【手続補正書】
【提出日】平成30年6月28日(2018.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＣＲ触媒を含む第一層及びペロブスカイトを含む第二層を含むアンモニアスリップ触媒であって、第一層が、第二層の前に排気ガスと接触するように配置されている、アンモニアスリップ触媒。
【請求項２】
第一層が、第二層上に配置されている上部層である、請求項１に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項３】
第一層が第一の担体材料を含み、第二層が第二の担体材料を含む、請求項１又は２に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項４】
ＳＣＲ触媒が、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はそれらの２つ以上の混合物を含む、請求項１から３の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項５】
卑金属が、セリウム（Ｃｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）及びそれら２つ以上の混合物からなる群から選択される、請求項４に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項６】
ＳＣＲ触媒が金属交換モレキュラーシーブを含み、金属が、カルシウム、コバルト、銅、ガリウム、インジウム、鉄、ニッケル、銀及びスズからなる群から選択される、請求項１から５の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項７】
ＳＣＲ触媒が、モレキュラーシーブ又は金属交換モレキュラーシーブを含む、請求項１から６の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項８】
モレキュラーシーブ、又は金属交換モレキュラーシーブが、小細孔モレキュラーシーブ、中細孔モレキュラーシーブ、大細孔モレキュラーシーブ又はそれら２つ以上の混合物である、請求項７に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項９】
ペロブスカイトが、式ＡＢＯ３（式中、Ａは、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、セリウム（Ｃｅ）、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、鉛（Ｐｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びイットリウム（Ｙ）の少なくとも１を含み、Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、セリウム（Ｃｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の少なくとも１を含む。）を有する、請求項１から８の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１０】
ペロブスカイトが、式ＬａＣｏＯ３、ＬａＭｎＯ３、ＬａＹＳｒ（１−Ｙ）ＣｏＯ３又はＬａＹＳｒ（１−ｙ）ＭｎＯ３（式中、Ｙ＝０．６〜１．０）を有する、請求項１から９の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１１】
ペロブスカイトが、式ＬａＹＳｒ（１−Ｙ）ＣｏＯ３（式中、Ｙ＝０．６〜１．０）を有し、かつＳＣＲ触媒が、銅若しくは鉄ＳＡＰＯ−３４又は銅若しくは鉄交換モレキュラーシーブを含む、請求項１から１０の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１２】
ペロブスカイトが、０．２から５．０ｇ／ｉｎ３の濃度において存在する、請求項１から１１の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１３】
ＳＣＲ触媒が、０．２から５．０ｇ／ｉｎ３の濃度において存在する、請求項１から１２の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１４】
第一層及び第二層が基材上にある、請求項１から１３の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒。
【請求項１５】
請求項１から１４の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒を調製する方法であって、
（ａ）ペロブスカイトを含む下部層ウォッシュコートを基材上に塗布することにより基材上に下部層を形成すること、
（ｂ）基材上の下部層ウォッシュコートを乾燥させること、
（ｃ）基材上の下部層ウォッシュコートをか焼すること、
（ｄ）工程（ｃ）で形成されたか焼された下部層上に、ＳＣＲ触媒を含む上部層ウォッシュコートを塗布することにより、下部層上に配置されている上部層を形成すること、
（ｅ）基材上のか焼された下部層上の上部層ウォッシュコートを乾燥させること、及び
（ｆ）基材上の下部層ウォッシュコート上の上部層ウォッシュコートをか焼すること
を含む方法。
【請求項１６】
アンモニアを含有する排気ガス流を請求項１から１４の何れか一項に記載のアンモニアスリップ触媒と接触させることを含む、燃焼源により発生する排気ガス流中のアンモニアの濃度を低減するための方法。
【請求項１７】
アンモニアスリップ触媒が、２５０℃と６５０℃の間の温度において少なくとも７０％のＮ２選択性を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
アンモニアスリップ触媒が、２５０℃と６５０℃の間の温度において少なくとも９０％のＮ２選択性を有する、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
ＳＣＲ触媒を含む第一の層及びペロブスカイトを含む第二の層を含むアンモニアスリップ触媒を含むシステムであって、第一の層が第二の層及び白金族金属の前に排気ガスと接触するように配置され、ＳＣＲ触媒の少なくとも一部分が、ペロブスカイトを含む層上に配置された上部層中にあり、ＳＣＲ触媒の少なくとも一部分が、白金族金属を含む層上に配置された上部層中にある、システム。
【請求項２０】
ペロブスカイトを含む層上に配置された上部層中のＳＣＲ触媒及び白金族金属を含む層上に配置された上部層中のＳＣＲ触媒が、同じＳＣＲ触媒である、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
ＳＣＲ触媒が、ペロブスカイト層及び白金族金属層の両方の上にある単一の層の中にある、請求項１９又は２０に記載のシステム。
【請求項２２】
アンモニアスリップ触媒及び白金族金属が単一の基材上にある、請求項１９から２１の何れか一項に記載のシステム。
【請求項２３】
ペロブスカイトを含む層上に配置されている上部層中のＳＣＲ触媒及び白金族金属を含む層上に配置されている上部層中のＳＣＲ触媒のそれぞれが、排気ガスの流れがまずペロブスカイトを含む層上に配置されている上部層中にＳＣＲ触媒を含む物品を通過し、その後、白金族金属を含む層上に配置されている上部層中にＳＣＲ触媒を含む物品を通過するように、互いに隣接して配置されている別々の触媒物品上に配置されている、請求項１９から２２の何れか一項に記載のシステム。
【請求項２４】
（ａ）入口面端及び出口面並びに前記入口面から前記出口面へのガス流の軸を有する、ウォールフローモノリスと、（ｂ）第一の層が第二の層の前に排気ガスと接触するように配置されている、第一のＳＣＲ触媒を含む第一の層及びペロブスカイトを含む第二の層を含む第一の組成物と、（ｃ）第一層が第二層の前に排気ガスと接触するように配置されている第二のＳＣＲ触媒を含む第一層及び貴金属を含む第二層を含む第二の組成物とを含む触媒物品であって、
第一及び第二の組成物がウォールフローモノリスの一部分内及び軸に沿って直列に配置され、かつ前記第一の組成物が入口面の近位に配置され、かつ前記第二のゾーンが出口面の近位に配置されている、触媒物品。
【請求項２５】
第一のＳＣＲ触媒及び第二のＳＣＲ触媒が、同じＳＣＲ触媒である、請求項２４に記載の触媒物品。
【請求項２６】
第一のＳＣＲ触媒及び第二のＳＣＲ触媒が、異なるＳＣＲ触媒である、請求項２４又は２５に記載の触媒物品。
【請求項２７】
第一及び第二のＳＣＲ触媒が、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はそれら２つ以上の混合物を含む、請求項２４から２６の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項２８】
モレキュラーシーブ又は金属交換モレキュラーシーブが、小細孔モレキュラーシーブ、中細孔モレキュラーシーブ、大細孔モレキュラーシーブ又はそれらの２つ以上の混合物である、請求項２７に記載の触媒物品。
【請求項２９】
卑金属が、セリウム（Ｃｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）及びそれら２つ以上の混合物からなる群から選択される、請求項２７に記載の触媒物品。
【請求項３０】
第一のＳＣＲ触媒及び第二のＳＣＲ触媒の少なくとも１つは、金属交換モレキュラーシーブを含み、かつ金属が、カルシウム、コバルト、銅、ガリウム、インジウム、鉄、ニッケル、銀及びスズからなる群から選択される、請求項２４から２９の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３１】
ペロブスカイトが、式ＡＢＯ３（式中、Ａは、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、セリウム（Ｃｅ）、銅（Ｃｕ）、ランタン（Ｌａ）、鉛（Ｐｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びイットリウム（Ｙ）の少なくとも１を含み、Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、セリウム（Ｃｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の少なくとも１を含む。）を有する、請求項２４から３０の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３２】
ペロブスカイトが、式ＬａＣｏＯ３、ＬａＭｎＯ３、ＬａＹＳｒ（１−Ｙ）ＣｏＯ３又はＬａＹＳｒ（１−ｙ）ＭｎＯ３（式中、Ｙ＝０．６〜１．０）を有する、請求項２４から３１の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３３】
ペロブスカイトが、式ＬａＹＳｒ（１−Ｙ）ＣｏＯ３（式中、Ｙ＝０．６〜１．０）を有し、かつＳＣＲ触媒が、銅若しくは鉄ＳＡＰＯ−３４又は銅若しくは鉄交換モレキュラーシーブを含む、請求項２４から３２の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３４】
ペロブスカイトが、０．２から５．０ｇ／ｉｎ３の濃度において存在する、請求項２４から３３の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３５】
第一及び第二のＳＣＲ触媒が、０．２から５．０ｇ／ｉｎ３の濃度においてそれぞれ存在する、請求項２４から３４の何れか一項に記載の触媒物品。
【請求項３６】
（ａ）請求項２４から３５の何れか一項に記載の触媒物品と、（ｂ）触媒物品の上流にアンモニア又は尿素源とを含む、機関排気ガス処理システム。
【請求項３７】
ある濃度のＮＯｘを有する排気ガス流を請求項２４から３５の何れか一項に記載の触媒物品の存在下で１５０℃から７５０℃の温度において窒素還元剤と接触させることを含む、排気ガスを処理するための方法。
【請求項３８】
ガス中のＮＯｘ化合物のレベルを低減するのに十分な時間及び温度でガスを請求項２４から３５の何れか一項に記載の触媒物品と接触させることを含む、排気ガス中のＮＯｘを低減するための方法。