【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性集積回路（ＩＣ）モジュールであって、
可撓性基板と、
可撓性基板に取り付けられた半導体ダイと、
可撓性基板に取り付けられているとともに、アクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含むポリイミド接着剤を含む封止層と
を含み、半導体ダイが可撓性基板と封止層との間に封入されている、可撓性集積回路モジュール。
【請求項２】
封止層が熱可塑性樹脂を更に含む、請求項１に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項３】
熱可塑性樹脂は、ＢステージＦＲ−４ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドを含む、請求項２に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項４】
可撓性基板は、可撓性ポリマーの層及び導電性材料の２つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、請求項１に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項５】
封止層の、前記可撓性基板とは反対側に取り付けられた第２の可撓性基板を更に含み、第２の可撓性基板は、それを貫通して半導体ダイまで延在する１つ以上のビアを含む、請求項４に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項６】
可撓性集積回路（ＩＣ）モジュールであって、
可撓性基板と、
可撓性基板に取り付けられた半導体ダイと、
可撓性基板に取り付けられているとともに、熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含む封止層と
を含み、半導体ダイが可撓性基板と封止層との間に封入されており、熱可塑性樹脂は、ＢステージＦＲ−４ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドを含む、可撓性集積回路モジュール。
【請求項７】
ポリイミド接着剤はアクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含む、請求項６に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項８】
半導体ダイは、集積回路が形成された電子グレードのシリコンウェハを含む、請求項６に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項９】
可撓性基板は、可撓性ポリマーの層及び導電性材料の２つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、請求項６に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１０】
封止層の、前記可撓性基板とは反対側に取り付けられた第２の可撓性基板を更に含み、第２の可撓性基板は、それを貫通して半導体ダイまで延在する１つ以上のビアを含む、請求項９に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１１】
可撓性集積回路（ＩＣ）モジュールであって、
可撓性基板と、
可撓性基板に取り付けられているとともに、集積回路が形成された電子グレードのシリコンウェハを含む半導体ダイと、
可撓性基板に取り付けられているとともに、ポリイミド接着剤を含む封止層と
を含み、半導体ダイが可撓性基板と封止層との間に封入されている、可撓性集積回路モジュール。
【請求項１２】
可撓性集積回路（ＩＣ）モジュールであって、
可撓性ポリマーの層及び導電性材料の２つの層を含む可撓性基板であって、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている可撓性基板と、
可撓性基板に取り付けられた半導体ダイと、
可撓性基板に取り付けられているとともに、熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含む封止層と
を含み、半導体ダイが可撓性基板と封止層との間に封入されている、可撓性集積回路モジュール。
【請求項１３】
可撓性ポリマーの層は熱硬化性ポリイミドポリマーのシートを含み、導電性材料の各層は銅コーティングを含む、請求項１２に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１４】
銅コーティングの各層は、熱硬化性ポリイミドポリマーのシートのそれぞれの側においてパターニングされている、請求項１３に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１５】
封止層の、前記可撓性基板とは反対側に取り付けられた第２の可撓性基板を更に含む、請求項１２に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１６】
第２の可撓性基板は、可撓性ポリマーの第２の層及び導電性材料の２つの第２の層を含み、導電性材料の第２の層の各々が可撓性ポリマーの第２の層のそれぞれの側に配置されている、請求項１５に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１７】
可撓性ポリマーの第２の層は熱硬化性ポリイミドポリマーのシートを含み、導電性材料の第２の層の各々は銅コーティングを含む、請求項１６に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１８】
第２の可撓性基板は、それを貫通して半導体ダイまで延在する１つ以上のビアを更に含む、請求項１５に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項１９】
熱可塑性樹脂は、ＢステージＦＲ−４ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドを含み、ポリイミド接着剤はアクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含む、請求項１２に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項２０】
半導体ダイは、集積回路が形成された電子グレードのシリコンウェハを含む、請求項１２に記載の可撓性集積回路モジュール。
【請求項２１】
極めて可撓性の電子デバイスのための可撓性集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
可撓性ポリマーの第１の層、及び、前記可撓性ポリマーの第１の層のそれぞれの側に各々配置されている導電性材料の第１の対の層を含む第１の可撓性基板と、
第１の可撓性基板に取り付けられ、集積回路が形成された電子グレードのシリコンウェハを含むシリコンダイと、
可撓性ポリマーの第２の層、及び、前記可撓性ポリマーの第２の層のそれぞれの側に各々配置されている導電性材料の第２の対の層を含む第２の可撓性基板と、
第１及び第２の可撓性基板の間に配置されるとともにそれらに積層され、かつ前記シリコンダイを封入している熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤、又はそれらの両方を含む封止層と
を含む、可撓性集積回路パッケージ。
【請求項２２】
ポリイミド接着剤はアクリル系の熱伝導性かつ電気的に絶縁性のポリイミド接着剤を含む、請求項２１に記載の可撓性集積回路パッケージ。
【請求項２３】
熱可塑性樹脂は、ＢステージＦＲ−４ガラス強化エポキシ熱可塑性ポリマー又はコポリマー又はブレンドを含む、請求項２１に記載の可撓性集積回路パッケージ。
【請求項２４】
第２の可撓性基板は、それを貫通してシリコンダイまで延在する１つ以上のビアを更に含む、請求項２１に記載の可撓性集積回路パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示の他の態様は、可撓性集積回路を製造する方法及び使用する方法を対象とする。一態様では、可撓性集積回路モジュールを組み立てる方法が開示される。この方法は、第１及び第２の可撓性基板を提供する工程であって、可撓性基板の各々は、可撓性ポリマーの層及び導電性材料の２つの層を含み、導電性材料の層の各々が可撓性ポリマーの層のそれぞれの側に配置されている、工程と；半導体ダイを第２の可撓性基板に取り付ける工程と；熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤又はそれらの両方を含む封止層を第１の可撓性基板に積層する工程と；熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤又はそれらの両方が半導体ダイの周りを流れて半導体ダイを封入するように、封止層及び第１の可撓性基板を第２の可撓性基板に積層する工程とを含む。熱可塑性樹脂又はポリイミド接着剤を使用することによって、接着材料の更なる層を必要とせずに、封止層を一方の基板にヒートセット積層し、続いて他方の基板にヒートセット積層することができる。これにより、製造コストと材料コストが削減され、モジュールの厚さと全体の体積が最小限に抑えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】本開示の態様による、柔軟なワイヤボンド相互接続によって接続された集積回路（ＩＣ）パッケージを有する可撓性電子回路システムの一例の斜視図である。
【図２】本開示の態様による多層ＩＣモジュールを有する代表的な可撓性電子回路の断面側面図である。
【図３】本開示の態様による多層ＩＣモジュールを有する別の代表的な可撓性電子回路システムの断面側面図である。
【図４】本開示の態様による可撓性回路（ＩＣ）モジュールを組み立てる代表的な方法を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ステップ３０５において、シリコンベースの半導体ダイ（例えば、図２及び３の半導体ダイ１０４及び２０４）を続いて一方の可撓性基板（例えば、図２及び３の第２の可撓性基板１０６Ｂ又は２０６Ｂ）上に直接配置し、例えば無調整のエポキシによって、その外側金属層に直接取り付け又は結合させる。図４に示すように、方法３００はその後ステップ３０７において、他方の可撓性基板（例えば、図２及び３の第１の可撓性基板１０６Ａ又は２０６Ａ）に封止層（例えば、ＰＩ接着剤又は熱可塑性樹脂）を積層することを含む。ステップ３０９において、封止層を有する可撓性基板は続いて、封止層の熱可塑性樹脂及び／又はポリイミド接着剤が半導体ダイの周りを流れて半導体ダイを封入するように、シリコンダイを有する他方の可撓性基板に積層される。ステップ３１１において、次に、１つ以上のビアを、半導体ダイ上のコンタクトまで第２の可撓性基板及び封止層を貫通して穿孔するか、又は他の方法で形成することができる。方法３００は、その後、第１の可撓性基板を半導体ダイに接続するためにビアを電気メッキすることを含んでもよい。その後、追加の回路パターニングを実行して保護ソルダーマスクを積層体の外面に適用してもよい。