【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラー素子を製造する方法であって、
ａ）基板（１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２、５０１、５０２、８０１、９０１、９５１、９６１）を用意するステップと、
ｂ）少なくとも１つの反射層系を有する層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）を前記基板上に形成するステップと
を含み、ｃ）前記層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）を、所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の設定値曲率を前記層スタックが及ぼす曲げ力によって発生させるように形成し、前記基板は、前記層スタックの形成前には前記ミラー素子の前記設定値曲率から外れた曲率を有し、前記層スタックが及ぼす前記曲げ力は、前記層スタックの層張力を変えるための後処理を実行することによって少なくとも部分的に発生する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）が及ぼす前記曲げ力、特に前記層スタックの層張力を変えるための前記後処理は、前記曲率の不可逆的変化をもたらすことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記後処理は、特に熱照射、レーザ照射、又は焼きなましによる熱後処理を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、前記後処理は、イオン照射又は電子照射を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法において、前記後処理を、前記層スタックの１つ又は複数の部分に局所的に制限することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法において、前記基板（１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２、５０１、５０２、８０１、９０１、９５１、９６１）は、前記層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）の形成前に平面であるか又は凸曲率を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法において、前記基板は、前記層スタックの形成後に前記所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の前記設定値曲率が得られるように選択された局所的に変化する剛性を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
ミラー素子を製造する方法であって、
基板（１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２、５０１、５０２、８０１、９０１、９５１、９６１）を用意するステップと、
少なくとも１つの反射層系を有する層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）を前記基板上に形成するステップと
を含み、前記層スタックの形成前に剛性に影響を及ぼす加工を前記基板に施し、前記加工時に、前記層スタックの形成後に所定の動作温度に望ましい前記ミラー素子の設定値曲率が得られるように剛性を設定し、
前記剛性は、化学構造又はモルフォロジの狙い通りの変化によって少なくとも部分的に生じることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記層スタックが及ぼす曲げ力と組み合わせて前記ミラー素子の所望の表面形状をもたらす、前記基板の局所的に変化する剛性を設定することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法において、前記剛性は、前記基板の変動厚さプロファイルによって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法において、前記基板は第１材料から製造され、前記剛性は、前記第１材料とは異なる第２材料の異種原子でドープすることによって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法において、前記剛性は、該剛性に影響を及ぼす構造又は層によって少なくともある程度は生じることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、前記構造又は層を前記基板のうち層スタックとは反対側に配置することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項７〜１３のいずれか１項に記載の方法において、前記狙い通りの変化は、位相又は結晶方位の変化であることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法において、前記層スタック（１１１、１１２、１１３、１１４、２１１、２１２、３１１、３１２、４１１、４１２、５１１、５１２）は、前記反射層系と前記基板（１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２、５０１、５０２、８０１、９０１、９５１、９６１）との間に追加の張力誘起層を有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法において、前記ミラー素子の所望の設定値曲率は、少なくとも１００℃の動作温度で凹曲率であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法において、複数のミラー素子をそれぞれ製造し、前記ミラー素子の少なくとも２つは、前記設定値曲率に関して相互に異なることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記相互に異なる設定値曲率を有するミラー素子の製造を、各前記層スタックが及ぼす同じ曲げ力を設定して、前記層スタックをそれぞれ異なる厚さを有する基板に施すことによって実行することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法において、前記相互に異なる設定値曲率を有するミラー素子の製造を、各前記層スタックが及ぼす異なる曲げ力を設定して、前記層スタックをそれぞれ異なる厚さを有する基板に施すことによって実行することを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法において、前記ミラー素子は、複数のミラー素子からなるミラー構成体のミラー素子であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、前記ミラー素子は、相互に独立して傾斜可能であることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２０又は２１に記載の方法において、前記ミラー構成体は、ファセットミラー、特に視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーであることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法において、前記ミラー素子を、３０ｎｍ未満、特に１５ｎｍの作動波長用に設計することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載の方法において、前記ミラー素子は、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー素子であることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法において、前記マイクロリソグラフィ投影露光装置の動作時に、関連ミラー素子の温度を設定することによって曲率を補正することを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項１〜２５のいずれか１項に記載の方法によって製造されることを特徴とする、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子。
【請求項２７】
基板と該基板上に配置された少なくとも１つの反射層系を有する層スタックとを備えた、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子であって、前記基板は、剛性に影響を及ぼす構造、層、又はドーピングにより、又は化学構造又はモルフォロジが変化した領域により局所的に変化する剛性を有することを特徴とするミラー素子。
【請求項２８】
請求項２７に記載のミラー素子において、前記剛性に影響を及ぼす構造又は層は、前記基板のうち前記層スタックに面しない側に配置されることを特徴とするミラー素子。
【請求項２９】
請求項２６〜２８のいずれか１項に記載のミラー素子を少なくとも１つ備えた、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、特に照明デバイス又は投影レンズ。
【請求項３０】
請求項２６〜２８のいずれか１項に記載のミラー素子を少なくとも１つを備えることを特徴とする、照明デバイス及び投影系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置。