【手続補正書】
【提出日】平成30年2月6日(2018.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱的に伝導性の複合電子基板であって、
ａ．２、５、１０、１５、２０、２５、５０、１００、２５０、５００または１０００ワット／（メートル・ケルビン度）より高い熱伝導性を有する金属、グラファイトまたは他の材料を含む熱的に伝導性の層と、
ｂ．前記熱的に伝導性の層と直接接触しており、１００、５０、３０、２５、２０、１５、１２または１０ミクロン以下の厚さを有し、式Ｉ：
【化１】
2017510978.tif 000001
（式中、Ｘは、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｏ、Ｓ（Ｏ）２もしくはＣ（ＣＦ３）２、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−、またはＣ（ＣＨ３）２、Ｏ、Ｓ（Ｏ）２およびＣ（ＣＦ３）２、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−の２種以上の混合であり、
Ｙは、
ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル（ＴＦＭＢ）、
３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）、
４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（２−アミノフェノール）（６Ｆ−ＡＰ）、
ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）および
９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）、
２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＡＭ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル）］プロパン（ＢＡＰＰ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ−Ａ−ＡＦ）、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチル−エチリデン）］ビスアニリン（Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍ）
からなる群から選択されるジアミン成分またはジアミン成分の混合であり、ただし、
ｉ．ＸがＯである場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）および３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍではなく、
ｉｉ．ＸがＳ（Ｏ）2である場合、Ｙは、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）ではなく、
ｉｉｉ．ＸがＣ（ＣＦ3）2である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）および３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）ではなく、
ｉｖ．ＸがＯ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−ＯまたはＯ−Ｐｈ−Ｏ−である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ＦＤＡ、３，４’−ＯＤＡ、ＤＡＭ、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍではない）
によって表されるポリイミドを含む誘電体層と、
ｃ．任意選択的に、前記誘電体層と直接接触し、前記式Ｉによって表されるポリイミドと、追加的な熱的および電気的に伝導性の充填剤とを含む熱的および電気的に伝導性の層と
を含む、熱的に伝導性の複合電子基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
１０  高度に熱伝導性の層
２０  硬化性ポリイミド含有誘電体層
３０  電気的および熱的に伝導性のポリイミド層
本発明は以下の実施の態様を含む。
１．熱的に伝導性の複合電子基板であって、
ａ．２、５、１０、１５、２０、２５、５０、１００、２５０、５００または１０００ワット／（メートル・ケルビン度）より高い熱伝導性を有する金属、グラファイトまたは他の材料を含む熱的に伝導性の層と、
ｂ．前記熱的に伝導性の層と直接接触しており、１００、５０、３０、２５、２０、１５、１２または１０ミクロン以下の厚さを有し、式Ｉ：
【化１】
2017510978.tif 000002
（式中、Ｘは、Ｃ（ＣＨ３）２、Ｏ、Ｓ（Ｏ）２もしくはＣ（ＣＦ３）２、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−、またはＣ（ＣＨ３）２、Ｏ、Ｓ（Ｏ）２およびＣ（ＣＦ３）２、Ｏ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｏ、Ｏ−Ｐｈ−Ｏ−の２種以上の混合であり、
Ｙは、
ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル（ＴＦＭＢ）、
３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）、
４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（２−アミノフェノール）（６Ｆ−ＡＰ）、
ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）および
９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）、
２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＡＭ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル）］プロパン（ＢＡＰＰ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ−Ａ−ＡＦ）、４，４’−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチル−エチリデン）］ビスアニリン（Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍ）
からなる群から選択されるジアミン成分またはジアミン成分の混合であり、ただし、
ｉ．ＸがＯである場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）および３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、Ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍではなく、
ｉｉ．ＸがＳ（Ｏ）2である場合、Ｙは、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）ではなく、
ｉｉｉ．ＸがＣ（ＣＦ3）2である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ＢＡＰＳ）、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）および３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（３，３’−ＤＤＳ）ではなく、
ｉｖ．ＸがＯ−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−ＯまたはＯ−Ｐｈ−Ｏ−である場合、Ｙは、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、ＦＤＡ、３，４’−ＯＤＡ、ＤＡＭ、ＢＡＰＰ、ＡＰＢ−１３３、ｂｉｓａｎｉｌｉｎｅ−Ｍではない）
によって表されるポリイミドを含む誘電体層と、
ｃ．任意選択的に、前記誘電体層と直接接触し、前記式Ｉによって表されるポリイミドと、追加的な熱的および電気的に伝導性の充填剤とを含む熱的および電気的に伝導性の層と
を含む、熱的に伝導性の複合電子基板。
２．前記ポリイミドが、ジアミン成分から誘導され、前記ジアミン成分の０．１〜３０モルパーセントが、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）、２，４−ジアミノフェノール、２，３−ジアミノフェノール、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−ビフェニルおよび２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンからなる群から選択される、前記１に記載の複合基板。
３．前記ポリイミドが、熱架橋剤を含むか、またはそれから部分的に誘導される、前記１に記載の複合基板。
４．前記熱架橋剤が、
ビスフェノールエポキシ樹脂、
フェノールおよび芳香族炭化水素のエポキシ化コポリマー、
エピクロロヒドリンおよびフェノールホルムアルデヒドのポリマー、ならびに
１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタントリグリシジルエーテル
からなる群から選択される、前記３に記載の複合基板。
５．前記ポリイミドが、ブロック化イソシアネートを含むか、またはそれから部分的に誘導される、前記１に記載の複合基板。
６．ポリヒドキシフェニルエーテル（ＰＫＨＨ）、ポリベンゾイミダゾールおよびポリアミドイミドからなる群から選択される金属接着剤をさらに含む、前記１に記載の複合基板。
７．熱的に伝導性の充填剤を含有する誘電体層をさらに含む、前記１に記載の複合基板。
８．前記熱的に伝導性の充填剤が、金属、カーバイド、窒化物、酸化物または炭素の同素体を含む、前記７に記載の複合基板。
９．前記熱的に伝導性の充填剤が、１００ナノメートル未満である少なくとも１つの寸法を有する、前記８に記載の複合基板。
１０．前記熱的および電気的に伝導性の層が、はんだ付け可能である、前記１に記載の複合基板。
１１．前記熱的および電気的に伝導性の層が、ワイヤボンディング可能である、前記１に記載の複合基板。
１２．前記熱的および電気的に伝導性の層が、前記誘電体層および前記下にある熱的に伝導性の層と直接接触し、したがって、サーマルビアまたはプラグを形成する、前記１に記載の複合基板。