【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガンマ線又はＸ線放射線を検出するための検出デバイスであって、前記検出デバイスは、
放射線を照射されると光を発生させるセラミック材料を備えるセラミックシンチレータであって、前記セラミック材料は層のスタックを含み、前記層のスタックは、いずれもガーネット構造を有する第１の層及び第２の層を備え、前記第１の層及び前記第２の層は、ｉ）異なる組成、ｉｉ）異なるドーパント、ｉｉｉ）異なるドーパント濃度のうちの少なくとも１つを有し、前記第１の層は、前記放射線を照射されると、第１の放射線を発生させ、前記第２の層は、前記放射線を照射されると、第２の放射線を発生させ、前記第１の放射線と前記第２の放射線とは異なる、セラミックシンチレータと、
前記第１の放射線に依存した第１の検出値、及び前記第２の放射線に依存した第２の検出値を生成する検出器と、
を備え、
ａ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じセラミック材料部内に形成されるか、
ｂ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じ組成から形成され、異なるドーパント及び／又は異なるドーパント濃度を有し、オプションで、前記組成が組成群Ｘ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２から選択され、Ｘは、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムから成る群から選択される元素であり、前記ドーパントは、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム又はイッテルビウムから成る群から選択されるか、
ｃ）前記第１の層が前記第２の層に隣接するか、又は
ｄ）前記層のスタックの前記層が、前記層と垂直な方向に、ドーパントの濃度が層ごとに単調増加するようになっている、検出デバイス。
【請求項２】
前記セラミックシンチレータが、ガンマ線又はＸ線放射線を受光するための放射線受光面を備え、前記放射線受光面は前記層のスタックの各層と実質的に平行である、請求項１に記載の検出デバイス。
【請求項３】
前記第１の放射線及び前記第２の放射線は、波長又は減衰時間のうちの少なくとも一方が異なる、請求項１に記載の検出デバイス。
【請求項４】
前記検出器が、前記第１の放射線に依存した前記第１の検出値を生成する第１の検出ユニットと、前記第２の放射線に依存した前記第２の検出値を生成する第２の検出ユニットとを備え、ａ）前記第１の検出ユニットは前記セラミックシンチレータと前記第２の検出ユニットとの間に配置され、前記第１の検出ユニットは前記第２の放射線に対して少なくとも部分的に透過性であるか、又はｂ）前記第１の検出ユニット及び前記第２の検出ユニットはいずれも、前記セラミックシンチレータの側面上に互いに隣り合って配置されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の検出デバイス。
【請求項５】
前記検出器が、前記第１の放射線及び前記第２の放射線をそれらの波長及び／又はそれらの減衰時間に依存して互いに弁別する、請求項１から４のいずれか一項に記載の検出デバイス。
【請求項６】
オブジェクトを撮像するための撮像システムであって、前記撮像システムは、
前記オブジェクトからの放射線を検出するための請求項１に記載の検出デバイスであって、第１の検出値及び第２の検出値を生成する、検出デバイスと、
前記第１の検出値及び前記第２の検出値に基づいて前記オブジェクトの画像を再構築するための再構築ユニットと、
を備える、撮像システム。
【請求項７】
ガンマ線又はＸ線放射線を照射されると光を発生させるセラミック材料を製造するための製造方法であって、前記セラミック材料は層のスタックを含み、前記層のスタックは、いずれもガーネット構造を有する第１の層及び第２の層を備え、前記第１の層及び前記第２の層は、ｉ）異なる組成、ｉｉ）異なるドーパント、ｉｉｉ）異なるドーパント濃度のうちの少なくとも１つを有し、前記第１の層は、前記放射線を照射されると、第１の放射線を発生させ、前記第２の層は、前記放射線を照射されると、第２の放射線を発生させ、前記第１の放射線と前記第２の放射線とは異なり、
ａ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じセラミック材料部内に形成されるか、
ｂ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じ組成から形成され、異なるドーパント及び／又は異なるドーパント濃度を有し、オプションで、前記組成が組成群Ｘ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２から選択され、Ｘは、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムから成る群から選択される元素であり、前記ドーパントは、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム又はイッテルビウムから成る群から選択されるか、
ｃ）前記第１の層が前記第２の層に隣接するか、又は
ｄ）前記層のスタックの前記層が、前記層と垂直な方向に、ドーパントの濃度が層ごとに単調増加するようになっており、前記製造方法は、
異なる組成及び／又は異なるドーピングを有するセラミック化合物を層状に提供するステップと、
前記層状に提供されたセラミック化合物を焼結するステップと、
を含む、製造方法。
【請求項８】
前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じセラミック材料部内に形成される、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１の放射線及び前記第２の放射線は、波長又は減衰時間のうちの少なくとも一方が異なる、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック化合物を前記層状に提供するステップが、ａ）前記セラミック化合物を鋳型内に層状に提供するステップ、ｂ）テープ成形によって、異なる組成及び／又は異なるドーピングを有する前記セラミック化合物のテープを作製し、前記作製されたテープを、テープスタックを提供するために積層するステップ、ｃ）異なる組成及び／又は異なるドーピングを有する前記セラミック化合物を含む感光性ペーストの異なる層を印刷し、前記異なる層に照射するステップ、並びに／或いはｄ）異なる組成及び／又は異なるドーピングを有する前記セラミック化合物を含む懸濁液の異なる層を基板上に印刷するステップを含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１１】
ガンマ線又はＸ線放射線を照射されると光を発生させるセラミック材料を製造するための製造装置であって、前記セラミック材料は層のスタックを含み、前記層のスタックは、いずれもガーネット構造を有する第１の層及び第２の層を備え、前記第１の層及び前記第２の層は、ｉ）異なる組成、ｉｉ）異なるドーパント、ｉｉｉ）異なるドーパント濃度のうちの少なくとも１つを有し、前記第１の層は、前記放射線を照射されると、第１の放射線を発生させ、前記第２の層は、前記放射線を照射されると、第２の放射線を発生させ、前記第１の放射線と前記第２の放射線とは異なり、
ａ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じセラミック材料部内に形成されるか、
ｂ）前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じ組成から形成され、異なるドーパント及び／又は異なるドーパント濃度を有し、オプションで、前記組成が組成群Ｘ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２から選択され、Ｘは、イットリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムから成る群から選択される元素であり、前記ドーパントは、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム又はイッテルビウムから成る群から選択されるか、
ｃ）前記第１の層が前記第２の層に隣接するか、又は
ｄ）前記層のスタックの前記層が、前記層と垂直な方向に、ドーパントの濃度が層ごとに単調増加するようになっており、前記製造装置は、
異なる組成及び／又は異なるドーピングを有するセラミック化合物を備える層を提供するための層提供ユニットと、
前記層を焼結するための焼結ユニットと、
を備え、
前記セラミック化合物を層状に提供することが、異なる組成及び／又は異なるドーピングを有する前記セラミック化合物を含む感光性ペーストの異なる層を印刷し、前記異なる層に照射すること、並びに／或いはｄ）異なる組成及び／又は異なるドーピングを有する前記セラミック化合物を含む懸濁液の異なる層を基板上に印刷することを含む、製造装置。
【請求項１２】
前記第１の層及び前記第２の層がいずれも同じセラミック材料部内に形成される、請求項１１に記載の製造装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の製造装置を制御するためのコンピュータプログラムであって、前記製造装置を制御するコンピュータ上で実行されると、前記製造装置に、請求項７に記載の製造方法のステップを実施させるためのプログラムコード手段を備える、コンピュータプログラム。