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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月30日(2018.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療機器であって、
アクセスポート本体と、離脱可能な針先端部と針の内腔を規定する針軸とを有する少なくとも１つの針と、を有している、埋込可能なアクセスポートと、
前記アクセスポート本体内に収容され、前記アクセスポート本体に対して延出可能及び引込可能である、前記少なくとも１つの針と、
前記少なくとも１つの針が延出可能かつ引込可能な前記アクセスポート本体の複数の異なる位置に前記少なくとも１つの針を移動させるように前記アクセスポート本体内で可動である、針移動機構と
を備え、
前記離脱可能な針先端部は、前記針軸が前記アクセスポートに結合されたまま、前記針軸に取り替え可能に接続できるように構成され、
前記針の内腔は、前記離脱可能な針先端部が前記針軸に接続されているときに、前記離脱可能な針先端部により閉じられる、医療機器。
【請求項２】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記針移動機構は、前記少なくとも１つの針が弓形経路に沿って回転軸を中心にして回転可能であるように可動である、医療機器。
【請求項３】
請求項２に記載の医療機器であって、
前記弓形経路は、前記回転軸からほぼ一定の半径によって規定されている、医療機器。
【請求項４】
請求項２に記載の医療機器であって、
前記アクセスポート本体の前記複数の異なる位置は、前記弓形経路に沿って配列されている、医療機器。
【請求項５】
請求項４に記載の医療機器であって、
前記複数の異なる位置は、前記弓形経路に沿ってほぼ等しく離間されている、医療機器。
【請求項６】
請求項２に記載の医療機器であって、
前記少なくとも１つの針は、前記弓形経路に沿って回転軸を中心にして、一方向にのみ回転可能である、医療機器。
【請求項７】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記針移動機構は、ラチェット機構を備える、医療機器。
【請求項８】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記アクセスポート本体は、カバーを備え、
前記少なくとも１つの針は、前記カバーを通じて延出可能かつ引込可能である、医療機器。
【請求項９】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記アクセスポート本体は、隔壁を備え、
前記少なくとも１つの針は、前記隔壁を通じて延出可能かつ引込可能である、医療機器。
【請求項１０】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記アクセスポート本体は、複数の針穴を備え、
前記少なくとも１つの針は、前記複数の針穴の各々を通じて延出可能かつ引込可能である、医療機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の医療機器であって、
前記複数の針穴は、第１針穴と第２針穴とを備え、
前記針移動機構は、前記少なくとも１つの針を、前記少なくとも１つの針が前記第１針穴と一致して前記第１針穴を通じて延出及び引込を行う第１位置から、前記少なくとも１つの針が前記第２針穴と一致して前記第２針穴を通じて延出及び引込を行う第２位置へと移動させるように前記アクセスポート本体内で可動である、医療機器。
【請求項１２】
請求項１に記載の医療機器であって、
離脱可能な先端部と針の内腔を規定する針軸とを有する前記少なくとも１つの針は、さらに、離脱可能な第１針先端部と第１針内腔を規定する第１針軸とを有する第１針と、離脱可能な第２針先端部と第２針内腔を規定する第２針軸とを有する第２針と、を備え、
前記針移動機構は、前記第１針が延出可能かつ引込可能な前記アクセスポート本体の複数の異なる第１針の位置に前記第１針を移動させるように、かつ、前記第２針が延出可能かつ引込可能な前記アクセスポート本体の複数の第２針の位置に前記第２針を移動させるように、前記アクセスポート本体内で可動である、医療機器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の医療機器であって、
前記針移動機構は、前記第１針及び前記第２針が弓形経路に沿って回転軸を中心にして回転可能であるように動作可能である、医療機器。
【請求項１４】
請求項１に記載の医療機器であって、さらに、
前記少なくとも１つの針を前記アクセスポート本体から延出するとともに、前記少なくとも１つの針を前記アクセスポート本体内に引込ませるように前記アクセスポート本体内で可動な針昇降機構を備えている、医療機器。
【請求項１５】
請求項１４に記載の医療機器であって、
前記アクセスポート本体は、少なくとも１つの穴を有するカバーを備え、
前記針昇降機構は、前記少なくとも１つの針を前記アクセスポート本体から前記カバーにおける前記少なくとも１つの穴を通って延出するとともに、前記少なくとも１つの針を前記カバーにおける前記少なくとも１つの穴を通って前記アクセスポート本体に引込ませるように前記アクセスポート本体内で可動である、医療機器。
【請求項１６】
請求項１４に記載の医療機器であって、
前記針昇降機構は、前記針昇降機構を回転軸を中心にして回転させることにより、前記少なくとも１つの針を前記アクセスポート本体から延出するとともに、前記少なくとも１つの針を前記アクセスポート本体に引込ませるように可動である、医療機器。
【請求項１７】
請求項１に記載の医療機器であって、
前記針移動機構は、軸を中心にして回転可能であり、
前記少なくとも１つの針は、前記軸に沿って軸方向に延出可能かつ引込可能である、医療機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療装置は、先の尖った閉鎖された端を有する少なくとも１つのニードル先端部と、
前記少なくとも１つのニードル先端部をニードルシャフトに取り付けるように構成された少なくとも１つのツールと、を備え、前記ツールは、近位端および遠位端を有するツールボディと、前記ツールの前記遠位端に位置するニードル先端部ホルダとを含み、前記ニードル先端部ホルダは、前記先の尖った閉鎖された端を含む前記ニードル先端部を受容するように構成されたニードル先端部受器を含み、前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように構成された医療装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのニードル先端部および前記少なくとも１つのツールは、殺菌された医療装置キットの部品である、請求項１に記載の医療装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのニードル先端部は、機械的な係合接続により、前記ニードルシャフトに固定できる、請求項１に記載の医療装置。
【請求項４】
前記の機械的な係合接続は、ねじ接続を含む、請求項３に記載の医療装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのニードル先端部は、前記ニードルシャフトの一部分を収容するためにニードルシャフト受器を含み、
前記ニードルシャフト受器はニードルシャフト受器ねじを含み、
前記ニードルシャフトはニードルシャフトねじを含み、
前記少なくとも１つのニードル先端部は、前記ニードル先端部の前記ニードルシャフト受器ねじが前記ニードルシャフトの前記ニードルシャフトねじと螺合することにより、前記ニードルシャフトに固定できる、請求項４に記載の医療装置。
【請求項６】
前記ニードル先端部受器は、前記ニードル先端部の噛合部分と噛み合うように構成された噛合部分を含む、請求項１に記載の医療装置。
【請求項７】
前記ツールが回転の長手軸の回りに回転する時、前記ニードル先端部受器および前記ニードル先端部の両方が、回転の前記長手軸の回りに回転するように、前記ニードル先端部受器の前記噛合部分は、前記ニードル先端部の前記噛合部分と噛み合うように構成された、請求項６に記載の医療装置。
【請求項８】
前記ニードル先端部受器の前記噛合部分は、多角形の形状を有し、前記ニードル先端部の前記噛合部分は、前記ニードル先端部受器の前記多角形状の内側に嵌合する多角形の形状を有する、請求項６に記載の医療装置。
【請求項９】
前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の前記取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように、前記ニードル先端部ホルダの前記ニードル先端部受器は構成されている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１０】
前記ニードル先端部が形成された機械的な係合接続による前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の前記取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように、前記ニードル先端部受器は構成されている、請求項９に記載の医療装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのニードル先端部は、ニードル先端部ねじを含み、前記ニードル先端部受器は、ニードル先端部受器ねじを含み、前記の機械的な係合は、前記ニードル先端部ねじのニードル先端部受器ねじとの螺合によって形成される、請求項１０に記載の医療装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのニードル先端部は、少なくとも１つのニードル先端部隆起、および／または、少なくとも１つのニードル先端部溝を含み、
前記ニードル先端部受器は、少なくとも１つのニードル先端部受器隆起、および／または、少なくとも１つのニードル先端部受器溝を含み、
前記の機械的な係合は、前記少なくとも１つのニードル先端部隆起と前記少なくとも１つのニードル先端部受器溝との機械的な係合、および／または、前記少なくとも１つのニードル先端部溝と前記少なくとも１つのニードル先端部受器隆起との係合によって形成される、請求項１０に記載の医療装置。
【請求項１３】
前記の機械的な係合は、前記ツールの長手軸を横切る平面において前記ニードル先端部受器の一部分に重なる前記の少なくとも１つのニードル先端部の一部分によって形成される、請求項１０に記載の医療装置。
【請求項１４】
前記ニードル先端部により形成された摩擦嵌合接続による前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように前記ニードル先端部受器は構成されている、請求項９に記載の医療装置。
【請求項１５】
前記ニードル先端部受器は、弾性変形可能部材を含み、
前記ニードル先端部が前記ニードル先端部受器内にある時、前記摩擦嵌合接続は、前記弾性変形可能部材の弾性変形によって形成される、請求項１４に記載の医療装置。
【請求項１６】
前記ニードル先端部に付与された磁力による前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の前記取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように、前記ニードル先端部受器は構成されている、請求項９に記載の医療装置。
【請求項１７】
前記ニードル先端部受器は磁石を含み、
前記ニードル先端部は磁性材料を含む、請求項１６に記載の医療装置。
【請求項１８】
前記ニードル先端部に付与された吸引の力による前記ニードルシャフトへの前記ニードル先端部の前記取り付けの間、前記ニードル先端部を保持するように、前記ニードル先端部受器は構成されている、請求項９に記載の医療装置。
【請求項１９】
前記ニードル先端部受器は、吸引発生装置による吸引がなされる吸引通路と流体連通している、請求項１８に記載の医療装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ニードルのニードル先端部の取り付け並びに取り外し装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸（Ａｘ）を中心に回転可能な回転子（２１）を回転可能に支持し、かつハウジング（２２）を含む、支持構造（２０）を備え、
前記支持構造（２０）は、前記ハウジング（２２）の一端側において回転軸（Ａｘ）の近傍に配置された流入口（２３）を有しており、
前記流入口（２３）は、前記ハウジング（２２）の中心部を通って延びる流入管（２３ａ）に接続されており、
前記回転子（２１）は、複数のディスク状フィルタ部材（３０）を備え、前記ディスク状部材（３０）は、前記流入管（２３ａ）を取り囲んでおり、
各ディスク状フィルタ部材（３０）は回転軸（Ａｘ）から外向きに延びる２つの壁（３４ａ、３４ｂ）を有し、
各壁（３４ａ、３４ｂ）は、複数個の開口（Ｏ）をその中に画定するフレームから形成され、各開口（Ｏ）は、フィルタ要素によってカバーされており、
前記フレームは、回転軸（Ａｘ）に関して径方向に延びる輪状取付板（３７ａ，３７ｂ）によって内周に形成されており、
前記ディスク状フィルタ部材（３０）は、双錐台(bifrustum)の形状を有しており、
前記ディスク状フィルタ部材（３０）は、積層式に配置されており、
各ディスク状フィルタ部材（３０）は、隣接するさらなるディスク状フィルタ部材（３０）を有する輪状取付板（３７ａ，３７ｂ）に直接接続しており、
前記回転子（２１）の軸端に配置された各壁（３４ａ，３４ｂ）は、回転軸（Ａｘ）に対して同軸上に配置されたパイプ部（３１）に接続されている、回転ディスクフィルタ装置において、
前記ディスク状フィルタ部材（３０）は、排出管（２８）を取り囲み、フラッシュチューブ（２７）が前記ハウジング（２２）のカバー（２６）から延びていることを特徴とする
回転ディスクフィルタ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回転ディスクフィルタにおいて、
前記双錐台は双角錐（bipyramid）である、回転ディスクフィルタ。
【請求項３】
請求項１に記載の回転ディスクフィルタにおいて、
前記２つの壁（３４ａ，３４ｂ）は前記ディスク状フィルタ部材（３０）の外周において互いに当接する、回転ディスクフィルタ。
【請求項４】
請求項１に記載の回転ディスクフィルタにおいて、
径方向断面図において２つのディスク状フィルタ部材（３０）の隣接する壁（３４ａ，３４ｂ）の間にクリアランスが形成されており、前記クリアランスは、前記回転軸（Ａｘ）からの径方向距離が増大するにつれて増大する、回転ディスクフィルタ。
【請求項５】
請求項１に記載の回転ディスクフィルタにおいて、
前記取付板（３７ａ、３７ｂ）から延び、外周方向フレーム部材（３９）に接続された径方向外側端を有する、複数のスパイク（３８ａ，３８ｂ）を更に備える、回転ディスクフィルタ。
【請求項６】
請求項５に記載の回転ディスクフィルタにおいて、
前記フレームは、２つのスパイク（３８ａ，３８ｂ）と、内側スパイク接続板と、前記周方向フレーム部材（３９）の一部と、によって画定された開口(Ｏ)を有する、回転ディスクフィルタ。
【請求項７】
請求項１に記載の回転ディスクフィルタにおいて、前記フィルタ要素は、前記開口（Ｏ）に対応する内周を有するフィルタフレーム（４１ａ，４１ｂ）を備え、前記フィルタフレーム（４１ａ，４１ｂ）は濾布（１３）を保持する、回転ディスクフィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
錐台は、円錐（cone）または角錐(pyramid)であってもよい。好ましくは、ディスク状フィルタ要素は双錐台（bifrustum）の形状、特に双角錐(bipyramid)の形状、を有する。双錐台の形状を有し、かつ回転軸に対して垂直に延びる面に関して対称に配置されたディスク状フィルタ要素は、少数の同一のフレーム要素を使用することで製造できる。それにより、回転ディスクフィルタ装置の製造コストが節約できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月5日(2018.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理チャンバの排気ガスを処理するためのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムであって、
前記真空処理チャンバと結合するように構成された第１の入口と出口とを有するプラズマ源と、
前記プラズマ源から下流のフォアラインに配置され、前記プラズマ源の前記出口に結合された下流のフォアラインガス冷却器と、
を備え、
前記下流のフォアラインガス冷却器は、プロセス冷却水を受け付け、フォアラインの排気ガスに接触して、前記下流のフォアラインガス冷却器の外面上で前記排気ガスを凝縮するように構成される
フォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項２】
前記プラズマ源の第２の入口と、
前記プラズマ源の前記第２の入口に結合された出口を有する処理剤源、
をさらに備える、請求項１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項３】
前記処理剤源は、前記プラズマ源に供給されることになる酸素を蓄える、請求項２に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項４】
前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するためのコイルを備える、請求項１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項５】
前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するための冷却された集熱板を備える、請求項１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項６】
真空処理チャンバの排気ガスを処理するためのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムであって、
前記真空処理チャンバに結合するように構成された第１の入口と出口とを有するプラズマ源と、
前記プラズマ源を前記真空処理チャンバから切り離すように操作可能な第１のバルブと、
前記プラズマ源に結合された保全パージガス供給源と、
前記プラズマ源から下流のフォアラインに配置され、前記プラズマ源の出口に結合された下流のフォアラインガス冷却器であって、プロセス冷却水を受け付け、フォアラインの排気ガスに接触して、前記下流のフォアラインガス冷却器の外面上で前記排気ガスを凝縮するように構成される下流のフォアラインガス冷却器と、
前記下流のフォアラインガス冷却器を真空ポンプから切り離すように操作可能な第２のバルブと、
前記下流のフォアラインガス冷却器からのガスが前記真空ポンプをバイパスし、軽減サブシステムに直接流れることができるように操作可能な保全通気バルブと、
を備える、フォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項７】
前記プラズマ源の入口に結合された出口を有する処理剤源、
をさらに備える、請求項６に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項８】
前記処理剤源は、前記プラズマ源に酸素を供給する、請求項７に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項９】
前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するためのコイルを備える、請求項６に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項１０】
前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するための冷却された集熱板を備える、請求項６に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステム。
【請求項１１】
真空処理システムの排気ガスを処理するためのフォアライン・プラズマ・リアクタ・システムであって、
排気ガスを、少なくとも２つのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムのうちの１つに導くように操作可能な第１のバルブであり、各フォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムが、
前記バルブに結合されたプラズマ源、
前記プラズマ源から下流のフォアラインに配置され、前記プラズマ源の出口に結合された下流のフォアラインガス冷却器であって、プロセス冷却水を受け付け、フォアラインの排気ガスに接触して、前記下流のフォアラインガス冷却器の外面上で前記排気ガスを凝縮するように構成される下流のフォアラインガス冷却器、
前記プラズマ源に結合された保全パージガス供給源、および
前記下流のフォアラインガス冷却器からのガスが前記真空処理システムの真空ポンプをバイパスし、前記真空処理システムの軽減サブシステムに直接流れることができるように操作可能な保全通気バルブ
を備える、第１のバルブと、
各フォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムを前記真空ポンプから切り離すように操作可能な、各フォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムの下流の第２のバルブと、
を備える、フォアライン・プラズマ・リアクタ・システム。
【請求項１２】
前記少なくとも２つのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムのうちの少なくとも１つの前記プラズマ源の入口に結合された出口を有する少なくとも１つの処理剤源、
をさらに備える、請求項１１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・システム。
【請求項１３】
前記少なくとも２つのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムのうちの少なくとも１つの前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するためのコイルを備える、請求項１２に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・システム。
【請求項１４】
前記少なくとも２つのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムのうちの少なくとも１つの前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するためのコイルを備える、請求項１１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・システム。
【請求項１５】
前記少なくとも２つのフォアライン・プラズマ・リアクタ・サブシステムのうちの少なくとも１つの前記下流のフォアラインガス冷却器が、前記排気ガスを冷却するための冷却された集熱板を備える、請求項１１に記載のフォアライン・プラズマ・リアクタ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの開閉ポイントと、当該開閉ポイントに割り当てられた少なくとも一つの消弧装置とを備え、当該消弧装置が、少なくとも一つの消弧要素と、スイッチ開閉プロセス中に生じるアーク（２）に影響を与える少なくとも一つの永久磁石（３）とを備え、それによって、前記アーク（２）は、前記永久磁石（３）により形成された磁場によって前記消弧要素内にブローされ、前記少なくとも一つの永久磁石（３）は、同時に前記消弧要素を形成するものであり、前記アーク（２）が前記永久磁石（３）に引きつけられることで前記永久磁石（３）に吸引され前記永久磁石により消滅させられるように、配置され分極されている電気スイッチ開閉装置（１）、特にＤＣ接触器において、前記永久磁石（３）は、少なくとも前記アークに曝される領域が、セラミック製の保護スリーブ（１７）に包まれていることを特徴とする電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項２】
前記消弧装置は消弧室（１３，１４）を備え、当該消弧室（１３，１４）は出口開口を備え、消弧要素として用いられる前記少なくとも一つの永久磁石（３）は前記出口開口の領域内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項３】
前記消弧装置は、少なくとも二つの永久磁石（３）を備え、当該少なくとも二つの永久磁石（３）は、それぞれ、消弧要素として用いられて、同時に消弧要素を形成する前記少なくとも二つの永久磁石（３）によって前記アーク（２）が引きつけられるように、同じ方向に分極され、配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項４】
前記永久磁石（３）は、当該永久磁石（３）から前記アーク（２）に対して影響を与える磁束密度が、少なくとも２０ミリテスラ、好ましくは、少なくとも２５ミリテスラである程に、特に強いものであることを特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項５】
前記永久磁石（３）は、従来の消弧シートまたはセラミック消弧要素と同様に、互いに間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項３に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項６】
前記永久磁石（３）は、ハードフェライトからなるものであることを特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項７】
前記永久磁石（３）は、円柱棒磁石として設計されていることを特徴とする請求項１に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項８】
前記永久磁石（３）は、連結支持体（７）によって、前記電気スイッチ開閉装置（１）に装着されていることを特徴とする請求項５に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項９】
前記支持体（７）は、前記スイッチ開閉装置（１）にクリップ留め可能であることを特徴とする請求項８に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項１０】
前記消弧装置は、スイッチ開閉装置（１）の互いに隣同士に配置された少なくとも二つの開閉ポイントに割り当てられ、それによって、前記消弧装置の一つないし複数の前記永久磁石（３）が互いに隣同士に配置された前記開閉ポイントの幅を合わせた幅を覆って延びていることを特徴とする請求項１〜９のうちの一項に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項１１】
前記支持体（７）が互いに隣同士に配置された前記開閉ポイントの間に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気スイッチ開閉装置（１）。
【請求項１２】
少なくとも一つの開閉ポイントを備えた電気スイッチ開閉装置（１）用の消弧装置であって、当該消弧装置が、少なくとも一つの消弧要素と、スイッチ開閉プロセス中に出現するアーク（２）に影響を与える少なくとも一つの永久磁石（３）とを備え、それによって、前記アーク（２）は、前記永久磁石（３）により形成された磁場によって前記消弧要素内にブローされ、前記少なくとも一つの永久磁石（３）は、同時に前記消弧要素を形成するものであり、前記アーク（２）が前記永久磁石（３）に引きつけられることで前記永久磁石（３）に吸引され前記永久磁石により消滅させられるように、配置され分極されている、消弧装置において、前記永久磁石（３）の、少なくとも前記アークに曝される領域が、セラミック製の保護スリーブ（１７）に包まれていることを特徴とする消弧装置。
【請求項１３】
少なくとも一つの開閉ポイントと、当該開閉ポイントに割り当てられた少なくとも一つの消弧装置とを備え、前記消弧装置が、出口開口を備えた消弧室（１３，１４）と、消弧用の複数の消弧シートまたはセラミック消弧要素とを備えた電気スイッチ開閉装置（１）であって、前記出口開口の領域内において前記電気スイッチ開閉装置に一つないし複数の永久磁石（３）が装着され、当該一つないし複数の永久磁石（３）が、消弧要素を形成するとともに、アーク（２）が前記永久磁石（３）に引きつけられることで前記永久磁石（３）に吸引され前記永久磁石により消滅させられるように、配置され分極されている、電気スイッチ開閉装置（１）の、スイッチ開閉キャパシティーを増加させる方法において、前記永久磁石（３）の、少なくとも前記アークに曝される領域が、セラミック製の保護スリーブ（１７）に包まれていることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記消弧シートまたはセラミック消弧要素を最初に取り外し、前記一つないし複数の永久磁石（３）を前記消弧シートまたはセラミック消弧要素の代わりに前記電気スイッチ開閉装置（１）に装着することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン注入システム及びイオンビームを用いてワークピースを処理する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
各アパーチャの最新の幅とその初期幅の比は、いったん決定されると、電荷収集器１３１，１３２から受信されるデータに補正係数を乗算することによってアパーチャ幅の変化を補正することができる。この補正係数は浸食の影響を除去するように電荷収集器１３１，１３２から受信されたデータを調整する働きをする。こうして、イオン注入装置は、画定アパーチャ板１２０が浸食され始めたときでも、通常通り動作し続けることができる（ボックス４４０）。言い換えれば、画定アパーチャ板１２０がもはや初期アパーチャ比でなくなっても、システムは所望のドーズ量を供給し続けることができる。補正係数の使用は、アパーチャ１２１，１２２の浸食が存在しても、システムが実際のイオンビーム電流を計算することを可能にする。この計算された実際の電流はその後イオンビームパラメータを制御するために使用される。この補正技術は必要とされる予防保守の時間間隔を長くし、長期にわたるイオンビーム電流のより精密な表示をもたらす働きもする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルディスプレイと、
前記フレキシブルディスプレイを支持する第１ボディと第２ボディと、
前記フレキシブルディスプレイが折り畳まれるように前記第１ボディと前記第２ボディとを回転自在に連結するヒンジと、
前記第１ボディと前記第２ボディとの間に配置され、前記フレキシブルディスプレイの一部の領域を支持する支持部材と、
を含み、
前記第１ボディ及び前記第２ボディは、第１ベースカバー及び第２ベースカバーと、前記第１ベースカバー及び前記第２ベースカバーの内側に配置されて前記フレキシブルディスプレイを支持する第１フレーム及び第２フレームとを含み、
前記第１フレーム及び前記第２フレームの一端は、前記フレキシブルディスプレイが開かれた状態で、前記フレキシブルディスプレイに向かって屈曲するように形成され、
前記支持部材は、前記第１フレーム及び前記第２フレームの一端と結合され、前記第１ボディ及び前記第２ボディが回転する間前記一部の領域を持続的に支持して移動する折り畳み可能機器。
【請求項２】
前記支持部材は、前記フレキシブルディスプレイが開かれる間、前記フレキシブルディスプレイ側を向く一方向に移動し、前記フレキシブルディスプレイが折り畳まれる間、前記一方向の逆方向に移動する請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項３】
前記支持部材は、前記第１ボディ及び前記第２ボディの折り畳み方向に伸長したスロットを含み、
前記第１フレーム及び前記第２フレームは、前記第１フレーム及び前記第２フレームの一端にそれぞれ結合され、前記スロットにスライド自在に挿入される一対のガイド部を含む請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項４】
前記フレキシブルディスプレイが折り畳まれた状態で、前記支持部材は前記一部の領域と離隔される請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項５】
前記第１ボディと前記第２ボディとが連結される部分の外側を覆うカバー部材を更に含む請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項６】
前記カバー部材は、前記第１ボディと前記第２ボディとの対向する各角に対応する伸長部と、前記伸長部の両端部に配置された側壁部とを含む請求項５に記載の折り畳み可能機器。
【請求項７】
前記フレキシブルディスプレイは、前記第１フレーム上に配置される第１部分と、前記第２フレーム上に配置される第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に配置される第３部分とを含む請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項８】
前記第１フレームは、前記第１部分を支持する第１支持部と、前記第１支持部と連結されて前記フレキシブルディスプレイから遠のく方向に傾斜している第１収容部とを含み、
前記第２フレームは、前記第２部分を支持する第２支持部と、前記第２支持部と連結されて前記フレキシブルディスプレイから遠のく方向に傾斜している第２収容部とを含み、
前記第１収容部と前記第２収容部とは、前記第１ボディと前記第２ボディとが対向する方向に回転することで、前記第３部分が収容される収容空間を形成する請求項７に記載の折り畳み可能機器。
【請求項９】
前記第１ボディ及び前記第２ボディのそれぞれは、第１中心軸及び第２中心軸を基準に回転し、
前記第１ボディは、第１ギア部を含み、
前記第２ボディは、第１ギア部とかみ合う第２ギア部を含む請求項１に記載の折り畳み可能機器。
【請求項１０】
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分とを含むフレキシブルディスプレイと、
前記第１部分と前記第２部分とをそれぞれ支持し、折り畳まれた位置と開かれた位置との間で折り畳み自在に連結された第１ボディと第２ボディと、
前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置から前記開かれた位置に切り替えられる際、前記第３部分を持続的に支持する支持部材と、
前記開かれた位置で前記フレキシブルディスプレイに引張力を加える弾性ユニットと、
を含み、
前記弾性ユニットは、
前記第２ボディに設けられ、対向部を備えた対向アームと、
前記第１ボディに設けられ、前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置と開かれた位置とに切り替えられる際に、前記対向アームと接触して弾力的に変形され、前記開かれた位置で前記対向部と弾力的に接触される第１接触部を備えた弾性アームと、
を含み、
前記第１ボディ及び前記第２ボディのそれぞれは、前記フレキシブルディスプレイの前記第１部分及び前記第２部分をそれぞれ支持する第１支持部及び第２支持部と、前記第１及び第２支持部からそれぞれ後退した第１収容部及び第２収容部とを含み、
前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記開かれた位置の際、前記第３部分の中央領域は前記支持部材に支持され、
前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置の際、前記第３部分の両側領域がそれぞれ前記第１収容部及び前記第２収容部に支持されるように前記第３部分が屈曲し、前記第３部分の前記中央領域は前記第１収容部と前記第２収容部との間に収容される折り畳み可能機器。
【請求項１１】
前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置と前記開かれた位置との間で切り替える際、前記支持部材は前記フレキシブルディスプレイの前記第３部分を支持する支持位置と、前記第３部分の湾曲部を収容するために前記支持位置から後退した後退位置との間で移動する請求項１０に記載の折り畳み可能機器。
【請求項１２】
前記弾性ユニットは、前記開かれた位置で前記第１ボディ及び前記第２ボディが開かれるように、前記第１ボディ及び前記第２ボディに弾性力を加える請求項１０に記載の折り畳み可能機器。
【請求項１３】
第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間の第３部分とを含むフレキシブルディスプレイと、
前記第１部分と前記第２部分とをそれぞれ支持し、折り畳まれた位置と開かれた位置との間で折り畳み自在に連結された第１ボディと第２ボディと、
前記開かれた位置で前記フレキシブルディスプレイに引張力を加える弾性ユニットと
を含み、
前記弾性ユニットは、
前記第２ボディに設けられ、対向部を備えた対向アームと、
前記第１ボディに設けられ、前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置と開かれた位置とに切り替えられる際、前記対向アームと接触して弾力的に変形される弾性アームと、
を含む折り畳み可能機器。
【請求項１４】
第１中心軸及び第２中心軸にそれぞれ設けられ、相互かみ合う第１ギア及び第２ギアを更に含み、
前記第１ボディと前記第２ボディとは、前記第１中心軸及び前記第２中心軸に対して相互同期化して回転し、
前記第１中心軸と前記第２中心軸とは、相互離隔している請求項１３に記載の折り畳み可能機器。
【請求項１５】
前記第１ボディ及び前記第２ボディが前記折り畳まれた位置から前記開かれた位置に切り替えられる際、前記第３部分を持続的に支持する支持部材を更に含む請求項１４に記載の折り畳み可能機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックコンバータにおいて用いるための集積半導体トランジスタチップであって、
前記集積半導体トランジスタチップ上に形成されるハイサイドトランジスタであって、横方向拡散された金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）トランジスタを含む、前記ハイサイドトランジスタと、
前記集積半導体トランジスタチップ上に形成されるローサイドトランジスタであって、ソースダウン金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む、前記ローサイドトランジスタと、
前記ローサイドトランジスタのためのソースとして用いるための前記集積半導体トランジスタチップの基板と、
前記ハイサイドトランジスタの前記ローサイドトランジスタの前記ソースからの隔離のためのｎドープされたウェルであって、スイッチノード電位に維持される、前記ｎドープされたウェルと、
前記ｎドープされたウェルとハイサイドドレインＬＤＤ領域との間に形成されるｐドープされたウェルと、
前記ローサイドトランジスタのドレインを前記ハイサイドトランジスタのソースに電気的に接続するために前記集積半導体トランジスタチップに形成される金属層と、
を含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項２】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
前記基板の少なくとも一部と前記ｎドープされたウェルとの間で前記集積半導体トランジスタチップに形成される絶縁層を更に含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項３】
請求項２に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
前記絶縁層が酸素注入層を含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項４】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
スイッチノードから前記ｎドープされたウェルへの低抵抗経路を提供するために前記ハイサイドトランジスタを収容する前記集積半導体トランジスタチップの領域内に形成されるｎ−シンカーを更に含み、
前記スイッチノードが、前記ｎドープされたウェルを前記スイッチノードと同じ電位に維持する前記金属層を含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項５】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
スイッチノードから前記ｎドープされたウェルへの低抵抗経路を提供するために前記ハイサイドトランジスタを収容する前記集積半導体トランジスタチップの領域内に形成される複数のｎ−シンカーを更に含み、
前記スイッチノードが、前記ｎドープされたウェルを前記スイッチノードと同じ電位に維持する前記金属層を含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項６】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
前記ｎドープされたウェルが前記基板と前記ハイサイドトランジスタのソースとの間に形成される、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項７】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
前記ｐドープされたウェルと前記ｎドープされたウェルとを互いに接続するために用いられる前記ハイサイドトランジスタのソースコンタクトトレンチを更に含む、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項８】
請求項１に記載の集積半導体トランジスタチップであって、
前記ｐドープされたウェルの深さと不純物濃度とが寄生のｎ（ＬＤＤ）−ｐ（ｐドープされたウェル）−ｎ（ｎドープされたウェル）がオンすることを防止する、集積半導体トランジスタチップ。
【請求項９】
バックコンバータであって、
請求項１乃至８の何れかに記載の集積半導体トランジスタチップを利用する、バックコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月24日(2018.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の相互接続および複数の残りの相互接続が実装されたダイと、
前記ダイ内であって、前記第１の相互接続および前記複数の残りの相互接続の上に配設されたインダクタであって、
前記ダイに電気的かつ機械的に結合される第１の端子と、
前記第１の相互接続を通じて前記ダイに電気的かつ機械的に結合される第２の端子と、
前記複数の残りの相互接続に機械的に結合されるが、前記複数の残りの相互接続に電気的に結合されない前記インダクタの残りの部分と
を備えるインダクタとを備えた、装置。
【請求項２】
前記第１の相互接続が、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を通じて前記ダイに電気的に結合された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）パッケージ、およびフリップチップチップスケールパッケージ（ＦＣＣＳＰ）のうちの少なくとも１つの中に一体化された、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記インダクタが前記ダイ上の単一の層内に配設された、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記インダクタが２次元である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
装置を製造する方法であって、
第１の相互接続および複数の残りの相互接続が実装されたダイを設けるステップと、
前記ダイ内であって、前記第１の相互接続および前記複数の残りの相互接続の上にインダクタを配設するステップであって、
前記インダクタの第１の端子を形成し、前記ダイに前記第１の端子を電気的かつ機械的に結合するステップと、
前記インダクタの第２の端子を形成し、前記第１の相互接続を通じて前記ダイに前記第２の端子を電気的かつ機械的に結合するステップと、
前記インダクタの残りの部分を形成し、前記複数の残りの相互接続に前記インダクタの前記残りの部分を機械的に結合するが、前記複数の残りの相互接続に前記インダクタの前記残りの部分を電気的に結合しないステップと
を含むステップとを含む、方法。
【請求項７】
前記第１の相互接続が、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を通じて前記ダイに電気的に結合される、請求項６に記載の装置を製造する方法。
【請求項８】
ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）パッケージ、およびフリップチップチップスケールパッケージ（ＦＣＣＳＰ）のうちの少なくとも１つの中に前記装置を一体化するステップをさらに含む、請求項６に記載の装置を製造する方法。
【請求項９】
前記ダイ内に配設された前記インダクタを設けるステップが、前記ダイ上の単一の層内に前記インダクタを配設するステップを含む、請求項６に記載の装置を製造する方法。
【請求項１０】
前記インダクタが２次元である、請求項６に記載の装置を製造する方法。
【請求項１１】
前記ダイ内に金属層を設けるステップと、
前記金属層上に銅再分配層を設けるステップと、
前記銅再分配層上にポリイミド層を設けるステップと、
前記ポリイミド層上に部分的に配設され、前記銅再分配層上に部分的に配設されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設けるステップとをさらに含む、請求項６に記載の装置を製造する方法。
【請求項１２】
前記ダイ内の金属層と、
前記金属層上の銅再分配層と、
前記銅再分配層上のポリイミド層と、
前記ポリイミド層上に部分的に配設され、前記銅再分配層上に部分的に配設されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層とをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
データを含むコンピュータ可読媒体であって、前記データが、マシンによってアクセスされるとき、装置を製造するための請求項６から１１のいずれか一項に記載の方法に従う動作を前記マシンに実施させる、コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャを含むビデオシーケンスを復号するための方法であって、
（ａ）前記ビデオシーケンスを受信するステップと、
（ｂ）前記ビデオシーケンスのための出力レイヤセットの数を決定するステップと、
（ｃ）複数の前記出力レイヤセットのうちの第１の出力レイヤセットに関してサブレイヤの最大数−１を決定するステップと、
（ｄ）複数の前記サブレイヤのうちの第１のサブレイヤ及び前記第１の出力レイヤセットに関して復号ピクチャバッファの特性を復号するステップと
を備え、
前記特性は、前記第１の出力レイヤセットにおいて、復号順では１に等しいピクチャ出力フラグをもつピクチャを含む第１のアクセスユニットに先行できて、出力順では前記第１のアクセスユニットの後に続く、１に等しいピクチャ出力フラグをもつピクチャを含む複数のアクセスユニットの最大数を指定する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビデオシーケンスを復号するための方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動構成要素および第１の組の１つまたは複数のパッケージパッドがガラス基板の面上に形成される、２Ｄパッシブオンガラス、ＰＯＧ、構造と、
第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドが積層基板の面上に形成される前記積層基板と、
前記第１の組の１つまたは複数のパッケージパッドを前記第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドと接触させるための手段とを備え、前記２Ｄ  ＰＯＧ構造が前記積層基板の前記面上にフェースアップで配置される、半導体パッケージ。
【請求項２】
プリント回路板、ＰＣＢ、をさらに備え、前記ＰＣＢが前記積層基板の底側に結合される、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記ＰＣＢが、前記積層基板の前記底側上に形成されるランドグリッドアレイ、ＬＧＡ、パッケージパッドを通して前記積層基板の前記底側に結合される、請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記受動構成要素が、前記積層基板および前記ガラス基板によって、前記ＰＣＢのグランドプレーンから分離される、請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記積層基板の前記底側上の前記ＬＧＡパッケージパッドが、ビアを通して、前記積層基板の前記面上に形成される前記第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドに結合される、請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記受動構成要素の上方に形成されるモールドをさらに備え、前記モールドが前記受動構成要素を保護し、レーザマーキングを可能にするように構成される、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記受動構成要素がインダクタである、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
接触させるための前記手段が、少なくとも１つのはんだボールを含む、請求項１から７の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
半導体パッケージを形成する方法であって、
受動構成要素がガラス基板の面上に集積化される、２Ｄパッシブオンガラス、ＰＯＧ、構造を形成するステップと、
ガラス基板の前記面上に第１の組の１つまたは複数のパッケージパッドを形成するステップと、
積層基板の面上に第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドを有する前記積層基板を形成するステップと、
前記積層基板上に前記２Ｄ  ＰＯＧ構造をフェースアップで配置するステップと、
はんだボールで前記第１の組の１つまたは複数のパッケージパッドを前記第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドと接触させるステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
プリント回路板、ＰＣＢ、を、前記積層基板の底側上のランドグリッドアレイ、ＬＧＡ、パッケージパッドを通して前記積層基板の底側に取り付けるステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記積層基板の前記底側上の前記ＬＧＡパッケージパッドを、ビアを通して、前記積層基板の前記面上に形成される前記第２の組の１つまたは複数のパッケージパッドに接続するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記受動構成要素を保護し、レーザマーキングを可能にするため、前記受動構成要素の上方にモールドを形成するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記受動構成要素がインダクタである、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
プロセッサによって実行されるときに、請求項９から１３の何れか一項に記載の方法を実行することによって半導体パッケージの形成をプロセッサに開始させる、プロセッサが実行可能な命令を含む、コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月6日(2018.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明の好ましい実施態様は、本開示に記載され、本発明を実施するために本発明者らに知られたベストモードを含む。これらの好ましい実施態様の変形は、前記の記載を読んだ当業者に明らかとなるであろう。本発明者らは、当業者がこのような変形を必要に応じて用いることを予期し、本発明者らは、本発明が具体的に本開示に記載されたものと異なって実行されることを意図する。したがって、本発明は、適用可能な法律により許容された添付の特許請求の範囲に記載の内容の全ての改変及び均等を含む。さらに、これらの全ての可能な変形における上記の要素の任意の組み合わせは、本開示で別段の示唆がなく、又は文脈により明確に否定されない限り、本発明に包含される。
本開示は以下も包含する。
［１］  窒化チタン（ＴｉＮ）又はチタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ）バリア層を含む基材を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、方法が、基材と、液体キャリア中に懸濁された粒状研削材を含む酸性ＣＭＰ組成物とを接触させることを含み、液体キャリアが、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される界面活性剤を含む、方法。
［２］  粒状研削材が、コロイドシリカを含む、上記態様１に記載の方法。
［３］  粒状研削材が、アルミナを含む、上記態様１に記載の方法。
［４］  粒状研削材が、コロイドシリカとアルミナとの組み合わせを含む、上記態様１に記載の方法。
［５］  粒状研削材が、０．００１〜１０質量パーセント（質量％）の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、上記態様１に記載の方法。
［６］  界面活性剤が、１０〜５００００パーツ‐パー‐ミリオン（ｐｐｍ）の範囲の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、上記態様１に記載の方法。
［７］  界面活性剤が、アルキンジオールノニオン性界面活性剤を含む、上記態様１に記載の方法。
［８］  界面活性剤が、スルホネートアニオン性界面活性剤を含む、上記態様１に記載の方法。
［９］  アニオン性界面活性剤が、アルキルアリールスルホネートを含む、上記態様８に記載の方法。
［１０］  アルキルアリールスルホネートが、アルキルベンゼンスルホネートを含む、上記態様９に記載の方法。
［１１］  アルキルベンゼンスルホネートが、ドデシルベンゼンスルホネートを含む、上記態様１０に記載の方法。
［１２］  アニオン性界面活性剤が、モノアルキルスルホスクシネート、ジアルキルスルホスクシネート、又はこれらの組み合わせを含む、上記態様８に記載の方法。
［１３］  界面活性剤が、スルホネート界面活性剤、サルフェート界面活性剤、ホスホネート界面活性剤、及びホスフェート界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１種のアニオン性界面活性剤を含む、上記態様１に記載の方法。
［１４］  ＣＭＰ組成物のｐＨが、２〜７の範囲である、上記態様１に記載の方法。
［１５］  ＣＭＰ組成物が、酸化剤をさらに含む、上記態様１に記載の方法。
［１６］  酸化剤が、過酸化水素を含む、上記態様１５に記載の方法。
［１７］  過酸化水素が、０．０１〜５質量％の範囲の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、上記態様１６に記載の方法。
［１８］  摩耗させることが、ＣＭＰ研磨装置における研磨パッドと連動して達成される、上記態様１に記載の方法。
［１９］  ＣＭＰ組成物が、２〜７の範囲のｐＨにおいて、水性キャリア中に０．００１〜１０質量％の研削材と、１０〜５００００ｐｐｍのスルホネート界面活性剤と、０．０１〜５質量％の過酸化水素とを含む、上記態様１に記載の方法。
［２０］  スルホネート界面活性剤が、アルキルベンゼンスルホネートを含む、上記態様１９に記載の方法。
［２１］  アルキルベンゼンスルホネートが、ドデシルベンゼンスルホネートを含む、上記態様２０に記載の方法。
［２２］  スルホネート界面活性剤が、モノアルキルスルホスクシネート、ジアルキルスルホスクシネート、又はこれらの組み合わせを含む、上記態様１９に記載の方法。
［２３］  ＣＭＰ組成物が、２〜７の範囲のｐＨにおいて、水性キャリア中に０．００１〜１０質量％の研削材と、１０〜５００００ｐｐｍのノニオン性界面活性剤と、０〜５質量％の過酸化水素とを含む、上記態様１に記載の方法。
［２４］  ノニオン性界面活性剤が、アルキンジオールを含む、上記態様２３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化チタン（ＴｉＮ）又はチタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ）バリア層上に堆積した金属を含む基材を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、方法が、基材と、液体キャリア中に懸濁された粒状研削材を含む酸性ＣＭＰ組成物とを接触させることを含み、該粒状研削材は、アルミナを含みかつ平均粒子サイズ約１０〜約１５０ｎｍを有し、該液体キャリアは、界面活性剤を含み、該界面活性剤は、（Ｃ１０−Ｃ１４）アルキルベンゼンスルホネートとエトキシル化（Ｃ６−Ｃ１２）アルコールとの混合物を含み、該界面活性剤は、ＴｉＮ及びＴｉ／ＴｉＮが研磨される速度を抑制し、該組成物のｐＨは、約２〜約５の範囲である、方法。
【請求項２】
粒状研削材が、０．００１〜１０質量パーセント（質量％）の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
界面活性剤が、１０〜５００００パーツ‐パー‐ミリオン（ｐｐｍ）の範囲の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＣＭＰ組成物が、酸化剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
過酸化水素が、０．０１〜５質量％の範囲の濃度にてＣＭＰ組成物中に存在する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
摩耗させることが、ＣＭＰ研磨装置における研磨パッドと連動して達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ＣＭＰ組成物が、０．００１〜１０質量％の研削材と、１０〜５００００ｐｐｍのスルホネート界面活性剤と、０．０１〜５質量％の過酸化水素とを含む、請求項１に記載の方法。