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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチ加入者識別モジュール(SIM)ワイヤレス通信デバイスであって、
音響再生デバイス上での再生のために復号されたオーディオ信号を後処理するように構成された第1の後処理ユニットと、符号化のためにオーディオトランスデューサからのオーディオ信号を前処理するように構成された第1の前処理ユニットとを有する第1の通信ユニットと、
受信された信号を復号して第2の復号されたオーディオ信号を生成するとともに、オーディオトランデューサから受信されたオーディオ信号を前処理して第2の前処理されたオーディオ信号を生成する第2の通信ユニットと、
記録ユニットと、
前記第1の通信ユニットに音響再生デバイスへの第1のオーディオ出力信号の出力を中断させ、第1の復号されたオーディオ信号を前記記録ユニットに伝えさせ、
前記第2の通信ユニットに前記音響再生デバイスへ、前記第2の復号されたオーディオ信号から導出された第2のオーディオ出力信号を出力させる
ように構成された制御ユニットと
を含み、
前記第1の通信ユニットが、
前記第1の後処理ユニットの入力に配置され、前記第1の復号されたオーディオ信号を前記記録ユニットへ伝えるように構成された、第1の記録タップと、
前記第1の前処理ユニットの出力に配置され、前記第1の前処理ユニットによって出力される第1の前処理されたオーディオ信号を前記記録ユニットへ伝えるように構成された、第2の記録タップと
をさらに含み、
前記制御ユニットが、前記第1の後処理ユニットに前記第1のオーディオ出力信号の出力を中断させ、前記記録ユニットに前記第1の記録タップを介して前記第1の復号されたオーディオ信号を記録させるように構成され、
前記制御ユニットが、前記第1の前処理ユニットに第1のオーディオ入力信号を中断させて、前記第1のオーディオ入力信号の記録を妨げるように構成され、
前記制御ユニットが、前記記録ユニットに前記第1の復号されたオーディオ信号を第1のデータファイルに記録させ、前記第2の復号されたオーディオ信号および前記第2の前処理されたオーディオ信号を第2のデータファイルに記録させるようにさらに構成される、マルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【請求項２】
前記第1の通信ユニットが、第1のSIMおよび第1の加入のうちの少なくとも1つと関連付けられ、
前記第2の通信ユニットが、前記第1のSIMとは異なる第2のSIMおよび前記第1の加入とは異なる第2の加入のうちの少なくとも1つと関連付けられる、
請求項1に記載のマルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【請求項３】
前記第2の通信ユニットが、
第2の後処理ユニットの入力に配置され、前記第2の復号されたオーディオ信号を前記記録ユニットへ伝えるように構成された、第3の記録タップと、
第2の前処理ユニットの出力に配置され、前記第2の前処理ユニットによって出力される第2の前処理されたオーディオ信号を前記記録ユニットへ伝えるように構成された、第4の記録タップと
を含む、請求項1に記載のマルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【請求項４】
前記制御ユニットが、前記第1の後処理ユニットに前記第1のオーディオ出力信号の出力を中断させ、前記記録ユニットに前記第1の記録タップを介して前記第1の復号されたオーディオ信号を記録させるように構成され、
前記制御ユニットが、前記第1の前処理ユニットに第1のオーディオ入力信号を中断させて、前記第1のオーディオ入力信号の記録を妨げるように構成され、
前記制御ユニットが、前記記録ユニットに前記第1の記録タップを介して前記第1の復号されたオーディオ信号を記録させ、前記第3の記録タップを介して前記第2の復号されたオーディオ信号を記録させ、前記第4の記録タップを介して前記第2の前処理ユニットからの第2の前処理されたオーディオ信号を記録させるように構成される、
請求項3に記載のマルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【請求項５】
前記制御ユニットは、前記記録ユニットに、前記第1の復号されたオーディオ信号を第1のデータファイルに記録させるとともに、前記第2の復号されたオーディオ信号および前記第2の前処理されたオーディオ信号を第2のデータファイルに記録させる、請求項4に記載のマルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【請求項６】
前記音響再生デバイスが、スピーカを含む、請求項1に記載のマルチSIMワイヤレス通信デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記の実施形態のいずれかに関して記載されたいずれかの特徴又は特性は、個々に、又は他のいずれかの特徴又は特性と組み合わせて組み込むことができ、単に明確性のために上記の順番及び組み合わせで提示される。即ち、本開示は、本明細書に記載のそれぞれの代表的な実施形態及び構成要素の様々な特徴のすべての可能な組み合わせ及び配置を意図しており、それぞれの構成要素は、特定用途に望ましい場合、任意の他の構成要素と組み合わせるか又は共に使用することができる。
以下、本発明の態様について説明する。
〔態様１〕
ステムと、
前記ステムに取り付けられた音波減衰体であって、先端部、基端部、前記先端部の後方に位置する先端領域、及び前記先端部と前記基端部との間に延びる長手方向軸線を含む、音波減衰体と、
前記先端領域内に位置し、前記長手方向軸線の周囲に離間配置された複数のキャビティのアレイであって、圧潰可能な容積を含む、複数のキャビティのアレイと、を備え、
前記先端領域が、前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、キャビティ面積（Ａｃ）、材料面積（Ａｍ）、及び面積アスペクト比（Ａｃ／Ａｍ）を含み、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３５である、耳栓。
〔態様２〕
前記先端部から８ｍｍ〜９ｍｍの距離で前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、０．１５＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３０である、態様１に記載の耳栓。
〔態様３〕
前記先端部から８ｍｍ〜９ｍｍの距離で前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３０である、態様１に記載の耳栓。
〔態様４〕
前記先端部から７ｍｍ〜１０ｍｍの距離で前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面における最大面積アスペクト比（Ａｃ／Ａｍ）が０．１５〜０．３５である、態様１に記載の耳栓。
〔態様５〕
前記複数のキャビティのアレイの少なくとも一部が前記先端部から７ｍｍの距離に存在する、態様１に記載の耳栓。
〔態様６〕
６ｍｍ２＜（Ａｃ）＜２４ｍｍ２である、態様１に記載の耳栓。
〔態様７〕
前記先端領域が外側先端領域表面を含み、前記複数のキャビティがそれぞれ、前記外側先端領域表面からキャビティ壁厚（Ｔｗ）によって隔てられた内側キャビティ表面を含み、１．０ｍｍ＜（Ｔｗ）＜２．５ｍｍである、態様１に記載の耳栓。
〔態様８〕
前記複数のキャビティのアレイが４〜１８個のキャビティを含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様９〕
前記複数のキャビティのアレイが６〜１２個のキャビティを含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様１０〕
前記音波減衰体が、前記先端領域と前記基端部との間に少なくとも部分的に前記ステムの上に延びるフランジを更に含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様１１〕
前記フランジと前記ステムとの間で前記ステムの周囲に連続的な容積を含むフランジキャビティを更に含む、態様１０に記載の耳栓。
〔態様１２〕
前記フランジが、外側フランジ表面と、複数の内部突出するスプラインを有する内側フランジ表面とを含む、態様１１に記載の耳栓。
〔態様１３〕
前記ステムが、第１材料から作製されたコアと、第２材料から作製された外層と、を含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様１４〕
前記音波減衰体及び前記ステムが発泡体を含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様１５〕
前記コアが、ポリプロピレン及びスチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）からなる群から選択される材料を含む、態様１３に記載の耳栓。
〔態様１６〕
前記音波減衰体がスチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、態様１に記載の耳栓。
〔態様１７〕
ステムと、
前記ステムに取り付けられた音波減衰体であって、
先端部、
基端部、
前記先端部の後方に位置する先端領域、及び
少なくとも部分的に前記ステムの上に延び、かつ外側フランジ表面、複数の凸部又は凹部の一方又は両方を有する内側フランジ表面、及び前記先端部と前記基端部との間に延びる長手方向軸線を含む、フランジ、を含む、音波減衰体と、
前記先端領域内に位置し、前記長手方向軸線の周囲に離間配置された複数のキャビティのアレイであって、圧潰可能な容積を含む、複数のキャビティのアレイと、
前記内側フランジ表面と前記ステムとの間で前記ステムの周囲に連続的な容積を含むフランジキャビティと、を備え、
前記先端領域が、前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、キャビティ面積（Ａｃ）、材料面積（Ａｍ）、及び面積アスペクト比（Ａｃ／Ａｍ）を含み、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３５である、耳栓。
〔態様１８〕
前記ステムが、第１材料から作製されたコアと、第２材料から作製された外層とを含む、態様１７に記載の耳栓。
〔態様１９〕
前記音波減衰体及び前記ステムが発泡体を含む、態様１７に記載の耳栓。
〔態様２０〕
前記音波減衰体がスチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、態様１７に記載の耳栓。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムと、
前記ステムに取り付けられた音波減衰体であって、先端部、基端部、前記先端部の後方に位置する先端領域、及び前記先端部と前記基端部との間に延びる長手方向軸線を含む、音波減衰体と、
前記先端領域内に位置し、前記長手方向軸線の周囲に離間配置された複数のキャビティのアレイであって、圧潰可能な容積を含む、複数のキャビティのアレイと、を備え、
前記先端領域が、前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、キャビティ面積（Ａｃ）、材料面積（Ａｍ）、及び面積アスペクト比（Ａｃ／Ａｍ）を含み、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３５である、耳栓。
【請求項２】
前記先端部から８ｍｍ〜９ｍｍの距離で前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、０．１５＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３０である、請求項１に記載の耳栓。
【請求項３】
前記先端部から８ｍｍ〜９ｍｍの距離で前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３０である、請求項１に記載の耳栓。
【請求項４】
ステムと、
前記ステムに取り付けられた音波減衰体であって、
先端部、
基端部、
前記先端部の後方に位置する先端領域、及び
少なくとも部分的に前記ステムの上に延び、かつ外側フランジ表面、複数の凸部又は凹部の一方又は両方を有する内側フランジ表面、及び前記先端部と前記基端部との間に延びる長手方向軸線を含む、フランジ、を含む、音波減衰体と、
前記先端領域内に位置し、前記長手方向軸線の周囲に離間配置された複数のキャビティのアレイであって、圧潰可能な容積を含む、複数のキャビティのアレイと、
前記内側フランジ表面と前記ステムとの間で前記ステムの周囲に連続的な容積を含むフランジキャビティと、を備え、
前記先端領域が、前記長手方向軸線に交差する前記複数のキャビティのアレイの横断面において、キャビティ面積（Ａｃ）、材料面積（Ａｍ）、及び面積アスペクト比（Ａｃ／Ａｍ）を含み、０．１０＜（Ａｃ／Ａｍ）＜０．３５である、耳栓。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるワイヤレス通信のための方法であって、
共有無線周波数スペクトル帯域中でのアップリンク送信のために割り当てられた第１の間隔を識別することと、ここにおいて、前記第１の間隔は第１のサブフレーム継続時間を備える、
リソースへのアクセスを求めた競合の成功に基づいて、前記アップリンク送信のための第２のサブフレーム継続時間を備える第２の間隔を識別することと、
前記第１の間隔が前記第２の間隔とは異なるという比較に少なくとも部分的に基づいて前記アップリンク送信に使用すべき前記第２のサブフレーム継続時間のアップリンクリソースを決定することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記共有無線周波数スペクトル帯域は、無認可無線周波数スペクトル帯域を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記共有無線周波数スペクトル帯域は、２つ以上の事業者によって共有される認可無線周波数スペクトル帯域を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アップリンク送信に使用すべきアップリンクリソースの少なくとも１つの割当てを受信すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の間隔を識別するためにクリアチャネルアセスメント（ＣＣＡ）を実行することと、
前記決定されたアップリンクリソースを使用して前記アップリンク送信を送信することと
をさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＣＡは、拡張ＣＣＡを備える、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記アップリンク送信に使用すべきアップリンクリソースの複数の割当てを受信すること、
をさらに備え、アップリンクリソースを前記決定することは、前記アップリンク送信に使用すべきアップリンクリソースの前記複数の割当てから割当てを選択することを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アップリンクリソースを前記決定することは、
前記アップリンク送信に、前記アップリンク送信の継続時間に関連するアップリンクリソースの割当てのサブセットを適用すること
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
アップリンクリソースを前記決定することは、
前記第１の間隔が前記第２の間隔とは異なるという前記比較に少なくとも部分的に基づいて前記アップリンク送信に使用すべき前記アップリンクリソースの１つまたは複数のパラメータを調整すること
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
基地局に、前記アップリンクリソースの前記調整された１つまたは複数のパラメータのうちの少なくとも１つの値を示すインジケータをシグナリングすること
をさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
アップリンクリソースを前記決定することは、
前記第１の間隔の一部分に対応するアップリンクリソースの少なくとも１つの割当てを適用すること
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
アップリンクリソースを前記決定することは、
前記第１の間隔に関連するサブフレームインデックスに少なくとも部分的に基づいてアップリンクリソースの少なくとも１つの割当てを適用すること
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
ワイヤレス通信のためのユーザ機器であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信しているメモリと、
前記メモリに記憶された命令と
を備え、前記命令は、前記プロセッサによって、
共有無線周波数スペクトル帯域中でのアップリンク送信のために割り当てられた第１の間隔を識別することと、ここにおいて、前記第１の間隔は第１のサブフレーム継続時間を備える、
リソースへのアクセスを求めた競合の成功に基づいて、前記アップリンク送信のための第２のサブフレーム継続時間を備える第２の間隔を識別することと、
前記第１の間隔が前記第２の間隔とは異なるという比較に少なくとも部分的に基づいて前記アップリンク送信に使用すべき前記第２のサブフレーム継続時間のアップリンクリソースを決定することと
を行うように実行可能である、装置。
【請求項１４】
基地局におけるワイヤレス通信のための方法であって、
共有無線周波数スペクトル帯域中でのアップリンク送信に使用すべき第１のサブフレーム継続時間を有する第１の間隔に関連するアップリンクリソースの第１の割当てを送信することと、
前記共有無線周波数スペクトル帯域中での前記アップリンク送信に使用すべき第２のサブフレーム継続時間を有する第２の間隔に関連するアップリンクリソースの第２の割当てを送信することと、ここにおいて、前記第１のサブフレーム継続時間は前記第２のサブフレーム継続時間とは異なる、
前記アップリンク送信のサブフレーム継続時間を検出することと、
前記検出することに少なくとも部分的に基づいて前記アップリンク送信のために使用されるアップリンクリソースを識別することと
を備える、方法。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のための基地局であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信しているメモリと、
前記メモリに記憶された命令と
を備え、前記命令は、前記プロセッサによって、
共有無線周波数スペクトル帯域中でのアップリンク送信に使用すべき第１のサブフレーム継続時間を有する第１の間隔に関連するアップリンクリソースの第１の割当てを送信することと、
前記共有無線周波数スペクトル帯域中での前記アップリンク送信に使用すべき第２のサブフレーム継続時間を有する第２の間隔に関連するアップリンクリソースの第２の割当てを送信することと、ここにおいて、前記第１のサブフレーム継続時間は前記第２のサブフレーム継続時間とは異なる、
前記アップリンク送信のサブフレーム継続時間を検出することと、
前記検出することに少なくとも部分的に基づいて前記アップリンク送信のために使用されるアップリンクリソースを識別することと
を行うように実行可能である、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信機コイルが、送信機によって生成されたワイヤレス場に位置するときに電力をワイヤレス受信し、かつ前記送信機によって生成された前記ワイヤレス場に応答して電流を生成するための受信機コイルであって、
第1のループ部分と、
第2のループ部分と、
第3のループ部分であって、前記第2のループ部分および第3のループ部分は前記第1のループ部分によって少なくとも部分的に囲まれ、前記第2のループ部分および前記第3のループ部分は互いに実質的に同一平面上にありかつ互いに重複せず、前記第1のループ部分および第3のループ部分は前記コイルを形成するために接合される、第3のループ部分と
を含む、受信機コイル。
【請求項２】
請求項1に記載のコイルを含む、電力をワイヤレス受信するための装置。
【請求項３】
前記第1のループ部分、前記第2のループ部分、または前記第3のループ部分のうちの少なくとも1つが実質的に矩形の寸法を有する、請求項2に記載の装置。
【請求項４】
前記第2のループ部分の一部分の電流が、前記第3のループ部分の一部分の電流と反対方向である、請求項2に記載の装置。
【請求項５】
前記第3のループ部分の前記一部分の前記電流と反対方向の前記電流を有する、前記第2のループ部分の前記一部分は、前記第3のループ部分の最も近くに配置される部分を含む、請求項4に記載の装置。
【請求項６】
前記第2のループ部分および前記第3のループ部分が非対称の寸法を有するか、または前記第2のループ部分および前記第3のループ部分が実質的に共通の寸法を有しかつ互いに隣接して配置される、請求項1または2に記載の装置。
【請求項７】
前記第2のループ部分および前記第3のループ部分が前記第1のループ部分によって実質的に十分に囲まれるか、または前記コイルが前記第1のループ部分によって少なくとも部分的に囲まれた3つ以上のループ部分をさらに含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項８】
前記コイルが少なくとも3つの重複しないループ部分を有する単一巻きの前記導電性材料を含むか、または前記コイルが2つ以上のコイルを含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項９】
前記第1のループ部分および前記第2のループ部分が実質的に同一平面上にあるか、または前記第1のループ部分および前記第2のループ部分が異なる平面上に配置されるか、または前記第1のループ部分が第1の平面に配置され、前記第2のループ部分および前記第3のループ部分が、前記第1の平面とは異なる第2の平面上に配置される、請求項1または2に記載の装置。
【請求項１０】
前記コイルを含む共振回路をさらに含み、前記共振回路は前記磁場の動作周波数において共振するように構成され、前記コイルは前記磁場を介して電力を誘導的に受信するように構成される、請求項2に記載の装置。
【請求項１１】
前記コイルに結合され、かつ前記生成された電圧に少なくとも部分的に基づいて負荷に給電するか、または負荷を充電するように構成される受信回路をさらに含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項１２】
前記コイルは、前記コイルによって受信された最大電圧と最小電圧との比がしきい値を満たすように前記磁場を平均化するようにさらに構成され、任意に、前記比が1.5未満の値を含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項１３】
受信機コイルが、送信機によって生成されたワイヤレス場に位置するときに受信機コイルにおいてワイヤレス電力を受信し、かつ前記送信機によって生成された前記ワイヤレス場に応答して電流を生成する方法であって、
前記コイルにおいて、磁場を介して前記送信機からワイヤレス電力を受信するステップであって、前記コイルは、第1のループ部分と、第2のループ部分と、第3のループ部分とを含む、少なくとも3つのループ部分を有する導電性材料を含み、前記第2のループ部分および前記第3のループ部分は前記第1のループ部分によって少なくとも部分的に囲まれ、前記第2のループ部分および前記第3のループ部分は互いに実質的に同一平面上にあり、かつ重複せず、前記第1のループ部分、前記第2のループ部分、および第3のループ部分は前記コイルを形成するために接合される、ステップと、
前記受信された電力を負荷に提供するステップと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第2のループ部分の一部分の電流が前記第3のループ部分の一部分の電流と反対方向であり、任意に、前記第3のループ部分の前記一部分の前記電流と反対方向の前記電流を有する、前記第2のループ部分の前記一部分は、前記第3のループ部分の最も近くに配置される部分を含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記第1のループ部分および前記第2のループ部分が、実質的に同一平面上にあるか、または前記第1のループ部分および前記第2のループ部分が、異なる平面上に配置される、請求項13に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス充電を制御するための第1のエンティティによって動作可能な方法であって、
第1のエンティティの充電中に電磁誘導を介して第2のエンティティからワイヤレスで電流を受電するステップと、
前記電磁誘導によって誘導される受電電流の動作周波数を特定するステップと、
前記動作周波数と目標周波数の間の第1の誤差値を特定するステップと、
前記第1の誤差値が第1の許容範囲レベル以下であるのに応答して前記充電を継続することによって、かつ前記第1の誤差値が前記第1の許容範囲レベルより大きいのに応答して前記充電を中止することによって、比較に基づいて前記充電の動作を調整するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記動作周波数を特定するステップは、前記受電電流から測定波形を生成するステップを含み、前記測定波形は前記動作周波数を示す、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記充電の前記動作に対する調整に関する信号を前記第2のエンティティに与えるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記電流を受電するステップは、前記充電中に第1の電流を受電し、前記第2のエンティティによる前記第1のエンティティの位置合わせ中に第2の電流を受電するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
第1のエンティティと第2のエンティティとの間のワイヤレス充電を制御するための装置であって、
前記第1のエンティティの充電中に電磁誘導を介して前記第2のエンティティからワイヤレスで電流を受電するための手段と、
前記電磁誘導によって誘導される受電電流の動作周波数を特定するための手段と、
前記動作周波数と目標周波数の間の第1の誤差値を特定するための手段と、
比較に基づいて前記充電の動作を調整するための手段であって、前記調整するための手段は、前記第1の誤差値が第1の許容範囲レベル以下であるのに応答して前記充電を継続するための手段を備え、前記調整するための手段はさらに、前記第1の誤差値が前記第1の許容範囲レベルより大きいのに応答して前記充電を中止する手段を備える、調整するための手段とを備える、装置。
【請求項６】
受信するための前記手段は受電通信回路を含み、動作周波数を特定するための前記手段は周波数測定回路を含み、第1の誤差値を特定するための前記手段および前記充電の動作を調整するための前記手段は、コントローラを含む、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記動作周波数を特定するための手段は、前記受電電流から測定波形を生成するための手段を含み、前記測定波形は前記動作周波数を示す、請求項5または6に記載の装置。
【請求項８】
前記第1の許容範囲レベルは前記動作周波数と目標周波数との間の5%差を成す、請求項6に記載の装置。
【請求項９】
前記充電の前記動作に対する調整に関する信号を前記第2のエンティティに与えるための手段をさらに含む、請求項5または6に記載の装置。
【請求項１０】
前記信号は、前記充電の前記動作に関連付けられる障害条件を示す、請求項9に記載の装置。
【請求項１１】
前記電流を受電するための手段は、前記充電中に第1の電流を受電するための手段と、前記第2のエンティティによる前記第1のエンティティの位置合わせ中に第2の電流を受電するための手段を含む、請求項5または6に記載の装置。
【請求項１２】
前記動作周波数を特定するための前記手段は、
前記第1の電流から第1の測定波形を生成するための手段であって、前記第1の測定波形は前記第1の電流の第1の動作周波数を示す、生成するための手段と、
前記第2の電流から第2の測定波形を生成するための手段であって、前記第2の測定波形は前記第2の電流の第2の動作周波数を示す、生成するための手段とを備える、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記第1の動作周波数と前記第2の動作周波数との間の第2の誤差値を特定するために前記第1の動作周波数と前記第2の動作周波数とを比較するための手段と、
前記第2の誤差値に少なくとも部分的に基づいて前記充電を継続するか否かを判断するための手段とをさらに含む、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
前記第2の誤差値に少なくとも部分的に基づいて前記充電を継続するか否かを判断するための前記手段は、
前記第2の誤差値が前記第1の動作周波数と前記第2の動作周波数との間の差に関する第2の許容範囲レベル以下であるのに応答して、前記充電を継続するための手段と、
前記第2の誤差値が前記第2の許容範囲レベルより大きいのに応答して前記充電を中止するための手段とを含む、請求項13に記載の装置。
【請求項１５】
前記第1のエンティティは誘導性給電(IPT)受電器を含み、前記第2のエンティティはIPT送電器を含む、または
前記第1のエンティティは誘導性給電(IPT)送電器を含み、前記第2のエンティティはIPT受電器を含む、請求項6に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記更なる交差コネクタ(１２)用の少なくとも１つの接続を備えた信号処理モジュール(１１)を備え、該接続は警報及び/又は制御信号接続(１３)を備え、該接続(１３)上でデータバスを介して変換された警報及び/又は制御信号が復号形式で利用可能である、請求項８に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞培養培地における使用のためのポロキサマーを調製する方法であって：
（ａ）固体ポロキサマーを少なくとも６０℃に加熱して液体ポロキサマーを形成するステップであって、
ａ１）ステップ（ａ）においてポロキサマーが、１５７℃と１８５℃との間に、少なくとも１分間加熱される；または
ａ２）ポロキサマーが、１３４℃と１５７℃との間に、少なくとも１分間加熱される；または
ａ３）ポロキサマーが、１２０℃と１３４℃との間に、少なくとも６２分間加熱される；または
ａ４）ポロキサマーが、１００℃と１２０℃との間に、少なくとも９８分間加熱される；または
ａ５）ポロキサマーが、８０℃と１００℃との間に、少なくとも１２２分間加熱される；または
ａ６）ポロキサマーが、６０℃と８０℃との間に、少なくとも１４３分間加熱される
ステップと、
（ｂ）該液体ポロキサマーを５０℃未満の温度に冷却して、固体の熱処理されたポロキサマーを形成するステップと
を含み、該冷却が、プリル化またはミリング装置において行われず、該ポロキサマーが、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのコポリマーを含み、
熱処理されたポロキサマーを含む細胞培養培地における細胞生存率が、ステップ（ａ）の前のポロキサマーを含む細胞培養培地における細胞生存率と比較して少なくとも１０％増加する、方法。
【請求項２】
ａ１）ポロキサマーが、１５７℃と１８５℃との間に、１分と２５０分との間で加熱される；または
ａ２）ポロキサマーが、１３４℃と１５７℃との間に、１分と２５０分との間で加熱される；または
ａ３）ポロキサマーが、１２０℃と１３４℃との間に、６２分と２５０分との間で加熱される；または
ａ４）ポロキサマーが、１００℃と１２０℃との間に、９８分と２５０分との間で加熱される；または
ａ５）ポロキサマーが、８０℃と１００℃との間に、１２２分と２５０分との間で加熱される；または
ａ６）ポロキサマーが、６０℃と８０℃との間に、１４３分と２５０分との間で加熱される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
細胞生存率が、少なくとも２０％増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
細胞生存率が、少なくとも３０％増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ａ）の前のポロキサマーを含む細胞培養培地における細胞生存率が、３時間の細胞培養後、８０％未満である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｂ）における液体ポロキサマーが、周囲温度、２℃〜８℃、または０℃未満で冷却される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ポロキサマーが、真空下で加熱される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
液体ポロキサマーが、少なくとも２０分間冷却される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）において生成した熱処理されたポロキサマーが、細胞培養培地に添加される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ａ）及び（ｂ）が、熱処理されたポロキサマーを前記細胞培養培地に添加する前に少なくとも１回繰り返される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ポロキサマーが、ステップ（ａ）の前にプリル化プロセスによって処理されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ポロキサマーが、
ａ）ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＨの式：式中、ｎが６０〜１５０であり、ｍが２５〜６０である；を有する；および／または、
ｂ）約５５℃の溶融温度を有する；および／または、
ｃ）６，０００〜１８，０００ダルトンの平均分子量を有する；および／または、
ｄ）ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｍ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎＨの式：ｎが８０の値を有し、ｍが２７の値を有する；を有するコポリマーを含み、該ポロキサマーが、７６８０〜９５１０ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有する；および／または、
ｅ）ポロキサマー１８８である、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
細胞が、
ａ）哺乳動物細胞である；および／または
ｂ）チャイニーズハムスター卵巣（ＣＨＯ）細胞である；および／または
ｃ）昆虫細胞である、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
細胞が、ポリペプチドを産生する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ポリペプチドが、抗体またはその抗原結合フラグメントである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月30日(2018.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
半導体基板と、
超音波トランスデューサであって、
前記ＣＭＯＳウェーハの第１金属化層の部分的除去により作成された空洞、
前記空洞と前記半導体基板との間に配された電極、及び
前記ＣＭＯＳウェーハの誘電層と第２金属化層とを備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配されるようにする音響膜を備える超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路とを備え、
前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記超音波トランスデューサの第１電極であり、前記超音波トランスデューサはさらに、前記第１電極と反対側に配される第２電極を備え、前記第２電極は、前記空洞と前記第２金属化層との間の前記音響膜内に配される、
ＣＭＯＳウェーハ。
【請求項２】
前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記部分的に除去された第１金属化層のライナ層を備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項３】
前記音響膜は、１つ以上の導電性ビアを備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項４】
前記音響膜の前記１つ以上の導電性ビアのうちの少なくとも１つは、前記第２電極に電気的に接続される、請求項３に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項５】
前記音響膜の少なくとも一部を通って前記空洞まで通過する少なくとも１つの充填アクセス穴をさらに備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項６】
前記超音波トランスデューサを含む複数の超音波トランスデューサを備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項７】
前記第２金属化層は、前記音響膜の前記誘電層に組み込まれる、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項８】
前記音響膜を通過しないよう配置される少なくとも１つの穴をさらに備える、請求項１に記載のＣＭＯＳウェーハ。
【請求項９】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
半導体基板と、
超音波トランスデューサであって、
前記ＣＭＯＳウェーハの第１金属化層の部分的な除去により作成された空洞、
前記空洞と前記半導体基板との間に配された電極、及び
前記ＣＭＯＳウェーハの誘電層と第２金属化層とを備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配されるようにする音響膜を備える超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路とを備え、
前記空洞と前記半導体基板との間に配された前記電極は、前記超音波トランスデューサの底部電極であり、前記超音波トランスデューサはさらに、前記空洞と前記第２金属化層との間の前記音響膜内に配された上部電極を備え、前記空洞が前記底部電極と前記上部電極との間に配されるようにし、前記底部電極及び前記上部電極は、前記部分的に除去された第１金属化層のライナ層を備える、
ＣＭＯＳウェーハ。
【請求項１０】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハであって、
半導体基板と、
第１金属化層と、
前記第１金属化層内に形成された空洞と、前記空洞と前記半導体基板との間に配され、かつ前記第１金属化層の第１部分を備える第１電極と、を備えた超音波トランスデューサと、
誘電層、第２電極、及び第２金属化層を備えた音響膜であって、前記空洞が前記半導体基板と前記音響膜との間に配され、前記第２電極が、前記第１金属化層の第２部分を備え、かつ前記空洞と前記第２金属化層との間に配される、音響膜と、
前記超音波トランスデューサと連結され、前記超音波トランスデューサの動作を制御するように構成された、前記半導体基板内の集積回路と、を備える
ＣＭＯＳウェーハ。
【請求項１１】
前記第１金属化層は、前記基板の周辺領域において電気信号を送信するように構成された、請求項１０に記載の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハ。
【請求項１２】
前記第１金属化層には、複数の空洞が形成され、各空洞は、異なる超音波トランスデューサに対応する、請求項１０に記載の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
喫煙物品であって、
たばこロッドと、
前記たばこロッドに接続されたフィルターであって、前記フィルターが、
第一のフィルターセグメントと、
前記第一のフィルターセグメントの下流にある中空管セグメントとを含み、前記中空管セグメントが、前記フィルターの前記口側の端でくぼみを画定し、前記第一のフィルターセグメントの前記下流端から前記フィルターの前記口側の端へと延びる非制限的な流路を提供するものとを備え、
前記中空管セグメントの長さが、フィルター全長の少なくとも約２５パーセントであり、かつ約５０パーセント未満であり、また前記喫煙物品が前記中空管セグメントに沿った位置にある前記くぼみと連通している換気帯域を含み、
前記換気帯域が前記フィルターの前記口側の端から約１０ｍｍから約１５ｍｍ上流に位置する、喫煙物品。
【請求項２】
前記中空のセグメントの長さが約２５ｍｍ未満である請求項１に記載の喫煙物品。
【請求項３】
前記中空のセグメントの長さが少なくとも約１０ｍｍである、請求項１〜２のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項４】
前記換気帯域が前記第一のフィルターセグメントの前記下流端から少なくとも約１ｍｍ下流に位置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項５】
前記換気帯域が前記中空管セグメントを通して提供された少なくとも一つの周辺の列の穿孔を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項６】
前記少なくとも一つの周辺の列の穿孔が８〜３０個の穿孔を含む、請求項５に記載の喫煙物品。
【請求項７】
前記中空管セグメントの厚さが、約９０マイクロメートル〜約１４０マイクロメートルである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項８】
前記中空管セグメントの厚さが、約１００マイクロメートル〜約１３０マイクロメートルである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項９】
前記中空管セグメントが複数の重なり合った紙層から形成される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項１０】
前記中空管セグメントが複数のらせん状に巻かれた紙層から形成される、請求項９に記載の喫煙物品。
【請求項１１】
前記中空管セグメントの隣接した紙層が、接着剤の中間層によって一つに接着されている、請求項９または１０に記載の喫煙物品。
【請求項１２】
前記フィルターの５０パーセント変形後の前記中空管セグメントの楕円率と、前記フィルターの変形前の前記中空管セグメントの楕円率との間の差が２５パーセント未満である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【請求項１３】
前記フィルターの５０パーセント変形後の前記中空管セグメントの前記楕円率が２５パーセント未満である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の喫煙物品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月17日(2018.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
Ｄ−グルコースからのアセチルリン酸の生成のための、請求項９で定義される生物または微生物の使用であって、前記生物または微生物が
（ｉｉｉ）フルクトース−グルコースイソメラーゼ
をさらに発現する、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月1日(2018.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
造血幹／前駆細胞を増殖させる方法であって、
（ａ）（ｉ）Ｎｏｔｃｈ１の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニスト、
（ｉｉ）Ｎｏｔｃｈ２の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニスト、または
（ｉｉｉ）Ｎｏｔｃｈ１の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストと、Ｎｏｔｃｈ２の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストを含む、
１つ以上のＮｏｔｃｈアゴニスト；および
（ｂ）増殖因子
の存在下に造血幹／前駆細胞を培養し、それにより増殖した造血幹／前駆細胞集団を産生することを含む、方法。
【請求項２】
培養工程前および／または培養工程中に、造血幹／前駆細胞によるＮｏｔｃｈ１および／またはＮｏｔｃｈ２発現を検出する工程をさらに含み、
Ｎｏｔｃｈ１が該検出工程において検出される場合には、培養工程においてＮｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストが使用され、および／または
Ｎｏｔｃｈ２が該検出工程において検出される場合には、培養工程においてＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストが使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
培養することが、（ａ）（ｉ）Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニスト、（ｉｉ）Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニスト、または（ｉｉｉ）Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストとＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニスト、ならびに
（ｂ）増殖因子
の存在下で培養していない造血幹／前駆細胞が増殖を停止し、分化または死滅する期間を過ぎて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
培養することが、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストとＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストの存在下で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
培養することが、（ｉ）Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストではなくＮｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニスト、または（ｉｉ）Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストではなくＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストの存在下で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
造血幹／前駆細胞が臍帯血から得られた、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
培養中、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストが０．１μｇ／ｍｌから５０μｇ／ｍｌの濃度である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
培養中、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストが０．００５μｇ／ｍｌから３０μｇ／ｍｌの濃度である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
増殖因子が、インターロイキン−３（ＩＬ−３）、インターロイキン−６（ＩＬ−６）、トロンボポエチン（ＴＰＯ）、幹細胞因子（ＳＣＦ）およびＦｌｔ−３リガンドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
培養の期間が７日から６週間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストおよび／またはＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストが第一の固相上に固定化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストが、第一の固相上に固定化され、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストが第二の固相上に固定化されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第一の固相が、組織培養ディッシュまたは組織培養フラスコまたはビーズの表面である、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
（ｉ）第一の固相が組織培養ディッシュまたは組織培養フラスコの表面であり、第二の固相がビーズである、または
（ｉｉ）第一の固相がビーズであり、第二の固相が組織培養ディッシュまたは組織培養フラスコである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
造血幹／前駆細胞が、
（ｉ）造血幹細胞、
（ｉｉ）造血前駆細胞、または
（ｉｉｉ）造血幹細胞と前駆細胞
である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
胸腺に移動し、成熟Ｔ細胞を生じさせ得る、初期Ｔ細胞幹／前駆細胞をさらに産生する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
造血幹／前駆細胞を増殖させる方法であって、
（ａ）（ｉ）Ｎｏｔｃｈ１の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合し、Ｎｏｔｃｈ１を活性化する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニスト、
（ｉｉ）Ｎｏｔｃｈ２の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合し、Ｎｏｔｃｈ２を活性化する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニスト、または
（ｉｉｉ）Ｎｏｔｃｈ１の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合し、Ｎｏｔｃｈ１を活性化する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストと、Ｎｏｔｃｈ２の細胞外ＥＧＦリピートドメインに特異的に結合し、Ｎｏｔｃｈ２を活性化する抗体またはその抗原結合断片である、Ｎｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストを含む、
１つ以上のＮｏｔｃｈアゴニスト；および
（ｂ）増殖因子
の存在下で造血幹／前駆細胞を培養することを含み、ここで、Ｎｏｔｃｈ１の活性化および／またはＮｏｔｃｈ２の活性化が、Ｎｏｔｃｈリガンドの内因性発現によって起こるシス阻害を克服し、
それにより増殖した造血幹／前駆細胞集団を産生する、方法。
【請求項１８】
Ｎｏｔｃｈ１パラログ特異的アゴニストおよび／またはＮｏｔｃｈ２パラログ特異的アゴニストの抗原結合断片が、Ｆｖ、Ｆａｂ、Ｆａｂ’、Ｆ（ａｂ’）２または一本鎖Ｆｖ断片（ｓｃＦｖ）から選択される、請求項１または１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月19日(2018.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークエンティティによるワイヤレス通信の方法であって、
複数の物理ランダムアクセスチャネル(PRACH)周波数オフセットの各々に対してエネルギーレベルを決定するステップと、
前記決定されたエネルギーレベルに少なくとも基づいて前記複数のPRACH周波数オフセットからPRACH周波数オフセットを選択するステップと、
前記選択されたPRACH周波数オフセットに対して利用可能な複数の物理セル識別子(PCI)を決定するステップと、
利用可能な前記複数のPCIからPCIを選択するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記決定されたエネルギーレベルによって前記複数のPRACH周波数オフセットをランク付けするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記PRACH周波数オフセットを選択するステップが、最も低いエネルギーレベルのPRACH周波数オフセットを選択するステップを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記PCIを選択するステップが、少なくとも1つの近隣セルのためのルートシーケンスインデックスのどれが占有されているかを決定するステップに少なくとも基づいている、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記ルートシーケンスインデックスのどれかを決定するステップが、前記選択されたPRACH周波数オフセットに対して少なくとも1つのランダムアクセスチャネルプリアンブルを検出するステップを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
別のネットワークエンティティから少なくとも1つの近隣アクセスポイントのためのPCI情報を受信するステップをさらに含み、前記PCIを選択するステップが、前記PCI情報に少なくとも基づいている、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のPRACH周波数オフセットの各々に対して前記エネルギーレベルを、一定の間隔で監視するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のPRACH周波数オフセットの各々に対して前記監視されたエネルギーレベルに少なくとも基づいて前記PRACH周波数オフセットを再選択するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記ネットワークエンティティがアクセスポイントである、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
複数の物理ランダムアクセスチャネル(PRACH)周波数オフセットの各々に対してエネルギーレベルを決定するための手段と、
前記決定されたエネルギーレベルに少なくとも基づいて前記複数のPRACH周波数オフセットからPRACH周波数オフセットを選択するための手段と、
前記選択されたPRACH周波数オフセットに対して利用可能な複数の物理セル識別子(PCI)を決定するための手段と、
利用可能な前記複数のPCIからPCIを選択するための手段と
を含む、ワイヤレス通信装置。
【請求項１１】
前記決定されたエネルギーレベルによって前記複数のPRACH周波数オフセットをランク付けするための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
前記PRACH周波数オフセットを選択するための手段が、最も低いエネルギーレベルのPRACH周波数オフセットを選択するための手段を含む、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記PCIを選択するための手段が、少なくとも1つの近隣セルのためのルートシーケンスインデックスのどれが占有されているかを決定するための手段に少なくとも基づいている、請求項10に記載の装置。
【請求項１４】
前記ルートシーケンスインデックスのどれかを決定するための手段が、前記選択されたPRACH周波数オフセットに対して少なくとも1つのランダムアクセスチャネルプリアンブルを検出するための手段を含む、請求項13に記載の装置。
【請求項１５】
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法のステップをコンピュータに実行させるための命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続状態にあるアクティブ通信中のプロセッサの電力使用量および処理レートのうちの１つまたは複数に関係する１つまたは複数のネットワークパラメータを識別することと、
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関するトリガイベントを識別することと、ここにおいて、前記トリガイベントは、指定されたビット数よりも大きい平均転送ブロックサイズを備える、
前記トリガイベントが発生するとき、前記接続状態にある前記プロセッサの性能を調整することと、ここにおいて、前記プロセッサの前記性能の前記調整は、前記プロセッサに通常電力モードに入らせる、
を備え、
ここにおいて、前記プロセッサの性能を前記調整することは、前記プロセッサ内の特定のレールに関する電圧レベルおよびクロックレートのうちの１つまたは複数を調整することをさらに備える、
電力最適化のための方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関する前記トリガイベントは、前記プロセッサが前記接続状態にある間に構成可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関する前記トリガイベントは、前記プロセッサが前記接続状態にある前に事前にプログラムされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関する前記トリガイベントは、前記プロセッサが電力状態変更の準備ができていることを示すイベントである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワークパラメータは、アップリンクまたはダウンリンク許可の周期性、使用されるリソースブロックの数、変調およびコーディング方式情報、信号対雑音比、ドップラー情報、送信モード、２次セルステータス、およびハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）ステータスのうちの１つまたは複数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ネットワークパラメータは、信号の送信モード構成、静的構成パラメータ、チャネル状態パラメータ、およびトラフィックパターンパラメータのうちの１つまたは複数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
監視されている前記チャネル状態パラメータは、信号中で使用される変調コーディング方式（ＭＣＳ）のチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）報告である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
接続状態にあるアクティブ通信中のプロセッサの電力使用量および処理レートのうちの１つまたは複数に関係する１つまたは複数のネットワークパラメータを識別するための手段と、
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関するトリガイベントを識別するための手段と、ここにおいて、前記トリガイベントは、指定されたビット数よりも大きい平均転送ブロックサイズを備える、
前記トリガイベントが発生するとき、前記接続状態にある前記プロセッサの性能を調整するための手段と、ここにおいて、前記プロセッサの性能を調整するための前記手段は、前記プロセッサに通常電力モードに入らせるように動作可能である、
を備え、
ここにおいて、前記プロセッサの性能を調整するための前記手段は、前記プロセッサ内の特定のレールに関する電圧レベルおよびクロックレートのうちの１つまたは複数を調整するための手段をさらに備える、
電力最適化のための装置。
【請求項９】
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関する前記トリガイベントは、前記プロセッサが前記接続状態にある間に構成可能である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のネットワークパラメータに関する前記トリガイベントは、前記プロセッサが前記接続状態にある前に事前にプログラムされる、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記ネットワークパラメータは、アップリンクまたはダウンリンク許可の周期性、使用されるリソースブロックの数、変調およびコーディング方式情報、信号対雑音比、ドップラー情報、送信モード、２次セルステータス、およびハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）ステータスのうちの１つまたは複数を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記ネットワークパラメータは、信号の送信モード構成、静的構成パラメータ、チャネル状態パラメータ、およびトラフィックパターンパラメータのうちの１つまたは複数を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
監視されている前記チャネル状態パラメータは、信号中で使用される変調コーディング方式（ＭＣＳ）のチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）報告である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
コンピュータ上で実行されるとき、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法を行うための命令を備える、コンピュータプログラム。