【手続補正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方は半導体ハンドル基板の前面であり、他方は半導体ハンドル基板の裏面である、２つの主要な、概して平行な表面と、該半導体ハンドル基板の前面および裏面を接合する周縁エッジと、該半導体ハンドル基板の前面および裏面の間のバルク領域と、を含む半導体ハンドル基板；
該半導体ハンドル基板の前面に接触した界面層；
該界面層に接触した炭素ドープしたアモルファスシリコン層；
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層と接触した誘電層；並びに
該誘電層と接触した半導体素子層；
を含み、
該半導体ハンドル基板が、２０００［Ω・ｃｍ］〜約１００，０００［Ω・ｃｍ］のバルク領域抵抗率を有し、
該界面層が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素から成る群から選択される材料を含み、
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約２５ｎｍ〜約７５００ｎｍの平均厚さを有し、
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約１％〜約１０％の炭素濃度を有することを特徴とする、多層構造体。
【請求項２】
前記半導体ハンドル基板がシリコンを含む、請求項１記載の多層構造体。
【請求項３】
前記半導体ハンドル基板が、Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法やフロートゾーン法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスしたシリコンウエハを含む、請求項１記載の多層構造体。
【請求項４】
前記半導体ハンドル基板が、約２０００［Ω・ｃｍ］〜約１０，０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項５】
前記半導体ハンドル基板が、約３０００［Ω・ｃｍ］〜約１０，０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項６】
前記半導体ハンドル基板が、約３０００［Ω・ｃｍ］〜約５０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項７】
前記界面層が、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む、請求項１記載の多層構造体。
【請求項８】
前記界面層が二酸化ケイ素を含む、請求項１記載の多層構造体。
【請求項９】
前記界面層が、約１ｎｍ〜約５ｎｍの平均厚さを有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１０】
前記界面層が、約２ｎｍ〜約４ｎｍの平均厚さを有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１１】
前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約５０ｎｍ〜約５０００ｎｍの平均厚さを有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１２】
前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約１００ｎｍ〜約３０００ｎｍの平均厚さを有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１３】
前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約５００ｎｍ〜約２５００ｎｍの平均厚さを有する、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１４】
前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層と接触した誘電層が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化バリウムおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１記載の多層構造体。
【請求項１５】
界面層を半導体ハンドル基板の前面上に形成する工程；
炭素ドープしたアモルファスシリコン層を、半導体ハンドル基板の前面上の界面層上に形成する工程；および
半導体ドナー基板の前面上の誘電層を該炭素ドープしたアモルファスシリコン層に接合して、それによって接合構造体を形成する工程；
を含む、多層構造体を形成する方法であって、
該半導体ハンドル基板が、一方は半導体ハンドル基板の前面であり、他方は半導体ハンドル基板の裏面である、２つの主要な、概して平行な表面と、該半導体ハンドル基板の前面および裏面を接合する周縁エッジと、該半導体ハンドル基板の前面および裏面の間のバルク領域と、を含み、
該半導体ハンドル基板が、２０００［Ω・ｃｍ］〜約１００，０００［Ω・ｃｍ］のバルク領域抵抗率を有し、該界面層が約１ｎｍ〜約５ｎｍの厚さを有し、
該界面層が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素から成る群から選択される材料を含み、
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約２５ｎｍ〜約７５００ｎｍの平均厚さを有し、
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、約１％〜約１０％の炭素濃度を有し、
該半導体ドナー基板が、一方は半導体ドナー基板の前面であり、他方は半導体ドナー基板の裏面である、２つの主要な、概して平行な表面と、該半導体ドナー基板の前面および裏面を接合する周縁エッジと、該半導体ドナー基板の前面および裏面の間の中心平面と、を含み、
更に該半導体ドナー基板の前面が誘電層を含む、多層構造体を形成する方法。
【請求項１６】
前記半導体ハンドル基板がシリコンウエハを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体ハンドル基板が、Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法やフロートゾーン法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスしたシリコンウエハを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体ハンドル基板が、約２０００［Ω・ｃｍ］〜約１０，０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記半導体ハンドル基板が、約３０００［Ω・ｃｍ］〜約１０，０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体ハンドル基板が、約３０００［Ω・ｃｍ］〜約５０００［Ω・ｃｍ］のバルク抵抗率を有する、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記界面層が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素から成る群から選択される材料を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
前記界面層が二酸化ケイ素を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２３】
前記界面層が、約２ｎｍ〜約４ｎｍの平均厚さを有する、請求項１５記載の方法。
【請求項２４】
前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層が、化学蒸着によって形成される、請求項１５記載の方法。
【請求項２５】
前記半導体ドナー基板の前面上の誘電層に接合させる前に、前記炭素ドープしたアモルファスシリコン層上に二酸化ケイ素層を形成する工程を更に含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２６】
前記半導体ドナー基板が、Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法やフロートゾーン法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスしたシリコンウエハを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２７】
前記半導体ドナー基板が、Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法により成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスしたシリコンウエハを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２８】
前記誘電層が、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化バリウムおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１５記載の方法。
【請求項２９】
前記半導体ドナー基板の誘電層および前記半導体ハンドル基板の前面の間の接合を強化するのに十分な時間および期間、前記接合構造体を加熱する工程を更に含む、請求項１５記載の方法。
【請求項３０】
前記半導体ドナー基板はイオン注入ダメージ層を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項３１】
前記半導体ドナー基板のイオン注入ダメージ層において前記接合構造体を機械的に劈開して、それによって半導体ハンドル基板、界面層、該界面層に接触した炭素ドープしたアモルファスシリコン層、該炭素ドープしたアモルファスシリコン層と接触した誘電層、および該誘電層と界面接触した半導体素子層を含む劈開構造体を作製する工程を更に含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記半導体素子層および単結晶半導体ハンドル構造体の間の接合を強化するのに十分な時間および期間、前記劈開構造体を加熱する工程を更に含む、請求項３１記載の方法。