【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジョセフソン接合を製造する方法であって、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含む内側超伝導層を堆積させるステップと、
前記内側超伝導層の少なくとも一部を覆う酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の少なくとも一部を覆うべくある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含む外側超伝導層を堆積させるステップと、
前記外側超伝導層から少なくとも１個の構造を形成すべく前記外側超伝導層の一部を除去するステップと、
前記外側超伝導層の一部を覆うべく第１の絶縁層を堆積させるステップと、
前記第１の絶縁層を貫通する第１の孔を画定すべく前記第１の絶縁層の一部を除去するステップと、
前記第１の絶縁層の一部および前記第１の孔の一部の内部を覆うべくある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含む第１の超伝導配線層を堆積させるステップと、
前記第１の超伝導配線層の一部を除去するステップと、
前記第１の超伝導配線層の一部を覆うべく第２の絶縁層を堆積させるステップと、
前記第２の絶縁層の一部を覆うべく最上超伝導配線層を堆積させるステップと、
前記最上超伝導配線層の一部を除去するステップと、
前記最上超伝導配線層の一部を覆うべく不動態化層を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項２】
前記最上超伝導配線層の一部の上に不動態化層を堆積させるステップが、前記最上超伝導配線層の前記一部の上に絶縁層を堆積させるステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最上超伝導配線層の前記一部の上に絶縁層を堆積させるステップが、前記最上超伝導層の前記一部の上に酸化物を堆積させるステップを含んでいる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記最上超伝導配線層の一部を覆うべく不動態化層を堆積させるステップが、前記最上超伝導配線層の前記一部の上に超伝導金属を堆積させるステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記最上超伝導層の前記一部の上に超伝導金属を堆積させるステップが、前記最上超伝導層の前記一部の上にアルミニウムを堆積させるステップを含んでいる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記外側超伝導層の一部を覆うべく第１の絶縁層を堆積させるステップが、
前記外側超伝導層の一部を覆うべく第１の誘電体を堆積させるステップと、
前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆うべく第２の誘電体を堆積させるステップとを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の誘電体が窒化シリコンを含み、前記第２の誘電体が二酸化シリコンを含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の超伝導配線層の一部を覆うべく第２の絶縁層を堆積させるステップが、
前記第１の超伝導配線層の一部を覆うべく第１の誘電体を堆積させるステップと、
前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆うべく第２の誘電体を堆積させるステップとを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１の誘電体を堆積させるステップが窒化シリコンを堆積させるステップを含み、第２の誘電体を堆積させるステップが二酸化シリコンを堆積させるステップを含んでいる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記最上超伝導配線層の一部を覆うべく不動態化層を堆積させるステップが、
前記第１の超伝導配線層の一部を覆うべく第１の誘電体を堆積させるステップと、
前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆うべく第２の誘電体を堆積させるステップとを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の誘電体が窒化シリコンを含み、前記第２の誘電体が二酸化シリコンを含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板を覆うジョセフソン接合多層と、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記ジョセフソン接合多層を覆う複数の超伝導配線層と、
前記複数の超伝導配線層のうちの最上超伝導配線層であって前記基板に対して前記複数の超伝導配線層から相対的に外側に間隔が空けられた最上超伝導配線層と、
前記最上超伝導配線層を覆う不動態化層とを含む超伝導集積回路。
【請求項１３】
前記最上超伝導配線層を覆う前記不動態化層が、前記最上超伝導配線層を覆う絶縁層を含んでいる、請求項１２に記載の超伝導集積回路。
【請求項１４】
前記最上超伝導配線層を覆う前記絶縁層が酸化物を含んでいる、請求項１３に記載の超伝導集積回路。
【請求項１５】
前記最上超伝導配線層を覆う前記不動態化層が、前記最上超伝導配線層を覆う超伝導金属層を含んでいる、請求項１２に記載の超伝導集積回路。
【請求項１６】
前記最上超伝導配線層を覆う前記超伝導金属層がアルミニウムを含んでいる、請求項１５に記載の超伝導集積回路。
【請求項１７】
基板と、
前記基板を覆うジョセフソン接合多層と、
前記ジョセフソン接合多層を覆う複数の超伝導配線層と、
少なくとも最上超伝導配線層および内側超伝導配線層いずれかを覆う不動態化層とを含む超伝導集積回路であって、
前記複数の超伝導配線層が前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層を含み、前記複数の超伝導配線層がある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み、前記最上超伝導配線層が、前記基板に対して前記複数の超伝導配線層の他の全てのものから相対的に外側に配置され、前記内側超伝導配線層が、前記基板に対して前記最上超伝導配線層から相対的に内側に配置されている超伝導集積回路。
【請求項１８】
少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層いずれかを覆う前記不動態化層が、少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層いずれかを覆う絶縁層を含んでいる、請求項１７に記載の超伝導集積回路。
【請求項１９】
少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層いずれかを覆う前記絶縁層が酸化物を含んでいる、請求項１８に記載の超伝導集積回路。
【請求項２０】
少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層いずれかを覆う前記不動態化層が、少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層を覆う超伝導金属層を含んでいる、請求項１７に記載の超伝導集積回路。
【請求項２１】
少なくとも前記最上超伝導配線層および前記内側超伝導配線層いずれかを覆う前記超伝導金属層がアルミニウムを含んでいる、請求項２０に記載の超伝導集積回路。
【請求項２２】
前記ジョセフソン接合多層が、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含む内側超伝導層と、
前記内側超伝導層の少なくとも一部を覆う酸化物層と、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記酸化物層の少なくとも一部を覆う超伝導構造とを含んでいる、請求項１７に記載の超伝導集積回路。
【請求項２３】
前記基板を覆う少なくとも１個の誘電体層を更に含み、前記少なくとも１個の誘電体層が少なくとも２個の誘電体を含んでいる、請求項１７に記載の超伝導集積回路。
【請求項２４】
前記基板を覆う第１の誘電体と、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆う超伝導層と、
前記超伝導層の少なくとも一部を覆う第２の誘電体と、
前記第２の誘電体の少なくとも一部を覆う第３の誘電体とを含んでいる、請求項１７に記載の超伝導集積回路。
【請求項２５】
前記第１の誘電体および第３の誘電体の少なくとも一方が二酸化シリコンを含み、前記第２の誘電体が窒化シリコンを含んでいる、請求項２４に記載の超伝導集積回路。
【請求項２６】
超伝導集積回路を製造する方法であって、
基板を覆う第１の誘電体を堆積させるステップと、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆う超伝導層を堆積させるステップと、
少なくとも１個の超伝導特徴を形成すべく前記超伝導層をパターニングするステップと、
前記少なくとも１個の超伝導特徴の少なくとも一部を覆う第２の誘電体を堆積させるステップと、
前記第２の誘電体の少なくとも一部を覆う第３の誘電体を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項２７】
前記第３の誘電体を所定の厚さに平坦化するステップを更に含んでいる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の誘電体および前記第３の誘電体の一方を堆積させるステップが二酸化シリコンを堆積するステップを含み、前記第２の誘電体を堆積させるステップが窒化シリコンを堆積させるステップを含んでいる、請求項２６または２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
超伝導集積回路を製造する方法であって、
基板を覆う第１の誘電体を堆積させるステップと、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆う超伝導層を堆積させるステップと、
前記超伝導層を覆うべく第２の誘電体を堆積させるステップと、
誘電キャップを含む少なくとも１個の超伝導特徴を形成すべく前記第２の誘電体および前記超伝導層をパターニングするステップと、
前記少なくとも１個の超伝導特徴の少なくとも一部を覆う第３の誘電体を堆積させるステップと、
前記第３の誘電体の少なくとも一部を覆う第４の誘電体を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項３０】
前記第４の誘電体を所定の厚さに平坦化するステップを更に含んでいる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の誘電体および前記第４の誘電体の少なくとも一方が二酸化シリコンを含み、前記第２の誘電体および前記第３の誘電体の少なくとも一方が窒化シリコンを含んでいる、請求項２９または３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
超伝導集積回路を製造する方法であって、
基板を覆う第１の誘電体を堆積させるステップと、
ある範囲の臨界温度で超伝導性を示す材料を含み且つ前記第１の誘電体の少なくとも一部を覆う超伝導層を堆積させるステップと、
少なくとも１個の超伝導特徴を形成すべく前記超伝導層をパターニングするステップと、
前記少なくとも１個の超伝導特徴の少なくとも一部を覆う第２の誘電体を堆積させるステップと、
前記第２の誘電体の少なくとも一部を覆う第３の誘電体を堆積させるステップと、
前記少なくとも１個の超伝導特徴の少なくとも一部を露出させるべく前記第３の誘電体を研磨するステップと、
前記少なくとも１個の超伝導特徴の少なくとも一部を覆う第４の誘電体を堆積させるステップと、
前記第４の誘電体の少なくとも一部を覆う第５の誘電体を堆積させるステップとを含む方法。
【請求項３３】
前記第５の誘電体を所定の厚さに平坦化するステップを更に含んでいる、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１の誘電体、前記第３の誘電体、および前記第５の誘電体のうち少なくとも１個が二酸化シリコンを含み、前記第２の誘電体および前記第４の誘電体の少なくとも一方が窒化シリコンを含んでいる、請求項３２または３３のいずれか１項に記載の方法。