【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を冷却する冷却チャンバであって、
内容積を有するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配された基板支持体であり、基板を支持する支持表面を有する基板支持体と、
前記チャンバ本体内の前記基板支持体とは反対の側に配されたプレートと
を備え、前記基板支持体と前記プレートが、第１の位置と第２の位置の間で互いに対して移動可能であり、前記第１の位置にあるときには、前記内容積内の第１の容積に対して前記支持表面が露出するような態様で、前記基板支持体と前記プレートが互いに離れて配されており、前記第２の位置にあるときには、前記内容積内の第２の容積に対して前記支持表面が露出するような態様で、前記基板支持体と前記プレートが互いに隣接して配されており、前記第２の容積が前記第１の容積よりも小さく、前記冷却チャンバがさらに、
冷却材を流すために前記プレートまたは前記基板支持体のうちの１つまたは複数の内部に配された複数の流れチャネルと、
前記第２の容積内へガスを供給するガス入口と
を備える冷却チャンバ。
【請求項２】
前記基板支持体と前記プレートが前記第２の位置にあるときに前記プレートと接触するような態様で前記基板支持体と前記プレートの間に配された環状シール
をさらに備える、請求項１に記載の冷却チャンバ。
【請求項３】
前記基板支持体が、前記支持表面を取り囲む外リングを備え、前記外リングが環状溝を含み、前記環状シールが前記環状溝の中に配された、請求項２に記載の冷却チャンバ。
【請求項４】
前記基板支持体が、前記支持表面を取り囲む外リングを備え、前記外リングと前記支持表面の間に、前記プレートの方向とは反対の方向に前記支持表面から延びる環状チャネルが配されており、前記環状チャネルから前記外リングの周囲表面まで少なくとも１つの貫通孔が延びている、請求項２に記載の冷却チャンバ。
【請求項５】
前記第２の容積から前記第２の容積以外の前記内容積の残りの部分への前記ガスのチョークドフローを生成するような形状およびサイズを、前記環状チャネルおよび前記少なくとも１つの貫通孔が有する、請求項４に記載の冷却チャンバ。
【請求項６】
前記複数の流れチャネルが前記プレート内に配された、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項７】
基板支持体に面する前記プレートの表面が凹形である、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項８】
前記支持表面から間隔をあけて基板を支持するため、前記基板支持体が、前記支持表面に配された複数の支持要素を備える、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項９】
前記基板支持体上に基板が配されたときに前記基板と前記支持表面の間に裏側ガスを流すため、前記基板支持体が開口を備える、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項１０】
前記基板支持体上に基板を置くことおよび前記基板支持体から基板を取り外すことを容易にするため、前記基板支持体がリフトピンアセンブリを備える、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項１１】
前記ガス入口が前記プレートを貫通して配された、請求項１から５のいずれかに記載の冷却チャンバ。
【請求項１２】
中心真空移送チャンバと、
前記中心真空移送チャンバに結合された少なくとも１つの真空処理チャンバであり、基板上でプロセスを実行するための少なくとも１つの真空処理チャンバと、
前記中心真空移送チャンバに結合された少なくとも１つの冷却チャンバであり、前記基板を冷却するための冷却チャンバと
を備え、前記冷却チャンバが、請求項１から１１のいずれかに記載の冷却チャンバである、
基板処理システム。
【請求項１３】
基板を冷却する方法であって、
冷却チャンバの内容積内に配された基板支持体の支持表面に基板を置くこと、および
前記基板支持体または前記冷却チャンバ内の前記基板支持体とは反対の側に配されたプレートのうちの少なくとも一方を、前記支持表面に前記基板が置かれる第１の位置から、前記支持表面と前記プレートの間に第２の容積が形成される第２の位置へ移動させること
を含み、前記第２の容積が前記内容積よりも小さく、前記第２の容積が実質的に密封されて、前記内容積の残りの部分から分離されており、前記方法がさらに、
前記第２の容積にガスを流入させて、前記第２の容積内の圧力を増大させること、および
前記基板支持体内または前記プレート内のうちの少なくとも一方に配された複数のチャネルに冷却材を流して、前記基板を冷却すること
を含む方法。
【請求項１４】
前記基板と前記支持表面の間の空間に前記基板支持体を通して裏側ガスを流入させること
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板支持体が、前記支持表面を取り囲む外リングを備え、前記外リングが、前記プレートの方向とは反対の方向に前記支持表面から延びる環状チャネルと、前記環状チャネルから前記外リングの周囲表面まで延びる少なくとも１つの貫通孔とを備え、前記方法がさらに、
前記ガスを、前記環状チャネルおよび前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記第２の容積から前記内容積の残りの部分へ流すこと
を含み、前記環状チャネルおよび前記少なくとも１つの貫通孔がチョークドフローを生成する、
請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本明細書には、基板を急速に冷却する方法および装置の実施形態が記載されている。いくつかの実施形態では、基板を冷却する冷却チャンバが、内容積を有するチャンバ本体と、チャンバ内に配された基板支持体であり、基板を支持する支持表面を有する基板支持体と、チャンバ本体内の基板支持体とは反対の側に配されたプレートとを含み、基板支持体とプレートは、第１の位置と第２の位置の間で互いに対して移動可能であり、第１の位置にあるときには、内容積内の第１の容積に対して支持表面が露出するような態様で、基板支持体とプレートが互いに離れて配されており、第２の位置にあるときには、内容積内の第２の容積に対して支持表面が露出するような態様で、基板支持体とプレートが互いに隣接して配されており、第２の容積は第１の容積よりも小さく、この冷却チャンバはさらに、冷却材を流すためにプレートまたは基板支持体のうちの１つまたは複数の内部に配された複数の流れチャネルと、第２の容積内へガスを供給するガス入口とを含む。
いくつかの実施形態では、基板処理システムが、中心真空移送チャンバと、中心真空移送チャンバに結合された少なくとも１つの真空処理チャンバであり、基板上でプロセスを実行するための少なくとも１つの真空処理チャンバと、中心真空移送チャンバに結合された少なくとも１つの冷却チャンバであり、基板を冷却するための冷却チャンバとを含む。この冷却チャンバは、内容積を有するチャンバ本体と、チャンバ内に配された基板支持体であり、基板を支持する支持表面を有する基板支持体と、チャンバ本体内の基板支持体とは反対の側に配されたプレートとを含むことができ、基板支持体とプレートは、第１の位置と第２の位置の間で互いに対して移動可能であり、第１の位置にあるときには、内容積内の第１の容積に対して支持表面が露出するような態様で、基板支持体とプレートが互いに離れて配されており、第２の位置にあるときには、内容積内の第２の容積に対して支持表面が露出するような態様で、基板支持体とプレートが互いに隣接して配されており、第２の容積は第１の容積よりも小さく、この冷却チャンバはさらに、冷却材を流すためにプレートまたは基板支持体のうちの１つまたは複数の内部に配された複数の流れチャネルと、第２の容積内へガスを供給するガス入口とを含むことができる。
いくつかの実施形態では、基板を冷却する方法が、冷却チャンバの内容積内に配された基板支持体の支持表面に基板を置くこと、および基板支持体または冷却チャンバ内の基板支持体とは反対の側に配されたプレートのうちの少なくとも一方を、支持表面に基板が置かれる第１の位置から、支持表面とプレートの間に第２の容積が形成される第２の位置へ移動させることを含み、第２の容積は内容積よりも小さく、第２の容積は実質的に密封されて、内容積の残りの部分から分離されており、この方法はさらに、第２の容積にガスを流入させて、第２の容積内の圧力を増大させること、および基板支持体内またはプレート内のうちの少なくとも一方に配された複数のチャネルに冷却材を流して、基板を冷却することを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ファクトリインターフェース１０４から処理プラットホーム１０２へのロードロックチャンバ１８４を通した処理のための基板の移送を容易にするため、いくつかの実施形態では、ファクトリインターフェース１０４が、少なくとも１つのドッキングステーション１８３および少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット１８５（１つのファクトリインターフェースロボットが示されている）を備える。ドッキングステーション１８３は、１つまたは複数のフロントオープニングユニファイドポッド（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）１８７Ａ〜Ｄ（４つのＦＯＵＰが示されている）を受け入れるように構成されている。任意選択で、ＦＯＵＰ１８７Ａ〜Ｄからの基板の測定を容易にするために、ファクトリインターフェース１０４に１つまたは複数の計測ステーション（図示せず）を結合することができる。ロードロックチャンバ１８４に基板を移動させる前にその基板を処理することができるように、ファクトリインターフェース１０４に基板処理装置を結合することもできる。ファクトリインターフェース１０４内に配されたファクトリインターフェースロボット１８５は、ロードロックチャンバ１８４と１つまたは複数のＦＯＵＰ１８７Ａ〜Ｄとの間で基板のカセットを往復させるために直線運動および回転運動（矢印１８２）をすることができる。現在の冷却装置は、処理プラットホームのその他の部分と同じ真空環境中にあるため、基板を冷却する時間は不利な影響を受ける。本発明の発明者らは、真空の処理プラットホーム内に配されてはいるが、より高い圧力を有する環境中で基板を冷却することができ、基板を冷却するのに必要な時間を有利に短縮する冷却チャンバを設計した。
図２は、本開示のいくつかの実施形態に基づく冷却チャンバ２００を示す。冷却チャンバ２００は、上で説明したマルチチャンバ処理システム１００内または他のマルチチャンバ処理システム内で使用することができる。冷却チャンバ２００は一般に、内容積２０４を画定するチャンバ本体２０２、内容積２０４内に配された基板支持体２０８、および基板支持体とは反対の側に配されたプレート２１４を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
具体的には、ガス供給源２２８は、基板支持体２０８とプレート２１４が互いに隣接して配されたときに第２の容積３０６にガスを供給する。有利には、１種または数種のガスを第２の容積に供給すると、第２の容積３０６内の圧力を上昇させることが容易になり、第２の容積３０６内の圧力を上昇させると、基板から、基板の周囲の基板支持体２０８、プレート２１４などの冷却チャンバ２００の構成要素への熱伝達の速度が高まる。さらに、冷却チャンバ２００の第１の容積２０６または内容積２０４よりもはるかに小さな第２の容積３０６に１種または数種のガスを供給すると、冷却チャンバ２００の全体の圧力を大幅には上昇させずに、圧力を上昇させることができ、それによって、有利には、冷却チャンバの全体を加圧および減圧するため、またはより低圧の環境中での基板のより低い冷却速度に依存するために必要となるであろう時間が低減される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図４に戻る。いくつかの実施形態では、環状チャネル４０２が実質的に垂直であり、少なくとも１つの貫通孔４０４が実質的に水平である（例えば環状チャネル４０２と少なくとも１つの貫通孔４０４が互いに垂直である）。少なくとも１つの貫通孔４０４は、貫通孔４０４の直径よりも大きな直径を有する外側セクション４０６を含むことができる。図４に示された矢印は、冷却チャンバの内容積２０４が第１の圧力に維持され、第２の容積３０６が、第１の圧力よりも高い第２の圧力に維持される本開示のいくつかの実施形態に基づくガス流路を示す。図４に示されているように、結果として生じる流路は、第２の容積３０６から内容積２０４の残りの部分へのガスのチョークドフロー（ｃｈｏｋｅｄ  ｆｌｏｗ）を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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