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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月13日(2018.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急性虚血性発作及び出血性発作から選択された卒中サブタイプを判定するシステムであって、
全血試験用試料を受け入れ、前記試験用試料を刺激して凝血塊への前記試験用試料の変換を応じさせ、そして前記変換中、凝血塊の粘弾性特性を求めるために外部励振に応答して前記試験用試料の共振振動数の一連の非接触試験を実施することにより前記試験用試料の物理的特性を測定するよう構成された器具を含み、前記物理的性質は、初期凝血塊生成から最終の凝血塊溶解までの止血プロセスの全体像をもたらすデータによって表され、
前記器具は、前記全血試験用試料の第１の変換を生じさせて前記物理的性質が虚血性または出血性指標を提供するようにし、前記器具は、前記全血試験用試料の第２の変換を生じさせて前記物理的特性が試料影響指標を提供するようにする、システム。
【請求項２】
前記器具は、第１のチャネルおよび第２のチャネルを備えたカートリッジを有し、前記第１および第２のチャネルは、それぞれ、前記第１および前記第２の変換に対応している、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
急性虚血性発作及び出血性発作から選択された卒中サブタイプを判定するために止血試験装置に用いられるカートリッジであって、前記カートリッジは、
流体処理構造を含む試料前処理部分と、
試料保持構造を含む試料試験部分とを有し、前記試料試験部分は、前記流体処理部分と前記試料保持構造とを流体連通させる流体通路を経て前記試料前処理部分に結合され、
前記試料保持構造は、試験されるべき試料を支持して前記試料を前記カートリッジに加えられた励振に応答して共振状態に励振させることができるようにし、前記試料保持構造は、前記試料の前記共振の観察を可能にし、
前記試料試験部分は、前記試料の虚血性または出血性指標を提供するための第１の試験部分および治療影響指標を提供するための第２の試験部分を含む、カートリッジ。
【請求項４】
急性虚血性発作及び出血性発作から選択された卒中サブタイプを判定する方法であって、
被検者から全血試料を得るステップと、
励振によって前記全血試料の第１および第２の部分を凝血塊に変換するステップと、
前記全血試料の前記第１および第２の部分を変換中に測定して変換中に前記試験用試料の物理的特性を表すデータを得るステップと、
前記第１の部分のデータから虚血性または出血性指標を求めるとともに前記第２の部分のデータから治療影響を判定するステップと、
前記指標に基づいて卒中サブタイプを分類するステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者サンプルを処理する方法であって、
ａ）第１のマシン可読情報タグ及び第２のマシン可読情報タグを含むカートリッジ内へ前記患者サンプルを装填することと、
ｂ）前記第１のマシン可読情報タグを第１のタグ読み取りデバイスでスキャンすることと、
ｃ）前記第１のタグ読み取りデバイス及び第２のタグ読み取りデバイスを含む解析デバイス内へ前記カートリッジを装填することと、
ｄ）前記第２のマシン可読情報タグを前記第２のタグ読み取りデバイスでスキャンすることと、
ｅ）前記患者サンプルを処理することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のタグ読み取りデバイスは前記解析デバイスの外部にあり、前記第２のタグ読み取りデバイスは前記解析デバイスの内部にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のマシン可読情報タグ及び前記第２のマシン可読情報タグは、カートリッジ識別情報で符号化される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のマシン可読情報タグは、光学的に読み取り可能なタグを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のマシン可読情報タグはバーコードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のマシン可読情報タグは１Ｄ又は２Ｄバーコードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のマシン可読情報タグは、電子的に読み取り可能なタグを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のマシン可読情報タグは、無線で読み取り可能なタグを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のマシン可読情報タグは、ＲＦＩＤタグ又はＥＥＰＲＯＭタグを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のマシン可読情報タグ内に符号化されたマシン可読情報は、前記第１のマシン可読情報タグ内に符号化されたマシン可読情報と同一の情報を含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】手袋剥ぎ取り及び反転機構を含むシステム及びエラストマー手袋製造方法
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
特定の態様において、システムは、形成された手袋を型又は成形具から取り外すための剥ぎ取り装置を含むことができる。剥ぎ取り装置は、型の腕回り形成面の一部を露出させるように、手袋の腕回りを下方に（すなわち、型基部から離れて先端方向に、手袋の指及び手のひらの領域に向かって）巻くための腕回り巻き装置を含むことができる。剥ぎ取り装置は、型の腕回り形成面の露出部分と係合するように構成された１つ以上の把持部材を有する把持装置を含むことができる。剥ぎ取り装置は、手袋の腕回りの前もって巻かれた部分を型基部に向かって基端方向に、手袋の指及び手のひらの領域から離れるように広げるための巻き戻し装置を含むことができる。巻き戻し装置は、把持部材が型表面と広げられた手袋腕回りの少なくとも一部との間に挟まれるように、巻かれた腕回りを把持部材の一部を覆ってその上に広げるように構成されることができる。剥ぎ取り装置は、把持部材を型の表面から離れるように持ち上げ、それによって手袋腕回り領域の一部を型表面から離すための持ち上げ装置を含むことができる。剥ぎ取り装置は、手袋を型表面から離れるように引っ張り又は剥がすために、把持部材を型基部から離れるように先端方向に移動させるための作動装置を含むことができる。作動装置は、手袋を型から完全に取り外すために把持部材を指領域の先端側の位置へと動かし、それによって手袋を少なくとも部分的に反転させることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手袋を型から剥ぎ取って反転させ、二次オンライン加工のための第２機構に前記手袋を再装着するためのオンライン手袋剥ぎ取り及び反転機構を含むシステムであって、前記第２機構は手袋装着装置を含み、前記手袋装着装置は少なくとも１つのマンドレルを含む、システム。
【請求項２】
前記型は成形具である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記手袋剥ぎ取り及び反転機構は剥ぎ取り装置を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記剥ぎ取り装置は腕回り巻き装置を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記手袋剥ぎ取り及び反転機構は手袋剥ぎ取り装置を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記手袋剥ぎ取り装置は少なくとも１つの機械的アームを含む、請求項５に記載のシス
テム。
【請求項７】
前記手袋剥ぎ取り装置は少なくとも２つの機械的アームを含む、請求項６に記載のシス
テム。
【請求項８】
前記手袋剥ぎ取り装置は１つ以上の把持部材を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記剥ぎ取り装置は持ち上げ装置を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項１０】
前記剥ぎ取り装置は作動装置を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項１１】
前記マンドレルは少なくとも１つの保持部材を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記システムは空気ノズルを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムは、浸漬成形プロセスによって形成された手袋を連続的に引き剥がし、反転させ、後続のオンライン加工のために手袋装着装置に取り付けるべく、連続的に移動し且つ既存の連続浸漬ラインの速度と同期するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記後続のオンライン加工はオンラインの塩素処理である、請求項１３に記載のシステ
ム。
【請求項１５】
エラストマー手袋を製造する方法であって、
手袋型の表面上にエラストマー手袋を形成することと、
形成された前記手袋を前記型の表面から剥ぎ取ることと、
前記手袋を反転させることと、
手袋装着装置に前記手袋を装着することと、
前記手袋が前記手袋装着装置に装着されている間に前記手袋に１つ以上の二次プロセスを受けさせることと
を含む方法。
【請求項１６】
前記方法は、型上に形成された手袋の腕回りの一部を巻き下ろすことと、前記型の腕回り形成面の露出した部分に把持部材を配置することと、前記把持部材が型表面と広げられた手袋腕回りの少なくとも一部との間に挿入されるように前記手袋腕回りの巻かれた部分を前記把持部材の上に広げることとを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記剥ぎ取り装置は巻き戻し装置を含む、請求項３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象においてＣ型肝炎ウイルス（ＨＣＶ）感染を検出する方法であって、
ａ）対象の抗体を含有すると疑われている最初の生体試料を第１と第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび第１と第２の検出可能に標識されたコンジュゲートペプチドに接触させて、前記最初の生体試料、前記第１と第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび前記第１と第２のコンジュゲートペプチドを含む混合生体試料を作製するステップであって、
前記第１と第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのそれぞれは、少なくとも１つのＨＣＶ  ＮＳ３ヘリカーゼエピトープをコードする異なるアミノ酸配列を含み、前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドは、前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドの少なくとも２倍の長さであり、前記対象の抗体は前記生体試料中で精製された形態ではないステップ、
ｂ）（ｉ）前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドが前記対象の抗体のうちの少なくとも１つに特異的に結合して第１の捕捉複合体を形成し、前記第１のコンジュゲートペプチドが前記第１の捕捉複合体中の前記対象の抗体と結合して第１の検出可能な複合体を形成し、および、（ｉｉ）前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドが前記対象の抗体のうちの少なくとも１つに特異的に結合して第２の捕捉複合体を形成し、前記第２のコンジュゲートペプチドが前記第２の捕捉複合体中の前記対象の抗体に結合して第２の検出可能な複合体を形成するような条件下で前記混合生体試料をインキュベートするステップ；
ｃ）前記混合生体試料を洗浄して洗浄された試料を作製するステップ；ならびに
ｄ）前記第１および／または第２の検出可能な複合体の存在を検出し、それによって前記対象におけるＨＣＶ感染を検出するステップ
を含み、
前記混合生体試料中の前記第１と第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチド両方の存在が、前記第１または第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのみを使用する場合と比べて前記対象の抗体を定性的に検出するためのダイナミックレンジを広げる方法。
【請求項２】
前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのアミノ酸配列がドメイン１、２および３を有する完全長ＮＳ３ヘリカーゼ配列を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび／または前記第１の検出可能に標識されたコンジュゲートペプチドが配列番号２もしくは配列番号３のアミノ酸配列、または配列番号２もしくは配列番号３に９５％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび／または前記第２の検出可能に標識されたコンジュゲートペプチドが配列番号５もしくは配列番号７のアミノ酸配列、または配列番号５もしくは配列番号７に９５％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記試料がＨＣＶ粒子またはこの断片を含有すると疑われており、前記方法が、（ｉ）前記試料を第１の抗ＨＣＶ抗体に接触させて、ＨＣＶ粒子またはこの断片に結合している第１の抗ＨＣＶ抗体を含む第３の複合体を形成させるステップ、（ｉｉ）前記試料を、前記第３の複合体中の前記ＨＣＶ粒子またはこの断片に結合する検出可能に標識された第２の抗ＨＣＶ抗体に接触させるステップ、および（ｉｉｉ）前記第３の複合体を検出するステップをさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記試料を第１のＨＣＶコアペプチドおよび検出可能に標識された第２のＨＣＶコアペプチドに接触させるステップであって、前記第１および第２のＨＣＶコアペプチドのそれぞれが前記対象の抗体のうちの少なくとも１つに特異的に結合して第４の複合体を形成させるステップ、および、前記第４の複合体の存在を検出するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記完全長ＨＣＶ  ＮＳ３ヘリカーゼが、遺伝子型１ａ、１ｂ、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ、４ｉ、４ｊ、５ａおよび６ａから選択されるＨＣＶ遺伝子型由来である、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記対象がヒトである、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）生体試料中の少なくとも１つの対象の抗体に結合する第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドであって、前記第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのそれぞれは、少なくとも１つのＨＣＶ  ＮＳ３ヘリカーゼエピトープをコードする異なるアミノ酸配列を含み、および、前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドは、前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドの少なくとも２倍の長さである、第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチド、
（ｂ）前記生体試料の前記少なくとも１つの対象の抗体に結合することができる第１および第２のコンジュゲートペプチド、および
（ｃ）取扱説明書
を含むキット。
【請求項１０】
（ａ）生体試料中の少なくとも１つの対象の抗体に結合する第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドであって、前記第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのそれぞれは、少なくとも１つのＨＣＶ  ＮＳ３ヘリカーゼエピトープをコードする異なるアミノ酸配列を含み、および、前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドは、前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドの少なくとも２倍の長さである、第１および第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチド、および
（ｂ）前記生体試料の前記少なくとも１つの対象の抗体に結合することができる第１および第２のコンジュゲートペプチド、および
を含む組成物。
【請求項１１】
前記対象の抗体は前記生体試料中で精製された形態ではない、請求項９または１０に記載のキットまたは組成物。
【請求項１２】
前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドのアミノ酸配列がドメイン１、２および３を有する完全長ＮＳ３ヘリカーゼ配列を含む、請求項９から１１のいずれか一項に記載のキットまたは組成物。
【請求項１３】
前記第１のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび／または前記第１のコンジュゲートペプチドが配列番号２もしくは配列番号３のアミノ酸配列、または配列番号２もしくは配列番号３に９５％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載のキットまたは組成物。
【請求項１４】
前記第２のＮＳ３ｈ捕捉ペプチドおよび／または前記第２のコンジュゲートペプチドが配列番号５もしくは配列番号７のアミノ酸配列、または配列番号５もしくは配列番号７に９５％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項９から１３のいずれか一項に記載のキットまたは組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月8日(2018.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、本発明の予測可能な修正及び変更が当業者にとって自明であろう。本発明は、例示目的のために本出願において説明された実施形態に限定されるべきではない。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２０］に記載する。
［１］
放射線遮蔽組成物であって、
（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、
（ｉｉ）金属と、を含み、前記金属はセラミック粉体を封入して前記放射線遮蔽組成物を形成している、放射線遮蔽組成物。
［２］
少なくとも５質量％のホウ素含有粉体を含む、項目１に記載の放射線遮蔽組成物。
［３］
前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、少なくとも１０マイクロメートルの少なくとも１つのＤ５０を含む、項目１又は２に記載の放射線遮蔽組成物。
［４］
前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、少なくとも１マイクロメートルの最頻値及び最大で２００マイクロメートルの最頻値を含む、項目１〜３のいずれかに記載の放射線遮蔽組成物。
［５］
前記ホウ素含有粉体が炭化ホウ素から選択される、項目１〜４のいずれかに記載の放射線遮蔽組成物。
［６］
前記金属が、アルミニウム、マグネシウム、及びステンレス鋼、並びにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、項目１〜５のいずれかに記載の放射線遮蔽組成物。
［７］
放射線遮蔽組成物の製造方法であって、
（ａ）（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、（ｉｉ）金属粉体と、を用意することと、
（ｂ）前記金属粉体と前記ホウ素含有粉体とを混合して、混合粉体を調製することと、
（ｃ）前記混合粉体を熱間加工して前記放射線遮蔽組成物を得ることと、を含む、方法。
［８］
前記放射線遮蔽組成物が、少なくとも５質量％の前記ホウ素含有粉体を含む、項目７に記載の方法。
［９］
前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、少なくとも３０マイクロメートルの少なくとも１つのＤ５０を含む、項目７又は８に記載の方法。
［１０］
前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、少なくとも１マイクロメートルの最頻値及び最大で２００マイクロメートルの最頻値を含む、項目７〜９のいずれかに記載の方法。
［１１］
前記ホウ素含有粉体が炭化ホウ素から選択される、項目７〜１０のいずれかに記載の方法。
［１２］
前記金属粉体が、アルミニウム、マグネシウム、及びステンレス鋼、並びにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、項目７〜１１のいずれかに記載の方法。
［１３］
前記金属粉体が、少なくともバイモーダルの粒度分布を有する、項目７〜１２のいずれかに記載の方法。
［１４］
前記金属粉体の前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、少なくとも３０マイクロメートルの少なくとも１つのＤ５０を含む、項目１３に記載の方法。
［１５］
前記混合粉体を圧縮することを更に含む、項目７〜１４のいずれかに記載の方法。
［１６］
前記圧縮することが、振動、固体圧縮成形、冷間静水圧成形、及び冷間一軸成形のうちの少なくとも１つを用いて実行される、項目１５に記載の方法。
［１７］
金属容器が、アルミニウム、マグネシウム、及びステンレス鋼のうちの少なくとも１つから選択される、項目７〜１６のいずれかに記載の方法。
［１８］
前記混合粉体が、前記熱間加工の前に予熱される、項目７〜１７のいずれかに記載の方法。
［１９］
前記熱間加工が、熱間圧延、熱間押出成形、及び熱間鍛造のうちの少なくとも１つから選択される、項目７〜１８のいずれかに記載の方法。
［２０］
放射線遮蔽組成物の製造方法であって、
（ａ）（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、（ｉｉ）金属粉体と、を用意することと、
（ｂ）前記金属粉体と前記ホウ素含有粉体とを混合して、混合粉体を調製することと、
（ｃ）金属コンテイナに前記混合粉体を充填することと、
（ｄ）上面を形成する板を、前記粉体を含む前記金属コンテイナに対してしっかりとした当接状態で前記金属コンテイナの上に配置し、その周囲の端を封止して、圧延前アセンブリを製造することと、
（ｅ）前記圧延前アセンブリに対して熱間加工を実行して、金属クラッドを有する前記放射線遮蔽組成物を得ることと、を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線遮蔽組成物であって、
（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、金属含有粉体と、
（ｉｉ）金属クラッドと、を含み、前記金属クラッドはセラミック粉体及び金属含有粉体を封入して前記放射線遮蔽組成物を形成している、放射線遮蔽組成物。
【請求項２】
少なくとも５質量％のホウ素含有粉体を含み、前記少なくともバイモーダルの粒度分布が、（ｉ）少なくとも１０マイクロメートルの少なくとも１つのＤ５０及び（ｉｉ）少なくとも１マイクロメートルの最頻値及び最大で２００マイクロメートルの最頻値を含む、請求項１に記載の放射線遮蔽組成物。
【請求項３】
前記ホウ素含有粉体が炭化ホウ素から選択され、前記金属クラッドが、アルミニウム、マグネシウム、及びステンレス鋼、並びにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、請求項１又は２に記載の放射線遮蔽組成物。
【請求項４】
放射線遮蔽組成物の製造方法であって、
（ａ）（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、（ｉｉ）金属粉体と、を用意することと、
（ｂ）前記金属粉体と前記ホウ素含有粉体とを混合して、混合粉体を調製することと、
（ｃ）前記混合粉体を熱間加工して前記放射線遮蔽組成物を得ることと、を含む、方法。
【請求項５】
放射線遮蔽組成物の製造方法であって、
（ａ）（ｉ）少なくともバイモーダルの粒度分布を有するホウ素含有粉体と、（ｉｉ）金属粉体と、を用意することと、
（ｂ）前記金属粉体と前記ホウ素含有粉体とを混合して、混合粉体を調製することと、
（ｃ）金属コンテイナに前記混合粉体を充填することと、
（ｄ）上面を形成する板を、前記粉体を含む前記金属コンテイナに対してしっかりとした当接状態で前記金属コンテイナの上に配置し、その周囲の端を封止して、圧延前アセンブリを製造することと、
（ｅ）前記圧延前アセンブリに対して熱間加工を実行して、金属クラッドを有する前記放射線遮蔽組成物を得ることと、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
境界シールにより取り囲まれ電気光学材料により満たされる軟質セルユニットであって制御距離だけ分離された第１の基板と第２の基板を有する軟質セルユニットを生成する方法において、前記方法は、
前記第１の基板と前記第２の基板を形成するために軟質プラスチック材料の２つの連続シートを設ける工程と、
非離散的であり、かつ、非カプセル化・非重合体状態であり１％未満の重合可能材料を含む電気光学材料を少なくとも一方の基板上に蒸着する工程と、
前記電気光学材料が前記第１の基板と前記第２の基板の間の前記制御距離を完全に満たすように、１つまたは複数の積層化ローラを使用することにより前記軟質セルを前記電気光学材料でロールフィルしながら前記第１の基板と前記第２の基板を対にする工程であって、前記軟質セルユニットの前記制御距離は非パターン化スペーサにより維持される工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記ロールフィル工程前に前記第１の基板または前記第２の基板またはその両方上に境界封止剤を塗布し、前記ロールフィル工程後に前記境界シールを形成するために前記境界封止剤を硬化する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気光学材料は前記境界封止剤の周囲外の領域、前記境界封止剤の周囲内の領域、または前記境界封止剤の周囲内および周囲外両方の１つまたは複数の領域上に蒸着される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ロールフィル工程中、前記電気光学材料の粘度に対する境界封止剤粘度の比は１０を越える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１、前記第２、または両方の基板上に複数の境界封止剤を塗布する工程を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
機械的ダイ切断機、レーザ切断機、またはそれらの組み合せを使用することにより前記軟質プラスチック材料の２つの連続シートから前記軟質セルユニットを切断する工程をさらに含む請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ロールフィル工程後に、境界シールを形成し、前記軟質プラスチックの２つの連続シートから前記軟質セルユニットを分離するための形状を切断または溶着する工程をさらに含む請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の基板上に、前記第２の基板上に、前記電気光学材料内に、またはこれらの組み合せに、前記スペーサを蒸着する工程をさらに含む請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記非パターン化スペーサは、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に塗布される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の基板、前記第２の基板、または両方上にアライメント層を塗布する工程をさらに含む請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記アライメント層内に非パターン化スペーサを蒸着する工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
一方または両方の基板へ隔壁を追加する工程をさらに含む請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アライメント層は前記第１の基板と前記第２の基板の一方または両方の基板の選択された活性領域および全活性領域から選択された領域上に前記アライメント層を印刷することにより蒸着される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記軟質セルユニットは８％未満の曇価度を有する光学装置である、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
無真空である請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記非パターン化スペーサは球状であり、３〜１００μｍのサイズである、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記電気光学材料は前記第１の基板上に液滴、線、形状で選択的に蒸着される、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記電気光学材料はゲスト−ホスト二色性染料−液晶混合物である、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記軟質セルユニットは、１０ｃｍを越える長さを有するか、または、３０ｃｍ２、４０ｃｍ２または５０ｃｍ２より大きな面積を有する、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の方法により製造された、軟質セルユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気活性材料としてのリチウムを含む第１電極；
第２電極；および
該第１電極および第２電極の間に配置された複合体；
を含み、
該複合体が、
平均細孔径を有する細孔を含むセパレータ；および
該セパレータに接合したイオン伝導体層；
を含み、
該セパレータが、少なくとも約１０４［Ω・ｍ］のバルク電気抵抗率を有し、
該イオン伝導体層が、少なくとも１０−６［Ｓ／ｃｍ］のリチウムイオン伝導率を有し、
該イオン伝導体層が、０．１〜２０重量％の酸化物含有量を有するリチウムオキシスルフィドを含み、および／または該イオン伝導体層が、０．００１：１〜１．５：１の硫黄原子に対する酸素原子の原子比（Ｏ：Ｓ）を有するリチウムオキシスルフィドを含む、電気化学電池。
【請求項２】
前記イオン伝導体層が、０．０１：１〜０．２５：１の硫黄原子に対する酸素原子の原子比（Ｏ：Ｓ）を有するリチウムオキシスルフィドを含む、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項３】
前記リチウムオキシスルフィドを含むイオン伝導体層が、複数のイオン伝導体層を含む多層構造体の一部である、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項４】
前記セパレータが、少なくとも１０１０［Ω・ｍ］；任意に、１０１０〜１０１５［Ω・ｍ］のバルク電気抵抗率を有する、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項５】
前記セパレータが、固体の、ポリマーセパレータである、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項６】
前記セパレータが、ポリマーバインダーと、セラミックまたはガラス質／セラミック材料を含む充填剤との混合物を含む固体である、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項７】
前記セパレータの表面上に前記イオン伝導体層を付着させる前に、前記セパレータの表面にプラズマ処理を行うことによって、前記複合体を形成する、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項８】
前記リチウムオキシスルフィドが、式：
ｘ(ｙＬｉ２Ｓ＋ｚＬｉ２Ｏ)＋ＭＳ２
（式中、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎであり、ｙ＋ｚ＝１であり、ｘは０．５〜３の範囲であってもよい）
を有する、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項９】
前記イオン伝導体層が、無機イオン伝導体材料の０〜３０重量％のガラス形成添加剤を含む、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１０】
前記イオン伝導体層が、１つ以上のリチウム塩を含む、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１１】
前記１つ以上のリチウム塩を、０〜５０モル％の範囲で、前記無機イオン伝導体材料に加える、請求項８記載の電気化学電池。
【請求項１２】
前記複合体が、２５℃でのリチウムイオン伝導率少なくとも１０−５［Ｓ／ｃｍ］を有する、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１３】
前記セパレータの平均細孔径に対する前記イオン伝導体層の厚さの比（無機イオン伝導体層の厚さ：セパレータの平均細孔径）が、少なくとも１．１：１である、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１４】
前記セパレータおよび前記イオン伝導体層の間の接着強度が、少なくとも３５０Ｎ／ｍである、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１５】
前記セパレータおよび前記イオン伝導体層の間の接着強度が、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０２規格に準拠するテープ試験を合格する、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１６】
第１電気活性材料がリチウムを含む、請求項１記載の電気化学電池。
【請求項１７】
第１電気活性材料が、リチウム金属および／またはリチウム合金を含む、請求項１記載の電気化学電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクログリッド（１０）を制御するためのシステムであって、
プロセッサベースの制御システム（１２）を含み、前記プロセッサベースの制御システム（１２）は、
マイクログリッドシステム（１０）内の複数のマイクログリッド資産（１５）から通信経路（３６）を介して情報を受信し、
前記マイクログリッドシステム（１０）の動作に関連するエラーを識別し、
前記エラーは、前記複数のマイクログリッド資産（１５）の第１のものの観察不能エラー、前記マイクログリッド資産（１５）の第１のものの制御不能エラーのいずれかであり、
１つまたは複数のアクションにより前記１つまたは複数の識別されたエラーに応答し、前記１つまたは複数の識別されたエラーのうちの識別された各エラーは、前記１つまたは複数のアクションのうちの少なくとも１つのアクションに関連しており、
前記マイクログリッド（１０）の動作効率を向上させるために、前記マイクログリッド動作を制御するように構成された１つまたは複数の制御信号を含む最適ディスパッチスケジュール（５４）を生成し、
前記エラーが前記最適ディスパッチスケジュール（５４）の生成前に特定される場合、前記エラーに関連づけられた前記マイクログリッド資産（１５）の第１のものを前記最適ディスパッチスケジュール（５４）の生成から除外され、
前記制御システム（１２）が、オートモードであるかアドバイザリモードであるかを特定し、
前記制御システム（１２）が、オートモードである場合に前記複数のマイクログリッド資産（１５）の第１のものに関連するプロセッサベースのローカルコントローラ（３４）へ前記通信経路（３６）を介して前記最適ディスパッチスケジュール（５４）の少なくとも一部を配信し、前記プロセッサベースのローカルコントローラ（３４）の動作は、前記最適ディスパッチスケジュール（５４）の前記一部に少なくとも部分的に基づき、
前記制御システム（１２）が、アドバイザリモードである場合にメモリに前記最適ディスパッチスケジュール（５４）を記録する、ように構成される、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記プロセッサベースの制御システム（１２）は、前記マイクログリッドシステム（１０）の動作に関連する最適化問題に対する解を生成するように構成され、前記最適化問題に対する前記解は、前記動作効率を向上させるために前記マイクログリッド動作を制御するように構成された前記１つまたは複数の制御信号を含む、システム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムであって、前記最適ディスパッチスケジュール（５４）は、前記最適化問題に対する前記解に少なくとも部分的に基づいている、システム。
【請求項４】
請求項２に記載のシステムであって、前記最適化問題に対する前記解は、所定の予測期間（５６）にわたって複数のサイクルで計算される、システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のシステムであって、前記複数のマイクログリッド資産（１５）は、再生可能な発電資源、再生不可能な発電資源、ディスパッチ可能な発電資源、ディスパッチ不可能な発電資源、蓄電装置（２６）、産業用負荷（２２）、または住宅用負荷（２４）を含む、システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のシステムであって、前記プロセッサベースのローカルコントローラ（３４）は、受信した前記最適ディスパッチスケジュール（５４）の前記一部に基づいて、前記複数のマイクログリッド資産（１５）の前記第２のものを制御するように構成される、システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のシステムであって、前記最適ディスパッチスケジュール（５４）は、前記１つまたは複数の識別されたエラーが前記プロセッサベースの制御システム（１２）によって処理された後に生成される、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
磁化装置５４の極片５８が包まれた後、磁化装置５４の中心軸開口部５６の中に内側環１４を挿入するべきである。その後、例えばキャパシタ・バンク６２およびスイッチ６３を介して、コイル６０に電流を通すことができる。１つの実施態様では、約３０ｋＡないし４０ｋＡの非常に強い電流が使用される。この非常に強い電流をコイル６０に通すことの効果は、上で言及されたように、磁化装置５４および極片５８にＮおよびＳ電磁極を形成し、これにより、これらに接して配置されている内側環１４に磁束を付与することである。これは、内側環１４を、周囲にＮ極およびＳ極７８が交互に位置する幾つかの永久磁石に転換するという効果を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フライホイールのための環状ロータであって、前記ロータは、
トウを含み、前記トウは、軸の周りに巻かれて隣接するトウ巻線間にギャップを有する層を成して配置されたファイバのマトリックスを含み、前記軸に対する法線と前記トウとの間の巻き角度は３．５°未満であり、前記マトリックスはさらに前記トウの臨界欠陥サイズより小さいサイズの磁性粒子を含む、
環状ロータ。
【請求項２】
前記巻き角度は１．５°未満であり、及び／又は
前記巻き角度は０．６°未満であり、及び／又は
前記巻き角度は０．３°より大きい、請求項１に記載の環状ロータ。
【請求項３】
前記磁性粒子は非球形の形状であり、前記磁性粒子は実質的に線状であってもよい、請求項１又は２に記載の環状ロータ。
【請求項４】
前記磁性粒子は最長寸法において５００μｍ未満であり、及び／又は
前記磁性粒子は最長寸法において１０μｍより大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項５】
前記磁性粒子の密度は、前記軸からの距離が大きくなるにつれて小さくなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項６】
前記磁性粒子は、急冷粉砕されたＮｄＦｅＢを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項７】
前記トウは一方向性ファイバを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項８】
前記磁性粒子は最長寸法において７０μｍ未満であって、一致するトウ間の前記ギャップ内に配置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項９】
前記ロータは磁化される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項１０】
南北極対を含み、前記南北極対は交互の南北極対であってもよく、対の各極は前記環状ロータの周りの円弧を占める、請求項９に記載の環状ロータ。
【請求項１１】
前記極対は、磁束の大部分を前記環状ロータの前記軸の方へ向けるように配置される、請求項９又は１０に記載の環状ロータ。
【請求項１２】
前記環状ロータは内側部分であり、前記環状ロータは、同じ軸の周りに巻かれたファイバのマトリックスを含む外側部分をさらに含み、前記外側部分は前記内側部分より大きい直径を有し、前記軸に対する法線と前記外側部分の前記トウとの間の前記巻き角度は１°以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項１３】
前記ロータは真空内に収容される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項１４】
前記ロータはフライホイールの前記ロータである、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の環状ロータ。
【請求項１５】
フライホイールのための環状ロータを提供する方法であって、
ファイバのマトリックスを含むトウを軸の周りに巻くステップであって、前記トウは隣接するトウ巻線間にギャップを有する層を成して配置され、前記軸に対する法線と前記トウとの間の巻き角度が３．５°未満である、前記トウを巻くステップと、
前記トウの臨界欠陥サイズより小さいサイズの磁性粒子を前記マトリックスの中に供給するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記磁性粒子は前記個々のトウ層の表面上で前記巻線の方向に平らに横たわるようにされる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、請求項２〜１４のいずれか一項に記載の環状ロータを提供することを含む、請求項１５又は１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
抵抗器と、
前記抵抗器の少なくとも一部に、オーバーラップし、かつ並行に配置された金属領域と、
前記金属領域に電気的に接続され、かつ前記金属領域と前記抵抗器の前記オーバーラップする一部との間に配置された１つ以上の熱ポストと、前記１つ以上の熱ポストは、前記抵抗器とは電気的に絶縁される、
を備える、集積回路。
【請求項２】
前記金属領域は、前記集積回路の基板に電気的に接続される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記抵抗器は、窒化チタンで形成される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記金属領域は、前記集積回路の第１の金属層に形成される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記金属領域は、前記抵抗器の上方に配置される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
前記抵抗器は、誘電体で囲まれる、請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】
前記１つ以上の熱ポストは、２次元アレイの熱ポストを含む、請求項１４に記載の集積回路。
【請求項８】
集積回路中の抵抗器から熱を散逸させるための方法であって、
前記抵抗器の少なくとも一部に、オーバーラップし、かつ並行に配置された金属領域を提供することと、
熱金属グラウンドと前記抵抗器の前記オーバーラップする一部との間に配置された１つ以上の熱ポストを使用して、前記抵抗器から前記熱金属グラウンドへ熱を伝導することと、ここにおいて、前記１つ以上の熱ポストは、前記抵抗器とは電気的に絶縁される、
前記熱金属グラウンドから前記集積回路の基板へ熱を伝導することと、
を備える、方法。
【請求項９】
前記１つ以上の熱ポストは、前記熱金属グラウンドに電気的に接続される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記熱金属グラウンドは、前記集積回路の前記基板に電気的に接続される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記抵抗器は、窒化チタンで形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱金属グラウンドは、前記集積回路の第１の金属層に形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記抵抗器は、誘電体で囲まれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の熱ポストは、２次元アレイの熱ポストを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力供給システムであって、
複数のリードと第１及び第２のパッド表面を備えるパッドとを有するクワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）タイプのリードフレームであって、前記第１のパッド表面が窪んだ部分と窪んでいない部分とを有し、前記窪んだ部分が複数の半導体チップを取り付けるために適した深さとアウトラインとを有し、前記パッドが前記電力供給システムのスイッチノード端子に結びつけられ得る、前記ＱＦＮタイプのリードフレームと、
前記第２のパッド表面に取り付けられるドライバ及びコントローラチップであって、前記リードフレームのそれぞれのリードにボンディングワイヤで結び付けられる複数の端子を有する、前記ドライバ及びコントローラチップと、
前記ドライバ及びコントローラチップと前記ボンディングワイヤと前記第２のパッド表面とを封止し、前記第１のパッド表面を風刺されないまま残す、パッケージと、
前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けられるドレイン端子を有する第１の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）チップであって、前記第１のパッド表面の前記窪んでいない部分と共面であるソース端子とゲート端子とを更に有し、前記第１のＦＥＴチップの前記ソース端子が前記電力供給システムの接地される出力端子としてのボード端子に結びつけられ得る、前記第１のＦＥＴチップと、
前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けられるソース端子を有する第２のＦＥＴチップであって、前記第１のパッド表面の前記窪んでいない部分と共面であるドレイン端子とゲート端子とを更に有し、前記第２のＦＥＴチップの前記ドレイン端子が前記電力供給システムの入力端子としてのボード端子に結びつけられ得る、前記第２のＦＥＴチップと、
を含む、電力供給システム。
【請求項２】
請求項１に記載の電力供給システムであって、
前記第１のＦＥＴチップが、ローサイドトランジスタとして機能するドレインＦＥＴを含む、電力供給システム。
【請求項３】
請求項２に記載の電力供給システムであって、
前記第２のＦＥＴチップが、ハイサイドトランジスタとして機能するソースダウンＦＥＴを含む、電力供給システム。
【請求項４】
請求項２に記載の電力供給システムであって、
前記２つの取り付けられたＦＥＴチップがコンバータを形成する、電力供給システム。
【請求項５】
請求項３に記載の電力供給システムであって、
前記２つの取り付けられたＦＥＴチップがコンバータを形成する、電力供給システム。
【請求項６】
マルチチップ半導体パッケージであって、
複数のリードと第１及び第２のパッド表面を備えるパッドとを有するクワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）タイプのリードフレームであって、前記第１のパッド表面が窪んだ部分と窪んでいない部分とを有し、前記窪んだ部分が複数の半導体チップを取り付けるために適した深さとアウトラインとを有し、前記パッドがスイッチノード端子に結びつけられ得る、前記ＱＦＮタイプのリードフレームと、
前記第２のパッド表面に取り付けられるドライバ及びコントローラチップであって、前記リードフレームのそれぞれのリードにボンデンィングワイヤで結び付けられる複数の端子を含む、前記ドライバ及びコントローラチップと、
前記ドライバ及びコントローラチップと前記ボンディングワイヤと前記第２のパッド表面とを封止し、前記第１のパッド表面を封止されないまま残す、パッケージと、
前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けられるドレイン端子を有する第１の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）チップであって、前記第１のパッド表面の前記窪んでいない部分と共面であるソース端子とゲート端子とを更に有し、前記第１のＦＥＴチップの前記ソース端子が接地される出力端子としてのボード端子に結びつけられ得る、前記第１のＦＥＴチップと、
前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けられるソース端子を有する第２のＦＥＴチップであって、前記第１のパッド表面の前記窪んでいない部分と共面であるドレイン端子とゲート端子とを更に有し、前記第２のＦＥＴチップの前記ドレイン端子が入力端子としてのボード端子に結びつけられ得る、前記第２のＦＥＴチップと、
を含む、マルチチップ半導体パッケージ。
【請求項７】
請求項６に記載のマルチチップ半導体ハッケージであって、
前記第１のＦＥＴチップが、ローサイドトランジスタとして機能するドレインＦＥＴを含む、マルチチップ半導体パッケージ。
【請求項８】
請求項７に記載のマルチチップ半導体パッケージであって、
前記第２のＦＥＴチップが、ハイサイドトランジスタとして機能するソースダウンＦＥＴを含む、マルチチップ半導体パッケージ。
【請求項９】
電力供給システムを製造する方法であって、
リードと第１及び第２のパッド表面を備えるパッドとを有するリードフレームを提供することであって、前記第１のパッド表面が、半導体チップを取り付けるために適した深さとアウトラインとを有する窪んだ部分を有する、前記提供することと、
前記第２のパッド表面上にドライバ及びコントローラチップを取り付けることと、
ボンディングワイヤを用いて前記ドライバ及びコントローラチップの端子を前記リードフレームのそれぞれのリードに接続することと、
前記ドライバとコントローラのチップと前記ボンディングワイヤと前記第２のパッド表面とをパッケージング化合物に封止し、前記第１のパッド表面を封止されないまま残す、前記封止することと、
その後、第１の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）チップのソース端子とゲート端子とが前記第１のパッド表面の窪んでいない部分と共面であるように、そのドレイン端子で前記第１のＦＥＴチップを前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けることと、
第２のＦＥＴチップのドレイン端子とゲート端子とが前記第１のパッド表面の前記窪んでいない部分と共面であるように、そのソース端子で前記第２のＦＥＴチップを前記第１のパッド表面の前記窪んだ部分に取り付けることと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
パッドを前記電力供給システムのスイッチノード端子に接続し、前記第１のＦＥＴチップの前記ソース端子を前記電力供給システムの接地される出力端子としてのボード端子に接続し、前記第２のＦＥＴチップの前記ドレイン端子を前記電力供給システムの入力端子としてのボード端子に接続することを更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記第１のＦＥＴチップを取り付けることと前記第２のＦＥＴチップを取り付けることとが、導電性接着材とｚ軸導体を備える重合体の化合物とを含むグループから選択される取り付け材料を用いる、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記リードフレームが、クワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）又はスモールアウトラインノーリード（ＳＯＮ）タイプの構成を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月16日(2018.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波素子であって、
上面を有する圧電体と、
前記圧電体に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電体に配置されて前記ＩＤＴ電極に電気接続された接続配線と、
前記接続配線の上に配置された補強電極と
を含み、
前記接続配線は、
下側接続配線と、
前記下側接続配線の上に配置された上側接続配線と、
前記上側接続配線及び前記下側接続配線を通って前記圧電体の上面に垂直な方向に延びるホール電極と
を含み、
前記上側接続配線における前記ホール電極の第１直径は、前記下側接続配線における前記ホール電極の第２直径よりも大きく、
前記補強電極は、前記ホール電極を介して前記下側接続配線に接触かつ電気接続される弾性波素子。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極は、
下側ＩＤＴ電極と、
前記下側ＩＤＴ電極の上に設けられた上側ＩＤＴ電極と
を含み、
前記下側ＩＤＴ電極の材料が前記下側接続配線の材料と同じであり、
前記上側ＩＤＴ電極の材料が前記上側接続配線の材料と同じである請求項１の弾性波素子。
【請求項３】
請求項１の弾性波素子を含むラダーフィルタ。
【請求項４】
前記下側接続配線の材料が前記上側接続配線の材料とは異なる請求項１の弾性波素子。
【請求項５】
前記下側接続配線の材料の酸素親和力が、前記上側接続配線の材料の酸素親和力よりも小さい請求項２の弾性波素子。
【請求項６】
前記補強電極は、前記下側接続配線の上面に接触かつ電気接続される請求項１の弾性波素子。
【請求項７】
前記上側接続配線は、前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１上側接続配線及び第２上側接続配線に分断され、
前記第１上側接続配線と前記第２上側接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される請求項４の弾性波素子。
【請求項８】
前記下側接続配線は、前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１下側接続配線及び第２下側接続配線に分断され、
前記第１下側接続配線と前記第２下側接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される請求項５の弾性波素子。
【請求項９】
前記接続配線は、前記上側接続配線及び前記下側接続配線の双方を含んで前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１接続配線及び第２接続配線に分断され、
前記第１接続配線と前記第２接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される請求項６の弾性波素子。
【請求項１０】
前記第１接続配線及び前記第２接続配線間において前記圧電体に配置された第３接続配線をさらに含み、
前記第３接続配線は絶縁層によって覆われ、
前記補強電極は前記絶縁層を超えるように延びる請求項９の弾性波素子。
【請求項１１】
弾性波素子であって、
上面を有する圧電体と、
前記圧電体に配置された第１インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電体に配置された第２ＩＤＴ電極と、
前記圧電体の上面に配置されて前記第１ＩＤＴ電極及び前記第２ＩＤＴ電極に電気接続された接続配線と、
前記接続配線の上に配置された補強電極と
を含み、
前記接続配線は、
下側接続配線と、
前記下側接続配線の上に配置された上側接続配線と、
前記上側接続配線及び前記下側接続配線を通って前記圧電体の上面に垂直な方向に延びるホール電極と
を含み、
前記ホール電極は、前記上側接続配線における第１直径と前記下側接続配線における第２直径とを含み、
前記第１直径は前記第２直径よりも大きく、
前記補強電極は、前記ホール電極を介して前記上側接続配線に接触かつ電気接続され、及び前記下側接続配線に接触かつ電気接続される弾性波素子。
【請求項１２】
前記下側接続配線は第１材料から形成され、
前記上側接続配線は第２材料から形成され、
前記第１材料の酸素親和力が前記第２材料の酸素親和力よりも小さい請求項１１の弾性波素子。
【請求項１３】
前記接続配線は、前記上側接続配線及び前記下側接続配線の双方を含んで前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１接続配線及び第２接続配線に分断され、
前記第１接続配線と前記第２接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される請求項１１の弾性波素子。
【請求項１４】
前記第１接続配線及び前記第２接続配線間において前記圧電体に配置された第３接続配線をさらに含み、
前記第３接続配線は絶縁層によって覆われ、
前記補強電極は前記絶縁層を超えるように延びる請求項１３の弾性波素子。
【請求項１５】
請求項１１の弾性波素子を含むラダーフィルタ。
【請求項１６】
弾性波素子であって、
上面を有する圧電体と、
前記圧電体に配置されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電体に配置されて前記ＩＤＴ電極に電気接続された接続配線と、
前記接続配線の上に配置された補強電極と
を含み、
前記接続配線は、
下側接続配線と、
前記下側接続配線に配置された上側接続配線と
を含み、
前記補強電極は、前記下側接続配線の上面に接触かつ電気接続され、
前記上側接続配線は、前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１上側接続配線及び第２上側接続配線に分断され、
前記第１上側接続配線と前記第２上側接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される弾性波素子。
【請求項１７】
前記下側接続配線は、前記圧電体の上面に垂直な方向の断面において前記補強電極によって第１下側接続配線及び第２下側接続配線に分断され、
前記第１下側接続配線と前記第２下側接続配線とは、前記補強電極を介して互いに電気接続される請求項１６の弾性波素子。
【請求項１８】
前記第１下側接続配線及び前記第２下側接続配線間においてかつ前記第１上側接続配線及び前記第２上側接続配線間において前記圧電体に配置された付加接続配線をさらに含み、
前記付加接続配線は絶縁層によって覆われ、
前記補強電極は前記絶縁層を超えるように延びる請求項１７の弾性波素子。
【請求項１９】
前記接続配線は、前記圧電体の上面に垂直な方向に延びるホール電極を含み、
前記補強電極は、前記ホール電極を介して前記下側接続配線に電気接続される請求項１６の弾性波素子。
【請求項２０】
前記ホール電極は前記上側接続配線及び前記下側接続配線を通って延び、
前記上側接続配線における前記ホール電極の第１直径が、前記下側接続配線における前記ホール電極の第２直径よりも大きい請求項１９の弾性波素子。