【手続補正書】
【提出日】平成30年7月5日(2018.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のコンピュータ記憶媒体上にコード化されたコンピュータプログラム製品であって、１つ以上のコンピュータによって実行されると、前記１つ以上のコンピュータに、
半導体ウェハ上に少なくとも１つの層を堆積させた後で且つ前記少なくとも１つの層の上に外側層を堆積させる前の基板の測定値であり、渦電流測定値又は前記基板から反射された光のスペクトルを表すベーススペクトルである、ベース測定値を記憶することと、
前記少なくとも１つの層の上に前記外側層を堆積させた後で且つ基板上の前記外側層の研磨中に、インシトゥモニタシステムから前記基板の未加工測定値のシーケンスを受け取ることと、
前記未加工測定値のノイズを低減するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して調整された測定値のシーケンスを生成することと、
少なくとも調整された測定値の前記シーケンスに基づいて、研磨終点又は研磨速度の調整のうちの少なくとも１つを決定することと
を含むオペレーションを実行させる命令を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項２】
前記外側層は、導電層であり、前記インシトゥモニタシステムは、インシトゥ渦電流モニタシステムを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項３】
前記ベース測定値は、前記少なくとも１つの層の堆積後であるが前記少なくとも１つの層のエッチング前、前記少なくとも１つの層のエッチング後であるがバリア層の堆積前、又は前記バリア層の堆積後であるが前記導電層の堆積前に測定された前記基板の測定値を含む、請求項２に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項４】
前記外側層は、非金属層であり、前記インシトゥモニタシステムは、インシトゥ光学モニタシステムを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項５】
前記ベース測定値は、ベーススペクトルであり、前記ベーススペクトルは、金属層又は半導体ウェハの上に複数の誘電体層を堆積させた後であり且つ前記複数の堆積された誘電体層の上に前記非金属層を堆積させる前である基板から反射された光のスペクトルであり、未加工測定値の前記シーケンスは、研磨中に前記基板から反射された光の未加工スペクトルのシーケンスを含む、請求項４に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項６】
前記ベーススペクトルは、前記誘電体層の堆積後であるがエッチングプロセス前、前記エッチングプロセス後であるが窒化物層の堆積前、又は前記窒化物層の堆積後であるが研磨を受ける前記非金属層を堆積させる前に測定された前記基板のスペクトルを含む、請求項５に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項７】
調整された測定値の前記シーケンスを生成することは、正規化された測定値のシーケンスを生成するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して未加工測定値の前記シーケンスにおける各未加工測定値を正規化することを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項８】
正規化することは、前記未加工測定値が分子にあり、前記ベース測定値が分母にある除算オペレーションを含む、請求項７に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項９】
前記除算オペレーションは、下記式
2017521866.tif 000001
（式中、Ａは前記未加工測定値であり、Ｂは前記ベース測定値であり、ＤＡ及びＤＢは、前記インシトゥモニタシステムによって基板が測定されていないときに前記インシトゥモニタシステムによって行われた測定値である。）を満たす正規化された測定値Ｒを計算する、請求項８に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
基板を製造する方法であって、
半導体ウェハ上に少なくとも１つの層を堆積させることと、
基板のベース測定値であって、前記少なくとも１つの層の堆積後で且つ前記少なくとも１つの層の上への外側層の堆積前の前記基板の測定値であり、渦電流測定値又は前記基板から反射された光のスペクトルを表すベーススペクトルである、ベース測定値を得ることと、
前記少なくとも１つの層の上に前記外側層を堆積させることと、
前記基板の前記外側層を研磨することと、
前記外側層の研磨中に、インシトゥモニタシステムを用いて前記基板の未加工測定値のシーケンスを得ることと、
前記未加工測定値のノイズを低減するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して調整された測定値のシーケンスを生成することと、
調整された測定値の前記シーケンスからの少なくとも１つの調整された測定値に基づいて、研磨終点又は研磨速度の調整のうちの少なくとも１つを決定することと
を含む方法。
【請求項１１】
前記外側層は、導電層であり、前記インシトゥモニタシステムは、インシトゥ渦電流モニタシステムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの層は、前記半導体ウェハ上の少なくとも１つの下層導電層及び少なくとも１つの誘電体層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ベース測定値は、複数の交互の層を前記基板上に堆積させた後であるが前記基板をエッチングする前、前記基板をエッチングした後であるがバリア層を堆積させる前、又はバリア層を堆積させた後であるが前記導電層を堆積させる前の前記基板の測定値である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の交互の層は、ポリシリコン及び酸化ケイ素を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記外側層は、非金属層であり、前記インシトゥモニタシステムは、光学モニタシステムを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ベース測定値は、ベーススペクトルであり、前記ベーススペクトルは、金属層又は半導体ウェハの上に複数の誘電体層の堆積させた後であり且つ前記複数の堆積された誘電体層の上に非金属層を堆積させる前である基板から反射された光のスペクトルであり、未加工測定値の前記シーケンスは、研磨中に前記基板から反射された光の未加工スペクトルのシーケンスを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの誘電体層を含む交互の非金属層を基板上に堆積させることと、
前記基板をエッチングして、階段構造を形成することと、
前記エッチングされた基板上に中間層を堆積させることと、
最外層を前記中間層の上に堆積させることと
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記ベーススペクトルを測定することは、交互の酸化物層及び窒化物層を前記基板上に堆積させた後であるが前記基板をエッチングする前、前記基板をエッチングした後であるが窒化物層を堆積させる前、又は窒化物層を堆積させた後であるが前記最外層を堆積させる前に、前記ベーススペクトルを測定することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
調整された測定値の前記シーケンスを生成することは、正規化された測定値のシーケンスを生成するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して未加工測定値の前記シーケンスにおける各未加工測定値を正規化することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
基板を受け取り、研磨を受ける外側層及び前記外側層の下にある少なくとも１つの層を含む層のスタックを基板上に堆積させるように構成された堆積システムと、
前記少なくとも１つの層の堆積後で且つ前記外側層の堆積前の前記基板の測定値を生成するように構成された計測システムと、
前記基板を受け取り、前記基板上の前記外側層を研磨するように構成された研磨システムと
を備える集積回路製造システムであって、前記研磨システムは、
前記計測システムから前記測定値を受け取り、前記測定値をベース測定値として記憶することと、
研磨中の前記基板の未加工測定値のシーケンスをインシトゥモニタシステムから受け取ることと、
前記未加工測定値のノイズを低減するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して調整された測定値のシーケンスを生成することと、
調整された測定値の前記シーケンスからの少なくとも１つの調整された測定値に基づいて、研磨終点又は研磨速度の調整のうちの少なくとも１つを決定することと
を含むオペレーションを実行するように構成されたコントローラを含む、集積回路製造システム。
【請求項２１】
前記計測システムは、前記堆積システム内のインライン計測ステーションである、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記計測システムは、スタンドアローンの計測システムである、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
調整された測定値の前記シーケンスを生成することは、正規化された測定値のシーケンスを生成するために、前記未加工測定値及び前記ベース測定値を使用して未加工測定値の前記シーケンスにおける各未加工測定値を正規化することを含む、請求項２０に記載のシステム。