【手続補正書】
【提出日】平成30年7月20日(2018.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードおよびカソードを含む、重なり関係にある二つの電極と、
当該二つの電極の間に配置され、ドナー−アクセプタヘテロ接合を形成する少なくとも一つのドナー材料および少なくとも一つのアクセプタ材料を含む光活性領域（ここで、前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＡｃｃ）および最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＡｃｃ）を有する）と、
前記カソードと前記少なくとも一つのアクセプタ材料との間に配置される励起子阻止電子フィルタ（ここで、当該電子フィルタは、少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料および少なくとも一つの電子伝導材料を含む混合物を含む）と、
を含み、
前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、
・前記ＬＵＭＯＡｃｃ以下である最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＣＳ−ＷＧ）と、
・前記ＨＯＭＯＡｃｃ以上である、または前記ＨＯＭＯＡｃｃより０．３ｅＶの範囲内で小さい最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＣＳ−ＷＧ）と、
・ＨＯＭＯＡｃｃ−ＬＵＭＯＡｃｃのエネルギーギャップより広いＨＯＭＯＣＳ−ＷＧ−ＬＵＭＯＣＳ−ＷＧのエネルギーギャップと、
・８５℃以上のガラス転移温度と、
を有し、
前記少なくとも一つの電子伝導材料は、前記ＬＵＭＯＡｃｃ以上である、または前記ＬＵＭＯＡｃｃより０．２ｅＶの範囲内で小さい最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＥＣ）を有する有機感光性光電子デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）、２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジ−トリルピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＭＰｙＣＮ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジ（ビフェニル−４−イル）ピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＰｈＰｙＣＮ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジフェニルピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＰｙＣＮ）、６，６０−（１，４−フェニレン）ビス（２−フェニル−４−ｐ−トリルニコチノニトリル）（ｐ−ＰＰｔＮＮ）、４，４０−（１，４−フェニレン）ビス（２−フェニル−６−ｐ−トリルニコチノニトリル）（ｐ−ＰＰｔＮＴ）、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記広エネルギーギャップ材料は、８５〜２００℃の間のガラス転移温度を有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記広エネルギーギャップ材料は、１００〜１６５℃の間のガラス転移温度を有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ＨＯＭＯＣＳ−ＷＧは、前記ＨＯＭＯＡｃｃより大きく、前記ＬＵＭＯＣＳ−ＷＧは、前記ＬＵＭＯＡｃｃより小さい請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ＬＵＭＯＥＣは、前記ＬＵＭＯＡｃｃと等しい請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ＬＵＭＯＥＣは、前記ＬＵＭＯＡｃｃより大きい請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ＬＵＭＯＣＳ−ＷＧは、前記ＬＵＭＯＥＣより小さい請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、サブフタロシアニン、サブナフタロシアニン、ジピリン錯体、ＢＯＤＩＰＹ錯体、ペリレン、ナフタレン、フラーレン、官能基化フラーレン誘導体、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、フラーレンおよび官能基化フラーレン誘導体から選択される材料を含む請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの電子伝導材料は、サブフタロシアニン、サブナフタロシアニン、ジピリン錯体、ＢＯＤＩＰＹ錯体、ペリレン、ナフタレン、フラーレン、官能基化フラーレン誘導体、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記少なくとも一つのアクセプタ材料および前記少なくとも一つの電子伝導材料は、同一の材料を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
アノードおよびカソードを含む、重なり関係にある二つの電極と、
当該二つの電極の間に配置され、ドナー−アクセプタヘテロ接合を形成する少なくとも一つのドナー材料および少なくとも一つのアクセプタ材料を含む光活性領域（ここで、前記少なくとも一つのドナー材料は、最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＤｏｎ）および最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＤｏｎ）を有する）と、
前記アノードと前記少なくとも一つのドナー材料との間に配置される励起子阻止正孔フィルタ（ここで、当該正孔フィルタは、少なくとも一つのアノード側の広エネルギーギャップ材料および少なくとも一つの正孔伝導材料を含む混合物を含む）と、
を含み、
前記少なくとも一つのアノード側の広エネルギーギャップ材料は、
・前記ＨＯＭＯＤｏｎ以上である最高被占軌道エネルギー準位（ＨＯＭＯＡＳ−ＷＧ）と、
・前記ＬＵＭＯＤｏｎ以下である、または前記ＬＵＭＯＤｏｎより０．３ｅＶの範囲内で大きい最低空軌道エネルギー準位（ＬＵＭＯＡＳ−ＷＧ）と、
・ＨＯＭＯＤｏｎ−ＬＵＭＯＤｏｎのエネルギーギャップより広いＨＯＭＯＡＳ−ＷＧ−ＬＵＭＯＡＳ−ＷＧのエネルギーギャップと、
・８５℃以上のガラス転移温度と、
を有する有機感光性光電子デバイス。
【請求項１４】
前記少なくとも一つのアノード側の広エネルギーギャップ材料は、３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）、２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジ−トリルピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＭＰｙＣＮ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジ（ビフェニル−４−イル）ピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＰｈＰｙＣＮ）、４，４０−（１，３−フェニレン）ビス（２，６−ジフェニルピリジン−３，５−ジカルボニトリル）（ｍ−ＰｙＣＮ）、６，６０−（１，４−フェニレン）ビス（２−フェニル−４−ｐ−トリルニコチノニトリル）（ｐ−ＰＰｔＮＮ）、４，４０−（１，４−フェニレン）ビス（２−フェニル−６−ｐ−トリルニコチノニトリル）（ｐ−ＰＰｔＮＴ）、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記広エネルギーギャップ材料は、８５〜２００℃の間のガラス転移温度を有する請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記ＨＯＭＯＡＳ−ＷＧは、前記ＨＯＭＯＤｏｎより大きく、前記ＬＵＭＯＡＳ−ＷＧは、前記ＬＵＭＯＤｏｎより小さい請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記ＨＯＭＯＨＣは、前記ＨＯＭＯＤｏｎ以下である請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記ＨＯＭＯＡＳ−ＷＧは、前記ＨＯＭＯＨＣより大きい請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記少なくとも一つのドナー材料は、フタロシアニン、サブフタロシアニン、ナフタロシアニン、メロシアニン色素、ホウ素ジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）色素、チオフェン、低バンドギャップポリマー、ポリアセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、スクアライン（ＳＱ）色素、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１３に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記少なくとも一つの正孔伝導材料は、フタロシアニン、サブフタロシアニン、ナフタロシアニン、メロシアニン色素、ホウ素ジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）色素、チオフェン、低バンドギャップポリマー、ポリアセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、スクアライン（ＳＱ）色素、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）、およびそれらの誘導体から選択される材料を含む請求項１３に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記混合物は、前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料および前記少なくとも一つの電子伝導材料を、体積比で１０：１〜１：１０となる範囲の比率で含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記混合物は、前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料および前記少なくとも一つの電子伝導材料を、体積比で２：１〜１：２となる範囲の比率で含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記励起子阻止電子フィルタと前記カソードとの間に配置される少なくとも一つのキャップ層をさらに含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記少なくとも一つのキャップ層および前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、同一の材料を含む請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記少なくとも一つの電子伝導材料は、フラーレンおよび官能基化フラーレン誘導体から選択される材料を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記少なくとも一つの電子伝導材料は、Ｃ６０およびＣ７０から選択される材料を含む請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記少なくとも一つのアクセプタ材料は、Ｃ６０およびＣ７０から選択される材料を含む請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、ＢＰ４ｍＰｙ、ＴＰＢｉ、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３および３ＴＰＹＭＢから選択される材料を含む請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記励起子阻止電子フィルタと前記カソードとの間に配置される少なくとも一つのキャップ層をさらに含み、前記少なくとも一つのキャップ層および前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、同一の材料を含む請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、ＴＰＢｉを含む請求項２７に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記励起子阻止電子フィルタと前記カソードとの間に配置される少なくとも一つのキャップ層をさらに含み、前記少なくとも一つのキャップ層は、ＴＰＢｉを含む請求項３０に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記少なくとも一つのドナー材料は、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）を含む請求項３１に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記少なくとも一つのカソード側の広エネルギーギャップ材料は、ＴＰＢｉを含む請求項１に記載のデバイス。