Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路(IC)であって、
リンクレイヤ回路と、
前記リンクレイヤ回路と動作可能に結合されるリンクブリッジであって、前記リンクブリッジはシリアライザを備える、リンクブリッジと、
前記リンクブリッジに動作可能に結合され、かつ4つ以下のレーンを有するバスに結合するように構成される、バスインターフェースと
を備え、
前記シリアライザは、前記リンクレイヤ回路から前記リンクブリッジにおいて受信されたユニバーサルシリアルバス(USB)トランシーバマクロセルインターフェース(UTMI)シグナリングをハイスピード(HS)メッセージにシリアライズするように構成され、前記リンクブリッジは、前記HSメッセージを用いて、前記バスを通して遠隔物理レイヤ(PHY)チップに送信するために、シリアライズされたUTMIシグナリングを前記バスインターフェースに渡すように構成され、前記UTMIシグナリングは、UTMI制御、ロースピード(LS)データ、およびフルスピード(FS)データからなるグループから選択される、集積回路(IC)。
【請求項２】
前記バスインターフェースは、
双方向シングルエンド配線のための単一のピン、
双方向差動配線対のための2つのピン、
2つの単方向シングルエンド配線のための2つのピン、または
2つの単方向差動配線対のための4つのピン
を備える、請求項1に記載のIC。
【請求項３】
前記リンクブリッジは、前記バスから受信された前記HSメッセージをデシリアライズするように構成されるデシリアライザを備える、請求項1に記載のIC。
【請求項４】
前記UTMIシグナリングはUTMI+シグナリングである、請求項1に記載のIC。
【請求項５】
前記リンクブリッジは、USB2.0のFSターンアラウンドタイムを満たすように、パルス幅を測定し、かつエッジをカウントすることによって、メッセージを復号するように構成される、請求項1に記載のIC。
【請求項６】
集積回路(IC)であって、
物理レイヤ(PHY)回路と、
前記PHY回路と動作可能に結合され、かつシリアライザを備える、PHYブリッジと、
ユニバーサルシリアルバス(USB)バスを結合するように構成されるUSBインターフェースと、
前記PHYブリッジに動作可能に結合され、4つ以下のレーンを有するバスに結合するように構成されるバスインターフェースと
を備え、
前記シリアライザは、前記PHY回路から前記PHYブリッジにおいて受信されたUSBトランシーバマクロセルインターフェース(UTMI)シグナリングをハイスピード(HS)メッセージにシリアライズするように構成され、前記PHYブリッジは、前記HSメッセージを用いて、前記バスを通して遠隔リンクレイヤチップに送信するために、シリアライズされたUTMIシグナリングを前記バスインターフェースに渡すように構成され、前記UTMIシグナリングは、UTMI制御、ロースピード(LS)データ、およびフルスピード(FS)データからなるグループから選択される、
集積回路(IC)。
【請求項７】
物理レイヤ(PHY)回路とリンクレイヤ回路との間で通信するための方法であって、
第1の集積回路(IC)において、リンクレイヤ回路によって生成されたユニバーサルシリアルバス(USB)トランシーバマクロセルインターフェース(UTMI)シグナリングをハイスピード(HS)メッセージとしてシリアライズするステップと、
シリアライズされたUTMIシグナリングを、前記HSメッセージとして、4本以下の配線からなるバスを介して遠隔PHY ICに送信するステップであって、前記UTMIシグナリングは、UTMI制御、ロースピード(LS)データ、およびフルスピード(FS)データからなるグループから選択される、送信するステップと
を含む、方法。
【請求項８】
前記送信するステップは、
1-ワイヤ双方向シングルエンドバスを介して送信するステップ、
2-ワイヤ単方向シングルエンドバスのうちの1つの配線を介して送信するステップ、
双方向差動配線対を介して送信するステップ、または
単方向差動配線対を介して送信するステップ、
を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
J-state、K-state、SE0およびDisable信号を、USB2.0のFSターンアラウンドタイムを満たすことができるstate HSメッセージに符号化するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
パルス幅を測定し、かつエッジをカウントすることによって、前記state HSメッセージを復号するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリアライズされたUTMIシグナリングを送信するステップは、UTMI+制御イベントをHSメッセージとして送信するステップを含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１２】
前記UTMI+制御イベントへの応答を単一のHSメッセージとして受信するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
J-state、K-state、SE0およびDisableを含むFS linestate情報を、USB2.0のFSターンアラウンドタイムを満たす十分に短いHSメッセージに符号化するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１４】
USB2.0のFSターンアラウンドタイムを満たすような方法で、パルス幅を測定しかつエッジをカウントすることによって、メッセージを復号するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１５】
単一のHSメッセージを用いて、リンクブリッジにおいてUTMI制御イベントを通信するステップと、
欠落したメッセージまたはメッセージ衝突から再生するように、前記遠隔PHY ICから結果として生じる応答を、単一のHSメッセージとして受信するステップと
をさらに含む、請求項7に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月12日(2018.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの曲面ミラーと１つのビームシフタを含む光学キャビティを含むレーザパルス繰返し周波数逓倍器であって、レーザからの入力レーザパルスを受け取り、前記入力レーザパルスが前記光学キャビティへと案内され、前記光学キャビティから、入力レーザパルスのそれの少なくとも２倍の出力パルス繰返し周波数を有する出力レーザパルスとして出るように位置付けられるレーザパルス繰返し周波数逓倍器を含むフラットトップビーム生成器において、
ビームシフタは、少なくとも１つの前記出力レーザパルスを他の前記出力レーザパルスに関して横方向に変位させるように構成され、それによって前記出力レーザパルスの時間平均出力強度が、横変位の方向に実質的にフラットなプロファイルを有することを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項２】
請求項１に記載のフラットトップビーム生成器において、
ビームシフトは、二等辺三角形プリズム、ダブプリズム、およびビームスプリッタのうちの１つを含むことを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項３】
請求項１に記載のフラットトップビーム生成器において、
ビームシフタは、横変位が入力レーザパルスのビームウエスト半径の０．５（半分）と略等しいように構成されることを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項４】
請求項３に記載のフラットトップビーム生成器において、
ビームシフタは、光学キャビティが２つの別々の周回光路を含み、ビームシフトが各レーザパルスのエネルギーの一部を第一の経路から第二の経路へと逸らすように構成されることを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項５】
請求項４に記載のフラットトップビーム生成器において、
ビームシフタは、ビームシフタが各レーザパルスのエネルギーの一部を第二の経路から第一の経路へとさらに逸らすように構成されることを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項６】
請求項１に記載のフラットトップビーム生成器において、
レーザパルス繰返し周波数逓倍器は、出力レーザパルス繰返し周波数が入力レーザパルス繰返し周波数の少なくとも４倍となるように構成されることを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項７】
請求項６に記載のフラットトップビーム生成器において、
ビームシフタは、出力レーザパルスが、入力レーザパルスのビームウエスト半径の約２〜２．５倍の幅を有する、実質的にフラットな出力プロファイルを有するように構成されることを特徴とするフラットトップビーム生成器。
【請求項８】
一連のレーザパルスを生成するＤＵＶまたはＶＵＶレーザと、
レーザパルスの繰返し周波数を逓倍するレーザパルス繰返し周波数逓倍器と、
レーザパルス繰返し周波数逓倍器の出力を試料に案内するための対物レンズを含む光学系、
試料から反射され、または散乱した光を集光し、この光を検出器に案内するための光学系と、
を含む試料を検査する検査システムにおいて、
レーザパルス繰返し周波数逓倍器は、１つまたは複数のリングキャビティを形成する２つの球面ミラーと、各入力レーザパルスのエネルギーの第一の部分を１つまたは複数のリングキャビティ内に案内するビームスプリッタと、ビームシフタと、を含み、
前記１つまたは複数のリングキャビティは、前記ＤＵＶまたはＶＵＶレーザからの入力レーザパルスのそれぞれが、前記２つの球面ミラーにより決定される複数の光路に沿って向けられるように構成され、前記複数の光路のそれぞれは、前記ビームシフタ及び前記ビームスプリッタを通過し、
前記ビームシフタは、前記複数の光路の第１光路に沿うレーザパルスのそれぞれを、前記複数の光路の第２光路に横変位させるように構成され、
レーザパルス繰返し周波数逓倍器は、前記第１光路及び第２光路に沿うレーザパルス部分を反射し、反射された部分は、横変位された第１及び第２出力パルスを形成し、かつ、相互に部分的に重複して、実質的にフラットトップを有する時間平均出力強度プロファイルを形成する出力パルスを生成するように構成される
ことを特徴とする検査システム。
【請求項９】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
システムは、パターンなしウェハ検査システム、パターン付ウェハ検査システム、フォトマスク検査システム、および計測システムのうちの１つを実装することを特徴とする検査システム。
【請求項１０】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記ビームシフタは、二等辺三角形プリズム、ダブプリズム、およびビームスプリッタのうちの１つを含むことを特徴とする検査システム。
【請求項１１】
請求項８に記載の検査システムにおいて、
前記ビームシフタは、前記横変位が前記入力レーザパルスのビームウエスト半径の０．５（半分）と略等しいように構成されることを特徴とする検査システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の検査システムにおいて、
前記ビームシフタは、光学キャビティが２つの別々の周回光路を含み、各レーザパルスのエネルギーの一部を第１の経路から第２の経路へと逸らすように構成されることを特徴とする検査システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の検査システムにおいて、
前記ビームシフタは、各レーザパルスのエネルギーの一部を第２の経路から第１の経路へとさらに逸らすように構成されることを特徴とする検査システム。
【請求項１４】
請求項８，９のいずれかに記載の検査システムにおいて、さらに、
前記第１及び第２出力パルスを前記試料の表面上のラインに合焦する光学系を備えることを特徴とする検査システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の検査システムにおいて、さらに、
前記試料の表面上のラインから散乱された光をセンサに向ける集光光学系を備え、前記集光光学系の光軸は、前記ラインの照射平面内にないことを特徴とする検査システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年7月13日(2018.7.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
ＴＬＲの選択的局在化およびそこから生じるシグナル伝達により、免疫反応へのそれらの役割へのいくつかの洞察が提供される。かかる免疫反応は、反応と関連する細胞のサブセットに基づく、先天性および適応的反応の両方に関連する。例えば、遅延型過敏症および細胞障害性Ｔリンパ球（ＣＴＬ）の活性化などの古典的細胞媒介機能に関連するＴヘルパー（Ｔｈ）細胞は、Ｔｈ１細胞である。この反応は、抗原に対する体の先天性反応であり（例えば、ウイルス感染、細胞内病原体、および腫瘍細胞）、そしてＩＦＮ−ガンマの分泌およびＣＴＬの同時活性化をもたらす。代わりに、Ｂ細胞活性化のためのヘルパー細胞として関連する細胞は、Ｔｈ２細胞である。Ｔｈ２細胞は細菌および寄生虫に対する反応において活性化されることが示されてきており、ＩＬ−４およびＩＬ−５の分泌を介して体の適応的免疫反応を媒介し得る（例えば、ＩｇＥ産生および好酸球活性化）。その型の免疫反応は、抗原暴露への反応において産生されるサイトカインにより影響を及ぼされ、Ｔｈ１およびＴｈ２により分泌されるサイトカインにおける差異により、これらの２つのサブセットの異なる生物学的機能という結果となり得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
加えて、グアノシンストリング含有オリゴヌクレオチドは、四重体(tetraplex)構造を形成し、アプタマーとして作用し、そしてトロンビン活性を阻害すると示されてきている(Bock LC et al., Nature, 355:564-6, 1992; Padmanabhan, K et al., J Biol Chem., 268(24):17651-4, 1993)。そのため、一本鎖または複数鎖構造がＴＬＲ活性化を抑制するに有効であるかは明らかではない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
発明の概要
本発明は、ＴＬＲのアンタゴニストとしての新規の免疫調節オリゴヌクレオチド（ＩＲＯ）化合物およびそれを用いる方法を提供する。これらのＩＲＯは、免疫刺激性モチーフに隣接する配列および／または修飾がなければ免疫刺激性であるオリゴヌクレオチドモチーフにおける１つまたは２つ以上の化学修飾を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
好ましい態様の詳細な説明
本発明は、免疫療法用途のための免疫モジュレーター薬剤としての新規のオリゴヌクレオチドの治療的使用に関する。特に、本発明は、ＴＬＲ媒介免疫反応を阻害するおよび／または抑制するためのトール様受容体（ＴＬＲ）のアンタゴニストとしての免疫調節オリゴヌクレオチド（ＩＲＯ）を提供する。これらのＩＲＯは、内因性および／または外因性ＴＬＲリガンドまたはアゴニストに反応して、ＴＬＲ媒介シグナル伝達を阻害または抑制する特異的な配列を有する。明細書中に引用される引例は本分野における知識のレベルを反映し、ここにその全体を引例として導入する。引用される引例および本明細書の教示の間の不一致は、後者を支持することにより解決するであろう。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
本発明のある態様において、その５’−、３’−または２’−末端においてＩＲＯ化合物はヌクレオチド結合、または非ヌクレオチドリンカーにより、または非ヌクレオチドリンカーまたはヌクレオチド結合を介して糖を官能化することによりまたは核酸塩基を官能化することにより、共有結合的に結合する、少なくとも２つのオリゴヌクレオチドを含んでもよい。かかるＩＲＯ化合物は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。非限定の例として、かかるリンカーは３’−水酸基に付着してもよい。かかる態様において、かかるリンカーは、例えばホスホジエステル、ホスホロチオエート、ホスホロジチオエート、メチルホスホネート、などのリン酸塩に基づく結合により、または非リン酸塩に基づく結合により３’−水酸基へと付着する、官能基を含む。かかるリボヌクレオチドの共役の可能性のある部位は以下の式Ｉで示され、式中、Ｂは複素環の塩基を表し、Ｐを指す矢印はリンへの任意の付着を示す。
【化１】
2009515823.tif 000001
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
本発明の側面に従って、ＩＲＯ化合物はさらなるＴＬＲリガンドまたはＴＬＲアゴニストに対するＴＬＲに基づく免疫反応を抑制することができる。下の例でさらに論じるように、ＴＬＲアゴニストまたはＴＬＲリガンド（例えば、免疫調節オリゴヌクレオチド）によるＴＬＲに基づく免疫反応の活性化は、ＩＲＯ化合物の同時投与、前投与または後投与により抑制／阻害することができ、かかる抑制／阻害は、投与後延長された期間（例えば、数日）の間、維持されうる。本発明のこの有益な性質は、疾患または障害の予防および／または処置に対し独自の利点を有する。疾患を処置する過程での所定のＴＬＲアゴニストの適用により、ＩＲＯ化合物が抑制／阻害できる、不要な免疫刺激を引き起こし得る。ＴＬＲアゴニストの同時投与、前投与および／または後投与でのＩＲＯ化合物の投与により、ＴＬＲアゴニストからの治療的利益を可能とし、一方、不要な副作用を抑制／阻害する。さらに、ＩＲＯの後投与により、引き続くまたは後のＴＬＲアゴニストによる付加に対する免疫反応（例えば、アレルギー反応）を予防しうる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
「合成ナノキャリアの最大寸法」は、合成ナノキャリアのいずれかの軸に沿って測定されるナノキャリアの最大寸法を意味する。「合成ナノキャリアの最小寸法」は、合成ナノキャリアのいずれかの軸に沿って測定されるナノキャリアの最小寸法を意味する。例えば球状合成ナノキャリアでは、合成ナノキャリアの最大および最小寸法は実質的に同一であり、その直径のサイズである。同様に立方体合成ナノキャリアでは、合成ナノキャリアの最小寸法は、その高さ、幅または長さの内最小のものである一方、合成ナノキャリアの最大寸法は、その高さ、幅または長さの内最大のものである。一実施形態では、サンプル中の合成ナノキャリアの総数を基準にして、サンプル中の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の合成ナノキャリアの最小寸法は１００ｎｍを超える。実施形態では、サンプル中の合成ナノキャリアの総数を基準にして、サンプル中の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の合成ナノキャリアの最大寸法は５μｍ以下である。好ましくは、サンプル中の合成ナノキャリアの総数を基準にして、サンプル中の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の合成ナノキャリアの最小寸法は、１１０ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上、より好ましくは１３０ｎｍ以上、なおもより好ましくは１５０ｎｍ以上である。好ましくは、サンプル中の合成ナノキャリアの総数を基準にして、サンプル中の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の合成ナノキャリアの最大寸法は、３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、より好ましくは６００ｎｍ以下、なおもより好ましくは５００ｎｍ以下である。好ましい実施形態では、サンプル中の合成ナノキャリアの総数を基準にして、サンプル中の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の合成ナノキャリアの最大寸法は、１００ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上、より好ましくは１３０ｎｍ以上、より好ましくは１４０ｎｍ以上、なおもより好ましくは１５０ｎｍ以上である。合成ナノキャリアサイズの測定は、合成ナノキャリアを（通常は水性の）液体媒体に懸濁して動的光散乱を使用して（例えばＢｒｏｏｋｈａｖｅｎ  ＺｅｔａＰＡＬＳ装置を使用して）得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年10月16日(2018.10.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
【化１】
2016533409.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
【化２】
2016533409.tif 000002
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
【化３】
2016533409.tif 000003
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
【化４】
2016533409.tif 000004
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
【表２】
2016533409.tif 000005
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
遺伝物質、特にＤＮＡ／ＲＮＡへの結合及びその放出のための新規なポリ（エチレンイミン）系コポリマーであって、エチレンイミン単位と２−オキサゾリン単位からなり、式Ｉ：
【化１】
2016533409.tif 000006
（式中、ａ、ｂは各モノマー単位の比率（ａ、ｂ＞０）を表し、ｄは側鎖長（１〜２０）を表し、Ｘは２−オキサゾリン単位の官能基（二重結合又は三重結合による）を表し、コポリマーの鎖長は２単位〜１，０００，０００単位である）で表される化合物であることを特徴とするコポリマー。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の新規なポリ（エチレンイミン）系コポリマーにおいて、式ＩＩで表される異なるオキサゾリン単位：
【化２】
2016533409.tif 000007
（式中、ａ、ｂ、ｃは各モノマー単位の比率（ａ、ｂ、ｃ＞０）を表し、ｄは側鎖長（１〜２０）を表し、Ｘは２−オキサゾリン単位の官能基（二重結合又は三重結合による）を表し、ＲはＨ又は有機残基（例えばアルキルやアリール）を表し、コポリマーの鎖長は２単位〜１，０００，０００単位である）を含むコポリマー。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
遺伝物質、特にＤＮＡ／ＲＮＡへの結合及びその放出のための新規なポリ（エチレンイミン）系コポリマーであって、エチレンイミン単位と２−オキサゾリン単位からなるコポリマーの製造方法であって、式ＩＩＩの合成スキーム：
【化３】
2016533409.tif 000008
であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の対向する往復動ピストンであって、当該一対のピストンの間に燃焼室が形成されるピストンと、
個別のドライブリンクを介して前記ピストンにより駆動されるクランクシャフトとを有する内燃機関であって、
前記クランクシャフトに対して最遠側の外側ピストンは、当該外側ピストン周縁部から前記クランクシャフトに向かって延びるスカートを有し、当該スカートは、他方の内側ピストンが内部で往復動するシリンダを形成しており、
前記外側ピストンの前記スカートは、１つ以上の吸気ポートと１つ以上の排気ポートとを備え、ピストンの往復動に伴い前記燃焼室へのガスの吸入及び前記燃焼室からのガスの排出を可能にする摺動弁として機能し、
前記外側ピストンは、前記内側ピストンへの接近及び離間の往復動を行うことで、その中心軸線周りに回転運動される、内燃機関。
【請求項２】
前記外側ピストンのスカートは、前記外側ピストンと前記クランクシャフトとの間のドライブリンクの少なくとも一部として機能する、請求項１に記載の内燃機関。
【請求項３】
前記内側ピストンによる前記クランクシャフトの駆動に用いられる少なくとも１つのスコッチヨークと、前記クランクシャフトに沿って間隔を開けて設けられ、前記外側ピストンによる、前記外側ピストンのスカートを介した前記クランクシャフトの駆動に用いられる少なくとも２つのスコッチヨークとを備える、請求項２に記載の内燃機関。
【請求項４】
前記内側ピストンによる前記クランクシャフトの駆動に用いられる少なくとも１つのクランクと、前記クランクシャフトに沿って前記内側ピストンのクランクの両側に間隔を開けて設けられ、前記外側ピストンによる前記クランクシャフトの駆動に用いられる少なくとも２つのクランクとを備える、請求項２に記載の内燃機関。
【請求項５】
前記回転運動は、往復回転運動である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項６】
複数対の対向する往復動するピストンを備え、各対では、各ピストンの間に燃焼室が形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項７】
前記外側ピストンの前記スカートにより形成されている前記シリンダの中心軸線上に又は当該中心軸線と平行に配置された少なくとも１つの燃料噴射器を備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項８】
前記燃料噴射器は、前記ピストンのうちの１つを貫通して前記シリンダの一端から突出し、前記ピストンは、前記燃料噴射器に沿って摺動して往復動する、請求項７に記載の内燃機関。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月28日(2017.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
第１のマレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミドが以下の構造を有する、請求項１に記載の組成物。
【化１】
2016533422.tif 000001
（式中、ｍは１〜１５であり、ｐは、０〜１５であり、各Ｒ２は、独立して水素または低級アルキルから選ばれ、Ｊは以下から選択される一価または多価の基である。：
−６〜３００個の範囲の炭素原子を有する芳香族ヒドロカルビル種または置換された芳香族ヒドロカルビル種であり、芳香族ヒドロカルビル種が、アリール、アルキルアリール、アリールアルキル、アリールアルケニル、アルケニルアリール、アリールアルキニル、またはアルキニルアリールから選択される、
−６〜３００個の範囲の炭素原子を有する芳香族ヒドロカルビレン種または置換された芳香族ヒドロカルビレン種であり、芳香族ヒドロカルビレン種が、アリーレン、アルキルアリーレン、アリールアルキレン、アリールアルケニレン、アルケニルアリーレン、アリールアルキニレン、またはアルキニルアリーレンから選択される、
−６〜３００個の範囲の炭素原子を有する複素環または置換複素環種
−ポリシロキサンまたは
−ポリシロキサン−ポリウレタンブロック共重合体および以下の結合基から選択される結合基を有する、１種以上の上記の組み合わせであり、結合基が、
共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、または−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−である（ここで各Ｒは、独立して水素、アルキルまたは置換されたアルキルを表す））
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年8月16日(2018.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーブレンド組成物であって、
（ａ）エチレン／α−オレフィンコポリマーである第１の構成成分であって、前記エチレン／α−オレフィンコポリマーが、０．８５７〜０．９０２ｇ／ｃｍ３の範囲の密度、０．２〜３０ｇ／１０分の範囲のメルトインデックス（Ｉ２）、４０〜９９℃の範囲のＤＣＳ融点温度（第２の熱）、１８〜１０８Ｊｇ−１の範囲の融解熱、及び６〜３７重量パーセントの範囲の結晶化度を有する、前記第１の構成成分を４０重量％以上、
（ｂ）酢酸ビニルに由来する単位を９〜４０重量パーセント含むエチレン酢酸ビニルコポリマーを含む第２の構成成分であって、前記エチレン酢酸ビニルコポリマーが、０．２〜２０ｇ／１０分の範囲のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、前記第２の構成成分を３０重量％以上４０重量％未満
含み、
Δｎが、０．００３未満であり、Δｎが、（ａ）及び（ｂ）の屈折率の差の絶対値であり、前記ポリマーブレンド組成物の誘電損率が、０．０２４〜０．１５の範囲である、前記ポリマーブレンド組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含む射出成形品。
【請求項３】
請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含むフィルム。
【請求項４】
請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含むシート。
【請求項５】
請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含むテープ。
【請求項６】
請求項３に記載の前記フィルム、または請求項４に記載の前記シート、または請求項５に記載の前記テープを有する多層構造体。
【請求項７】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物。
【請求項８】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項２に記載の前記射出成形品。
【請求項９】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項３に記載の前記フィルム。
【請求項１０】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項４に記載の前記シート。
【請求項１１】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項５に記載の前記テープ。
【請求項１２】
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、請求項６に記載の前記多層構造体。
【請求項１３】
物品であって、
基材と、前記基材の少なくともある表面と結合されたフィルムと、を備え、前記フィルムが、請求項１に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含み、前記フィルムが、前記少なくとも１つの表面にコーティングまたは積層される、前記物品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
以下の実施例は、本発明を図示するが、本発明の範囲を制限することを意図しない。本発明の実施例は、本発明による光学特性を維持しながら、ＲＦ溶接性が達成されることを示す。以下の実施例は、２相の屈折率の差が最小限に抑えられる場合、曇り度が低く透明な化合物が達成され得ることをさらに図示する。なお、以下の本発明の組成物１〜４は参考例である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
【表６】
2016533424.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
式中、ＶＡは、ＥＶＡコポリマー中の酢酸ビニル含量（重量％）である。
なお、本発明には以下の態様も含まれることを付記する。
〔１〕
ポリマーブレンド組成物であって、
（ａ）エチレン／α−オレフィンコポリマー及びプロピレン／エチレンコポリマーからなる群から選択される第１の構成成分であって、前記エチレン／α−オレフィンコポリマーが、０．８５７〜０．９０２ｇ／ｃｍ３の範囲の密度、０．２〜３０ｇ／１０分の範囲のメルトインデックス（Ｉ２）、４０〜９９℃の範囲のＤＣＳ融点温度（第２の熱）、１８〜１０８Ｊｇ−１の範囲の融解熱、及び６〜３７重量パーセントの範囲の結晶化度を有し、プロピレン／エチレンコポリマーが、１〜３０ｇ／１０分の範囲のメルトフローレート、５５〜８５℃の範囲のＤＣＳ融点温度（第２の熱）、１０〜４０Ｊｇ−１の範囲の融解熱、及び６〜２１重量パーセントの範囲の結晶化度を有する、第１の構成成分と、
（ｂ）酢酸ビニルに由来する単位を９〜４０重量パーセント含むエチレン酢酸ビニルコポリマーを含む、４０重量パーセント未満の第２の構成成分であって、前記エチレン酢酸ビニルコポリマーが、０．２〜２０ｇ／１０分の範囲のメルトインデックス（Ｉ２）を有する、第２の構成成分と、を含み、
Δｎが、０．００３未満であり、Δｎが、（ａ）及び（ｂ）の屈折率の差の絶対値であり、前記ポリマーブレンド組成物の誘電損率が、０．０２４以上の範囲である、前記ポリマーブレンド組成物。
〔２〕
上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含む、射出成形品。
〔３〕
上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含む、フィルム。
〔４〕
上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含む、シート。
〔５〕
上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含む、テープ。
〔６〕
上記〔３〕に記載の前記フィルム、または上記〔４〕に記載の前記シート、または上記〔５〕に記載の前記テープを有する、多層構造体。
〔７〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物。
〔８〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔２〕に記載の前記射出成形品。
〔９〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔３〕に記載の前記フィルム。
〔１０〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔４〕に記載の前記シート。
〔１１〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔５〕に記載の前記テープ。
〔１２〕
前記ポリマーブレンド組成物が、３６パーセント未満の曇り度を有する、上記〔６〕に記載の前記多層構造体。
〔１３〕
物品であって、
基材と、前記基材の少なくともある表面と結合されたフィルムと、を備え、前記フィルムが、上記〔１〕に記載の前記ポリマーブレンド組成物を含み、前記フィルムが、前記少なくとも１つの表面にコーティングまたは積層される、前記物品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年7月31日(2018.7.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対応する支持体から繊維機械又は糸巻機若しくは巻線機などの加工機へと繰り出される糸又は金属糸の供給を制御するコンパクトな装置であって、前記供給は、支持体から加工機へ及び加工機から離れて支持体に向かって行うことができ、前記装置は、少なくとも２個の回転部材（５、６）を有する本体（１）を備え、これらの回転部材には糸が巻き付けられ、検知手段（１２）がこれらの回転部材と連携してこれらの回転部材の回転速度を検知し、これらの検知手段（１２）は、制御ユニット（１３）に接続されており、前記制御ユニット（１３）に接続された手段（１５）が設けられて糸の張力を検知し、各々の前記回転部材（５、６）は、遊び部材であり、回転部材に接触して移動する糸によって回転し、張力検知手段（１５）は、糸に近接して配置されている装置において、
この装置が、接触して移動する糸によって回転し、各々供給される糸の量及び速度を測
定する速度検知手段（１２）と協働する２個の遊び回転部材（５、６）を備え、張力検知手段（１５）が、それらの遊び回転部材の間に配置され、制御ユニット（１３）は、糸（Ｆ）の摺動又は休止状態、糸の速度及び／又は供給する糸の量、並びに糸（Ｆ）の摺動方向、すなわち、糸が加工機に向かって移動しているか又は糸が加工機から離れるように移動しているかを検知することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記制御ユニット（１３）が、聴覚及び／又は視覚による警報発生器に接続されており、前記制御ユニットは、糸の供給中、特に糸の張力の平均値又は瞬時値を観測することにより、糸（Ｆ）の張力の推移を確認して、糸の張力が所定の許容範囲内にあることを確認し、前記制御ユニット（１３）は、張力の値が前記許容範囲を外れている場合には、前記警報発生器を起動し、前記警報発生器は、２個の遊び回転部材のうちの１個によって供給される糸の速度値及び量が、予め設定した値と異なる場合、又は前記制御ユニット（１３）によって糸の量が比較されるプログラムされた製造値に、糸の量が達した場合にも起動され、前記糸の量の値を、処理中、測定した張力の関数として前記糸の伸びを相殺することができることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
糸の張力及び速度若しくは供給量の予め設定した値は、加工機の作業段階の関数であり、本体（１）は、加工機から来る同期信号用の接続部又はインレット（２０）を備え、この同期信号を通じて、制御ユニット（１３）は、前記作業段階を検知し、前記加工機への糸の供給中、前記予め設定した値と、検知された糸の張力及び速度若しくは量の対応する値との間の比較を行うことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
予め設定された張力値が、予め定義されたもの又は自己学習されたものであり、前記張力値は、加工機の特定の作業段階の関数として固定されている又は可変であることを特徴とする請求項２に記載に記載の装置。
【請求項５】
前記制御ユニット（１３）は、装置に入って一方の回転部材（５）と協働する糸の速度値と、もう一方の回転部材（６）と協働して装置から出る糸の速度値との間の差を測定することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記制御ユニット（１３）は、前記速度検知手段（１２）によって検知された糸の速度データ及び供給する糸の量のデータを通じて加工機の種々の作業段階を自己認識することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記遊び回転部材（５、６）が、装置の本体（１）の同じ面（２）に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記本体（１）は、実質的に平板状であること、すなわち、本体が、本体の長手方向の軸線（Ｘ）に沿って、遊び回転部材を有する前記面（２）に対して垂直な軸線（Ｙ）に沿う伸び巾よりも、かなり大きく伸びていることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記遊び回転部材は、前記本体（１）の長手方向の軸線（Ｘ）を含む同様な平面にある平行な回転の軸線（Ｋ）を有していることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
制御ユニット（１３）が、前記本体（１）の内側又は前記本体（１）の外側にあり、本体は、本体自体に設けられた接続部（２０）を通じてケーブルを介して前記制御ユニットに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記本体（１）は、前記遊び回転部材（５、６）及び前記張力検知手段（１５）によって収集された張力及び速度のパラメータが送られるデータ収集ステーションに接続された物理的な又はＷｉ−Ｆｉのシリアルラインへの装置の接続部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記回転速度を検知する手段（１２）は、それぞれの遊び回転部材（５、６）に取り付けられた少なくとも１個のホールセンサ又はエンコーダを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
対応する支持体から繊維機械又は糸巻機若しくは巻線機などの加工機へと繰り出される糸又は金属糸の供給を制御する方法であって、前記供給は、支持体から加工機へ及び加工機から離れて支持体に向かって行うことができ、前記方法は、請求項１に記載の少なくとも１個の装置によって実施され、前記装置は、少なくとも２個の回転部材（５、６）を有する本体（１）を備え、これらの回転部材には糸が巻き付けられ、検知手段（１２）がこれらの回転部材と連携してこれらの回転部材の回転速度を検知し、これらの検知手段（１２）は、制御ユニット（１３）に接続されており、前記制御ユニット（１３）に接続された手段（１５）が設けられて糸の張力を検知し、制御ユニットは、供給される糸の速度、張力及び量の複数の測定とともに、糸の供給のための複雑な複数の調節ループ又は高精度の制御ループの閉ループ化を行い、その結果は、測定値自体の組み合わせの関数である方法において、
糸（Ｆ）の摺動及び休止状態と、糸（Ｆ）の摺動方向、すなわち、糸が加工機に向かって移動しているか又は糸が加工機から離れて移動しているかを検知することを含んでいることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
加えて、張力センサ１５と供給する糸の量／速度の測定とを組み合わせることにより、張力の変動が、加わる張力すなわち測定する張力の関数として、測定する糸Ｆの伸びを生じさせるので、非常に高い精度のメートルカウンターを得ることができ、したがって、測定する糸の量の値を、張力自体の関数として自動的に相殺することができる。例えば、５％の伸長率を有する糸を用いることにより、誤差が５％を決して下回らない処理に用いられる糸の量の測定ができる。処理中に糸の量の測定と同時に行う糸の張力測定は、代わりとして、相殺因子を、読み取った張力の関数として、測定する糸の長さに適用することを可能にする。例えば、５グラムの平均張力で１０００メートルの最終メトリック値を設定し、１グラムの張力で１％の伸びがあり、１０グラムの張力で５％の最大伸びがあるように糸を制御すると仮定すると、本発明の装置は、測定した張力の関数として、測定した糸の量を、リアルタイムで相殺し、パーセンテージの測定そのものを修正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラットフォームであって、
ベース層と、
デバイス層であって、
前記デバイス層は第１の材料を備え、
前記第１の材料は半導体であり、
前記デバイス層は、前記プラットフォームの前記ベース層の部分が前記デバイス層を通して露出されるように、前記デバイス層において開口を形成する複数の壁を備える、前記デバイス層と、
前記デバイス層と前記ベース層との間にある絶縁層とを備える、
前記プラットフォームと、
チップであって、
前記チップは活性領域を備え、
前記チップはエッチストップを備え、
前記活性領域は第２の材料を備える、前記チップと、
前記チップを前記プラットフォームに固定するボンドであって、
前記チップは前記プラットフォームの前記ベース層に固定され、
前記プラットフォームの前記デバイス層は前記チップの前記活性領域と光学的に位置合わせされる、前記ボンドと、
コーティングであって、前記コーティングは前記チップを前記プラットフォーム中に気密封止する、前記コーティングとを備える、
２つ以上の材料にわたってフォトニック機能を分割するための複合デバイス。
【請求項２】
前記第１の材料はシリコンであり、
導波路およびミラーが前記デバイス層中の要素であり、
前記導波路およびミラーはレーザーのための共振キャビティを形成し、
前記第２の材料はＩＩＩ−Ｖ族材料であり、
前記ＩＩＩ−Ｖ族材料は前記レーザーのための利得媒質を提供し、
前記プラットフォームの前記デバイス層は前記チップの前記活性領域と位置合わせされる、
請求項１に記載の前記複合デバイス。
【請求項３】
前記チップと、前記開口を形成する前記複数の壁のうちの壁との間にギャップが形成され、
アモルファスシリコンまたはポリシリコンが、前記チップと前記複数の壁のうちの前記壁との間の前記ギャップを少なくとも部分的に埋める、
請求項１に記載の前記複合デバイス。
【請求項４】
コンタクト金属が前記チップの第１の表面上にあり、
前記チップの第２の表面が前記ボンドに固定され、
前記チップの前記第１の表面は前記チップの前記第２の表面の反対側にある、
請求項１に記載の前記複合デバイス。
【請求項５】
導波路のリッジ部分が前記チップ中に形成され、
前記チップ中に形成された前記リッジ部分は前記プラットフォーム中の導波路と光学的に位置合わせされる、
請求項１に記載の前記複合デバイス。
【請求項６】
前記プラットフォームはシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハを備え、
前記ベース層は前記ＳＯＩウエハのハンドルであり、
前記プラットフォームはＢＯＸ層をさらに備え、
前記ＢＯＸ層は酸化ケイ素を備え、
前記ＢＯＸ層は前記ベース層と前記デバイス層との間にある、
請求項１に記載の前記複合デバイス。
【請求項７】
プラットフォームを提供するステップであって、
前記プラットフォームはリセスを備え、
前記プラットフォームは第１の材料のデバイス層を備え、
前記プラットフォームはベース層を備え、
前記プラットフォームは前記ベース層と前記デバイス層との間に絶縁層を備える、ステップと、
チップを提供するステップであって、
前記チップは活性領域を備え、
前記活性領域は第２の材料を備え、
前記チップはエッチストップを備え、
前記第２の材料は前記第１の材料とは異なり、
前記チップは基板の部分を備え、
前記エッチストップは前記活性領域と前記基板の前記部分との間にある、ステップと、
前記プラットフォームの前記ベース層に前記チップをボンディングし、前記チップの前記活性領域を前記プラットフォームの前記デバイス層に光学的に位置合わせする、ステップと、
前記チップが前記プラットフォームにボンディングされた後に、前記基板の前記部分を前記エッチストップまでエッチングすることにより、前記チップから前記基板の前記部分を除去する、ステップとを含む、
複合デバイスを作製する方法。
【請求項８】
前記基板の前記部分は前記プラットフォームの上方に延在し、
前記基板の前記部分を除去した後に前記チップが前記プラットフォームの上方に延在しない、
請求項７に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項９】
前記チップが前記基板にボンディングされる前に、前記基板の上方にエッチストップを成長させ、次いで、前記エッチストップの上方に前記活性領域を成長させる、ステップをさらに含む、
請求項７に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１０】
前記第２の材料はＩＩＩ−Ｖ族材料であり、前記第１の材料はシリコンである、
請求項７に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１１】
前記デバイス層は、前記プラットフォームの前記ベース層の部分が前記デバイス層を通して露出し前記リセスを形成するように、前記デバイス層において開口を形成する複数の壁を備え、
前記チップは、前記リセスにおいて前記プラットフォームの前記ベース層の前記部分にボンディングされる、
請求項７に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１２】
前記チップが前記ベース層の前記部分にボンディングされる前に、前記プラットフォーム中に前記リセスを形成する、ステップをさらに含む、
請求項１１に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１３】
前記チップを気密封止するために前記チップを覆うステップをさらに含む、
請求項１１に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１４】
前記リセスにおいてペデスタルを形成するステップをさらに含み、
前記ペデスタルを使用して前記チップの前記活性領域を前記プラットフォームの前記デバイス層と位置合わせする、
請求項１１に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１５】
前記ペデスタルは前記チップの光路の下にある、
請求項１４に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１６】
プラットフォーム上でエッチエリアを画定するために第１のマスクをターゲットと位置合わせするステップと、
前記エッチエリアによって画定される前記プラットフォーム中にリセスをエッチングするステップと、
特徴エリアを画定するために第２のマスクを前記ターゲットと位置合わせするステップであって、前記特徴エリアは前記チップにわたる、ステップと、
前記チップ上に特徴を形成するために前記チップの前記特徴エリアを処理するステップとをさらに含む、
請求項１１に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【請求項１７】
前記チップはレーザーのための利得媒質を備える、
請求項７に記載の前記複合デバイスを作製するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月5日(2018.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラプレートの対と、該バイポーラプレートの対の間に位置する、アノード区画、カソード区画、およびその間に配置されたプロトン交換膜とを含む、膜電極接合体；
該バイポーラプレートの対の一方に形成されたシーリング表面であって、該シーリング表面は、複数の突起を含む、シーリング表面；および
該シーリング表面と該プロトン交換膜との間に位置するガスケットであって、該ガスケットは、該複数の突起の形状に相当する形状を有する塑性変形した部分を含み、該ガスケット及び該シーリング表面は、該カソード区画または該アノード区画の１つの周辺にシールを形成する、ガスケット
を含む、電気化学セル。
【請求項２】
前記ガスケットが、前記プロトン交換膜材料の降伏強度より大きい降伏強度を有する、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記シーリング表面が、前記ガスケットの降伏強度より大きい降伏強度を有する、請求項１または２に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記ガスケットが配置されている面とは逆側の前記プロトン交換膜の面に沿って、補強層が配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項５】
前記補強層が、前記アノード区画中に位置している、請求項４に記載の電気化学セル。
【請求項６】
前記補強層が、前記ガスケットの長さ寸法と実質的に同じ長さ寸法を有する、請求項５に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記補強層が、前記ガスケットの長さ寸法より大きい長さ寸法を有する、請求項５に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記ガスケットが、その圧縮されていない状況において、０．８：１〜１．５：１の範囲のｈＧ１：ｄｐの比率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記ガスケットが、その圧縮されていない状況において、０．０５：１〜０．７５：１の範囲のｈｔ：ｈＧ１の比率を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記ガスケットが、その圧縮されていない状況において、０．５：１〜１０：１の範囲のＳｔ：ｈｔの比率を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
前記ガスケットが、その圧縮されていない状況において、０．８：１〜１．５：１の範囲のｈＧ１：ｄｐの比率、０．０５：１〜０．７５：１の範囲のｈｔ：ｈＧ１の比率、および０．５：１〜１０：１の範囲のＳｔ：ｈｔの比率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
前記突起が、０．００１〜０．０２インチの範囲の高さ、０．０１〜０．２インチの範囲の突起間の距離、および５５〜１２５度の範囲の突起の角度を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１３】
バイポーラプレートの対と、該バイポーラプレートの対の間に位置する、アノード区画、カソード区画、およびその間に配置されたプロトン交換膜とを含む、膜電極接合体；
該バイポーラプレートの対の一方に形成されたシーリング表面であって、該シーリング表面は、１つまたはそれより多くの突起を含む、シーリング表面；および
該シーリング表面と該プロトン交換膜との間に位置する圧縮されたガスケットであって、該ガスケットは、圧縮前に少なくとも１つの突起を含み、該複数の突起の形状に相当する形状を有する塑性変形した部分を含む、ガスケット
を含む電気化学セル。
【請求項１４】
前記ガスケットが、その圧縮された状況において、０．２５：１〜２：１の範囲のＷＧ２：Ｗｐの比率を有する、請求項１３に記載の電気化学セル。
【請求項１５】
前記シーリング表面が、１：１〜２０：１の範囲のＷｐ：Ｓｔの比率を有する、請求項１３に記載の電気化学セル。
【請求項１６】
バイポーラプレートの対であって、該バイポーラプレートの対の一方にシーリング表面が形成されており、シーリング表面は１つまたはそれより多くの突起を含む、バイポーラプレートの対；
該バイポーラプレートの対の間に位置する膜電極接合体であって、該膜電極接合体は、アノード、カソード、およびその間に配置されたプロトン交換膜を含む、膜電極接合体；
高圧ゾーンを規定する第一のシールであって、該第一のシールは、該バイポーラプレート間に位置し、該高圧ゾーン内の第一の流体を含有するように設計された、第一のシール；
中圧ゾーンを規定する第二のシールであって、該第二のシールは、該バイポーラプレート間に位置し、該中圧ゾーン内の第二の流体を含有するように設計されている、第二のシール
を含む電気化学セルであって、
ここで該第一のシールは、塑性変形して該カソード区画または該アノード区画の１つの周辺にシールが生じるように設計されているガスケットによって形成されており、
該ガスケットは、該１つまたはそれより多くの突起の形状に相当する形状を有する塑性変形した部分を含む、上記電気化学セル。
【請求項１７】
前記第二のシールが、塑性変形して該カソード区画または該アノード区画の１つの周辺にシールが生じるように設計されているガスケットによって形成されている、請求項１６に記載の電気化学セル。
【請求項１８】
該バイポーラプレートが、該ガスケット及び該膜電極接合体に隣接して互いに接する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項１９】
該プロトン交換膜の第一の側が第一のバイポーラプレートに接触している、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電気化学セル。
【請求項２０】
該プロトン交換膜の第二の側が第二のバイポーラプレートに接触している、請求項１９に記載の電気化学セル。