(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極が内面に形成された第１の基板と、
前記画素電極と対向して画素を構成する対向電極が内面に形成された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された負の誘電率異方性を有する液晶層とを備えた液晶装置において、
前記液晶層は、端部がテーパをもった段差部を形成する層厚調整層によって、層厚の異なる第１の液晶層と第２の液晶層とが該段差部に対応する領域を境界領域として形成されており、
前記画素電極は、連結部を介して接続する複数のサブ画素電極に分割されて前記第１の液晶層に対応する領域と前記第２の液晶層に対応する領域とに配置されており、前記第１の液晶層に対応する領域に配置される前記サブ画素電極および前記第２の液晶層に対応する領域に配置される前記サブ画素電極の前記境界領域側にのみ、前記サブ画素電極の外周縁から中心に向けて延びたスリットが形成されている、
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１の液晶層と前記第２の液晶層は、それぞれ透過表示領域と反射表示領域に対応し、前記層厚調整層によって前記反射表示領域に対応する前記第２の液晶層の厚さが前記透過表示領域に対応する前記第１の液晶層の厚さよりも薄く形成され、
前記サブ画素電極は、前記透過表示領域および前記反射表示領域に対応して配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記スリットは、前記第１の液晶層に対応する領域に配置される前記サブ画素電極のうち最も前記境界領域に近い前記サブ画素電極と、前記第２の液晶層に対応する領域に配置される前記サブ画素電極のうち最も前記境界領域に近い前記サブ画素電極と、にのみ形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記サブ画素電極は略多角形であり、
前記スリットは、前記サブ画素電極の外周縁のうち、前記境界領域側に位置する角部分から当該サブ画素電極の中心に向けて楔状に延びている、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負の誘電率異方性を備えた液晶を用いた液晶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、アクティブマトリクス型の液晶装置は、画素電極が内面に形成された第１の基板と、画素電極と対向して画素を構成する対向電極が内面に形成された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に保持された液晶層とを有している。このような液晶装置において、その視角特性を向上する技術として、誘電率異方性が負の液晶を基板に対して垂直に配向させ、電圧印加により液晶を倒すＶＡ（Ｖｅｒｔｉａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを採用することが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
また、上記非特許文献１には、透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶が３６０°全方向に倒れるよう、対向基板の中央に突起を設けることも提案されている。さらに、半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域の液晶層の厚さを透過表示領域よりも薄くして透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消することが提案されている。
【０００４】
さらに、ＶＡモードを採用した液晶装置に関しては、図１４に示すように、画素電極１２ｘを複数のサブ画素電極１２１ｘ、１２２ｘに分割するとともに、分割したサブ画素電極１２１ｘ、１２２ｘの中心位置に配向制御部１９０ｘを設けるとともに、サブ画素電極１２１ｘ、１２２ｘの外周縁全体に多数のスリット４０ｘを形成することも提案されている（例えば、非特許文献２参照）。
【非特許文献１】Makoto Jisaki and Hidemasa Yamaguchi、Asia Display/IDW' 01、p133（2001）
【非特許文献２】SID2004 Session3 AMLCD TECHNOLOGY1「3.1 MVD LCD for Notebook or Mobile PC's with High Transmittance、High Contrast Ratio、and wide view angle」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、非特許文献２に記載の技術のように、サブ画素の外周縁全体に多数のスリットを形成した場合には、表示に直接寄与しないスリットの面積が広いため、画素開口率（画素全体に対して表示に直接寄与する部分の比率）が著しく低下してしまい、明るい画像を表示できないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、負の誘電率異方性を備えた液晶材料を用いた場合において、画素電極の外周縁にスリットを効果的に配置することにより、画素開口率を低下させることなく、液晶分子の配向を制御することのできる液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、画素電極が内面に形成された第１の基板と、画素電極と対向して画素を構成する対向電極が内面に形成された第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に保持された負の誘電率異方性を有する液晶層とを備えた液晶装置において、液晶層は、端部がテーパをもった段差部を形成する層厚調整層によって、層厚の異なる第１の液晶層と第２の液晶層とが該段差部に対応する領域を境界領域として形成されており、画素電極は、連結部を介して接続する複数のサブ画素電極に分割されて第１の液晶層に対応する領域と第２の液晶層に対応する領域とに配置されており、第１の液晶層に対応する領域に配置されるサブ画素電極および第２の液晶層に対応する領域に配置されるサブ画素電極の境界領域側にのみ、サブ画素電極の外周縁から中心に向けて延びたスリットが形成されている液晶装置が提供される。
【０００９】
また、本願発明に係る液晶装置は、第１の液晶層と第２の液晶層は、それぞれ透過表示領域と反射表示領域に対応し、層厚調整層によって反射表示領域に対応する第２の液晶層の厚さが透過表示領域に対応する第１の液晶層の厚さよりも薄く形成され、サブ画素電極は、透過表示領域および反射表示領域に対応して配置されているとしてもよい。スリットは、第１の液晶層に対応する領域に配置されるサブ画素電極のうち最も境界領域に近いサブ画素電極と、第２の液晶層に対応する領域に配置されるサブ画素電極のうち最も境界領域に近いサブ画素電極と、にのみ形成されるとしてもよい。また、サブ画素電極は略多角形であり、スリットは、サブ画素電極の外周縁のうち、境界領域側に位置する角部分から当該サブ画素電極の中心に向けて楔状に延びているとしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明においては、便宜上、面内方向で互いに交差する方向をＸ方向およびＹ方向とし、かつ、表示光が出射される側を表示画像を視認する観察者が位置する側という意味で「観察面側」と表記する。また、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。
【００１１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置を斜め上方（対向基板）の側からみた概略斜視図、および液晶装置をＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。なお、本形態の液晶装置は、カラー表示用であるため、各画素が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応しているので、対応する色については、各符号の後ろに（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を付して表すこととする。
【００１２】
図１に示す液晶装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、複数の信号としての走査線３１がＸ方向（行方向）に形成され、複数のデータ線６がＹ方向（列方向）に形成されている。走査線３１とデータ線６との各交差点に対応する位置には画素５０が形成され、各画素５０には、画素スイッチング用のＴＦＴ７ａ（非線形素子）が構成されている。各走査線３１は走査線駆動回路３ｃによって駆動され、各データ線６はデータ線駆動回路６ｃによって駆動される。データ線６は、ＴＦＴ７ａのソースに電気的に接続され、ＴＦＴ７ａのゲートには走査線３１が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１にパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｃから供給される。画素電極１２は、ＴＦＴ７ａのドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ７ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６から供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、容量線３２などを利用して、画素電極１２と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０によって、画素電極１２の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置が実現できる。
【００１３】
複数の画素５０は、後述するカラーフィルタの色によって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に各々対応しており、これら３色に対応する画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）は各々がサブドットとして機能し、かつ、３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）によって１つのドット５が構成されている。従って、本形態では、これら３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）を備えたドット５が多数、マトリクス状に配置されている。
【００１４】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１ａを構成するにあたっては、観察面側とは反対側に位置する素子基板１０（第１の基板）と、観察面側に位置する対向基板２０（第２の基板）とをシール材３０（図２（ａ）には一点鎖線で示す）によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶材料を封入し、液晶層８を構成する。素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００１５】
素子基板１０は、対向基板２０とシール材３０によって貼り合わされた状態で対向基板２０の端縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに可撓性基板４２が接続されている。なお、素子基板１０には、ＴＦＴによって走査線駆動回路３ｃおよびデータ線駆動回路６ｃが構成されている。
【００１６】
図２（ｂ）に示すように、素子基板１０の側（背面側）にはバックライト装置９が配置され、このバックライト装置９は、複数のＬＥＤ（発光素子）などからなる光源９１と、光源９１から出射された光が側端面から入射して出射面から対向基板２０に向けて出射される透明樹脂製の導光板９２とを備えている。導光板９２と対向基板２０との間には、１／４波長板９６や偏光板９７が配置され、対向基板２０の側にも、１／４波長板９８や偏光板９９が対向配置されている。
【００１７】
（画素構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図であり、図３には、素子基板に形成されている要素、および対向基板に形成されている要素を区別せずに重ねて表してある。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図であり、図３のIII−III’断面図に相当する。
【００１８】
図３および図４に示すように、素子基板１０の内面には、走査線３１および容量線３２と、ゲート絶縁膜７１と、ＴＦＴ７ａの能動層を形成するシリコン膜からなる半導体層７２と、データ線６（ソース電極）およびドレイン電極７３と、感光性樹脂や無機酸化膜などからなる透明な層間絶縁膜１５と、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる画素電極１２と、配向膜１３（垂直配向膜）とがこの順に形成されている。画素電極１２は、層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５１を介してドレイン電極７３に電気的に接続しており、ドレイン電極７３は、容量線３２との間にゲート絶縁膜７１を誘電体とする蓄積容量７０を構成している。これに対して、向基板２０の側には、カラーフィルタ２３および遮光膜２７と、平坦化膜２９と、ＩＴＯなどからなる対向電極２８と、配向膜２６（垂直配向膜）とがこの順に形成されている。カラーフィルタ２３としては、画素５０毎に所定色のカラーフィルタが形成されている。素子基板１０には、感光性樹脂によって柱状スペーサ３５が形成されており、この柱状スペーサ３５によって、素子基板１０と対向基板２０との間には、所定の隙間が形成され、この隙間に液晶層８が保持されている。
【００１９】
このように構成した液晶装置１ａにおいて、液晶層８としては、誘電率異方性が負の液晶材料が用いられ、配向膜１３、２６としては垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。また、対向基板２０において、対向電極２８の上層側には、画素電極１２の中心を含む位置に配向制御用突起１９９（配向制御部）が形成されている。このような配向制御用突起１９９は例えば、高さが１．２μｍで、配向膜２６の界面にプレチルトをもったなだらかな斜面を構成している。かかる配向制御用突起１９９は、ノボラック系のポジタイプのフォトレジストを現像後、ポストベークすることにより形成できる。本形態において、コンタクトホール１５１は、配向制御用突起１９９と重なる位置に形成されている。
【００２０】
本形態において、画素電極１２は、図３に示すように、平面形状が略４角形であり、その角部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄには、外周縁から画素電極１２の中心に向かって延びた楔状のスリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成され、その他の部分にはスリットが形成されていない。本形態では、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、いずれの箇所でも８μｍ以下に設定してあり、その長さ寸法は５〜２０μｍである。
【００２１】
（本形態の主な効果）
このように本形態の液晶装置１ａでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。また、本形態の液晶装置１ａでは、画素電極１２の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用突起１９９が形成されているため、画素電極１２の中心部分では、垂直配向させた液晶分子を３６０℃の方向にわたって倒すことができる。このため、本形態の液晶装置１ａは視角が広い。
【００２２】
また、本形態の液晶装置１ａでは、画素電極１２の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用突起１９９が形成されているため、画素電極１２の中心部分では、垂直配向させた液晶分子を３６０℃の方向にわたって倒すことができ、ディスクリネーションが画素中心部分に固定されるため、表示品位に優れる。
【００２３】
また、画素電極１２が略四角形であり、角部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、配向制御用突起１９９から離れているので、配向制御用突起１９９によって配向を制御できないが、本形態では、かかる角部分１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄには、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成されているので、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄにより発生する斜め電界により液晶分子の配向を制御できる。従って、本形態によれば、最も配向が乱れやすい領域にのみスリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを形成しているため、画素電極１２の外周縁全体に多数のスリットを形成しなくても液晶分子の配合を制御できるので、画素電極の外周縁全体に多数のスリットを形成した場合と比較して、画素開口率が高く、明るい表示を行うことができる。
【００２４】
また、本形態では、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅を８μｍ以下に設定してあるため、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄにより発生させた斜め電界の影響が大きすぎて画素全体の液晶分子の配向を乱すおそれがない。また、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅が８μｍ以下であれば、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄにより発生させた斜め電界で液晶分子の配向を制御できるので、スリット４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに相当する部分でも光変調を行わせることができ、表示に寄与する。それ故、表示光量の損失を最小限に抑えることができるので、明るい画像を表示することができる。
【００２５】
なお、本形態は、透過型の液晶装置に本発明を適用した例であったが、反射型あるいは半透過反射型の液晶装置に本形態の構成を採用してもよい。
【００２６】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図であり、図５のＶ−Ｖ’断面図に相当する。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置においてサブ画素電極にスリットを形成したときの等電位線を示す説明図である。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成が実施の形態１と共通しているので、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００２７】
図５および図６に示す液晶装置１ａも、実施の形態１と同様、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いた透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板１０の内面には、走査線３１および容量線３２と、ゲート絶縁膜７１と、ＴＦＴ７ｂの能動層を形成するシリコン膜からなる半導体層７２と、データ線６およびドレイン電極７３と、感光性樹脂や無機酸化膜などからなる透明な層間絶縁膜１５と、ＩＴＯなどからなる画素電極１２と、配向膜１３（垂直配向膜）とがこの順に形成されている。これに対して、対向基板２０の内面には、カラーフィルタ２３および遮光膜２７と、平坦化膜２９と、ＩＴＯなどからなる対向電極２８と、配向膜２６（垂直配向膜）とがこの順に形成されている。
【００２８】
このように構成した液晶装置１ａにおいて、液晶層８としては、誘電率異方性が負の液晶材料が用いられ、配向膜１３、２６として垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。
【００２９】
また、本形態の液晶装置１ａにおいて、画素電極１２は、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｈｏｌｅ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）を備えている。すなわち、画素電極１２は、データ線６の延設方向に沿って配列された３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割されている。但し、サブ画素電極１２１とサブ画素電極１２２は、幅方向（Ｘ方向）の中央部分で幅細の連結部１２６で繋がっており、サブ画素電極１２２とサブ画素電極１２３は、幅方向（Ｘ方向）の中央部分で幅細の連結部１２６で繋がっている。ここで、サブ画素電極１２１、１２２、１２３はいずれも、平面形状が略４角形である。
【００３０】
さらに、対向基板２０において、対向電極２８には、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む各位置に配向制御用開口１９８（配向制御部）が形成されている。本形態において、コンタクトホール１５１は、サブ画素電極１２１の中心位置と対向する配向制御用開口１９８と重なる位置に形成されている。
【００３１】
本形態では、複数のサブ画素電極１２１、１２２、１２３の外周縁には、連結部１２６、１２７が位置する側で連結部１２６、１２７を挟む両側位置からサブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心に向けて延びた楔状のスリット４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４３ｃ、４３ｄが２本ずつ形成されている。すなわち、本形態の場合、サブ画素電極１２１、１２２、１３が略４角形であるため、連結部１２６が位置する側で連結部１２６を挟む４つの角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄには、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成され、連結部１２７が位置する側で連結部１２７を挟む４つの角部分１２２ａ、１２２ｂ、１２３ｃ、１２３ｄには、スリット４２ａ、４２ｂ、４３ｃ、４３ｄが２本ずつ形成されている。
【００３２】
さらに、本形態では、他の角部分１２１ｃ、１２１ｄ、１２３ａ、１２３ｂにも、サブ画素電極１２１、１２３の中心に向けて延びたスリット４１ｃ、４１ｄ、４３ａ、４３ｂが２本ずつ形成されている。なお、本形態では、スリット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄの幅は、いずれの箇所でも８μｍ以下に設定してあり、その長さ寸法はいずれも５〜２０μｍである。
【００３３】
このように本形態の液晶装置１ａでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。このため、本形態の液晶装置１ａは視角が広い。
【００３４】
また、本形態の液晶装置１ａでは、画素電極１２が３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割されているため、画素電極１２の外周部分で発生した斜め電界で液晶分子の配向を制御できる。この場合、サブ画素電極１２１、１２２、１２３同士は連結部１２６、１２７を介して繋がっており、この連結部１２６、１２７に相当する部分では、液晶分子の配向を制御できないが、本形態では、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の外周縁には、連結部１２６、１２７を挟む両側の角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、および角部分１２２ａ、１２２ｂ、１２３ｃ、１２３ｄでは、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心に向けてスリット４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４３ｃ、４３ｄが２本ずつ延びているため、連結部１２６、１２７付近での液晶分子の配向を制御できる。
【００３５】
例えば、図７（ａ）に示す位置で、スリット４１ａ、４１ｂが形成されたサブ画素電極１２１を切断した場合の等電位面を図７（ｂ）に実線Ｌ１で示し、サブ画素電極１２１にスリットを形成しない場合の等電位線を図７（ｂ）に実線Ｌ２で示すと、サブ画素電極１２１にスリット４１ａ、４１ｂを形成すると、スリット４１ａ、４１ｂの間に連結部１２６が位置するため、電位勾配面の電位勾配を大きくすることができる。それ故、連結部１２６上で発生する液晶分子のディスクリネーションが移動するのを防止でき、安定した画像を表示できる。
【００３６】
しかも、本形態の液晶装置１ａでは、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用開口１９８が形成されているため、画素電極１２の中心部分では、垂直配向させた液晶分子を３６０℃の方向にわたって倒すことができるので、ディスクリネーションが発生しない。この場合、サブ画素電極１２１、１２２、１２３が略四角形であり、角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄは、配向制御用開口１９８から離れているので、配向制御用開口１９８によって配向を制御できないが、本形態では、かかる角部分のいずれにも、スリット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄが形成されているので、スリットにより発生する斜め電界により液晶分子の配向を制御できる。
【００３７】
従って、本形態によれば、最も配向が乱れやすい領域にのみスリット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄを形成しているため、画素電極１２の外周縁全体に多数のスリットを形成しなくても液晶分子の配合を制御できるので、画素電極の外周縁全体に多数のスリットを形成した場合と比較して、画素開口率が高く、明るい表示を行うことができる。
【００３８】
また、本形態では、スリット４１ａ、４１ｂ・・・の幅を８μｍ以下に設定してあるため、スリット４１ａ、４１ｂ・・・により発生させた斜め電界の影響が大きすぎて画素全体の液晶分子の配向を乱すおそれがない。また、スリット４１ａ、４１ｂ・・・の幅が８μｍ以下であれば、スリット４１ａ、４１ｂ・・・により発生させた斜め電界で液晶分子の配向を制御できるので、スリット４１ａ、４１ｂ・・・に相当する部分でも光変調を行わせることができ、表示に寄与する。それ故、表示光量の損失を最小限に抑えることができるので、明るい画像を表示することができる。
【００３９】
なお、本形態は、透過型の液晶装置に本発明を適用した例であったが、反射型あるいは半透過反射型の液晶装置に本形態の構成を採用してもよい。また、本形態は、サブ画素電極の形状が４角形以外の多角形、あるいは円形の場合にも適用することができる。
【００４０】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。図９は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図であり、図８のVIII−VIII’断面図に相当する。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成が実施の形態１と共通しているので、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００４１】
図８および図９に示す液晶装置１ａは、実施の形態１と違って、半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板１０の内面では、層間絶縁膜１５と画素電極１２との層間のうち、後述する領域にアルミニウム合金や銀合金からなる反射層１６が形成されている。また、層間絶縁膜１５は、感光性樹脂によって、表面に凹凸を備えた凹凸形成層として形成され、その凹凸は、反射層１６の表面に散乱用の凹凸として反映されている。なお、画素電極１２は、層間絶縁膜１５のコンタクトホール１５１を介してドレイン電極７３に電気的に接続している。
【００４２】
これに対して、対向基板２０の側には、カラーフィルタ２３および遮光膜２７と、平坦化膜２９と、ＩＴＯなどからなる対向電極２８と、配向膜２６（垂直配向膜）とがこの順に積層されているが、反射層１６と対向する領域には、後述する層厚調整層２５が形成されている。
【００４３】
このように構成した液晶装置１ａにおいて、液晶層８としては、誘電率異方性が負の液晶材料が用いられ、配向膜１３、２６として垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。
【００４４】
また、本形態の液晶装置１ａでは、画素電極１２は、データ線６の延設方向に沿って配列された３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割され、サブ画素電極１２１とサブ画素電極１２２は、幅細の連結部１２６で繋がっている。また、サブ画素電極１２２とサブ画素電極１２３は、幅細の連結部１２７で繋がっている。ここで、サブ画素電極１２１、１２２、１２３はいずれも、平面形状が略４角形である。
【００４５】
さらに、対向基板２０において、対向電極２８には、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む各位置に配向制御用開口１９８（配向制御部）が形成されている。本形態において、コンタクトホール１５１は、サブ画素電極１２１の中心位置と対向する配向制御用開口１９８と重なる位置に形成されている。
【００４６】
また、本形態では、３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２１と平面的に重なる領域のみに反射層１６が形成されている。このため、サブ画素電極１２１および反射層１６が形成されている領域は、反射表示領域５２として機能し、サブ画素電極１２３、１２２が形成されている領域は、透過表示領域５１として機能する。すなわち、透過表示領域５１は、観察面とは反対側から入射した光（バックライト装置９０から出射された光）を観察面側に出射して透過モードでカラー表示を行い、反射表示領域５２は、観察面側から入射した外光を観察面側に反射して反射モードでカラー表示を行う。
【００４７】
また、層厚調整層２５は、反射表示領域５２のみに形成され、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしている。例えば、層厚調整層２５は、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴの約１／２としている。
【００４８】
このように構成した液晶装置１ａにおいて、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しており、かかる段差部２５１では、液晶分子が基板面に対してプレチルトを有し、配向が乱れやすい。その結果、連結部１２６ではディスクリネーションが移動しやすく、対称性が損なわれてしまう。
【００４９】
そこで、本形態では、複数のサブ画素電極１２１、１２２の外周縁には、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する両側部分からサブ画素電極１２１、１２２の中心に向けて斜めに延びた楔状のスリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されている。すなわち、本形態の場合、サブ画素電極１２１、１２２が略４角形であるため、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する４つの角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄには、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されている。
【００５０】
ここで、スリット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄの幅は、いずれの箇所でも８μｍ以下に設定してあり、その長さ寸法はいずれも５〜２０μｍである。また、サブ画素電極１２１、１２２において、２本のスリット４１ａで挟まれた部分１２１ａ’、２本のスリット４１ｂで挟まれた部分１２１ｂ’、２本のスリット４２ｃで挟まれた部分１２２ｃ’、および２本のスリット４２ｄで挟まれた部分１２２ｄ’は、サブ画素電極１２１、１２２の輪郭線（周辺）からみて外周側に突出している。
【００５１】
このように本形態の液晶装置１ａでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。また、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用開口１９８が形成されているため、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心部分では、垂直配向させた液晶分子を３６０℃の方向にわたって倒すことができる。このため、本形態の液晶装置１ａは視角が広い。
【００５２】
また、本形態の液晶装置１ａでは、画素電極１２が３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割されているため、画素電極１２の外周部分で発生した斜め電界で液晶分子の配向を制御できる。
【００５３】
さらに、反射表示領域５２には層厚調整層２５が形成され、層厚調整層２５は、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしている。従って、反射表示領域５２から観察面側に出射される光は、液晶層８を２回透過するのに対して、透過表示領域５１から観察面側に出射される光は液晶層８を１回だけしか透過しないが、透過表示光と反射表示光との間でのリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消できる。それ故、透過表示光および反射表示光の双方が液晶層８によって好適に光変調されるので、透過モードおよび反射モードの双方において、コントラストなどの面で品位の高い画像を表示することができる。
【００５４】
この場合、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しているが、サブ画素電極１２１、１２２、１３において、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する４つの角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄには、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されているため、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域付近の液晶分子の配向を制御できる。
【００５５】
従って、本形態によれば、最も配向が乱れやすい領域にのみスリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄを形成しているため、画素電極１２の外周縁全体に多数のスリットを形成しなくても液晶分子の配合を制御できるので、画素電極の外周縁全体に多数のスリットを形成した場合と比較して、画素開口率が高く、明るい表示を行うことができる。
【００５６】
また、本形態では、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄの幅を８μｍ以下に設定してあるため、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄにより発生させた斜め電界の影響が大きすぎて画素全体の液晶分子の配向を乱すおそれがない。また、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄの幅が８μｍ以下であれば、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄにより発生させた斜め電界で液晶分子の配向を制御できるので、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄに相当する部分でも光変調を行わせることができ、表示に寄与する。それ故、表示光量の損失を最小限に抑えることができるので、明るい画像を表示することができる。
【００５７】
なお、本形態は、サブ画素電極の形状が４角形以外の多角形、あるいは円形の場合にも適用することができる。
【００５８】
［実施の形態４］
上記実施の形態１〜３は、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であったが、以下に説明するように、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。以下、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型液晶装置に、実施の形態３に係る構成を適用した例を説明する。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成が実施の形態１と共通しているので、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。
【００５９】
（全体構成）
図１０は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置を斜め下方（対向基板）の側からみた概略斜視図、および液晶装置をＹ方向に切断したときの断面を模式的に示す説明図である。
【００６０】
図１０に示す液晶装置１ｂは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数のデータ線６がＹ方向（列方向）に延びており、複数の走査線３がＸ方向（行方向）に延びている。走査線３とデータ線６との各交差点に対応する位置には画素５０（５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ））が各々形成され、これらの画素５０のいずれにおいても、液晶層８と、画素スイッチング用のＴＦＤ７ｂとが直列に接続されている。各走査線３は走査線駆動回路３ｂによって駆動され、各データ線６はデータ線駆動回路６ｂによって駆動される。
【００６１】
複数の画素５０は、後述するカラーフィルタの色によって、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に各々対応しており、これら３色に対応する画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）は各々がサブドットとして機能し、かつ、３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）によって１つのドット５が構成されている。従って、本形態では、これら３つの画素５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）を備えたドット５が多数、マトリクス状に配置されている。
【００６２】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１ｂを構成するにあたっては、観察面側に位置する素子基板１０（第１の基板）と、観察面側とは反対側に位置する第２の基板としての対向基板２０（第２の基板）とをシール材３０によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶を封入し、液晶層８を構成してある。素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。シール材３０は、対向基板２０の縁辺に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶を封入するために一部が開口している。このため、液晶の封入後にその開口部分が封止材３１によって封止される。
【００６３】
素子基板１０は、対向基板２０とシール材３０によって貼り合わされた状態で対向基板２０の端縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａに向けて、走査線３およびデータ線６に接続する配線パターンが延びている。シール材３０には導電性を有する多数の導通粒子が分散されている。この導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された所定の配線パターン同士を基板間導通させる機能を備えている。このため、本形態では、走査線３およびデータ線６に信号を出力するＩＣ４１が素子基板１０の張り出し領域１０ａにＣＯＧ実装され、かつ、この素子基板１０の張り出し領域１０ａの端縁に対して可撓性基板４２が接続されている。
【００６４】
図１１（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１ｂでは、対向基板２０の側（背面側）にバックライト装置９が配置され、このバックライト装置９は、複数のＬＥＤ（発光素子）などからなる光源９１と、光源９１から出射された光が側端面から入射して出射面から対向基板２０に向けて出射される透明樹脂製の導光板９２とを備えている。導光板９２と対向基板２０との間には、１／４波長板９６や偏光板９７が配置され、素子基板１０の側にも、１／４波長板９８や偏光板９９が対向配置されている。
【００６５】
（画素構成）
図１２は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。図１３は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図であり、図１２のXII−XII’断面図に相当する。なお、図１２には、素子基板１０に形成されている要素、および対向基板２０に形成されている要素を区別せずに重ねて表してある。
【００６６】
図１２および図１３に示すように、素子基板１０の内面側（液晶層８の側）には、透明な下地膜（図示せず）、複数のデータ線６、このデータ線６に電気的に接続するＴＦＤ７ｂ、シリコン酸化膜などからなる透明な層間絶縁膜１５、この層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール１５１を介してＴＦＤ７ｂに電気的に接続するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる透明な画素電極１２、および配向膜１３（垂直配向膜）が形成されており、画素電極１２は、ＴＦＤ７ｂを介してデータ線６に電気的に接続されている。ＴＦＤ７ｂは、２つのＴＦＤからなり、データ線６の側からみても、あるいはその反対側からみても順番に、第１金属膜／酸化膜／第２金属膜となっている。このため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。
【００６７】
一方、対向基板２０の内面側（液晶層８の側）には、透明な感光性樹脂からなる凹凸形成層２１と、アルミニウム合金や銀合金などからなる反射層２２と、カラーフィルタ２３および遮光膜２７と、平坦化膜２９と、透明な感光性樹脂からなる層厚調整層２５と、走査線３としてのストライプ状の対向電極（走査電極）と、配向膜２６とがこの順に積層されており、走査線３は、ＩＴＯなどから構成されている。ここで、凹凸形成層２１は、表面に凹凸が形成されており、このような凹凸は、反射層２２の表面に散乱用の凹凸として反映されている。
【００６８】
このように構成した液晶装置１ｂにおいて、液晶層８としては、誘電率異方性が負の液晶材料が用いられ、配向膜１３、２６として垂直配向膜が用いられている。このため。液晶層８において、液晶分子は、電圧が印加されていない状態で基板面に垂直配向している。
【００６９】
また、本形態の液晶装置１ｂでは、実施の形態３と同様、画素電極１２は、データ線６の延設方向に沿って配列された３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割され、サブ画素電極１２１とサブ画素電極１２２は、幅細の連結部１２６で繋がっている。また、サブ画素電極１２２とサブ画素電極１２３は、幅細の連結部１２６で繋がっている。ここで、サブ画素電極１２１、１２２、１２３はいずれも、平面形状が略４角形である。
【００７０】
対向基板２０において、走査線３には、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む各位置に配向制御用開口１９８（配向制御部）が形成されている。本形態において、コンタクトホール１５１は、サブ画素電極１２１の中心位置と対向する配向制御用開口１９８と重なる位置に形成されている。
【００７１】
また、本形態では、３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３のうち、サブ画素電極１２３と平面的に重なる領域のみに反射層２２が形成されている。このため、サブ画素電極１２３および反射層２２が形成されている領域は、反射表示領域５２として機能し、サブ画素電極１２１、１２２が形成されている領域は、透過表示領域５１として機能する。
【００７２】
また、層厚調整層２５は、反射表示領域５２のみに形成され、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴよりも薄くしている。例えば、層厚調整層２５は、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴの約１／２としている。
【００７３】
このように構成した液晶装置１ａにおいて、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しており、かかる段差部２５１では、液晶分子が基板面に対してプレチルトを有し、配向が乱れやすい。
【００７４】
そこで、本形態では、複数のサブ画素電極１２１、１２２の外周縁には、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する両側部分からサブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心に向けて斜めに延びた楔状のスリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されている。すなわち、本形態の場合、サブ画素電極１２１、１２２、１３が略４角形であるため、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する４つの角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄには、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されている。
【００７５】
ここで、スリット４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄの幅は、いずれの箇所でも８μｍ以下に設定してあり、その長さ寸法はいずれも５〜２０μｍである。また、サブ画素電極１２１、１２２において、２本のスリット４１ａで挟まれた部分１２１ａ’、２本のスリット４１ｂで挟まれた部分１２１ｂ’、２本のスリット４２ｃで挟まれた部分１２２ｃ’、および２本のスリット４２ｄで挟まれた部分１２２ｄ’は、サブ画素電極１２１、１２２の輪郭線からみて外周側に突出している。
【００７６】
（本形態の主な効果）
このように本形態の液晶装置１ｂでは、負の誘電率異方性を備えた液晶分子を基板面に対して垂直配向させ、電圧の印加によって液晶分子を倒して光変調を行う。また、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用開口１９８が形成されているため、サブ画素電極１２１、１２２、１２３の中心部分では、垂直配向させた液晶分子を３６０℃の方向にわたって倒すことができる。このため、本形態の液晶装置１ａは視角が広い。また、画素電極１２が３つのサブ画素電極１２１、１２２、１２３に分割されているため、画素電極１２の外周部分で発生した斜め電界で液晶分子の配向を制御できる。さらに、層厚調整層２５は、反射表示領域５２における液晶層８の厚さｄＲを透過表示領域５１における液晶層８の厚さｄＴよりも透過表示光と反射表示光との間におけるリタデーション（Δｎ・ｄ）の差を解消しているので、透過表示光および反射表示光の双方を好適に光変調することができる。この場合、層厚調整層２５の端部は、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域に斜め上向きのテーパをもった段差部２５１を構成しているが、サブ画素電極１２１、１２２、１３において、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域側に位置する４つの角部分１２１ａ、１２１ｂ、１２２ｃ、１２２ｄには、スリット４１ａ、４１ｂ、４２ｃ、４２ｄが２本ずつ形成されているため、反射表示領域５２と透過表示領域５１との境界領域付近の液晶分子の配向を制御できる。従って、本形態によれば、画素電極１２の外周縁全体に多数のスリットを形成しなくても液晶分子の配合を制御できるので、画素電極の外周縁全体に多数のスリットを形成した場合と比較して、画素開口率が高く、明るい表示を行うことができるなど、実施の形態３と同様な効果を奏する。
【００７７】
なお、本形態は、サブ画素電極の形状が４角形以外の多角形、あるいは円形の場合にも適用することができる。
【００７８】
［その他の実施の形態］
上記実施の形態において、液晶装置が半透過反射型の場合、カラーフィルタ２３については、透過表示領域５１には透過表示用カラーフィルタを形成し、反射表示領域５２には反射表示用カラーフィルタを形成してもよい。この場合、透過表示用カラーフィルタは、厚さ、色材の種類や配合量などが透過モードでカラー画像を表示するのに最適な条件に設定され、反射表示用カラーフィルタは、厚さ、色材の種類や配合量などが反射モードでカラー画像を表示するのに最適な条件に設定されている。従って、反射表示領域５２から観察面側に出射される光は、反射表示用カラーフィルタを２回透過するのに対して、透過表示領域から観察面側に出射される光は、透過表示用カラーフィルタを１回だけしか透過しないが、透過モードおよび反射モードの双方において、色再現性に優れ、かつ、明るい画像を表示することができる。なお、上記実施の形態では、カラー表示用の画素を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応させたが、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどに対応させてもよい。
【００７９】
［電子機器］
本発明に係る液晶装置は、携帯電話機、ノート型のパーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話などといった電子機器の表示部として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置を斜め上方からみた概略斜視図、および液晶装置の断面を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置においてサブ画素電極にスリットを形成したときの等電位線を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置を斜め下方の側からみた概略斜視図、および液晶装置の断面を模式的に示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態４に係る液晶装置の１ドット分の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る液晶装置に形成されている多数の画素のうちの１つを拡大して示す断面図である。
【図１４】参考例に係る液晶装置に用いられた画素電極の平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１ａ，１ｂ…液晶装置、３，３１…走査線、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ，４３ｃ，４３ｄ…スリット、６…データ線、７ａ…ＴＦＴ、７ｂ…ＴＦＤ、８…液晶層、１０…素子基板、１２…画素電極、１２ａ〜ｄ，１２１ａ〜ｄ，１２２ａ〜ｄ，１２３ａ〜ｄ…角部分、２０…対向基板、１６，２２…反射層、２３…カラーフィルタ、２５…層厚調整層、５０…画素、５１…透過表示領域、５２…反射表示領域、１２１，１２２，１２３…サブ画素電極、１９８…配向制御用開口（配向制御部）、１９９…配向制御用突起（配向制御部）、２５１…層厚調整層のテーパ状の段差部、１２６，１２７…連結部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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