【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法でアルミニウム又はガリウムドープ窒化ケイ素の膜を堆積するための方法であって、
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．ＡｌＣｌ3、塩化メチルアルミニウム、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム、トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＭＡＡ）、トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＥＡＡ）、塩化ガリウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリス（ジメチルアミノ）ガリウム、トリス（ジエチルアミノ）ガリウム、トリス（エチルメチルアミノ）ガリウム、及び他の揮発性のアルミニウム又はガリウム前駆体からなる群より選択される金属前駆体を、前記金属前駆体が前記基材と相互作用するのに十分なプロセス条件下で前記反応器中に導入する工程と、
ｃ．未反応の金属前駆体をパージして除去する工程と、
ｄ．前記反応器中にプラズマ含有源を導入して、前記基材の少なくとも一部と相互作用させ、少なくとも１つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが約０．０１〜約１．５Ｗ／ｃｍ2の範囲の電力密度で生成される工程と、
ｅ．パージガスで前記反応器をパージする工程と、
ｆ．以下の式Ｉ〜ＩＶ：
【化１】
2018528615.tif 000001
で表される有機アミノシラン前駆体であって、式中、Ｒ1が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ1〜Ｃ10アルキルシリル基、及びシリル基から選択され、Ｒ2が、水素、直鎖状Ｃ2〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ4〜Ｃ10アリール基から選択され、ｎ＝１又は２、ｘ＝０、１、２、ｙ＝２、３であり、任意選択で、式Ｉ、ＩＩＩ及びＩＶ中のＲ1及びＲ2が共に結合して、置換若しくは非置換芳香族環又は置換若しくは非置換脂肪族環から選択される環を形成し、Ｒ3が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基から選択される少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記有機アミノシラン前駆体が、前記基材の表面の少なくとも一部と相互作用して化学吸着層を提供する工程と、
ｇ．パージガスで前記反応器をパージする工程と、
ｈ．前記反応器中にプラズマ含有源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも１つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが約０．０１〜約１．５Ｗ／ｃｍ2の範囲の電力密度で生成される工程と、
ｉ．任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程とを含み、工程ｂ〜ｉが所望の膜厚が得られるまで繰り返される、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体が、ジ−イソ−プロピルアミノシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノシラン、フェニルメチルアミノシラン、２，６−ジメチルピペリジノシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノシラン、２−メチルピペリジノシラン、Ｎ−シリルデカヒドロキノリン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジノシラン、２−（Ｎ−シリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−ｔ−ブチルジシラザン、Ｎ−ｔ−ペンチルジシラザン、Ｎ−（３−メチル−２−ピリジル）ジシラザン、Ｎ−（２−メチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２−エチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，４，６−トリメチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニル）ジシラザン、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン、ジ−イソ−ブチルアミノジシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン、２，６−ジメチルピペリジノジシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノジシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノジシラン、フェニルメチルアミノジシラン、２−（Ｎ−ジシリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−フェニルエチルジシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノジシラン、１，１−（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミノ）ジシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）メチルシラン、ビス（シクロヘキシルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）ジメチルシラン、及びビス（シクロヘキシルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス（エチルメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（イソ−プロピルアミノ）シラン、トリシリルアミン、及びトリシリルアミンの誘導体からなる群より選択される少なくとも１つの要素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ含有源が、窒素及びアルゴンプラズマ、窒素及びヘリウムプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素及びアンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウムプラズマ、アンモニア及びアルゴンプラズマ、ＮＦ3含有プラズマ、有機アミン含有プラズマ、及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの要素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記膜が約２．０ｇ／ｃｃ以上の密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が気相堆積プロセスであり、プラズマ化学気相堆積及びプラズマ周期的化学気相堆積からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
約５００℃以下の１つ又は複数の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
約４００℃以下の１つ又は複数の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
約３００℃以下の１つ又は複数の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
アルミニウムドープ窒化ケイ素又はアルミニウムドープ炭窒化ケイ素又はガリウムドープ窒化ケイ素又はガリウムドープ炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって、
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．ＡｌＣｌ3、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム、塩化メチルアルミニウム、トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＭＡＡ）、トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＥＡＡ）、塩化ガリウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリス（ジメチルアミノ）ガリウム、トリス（ジエチルアミノ）ガリウム、トリス（エチルメチルアミノ）ガリウム、及び他の揮発性のアルミニウム又はガリウム前駆体からなる群より選択される少なくとも１つの金属前駆体を前記反応器中に導入する工程と、
ｃ．未反応の金属前駆体をパージして除去する工程と、
ｄ．以下の式Ｉ〜ＩＶ：
【化２】
2018528615.tif 000002
で表される有機アミノシラン前駆体であって、式中、Ｒ1が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ1〜Ｃ10アルキルシリル基、及びシリル基から選択され、Ｒ2が、水素、直鎖状Ｃ2〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ4〜Ｃ10アリール基から選択され、ｎ＝１又は２、ｘ＝０、１、２、ｙ＝２、３であり、任意選択で、式Ｉ、ＩＩＩ及びＩＶ中のＲ1及びＲ2が共に結合して、置換若しくは非置換芳香族環又は置換若しくは非置換脂肪族環から選択される環を形成し、Ｒ3が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基から選択される少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記有機アミノシラン前駆体が、前記基材の表面の少なくとも一部で反応して化学吸着層を提供する工程と、
ｅ．パージガスで前記反応器をパージする工程と、
ｆ．前記反応器中にプラズマ含有源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも１つの反応部位を提供する工程であって、前記プラズマが約０．０１〜約１．５Ｗ／ｃｍ2の範囲の電力密度で生成される工程と、
ｇ．任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程とを含み、工程ｂ〜ｇが所望の膜厚が得られるまで繰り返される、方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体が、ジ−イソ−プロピルアミノシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノシラン、フェニルメチルアミノシラン、２，６−ジメチルピペリジノシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノシラン、２−メチルピペリジノシラン、Ｎ−シリルデカヒドロキノリン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジノシラン、２−（Ｎ−シリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−ｔ−ブチルジシラザン、Ｎ−ｔ−ペンチルジシラザン、Ｎ−（３−メチル−２−ピリジル）ジシラザン、Ｎ−（２−メチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２−エチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，４，６−トリメチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニル）ジシラザン、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン、ジ−イソ−ブチルアミノジシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン、２，６−ジメチルピペリジノジシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノジシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノジシラン、フェニルメチルアミノジシラン、２−（Ｎ−ジシリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−フェニルエチルジシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノジシラン、１，１−（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミノ）ジシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）メチルシラン、ビス（シクロヘキシルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）ジメチルシラン、及びビス（シクロヘキシルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス（エチルメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（イソ−プロピルアミノ）シラン、及びトリシリルアミンからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
５００℃未満の温度で熱原子層堆積によりコンフォーマルな金属ドープ窒化ケイ素誘電体膜を堆積するための方法であって、
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．金属前駆体と反応し、化学吸着層を提供するのに十分なプロセス条件下で前記反応器中に少なくとも１つの金属前駆体を導入する工程と、
ｃ．未反応の金属前駆体をパージして除去する工程と、
ｄ．前記反応器中に窒素源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも１つの反応部位を提供する工程と、
ｅ．パージガスで前記反応器をパージする工程と、
ｆ．以下の式Ｉ〜ＩＶ：
【化３】
2018528615.tif 000003
で表される有機アミノシラン前駆体であって、式中、Ｒ1が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ1〜Ｃ10アルキルシリル基、及びシリル基から選択され、Ｒ2が、水素、直鎖状Ｃ2〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ6ジアルキルアミノ基、電子求引基、及びＣ4〜Ｃ10アリール基から選択され、ｎ＝１又は２、ｘ＝０、１、２、ｙ＝２、３であり、任意選択で、式Ｉ、ＩＩＩ及びＩＶ中のＲ1及びＲ2が共に結合して、置換若しくは非置換芳香族環又は置換若しくは非置換脂肪族環から選択される環を形成し、Ｒ3が、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、分枝状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、直鎖状又は分枝状Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基から選択される少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記有機アミノシラン前駆体が、前記基材の表面の少なくとも一部で反応して化学吸着層を提供する工程と、
ｇ．パージガスで前記反応器をパージする工程と、
ｈ．前記反応器中に窒素を含むプラズマ源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも１つの反応部位を提供する工程と、
ｉ．任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程とを含む、方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの有機アミノシラン前駆体が、ジ−イソ−プロピルアミノシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノシラン、フェニルメチルアミノシラン、２，６−ジメチルピペリジノシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノシラン、２−メチルピペリジノシラン、Ｎ−シリルデカヒドロキノリン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジノシラン、２−（Ｎ−シリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−ｔ−ブチルジシラザン、Ｎ−ｔ−ペンチルジシラザン、Ｎ−（３−メチル−２−ピリジル）ジシラザン、Ｎ−（２−メチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２−エチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，４，６−トリメチルフェニル）ジシラザン、Ｎ−（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニル）ジシラザン、ジ−イソ−プロピルアミノジシラン、ジ−イソ−ブチルアミノジシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノジシラン、２，６−ジメチルピペリジノジシラン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミノジシラン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミノジシラン、フェニルメチルアミノジシラン、２−（Ｎ−ジシリルメチルアミノ）ピリジン、Ｎ−フェニルエチルジシラン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミノジシラン、１，１−（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミノ）ジシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）メチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）メチルシラン、ビス（シクロヘキシルアミノ）メチルシラン、ビス（イソ−プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）ジメチルシラン、及びビス（シクロヘキシルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス（エチルメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（イソ−プロピルアミノ）シラン、トリシリルアミン、及びトリシリルアミンの誘導体からなる群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの金属前駆体が、ＡｌＣｌ3、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、塩化メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＭＡＡ）、トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム（ＴＤＥＡＡ）、塩化ガリウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリス（ジメチルアミノ）ガリウム、トリス（ジエチルアミノ）ガリウム、トリス（エチルメチルアミノ）ガリウム、及び他の揮発性のアルミニウム又はガリウム前駆体、塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ4）、テトラキス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＭＡＺ）、テトラキス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＥＡＺ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）、トリス（ジメチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（ジメチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（ジメチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（ジエチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（ジエチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（ジエチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム、テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＭＡＨ）、テトラキス（ジエチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＥＡＨ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（ＴＥＭＡＨ）、トリス（ジメチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（ジメチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（ジメチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（ジエチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（ジエチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（ジエチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（シクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（メチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、トリス（エチルメチルアミノ）（エチルシクロペンタジエニル）ハフニウム、塩化チタン（ＴｉＣｌ4）、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡＴ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ）、塩化タンタル（ＴａＣｌ5）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＥＴ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＭＴ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＥＭＴ）、エチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＥＴ）、エチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＭＴ）、エチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＥＭＴ）、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＡＩＭＡＴ）、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル、��ンタキス（ジメチルアミノ）タンタル、ｔｅｒｔ−アミルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル、六塩化タングステン、五塩化タングステン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（ジメチルアミノ）タングステン（ＢＴＢＭＷ）、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（ジエチルアミノ）タングステン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ビス（エチルメチルアミノ）タングステン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記窒素源が、アンモニア、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、エチレンジアミン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法に関連して形成された膜。
【請求項１６】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数を有する、アルミニウムドープ窒化ケイ素又はアルミニウムドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項１７】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、ガリウムドープ窒化ケイ素又はガリウムドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項１８】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、チタンドープ窒化ケイ素又はチタンドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項１９】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、ジルコニウムドープ窒化ケイ素又はジルコニウムドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項２０】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、ハフニウムドープ窒化ケイ素又はハフニウムドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項２１】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、タンタルドープ窒化ケイ素又はタンタルドープ炭窒化ケイ素の膜。
【請求項２２】
以下の特性：２．０グラム／立法センチメートル（ｇ／ｃｃ）以上の密度、２０原子ｗｔ％未満の水素含有量、１．８０以上の反射率、及びそれらの組み合わせのうち１つ又は複数の温度を有する、タングステンドープ窒化ケイ素又はタングステンドープ炭窒化ケイ素の膜。