【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年10月2日(2018.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明は、（ａ）研磨粒子と、（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤と、（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、（ｅ）水と、を含み、約３〜約８．５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
また、本発明は、（ｉ）研磨パッド、及び、（ａ）研磨粒子と、（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤と、（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、（ｅ）水と、を含み、約３〜約８．５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物と、基板を接触させることと、（ｉｉ）該研磨パッド及び該化学機械研磨組成物を該基板に対して動かすことと、（ｉｉｉ）該基板を研磨するために該基板の少なくとも一部を研削することと、を含む、基板を化学的機械的研磨する方法を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は、（ａ）研磨粒子と、（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、若しくはＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤と、（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、（ｅ）水と、を含み、これらから実質的になり、又はこれらからなる、約３〜約８．５のｐＨを有する、化学機械研磨組成物を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
研磨は、以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤を含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
本発明は、以下の実施形態によって例示される。
実施形態１  化学機械研磨組成物であって、
（ａ）研磨粒子と、
（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤と、
（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、
（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、
（ｅ）水と、を含み、
前記研磨組成物が、約３〜約８．５のｐＨを有する、前記化学機械研磨組成物。
実施形態２  前記研磨組成物が、約０．１重量％〜約２重量％の研磨粒子を含む、実施形態１に記載の研磨組成物。
実施形態３  前記コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、ピコリン酸、ジピコリン酸、ビシン、［（２−アミノ−２−オキソエチル）アミノ］酢酸、リジン、イミダゾール、ヒスチジン、２−［ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノ］−２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態１又は実施形態２に記載の研磨組成物。
実施形態４  前記コバルト促進剤が、約５ｍＭ〜約１００ｍＭの濃度で前記研磨組成物中に存在する、実施形態１から実施形態３の何れか１つに記載の研磨組成物。
実施形態５  前記コバルト腐食抑制剤が、アニオン性頭部基と、Ｃ８〜Ｃ１４の脂肪族末端基とを含む、実施形態１から実施形態４の何れか１つに記載の研磨組成物。
実施形態６  前記コバルト腐食抑制剤が、以下の式：ＲＣＯＮ（ＣＨ３）ＣＯＯＨを有し、式中、ＲはＣ８〜Ｃ１３の脂肪族基である、実施形態１に記載の研磨組成物。
実施形態７  前記研磨組成物が、約１０ｐｐｍ〜約１０００ｐｐｍの前記コバルト腐食抑制剤を含む、実施形態１から実施形態６の何れか１つに記載の研磨組成物。
実施形態８  前記酸化剤が過酸化水素である、実施形態１から実施形態７の何れか１つに記載の研磨組成物。
実施形態９  前記研磨組成物が約７〜約８のｐＨを有する、実施形態１から実施形態８の何れか１つに記載の研磨組成物。
実施形態１０  基板を化学的機械的研磨する方法であって、
（ｉ）基板を研磨パッド及び実施形態１から実施形態９の何れか１つに記載の化学機械研磨組成物と接触させることと、
（ｉｉ）前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して動かすことと、
（ｉｉｉ）前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研削することと、を含む、前記方法。
実施形態１１  前記基板がコバルトを含み、及び前記コバルトの少なくとも一部が、前記基板を研磨するために研削される、実施形態１０に記載の方法。
実施形態１２  前記基板が半導体デバイスを含む、実施形態１０又は実施形態１１に記載の方法。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨組成物であって、
（ａ）研磨粒子と、
（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸；及びこれらの組み合わせから選択されるコバルト促進剤と、
（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、
（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、
（ｅ）水と、を含み、
前記研磨組成物が、約３〜約８．５のｐＨを有する、前記化学機械研磨組成物。
【請求項２】
前記研磨組成物が、約０．１重量％〜約２重量％の研磨粒子を含む、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
前記コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、ピコリン酸、ジピコリン酸、ビシン、［（２−アミノ−２−オキソエチル）アミノ］酢酸、リジン、イミダゾール、ヒスチジン、２−［ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノ］−２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１又は請求項２に記載の研磨組成物。
【請求項４】
前記コバルト促進剤が、約５ｍＭ〜約１００ｍＭの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項１から請求項３の何れか１項に記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記コバルト腐食抑制剤が、アニオン性頭部基と、Ｃ８〜Ｃ１４の脂肪族末端基とを含む、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の研磨組成物。
【請求項６】
前記コバルト腐食抑制剤が、以下の式：ＲＣＯＮ（ＣＨ３）ＣＯＯＨを有し、式中、ＲはＣ８〜Ｃ１３の脂肪族基である、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項７】
前記研磨組成物が、約１０ｐｐｍ〜約１０００ｐｐｍの前記コバルト腐食抑制剤を含む、請求項１から請求項６の何れか１項に記載の研磨組成物。
【請求項８】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１から請求項７の何れか１項に記載の研磨組成物。
【請求項９】
前記研磨組成物が約７〜約８のｐＨを有する、請求項１から請求項８の何れか１項に記載の研磨組成物。
【請求項１０】
基板を化学的機械的研磨する方法であって、
（ｉ）研磨パッド、及び、
（ａ）研磨粒子と、
（ｂ）以下の式ＮＲ１Ｒ２Ｒ３を有し、式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３が、水素、カルボキシアルキル、置換カルボキシアルキル、ヒドロキシアルキル、置換ヒドロキシアルキル、及びアミノカルボニルアルキルから独立して選択され、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの何れもが、水素ではないか、又はＲ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの１つが、水素である化合物；ジカルボキシ複素環化合物；ヘテロシクリルアルキル−α−アミノ酸；Ｎ−（アミドアルキル）アミノ酸；非置換複素環化合物；アルキル置換複素環化合物；置換アルキル−置換複素環化合物；Ｎ−アミノアルキル−α−アミノ酸から選択されるコバルト促進剤と、
（ｃ）コバルト腐食抑制剤と、その組み合わせと、
（ｄ）コバルトを酸化させる酸化剤と、
（ｅ）水と、を含む、化学機械研磨組成物であって、
前記研磨組成物が、約３〜約８．５のｐＨを有する、前記化学機械研磨組成物を、基板と接触させることと、
（ｉｉ）前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して動かすことと、
（ｉｉｉ）前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研削することと、を含む、前記方法。
【請求項１１】
前記研磨組成物が、約０．１重量％〜約２重量％の研磨粒子を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、ピコリン酸、ジピコリン酸、ビシン、［（２−アミノ−２−オキソエチル）アミノ］酢酸、リジン、イミダゾール、ヒスチジン、２−［ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノ］−２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コバルト促進剤が、約５ｍＭ〜約１００ｍＭの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項１０から請求項１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記コバルト腐食抑制剤が、アニオン性頭部基と、Ｃ８〜Ｃ１４の脂肪族末端基とを含む、請求項１０から請求項１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記コバルト腐食抑制剤が、以下の式：ＲＣＯＮ（ＣＨ３）ＣＯＯＨを有し、式中、ＲはＣ８〜Ｃ１３の脂肪族基である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物が、約１０ｐｐｍ〜約１０００ｐｐｍの前記コバルト腐食抑制剤を含む、請求項１０から請求項１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１０から請求項１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨組成物が約７〜約８のｐＨを有する、請求項１０から請求項１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板が、コバルトを含み、及び前記コバルトの少なくとも一部が、前記基板を研磨するために研削される、請求項１０から請求項１８の何れか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板が半導体デバイスを含む、請求項１０から請求項１９の何れか１項に記載の方法。