(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体上に、第１のＣ含有膜と、並列配置された所定の方向に長手方向を有する第１の無機層のパターンと、を積層する工程と、
前記第１のＣ含有膜および前記第１の無機層のパターン上に、第２のＣ含有膜と、少なくとも一部が並列配置されて前記第１の無機層のパターンと交差する第２の無機層のパターンと、を積層する工程と、
前記第１および第２のＣ含有膜の、前記第１および第２の無機層のパターンの少なくとも一方の略直下以外に位置する領域をエッチングにより除去し、前記第１および第２の無機層のパターンならびにエッチング加工された前記第１および第２のＣ含有膜を含むエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記被処理体にエッチングを施し、前記被処理体のパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１および第２のＣ含有膜にＯ２含有ガスを用いたエッチングを施し、前記エッチングマスクをエッチング加工した前記被処理体上から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
被処理体上に、Ｃ含有膜と、並列配置された所定の方向に長手方向を有する第１の無機膜のパターンと、を積層する工程と、
前記Ｃ含有膜の、前記第１の無機膜のパターンの略直下以外に位置する領域をエッチングし、溝を形成する工程と、
前記溝内および前記第１の無機膜のパターン上に、第２の無機膜を形成する工程と、
前記第２の無機膜上に、少なくとも一部が並列配置されて前記第１の無機膜のパターンと交差するレジストのパターンを形成する工程と、
前記第１の無機膜のパターンの前記レジストのパターンの略直下以外に位置する部分、および前記第２の無機膜の前記レジストのパターンの略直下以外に位置する部分の前記溝の外に位置する部分をエッチングにより除去する工程と、
前記Ｃ含有膜の、エッチング加工された前記第１の無機膜のパターンおよび前記第２の無機膜の少なくとも一方の略直下以外に位置する領域をエッチングにより除去し、前記第１の無機膜のパターン、前記第２の無機膜およびエッチング加工された前記Ｃ含有膜を含むエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記被処理体にエッチングを施し、前記被処理体のパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
前記Ｃ含有膜にＯ２含有ガスを用いたエッチングを施し、前記エッチングマスクをエッチング加工した前記被処理体上から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１の無機膜のパターンと前記第２の無機膜は、同一の材料からなることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のフォトリソグラフィ法によるパターン形成方法として、エッチング加工の対称となる被処理体上に、並列配置された複数の直線状の部材からなる第１のマスク層と、被処理体および第１のマスク層上に、第１のマスク層に直交する方向に並列配置された複数の直線状の部材からなる第２のマスク層と、を形成し、第１および第２のマスク層をマスクとして用いて被処理体にエッチングを施すことにより、被処理体に微小な矩形パターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
しかし、これらの方法によると、マスクが主に無機材料から構成されているため、被処理体上から完全に除去することが困難であり、パターン形成後の工程に悪影響を及ぼすおそれがある。具体的には、例えば、マスクが被処理体上に残ることにより、凹部のアスペクト比が上昇して上層の部材が形成し難くなる等の問題が生じるおそれがある。
【特許文献１】特開２０００−３５７７３６号公報
【特許文献２】特開２００３−１８８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、微小パターン形成後にマスクを剥離することのできるパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、被処理体上に、第１のＣ含有膜と、並列配置された所定の方向に長手方向を有する第１の無機層のパターンと、を積層する工程と、前記第１のＣ含有膜および前記第１の無機層のパターン上に、第２のＣ含有膜と、少なくとも一部が並列配置されて前記第１の無機層のパターンと交差する第２の無機層のパターンと、を積層する工程と、前記第１および第２のＣ含有膜の、前記第１および第２の無機層のパターンの少なくとも一方の略直下以外に位置する領域をエッチングにより除去し、前記第１および第２の無機層のパターンならびにエッチング加工された前記第１および第２のＣ含有膜を含むエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記被処理体にエッチングを施し、前記被処理体のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
【０００６】
また、本発明の他の態様は、被処理体上に、Ｃ含有膜と、並列配置された所定の方向に長手方向を有する無機膜パターンと、を積層する工程と、前記Ｃ含有膜の、前記無機膜パターンの略直下以外に位置する領域をエッチングし、溝を形成する工程と、前記溝内および前記無機膜パターン上に、無機膜を形成する工程と、前記無機膜上に、少なくとも一部が並列配置されて前記無機膜パターンと交差するレジストのパターンを形成する工程と、前記無機膜パターンの前記レジストのパターンの略直下以外に位置する部分、および前記無機膜の前記レジストのパターンの略直下以外に位置する部分の前記溝の外に位置する部分をエッチングにより除去する工程と、前記Ｃ含有膜の、エッチング加工された前記無機膜パターンおよび前記無機膜の少なくとも一方の略直下以外に位置する領域をエッチングにより除去し、前記無機膜パターン、前記無機膜およびエッチング加工された前記Ｃ含有膜を含むエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記被処理体にエッチングを施し、前記被処理体のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、微小パターン形成後にマスクを剥離することのできるパターン形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
〔第１の実施の形態〕
（エッチングマスクの構成）
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの斜視図および上面図である。
【０００９】
エッチングマスク１は、エッチングマスク１のパターンを転写する被処理体２上に形成される。また、エッチングマスク１は、長手方向が所定の第１の方向Ｄ１である並列配置された複数の板状部材からなり、並列した第１の方向Ｄ１の直線状の第１のパターンを有する第１のパターン部１０と、長手方向が第１の方向Ｄ１と異なる方向（例えば直交する方向）である第２の方向Ｄ２に並列配置された複数の板状部材からなり、並列した第２の方向Ｄ２の直線状の第２のパターンを有する第２のパターン部２０と、を有する。
【００１０】
すなわち、エッチングマスク１は、交差する第１のパターン部１０の第１のパターンと、第２のパターン部２０の第２のパターンからなるクロスパターンを有する。
【００１１】
第１のパターン部１０は、被処理体上に位置する第１のＣ含有層１１と、第１のＣ含有層１１上に位置する第１の無機層１２を有する。
【００１２】
第２のパターン部２０は、被処理体２上に位置する第２のＣ含有層２１ａと、第２のＣ含有層２１ａ上に位置する第２のＣ含有層２１ｂと、第２のＣ含有層２１ｂ上に位置する第２の無機層２２を有する。
【００１３】
第１のパターン部１０の第１のＣ含有層１１と、第２のパターン部２０の第２のＣ含有層２１ａは、カーボン膜、レジスト膜等のＣを含有する材料からなり、一体に形成される。また、第２のパターン部２０の第２のＣ含有層２１ｂは、カーボン膜、レジスト膜等のＣを含有する材料からなり、第１のＣ含有層１１および第２のＣ含有層２１ａと同一の材料からなることが好ましい。
【００１４】
第１の無機層１２および第２の無機層２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ等の無機材料からなる。
【００１５】
エッチングマスク１は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０を組み合わせることにより形成される複数の開口部３を有する。開口部３の面積、縦横比等は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０の幅、ピッチ（配置間隔）を変えることにより調節することができる。また、第１のパターン部１０の第１のパターンと第２のパターン部２０の第２のパターンが直線状ではなく、開口部３が矩形以外の形状、例えば、各辺が曲線で構成される形状であってもよい。
【００１６】
被処理体２は、例えば、半導体装置の層間絶縁膜であり、エッチングマスク１を用いてエッチング加工することにより、コンタクトホールやビアホールとなるパターンを形成することができる。
【００１７】
以下に、本実施の形態に係るエッチングマスク１の製造方法の一例を示す。
【００１８】
（パターン形成方法）
図２Ａ（ａ）〜（ｄ）、図２Ｂ（ｅ）〜（ｇ）、図２Ｃ（ｈ）〜（ｋ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【００１９】
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、被処理体２上に第１のＣ含有膜３０、および第１の無機膜３１を積層し、その上に第１のパターンを有する第１のレジスト３２を形成する。
【００２０】
ここで、第１のＣ含有膜３０は、後の工程において第１のパターン部１０の第１のＣ含有層１１、および第２のパターン部２０の第２のＣ含有層２１ａに加工される膜であり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、厚さが３００ｎｍになるように形成される。また、第１の無機膜３１は、第１のパターン部１０の第１の無機層１２に加工される膜であり、例えば、ＳＯＧ（Spin on glass）法により、厚さが５０ｎｍになるように形成される。また、第１のレジスト３２は、フォトリソグラフィ法等によりパターニングされ、例えば、１００ｎｍの厚さを有する。
【００２１】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、第１のレジスト３２をマスクとして第１の無機膜３１にＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等を施し、第１の無機膜３１に第１のレジスト３２の第１のパターンを転写して第１の無機層１２に加工する。ここで、第１の無機膜３１がＳｉＯ２膜である場合は、例えば、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスをエッチングガスとして用い、流量をＣＨＦ３／Ｏ２＝１００／１０ｓｃｃｍとする。
【００２２】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、第１のレジスト３２をＲＩＥ等により除去する。このとき、第１のＣ含有膜３０の表面の露出部分が削れてもよい。ここで、第１のレジスト３２のエッチングガスとして、例えば、Ｏ２とＮ２の混合ガスを用い、流量をＯ２／Ｎ２＝１００／５０ｓｃｃｍとする。なお、第１のレジスト３２の除去は行わなくてもよいが、第１のレジスト３２を除去して第１の無機層１２間の溝のアスペクト比を小さくすることにより、後の工程における第２のＣ含有膜３３の埋め込みを容易にすることができる。
【００２３】
次に、図２Ａ（ｄ）に示すように、第１のＣ含有膜３０および第１の無機層１２上に第２のＣ含有膜３３を形成する。ここで、第２のＣ含有膜３３は、後の工程において第２のパターン部２０の第２のＣ含有層２１ｂに加工される膜であり、例えば、ＣＶＤ法等により、第１の無機層１２の上面からの厚さが１００ｎｍになるように形成される。また、第１の無機層１２間の溝内に形成された第２のＣ含有膜３３は、後の工程において除去されるため、第２のＣ含有膜３３はこの溝内に完全に埋め込まれなくてもよく、例えば、ボイドが含まれていてもよい。
【００２４】
次に、図２Ｂ（ｅ）に示すように、第２のＣ含有膜３３上に第２の無機膜３４を形成する。ここで、第２の無機膜３４は、後の工程において第２のパターン部２０の第２の無機層２２に加工される膜であり、例えば、ＳＯＧ法等により、厚さが５０ｎｍになるように形成される。また、第２の無機膜３４を形成することにより、第２のＣ含有膜３３による凹凸を緩和し、後の工程において、より平坦な面に第２のレジスト３５を形成することができる。
【００２５】
次に、図２Ｂ（ｆ）に示すように、第２の無機膜３４上に第２のパターンを有する第２のレジスト３５を形成する。ここで、第２のレジスト３５は、フォトリソグラフィ法等によりパターニングされ、例えば、１００ｎｍの厚さを有する。
【００２６】
次に、図２Ｂ（ｇ）に示すように、第２のレジスト３５をマスクとして第２の無機膜３４にＲＩＥ等を施し、第２の無機膜３４に第２のレジスト３５の第２のパターンを転写して第２の無機層２２に加工する。ここで、第２の無機膜３４がＳｉＯ２膜である場合は、例えば、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスをエッチングガスとして用い、流量をＣＨＦ３／Ｏ２＝１００／１０ｓｃｃｍとする。
【００２７】
次に、図２Ｃ（ｈ）に示すように、第２のレジスト３５および第２の無機層２２をマスクとして第２のＣ含有膜３３にＲＩＥ等を施し、第２のパターンを転写する。ここで、第２のパターンは、第１のパターンと少なくとも一部が交差する。なお、図中に示すように、第２のレジスト３５は、この工程中に除去されてもよい。
【００２８】
さらに、図２Ｃ（ｉ）に示すように、エッチングを続行し、第２のＣ含有膜３３を第２のＣ含有層２１ｂに、第１のＣ含有膜３０を第１のＣ含有層１１および第２のＣ含有層２１ａに加工する。このとき、第１の無機層１２もマスクとして働き、第１のＣ含有膜３０には、第１の無機層１２および第２の無機層２２の第１および第２のパターンが転写される。
【００２９】
ここで、図２Ｃ（ｈ）、（ｉ）に示した工程における第２のＣ含有膜３３および第１のＣ含有膜３０のエッチングガスとして、例えば、Ｏ２とＮ２の混合ガスを用い、流量をＯ２／Ｎ２＝１００／５０ｓｃｃｍとする。
【００３０】
以上の工程を経ることにより、図１（ａ）、（ｂ）に示したエッチングマスク１を得る。
【００３１】
次に、図２Ｃ（ｊ）に示すように、エッチングマスク１をマスクとして被処理体２にエッチングを施し、エッチングマスク１の第１および第２のパターンからなるクロスパターンを被処理体２に転写する。
【００３２】
次に、図２Ｃ（ｋ）に示すように、第１のＣ含有層１１および第２のＣ含有層２１ａ、２１ｂにエッチングを施し、エッチングマスク１を被処理体２から剥離する。ここで、エッチャントとしてＯ２ガス等のＯ２含有ガスを用いることができる。
【００３３】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスク１によれば、第１のパターンを有する第１のパターン部１０と、第２のパターンを有する第２のパターン部２０を組み合わせることにより、１枚構成のエッチングマスクでは形状制御が困難な、微小寸法の開口部３を形成することができる。
【００３４】
さらに、被処理体２の直上に位置する部分が、Ｃを含有する材料である第１のＣ含有層１１および第２のＣ含有層２１ａにより構成されているため、Ｏ２ガス等を用いて被処理体２から容易に剥離することができ、後の工程に及ぼす悪影響を減らすことができる。
【００３５】
なお、エッチングマスク１は、図１（ａ）、（ｂ）に示した形状に限られず、上記製造方法により、異なる形状に形成することができる。図３（ａ）、（ｂ）は、エッチングマスク１の変形例を示した上面図である。図３（ａ）に示すように、第１のパターン部１０や第２のパターン部２０の形状、配置等を変えてマスクパターンを変更することができる。また、図３（ｂ）に示すように、エッチングマスク１は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０を組み合わせることにより形成される、例えばコンタクトプラグやビアプラグ用の微細な開口部３ａを有する微細領域１ａの他に、位置合わせマークやダミーパターン等を形成するための微細でない開口部３ｂを有する非微細領域１ｂを併せて有してもよい。なお、図１（ａ）、（ｂ）に示したエッチングマスク１の領域は、図３（ｂ）に示した微細領域１ａに対応する。
【００３６】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態は、エッチングマスク１の構成および製造方法において第１の実施の形態と異なる。
【００３７】
（エッチングマスクの構成）
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るマスクパターンの斜視図および上面図である。
【００３８】
エッチングマスク１は、エッチングマスク１のパターンを転写する被処理体２上に形成される。また、エッチングマスク１は、長手方向が所定の第１の方向Ｄ１である並列配置された複数の板状部材からなり、並列した第１の方向Ｄ１の直線状の第１のパターンを有する第１のパターン部１０と、長手方向が第１の方向Ｄ１と異なる方向（例えば直交する方向）である第２の方向Ｄ２に並列配置された複数の板状部材からなり、並列した第２の方向Ｄ２の直線状の第２のパターンを有する第２のパターン部２０と、を有する。
【００３９】
すなわち、エッチングマスク１は、交差する第１のパターン部１０の第１のパターンと、第２のパターン部２０の第２のパターンからなるクロスパターンを有する。
【００４０】
第１のパターン部１０は、被処理体２上に位置する第１のＣ含有層１３と、第１のＣ含有層１３上に位置する第１の無機層１４を有する。
【００４１】
第２のパターン部２０は、被処理体２上に位置する第２のＣ含有層２３と、第２のＣ含有層２３上に位置する第２の無機層２４ａ、２４ｂを有する。
【００４２】
第１のパターン部１０の第１のＣ含有層１３と、第２のパターン部２０の第２のＣ含有層２３は、カーボン膜、レジスト膜等のＣを含有する材料からなり、一体に形成される。
【００４３】
第１のパターン部１０の第１の無機層１４と、第２のパターン部２０の第２の無機層２４ｂは、ＳｉＯ２、ＳＯＧ等の無機材料からなり、一体に形成される。また、第２のパターン部２０の第２の無機層２４ａは、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、アモルファスＳｉ等の無機材料からなり、第１の無機層１４および第２の無機層２４ｂと同一の材料からなることが好ましい。
【００４４】
エッチングマスク１は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０を組み合わせることにより形成される複数の開口部３を有する。開口部３の面積、縦横比等は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０の幅、ピッチ（配置間隔）を変えることにより調節することができる。また、開口部３は矩形ではなく、各辺が曲線で構成される形状であってもよい。
【００４５】
以下に、本実施の形態に係るエッチングマスク１の製造方法の一例を示す。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略する。
【００４６】
（パターン形成方法）
図５Ａ（ａ）〜（ｄ）、図５Ｂ（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の第２の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【００４７】
まず、図５Ａ（ａ）に示すように、図２Ａ（ｂ）に示した第１の無機膜に第１のパターンを転写する工程までを第１の実施の形態と同様に行う。ただし、本実施の形態においては、得られた第１の無機膜パターン３１’は、後の工程において第２のパターン部２０の第２の無機層２４ａに加工されるものであり、図２Ａ（ｂ）に示される第１の無機層１２とは異なり第１のパターン部１０の構成要素にはならない。
【００４８】
次に、図５Ａ（ｂ）に示すように、第１のレジスト３２をＲＩＥ等により除去する。このとき、同時に、第１のＣ含有膜３０の表面の露出部分を所定の深さまで削り、溝３０ａを形成する。この第１のＣ含有膜３０に形成された溝３０ａの深さは、後の工程で形成される第１のパターン部１０の第１の無機層１４の厚さを決定するものであり、例えば、１００ｎｍとする。ここで、第１のレジスト３２のエッチングガスとして、例えば、Ｏ２とＮ２の混合ガスを用い、流量をＯ２／Ｎ２＝１００／５０ｓｃｃｍとする。
【００４９】
次に、図５Ａ（ｃ）に示すように、第１のＣ含有膜３０および第１の無機膜パターン３１’上に第２の無機膜３６を形成する。ここで、第２の無機膜３６は、後の工程において第１のパターン部１０の第１の無機層１４、および第２のパターン部２０の第２の無機層２４ｂに加工される膜であり、例えば、ＳＯＧ法等により、第１の無機膜パターン３１’の上面からの厚さが５０ｎｍになるように形成される。また、第２の無機膜３６は、後の工程において第１の無機膜パターン３１’とともにエッチング加工されるものであるため、第１の無機膜パターン３１’と同一の材料からなることが好ましい。
【００５０】
次に、図５Ａ（ｄ）に示すように、第２の無機膜３６上に反射防止膜３７を形成し、その上に第２のパターンを有する第２のレジスト３８を形成する。ここで、反射防止膜３７は、例えば、厚さが６０ｎｍになるように形成される。また、反射防止膜３７を形成することにより、第２の無機膜３６による凹凸を緩和し、より平坦な面に第２のレジスト３８を形成することができる。また、第２のレジスト３８は、フォトリソグラフィ法等によりパターニングされ、例えば、１００ｎｍの厚さを有する。
【００５１】
次に、図５Ｂ（ｅ）に示すように、第２のレジスト３８のパターンをマスクとして、反射防止膜３７、第１の無機膜パターン３１’、および第２の無機膜３６にＲＩＥ等を施し、第２のレジスト３８の第２のパターンを転写して、第１の無機膜パターン３１’を第２の無機層２４ａに、第２の無機膜３６を第２の無機層２４ｂに加工する。ここで、第１の無機膜パターン３１’の第２のレジスト３８にマスクされていない（第２のレジスト３８のパターンの略直下以外に位置する）部分はほぼ完全に除去され、第２の無機膜３６の第２のレジスト３８にマスクされていない（第２のレジスト３８のパターンの略直下以外に位置する）部分は、溝３０ａ内に残るように、少なくとも溝３０ａの外に位置する部分が除去される。特に、第１の無機膜パターン３１’と第１のＣ含有膜３０の境界の深さまでエッチングを行うことが好ましい。また、第１の無機膜パターン３１’、および第２の無機膜３６がＳｉＯ２膜である場合は、例えば、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスをエッチングガスとして用い、流量をＣＨＦ３／Ｏ２＝１００／１０ｓｃｃｍとする。
【００５２】
次に、図５Ｂ（ｆ）に示すように、第２のレジスト３８のパターン、第２の無機層２４ｂおよび第１の無機層１４をマスクとして第１のＣ含有膜３０にＲＩＥ等を施し、第１のＣ含有膜３０に第１および第２のパターンを転写して第１のＣ含有層１３および第２のＣ含有層２３に加工する。なお、図中に示すように、第２のレジスト３８および反射防止膜３７は、この工程中に除去されてもよい。ここで、第１のＣ含有膜３０のエッチングガスとして、例えば、Ｏ２とＮ２の混合ガスを用い、流量をＯ２／Ｎ２＝１００／５０ｓｃｃｍとする。
【００５３】
以上の工程を経ることにより、図４（ａ）、（ｂ）に示したエッチングマスク１を得る。
【００５４】
次に、図５Ｂ（ｇ）に示すように、エッチングマスク１をマスクとして被処理体２にエッチングを施し、エッチングマスク１のパターンを被処理体２に転写する。
【００５５】
次に、図５Ｂ（ｈ）に示すように、第１のＣ含有層１３および第２のＣ含有層２３にエッチングを施し、エッチングマスク１を被処理体２から剥離する。ここで、エッチャントとしてＯ２ガス等のＯ２含有ガスを用いることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態に係るエッチングマスク１によれば、材料としてＣ含有膜を１層（第１のＣ含有膜３０のみ）用いるだけでよいため、第１の実施の形態と比較して工程を減らすことができる。
【００５７】
また、第１の実施の形態と異なり、２つの無機膜（第１の無機膜パターン３１’および第２の無機膜３６）が互いに接する連続した膜として形成されるため、加工および除去（フォトリソグラフィの後に第２のパターンの作り直しを行う場合等）を同一工程で連続して行うことができ、第１の実施の形態と比較して工程を減らすことができる。
【００５８】
なお、エッチングマスク１は、図４（ａ）、（ｂ）に示した形状に限られず、上記製造方法により、異なる形状に形成することができる。図６（ａ）、（ｂ）は、エッチングマスク１の変形例を示した上面図である。図６（ａ）に示すように、第１のパターン部１０や第２のパターン部２０の形状、配置等を変えてマスクパターンを変更することができる。また、図６（ｂ）に示すように、エッチングマスク１は、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０を組み合わせることにより形成される微細な開口部３ａを有する微細領域１ａの他に、位置合わせマークやダミーパターン等を形成するための微細でない開口部３ｂを有する非微細領域１ｂを併せて有してもよい。なお、図４（ａ）、（ｂ）に示したエッチングマスク１の領域は、図６（ｂ）に示した微細領域１ａに対応する。
【００５９】
図７（ａ）〜（ｄ）は、図６（ｂ）に示した、微細領域１ａおよび非微細領域１ｂを有するエッチングマスク１の製造方法を示す斜視図である。なお、図７（ａ）〜（ｄ）は、図６に示した切断線VII−VIIにおける切断面を図中の矢印の方向に見た断面を示す。
【００６０】
図７（ａ）は、図５Ａ（ｄ）に対応し、第２のレジスト３８のパターンを形成した状態を示す。
【００６１】
図７（ｂ）は、図５Ｂ（ｅ）に対応し、微細領域１ａにおいて第１の無機膜パターン３１’を第２の無機層２４ａに、第２の無機膜３６を第２の無機層２４ｂに加工した状態を示す。この工程において、非微細領域１ｂの第２のレジスト３８にマスクされていない領域の２つの無機膜（第１の無機膜パターン３１’および第２の無機膜３６）を連続して除去することができる。そのため、第１のレジスト３２を用いて非微細領域１ｂの無機膜にパターニングを施す必要がない。
【００６２】
また、これにより、第１のパターン部１０と第２のパターン部２０のパターン密度を異ならせる場合、第２のパターン部２０の密度を第１のパターン部１０の密度よりも粗くすることにより、第２のレジスト３８の微細領域１ａにおけるパターン密度と非微細領域１ｂにおけるパターン密度を近づけ、開口部３ｂのマージンを大きくとることができる。
【００６３】
なお、第１の実施の形態におけるエッチングマスク１が図３（ｂ）に示すように微細領域１ａおよび非微細領域１ｂを有する場合は、２つの無機膜（第１の無機膜３１および第２の無機膜３６）が他の膜（第２のＣ含有膜３３）を挟んで形成されるため、これらを一工程で連続してパターニングすることができず、それぞれ別工程で別のレジスト（第１のレジスト３２および第２のレジスト３５）を用いてパターニングする必要がある。
【００６４】
図７（ｃ）は、図５Ｂ（ｆ）に対応し、微細領域１ａにおいて第１のＣ含有膜３０を第１のＣ含有層１３および第２のＣ含有層２３に加工した状態を示す。この工程において、非微細領域１ｂの第１のＣ含有膜３０がパターニングされ、開口部３ｂが形成される。
【００６５】
図７（ｄ）は、図５Ｂ（ｈ）に対応し、エッチングマスク１をマスクとして被処理体２にエッチングを施し、エッチングマスク１のパターンを被処理体２に転写した後、エッチングマスク１を被処理体２から剥離した状態を示す。
【００６６】
〔他の実施の形態〕
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００６７】
また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るマスクパターンの斜視図および上面図である。
【図２Ａ】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【図２Ｂ】（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【図２Ｃ】（ｈ）〜（ｋ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るエッチングマスクの変形例を示した上面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るマスクパターンの斜視図および上面図である。
【図５Ａ】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【図５Ｂ】（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の第２の実施の形態に係るエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るエッチングマスクの変形例を示した上面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、図６（ｂ）に示したエッチングマスクの製造方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    エッチングマスク。２    被処理体。１０    第１のパターン部。１１、１３    第１のＣ含有層。１２、１４    第１の無機層。２０    第２のパターン部。２１ａ、２１ｂ、２３    第２のＣ含有層。２２、２４ａ、２４ｂ    第２の無機層。３０    第１のＣ含有膜。３１    第１の無機膜。３１’    第１の無機膜パターン。３３    第２のＣ含有膜。３４、３６    第２の無機膜。３５    第２のレジスト。
【図１】
0004909912.tif 000002
【図２Ａ】
0004909912.tif 000003
【図２Ｂ】
0004909912.tif 000004
【図２Ｃ】
0004909912.tif 000005
【図３】
0004909912.tif 000006
【図４】
0004909912.tif 000007
【図５Ａ】
0004909912.tif 000008
【図５Ｂ】
0004909912.tif 000009
【図６】
0004909912.tif 000010
【図７】
0004909912.tif 000011