【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、
共振タンク回路と、
前記共振タンク回路と接続されたドレインを有するクロス結合されたトランジスタと、
前記クロス結合されたトランジスタのソースと基準電圧との間に接続されたインピーダンスと、
を備える、前記共振タンク回路と接続された能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、
を備える、電圧制御発振器（ＶＣＯ）。
【請求項２】
前記インピーダンスをプログラミング可能な形で分岐させるように構成されたスイッチをさらに備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項３】
前記クロス結合されたトランジスタは、ｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタを備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項４】
前記クロス結合されたトランジスタの各々のボディは、前記基準電圧と接続される、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項５】
前記インピーダンスは、可変インピーダンスを備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項６】
前記インピーダンスは、抵抗器である、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項７】
前記インピーダンスは、インダクタを備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項８】
前記能動負トランスコンダクタンス回路は、可変トランスコンダクタンスを有する、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項９】
前記可変トランスコンダクタンスは、前記能動負トランスコンダクタンス回路内のトランジスタの前記実効サイズを変えることによって調整される、
請求項８に記載のＶＣＯ。
【請求項１０】
前記クロス結合されたトランジスタは、クロス結合されたｐチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタと、クロス結合されたｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタと、を備え、
好ましくは、前記インピーダンスは、前記ＮＭＯＳトランジスタと前記基準電圧との間に接続され、
好ましくは、別のインピーダンスが、前記ＰＭＯＳトランジスタと前記バイアス電流回路との間に接続される、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項１１】
前記インピーダンスまたは前記別のインピーダンスのうちの少なくとも１つをプログラミング可能な形で分岐させるように構成された少なくとも１個のスイッチをさらに備える、請求項１０に記載のＶＣＯ。
【請求項１２】
前記バイアス電流回路は、カレントミラーを備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項１３】
前記共振タンク回路は、インダクタ−コンデンサ（ＬＣ）タンク回路を備える、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項１４】
前記基準電圧は、電気的グランドである、
請求項１に記載のＶＣＯ。
【請求項１５】
無線通信のための装置であって、
少なくとも１本のアンテナと、
前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を受信するように構成された受信機、または、前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を送信するように構成された送信機のうちの少なくとも１つと、
を備え、前記受信機または前記送信機のうちの前記少なくとも１つは、
共振タンク回路と、
前記共振タンク回路と接続されたドレインを有するクロス結合されたトランジスタと、
前記クロス結合されたトランジスタのソースと基準電圧との間に接続されたインピーダンスと、
を備える、前記共振タンク回路と接続された能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、
を備える電圧制御発振器（ＶＣＯ）を有する、無線通信のための装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
[0076]請求項は、上記の正確な構成およびコンポーネントに限定されないことが理解されるべきである。請求項の範囲から逸脱することなしに上述される方法および装置の配置、動作、および詳細の様々な修正、変更および変形が行われ得る。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、
共振タンク回路と、
クロス結合されたトランジスタと、
前記クロス結合されたトランジスタと基準電圧との間に接続されたインピーダンスと、を備える、
前記共振タンク回路と接続された能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、を備える、電圧制御発振器（ＶＣＯ）。
［Ｃ２］  前記インピーダンスをプログラミング可能な形で分岐させるように構成されたスイッチをさらに備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ３］  前記クロス結合されたトランジスタは、ｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタを備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ４］  前記クロス結合されたトランジスタの各々のボディは、前記基準電圧と接続される、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ５］  前記インピーダンスは、可変インピーダンスを備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ６］  前記インピーダンスは、抵抗器である、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ７］  前記インピーダンスは、インダクタを備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ８］  前記能動負トランスコンダクタンス回路は、可変トランスコンダクタンスを有する、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ９］  前記可変トランスコンダクタンスは、前記能動負トランスコンダクタンス回路内のトランジスタの前記実効サイズを変えることによって調整される、
Ｃ８に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１０］  前記クロス結合されたトランジスタは、クロス結合されたｐチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタと、クロス結合されたｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタと、を備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１１］  前記インピーダンスは、前記ＮＭＯＳトランジスタと前記基準電圧との間に接続される、
Ｃ１０に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１２］  別のインピーダンスが、前記ＰＭＯＳトランジスタと前記バイアス電流回路との間に接続される、
Ｃ１１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１３］  前記インピーダンスまたは前記別のインピーダンスのうちの少なくとも１つをプログラミング可能な形で分岐させるように構成された少なくとも１個のスイッチをさらに備える、Ｃ１２に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１４］  前記バイアス電流回路は、カレントミラーを備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１５］  前記共振タンク回路は、インダクタ−コンデンサ（ＬＣ）タンク回路を備える、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１６］  前記基準電圧は、電気的グランドである、
Ｃ１に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１７］  電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、
共振タンク回路と、
前記共振タンク回路と接続されおよび可変トランスコンダクタンスを有する能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、を備える、電圧制御発振器（ＶＣＯ）。
［Ｃ１８］  前記可変トランスコンダクタンスは、前記能動負トランスコンダクタンス回路内のトランジスタの前記実効サイズを変えることによって調整される、
Ｃ１７に記載のＶＣＯ。
［Ｃ１９］  前記能動負トランスコンダクタンス回路は、クロス結合されたトランジスタを備える、
Ｃ１７に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２０］  前記トランジスタは、ｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタを備える、
Ｃ１９に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２１］  前記トランジスタの各々のボディまたはソースのうちの少なくとも１つは、基準電圧と接続される、
Ｃ１９に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２２］  前記クロス結合されたトランジスタは、クロス結合されたｐチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタと、クロス結合されたｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタと、を備える、
Ｃ１９に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２３］  前記バイアス電流回路は、カレントミラーを備える、
Ｃ１７に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２４］  前記共振タンク回路は、インダクタ−コンデンサ（ＬＣ）タンク回路を備える、
Ｃ１７に記載のＶＣＯ。
［Ｃ２５］  無線通信のための装置であって、
少なくとも１本のアンテナと、
前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を受信するように構成された受信機、または、前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を送信するように構成された送信機のうちの少なくとも１つと、を備え、前記受信機または前記送信機のうちの少なくとも１つは、
共振タンク回路と、
クロス結合されたトランジスタと、
前記クロス結合されたトランジスタと基準電圧との間に接続されたインピーダンスと、を備える、
前記共振タンク回路と接続された能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、を備える、無線通信のための装置。
［Ｃ２６］  前記ＶＣＯは、前記インピーダンスをプログラミング可能な形で分岐させるように構成されたスイッチをさらに備える、
Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２７］  前記能動負トランスコンダクタンス回路は、前記能動負トランスコンダクタンス回路内のトランジスタの前記実効サイズを変えることによって調整される可変トランスコンダクタンスを有する、
Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２８］  前記クロス結合されたトランジスタの各々のボディは、前記基準電圧と接続される、
Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２９］  無線通信のための装置であって、
少なくとも１本のアンテナと、
前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を受信するように構成された受信機、または、前記少なくとも１本のアンテナを介して無線周波数（ＲＦ）信号を送信するように構成された送信機のうちの少なくとも１つと、を備え、前記受信機または前記送信機のうちの少なくとも１つは、
共振タンク回路と、
前記共振タンク回路と接続されおよび可変トランスコンダクタンスを有する能動負トランスコンダクタンス回路と、
発振信号を生成するために前記共振タンク回路および前記能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、を備える、無線通信のための装置。
［Ｃ３０］  前記可変トランスコンダクタンスは、前記能動負トランスコンダクタンス回路内のトランジスタの前記実効サイズを変えることによって調整される、
Ｃ２９に記載の装置。