【手続補正書】
【提出日】平成30年3月14日(2018.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素含有膜を堆積するための組成物であって、
１−クロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５−ヘキサクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、及び１，３，５−トリクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサンからなる群より選択される環状ハローカルボシランと、
１，３−ビス（ジメチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（ジエチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、及び１−（ジメチルアミノ）−１，３，３−トリクロロ−１，３−ジシラシクロブタンからなる群より選択される環状ハローアミノカルボシランと、
１，１，３，３−テトラキス（メチルアミノ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラキス（ジメチルアミノ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（メチルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、及び１，３−ビス（イソ−プロピルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタンからなる群より選択される環状アミノカルボシランと
からなる群より選択される少なくとも１つの前駆体を含む、組成物。
【請求項２】
炭素ドープ酸化ケイ素膜及び炭素ドープ酸窒化ケイ素膜から選択される炭素ドープケイ素含有膜を堆積するための方法であって、
基材を反応器中に設置する工程と、
約２５〜約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に前記反応器を加熱する工程と、
環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、環状アミノカルボシラン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシラン前駆体を導入する工程と、
前記少なくとも１つの環状カルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程と、
任意選択で、前記炭窒化ケイ素膜を酸素源にさらして、約１００〜１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で、前記炭窒化ケイ素膜を前記炭素ドープケイ素含有膜に変換する工程と
を含む、方法。
【請求項３】
アニール、プラズマ、紫外線光照射、レーザー照射、電子ビーム照射、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つで、前記ケイ素含有膜を処理することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記環状カルボシランが、１−クロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５−ヘキサクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、及び１，３，５−トリクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサンからなる群より選択される環状ハローカルボシランを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記環状カルボシランが、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（ジエチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、及び１−（ジメチルアミノ）−１，３，３−トリクロロ−１，３−ジシラシクロブタンからなる群より選択される環状ハローアミノカルボシランを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記環状カルボシランが、１，１，３，３−テトラキス（メチルアミノ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラキス（ジメチルアミノ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（メチルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、及び１，３−ビス（イソ−プロピルアミノ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタンからなる群より選択される環状アミノカルボシランを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記炭素ドープケイ素含有膜が、ＸＰＳで測定した場合に、約１０原子量％以上の炭素含有量を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記炭素ドープケイ素含有膜が、希フッ酸で測定した場合に、約０．１５Å／秒以下のウェットエッチ速度を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
炭化ケイ素膜及び炭素ドープ窒化ケイ素膜から選択されるケイ素含有膜を堆積するための方法であって、
半導体基材を反応器中に設置する工程と、
約２５〜約７００℃の範囲の１つ又は複数の温度に前記反応器を加熱し、任意選択で、１００ｔｏｒｒ以下の圧力で前記反応器を維持する工程と、
環状ハローカルボシラン、環状ハローアミノカルボシラン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの環状カルボシランを導入する工程と、
前記カルボシラン前駆体と反応して、前記ケイ素含有膜を形成するのに十分な条件下で、窒素含有プラズマ源を前記反応器に導入する工程と
を含む、方法。
【請求項１０】
前記窒素含有プラズマ源が、窒素プラズマ、窒素及びヘリウム含有プラズマ、窒素及びアルゴン含有プラズマ、アンモニアプラズマ、アンモニア及びヘリウム含有プラズマ、アンモニア及びアルゴン含有プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、ネオンプラズマ、水素プラズマ、水素及びヘリウム含有プラズマ、水素及びアルゴン含有プラズマ、有機アミンプラズマ、有機ジアミンプラズマ、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
アニール、プラズマ処理、紫外線光照射、レーザー照射、電子ビーム照射、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つで、前記ケイ素含有膜を処理することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
酸素源に前記ケイ素含有膜をさらして、前記ケイ素含有膜を酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸素源が、水蒸気、水プラズマ、含酸素水、含酸素水蒸気、酸素、酸素プラズマ、酸素及びヘリウム含有プラズマ、酸素及びアルゴン含有プラズマ、窒素酸化物含有プラズマ、二酸化炭素含有プラズマ、過酸化水素、有機過酸化物、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記環状カルボシランが、１−クロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１−ヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１−ジヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラブロモ−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラヨード−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジクロロ−１，３−ジメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５−ヘキサクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、及び１，３，５−トリクロロ−１，３，５−トリシラシクロヘキサンからなる群より選択される環状ハローカルボシランを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記環状カルボシランが、１，３−ビス（ジメチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ビス（ジエチルアミノ）−１，３−ジクロロ−１，３−ジシラシクロブタン、及び１−（ジメチルアミノ）−１，３，３−トリクロロ−１，３−ジシラシクロブタンからなる群より選択される環状ハローアミノカルボシランを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
炭素ドープ酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
基材を反応器中に設置する工程と、
以下の式Ｉ及びＩＩ
【化１】
2018506185.tif 000001
を有し、式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5及びＸ6が、それぞれ独立して、水素原子；Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択されるハライド原子；式ＮＲ1Ｒ2を有するアミノ基であって、式中、Ｒ1及びＲ2が、独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10直鎖状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10分枝状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10環状アルキル基、Ｃ3〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ4〜Ｃ10アリール基、及びＣ4〜Ｃ10複素環基からなる群より選択されるアミノ基から選択される少なくとも１つの環状カルボシラン前駆体を導入する工程と、
前記少なくとも１つの環状カルボシラン前駆体と反応して、炭素ドープ窒化ケイ素膜を形成するのに十分な条件下で、窒素源を導入する工程と、
前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を前記炭素ドープ酸化ケイ素膜に変換するのに十分な条件下で、前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を酸素源にさらす、さらし工程と
を含む、方法。
【請求項１７】
前記前駆体が式Ｉを含み、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4がＣｌである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記さらし工程が、前記酸素源の存在下で前記炭素ドープ窒化ケイ素膜を熱アニールすることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸素源が、空気及び水のうち少なくとも１つを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭素ドープ酸化ケイ素を水素含有プラズマで処理することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。