(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の転写法によるパターニングに用いられる転写材料であって、型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有することを特徴とする転写材料。
【請求項２】
前記無機酸化物層および前記転写層の間に離型剤を含む離型層を有することを特徴とする請求項１に記載の転写材料。
【請求項３】
前記無機酸化物層が金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の転写材料。
【請求項４】
前記金属酸化物がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項３に記載の転写材料。
【請求項５】
前記無機酸化物層の表面が酸素プラズマによる親水化処理されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の転写材料。
【請求項６】
前記離型剤が含フッ素化合物またはシランカップリング剤であることを特徴とする請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の転写材料。
【請求項７】
前記型基板がガラスであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の転写材料。
【請求項８】
少なくとも型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有する転写材料を半導体素子基板に圧着する工程、および該半導体素子基板より該転写材料を除荷して前記有機発光層を前記半導体素子基板に転写する工程を有する半導体素子のパターン膜の形成方法。
【請求項９】
前記半導体素子基板の被転写面に凹凸構造を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体素子のパターン膜の形成方法。
【請求項１０】
前記凹凸構造が電極および絶縁層の少なくとも一方で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のパターン膜の形成方法。
【請求項１１】
少なくとも型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有する転写材料を発光素子基板に圧着する工程、および該発光素子基板より該転写材料を除荷して前記有機発光層を前記発光素子基板に転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記発光素子基板が可撓性基板であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写法による半導体素子のパターニング方法、それに用いられる転写材料に関する。さらに、該半導体素子が有機発光素子または無機発光素子である発光素子であって、転写法によるパターニング方法を用いた半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶やエレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）技術等の進歩により、平面薄型画像表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）が実用化されている。特に、電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた発光素子は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で、デバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどが期待されている。特に、有機発光材料を用いた有機電界発光素子（以後、「有機ＥＬ素子」と記載する場合がある）は、低電圧で高輝度の発光が得られることから期待が大きい。
【０００３】
一方、これらＦＰＤのより一層の薄型化、軽量化、耐破損性の向上、および大面積化を求めて、ガラス基板の替わりに軽量で可撓性のある樹脂基板を用いる試みも行われている。
【０００４】
一方、ＦＰＤの高精細化が求められた。高精細化のためには、有機ＥＬ素子の画素を精細にすることと共に、大面積のＦＰＤを効率よく生産する製造方法も求められている。
高精細の画素を形成する手段として、従来、マスキングして蒸着によるパターニング法、オフセット印刷方法、凹凸版による転写法、インクジェット法などが開示されている。蒸着によるパターニング方法は蒸着材料が限定されること、また大面積の製造適性に欠ける問題がある。オフセット印刷法は単層でかつ薄層には適するが複数層の構成および厚みの厚いパターニングには不向きである。インクジェット法ではインク化し得る材料に制約があるなどの問題があった。凹凸版による転写法は、改良された手段が提案され、例えば、所定のパターニング情報に従って凹凸パターン化された金型にパーフロロ化合物を含む離型層とその上に転写層を設けた転写材料を用いて半導体素子基板に圧着してパターニングする方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。パターニング材料によって、パターン化される半導体素子基板の構成が異なる。例えば、半導体素子が有機発光素子で、発光層をパターン化する場合、素子基板は基板上に電極および正孔注入層、正孔輸送層、もしくは電子注入層、電子輸送層などの有機層を有し、その上に転写材料を転写する必要がある。有機層は応力により変形するために、圧着条件によっては、金型のエッジ部と中央部で圧力が均一に負荷されず、中央部が転写されないか、転写量が少なくなる現象を生じる。特に可撓性基板を用いた半導体素子の場合は、可撓性基板として用いられるプラスチックフィルムが応力変形するために、さらにその現象が強くなり、中央部が殆ど転写されない問題が生じる。さらに、大面積に転写する場合、問題はより深刻になる。転写材料を転写する装置の応力の分布を金型のエッジ部と中央部で予め調整することにより実質的圧力が均一にすることも不可能ではない。しかしながら、転写する基板の面積が異なったり、基板材料およびその構成によって応力変形が常に一定とは限らないため、その都度調整することは多大な労力と時間を要する。また、ガラスによる凸版はパターンエッジ部の面取りが不十分であると、半導体基板に損傷を与える問題があった。
【０００５】
従って、転写法により、均一に転写層を形成し得る転写材料またはパターニング方法が求められた。
【０００６】
一方、リソグラフィー法によりレジストパターンを形成する方法は、種々の目的でパターンを形成する手段として知られている。例えば、ガラス基板上にフォトレジスト法により形成された凸パターンを有する凸版で、基板とレジストの中間層または凸パターンの表面を金属または金属酸化物により補強した凸版が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。該凸版は、厚膜パターンを形成するための凹版の元型として利用されるものであって、凹版の元型として硬い構造物が要求される。転写によるパターニングとは無関係である。また、ガラス基板上にフォトエッチング法により凹パターンを形成し、該凹部に樹脂を含む有機物を埋め込みこれを被転写面に重ねて加熱および加圧処理して有機物を転写する凹版転写法が開示されている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、凹版による転写では、高密度での精細なパターンの形成が困難であった。
【特許文献１】特開２００２−２８３３５４号公報
【特許文献２】特開２００４−３５１６９３号公報
【特許文献３】特開２００２−４６２４９号公報
【特許文献４】特開２００４−３１１１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、転写法による半導体素子の転写材料およびそれを用いたパターニング方法を提供することにある。さらに、該半導体素子が有機発光素子または無機発光素子である発光素子であって、転写法によるパターニング方法を用いた半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記課題は下記の手段によって解決された。
＜１＞  半導体素子の転写法によるパターニングに用いられる転写材料であって、型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有することを特徴とする転写材料。
＜２＞  前記無機酸化物層および前記転写層の間に離型剤を含む離型層を有することを特徴とする＜１＞に記載の転写材料。
＜３＞  前記無機酸化物層が金属酸化物を含有することを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の転写材料。
＜４＞  前記金属酸化物がＳｉＯ２であることを特徴とする＜３＞に記載の転写材料。
＜５＞  前記無機酸化物層の表面が酸素プラズマによる親水化処理されていることを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の転写材料。
＜６＞  前記離型剤が含フッ素化合物またはシランカップリング剤であることを特徴とする＜２＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の転写材料。
＜７＞  前記型基板がガラスであることを特徴とする＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の転写材料。
＜８＞  少なくとも型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有する転写材料を半導体素子基板に圧着する工程、および該半導体素子基板より該転写材料を除荷して前記有機発光層を前記半導体素子基板に転写する工程を有する半導体素子のパターン膜の形成方法。
＜９＞  前記半導体素子基板の被転写面に凹凸構造を有することを特徴とする＜８＞に記載の半導体素子のパターン膜の形成方法。
＜１０＞  前記凹凸構造が電極および絶縁層の少なくとも一方で形成されていることを特徴とする＜９＞に記載の半導体素子のパターン膜の形成方法。
＜１１＞  少なくとも型基板上にリソグラフィー法によりパターン形成された樹脂層、スパッタ法、ＣＶＤ法または蒸着法により形成された無機酸化物層、および転写層としての有機電界発光素子の有機発光層を有する転写材料を発光素子基板に圧着する工程、および該発光素子基板より該転写材料を除荷して前記有機発光層を前記発光素子基板に転写する工程を有する発光素子の製造方法。
＜１２＞  前記発光素子基板が可撓性基板であることを特徴とする＜１１＞に記載の発光素子の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、転写法による半導体素子の転写材料およびそれを用いたパターニング方法が提供される。さらに、該半導体素子が有機発光素子または無機発光素子である発光素子であって、転写法によるパターニング方法を用いた半導体素子の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
１．転写材料
本発明に於ける転写材料は、型基板上にリソグラフィー法により凸パターンが形成された樹脂層、無機酸化物層および転写層を有し、該転写材料を半導体基板に圧着すると該パターンに従って転写層が半導体基板上に転写される。本発明に於いては、凸パターンが樹脂により形成されているので、金属あるいはガラスで構成されている場合と比べて半導体基板に圧着しても半導体基板を損傷させることがない。さらに、半導体基板に多少の凹凸があっても十分な圧力で圧着して基板の凹凸に応じて転写材料の樹脂層が変形し得るので、均一に転写層を転写することができる。
好ましくは、前記無機酸化物層および前記転写層の間に離型剤を含む離型層を有する。好ましくは、前記離型剤が含フッ素化合物またはシランカップリング剤である。
好ましくは、前記無機酸化物層が金属酸化物を含有する。好ましくは、前記金属酸化物がＳｉＯ２である。
好ましくは、前記無機酸化物層の表面が酸素プラズマによる親水化処理されている。
好ましくは、前記転写層が有機電界発光素子の発光層である。
好ましくは、前記型基板がガラスである。
【００１１】
１）型基板
型基板の材質としては、ガラス、金属、高分子樹脂、半導体、絶縁体又はそれらの複合体を挙げることができる。好ましい型基板材料はガラス又は金属材料であり、より好ましくはガラスである。
【００１２】
２）樹脂層
本発明に於いては、型基板上にリソグラフィー法により樹脂パターンが形成される。
本発明に於ける樹脂層は、厚みが５０ｎｍ以上２０μｍ以下のポリマー層であれば、特に限定される物ではない。好ましくは、厚みが１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
【００１３】
フォトレジストとしては、従来のフォトリソグラフィプロセスで用いられているポジ型のノボラック系，ネガ型の感光性環化ゴム系，化学増幅型のレジスト等を使用することができる。  
【００１４】
ポジ型ノボラック系レジストは、フェノールホルムアルデヒド樹脂（ノボラック樹脂）にジアゾナフトキノン等の感光剤を配合した組成をもつ。ジアゾナフトキノンには、多価ヒドロキシベンゾフェノンとノボラック樹脂のジアゾナフトキノンエステル，３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロインダン−５，６，７，５’、６’、７’−ヘキシオールを骨格とするジアゾナフトキノン，フェノールフタレインを骨格とするジアゾナフトキノン等がある。  
【００１５】
ノボラック系レジスト膜を露光させると露光部がアルカリ可溶性に、非露光部が難溶性になるので、露光後のアルカリ水溶液で現像される。ノボラック樹脂としては、感度，解像度，耐熱性にバランスの採れたレジスト膜を形成する上から低分子量成分（１５０〜５００）と高分子量成分（＞５００）を配合したタンデム型が好ましい。  
【００１６】
ネガ型感光性環化ゴム系レジストとしては、たとえば天然ゴム又は合成ゴムを四塩化スズ等で処理して環状構造を高分子中に取り込んだ環化ゴムに感光剤として芳香族ビスアジドを配合したレジストが使用される。代表的な芳香族ビスアジドに、２，６−ジ（４’−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノンがある。ネガ型感光性環化ゴム系のレジスト膜を露光すると、露光部で架橋反応が起こり不溶性網目構造となり、ネガ型のレジストパターンが形成される。  
【００１７】
化学増幅型レジストには、酸触媒反応性官能基をもつポリマー及び酸発生剤の２成分系と、ベースポリマー，酸触媒反応性官能基をもつ物質及び酸発生剤の３成分系がある。酸触媒反応性官能基をもつポリマーには、エポキシ基を有するメタクリル酸エステルとヒドロキシスチレンの共重合体，求電子置換反応によりベンジルカチオン誘導体を生じるポリマー，ポリフタルアルデヒド，シリコンを導入したポリフタルアルデヒド，ポリカーボネート，ポリホルマール，アルコキシピリミジン誘導体を含むポリマー等がある。酸発生剤には、オニウム塩，ジアゾニウム塩，トリアリールスルホニウム塩，ジアリールヨードニウム塩等のイオン性酸発生剤、ハロゲン化フェノール，トリス（トリハロゲン化メチル）−ｓ−トリアジン誘導体，ハロゲン化フェノール誘導体等のノニオン性酸発生剤、２−ニトロベンジルアルコールのスルホン酸エステル，２−ニトロベンジルスルホネート，９，１０−エトキシアントラセン−２−スルホネート，フェノール誘導体のスルホン酸エステル等の酸エステル型酸発生剤等がある。酸触媒反応性官能基をもつ物質には、ジフェニルシランジオール，カルビノール等がある。３成分系のベースポリマーとしては、代表的なものにポリヒドロキシスチレンがある。必要に応じ、ヘキサメチロールメラミン，エポキシ化合物等の架橋剤やビスフェノールフタレインＡ，クレゾールフタレイン等を骨格分子とする溶解阻害剤を添加してもよい。  
【００１８】
化学増幅型レジストでできたレジスト膜を露光すると光化学反応によって酸が生成し、後続するＰＥＢ（熱処理工程）でポリマー中の反応性官能基又は反応性官能物質が反応する。この反応による物性変化を利用し、レジストパターンが形成される。何れのレジスト材料を用いる場合でも、露光後に不要部分を除去することにより、ベーク後に絶縁膜となる所定パターンのレジスト膜が形成される。  
【００１９】
３）無機酸化物層
無機酸化物層に用いられる無機酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２などの金属酸化物、あるいはＳｉＯＮなど一部窒素原子を含む金属酸化物を用いることが出来る。中でも、ＳｉＯ２、ＳｉＯが離型材との密着性に優れることから好ましい。
無機酸化物層はスパッタ法、ＣＶＤ法により形成することができる。
【００２０】
４）離型層
離型層は、金型より転写層が均一に離れて半導体基板に転写するのを補助する層である。パターンが微細になるほど転写される転写材料の単一の面積が小さくなり、剥離力が小さくなるために、補助手段としての離型層が重要は機能を果たす。
離型層の材料としては、分子間凝集力の小さいポリマー若しくはオリゴマーが用いられ、例えば、フロロカーボンポリマーやオリゴマーを挙げることができる。
【００２１】
これらのフロロカーボン化合物およびその他のフロロカーボン化合物の具体例およびそれらの合成方法は、特開２００２−２８３３５４、および同２００４−３５１６９３に記載されていて、それらに記載されている化合物を本発明に於いても有効に利用することができる。
【００２２】
本発明に於ける離型層は、好ましくは、洗浄された金型の上にこれらのポリマーの溶液を塗布法もしくは浸漬法により設けることができる。
【００２３】
５）転写層
本発明に於ける転写層は、半導体素子においてパターニングされるいかなる層であっても良い。例えば、電界発光素子の場合、発光層および電極である。
本発明に於いては、好ましくは有機ＥＬ素子の有機発光層である。
本発明に用いることの出来る発光層および電極については、後述する。
【００２４】
６）層構成
本発明の転写材料は、型基板の上に、少なくともパターン化された樹脂層、無機酸化物層および転写層を有する。好ましくは、前記無機酸化物層と前記転写層との間に離型層を有する。
図１は、本発明の転写材料の構成を示す模式図である。転写材料１０は、型基板１１の上にパターン化された樹脂層１２を有し、該樹脂層１２が凸版を形成している。この上に蒸着法等の手段により無機酸化物層１３、離型層１４、および転写層１５が設けられる。凸版方式により転写に利用されるのは転写層１５であるが、これらの層を設置する手段からの制約により、凹部にも無機酸化物層２３、離型層２４、および転写層２５が形成されるが、これらは転写には無関係である。
図２は従来の金型凸版転写材料による転写工程の概念図である。金型の凸部に転写層６２を有する転写材料６０を有機ＥＬ基板を重ね合わせて加熱および圧着する。有機ＥＬ基板５０は基板５１上にＩＴＯ電極５２を有し、又電極の端部には絶縁層５４を有し、それらの厚みによって表面は平坦ではなく、凹凸を有する。従って、転写材料６０と有機ＥＬ基板５０との圧着が均一に行うことが出来ず、図３に示すように転写欠落部分１００を生じる。また、転写欠落を無くすために圧着圧力を高くしすぎると、電極５２および絶縁層５４に損傷を与え、発光不良、絶縁不良によるショートなどの故障を生じる。
図４は本発明による転写材料によって転写された有機ＥＬ基板を示す模式図である。本発明に於いては、転写材料の凸版部が樹脂により形成され、さらにその上に無機酸化物層および転写層を有するため、圧着した際に、十分な圧力を印可し有機ＥＬ基板の凹凸の吸収して転写材料と有機ＥＬ基板とが隙間無く重ね合わせても有機ＥＬ基板上の例えば電極や絶縁層に損傷を与えることなく、また、転写層にも損傷を与えることなく、転写欠落部分を生じることなく均一な転写層を形成することが出来る。
【００２５】
７）転写法
転写材料と半導体素子基板とを重ね合わせ、圧着し、転写層材料のガラス転移点もしくは溶融温度よりも高い温度に加熱した後に該転写材料と半導体素子基板の重ね合わせ状態より解放することにより転写層が転写される。従って、加熱温度は転写材料により異なるが、一般に室温〜１５０℃である。圧着は、圧力０．０５ＭＰａ〜２０ＭＰａ程度である。
【００２６】
２．有機ＥＬ素子
本発明の有機ＥＬ素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある。）を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【００２７】
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【００２８】
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【００２９】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【００３０】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【００３１】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００３２】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００３３】
本発明においては特に可撓性基板が好ましく用いられる。可撓性基板に用いる材料としては、透過率の高い有機プラスチックフィルムが好ましく、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のプラスティックフィルムを用いることができる。また、フィルム状プラスティック基板には、絶縁性が不十分の場合は絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、フィルム状プラスティック基板の平坦性や電極や活性層との密着性を向上するためのアンダーコート層等を備えることも好ましい。
【００３４】
ここで、可撓性基板の厚みは、５０μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましい。これは、可撓性基板の厚みを５０μｍ未満とした場合には、基板自体が十分な平坦性を保持することが難しいためである。また、可撓性基板の厚みを５００μｍよりも厚くした場合には、基板自体を自由に曲げることが困難になる、すなわち基板自体の可撓性が乏しくなるためである。
【００３５】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【００３６】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００３７】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【００３８】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００３９】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４０】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００４１】
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００４２】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００４３】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【００４４】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００４５】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００４６】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００４７】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００４８】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００４９】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００５０】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００５１】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【００５２】
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【００５３】
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【００５４】
また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【００５５】
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，  Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００５６】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【００５７】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【００５８】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【００５９】
本発明における転写法によるパターニングに用いる発光材料は、特に限定されるものではないが多座金属錯体を発光材料に用いるのが好ましい。多座金属錯体は既に公知の材料を使用することができる。
【００６０】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００６１】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【００６２】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００６３】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００６４】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【００６５】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【００６６】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【００６７】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【００６８】
３．無機電界発光素子
無機電界発光素子は、電極間に配置した高誘電率を有する酸化物からなる第１及び第２絶縁膜、それら絶縁膜の間に狭持された硫化物からなる発光層等の機能層を含む。絶縁層としては、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、等の材料を用いることができる。発光層としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、バリウムチオアルミネート（ＢａＡｌ２Ｓ４）、等の材料を発光層の母体材料に用い、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）、等の遷移金属元素やユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、等の希土類元素を微量含有したものを用いることができる。
【００６９】
（応用）
本発明の有機ＥＬ表示装置は、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い分野で応用される。
【実施例】
【００７０】
以下に、本発明の有機ＥＬ表示装置について、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
【００７１】
実施例１
１．転写材料の作製
１）本発明の転写材料の形成
２５ｍｍ×２５ｍｍの大きさの厚み７ｍｍガラス板を型基板として、その上にフォトレジストとしてフォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化工業（株）製）を用いて、４００μｍ×８００μｍ、深さ１５μｍ、ピッチ３ｍｍの樹脂パターンを形成した。
【００７２】
この上に、順に、下記の無機酸化物層、離型層、および有機ＥＬ発光層を設けて、本発明による転写材料１を作製した。
【００７３】
＜無機酸化物層＞
酸化ケイ素ＳｉＯ２を蒸着した（厚み２００ｎｍ）。
【００７４】
＜離型層＞
フッ素化合物の離型材として、ダイキン工業社製のオプツールＤＳＸを用いて、無機酸化物層（ＳｉＯ２層）の表面に厚み３ｎｍの離型層を設けた。
【００７５】
＜有機ＥＬ層＞
発光層：４，４’−ｄｉ−（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）−ｂｉｐｈｅｎｙｌ（ＣＢＰと略記する）およびＴｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３と略記する）をＩｒ（ｐｐｙ）３がＣＢＰに対して５質量％となるように共蒸着した。厚みは３０ｎｍであった。
正孔輸送層：Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記する）を厚み１０ｎｍに蒸着した。
【００７６】
２）その他の本発明による転写材料の作製
転写材料１に於ける無機酸化物層の厚み、離型層を有しない転写材料を作製した。
転写材料２：転写材料１に於いて、無機酸化物層の厚みを１００ｎｍとした。
転写材料３：転写材料１に於いて、離型層を除いた。
【００７７】
３）比較の転写材料Ａの形成
転写材料１において、パターン化された樹脂層を用いずに、代わりにガラス基板をフォトエッチング法により凸版パターンを形成した。凸部の高さは転写材料１と同じに調整した。その上に転写材料１と同様に離型層および有機ＥＬ発光層を設けて、比較の転写材料Ａを作製した。
４）その他の比較の転写材料の作製
比較の転写材料Ｂ：転写材料１に於いて、無機酸化物層及び離型層を有しない転写材料を作製した。
比較の転写材料Ｃ：転写材料１に於いて、無機酸化物層を有しない転写材料を作製した。
【００７８】
【表１】
0004926858.tif 000002
【００７９】
２．有機ＥＬ素子の作製
１）基板絶縁膜形成
５×５インチの大きさのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮと略称する）フイルム上に、ＳｉＯＮをスパッタリングにより５００ｎｍに蒸着し、基板絶縁膜を形成した。
【００８０】
スパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用いて、ターゲットとしてＳｉ３Ｎ４を用いて、ＲＦパワー４００Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ／Ｏ２＝１２．０／３．０ｓｃｃｍで行った。
【００８１】
２）陽極形成
上記基板を洗浄後、酸化インジウム錫（ＩＴＯと略記）をスパッタリングにより４０ｎｍに成膜した。次にフォトレジストを塗布し、その上にフォトマスクを重ね、それを通して露光し、加熱により未露光部を硬化させ、続くアルカリ現像液による処理により未硬化のレジストを除去した。次にエッチング液を作用させ、硬化フォトレジストで被覆されていない部分の電極部を溶解し除去した。最後にフォトレジストを剥離してパターニングされた陽極が形成された。
【００８２】
ＩＴＯスパッタリング条件：ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて、ＤＣパワー４０Ｗ、スパッタリングガス流量Ａｒ＝１２．０ｓｃｃｍで行った。
【００８３】
フォトレジスト塗布条件：フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化（株）製）をスピンコート４０００ｒｐｍ５０ｓｅｃにより塗布した。プリべーク条件：８０℃、２０ｍｉｎ。
露光条件：５ｓｅｃ．（超高圧水銀ランプのｇ線、１００ｍＪ／ｃｍ２相当）
現像条件
現像液ＮＭＤ−３（東京応化（株）製）：３０ｓｅｃ．（浸漬）＋３０ｓｅｃ．（攪拌）
リンス：純水超音波洗浄、１ｍｉｎ．２回
ポストべーク：１２０℃、３０ｍｉｎ．
エッチング条件：エッチング液、シュウ酸
レジスト剥離条件：剥離液−１０４（東京応化（株）製）、５ｍｉｎ．（浸漬）２回
洗浄：ＩＰＡ超音波で５ｍｉｎ．２回、純水超音波洗浄を５ｍｉｎ．
乾燥：Ｎ２ブローおよび１２０℃でべーク１ｈ。
【００８４】
３）正孔注入層、正孔輸送層の形成
＜正孔注入層＞
４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡと略記する）を抵抗加熱真空蒸着により厚み１４０ｎｍに蒸着した。
【００８５】
＜正孔輸送層＞
Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記する）を抵抗加熱真空蒸着により厚み１０ｎｍに蒸着した。
【００８６】
４）転写法による発光層の形成
先に作製した本発明による転写材料もしくは比較の転写材料と上記各層を設置した可撓性フィルム基板とを転写層を有する面と正孔輸送層を有する面とが相対するように重ね合わせ、下記条件で圧着した。圧着後、フィルムを引きはがした。
圧力：圧力を１．８ＭＰａ、０．８ＭＰａ、０．３ＭＰａと変えて圧着した。
温度および圧着時間：室温で１５秒
【００８７】
５）電子輸送層、電子注入層
下記層を順次、抵抗加熱真空蒸着法により中間層の上に設けた。
電子輸送層：トリス（８−ヒドロキシキノニナート）アルミニウム（Ａｌｑ３と略記する）、厚み２０ｎｍ。
電子注入層：ＬｉＦ、厚み１ｎｍ。
【００８８】
６）陰極形成
抵抗加熱真空蒸着法によりＡｌを厚み２００ｎｍに蒸着し、陰極を形成した。  
【００８９】
７）封止工程
有機ＥＬ素子を設けたＴＦＴ基板上に、封止膜として２μｍのＳｉＮＸ膜をプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）により成膜した。さらに、封止膜の上に、保護フイルム（ＰＥＮフィルムのＳｉＯＮを５０ｎｍ蒸着したもの）を熱硬化型エポキシ樹脂接着剤により接着（９０℃，３ｈ．）した。
【００９０】
３．有機ＥＬ素子の性能
１）評価条件
＜転写の均一性＞
得られた有機ＥＬ素子にＵＶ光を照射し、その発光の均一性を目視により評価し、下記にランク分けした。
○：均一に転写した。
△：一部の凹凸の或る箇所に転写欠落があった。
×：平坦部でも転写欠落があった。
【００９１】
＜電極の損傷＞
電流を印可して、発光強度、駆動電圧を測定し、電極の損傷度を評価した。
○：発光輝度が正常であり、駆動電圧も正常であった。
△：輝度の低下、もしくは駆動電圧が上昇した。
×：発光しない領域があった。
【００９２】
２）結果
得られた結果を表２に示した。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光がムラなく均一であり、また電極破壊も発生せず転写が均一に電極等に損傷を与えずに行われたことを裏付けた。一方、比較の有機ＥＬ素子は、転写欠落が発生し、特にガラス凸版では電極破壊が発生した。
【００９３】
【表２】
0004926858.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の転写材料の構成を示す断面の模式図である。
【図２】従来の転写材料による転写工程の模式図である。
【図３】従来の転写材料による転写で形成された転写層の模式図である。
【図４】本発明の転写材料による転写で形成された転写層の模式図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０：転写材料
１１：型基板
１２：樹脂層
１３、２３：無機酸化物層
１４、２４：離型層
１５、２５：転写層
５０：有機ＥＬ基板
５１：基板
５２：電極（ＩＴＯ）
５４：絶縁層
６０：金型転写材料
６２：転写層
【図１】
0004926858.tif 000004
【図２】
0004926858.tif 000005
【図３】
0004926858.tif 000006
【図４】
0004926858.tif 000007