【手続補正書】
【提出日】平成30年2月20日(2018.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱管理された電子部品（１００）であって、
前記電子部品（１１０）の表面に配置された熱管理コーティング（１２０）であって、
前記電子部品の表面に配置されたグラフェンコーティング層（１３０）と、
前記グラフェンコーティング層に配置された、位置合わせされたカーボンナノ粒子の層（１３２）とを含む、熱管理コーティング（１２０）
を含む電子部品。
【請求項２】
前記電子部品の前記表面と前記熱管理コーティングとの間に配置された電気絶縁材料層を更に含む、請求項１に記載の熱管理された電子部品。
【請求項３】
前記グラフェンコーティング層が、１から３０の間の原子層を含む、請求項１又は２に記載の熱管理された電子部品。
【請求項４】
前記グラフェンコーティング層が、約５００ｎｍ以下の厚さを有している、請求項１から３の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項５】
前記カーボンナノ粒子が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、フラーレン、ヘテロフラーレン、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１から４の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項６】
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層が、対称構造または反対称構造を有している、請求項１から５の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項７】
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層が、右側構造又は左側構造を有している、請求項１から６の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項８】
前記熱管理コーティングが、前記熱管理された電子部品の総重量に対し、前記熱管理された電子部品の約０．２重量パーセント以下を含んでいる、請求項１から７の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項９】
前記熱管理コーティングが、約２５ＭＷ／ｍ２Ｋを上回る熱コンダクタンスを示す、請求項１から８の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
【請求項１０】
熱管理コーティングを電子部品に適用する方法であって、
グラフェンコーティング層を前記電子部品の表面に配置することと、
位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を前記グラフェンコーティング層に配置することと
を含む方法。
【請求項１１】
前記グラフェンコーティング層を前記電子部品の前記表面に配置する前に、電気絶縁材料層を前記電子部品の前記表面に配置することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記カーボンナノ粒子が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、フラーレン、ヘテロフラーレン、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を配置することが、化学気相蒸着を用いて実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を前記グラフェンコーティング層に配置する前に、触媒膜が前記グラフェンコーティング層に堆積される、請求項１０から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記触媒膜が、ニッケル、コバルト、鉄、又はそれらの組み合わせの粒子を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を配置することが、前記触媒膜から前記カーボンナノ粒子を成長させることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ＤＣまたはＡＣ電場が、前記カーボンナノ粒子の前記成長中に前記電子部品に印加される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
磁場が、前記カーボンナノ粒子の前記成長中に前記電子部品に印加される、請求項１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本開示の様々な目的を実現する際の本開示の様々な実施態様が記載されてきた。これらの実施態様が本開示の原理を単に説明しているに過ぎないことを認識すべきである。当業者であれば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、多数の修正及び改造がすぐに明らかになるだろう。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
熱管理された電子部品であって、
前記電子部品の表面に配置されたグラフェンコーティング層と、
前記グラフェンコーティング層に配置された、位置合わせされたカーボンナノ粒子の層と
を含む、前記電子部品の前記表面に配置された熱管理コーティング
を含む電子部品。
（態様２）
前記電子部品の前記表面と前記熱管理コーティングとの間に配置された電気絶縁材料層を更に含む、態様１に記載の熱管理された電子部品。
（態様３）
前記グラフェンコーティング層が、１から３０の間の原子層を含む、態様１又は２に記載の熱管理された電子部品。
（態様４）
前記グラフェンコーティング層が、約５００ｎｍ以下の厚さを有している、態様１から３の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様５）
前記カーボンナノ粒子が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、フラーレン、ヘテロフラーレン、又はそれらの組み合わせを含む、態様１から４の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様６）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層が、対称構造を有している、態様１から５の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様７）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層が、非対称構造を有している、態様１から５の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様８）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層が、右側構造又は左側構造を有している、態様１から７の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様９）
前記熱管理コーティングが、前記熱管理された電子部品の総重量に対し、前記熱管理された電子部品の約０．２重量パーセント以下を含んでいる、態様１から８の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様１０）
前記熱管理コーティングが、約２５ＭＷ／ｍ２Ｋを上回る熱コンダクタンスを示す、態様１から９の何れか一項に記載の熱管理された電子部品。
（態様１１）
熱管理コーティングを電子部品に適用する方法であって、
グラフェンコーティング層を前記電子部品の表面に配置することと、
位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を前記グラフェンコーティング層に配置することと
を含む方法。
（態様１２）
前記グラフェンコーティング層を前記電子部品の前記表面に配置する前に、電気絶縁材料層を前記電子部品の前記表面に配置することを更に含む、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
前記カーボンナノ粒子が、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、フラーレン、ヘテロフラーレン、又はそれらの組み合わせを含む、態様１１又は１２に記載の方法。
（態様１４）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を配置することが、化学気相蒸着を用いて実行される、態様１１に記載の方法。
（態様１５）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を前記グラフェンコーティング層に配置する前に、触媒膜が前記グラフェンコーティング層に堆積される、態様１１から１４の何れか一項に記載の方法。
（態様１６）
前記触媒膜が、ニッケル、コバルト、鉄、又はそれらの組み合わせの粒子を含む、態様１５に記載の方法。
（態様１７）
前記位置合わせされたカーボンナノ粒子の層を配置することが、前記触媒膜から前記カーボンナノ粒子を成長させることを含む、態様１５に記載の方法。
（態様１８）
ＤＣ電場が、前記カーボンナノ粒子の前記成長中に前記電子部品に印加される、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
磁場が、前記カーボンナノ粒子の前記成長中に前記電子部品に印加される、態様１８に記載の方法。
（態様２０）
ＡＣ電場が、前記カーボンナノ粒子の前記成長中に前記電子部品に印加される、態様１７に記載の方法。