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【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの照明デバイスと、
前記少なくとも１つの照明デバイスによって放出される光を受け取るために、前記少なくとも１つの照明デバイスに対して離隔した関係で位置決めされる植物と
を備える、人工照明下で植物を成長させるための園芸システムにおいて、
前記少なくとも１つの照明デバイスが、前記植物の色素のピーク吸収度から２０ナノメートル（ＮＭ）以内の第１の波長で光を放出する第１の照明素子と、前記第１の波長と異なる第２の波長で光を放出する第２の照明素子とを有し、
前記第１の照明素子からの光が第１の速度でパルスされ、前記第２の照明素子からの光が第２の速度でパルスされ、前記第１の照明素子からの光および前記第２の照明素子からの光がともに、光阻害率を減少させるために光合成電子伝達系の代謝回転時間に比例するオフ時間を有することを特徴とする、園芸システム。
【請求項２】
請求項１に記載の園芸システムにおいて、前記第１の照明素子が６５５ＮＭ〜７４０ＮＭの波長で光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項３】
請求項１に記載の園芸システムにおいて、前記第２の照明素子が４２５ＮＭ〜４６５ＮＭの波長で光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項４】
請求項１に記載の園芸システムにおいて、前記第２の照明素子が植物の色素のピーク吸収度から２０ＮＭ以内の波長で光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項５】
請求項４に記載の園芸システムにおいて、前記第１の照明素子が６５５ＮＭ〜７４０ＮＭ、および前記第２の照明素子が４２５ＮＭ〜４６５ＮＭであることを特徴とする、園芸システム。
【請求項６】
請求項１に記載の園芸システムにおいて、前記第２の照明素子が光合成の速度を上げるために、４９５ＮＭ〜５７０ＮＭの範囲内の光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項７】
請求項６に記載の園芸システムにおいて、前記第２の照明素子が、前記第１の照明素子の第１の暗い時間間隔または第２の暗い時間間隔中に光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項８】
請求項１に記載の園芸システムにおいて、前記第１の照明素子が発光ダイオードであることを特徴とする、園芸システム。
【請求項９】
請求項５に記載の園芸システムにおいて、光合成の速度を上げるために、４９５〜５７０ＮＭの範囲内の光を放出する第３の照明素子を有する少なくとも１つの照明デバイスをさらに備えることを特徴とする、園芸システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の園芸システムにおいて、前記第３の照明素子が、第１の暗い時間間隔または第２の暗い時間間隔中に光を放出することを特徴とする、園芸システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の園芸システムにおいて、前記第１、第２、および第３の照明素子が同じ照明デバイスにおけるものであることを特徴とする、園芸システム。
【請求項１２】
植物を成長させる方法において、
少なくとも１つの人工光源から第１の光を放出するステップであって、前記第１の光が、前記植物の色素のピーク吸収度から２０ナノメートル（ＮＭ）以内の波長を有する、ステップと、
少なくとも１つの人工光源から第２の光を放出するステップと、
前記植物中の光合成電子伝達系の代謝回転時間に比例するオフ時間で前記第１および第２の光をパルスするステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの照明デバイスと、
前記少なくとも１つの照明デバイスによって放出される光を受け取るために、前記少なくとも１つの照明デバイスに対して離隔した関係で位置決めされる植物と
を備える、人工照明下で植物を成長させるための園芸システムにおいて、
前記少なくとも１つの照明デバイスが、前記植物の色素のピーク吸収度から２０ナノメートル（ＮＭ）以内の波長で光を放出する第１の照明素子を有し、
前記第１の照明素子からの光が、第１、第２、第３、および第４の照明時間間隔中に放出され、第１の暗い時間間隔が、前記第１の照明時間間隔と前記第２の照明時間間隔との間に提供され、第２の暗い時間間隔が、前記第２の照明時間間隔と前記第３の照明時間間隔との間に提供され、および第３の暗い時間間隔が、前記第３の照明時間間隔と前記第４の照明時間間隔との間に提供され、
前記第１の暗い時間間隔と前記第２の暗い時間間隔と前記第３の暗い時間間隔とが異なる時間量であることを特徴とする、園芸システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムにおいて、前記第１、第２、第３、および第４の照明時間間隔が繰り返しサイクルであることを特徴とする、システム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のシステムにおいて、前記第４の照明時間間隔の後であって、次の第１の照明時間間隔の前に、第４の暗い時間間隔をさらに備えることを特徴とする、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月2日(2018.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１及び２、配列番号３及び４、並びに配列番号７及び８からなる群から選択される少なくとも１つのプライマー対を含む、組成物。
【請求項２】
配列番号１〜４及び７〜８を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
配列番号５、６及び９からなる群から選択される少なくとも１つのプローブをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ａ）配列番号１及び２、ならびに
ｂ）配列番号３及び４
を含む、プライマー対のセットを含む、組成物。
【請求項５】
配列番号５、６及び９からなる群から選択される少なくとも１つのプローブをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
配列番号７及び８のプライマー対をさらに含む、請求項４又は５に記載の組成物。
【請求項７】
配列番号１〜９の核酸を含む組成物。
【請求項８】
列挙した配列番号の１つ以上が標識を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
標識がフルオロフォアを含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
配列番号１０〜３６からなる群から選択される１つ以上の核酸配列をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
反応混合物である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
反応混合物が試料を含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
試料が、マイコバクテリウム・ツベルクロシス（ｍｙｃｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ  ｔｕｂｅｒｃｕｌｏｓｉｓ）（ＭＴＢ）標的核酸を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
ａ）請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物、及び
ｂ）核酸増幅反応を実施するための少なくとも１種の試薬
を含む、キット。
【請求項１５】
生体試料中のマイコバクテリウム・ツベルクロシス（ＭＴＢ）核酸を識別する方法であって、
ａ）対象由来の生体試料を、配列番号１〜９の核酸プライマー又はプローブと接触させるステップ、及び
ｂ）核酸プライマー又はプローブによる前記ＭＴＢ核酸との結合を検出するステップ
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応成分を電荷センサに付着させる方法において、
(a) 複数個の電荷センサであって、前記電荷センサのそれぞれが複数の反応成分を付着させる能力を有する、該複数個の電荷センサを備える固体支持体を準備するステップと、
(b) 複数の特定タイプの反応成分であって、前記複数の特定タイプの前記反応成分のそれぞれが忌避部分に結合する、該複数の特定タイプの反応成分を含む流体を準備するステップと、並びに
(c)以下の条件、すなわち、
(i)   前記複数の特定タイプの反応成分が前記複数個の電荷センサに流体連通する、
(ii)  前記固体支持体における前記電荷センサの個数より多い数の前記特定タイプの反応成分が前記流体内に存在する、
(iii) 前記流体から前記特定タイプの反応成分が前記電荷センサに付着する、及び
(iv)  前記反応成分のそれぞれに結合した前記忌避部分により、前記複数の反応成分における１つより多い数の反応成分が前記各電荷センサに付着するのを阻害する
という条件下で、前記固体支持体に前記流体を接触させるステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記反応成分のタイプは、核酸酵素とする、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記忌避部分は核酸又は核酸ナノボールを有するものとする、方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法において、前記核酸酵素はポリメラーゼとする、方法。
【請求項５】
請求項２記載の方法において、前記反応成分は、少なくとも２つの異なるタイプのポリメラーゼを有するものとし、前記異なるタイプのポリメラーゼが、前記固体支持体の個別の電荷センサに付着する、方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、前記異なるタイプのポリメラーゼは、同一タイプのヌクレオチドを新生核酸ストランドに取り込むとき、前記電荷センサが検出可能な相互に区別できるシグナルを生成する、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記反応成分のタイプは、受容体、リガンド、核酸、及び酵素からなるグループから選択されるものとする、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記忌避部分は、
ａ）前記複数の反応成分のうち１つより多い数の反応成分が前記各電荷センサに付着するのを立体的に妨害する空間容積部を占め、又は
ｂ）前記複数の反応成分のうち１つより多い数の反応成分が前記各電荷センサに付着するのを静電的に妨害する電荷極性を有する、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記各電荷センサは、前記特定タイプの反応成分のうち２つより多くの数の反応成分を付着する能力を有する、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、さらに、前記反応成分が前記電荷センサに付着した後に、結合した忌避部分を前記反応成分から除去するステップを有する、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記結合した忌避部分を前記反応成分から除去する前、かつ前記反応成分が前記電荷センサに付着した後に、前記流体を前記固体支持体から除去する、方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、前記ステップ(c) の後に、少なくとも５０％の前記電荷センサに、前記特定タイプの単一反応成分が付着する、方法。
【請求項１３】
請求項１記載の方法において、前記特定タイプの反応成分は、電界を印加することによって前記電荷センサに能動的に輸送される、方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法において、前記特定タイプの反応成分は、導電性テザーの形成によって前記流体から前記電荷センサに付着する、方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、前記導電性テザーは、ドープしたポリチオフェン、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリピレン、ポリアズレン、ポリナフタレン、ポリカルバゾール、ポリインドール、又はポリアゼピンを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
不連続受信(DRX)を有効化するステップと、
信号を受信するステップと、
DRXが有効化されているときのDRX同期外れ状態を識別するステップであって、前記DRX同期外れ状態の前記識別が前記受信された信号に少なくとも部分的に基づく、ステップと、
前記DRX同期外れ状態の前記識別の結果として、DRXを無効化するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記DRX同期外れ状態の前記識別が、DRXに関してアクセス端末およびサービング基地局が同期外れであると判定することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記DRX同期外れ状態が、アクセス端末が、サービング基地局によって使用されているDRXの第2のサブフレームインデックスとは異なるDRXの第1のサブフレームインデックスを使用することを含み、前記方法が、
前記サービング基地局によって使用されている前記DRXの第2のサブフレームインデックスの値を判定するステップと、
前記アクセス端末によって使用されている前記DRXの第1のサブフレームインデックスを、前記判定された値に設定するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記値の前記判定が、
DRXが無効化されている間に非アクティビティカウンタを開始することと、
制御信号が受信されるまで、前記非アクティビティカウンタの満了時にDRXを無効化されたままにすることと、
前記制御信号が受信されるサブフレームを識別することと
を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記DRX同期外れ状態の前記識別が、
肯定応答が無線リンクチャネル上で受信されていないと判定することと、
物理レイヤ肯定応答が受信されていると判定することと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記DRX同期外れ状態が、アクセス端末がDRXを有効化している一方で、サービング基地局がDRXを有効化していないことを含み、前記方法が、
DRXを有効化する指示が受信されるまで、DRXを無効化されたままにするステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記受信された信号が、DRXの間の情報損失に関連付けられる、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための装置であって、
不連続受信(DRX)を有効化するための手段と、
信号を受信するための手段と、
DRXが有効化されているときのDRX同期外れ状態を識別するための手段であって、前記DRX同期外れ状態の前記識別が前記受信された信号に少なくとも部分的に基づく、手段とを備え、
DRXを有効化するための前記手段が、前記DRX同期外れ状態の前記識別の結果として、DRXを無効化するように構成される、
装置。
【請求項９】
前記DRX同期外れ状態の前記識別が、DRXに関してアクセス端末およびサービング基地局が同期外れであると判定することを含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記DRX同期外れ状態が、アクセス端末が、サービング基地局によって使用されているDRXの第2のサブフレームインデックスとは異なるDRXの第1のサブフレームインデックスを使用することを含み、前記装置が、
前記サービング基地局によって使用されている前記DRXの第2のサブフレームインデックスの値を判定するための手段と、
前記アクセス端末によって使用されている前記DRXの第1のサブフレームインデックスを、前記判定された値に設定するための手段と
をさらに備える、請求項8に記載の装置。
【請求項１１】
前記値の前記判定が、
DRXが無効化されている間に非アクティビティカウンタを開始することと、
制御信号が受信されるまで、前記非アクティビティカウンタの満了時にDRXを無効化されたままにすることと、
前記制御信号が受信されるサブフレームを識別することと
を含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
前記DRX同期外れ状態の前記識別が、
肯定応答が無線リンクチャネル上で受信されていないと判定することと、
物理レイヤ肯定応答が受信されていると判定することと
を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１３】
前記DRX同期外れ状態が、アクセス端末がDRXを有効化している一方で、サービング基地局がDRXを有効化していないことを含み、
DRXを有効化するための前記手段が、DRXを有効化する指示が受信されるまで、DRXを無効化されたままにするように構成される、
請求項8に記載の装置。
【請求項１４】
前記受信された信号が、DRXの間の情報損失に関連付けられる、請求項8に記載の装置。
【請求項１５】
請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法を実施するように構成された命令を含むコンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定された歯科用補綴物のためのエノスザールな単一義歯移植であって、
ａ．顎骨内の穿孔内に挿入可能であり、環状凹部（１６）及び穿孔（１２）を有し、冠状の端部に向かって開き、環状凹部（１６）へ先端方向に配置され、留めねじを固定するために基体内の先端部に配置されるねじ部（１４）を有する、実質的に円筒形状の基体（１０）であり、前記環状凹部（１６）は、誘導部（１８）、前記誘導部（１８）に冠状方向に配置される適合部（２０）、及び冠状方向に配置される端部（２２）を有する前記基体（１０）、
ｂ．前記基体の凹部（１６）内に挿入可能な隣接部（５０）は、適合部（５６）、誘導部（５４）、短部（２２））前記留めねじを収容するための穿孔、及び前記歯科用補綴物のための固定ヘッド（６６）を有し、並びに
ｃ．前記基体（１０）の前記穿孔内に挿入可能であり、かつ、前記隣接部を横断する留めねじ（７０）を有し、
前記基体（１０）の適合部（２０）及び前記隣接部（５０）の適合部（５６）は、形状において、互いに相補い、
前記基体（１０）の適合部（２０）は、円周方向に作動する少なくとも１つの基体適合要素（２６）を有し、前記隣接部（５０）の適合部（５６）は、前記基体適合要素（２６）の形状と相補う少なくとも１つの隣接適合要素（５２）を有し、
前記隣接部（５０）は、各適合要素（２６；５２）が相互に係合する様に、前記基体（１０）の環状凹部（１６）内に挿入可能であり、
互いに相補う前記適合要素（２６；５２）は、溝及びトングが接続した前記隣接部（５０）の適合溝（５２）に構成されるのを補う、半径方向に内側に向かう３つのトングバー（２６）の形態により構成され、
前記相補う適合要素（２６；５２）に加えて、円周方向に作動する少なくとも１つのねじ込み式要素（３０）は、前記誘導部（１８）、適合部（２０）、及び端部（２２）の１つ内の内側の多角面状におけるねじ込み式工具の係合のために、設けられる、エノスザールな単一義歯移植。
【請求項２】
２つ〜６つ、特に３つまたは４つの円周方向に作動する前記ねじ込み式要素（３０）の各々は、前記基体（１０）内の内側の多角面状に設計される、請求項１に記載の単一義歯移植。
【請求項３】
３つまの円周方向に作動する前記ねじ込み式要素（３０）の各々は、前記基体（１０）内の３つまたは４つの適合要素と交互に円周方向に配置される、請求項１または２に記載の単一義歯移植。
【請求項４】
前記基体（１０）の前記適合部（２０）は、中が空洞の円錐台状に形成され、前記中が空洞の円錐台の縦軸は、前記基体の縦軸と同軸であり、かつ、前記隣接部（５０）は、前記中が空洞の円錐台に対応する円錐台を有する、または、前記基体（１０）の前記適合部（２０）は、中が空洞の円筒形状に形成され、前記中が空洞の円筒形状の縦軸は、前記基体の縦軸と同軸であり、かつ、前記隣接部（５０）は、前記中が空洞の円筒形状に対応する外側の円筒形状部分を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の単一義歯移植。
【請求項５】
前記トングバー（２６）は、前記基体の空洞から機械的または電気化学的に切除された棒の形態を有する、請求項１〜４の何れか一項に記載の単一義歯移植。
【請求項６】
前記トングバー（２６）は、穿孔内または溝内に保持されたピン（２４）の形態を有する、請求項５に記載の単一義歯移植。
【請求項７】
前記基体及び前記隣接部の前記円周に関して互いに相補う前記適合要素は、調整された角度の間隔を有する、請求項１〜６の何れか一項に記載の単一義歯移植。
【請求項８】
雌型適合要素の数は、雄型適合要素の数よりも多い、請求項１〜７の何れか一項に記載の単一義歯移植。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療用機器であって、
イメージングゾーン内の被験者から磁気共鳴データを取得する磁気共鳴イメージングシステムと、
前記イメージングゾーン内のイオン化放射線ビームでターゲットゾーンを照射する外部ビーム放射線治療システムと、
機械実行可能命令を記憶するメモリと、
前記医療用機器を制御するプロセッサとを有し、前記命令の実行は前記プロセッサに、
前記磁気共鳴イメージングシステムを用いて前記被験者から第１の磁気共鳴データを取得させ、
前記第１の磁気共鳴データから第１の磁気共鳴画像を再構成させ、
計画データを受け取らせ、前記計画データは前記ターゲットゾーンの空間依存放射線線量を指定し、
前記計画データを前記第１の磁気共鳴画像にレジストレーションさせ、
前記命令の実行は前記プロセッサに、
前記空間依存放射線線量と前記第１の磁気共鳴画像とを用いて、外部ビーム線量計画と小線源治療線量計画とを計算させ、
前記外部ビーム線量計画は前記外部ビーム放射線治療システムを用いて前記ターゲットゾーンを照射する計画またはコマンドであり、
前記小線源治療線量計画は、小線源治療を用いて前記ターゲットゾーンを照射する計画であり、前記小線源治療線量計画は、小線源治療カテーテルに取り付けられた放射能源の位置と、前記放射能源が前記位置に留まる時間とを含む、ことを特徴とする、
医療用機器。
【請求項２】
前記命令の実行は、さらに、前記プロセッサに、
前記外部ビーム放射線治療システムを制御して、前記外部ビーム線量計画により前記被験者を照射する外部ビーム放射線治療システムの制御データを生成させ、
前記ターゲットゾーンを、前記外部ビーム放射線治療システムを前記外部ビーム放射線治療システムの制御データで制御することにより、照射させる、
請求項１に記載の医療用機器。
【請求項３】
前記命令の実行は、前記プロセッサに、
モニタリング磁気共鳴データを、前記ターゲットゾーンを含む視野から取得させ、
前記モニタリング磁気共鳴データからモニタリング磁気共鳴画像を再構成させる、
請求項１または２に記載の医療用機器。
【請求項４】
前記命令の実行は、前記プロセッサにさらに反復的に、
前記モニタリング磁気共鳴画像を前記外部ビーム線量計画にレジストレーションさせ、
前記モニタリング磁気共鳴画像と前記外部ビーム放射線治療システムの制御データとを用いて、蓄積線量及び／又は放射線生物作用を計算させ、
前記蓄積線量及び／又は前記放射線生物作用及び前記空間依存放射線線量を用いて、前記外部ビーム線量計画及び／又は前記小線源治療線量計画への修正を計算させる、
請求項３に記載の医療用機器。
【請求項５】
前記命令の実行はさらに、前記プロセッサに反復的に前記モニタリング磁気共鳴画像をディスプレイに表示させる、請求項３または４に記載の医療用機器。
【請求項６】
前記医療用機器はさらに小線源治療カテーテルを前記被験者に挿入する小線源治療カテーテル挿入システムを含み、前記医療用機器はさらに前記小線源治療カテーテルを用いる前記被験者への放射線源の挿入と取り除きを制御する放射線源コントローラを含み、前記命令の実行はさらに前記プロセッサに、前記小線源治療カテーテル挿入システムを用いて前記小線源治療カテーテルの挿入中に、前記モニタリング磁気共鳴データを取得させる、請求項５に記載の医療用機器。
【請求項７】
前記小線源治療カテーテル挿入システムはロボットであって、前記命令の実行はさらに、前記プロセッサに、前記小線源治療カテーテルの挿入を自動的に制御させる、
請求項５または６に記載の医療用機器。
【請求項８】
前記命令の実行はさらに、前記プロセッサに、
前記小線源治療カテーテルの配置中に前記モニタリング磁気共鳴データを取得させ、
前記モニタリング磁気共鳴データを用いてカテーテル位置を決定させ、
前記モニタリング磁気共鳴画像を前記第１の磁気共鳴画像にレジストレーションさせ、
前記カテーテル位置を前記ディスプレイ上に前記第１の磁気共鳴画像にスーパーインポーズして表示させる、
請求項５、６、または７に記載の医療用機器。
【請求項９】
前記医療用機器は前記小線源治療カテーテルを含む、
請求項６乃至８いずれか一項に記載の医療用機器。
【請求項１０】
前記命令の実行は、前記プロセッサに、
（ｉ）前記外部ビーム放射線治療システムと前記放射線源コントローラとを同時に用いて、前記ターゲットゾーンへの照射を行わせ、または
（ｉｉ）第１に前記外部ビーム放射線治療システムを用いて前記ターゲットゾーンへの照射を行わせ、第２に前記放射線源コントローラを用いて前記ターゲットゾーンへの照射を行わせる、
請求項６乃至９いずれか一項に記載の医療用機器。
【請求項１１】
前記メモリはさらに、カテーテルによるイオン化放射線の減衰を記述するカテーテル減衰モデルを含み、
前記命令の実行はさらに、前記プロセッサに、少なくとも部分的に前記カテーテル減衰モデルを用いて前記外部ビーム線量計画を計算させる、
請求項６乃至８いずれか一項に記載の医療用機器。
【請求項１２】
医療用機器を制御するプロセッサにより実行されるコンピュータプログラムであって、前記医療用機器は、イメージングゾーン内の被験者から磁気共鳴データを取得する磁気共鳴イメージングシステムを含み、前記医療用機器はさらに、前記イメージングゾーン内のイオン化放射線ビームでターゲットゾーンを照射する外部ビーム放射線治療システムを含み、
前記プロセッサに、
前記磁気共鳴イメージングシステムを用いて前記被験者から第１の磁気共鳴データを取得させ、
前記第１の磁気共鳴データから第１の磁気共鳴画像を再構成させ、
計画データを受け取らせ、前記計画データは前記ターゲットゾーンの空間依存放射線線量を指定し、
前記計画データを前記第１の磁気共鳴画像にレジストレーションさせ、
前記プロセッサに、
前記空間依存放射線線量と前記第１の磁気共鳴画像とを用いて、外部ビーム線量計画と小線源治療線量計画とを計算させ、
前記外部ビーム線量計画は前記外部ビーム放射線治療システムを用いて前記ターゲットゾーンを照射する計画またはコマンドであり、
前記小線源治療線量計画は、小線源治療を用いて前記ターゲットゾーンを照射する計画であり、前記小線源治療線量計画は、小線源治療カテーテルに取り付けられた放射能源の位置と、前記放射能源が前記位置に留まる時間とを含む、ことを特徴とする、
コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベッド上の人をモニタリングするためのモニタリングシステムであって、
前記ベッド上の人の画像のセットを得るためのカメラと、
前記カメラに接続されている入力部を有する動きベクトル推定器であって、時間間隔中に得られた前記画像のセットの各連続する画像内の位置の関数として動きベクトルを決定するよう構成されている動きベクトル推定器と、
前記動きベクトル推定器に接続されている入力部を有する信号処理システムと、
を有し、
前記信号処理システムは、
各連続する画像内で、（ｉ）前記ベッド上の前記人の身体領域に関連付けられる、各それぞれの画像内のブロックについての画像位置のマップを決定し、（ｉｉ）決定された前記画像位置のマップから、前記ベッド上の前記身体領域の主軸の方向を決定し、ここで、前記方向は、前記主軸の前記方向に沿った前記ベッド上の前記身体領域のサイズが、全ての他の方向における前記ベッド上の前記身体領域のサイズよりも大きい、又は少なくとも小さくはないことにより決定され、前記ベッド上の前記身体領域の前記主軸の前記方向は、前記ベッドの長手方向からの前記主軸のずれに応じて適応可能であり、
前記ベッド上の前記人の寝返り動きの尺度を算出し、ここで、前記ベッド上の前記人の前記寝返り動きの尺度の前記算出は、（ｉ）（ｉ）（ａ）前記ベッド上の前記身体領域の前記主軸の前記方向と、（ｉ）（ｂ）前記ベッド上の前記身体領域の前記主軸の前記方向に垂直である、各それぞれの画像内の各ブロックの決定された前記動きベクトルの成分と、を使用することと、（ｉｉ）次いで、前記画像のセットの各連続する画像内の、前記ベッド上の前記人の前記身体領域に関連付けられたそれぞれの前記画像位置のマップからの前記ブロックにわたって、前記成分を合計することと、を含み、
前記人の算出された前記寝返り動きの尺度に基づいて、前記ベッド上の前記人の姿勢状態変化を検出する
よう構成されている、モニタリングシステム。
【請求項２】
前記信号処理システムは、
各連続する画像内で、各それぞれの画像を撮影した時点を含む又は前記時点に隣接する時間ウィンドウ中に撮影された、前記カメラからの前記画像のセットにおける画像コンテンツ変化に基づいて、前記身体領域に関連付けられる前記画像位置を決定する
ようさらに構成されている、請求項１記載のモニタリングシステム。
【請求項３】
前記信号処理システムは、
前記寝返り動きの尺度が予め定められた動き量未満であることを示す時間間隔を検出し、
検出された前記時間間隔のうちの連続する時間間隔に、各々、該時間間隔の周囲のさらなる時間間隔における前記寝返り動きの尺度のしるし、及び／又は、検出された前記時間間隔が生じた一連の時間間隔における該時間間隔の位置、に基づいて、異なる姿勢状態を割り当てる
ようさらに構成されている、請求項１記載のモニタリングシステム。
【請求項４】
前記姿勢状態は、うつ伏せ姿勢状態、仰向け姿勢状態、及び横向き姿勢状態を含み、前記信号処理システムは、前記時間間隔の間の前記寝返り動きの尺度の累積サイズ、及び／又は、前記時間間隔の間の持続時間、を使用して、前記うつ伏せ姿勢状態と前記仰向け姿勢状態との間の直接的遷移と、前記うつ伏せ姿勢状態又は前記仰向け姿勢状態から前記横向き姿勢状態への遷移と、を使用することの間で選択するようさらに構成されている、請求項３記載のモニタリングシステム。
【請求項５】
前記信号処理システムは、前記時間間隔の間の前記寝返り動きの尺度のしるしを使用して、左横向き姿勢状態と右横向き姿勢状態とへの遷移を使用することの間で選択するようさらに構成されている、請求項４記載のモニタリングシステム。
【請求項６】
前記信号処理システムは、前記カメラからの画像に基づいて、顔検出及び／又は呼吸検出を実行し、顔検出及び／又は呼吸検出の結果に基づいて、割り当てられた前記姿勢状態の部分を設定するようさらに構成されている、請求項３記載のモニタリングシステム。
【請求項７】
前記信号処理システムは、（ｉ）予め定められた姿勢状態が割り当てられているとき、且つ／又は、（ｉｉ）同じ姿勢状態が、予め定められた時間間隔を超える間、割り当てられたままであるとき、アラート信号を生成するようさらに構成されている、請求項３記載のモニタリングシステム。
【請求項８】
前記信号処理システムは、前記カメラからの画像に基づいて、呼吸検出を実行し、（ｉ）予め定められた範囲内のパラメータを伴う呼吸が検出されなかったこと、及び／又は、（ｉｉ）検出された呼吸パラメータの変化が、前記予め定められた姿勢状態が割り当てられている間に検出されたこと、を条件として、前記アラート信号を生成するようさらに構成されている、請求項７記載のモニタリングシステム。
【請求項９】
前記信号処理システムは、前記身体領域内の前記画像位置の少なくとも予め定められた一部における動きベクトル又はこの一部が、閾サイズを超えているかどうかを検出し、そうでない場合、前記寝返り動きの尺度を低減するようさらに構成されている、請求項１記載のモニタリングシステム。
【請求項１０】
前記信号処理システムは、前記身体領域内の前記画像位置の少なくとも第１の予め定められた一部における動きベクトルが、閾サイズを超えているかどうかと、前記主軸に沿った前記身体領域の第１の端部における前記画像位置の少なくとも第２の予め定められた一部における動きベクトルが、前記閾サイズを超えているかどうかと、を検出し、両方ともそうでない場合、前記寝返り動きの尺度を低減するようさらに構成されている、請求項１記載のモニタリングシステム。
【請求項１１】
前記信号処理システムは、時間の関数として、それぞれの位置からの動きベクトルの合計を累積し、累積された前記合計をローパスフィルタリングすることにより、前記寝返り動きの尺度を決定するようさらに構成されている、請求項１記載のモニタリングシステム。
【請求項１２】
前記信号処理システムは、前記主軸の前記方向に依存する顔検出及び／又は心拍検出のために、前記カメラからの画像内の関心領域を選択するようさらに構成されている、請求項２記載のモニタリングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動脈を治療するためのデバイスのシステムであって、
動脈中に介入カテーテルを導入するように構成された動脈アクセスシースであって、動脈アクセスシースは、頸動脈アクセスサイトを介して総頸動脈中に導入される寸法および形状にされたシース本体を含み、第１の細長い本体が前記総頸動脈中に配置されたときに、前記シース本体が、カテーテルを前記総頸動脈に導入するための通路を提供する内腔を画定し、前記シース本体は、近位部および前記近位部より柔軟な最遠位部を有し、前記シース本体の全長に対する前記最遠位部の全体長さの比が、前記シース本体の全長の１／１０〜１／２である、動脈アクセスシースと、
前記シース本体の内腔内に配置可能な細長い拡張器であって、前記動脈アクセスシースおよび前記拡張器を共に前記総頸動脈中に導入することができる、拡張器と、
頸動脈アクセスサイトを介して、前記動脈アクセスシースの内腔を通って総頸動脈中に導入される寸法および形状にされた細長いカテーテル本体から形成されたカテーテルであって、前記カテーテル本体が前記頸動脈中の前記アクセス位置を介して前記総頸動脈を通って頭蓋内動脈の遠位に進められる寸法および形状にされ、前記カテーテル本体が４０ｃｍ〜７０ｃｍの長さを有し、前記カテーテル本体が最近位部および最遠位部を有し、前記最近位部は前記カテーテル本体の最も硬い部分であり、前記カテーテル本体は、使用中に前記最遠位部が頭蓋内動脈中に配置可能で且つ前記最近位部の少なくとも一部が前記総頸動脈中に配置されるような全長および最遠位部長さを有する、カテーテルと、を含むシステム。
【請求項２】
前記カテーテル本体の前記最遠位部が、５ｃｍ〜１５ｃｍの長さである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記カテーテルが、１１５ｃｍの長さおよび０．０５８インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも８５％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記介入カテーテルが、１０５ｃｍの長さおよび０．０７２インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも７１％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記カテーテル本体が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体に対し、少なくとも２０５ｍＬ／分の実際の吸引速度を達成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記カテーテル本体が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体に対し、少なくとも３２１ｍＬ／分の実際の吸引速度を達成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記介入カテーテルが、１１５ｃｍの長さおよび０．０５８インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも５９％大きい実際の吸引速度を達成することができる、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記介入カテーテルが、１０５ｃｍの長さおよび０．０７２インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも２３％大きい実際の吸引速度を達成することができる、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記シース本体は、前記シース本体の遠位領域が、前記シース本体の近位領域の大きい直径に比べて縮小された直径を有するように、階段状になっており、
同様に、前記カテーテル本体は、前記カテーテル本体の遠位領域が、前記カテーテル本体の近位領域の大きい直径に比べて縮小された直径を有するように、階段状になっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記カテーテル本体の内径および外径の両方が階段状になっている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記カテーテル本体の近位領域の前記大きい直径が、前記カテーテル本体の遠位領域の直径より１０〜２５％大きい直径を有する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記カテーテル本体の遠位領域が、１０〜２５ｃｍの長さである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記介入カテーテルが、１１５ｃｍの長さおよび０．０５８インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも１７９％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記介入カテーテルが、１０５ｃｍの長さおよび０．０７２インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも１２８％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記カテーテルが、前記動脈アクセスシースの長手方向軸に沿って前記動脈アクセスシースの遠位端から遠位方向に伸縮自在に伸びて、前記動脈アクセスシースと前記カテーテルとの間で連続的な内腔を形成することができるように、前記カテーテルが、前記動脈アクセスシースに伸縮自在に取り付けられており、
前記カテーテルが、前記動脈アクセスデバイスの遠位端を越えて伸びないように伸縮自在に後退することができる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記シース本体が、１５〜３０ｃｍの長さであり、前記カテーテルが１０〜１５ｃｍの長さである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記介入カテーテルが、１１５ｃｍの長さおよび０．０５８インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも３３７％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記介入カテーテルが、１０５ｃｍの長さおよび０．０７２インチの直径の内腔を有するカテーテルの吸引速度よりも、少なくとも２５１％大きい吸引速度を達成することができ、吸引速度が、体温でのヒト血液の粘度を有する流体によるチューブ中の層流に対するポアズイユの法則に基づき計算される、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源を駆動するように構成されたコントローラと、
前記コントローラと通信し、前記光源の少なくとも一つの可変特性の履歴と前記光源の少なくとも一つの固定特性との中、少なくともいずれかを与える少なくとも一つのパラメータを保存するように構成されたメモリと、を有し、
前記少なくとも一つの固定特性は、光源温度/輝度グラフ曲線、光源駆動電流/輝度グラフ曲線、及び、光源電流/電圧グラフ曲線のいずれか１又は２以上にあたり、
前記コントローラは、保存された前記可変特性の履歴、前記固定特性の値又は両方に従って前記光源を駆動するように構成されていることを特徴とする照明システム。
【請求項２】
前記可変特性は、光源温度、環境温度、光源駆動電流、光源ストリング駆動電流、光源駆動期間、光源輝度及び光源劣化のいずれか１又は２以上にあたることを特徴とする請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記光源の第１位置における前記光源温度又は前記環境温度を測定するように構成された第１温度センサをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記光源の第２位置における前記光源温度を測定するように構成された第２温度センサをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記第１位置、前記第２位置又は両方の位置での前記光源温度の履歴から経年劣化パラメータを計算するように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の照明システム。
【請求項６】
前記コントローラは、前記光源の任意の部分の前記光源温度が所定の閾値に到達した場合には、前記光源への電力供給を遮断するように構成されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項７】
前記コントローラは、前記光源の経年劣化を前記光源駆動電流から計算するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項８】
前記メモリは、前記メモリ内に経年劣化パラメータとして前記光源の経年劣化の履歴を保存するように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の照明システム。
【請求項９】
前記固定特性は、光源温度閾値、光源駆動電流閾値、前記光源を一意的に特定する光源シリアルナンバー、光源インダクタンス、光源キャパシタンス、及び、光源回路配置情報のいずれか１又は２以上にさらにあたることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、光源回路配置情報に従って前記光源を構成する個々の構成要素の電力散逸を計算するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記光源を構成する個々の構成要素を独立して駆動するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記コントローラは、前記光源回路配置情報に従って前記光源を構成する各構成要素を流れる電流を測定し、少なくとも２つの前記構成要素に流れる電流が等しくなるように前記光源を駆動するように構成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の照明システム。
【請求項１３】
（ｉ）前記コントローラは、光源キャパシタンス特性及び／又はインダクタンス特性に従って光源パルスの立ち上がり及び立ち下がりエッジを計算するように構成されていること、
（ｉｉ）前記コントローラと前記光源との間の電力接続は、前記光源へ駆動電流を供給するように構成されていること、
（ｉｉｉ）前記コントローラと前記光源との間の電力接続は、前記光源へ駆動電流を供給するように構成され、前記電力接続は、前記メモリへのデータ入出力及び／又は前記メモリへの電力を伝送するように構成されていること、
（ｉｖ）前記メモリは、前記光源に必須であること、
（ｖ）前記光源の近くの被検体の存在を検出するように構成された近接センサを更に有すること、
（ｖｉ）前記光源の近くの被検体の存在を検出するように構成された近接センサを更に有し、前記コントローラは、前記近接センサに応じて前記光源を駆動すること、
の少なくとも１つが適用されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１４】
前記光源の計算された前記経年劣化は、前記経年劣化の補償のために用いられることを特徴とする請求項７又は８に記載の照明システム。
【請求項１５】
前記光源の計算された前記経年劣化は、前記光源の交換が必要となる時期を予測するために用いられることを特徴とする請求項７、８又は１４に記載の照明システム。
【請求項１６】
前記コントローラは、温度測定を用いて前記光源の過駆動の量を増加させ又は最大化させるように構成されていることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１７】
前記温度測定は、温度変化によって引き起こされる前記光源の複数の特性の変化に対する補償に利用可能であることを特徴とする請求項１６に記載の照明システム。
【請求項１８】
前記コントローラは、前記光源の出力特性を利用して前記光源の出力を線形化するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の照明システム内で利用されるように構成されていることを特徴とする照明コントローラ。
【請求項２０】
マシンビジョンシステムで利用されるように構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の照明コントローラ。
【請求項２１】
（ｉ）光源の第１の位置における光源温度又は環境温度を測定する処理と、
（ｉｉ）測定温度の履歴、及び/又は、ａ）光源温度/輝度グラフ曲線、ｂ）光源駆動電流/輝度グラフ曲線、及び、ｃ）光源電流/電圧グラフ曲線のいずれか１又は２以上にあたる前記光源の固定特性を与える少なくとも一つのパラメータを保存する処理と、
（ｉｉｉ）保存された前記測定温度の履歴、前記固定特性の値又は両方に従って前記光源を駆動する処理と、を有することを特徴とする光源制御方法。
【請求項２２】
前記パラメータは、前記光源をその公称最大駆動電流及び／又は最大駆動電圧を超えて駆動するために利用される前記光源の過駆動のレベルを決定するために利用されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記光源の動作温度を測定し、前記測定温度から前記過駆動のレベルを決定することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記パラメータとして前記光源の駆動電流の履歴を保存し、前記光源の経年劣化を判断するために前記パラメータを前記光源の温度と共に利用することを特徴とする請求項２１乃至２３のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスで形成した基板ベースと、
前記基板ベース上に配置し、結晶方位を有する第１中間層であって、窒化ケイ素の層と、該窒化ケイ素の層上に配置した第１ＭｇＯ層と、該第１ＭｇＯ層上に配置した分離第２ＭｇＯ層と、を備え、該第２ＭｇＯ層は前記第１ＭｇＯ層に対してよりも高度な結晶方位を有する、第１中間層と、
前記第１中間層上に配置した第１配向性超伝導体層と、
前記第１配向性超伝導体層の一部の上に配置した第１導電細条であって、前記第１導電細条の下側に前記第１配向性超伝導体層の第１超伝導体領域、及び前記第１超伝導体領域に隣接する前記第１配向性超伝導体層の第１露出領域を画定する、該第１導電細条と、
を備え、
前記第１導電細条は蛇行パターンを有する、集積超伝導体デバイス。
【請求項２】
前記第１配向性超伝導体層の前記第１露出領域は、非超伝導体の不完全超伝導体材料を有する、請求項１記載の集積超伝導体デバイス。
【請求項３】
さらに、前記第１導電細条及び前記第１露出領域上に配置した保護コーティングを備える、請求項１記載の集積超伝導体デバイス。
【請求項４】
前記基板ベースは第１側面及び第２側面を有し、前記第１導電細条を前記第１側面に配置する請求項１記載の集積超伝導体デバイスにおいて、前記集積超伝導体デバイスは、さらに、
前記第２側面における基板ベース上に配置した第２中間層であって、結晶方位を有する、該第２中間層と、
前記第２中間層上に配置した第２配向性超伝導体層と、
前記第２配向性超伝導体層の一部の上に配置した第２導電細条であって、前記第２導電細条の下側における前記第２配向性超伝導体層の第２超伝導体領域、及び保護領域に隣接する前記第２配向性超伝導体層の第２露出領域を画定し、前記第１導電細条に電気的に接続する、該第２導電細条と、
を備える、集積超伝導体デバイス。
【請求項５】
前記第１及び第２の導電細条はバイファイラ巻線構造を有する、請求項４記載の集積超伝導体デバイス。
【請求項６】
前記第１及び第２の導電細条は相互にバイファイラ巻線にする、請求項５記載の集積超伝導体デバイス。
【請求項７】
基板ベース上に結晶方位を有する結晶質層を堆積するステップであって、前記結晶質層は、窒化ケイ素の層と、該窒化ケイ素の層上に配置した第１ＭｇＯ層と、該第１ＭｇＯ層上に配置した分離第２ＭｇＯ層と、を備え、該第２ＭｇＯ層は前記第１ＭｇＯ層に対してよりも高度な結晶方位を有する、ステップと、
配向性超伝導体材料を有する第１配向性超伝導体層を前記結晶質層上に形成するステップと、
非線形パターンを有する第１導電細条を堆積するステップと、
前記第１配向性超伝導体層における前記第１導電細条によってカバーされない第１露出領域を処理して、前記第１露出領域を非超伝導体材料に転換するステップと、
前記第１導電細条を蛇行パターンにして設けるステップと、
を備える、集積超伝導体デバイスを形成する方法。
【請求項８】
さらに、前記基板ベースをアニーリングして、前記第１露出領域に非超伝導体材料を形成するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記第１導電細条及び前記第１露出領域上に保護コーティングを堆積するステップを備える、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記基板ベースは第１側面及び第２側面を有し、前記第１導電細条を前記第１側面に堆積する請求項７記載の方法において、前記方法は、さらに、
前記第２側面における基板ベース上に第２中間層を堆積するステップであって、結晶方位を有する前記第２中間層を堆積するステップと、
前記第２中間層上に第２配向性超伝導体層を堆積するステップと、
前記第２配向性超伝導体層の一部の上に第２導電細条を堆積するステップであって、前記第２導電細条の下側における前記第２配向性超伝導体層の第２保護領域、及び前記第２保護領域に隣接する前記第２配向性超伝導体層の第２露出領域を画定するステップと、
前記第２導電細条を前記第１導電細条に電気的に接続するステップと、
を備える、方法。
【請求項１１】
さらに、前記第１及び第２の導電細条は、それぞれバイファイラ巻線にして設けるステップを備える、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する装置であって、
支持面と、
前記支持面から突き出た複数の基板接触要素と
を備え、前記複数の基板接触要素が、シリコンの硬さ以下の硬さを有し、低い接着力を有し、滑りを防ぐのに十分な大きさの静摩擦係数を有し、１０Ｒａ以下の表面粗さを有し、導電性である材料でできている
装置。
【請求項２】
前記支持面が基板支持体の一部であり、前記複数の基板接触要素が前記基板支持体から突き出た、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記支持面が基板支持体の一部であり、前記複数の基板接触要素が、前記基板支持体内に配された複数のリフトピンを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
それぞれの前記複数のリフトピンの上部が前記材料でできている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
それぞれの前記複数のリフトピンの全体が前記材料でできている、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記支持面が基板移送ロボットの一部であり、前記複数の基板接触要素が、前記基板移送ロボットのエンドエフェクタ上に配された接触パッドを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記材料が導電性プラスチックである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記材料が、酸化アルミニウム、窒化ケイ素またはステンレス鋼のうちの１種または数種を含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
処理チャンバ内に配された基板支持体であり、基板支持面および複数のリフトピンを有し、前記基板支持体に対して基板が持ち上げられたときに前記基板支持面の上方に前記基板を支持するように前記複数のリフトピンが配置された基板支持体と、
支持面および複数の接触要素を含む基板移送ロボットであり、前記基板移送ロボット上に前記基板が配されたときに前記基板を支持するように前記複数の接触要素が配置された基板移送ロボットと
を備え、
前記基板支持面、前記複数の接触要素または前記複数のリフトピンのうちの少なくとも１種が、シリコンの硬さ以下の硬さを有し、低い接着力を有し、滑りを防ぐのに十分な大きさの静摩擦係数を有し、１０Ｒａ以下の表面粗さを有し、導電性である材料でできている
基板処理システム。
【請求項１０】
それぞれの前記複数のリフトピンの上部が前記材料でできている、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
それぞれの前記複数のリフトピンの全体が前記材料でできている、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記基板支持体が、前記基板支持体から延びて前記基板を支持する一段高い複数の接触要素をさらに含む、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記材料が導電性プラスチックを含む、請求項９から１２までのいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記材料が、酸化アルミニウム、窒化ケイ素またはステンレス鋼のうちの１種または数種を含む、請求項９から１２までのいずれか１項に記載の基板処理システム。