【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光加熱によって細径結晶ファイバを成長させるための装置であって、
溶融原料物質の溶融ゾーンを形成するために原料物質を加熱するための光エネルギー源と、
前記溶融ゾーンから規定の並進軸に沿って成長中の結晶ファイバを引き出すための上部ファイバガイドであって、これにより、さらに、前記結晶ファイバに結合される非結晶溶融原料物質を、その溶融原料物質が冷却、結晶化して、前記成長中の結晶ファイバに付加され得るように前記溶融ゾーンから引き出すための上部ファイバガイドと、
追加の原料物質を規定の並進軸に沿って前記溶融ゾーンに向けて押し進めるための下部フィードガイドと、を備え、
前記光エネルギー源から放出される光エネルギーの経路内に前記原料物質を水平方向に位置決めするように、前記下部フィードガイドの並進軸と前記上部ファイバガイドの並進軸は、垂直方向かつ軸方向に略位置合わせされている、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記原料物質は、約５μｍの水平公差の範囲内で前記光エネルギーの経路内に水平方向に位置決めされる、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、前記上部ファイバガイドは、前記下部フィードガイドが前記原料物質を前記溶融ゾーンに向けて押し進めるように構成されている並進レートよりも高い並進レートで、前記結晶ファイバを前記溶融ゾーンから引き出すように構成されている、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、前記上部ファイバガイドが前記結晶ファイバを引き出すように構成される前記並進レートは、前記下部フィードガイドが前記原料物質を押し進めるように構成される前記並進レートの約４〜９倍の間である、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
直径制御フィードバックシステムをさらに備え、前記直径制御フィードバックシステムは、
前記成長中の結晶ファイバの直径を測定するように構成されたファイバ径測定モジュールと、
前記成長中の結晶ファイバの直径を略一定に維持するように、前記ファイバ径測定モジュールから受信する信号に応じて、前記下部フィードガイドが前記原料物質を押し進める並進レートを調整するように構成されたコントローラと、を有する、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、前記ファイバ径測定モジュールは、
前記成長中の結晶ファイバにレーザ光を照射するように構成されたプローブレーザと、
前記レーザ光と前記成長中の結晶ファイバとの相互作用によって生じる１つ以上の干渉縞を測定するように構成された光検出器と、を含む、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、前記下部フィードガイドは、
それに沿って前記下部フィードガイドが前記原料物質を前記溶融ゾーンに向けて押し進める前記並進軸を規定する内部を有する下部案内管を含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、前記下部案内管は、約１５０μｍ以下の内径を有する、装置。
【請求項９】
請求項７に記載の装置であって、前記下部フィードガイドは、
溝を有する案内ブロックと、
送りベルトと、をさらに含み、
前記下部フィードガイドは、前記原料物質を前記案内ブロックの前記溝に当てて前記下部案内管の前記内部に入って通り抜けるように移送する前記送りベルトを前進させることにより、前記原料物質を前記溶融ゾーンに向けて押し進めるように構成されている、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、前記案内ブロックは、Ｔｅｆｌｏｎを含む、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、前記上部ファイバガイドは、
それに沿って前記上部ファイバガイドが前記成長中の結晶ファイバを前記溶融ゾーンから引き出す前記並進軸を規定する内部を有する上部案内管を含む、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、前記上部案内管は、約１ｍｍ以下の内径を有する、装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の装置であって、前記上部ファイバガイドは、
前記溶融ゾーンから引き出されるときの前記結晶ファイバに対して、その水平位置をさらに安定させるために両側方から水平圧力を作用させるように構成された一対の案内パッドと、
回転することで、前記溶融ゾーンから前記一対の案内パッドを通して前記結晶ファイバを引き出すように構成された巻取りドラムと、をさらに含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、前記案内パッドは、滑らかな材料でコーティングされた圧縮性材料を含む、装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、前記圧縮性材料は発泡体であり、前記滑らかな材料はポリマ材料の薄層である、装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の装置であって、前記巻取りドラムは、前記結晶ファイバを前記ドラムの本体に巻き付けることにより、前記結晶ファイバを引き出すように構成されている、装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載の装置であって、前記巻取りドラムは、前記結晶ファイバに装着された線材を前記ドラムの本体に巻き付けることにより、前記結晶ファイバを引き出すように構成されている、装置。
【請求項１８】
光加熱によって細径結晶ファイバを成長させる方法であって、
溶融原料物質の溶融ゾーンを形成するために原料物質を光エネルギーで加熱することと、
前記溶融ゾーンからファイバガイドで規定される並進軸に沿って成長中の結晶ファイバを引き出すことと、これにより、さらに、前記結晶ファイバに結合される非結晶溶融原料物質を、その溶融原料物質が冷却、結晶化して、前記成長中の結晶ファイバに付加され得るように前記溶融ゾーンから引き出すことと、
追加の原料物質をフィードガイドで規定される並進軸に沿って前記溶融ゾーンに向けて押し進めることと、を含み、
約５μｍの水平公差の範囲内で前記光エネルギーの経路内に前記原料物質を水平方向に位置決めするように、前記フィードガイドで規定される前記並進軸と前記ファイバガイドで規定される前記並進軸を、垂直方向かつ軸方向に略位置合わせする、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記原料物質を前記溶融ゾーンに向けて押し進める並進レートよりも高い並進レートで、前記結晶ファイバを前記溶融ゾーンから引き出す、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記結晶ファイバを引き出す前記並進レートは、前記原料物質を押し進める前記並進レートの２〜２５倍の間である、方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法であって、
前記成長中の結晶ファイバの直径を測定することと、
前記成長中の結晶ファイバの直径を略一定に維持するように、前記フィードガイドが前記原料物質を押し進める並進レートを調整することと、をさらに含む、方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法であって、前記溶融ゾーンに向けて押し進められる前記原料物質は、多結晶材料のロッドである、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、前記原料物質は、ドープ多結晶ＹＡＧである、方法。
【請求項２４】
請求項１８に記載の方法であって、前記溶融ゾーンに向けて押し進められる前記原料物質は、前の光加熱オペレーションで成長させた結晶ファイバである、方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、前記成長させた結晶ファイバの直径は、原料結晶ファイバの直径よりも約１．５〜５倍小さい、方法。
【請求項２６】
請求項１８に記載の方法であって、前記成長させる結晶ファイバの直径は４０μｍ以下であり、その長さは３０ｃｍ以上である、方法。
【請求項２７】
請求項１８に記載の方法であって、成長させるときの前記結晶ファイバの長さの一部分にわたって、並進引き出し対並進押し出しの比率を、線引き結晶ファイバ１ｃｍ当たり約０．１％〜１０％のレートで変化させることをさらに含む、方法。
【請求項２８】
レーザ溶融オペレーションによって成長させた、４０μｍ以下の直径および３０ｃｍ以上の長さを有する結晶ファイバ。
【請求項２９】
請求項２８に記載の結晶ファイバであって、ドープ結晶ＹＡＧを含む結晶ファイバ。