【手続補正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物を含むｐ型半導体であって、前記第１の金属酸化物化合物および前記第２の金属酸化物化合物は同じ金属の異なる酸化状態を有し、ｐ型価電子帯を有するｐ型半導体と、
前記ｐ型価電子帯よりも深いｎ型価電子帯を有する第１のｎ型半導体であって、前記ｐ型半導体とイオン電荷により連通しているｎ型半導体と、
を含む不均質材料。
【請求項２】
さらに第２のｎ型半導体を含む、請求項１に記載の不均質材料。
【請求項３】
前記第１のｎ型半導体がＴｉＯ２である、請求項１または２に記載の不均質材料。
【請求項４】
前記第１のｎ型半導体がアナターゼＴｉＯ２とルチルＴｉＯ２との組み合わせである、請求項１、２、または３に記載の不均質材料。
【請求項５】
前記第１のｎ型半導体がＷＯ３を含む、請求項１、２、３、または４に記載の不均質材料。
【請求項６】
前記第２のｎ型半導体に対する前記第１のｎ型半導体のモル比が約０．５から約１０である、請求項２、３、４、または５に記載の不均質材料。
【請求項７】
前記第２のｎ型半導体がＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、またはＺｒＯ２である、請求項２、３、４、５、または６に記載の不均質材料。
【請求項８】
前記第２のｎ型半導体がＣｅＯ２である、請求項２、３、４、５、６、または７に記載の不均質材料。
【請求項９】
前記第２のｎ型半導体がＧｅＯ２である、請求項２、３、４、５、６、または７に記載の不均質材料。
【請求項１０】
前記第２のｎ型半導体がＳｎＯ２である、請求項２、３、４、５、６、または７に記載の不均質材料。
【請求項１１】
前記ｐ型半導体がＣｕｘＯを含む、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、または１０に記載の不均質材料。
【請求項１２】
前記ｐ型半導体が重量で前記不均質材料の約０．００１％から約５％である、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、または１１に記載の不均質材料。
【請求項１３】
前記ｐ型半導体がＣｕｘＯであり、重量で前記不均質材料の約０．０１％から約１％である、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、または１２に記載の不均質材料。
【請求項１４】
前記ｐ型半導体の少なくとも５０％が前記第１のｎ型半導体の粒子および前記第２のｎ型半導体の粒子の表面上に担持される、請求項２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、または１３に記載の不均質材料。
【請求項１５】
前記不均質材料が粉末の形態である、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、または１４に記載の不均質材料。
【請求項１６】
不均質材料を調製する方法であって、
１）第１のｎ型半導体および第２のｎ型半導体と、
２）銅イオン錯体を含む水溶液と、
の混合物を加熱することを含み、
前記銅イオン錯体を含む前記水溶液と前記第１のｎ型半導体および前記第２のｎ型半導体を組み合わせることに先立って、前記第１のｎ型半導体および前記第２のｎ型半導体が混合される方法。
【請求項１７】
前記混合物が加熱された後に前記混合物から前記不均質材料を濾別することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
化学化合物を分解する方法であって、
光の存在下で、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、または１５に記載の不均質材料を含む光触媒に前記化学化合物を暴露することを含む方法。
【請求項１９】
前記化学化合物が汚染物質である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
微生物を殺す方法であって、
光の存在下で、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、または１５に記載の不均質材料を含む光触媒に前記微生物を暴露することを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
いくつかの実施形態は化学化合物を分解する方法を包含し、光の存在下で、本明細書に記載される不均質材料を含む光触媒に化学化合物を暴露することを含む。いくつかの実施形態において、化学化合物は揮発性有機化合物などの汚染物質である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
いくつかの実施形態は微生物を殺す方法を包含し、光の存在下で、本明細書に記載される不均質材料を含む光触媒に微生物を暴露することを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
例示的だが限定しない実施形態は次の通りである。
実施形態１．  第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物を含むｐ型半導体であって、第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物は同じ金属の異なる酸化状態を有し、ｐ型価電子帯を有するｐ型半導体と、
ｐ型価電子帯よりも深いｎ型価電子帯を有するｎ型半導体であってｐ型半導体とイオン電荷により連通するｎ型半導体と、
を含む不均質材料。
実施形態２．  実施形態１の不均質材料であって、第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物とイオン電荷により連通する貴金属をさらに含む。
実施形態３．  実施形態２の不均質材料であって、貴金属がロジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、オスミウム、白金、または金である。
実施形態４．  実施形態２または３の不均質材料であって、貴金属がｎ型半導体上に担持されている。
実施形態５．  実施形態１、２、３、または４の不均質材料であって、さらに第２のｎ型半導体を含み、第２のｎ型半導体の少なくとも一部がｐ型半導体からイオン電荷的に隔離される。
実施形態６．  実施形態５の不均質材料であって、第２のｎ型半導体が酸化セリウムを含む。
実施形態７．  実施形態６の不均質材料であって、酸化セリウムがＣｅＯ２である。
実施形態８．  実施形態５の不均質材料であって、第２のｎ型半導体が複数相ＴｉＯ２を含む。
実施形態９．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、または８の不均質材料であって、第１の金属酸化物化合物がＣｕ（Ｉ）を含み且つ第２の金属酸化物化合物がＣｕ（ＩＩ）を含むか、第１の金属酸化物化合物がＣｏ（ＩＩ）を含み且つ第２の金属酸化物化合物がＣｏ（ＩＩＩ）を含むか、第１の金属酸化物化合物がＭｎ（ＩＩ）を含み且つ第２の金属酸化物化合物がＭｎ（ＩＩＩ）を含むか、第１の金属酸化物化合物がＦｅ（ＩＩ）を含み且つ第２の金属酸化物化合物がＦｅ（ＩＩＩ）を含むか、または第１の金属酸化物化合物がＩｒ（ＩＩＩ）を含み且つ第２の金属酸化物化合物がＩｒ（ＩＶ）を含む。
実施形態１０．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、または９の不均質材料であって、ｐ型半導体がｎ型半導体上に担持されている。
実施形態１１．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、または９の不均質材料であって、ｐ型半導体がｎ型半導体上に実質的に均一に分散している。
実施形態１２．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、または１１の不均質材料であって、ｐ型半導体が、１００ｎｍ以下の粒径を有する粒子の形態である。
実施形態１３．  実施形態９の不均質材料であって、ｐ型半導体がＣｕ（Ｉ）およびＣｕ（ＩＩ）を含む。
実施形態１４．  実施形態１３の不均質材料であって、ｐ型半導体がＣｕｘＯを含む。
実施形態１５．  実施形態１４の不均質材料であって、ＣｕｘＯが化学的に原子価制御される。
実施形態１６．  実施形態９の不均質材料であって、Ｃｕ（Ｉ）：Ｃｕ（ＩＩ）の比が１０：９０から３０：７０の間である。
実施形態１７．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、または１６の不均質材料であって、ｐ型半導体が不均質材料の０．００１から１０ｗｔ％であり、ｎ型半導体が不均質材料の９０から９９．９９９ｗｔ％である。
実施形態１８．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体がセリウム、タングステン、タンタル、スズ、亜鉛、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、インジウム、またはアルミニウムの酸化物である。
実施形態１９．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体が、Ｓｎ−Ｔｉ（Ｏ，Ｃ，Ｎ）２、ＭｇＴｉ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＫＴａＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＳｎＯ２、ＷＯ３、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＴｉＯ４、Ｉｎ２ＴｉＯ５、Ａｌ２ＴｉＯ５、またはＬｉＣａ２Ｚｎ２Ｖ３Ｏ１２を含む。
実施形態２０．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体がＡｌ２−ｘＩｎｘＴｉＯ５であり、０＜ｘ＜２である。
実施形態２１．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体がＺｒ１−ｙＣｅｙＴｉＯ４であり、０＜ｙ＜１である。
実施形態２２．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体が酸化チタンであり、ドーピングによって制御された価電子帯を有する。
実施形態２３．  実施形態１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、または１７の不均質材料であって、ｎ型半導体はＮ、Ｃ、または両方をドープした酸化チタンである。
実施形態２４．  実施形態２２の不均質材料であって、ｎ型半導体は、式（Ｔｉ１−ｒＭｒ）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）によって表される化合物を含む酸化チタンであり、
ＭはＳｎ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｕ、またはその組み合わせであり、
ｒは０から０．２５であり、
ｓは０．００１から０．１であり、
ｔは０．００１から０．１である。
実施形態２５．  実施形態２４の不均質材料であって、（Ｔｉ０．９９Ｓｎ０．０１）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９７Ｓｎ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９５Ｓｎ０．０５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９０Ｓｎ０．１０）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．８５Ｓｎ０．１５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９８５Ｎｉ０．０１５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９８Ｎｉ０．０２）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９７Ｎｉ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮt）、（Ｔｉ０．９９Ｓｒ０．０１）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮt）、（Ｔｉ０．９７Ｓｒ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮt）、（Ｔｉ０．９５Ｓｒ０．０５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９７Ｂａ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９５Ｂａ０．０５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９４Ｓｎ０．０５Ｆｅ０．０１）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９４Ｓｎ０．０５Ｎｉ０．０１）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９９Ｆｅ０．０１）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９５Ｚｎ０．０５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．７７Ｓｎ０．１５Ｃｕ０．０８）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．８５Ｚｎ０．１５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９０Ｂｉ０．１０）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９９６Ｖ０．００４）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮt）、（Ｔｉ０．９８４Ｖ０．０１６）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９７Ｖ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９９７Ｍｏ０．００３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９８４Ｍｏ０．０１６）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９５７Ｍｏ０．０４３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９７Ｗ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９５Ｗ０．０５）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９９６Ｖ０．００４）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、（Ｔｉ０．９８４Ｖ０．０１６）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）、または（Ｔｉ０．９７Ｖ０．０３）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）を含む。
実施形態２６．  実施形態１６の不均質材料であって、ｎ型半導体が（Ｔｉ１−ｒＭｒ）（Ｏ２−ｓ−ｔＣｓＮｔ）を含み、
ＭはＳｎであり、
ｒは０から０．２５であり、
ｓは０．００１から０．１であり、
ｔは０．００１から０．１である。
実施形態２７．  実施形態２６の不均質材料であって、ｒが０超である。
実施形態２８．  実施形態２６の不均質材料であって、ｒは０であり、半導体がルチル相およびアナターゼ相を含む。
実施形態２９．  実施形態１６の不均質材料であって、ｎ型半導体が酸化スズである。
実施形態３０．  化学化合物を分解する方法であって、光の存在下で、実施形態１〜２９のいずれかの不均質材料を含む光触媒に化学化合物を暴露することを含む。
実施形態３１．  実施形態３０の方法であって、化学化合物が汚染物質である。
実施形態３２．  微生物を殺す方法であって、光の存在下で、実施形態１〜２９のいずれかの不均質材料を含む光触媒に微生物を暴露することを含む。
実施形態Ｂ１．  第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物を含むｐ型半導体であって、第１の金属酸化物化合物および第２の金属酸化物化合物は同じ金属の異なる酸化状態を有し、ｐ型価電子帯を有するｐ型半導体と、
ｐ型価電子帯よりも深いｎ型価電子帯を有する第１のｎ型半導体であって、ｐ型半導体とイオン電荷的に連通する第１のｎ型半導体と、
を含む不均質材料。
実施形態Ｂ２．  実施形態Ｂ１の不均質材料であって、さらに第２のｎ型半導体を含む。
実施形態Ｂ３．  実施形態Ｂ１またはＢ２の不均質材料であって、第１のｎ型半導体がＴｉＯ２である。
実施形態Ｂ４．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、またはＢ３の不均質材料であって、第１のｎ型半導体がアナターゼＴｉＯ２とルチルＴｉＯ２との組み合わせである。
実施形態Ｂ５．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、またはＢ４の不均質材料であって、第１のｎ型半導体がＷＯ３を含む。
実施形態Ｂ６．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、またはＢ５の不均質材料であって、第２のｎ型半導体に対する第１のｎ型半導体のモル比が約０．５から約１０である。
実施形態Ｂ７．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、またはＢ６の不均質材料であって、第２のｎ型半導体がＣｅＯ２、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、またはＺｒＯ２である。
実施形態Ｂ８．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、またはＢ７の不均質材料であって、第２のｎ型半導体がＣｅＯ２である。
実施形態Ｂ９．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、またはＢ８の不均質材料であって、第２のｎ型半導体がＧｅＯ２である。
実施形態Ｂ１０．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、またはＢ９の不均質材料であって、第２のｎ型半導体がＺｒＯ２である。
実施形態Ｂ１１．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、またはＢ１０の不均質材料であって、ｐ型半導体がＣｕｘＯを含む。
実施形態Ｂ１２．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、またはＢ１１の不均質材料であって、ｐ型半導体が重量で不均質材料の約０．００１％から約５％である。
実施形態Ｂ１３．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１１、またはＢ１２の不均質材料であって、ｐ型半導体がＣｕｘＯであり、重量で不均質材料の約０．０１％から約１％である。
実施形態Ｂ１４．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１１、Ｂ１２、またはＢ１３の不均質材料であって、ｐ型半導体の少なくとも５０％が、第１のｎ型半導体の粒子および第２のｎ型半導体の粒子の表面上に担持される。
実施形態Ｂ１５．  実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、またはＢ１４の不均質材料であって、不均質材料が粉末の形態である。
実施形態Ｂ１６．  不均質材料を調製する方法であって、
１）第１のｎ型半導体および第２のｎ型半導体と、
２）銅イオン錯体を含む水溶液との、
混合物を加熱することを含み、
銅イオン錯体を含む水溶液と第１のｎ型半導体および第２のｎ型半導体を組み合わせることに先立って、第１のｎ型半導体および第２のｎ型半導体が混合される方法。
実施形態Ｂ１７．  実施形態Ｂ１６の方法であって、混合物が加熱された後に、混合物から不均質材料を濾別することをさらに含む。
実施形態Ｂ１８．  化学化合物を分解する方法であって、光の存在下で、実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４、またはＢ１５の不均質材料を含む光触媒に化学化合物を暴露することを含む方法。
実施形態Ｂ１９．  実施形態Ｂ１６、Ｂ１７、またはＢ１８の方法であって、化学化合物が汚染物質である。
実施形態Ｂ２０．  微生物を殺す方法であって、光の存在下で、実施形態Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４、またはＢ１５の不均質材料を含む光触媒に微生物を暴露することを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
例８（ｂ）．ＷＯ３＋ＣｅＯ２混合物上へのＣｕｘＯの水熱法担持
ＷＯ３／ＣｅＯ２の音響混合した粉末の約１ｇを、表４に記載されているように、１０ｍＬのミリＱ（登録商標）水と、種々の量の二水酸化ビス−エチレン−ジアミン銅（Ｃｕ（ＥＮ）２（ＯＨ）２）（１Ｍ水溶液）と一緒に２０ｍＬテフロン（商標）内張りステンレス鋼容器に仕込んだ。表４は、（ＷＯ３＋ＣｅＯ２）の混合物上への水熱法ＣｕｘＯ担持によって合成された３つの異なる組成物をまとめている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
【表４】
2017528314.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
例９（ｂ）．ＷＯ３＋ＴｉＯ２混合物上へのＣｕｘＯの水熱法担持
約１ｇのＷＯ３／ＴｉＯ２の音響混合した粉末を、表５に記載されているように、１０ｍＬのミリＱ（登録商標）水と、種々の量のＣｕ（ＥＮ）２（ＯＨ）２（１Ｍ水溶液）と一緒に２０ｍＬテフロン（商標）内張りステンレス鋼容器に仕込んだ。表５は、（ＷＯ３＋ＴｉＯ２）の混合物上への水熱法ＣｕｘＯ担持によって調製した３つの異なる組成物をまとめている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
【表５】
2017528314.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
例１０（ｂ）．ＷＯ３＋ＧｅＯ２混合物上へのＣｕｘＯの水熱法担持
ＷＯ３／ＧｅＯ２の音響混合した粉末の約１ｇを、表６に記載されているように、１０ｍＬのミリＱ（登録商標）水と、種々の量のＣｕ（ＥＮ）２（ＯＨ）２（１Ｍ水溶液）と一緒に２０ｍＬテフロン内張りステンレス鋼容器に仕込んだ。表６は、（ＷＯ３＋ＧｅＯ２）の混合物上への水熱法ＣｕｘＯ担持によって調製した３つの異なる組成物をまとめている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
【表６】
2017528314.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
例１１
ＷＯ３＋ＺｒＯ２混合物上へのＣｕｘＯの水熱法担持
音響ミキサーからの粉末混合物（重量で６５％ＷＯ３および３５％ＺｒＯ２）の約１ｇを、表７に記載されているように、合計１０ｍＬのミリＱ（登録商標）水中の種々の量のＣｕ（ＥＮ）２（ＯＨ）２（１Ｍ水溶液）と一緒に２０ｍＬテフロン（商標）内張りステンレス鋼容器に仕込んだ。表７は、（ＷＯ３＋ＺｒＯ２）の混合物（ルネキャット、東芝、大阪、日本国）上への水熱法ＣｕｘＯ担持によって調製した３つの異なる組成物をまとめている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
【表７】
2017528314.tif 000004