【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形に配置され、基板上に配置された複数のコンタクトの中で対応する複数のセットのコンタクトとして形成される複数の縦型ホール素子であって、
前記複数の縦型ホール素子は、対応する複数の縦型ホール素子の出力信号を生成するように構成され、
前記複数の縦型ホール素子のそれぞれが、外部磁場方向を有する外部磁場に反応し、
前記縦型ホール素子の出力信号のそれぞれが、前記外部磁場に反応するそれぞれの外部磁場成分およびそれぞれのオフセットエラー成分を含む、複数の縦型ホール素子と、
前記複数の縦型ホール素子の出力信号を受信するように結合され、前記複数の縦型ホール素子の中から第１および第２の縦型ホール素子を選択するように構成されるシーケンススイッチ回路であって、
前記第１の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第１の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第２の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第２の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第１および第２の縦型ホール素子は、第１および第２の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第１の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第１の外部磁場成分および第１のオフセット成分を有し、
前記第２の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第２の外部磁場成分および第２のオフセット成分を有し、
前記シーケンススイッチ回路は、さらに、前記第１および第２の磁場成分が強め合うように加算されて強め合う信号を生成するように、前記第１および第２の縦型ホール素子の出力信号を組み合わせるように構成される、シーケンススイッチ回路と、
電流信号を受信するように結合された電流スイッチ回路であって、
第１の１つまたは複数の電流信号を、前記第１の選択されたセットのコンタクトの第１の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するように構成され、前記第１の１つまたは複数の電流信号は、前記第１の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、かつ
第２の１つまたは複数の電流信号を、前記第２の選択されたセットのコンタクトの第２の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するように構成され、前記第２の１つまたは複数の電流信号は、前記第２の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第１および第２の縦型ホール素子の前記第１および第２の選択された１つまたは複数のコンタクトは、第１および第２の異なる電流回転位相に対応する、第１および第２の異なる結合位相をそれぞれ表し、
前記シーケンススイッチ回路および前記電流スイッチ回路は、前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けるように構成されて、強め合う順序付けられた信号を生成するために、前記第１および第２の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして順次に選択する、電流スイッチ回路とを含む、磁場センサ。
【請求項２】
前記複数のコンタクトは、前記基板中の共通の注入拡散領域の上に配置されて、円形縦型ホール（ＣＶＨ）検知素子を形成する、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３】
前記シーケンススイッチ回路は、さらに、前記複数の縦型ホール素子の中から第３および第４の縦型ホール素子を選択するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第３の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第４の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第４の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第３の外部磁場成分および第３のオフセット成分を有し、
前記第４の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第４の外部磁場成分および第４のオフセット成分を有し、
前記シーケンススイッチ回路は、さらに、前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせるように構成されて、補償する信号を生成する、請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項４】
前記シーケンススイッチ回路は、前記第３および第４の外部磁場成分が弱め合うように加算されるように、前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせるように構成される、請求項３に記載の磁場センサ。
【請求項５】
前記シーケンススイッチ回路は、前記第３および第４の外部磁場成分が強め合うように加算されるように、前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせるように構成される、請求項３に記載の磁場センサ。
【請求項６】
前記電流スイッチ回路は、さらに、第３の１つまたは複数の電流信号を、前記第３の選択されたセットのコンタクトの第３の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給し、第４の１つまたは複数の電流信号を、前記第４の選択されたセットのコンタクトの第４の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するように構成され、
前記シーケンススイッチ回路および前記電流スイッチ回路は、前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けるように構成されて、補償する順序付けられた信号を生成するために、前記第３および第４の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして順次に選択し、
前記磁場センサは、前記シーケンススイッチ回路に結合され、前記強め合う順序付けられた信号を表す第１の信号と前記補償する順序付けられた信号を表す第２の信号を組み合わせるように構成されて、組み合わされた順序付けられた信号を生成する組み合わせ回路をさらに含む、請求項３に記載の磁場センサ。
【請求項７】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第３および第４の縦型ホール素子の前記第３および第４の選択された１つまたは複数のコンタクトは、同じ結合位相を表す、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項８】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出する、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項９】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第３および第４の縦型ホール素子の前記第３および第４の選択された１つまたは複数のコンタクトは、前記異なる結合位相を表す、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１０】
前記シーケンススイッチ回路と前記組み合わせ回路の間に結合され、予め定めた位相調節を、前記強め合う順序付けられた信号または前記補償する順序付けられた信号の選択された１つに適用するように構成されて、前記第１の信号または前記第２の信号のそれぞれ１つを生成する位相調節モジュールをさらに含む、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１１】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１２】
前記第３および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
前記第１および第２の縦型ホール素子の中心の間の線と前記第３および第４の縦型ホール素子の中心の間の線が、ほぼ９０度離れている、請求項１１に記載の磁場センサ。
【請求項１３】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、互いに直接隣接し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、互いに直接隣接している、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１４】
前記第１および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
前記第２および第３の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項１３に記載の磁場センサ。
【請求項１５】
前記第１および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
第２および第３の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項１６】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項１７】
前記シーケンススイッチ回路は、さらに、前記複数の縦型ホール素子の中から第３および第４の縦型ホール素子を選択するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第３の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第４の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第４の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第３の外部磁場成分および第３のオフセット成分を有し、
前記第４の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第４の外部磁場成分および第４のオフセット成分を有し、
前記シーケンススイッチ回路は、さらに、前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせるように構成されて、補償する信号を生成する、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１８】
前記電流スイッチ回路は、さらに、第３の１つまたは複数の電流信号を、前記第３の選択されたセットのコンタクトの第３の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給し、第４の１つまたは複数の電流信号を、前記第４の選択されたセットのコンタクトの第４の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するように構成され、
前記シーケンススイッチ回路および前記電流スイッチ回路は、前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けるように構成されて、補償する順序付けられた信号を生成するために、前記第３および第４の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして順次に選択し、
前記磁場センサは、前記シーケンススイッチ回路に結合され、前記強め合う順序付けられた信号を表す第１の信号と前記補償する順序付けられた信号を表す第２の信号を組み合わせるように構成されて、組み合わされた順序付けられた信号を生成する組み合わせ回路をさらに含む、請求項１７に記載の磁場センサ。
【請求項１９】
前記シーケンススイッチ回路と前記組み合わせ回路の間に結合され、予め定めた位相調節を、前記強め合う順序付けられた信号または前記補償する順序付けられた信号の選択された１つに適用するように構成されて、前記第１の信号または前記第２の信号のそれぞれ１つを生成する位相調節モジュールをさらに含む、請求項１８に記載の磁場センサ。
【請求項２０】
磁場センサにおいて使用される方法において、
前記磁場センサは、円として配置され、基板上に配置された複数のコンタクトの中の対応する複数のセットのコンタクトとして形成される複数の縦型ホール素子を含み、
前記複数の縦型ホール素子は、対応する複数の縦型ホール素子の出力信号を生成するように構成され、
前記複数の縦型ホール素子のそれぞれが、外部磁場方向を有する外部磁場に反応し、
前記縦型ホール素子の出力信号のそれぞれが、前記外部磁場に反応するそれぞれの外部磁場成分およびそれぞれのオフセットエラー成分を含み、
前記方法は、
前記複数の縦型ホール素子の中から第１および第２の縦型ホール素子を選択するステップであって、
前記第１の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第１の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第２の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第２の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第１および第２の縦型ホール素子は、第１および第２の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第１の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第１の外部磁場成分および第１のオフセット成分を有し、
前記第２の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第２の外部磁場成分および第２のオフセット成分を有する、ステップと、
前記第１および第２の磁場成分が強め合うように加算されて強め合う信号を生成するように、前記第１および第２の縦型ホール素子の出力信号を組み合わせるステップと、
第１の１つまたは複数の電流信号を、前記第１の選択されたセットのコンタクトの第１の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップであって、
前記第１の１つまたは複数の電流信号は、前記第１の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出する、ステップと、
第２の１つまたは複数の電流信号を、前記第２の選択されたセットのコンタクトの第２の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップであって、
前記第２の１つまたは複数の電流信号は、前記第２の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第１および第２の縦型ホール素子の前記第１および第２の１つまたは複数のコンタクトは、第１および第２の異なる電流回転位相に対応する、第１および第２の異なる結合位相をそれぞれ表す、ステップと、
前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けて、強め合う順序付けられた信号を生成するために、前記第１および第２の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして選択するステップとを含む、方法。
【請求項２１】
前記複数のコンタクトは、前記基板中の共通の注入拡散領域の上に配置されて、円形縦型ホール（ＣＶＨ）検知素子を形成する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数の縦型ホール素子の中から第３および第４の縦型ホール素子を選択するステップであって、
前記第３の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第３の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第４の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第４の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第３の外部磁場成分および第３のオフセット成分を有し、
前記第４の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第４の外部磁場成分および第４のオフセット成分を有する、ステップと、
前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせて、補償する信号を生成するステップとをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号を組み合わせるステップは、前記第３および第４の外部磁場成分が弱め合うように加算されることになる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号を組み合わせるステップは、前記第３および第４の外部磁場成分が強め合うように加算されることになる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
第３の１つまたは複数の電流信号を、前記第３の選択されたセットのコンタクトの第３の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップと、
第４の１つまたは複数の電流信号を、前記第４の選択されたセットのコンタクトの第４の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップと、
前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けて、補償する順序付けられた信号を生成するために、前記第３および第４の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして選択するステップと、
前記強め合う順序付けられた信号を表す第１の信号と前記補償する順序付けられた信号を表す第２の信号を組み合わせるステップとをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第３および第４の縦型ホール素子の前記第３および第４の選択された１つまたは複数のコンタクトは、同じ結合層を表す、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記第３の１つまたは複数の電流信号は、前記第３の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに最も近いコンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第４の１つまたは複数の電流信号は、前記第４の選択されたセットのコンタクトの中央コンタクトに流入し、またはそこから流出し、
前記第３および第４の縦型ホール素子の前記第３および第４の選択された１つまたは複数のコンタクトは、異なる結合位相を表す、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
予め定めた位相調節を、前記強め合う順序付けられた信号または前記補償する順序付けられた信号の選択された１つに適用して、前記第１の信号または前記第２の信号のそれぞれ１つを生成するステップをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記第３および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
前記第１および第２の縦型ホール素子の中心の間の線と前記第３および第４の縦型ホール素子の中心の間の線は、ほぼ９０度離れている、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、互いに直接隣接し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、互いに直接隣接している、請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
前記第２および第３の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１および第４の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置され、
前記第２および第３の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項２５に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１および第２の縦型ホール素子は、前記円のまわりに１８０度離れて配置される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３６】
前記複数の縦型ホール素子の中から第３および第４の縦型ホール素子を選択するステップであって、
前記第３の縦型ホール素子は、複数のセットのコンタクトの中から選択される第３の選択されたセットのコンタクトを有し、前記第４の縦型ホール素子は、前記複数のセットのコンタクトの中から選択される第４の選択されたセットのコンタクトを有し、
前記第３および第４の縦型ホール素子は、第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をそれぞれ生成するように構成され、
前記第３の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第３の外部磁場成分および第３のオフセット成分を有し、
前記第４の縦型ホール素子の出力信号は、前記外部磁場に反応する第４の外部磁場成分および第４のオフセット成分を有する、ステップと、
前記第３および第４の縦型ホール素子の出力信号をともに組み合わせて、補償する信号を生成するステップとをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３７】
第３の１つまたは複数の電流信号を、前記第３の選択されたセットのコンタクトの第３の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップと、
第４の１つまたは複数の電流信号を、前記第４の選択されたセットのコンタクトの第４の選択された１つまたは複数のコンタクトに供給するステップと、
前記複数の縦型ホール素子のまわりで順序付けて、補償する順序付けられた信号を生成するために、前記第３および第４の縦型ホール素子を、前記複数の縦型ホール素子の異なるものとして順次に選択するステップと、
前記強め合う順序付けられた信号を表す第１の信号と前記補償する順序付けられた信号を表す第２の信号を組み合わせるステップとをさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
予め定めた位相調節を、前記強め合う順序付けられた信号または前記補償する順序付けられた信号の選択された１つに適用して、前記第１の信号または前記第２の信号のそれぞれ１つを生成するステップをさらに含む、請求項３７に記載の方法。