【手続補正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図５は、表１に対応するサンプルの上面図（左側）及び断面図（右側）を示している。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
発光デバイスのための積層基材を作製するための方法であって、少なくとも下記の工程、すなわち、
（ａ）５５０ｎｍにおける屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）を用意する工程、
（ｂ）５５０ｎｍにおける屈折率が少なくとも１．７であり、少なくとも３０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット（３）を、前記ガラス基材（１）の上にコーティングする工程、
（ｃ）得られたフリットをコーティングしたガラス基材を、前記ガラスフリットのリトルトン温度より高い温度で焼成して、第一の高屈折率エナメル層（４）を形成する工程、
（ｄ）前記第一の高屈折率エナメル層の上に金属酸化物層（２）をコーティングする工程、及び、
（ｅ）得られたコーティングしたガラス基材を前記ガラスフリットのリトルトン温度より高く、５３０℃と６２０℃の間に含まれる温度で焼成して、前記金属酸化物（２）を下層の第一の高屈折率エナメル層（４）と反応させ、そして複数の球状の気孔（６）が空気との界面近くの上方部分に埋め込まれた第二の高屈折率エナメル層（５）を形成する工程、
を含む、発光デバイスのための積層基材の作製方法。
《態様２》
前記金属酸化物層の厚さが５ｎｍと６０ｎｍの間、好ましくは１０ｎｍと４０ｎｍの間、より好ましくは１５ｎｍと３０ｎｍの間である、態様１記載の方法。
《態様３》
前記金属酸化物を、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２、並びにそれらの混合物からなる群より選ぶ、態様１又は２記載の方法。
《態様４》
前記ガラスフリットの屈折率が１．７０と２．２０の間、好ましくは１．８０と２．１０の間に含まれる、態様１〜３のいずれか１つに記載の方法。
《態様５》
前記ガラスフリットが少なくとも５０ｗｔ％、好ましくは少なくとも６０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含む、態様１〜４のいずれか１つに記載の方法。
《態様６》
焼成工程（ｃ）及び（ｅ）を５４０℃と６００℃の間に含まれる温度で行う、態様１〜５のいずれか１つに記載の方法。
《態様７》
（ｆ）前記第二の高屈折率エナメル層（５）の上に透明導電性層（ＴＣＬ）（８）をコーティングすること、
をさらに含む、態様１〜６のいずれか１つに記載の方法。
《態様８》
（ｉ）屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）、
（ｉｉ）５５０ｎｍにおける屈折率が少なくとも１．７であり、少なくとも３０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含む、高屈折率ガラスエナメル層（５）、
を含む、態様１〜７のいずれか１つに記載の方法により得ることができる積層基材であって、
高屈折率エナメル層（５）の表面付近に複数の球状の気孔（６）が埋め込まれており、前記球状の気孔の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９９％、より好ましくは本質的にすべてが、高屈折率エナメル層（５）の半分の厚さよりも有意に小さい直径を有し、かつ空気との界面（７）に近い高屈折率エナメル層の上半分に位置していることを特徴とする、積層基材。
《態様９》
前記球状の気孔が、０．２μｍと８μｍの間、好ましくは０．４μｍと４μｍの間、より好ましくは０．５μｍと３μｍの間の平均相当球径を有する、態様８記載の積層基材。
《態様１０》
第二の高屈折率エナメル層（５）の厚さが３μｍと２５μｍの間、好ましくは４μｍと２０μｍの間、より好ましくは５μｍと１５μｍの間に含まれる、態様８又は９記載の積層基材。
《態様１１》
（ｉｉｉ）高屈折率エナメル層（５）上の透明導電性層（８）、
をさらに含む、態様８〜１０のいずれか１つに記載の積層基材。
《態様１２》
前記球状の気孔が金属酸化物により事前に覆われた領域の表面の少なくとも２０％かつ該表面の８０％以下を占める、態様８〜１１のいずれか１つに記載の積層基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスのための積層基材を作製するための方法であって、少なくとも下記の工程、すなわち、
（ａ）５５０ｎｍにおける屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）を用意する工程、
（ｂ）５５０ｎｍにおける屈折率が少なくとも１．７であり、少なくとも３０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスフリット（３）を、前記ガラス基材（１）の上にコーティングする工程、
（ｃ）得られたフリットをコーティングしたガラス基材を、前記ガラスフリットのリトルトン温度より高い温度で焼成して、第一の高屈折率エナメル層（４）を形成する工程、
（ｄ）前記第一の高屈折率エナメル層の上に金属酸化物層（２）をコーティングする工程、及び、
（ｅ）得られたコーティングしたガラス基材を前記ガラスフリットのリトルトン温度より高く、５３０℃と６２０℃の間に含まれる温度で焼成して、前記金属酸化物（２）を下層の第一の高屈折率エナメル層（４）と反応させ、そして複数の球状の気孔（６）が空気との界面近くの上方部分に埋め込まれた第二の高屈折率エナメル層（５）を形成する工程、
を含む、発光デバイスのための積層基材の作製方法。
【請求項２】
前記金属酸化物層の厚さが５ｎｍと６０ｎｍの間である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記金属酸化物を、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２、並びにそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記ガラスフリットの屈折率が１．７０と２．２０の間に含まれる、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記ガラスフリットが少なくとも５０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
焼成工程（ｃ）及び（ｅ）を５４０℃と６００℃の間に含まれる温度で行う、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
（ｆ）前記第二の高屈折率エナメル層（５）の上に透明導電性層（ＴＣＬ）（８）をコーティングすること、
をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
（ｉ）屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）、
（ｉｉ）５５０ｎｍにおける屈折率が少なくとも１．７であり、少なくとも３０ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含む、高屈折率ガラスエナメル層（５）、
を含む積層基材であって、
高屈折率エナメル層（５）の表面付近に複数の球状の気孔（６）が埋め込まれており、前記球状の気孔の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９９％、より好ましくは本質的にすべてが、高屈折率エナメル層（５）の半分の厚さよりも小さい直径を有し、かつ空気との界面（７）に近い高屈折率エナメル層の上半分に位置していることを特徴とする、積層基材。
【請求項９】
前記球状の気孔が、０．２μｍと８μｍの間の平均相当球径を有する、請求項８記載の積層基材。
【請求項１０】
第二の高屈折率エナメル層（５）の厚さが３μｍと２５μｍの間に含まれる、請求項８又は９記載の積層基材。
【請求項１１】
（ｉｉｉ）高屈折率エナメル層（５）上の透明導電性層（８）、
をさらに含む、請求項８〜１０のいずれか１つに記載の積層基材。