Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入可能な食品の少なくとも１つのシールされたパック（２）を、関連する前記パック（２）から折りたたまれたパッケージを形成するよう構成された折りたたみユニット（１５）へ搬送するための搬送ユニット（１）であって、
前記搬送ユニット（１）は、
−  搬送コンベア（２１，２３）と；
−  経路（Ｐ）に沿って周期的に動作可能な、前記搬送コンベア（２１，２３）によって運搬される少なくとも１つのプッシュ部材（２７）であって、前記パック（２）と接触するよう構成された壁（４５）を備える、少なくとも１つのプッシュ部材（２７）と；
−  前記搬送コンベア（２１，２３）上で前記プッシュ部材（２７）を支持するための支持部材（２９）と；
を備えており、
前記経路（Ｐ）は、使用時に前記プッシュ部材（２７）が前記パック（２）を受け取る入口ステーション（Ｉ）と、使用時に前記プッシュ部材（２７）が前記パック（２）を送り出す出口ステーション（Ｏ）と、を備えており；
前記経路（Ｐ）は、前記出口ステーション（Ｏ）を規定し、第１軸（Ｂ）を中心とする円弧となるよう湾曲した第１の延在部（Ｐ２）を備えており；
前記経路（Ｐ）は、前記第１の延在部（Ｐ２）の上流に配置される直線的な第２の延在
部（Ｐ１）を備えており；
前記プッシュ部材（２７）は、前記第１の部分（Ｐ２）に沿った前記支持部材（２９）
の移動が前記搬送コンベア（２１，２３）及び前記第１軸（Ｂ）へ向かう前記壁（４５）の移動を引き起こすように、前記支持部材（２９）に接続され、
前記支持手段（２９）は、第１の支持部材（３０）と第２の支持部材（３１）とを備え
ており；
前記プッシュ部材（２７）は、前記第１の支持部材（３０）に対して連結されており、
かつ前記第２の支持部材（３１）に対してスライド可能な様式で接続され、
前記プッシュ部材（２７）の１つ（２７）および前記第２の支持部材（３１）はスロット（４２）を規定し、前記プッシュ部材（２７）の他方（３１）および前記第２の支持部材（３１）は、前記スロット（４２）内をスライド可能なピン（３８）を規定する、
搬送ユニット。
【請求項２】
前記スロット（４２）は方向Ｅに沿って細長くなっており、かつ、
前記ピン（３８）は前記方向（Ｅ）に平行な前記スロット（４２）内をスライド可能であることを特徴とする請求項１に記載の搬送ユニット。
【請求項３】
前記ピン（３８）は、前記方向（Ｅ）に交差する第１の軸（Ｄ）を中心として、前記スロット（４２）に対して回転可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の搬送ユニット。
【請求項４】
前記プッシュ部材（２７）は、前記スロット（４２）を備え、前記第２の支持部材（３１）は前記ピン（３８）を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項５】
前記方向（Ｅ）は前記経路（Ｐ）に対して傾斜していることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項６】
前記プッシュ部材（２７）は、前記方向（Ｅ）に交差する第２の軸（Ｃ）を中心として前記第１の支持部材（３０）にヒンジ連結されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項７】
前記第２の支持部材（３１）は、前記経路（Ｐ）に沿う前記第１の支持部材（３０）および第２の支持部材（３１）の前進方向に基づいて進みながら、前記第１の支持部材（３０）の下流に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記
載の搬送ユニット。
【請求項８】
前記スロット（４２）は、前記方向（Ｅ）に沿って互いに向かい合う第１の端部（４３）と第２の端部（４４）とを有しており；
前記第１の端部（４３）は、前記プッシュ部材（２７）が前進する意図に基づいて前記経路（Ｐ）に沿って進む場合に、前記第２の端部（４４）の上流に配置されており；
前記プッシュ部材（２７）が前記経路（Ｐ）の前記第２の直線的な延在部（Ｐ１）に沿って移動する場合に、前記第１の端部（４３）に前記ピン（３８）が係合し；
前記プッシュ部材（２７）が前記第２の延在部（Ｐ２）に沿って移動する場合に、前記第２の端部（４４）に前記ピン（３８）が係合することを特徴とする、請求項７に記載の搬送ユニット。
【請求項９】
前記第１の支持部材（３０）および前記第２の支持部材（３１）は、互いから独立して、前記搬送コンベア（２１，２３）に支持されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項１０】
前記第１の支持部材（３０）および前記第２の支持部材（３１）の対応するポイント同士の間の距離は、前記出口ステーション（Ｏ）へ向けて前記プッシュ部材（２７）が前進する意図に基づいて進む場合に、前記経路（Ｐ）の第１の延在部（Ｐ１）に沿って一定となり、かつ前記第２の延在部（Ｐ２）に沿って増大することを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項１１】
前記経路（Ｐ）は使用時に垂直平面（Ｐ）上に位置することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項１２】
前記壁（４５）は平坦であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の搬送ユニット。
【請求項１３】
パッケージングマシン（５０）であって、
−  請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の搬送ユニット（１）と；
−  前記搬送ユニット（１）の前記出口ステーション（Ｏ）で前記パック（２）を受け取
るよう構成され、かつ前記パック（２）から折りたたまれたパッケージを形成するよう構
成された折りたたみユニット（１５）と；
を備えることを特徴とするパッケージングマシン（５０）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラストマーラミネートを含み、該ラミネートが下記の少なくとも2層の重ね合せエラストマー層を含むことを特徴とするタイヤ：
・第１層、即ち、少なくとも１種の芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)熱可塑性エラストマーをベースとし、芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)の含有量が50phrよりも多くから100phr(エラストマー100質量部当りの質量部)までの範囲内にある組成物からなる芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)層；
・第２層、即ち、少なくとも１種のジエンエラストマーをベースとし、ジエンエラストマーの含有量が50phrよりも多くから100phrまでの範囲内にある組成物からなるジエン層。
【請求項２】
前記第１層の芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)熱可塑性エラストマーのエラストマーブロックが、ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、ポリカーボネートおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記第１層の芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)熱可塑性エラストマーが、芳香族ポリエステルとポリエーテルのコポリマーおよびこれらコポリマーの混合物からなる群から選ばれる、請求項２記載のタイヤ。
【請求項４】
前記第１層の芳香族ポリエステルブロックコポリマー(APBC)熱可塑性エラストマーが、芳香族ポリエステルと脂肪族ポリエーテルのコポリマーおよびこれらコポリマーの混合物からなる群から選ばれる、請求項３記載のタイヤ。
【請求項５】
前記APBCコポリマーの融点(Tm)が、140℃と210℃の間である、請求項１〜４のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】
前記第１層が、架橋系を含有しない、請求項１〜５のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項７】
前記第２層のジエンエラストマーが、本質的に不飽和のジエンエラストマーおよびこれらエラストマーの混合物からなる群から選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項８】
前記第２層が、補強用充填剤を含む、請求項１〜７のいずれか１項記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属ボンドパッドが形成された第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
少なくとも１つの他の金属ボンドパッドを画成するパターン形成された金属層を有するマウント基板と、
前記マウント基板の前記少なくとも１つの他の金属ボンドパッド上に配置された誘電体はんだマスク層であり、当該マスク層は、前記少なくとも１つの他の金属ボンドパッドの少なくとも一部を露出させる少なくとも１つの開口を有し、当該マスク層は、可視光の少なくとも９０％を反射する反射材料で形成され、且つ堆積される溶融はんだを前記少なくとも１つの開口に制限する、マスク層と、
前記ＬＥＤダイの前記少なくとも１つの金属ボンドパッドが、前記少なくとも１つの他の金属ボンドパッドにはんだ付けされ、且つ前記マスク層が、前記ＬＥＤダイを取り囲んで光を反射するように、前記ＬＥＤダイの前記少なくとも１つの金属ボンドパッドと接触して前記マスク層の前記少なくとも１つの開口内に配置されたはんだと、
を有する発光デバイス。
【請求項２】
前記ＬＥＤダイは、サブマウント上にマウントされたＬＥＤ半導体層を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記はんだマスク層に取り付けられ、且つ、前記ＬＥＤダイの高さよりも高く延在して前記ＬＥＤダイを取り囲む反射性の内壁を有した、プリフォームされたリングと、
前記ＬＥＤダイと前記マスク層の一部とを覆うように、前記リングを少なくとも部分的に充たす第１の波長変換層であり、蛍光体を有する第１の波長変換層と、
を更に有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記はんだマスク層に取り付けられ、且つ、前記ＬＥＤダイの高さよりも高く延在して前記ＬＥＤダイを取り囲む反射性の内壁を有した、プリフォームされたリングと、
前記ＬＥＤダイと前記マスク層の一部とを覆うように、前記リングを少なくとも部分的に充たす第１の波長変換層であり、量子ドットを有する第１の波長変換層と、
を更に有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
反射性の前記リングは、前記第１の波長変換層用の金型として機能する、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ＬＥＤダイから前記波長変換層を離隔させる、前記第１のＬＥＤダイを覆ったレンズ、を更に有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記反射材料は白色塗料を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記反射材料は、バインダ内の反射粒子を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
当該デバイスは更に、付随する金属ボンドパッドを持つ複数の他のＬＥＤダイを有し、
前記マウント基板上の前記パターン形成された金属層は、前記他のＬＥＤダイの前記金属ボンドパッドに対応する複数の金属ボンドパッドを画成し、
前記マスク層は、前記他のＬＥＤダイの前記金属ボンドパッドに対応する前記マウント基板の前記複数の金属ボンドパッドの各々の少なくとも一部を露出させる複数の開口を有し、且つ
前記複数の他のＬＥＤダイの前記金属ボンドパッドは、前記他のＬＥＤダイの前記金属ボンドパッドに対応する前記マウント基板の前記複数の金属ボンドパッドの前記露出された少なくとも一部に接合され、前記マスク層が、前記複数の他のＬＥＤダイの各々を取り囲む、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記パターン形成された金属層は、前記第１のＬＥＤダイと前記複数の他のＬＥＤダイとを相互接続するとともに、前記マスク層によって覆われている、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
発光構造を形成する方法であって、
複数の金属ボンドパッドを画成するパターン形成された金属層を有するマウント基板を用意し、
前記複数の金属ボンドパッド上に誘電体はんだマスク層を堆積し、該マスク層は、前記複数の金属ボンドパッドの各々の少なくとも一部を露出させる複数の開口を有し、該マスク層は、可視光の少なくとも９０％を反射する反射材料で形成され、且つ堆積される溶融はんだを前記複数の開口に制限し、
前記マスク層内の前記複数の開口を充たすように溶融はんだを与えることによって、結合される複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイの底部金属ボンドパッドを、前記マウント基板の前記複数の金属ボンドパッドの各々の前記露出された少なくとも一部に接合することで、前記マスク層が前記複数のＬＥＤダイの各々を取り囲んで光を反射するようにする、
ことを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面上に第１の微多孔層を有する第１のガス拡散層を含む膜電極接合体であって、
前記第１の微多孔層が主表面を有し、
前記第１の微多孔層の主表面が、微多孔性物質を実質的に含まない不連続な領域をその中に有し、
前記第１の不連続な領域の少なくとも一部が、その中に接着剤を有する、膜電極接合体。
【請求項２】
前記第１の不連続な領域の少なくともいくつかが、１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲の幅を有する、請求項１に記載の膜電極接合体。
【請求項３】
膜電極接合体の製造方法であって、
主表面上に第１の微多孔層を有する第１のガス拡散層を提供すること（ここで、前記第１の微多孔層は主表面領域を有する）と、
前記第１のガス拡散層から前記第１の微多孔層の一部を除去して、前記第１のガス拡散層の主表面上に、少なくとも一つの、第１の微多孔性物質を実質的に含まない第１の領域を提供することと、
概ね対向する第１及び第２の主表面を有する触媒被覆膜を提供すること（ここで、前記第１の主表面はアノード触媒を含み、前記第２の主表面はカソード触媒を含む）と、
前記第１のガス拡散層を前記触媒被覆膜の前記アノード触媒に固着すること（ここで、前記第１のガス拡散層の、前記第１の微多孔性物質を実質的に含まない前記第１の領域の少なくとも一部に、前記第１のガス拡散層と前記触媒被覆膜とが共に結合するのを少なくとも部分的に助ける第１の接着剤が配設されている）と、
第２のガス拡散層を前記触媒被覆膜の前記カソード触媒に固着すること、
を含む、前記膜電極接合体を提供する方法。
【請求項４】
膜電極接合体の製造方法であって、
少なくとも１つのマスクを用いて、第１のガス拡散層の主表面上へ微多孔層をコーティングして、主表面上に第１の微多孔層を有する第１のガス拡散層を提供すること（ここで、前記第１の微多孔層は主表面を有し、前記第１の微多孔層の前記主表面は、第１の微多孔性物質を実質的に含まない不連続な領域をその中に有し、少なくとも１つの不連続な領域の一部は前記第１のガス拡散層の作用面積内にある）と、
概ね対向する第１及び第２の主表面を有する触媒被覆膜を提供すること（ここで、前記第１主表面はアノード触媒を含み、前記第２主表面はカソード触媒を含む）と、
前記第１のガス拡散層を前記触媒被覆膜の前記アノード触媒に固着すること（ここで、前記第１のガス拡散層の、前記第１の多孔性物質を実質的に含まない前記第１の不連続な領域の少なくとも一部に、前記第１のガス拡散層と前記触媒被覆膜とが共に結合するのを少なくとも部分的に助ける第１の接着剤が配設されている）と、
第２のガス拡散層を前記触媒被覆膜の前記カソード触媒に固着すること、
を含む、前記膜電極接合体を提供する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型層スタック内に空隙構造を形成する方法であって、
真空下の処理システムにおいて前記一体型層スタック上に配置されたモールド層をドライエッチング処理するステップであって、前記モールド層は一ないし複数の銅配線の間に配置され、前記モールド層のドライエッチング処理は前記一ないし複数の銅配線の少なくとも一部を露出させる、ステップと、
前記ドライエッチング処理によって露出された前記一ないし複数の銅配線の露出部分の上にコンフォーマルなライナー層を堆積するステップと
を含み、
前記ドライエッチング処理と前記コンフォーマルなライナー層の堆積とが、前記処理システムにおいて真空を遮断せずに実行される、方法。
【請求項２】
真空下で前記一ないし複数の銅配線の上に層スタックを堆積するステップを更に含み、前記層スタックは犠牲膜層及び一ないし複数の流動性低誘電率材料層を含み、前記層スタックを堆積することは、前記処理システムにおいて真空を遮断せずに実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲膜層を取り除き、空隙構造を形成するために、前記層スタックを硬化するステップを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記モールド層は、シリコンベース酸化物又は低誘電率材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コンフォーマルなライナー層は、炭化物、窒化物及びシランからなるグループから選択される誘電体材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記一ないし複数の流動性低誘電率材料層は、炭素がドープされた酸化物、フッ素化炭素、ナノクラスタリングシリカ、メソポーラス酸化物、又は有機「スピンオン」材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲膜層は、炭素又は高分子炭素−水素材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
一体型層スタック内に空隙構造を形成する方法であって、
真空下の処理システムにおいて第１処理チャンバの前記一体型層スタック上に配置された酸化物モールド層をドライエッチング処理するステップであって、前記酸化物モールド層は一ないし複数の銅配線の間に配置され、前記酸化物モールド層の前記ドライエッチング処理は一ないし複数の前記銅配線の少なくとも一部を露出させる、ステップと、
真空下で前記処理システム内の第２処理チャンバの前記一ないし複数の銅配線の露出部分の上に約２ナノメートル未満の厚みを有する低誘電率材料ライナー層をコンフォーマルに堆積することによって、前記一ないし複数の銅配線に堆積されたコンフォーマルな低誘電率材料ライナー層を形成するステップと
を含み、
前記ドライエッチング処理と前記低誘電率材料ライナー層の堆積とが、前記処理システムにおいて真空を遮断せずに実行される、方法。
【請求項９】
真空下で前記一ないし複数の銅配線の上に層スタックを堆積するステップを更に含み、前記層スタックは犠牲膜層及び一ないし複数の流動性低誘電率材料層を含み、前記層スタックの堆積は、前記処理システムにおいて真空を遮断することなく実行される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記低誘電率材料ライナー層は炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）を含み、前記犠牲膜層は炭素を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記犠牲膜層を取り除き、前記空隙構造を形成するために、前記層スタックを硬化するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記銅配線の上部を露出するため、第１の流動性低誘電率材料層の一部及び前記低誘電率材料ライナー層を研磨するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ドライエッチングは、約２ｍＴｏｒｒ〜約２０ｍＴｏｒｒの圧力で、ＮＦ３、ＮＨ３又はＣｘＦｙガスを使用する、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
処理システム内で基板上に誘電体構造を形成する方法であって、
真空下で第１処理チャンバの前記基板上にモールド層をドライエッチング処理するステップであって、前記モールド層は一ないし複数の銅配線の間に配置され、前記モールド層の前記ドライエッチング処理は前記一ないし複数の銅配線の少なくとも一部を露出させるステップと、
真空下で前記第１処理チャンバから、一ないし複数の第２処理チャンバまで前記基板を移送するステップと、
真空下で前記一ないし複数の第２処理チャンバの前記基板上の前記一ないし複数の銅配線の露出部分の上にコンフォーマルにライナー層を堆積することによって、前記一ないし複数の銅配線に堆積されたコンフォーマルなライナー層を形成するステップと、
真空下で前記一ないし複数の第２処理チャンバの前記基板上に形成される前記ライナー層の上に一ないし複数の誘電体層及び犠牲層を堆積するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
ライナー層の堆積と一ないし複数の誘電体層の堆積は、別々の第２処理チャンバにおいて実行される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦｉｎＦＥＴデバイスの半導体フィンを形成する方法であって、
前記半導体フィン上にシリコンゲルマニウム、ＳｉＧｅ、のアモルファス薄膜または多結晶薄膜を共形堆積させるステップと、
前記半導体フィンと前記フィンを支持する単結晶基板との間にインターフェースを提供するために、前記半導体フィン内に、及び、前記半導体ＳｉＧｅフィンを支持する基板の表面内に、前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜からゲルマニウムを前記半導体フィン内に拡散するために、前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜を酸化させるステップと、
前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜の酸化部分を除去するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記半導体フィン内の圧縮歪みが、前記半導体フィンを支持する前記基板内よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体フィンが、実質的に、前記基板の表面と同じ結晶配向にある、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜を酸化させる前の前記半導体フィンの前記結晶配向が、前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜を酸化させた後の前記半導体フィンの前記結晶配向と同じである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体フィンが実質的に単一結晶である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記共形堆積させるステップが、複数の異なる材料の表面上の非選択的堆積を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体フィン上にＳｉＧｅスペーサを提供するために、前記薄膜をエッチングするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチングするステップが異方性である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記共形堆積させるステップが、前記半導体フィンの表面上の選択的堆積を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体フィンがシリコンゲルマニウムまたはシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板上のフィン電界効果トランジスタ、ＦｉｎＦＥＴ、デバイスであって、
半導体シリコンゲルマニウム、ＳｉＧｅ、フィンと、
前記半導体ＳｉＧｅフィンと前記フィンを支持する単結晶基板との間にインターフェースを提供するために、前記基板の表面上に拡散されたゲルマニウムの一部と
を含む、フィン電界効果トランジスタ、ＦｉｎＦＥＴ、デバイス。
【請求項１２】
前記半導体ＳｉＧｅフィン内の圧縮歪みが、前記半導体ＳｉＧｅフィンを支持する前記基板内よりも大きい、請求項１１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項１３】
前記半導体ＳｉＧｅフィンが、実質的に、前記基板の表面と同じ結晶配向にある、請求項１２に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項１４】
前記半導体ＳｉＧｅフィンが実質的に単結晶である、請求項１１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【請求項１５】
前記半導体ＳｉＧｅフィンのＳｉＧｅ部分が前記基板のシャロートレンチ分離領域から延在し、前記半導体ＳｉＧｅフィンのシリコン部分が前記基板の前記シャロートレンチ分離領域を通じて延在する、請求項１１に記載のＦｉｎＦＥＴデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板に取り付けられ発光表面を有する発光素子を含む発光構造体と、
透明基板及び実質的に一様な厚さの予備成形された波長変換フィルムを含み、前記発光構造体の前記発光表面と同じ寸法である小プレートと、
を有する発光デバイスであって、
接着剤を使用しない多重積層プロセスで、前記波長変換フィルムが前記透明基板に積層されそして前記発光素子に積層されている、
発光デバイス。
【請求項２】
前記透明基板はガラス又はサファイアのうちの１つを有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記波長変換フィルムは１つ以上の蛍光体を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記１つ以上の蛍光体がシリコーンポリマーに埋設されている、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記波長変換フィルムはシリコーンポリマーを含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記波長変換フィルムは、前記発光素子への積層に先立ち前記透明基板に積層されたことを示す物理的特性を呈示する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記発光素子はある寸法を有する発光表面を含み、前記波長変換フィルムは前記発光表面の前記寸法に実質的に等しい受光表面を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記透明基板は、前記発光表面の前記寸法に実質的に等しい受光表面を含む、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記透明基板は、前記波長変換フィルムに積層された表面と反対側の非平坦表面を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記発光素子及び前記波長変換フィルムを包囲する反射性材料を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記反射性材料は前記透明基板も包囲する、請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
発光デバイスの製造方法であって、
発光表面を含む複数の発光素子を支持基板上に提供するステップと、
波長変換フィルムを、透明基板に積層して該透明基板に接着させるが完全には硬化させないステップと、
前記の完全には硬化させない半硬化の波長変換フィルムを伴う前記透明基板を複数の小プレートへとスライシングするステップと、
１個の小プレートの前記半硬化の波長変換フィルムを、接着剤を使用せずに、発光構造体の前記発光表面に積層して前記波長変換フィルムを完全に硬化させるステップと、
を有する製造方法。
【請求項１３】
１個の小プレートの前記波長変換フィルムが、前記複数の発光素子の各々に積層される、
請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
モールド材料を適用して、前記基板の上の前記複数の発光素子を包囲し、前記複数の小プレートの各々の少なくとも一部を包囲するステップを含む、請求項１３に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向（Ｚ）に電子を放出するための、放出周縁（３５）で境界が定められた放出表面（３２）を収容している陰極本体（２２）と、
横断方向（Ｘ、Ｙ）に前記陰極本体を少なくとも部分的に囲み、前記放出表面によって放出された前記電子を集束させるための、アパーチャ周縁（４５）で境界が定められた電子透過アパーチャ（４４）を有する集束電極（４０）とを具備し、
前記陰極本体は、前記陰極本体と前記集束電極との間に環状間隙（ｄ１）を備えるように配置され、
前記電子透過アパーチャは、前記アパーチャ周縁が、前記環状間隙（ｄ１）を超えるオーバーラップ距離（ｄ２）にわたって、前記放出周縁を超えて前記放出表面の上に横断方向に延びているように、前記放出表面よりも小さい、陰極構成体（２０）。
【請求項２】
前記集束電極は、前記陰極本体の外表面に面している内側表面を備えた円筒形シェル（５４）を有し、前記円筒形シェルには、前記円筒形シェルの前記内側表面と前記陰極本体との間に前記環状間隙を設けるために、半径方向スペーサ又はタブ（５９）が設けられている、請求項１に記載の陰極構成体（２０）。
【請求項３】
前記オーバーラップ距離（ｄ２）は、１０マイクロメートルないし１００マイクロメートルの範囲にある、請求項１又は２に記載の陰極構成体（２０）。
【請求項４】
前記アパーチャ周縁（４５）及び前記放出周縁（３５）は、同様に成形されている、請求項１ないし３のいずれか１に記載の陰極構成体（２０）。
【請求項５】
前記集束電極（４０）は、前記放出表面（３２）に面している内側電極表面（４６）を有し、スペーシング要素（４８）が、前記集束電極と前記放出表面との間にスペーシングを設けるために配置されている、請求項１ないし４のいずれか１に記載の陰極構成体（２０）。
【請求項６】
使用中に意図された方向に配置されたとき、前記陰極本体は、重力によって前記スペーシング要素（４８）に載っている、請求項５に記載の陰極構成体（２０）。
【請求項７】
支持構造（６２）をさらに具備し、前記支持構造には、前記集束電極（４０）と前記陰極本体（２２）との少なくとも一方を前記支持構造に対して制限するための制限構成体（６５）が設けられている、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の陰極構成体。
【請求項８】
前記制限構成体は、各々が前記陰極本体と前記集束電極との少なくとも一方の表面領域に面しているエンドストップ（６５ａ、６５ｂ）を有し、前記エンドストップと前記表面領域との間に間隙が配置されている、請求項７に記載の陰極構成体。
【請求項９】
電子ビーム（４）を生成するための電子銃（２）であって、
複数の電子を生成するための、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の陰極構成体（２０）と、
前記生成された電子を前記電子ビームに成形するための少なくとも１つの成形電極（６ａ−６ｃ）とを具備する、電子銃。
【請求項１０】
アライメントされた電極アセンブリ（１２）を形成している少なくとも２つの成形電極（６ａ−６ｃ）を具備し、
前記成形電極は、各々、成形アパーチャ（１０ａ−１０ｃ）が設けられた導電性本体を有し、前記成形アパーチャは、同軸にアライメントされている、請求項９に記載の電子銃。
【請求項１１】
少なくとも１つの電子ビームレット（５）を使用してターゲット（１８）を露光するための電子ビームリソグラフィシステム（１）であって、このシステムは、
少なくとも１つの電子ビームレットを生成するためのビームレット生成器（２、１２、１３）と、
少なくとも１つの変調されたビームレットを形成するために少なくとも１つの電子ビームレットをパターニングするためのビームレット変調器（１４、１５）と、
少なくとも１つの変調されたビームレットをターゲットの表面上に投影するためのビームレット投影器（１６、１７）とを有し、
前記ビームレット生成器は、請求項９又は１０に記載の電子銃（２）を有する、電子ビームリソグラフィシステム（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
船舶用の推進ユニットであって、
流線形本体を有し、前記流線形本体は、前端部と後端部を有し、使用の際、前記前端部は、上流に向き、前記後端部は、下流に向き、前記前端部は、前記後端部よりも大きく且つ意図した移動方向に対して垂直である横断面を有し、
水用入口開口部が、前記前端部にまたは前記前端部に隣接して設けられ、前記水用入口開口部は、羽根車と連通し、前記羽根車は、意図した移動方向に対して平行な軸線の周りを回転し、１つ又は２つ以上の羽根を有し、
前記水用入口開口部に入る水は、前記羽根車の回転軸線から半径方向に離れる向きに噴出され、噴出された水は、前記１つ又は２つ以上のノズルから、噴出された水を前記流線形本体の外面に沿って差し向けるように押し出される、推進ユニット。
【請求項２】
前記流線形本体は、迎え角ゼロにおける回転体であり、前記羽根車の回転軸線に対して対称である、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項３】
長手方向平面における前記流線形本体の全体的な断面は、液滴形状を有し、前記後端部はテーパする、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項４】
前記流線形本体は、前記推進ユニットを船舶に取り付けるための手段を有し、前記手段は、推力を船舶に伝達するのに適する、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項５】
前記手段は、船舶のプロペラ軸であり、前記推進ユニットは、プロペラの代わりに取り付けられ、前記プロペラ軸は、前記推進ユニットの羽根車を回転させる、請求項４に記載の推進ユニット。
【請求項６】
前記羽根車の軸を回転させるためのモータ手段が前記流線形本体の内部に設けられる、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項７】
前記水用入口開口部、前記羽根車、及び前記１つ又は２つ以上のノズルは、前記ノズルから噴出される水が前記流線形本体の外面に沿って差し向けられるように、前記流線形本体の表面に配置される、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項８】
前記ノズルは、円形状を有し、前記羽根車の周りに且つ前記流線形本体の表面に配置され、セクションに分離される、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項９】
前記羽根車に配置された羽根は全て、前記羽根車の回転軸線から半径方向距離だけ間隔をあけて、前記羽根車の中央領域を、開放した羽根なし表面として残し、前記羽根なし表面は、前記羽根車の回転軸線に対して実質的に垂直な面を有する、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項１０】
前記１つ又は２つ以上の羽根は、前記羽根車の実質的に半径方向に配置され、前記羽根を通る半径方向に対して湾曲し、水を前記羽根車から実質的に半径方向に噴出する、請求項１または９に記載の推進ユニット。
【請求項１１】
前記羽根車に配置された羽根は、半径方向に対して向きを変える又は調整することができる、請求項１または１０に記載の推進ユニット。
【請求項１２】
前記ノズルは、複数の壁と蓋の形状を有する整流手段を有し、前記壁と蓋は、水の流れに対して制御され、前記整流手段は、噴出させた水を前記羽根車の回転軸線に対する半径方向に差し向けて、前記流線形本体の表面に沿って差し向ける、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項１３】
前記流線形本体の表面積の少なくとも一部に、複数のディンプル、複数の刻み目、及び／または、複数の出っ張りが設けられる、請求項１に記載の推進ユニット。
【請求項１４】
推進力を提供する方法であって、
船舶用の推進ユニットは、流線形本体を有し、前記流線形本体は、前端部と後端部を有し、使用の際、前記前端部は、上流に向き、前記後端部は、下流に向き、前記前端部は、前記後端部よりも大きく且つ意図した移動方向に対して垂直である横断面を有し、水用入口開口部が、前記前端部にまたは前記前端部に隣接して設けられ、前記水用入口開口部は、羽根車と連通し、前記羽根車は、意図した移動方向に対して平行な軸線の周りを回転し、１つ又は２つ以上の羽根を有し、前記水用入口開口部に入る水は、前記羽根車の回転軸線から半径方向に離れる向きに噴出され、噴出された水は、前記１つ又は２つ以上のノズルから、噴出された水を前記流線形本体の外面に沿って差し向けるように押し出され、
前記推進ユニットを船舶の水面下部分に配置し、
水を前記推進ユニットの水用入口開口部に流入させ、
水が前記羽根車に配置した羽根と接触したときに水を加速させ、
前記羽根車から噴出させた水を、前記ノズルから前記推進ユニットの表面に沿って噴出させ、
前記推進ユニットの前端部で加速された水により、負圧を発生させ、
前記推進ユニットの後部に沿う水により、推力となる推進力を提供する、方法。
【請求項１５】
推進力を提供する方法であって、
船舶用の推進ユニットは、流線形本体を有し、前記流線形本体は、前端部と後端部を有し、使用の際、前記前端部は、上流に向き、前記後端部は、下流に向き、前記前端部は、前記後端部よりも大きく且つ意図した移動方向に対して垂直である横断面を有し、水用入口開口部が、前記前端部にまたは前記前端部に隣接して設けられ、前記水用入口開口部は、羽根車と連通し、前記羽根車は、意図した移動方向に対して平行な軸線の周りを回転し、１つ又は２つ以上の羽根を有し、前記水用入口開口部に入る水は、前記羽根車の回転軸線から半径方向に離れる向きに噴出され、噴出された水は、前記１つ又は２つ以上のノズルから、噴出された水を前記流線形本体の外面に沿って差し向けるように押し出され、
前記推進ユニットを、ポッドの前端の水面下部分又は水面下空洞に配置し、
船舶の速度、したがって、前記推進ユニットの速度、水面下の前記羽根車及び前記整流ノズルと接触する水の周囲圧力を上昇させ、
局所圧力に関連する相対的な流速に起因する全体推進システムの推力発生部におけるキャビテーションが開始することを遅延させる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希薄燃焼エンジンからの排ガス排出物の削減のための酸化触媒複合材料であって、
長さ、入口端及び出口端を有する担体基材と、前記担体上の酸化触媒の触媒材料を含み、前記酸化触媒の触媒材料が、第１の耐火性金属酸化物支持体、白金（Ｐｔ）成分及びパラジウム（Ｐｄ）成分を含み、そのＰｔ：Ｐｄ比が約１０：１〜１：１０の範囲にある第１のウォッシュコート層；並びに
第２の耐火性のＭｎ含有金属酸化物支持体、ゼオライト、Ｐｔ成分、及び必要に応じて、Ｐｄ成分を含む第２のウォッシュコート層
を含み、
希薄燃焼エンジン排ガス中の炭化水素及び一酸化炭素を削減し、かつＮＯをＮＯ２に酸化するのに効果的である酸化触媒複合材料。
【請求項２】
前記第２のウォッシュコート層が、パラジウム成分をさらに含み、前記第２のウォッシュコート層のＰｔ：Ｐｄ比が１：０〜１０：１の範囲にある、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項３】
前記第２のウォッシュコート層がパラジウムを実質的に含まない、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項４】
前記第１のウォッシュコート層が前記担体基材上にコーティングされ、前記第２のウォッシュコート層が前記第１のウォッシュコート層の上部にコーティングされるか、又は前記第２のウォッシュコート層が前記担体基材上にコーティングされ、前記第１のウォッシュコート層が前記第２のウォッシュコート層の上部にコーティングされるか、又は前記第１のウォッシュコート層及び前記第２のウォッシュコート層の両方が前記担体基材上にコーティングされる、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項５】
前記第２の耐火性金属酸化物支持体のＭｎ含有量が、０．１重量％〜３０重量％の範囲にある、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項６】
前記Ｍｎ含有量が、３〜１０重量％の範囲にある、請求項５に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項７】
前記Ｍｎが、前記耐火性金属酸化物支持体を有するＭｎ含有固溶体、含浸によって前記耐火性金属酸化物支持体上に分散したＭｎ表面、及び前記耐火性金属酸化物支持体粒子上の別々のマンガン酸化物粒子からなる群から選択される形態で存在する、請求項５に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項８】
前記Ｍｎが、酢酸Ｍｎ、硝酸Ｍｎ、硫酸Ｍｎ、もしくはそれらの組み合わせから選択される可溶性Ｍｎ種、又はＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ２、及びそれらの組み合わせから選択されるバルクＭｎ酸化物由来である、請求項５に記載の酸化触媒。
【請求項９】
前記第２の耐火性金属酸化物支持体が、アルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニア、セリア、又はそれらの組み合わせを含む、請求項５に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１０】
前記第２のウォッシュコート層が、約１０ｇ／ｆｔ３〜１００ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｔ成分を含み、かつ約０．１ｇ／ｆｔ３〜１０ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｄ成分を含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１１】
前記第２のウォッシュコート層が、ＺＳＭ−５、ベータ、モルデナイト、Ｙ型ゼオライト、菱沸石、フェリエライト、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される６〜１２員の環構造の形態で水熱安定ゼオライトを含む、請求項１０に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１２】
前記第１の耐火性金属酸化物支持体が、アルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニア、セリア、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１３】
前記第１のウォッシュコート層が、各成分を約１０ｇ／ｆｔ３〜１００ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｔ成分及びＰｄ成分を含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１４】
前記第２のウォッシュコート層がバリウムを実質的に含まず、かつ前記第１のウォッシュコート層がゼオライトを実質的に含まない、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１５】
前記Ｍｎが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｉｒ、Ｉｎ、又はそれらの組み合わせと共に添加される、請求項５に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１６】
ディーゼルエンジンの排ガス流を処理する方法であって、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の酸化触媒複合材料と排ガス流を接触させることを含む方法。
【請求項１７】
前記酸化触媒複合材料のすぐ下流の、必要に応じて、壁流フィルターモノリス上に配置されたＳＣＲ触媒組成物に前記排ガス流を通過させることをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
炭化水素、一酸化炭素、及び他の排ガス成分を含む希薄燃焼エンジンの排ガス流の処理システムであって、
排気マニホールドを介して前記希薄燃焼エンジンと流体連通する排気管；
前記担体基材がフロースルー基材である請求項１〜１５のいずれか一項に記載の酸化触媒複合材料；並びに
前記酸化触媒複合材料の下流に位置する触媒すすフィルター及びＳＣＲ触媒；
を含むシステム。
【請求項１９】
前記酸化触媒複合材料が、希薄ＮＯｘトラップに添加される、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記希薄ＮＯｘトラップが、バリウム成分及びロジウム成分を含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記ＳＣＲ触媒が前記触媒すすフィルター上にコーティングされるか、あるいは
前記ＳＣＲ触媒が、前記酸化触媒複合材料のすぐ下流のフロースルー基材上にコーティングされるとともに、前記触媒すすフィルターが前記ＳＣＲ触媒の下流に存在する、請求項１８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希薄燃焼エンジンからの排ガス排出物の削減のための酸化触媒複合材料であって、長さ、入口端及び出口端を有する担体基材、前記担体上の酸化触媒の触媒材料を含み、前記酸化触媒の触媒材料が、ゼオライト、Ｐｔ成分、第１の耐火性のＭｎ含有金属酸化物支持体、及び必要に応じて、Ｐｄ成分を含む第１のウォッシュコート；
第２の耐火性金属酸化物支持体、Ｐｔ：Ｐｄ比が約１０：１〜１：１０の範囲の白金（Ｐｔ）成分及びパラジウム（Ｐｄ）成分を含む第２のウォッシュコート；及び
パラジウム及び希土類酸化物成分を含み、白金を実質的に含まない第３のウォッシュコート；
を含み、
前記希薄燃焼エンジン排ガス中の炭化水素及び一酸化炭素を削減し、かつＮＯをＮＯ２に酸化するのに効果的である酸化触媒複合材料。
【請求項２】
前記第１のウォッシュコートのＰｔ：Ｐｄ比が１：０〜１０：１の範囲にある、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項３】
前記第１のウォッシュコートがパラジウムを実質的に含まない、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項４】
前記第１のウォッシュコートのＭｎ含有量が、０．１質量％〜２０質量％の範囲にある、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項５】
前記Ｍｎ含有量が、３〜１０質量％の範囲にある、請求項４に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項６】
前記Ｍｎが、前記耐火性金属酸化物支持体を有するＭｎ含有固溶体、含浸によって前記耐火性金属酸化物支持体上に分散したＭｎ表面、及び前記耐火性金属酸化物支持体粒子上の不連続に施されたマンガン酸化物粒子からなる群から選択される形態で存在する、請求項４に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項７】
前記Ｍｎが、酢酸Ｍｎ、硝酸Ｍｎ、硫酸Ｍｎ、もしくはそれらの組み合わせから選択される可溶性Ｍｎ種、又はＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、ＭｎＯ２、もしくはそれらの組み合わせから選択されるバルクＭｎ酸化物から得られる、請求項４に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項８】
前記第１のウォッシュコートが、約１０ｇ／ｆｔ３〜１００ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｔ成分を含み、約０．１ｇ／ｆｔ３〜１０ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｄ成分をさらに含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項９】
前記第１のウォッシュコートが、ＺＳＭ−５、ベータ、モルデナイト、Ｙ型ゼオライト、菱沸石、フェリエライト、及びそれらの組み合わせから選択される６〜１２員の環構造の形態で水熱安定ゼオライトを含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１０】
前記第１及び第２の耐火性金属酸化物支持体が、独立して、アルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニア、セリア、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１１】
前記第２のウォッシュコートが、各成分を約１０ｇ／ｆｔ３〜１００ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｔ成分及びＰｄ成分を含む、請求項１０に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１２】
前記第１のウォッシュコートがバリウムを実質的に含まず、前記第２のウォッシュコートがゼオライトを実質的に含まない、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１３】
前記第３のウォッシュコートが、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ、Ｐｒ、Ｚｒ、Ｌａ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される希土類酸化物成分を含む、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１４】
前記希土類酸化物成分がセリアを含み、少なくとも８０質量％の量で存在する、請求項１３に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１５】
前記第３のウォッシュコートが、前記希土類酸化物成分上に担持された、約１０ｇ／ｆｔ３〜１００ｇ／ｆｔ３の範囲の量でＰｄ成分を含む、請求項１４に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１６】
前記Ｍｎが、アルミナ、シリカ、ジルコニア、チタニア、セリア、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される耐火性金属酸化物支持体上に分散している、請求項１１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１７】
前記第３のウォッシュコートが前記担体基材上にコーティングされ、前記第２のウォッシュコートが前記第３のウォッシュコートの上部にコーティングされ、かつ前記第１のウォッシュコートが前記第２のウォッシュコートの上部にコーティングされるか、又は
前記第２のウォッシュコートが前記担体基材の前記入口端上にコーティングされ、前記第３のウォッシュコートが前記担体基材の前記出口端上にコーティングされ、かつ前記第１のウォッシュコートが前記第２のウォッシュコート及び前記第３のウォッシュコートの上部にコーティングされる、請求項１に記載の酸化触媒複合材料。
【請求項１８】
ディーゼルエンジンの排ガス流を処理する方法であって、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の酸化触媒複合材料と前記排ガス流を接触させることを含む方法。
【請求項１９】
前記酸化触媒複合材料のすぐ下流のＳＣＲ触媒組成物に前記排ガス流を通過させることをさらに含み、
前記ＳＣＲ触媒組成物が、必要に応じて壁流モノリス上に配置されている、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
炭化水素、一酸化炭素、及び他の排ガス成分を含む希薄燃焼エンジンの排ガス流の処理システムであって、
排気マニホールドを介して前記希薄燃焼エンジンと流体連通する排気管；
前記担体基材がフロースルー基材である請求項１〜１７のいずれか一項に記載の酸化触媒複合材料；並びに
前記酸化触媒複合材料の下流に位置する触媒すすフィルター及びＳＣＲ触媒；
を含むシステム。
【請求項２１】
前記ＳＣＲ触媒が前記触媒すすフィルター上にコーティングされるか、又は前記ＳＣＲ触媒が、前記酸化触媒複合材料のすぐ下流のフロースルー基材上に存在し、前記触媒すすフィルターが前記ＳＣＲ触媒の下流に存在する、請求項２０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに別の実施形態では、第１の濾過層、第２の濾過層、第３の濾過層および／またはさらに別の追加的な濾過層は、きめの細かい濾過層として具現化されてもよく、特に、粒径が１０μｍ以下の粒子、好適には、粒径が２．５μｍ以下の粒子を濾し取るためのきめの細かさを有する濾過層として具現化される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
より具体的には、本発明は、インプラントで使用するために、１または複数の多方向性ロッキング機構を含み、そのそれぞれが、通路穴、周辺部、少なくとも１つの梁部材、および少なくとも１つの空間を含む。通路穴および対応する周辺部は、円形またはその他の任意の幾何形状とすることができる。梁部材および空間は、複数の幾何形状、配向、および構造を有することができる。穴の周辺部の周りの空間は、骨固定デバイスが梁部材に係合するときに梁部材の移動された材料を収容する。言い換えれば、骨螺子は、梁部材と接触して、ネガティブスペースの中または周りへの梁部材の移動をもたらすことになる。各多方向性ロッキング機構に、少なくとも１つの空間および１つの梁部材が存在する。通路穴の周辺部は、変形または骨固定デバイスに適応することが可能とされてそれにより骨固定デバイスをインプラントにロックする、少なくとも１つの梁部材を有する。本明細書において、「ロッキング」という用語は、軸方向および回転方向に関するロッキング、または、回転運動を可能にするが軸方向運動を可能としない軸方向だけのロッキングなどのような完全なロッキングを意味し得る。梁部材が骨固定デバイスに係合する際に、梁または梁の一部分が、ネガティブスペース内に移動し得る。これは、骨固定デバイスに対する径方向圧縮力を生じさせ、それは、デバイスがロッキング特徴内にさらに前進されるにつれて増大し得る。対応する骨固定デバイスは、複数の挿入角度において梁特徴に相対的に干渉するように適切に寸法取りされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３１および図３２には、積層構造体として製造され得る代替実施形態が示されている。骨プレート組立体８００は、頂部プレート８３０および底部プレート８４０を含む。組み立てられると、頂部プレート８３０から頂部表面８１０が作られ、底部プレート８４０から底部表面８２０が作られる。通路穴８５０は、梁部材８６０および予め定められた空間８７０と同様に存在する。ここでは、ロッキング機構は、底部プレート８４０の一部であり、頂部プレート８３０は、そのロッキング機構と通孔を介して連携するように組み込まれている。代替実施形態としては、１つのプレート上にロッキング機構の一部を有し、別のプレート上に他の構造を有し得る。例えば、１つのプレートが２つの梁部材と２つの予め定められた領域とを有する一方で、別のプレートが複数の梁部材と予め定められた空間とを有するなど、種々の特徴を有するロッキング機構は、組み立てられたときには、もはや共通ではない。積層構造体は、複数のプレート（例えば、２つ以上）で構成されてもよい。ここに示された実施形態は２つのプレートから成り、他の代替的実施形態では、３つ以上のプレートが互いに固着されて、積層構造体を形成し得る。