【手続補正書】
【提出日】平成30年6月6日(2018.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサコンポーネントであって、
センサ表面を含むセンサと、
前記センサと連動し、かつ前記センサ表面を露出させる、反応部位であって、前記反応部位は、反応部位表面を含む、反応部位と、
前記反応部位表面または前記センサ表面に結合する表面活性剤であって、前記表面活性剤は、前記センサ表面と反応する表面活性官能基を含み、かつ遠位官能性を含み、前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、多座配位性ホスフェートもしくはホスホネート、ポリホスフェート／ホスホネート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含み、前記遠位官能性はアミンを含む、表面活性剤と、を備える、センサコンポーネント。
【請求項２】
前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記アミンは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、請求項１または請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
前記表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項６】
前記表面活性剤は、第四級アミノホスホン酸の塩素もしくは臭素塩、メチルアンモニウムホスホン酸、エチルアンモニウムホスホン酸、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物、（６−ヘキシルホスホン酸）イミダゾリウム、ピリジンアルキルホスホン酸、（１−アミノ−１−フェニルメチル）ホスホン酸、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項７】
前記表面活性剤は、イミダゾールホスホン酸を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項８】
前記表面活性剤は、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項９】
前記表面活性剤は、官能化アミノビス（アルキルホスホン酸）を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記表面活性剤は、ビスホスホン酸または多座配位性ホスホン酸を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記表面活性剤は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、テトラメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１０のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記表面活性剤は、単一層で結合する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１３】
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１４】
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、請求項１３に記載のセンサ。
【請求項１５】
前記センサは、センサアレイの一部であり、前記反応部位は、前記センサアレイに動作可能に連結されたウェルアレイのウェルである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１６】
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１８】
センサコンポーネントを処理する方法であって、
センサコンポーネントを洗浄することであって、前記センサコンポーネントは、反応部位と連動するセンサを含み、前記センサはセンサ表面を含み、前記反応部位は反応部位表面を含む、洗浄することと、
表面活性剤をウエハに塗布することであって、前記表面活性剤は、前記センサ表面と反応する表面活性官能基を含み、かつ遠位官能性を含み、前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、多座配位性ホスフェートもしくはホスホネート、ポリホスフェート／ホスホネート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含み、前記遠位官能性はアミンを含む、適用することと、を含む、方法。
【請求項１９】
前記表面活性剤を塗布した後に、前記センサコンポーネントをアルコールで洗浄することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記アミンは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、請求項１８または請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記表面活性剤は、第四級アミノホスホン酸の塩素もしくは臭素塩、メチルアンモニウムホスホン酸、エチルアンモニウムホスホン酸、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物、（６−ヘキシルホスホン酸）イミダゾリウム、ピリジンアルキルホスホン酸、（１−アミノ−１−フェニルメチル）ホスホン酸、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記表面活性剤は、イミダゾールホスホン酸を含む、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記表面活性剤は、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物を含む、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記表面活性剤は、官能化アミノビス（アルキルホスホン酸）を含む、請求項１８〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
前記表面活性剤は、ビスホスホン酸または多座配位性ホスホン酸を含む、請求項１８〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
前記表面活性剤は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、テトラメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記表面活性剤は、単一層で結合する、請求項１８〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、請求項１８〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、請求項１８〜３２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、請求項１８〜３３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特定の実施例では、センサコンポーネントには、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に基づくセンサのアレイと、対応する反応部位のアレイ、例えば、ウェルが含まれる。１つ以上の表面活性剤が、ＦＥＴに基づくセンサのアレイまたはウェルの表面に配置され得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
センサコンポーネントであって、
センサ表面を含むセンサと、
前記センサと連動し、かつ前記センサ表面を露出させる、反応部位であって、前記反応部位は、反応部位表面を含む、反応部位と、
前記反応部位表面または前記センサ表面に結合する表面活性剤であって、前記表面活性剤は、前記センサ表面と反応する表面活性官能基を含み、かつ遠位官能性を含み、前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、多座配位性ホスフェートもしくはホスホネート、ポリホスフェート／ホスホネート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含み、前記遠位官能性はアミンを含む、表面活性剤と、を備える、センサコンポーネント。
（項目２）
前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目１に記載のセンサ。
（項目３）
前記アミンは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目１または項目２に記載のセンサ。
（項目４）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目３に記載のセンサ。
（項目５）
前記表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目１〜４のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６）
前記表面活性剤は、第四級アミノホスホン酸の塩素もしくは臭素塩、メチルアンモニウムホスホン酸、エチルアンモニウムホスホン酸、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物、（６−ヘキシルホスホン酸）イミダゾリウム、ピリジンアルキルホスホン酸、（１−アミノ−１−フェニルメチル）ホスホン酸、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目１〜５のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目７）
前記表面活性剤は、イミダゾールホスホン酸を含む、項目１〜６のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目８）
前記表面活性剤は、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物を含む、項目１〜７のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目９）
前記表面活性剤は、官能化アミノビス（アルキルホスホン酸）を含む、項目１〜８のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１０）
前記表面活性剤は、ビスホスホン酸または多座配位性ホスホン酸を含む、項目１〜９のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１１）
前記表面活性剤は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、テトラメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目１０のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１２）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目１〜１１のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１３）
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、項目１〜１２のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１４）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目１３に記載のセンサ。
（項目１５）
前記センサは、センサアレイの一部であり、前記反応部位は、前記センサアレイに動作可能に連結されたウェルアレイのウェルである、項目１〜１４のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１６）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目１〜１５のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１７）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目１〜１６のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目１８）
センサコンポーネントを処理する方法であって、
センサコンポーネントを洗浄することであって、前記センサコンポーネントは、反応部位と連動するセンサを含み、前記センサはセンサ表面を含み、前記反応部位は反応部位表面を含む、洗浄することと、
表面活性剤をウエハに塗布することであって、前記表面活性剤は、前記センサ表面と反応する表面活性官能基を含み、かつ遠位官能性を含み、前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、多座配位性ホスフェートもしくはホスホネート、ポリホスフェート／ホスホネート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含み、前記遠位官能性はアミンを含む、適用することと、を含む、方法。
（項目１９）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記センサコンポーネントをアルコールで洗浄することをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記アミンは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目１８または項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目１８〜２１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３）
前記表面活性剤は、第四級アミノホスホン酸の塩素もしくは臭素塩、メチルアンモニウムホスホン酸、エチルアンモニウムホスホン酸、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物、（６−ヘキシルホスホン酸）イミダゾリウム、ピリジンアルキルホスホン酸、（１−アミノ−１−フェニルメチル）ホスホン酸、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目１８〜２２のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４）
前記表面活性剤は、イミダゾールホスホン酸を含む、項目１８〜２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
前記表面活性剤は、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物を含む、項目１８〜２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２６）
前記表面活性剤は、官能化アミノビス（アルキルホスホン酸）を含む、項目１８〜２５のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７）
前記表面活性剤は、ビスホスホン酸または多座配位性ホスホン酸を含む、項目１８〜２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８）
前記表面活性剤は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、テトラメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、項目１８〜２８のいずれか１項に記載の方法。
（項目３０）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目１８〜２９のいずれか１項に記載の方法。
（項目３１）
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、項目１８〜３０のいずれか１項に記載の方法。
（項目３２）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目１８〜３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目１８〜３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５）
センサコンポーネントを形成する方法であって、
ウエハを酸素プラズマで処理することであって、前記ウエハは、複数のダイを含み、前記複数のダイのそれぞれのダイは、センサアレイ及び前記センサアレイと連動する反応部位アレイを含む、処理することと、
表面活性剤を前記ウエハに塗布することであって、前記表面活性剤は、前記センサ表面と反応する表面活性官能基を含み、かつ遠位官能性を含み、前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、多座配位性ホスフェートもしくはホスホネート、ポリホスフェート／ホスホネート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含み、前記遠位官能性はアミンを含む、塗布することと、を含む、方法。
（項目３６）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記ウエハをアニーリングすることをさらに含む、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記ウエハを複数のダイに切り離すことをさらに含む、項目３５または項目３６に記載の方法。
（項目３８）
前記複数のダイの１つのダイをパッケージングすることをさらに含む、項目３７に記載の方法。
（項目３９）
前記アミンは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目３５〜３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目３９に記載の方法。
（項目４１）
前表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目３５〜４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目４２）
前記表面活性剤は、第四級アミノホスホン酸の塩素もしくは臭素塩、メチルアンモニウムホスホン酸、エチルアンモニウムホスホン酸、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物、（６−ヘキシルホスホン酸）イミダゾリウム、ピリジンアルキルホスホン酸、（１−アミノ−１−フェニルメチル）ホスホン酸、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目３５〜４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４３）
前記表面活性剤は、イミダゾールホスホン酸を含む、項目３５〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記表面活性剤は、（１２−ドデシルホスホン酸）メチルトリアゾリウム臭化物を含む、項目３５〜４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
前記表面活性剤は、官能化アミノビス（アルキルホスホン酸）を含む、項目３５〜４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記表面活性剤は、ビスホスホン酸または多座配位性ホスホン酸を含む、項目３５〜４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目４７）
前記表面活性剤は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、テトラメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目４６に記載の方法。
（項目４８）
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、項目３５〜４７のいずれか１項に記載の方法。
（項目４９）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目３５〜４８のいずれか１項に記載の方法。
（項目５０）
前記センサアレイのセンサは、電界効果トランジスタを含む、項目３５〜４９のいずれか１項に記載の方法。
（項目５１）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目３５〜５１のいずれか１項に記載の方法。
（項目５３）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目３５〜５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目５４）
センサコンポーネントであって、
センサ表面を含むセンサと、
前記センサと連動し、かつ前記センサ表面を露出させる、反応部位であって、前記反応部位は、反応部位表面を含む、反応部位と、
前記反応部位表面または前記センサ表面に結合する表面活性剤であって、前記表面活性剤は、前記反応部位表面または前記センサ表面でブレンステッド塩基またはルイス酸官能性と反応する表面活性官能基を含み、かつ供与電子対を有さない遠位官能性を含む、表面活性剤と、を備える、センサコンポーネント。
（項目５５）
前記表面活性官能基は、シラン、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、イソシアネート、カテコール、ヒドロキサメート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目５４に記載のセンサ。
（項目５６）
前記表面活性官能基は、シランまたはそのアルコキシ誘導体を含む、項目５５に記載のセンサ。
（項目５７）
前記表面活性官能基は、ホスフェート、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目５５に記載のセンサ。
（項目５８）
前記表面活性官能基は、イソシアネート、カテコール、ヒドロキサメート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目５５に記載のセンサ。
（項目５９）
前記遠位官能性は、アルキル基または第四級アンモニウムを含む、項目５５に記載のセンサ。
（項目６０）
前記第四級アンモニウムは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目５９に記載のセンサ。
（項目６１）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目６０に記載のセンサ。
（項目６２）
前記表面活性剤は、アルキルトリアルコキシシラン、第四級アンモニウムアルキルアルコキシシランの塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目５４〜６１のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６３）
前記表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目５４〜６２のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６４）
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、項目５４〜６３のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６５）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目５４〜６４のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６６）
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、項目５４〜６５のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６７）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目６６に記載のセンサ。
（項目６８）
前記センサは、センサアレイの一部であり、前記反応部位は、前記センサアレイに動作可能に連結されたウェルアレイのウェルである、項目５４〜６７のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目６９）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目５４〜６８のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目７０）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目５４〜６９のいずれか１項に記載のセンサ。
（項目７１）
センサコンポーネントを形成する方法であって、
ウエハを酸素プラズマで処理することであって、前記ウエハは、複数のダイを含み、前記複数のダイのそれぞれのダイは、センサアレイ及び前記センサアレイと連動する反応部位アレイを含む、処理することと、
表面活性剤を前記ウエハに塗布することであって、前記表面活性剤は、前記反応部位の表面または前記センサアレイのセンサの表面に結合し、前記表面活性剤は、前記反応部位表面または前記センサ表面でブレンステッド塩基またはルイス酸官能性と反応する表面活性官能基を含み、かつ供与電子対を有さない遠位官能性を含む、塗布することと、を含む、方法。
（項目７２）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記ウエハをアニーリングすることをさらに含む、項目７１に記載の方法。
（項目７３）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記ウエハを複数のダイに切り離すことをさらに含む、項目７１または項目７２に記載の方法。
（項目７４）
前記複数のダイの１つのダイをパッケージングすることをさらに含む、項目７３に記載の方法。
（項目７５）
前記表面活性官能基は、シラン、ホスホン酸、ホスフィン酸、ビスホスホン酸、イソシアネート、カテコール、ヒドロキサメート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目７１〜７４のいずれか１項に記載の方法。
（項目７６）
前記表面活性官能基は、シランを含む、項目７５に記載の方法。
（項目７７）
前記表面活性官能基は、ホスホン酸を含む、項目７５に記載の方法。
（項目７８）
前記表面活性官能基は、イソシアネート、カテコール、ヒドロキサメート、それらのアルコキシ誘導体、またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目７５に記載の方法。
（項目７９）
前記遠位官能性は、アルキル基または第四級アンモニウムを含む、項目７５に記載の方法。
（項目８０）
前記第四級アンモニウムは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目７９に記載の方法。
（項目８１）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目８０に記載の方法。
（項目８２）
前記表面活性剤は、アルキルトリアルコキシシラン、第四級アンモニウムアルキルアルコキシシランの塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目７１〜８１のいずれか１項に記載の方法。
（項目８３）
前表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目７１〜８２のいずれか１項に記載の方法。
（項目８４）
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、項目７１〜８３のいずれか１項に記載の方法。
（項目８５）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目７１〜８４のいずれか１項に記載の方法。
（項目８６）
前記センサアレイのセンサは、電界効果トランジスタを含む、項目７１〜８５のいずれか１項に記載の方法。
（項目８７）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目８６に記載の方法。
（項目８８）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目７１〜８７のいずれか１項に記載の方法。
（項目８９）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目７１〜８８のいずれか１項に記載の方法。
（項目９０）
センサコンポーネントを処理する方法であって、
センサコンポーネントを洗浄することであって、前記センサコンポーネントは、反応部位と連動するセンサを含み、前記センサはセンサ表面を含み、前記反応部位は反応部位表面を含む、洗浄することと、
表面活性剤を前記ウエハに塗布することであって、前記表面活性剤は、前記反応部位表面または前記センサの表面に結合し、前記表面活性剤は、前記反応部位表面または前記センサ表面でブレンステッド塩基またはルイス酸官能性と反応する表面活性官能基を含み、かつ供与電子対を有さない遠位官能性を含む、塗布することと、を含む、方法。
（項目９１）
前記表面活性剤を塗布した後に、前記センサコンポーネントをアルコールで洗浄することをさらに含む、項目９０に記載の方法。
（項目９２）
前記表面活性官能基は、シラン、ホスホン酸、またはそれらの組み合わせを含む、項目９０または項目９１に記載の方法。
（項目９３）
前記表面活性官能基は、シランを含む、項目９２に記載の方法。
（項目９４）
前記表面活性官能基は、ホスホン酸を含む、項目９２に記載の方法。
（項目９５）
前記遠位官能性は、アルキル基または第四級アンモニウムを含む、項目９２に記載の方法。
（項目９６）
前記第四級アンモニウムは、第二級アミン、第三級アミン、または複素環式アミンから誘導される、項目９５に記載の方法。
（項目９７）
前記複素環式アミンは、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピペリジン、ピリジン、ピリミジン、プリン、またはそれらの組み合わせを含む、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
前記表面活性剤は、アルキルトリアルコキシシラン、第四級アンモニウムアルキルアルコキシシランの塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目９０〜９７のいずれか１項に記載の方法。
（項目９９）
前表面活性剤は、アルキルホスホン酸、第四級アミノホスホン酸の塩、それらのフッ素化もしくは塩素化誘導体、それらの誘導体、またはそれらの組み合わせである、項目９０〜９８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１００）
前記遠位官能性は、正の電荷を有する、項目９０〜９９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０１）
前記表面活性剤は、単一層で結合する、項目９０〜１００のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０２）
前記センサは、電界効果トランジスタを含む、項目９０〜１０２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０３）
前記電界効果トランジスタは、イオン感応性電界効果トランジスタを含む、項目１０２に記載の方法。
（項目１０４）
前記表面活性剤は、前記センサ表面に結合する、項目９０〜１０３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０５）
前記表面活性剤は、前記反応部位表面に結合する、項目９０〜１０４のいずれか１項に記載の方法。