(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の板面を表面（１１）、他方の板面を裏面（１２）とした基板（１０）と、
前記基板（１０）の表面（１１）側に設けられた電子部品（２０、２１、２２）と、
前記基板（１０）の裏面（１２）側に設けられた厚膜抵抗（３０）と、
前記基板（１０）の裏面（１２）側に設けられ前記厚膜抵抗（３０）を被覆する保護樹脂（３２）と、
前記基板（１０）の裏面（１２）側に設けられ前記基板（１０）の熱を当該裏面（１２）から受けて放熱するヒートシンク（５０）とを備える電子装置において、
前記基板（１０）の前記裏面（１２）には、当該裏面（１２）より凹んだ凹部（４０）が設けられており、
前記厚膜抵抗（３０）は前記凹部（４０）に収納されており、
前記保護樹脂（３２）は、前記凹部（４０）内で前記厚膜抵抗（３０）を封止し、前記凹部（４０）内に留まっていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記基板（１０）のうち前記厚膜抵抗（３０）よりも内部側の部位には、他の部位と電気的に接続されていない導体層（１４）が設けられており、
この導体層（１４）は前記基板（１０）の裏面（１２）まで引き出されるとともに、前記厚膜抵抗（３０）の熱を前記ヒートシンク（５０）に放熱するものとして構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記凹部（４０）の側面は、その底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記凹部（４０）の内面の表面粗さは、前記凹部（４０）の外側に位置する前記基板（１０）の裏面（１２）の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項５】
前記基板（１０）の裏面（１２）において前記凹部（４０）上には、他の電子部品（２５、２６、２７）が搭載されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に電子部品を搭載し、裏面に厚膜抵抗を搭載した基板の当該裏面に、ヒートシンクを設けてなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子装置は、たとえば自動車のＥＣＵなどの電子装置として用いられるが、近年、車室空間を広く取りたいという要望から、従来車室内にあったＥＣＵが使用環境の厳しいエンジンルームに搭載されるようになっている。
【０００３】
この種の電子装置は、一般に、セラミック層を複数積層してなる積層基板を有し、この基板の一方の板面である表面に半導体チップなどの電子部品を設け、他方の板面である裏面に厚膜抵抗を設けてなり、さらに、この裏面側では厚膜抵抗を保護するために、厚膜抵抗を含む当該裏面の全面を保護樹脂で被覆している（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
そして、一般に、このような基板に対しては、基板の裏面側に、熱伝導性の高い接着剤などを介してヒートシンクを取り付け、基板の熱を当該裏面からヒートシンクを介して放熱するようにしている。
【特許文献１】特開２００３−５９９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の電子装置においては、主たる放熱機能を、基板の裏面からヒートシンクへ至る経路に頼っているのであるが、放熱性の悪い保護樹脂が基板の裏面の全面を覆っているために、基板に発生する熱が、ヒートシンクに効率よく排出されないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の表面に電子部品を実装するとともに裏面には保護樹脂で被覆された厚膜抵抗を実装し、当該基板の裏面にヒートシンクを設けてなる電子装置において、基板の裏面とヒートシンクとの間に介在する保護樹脂を極力低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、基板（１０）の裏面（１２）には、当該裏面（１２）より凹んだ凹部（４０）が設けられており、厚膜抵抗（３０）は凹部（４０）に収納されており、保護樹脂（３２）は、凹部（４０）内で厚膜抵抗（３０）を封止し、凹部（４０）内に留まっていることを特徴とする。
【０００８】
それによれば、厚膜抵抗（３０）およびこれを被覆する保護樹脂（３２）が凹部（４０）内に留まっているため、基板（１０）の裏面（１２）とヒートシンク（５０）との間に介在する保護樹脂（３２）を極力低減することができる。
【０００９】
その結果として、ヒートシンク（５０）を介した放熱性が向上したり、また、基板（１０）の裏面（１２）上にて保護樹脂（３２）を少なくして、それ以外の電子部品を配置することも可能となり、実装密度の向上にもつながる。
【００１０】
ここで、基板（１０）のうち厚膜抵抗（３０）よりも内部側の部位には、他の部位と電気的に接続されていない導体層（１４）が設けられており、この導体層（１４）は基板（１０）の裏面（１２）まで引き出されるとともに、厚膜抵抗（３０）の熱をヒートシンク（５０）に放熱するものとして構成されていてもよい（後述の図１、図２等参照）。それによれば、凹部（４０）内に位置する厚膜抵抗（３０）の放熱経路を確保しやすくなる。
【００１１】
また、凹部（４０）の側面を、その底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面であるものにすれば（後述の図６参照）、凹部（４０）の底面と側面とのなす角部における応力集中を緩和しやすく、また、保護樹脂（３２）と凹部（４０）の内面との密着面積を大きくするうえで好ましい。
【００１２】
また、凹部（４０）の内面の表面粗さを、凹部（４０）の外側に位置する基板（１０）の裏面（１２）の表面粗さよりも大きいものにすれば、凹部（４０）内の厚膜抵抗（３０）や保護樹脂（３２）の密着性が向上する。
【００１３】
また、表面（１１）側の電子部品（２０〜２２）以外にも、基板（１０）の裏面（１２）において凹部（４０）上には、他の電子部品（２５、２６、２７）が搭載されていてもよい（後述の図８〜図１１参照）。このように、基板（１０）の裏面（１２）において凹部（４０）上のスペースを利用して他の電子部品（２５〜２７）を搭載してもよい。
【００１４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置１００の概略断面構成を示す図であり、図２は、この電子装置１００における厚膜抵抗３０およびその近傍部を拡大して示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【００１７】
基板１０は、本例ではセラミック積層基板であり、この基板１０は、複数のセラミック層１０ａを積層して形成されたものである。各セラミック層１０ａは、たとえばＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3を主成分とする粒子で作製されるシート体、あるいは、それらの粒子を融着させる硝子成分（たとえばＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ等）を含んだシート体よりなる。
【００１８】
ここで、積層基板である基板１０において図１中の上側の板面１１を基板１０の表面１１、下側の板面１２を基板１０の裏面１２とする。そして、基板１０の表裏両面１１、１２および内部には、基板１０の回路を構成する電気配線１３が形成されている。ここで、図１では、電気配線１３と後述する放熱配線１４と識別するために、電気配線１３は斜線ハッチング、放熱配線１４は点ハッチングにて示してある。
【００１９】
この電気配線１３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉの少なくとも１つを主成分とする合金層、または単一金属層よりなり、これら材料のペーストや箔などを用いて形成されている。
【００２０】
この電気配線１３のうち基板１０の表裏両面１１、１２に形成されているものは、基板１０における表面１１および裏面１２を構成するセラミック層１０ａの外面に形成されている。また、電気配線１３のうち基板１０の内部に形成されているものは、各セラミック層１０ａに形成されたビアホールや各セラミック層１０ａの間に形成された導体層として構成されている。そして、基板１０の表裏両面１１、１２および内部の各電気配線１３は、互いに導通している。
【００２１】
ここで、基板１０の表裏両面１１、１２に形成されている電気配線１３の最表面には、表面配線層１３ａが設けられている。この表面配線層１３ａは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄの少なくとも１つ以上を主成分とする多層導体あるいは、合金層などよりなり、たとえば、めっき、厚膜印刷、スパッタ、蒸着法、エッチングなどによって作製される。
【００２２】
また、図１に示されるように、基板１０の表面１１には、各種の電子部品２０、２１、２２が搭載されている。これら電子部品２０〜２２は、フリップチップやＩＣチップなどの表面実装部品である。
【００２３】
そして、これら電子部品２０〜２２は、基板１０の表面１１に形成されている電気配線１３に対して、バンプ２０ａ、はんだあるいは導電性接着剤などの導電性接続材２１ａ、２２ａを介して電気的に接続されている。なお、図示しないが、これら電子部品はボンディングワイヤで当該電気配線１３に接続されるものでもよい。
【００２４】
また、基板１０の裏面１２側には、厚膜抵抗３０が設けられている。この厚膜抵抗３０は、ＬａＢ6、ＳｎＯ2、ＣｕＮｉ、ＲｕＯ2、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、カーボン系の内これらの一成分以上を含んだ抵抗体である。
【００２５】
ここで、本実施形態では、図１、図２に示されるように、基板１０の裏面１２には、当該裏面１２より凹んだ凹部４０が設けられている。この凹部４０は、基板１０の裏面１２を構成するセラミック層１０ａに設けられている。そして、厚膜抵抗３０は、この凹部４０に収納されている。
【００２６】
そして、厚膜抵抗３０は、基板１０の裏面１２側にて当該凹部４０に位置する電気配線１３に電気的に接続されている。また、凹部４０内にて、厚膜抵抗３０は、保護ガラス３１、保護樹脂３２にて順次被覆され保護されている。
【００２７】
ここで、保護ガラス３１は、ガラス成分（ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ）の少なくとも１つ以上を主成分とする絶縁シート体よりなり、保護樹脂３２は、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、フェノール系、イミド系、アミド系、シリコーン系などの樹脂成分に放熱を主目的とするフィラー等を混ぜた熱硬化型、ＵＶ硬化型、熱乾燥型レジスト膜などよりなる。
【００２８】
そして、図１および図２に示されるように、保護樹脂３２は、凹部４０内で厚膜抵抗３０および保護ガラス３１を封止し、基板１０の裏面１２より突出せずに、凹部４０内に留まっている。
【００２９】
また、基板１０のうち厚膜抵抗３０よりも内部側の部位、すなわち凹部４０よりも基板１０の内部側の部位には、他の部位と電気的に接続されていない導体層としての放熱配線１４が設けられている。
【００３０】
この放熱配線１４は、上記電気配線１３と同様の材料よりなり、また、上記電気配線１３と同様の方法で基板１０の表裏両面１１、１２および基板１０の内部に形成されている。そして、この放熱配線１４のうち厚膜抵抗３０よりも内部側の部位に位置するものは、基板１０の表面１１および裏面１２まで引き出された形となっている。
【００３１】
ここで、放熱配線１４のうち基板１０の表裏両面１１、１２に位置するものの最表面には、上記同様の表面配線層１３ａが設けられている。なお、放熱配線１４については、この表面配線層１３ａは無いものであってもよい。
【００３２】
また、基板１０の裏面１２側には、基板１０の熱を当該裏面１２から受けて放熱するヒートシンク５０が設けられている。このヒートシンク５０は、ＣｕやＡｌなどよりなるものであり、放熱ゲル６０を介して基板１０の裏面１２と熱的に接続されている。放熱ゲル６０は、たとえばシリコーンゲルなどの熱伝導性に優れたゲルである。
【００３３】
さらに、本実施形態では、基板１０の裏面１２に位置する放熱配線１４とヒートシンク５０とは、熱伝導性に優れた熱伝導性接続部材６１を介して熱的に接続されている。この熱伝導性接続部材６１は、たとえば、はんだやＡｇペースト、あるいはシリコーングリス、シリコーン接着剤、ゲルなどである。
【００３４】
それにより、厚膜抵抗３０の熱は、基板１０のうち厚膜抵抗３０よりも内部側の部位に設けられている放熱配線１４から、基板１０の裏面１２まで引き出されている放熱配線１４を介して、ヒートシンク５０に放熱されるように構成されている。なお、放熱配線１４とヒートシンク５０との接続部にかかる応力を緩和するため、これら両者１４、５０の金属材料は同一材料であることが望ましい。
【００３５】
ところで、本実施形態によれば、基板１０の裏面１２に凹部４０を設け、厚膜抵抗３０およびこれを被覆する保護樹脂３２を凹部４０内に留めているため、基板１０の裏面１２とヒートシンク５０との間に介在する保護樹脂３２を極力低減することができる。そのため、ヒートシンク５０を介した放熱性が向上する。
【００３６】
このことについて、図２（ａ）および図３を参照して、具体的に述べる。図３は、従来技術に基づいて、本発明者が試作した比較例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。
【００３７】
図３に示される比較例では、基板１０の裏面１２に位置する電気配線１３の間に厚膜抵抗３０を電気的に接続し、その上に、保護ガラス３１、保護樹脂３２を形成している。この場合、ヒートシンク５０までの放熱経路は、基板１０→保護樹脂３２→放熱ゲル６０→ヒートシンク５０であり、保護樹脂３２が介在するため、本来良いはずのセラミック基板１０の熱伝導性を十分に活かすことができない。
【００３８】
本実施形態では、基板１０の裏面１２に凹部４０を設け、そこに厚膜抵抗３０、保護ガラス３１、保護樹脂３２を埋め込んだ形としているため、基板１０→放熱ゲル６０→ヒートシンク５０という放熱経路が存在する。
【００３９】
つまり、基板１０の裏面１２から保護樹脂３２を排除することで、基板の裏面１２に余白が生じ、比較例における保護樹脂３２を介した放熱経路とは別に、放熱性の良い基板１０から直接ヒートシンク５０へ放熱を行うことができる。そのため、本実施形態では、ヒートシンク５０への放熱を効率よく実施できる。
【００４０】
また、本実施形態では、上記図１に示されるように基板１０の内部から表裏両面１１、１２に引き出された放熱配線１４を設けているため、この放熱配線１４による基板１０の放熱も可能となる。さらに、基板１０の内部にて厚膜抵抗３０の近傍から基板１０の裏面１２まで、放熱配線１４を引き回しており、それによって厚膜抵抗３０の熱を、効率よくヒートシンク５０に放熱できるようになっている。
【００４１】
次に、上記図１に示される電子装置１００の製造方法の一具体例について説明する。まず、各セラミック層１０ａとなるグリーンシートを用意し、このグリーンシートに対して上記電気配線１３および放熱配線１４を形成した後、各グリーンシートを積層する。
【００４２】
このとき、上記凹部４０の形成方法は、具体的には、図４に示される第１の例、図５に示される第２の例が挙げられる。なお、図４、図５では、各グリーンシートには、焼成前のセラミック層１０ａとして符号１０ａを付してある。
【００４３】
まず、図４に示される第１の例では、プレス型Ｋにより凹部４０を形成する。このとき、凹部４０をつくるための凸部を有するプレス型Ｋを用いて、各グリーンシートの積層と凹部４０の形成と一括して行う。この方式は最も簡易に形成する方法ではあるが、凹部４０の近くのグリーンシート部分に大きな荷重がかかるため、焼成時に大きな収縮力のばらつき（寸法バラツキ）が生じ易い。
【００４４】
そこで、プレスを２度行うようにしてもよい。具体的には、従来と同様にグリーンシートを積層加圧した後、凹部４０部分のみを、プレス型Ｋによって部分的にプレスする。こうすることで、上記した部分的な収縮バラツキを小さくすることが可能になる。なお、これらプレスを１度行う方式、２度行う方式のいずれも、凹部４０内の電気配線１３の形成については、プレスの前でも後でもよい。
【００４５】
また、図５に示される第２の例は、積層方式である。本方式は従来と同様、各グリーンシートを形成後に積層・加圧するものであるが、最下層のグリーンシートのみに凹部４０を設けるための孔４０ａを設け、その後グリーンシートの積層を行うものである。これは、最も収縮による影響を軽減できる方式であると考えられる。
【００４６】
こうして、電気配線１３、放熱配線１４および凹部４０が形成されたグリーンシートを積層してなる積層体ができあがる。その後、この積層体を焼成し基板１０を形成する。このとき、積層体は、一般のものと同様、多少収縮する。また、各配線１３、１４をペーストで形成した場合には、積層体の焼成とともに焼結される、
次に、基板１０のうち表裏両面１１、１２に位置する配線１３、１４の表面に、上記表面配線層１３ａを、めっきなどにより形成する。次に、基板１０の裏面１２の凹部４０にて、印刷・焼成などにより、厚膜抵抗体３０、保護ガラス３１、保護樹脂３２を順次形成する。続いて、基板１０の表面１１において、上記電子部品２０〜２２を搭載することにより、本実施形態の電子装置１００ができあがる。
【００４７】
ここで、上記図２を参照して、厚膜抵抗３０、凹部４０およびその周辺部の寸法構成等について、述べておく。まず、図２（ａ）を参照して凹部４０の深さＴｃについて述べる。基板１０を構成する各セラミック層１０ａの厚さＴｂは、上記スルーホールにおける導体ペースト充填などの点を考慮して、通常は０．１５〜０．２５ｍｍにて調整される。
【００４８】
したがって、その中に形成する凹部４０は、セラミック層１０ａの厚さＴｂよりも浅いものになるのだが、凹部４０の深さＴｃを考えるにあたっては、次の２つのことを考える必要がある。
【００４９】
１つは、凹部４０に設けた厚膜抵抗３０とその上側のセラミック層１０ａにおける電気配線１３との電気絶縁性の観点から、その間の厚み（Ｔｂ−Ｔｃ）を０．０５ｍｍ以上とすることが望ましい。２つめは、凹部４０内での電気配線１３や厚膜抵抗３０の印刷性を確保するためには、厚み（Ｔｂ−Ｔｃ）を０．１５ｍｍ以下とすることが望ましい。
【００５０】
次に、図２（ｂ）を参照して述べる。厚膜抵抗３０は一対の電気配線１３間を跨ぐように接続されているが、実質的に厚膜抵抗３０として働く部分の寸法Ｌ、Ｗは、ともに０．５ｍｍ以上で、Ｌ≧Ｗの必要がある。できれば、これら寸法Ｌ、Ｗは１．０ｍｍ以上であることが望ましい。
【００５１】
また、電気配線１３と厚膜抵抗３０とが重なっていない余白Ｓ１、および、電気配線１３と厚膜抵抗３０との重なりＳ２については、印刷された厚膜抵抗３０が電気配線１３で薄くならないようにするため、ともに焼成時の基板１０の収縮寸法ズレに０．１ｍを加えた長さを確保する必要がある。
【００５２】
また、厚膜抵抗３０と保護ガラス３１および保護樹脂３２とのオーバラップについては、耐圧と吸水による抵抗値劣化を防止するという観点から、０．１ｍｍ以上オーバラップする必要がある。さらに、品質上を考えれば、電気配線１３も含めて０．１ｍｍ以上のオーバラップが望ましい。このことは、図２（ｂ）において、凹部４０の開口形状を破線４０で示し、この破線４０と厚膜抵抗３０および電気配線１３との距離Ｓ３が、０．１ｍｍ以上であることを意味する。
【００５３】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部の概略断面構成を示す図であり、同電子装置における厚膜抵抗３０およびその近傍部を拡大して示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態において凹部４０を変形したものであり、上記第１実施形態と組み合わせて適用可能である。
【００５４】
図６に示されるように、本実施形態では、凹部４０の側面を、その底部側から開口部側へ向かって拡がるように傾斜したテーパ状の面としたものである。ここで、凹部４０の底面と側面とのなす角部の角度をθとする。
【００５５】
それによれば、凹部４０の底面と側面とのなす角部における応力集中を緩和しやすく、当該角部に位置する電気配線１３のクラックや断線の防止などが図れる。また、上記第１実施形態では、上記角度θが９０°であったが、それに比べて、本実施形態では、保護樹脂３２および保護ガラス３１と凹部４０の内面との密着面積を大きくすることができ、保護樹脂３２および保護ガラス３１による封止を確実なものにできる。
【００５６】
ただし、凹部４０の上記角度θが大きいと、上記した電気配線１３のクラックや断線の懸念が大きくなり、また小さいと、基板１０の裏面１２が凹部４０に大きな面積を取られることになり、そもそも厚膜抵抗３０を凹部４０に埋め込む効果が薄れる。したがって、上記角度θは３０〜７０°で調整するのが望ましい。
【００５７】
図７は、本第２実施形態のもう一つの例を示す概略断面図であり、凹部４０単独の断面形状を示す図である。凹部４０は、大きく取りたくないが、保護樹脂３２および保護ガラス３１と凹部４０の内面との密着面積を稼ぎたいというときには、図７に示されるように、凹部４０の底面と側面とのなす角部をＲ加工すればよい。当該角部の曲率半径Ｒの大きさとしては、凹部４０の深さｔと同じにするとよい。
【００５８】
また、厚膜抵抗３０、保護樹脂３２および保護ガラス３１と凹部４０の内面との密着性向上については、凹部４０の内面の表面粗さを大きくしてもよい。具体的には、凹部４０の内面の表面粗さを、凹部４０の外側に位置する基板１０の裏面１２の表面粗さよりも大きくすればよい。
【００５９】
そうすることで、凹部４０の内面に接触する厚膜抵抗３０の面積が増加して放熱性が向上したり、同じく凹部４０の内面に接触する保護樹脂３２および保護ガラス３１の面積が増加して密着性が向上したりすることが期待される。
【００６０】
当該表面粗さの指標としては、従来の基板１０を構成するセラミック粒子径が数μｍ程度であることから、従来の表面粗さは平均粗さＲａで０．５μｍ程度となるが、これを倍程度の大きさの粗さにすることで大きな効果が期待できる。
【００６１】
表面粗さを大きくする方法としては、凹部４０をプレスするプレス型の表面を粗くしたり、セラミック層１０ａのうち凹部４０を構成する部位に目の粗いアルミナ粉（たとえば粒径：数〜２０μｍのもの）を添加すればよい。
【００６２】
（第３実施形態）
ところで、上記各実施形態によれば、凹部４０に厚膜抵抗３０および保護ガラス３１、保護樹脂３２を収納することで、基板１０の裏面１２のうち保護樹脂３２の占める面積を低減して、それ以外の電子部品を基板１０の裏面１２に配置することも可能となる。そうすれば、実装密度の向上にもつながる。
【００６３】
図８、図９、図１０は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図であり、図８は第１の例、図９は第２の例、図１０は第３の例である。いずれの例においても、基板１０の裏面１２において凹部４０上には他の電子部品２５、２６、２７が搭載されている。
【００６４】
図８に示される第１の例は、ワイヤ接続の例であり、ＩＣチップなどよりなる他の電子部品２５と保護樹脂３２とを接着剤２５ｂにて固定し、他の電子部品２５と凹部４０近傍に設けた電気配線１３とをＡｌやＡｕなどのボンディングワイヤ２５ａにて接続したものである。
【００６５】
なお、この際、保護樹脂３２と他の電子部品２５との間では大きな応力が発生するため、接着剤２５ｂとしては、両者２５、３２に熱膨張が近く、０．５〜数１０ＭＰａ程度の低ヤング率材料、たとえばシリコーン系接着剤を用いることが望ましい。
【００６６】
図９に示される第２の例は、他の電子部品２６として半導体チップを、はんだやＡｕなどのバンプ２６ａを介してベアチップ実装した例である。凹部４０上に、電気配線１３を設けることができないため、主にフリップチップ実装となる。
【００６７】
また、図１０に示される第３の例は、他の電子部品２７としてチップ部品を、はんだや導電性接着剤などの接着剤２７ａで接続した場合の例である。凹部４０は厚膜抵抗３０の大きさから、小さくとも幅１ｍｍ程度であるため、１６０８以上の大きさの部品に限られる。
【００６８】
このように、基板１０の裏面１２において保護樹脂３２が凹部４０に収納されるため、当該凹部４０上の空きスペースを利用して他の電子部品２５〜２７を搭載することで、特に基板１０の裏面１２にて、従来よりも高密度な部品実装が可能となる。
【００６９】
図１１は、本実施形態の応用例としての電子装置を示す概略断面図である。基板１０の裏面１２において凹部４０上には他の電子部品２５が搭載されボンディングワイヤ２５ａにより実装されている。
【００７０】
ここで、基板１０の裏面１２に設けた他の電子部品２５は、直接ヒートシンク５０に接続することが困難であるため、当該他の電子部品２５に対向するヒートシンク５０の部位に凹部５１を設けて、そこに上記同様の放熱ゲル６０や放熱グリスを充填する。そうすることで、より高い放熱を実現できる。
【００７１】
なお、ヒートシンク５０の凹部５１の深さは、他の電子部品２５が直接当たらない深さとする。また、本実施形態は、上記各実施形態に適用できるものである。
【００７２】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態では、上記基板１０の内部に設けられている電気配線１３と放熱配線１４との関係を考慮して、放熱配線１４に改良を加えたものであり、上記した角実施形態と組み合わせて適用が可能である。
【００７３】
図１２は、電気配線１３と放熱配線１４とが隣り合う部位の基板１０の内部構成を示す部分概略断面図である。放熱配線１４は、基板１０において電気配線１３の空きスペースがあるのであれば、極力大きくとることが望まれるが、実質的には、電気的耐圧と機械的強度によって規定される。
【００７４】
電気配線１３と放熱配線１４とが近いと、電気配線１３の端部Ａと放熱配線１４の端部Ａと間の電気的耐圧の確保が困難となるし、また、両端部Ａ−Ａ間におけるセラミック層１０ａ間の機械的強度が低下し、剥離しやすくなる。
【００７５】
そこで、本第４実施形態では、電気配線１３と放熱配線１４との間の電気的耐圧および機械的強度を向上させ、かつ配線面積を小さくしてコストを低減する方法を提供する。図１３は、本発明の第４実施形態の要部を示す平面図であり、基板１０の内部にて隣り合う電気配線１３と放熱配線１４との概略平面構成を示す。
【００７６】
図１３に示されるように、本実施形態では、配線幅Ｗを有する放熱配線１４の平面形状を、魚の中骨状にする。それによれば、均一な配線幅Ｗを有する放熱配線１４に比べて、電気配線１３との距離を実質的に大きくできるため、上記電気的耐圧および機械的強度を向上させることが可能となり、少ない配線材料で済むのでコストダウンにもなる。
【００７７】
このときの外周に伸びる骨部１４ａの幅と中骨部１４ｂの幅は同等がよい。ただし、均一な配線幅Ｗを有する放熱配線１４と同等の放熱機能を有するためには、骨部１４ｂの長さＷ１と隣り合う骨部１４ａの間隔Ｗ２との関係が、Ｗ１≧Ｗ２であることが望ましい。
【００７８】
さらに、骨部１４ａの先端部ではセラミック層１０ａの界面にボイドを生じ、このボイドによってセラミック層１０ａ同士が剥離しやすくなる恐れがある。この点を考慮したものが、図１４である。図１４は、本実施形態のもう一つの例としての放熱配線１４を示す概略平面図である。
【００７９】
図１４に示されるように、魚の中骨状をなす放熱配線１４において骨部１４ａの先端部、および、隣り合う骨部１４ａの根元部分を、図１４中の上部に示されるように、９０°以下の鋭利端にするか、あるいは、図１４中の下部に示されるようにＲ加工されたものにする。そうすることで、上記セラミック層１０ａ同士の剥離抑制効果が期待される。
【００８０】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、基板１０はセラミック層１０ａを複数積層してなる積層基板であったが、表面側に電子部品、裏面側に厚膜抵抗および保護樹脂を設けるものであれば、単層の基板であってもよい。
【００８１】
また、放熱配線１４が無い場合でも、上記した凹部４０に厚膜抵抗３０および保護樹脂３２を収納することによる放熱性向上の効果は発揮されるため、たとえば上記図１に示される電子装置１００においては、放熱配線１４は無くてもよい。もちろん、放熱配線１４が設けられていれば、それによる上記効果が発揮される。
【００８２】
また、上記電子装置は、モールド樹脂で全体が封止されたものであってもよい。この場合、ヒートシンク５０における基板１０との接続側とは反対側の面を、モールド樹脂より露出させることが望ましい。
【００８３】
また、上記各実施形態では、上記図２にも示されるように、１つの凹部４０に１つの厚膜抵抗３０が収納されていたが、１つの凹部４０に複数の厚膜抵抗３０が収納されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。
【図２】図１中の電子装置における厚膜抵抗およびその近傍部を拡大して示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。
【図３】本発明者が試作した比較例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図４】凹部の形成方法の第１の例を示す図である。
【図５】凹部の形成方法の第２の例を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部の概略断面図である。
【図７】上記第２実施形態のもう一つの例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態の第１の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図９】上記第３実施形態の第２の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１０】上記第３実施形態の第３の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。
【図１１】上記第３実施形態の応用例としての電子装置を示す概略断面図である。
【図１２】電気配線と放熱配線とが隣り合う部位の基板内部構成を示す部分概略断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態の要部を示す概略平面図である。
【図１４】上記第４実施形態のもう一つの例としての放熱配線を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０…基板、１１…基板の表面、１２…基板の裏面、
１４…他の部位と電気的に接続されていない導体層としての放熱配線、
２０、２１、２２…電子部品、２５、２６、２７…他の電子部品、
３０…厚膜抵抗、３２…保護樹脂、４０…凹部、５０…ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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