(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、上面及び側面が封止樹脂層によって覆われることで樹脂封止されたＩＣチップを実装し、
前記封止樹脂層が、
前記基板面に接触する第１構成部、及び前記第１構成部上に連結して構成される形状の異なる第２構成部、の２つの部分で構成され、
前記第１構成部が、底面及び上面を四角形状とする四角柱形状又は四角錐台形状であり、
前記第２構成部が、
前記第１構成部の上面と共通する四角形状で構成される底面、最も高さ位置の高い最上部に構成される底面の四角形状の長辺と平行な稜線、及び前記稜線の両端と前記底面の各頂点を結んで形成される２つの長方形または台形及び２つの三角形によって構成される立体形状、または、前記第１構成部の上面と共通する四角形状で構成される底面、最上部の位置に構成される一の頂点、及び前記頂点と前記底面の各頂点を結んで形成される４つの三角形によって構成される立体形状で構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１構成部が、
前記基板面に対して、底面と上面とを接続する側面の斜度が６０°以上９０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２構成部が、
前記最上部から前記第２構成部の底面までを、前記最上部が前記稜線で構成される場合には当該稜線に垂直な面で、前記最上部が前記一の頂点で構成される場合には底面の四角形状の長辺に垂直な面で、それぞれ切断したときに形成される形状が、当該底面の位置を底辺とする三角形状であって、底辺に対する他の２辺の角度が１°以上３０°以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体チップが樹脂封止されてなる半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器の小型化に伴い、多機能性や携帯性が向上してきている。特に、ＩＣカードや携帯電話は、利用時に携帯されることがあらかじめ想定されており、耐衝撃性等の高い信頼性が求められる。
【０００３】
また、最近のＩＣカードや携帯電話には、公共交通機関等の決済処理、電子パスポート、医療用管理システム等にも利用可能な態様となっており、その内部には多くの個人情報、あるいは外部の機器と接続して個人情報を読み出すために用いられる情報が記録されるようになってきた。このため、耐衝撃性に加えて高いセキュリティ性も求められる。さらに、このように多様なシステムに利用可能な状況下においては、ＩＣカードや携帯電話を利用する機会が大幅に増えるため、従前よりもさらに高い信頼性が求められている。
【０００４】
図４に、従来の非接触型ＩＣカードのインレット構成を示すブロック図を、また図５に、インレットの概略平面図を示す。また、図６に、図５内の線分Ａ−Ａ’で切断したときの概略断面図を示す。
【０００５】
図４に示される非接触型ＩＣカードは、ＲＦ通信回路１１、演算及びデータ格納部１２を搭載したＩＣチップ１０を、電気回路が成型された基板３（図５及び図６参照）上に実装し、モールド樹脂４（図５及び図６参照）によってＩＣチップ１０を封止したＩＣカード用モジュールと呼ばれる半導体パッケージ８と、巻き線またはエッチングにより成型されたアンテナコイル７が電気的に接続されて構成される。演算及びデータ格納部１２には、ＣＰＵ１３及びメモリ１４が搭載されており、処理に応じて必要な情報をメモリ１４から読み出し、あるいは書き込み、ＣＰＵ１３において演算処理を行う。
【０００６】
図５及び図６に示されるように、基板３上のＩＣチップ１０が実装されている領域には封止樹脂層４が形成されており、これによってＩＣチップ１０が樹脂封止されている。当該樹脂封止は、ＩＣチップ１０に対して長期的な信頼性並びに物理特性を確保するために行われるものである。また、アンテナコイル７は、半導体パッケージ８と接続を有しつつ、ＩＣカード基材６の外周領域を周回するように形成される。なお、半導体パッケージ８とアンテナコイル７を併せて、以下では「インレット９」と称する。
【０００７】
また、ＩＣチップ１０と基板３とはワイヤ線２によってワイヤボンディングにより電気的接続が形成されている。
【０００８】
さらに、ＩＣチップ１０の割れや欠け等の損傷を防止すべく、ＩＣチップ１０と基板３の間に金属等の補強部材５が実装されている。当該補強部材５が形成されることで、ＩＣチップ１０の強度が増し、これによって基板３の基板面に垂直かつ局所的な外部応力が加わることによるＩＣチップ１０に対する損傷を防ぐことができる。このような技術は、下記特許文献１及び２に開示されている。
【０００９】
また、封止樹脂層４を半球状や錐体（円錐、多角錐形状）にすることで、傾斜を持たせ、これによって外部応力を分散させてＩＣチップ１０に対する損傷を防ぐ方法が、下記特許文献３に開示されている。なお、図７には、各特許文献に記載されている半導体パッケージの断面構造及び平面構造を模式的に示している。図７（ａ）は補強部材５を有する場合（図６と同様）、図７（ｂ）は封止樹脂層４が半球状に形成されている場合、図７（ｃ）は封止樹脂層４が錐体形状に形成されている場合を示している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３２６３５１号公報
【特許文献２】特開平８−３２４１６６号公報
【特許文献３】特開平１０−００６６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＩＣカードのように常時携帯される可能性の高い半導体装置の場合、路上での落下による衝撃、財布やポケットに収容された際の折り返しに伴う曲げや押圧は、日常的に起こり得る。また、ＩＣチップが電子パスポートに実装された場合には、スタンプが押下されることで所定領域が集中的に衝撃を受ける。これらの利用態様においては、特に外部応力に対する高い耐性が特に求められる。上記各特許文献に記載の方法を採用することで、外部応力に対する耐性を一定程度高めることが可能となる。
【００１２】
しかし、上記特許文献１及び２のように補強部材５を実装する方法による場合（図７（ａ）参照）、基板３とＩＣチップ１０の間に補強部材５を取り付ける工程が必要となり、製造工程が複雑化するという問題がある。
【００１３】
また、上記特許文献３の記載の方法のうち、封止樹脂層４を半球状にする場合（図７（ｂ）参照）には、モジュールに方向性がないため、実装が困難となる。また、封止樹脂層４を錐体形状に形成する場合（図７（ｃ）参照）には、樹脂封止領域を狭くすると十分な高さが必要とされ、この結果薄型パッケージ化が困難となる。逆に、薄型パッケージを実現するためには、樹脂封止領域を十分広く取ればよいが、この場合、曲げ応力が加わりやすくなりクラック等が発生しやすくなるという別の問題が発生する。
【００１４】
本発明は上記の問題点に鑑み、複雑な製造工程を必要とせず、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するための本発明に係る半導体装置は、基板上に、上面及び側面が封止樹脂層によって覆われることで樹脂封止されたＩＣチップを実装し、前記封止樹脂層が、前記基板面に接触する第１構成部、及び前記第１構成部上に連結して構成される形状の異なる第２構成部、の２つの部分で構成され、前記第１構成部が、底面及び上面を四角形状とする四角柱形状又は四角錐台形状であり、前記第２構成部が、前記第１構成部の上面と共通する四角形状で構成される底面、最も高さ位置の高い最上部に構成される底面の四角形状の長辺と平行な稜線、及び前記稜線の両端と前記底面の各頂点を結んで形成される２つの長方形または台形及び２つの三角形によって構成される立体形状、または、前記第１構成部の上面と共通する四角形状で構成される底面、最上部の位置に構成される一の頂点、及び前記頂点と前記底面の各頂点を結んで形成される４つの三角形によって構成される立体形状で構成されることを第１の特徴とする。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の上記第１の特徴構成によれば、ＩＣチップの上方においては、封止樹脂層が傾斜を有する斜面状に形成されるため、上方からの外部応力を適度に分散させることができ、これによって補強部材を形成しなくてもＩＣチップに対する衝撃を和らげることができる。
【００１７】
そして、本発明の構成によれば、封止樹脂層は、底面から一定の高さ位置までの第１構成部と、その上方の第２構成部の２つの形状を有し、第１構成部の側面の傾斜よりもその上方に位置する第２構成部の側面の傾斜が緩やかになるように構成される。よって、基板面から最上部までを一定角の斜度を有する多角錐体形状に封止樹脂層を形成する場合と比較して、底面の形成領域面積を同一とした場合では封止樹脂層の高さを抑制することができ、封止樹脂層の高さを同一とした場合では底面すなわち基板面における封止樹脂層の占有領域を縮小することができる。従って、ＩＣチップに対する外部応力の衝撃抑制と半導体装置の薄型化・小型化を両立することが可能となる。加えて、封止樹脂層の占有領域を狭くすることができるため、曲げ応力への耐性を高めることができる。
【００１８】
さらに、本発明構成の場合、単に封止樹脂層の形状を変えるのみで実現することができる。従って、従来の方法に加えて、新たに複雑な工程を追加することなく、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることができる。
【００１９】
また、本発明に係る半導体装置は、上記第１の特徴構成に加えて、前記第１構成部が、
前記基板面に対して、底面と上面とを接続する側面の斜度が６０°以上９０°以下であることを第２の特徴とする。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の上記第２の特徴構成によれば、ＩＣチップを封止するために必要な封止樹脂層の基板面における占有領域を最小限に抑えることができる。
【００２１】
また、本発明に係る半導体装置は、上記第１又は第２の特徴構成に加えて、前記第２構成部が、前記最上部から前記第２構成部の底面までを、前記最上部が前記稜線で構成される場合には当該稜線に垂直な面で、前記最上部が前記一の頂点で構成される場合には底面の四角形状の長辺に垂直な面で、それぞれ切断したときに形成される形状が、当該底面の位置を底辺とする三角形状であって、底辺に対する他の２辺の角度が１°以上３０°以下であることを第３の特徴とする。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の上記第３の特徴構成によれば、ＩＣチップに対する外部応力の影響を緩和するのに必要な封止樹脂層の占有高さを最小限に抑えることができ、半導体装置の薄型化と外部応力に対する高い耐性を両立することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の構成によれば、複雑な製造工程を必要とせず、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることのできる半導体装置が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下において、本発明に係る半導体装置（以下、適宜「本発明装置」と称する）の実施形態について図１〜図３の各図を参照して説明する。
【００２５】
なお、本発明装置は、従来構成と比較して封止樹脂層の形成形状が異なるのみであり、他は従来構成と同一である。以下では、図４〜図７と同一の構成要素については、その旨を記載するとともに、図面上では同一の符号を付してその説明を簡素化または省略する。
【００２６】
図１及び図２は、本発明装置の概略構造図を示しており、図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ａ）〜（ｃ）はいずれも一実施例である。なお、図１及び図２の各断面構造図は、最上部が稜線で形成されている場合には当該稜線に垂直な面で、前記最上部が前記一の頂点で構成される場合には底面の四角形状の長辺に垂直な面で、最上部から底面までを切断したときの断面構造図を示している。
【００２７】
図１及び図２の各実施例は、いずれも封止樹脂層４の形状が、基板３の基板面に底面が接触する下部の第１構成部４ａと、その上部に連結される第２構成部４ｂによって構成され、両構成部４ａ及び４ｂは互いに形状が異なる。なお、図１（ａ）〜（ｃ）に示す各実施例は、いずれも共通の断面構造図を示しており、図２（ａ）〜（ｃ）に示す各実施例は、図１の場合とは異なる共通の断面構造図を示す。
【００２８】
図１（ａ）の場合、第１構成部４ａは、基板３上に四角形状の底面、及び当該底面と同形状の上面を有する四角柱形状を示す。なお、本明細書内における四角形状とは、各頂点が直角で構成される純粋な四角形のみを指すものではなく、角に一定の丸みを帯びた四角形に準じるような形状も含むものとする。同様に、三角形状と記載しているものについても、純粋な三角形のみを指すものではなく、頂点に一定の丸みを帯びた三角形に準じるような形状も含むものとする。
【００２９】
そして、前記の四角柱形状を示す第１構成部４ａ上に、第１構成部４ａと連結して第２構成部４ｂが構成される。第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点２３〜２６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の長辺２１（頂点２３、２４間、あるいは頂点２５、２６間の辺に対応）と平行な稜線２２を有する。そして、この稜線２２の両端と、各端点に近い第２構成部４ｂの頂点とを結ぶことで構成される２つの三角形状の面と２つの四角形状の面を有する。具体的には、端点２７、頂点２３、頂点２６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１と、端点２８、頂点２４、頂点２５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ２と、端点２７、端点２８、頂点２４、頂点２３を結ぶことで形成される四角形状の面Ｑ１と、端点２７、端点２８、頂点２５、頂点２６を結ぶことで形成される四角形状の面Ｑ２と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角柱形状の第１構成部４ａ上に、三角柱形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００３０】
すなわち、図１（ａ）の場合、ＩＣチップ１０の側面を覆うように、基板３の面から所定の高さ位置まで基板面に垂直に封止樹脂層４が取り囲み、さらに高さ位置の高い領域では、稜線２２に平行な対向する２側面については封止樹脂層４が斜度を有して取り囲む状態となり、他の対向する２側面については依然として垂直に取り囲む形状となる。つまり、封止樹脂層４の上面には、稜線２２、及び斜度を有した四角形状の面Ｑ１及びＱ２が構成される。このとき、第２構成部４ｂ内において底面に対する封止樹脂層４の斜面の角度θ２は、１°≦θ２≦３０°で表される。
【００３１】
また、図１（ｂ）の場合は、図１（ａ）の三角形状の面Ｔ１及びＴ２がそれぞれ対向面側に傾斜を有しており（Ｔ３，Ｔ４）、四角形状の面Ｑ１及びＱ２の代わりに台形形状の面Ｑ３及びＱ４を有する構成である。
【００３２】
具体的には、第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点３３〜３６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の長辺３１（頂点３３、３４間、あるいは頂点３５、３６間の辺に対応）と平行な稜線３２を有する。この稜線３２は、長辺３１よりは長さが短く、これによって稜線の端点３７、頂点３３、頂点３６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ３、及び稜線の端点３８、頂点３４、頂点３５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ４は、図１（ａ）の場合よりもそれぞれ対向面側、すなわちＩＣチップ１０が形成されている中央部側に傾斜を有して形成される。
【００３３】
また、端点３７、端点３８、頂点３４、頂点３３を結ぶことで形成される台形形状の面Ｑ３と、端点３７、端点３８、頂点３５、頂点３６を結ぶことで形成される台形形状の面Ｑ４と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角柱形状の第１構成部４ａ上に、三角柱形状に準じた立体形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００３４】
また、図１（ｃ）の場合、第１構成部４ａは、図１（ａ）の場合と同様の四角柱形状を有する。そして、この四角柱形状を示す第１構成部４ａ上に、第１構成部４ａと連結して第２構成部４ｂが構成される。第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点４３〜４６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の対角線の交点の上方領域に位置する頂点４７を有する。そして、この頂点４７と、底面の四角形状の各頂点４３〜４６それぞれを結ぶことで構成される４つの三角形状の面を有する。具体的には、頂点４７、頂点４３、頂点４４を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ５と、頂点４７、頂点４４、頂点４５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ６と、頂点４７、頂点４５、頂点４６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ７と、頂点４７、頂点４６、頂点４３を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ８と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角柱形状の第１構成部４ａ上に、四角錐形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００３５】
すなわち、図１（ｃ）の場合、ＩＣチップ１０の側面を覆うように、基板３の基板面から所定の高さ位置まで基板面に垂直に封止樹脂層４が取り囲み、さらに高さ位置の高い領域では、三角形状の各側面Ｔ５〜Ｔ８が斜度を有して取り囲む形状となる。この場合も、第２構成部４ｂ内において底面に対する封止樹脂層４の斜面の角度θ２は、１°≦θ２≦３０°で表される。
【００３６】
図２（ａ）の場合、第１構成部４ａは、基板３の基板上に四角形状の底面、及び当該底面より面積の小さい四角形状の上面を有する四角錐台形状を示す。
【００３７】
そして、前記の四角錐台形状を示す第１構成部４ａ上に、第１構成部４ａと連結して第２構成部４ｂが構成される。第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点５３〜５６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の長辺５１（頂点５３、５４間、あるいは頂点５５、５６間の辺に対応）と平行な稜線５２を有する。そして、この稜線５２の両端と、各端点に近い第２構成部４ｂの頂点とを結ぶことで構成される２つの三角形状の面と２つの四角形状の面を有する。具体的には、端点５７、頂点５３、頂点５６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ９と、端点５８、頂点５４、頂点５５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１０と、端点５７、端点５８、頂点５４、頂点５３を結ぶことで形成される四角形状の面Ｑ５と、端点５７、端点５８、頂点５５、頂点５６を結ぶことで形成される四角形状の面Ｑ６と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角錐台形状の第１構成部４ａ上に、三角柱形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００３８】
すなわち、図２（ａ）の場合、ＩＣチップ１０の側面を覆うように、基板３の基板面から所定の高さ位置まで、稜線５２に平行な対向する２側面においては基板面に対して９０°以下の角度の斜度を有して封止樹脂層４が取り囲み、他の対向する２側面においては基板面に垂直に封止樹脂層４が取り囲む。さらに高さ位置の高い領域では、稜線５２に平行な対向する２側面については封止樹脂層４が第１構造部４ａよりも傾斜を緩やかにした状態で斜度を有して取り囲む状態となり、他の対向する２側面については依然として垂直に取り囲む形状となる。つまり、封止樹脂層４の上面には、図１（ａ）の場合と同様、稜線５２、及び斜度を有した四角形状の面Ｑ５及びＱ６が構成される。
【００３９】
このとき、図２（ａ）において、第１構造部４ａ内の封止樹脂層４と底面すなわち基板３の基板面とがなす角度θ１は、第２構造部４ｂ内の封止樹脂層４と第２構造部４ｂの底面とがなす角度θ２よりも大きい。より具体的には、６０°≦θ１＜９０°、１°≦θ２≦３０°で表される。なお、θ１＝９０°の場合は、図１（ａ）に示される形状に相当する。
【００４０】
また、図２（ｂ）の場合は、図２（ａ）の三角形状の面Ｔ９及びＴ１０がそれぞれ対向面側に傾斜を有しており（Ｔ１１，Ｔ１２）、四角形状の面Ｑ５及びＱ６の代わりに台形形状の面Ｑ７及びＱ８を有する構成である。
【００４１】
具体的には、第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点６３〜６６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の長辺６１（頂点６３、６４間、あるいは頂点６５、６６間の辺に対応）と平行な稜線６２を有する。この稜線６２は、長辺６１よりは長さが短く、これによって稜線の端点６７、頂点６３、頂点６６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１１、及び稜線の端点６８、頂点６４、頂点６５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１２は、図２（ａ）の場合よりもそれぞれ対向面側、すなわちＩＣチップ１０が形成されている中央部側に傾斜を有して形成される。
【００４２】
また、端点６７、端点６８、頂点６４、頂点６３を結ぶことで形成される台形形状の面Ｑ７と、端点６７、端点６８、頂点６５、頂点６６を結ぶことで形成される台形形状の面Ｑ８と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角錐台形状の第１構成部４ａ上に、三角柱形状に準じた立体形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００４３】
さらに、図２（ｃ）の場合、第１構成部４ａは、図２（ａ）の場合と同様の四角錐台形状を有する。そして、この四角錐台形状を示す第１構成部４ａ上に、第１構成部４ａと連結して第２構成部４ｂが構成される。第２構成部４ｂは、第１構成部４ａの上面と共通する四角形状の底面（頂点７３〜７６で構成される四角形状）を有し、最も高さ位置の高い最上部において、この底面の四角形状の対角線の交点の上方領域に位置する頂点７７を有する。そして、この頂点７７と、底面の四角形状の各頂点７３〜７６それぞれを結ぶことで構成される４つの三角形状の面を有する。具体的には、頂点５７、頂点５３、頂点５４を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１３と、頂点７７、頂点７４、頂点７５を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１４と、頂点７７、頂点７５、頂点７６を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１５と、頂点７７、頂点７６、頂点７３を結ぶことで形成される三角形状の面Ｔ１６と、を有する。このように構成される封止樹脂層４は、四角錐台形状の第１構成部４ａ上に、四角錐形状の第２構成部４ｂが重ねられた形態を示す。
【００４４】
すなわち、図２（ｃ）の場合、ＩＣチップ１０の側面を覆うように、基板３の基板面から所定の高さ位置まで、台形状の各側面が斜度を有して封止樹脂層４が取り囲み、さらに高さ位置の高い領域では、三角形状の各側面Ｔ１３〜Ｔ１６が斜度を有して取り囲む形状となる。この場合も、図２（ａ）の場合と同様、第１構造部４ａ内の封止樹脂層４と底面すなわち基板３の基板面とがなす角度θ１は、第２構造部４ｂ内の封止樹脂層４と第２構造部４ｂの底面とがなす角度θ２よりも大きく、それぞれ６０°≦θ１＜９０°、１°≦θ２≦３０°で表される。
【００４５】
これら図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ａ）〜（ｃ）のように構成されるとき、封止樹脂層４に対して上部方向からの外部応力が加えられた場合、稜線２２、稜線３２、頂点４７、稜線５２、稜線６２、頂点７７の存在によって一定の衝撃に対する反発力を有することとなる。また、それぞれにおいて、封止樹脂層４は上側表面において傾斜面（図１（ａ）であれば四角形状の面Ｑ１及びＱ２、図１（ｂ）であれば四角形状の面Ｑ３及びＱ４、図１（ｃ）であれば三角形状の面Ｔ５〜Ｔ８、図２（ａ）であれば四角形状の面Ｑ５及びＱ６、図２（ｂ）であれば四角形状の面Ｑ７及びＱ８、図２（ｃ）であれば三角形状の面Ｔ１３〜Ｔ１６）を有しているため、上方からの外部応力を適度に分散させることができ、ＩＣチップ１０に対する衝撃を分散させることができる。従って、図７（ａ）のように補強部材５を形成しなくても、一定程度の外部応力に対する耐性を高めることができる。
【００４６】
一方、図７（ｃ）のように、底面から最上部まで一定角の斜度を有する多角錐体の場合と比較した場合、底面における封止樹脂層４の占有領域面積を同一とすると、ＩＣチップ１０を完全に覆うように封止樹脂層４を形成するに際し、図７（ｃ）の場合よりも第２構造部４ｂの斜度を緩やかにすることができる。このため、図７（ｃ）の構成と比較して、封止樹脂層４の最上部と底面までの占有高さを低くすることができ、これによって半導体装置の薄型化を実現することができる。また、封止樹脂層４を同程度の高さで実現しようとした場合には、本発明装置の方が、図７（ｃ）の構造と比較して基板３の基板面における封止樹脂層４の占有領域を狭くすることができるため、装置規模の縮小化、並びに曲げ応力に対する耐性の向上が図られる。
【００４７】
また、図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ａ）〜（ｃ）では、いずれも基板３の一方の面に封止樹脂層４を形成する場合を図示しているが、基板３の裏面側にも、表面側の封止樹脂層４と同形状の封止樹脂層４’を形成しても良い。図４は、裏面側にも封止樹脂層４が形成されている場合の断面図を示している。なお、裏面側に封止樹脂層４が形成された場合であっても、平面図は図１と同一となるため図示を省略している。図３（ａ）には図１（ａ）〜（ｃ）の場合において、図３（ｂ）には図２（ａ）〜（ｃ）の場合において、それぞれ裏面側に封止樹脂層４’を形成した場合の断面図を示している。
【００４８】
このようにすることで、外部応力に対するＩＣチップ１０への衝撃を緩和する効果をさらに高めることができる。特に、本発明装置が接触端子面を持たないＩＣカードに利用される場合には、外部応力に対するＩＣチップ１０への衝撃耐性を高めるべく、このように両面に封止樹脂層４を形成することは有用な方法である。ただし、この場合、あまりに封止樹脂層４の厚み、すなわち基板面から最上部位置までの高さを大きくすると、基板の両面に封止樹脂層４が形成されるためにＩＣカード全体の厚みが増してしまうので、ＩＣカードの厚みの仕様によっては実装が難しく、またＩＣチップ１０のサイズ次第ではその効果を十分に発揮できない可能性もある。従って、特に、厚みが大きく（例えば７００μｍ以上）、ＩＣチップ１０のサイズが比較的小さい（占有面積が１０ｍｍ２以下）の仕様のＩＣカードに対しては、このように両面に封止樹脂層４を形成することは有用である。
【００４９】
また、封止樹脂層４は、第１構造部４ａ及び第２構造部４ｂはいずれもその側面が平面で構成されるため、各側面が曲面で構成される図７（ｂ）のような半球状の場合と比較して実装は大幅に容易化される。
【００５０】
このように、本発明装置によれば、封止樹脂層４の成型を変更することのみで、簡易に外部応力や曲げ応力に対する耐性を高めることができる。また、封止樹脂層４の形状を変更することで、実装するＩＣカード基材の外装樹脂と封止樹脂層４との接触面積が増えるため、ＩＣカード基材との密着性が高められ、これによってＩＣカード基材のクラックを緩和する効果も有する。
【００５１】
なお、上述した実施形態では、半導体チップ１０と基板３とをワイヤボンディングにより接続している場合のみを説明したが、フリップチップボンディングによる接続方式においても同様に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る半導体装置の概略構造図
【図２】本発明に係る半導体装置の別の概略構造図
【図３】本発明に係る半導体装置の別実施例の概略断面構造図
【図４】非接触型ＩＣカードのインレット構成を示すブロック図
【図５】非接触型ＩＣカードのインレットの概略平面構造図
【図６】非接触型ＩＣカードのインレットの概略断面構造図
【図７】従来の半導体パッケージの概略断面構造図
【符号の説明】
【００５３】
３：    基板
４：    封止樹脂層
５：    補強部材
６：    ＩＣカード基材
７：    アンテナコイル
８：    半導体パッケージ
９：    インレット
１０：    ＩＣチップ
１１：    ＲＦ通信回路
１２：    演算及びデータ格納部
１３：    ＣＰＵ
１４：    メモリ
２２、３２、５２、６２：    稜線
２３〜２６、３３〜３６、４３〜４６、５３〜５６、６３〜６６，７３〜７６：    頂点
２７、２８、３７、３８、５７、５８、６７、６８：    端点
Ｔ１〜Ｔ１６：    三角形状
Ｑ１〜Ｑ２、Ｑ５〜Ｑ６：    四角形状
Ｑ３〜Ｑ４、Ｑ７〜Ｑ８：    台形形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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