【手続補正書】
【提出日】平成30年9月26日(2018.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．酸不安定性脱離基に結合されている架橋性官能基を含む、少なくとも１種類のポリマー、オリゴマーまたはモノマーと、
ｂ．少なくとも１種類の架橋システムと、
ｃ．少なくとも１種類の光酸発生剤と、
を含む、二段階フォトレジスト組成物において、
前記酸不安定性脱離基が、酸に曝露された場合に除去されることができ、それ自体で、かつ／または前記架橋システムと共に架橋することができる官能基が得られることを特徴とする、二段階フォトレジスト組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、前記酸不安定性基が、第３級アルコキシカルボニル基を含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項３】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、前記少なくとも１種類の光酸発生剤が、オニウム塩化合物、トリフェニルスルホニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジアゾメタン化合物、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、またはジカルボキシイミジルスルフェートを含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項４】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、酸感受性モノマーまたはポリマーを含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項５】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミン基、メトキシメチル基、およびエトキシメチル基、ブトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジブトキシメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、ジブチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基、アセトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基およびイソプロペニル基の少なくとも１種類を含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項６】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、ノボラック樹脂に結合された１つまたは複数のグリシジルエーテル基を含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項７】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、処理した場合に、フォトイメージが、向上したコントラスト、解像度および／またはラインエッジ粗さを有することを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項８】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物において、少なくとも１種類のフラーレン材料をさらに含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項９】
請求項８に記載のフォトレジスト組成物において、前記少なくとも１種類のフラーレンが、
ａ．一般式：
2017534070.tif 000001
（式中、ｘは少なくとも１０であり、ｙは１〜６であり、ｎは０〜１であり、アルキルは、その鎖内に置換されているヘテロ原子０〜１６個を有する、炭素原子１〜１６個の分岐状または未分岐、置換または未置換二価アルキル鎖であり、アリールは、置換または未置換二価フェニル基、二価ヘテロ芳香族基、または二価縮合芳香族または縮合ヘテロ芳香族基であり、Ｒはそれぞれ、同一または異なり、かつＨまたは酸不安定性基である）を含む少なくとも１種類のメタノフラーレンを含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項１０】
請求項９に記載のフォトレジスト組成物において、前記二価アルキル鎖が、メチレン、エチレン、１，２−プロピレンまたは１，３−プロピレンを含み、かつ前記二価アルキル鎖が任意選択的に、フッ素原子を含むことを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項１１】
ａ．基板を提供する工程；
ｂ．請求項１に記載のフォトレジスト組成物を所望の湿潤厚さに塗布する工程；
ｃ．前記被覆基板を加熱して、実質的に乾燥したコーティングを形成し、所望の厚さを得る工程；
ｄ．前記被覆基板を化学線にイメージワイズに露光する工程；
ｅ．前記イメージワイズに露光された被覆基板を任意選択的に加熱する工程；
ｆ．水性または非水性現像液組成物を使用して、前記コーティングの非露光領域を除去する工程；
を含む、基板上にパターン形成レジスト層を形成する方法において、
残存するフォトイメージが任意選択的に加熱されることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記酸不安定性基が、第３級アルコキシカルボニル基を含むことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、前記少なくとも１種類の光酸発生剤が、オニウム塩化合物、トリフェニルスルホニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジアゾメタン化合物、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、またはジカルボキシイミジルスルフェートを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、酸感受性モノマーまたはポリマーを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミン基、メトキシメチル基、およびエトキシメチル基、ブトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジブトキシメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、ジブチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基、アセトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基およびイソプロペニル基のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法において、前記少なくとも１種類の架橋システムが、ノボラック樹脂に結合された１つまたは複数のグリシジルエーテル基を含むことを特徴とする、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法において、前記フォトレジスト組成物がさらに、少なくとも１種類のフラーレン材料を含むことを特徴とする、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記少なくとも１種類のフラーレン材料が：
ａ．一般式：
2017534070.tif 000002
（式中、ｘは少なくとも１０であり、ｙは１〜６であり、ｎは０〜１であり、アルキルは、その鎖内に置換されているヘテロ原子０〜１６個を有する、炭素原子１〜１６個の分岐状または未分岐、置換または未置換二価アルキル鎖であり、アリールは、置換または未置換二価フェニル基、二価ヘテロ芳香族基、または二価縮合芳香族または縮合ヘテロ芳香族基であり、Ｒはそれぞれ、同一または異なり、かつＨまたは酸不安定性基である）を含む少なくとも１種類のメタノフラーレンを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１９】
ａ．基板を提供する工程；
ｂ．請求項１に記載のフォトレジスト組成物を所望の湿潤厚さに塗布する工程；
ｃ．前記被覆基板を加熱して、実質的に乾燥したコーティングを形成し、所望の厚さを得る工程；
ｄ．前記被覆基板を化学線にイメージワイズに露光する工程；
ｅ．前記イメージワイズに露光された被覆基板を任意選択的に加熱する工程；
ｆ．水性または非水性現像液組成物を使用して、前記コーティングの露光領域を除去する工程；
ｇ．得られたパターン形成材料をイメージワイズに露光する工程；
ｈ．前記のイメージワイズに露光されたパターンを任意選択的に加熱し、水性または非水性現像液組成物を使用して、前記コーティングの非露光領域を除去する工程；
を含む、基板上にパターン形成レジスト層を形成する方法において、
残存するパターンが任意選択的に加熱されることを特徴とする、方法。