【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスタックアセンブリを組み立てるウェハレベルの方法であって、方法は、
ウェハサブスタックを形成するために第１のウェハを第２のウェハに取り付けるステップを備え、前記第１のウェハまたは前記第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に複数の光学要素を有し、前記第１および前記第２のウェハはそれぞれの光学要素が前記第１および前記第２のウェハの間に配置されるよう取り付けられ、方法はさらに、
ウェハスタックを形成するためにスペーサウェハを前記ウェハサブスタックに取り付けるステップと、
前記ウェハスタックを複数のスタックアセンブリに分離するステップを備え、前記スタックアセンブリはそれぞれ前記光学要素の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項２】
前記第１および第２のウェハはそれぞれ複数の光学要素をそれぞれの面上に有し、それぞれのスタックアセンブリは前記光学要素の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および前記第２のウェハを取り付けるステップは前記第１および第２のウェハを前記光学要素の横方向側部に接着剤を通じて互いに取り付けることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記光学要素は回折光学要素である、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記光学要素は複製された光学要素である、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
それぞれのスタックアセンブリは前記スペーサウェハから形成されたスペーサを含み、前記光学要素の少なくとも１つと前記スタックアセンブリが取り付けられる面との間の明確に規定された距離を提供する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
複数のスタックアセンブリを組み立てるウェハレベルの方法であって、方法は、
第１および第２のウェハを提供するステップを備え、前記第１のウェハまたは前記第２のウェハの少なくとも１つはその面上に複数の光学要素を有し、方法はさらに、
前記第２のウェハの対向面上に上側および下側スペーサを形成するために単一の真空射出技術を使用するステップと、
ウェハスタックを形成するために前記第１のウェハを前記第２のウェハの取り付けるステップとを備え、それぞれの光学要素が前記第１および前記第２のウェハの間に配置されるよう前記第１および前記第２のウェハは取り付けられ、方法はさらに、
前記ウェハスタックを複数のスタックアセンブリに分離するステップを備え、そのそれぞれは前記光学要素の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項８】
前記第２のウェハに貫通孔を形成するステップをさらに含み、前記真空射出技術は前記貫通孔を前記上側および前記下側スペーサを形成するものと同じ素材で充填する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および前記第２のウェハはそれぞれ複数の光学要素をそれぞれの面上に有し、それぞれのスタックアセンブリは前記光学要素の少なくとも２つを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および前記第２のウェハを取り付けるステップは前記第１および前記第２のウェハを前記光学要素の横方向側部と前記第２のスペーサ上の前記上側スペーサとの間に配置された接着剤を通じて互いに取り付けることを含む、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記光学要素は回折光学要素である、請求項７から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記光学要素は複製された光学要素である請求項７から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
スタックアセンブリであって、
第１の基板と、
前記第１の基板に取り付けられた第２の基板と、
前記第１の基板または前記第２の基板上の光学要素とを備え、前記光学要素の少なくとも１つは、前記第１および前記第２の基板の間に配置され、スタックアセンブリはさらに、
前記第１または前記第２の基板の外側に取り付けられた第１のスペーサを備える、スタックアセンブリ。
【請求項１４】
前記第１および前記第２の基板の間の第２のスペーサをさらに含み、前記第１および前記第２のスペーサは同一の真空射出成形ピースの一部である、請求項１３に記載のスタックアセンブリ。
【請求項１５】
前記真空射出成形ピースは前記第２の基板の側縁部を横方向に取り囲む、請求項１３に記載のスタックアセンブリ。
【請求項１６】
前記第１および第２のウェハはそれぞれその表面上に光学要素を有し、前記光学要素は互いに面する、請求項１３から１５のいずれか１項に記載のスタックアセンブリ。
【請求項１７】
それぞれの光学要素は回折光学要素である、請求項１３から１６のいずれか１項に記載のスタックアセンブリ。
【請求項１８】
それぞれの光学要素は複製された光学要素である、請求項１３から１７のいずれか１項に記載のスタックアセンブリ。
【請求項１９】
前記第１および前記第２の基板は前記光学要素の横方向側部上の接着剤によって互いに取り付けられる、請求項１３に記載のスタックアセンブリ。
【請求項２０】
複数のスタックアセンブリを組み立てるウェハレベルの方法であって、方法は、
第１および第２のウェハを提供するステップを備え、前記第１のウェハまたは前記第２のウェハの少なくとも１つはその表面上に複数の光学要素を備え、方法はさらに、
前記第２のウェハをテープに取り付けて前記第２のウェハを複数の単一化された基板に分離するステップと、
前記単一化された基板を真空射出ツール内に位置づけて前記単一化された基板の対向面上の上側および下側スペーサを形成するステップと、
前記第１のウェハを前記単一化された基板に取り付けてそれぞれの光学要素が前記第１のウェハと前記単一化された基板の１つとの間に配置されるようスタックを形成するステップと、
スタックを複数のスタックアセンブリに分離し、それぞれ前記光学要素の少なくとも１つを含むステップと、を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
光学要素１６、１８を形成する素材の横方向側部２０は、対向する光学要素１６、１８の間の明確に規定された距離「ｄ」を提供するスペーサとして寄与する。横方向側部２０の典型的な厚さ「ｔ」は５０μｍまたはそれ未満（たとえば２５〜５０μｍ）である。図示された例において、光学要素１６、１８は特定の波長または波長範囲で透過性を有するエポキシ素材で構成される。基板１２、１４は横方向側部２０上に配置された結合剤または接着剤２２の薄い層によって互いに接続される。接着剤２２の典型的な厚さは１０μ未満（たとえば７μｍ）である。以上に説明された寸法はいくつかの実装において異なってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図２Ｅに示されるように、第１および第２のウェハサブアセンブリ１４０、１５０はウェハサブスタック１６０を形成するために互いに取り付けられる。サブアセンブリ１４０、１５０は、たとえば、結合剤または他の接着剤（たとえば結合剤接着またはスクリーン印刷により）により互いに取り付けられる。サブアセンブリ１４０、１５０は光学要素１１６、１１８が互いに向き合うよう互いに取付け可能である。さらに、図２Ｆに示されるように、スペーサウェハ１３０は第２のウェハアセンブリ１５０のＡＲＣ側に取り付けられてウェハスタック１７０を完成する。スペーサウェハ１３０は、たとえば、結合剤または他の接着剤によって取り付け可能である。ウェハレベルスタック１７０が完成すると、複数の個別のアセンブリ１０を形成するために（たとえば角切りにより）分離可能である。