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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の強化繊維及び熱可塑性材料を含む多孔質コア層を含み、前記多孔質コア層が、前記多孔質コア層内に均一に分散された膨張可能グラファイト粒子をさらに含む、熱可塑性複合物品。
【請求項２】
前記膨張可能グラファイト粒子が、放射加熱後に前記多孔質コア層の厚さを少なくとも５０％増加させるのに有効である、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項３】
前記膨張可能グラファイト粒子が、対流加熱時にロフトに対して実質的に不感応であるように選択される、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項４】
前記複数の強化繊維が、ガラス繊維、アラミド繊維、グラファイト繊維、炭素繊維、無機鉱物繊維、金属繊維、金属化された合成繊維、及び金属化された無機繊維の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項５】
前記熱可塑性材料が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、アクリロニトリルスチレン、ブタジエン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンテトラクロレート、ポリビニルクロリド、ポリフェニレンエーテル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリエステル、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−スチレンポリマー、アモルファスナイロン、ポリアリーレンエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ（１，４−フェニレン）化合物、シリコーン及びそれらの混合物の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項６】
前記熱可塑性材料が粒子を含み、前記熱可塑性材料の粒子の平均粒径が前記膨張可能グラファイト粒子の平均粒径に類似し、５０％未満の差異を有する、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項７】
前記多孔質コア層が難燃性を提供し、ハロゲン不含有である、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項８】
前記多孔質コア層中に難燃剤をさらに含み、前記難燃剤がＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅの少なくとも１つを含む、請求項７に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項９】
前記多孔質コア層が難燃性を提供し、難燃剤を含まない、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１０】
前記多孔質コア層中にロフト剤をさらに含む、請求項１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１１】
熱可塑性材料によって一緒に保持された強化繊維のランダム交差を含む連続気泡構造のウェブを含む多孔質コア層であって、前記連続気泡構造の前記ウェブに均一に分散された膨張可能グラファイト粒子をさらに含む前記多孔質コア層を含む、熱可塑性複合物品。
【請求項１２】
前記膨張可能グラファイト粒子が、放射加熱後に前記多孔質コア層の厚さを少なくとも５０％増加させるのに有効である、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１３】
前記膨張可能グラファイト粒子が、対流加熱時にロフトに対して実質的に不感応であるように選択される、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１４】
前記複数の強化繊維が、ガラス繊維、アラミド繊維、グラファイト繊維、炭素繊維、無機鉱物繊維、金属繊維、金属化された合成繊維、及び金属化された無機繊維の少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１５】
前記熱可塑性材料が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、アクリロニトリルスチレン、ブタジエン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンテトラクロレート、ポリビニルクロリド、ポリフェニレンエーテル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリエステル、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−スチレンポリマー、アモルファスナイロン、ポリアリーレンエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ（１，４−フェニレン）化合物、シリコーン及びそれらの混合物の少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１６】
前記熱可塑性材料が粒子を含み、前記膨張可能グラファイト粒子の平均粒径が前記熱可塑性材料粒子の平均粒径の少なくとも５０％である、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１７】
前記多孔質コア層が難燃性を提供し、ハロゲン不含有である、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１８】
前記多孔質コア層中に難燃剤をさらに含み、前記難燃剤がＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項１９】
前記多孔質コア層が難燃性を提供し、難燃剤を含まない、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【請求項２０】
前記多孔質コア層中にロフト剤をさらに含む、請求項１１に記載の熱可塑性複合物品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のポリ（アリーレンエーテルケトン）（ＰＡＥＫ）粉体又は第一のＰＡＥＫ粉体の混合物を圧密化することによって形成されたシートを微粉砕して、第二のＰＡＥＫ粉体又は第二のＰＡＥＫ粉体の混合物を形成させる工程を含む方法であって、
ここで、前記第二のＰＡＥＫ粉体又は第二のＰＡＥＫ粉体の混合物が、約１０ミクロン〜約２０００ミクロンの間の中央粒子直径と、約１０ミクロン〜約２０００ミクロンの間の中央粒子直径を有する非圧密化のＰＡＥＫ粉体又はＰＡＥＫ粉体の混合物に比較して少なくとも９％は高い嵩密度と、を有している、
方法。
【請求項２】
前記第二の粉体又は粉体の混合物の粒子サイズが、約２５０ミクロン〜約２０００ミクロンの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第二の粉体又は粉体の混合物の粒子サイズが、約１０ミクロン〜１５０ミクロンの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シートが、約５００ｐｓｉ以上の圧力で圧密化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＰＡＥＫがポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第二の粉体又は粉体の混合物の嵩密度が、０．３０ｇ／ｃｍ3以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第二の粉体又は粉体の混合物の嵩密度が、０．３２ｇ／ｃｍ3以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第二の粉体又は粉体の混合物の嵩密度が、０．３６ｇ／ｃｍ3以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記圧密化が、ロール圧密成形である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
粉体であって、ＰＡＥＫ又はＰＡＥＫの混合物を含み、２５０ミクロン〜約２０００ミクロンの間の中央粒子直径、及び０．３ｇ／ｃｍ3超の嵩密度を有する、粉体。
【請求項１１】
０．３ｇ／ｃｍ3超かつ０．９０ｇ／ｃｍ3未満の嵩密度を有する、請求項１０に記載の粉体。
【請求項１２】
０．３２ｇ／ｃｍ3以上の嵩密度を有する、請求項１０に記載の粉体。
【請求項１３】
前記ＰＡＥＫが、ＰＥＫＫである、請求項１０に記載の粉体。
【請求項１４】
追加の流動助剤又は添加剤を実質的に含まない、請求項１０に記載の粉体。
【請求項１５】
粉体であって、ＰＡＥＫ又はＰＡＥＫの混合物を含み、１０ミクロン〜約１５０ミクロンの間の中央粒子直径、及び０．３ｇ／ｃｍ3以上の嵩密度を有する、粉体。
【請求項１６】
約４５ミクロン〜約５５ミクロンの間の中央粒子直径を有する、請求項１５に記載の粉体。
【請求項１７】
前記ＰＡＥＫがＰＥＫＫである、請求項１５に記載の粉体。
【請求項１８】
追加の流動助剤又は添加剤を実質的に含まない、請求項１５に記載の粉体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月21日(2018.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素ミクロ構造であって該炭素ミクロ構造間に格子間空間を有する炭素ミクロ構造と、
該格子間空間の少なくとも一部に配列された結合剤と、を含み、
前記炭素ミクロ構造が前記炭素ミクロ構造内に未充填空隙を含む、炭素複合体。
【請求項２】
前記炭素ミクロ構造内の前記未充填空隙が約２０ｎｍ〜約１μｍのサイズを有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項３】
前記炭素複合体が約４％より大きい弾性伸びを有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項４】
前記格子間空間が約０．１μｍ〜約１００μｍのサイズを有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項５】
前記結合剤が前記炭素ミクロ構造間の前記格子間空間の約１０％〜約９０％を占有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項６】
前記炭素ミクロ構造が機械的インターロッキングによって結合されている、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項７】
化学結合、固溶体、又はそれらの組み合わせが少なくとも幾つかの炭素ミクロ構造と前記結合剤との間に形成される、請求項６に記載の炭素複合体。
【請求項８】
前記炭素ミクロ構造が約１〜約２００μｍの厚みを有し、約１０〜約５００μｍの直径を有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項９】
前記炭素ミクロ構造が黒鉛のミクロ構造を含む、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１０】
前記黒鉛が膨張黒鉛、膨張性黒鉛、天然黒鉛、合成黒鉛、または前述の少なくとも１つを含む組み合わせを含む、請求項９に記載の炭素複合体。
【請求項１１】
前記炭素ミクロ構造が膨張黒鉛のミクロ構造を含む、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１２】
前記結合剤がＳｉＯ２、Ｓｉ、Ｂ、Ｂ２Ｏ３、金属、該金属の合金、または前述の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、前記金属がアルミニウム、銅、チタン、ニッケル、タングステン、クロム、鉄、マンガン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、モリブデン、スズ、ビスマス、アンチモン、鉛、カドミウム、及びセレンの少なくとも１種である、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１３】
前記結合剤が鋼、ニッケル−クロム系合金、ニッケル−銅系合金、または前述の少なくとも１つを含む組み合わせを含む、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１４】
炭素繊維、カーボンブラック、雲母、粘土、ガラス繊維、セラミック繊維、セラミック中空構造体、または前述の少なくとも１つを含む組み合わせを更に含む、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１５】
前記炭素複合体の合計重量を基準にして約２０〜約８０重量％の前記炭素を含む、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１６】
前記炭素複合体が約０．５〜約１０ｇ／ｃｍ３の密度を有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１７】
前記炭素複合体が約−６５°Ｆ（約−５４℃）から最大約１２００°Ｆ（約６４９℃）までの動作温度の範囲で耐熱性を有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１８】
前記炭素複合体が水、オイル、かん水（ブライン）、及び酸に対して化学的に耐性がある、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項１９】
前記炭素複合体がショアＡで約５０からショアＤスケールで最大約７５までの硬度を有する、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項２０】
１５％歪み及び６００°Ｆ（約３１６℃）における前記複合体の試料のシール力が緩和なしで約５８００ｐｓｉにおいて少なくとも２０分間維持される、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項２１】
前記複合体がバー、ブロック、シート、チューブ、円筒形ビレット、トロイド、粉末、又はペレットの形態である、請求項１に記載の炭素複合体。
【請求項２２】
請求項１に記載の炭素複合体を含むシートであって、該シートが約１０μｍ〜約１０ｃｍの厚みを有する、シート。
【請求項２３】
請求項１に記載の炭素複合体を含む粉末であって、該粉末が約１０μｍ〜約１ｃｍの平均サイズを有する粒子を含む、粉末。
【請求項２４】
請求項１に記載の炭素複合体を含む複数のペレットであって、前記ペレットが約０．５ｃｍ〜約５ｃｍの平均サイズを有する粒子を含む、複数のペレット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月24日(2018.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸組成物を１つの機器の内部表面と接触させることを含む水性システムのｐＨを低下させる方法であって、前記酸組成物がフルオロ無機アニオンを有する窒素塩基の塩を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記水性システムが生産水、給水、表面水、地下水、またはこれらの組合せであることを特徴とする方法。
【請求項３】
地下の炭化水素含有層からの原油の回収を増大する方法であって、フルオロ無機アニオンを有する窒素塩基の塩を含む酸組成物を、前記地下の炭化水素含有層と接触する井中に注入することを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記酸組成物を、前記地下の炭化水素含有層の、隣接する区域より流体に対する透過性が低い区域に向かわせることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の方法であって、
前記地下の炭化水素含有層が砂岩貯留層または炭酸塩貯留層を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
井の内部表面と酸組成物を接触させることにより無機または有機析出物を除去する方法であって、前記表面が、析出物を形成する化学種を含有する液体と接触し、前記酸の溶液が、フルオロ無機アニオンを有する窒素塩基の塩を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記井が油井、地熱井、処分井、または還元井であることを特徴とする方法。
【請求項８】
洗浄用組成物を１つの機器の内部表面と接触させることを含む、シリカもしくはケイ酸塩析出物を除去するかまたはシリカもしくはケイ酸塩析出を抑制する方法であって、前記内部表面が、シリカもしくはケイ酸塩を含有しシリカもしくはケイ酸塩析出物を有するかまたはシリカもしくはケイ酸塩析出物を形成し易い液体と接触し、前記洗浄用組成物が消泡剤およびフルオロ無機アニオンを有する窒素塩基の塩を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１、２、および８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記１つの機器が地熱表面システム、熱処理回復システム、製糖システム、またはエタノール生産システムで使用される蒸発器または蒸気発生器であることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記フルオロ無機アニオンがホウ酸またはリン酸アニオンであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記フルオロ無機アニオンがテトラフルオロホウ酸イオンを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法であって、
前記窒素塩基が尿素、ビウレット、アルキル尿素、アルカノールアミン、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、アルキルジアミン、アルキルトリアミン、アルキルテトラミン、ポリアミン、アクリルアミド、ポリアクリルアミド、ビニルピロリドン、ポリビニルピロリドン、またはこれらの組合せであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法であって、
前記フルオロ無機アニオンがテトラフルオロホウ酸イオンを含み、前記窒素塩基が尿素を含み、前記塩を調製するのに使用される尿素対テトラフルオロホウ酸のモル比が１：３〜３：１であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法であって、
前記消泡剤がシリコーン、エトキシル化、プロポキシル化Ｃ１４〜Ｃ１８アルコール、エトキシル化、プロポキシル化Ｃ６〜Ｃ１０アルコール、プロピレンオキシドグリコールポリマー、またはこれらの組合せを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記酸組成物の濃度が注入される水性混合物の総重量を基準にして約５ｗｔ．％〜約３０ｗｔ．％であることを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年7月2日(2018.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平円筒状本体と、端部カバーと、少なくとも2つの膜カートリッジと、供給ガス注入ノズルと、残留物排出ノズルと、透過物排出ノズル、とを備え、前記膜カートリッジは、本体の内側に注入領域と遮蔽領域を有し、中心の左右方向軸に対し互いに反対側に位置し、中空繊維の円筒状の束を備え、その中空繊維の端部が、前記モジュール端部カバーの近くに位置する前面充填材の端面で封止された中空繊維の端部は開口しているが、前記本体中心付近の前記カートリッジの反対側の前記端部では前面充填材に完全に封止されているような方法により前記前面充填材で封止された、膜ガス分離モジュールにおいて、前記本体は、円錐形の移行部を介して径小な中央部と結合された径大で対称的な端部を備え、前記端部の長さは、前記本体の端と膜カートリッジの注入領域とによって制限される長さに一致し、前記中央部の内径は、リングガスケットを用いて膜カートリッジをシールポイントに自由に着脱できるように構成されており、一方で、前記本体中央部の内径は、本体内に膜カートリッジを確実に装着する最適なサイズに径小化され、供給ガス注入ノズルは、膜カートリッジの注入領域の前に前記本体の長手方向軸に垂直に前記本体端部に配置され、透過物出力ノズルは、前記本体の長手方向軸に垂直に端部カバーに近い本体端部に配置されることを特徴とする膜ガス分離モジュール。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
設定された課題は、ここに提案された発明により解決される。それによれば、例えば水平円筒形本体、端部カバー、本体内側に注入領域および遮蔽領域を有し中央横軸に対し互いに反対側に位置する少なくとも2つの膜カートリッジなどの膜ガス分離モジュールの既知の特徴に従い、中空繊維の円筒状の束と、端部と、供給ガス注入ノズルと、残留物排出ノズルと、透過物排出ノズルと、を備え、前記端部は、前記モジュールの端部カバー近傍に配置された充填材の端面で封止された、中空繊維の端部が開口するような方法で、前面充填材上に封止され、その一方で、中空繊維の端部は、前記本体の中央部近傍の、前記カートリッジの反対側の端部で、前面充填材上に完全に封止される発明が、以下のような独自の態様を有する。本体は、円錐形の移行部分によって径小の中央部と結合される径大で対称的な端部を備える。この場合、端部の長さは、前記本体の端と膜カートリッジの注入領域とによって制限される長さに一致し、中央部の内径は、リングガスケットでシールポイントへ膜カートリッジを自由に取り付け/取り外しできるように形成される一方で、本体内に膜カートリッジを確実に装着できる寸法まで縮小される。供給ガス注入ノズルは、膜カートリッジの注入領域の前に長手方向軸に垂直に本体端部に配置され、透過物排出ノズルは、本体長手方向軸に垂直に端部カバーに近い本体端部に配置される。供給ガス注入ノズルは、膜カートリッジの注入領域の前に長手方向軸に垂直に本体端部に配置され、透過物排出ノズルは、本体長手方向軸に垂直に端部カバーに近い本体端部に配置される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
膜モジュールは、円筒形本体１、端部カバー２、供給ガス注入ノズル３、透過物排出ノズル４および残留物排出ノズル５を備える。少なくとも2つの膜カートリッジ６が、本体の内側に、中心の左右方向軸に対しお互いに反対側に位置している。本体は、円錐形の移行部８を介して径小な中央部９と結合された径大で対称的な端部７を備える。径大な端部の長さは、本体の端と膜カートリッジ６の注入領域１４とによって制限される長さに一致する。本体中央部９の内径は、膜カートリッジ６の遮蔽領域の外径に対応しており、リングガスケット１６を用いてシールポイントに自由に着脱できるように構成されており、一方で、前記本体中央部の内径は、本体内に膜カートリッジを確実に装着する最適なサイズに径小化される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月21日(2018.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下流の消費機器に液体を供給するためのシステムであって、
気体を液体中に溶解するための装置であって、
前記装置に液体を供給する液体入口と、
前記装置内の前記液体に気体を供給する気体入口であって、前記液体入口と流体連通し、前記液体入口の下流にある気体入口と、
前記液体入口および前記気体入口と流体連通し、それらの下流にあるベンチュリ管であって、前記ベンチュリ管を通過する前記液体中に前記気体を溶解するように配置されているベンチュリ管と、
前記ベンチュリ管と流体連通し、前記ベンチュリ管の下流にある前記液体および溶解した気体のための出口と、
を含む装置、および
前記装置の前記出口と流体連通し、前記出口の下流にある保持容積部、を含むシステム。
【請求項２】
前記保持容積部が、液体を前記保持容積部に供給するための液体源と流体連通している液体入口を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記液体源と流体連通し、前記液体源の下流にある液体源ポンプを含み、前記液体源ポンプが、前記液体源から前記保持容積部に液体を圧送するように配置される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記保持容積部が、前記保持容積部中の前記液体のレベルを測定するように配置されたレベルセンサーを含み、前記レベルセンサーが、前記液体源ポンプにフィードバックを与えるように配置される、請求項２または請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記保持容積部が、前記保持容積部中の前記液体の導電率を測定するように配置された導電率センサーを含み、前記導電率センサーが、前記液体源ポンプにフィードバックを与えるように配置される、請求項２、請求項３または請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記装置の前記液体入口と流体連通し、前記液体入口の上流にあり、および前記保持容積部と流体連通し、前記保持容積部の下流にある入口ポンプを含み、前記入口ポンプが、前記保持容積部から前記装置の前記液体入口に前記液体を圧送し、および前記液体を前記装置を通って圧送するように配置される、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記保持容積部が、前記保持容積部中の前記液体の溶解酸素の濃度を測定するように配置された酸素センサーを含み、前記酸素センサーが、前記液体入口ポンプにフィードバックを与えるように配置される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
下流の消費機器を含み、前記保持容積部が、前記保持容積部から前記下流の消費機器に液体が供給されるように、下流の消費機器の入口と流体連通している、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記保持容積部と流体連通し、前記保持容積部の下流にある出口ポンプを含み、前記出口ポンプが、前記保持容積部から前記下流の消費機器に液体を圧送するように配置される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記下流の消費機器が、前記下流の消費機器中の前記液体の溶解酸素の濃度を測定するように配置された酸素センサーを含み、前記下流の消費機器の前記酸素センサーが、前記出口ポンプにフィードバックを与えるように配置される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記保持容積部が、前記保持容積部の外側の雰囲気と流体連通しているベントを含む、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記保持容積部が、前記保持容積部中の前記液体を撹拌するための攪拌器を含む、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記液体中の気泡を低減するための手段を含む、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記保持容積部が、前記保持容積部の前記液体中の気泡を低減するための手段を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記気泡低減手段が、前記保持容積部中に超音波を放出するように配置された超音波放射源を含む、請求項１３または請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記保持容積部が、前記保持容積部中の気泡の存在を検出するように配置された気泡センサーを含み、前記気泡センサーが、前記気泡低減手段にフィードバックを与えるように配置される、請求項１３、請求項１４または請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記システムから余剰気体を抜くための手段を含む、請求項１〜請求項１６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記気体を抜く手段が、前記装置の前記出口の下流にプレナムチャンバーを含み、前記プレナムチャンバーが、前記装置から余剰気体を抜くための圧力逃がし弁を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記センサー中の前記液体の圧力を測定するように配置された圧力センサーを含み、前記圧力センサーが、前記圧力逃がし弁にフィードバックを与えるように配置される、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記レベルセンサー、前記導電率センサー、前記保持容積部中の前記酸素センサー、前記下流の消費機器中の前記酸素センサー、前記気泡センサーおよび前記圧力センサーの内の１つまたは複数を受信するように、および前記液体源ポンプ、前記液体入口ポンプ、前記出口ポンプ、前記気泡低減手段および前記圧力逃がし弁の内の１つまたは複数に、それぞれフィードバック制御信号を送るように配置された制御装置を含む、請求項４、請求項５、請求項６、請求項１０、請求項１６および請求項１９のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パイプを形成するためのパイプコルゲータであって、前記コルゲータは、対向する一連の鋳型ブロックを有し、前記対向する一連の鋳型ブロックは、入口において一緒になり、かつ一次駆動部によって駆動されて、移動鋳型トンネルを形成し、前記鋳型ブロックは、前記移動鋳型トンネルの出口において分離し、改善点は、前記移動鋳型トンネルの前記出口において、前記鋳型ブロックの分離を制御する鋳型ブロック移送ステーションを含む各一連の鋳型ブロックであり；前記鋳型ブロック移送ステーションは、前記移動鋳型トンネルの前記出口において、前記移動鋳型トンネルの最後のブロックを移動させるための第１の駆動機構および第２の駆動機構を有し；
前記第１の駆動機構は、前記最後の鋳型ブロックに係合して、形成されたパイプを取り除くために十分に前記最後の鋳型ブロックの鋳型空洞が動かされた分離位置へと前記最後の鋳型ブロックを前記移動鋳型トンネルの長手方向軸に対して略垂直の方向に一次的に変位させ、かつ前記最後の鋳型ブロックが、前記移動鋳型トンネルの前記入口に戻るために、それぞれの鋳型移送ステーションの第２の駆動機構によって、その後回転される、パイプコルゲータにおいて。
【請求項２】
前記第１の駆動機構は、前記移動鋳型トンネルの鋳型ブロックを、前記鋳型ブロックの幅に等しい距離分移動させるために必要とされる時間に対応する期間内に、前記最後の鋳型ブロックを前記分離位置に移動させる、請求項１に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項３】
前記第１の駆動機構は、各鋳型ブロック上に提供される移送ピンに係合し、かつ鋳型ブロック内の係合された鋳型ブロックを前記分離位置に移動させるための複数のアクチュエータを含み、各アクチュエータは、グリッパおよび起動アームを含む、請求項１または請求項２に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項４】
前記第１の駆動機構は、前記第２の駆動機構に接続され、かつそれとともに回転する、請求項３に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項５】
前記第１の駆動機構の前記複数のアクチュエータは、少なくとも４つのアクチュエータを含む、請求項３または請求項４に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項６】
前記第１の駆動機構および前記第２の駆動機構において、どの時点においても、鋳型ブロックの最大数は、８つ未満の鋳型ブロックである、請求項１から５のいずれか一項に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項７】
どの時点においても、前記第１の駆動機構および前記第２の駆動機構における、鋳型ブロックの最大数は、４以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項８】
同期的に駆動される第１および第２の一連の鋳型ブロックの鋳型ブロックを当接させることによって画定される移動鋳型トンネルを有するパイプコルゲータにおいて、第１および第２の駆動機構の使用によって、前記移動鋳型トンネルへの出口において、鋳型ブロックを係合解除する方法であって、前記第１の駆動機構は、前記移動鋳型トンネルの前記最後の鋳型ブロックに係合して、前記移動鋳型トンネルの前記長手方向軸から離れるように略垂直方向に変位させ、前記移動鋳型トンネルが鋳型ブロックの幅の２倍未満の距離を通じて移動して、変位された鋳型ブロックを、長手方向軸から離れた分離位置に位置付け、その後、前記第２の駆動機構を使用して、前記変位された鋳型ブロックを回転させて、前記鋳型トンネルの入口に鋳型ブロックを送給する鋳型ブロック戻り駆動部に提供する、方法。
【請求項９】
分離する最後の鋳型ブロックによって画定される前記鋳型トンネルの前記出口と、鋳型ブロックが前記鋳型ブロック戻り駆動部に提供される位置との間の鋳型ブロックの数を、８つ未満の鋳型ブロックに制限することを含む、請求項８に記載のパイプコルゲータにおいて。
【請求項１０】
前記移動鋳型トンネルの前記出口における前記最後の鋳型ブロックと、鋳型ブロックが前記鋳型ブロック戻り駆動部に提供される位置との間の鋳型ブロックの数を、各一連の鋳型ブロックに対して、４つの鋳型ブロックに制限することを含む、請求項８に記載のパイプコルゲータにおいて。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月6日(2018.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本開示の新規の概念の真の趣旨および範囲から逸脱することなく、多数の変更形態および変形形態を実施することができることが、上記から認識される。図示の特定の実施形態に対する限定は意図しておらず、そのような限定が推定されるべきではないことは理解されよう。本開示は、特許請求の範囲の範囲内にある全ての変更形態を包含することが意図される。
なお、本発明は以下の特徴を以って実施することができる。
［特徴１］
積層ノズル組立体において、
第１の流体入口と第２の流体入口とを有した第１の端部プレートと、
第２の端部プレートと、
前記第１と前記第２の端部プレートの間に配置、挟持される複数のノズルプレートと、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第１の流体入口に連通する第１の流体通路と、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第２の流体入口に連通する第２の流体通路と、
前記複数のノズルプレートの１枚に形成され、前記第１の流体通路に連通する第１のオリフィスと、
前記第１のオリフィスと同一のノズルプレートに形成され、前記第２の流体通路に連通する第２のオリフィスとを具備し、
前記第１と前記第２のオリフィスとは同一平面に配置されている積層ノズル組立体。
［特徴２］
前記複数のノズルプレートは、８枚より少ない枚数のノズルプレートを含む特徴１に記載の積層ノズル組立体。
［特徴３］
前記複数のノズルプレートは、５以下の枚数のノズルプレートを含む特徴１に記載の積層ノズル組立体。
［特徴４］
複数の第１のオリフィスおよび第２のオリフィスを備える特徴１に記載の積層ノズル組立体。
［特徴５］
前記複数の第１のオリフィスおよび第２のオリフィスは同一平面に配置されている特徴４に記載の積層ノズル組立体。
［特徴６］
前記複数のノズルプレートのうち少なくともいくつかは、約0.005mm〜約0.500mmの厚さを有する特徴１に記載の積層ノズル組立体。
［特徴７］
前記積層ノズル組立体は、第１の流体プレナムおよび第２の流体プレナムの一方または双方を備え、該第１の流体プレナムおよび／または該第２の流体プレナムは、それぞれ前記第１の端部プレートおよび／または前記第２の端部プレート内にある特徴１に記載の積層ノズル組立体。
［特徴８］
３枚のノズルプレートを備える特徴７に記載の積層ノズル組立体。
［特徴９］
３枚のノズルプレートを備える特徴３に記載の積層ノズル組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層ノズル組立体において、
第１の流体入口と第２の流体入口とを有した第１の端部プレートと、
第２の端部プレートと、
前記第１と前記第２の端部プレートの間に配置、挟持される複数のノズルプレートと、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第１の流体入口に連通する第１の流体通路と、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第２の流体入口に連通する第２の流体通路と、
前記第１と第２の端部プレートの間で前記複数のノズルプレートのうちの１枚のノズルプレートに形成され、前記第１の流体通路に連通し、該ノズル集成体から第１の流体を吐出する第１のオリフィスと、
前記第１と第２の端部プレートの間で前記第１のオリフィスと同一の前記１枚のノズルプレートに形成され、前記第２の流体通路に連通し、該ノズル集成体から第２の流体を吐出する第２のオリフィスとを具備し、
前記第１のオリフィスは、前記１枚のノズルプレートの第１の側面で前記第１の流体通路から第１の流体を受け取り、前記第２のオリフィスは、前記１枚のノズルプレートの前記第１の側面とは反対側の第２の側面で前記第２の流体通路から前記第２の流体を受け取るようになっており、
前記第１と前記第２のオリフィスが同一平面に配置されている積層ノズル組立体。
【請求項２】
積層ノズル組立体において、
第１の流体入口と第２の流体入口とを有した第１の端部プレートと、
第２の端部プレートと、
前記第１と前記第２の端部プレートの間に配置、挟持される複数のノズルプレートと、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第１の流体入口に連通する第１の流体通路と、
前記複数のノズルプレートのうち１枚以上のノズルプレートに形成され、前記第２の流体入口に連通する第２の流体通路と、
前記複数のノズルプレートのうちの１枚のノズルプレートに形成され、前記第１の流体通路に連通する第１のオリフィスと、
前記第１のオリフィスと同一の前記１枚のノズルプレートに形成され、前記第２の流体通路に連通する第２のオリフィスとを具備し、
前記第１と前記第２のオリフィスが同一平面に配置されており、
前記複数のノズルプレートは５枚以下のノズルプレートを含み、
前記第１と第２のオリフィスが形成された前記１枚のノズルプレートは、前記複数のノズルプレートのうちの他のノズルプレートの間で中央部に配置されたノズルプレートである積層ノズル組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月18日(2018.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
（a）液体および気相を含むように構成された装置内にプロセス化学物質を含む非水性溶液を提供し、前記非水性溶液は、前記プロセス化学物質のある量の無水蒸気を含む気相を有すること、
（b）キャリアガスまたは真空を該気相に触れさせて、ガス流を形成すること、および
（c）前記無水蒸気を含むガス流を重要なプロセスまたは用途へ送達すること
を含み、前記プロセス化学物質はヒドラジンまたは過酸化水素である、方法。
【請求項２】
下記パラメータのうちの少なくとも1つを変化させることによって前記気相の少なくとも1つの成分の濃度を変化させることをさらに含む、請求項1に記載の方法：（a）前記非水性溶液の温度、（b）該非水性溶液の圧力、（c）該非水性溶液の濃度、（d）前記キャリアガスの温度、（e）該キャリアガスまたは真空の圧力、および（f）該キャリアガスの流速。
【請求項３】
少なくとも1つの膜が前記装置内に配置され、前記膜は、前記非水性溶液から前記気相を少なくとも部分的に分離するように構成されている、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記無水蒸気が、前記非水性溶液のいずれの他成分よりも速い速度で前記膜を透過する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記膜が、イオン交換膜である、請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記ガス流から汚染物質を除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記キャリアガスが、窒素、アルゴン、水素、清浄な乾燥空気、ヘリウムならびに、室温および大気圧で安定なその他のガスよりなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記非水性溶液にエネルギーを加えることによって前記気相の少なくとも1つの成分の濃度を変化させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記非水性溶液が、ポリアニリン、ポリピロール、ポリピリジンまたはポリビニルアルコールのポリマーおよびオリゴマーよりなる群から選択される溶媒をさらに含み、該溶液の粘度が約35cp以下である、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記非水性溶液が、モノグリム、ジグリム、トリグリム、ヒグリム、テトラグリム、ポリグリコールDME200、ポリグリコールDME250、ポリグリコールDME500、ポリグリコールDME1000、ポリグリコールDME2000、ヘキサメチルホスホルアミドおよびヘキサメチレンテトラミンよりなる群から選択される溶媒をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記非水性溶液がPEG化溶媒をさらに含み、該PEG化溶媒が、温度約25℃のときに液体である、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記非水性溶液が、ポリ（エチレングリコール）ジメチルエーテルをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記非水性溶液が、約25重量％〜約69重量％のヒドラジンを含む非水性ヒドラジン溶液である、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
前記非水性ヒドラジン溶液が、約65重量％〜約69重量％のヒドラジンを含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記非水性ヒドラジン溶液が、0.1％、0.01％、0.001％またはそれ未満の水を含有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記ガス流内の送達される無水蒸気の濃度が、送達平均濃度の約5％以内または約3％以内で安定している、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
化学物質送達システムであって、
（a）液体および気相を含むように構成された装置；
（b）前記装置内に提供されたプロセス化学物質を含む非水性溶液であって、前記プロセス化学物質のある量の無水蒸気を含む気相を有する非水性溶液；および
（c）前記気相に流体接触し、前記無水蒸気を含むガス流を形成するように構成されたキャリアガスまたは真空
を含み、
前記プロセス化学物質がヒドラジンまたは過酸化水素であり、前記装置が前記ガス流を重要なプロセスまたは用途へ送達するように構成された出口を含む、
化学物質送達システム。
【請求項１８】
下記パラメータのうちの少なくとも1つを変化させることによって前記気相の少なくとも1つの成分の濃度を変化させるように構成された１以上の構成要素をさらに含む、請求項17に記載の化学物質送達システム：（a）前記非水性溶液の温度、（b）該非水性溶液の圧力、（c）該非水性溶液の濃度、（d）前記キャリアガスの温度、（e）該キャリアガスまたは真空の圧力、および（f）該キャリアガスの流速。
【請求項１９】
前記装置が、前記非水性溶液から前記気相を少なくとも部分的に分離するように構成された少なくとも1つの膜を含む、請求項17に記載の化学物質送達システム。
【請求項２０】
前記膜が、イオン交換膜である、請求項19に記載の化学物質送達システム。
【請求項２１】
前記キャリアガスが、窒素、アルゴン、水素、清浄な乾燥空気、ヘリウムならびに、室温および大気圧で安定なその他のガスよりなる群から選択される、請求項17に記載の化学物質送達システム。
【請求項２２】
前記装置が、前記非水性溶液にエネルギーを加えるように構成された構成要素をさらに含む、請求項17に記載の化学物質送達システム。
【請求項２３】
前記非水性溶液が溶媒をさらに含む、請求項17に記載の化学物質送達システム。
【請求項２４】
前記溶媒が、ポリ（エチレングリコール）ジメチルエーテルである、請求項23に記載の化学物質送達システム。
【請求項２５】
前記非水性溶液が、約25重量％〜約69重量％のヒドラジンを含む非水性ヒドラジン溶液である、請求項17に記載の化学物質送達システム。
【請求項２６】
装置であって、
（a）入口ポートおよび出口ポートを含み、液体および気相を含むように構成された筐体；
（b）第１末端および第２末端を含み、前記筐体内に配置され、前記筐体内に存在すれば、液体と触れるように構成された管状膜であって、前記第１末端が前記入口ポートと流体連通する、管状膜；および
（c）前記筐体内に配置され、前記出口ポートと流体連通する液はね防止材であって、前記管状膜の第２末端を保持し、液体が前記筐体から出て行くことを防止するように構成された液はね防止材を含む、装置。
【請求項２７】
前記管状膜が、イオン交換膜である、請求項26に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
静止型ミキサー５０が中間ミキサー５５として使用された場合、供給管４０に沿って測定された分配器３０又はステータ１００の、約２０倍未満の長さＺの範囲内にあり得る。理論に束縛されるものではないが、そのように静止型ミキサー５０を配置することによって、いったん前駆体物質２０が分配器３０又はステータ１００に到達した後は、供給管４０の断面にわたる温度変動が緩和され得ると考えられる。静止型ミキサー５０を分配器３０又はステータ１００に近づけて配置することにより、供給管４０の断面にわたる温度が均一化される。静止型ミキサー５０は、供給管４０に沿って測定された分配器３０又はステータ１００の、約１０倍未満の長さＺの範囲内にあり得る。静止型ミキサー５０は、供給管４０に沿って測定された分配器３０又はステータ１００の、約５倍未満の長さＺの範囲内にあり得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
香料入り布地処理粒子（９０）を形成するためのプロセスであって、
前駆体物質（２０）を提供する工程と、
前記前駆体物質を前記供給管（４０）に供給する工程と、
前記供給管と流体連通している中間ミキサー（５５）を提供する工程と、
前記前駆体物質を静止型ミキサー（５０）である前記中間ミキサーに通過させる工程と、
複数の開口部（６０）を有する分配器（３０）を提供する工程と、
前記前駆体物質を前記供給管から前記分配器に運搬する工程と、
前記前駆体物質を前記開口部に通過させる工程と、
前記分配器の下方に移動式コンベヤー（８０）を提供する工程と、
前記前駆体物質を前記移動式コンベヤー上に堆積させる工程と、
前記前駆体物質を冷却し、複数の粒子（９０）を形成する工程と、
を含み、前記前駆体物質が、２０００〜１３０００の重量平均分子量を有する４０重量％超のポリエチレングリコールと、０．１％〜２０重量％の香料とを含む、プロセス。
【請求項２】
前記供給管が有効内径を有し、前記中間ミキサーが、有効内径１００ｃｍ未満の前記供給管に沿って前記分配器からある距離範囲内にある、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記静止型ミキサーが、前記静止型ミキサー内の流れの方向に長さ（Ｚ）を有し、前記静止型ミキサーが、前記供給管に沿って測定された前記分配器の２０倍未満の長さの範囲内にある、請求項１又は請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記前駆体物質が、０．１重量％〜２０重量％のカプセル化香料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記静止型ミキサーが、螺旋形の静止型ミキサー（４０）であり、
前記粒子が、個々に０．９５ｍｇ〜２ｇの質量を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の周囲領域を有する第１の濾材シート；
第２の周囲領域を有する第２の濾材シートであって、前記第１の周囲領域および前記第２の周囲領域はリム領域でボンディングされている、第２の濾材シート；および
前記第１の濾材シートと前記第２の濾材シートとの間に配置された複数の吸着ビーズであって、前記複数の吸着ビーズのかなりの部分がボンディングされていない、複数の吸着ビーズ
を含む、フィルターアセンブリ。
【請求項２】
前記第１の濾材シートが、実質的に自立する空洞を画成する、請求項１に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項３】
前記第２の濾材シートが、実質的に自立する空洞を画成する、請求項１および２のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項４】
前記第２の濾材シートが実質的に平面的である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【請求項５】
前記リム領域が溶接領域を画成している、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のフィルターアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードであって、
導電性基材と、
前記導電性基材上の活物質皮膜とを含み、
前記活物質皮膜は、硫黄材料を含み、
前記硫黄材料は、析出された単一硫黄元素粒子のコアをシェル内に含むサブミクロンコア−シェル粒子を含み、
前記シェルは、
前記単一硫黄粒子コアの最も近くにある、少なくとも１つの疎水性領域を有するイオン的に帯電した自己組織化導電性コポリマーの第１層と、
前記第１層に隣接およびイオン結合し、前記第１層とは相反する電荷を有する、少なくとも第２の導電性ポリマー層とを含み、
前記析出された単一硫黄元素粒子の前記コアは、少なくとも１つの疎水性領域を有する前記イオン的に帯電した自己組織化導電性コポリマーの存在下で形成され、
前記析出された単一硫黄元素粒子の前記コアは、前記コア内に分散している官能基化導電性炭素材料の粒子を含む、カソード。
【請求項２】
前記官能基化導電性炭素材料が、−ＣＯＯＨで官能基化されたケッチェンブラック（登録商標）（カーボンブラック）である、請求項１に記載のカソード。
【請求項３】
前記カソード活物質の硫黄元素含有量が、カソード活物質総重量の７５重量％以上である、請求項１に記載のカソード。
【請求項４】
リチウム金属を含むアノードと；
請求項１に記載のカソードと
を含む、リチウム硫黄電池。
【請求項５】
前記官能基化導電性炭素材料が、−ＣＯＯＨで官能基化されたケッチェンブラック（登録商標）（カーボンブラック）である、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【請求項６】
前記カソード活物質の硫黄元素含有量が、カソード活物質総重量の７５重量％以上である、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【請求項７】
請求項４に記載のリチウム硫黄電池を備えた車両。
【請求項８】
前記硫黄材料の硫黄元素含有量が、少なくとも９５重量％である、請求項１に記載のカソード。
【請求項９】
前記コア内に分散している前記官能基化導電性炭素の含有量が、前記コア−シェル粒子の０．１〜５重量％である、請求項１に記載のカソード。
【請求項１０】
外側の導電性ポリマー層の表面上にあるかまたは埋め込まれている前記官能基化導電性炭素をさらに備え、前記官能基化導電性炭素の含有量が、前記コア−シェル粒子の０．１〜５重量％である、請求項１に記載のカソード。
【請求項１１】
前記析出された単一硫黄元素の前記コアは、直径が１マイクロメートル未満である、請求項１に記載のカソード。
【請求項１２】
少なくとも１つの疎水性領域を有する前記導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）とのポリマー塩である、請求項１１に記載のカソード。
【請求項１３】
前記第２の導電性ポリマー層がポリジメチルジアリルアンモニウムクロリド（ＰＤＡＤＭＡＣ）を含む、請求項１２に記載のカソード。
【請求項１４】
ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳおよびＰＤＡＤＭＡＣの合計７つの交互の層を含む、請求項１３に記載のカソード。
【請求項１５】
前記官能基化導電性炭素の含有量が、前記コア−シェル粒子の０．１〜５重量％である、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【請求項１６】
外側の導電性ポリマー層の表面上にあるかまたは埋め込まれている官能基化導電性炭素をさらに備え、前記官能基化導電性炭素の含有量が、前記コア−シェル粒子の０．１〜５重量％である、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【請求項１７】
少なくとも１つの疎水性領域を有する前記導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）とのポリマー塩であり、析出された硫黄元素の前記コアは、直径が１マイクロメートル未満である、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【請求項１８】
前記第２の導電性ポリマー層がポリジメチルジアリルアンモニウムクロリド（ＰＤＡＤＭＡＣ）を含む、請求項４に記載のリチウム硫黄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月4日(2018.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスであって、
ゲートスタックと、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのフィンであって、前記フィンはベースフィン部およびソース／ドレイン領域を含み、前記ベースフィン部は前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）領域に囲まれており、前記ソース／ドレイン領域は前記ベースフィン部上に、および前記ＳＴＩ領域の上に形成されており、前記ソース／ドレイン領域はドープ材料を含み、前記ソース／ドレイン領域は前記ゲートスタックに近接しており、および実質的に平行な側壁を有している、フィンと、
ラップアラウンド型非シリサイドコンタクトであって、前記ラップアラウンド型コンタクトは、前記フィンの前記ソース／ドレイン領域を囲み、および前記フィンの前記ソース／ドレイン領域の前記実質的に平行な側壁に接触するように配置されており、前記ラップアラウンド型コンタクトは、金属絶縁体半導体（ＭＩＳ）コンタクトまたはダイレクトコンタクトを含む、ラップアラウンド型非シリサイドコンタクトとを備えるＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項２】
前記ゲートスタックは、前記フィンの前記ベースフィン部の表面上に位置する、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項３】
前記フィンの前記ベースフィン部は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、またはリン化インジウムを含む、請求項２に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項４】
前記ＭＩＳコンタクトは、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）領域に結合されるか、または前記ダイレクトコンタクトは、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）領域に結合される、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項５】
前記ＭＩＳコンタクトは、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスの前記ＮＭＯＳ領域上の酸化チタン層（ＴｉＯ２）と、
前記酸化チタン層上のチタン層（Ｔｉ）とを備える、請求項４に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項６】
前記ダイレクトコンタクトは、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスの前記ＰＭＯＳ領域上のチタン層（Ｔｉ）を備える、請求項４に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項７】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項８】
フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを作製するための方法であって、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）領域の上に前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのフィンのソース／ドレイン領域をリセスエッチングするステップであって、前記フィンは、前記ＳＴＩ領域に囲まれたベースフィン部をさらに含む、ステップと、
前記フィンの前記ソース／ドレイン領域を再成長させるステップであって、前記フィンの再成長させたソース／ドレイン領域は、実質的に平行な側壁を有しており、およびドープ材料を含む、ステップと、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのダミーゲートをゲートスタックによって置き換えるステップであって、前記フィンの前記ソース／ドレイン領域は、前記ゲートスタックに近接している、ステップと、
前記フィンの前記再成長させたソース／ドレイン領域を囲むラップアラウンド型非シリサイドコンタクトを作製するステップであって、前記ラップアラウンド型コンタクトは、前記フィンの前記再成長させたソース／ドレイン領域の前記実質的に平行な側壁に接触するように配置されており、前記ラップアラウンド型コンタクトは、金属絶縁体半導体（ＭＩＳ）コンタクトまたはダイレクトコンタクトを含む、ステップとを含む方法。
【請求項９】
前記フィンの前記ソース／ドレイン領域を再成長させる前記ステップは、制御された＜１１１＞ファセット形成によるエピタキシャル成長を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ラップアラウンド型非シリサイドコンタクトを作製する前記ステップは、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）領域上に酸化チタン層（ＴｉＯ２）を堆積するステップと、
前記酸化チタン層上にチタン層（Ｔｉ）を堆積するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ラップアラウンド型非シリサイドコンタクトを作製する前記ステップは、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスのｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）領域上に直接チタン層（Ｔｉ）を堆積するステップを含む、請求項８に記載の方法。