【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは、各々周期構造のペアを備え、前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットの周期構造を備えることと、
少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【請求項２】
前記第１のサブターゲットは、第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、  前記第２のサブターゲットは、第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、  前記第５の周期構造は、前記基板上の前記第６の周期構造とは異なる層にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第１及び第２のサブターゲットは、各々周期構造のペアを備え、
前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、
前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットの周期構造を備え、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。
【請求項４】
基板上の場合、前記第１のサブターゲットは、第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは、第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第５の周期構造は、前記第６の周期構造とは異なる層にある、請求項３に記載のターゲット。
【請求項５】
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、第１の層内に少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１のサブターゲットは、第１の周期構造を備え、前記第２のサブターゲットは、第２の周期構造を備え、第３の周期構造は、前記第１の層の下の第２の異なる層内の前記第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、前記第２の層内の前記第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第４の周期構造は、前記第２の層の下の第３の異なる層内の前記第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置されることと、
少なくとも前記第１から第４の周期構造から回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【請求項６】
前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板上の場合、第１の層内にある少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットであって、前記第１のサブターゲットは、第１の周期構造を備え、前記第２のサブターゲットは、第２の周期構造を備える、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットと、
前記基板上の場合、前記第１の層の下の第２の異なる層内の前記第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された第３の周期構造であって、前記第２の層内の前記第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在しない、第３の周期構造と、
前記基板上の場合、前記第２の層の下の第３の異なる層内の前記第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された第４の周期構造と、を備え、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。
【請求項８】
前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項７に記載のターゲット。
【請求項９】
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは、各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアと、を備え、前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有することと、
少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【請求項１０】
前記第１のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第１の周期及び第１のフィーチャ又は空間幅を有し、
前記第２のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第２の周期及び第２のフィーチャ又は空間幅を有し、
前記異なる設計は、前記第２の周期、前記第２のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第１の周期、前記第１のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアと、を備え、
前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。
【請求項１２】
基板上の場合、前記第１のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は、前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、請求項１１に記載のターゲット。
【請求項１３】
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアと、を備え、前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は前記基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にあることと、
少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットから回折する放射を検出し、そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得することと、を含み、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【請求項１４】
前記第１のサブターゲットは、前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、
前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアと、を備え、
前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は、基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にあり、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折測定ターゲット。
【請求項１６】
前記第２のサブターゲットは、前記第１のサブターゲットとは異なる設計を有する、請求項１５に記載のターゲット。
【請求項１７】
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することを含む方法であって、
前記測定ターゲットは、少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備え、
前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは、設計が異なり、
前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【請求項１８】
前記異なる設計は、前記第１から第３のサブターゲットのうちの別の１つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１から第３のサブターゲットのうちの１つを備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備える回折メトロロジーターゲットであって、
前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは、設計が異なり、
前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、回折メトロロジーターゲット。
【請求項２０】
前記異なる設計は、前記第１から第３のサブターゲットのうちの別の１つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１から第３のサブターゲットのうちの１つを備える、請求項１９に記載のターゲット。
【請求項２１】
２つの層間のオーバーレイを測定することを含む方法であって、
放射を用いて、２つの層の各々の上にターゲットの一部を有する基板上の回折測定ターゲットを照明することを含み、
前記２つの層は、少なくとも１つの他の層によって分離され、
前記２つの層のうちの第１の層は、少なくとも第１のサブターゲット及び第２のサブターゲットを備え、
第１の周期構造は、前記２つの層のうちの第２の層内の前記第１のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置され、
前記第２の層内の前記第２のサブターゲットの下には、いずれの周期構造も存在せず、
前記第１及び第２のサブターゲットは、互いに異なるプロセススタックとして設計されている、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
[0007]  実施形態において、リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法が提供され、方法は、放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、異なる設計は、第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する第１のサブターゲットの周期構造を備える、照明すること、及び、そのターゲットについてのリソグラフィプロセスのパラメータを表す測定を取得するために、少なくとも第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出することを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
[0008]  実施形態において、回折測定ターゲットを有する基板が提供され、測定ターゲットは、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、異なる設計は、第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する第１のサブターゲットの周期構造を備える。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
[0009]  実施形態において、リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法が提供され、方法は、放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、測定ターゲットは第１の層内に少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１のサブターゲットは第１の周期構造を備え、第２のサブターゲットは第２の周期構造を備え、第３の周期構造は第１の層の下の第２の異なる層内の第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、第２の層内の第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第４の周期構造は第２の層の下の第３の異なる層内の第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される、照明すること、及び、そのターゲットについてのリソグラフィプロセスのパラメータを表す測定を取得するために、少なくとも第１から第４の周期構造によって散乱される放射を検出することを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
[0010]  実施形態において、回折測定ターゲットを有する基板が提供され、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１のサブターゲットは第１の周期構造を備え、第２のサブターゲットは第２の周期構造を備え、第３の周期構造は第１の層の下の第２の異なる層内の第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、第２の層内の第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第４の周期構造は第２の層の下の第３の異なる層内の第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
[0011]  実施形態において、リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法が提供され、方法は、放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、照明すること、及び、そのターゲットについてのリソグラフィプロセスのパラメータを表す測定を取得するために、少なくとも第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出することを含む。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
[0012]  実施形態において、回折測定ターゲットを有する基板が提供され、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
[0013]  実施形態において、リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法が提供され、方法は、放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１及び第２のサブターゲットの各々の周期構造の少なくとも一部は基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、照明すること、及び、そのターゲットについてのリソグラフィプロセスのパラメータを表す測定を取得するために、少なくとも第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出することを含む。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
[0014]  実施形態において、回折測定ターゲットを有する基板が提供され、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１及び第２のサブターゲットの各々の周期構造の少なくとも一部は基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
[0015]  実施形態において、メトロロジーターゲット設計の方法が提供され、方法は、複数のサブターゲットを有する回折メトロロジーターゲットの設計のための指示を受信することであって、各サブターゲットは、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、受信すること、回折メトロロジーターゲットの領域、寸法、又はその両方に関する制約を受信すること、及び、プロセッサによって、少なくとも制約に基づいて回折メトロロジーターゲットの設計を選択することを含む。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
[0016]  実施形態において、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットが提供され、第１及び第２のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、異なる設計は、第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する第１のサブターゲットの周期構造を備える。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
[0017]  実施形態において、基板上にある場合は第１の層内にある、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットが提供され、第１のサブターゲットは第１の周期構造を備え、第２のサブターゲットは第２の周期構造を備え、基板上にある場合は、第１の層の下の第２の異なる層内の第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される第３の周期構造を備え、第２の層内の第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、基板上にある場合は、第２の層の下の第３の異なる層内の第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される、第４の周期構造を備える。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
[0018]  実施形態において、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットが提供され、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１のサブターゲットは第２のサブターゲットとは異なる設計を有する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
[0019]  実施形態において、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットが提供され、第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、第１及び第２のサブターゲットの各々の周期構造の少なくとも一部は基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
[0020]  実施形態において、放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することを含む方法が提供され、測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備え、第１、第２、及び第３のサブターゲットは設計が異なる。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
[0021]  実施形態において、少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備える回折メトロロジーターゲットが提供され、第１、第２、及び第３のサブターゲットは設計が異なる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
[0022]  実施形態において、２つの層間のオーバーレイを測定することを含む方法が提供され、方法は、放射を用いて、２つの層の各々の上にターゲットの一部を有する基板上の回折測定ターゲットを照明することを含み、２つの層は少なくとも１つの他の層によって分離される。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
[0023]  実施形態において、回折測定ターゲットの配置を考案する方法が提供され、ターゲットは複数のサブターゲットを備え、各サブターゲットは複数の周期構造を備え、各サブターゲットは、異なる層ペアを測定するように、又は異なるプロセススタックについて測定するように設計され、方法は、サブターゲットの周期構造をターゲット領域内に配置すること、及び、アシストフィーチャをサブターゲットの周辺に配置することを含み、アシストフィーチャは、サブターゲットの周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成される。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
[0024]  実施形態において、ターゲットのターゲット領域内の複数のサブターゲットであって、各々のサブターゲットが複数の周期構造を備え、各々のサブターゲットが異なる層ペアを測定するか又は異なるプロセススタックについて測定するように設計された、複数のサブターゲットと、サブターゲットの周辺のアシストフィーチャであって、サブターゲットの周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成されたアシストフィーチャとを備える、回折測定ターゲットが提供される。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
[0025]  実施形態において、デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して一連の基板に適用される、デバイスを製造する方法が提供され、方法は、本明細書で説明する方法を使用して、基板のうちの少なくとも１つ上にデバイスパターンの一部として又はデバイスパターンの代わりに形成される少なくとも回折測定ターゲットを検査すること、及び、方法の結果に従ってその後の基板に対するリソグラフィプロセスを制御することを含む。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
[0026]  実施形態において、本明細書で説明する回折測定ターゲットを少なくとも部分的に形成するように構成された、パターニングデバイスが提供される。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
[0031]  基板上の回折測定ターゲット上にビームを提供するように、及びリソグラフィプロセスのパラメータを決定するためにターゲットによって回折される放射を検出するように構成された、検査装置と、本明細書で説明する非一時的コンピュータプログラム製品とを備える、システムが提供される。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
【図１】[0034]本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0035]本発明の実施形態に従ったリソグラフィセル又はクラスタを示す図である。
【図３（ａ）】[0036]ある照明モードを提供する照明アパーチャの第１のペアを使用して、本発明の実施形態に従ったターゲットを測定する際に使用するための暗視野スキャトロメータを示す概略図である。
【図３（ｂ）】[0037]所与の方向の照明についてターゲット周期構造の回折スペクトルを示す概略詳細図である。
【図３（ｃ）】[0038] 回折ベースのオーバーレイ測定のためにスキャトロメータを使用する際に、さらなる照明モードを提供する照明アパーチャの第２のペアを示す概略図である。
【図３（ｄ）】[0039] 回折ベースのオーバーレイ測定のためにスキャトロメータを使用する際に、さらなる照明モードを提供するアパーチャの第１のペア及び第２のペアを組み合わせた照明アパーチャの第３のペアを示す概略図である。
【図４】[0040]多重周期構造（例えば格子）の形式及び基板上の測定スポットの概略を示す図である。
【図５】[0041]図３の装置内で取得される図４のターゲットの像を示す図である。
【図６】[0042]図３の装置を使用する、本発明の実施形態に適合可能な、オーバーレイ測定方法のステップを示すフローチャートである。
【図７（ａ）】[0043]ゼロ領域内に異なるオーバーレイ値を有するオーバーレイ周期構造を示す、概略断面図である。
【図７（ｂ）】[0043]ゼロ領域内に異なるオーバーレイ値を有するオーバーレイ周期構造を示す、概略断面図である。
【図７（ｃ）】[0043]ゼロ領域内に異なるオーバーレイ値を有するオーバーレイ周期構造を示す、概略断面図である。
【図８】[0044]理想的なターゲット構造におけるオーバーレイ測定の原理を示す図である。
【図９】[0045]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図１０】[0046]プロセススタック変動を反映するための、本発明の実施形態に従った拡張動作範囲メトロロジーターゲットの使用を示す図である。
【図１１】[0047]多層オーバーレイ測定のための、本発明の実施形態に従った拡張動作範囲メトロロジーターゲットの使用を示す図である。
【図１２Ａ】[0048]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの変形を示す図である。
【図１２Ｂ】[0048]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの変形を示す図である。
【図１２Ｃ】[0048]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの変形を示す図である。
【図１２Ｄ】[0048]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの変形を示す図である。
【図１２Ｅ】[0048]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの変形を示す図である。
【図１３（ａ）】[0049]非最適化ターゲットレイアウトの例を示す図である。
【図１３（ｂ）】[0050]図１３（ａ）のターゲットレイアウトの結果として生じる暗視野像を示す図である。
【図１４（ａ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１４（ｂ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１４（ｃ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１４（ｄ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１４（ｅ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１４（ｆ）】[0051]本発明の実施形態に従った非最適化ターゲットレイアウト及びターゲットレイアウトの例、並びに、異なる測定放射波長を使用するこれらのターゲットの予測される結果として生じる暗視野像の例を示す図である。
【図１５】[0052]本発明の実施形態に従った、ターゲットの部分断面図を示す。
【図１６（ａ）】[0053]非最適化ターゲットレイアウトの例を示す図である。
【図１６（ｂ）】[0054]本発明の実施形態に従ったターゲットレイアウトの例を示す図である。
【図１７】[0055]本発明の実施形態に従ったターゲット配置を考案する方法を示すフローチャートである。
【図１８（ａ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１８（ｂ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１８（ｃ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１８（ｄ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１８（ｅ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１８（ｆ）】[0056]ターゲット配置を考案するために実行される、図１７に示された方法の実施形態を示す図である。
【図１９】[0057]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを設計するためのシステムを概略的に示す図である。
【図２０】[0058]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを設計するプロセスを示すフローチャートである。
【図２１】[0059]性能を監視するために拡張動作範囲メトロロジーターゲットが使用されるプロセスと、メトロロジーを制御するための基本として、本発明の実施形態に従った設計プロセス及び／又は製造プロセスとを示す、フローチャートである。
【図２２（Ａ）】[0060]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２２（Ｂ）】[0060]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２２（Ｃ）】[0060]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２３（Ａ）】[0061]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２３（Ｂ）】[0061]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２３（Ｃ）】[0061]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２４（Ａ）】[0062]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２４（Ｂ）】[0062]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２４（Ｃ）】[0062]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２５（Ａ）】[0063]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２５（Ｂ）】[0063]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２５（Ｃ）】[0063]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２６（Ａ）】[0064]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２６（Ｂ）】[0064]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２６（Ｃ）】[0064]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２６（Ｄ）】[0064]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【図２６（Ｅ）】[0064]本発明の実施形態に従った、拡張動作範囲メトロロジーターゲットを示す図である。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
[0086]  従来のスキャトロメータによって使用されるターゲットは、相対的に大きい、例えば４０μｍ×４０μｍの周期構造（例えば、格子）レイアウトを備える。その場合、測定ビームはしばしば、周期構造レイアウトより小さいスポットサイズを有する（すなわち、周期構造レイアウトは充填不足である）。これにより、ターゲットは無限であるとみなすことができるため、ターゲットの数学的再構成を簡略化する。しかしながら、例えばターゲットはスクライブレーン内ではなく、プロダクトフィーチャの間に位置決めすることができるため、ターゲットのサイズは、例えば２０μｍ×２０μｍ又はそれ以下、あるいは１０μｍ×１０μｍ又はそれ以下まで削減される。この状況において、周期構造レイアウトは測定スポットよりも小さくすることができる（すなわち、周期構造レイアウトは充填過多である）。典型的には、こうしたターゲットは、（鏡面反射に対応する）ゼロ次数の回折はブロックされ、高次数のみが処理される、暗視野スキャトロメータを使用して測定される。暗視野メトロロジーの例は、ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ２００９／０７８７０８号及び第ＷＯ２００９／１０６２７９号に見ることが可能であり、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。技法のさらなる展開は、米国特許出願公開第ＵＳ２０１１−００２７７０４号、第ＵＳ２０１１−００４３７９１号、及び第ＵＳ２０１２−０２４２９７０号に記載されており、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。回折次数の暗視野検出を使用する回折ベースのオーバーレイは、より小さいターゲット上でのオーバーレイ測定を実行可能にする。これらのターゲットは、照明スポットよりも小さいことが可能であり、基板上でプロダクト構造に囲まれることができる。実施形態において、１つの像内の多重ターゲットを測定することができる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
[0087]  本発明の実施形態で使用するのに好適な暗視野メトロロジー装置が、図３（ａ）に示される。ターゲットＴ（周期構造を備える）及び回折光線は、図３（ｂ）内でより詳細に図示されている。暗視野メトロロジー装置は、スタンドアロンデバイスであるか、あるいは、例えば測定ステーションのリソグラフィ装置ＬＡ、又はリソグラフィセルＬＣのいずれかに組み込むことができる。装置全体にわたっていくつかの分岐を有する光軸が、点線Ｏで表されている。この装置において、出力１１（例えば、レーザなどの光源、あるいは光源に接続されたキセノンランプ又は開口）によって放出される放射は、レンズ１２、１４、及び対物レンズ１６を備える光学システムによって、プリズム１５を介して基板Ｗ上へと誘導される。これらのレンズは、ダブルシーケンスの４Ｆ配列で配置される。依然として検出器上に基板像を提供するという条件で、異なるレンズ配列を使用することが可能である。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
[0089]  図３（ｂ）に示されるように、ターゲットＴは、対物レンズ１６の光軸Ｏに対してほぼ垂直な基板Ｗに配置される。軸Ｏを外れた角度からターゲットＴに当たる照明の光線Ｉは、ゼロ次光線（実線０）及び２本の１次光線（点鎖線＋１及び二点鎖線−１）を生じさせる。充填過多の小ターゲットＴの場合、これらの光線は、メトロロジーターゲットＴ及び他のフィーチャを含む基板の領域をカバーする多くの平行光線のうちの１つに過ぎない。複合周期構造ターゲットが提供される場合、ターゲット内の各個別周期構造は、その独自の回折スペクトルを生じさせることになる。プレート１３内のアパーチャは（有用な量の放射を認めるのに必要な）有限幅を有するため、入射光線Ｉは、実際にはある範囲の角度を占有し、回折光線０及び＋１／−１は多少広がることになる。小ターゲットの点広がり関数に従って、各次数＋１及び−１は、図示されたような単一の理想的な光線ではなく、ある範囲の角度にわたってさらに広がることになる。周期構造のピッチ及び照明角度は、対物レンズに入る第１次光線が中心光軸と緊密に整合されるように、設計又は調整可能であることに留意されたい。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される光線は、純粋にそれらが図内でより容易に区別できるようにするために、軸を多少外れて示されている。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
[0090]  基板Ｗ上のターゲットによって回折された少なくとも０及び＋１の次数は、対物レンズ１６によって集められ、プリズム１５を介して逆に誘導される。図３（ａ）に戻ると、北（Ｎ）及び南（Ｓ）とラベル表示された（この場合は）正反対のアパーチャを指定することによって、第１及び第２の両方の照明モードが図示されている。入射光線Ｉが光軸の北側からの場合、すなわち、第１の照明モードがアパーチャプレート１３Ｎを使用して適用される場合、＋１（Ｎ）とラベル表示された＋１の回折光線が対物レンズ１６に入る。これに対して、第２の照明モードがアパーチャプレート１３Ｓを使用して適用される場合、（−１（Ｓ）とラベル表示された）−１の回折光線がレンズ１６に入る。したがって、実施形態において、ある条件下で、例えば、−１及び＋１の回折次数強度を別々に取得するために、ターゲットを回転させた後、あるいは、照明モードを変更した後又は結像モードを変更した後、ターゲットを２回測定することによって、測定結果が取得される。所与のターゲットについてこれらの強度を比較することで、ターゲットにおける非対称の測定が提供され、ターゲットにおける非対称をリソグラフィプロセスのパラメータのインジケータ、例えばオーバーレイエラーとして使用することができる。前述の状況において、照明モードが変更される。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
[0091]  ビームスプリッタ１７が、回折ビームを２つの測定分岐に分割する。第１の測定分岐において、光学システム１８は、ゼロ次及び１次の回折ビームを使用して、第１のセンサ１９（例えば、ＣＣＤ又はＣＭＯＳセンサ）上にターゲットの回折スペクトル（瞳面像）を形成する。各回折次数はセンサ上の異なる地点に当たるため、画像処理は次数を比較及び対照することができる。メトロロジー装置を合焦させるため、及び／又は第１次ビームの強度測定を正規化するために、センサ１９によってキャプチャされる瞳面像を使用することができる。瞳面像は、非対称測定のため、並びに再構築などの多くの測定目的のために使用することもできるが、本明細書では詳細に説明しない。説明する第１の例は、非対称を測定するために第２の測定分岐を使用することになる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
[0092]  第２の測定分岐において、光学システム２０、２２は、センサ２３（例えば、ＣＣＤ又はＣＭＯＳセンサ）上に、基板Ｗ上のターゲットの像を形成する。第２の測定分岐において、アパーチャストップ２１が瞳面と共役の面内に提供される。アパーチャストップ２１は、センサ２３上に形成されるターゲットの像ＤＦが−１又は＋１の１次ビームから形成されるように、ゼロ次回折ビームをブロックするために機能する。センサ１９及び２３によってキャプチャされた像は、画像プロセッサ及びコントローラＰＵに出力され、その機能は、実行される特定タイプの測定に依存することになる。本明細書では、「像」という用語は、広義に使用されることに留意されたい。したがって、−１次及び＋１次のうちの１つのみが存在する場合、ターゲットの周期構造のフィーチャの像は形成されないことになる。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
[0093]  図３に示される特定の形のアパーチャのプレート１３及びストップ２１は、単なる例である。別の実施形態において、ターゲットのオンアクシス照明が使用され、実質上１つの１次回折放射のみをセンサに渡すために、オフアクシスアパーチャを伴うアパーチャストップが使用される（その場合、１３及び２１に示されるアパーチャは効果的にスワップされる）。さらに他の実施形態において、１次ビームの代わりに、又は１次ビームに加えて、２次、３次、及びさらに高次のビーム（図３には図示せず）を測定に使用することができる。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
[0095]  アパーチャプレート１３に関して直前で説明したように、結像のための回折次数の選択は、代替として、アパーチャストップ２１を変更することによって、又は異なるパターンを有する瞳ストップを置換することによって、又は固定フィールドストップをプログラマブル空間光変調器と交換することによって達成することができる。その場合、結像側は第１及び第２のモードを有するが、測定光学システムの照明側は依然として一定であることができる。実際に、多くの可能なタイプの測定方法が存在し、その各々が独自の利点及び欠点を備える。一方法において、照明モードは異なる次数を測定するように変更される。別の方法では、結像モードが変更される。第３の方法では、照明モード及び結像モードは変更されないままであるが、ターゲットは、例えば１８０度回転される。各ケースにおいて、所望の効果は同じであり、すなわち、例えばターゲットの回折スペクトルにおいて互いに対称的に反対である、非ゼロ次回折放射の第１及び第２の部分を選択することである。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
[0098]  図３（ｃ）及び図３（ｄ）には、異なるアパーチャプレートが示されている。図３（ｃ）は、２つの別のタイプのオフアクシス照明モードを示している。図３（ｃ）の第１の照明モードにおいて、アパーチャプレート１３Ｅは、単に説明のために、前述の「北」に対して「東」として指定された方向からオフアクシス照明を提供する。前述のように、「東」は図示された角度とは異なる角度であり得る。図３（ｃ）の第２の照明モードでは、アパーチャプレート１３Ｗを使用して、同様の照明であるが、「西」とラベル表示された異なる（例えば、反対）方向からの照明が提供される。図３（ｄ）は、２つの別のタイプのオフアクシス照明モードを示す。図３（ｄ）の第１の照明モードでは、アパーチャプレート１３ＮＷは、前述のように「北」及び「西」と指定された方向からオフアクシス照明を提供する。第２の照明モードでは、アパーチャプレート１３ＳＥを使用して、同様の照明であるが、前述のように「南」及び「東」とラベル表示された異なる（例えば、反対）方向からの照明が提供される。これらの異なる回折信号間のクロストークがそれほど大きくないものとすると、異なる方向（例えば、Ｘ及びＹの両方）に延在する周期構造の測定は、照明モードを変更することなく実行可能である。装置のこれらの使用及び多数の他の変動及び適用例は、例えば前述の以前に公開された特許出願公開に記載されている。すでに述べたように、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示されたオフアクシスアパーチャは、アパーチャプレート１３の代わりにアパーチャストップ２１内に提供することができる。その場合、照明はオンアクシスとなる。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
[00104]  図４に戻ると、周期構造３２、３３、３４、３５は、図示されるように、Ｘ及びＹ方向で入ってくる放射を回折するようにそれらの配向も異なり得る。一例では、周期構造３２及び３４は、それぞれ＋ｄ、−ｄのバイアスを伴うＸ方向の周期構造である。周期構造３３及び３５は、それぞれ＋ｄ及び−ｄのオフセットを伴うＹ方向の周期構造であり得る。４つの周期構造が図示されているが、別の実施形態は所望の精度を得るためにより大きなマトリクスを含むことができる。例えば３×３アレイの９つの複合周期構造は、−４ｄ、−３ｄ、−２ｄ、−ｄ、０、＋ｄ、＋２ｄ、＋３ｄ、＋４ｄのバイアスを有し得る。これらの周期構造の個別の像は、センサ２３によってキャプチャされた像内で識別可能である。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
[00108]  ステップＭ１で、基板、例えば半導体ウェーハは、メトロロジーターゲットを形成する周期構造３２〜３５を備えるターゲットを含む構造を作成するために、１回以上図２のリソグラフィセルを介して処理される。Ｍ２で、図３のメトロロジー装置を使用し、１次回折ビームのうちの１つ（例えば−１）を使用して周期構造３２から３５の像が取得される。実施形態において、第１の照明モード（例えば、アパーチャプレート１３ＮＷを使用して作成された照明モード）が使用される。次いで、照明モードを変更すること、又は結像モードを変更すること、又はメトロロジー装置の視野内で基板Ｗを１８０°回転させることのいずれによっても、他方の１次回折ビーム（＋１）を使用して周期構造の第２の像を取得することができる（ステップＭ３）。その結果、第２の像内で＋１回折放射がキャプチャされる。実施形態において、照明モードは変更され、第２の照明モード（例えば、アパーチャプレート１３ＳＥを使用して作成された照明モード）が使用される。すべての周期構造が各像内でキャプチャできるかどうか、又は、個別の像内の周期構造をキャプチャするために測定装置と基板との間に相対運動が存在する必要があるかどうかは、設計選択の問題である。いずれのケースでも、すべてのコンポーネント周期構造の第１及び第２の像はセンサ２３を介してキャプチャされることが想定される。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
[00109]  各像内に１次回折放射の半分のみが含まれることにより、本明細書で言及される「像」は、従来の暗視野顕微鏡像ではないことに留意されたい。＋１及び−１の回折放射のうちの１つのみが存在するため、個々の周期構造フィーチャは解決されない。各周期構造は、単にある強度レベルの区域によって表されることになる。ステップＭ４において、各コンポーネント周期構造の像内の関心領域（ＲＯＩ）が識別され、ここから強度レベルが測定されることになる。これが実行されるのは、特に個々の格子像のエッジ周囲で、強度値は、レジスト厚み、組成、ライン形状、並びに一般的にエッジ効果などの処理変数に高度に依存する可能性があるためである。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
[00112]  図７（ａ）〜図７（ｃ）の「理想的な」状況において、曲線７０２は、測定された非対称Ａがオーバーレイと正弦関係を有することを示す。正弦変動の期間Ｐは、もちろん適切なスケールに変換された周期構造の期間（ピッチ）に対応する。この例では正弦波形は純粋であるが、実際の環境では高調波を含むことができる。簡単にするために、この例では、（ａ）１次回折放射のみがターゲットから画像センサ２３（又は、所与の実施形態ではその等価物）に到達すること、及び（ｂ）これらの１次数内で、上部と下部の周期構造結果間の強度とオーバーレイとの間に、純正弦関係が存在するような実験的ターゲット設計であることが、想定される。実際にこれが真であるかどうかは、光学システム設計と、照明放射の波長及び周期構造のピッチＰと、ターゲットの設計及びスタックとの関数である。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
[00117]  さらに、層のペア間のオーバーレイを測定するために、典型的な回折ベースのオーバーレイターゲットが使用される。しかし、新しいプロセス（例えば、多重パターニングプロセス、ビアラストプロセス）は単一の層ペアのみならず、多数の層ペア間のオーバーレイ測定の実行も必要なものにしている。上述のプロセス開発例と同様に、多層オーバーレイについてのソリューションは、オーバーレイターゲット（すなわち、異なる層ペアに必要な異なるターゲット）の数を増加させ、したがって測定（すなわち、多層の各ペアの組み合わせについての測定）の数が増加する。これはターゲットの「実装面積」（すなわち、これらの個々の層ペアターゲットを収容するためのパターニングデバイスのパターン上の使用可能な空間）、及び、測定回数の増加に起因したスループットを犠牲にする。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
[00118]  したがって、本発明の実施形態によれば、合計サイズは小さいが、多重設計周期構造のセットを含む、多重周期構造ターゲットクラスタ（周期構造の単一クラスタ）を備える、回折メトロロジーターゲットが提供され、参照の便宜上、このターゲットは拡張動作範囲メトロロジーターゲットと呼ばれる。したがって、例えばプロセス開発の場合、拡張動作範囲メトロロジーターゲットからの周期構造のサブセットは、或るプロセススタック条件に使用可能である一方で、拡張動作範囲メトロロジーターゲットからの周期構造の別のサブセットは、別のプロセススタック条件に使用可能であるため、プロセススタック内の大幅な変動を反映することができる。代替又は追加として、例えば多層オーバーレイの場合、拡張動作範囲メトロロジーターゲットからの周期構造のサブセットは、或る層ペアに使用可能である一方で、拡張動作範囲メトロロジーターゲットの周期構造の別のサブセットは別の層ペアに使用可能であるため、多層オーバーレイを実行可能にする。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
[00119]  したがって、大幅なプロセススタック変動（例えば、メトロロジーターゲットの特定の周期構造設計によって適切に扱うことができないプロセススタックの変動）の状況において、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは、プロセススタックを変更した場合、正常な測定結果の機会を増加させることになる（すべて、妥当なサイズのターゲット内の）大幅に異なる設計を可能にする。これにより、プロセススタック変動を積極的に予想する、異なる設計の存在に起因する、初回の測定成功の機会を増加させることができる。また、マルチオーバーレイ測定の状況において、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは、１測定シーケンスでの多層間のオーバーレイの測定を可能にする。すなわち、実施形態では、多層ペアを１測定シーケンスで測定可能であり、実施形態では、多層ペアの回折データを同時に検出可能である。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
[00121]  図９を参照すると、拡張動作範囲メトロロジーターゲット８００の実施形態が示されている。拡張動作範囲メトロロジーターゲット８００は、複数のサブターゲット、この例では４つの回折サブターゲット８０２、８０４、８０６、８０８を備える。理解されるように、異なる数のサブターゲットが提供可能である。例えば、２つのサブターゲットのみが提供可能である。代替として、３、５、６、７、８などの数のサブターゲットが提供可能である。実施形態において、各サブターゲット８０２〜８０８は、ギャップ８２０によって隣接するサブターゲットから分離される。実施形態において、ギャップは２００ｎｍ又はそれ以上、２５０ｎｍ又はそれ以上、３５０ｎｍ又はそれ以上、５００ｎｍ又はそれ以上、７５０ｎｍ又はそれ以上、あるいは１μｍ又はそれ以上である。ギャップは、サブターゲットが別々に識別できるように、サブターゲットの再構築を容易にする。さらにギャップは、回折のクロストークが１つのサブターゲットから別のサブターゲットへと延在するのを防ぐのに役立ち得る。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
[00125]  実施形態において、各サブターゲットの少なくとも一部は、基板上の測定スポットの領域内（例えば、測定スポットの幅内）にある。実施形態において、複数のサブターゲットの各周期構造の少なくとも一部は、基板上の測定スポットの領域内（例えば、測定スポットの幅内）にある。実施形態において、複数のサブターゲットの各周期構造は、基板上の測定スポットの領域内（例えば、測定スポットの幅内）にある。実施形態において、測定スポットは、約３５μｍ又はそれ未満、約３０μｍ又はそれ未満、約２５μｍ又はそれ未満、約２０μｍ又はそれ未満、約１５μｍ又はそれ未満、あるいは約１０μｍ又はそれ未満の幅（例えば、直径）を有する。したがって、実施形態において、多数のサブターゲットを１測定シーケンスで測定可能であり、実施形態において、多数のサブターゲットの回折データを同時に検出す可能である。
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０６】
[00136]  実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲット内のサブターゲット８０２、８０４、８０６、８０８の各々のロケーションにより、各特定の異なる層ペアについてのオーバーレイを容易に作ることができる。さらに、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは各異なる層ペアについてサブターゲット８０２、８０４、８０６、８０８を有することから、複数の異なる層ペアの測定を１測定シーケンスで実行することが可能であり、例えば異なる層ペア各々の回折情報を一度にキャプチャすることができる。各異なる層ペアの測定されたオーバーレイ値を別々に使用する代わりに、又はそれに加えて、サブターゲット８０２、８０４、８０６、８０８を使用する測定の平均、中央値、又は他の統計値をプロセス制御に使用することができる。これは、サブターゲット８０２、８０４、８０６、８０８が小さいことに起因して、それらのうちの１つ以上の特定の信頼性に関する問題が存在する場合、有用であり得る。統計値は異常を無くすのに役立ち得る。
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
[00138]  実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは、放射に露光されるフィーチャの数を最大にするように設計される。実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは、同じタイプの周期構造（例えば、同じ寸法、領域など）を最大にするように設計される。実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲットは、１つのサブターゲットの周期構造のサイズを別のサブターゲットの周期構造のサイズに対して最大にする一方で、それらのサブターゲットの各々についてほぼ同じか又は同様の回折効率を維持するように設計される。
【誤訳訂正４４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
[00141]  図１２Ｃを参照すると、第１のサブターゲット１２４２及び第２のサブターゲット１２４４を有する拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２４０の実施形態が示されている。図１２Ｃの設計は、サブターゲットは互いに「交互配置」されており、このケースでは、第２のサブターゲット１２４４の周期構造は拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２４０の中心で交わっており、第１のサブターゲット１２４２の周期構造は周囲に配置されているという点で、図１２Ａの設計と同様である。本実施形態において、第１のサブターゲット１２４２の各周期構造の長さＬ１は、第２のサブターゲット１２４４の各周期構造の長さＬ２とは異なり、第１のサブターゲット１２４２の各周期構造の幅Ｗ１は、第２のサブターゲット１２４４の各周期構造の幅Ｗ２とほぼ同じである。実施形態において、長さＬ１は６μｍであり、幅Ｗ１は４．９μｍである。実施形態において、長さＬ２は１０．４μｍであり、幅Ｗ２は４．９μｍである。実施形態において、フィーチャ長さは３５００〜４０００ｎｍの範囲内、例えば３８７５ｎｍである。実施形態において、第１と第２のサブターゲットの周期構造の隣接する側面の間の間隔は、１５０〜４００ｎｍの範囲内、例えば２５０ｎｍである。実施形態において、間隔は、第１と第２のサブターゲットの周期構造のすべての隣接する側面の間で均一ではない。実施形態において、第１と第２のサブターゲット１２４２、１２４４の間にバイアス差があり得る。矢印は、バイアスの方向の実施形態を示す。確かに、バイアスは必須ではない。実施形態において、バイアスは６０ｎｍ未満か又はこれに等しい。実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２４０は、３０ｎｍ又はそれ未満の範囲のオーバーレイを測定することができる。本実施形態は、層の材料、厚みなどの性質が下層からの回折放射を大幅に減衰させるか、あるいは他の方法で阻害することから、第２のサブターゲット１２４４が第１のサブターゲット１２４２よりも下の層に使用される多層オーバーレイにとって有利であり得る。拡張動作範囲メトロロジーターゲットを設計するためのソフトウェア（以下でより詳細に説明する）は、第１及び第２のサブターゲット１２４２、１２４４の各々の回折効率がほぼ同じか又は同様であるように、層の材料、厚みなどの性質に基づいて、第１及び第２のサブターゲット１２４２、１２４４の周期構造の設計パラメータ（例えば、フィーチャ及び空間の幅、ピッチ、レイアウトなど）を選択することができる。これは、測定センサが、第１のサブターゲット１２４２又は第２のサブターゲット１２４４から過度の回折放射をクリッピングするのを防ぐのを助けることができる。
【誤訳訂正４５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１２】
[00142]  図１２Ｄを参照すると、第１のサブターゲット１２６２及び第２のサブターゲット１２６４を有する拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２６０の実施形態が示されている。図１２Ｄの設計は図１２Ｃの設計と同様であるが、設計がより対称的であるという点が異なっている。このケースでは、第２のサブターゲット１２６４は十字型であり、第１のサブターゲット１２６２は周辺に配置されている。本実施形態において、第１のサブターゲット１２６２の各周期構造の長さＬ１は、第２のサブターゲット１２６４の各周期構造の長さＬ２とは異なり、第１のサブターゲット１２６２の各周期構造の幅Ｗ１は、第２のサブターゲット１２６４の各周期構造の幅Ｗ２とほぼ同じである。実施形態において、長さＬ１は５．４μｍであり、幅Ｗ１は５．４μｍである。実施形態において、長さＬ２は７．５μｍであり、幅Ｗ２は５．４μｍである。実施形態において、フィーチャ長さは３５００〜４０００ｎｍの範囲内、例えば３８７５ｎｍである。実施形態において、第１と第２のサブターゲットの周期構造の隣接する側面の間の間隔は、１５０〜４００ｎｍの範囲内、例えば２５０ｎｍである。実施形態において、間隔は、第１と第２のサブターゲットの周期構造のすべての隣接する側面の間で均一ではない。実施形態において、第１と第２のサブターゲット１２６２、１２６４の間にバイアス差があり得る。矢印は、バイアスの方向の実施形態を示す。確かに、バイアスは必須ではない。実施形態において、バイアスは６０ｎｍ未満か又はこれに等しい。実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２６０は、３０ｎｍ又はそれ未満の範囲のオーバーレイを測定することができる。本実施形態は、層の材料、厚みなどの性質が下層からの回折放射を大幅に減衰させるか、あるいは他の方法で阻害することから、第２のサブターゲット１２６４が第１のサブターゲット１２６２よりも下の層に使用される多層オーバーレイにとって有利であり得る。拡張動作範囲メトロロジーターゲットを設計するためのソフトウェア（以下でより詳細に説明する）は、第１及び第２のサブターゲット１２６２、１２６４の各々の回折効率がほぼ同じか又は同様であるように、層の材料、厚みなどの性質に基づいて、第１及び第２のサブターゲット１２６２、１２６４の周期構造の設計パラメータ（例えば、フィーチャ及び空間の幅、ピッチ、レイアウトなど）を選択することができる。これは、測定センサが、第１のサブターゲット１２６２又は第２のサブターゲット１２６４から過度の回折放射をクリッピングするのを防ぐのを助けることができる。この設計は図１２Ｃの設計よりも若干均衡が取れている。
【誤訳訂正４６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１３】
[00143]  図１２Ｅを参照すると、第１のサブターゲット１２８２及び第２のサブターゲット１２８４を有する拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２８０の実施形態が示されている。図１２Ｅの設計は、第１及び第２のサブターゲット１２８２及び１２８４の周期構造が異なるという点で、図１２Ｃ及び図１２Ｄの設計と同様である。図１２Ｅの設計において、第１のサブターゲット１２８２の周期構造は内部に集中しており、第２のサブターゲット１２８４の周期構造は周辺に配置されている。本実施形態において、第１のサブターゲット１２８２の各周期構造の長さＬ１及び幅Ｗ１は、第２のサブターゲット１２８４の各周期構造の長さＬ２及び幅Ｗ２とは異なる。実施形態において、長さＬ１は６．２５μｍであり、幅Ｗ１は６．２５μｍである。実施形態において、長さＬ２は１２．５μｍであり、幅Ｗ２は７．５μｍである。実施形態において、フィーチャ長さは３５００〜４０００ｎｍの範囲内、例えば３８７５ｎｍである。実施形態において、第１と第２のサブターゲットの周期構造の隣接する側面の間の間隔は、１５０〜４００ｎｍの範囲内、例えば２５０ｎｍである。実施形態において、間隔は、第１と第２のサブターゲットの周期構造のすべての隣接する側面の間で均一ではない。実施形態において、第１と第２のサブターゲット１２８２、１２８４の間にバイアス差があり得る。矢印は、バイアスの方向の実施形態を示す。確かに、バイアスは必須ではない。実施形態において、バイアスは６０ｎｍ未満か又はこれに等しい。実施形態において、拡張動作範囲メトロロジーターゲット１２８０は、３０ｎｍ又はそれ未満の範囲のオーバーレイを測定することができる。本実施形態は、層の材料、厚みなどの性質が下層からの回折放射を大幅に減衰させるか、あるいは他の方法で阻害することから、第２のサブターゲット１２８４が第１のサブターゲット１２８２よりも下の層に使用される多層オーバーレイにとって有利であり得る。拡張動作範囲メトロロジーターゲットを設計するためのソフトウェア（以下でより詳細に説明する）は、第１及び第２のサブターゲット１２８２、１２８４の各々の回折効率がほぼ同じか又は同様であるように、層の材料、厚みなどの性質に基づいて、第１及び第２のサブターゲット１２８２、１２８４の周期構造の設計パラメータ（例えば、フィーチャ及び空間の幅、ピッチ、レイアウトなど）を選択することができる。これは、測定センサが、第１のサブターゲット１２８２又は第２のサブターゲット１２８４から過度の回折放射をクリッピングするのを防ぐのを助けることができる。この設計は図１２Ｃの設計よりも若干均衡が取れている。さらに本実施形態において、第１のサブターゲット１２８２は測定スポットよりも小さい（すわなち、第１のサブターゲット１２８２は充填過多である）可能性があるが、第２のサブターゲット１２８４は測定スポットよりも大きくなる（すなわち、第２のサブターゲット１２８４は充填不足である）。充填不足の間、測定を行うために十分な第２のサブターゲット１２８４がキャプチャされ得る。
【誤訳訂正４７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４８】
[00178]  示唆したように、提案されるメトロロジーターゲット設計は、プリント可能性及び検出可能性の両方の観点から、試験及び／又はシミュレーションの好適性及び／又は実現可能性を確認するために、試験及び／又はシミュレーションを対象とすることができる。商用環境では、低速捕捉は生産ラインの総スループットにとって有害であるため、良好なオーバーレイマークの検出可能性は、総合的な測定の不確実性が低いことと移動−捕捉−移動時間が短いことの組み合わせとみなすことができる。現在の微小回折ベースオーバーレイターゲット（μＤＢＯ）は、１辺が約１０〜２０μｍであり得、これは、モニタ基板との関連で使用されるような４０×１６０μｍ２ターゲットに比べて、本質的に低検出信号を提供する。
【誤訳訂正４８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５６】
[00186]  メトロロジーターゲット設計は、例えば、ターゲット係数（ＴＣ）、スタック感度（ＳＳ）、オーバーレイインパクト（ＯＶ）などの、様々なパラメータによって特徴付けることができる。スタック感度は、ターゲット（格子）層間の回折によるオーバーレイの変化に応じて、信号の強度がどれだけ変化するかの測定として理解することができる。ターゲット係数は、測定システムによる光子収集における変動の結果としての、特定の測定時間についての信号対雑音比の測定として理解することができる。実施形態において、ターゲット係数は、光子雑音に対するスタック感度の比と考えることも可能であり、すなわち信号（すなわち、スタック感度）は、ターゲット係数を決定するために光子雑音の測定によって分割することができる。オーバーレイインパクトは、オーバーレイエラーにおける変化をターゲット設計の関数として測定する。
【誤訳訂正４９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７５】
[00205]  例えば、ターゲットレイアウトの構成は、ターゲットを環境から「隔離」するように、及び暗視野像内の周期構造のエッジ効果を低減するように、１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャを利用可能ターゲット域の周辺に配置することによって開始され得る。通常、より高次の回折はセンサに伝送されない（ゼロ次もブロックされることに留意されたい）ため、１つ以上のアシストフィーチャは測定装置によってキャプチャされる暗視野像内では観察されない。
【誤訳訂正５０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８６】
[00216]  図１５は、周期構造１４００及び１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャ１４２０を備えるターゲット１２００の断面の拡大部分図を示す。実施形態において、１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャ１４２０は、急激なステップ（例えば、鋭い矩形ウィンドウ）を避けて、周期構造の空間−フィーチャ−空間のリズムで位置決めされる。このように、１つ以上のアシストフィーチャ１４２０は、有限寸法から生じる周期構造内の励起を中断（例えば、エッジを軟化）しながら、周期構造１４００ラインの近くに位置決めされる。図１５は、近隣の９０°回転した周期構造に隣接して、周期構造フィーチャ内及び１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャ内の、基本周波数のこうした突き合わされた位置決めの表現を示す。この例において、ＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャのピッチは、ＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャに関連付けられた回折次数が検出器に伝えられないようになっている。図１５は、２つのフィーチャを有する１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャ１４２０の周期構造を示すが、１つだけのフィーチャ又は２つより多くのフィーチャを有してもよいことを理解されよう。
【誤訳訂正５１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９０】
[00220]  実施形態において、これらの１つ以上のアシストフィーチャ１４２０から回折される光波は、名目上、いかなる（エバネセント又は破壊的に干渉する）エネルギーも搬送しないか、又は、検出器に伝送されるスペクトルの一部（ブロックされた搬送波）の外側にある。この例では、入射放射Ｉ、回折されるゼロ次放射０、及び１次放射−１が示されている。１つ以上のアシストフィーチャ１４２０によって回折される−１次放射はブロックされ、周期構造１４００によって回折される−１次放射のみがセンサに伝送される。しかしながら、１つ以上のアシストフィーチャ１４２０の有限性に起因して、アシストフィーチャ反射の「テール」は、センサに伝送されるスペクトルに漏出し得、周期構造フィーチャからのスペクトルと対話することになる。
【誤訳訂正５２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９６】
[00226]  オーバーレイメトロロジーは、２つのスタックされた周期構造（すなわち、２層ターゲット）を含む。こうしたターゲットの場合、下位ターゲットレイアウトは図１８の方法を使用して考案することができる。上位ターゲットレイアウトは、通常、５ナノメートルから数十ナノメートルの範囲のオーバーレイバイアスを含む。こうした配置において、上位ターゲットレイアウトは、バイアスを除いて、単に下位ターゲットレイアウトと合致することができる。例において、バイアスは上位ターゲットレイアウト内の周期構造フィーチャのみに適用可能であり、上位ターゲットレイアウト内の１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャにはバイアスは適用されない。例において、ＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャは上位ターゲットレイアウトから省略可能であり、これにより、測定を混乱させる非対称信号の生成を回避するのを助けることができ、上位周期構造の後方反射回折が弱く、メインの後方反射回折が下位周期構造から生じる場合、特に適用可能である。
【誤訳訂正５３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０２】
[00232]  上記の例で示されるように、１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャをターゲット境界に配置すること、及び／又は、エッジ効果を低減させるために、周期構造の周辺に配置することが可能である。これに加えて、フィーチャ−空間遷移を鋭くするか又は穏やかにするために、（例えば、アライメント周期構造などのピッチの大きな周期構造の場合）１つ以上のＭＴ−ＯＰＣアシストフィーチャを周期構造フィーチャ間に配置することができる。これは、検出された次数に対して固有回折効率を改善又は最適化すること、あるいは、関連する回折次数へのエネルギーの順序付けを改善又は最適化することによって、回折効率を望ましい次数に強化するのを助けることができる。これは、低「基板品質」スタックに関する検出可能性を支援することができる。さらに、読み出し及びターゲット全体のスキャン中に、特に低基板品質スタックについて、アライメントセンサ電子機器における利得設定ポイントを改良することが可能である。
【誤訳訂正５４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１８】
[00248]  本発明に従ったさらなる実施形態は、以下の多数の項で見つけることができる。
１．  リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットの周期構造を備える、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
２．  前記第１のサブターゲットは第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第５の周期構造は前記基板上の前記第６の周期構造とは異なる層にある、第１項に記載の方法。
３．  前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造のペアのフィーチャは、同じ方向に延在する、第１項又は第２項に記載の方法。
４．  前記第１及び第２の基板は各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、第１項又は第２項に記載の方法。
５．  前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第５の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第６の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第２項に記載の方法。
６．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々、周期構造のペアを備える、第１項から第５項のいずれかに記載の方法。
７．  前記第３のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第６項に記載の方法。
８．  前記第３及び第４のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、第６項又は第７項に記載の方法。
９．  前記第３及び第４のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第９の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第１０の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第７項に記載の方法。
１０．  前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第１項から第９項のいずれかに記載の方法。
１１．  前記照明することは、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第１項から第１０項のいずれかに記載の方法。
１２．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の１０００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第１項から第１１項のいずれかに記載の方法。
１３．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第１項から第１１項のいずれかに記載の方法。
１４．  前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第１項から第１３項のいずれかに記載の方法。
１５．  前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第１項から第１４項のいずれかに記載の方法。
１６．  少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える、回折測定ターゲットであって、前記第１及び第２のサブターゲットは各々周期構造のペアを備え、前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有し、前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットの周期構造とは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットの周期構造を備える、回折測定ターゲット。
１７．  基板上の場合、前記第１のサブターゲットは第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第５の周期構造は前記第６の周期構造とは異なる層にある、第１６項に記載のターゲット。
１８．  前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造のペアのフィーチャは、同じ方向に延在する、第１６項又は第１７項に記載のターゲット。
１９．  前記第１及び第２の基板は各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、第１６項又は第１７項に記載のターゲット。
２０．  前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第５の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第６の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第１７項に記載のターゲット。
２１．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々、周期構造のペアを備える、第１６項から第２０項のいずれかに記載のターゲット。
２２．  基板上の場合、前記第３のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第２１項に記載のターゲット。
２３．  前記第３及び第４のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、第２１項又は第２２項に記載のターゲット。
２４．  前記第３及び第４のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第９の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第１０の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第２２項に記載のターゲット。
２５．  基板上の場合、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の１０００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第１６項から第２４項のいずれかに記載のターゲット。
２６．  基板上の場合、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第１６項から第２４項のいずれかに記載のターゲット。
２７．  リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは第１の層内に少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１のサブターゲットは第１の周期構造を備え、前記第２のサブターゲットは第２の周期構造を備え、第３の周期構造は前記第１の層の下の第２の異なる層内の前記第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置され、前記第２の層内の前記第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在せず、第４の周期構造は前記第２の層の下の第３の異なる層内の前記第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置される、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第１から第４の周期構造によって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
２８．  前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、第２７項に記載の方法。
２９．  前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットを備える、第２８項に記載の方法。
３０．  前記第１及び第２のサブターゲットは各々、前記第１及び第２の周期構造の前記フィーチャがそれぞれ延在する、第１の方向とは異なる第２の方向に延在するフィーチャを有するさらなる周期構造を備える、第２７項から第２９項のいずれかに記載の方法。
３１．  前記第２の周期構造は、前記第１の周期構造のフィーチャが延在する第１の方向とは異なる第２の方向に延在するフィーチャを有する、第２７項から第２９項のいずれかに記載の方法。
３２．  前記第３の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第４の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第３０項又は第３１項に記載の方法。
３３．  前記第１及び第２のサブターゲットの、及び前記第３及び第４の周期構造の、各々の前記周期構造のフィーチャは、同じ方向に延在する、第２７項から第２９項のいずれかに記載の方法。
３４．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第２７項から第３３項のいずれかに記載の方法。
３５．  前記第３のサブターゲットは前記基板上の第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは前記基板上の第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第５の周期構造は前記第６の周期構造とは異なる層にある、第３４項に記載の方法。
３６．  前記第３のサブターゲットは第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第４のサブターゲットは第２の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備える、第３４項又は第３５項に記載の方法。
３７．  前記第３のサブターゲットは第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第４のサブターゲットは第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第５の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第６の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第３５項に記載の方法。
３８．  前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第２７項から第３７項のいずれかに記載の方法。
３９．  前記照明することは、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第２７項から第３８項のいずれかに記載の方法。
４０．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の１０００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第２７項から第３９項のいずれかに記載の方法。
４１．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第２７項から第３９項のいずれかに記載の方法。
４２．  前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第２７項から第４１項のいずれかに記載の方法。
４３．  前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第２７項から第４２項のいずれかに記載の方法。
４４．  基板上の場合、第１の層内にある、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットであって、前記第１のサブターゲットは第１の周期構造を備え、前記第２のサブターゲットは第２の周期構造を備える、少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットと、前記基板上の場合、前記第１の層の下の第２の異なる層内の前記第１の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された、第３の周期構造であって、前記第２の層内の前記第２の周期構造の下にはいずれの周期構造も存在しない、第３の周期構造と、前記基板上の場合、前記第２の層の下の第３の異なる層内の前記第２の周期構造の下に少なくとも部分的に配置された、第４の周期構造と、
を備える、回折測定ターゲット。
４５．  前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、第４４項に記載のターゲット。
４６．  前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットを備える、第４５項に記載のターゲット。
４７．  前記第１及び第２のサブターゲットは各々、前記第１及び第２の周期構造の前記フィーチャがそれぞれ延在する、第１の方向とは異なる第２の方向に延在するフィーチャを有するさらなる周期構造を備える、第４４項から第４６項のいずれかに記載のターゲット。
４８．  前記第２の周期構造は、前記第１の周期構造のフィーチャが延在する第１の方向とは異なる第２の方向に延在するフィーチャを有する、第４４項から第４７項のいずれかに記載のターゲット。
４９．  前記第３の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第４の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第４７項又は第４８項に記載のターゲット。
５０．  前記第１及び第２のサブターゲットの、及び前記第３及び第４の周期構造の、各々の前記周期構造のフィーチャは、同じ方向に延在する、第４４項から第４６項のいずれかに記載のターゲット。
５１．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第４６項から第５０項のいずれかに記載のターゲット。
５２．  基板上の場合、前記第３のサブターゲットは前記基板上の第５の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは前記基板上の第６の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第５の周期構造は前記第６の周期構造とは異なる層にある、第５１項に記載のターゲット。
５３．  前記第３のサブターゲットは第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第４のサブターゲットは第２の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備える、第５１項又は第５２項に記載のターゲット。
５４．  前記第３のサブターゲットは第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第４のサブターゲットは第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造を備え、前記第５の周期構造は前記第１の方向に延在するフィーチャを有し、前記第６の周期構造は前記第２の方向に延在するフィーチャを有する、第５２項に記載のターゲット。
５５．  前記基板上の場合、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の１０００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第４４項から第５４項のいずれかに記載のターゲット。
５６．  前記基板上の場合、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より少ないか又は等しい連続領域内にある、第４４項から第５５項のいずれかに記載のターゲット。
５７．  リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
５８．  前記第１のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第１の周期及び第１のフィーチャ又は空間幅を有し、前記第２のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第２の周期及び第２のフィーチャ又は空間幅を有し、前記異なる設計は、前記第２の周期、前記第２のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第１の周期、前記第１のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、第５７項に記載の方法。
５９．  前記第１のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第５７項又は第５８項に記載の方法。
６０．  前記第９の周期構造のフィーチャは前記第１の方向に延在し、前記第１０の周期構造のフィーチャは前記第２の方向に延在する、第５９項に記載の方法。
６１．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第６０項に記載の方法。
６２．  前記第３のサブターゲットは第１３の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１４の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第１３の周期構造は前記基板上の前記第１４の周期構造とは異なる層にあり、第１３及び第１４の周期構造は、前記第９及び第１０の周期構造とは異なる層にある、第６１項に記載の方法。
６３．  前記測定ターゲットは４００μｍ２の領域内にフィットする、第５７項から第６２項のいずれかに記載の方法。
６４．  前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第５７項から第６３項のいずれかに記載の方法。
６５．  前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第５７項から第６４項のいずれかに記載の方法。
６６．  前記照明することは、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第５７項から第６５項のいずれかに記載の方法。
６７．  少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、回折測定ターゲット。
６８．  基板上の場合、前記第１のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第６７項に記載のターゲット。
６９．  前記第９の周期構造のフィーチャは前記第１の方向に延在し、前記第１０の周期構造のフィーチャは前記第２の方向に延在する、第６８項に記載のターゲット。
７０．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第６９項に記載のターゲット。
７２．  基板上の場合、前記第３のサブターゲットは第１３の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１４の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第１３の周期構造は前記基板上の前記第１４の周期構造とは異なる層にあり、第１３及び第１４の周期構造は、前記第９及び第１０の周期構造とは異なる層にある、第７０項に記載のターゲット。
７３．  基板上の場合、前記測定ターゲットは４００μｍ２の領域内にフィットする、第６７項から第７２項のいずれかに記載のターゲット。
７４．  前記第１のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第１の周期及び第１のフィーチャ又は空間幅を有し、前記第２のサブターゲットの前記周期構造のうちの少なくとも１つは、第２の周期及び第２のフィーチャ又は空間幅を有し、前記異なる設計は、前記第２の周期、前記第２のフィーチャ又は空間幅、又はその両方とはそれぞれ異なる、前記第１の周期、前記第１のフィーチャ又は空間幅、又はその両方を備える、第６７項から第７３項のいずれかに記載のターゲット。
７５．  前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第６７項から第７４項のいずれかに記載のターゲット。
７６．  リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することであって、前記測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備え、前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は前記基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、照明すること、及び、
そのターゲットについての前記リソグラフィプロセスの前記パラメータを表す測定を取得するために、少なくとも前記第１及び第２のサブターゲットによって散乱される放射を検出すること、
を含む、方法。
７７．  前記第１のサブターゲットは前記第２のサブターゲットとは異なる設計を有する、第７６項に記載の方法。
７８．  前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットを備える、第７７項に記載の方法。
７９．  前記第１のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第７６項から第７８項のいずれかに記載の方法。
８０．  前記第９の周期構造のフィーチャは前記第１の方向に延在し、前記第１０の周期構造のフィーチャは前記第２の方向に延在する、第７９項に記載の方法。
８１．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第８０項に記載の方法。
８２．  前記第３のサブターゲットは第１３の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１４の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第１３の周期構造は前記基板上の前記第１４の周期構造とは異なる層にあり、第１３及び第１４の周期構造は、前記第９及び第１０の周期構造とは異なる層にある、第８１項に記載の方法。
８３．  前記リソグラフィプロセスの前記パラメータはオーバーレイを備える、第７６項から第８２項のいずれかに記載の方法。
８４．  前記照明することは、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第７６項から第８３項のいずれかに記載の方法。
８５．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、第７６項から第８４項のいずれかに記載の方法。
８６．  前記サブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第７６項から第８５項のいずれかに記載の方法。
８７．  前記サブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第７６項から第８６項のいずれかに記載の方法。
８８．  少なくとも第１のサブターゲット及び少なくとも第２のサブターゲットを備える回折測定ターゲットであって、前記第１及び第２のサブターゲットは各々、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備え、前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部は基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、回折測定ターゲット。
８９．  前記第２のサブターゲットは前記第１のサブターゲットとは異なる設計を有する、第８８項に記載のターゲット。
９０．  基板上の場合、前記第１のサブターゲットは第９の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第１０の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第９の周期構造は前記基板上の前記第１０の周期構造とは異なる層にある、第８８項から第８９項のいずれかに記載のターゲット。
９１．  前記第９の周期構造のフィーチャは前記第１の方向に延在し、前記第１０の周期構造のフィーチャは前記第２の方向に延在する、第９０項に記載のターゲット。
９２．  少なくとも第３のサブターゲット及び少なくとも第４のサブターゲットをさらに備え、前記第３及び第４のサブターゲットは各々周期構造を備える、第９１項に記載のターゲット。
９３．  基板上の場合、前記第３のサブターゲットは第１３の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第４のサブターゲットは第１４の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第１３の周期構造は前記基板上の前記第１４の周期構造とは異なる層にあり、第１３及び第１４の周期構造は、前記第９及び第１０の周期構造とは異なる層にある、第９２項に記載のターゲット。
９４．  前記基板上の場合、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、第８８項から第９３項のいずれかに記載のターゲット。
９５．  メトロロジーターゲット設計の方法であって
複数のサブターゲットを有する回折メトロロジーターゲットの前記設計のための指示を受信することであって、各サブターゲットは、第１の方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第１のペアと、第２の異なる方向に延在するフィーチャを有する周期構造の第２のペアとを備える、受信すること、
前記回折メトロロジーターゲットの前記領域、寸法、又はその両方に関する制約を受信すること、及び、
プロセッサによって、少なくとも前記制約に基づいて前記回折メトロロジーターゲットの設計を選択すること、
を含む、方法。
９６．  前記回折メトロロジーターゲットの前記領域、寸法、又はその両方に関する前記制約は、前記第１及び第２のサブターゲットの各々の前記周期構造の少なくとも一部が基板上の１０００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にあることを含む、第９５項に記載の方法。
９７．  少なくとも２つの異なるプロセススタックに関する情報を受信することをさらに含み、前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、異なるプロセススタックについて設計された前記サブターゲットの各々を備える、第９５項又は第９６項に記載の方法。
９８．  前記回折メトロロジーターゲットによって測定されることになる多層ペアに関する情報を受信することをさらに含み、前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、異なる層ペアについて設計された前記サブターゲットの各々を備える、第９５項から第９７項のいずれかに記載の方法。
９９．  前記回折メトロロジーターゲットの前記設計は、前記第２のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第２のサブターゲットを備える、第９５項から第９８項のいずれかに記載の方法。
１００．  放射を用いて基板上の回折測定ターゲットを照明することを含む方法であって、前記測定ターゲットは少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備え、前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは設計が異なる、方法。
１０１．  前記異なる設計は、前記第１から第３のサブターゲットのうちの別の１つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１から第３のサブターゲットのうちの１つを備える、第１００項に記載の方法。
１０２．  前記第１のサブターゲットは第１の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第２の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第２のサブターゲットは第２の周期構造を少なくとも部分的にオーバーレイし、前記第１の周期構造は、前記基板上の前記第２及び第３の周期構造とは異なる層にあり、前記第２の周期構造は、前記基板上の前記第１及び第２の周期構造とは異なる層にある、第１００項又は第１０１項に記載の方法。
１０３．  前記照明することは、前記第１から第３のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第１００項から第１０２項のいずれかに記載の方法。
１０４．  前記第１から第３のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、第１００項から第１０３項のいずれかに記載の方法。
１０５．  前記第１から第３のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第１００項から第１０４項のいずれかに記載の方法。
１０６．  前記第１から第３のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第１００項から第１０５項のいずれかに記載の方法。
１０７．  少なくとも第１のサブターゲット、第２のサブターゲット、及び第３のサブターゲットを備える回折メトロロジーターゲットであって、前記第１、第２、及び第３のサブターゲットは設計が異なる、回折メトロロジーターゲット。
１０８．  前記異なる設計は、前記第１から第３のサブターゲットのうちの別の１つとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１から第３のサブターゲットのうちの１つを備える、第１０７項に記載のターゲット。
１０９．  前記第１から第３のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、第１０７項又は第１０８項に記載のターゲット。
１１０．  前記第１から第３のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第１０７項から第１０９項のいずれかに記載のターゲット。
１１１．  前記第１から第３のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第１０７項から第１１０項のいずれかに記載の方法。
１１２．  ２つの層間のオーバーレイを測定することを含む方法であって、
放射を用いて、２つの層の各々の上にターゲットの一部を有する基板上の回折測定ターゲットを照明することを含み、前記２つの層は少なくとも１つの他の層によって分離される、方法。
１１３．  前記２つの層のうちの第１の層は、少なくとも第１のサブターゲット及び第２のサブターゲットを備え、第１の周期構造は、前記２つの層のうちの第２の層内の前記第１のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置され、前記第２の層内の前記第２のサブターゲットの下にはいずれの周期構造も存在しない、第１１２項に記載の方法。
１１４．  前記第１及び第２のサブターゲットは設計が異なる、第１１３項に記載の方法。
１１５．  前記異なる設計は、前記第２のサブターゲットとは異なるピッチ、フィーチャ幅、空間幅、及び／又はセグメンテーションを有する前記第１のサブターゲットを備える、第１１４項に記載の方法。
１１６．  第２の周期構造は、前記少なくとも１つの他の層内の前記第２のサブターゲットの下に少なくとも部分的に配置される、第１１３項から第１１５項のいずれかに記載の方法。
１１７．  前記照明することは、前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部を一度にカバーする、前記回折測定ターゲット上の測定スポットを照明することを含む、第１１３項から第１１６項のいずれかに記載の方法。
１１８．  前記第１及び第２のサブターゲットの前記周期構造の各々の少なくとも一部は、前記基板上の４００μｍ２より小さいか又は等しい連続領域内にある、第１１３項から第１１７項のいずれかに記載の方法。
１１９．  前記第１及び第２のサブターゲットの各々は、前記基板のための異なるプロセススタックについて設計される、第１１３項から第１１８項のいずれかに記載の方法。
１２０．  前記第１及び第２のサブターゲットの各々は、多層オーバーレイ測定のための異なる層ペアについて設計される、第１１３項から第１１９項のいずれかに記載の方法。
１２１．  回折測定ターゲットの配置を考案する方法であって、前記ターゲットは複数のサブターゲットを備え、各サブターゲットは複数の周期構造を備え、各サブターゲットは、異なる層ペアを測定するように、又は異なるプロセススタックについて測定するように設計され、前記方法は、
前記サブターゲットの前記周期構造をターゲット領域内に配置すること、及び、
アシストフィーチャを前記サブターゲットうちの少なくとも１つの周辺に配置することを含み、前記アシストフィーチャは、前記少なくとも１つのサブターゲットの前記周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成される、
方法。
１２２．  サブターゲットの特定の周期構造に隣接し、前記周期構造と共に配向された、前記アシストフィーチャは、前記周期構造と同相に位置決めされる、第１２１項に記載の方法。
１２３．  前記アシストフィーチャは複数のアシストフィーチャを備え、前記ターゲット領域は、前記ターゲット領域をほぼ取り囲む前記複数のアシストフィーチャによって画定される、第１２１項又は第１２２項に記載の方法。
１２４．  前記アシストフィーチャは、前記ターゲット領域内の各サブターゲット間に提供されたさらなる複数のアシストフィーチャを備える、第１２３項に記載の方法。
１２５．  前記さらなる複数のアシストフィーチャは、前記関連する検査波長の少なくとも半分の波長を備える前記サブターゲット間の空間を埋めるように配置される、第１２４項に記載の方法。
１２６．  各サブターゲットは、各サブターゲットをその周囲の環境から隔離するように、前記アシストフィーチャによってほぼ囲まれている、第１２１項から第１２５項のいずれかに記載の方法。
１２７．  前記アシストフィーチャは、前記複数のサブターゲットのうちのサブターゲットの周期構造のピッチよりも大幅に小さいピッチを有するフィーチャを備える、第１２１項から第１２６項のいずれかに記載の方法。
１２８．  前記アシストフィーチャの複数の構造のピッチは、前記アシストフィーチャがメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査中に検出されない、第１２１項から第１２７項のいずれかに記載の方法。
１２９．  前記アシストフィーチャは、各サブターゲットの最も外側の各構造に直接隣接して配置される、第１２１項から第１２８項のいずれかに記載の方法。
１３０．  回折ベースのメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査によって取得される結果の画像をモデル化すること、及び、
前記ターゲット配置が前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用する検出について最適化されているかどうかを評価すること、
をさらに含む、第１２１項から第１２９項のいずれかに記載の方法。
１３１．  前記方法は、前記ターゲット配置を最適化するために反復的に繰り返される、第１３０項に記載の方法。
１３２．  特定のターゲット配置が最適化されているとみなされるかどうかを考慮するための基準は、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用して検査した場合、前記サブターゲット周辺の強度が前記サブターゲット中心と同じ次数の大きさであるかどうかを決定すること、
前記回折ベースのメトロロジープロセスを使用して検査した場合、オーバーレイ、デフォーカス、及び／又は収差の存在下で前記サブターゲット周辺に最小の強度変動が存在するかどうかを決定すること、
前記関連する検査波長範囲にとって最適なターゲット認識のための十分な間隔がサブターゲット間に存在するかどうかを決定すること、及び／又は、
前記格子域全体が最大であるかどうかを決定すること、
から選択された、少なくとも１つを含む、第１３０項又は第１３１項に記載の方法。
１３３．  前記ターゲットは２つ以上のオーバーレイされたターゲット層を備え、上位ターゲット層はオーバーレイバイアス及び前記アシストフィーチャを備え、前記バイアスは前記上位層内の前記アシストフィーチャに適用されない、第１２１項から第１３２項のいずれかに記載の方法。
１３４．  前記ターゲットは２つ以上のオーバーレイされたターゲット層を備え、上位ターゲット層はオーバーレイバイアスを備え、前記上位層はいずれのアシストフィーチャも備えない、第１２１項から第１３２項のいずれかに記載の方法。
１３５．  前記アシストフィーチャは前記少なくとも１つのサブターゲットとは異なる層内に配置される、第１２１項から第１３２項のいずれかに記載の方法。
１３６．  前記ターゲットのターゲット領域内の複数のサブターゲットであって、各々のサブターゲットが複数の周期構造を備え、各々のサブターゲットが異なる層ペアを測定するか又は異なるプロセススタックについて測定するように設計された、複数のサブターゲットと、
前記サブターゲットのうちの少なくとも１つの周辺のアシストフィーチャであって、前記サブターゲットの周辺で測定される強度ピークを減少させるように構成された前記アシストフィーチャと、
を備える、回折測定ターゲット。
１３７．  前記アシストフィーチャは、前記複数のサブターゲットのうちのサブターゲットの周期構造のピッチよりも大幅に小さいピッチを有するフィーチャを備える、第１３６項に記載のターゲット。
１３８．  各サブターゲットは、各サブターゲットをその周囲の環境から隔離するように、前記アシストフィーチャによってほぼ囲まれている、第１３６項又は第１３７項に記載のターゲット。
１３９．  前記アシストフィーチャは複数のアシストフィーチャを備え、前記複数のアシストフィーチャは前記ターゲット領域をほぼ取り囲む、第１３６項から第１３８項のいずれかに記載のターゲット。
１４０．  前記アシストフィーチャは、前記ターゲット領域内の各サブターゲット間に提供されたさらなる複数のアシストフィーチャを備える、第１３９項に記載のターゲット。
１４１．  前記アシストフィーチャのフィーチャのピッチは、前記アシストフィーチャがメトロロジープロセスを使用する前記ターゲットの検査中に検出されない、第１３６項から第１４０項のいずれかに記載のターゲット。
１４２．  前記アシストフィーチャは、各サブターゲット周辺の回折強度ピークを低減させるように構成される、第１３６項から第１４１項のいずれかに記載のターゲット。
１４３．  前記アシストフィーチャは、各サブターゲットの最も外側の各構造に直接隣接して配置される、第１３６項から第１４２項のいずれかに記載のターゲット。
１４４．  サブターゲットの特定の周期構造に隣接し、前記周期構造と共に配向された、前記アシストフィーチャは、前記周期構造と同相に位置決めされる、第１３６項から第１４３項のいずれかに記載のターゲット。
１４５．  デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して一連の基板に適用される、デバイスを製造する方法であって、第１から９項、第１５から２４項、第３１から３７項、第４３から５１項、第６１から６７項、又は第７３から８１項のいずれかの記載の方法を使用して、前記基板のうちの少なくとも１つの上に前記デバイスパターンの一部として又は前記デバイスパターンの代わりに形成される少なくとも回折測定ターゲットを検査すること、及び、前記方法の結果に従ってその後の基板に対する前記リソグラフィプロセスを制御することを含む、方法。
１４６．  第１から９項、第１５から２４項、第３１から３７項、第４３から５１項、第５６から６７項、第７３から８１項、又は第８２から９６項のいずれかに記載の方法をプロセッサに実行させるための機械可読命令を備える、非一時的コンピュータプログラム製品。
１４７．  第１０から１４項、第２５から３０項、第３８から４２項、第５２から５５項、第６８から７２項、又は第９７〜１０５項のいずれかに記載の前記ターゲットを定義する機械可読命令又はデータを備える、非一時的コンピュータプログラム製品。
１４８．  第１０から１４項、第２５から３０項、第３８から４２項、第５２から５５項、第６８から７２項、又は第９７〜１０５項のいずれかに記載の前記ターゲットを備える基板。
１４９．  第１０から１４項、第２５から３０項、第３８から４２項、第５２から５５項、第６８から７２項、又は第９７〜１０５項のいずれかに記載の前記回折測定ターゲットを少なくとも部分的に形成するように構成された、パターニングデバイス。
１５０．  基板上の回折測定ターゲット上にビームを提供するように、及びリソグラフィプロセスのパラメータを決定するために前記ターゲットによって回折される放射を検出するように構成された、検査装置と、
第１４６項又は第１４７項に記載の前記非一時的コンピュータプログラム製品と、
を備える、システム。
１５１．  放射ビームを変調するためにパターニングデバイスを保持するように構成された支持構造と、前記変調済みを放射感知基板上に投影するように構成された投影光学システムと、を備える、リソグラフィ装置をさらに備える、第１５０項に記載のシステム。