【手続補正書】
【提出日】平成30年7月3日(2018.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
【表４】
2017520931.tif 000001
本発明の実施態様の一部を以下の項目（１）−（１５）に記載する。
（１）
単一工程で作製された光吸収層を備えたソリッドステート光起電力デバイスであって、
前記光吸収層は、有機‐無機ペロブスカイトである光ハーベスタと、
式（１）の化合物：
Ｗ1−Ｕ−Ｗ2−Ｚ        （１）
から独立して選択される少なくとも１つのテンプレート剤とを含有し、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ、ＰＯ3Ｈ2、ＰＯ4Ｈ2、ＳＯ3Ｈ2、ＳＯ4Ｈ2、ＣＯＮＨＯＨ、及びこれらの塩から選択され；
Ｕは、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ３０アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０アルキル、Ｃ４〜Ｃ３０アルキル、Ｃ５〜Ｃ３０アルキル、Ｃ６〜Ｃ３０アルキル、Ｃ７〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ２０アルキル、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルから選択され；
Ｗ2は、−ＮＨ３+、−ＮＨ−Ｃ（ＮＨ3+）＝ＮＨ、−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ3+から選択されるカチオンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＯ、ＮＣＳ、及びＮＣＳｅから選択されるアニオンである、
ソリッドステート光起電力デバイス。
（２）
ｎ型金属酸化物、ＰＣＢＭ様Ｃ６０、及びフラーレン誘導体から選択される電子選択ホールブロック層でコーティングされた集電体とホール選択バックコンタクトとをさらに備え、
前記光吸収層が、前記電子選択ホールブロック層及び前記ホール選択バックコンタクトと電気接触していることを特徴とする、上記（１）に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（３）
前記電子選択ホールブロック層の上部に、メソ構造をさらに備える、上記（２）に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（４）
前記メソ構造が、１または２以上のメソ多孔性金属酸化物層からなり、前記メソ多孔性金属酸化物層の各層が異なる金属酸化物を含む、上記（３）に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（５）
前記メソ多孔性層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＮｉＯ、ＳｒＴｉＯ3、ＺｒＯ2、及びこれらの組み合わせから独立して選択される金属酸化物を含む、上記（３）または（４）に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（６）
前記電子選択ホールブロック層が、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＳｒＴｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、及びＣｕから選択される金属の酸化物である金属酸化物を含む、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（７）
前記ホール選択バックコンタクトの前に提供されるホール輸送層をさらに備える、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（８）
ホール輸送層又はホール輸送材料を含まない、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（９）
前記ホール選択バックコンタクトが、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃ、グラフェン、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、ＺｎＯ‐Ｇａ2Ｏ3、ＺｎＯ‐Ａｌ2Ｏ3、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、ＳｒＧｅＯ3、及びこれらの組み合わせと、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリベンゼン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリプロピレンジオキシ‐チオフェン、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせを含むポリマーから選択される導電性ポリマーとから選択される１つ以上の導電性材料を含む、上記（１）〜（８）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１０）
前記光ハーベスタが、以下の式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、及び／又は（ＶＩ）：
ＡＡ’ＭＸ4      （Ｉ）
ＡＭＸ3          （ＩＩ）
ＡＡ’Ｎ2/3Ｘ4    （ＩＩＩ）
ＡＮ2/3Ｘ3        （ＩＶ）
ＢＮ2/3Ｘ4        （Ｖ）
ＢＭＸ4          （ＶＩ）
のいずれか１つの有機‐無機ペロブスカイトであり、
式中、
Ａ及びＡ’は、Ｎ含有ヘテロ環及び環系を含む一級、二級、三級、又は四級有機アンモニウム化合物から独立して選択される有機一価カチオンであり、Ａ及びＡ’は、独立して、１〜６０個の炭素及び１〜２０個のヘテロ原子を有し；
Ｂは、１〜６０個の炭素及び２〜２０個のヘテロ原子を有し且つ正電荷を持つ２個の窒素原子を有する一級、二級、三級、又は四級有機アンモニウム化合物から選択される有機二価カチオンであり；
Ｍは、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+、Ｆｅ2+、Ｍｎ2+、Ｃｒ2+、Ｐｄ2+、Ｃｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｅｕ2+、又はＹｂ2+からなる群より選択される二価金属カチオンであり；
Ｎは、Ｂｉ3+及びＳｂ3+の群より選択され；並びに
Ｘは、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＮＣＳ-、ＣＮ-、及びＮＣＯ-から独立して選択される、
上記（１）〜（９）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１１）
前記テンプレート剤が、式（１）の化合物、
Ｗ1−Ｕ−Ｗ2−Ｚ        （１）
から独立して選択され、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ、ＰＯ3Ｈ2、ＰＯ4Ｈ2、ＳＯ3Ｈ2、ＳＯ4Ｈ2、ＣＯＮＨＯＨ、及びこれらの塩から選択され；
Ｕは、直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ３０アルキルから選択され；
Ｗ2は、−ＮＨ３+、−ＮＨ−Ｃ（ＮＨ3+）＝ＮＨ、−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ3+から選択されるカチオンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＯ、ＮＣＳ、及びＮＣＳｅから選択されるアニオンである、
上記（１）〜（１０）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１２）
前記テンプレート剤が、式（１）の化合物、
Ｗ1−Ｕ−Ｗ2−Ｚ        （１）
から独立して選択され、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ及びＣＯＮＨＯＨ、並びにこれらの塩から選択され；
Ｕは、直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ３０アルキルから選択され；
Ｗ2は、−ＮＨ３+、−ＮＨ−Ｃ（ＮＨ3+）＝ＮＨ、−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ3+から選択されるカチオンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＯ、ＮＣＳ、及びＮＣＳｅから選択されるアニオンである、
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１３）
前記光吸収層の単一工程での作製が、前記電子選択ホールブロック層及び／又は前記メソ構造上に組成物を適用することからなり、前記組成物は、適用する前に、前記少なくとも１つのテンプレート剤を、溶解した前記光ハーベスタと混合することによって得られる、上記（１）〜（１２）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１４）
単一工程で作製される前記光吸収層が、有機‐無機ペロブスカイトである光ハーベスタと、互いに異なり且つ式（１）の化合物から独立して選択される１、２、又は３つのテンプレート剤とを含有する、上記（１）〜（１３）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイス。
（１５）
上記（１）〜（１４）のいずれかに記載のソリッドステート光起電力デバイスは、ソリッドステートソーラーセル、メソスコピックソリッドステートソーラーセル、ソリッドステートヘテロ接合、及びメソスコピックソリッドステートヘテロ接合から選択される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのテンプレート剤と溶解した光ハーベスタとの混合物である組成物を含む光吸収層を備えたソリッドステート光起電力デバイスであって、
前記光ハーベスタは、有機‐無機ペロブスカイトであり、
前記少なくとも１つのテンプレート剤は、式（１）の化合物：
Ｗ1−Ｕ−Ｗ2−Ｚ        （１）
から独立して選択され、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ、ＰＯ3Ｈ2、ＰＯ4Ｈ2、ＳＯ3Ｈ2、ＳＯ4Ｈ2、ＣＯＮＨＯＨ、及びこれらの塩から選択され；
Ｕは、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ３０アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０アルキル、Ｃ４〜Ｃ３０アルキル、Ｃ５〜Ｃ３０アルキル、Ｃ６〜Ｃ３０アルキル、Ｃ７〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ２０アルキル、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルから選択され；
Ｗ2は、−ＮＨ３+、−ＮＨ−Ｃ（ＮＨ3+）＝ＮＨ、−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ3+から選択されるカチオンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＯ、ＮＣＳ、及びＮＣＳｅから選択されるアニオンである、
ソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項２】
ｎ型金属酸化物、ＰＣＢＭ様Ｃ６０、及びフラーレン誘導体から選択される電子選択ホールブロック層でコーティングされた集電体とホール選択バックコンタクトとをさらに備え、
前記光吸収層が、前記電子選択ホールブロック層及び前記ホール選択バックコンタクトと電気接触している、請求項１に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項３】
前記電子選択ホールブロック層の上部に、メソ構造をさらに備える、請求項２に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項４】
前記メソ構造が、１または２以上のメソ多孔性金属酸化物層からなり、前記メソ多孔性金属酸化物層の各層が異なる金属酸化物を含む、請求項３に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項５】
前記メソ多孔性層が、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＮｉＯ、ＳｒＴｉＯ3、ＺｒＯ2、及びこれらの組み合わせから独立して選択される金属酸化物を含む、請求項４に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項６】
前記電子選択ホールブロック層が、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＳｒＴｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、及びＣｕから選択される金属の酸化物である金属酸化物を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項７】
前記ホール選択バックコンタクトの前にホール輸送層をさらに備える、請求項２〜６のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項８】
前記ソリッドステート光起電力デバイスが、ホール輸送層又はホール輸送材料を含まない、請求項１〜６のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項９】
前記ホール選択バックコンタクトが、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃ、グラフェン、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、ＺｎＯ‐Ｇａ2Ｏ3、ＺｎＯ‐Ａｌ2Ｏ3、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、ＳｒＧｅＯ3、及びこれらの組み合わせと、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリベンゼン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリプロピレンジオキシ‐チオフェン、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせを含むポリマーから選択される導電性ポリマーとから選択される１つ以上の導電性材料を含む、請求項２〜８のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１０】
前記有機‐無機ペロブスカイトが、以下の式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、及び／又は（ＶＩ）：
ＡＡ’ＭＸ4      （Ｉ）
ＡＭＸ3          （ＩＩ）
ＡＡ’Ｎ2/3Ｘ4    （ＩＩＩ）
ＡＮ2/3Ｘ3        （ＩＶ）
ＢＮ2/3Ｘ4        （Ｖ）
ＢＭＸ4          （ＶＩ）
のいずれか１つから選択され、
式中、
Ａ及びＡ’は、Ｎ含有ヘテロ環及び環系を含む一級、二級、三級、又は四級有機アンモニウム化合物から独立して選択される有機一価カチオンであり、Ａ及びＡ’は、独立して、１〜６０個の炭素及び１〜２０個のヘテロ原子を有し；
Ｂは、１〜６０個の炭素及び２〜２０個のヘテロ原子を有し且つ正電荷を持つ２個の窒素原子を有する一級、二級、三級、又は四級有機アンモニウム化合物から選択される有機二価カチオンであり；
Ｍは、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+、Ｆｅ2+、Ｍｎ2+、Ｃｒ2+、Ｐｄ2+、Ｃｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｅｕ2+、又はＹｂ2+からなる群より選択される二価金属カチオンであり；
Ｎは、Ｂｉ3+及びＳｂ3+の群より選択され；並びに
Ｘは、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＮＣＳ-、ＣＮ-、及びＮＣＯ-から独立して選択される、
請求項１〜９のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１１】
前記テンプレート剤が、式（１）の化合物から独立して選択され、
式中、Ｕは、直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ３０アルキルから選択される、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１２】
前記テンプレート剤が、式（１）の化合物から独立して選択され、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ、ＣＯＮＨＯＨ、及びこれらの塩から選択され；
Ｕは、直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ３０アルキルから選択される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１３】
前記電子選択ホールブロック層及び／又は存在する場合に前記メソ構造に、前記組成物を浸潤させる、請求項２〜１２のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１４】
前記ソリッドステート光起電力デバイスは、ソリッドステートソーラーセル、メソスコピックソリッドステートソーラーセル、ソリッドステートヘテロ接合、及びメソスコピックソリッドステートヘテロ接合から選択される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のソリッドステート光起電力デバイス。
【請求項１５】
組成物の適用前に少なくとも１つのテンプレート剤と溶解した光ハーベスタとを混合することによって得られる前記組成物を適用することからなる単一工程で、光吸収層を提供することを含む、ソリッドステート光起電力デバイスの製造方法であって、
前記光ハーベスタは、有機‐無機ペロブスカイトであり、
前記少なくとも１つのテンプレート剤は、式（１）の化合物：
Ｗ1−Ｕ−Ｗ2−Ｚ        （１）
から独立して選択され、
式中、
Ｗ1は、ＣＯＯＨ、ＰＯ3Ｈ2、ＰＯ4Ｈ2、ＳＯ3Ｈ2、ＳＯ4Ｈ2、ＣＯＮＨＯＨ、及びこれらの塩から選択され；
Ｕは、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ３０アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０アルキル、Ｃ４〜Ｃ３０アルキル、Ｃ５〜Ｃ３０アルキル、Ｃ６〜Ｃ３０アルキル、Ｃ７〜Ｃ３０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ２０アルキル、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルから選択され；
Ｗ2は、−ＮＨ３+、−ＮＨ−Ｃ（ＮＨ3+）＝ＮＨ、−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ3+から選択されるカチオンであり；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＣＯ、ＮＣＳ、及びＮＣＳｅから選択されるアニオンである、
ソリッドステート光起電力デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記有機‐無機ペロブスカイトが、請求項１０に記載の式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、及び／又は（ＶＩ）のいずれか１つから選択される、請求項１５に記載のソリッドステート光起電力デバイスの製造方法。