【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標基板の受容表面上に複数の半導体デバイスを組み立てるための方法であって、前記方法は、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されたポリマー層を伴う、ネイティブ基板上に形成された前記複数の半導体デバイスを提供することと、
各半導体デバイス上の前記ポリマー層を、整合可能転写デバイスの複数の支柱のうちの個別支柱と接触させることであって、各支柱は、前記半導体デバイスのうちの１つに対応する接触表面を有し、各支柱の接触表面と各半導体デバイス上の対応するポリマー層との間の接触は、各半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスの対応する支柱のうちの１つに少なくとも一時的に結合する、ことと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの対応する支柱の前記接触表面上に配置され、かつ前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離することと、
前記支柱の前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させることと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱することであって、それによって、前記ポリマー層と前記接触表面との間の接着を低減させる、ことと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの支柱の前記接触表面を分離することであって、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てる、ことと
を含む、方法。
【請求項２】
前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加熱要素は、前記半導体デバイスの反対側である、前記目標基板の側面上に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマー層を加熱した後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つ以上の側面上に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない地形学的表面を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、前記方法は、
ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することであって、前記半導体デバイスは、金属裏面表面を備える、ことと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させることであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ことと、
前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離することであって、それにより、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、その上に配置された前記半導体デバイスを有し、前記半導体デバイスが、前記ネイティブ基板から解放される、ことと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させることであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置された金属パッド上に伝導性フラックス層を備える、ことと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離することであって、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面表面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てる、ことと、
前記フラックス層を熱に暴露させることであって、それによって、前記金属裏面表面を前記金属パッドに固着し、前記金属裏面と前記金属パッドとの間の電気接続を形成する、ことと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記フラックス層を熱処理することは、前記フラックス層を熱に暴露させることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスの反対側である、前記目標基板の側面上に配置されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されたポリマー層を伴う、前記ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記ポリマー層は、前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させた後に、前記目標基板の前記受容表面と接触している、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記ポリマー層は、アンカまたはテザーの一部を形成する、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９８】
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスの前記頂面との間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの裏面をプラズマ（例えば、大気プラズマ）に暴露するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスと前記目標基板の前記受容基板との間の結合を向上させる、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面を清浄化する、項目１または２に記載の方法。
（項目４）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面から酸化物の薄い層を除去する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目５）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目６）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目７）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目８）
前記プラズマは、還元ガスを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目９）
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面からの前記半導体デバイスの剪断および剥離を防止するように、デューティサイクル、滞留時間、前記プラズマの出力、および前記半導体デバイスまでの前記プラズマの距離のうちの少なくとも１つを制御するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０）
前記半導体デバイスの前記裏面は、金属を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記目標基板の前記受容表面は、少なくとも部分的に金属を含む、項目１０に記載の方法。
（項目１３）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１２に記載の方法。
（項目１４）
整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプおよび弾性スタンプのうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１５）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを取り上げるステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離するステップは、少なくとも５ｇ（例えば、５〜１００ｇ）の初期加速度で行われる、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離する前記ステップは、
（ｉ）前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを離して動かすことと、
（ｉｉ）前記整合可能転写デバイスから前記ネイティブ基板を離して動かすことと、
のうちの一方または両方を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
前記整合可能転写デバイスは、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱のうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１９）
前記整合可能転写デバイスは、複数の支柱を伴う転写デバイス層を備え、前記支柱のそれぞれは、前記ネイティブ基板からの個別半導体デバイスに接触するように成形され、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に半導体デバイスのアレイを組み立てる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２０）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱のうちの２つの隣接する支柱の間に位置する、１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備える、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記抗−沈下支柱は、前記支柱のうちの１つまたはそれを上回るものの高さより小さい高さを有する、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記複数の支柱のうちの各支柱の間の前記転写デバイスの表面は、粗面である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３）
前記転写デバイスのバルク体積は、第１の材料を含み、前記複数の支柱は、第２の材料を含み、前記複数の支柱は、前記バルク体積上に配置される、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供した後に、前記半導体デバイスと前記ネイティブ基板との間に形成される剥離層の少なくとも一部をエッチングするステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２６）
前記半導体デバイスは、一体無機半導体構造を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７）
前記目標基板は、Ｓｉを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８）
前記半導体デバイスは、カプセル化ポリマー層を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱と同一の高さの１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備え、各抗−沈下支柱は、前記複数の支柱のうちの少なくとも２つの支柱の間に位置する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３０）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３１）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの前記ポリマー層を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面上に配置され、前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させるステップと、
加熱要素によって、前記ポリマー層を加熱するステップと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、を含む、方法。
（項目３４）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記加熱要素は、前記半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目３３または３４に記載の方法。
（項目３６）
前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、項目３３〜３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３７）
前記ポリマー層を加熱するステップの後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去するステップを含む、項目３３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８）
前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、項目３３〜３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９）
前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つまたはそれを上回る側面上に配置される、項目３３〜３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０）
前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、項目３３〜３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目４１）
前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない局所表面を備える、項目３３〜４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目４２）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３３〜４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４３）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目３３〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目３３〜４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、項目３３〜４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目４５に記載の方法。
（項目４７）
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目３３〜４６のいずれか１項に記載の方法。
（項目４８）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップであって、前記半導体デバイスは、金属裏面を備える、ステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置される金属パッド上にフラックス層を備える、ステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
前記フラックス層を熱に暴露し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップと、を含む、方法。
（項目４９）
前記フラックス層を熱処理するステップは、前記フラックス層を熱に暴露することを含む、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、項目４８または４９に記載の方法。
（項目５１）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目５０に記載の方法。
（項目５３）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴って前記ネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供することを含む、項目４８〜５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目５４）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目４８〜５３のいずれか１項に記載の方法。
（項目５５）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目４８〜５４のいずれか１項に記載の方法。
（項目５６）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目４８〜５５のいずれか１項に記載の方法。
（項目５７）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、
前記ネイティブ基板上に前記半導体デバイスを形成することと、
前記印刷可能半導体を少なくとも部分的にポリマー層でカプセル化することと、を含む、項目４８〜５６のいずれか１項に記載の方法。
（項目５８）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスは、ポリマー層でカプセル化される、項目４８〜５７のいずれか１項に記載の方法。
（項目５９）
前記目標基板の前記受容表面は、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴を備える、項目４８〜５８のいずれか１項に記載の方法。
（項目６０）
前記１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴は、メサ、Ｖ字形チャネル、およびトレンチから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備える、項目４８〜５９のいずれか１項に記載の方法。
（項目６１）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、項目４８〜６０のいずれか１項に記載の方法。
（項目６２）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、項目６１に記載の方法。
（項目６３）
前記ネイティブ基板からの分離に続いて、かつ前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目４８〜６２のいずれか１項に記載の方法。
（項目６４）
低減されたクラウニングを伴う整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の側面とを有する、バルク体積であって、バルク面積は、前記側面を前記第１の表面に接続する先細表面を備える、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目６４に記載のデバイス。
（項目６６）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目６４または６５に記載のデバイス。
（項目６７）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目６４〜６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６８）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目６４〜６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６９）
前記複数の印刷支柱の厚さと前記バルク体積の厚さとの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目６４〜６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７０）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７１）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７２）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目６４〜７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７３）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目６４〜７２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７４）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目６４〜７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７５）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目６４〜７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７６）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目６４〜７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７７）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目６４〜７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７８）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目６４〜７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７９）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目６４〜７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目６４〜７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８１）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目６４〜８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８２）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８３）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８４）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８５）
複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）が配置される表面を伴うメサ構成を有する、エラストマー（例えば、ＰＤＭＳ）スラブ（例えば、バルク体積）を備える、整合可能転写デバイスであって、以下のうちの１つまたはそれを上回るもの［（ｉ）、（ｉｉ）、および／または（ｉｉｉ）のうちのいずれか］が当てはまる、すなわち、
（ｉ）前記メサの縁は、前記表面の歪曲を低減させ、前記複数の支柱の正確な間隔を可能にするよう、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、
（ｉｉ）前記複数の支柱は、前記縁から少なくとも１ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜２０ｍｍ）離れて前記表面上に配列される、
（ｉｉｉ）前記メサは、１０ｍｍ以下（例えば、１〜５ｍｍ）の厚さを有する、デバイス。
（項目８６）
前記メサの前記縁は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８５に記載のデバイス。
（項目８７）
前記メサの前記縁は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８５または８６に記載のデバイス。
（項目８８）
前記エラストマースラブが配置される基板（例えば、ガラス）を備える、項目８５〜８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８９）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目８５〜８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９０）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目８５〜８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９１）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目８５〜９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９２）
前記メサの厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目８５〜９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９３）
前記複数の印刷支柱の厚さ対前記メサの厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目８５〜９２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９４）
前記メサは、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９５）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９６）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記メサは、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目８５〜９５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９７）
前記支柱は、１ＭＰａ〜５ＭＰａのヤング率を有する、項目８５〜９６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９８）
前記メサは、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目８５〜９７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９９）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目８５〜９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１００）
前記支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目８５〜９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目８５〜１００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目８５〜１０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０３）
前記メサは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目８５〜１０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０４）
前記メサおよび前記支柱は、単一の材料から形成される、項目８５〜１０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０５）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
前記バルク体積上に配置されるメサと、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積と反対の前記メサ上に配置される、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）を備える、層であって、前記複数の支柱、前記メサ、および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、層と、を備える、転写デバイス。
（項目１０６）
前記メサの厚さは、前記支柱の厚さより大きい、項目１０５に記載のデバイス。
（項目１０７）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１０５または１０６に記載のデバイス。
（項目１０８）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１０５〜１０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０９）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１０５〜１０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１０）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１０５〜１０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１１）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１０５〜１１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１２）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１３）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１４）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１０５〜１１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１５）
前記メサは、前記第１のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１６）
前記メサは、前記第２のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１７）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１０５〜１１６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１８）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目１０５〜１１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１０５〜１１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２０）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１０５〜１１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２１）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１０５〜１２０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２２）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１０５〜１２１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２３）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２４）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２５）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１０５〜１２４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２６）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２７）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２８）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２９）
クラウニングを低減させるように整合可能転写デバイスを修正する方法であって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の１つまたはそれを上回る側面とを有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、
を備える、転写デバイスを提供するステップと、
前記第１の表面に対してゼロではない角度で前記バルク基板の前記第１の表面の縁を切断し、それによって、前記縁におけるクラウニングを低減させるステップと、を含む、方法。
（項目１３０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１２９に記載の方法。
（項目１３１）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１２９または１３０に記載の方法。
（項目１３２）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１２９〜１３１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１２９〜１３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３４）
前記複数の印刷支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１２９〜１３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３６）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３７）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１２９〜１３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１２９〜１３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３９）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目１２９〜１３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４０）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１２９〜１３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４１）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１２９〜１４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４２）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１２９〜１４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１２９〜１４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４４）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１２９〜１４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４５）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１２９〜１４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１２９〜１４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１４８に記載の方法。
（項目１５０）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、各支柱は、基礎区分と、最上区分とを備え、前記最上区分は、前記基礎区分の断面積より小さい（例えば、前記基礎区分の断面積の５０％、３０％、２５％、１０％未満である）断面積を有する、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１５１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１５０に記載のデバイス。
（項目１５２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）に及ぶ、項目１５０または１５１に記載のデバイス。
（項目１５３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１５０〜１５２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１５０〜１５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１５０〜１５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１５０〜１５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５９）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目１５０〜１５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１５０〜１５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１５０〜１６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１５０〜１６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１５０〜１６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１５０〜１６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１５０〜１６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１５０〜１６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１７０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１５０〜１６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱と、
印刷可能材料が前記複数の印刷支柱によって取り上げられるときに、前記バルク体積の前記第１の表面が沈下し、不注意に印刷可能材料を取り上げることを防止するために、前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の抗−沈下支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の抗−沈下支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１７２）
前記複数の印刷支柱および前記複数の抗−沈下支柱は、前記複数の印刷支柱と前記複数の抗−沈下支柱との間に位置付けられる接続層上に配置される、項目１７１に記載のデバイス。
（項目１７３）
前記接続層は、薄い金属層を備える、項目１７２に記載のデバイス。
（項目１７４）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１７１〜１７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７５）
前記印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１７１〜１７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７６）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１７１〜１７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７７）
前記印刷支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１７１〜１７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７８）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７９）
前記印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８０）
前記印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１７１〜１７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８１）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１７１〜１８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８２）
前記印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目１７１〜１８１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８３）
前記印刷支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１７１〜１８２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８４）
前記印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１７１〜１８３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８５）
前記印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１７１〜１８４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８６）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１７１〜１８５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８７）
前記バルク体積および前記印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１７１〜１８６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８８）
前記抗−沈下支柱は、前記印刷支柱の間に散在させられる、項目１７１〜１８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８９）
前記複数の抗−沈下支柱は、前記印刷支柱より大きい係数を有する、項目１７１〜１８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９０）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１７１〜１８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１７１〜１９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１７１〜１９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９６）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、前記複数の支柱によって占有されていない前記第１の表面の面積の一部は、粗面積を備える（それによって、抗−沈下する）、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目１９７）
前記粗面積は、複数の特徴を備え、各特徴は、各支柱の幅より小さい幅と、各支柱の高さより小さい高さとを有する、項目１９６に記載のデバイス。
（項目１９８）
前記粗面積は、前記支柱の間で前記第１の表面上に位置する、項目１９６または１９７に記載のデバイス。
（項目１９９）
前記粗面積は、特徴のパターン化されたアレイを備える、項目１９６〜１９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２００）
前記粗面積は、特徴のランダムアレイを備える、項目１９６〜１９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１９６〜２００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１９６〜２０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１９６〜２０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０４）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１９６〜２０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１９６〜２０６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１９６〜２０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０９）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目１９６〜２０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１０）
前記支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートルの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１９６〜２０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１９６〜２１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１９６〜２１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１３）
前記バルク体積は、ＰＤＭＳである、項目１９６〜２１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１９６〜２１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１５）
前記整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプである、項目１９６〜２１４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１６）
前記整合可能転写デバイスは、エラストマースタンプである、項目１９６〜２１５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１７）
前記エラストマースタンプは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製される、項目２１６に記載のデバイス。
（項目２１８）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１９６〜２１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１９）
前記支柱は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１９６〜２１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２０）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１９６〜２１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２１）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２２）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２３）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２４）
整合可能転写デバイスであって、
第１の材料を備える、基部と、
第２の材料を備え、前記基部上に配置される、副基部（例えば、前記副基部は、前記基部より小さい断面積を有する）と、
前記基部および前記副基部と異なる材料を備え、少なくとも部分的に前記副基部上に（例えば、また、少なくとも部分的に前記基部に）配置される、バルク体積であって、前記副基部上に配置される前記バルク体積の一部の厚さは、前記副基部の厚さより小さい、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記副基部の反対および上方で前記バルク体積上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱、前記基部、前記副基部、および前記バルク体積は、前記副基部と反対の前記基部の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、複数の支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目２２５）
前記第１の材料は、ガラスを含む、項目２２４に記載のデバイス。
（項目２２６）
前記第１および第２の材料は、同一である、項目２２４または２２５に記載のデバイス。
（項目２２７）
前記バルク体積および前記複数の支柱は、単一の材料から形成される、項目２２４〜２２６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２８）
前記バルク体積は、ポリマーを含む、項目２２４〜２２７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２９）
前記第１の材料は、透明である、項目２２４〜２２８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３０）
前記第２の材料は、透明である、項目２２４〜２２９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記バルク体積と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２２４〜２３０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３２）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２２４〜２３１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２２４〜２３２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２２４〜２３３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１〜２３６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２２４〜２３７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３９）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目２２４〜２３８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２２４〜２３９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２２４〜２４０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目２２４〜２４１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目２２４〜２４２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４４）
前記バルク体積は、前記支柱より大きい係数を有する、項目２２４〜２４３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４５）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２２４〜２４４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４６）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２２４〜２４５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４７）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２２４〜２４６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４８）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２４９）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５０）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積であって、前記バルク体積は、第１の組成を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記基部によって前記基部の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、各支柱の少なくとも一部（例えば、各支柱の全体または各支柱の最上部分）は、前記第１の組成と異なる第２の組成を有する、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目２５２）
各支柱の少なくとも一部は、前記第２の組成を有する、項目２５１に記載のデバイス。
（項目２５３）
前記バルク体積に最も近い各支柱の底部分は、前記第２の組成を有する、項目２５１または２５２に記載のデバイス。
（項目２５４）
前記第１の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５５）
前記第２の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５６）
前記第１の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５７）
前記第２の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５８）
前記基部は、ガラスである、項目２５１〜２５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２５１〜２５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６０）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２５１〜２５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６１）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２５１〜２６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６２）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２５１〜２６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６３）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６４）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６５）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目２５１〜２６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６６）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２５１〜２６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６７）
前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、項目２５１〜２６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６８）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２５１〜２６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６９）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２５１〜２６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２５１〜２６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２５１〜２７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２５１〜２７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。