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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主ライトパイプと、
光源と
を備えるライトであって、
前記主ライトパイプが、
前記光源から光を受けて、光が前記主ライトパイプに入ることができるようにすべく構成されて配置されているライトパイプ入口側面と、
鋸歯状構造体が設けられている背面であり、前記鋸歯状構造体が、前記光源からの光を反射するよう反射面が設けられている第１の面と、第２の面とを有する、背面と、
前記光源から受ける光を前記主ライトパイプの前記背面へ向けて内部反射して、前記反射面から受ける光を透過するように構成されて配置されている前面と
を備えるライトにおいて、
前記第２の面には光吸収面が設けられており、前記第２の面が前記背面に対して略垂直であることを特徴とする、ライト。
【請求項２】
前記主ライトパイプの前記前面および前記背面が略円形形状を有する、請求項１に記載のライト。
【請求項３】
前記主ライトパイプの前記背面が略円錐形状を有する、請求項１または２に記載のライト。
【請求項４】
前記光源を取り囲む光吸収面が設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のライト。
【請求項５】
前記光源と前記ライトパイプ入口側面との間に副ライトパイプが設けられている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のライト。
【請求項６】
前記副ライトパイプにおける光伝搬方向が、前記主ライトパイプにおける光伝搬方向に対して略垂直である、請求項５に記載のライト。
【請求項７】
前記光源の光を収集するために前記光源と前記副ライトパイプとの間にコレクタレンズが配置されている、請求項５に記載のライト。
【請求項８】
光ビームを２つの別個のビームに分けるために前記光源と前記副ライトパイプとの間にセパレータが配置されている、請求項６または７に記載のライト。
【請求項９】
前記副ライトパイプからの光を前記主ライトパイプへ向けて案内するために案内形状が前記副ライトパイプに設けられている、請求項６〜８のいずれか一項に記載のライト。
【請求項１０】
前記副ライトパイプからの光を前記主ライトパイプへ向けて反射するために反射壁を有するチャネルが前記主ライトパイプと前記副ライトパイプとの間に設けられている、請求項６〜９のいずれか一項に記載のライト。
【請求項１１】
前記反射壁が、前記主ライトパイプの入口付近に吸収面を備える壁ベースに取り付けられている、請求項１０に記載のライト。
【請求項１２】
前記主ライトパイプには、該ライトパイプの表面を複数の区画室に分けるための機械的吸収面が設けられ、前記区画室の各々が別個の色を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のライト。
【請求項１３】
主ライトパイプであって、
光源から光を受けて、光が当該主ライトパイプに入ることができるようにすべく構成されて配置されているライトパイプ入口側面と、
鋸歯状構造体が設けられている背面であり、前記鋸歯状構造体が、前記光源からの光を反射するよう反射面が設けられている第１の面と、第２の面とを有する、背面と、
前記光源から受ける光を当該主ライトパイプの前記背面へ向けて内部反射して、前記反射面から受ける光を透過するように構成されて配置されている前面と
を備える主ライトパイプにおいて、
前記第２の面には光吸収面が設けられており、前記第２の面が前記背面に対して略垂直であることを特徴とする、主ライトパイプ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クエリーに対する回答を選択するコンピュータ実装の方法であって、
検索領域内で検索クエリーに対する接辞を受信するステップと、
前記接辞が質問を含む質問クエリーであると決定するステップと、
前記接辞に対する妥当な完全な質問クエリーを決定するステップと、
前記完全な質問クエリーに合致する可能性のある結果を選択するステップと、
前記可能性のある結果から、前記完全な質問クエリーに対する回答を提供する結果を選択するステップと、
選択された前記結果から前記回答を抽出するステップと、
前記完全な質問クエリー及び前記完全な質問クエリーに対する前記回答を含むよう検索領域を更新するステップと、
を含む、コンピュータ実装の方法。
【請求項２】
前記検索領域内に表示された前記回答が、前記回答の１つまたは複数のグラフィック表現を表示する、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項３】
前記検索領域内に表示された前記回答が、前記回答の少なくとも１つに対する可聴記録についてのリンクを含む、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項４】
前記検索領域内の前記回答を強調するステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項５】
前記回答が、マルチメディアファイル内にある、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項６】
前記検索クエリーの前記受信した接辞を完結させる前記妥当な完全な質問クエリーを選択するステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項７】
前記完全な質問クエリーに対する回答を含む前記結果からスニペットを組み立てるステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項８】
前記回答が、前記接辞または完全な質問クエリーからの用語を含まない、請求項７に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項９】
前記完全な質問クエリーに対する回答を含むグラフィカル画像またはマルチメディアコンテンツを選択するステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【請求項１０】
クエリーに対する回答を選択するためのコンピュータシステムであって、
検索エンジンであって、
検索クエリーを検索ボックス内で受信し、前記検索クエリーが部分的なクエリーを含み、部分的なクエリーは、質問クエリーであると判定され、前記部分的なクエリーに対する完全なクエリーを決定するために分析され、
前記完全なクエリーに対する検索結果を取得し、
前記検索結果から前記質問クエリーに対応する回答を抽出し、
前記ユーザーが前記部分的なクエリーを完結させている間に、前記回答及び完全なクエリーを前記検索ボックス内に表示する、検索エンジンと、
前記検索エンジンによりアクセス可能であるコンテンツを格納し、前記検索ボックスに入力され、かつ、検索エンジンにより前記１つまたは複数のデータベースに送信された前記部分的なクエリーまたは完全な検索クエリーに対する応答を提供するように構成された、１つまたは複数のデータベースと、
を含む、コンピュータシステム。
【請求項１１】
前記回答が、前記１つまたは複数のデータベースにより格納された前記コンテンツ内に置かれる、請求項１０に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
前記１つまたは複数のデータベースは、マルチメディアデータベースを含む、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１３】
前記検索領域内に表示された前記回答が、前記回答の１つまたは複数のグラフィック表現を表示する、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１４】
前記検索領域内に表示された前記回答が、前記回答の少なくとも１つに対する可聴記録へのリンクを含む、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１５】
前記検索エンジンにより組み立てられた前記完全な検索クエリーが、前記データベースに提出される、または前記検索ボックス内に表示される完全な検索クエリー内に前記回答を含む、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１６】
前記検索エンジンは、ＵＲＬおよびスニペットを含む検索エンジン結果ページを生成する、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１７】
前記スニペットは、前記部分的なクエリーまたは完全な検索クエリーに対する回答を含む、請求項１１に記載のコンピュータシステム。
【請求項１８】
クエリーに対する回答を選択するためのコンピュータ実装の方法を実行するためのコンピュータ実行可能な命令を有する１つまたは複数のコンピュータ記憶媒体であって、前記方法が、
検索領域内の部分クエリーを検索者から受信するステップと、
部分的な質問を完成させる妥当な完全な質問を決定するステップと、
前記完全な質問に合致する可能性のある結果を選択するステップと、
前記完全な質問に対する回答を提供する前記可能性のある結果から結果を選択するステップと、
選択された前記結果から前記回答を抽出するステップと、
前記部分的な質問が前記検索者により修正されている間に、前記完全な質問および前記完全な質問に対する回答を含むように前記検索領域を更新するステップと、
を含む、コンピュータ記憶媒体。
【請求項１９】
前記完全な質問に対する回答を含む前記結果からスニペットを構成するステップをさらに含む、請求項１８に記載の媒体。
【請求項２０】
前記回答は、クエリー提案として提示される、請求項１に記載のコンピュータ実装の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指板を有する弦楽器で演奏される音符を検出するための検出システムであって、前記指板は複数の導電性フレットと、前記導電性フレットに沿って延在する少なくとも１つの導電性の弦とを備え、前記検出システムは、
前記フレットのそれぞれに接続する少なくとも１つの伝導体と、
前記伝導体に接続する第１の端子と、前記少なくとも１つの導電性の弦に接続する第２の端子とを有する変換器であって、前記変換器は、伝達される信号を論理的に変換するように構成され、それによって、前記導電性の弦が前記フレットの１つに対して押圧されて、信号が前記導電性の弦を通じて伝達されるとき、前記信号は、前記変換器と前記フレットとの間の距離に応じた周波数で２つの論理状態間で連続して変換される変換器と、
前記周波数を測定するように構成される周波数検出器と、
前記周波数にしたがって前記指板に沿った前記フレットの位置を決定し、それによって前記音符を検出するように構成される制御装置と、
を備える、検出システム。
【請求項２】
前記変換器は、多数のデータ出力ラインの１つを選択するように構成され、前記データ出力ラインのそれぞれは、前記指板に沿って延在する複数の導電性の弦を有する楽器の１つの導電性の弦に接続するように構成される、請求項１に記載の検出システム。
【請求項３】
さらにデマルチプレクサを備え、前記デマルチプレクサは、入力信号を前記変換器から受信するように構成される入力部と、多数のデータ出力ラインの１つを選択するように構成される出力部とを有し、前記データ出力ラインのそれぞれは前記複数の導電性の弦の１つに接続する、請求項２に記載の検出システム。
【請求項４】
前記変換器の前記第１の端子は入力端子であり、前記第２の端子は出力端子であり、前記変換器はさらに、論理１に対応する入力電圧を論理０に対応する出力電圧に変換するように構成される、請求項１に記載の検出システム。
【請求項５】
前記複数の導電性の弦のうちのどれが、前記複数のフレットの１つに対して押圧されているかを検出するように構成される制御装置をさらに備える、請求項１に記載の検出システム。
【請求項６】
さらにコンデンサを備え、前記コンデンサは前記変換器に接続し、前記信号に信号共鳴を形成し、それによって、前記信号を遅延させるために前記信号を遅延させて、前記信号の波長を増大するように構成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の検出システム。
【請求項７】
さらにデマルチプレクサを備え、前記デマルチプレクサは、入力信号を前記変換器から受信するように構成される入力部と、多数のデータ出力ラインの１つを選択するように構成される出力部とを有し、前記データ出力ラインのそれぞれは前記複数の導電性の弦の１つに接続する、請求項１に記載の検出システム。
【請求項８】
前記変換器は、多数のデータ出力ラインの１つを選択するように構成され、前記データ出力ラインのそれぞれは、前記指板に沿って延在する複数の導電性の弦を有する楽器の１つの導電性の弦に接続するように構成される、請求項１に記載の検出システム。
【請求項９】
さらにデマルチプレクサを備え、前記デマルチプレクサは、入力信号を前記変換器から受信するように構成される入力部と、多数のデータ出力ラインの１つを選択するように構成される出力部とを有し、前記データ出力ラインのそれぞれは前記複数の導電性の弦の１つに接続する、請求項８に記載の検出システム。
【請求項１０】
前記複数の導電性の弦のうちのどれが、前記複数のフレットの１つに対して押圧されているかを検出するように構成される制御装置をさらに備える、請求項１に記載の検出システム。
【請求項１１】
前記信号に信号共鳴を形成し、それによって、前記信号を遅延させ、前記信号の波長を増大するように構成されるコンデンサをさらに備える、請求項１に記載の検出システム。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの伝導体が２つの伝導体を備え、前記２つの伝導体は、前記複数の導電性の弦のそれぞれから前記２つの伝導体までの距離の平均が前記複数の導電性の弦の全てに対して等しくなるように、前記複数の導電性の弦のそれぞれに対して配置される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の検出システム。
【請求項１３】
指板を有する弦楽器で演奏される音符を検出するための方法であって、前記指板は、それぞれ伝導体に接続する複数の導電性フレットと、前記指板の長さに沿って延在する少なくとも１つの導電性の弦とを備え、前記方法は、
前記導電性の弦を通じて電気信号を生成することであって、前記導電性の弦が前記フレットに対して押圧されるとき、前記信号は前記フレットの１つを通じて伝達可能であることと、
前記信号を変換器によって論理的に変換することであって、前記変換器は前記伝導体に接続する第１の端子と、前記導電性の弦に接続する第２の端子とを有し、それによって、前記導電性の弦が前記フレットの１つに対して押圧されて、前記信号が前記伝導体を通じて伝達されるとき、前記信号は、前記変換器と前記フレットとの間の距離に応じた周波数で２つの論理状態間で連続して変換されることと、
周波数検出器によって前記周波数を検出することと、
前記周波数にしたがって前記指板に沿った前記フレットの位置を計算することと、
前記位置にしたがって前記楽器で演奏される前記音符を決定することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
検出システムと組み合わせた弦楽器の指板であって、前記指板は、長さに沿って様々な位置に配置される複数の導電性フレットと、前記指板の長さに沿って前記フレットの上に延在して、前記フレットから離間する、少なくとも１つの導電性の弦とを有し、前記検出システムは、
前記フレットのそれぞれに接続する前記指板の長さに沿って配置される伝導体と、
前記伝導体に接続する第１の端子と、前記少なくとも１つの導電性の弦に接続する第２の端子とを有する変換器であって、前記変換器は、伝達される信号を論理的に変換するように構成され、それによって、前記少なくとも１つの導電性の弦が前記フレットの１つに対して押圧されて、信号が前記導電性の弦を通じて伝達可能となるとき、前記信号は、前記変換器と前記フレットとの間の距離に応じた周波数で２つの論理状態間で連続して変換される変換器と、
前記周波数を測定するための周波数検出器と、
前記周波数にしたがって前記指板に沿った前記フレットの位置を決定するための制御装置と、
を備える、指板。
【請求項１５】
前記導電性の弦は前記変換器から信号を受信するように構成され、かつ、ユーザの指によって影響を受けない低圧電流が伝達されるように構成される、請求項１４に記載の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月10日(2018.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の端部に形成されたガス入口および第２の端部に形成されたプラズマ出口を有するプラズマ管と、
（ｂ）前記プラズマ管の第１の領域に隣り合い、該領域を電磁場に曝して活性プラズマ種を生成するイオン化源と、
（ｃ）前記プラズマ管の第２の領域において前記プラズマ管の内壁を覆う熱分解窒化ホウ素ライナーと
を備えるプラズマ発生器であって、前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記第１の領域の長さの２０％よりも大きい長さを超えて前記第１の領域にまで延びていないプラズマ発生器。
【請求項２】
前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記第１の領域の長さの１０％よりも大きい長さを超えて前記第１の領域にまで延びていない、請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項３】
前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記イオン化源に隣り合うプラズマ管の内面の部分を覆わないように前記第１の領域にまで延びていない、請求項１または２に記載のプラズマ発生器。
【請求項４】
前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記イオン化源から０ｍｍよりも大きく約１００ｍｍまでの間隔をおいて設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項５】
前記熱分解窒化ホウ素ライナーが取り外し可能なライナーである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項６】
前記イオン化源がＲＦコイルの形状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項７】
前記プラズマ発生器がＲＰＣＶＤプラズマ発生器である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項８】
前記ガス入口が窒素の入口である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項９】
前記プラズマ管の前記ガス入口、または前記第１の端部の近傍の前記プラズマ管の部分は、前記プラズマ管の残りの部分に対してくびれている、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプラズマ発生器。
【請求項１０】
第ＩＩＩ族金属窒化物膜を基板上に蒸着するための装置であって、その装置は、
（ａ）窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と、
（ｂ）第ＩＩＩ族金属を含んだ試薬を前記窒素プラズマから得られる活性窒素種と反応させて、基板上に第ＩＩＩ族金属窒化物を蒸着する成長室と、
（ｃ）前記プラズマ発生器から前記成長室への窒素プラズマの通過を促すために前記成長室に設けられたプラズマ入口と
を備え、前記プラズマ発生器は、
（ｉ）第１の端部に形成されたガス入口および第２の端部に形成されたプラズマ出口を有するプラズマ管と、
（ｉｉ）前記プラズマ管に隣り合って前記プラズマ管の第１の領域を画定し、該領域を電磁場に曝して活性プラズマ種を生成するイオン化源と、
（ｉｉｉ）前記プラズマ管の第２の領域において前記プラズマ管の内壁に隣り合って設けられた熱分解窒化ホウ素ライナーと
を備え、前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記第１の領域の長さの２０％よりも大きい長さを超えて前記第１の領域にまで延びていない、装置。
【請求項１１】
前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記イオン化源に隣り合う前記プラズマ管の内面の部分を覆わないように前記第１の領域にまで延びていない、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記プラズマ発生器と前記成長室との間に設けられたシャワーヘッドをさらに備える、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プラズマ発生器の前記プラズマ出口に対向する前記シャワーヘッドの上面と、少なくとも１つの側壁と、前記プラズマ発生器の前記プラズマ出口がそれを通って開口するシーリングとによって画定されるプラズマキャビティをさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
プラズマを発生する方法であって、その方法は、
（ａ）プラズマ発生器を提供するステップであって、そのプラズマ発生器は、第１の端部に形成されたガス入口および第２の端部に形成されたプラズマ出口を有するプラズマ管と、前記プラズマ管に隣り合って前記プラズマ管の第１の領域を画定し、該領域を電磁場に曝して活性プラズマ種を生成するイオン化源と、前記プラズマ管の第２の領域において前記プラズマ管の内壁に隣り合って設けられた熱分解窒化ホウ素ライナーとを備え、前記熱分解窒化ホウ素ライナーは、前記第１の領域の長さの２０％よりも大きい長さを超えて前記第１の領域にまで延びていないことと、
（ｂ）前記ガス入口を通じてフィードガスを供給するステップと、
（ｃ）前記第１の領域において前記ガスを電磁場に曝すステップと
を備えることでプラズマを発生する、方法。
【請求項１５】
成長室内の成長圧力が約１〜約１０トル（約１３３．３２２〜約１３３３．２２Ｐａ）である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月15日(2018.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の受光面上にトンネル誘電体層を形成する段階と、
摂氏約３００度未満の温度で、前記トンネル誘電体層上に真性アモルファスシリコン層を形成する段階と、
前記真性アモルファスシリコン層上にＮ型アモルファスシリコン層を形成する段階と、
前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階と、を備える、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
Ｎ型アモルファスシリコン層を形成する段階は、摂氏約３００度未満の温度で、Ｎ型アモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階は、摂氏約３００度未満の温度で、前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階を含む、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階は、前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に窒化シリコンを形成する段階を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
真性アモルファスシリコン層を形成する段階は、真性水素化アモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記Ｎ型アモルファスシリコン層を形成する段階は、リンドープされたアモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記シリコン基板の前記受光面を紫外線（ＵＶ）放射へ暴露させる段階を更に備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
０．３％  ＨＦ／Ｏ３を用いる洗浄手順を実行する段階を更に備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記トンネル誘電体層を形成する段階は、前記シリコン基板の前記受光面の一部分の化学的酸化、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）のプラズマ増強化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、前記シリコン基板の前記受光面の一部分の熱酸化、およびＯ２またはＯ３環境中での前記シリコン基板の前記受光面の紫外線（ＵＶ）放射への暴露から成る群から選択される技術を用いることを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
シリコン基板の受光面上にトンネル誘電体層を形成する段階と、
プラズマ増強化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）技術を用いて、前記トンネル誘電体層上に真性アモルファスシリコン層を形成する段階と、
前記真性アモルファスシリコン層上にＮ型アモルファスシリコン層を形成する段階と、
前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階と、を備える、太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
Ｎ型アモルファスシリコン層を形成する段階は、プラズマ増強化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）技術を用いてＮ型アモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階は、摂氏約３００度未満の温度で、前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階を含む、請求項１０または１１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
前記反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階は、前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に窒化シリコンを形成する段階を含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
真性アモルファスシリコン層を形成する段階は、真性水素化アモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１５】
前記Ｎ型アモルファスシリコン層を形成する段階は、リンドープされたアモルファスシリコン層を形成する段階を含む、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１６】
前記シリコン基板の前記受光面を紫外線（ＵＶ）放射へ暴露させる段階を更に備える、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１７】
０．３％  ＨＦ／Ｏ３を用いる洗浄手順を実行する段階を更に備える、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１８】
前記トンネル誘電体層を形成する段階は、前記シリコン基板の前記受光面の一部分の化学的酸化、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）のプラズマ増強化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、前記シリコン基板の前記受光面の一部分の熱酸化、およびＯ２またはＯ３環境中での前記シリコン基板の前記受光面の紫外線（ＵＶ）放射への暴露から成る群から選択される技術を用いることを含む、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１９】
シリコン基板の受光面上にトンネル誘電体層を形成する段階と、
摂氏約３００度未満の温度で、前記トンネル誘電体層上にアモルファスシリコン層を形成する段階と、を備える、太陽電池の製造方法。
【請求項２０】
前記アモルファスシリコン層を形成する段階は、真性アモルファスシリコン層を形成する段階を含み、前記太陽電池の製造方法は更に、
摂氏約３００度未満の温度で、前記アモルファスシリコン層上にＮ型アモルファスシリコン層を形成する段階と、
摂氏約３００度未満の温度で、前記Ｎ型アモルファスシリコン層上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を形成する段階と、を備える、請求項１９に記載の太陽電池の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年8月15日(2018.8.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
液状シランをベースとするケイ素薄層は、通常は回転コート法を用いて基材上に塗布される。このためには、液状シランを溶剤中に希釈するのが通常である。この溶液は次いで重合される。環状原料の場合には、この溶液は、溶解した液状シランの光重合を可能とするためにＵＶ光で照射することができる。次いで、不溶性のヒドリドシランを溶液から除去するかまたは光重合されたヒドリドシランのモル質量を制御するために、光重合された溶液は濾過される。次いで、濾過された溶液は、回転コート法を用いて基材上に塗布される。次いで、層の加熱を行って、溶剤を蒸発させ及びケイ素を非晶質の形態に変換する。後者は、転化（Ｋｏｎｖｅｒｔｉｅｒｕｎｇ）と呼ばれる。直接的な湿的化学的方法の代替法として、キャリアガス、例えば水素を液状シラン中に導通することができる（バブラーシステム）。このガス混合物は、次いで、ＰＥＣＶＤ（プラズマ増強化学蒸着）またはＨＷＣＶＤ（ホットワイヤ化学蒸着）を用いて分解されそして基材上に堆積される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
重合及びエアロゾル形成の反応速度は、例えば、それに与えられたナノパーティクルの濃度及び／または溶剤中でのヒドリドシランの濃度を用いて的確に制御することができる。一般的に、ナノパーティクルの濃度が高い程及び／またはヒドリドシランの濃度が高い程、重合反応の速度も速くなることを前提とすることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
基材は、ヒドリドシラン、ナノパーティクル及び／またはヒドリドシラン中に埋蔵されたナノパーティクルを含む生成されたエアロゾルでコーティングすることができる。純粋な液状ヒドリドシランを用いる場合には、基材は、モル質量が３２ｇ／モルと１・１０６ｇ／モルとの間のガス状シラン及び／または固形ヒドリドシランを用いてコーティングすることでき、ヒドリドシラン溶液を使用する場合は、基材は、ガス状シラン及び／または液状ヒドリドシラン及び／または固形ヒドリドシランと、溶剤中に希釈されそして溶剤−ヒドリドシラン−エアロゾル液滴の形で存在するこれらのガス状シラン及び／または液状ヒドリドシラン及び／または固形ヒドリドシランとを用いてコーティングすることができる。ヒドリドシラン溶液を用いる場合には、例えば１〜３０重量％濃度のヒドリドシラン溶液が使用される（残部は溶剤）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
本発明による方法の実行のための図１による装置は、少なくとも一種の有機及び／もしくは無機溶剤中に溶解されている少なくとも一種のヒドリドシラン、または溶剤無しで既に液状に存在する少なくとも一種のヒドリドシラン（前記ヒドリドシランは、一般式ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ｎ≧３）の少なくとも一種の線状及び／もしくは分岐状ヒドリドシラン、及び／または一般式ＳｉｎＨ２ｎ（ｎ≧３）の少なくとも一種の環状ヒドリドシランを含む）、及び／または少なくともモノ−及び／もしくはジシラン−及び／もしくはホウ素含有ドープ物質及び／もしくはリン含有ドープ物質及び／もしくはＡｒ、Ｈｅの群からの希ガス及び／もしくはナノパーティクル及び／もしくは重合開始剤及び／もしくは触媒及び／もしくは表面張力変性剤が転換された上記のヒドリドシラン溶液または純粋な既に液状のヒドリドシランを含む組成物（２）を収容する反応容器（１）を含む。該装置は、更に、音響キャビテーション及び／またはキャピラリ波を生成するための超音波源または音響変換器（４）を含む。反応容器（１）は、（部分的にまたは完全に）冷却剤の入口（１２）及び出口（１３）を備えた冷却剤容器（５）中に存在する。該装置のこの形態では、超音波源（４）としてピエゾセラミックが使用され、これは、組成物と直に接着しておらず、媒介物、この場合は例えば冷却剤容器（５）中の冷却媒体を介して、超音波（１４）を、冷却剤によって取り囲まれている反応容器（１）に伝達する。反応容器（１）は、特にエアロゾル（７）のための、閉鎖可能な開口部（６）を有する。基材表面をコーティングするためには、第一のプロセスステップにおいて本発明に従い重合された組成物は、反応容器（１）から開口部（３，６，１６）の一つを介して抜き出しそして例えば次の回転コーティングのために使用されるか、またはこれは反応容器（１）に留まり、そして次のプロセスステップにおいて本発明に従いエアロゾル液滴／エアロゾルに転換される。コーティングすべき基材（８）は、開口部（６）に相対して配置することができる。基材（８）は、コーティング面とは反対側に熱源（９）を有する。少なくとも一種の溶剤中に溶解されたヒドリドシランの使用の場合には、反応容器（１）の開口部首部は、該装置の有利な態様の一つでは、エアロゾル（７）の粒度を調整するために加熱コイル（１０）及び電力源（１１）を備えることができ、そこで熱の供給により溶剤を蒸発させることができる。超音波（１４）は、反応容器（１）中の焦点（１５）に収束させることができる。組成物（２）の原料及び生成物は、反応容器（１）中の供給／排出管（１６）を用いて、そこにまたはそれから搬送することができる。更に、供給／排出管（１６）によって、例えばガス状のシラン、ドープ物質または他のガスも加えることができる。反応容器（１）は、第一の供給／排出管（１６）の他に、第二の供給／排出管（３）を備えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード、アノードおよび前記カソードと前記アノードとの間に挿入された電解質を含むバッテリであって、
−  前記カソードは活物質としてマンガンを含有する酸化物を含み、
−  前記電解質は、式：
【化１】
2017509131.tif 000001
（式中、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は独立に、ＣＮ、Ｆ、ＣＦ３、ＣＨＦ２、ＣＨ２Ｆ、Ｃ２ＨＦ４、Ｃ２Ｈ２Ｆ３、Ｃ２Ｈ３Ｆ２、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ３Ｈ２Ｆ５、Ｃ３Ｈ４Ｆ３、Ｃ４Ｆ９、Ｃ４Ｈ２Ｆ７、Ｃ４Ｈ４Ｆ５、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ３Ｆ５ＯＣＦ３、Ｃ２Ｆ４ＯＣＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２ＯＣＦ３またはＣＦ２ＯＣＦ３の各基を表す。）
のリチウムイミダゾレートを含有する、バッテリ。
【請求項２】
Ｒ、Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも１つがＣＮ基を表す、請求項１に記載のバッテリ。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２のそれぞれがＣＮ基を表す、請求項１または２に記載のバッテリ。
【請求項４】
Ｒが、ＣＦ３、ＦまたはＣ２Ｆ５基を表す、請求項１から３の一項に記載のバッテリ。
【請求項５】
Ｒが、ＣＦ３基を表す、請求項１から４の一項に記載のバッテリ。
【請求項６】
前記電解質が、溶媒中の１つ以上のリチウムイミダゾレートから本質的になる、請求項１から５の一項に記載のバッテリ。
【請求項７】
前記カソードが、活物質として、
−  式ＬｉＸＭｎ２Ｏ４のリチウムマンガンオキシド（式中、Ｘは０．９５から１．０５の範囲の数を表す。）、および／または
−  式ＬｉＭＯ２の酸化物（式中、Ｍは、Ｍｎと、１つ以上の他の金属、例えばＣｏ、Ｎｉ、ＡｌおよびＦｅとの組み合わせである。）
を含有する、請求項１から６の一項に記載のバッテリ。
【請求項８】
前記カソードが、スピネルタイプの構造を示すマンガンを含有する酸化物を含む、請求項１から７の一項に記載のバッテリ。
【請求項９】
以下の条件下：
−  ４から４．４Ｖの間の電圧、
−  ４５℃から６５℃の間の温度
での容量損失を低減するための、請求項１から８の一項に記載のバッテリの使用。
【請求項１０】
前記電圧が４．２Ｖであり、前記温度が５５±２℃である、請求項９に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力を第1の変圧器および第2の変圧器の入力に結合させた第1の増幅回路であって、前記第1の変圧器が、第1の共有電力分配ネットワークを前記第1の変圧器に選択的に結合するように構成された第1のスイッチを介して、前記第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第2の変圧器が、第2の共有電力分配ネットワークを前記第2の変圧器に選択的に結合するように構成された第2のスイッチを介して、前記第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第1および第2の共有電力分配ネットワークは、それぞれの第1および第2の低ドロップアウト電圧レギュレータを含む、第1の増幅回路と、
出力を第3の変圧器および第4の変圧器の入力に結合させた第2の増幅回路であって、前記第3の変圧器が、第3のスイッチを介して前記第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第4の変圧器が、第4のスイッチを介して前記第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合される、第2の増幅回路と
を含み、
前記第1および第3のスイッチが、第1のキャリアアグリゲーション(CA)信号を有する前記第1の変圧器または前記第3の変圧器の1つを前記第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合するように構成され、
前記第2および第4のスイッチが、第2のキャリアアグリゲーション(CA)信号を有する前記第2の変圧器または前記第4の変圧器の1つを前記第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合するように構成される、デバイス。
【請求項２】
前記第1のスイッチが、前記第1の共有電力分配ネットワークに前記第1の変圧器を結合するように構成され、前記第2のスイッチが、前記第2の共有電力分配ネットワークから前記第2の変圧器を分断するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第1のスイッチが、前記第1の共有電力分配ネットワークから前記第1の変圧器を分断するように構成され、前記第2のスイッチが、前記第2の共有電力分配ネットワークに前記第2の変圧器を結合するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第1の変圧器が出力を生成するように構成されるとき、前記第1のスイッチが、前記第1の共有電力分配ネットワークに前記第1の変圧器を結合するように構成され、前記第2の変圧器が出力を生成するように構成されないとき、前記第2のスイッチが、前記第2の共有電力分配ネットワークから前記第2の変圧器を分断するように構成される、請求項2に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第1の変圧器が出力を生成するように構成されないとき、前記第1のスイッチが、前記第1の共有電力分配ネットワークから前記第1の変圧器を分断するように構成され、前記第2の変圧器が出力を生成するように構成されるとき、前記第2のスイッチが、前記第2の共有電力分配ネットワークに前記第2の変圧器を結合するように構成される、請求項3に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第1の増幅回路が、第1のキャリアアグリゲーション(CA)信号または第2のキャリアアグリゲーション(CA)信号を増幅するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第1の増幅回路が、低雑音増幅回路を含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第1のキャリアアグリゲーション(CA)信号が、第1の通信バンドに位置し、前記第2のキャリアアグリゲーション(CA)信号が、第2の通信バンドに位置する、請求項1に記載のデバイス。
【請求項９】
出力を第1の変圧器および第2の変圧器の入力に結合させた第1の増幅回路であって、前記第1の変圧器が、第1のスイッチを介して第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第2の変圧器が、第2のスイッチを介して第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第1および第2の共有電力分配ネットワークは、それぞれの第1および第2の低ドロップアウト電圧レギュレータを含む、第1の増幅回路と、出力を第3の変圧器および第4の変圧器の入力に結合させた第2の増幅回路であって、前記第3の変圧器が、第3のスイッチを介して前記第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合され、前記第4の変圧器が、第4のスイッチを介して前記第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合される、第2の増幅回路とを含む、デバイスによって行われる方法であって、
前記第1および第3のスイッチによって、第1のキャリアアグリゲーション(CA)信号を有する前記第1の変圧器または前記第3の変圧器の1つを前記第1の共有電力分配ネットワークに選択的に結合するステップと、
前記第2および第4のスイッチによって、第2のキャリアアグリゲーション(CA)信号を有する前記第2の変圧器または前記第4の変圧器の1つを前記第2の共有電力分配ネットワークに選択的に結合するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側領域および境界領域を備える強化型膜シールアセンブリであって、かつ前記内側領域がイオン導電性コンポーネントを含み、前記境界領域がシールコンポーネントを含み、前記シールコンポーネントが非イオン導電性であり、
第１および第２の平面状強化用コンポーネントが、前記境界領域の中へと前記内側領域を横切って各々延伸し、前記内側領域の前記第１および前記第２の平面状強化用コンポーネントの各々の気孔にはイオン導電性コンポーネントを浸透させ、前記境界領域の前記第１および前記第２の平面状強化用コンポーネントの各々の気孔にはシールコンポーネントを浸透させる、
強化型膜シールアセンブリ。
【請求項２】
１つまたは複数の追加の平面状多孔質強化用コンポーネントが、前記強化型膜シールアセンブリの前記境界領域の中へと前記内側領域を横切って延伸する、請求項１に記載の強化型膜シールアセンブリ。
【請求項３】
前記イオン導電性コンポーネントおよび／またはシールコンポーネントが、平面を通過する方向に前記第１または前記第２の平面状強化用コンポーネントを超えて延伸しない、請求項１または２に記載の強化型膜シールアセンブリ。
【請求項４】
前記イオン導電性コンポーネントおよび／またはシールコンポーネントは、前記第１または前記第２の平面状強化用コンポーネントのいずれの中へも浸透していないイオン導電性コンポーネントおよび／またはシールコンポーネントの層があるように、前記第１の平面状強化用コンポーネントまたは前記第２の平面状強化用コンポーネントを超えて延伸する、請求項１または２に記載の強化型膜シールアセンブリ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の膜シールアセンブリ、および前記膜シールアセンブリの少なくとも１の面上に存在する触媒層を備える、触媒コーティング型の強化型膜シールアセンブリ。
【請求項６】
触媒層が、前記膜シールアセンブリの両面上に存在する、請求項５に記載の触媒コーティング型の強化型膜シールアセンブリ。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか一項に記載の強化型膜シールアセンブリ、および前記膜シールアセンブリの少なくとも１の面上に存在する電極を備える、強化型膜シール電極アセンブリ。
【請求項８】
触媒層が、前記強化型膜シールアセンブリの両面上に存在する、請求項７に記載の強化型膜シール電極アセンブリ。
【請求項９】
請求項１から４のいずれか一項に記載の強化型膜シールアセンブリを備える、電気化学装置。
【請求項１０】
燃料電池である、請求項９に記載の電気化学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月19日(2018.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２主面の反対側の、距離Ｗのところに第１主面を持つハウジングであって、光源光を生成するための光源を収容するよう構成されているハウジングを有する照明器具であって、
前記第１主面が、光源光を透過する光出射窓を有すると共に、前記第１主面から横方向に延在し、長さＬを持つ少なくとも１つの側壁によって境界をつけられ、前記側壁の第１縁端部が、前記第１主面に境界をつけ、
各側壁が、本質的にその全長Ｌにわたって、０．１＊Ｗと０．８＊Ｗとの間の高さＨを持ち、光源光を透過する光放射窓を有し、
前記光出射窓が、第１光源と関連づけられ、前記光放射窓が、第２光源と関連づけられる照明器具。
【請求項２】
Ｈが、０．２＊Ｗと０．４＊Ｗとの間にあることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記側壁が、第２縁端部を持ち、前記光放射窓が、前記側壁の第１縁端部から前記側壁の第２縁端部の方へ延在する、又は前記光放射窓が、前記側壁の第２縁端部から前記側壁の第１縁端部の方へ延在することを特徴とする請求項１又は２に記載の照明器具。
【請求項４】
前記光出射窓が、前記第１主面全体にわたって延在することを特徴とする請求項１、２又は３に記載の照明器具。
【請求項５】
前記光出射窓と前記光放射窓との間に、非光放射周囲領域が含まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項６】
前記光放射窓が、多くの、相対的に小さな光透過性サブ窓によって形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項７】
Ｈが、前記側壁の周囲にわたって一定であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項８】
Ｈが、前記側壁の周囲にわたって変化することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項９】
前記側壁が、０．２＊Ｗ乃至０．６＊Ｗの範囲内にある高さＨＢを持つ遮光帯によって前記光放射窓から分離された他の光放射窓を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１０】
前記ハウジングが、前記光源を収容することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１１】
前記第１光源が、前記光出射窓の方へ主光放射方向を持ち、前記第２光源が、前記光放射窓の方へ主光放射方向を持つことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１２】
前記第１光源及び前記第２光源が、独立して制御可能であることを特徴とする請求項１１に記載の照明器具。
【請求項１３】
前記ハウジングが、音響吸収性材料を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１４】
前記光源光が、前記光放射窓から、光ビームとして、前記光出射窓に対する垂線と前記光ビームとの間の多くとも６５°の角度において、発せられることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１５】
前記第２主面が、他の光出射窓を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の物理下り制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）のセットにおけるＰＤＣＣＨを受信する受信ユニットを備え、
前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれは、複数のサブフレームのセットにて繰り返されるユーザ機器。
【請求項２】
前記複数のサブフレームのセットにて繰り返される前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれについて、同一のスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項１に記載のユーザ機器。
【請求項３】
前記複数のサブフレームのセット以外のサブフレームにおけるＰＤＣＣＨについて、当該サブフレームに関連付けられたスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項２に記載のユーザ機器。
【請求項４】
前記受信ユニットは、前記複数のサブフレームのセットにおける各サブフレームの増強型制御チャネル要素（ＥＣＣＥ）にてＰＤＣＣＨを受信し、
ＥＣＣＥのインデックスは、前記複数のサブフレームのセットについて同一である、請求項１から３までの何れか１項に記載のユーザ機器。
【請求項５】
複数の物理下り制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）のセットにおけるＰＤＣＣＨを送信する送信ユニットを備え、
前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれは、複数のサブフレームのセットにて繰り返される基地局。
【請求項６】
前記複数のサブフレームのセットにて繰り返される前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれについて、同一のスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項５に記載の基地局。
【請求項７】
前記複数のサブフレームのセット以外のサブフレームにおけるＰＤＣＣＨについて、当該サブフレームに関連付けられたスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項６に記載の基地局。
【請求項８】
前記送信ユニットは、前記複数のサブフレームのセットにおける各サブフレームの増強型制御チャネル要素（ＥＣＣＥ）にてＰＤＣＣＨを送信し、
ＥＣＣＥのインデックスは、前記複数のサブフレームのセットについて同一である、請求項５から７までの何れか１項に記載の基地局。
【請求項９】
物理下り制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）を受信する方法であって、
複数のＰＤＣＣＨのセットにおけるＰＤＣＣＨを受信するステップを含み、
前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれは、複数のサブフレームのセットにて繰り返される方法。
【請求項１０】
前記複数のサブフレームのセットにて繰り返される前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれについて、同一のスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のサブフレームのセット以外のサブフレームにおけるＰＤＣＣＨについて、当該サブフレームに関連付けられたスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＤＣＣＨは、前記複数のサブフレームのセットにおける各サブフレームの増強型制御チャネル要素（ＥＣＣＥ）にて受信され、
ＥＣＣＥのインデックスは、前記複数のサブフレームのセットについて同一である、請求項９から１１までの何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
物理下り制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）を送信する方法であって、
複数のＰＤＣＣＨのセットにおけるＰＤＣＣＨを送信するステップを含み、
前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれは、複数のサブフレームのセットにて繰り返される方法。
【請求項１４】
前記複数のサブフレームのセットにて繰り返される前記複数のＰＤＣＣＨのそれぞれについて、同一のスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のサブフレームのセット以外のサブフレームにおけるＰＤＣＣＨについて、当該サブフレームに関連付けられたスクランブリングシーケンスが用いられる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＰＤＣＣＨは、前記複数のサブフレームのセットにおける各サブフレームの増強型制御チャネル要素（ＥＣＣＥ）にて送信され、
ＥＣＣＥのインデックスは、前記複数のサブフレームのセットについて同一である、請求項１３から１５までの何れか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ユーザ機器、基地局、物理下り制御チャネルを受信する方法、および、物理下り制御チャネルを送信する方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質のガス拡散基材であって、
（ａ）炭素繊維を含む多孔質の不織布ウェブと、
（ｂ）前記多孔質の不織布ウェブ内部に埋め込まれている炭化残渣と、
（ｃ）フッ素化ポリマーと、
（ｄ）不活性粒子と
を含み、
前記多孔質の不織布ウェブの前記炭素繊維の少なくともいくつかが、前記フッ素化ポリマー及び前記不活性粒子を含むコーティングを有し、前記不活性粒子が、前記フッ素化ポリマーの重量の０．１重量％から１０重量％の濃度で存在する、多孔質のガス拡散基材。
【請求項２】
前記フッ素化ポリマーが、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）；ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）；ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）；パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）；ポリエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）；ポリエチレンクロロトリフルオロエチレン（ＥＣＴＦＥ）；過フッ素化エラストマー［パーフルオロエラストマー］（ＦＦＰＭ／ＦＦＫＭ）；フッ化炭素［クロロトリフルオロエチレンビニリデンフッ化物］（ＦＰＭ／ＦＫＭ）；パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）；パーフルオロスルホン酸（ＰＦＳＡ）；及びパーフルオロポリオキセタンから成る群から選択される、請求項１に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項３】
前記不活性粒子が、微粒子黒鉛、微粒子炭素（例えば、カーボンブラック）、金属酸化物、耐火性酸化物、金属炭化物を含む、請求項１又は２に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項４】
前記不活性粒子が、微粒子黒鉛又は微粒子炭素である、請求項３に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項５】
前記不活性粒子が、０．１ミクロンから２０ミクロンまでの最大寸法を有する、請求項１から４の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項６】
前記炭素繊維の少なくとも５０％が、前記フッ素化ポリマー及び前記不活性粒子を含むコーティングを有する、請求項１から５の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項７】
前記炭素繊維の前記コーティングが完全である、請求項１から６の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項８】
前記炭素繊維の前記コーティングが不完全である、請求項１から６の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項９】
前記フッ素化ポリマーが、前記コーティングのない前記多孔質のガス拡散基材の重量に対して、１重量％から２０重量％の濃度で存在する、請求項１から８の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項１０】
前記ガス拡散基材が、前記多孔質の不織布ウェブ内部に埋め込まれている導電性炭素質粒子を更に含む、請求項１から９の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材の製造プロセスであって、
（ｉ）炭素繊維を含む多孔質の不織布ウェブを提供するステップと、
（ｉｉ）炭化可能樹脂を含む分散体を提供するステップと、
（ｉｉｉ）前記多孔質の不織布ウェブにステップ（ｉｉ）で調製された前記分散体を含浸するステップと、
（ｉｖ）１００℃から３００℃までの温度で前記炭化可能樹脂を硬化させる硬化ステップを実行するステップと、
（ｖ）ガス拡散基材前駆体を提供するために、９００℃から３０００℃までの温度で前記炭化可能樹脂を炭化する／黒鉛化する熱処理を実行するステップと、
（ｖｉ）水、フッ素化ポリマー及び不活性粒子を含む分散体を提供するステップと、
（ｖｉｉ）前記ガス拡散基材前駆体をステップ（ｖｉ）で調製された前記分散体で処理するステップと、
（ｖｉｉｉ）乾燥させるステップと、
（ｉｘ）前記ガス拡散基材を提供するために、４００℃までの温度で加熱するステップと
を含むプロセス。
【請求項１２】
電気化学電池における請求項１から１０の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材の使用。
【請求項１３】
請求項１から１０の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材、及び前記多孔質のガス拡散基材の１つの面に適用された微多孔質の層を含むガス拡散層。
【請求項１４】
請求項１から１０の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材、及び前記多孔質のガス拡散基材の１つの面に存在する電極触媒層を含むガス拡散電極。
【請求項１５】
請求項１３に記載のガス拡散層、及び微多孔質の層を有する前記ガス拡散層の面に存在する電極触媒層を含むガス拡散電極。
【請求項１６】
請求項１から１０の何れか一項に記載の多孔質のガス拡散基材、ポリマー電解質膜、及び前記多孔質のガス拡散基材と前記ポリマー電解質膜との間の電極触媒層を含む膜電極アセンブリ。