【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−第１のセラミックの機能層と、
−結合層（ＶＳ）と、
−セラミックのテンション層（ＳＰＳ）と、
を含み、
−前記セラミックの機能層（ＦＳ）が、支持プレート（ＴＰ）を形成するために、前記結合層（ＶＳ）を介して前記セラミックのテンション層（ＳＰＳ）に結合されており、
−前記セラミックの機能層（ＦＳ）には、電気部品と接続可能な受動電気構成要素が組み込まれており、
−前記機能層（ＦＳ）及び前記テンション層（ＳＰＳ）はガラスを含んでいないか、又は５質量（％）未満の低ガラス含有量を有し、
−前記結合層（ＶＳ）が、ガラス成分を含むか、又はガラス層である、
−前記テンション層（ＳＰＳ）が、前記機能層（ＦＳ）の熱膨張係数ＣＴＥＦよりも低い、比較的低い熱膨張係数ＣＴＥＳを備えている、
電気部品のための支持プレート。
【請求項２】
前記結合層（ＶＳ）の厚さが０．５〜１０μｍである、
請求項１に記載の支持プレート。
【請求項３】
前記結合層（ＶＳ）が、前記ガラス成分のほかに、焼結されていないセラミックの充填材料を更に含んでいる、
請求項１又は２に記載の支持プレート。
【請求項４】
前記テンション層（ＳＰＳ）が、前記機能層（ＦＳ）及び前記結合層（ＶＳ）の焼結温度を超える焼結温度を有している、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の支持プレート。
【請求項５】
第２の結合層（ＶＳ２）及び第２のテンション層（ＳＰＳ２）を有し、前記第２のテンション層が前記第２の結合層を介して、前記機能層（ＦＳ）の前記第１のテンション層に背を向けた表面に結合されており、その結果、前記支持プレートが、層の順序、材料及び層厚に関して対称の構造を備えている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の支持プレート。
【請求項６】
前記少なくとも１つの結合層（ＶＳ）が、主要成分として、合計で前記結合層の少なくとも７０質量％を構成する、Ｓｉ及び／又はＧｅ、Ｂ並びにＫの酸化物を含んでおり、前記結合層における、１００質量％に対する残りの割合が高焼結充填材料で形成されている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の支持プレート。
【請求項７】
前記機能層（ＦＳ）が、バリスタ材料から成る層を含んでいるとともに、少なくとも２つの電極層（ＥＬ１，ＥＬ２）を備えている、或いは、
前記機能層（ＦＳ）が、ＮＴＣセラミック又はＰＴＣセラミックの層、セラミックの多層コンデンサ、フェライト層、圧電層及びＬＴＣＣセラミックから選択されている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の支持プレート。
【請求項８】
前記機能層（ＦＳ）が、異なる受動電気部品のための電極へ構造化されている少なくとも３つのメタライズ平面、及び異なる電子セラミック特性を有する少なくとも２つの異なる部分層（ＦＳ１、ＦＳ２）を備えており、前記異なる受動部品が前記機能層へ組み込まれている、
請求項７に記載の支持プレート。
【請求項９】
前記テンション層（ＳＰＳ）がＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３又はＭｇＳｉＯ４のような高焼結酸化物及び化合物を基礎とする層である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の支持プレート。
【請求項１０】
ａ）受動電気構成要素があらかじめ形成されたセラミックの機能層のためのグリーンシートを設ける工程と、
ｂ）前記グリーンシート上へガラス粒子の比較的薄い層を設ける工程と、
ｃ）セラミックのテンション層のためのグリーンシートを前記ガラス粒子上へ設ける工程と、
ｄ）前記ガラス粒子及び前記セラミックの機能層の焼結温度より高い温度で前記構造を焼結する工程と、
ｅ）前記構造のコントロールされた冷却工程であって、１〜１０μｍの厚さのガラス層を有する固体化合物が形成され、前記側方の焼結収縮が軸ごとに３％より小さい値に制限されている、工程と、
を含む、請求項１に記載の支持プレートを製造するための方法。
【請求項１１】
前記セラミックの機能層のための前記グリーンシートがグリーン箔を含んでおり、ここにおいて、前記ガラス粒子の層がペーストの形態で少なくとも１つのグリーン箔上に設けられており、ここにおいて、前記セラミックのテンション層のためのグリーンシートとしてペースト又はグリーン箔が前記ガラス粒子の層上へ設けられる、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
Ａ）テンション層（ＳＰＳ）のための固体のセラミックのプレートを設ける工程と、
Ｂ）ガラス粒子の比較的薄い層（ＧＶ）を前記テンション層上へ設ける工程と、
Ｃ）セラミックの機能層（ＧＦ）のためのグリーンシートを前記ガラス粒子の層（ＧＶ）上へ設け、その中に受動電気構成要素をあらかじめ形成する工程と、
Ｄ）前記ガラス粒子及び前記セラミックの機能層の焼結温度より高い温度で前記構造を焼結する工程と、
Ｅ）１〜１０μｍの厚さのガラス層ＶＳを有する固体化合物が形成されるときに、前記構造のコントロールされた冷却工程であって、側方の焼結収縮が軸ごとに３％より小さい値に制限されている、工程と、
を代替的に含む、請求項１に記載の支持プレートを製造するための方法。
【請求項１３】
ｆ）前記冷却後に機械的な除去方法を実行する工程であって、ここにおいて、前記テンション層（ＳＰＳ）が再び除去される、工程、
を更に含む、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
除去方法として、サンドブラスト、ブラッシング又は研磨が用いられる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
工程Ｅ）又はｅ）の後に、前記固体化合物において、前記受動部品の上側の接触部が前記ガラス層の下方で露出し、
ここにおいて、電気接続パッドが、前記化合物の前記上側の接触部との電気導電性の接触として電気部品のために設けられる、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明は、わずかな選択された実施例に基づいて説明され、したがって、図示の実施例及び／又は各図に限定されていない。本発明は、各請求項によってのみ定義されているとともに、その範囲において別のバリエーションを含んでいる。各請求項の特徴の下位の組合せも本発明によるものとみなされる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
−第１のセラミックの機能層と、
−結合層（ＶＳ）と、
−セラミックのテンション層（ＳＰＳ）と、
を含み、
−前記セラミックの機能層（ＦＳ）が、支持プレート（ＴＰ）のために、前記結合層（ＶＳ）を介して前記セラミックのテンション層（ＳＰＳ）に結合されており、
−前記セラミックの機能層（ＦＳ）には、電気部品と接続可能な受動電気構成要素が組み込まれており、
−前記機能層（ＦＳ）及び前記テンション層（ＳＰＳ）はガラスを含んでいないか、又は５質量（％）より小さなわずかなガラス割合のみを有し、
−前記結合層（ＶＳ）が、ガラス成分を含むか、又はガラス層である、
電気部品のための支持プレート。
［Ｃ２］
前記結合層（ＶＳ）の厚さが０．５〜１０μｍである、
Ｃ１に記載の支持プレート。
［Ｃ３］
Ｃ１又は２に記載の支持プレート
前記結合層（ＶＳ）が、前記ガラス成分のほかに、焼結されていないセラミックの充填材料を更に含んでいる、
Ｃ１又は２に記載の支持プレート。
［Ｃ４］
前記テンション層（ＳＰＳ）が、前記機能層（ＦＳ）及び前記結合層（ＶＳ）の焼結温度を超える焼結温度を有している、
Ｃ１〜３のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ５］
前記テンション層（ＳＰＳ）が、前記機能層（ＦＳ）の熱膨張係数ＣＴＥＦよりも低い、比較的低い熱膨張係数ＣＴＥＳを備えている、
Ｃ１〜４のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ６］
第２の結合層（ＶＳ２）及び第２のテンション層（ＳＰＳ２）を有し、該第２のテンション層が前記第２の結合層を介して前記機能層（ＦＳ）の、前記第１のテンション層から離れるように向いたその表面に結合されており、その結果、前記支持プレートが、層の順序、材料及び層厚に関して対称の構造を備えている、
Ｃ１〜５のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ７］
前記少なくとも１つの結合層（ＶＳ）が、主要成分として、合計で該結合層の少なくとも７０質量％を含む、Ｓｉ及び／又はＧｅ、Ｂ並びにＫの酸化物を含んでおり、前記結合層において１００質量％まで不足している割合が高焼結された充填材料で形成されている、
Ｃ１〜６のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ８］
前記機能層（ＦＳ）が、バリスタ材料から成る層を含んでいるとともに、少なくとも２つの電極層（ＥＬ１，ＥＬ２）を備えている、
Ｃ１〜７のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ９］
前記機能層（ＦＳ）が、ＮＴＣセラミック又はＰＴＣセラミックの層、セラミックの多層コンデンサ、フェライト層、圧電層及びＬＴＣＣセラミックから選択されている、
Ｃ１〜７のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ１０］
前記機能層（ＦＳ）が、異なる電子セラミック特性及び異なる受動電気部品のための電極へ構造化されている少なくとも３つのメタライズ平面を有する少なくとも２つの異なる部分層（ＦＳ１，ＦＳ２）を備えており、前記異なる受動電気部品が前記機能層へ組み込まれている、
Ｃ８又は９に記載の支持プレート。
［Ｃ１１］
前記テンション層（ＳＰＳ）がＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３又はＭｇＳｉＯ４のような高焼結される酸化物及び化合物を基礎とする層である、
Ｃ１〜１０のいずれか１項に記載の支持プレート。
［Ｃ１２］
ａ）受動電気構成要素があらかじめ形成されたセラミックの機能層のためのグリーン体を設ける工程と、
ｂ）前記グリーン体上へガラス粒子の比較的薄い層を設ける工程と、
ｃ）セラミックのテンション層のためのグリーン体をガラス粒子上へ設ける工程と、
ｄ）ガラス粒子及びセラミックの機能層の焼結温度より高い温度で構造を焼結する工程と、
ｅ）前記構造をコントロールしつつ冷却する工程であって、１〜１０μｍの厚さのガラス層を有する固体の結合部が生じ、側方の焼結収縮が軸線ごとに３％より小さい値に制限されている、工程と、
を含む、Ｃ１に記載の支持プレートを製造するための方法。
［Ｃ１３］
前記セラミックの機能層のための前記グリーン体が少なくとも１つのグリーンシートを含んでおり、該グリーンシートでは、ガラス粒子の層がペーストの形態で少なくとも１つのグリーンシート上に設けられており、該グリーンシートでは、前記セラミックのテンション層のためのグリーン体としてペースト又はグリーンシートがガラス粒子の層上へ設けられる、
Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］
Ａ）テンション層（ＳＰＳ）のための固体のセラミックのプレートを設ける工程と、
Ｂ）ガラス粒子の比較的薄い層（ＧＶ）を前記テンション層上へ設ける工程と、
Ｃ）セラミックの機能層（ＧＦ）のためのグリーン体をガラス粒子の層（ＧＶ）上へ設け、その中に受動電気構成要素をあらかじめ形成する工程と、
ｄ）ガラス粒子及びセラミックの機能層の焼結温度より高い温度で構造を焼結する工程と、
ｅ）前記構造をコントロールしつつ冷却する工程であって、１〜１０μｍの厚さのガラス層ＶＳを有する固体の結合部が生じ、側方の焼結収縮が軸線ごとに３％より小さい値に制限されている、工程と、
を代替的に含む、Ｃ１に記載の支持プレートを製造するための方法。
［Ｃ１５］
ｆ）冷却後に機械的な除去方法を実行する工程であって、その際、前記テンション層（ＳＰＳ）が再び除去される、工程、
を更に含む、Ｃ１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
［Ｃ１６］
前記除去方法として、サンドブラスト、ブラッシング又は研磨が用いられる、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ１７］
工程Ｅ）又はｅ）の後に、固体の結合部において、受動構成要素の最上の接触部がガラス層の下方で露出し、
電気部品のための電気的な接続面が、導電的な接触部において、前記最上の接触部と共に前記結合部上へ設けられる、Ｃ１２〜１６のいずれか１項に記載の方法。