【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性インク組成物であって、該インク組成物は、
カルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を脱炭酸して前記導電性インク組成物を作製するアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸するインク組成物。
【請求項２】
導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
銀を含むカルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
前記カルボン酸銀の銀を還元して前記導電性インク組成物を作製する触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、前記触媒がアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀の銀を１００℃またはそれ未満の温度で還元するインク組成物。
【請求項３】
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀またはヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリン、、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサン、テルピネオール、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記溶解剤が、少なくとも１つの有機溶媒、長さＣ５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素、長さＣ６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素、少なくとも１つの芳香族炭化水素、少なくとも１つの直鎖状エーテル、少なくとも１つの分枝状エーテル、少なくとも１つの環状エーテル、あるいは少なくとも１つのキレート剤を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、ポリアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミン、少なくとも１つの第二級アミン、少なくとも１つの第三級アミン、少なくとも１つのポリアミン、または少なくとも１つの、Ｃ１〜１８を有するアルキルアミンを含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズ、または約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
導電性構造物を作製する方法であって、
アミンを含む触媒の存在下で、カルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップであって、前記カルボン酸銀は少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記銀錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記銀錯体を、約２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して前記導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
【請求項１５】
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀またはヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリン、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサン、テルピネオール、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記溶解剤が、少なくとも１つの有機溶媒、長さＣ５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素、長さＣ６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素、少なくとも１つの芳香族炭化水素、少なくとも１つの直鎖状エーテル、少なくとも１つの分枝状エーテル、少なくとも１つの環状エーテル、あるいは少なくとも１つのキレート剤を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、ポリアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミン、少なくとも１つの第二級アミン、少なくとも１つの第三級アミン、少なくとも１つのポリアミン、または少なくとも１つの、Ｃ１〜１８を有するアルキルアミンを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズ、または約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
導電性インク組成物であって、該インク組成物は、
カルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を脱炭酸して前記導電性インク組成物を作製するアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀を１００℃またはそれ未満の温度で脱炭酸するインク組成物。
（項目２）
導電性インク組成物であって、前記インク組成物は、
銀を含むカルボン酸銀；
前記カルボン酸銀を溶解する少なくとも１つの溶解剤；および
前記カルボン酸銀の銀を還元して前記導電性インク組成物を作製する触媒
を混合することによって形成される銀錯体を含み、前記触媒がアミンを含み、
前記触媒が、前記カルボン酸銀の銀を１００℃またはそれ未満の温度で還元するインク組成物。
（項目３）
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、項目３に記載の組成物。
（項目５）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、項目３に記載の組成物。
（項目６）
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目７）
前記溶解剤が少なくとも１つの有機溶媒である、項目６に記載の組成物。
（項目８）
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目９）
前記溶解剤が、長さＣ５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目９に記載の組成物。
（項目１１）
前記溶解剤が、長さＣ６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１１に記載の組成物。
（項目１３）
前記溶解剤が、少なくとも１つの芳香族炭化水素を含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１４）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３に記載の組成物。
（項目１５）
前記溶解剤がキシレンである、項目１３〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、項目６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１７）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、項目１６に記載の組成物。
（項目１８）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６〜１７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１９）
前記溶解剤が、少なくとも１つの環状エーテルを含む、項目１６に記載の組成物。
（項目２０）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１９に記載の組成物。
（項目２１）
前記溶解剤がテルピネオールである、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２２）
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、項目６〜７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２３）
前記溶解剤が、約１対約１の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、項目２２に記載の組成物。
（項目２４）
前記溶解剤が、少なくとも１つのキレート剤を含む、項目６に記載の組成物。
（項目２５）
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、項目２４に記載の組成物。
（項目２６）
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、項目１〜２５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２７）
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目２８）
前記触媒が、少なくとも１つの、Ｃ１〜１８を有するアルキルアミンを含む、項目２６または２７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２９）
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２６〜２８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目３０）
前記触媒が、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２７に記載の組成物。
（項目３１）
前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目３０に記載の組成物。
（項目３２）
前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目３０に記載の組成物。
（項目３３）
前記触媒が、少なくとも１つの第二級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３４）
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３３に記載の組成物。
（項目３５）
前記触媒が、少なくとも１つの第三級アミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３６）
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３５に記載の組成物。
（項目３７）
前記触媒が、少なくとも１つのポリアミンを含む、項目２６に記載の組成物。
（項目３８）
前記触媒が、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目３７に記載の組成物。
（項目３９）
前記カルボン酸銀が、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解されている、項目１〜３８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４０）
前記カルボン酸銀が、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合されている、項目１〜３９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４１）
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、項目１〜４０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４２）
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する、項目１〜４１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４３）
前記銀錯体が、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、項目１〜４１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４４）
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、項目４２〜４３のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４５）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４６）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンである、項目４５に記載の組成物。
（項目４７）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目４８）
前記カルボン酸銀が約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目４７に記載の組成物。
（項目４９）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１〜２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５０）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約０．５ｍＬのキシレンおよび約０．５ｍＬのテルピネオールを含み、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目４９に記載の組成物。
（項目５１）
導電性構造物が、約２×１０−６Ω・ｃｍ〜約１×１０−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１〜５０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５２）
導電性構造物が、約１０ナノメートルまたはそれ未満のＲＭＳ値を有する、項目１〜５１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目５３）
導電性構造物を作製する方法であって、
アミンを含む触媒の存在下で、カルボン酸銀を混合して銀錯体を形成するステップであって、前記カルボン酸銀は少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記銀錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記銀錯体を、約２００℃またはそれ未満の分解温度で加熱して前記導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目５４）
前記カルボン酸銀が、プロピオン酸銀、酪酸銀、ペンタン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、エチルヘキサン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、オクタン酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ネオデカン酸銀、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀からなる群から選択される、項目５３に記載の方法。
（項目５５）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀である、項目５４に記載の方法。
（項目５６）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀である、項目５４に記載の方法。
（項目５７）
前記溶解剤が、有機溶媒、キレート剤およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目５３〜５６のいずれか一項に記載の方法。
（項目５８）
前記溶解剤が少なくとも１つの有機溶媒である、項目５７に記載の方法。
（項目５９）
前記溶解剤が、アルカン炭化水素、アルケン、環状炭化水素、芳香族炭化水素、カルバメート、アミン、ポリアミン、アミド、エーテル、エステル、アルコール、チオール、チオエーテル、ホスフィンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目６０）
前記溶解剤が、長さＣ５〜２０の少なくとも１つの直鎖状または分枝状アルカン炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６１）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６０に記載の方法。
（項目６２）
前記溶解剤が、長さＣ６〜２０の少なくとも１つの環状炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６３）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６２に記載の方法。
（項目６４）
前記溶解剤が、少なくとも１つの芳香族炭化水素を含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６５）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６４に記載の方法。
（項目６６）
前記溶解剤がキシレンである、項目６４〜６５のいずれか一項に記載の方法。
（項目６７）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルを含む、項目５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
（項目６８）
前記溶解剤が、少なくとも１つの直鎖状エーテルまたは分枝状エーテルを含む、項目６７に記載の方法。
（項目６９）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目６７〜６８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７０）
前記溶解剤が、少なくとも１つの環状エーテルを含む、項目６７に記載の方法。
（項目７１）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
前記溶解剤がテルピネオールである、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７３）
前記溶解剤が、キシレンおよびテルピネオールを含む、項目５７〜５８のいずれか一項に記載の方法。
（項目７４）
前記溶解剤が、約１対約１の体積比のキシレン対テルピネオールを有する、項目７３に記載の方法。
（項目７５）
前記溶解剤が、少なくとも１つのキレート剤を含む、項目５７に記載の方法。
（項目７６）
前記溶解剤が、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、エチレンジアミン−ジ（ｏ−ヒドロキシフェニル酢酸）、ニトリロ三酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−五酢酸、グリコールエーテルジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジメチルスルホキシド、ジエチレントリアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミンおよびエチレンジアミンからなる群から選択される、項目７５に記載の方法。
（項目７７）
前記触媒が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよびポリアミンからなる群から選択される、項目５３〜７６のいずれか一項に記載の方法。
（項目７８）
前記触媒が、少なくとも１つの第一級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目７９）
前記触媒が、少なくとも１つの、Ｃ１〜１８を有するアルキルアミンを含む、項目７７〜７８のいずれか一項に記載の方法。
（項目８０）
前記触媒が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７７〜７９のいずれか一項に記載の方法。
（項目８１）
前記触媒が、アリルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、イソペンチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ヘキシルアミン、フェニルアミン、シクロペンチルアミン、ｔｅｒｔ−オクチルアミン、ｔｅｒｔ−デシルアミン、ｔｅｒｔ−ドデシルアミン、ｔｅｒｔ−オクタデシルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目７８に記載の方法。
（項目８２）
前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目８１に記載の方法。
（項目８３）
前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目８１に記載の方法。
（項目８４）
前記触媒が、少なくとも１つの第二級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８５）
前記触媒が、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジフェニルアミン、ジシクロペンチルアミン、メチルブチルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８４に記載の方法。
（項目８６）
前記触媒が、少なくとも１つの第三級アミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８７）
前記触媒が、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリフェニルアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８６に記載の方法。
（項目８８）
前記触媒が、少なくとも１つのポリアミンを含む、項目７７に記載の方法。
（項目８９）
前記触媒が、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、ヘキサメチレンジアミンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目８８に記載の方法。
（項目９０）
前記カルボン酸銀を、前記触媒を添加する前に、前記溶解剤中に溶解する、項目５３〜８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目９１）
前記カルボン酸銀を、前記カルボン酸銀を前記溶解剤に溶解する前に、前記触媒と混合する、項目５３〜８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目９２）
前記導電性インク組成物が、前記導電性インク組成物の約１〜４０ｗｔ％の濃度の銀を有する、項目８３〜９１のいずれか一項に記載の方法。
（項目９３）
前記銀錯体が、約５センチポアズ〜約５０センチポアズの粘度を有する、項目１〜９２のいずれか一項に記載の方法。
（項目９４）
前記銀錯体が、約５０センチポアズ〜約１０００センチポアズの粘度を有する、項目１〜９２のいずれか一項に記載の方法。
（項目９５）
前記粘度を、添加する触媒の量に基づいて調節する、項目９３〜９４のいずれか一項に記載の方法。
（項目９６）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒が２−エチルヘキシルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目９７）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬの２−エチルヘキシルアミンである、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
前記カルボン酸銀がヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンであり、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目９９）
前記カルボン酸銀が約０．４グラムのヘキサフルオロアセチルアセトン酸銀であり、約１ｍＬのキシレンであり、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目９８に記載の方法。
（項目１００）
前記カルボン酸銀がネオデカン酸銀であり、前記溶解剤がキシレンおよびテルピネオールを含み、前記触媒がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目５３に記載の方法。
（項目１０１）
前記カルボン酸銀が約０．５グラムのネオデカン酸銀であり、前記溶解剤が約０．５ｍＬのキシレンおよび約０．５ｍＬのテルピネオールを含み、前記触媒が約０．２ｍＬのｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１０１に記載の方法。
（項目１０２）
前記導電性構造物が、約２×１０−６Ω・ｃｍ〜約１×１０−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目５３〜１０１のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０３）
前記導電性構造物が、約１０ナノメートルまたはそれ未満のＲＭＳ値を有する、項目５３〜１０２のいずれか一項に記載の方法。
（項目１０４）
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩；および
配位子
を含むインク組成物。
（項目１０５）
前記金属が、銀、銅、ニッケル、金、白金、パラジウム、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛およびスズからなる群から選択される、項目１０４に記載の組成物。
（項目１０６）
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１０４〜１０５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０７）
前記立体的にかさ高い対イオンが、テトラフルオロホウ酸イオン（［ＢＦ４］−）、ヘキサフルオロリン酸イオン（［ＰＦ６］−）、シアン化物イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１０４〜１０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０８）
前記立体的にかさ高い対イオンがＲ１ＣＯＯ−であり；ここで、Ｒ１は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、項目１０４〜１０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１０９）
Ｒ１が置換Ｃ１〜Ｃ３０アルキルである、項目１０８に記載の組成物。
（項目１１０）
Ｒ１が、アルキル基およびケト基の少なくとも１つで置換されたＣ１〜Ｃ３０アルキルである、項目１０８に記載の組成物。
（項目１１１）
前記立体的にかさ高い対イオンが、ネオデカン酸イオン、２−エチルオクタン酸イオン、２−エチルヘキサン酸イオン、２−エチルペンタン酸イオン、２−エチルブタン酸イオン、２−エチル−２−メチルブタン酸イオン、２，２−ジエチルブタン酸イオン、３−オキソブタン酸イオン、３−オキソペンタン酸イオンおよび３−オキソヘキサン酸イオンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１０５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１２）
前記立体的にかさ高い対イオンがネオデカン酸イオンである、項目１１１に記載の組成物。
（項目１１３）
立体的にかさ高い対イオンを有する前記金属塩が、ネオデカン酸銀、２−エチルヘキサン酸銀およびβケトカルボン酸銀からなる群から選択される、項目１０４〜１１２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１４）
前記金属塩がネオデカン酸銀である、項目１０４〜１１３のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１５）
前記配位子がかさ高い配位子である、項目１０４〜１１４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１６）
前記配位子が、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、環状アミン、チオエーテル、環状チオエーテル、エーテル、分枝状エーテル、クラウンエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１１５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１７）
前記配位子が、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、２−メチルブタン−２−アミン、２−メチルペンタン−２−アミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘプチルアミン、Ｎ−エチルヘキサン−１−アミン、Ｎ−エチルヘプタン−１−アミンおよびｔｅｒｔ−オクチルアミン、非置換または置換ピロリジン、非置換または置換ピペリジンならびにそれらの組合せからなる群から選択される、項目１０４〜１１６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１１８）
前記配位子がｔｅｒｔ−オクチルアミンである、項目１１７に記載の組成物。
（項目１１９）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が５０：１より大きい、項目１０４〜１１８のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２０）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が３０：１より大きい、項目１０４〜１１９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２１）
前記配位子の前記金属塩に対するモル比が１５：１より大きい、項目１０４〜１２０のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２２）
前記金属塩の前記配位子に対するモル比が約１である、項目１０４〜１２１のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２３）
さらに溶媒を含む、項目１０４〜１２２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２４）
前記溶媒が極性溶媒である、項目１２３に記載の組成物。
（項目１２５）
前記溶媒が、水、ジメチルホルムアミドおよびキシレンからなる群から選択される、項目１２３または１２４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２６）
前記溶媒がキシレンである、項目１２３〜１２５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１２７）
インク組成物を調製する方法であって、
立体的にかさ高い対イオンを有する金属塩を溶媒に加えて第１の混合物を形成させるステップと；
配位子を前記第１の混合物に加えてインク組成物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目１２８）
前記金属塩が、銀塩、銅塩、ニッケル塩、金塩、白金塩、パラジウム塩、アルミニウム塩、マグネシウム塩、亜鉛塩およびスズ塩からなる群から選択される、項目１２７に記載の方法。
（項目１２９）
前記立体的にかさ高い対イオンが、カルボン酸イオン、シアン化物イオン、スルホン酸イオン、ホウ酸イオン、リン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群から選択される、項目１２７〜１２８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３０）
前記立体的にかさ高い対イオンがＲ１ＣＯＯ−であり；ここで、Ｒ１は、置換アルキル、非置換または置換シクロアルキルおよび非置換または置換ヘテロシクロアルキルからなる群から選択される、項目１２７〜１２８のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３１）
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と、
金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属塩または金属錯体の前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
（項目１３２）
導電性構造物を作製するためのインク組成物であって、
溶解剤中に溶解されている還元剤と；
４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属を含む少なくとも１つの金属塩または金属錯体と
を混合することによって形成される還元性金属錯体を含み、前記還元剤が、前記金属を還元して前記導電性構造物を形成させるインク組成物。
（項目１３３）
前記還元性金属錯体が、基板上で分解されて前記導電性構造物を形成する、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１３４）
前記還元性金属錯体が、前記還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することによって分解される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３５）
前記還元性金属錯体が、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることによって分解され、ここで前記触媒還元性金属錯体は約２２０℃またはそれ未満で加熱される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３６）
前記還元性金属錯体が、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に前記還元性金属錯体を曝露させることによって分解される、項目１３３に記載の組成物。
（項目１３７）
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３１〜１３６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１３８）
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１３９）
前記還元剤が水素化リチウムである、項目１３８に記載の組成物。
（項目１４０）
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１４１）
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１３７に記載の組成物。
（項目１４２）
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、項目１４１に記載の組成物。
（項目１４３）
前記溶解剤が有機溶媒である、項目１３１〜１４２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１４４）
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４３に記載の組成物。
（項目１４５）
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、項目１４４に記載の組成物。
（項目１４６）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４５に記載の組成物。
（項目１４７）
前記溶解剤がジエチルエーテルである、項目１４６に記載の組成物。
（項目１４８）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４５に記載の組成物。
（項目１４９）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１４４に記載の組成物。
（項目１５０）
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、項目１４４に記載の組成物。
（項目１５１）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５０に記載の組成物。
（項目１５２）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５０に記載の組成物。
（項目１５３）
前記金属塩または金属錯体が式ＭＸｎまたはＭ（Ｌ）ｐＸｎを有し、式中、Ｍは４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属であり、
Ｘは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Ｌは、ＮＨ３、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ２、Ｈ２Ｓ、Ｃ２Ｈ４、Ｃ６Ｈ６、ＣＮ、ＮＣ、ＰＨ３からなる群から選択され、
ｎは、Ｍの形式電荷をＸの形式電荷で除したものに等しく、ｐは、Ｍ上の配位部位の数からＸｎによって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、項目１３１〜１５２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５４）
Ｍが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１５３に記載の組成物。
（項目１５５）
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、項目１３１〜１５４のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５６）
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５７）
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５８）
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１５９）
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６０）
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、項目１５９に記載の組成物。
（項目１６１）
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６２）
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルおよびカルボニルエクストラクターを混合してニッケル（０）錯体を形成することによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６３）
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンを混合してニッケル（０）錯体を作り出すことによって形成される、項目１３１〜１３２のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６４）
前記触媒が水素化物引抜剤である、項目１３５に記載の組成物。
（項目１６５）
前記触媒が、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６４に記載の組成物。
（項目１６６）
前記還元剤がチタン（ＩＶ）化合物である、項目１６４〜１６５のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６７）
前記還元剤が、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１６４〜１６６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６８）
前記インク組成物が、前記インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属塩を有する、項目１３１〜１６７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１６９）
前記インク組成物が、前記インク組成物の約０．１〜４０ｗｔ％の濃度の金属錯体を有する、項目１３１〜１６７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目１７０）
導電性構造物を作製する方法であって、
還元剤を、少なくとも１つの金属塩または金属錯体と混合して還元性金属錯体を形成させるステップであって、前記還元剤は少なくとも１つの溶解剤中に溶解しているステップと；
前記還元性金属錯体を基板に塗布するステップと；
前記基板上の前記還元性金属錯体を分解させて導電性構造物を形成させるステップと
を含む方法。
（項目１７１）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を約２７０℃またはそれ未満の温度で加熱することを含む、項目１７０に記載の方法。
（項目１７２）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、触媒を前記還元性金属錯体と混合して触媒還元性金属錯体を形成させることを含み、前記触媒還元性金属錯体を約２２０℃またはそれ未満の温度に加熱する、項目１７０に記載の方法。
（項目１７３）
前記還元性金属錯体を分解させるステップが、前記還元性金属錯体を、約１００ｎｍ〜約１５００ｎｍの波長の光源に曝露することを含む、項目１７０に記載の方法。
（項目１７４）
前記還元剤が、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属とホウ素との錯体水素化物、アルカリ金属とアルミニウムとの錯体水素化物、ギ酸塩、βケトカルボン酸塩およびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７０〜１７３のいずれか一項に記載の方法。
（項目１７５）
前記還元剤が、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化ルビジウム、水素化セシウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７６）
前記還元剤が水素化リチウムである、項目１７５に記載の方法。
（項目１７７）
前記還元剤が、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７８）
前記還元剤が、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウム、水素化アルミニウムカリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１７４に記載の方法。
（項目１７９）
前記還元剤が水素化アルミニウムリチウムである、項目１７８に記載の方法。
（項目１８０）
前記溶解剤が有機溶媒である、項目１７０〜１７９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１８１）
前記溶解剤が、飽和炭化水素、芳香族炭化水素、エーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８０に記載の方法。
（項目１８２）
前記溶解剤が、直鎖状エーテル、分枝状エーテルまたは環状エーテルである、項目１８１に記載の方法。
（項目１８３）
前記溶解剤が、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８２に記載の方法。
（項目１８４）
前記溶解剤がジエチルエーテルである、項目１８３に記載の方法。
（項目１８５）
前記溶解剤が、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、１，４−ジオキサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８２に記載の方法。
（項目１８６）
前記溶解剤が、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８１に記載の方法。
（項目１８７）
前記溶解剤が、直鎖状飽和炭化水素、分枝状飽和炭化水素または環状飽和炭化水素である、項目１８１に記載の方法。
（項目１８８）
前記溶解剤が、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、イコサンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８７に記載の方法。
（項目１８９）
前記溶解剤が、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、デカリンおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１８７に記載の方法。
（項目１９０）
前記金属塩または金属錯体が式ＭＸｎまたはＭ（Ｌ）ｐＸｎを有し、式中、Ｍは４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２族の金属であり、
Ｘは、ハライド、プソイドハライド、ニトレート、スルフェート、ホルメート、アセテート、シアネート、イソシアネート、アルコキシドまたはジケトネートであり、Ｌは、ＮＨ３、ＣＯ、ＮＯ、Ｎ２、Ｈ２Ｓ、Ｃ２Ｈ４、Ｃ６Ｈ６、ＣＮ、ＮＣ、ＰＨ３からなる群から選択され、
ｎは、Ｍの形式電荷をＸの形式電荷で除したものに等しく、ｐは、Ｍ上の配位部位の数からＸｎによって占有されている配位部位を減じたものに等しい整数である、項目１７０〜１８９のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９１）
Ｍが、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ケイ素、バナジウム、亜鉛、スズ、銅、ニッケル、パラジウム、ジルコニウム、鉄、ニオブ、ゲルマニウム、マンガン、クロム、コバルト、タングステン、モリブデン、ビスマス、ルテニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目１９０に記載の組成物。
（項目１９２）
前記導電性構造物が、元素金属または金属合金である、項目１７０〜１９１のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９３）
前記導電性構造物がマグネシウムを含み、前記導電性構造物が、水素化リチウムとハロゲン化マグネシウムを混合して水素化マグネシウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９４）
前記導電性構造物が亜鉛を含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムをハロゲン化亜鉛と混合して水素化亜鉛錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９５）
前記導電性構造物がアルミニウムを含み、前記導電性構造物が、水素化アルミニウムリチウムを塩化アルミニウムと混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９６）
前記導電性構造物がチタン合金を含み、前記チタン合金が、水素化アルミニウムリチウム、バナジウム錯体およびチタン塩を混合して水素化チタン錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９７）
前記バナジウム錯体が、バナジルアセチルアセトネートかまたはバナジウムヘキサカルボニルである、項目１９６に記載の方法。
（項目１９８）
前記導電性構造物がアルミニウム合金を含み、前記アルミニウム合金が、ケイ素アルキル錯体、アルミニウム塩および水素化アルミニウムリチウムを混合して水素化アルミニウム錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目１９９）
前記導電性構造物がニッケルを含み、前記導電性構造物が、ニッケルテトラカルボニルとカルボニルエクストラクターとを混合してニッケル（０）錯体を形成することによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目２００）
前記導電性構造物がニッケル合金を含み、前記ニッケル合金が、ニッケル塩と環状アルケンとを混合してニッケル（０）錯体を作り出すことによって形成される、項目１７０に記載の方法。
（項目２０１）
前記触媒が水素化物引抜剤である、項目１７２に記載の方法。
（項目２０２）
前記触媒が、チタン（ＩＶ）化合物、フェナジンメトスルフェート、フェナジンエトスルフェート、１−メトキシフェナジンメトスルフェート、メルドラブルーおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２０１に記載の方法。
（項目２０３）
前記還元剤がチタン（ＩＶ）化合物である、項目２０１〜２０２のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０４）
前記還元剤が、酸化チタン（ＩＶ）、硫化チタン（ＩＶ）、硝酸チタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）アルコキシドおよびそれらの組合せからなる群から選択される、項目２０１〜２０３のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０５）
化学添加剤をさらに含む、項目１５３に記載の組成物。
（項目２０６）
前記化学添加剤が、酸性亜硫酸塩、チオ硫酸ナトリウム、チオグリコール酸アンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム亜硝酸塩、ベンゾトリアゾール、四硝酸ペンタエリスリトールおよびジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩からなる群から選択される、項目２０５に記載の組成物。
（項目２０７）
前記化学添加剤がベンゾトリアゾールである、項目２０５〜２０６のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２０８）
前記Ｍが銅であり、前記Ｘがホルメートである、項目２０５〜２０７のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２０９）
前記導電性構造物が、約２×１０−６Ω・ｃｍ〜約１×１０−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１３１〜１６９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２１０）
前記導電性構造物が、約３×１０−６Ω・ｃｍ〜約６×１０−６Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１３１〜１６９のいずれか一項に記載の組成物。
（項目２１１）
項目２０９〜２１０のいずれか一項に記載の組成物を、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷によって基板に塗布するステップを含む方法。
（項目２１２）
前記導電性構造物が、約２×１０−６Ω・ｃｍ〜約１×１０−５Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１７０〜２０４のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１３）
前記導電性構造物が、約３×１０−６Ω・ｃｍ〜約６×１０−６Ω・ｃｍの電気伝導度を有する、項目１７０〜２０４のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１４）
前記還元性金属錯体を塗布するステップが、スロットダイコーティング、スピンコーティング、グラビア印刷、フレキソ印刷を含むロールツーロール印刷、ロータリースクリーン印刷、スクリーン印刷、エアロゾルジェット印刷、インクジェット印刷、エアーブラッシング、マイヤーロッドコーティング、フラッドコーティング、３Ｄ印刷、ディスペンサーまたは電気流体力学的印刷を含む、項目２１２〜２１３のいずれか一項に記載の方法。
反応性の金属および合金から導電体を形成させるための改善されたインク組成物および導電性構造物を作製するための方法を開示する。