Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材から酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的に除去する化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、方法が、ＣＭＰ組成物により基材の表面を摩耗させて、そこから少なくとも幾らかの窒化ケイ素を除去することを含み、ＣＭＰ組成物がペンダント４級化窒素‐ヘテロアリール部分を有するカチオン性ポリマーを含む水性キャリア中に懸濁した粒状研削剤を含み、組成物のｐＨが３より高く、カチオン性ポリマーが、ポリマーの少なくとも一部が研削剤粒子の表面に吸着するのに十分な濃度で存在することにより、塩基性ｐＨにおいて粒状研削剤の粒子の表面上に少なくとも＋２０ｍＶのゼータ電位を維持する方法。
【請求項２】
粒状研削剤が、コロイド状セリアを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
粒状研削剤の平均粒径が１０〜２００ｎｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
研削剤が０．１〜０．５質量パーセント（質量％）の濃度でＣＭＰ組成物中に存在し、カチオン性ポリマーが１００万当たりの２０〜１００部（２０〜１００ｐｐｍ）の濃度でＣＭＰ組成物中に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＣＭＰ組成物のｐＨが、７．１〜９．５である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
カチオン性ポリマーが、式‐ＣＨ2ＣＨＲ‐（式中、Ｒは４級化窒素ヘテロアリール部分である）の複数の繰り返し単位を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
カチオン性ポリマーが、４級化ポリ（ビニルピリジン）、４級化ポリ（ビニルイミダゾール）及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
カチオン性ポリマーが、ポリ（ビニル‐Ｎ‐メチルピリジニウム）ホモポリマー、ポリ（Ｎ１‐ビニル‐Ｎ３‐メチルイミダゾリウム）ホモポリマー、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
カチオン性ポリマーが、ハロゲン化物、ナイトレート、及びメチルサルフェートからなる群より選択される１つ又はそれより多くのカウンターイオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
摩耗が、ＣＭＰ研磨装置において研磨パッドと連動して実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む基材から酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的に除去するのに好適な化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、組成物が、ペンダント４級化窒素‐ヘテロアリール部分を有するカチオン性ポリマーを含み、組成物のｐＨが３より高く、カチオン性ポリマーが、ポリマーの少なくとも一部が研削剤粒子の表面に吸着するのに十分な濃度で存在することにより、塩基性ｐＨにおいて粒状研削剤の粒子の表面上に少なくとも＋２０ｍＶのゼータ電位を維持している、ＣＭＰ組成物。
【請求項１２】
粒状研削剤が、コロイド状セリアを含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１３】
粒状研削材の平均粒径が、１０〜２００ｎｍである、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１４】
粒状研削剤が、０．１〜２質量％の濃度で組成物中に存在する、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１５】
カチオン性ポリマーが、２０〜５００ｐｐｍの濃度で組成物中に存在する、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１６】
カチオン性ポリマーが、式‐ＣＨ2ＣＨＲ‐（式中、Ｒは４級化窒素ヘテロアリール部分である）の複数の繰り返し単位を含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１７】
カチオン性ポリマーが、４級化ポリ（ビニルピリジン）、４級化ポリ（ビニルイミダゾール）、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１８】
カチオン性ポリマーが、ポリ（ビニル‐Ｎ‐メチルピリジニウム）ホモポリマー、ポリ（Ｎ１‐ビニル‐Ｎ３‐メチルイミダゾリウム）ホモポリマー、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１９】
カチオン性ポリマーが、ハロゲン化物、ナイトレート、及びメチルサルフェートからなる群より選択される１つ又はそれより多くのカウンターイオンを含む、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項２０】
組成物のｐＨが、７．１〜９．５である、請求項１１に記載のＣＭＰ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に空洞を生成するための方法であって、
担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
ガラス構造部を含む複合層を用いて前記担体をラミネートするステップであって、前記めっき部分が部分的に前記複合層内にラミネートされる、ステップと、
前記担体を前記複合層に残留する前記めっき部分を有する前記複合層から分離するステップであって、前記ガラス構造部が前記基板の中心からオフセットされるように前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を提供する、ステップと、その後の、
露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延び、前記ガラス構造部までは延びない、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記めっき部分が銅である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記事前に充填された樹脂層がガラス構造部を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
構造部であって、
その第１の側に空洞を画定する基板と、
前記基板上にラミネートされた誘電体層と、
前記誘電体層内に埋め込まれたガラス構造部であって、前記誘電体層の中心からオフセットされており、第１の側から第２の側まで水平に複合層にわたって連続し、前記空洞によって切断されていない、ガラス構造部と
を含む、構造部。
【請求項１０】
前記誘電体層が事前に充填された層である、請求項９に記載の構造部。
【請求項１１】
前記空洞が、前記ガラス構造部の開始に近い点まで前記誘電体層を通して部分的に延びる、請求項９に記載の構造部。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板中に形成される第１の層を備えるバックゲートであって、前記第１の層が第１の半導体を備える、バックゲートと、
前記第１の層の上に形成される第２の層であって、第２の半導体を備える第２の層と、
前記第２の層の上に形成されるフィンチャネルであって、第３の半導体を備えるフィンチャネルと、を備えるＦｉｎＦＥＴであって、
前記第１の半導体が第１のバンドギャップを有し、前記第３の半導体が第３のバンドギャップを有し、
前記第２の層を通り、前記第１の層と電気接触する、バックゲートコンタクト、および
前記バックゲートを他のアクティブなデバイスから電気的に分離するために、前記基板を掘り下げて形成される深いトレンチ分離領域、によって特徴付けられており、
前記第２の半導体が前記第１のバンドギャップおよび前記第３のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記第２の層は、ドープされない、ｎタイプＦｉｎＦＥＴでは軽くｐタイプでドープされ、またはｐタイプＦｉｎＦＥＴでは軽くｎタイプでドープされる、ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項２】
前記第１、第２、および第３の半導体が、ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物、ＩＩ−ＶＩ族半導体化合物、ＩＶ族半導体元素または化合物、グラフェン、およびカーボンナノチューブからなるグループから各々選択される、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項３】
前記第１および第３の半導体が各々ＧａＡｓを含み、前記第２の半導体がＡｌＡｓを含む、請求項２に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項４】
前記第１のバンドギャップが前記第３のバンドギャップと等しい、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項５】
前記第２の層の上、前記フィンチャネルの上方に形成される誘電体層と、
前記第２の層の上、前記誘電体層の上方に形成されるゲートと
をさらに備える、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項６】
前記ＦｉｎＦＥＴをオンにする第１の電圧を提供するために前記ゲートに結合される第１のレールと、
前記ＦｉｎＦＥＴをオンにする第２の電圧を提供するために前記バックゲートコンタクトに結合される第２のレールと
をさらに備える、請求項５に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項７】
前記フィンチャネルに応力を提供するために、前記第２の層の中にエピタキシャル成長される第１のストレッサと第２のストレッサと
をさらに備える、請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項８】
前記フィンチャネルに隣接し、前記第１のストレッサに隣接する、第１のソース／ドレイン拡散と、
前記フィンチャネルに隣接し、前記第２のストレッサに隣接する、第２のソース／ドレイン拡散と
をさらに備える、請求項７に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項９】
前記ＦｉｎＦＥＴをオンにする第１の電圧を提供するために前記ゲートに結合される第１のレールと、
前記ＦｉｎＦＥＴをオンにする第２の電圧を提供するために前記バックゲートコンタクトに結合される第２のレールと
をさらに備える、請求項８に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１０】
前記ＦｉｎＦＥＴがｎタイプである場合、前記第１の層が、１×１０１９ｃｍ−３から１×１０２２ｃｍ−３の範囲のドーピング濃度で、多量にｐタイプでドープされ、
前記ＦｉｎＦＥＴがｐタイプである場合、前記第１の層が、１×１０１９ｃｍ−３から１×１０２２ｃｍ−３の範囲のドーピング濃度で、多量にｎタイプでドープされる、
請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１１】
前記第２の層が軽くｐタイプでドープされる場合、ドーピング濃度は１×１０１３ｃｍ−３から１×１０１７ｃｍ−３の範囲であり、
前記第２の層が軽くｎタイプでドープされる場合、ドーピング濃度は１×１０１３ｃｍ−３から１×１０１７ｃｍ−３の範囲である、
請求項１に記載のＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１２】
ＦｉｎＦＥＴを製造する方法であって、
基板の中に第１の半導体層を形成するステップと、
前記第１の半導体層の上に第２の半導体層を形成するステップと、
前記第２の半導体層の上に第３の半導体層を形成するステップと、
ＦｉｎＦＥＴフィンチャネルを形成するために前記第３の半導体層をエッチングするステップと、
を含み、
前記第１、第２、および第３の半導体層が、それぞれ第１のバンドギャップ、第２のバンドギャップ、および第３のバンドギャップを各々有し、
前記第２の半導体層を通って前記第１の半導体層までエッチングして、前記第１の半導体層への電気的なバックゲートコンタクトを形成するステップ、および
前記バックゲートを他のアクティブなデバイスから電気的に分離するために、前記基板に深いトレンチ分離領域を形成するステップ、によって特徴付けられており、
前記第２のバンドギャップが前記第１のバンドギャップおよび前記第３のバンドギャップよりも大きく、
前記第２の層は、ドープされない、ｎタイプＦｉｎＦＥＴでは軽くｐタイプでドープされ、またはｐタイプＦｉｎＦＥＴでは軽くｎタイプでドープされる、方法。
【請求項１３】
前記第２の半導体層の中に第１のトレンチを形成するステップと、
前記ＦｉｎＦＥＴフィンチャネルに応力を提供するために、前記第１のトレンチの中に第１のストレッサをエピタキシャル成長させるステップと、
前記第２の半導体層の中に第２のトレンチを形成するステップと、
前記ＦｉｎＦＥＴフィンチャネルに応力を提供するために、前記第２のトレンチの中に第２のストレッサをエピタキシャル成長させるステップと
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の半導体層の中に前記第１のトレンチを形成するステップと、
前記第１の半導体層の中に前記第２のトレンチを形成するステップと
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ＦｉｎＦＥＴを操作する方法であって、前記ＦｉｎＦＥＴがゲート、バックゲート、および基板を備え、方法が、
前記ＦｉｎＦＥＴの前記ゲートを第１のレールに結合するステップと、
前記ＦｉｎＦＥＴの前記バックゲートを第２のレールに結合するステップであって、前記バックゲートが、前記基板中に形成される第１の層を備え、第１の半導体を備えるステップと、
第１の電圧を前記第１のレールによって前記ゲートへ、および第２の電圧を前記第２のレールによって前記第１の層へ供給するステップと
を含み、
前記第１のレールは第１の電圧を有し、および前記第２のレールは第２の電圧を有し、
前記ゲートが、第２の層の上に形成されるフィンチャネルの上方に形成され、前記第２の層が前記第１の層の上に形成されて第２の半導体を備え、前記フィンチャネルが第３の半導体を備え、
前記第１の半導体が第１のバンドギャップを有し、前記第３の半導体が第３のバンドギャップを有し、
前記第２の半導体が前記第１のバンドギャップおよび前記第３のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記バックゲートは、前記基板を掘り下げて形成される深いトレンチ分離領域によって他のアクティブなデバイスから電気的に分離される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）において、
前記第１のウェル拡散層（４３０）内に配置されて前記ハイサイド負電源電圧ポートへの第１の電気的接続を確立する第１のウェルコンタクト；及び
前記第２のウェル拡散層（４２９）中に配置されて前記ハイサイド負電源電圧ポートへの第２の電気的接続を確立する第２のウェルコンタクトをさらに備えた、集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）において、
前記第１のウェル拡散層（４３０）に隣接して半導体基板（４２２）内に配置された、第２の極性の半導体材料を含む第３のウェル拡散層と、
前記第３のウェル拡散層の内側に配置された、第２の極性の半導体材料を含む第２のトランジスター・ボディ拡散層と、
前記第２のトランジスター・ボディ拡散層内に配置されたＬＤＭＯＳＦＥＴ（４０５）と、をさらに備えた、集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギーをバッファリングする装置であって、
１つ以上のバッファコンデンサを含むバッファコンデンサ回路と、
１つ以上の平滑コンデンサを含む平滑コンデンサ回路と、
充電電流を導く第１の回路と、
放電電流の振幅を規定する電流源回路を含む第２の回路と、
を含み、
前記バッファコンデンサ回路は、前記充電電流を介して充電され、
前記バッファコンデンサ回路は、前記放電電流を介して放電され、
前記バッファコンデンサ回路は、前記第１の回路に直列に結合され、前記第２の回路は、前記第１の回路に並列に結合され、
前記平滑コンデンサ回路は、前記バッファコンデンサ回路と前記第１の回路との組み合せに並列に結合され、
前記バッファコンデンサ回路のキャパシタンスは、前記平滑コンデンサ回路のキャパシタンスよりも大きい、装置。
【請求項２】
前記第２の回路は、前記電流源回路をアクティブモードにするトリガ回路を更に含み、前記電流源回路は、前記アクティブモードにおける前記放電電流の前記振幅を規定する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の回路は、前記電流源回路をラッチするラッチ回路を更に含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第２の回路は、前記電流源回路の非アクティブモードにおける漏れ電流を導き、前記漏れ電流の振幅は、前記放電電流の前記振幅よりも少なくとも１０倍小さい、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記平滑コンデンサ回路は、負荷に並列に結合され、前記バッファコンデンサ回路は、前記平滑コンデンサ回路及び／又は前記負荷を含むループを通る前記放電電流を介して放電される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第２の回路は、前記第１の回路の第１の端子及び第２の端子に結合される第１の端子及び第２の端子を含み、前記第２の回路は、第１のトランジスタと、１つ以上のツェナーダイオードと、１つ以上の抵抗器とを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第２の回路は、第２のトランジスタと、１つ以上の更なる抵抗器とを更に含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の回路は、コンデンサを更に含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の回路は、ダイオードを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
請求項１に記載される装置を含み、前記装置に、第１の電力を供給する整流器回路を更に含む、機器。
【請求項１１】
前記整流器回路は、供給源から交流電圧を受け取る入力部と、前記装置に、変動振幅を有する直流電圧を提供する出力部と、を含む、請求項１０に記載の機器。
【請求項１２】
前記整流器回路は、前記充電電流を導き、前記放電電流を遮断する、請求項１０に記載の機器。
【請求項１３】
前記整流器回路は、ダイオードブリッジ状の４つのダイオードを含む、請求項１０に記載の機器。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置を含み、前記装置から第２の電力を受け取る負荷を更に含む、デバイス。
【請求項１５】
前記平滑コンデンサ回路は、前記負荷に並列に結合され、前記バッファコンデンサ回路は、前記平滑コンデンサ回路及び／又は前記負荷を含むループを通る前記放電電流を介して放電される、請求項１４に記載のデバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年1月18日(2018.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
有利には、受信機は、情報として電力グリッドのネットワーク要素から現在のパラメータを受信するように構成され、プロセッサは、現在のパラメータを使用して、受信情報に基づいてネットワークのシミュレーションを行うように構成されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
プロセッサ１０２は、現在のパラメータを使用して、受信情報に基づいてネットワークのシミュレーションを行うようにさらに構成され得る。さらには、プロセッサ１０２は、要素１２０の振舞いを要素の特性曲線の抽象化された組によって計算するように構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力グリッド（１１０）の第１の階層的レベルにおいて、電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）に関する情報を、および電力グリッド（１１０）の第２の階層的レベルにおいて、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）に関する情報を受信するように構成された受信機（１０１）と、
受信された情報に応じて、電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）を制御するための第１の設定点、および電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）を制御するための第２の設定点を決定するように構成されたプロセッサ（１０２）と、
設定点に関する情報を送信するように構成された送信機（１０３）と
を備える、デバイス（１００）において、
第１の階層的レベルおよび第２の階層的レベルが機能的に分離されていることを特徴とする、
デバイス（１００）。
【請求項２】
電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）の第１の設定点が、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）の第２の設定点とは異なる周波数における動作を示す、請求項１に記載のデバイス（１００）。
【請求項３】
電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）が送電ネットワークであり、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）が配電ネットワークである、請求項１または２に記載のデバイス（１００）。
【請求項４】
受信機（１０１）が、情報として電力グリッド（１１０）のネットワーク要素（１２０）から現在のパラメータを受信するように構成され、プロセッサ（１０２）が、現在のパラメータを使用して、受信情報に基づいてネットワークのシミュレーションを行うように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のデバイス（１００）。
【請求項５】
プロセッサ（１０２）が、要素（１２０）の振舞いを要素の特性曲線の抽象化された組によって計算するように構成されている、請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス（１００）。
【請求項６】
プロセッサ（１０２）が、具体的には、費用を最小にするために、少なくとも２つの階層レベル（１１０ａ、１１０ｂ）の電力グリッドパラメータの先を見越したシミュレーションを行うように構成されている、請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス（１００）。
【請求項７】
電力グリッド（１１０）の第１の階層的レベルにおいて、電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）に関する情報を、および電力グリッド（１１０）の第２の階層的レベルにおいて、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）に関する情報を受信するステップ（２１０、２１１）と、
受信された情報に応じて、電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）を制御するための第１の設定点、および電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）を制御するための第２の設定点を決定するステップ（２２０）と、
設定点に関する情報を送信するステップ（２３０）と
を含む方法において、
第１の階層的レベルおよび第２の階層的レベルが機能的に分離されていることを特徴とする、
方法。
【請求項８】
第１の設定点が、電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）の交流動作を示し、第２の設定点が、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）の直流動作を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
電力グリッド（１１０）の第１の部分（１１０ａ）が送電ネットワークであり、電力グリッド（１１０）の第２の部分（１１０ｂ）が配電ネットワークである、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
情報として電力グリッドのネットワーク要素（１２０）から現在のパラメータを受信し、現在のパラメータを使用して、受信情報に基づいてネットワークのシミュレーションを行うステップを含む、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
要素（１２０）の振舞いを要素の特性曲線の抽象化された組によって計算するステップ（２４０）を含む、請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
具体的には、費用を最小にするために、少なくとも２つの階層レベル（１１０ａ、１１０ｂ）の電力グリッドパラメータの先を見越したシミュレーションを行うステップ（２５０）を含む、請求項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理下りリンク制御チャネルによって伝送され、ＨＡＲＱ（ハイブリッド自動再送要求）プロセス番号を含む下りリンク制御情報を受信する受信部と、
ＨＡＲＱ応答を送信する送信部と、を備え、
すべてのサービングセルがＴＤＤ（時分割複信）を用いる場合には、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは４ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は第１の上りリンク／下りリンク設定によって決定され、
プライマリセルがＦＤＤ（周波数分割複信）を用い、前記プライマリセル以外の１つのサービングセルがＴＤＤを用いる場合には、前記プライマリセルおよび前記プライマリセル以外の１つのサービングセルにおいても、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは３ビットであり、前記ＨＡＲＱプロセスの最大数は８である、
端末装置。
【請求項２】
物理下りリンク制御チャネルによって伝送され、ＨＡＲＱ（ハイブリッド自動再送要求）プロセス番号を含む下りリンク制御情報を受信する受信部と、
ＨＡＲＱ応答を送信する送信部と、を備え、
すべてのサービングセルがＦＤＤ（周波数分割複信）を用いる場合には、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは３ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は８であり、
プライマリセルがＴＤＤ（時分割複信）を用い、前記プライマリセル以外の１つのサービングセルがＦＤＤを用いる場合には、前記プライマリセルおよび前記プライマリセル以外の１つのサービングセルにおいても、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは４ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は、第２の上りリンク／下りリンク設定によって決定される、
端末装置。
【請求項３】
物理下りリンク制御チャネルによって伝送され、ＨＡＲＱ（ハイブリッド自動再送要求）プロセス番号を含む下りリンク制御情報を送信する送信部と、
ＨＡＲＱ応答を送信する受信部と、を備え、
すべてのサービングセルがＴＤＤ（時分割複信）を用いる場合には、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは４ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は第１の上りリンク／下りリンク設定によって決定され、
前記複数のサービングセルのうちプライマリセルがＦＤＤ（周波数分割複信）を用い、前記プライマリセル以外のサービングセルがＴＤＤを用いる場合には、前記プライマリセルおよび前記プライマリセル以外の１つのサービングセルにおいても、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは３ビットであり、前記ＨＡＲＱプロセス番号の最大数は８である、
基地局装置。
【請求項４】
物理下りリンク制御チャネルによって伝送され、ＨＡＲＱ（ハイブリッド自動再送要求）プロセス番号を含む下りリンク制御情報を送信する送信部と、
ＨＡＲＱ応答を受信する受信部と、を備え、
すべてのサービングセルがＦＤＤ（周波数分割複信）を用いる場合には、前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは３ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は８であり、
前記複数のサービングセルのうちプライマリセルがＴＤＤ（時分割複信）を用い、前記プライマリセル以外のサービングセルがＦＤＤを用いる場合には、前記プライマリセルおよび前記プライマリセル以外の１つのサービングセルにおいても前記ＨＡＲＱプロセス番号のフィールドは４ビットであり、ＨＡＲＱプロセスの最大数は第２の上りリンク／下りリンク設定によって決定される、
基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打撃方向（Ｒ）をもつ流体圧削岩機（１）の衝撃装置用減衰装置であって、
衝撃装置によって駆動されることになる工具に対して軸方向に作用する減衰ピストン（５）を有し、
前記減衰ピストン（５）が、第一の減衰チャンバ（７）に受けられる第一のピストン部分（６）及び第二の減衰チャンバ（９）に受けられる第二のピストン部分（８）を備えている
減衰装置において、
‐動作中に、上記衝撃装置の通常の打撃位置において、減衰ピストン（５）が打撃方向の動きに対向する固定止め（１９、２２）に当接した状態にされ、
‐減衰ピストンの全ての軸方向位置において、第一の減衰チャンバ（７）と第二の減衰チャンバ（９）との間に減衰スロット（１０）が確立され、また
‐第一の減衰チャンバ（７）が流体圧によって加圧されること
を特徴とする減衰装置。
【請求項２】
減衰ピストン（５）が、直接に、掘削ブッシングを介して、又は回転ハウジングの一部を介してシャンクアダプター（２）に対して作用すること
を特徴とする請求項１記載の減衰装置。
【請求項３】
第一の減衰チャンバ（７）が、衝撃装置の圧力源（１５）に接続されること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の減衰装置。
【請求項４】
第一の減衰チャンバ（７）に圧力流体通路（１６）が接続され、圧力流体通路（１６）が第一の減衰チャンバ（７）における、その口部領域に絞り部材（１７）を備えていること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の減衰装置。
【請求項５】
漏れスロット（１１、１２）が、隣接した減衰チャンバからの方向に面して、減衰チャンバ（７、９）の各軸方向端部に接していること
を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項記載の減衰装置。
【請求項６】
第一及び／又は第二の減衰チャンバ（７、９）が減衰ピストンに設けた相応したピストン部分を受ける少なくとも一つの別の減衰チャンバに接続する減衰スロットを備えること
を特徴とする請求項１〜５の何れか一項記載の減衰装置。
【請求項７】
第二の減衰チャンバ（９）は、上記減衰スロット（１０）が第一の軸方向端部から出ていること及び漏れスロット（１２）が第二の軸方向端部から出ていることを除いて閉じられること
を特徴とする請求項５又は６に一項記載の減衰装置。
【請求項８】
端部が打撃方向に向いている減衰ピストン（５）が、軸方向に向いた当接面（１９）の形態の削岩機（１）のハウジング（３）内の固定止めと共動する当接部分（２１）を備えていること
を特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項記載の減衰装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項記載の減衰装置を有すること
を特徴とする岩盤反動を減衰する減衰装置を備えた衝撃装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の衝撃装置を有すること
を特徴とする削岩機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組み立てられた状態で型キャビティ（１４）を画定する複数のブロック（１１、１３）を備える型（１０）、具体的には射出成形型であって、少なくとも１つのプッシャ（２１）であって、前記プッシャ（２１）は前記複数のブロックの内の第１のブロック（１１）の、型キャビティ（１４）に面する側に収容され、プッシャ（２１）が前記第１のブロック（１１）に収容されている場合に型キャビティ（１４）と同一平面を成す第１の表面（Ｓ１）を提供するように構成される、プッシャ（２１）を備えることと、型（１０）は、プッシャ（２１）が第１のブロック（１１）に対して移動することを可能にするアクチュエータ手段（２３、２５）、および、型キャビティ（１４）からアクチュエータ手段（２３、２５）を隔離するように構成されたシーリング手段（１９、２７）をも含むことと、ブロック（１１、１３）が組み立てられた状態である場合、前記プッシャの第２の表面（Ｓ２）が、第１のブロック（１１）とは別の第２のブロック（１３）と接触することと、アクチュエータ手段（２３、２５）が前記第２の表面（Ｓ２）を介してアクセス可能であることと、を特徴とする型。
【請求項２】
シーリング手段（１９、２７）が、型キャビティ（１４）に面していない表面に設けられている、請求項１に記載の型。
【請求項３】
アクチュエータ手段（２３、２５）には、型キャビティに面する側からアクセス可能である、請求項１または２に記載の型。
【請求項４】
プッシャ（２１）がネジ山（２３）を含み、アクチュエータ手段は前記ネジ山と噛み合うネジ（２５）を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の型。
【請求項５】
シーリング手段（１９、２７）が、プッシャ（２１）と前記複数のブロックの内のブロック（１１、１３）の１つとの間に配置されるように構成されたＯリングを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の型。
【請求項６】
組み立てられた状態である場合に型キャビティ（１４）を画定する複数のブロック（１１、１３）を有する型（１０）を準備するステップにして、型は少なくとも１つのプッシャ（２１）を含み、前記プッシャは前記複数のブロックの内の第１のブロック（１１）の、型キャビティ（１４）に面する側に収容されるとともに、型キャビティ（１４）と同一平面を成す第１の表面（Ｓ１）を提供し、型は、プッシャが収容されたブロック（１１）に対してプッシャ（２１）が移動することを可能にするアクチュエータ手段（２３、２５）と、アクチュエータ手段（２３、２５）を型キャビティ（１４）から隔離するシーリング手段（１９、２７）をも含む、型を準備するステップであって、
ブロック（１１、１３）が組み立てられた状態である場合、前記プッシャの第２の表面（Ｓ２）が第１のブロック（１１）とは別の第２のブロック（１３）と接触し、アクチュエータ手段（２３、２５）はプッシャの前記第２の表面（Ｓ２）を介してアクセス可能である、型を準備するステップと、
部品（１５）を形成するために、材料を型キャビティ（１４）内に射出するステップと、
前記複数のブロックの内の、第１のブロック（１１）とは別の少なくとも１つのブロック（１３）を型の残りの部分から分離することによって、型キャビティを開くステップと、
アクチュエータ手段（２３、２５）を作動させて、プッシャ（２１）を第１のブロック（１１）に対して移動させることで、型（１０）から部品を分離するために、プッシャ（２１）が部品（１５）に力を及ぼすステップと、
を含むことを特徴とする、射出成形によって部品（１５）を製造する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
従って、本明細書に開示の１つの実施の形態は、前面及び裏面を有する強化ガラス板であって、２．００ｍｍ未満の厚さと、６０度の入射光角度で、屈折率１．５に対して測定したとき、１未満の、厚さに対するシャドー視差の比と、５０％未満の透過ヘイズとを示すガラス板を有する、筆記消去自在のマーカーボードである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
強化ガラス品は、筆記消去自在のマーカーボードとしての使用に適した、特定の光学的特性を更に示す。図２はシャドー視差と呼ばれるものを示している。シャドー視差は（光源からの）光線が、第１又は前面のガラス品表面３０１に接触又は衝突する点と、その光線が第２又は裏面のガラス品表面３０２に接触又は衝突する点との間の距離Ｄであって、その光線が第１又は前面に入射角度６０°（θ１）で接触し、ガラスがｎの屈折率を示したときの距離Ｄである。使用において、書込み消去自在のマーカーボードの前面に配置されたマークによって、距離Ｄ偏ったシャドーが裏面に投じられることになる。この偏りが大き過ぎると、見る人にとって、テキスト等の模様が読み難くなる。特に、強化ガラス品は、入射角６０°において、約２．１２／ｎ未満のシャドー視差Ｄを示すことが好ましい。約１．５の屈折率を有する一般的なガラス組成のシャドー視差Ｄは、約１．４１ｍｍであり、これは一般的なマーカーボードのマーカーとして使用することができる。一部の実施の形態において、強化ガラス品は、屈折率（ｎ）が１．５のとき、厚さ（ｔ）に対するシャドー視差（Ｄ）の比が、１未満を示すことが好ましい。別の実施の形態において、強化ガラス品は、屈折率（ｎ）が約１．５のとき、厚さ（ｔ）に対するシャドー視差（Ｄ）の比が、約０．７５未満を示すことが好ましい。別の実施の形態において、強化ガラス品は、屈折率（ｎ）が約１．５のとき、厚さ（ｔ）に対するシャドー視差（Ｄ）の比が、約０．７１未満を示すことが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
図３は、ガラスの屈折率が１．５、及び入射角が６０°における、ガラスの厚さの関数としての８つのガラスサンプルのシャドー視差を示す図である。サンプルＡ〜Ｄは２ｍｍ未満の必須の厚さ及び約１．４１のシャドー視差の両方を示すと共に、厚さ（ｔ）に対するシャドー視差（Ｄ）の比が、１未満を示す一方、サンプルＥ〜Ｈは、２ｍｍを超える厚さ及びより大きなシャドー視差を示し、従って、筆記消去自在のマーカーボードの使用に適さないガラス品である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筆記消去自在のマーカーボードにおいて、
（ｉ）２．０ｍｍ未満の厚さ、（ｉｉ）１．５の屈折率、（ｉｉｉ）６０度の入射光角度で測定したときに、厚さに対するシャドー視差の比が１未満、および（ｉｖ）５０％未満の透過ヘイズを示す、前面及び裏面を有する強化ガラス板、及び
前記マーカーボードを垂直にしたとき、１０ＭＧＯｅ（約７９．５８ＫＪ／ｍ３）未満の最大エネルギー積を有する永久磁石が、磁力のみによって、前記ガラス板に付着したままになるように、該ガラス板の少なくとも一方の側に配置された、磁気又は鉄鋼の裏当て板、
を有して成る、マーカーボード。
【請求項２】
５ＭＧＯｅ（約３９．７９ＫＪ／ｍ３）未満の最大エネルギー積を有する永久磁石が、磁力のみによって、前記ガラス板に付着したままになることを特徴とする、請求項１記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項３】
１ＭＧＯｅ（約７．９６ＫＪ／ｍ３）未満の最大エネルギー積を有する永久磁石が、磁力のみによって、前記ガラス板に付着したままになることを特徴とする、請求項１記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項４】
前記ガラス板の少なくとも一方の側に積層され、飛散防止機能を果たす有機膜構造体を更に有して成ることを特徴とする、請求項１〜３いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項５】
前記ガラス板の少なくとも一方の側に取付けられた装飾層を更に有して成ることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項６】
前記強化ガラス板が、０．７５ＭＰａ・ｍ１／２を超える破壊靱性、３５０ＭＰａを超えるＭＯＲ、少なくとも６００ｋｇｆ／ｍｍ２のビッカース硬度、７０ＧＰａを超えるヤング率、及び３００ＭＰａを超える表面圧縮強度を更に示すことを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項７】
前記強化ガラス板が、少なくとも３００ＭＰａの表面圧縮強度を有することを特徴とする、請求項１〜６いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項８】
前記強化ガラス板が、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲のＲＭＳ粗さ、約８５未満の画像鮮明度（ＤＯＩ）、及び４０％未満の透過へイズを有することを特徴とする、請求項１〜７いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項９】
前記ガラス板が、モルパーセントで示す、バッチベースの酸化物として、４０〜８０％のＳｉＯ２、０〜２８％のＡｌ２Ｏ３、０〜８％のＢ２Ｏ３、０〜１８％のＬｉ２Ｏ、０〜１０％のＮａ２Ｏ、０〜１１％のＫ２Ｏ、０〜１６％のＭｇＯ、０〜１８％のＣａＯ、０〜１５％のＣａＦ２、０〜２０％のＳｒＯ、０〜１２％ＢａＯ、０〜８％のＺｎＯ、０〜２０％のＰ２Ｏ５、０〜８％のＴｉＯ２、０〜５％のＺｒＯ２、０〜１％のＳｎＯ２、０〜１％のＳｂ２Ｏ３、及び０〜１％のＡｓ２Ｏ３を含む、イオン交換アルカリアルミノシリケートガラスからなることを特徴とする、請求項１〜８いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項１０】
前記ガラス板が、６０〜７０モル％のＳｉＯ２、６〜１４モル％のＡｌ２Ｏ３、０〜１５モル％のＢ２Ｏ３、０〜１５モル％のＬｉ２Ｏ、０〜２０モル％のＮａ２Ｏ、０〜１０モル％のＫ２Ｏ、０〜８モル％のＭｇＯ、０〜１０モル％のＣａＯ、０〜５モル％のＺｒＯ２、０〜１モル％のＳｎＯ２、０〜１モル％のＣｅＯ２、及び５０ｐｐｍ未満のＡｓ２Ｏ３を含み、１２モル％≦Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ≦２０モル％、且つ、０モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ≦１０モル％である、イオン交換アルカリアルミノシリケートガラスからなることを特徴とする、請求項１〜８いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【請求項１１】
４０％未満の透過ヘイズ、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲のＲＭＳ粗さ、および８５未満の画像鮮明度（ＤＯＩ）を有することを特徴とする、請求項１〜１０いずれか１項記載の筆記消去自在のマーカーボード。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月21日(2017.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合部分及びエフェクター部分を含み、前記結合部分がHsp90阻害剤であり、前記エフェクター部分がプロテアソーム阻害剤である、結合部分-薬物コンジュゲート(SDC-TRAP)。
【請求項２】
前記Hsp90阻害剤が、ゲルダナマイシン、マクベシン、トリプテリン、タネスピマイシン及びラディシコールからなる群から選択される、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項３】
前記エフェクター部分が、ボルテゾミブ、イキサゾミブ及びデランゾミブ又はその断片からなる群から選択される、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項４】
前記エフェクター部分が単独での投与に適していない、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項５】
前記SDC-TRAPの分子量が約1600ダルトン未満、約1200ダルトン未満、約800ダルトン未満、約600ダルトン未満又は約200ダルトン未満である、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項６】
前記結合部分と前記エフェクター部分が共有結合している、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項７】
前記結合部分と前記エフェクター部分が、リンカーによって共有結合している、請求項6に記載のSDC-TRAP。
【請求項８】
前記リンカーが切断可能なリンカーを含む、請求項7に記載のSDC-TRAP。
【請求項９】
受動拡散によって細胞に進入することができる、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項１０】
能動輸送によって細胞に進入することができる、請求項1に記載のSDC-TRAP。
【請求項１１】
SDC-TRAP-236〜SDC-TRAP-252として説明される結合部分-薬物コンジュゲート(SDC-TRAP)。
【請求項１２】
癌を有する対象の処置において使用するための治療有効量の少なくとも1つのSDC-TRAPであって、
前記SDC-TRAPが、請求項1に記載のSDC-TRAPを含む、SDC-TRAP。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物を含む、組成物。
【請求項２】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、レトロ-インベルソペプチドである、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、エンドキャップ処理される、請求項1又は請求項2記載の組成物。
【請求項４】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、アセチル化N-末端若しくはアミド化C-末端、又はアセチル化N-末端とアミド化C-末端を用いてエンドキャップ処理される、請求項3記載の組成物。
【請求項５】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、以下の群:
【化１】
2017505772.tif 000001
、及びそれらの混合物から選択される、請求項1から4のいずれか1項記載の組成物。
【請求項６】
spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物を含む、医薬組成物。
【請求項７】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、以下の群:
【化２】
2017505772.tif 000002
及びそれらの混合物から選択される、請求項6記載の医薬組成物。
【請求項８】
うつ病を治療するための医薬組成物であって、spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物を含む、前記医薬組成物。
【請求項９】
前記spadinの少なくとも1種の類似体若しくはspadinのプロペプチドの少なくとも1種の類似体、又は前記少なくとも1種の類似体のその混合物が、以下の群:
【化３】
2017505772.tif 000003
及びそれらの混合物から選択される、請求項8記載の医薬組成物。
【請求項１０】
TREK-1チャネル活性を阻止するための医薬組成物であって、請求項1から5のいずれか1項記載の組成物を含む、前記医薬組成物。
【請求項１１】
うつ病を治療する医薬の製造のための、請求項1から5のいずれか1項記載の組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２−３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２−３】
2017505772.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月24日(2018.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動性の壁補修材料を分配するための容器であって、
前記流動性材料を分配するための開口部を含むネック部分を有する本体部材と、
前記ネック部分に隣接する圧潰可能な中央部分と、
前記流動性材料が前記容器から分配された後に前記流動性材料を平らにするためのブレードとしての役割を果たし、少なくとも約８ミリメートルの長さ、及び約６０ミリメートル以下の長さを有する、前記中央部分に隣接する圧潰不可能なテール部分と、
前記キャップ部材に隣接する研磨アセンブリと、を含む、容器。
【請求項２】
前記中央部分と前記テール部分とが、単一の一体化構造を有する、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
前記壁部が、少なくとも約０．２ミリメートルの厚さ、及び約５ミリメートル以下の厚さを有する、請求項１に記載の容器。
【請求項４】
前記テール部分が、終端点を有し、終端点は、一点に向けてテーパーする、請求項１に記載の容器。
【請求項５】
前記テール部分が補強リブ構造を含む、請求項１に記載の容器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスラミネート構造体を冷間成形する方法であって、以下のステップ：
２つの緩衝プレートと、該２つの緩衝プレートの間に介在するガラスラミネート構造体とを有する多層構造体を組み立てるステップであって、該ガラスラミネート構造体が、２つのガラスのシートと該２つのガラスのシートの間に介在するポリマー中間層とを含み、該２つの緩衝プレートの一方または両方が、それらの上または中に形成されたパターンを含む、ステップ；
該組み立てられた構造体をオートクレーブ内に配するステップ；
該組み立てられた構造体を、所定の期間、所定の圧力において、前記ポリマー中間層の軟化点を約５℃から１０℃上回る温度に加熱することによって、前記オートクレーブ中において前記ガラスラミネート構造体を冷間成形するステップ；
前記オートクレーブから該組み立てられた構造体を取り出すステップ；ならびに
前記ガラスラミネート構造体を前記緩衝プレートの間から取り出すステップであって、該緩衝プレートの一方または両方の中またはその上に形成された前記パターンが、前記ガラスラミネート構造体中の厚さの変化の関数として、該ガラスラミネート構造体へと転写されている、ステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記緩衝プレートが湾曲しており、取り出された前記ガラスラミネート構造体が、該緩衝プレートの一方または両方によって形成された前記パターンと、該緩衝プレートの湾曲との両方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガラスシートの一方または両方が、化学強化されたガラスであり、該第一および第二のガラスシートの厚さが、約２．１ｍｍを超えない厚さ、約１．５ｍｍを超えない厚さ、約１．０ｍｍを超えない厚さ、約０．７ｍｍを超えない厚さ、約０．５ｍｍを超えない厚さ、約０．３ｍｍから約２．１ｍｍまでの範囲内の厚さ、約０．３ｍｍから約１．０ｍｍまでの範囲内の厚さ、約０．３ｍｍから約０．７ｍｍまでの厚さ、および約０．５ｍｍから約０．７ｍｍまでの厚さからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記冷間成形するステップがさらに、以下のステップ：
前記組み立てられた構造体を、所定の真空レベルにおいて、真空バッグまたは真空リング内に配するステップ、および
該組み立てられた構造体を、３０ｐｓｉ（約２０７ｋＰａ）と２００ｐｓｉ（約１．３７９ＭＰａ）の間の圧力で、３０分間から２００分間までの間のソーク時間において、前記中間層の軟化点より約５℃から１０℃高い温度に晒すステップ、
を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記２つの緩衝プレートの前記パターンが異なっており、前記ガラスラミネート構造体に転写されるパターンが、該２つの緩衝プレートの該パターンの組み合わせである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の方法により製造されたガラスラミネート構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応空間内に配置されている活性炭系触媒上でガス相中の一酸化炭素と塩素とを反応させてホスゲンを調製するためのホスゲン発生器の運転方法であって、規定可能な運転期間の後、前記ホスゲン発生器を停止時間をかけて停止させることによって、少なくとも一時的に前記ホスゲンの調製を中断し、規定可能な停止時間の後、前記ホスゲン発生器を始動時間をかけて始動させることによって前記ホスゲンの調製を再開する前記運転方法において、
前記始動時間中、前記反応空間の直ぐ下流のガス流中の塩素の最大濃度の１０００ｐｐｍｖを超えない程度まで、一酸化炭素を導入することにより、前記ホスゲン発生器を始動させる前では、前記活性炭系触媒は、塩素を含まないこと、
を特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記反応空間の直ぐ下流の前記ガス流中の塩素の最大濃度の１００ｐｐｍｖを超えない、好ましくは５０ｐｐｍｖを超えない、特に１０ｐｐｍｖを超えないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
塩素の濃度が前記最大濃度に達する、または前記最大濃度を下回るまで、前記一酸化炭素の導入を維持しながら、前記ホスゲン発生器の停止中に、前記塩素の最大濃度が守られるように、塩素の導入を、前記停止時間に減少させる、または直ちに中断することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記活性炭系触媒を、前記停止時間中６０℃〜１４０℃の温度で維持することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ホスゲン発生器が前記停止時間にあり、前記ホスゲン発生器を始動させる前に、前記一酸化炭素の導入を開始し、
ａ)前記活性炭系触媒を、６０℃〜１４０℃の温度に加熱して、および／または
ｂ)前記一酸化炭素ガス流を、１３０℃〜２５０℃の温度に加熱して、
前記塩素の濃度が、前記最大濃度に達する、または前記最大濃度を下回るまで、前記活性炭系触媒上および／または前記反応空間内にまだ存在している前の製造サイクルからの塩素を反応させること、
を特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
塩素の濃度が前記最大濃度に達した、または前記最大濃度を下回った後、前記塩素の導入を始める前に、前記活性炭系触媒を少なくとも１４０℃、特に少なくとも１８０℃の温度に加熱することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記塩素の最大濃度に達するため、または前記塩素の最大濃度を下回るために使用する一酸化炭素の量が、前記反応空間中の活性炭系触媒のメートルトン当り少なくとも４０標準立方メートル、特に少なくとも６０標準立方メートル、好ましくは少なくとも８０標準立方メートルであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ホスゲン発生器の始動の開始が、前記塩素の導入の開始により定義されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記始動時間をかけて所望の終了値へと前記塩素の導入を増加させることであって、特に、前記増加を、複数の工程で、好ましくは所望の終了値の２５％、５０％、７５％、１００％である複数の工程で実施すること、および／または好ましくは均等な時間間隔で実施される段階的な増加で実施することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
塩素の体積濃度を、ＵＶスペクトロメトリーで測定することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
塩素に対して２ｍｏｌ％〜２０ｍｏｌ％モル過剰のＣＯを、前記始動時間中および運転期間中に設定することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３７】
請求項１〜３５のいずれか一項に記載の化合物及び薬剤として許容されるその塩の両方またはいずれか、及び薬剤として許容される賦形剤を含むＦＧＦＲ阻害用医薬組成物。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３８】
任意に、少なくとも１つの他の抗癌剤と組み合わせて、請求項１〜３５のいずれか一項に記載の化合物及び薬剤として許容されるその塩の両方またはいずれか、及び薬剤として許容される賦形剤を含む癌の治療用医薬組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３９】
前記癌は乳癌、多発性骨髄腫、膀胱癌、子宮体癌、胃癌、子宮頚癌、横紋筋肉腫、肺癌、腎細胞癌、卵巣癌、食道癌、黒色腫、大腸癌、肝細胞癌、頭頸部扁平上皮細胞癌、胆管肉腫、神経膠腫、胆管癌、８，１１骨髄増殖性症候群、ＦＧＦＲの転座／融合を伴う骨髄増殖性疾患、胞巣状横紋筋肉腫、悪性ラブドイド腫瘍、グリア芽腫、筋層浸潤性膀胱癌、または腎癌もしくは前立腺癌である、請求項３８に記載の医薬組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４０】
前記少なくとも１つの他の抗癌剤はＥＧＦＲ、ＭＥＴ、ＶＥＧＦＲ、ＰＩ３Ｋ、ＭＴＯ
Ｒ、ＭＥＫ、プロテアソーム、またはユビキチンリガーゼ阻害剤から選択される、請求項３８または３９に記載の医薬組成物。