【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
本明細書に引用される全ての参考文献及び刊行物は、それらが本開示と直接矛盾し得る場合を除き、それらの全容を参照によって本開示に明確に援用するものである。本明細書において特定の実施形態が例示及び説明されてきたが、多様な代替及び／又は同等の実施が、本開示の範囲から逸脱することなく、図示され説明された特定の実施形態と置き換えられ得ることは、当業者には理解されるであろう。本出願は、本明細書において検討される具体的な実施形態のいかなる適合例又は変形例をも網羅しようとするものである。本出願は、本明細書で説明された特定の実施形態のいかなる翻案又は変形をも包含すべく意図されている。開示された実施形態は、例証するために提示されるもので、制限するためのものではない。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２８］に記載する。
［項目１］
第１の表面と、前記第１の表面の反対側に構造化表面を有する第２の表面と、を有する犠牲テンプレート層と、
前記犠牲テンプレート層の前記構造化表面に適合する熱的に安定なバックフィル層と、を含み、
前記第１の表面に隣接する前記犠牲テンプレート層の一部分が、前記第２の表面に隣接する前記犠牲テンプレート層の一部分と比較して熱的に安定な分子種の濃度が高い、転写フィルム。
［項目２］
前記犠牲テンプレート層が熱的に安定な分子種の層を含み、前記熱的に安定な分子種の層が犠牲材料の層によって前記犠牲テンプレート層の前記構造化表面から隔離される、項目１に記載の転写フィルム。
［項目３］
前記犠牲材料の層が犠牲材料から本質的になる、項目２に記載の転写フィルム。
［項目４］
前記犠牲テンプレート層が熱的に安定な分子種の勾配を含み、前記勾配が、前記犠牲テンプレート層の厚さ方向に沿った前記構造化表面からの距離の関数として変化する熱的に安定な分子種の濃度を含む、項目１に記載の転写フィルム。
［項目５］
前記熱的に安定な分子種の濃度が、前記構造化表面からの距離が増加するのに合わせて増加する、項目４に記載の転写フィルム。
［項目６］
前記熱的に安定な分子種の濃度が前記第１の表面の周辺で最高になる、項目５に記載の転写フィルム。
［項目７］
前記熱的に安定な分子種がケイ素、アルミニウム、ハフニウム、バリウム、ストロンチウム、チタニウム、又はジルコニウムを含む、項目１に記載の転写フィルム。
［項目８］
前記熱的に安定な分子種が金属又は金属酸化物若しくは金属酸化物前駆体を含む、項目１に記載の転写フィルム。
［項目９］
前記熱的に安定な分子種が有機ケイ素ポリマーを含む、項目１に記載の転写フィルム。
［項目１０］
前記犠牲テンプレート層が（メタ）アクリルポリマーを含む、項目４に記載の転写フィルム。
［項目１１］
前記（メタ）アクリルポリマーがポリエーテルセグメントの大部分又はエトキシ化セグメントの大部分を含む、項目１０に記載の転写フィルム。
［項目１２］
前記熱的に安定な分子種が前記熱的に安定なバックフィル層から前記犠牲テンプレート層に移動する、項目１に記載の転写フィルム。
［項目１３］
前記犠牲テンプレート層が、架橋層及び前記熱的に安定なバックフィル層の前記構造化表面によって画定される人工的な空隙を残して焼去されることができ、前記架橋層が前記犠牲テンプレート層内の前記熱的に安定な分子種から形成され、前記架橋層が前記構造化表面上に配置される、項目１に記載の転写フィルム。
［項目１４］
剥離可能な表面を有する支持基材を更に含み、前記犠牲テンプレート層の前記第２の表面が前記支持基材の前記剥離可能な表面上に配置される、項目１に記載の転写フィルム。
［項目１５］
項目１に記載の転写フィルムをレセプター基材に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼去して、架橋層及び前記熱的に安定なバックフィル層の前記構造化表面によって画定される人工的な空隙を形成し、前記架橋層が前記犠牲テンプレート層内の前記熱的に安定な分子種から形成され、前記架橋層が前記構造化表面上に配置される、工程と、を含む、方法。
［項目１６］
前記レセプター基材がサファイアを含む、項目１５に記載の方法。
［項目１７］
項目３に記載の転写フィルムをレセプター基材に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼去して、架橋層及び前記熱的に安定なバックフィル層の前記構造化表面によって画定される人工的な空隙を形成し、前記架橋層が前記熱的に安定な分子種の層から形成され、前記架橋層が前記構造化表面上に配置される、工程と、を含む、方法。
［項目１８］
項目４に記載の転写フィルムをレセプター基材に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼去して、架橋層及び前記熱的に安定なバックフィル層の前記構造化表面によって画定される人工的な空隙を形成し、前記架橋層が前記犠牲テンプレート層内の前記熱的に安定な分子種の勾配から形成され、前記架橋層が前記構造化表面上に配置される、工程と、を含む、方法。
［項目１９］
転写フィルムを形成する方法であって、
熱的に安定なバックフィル層を犠牲テンプレート層の構造化表面に適用して、前記熱的に安定なバックフィル層が前記犠牲テンプレート層の構造化表面に適合し、かつ熱的に安定な分子種を含む工程と、
前記熱的に安定な分子種の一部分を前記犠牲テンプレート層に移動させて前記転写フィルムの形成を許容する工程と、を含む、方法。
［項目２０］
前記許容工程により前記犠牲テンプレート層内に熱的に安定な分子種の勾配が形成され、前記勾配が、前記構造化表面からの距離の関数として増加する熱的に安定な分子種の濃度を含む、項目１９に記載の方法。
［項目２１］
前記犠牲テンプレート層がきれいに焼去されて、前記構造化表面に架橋層を配置させたままにして人工的な空隙を画定することができる、項目１９に記載の方法。
［項目２２］
転写フィルムを形成する方法であって、
熱的に安定な分子種を含む第１の層を形成する工程と、
前記第１の層に犠牲テンプレート層を配置する工程であって、前記犠牲テンプレート層が前記第１の層と接触する第１の表面、及び構造化表面であり対向する第２の表面を含む、工程と、
熱的に安定なバックフィル層を犠牲テンプレート層の構造化表面に適用する工程であって、前記熱的に安定なバックフィル層が前記犠牲テンプレート層の前記構造化表面に適合し、前記熱的に安定な分子種が前記熱的に安定なバックフィル層から移動しない工程と、を含み、
前記第１の層が前記犠牲テンプレート層によって前記熱的に安定なバックフィル層から隔離される、方法。
［項目２３］
光透過性支持層と、
前記支持基材上にあって、構造化表面層及び前記構造化表面層上の架橋層を含み、複数の人工的空隙を画定するナノ構造化層と、
前記架橋層上に配置され、上部電極と底部電極とを隔離するＯＬＥＤ層を含むＯＬＥＤ構造体と、を含む、底部発光ＯＬＥＤ。
［項目２４］
前記構造化表面層が１．５以下の屈折率を有し、前記架橋層が１．６以上の屈折率を有する、項目２３に記載の底部発光ＯＬＥＤ。
［項目２５］
支持層と、
前記支持層上に配置され、上部電極と底部電極とを隔離するＯＬＥＤ層を含むＯＬＥＤ構造体と、
前記上部電極上に配置される平坦化層と、
前記ＯＬＥＤ構造体上にあって、構造化表面層及び前記構造化表面層上の架橋層を含み、複数の人工的空隙を画定し、前記架橋層が前記ＯＬＥＤ構造体に隣接する、ナノ構造化層と、
前記構造化表面層上に配置される光透過性層と、を含む、上部発光ＯＬＥＤ。
［項目２６］
前記構造化表面層が１．５以下の屈折率を有し、前記架橋層が１．６以上の屈折率を有する、項目２５に記載の上部発光ＯＬＥＤ。
［項目２７］
前記ナノ構造化層が、光学結合及び平坦化層を介して前記ＯＬＥＤ構造体と光学的に結合される、項目２５に記載の上部発光ＯＬＥＤ。
［項目２８］
前記ナノ構造化層が前記ＯＬＥＤ構造体と光学的に結合されない、項目２５に記載の上部発光ＯＬＥＤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と、前記第１の表面の反対側に構造化表面を有する第２の表面と、を有する犠牲テンプレート層と、
前記犠牲テンプレート層の前記構造化表面に適合する熱的に安定なバックフィル層と、を含み、
前記第１の表面に隣接する前記犠牲テンプレート層の一部分が、前記第２の表面に隣接する前記犠牲テンプレート層の一部分と比較して熱的に安定な分子種の濃度が高い、転写フィルム。
【請求項２】
前記犠牲テンプレート層が熱的に安定な分子種の勾配を含み、前記勾配が、前記犠牲テンプレート層の厚さ方向に沿った前記構造化表面からの距離の関数として変化する熱的に安定な分子種の濃度を含む、請求項１に記載の転写フィルム。
【請求項３】
請求項１に記載の転写フィルムをレセプター基材に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼去して、架橋層及び前記熱的に安定なバックフィル層の前記構造化表面によって画定される人工的な空隙を形成し、前記架橋層が前記犠牲テンプレート層内の前記熱的に安定な分子種から形成され、前記架橋層が前記構造化表面上に配置される、工程と、を含む、方法。
【請求項４】
転写フィルムを形成する方法であって、
熱的に安定なバックフィル層を犠牲テンプレート層の構造化表面に適用して、前記熱的に安定なバックフィル層が前記犠牲テンプレート層の構造化表面に適合し、かつ熱的に安定な分子種を含む工程と、
前記熱的に安定な分子種の一部分を前記犠牲テンプレート層に移動させて前記転写フィルムの形成を許容する工程と、を含む、方法。
【請求項５】
光透過性支持層と、
前記支持基材上にあって、構造化表面層及び前記構造化表面層上の架橋層を含み、複数の人工的空隙を画定するナノ構造化層と、
前記架橋層上に配置され、上部電極と底部電極とを隔離するＯＬＥＤ層を含むＯＬＥＤ構造体と、を含む、底部発光ＯＬＥＤ。
【請求項６】
支持層と、
前記支持層上に配置され、上部電極と底部電極とを隔離するＯＬＥＤ層を含むＯＬＥＤ構造体と、
前記上部電極上に配置される平坦化層と、
前記ＯＬＥＤ構造体上にあって、構造化表面層及び前記構造化表面層上の架橋層を含み、複数の人工的空隙を画定し、前記架橋層が前記ＯＬＥＤ構造体に隣接する、ナノ構造化層と、
前記構造化表面層上に配置される光透過性層と、を含む、上部発光ＯＬＥＤ。