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【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)の化合物:
【化１】
2017515840.tif 000001
又は薬学的に許容可能なその塩と、
ザナミビル、リバビリン、ファビピラビル及びオセルタミビルからなる群から選択されるノイラミニダーゼ阻害剤化合物と
を含む組合せ。
【請求項２】
式(I)の化合物が、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素、又は薬学的に許容可能なその塩である、請求項１に記載の組合せ。
【請求項３】
式(I)の化合物が、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素の臭化水素酸塩である、請求項１又は２に記載の組合せ。
【請求項４】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、オセルタミビルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組合せ。
【請求項５】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、ザナミビルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組合せ。
【請求項６】
感染症の治療において使用するための、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組合せ。
【請求項７】
感染症を治療するための薬剤の製造における、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組合せの使用。
【請求項８】
式(I)の化合物:
【化２】
2017515840.tif 000002
又は薬学的に許容可能なその塩と、
ザナミビル、リバビリン、ファビピラビル及びオセルタミビルからなる群から選択されるノイラミニダーゼ阻害剤化合物との組合せ、並びに
薬学的に許容可能な賦形剤
を含む医薬組成物。
【請求項９】
式(I)の化合物が、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素、又は薬学的に許容可能なその塩である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
式(I)の化合物が、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素の臭化水素酸塩である、請求項８又は９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、オセルタミビルである、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、ザナミビルである、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
感染症の治療において使用するための、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
感染症を治療するための薬剤の製造における、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の医薬組成物の使用。
【請求項１５】
式(I)の化合物:
【化３】
2017515840.tif 000003
又は薬学的に許容可能なその塩と、
ザナミビル、リバビリン、ファビピラビル及びオセルタミビルからなる群から選択されるノイラミニダーゼ阻害剤化合物と
を含む組合せの、対象における呼吸器感染症を治療するための薬剤の製造における使用。
【請求項１６】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、オセルタミビルである、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
ノイラミニダーゼ阻害剤化合物が、ザナミビルである、請求項１５に記載の使用。
【請求項１８】
呼吸器感染症が、インフルエンザである、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１９】
組合せが、同じ剤形で投与される、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２０】
組合せが、同時に投与される、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２１】
組合せが、別々に投与される、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２２】
水溶液中に、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素の臭化水素酸塩と、薬学的に許容可能な賦形剤とを含む、静脈内投与のための医薬組成物。
【請求項２３】
シクロデキストリンを含む、請求項２２に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
スルホブチルエーテルを含む、請求項２２に記載の医薬組成物。
【請求項２５】
Captisol(登録商標)を含む、請求項２２に記載の医薬組成物。
【請求項２６】
感染症の治療において使用するための、請求項２２〜２５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
感染症を治療するための薬剤の製造における、請求項２２〜２５のいずれか一項に記載の医薬組成物の使用。
【請求項２８】
水溶液中に、N-{4-クロロ-2-ヒドロキシ-3-[(3S)-3-ピペリジニルスルホニル]フェニル}-N'-(3-フルオロ-2-メチルフェニル)尿素の臭化水素酸塩と、薬学的に許容可能な賦形剤とを含む静脈内投与のための医薬組成物の、対象における呼吸器感染症を治療するための薬剤の製造における使用。
【請求項２９】
呼吸器感染症が、インフルエンザである、請求項２８に記載の使用。
【請求項３０】
薬学的に許容可能な賦形剤が、Captisol(登録商標)を含む、請求項２８又は２９に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月17日(2018.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナトリウムを含むカソードと、
式（Ｉ）を有する材料を含むアノード組成物と、を含み、
ＡａＢｂＣｃＤｄＯ                    （Ｉ）
［式中、Ａはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組み合わせであり、Ｂはチタンであり、Ｃはバナジウムであり、Ｄはチタン又はバナジウム以外の１つ又は複数の遷移金属元素であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１であり、ａ≧０であり、ｂ＋ｃ＞０であり、ｂ≧０であり、ｃ＝０であり、かつ、ｄ＞０である。］
前記材料は、イルメナイト型構造、三斜晶ＶＦｅＯ４型構造、立方晶Ｃａ５Ｃｏ４（ＶＯ４）６型構造、二クロム酸塩型構造、斜方晶∀−ＣｏＶ３Ｏ８型構造、ブラネライト型構造、ソートベイタイト型構造、斜方晶∃−ＣｒＰＯ４型構造、又は偽ルチル型構造を含む、ナトリウムイオン電池。
【請求項２】
ナトリウムを含むカソードと、
式（Ｉ）を有する材料を含むアノード組成物と、を含み、
ＡａＢｂＣｃＤｄＯ                    （Ｉ）
［式中、Ａはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組み合わせであり、Ｂはチタンであり、Ｃはバナジウムであり、Ｄはチタン又はバナジウム以外の１つ又は複数の遷移金属元素であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１であり、ａ≧０であり、ｂ＋ｃ＞０であり、ｂ＞０であり、ｃ＞０であり、かつ、ｄ＞０である。］
前記材料は、イルメナイト型構造、三斜晶ＶＦｅＯ４型構造、立方晶Ｃａ５Ｃｏ４（ＶＯ４）６型構造、二クロム酸塩型構造、斜方晶∀−ＣｏＶ３Ｏ８型構造、ブラネライト型構造、ソートベイタイト型構造、斜方晶∃−ＣｒＰＯ４型構造、又は偽ルチル型構造を含む、ナトリウムイオン電池。
【請求項３】
ナトリウムを含むカソードと、
式（Ｉ）を有する材料を含むアノード組成物と、を含み、
ＡａＢｂＣｃＤｄＯ                    （Ｉ）
［式中、Ａはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組み合わせであり、Ｂはチタンであり、Ｃはバナジウムであり、Ｄはチタン又はバナジウム以外の１つ又は複数の遷移金属元素であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１であり、ａ＞０．０５であり、ｂ＋ｃ＞０であり、ｂ≧０であり、ｃ≧０であり、かつ、ｄ＞０である。］
前記材料は、イルメナイト型構造、三斜晶ＶＦｅＯ４型構造、立方晶Ｃａ５Ｃｏ４（ＶＯ４）６型構造、二クロム酸塩型構造、斜方晶∀−ＣｏＶ３Ｏ８型構造、ブラネライト型構造、ソートベイタイト型構造、斜方晶∃−ＣｒＰＯ４型構造、又は偽ルチル型構造を含む、ナトリウムイオン電池。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本発明において、三次元スタックの作製では、潜在的な候補のバリア層（基材材料と同一の特性であると考えられる）の選択はＱＤ／バリアの格子整合に依存する。ＱＤ／バリアのタイプＩＩのバンドアラインメント（２つの材料においてバンドオフセットが存在し、それゆえ一方の電荷キャリアが１つの材料中に局在し、他方が他方の材料中に局在する）が、キャリアが分離されることが必要であるＰＶ用途に有利であると期待され、タイプＩ（両方の電荷キャリアが中心部に局在する）バンドアラインメントが発光用途（ＬＥＤ及びＱＤレーザー）に有利であると期待される。タイプＩ、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＰｂＳ／ＺｎＳ、ＰｂＳ／ＣｄＳ、タイプＩＩ：ＣｄＴｅ／ＣｄＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＴｅ及びＺｎＴｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳ／ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＰｂＳ／ＴｉＯ２、ＺｎＯのＱＤ／バリアシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）結晶性半導体基材表面を提供する工程、
（ｂ）逐次イオン層吸着及び反応（ＳＩＬＡＲ）法により前記基材表面上に第１のアレイの量子ドットを堆積させる工程、
（ｃ）無機シェル又はフィルムを追加して工程（ｂ）で得られた前記第１のアレイの量子ドットの実質的な部分又はすべてにわたって延在している無機不動態化層を得ることによって、工程（ｂ）で得られた前記第１のアレイの量子ドットを不動態化させる工程、及び
（ｄ）工程（ｃ）で得られた前記無機不動態化層の表面上に、ＳＩＬＡＲ法により、第２のアレイの量子ドットを堆積させる工程、
を少なくとも含む、量子ドットアレイ多層スタックの作製方法であって、
前記無機不動態化層は、前記第２のアレイの量子ドットの歪み誘起核形成をもたらすような厚さを有し、それにより前記基材表面上に堆積している前記第１のアレイの量子ドットにおける量子ドットの分布が、前記第２のアレイの量子ドットにおける量子ドットの分布を制御する、
量子ドットアレイ多層スタックの作製方法。
【請求項２】
前記方法が、さらに、以下の工程（ｅ）及び（ｆ）： 
（ｅ）第ｎの無機シェル又はフィルムを追加して第ｎのアレイの量子ドットの実質的な部分又はすべてにわたって延在している第ｎの無機不動態化層を得ることによって、前記第ｎのアレイの量子ドットを不動態化させる工程、ここで、ｎは２以上の整数である；及び
（ｆ）工程（ｅ）で得られた第ｎの無機不動態化層の表面上に、ＳＩＬＡＲ法により、第（ｎ＋１）のアレイの量子ドットを堆積させる工程；
を１回以上繰り返すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基材表面が二酸化チタン（ＴｉＯ２）である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
堆積させる前記量子ドットが、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）からなる群より選ばれる１種以上の材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｃ）において、請求項１記載の方法の工程（ａ）において使用する結晶性半導体基材表面と同一の材料の無機シェル又はフィルムを追加することにより前記量子ドットを不動態化させる、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記無機不動態化層がバリア材料を含み、前記量子ドットの材料と前記バリア材料の組を（量子ドットの材料）／（バリア材料）と表した場合に、前記量子ドットの材料及び前記バリア材料が、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＰｂＳ／ＺｎＳ、ＰｂＳ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳｅ、ＣｄＳｅ／ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ／ＣｄＳ、ＰｂＳ／ＴｉＯ２、及びＣｄＳ／ＴｉＯ２からなる群から選ばれたものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の方法により得られる、量子ドットアレイ又は量子ドット超格子構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライトタイルアセンブリを収容するように構成されたレセプタクルを形成しているベースであって、前記フェライトタイルアセンブリの少なくとも一つのタイルは開口部を有する、ベースと、
前記ベースから延在し、前記レセプタクル内の前記ベースに対して前記フェライトタイルアセンブリを固定するために前記開口部内に配置されるように構成されたピラーとを備える、誘導コイルハウジング。
【請求項２】
エポキシ樹脂をさらに備え、前記エポキシ樹脂は前記レセプタクル内に配置されている、請求項１に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項３】
前記開口部は、前記フェライトタイルアセンブリの下面に配置されている、請求項１に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項４】
クリップをさらに備え、前記クリップは前記ベースから延在するシャフトと、前記シャフトの端部に配置された中子とを有する、請求項１に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項５】
前記中子は、前記フェライトタイルアセンブリの上面と接触するように構成されている、請求項４に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項６】
前記クリップは、前記フェライトタイルアセンブリの側面と接触するように構成されている、請求項５に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項７】
前記ピラーおよび前記中子のうちの少なくとも１つは、前記フェライトタイルアセンブリをｚ軸に沿って支持するように構成されている、請求項６に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項８】
前記ピラーは、前記クリップが前記ベースから延在する場所とは異なる場所において前記ベースから延在する、請求項６に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項９】
前記ピラーは、ある程度の弾性によって付勢することにより、前記フェライトタイルアセンブリを固定するように構成されている、請求項１に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項１０】
前記フェライトタイルアセンブリは複数のフェライトタイルを備える、請求項１に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項１１】
誘導コイルハウジングのベース内にフェライトタイルアセンブリを固定するための方法であって、
レセプタクルを形成し、ピラーを有するベースを提供するステップであって、前記ピラーは前記レセプタクル内の前記ベースから延在する、ステップと、
前記レセプタクル内にフェライトタイルアセンブリを配置するステップであって、前記フェライトタイルアセンブリの少なくとも一つのタイルは開口部を有する、ステップと、
前記ベースに対する前記フェライトタイルアセンブリの動きを少なくとも１つの方向において阻止するように、前記ピラーを前記開口部内に配置するステップとを含む、方法。
【請求項１２】
前記レセプタクル内にエポキシ樹脂が配置される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
フェライトタイルアセンブリを収容するように構成されたレセプタクルを形成しているベースであって、前記フェライトタイルアセンブリの少なくとも一つのタイルは開口部を有する、ベースと、
前記ベースのレセプタクル内にフェライトタイルアセンブリの上面を固定するための手段と、
前記ベースのレセプタクル内にフェライトタイルアセンブリの下面を固定するための手段であって、前記ベースから延在し、前記開口部内に配置されるように構成されたピラーを備える、下面を固定するための手段と、
前記ベースのレセプタクル内にフェライトタイルアセンブリの側面を固定するための手段とを備える、誘導コイルハウジング。
【請求項１４】
エポキシ樹脂をさらに備え、前記エポキシ樹脂は前記レセプタクル内に配置されている、請求項１３に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項１５】
前記開口部は、前記フェライトタイルアセンブリの下面に配置されている、請求項１３に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項１６】
前記側面を固定するための手段は前記ベースから延在するシャフトを備え、前記上面を固定するための手段は前記シャフトの端部に配置された中子を備える、請求項１５に記載の誘導コイルハウジング。
【請求項１７】
前記中子は、前記フェライトタイルアセンブリの上面と接触するように構成されている、請求項１６に記載の誘導コイルハウジング。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月18日(2018.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の面上の第１の凹部であって、ブラインドビアである第１の凹部と、
前記基板を貫通して延びる複数の第１の基板貫通ビアと、
第１の相互配線であって、前記第１の凹部によって受けられる第１の相互配線と、
前記基板の前記第１の面上の再分配層であって、前記第１の相互配線を前記第１の基板貫通ビアのうちの対応する１つに電気的に結合するように構成される再分配層と、
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記基板の前記第１の面上の第２の凹部と、
前記第２の凹部から前記基板を貫通して延びる第２の基板貫通ビアと
をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記基板の対向する第２の面に隣接するキャパシタをさらに備え、前記第２の基板貫通ビアが前記キャパシタに電気的に結合する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
埋込み形インダクタをさらに備え、前記埋込み形インダクタが、前記第１の基板貫通ビアのうちの少なくとも２つを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記埋込み形インダクタが複数の埋込み形インダクタを含む、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
各埋込み形インダクタが、前記基板の前記対向する第２の面に隣接する導体を介して電気的に一緒に結合される２つの第１の基板貫通ビアを備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記基板がガラス基板を備え、前記第１の相互配線がはんだボールを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記基板が半導体基板を備え、前記第１の相互配線が金属柱を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記基板が有機基板を備え、前記第１の相互配線がはんだボールを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記基板の前記第１の面上の第３の凹部と、
前記第３の凹部によって受けられる第２の相互配線とをさらに備え、前記第１および第２の相互配線が、対応する第１のはんだボールおよび第２のはんだボールを備え、前記第２のはんだボールが、前記デバイスを回路基板に固定することに関する機械的機能のみを有する
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
基板の第１の面上に第１の凹部を形成するステップであって、前記第１の凹部はブラインドビアである、ステップと、
前記基板を貫通して延びる複数の第１の基板貫通ビアを形成するステップと、
前記基板の前記第１の面に隣接した再分配層を形成するステップと、
前記第１の凹部に第１の相互配線を結合するステップと、を含む方法であって、
前記再分配層を形成するステップが、前記第１の相互配線を前記第１の基板貫通ビアのうちの対応する１つに結合する導体を形成する、方法。
【請求項１２】
第１の凹部を形成するステップが、前記基板の前記第１の面上に第２の凹部を形成するステップをさらに含み、前記方法が、
前記第２の凹部から前記基板を貫通して延びる第２の基板貫通ビアを形成するステップ
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の凹部を形成するステップが、複数の第２の凹部を形成するステップを含み、前記第２の基板貫通ビアを形成するステップが、前記複数の第２の凹部に対応する複数の第２の基板貫通ビアを形成するステップを含み、各第２の基板貫通ビアが、前記対応する第２の凹部から前記基板を貫通して延びる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の基板貫通ビアのうちの少なくとも１つに結合される前記基板の対向する第２の表面上にキャパシタを形成するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月12日(2018.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のドーム及び第二のドームを備える真空チャンバと、
前記真空チャンバ内で前記第一のドームと前記第二のドームの間に配置され、前記第一のドームに面する基板支持体と、
前記真空チャンバの前記第二のドームに近接して配置された区画化されたハウジングと、
前記区画化されたハウジング内のコリメートされたエネルギー源であって、前記第二のドームの少なくとも一部分及び前記基板支持体が、前記コリメートされたエネルギー源からのコリメートされたエネルギーに対して光学的に透明である、コリメートされたエネルギー源と、
前記真空チャンバの前記第二のドームと前記コリメートされたエネルギー源の間に配置された、複数の開孔を含む金属部材と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記第二のドームが、円錐形である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第二のドーム及び前記基板支持体が、石英で作られる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記コリメートされたエネルギー源が、複数のレーザを備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
第一のドーム及び第二のドームを備える真空チャンバと、
前記真空チャンバ内で前記第一のドームと前記第二のドームの間に配置され、前記第一のドームに面する基板支持体であって、堆積面を有する基板を支持するように構成される基板支持体と、
前記真空チャンバの前記第二のドームに近接して配置された、区画化されたハウジング内のコリメートされたエネルギー源と、
前記真空チャンバの前記第二のドームと前記コリメートされたエネルギー源との間に配置された金属部材と
を備える基板処理装置。
【請求項６】
前記金属部材が、前記第二のドームと共形である、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記コリメートされたエネルギー源が、複数のレーザを備える、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数のレーザが、レーザダイオード、ファイバレーザ又はファイバ結合レーザを備える、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記金属部材が、複数の孔を備える、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
第一のドーム及び第二のドームを備える真空チャンバと、
前記真空チャンバ内で前記第一のドームと前記第二のドームの間に配置され、前記第一のドームに面する基板支持体と、
前記真空チャンバの前記第二のドームに近接して配置された区画化されたハウジングと、
前記区画化されたハウジング内のコリメートされたエネルギー源と、
前記コリメートされたエネルギー源と前記第二のドームとの間に配置されたリフレクタと、
前記リフレクタと前記第二のドームの間に配置された、複数の開孔を含む金属部材と
を備え、前記リフレクタは前記金属部材と前記コリメートされたエネルギー源の間に配置される、基板処理装置。
【請求項１１】
前記リフレクタが、複数の反射面及び各反射面の上に配置されたミラーを備える、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記リフレクタが、複数のリフレクタリングを備え、各リングが、２つの反射面を含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記コリメートされたエネルギー源と前記第二のドームとの間に配置された複数の屈折器を更に備える、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記複数の屈折器の各屈折器が、第一の表面と、第二の表面と、第三の表面と、第四の表面と、を含み、前記第一の表面が、１つ以上の傾斜した表面を含む、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記基板支持体が、前記第一のドームを通って延在するシャフトに連結される、請求項１０に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各ニューロンが、マップベースの更新を受け入れ、少なくとも１つのリセット機構を有する、２つ以上の層における複数のＣｏｌｄニューロンと、シナプス結合のネットワークにおける各シナプス結合が重みを有する、前記複数のニューロンを結合する前記シナプス結合のネットワークとを備える人工ニューラルネットワークをトレーニングするための方法であって、前記方法は、
前記ニューロンモデルに関するニューロン状態の更新を計算すること
を備え、
未定義またはゼロの勾配を有する第２の層のニューロンの出力スパイク時間を調整するために少なくとも１つの第１の層のニューロンに関する重みの更新をヒューリスティックに計算するために、スパイク時間にバックプロパゲーションを使用すること
によって特徴付けられる、方法。
【請求項２】
前記ニューロン状態の更新を計算することが、微分方程式の更新に少なくとも部分的に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのリセット機構が、しきい値に少なくとも部分的に基づいてリセットをトリガする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記重みの更新が、前記出力スパイク時間に少なくとも部分的に基づいて、前記少なくとも１つの第１の層のニューロンに関する少なくとも１つの重みを修正することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記重みの更新を計算することが、前記人工ニューラルネットワークにおける前記少なくとも１つの第１の層のニューロンのスパイク時間の前記ニューロン状態に少なくとも部分的に基づいて誤差項を追加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ニューロン状態と前記スパイク時間とが同じニューロンのものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の層のニューロンがスパイクしない場合、または前記第２の層のニューロンが所望の出力スパイク時間の後にスパイクする場合、前記重みの更新がデフォルト更新値を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
計算された勾配がしきい値を超える場合、前記計算された勾配を正規化することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ニューロン状態の更新を計算することが、閉形式解に少なくとも部分的に基づいてニューロン状態の更新を算出することを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
２つ以上の層における複数のＣｏｌｄニューロンと、シナプス結合のネットワークにおける各シナプス結合が重みを有する、前記複数のニューロンを結合する前記シナプス結合のネットワークとを備える人工ニューラルネットワークをトレーニングするための装置であって、
マップベースの更新と、ニューロン状態をリセットするための少なくとも１つのリセット機構とを有するニューロンモデルに関するニューロン状態の更新を計算するための手段
を備え、
未定義またはゼロの勾配を有する第２の層のニューロンの出力スパイク時間を調整するために少なくとも１つの第１の層のニューロンに関する重みの更新をヒューリスティックに計算するために、スパイク時間にバックプロパゲーションを使用するための手段
によって特徴付けられる、装置。
【請求項１１】
プロセッサによって実行されると、２つ以上の層における複数のＣｏｌｄニューロンと、シナプス結合のネットワークにおける各シナプス結合が重みを有する、前記複数のニューロンを結合する前記シナプス結合のネットワークとを備える人工ニューラルネットワークをトレーニングするために使用され得るプログラムコードを符号化した非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記プログラムコードは、
マップベースの更新と、ニューロン状態をリセットするための少なくとも１つのリセット機構とを有するニューロンモデルに関するニューロン状態の更新を計算するためのプログラムコード
を備え、
未定義またはゼロの勾配を有する第２の層のニューロンの出力スパイク時間を調整するために少なくとも１つの第１の層のニューロンに関する重みの更新を計算するために、スパイク時間にバックプロパゲーションを使用するためのプログラムコード
によって特徴付けられる、非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒コーティング型の膜シールアセンブリの製造のための方法であって、前記方法が、
（ｉ）キャリア材料を提供する工程と、
（ｉｉ−ｉ）第１の層を形成する工程であり、前記第１の層が、
（ａ）第１の触媒部材が分離した領域に堆積されるように、前記キャリア材料の上に前記第１の触媒部材を堆積する工程、及び
（ｂ）前記第１の層を乾燥させる工程、
によって形成される、工程と、
（ｉｉ−ｉｉ）第２の層を形成する工程であり、前記第２の層が、
（ａ）第１のシール部材が、連続した領域およびボイド領域を有する図枠パターンを提供するように、前記第１のシール部材を堆積する工程であって、前記連続した領域が第１のシール部材を含み、前記ボイド領域には第１のシール部材がない工程、
（ｂ）第１のイオノマー部材が分離した領域中に堆積されるように、前記第１の層の上に前記第１のイオノマー部材を堆積する工程、ならびに
（ｃ）前記第２の層を乾燥させる工程、
によって形成され、
前記第１のシール部材の前記ボイド領域が、前記第１のイオノマー部材の前記分離した領域の上方の中央に位置し、前記第１のイオノマー部材の前記分離した領域が前記第１の触媒部材の前記分離した領域の上方の中央に位置し、
工程（ｉｉ−ｉｉ）（ａ）および（ｉｉ−ｉｉ）（ｂ）がいずれの順序においても実施される、工程と、
（ｉｉｉ）前記キャリア材料を除去する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
工程（ｉｉ−ｉｉ）の後に、
（ｉｉ−ｉｉｉ）第３の層を形成する工程であって、前記第３の層が、
（ａ）第２の触媒部材が分離した領域に堆積されるように、前記第２の層の上に前記第２の触媒部材を堆積する工程、および
（ｂ）前記第３の層を乾燥させる工程、
によって形成され、
前記第２の触媒部材の前記分離した領域が第１のイオノマー部材の前記分離した領域の上方の中央に位置する、さらなる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｉｉ−ｉ）は、工程（ｂ）に先立って、
（ａ’）第２のシール部材が、連続した領域およびボイド領域を有する図枠パターンを提供するように、前記キャリア材料の上に前記第２のシール部材を堆積する工程であって、前記連続した領域が第２のシール部材を含み、前記ボイド領域には第２のシール部材がなく、
前記第２のシール部材の前記ボイド領域および前記第１の触媒部材の前記分離した領域が相互の関係で中央に位置する、さらなる工程を含み、
工程（ｉｉ−ｉ）（ａ）および（ｉｉ−ｉ）（ａ’）がいずれの順序においても実施される、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｉｉ−ｉｉｉ）は、工程（ｂ）に先立って、
（ａ’）第３のシール部材が、連続した領域およびボイド領域を有する図枠パターンを提供するように、前記第２の層の上に前記第３のシール部材を堆積する工程であって、前記連続した領域が第３のシール部材を含み、前記ボイド領域には第３のシール部材がなく、
前記第３のシール部材の前記ボイド領域および前記第２の触媒部材の前記分離した領域が相互の関係で中央に位置する、さらなる工程を含み、
工程（ｉｉ−ｉｉｉ）（ａ）および（ｉｉ−ｉｉｉ）（ａ’）がいずれの順序においても実施される、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｉｉ−ｉ）は、工程（ｂ）の後に、
（ｄ）第１の触媒部材の前記分離した領域の上へのバリア層の分離した領域の堆積工程であって、バリア層の前記分離した領域および第１の触媒部材の分離した領域が相互の関係で中央に位置する、
さらなる工程を任意選択的に含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｉ）と工程（ｉｉ−ｉ）との間に、
（ｉ−ａ）予備的な層を形成する工程であって、前記予備的な層が、
（ａ）第１の接着剤部材が、連続した領域およびボイド領域を有する図枠パターンを提供するように、前記キャリア材料の上に前記第１の接着剤部材を堆積する工程であり、前記連続した領域が第１の接着剤部材を含み、前記ボイド領域には第１の接着剤部材がない工程、ならびに
（ｂ）前記予備的な層を乾燥させる工程、
によって形成され、
前記第１の接着剤部材の前記ボイド領域および前記第１の触媒部材の前記分離した領域が相互の関係で中央に位置する、工程（ｉ−ａ）をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｉｉ−ｉｉｉ）の後に、
（ｉｉ−ｉｖ）第４の層を形成する工程であって、前記第４の層が、
（ａ）第２の接着剤部材が、連続した領域およびボイド領域を有する図枠パターンを提供するように、前記第３の層の上に前記第２の接着剤部材を堆積する工程であり、前記連続した領域が第２の接着剤部材を含み、前記ボイド領域には第２の接着剤部材がない工程と、
（ｂ）前記第４の層を乾燥させる工程と、
によって形成され、
前記第２の接着剤部材の前記ボイド領域および前記第２の触媒部材の前記分離した領域が相互の関係で中央に位置する、
さらなる工程を含む、請求項２または４に記載の方法。
【請求項８】
平面状強化部材が、工程（ｉｉ−ｉ）（ｂ）に先立って加えられる、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
平面状強化部材が、工程（ｉｉ−ｉｉ）（ｃ）に先立って加えられる、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記層のうちの１層または複数層が、工程（ｉｉ−ｉｉｉ）（ｂ）に先立って加えられる平面状強化部材を備える、請求項２から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｉｉ−ｉｉ）が、１回よりも多く実施される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
更に、一部の実施形態に従えば、例えば、第１及び／又は第２の接触手段が、多数の電気的接点である、或いは、大きい表面積を有する場合、大きい電気接触表面が可能になり、従って、従来技術の解決手段よりも更に信頼性の高い解決手段を得ることが可能になり、従って、良好なＥＳＤ結果が得られる。
いくつかの付記を記載しておく。
〔付記１〕
保護対象部品と呼ばれる少なくとも１つの電子部品を電気的に接地させる部品であって、前記保護対象部品が、少なくとも１つの導電性部分と、機器の外側から少なくとも部分的にアクセス可能であるように意図された、外側面と呼ばれる少なくとも１つの面とを備え、前記保護対象部品が前記機器内に取り付けられると、前記接地する部品が、前記保護対象部品上の少なくとも１つの装着位置に装着されることが可能であり、
前記電気接地部品が、
前記保護対象部品の前記外側面と対向する前記装着位置に位置付けられることが可能である第１の位置付け構成要素と、
前記保護対象部品の前記外側面に対して垂直な面と対向する前記装着位置に位置付けられることが可能である少なくとも１つの第２の位置付け構成要素であって、前記接地部品が、前記外側面に対して垂直である前記保護対象部品の他の面に対する完全に自由なアクセスを残している、前記少なくとも１つの第２の位置付け構成要素と、
導電性であり、かつ、前記保護対象部品が前記機器内に取り付けられたときに前記装着位置において前記保護対象部品の前記導電性部分と接触可能な第１の接触手段と、
導電性であり、かつ、前記保護対象部品が前記機器内に取り付けられたときに前記装着位置において別の部品の少なくとも１つの導電性部分と接触可能な第２の接触手段と、
を備え、
前記第１及び第２の接触手段が互いに電気的に接触していることが可能であることを特徴とする、前記電気接地部品。
〔付記２〕
前記電気接地部品が、前記保護対象部品の前記外側面に対して平行な面と対向する前記装着位置に位置付けられることが可能な少なくとも１つの第３の位置付け構成要素を更に備えていることを特徴とする、付記１に記載の電気接地部品。
〔付記３〕
前記第１、第２及び／又は第３の位置付け構成要素が、前記保護対象部品上の前記装着位置において前記電気接地部品を保持できる保持手段を構成していることを特徴とする、付記１又は２に記載の電気接地部品。
〔付記４〕
前記保持手段が、前記接地部品を前記装着位置において前記保護対象部品に固定可能な固定手段を備えていることを特徴とする、付記３に記載の接地構成要素。
〔付記５〕
前記第１、第２及び／又は第３の位置付け構成要素が、前記部品の移動を、その装着位置において、少なくとも１つの移動方向において制限することが可能であることを特徴とする、付記１から４のいずれか１項に記載の電気接地部品。
〔付記６〕
前記第１の位置付け構成要素が、前記装着位置において、前記保護対象部品の前記外側面に配置された開口へのアクセスを可能にすることができることを特徴とする、付記１から５のいずか１項に記載の電気接地部品。
〔付記７〕
前記第２の接触手段が少なくとも１つのタブを備えていることを特徴とする、付記１から６のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記８〕
前記電気接地部品が、前記第１及び／又は第２の接触手段を、前記装着位置において、前記導電性部分に対して押し付け続けることが可能である、接触の信頼性を強化する少なくとも１つの手段を備えていることを特徴とする、付記６または７に記載の接地部品。
〔付記９〕
前記位置付け構成要素及び／又は前記第１の接触手段が、少なくとも１つの標準的な保護対象部品と協働可能であることを特徴とする、付記１から８のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記１０〕
前記接地部品が、少なくとも部分的に、前記保護対象部品上への前記接地部品の挿入を可能にするのに十分な前記接地部品の変形を可能にすることができる材料から作られていることを特徴とする、付記１から９のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記１１〕
前記接地部品が、少なくとも部分的に、弾性ステンレス鋼から作られていることを特徴とする、付記１から１０のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記１２〕
前記接地部品が、複数の電子部品を同時に保護できることを特徴とする、付記１から１１のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記１３〕
前記部品が単一の部品として形成されていることを特徴とする、付記１から１２のいずれか１項に記載の接地部品。
〔付記１４〕
保護対象部品と呼ばれる少なくとも１つの電子部品を備えている電子基板であって、前記保護対象部品は少なくとも１つの導電性部分を備えており、前記電子基板が、付記１から１４のいずれか１項に記載の前記電子部品を電気的に接地させる少なくとも１つの部品を更に備えていることを特徴とする、前記電子基板。
〔付記１５〕
保護対象部品と呼ばれる少なくとも１つの電子部品を備えている電子機器であって、前記保護対象部品は少なくとも１つの導電性部分を備えており、前記機器は、付記１から８のいずれか１項に記載の前記電子部品を電気的に接地させる少なくとも１つの部品を更に備えており、前記第２の接触手段が接触できる前記別の部品が前記電子機器内に装着されていることを特徴とする、前記電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化型膜シールアセンブリの製造のための方法であって、前記方法が、
（ｉ）強化型膜シールアセンブリを含む部材が付けられるキャリア材料を提供する工程と、
（ｉｉ）気孔を含む１つまたは複数の第１の領域および気孔を含む第２の領域を有する平面状強化用部材を提供する工程であり、前記第１の領域がパッチでありかつ不連続であり、かつ前記第２の領域が前記第１の領域を囲みかつ連続的である、工程と、
（ｉｉｉ）イオン導電性部材を液体又は分散液として堆積する工程と、
（ｉｖ）前記イオン導電性部材を乾燥させる工程と、
（ｖ）シール部材を液体又は分散液として堆積する工程であり、シール部材が非イオン導電性である、工程と、
（ｖｉ）前記シール部材を乾燥させる工程と、
（ｖｉｉ）前記キャリア材料を除去する工程と、
を含み、
イオン導電性部材が前記第１の領域内の前記気孔を埋め、シール部材が前記第２の領域内の前記気孔を埋め、工程（ｉｉ）、（ｉｉｉ）および（ｖ）が任意の順番で実施されてよく、工程（ｉｖ）が工程（ｉｉｉ）の後に実施され、工程（ｖｉ）が工程（ｖ）の後に実施され、工程（ｉｖ）および（ｖｉ）が工程（ｉｉ）の後に実施される、
方法。
【請求項２】
工程（ｉｉ）、（ｉｉｉ）および／または（ｖ）が、１回よりも多く実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｉｖ）および（ｖｉ）が、同時に実施される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
平面状強化用部材が、１つよりも多くの第１の領域を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
キャリア材料が、ロールに適した製品として提供される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
平面状強化用部材が、ロールに適した製品として提供される、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか一項に記載の方法により提供される、複数の強化型膜シールアセンブリの連続しているロール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を形成するために、粒子状電子伝導性材料、電極活性材料、バインダー、および液状湿潤剤を含む組成物に、少なくとも約５９０［Ｎ／ｃｍ２］の圧力を加える工程
を含む、電極を製造する方法。
【請求項２】
前記圧力を前記組成物に加えた後、前記電極が少なくとも約４０％の気孔率を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記液状湿潤剤が、有機溶媒および／または水を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記組成物に、少なくとも約５９０［Ｎ／ｃｍ２］および約６０００［Ｎ／ｃｍ２］以下の圧力を加える工程
を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記組成物に、少なくとも約７５０［Ｎ／ｃｍ２］の圧力を加える工程
を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記組成物に、少なくとも約１０００［Ｎ／ｃｍ２］の圧力を加える工程
を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
電極を形成するために、粒子状電子伝導性材料、電極活性材料、およびバインダーを含む組成物に、少なくとも約１７６５［Ｎ／ｃｍ２］の圧力を加える工程
を含み、
前記圧力を前記組成物に加えた後、前記電極が少なくとも約４０％の気孔率を有する、
電極を製造する方法。
【請求項８】
前記組成物に、少なくとも約１７６５［Ｎ／ｃｍ２］および約６０００［Ｎ／ｃｍ２］以下の圧力を加える工程
を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記粒子状電子伝導性材料が炭素を含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記粒子状電子伝導性材料がカーボンブラックを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記粒子状電子伝導性材料が、約１０−３［Ω・ｍ］未満の２０℃でのバルク電気抵抗率を有する、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記電極活性材料が硫黄を含む、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記電極活性材料が硫黄元素を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記バインダーがポリマーバインダーを含む、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマーバインダーがポリビニルアルコールを含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記圧力を前記組成物に加えた後、前記電極が少なくとも約４０％および約７０％以下の気孔率を有する、請求項１〜１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
前記電極の厚さが、約１ｍｍ以下である、請求項１〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記電極の厚さが、少なくとも約１０μｍおよび約１ｍｍ以下である、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記粒子状電子伝導性材料が多孔性である、請求項１〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
前記組成物が液状湿潤剤を含む、請求項７〜１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
電極を形成するために、前記液状湿潤剤を前記組成物から少なくとも部分的に除去する工程を含む、請求項１〜６および２０のいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
請求項１〜１９のいずれか１項記載の方法によって得ることができる電極。
【請求項２３】
請求項１〜１９のいずれか１項記載の方法によって得ることができる電極を含む、電気化学電池。
【請求項２４】
粒子状電子伝導性材料、
電極活性材料、および
バインダー
を含む電極であって、
該電極が少なくとも約４０％の気孔率を有し、
該電極の外部の幾何学的表面が、少なくとも約１０，０００μｍ２の幾何学的表面積の全体にわたって、約１５μｍ未満の二乗平均平方根表面粗さを有する、電極。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一命令マルチデータ(SIMD)プロセッサ上で動作可能な方法であって、
前記SIMDプロセッサ上で発散演算を実行するための命令を受信するステップと、
前記SIMDプロセッサ上で発散演算を実行するための前記命令を受信したことに応答して、前記SIMDプロセッサの複数のスレッドから複数のアクティブスレッドを決定するステップと、
前記決定された複数のアクティブスレッドから単一のアクティブスレッドを選択するステップと、
他のすべてのアクティブスレッドが分岐条件を実行する一方で、前記選択された単一のアクティブスレッド上で前記発散演算を実行するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記複数のスレッドが波動を形成し、前記波動が前記SIMDプロセッサによって並行して実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記選択された単一のアクティブスレッド上で前記発散演算を前記実行するステップが、前記選択された単一のアクティブスレッド上で直列演算を実行するステップを含み、前記直列演算からの出力は、前記直列演算からの前記出力が完了するまで並行して処理し続けることができない1つまたは複数の他のスレッドに関する入力として必要とされる、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記発散演算を前記実行するステップが、共有レジスタ内にサブルーチンターゲットを記憶するステップを含み、前記方法が、
前記共有レジスタに対するアクセスを有する1つまたは複数のアクティブスレッド上の前記サブルーチンターゲットにおいて記憶されたコードを実行するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
発散演算を実行するように構成された単一命令マルチデータ(SIMD)プロセッサであって、
前記SIMDプロセッサ上で発散演算を実行するための命令を受信し、
発散演算を実行するための前記命令を受信することに応答して、前記SIMDプロセッサの複数のスレッドから複数のアクティブスレッドを決定し、
前記決定された複数のアクティブスレッドから単一のアクティブスレッドを選択するように構成された制御装置と、
他のすべてのアクティブスレッドに関連する処理要素が分岐条件を実行する一方で、複数の処理要素であって、前記選択された単一のアクティブスレッドに関連する前記複数の処理要素のうち1つの処理要素が、前記発散演算を実行するように構成される、複数の処理要素と
を備える、SIMDプロセッサ。
【請求項６】
前記複数のスレッドが波動を形成し、前記波動が前記SIMDプロセッサによって並行して実行される、請求項5に記載のSIMDプロセッサ。
【請求項７】
前記選択された単一のアクティブスレッドに関連する前記処理要素が、直列演算を実行するように構成され、前記直列演算からの出力は、前記直列演算からの前記出力が完了するまで並行して処理し続けることができない1つまたは複数の他のスレッドに関する入力として必要とされる、請求項5に記載のSIMDプロセッサ。
【請求項８】
直列演算が、共有レジスタ内にサブルーチンターゲットを記憶し、前記複数の処理要素が、前記1つまたは複数のアクティブスレッドに関連し、かつ前記共有レジスタに対するアクセスを有する前記複数の処理要素のうちのいずれかの処理要素上の前記サブルーチンターゲットにおいて記憶されたコードを実行するようにさらに構成される、請求項5に記載のSIMDプロセッサ。
【請求項９】
メディアプレイヤ、セットトップボックス、ワイヤレスハンドセット、携帯情報端末(PDA)、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ゲームコンソール、ビデオ会議ユニット、またはタブレットコンピューティングデバイスを含む、請求項5〜8のいずれか一項に記載のSIMDプロセッサを具備するデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロントガラス用ワイパー装置であって、
フロントガラスに対して封止する弾性材料の縦方向に延在するワイパーブレードと、
前記ワイパーブレードを予め湾曲した構成に動作可能に支持し付勢するキャリア要素と、
前記ワイパーブレードと前記キャリア要素とのうちの少なくとも１つに係合されるベース部と、前記ベース部に回転可能に接続され、振動するワイパーアームの様々な異なる様式のものを直接固定するよう適合される接合部を含む接続アセンブリとを備え、
前記接合部は、一体ピースとして作られ、本体部分およびノーズ部分を含み、
前記本体部分は、断面において概ねＵ字形にされ、正面端部から背面端部に縦方向に延在し、頂部および側面の対を有し、弾力のある舌部が前記頂部に形成され、バヨネット様式のワイパーアームの開口部内に係合するための、そこから上向きに突出するボタンを有し、
前記ノーズ部分は、前記本体部分の前記正面端部と弾力のあるヒンジでヒンジ式に接続され、頂部固定様式のワイパーアームの少なくとも１つの様式の正面端部をしっかりと係合するために前記弾力のあるヒンジから垂直に離間される、固定タングの対を含み、前記フロントガラス用ワイパー装置はさらに、
頂部固定様式ワイパーアームの脚部を受けるための、前記ノーズ部分に対向する前記本体部分の前記背面端部から延在する固定突起の対を含み、
レッジ間に溝を呈するために、前記本体部分の前記側面は、互いから垂直に離間されるレッジの対を呈する、フロントガラス用ワイパー装置。
【請求項２】
前記弾力のある舌部上の前記ボタンは、前記ボタンを鮫ひれ形状で提供するために、縦方向に前記固定突起を向く、傾斜した表面を有する、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項３】
前記弾力のある舌部は、前記背面端部と隣接し、前記正面端部に向かって縦方向に延びる、前記本体部分の前記頂部と相互接続される、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項４】
前記固定突起は、縦方向に延在する脚部を介して前記本体部分の前記背面端部と相互接続される、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項５】
前記ベース部は、横方向に延在する突出部の対を呈し、前記突出部の各々は概ね円状の形状であり、外側ベアリング表面を呈し、前記接合部の前記本体部分の前記側面は、前記回転を確立するために、前記突出部を前記ベース部上に受ける開口部を呈する、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項６】
少なくとも１つの前記突出部は、サイドピン様式ワイパーアームのピンを受けるための内側ベアリング表面を呈するために、貫通孔を含む、請求項５に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項７】
前記ノーズ部分上の前記固定タングは、Ｕ字形スロットの対向する側上で、互いから横方向に離間される、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項８】
前記キャリア要素は縦方向に延在するフレクサの対を含む、請求項１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項９】
前記フレクサの隣接する端部は、互いと端部キャップによって相互接続される、請求項８に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１０】
前記接続アセンブリと前記端部キャップとの間を縦方向に延在するサブスポイラの対をさらに含む、請求項９に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１１】
フロントガラス用ワイパー装置であって、
フロントガラスに対して封止するための弾性材料の縦方向に延在するワイパーブレードと、
前記ワイパーブレードを予め湾曲した構成に動作可能に支持し付勢するキャリア要素と、
前記ワイパーブレードと前記キャリア要素とのうちの少なくとも１つに係合されるベース部と、前記ベース部に回転可能に接続され、振動するワイパーアームの様々な異なる様式のものを直接固定するよう適合される接合部とを含む接続アセンブリと、
横方向に延在する突出部の対を含むベース部とを備え、前記突出部の少なくとも１つは、貫通孔を含み、
前記接合部は、１つの一体ピースとして作られ、本体部分およびノーズ部分を含み、
前記本体部分は、正面端部から背面端部に縦方向に延在し、頂部および側面の対を有し、前記側面は、前記ベース部と回転可能に前記接合部を接続するために、前記ベース部の前記突出部を受ける形にされる開口部を含み、前記フロントガラス用ワイパー装置はさらに、
前記頂部に形成され、上向きにそこから突出するボタンを有する弾力のある舌部を備え、
前記ノーズ部分は、前記本体部分の前記正面端部と弾力のあるヒンジにおいてヒンジ式に接続され、前記弾力のあるヒンジから垂直に離間される固定タングの対を含み、前記フロントガラス用ワイパー装置はさらに、
前記接合部の対向する側上で横方向に延在する固定突起の対を備え、前記本体部分の前記側面は、溝をレッジ間に呈するために、互いから垂直に離間される前記レッジの対を呈する、フロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１２】
前記弾力のある舌部は、前記背面端部と隣接する前記本体部分の前記頂部と相互接続され縦方向に前記正面端部に向かって延びる、請求項１１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１３】
前記ノーズ部分上の前記固定タングは、Ｕ字形のスロットの対向する側上で互いから横方向に離間される、請求項１１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。
【請求項１４】
前記キャリア要素は、縦方向に延在するフレクサの対を含む、請求項１１に記載のフロントガラス用ワイパー装置。