(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状のホットウォールを加熱して、前記ホットウォール内に予め１５００℃〜２３００℃に加熱された領域を生成する高温領域生成手段と、
前記高温領域生成手段によって生成された前記領域内に、前記ホットウォールと対向するように半導体基板を搬送することにより前記半導体基板の熱処理を行う搬送手段と、を備え、
前記搬送手段は、前記半導体基板の両面が露出した状態で前記半導体基板を保持する治具を備えていること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記半導体基板は、炭化珪素半導体を含むこと
を特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の熱処理装置において、
前記熱処理は、炭化珪素半導体にイオン注入により導入された不純物の活性化熱処理であること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記領域内の雰囲気を不活性ガスとする手段を備えること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の熱処理装置において、
前記不活性ガスは、Ａｒ，Ｈｅまたはその混合ガスであること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記領域内の雰囲気をＳｉＨ4＋Ｈ2雰囲気とする手段を備えること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記領域内の雰囲気圧力を６６５ｈＰａ以上にする手段を備えること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記搬送手段は、予め加熱されたホットウォールの輻射熱が直接半導体基板に当たる位置に前記半導体基板の搬送を行う手段であること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の熱処理装置において、
前記搬送手段は、前記輻射熱が半導体基板の両面から当たる位置に前記半導体基板の搬送を行う手段であること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記ホットウォールの加熱は、ランプ、ヒーター線、高周波の少なくともいずれか１を用いて行うこと
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記ホットウォールは、高融点材料で構成すること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の熱処理装置において、
前記高融点材料は、Ｗ，Ｔａ，ＳｉＣ，又はＣであること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記前記ホットウォールは、３Ｃ−ＳｉＣの焼結により構成されたものであること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記ホットウォールは、アモルファスカーボンの焼結により構成されたものであること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記搬送手段は、複数の前記半導体基板を同時に前記領域内に搬送する手段であること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記ホットウォールは立設されており、
前記搬送手段は、前記治具に半導体基板を載置した状態で、前記立設された筒状のホットウォール内の前記加熱された領域に該治具を上下動させて搬送する手段であること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の熱処理装置において、
前記治具は、半導体基板を載置する面の傾斜角度を水平面に対して７０°〜８５°とすること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記搬送手段は、前記半導体基板を前記領域内に搬送して所定の時間熱処理を行った後に、前記半導体基板を前記領域内から取り除くように前記半導体基板を搬送する手段を有すること
を特徴とする熱処理装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記高温領域生成手段は、前記搬送手段が前記半導体基板を前記領域内に搬送して所定の時間熱処理を行った後に、前記領域の温度を下げる手段を有すること
を特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
半導体基板の熱処理装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
炭化珪素（ＳｉＣ）半導体装置における不純物層は、イオン注入後に活性化熱処理を行うことにより形成される。ＳｉＣ中においてｐ型不純物は熱処理を行っても活性化しにくいという問題がある。そのため、熱処理温度を上げることにより、活性化率を向上させようとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ヒーター加熱炉でイオン注入後のＳｉＣ基板を室温から１６００℃に約８０分かけて上げて活性化熱処理をした後に表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察したところ、図９に示すように基板上の表面にステップ状の表面荒れが発生することが分かった。またさらに熱処理温度を上げてｐ型不純物の活性化率を向上させようとした場合、この表面荒れは更に悪化すると考えられる。特に加工が容易なオフ角を有する基板では表面荒れが発生しやすい。
【０００４】
このような表面荒れが発生すると、ＭＯＳ界面に凹凸が生じて電子が流れにくくなったり、電極接触抵抗が大きくなるなど、デバイス特性への悪影響が生じる。こうした表面荒れはＳｉＣ構成元素のＳｉが高温時に抜けることによるマイグレーション（再結晶化）によって発生し、活性化熱処理温度とこのマイグレーション発生温度との間には以下のような関係が成り立つ。
【０００５】
活性化熱処理温度（１５００℃以上）≧マイグレーション発生温度（１４２０℃）
つまり、ＳｉＣにおいてｐ型不純物の活性化熱処理を行うと必ずマイグレーションによる表面荒れが発生してしまうため、ｐ型不純物の高活性化と表面荒れ抑制を両立することは困難である。
【０００６】
この問題を解決するため、強力なランプの光を直接ＳｉＣ基板に当て、短時間の熱処理を行うことにより、原子の移動時間を与えないようにして、不純物の高活性化と表面荒れの抑制を両立できるランプアニール法を考案している。しかしながら、このランプアニール法では、複数のランプからの光を集光して基板に当てるため、大面積処理が困難で、面内温度のばらつきも大きく、制御が困難であるといった問題がある。またこれらの問題から、量産性に乏しいといった問題が発生する。
【０００７】
そこで本発明は、上述した問題点を解決し、大面積処理が可能で、制御が容易な量産性に優れた熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上述した問題点を解決するためになされた請求項１に記載の熱処理装置によれば、予め領域に半導体基板が搬送されるため半導体基板の温度を短時間で高温に上げることができる。また、この領域は予め１５００℃から２３００℃に加熱されているため、熱処理面内の温度分布のばらつきを抑えることができ、大面積熱処理が可能となり、量産性に優れる。また、予め領域を所望の温度に加熱するだけでよいので、ウェハにランプの光を直接当てて加熱する場合のように細かな制御が不要となり、制御が容易である。
【０００９】
特に半導体基板内に熱処理温度で昇華する元素等が含まれる場合には、こうした昇華が進行する前に熱処理を完了させることができる。例えば、半導体基板にＳｉを含む場合、このような高温（１５００℃以上）では、半導体基板中のＳｉの昇華（Ｓｉ抜け）が発生するが、従来に比べ短時間で熱処理を完了できるためＳｉ抜けの進行を抑制できる。例えば請求項２に示すように、半導体基板が炭化珪素半導体である場合には、炭化珪素半導体中のＳｉ抜けを抑制することができる。特に請求項３のようにイオン注入により炭化珪素半導体へ導入された不純物の活性化を行う場合には、Ｓｉ抜けによる半導体基板の表面荒れが進行する前に完了させることができる。
【００１０】
このような熱処理時の雰囲気を、請求項４に示すように不活性ガスとすれば、熱処理時の半導体基板表面への反応物の形成を抑制することができる。こうした不活性ガスとしては例えば請求項５に示すようにＡｒやＨｅまたはその混合ガスなどを用いることができる。
【００１１】
また、例えば炭化珪素半導体基板に対する熱処理時の雰囲気は、請求項６に示すようにＳｉＨ4＋Ｈ2雰囲気としてもよい。こうすることで平衡状態が実現され炭化珪素半導体基板からのＳｉ抜けが抑制されて、表面荒れを抑えることができる。
また、雰囲気圧力は、請求項７に示すように６６５ｈＰａ以上にするとよい。雰囲気圧力を高くした状態で熱処理を行えば、半導体基板表面からのＳｉ抜けが起こりにくくなり、表面荒れの発生をさらに抑制できる。
【００１２】
予め１５００℃〜２３００℃に加熱された領域内に半導体基板を搬送する構成の場合には、請求項８に示すように、予め加熱されたホットウォールの輻射熱を直接半導体基板に当てるようにするとよい。このようにすることで、さらに早く半導体基板の温度を所望の熱処理温度に上げることができる。したがって、表面荒れ等の発生を抑制することができる。
【００１３】
そしてこの輻射熱は半導体基板の片面に当たるようにしてもよいし、請求項９に示すように両面に同時に当たるようにしてもよい。両面に当たるようにすれば、さらに急激に半導体基板の温度を上げることができる。
【００１４】
こうしたホットウォールの加熱は請求項１０に示すようにランプ、ヒーター線、高周波の少なくともいずれか１を用いて行うことができる。予め領域を加熱し、その領域に半導体基板を搬送するので、これら熱源の出力を細かく制御する必要がなく、制御が容易となり、熱処理装置のコストを抑えることができる。
【００１５】
ホットウォールは、請求項１１に示すように高融点材料で構成するのが望ましい。高融点材料とは１５００℃以上の融点を持つ材料であり、具体的には請求項１２に示すように、Ｗ，Ｔａ，ＳｉＣまたはＣで構成したものを用いることができる。
【００１６】
高融点材料としてＳｉＣを用いる場合には、請求項１３に示すように３Ｃ−ＳｉＣの焼結によりホットウォールを構成するとよい。またＣを用いる場合には、請求項１４に示すようにアモルファスカーボンの焼結によりホットウォールを構成するとよい。
【００１７】
こうした熱処理装置は、請求項１５に示すように複数の半導体基板を同時に処理できるように構成するようにしてもよい。例えば複数の半導体基板を１度に予め加熱された領域内に搬送する。このようにすれば、半導体装置の製造効率を高めることができる。
【００１８】
高温領域生成手段及び搬送手段は、例えば請求項１６に示すように構成することができる。半導体基板はホットウォールと対向させて輻射熱を直接半導体基板に当てて熱処理するのが望ましいが、このような構成の場合には、半導体基板を立てて搬送する必要があるため、搬送中に半導体基板が治具から落下する可能性がある。そこで、請求項１７に示すように半導体基板を載置する面の傾斜角度を水平面に対して７０°から８５°にするとよい。このようにすることで、搬送中に半導体基板が滑り落ちるのを防止することができ、確実に高温の領域内に搬送することができるとともに、ホットウォールと半導体基板面とをほぼ対向させることができ輻射熱を直接半導体基板に当てることができる。
【００１９】
そして、予め１５００℃から２３００℃に加熱された領域内で所望の時間熱処理を行った後、請求項１８に示すように、その領域から半導体基板を移動して冷却する。あるいは、請求項１９に示すように、その領域自体を冷却する。例えば、半導体基板がＳｉＣの場合には、降温時も短時間で１４００℃以下まで下げることが重要となる。このように冷却を行うことにより降温時間を短縮することができる。
【００２０】
例えばＳｉＣ基板にイオン注入により導入された不純物の活性化を行う場合などには、高温に加熱された領域での熱処理時間は１０秒程度とするとよい。このようにすれば、Ｓｉ抜けの進行を抑制することができ、不純物の活性率向上と表面荒れ抑制を両立することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された実施例について図面を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態は、下記の実施例に何ら限定されることなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうることは言うまでもない。
［第１実施例］
本実施例の熱処理装置１は、図１に示すように、ＳｉＣウェハ３にイオン注入された不純物の活性化熱処理を行うための装置であり、高温領域生成手段として、図示しない高周波電源に接続されたＲＦコイル１０と、ＲＦコイル１０の内部に設けられたホットウォール１２とを備えている。また、ホットウォール１２の内部に半導体基板であるＳｉＣウェハ３を搬送するための搬送手段として、図示しない搬送アームを備える。搬送アームの下端には治具１４が取り付けられており、図示しないモータ等で構成された駆動機構により上下に移動可能に構成されている。
【００２３】
ホットウォール１２は、断面が略円形の筒状体であり、ＳｉＣウェハ３にイオン注入された不純物の活性化熱処理が行われる温度領域（１５００℃〜２３００℃）よりも高い融点を持つ材料を用いている。具体的には、Ｗ、Ｔａ、ＳｉＣ又はＣで構成したものを用いることができる。高融点材料としてＳｉＣを用いる場合には、３Ｃ−ＳｉＣ粒子の焼結によりホットウォール１２を構成すると好ましく、またＣを用いる場合には、アモルファスカーボンの焼結によりホットウォール１２を構成するとよい。
【００２４】
ＳｉＣウェハ３の活性化熱処理は、ＲＦコイル１０への通電により、ホットウォール１２を加熱して１５００℃〜２３００℃の範囲の所望の温度（熱処理の目的に応じた温度）のホットウォール１２に挟まれた高温領域５を生成した後に、ＳｉＣウェハ３をこの高温領域５に移動させて行う。すなわち、ＳｉＣウェハ３を治具１４に載置した後、搬送アームを下降させ、高温領域５内にＳｉＣウェハ３が留まるように停止させることで、所望の時間（熱処理の目的に応じた時間）、熱処理を行う。
【００２５】
このときＳｉＣウェハ３には、ホットウォール１２からの輻射熱が直接当たって温度が上がるため、従来のようにウェハを載せている治具１４が暖まってからＳｉＣウェハ３の温度を上げる場合に比べ、昇温速度が速く、短時間で熱処理を行うことができる。
【００２６】
また、従来のようにランプ等で直接ＳｉＣウェハ３を加熱する場合と比べ、予め均一に加熱された高温領域５にＳｉＣウェハ３を移動するため、輻射される熱量を容易に均一にすることができる。したがって、ＳｉＣウェハ３の熱処理面内の温度分布は非常に小さく抑えることができる。
【００２７】
なお、ＳｉＣの不純物活性化熱処理を行う場合、目的とする温度に達してから１０秒程度の熱処理時間とするとよい。このようにすることで、マイグレーションによる表面荒れの進行を抑制することができる。特にＳｉＣウェハ３が、表面にオフ角の付いたウェハである場合に、優れた効果を発揮する。
【００２８】
所望の時間の間、高温領域５内にＳｉＣウェハ３を留めた後、搬送アームを引き上げて高温領域５から出す。これにより熱処理は完了し、搬送アームとウェハは同時に冷却される。
なお熱処理は、不活性ガス雰囲気中で行うとよい。これにより、ＳｉＣウェハ３の表面への反応物の形成を抑制することができる。不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合ガスを用いることができる。雰囲気圧力は、６６５ｈＰａ以上とするとよい。これにより、ＳｉＣウェハ３の表面からのＳｉ抜けが起こりにくくなり、表面荒れの発生を抑制できる。
【００２９】
また、ＳｉＣ雰囲気中（例えば、ＳｉＨ4＋Ｈ2雰囲気など）で行ってもよい。このようにした場合、ＳｉＣウェハ３の内部と雰囲気との間でＳｉの平衡状態が実現され、ＳｉＣウェハ３の表面からのＳｉ抜けを抑えることができ、表面荒れの発生をさらに抑制できる。また、反応性のエッチングガス雰囲気中（例えば、Ｈ2、ＨＣｌ雰囲気など）で熱処理を行ってもよく、その様にした場合、ＳｉＣウェハ３の表面のエッチングが行われて、表面荒れの発生をさらに抑制することができる。
【００３０】
またＳｉＣウェハ３を高温領域５に留めた後、搬送アームを引き上げてウェハ３を冷却することとしたが、ＳｉＣウェハ３を高温領域５内で留めたままＲＦコイル１０への通電をオフにして、自然に冷却してもよい。あるいは、例えば低温のガスをＳｉＣウェハ３へ吹き付けるなどして強制的に冷却してもよい。
【００３１】
そして、搬送アームは、下降させて高温領域５で熱処理後、上昇させて冷却することとしたが、例えば、搬送アームを上昇させて高温領域５に搬送してもよいし、熱処理後、搬送アームを下降させて冷却してもよい。
［第２実施例］
本実施例は、図２に示すように、第１実施例において治具１４の形状を変更し、ホットウォール１２とＲＦコイル１０との間に熱の逃げを防止するため断熱材１６を設けたものであり、その他の部分に関する構成、効果、変更例等は第１実施例と同様である。
【００３２】
治具１４は図２に示すように複数のウェハがセットできるように底面を多角形（４角形）とし、一度に処理できるＳｉＣウェハ３の枚数を増やしたものである。図２に示した治具１４では底面を４角形とし、その側面の４面それぞれにＳｉＣウェハ３の大きさに合わせたざぐりを入れたＳｉＣウェハ３の載置部を設けている。この載置部にＳｉＣウェハ３を載置することで４枚のＳｉＣウェハ３を同時に処理することができる。なお、図２では底面を４角形とした場合を例示したが、例えば６角形にすれば６枚、８角形にすると８枚のウェハを同時に処理することができる。このように治具１４のＳｉＣウェハ３を載せる部分の立体形状を工夫すると、さらにたくさんのウェハを同時に処理することができる。
【００３３】
この治具１４は、例えば略立方体形状としてその側面にＳｉＣウェハ３をセットするようにしてもよいが、図２に示すように上面を底面より小さくして、側面の傾斜角度を水平面に対して７０°から８５°の範囲（例えば８０°）にするとよい。このようにすれば、ＳｉＣウェハ３の搬送中の落下等を防止することができる。
【００３４】
このような構成の熱処理装置１での温度状態を図３に示す。図３（ａ）は、ＳｉＣウェハ３をセットした治具１４に取り付けられた搬送アーム１５を下降させ、２０００℃の高温領域５内にＳｉＣウェハ３が留まるように停止させて、１０秒程度の熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させて冷却した場合の温度状態を示す図である。また、図３（ｂ）は、同様にして熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させずにＲＦコイルへの通電をオフにして、自然に冷却した場合の温度状態を示す図である。ＳｉＣウェハ３は、高温領域５への搬送された際に短時間で室温（ＲＴ）から熱処理温度である２０００℃に達する。そして１０秒程度で不純物活性化熱処理が完了する。したがって、従来の方法に比べて、マイグレーションによるＳｉＣウェハ３の表面荒れの進行を抑えることができ、生産効率も高めることができる。
【００３５】
なお、本実施例では、治具１４は円形のＳｉＣウェハ３をセット可能な構成としたが、例えば、小さいチップ型のサンプルをセット可能なチップサイズに合ったくぼみを複数設ければ、複数のチップを同時に熱処理できる。
［第３実施例］
本実施例は、第２実施例において、治具１４の構成を変更したものである。その他の部分の構成、効果、変更例等は第２実施例と同様である。
【００３６】
本実施例の治具１４は、図４に示すように、ＳｉＣウェハ３をセットした際に、ＳｉＣウェハ３の両面から、ホットウォール１２からの輻射熱を受けるように構成したものである。すなわち、治具１４にはＳｉＣウェハ３のサイズと略同一サイズの貫通孔が設けられており、ＳｉＣウェハ３がこの貫通孔内にセットされた際に倒れないようにするためのガイド機構（例えばウェハの厚さと略同等の厚さの溝）が設けられている。
【００３７】
図５にこのような構成の熱処理装置１における温度変化を示す。図５（ａ）は、ＳｉＣウェハ３をセットした治具１４に取り付けられた搬送アーム１５を下降させ、２０００℃の高温領域５内にＳｉＣウェハ３が留まるように停止させて、１０秒程度、熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させて冷却した場合の温度状態を示す図であり、図５（ｂ）は、熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させずにＲＦコイルへの通電をオフにして、自然に冷却した場合の温度状態を示す図である。ＳｉＣウェハ３は、高温領域５への搬送された際に短時間で室温（ＲＴ）から熱処理温度である２０００℃に達する。そして、１０秒程度で不純物活性化熱処理が完了する。したがって、従来の方法に比べて、マイグレーションによるＳｉＣウェハ３の表面荒れの進行を抑えることができるので、大面積処理が可能となり、直接ランプの光を照射する場合のようなきめ細かな温度制御が不要となって、生産効率も高めることができる。
［第４実施例］
本実施例の熱処理装置１は、図６に示すように、ＳｉＣウェハ３にイオン注入された不純物の活性化熱処理を行うための装置であり、高温領域生成手段として、図示しない高周波電源に接続されたＲＦコイル１０と、ＲＦコイル１０の内部に設けられたステージ１８とを備えている。また、ステージ１８上へＳｉＣウェハ３を搬送するための搬送手段として搬送アーム１５と搬送アーム１５の下端に取り付けられたウェハセット台１７を備える。
【００３８】
ステージ１８は、上面にＳｉＣウェハ３を載置可能であり、その上面がＳｉＣウェハ３の熱処理面と同等の大きさを持つ円柱体である。ステージ１８は、ＳｉＣウェハ３にイオン注入された不純物の活性化熱処理が行われる温度領域（１５００℃〜２３００℃）よりも高い融点を持つ材料を用いている。具体的には、Ｗ、Ｔａ、ＳｉＣ又はＣで構成したものを用いることができる。高融点材料としてＳｉＣを用いる場合には、３Ｃ−ＳｉＣ粒子の焼結によりステージ１８を構成すると好ましく、またＣを用いる場合には、アモルファスカーボンの焼結によりステージ１８を構成するとよい。ステージ１８の熱容量は、ＳｉＣウェハ３に対して１０倍程度とする。
【００３９】
ウェハセット台１７には図７に示すように中心部にステージ１８の上面の直径より大きく、かつ、ＳｉＣウェハ３の直径より小さい直径の貫通孔１７ａが設けている。また、ウェハセット台１７の上面部分には、貫通孔１７ａを取り巻くようにＳｉＣウェハ３を載せるための凹部１７ｂを設けている。
【００４０】
ＲＦコイル１０への通電により、ステージ１８を加熱して１５００℃〜２３００℃の範囲の所望の温度（熱処理の目的に応じた温度）にした後、搬送アーム１５を下降させＳｉＣウェハ３を載せたウェハセット台１７の貫通孔１７ａにステージ１８を通し、ＳｉＣウェハ３をステージ１８上に置き去りにして、さらに下降する（図６及び、図７の中央の図を参照）。そして、搬送アーム１５を上昇させて、ＳｉＣウェハ３をステージ１８から奪い去り、熱処理を完了する（図７の右側の図を参照）。ＳｉＣウェハ３がステージ１８上に載置されている時間は、所望の時間（熱処理の目的に応じた時間）とし、例えば１０秒とする。
【００４１】
なお、ステージ１８の熱容量は、ＳｉＣウェハ３に比べて十分大きいためＳｉＣウェハを載せた時にステージ１８の温度が下がることはない。また予め１５００℃から２３００℃の高温に加熱されているステージ１８上にＳｉＣウェハ３を置き去りにするため、昇温速度が速く短時間で熱処理を行うことができる。
【００４２】
図８にこのような構成の熱処理装置１における温度変化を示す。図８（ａ）は、２０００℃のステージ１８上にＳｉＣウェハ３を１０秒間置き去りにして熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させて冷却した場合の温度状態を示す図であり、図５（ｂ）は、熱処理を行った後、搬送アーム１５を上昇させずにＲＦコイルへの通電をオフにして、自然に冷却した場合の温度状態を示す図である。
【００４３】
ＳｉＣウェハ３は、ステージ１８上へ搬送された際に短時間で室温（ＲＴ）から熱処理温度である２０００℃に達する。そして１０秒程度で不純物活性化熱処理が完了する。したがって本熱処理装置１によれば、ＳｉＣウェハ３を高速に昇温させることができ、均一にしかも短時間での熱処理が可能となるため、ＳｉＣウェハ３の表面からのＳｉ抜けの進行を抑制することができ、ＳｉＣウェハ３の表面荒れの発生を抑制できる。したがって、大面積処理が可能となり、生産性も向上する。また、ランプの光を直接ＳｉＣウェハ３に照射する場合に比べきめ細かな熱源の制御等が不要となり、制御が容易である。
【００４４】
なお、熱処理の際の雰囲気については、第１実施例と同様に、不活性ガス雰囲気、ＳｉＨ4＋Ｈ2雰囲気、エッチングガス雰囲気などを用いることができ、それぞれ第１実施例で述べた効果と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の熱処理装置の構成を示す説明図である。
【図２】第２実施例の熱処理装置の構成を示す説明図である。
【図３】第２実施例の熱処理装置における高温領域とウェハの温度変化の例を示す図である。
【図４】第３実施例の熱処理装置の構成を示す説明図である。
【図５】第３実施例の熱処理装置における高温領域とウェハの温度変化の例を示す図である。
【図６】第４実施例の熱処理装置の構成を示す説明図である。
【図７】第４実施例の熱処理装置の構成と搬送アームの動きを示す説明図である。
【図８】第４実施例の熱処理装置における高温領域とウェハの温度変化の例を示す図である。
【図９】従来の熱処理装置におけるＳｉＣウェハの表面荒れを示す図である。
【符号の説明】
１…熱処理装置
３…ＳｉＣウェハ
５…高温領域
１０…ＲＦコイル
１２…ホットウォール
１４…治具
１５…搬送アーム
１６…断熱材
１７…ウェハセット台
１７ａ…貫通孔
１７ｂ…凹部
１８…ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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