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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月28日(2018.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体を安定化するための接着剤組成物であって、
ベースポリマーと、
ベンゾトリアゾール類及びベンゾフェノン類のうちの１種と、を含み、
前記接着剤組成物が前記導電体と接触しているとき、約５００時間の光暴露期間にわたって、前記導電体の電気抵抗の変化が約２０％未満である、接着剤組成物。
【請求項２】
ヒンダードアミン光安定剤及び抗酸化物質のうちの、少なくとも１種を更に含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】
前記ベンゾトリアゾール類がヒドロキシフェニルベンゾトリアゾールである、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記ベンゾフェノン類が、２，２’−ジヒドロキシベンゾフェノンである、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
ベンゾトリアゾール類及びベンゾフェノン類のうちの、前記１種が、前記接着剤組成物の約０．１〜約５重量％を構成する、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
前記ベースポリマーが、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリアミド、シリコーン、ポリオレフィン、アクリル系ブロックコポリマー、ゴム系ブロックコポリマー、又はランダム（メタ）アクリル系コポリマーのうちの１種を含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
前記導電体が、金属導体ベースのものである、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項８】
前記接着剤組成物が前記導電体を被覆しているとき、約５００時間の光暴露期間にわたって、前記導電体の電気抵抗の変化が約１０％未満である、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項９】
導電体を安定化する方法であって、
接着剤組成物を提供することと、
前記導電体に前記接着剤組成物を被覆することとを含み、
前記接着剤組成物が、ベースポリマーと、紫外線を吸収するための添加物と、を含み、
前記接着剤組成物が前記導電体を被覆しているとき、約５００時間の光暴露期間にわたって、前記導電体の電気抵抗の変化が約２０％未満である、方法。
【請求項１０】
前記紫外線を吸収するための添加物が、ベンゾトリアゾール類及びベンゾフェノン類のうちの、１種を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にゴム完成物品を補強するために用いることができる補強製品であって、１つまたは複数の繊維または金属の補強用スレッドを含み、前記スレッドが熱可塑性ポリマー組成物を含むシースで覆われ、前記シースで覆われたスレッド自体がコーティングゴムと称されるゴム組成物中に埋め込まれており、このコーティングゴムが、少なくとも１種のジエンエラストマー、補強用充填材、およびｐｈｒで表わした金属酸化物とステアリン酸誘導体の含量の比が７未満である量で金属酸化物とステアリン酸誘導体を含む硫黄系加硫系をベースとする組成物であることを特徴とする、補強製品。
【請求項２】
前記コーティングゴム組成物が、ｐｈｒで表わした酸化亜鉛とステアリン酸の含量の比が７未満である量で酸化亜鉛とステアリン酸を含む、請求項１に記載の補強製品。
【請求項３】
前記コーティングゴム組成物が７ｐｈｒ未満の含量で金属酸化物を、また１ｐｈｒを超える含量でステアリン酸誘導体を含む、請求項１又は２に記載の補強製品。
【請求項４】
前記コーティングゴム組成物が、ｐｈｒ（エラストマー１００質量部あたりの質量部）で表わした硫黄と補強用充填材の量の比が０．０８未満であるようなものである、請求項１から３までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項５】
前記コーティングゴム組成物が、硫黄含量と促進剤含量の比が厳密に４未満であるようなものである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項６】
前記コーティングゴム組成物のジエンエラストマーが主として天然ゴム、合成ポリイソプレンまたはそれらの混合物からなる群から選択されるエラストマーを含む、請求項１から５までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項７】
前記コーティングゴム組成物が２０〜８０ｐｈｒの補強用充填材を含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項８】
前記コーティングゴム組成物が主な充填材としてカーボンブラックを含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載の補強製品を含むタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双性イオン性シラン、
０重量％を超え、５０重量％までのシリケート、
非双性イオン性アニオン性シラン、及び
水を含み、
シリケートの重量パーセントが、組成物が即時使用可能な組成物か濃縮組成物かにかかわらず、組成物中のシランとシリケート固体の総重量に基づく、水性コーティング組成物。
【請求項２】
前記双性イオン性シランが、双性イオン性スルホネート官能性シラン、双性イオン性カルボキシレート官能性シラン、双性イオン性ホスフェート官能性シラン、双性イオン性ホスホン酸官能性シラン、双性イオン性ホスホネート官能性シラン、又はそれらの組合せを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記双性イオン性シランが、以下の式（式ＩＩ）
（Ｒ１Ｏ）ｐ−Ｓｉ（Ｑ１）ｑ−Ｗ−Ｎ＋（Ｒ２）（Ｒ３）−（ＣＨ２）ｍ−Ｚｔ−
（ＩＩ）
（式中、
各Ｒ１は、独立に、水素、メチル基、又はエチル基であり、
各Ｑ１は、独立に、ヒドロキシル、１〜４個の炭素原子を含有するアルキル基、及び１〜４個の炭素原子を含有するアルコキシ基から選択され、
各Ｒ２及びＲ３は、独立に、飽和又は不飽和の、直鎖、分枝鎖、又は環式有機基であり、これらは互いに、任意選択で基Ｗの原子とともに結合して、環を形成していてもよく、
Ｗは、有機連結基であり、
Ｚｔ−は、−ＳＯ３−、−ＣＯ２−、−ＯＰＯ３２−、−ＰＯ３２−、−ＯＰ（＝Ｏ）（Ｒ）Ｏ−、又はそれらの組合せであり、式中、ｔは、１又は２であり、Ｒは、脂肪族、芳香族、分枝鎖、直鎖、環式、若しくは複素環式基、又はそれらの組合せであり、
ｐ及びｍは、１〜１０の整数であり、
ｑは、０又は１であり、
ｐ＋ｑ＝３である）を有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記シリケートが、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、又はそれらの組合せから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記非双性イオン性アニオン性シランが、非双性イオン性スルホネート官能性シラン、非双性イオン性カルボキシレート官能性シラン、非双性イオン性ホスフェート官能性シラン、非双性イオン性ホスホン酸官能性シラン、非双性イオン性ホスホネート官能性シラン、又はそれらの組合せを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記非双性イオン性アニオン性シランが、以下の式（式Ｉ）
［（ＭＯ）（Ｑ２）ｎＳｉ（ＸＣＨ２Ｖｔ−）３−ｎ］Ｙ２／ｎｒ＋ｒ
（Ｉ）
（式中、
各Ｑ２は、独立に、ヒドロキシル、１〜４個の炭素原子を含有するアルキル基、及び１〜４個の炭素原子を含有するアルコキシ基から選択され、
Ｍは、水素、アルカリ金属、並びに１５０未満の平均分子量及び１１超のｐＫａを有する強有機塩基の有機カチオンから選択され、
Ｘは、有機連結基であり、
Ｖｔ−は、−ＳＯ３−、−ＣＯ２−、−ＯＰＯ３２−、−ＰＯ３２−、−ＯＰ（＝Ｏ）（Ｒ）Ｏ−、又はそれらの組合せであり、式中、ｔは、１又は２であり、Ｒは、脂肪族、芳香族、分枝鎖、直鎖、環式、若しくは複素環式基、又はそれらの組合せであり、
Ｙは、水素、アルカリ土類金属、２００未満の平均分子量及び１１未満のｐＫａを有するプロトン化弱塩基の有機カチオン、アルカリ金属、並びに１５０未満の平均分子量及び１１超のｐＫａを有する強有機塩基の有機カチオンから選択され、但し、Ｙが水素、アルカリ土類金属、及び前記プロトン化弱塩基の有機カチオンから選択されるとき、Ｍは、水素であり、
ｒは、Ｙの価数に等しく、
ｎは、１又は２である）を有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
硬化コーティングを配置した金属表面を含む物品であって、前記硬化コーティングが、親水性であり、
シリケート、及び
非双性イオン性アニオン性シランを含み、
前記硬化コーティングが、前記表面に会合的に結合している、物品。
【請求項８】
前記金属表面が、ステンレス鋼、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、チタン、亜鉛、銀、それらの表面酸化物、又はそれらの組合せを含む、請求項７記載の物品。
【請求項９】
前記硬化コーティングが、１００ｎｍ未満の厚さである、請求項７に記載の物品。
【請求項１０】
前記金属表面が、冷蔵庫、食洗機、コンロ、オーブン、電子レンジ、排気フード、揚げ鍋、グリーストラップ、調理テーブル、キャビネット、トイレ個室パーティション、小便器パーティション、エレベータ又はエスカレータ内／上の装飾的又は機能的ウォールクラッド、商業用建物における壁、自動車における装飾的又は機能的パネル、電子物品のための金属ケース、製造機器の部品、又はツールの少なくとも一部を形成する、請求項７に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月25日(2018.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体、特にタイヤシール剤を送達する装置であって、前記媒体は圧縮機（Ｐ）によって容器からタイヤへと送達され、前記圧縮機は、パイプライン（９）によって前記タイヤに接続することができ、前記容器に対する接続部（１０）はこのパイプライン（９）内に出る、装置において、前記パイプライン（９）は、前記タイヤの上流に狭窄部（２７）を有することを特徴とする、装置。
【請求項２】
媒体、特にタイヤシール剤を送達する装置であって、前記媒体は、圧縮機（Ｐ）によって容器からタイヤへと送達され、前記圧縮機（Ｐ）の圧縮チャンバー（７）は、パイプライン（９）によって前記タイヤに接続することができ、前記容器に対する接続部（１０）はこのパイプライン（９）内に出る、装置において、パイプライン（９）と接続部（１０）とは弁ユニット（８）として組み合わされ、該弁ユニット（８）は、前記圧縮チャンバー（７）にバヨネット式に接続することができることを特徴とする、装置。
【請求項３】
媒体、特にタイヤシール剤を送達する圧縮機であって、前記媒体は容器からタイヤへと送達され、該圧縮機（Ｐ）のモーター（１）は、動力取出し歯車（４）を介してピストンロッド（５）に偏心して接続され、該ピストンロッド（５）は、圧縮チャンバー（７）内のピストン（６）を動かす、圧縮機において、前記動力取出し歯車（４）はその上流に伝動歯車（３）を備えることを特徴とする、圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月13日(2018.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Nd−Fe−B永久磁石を製造する方法であって、
磁性元素を溶融させて、溶融合金を作製すること;
該溶融合金から、複数の2:14:1相粒を含む鋳造合金薄片を形成させること、
該鋳造合金薄片由来の該2:14:1相粒のうちの少なくとも一部を維持しつつ、該鋳造合金薄片を粉砕して、第1の粉末を形成させること;
該第1の粉末中の粒子をプレスし、かつ整列させて、第1の成形体を作製すること;
該第1の成形体を焼結して、焼結成形体を作製すること;
該焼結成形体由来の該2:14:1相粒のうちの少なくとも一部を維持しつつ、該焼結成形体を断片化して、第2の粉末を形成させること;
該第2の粉末由来の該2:14:1相粒のうちの少なくとも一部を維持しつつ、該第2の粉末を：a） i）Nd、ii）Pr、又はiii）Dyのうちの少なくとも1つを含む希土類材料R、及びb） i）Co、ii）Cu、又はiii）Feのうちの少なくとも1つを含む元素添加物Aと混合して、均質な粉末を生成させること;及び
該均質な粉末を焼結及び磁化して、Nd−Fe−B磁性製品を形成させることを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月27日(2018.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザリフトオフを介してサブマウントから解放されるチップを受け入れる開口を有するキャビティであって、前記開口は、前記開口から外向きに傾く少なくとも１つの傾斜壁によって定められる、キャビティと、
該キャビティに連結されるトンネルであって、前記キャビティから前記チップを除去する真空を有する、トンネルとを含む、
収集システム。
【請求項２】
前記開口を取り囲んで、前記キャビティに入ったチップが前記開口から出るのを防止する、障壁を更に含む、請求項１に記載の収集システム。
【請求項３】
前記開口を定める前記少なくとも１つの傾斜壁は、前記サブマウントの平面に対して少なくとも４５度の面取り角を有する、請求項１に記載の収集システム。
【請求項４】
当該収集システムの下側は、前記サブマウントの平面に対して傾斜させられている、請求項１に記載の収集システム。
【請求項５】
前記トンネルは、広い端と、狭い端とを有する、フレア状の部分を含み、前記広い端は、前記キャビティに連結されている、請求項１に記載の収集システム。
【請求項６】
レーザリフトオフを介してサブマウントから解放されるチップを受け入れる開口を有するキャビティと、
該キャビティに連結されるトンネルであって、前記キャビティから前記チップを除去する真空を有する、トンネルと、
前記キャビティの上半分において前記トンネルの反対側で前記キャビティに連結される第１のエアナイフであって、前記キャビティ内への第１の空気流をもたらし、前記キャビティの下半分に向かって下向きに傾けられている、第１のエアナイフと、
前記キャビティの下半分において前記トンネルの反対側で前記キャビティに連結される第２のエアナイフであって、前記キャビティ内への第２の空気流をもたらし、前記キャビティの上半分に向かって上向きに傾けられている、第２のエアナイフとを含む、
収集システム。
【請求項７】
前記トンネルは、広い端と、狭い端とを有する、フレア状の部分を含み、前記広い端は、前記キャビティに連結されている、請求項６に記載の収集システム。
【請求項８】
前記開口は、前記開口から外向きに傾く少なくとも１つの傾斜壁によって定められる、請求項６に記載の収集システム。
【請求項９】
レーザリフトオフを介してサブマウントから解放されるチップを受け入れる開口を有するキャビティであって、前記開口は、前記開口から外向き傾く少なくとも１つの傾斜壁によって定められる、キャビティと、
該キャビティに連結されるトンネルであって、前記キャビティから前記チップを除去する真空を有し、広い端と、狭い端とを備える、フレア状の部分を含み、前記広い端は、前記キャビティに連結されている、トンネルとを含む、
収集システム。
【請求項１０】
前記キャビティの上半分において前記トンネルの反対側で前記キャビティに連結される第１のエアプッシャを更に含み、該第１のエアプッシャは、前記キャビティ内への空気流をもたらし、前記第１のエアプッシャは、前記キャビティの下半分に向かって傾けられている、請求項９に記載の収集システム。
【請求項１１】
前記キャビティの下半分において前記トンネルの反対側で前記キャビティに連結される第２のエアプッシャを更に含み、該第２のエアプッシャは、前記キャビティ内への空気流をもたらし、前記第２のエアプッシャは、前記キャビティの上半分に向かって傾けられている、請求項１０に記載の収集システム。
【請求項１２】
前記開口は、前記開口から外向きに傾く少なくとも１つの傾斜壁によって定められる、請求項９に記載の収集システム。
【請求項１３】
当該収集システムの下側は、前記サブマウントの平面に対して傾斜させられている、請求項９に記載の収集システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［００２７］乾燥する前にグリーンテープを穿孔してもよく、幾つかのシートを共に積層して、所望のデバイス構造を形成することができる。デバイスの集積化を容易にするようにポアを設計してもよく、一実施形態では、正極活グリーンテープの層は、細孔形成剤を有するグリーンテープ層とともに、或いは、カップ構造体（カップ構造体内のボアは、液状電解質で充填され得る）内の多孔層で充填されたカップとしての高密度なグリーンテープ層とともに焼結されてもよい。積層は、３０００ｐｓｉから６０００ｐｓｉの圧力で６０℃から８０℃で行われてもよい（４３０）。バインダ及び細孔形成剤は、高密度で焼結された正極活物質を形成するようにバーンアウトされる（４４０）。焼結温度は、焼結中のＬｉ２Ｏ損失を抑えるために、６００℃から１２００℃の範囲内であってもよく、実施形態では、９５０℃から１１５０℃の範囲内であってもよい。さらに、温度での滞留時間は、１秒から６時間まで変動してもよく、実施形態では、１時間未満である。代替的に、グリーンシートは、焼結シートを得るために有機バーンアウトの後にアークプラズマ焼結され得る。厚みのあるＬＣＯペレットを、アークプラズマ／アーク焼結によって焼結し、次いで、薄いシートにスライスしてもよい。活物質の結晶子は、適切な磁界又は制御された結晶成長によって、焼結中に配向され得る。貫通孔／止まり孔、溝、及びパターンを形成するために焼結シートを微細加工してもよい。（４４５）デブリを取り除いて優れた表面平滑性を得るために焼結シートの表面を磨いてもよい。（４４５）例えば、１８０ミクロンの厚みの焼結ＬＣＯシート（１０１０）は、３００ミクロン離間された、１００ミクロン直径のテーパ状の止まり孔（１０２０）（シートを約８０％通過する）の規則的配列を形成するように微細加工された。シートの表面には、孔の列を接続する溝（１０３０）があり、この溝は、約２ミクロンの深さと５０ミクロンの幅を有し、平行に形成されている。（ポアを備えた）焼結シートの上面が物質の別の層で覆われている実施形態では、溝は、ポアへの接続をもたらし、例えば、電気化学エネルギー貯蔵デバイスを形成するプロセスの終了時において、ボアを液体又はポリマー／ゲル電解質で充填することを可能にする。このように微細加工されたシートの一部の拡大図を示す図１０を参照。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2017532737.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2017532737.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2017532737.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2017532737.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2017532737.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）非イオン伝導性複素環式ポリマーから構成される絡み合ったナノファイバーから形成される多孔質マットであって、複素環式ポリマーが、塩基性官能基を含み、かつ有機溶媒に可溶である、多孔質マット、及び
（ｉｉ）部分的に又は完全にフッ素化されたスルホン酸ポリマーであるイオン伝導性ポリマー
を備えた電解質膜であって、
多孔質マットがイオン伝導性ポリマーで基本的に完全に含浸されており、電解質膜における多孔質マットの厚さが電解質膜の厚さの少なくとも８０％にわたって分布している、
電解質膜。
【請求項２】
複素環式ポリマーが、ポリベンズイミダゾール、ポリ（ピリジン）、ポリ（ピリミジン）、ポリベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリキノリン、ポリキノキサリン、ポリチアジアゾール、ポリトリアゾール、ポリオキサゾール及びポリチアゾール、並びにこれらの誘導体の群から選択される、請求項１に記載の電解質膜。
【請求項３】
複素環式ポリマーがポリアゾール又はその誘導体である、請求項１に記載の電解質膜。
【請求項４】
ポリアゾールが、ポリベンズイミダゾール、ポリトリアゾール、ポリチアゾール及びポリジチアゾール、並びにこれらの誘導体からなる群より選択される、請求項３に記載の電解質膜。
【請求項５】
ナノファイバーが１００〜４００ｎｍの平均直径を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の電解質膜。
【請求項６】
ナノファイバーがスピニングされたナノファイバーである、請求項１から５のいずれか一項に記載の電解質膜。
【請求項７】
多孔質マットが７０〜９８％の範囲の空隙率を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の電解質膜。
【請求項８】
多孔質マットが１．０ｇ／ｍ２から７ｇ／ｍ２の範囲の平均坪量を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の電解質膜。
【請求項９】
電解質膜内のイオン伝導性ポリマー：ナノファイバーの比が７０：３０より大きい、請求項１から８のいずれか一項に記載の電解質膜。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電解質膜と、前記電解質膜の第１及び／又は第２の面上の触媒層とを備える触媒化膜。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電解質膜と、前記電解質膜の第１及び／又は第２の面上のガス拡散電極とを備える膜電極アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の触媒化膜と、前記触媒層上のガス拡散層とを備える、膜電極アセンブリ。
【請求項１３】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電解質膜と、請求項１０に記載の触媒化膜又は請求項１１若しくは１２に記載の膜電極アセンブリとを備える燃料電池。
【請求項１４】
燃料電池がＰＥＭＦＣである、請求項１３に記載の燃料電池。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電解質膜を備える電気分解装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムの複数の照明ユニットを制御するための制御システムであって、前記複数の照明ユニットは異なるエリアに割り当てられていて、前記制御システムは、
前記照明システムの前記複数の照明ユニットの所望電力レベルを規定する照明コマンドを提供するための照明コマンド提供ユニットと、
前記エリアの占有の程度を示す占有情報を提供するための占有情報提供ユニットと、
前記複数の照明ユニットを制御するための制御ユニットとを備え、前記制御ユニットは、前記複数の照明ユニットの異なる照明ユニットが、それぞれ、異なる時間に、提供された前記照明コマンドによって規定されるそれぞれの所望電力レベルに設定されるように、前記照明コマンドに従って、前記占有情報に応じて前記複数の照明ユニットを制御し、
前記制御ユニットは、更に、占有の程度がより高いエリアに割り当てられた照明ユニットが、占有の程度がより小さいエリアに割り当てられた照明ユニットの所望電力レベルを設定するよりも前に所望電力レベルに設定されるように、前記複数の照明ユニットを制御する、
制御システム。
【請求項２】
前記制御ユニットは、前記複数の照明ユニットのそれぞれの照明ユニットがどの時間にそれぞれの所望電力レベルに設定されるかをランダムに制御し、ランダムな前記制御は占有情報に依存する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記制御ユニットは、前記占有情報に応じて前記複数の照明ユニットの各照明ユニットに確率を割り当て、前記確率は、前記ランダムな制御の間に前記それぞれの所望電力レベルを設定する早さの確率であり、前記制御ユニットは、割り当てられた前記確率に応じて、前記複数の照明ユニットの前記それぞれの照明ユニットがそれぞれの電力レベルに設定される電力レベル設定時間をランダムに分散させる、請求項２に記載の制御システム。
【請求項４】
前記制御ユニットは、前記複数の照明ユニットの、占有の程度がより大きいエリアに割り当てられた照明ユニットにはより高い確率を割り当て、前記複数の照明ユニットの、占有の程度がより小さいエリアに割り当てられた照明ユニットにはより低い確率を割り当てる、請求項３に記載の制御システム。
【請求項５】
前記制御ユニットは、前記複数の照明ユニットの前記それぞれの照明ユニットがそれぞれの電力レベルに設定される電力レベル設定時間を事前定義された時間間隔にわたってランダムに分散させ、ランダムに分散させた前記電力レベル設定時間に従って前記複数の照明ユニットを制御する、請求項２に記載の制御システム。
【請求項６】
前記制御ユニットは、前記照明コマンドによって規定される前記所望電力レベルが設定されたときに引き起こされる総電力変化を判定し、判定された前記総電力変化を事前定義された電力変化閾値と比較し、前記判定された総電力変化が前記事前定義された電力変化閾値より大きい場合にのみ、前記複数の照明ユニットの異なる照明ユニットが異なる時間にそれぞれの所望電力レベルに設定されるように、前記照明コマンドに従って、前記占有情報に応じて前記複数の照明ユニットの前記電力レベルを制御する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項７】
前記制御ユニットは、前記照明コマンドによって規定される前記所望電力レベルが設定されたときに引き起こされる前記総電力変化を計算し、計算された前記総電力変化がより小さい場合は、前記総電力変化の勾配がより大きくなるように、前記計算された総電力変化がより大きい場合は、前記総電力変化の勾配がより小さくなるように、前記複数の照明ユニットの前記異なる照明ユニットを異なる時間にそれぞれの所望電力レベルに設定する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項８】
前記複数の照明ユニットがグループ化され、前記制御ユニットはグループごとに前記複数の照明ユニットを制御する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項９】
前記制御ユニットは、前記複数の照明ユニットの異なる照明ユニットが異なる時間にそれぞれの所望電力レベルに設定されるように前記複数の照明ユニットが前記照明コマンドに従って前記占有情報に応じて制御される前に、事前定義された第１の電力レベルに設定されるように前記複数の照明ユニットを制御する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項１０】
前記制御システムは、ＰｏＥ照明システムを制御するＰｏＥ制御システムである、請求項１に記載の制御システム。
【請求項１１】
異なるエリアに割り当てられたいくつかの照明ユニットと、請求項１に記載の照明ユニットを制御するための制御システムとを含む、照明システム。
【請求項１２】
照明システムの複数の照明ユニットを制御するための制御方法であって、前記複数の照明ユニットは異なるエリアに割り当てられていて、前記制御方法は、
前記照明システムの前記複数の照明ユニットの所望電力レベルを規定する照明コマンドを照明コマンド提供ユニットによって提供するステップと、
前記エリアの占有の程度を示す占有情報を占有情報提供ユニットによって提供するステップと、
前記複数の照明ユニットの異なる照明ユニットが異なる時間に、提供された前記照明コマンドによって規定されるそれぞれの所望電力レベルに設定されるように、前記照明コマンドに従って、前記占有情報に応じて、制御ユニットによって前記複数の照明ユニットを制御するステップと
を含み、
前記制御ユニットは、更に、占有の程度がより高いエリアに割り当てられた照明ユニットが、占有の程度がより小さいエリアに割り当てられた照明ユニットの所望電力レベルを設定するよりも前に所望電力レベルに設定されるように、前記複数の照明ユニットを制御する、制御方法。
【請求項１３】
異なるエリアに割り当てられた複数の照明ユニットを含む照明システムを制御するためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムは、前記コンピュータプログラムが制御システムで実行されたときに、請求項１２に記載の制御方法の前記ステップを請求項１に記載の制御システムに実行させるプログラムコード手段を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月27日(2018.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷デバイスを制御するための装置であって、前記装置が、
制御及び状態情報の少なくとも１つを前記負荷デバイスと交換するために電力ネゴシエーションプロトコルの信号方式を用いるよう適応される制御ユニットであって、前記制御又は状態情報を交換するために用いられる前記電力ネゴシエーションプロトコルが、USB Power Deliveryの電力ネゴシエーションプロトコルである制御ユニットと、
電力供給USBピンのみを介して、前記負荷デバイスに電力を供給するために用いられる電力線を通じて、前記制御又は状態情報を、前記負荷デバイスに送信する又は前記負荷デバイスから受信するための送受信機とを有する装置。
【請求項２】
前記制御ユニットが、前記USB Power Deliveryの電力ネゴシエーションプロトコルに従ってベンダ定義メッセージにおける前記制御又は状態情報を符号化するよう適応される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
制御コマンド又は状態パケットを、照明制御システムから受信する又は照明制御システムに送信するよう適応される請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記装置が、ＵＰｎＰ照明制御プロトコルを用いることによって、前記制御コマンド又は前記状態情報を、前記照明制御システムから受信する又は前記照明制御システムに送信するよう適応される請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記負荷デバイスに対する前記電力線を通じた通信チャネルの確立の成功を示す情報を設置者又はユーザに信号で伝えるよう適応される請求項１に記載の装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置を有する負荷デバイス。
【請求項７】
前記負荷デバイスが、照明デバイス又はセンサデバイスである請求項６に記載の負荷デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の装置を有する電力供給デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の電力供給デバイスと、前記電力供給デバイスに接続される少なくとも１つの請求項６に記載の負荷デバイスとを有するシステム。
【請求項１０】
前記電力供給デバイスが、電力入力部及びデータポートを備えるＵＳＢ−ＰＤ電力供給ユニットを有する請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
主電源からの電源及びＵＰｎＰをサポートするデータ接続部を備えるハブデバイスを更に有し、前記ハブデバイスが、ベンダ独自の照明コード及び照明関連ＵＰｎＰパッケージの間のメッセージを中継するよう適応される請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
負荷デバイスを制御する方法であって、前記方法が、
制御及び状態情報の少なくとも１つを前記負荷デバイスと交換するために電力ネゴシエーションプロトコルの信号方式を用いるステップと、
電力供給USBピンのみを介して、前記負荷デバイスに電力を供給するために用いられる電力線を通じて、前記制御又は状態情報を、送信する又は受信するステップとを有し、
前記制御又は状態情報を交換するために用いられる前記電力ネゴシエーションプロトコルが、USB Power Deliveryのプロトコルである方法。
【請求項１３】
コンピュータデバイスにおいて走らせるときに請求項１２に記載の方法のステップをもたらすためのコード手段を有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月11日(2018.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の巻取スロットと、複数の分離スロットと、巻線とを含むボビンアセンブリであって、
−  前記複数の巻取スロットのそれぞれが、１つの層あたりひと巻きのみの複数の巻線の輪を含み、
−  前記複数の分離スロットのそれぞれが、単一の前記巻線の輪を含み、
前記分離スロットのそれぞれが、前記複数の巻取スロットのうち少なくとも１つの巻取スロットに隣接し、さらに、前記巻取スロットのそれぞれが、前記複数の分離スロットのうち少なくとも１つの分離スロットに隣接している、ボビンアセンブリ。
【請求項２】
前記複数の巻取スロットのうちそれぞれの巻取スロット、及び、前記複数の分離スロットのうちそれぞれの分離スロットが、前記巻線として二次巻線を受けるように構成される、請求項１に記載のボビンアセンブリ。
【請求項３】
前記複数の巻取スロットのうちそれぞれの巻取スロット、及び、前記複数の分離スロットのうちそれぞれの分離スロットが、ビルディングブロックによって形成される、請求項１又は２に記載のボビンアセンブリ。
【請求項４】
前記ビルディングブロックのうちそれぞれのビルディングブロックが、第１の連結モジュール及び第２の連結モジュールを含み、さらに、前記第１の連結モジュール及び前記第２の連結モジュールは、隣接するビルディングブロックと結合するように構成される、請求項３に記載のボビンアセンブリ。
【請求項５】
前記第１の連結モジュールは内側のねじ山であり、さらに、前記第２の連結モジュールは外側のねじ山である、請求項４に記載のボビンアセンブリ。
【請求項６】
前記ビルディングブロックのうちそれぞれのビルディングブロックが、前記巻線を通過させるように構成された開口部を含む、請求項４乃至５のいずれか一項に記載のボビンアセンブリ。
【請求項７】
前記ビルディングブロックのうちそれぞれのビルディングブロックが、実質的に円板状である、請求項３乃至６のいずれか一項に記載のボビンアセンブリ。
【請求項８】
前記ビルディングブロックのうちそれぞれのビルディングブロックが、円板部分及び管部分を含む、請求項３乃至７のいずれか一項に記載のボビンアセンブリ。
【請求項９】
１ｋＶまでの、好ましくは１０ｋＶまでの、特に好ましくは８０ｋＶまでの電圧で作動させられるように構成される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のボビンアセンブリ。
【請求項１０】
一次巻線のボビンアセンブリをさらに含む、二次巻線のボビンアセンブリである請求項１乃至９のいずれか一項に記載のボビンアセンブリを含む変圧器であって、上昇巻数比が、１よりも大きい、好ましくは４よりも大きい、特に好ましくは、１０よりも大きい、変圧器。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のボビンアセンブリを含む、少なくとも１つのコイルを含む誘導電気要素。
【請求項１２】
請求項１０に記載の変圧器を少なくとも１つ含む、又は、請求項１１に記載の誘導電気要素を少なくとも１つ含む、医用イメージングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極組立体と、
前記電極組立体を電解液とともに封止する外装材と、を含み、
前記電極組立体及び外装材は、曲げの時に長さ方向に対する収縮及び弛緩のためのパターンが同一の方向性を有するようにそれぞれ形成されることを特徴とするフレキシブルバッテリー。
【請求項２】
前記パターンは、
前記外装材の少なくとも一面に形成される第１パターンと；
前記電極組立体に前記第１パターンと同一の方向に形成される第２パターンと；を含み、
前記第１パターン及び第２パターンは、互いに一致するように配置されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項３】
前記パターンは、長さ方向に沿って複数の山部及び谷部が交互に形成され、
前記山部及び谷部は、弧形断面、多角断面、及び、これらが相互組合された断面のうちのいずれかを有するように設けられることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項４】
それぞれの山部及び谷部は、前記電極組立体及び外装材の幅方向と平行な方向に、連続的又は非連続的に形成されることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項５】
前記パターンは、前記電極組立体及び外装材に全体的に形成されるか、又は部分的に形成されることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項６】
隣合う山部の間隔又は谷部の間隔は、等間隔又は不等間隔を有するように形成されるか、又は、等間隔と不等間隔とが相互組合された形態に設けられることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項７】
前記パターンは、長さ方向に沿って連続的に形成されるか、又は非連続的に形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項８】
前記外装材は、前記電極組立体及び電解液を収容する収容部を形成するための第１領域と、前記第１領域を取り囲むように配置され、シール部を形成するための第２領域と、を含み、
前記パターンのうち外装材に形成されるパターンは、前記第１領域にのみ形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項９】
前記電極組立体は、
集電体の一部又は全部に活物質がコーティングされて構成される陽極及び陰極と、前記陽極と陰極との間に配置される分離膜とを含み、
前記分離膜は、微細気孔を有する多孔性不織布層と、前記不織布層の一面又は両面にポリアクリロニトリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）ナノ繊維を含有するナノ繊維ウェブ層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項１０】
前記活物質は、クラックを防止し、集電体からの剥離を防止できるように、ＰＴＦＥを含むことを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項１１】
前記電解液は、ゲルポリマー電解液を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルバッテリー。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のうちのいずれか１項に記載のフレキシブルバッテリーと；
前記外装材の表面を覆う軟質のハウジングと；を含み、
前記ハウジングは、充電対象機器との電気的な連結のための少なくとも一つの端子部が設けられる補助バッテリー。
【請求項１３】
電極組立体が電解液とともに外装材により封止されるフレキシブルバッテリーの製造方法において、
前記電極組立体及び外装材は、曲げの時に長さ方向に対する収縮及び弛緩のためのパターンをそれぞれ含み、
前記パターンは、前記電極組立体に形成されるパターンと前記外装材に形成されるパターンとが互いに一致するように、電極組立体及び外装材を同時に加圧して形成されることを特徴とするフレキシブルバッテリーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月8日(2018.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨システム内に配置された研磨パッドのためのスプレーシステムであって、
底側及び上側を有し、前記底側に対して開かれている入口ポート、内側プレナム、及び出口ポートを含む、スプレー本体、
流体出口の第１の群であって、該流体出口の第１の群を出て行く流体を、前記スプレー本体の前記底側の下方へ且つ前記入口ポートへ向けて誘導する配向を有する、流体出口の第１の群、並びに
前記入口ポート内に配置され、前記入口ポートを第１の入口ポートと第２の入口ポートへ分離する仕切りであって、通路が前記入口ポートから前記内側プレナムの中へ延在し、前記仕切りの両側で前記通路を通過する流体の混合を妨げる、仕切り
を備える、スプレーシステム。
【請求項２】
流体出口の第２の群であって、該流体出口の第２の群を出て行く流体を、前記スプレー本体の前記底側の下方へ且つ前記入口ポートへ向けて誘導する配向を有する、流体出口の第２の群を更に備え、前記入口ポートが、前記流体出口の第１の群と前記流体出口の第２の群を分離する、請求項１に記載のスプレーシステム。
【請求項３】
化学機械研磨システム内に配置されたスプレーシステムであって、前記化学機械研磨システムが、研磨中に研磨パッドを支持するためのプラテン及び基板を保持するための研磨ヘッドを有し、前記スプレーシステムが、
前記プラテンに面する底側及び上側を有し、前記底側に対して開かれている入口ポート、内側プレナム、及び出口ポートを含む、スプレー本体、並びに
流体出口の第１の群であって、該流体出口の第１の群を出て行く流体を、前記スプレー本体の前記底側の下方へ且つ前記入口ポートへ向けて誘導する配向を有する、流体出口の第１の群
を備える、スプレーシステム。
【請求項４】
流体出口の第２の群であって、該流体出口の第２の群を出て行く流体を、前記スプレー本体の前記底側の下方へ且つ前記入口ポートへ向けて誘導する配向を有する、流体出口の第２の群を更に備え、前記入口ポートが、前記流体出口の第１の群と前記流体出口の第２の群を分離する、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項５】
前記スプレー本体の前記上側が、凸状外側上面を更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項６】
前記スプレー本体が、
前記入口ポートから前記内側プレナムの中へ延在する拡大通路を更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項７】
前記入口ポート内に配置され、前記入口ポートを第１の入口ポートと第２の入口ポートへ分離する、仕切りを更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項８】
前記入口ポート内に配置され、前記入口ポートを第１の入口ポートと第２の入口ポートへ分離し、前記スプレー本体の前記底側の下方へ延在する、仕切りを更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項９】
前記入口ポートから前記内側プレナムの中へ延在する通路を更に備え、前記仕切りが、前記仕切りの両側で前記通路を通過する流体の混合を妨げる、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項１０】
前記スプレー本体が、
前記スプレー本体の前記底側内に形成された１以上の流体凹部を更に備え、前記流体凹部が、前記入口ポートによって前記流体出口の第１の群から分離されている、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項１１】
流体出口の第３の群であって、前記スプレー本体に連結され、該流体出口の第３の群を出て行く流体を、前記入口ポートから離れるように誘導する配向を有する、流体出口の第３の群を更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項１２】
前記スプレー本体の第１の端部に連結されたダムであって、前記底側から離れるように延在する、ダムを更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項１３】
前記スプレー本体の第１の端部に連結されたダムであって、前記底側から離れるように延在する、ダム、及び
前記スプレー本体の向かい合った端部に連結された少なくとも１つのスペーサであって、前記底側から離れるように延在し、前記研磨パッド上で前記スプレー本体を支持するように構成されたベアリング面を画定する、スペーサを更に備える、請求項３に記載のスプレーシステム。
【請求項１４】
基板を研磨する方法であって、
研磨パッド上の基板を研磨すること、
スプレー本体に連結された流体出口の第１の群から、前記研磨パッドに対して前記スプレー本体の底側の下方へ、且つ、前記スプレー本体内に形成された入口ポートへ向けて、流体を誘導すること、及び
前記流体出口の第１の群から前記研磨パッドに対して向けられた前記流体を、前記研磨パッドから前記入口ポートを通して前記スプレー本体の中へ除去することを含む、方法。
【請求項１５】
前記スプレー本体に連結された流体出口の第２の群から、前記研磨パッドに対して前記スプレー本体の底側の下方へ、且つ、前記スプレー本体内に形成された前記入口ポートへ向けて、流体を誘導することを更に含み、前記流体出口の第１の群と前記流体出口の第２の群が前記入口ポートによって分離されている、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
スプレーシステム１０は、研磨パッド１４及び高エネルギー区域２８からのデブリ３０の搬送も促進する。高エネルギー区域２８に入る流体２３の逆の流れの衝撃モーメンタムは、既に高エネルギー区域２８内にある流体２３が、作業面１２と平行な方向において高エネルギー区域２８を離れることを妨げるように働く。高エネルギー区域２８の中へ連続的に流体２３が流れることから生じる圧力は、高エネルギー区域２８及び流体２３内に蓄積され、その圧力（及び作業面１２から反射された流体２３のモーメンタム）は、流体２３が作業面１２から離れるように押し、高エネルギー区域２８をスプレー本体１８の少なくとも１つの入口ポート３４へ拡張する。入口ポート３４は、研磨パッド１４の作業面１２と垂直に又は実質的に垂直に配置された、入口ポート中心軸Ａｉを有し得る。本明細書で使用される際に、「実質的に垂直」という用語は、垂直から十（１０）度の範囲内にあることを意味する。研磨パッド１４に対する入口ポート中心軸Ａｉの角度位置は、流体２３を高エネルギー区域２８の中へ向ける流体出口２２Ａ、２２Ｂのうちのいずれか単一の１つからの、高エネルギー区域２８へのモーメンタムの貢献に偏ることなく、スプレー本体１８の中への流体２３の流入を促進する。これに関して、流体出口中心軸ＡＡ、ＡＢは、それぞれ、入口ポート中心軸Ａｉに対する角度位置シータ＿Ａ、シータ＿Ｂ（θＡ、θＢ）を有し、これらの角度位置シータ＿Ａ、シータ＿Ｂは、同じ角度値であり得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のワード線と、
第2のワード線と、
フリップフロップを含むメモリセルであって、前記フリップフロップが、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタを介して、前記第1のワード線に結合される前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタのゲートによって補完ビット線に結合される、メモリセルと、
前記補完ビット線に結合されるセンス増幅器であって、前記第1のワード線がアサートされたとき、前記補完ビット線を介して前記フリップフロップから読み出された差動値を増幅するように構成される、センス増幅器と、
ラッチ回路であって、第3のトランジスタは、前記ラッチ回路を第4のトランジスタに結合するように構成され、前記第3のトランジスタのゲートが前記第2のワード線に結合され、前記第4のトランジスタのゲートが前記フリップフロップに結合され、前記ラッチ回路は、前記第2のワード線がアサートされたとき、前記フリップフロップから読み出されたシングルエンド値をラッチするように構成される、ラッチ回路と
を含む、メモリ回路。
【請求項２】
前記メモリセルに結合されるデータ入力ドライバであって、前記メモリセルに書込みデータ入力を提供するように構成されるデータ入力ドライバをさらに含む、請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項３】
前記データ入力ドライバが、前記補完ビット線上に前記書込みデータ入力を提供する、請求項2に記載のメモリ回路。
【請求項４】
前記第1のワード線および前記第2のワード線が、それぞれ第1のワード線ドライバおよび第2のワード線ドライバによって駆動される、請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項５】
前記第1のワード線ドライバおよび前記第2のワード線ドライバの各々がインバータを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項６】
前記メモリセルが少なくとも8つのトランジスタを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項７】
前記フリップフロップが第1の端子および第2の端子を含み、
前記第1のトランジスタが、前記フリップフロップの前記第1の端子に結合される第1の金属酸化物半導体(MOS)トランジスタであり、
前記第2のトランジスタが、前記フリップフロップの前記第2の端子に結合される第2のMOSトランジスタであり、
前記第3のトランジスタが第3のMOSトランジスタであり、
前記第4のトランジスタが第4のMOSトランジスタであり、前記第4のトランジスタの前記ゲートが、前記フリップフロップの前記第2の端子に結合される、
請求項6に記載のメモリ回路。
【請求項８】
前記第3のMOSトランジスタが、ドレインを含む第3のNチャネルMOSトランジスタを含み、前記ラッチ回路が、前記第3のNチャネルMOSトランジスタの前記ドレインに結合される、請求項7に記載のメモリ回路。
【請求項９】
前記フリップフロップが、互いに交差結合する第1のインバータおよび第2のインバータを含む、請求項7に記載のメモリ回路。
【請求項１０】
前記センス増幅器が、前記メモリ回路の高周波数動作のために前記補完ビット線を介して前記フリップフロップから読み出された前記差動値を増幅するように構成され、前記ラッチ回路が、前記メモリ回路の低周波数動作のために前記フリップフロップから読み出された前記シングルエンド値をラッチするように構成される、請求項1に記載のメモリ回路。
【請求項１１】
メモリ回路を動作させる方法であって、
第1のトランジスタおよび第2のトランジスタのゲートに結合される第1のワード線がアサートされたとき、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタを介してメモリセル内のフリップフロップに結合される補完ビット線に結合されるセンス増幅器を使用して、前記補完ビット線を介して前記フリップフロップから読み出された差動値を増幅するステップと、
第4のトランジスタに結合される第3のトランジスタに結合されるラッチ回路を使用して、第2のワード線に結合される前記第3のトランジスタのゲートと、前記フリップフロップに結合される前記第4のトランジスタのゲートとによって、前記第2のワード線がアサートされたとき、前記メモリセルから読み出されたシングルエンド値をラッチするステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記メモリ回路の高周波数動作のために前記センス増幅器を使用して読み出された前記差動値を増幅するステップと、前記メモリ回路の低周波数動作のために前記ラッチ回路を使用して読み出された前記シングルエンド値をラッチするステップとを含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記第1のワード線がアサートされたとき、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタを介して前記フリップフロップに記憶された補完データを前記補完ビット線に駆動するステップを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記第2のワード線がアサートされたとき、前記第3のトランジスタおよび第4のトランジスタを使用して前記フリップフロップの1つの端子からのシングルエンドデータを駆動するステップを含む、請求項12に記載の方法。