【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット上にパターンを転写するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
前記ターゲットを保持するための第１の側面を有するターゲットホルダを含むターゲット位置決め装置と、
荷電粒子ビームを生成し、当該荷電粒子ビームを変調し、更に当該荷電粒子ビームを前記ターゲットホルダの前記第１の側面に向かって方向づけるための荷電粒子光学部と、
変換素子の上に衝突する各荷電粒子を光に変換するための前記変換素子を含むセンサアセンブリとを備え、前記変換素子は前記ターゲット位置決め装置の上に配置され、前記センサアセンブリは前記光を検出するための光センサを更に備え、当該光センサは前記ターゲット位置決め装置から一定の距離に配置され、前記センサアセンブリは、前記変換素子から前記センサへ生ずる光を方向づけるために前記変換素子と前記光センサとの間に配置される光の光学レンズを更に含む
荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２】
前記レンズは、前記荷電粒子光学部に面する前記変換素子の実質的な側面の画像を前記光センサ上に投影するように配置される
請求項１に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項３】
前記光センサは、ピクセル化センサを含む
請求項１または２に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項４】
前記荷電粒子光学部は、前記ターゲットホルダの第１の側面に配置され、前記光の光学レンズと前記光センサが当該ターゲットホルダの第２の側面に配置され、当該第２の側面は前記第１の側面に実質的に対向している
請求項１、２または３に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項５】
前記荷電粒子光学部は光軸を定義し、前記光の光学レンズと前記光センサは前記光軸の上に配置されている
請求項１乃至４の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項６】
前記ターゲットホルダおよび前記荷電粒子光学部は、前記真空チャンバの内部に少なくとも部分的に配置されており、前記真空チャンバは当該真空チャンバの内部に延在しているコンパートメントを備え、当該コンパートメントの内部は前記真空チャンバの内部から離隔されており、前記コンパートメントは前記ターゲットホルダに面した側面において窓を備え、更に少なくとも前記光の光学レンズは、前記コンパートメントの内部に配置される
請求項１乃至５の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項７】
前記センサは前記コンパートメントの内部にも配置されている
請求項６に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項８】
前記コンパートメントの内部は、前記真空チャンバの外部に実質的に開放されている
請求項６もしくは７に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項９】
前記コンパートメントは前記真空チャンバの壁の開口部内に配置されている
請求項６、７もしくは８に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記真空壁に隣接する前記コンパートメントの一部を実質的に取り囲む筒部を更に備え、当該筒部は前記コンパートメントに沿って、前記真空チャンバに対し外部方向に延在し、前記筒部は少なくともμ−メタルまたはパーマロイの層を含む
請求項９に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１１】
前記筒部は、前記真空チャンバの内部に前記コンパートメントに沿って延在し、当該筒部は前記真空チャンバの内部に配置され且つ前記真空壁内の前記開口部の周囲に前記真空壁とほぼ平行に延在し、放射状に延びるリップを含む
請求項１０に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１２】
前記真空壁は、前記真空チャンバの内部に面するシールドを具備しており、放射状に延びるリップは前記真空壁内の開口部の周囲で前記シールドを少なくとも部分的に被覆し、当該シールドは前記放射状に延びるリップと前記真空壁との間に配置される
請求項１１に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１３】
前記コンパートメントは、真空シールを提供するために前記真空壁に接続して配置されるフランジ部を含む
請求項９乃至１２の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１４】
フランジリングは、前記真空チャンバの壁と前記フランジ部との間に配置され、当該フランジリングはμ−メタルもしくはパーマロイの層を少なくとも含む
請求項１３に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記フランジリングは、前記真空壁に隣接する前記コンパートメントの一部を実質的に取り囲む筒部を備え、前記筒部は前記コンパートメントに沿って前記真空チャンバに対して外部方向に延在し、前記筒部は、μ−メタルまたはパーマロイの層を少なくとも含む
請求項１４に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１６】
前記筒部は第１の筒部であり、前記フランジリングは、前記真空壁に隣接する前記コンパートメントの一部を実質的に取り囲む第２の筒部を更に備え、当該第２の筒部は前記コンパートメントに沿って前記真空室に対して内部方向に延在し、当該第２の筒部は前記コンパートメントに沿って前記真空チャンバに対して内部方向に延在し、前記第２の筒部はμ―メタルまたはパーマロイの層を少なくとも含む
請求項１５に荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１７】
前記第２の筒部は、前記真空壁内の前記開口部の周囲に前記真空壁に対してほぼ平行に延在し、放射状に延びるリップを備え、当該真空壁は前記真空チャンバの内部に面するシールドを具備しており、放射状に延びるリップは前記真空壁内の前記開口部の周囲で前記シールドを少なくとも部分的に被覆し、前記シールドは前記放射状に延びるリップと前記真空壁との間に配置される
請求項１６に荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１８】
前記コンパートメントの前記フランジ部は、前記真空チャンバの内部に面する前記真空壁の側面に配置されている
請求１４乃至１７の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項１９】
前記ターゲットホルダは、前記ターゲットを保持するための第１の側面を備え、前記真空チャンバの内部に延在する前記コンパートメントは、前記ターゲットを保持するための前記第１の側面から反対側の前記ターゲットホルダの一側に配置される
請求項６乃至１８の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２０】
前記荷電粒子光学部が、前記ターゲットホルダの上方に配置され、前記コンパートメントが前記ターゲットホルダの下方に配置されている
請求項１９に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２１】
前記真空チャンバの内部に配置された前記コンパートメントの一部の直径が、前記真空チャンバの前記壁に隣接する前記コンパートメントの一部の直径よりも大きい
請求項６乃至２０の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２２】
前記コンパートメントは、前記真空チャンバの外部にも延在する
請求項６乃至２１の何れか一つに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
【請求項２３】
荷電粒子リソグラフィシステムにおけるターゲットのレベルで１個もしくはそれ以上の荷電粒子ビームの各特性を決定するための方法であって、前記システムは、
前記ターゲットを保持するための前記第１の側面を有するターゲットホルダを含むターゲット位置決め装置と、
前記荷電粒子ビームを生成し、当該荷電粒子ビームを変調し、更に前記荷電粒子ビームを前記ターゲットホルダの前記第１の側面に向かって方向づけるための荷電粒子光学部と、
変換素子の上に衝突する各荷電粒子を光に変換するための前記変換素子を含むセンサアセンブリとを備え、当該変換素子は前記ターゲット位置決め装置の上に配置され、前記センサアセンブリは前記光を検出する光センサを更に備え、当該光センサは前記ターゲット位置決め装置から一定の距離に配置され、前記センサアセンブリは変換素子から前記センサへ生ずる光を方向づけるために前記変換素子と前記光センサとの間に配置されている光の光学レンズを更に備えており、
前記ターゲット位置決め装置を前記各荷電粒子ビームが前記変換素子に衝突する位置に移動させる工程を含む
方法。
【請求項２４】
前記変換素子は、前記光センサから独立して移動されることを特徴とする
請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記光センサと前記光の光学レンズは、前記荷電粒子光学部に対して実質的に固定された位置に配置され、そして前記荷電粒子光学部に実質的に固定されて整列され、前記センサアセンブリに関しては、前記変換器だけが、前記荷電粒子光学部の前記光軸に上またはその近傍の前記各荷電粒子ビーム（複数可）の前記ビーム経路内へ前記ターゲット位置決め装置により移動される
請求項２３もしくは２４に記載の方法。