【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物体の動きを測定するための磁場センサであって、前記動きはｘ、ｙ及びｚ直交軸を有するｘｙｚ直交座標内のｘ−ｚ平面内であり、
前記ｘ−ｚ平面に対する平行から約２０度の範囲内の主平面を有する基板と、
前記基板の前記主平面上に配置された複数の磁場検知素子であって、前記複数の磁場検知素子のそれぞれが、前記基板の前記主平面に平行な主応答軸を有しており、それぞれの複数の磁場信号を生成するように構成される、複数の磁場検知素子と、
前記基板上に配置され、前記複数の磁場検知素子に結合された電子回路であって、
前記複数の磁場信号のそれぞれ１つをそれぞれの閾値信号と比較してそれぞれの複数の２進信号を生成するように構成される少なくとも１つのアナログ比較器又はデジタル比較器であって、前記複数の２進信号の状態は対象物体の位置を表す、少なくとも１つのアナログ比較器又はデジタル比較器と、
前記複数の２進信号に結合される不揮発性メモリ装置であって、前記複数の２進信号を復号して対応する不揮発性メモリ装置出力信号を生成するように動作可能であり、前記不揮発性メモリ装置出力信号は前記対象物体の動きの速度及び方向を表す、不揮発性メモリ装置と
を含む、電子回路と
を含む、磁場センサ。
【請求項２】
前記複数の磁場検知素子は、複数の磁気抵抗素子を含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３】
前記不揮発性メモリ装置は、さらに、前記磁場センサの測定された動作特性を表す値を記憶するよう動作可能であり、前記記憶された値は、第１の期間に記憶され、前記記憶された値は、前記第１の期間の後の第２の異なる期間に再呼び出しされ、使用される、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項４】
前記電子回路は、さらに、
前記不揮発性メモリ装置出力信号を使用して前記対象物体の動きの速度及び方向を表す出力プロトコル信号を生成するように動作可能な出力プロトコルモジュールを含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５】
前記基板に近接して配置された磁石をさらに含み、前記磁石は、前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成するために少なくとも２つの極を有する、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項６】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記複数の磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体の方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項５に記載の磁場センサ。
【請求項７】
前記対象物体は、複数の交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記対象物体は、前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成する、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項８】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記複数の磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体の方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項７に記載の磁場センサ。
【請求項９】
前記複数の磁場検知素子は、前記ｘ軸に対する平行から約２０度の範囲内で一列に配置される、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１０】
前記電子回路は、前記不揮発性メモリ装置出力信号を使用するように結合され、前記対象物体の動きの速度及び方向を表す出力プロトコルモジュール出力信号を生成するように動作可能な出力プロトコルモジュールをさらに含む、
請求項９に記載の磁場センサ。
【請求項１１】
前記複数の磁場検知素子は、複数の磁気抵抗素子を含む、
請求項９に記載の磁場センサ。
【請求項１２】
前記複数の磁場検知素子の最大応答軸は、互いに平行である、
請求項９に記載の磁場センサ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのアナログ比較器又はデジタル比較器は少なくとも１つのデジタル比較器を含み、
前記電子回路は、
前記複数の磁場信号を変換して少なくとも１つの変換信号を生成するように動作可能な少なくとも１つのアナログデジタル変換器をさらに含み、前記少なくとも１つのデジタル比較器は前記少なくとも１つの変換信号を受信するように動作可能である、
請求項９に記載の磁場センサ。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのアナログデジタル変換器は、複数のアナログデジタル変換器を含み、前記複数のアナログデジタル変換器のそれぞれは、前記複数の磁場検知素子のそれぞれに結合される、
請求項１３に記載の磁場センサ。
【請求項１５】
前記電子回路は、
前記少なくとも１つの変換信号を受信するために結合された閾値計算モジュールであって、前記閾値計算モジュールが前記複数の磁場信号の振幅を表す複数の閾値を生成するように構成される、閾値計算モジュールをさらに含み、
前記不揮発性メモリ装置は、前記複数の閾値を記憶するようにさらに動作可能であり、
前記不揮発性メモリ装置は、前記複数の閾値を前記少なくとも１つのデジタル比較器へ提供するようにさらに動作可能である、
請求項１３に記載の磁場センサ。
【請求項１６】
前記複数の閾値は、前記電子回路に電源が供給されていないときの期間の間記憶され、前記複数の閾値は、前記電子回路に電源が供給されたときに前記複数のアナログ比較器又はデジタル比較器に提供される、
請求項１５記載の磁場センサ。
【請求項１７】
前記複数の閾値は、第１の期間の間記憶され、前記複数の閾値は、前記第１の期間の後の第２の異なる期間の間に前記複数のアナログ比較器又はデジタル比較器に提供される、
請求項１５に記載の磁場センサ。
【請求項１８】
前記複数の磁場検知素子は、複数の縦型ホール効果素子を含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１９】
前記対象物体は、回転するように構成される強磁性ギアを含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２０】
前記対象物体は、回転するように構成される強磁性リング磁石を含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２１】
前記複数の磁場検知素子は、前記対象物体に近接する円弧に配置され、前記複数の磁場検知素子の最大応答軸は、互いに平行である、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２２】
前記複数の磁場検知素子は、前記対象物体に近接する円弧に配置され、前記複数の磁場検知素子の最大応答軸は、互いに平行でない、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２３】
前記基板は、前記基板の前記主平面に直交するラインが前記対象物体と交差し且つ前記複数の磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体の方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２４】
前記対象物体は、非強磁性導電対象物体を含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２５】
前記電子回路は、
前記複数の磁場信号を変換して少なくとも１つの変換信号を生成するように動作可能な少なくとも１つのアナログデジタル変換器であって、前記少なくとも１つのデジタル比較器は前記少なくとも１つの変換信号を受信するように動作可能である、少なくとも１つのアナログデジタル変換器をさらに含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２６】
対象物体の動きを測定するための磁場センサであって、前記動きはｘ、ｙ及びｚ直交軸を有するｘｙｚ直交座標内のｘ−ｚ平面内であり、
前記ｘ−ｚ平面に対する平行から約２０度の範囲内の主平面を有する基板と、
前記基板の前記主平面上に配置された２つの磁場検知素子であって、前記２つの磁場検知素子が、前記基板の前記主平面に平行なそれぞれの主応答軸を有しており、前記２つの磁場検知素子が、互いに平行なそれぞれの主応答軸を有しており、前記２つの磁場検知素子を通過するラインは前記対象物体に向かう方向に延在せず、前記２つの磁場検知素子はそれぞれの２つの磁場信号を生成するように構成される、２つの磁場検知素子と、
前記２つの磁場信号を受信するように結合され、前記２つの磁場検知素子に対する前記対象物体の位置を表す出力信号を生成するように構成された差動増幅器と
を含む、磁場センサ。
【請求項２７】
前記基板に近接して配置された磁石をさらに含み、前記磁石は、前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成するために少なくとも２つの極を有する、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項２８】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記２つの磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体に向かう方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項２７に記載の磁場センサ。
【請求項２９】
前記対象物体は、複数の交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記対象物体は、前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成する、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項３０】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記２つの磁場検知素子を通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体に向かう方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項２９に記載の磁場センサ。
【請求項３１】
前記２つの磁場検知素子は平面ホール素子を含む、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項３２】
前記２つの磁場検知素子は縦型ホール素子を含む、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項３３】
前記２つの磁場検知素子は磁気抵抗素子を含む、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項３４】
対象物体の動きを測定するための磁場センサであって、前記動きはｘ、ｙ及びｚ直交軸を有するｘｙｚ直交座標内のｘ−ｚ平面内であり、
２つの磁場検知素子によって生成された２つの磁場信号を前記磁場センサ内で受信するための手段であって、前記２つの磁場検知素子は基板上に配置され、前記基板は前記ｘ−ｚ平面に対する平行から約２０度の範囲内の主平面を有し、前記２つの磁場検知素子が、前記基板の前記主平面に平行なそれぞれの主応答軸を有しており、前記２つの磁場検知素子が、互いに平行なそれぞれの主応答軸を有しており、前記２つの磁場検知素子を通過するラインは前記対象物体に向かう方向に延在しない、手段と、
前記２つの磁場検知素子に対する前記対象物体の位置を表す出力信号を前記磁場センサ内で生成するための手段であって、前記出力信号は前記２つの磁場信号の差に関連する、手段と
を含む、磁場センサ。
【請求項３５】
前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成するための手段をさらに含む、
請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項３６】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記２つの磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体に向かう方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項３５に記載の磁場センサ。
【請求項３７】
前記対象物体は、複数の交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記対象物体は、前記基板の前記主平面に平行な磁場を生成する、
請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項３８】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記２つの磁場検知素子を通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体に向かう方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項３９】
前記２つの磁場検知素子は平面ホール素子を含む、
請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項４０】
前記２つの磁場検知素子は縦型ホール素子を含む、
請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項４１】
前記２つの磁場検知素子は磁気抵抗素子を含む、
請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項４２】
対象物体の動きを測定するための磁場センサであって、前記動きはｘ、ｙ及びｚ直交軸を有するｘｙｚ直交座標内のｘ−ｚ平面に平行であり、
前記ｘ−ｚ平面に対する平行から約２０度の範囲内の主平面を有する基板と、
前記基板の前記主平面上に配置された複数の磁場検知素子であって、前記複数の磁場検知素子のそれぞれが、前記基板の前記主平面に実質的に平行な主応答軸を有しており、前記複数の磁場検知素子が、それぞれの複数の磁場信号を生成するように構成され、前記複数の磁場検知素子は、少なくとも１つの円形縦型ホール（ＣＶＨ）検知素子として形成される、複数の磁場検知素子と、
前記基板に固定して結合された磁石であって、前記基板の前記主平面に実質的に平行な磁場を生成するために少なくとも２つの極を有する、磁石と
を含む、磁場センサ。
【請求項４３】
前記基板上に配置され、前記複数の磁場検知素子に結合される電子回路をさらに含み、
前記電子回路は、
前記磁場センサの測定された動作特性を表す値を記憶するように動作可能な不揮発性メモリ装置を含む、
請求項４２に記載の磁場センサ。
【請求項４４】
前記記憶された値は、第１の期間中に記憶され、前記記憶された値は、前記第１の期間の後の第２の異なる期間中に再呼び出しされ、使用される、
請求項４３に記載の磁場センサ。
【請求項４５】
前記基板上に配置され、前記複数の磁場検知素子に結合される電子回路をさらに含み、
前記電子回路は、
前記複数の磁場信号を使用して前記対象物体の動きの方向を決定するように動作可能な出力プロトコルモジュールを含む、
請求項４２に記載の磁場センサ。
【請求項４６】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記複数の磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体の方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項４２に記載の磁場センサ。
【請求項４７】
前記対象物体は、複数の交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記対象物体は、前記基板の前記主平面に実質的に平行な磁場を生成する、
請求項４２に記載の磁場センサ。
【請求項４８】
前記基板の前記主平面は、前記基板の前記主平面に直交し且つ前記複数の磁場検知素子のうちの少なくとも１つを通過するラインが前記対象物体と交差し、前記基板の前記主平面に平行なラインが前記対象物体の方向にあるように、前記対象物体と重なる、
請求項４７に記載の磁場センサ。
【請求項４９】
前記複数の磁場検知素子は、前記ｘ軸に対する平行から約２０度の範囲内で一列に配置される、
請求項４２に記載の磁場センサ。