(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
該素子基板上に少なくとも一部が配設された薄膜トランジスタを有する回路部と、
前記素子基板上および前記回路部上に配設され、導電層の一部領域上に穴構造を有する第１絶縁層と、
該第１絶縁層上に形成された下部電極層と、
該下部電極上に形成され、有機材料を有する発光層を備える発光素子と、
該発光素子上に形成される上部電極層と、
前記回路部と、前記上部電極層と電気的に接続された導電層とが、前記穴構造において
電気的に接続されたコンタクト部と、
該コンタクト部の穴構造内に充填される部分を有する有機材料からなる第２絶縁層と、
該第２絶縁層を露出しないように覆う有機材料からなる第３絶縁層と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記上部電極層上には、当該上部電極層を密封する保護膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示素子。
【請求項３】
前記第２絶縁層および前記第３絶縁層が同じ材料からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２絶縁層および前記第３絶縁層は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
素子基板上の少なくとも一部に薄膜トランジスタを有する回路部を形成する工程と、
前記素子基板上および前記回路部上に、第１導電層の一部領域上に穴構造を有する第１絶縁層を形成する工程と、
前記穴構造上に、前記回路部と電気的に接続される導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、下部電極層、有機材料を有する発光層を備える発光素子及び前記導電層と電気的に接続される上部電極層を順次形成する工程と、
前記穴構造上を含む領域にフォトリソグラフィ法により有機材料からなる第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層が露出しないように前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により有機材料からなる第３絶縁層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記フォトリソグラフィ法は、現像液を用いた現像工程を備えており、
前記第２絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層を形成する工程で用いる現像液が同じであることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記フォトリソグラフィ法は、プラズマ照射を用いた現像工程を備えることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話等に用いられる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は、複数の発光部を有する素子基板に封止基板を被せて、接合材を用いて素子基板と封止基板とを接着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。そして、有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周辺部に、駆動ＩＣが実装される回路層、あるいはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置においては、下部電極層は平坦であることが望まれている。しかし、下部電極層の下側（素子基板側）には種々の画像回路が設けられた回路部が設けられてれおり、該回路部の表面は平坦ではない。そこで回路部上に例えば、有機感光材料等からなる絶縁層によって平坦面を設けて、第１絶縁層上に下部電極層を形成している。
【０００４】
ここで、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図８〜１０を参照して簡単に説明する。まず、素子基板２１２上に薄膜トランジスタを有する回路部２１８を形成する。そして、回路部２１８を覆うように下部絶縁膜２２０を形成する。次いで、下部絶縁膜２２０上に有機材料からなる絶縁性膜を形成し、該絶縁性膜に対して露光マスクを用いて露光し、さらに現像、ベークを行って、回路部２１８上の一部に穴構造を有する所定形状の第１絶縁層２２２（平坦化膜）を形成する。
【０００５】
さらに、導電層２２４および下部電極層２２８となる導電性膜を第１絶縁層２２２上の一面に形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。次いで露光マスクを用いて該レジストを露光し、さらに現像、ベークを行って前記穴構造上を含む所定の形状のパターニングしたレジストを得る。そして、このパターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて導電性膜のエッチングを行い、第１絶縁層２２２上および穴構造上に所定の形状の下部電極層２２８および第２導電層２２４を形成する。これにより、穴構造部において回路部２１８と導電層２２４とが電気的に接続されるコンタクト部を形成する。
【０００６】
次いで、コンタクト部上を含む領域に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図８に示すように、下部電極層２２８上に有機ＥＬ表示装置の発光領域を定める第２絶縁層２２６(エッジインシュレータ：ＥＩ)を形成する。
【０００７】
そして、第２絶縁層２２６上に有機材料からなる絶縁膜を形成し、露光および現像を行い、図９に示すように、第２絶縁層２２６上の一部に所定形状の第３絶縁層２３０（リブ）を形成する。
【０００８】
その後、第３絶縁層２３０上にマスクを載置し、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を有する発光素子２３２を蒸着等により形成する。次いで、発光素子２３２上に導電層２２４と電気的に接続された上部電極層２３４を形成する。そして、上部電極層２３４上をＳｉＮｘ等からなる保護層２３５を形成し、最後に素子基板２１２と封止基板２１４とを有機材料からなる接合材２３６により封止して図１０に示す有機ＥＬ表示装置２００を製造する。
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記構造の有機ＥＬ表示装置２００において、エッジインシュレータとして機能する第２絶縁層２２６とリブとして機能する第３絶縁層２３０はともに有機材料が用いられている。そして、所定形状の形状に成型するために、露光工程、現像工程およびベーク工程などを有するフォトリソグラフィ法を用いている。
【００１０】
第３絶縁層２３０は、発光素子２３２の形成のためのマスクなどを載置するためのものであり、広い面積は必要ない。そのため、第２絶縁層２２６上の一部の領域にのみ形成されている。これにより、第２絶縁層２２６の外周端部は、第３絶縁層２３０の現像工程時においても、現像液やプラズマ照射等に曝されることとなる。
【００１１】
金属材料からなる導電層２２４および下部電極２２８と、有機材料からなる第２絶縁層２２６との密着性はそれほど高くなく、また、穴構造内にまで形成される第２絶縁層は、ベーク工程時の収縮が薄膜状態のものと比較して３次元的に起こる。そのため、第３絶縁層２３０と同様の有機材料からなる第２絶縁層２２６の外周端部が、導電層２２４や下部電極層２２８から剥がれてしまうという問題があった。
【００１２】
また、このような剥がれ発生すると保護層２３５に隙間（クラック）が生じ密封性を維持できなくなる。その結果、当該クラックから水分が浸入し、有機ＥＬ表示装置２００の寿命を低減させてしまう。
【００１３】
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、第２絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、素子基板と、該素子基板上に少なくとも一部が配設された薄膜トランジスタを有する回路部と、前記素子基板上および前記回路部上に配設され、前記導電層の一部領域上に穴構造を有する第１絶縁層と、該第１絶縁層上に形成された下部電極層と、該下部電極上に形成され、有機材料を有する発光層を備える発光素子と、該発光素子上に形成される上部電極層と、前記回路部と、前記上部電極層と電気的に接続された導電層とが、前記穴構造において電気的に接続されたコンタクト部と、該コンタクト部の穴構造内に充填される部分を有する有機材料からなる第２絶縁層と、該第２絶縁層を露出しないように覆う有機材料からなる第３絶縁層と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、上記発明において、前記上部電極層上には、当該上部電極層を密封する保護膜を備えることが好ましい。
【００１６】
また、上記発明において、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層が同じ材料からなることが好ましい。
【００１７】
また、上記発明において、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１８】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、素子基板上の少なくとも一部に薄膜トランジスタを有する回路部を形成する工程と、前記素子基板上および前記回路部上に、前記第１導電層の一部領域上に穴構造を有する第１絶縁層を形成する工程と、前記穴構造上に、前記回路部と電気的に接続される導電層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、下部電極層、有機材料を有する発光層を備える発光素子及び前記導電層と電気的に接続される上部電極層を順次形成する工程と、  前記穴構造上を含む領域にフォトリソグラフィ法により有機材料からなる第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層が露出しないように前記第１絶縁層上にフォトリソグラフィ法により有機材料からなる第３絶縁層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、上記発明において、前記フォトリソグラフィ法は、現像液を用いた現像工程を備えており、前記第２絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層を形成する工程で用いる現像液が同じであることが好ましい。
【００２０】
また、上記発明において、前記フォトリソグラフィ法は、プラズマ照射を用いた現像工程を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第２絶縁層の外周端部を第３絶縁層にて覆うことにより、第３絶縁層を所定の形状に成型するに当たり、第２絶縁層の外周端部がエッチング液に接触することがない。これにより、第２絶縁層の下部電極層からの剥がれや浮きを防止することができ、信頼性が高く製品寿命に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００２２】
また、本発明の製造方法によれば、すでに所定の形状に成型された第２絶縁層の外周端部を第３絶縁層の成型時に、エッチング液に接触することがない。そのため、第２絶縁層の外周端部の剥がれを抑制することが可能となり、有機ＥＬ表示装置の製品の寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は本発明の理解を容易にするための概略図であり、実際の寸法および縮尺とは異なる場合がある。
【００２４】
図１は、一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構造を示す平面図である。また、図２は、一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【００２５】
この有機ＥＬ表示装置１は、素子基板１２と、素子基板１２上にマトリクス状に配列した複数の発光素子３２と、素子基板１２に対向して設けられた封止基板１４と、を備えている。素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成されている。
【００２６】
素子基板１２および封止基板１４は、ガラス、石英、樹脂、プラスチック、金属等を用いることが可能である。本実施形態においては、封止基板１４側から光を取り出す構造となっているため、封止基板１４は透明性又は半透明性の材料を採用している。また、素子基板１２側から光を取り出す構造においては、素子基板１２について透明性又は半透明性の材料を用いる必要がある。
【００２７】
素子基板１２上には、薄膜トランジスタを備える回路部１８が形成されている。素子基板１２と封止基板１４との間には、複数の発光素子３２を有する表示領域を含んで素子基板１２と封止基板１４とを接合する保護膜３５を備えている。これにより、表示領域１０は外気から遮断される状態で封止されている。保護膜３５としては、有機材料が用いられ、例えば光硬化性または熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。
【００２８】
素子基板１２上および回路部１８上には、有機物または無機物等の材料からなる第１絶縁層２２を備えている。この第１絶縁層２２は、該第１絶縁層２２上に形成する下部電極層２８を形成するための平坦化膜として機能する。また第１絶縁層２２は、回路部１８の第１導電層２２の領域上に穴構造を有している。なお、第１絶縁層２２として有機材料を用いる場合は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。また、無機物を用いる場合は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物等を用いることができる。
【００２９】
第１絶縁層２２上には、金属材料を有する下部電極層２８が形成されている。また、穴構造上には、金属材料からなる導電層２４が形成されている。この導電層２４は、回路部１８と電気的に接続されている。この穴構造における回路部１８および導電層２４はコンタクト部として機能する。なお、下部電極層は、アノード電極として機能するものであり、アルミニウム、銀、銅または金等の金属或いはこれらの合金等を用いることができる。
【００３０】
下部電極層２８上には、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を備えている。
【００３１】
正孔注入層は、例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンまたはその誘導体等を、ポリスチレンスルホン酸等の分散媒に分散させたものを用いることができる。
【００３２】
発光層は、蛍光または燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。また、赤、緑、青（Ｒ，Ｇ、Ｂ）の各色の発光層をそれぞれ設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置にすることが可能となる。発光層は、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフィニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体やポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、テトラフェニルブタジエン、キナクリドン、ナイルレッド等の低分子材料をドープすることも可能である。
【００３３】
電子注入層としては、例えば、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＮａＦ（フッ化ナトリウム）、ＫＦ（フッ化カリウム）、ＲｂＦ（フッ化ルビジウム）、ＣｓＦ（フッ化セリウム）等や、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）、Ｎａ２Ｏ（酸化ナトリウム）等のアルカリ金属の酸化物等を用いることができる。
【００３４】
発光素子３２上には、金属材料を有する上部電極層３４が形成されている。この上部電極層３４は、導電層２４と電気的に接続されている。これにより、発光素子３２は、コンタクト部を通じて回路部１８と電気的に接続される。なお、上部電極層３４はカソード電極として機能するものであり、材料としてはインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）または錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いることができる。また、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム等の材料またはこれらの合金等を用いることができ、その厚みを３０ｎｍ以下とすることによって、光透過性の電極をすることができる。
【００３５】
穴構造上を含む領域には、有機材料からなる第２絶縁層２６が形成されている。この第２絶縁層２６は、穴構造の内部を埋める部分と、第１絶縁層２２上に形成された部分とを有している。第２絶縁層２６の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができ、特にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３６】
また、第２絶縁層２６上には、該第２絶縁層２６の少なくとも外周端部が露出しないように覆う第３絶縁層３０が形成されている。第３絶縁層３０の材料としては、感光性を有する有機材料を用いることができ、特にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いる場合は、成膜性、耐久性およびコスト面で優れているため好ましい。
【００３７】
上記構成によれば、有機材料からなる第２絶縁層２６の外周端部が現像工程において、現像液またはプラズマ照射等の複数受けるのを防止することができる。即ち、現像工程に曝された部分のうち、外部に露出する部分を第３絶縁層３０の外周端部のみにすることができる。これにより、第２絶縁層２６の下部電極層２８からの剥がれや浮きを防止することができる。
【００３８】
また、第２絶縁層２６は、穴構造内にも形成されるため、ベーク工程時における収縮が３次元的に起こるため、下部電極層２８からの剥がれが発生しやすい。しかしながら、上記工程においては、第２絶縁層２６の外周端部が、下部電極層２８から一部剥がれたとしても、その上から、第３絶縁層３０で覆われている。この第３絶縁層３０は、略平面的に形成されるものであるため、ベーク工程時の収縮の殆どが２次元的となる。従って、第３絶縁層における剥がれの発生率は、第２絶縁層外周端部が露出している場合と比較して飛躍的に低くなる。
【００３９】
本実施形態においては、前記上部電極層３４上には、当該上部電極層３４を密封する保護膜３５を備えている。この保護膜３５は、発光素子の外気や水分との接触を防止するためのものであり、例えばＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等を用いることができる。
【００４０】
保護膜３５を形成する構造においては、第２絶縁層２６の剥がれを起点として、保護膜３５にクラックが発生する可能性がある。しかしながら、本実施形態のように第２絶縁層２６の外周端部を第３絶縁層３０で覆う構成においては、起点となる剥がれを低減することができるため、保護膜３５のクラックの発生を防止することができる。その結果、発光素子３２への外気との接触や、水分の浸入を防止することができ、有機ＥＬ表示装置の寿命を向上させることができる。保護膜３５の厚みとしては、例えば１００ｎｍ以上、５μｍ以下で形成される。
【００４１】
また、第２絶縁層２６と第３絶縁層３０に用いる有機材料は、同じものを用いることが好ましい。これは、同一の製造装置内で連続して成型が可能となるため、生産性を向上させることができるとともに、第２絶縁層２６と第３絶縁層との密着性が向上することから、さらなる剥がれ防止の効果を得られるためである。
【００４２】
（製造方法）
次に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施例を、図３〜７を参照して説明する。まず、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２又は封止基板１４の少なくとも、例えばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、薄膜トランジスタを含む各種回路が形成された回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、発光素子３２を点灯駆動さえるためのドライバが実装されたり、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される外部接続回路５０を形成する。次に、回路層１８を絶縁するために回路層１８を覆うように、に下部絶縁膜２０を形成する。
【００４３】
次いで、回路層１８上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。露光マスクを用いて有機材料からなる絶縁性膜に対して露光及び現像を行う。これにより、露光マスクに覆われていない絶縁性膜２２ａが除去される。次に、露光工程を終えた素子基板に対して、ベークを行って、回路部１８に対応する位置に穴構造を有し、平坦化膜として機能する第１絶縁層２２を形成する。
【００４４】
続いて、第１絶縁層２２上に金属材料からなる導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを塗布する。そして、露光マスクを取付け、レジストに対して露光工程および現像工程を行い、所定形状にする。そして、エッチング工程により、導電性膜を穴構造に対応し、回路部１８と電気的に接続された導電部２４と、アノード電極として機能する下部電極層２８とをそれぞれ形成する。当該工程まで終了した時点の概略図を図３に示す。
【００４５】
第２絶縁層２６の形成工程について、図４および図５を参照して説明する。第２絶縁層２６は露光工程、現像工程、ベーク工程を備えるフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。具体的には、下部電極層２８上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂又はノボラック樹脂等の有機材料からなる絶縁膜２６ａを形成し、リブとして機能させる部分（図４においては、穴構造に対応する部分）を露光マスク６０で覆い露光工程を行う。その後、現像液としてＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図５に示すような所定形状の第２絶縁層２６を形成する。なお、この第２絶縁層２６は、後述する第３絶縁層３０がリブとして機能する箇所の台座部としての役割を果たす。
【００４６】
なお、本実施例においては、現像工程を現像液ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いて行ったが、その他の公知の現像液を用いることが可能であり、また、これに限らずプラズマ照射等を用いた所謂ドライエッチングを用いることも可能である。
【００４７】
上記製法で第２絶縁層を形成した場合に、外周端部Ａは金属材料からなる導電層２４上に位置することとなる。
【００４８】
次に、第３絶縁層３０の形成工程について、図６および図７を参照して説明する。第３絶縁層３０は第２絶縁層２６の形成と同様に露光工程、現像工程、ベーク工程を有するフォトリソグラフィ法を用いて所定形状に形成される。第２絶縁層２６上に有機材料からなる絶縁膜３０ａを形成する。そして、発光領域に対応する部分に光が照射されるように露光マスク７０で覆って露光工程を行う。その後、現像液を用いて現像工程を行い、絶縁膜２６ａの不要な部分を除去し、ベーク工程を行い、図７に示すような所定形状の第３絶縁層３０を形成する。この第３絶縁層は、外周端部がＥＩとして機能し、台座部となっている第２絶縁層２６上に形成されている部分がリブとして機能する。
【００４９】
上記製法によれば、第２絶縁層２６の外周端部が外部に露出することがなく、第３絶縁層の外周端部が変わりに露出することとなる。即ち、従来の製法と比較して、絶縁層の外周端部で２度以上の現像工程に曝される部分がない。そのため、導電層２４および下部電極層２８との密着性が低下するのを抑制することができる。
【００５０】
また、穴構造内に充填されてベーク工程が行われるために３次元的な収縮が起こる第２絶縁層の外周端部Ａが導電層２４から剥がれてしまったとしても、第２絶縁層２６の外周端部Ａをその後に形成する第３絶縁層３０で覆うことにより、当該箇所を補修することができる。
【００５１】
また、実施例のように、第２絶縁層２６と第３絶縁層３０を同一の有機材料から形成することにより、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となるとともに、絶縁層同士の密着性が向上し、さらには、熱膨張係数も略同一となるため、熱応力や機械的応力に対して安定した構造となる。また、現像工程を現像液で行う場合、同一の現像液を使用可能となり、材料費の削減および製造装置の簡素化が可能になる。さらに、第２絶縁層２６と第３絶縁層３０を異なる有機材料を使用下場合であっても、現像工程を同一の現像液で行う場合は、製造装置の簡素化および製造時間の短縮が可能となる。
【００５２】
上記工程の後に、下部電極層２８上に、正孔注入層、有機材料からなる発光層、電子注入層等を備える発光素子３２を形成する。この発光素子は、例えば、所定のマスクを用いて上述の所定の材料を蒸着等により堆積することにより形成する。
【００５３】
そして、発光素子上に、カソード電極としてマグネシウム、銀等の材料からなる上部電極層３４を形成する。そして、当該上部電極層３４上にＳｉＮｘ、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸＯｙ等からなる保護膜３５により封止した上で接合材１６により素子基板１２と封止基板１４とを接合し、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造した。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、例えば携帯電話やパーソナルコンピュータ等の携帯情報端末の表示部として用いることができる。本発明を用いることにおり、有機ＥＬ表示装置の製品寿命を向上させることができるため、当該有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の製品寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略断面図を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  表示領域
１２  素子基板
１４  封止基板
１６  接合材
１８  回路部
２０  下部絶縁層
２２  第１絶縁層（平坦化膜）
２４  導電層
２６  第２絶縁層
２６ａ  絶縁膜
２８  下部電極層
３０  第３絶縁層
３０ａ  絶縁層
３２  発光素子
３４  上部電極層
３５  保護層
５０  外部接続回路
６０、７０  露光マスク
Ａ  外周端部
【図１】
0005096230.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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