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【手続補正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、
ステム部であって、前記本体部から別個に形成され、かつ、前記本体部に対して取り付け可能であり、これによって、取り付けられたときに、当該ステム部が、前記本体部から長手軸に沿って延在する、ステム部と、を備え、
前記本体部は、関節面と、前記関節面とは反対の骨係合面と、を有し、
前記骨係合面の少なくとも一部分は、前記関節面の少なくとも周囲縁部に対して平行でない角度で配置されており、
前記骨係合面は、骨係合表面であって、当該骨係合表面上の各位置において凸状である、骨係合表面を含み、
前記骨係合表面は、前記骨係合面の周囲周り全体を延びており、
前記骨係合表面は、第１の部分及び第２の部分を含み、
前記第１の部分は、前記関節面の少なくとも前記周囲縁部に対して第１の角度α１で配置された第１の周囲縁部を有し、
前記第２の部分は、前記関節面の少なくとも前記周囲縁部に対して第２の異なる角度α２で配置された第２の周囲縁部を有し、
前記本体部は、前記関節面と前記骨係合面との間で前記本体部を通って延びる複数の孔を含み、
前記ステム部は、前記骨係合面に隣接しかつ前記ステム部を取り囲む、凹状Ｒを有する表面であって、半径方向外向きに延びかつ前記孔の少なくとも１つと交差する、凹状Ｒを有する表面を含む、
関節窩インプラント。
【請求項２】
前記第１の部分は、前記長手軸を中心にして角度θだけ延在する、請求項１に記載の関節窩インプラント。
【請求項３】
前記角度θは、実質的に１８０°に等しい、請求項２に記載の関節窩インプラント。
【請求項４】
前記関節面は、上腕頭を部分的に収容するように構成される、請求項１に記載の関節窩インプラント。
【請求項５】
前記関節面の少なくとも一部分は、凹状かつ実質的に球状である表面を含む、請求項４に記載の関節窩インプラント。
【請求項６】
前記関節面は、グレノスフェアを収容するように構成される、請求項１に記載の関節窩インプラント。
【請求項７】
長手軸を有するステム部と、
本体部であって、前記ステム部から別個に形成され、かつ、前記ステム部に対して取り付け可能であり、これによって、取り付けられたときに、当該本体部が、前記ステム部の近位端に支持される、本体部と、
を備え、
前記本体部は、関節面、前記関節面とは反対の骨係合面、及び前記関節面と前記骨係合面との間に延在する周囲側壁を含み、
前記周囲側壁は、前記長手軸に対して平行な奥行を有し、
前記周囲側壁の少なくとも一部分は、前記長手軸に対して垂直な方向で奥行が増大し、
前記骨係合面は、骨係合表面であって、当該骨係合表面上の各位置において凸状である、骨係合表面を含み、
前記骨係合表面は、前記骨係合面の周囲周り全体を延びており、
前記本体部は、前記関節面と前記骨係合面との間で前記本体部を通って延びる複数の孔を含み、
前記ステム部は、前記骨係合面に隣接しかつ前記ステム部を取り囲む、凹状Ｒを有する表面であって、半径方向外向きに延びかつ前記孔の少なくとも１つと交差する、凹状Ｒを有する表面を含む、
関節窩インプラント。
【請求項８】
前記骨係合面の第１の部分は、前記関節面の周囲縁部に対してある角度で配置された第１の周囲縁部を有し、前記骨係合面の第２の部分は、前記関節面の前記周囲縁部に対して平行である第２の周囲縁部を有する、請求項７に記載の関節窩インプラント。
【請求項９】
本体部と、
ステム部であって、前記本体部から別個に形成され、かつ、前記本体部に対して取り付け可能であり、これによって、取り付けられたときに、当該ステム部が、前記本体部から長手軸に沿って延在する、ステム部と、
を備え、
前記本体部は、関節面を有し、
前記関節面の少なくとも一部分は、凹状かつ実質的に球状である表面を含み、
前記本体部は、前記関節面とは反対の骨係合面を有し、
前記骨係合面は、骨係合表面であって、当該骨係合表面上の各位置において凸状である、骨係合表面を含み、
前記骨係合表面は、前記骨係合面の周囲周り全体を延びており、
前記骨係合表面は、前記関節面の少なくとも周囲縁部に対して第１の角度α１で配置された第１の周囲縁部を有しかつ１８０°に実質的に等しい角度θだけ前記長手軸を中心にして延びる、第１の部分を含み、
前記骨係合表面は、前記関節面の少なくとも前記周囲縁部に対して第２の異なる角度α２で配置された第２の周囲縁部を有する、第２の部分を更に含み、
前記骨係合面の少なくとも一部分は、前記関節面の少なくとも前記周囲縁部に対して平行でない角度で配置されており、
前記本体部は、前記関節面と前記骨係合面との間で前記本体部を通って延びる複数の孔を含み、
前記ステム部は、前記骨係合面に隣接しかつ前記ステム部を取り囲む、凹状Ｒを有する表面であって、半径方向外向きに延びかつ前記孔の少なくとも１つと交差する、凹状Ｒを有する表面を含む、
関節窩インプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるミリメートル波ワイヤレス通信の方法であって、
指向性ビームを介して接続ポイント（ＣＰ）から送信された発見信号を受信することと、ここにおいて、前記発見信号が、前記ＣＰに関係する第１の情報を備え、前記第１の情報が前記ＣＰに関連するセル識別子（ＩＤ）およびビーム掃引構成情報を備え、前記ビーム掃引構成情報は、アップリンク関連付け信号についてのパターンを備える、
前記ビーム掃引構成情報に基づいて前記ＣＰに前記関連付け信号を送信することと、
前記送信された関連付け信号に基づいて前記ＣＰからのリソース許可を監視することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記関連付け信号が第２の指向性ビームを介して送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＰからの前記リソース許可を受信することと、
前記リソース許可を介して前記ＣＰとデータを通信することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の情報が、
アクセス構成情報、
前記セルＩＤのハッシュ値、
前記ＣＰの負荷レベル、
複数のビーム方向で前記関連付け信号を受信する前記ＣＰの能力、または
追加情報を搬送するシンボルの存在とロケーションとの指示
のうちの少なくとも１つをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アクセス構成情報は、
前記ＣＰとの関連付けを実行するための割り振られたリソースの指示、または
前記ＣＰに前記関連付け信号を送信するためのタイムスロットと、前記発見信号が前記ＣＰによって送信されるタイムスロットとの間のマッピング
のうちの少なくとも１つを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記関連付け信号は、
ＵＥ識別子（ＩＤ）、
前記ＵＥ  ＩＤのハッシュ値、
第１のパターンに従って前記ＵＥによって前記発見信号を受信するための構成、
第２のパターンに従って前記ＵＥによって前記関連付け信号を送信するための構成、
複数のビーム方向で前記発見信号を受信する前記ＵＥの能力、
前記ＵＥが受信することを予想するデータのタイプ、
前記データに関連するサービス品質（ＱｏＳ）要件、または、
前記ＵＥが、現在のデータ通信のためにリソースを要求するために前記ＣＰに関連しているのか、将来のデータ通信のために前記ＣＰに関連しているのかのインジケータ
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
接続ポイント（ＣＰ）におけるミリメートル波ワイヤレス通信の方法であって、
指向性ビームを介してユーザ機器（ＵＥ）に発見信号を送信することと、ここにおいて、前記発見信号が、前記ＣＰに関係する第１の情報を備え、前記第１の情報が前記ＣＰに関連するセル識別子（ＩＤ）およびビーム掃引構成情報を備え、前記ビーム掃引構成情報は、アップリンク関連付け信号についてのパターンを備える、
前記ビーム掃引構成情報に基づいて前記ＵＥから前記関連付け信号を受信することと、
前記受信された関連付け信号に基づいて、前記ＵＥと通信するためのリソース許可を決定することと
を備える、方法。
【請求項８】
前記関連付け信号が第２の指向性ビームを介して受信される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＵＥに前記リソース許可を送信することと、
前記リソース許可を介して前記ＵＥとデータを通信することと
をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の情報が、
アクセス構成情報、
前記セルＩＤのハッシュ値、
前記ＣＰの負荷レベル、
複数のビーム方向で前記関連付け信号を受信する前記ＣＰの能力、または
追加情報を搬送するシンボルの存在とロケーションとの指示
のうちの少なくとも１つをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記アクセス構成情報は、
前記ＣＰとの関連付けを実行するための割り振られたリソースの指示、または
前記ＣＰによって前記関連付け信号を受信するためのタイムスロットと、前記発見信号が前記ＣＰによって送信されるタイムスロットとの間のマッピング
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記関連付け信号は、
ＵＥ識別子（ＩＤ）、
前記ＵＥ  ＩＤのハッシュ値、
第１のパターンに従って前記ＵＥによって前記発見信号を受信するための構成、
第２のパターンに従って前記ＵＥによって前記関連付け信号を送信するための構成、
複数のビーム方向で前記発見信号を受信する前記ＵＥの能力、
前記ＵＥが受信することを予想するデータのタイプ、
前記データに関連するサービス品質（ＱｏＳ）要件、または、
前記ＵＥが、現在のデータ通信のためにリソースを要求するために前記ＣＰに関連しているのか、将来のデータ通信のために前記ＣＰに関連しているのかのインジケータ
のうちの少なくとも１つを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
ミリメートル波ネットワークのためのユーザ機器（ＵＥ）であって、前記ユーザ機器は、
指向性ビームを介して接続ポイント（ＣＰ）から送信された発見信号を受信するための手段と、ここにおいて、前記発見信号が、前記ＣＰに関係する第１の情報を備え、前記第１の情報が前記ＣＰに関連するセル識別子（ＩＤ）およびビーム掃引構成情報を備え、前記ビーム掃引構成情報は、アップリンク関連付け信号についてのパターンを備える、
前記ビーム掃引構成情報に基づいて前記ＣＰに前記関連付け信号を送信するための手段と、
前記送信された関連付け信号に基づいて前記ＣＰからのリソース許可を監視するための手段と
を備える、ＵＥ。
【請求項１４】
ミリメートル波ネットワークのための接続ポイント（ＣＰ）であって、前記接続ポイントは、
指向性ビームを介してユーザ機器（ＵＥ）に発見信号を送信するための手段と、ここにおいて、前記発見信号が、前記ＣＰに関係する第１の情報を備え、前記第１の情報が前記ＣＰに関連するセル識別子（ＩＤ）およびビーム掃引構成情報を備え、前記ビーム掃引構成情報は、アップリンク関連付け信号についてのパターンを備える、
前記ビーム掃引構成情報に基づいて前記ＵＥから前記関連付け信号を受信するための手段と、
前記受信された関連付け信号に基づいて、前記ＵＥと通信するためのリソース許可を決定するための手段と
を備える、ＣＰ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を準備する工程と、
導電性ペーストを前記半導体基板の受光側に対して塗布する工程であって、前記導電性ペーストは、（ｉ）導電性粉末と、（ｉｉ）ガラスフリットと、（ｉｉｉ）エラストマーを含む有機ポリマーと、（ｉｖ）有機溶媒と、を含む工程と、
塗布された導電性ペーストを焼成する工程と、
を含む、太陽電池電極を製造する方法であって、
前記エラストマーは熱可塑性であり、
前記エラストマーは、アクリルエラストマー、エチレンアクリルエラストマー、ポリイソプレンエラストマー、スチレンエラストマー、ポリエステルエラストマー、ブタジエンエラストマー、ポリイソブチレンエラストマー、ポリイソブチレン−イソプレンエラストマー、ニトリル−ブタジエンエラストマー、ポリニトリルエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー、エチレンプロピレンジエンエラストマー、ポリウレタン−ポリエーテルブロックエラストマー、ポリアミド−ポリエーテルブロックコポリマー、シロキサンエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー、イソプレンエラストマー、ニトリルエラストマー、天然エラストマー、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）エラストマー、及びこれらの混合物からなる群から選択され、
前記エラストマーは、前記有機ポリマーの重量に基づいて６〜９０重量％である、方法。
【請求項２】
（ｉ）導電性粉末と、（ｉｉ）ガラスフリットと、（ｉｉｉ）エラストマーを含む有機ポリマーと、（ｉｖ）有機溶媒と、を含む、導電性ペーストであって、
前記エラストマーは熱可塑性であり、
前記エラストマーは、アクリルエラストマー、エチレンアクリルエラストマー、ポリイソプレンエラストマー、スチレンエラストマー、ポリエステルエラストマー、ブタジエンエラストマー、ポリイソブチレンエラストマー、ポリイソブチレン−イソプレンエラストマー、ニトリル−ブタジエンエラストマー、ポリニトリルエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー、エチレンプロピレンジエンエラストマー、ポリウレタン−ポリエーテルブロックエラストマー、ポリアミド−ポリエーテルブロックコポリマー、シロキサンエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー、イソプレンエラストマー、ニトリルエラストマー、天然エラストマー、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）エラストマー、及びこれらの混合物からなる群から選択され、
前記エラストマーは、前記有機ポリマーの重量に基づいて６〜９０重量％である、導電性ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
【表３】
2017523607.tif 000001
以下に本明細書に記載の主な発明につき列記する。
［１］
半導体基板を準備する工程と、
導電性ペーストを前記半導体基板の受光側に対して塗布する工程であって、前記導電性ペーストは、（ｉ）導電性粉末と、（ｉｉ）ガラスフリットと、（ｉｉｉ）エラストマーを含む有機ポリマーと、（ｉｖ）有機溶媒と、を含む工程と、
塗布された導電性ペーストを焼成する工程と、
を含む、太陽電池電極を製造する方法。
［２］
前記エラストマーは熱可塑性である、［１］に記載の方法。
［３］
前記エラストマーは、アクリルエラストマー、エチレンアクリルエラストマー、ポリイソプレンエラストマー、スチレンエラストマー、スチレン−ブタジエンエラストマー、ポリエステルエラストマー、ブタジエンエラストマー、ポリイソブチレンエラストマー、ポリイソブチレン−イソプレンエラストマー、ニトリル−ブタジエンエラストマー、ポリニトリルエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー、エチレンプロピレンジエンエラストマー、ポリウレタン−ポリエーテルブロックエラストマー、ポリアミド−ポリエーテルブロックコポリマー、シロキサンエラストマー、エチレン−プロピレンエラストマー
、イソプレンエラストマー、ニトリルエラストマー、天然エラストマー、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）エラストマー、及びこれらの混合物からなる群から選択される、［１］に記載の方法。
［４］
前記エラストマーは、−５〜−５０℃のガラス転移温度を有する、［１］に記載の方法。
［５］
前記エラストマーの１００℃でのムーニー粘度（ＭＬ1+4）は、１０〜５０である、［１］に記載の方法。
［６］
前記エラストマーは、前記有機ポリマーの重量に基づいて５〜１００重量％である、［１］に記載の方法。
［７］
前記有機ポリマーは、前記導電性ペーストの重量に基づいて０．０１〜５．０重量％である、［１］に記載の方法。
［８］
前記導電性ペーストの重量に基づいて、前記導電性粉末は、４０〜９５重量％であり、且つ、前記ガラスフリットは、０．５〜８重量％である、［１］に記載の方法。
［９］
前記太陽電池電極は、１０〜６０μｍの幅を有する、［１］に記載の方法。
［１０］
（ｉ）導電性粉末と、（ｉｉ）ガラスフリットと、（ｉｉｉ）エラストマーを含む有機ポリマーと、（ｉｖ）有機溶媒と、を含む、導電性ペースト。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月31日(2018.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の波長を有する光を発する装置であって、ハウジング（１）と、前記ハウジング（１）内に配置された光源（２）と、前記光源（２）から発された光線のコリメートのためのコリメーティングレンズ（３）と、前記光線を合成するためのビームガイド要素とを備え、前記コリメーティングレンズ（３）はポジショニングモジュール（４）内に配置され、前記ポジショニングモジュール（４）が装置の製造過程において前記コリメーティングレンズ（３）を異なる位置に位置づけることを可能とすることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記ポジショニングモジュール（４）は立方体または六角柱形状であることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コリメーティングレンズ（３）は前記ポジショニングモジュール（４）内で偏心して配置されることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ビームガイド要素は二色鏡（５）を備えることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記ビームガイド要素はプリズム望遠鏡（６）を備えることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記プリズム望遠鏡（６）は前記光線の最適な整列のために個別に位置づけ可能な個々のプリズムから構成されることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
光源（２）は波長板（７）を、ビーム伝播方向における前記コリメーティングレンズの下流に備えることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
装置の製造方法であって、
少なくとも３つの光源（２）を、ハウジング（１）内に固定するステップと、
ポジショニングモジュール（４）を提供するステップと、
それぞれの前記光源（２）から発された光線内に、ポジショニングモジュール（４）の助けを受けてコリメーティングレンズ（３）を位置づけるステップと、
ポジショニングモジュールとハウジングとを接続するステップと、
個々の光線を合成して共通の光線を形成する目的で、前記コリメーティングレンズ（３）の下流で光線内にビームガイド要素を位置づけるステップと、を備える方法。
【請求項９】
それぞれのポジショニングモジュール（４）は適所に接着固定されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポジショニングモジュール（４）が適所に接着固定された際、接着剤の量および／または前記接着剤上への接触圧力は前記接着剤の硬化中に生じる収縮を考慮に入れて選ばれることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ビームガイド要素は二色鏡（５）を備え、前記ポジショニングモジュール（４）は個々の光線の間で前記鏡（５）上に生じ得るビームの高さの差異を補うよう位置づけられることを特徴とする、請求項８から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ポジショニングレンズのためのポジショニングモジュール（４）の使用。
【請求項１３】
少なくとも２つの光源（２）からの光線がそれぞれのコリメーティングレンズ（３）でコリメートされ、前記コリメーティングレンズ（３）はそれぞれのポジショニングモジュール（４）内に配置され、ビームガイド要素によってコリメートされたビームを合成して合成されたビームを形成することを特徴とする、光線を合成する方法。
【請求項１４】
複数の波長を有する光を発する装置であって、ハウジング（１）と、前記ハウジング（１）内に配置される光源（２）と、前記光源から発された光線をコリメートするためのコリメーティングレンズ（３）と、光線を合成するためのビームガイド要素とを備え、前記光源（２）は前記ハウジング内に圧入により固定されることを特徴とする、装置。
【請求項１５】
前記装置は前記コリメーティングレンズ（３）の下流の光源からの光の偏光を変化させる、波長板（７）を備えることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記光源（２）は、レーザーダイオードである、請求項１または請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記光源（２）は、それぞれの場合において異なる波長を有する３つの光源である、請求項１または請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記ビームガイド要素は、光源ごとに１つの二色鏡を備える、請求項４に記載の装置。
【請求項１９】
前記波長板（７）は、λ／２板である、請求項７に記載の装置。
【請求項２０】
前記固定するステップは、圧入である、請求項８に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも３つの光源（２）は、レーザーダイオードである、請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
前記ポジショニングモジュールと前記ハウジングとの接続は、永久接続である、請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
前記ポジショニングレンズは、コリメーティングレンズ（３）である、請求項１２に記載のポジショニングレンズのためのポジショニングモジュール（４）の使用。
【請求項２４】
前記少なくとも２つの光源（２）は、レーザーダイオードである、請求項１３に記載の方法。
【請求項２５】
前記コリメーティングレンズ（３）は、ポジショニングモジュール（４）内にある、請求項１４に記載の装置。
【請求項２６】
請求項１に記載の装置を製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月26日(2018.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の容積を画定する第１のリザーバを有する本体であって、前記第１のリザーバがキャリアガス入口およびキャリアガス出口を含む、本体と、
前記第１のリザーバの上方の前記本体に配置された、第２の容積を画定する第２のリザーバであって、前記第２のリザーバを前記第１のリザーバに流体結合する充填管を有する第２のリザーバと、
前記第２のリザーバから前記第１のリザーバへ延在する自動調整管と、
を備える、化学物質送出装置。
【請求項２】
前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体のレベルを検出する流体レベルセンサをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項３】
前記第２の容積に接続されたバルク補充入り口管、および前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体の検出されたレベルに基づいて前記バルク補充入り口管の開放を制御する流体入力バルブをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項４】
前記第１の容積または前記第２の容積の少なくとも１つに含まれる流体の温度を検出する温度センサをさらに備える、請求項１に記載の化学物質送出装置。
【請求項５】
前記第２のリザーバが閉じた容積のリザーバである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項６】
前記第１のリザーバおよび前記第２のリザーバが互いに分離可能である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項７】
前記第１のリザーバまたは前記第２のリザーバのうちの少なくとも１つの内部壁または底部のうちの少なくとも１つに配置された静止摩擦防止コーティングをさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項８】
前記第１のリザーバの側壁に沿って配置された第１のヒータと、
前記第２のリザーバの側壁に沿って配置された第２のヒータと、
をさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項９】
前記第１のヒータが前記第１のリザーバの底部に沿ってさらに配置される、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１０】
前記第１のリザーバの底部に沿って配置された第３のヒータをさらに備える、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１１】
前記第１および第２のヒータとは別個であり、前記第２のリザーバの底部と前記第１のリザーバの上部との間に配置されたさらなるヒータをさらに備える、請求項８に記載の化学物質送出装置。
【請求項１２】
前記キャリアガス入口が前記第１の容積の上部に隣接して、または前記第１の容積の底部に隣接して配置されている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１３】
前記第１のリザーバが前記キャリアガス入口を通って前記第１のリザーバに供給されるキャリアガスのクロスフローの経路を制御するバッフルを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１４】
前記キャリアガス入口が前記キャリアガス入口を通って供給されるキャリアガスのクロスフローの経路を制御するノズルを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【請求項１５】
前記第１のリザーバと前記第２のリザーバとの間に配置された熱バリアをさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の化学物質送出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月5日(2018.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオデータを復号する方法であって、
1つまたは複数のレイヤセットと1つまたは複数の追加のレイヤセットとを備える符号化されたビデオビットストリームを取得するステップであって、レイヤセットおよび追加のレイヤセットの各々が1つまたは複数のレイヤを含み、前記符号化されたビデオビットストリームが、前記符号化されたビデオビットストリームのパラメータを定義するビデオパラメータセット(VPS)を含み、前記1つまたは複数のレイヤセットが前記VPSの基本部分において定義され、前記1つまたは複数の追加のレイヤセットが前記VPSのVPS拡張部分において定義される、ステップと、
前記VPSから変数を復号するステップであって、前記変数は、前記VPSの基本部分と前記VPSの前記VPS拡張部分とにおいてシグナリングされるレイヤセットの総数を示す、ステップと、
前記VPSから1つまたは複数のシンタックス要素を復号するステップであって、前記1つまたは複数のシンタックス要素が、前記VPSの前記基本部分において定義される前記1つまたは複数のレイヤセットのためのレート情報と、前記変数により特定される前記VPSの前記VPS拡張部分において定義される前記1つまたは複数の追加のレイヤセットのためのレート情報とを含む、ステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数のシンタックス要素が、前記1つまたは複数のレイヤセットおよび前記1つまたは複数の追加のレイヤセットの各々の異なるレイヤセットのための異なるレート情報を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記レート情報がビットレート情報を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記レート情報がピクチャレート情報を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がフラグを含み、前記フラグが、ビットレート情報が追加のレイヤセットについて利用可能であるかどうかを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がフラグを含み、前記フラグが、ピクチャレート情報が追加のレイヤセットについて利用可能であるかどうかを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がシンタックス要素を含み、前記シンタックス要素が追加のレイヤセットの平均ビットレートを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がシンタックス要素を含み、前記シンタックス要素が追加のレイヤセットの最大ビットレートを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がシンタックス要素を含み、前記シンタックス要素が、追加のレイヤセットが不変のピクチャレートを有するかどうかを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がシンタックス要素を含み、前記シンタックス要素が追加のレイヤセットの平均ピクチャレートを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記VPS中の前記1つまたは複数のシンタックス要素がフラグを含み、前記フラグが、追加のレイヤセット中のレイヤが出力レイヤセットのターゲット出力レイヤであるかどうかを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
ワイヤレス通信デバイス上で実行可能であり、前記ワイヤレス通信デバイスが、
前記ビデオデータを記憶するように構成されるメモリと、
前記メモリに記憶されている前記ビデオデータを処理するための命令を実行するように構成されるプロセッサと、
前記符号化されたビデオビットストリームを受信するように構成される受信機とを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記ワイヤレス通信デバイスが携帯電話であり、前記符号化されたビデオビットストリームがセルラー通信規格に従って変調される、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
プロセッサによって実行されると請求項1乃至13の何れか1項に記載の方法を実行する命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
1つまたは複数のレイヤセットと1つまたは複数の追加のレイヤセットとを備える符号化されたビデオビットストリームを取得するための手段であって、レイヤセットおよび追加のレイヤセットの各々が1つまたは複数のレイヤを含み、前記符号化されたビデオビットストリームが、前記符号化されたビデオビットストリームのパラメータを定義するVPSを含み、前記1つまたは複数のレイヤセットが前記VPSの基本部分において定義され、前記1つまたは複数の追加のレイヤセットが前記VPSのVPS拡張部分において定義される、手段と、
前記VPSから変数と1つまたは複数のシンタックス要素とを復号するための手段であって、前記変数は、前記VPSの基本部分と前記VPSの前記VPS拡張部分とにおいてシグナリングされるレイヤセットの総数を示し、前記1つまたは複数のシンタックス要素が、前記VPSの前記基本部分において定義される前記1つまたは複数のレイヤセットのためのレート情報と、前記変数により特定される前記VPSの前記VPS拡張部分において定義される前記1つまたは複数の追加のレイヤセットのためのレート情報とを含む、手段とを備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月4日(2018.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオデータを符号化する方法であって、
複数のレイヤを備える符号化ビデオビットストリームを生成するステップであって、前記符号化ビデオビットストリームが、1つまたは複数のシーケンスパラメータセット(SPS)と、ビデオパラメータセット(VPS)とを含む、ステップと、
前記符号化ビデオビットストリームのベースレイヤに割り当てられたシーケンスパラメータセットのための1つまたは複数の表現フォーマットパラメータを、制約に従って生成するステップであって、前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータが、解像度、ビット深度、またはピクチャ幅のうちの1つまたは複数を含み、前記制約が、前記SPSの中の前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータの値を、前記VPSの中の前記ベースレイヤに割り当てられている対応する表現フォーマットパラメータの値以下であるように限定する、ステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータが、カラーフォーマットをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ビデオパラメータセットの中でシグナリングされる前記表現フォーマットパラメータが、1つまたは複数のデコーダとのセッション交渉のために使用される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法を実行させる命令を記憶したコンピュータ可読記録媒体。
【請求項５】
複数のレイヤを備える符号化ビデオビットストリームを生成するための手段であって、前記符号化ビデオビットストリームが、1つまたは複数のシーケンスパラメータセット(SPS)と、ビデオパラメータセット(VPS)とを含む、手段と、
前記符号化ビデオビットストリームのベースレイヤに割り当てられたシーケンスパラメータセットのための1つまたは複数の表現フォーマットパラメータを、制約に従って生成するための手段であって、前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータが、解像度、ビット深度、またはピクチャ幅のうちの1つまたは複数を含み、前記制約が、前記SPSの中の前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータの値を、前記VPSの中の前記ベースレイヤに割り当てられている対応する表現フォーマットパラメータの値以下であるように限定する、手段と
を備える装置。
【請求項６】
前記1つまたは複数の表現フォーマットパラメータが、カラーフォーマットをさらに含む、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記ビデオパラメータセットの中でシグナリングされる前記表現フォーマットパラメータが、1つまたは複数のデコーダとのセッション交渉のために使用される、請求項5に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月1日(2018.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるワイヤレス通信の方法であって、
ハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）プロセスに関連するアップリンク（ＵＬ）送信のコンテンツに基づいて、前記ＨＡＲＱプロセスのためのＵＬ再送信が不要であると決定することと、
前記決定に少なくとも部分的に基づいて間欠受信（ＤＲＸ）スリープ期間を識別することと、
前記ＤＲＸスリープ期間の間ＤＲＸスリープ状態に入ることと
を備える、方法。
【請求項２】
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスのためのＵＬ再送信サブフレーム期間を含む、または、
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であるという前記決定が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）にさらに基づく、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）と新しいＨＡＲＱプロセスとの間のサブフレーム期間を備える、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連するアップリンク送信と新しいＨＡＲＱプロセスとの間のサブフレーム期間を備える、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連するダウンリンク（ＤＬ）ＡＭサブフレーム期間を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンテンツが媒体アクセス制御（ＭＡＣ）レイヤデータを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスのための物理ＨＡＲＱインジケータチャネル（ＰＨＩＣＨ）サブフレーム期間を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であると決定することは、
前記ＭＡＣレイヤデータがＭＡＣレイヤパディングデータを含むと決定すること
を備える、請求項３に記載の方法、または、
前記コンテンツが非アプリケーションデータを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であるという前記決定が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）にさらに基づき、
前記ＡＭが、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する適応再送信の指示なしに送信されたと決定することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＤＲＸスリープ期間の後にＤＲＸアクティブ状態に入ること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるワイヤレス通信のための装置であって、
ハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）プロセスに関連するアップリンク（ＵＬ）送信のコンテンツに基づいて、前記ＨＡＲＱプロセスのためのＵＬ再送信が不要であると決定するための手段と、
前記決定に少なくとも部分的に基づいて間欠受信（ＤＲＸ）スリープ期間を識別するための手段と、
前記ＤＲＸスリープ期間の間ＤＲＸスリープ状態に入るための手段と
を備える、装置。
【請求項９】
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスのためのＵＬ再送信サブフレーム期間を含む、または、
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であると決定するための前記手段が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）にさらに基づく、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）と新しいＨＡＲＱプロセスとの間のサブフレーム期間を備える、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連するアップリンク送信と新しいＨＡＲＱプロセスとの間のサブフレーム期間を備える、または、
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連するダウンリンク（ＤＬ）ＡＭサブフレーム期間を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記コンテンツが媒体アクセス制御（ＭＡＣ）レイヤデータを備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＤＲＸスリープ期間が、前記ＨＡＲＱプロセスのための物理ＨＡＲＱインジケータチャネル（ＰＨＩＣＨ）サブフレーム期間を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であると決定するための前記手段は、
前記ＭＡＣレイヤデータがＭＡＣレイヤパディングデータを含むと決定するためにさらに構成される、請求項１０に記載の装置、または、
前記コンテンツが非アプリケーションデータを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記ＨＡＲＱプロセスのための前記ＵＬ再送信が不要であると決定するための前記手段が、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する確認応答メッセージ（ＡＭ）にさらに基づき、
前記ＡＭが、前記ＨＡＲＱプロセスに関連する適応再送信の指示なしに送信されたと決定するための手段
をさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記ＤＲＸスリープ期間の後にＤＲＸアクティブ状態に入るための手段
をさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
命令を備えるコンピュータプログラム製品であって、
前記命令は、請求項１乃至７のいずれかにしたがった方法を実行することをコンピュータによって実行可能である、
コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス端末であって、
複数のリソースの複数のプールの或るセットを示す情報をノードから受信する受信部と、
前記複数のリソースの複数のプールの或るセットから複数のリソースの或るプールを選択するプール選択部と、
複数のリソースの前記プールを用いてサイドリンク直接送信データを送信する送信部とを備える、ワイヤレス端末。
【請求項２】
前記情報は、前記複数のプールに関連する優先度の情報を含んでおり、
前記プール選択部は、前記優先度に基づいて選択する、請求項１に記載のワイヤレス端末。
【請求項３】
複数のリソースの前記プールから１つ以上の無線リソースを選択する無線リソース選択部をさらに備え、
前記送信部は、前記１つ以上の無線リソースを用いて前記サイドリンク直接送信データを送信する、請求項１または２に記載のワイヤレス端末。
【請求項４】
ワイヤレス端末における方法であって、
複数のリソースの複数のプールの或るセットを示す情報をノードから受信する受信ステップと、
前記複数のリソースの複数のプールの或るセットから複数のリソースの或るプールを選択するプール選択ステップと、
複数のリソースの前記プールを用いてサイドリンク直接送信データを送信する送信ステップとを含む、方法。
【請求項５】
前記情報は、前記複数のプールに関連する優先度の情報を含んでおり、
前記プール選択ステップは、前記優先度に基づいて選択する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
複数のリソースの前記プールから１つ以上の無線リソースを選択する無線リソース選択ステップをさらに含み、
前記送信ステップは、前記１つ以上の無線リソースを用いて前記サイドリンク直接送信データを送信する、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
ワイヤレス端末と通信する或るノードであって、
複数のリソースの或るプールが前記ワイヤレス端末によって選択されることになる複数のリソースの複数のプールの或るセットを決定する決定部と、
複数のリソースの複数のプールの前記セットを示す情報をブロードキャストする送信部とを備える、ノード。
【請求項８】
複数のリソースの前記プールは、サイドリンク直接送信のために、前記ワイヤレス端末によって選択されることになる、請求項７に記載のノード。
【請求項９】
ワイヤレス端末と通信する或るノードにおける方法であって、
複数のリソースの或るプールが前記ワイヤレス端末によって選択されることになる複数のリソースの複数のプールの或るセットを決定する決定ステップと；
複数のリソースの複数のプールの前記セットを示す情報をブロードキャストする送信ステップとを含む、方法。
【請求項１０】
複数のリソースの前記プールは、サイドリンク直接送信のために、前記ワイヤレス端末によって選択されることになる、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月10日(2018.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハ上にゲートを形成するステップであって、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、デバイス領域と、埋込み絶縁体と、基板とを備える、ステップと、
マスクとして前記ゲートを使用して前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハに処理を施すステップであって、前記処理が、前記埋込み絶縁体内に処理された絶縁体領域を作製する、ステップと、
前記基板の少なくとも一部を除去するステップと、
前記基板の前記一部を除去した後、前記ゲートと整合した残りの絶縁体領域を形成するために、前記埋込み絶縁体から前記処理された絶縁体領域を選択的に除去するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハに前記処理を施した後、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハにハンドルウェハを結合するステップをさらに備え、
前記基板の少なくとも一部を除去するステップが、前記基板全体を除去するステップを備え、
前記ハンドルウェハが、前記基板を除去する間、および前記基板が除去された後、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの前記デバイス領域に安定化力を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理された絶縁体領域を除去した後、前記残りの絶縁体領域上に熱伝導層を形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記処理が、前記埋込み絶縁体へのドーパントイオンの注入を備え、
前記処理された絶縁体が、エッチングガスを使用して除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記処理された絶縁体領域を除去した後、前記デバイス領域の一部を除去するステップをさらに備え、
前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、第２の埋込み絶縁体と第２のデバイス領域とを備え、
前記ゲートが、前記第２のデバイス領域内に形成されるチャネルのためのゲート電極を備え、
前記デバイス領域が、前記第２のデバイス領域内に形成されるチャネルのための追加のゲート電極を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理された絶縁体領域を除去した後、前記残りの絶縁体領域上に歪み層を形成するステップをさらに備え、
前記処理された絶縁体領域の除去が、前記デバイス領域を露出させ、
前記歪み層を形成するステップが、前記残りの絶縁体領域上および前記デバイス領域上への歪み材料のブランケット堆積を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの上面上にゲートを形成するステップと、
前記ゲートを形成した後、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの絶縁体層内に処理された領域を形成するために、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの上面に処理を施すステップと、
前記絶縁体層を露出させるために、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの裏面から基板を除去するステップと、
前記基板を除去した後、前記絶縁体層から前記処理された領域を選択的に除去するステップと
を備え、
前記ゲートが、前記処理された領域が自己整合的に形成されるように、前記処理された領域をパターン化するために使用される、方法。
【請求項８】
前記処理が、前記絶縁体層へのイオンの注入を備え、
前記処理された領域が、エッチングガスを使用して除去される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板を除去する前、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの上面にハンドルウェハを取り付けるステップと、
前記処理された領域を除去した後、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの裏面上に歪み層を堆積するステップと
をさらに備え、
前記歪み層が、前記絶縁体層の残りの部分の上に、および前記ゲートの下に位置するチャネル内のキャリアの移動度を高め、
前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、シリコン基板を備え、
前記基板が、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハの裏面から研削によって少なくとも部分的に除去され、
前記絶縁体層が、二酸化ケイ素を備え、
前記処理が、前記絶縁体層へのイオン注入を備え、
前記処理された領域が、エッチングガスを使用して除去され、
前記ゲートが、完全空乏トランジスタのチャネルを制御する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理された絶縁体領域を除去した後、デバイス領域の一部を除去するステップをさらに備え、
前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、埋込み絶縁体の上の第２の埋込み絶縁体と、前記デバイス領域の上の第２のデバイス領域とを備え、
前記ゲートが、前記第２のデバイス領域内に形成されるチャネルのためのゲート電極を備え、
前記デバイス領域が、前記第２のデバイス領域内に形成されるチャネルのための追加のゲート電極を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハ上に形成されたゲートであって、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、デバイス領域と埋込み絶縁体とを備え、前記ゲートが、前記デバイス領域の上面上に形成され、前記デバイス領域が、１００ナノメートル未満の厚さである、ゲートと、
（ｉ）前記埋込み絶縁体の掘削領域内、（ｉｉ）前記デバイス領域の裏側、および（ｉｉｉ）前記埋込み絶縁体の残りの領域の垂直エッジに沿って位置する堆積層と
を備え、
前記ゲートの垂直エッジが、許容誤差内で前記埋込み絶縁体の前記残りの領域の前記垂直エッジに整合され、
前記許容誤差が、８０ナノメートル未満である、半導体デバイス。
【請求項１２】
前記堆積層が、歪み層であり、
前記ゲートが、前記デバイス領域に接触し、
前記歪み層が、前記ゲートに関連するチャネル領域内に歪を誘起させることによって、前記デバイス内のキャリアの移動度を高める、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記堆積層が、熱伝導層であり、
前記ゲートが、前記デバイス領域内に形成される、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記セミコンダクタ・オン・インシュレータウェハが、第２のデバイス領域と第２の埋込み絶縁体とを備え、
前記堆積層が、歪み層であり、
前記ゲートが、前記第２のデバイス領域と接触し、チャネルに関連付けられ、
前記デバイス領域が、前記チャネルに関連する第２のゲートを備える、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記半導体デバイスが、超薄ボディ領域を備え、
前記半導体デバイスが、完全空乏シリコン・オン・インシュレータトランジスタを備える、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークノードにおいて動作可能なワイヤレス通信の方法であって、
前記ネットワークノードにより、第1のデバイスおよび第2のデバイスの各々との半二重通信を使用することによって、前記第1のデバイスおよび前記第2のデバイスと通信するステップと、
前記ネットワークノードにより、前記第1のデバイスと前記第2のデバイスとの間のデバイス間経路損失を判定するステップと、
前記ネットワークノードにより、前記第1のデバイスと前記第2のデバイスとの間の前記デバイス間経路損失が閾値よりも大きい場合、前記第1のデバイスと前記第2のデバイスを、第1の時間周波数リソースを使用するように協調スケジュールするステップとを含む方法。
【請求項２】
前記第2のデバイスに干渉発見信号を送信するのに使用するためのリソースを前記第1のデバイスに割り振るステップと、
前記割り振られたリソースを示す信号を前記第1のデバイスに送信するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
複数のデバイスペアの中からの各ペアの間の前記デバイス間経路損失が判定されるまで、一連のスロットにわたって、前記割り振られたリソースの時間周波数位置をランダムに変えるステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記干渉発見信号を送信するためのデバイスのサブセットを、複数のデバイスの中から選択するステップをさらに含み、前記第1のデバイスは前記サブセットの一部であり、前記サブセットは前記複数のデバイスの中からランダムに選択される、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
デバイス間経路損失を判定する前記ステップは、
前記第1のデバイスと前記第2のデバイスとの間の距離を判定するステップと、
前記距離に従って前記デバイス間経路損失を推論するステップとを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のデバイスと前記第2のデバイスの前記協調スケジューリングは、前記第1および第2のデバイスと、前記ネットワークノードとの間の経路損失の判定にさらに従う、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記ネットワークノードは、バックホール通信インターフェースを使用してアップストリームノードと通信するように構成されたリレーノードを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
ユーザ機器(UE)において動作可能なワイヤレス通信の方法であって、
半二重通信を使用してネットワークノードと通信するステップと、
干渉UEから干渉発見信号を受信するステップと、
前記受信された干渉発見信号の強度に対応する干渉報告を前記ネットワークノードに送信するステップと、
前記ネットワークノードからリソース割振りを受信するステップであって、前記リソース割振りは、前記受信された干渉発見信号の前記強度に対応する経路損失が閾値よりも大きい場合にのみ、前記干渉UEと協調スケジュールされる、ステップとを含む方法。
【請求項９】
干渉発見信号を受信する前記ステップは、前記UEがアップリンク送信のためにスケジュールされていない時間周波数リソース中に、干渉UEからアップリンク送信を受信するステップを含み、
干渉報告を送信する前記ステップは、前記アップリンク送信が受信された前記時間周波数リソースを報告するステップを含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記UE向けの、構成された送信電力が送信電力閾値未満の場合、前記UEにおける全二重通信を可能にするステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
1つまたは複数の干渉消去能力パラメータに対応する情報要素を送信するステップをさらに含み、前記干渉消去能力パラメータは、前記UEの干渉消去能力を示す、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
ワイヤレス通信のために構成されたネットワークノードであって、
少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサに通信可能に結合されたコンピュータ可読媒体と、
前記少なくとも1つのプロセッサに通信可能に結合されたトランシーバとを備え、
前記少なくとも1つのプロセッサは、
第1のデバイスおよび第2のデバイスの各々との半二重通信を使用することによって、前記第1のデバイスおよび前記第2のデバイスと通信するのに、前記トランシーバを使用し、
前記第1のデバイスと前記第2のデバイスとの間のデバイス間経路損失を判定し、
前記第1のデバイスと前記第2のデバイスとの間の前記デバイス間経路損失が閾値よりも大きい場合、前記第1のデバイスと前記第2のデバイスを、第1の時間周波数リソースを使用するように協調スケジュールするように構成される、ネットワークノード。
【請求項１３】
前記少なくとも1つのプロセッサは、
ワイヤレスデバイスと前記ネットワークノードとの間の単一デバイス経路損失を判定するようにさらに構成される、請求項12に記載のネットワークノード。
【請求項１４】
前記第1のデバイスと前記第2のデバイスを協調スケジュールするように構成されている前記少なくとも1つのプロセッサは、前記第1のデバイスまたは前記第2のデバイスのうちの少なくとも1つによって使用されるデータレートおよび/またはデータタイプに従って、前記第1のデバイスと前記第2のデバイスを協調スケジュールするようにさらに構成される、請求項12に記載のネットワークノード。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のために構成されたユーザ機器(UE)であって、
少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサに通信可能に結合されたコンピュータ可読媒体と、
前記少なくとも1つのプロセッサに通信可能に結合されたトランシーバとを備え、
前記少なくとも1つのプロセッサは、
半二重通信を使用してネットワークノードと通信するのに、前記トランシーバを使用し、
干渉UEから干渉発見信号を受信するのに、前記トランシーバを使用し、
前記受信された干渉発見信号の強度に対応する干渉報告を前記ネットワークノードに送信するのに、前記トランシーバを使用し、
前記ネットワークノードからリソース割振りを受信するのに、前記トランシーバを使用し、前記リソース割振りは、前記受信された干渉発見信号の前記強度に対応する経路損失が閾値よりも大きい場合にのみ、前記干渉UEと協調スケジュールされるように構成される、UE。