(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光を互いに直交する２つの偏波成分に分離し、時間的に先行する第１の偏波成分と時間的に後行する第２の偏波成分を出力する偏光分離手段と、
当該偏光分離手段から出力される第２偏波成分を制御光に従って位相変調する半導体光増幅器と、
当該制御光による当該半導体光増幅器の屈折率変化の回復を促す補助光を当該半導体光増幅器に供給する補助光供給手段と、
当該半導体光増幅器を透過する当該信号光の第１の偏波成分及び第２の偏波成分を同じ時間位置に合成する偏光合成手段と、
当該偏光合成手段の出力から所定偏波方向成分を抽出する偏光抽出手段
とを具備し、
当該補助光の波長が、当該半導体光増幅器のバンド端波長よりも短く、且つ当該制御光の波長よりも長い
ことを特徴とする光ゲート装置。
【請求項２】
更に、当該偏光分離手段の出力光に当該制御光を合波して当該半導体光増幅器に供給する光結合手段を具備する請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項３】
当該補助光供給手段が、当該半導体光増幅器から出力される当該信号光の第１の偏波成分及び第２の偏波成分を当該偏光合成手段に転送すると共に、当該補助光を当該半導体光増幅器に後側から入力する光サーキュレータである請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項４】
更に、当該半導体光増幅器から出力される当該信号光の第１の偏波成分及び第２の偏波成分を当該偏光合成手段に転送すると共に、当該制御光を当該半導体光増幅器に後側から入力する光結合手段を具備する請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項５】
当該偏光分離手段が偏光保持型光ファイバからなる請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項６】
当該偏光分離手段が固体複屈折率結晶からなる請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項７】
当該偏光抽出手段が、当該偏光合成手段の出力から当該所定偏波成分に直交する偏波成分を抽出して出力する請求項１に記載の光ゲート装置。
【請求項８】
当該偏光抽出手段が、偏光ビームスプリッタである請求項１又は７に記載の光ゲート装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ゲート装置に関し、より具体的には、光伝送システム、光ネットワークシステム及び光交換システム等で使用可能で高速動作可能な光ゲート装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超大容量超高速の光通信システムを実現するには、信号光を光でオン・オフする光ゲート素子が重要である。特に、１波長当たりの信号伝送速度が毎秒１０ギガビットを超える程に高速になると、電気信号で処理することが動作速度及び消費エネルギの点で困難になってくる。そこで、光信号を直接、別の光信号でオン／オフ又は切り替える光ゲート素子又は光スイッチ素子が、近年、盛んに研究開発されている。
【０００３】
従来の光スイッチ素子には、利得が入射光強度に対して非線形に変化する媒体、例えば、半導体光増幅器（ＳＯＡ）中での相互利得変調（Ｃｒｏｓｓ  Ｇａｉｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；ＸＧＭ）を利用したもの、屈折率が入射光強度に対して非線形に変化する媒体、例えば、ＳＯＡ中での相互位相変調（Ｃｒｏｓｓ  Ｐｈａｓｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；ＸＰＭ）を利用したもの、四光子混合（Ｆｏｕｒ  Ｗａｖｅ  Ｍｉｘｉｎｇ；ＦＷＭ）を利用したものなどがある。
【０００４】
ＦＷＭを用いた光スイッチ素子は、応答速度が極めて速い。しかし、変換効率が小さく且つその波長依存性が大きいので、光のオン／オフに大きなパワーを必要とするという欠点がある。
【０００５】
ＸＧＭ又はＸＰＭを利用する光スイッチ素子は、共に実キャリアの励起を伴う過程に基づく現象を利用しているので、スイッチング効率が大きい。ＸＰＭでは更に、干渉型の構成でオン／オフを制御パルス光で切り換えることにより、毎秒数１０ギガビット以上の動作速度を実現できるとする報告がある。しかし、通常のＸＰＭは、例えばマッハツェンダ型干渉計又はマイケルソン干渉計のような２光路を有する干渉計を用いるので、回路が複雑となる。更に、２つのＳＯＡの動作状態を完全にバランスさせる必要があり、調整が難しいという問題がある。
【０００６】
ＸＰＭでのこれら問題を解決する手段として、信号光を複屈折率媒体で２つの直交する偏光成分に分離し、これらを非線形媒体であるＳＯＡを通過させた後、再度、合成することによって、物理的な光路を１つにした偏光分離干渉計回路構造を持つ光スイッチが提案されている（例えば、Ｎ．Ｓ．ＰａｔｅＬ他、Ｏｐｔｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ｖｏｌ．２１，  ｐｐ．１４６６−１４６８，  １９９６）。この光スイッチは、ＵＮＩ（Ｕｌｔｒａｆａｓｔ  Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）と呼ばれている。
【０００７】
図７は、上記論文に記載される光スイッチの概略構成図を示す。信号光入力ポート２１０には１５５０ｎｍの信号光２１２が入力し、制御光入力ポート２１４には１５４０ｎｍの制御光２１６が入力する。信号光２１２は、例えば、直線偏光の４０Ｇｂｉｔ／ｓのクロック光信号からなり、制御光２１６は、信号光２１２と同期した４０Ｇｂｉｔ／ｓのＲＺ光パルス列からなる。
【０００８】
信号光入力ポート２１０からの信号光２１２は７．５ｍ長の偏波面保存ファイバ２１８にその複屈折軸に対し４５度の角度の偏光面で入射する。偏波面保存ファイバ２１８は複屈折媒体として機能し、入力信号光を２つの偏波成分に分離し、しかも、偏波面保存ファイバ２１８の偏波モード分散（１２．５ｐｓ）量だけ時間的に分離して出力する。ＷＤＭ光カップラ２２０は、偏波面保存ファイバ２１８の出力光に制御光入力ポート２１４からの制御光２１６を合波する。ＷＤＭ光カップラ２２０の出力段階で、偏波面保存ファイバ２１８から出力される先行信号光パルス２２２と後続信号光パルス２２４の間に、制御光パルス２２６が位置するタイミングになるように、信号光２１２と制御光２１６間のタイミングが調整される。先行信号光パルス２２２、制御光パルス２２６及び後続信号光パルス２２４が、この順で、半導体光増幅器（ＳＯＡ）２２８に入射する。
【０００９】
ＳＯＡ２２８は直流電源２３０により順方向バイアスされている。ＳＯＡ２２８は、例えば、活性層材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を用いた埋込導波路型素子からなり、その両端に無反射コーティングが施されている。制御光パルス２２６が入射すると、誘導放出によりＳＯＡ２２８内の利得が瞬時的に低下し、利得飽和が起き、ＳＯＡ２２８内のキャリア濃度が低下する。半導体の屈折率は、内部のキャリア濃度に依存する（バンドフィリング効果）ので、この時、屈折率変化（ＸＰＭ）が生じる。すなわち、制御光パルス２２６の入射の前後でＳＯＡ２２８内の屈折率が変化する。その結果、後続信号光パルス２２４は、ＳＯＡ２２８を透過する間に、先行信号光パルス２２２のそれとは異なる位相シフトを受ける。この位相シフト量は、制御光パルス２２６の光強度及び波長並びにＳＯＡ２２８の注入電流等に応じて変化するので、制御光パルス２２６の有無による後続信号光パルス２２４の位相変化量がπになるように、制御光パルス２２６の光強度及び波長並びにＳＯＡ２２８の注入電流等を設定する。これにより、ＳＯＡ２２８から出力される後続信号光パルス２２４の位相は、制御光パルス２２６の有無により、πだけ異なる。
【００１０】
ＳＯＡ２２８を通過した信号光パルス２２２，２２４は、先行パルス２２２の偏波面が７．５ｍの偏波面保存ファイバ２３２のスロー軸に合致し、後続パルス２２４の偏波面がそのファースト軸に合致する向きで、偏波面保存ファイバ２３２に入射する。これにより、偏波面保存ファイバ２３２を通過した後では、信号光パルス２２２，２２４の時間差がほぼ解消される。偏波面保存ファイバ２１８，２３２間の偏波モード分散量の個体差を吸収するために、偏波面保存ファイバ２３２の出力に偏光位相調整器２３４を配置する。２２４ａ，２２６ａはそれぞれ、偏光位相調整器２３４から出力される先行信号光パルス及び後続信号光パルスを示す。
【００１１】
制御光パルス２２６が存在する場合の、先行信号光パルス２２２ａと後続信号光パルス２２４ａの合成偏光方向を通過するように、偏光位相調整器２３４の出力側に偏光子２３６を配置する。制御光２２６が存在しない場合、先行信号光パルス２２２ａと後続信号光パルス２２４ａの合成偏光方向は、偏光子２３６の偏光方向と直交する。従って、偏光子２３６は、偏光位相調整器２３４の出力光の内、制御光パルス２２６が存在するときの信号光のみを通過する。光バンドパスフィルタ２３８は、偏光子２３６の出力光から、入力信号光２１２の波長に等しい成分のみを抽出する。これにより、残存する制御光２１６の成分を除去する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図７に示す従来例では、ＳＯＡ２２８のＸＰＭを用いて光スイッチ動作を実現している。唯一のＳＯＡ２２８を通った信号同士で干渉させているので、２光路を有する干渉計のように２つのＳＯＡの動作状態を完全にバランスさせる必要が無く、動作が安定とするという長所がある。また、毎秒１００ギガビットの光スイッチ動作も報告されており、その高速性は非常に高い（Ｋ．  Ｌ．  Ｈａｌ１他，Ｏｐｉｔｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ｖｏｌ．２３，  ｐｐ．１２７１−１２７３，  １９９８）。
【００１３】
しかし、ＳＯＡ２２８内のＸＰＭの回復時間は数１００ｐｓ程度と長い。従って、光スイッチング自体は高速であるものの、パターン効果が顕著である。例えば、ランダムなパルス列からなる制御光２１６に対して、信号光２１２をスイッチングする特性がパルスごとに変化してしまう。
【００１４】
図８は、パターン効果を示す波形例と、ＳＯＡ２２８内のキャリア濃度の時間的変動を示す。図８（ａ）は、入力信号光２１２の波形、同（ｂ）は制御光２１６の波形、同（ｃ）は光バンドパスフィルタ２３８から出力される信号光の波形をそれぞれ示し、同（ｄ）はキャリア濃度の時間変化を示す。図８（ａ），（ｂ）に示すように入力信号光２１２の各パルスは互いに波高が揃っており、制御光２１６の各パルスも、互いに波高が揃っている。制御光パルスが連続した場合には、ＸＰＭの回復が十分でないままＸＰＭを繰り返すことになるので、ＳＯＡ２２８の位相シフト量が低下する。従って、制御光パルスが連続した場合には、図８（ｃ）に示すように、光バンドパスフィルタ２３８の出力信号光は、波高値が低下する。これがパターン効果である。図８（ｄ）に示すように、制御光パルスの入射によるキャリア変動量、即ち屈折率変動量は、制御光パルスごとに異なる。これがパターン効果の原因となる。
【００１５】
また従来例では、２本の数メートル長の偏波保存ファイバ２１８，２３２の複屈折による偏波分離・合波で干渉計を構成しているので、周囲温度及び振動等の外部環境に影響されやすく、動作が不安定になりやすいという問題があった。また、その構造上、大量生産に向いていない。
【００１６】
また、高速の光伝送システムでは、光パルス列から特定のタイムスロットのパルス成分を抽出するだけではなく、残りのタイムスロットのパルス成分を出力する、いわゆるＴＤＭ光分離装置の実現が望まれている。
【００１７】
本発明は、制御光によるＳＯＡ内のＸＰＭの回復時間を短縮し、パターン効果の小さい安定に動作する光ゲート装置を提示することを目的とする。
【００１８】
本発明はまた、寸法が小さく、長期的な環境変化に対する安定性に優れ、且つ大量生産に適した低コストの光ゲート装置を提示することを目的とする。
【００１９】
本発明はまた、入力光パルス列を光制御により時間軸上で２つに分離できる光ゲート装置を提示することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光ゲート装置は、信号光を互いに直交する２つの偏波成分に分離し、時間的に先行する第１の偏波成分と時間的に後行する第２の偏波成分を出力する偏光分離手段と、当該偏光分離手段から出力される第２偏波成分を制御光に従って位相変調する半導体光増幅器と、当該制御光による当該半導体光増幅器の屈折率変化の回復を促す補助光を当該半導体光増幅器に供給する補助光供給手段と、当該半導体光増幅器を透過する当該信号光の第１の偏波成分及び第２の偏波成分を同じ時間位置に合成する偏光合成手段と、当該偏光合成手段の出力から所定偏波方向成分を抽出する偏光抽出手段とを具備し、当該補助光の波長が、当該半導体光増幅器のバンド端波長よりも短く、且つ当該制御光の波長よりも長いことを特徴とする。
【００２４】
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１実施例の概略構成図を示す。信号光入力ポート１０には１５５０ｎｍの信号光１２が入力し、制御光入力ポート１４には１５４０ｎｍの制御光１６が入力する。信号光１２は、例えば、直線偏光の４０Ｇｂｉｔ／ｓのクロック光信号からなり、制御光１６は、信号光１２と同期した４０Ｇｂｉｔ／ｓのＲＺ光パルス列からなる。
【００２６】
信号先入力ポート１０からの信号光１２は７．５ｍ長の偏波面保存ファイバ１８にその複屈折軸に対し４５度の角度の偏光面で入射する。偏波面保存ファイバ１８は複屈折媒体として機能し、入力信号光を２つの偏波成分に分離し、しかも、偏波面保存ファイバ１８の偏波モード分散量１２．５ｐｓだけ時間的に分離して出力する。ＷＤＭ光カップラ２０は、偏波面保存ファイバ１８の出力光に制御光入力ポート１４からの制御光１６を合波する。ＷＤＭ光カップラ２０の出力段階で、偏波面保存ファイバ１８から出力される先行信号光パルス２２と後続信号光パルス２４の間に、制御光パルス２６が位置するタイミングになるように、信号光１２と制御光１６間のタイミングが調整される。先行信号光パルス２２、制御光パルス２６及び後続信号光パルス２４が、この順で、半導体光増幅器（ＳＯＡ）２８に入射する。
【００２７】
ＳＯＡ２８は直流電源３０により順方向バイアスされている。ＳＯＡ２８は、ＳＯＡ２２８と同様に、例えば、活性層材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を用いた埋込導波路型素子からなり、その両端に無反射コーティングが施されている。制御光パルス２６の有無による後続信号光パルス２４の位相変化がπになるように、制御光パルス２６の光強度又は波長等を設定する。これにより、ＳＯＡ２８から出力される後続信号光パルス２４の位相は、制御光パルス２６の有無により、πだけ異なる。
【００２８】
ＳＯＡ２８を通過した信号光パルス２２，２４は、光サーキュレータ４０のポートＢ，Ｃを介して７．５ｍ長の偏波面保存ファイバ３２に入射する。偏波面保存ファイバ３２は、先行パルス２２の偏波面が偏波面保存ファイバ３２のスロー軸に合致し、後続パルス２４の偏波面がそのファースト軸に合致するように配置される。これにより、偏波面保存ファイバ３２を通過した後では、信号光パルス２２，２４の時間差がほぼ解消される。偏波面保存ファイバ１８，３２間の偏波モード分散量の個体差を吸収するために、偏波面保存ファイバ３２の出力に偏光位相調整器３４を配置する。２２ａ，２４ａはそれぞれ、偏光位相調整器３４から出力される先行信号光パルス及び後続信号光パルスを示す。
【００２９】
制御光パルス２６が存在する場合の、先行信号光パルス２２ａと後続信号光パルス２４ａの合成偏光方向を通過する偏光子３６を、偏光位相調整器３４の出力側に配置する。制御光２６が存在しない場合、先行信号光パルス２２ａと後続信号光パルス２４ａの合成偏光方向は、偏光子３６の偏光方向と直交する。従って、偏光子３６は、偏光位相調整器３４の出力光の内、制御光パルス２６が存在するときの信号光のみを通過する。光バンドパスフィルタ３８は、偏光子３６の出力光から、入力信号光１２の波長に等しい成分のみを抽出する。これにより、残存する制御光１６の成分を除去する。
【００３０】
本実施例では、更に、１５９０ｎｍのＣＷ光源４２を設け、その出力光を光サーキュレータ４０のポートＡに供給する。光サーキュレータ４２は、ＣＷ光源４２からのＣＷ光をＳＯＡ２８に信号光とは逆方向で入射する。光サーキュレータ４２の代わりに３ｄＢカップラを用いてもよい。
【００３１】
図８を参照して説明したように、パターン効果は、以下のような現象である。即ち、制御光の入射により利得が飽和し、キャリア濃度が減少し、これが屈折率を変化させる。その屈折率変化の回復時間（キャリア濃度が定常状態に戻る時間）が数１００ピコ秒程度であり、信号光の繰り返し時間より１桁程度に短いので、制御光の屈折率変化が、先行する制御光パルスの有無に応じて制御光パルスごとに異なる。即ち、制御光パルスが連続する場合、ＳＯＡ内のキャリア濃度は順次低下すると共にその変化量も小さくなる。逆に、制御光が連続して存在しない場合の直後の制御光パルスに対しては、ＳＯＡ内のキャリア濃度はある程度回復しているので、その変化量が元に戻る。
【００３２】
本実施例では１５９０ｎｍＣＷ光（補助光）をＳＯＡ２８に導入することで、キャリア濃度及び屈折率の回復時間を信号光の繰り返し時間程度に短縮できた。以下、その理由を説明する。
【００３３】
図２は、ＳＯＡ２８内の利得スペクトルと信号光１２、制御光１６及び補助光の波長の関係を示す。５０が、制御光１６が入射する前の利得スペクトルを示す。このとき、１５５０ｎｍ信号光１２に対して利得があり、１５９０ｎｍの補助光に対してほぼ透明である。従って、制御光１６がＳＯＡ２８に入射しない時には、補助光はＳＯＡ２８の利得スペクトルに影響を与えない。５２は、制御光１６がＳＯＡ２８入射した直後の利得スペクトルを示す。このとき、１５４０ｎｍ制御光１６の入射による利得飽和によって利得が低下し、１５９０ｎｍの補助光はＳＯＡ２８により吸収される。この吸収キャリアが利得スペクトルを急速に回復させ、元の特性５０に戻す。回復時間は、補助光の強度が大きいほど短くなる。例えば、５０ｍＷの補助光に対して、回復時間は３０ｐｓ程度に短縮する。
【００３４】
図３は、信号光１２、制御光１６及び光バンドパスフィルタ３８の出力光の波形例と、ＳＯＡ２８内のキャリア濃度の時間的変動を示す。図３（ａ）は、入力信号光１２の波形、同（ｂ）は制御光１６の波形、同（ｃ）は光バンドパスフィルタ３８から出力される信号光の波形をそれぞれ示し、同（ｄ）はキャリア濃度の時間変化を示す。図８と比較すると容易に理解できるように、本実施例では、光バンドパスフィルタ３８から出力される信号光は制御光１６と同期しており、波高値も揃っている。図３（ｄ）に示すように、ＳＯＡ２８内のキャリア濃度の回復時間が十分に早いので、制御光パルスに対してパターンによらず一定のキャリア濃度変化を生じる。
【００３５】
制御光パルスが入射したときのＳＯＡ２８の挙動は、従来例と同じである。従って、従来例と同様のスイッチング速度を達成できる。
【００３６】
本実施例では、制御光パルスの無いときには、ＳＯＡ２８が実質的に透明になる波長であって、制御パルスによる利得スペクトルの変動後ではＳＯＡ２８が吸収する波長のＣＷ補助光をＳＯＡ２８に供給しておくことで、キャリア濃度の回復時間を短縮でき、その結果、パターン効果を解消又は大幅に低減できる。理論的には、制御光パルス２６によるキャリア濃度変動が後続信号光２４の位相を変化させた直後に補助光をＳＯＡ２８に導入すればよいが、そのようなタイミング調節は面倒であり、実用上ではＣＷ補助光で十分である。
【００３７】
本実施例では、補助光の波長をＳＯＡ２８の利得がほぼゼロとなる波長１５９０ｎｍとしたが、補助光の波長は、信号光１２の波長及び制御光１６の波長よりも長く、且つ、ＳＯＡ２８のバンド端波長、すなわち、長波長側の利得がゼロとなる波長よりも短い波長であれば、同様の作用効果を得ることができる。
【００３８】
図１に示す実施例は、４０Ｇｂｉｔ／ｓクロック信号光を、制御光パルスでスイッチする機能を持つ。この機能は、制御光波長１５４０ｎｍから信号光波長１５５０ｎｍへの波長変換と見なすことができる。また、信号光が４０Ｇｂｉｔ／ｓＲＺ光からなり、制御光が１０Ｇｂｉｔ／ｓからなる場合、図１に示す実施例は、所望のタイムスロットの光パルスを分離する分波器、又は、所望のタイムスロットの光パルスを取り出す光ゲート装置としても動作する。図１に示す実施例は更には、ＣＷ光から制御光パルスにより光パルスを切り出す光パルス発生器としても機能する。このように、図１に示す実施例は、信号光と制御光の内容により多くの機能を実現でき、その何れの機能においてもパターン効果が小さい。
【００３９】
偏波保存ファイバ１８，３２の代わりに、ルチル結晶（ＴｉＯ２）を使用してもよいことは明らかである。例えば、ＰＭＤ量１２．５ｐｓを与えるルチル結晶の長さは約１５ｍｍである。ルチル結晶は、偏波面保存ファイバに比べて格段にコンパクトで、機械的に安定であるので、光スイッチ特性は、周囲温度及び振動等の外部環境に影響されず、動作が安定になる。
【００４０】
また、補助光の波長を１４８０ｎｍにしてもよい。図４は、この場合のＳＯＡ２８の利得スペクトルの変化例を示す。６０が、制御光１６が入射する前の利得スペクトルであり、これは、図２の特性曲線５０と同じである。６２は１５４０ｎｍの制御光１６が入力したときの利得スペクトルを示す。１４８０ｎｍは、制御光１６が入力しないとき、透明であるが、制御光１６が入力したときには、吸収される。従って、補助光の波長を１４８０ｎｍとしても、波長１５９０ｎｍのときと同様にＳＯＡ２８が動作する。
【００４１】
一般的には、補助光の波長は、短波長側の利得がゼロとなる波長１４８０ｎｍに対し、＋／−５０ｎｍの範囲で選択可能である。
【００４２】
ＳＯＡ内で信号光と制御光を逆方向に伝搬させてもよい。図５は、その変更実施例の概略構成ブロック図を示す。
【００４３】
信号光入力ポート１１０には１５５０ｎｍの信号光１１２が入力し、補助光入力ポート１１４には補助光源１１６からの１４８０ｎｍのＣＷ補助光が入力する。信号光１１２は、例えば、直線偏光の４０Ｇｂｉｔ／ｓのクロック光信号からなる。
【００４４】
信号先入力ポート１１０からの信号光１１２はルチル結晶１１８にその複屈折軸に対し４５度の角度の偏光面で入射する。ルチル結晶１１８は、入力信号光を２つの偏波成分に分離し、１２．５ｐｓだけ時間的に分離して出力する。ＷＤＭ光カップラ１２０は、ルチル結晶１１８の出力光に補助光入力ポート１１４からの補助光を合波する。ＷＤＭ光カップラ１２０の出力段階に図示したパルス１２２は、複屈折媒体１１８により時間的に先行する信号光パルスであり、パルス１２４は、時間的に後行する信号光パルスである。この先行信号光パルス１２２及び後続信号光パルス１２４並びに補助光が、半導体光増幅器（ＳＯＡ）１２８に入射する。
【００４５】
ＳＯＡ１２８は直流電源１３０により順方向バイアスされている。ＳＯＡ１２８は、ＳＯＡ２８，２２８と同様に、例えば、活性層材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を用いた埋込導波路型素子からなり、その両端に無反射コーティングが施されている。
【００４６】
ＳＯＡ１２８の信号光出射側は光サーキュレータ１３２のポートＢに接続し、光サーキュレータ１３２のポートＡには制御光１３４が入力する。制御光１３４の波長は、ＳＯＡ１２８が利得を持つものであればよく、信号光１１２の波長と等しくても良い。光サーキュレータ１３２は、ポートＡに入力する制御光１３４をポートＢに転送し、これにより、制御光１３４は、ＳＯＡ１２８に信号光とは逆方向に伝搬するように入射する。制御光１３４は例えば、制御光１６と同様に、４０Ｇｂｉｔ／ｓのＲＺ光パルス列からなる。ＳＯＡ１２８をから先行信号光パルス１２２が出力された後であって、後続信号光パルス１２４がＳＯＡ１２８に入力する前に、ＳＯＡ１２８に制御光１３４の各パルスが入射するように、制御光１３４の信号光１１２に対するタイミングが事前に調整されている。また、制御光パルス１３４の有無による後続信号光パルス１２４の位相変化がπになるように、制御光パルス１３４の光強度又は波長等が設定される。これにより、ＳＯＡ１２８から出力される後続信号光パルス１２４の位相は、制御光パルス１３４の有無により、πだけ異なる。
【００４７】
ＳＯＡ１２８には、光カップラ１２０を介して１４８０ｎｍの補助光が入力しているので、制御光１３４によるキャリア濃度の変化は、１４８０ｎｍの吸収により早期に回復する。この作用は、図１に示す実施例の場合と同じである。
【００４８】
ＳＯＡ１２８を通過した信号光パルス１２２，１２４は、光サーキュレータ１３２のポートＢ，Ｃを介してルチル結晶１３６に入射する。ルチル結晶１３６は、先行パルス１２２の偏波面がルチル結晶１３６のスロー軸に合致し、後続パルス１２４の偏波面がそのファースト軸に合致するように配置される。これにより、ルチル結晶１３６を通過した後では、信号光パルス１２２，１２４の時間差がほぼ解消される。ルチル結晶１２０，１３６間の偏波モード分散量の個体差を吸収するために、ルチル結晶１３６の出力に偏光位相調整器１３８を配置する。１２２ａ，１２４ａはそれぞれ、偏光位相調整器１３８から出力される先行信号光パルス及び後続信号光パルスを示す。
【００４９】
制御光パルス１３４が存在する場合の、先行信号光パルス１２２ａと後続信号光パルス１２４ａの合成偏光方向を通過する偏光子１４０を、偏光位相調整器１３８の出力側に配置する。制御光パルス１３４が存在しない場合、先行信号光パルス１２２ａと後続信号光パルス１２４ａの合成偏光方向は、偏光子１４０の偏光方向と直交する。従って、偏光子１４０は、偏光位相調整器１３８の出力光の内、制御光パルス１３４が存在するときの信号光のみを通過する。光バンドパスフィルタ１４２は、偏光子１４０の出力光から、入力信号光１１２の波長に等しい成分のみを抽出する。これにより、残存する補助光を除去する。
【００５０】
図５に示す実施例では、ＳＯＡ１２８内で信号光と制御光が互いに異なる方向に伝搬するので、信号光の波長と制御光の波長が等しくても良い。この構成は、波長変換機能を必要としない用途に有効である。パターン効果の抑制に関する効果は、第１実施例と同様である。
【００５１】
図６は、本発明の第３実施例の概略構成図を示す。図６に示す実施例では、制御光に１４８０ｎｍの補助光を合波して、ＳＯＡに後側から入射する。図５に示す実施例と同じ構成要素には同じ符号を付してある。光源１５０が１４８０ｎｍの補助光を発生する。光カップラ１５２が、光源１５０からの補助光を制御光１３４に合波して、光サーキュレータ１３２のポートＡに供給する。これにより、補助光と制御光が一緒に、ＳＯＡ１２８に後側から入射する。すなわち、光カップラ１２０の代わりに、光カップラ１５２を設ける。
【００５２】
図６に示す実施例では、偏光子１４０の出力光に補助光も制御光も含まれないので、光バンドパスフィルタ１４２が不要になる。
【００５３】
図１、図５及び図６に示す実施例では、偏光子３６，１４０により特定の偏波成分のみを抽出したが、偏光ビームスプリッタを使用して、直交する２つの偏波成分を分離して出力するようにしてもよい。これにより、光パルス列を時間軸上で２つに分離する光制御のＴＤＭ光分離装置を実現できる。図１に示す実施例をそのように変更した構成例を図９に示す。図１に示す実施例と同じ構成要素には同じ符号を付してある。
【００５４】
偏光位相調整器３４の出力光が偏光ビームスプリッタ４４に入力する。偏光ビームスプリッタ４４は、偏光位相調整器３４の出力光に対し、偏光子３６と同じ偏光方向で配置されている。制御光２６の存在するタイミングに応じたタイムスロット上の信号パルス成分と、制御光２６の存在しないタイミングに応じたタイムスロット上の信号パルス成分とは、それらの偏波が直交している。従って、偏光ビームスプリッタ４４は、信号光１２から制御光２６の存在タイミングに応じたタイムスロット上のパルス成分とこれ以外のパルス成分を分離でき、前者を光バンドパスフィルタ３８に、後者を光バンドパスフィルタ４６に出力する。光バンドパスフィルタ４６は光りバンドパスフィルタ３８と同じフィルタ特性を具備する。
【００５５】
このように、図９に示す実施例は、制御光２６の制御下で信号光１２を時間軸上で２つに分離するＴＤＭ光分離装置として機能する。本実施例では、どのタイムスロットをどちらに出力するかは、制御光２６により自由に選択できる。
【００５６】
また、本実施例では、最終段で信号光を２つに分離するのに偏光ビームスプリッタを使用するので、効率よく、すなわち低損失で信号光を２つに分離できる。
【００５７】
以上の各実施例で、信号光波長を１５５０ｎｍとし、制御光波長を１５４０ｎｍとするのは一例である。信号光の波長は、ＳＯＡが利得を有する波長より長い波長であればよく、制御光はＳＯＡの利得を有する波長であれば任意の波長でよい。即ち、信号光の波長と制御光の波長は、どちらが長くても良い。また、補助光は、必ずしも単一波長レーザ光である必要はなく、マルチモードレーザ光であってもよい。
【００５８】
ＳＯＡの増幅帯域として１．５μｍ帯の実施例を説明したが、適切な半導体で実現できる０．４μｍ乃至２．０μｍの増幅帯域の中の任意の帯域を用いることもできる。活性層材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系を例示したが、その他の材料、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＰ系及びＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系等、並びに、その他のＩＩＩ−Ｖ属半導体及びＩＩ−ＩＶ属半導体を使用しても良い。
【００５９】
【発明の効果】
以上の説明から容易に理解できるように、本発明によれば、制御光による半導体光増幅器内のＸＰＭの回復時間を短縮し、パターン効果の小さい安定に動作する偏光分離干渉型光ゲート装置を実現できる。寸法が小さく、長期的な環境変化に対する安定性に優れ、且つ大量生産に適した低コストの光ゲート装置を実現できる。
【００６０】
また、光で制御でき、任意のタイムスロットの組み合わせで信号光を時間軸上で２つに分離する高速動作で高効率のＴＤＭ光分離装置を実現できる。
【００６１】
また、光の位相を別の光で変調する位相変調器であって、高速に動作し、パターン効果の無い又は小さい位相変調器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図２】  半導体光増幅器２８の利得スペクトルと信号光波長、制御光波長及び補助光波長との関係を示す図である。
【図３】  本実施例の波形例と半導体光増幅器２８のキャリア濃度の時間変化を示す図である。
【図４】  １４８０ｎｍの補助光を使用する場合の、半導体光増幅器２８の利得スペクトルと信号光波長、制御光波長及び補助光波長との関係を示す図である。
【図５】  本発明の第２実施例の概略構成図である。
【図６】  本発明の第３実施例の概略構成図である。
【図７】  従来例の概略構成図である。
【図８】  従来例の波形例と半導体光増幅器２２８のキャリア濃度の時間変化を示す図である。
【図９】  本発明の第４実施例の概略構成ブロック図である。
【符号の説明】
１０：信号光入力ポート
１２：信号光
１４：制御光入力ポート
１６：制御光
１８：偏波面保存ファイバ
２０：ＷＤＭ光カップラ
２２，２２ａ：先行信号光パルス
２４，２４ａ：後続信号光パルス
２６：制御光パルス
２８：半導体光増幅器（ＳＯＡ）
３０：直流電源
３２：偏波面保存ファイバ
３４：偏光位相調整器
３６：偏光子
３８：光バンドパスフィルタ
４０：光サーキュレータ
４２：補助光源
４４：偏光ビームスプリッタ
４６：光バンドパスフィルタ
１１０：信号光入力ポート
１１２：信号光
１１４：補助光入力ポート
１１６：補助光源
１１８：ルチル結晶
１２０：ＷＤＭ光カップラ
１２２，１２２ａ：先行信号光パルス
１２４，１２４ａ：後続信号光パルス
１２８：半導体光増幅器（ＳＯＡ）
１３０：直流電源
１３２：光サーキュレータ
１３４：制御光
１３６：ルチル結晶
１３８：偏光位相調整器
１４０：偏光子
１４２：光バンドパスフィルタ
１５０：補助光源
１５２：光カップラ
２１０：信号光入力ポート
２１２：信号光
２１４：制御光入力ポート
２１６：制御光
２１８：偏波面保存ファイバ
２２０：ＷＤＭ光カップラ
２２２，２２２ａ：先行信号光パルス
２２４，２２４ａ：後続信号光パルス
２２６：制御光パルス
２２８：半導体光増幅器（ＳＯＡ）
２３０：直流電源
２３２：偏波面保存ファイバ
２３４：偏光位相調整器
２３６：偏光子
２３８：光バンドパスフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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