【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関から排出される粒子状物質を含む排ガスを処理するための触媒ハニカムウォールフロー型フィルタであって、第１端及び第２端を有し、かつ、多数の長手方向に延在する第１のチャネル及び第２のチャネルを画定する多数の相互接続する多孔質壁を備えたハニカム基材を備えたフィルタにおいて、
第１のチャネルはそれらの側面において第２のチャネルによって境され、かつ第２のチャネルより大きい水力直径を有し、
第１のチャネルはハニカム基材の第１端で末端塞栓され、かつ第２のチャネルはハニカム基材の第２端で末端塞栓され、
第１のチャネルのチャネル壁面はオンウォール型の触媒ウォッシュコートを備える、
触媒ハニカムウォールフロー型フィルタ。
【請求項２】
第１のチャネルのチャネル壁面上の触媒ウォッシュコートがその相互接続する多孔質壁に追加的に浸透する、請求項１に記載の触媒フィルタ。
【請求項３】
触媒ウォッシュコートは、オンウォール表面に位置するか、相互接続する多孔質壁に浸透するか、又は、オンウォール表面に位置し、かつ、第２のチャネル壁の相互接続する多孔質壁に浸透する、請求項１に記載の触媒フィルタ。
【請求項４】
第１端及び第２端を有し、多数の長手方向に延在する第１のチャネル及び第２のチャネルを画定する多数の相互接続する多孔質壁を備えた触媒ハニカム基材であって、
第１のチャネルはそれらの側面において第２のチャネルによって境され、
ハニカム基材の第１のチャネルはハニカム基材の第１端及び第２端の両方で開放され、
第２のチャネルはハニカム基材の第１端で開放されるがハニカム基材の第２端において末端塞栓で塞がれ；及び、第１の触媒ウォッシュコートは第１のチャネルの多孔質チャネル壁の表面に配置されるか、第１のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透するか、又は、多孔質チャネル壁の表面上に配置され、かつ、第１のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透し、第１の触媒ウォッシュコートは一端においてハニカム基材の第２端によって画定される、触媒ハニカム基材。
【請求項５】
ハニカム基材の第１端において第１のチャネル内に挿入された末端塞栓を有する請求項４に記載の触媒ハニカム基材と、
第２のチャネルの多孔質チャネル壁の表面に配置されるか、第２のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透するか、又は、多孔質チャネル壁の表面に配置されかつ第２のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透する、第２の触媒ウォッシュコートとを備えた、触媒ハニカムウォールフロー型フィルタであって、第２の触媒ウォッシュコートは一端においてウォールフロー型フィルタ基材の第１端によって画定される、触媒ハニカムウォールフロー型フィルタ。
【請求項６】
第１のチャネルが第２のチャネルより大きい水力直径を有する、請求項４に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項７】
第１のチャネル及び第２のチャネルが実質的に同一の水力直径を有する、請求項４に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項８】
第１のチャネル又は第２のチャネルにおける触媒ウォッシュコートが、各々、炭化水素トラップ、三元触媒、ＮＯｘ吸収剤、酸化触媒、選択式触媒還元（ＳＣＲ）触媒、Ｈ２Ｓトラップ、アンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）及び希薄ＮＯｘ触媒からなる群から選択される、請求項４に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項９】
第１のチャネルの触媒ウォッシュコートがＳＣＲ触媒である、請求項４に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項１０】
前記又は各触媒ウォッシュコートが１種類以上のモレキュラーシーブを含む、請求項８に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項１１】
少なくとも１種類のモレキュラーシーブが小孔、中孔、又は大孔のモレキュラーシーブである、請求項１０に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項１２】
少なくとも１種類のモレキュラーシーブが、ＡＥＩ、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−２０、ＥＲＩ、ＬＥＶ、モルデナイト、ＢＥＡ、Ｙ、ＣＨＡ、ＭＣＭ−２２及びＥＵ−１からなる群から選択される、請求項１０に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項１３】
モレキュラーシーブが金属化されていない、又は、周期表のＩＢ族、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族及びＶＩＩＩ族からなる群から選択される少なくとも１種類の金属で金属化されている、請求項１０に記載の触媒ハニカム基材。
【請求項１４】
内燃機関から排出される粒子状物質を含む排ガスを処理するための触媒ウォールフロー型フィルタ基材の作製方法であって、
ハニカムウォールフロー型フィルタ基材における使用のためにあらかじめ選択された物理的な特性及びパラメータを有し、かつ、ハニカムフロースルー基材モノリスの第１端及び第２端の両方で開放されている多数の長手方向に延在する第１及び第２のチャネルを画定する多数の相互接続する多孔質壁を備えた、第１端及び第２端を有するハニカムフロースルー基材モノリスを提供することであって、第１のチャネルはそれらの側面において第２のチャネルによって境され、かつ、第２のチャネルより大きい水力直径を有する、提供することと、
少なくとも、ハニカムフロースルー基材モノリスの第１のチャネルを画定する多孔質チャネル壁面を液体触媒ウォッシュコートに接触させることであって、液体触媒ウォッシュコートの固形物含量；液体触媒ウォッシュコートのレオロジー；フロースルー基材モノリスの空隙率；フロースルー基材モノリスの平均孔径；液体触媒ウォッシュコートの体積平均粒径；及び液体触媒ウォッシュコートのＤ９０（体積による）のうち少なくとも１つが、液体触媒ウォッシュコートが第１のチャネルの多孔質チャネル壁の表面上に残るか、又は多孔質チャネル壁の表面上に残り、かつ第１のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透するようにあらかじめ選択される、接触させることと、
コーティングされたハニカムフロースルー基材モノリスを乾燥及び焼成することと、
末端塞栓を、ハニカムフロースルー基材モノリスの第１端において第１のチャネルの開放端に、ハニカムフロースルー基材モノリスの第２端において第２のチャネルの開放端に、それぞれ挿入して触媒ウォールフロー型フィルタ基材を形成することと、を含む方法。
【請求項１５】
内燃機関から排出される粒子状物質を含む排ガスを処理するための触媒ウォールフロー型フィルタ基材の作製方法であって、
ハニカムウォールフロー型フィルタ基材における使用のためにあらかじめ選択された物理的な特性及びパラメータを有し、かつ、多数の長手方向に延在する第１及び第２のチャネルを画定する多数の相互接続する多孔質壁を備えた、第１端及び第２端を有するハニカム基材モノリスを提供することであって、第１のチャネルはそれらの側面において第２のチャネルによって境され、第１のチャネルはハニカム基材モノリスの第１端及び第２端の両方で開放され、かつ第２のチャネルはハニカム基材モノリスの第１端で開放されるがその第２端において末端塞栓で塞がれている、提供することと、
コーティングされたハニカム基材モノリスを作製するために、ハニカム基材モノリスの第１のチャネルを画定する多孔質チャネル壁面を液体触媒ウォッシュコートと接触させることであって、液体触媒ウォッシュコートの固形物含量；液体触媒ウォッシュコートのレオロジー；ハニカム基材モノリスの空隙率；ハニカム基材モノリスの平均孔径；液体触媒ウォッシュコートの体積平均粒径；及び液体触媒ウォッシュコートのＤ９０（体積による）のうち少なくとも１つが、液体触媒ウォッシュコートの少なくとも一部が第１のチャネルの多孔質チャネル壁の表面上に残るか、第１のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透するか、又は多孔質チャネル壁の表面上に残り、かつ第１のチャネルの多孔質チャネル壁に浸透する、接触させることと、
コーティングされたハニカム基材モノリスを乾燥及び焼成することと、
ハニカム基材モノリスの第１端において末端塞栓を第１のチャネルの開放端に挿入して触媒ウォールフロー型フィルタ基材を形成することと、を含む方法。
【請求項１６】
第１のチャネルが第２のチャネルより大きい水力直径を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第１のチャネル及び第２のチャネルが実質的に同一の水力直径を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
第１のチャネルの多孔質チャネル壁を接触させる工程が、それらのチャネルが実質的に垂直になるようにハニカム基材モノリスを配向させることと、それらの下方端からチャネル内に液体触媒ウォッシュコートを導入することによって行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
ハニカム基材モノリスの下方端から液体触媒ウォッシュコートを導入する工程が、液体触媒ウォッシュコート浴内にハニカム基材モノリスを浸漬することによって行われる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ハニカム基材モノリスの下方端から液体触媒ウォッシュコートを導入する工程が、所定の量の液体触媒ウォッシュコートをハニカム基材モノリス内に押し上げることによって行われる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
ハニカム基材の下方端から液体触媒ウォッシュコートを導入する工程が、ハニカム基材モノリスの上方端で真空を適用することにより、液体触媒ウォッシュコートをチャネル内に引き込むことによって行われる、請求項１８に記載の方法。