(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された第１導電型の第１のシリコン層と、
前記第１のシリコン層上に形成され、前記第１のシリコン層との接合面を含む第２導電型の第２のシリコン層と、
前記第２のシリコン層の表面から一定の深さに形成され、前記第２のシリコン層の不純物濃度よりも不純物濃度が高い第２導電型のシリコン領域と、
前記シリコン領域上に形成された熱酸化によるシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜の少なくとも一部を露出する開口が形成された絶縁膜と、
前記開口よりも外側に配置され、前記シリコン領域に電気的に接続された第１の電極と、
前記開口よりも外側に配置され、前記第１のシリコン層に電気的に接続された第２の電極と、
を有し、
前記第１のシリコン層と前記第２のシリコン層及び前記シリコン領域との間に逆バイアス電圧が印加されるように前記第１及び第２の電極に電圧を供給し、前記接合面から広がった空乏領域が前記シリコン領域の表面部分にまで到達している、ＰＩＮフォトダイオード。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜の膜厚は、約５０〜１２０オングストロームであり、前記反射防止膜は、約４００〜６００オングストロームのシリコン窒化膜である、請求項１に記載のＰＩＮフォトダイオード。
【請求項３】
前記シリコン窒化膜の膜厚は、青色光の波長に応じて決定される、請求項２に記載のＰＩＮフォトダイオード。
【請求項４】
前記シリコン領域の比抵抗が、０．０２〜２Ω・ｃｍである、請求項１乃至３の何れかに記載のＰＩＮフォトダイオード。
【請求項５】
前記第２のシリコン層の比抵抗が、２〜４Ω・ｃｍである、請求項４に記載のＰＩＮフォトダイオード。
【請求項６】
前記第１のシリコン層の比抵抗が、１０００〜４０００Ω・ｃｍである、請求項５に記載のＰＩＮフォトダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学ピックアップ等の受光素子に用いられるフォトダイオードに関し、特に、青色光の波長を感度良く受光することができるＰＩＮフォトダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＩＮフォトダイオードは、Ｐ型半導体とＮ型半導体の間にIntrinsic層（高抵抗のエピタキシャル層など）があるＰ−Ｉ−Ｎ構造を持ち、入射した光を光電流に変換する素子である。その原理は、エネルギー・バンド・ギャップより大きなエネルギーの光が逆バイアス印加されたＰＩＮ構造を持つシリコン（Ｓｉ）中に入射されると、シリコン結晶内で電子−正孔対が生成され、それらは光キャリアとして電子はＮ層へ、正孔はＰ層へそれぞれ移動し、逆方向の電流が出力される。
【０００３】
例えば、特許文献１は、図６（ａ）に示すように、Ｎ型半導体層１１の表層にＰ型半導体層１２を形成し、半導体層１２上にマスク層３０および絶縁層Ｉを形成し、図６（ｂ）に示すように、マスク層３０をエッチングストッパとして絶縁層Ｉに開口部Ｈを形成し、ウエットエッチングにより開口部Ｈ内のマスク層３０を除去するフォトダイオードの製造方法を開示している。これにより、エッチングの損傷によるリークの発生を抑制している。
【０００４】
さらに特許文献１は、図７に示すように、Ｎ型半導体層１１内に碁盤の目状に複数のＰ型半導体層１２を形成し、シリコン表面に、酸化シリコン膜２５および窒化シリコン膜２６からなる反射防止膜ＡＲを形成したフォトダイオードを開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３２００７９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シリコンは、その物性上４００ｎｍから１１００ｎｍまでの波長の光しか光電流に変換出力することができない。その理由は、１１００ｎｍ以上の長波長の光エネルギーは、シリコンのエネルギーバンドギャップ（１．１２ｅＶ）より低いため電子−正孔対を生成することができない。また、短波長の光は、シリコン表面付近でしか電子−正孔対を生成することができないが、通常、シリコン表面は、再結合速度が非常に大きいため、４００ｎｍ以下の短波長では、生成された電子−正孔対が直ぐに再結合してしまい、シリコン内で光キャリアが消滅してしまう。
【０００７】
ＰＩＮフォトダイオードには、感度（光電変換効率）とＢＷ（応答速度）の２つの重要な特性がある。ＰＩＮフォトダイオードの基本原理を踏まえて、青色光波長（λ＝４０５ｎｍ）に対して、上記した２つの重要な特性を考慮して構成されたＰＩＮフォトダイオードの断面を図８に示す。同図において、高濃度のＰ型の単結晶シリコン基板４０上に、低濃度のＰ型のシリコン層４１がエピタキシャル形成され、その上に低濃度のＮ型のシリコン層４２がエピタキシャル成長されている。Ｐ型のシリコン層４１とＮ型のシリコン層４２の間には、逆バイアス電圧の印加時に空乏領域が形成され、そこに光が入射されると、電子−正孔対が生成される。
【０００８】
Ｎ型のシリコン層４２内には、中濃度のＮ型のシリコン領域４３、４４が形成されている。シリコン領域４３は、受光面内において、例えば格子状に複数配列されている。シリコン領域４３、４４内には、それぞれ高濃度のＮ型のコンタクト領域が形成され、コンタクト領域は、プラチナシリサイド（ＰｔＳｉ）等の電極４５、４６にそれぞれ接続される。
【０００９】
フィールド酸化膜４７の下部には、Ｐ型のシリコン層４１と接続される高濃度のＰ型のチャンネルストップ領域４８が形成されている。金属配線４９は、高濃度のＰ型のコンタクト領域５０を介してＰ型のシリコン層４１に電気的に接続され、金属配線５１は、電極４６に接続される。受光面内の電極４５は、図示しない位置で金属配線５１に電気的に接続されている。フィールド酸化膜４７上には、多層絶縁層５２が形成され、多層絶縁層５２には、受光面を規定する開口Ｈが形成されている。開口Ｈにより露出されたシリコン表面は、シリコン窒化膜５３によって覆われ、さらにその上面は、シリコン窒化膜からなる保護膜５４によって覆われている。
【００１０】
金属配線４９、５１間に逆バイアス電圧を印加することで、Ｐ型のシリコン層４１とＮ型のシリコン層４２との間に空乏領域が形成される。Ｎ型のシリコン層４２は、Ｐ型のシリコン層４１よりも十分に薄いため、空乏領域は、シリコン表面まで到達する。空乏領域に光が入射することで、空乏領域には電子−正孔対が発生し、正孔は、Ｐ型の半導体層４１から金属配線４９へ流れ、電子は、空乏領域に近接する電極４５に流れ、光電変換された電流が出力される。
【００１１】
短波長の青色光がシリコン表面近傍で光キャリアを生成することができるように、ＰＩＮフォトダイオード内の表面近傍に格子状の高濃度のシリコン領域４３と電極４５がレイアウトされている。これにより、格子間は、低濃度層なので十分に空乏層を広げることができ、青色光波長でも光キャリアを生成することができる。そして、格子状の高濃度のシリコン領域４３と電極４５は、光キャリアが発生される空乏領域の直ぐ近くにあるので、発生した光キャリアは、シリコン内で消滅する前に高濃度のシリコン領域４３を通って電極４５にスムースに移動することができる光電流となり、青色光波長に対する光電変換効率が最適化される。なお、光電変換効率とは、入射された光の出力と光電変換された電流との比である。
【００１２】
上記構成の青色光波長を用いたＰＩＮフォトダイオードでは、光電変換効率が約０．２８４Ａ／Ｗと高い値である。しかし、理論限界値は、０．３２７Ａ／Ｗであり、その値にまでは及ばない。理論限界値に近付けるためには、受光面（開口Ｈ）内への電極４５の配置をなくすことである。受光面内の電極４５は、入射光を遮光してしまうため、空乏領域でのキャリアの生成が減少し、光電流が減少し、これが光電変換効率の低下に大きく寄与している。その一方で、受光面内の電極４５がないと、キャリアの移動距離が長くなり、シリコン表面近傍でのキャリアの再結合によるキャリアの消滅の割合が高くなり、光電変換効率が低下する、といった二律背反の課題がある。
【００１３】
本発明は、上記のような従来の課題を解決するものであり、従来と比較して光電変換効率（感度）をより向上させたフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、青色光のような短波長の光に対して優れた光電変換効率をもつフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るフォトダイオードの製造方法は、第１導電型の第１のシリコン層上に第２導電型の第２のシリコン層を形成し、第２のシリコン層の表面から一定の深さに、第２のシリコン層よりも不純物濃度が高い第２導電型のシリコン領域を形成し、少なくともシリコン領域を含む表面にシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜の一部または全部を覆う反射防止膜を形成する工程を含む。
【００１５】
好ましくは、シリコン酸化膜は、熱酸化により形成される。反射防止膜は、シリコン窒化膜である。好ましくは、シリコン酸化膜の膜厚は、約５０〜１２０オングストロームであり、シリコン窒化膜の膜厚は、約４００〜６００オングストロームである。シリコン窒化膜の膜厚は、青色光の波長に応じて決定される。
【００１６】
好ましくは、シリコン領域の比抵抗は、０．０２〜２オーム・ｃｍであり、第２のシリコン層の比抵抗は、２〜４オーム・ｃｍであり、シリコン領域は、第２のシリコン層の表面から約０．５ミクロンの深さであり、第２のシリコン層は、前記深さの約２倍の厚さを有する。シリコン領域は、例えば不純物をイオン注入することによって形成される。
【００１７】
好ましくは、フォトダイオードの製造方法はさらに、反射防止膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成し前記反射防止膜の少なくとも１部を露出する工程と、第１のシリコン層および第２のシリコン層にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の電極を形成する工程とを含み、前記第１および第２の電極は、前記開口より外側に配置されている。
【００１８】
本発明に係るフォトダイオードとＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法は、第１導電型の第１のシリコン層上に第２導電型の第２のシリコン層を形成し、第２のシリコン層の表面から一定の深さに、第２のシリコン層よりも不純物濃度が高い第２導電型のシリコン領域を形成し、前記ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜を形成するときに、当該ゲート酸化膜を上記シリコン領域の表面に形成し、フォトダイオードの前記ゲート酸化膜の一部または全部を覆う反射防止膜を形成し、反射防止膜上に形成された絶縁膜に開口を形成し、少なくとも反射防止膜の一部を露出する開口を形成する。
【００１９】
本発明に係るフォトダイオードは、基板と、基板上に形成された第１導電型の第１のシリコン層と、第１のシリコン層上に形成され、第１のシリコン層との接合面を含む第２導電型の第２のシリコン層と、第２のシリコン層の表面から一定の深さに形成され、第２のシリコン層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第２導電型の低抵抗のシリコン領域と、前記シリコン領域上に形成されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の少なくとも一部を露出する開口が形成された絶縁膜とを有する。
【００２０】
好ましくは、フォトダイオードはさらに、前記開口よりも外側に第１および第２の電極を有し、第１の電極は、第１のシリコン層に電気的に接続され、第２の電極は、第２のシリコン層に電気的に接続される。上記フォトダイオードは、好ましくは、光学ピックアップ等の受光装置に用いられ、受光装置は、光源から出射された光の一部または記録媒体から反射された光を受光する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、従来のフォトダイオードと比較して、青色光の波長に対して応答速度を低下させることなく光電変換効率をさらに向上させることができる。さらに、本発明のフォトダイオードを光学ピックアップに用いることで、記録媒体からのデータの読取りまたはデータの書込みを精度良く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＤＶＤ等の記録媒体のデータを読取り、またはデータを書き込むために青色光の光源を有する光学ピックアップの受光素子に用いられるＰＩＮフォトダイオードを例示する。
【００２３】
図１は、光学ピックアップの一構成例である。光学ピックアップ６０は、回転駆動されるディスクに記録されたデータを光学的に読取り、またはデータを光学的に書き込むための装置である。光学ピックアップ６０は、青色光を出射するレーザ素子またはレーザダイオード素子を含む光源６２と、スプリッタ６４と、受光装置６６、６８とを有する。スプリッタ６４は、光源６２から出射された青色光をディスクＤに反射させるとともにその一部を受光装置６６へ透過し、さらに、ディスクＤの反射光を受光装置６８へ透過する。受光装置６６は、光源６２の光出力をモニタし、その結果に基づき青色光の光出力が安定化される。受光装置６８は、ディスクＤの反射光をモニタし、その結果に基づきフォーカス制御やトラッキング制御が行われる。また、受光装置６８は、ディスクＤに書き込まれたデータの読み取りにも使用される。
【００２４】
受光装置６６、６８は、青色光を受光するためのＰＩＮフォトダイオードを含んでいる。受光装置６６、６８は、ＰＩＮフォトダイオードによって検出された信号を増幅したり、あるいは処理するための周辺回路を含むことができる。例えば、図２に示すように、１つの半導体シリコンチップ７０には、ＰＩＮフォトダイオード１００とその周辺回路７２とを集積可能である。周辺回路７２は、複数のＭＯＳトランジスタ等を含んだ集積回路である。
【００２５】
図３は、本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの断面構造を示す図である。本実施例に係るＰＩＮフォトダイオード１００は、高濃度のＰ型の単結晶シリコン基板１１０上に、エピタキシャル成長により形成された低濃度のＰ型シリコン層１１２、エピタキシャル成長された低濃度のＮ型のシリコン層１１４、シリコン層１１４の表面から一定の深さを有する中濃度のＮ型のシリコン領域１１６が形成されている。逆バイアス電圧が印加されたとき、シリコン層１１２とシリコン層１１４の接合面から上下方向に空乏領域が広がる。
【００２６】
シリコン領域１１６は、フィールド酸化膜１１８によって画定されている。シリコン領域１１６上には、熱酸化によるシリコン酸化膜１２０が形成され、シリコン酸化膜１２０上にはシリコン窒化膜１２２が形成されている。シリコン酸化膜１２０とシリコン窒化膜１２２は、反射防止膜を形成する。
【００２７】
Ｎ型のシリコン領域１１６の両端部には、高濃度のＮ型のコンタクト領域１２４が形成され、コンタクト領域１２４は、プラチナシリサイド（ＰｔＳｉ）層１２６を介して電極１２８に電気的に接続されている。また、Ｎ型のシリコン層１１４を介してＰ型のシリコン領域１１２まで延びる高濃度のＰ型のコンタクト領域１３０が形成され、コンタクト領域１３０は、プラチナシリサイド（ＰｔＳｉ）層１３２を介して電極１３４に電気的に接続されている。
【００２８】
さらに、シリコン基板上には多層絶縁膜１３６、および保護膜１３８が形成されている。多層絶縁膜１３６および保護膜１３８には、シリコン窒化膜１２２を露出するための開口Ｈが形成されている。開口Ｈは、ＰＩＮフォトダイオードの受光面を規定する。カソード側の電極１２８とアノード側の電極１３４に逆バイアス電圧が印加されると、シリコン層１１２とシリコン層１１４の界面から空乏領域が形成される。空乏領域は、ほぼシリコン表面領域にまで到達し、青色光が開口Ｈ内に入射されたとき、空乏領域内に電子−正孔対のキャリアが生成される。電子は、カソード側の電極１２８に移動し、正孔は、アノード側の電極１３４に移動し、光電流が出力される。
【００２９】
本実施例のＰＩＮフォトダイオード１００は、図８に示した従来のフォトダイオードのように受光面内に格子状の電極を配置していない。上記したように、受光面内の電極は、入射光Ｌの一部を遮光するため、空乏領域内に入射する光量が減少し、光電変換効率（感度）の低下の原因となる。これに対して、本実施例のＰＩＮフォトフォトダイオードは、受光面内に実質的に入射光Ｌを遮光する電極が存在しないため、電極を配置する従来のＰＩＮフォトダイオードと比較して、空乏領域に入射する光量の減少を抑制することができる。
【００３０】
他方、受光面内に電極を配置させないと、シリコン表面近傍の空乏領域で発生したキャリアの移動距離が長くなり、再結合により消滅する割合が高くなってしまう。特に、シリコン表面に多数のシリコン未結合手（ダングリングボンド）があると、シリコン界面のトラップ準位にキャリアがトラップされ、再結合によりキャリアが消滅する確率が高くなってしまう。本実施例では、シリコン領域１１６上に熱酸化によるシリコン酸化膜１２０を形成することで、シリコンの未結合手の数を減少させ、界面状態を安定化させ、界面トラップ現象を最小限に抑制している。また、シリコン酸化膜１２０は、光の反射率が高いため、シリコン酸化膜１２０の直上にシリコン窒化膜１２２を形成することで、青色光Ｌの反射を防止している。シリコン窒化膜１２２は、デザイン上またはプロセス上の制約を受けることなく、青色光に対して適切な膜厚に形成される。
【００３１】
さらに、シリコン表面の抵抗が高いと、キャリアの移動速度が遅くなり、応答速度が低下してしまう。これを回避するため、本実施例では、Ｎ型のシリコン層１１４の表面から一定の深さに高濃度のＮ型のシリコン領域１１６を形成している。好ましくは、シリコン領域１１６は、シリコン表面から約０．５ミクロン程度の深さである。シリコンの物性上、青色光の波長はシリコン表面で吸収されるため、空乏領域はシリコン表面に形成されることが望ましい。従って、高濃度のシリコン領域１１６が空乏領域の形成の障害とならないようにするため、シリコン領域１１６は、シリコン表面から一定の深さ未満に形成される。これにより、シリコン表面近傍で発生したキャリアは、抵抗の低いシリコン表面近傍のシリコン領域１１６を移動し、その応答速度の低下を抑制することができる。
【００３２】
次に、本実施例のＰＩＮフォトダイオードの製造工程について図４Ａないし図４Ｄを参照して説明する。ここでは、半導体チップ上に、ＰＩＮフォトダイオードと周辺回路のＭＯＳトランジスタを形成する場合の工程を例示する。図４Ａに示すように、先ず、高濃度のＰ型の単結晶シリコン基板１１０を用意する。シリコン基板１１０は、例えば、６１０〜６４０μｍの厚さ、抵抗率（比抵抗）は、０．０１〜０．０２オーム・ｃｍである。不純物には、例えばボロンが用いられる。
【００３３】
シリコン基板１１０上には、エピタキシャル成長によって低濃度のＰ型のシリコン層１１２が形成される。シリコン層１１２は、例えば、２５μｍの厚さ、比抵抗は、１０００〜４０００オーム・ｃｍである。さらにシリコン層１１２上には、エピタキシャル成長によって低濃度のＮ型のシリコン層１１４が形成される。シリコン層１１４は、約０．９μｍの厚さ、比抵抗は、２〜４オーム・ｃｍである。また、フィールド酸化膜１１８からＰ型のシリコン層１１２へ到達する深さ高濃度のＰ型のコンタクト領域１３０が形成される。コンタクト領域１３０は、Ｂ（ホウ素）をイオン注入することによって形成される。
【００３４】
このように構成されたシリコン基板上に、レジストマスク１５０が形成され、マスク１５０には、フィールド酸化膜１１８によって画定されたシリコン層１１４を露出するように開口１５２が形成される。この露出されたシリコン層１１４の表面に、イオン注入用の３００Å程度のシリコン酸化膜が熱酸化により形成される。次いで、基板全面にＰ(リン)またはＡｓ(ヒ素)等のイオン注入がイオン注入用シリコン酸化膜を介して行なわれ、マスク１５０によって露出されたシリコン層１１４内に中濃度のＮ型のシリコン領域１１６が形成される。シリコン領域１１６は、シリコン表面化から約０．５μｍの深さであり、比抵抗は、０．０２〜２オーム・cmである。
【００３５】
イオン注入用シリコン酸化膜、レジストマスク１５０を除去した後、図４Ｂに示すように、シリコン領域１１６上にシリコン酸化膜１２０が形成される。上記したように、シリコンチップ上に、周辺回路のＭＯＳトランジスタを形成する場合には、シリコン酸化膜１２０は、ゲート酸化膜を流用することができる。好ましくは、シリコン酸化膜１２０は、シリコン基板を一定の温度内に晒すことで熱酸化により形成される。シリコン酸化膜１２０は、好ましくは、約５０〜１２０オングストロームの厚さである。シリコン酸化膜１２０の形成により、シリコン表面の未結合手が酸素と結合し、未結合手の数が減少される。
【００３６】
次に、シリコン酸化膜１２０上にポリシリコン層１６０が形成される。ポリシリコン層１６０は、ＭＯＳトランジスタのゲートに用いられる。ポリシリコン層１６０の厚さは、約３０００〜３７５０オングストロームである。ポリシリコン層１６０上に、公知のフォトリソ工程によりレジストマスク１６２が形成され、レジストマスク１６２を介してポリシリコン層１６０がパターニングされる。このポリシリコン層１６０は、シリコン酸化膜１２０上にシリコン窒化膜１２２を形成する直前までシリコン酸化膜１２０を保護する。
【００３７】
レジストマスク１６２が除去された後、Ｐ型のシリコン層１１２への高濃度のコンタクト領域１３０が形成され、さらにシリコン領域１１６内に高濃度のコンタクト領域１２４が形成される。そして、図４Ｃに示すように、シリコン基板上にレジストマスク１６４が形成され、このマスク１６４を介してポリシリコン層１６０がエッチング等により除去される。これにより、シリコン酸化膜１２０が露出される。レジストマスク１６４が除去された後、図４Ｄに示すように、シリコン窒化膜１２２が形成される。シリコン窒化膜１２２は、好ましくは減圧ＣＶＤにより成膜される。シリコン酸化膜１２０が上記膜厚を有するとき、シリコン窒化膜１２２の好ましい膜厚は、約４００〜６００オングストロームである。シリコン酸化膜１２０およびシリコン窒化膜１２２の膜厚は、青色光の波長の反射を可能な限り最小にするように選択される。
【００３８】
以上のように構成されたＰＩＮフォトダイオードの特性結果（実測値）を図５に示す。入射光の波長は、４０５ｎｍ、ＰＩＮフォトダイオードに印加した逆バイアス電圧は、２．０Ｖである。図から明らかなように、従来のＰＩＮフォトダイオード（図８に示す構造）の光電変換率は、０．２８４Ａ／Ｗであったのに対して、本実施例のＰＩＮフォトダイオードの光電変換率は、０．３１９Ａ／Ｗであり、その値は、向上し、理論限界値に近い値となった。さらに、従来のＰＩＮフォトダイオードの帯域が２４０ＭＨｚであるのに対して、本実施例の帯域は３３４ＭＨｚであり、応答速度も向上していることがわかる。
【００３９】
本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明に係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４０】
上記実施例では、シリコンチップ内にＰＩＮフォトダイオードと周辺回路としてＭＯＳトランジスタを含む場合の製造方法を例示したが、勿論、ＭＯＳトランジスタを含まないＰＩＮフォトトランジスタ単体の製造方法にも適用することができる。さらに、上記実施例では、反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いたが、これに代わる他の誘電体膜を用いまたは組み合わせることも可能である。さらに、反射防止膜は、２層に限らず、それ以上の多層構造であってもよい。さらに上記実施例では、シリコン基板上にエピタキシャル成長によるシリコン層を形成する例を示したが、必ずしもエピタキシャル成長による形成に限らない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードが用いられる光学ピックアップの例を示す図である。
【図２】図１に示す受光装置のシリコンチップに形成される回路例を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの概略構成を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの製造工程を示す概略断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの製造工程を示す概略断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの製造工程を示す概略断面図である。
【図４Ｄ】本発明の実施例に係るＰＩＮフォトダイオードの製造工程を示す概略断面図である。
【図５】本実施例のＰＩＮフォトダイオードの特性を示す図である。
【図６】従来のＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図である。
【図７】従来のＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図である。
【図８】従来のＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
６０：光学ピックアップ
６２：光源
６４：スプリッタ
６６、６８：受光装置
７０：シリコンチップ
７２：周辺回路
１００：ＰＩＮフォトダイオード
１１０：Ｐ型シリコン基板
１１２：低濃度のＰ型のシリコン層
１１４：低濃度のＮ型のシリコン層
１１６：中濃度のＮ型のシリコン領域
１１８：フィールド酸化膜
１２０：シリコン酸化膜
１２２：シリコン窒化膜
１２４：高濃度のＮ型のコンタクト領域
１２６：シリサイド層
１２８：電極
１３０：高濃度のＰ型のコンタクト領域
１３２：シリサイド層
１３４：電極
１３６：多層絶縁膜
１３８：保護膜
１５０、１６２、１６４：レジストマスク
１５２：開口
１５４：イオン注入
１６０：ポリシリコン層
Ｈ：開口
【図１】
0005007614.tif 000002
【図２】
0005007614.tif 000003
【図３】
0005007614.tif 000004
【図４Ａ】
0005007614.tif 000005
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
0005007614.tif 000008
【図５】
0005007614.tif 000009
【図６】
0005007614.tif 000010
【図７】
0005007614.tif 000011
【図８】
0005007614.tif 000012