(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々トラック幅方向に間欠的に配列され、記録方向について磁気的な連続膜からなる記録トラックと、
前記記録トラック内において、前記記録方向に沿って間欠的に設けられた複数の記録ドットと、
前記記録方向に沿って前記記録ドットと交互に設けられ、単位面積あたりの磁気モーメントが前記記録ドットの磁気モーメントよりも小さいスペースドットと、
を有し、
前記記録ドットは、前記記録方向の寸法が前記トラック幅方向の寸法よりも短いものであり、
前記スペースドットは、前記記録ドットの飽和磁化の５％以上かつ３０％以下の飽和磁化を有するものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記記録ドットと前記スペースドットは、ともに同じ膜厚であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記スペースドットは前記記録ドットよりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上に磁性層を成膜し、
前記磁性層にトラック幅方向に沿って複数の溝を形成し、
前記溝を非磁性体で埋め、
前記磁性層上に記録方向に沿って間欠的にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンから露出する前記磁性層の磁気モーメントを減少させる、
前記レジストパターンの前記記録方向の寸法が、前記複数の溝相互間の間隔よりも短く、
前記レジストパターンから露出する前記磁性層の、前記磁気モーメント減少後の飽和磁化が、該磁気モーメント減少前の飽和磁化の５％以上かつ３０％以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターンから露出する前記磁性層にイオンドーピングすることにより、当該磁性層の磁気モーメントを減少させることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンから露出する前記磁性層を部分的に除去することにより、当該磁性層の磁気モーメントを減少させることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化の向きで情報が記録される磁気記録媒体、および、そのような磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。このＨＤＤには、情報が記録されるディスク状の磁気記録媒体である磁気ディスクが内蔵されている。磁気ディスクとしては、従来、非磁性材料からなるディスク上に連続的な磁性層が形成された連続媒体の磁気ディスクが知られている。このタイプの磁気ディスクでは、磁性層を構成する結晶粒の集合体からなる磁区に、各結晶粒に生じる磁化の向きで情報が記録される。
【０００３】
ここで、磁気ディスクに記録された情報の長期保存を妨げる現象の１つに、熱揺らぎと呼ばれる現象がある。熱揺らぎは、磁性粒子における磁化の向きが、外部の熱エネルギーの影響により不安定となってしまう現象であり、磁性粒子が小さいほど顕著に現れる。近年では、磁気ディスクの分野で高記録密度化が進み、磁性層を構成する結晶粒が微細化される傾向にあり熱揺らぎが大きな問題となっている。
【０００４】
各磁区における磁化を、磁気ディスクのディスク面に対する垂直方向に向けることで情報を記録するいわゆる垂直磁気記録方式は、従来、熱揺らぎに強い記録方式として知られておりＨＤＤの分野における現行の主流技術となっている。しかし、磁気ディスクに対する高記録密度化の要望は依然として強く、一層の高記録密度化のために結晶粒がさらに微細化されると垂直磁気記録方式でも熱揺らぎに対抗することが困難となってしまう。
【０００５】
そこで、記録密度をさらに高めつつ熱揺らぎに強い磁気ディスクの一例として、以下に説明するパターンドメディアと呼ばれるタイプの磁気ディスクが提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００６】
図１は、パターンドメディアの磁気ディスクの一例を示す模式図である。
【０００７】
図１のパート（ａ）には、垂直磁気記録方式で情報が記録されるパターンドメディアの磁気ディスク５００と、その磁気ディスク５００に対して情報の読み書きを行なう磁気ヘッド５５１（パート（ｂ）に図示）が先端に搭載されたヘッドジンバルアセンブリ５５０とが示されている。また、パート（ｂ）には、パート（ａ）に示す磁気ディスク５００における領域Ｄの拡大図が示されている。
【０００８】
図１のパート（ｂ）に示すように、パターンドメディアの磁気ディスク５００は、複数の微小磁性体（ドット）５０２を有している。各ドット５０２は、１つの結晶粒が成形されたもの、あるいは、磁気的に強く結合した複数の結晶粒の集合体であって磁気的に１つの結晶粒のように振舞う集合体が成形されたものである。
【０００９】
また、ここでの例では、各ドット５０２には、磁気ヘッド５５１によって情報が垂直磁気記録方式で読み書きされる。これは、各ドット５０２に、上記の結晶粒における結晶構造を利用して、ドット５０２内の磁化が磁気ディスク５００の表面に対して垂直な方向を向くときに最も安定となるような異方性（結晶異方性）を持たせることで実現されている。これにより、各ドット５０２は、図中に示す磁化Ｍのように、磁気ディスク５００の表面に対して垂直で一様な磁化を個別に保持する。そして、磁気ディスク５００では、これら複数のドット５０２が、非磁性材料のディスク５０１上に、同心円状に複数列に亘って配列されることで、パート（ａ）に示すように複数本のトラック５１０が形成されている。
【００１０】
情報の読み書きの際には、ヘッドジンバルアセンブリ５５０が、図中の矢印Ｒ１が示す方向に回動することでトラッキングが行なわれ、先端の磁気ヘッド５５１が、情報の読取り対象あるいは記録対称のトラック５１０の上に配置される。この状態で、磁気ディスク５００が、矢印Ｒ２が示す方向に回転すると、磁気ヘッド５５１の下を、その対象のトラック５１０を形成する複数のドット５０２が順次に通過する。そして、磁気ヘッド５５１が、直下を通過するドット５０２における磁化の向きを検出することで情報の読取りが行われ、磁気ヘッド５５１が、直下を通過するドット５０２に磁界を印加してそのドット５０２における磁化をその磁界の向きに応じた向きに向かせることで情報の記録が行われる。
【００１１】
図１のパート（ｂ）には、隣り合う３本のトラック５１０それぞれにおけるドット５０２の配列と、磁気ヘッド５５１が、それら３本のトラック５１０のうち中央のトラック５１０を情報の読取り対象あるいは記録対称として、そのトラック５１０の上方に配置された様子が示されている。
【００１２】
ここで、情報の最小単位が複数の結晶粒の集合体に記録される上記の連続媒体の磁気ディスクとは異なり、パターンドメディアの磁気ディスク５００では、情報の最小単位が上記のドット５０２に記録される。このドット５０２は、１つの結晶粒そのもの、あるいは、１つの結晶粒として振る舞うものである。このため、各ドット５０２の微細化を図って高記録密度化を測りつつも、熱揺らぎに対する耐性に影響する結晶粒の大きさについては、上記の連続媒体の磁気ディスクにおける結晶粒の大きさよりも大きくすることができる。一般に、パターンドメディアの磁気ディスクでは、連続媒体の磁気ディスクが有する記録密度と同程度の記録密度を、連続媒体の磁気ディスクにおける結晶粒の大きさの数倍から数十倍の大きさの結晶粒で実現し、熱揺らぎに対する非常に強い耐性を得ることができる。
【特許文献１】特開平９−２９７９１８号公報
【特許文献２】特開平１０−３３４４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図１に示すパターンドメディアの磁気ディスク５００では、ドット５０２における、磁気ディスク５００の半径に沿う方向（半径方向）の幅Ｗは、トラック５１０の幅に相当するが、トラック５１０の幅は磁気ヘッド５５１のサイズによって制限される。このため、高記録密度化を狙ってドット５０２の微細化を図るに際し、半径方向の幅Ｗをある程度以上に狭くすることは困難である。このため、パターンドメディアの磁気ディスク５００では、ドット５０２における、磁気ディスク５００の中心周りを周回する方向（周方向）の幅Ｌを狭くすることで、ドット５０２の微細化が図られている。一般に、パターンドメディアの磁気ディスクでは、各ドットにおける、半径方向の幅Ｗに対する周方向の幅Ｌの比であるビットアスペクト比（ＢＡＲ）として、「２」から「３」程度が採用されることが多い。
【００１４】
ところで、このように形状に偏りのある磁性体には、上述した結晶異方性とは別に、その形状の偏りに依存した異方性（形状異方性）が生じる。以下、図１に示すパターンドメディアの磁気ディスク５００のドット５０２が有する形状異方性について説明する。
【００１５】
図２は、図１のドット５０２が有する形状異方性について説明する図である。
【００１６】
上述したように、ドット５０２は、周方向の幅Ｌが半径方向の幅Ｗよりも狭い直方体形状の磁性体となっている。直方体形状の磁性体では、磁化は、短手側よりも長手側に向き易い。一般に、結晶異方性の方が形状異方性よりも強いので、ドット５０２内の磁化Ｍは、図中に示す座標系におけるＺ軸に相当する、磁気ディスク５００の表面に対して垂直な方向を向く。その上で、この磁化Ｍは、ドット５０２の形状異方性に起因して、図中に示す座標系におけるＺ−Ｘ面内で回転する矢印Ｒ３が示す回転方向、即ち、ドット５０２の短手側に回転する回転方向よりも、Ｚ−Ｙ面内で回転する矢印Ｒ４が示す回転方向、即ち、長手側に回転する回転方向に反転し易い状態となっている。
【００１７】
ここで、上述したように、情報の記録の際には、トラッキングにより磁気ヘッド５５１が情報の記録対象のトラック５１０の上方に配置される。そして、磁気ヘッド５５１は、直下を通過するその対象のトラック５１０に属するドット５０２に磁界を印加してそのドット５０２における磁化をその磁界の向きに応じた向きに向かせる。磁気ヘッド５５１から印加される磁界は、一般的にＺ軸方向成分のみでなく、磁気ディスクの表面に平行な方向(Ｘ軸方向もしくはＹ軸方向)の成分を有し、これらの合成磁界によって記録が行われる。すなわち、磁気ヘッド５５１の先端から磁気ディスクへ放射状に傾いた磁界が印加されるため、記録対象のトラック５１０に属するドットには、ほぼＺ−Ｘ面内でＺ軸に対して傾いた、矢印Ｒ３が示す相対的に反転させ難い方向に磁化Ｍを反転させる磁界が磁気ヘッド５５１から印加されることとなる。
【００１８】
図３は、磁気ヘッド５５１が、直下を通過するドット５０２に磁界を印加する様子を示す模式図である。
【００１９】
この図３には、磁気ヘッド５５１による情報の記録対象のトラック（センタートラック）５１０＿１に属するドット（センタードット）５０２＿１と、センタートラック５１０＿１に隣り合う２本のトラック（サイドトラック）５１０＿２，５１０＿３それぞれに属しセンタードット５０２＿１に隣り合う２つのドット（サイドドット）５０２＿２，５０２＿３が示されている。
【００２０】
上述したように、情報の記録時には、センタードット５０２＿１に、磁気ヘッド５５１からほぼＺ−Ｘ面内でＺ軸に対して傾いた磁界Ｈ１が印加されることとなる。その結果、このセンタードット５０２＿１の磁化Ｍ１には、その磁化Ｍ１をＺ−Ｘ面内で矢印Ｒ５が示す方向に反転させようする作用が働く。
【００２１】
このとき、磁気ヘッド５５１からは、センタードット５０２＿１の周辺に漏れ磁界Ｈ２，Ｈ３が印加される。図中左側のサイドドット５０２＿２には、ほぼＺ−Ｙ面内で左下がりに傾いた漏れ磁界Ｈ２が印加され、図中右側のサイドドット５０２＿３には、ほぼＺ−Ｙ面内で右下がりに傾いた漏れ磁界Ｈ３が印加される。その結果、左側のサイドドット５０２＿２の磁化Ｍ２には、その磁化Ｍ２をＺ−Ｙ面内で矢印Ｒ６が示す方向に反転させようする作用が働き、右側のサイドドット５０２＿３の磁化Ｍ３には、その磁化Ｍ３をＺ−Ｙ面内で矢印Ｒ７が示す方向に反転させようする作用が働く。
【００２２】
ここで、上述したように、Ｚ−Ｙ面内での反転方向は、各ドット５０２の形状異方性により磁化Ｍが反転し易い方向である。その結果、上記の漏れ磁界Ｈ２，Ｈ３自体は小さな磁界であったとしても、上記のような反転のし易さから、左側のサイドドット５０２＿２の磁化Ｍ２と、右側のサイドドット５０２＿３の磁化Ｍ３とが、この漏れ磁界Ｈ２，Ｈ３に過敏に反応して反転してしまう恐れが生じる。
【００２３】
つまり、以上に説明した従来のパターンドメディアでは、ドットの形状異方性に起因して、情報の記録時に既存の記録情報が破壊されてしまうおそれがある。
【００２４】
尚、ここまで、垂直磁気記録方式のパターンドメディアを例に挙げ、情報の記録時に既存の記録情報が破壊されてしまうという問題について説明したが、このような問題は、垂直磁気記録方式のパターンドメディアに限らず、磁化を記録ディスクの面内方向に向かせて情報を記録する水平磁気記録方式のパターンドメディアでも同様に生じ得る問題である。また、上記では、既存の記録情報の破壊の例として、ドットの形状異方性に起因して、サイドトラックのドット内の磁化が漏れ磁界に過敏に反応して反転してしまうという例について説明したが、漏れ磁界による磁化の反転は、ドットが形状異方性を持っていなくても、例えば、情報の記録密度を上げるためにトラック間隔が非常に狭く、サイドトラックのドット内の磁化が漏れ磁界の影響を受け易い場合等にも起こり得る事態である。
【００２５】
本発明は、上記事情に鑑み、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができるパターンドメディア（磁気記録媒体）と、そのような磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成する磁気記録媒体の基本形態は、
各々トラック幅方向に間欠的に配列され、記録方向について磁気的な連続膜からなる記録トラックと、
上記記録トラック内において、上記記録方向に沿って間欠的に設けられた複数の記録ドットと、
上記記録方向に沿って上記記録ドットと交互に設けられ、単位面積あたりの磁気モーメントが上記記録ドットの磁気モーメントよりも小さいスペースドットと、
を有することを特徴とする。
【００２７】
上記基本形態の磁気記録媒体は、上記記録ドットが上記ベース上に配列されたいわゆるパターンドメディアに相当する。この基本形態では、上記記録ドットと交互に設けられているスペースドットが、上記のような単位面積当たりの磁気モーメントを有していることから若干の磁性を帯びている。このことは、パターンドメディアの特徴の１つである各記録ドットの個別性が保たれたまま、記録ドットにおける上記記録方向の長さが、上記スペースドットの磁気モーメントに相当する分だけ延び、この記録ドットに、内部の磁化が上記記録方向に反転し易いという形状異方性が付与されたとみなすことができる。その結果、上記記録ドット内の磁化は、この新たに付与された形状異方性の分だけ、上記記録トラックに直交する上記トラック幅方向に磁化を反転させるような磁界に対して鈍感になる。これにより、例えば、ある記録ドットに情報が記録される際に、周辺の他の記録ドットに、磁化を上記トラック幅方向に反転させるような漏れ磁界が印加されたとしても、上記基本形態によれば、そのような漏れ磁界による磁化の反転が回避される。このように、上記基本形態の磁気記録媒体によれば、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる。
【００２８】
ここで、上記磁気記録媒体は、
「上記記録ドットと上記スペースドットは、ともに同じ膜厚である」という応用形態であっても良い。
【００２９】
この応用形態では、上記スペースドットは、例えば、上記記録ドットと同じ膜厚の磁性体に対してイオンドーピング等を施すことにより、単位面積当たりの磁気モーメントを上記記録ドットの磁気モーメントよりも下げることによって形成されることとなる。
【００３０】
また、上記磁気記録媒体の基本形態に対し、
「上記スペースドットは上記記録ドットよりも膜厚が薄い」という応用形態は好適である。
【００３１】
この好適な応用形態によれば、上記記録ドットの磁気モーメントよりも小さい、上記スペースドットの単位面積当たりの磁気モーメントを、上記膜厚が薄いという簡単な構造で得ることができる。
【００３２】
また、上記目的を達成する磁気記録媒体の製造方法の基本形態は、
基板上に磁性層を成膜し、
上記磁性層にトラック幅方向に沿って複数の溝を形成し、
上記溝を非磁性体で埋め、
上記磁性層上に記録方向に沿って間欠的にレジストパターンを形成し、
上記レジストパターンから露出する上記磁性層の磁気モーメントを減少させる
ことを特徴とする。
【００３３】
上記基本形態の磁気記録媒体の製造方法によれば、レジストパターンで覆われた磁性層の部分を記録ドットとしたパターンドメディアを得ることができる。ここで、上記基本形態の磁気記録媒体の製造方法によれば、上記レジストパターンから露出する上記磁性層に磁気モーメントが残される。このことは、最終的に形成される記録ドットの個別性が保たれたまま、この記録ドットに、内部の磁化が上記記録方向に反転し易いという形状異方性が付与されたとみなすことができる。その結果、その記録ドット内の磁化は、この新たに付与された形状異方性の分だけ、上記トラック幅方向に磁化を反転させるような磁界に対して鈍感になる。これにより、この基本形態の磁気記録媒体の製造方法で得られる磁気記録媒体では、既存の記録情報に影響を与えることなく情報が記録されることとなる。つまり、上記基本形態の磁気記録媒体の製造方法によれば、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる磁気記録媒体を得ることができる。
【００３４】
ここで、上記磁気記録媒体の製造方法の基本形態に対し、
「上記レジストパターンから露出する上記磁性層にイオンドーピングすることにより、この磁性層の磁気モーメントを減少させる」という応用形態や、
「上記レジストパターンから露出する磁性層を部分的に除去することにより、この磁性層の磁気モーメントを減少させる」という応用形態は好適である。
【００３５】
これらの好適な応用形態によれば、上記イオンドーピングや上記磁性層の部分的な除去という簡単な処理により、上記磁性層の磁気モーメントを確実に減少させることができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上、説明したように、磁気記録媒体の基本形態によれば、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができ、磁気記録媒体の製造方法の基本形態によれば、そのような磁気記録媒体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
基本形態および応用形態について上記に説明した磁気記録媒体、および磁気記録媒体の製造方法に対する具体的な実施形態を、以下図面を参照して説明する。
【００３８】
まず、磁気記録媒体の具体的な第１実施形態について説明する。
【００３９】
図４は、磁気記録媒体の具体的な第１実施形態であるパターンドメディアの磁気ディスクを示す図である。
【００４０】
図４のパート（ａ）には、垂直磁気記録方式で情報が記録されるパターンドメディアの磁気ディスク１００と、その磁気ディスク１００に対して情報の読み書きを行なう磁気ヘッド１５１（パート（ｂ）に図示）が先端に搭載されたヘッドジンバルアセンブリ１５０とが示されている。また、パート（ｂ）には、パート（ａ）に示す磁気ディスク１００における領域Ａの拡大図が示されている。
【００４１】
図４のパート（ｂ）に示すように、パターンドメディアの磁気ディスク１００は、複数の微小磁性体（ドット）１０２を有している。このドット１０２は、複数の結晶粒の集合体である。ただし、ドット１０２を構成する複数の結晶粒は磁気的に強く結合しており、ドット１０２は、磁気的に１つの結晶粒のように振舞う。
【００４２】
また、本実施形態では、垂直磁気記録方式が採用されており、各ドット１０２は、上記の結晶粒における結晶構造を利用して、ドット１０２内の磁化が磁気ディスク１００の表面に対して垂直な方向を向くときに最も安定となるような異方性（結晶異方性）を持つようになっている。これにより、各ドット１０２は、図中に示す磁化Ｂのように、磁気ディスク１００の表面に対して垂直で一様な磁化を保持する。そして、磁気ディスク１００では、これら複数のドット１０２が、非磁性材料のディスク１０１上に、同心円状に複数列に亘って配列されることで、パート（ａ）に示すように複数本のトラック１１０が形成されている。
【００４３】
また、この磁気ディスク１００は、トラック１１０間、即ち、磁気ディスク１００の半径に沿う方向（半径方向）におけるドット１０２間を埋める、非磁性材料で形成された第１間隙部１０３と、磁気ディスク１００の中心周りを周回する方向（周方向）におけるドット１０２間を埋める、ドット１０２が有する単位面積当たりの磁気モーメントよりも小さい単位面積当たりの磁気モーメントを有する第２間隙部１０４とを備えている。
【００４４】
ここで、上記のトラック１１０、ドット１０２、および第２間隙部１０４が、それぞれ上述した磁気記録媒体の基本形態における記録トラック、記録ドット、およびスペースドットの各一例に相当する。また、上記の半径方向および周方向が、それぞれ上述した磁気記録媒体の基本形態におけるトラック幅方向および記録方向の各一例に相当する。このように、基本形態におけるトラック幅方向は、記録トラックに直行する方向であり、基本形態における記録方向は、記録トラックに沿った方向である。
【００４５】
また、本実施形態では、第２間隙部１０４は、後述するように、ドット１０２を形成する磁性材料と同じ磁性材料の単位面積当たりの磁気モーメントが、イオンドーピングによって低下されることにより形成されたものである。また、本実施形態では、特定はしないが、第２間隙部１０４は、単位面積当たりの磁気モーメントとして、ドット１０２が有する単位面積当たりの磁気モーメントに対して５％以上かつ３０％以下の磁気モーメントを有している。
【００４６】
ここで、上記のドット１０２および第２間隙部１０４の互いに同一の厚みが、上述した磁気記録媒体の応用形態における「膜厚」の一例に相当する。このように、上述した磁気記録媒体の応用形態における「膜厚」とは磁性を帯びた部分の厚みのことである。
【００４７】
この磁気ディスク１００に対する情報の読み書きの際には、ヘッドジンバルアセンブリ１５０が、図中の矢印Ｐ１が示す方向に回動することでトラッキングが行なわれ、先端の磁気ヘッド１５１が、情報の読取り対象あるいは記録対称のトラック１１０の上に配置される。この状態で、磁気ディスク１００が、矢印Ｐ２が示す方向に回転すると、磁気ヘッド１５１の下を、その対象のトラック１１０を形成する複数のドット１０２が順次に通過する。そして、磁気ヘッド１５１が、直下を通過するドット１０２における磁化の向きを検出することで情報の読取りが行われ、磁気ヘッド１５１が、直下を通過するドット１０２に磁界を印加してそのドット１０２における磁化をその磁界の向きに応じた向きに向かせることで情報の記録が行われる。
【００４８】
図４のパート（ｂ）には、隣り合う３本のトラック１１０それぞれにおけるドット１０２の配列と、磁気ヘッド１５１が、それら３本のトラック１１０のうち中央のトラック１１０を情報の読取り対象あるいは記録対称として、そのトラック１１０の上方に配置された様子が示されている。
【００４９】
ここで、本実施形態では、各ドット１０２における、半径方向の幅Ｗに対する周方向の幅Ｌの比であるビットアスペクト比（ＢＡＲ）が「２」となっている。このため、各ドット１０２は、単体では、上記の結晶異方性に加えて、内部の磁化が、周方向よりも半径方向に反転し易いという形状異方性を有することとなる。
【００５０】
その結果、仮に、この磁気ディスク１００が、上記のドット１０２が単に配列されただけのものであったとすると、磁気ヘッド１５１が、情報の記録対象のトラック１１０に属するドット１０２に磁界を印加したときの漏れ磁界に、そのドット１０２に半径方向に隣り合うドット１０２内の磁化が過敏に反応し、その磁化が半径方向に反転してしまうおそれがある。このような磁化の反転が起きると、既存の記録情報が破壊されてしまう。
【００５１】
本実施形態では、各ドット１０２単体での形状異方性が、第２間隙部１０４が有する上記のような単位面積当たりの磁気モーメントにより、以下に説明するように緩和される。
【００５２】
図５は、各ドット１０２単体での形状異方性が緩和される様子を示す模式図である。
【００５３】
上述したようにドット１０２は、上記のＢＡＲが「２」となっているので、このドット１０２単体では、垂直磁気記録方式で保持された磁化Ｂは、図中に示す座標系におけるＺ−Ｘ面内で回転する矢印Ｐ３が示す方向、即ち、ドット１０２の短手側に回転する回転方向よりも、Ｚ−Ｙ面内で回転する矢印Ｐ４が示す方向、即ち、長手側に回転する回転方向に反転し易い状態となっている。
【００５４】
ここで、本実施形態では、各ドット１０２が、ドット１０２が有する単位面積当たりの磁気モーメントに対して５％以上かつ３０％以下の磁気モーメントを単位面積当たりの磁気モーメントとして有する第２間隙部１０４によって、周方向に挟まれている。このことは、各ドット１０２の個別性が保たれたまま、周方向の長さＬが、上記の第２間隙部１０４の磁気モーメントに相当する分だけ延びた長さＬ’になったものとみなすことができる。このことは、各ドット１０２に、この周方向に見かけ上延びた長さの分だけ、磁化Ｂが周方向側に反転し易いという形状異方性が新たに付与されたことに相当する。その結果、この新たに付与された形状異方性により、ドット１０２単体での形状異方性が緩和されることとなる。本実施形態では、このような形状異方性の緩和により、情報の記録対象以外の他のドット１０２における、漏れ磁界に対する磁化の感度が鈍くなってその漏れ磁界による磁化の反転が回避される。これにより、情報の記録時に既存の記録情報が破壊されてしまうという問題が回避される。
【００５５】
次に、第２間隙部１０４が有する磁気モーメントによる上記の問題の回避について、さらに具体的に説明する。
【００５６】
以下では、上記の問題の回避の程度を、磁気ヘッド１５１が、情報の記録対象のドット１０２に、半径方向に隣り合うドット１０２の記録情報を破壊することなく情報を記録することができる、半径方向のぶれ幅であるオフトラックマージンによって評価する。ここでは、このオフトラックマージンを、次のような条件の下で算出する。
【００５７】
図６は、オフトラックマージンの算出条件を説明するための図である。
【００５８】
オフトラックマージンの算出条件としては、まず、トラックピッチＴＰを５０．８（ｎｍ）、１ビットの情報の記録に要するドットピッチであるビット長ＢＬを２５．４（ｎｍ）とする。これらの値は、情報の記録密度として５００（Ｇｂｉｔ／ｉｎ２）：３２２５８０（Ｇｂｉｔ／ｍｍ２）を想定した値である。
【００５９】
また、上述したようにＢＡＲは「２」である。そして、各ドット１０２の半径方向の長さＷをトラックピッチＴＰの「１／２」、周方向の長さＬをビット長ＢＬの「１／２」とし、各ドット１０２の厚みを１０（ｎｍ）とする。また、各ドット１０２における上記の結晶異方性の強さを表わす結晶異方性磁界を１２（ｋＯｅ）：９５４．９６（ｋＡ／ｍ）とする。
【００６０】
さらに、磁気ヘッド１５１の幅ＷＨを４０（ｎｍ）とし、ヘッドジンバルアセンブリ１５０の回動量によって決まる、磁気ヘッド１５１のトラック１１０に対する傾きを表わすスキュー角Ｓを、想定される最も大きな値であって記録対象以外のドット１０２への漏れ磁界の印加量が最も多くなる１５度とする。尚、図６では、スキュー角Ｓに対応して磁気ヘッドのみが傾く例を示したが、個々のドットもスキュー角Ｓに応じて傾く形状となっていてもよい。
【００６１】
以上に説明した条件下で、あるトラック１１０を構成する複数のドット１０２に対し１００万回の情報記録を行なったときのオフトラックマージンを、ドット１０２の単位面積当たりの磁気モーメントに対する第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントの比に相当する、両者間における飽和磁化の比を徐々に増加させながら算出する。
【００６２】
図７は、ドット１０２と第２間隙部１０４との間における飽和磁化の比の変化に対するオフトラックマージンの変化をプロットしたグラフである。
【００６３】
この図７には、横軸に飽和磁化の比（％）をとり、縦軸にオフトラックマージン（ｎｍ）をとったグラフＧ１が示されており、このグラフＧ１には、飽和磁化の比の変化に対するオフトラックマージンの変化が黒丸印を結ぶラインＬ１で表わされている。
【００６４】
このラインＬ１から分かるように、飽和磁化の比が５％を超えると、オフトラックマージンが増加して大きな値をとるようになっている。上述したように、オフトラックマージンは、磁気ヘッド１５１が既存の記録情報の破壊を回避しつつ情報を記録することができるブレ幅であり、このオフトラックマージンが大きな値をとるということは、磁気ヘッド１５１からの漏れ磁界が周辺のドット１０２にほとんど影響を与えることなく情報を記録することができることを意味する。つまり、このグラフＧ１から、ドット１０２の飽和磁化に対する第２間隙部１０４の飽和磁化の比、即ち、ドット１０２の単位面積当たりの磁気モーメントに対する第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントの比が５％を超えると、既存の記録情報に対する破壊の回避について大きな効果が得られることが分かる。また、オフトラックマージンを算出するために用いた、前述のトラックピッチ等の細かな数値規定は、オフトラックマージンの絶対値には影響するが、飽和磁化の比の変化に対するオフトラックマージンの変化の形状にはさほど影響せず、飽和磁化の比が５％を超えるとオフトラックマージンが増加して大きな値をとるという現象は、上記の数値規定に限定されるものではなく一般的に成り立つ。
【００６５】
ここで、第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントが大きいと既存の記録情報に対する破壊の回避について大きな効果が得られる反面、この単位面積当たりの磁気モーメントがあまり大きくなり過ぎると、各ドット１０２の個別性が保てなくなり、情報の読出し時のノイズが大きくなってしまう。
【００６６】
図８は、ドット１０２と第２間隙部１０４との間における飽和磁化の比の変化に対する信号対ノイズ比（ＳＮＲ）の変化をプロットしたグラフである。
【００６７】
この図８には、横軸に飽和磁化の比（％）をとり、縦軸にＳＮＲ（ｄＢ）をとったグラフＧ２が示されている。ここで、このＳＮＲは、上記の算出の条件と同じ条件において、周方向に磁化の向きが交互に反転するような情報を磁気ヘッド１５１が読み取ったと仮定したときの、磁気ヘッド１５１での再生信号とノイズとの比を算出したものである。
【００６８】
図８のグラフＧ２には、飽和磁化の比の変化に対するＳＮＲの変化が、黒丸印を結ぶラインＬ２で表わされている。このラインＬ２から分かるように、飽和磁化の比が３０％を超えるとＳＮＲが減少して低い値をとるようになっている。このことは、飽和磁化の比が３０％を超えると、各ドット１０２の個別性の維持が困難となり、情報の読出し時のノイズが許容以上に大きくなってしまうことを意味している。また、前述のトラックピッチ等の細かな数値規定は、ＳＮＲの絶対値には影響するが、飽和磁化の比の変化に対するＳＮＲの変化の形状にはさほど影響せず、飽和磁化の比が３０％を超えるとＳＮＲが減少して低い値をとるという現象は、上記の数値規定に限定されるものではなく一般的に成り立つ。
【００６９】
以上、説明したように、本実施形態の磁気ディスク１００では、各ドット１０２が有する形状異方性を、周方向の間隙部分である上記の第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントで緩和することにより、情報の記録時に既存の記録情報が破壊されてしまうという問題が回避される。また、その回避の効果については、ドット１０２の単位面積当たりの磁気モーメントに対する第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントの比が５％を超えると大きな効果が得られる。一方で、この比が３０％を超えると、各ドット１０２の個別性の維持が困難となってしまうことから、各ドット１０２の個別性を保ちつつ上記の問題を良好に回避するには、ドット１０２の単位面積当たりの磁気モーメントに対する第２間隙部１０４の単位面積当たりの磁気モーメントの比が５％以上かつ３０％以下であることが好ましい。
【００７０】
次に、磁気記録媒体の製造方法の具体的な第１実施形態である、図４の磁気ディスク１００の製造方法について説明する。
【００７１】
図９は、図４の磁気ディスク１００の製造方法を示す模式図である。
【００７２】
この図９に示す磁気ディスク１００の製造方法では、まず、非磁性材料のディスク１０１上に、ここでは特定はしないが、コバルトと白金との合金、クロムと白金との合金、コバルトとパラジウムとの多層膜、あるいはコバルトと白金との多層膜等の磁性材料をスパッタ法により付着させることで磁性膜１１１が形成される（ステップＳ１０１）。次に、磁性膜の上に、ディスク１０１の半径方向に、上記のドット１０２の半径方向のピッチと同じピッチで並び周方向に延びる、ドット１０２の半径方向の幅と同じ幅を有する複数本の第１マスクパターン１１２が形成される（ステップＳ１０２）。さらに、イオンを対象物に衝突させてエッチングを行うイオンミリングにより第１マスクパターン１１２で覆われていない部分の磁性材料が除去され、その後、有機溶剤を使って第１マスクパターン１１２も除去されることで、ディスク１０１上に、ドット１０２の半径方向のピッチと同じピッチで並び周方向に延びる、ドット１０２の半径方向の幅と同じ幅を有する複数本の磁性パターン１１３が形成される（ステップＳ１０３）。
【００７３】
ここで、上記のステップＳ１０１の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「磁性膜を成膜」する過程の一例に相当し、上記のステップＳ１０２の処理とステップ１０３の処理とを合せた処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「溝を形成」する過程の一例に相当する。
【００７４】
続いて、磁性パターン１１３間の隙間が、ここでは特定はしないが、酸化シリコンやアルミナ等の非磁性材料で埋められて、さらに、表面が化学・機械研磨法（ＣＭＰ）によって研磨され平坦状に整えられて上記の第１間隙部１０３が形成される（ステップＳ１０４）。このステップＳ１０４の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「溝を非磁性体で埋め」る過程の一例に相当する。
【００７５】
さらに、第１間隙部１０３と磁性パターン１１３がディスク１０１の半径方向に交互に並んだ状態の表面上に、今度は、ディスク１０１の周方向に、上記のドット１０２の周方向のピッチ（ビット長）と同じピッチで並び半径方向に伸びる、ドット１０２の周方向の幅と同じ幅を有する複数本の第２マスクパターン１１４が形成される（ステップＳ１０５）。このステップＳ１０５の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「レジストパターンを形成」する過程の一例に相当する。また、上記の第２マスクパターン１１４が、この基本形態におけるレジストパターンの一例に相当する。
【００７６】
そして、ここでは特定はしないが、酸素イオン、窒素イオン、アルゴンイオン等といった、上記の磁性材料に対して反応を起こさせることが可能なイオンを使ったイオンドーピングによって、上記磁性パターン１１３のうち第１マスクパターン１１２で覆われていない部分の単位面積当たりの磁気モーメントが低下され、その後、有機溶剤で上記の第２マスクパターン１１４が除去され、その除去後の表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護膜が形成されて、磁気ディスク１００が完成する（ステップＳ１０６）。このステップＳ１０６の処理では、上記のイオンドーピングにおけるイオンの照射量が、磁性パターン１１３のうち第１マスクパターン１１２で覆われていない部分の単位面積当たりの磁気モーメントが、磁性パターン１１３の元々の単位面積当たりの磁気モーメントに対して５％以上かつ３０％以下となるように調整される。これにより、第１マスクパターン１１２で覆われていない部分が、上記の第２間隙部１０４となり、第１マスクパターン１１２で覆われている部分がドット１０２となる。このステップＳ１０６の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「磁気モーメントを減少させる」過程の一例に相当する。
【００７７】
この図９に示す製造方法によれば、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる図４の磁気ディスク１００を容易に製造することができる。また、この製造方法では、上記のイオンの照射量を所望の照射量に調整して、上記のような好ましい単位面積当たりの磁気モーメントを得ることができる。
【００７８】
次に、磁気記録媒体の具体的な第２実施形態について説明する。
【００７９】
この第２実施形態は、ドットと、周方向に隣り合うドットどうしの隙間を埋める第２間隙部との構造が、上記の第１実施形態と異なる。以下では、この相違点に注目して説明を行う。
【００８０】
図１０は、磁気記録媒体の具体的な第２実施形態であるパターンドメディアの磁気ディスクを示す図である。
【００８１】
尚、この図１０では、図４に示す第２実施形態の磁気ディスク１００の構成要素と同等な構成要素については図４と同じ符号が付されており、以下では、これらの構成要素については重複説明を省略する。
【００８２】
図１０のパート（ａ）には、垂直磁気記録方式で情報が記録されるパターンドメディアの磁気ディスク２００と、その磁気ディスク２００に対して情報の読み書きを行なうヘッドジンバルアセンブリ１５０とが示されている。また、パート（ｂ）には、パート（ａ）に示す磁気ディスク２００における領域Ａの拡大図が示されている。
【００８３】
図１０のパート（ｂ）に示すように、この第２実施形態の磁気ディスク２００では、ドット２０１と第２間隙部２０２とがそれぞれ３層構造を有している。
【００８４】
図１１は、図１０に示すドット２０１と第２間隙部２０２との拡大図である。
【００８５】
まず、ドット２０１は、磁性材料で形成されたドット用表面磁性層２０１ａと、ドット用ディスク側磁性層２０１ｂと、これら２つの磁性層で挟まれたドット用中間層２０１ｃとで構成されている。ドット用ディスク側磁性層２０１ｂは、ドット用表面磁性層２０１ａの磁性材料と同じ磁性材料で形成されている。また、ドット用中間層２０１ｃは、チタンを含有する材料で形成されている。ここで、本実施形態では、この３層構造のドット２０１が、上述の磁気記録媒体の基本形態における記録ドットの一例に相当する。そして、この磁気ディスク２００では、各々が３層構造を有する複数のドット２０１が、非磁性材料のディスク１０１上に、同心円状に複数列に亘って配列されることで、パート（ａ）に示すように複数本のトラック２１０が形成されている。本実施形態では、このトラック２１０が、上述の磁気記録媒体の基本形態における記録トラックの一例に相当する。
【００８６】
また、第２間隙部２０２は、非磁性材料で形成された表面層２０２ａと、第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂと、これら２つの層で挟まれた第２間隙部用中間層２０２ｃとで構成されている。第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂは、上記のドット用表面磁性層２０１ａおよびドット用ディスク側磁性層２０１ｂの磁性材料と同じ磁性材料で形成されるとともにドット用ディスク側磁性層２０１ｂに連続的に繋がっている。また、第２間隙部用中間層２０２ｃは、ドット用中間層２０１ｃの材料と同じ材料で形成されるとともにドット用中間層２０１ｃに連続的に繋がっている。ここで、本実施形態では、第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂが、上述の磁気記録媒体の基本形態におけるスペースドットの一例に相当する。また、この第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂの厚みが、上述の磁気記録媒体の応用形態における「膜厚」の一例に相当する。本実施形態では、この第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂによって、上述の磁気記録媒体の応用形態にいう「スペースドット」が「記録ドットよりも膜厚が薄いこと」が実現されている。
【００８７】
ドット２０１は、上述の第１実施形態のドット１０２と同様に、半径方向の長さＷが、周方向の長さＬよりも長く、単体では、内部の磁化が周方向に反転し易いという形状異方性を有している。
【００８８】
また、本実施形態では、第２間隙部２０２は、第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂとドット用ディスク側磁性層２０１ｂとの共通の厚みＴ１に比例した単位面積当たりの磁気モーメントを有している。
【００８９】
本実施形態では、このドット２０１を、上記のような単位面積当たりの磁気モーメントを有する第２間隙部２０２で周方向に挟むことで、第１実施形態の場合と同様に、このドット２０１単体での形状異方性が緩和されている。これにより、この第２実施形態の磁気ディスク２００でも、上述の第１実施形態の磁気ディスク１００と同様に、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる。
【００９０】
また、各ドット２０１の個別性を保ちつつ上記のような効果を良好に得るためには、第２間隙部２０２の単位面積当たりの磁気モーメントの、ドット２０１の単位面積当たりの磁気モーメントに対する比が、５％以上かつ３０％以下であることが好ましいのは、上述の第１実施形態と同様である。上述したように、第２間隙部２０２の単位面積当たりの磁気モーメントは、第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂとドット用ディスク側磁性層２０１ｂとの共通の厚みＴ１に比例する。また、ドット２０１の単位面積当たりの磁気モーメントは、ドット２０１および第２間隙部２０２の共通の厚みＴ２に比例する。このため、単位面積当たりの磁気モーメントについての上記のような好ましい比を得るためには、第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂとドット用ディスク側磁性層２０１ｂとの共通の厚みＴ１は、ドット２０１および第２間隙部２０２の共通の厚みＴ２に対して、５％以上かつ３０％以下の厚みであることが好ましい。
【００９１】
次に、磁気記録媒体の製造方法の具体的な第２実施形態である、図１０の磁気ディスク２００の製造方法について説明する。
【００９２】
図１２は、図１０の磁気ディスク２００の製造方法を示す模式図である。
【００９３】
この図１２に示す磁気ディスク２００の製造方法では、まず、非磁性材料のディスク１０１上に、同じ磁性材料からなる２つの磁性層２２１と、これら２つの磁性層２２１に挟まれチタンを含有する材料からなる中間層２２２とで構成された３層構造の磁性膜２２０が、チタンを含有する材料や磁性材料を、スパッタ法により付着させることで形成される（ステップＳ２０１）。ここで、磁性層２２１の磁性材料は、ここでは特定はしないが、コバルトと白金との合金、クロムと白金との合金、コバルトとパラジウムとの多層膜、あるいはコバルトと白金との多層膜等が挙げられる。また、上記の３層構造の磁性膜２２０では、最下層の磁性層２２１の厚みが、ここでは特定はしないが、磁性膜２２０全体の厚みの５％以上かつ３０％以下の厚みで形成される。
【００９４】
次に、磁性膜２２０の上に、ディスク１０１の半径方向に、上記のドット２０１の半径方向のピッチと同じピッチで並び周方向に延びる、ドット２０１の半径方向の幅と同じ幅を有する複数本の第１マスクパターン２３１が形成される（ステップＳ２０２）。さらに、イオンを対象物に衝突させてエッチングを行うイオンミリングにより第１マスクパターン２３１で覆われていない部分の磁性材料が除去され、その後、有機溶剤を使って第１マスクパターン２３１も除去されることで、ディスク１０１上に、ドット２０１の半径方向のピッチと同じピッチで並び周方向に延びる、ドット２０１の半径方向の幅と同じ幅を有する上記の３層構造の複数本の磁性パターン２３２が形成される（ステップＳ２０３）。
【００９５】
本実施形態では、上記のステップＳ２０１の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「磁性膜を成膜」する過程の一例に相当し、上記のステップＳ２０２の処理とステップ２０３の処理とを合せた処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「溝を形成」する過程の一例に相当する。
【００９６】
続いて、これらの磁性パターン２３２が形成された状態のディスク１０１上に、今度は、ディスク１０１の周方向に、上記のドット２０１の周方向のピッチ（ビット長）と同じピッチで並び半径方向に伸びる、ドット２０１の周方向の幅と同じ幅を有する複数本の第２マスクパターン２３３が形成される（ステップＳ２０４）。本実施形態では、このステップＳ２０４の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「レジストパターンを形成」する過程の一例に相当する。また、上記の第２マスクパターン２３３が、この基本形態におけるレジストパターンの一例に相当する。
【００９７】
次に、上記の３層構造の磁性パターン２３２の、上記の第２マスクパターン２３３で覆われていない部分における最上層の磁性層２２１が、反応性ガスとして一酸化炭素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去される（ステップＳ２０５）。ここで、３層構造の磁性パターン２３２における中間層２２２は、上述したようにチタンを含有する材料で形成されている。このような材料は、一酸化炭素ガスと反応し難いので、上記のような反応性イオンエッチングに対して良好なストッパとして働く。そのため、ステップＳ２０５の処理では、最上層の磁性層２２１だけが正確に除去されることとなる。このステップＳ２０５の処理により、磁性パターン２３２の、第２マスクパターン２３３で覆われていない部分の単位面積当たりの磁気モーメントが、除去された最上層の磁性層２２１の分だけ低下される。上述したように、最下層の磁性層２２１の厚みは、上記の磁性膜２２２全体すなわち磁性パターン２３２全体の厚みの５％以上かつ３０％以下の厚みとなっている。このため、このステップＳ２０５の処理では、第２マスクパターン２３３で覆われていない部分の単位面積当たりの磁気モーメントが、第２マスクパターン２３３で覆われている部分の単位面積当たりの磁気モーメントの５％以上かつ３０％以下の磁気モーメントとなる。また、このステップＳ２０５の処理で、最上層の磁性層２２１が残る、第２マスクパターン２３３で覆われている部分が、ドット２０１となる。そして、その残った磁性層２２１が、図１１に示すドット用表面磁性層２０１ａであり、その残った磁性層２２１の下の中間層２２２が、図１１に示すドット用中間層２０１ｃであり、さらにその中間層２２２の下の最下層の磁性層２２１が、図１１に示すドット用ディスク側磁性層２０１ｂである。本実施形態では、このステップＳ２０５の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「磁気モーメントを減少させる」過程の一例に相当する。
【００９８】
そして、上記の第２マスクパターン２３３を有機溶剤で除去した後に、磁性パターン２３２の間と、各磁性パターン２３２において最上層の磁性層２２１が除去された後の窪みとが、ここでは特定はしないが、酸化シリコンやアルミナ等の非磁性材料で埋められて、さらに、表面が化学・機械研磨法（ＣＭＰ）によって研磨され平坦状に整えられた上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護膜が形成されて、磁気ディスク２００が完成する（ステップＳ２０６）。このステップＳ２０６の処理で、磁性パターン２３２の間が非磁性材料で埋められることで、上記の第１間隙部１０３が形成され、上記の窪みが非磁性材料で埋められることで、上記の第２間隙部２０２が形成される。この非磁性材料で埋められた窪みが、図１１に示す表面層２０２ａであり、その表面層２０２ａの下の中間層２２２が、図１１に示す第２間隙部用中間層２０２ｃであり、さらにその中間層２２２の下の最下層の磁性層２２１が、図１１に示す第２間隙部用ディスク側磁性層２０２ｂである。本実施形態では、このステップＳ２０６の処理が、上述の磁気記録媒体の製造方法の基本形態における「溝を非磁性体で埋める」過程の一例に相当する。
【００９９】
この図１２に示す製造方法によれば、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる図１０の磁気ディスク２００を容易に製造することができる。また、この製造方法では、ステップＳ２０１で形成する３層構造の磁性膜２２０における最下層の磁性層２２１の厚みを所望の厚みで形成することで、上記のような好ましい単位面積当たりの磁気モーメントを得ることができる。
【０１００】
尚、上記では、磁気記録媒体の具体的な実施形態として、垂直磁気記録方式のパターンドメディアを例示したが、磁気記録媒体はこれに限るものではなく、例えば、水平磁気記録方式のパターンドメディア等であっても良い。
【０１０１】
また、上記では、磁気記録媒体の具体的な実施形態として、形状異方性を有するドットを備えたパターンドメディアを例示したが、磁気記録媒体はこれに限るものではなく、例えば、形状異方性を持たないドットを備えたパターンドメディア等であっても良い。この場合には、磁性を帯びた間隙部によって各ドットに上述したような形状異方性が新たに付与されることにより、単体では形状異方性を持たない各ドットが、半径方向すなわちトラック幅方向には磁化が反転し難く、周方向すなわち記録方向に磁化が反転し易いという形状異方性を持つこととなる。その結果、例えば、磁気ディスクにおけるトラック間隔が、記録密度の向上等を目的として狭かったとしても、既存の記録情報に影響を与えることなく情報を記録することができる。
【０１０２】
また、上記では、磁気記録媒体の具体的な実施形態として、非磁性材料のディスク上に、直接にドット等が形成された例を示したが、磁気記録媒体はこれに限るものではなく、磁気記録媒体は、例えば、非磁性材料のディスクとドット等との間に、軟磁性を有する材料からなる下地層（裏打ち層）が設けられたものであっても良く、あるいは、ドット等と下地層との間にさらに何らかの中間層が設けられたものであっても良い。
【０１０３】
また、上記では３層構造のドットの一例として、最上層の磁性層と最下層の磁性層とが互いに同じ磁性材料で形成されたものを例示したが、３層構造のドットはこれに限るものではなく、最上層の磁性層と最下層の磁性層とが互いに異なる磁性材料で形成されたものであっても良い。
【０１０４】
また、上記では３層構造のドットや第２間隙部の一例として、中間層がチタンを含有する材料で形成されたものを例示したが、３層構造のドットや第２間隙部はこれに限るものではなく、チタンを含有する材料以外の、エッチング処理に対して良好なストッパとして働くような材料で形成されたものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】パターンドメディアの磁気ディスクの一例を示す模式図である。
【図２】図１のドット５０２が有する形状異方性について説明する図である。
【図３】磁気ヘッド５５１が、直下を通過するドット５０２に磁界を印加する様子を示す模式図である。
【図４】磁気記録媒体の具体的な第１実施形態であるパターンドメディアの磁気ディスクを示す図である。
【図５】各ドット１０２単体での形状異方性が緩和される様子を示す模式図である。
【図６】オフトラックマージンの算出条件を説明するための図である。
【図７】ドット１０２と第２間隙部１０４との間における飽和磁化の比の変化に対するオフトラックマージンの変化をプロットしたグラフである。
【図８】ドット１０２と第２間隙部１０４との間における飽和磁化の比の変化に対する信号対ノイズ比（ＳＮＲ）の変化をプロットしたグラフである。
【図９】図４の磁気ディスク１００の製造方法を示す模式図である。
【図１０】磁気記録媒体の具体的な第２実施形態であるパターンドメディアの磁気ディスクを示す図である。
【図１１】図１０に示すドット２０１と第２間隙部２０２との拡大図である。
【図１２】図１０の磁気ディスク２００の製造方法を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００，２００，５００    磁気ディスク
１０１，５０１    ディスク
１０２，２０１，５０２    ドット
１０３    第１間隙部
１０４，２０２    第２間隙部
１１０，２１０，５１０    トラック
１１１，２２０    磁性膜
１１２，２３１    第１マスクパターン
１１３，２３２    磁性パターン
１１４，２３３    第２マスクパターン
１５０，５５０    ヘッドジンバルアセンブリ
１５１，５５１    磁気ヘッド
２０１ａ    ドット用表面磁性層
２０１ｂ    ドット用ディスク側磁性層
２０１ｃ    ドット用中間層
２０２ａ    表面層
２０２ｂ    第２間隙部用ディスク側磁性層
２０２ｃ    第２間隙部用中間層
２２１    磁性層
２２２    中間層
５０２＿１    センタードット
５０２＿２，５０２＿３    サイドドット
５１０＿１    センタートラック
５１０＿２，５１０＿３    サイドトラック
【図１】
0004998329.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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