【手続補正書】
【提出日】平成30年3月14日(2018.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームリソグラフィを実施する方法であって、
ｉ）（ｅＢｅａｍ）レジストコートされた基板を用意するステップ又は（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを基板に塗布するステップと、
ｉｉ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングの一部（複数可）を（電子ビーム）照射に曝露して、曝露された（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを得るステップと、
ｉｉｉ）前記曝露された（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを現像して、前記（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分及び（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含む（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を形成するステップと、
ｉｖ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面又はその一部（複数可）を任意選択的に修飾するステップと、
ｖ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を任意選択的に除去して、修飾基板を用意するステップと、
ｖｉ）前記修飾基板について、ステップｉｖ）及び／又はステップｉ）〜ｖ）（ｅＢｅａｍレジストコーティングの代わりに、フォトレジスト等の代替レジストコーティングを任意選択的に用い、電子ビーム照射の代わりに、可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に任意選択的に用いて）を１回又は任意選択的に複数回繰り返すステップと
を含み、
前記ｅＢｅａｍレジストコートされた基板が、ｅＢｅａｍレジストコーティングで被覆された基板であり、
前記ｅＢｅａｍレジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び／又は硬化したｅＢｅａｍレジスト組成物を含み、
前記ｅＢｅａｍレジスト組成物が、散乱を防止する化合物を含み、前記散乱を防止する化合物が、１．３ｇ／ｃｍ３以下の密度及び２０００ｇ／ｍｏｌ以上の分子量を有する、方法。
【請求項２】
前記散乱を防止する化合物が主金属錯体（ＰＭＣ）を含み、主金属錯体が多金属ケージであり、
任意選択的に、前記散乱を防止する化合物が０．８５ｇ／ｃｍ３以下の密度及び１００００ｇ／ｍｏｌ以上の分子量を有する化合物であり、及び／又は、前記散乱を防止する化合物が下記式Ｂにより定義されるハイブリッド錯体における１つ又は複数の主金属錯体と関連したリンカー成分を含み、この式Ｂが、
（ＰＭＣ）ρ（ＬＩＮＫ）ｌ
（式中、
ＰＭＣは、主金属錯体であり、ρは、１〜３０の間の値であり、式Ｂのハイブリッド錯体の１モル当たりのＰＭＣのモル数であり、
ＬＩＮＫは、リンカー成分であり、ｌは、１〜１０の間の値であり、式Ｂのハイブリッド錯体の１モル当たりのＬＩＮＫのモル数である。）であり、
任意選択的に、前記ハイブリッド錯体内の前記主金属錯体（複数可）及び／若しくはリンカー成分（複数可）のいずれか若しくは両方が、対イオンのいずれかとそれぞれ独立に関連しており、並びに／又は、前記対イオンが全体としてのハイブリッド錯体と関連していてもよく、
任意選択的に、前記散乱を防止する化合物が、ハイブリッド錯体塩の一部としてハイブリッド錯体と関連した１つ又は複数の対イオンを含み、前記ハイブリッド錯体塩が下記式Ｃにより定義され、この式Ｃが、
（Ｃ１ｉ１、Ｃ２ｉ２、．．．、Ｃｃｉｃ）（ＰＭＣ）ρ（ＬＩＮＫ）ｌ
（式中、Ｃ１は、第１の対イオンであり、Ｃ２は、第２の対イオンであり、Ｃｃは、第ｃの対イオンであり、ｉ１、ｉ２及びｉｃは、式Ｃのハイブリッド錯体塩の１モル当たりのＣ１、Ｃ２、．．．、及びＣｃのそれぞれの各モル数である。）である、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記主金属錯体が下記式Ｉにより定義される又は式Ｉにより定義される単位を含み、この式Ｉが、
［Ｍ１ｘＭ２ｙ．．．Ｍｎｚｎ（ｍｏｎｏＬＩＧ１）ｍ１（ｍｏｎｏＬＩＧ２）ｍ２．．．（ｍｏｎｏＬＩＧｑ）ｍｑ（ｂｉＬＩＧ１）ｂ１（ｂｉＬＩＧ２）ｂ２．．．（ｂｉＬＩＧｒ）ｂｒ（ｏｐｔＬＩＧｓ）（ｏｐｔＬＩＧ１）ｏ１（ｏｐｔＬＩＧ２）ｏ２．．．（ｏｐｔＬＩＧｓ）ｏｓ］
（式中、
Ｍ１は、第１の金属種であり、ｘは、主金属錯体の１モル当たりのＭ１のモル数であり、ｘは、１〜１６の間の数であり、
Ｍ２は、第２の金属種であり、ｙは、主金属錯体の１モル当たりのＭ２のモル数であり、ｙは、０〜７の間の数であり、
Ｍｎは、第ｎの金属種であり、ｚｎは、主金属錯体の１モル当たりのＭｎのモル数であり、ｚｎは、０〜６の間、好適には０〜２の間の数、より好適には０であり、
ｍｏｎｏＬＩＧ１は、第１の単座配位子であり、ｍ１は、主金属錯体の１モル当たりのｍｏｎｏＬＩＧ１のモル数であり、ｍ１は、０〜２０の間の数であり、
ｍｏｎｏＬＩＧ２は、第２の単座配位子であり、ｍ２は、主金属錯体の１モル当たりのｍｏｎｏＬＩＧ２のモル数であり、ｍ２は、０〜１０の間の数であり、
ｍｏｎｏＬＩＧｑは、第ｑの単座配位子であり、ｍｑは、主金属錯体の１モル当たりのｍｏｎｏＬＩＧｑのモル数であり、ｍｑは、０〜２の間の数であり、
ｂｉＬＩＧ１は、第１の二座配位子であり、ｂ１は、主金属錯体の１モル当たりのｂｉＬＩＧ１のモル数であり、ｂ１は、１〜２０の間の数であり、
ｂｉＬＩＧ２は、第２の二座配位子であり、ｂ２は、主金属錯体の１モル当たりのｂｉＬＩＧ２のモル数であり、ｂ２は、０〜１６の間の数であり、
ｂｉＬＩＧｒは、第ｒの二座配位子であり、ｂｒは、主金属錯体の１モル当たりの各追加のｂｉＬＩＧｒのモル数であり、ｂｒは、０〜２の間の数であり、
ｏｐｔＬＩＧ１は、第１の任意選択的な過剰の配位子であり、ｏ１は、主金属錯体の１モル当たりのｏｐｔＬＩＧ１のモル数であり、ｏ１は、０〜４の間の数であり、
ｏｐｔＬＩＧ２は、第２の任意選択的な過剰／末端配位子であり、ｏ２は、主金属錯体の１モル当たりのｏｐｔＬＩＧ２のモル数であり、ｏ２は、０〜３の間の数であり、
ｏｐｔＬＩＧｓは、第ｓの任意選択的な過剰／末端配位子であり、ｏｓは、主金属錯体の１モル当たりの各追加の任意選択的なｏｐｔＬＩＧｓのモル数であり、ｏｓは、０〜２の間の数である。）であり、
任意選択的に、ｘ及びｙの和が４〜１６の間の数である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｍ１が三価金属種であり、及び／又は、Ｍ２が二価金属種であり、
Ｍ１が、有利にはＣｒＩＩＩ、ＦｅＩＩＩ、ＶＩＩＩ、ＧａＩＩＩ、ＡｌＩＩＩ又はＩｎＩＩＩを含む群から選択される三価金属種、有利にはＣｒＩＩＩであり、及び／又は、Ｍ２が、有利にはＮｉＩＩ、ＣｏＩＩ、ＺｎＩＩ、ＣｄＩＩ、ＭｎＩＩ、ＭｇＩＩ、ＣａＩＩ、ＳｒＩＩ、ＢａＩＩ、ＣｕＩＩ又はＦｅＩＩを含む群から選択される二価金属種、有利にはＮｉＩＩであり、
任意選択的に、前記主金属錯体内のＭ１とＭ２とのモル比が９：１〜３：１の間である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ｂｉＬＩＧ１が式−Ｏ２ＣＲＢ１（又はＲＢ１ＣＯ２）により定義されるカルボキシレートであり、式中、ＲＢ１が（１〜１２Ｃ）アルキル、（１〜１２Ｃ）アルケニル、（１〜１２Ｃ）アルキニル、（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、アリール、（１〜３Ｃ）アルキルアリール又はアリール（１〜３Ｃ）アルキルから選択されるヒドロカルビル部分であり、
ｂｉＬＩＧ２が式−Ｏ２ＣＲＢ２（又はＲＢ２ＣＯ２）により定義されるカルボキシレートであり、式中、ＲＢ２が塩基性又はキレート基を含む基であり、置換されていてもよいヘテロシクリル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル（１〜６Ｃ）アルキル、ヘテロアリール（１〜６Ｃ）アルキルから選択され、又は（１〜１２Ｃ）アルキル、（１〜１２Ｃ）アルケニル、（１〜１２Ｃ）アルキニル、（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、アリール、（１〜３Ｃ）アルキルアリール若しくはアリール（１〜３Ｃ）アルキルから選択され、
ｏｐｔＬＩＧ１が溶媒分子又は３以上の多座性を有する多座配位子であり、
任意選択的に、前記主金属錯体が下記式ＩＩにより定義され又は定義される単位を含み、この式ＩＩが、
［Ｍ１ｘＭ２ｙ（ｍｏｎｏＬＩＧ１）ｍ１（Ｏ２ＣＲＢ１）１６−ｂ２（Ｏ２ＣＲＢ２）ｂ２］
（式中、
Ｍ１は、三価金属イオンであり、
Ｍ２は、二価金属イオンであり、
ｘは、６、７、８又は９であり、
ｙは、０、１又は２であり、
ＲＢ１は、（１〜１２Ｃ）アルキル、（１〜１２Ｃ）アルケニル、（１〜１２Ｃ）アルキニル、（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、アリール、（１〜３Ｃ）アルキルアリール、アリール（１〜３Ｃ）アルキルから選択され、
ＲＢ２は、置換されていてもよいヘテロシクリル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル（１〜６Ｃ）アルキル、ヘテロアリール（１〜６Ｃ）アルキルから選択され、又は（１〜１２Ｃ）アルキル、（１〜１２Ｃ）アルケニル、（１〜１２Ｃ）アルキニル、（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルキル、（１〜３Ｃ）アルキル（３〜８Ｃ）シクロアルケニル、アリール、（１〜３Ｃ）アルキルアリール、アリール（１〜３Ｃ）アルキルから選択され、又は１つ若しくは複数のアミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、（１〜６Ｃ）アルコキシ、カルボニル、イミノ、チオ及び／若しくはチオカルボニル基で置換され、
ｂ２は、０、１、２又は３であり、
ｘ及びｙの和は、７、８、９又は１０である。）であり、
任意選択的に、前記主金属錯体が下記式のいずれかにより定義され又は定義される単位を含み、これらの式が、
式ＩＩａ：［Ｍ１８−ｙＭ２ｙＦ８（Ｏ２ＣＲＢ１）１６−ｂ２（Ｏ２ＣＲＢ２）ｂ２］、
式ＩＩｂ：［Ｃｒ７ＮｉＦ８（Ｏ２ＣＲＢ１）１６−ｂ２（Ｏ２ＣＲＢ２）ｂ２］、
式ＩＩｃ：［Ｃｒ７ＮｉＦ８（Ｏ２ＣＲＢ１）１６］、
式ＩＩｄ：［Ｃｒ８Ｆ８（Ｏ２ＣＲＢ１）１６−ｂ２（Ｏ２ＣＲＢ２）ｂ２］、
式ＩＩｅ：［Ｃｒ８Ｆ８（Ｏ２ＣＲＢ１）１６］、又は
式ＩＩＩ：［Ｍ１８−ｙＭ２ｙＦ３（Ｏ２ＣＲＢ１）１５（Ｇｌｕｃ−ＮＨ−Ｒｏ１）］（式中、Ｇｌｕｃ−ＮＨ−Ｒｏ１はＮ−（１〜８Ｃ）アルキル−Ｄ−グルカミンである）である、
請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記リンカー成分（ＬＩＮＫ）又は各リンカー成分が、下記式ｉ）〜ｉｉｉ）から選択されるものであり、これらの式ｉ）〜ｉｉｉ）が、
ｉ）２つ以上の孤立電子対を受容又は供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であって、任意選択的に、前記リンカー成分が、２つ以上の孤立電子対を供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であり、前記リンカー成分（複数可）が、ハロゲン化物、オキソ、オキシド、ヒドロキシド（ＯＨ−）、（１〜６Ｃ）アルコキシド、（２〜６Ｃ）アルケニルオキシ、（２〜６Ｃ）アルキニルオキシ、ホルミル、カルボキシ、（１〜６Ｃ）アルコキシカルボニル、（２〜６Ｃ）アルカノイル、（２〜６Ｃ）アルカノイルオキシ、スルホ、スルフィド、硫化水素、（１〜６Ｃ）アルキルチオ、（２〜６Ｃ）アルケニルチオ、（２〜６Ｃ）アルキニルチオ、チオカルボニル、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも１つの内部ヘテロ原子を含むヘテロシクリル、又は（適切な場合）その脱プロトン化体若しくは塩から選択される基であり又は含み、任意のＣＨ、ＣＨ２若しくはＣＨ３が置換されていてもよく、或いは  
前記リンカー成分が、２つ以上の孤立電子対を受容することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン又は錯体であり、前記リンカー成分（複数可）が、金属陽イオン、ルイス酸性金属化合物、ルイス酸性金属錯体及び／又は脱離基若しくは置換可能配位子を含む金属化合物若しくは錯体から選択される基である又は含み、
ｉｉ）各配位部分が１又は複数の孤立電子対を受容又は供与することができる、２つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であって、任意選択的に、前記リンカー成分が２つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であり、配位部分のそれぞれが１つ又は複数の孤立電子対を供与することができ、前記リンカー成分（複数可）が、ハロゲン化物、アミノ、シアノ、イミノ、エナミノ、（１〜６Ｃ）アルキルアミノ、ジ−［（１〜６Ｃ）アルキル］アミノ、トリ−［（１〜６Ｃ）アルキル］アミノ、オキソ、オキシド、ヒドロキシド（ＯＨ−）、（１〜６Ｃ）アルコキシド、（２〜６Ｃ）アルケニルオキシ、（２〜６Ｃ）アルキニルオキシ、ホルミル、カルボキシ、（１〜６Ｃ）アルコキシカルボニル、（２〜６Ｃ）アルカノイル、（２〜６Ｃ）アルカノイルオキシ、スルホ、スルフィド、硫化水素、（１〜６Ｃ）アルキルチオ、（２〜６Ｃ）アルケニルチオ、（２〜６Ｃ）アルキニルチオ、チオカルボニル、窒素、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも１つの内部ヘテロ原子を含むヘテロシクリル、窒素、酸素若しくは硫黄から選択される少なくとも１つの内部ヘテロ原子を含むヘテロアリール、又は（適切な場合）その脱プロトン化体若しくは塩から選択される１つ若しくは複数の基である又は含むものであり、任意のＣＨ、ＣＨ２若しくはＣＨ３が置換されていてもよく、或いは
前記リンカー成分が、２つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン又は錯体であり、配位部分のそれぞれが１つ又は複数の孤立電子対を供与することができ、前記リンカー成分（複数可）が、金属陽イオン、ルイス酸性金属化合物、ルイス酸性金属錯体及び／又は脱離基若しくは置換可能配位子を含む金属化合物若しくは錯体から選択される１つ若しくは複数の基である又は含むものである。
ｉｉｉ）以下の式ＩＶにより定義される分子、イオン又は錯体であって、この式ＩＶが、
Ｑ−［ＣＯＲＥ］−［Ｗ］ｗ
（式中、
［ＣＯＲＥ］は、非存在又は前記リンカー成分のコアであり、１つ又は任意選択的に複数の基を含み、
Ｑは、［ＣＯＲＥ］又はその１若しくは複数のコア基（複数可）に直接結合した基であり、Ｑは、配位部分を含み、
各Ｗは、［ＣＯＲＥ］又はその１つ若しくは複数のコア基（複数可）に独立に直接結合した基であり、１つ若しくは複数の他のＷ基又はＱに任意選択的にさらに結合しており、それらのＷのそれぞれが配位部分を独立に含み、
ｗは、ゼロより大きい整数である。）であり、
任意選択的に、前記［ＣＯＲＥ］が、下記ａ）〜ｃ）から選択されるものであって、前記ａ）〜ｃ）が、
ａ）前記［ＣＯＲＥ］が、前記Ｑ基及び前記Ｗ基（複数可）又はＷ基（複数可）のそれぞれが共通に結合する単一コア基を含み、前記単一コア基が
ｉ）置換されていてもよい二価若しくは多価非環式コア基、
ｉｉ）二価若しくは多価環式若しくは多環式基、
ｉｉｉ）１つ若しくは複数の非環式部分及び／若しくは環式若しくは多環式部分に連結された少なくとも１つの環式若しくは多環式基を含む二価又は多価コア基、又は
ｉｖ）二価若しくは多価大環状コア基。
以下より選択されるものである。
或いは、
ｂ）前記［ＣＯＲＥ］が、前記Ｑ基及び／又は前記Ｗ基若しくはＷ基（複数可）のそれぞれの１つ若しくは複数を介して間接的に結合して前記［ＣＯＲＥ］を形成する複数のコア基を含み、これらコア基のそれぞれが、
ｉ）２つ以上の孤立電子対を供与することができる単一の配位部分を含む単一原子、分子、イオン若しくは錯体、及び／又は
ｉｉ）それぞれ独立に孤立電子対を供与することができる２つ以上の配位部分を含む単一分子、イオン若しくは錯体。
から選択されるものである。
或いは、
ｃ）前記［ＣＯＲＥ］が、下記式により定義される複数のコア基を含み、この式が、
【化１】
2017530386.tif 000001
（式中、Ｗ及びＱは、電子対受容Ｑ及び／又はＷ基であり、各［コア］は、リンカー成分が、以下：
二金属カルボキシレート錯体［Ｍ２（Ｏ２ＣＲ）４］（Ｍは、二価金属イオンである。）、
二金属カルボキシレート錯体［ＭＭ’（Ｏ２ＣＲ）４］＋（Ｍは、二価金属イオンであり、Ｍ’は、三価金属イオンである。）、
三金属カルボキシレート錯体［Ｍ３Ｏ（Ｏ２ＣＲ）６］＋（Ｍは、三価金属イオンである。）、
三金属カルボキシレート錯体［Ｍ２Ｍ’Ｏ（Ｏ２ＣＲ）６］＋、（Ｍは、三価金属イオンであり、Ｍ’は、二価金属イオンである。）、
六金属カルボキシレート錯体［Ｍ’４Ｍ２Ｏ２（Ｏ２ＣＲ）１２］（Ｍは、三価金属イオンであり、Ｍ’は、二価金属イオンである。）、
十二金属錯体［Ｍ１２（ｃｈｐ）１２（Ｏ２ＣＭｅ）６（Ｈ２Ｏ）６］（ｃｈｐは、６−クロロ−２−ピリドネートであり、Ｍは、Ｎｉ又はＣｏである。）から選択されるものである。）である、
請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が基板ベース材料を含み又はから本質的になり、前記基板ベース材料がリソグラフィプレート、リソグラフィックマスク用材料又は電子部品基板であり、有利には単一モノリシックケイ素結晶である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ｅＢｅａｍレジスト組成物が、１５以上の実効原子番号（Ｚｅｆｆ）を有する化合物である又は化合物を含む二次電子ジェネレーターをさらに含み、
Ｚｅｆｆ＝ΣαｉＺｉ
（式中、Ｚｉは化合物内のｉ番目の元素の原子番号であり、αｉは前記化合物内の全ての原子の原子番号の合計（すなわち、化合物中のプロトンの合計）に対して、前記ｉ番目の元素が占める割合である）である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
１．３ｇ／ｃｍ３以下の密度及び２０００ｇ／ｍｏｌ以上の分子量を有する散乱を防止する化合物を含み、請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジスト組成物に関する更なる特徴のいずれかにより任意選択的に特徴づけられるｅＢｅａｍレジスト組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子ビームリソグラフィを実施すること、及び任意選択的にリソグラフィックマスクを用意するための更なる処理ステップを含み、表面／基板の不透明の領域と隣接して並置された表面／基板の透明の領域により特徴づけられるマスクパターンを含む、リソグラフィックマスクを製造する方法。
【請求項１１】
リソグラフィを実施する方法であって、
ｉ）レジストコートされた基板を用意するステップ又はレジストコーティングを基板に塗布するステップ、及び請求項１０に記載の方法によりリソグラフィックマスクを用意するステップと、
ｉｉ）レジストコーティングの一部（複数可）を、リソグラフィックマスクを介して、照射に曝露して、曝露されたレジストコーティングを得るステップと、
ｉｉｉ）前記曝露されたレジストコーティングを現像して、前記レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分（すなわち、畝）及びレジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含むレジストパターン層を形成するステップと、
ｉｖ）レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面又はその一部（複数可）を任意選択的に修飾するステップと、
ｖ）前記レジストパターン層を任意選択的に除去して、修飾基板を用意ステップと、
ｖｉ）任意選択的に、修飾基板について、ステップｉｖ）及び／又はステップｉ）〜ｖ）（請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングを用い、任意選択的にリソグラフィックマスクを用いた若しくは用いない電子ビーム照射又は可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に用いて）を１又は複数回反復するステップと
を含み、
前記レジストコートされた基板が、レジストコーティングで（請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングで）コートされた基板であり、
前記レジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び／又は硬化させたｅＢｅａｍレジスト組成物（請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジスト組成物又はフォトレジスト等の代替レジスト組成物）を含む、方法。
【請求項１２】
集積回路ダイス又は複数の集積回路ダイスを含む集積回路ウエハの作製法であって、前記又は各ダイスが複数の電子部品を含み、
ｉ）請求項１〜８のいずれか１項に記載の（ｅＢｅａｍ）レジストコートされた基板を用意するステップ、若しくは（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板に塗布するステップと、
ｉｉ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングの一部（複数可）を電子ビーム照射に曝露して、曝露された（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを用意するステップ、
又は
ｉ）請求項１〜８のいずれか１項に記載のレジストコートされた基板を用意するステップ、若しくはレジストコーティングを請求項１から２８のいずれか１項に記載の基板に塗布するステップ、及び請求項１０に記載の方法によりリソグラフィックマスクを用意するステップと、
ｉｉ）前記リソグラフィックマスクを介して、前記レジストコーティングの一部（複数可）を照射（例えば、ＵＶ又は可視光）に曝露して、曝露されたレジストコーティングを用意するステップと、
並びに
ｉｉｉ）前記曝露された（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングを現像して、（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を形成するステップであって、前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層が、前記（ｅＢｅａｍ）レジストコーティングの現像剤に不溶性のコーティング部分（すなわち、畝）、及び前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を通過して延在する一連の溝を含むステップと、
ｉｖ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層の下部の、前記基板、基板表面、又はその一部（複数可）を修飾するステップと、
ｖ）前記（ｅＢｅａｍ）レジストパターン層を除去して、修飾された基板を用意するステップと、
ｖｉ）任意選択的に、修飾基板について、ステップｉｖ）及び／又はステップｉ）〜ｖ）（本発明に係るレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングを用い、任意選択的にリソグラフィックマスクを用いた若しくは用いない電子ビーム照射又は可視又は紫外光等の代替放射線を曝露中に用いて）を１又は複数回反復するステップと、
ｖｉｉ）前記ダイス又は各ダイスの電子部品を、電導体（複数可）と導電的に相互接続して（１つ又は複数の基板／基板表面の修飾ステップ中にすでに実施されていない場合）、外部接触端子を備えた集積回路を用意するステップと、
ｖｉｉｉ）任意選択的に、１つ又は複数の更なる仕上げステップを実施するステップと、
ｉｘ）任意選択的に、集積回路ダイスを、複数の集積回路ダイスを含むウエハから分離するステップと
を含み、
前記ｅＢｅａｍレジストコートされた基板が、ｅＢｅａｍレジストコーティングでコートされた基板であり、
前記ｅＢｅａｍレジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び／又は硬化させたレジスト組成物を含み、
前記ｅＢｅａｍレジスト組成物が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の散乱を防止する化合物を含み、
前記レジストコートされた基板が、レジストコーティングで（請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジストコーティング又はフォトレジスト等の代替レジストコーティングで）コートされた基板であり、
前記レジストコーティングが、任意選択的に乾燥及び／又は硬化させたレジスト組成物（請求項１〜８のいずれか１項に記載のｅＢｅａｍレジスト組成物又はフォトレジスト等の代替レジスト組成物）を含む、作製法。
【請求項１３】
複数のピン、及び対応する複数のピンと導電的に接続した外部接触端子を備えた集積回路ダイス含む集積回路パッケージの製造法であって、
ｉ）請求項１２に記載の集積回路ダイスの作製法により、集積回路ダイスを用意するステップと、
ｉｉ）前記集積回路ダイスをパッケージ基板に取り付けるステップであって、前記パッケージ基板が、電気的接点を備え、前記電気的接点のそれぞれが、任意選択的に、対応するピンに接続される、又はこれと接続可能であるステップと、
ｉｉｉ）前記集積回路ダイスの前記外部接触端子のそれぞれを、前記パッケージ基板の対応する電気的接点と導電的に接続するステップと、
ｉｖ）任意選択的に（及び必要な場合に）、前記パッケージ基板の電気的接点を、対応するピンと接続するステップと、
ｖ）前記集積回路ダイスを封入するステップと
を含む製造法。
【請求項１４】
複数のピンを備えた集積回路パッケージを含む回路基板の製造法であって、
ｉ）請求項１３に記載の集積回路パッケージを製造する方法により集積回路パッケージを用意するステップと、
ｉｉ）前記集積回路パッケージを回路基板に導電的に接続するステップと
を含む、回路基板の製造法。
【請求項１５】
電源を備えた又は電源に接続可能であり、電源に導電的に接続される又はこれと接続可能である回路基板を含む電子素子又はシステムの製造法であって、
ｉ）請求項１４に記載の回路基板の製造法により回路基板を用意するステップと、
ｉｉ）前記回路基板を前記電子素子又はシステム内に組み込むステップと
を含む、電子素子又はシステムの製造法。