚染物除去ローラ２８としては、例えば、除塵用粘着性ゴムローラ（例えば、都ローラー工業社製、シリコーンローラー、鏡面タイプ、硬度３０）を用いることができる。
さらに、汚染物除去ローラ２８は、除塵用粘着性ゴムローラ（例えば、都ローラー工業社製、シリコーンローラー、鏡面タイプ、硬度３０）と、この除塵用粘着性ゴムローラに付着した汚れを取り除くために、除塵用粘着性ゴムローラの基板と接触する反対側に、除塵用粘着性ゴムローラに接触して設けられた除塵用粘着性ローラ（例えば、日東電工社製Ｆ−１００（型番）など）とにより構成してもよい。
また、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤およびシリコーン系の粘着剤のいずれかが、テープ巻芯の少なくとも外周に塗布された一般的なテープを、汚染物除去ローラ２８に用いてもよい。これらのゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤およびシリコーン系の粘着剤のいずれかの粘着剤を有する一般的なテープを使用する場合には、搬送時に基板Ｚを痛めないように、低粘着性のものを用いることが望ましい。
【００３６】
ここで、ＷＢＬは、基板Ｚの表面Ｚｆとの密着力は非常に弱いため、汚染物除去ローラ２８（粘着ローラ）により除去が可能である。
また、汚染物除去ローラ２８に、粘着ローラを用い、ＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去する場合は、ＷＢＬの厚さに関わらず一括にＷＢＬを除去することができる。このため、ＷＢＬの厚さに関わらず汚染物除去ローラ２８による除去時間、すなわち、処理時間が一定である。更には、汚染物除去ローラ２８に、粘着ローラを用いているため、基板Ｚの表面Ｚｆを粗面化することもない。
なお、汚染物除去ローラ２８によるＷＢＬの除去の際、粘着剤の一部が基板Ｚの表面Ｚｆに残留してもよい。
【００３７】
転写部３０は、樹脂系の粘着剤の一部を基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）の全面に付着させるものであり、ガイドローラ３２ａ、３２ｂ、３４および転写ローラ３６を有する。
ガイドローラ３２ａと、ガイドローラ３２ｂとが、所定の間隔を設けて対向して、平行に配置されており、また、ガイドローラ３２ａ、およびガイドローラ３２ｂは、基板Ｚの搬送方向Ｄに対して、その長手方向を直交させて配置されている。
ガイドローラ３４は、ガイドローラ３２ａと、ガイドローラ３２ｂとの間の空間ｈ２の下方に設けられている。ガイドローラ３４は、その長手方向を、ガイドローラ３２ａおよびガイドローラ３２ｂの長手方向に対して平行にして配置されている。このガイドローラ３４も、軸方向における長さが基板Ｚの幅よりも長い。
【００３８】
ガイドローラ３２ａは、除去部２２に設けられたガイドローラ２６から搬送された基板Ｚをガイドローラ３４に搬送するものである。このガイドローラ３２ａは、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ３４は、軸方向の長さが基板Ｚの幅よりも長い。
【００３９】
ガイドローラ３２ｂは、ガイドローラ３４に巻き掛けられた基板Ｚを、後述する第２の処理室１６に設けられた平行平板電極４０，４２の間Ｓに搬送するものである。このガイドローラ３２ｂは、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ２８は、軸方向の長さが基板Ｚの幅よりも長い。
【００４０】
ガイドローラ３４は、基板Ｚが、その表面（周面）に巻き掛けられるものであり、自身が回転することにより、搬送方向Ｄに基板Ｚを搬送するものである。
【００４１】
転写ローラ３６は、ＷＢＬが除去された基板Ｚの表面Ｚｆ（形成面）の全面に、樹脂系の粘着剤の一部を付着させるものであり、ガイドローラ３４の下方に、ガイドローラ３４と接して設けられている。
転写ローラ３６は、例えば、表面が粘着剤で覆われた粘着ローラにより構成される。この粘着剤としては、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤が用いられる。
転写ローラ３６は、ガイドローラ３４と共に回転して基板Ｚを搬送しながら、ＷＢＬが除去された表面Ｚｆに粘着剤の一部を付着させる。
なお、転写ローラ３６は、汚染物除去ローラ２８と同じ構成のものを持ちいることができる。このため、その詳細な説明は省略する。
【００４２】
なお、転写ローラ３６は、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤を基板Ｚの表面Ｚｆの全面に亘り、総量で極微量、付着させることが好ましい。
転写ローラ３６は、シリコーンゴム製のローラ、シリコーン系の粘着剤を用いたものが特に好ましい。これにより、後工程のプラズマ等を用いた表面活性化処理によって、効果的に親水性官能基を付与することができ、より一層、形成される膜の密着性向上の効果を得ることができる。
【００４３】
ガイドローラ３２ｂは、ガイドローラ３４に巻き掛けられた基板Ｚを、後述する第２の処理室１６に設けられた平行平板電極間に搬送するものである。このガイドローラ２４２８は、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ２８は、軸方向の長さが基板Ｚの幅よりも長い。
本実施形態の成膜装置１０において、ガイドローラ３２ａ、３２ｂ、３４は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。また、ガイドローラ３２ａ、３２ｂ、３４は、基板Ｚの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
【００４４】
第２の処理室１６は、長尺な基板Ｚに、気相を用いた表面活性化処理を施す表面活性化処理部であり、例えば、一対の平行平板電極４０、４２が、基板Ｚの搬送方向Ｄに対して直交する方向に、所定の間隔Ｓを設けて対向して配置されている。
平行平板電極４０は、所定の電圧を印加する電源部４４が接続されており、平行平板電極４２は接地されている。
平行平板電極４０、４２の間Ｓに、例えば、酸素ガスをガス供給部４６から供給するための配管４８が設けられている。平行平板電極４０、４２との間Ｓがプラズマ発生空間となる。
平行平板電極４０、４２の間Ｓに、表面活性化処理に利用される気体、例えば、酸素ガスをガス供給部４６から供給し、平行平板電極４０に所定の電圧を印加することにより、酸素のプラズマが発生し、この酸素のプラズマにより、基板Ｚの表面Ｚｆが表面活性化処理される。例えば、基板Ｚの表面Ｚｆにシリコーン系の粘着剤の一部が付着していれば、酸素のプラズマにより、表面Ｚｆは親水化される。これにより、後工程で形成する膜の密着性を高くすることができる。
【００４５】
このように、第２の処理室１６は、長尺な基板Ｚに、気相を用いた表面活性化処理を施す部位であり、例えば、後工程で形成する膜の密着性を高くできるような表面活性化処理であれば、その種類は、特に限定されるものではない。このため、表面活性化処理に利用される気体についても、特に限定されるものではない。
また、本実施形態では、気相を用いた表面活性化処理として、プラズマ処理を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、コロナ放電処理、グロー放電処理、およびＵＶ（紫外線）照射処理のいずれか１つを用いるか、またはこれらを組み合せたものを用いて表面活性化処理もできる。
【００４６】
成膜室１８は、基板Ｚを搬送しつつ連続的に、基板Ｚの表面Ｚｆに、気相成膜法のうち、例えば、スパッタリングによって、膜を形成するとともに、成膜された基板Ｚの巻取りもする部位である。
【００４７】
成膜室１８には、ガイドローラ５０と、ドラム５２と、巻取ロール５４と、成膜部５６とが設けられている。
ガイドローラ５０と、ドラム５２とが、それぞれ基板Ｚの搬送方向Ｄに対して、その長手方向を直交させて平行、かつ垂直方向に所定の間隔を設けて配置されている。
【００４８】
ガイドローラ５０は、第２の処理室１６で、表面活性化処理された基板Ｚをドラム５２に搬送するものである。このガイドローラ５０は、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ５０は、軸方向の長さが基板Ｚの幅よりも長い。
【００４９】
ドラム５２は、ガイドローラ５０の下方に設けられている。ドラム５２は、その長手方向を、ガイドローラ５０の長手方向に対して平行にして配置されている。
ドラム５２は、例えば、円筒状を呈し、軸方向に回転軸を有し、回転可能なものであり、かつドラム５２は、軸方向における長さが基板Ｚの幅よりも長い。
ドラム５２は、その表面（周面）に基板Ｚが巻き掛けられて、回転することにより、基板Ｚを所定の成膜位置に保持しつつ、搬送方向Ｄに基板Ｚを搬送するものである。
【００５０】
図１に示すように、成膜部５６は、成膜室１８の下方にドラム５２の基板Ｚが巻き掛けられたところに対向して設けられている。
成膜部５６は、基板Ｚがドラム５２に巻き掛けられた状態で、ドラム５２が回転して、基板Ｚが搬送方向Ｄに搬送されつつ、基板Ｚの表面Ｚｆに膜を形成するものである。
成膜部５６は、気相成膜法のうち、例えば、スパッタリングを用いて膜を形成するものであり、公知のスパッタリング成膜装置により構成される。この成膜部５６は、制御部５８により、成膜条件に応じて制御される。
【００５１】
巻取ロール５４は、成膜された基板Ｚをロール状に、例えば、反時計回りに巻き取るものである。
この巻取ロール５４は、例えば、駆動源としてモータ（図示せず）が接続されている。このモータにより巻取ロール５４が回転されて、成膜済の基板Ｚが巻き取られる。
巻取ロール５４においては、モータによって基板Ｚを巻き取る方向Ｒに回転されて、本実施形態では、反時計回りに回転されて、成膜済の基板Ｚを連続的に、例えば、反時計回りに巻き取る。
【００５２】
本実施形態の成膜装置１０においては、除去部２２（汚染物除去ローラ２８）と転写部３０（転写ローラ３６）とを設ける構成としたが、これに限定されるものではない。本実施形態の成膜装置１０においては、少なくとも、ＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去することができればよいことから、転写部３０は、必ずしも設ける必要はない。
更には、例えば、シリコーン系の粘着剤が表面に設けられたロールであれば、汚染物除去ローラ２８と転写ローラ３６とを兼用することができる。このため、汚染物除去ローラ２８と転写ローラ３６とは必ずしも、それぞれ設ける必要はない。
また、汚染物除去ローラ２８および転写ローラ３６を設ける数についても特に限定されるものではない。
【００５３】
本実施形態の成膜装置１０においては、ＷＢＬの除去に汚染物除去ローラ２８を用いたが、これに限定されるものではない。図２に示すように、汚染物除去ローラ２８と長手方向を一致して配置される押圧ローラ７０と、粘着シート７６が巻き回されており、押圧ローラ７０に粘着シート７６を供給する送出ロール７２と、押圧ローラ７０を経た粘着シート７６を巻き取る巻取ローラ７４とを有するものを、汚染物除去ローラ２８に代えて用いることができる。
送出ローラ７２により、粘着シート７６を送り出し、ガイドローラ２６に巻き掛けられる基板Ｚの表面Ｚｆに粘着シート７６を押圧ローラ７０により押圧させる。そして、巻取ローラ７４により、巻き取りながら、基板Ｚの表面Ｚｆに粘着シート７６を接触させて、ＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去してもよい。
【００５４】
粘着シート７６は、汚染物除去ローラ２８に用いられると同様にアクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤が基材の表面に形成されているものである。
【００５５】
また、基板Ｚの表面Ｚｆへの粘着剤の転写に転写ローラ３６を用いたが、これに限定されるものではない。汚染物除去ローラ２８と同様に、押圧ローラ７０、送出ローラ７２および巻取ローラ７４を用いる。そして、転写シート７８を基板Ｚの表面Ｚｆに接触させて、送出ローラ７２により、転写シート７８を送り出し、ガイドローラ３４に巻き掛けられる基板Ｚの表面Ｚｆに転写シート７８を押圧ローラ７０により押圧させる。そして、巻取ローラ７４により、巻き取りながら、基板Ｚの表面Ｚｆの粘着剤を転写する。
なお、転写シート７８は、転写ローラ３６と同様に、例えば、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤が基材の表面に形成されているものである。
【００５６】
次に、本実施形態の成膜装置１０の成膜方法について説明する。
成膜装置１０は、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８に至る所定の経路で、供給室１２から成膜室１８に至る搬送経路に長尺な基板Ｚを通した後、供給室１２、第１の処理室１４、第２の処理室１６および成膜室１８に至る所定の経路で、供給室１２から成膜室１８の内部を真空排気部６０により、所定の真空度に保つ。
成膜装置１０は、所定の真空度の環境下、すなわち、真空中で、長尺な基板Ｚを、例えば、時計回り巻回された基板ロール２０から第１の処理室１４に搬送し、除去部２２にて汚染物除去ローラ２８により基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去する。
【００５７】
次に、基板Ｚを転写部３０に搬送し、ＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れが除去された基板Ｚの表面Ｚｆの全面に、転写部３０にて、転写ローラ３６により樹脂系の粘着剤、例えば、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤の一部を付着させる。
次に、基板Ｚを第２の処理室１６に搬送する。この場合、制御部５８により、１対の平行平板電極４０、４２の間Ｓにガス供給部４６から配管４８を介して、例えば、酸素ガスを供給し、電源部４４から平行平板電極４０に所定の電圧を印加する。これにより、平行平板電極４０、４２の間Ｓに酸素ガスのプラズマが生成される。この平行平板電極４０、４２の間Ｓに基板Ｚを搬送させ、基板Ｚの表面Ｚｆを表面活性化処理し、例えば、基板Ｚの表面Ｚｆに親水性官能基を付与する。
【００５８】
次に、成膜室１８に基板Ｚを搬送する。成膜室１８においては、ガイドローラ５０を経てドラム５２に搬送される。
このとき、制御部５８により、ドラム５２を所定の速度で回転させつつ、成膜部５６においては、形成する膜の組成に応じたターゲットに、イオン化したアルゴンガスを衝突させて、スパッタリングにより、基板Ｚの表面Ｚｆに所定の膜を形成する。
次に、順次成膜された長尺な基板Ｚが巻取ロール５４により巻き取られる。
【００５９】
このように、所定の真空度の環境下、長尺な基板Ｚが時計回り巻回された基板ロール２０をモータにより時計回りに回転させて、長尺な基板Ｚを連続的に送り出し、第１の処理室１４でＷＢＬおよび基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去し、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を基板Ｚの表面Ｚｆに付着させて、さらに第２の処理室で表面改質を行い、ドラム５２で基板Ｚをプラズマが生成される位置に保持しつつ、ドラム５２を所定の速度で回転させて、成膜部５６により長尺な基板Ｚの表面Ｚｆに連続的に膜を形成する。順次、巻取ロール５４に成膜された長尺な基板Ｚを巻き取り、所定の膜を基板Ｚの表面Ｚｆに形成する。このようにして、基板Ｚの表面Ｚｆに膜を形成する。
【００６０】
本実施形態の成膜装置１０においては、所定の真空度の環境下、第１の処理室１４で汚染物除去ローラ２８により、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去し、さらに転写ローラ３６で基板Ｚの表面Ｚｆの全面に粘着剤の一部を付着させ、その後、第２の処理室１６で、例えば、酸素のプラズマにより、基板Ｚの表面Ｚｆに親水性官能基を付与して成膜する。
このように、本実施形態の成膜装置１０においては、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去するために、アルゴンガスを用いたプラズマ処理をしていないため、第２の処理室１６とは別に、プラズマ処理室を２つ設ける必要がない。このため、隣室へのプラズマ処理に用いるガスの混入を避けることができ、隔室および排気設備も余分に設ける必要がない。このように、プラズマ処理室を１つ設けるだけであるため、装置を小型化することができるとともに、装置の製造コストを低くすることができる。
【００６１】
また、ＷＢＬをアルゴンガスのプラズマ等で除去した後、酸素ガスなどの反応性プラズマで活性化処理を行う場合、アルゴンガスのプラズマの処理時間の方が酸素ガスのプラズマの処理時間よりも長い。このため、酸素プラズマの処理時間、および成膜の搬送速度を、アルゴンガスのプラズマの処理時間に合わせる必要があり、装置全体として生産性が低くなる。
しかしながら、本実施形態の成膜装置１０においては、汚染物除去ローラ２８により、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを、例えば、基板Ｚの搬送速度で搬送しつつ、速やかに除去し、転写ローラ３６で基板Ｚの表面Ｚｆの全面に粘着剤の一部を付着させ、その後、第２の処理室１６で、例えば、酸素のプラズマにより、親水性官能基を、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）の全面に効果的に付与することができる。これにより、ＷＢＬなどが取り除かれた基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に対して、表面活性化処理を行うため、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に対して密着力が高い膜を形成することができる。このようにして、密着性が高い膜を連続的に形成することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態の成膜装置１０においては、例えば、アルゴンガスのプラズマ処理でＷＢＬを除去する場合には、ＷＢＬの厚さにより処理時間を変える必要がある。加えて、アルゴンガスのプラズマ処理を少しでも過剰に行うと、基板Ｚの表面Ｚｆを粗面化してしまい、膜質に影響を与えてしまう。
しかしながら、ＷＢＬの基板Ｚの表面Ｚｆの密着力は弱いため、汚染物除去ローラ２８により、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に形成されたＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去する場合、ＷＢＬの厚さに関わらず一括に除去することができ、このとき、基板Ｚの表面Ｚｆを粗面化することもない。
【００６３】
除去部２２および転写部３０、ならびに表面活性化処理部による密着力の効果について確認した。
密着力の効果の確認においては、基板Ｚとして、ＰＥＴフィルム(東レ社製ルミラー（登録商標）、厚さ１００μｍ))上に、大気下で、セロハンテープ、またはカプトン（登録商標）テープを貼り付け、直ちに剥し、粘着剤を転写した。その後、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）を真空成膜装置に入れ、プラズマ処理を行い。引き続き、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）上に、スパッタリングにより、組成がＳｉＮｘ、厚さが１００ｎｍの膜を形成した。
成膜後、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）を真空成膜装置から取り出し、カッターナイフで、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）の成膜面に５ｍｍ角の切れ込みを入れた。
その後、切り込みを入れた領域を覆うようにして、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）の上から成膜面にセロハンテープを貼りつけた。そして、基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）を抑えながら、セロハンテープ端部を垂直に勢いよく引き剥がした。その後、セロハンテープを貼りつけた基板Ｚ（ＰＥＴフィルム）における領域（以下、試験領域という）を顕微鏡にて観察した。そして、成膜したＳｉＮｘ膜の剥離の状態から密着力を採点した。
密着力の効果の確認のために、条件を種々変えて、下記表１に示すように、６の試験例を作製した。これらの密着力の効果の結果も下記表１に示す。
【００６４】
プラズマ処理の条件において、電力および圧力については、各試験例とも同じとし、２００Ｗ、３ｍTorrとした。それ以外のプラズマ処理の条件は、下記表１に示すとおりである。
【００６５】
なお、密着力の採点基準は、以下の通りである。
０点：試験領域全面が剥離
１点：試験領域の８０％程度が剥離
２点：試験領域の５０％程度が剥離
３点：切れ込みで生じたヒビ割れ部の全部が剥離
４点：切れ込みで生じたヒビ割れ部の一部が剥離
５点：剥離なし
【００６６】
【表１】
0005010416.tif 000002
【００６７】
上記表１に示すように、粘着剤があり、かつプラズマ処理をした試験例６は密着力がとても高い。また、プラズマ処理の時間が長い試験例３も、密着力がとても高い。粘着剤がなくても、プラズマ処理をした試験例１は、密着力が高い。粘着剤がなく、かつプラズマ処理をない試験例１は、密着力が低い。さらには、粘着剤だけの試験例４、５は、密着力が低い。
このように、粘着剤を付与し、かつプラズマ処理をすることにより、密着性がとても高くなるため、好ましい。
【００６８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図３は、本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の要部を示す模式図である。
図３においては、第１の実施形態の成膜装置と相違するものを示し、それ以外の構成については図示を省略している。
なお、本実施形態においては、図１に示す第１の実施形態の成膜装置と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００６９】
図３に示すように、本実施形態の成膜装置１０ａは、第１の実施形態の成膜装置１０（図１参照）に比して、成膜室１８の構成が異なり、さらには第１の処理室１４と第２の処理室１６とが一体化された処理室８０を有する点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施例の成膜装置１０と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００７０】
本実施形態の成膜装置１０ａにおいては、成膜室１８は、基板Ｚの搬送経路が成膜室１８の下方である点が異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態の成膜装置１０と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００７１】
本実施形態の成膜装置１０ａにおいては、第１の処理室１４および第２の処理室１６に代えて、第１の処理室１４と第２の処理室１６とが一体化された表面処理室８０が設けられている。この表面処理室８０は、上工程側（基板ロール２０側（図１参照））に供給室１２が接続され、下工程側（巻取ロール５４側（図１参照））に成膜室１８が接続されている。表面処理室８０と供給室１２とを区画する壁８１ａには、基板Ｚが通過するスリット状の開口８１ｂが上方に形成されている。表面処理室８０と成膜室１８との間の壁８１ｂには、下方に基板Ｚが通過するスリット状の開口８１ｂが形成されている。
なお、表面処理室８０も、真空排気部６２（図１参照）に接続されており、所定の真空度に保持されるものである。
【００７２】
表面処理室８０は、ガイドローラ８２と、ドラム８４と、表面処理ローラ８６と、仕切板８８と、プラズマ処理部９０とが設けられている。
【００７３】
ガイドローラ８２は、ドラム８４に基板Ｚを搬送するものであり、その長手方向を、軸方向と平行に配置されている。
このガイドローラ８２は、例えば、第１の実施形態の成膜装置１０のガイドローラ５０と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００７４】
ドラム８４は、基板Ｚが巻き掛けられた状態で、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去し、例えば、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤の一部を付着させるとともに、基板Ｚの表面Ｚｆの表面活性化処理を行う部位である。
このドラム８４は、その長手方向を、軸方向と平行にして配置されており、かつ接地されている。ドラム８４は、上記以外の構成については、成膜室１８のドラム５２と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００７５】
表面処理ローラ８６は、例えば、汚染物除去ローラ２８および転写ローラ３６を兼ねるものであり、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去するとともに、例えば、ゴム系の粘着剤、アクリル系の粘着剤またはシリコーン系の粘着剤の一部を付着させるものである。表面ローラ８６は、表面が粘着剤で覆われた粘着ローラにより構成される。
この表面処理ローラ８６は、軸方向と平行にして配置されており、さらにはドラム８４と共に回転するように、ドラム８４に接触されている。表面処理ローラ８６は、ドラム８４と共に回転しながら、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去する。
表面処理ローラ８６は、例えば、汚染物除去ローラ２８および転写ローラ３６を兼ねるものとしたが、少なくとも汚染物除去ローラ２８の機能を有するものであればよい。
【００７６】
仕切板８８は、表面処理ローラ８６とプラズマ処理部９０とを区画するためのものであり、プラズマ処理部９０で発生したプラズマが表面処理ローラ８６まで達することを防止する。仕切板８８は、プラズマを遮断することができるものであれば、特に限定されるものではない。
【００７７】
プラズマ処理部９０は、基板Ｚの表面Ｚｆに、表面活性化処理を施すものであり、表面活性化処理部である。
プラズマ処理部９０においては、ドラム８４に所定の間隔を設けて電極９２が配置されており、この電極９２に所定の電圧を印加する電源部９４が接続されている。ドラム８４と電極９２との間Ｓに、所定の気体を供給するための配管４８が設けられており、この配管４８には、ガス供給部４６が接続されている。ドラム８４と電極９２との間Ｓがプラズマ発生空間となる。
【００７８】
プラズマ処理部９０においては、ガス供給部４６から配管４８を介して、例えば、酸素ガスが供給されて、電源部９４から電極９２の所定の電圧が印加されると、酸素ガスのプラズマが発生する。表面処理ローラ８６によりＷＢＬが除去され、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部が表面Ｚｆに付着された基板Ｚの表面Ｚｆに、酸素ガスのプラズマにより、親水性官能基を付与して、親水化処理を施すものである。
【００７９】
また、本実施形態においては、表面活性化処理部として、プラズマ処理部９０を用いたが、本発明は、気相による表面活性化処理をするものであれば、特に限定されるものではない。例えば、コロナ放電処理、グロー放電処理、およびＵＶ（紫外線）照射処理のいずれか１つを用いたもの、またはこれらを組み合せたものを用いたものでもよい。
【００８０】
本実施形態においては、表面処理ローラ８６に代えて、図２に示すように、押圧ローラ７０、送出ロール７２、巻取ロール７４を設け、粘着シートを用いて、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去するとともに、粘着剤の一部を付着させることもできる。
この場合においても、少なくも基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去することができればよい。
【００８１】
次に、本実施形態の成膜装置１０ａの成膜方法について説明する。
本実施形態の成膜装置１０ａの成膜方法は、第１の成膜装置１０の成膜方法に比して、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去する工程と、シリコーン系などの樹脂系の粘着剤の一部を付着させる工程とが、１つの工程によりなされる点が異なり、それ以外の工程は、第１の成膜装置１０の成膜方法と同様の工程であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８２】
本実施形態の成膜装置１０ａの成膜方法においては、所定の真空度の環境下、長尺な基板Ｚが時計回り巻回された基板ロール２０をモータにより時計回りに回転させて、長尺な基板Ｚを表面処理室８０に連続的に送り出す。そして、表面処理室８０で、同じドラム８４において、表面処理ローラ８６によりＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去しつつ、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を基板Ｚの表面Ｚｆに付着させ、更にドラム８４が回転して、例えば、酸素ガスのプラズマにより、基板Ｚの表面Ｚｆに親水性官能基を付与して、親水化処理を連続的に施す。
次に、成膜室１８に基板Ｚを搬送し、ドラム５２で基板Ｚを、成膜部５６により膜が形成される位置に保持しつつ、ドラム５２を所定の速度で回転させて、成膜部５６により長尺な基板Ｚの表面Ｚｆに連続的に、所定の膜を基板Ｚの表面Ｚｆに形成する。そして、巻取ロール５４に、成膜された長尺な基板Ｚを巻き取る。
【００８３】
本実施形態においては、第１の実施形態の成膜装置１０および成膜方法と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、表面処理ローラ８６は、汚染物除去ローラ２８および転写ローラ３６を兼ねるものとしているため、装置構成をより簡素化することができ、装置全体を小型化することができる。
さらには、第１の処理室１４と第２の処理室１６とが一体化して表面処理室８０としたことにより、装置構成をより簡素化することができ、装置全体を小型化することができる。
また、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に形成されたＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去する工程と、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を付着させる工程とが、１つの工程によりなされるため、工程を簡略化することもできる。
【００８４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図４は、本発明の第３の実施形態に係る成膜装置の要部を示す模式図である。
図４においては、第１の実施形態の成膜装置および第２の実施形態の成膜装置と相違するものを示し、それ以外の構成については図示を省略している。
なお、本実施形態においては、図１に示す第１の実施形態の成膜装置および図３に示す第２の実施形態の成膜装置と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００８５】
図４に示すように、本実施形態の成膜装置１０ｂは、第１の実施形態の成膜装置１０（図１参照）および第２の実施形態の成膜装置１０ａ（図３参照）に比して、第１の処理室１４と第２の処理室１６と成膜室１８とが一体化されていることが異なり、それ以外の構成は、第１の実施例の成膜装置１０および第２の実施形態の成膜装置１０ａと同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００８６】
本実施形態の成膜装置１０ｂにおいては、第１の処理室１４と第２の処理室１６と成膜室１８とが一体化された成膜処理室１００が設けられている。この成膜処理室１００は、上工程側（基板ローラ２０側（図１参照））に供給室１２が接続されており、成膜処理室１００と供給室１２とを区画する壁１０１には、基板Ｚが通過するスリット状の開口１０１ａが形成されている。
成膜処理室１００は、真空排気部６２（図１参照）に接続されており、所定の真空度に保持されるものである。
【００８７】
成膜処理室１００は、壁１０２により、上工程側から順に表面処理領域１００ａと、成膜領域１００ｂとの２つの領域に区画されており、この壁１０２の中央部には開口部１０４が形成されている。
【００８８】
成膜処理室１００には、壁１０２の中央部には開口部１０４にドラム１０６が設けられている。このドラム１０６は、基板Ｚが巻き掛けられて、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去し、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を付着させるとともに、基板Ｚの表面Ｚｆの表面改質を行う。さらには、ドラム１０６は、基板Ｚの表面Ｚｆに膜が形成する部位である。
このドラム１０６は、その長手方向を、軸方向と平行にして配置されており、かつ接地されている。ドラム１０６は、上記以外の構成については、成膜室１８のドラム５２と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
【００８９】
成膜処理室１００の表面処理領域１００ａには、ガイドローラ８２と、表面処理ローラ８６と、仕切板８８と、プラズマ処理部（表面活性化処理部）９０とが設けられている。
ガイドローラ８２、表面処理ローラ８６、仕切板８８、およびプラズマ処理部９０は、第２の実施形態のものと同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９０】
本実施形態においても、表面処理ローラ８６に代えて、図２に示すように、押圧ローラ７０、送出ロール７２、巻取ロール７４を設け、粘着シートを用いて、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去するとともに、粘着剤の一部を付着させることもできる。
【００９１】
本実施形態においても、表面活性化処理部として、プラズマ処理部９０を用いたが、本発明は、気相による表面活性化処理であれば、特に限定されるものではない。例えば、コロナ放電処理、グロー放電処理、およびＵＶ（紫外線）照射処理のいずれか１つを用いたもの、またはこれらを組み合せたものを用いたものでもよい。
【００９２】
成膜処理室１００の成膜領域１００ｂには、成膜部５６および巻取ロール５４が設けられている。
成膜部５６および巻取ロール５４は、第１の実施形態のものと同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９３】
次に、本実施形態の成膜装置１０ｂの成膜方法について説明する。
本実施形態の成膜装置１０ｂの成膜方法は、第１の成膜装置１０の成膜方法に比して、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去する工程と、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を付着させる工程とが、１つの工程によりなされる点が異なり、それ以外の工程は、第１の成膜装置１０の成膜方法と同様の工程であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９４】
本実施形態の成膜装置１０ａの成膜方法においては、所定の真空度の環境下、長尺な基板Ｚが時計回り巻回された基板ロール２０をモータにより時計回りに回転させて、長尺な基板Ｚを連続的に成膜処理室１００の表面処理領域１００ａに送り出し、表面処理領域１００ａで、同じドラム１０６において、表面処理ローラ８６によりＷＢＬを除去しつつ、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を基板Ｚの表面Ｚｆに付着させ、さらに、例えば、酸素ガスのプラズマにより、基板Ｚの表面Ｚｆに親水性官能基を付与して、親水化処理を施す。
成膜領域１００ｂにおいて、ドラム１０６で基板Ｚを成膜部５６により膜が形成される位置に保持しつつ、ドラム１０６を所定の速度で回転させて、成膜部５６により長尺な基板Ｚの表面Ｚｆに連続的に所定の膜を形成する。そして、巻取ロール５４に、成膜された長尺な基板Ｚを巻き取る。
【００９５】
本実施形態においては、第１の実施形態の成膜装置１０および成膜方法と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態においては、表面処理ローラ８６は、汚染物除去ローラ２８および転写ローラ３６を兼ねるものとしているため、装置構成をより簡素化することができ、装置全体を小型化することができる。
さらには、本実施形態においては、第１の処理室１４と第２の処理室１６と成膜室１８とを一体化し、成膜処理室１００とし、１つのドラム１０６を用いて、基板Ｚの表面ＺｆのＷＢＬを除去し、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部が付着させ、さらには表面改質を行い、最終的に成膜をするものであり、更に一層装置を小型化することができる。
また、本実施形態においては、基板Ｚの表面Ｚｆ（膜の形成面）に形成されたＷＢＬ、および基板Ｚの表面Ｚｆに付着しているゴミ、埃、塵などの汚れを除去する工程と、例えば、シリコーン系の粘着剤の一部を付着させる工程とが、１つの工程によりなされるため、工程を簡略化することもできる。
【００９６】
上記第１〜第３の実施形態のいずれの成膜装置１０、１０ａ、１０ｂにおいても、成膜部５６は、スパッタリングを例にして、説明したが、これに限定されるものではなく、本発明の成膜部５６は、気相成膜法を用いるものであれば、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）またはイオンプレーティング法などを用いることもできる。
【００９７】
以上、本発明の成膜装置および成膜方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。
【図２】図１に示す成膜装置の汚染物除去部および転写部の変形例を示す模式図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の要部を示す模式図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る成膜装置の要部を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９９】
１０、１０ａ、１０ｂ  成膜装置
１２  供給室
１４  第１の処理室
１６  第２の処理室
１８  成膜室
２０  基板ロール
２２  汚染物除去部（除去部）
２４ａ、２４ｂ、２６、３２ａ、３２ｂ、３４、５０  ガイドローラ
２８  汚染物除去ローラ
３０  転写部
３６  転写ロール
４０、４２  平行平板電極
４４  電源部
４６  ガス供給部
４８、６２  配管
５４  巻取ロール
５６  成膜部
５８  制御部
６０  真空排気部
Ｄ  搬送方向
Ｚ  基板
【図１】
0005010416.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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