Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月10日(2018.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信の方法であって、
第1のシンボル期間の間に第1のセットのサンプルを送信するステップであって、前記第1のセットのサンプルの前記送信において第1のビームフォーミング構成が使用される、ステップと、
前記第1のビームフォーミング構成からの変更が示されていると判定し、前記判定に応答して、前記第1のシンボル期間の後に来る第1のサイクリックプレフィックス期間の間に前記第1のビームフォーミング構成から第2のビームフォーミング構成に変更し、前記第1のサイクリックプレフィックス期間の間にシンボルを送信しないことを選ぶステップであって、前記第2のビームフォーミング構成が前記第1のビームフォーミング構成とは異なる、ステップと、
前記第1のサイクリックプレフィックス期間の後に来る第2のシンボル期間の間に第2のセットのサンプルを送信するステップであって、前記第2のセットのサンプルの前記送信において前記第2のビームフォーミング構成が使用される、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第1のセットのサンプルが、第1のデバイスに送信され、
前記第2のセットのサンプルが、前記第1のデバイスとは異なる第2のデバイスに送信される、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
第3のシンボル期間の間に第3のセットのサンプルを受信するステップであって、前記第3のセットのサンプルの前記受信において第3のビームフォーミング構成が使用される、ステップと、
第2のサイクリックプレフィックス期間の間に前記第3のビームフォーミング構成から第4のビームフォーミング構成に変更するステップであって、前記第2のサイクリックプレフィックス期間の少なくとも一部分の間にサンプルが受信されず、前記第4のビームフォーミング構成が前記第3のビームフォーミング構成とは異なる、ステップと、
前記第2のサイクリックプレフィックス期間の後に来る第4のシンボル期間の間に第4のセットのサンプルを受信するステップであって、前記第4のセットのサンプルの前記受信において前記第4のビームフォーミング構成が使用される、ステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第3のセットのサンプルが、第1のデバイスから受信され、
前記第4のセットのサンプルが、前記第1のデバイスとは異なる第2のデバイスから受信される、
請求項3に記載の方法。
【請求項５】
各シンボル期間が、高速フーリエ変換(FFT)ウィンドウである、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のセットのサンプルの前記送信および前記第2のセットのサンプルの前記送信が、直交周波数分割多重(OFDM)を用いる、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のセットのサンプルの前記送信および前記第2のセットのサンプルの前記送信が、サイクリックプレフィックス通信とともにシングルキャリアを用いる、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記第1のセットのサンプルの前記送信および前記第2のセットのサンプルの前記送信が、前記サンプルを送信するためにゼロサイクリックプレフィックス(ゼロCP)直交周波数分割多重(OFDM)を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
通常サイクリックプレフィックス(通常CP)直交周波数分割多重(OFDM)を使用して送信された他のサンプルを受信するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1のビームフォーミング構成を前記変更するステップが、送信に使用されるアンテナの数を変更するステップ、アンテナに関連付けられた位相設定を変更するステップ、またはアンテナに関連付けられた信号振幅を変更するステップのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記第2のシンボル期間の後に来る第2のサイクリックプレフィックス期間の間に送信するステップと、
前記第2のサイクリックプレフィックス期間の後に来る第3のシンボル期間の間に第3のセットのサンプルを受信するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
第1のタイプのサイクリックプレフィックスに関連付けられた第1の時間間隔を指定するステップと、
前記第1の時間間隔の後に第3のセットのサンプルを通信するステップと、
前記第3のセットのサンプルの後に第2のタイプのサイクリックプレフィックスに関連付けられた第2の時間間隔を指定するステップと、
前記第2の時間間隔の後に第4のセットのサンプルを通信するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記第1のタイプのサイクリックプレフィックスが、ゼロサイクリックプレフィックス(ゼロCP)を含み、
前記第2のタイプのサイクリックプレフィックスが、通常サイクリックプレフィックス(通常CP)を含む、
請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
通信のための装置であって、
第1のシンボル期間の間に第1のセットのサンプルを送信するように構成された、送信するための手段であって、前記第1のセットのサンプルの前記送信において第1のビームフォーミング構成が使用される、手段と、
前記第1のビームフォーミング構成からの変更が示されていると判定し、前記判定に応答して、前記第1のシンボル期間の後に来る第1のサイクリックプレフィックス期間の間に前記第1のビームフォーミング構成から第2のビームフォーミング構成に変更し、前記第1のサイクリックプレフィックス期間の間にシンボルを送信しないことを選ぶように構成された手段であって、前記第2のビームフォーミング構成が前記第1のビームフォーミング構成とは異なる、手段と
を備え、
送信するための前記手段が、前記第1のサイクリックプレフィックス期間の後に来る第2のシンボル期間の間に第2のセットのサンプルを送信するようにさらに構成され、前記第2のセットのサンプルの前記送信において前記第2のビームフォーミング構成が使用される、
装置。
【請求項１５】
実行時に請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）であって、
実質的に放物面状のメサ構造と、
前記メサ構造内の発光源と、
メサ構造の頂部と対向するμＬＥＤの一側の主放射面と
を備え、
前記メサ構造は、（Ｈ２＊Ｈ２）／Ａｃで定義される、０．５未満のアスペクト比を有し、μＬＥＤはさらに、前記発光源から前記主放射面までの領域に位置する反射面を備え、前記反射面は、５００ｎｍ未満の粗さＲａを有し、Ｈ２は、前記メサ構造の底面の上方にある前記発光源の高さであり、Ａｃは、前記発光源の高さにおけるメサ構造の断面積である、μＬＥＤ。
【請求項２】
前記反射面は、主放射面である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項３】
前記粗さＲａは、３００ｎｍ未満である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項４】
前記反射面は、第１の屈折率を有する第１の材料と第２の屈折率を有する第２の材料との間の界面である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項５】
前記第１の材料は、エピ層を含み、前記第２の材料は、前記μＬＥＤが形成される基板を含む、請求項４に記載のμＬＥＤ。
【請求項６】
μＬＥＤが、サファイア基板上のＧａＮから形成され、２つの材料間の界面が、前記ＧａＮと前記サファイア基板との間の界面である、請求項４に記載のμＬＥＤ。
【請求項７】
前記反射面は、前記メサ構造の底面の断面積以上の領域において５００ｎｍ未満の粗さＲａを有し、かつ前記メサ構造の中心軸に位置合わせされている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項８】
アスペクト比が０．３未満である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項９】
前記メサ構造は、切頭頂部を含む、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１０】
前記発光源は、前記メサ構造の中心軸からオフセットされている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１１】
前記発光源は、前記主放射面に平行な平面内にある１つまたは両方の垂直軸上の距離だけオフセットされている、請求項１０に記載のμＬＥＤ。
【請求項１２】
前記垂直軸の各々におけるオフセット距離は、１μｍ〜５μｍの範囲内にある、請求項１１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１３】
前記垂直軸の各々におけるオフセット距離は、前記垂直軸の各々において前記中心軸からメサの端部までの全距離の１０％から５０％の範囲内にある、請求項１１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１４】
前記発光源は、前記発光源から光が、μＬＥＤからの光の放射方向に対して実質的に垂直な方向に放射されるように、異方性に光を放射するように構成されている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１５】
前記発光源からの光の放射が、屈折率ガイドおよびダイポール異方性の１つまたは複数を用いて制御される、請求項１４に記載のμＬＥＤ。
【請求項１６】
前記主放射面に適用された追加層をさらに備え、前記追加層は、任意の角度および／または任意の波長を超える波長で前記追加層上に入射する光を減衰させる、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【請求項１７】
前記追加層が多層誘電体フィルタである、請求項１６に記載のμＬＥＤ。
【請求項１８】
前記メサ構造の発光層内の前記発光源の光源占有率は、２０％から５０％の範囲内である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ・コアと、
陽極バスバーと、
前記陽極バスバーと重ね合わせられると共に、前記陽極バスバーから絶縁されている陰極バスバーと、
前記陽極バスバーに接続されている第一電極端子と、
前記陰極バスバーに接続されている第二電極端子と、
前記陽極バスバーに接続され、前記コンデンサ・コアに接続されている第一接続端子を形成する第一接続シートと、
前記第一接続シートに対向し、前記陰極バスバーに接続され、前記コンデンサ・コアに接続されている第二接続端子を形成する第二接続シートとを含み、
前記コンデンサ・コアは、前記第一接続シートと前記第二接続シートとの間に配置され、
前記第一接続シート、前記第一接続端子、及び前記陽極バスバーは、一体的に形成され、
前記第二接続シート、前記第二接続端子、及び前記陰極バスバーは、一体的に形成され、
前記第一接続シートの周辺縁部に配置され、互いに間隔を空けられた、複数の前記第一接続端子が設けられると共に、
前記第二接続シートの周辺縁部に配置され、互いに間隔を空けられた、複数の前記第二接続端子が設けられていることを特徴とする、薄膜コンデンサ。
【請求項２】
ケーシングを更に含み、
前記コンデンサ・コアと、前記陽極バスバーと、前記陰極バスバーと、前記第一接続シートと、前記第二接続シートとが、前記ケーシングの内部に配置され、ポッティング絶縁体によって封止されていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記陽極バスバーと前記陰極バスバーとの間に位置している絶縁シートを更に含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項４】
複数の第一電極端子及び複数の第二電極端子が電極端子の複数のペアを形成するように設けられ、前記第一電極端子は、それぞれのペアの中の前記第二電極端子に隣接していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項５】
前記第二電極端子は、前記第二接続シートを介して前記陰極バスバーに接続されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項６】
前記絶縁シートは、Ｌ字形を有し、短突出部及び長突出部を含み、
前記陽極バスバーは、前記絶縁シートの前記長突出部の外面に配置され、
前記陰極バスバーは、前記絶縁シートの前記長突出部の内面に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項７】
前記陽極バスバーは、前記絶縁シートの前記短突出部の外面に延ばされた第一延長部を含み、
前記第一電極端子は、前記第一延長部に接続され、
前記第二接続シートは、前記絶縁シートの前記短突出部の内面に延ばされると共に、前記第一延長部に隣接している、第二延長部を含み、
前記第二電極端子は、前記第二延長部に接続されていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項８】
前記第一延長部及び前記陽極バスバーは、一体的に形成され、前記第二延長部及び前記第二接続シートは、一体的に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項９】
前記陽極バスバーは、前記絶縁シートの前記短突出部の外面に延ばされた第一延長部を含み、
前記第一電極端子は、前記第一延長部に接続され、
前記絶縁シートの前記短突出部は、前記第二接続シートの一部を露出させるように構成されると共に、前記第一延長部に隣接している、切り欠き部を画定し、
前記第二電極端子は、前記切り欠き部から露出した前記第二接続シートの一部に接続されていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項１０】
前記第一接続シートは、前記短突出部から離れている前記陽極バスバーの自由端部の縁部から延ばされ、前記第二接続シートは、前記短突出部に隣接している前記陰極バスバーの自由端部の縁部から延ばされていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項１１】
前記第一接続シートは、前記陽極バスバーに対して垂直に接続され、
前記第二接続シートは、前記陰極バスバーに対して垂直に接続され、
前記コンデンサ・コアの軸が前記陽極バスバー及び前記陰極バスバーと平行になるように配列されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
一部の実施形態では、薄膜コンデンサは、ケーシングを更に含み、コンデンサ・コアと、陽極バスバーと、陰極バスバーと、第一接続シートと、第二接続シートとは、前記ケーシングの内部に配置され、ポッティング絶縁体によって封止されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
具体的には、複数のコンデンサ・コア５０と、陽極バスバー２０と、陰極バスバー３０と、第一接続シート２２と、第二接続シート３２とは、ケーシング１０の内部に配置され、ポッティング絶縁体によって封止され、陽極バスバー２０及び陰極バスバー３０は、共に重ね合わせられ、絶縁シート４０が陽極バスバー２０と陰極バスバー３０との間に設けられている。第一接続シート２２と第二接続シート３２とは、互いに対向し、コンデンサ・コア５０は、第一接続シート２２と第二接続シート３２との間に配置され、第一接続シート２２は、陽極バスバー２０に接続され、コンデンサ・コア５０に接続されている第一接続端子２２１を形成し、第二接続シート３２は、陰極バスバー３０に接続され、コンデンサ・コア５０に接続されている第二接続端子３２１を形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月4日(2018.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体と、絶縁基板と、を含むフラット導体と、
張力解放を提供するための、前記フラット導体の部分内の切抜き部であって、前記フラット導体の軸方向路から側方に両方向に延在するサイドローブによって囲まれる、切抜き部と、
を含み、
前記フラット導体の第１の端と第２の端との間の相対運動を可能にする、フレキシブル電子経路体。
【請求項２】
前記フラット導体は、コネクタを含む、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項３】
前記相対運動が増加するにつれて、前記相対運動をもたらす力に対する抵抗を徐々に増加させる、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項４】
前記相対運動は、軸平面における直線運動を含む、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項５】
前記相対運動は、側方平面、軸平面及び垂直平面における直線運動の少なくとも２つを含む、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項６】
前記相対運動は、側方軸、軸方向軸及び垂直軸の周りの回転運動の少なくとも２つを含む、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項７】
前記相対運動は、側方平面、軸平面又は垂直平面における直線運動と、側方軸、軸方向軸又は垂直軸の周りの回転運動とを含む、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項８】
前記切抜き部は、前記フラット導体内で、側方向において中心に置かれる、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項９】
前記サイドローブは、対称である、請求項１に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項１０】
側方の前記サイドローブは、湾曲している、請求項９に記載のフレキシブル電子経路体。
【請求項１１】
フレキシブル電子経路体が、フラット導体の第１の端と第２の端との間の相対運動を可能にするように、前記フラット導体と、張力解放を提供するための前記フラット導体内の切抜き部とを含む前記フレキシブル電子経路体をデザインする方法であって、
前記切抜き部を囲む前記フラット導体の湾曲部を規定するローブ角を決定するステップと、
前記切抜き部を囲む前記フラット導体の直線部を規定するローブ伸長長さを決定するステップと、
を含む、フレキシブル電子経路体をデザインする方法。
【請求項１２】
前記フラット導体の幅を決定するステップと、
前記切抜き部の最小内半径を決定するステップと、
を更に含む、請求項１１に記載のフレキシブル電子経路体をデザインする方法。
【請求項１３】
前記第１の端又は前記第２の端に関連付けられる電気的接続部を損傷する最小力を決定するステップを更に含み、前記ローブ角を決定するステップ及び前記ローブ伸長長さを決定するステップは、前記最小力に基づいている、請求項１１に記載のフレキシブル電子経路体をデザインする方法。
【請求項１４】
前記第１の端と前記第２の端との間の最大相対運動を決定するステップを更に含み、前記ローブ角を決定するステップ及び前記ローブ伸長長さを決定するステップは、前記最大相対運動に基づいている、請求項１１に記載のフレキシブル電子経路体をデザインする方法。
【請求項１５】
前記最大相対運動は、側方平面、軸平面又は垂直平面における直線運動、及び、側方軸、軸方向軸又は垂直軸の周りの回転運動の少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のフレキシブル電子経路体をデザインする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の部分（１３ａ、１３ｂ；１３ａ’、１３ｂ’、８）を含む導体（１３；１３’）と、前記導体（１３；１３’）を包囲する電気絶縁システム（１１；１１’）とを備える導電コア（９；９’）と、
前記導電コア（９；９’）を包囲するシース（７；７’）と
を備え、前記導体（１３；１３’）の前記複数の部分（１３ａ、１３ｂ；１３ａ’、１３ｂ’、８）の１つが第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）であり、前記導体の前記複数の部分（１３ａ、１３ｂ；１３ａ’、１３ｂ’、８）の別の１つが第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）であり、前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）が、前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）に第１の電流容量を提供する第１の断面形状を有し、前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）が、前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）に第２の電流容量を提供する第２の断面形状を有し、前記第１の電流容量が前記第２の電流容量よりも高く、
前記複数の部分（１３ａ、１３ｂ；１３ａ’、１３ｂ’、８）が熱接合され、前記電気絶縁システム（１１；１１’）が、前記導体（１３；１３’）の前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）から前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）まで連続的に延在し、
前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）が、複数の撚り線を備え、前記第１の断面形状が、第１の撚り構成であり、前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）が、複数の撚り線を備え、前記第２の断面形状が、第２の撚り構成である、電力ケーブル（５；５’）。
【請求項２】
前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）が、セグメント化された導体である、請求項１に記載の電力ケーブル（５；５’）。
【請求項３】
前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）が、コンパクト化された導体である、請求項１または２に記載の電力ケーブル（５；５’）。
【請求項４】
前記複数の部分が、溶接により熱接合された、請求項１から３のいずれか一項に記載の電力ケーブル。
【請求項５】
前記第１の導体部分（１３ａ）と前記第２の導体部分（１３ｂ）とが熱接合された、請求項１から４のいずれか一項に記載の電力ケーブル（５）。
【請求項６】
前記導体が、前記複数の部分（１３ａ’，１３ｂ’，８）の１つの部分を画定する接合部材（８）を備え、前記第１の導体部分（１３ａ’）が、前記接合部材（８）の一方の端部で前記接合部材（８）と熱接合され、前記第２の導体部分（１３ｂ’）が、前記接合部材（８）の他方の端部で前記接合部材（８）と熱接合された、請求項１から４のいずれか一項に記載の電力ケーブル（５’）。
【請求項７】
前記電力ケーブルが高電圧電力ケーブルである、請求項１から６のいずれか一項に記載の電力ケーブル（５；５’）。
【請求項８】
前記電力ケーブルが海底ケーブルである、請求項１から７のいずれか一項に記載の電力ケーブル（５；５’）。
【請求項９】
電力ケーブル（５；５’）を製造する方法であって、
ａ）第１の電流容量を提供する第１の断面形状を有する第１の導体（１；１’）を提供することと、
ｂ）前記第１の電流容量よりも高い第２の電流容量を提供する第２の断面形状を有する第２の導体（３；３’）を提供することと、
ｃ）前記第１の導体（１）と前記第２の導体（３）とを熱接合し、それによって前記第１の導体（１）が導体（１３）の第１の導体部分（１３ａ）を形成し、前記第２の導体（３）が前記導体の第２の導体部分（１３ｂ）を形成すること、または、
ｃ’）前記第１の導体（１’）と前記第２の導体（３’）との間に接合部材（８）を設け、前記接合部材（８）を前記第１の導体（１’）および前記第２の導体（３’）と熱接合し、前記第１の導体（１’）が導体（１３’）の第１の導体部分（１３ａ’）を形成し、前記第２の導体が前記導体（１３’）の第２の導体部分（１３ｂ’）を形成することと、
ｄ）前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）および前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）を、前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）から前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）まで連続的に延在する電気絶縁システム（１１；１１’）により絶縁し、それによって導電コア（９；９’）を形成することと、
ｅ）前記導電コア（９；９’）をシース（７；７）により包囲することと
を含み、前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）が、複数の撚り線を備え、前記第１の断面形状が、第１の撚り構成であり、前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）が、複数の撚り線を備え、前記第２の断面形状が、第２の撚り構成である、方法。
【請求項１０】
ステップｃ）で、前記第１の導体（１）と前記第２の導体（３）とが、溶接により熱接合されるか、または、ステップｃ’）で、前記第１の導体（１’）と前記接合部材（８）と前記第２の導体（３’）とが、溶接により熱接合される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の導体部分（１３ａ；１３ａ’）が、セグメント化された導体である、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の導体部分（１３ｂ；１３ｂ’）が、コンパクト化された導体である、請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記電力ケーブル（５；５’）が高電圧電力ケーブルである、請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記電力ケーブル（５；５’）が海底ケーブルである、請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い導光体であって、前記導光体の長さに沿って延在し、本来主に内部全反射によって前記導光体内に前記導光体の前記長さに沿って閉じ込められて伝播することになる光を取り出す複数の第１及び第２の光取出体を備え、前記複数の第１及び第２の光取出体は、前記導光体の前記長さに沿って、それぞれの第１及び第２のパターンを形成し、前記複数の第１の光取出体が取り出した光は、主に第１の方向に沿って前記導光体を出て、前記複数の第１の光取出体が取り出した光全体は、第１の明るさを有し、前記複数の第２の光取出体が取り出した光は、主に、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って前記導光体を出て、前記複数の第２の光取出体が取り出した光全体は、実質的に前記第１の明るさを下回る第２の明るさを有して、前記第２の光取出体が取り出した前記光を前記第２の方向に沿って見た場合、前記第２のパターンは見えるが、前記第１のパターンは見えない、細長い導光体。
【請求項２】
前記導光体の前記長さに対して垂直な方向において円形の断面を有する、請求項１に記載の導光体。
【請求項３】
前記複数の第１の光取出体は、不連続であり、離間され、前記導光体の前記長さに沿う第１の軸に沿って配置され、前記複数の第２の光取出体は、不連続であり、離間され、前記導光体の前記長さに沿う異なる第２の軸に沿って配置される、請求項１に記載の導光体。
【請求項４】
前記第２の明るさが、前記第１の明るさの５０％未満である、請求項１に記載の導光体。
【請求項５】
前記第２の明るさが、前記第１の明るさの３０％未満である、請求項１に記載の導光体。
【請求項６】
前記第２の明るさが、前記第１の明るさの１０％未満である、請求項１に記載の導光体。
【請求項７】
前記複数の第１の光取出体が取り出した前記光を前記第１の方向に沿って見た場合、前記第１のパターンは見えるが、前記第２のパターンは見えない、請求項１に記載の導光体。
【請求項８】
前記複数の第１の光取出体が取り出した前記光を前記第１の方向に沿って見た場合、前記第１のパターンも前記第２のパターンのどちらも見えない、請求項１に記載の導光体。
【請求項９】
前記複数の第１の光取出体が取り出した前記光を、観察位置から前記第１の方向に沿って見た場合、前記第１のパターンが最も明るい可視部分を有しながら見え、前記観察位置を前記導光体の前記長さに対して平行な方向に移動した場合、前記最も明るい可視部分もまた同じ方向に移動する、請求項１に記載の導光体。
【請求項１０】
光源と、
細長い導光体であって、前記導光体の長さに沿って延在し、前記導光体の第１の端部から、前記光源からの光を受け、本来主に内部全反射によって前記導光体内に前記導光体の前記長さに沿って閉じ込められて伝播することになる前記光源からの光を取り出す複数の第１及び第２の光取出体を備え、前記複数の第１及び第２の光取出体は、前記導光体の前記長さに沿って、それぞれの第１及び第２のパターンを形成し、前記複数の第１の光取出体が取り出した光は、主に第１の方向に沿って、第１の目標領域に向かって前記導光体を出て、前記複数の第１の光取出体が取り出した光全体は、第１の明るさを有し、前記複数の第２の光取出体が取り出した光は、主に、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って、前記第１の目標領域とは異なる第２の目標領域に向かって前記導光体を出て、前記複数の第２の光取出体が取り出した光全体は、実質的に前記第１の明るさを下回る第２の明るさを有し、前記第１の目標領域が受けた前記導光体からの光は、前記第１及び第２の方向とは異なる第３の方向に沿って、前記第２の目標領域に向かって反射して、前記第２の目標領域から前記第２の方向に沿って前記導光体を見た場合、前記第２のパターンは見えるが、前記第１のパターンは見えず、前記第２の目標領域から前記第３の方向に沿って前記第１の目標領域を見た場合、前記第１のパターンも前記第２のパターンもどちらも見えない、細長い導光体と、を備える、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月16日(2018.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のプロセッサと、
前記１つ以上のプロセッサに動作可能に結合されたワイヤレス通信インターフェースと、
前記１つ以上のプロセッサに動作可能に結合されたメモリとを含み、
前記メモリは命令を記憶し、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、
前記ワイヤレス通信インターフェースを通じて、照明ユニットコントローラから、前記照明ユニットコントローラが照明ユニットによって発されるべき光の１つ以上の特性を制御する方式に影響する、又は潜在的に影響する、前記照明ユニットコントローラによって取得可能な１つ以上の信号を示すデータを受信させ、
前記１つ以上の信号と、前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の１つ以上の特性を制御する前記方式に、前記１つ以上の信号が影響する、又は潜在的に影響する、当該方式との視覚的表現を表示させ、
前記照明ユニットから、前記照明ユニットコントローラに関連付けられた識別子を取得させ、
前記識別子に基づいて、前記ワイヤレス通信インターフェースを介して前記照明ユニットコントローラとの通信を確立させる、
コンピューティングデバイス。
【請求項２】
ユーザ入力をさらに含むコンピューティングデバイスであって、前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、
前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の前記１つ以上の特性をどのように制御するかに前記１つ以上の信号が影響する前記方式を変更するためのユーザ命令を、前記ユーザ入力において受け取らせ、
前記ワイヤレス通信インターフェースを介して、前記照明ユニットコントローラに前記ユーザ命令の指示を送信させる命令をさらに記憶する、請求項１に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項３】
前記ユーザ入力はタッチ画面を備え、前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記照明ユニットによって発される光の前記１つ以上の特性に前記１つ以上の信号が影響する前記方式を変更するために操作可能なユーザインターフェースを、前記タッチ画面上に描画させる命令をさらに記憶する、請求項２に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項４】
前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記１つ以上の信号による影響の相対的優先度の表示を描画させる命令をさらに記憶する、請求項３に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項５】
前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記１つ以上の信号による影響の前記相対的優先度を変更するためにユーザによって操作可能な１つ以上のグラフィック要素を描画させる命令をさらに記憶する、請求項４に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項６】
前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記照明ユニットによって発された符号化光から、前記照明ユニットコントローラに関連付けられた前記識別子を抽出させる命令をさらに記憶する、請求項１乃至５の何れか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項７】
前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記照明ユニットによって発された無線信号から、前記照明ユニットコントローラに関連付けられた前記識別子を抽出させる命令をさらに記憶する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項８】
前記１つ以上の信号は、１つ以上のリモートコンピューティングデバイスで動作するサービス又はアプリケーションを含む、請求項１乃至７の何れか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項９】
前記１つ以上の信号は、前記照明ユニットが属している照明システムに関連付けられた１つ以上の規則を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１０】
前記メモリは、前記１つ以上のプロセッサによる前記命令の実行に応答して、前記１つ以上のプロセッサに、前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の１つ以上の特性をどのように制御したかに以前影響した、又は前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の１つ以上の特性をどのように制御するかに将来影響する、１つ以上の信号を確かめさせる命令をさらに記憶する、請求項１乃至９の何れか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１１】
１つ以上の照明ユニットを制御する照明ユニットコントローラであって、前記照明ユニットコントローラは、
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法に従ってモバイルコンピューティングデバイスとの通信を確立し、
前記照明ユニットコントローラが前記１つ以上の照明ユニットによって発されるべき光の１つ以上の特性をどのように制御するかに影響する、又は潜在的に影響する、前記照明ユニットコントローラ及び前記照明ユニットコントローラによって制御される１つ以上の照明ユニットの外部にある、１つ以上の信号を判定し、
前記１つ以上の信号を示すデータを利用可能にする
プロセッサ
を含む、照明ユニットコントローラ。
【請求項１２】
前記プロセッサは、前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の前記１つ以上の特性をどのように制御するかに前記１つ以上の信号が影響する方式を、ユーザ命令に従って変更する、請求項１１に記載の照明ユニットコントローラ。
【請求項１３】
前記変更することは、
少なくとも部分的に前記ユーザ命令に基づいて、１つ以上の照明制御コマンドを生成することと、
前記１つ以上の照明制御コマンドを前記照明ユニットに送信することと
を含む、請求項１２に記載の照明ユニットコントローラ。
【請求項１４】
前記生成することは、
前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の前記１つ以上の特性をどのように制御するかに前記１つ以上の信号が影響する前記方式に以前影響した、少なくとも１つの信号を考慮することを止めること、又は、
前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の前記１つ以上の特性をどのように制御するかに前記１つ以上の信号が影響する前記方式に以前は影響しなかった、少なくとも１つの新しい信号を考慮すること
を含む、請求項１３に記載の照明ユニットコントローラ。
【請求項１５】
前記変更することは、第２の信号に関連して前記照明ユニットコントローラが前記照明ユニットによって発される光の特定の特性を制御する方式に第１の信号が影響する方式を変更することを含む、請求項１２に記載の照明ユニットコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光強度が４Ｗｏｐｔ／ｍｍ２以上であるＵＶ−Ａ又は青色の一次光を発光する半導体コンポーネントと、下記のリスト：
ＡＬｎ１−ｘ−ｙＥｕｘＭ２Ｏ８：ＲＥｙ
（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）２ＭＯ６：ＲＥ２ｙ
（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）２Ｍ２Ｏ９：ＲＥ２ｙ
（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）２Ｍ３Ｏ１２：ＲＥ２ｙ
（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）２Ｍ４Ｏ１５：ＲＥ２ｙ
（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）６ＭＯ１２：ＲＥ６ｙ
（ＡＥ１−２ｘ−ｙＥｕｘＡｘ＋ｙ）３ＭＯ６：ＲＥ３ｙ
Ａ３ＡＥ２（Ｌｎ１−ｘ−ｙＥｕｘ）３（ＭＯ４）８：ＲＥｙ
及びそれらの混合物から選択される材料を主に含む変換材料と、を含む発光デバイスであって；
各構造において、独立して：Ａは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム及びそれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ土類金属であり；ＡＥは、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びそれらの混合物からなる群から選択されるアルカリ土類金属であり；Ｌｎは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム、及びルテチウム、並びにそれらの混合物からなる群から選択される希土類金属であり；Ｍは、モリブデン、タングステン又はそれらの混合物であり；ＲＥは、テルビウム、ジスプロシウム、プラセオジム、ネオジム及びそれらの混合物からなる群から選択される希土類金属であり；０＜ｘ≦１及び０≦ｙ≦０．０５である、発光デバイス。
【請求項２】
ＵＶ−Ａ又は青色の一次光を発光する前記半導体コンポーネントの通電量が２Ａ／ｍｍ２である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
ＵＶ−Ａ又は青色の一次光を発光する前記半導体コンポーネントの発光強度は６Ｗ／ｍｍ２以上である、請求項１又は請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
ＵＶ−Ａ又は青色の一次光を発光する前記半導体コンポーネントは非極性技術若しくは半極性技術に基づいている又は非極性技術若しくは半極性技術により設計されている、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記変換材料はセラミック材料として提供される、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項６】
緑色発光材料をさらに含む、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項７】
ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋、（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｓｉ２Ｎ２Ｏ２：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋、（Ｌｕ１−ｘＹｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、（Ｌｕ１−ｘＹｘ）３（Ａｌ１−ｙＳｃｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、及びそれらの材料の混合物からなる群から選択される材料をさらに含む、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項８】
黄色発光材料をさらに含む、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項９】
Ｂａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）Ｓｉ２Ｎ２Ｏ２：Ｅｕ２＋、（Ｙ１−ｘＧｄｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、（Ｙ１−ｘＴｂｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、ＳｒＬｉ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、及びそれらの材料の混合物からなる群から選択される材料をさらに含む、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
青色発光材料をさらに含む、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月20日(2018.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面プリント回路基板（ＰＣＢ）であり、非金属化孔と、当該片面プリント回路基板の金属化面にあって前記非金属化孔に近接する接続領域（ＣＡ）とを有する、片面プリント回路基板（ＰＣＢ）と、
前記接続領域（ＣＡ）からの導通ブリッジであり、かつ、前記非金属化孔を介して前記片面プリント回路基板（ＰＣＢ）の非金属化面からのプローブと前記接続領域（ＣＡ）とを接触させることを可能にするため、前記非金属化孔を少なくとも部分的に覆う、導通ブリッジと、
を含み、
前記ＰＣＢ、ＣＡ及び導通ブリッジは、接着剤を要することなく、作動的に接続可能な接触状態で、ハウジング内に維持され、
前記非金属化孔を介して前記プローブが挿入されると、前記プローブと前記ＣＡとの間で前記導通ブリッジを介して電気的接続がなされる、
リモートコントロールデバイス。
【請求項２】
カーボンプリント領域を有するキーマット（ＫＭ）を更に含み、前記導通ブリッジは、前記カーボンプリント領域によって形成される、請求項１に記載のリモートコントロールデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月29日(2018.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
イオン源と、
前記イオン源に流体的に連結されたイオン光学素子と、
前記イオン光学素子に流体的に連結された質量分析器であって、前記システム内で唯一の質量分析器である、前記質量分析器と、
前記質量分析器に流体的に連結され、前記質量分析器の下流にある、セルと、
前記セルに流体的に連結された検出器と、
を備える、前記システム。
【請求項２】
前記セルが、反応セル、衝突セル、または反応／衝突セルとして構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記セルが、複数の電極を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数の電極が、共に、四重極場を前記セル内に提供するように構成されている、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記複数の電極の各々が、ロッドとして構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記イオン源と前記イオン光学素子との間のインターフェースをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記イオン源が、誘導結合プラズマと、アークと、スパークと、グロー放電と、フレームと、から成るグループから選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記イオン源が、誘導結合プラズマの温度未満の温度を有するイオン源である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記質量分析器が、スキャン質量分析器と、磁気セクター分析器と、四重極質量分析器と、イオントラップ分析器と、飛行時間分析器と、から成るグループから選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記検出器が、ファラデーカップと、電子増倍管と、マイクロチャネルプレートと、から成るグループから選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
システムであって、
イオン源と、
前記イオン源に流体的に連結された質量分析器であって、異なる質量対電荷比を有する複数のイオンを備えるイオンビームを前記イオン源から受け取るように構成され、１つの質量対電荷比を備え、検体イオンと妨害イオンとを備える、ネイティブイオンを、前記イオンビームから選択するようにさらに構成され、前記システム内に存在する唯一の質量分析器である、前記質量分析器と、
前記質量分析器に流体的に連結され、前記ネイティブイオンを前記質量分析器から受け取るように構成されたセルであって、前記変質された妨害イオンを前記ネイティブイオンから除去するようにさらに構成されている、前記セルと、
前記セルに流体的に連結され、前記検体イオンを前記セルから受け取ることと、前記受け取った検体イオンを検出することと、を行うように構成されている、前記検出器と、
を備える、前記システム。
【請求項１２】
前記イオン源と前記質量分析器とに流体的に連結され、前記イオン源と前記質量分析器との間に配置されたイオン光学素子をさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記セルが、反応セル、衝突セル、または反応／衝突セルとして構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記セルが、複数の電極を備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数の電極が、共に、四重極場を前記セル内に提供するように構成されている、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記イオン源と前記イオン光学素子との間のインターフェースをさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記イオン源が、誘導結合プラズマと、アークと、スパークと、グロー放電と、フレームと、から成るグループから選択される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記イオン源が、誘導結合プラズマの温度未満の温度を有するイオン源である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記質量分析器が、スキャン質量分析器と、磁気セクター分析器と、四重極質量分析器と、イオントラップ分析器と、飛行時間分析器と、から成るグループから選択される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記検出器が、ファラデーカップと、電子増倍管と、マイクロチャネルプレートと、から成るグループから選択される、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転トランス（１０）用の磁性コア（１２、１４；１４’）であって、コアが、コアの長手方向軸（１６）に沿って配置されたバー（１４２；１４２’）と、トロイダルコイル（２４）を受けるための少なくとも１つの環状溝（２２）をバーと協働して画成するために、軸方向に互いに離間しバーから径方向に延在する少なくとも２つのチーク（１４４；１４４’）とを備え、各チークが、径方向に配置された円形磁性薄板の集合体から構成され、各バーが、複数の磁性薄板の積層体から構成され、バーを形成する薄板の積層体が、コアの長手方向軸周りで互いに角度方向に離間した状態で、軸方向に配置され、円形薄板の集合体に組み付けられる、磁性コアにおいて、
チークを形成する各円形薄板が、電流ループの経路を長くするのに役立つ内部そらせ部を形成する径方向のノッチ（１４８）を含む、磁性コア。
【請求項２】
各チークを形成する円形薄板が分割される、請求項１に記載のコア。
【請求項３】
各チークを形成する円形薄板に空洞（１５６）がある、請求項１または２に記載のコア。
【請求項４】
各バー（１４２）を形成する積層体（１４２）の薄板が径方向に積層される、請求項１から３のいずれか一項に記載のコア。
【請求項５】
各バー（１４２’）を形成する積層体（１４２’）の薄板が接線方向に積層される、請求項１から３のいずれか一項に記載のコア。
【請求項６】
チーク（１４４；１４４’）を構成する円形薄板の集合体が、バーを形成する薄板の積層体が組み付けられる軸方向のノッチ（１４６；１４６’）を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のコア。
【請求項７】
バーを形成する薄板の各積層体の側部と、円形薄板の集合体にあるノッチの側部との間に配置された非磁性材料で作られたスペーサ（１５２）をさらに備える、請求項６に記載のコア。
【請求項８】
円形薄板の集合体にあるノッチの底部に配置された絶縁材料（１５４）をさらに備える、請求項６または７に記載のコア。
【請求項９】
内側環状コア（１２）および外側環状コア（１４；１４’）を備える回転トランス（１０）であって、内側環状コア（１２）および外側環状コア（１４；１４’）が、これらのコアの一方が他方に対して共通の長手方向軸（１６）周りに回転することができるように、前記長手方向軸の周りに同軸に取り付けられる、回転トランスにおいて、
コアのうちの少なくとも１つが、請求項１から８のいずれか一項に記載のコアである、回転トランス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性ＦｅＮｉ規則化化合物を作製する方法であって、
（ａ）Ｆｅ,Ｎｉ,並びにＴｉ,Ｖ,Ａｌ,Ｂ,及びＣを含む群から選択される任意な一以上の元素を含む溶解物を準備し、前記溶解物における元素の割合は、化学式Ｆｅ（０．５−ａ）Ｎｉ（０．５−ｂ）Ｘ（ａ＋ｂ）に従い、Ｘは、Ｔｉ,Ｖ,Ａｌ,Ｂ,又はＣであり、０≦（ａ＋ｂ）＜０．１であり、
（ｂ）ＦｅＮｉ合金材料の固体形態を得るため前記溶解物を冷却し、
（ｃ）変形したＦｅＮｉ合金材料を得るため、冷間圧延処理又は凍結粉砕処理を含む巨大ひずみ加工処理に前記固体形態をさらし、前記巨大ひずみ加工処理は、望まれるＬ１０相の化学的秩序温度以下で実行され、
（ｄ）数時間から数ヶ月の時間期間、望まれるＬ１０相の化学的秩序温度以下における還元酸素環境下で、変形したＦｅＮｉ合金材料を熱処理し、それにより、磁性ＦｅＮｉ規則化化合物を得るよう、Ｌ１０構造が形成される、
磁性ＦｅＮｉ規則化化合物を作製する方法。
【請求項２】
前記ステップ（ａ）での溶解物は、本質的にＦｅとＮｉを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ａ）での溶解物は、本質的にＦｅ、Ｎｉ、及びＴｉ,Ｖ,Ａｌ,Ｂ,及びＣで構成される群から選択される一以上の元素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップ（ｂ）が、溶融紡糸を含み、粉砕に適する片を含んだ固体形態を得るものである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記巨大ひずみ加工処理は、粉末を生成するため、寒剤及び界面活性剤の存在下及び還元酸素環境下での固体形態の機械的な粉砕を含み、
前記粉末は、ナノメーターからマイクロメーターの範囲内のサイズを持つ複数の粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記寒剤は、液体窒素、液体アルゴン、又は液体ヘリウムである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記界面活性剤は、オレイン酸である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記巨大ひずみ加工処理は、冷間圧延処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記熱処理ステップは、約３１０°Ｋから約６００°Ｋの範囲の温度で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ｄ）によってもたらされるＦｅＮｉ規則化化合物は、ナノメーター範囲若しくはマイクロメーター範囲又はこれらの混合サイズを有する複数の粒子を含む粉末の形態であるか、又はこの形態をもたらすよう更に処理されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
複合磁性組成物を形成するため、磁場存在下で前記粒子を圧縮することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ステップ（ｄ）の実行に先だって、
（ｃ１）ナノメーター範囲若しくはマイクロメーター範囲又はこれらの混合サイズを有する複数の粒子を含む粉末を形成するため、ステップ（ｃ）の変形されたＦｅＮｉ合金を粉砕するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記熱処理が、磁場存在下で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記磁場は、約１０Ｇから約１０００００Ｇの範囲内の強度を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
化学式Ｆｅ（０．５−ａ）Ｎｉ（０．５−ｂ）Ｘ（ａ＋ｂ）を有し、
Ｘは、Ｔｉ,Ｖ,Ａｌ,Ｂ,又はＣであり、
０≦（ａ＋ｂ）＜０．１であり、
Ｌ１０構造を含み、
前記Ｌ１０構造の形態を少なくとも５０重量％含む、
磁性ＦｅＮｉ規則化化合物。
【請求項１６】
前記規則化化合物の少なくとも９０重量％は、Ｌ１０構造の形態である、請求項１５に記載の規則化化合物。
【請求項１７】
約５ｋＯｅから約３０ｋＯｅの保持力を有する、請求項１５に記載の規則化化合物。
【請求項１８】
請求項１５に記載のＦｅＮｉ規則化化合物を含む、永久磁石。