【手続補正書】
【提出日】平成30年7月10日(2018.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合マイクロアセンブリの方法であって、
それに一時的に取り付けられたマイクロシステムを伴う接触表面を有する、転写デバイスを提供するステップであって、前記マイクロシステムは、
中間基板と、
前記中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
前記複数のマイクロデバイスの少なくとも一部に電気的に接続され、それによって、前記マイクロデバイスの前記一部を電気的に連結する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、ステップと、
転写表面上に配置される前記マイクロシステムを、目標基板の受容表面と接触させるステップと、
前記転写デバイスの前記接触表面および前記マイクロシステムを分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写した後に、１０μｍ〜２ｍｍの幅を有する粗相互接続を利用して、前記マイクロシステムを前記目標基板上の１つまたはそれを上回る付加的マイクロシステムに電気的に接続し、それによって、マクロシステムを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
その上に支持された、および／またはそこに一時的に取り付けられた前記マイクロシステムを伴う前記接触表面を有する、前記転写デバイスを提供するステップは、
第１のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第１のマイクロデバイスを形成するステップと、
第２のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第２のマイクロデバイスを形成するステップと、
それぞれのネイティブ基板から前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続するステップであって、前記微細相互接続は、１００ｎｍ〜１０μｍの幅を有し、それによって、前記マイクロシステムを形成する、ステップと、
を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続した後に、前記中間基板上にある間に前記マイクロシステムを試験するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写した後に、前記バルク中間基板から前記転写デバイスの前記接触表面への前記マイクロシステムの制御された分離を促進するために、前記マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から前記マイクロシステムを部分的に解放するステップを含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記微細相互接続は、少なくとも部分的に前記テザーの上または中にある、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上もしくは中にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
中間基板上に前記マイクロデバイスを転写するステップは、
第１のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第１のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、
前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第１のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、
前記第１のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスを転写するステップと、
第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、
前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第２のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、
前記第２のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、
を含む、請求項３〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記中間基板は、前記第１および第２のマイクロデバイスに元来備わっていない、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記接触させるステップおよび分離するステップはそれぞれ、ディスプレイを形成するように少なくとも１００回行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
を備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記中間基板は、ポリマーフィルム、ポリマー、硬化樹脂、エポキシ、ガラス強化エポキシ、ＦＲ４、ガラス、サファイア、透明誘電体キャリアフィルム、誘電体キャリアフィルムから成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記転写デバイスは、エラストマースタンプである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器と、
移相器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記目標基板は、前記複数のマイクロデバイスに元来備わっていない、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のマイクロデバイスの前記複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記目標基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
目標非ネイティブ基板上の複数の印刷されたマイクロシステムであって、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、
中間非ネイティブ基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
前記複数のマイクロデバイスを電気的に接続する、１００ｎｍ〜１μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、複数の印刷されたマイクロシステムと、
２μｍ〜２ｍｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る粗リソグラフィ相互接続であって、各粗リソグラフィ相互接続は、前記非ネイティブ基板上の前記複数のマイクロシステムのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、粗リソグラフィ相互接続と、
を備える、複合マイクロ組立デバイス。
【請求項２７】
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記複数のマイクロデバイスは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項２９】
各マイクロシステムは、ピクセルを形成する、請求項２７または２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
３００，０００個を超えるマイクロ無機発光ダイオードを備える、請求項２６〜２９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器と、
移相器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記目標非ネイティブ基板は、前記複数のマイクロデバイスのうちの１つに元来備わっていない、請求項２６〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３５】
前記目標非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項２６〜３４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３６】
前記デバイスは、前記目標基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、請求項２６〜３５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３７】
目標非ネイティブ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項２６〜３６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、請求項２６〜３７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、請求項３８に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項２６〜３９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項４１】
前記目標基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、請求項２６〜４０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項４２】
複数の印刷されたマイクロシステムを備え、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、
前記マイクロシステムのそれぞれのマイクロデバイスに元来備わっていない、中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
各微細リソグラフィ相互接続が、前記複数のマイクロデバイスのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、１００ｎｍ〜２μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続であって、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から部分的に解放される、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、装置。
【請求項４３】
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
を備える、請求項４２に記載の装置。
【請求項４４】
各マイクロシステムは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、請求項４３に記載の装置。
【請求項４６】
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器と、
移相器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項４２に記載の装置。
【請求項４７】
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、請求項４６に記載の装置。
【請求項４８】
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器と、
マイクロ集積回路と、
を備える、請求項４２に記載の装置。
【請求項４９】
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記テザーの上にある、請求項４２〜４８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５０】
各テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、請求項４２〜４９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５１】
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上にある、請求項５０に記載の装置。
【請求項５２】
前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、それが試験され得るように、完全に機能的である、請求項４２〜５１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５３】
前記中間基板は、ガラスウエハ、サファイアウエハ、ポリマーフィルムを伴うガラスウエハ、ポリマーウエハ、透明誘電体キャリアフィルムを備える、請求項４２〜５２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５４】
前記装置は、前記中間基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、請求項４２〜５３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５５】
前記装置は、前記中間基板上の１平方センチメートにつき少なくとも１００、１０００、１００００、１０万、または１００万個のマイクロシステムを備える、請求項４２〜５３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５６】
前記複数のマイクロデバイスは、前記隣接基板面積にわたって分配される、請求項２２に記載の方法。
【請求項５７】
前記複数のマイクロデバイスは、前記隣接基板面積にわたって分配される、請求項３８に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ある実施形態では、本装置は、中間基板上の１平方センチメートにつき少なくとも１００、１０００、１００００、１０万、または１００万個のマイクロシステムを含む。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
複合マイクロアセンブリの方法であって、
それに一時的に取り付けられたマイクロシステムを伴う接触表面を有する、転写デバイスを提供するステップであって、前記マイクロシステムは、
中間基板と、
前記中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
前記複数のマイクロデバイスの少なくとも一部に電気的に接続され、それによって、前記マイクロデバイスの前記一部を電気的に連結する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、ステップと、
転写表面上に配置される前記マイクロシステムを、目標基板の受容表面と接触させるステップと、
前記転写デバイスの前記接触表面および前記マイクロシステムを分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写するステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写した後に、１０μｍ〜２ｍｍの幅を有する粗相互接続を利用して、前記マイクロシステムを前記目標基板上の１つまたはそれを上回る付加的マイクロシステムに電気的に接続し、それによって、マクロシステムを形成するステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
その上に支持された、および／またはそこに一時的に取り付けられた前記マイクロシステムを伴う前記接触表面を有する、前記転写デバイスを提供するステップは、
第１のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第１のマイクロデバイスを形成するステップと、
第２のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第２のマイクロデバイスを形成するステップと、
それぞれのネイティブ基板から前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続するステップであって、前記微細相互接続は、１００ｎｍ〜１０μｍの幅を有し、それによって、前記マイクロシステムを形成する、ステップと、
を含む、項目１または２に記載の方法。
（項目４）
微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続した後に、前記中間基板上にある間に前記マイクロシステムを試験するステップを含む、項目３に記載の方法。
（項目５）
前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写した後に、前記バルク中間基板から前記転写デバイスの前記接触表面への前記マイクロシステムの制御された分離を促進するために、前記マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から前記マイクロシステムを部分的に解放するステップを含む、項目３または４に記載の方法。
（項目６）
前記微細相互接続は、少なくとも部分的に前記テザーの上または中にある、項目５に記載の方法。
（項目７）
前記テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、項目５または６に記載の方法。
（項目８）
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上もしくは中にある、項目７に記載の方法。
（項目９）
中間基板上に前記マイクロデバイスを転写するステップは、
第１のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第１のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、
前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第１のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、
前記第１のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスを転写するステップと、
第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、
前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第２のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、
前記第２のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、
を含む、項目３〜８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０）
前記中間基板は、前記第１および第２のマイクロデバイスに元来備わっていない、項目１〜９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１）
前記接触させるステップおよび分離するステップはそれぞれ、ディスプレイを形成するように少なくとも１００回行われる、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
を備える、項目１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３）
前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、項目１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４）
前記中間基板は、ポリマーフィルム、ポリマー、硬化樹脂、エポキシ、ガラス強化エポキシ、ＦＲ４、ガラス、サファイア、透明誘電体キャリアフィルム、誘電体キャリアフィルムから成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１５）
前記転写デバイスは、エラストマースタンプである、項目１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、
移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、
マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７）
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、
マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１９）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２０）
前記目標基板は、前記複数のマイクロデバイスに元来備わっていない、項目１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２１）
目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度（例えば、１−不透明度）を有する、項目１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２）
前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、項目１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３）
前記複数のマイクロデバイスの前記複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、項目２２に記載の方法。
（項目２４）
前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１〜２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
前記目標基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目１〜２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２６）
目標非ネイティブ基板上の複数の印刷されたマイクロシステムであって、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、
中間非ネイティブ基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
前記複数のマイクロデバイスを電気的に接続する、１００ｎｍ〜１μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、複数の印刷されたマイクロシステムと、
２μｍ〜２ｍｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る粗リソグラフィ相互接続であって、各粗リソグラフィ相互接続は、前記非ネイティブ基板上の前記複数のマイクロシステムのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、粗リソグラフィ相互接続と、
を備える、複合マイクロ組立デバイス。
（項目２７）
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
マイクロ集積回路と、
を備える、項目２６に記載のデバイス。
（項目２８）
前記複数のマイクロデバイスは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、項目２７に記載のデバイス。
（項目２９）
各マイクロシステムは、ピクセルを形成する、項目２７または２８に記載のデバイス。
（項目３０）
３００，０００個を超えるマイクロ無機発光ダイオードを備える、項目２６〜２９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３１）
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、
移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、
マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目２６に記載のデバイス。
（項目３２）
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目２６に記載のデバイス。
（項目３３）
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、
マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目２６に記載のデバイス。
（項目３４）
前記目標非ネイティブ基板は、前記複数のマイクロデバイスのうちの１つに元来備わっていない、項目２６〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３５）
前記目標非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２６〜３４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６）
前記デバイスは、前記目標基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、項目２６〜３５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７）
目標非ネイティブ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目２６〜３６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３８）
前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、項目２６〜３７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３９）
前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、項目３８に記載のデバイス。
（項目４０）
前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２６〜３９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目４１）
前記目標基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目２６〜４０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目４２）
複数の印刷されたマイクロシステムを備え、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、
前記マイクロシステムのそれぞれのマイクロデバイスに元来備わっていない、中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
各微細リソグラフィ相互接続が、前記複数のマイクロデバイスのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、１００ｎｍ〜２μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続であって、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から部分的に解放される、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
を備える、装置。
（項目４３）
前記複数のマイクロデバイスは、
赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
青色マイクロ無機発光ダイオードと、
を備える、項目４２に記載の装置。
（項目４４）
各マイクロシステムは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、項目４３に記載の装置。
（項目４５）
前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、項目４３に記載の装置。
（項目４６）
前記複数のマイクロデバイスは、
電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、
移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、
マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目４２に記載の装置。
（項目４７）
前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目４６に記載の装置。
（項目４８）
前記複数のマイクロデバイスは、
検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、
マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、
を備える、項目４２に記載の装置。
（項目４９）
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記テザーの上にある、項目４２〜４８のいずれか１項に記載の装置。
（項目５０）
各テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、項目４２〜４９のいずれか１項に記載の装置。
（項目５１）
前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上にある、項目５０に記載の装置。
（項目５２）
前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、それが試験され得るように、完全に機能的である、項目４２〜５１のいずれか１項に記載の装置。
（項目５３）
前記中間基板は、ガラスウエハ、サファイアウエハ、ポリマーフィルムを伴うガラスウエハ、ポリマーウエハ、透明誘電体キャリアフィルムを備える、項目４２〜５２のいずれか１項に記載の装置。
（項目５４）
前記装置は、前記中間基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、項目４２〜５３のいずれか１項に記載の装置。
（項目５５）
前記装置は、前記中間基板上の１平方センチメートにつき少なくとも１００、１０００、１００００、１０万、または１００万個のマイクロシステムを備える、項目４２〜５３のいずれか１項に記載の装置。
（項目５６）
前記複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）前記隣接基板面積にわたって分配される、項目２２に記載の方法。
（項目５７）
前記複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）前記隣接基板面積にわたって分配される、項目３８に記載のデバイス。