(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを製造する方法であって、
少なくとも、前記半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程と、前記半導体ウェーハの面取り部に対して研磨を行う第１の面取り部研磨工程と、前記第１の面取り部研磨工程を行った後に前記半導体ウェーハの両面研磨を行う両面研磨工程とを含み、
研磨布に、直径１０ｍｍ、重さ８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径１０ｍｍ、重さ８８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔＴとしたときに、
ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、
前記第１の面取り部研磨工程において、ΔＴが６０μｍ以下となる研磨布を用い且つ研磨荷重を２０ｋｇｆ以下（但し、５ｋｇｆ以下を除く）として面取り部の研磨を行い、但しΔＴが６０μｍとなる研磨布を用い且つ研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行うことを除くことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記両面研磨工程の後に第２の面取り部研磨工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハは、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第１の面取り部研磨工程において、前記研磨布の研磨面に対して前記ウェーハを垂直にして前記面取り部の研磨を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの製造方法としては、（ａ）単結晶インゴットから薄板ウェーハを切り出すスライス工程、（ｂ）ウェーハの外周部のカケや割れを防止するための面取り工程、（ｃ）ウェーハの厚さばらつきをなくし平坦化するためのラッピング工程もしくは両面研削工程、（ｄ）上記のラッピングや両面研削で導入されたウェーハの歪みや汚染物を除去するためのエッチング工程、（ｅ）高精度なウェーハの平坦度品質やナノトポグラフィー品質を得るために表裏面を同時に研磨する両面研磨工程、（ｆ）ウェーハの主面を鏡面にする鏡面研磨工程、及び（ｇ）面取り部を鏡面にする面取り部鏡面研磨工程等を順次行うことが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５３９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の（ｂ）面取り工程は、研削砥石を使用して加工が行われる。所望の面取り形状を作りこむために、砥石形状の微調整や加工条件の調整が行われるが、使用される面取り部研削用砥石がウェーハの加工とともに摩耗し、形状が変化するため、一定の形状で作りこむことは難しい。特に、面取り先端部の形状の制御は容易ではない。さらに、砥石を使用した加工では面取り部の粗さが十分小さいとは言えない。
【０００５】
上記の（ｄ）エッチング工程では、近年の厳しい平坦度品質の要求を達成するために、ウェーハの平坦度維持が容易な、比較的エッチングレートの遅いエッチング条件が使用されることがある。例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ系水溶液を用いた方法がシリコンウェーハの製造で広く用いられている。
【０００６】
しかし、特にアルカリエッチングでは、エッチング速度に結晶方位依存性があり、結晶面によってエッチングレートが異なることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
そのため、面取り部で露出する結晶面の違いによってエッチングレートが異なり、エッチング工程を経た段階では、面取り部形状が面取り加工直後から変化しており、面取り部の形状に周内ばらつきが生じている。
【０００８】
上記の（ｅ）両面研磨工程は、キャリアの円形孔にウェーハを収容し、研磨布を貼り付けた上下一対の定盤の間に挟み込み、研磨スラリーを供給するとともに、上下の定盤とキャリアを回転させることでウェーハの両面を同時に研磨する。
【０００９】
このようにして両面研磨を行う場合、ウェーハの最外周部がキャリアの円形孔の内側面と接触することによってキャリアを削り、ウェーハ最外周部の形状がキャリアの内側面に転写される。
【００１０】
上記のキャリア内側面の形状と加工するウェーハの最外周部の形状が大きく異なる場合、ウェーハとキャリア形状のマッチングが悪く、加工中のウェーハの回転が抑制され、平坦度へ悪影響を及ぼす場合がある。
【００１１】
さらに、ウェーハの最外周部の粗さが大きい場合も、加工中のウェーハの回転が抑制され、平坦度へ悪影響を及ぼす場合がある。
【００１２】
上述のように、従来の面取り工程において、面取り部の形状を制御することで、両面研磨で使用されるキャリアの円形孔内側の形状とのマッチング向上を図ってきたが、特に面取り先端部に関しては形状の作りこみが難しく十分な対応とは言えなかった。さらに、面取り工程で使用される面取り部研削用砥石がウェーハの加工とともに摩耗し形状が変化するため、面取り先端部形状の経時変化もみられる。さらに、面取り部の粗さも十分小さいとは言えない。
【００１３】
また、従来の面取り部の鏡面研磨は面取り部のキズ等を除去し、粗さを改善することを目的としている。面取り部の研磨に使用する研磨布の硬度が低い場合、ウェーハが研磨布に対して沈み込むため、面取り部が丸みを帯びた形状となる。そのため、面取り部先端形状の大幅な修正は困難であった。
【００１４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ウェーハの面取り部の形状や粗さに起因して発生する、両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、半導体ウェーハを製造する方法であって、少なくとも、前記半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程と、前記半導体ウェーハの面取り部に対して研磨を行う第１の面取り部研磨工程と、前記第１の面取り部研磨工程を行った後に前記半導体ウェーハの両面研磨を行う両面研磨工程とを含み、研磨布に、直径１０ｍｍ、重さ８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径１０ｍｍ、重さ８８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔＴとしたときに、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、前記第１の面取り部研磨工程において、ΔＴが６０μｍ以下となる研磨布を選択し面取り部の研磨を行う、及び／又は、研磨荷重を２０ｋｇｆ以下として面取り部の研磨を行う半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【００１６】
このように、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、半導体ウェーハの面取り部の端面を研磨（第１の面取り部研磨工程）した後で両面研磨加工を行うことで、面取り部の形状や粗さに起因して発生する、両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができる。
【００１７】
このとき、前記両面研磨工程の後に第２の面取り部研磨工程を行うことが好ましい。
【００１８】
このように、両面研磨後にも面取り部の研磨（第２の面取り部研磨工程）を行うことで、両面研磨工程において発生した面取り部のキズ等を除去することができる。
【００１９】
このとき、前記半導体ウェーハは、シリコンウェーハとすることが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体ウェーハの製造方法は、単結晶シリコンインゴットから得られる単結晶シリコンウェーハの製造方法において特に好適に用いることができる。
【００２１】
このとき、前記第１の面取り部研磨工程において、前記研磨布の研磨面に対して前記ウェーハを垂直にして前記面取り部の研磨を行うことが好ましい。
【００２２】
これにより、面取り部における所定の面を確実に研磨することができ、また、所望の形状にすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明の半導体ウェーハの製造方法によれば、面取り先端部の形状及び粗さを改善できるため、面取り部の形状や粗さに起因して発生する両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができる。したがって、ウェーハ平坦度の優れた半導体ウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１による第１の面取り部研磨工程前後のウェーハ端面の傾きの円周方向の変化を示すグラフである。
【図２】実施例１及び比較例１の面取り部端面の粗さを示すグラフである。
【図３】実施例１と比較例１のウェーハの平坦度を示すグラフである。
【図４】比較例２による第１の面取り部研磨工程前後のウェーハ端面の傾きの円周方向の変化を示すグラフである。
【図５】半導体ウェーハの面取り部の断面形状を模式的に示した図である。
【図６】面取り部における端面の研磨方法の一例を示す概略図である。
【図７】面取り部端面の傾きを説明する模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】
上述のように、両面研磨加工において、ウェーハの面取り部の形状や粗さによっては、キャリア内でのウェーハの自転が阻害される場合があり、ウェーハの平坦度が悪化することがあるため、これらの問題を解決することができるウェーハの製造方法が求められていた。
【００２７】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、半導体ウェーハを製造する方法であって、少なくとも、前記半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程と、前記半導体ウェーハの面取り部に対して研磨を行う第１の面取り部研磨工程と、前記第１の面取り部研磨工程を行った後に前記半導体ウェーハの両面研磨を行う両面研磨工程とを含み、研磨布に、直径１０ｍｍ、重さ８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径１０ｍｍ、重さ８８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔＴとしたときに、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、前記第１の面取り部研磨工程において、ΔＴが６０μｍ以下となる研磨布を選択し面取り部の研磨を行う、及び／又は、研磨荷重を２０ｋｇｆ以下として面取り部の研磨を行う半導体ウェーハの製造方法により、ウェーハの面取り部の形状や粗さに起因して発生する、両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができることを見出し、本発明を完成した。
【００２８】
以下、図面を参照して説明する。
【００２９】
半導体ウェーハを得るためには、まず、単結晶インゴットをスライスしてスライスウェーハを得る。このときの単結晶インゴットとして、単結晶シリコンインゴットを用いることが好ましい。本発明の半導体ウェーハの製造方法は、特に、単結晶シリコンインゴットから得られる単結晶シリコンウェーハの製造方法において好適に用いることができる。
【００３０】
次に、単結晶インゴットから薄板ウェーハを切り出すスライス工程で得られたウェーハの周縁部を研削して面取り加工を行う（面取り研削工程）。
【００３１】
ここで、面取り加工を行った後の半導体ウェーハにおける面取り部の断面形状（面取り断面形状）について、図５を参照して説明する。図５は、半導体ウェーハの面取り部の断面形状を模式的に示した図である。図５（ａ）は従来の半導体製造方法によるウェーハの面取り部の断面形状、図５（ｂ）は本発明の半導体製造方法によるウェーハの面取り部の断面形状を示した図である。半導体ウェーハｗは２つの主面１１、１２を有している。面取り断面形状は、半導体ウェーハｗの一方の主面である第１の主面１１から連続するとともに該第１の主面１１から傾斜した第１の傾斜部２１を有している。また、この面取り断面形状は、半導体ウェーハｗのもう一方の主面である第２の主面１２から連続するとともに該第２の主面１２から傾斜した第２の傾斜部２２を有している。さらに、半導体ウェーハｗの最外周端部を構成する端部２３を有している。端部２３部分は従来わずかながら傾斜を有している。
【００３２】
上記のような、半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程の後、ウェーハの主面にラッピング工程又は両面研削工程を行う。
【００３３】
次に、ラッピングや両面研削等の加工で導入された加工歪みや汚染物の除去のために、ラッピング工程もしくは両面研削工程を施したウェーハにエッチング加工を行う。
【００３４】
エッチング加工を行った後に、第１の面取り部研磨加工を行う。
【００３５】
ここで、研磨布の硬度について述べる。研磨布に、直径１０ｍｍ、重さ８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径１０ｍｍ、重さ８８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔＴとする。
【００３６】
本発明者らは、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように面取り部の研磨を行うことで、ウェーハ平坦度の悪化を抑制することができることを見出した。
【００３７】
すなわち、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、ΔＴが６０μｍ以下となる研磨布を選択し面取り部の研磨を行う、及び／又は、研磨荷重を２０ｋｇｆ以下として面取り部の研磨を行うことで、両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができる。
【００３８】
この時、ΔＴが非常に小さくなるような素材で構成された研磨布であれば、研磨荷重は大きくてもよい。逆にΔＴが大きくなるような素材で構成された研磨布であれば、研磨荷重は小さくすればよい。
【００３９】
また、この時、ΔＴが６０μｍ以下である研磨布を用いて、なおかつ、研磨荷重を２０ｋｇｆ以下とするのが好ましい。このような研磨の条件で半導体ウェーハの面取り部を研磨すれば、確実に半導体ウェーハに対する研磨布の沈み込み量を抑制することができ、面取り部先端形状を改善することができる。
【００４０】
第１の面取り部研磨工程において、研磨布に対するウェーハの押付圧力（研磨荷重）は、上述の条件を満たす限り、任意に定めることができるが、研磨荷重が小さいほど研磨布の沈み込みは小さい。
【００４１】
また、第１の面取り部研磨工程で使用する研磨布も、上述の条件を満たす限り自由に選択することが可能であるが、所定の研磨荷重のもとで研磨布の沈み込みが極力小さくなるように研磨布を選択する必要があり、硬度が高いものが好ましい。このように研磨布を選択した場合、面取り部先端形状の改善効果が高い。
【００４２】
研磨布の沈み込みが大きくなるような条件で加工した場合、面取り先端部２３が丸みを帯びた形状となる（図５（ａ））。一方で、研磨布の沈み込みを抑制できるような条件で加工した場合、面取り先端部２３が直線状になる（図５（ｂ））。さらに、エッチングによって生じた面取り先端部２３の形状の周内ばらつきの改善効果が大きい。
【００４３】
第１の面取り部研磨工程では、少なくとも研磨布に対して、ウェーハの面取り部における端面を接触させて面取り部の研磨を行う。ここで、面取り部における端面とは、ウェーハの最外周に位置し、ウェーハの主面と略垂直となる部分（図５の半導体ウェーハの端部２３）に相当する。
【００４４】
このような第１の面取り部研磨工程では、例えば図６に示したような、ウェーハ外周を取り囲むようにドラムを配置した装置を使用することができる。ドラムのプレート１ｂの内周に研磨布１ａを貼り付け、ドラムとウェーハを所定の方向に回転させるとともに、研磨スラリーを供給しながら、面取り部の研磨を行う。
【００４５】
この時、研磨布１ａの研磨面に対してウェーハを垂直にして押し付けることにより面取り部の研磨を行うことが好ましい。このように面取り部の研磨をすると、面取り部における所定の面を確実に研磨することができ、所望の形状にすることができる。
【００４６】
第１の面取り部研磨工程の後、両面研磨工程を行う。
【００４７】
この両面研磨については、一般のいずれの方法をも採用することができる。例えば、上下の定盤を低熱膨張材から構成するとともに、該上下の定盤を平行に保ち続ける方法のようにすればよい。この時、本発明では第１の面取り部研磨工程により面取り先端部の形状及び粗さが改善されているため、この両面研磨工程において、ウェーハの平坦度が悪化することを抑制することができる。
【００４８】
両面研磨工程の後、第２の面取り部研磨工程を行うことが好ましい。
【００４９】
第２の面取り部研磨工程を行えば、両面研磨加工により面取り部の粗さや形状が変化した場合に、面取り部の粗さや形状を改善することができる。
【００５０】
また、第２の面取り部研磨工程において、研磨布の研磨面に対してウェーハを所定の角度で接触させて面取り部の研磨を行うことで、面取り部における所定の面を確実に研磨することができ、所望の形状にすることができる。
【００５１】
第１の面取り部研磨工程で用いる研磨布と第２の面取り部研磨工程で用いる研磨布として、それぞれ異なるものを用いてもよい。第１の面取り部研磨工程では面取り先端部の粗さを改善するとともに、ウェーハ端面（図５の端部２３）の形状の周内ばらつきを改善して形状を整えることを目的とするのに対し、第２の面取り部研磨工程では面取り部のキズ等を除去し、粗さを改善することを目的としているためである。
【００５２】
次に、必要に応じて、半導体ウェーハの主面に最終研磨加工を行うことができる。
【００５３】
以上のような工程を経て、製品となる半導体ウェーハを製造する。このような半導体ウェーハの製造方法であれば、面取り部の形状や粗さに依存して発生する両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制することができ、より高品質なウェーハを作製することができる。
【００５４】
また、本発明では、上記の面取り加工の段階で、面取り部研磨加工での形状変化量を織り込んだ加工を行えばよく、上記以外の各種工程を含んでいてもよい。例えば、必要に応じて、洗浄工程や熱処理工程等を上記各工程の前後に通常の方法で行ってもよい。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。
【００５６】
（実施例１）
スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第１の面取り部研磨加工を行った。第１の面取り部研磨工程では、研磨布として、高硬度化するため、発泡ポリウレタンクロス（ΔＴ＝１８μｍ）を使用して、研磨荷重を５．５ｋｇｆとして、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。なお前記の研磨布のΔＴは、研磨布に８０ｇの重り（直径１０ｍｍ）を置いたときの研磨布厚さと８８０ｇの重り（直径１０ｍｍ）を置いたときの研磨布厚さの差である。
【００５７】
第１の面取り部研磨工程後に面取り形状の測定および面取り部の粗さ測定を行った。形状測定には、コベルコ科研社製エッジプロファイラ−ＬＥＰを使用し、粗さ測定にはコベルコ科研社製ＬＳＭを使用した。形状測定は、ウェーハの円周内９点、具体的にはノッチを基準に９°と３５１°を含む４５°間隔の９箇所について測定を行った。ウェーハ主面とウェーハ端面とのなす角度（図７端部２３の傾き）は、ウェーハ主面とウェーハ端面が垂直になっているときのウェーハ端面（図７端部２３）の傾きを０°とし、ウェーハ端面がその位置から反時計回りに傾いたときマイナス、時計回りに傾いたときプラスの値で表記した。
【００５８】
第１の面取り部研磨工程の後、両面研磨工程を行った。
【００５９】
両面研磨後にウェーハ平坦度測定を行った。測定には、ＫＬＡテンコール社製Ｗａｆｅｒ  ｓｉｇｈｔ  ２を使用し、セルごとに２５枚平均のＥＳＦＱＤを算出し、得られた平均ＥＳＦＱＤのセル間でのばらつきを評価した。
【００６０】
ここで、ウェーハの平坦度を表す指標として、ＥＳＦＱＤを説明する。ＥＳＦＱＤは、ウェーハの外周部におけるサイト内の平坦度を示す指標であり、最小二乗法によって決定されたサイト内平面を基準として、この基準面からの符号を含む最大変位量のことである。サイトは、ウェーハの最外周から径方向に２ｍｍの領域を除外し、そこから３０ｍｍの区間に設定されたリング状領域を周方向に７２個の扇形に分割した領域である。
【００６１】
図１は、実施例１における第１の面取り部研磨工程前後のウェーハ端面の傾きの円周方向の変化を示すグラフである。図１によると、第１の面取り部研磨工程後には、ウェーハ端面の傾きがプラス方向に推移しており、さらにエッチングによって生じた面取り形状のばらつきが改善している。
【００６２】
（比較例１）
第１の面取り部研磨工程を行わなかったこと以外は実施例１と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、両面研磨の各処理を順次行って得たウェーハに対して、粗さ及びウェーハ平坦度の測定を行った。ウェーハ平坦度は、セルごとに２５枚平均のＥＳＦＱＤを算出し、得られた平均ＥＳＦＱＤのセル間でのばらつきを評価した。
【００６３】
第１の面取り部研磨工程を実施していないため、エッチングによって生じた面取り形状の周内ばらつきが両面研磨工程の時点で残っていた。
【００６４】
図２は、実施例１及び比較例１の面取り部端面の粗さを示すグラフである。図２によると、実施例１で面取り先端部の粗さも大幅に改善している。さらに、図３は、実施例１と比較例１のウェーハの平坦度を示すグラフである。図３によると、両面研磨後のウェーハ２５枚の平均ＥＳＦＱＤのばらつきは、実施例１で２．９ｎｍ、比較例１で５．３ｎｍであり、本発明の半導体ウェーハの製造方法で加工した場合の方が外周形状のうねりの少ないウェーハの作製ができた。
【００６５】
（実施例２）
実施例１と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第１の面取り部研磨加工を行った。第１の面取り部研磨工程では、研磨布としてポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの（ΔＴ＝２５μｍ）を使用し、研磨荷重を５．５ｋｇｆとした。第１の面取り部研磨工程の後、両面研磨を行った。
【００６６】
実施例１と同様に、第１の面取り部研磨工程後には、ウェーハ端面の傾きがプラス方向に推移しており、さらにエッチングによって生じた面取り形状のばらつきが改善した。両面研磨後のウェーハ２５枚の平均ＥＳＦＱＤのばらつきは、３．４ｎｍであり、外周形状のうねりの少ないウェーハの作製ができた。
【００６７】
（実施例３）
実施例１と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第１の面取り部研磨加工を行った。第１の面取り部研磨工程では、発泡ポリウレタンクロス（ΔＴ＝１８μｍ）を使用し、研磨荷重を２０ｋｇｆとした。第１の面取り部研磨工程の後、両面研磨を行った。
【００６８】
実施例１と同様に、第１の面取り部研磨工程後には、ウェーハ端面の傾きがプラス方向に推移しており、さらにエッチングによって生じた面取り形状のばらつきが改善した。両面研磨後のウェーハ２５枚の平均ＥＳＦＱＤのばらつきは、３．３ｎｍであり、外周形状のうねりの少ないウェーハの作製ができた。
【００６９】
（参考例）
実施例１と同様、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第１の面取り部研磨加工を行った。第１の面取り部研磨工程では、研磨布として、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの（ΔＴ＝７０μｍ）を使用し、研磨荷重を３ｋｇｆ〜４０ｋｇｆの範囲に変化させて、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。
【００７０】
研磨荷重を小さくするほど、研磨布の沈み込み量が小さくなるため、面取り部端面の形状は、丸みを帯びた形状から直線状に（図５（ａ）の形状から図５（ｂ）の形状へと推移）変化するとともに、ウェーハ端面の傾きがプラス方向に推移し、さらにエッチングによって生じた面取り形状のばらつきが改善することを確認できた。
【００７１】
（比較例２）
実施例１と同様、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第１の面取り部研磨加工を行った。第１の面取り部研磨工程では、研磨布として、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの（ΔＴ＝７０μｍ）を使用し、研磨荷重を４０ｋｇｆで、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。
【００７２】
実施例１と同様、第１の面取り部研磨工程後に面取り形状の測定を行った。
【００７３】
第１の面取り部研磨工程の後、両面研磨を行った。実施例１と同様、両面研磨後にウェーハ平坦度測定を行った。ウェーハ平坦度は、セルごとに２５枚平均のＥＳＦＱＤを算出し、得られた平均ＥＳＦＱＤのセル間でのばらつきを評価した。
【００７４】
面取り部端面の形状は、丸みを帯びた形状（図５（ａ））となった。また、図４は、比較例２による第１の面取り部研磨工程前後のウェーハ端面の傾きの円周方向の変化を示すグラフである。図４によると、実施例１とは異なり、エッチングによって生じた面取り形状のばらつきは改善が見られなかった。さらに、両面研磨後のウェーハ２５枚の平均ＥＳＦＱＤのばらつきは４．１ｎｍであり、実施例１の方法で加工した場合の方が外周形状のうねりの少ないウェーハを作製できた。
【００７５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７６】
１１…第１の主面、  １２…第２の主面、  ２１…第１の傾斜部、  ２２…第２の傾斜部、  ２３…端部、  １ａ…研磨布、  １ｂ…プレート。
ｗ…ウェーハ。
【要約】
【課題】
両面研磨工程でのウェーハ平坦度の悪化を抑制可能な半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程と、半導体ウェーハの面取り部に対して研磨を行う第１の面取り部研磨工程と、第１の面取り部研磨工程を行った後に半導体ウェーハの両面研磨を行う両面研磨工程とを含み、研磨布に、直径１０ｍｍ、重さ８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径１０ｍｍ、重さ８８０ｇの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔＴとしたときに、ΔＴが６０μｍである研磨布を用いて研磨荷重を２０ｋｇｆとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、第１の面取り部研磨工程において、ΔＴが６０μｍ以下となる研磨布を選択し面取り部の研磨を行う、及び／又は、研磨荷重を２０ｋｇｆ以下として面取り部の研磨を行う半導体ウェーハの製造方法。
【選択図】図１【図１】
0006825733.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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