【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット（３０）上のパターンを露光するために露光データ（４０）を処理するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査し、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）と、前記ターゲット（３０）上に描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（５０）を表すパターンデータ（４２）とを備える方法において、
前記パターンデータ（４２）を複数のサブセクション（４４）に分割することと、前記サブセクションの各々が、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを備え、ここにおいて、前記パターンデータ（４２）が、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ（４６）を備える、
前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない前記ターゲットの非重複エリア（３８）のための最大線量値を超えるように、前記露光線量データ（５２）の１つまたは複数の線量値を設定することと、
前記重複パターンデータによって表される１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ（４６）を処理することと、ここにおいて、前記重複エリア内のより高い露光線量は、前記重複エリア内のフィーチャのサイズの減少によって補償される、
を備える方法。
【請求項２】
パターンデータの前記サブセクション（４４ａ）の第１のサブセクションが前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブセクションに対応し、パターンデータの前記サブセクション（４４ｂ）の第２のサブセクションが前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブセクションに対応し、前記第１のサブセクションおよび前記第２のサブセクション（４４ａ、４４ｂ）の各々が、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６）に対応する重複パターンデータ（４６）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターンデータ（４２）が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャが、部分的には前記重複パターンデータ（４６）内に、部分的には非重複パターンデータ（４８）内に備えられ、ここにおいて、前記重複パターンデータ（４６）の前記処理が、前記非重複パターンデータ（４８）内の前記フィーチャの前記幅に対して前記重複パターンデータ（４６）内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記重複パターンデータ（４６）の前記処理が、前記１つまたは複数のフィーチャの寸法が前記パターンデータ（４２）の非重複パターンデータ（４８）内よりも前記重複パターンデータ（４６）内で小さいことをもたらす、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記露光線量データ（５２）の前記線量値のうちの１つまたは複数を設定する前記ステップが、前記ターゲットの各重複エリア（３６）のための線量値（５６ａ、５６ｂ）の２つのセットを生成することを備え、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかのための前記２つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大線量値を超える、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大露光線量値を超える量に関連する、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大露光線量値を超える前記量に比例する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計（７２）から計算される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記露光線量データ（５２）が複数のサブ部分（５４）に分割され、前記サブ部分の各々が、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ（５２）が、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）のための露光線量を表す重複線量値（５６）と、隣接サブエリア（３４）が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア（３８）のための露光線量を表す非重複線量値（５８）とを備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
露光線量データの第１のサブ部分（５４ａ）が前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブエリアに対応し、露光線量データの第２のサブ部分（５４ｂ）が前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブエリアに対応し、前記第１のサブ部分および前記第２のサブ部分（５４ａ、５４ｂ）の各々が、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６ａ）に対応する重複線量値（５６ａ、５６ｂ）を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ターゲットの前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブエリアに対応する前記露光線量データ（５２）の第１のサブ部分（５４ａ）を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブエリアに対応する前記露光線量データ（５２）の第２のサブ部分（５４ｂ）を識別することと、
前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）が重複する、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第１の重複線量データ（５６ａ）を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
前記ターゲットの前記重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第２の重複線量データ（５６ｂ）を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
をさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記露光線量データ（５２）の前記線量値が、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を備える、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ターゲット（３０）にわたって前記複数の荷電粒子ビーム（２３）をラスタ走査することによってターゲット（３０）上のパターンを露光するための露光データ（４０）を処理するために適合される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
露光データ（４０）に従って複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）を露光するための方法であって、前記露光データが、前記ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ（４２）と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）とを備える方法において、
請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法により前記露光データ（４０）を処理することと、
前記処理された露光データに従って制御された前記荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットを露光することと、ここで、各荷電粒子ビームは、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査する、
を備える方法。
【請求項１７】
前記ターゲットの第１のサブエリア（３４ａ）を露光するための前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）を露光するための前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビームを割り当てることと、ここにおいて、前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリアが隣接し、重複エリア（３６）内で重複する、
前記処理された露光データの第１の部分に従って前記第１の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記処理された露光データの第２の部分に従って前記第２の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することと
をさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット（３０）上のパターンを露光するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査し、
前記荷電粒子ビームを、前記ターゲット（３０）上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（６０）を表すパターンデータ（４２）と、前記荷電粒子ビームの各々の露光線量を表す露光線量データ（５２）とに従って制御することと、
第１のサブエリア（３４ａ）が前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）と重複する重複エリア（３６）を含めて、前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）を使用して前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記重複エリア（３６）を含めて、前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）を使用して前記ターゲットの前記第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することと、
ここにおいて、前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分内の露光線量が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い、
前記荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の少なくとも１つに対して、前記露光線量（７０ａ、７０ｂ）を、前記荷電粒子ビームが前記重複エリアを走査するとき、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化するように制御することと、
前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内で描画されることになるフィーチャに対して前記重複エリア（３６）内で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ（４６）を処理することとを備える、方法。
【請求項１９】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビームと前記第２の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の中で描画するときの前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の最大露光線量よりも高い、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の露光線量（７０ａ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第１の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の露光線量（７０ｂ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第２の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた線形変動である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた正弦波状変動である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記重複エリア（３６）内の露光線量が前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する、請求項１８から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせた前記重複エリア内の総露光線量（７２）から計算される、請求項１８から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記パターンがラスタ走査の形で前記ターゲット（３０）上で露光される、請求項１８から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
複数の荷電粒子ビーム（２４）を使用してターゲット（３０）を露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
前記荷電粒子ビームを生成するために適合された荷電粒子生成器（１、３、４、６）と、
露光データ（４０）に従って前記荷電粒子ビームを変調するように適合された変調システム（７）と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合された偏向システム（９）と、
前記荷電粒子ビーム（２４）を前記ターゲット上に投影するように適合された投影レンズシステム（１０）と、
前記ターゲットを保持するための可動ステージ（１６）と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合された１つまたは複数の制御ユニット（１０４、１０６、１０８、１１０）と
を備え、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムが、請求項１６から２６のいずれか一項に記載の方法により前記ターゲットを露光するために適合される、システム。
【請求項２８】
前記変調システムが、前記複数の荷電粒子ビーム（２４）のうちの個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ（７）とビームストップアレイ（８）とを備える、請求項２７に記載のシステム。
【請求項２９】
前記変調システムが、露光線量データ（５２）に従って前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合される、請求項２７または２８に記載のシステム。
【請求項３０】
前記変調システムが、前記露光線量データ（５２）に従って前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合される、請求項２７から２９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項３１】
前記変調システムが、パターンデータ（４２）に従って前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合される、請求項２７から３０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項３２】
複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）上のパターンを露光するための露光データ（４０）ファイルであって、前記露光データが、前記ターゲット（３０）上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（５０）を表すパターンデータ（４２）と、前記ターゲット上の前記パターンを露光するための前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）とを備え、ここにおいて、前記露光データが、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法により処理される、露光データ（４０）ファイル。
【請求項３３】
請求項３２に記載の露光データ（４０）ファイルを含むデータキャリア。
【請求項３４】
露光データ（４０）を記憶するためのメモリ手段（１２２）と、
請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法により前記露光データを処理するために適合された処理手段（１２４）と
を備えるデータ処理システム。