【手続補正書】
【提出日】平成30年6月20日(2018.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
この図の下部に、マスク３なしの場合にアニーリングしようとするコーティング２のレベルで存在するであろうような光パルスの強度プロファイルを示す。マスク３は、強度が公称強度よりも小さい光をマスクの不透明ゾーンによって遮るように配置されている。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための方法であり、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している基材（１）を、インテンスパルスライトを放射するフラッシュランプ（４）の下を、該コーティングを支持する基材の面を該フラッシュランプの方に向けて走行させること、及び、
・前記フラッシュランプとアニーリングしようとする前記コーティングとの間で該フラッシュランプに対し一定の位置にあり、長手方向の軸線が前記基材の走行方向に垂直なスリットを含むマスク（３）を介して、前記フラッシュランプにより放射されたインテンスパルスライトを、アニーリングしようとする前記コーティングに照射し、該フラッシュランプの周波数と該基材の走行速度とを、アニーリングしようとする該コーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように調整すること、
を含む方法であって、
前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔が最大で１ｍｍに等しく、好ましくは最大で５００μｍに等しく、理想的には最大で１００μに等しいこと、且つ、
前記スリットの形状と面積が、前記マスクがなければアニーリングしようとするコーティングに達する光の強度が下記において「公称光強度」と称する限界光強度よりも小さい全てのゾーンにおいて、アニーリングしようとするコーティングを前記マスクが見えなくするようなものであること、
を特徴とする、アニーリング方法。
《態様２》
スリットの形状が実質的に矩形であることを特徴とする、態様１記載の方法。
《態様３》
フラッシュランプの周波数、スリットの幅及び基材の走行速度が、アニーリングしようとするコーティングの点のうちの少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％がただ一つの光パルスを受け取るようなものであることを特徴とする、態様１又は２記載の方法。
《態様４》
スリットの長さがアニーリングしようとするコーティングの幅に実質的に等しいことを特徴とする、態様１〜３のいずれか１つに記載の方法。
《態様５》
アニーリングしようとするコーティングの幅が少なくとも１ｍに等しく、好ましくは少なくとも２ｍに等しく、特に少なくとも３ｍに等しいことを特徴とする、態様１〜４のいずれか１つに記載の方法。
《態様６》
スリットの幅が１ｃｍと５０ｃｍの間、好ましくは５ｃｍと２０ｃｍの間に含まれることを特徴とする、態様１〜５のいずれか１つに記載の方法。
《態様７》
アニーリングしようとするコーティングを支持している基材の走行速度が０．１ｍ／分と３０ｍ／分の間、好ましくは１ｍ／分と２０ｍ／分の間、特に２ｍ／分と１０ｍ／分の間に含まれることを特徴とする、態様１〜６のいずれか１つに記載の方法。
《態様８》
アニーリングしようとするコーティングが金属の膜、好ましくは銀膜、を少なくとも１つ、又は透明導電性酸化物の膜を少なくとも１つ含むことを特徴とする、態様１〜７のいずれか１つに記載の方法。
《態様９》
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための装置であり、
・インテンスパルスライトを放射することができるフラッシュランプ（４）、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している平らな基材（１）を前記フラッシュランプの前を走行させるのを可能にする搬送手段（６）、及び、
・前記フラッシュランプと前記搬送手段との間で前記フラッシュランプに対して一定の位置にあるマスク（３）であって、前記基材の走行方向に対して長手方向の軸線が垂直であるスリットを含むとともに、前記フラッシュランプにより放射された光をこのスリットを通してアニーリングしようとするコーティングを支持している前記平らな基材の方向に投射するように位置しているマスク（３）、
を含む装置であって、前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔を１ｍｍ未満、好ましくは５００μｍ未満、特に１００μｍ未満の値に調整可能であるように前記マスクと前記搬送手段との間隔を調整するための手段を含むことを特徴とする、アニーリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための方法であり、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している基材（１）を、インテンスパルスライトを放射するフラッシュランプ（４）の下を、該コーティングを支持する基材の面を該フラッシュランプの方に向けて走行させること、及び、
・前記フラッシュランプとアニーリングしようとする前記コーティングとの間で該フラッシュランプに対し一定の位置にあり、長手方向の軸線が前記基材の走行方向に垂直なスリットを含むマスク（３）を介して、前記フラッシュランプにより放射されたインテンスパルスライトを、アニーリングしようとする前記コーティングに照射し、該フラッシュランプの周波数と該基材の走行速度とを、アニーリングしようとする該コーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように調整すること、
を含む方法であって、
前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔が最大で１ｍｍに等しいこと、且つ、
前記スリットの形状と面積が、前記マスクがなければアニーリングしようとするコーティングに達する光の強度が公称光強度と称する限界光強度よりも小さい全てのゾーンにおいて、アニーリングしようとするコーティングを前記マスクが見えなくするようなものであり、前記公称光強度とは、所定の継続時間の光パルスの強度であって、それより大きいと、強度が第１のパルスのそれ以上であり且つ同じ継続時間の第２のパルスがコーティングの反射の色の変化をもたらすことにならない強度として定義されること、
を特徴とする、アニーリング方法。
【請求項２】
スリットの形状が矩形であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
フラッシュランプの周波数、スリットの幅及び基材の走行速度が、アニーリングしようとするコーティングの点のうちの少なくとも９０％がただ一つの光パルスを受け取るようなものであることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
スリットの長さがアニーリングしようとするコーティングの幅に等しいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
アニーリングしようとするコーティングの幅が少なくとも１ｍに等しいことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
スリットの幅が１ｃｍと５０ｃｍの間に含まれることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
アニーリングしようとするコーティングを支持している基材の走行速度が０．１ｍ／分と３０ｍ／分の間に含まれることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
アニーリングしようとするコーティングが金属の膜を少なくとも１つ、又は透明導電性酸化物の膜を少なくとも１つ含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記金属の膜が銀膜であることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための装置であり、
・インテンスパルスライトを放射することができるフラッシュランプ（４）、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している平らな基材（１）を前記フラッシュランプの前を走行させるのを可能にする搬送手段（６）、及び、
・前記フラッシュランプと前記搬送手段との間で前記フラッシュランプに対して一定の位置にあるマスク（３）であって、前記基材の走行方向に対して長手方向の軸線が垂直であるスリットを含むとともに、前記フラッシュランプにより放射された光をこのスリットを通してアニーリングしようとするコーティングを支持している前記平らな基材の方向に投射するように位置しているマスク（３）、
を含む装置であって、前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔を１ｍｍ未満の値に調整可能であるように前記マスクと前記搬送手段との間隔を調整するための手段を含むことを特徴とする、アニーリング装置。