(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析すべき試料に一次粒子線を照射することにより該試料から発生した二次粒子に基づいて該試料に関するエネルギースペクトル信号を得て該スペクトルを表示手段に表示するようにしたエネルギースペクトル測定方法において、前記一次粒子線を少なくとも二つの異なる一次粒子エネルギーで夫々前記試料に照射し、該各照射により得られた各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号を記憶手段に記憶し、前記試料を成す各元素のエネルギースペクトルのピーク強度の一次粒子エネルギー変化に応じた変化率を分析情報変化率として求め、前記記憶手段に記憶された各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号と前記求めた試料を成す各元素の分析情報変化率とから前記試料を成す各元素のエネルギースペクトルのピーク強度を分離するように成したエネルギースペクトル測定方法。
【請求項２】
（一次粒子エネルギー/結合エネルギー）に対するイオン化断面積の関係データから各一次粒子エネルギーに対する前記試料を成す各元素のエネルギースペクトルピークのイオン化断面積を求め、同一元素の異なる一次粒子エネルギーにおける各イオン化断面積の比に基づいて該元素の前記分析情報変化率を算出するようにした請求項１記載のエネルギースペクトル測定方法。
【請求項３】
分析すべき試料に一次粒子線を照射することにより該試料から発生した二次粒子に基づいて該試料に関するエネルギースペクトル信号を得て該スペクトルを表示手段に表示するようにしたエネルギースペクトル測定方法において、前記一次粒子線の一次粒子エネルギーを少なくとも一回変えて前記試料に照射し、該各照射により得られた各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号を記憶手段に記憶し、前記一次粒子エネルギーで加速した一次粒子線で標準試料に照射して得た標準試料元素のエネルギースペクトルのピーク強度を基準として各一次粒子エネルギーに対する前記分析すべき試料を成す各元素の相対感度係数を求め、該求めた相対感度係数から各一次粒子エネルギーに対する前記分析すべき試料を成す各元素の分析情報変化率を算出し、前記記憶手段に記憶された各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号と前記算出した試料を成す各元素の分析情報変化率とから前記試料を成す各元素のエネルギースペクトル信号を算出し、該試料を成す各元素のエネルギースペクトルを表示装置に表示するように成したエネルギースペクトル測定方法。
【請求項４】
前記分析すべき試料に照射する一次粒子線は電子である請求項１若しくは３記載のエネルギースペクトル測定方法。
【請求項５】
前記分析すべき試料に照射する一次粒子線はＸ線である請求項１若しくは３記載のエネルギースペクトル測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は試料分析装置で取得したエネルギースペクトルを波形分離する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
試料分析装置では、一次粒子線を試料表面に照射し、試料表面から発生する二次粒子を分光・検出して得られるエネルギースペクトルの各ピークから試料表面の元素の定性・定量分析を行っている。
【０００３】
しかし、試料分析装置で得られるエネルギースペクトルは複数のピークを含むが、隣接したピーク同士が重なり合うことが多く、元素の定性・定量分析に支障を来たす。
そこで、測定されたエネルギースペクトルの各ピークを分離して元素の定性・定量分析を行っている。
【０００４】
図１はこのような元素の定性・定量分析を行うオージェ電子分光分析装置の一概略例を示す図である。
【０００５】
図中１は電子銃、２，３は、それぞれ、前記電子銃１からの電子線４を試料５上に集束するための集束レンズ，対物レンズである。
【０００６】
６Ｘ，６Ｙは前記電子銃１から放出された前記電子線４で前記試料５上を、それぞれ、Ｘ方向とＹ方向に走査するためのＸ方向偏向器とＹ方向偏向器である。７は前記試料５を載置する試料ステージである。
【０００７】
８はオージェ電子分光分析装置を成す各手段の制御並びに収集データに基づく各種演算処理を行う制御装置である。
【０００８】
９は該制御装置からの指令に基づいて、電子銃用電源９A、集束レンズ用電源９B、偏向器用電源９C、対物レンズ用電源９Dのそれぞれに制御信号を送る電源制御装置、１０は前記制御装置８からの指令に基づいて前記試料ステージ７を移動制御する試料ステージ制御装置である。
【０００９】
１１は前記試料５から放出されたオージェ電子を分光・検出するオージェ電子分光器で、該オージェ電子分光器の出力信号は増幅器１２Aで増幅され、エネルギースペクトル信号に変換される。そして該エネルギースペクトル信号はＡＤ変換器１３を介して前記制御装置８に送られる。
【００１０】
１４は該エネルギースペクトル信号を記憶する記憶装置、１５は前記制御装置８からの指令に基づいて前記記憶装置１４から読み出された前記スペクトル信号を表示する表示装置、１６はオペレータが各指令を入力する入力装置で、例えば、マウスやキーボードが用いられる。なお、図示しなかったが、このようなオージェ電子分光分析装置には電子線４で試料５上を走査したとき、該試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器が設けられている。
【００１１】
このような構成のオージェ電子分光分析装置において、まず、オペレータは入力装置１６で試料５表面を分析するために電子線４の照射条件（電子線の加速電圧、各レンズ電流、電子線の照射個所等）を指定する。制御装置８は前記入力装置１６で指定された前記照射条件に基づいて、電源制御装置９に指令を送る。
【００１２】
該電源制御装置は、前記照射条件に基づいて電子銃１から電子線４を発生させるための制御信号を電子銃用電源９Ａに、前記照射条件に基づいて試料５上に電子線４を集束させるための制御信号を集束レンズ用電源９Ｂと対物レンズ用電源９Ｄに、前記照射条件に基づいて試料５上の分析個所を電子線４で照射するための制御信号を偏向器用電源９Ｃにそれぞれ送る。
【００１３】
すると、前記電子銃１から放出され所定の加速電圧に基づいて加速された電子線４は、前記集束レンズ２と対物レンズ３により細く絞られて試料５上に集束され、前記Ｘ方向偏向器６X及びＹ方向偏向器６Yにより、前記試料５上の所定個所に照射される。
【００１４】
前記電子線４の照射により試料５表面から発生したオージェ電子は、オージェ電子分光器１１により分光・検出される。該オージェ電子分光器の出力信号は、増幅器１２Ａ、ＡＤ変換器１３を介して、エネルギースペクトル信号として制御装置８に送られ、一旦、記憶装置１４に記憶される。なお、該記憶装置には各標準試料で測定された各元素及び各化合物における標準スペクトルが記憶されている。
【００１５】
このようにして取得されたエネルギースペクトルが、例えば、図２に示す１７の実線で示すような波形のエネルギースペクトルで２つの元素のピークP1、P2が重なり合った形状をしているものとする。
【００１６】
まず、入力装置１６からの指示により、制御装置８は記憶装置１４から前記取得したエネルギースペクトル信号を読み出し、表示装置１５の表示画面上に表示させる。
【００１７】
次に、オペレータは前記入力装置１６にて前記表示装置１５の表示画面上に表示された前記エネルギースペクトル１７の各元素のピーク位置に合ったピーク位置λ１、λ２の標準スペクトルを前記入力装置１６にて指定する。
【００１８】
該入力装置１６の指定により前記制御装置８は記憶装置１４から指定された標準スペクトルを読み込み、図２の各破線に示すように前記エネルギースペクトル１７を、元素のピークP１に対応する標準スペクトル１８と、元素のピークＰ２に対応する標準スペクトル１９に波形分離する。
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−２７５５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
さて、分析すべき試料には化合物の標準スペクトルを用いて測定されたエネルギ−スペクトルの波形分離を行うことがある。このような化合物の標準スペクトルの中には化学結合に関与している外殻電子の結合エネルギーが変化し、スペクトルのピーク位置やピーク形状が変化するものがあって、該化合物の標準スペクトルを用いて測定されたエネルギースペクトルを各元素のエネルギースペクトルに波形分離することはできない場合がある。
【００２１】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので新規な波形分離方
法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明のエネルギースペクトルの波形分離方法は、分析すべき試料に一次粒子線を照射することにより該試料から発生した二次粒子に基づいて該試料に関するエネルギースペクトル信号を得て該スペクトルを表示手段に表示するようにしたエネルギースペクトル測定方法において、前記一次粒子線を少なくとも二つの異なる一次粒子エネルギーで夫々前記試料に照射し、該各照射により得られた各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号を記憶手段に記憶し、前記試料を成す各元素のエネルギースペクトルのピーク強度の一次粒子線、一次粒子エネルギー変化に応じた変化率を分析情報変化率として求め、前記記憶手段に記憶された各一次粒子エネルギーに対するエネルギースペクトル信号と前記求めた試料を成す各元素の分析情報変化率とから前記試料を成す各元素のエネルギースペクトルのピーク強度を分離するように成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、波形分離に用いる標準スペクトルのピーク波形が結合状態の違いにより大きく変化して、二つの元素のピークが重なったエネルギースペクトルを各元素のエネルギースペクトルに波形分離することができない場合においても、測定されたエネルギースペクトルを各元素のエネルギースペクトルに波形分離することとができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に図面に沿って本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２５】
図３は本発明のエネルギースペクトルの波形分離方法を実施する装置の一例としてオージェ電子分光分析装置の一概略例を示したもので、前記図１にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
【００２６】
図３において、１２Ｂはオージェ電子分光器１１で分光・検出され、増幅器１２Ａでエネルギースペクトル信号に変換された信号を微分する微分演算装置、２１は入力装置１６から指定された各加速電圧の値を電源制御装置９とオージェ電子分光器１１に設定する設定手段、２２は該設定手段からの指令に基づいて分析情報変化率を算出する分析情報変化率算出手段、２３は前記分析情報変化率算出手段２２からの指令に基づいて記憶装置１４から読み出された加速電圧毎に取得されたエネルギースペクトルと前記分析情報変化率算出手段２２からの分析情報変化率とに基づいて測定されたエネルギースペクトルの波形分離処理を行う波形分離処理手段２３である。
【００２７】
次に、このような構成のオージェ電子分光分析装置で、例えば、ＴｉＮのエネルギースペクトルの波形分離を行う方法を図３、図４、図５、図６、図７を用いて説明する。なお、或る加速電圧で加速した電子線のTiNへの照射によって分光・検出、増幅及び微分されて得られたエネルギースペクトル信号は図４に示すようにエネルギーが３８０eV付近で２種類の元素のTi−LMMピークとN−KLLピークが重なっているとする。
【００２８】
なお、このエネルギースペクトル信号はバックグランドを除去した微分ピーク強度信号である。
【００２９】
次に、電子銃１からの電子線４を集束レンズ２及び対物レンズ３で試料５上に集束させ、Ｘ方向偏向器６XとＹ方向偏向器６Yで偏向された電子線４で前記試料５上を走査する。該走査により前記試料５から放出された二次電子を検出し、該検出された二次電子信号に基づいて表示装置１５の表示画面上に前記試料の二次電子像を表示させる。
【００３０】
オペレータは前記表示装置１５に表示された二次電子像から試料５上の元素分析すべき個所を決める。
【００３１】
そして、試料５上で元素分析する個所が決まったら、オペレータは入力装置１６にて分析に使われる電子線の加速電圧を複数、例えば、５ｋVと１０ｋVを指定する（S301）。
【００３２】
該指定された加速電圧５ｋＶ、１０ｋＶは前記設定手段２１のメモリ（図示せず）に一旦記憶されると同時に、該設定手段は該メモリ（図示せず）から前記加速電圧５ｋVを読み出し、加速電圧５ｋＶで試料分析を行う指令を前記電源制御装置９とオージェ電子分光器１１に送る。
【００３３】
該電源制御装置は前記設定手段２１からの指令に基づいて、電子銃１には加速電圧５ｋＶで電子線４を加速させる制御信号を、集束レンズ２と対物レンズ３には加速電圧５ｋＶで加速した電子線４を試料５上で集束させるための制御信号を、X方向偏向器６XとY方向偏向器６Yには試料５上の分析すべき個所に該電子線が照射されるための制御信号をそれぞれ送るので、前記試料５上の分析個所に、加速電圧５ｋＶで加速された電子線４が照射される（S302）。
【００３４】
該電子線の照射により試料５表面の分析個所から放出されたオージェ電子は電子分光器１１により分光・検出される（S303）。
【００３５】
前記オージェ電子分光器１１の出力は、増幅器１２Ａと微分演算装置１２Ｂ及びＡＤ変換器１３を介してエネルギースペクトル信号として前記制御装置８に送られ、記憶装置１４に加速電圧５ｋＶに関連づけて記憶される。この記憶されたエネルギースペクトルをD５ｋＶとする。
【００３６】
前記設定手段２１は、所定の分析設定した加速電圧５ｋＶと１０ｋＶでの分析が終了したかどうか判定し（S304）、分析が終了していない場合には、S302に移行し、前記設定手段２１はメモリ（図示せず）から加速電圧１０ｋＶを読み出し、加速電圧１０ｋＶで分析を行う指令を前記電源制御装置９と前記オージェ電子分光器１１に送る。
【００３７】
該電源制御装置は前記設定手段２１からの指令に基づいて、電子銃１には加速電圧１０ｋＶで電子線４を加速させる制御信号を、集束レンズ２と対物レンズ３には、加速電圧１０ｋＶで加速した電子線４を試料５上で集束させるための制御信号を、偏向器６Xと６Yには試料５上の分析すべき個所と同一個所に電子線４が照射されるための制御信号をそれぞれ送るので、前記試料５上の分析個所に加速電圧１０ｋＶで加速された電子線４が照射され(S302)、前記電子線４の照射により前記分析個所から放出されたオージェ電子はオージェ電子分光器１１により分光・検出される（S303）。
【００３８】
前記オージェ電子分光器１１の出力信号は、増幅器１２Ａと微分演算装置１２Ｂ及びＡＤ変換器１３を介して、エネルギースペクトル信号として前記制御装置８に送られ、記憶装置１４に加速電圧１０ｋＶに関連づけて記憶される。この記憶されたエネルギースペクトルをD10kVとする。
【００３９】
次に、前記設定手段２１が分析の終了を認識すると（S304）、該設定手段は分析完了の指令を分析情報変化率算出手段２２に送る。
【００４０】
該分析情報変化率算出手段は、送られてきた分析完了指令に基づいて前記設定手段２１から加速電圧５ｋＶ及び１０ｋＶを読込み、分析情報変化率を算出する(S305)。
【００４１】
ここで、分析情報変化率は、イオン化断面積の変化率と比例する。また、イオン化断面積は任意のエネルギーを持つ電子が原子内の結合エネルギーEcの内殻電子を励起する確率を現わすもので、図６に示すように原子に衝突する電子のエネルギーに依存して変化する。なお、図６において横軸は試料に照射する一次電子線のエネルギーに対応する加速電圧Ep(eV)を結合エネルギーEc(eV)で除した値（一次電子線のエネルギーEp／結合エネルギーEc）を、縦軸は最大値を１．０に規格化したイオン化断面積の値を示しており、前記分析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）に予め記憶されている。
【００４２】
前記分析情報変化率算出手段２２は、次のようにして分析情報変化率を算出する。
【００４３】
まず、該分析情報変化率算出手段は、該分析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）に予め記憶されている一次電子線のエネルギーEp／結合エネルギーEcに対する規格化されたイオン化断面積のデータ(図６のグラフ)を読み込む。
【００４４】
前記分析情報変化率算出手段２２は、仮に、チタン（Ti）と窒素（Ｎ）の結合エネルギーをそれぞれ４５５eV と３９９eVとすると、チタン（Ti）に対する加速電圧５ｋＶと結合エネルギー４５５eVの比１０．９９(＝5000/455)、窒素（N）に対する加速電圧５ｋＶと結合エネルギー３９９eVの比１２．５３（＝5000/399）にそれぞれ対応する規格化されたイオン化断面積の値α（Ti）、β（N）を前記読み込まれたデータから求める。
【００４５】
更に、チタン（Ti）に対する加速電圧１０ｋVと結合エネルギー４５５eVの比２１．９８、N（窒素）に対する加速電圧１０ｋVと結合エネルギー３９９eVの比２５．０６にそれぞれ対応する規格化されたイオン化断面積の値α´（Ti）、β´（N）を同様に前記読込まれたデータから求める。
【００４６】
そして、前記分析情報変化率算出手段２２は前記求めたイオン化断面積α
（Ti）とα´（Ti）からＴｉの分析情報変化率ｒTi（＝α´（Ｔｉ）/α（Ｔｉ））と、β（N）とβ´（N）からＮの分析情報変化率ｒN（＝β´（Ｎ）/β（Ｎ））とを算出する。
【００４７】
該算出されたチタン（Ti）と窒素（Ｎ）の分析情報変化率ｒTi、ｒNは前記分析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）に一旦記憶される。
【００４８】
このようにして、チタン（Ti）と窒素（Ｎ）の分析情報変化率の算出が完了すると、前記分析情報変化率算出手段２２は波形分離処理手段２３に分析情報変化率算出完了の指令を送る。
【００４９】
該波形分離処理手段は該指令に基づいて前記記憶装置１４から加速電圧５ｋVでのエネルギースペクトルD5kV と１０ｋVでのエネルギースペクトルD10kVを、前記分析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）からチタン（Ti）と窒素（Ｎ）の分析情報変化率ｒTi、ｒNをそれぞれ読み込み、波形分離演算処理を行う（S306）。
【００５０】
さて、加速電圧５ｋVで加速した電子線で試料に照射して得られるチタン（Ti）のエネルギースペクトルを仮にＲ5kV（Ti）とし、窒素（Ｎ）のエネルギースペクトルを仮にＲ5kV（N）とすると、次の（１）、（２）の関係式が成り立つ。
【００５１】
【数１】
0005084400.tif 000002
【００５２】
【数２】
0005084400.tif 000003
【００５３】
（１）と（２）の連立方程式より、次の（３）、（４）式が得られる。  
【００５４】
【数３】
0005084400.tif 000004
【００５５】
【数４】
0005084400.tif 000005
【００５６】
前記波形分離処理手段２３はこのような演算を行うことにより、チタン(Ti)のエネルギースペクトルＲ5kV（Ti）と窒素(N)のエネルギースペクトルR5kV（N）を算出する。
【００５７】
前記波形分離処理手段２３は算出したチタン(Ti)のエネルギースペクトルR5kV（Ti）の信号と窒素（Ｎ）のエネルギースペクトルR5kV（N）の信号を、制御装置８を通じて表示装置１５に送る。  
該表示装置は図７に示すようにエネルギー３８０eV付近にTi-LMMピークPTi、N-KLLピークPNを有するチタン(Ti)のエネルギースペクトルGTiと窒素（N）のエネルギースペクトルGNをそれぞれ分離して表示する（S307）。
【００５８】
上記実施例では試料を成す各元素のエネルギースペクトルピークのイオン化断面積を求め、同一元素の異なる加速電圧の各イオン化断面積の比に基づいて元素の分析情報変化率を求める例を説明したが、該分析情報変化率は、測定されたエネルギースペクトルの各元素のピークに基づく相対感度係数から求めることもできる。
【００５９】
ここで、相対感度係数とは、元素によって異なるエネルギースペクトルのピーク感度を補正するもので、基準元素のピーク強度に対する強度比を相対感度係数としている。
【００６０】
まず、オペレータは入力装置１６にて電子線の加速電圧を複数、例えば、加速電圧５ｋV及び１０ｋVを指定し(S301)、前記と同様に加速電圧５ｋＶ、１０ｋＶに関連づけたエネルギースペクトル信号D´5kV、D´10kVを得て記憶装置１４に一旦記憶する(S302、S303)。
【００６１】
次に、分析情報変化率算出手段２２は、制御装置８を介して前記記憶装置１４から各加速電圧に対するエネルギースペクトルD´5kVとエネルギースペクトルD´10kVを読み出し、事前に加速電圧１０ｋVで加速された電子線を標準試料（例えば銅）に照射して得た銅ピーク強度を基準として前記エネルギースペクトルD´5kVとD´10kVの元素固有の各ピークTi-LMM、N-KLLの相対感度係数Si Ｔｉ‐ＬＭＭ、相対感度係数Si Ｎ‐ＫＬＬを算出する。図８はこのようにして算出された５ｋV、１０ｋVにおけるTi-LMMピークとN-KLLピークの相対感度係数を表す。
【００６２】
次に、前記分析情報変化率算出手段２２は加速電圧５ｋＶの相対感度係数Si Ｔｉ‐ＬＭＭと加速電圧１０ｋＶの相対感度係数Si Ｔｉ‐ＬＭＭから分析情報変化率（例えば、図８中の括弧内の数値で加速電圧５ｋVのとき１．１４３５、加速電圧１０ｋVのとき１．０）、加速電圧５ｋＶの相対感度係数Si Ｎ‐ＫＬＬと加速電圧１０ｋＶの相対感度係数Si Ｎ‐ＫＬＬから分析情報変化率（例えば、図８中の括弧内の数値で加速電圧５ｋVのとき１．０、加速電圧１０ｋVのとき０．６５５６）をそれぞれ算出する(S305)。
【００６３】
該算出されたチタンと窒素の、各加速電圧におけるそれぞれの分析情報変化率は前記析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）に一旦記憶される。
【００６４】
このようにして、各加速電圧のチタンのTi−LMMピークと窒素のＮ−KLLピークに対する分析情報変化率の算出が完了すると、前記分析情報変化率算出手段２２は波形分離処理手段２３に分析情報変化率算出完了の指令を送る。
【００６５】
該波形分離処理手段は該指令に基づいて前記記憶装置１４から加速電圧５ｋVでのエネルギースペクトルD´5kV と加速電圧１０ｋVでのエネルギースペクトルD´10kVと、前記分析情報変化率算出手段２２内のメモリ（図示せず）から前記分析情報変化率の値をそれぞれ読み込み、波形分離演算処理を行う（S306）。
【００６６】
さて、加速電圧５ｋVで加速した電子線で試料５に照射して得たチタン（Ti）のエネルギースペクトルを仮にＲ5kV´(Ti)とし、窒素（Ｎ）のエネルギースペクトルを仮にＲ5kV´(N)とすると、次の（５）、（６）の関係式が成り立つ。
【００６７】
【数５】
0005084400.tif 000006
【００６８】
【数６】
0005084400.tif 000007
【００６９】
前記波形分離処理手段２３はこのような関係式から、チタン(Ti)のエネルギースペクトルＲ5kV´(Ti)と窒素(N)のエネルギースペクトルR5kV´(N)を算出する演算を行う。
【００７０】
前記波形分離処理手段２３は算出したチタン(Ti)のエネルギースペクトルR5kV´(Ti)の信号と窒素（Ｎ）のエネルギースペクトルR5kV´(N)の信号を、制御装置８を通じて表示装置１５に送る。  
該表示装置は図７に示すようにエネルギー３８０eV付近にTi-LMMピークPTi、N-KLLピークPNを有する。チタン(Ti)のエネルギースペクトルGTiと窒素（N）のエネルギースペクトルGNをそれぞれ分離して表示する（S307）。
【００７１】
このように分析すべき試料に電子線のエネルギーを変えた照射を行って得たエネルギースペクトル信号と電子線のエネルギーから試料を成す各元素のエネルギースペクトルピークのイオン化断面積を求め、同一元素の異なる加速電圧における各イオン化断面積の比に基づいて該元素の分析情報変化率を算出した値とから各元素のエネルギースペクトルを求めることができる。
【００７２】
また、前記例では、分析試料表面上への電子線の照射はスポット照射、または電子線を走査するものであっても良い。
【００７３】
また、前記例では、２種類の元素のピークが完全に重なるエネルギースペクトルの場合を例に挙げて説明したが、本発明の方法は３種類以上の元素のピークが完全に重なるエネルギースペクトルの波形分離する場合についても応用可能である。但し、３種類以上の元素のピークが完全に重なる場合や前記加速電圧の設定が３設定以上の場合には波形分離処理の演算は未知数の数が多くなり前記連立方程式で算出することができなくなるので、この場合の波形分離処理の演算は多変量解析手法を用いる。
【００７４】
また、前記例では、オージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）を用いて取得したエネルギースペクトルを波形分離する方法を例に挙げて説明したが、本発明の方法は他の装置、例えば、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ），電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）においても適用することが可能である。
但し、該Ｘ線光電子分光分析装置の場合、分析情報変化率は照射Ｘ線のエネルギーに応じて変化する元素のイオン化断面積のデータを用いる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】従来のオージェ電子分光分析装置の一概略例を示したものである。
【図２】従来のエネルギースペクトル分離方法を説明するのに用いた図である。
【図３】本発明のエネルギースペクトル波形分離方法を実施する装置例であるオージェ電子分光分析装置の一概略例を示したものである。
【図４】ＴｉＮのエネルギースペクトルを示す。
【図５】本発明のエネルギースペクトル波形分離方法の一工程例を示したフローチャートである。
【図６】本発明のエネルギースペクトル波形分離方法の動作を説明に用いた図である。
【図７】本発明のエネルギースペクトル波形分離方法で得られた分離エネルギースペクトルを示す。
【図８】本発明の他の実施例で使用される５ｋＶ、１０ｋＶにおけるＴｉ−ＬＭＭピークとＮ−ＫＬＬピークの相対感度係数を示す。
【符号の説明】
【００７６】
１…電子銃
２…集束レンズ
３…対物レンズ
４…電子線
５…試料
６Ｘ…Ｘ方向偏向器
６Ｙ…Ｙ方向偏向器
７…試料ステージ
８…制御装置
９…電源制御装置
９Ａ…電子銃用電源
９Ｂ…集束レンズ用電源
９Ｃ…偏向器用電源
９Ｄ…対物レンズ用電源
１１…オージェ電子分光器
１２Ａ…増幅器
１２Ｂ…微分演算装置
１３…ＡＤ変換器
１４…記憶装置
１５…表示装置
１６…入力装置
１７…エネルギースペクトル
１８、１９…標準スペクトル
２１…設定手段
２２…分析情報変化率算出手段
２３…波形分離処理手段
【図１】
0005084400.tif 000008
【図２】
0005084400.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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