【手続補正書】
【提出日】平成30年5月31日(2018.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性触媒ナノ粒子の第１部分と、
半導体ワイヤの第２部分と、
前記第１部分の周りの第１誘電体シェルと、
前記第２部分の周りの第２誘電体シェルまたは機能化と、を備えるナノワイヤであって、前記第２誘電体シェルまたは機能化の材料が前記第１シェルの材料と異なることを特徴とする、ナノワイヤ。
【請求項２】
前記第２誘電体シェルが前記第２部分の周りに配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のナノワイヤ。
【請求項３】
前記第２誘電体シェルが前記第１シェルより親水性または疎水性であることを特徴とする、請求項２に記載のナノワイヤ。
【請求項４】
前記第１誘電体シェルが有機材料を備え、前記第２誘電体シェルが無機材料を備え、前記有機材料が前記無機材料より疎水性であることを特徴とする、請求項３に記載のナノワイヤ。
【請求項５】
前記無機材料がシリカを含み、前記有機材料がポリマーを含むことを特徴とする、請求項４に記載のナノワイヤ。
【請求項６】
前記機能化が前記第２部分の周りに配置され、前記機能化が前記第１シェルより親水性または疎水性であることを特徴とする、請求項１に記載のナノワイヤ。
【請求項７】
垂直に整列させて密に詰め込まれた請求項２に記載のナノワイヤの一群であって、隣接したナノワイヤの前記第２誘電体シェルが互いに接触し、個々のナノワイヤの間の間隔が前記第２シェルの厚さによって制御されていることを特徴とする、ナノワイヤの一群。
【請求項８】
請求項７に記載の前記コアシェルナノワイヤを備えることを特徴とする、ＰＶ吸収膜。
【請求項９】
請求項７に記載のナノワイヤを備えることを特徴とする、薄膜太陽電池。
【請求項１０】
タンデム太陽電池であって、上部電池が請求項９に記載の薄膜太陽電池を含むことを特徴とする、タンデム太陽電池。
【請求項１１】
ナノワイヤの密に詰まった構造を形成する方法であって、
シード部分およびナノワイヤ部分を有するナノワイヤを含むナノワイヤの一群を提供することと、
ナノワイヤの一群の前記ナノワイヤの１つの部分をカプセル化する第１シェルを形成することと、ナノワイヤの一群の前記ナノワイヤの第２の部分をカプセル化する第２シェルまたは機能化を形成することと、を備え、前記第２シェルまたは機能化の材料が前記第１シェルの材料と異なることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
液体／液体、液体／固体、または液体／空気界面に前記ナノワイヤを配向および整列させることをさらに含み、前記ナノワイヤの前記整列が前記界面に垂直であることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記界面の材料が、前記シェル部分の１つが前記液体と相互作用し、他のシェル部分または機能化が前記固体と相互作用するように、選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノワイヤの前記配向が前記第１シェルの材料、および、前記第２シェルまたは機能化の材料の構成、および前記界面の材料の特性によって決定され、前記界面の材料が、前記シェル部分の１つが前記界面の材料の１つと相互作用し、他のシェル部分または機能化が他の界面の材料と相互作用するように、選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記配向および整列させられたナノワイヤが固体基板に移されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記配向および整列させられたナノワイヤを含む前記固体基板を太陽電池に提供することさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２シェルまたは機能化を形成することは、前記第２シェルを形成することを含み、個々のナノワイヤの間の間隔が前記第２シェルの厚さによって制御されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ナノワイヤが実質的に一方向配向を有することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ナノワイヤが半導体ナノワイヤであることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
ナノワイヤを取り囲んでいる特異のシェルを備える前記ナノワイヤを備える光起電力装置であって、
前記ナノワイヤの各々がシード部分およびワイヤ部分を含み、
前記特異のシェルが前記シード部分を取り囲む第１シェル、および前記ワイヤ部分を取り囲む第２シェルを備え、
前記第１シェルが第１材料を含み、
前記第２シェルが第２材料を含み、
前記第１および第２材料が異なることを特徴とする、光起電力装置。
【請求項２１】
ナノワイヤを取り囲んでいる特異のシェルを備える前記ナノワイヤを備える光起電力装置であって、前記シェルの厚さが、１つのナノワイヤの中心点から次までを測定された前記ナノワイヤの平均間隔が２００ｎｍより大きく、７００ｎｍより小さくなるように選択されることを特徴とする、光起電力装置。
【請求項２２】
ナノワイヤを取り囲んでいる特異のシェルを備える前記ナノワイヤを備える光起電力装置であって、前記ナノワイヤが実質的に一方向配向を有することを特徴とする、光起電力装置。
【請求項２３】
ナノワイヤを取り囲んでいる特異のシェルを備える前記ナノワイヤを備える光起電力装置であって、前記ナノワイヤが基板上に整列させられ、前記整列させられたナノワイヤが、隣接するナノワイヤの前記第２シェルが互いに接触するナノワイヤの密に詰まった一群を形成することを特徴とする、光起電力装置。
【請求項２４】
前記第１および第２シェルの１つが疎水性誘電体の材料を含み、前記第１および第２シェルの他の１つが親水性誘電体の材料を含むことを特徴とする、請求項２３に記載の光起電力装置。
【請求項２５】
ナノワイヤの密に詰まった構造を形成する方法であって、
シード部分とナノワイヤ部分とを有するナノワイヤを含むナノワイヤの一群、および前記ナノワイヤの一群のナノワイヤの少なくとも一部をカプセル化する誘電体シェルを提供することと、
前記ナノワイヤを第２液体、固体、または空気の１つに対する第１液体の界面と垂直に配向および整列させることと、を備えることを特徴とする、方法。
【請求項２６】
前記界面における個々のナノワイヤの間の間隔が前記誘電体シェルの厚さによって制御されることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記誘電体シェルの厚さが、１つのナノワイヤの中心点から次までを測定された前記ナノワイヤの平均間隔が２００ｎｍより大きく、７００ｎｍより小さくなるように選択されることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記誘電体シェルの厚さが少なくとも２ｎｍであり、前記ナノワイヤ部分が半導体ナノワイヤ部分を含み、前記シード部分が金属触媒粒子を含むことを特徴とする、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記シェルを含む前記ナノワイヤのアスペクト比がシェルのない前記ナノワイヤのアスペクト比より小さいことを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記誘電体シェルが前記シード部分および前記ナノワイヤ部分の両方をカプセル化するシングルシェルを含むことを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記誘電体シェルが、前記シード部分をカプセル化する第１部分および前記ナノワイヤ部分をカプセル化する第２部分を含む特異のシェルを含み、前記第１部分が前記第２部分より疎水性または親水性であることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
前記誘電体シェルが、前記シード部分またはナノワイヤ部分をカプセル化し、他の前記シードまたは前記ナノワイヤ部分が前記誘電体シェルより疎水性または親水性である化合物で機能化されることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】
シェルにカプセル化されたナノワイヤを含むナノワイヤの一群であって、個々のナノワイヤの間の間隔が前記シェルの厚さによって制御されており、前記シェルが、前記ナノワイヤの前記シード部分を実質的にカプセル化している第１材料、および前記ナノワイヤの前記ナノワイヤ部分を実質的にカプセル化している第２材料を含み、前記第１材料が前記第２材料と異なり、個々のナノワイヤの間の前記間隔がコロイド状結晶の格子次元を決定し、コロイド状結晶がシェルにカプセル化されたナノワイヤの２次元の密に詰まったマクロ結晶構造を含むことを特徴する、一群。
【請求項３４】
シェルにカプセル化されたナノワイヤを含むナノワイヤの一群であって、個々のナノワイヤの間の間隔が前記シェルの厚さによって制御されており、前記シェルが、前記ナノワイヤの前記シード部分を実質的にカプセル化している第１材料、および前記ナノワイヤの前記ナノワイヤ部分を実質的にカプセル化している第２材料を含み、前記第１材料が前記第２材料と異なり、前記ナノワイヤが前記コロイド状結晶の垂直方向に本質的に整列させられることを特徴する、一群。
【請求項３５】
シェルにカプセル化されたナノワイヤを含むナノワイヤの一群であって、個々のナノワイヤの間の間隔が前記シェルの厚さによって制御されており、前記一群が、液体／液体、液体／固体、または液体／空気界面に配置され、前記ナノワイヤの前記整列が前記界面に対して垂直であり、および前記シェルの厚さによって制御された個々のナノワイヤの間の間隔が前記界面に対して平行であることを特徴とする、一群。
【請求項３６】
前記ナノワイヤが金属触媒粒子シード領域および半導体ナノワイヤ部分を含み、
前記シェルが誘電体シェルを含み、
前記界面で前記一群の前記隣接するナノワイヤの前記誘電体シェルが互い接触していることを特徴とする、請求項３５に記載の一群。
【請求項３７】
前記誘電体シェルが前記シード部分および前記ナノワイヤ部分の両方をカプセル化するシングルシェルを含むことを特徴とする、請求項３６に記載の一群。
【請求項３８】
前記誘電体シェルが、前記シード部分をカプセル化する第１部分および前記ナノワイヤ部分をカプセル化する第２部分を含む特異のシェルを含み、前記第１部分が、実質的に全てのシード部分が前記界面の上または下に配置されるように、前記第２部分より疎水性または親水性であることを特徴とする、請求項３６に記載の一群。
【請求項３９】
前記誘電体シェルが、前記シード部分またはナノワイヤ部分をカプセル化し、他の前記シードまたは前記ナノワイヤ部分が、実質的に全てのシード部分が前記界面の上または下に配置されるように、前記誘電体シェルより疎水性または親水性である化合物で機能化されることを特徴とする、請求項３６に記載の一群。