Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月10日(2018.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータによって提供される往復移動のために固定ハウジングフレーム（ＨＦ）内に摺動可能に収容されたレンズキャリア（ＬＣ）を備えるオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）であって、前記ハウジングフレーム（ＨＦ）は、前記レンズキャリア（ＬＣ）によって支持される１または複数のレンズ（Ｌ）と対応する開口部（ＢＰＯ）が設けられた底板（ＢＰ）によって支持され、
前記底板（ＢＰ）にはまた、前記底板の上面から前記レンズキャリア（ＬＣ）に向かって突出したダストバリア（ＤＢ）が設けられ、前記ダストバリア（ＤＢ）は、前記レンズキャリアの全移動行程にわたって前記レンズキャリア（ＬＣ）との距離を維持するような高さを有し、前記ダストバリア（ＤＢ）および前記レンズキャリア（ＬＣ）の間のダストの通過を防ぐように、前記ダストバリア（ＤＢ）および前記レンズキャリア（ＬＣ）が十分近く、前記ダストバリア（ＤＢ）および前記レンズキャリア（ＬＣ）の間の前記距離は、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの間であることを特徴とする、オートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項２】
耐ダストシールの達成に適したガスケットが前記ダストバリア（ＤＢ）および前記レンズキャリア（ＬＣ）の間に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項３】
前記ダストバリア（ＤＢ）が前記レンズキャリア（ＬＣ）の外側に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項４】
前記ダストバリア（ＤＢ）が対応する底部凹所（ＢＲ）を有する前記レンズキャリア（ＬＣ）の内側に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項５】
前記ダストバリア（ＤＢ）が前記底板（ＢＰ）の前記開口部（ＢＰＯ）の周りに設けられていることを特徴とする、請求項４に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項６】
前記レンズキャリア（ＬＣ）の前記底部凹所（ＢＲ）が、前記レンズキャリアが前記底板（ＢＰ）に当接することができるような大きさであることを特徴とする、請求項４または５に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項７】
前記ダストバリア（ＤＢ）が前記底板（ＢＰ）に対して垂直に突出することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項８】
前記オートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）の外側ケーシングを形成する、前記底板（ＢＰ）に固定されたシールドカン（ＳＣ）をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）。
【請求項９】
センサユニット（ＳＵ）の上部に配置された請求項１〜８のいずれか一項に記載のオートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）を備えるカメラモジュールであり、前記センサユニットは、画像センサ（ＩＳ）を支持する基板（Ｓ）および前記オートフォーカスアクチュエータユニット（ＡＵ）の前記底板（ＢＰ）における前記開口部（ＢＰＯ）に位置合わせされた、前記画像センサ（ＩＳ）の上の開口部（ＢＯ）を有するベース（Ｂ）を含み、赤外線カットフィルター（ＩＲＦ）が前記ベース（Ｂ）の前記開口部（ＢＯ）に配置されている、カメラモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試薬液が中に配置されたときにそれを保持する内側体積を有する水槽と、
前記内側体積内に配置された中心開口を有し、前記水槽内に試薬液が配置されたときに前記試薬液の頂面の凍結を防ぐように構成された熱交換器と
を備える試薬供給システム。
【請求項２】
前記熱交換器が、内端および外端を有する連続する材料コイルシートから形成され、前記連続するコイルシートが、複数の等距離に隔置された同心円状の層を形成し、それにより前記同心円状の層同士の間の試薬液の流れを可能にする、請求項１に記載の試薬供給システム。
【請求項３】
前記連続するコイルシートが、水が前記同心円状の層を通って流れるのを可能にするように穿孔される、請求項２に記載の試薬供給システム。
【請求項４】
前記熱交換器が、前記連続するコイルシートに結合された１つまたは複数の支持棒をさらに含み、前記１つまたは複数の支持棒が、等距離に隔置された同心円状の層の同心性を確保する、請求項２に記載の試薬供給システム。
【請求項５】
前記熱交換器が、複数の同心円状の円筒から形成され、それにより前記同心円状の円筒間の試薬液の流れを可能にする、請求項４に記載の試薬供給システム。
【請求項６】
前記複数の同心円状の円筒がそれぞれ、水が前記同心円状の円筒を通って流れるのを可能にするように穿孔される、請求項５に記載の試薬供給システム。
【請求項７】
前記複数の同心円状の円筒が、前記複数の同心円状の円筒に結合された１つまたは複数の支持棒によってともに固定され、前記１つまたは複数の支持棒が、前記複数の同心円状の円筒の同心性を確保する、請求項５に記載の試薬供給システム。
【請求項８】
前記支持棒が、前記熱交換器を前記水槽の内壁にさらに固定する、請求項４から７までのいずれか１項に記載の試薬供給システム。
【請求項９】
前記熱交換器が、前記水槽の内壁から半径方向内方に延びる１つまたは複数の突起によって支持される、請求項８に記載の試薬供給システム。
【請求項１０】
前記熱交換器が、中心開口を有する円筒と、前記円筒の内壁から半径方向内方に延びる複数の放射状のフィンとから形成される、請求項１に記載の試薬供給システム。
【請求項１１】
前記試薬液内に浮遊するように構成された１つまたは複数の磁気フロートと、
前記水槽内に配置された１つまたは複数のセンサとをさらに備え、前記１つまたは複数のセンサが、前記磁気フロートの位置に基づいて前記試薬液のレベルを判定するように構成される、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の試薬供給システム。
【請求項１２】
前記水槽の中心アクセスに沿って配置された管をさらに備え、前記熱交換器および前記１つまたは複数の磁気フロートが、前記管の周りに配置され、前記１つまたは複数のセンサが、前記管内に配置される、
請求項１１に記載の試薬供給システム。
【請求項１３】
試薬供給システム内で使用するための熱交換器であって、
内端および外端を有する連続する材料コイルシートを備え、前記連続するコイルシートが、複数の等距離に隔置された同心円状の層を形成し、それにより前記同心円状の層同士の間の試薬液の流れを可能にし、前記連続するコイルシートが、水が前記同心円状の層を通って流れるのを可能にするように穿孔される、熱交換器。
【請求項１４】
前記連続するコイルシートに結合された１つまたは複数の支持棒をさらに備え、前記１つまたは複数の支持棒が、等距離に隔置された同心円状の層の同心性を確保する、
請求項１３に記載の熱交換器。
【請求項１５】
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバからの排気の流れを可能にするように前記プロセスチャンバに結合されたフォアラインと、
前記フォアラインを通って流れる排気を軽減するように前記フォアラインに結合されたフォアラインプラズマ軽減システムとを備え、前記フォアラインプラズマ軽減システムが、
試薬液が中に配置されたときにそれを保持する内側体積を有する水槽と、
前記内側体積内に配置された中心開口を有し、前記水槽内に試薬液が配置されたときに前記試薬液の頂面の凍結を防ぐように構成された熱交換器とを含む、
基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板上に電子デバイスを製造する方法であって、
多孔質膜上に疎水性マスクをプリントして、前記多孔質膜上に所望されるパターンと相補的なパターンを形成するステップと、
前記多孔質膜のプリントされていない領域を介して電子材料の水性懸濁液を濾過し、これにより、前記所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域に電子材料が堆積される、ステップと、
前記多孔質膜上に堆積されパターニングされた前記電子材料をフレキシブル基板へ転写してその上に電子デバイスを形成するために、プリントされた膜面に対しフレキシブル基板を押し当てるステップと、
を含み、
当該方法は、アセトン溶剤を用いることなく実行される、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記電子材料は酸化グラフェンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多孔質膜はニトロセルロースで作られており、その孔径は、０．０１μｍから０．３μｍの間である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記疎水性マスクのプリント用材料はワックスである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記フレキシブル基板は有機物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記フレキシブル基板はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記転写するステップはプレスによって実行される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
プレス力は、５００ｋｇから７００ｋｇの間である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記プレスは、前記フレキシブル基板を粘着するスタンプを介して作動する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フレキシブル基板はシートである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記転写するステップはロールツーロール設備によって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記疎水性マスクをプリントするためのプリンタは、前記ロールツーロール設備に統合されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電子デバイスは交互嵌合電極である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記電子デバイスは透明である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
フレキシブル基板上にパターニングされた電極アレイを有する装置を製造する方法であって、
多孔質膜上に疎水性マスクをプリントして、前記多孔質膜上に電極アレイ用の所望されるパターンと相補的なパターンを形成するステップと、
前記多孔質膜のプリントされていない領域を介して電子材料の水性懸濁液を濾過し、これにより、前記電極アレイ用の所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域に電子材料が堆積される、ステップと、
前記多孔質膜上に堆積されパターニングされた前記電子材料をフレキシブル基板へ転写してその上に電極アレイを形成するために、プリントされた膜面に対しフレキシブル基板を押し当てるステップと、
を含み、
当該方法は、アセトン溶剤を用いることなく実行される、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス電力を送るための装置であって、
低減された厚みを有する少なくとも1つの部分を含む強磁性レイヤと、
第1のコイルと、
前記第1のコイルに少なくとも部分的と重なる第2のコイルであって、前記第2のコイルの巻線と重なる前記第1のコイルの部分が、前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分に埋め込まれ、前記第2のコイルの前記巻線と重ならない前記第1のコイルの部分が、前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分に埋め込まれていない、第2のコイルと
を含み、
前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記強磁性レイヤ内にリセスを含む、装置。
【請求項２】
前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記少なくとも1つの部分における前記強磁性レイヤの完全除去を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記低減された厚みを有する前記強磁性レイヤの前記少なくとも1つの部分に位置合わせされた、埋め込まれたまたは除去された少なくとも1つの部分を有する電磁シールドレイヤをさらに含む、請求項2に記載の装置。
【請求項４】
前記強磁性レイヤが、第1の厚みを有する第1の複数の強磁性タイルを含み、前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記低減された厚みを有する第2の複数の強磁性タイルを含む、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記強磁性レイヤ、前記第1のコイル、および前記第2のコイルが、バイポーラワイヤレス電力送電機を形成する、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記第1のコイルおよび前記第2のコイルが、異なる大きさまたは異なる位相のうちの少なくとも1つを有するそれぞれの前記第1のコイルおよび前記第2のコイルを通過するそれぞれ第1の電流および第2の電流で駆動するように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項７】
前記第1のコイルおよび前記第2のコイルが、少なくとも1つの受電コイルとカップリングするための磁束を発生させるように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項８】
ワイヤレス電力を送るための方法であって、
第1のコイルを介して電力をワイヤレスに送電または受電するステップと、
前記第1のコイルに少なくとも部分的と重なる第2のコイルを介して電力をワイヤレスに送電または受電するステップであって、前記第2のコイルの巻線と重なる前記第1のコイルの部分が、低減された厚みを有する強磁性レイヤの少なくとも1つの部分に埋め込まれ、前記第2のコイルの前記巻線と重ならない前記第1のコイルの部分が、前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分に埋め込まれていない、送電または受電するステップと
を含み、
前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記強磁性レイヤ内にリセスを含む、方法。
【請求項９】
前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記少なくとも1つの部分における前記強磁性レイヤの完全除去を含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記低減された厚みを有する前記強磁性レイヤの前記少なくとも1つの部分に位置合わせされた、少なくとも1つの埋め込まれたまたは除去された部分を含む電磁シールドレイヤを介して電磁場からエリアを遮断するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記強磁性レイヤが、第1の厚みを有する第1の複数の強磁性タイルを含み、前記低減された厚みを有する前記少なくとも1つの部分が、前記低減された厚みを有する第2の複数の強磁性タイルを含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
異なる大きさまたは異なる位相のうちの少なくとも1つを有するそれぞれの前記第1のコイルおよび前記第2のコイルを通過するそれぞれ第1の電流および第2の電流で前記第1のコイルおよび前記第2のコイルを駆動するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも1つの受電コイルとカップリングされた磁束を発生させるために前記第1のコイルおよび前記第2のコイルを利用するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月28日(2018.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射孔及び出射孔を有するコリメータと、
第１の表面要素と前記第１の表面要素に対して垂直に配置された第２の表面要素とを備える交差ビームスプリッタであって、前記第１の表面要素及び前記第２の表面要素は、前記第１の表面要素及び前記第２の表面要素にそれぞれ入射する光の略同量を透過及び反射する交差ビームスプリッタと、
少なくとも４つの照明ユニットとを備え、
前記照明ユニットそれぞれが、
光源と、
前記光源からの光を受光する入射孔、及び出射孔を有し、ビームスプリッタに向けて光を集束させる集束要素とを備え、
前記交差ビームスプリッタは、前記照明ユニットの各々の前記集束要素から直接的に光を受光し、各光源からの光を４つのビームに分割し、
前記交差ビームスプリッタは、さらに、前記４つのビームを前記コリメータの入射孔に向かわせ、
前記コリメータは、前記４つのビームと相互作用し、各照明ユニットからの光を４分の１ずつ含む４つの像を提供する、
照明デバイス。
【請求項２】
前記光源は、異なる波長の光を発する、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記集束要素はＴＩＲ要素である、請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
前記光源は発光ダイオードである、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記コリメータはパラボラリフレクタである、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項６】
前記コリメータはＴＩＲフレネルレンズである、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記コリメータの出射孔は円形である、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記コリメータの出射孔は拡散要素を備える、請求項１乃至７の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記集束要素の前記出射孔は拡散要素を備える、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記光源の各々は、４６５ｎｍ、５２０ｎｍ、５７５ｎｍ又は６３０ｎｍのグループからなる波長の光を発する、請求項１乃至９の何れか一項に記載の照明デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月11日(2018.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源を冷却するためのヒートシンクであって、前記ヒートシンクが、
主軸のまわりに配設される側壁を備える３次元ボディを有するヒートディストリビュータと、
前記側壁に結合されると共に前記側壁から延在する複数のプレートであって、前記複数のプレートの各々が、前記主軸に対して垂直な断面において湾曲している複数のプレートとを有し、前記プレートが、前記ヒートディストリビュータの前記主軸に沿ってねじれており、隣接する２つのプレートの間の距離であるフィン間隔が、前記プレートの内側半径から始まる半径方向位置の増大と共に線形に増大し、前記側壁が、円柱形状又円錐形状をしており、前記主軸に対して垂直な断面において、各プレートが、２次元螺旋を形成するヒートシンク。
【請求項２】
前記主軸に対して垂直な断面において、各プレートが、前記主軸に対して半径方向に前記ヒートディストリビュータの前記側壁を出る請求項１に記載のヒートシンク。
【請求項３】
各プレートが、少なくとも３つの縁端部を持ち、前記側壁に接続される第１縁端部が、前記ヒートディストリビュータの外径と等しい第１半径を持つ第１螺旋又は円錐形螺旋を形成する請求項１乃至２のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項４】
各プレートが、４つの縁端部を持ち、前記第１縁端部の反対側にある第２縁端部が、前記ヒートディストリビュータの前記外径より大きい第２半径を持つ第２螺旋を形成する請求項３に記載のヒートシンク。
【請求項５】
各プレートが、４つの縁端部を持ち、前記第１縁端部の反対側にある第２縁端部が、第２円錐形螺旋を形成する請求項３に記載のヒートシンク。
【請求項６】
前記プレートの外側半径における前記フィン間隔が、前記プレートの前記内側半径における前記フィン間隔より約１０％乃至２０％大きい請求項１乃至５のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項７】
前記フィン間隔の最大値が、前記フィン間隔の最小値の２倍未満である請求項１乃至６のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項８】
１メートル当たりのフル旋回数として規定されるような前記ヒートシンクの前記プレートのねじれが、0.28/r_外側までであり、ここで、r_外側は、前記ヒートシンクの前記外側半径である請求項１乃至７のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項９】
前記ヒートシンクが、前記ヒートシンクフィンのまわり配設されるエンクロージャを更に有し、前記エンクロージャが、前記半径方向において前記フィンを完全又は部分的に覆う請求項１乃至８のいずれか一項に記載のヒートシンク。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のヒートシンク、及び前記ヒートシンクと軸方向に位置合わせされると共に、前記プレートを通るよう空気を吹き込むよう構成される軸方向通風機を有する強制対流冷却器。
【請求項１１】
少なくとも１つの発光装置と、請求項１０に記載の強制対流冷却器とを有するランプ。
【請求項１２】
前記発光装置が発光ダイオードである請求項１１に記載のランプ。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のランプを少なくとも１つ有する照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月2日(2018.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と半導体層との間に絶縁体層を有する絶縁体上半導体ウエハを準備するステップと、
前記半導体層中および上に、第１の活性層を形成するステップと、
前記基板層中および上に、第２の活性層を形成するステップと、
前記基板層中および上に、ＭＥＭＳデバイスを形成するステップと、
を含む方法であって、
前記第１の活性層を形成する前記ステップが、ＣＭＯＳデバイスを形成するステップをさらに含み、
前記方法が、前記ＣＭＯＳデバイスと前記ＭＥＭＳデバイスとの間の電気接続を形成するステップをさらに含み、前記ＣＭＯＳデバイスが、前記電気接続を通じて前記ＭＥＭＳデバイスに制御信号を提供する、方法。
【請求項２】
前記基板層の第１の部分を除去するステップと、
前記基板層の第２の部分中および上に、前記第２の活性層を形成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板層の前記第１の部分を除去する前記ステップの前に、前記絶縁体上半導体ウエハの第１の面にハンドルウエハを接合するステップと、
前記絶縁体上半導体ウエハの第２の面から、前記基板層の前記第１の部分を除去するステップと
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハンドルウエハ中にトラップリッチ層を準備するステップ
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁体上半導体ウエハの面にハンドルウエハを接合するステップであって、前記絶縁体上半導体ウエハの前記面が、前記絶縁体層を挟んで前記基板層とは反対側にあり、前記ハンドルウエハがハンドル基板層を有する、ステップと、
前記ハンドル基板層中および上に、第３の活性層を形成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ハンドル基板層の第１の部分を除去するステップと、
前記ハンドル基板層の第２の部分中および上に、前記第３の活性層を形成するステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の活性層上に、相互接続層を形成するステップと、
前記相互接続層と前記第１および第２の活性層との間の電気接続を形成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板層および前記絶縁体層のうちの少なくとも一方中に、前記ＭＥＭＳデバイス用のキャビティを形成するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
半導体層と基板層との間に絶縁体層を有する絶縁体上半導体ウエハと、
前記半導体層中および上に形成された第１の活性層と、
前記基板層中および上に形成された第２の活性層と、
前記基板層中および上に形成されたＭＥＭＳデバイスと、
を備え、
前記第１の活性層がＣＭＯＳデバイスを含み、
前記ＣＭＯＳデバイスが、前記ＭＥＭＳデバイスに制御信号を提供する、半導体構造。
【請求項１０】
前記第２の活性層が、前記基板層が薄化された後に、前記基板層の残りの部分中および上に形成される、
請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記絶縁体層を挟んで前記基板層とは反対側にある、前記絶縁体上半導体ウエハの面に接合された、ハンドルウエハ
をさらに備える、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記ハンドルウエハがトラップリッチ層を有する、
請求項１１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記絶縁体上半導体ウエハの面に接合されたハンドルウエハであって、前記絶縁体上半導体ウエハの前記面が、前記絶縁体層を挟んで前記基板層とは反対側にあり、前記ハンドルウエハがハンドル基板層を有する、ハンドルウエハと、
前記ハンドル基板層中および上に形成された第３の活性層と
をさらに備える、請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記第３の活性層が、前記ハンドル基板層が薄化された後に、前記ハンドル基板層の残りの部分中および上に形成される、
請求項１３に記載の半導体構造。
【請求項１５】
前記第２の活性層上に形成された相互接続層と、
前記相互接続層と前記第１および第２の活性層との間の電気接続と
をさらに備える、請求項９に記載の半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月17日(2018.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板（ＰＣＢ）との電気接続を確立するためのコネクタであって、前記ＰＣＢが、前記ＰＣＢの同じ表面上に、第１の列及び第２の列を成して配置構成された、第１のコンタクトパッドのセット及び第２のコンタクトパッドのセットを備え、前記コネクタは、
前記ＰＣＢの前記第１のコンタクトパッドのセットとの電気接続を確立及び遮断するように構成された、第１のコンタクト表面の列を形成するコンタクト表面を有する、第１の細長コンタクトのセットと、
前記ＰＣＢの前記第２のコンタクトパッドのセットとの電気接続を確立及び遮断するように構成された、第２のコンタクト表面の列を形成するコンタクト表面を有する、第２の細長コンタクトのセットと、
前記第１のコンタクトのセット及び前記第２のコンタクトのセットを支持し、前記コンタクト表面を、前記第１のコンタクトパッドのセット及び前記第２のコンタクトパッドのセットに対して、それらとの電気接続を確立及び遮断する際にワイピングさせる、コンタクトブロックと、
を備える、コネクタ。
【請求項２】
前記ＰＣＢが、前記ＰＣＢの第２表面上に第３の列及び第４の列で配置構成された、第３のコンタクトパッドのセット及び第４のコンタクトパッドのセットを備え、前記第２表面が、前記第１表面に対向し、前記コネクタは、
前記ＰＣＢの前記第３のコンタクトパッドのセットとの電気接続を確立及び遮断するように構成された、第３のコンタクト表面の列を形成する第１のコンタクト表面を有する、第３の細長コンタクトのセットと、
前記ＰＣＢの前記第４のコンタクトパッドのセットとの電気接続を確立及び遮断するように構成された、第４のコンタクト表面の列を形成する第１のコンタクト表面を有する、第４の細長コンタクトのセットと、
前記第３のコンタクトのセット及び前記第４のコンタクトのセットを支持し、前記コンタクト表面を、前記第３のコンタクトパッドのセット及び前記第４のコンタクトパッドのセットに対して、それらとの電気接続を確立及び遮断する際にワイピングさせる、第２の区画を有する、コンタクトブロックと、
を更に備える、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
コンタクトパッドを備えるプリント回路基板（ＰＣＢ）との電気接続を確立するためのコネクタであって、
前記ＰＣＢの前記コンタクトパッドとの電気接続を確立及び遮断し、かつ前記ＰＣＢの前記コンタクトパッドにワイピングを提供するように構成された、コンタクト表面を有する、複数の細長コンタクトを備える、コンタクトモジュールと、
前記コンタクトモジュールに結合されており、前記コンタクトモジュールの長手方向軸と位置合わせして方向付けられ、かつ前記ＰＣＢの縁部を受け入れるように寸法決めされた長手方向溝を備える、レバーであって、前記ＰＣＢの装填を容易にするための開放位置と、前記複数のコンタクトの前記コンタクト表面と前記ＰＣＢの前記コンタクトパッドとの接触及びワイピングを容易にするための閉鎖位置との間で作動するように構成される、レバーと、
を備える、コネクタ。
【請求項４】
第１のコンタクト表面を備える、第１の複数の細長コンタクトと、
第２のコンタクト表面を備える、第２の複数の細長コンタクトと、
第１の区画及び第２の区画を備え、前記第１の区画及び前記第２の区画が、前記第１の複数のコンタクト及び前記第２の複数のコンタクトを、対向して離間配置された関係で支持する、コンタクトブロックと、
前記第１の複数のコンタクトと前記第２の複数のコンタクトとの間に位置付けられたコンタクトオーガナイザであって、前記コンタクトブロックと前記コンタクトオーガナイザとの相対移動に応じて、前記第１のコンタクト表面及び前記第２のコンタクト表面が、相対的に互いにより近接する嵌合位置と、前記第１のコンタクト表面及び前記第２のコンタクト表面が、相対的に互いからより離れる非嵌合位置との間で、前記第１の複数のコンタクト及び前記第２の複数のコンタクトの前記コンタクト表面を方向付けるように構成された、係合表面をそれぞれが有する、対向する第１面及び第２面を備える、コンタクトオーガナイザと、
を備える、コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月30日(2018.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
上部に酸化層が形成された基板を提供するステップと、
フッ素系層で前記酸化層を置換するステップと、
酸化雰囲気に前記フッ素系層を暴露するステップであって、前記フッ素系層は、前記酸化雰囲気による酸化に対して前記基板を保護する、ステップと、
プラズマプロセスを用いて、前記基板から前記フッ素系層を除去するステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
前記置換するステップは、
a）NH3およびHF、またはb）NF3およびHFを含む清浄化ガスに、前記酸化層を暴露するステップ
を有し、
前記暴露するステップは、前記フッ素系層で基板をパッシベーションする、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記置換するステップは、
前記基板から前記酸化層を除去するステップと、
その後、前記フッ素系層で前記基板をパッシベーションするステップと、
を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化層を除去するステップは、
a）NH3およびHF、またはb）NF3およびHFを含む清浄化ガスに、前記酸化層を暴露するステップと、
その後、前記基板を熱処理するステップと、
を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記パッシベーションするステップは、
前記基板をフッ素含有プラズマに暴露するステップ
を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記フッ素含有プラズマは、マイクロ波プラズマ源を用いて生成される、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化雰囲気は、空気を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記除去するステップは、
H2、N2、Ar、NH3、またはこれらの2もしくは3以上の組み合わせを含有するプラズマに、前記フッ素系層を暴露するステップ
を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記基板は、Si、SiGe、Ge、または化合物半導体を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
基板を処理する方法であって、
上部に酸化層が形成された基板を提供するステップと、
フッ素系層で前記酸化層を置換するステップと、
酸化雰囲気に前記フッ素系層を暴露するステップであって、前記フッ素系層は、前記酸化雰囲気による酸化に対して前記基板を保護する、ステップと、
プラズマプロセスを用いて、前記基板から前記フッ素系層を除去するステップと、
前記除去するステップの後、前記基板上に酸素含有界面層を形成するステップと、
前記酸素含有界面層上に高k膜を成膜するステップと、
を有する、方法。
【請求項１１】
前記基板上に酸素含有界面層を形成するステップは、
O、O3、H2O、またはこれらの組み合わせを含む酸素含有プラズマに、前記基板を暴露するステップ
を有する、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸素含有プラズマは、マイクロ波プラズマ源を用いて形成される、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板は、前記フッ素系層を除去するステップの前から、前記高k膜を成膜するステップの後まで、真空条件下に維持される、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
基板を処理する方法であって、
上部にGeを含む酸化層が形成されたGe含有基板を提供するステップと、
a）NH3およびHF、またはb）NF3およびHFを含む清浄化ガスへの暴露により、前記Ge含有基板から前記酸化層を除去するステップであって、前記清浄化ガスへの暴露は、さらに、フッ素系層を用いて前記Ge含有基板をパッシベーションする、ステップと、
酸化雰囲気に前記フッ素系層を暴露するステップであって、前記フッ素系層は、前記酸化雰囲気による酸化に対して前記Ge含有基板を保護する、ステップと、
H2ガスを含むマイクロ波プラズマプロセスを用いて、前記Ge含有基板から前記フッ素系層を除去するステップと、
その後、マイクロ波プラズマプロセスを用いて、前記Ge含有基板上に酸素含有界面層を形成するステップと、
前記酸素含有界面層上に高k膜を成膜するステップであって、前記Ge含有基板は、前記フッ素系層を除去するステップの前から、前記高k膜を成膜するステップの後まで、真空条件下に維持される、ステップと、
を有する、方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって、
真空処理ツール内にパッシベーションされた基板を提供するステップであって、前記パッシベーションされた基板は、酸化雰囲気による酸化に対して前記パッシベーションされた基板を有効に保護するフッ素系層を有する、ステップと、
前記真空処理ツール内で、マイクロ波プラズマプロセスを用いて、前記パッシベーションされた基板から前記フッ素系層を除去し、これにより清浄な基板を形成するステップと、
真空条件下で、前記清浄な基板を処理するステップと、
を有する、方法。
【請求項１６】
前記パッシベーションされた基板は、Si、SiGe、Ge、または化合物半導体を有する、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記パッシベーションされた基板を提供するステップは、
上部に酸化層が形成された前記基板を提供するステップと、
前記酸化層を前記フッ素系層で置換するステップと、
を有する、請求項15に記載の方法。
【請求項１８】
前記置換するステップは、
a）NH3およびHF、またはb）NF3およびHFを含む清浄化ガスに、前記酸化層を暴露するステップ
を有し、
前記暴露するステップは、前記酸化層を除去し、前記フッ素系層を用いて前記基板をパッシベーションする、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板は、前記フッ素系層を除去するステップの前から、前記清浄な基板を処理するステップの後まで、真空条件下に維持される、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
前記パッシベーションされた基板は、陥凹特徴部と、該陥凹特徴部内の金属コンタクトとを有する、請求項15に記載の方法。
【請求項２１】
前記除去するステップの後に、前記基板上に酸素含有界面層を形成するステップと、
前記酸素含有界面層上に高k膜を成膜するステップと、
を有する、請求項15に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月10日(2018.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの照明器具を含む照明装置を、シースルーディスプレイ及び画像取得要素を備えたウェアラブルコンピュータデバイスを使用して制御するための方法であって、前記ウェアラブルコンピュータデバイスを使用して、
前記照明装置の照明器具を含む空間の画像であって、前記シースルーディスプレイを通して見た前記空間の実際のビューに対応する画像を前記画像取得要素を使用して取得するステップと、
前記画像の画像解析を通して前記画像内の前記照明器具を識別するステップと、
所望の照明雰囲気の画像を前記シースルーディスプレイに表示するステップと、
前記実際のビュー内の前記照明器具に、表示された前記所望の照明雰囲気を重ね合わせることにより、前記実際のビュー内の前記照明器具を前記所望の照明雰囲気に関連付けるステップと、
前記照明装置と通信して前記照明雰囲気を再現するように前記照明器具に指示するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記実際のビューは前記照明装置の幾つかの照明器具を含み、
前記識別するステップは前記幾つかの照明器具のそれぞれを識別することを含み、
前記関連付けるステップは前記実際のビュー内の前記幾つかの照明器具のうちの少なくとも１つを前記所望の照明雰囲気に関連付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記関連付けるステップは、前記実際のビュー内の１つの照明器具を選択することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記選択するステップは、前記実際のビュー内の選択された前記照明器具に、表示された前記所望の照明雰囲気を重ね合わせるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記照明器具の照明特性を表示された前記所望の照明雰囲気から計算することを含み、前記指示するステップは計算された前記照明特性を前記ウェアラブルコンピュータデバイスから前記照明装置に伝達することを含む、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記照明特性は、色、色温度、強度、彩度及び照明効果ダイナミクスのうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記画像取得要素を使用して前記所望の照明雰囲気の前記画像を取得するか、又は外部ソースから前記所望の照明雰囲気の画像を取り出すステップを更に含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記所望の照明雰囲気の前記画像は、動的な所望の照明雰囲気を規定する画像シーケンスの一部を形成し、前記指示するステップは前記照明装置に前記動的な所望の照明雰囲気を再現するように指示するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェアラブルコンピュータデバイスにより受信された調整命令に応答して、前記照明器具により再現された前記照明雰囲気への調整を前記ウェアラブルコンピュータデバイスから前記照明装置に伝達するステップを含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
仮想照明器具を前記シースルーディスプレイに表示するステップと、
拡張された照明雰囲気を表現する拡張ビューを生成するために、前記ウェアラブルコンピュータデバイスにより受信された移動コマンドに従って前記仮想照明器具を前記実際のビュー内の場所に移動させるステップと、を含む、請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記照明装置において、前記所望の照明雰囲気を再現するために、受信された指示に従って前記照明器具を制御することを含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
シースルーディスプレイ及び画像取得要素をさらに含むウェアラブルコンピュータデバイスのプロセッサ上で実行されるとき、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の方法のステップを実行する、又は実行可能である、コンピュータプログラムコードを具現化する、コンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンピュータプログラム、
前記コンピュータプログラムコードを実行するプロセッサ、
シースルーディスプレイ、
画像取得要素、及び
少なくとも１つの照明器具を含む照明装置と通信するための通信装置、を備える、ウェアラブルコンピュータデバイス。
【請求項１４】
少なくとも１つの照明器具を備える照明装置、及び
請求項１２に記載のコンピュータプログラム又は請求項１３に記載のウェアラブルコンピュータデバイスを備える、照明装置キット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月20日(2018.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源であって、
１つ以上のネブライザ及び１つ以上のターゲット、
を備え、前記１つ以上のネブライザが、使用中に前記１つ以上のターゲットに衝突させられる主として液滴の流れを放出し、複数のイオンを生成するべく前記液滴をイオン化するように、配置及び適合され、
前記１つ以上のターゲットが、前記１つ以上のターゲットの表面に沿って流れるガスを乱すように構成された１つ以上の構造体をさらに備える、
イオン源。
【請求項２】
前記１つ以上の構造体が１つ以上の渦発生構造体を含む、請求項１に記載のイオン源。
【請求項３】
前記１つ以上の構造体が、ガスの流れが前記表面に付着したままであることを助長する表面流の渦を促進するように構成される、請求項１又は請求項２に記載のイオン源。
【請求項４】
前記１つ以上の構造体が、ガスの流れが前記表面に付着したままであることを助長する表面流の渦を促進するように構成された空気力学的形状又は外形を含む、請求項１、請求項２、又は請求項３に記載のイオン源。
【請求項５】
前記１つ以上の構造体が、よどみ点又はよどみラインの下流、及び／又は、剥離点又は剥離ラインの上流に位置決めされる、請求項１から４のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項６】
前記１つ以上の構造体が、前記１つ以上のターゲットの表面から延びる隆起、及び／又は、前記１つ以上のターゲットの表面の中に延びるノッチ又はキャビティを含む、請求項１から５のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項７】
前記１つ以上の構造体が、前記ターゲットの上又は周りを流れるガスの全般的な方向と平行、非平行、又は垂直な縦軸を有する１つ以上のストレーク又はフィンを含む、請求項１から６のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項８】
前記１つ以上の構造体が、
（ｉ）単一の構造体又は複数の構造体、
（ｉｉ）単一の列の構造体又は複数の列の構造体、
（ｉｉｉ）立方体、立方体様、円筒形、又は多面体構造体、
（ｉｖ）構造体間に不規則な間隔を有する構造体、及び
（ｖ）前記１つ以上のターゲットの表面にインプリント、エッチング、又はマイクロ機械加工される連続するマイクロパターンが形成された表面、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から７のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項９】
前記１つ以上の構造体が、前記１つ以上のターゲットを越えて流れるガスの主流方向内に位置決めされる、請求項１から８のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１０】
前記１つ以上の構造体が、前記１つ以上のターゲットを越えて流れるガスの主流方向と位置合わせされる、請求項１から９のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１１】
前記１つ以上のターゲットが円筒形チューブ若しくはロッド、又は湾曲面を含み、及び又は、前記１つ以上のターゲットを越えて流れるガスの主流方向が、前記円筒形チューブ若しくはロッド、又は湾曲面の、円周の一部の周りである、請求項１から１０のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１２】
前記１つ以上のターゲットがプレートの形態の平坦面を備え、及び又は、前記１つ以上のターゲットを越えて流れるガスの主流方向が前記平坦面にわたる又は沿う、請求項１から１１のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１３】
前記１つ以上の構造体の高さ又は深さが、前記１つ以上のターゲットを越えて流れる前記ガスの境界層の厚さと等しい又は同等である、請求項１から１２のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１４】
前記１つ以上の構造体の高さ又は深さが、５００μｍ未満、例えば１０から１００μｍまでの間である、請求項１から１３のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１５】
前記イオン源が大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源を含む、請求項１から１４のいずれか一に記載のイオン源。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一に記載のイオン源を備える質量分析計。
【請求項１７】
イオン源であって、
１つ以上のネブライザ及び１つ以上のターゲット、
を備え、前記１つ以上のネブライザが、使用中に前記１つ以上のターゲットに衝突させられる主として液滴の流れを放出するように、配置及び適合され、
前記１つ以上のターゲットが、ガスの流れが前記１つ以上のターゲットの表面に付着したままであることを助長する表面流の渦を促進するように構成された１つ以上の構造体を含む、
イオン源。
【請求項１８】
前記１つ以上のターゲットは、前記主として液滴の流れが衝突させられる湾曲面を含む、請求項１７に記載のイオン源。
【請求項１９】
前記１つ以上の構造体が、前記表面に沿って流れるガスを乱すように構成されている、請求項１７又は１８に記載のイオン源。
【請求項２０】
サンプルをイオン化する方法であって、
１つ以上のネブライザ及び１つ以上のターゲットを提供することと、
前記１つ以上のターゲットは、前記１つ以上のターゲットの表面に沿って流れるガスを乱すように構成された１つ以上の構造体を備え、
前記１つ以上のネブライザに、前記１つ以上のターゲットに衝突させられる主として液滴の流れを放出させ、複数のイオンを生成するべく前記液滴をイオン化させることと、
前記１つ以上の構造体を用いて前記１つ以上のターゲットの表面に沿って流れるガスを乱すことと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月13日(2018.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
業務用及び／または家庭用の制御可能な電源及び照明システムであって、ＬＥＤライトを含むＬＥＤアレイを具え、該ＬＥＤアレイは低電圧ＡＣ電源によって給電されるように構成され、該低電圧ＡＣ電源の電圧はＡＣ実効値５０vであり、
(i) 使用中に、前記低電圧ＡＣ電源から前記ＬＥＤアレイに分配される低電圧ＡＣ電力は、主ＡＣ変圧器にリンクされ、該主ＡＣ変圧器は外部または内部に配置され、
(ii) 使用中に、前記低電圧ＡＣ電力は、管状のバスバーによって分配され、
(iii) 使用中に、前記ＬＥＤライトの各々、または前記ＬＥＤライトのグループの各々に供給される前記低電圧ＡＣ電力は、前記ＬＥＤライトの各々、または前記ＬＥＤライトのグループの各々に関連するＡＣ／ＤＣ整流器において低電圧ＤＣ電力に変換され、
(iv) 前記システムが、前記ＬＥＤアレイの全体、あるいは前記ＬＥＤアレイ内の個別の前記ＬＥＤライトまたは前記ＬＥＤライトのグループの出力を自動制御する手段を含む、
電源及び照明システム。
【請求項２】
前記システムは、通信技術と組み合わせた電力線技術、及び前記ＬＥＤアレイ内、及び非ＬＥＤ系装置が存在すれば当該非ＬＥＤ系装置内の登録手段を追加的に具えて、遠隔的に監視されて制御されるように構成され、前記遠隔的な制御はウェブベースまたは無線での制御である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記システムは、業務用及び／または家庭用の建物内で使用され、前記主ＡＣ変圧器は、前記建物の外部の、システムの中心に合わせた位置に配置され、あるいは、前記主ＡＣ変圧器は、前記建物の内部の、前記建物の中心または最上部または最下部に配置され、前記主ＡＣ変圧器は、ＡＣ実効値２４０v−５０vの変圧器である、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＬＥＤアレイが、１つ以上の、ＬＥＤライトまたはＬＥＤライトのグループを具え、前記ＬＥＤライトまたはＬＥＤライトのグループは、１つ以上のＬＥＤスポットライト、１つ以上のＬＥＤ投光ライト、１つ以上のＬＥＤストリップライト、またはＬＥＤライトを包含する１つ以上のストリップ、あるいはＬＥＤスポットライト、ＬＥＤ投光ライト。ＬＥＤストリップライト、またはＬＥＤを包含するアレイまたはストリップの任意の組合せを含む、請求項１〜３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記バスバーが、前記システム内の１つ以上の非ＬＥＤ系装置に給電するように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
通信技術と組み合わせた電力線技術、及び前記ＬＥＤアレイ内の登録チップを追加的に具え、前記電力線技術と前記通信技術との組合せによって前記システムを遠隔的に監視して制御することができる、請求項１〜５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記バスバーによって提供される電力線技術によって、前記照明用の制御システムが提供される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記システム内の前記ＬＥＤライト及び非ＬＥＤ系装置の各々が、１つ以上の、ＬＥＤ固有の登録チップの使用により登録されている、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
ローカル・パーソナルコンピュータへの無線リンクを用いて、またはインターネット経由で遠隔的に、前記システムを無線で遠隔的に監視して制御するように構成され、個別の前記ＬＥＤライトの各々に、登録ストリップ及び局所的整流器が取り付けられている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記バスバーに供給される前記低電圧ＡＣ電力が、ＡＣ実効値１２v〜５０vである、請求項１〜９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記ＬＥＤアレイ、あるいは前記ＬＥＤアレイ内の個別の前記ＬＥＤライトまたは前記ＬＥＤライトのグループの放射パワーの測定に関するデータを記録する手段を追加的に具え、非ＬＥＤ系装置が存在する場合、前記システムが、当該非ＬＥＤ系装置の電力消費の測定に関するデータを記録する手段を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記放射パワーの測定に関するデータを記録する手段は、前記ＬＥＤアレイ内の前記ＬＥＤライトの各々の登録、及び分光放射計による前記ＬＥＤライトの事前較正によって提供される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ＬＥＤアレイに接続された運動センサ、光センサ及び／または光メータを追加的に具えて、前記ＬＥＤライトの波長、光強度または光周期の継続的測定の必要なしに、有効な光レベルを業務用または家庭用のシステムに提供する、請求項１〜１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
前記システム内の１つ以上の非ＬＥＤ系装置が、ラップトップ・コンピュータ、パーソナル・コンピュータ（ＰＣ）、プリンタ、スキャナ、ディクテーションマシン、留守番電話機、携帯電話用充電器を含む充電器、タブレット充電器、携帯ゲーム機用充電器、カメラ及びビデオ用充電器、テレビ受像機、モニタ、シェーバ、ヘアートリマー、ラジオ、煙警報器／感知器、CO2警報機／感知器、警報機、運動センサ、及びこれらの装置に１つ以上の任意の低電圧適合の装置を含めた装置の任意の組合せから個別に選択したものである、請求項１〜１３のいずれかに記載のシステム。
【請求項１５】
前記制御システムが、前記ＬＥＤアレイ全体、あるいは前記ＬＥＤアレイ内の個別の前記ＬＥＤライトまたは前記ＬＥＤライトのグループの放射パワーの、較正による測定、業務用または家庭用の領域内の光レベルの、光センサによる測定、非ＬＥＤ系装置に入力される電力／非ＬＥＤ系装置の電力消費の、個別またはグループ単位での測定に関するデータを記録する手段を含む、請求項１〜１４のいずれかに記載のシステム。