【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高効率および高安定性の量子ドット発光ダイオード（ＱＤ−ＬＥＤ）を作製する方法であって、
ガラス基板を提供するステップと、
前記ガラス基板上にＱＤ−ＬＥＤ積層体を形成するステップと、
活性試薬を硬化性樹脂に組み込むステップと、
前記硬化性樹脂に前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を封入するステップと、
ＵＶ光で前記硬化性樹脂を硬化するステップと
を含む、方法
【請求項２】
前記硬化性樹脂に前記活性試薬を混合することにより前記硬化性樹脂を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活性試薬が、アクリル酸、安息香酸、メタクリル酸、３‐ブテン酸、クロトン酸、および他の不飽和カルボン酸の誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記活性試薬が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、および他の飽和カルボン酸の誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記硬化性樹脂が、１〜９９重量％の活性試薬を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記硬化性樹脂を、カバーガラスを用いて前記ＱＤ−ＬＥＤの上で押圧する、請求項１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項７】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、作製した後に所定の時間焼成する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、少なくとも５０℃の温度で焼成する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、９０℃以下の温度で焼成する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記所定の期間が少なくとも４時間である、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記所定の時間が４８時間以下である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
高効率および高安定性のＱＤ−ＬＥＤを合成する方法であって、
ガラス基板を提供するステップと、
前記ガラス基板上にＱＤ−ＬＥＤ積層体を形成するステップと、
活性試薬を前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込むステップと、
硬化性樹脂に前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を封入するステップと、
ＵＶ光で前記硬化性樹脂を硬化するステップと
を含む、方法
【請求項１３】
活性試薬を含む雰囲気に前記ＱＤ−ＬＥＤを曝露することにより前記活性試薬を前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記活性試薬が、アクリル酸、メタクリル酸、３‐ブテン酸、クロトン酸、および他の不飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記活性試薬が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、および他の飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記雰囲気が、その量が飽和蒸気圧の１〜９０％構成する前記活性試薬を含む、請求項１３に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項１７】
前記硬化性樹脂を、カバーガラスを用いて前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体の上で押圧する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、作製後所定の時間焼成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、少なくとも５０℃の温度で焼成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、９０℃以下の温度で焼成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記所定の時間が、少なくとも４時間である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記時間が４８時間以下である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
高効率および高安定性のＱＤ−ＬＥＤを作製するための方法であって、
ガラス基板を提供するステップと、
前記ガラス基板上にＱＤ−ＬＥＤ積層体を形成するステップと、
活性試薬を前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込むステップと、
硬化性樹脂に前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を封入するステップと、
ＵＶ光で前記硬化性樹脂を硬化するステップと
を含む、方法
【請求項２４】
前記活性試薬を含む溶液で前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を洗浄することにより、前記活性試薬を前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記活性試薬が、アクリル酸、安息香酸、メタクリル酸、３‐ブテン酸、クロトン酸、および他の不飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記活性試薬が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、および他の飽和カルボン酸誘導体を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記溶液が、０．１〜９０重量％の活性試薬を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記硬化性樹脂を、カバーガラスにより前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体の上に押圧する、請求項２３の量子ドット発光ダイオード。
【請求項２９】
前記硬化性樹脂を、ＵＶ放射線への曝露により硬化する、請求項２３の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３０】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、作製後所定の時間焼成する、請求項２３の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３１】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、少なくとも５０℃の温度で焼成する、請求項３０に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３２】
前記ＱＤ−ＬＥＤを、９０℃以下の温度で焼成する、請求項３０に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３３】
前記所定の時間が少なくとも４時間である、請求項３０に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３４】
前記時間が４８時間以下である、請求項３０に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項３５】
ガラス基板を提供することと、
前記ガラス基板上にＱＤ−ＬＥＤ積層体を形成することと、
活性試薬を前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込むことと、
硬化性樹脂に前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を封入することと、
ＵＶ光で前記硬化性樹脂を硬化することと
により形成されているＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項３６】
前記活性剤で前記硬化性樹脂をドープすることにより形成されている、請求項３５に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項３７】
アクリル酸、安息香酸、メタクリル酸、３‐ブテン酸、クロトン酸、および他の不飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つで前記硬化性樹脂をドープすることにより形成されている、請求項３６に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項３８】
酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、および他の飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを用いることなく前記硬化性樹脂をドープすることにより形成されている、請求項３５に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項３９】
前記硬化性樹脂を、カバーガラスにより前記ＱＤ−ＬＥＤ上に押圧する、請求項３５に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４０】
前記硬化性樹脂を、３０重量％未満のアクリル酸でドープする、請求項３７に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４１】
前記ＱＤ−ＬＥＤが、作製後所定の時間焼成されている、請求項３６に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４２】
前記ＱＤ−ＬＥＤが、少なくとも５０℃の温度で焼成されている、請求項４１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４３】
前記ＱＤ−ＬＥＤが、９０℃以下の温度で焼成されている、請求項４１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４４】
前記所定の時間が少なくとも４時間である、請求項４１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４５】
前記時間が４８時間以下である、請求項４１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４６】
前記活性試薬を有する雰囲気に前記ＱＤ−ＬＥＤを曝露することにより前記活性試薬が前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込まれている、請求項３５に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４７】
前記活性試薬を含む溶液で前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を洗浄することにより、前記活性試薬が前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体に組み込まれている、請求項３５に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項４８】
量子ドット発光ダイオードであって、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上に形成されており、反応試薬で拡散されるＱＤ−ＬＥＤ積層体と、
前記ＱＤ−ＬＥＤ積層体を封入する、硬化性樹脂である封入層と
を備える、量子ドット発光ダイオード。
【請求項４９】
前記活性試薬が、アクリル酸、安息香酸、メタクリル酸、３‐ブテン酸、クロトン酸、および他の不飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項４８に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項５０】
前記活性試薬が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、および他の飽和カルボン酸誘導体のうちの少なくとも１つを含む、請求項４８に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項５１】
前記酸がアクリル酸である、請求項４９に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項５２】
前記封入層が、少なくとも７．５重量％のアクリル酸を有する、請求項５１に記載のＱＤ−ＬＥＤ。
【請求項５３】
前記封入層が、３０重量％未満のアクリル酸を有する、請求項５１に記載の量子ドット発光ダイオード。
【請求項５４】
前記封入層がアクリル酸を含み、前記ＱＤ−ＬＥＤが、正孔注入層と、前記正孔注入層上に配置した正孔輸送層と、前記正孔輸送層上に配置した量子ドット放出層と、前記量子ドット放出層上に配置した電子輸送層と、前記電子輸送層上に配置したカソードとを備え、前記アクリル酸が、前記封入層から前記ＱＤ−ＬＥＤ量子積層体まで拡散している、請求項４８に記載の量子ドット発光ダイオード。