【手続補正書】
【提出日】平成30年5月17日(2018.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明を実施するために、発明者らが知っている最良の形態を含めて、本発明の好ましい実施形態が本明細書において記載される。それらの好ましい実施形態の変形態様は、前述の説明を読めば当業者には明らかになるであろう。発明者らは、当業者がそのような変形態様を適宜利用すると予期しており、発明者らは本明細書に具体的に記載したのと別の方法で、本発明が実施されることを意図している。したがって、本発明は、準拠法によって容認されているように、特許請求の範囲に記載される対象の全ての改良及びそれと同等なものを含む。さらに、それらの全ての可能な変形態様における上記の要素の任意の組み合わせは、本明細書で別段の指摘がないか又は文脈によって明確に否定されない限り、本発明によって包含される。
本発明の実施形態としては、以下の実施形態を挙げることができる。
（付記１）
酸化剤と、粒状研磨剤と、水溶性ポリマー、非酸性の側鎖を持つアミノ酸、ビス−ピリジン化合物、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択されるゲルマニウムエッチング防止剤とを含み、前記水溶性ポリマーが、塩基性窒素基、アミド基、又はそれらの組み合わせを含むカチオン性又は非イオン性ポリマーを含む水性の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物で、ゲルマニウムを含む基材の表面をすり減らす工程を含む、ゲルマニウムを研磨する方法。
（付記２）
前記水溶性ポリマーが、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、４級アミノ基、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される窒素基を含む、付記１に記載の方法。
（付記３）
前記水溶性ポリマーが、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２、及びそれらの２種以上の組み合わせ（式中、各Ｒが独立して炭化水素部分である）からなる群より選択されるアミド基を含む、付記１に記載の方法。
（付記４）
前記ＣＭＰ組成物が、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２のアミド基を含む非イオン性ポリアクリルアミドポリマーを含む、付記１又は３に記載の方法。
（付記５）
前記ＣＭＰ組成物がカチオン性ポリマーを含む、付記１に記載の方法。
（付記６）
前記カチオン性ポリマーが、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム）クロリド（ポリＤＡＤＭＡＣ）、ポリ（メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウム）クロリド（ポリＭＡＤＱＵＡＴ）、ポリ（ジメチルアミン−コ−エピクロロヒドリン−コ−エチレンジアミン）（ポリＤＥＥ）、及びアクリルアミドとＤＡＤＭＡＣとのコポリマーからなる群より選択される１種又は複数種のポリマーを含む、付記５に記載の方法。
（付記７）
前記ＣＭＰ組成物が塩基性の側鎖を有するアミノ酸を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載の方法。
（付記８）
前記ＣＭＰ組成物が疎水性の側鎖を有するアミノ酸を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載の方法。
（付記９）
前記ＣＭＰ組成物が６以上の等電点（ｐＩ）を有するアミノ酸を含む、付記１〜８のいずれか１つに記載の方法。
（付記１０）
前記ＣＭＰ組成物が、リシン、アルギニン、ヒスチジン、グリシン、ベータアラニン、トリシン、及びバリンからなる群より選択されるアミノ酸を含む、付記１〜６のいずれか１つに記載の方法。
（付記１１）
前記ＣＭＰ組成物が、式Ｐｙｒ−Ｒ’−Ｐｙｒ（式中、各Ｐｙｒが、独立してピリジン基であり、前記ピリジン基の２位、３位、又は４位でＲ’に付加され、Ｒ’が共有結合、（ＣＨ２）ｎ（ｎ＝１、２、又は３）、又はＣＨ＝ＣＨである）のビス−ピリジン化合物を含む、付記１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
（付記１２）
前記ビス−ピリジン化合物が、４，４’−トリメチレンジピリジン、１，２−ビス（４−ピリジル）エタン、２，２’−ビピリジル、及び１，２−ビス（２−ピリジル）エチレンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む、付記１１に記載の方法。
（付記１３）
前記アミノ酸が、約５０〜約５０００百万分率（ｐｐｍ）の範囲の濃度で前記組成物中に存在する、付記１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
（付記１４）
前記水溶性ポリマーが、約１０〜約２０００ｐｐｍの範囲の濃度で前記ＣＭＰ組成物中に存在する、付記１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
（付記１５）
前記ビス−ピリジン化合物が、約５０〜約５０００ｐｐｍの範囲の濃度で前記組成物中に存在する、付記１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
（付記１６）
前記粒状研磨剤が、約０．５〜約３．５質量パーセント（ｗｔ％）の範囲の濃度でコロイダルシリカを含む、付記１〜１５のいずれか１つに記載の方法。
（付記１７）
前記酸化剤が、約０．５〜約４ｗｔ％の範囲の濃度で過酸化水素を含む、付記１〜１６のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、前記ＣＭＰ組成物の全体質量に対して、０．１〜４ｗｔ％の酸化剤と、２０〜２００ｎｍの平均粒子サイズを有する０．２〜３ｗｔ％の粒状研磨剤と、前記ＣＭＰ組成物の全体濃度に対して、１０〜２０００ｐｐｍの水溶性ポリマー、５０〜５０００ｐｐｍの非酸性の側鎖を持つアミノ酸、５０〜５０００ｐｐｍのビス−ピリジン化合物、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択されるゲルマニウムエッチング防止剤とを含み、前記水溶性ポリマーが、塩基性窒素基、アミド基、又はそれらの組み合わせを含むカチオン性又は非イオン性ポリマーを含み、前記ビス−ピリジン化合物が４，４’−トリメチレンジピリジンを含む水性の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物で、ゲルマニウムを含む基材の表面をすり減らす工程を含む、ゲルマニウムを研磨する方法。
【請求項２】
前記水溶性ポリマーが、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、４級アミノ基、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される窒素基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマーが、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＲ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２、及びそれらの２種以上の組み合わせ（式中、各Ｒが独立して炭化水素部分である）からなる群より選択されるアミド基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣＭＰ組成物が、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２のアミド基を含む非イオン性ポリアクリルアミドポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＭＰ組成物がカチオン性ポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記カチオン性ポリマーが、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム）クロリド（ポリＤＡＤＭＡＣ）、ポリ（メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウム）クロリド（ポリＭＡＤＱＵＡＴ）、ポリ（ジメチルアミン−コ−エピクロロヒドリン−コ−エチレンジアミン）（ポリＤＥＥ）、及びアクリルアミドとＤＡＤＭＡＣとのコポリマーからなる群より選択される１種又は複数種のポリマーを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＣＭＰ組成物が塩基性の側鎖を有するアミノ酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＣＭＰ組成物が疎水性の側鎖を有するアミノ酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＣＭＰ組成物が６以上の等電点（ｐＩ）を有するアミノ酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＣＭＰ組成物が、リシン、アルギニン、ヒスチジン、グリシン、ベータアラニン、トリシン、及びバリンからなる群より選択されるアミノ酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記粒状研磨剤が、約０．５〜約３．５質量パーセント（ｗｔ％）の範囲の濃度でコロイダルシリカを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化剤が、約０．５〜約４ｗｔ％の範囲の濃度で過酸化水素を含む、請求項１に記載の方法。