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【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改変セルピンであって、その反応中心ループ（ＲＣＬ）の残基Ｐ１’及び残基Ｐ２と、任意に残基Ｐ１及び／又は残基Ｐ４とに変異を有し、
残基Ｐ１’がＱ、Ｈ、Ｋ又はＲに変異されており、且つ残基Ｐ２がＨ、Ｋ又はＲに変異されており、且つ
前記変異が、トロンビン、ｆＶＩＩａ、ｆＸａ、ｆＩＸａ及びｆＸＩａから選択される１又は複数の凝固原プロテアーゼの阻害に関する活性化プロテインＣ及びトロンビン：トロンボモデュリン複合体から選択される１又は複数の抗凝固性プロテアーゼの阻害を増大する、
改変セルピン。
【請求項２】
前記Ｐ１’残基がＫ、又はＱに変異されている、請求項１に記載の改変セルピン。
【請求項３】
前記Ｐ２残基がＫに変異されている、請求項１又は２に記載の改変セルピン。
【請求項４】
前記改変セルピンにおける前記Ｐ２残基及び前記Ｐ１’残基がそれぞれ、ＫＫ、ＲＫ、ＲＨ、ＫＨ、ＲＱ又はＫＱである、請求項１に記載の改変セルピン。
【請求項５】
前記改変セルピンがＰ４に変異を含み、
任意に、前記Ｐ４残基がＦ、Ｓ、Ｒ、Ｖ、Ｃ、Ｗ、Ｋ、Ｇ、Ｌ、Ｈ、Ｔ、Ｑ又はＡに変異されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項６】
前記改変セルピンがＰ１に変異を含み、
任意に、前記Ｐ１残基がＲに変異されている、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項７】
前記改変セルピンがＰ１位にＲ残基を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項８】
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記変異がＰ１’及びＰ２の位置；Ｐ１’、Ｐ２及びＰ１の位置；Ｐ１’、Ｐ２及びＰ４の位置；又はＰ１’、Ｐ２、Ｐ４及びＰ１の位置における変異からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項９】
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１’残基がＫである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＨである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１’残基がＨである； 
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＱである； 
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１’残基がＱである； 
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＫである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＱである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＲであり、前記Ｐ１残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＱである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＫであり、前記Ｐ２残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＨである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＦであり、前記Ｐ２残基がＫであり、前記Ｐ１’残基がＫである；
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＦであり、前記Ｐ２残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＫである；又は
前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＳであり、前記Ｐ２残基がＨであり、前記Ｐ１’残基がＲである、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項１０】
野生型セルピンの配列に対して少なくとも７０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項１１】
前記野生型セルピンが、α１−抗キモトリプシン（ＳＥＲＰＩＮＡ３）、Ｃ１−エステラーゼインヒビター、α２−抗プラスミン（ＳＥＲＰＩＮＦ２）、抗トロンビン（ＡＴＩＩＩ）（ＳＥＲＰＩＮＣ１）、ヘパリン補因子ＩＩ（ＨＣＩＩ）（ＳＥＲＰＩＮＤ１）、プロテインＣインヒビター（ＰＣＩ）（ＳＥＲＰＩＮＡ５）又はα１−抗トリプシン（α１ＡＴ）（ＳＥＲＰＩＮＡ１）、カリスタチン（ＳＥＲＰＩＮＡ４）、プラスミノーゲン活性化因子インヒビター（ＳＥＲＰＩＮＥ１）、プロテアーゼネキシン１（ＳＥＲＰＩＮＥ２）及びプロテインＺ依存性プロテアーゼインヒビター（ＳＥＲＰＩＮＡ１０）からなる群から選択される、請求項１０に記載の改変セルピン。
【請求項１２】
配列番号１２の残基２５〜４１８に対して少なくとも７０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含み、前記改変セルピンの前記ＲＣＬにおける前記Ｐ４残基がＡであり、前記Ｐ２残基がＫであり、Ｐ１残基がＲであり、前記Ｐ１’残基がＫである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の改変セルピン。
【請求項１３】
配列番号１２の残基２５〜４１８の前記アミノ酸配列を、残基２５７におけるＣからＳへの変異と共に含む、請求項１２に記載の改変セルピン。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の改変セルピンをコードする核酸。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の改変セルピンをコードする核酸を含むベクター。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の改変セルピンを発現するベクターを含む組換え細胞。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の改変セルピンを含む、医薬組成物。
【請求項１８】
ヒト又は動物の身体の治療用である、請求項１７に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
個体における出血の治療用若しくは予防用、又は止血の促進用である、請求項１７に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記個体が出血性障害を有する、請求項１９に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
前記出血性障害が血友病である、請求項２０に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
前記個体が外傷患者である、請求項１９に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞に対する作用物質の効果を特徴付けるための方法であって、
a）種々の濃度系列の作用物質を細胞の集団のサンプルと接触させるステップ、
b）各サンプルについて及び各暴露濃度について集団の個々の細胞において2以上の表現型パラメータの各々を測定するステップ、
c）各パラメータについて及び各暴露について細胞の測定値の分布を得るステップ、
d）化合物に暴露していない細胞の測定値の分布を得るステップ、
e）ステップd）で得られた分布とステップc）で得られた各分布との間の非類似度を算出するステップ、
f）算出された非類似度を組み合わせて、マルチパラメトリック応答テンソルを形成するステップ
を含み、
ここで、マルチパラメトリック応答テンソルが、同じ方法で作成された他のフィンガープリントと直接比較することができる、細胞に対する作用物質の効果に特徴的なフィンガープリントである、方法。
【請求項２】
フィンガープリントを作成し記憶するために使用される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
フィンガープリントの比較を行うために使用される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
比較が、in vivo効果を予測するために用いられる、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
サイトメトリーによって個々の細胞において表現型パラメータを測定する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項６】
表現型パラメータが、細胞生存力、細胞周期段階、ミトコンドリア膜完全性、ミトコンドリア毒性、グルタチオン濃度、活性酸素種、還元種、細胞膜透過性、DNA損傷、ストレス応答マーカー、炎症応答マーカー、アポトーシスマーカー及び脂質ペルオキシダーゼのうちの2種以上を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項７】
表現型パラメータが、NF-kB、カスパーゼ、ERK、SAPK、PI3K、AKT、Bcl-ファミリータンパク質、p38、ATM、GSk3B、及びリボソームS6キナーゼのうちの1種以上を含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
【請求項８】
表現型パラメータの1種が、細胞周期である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
【請求項９】
細胞の各集団が、複数の蛍光色素を用いて機能的に標識され、表現型パラメータが、前記標識された細胞の集団がサイトメトリー分析にかけられたときに生じるスペクトル発光シグナルの点で検出され、定量化される、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
表現型パラメータが細胞周期であり、HOECHST 33342、DRAQ5、YO-PRO-1 IODIDE、DAPI、CYTRAK ORANGE、サイクリン又はリン酸化ヒストンタンパク質の1種以上の点で定量化される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
細胞に対する作用物質の効果に特徴的なフィンガープリントのバンクを作成するための方法であって、
請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法により複数の作用物質の各々についてマルチパラメトリック応答テンソルを形成するステップであって、各マルチパラメトリック応答テンソルが、細胞に対する作用物質の効果に特徴的なフィンガープリントである、ステップ、
互いに比較し、同じ方法で作成された他の作用物質のフィンガープリントと比較することができるように、コンピュータ可読媒体にフィンガープリントを記憶するステップ
を含み、これにより、細胞に対する作用物質の効果に特徴的なフィンガープリントのデータベースを作成する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム（１）と、第１の回転軸（３）を中心に、前記フレームに対して回転自在に取り付けられている抜取り部材（９）と、前記抜取り部材を回転方向（Ｒ）に回転させるために配置されているアクチュエータ（６）とを含む魚骨除去装置であって、
前記抜取り部材は、骨を受容するために、その間に楔形間隙（２４）を形成するように配置されている第１の回転要素（１０、１０ａ〜ｄ）と第２の回転要素（１２、１２ａ〜ｄ）とを含み、前記楔形間隙は前記抜取り部材の前記回転方向と反対の方向にテーパが付けられている、魚骨除去装置において、前記第１の回転要素はディスク形であり、２つの平行な径方向表面（１１ａ〜ｂ）と外周面（１１ｃ）とを有し、
−  前記第２の回転要素（１２）は、前記第１の回転要素の周縁部（１５）の曲げ半径に対応する曲げ半径を有する周縁部（１９）を有する湾曲した細長い本体（１３）と、２つの径方向表面（２０ａ〜ｂ）と、外周面（２２）とを含み、
−  前記第１の回転要素の前記径方向表面は、前記第１の回転軸に対して垂直な平面と平行に配置されており、前記第２の回転要素の前記径方向表面は、前記平面に対してある角度に向けられて配置されており、その結果、前記第２の回転要素の前記外周面（２２）は前記抜取り部材の前記回転方向にテーパが付けられており、
−  前記第１の回転要素と前記第２の回転要素とは、前記第１の回転要素の前記径方向表面の一方が前記第２の回転要素の前記径方向表面の一方に対向しているように、かつ前記第１の回転要素の前記周縁部と前記第２の回転要素の前記周縁部とが前記第１の回転軸から等距離に配置されるように配設されている
ことを特徴とする、魚骨除去装置。
【請求項２】
前記第２の回転要素（１２）は、前記第１の回転軸（３）と平行にかつ距離をおいて配置されている第２の回転軸（１４）を中心に枢動可能に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の回転要素（１２）は、前記第１の回転要素（１０）に対して可動に配置されており、前記装置は、前記第１の回転要素の前記周縁部（１５）と前記第２の回転要素の前記周縁部（１９）とが整合されて、これらの間に前記楔形間隙（２４）を形成する第１の位置と、前記第１の回転要素の前記周縁部と前記第２の回転要素の前記周縁部とが径方向に離間されて、前記骨が前記抜取り部材から除去されることを可能にする第２の位置との間で、前記抜取り部材の旋回中に前記第１の回転要素に対して前記第２の回転要素を動かすために配置されている作用組立体（３４、３６）を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記作用組立体は、前記第２の回転要素（１２）の内周面（２３）と協働するように配置されている少なくとも１つの突出部（３８）が設けられているホイール（３４）と、前記第２の回転要素の外周面（２２）と可動接触しているように配置されている押し部材（３６）とを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の回転要素（１０ａ）は平面ディスクであり、前記抜取り部材（９）は、前記第１の回転要素（１０ａ）と平行にかつ距離をおいて配置された平面ディスクの形の第３の回転要素（ｂ）を含み、前記第２の回転要素（１２）は前記第１の回転要素と前記第３の回転要素の間に配置されており、前記骨を受容する前記楔形間隙（２４ａ〜ｂ）が前記第２の回転要素の前記径方向表面（２０ａ〜ｂ）と前記第１の回転要素及び前記第３の回転要素の前記径方向表面（１１ａ〜ｂ）との間に形成されるように、前記第２の回転要素（１２）は楔形である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第２の回転要素（１２）の前記第２の径方向表面（２０ｂ）には把持要素（２６）が設けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記把持要素（２６）は円周方向に配置されている細長い溝部を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記装置は、前記抜取り部材の前記周縁部（１５、１９）に隣接して配置されている骨案内構造体（７）を含み、前記骨案内構造体は、魚体と接触する表面（２８）と、前記抜取り部材の前記周縁部の一部を囲む凹状骨案内表面（２９）と、前記平面と前記骨案内表面との間に形成されている縁部（３２）とを含み、前記骨を受容するスロット（３０）が前記骨案内表面と前記抜取り部材との間に形成されるように、前記骨案内表面は前記抜取り部材の前記周縁部から離間されて配置されている、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月16日(2018.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
悪性腫瘍について不確定の細胞形態を有する臨床的に重要な細胞を含む試料の細胞を抗テロメラーゼ抗体と接触させること、及び、前記抗体と臨床的に重要な細胞との結合を検出することを含み、前記抗体と臨床的に重要な細胞との結合が悪性細胞の存在を示す、インビトロ方法。
【請求項２】
臨床的に重要な細胞を含む試料の細胞を抗テロメラーゼ抗体と接触させること、及び、細胞形態の細胞学的評価及び臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合の細胞学的評価を実施することを含み、細胞形態の細胞学的評価が不確定である場合に、臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合が悪性細胞の存在を示す、インビトロ方法。
【請求項３】
ｉ）対象の細胞試料の細胞形態の細胞学的評価を実施して、前記試料中の１個以上の臨床的に重要な細胞の形態を決定することと、
ｉｉ）前記対象の細胞試料を抗テロメラーゼ抗体と接触させ、前記細胞試料の細胞学的評価を実施して、前記抗体と前記試料中の臨床的に重要な細胞との結合を検出することとを含み、
細胞形態の前記細胞学的評価が悪性腫瘍であるか不確定であるとき、前記抗体と１個以上の臨床的に重要な細胞との結合が悪性細胞の存在を示す、細胞学的評価方法。
【請求項４】
前記試料が流体試料である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記試料が、尿、膀胱洗浄液、膀胱擦り洗い液からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記試料が尿である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記試料が、血液、唾液、脳脊髄液、胸水、腹水、肝臓、甲状腺、卵巣、リンパ節、乳房、子宮頸部、肺、胆樹、膵臓、肺及び結腸からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記抗テロメラーゼ抗体が、モノクローナル、二重特異性、キメラ、組み換え、抗イディオタイプ、ヒト化、単鎖抗体分子、またはその抗原結合フラグメントである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記抗テロメラーゼ抗体がポリクローナル抗体である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記臨床的に重要な細胞が膀胱上皮細胞である、請求項５〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記細胞形態の細胞学的評価及び臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合の細胞学的評価が同一の細胞に同時に実施される、請求項２〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合の細胞学的評価が、臨床的に重要でない細胞をそれらの形態に基づく評価から除外することを可能にする、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記除外される細胞が、Ｔ細胞、Ｂ細胞、好中球、マクロファージ、顆粒球、樹状細胞、マスト細胞、記憶細胞、形質細胞、好酸球、精嚢細胞及び精子の１つ以上または全てである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記抗体と前記試料中の臨床的に重要な細胞の少なくとも約５％との結合が、対象が癌を有することを示す、請求項３〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
臨床的に重要な細胞を含む試料について細胞形態の不確定な細胞学的評価を解明するためのインビトロアッセイの製造における抗テロメラーゼ抗体の使用であって、前記抗体が試料の細胞と接触した際に、臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合が悪性細胞の存在を示す、使用。
【請求項１６】
試料中の悪性細胞の存在を検出するためのインビトロアッセイの製造における抗テロメラーゼ抗体の使用であって、試料が悪性腫瘍について不確定な細胞形態を有する臨床的に重要な細胞を含み、臨床的に重要な細胞に対する抗体の結合が悪性細胞の存在を示す、使用。
【請求項１７】
細胞形態が悪性腫瘍について不確定である尿試料の膀胱上皮細胞を抗テロメラーゼ抗体と接触させること、及び膀胱上皮細胞に対する抗体の結合を検出することを含み、膀胱上皮細胞に対する抗体の結合が悪性細胞の存在を示す、インビトロ方法。
【請求項１８】
尿試料の膀胱上皮細胞を抗テロメラーゼ抗体と接触させること、及び細胞形態の細胞学的評価及び膀胱上皮細胞に対する抗体の結合の細胞学的評価を実施することを含み、細胞形態の細胞学的評価が不確定である場合に、膀胱上皮細胞に対する抗体の結合が悪性細胞の存在を示す、インビトロ方法。
【請求項１９】
ｉ）対象の膀胱上皮細胞試料の細胞形態の細胞学的評価を実施して、前記試料中の１個以上の膀胱上皮細胞の形態を決定することと、
ｉｉ）前記対象の膀胱上皮細胞試料を抗テロメラーゼ抗体と接触させ、前記膀胱上皮細胞の細胞学的評価を実施して、前記抗体と前記膀胱上皮細胞との結合を検出することとを含み、
細胞形態の前記細胞学的評価が悪性腫瘍であるか不確定であるとき、前記抗体と１個以上の膀胱上皮細胞との結合が悪性細胞の存在を示す、細胞学的評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培養基に配置された生体試料を撮像するシステムであって、
プレートに配置された培養基上に配置されている生体試料の画像を取り込む光子束及び露出時間のデフォルト値を提供するシステム較正モジュールと、
カメラを備える画像取得モジュールであって、該モジュールは、前記システム較正モジュールと通信して、所与の時間区間で一連の画像のデータを取得するように適合され、前記画像取得は、ｉ）前記システム較正モジュールからの光子束及び露出時間の前記デフォルト値を用い、画像データのピクセル単位のマップを作成して、第１の画像のデータを取得することであって、各ピクセルは、信号対雑音比、光子束及び露出時間、並びに強度に関連付けられていることと、ｉｉ）前記画像データを再検査して飽和ピクセルを識別し、飽和ピクセルの数が所定の閾値よりも多いのか又は少ないのかに基づいて新たな光子束、新たな露出時間又はそれらの双方のうちの１つを選択することによって前記画像取得時間を更新することと、ｉｉｉ）その判断に基づいて、前記光子束、前記露出時間又はそれらの双方の前記新たな値を用いて新たな画像のデータを取得することと、ｉｖ）信号対雑音比と、前記光子束、前記露出時間又はそれらの双方と、ピクセル強度との前記新たな値を用いて前記画像データの前記マップを更新することとを行うように構成され、
該画像取得モジュールは、未飽和ピクセルの前記信号対雑音比が所定の閾値よりも小さい場合、又は前記飽和ピクセル数が前記所定の閾値を越えている場合には、新たな画像のデータを取得するように構成され、
該画像取得モジュールは、前記非飽和ピクセルの前記所定の閾値の信号対雑音比が得られたとき、画像取得の前記所定の配分された時間が経過したとき、又は前記所定の最大画像数が取得されたときに、画像取得を終了する、
画像取得モジュールと、
前記画像取得モジュールからの前記画像データを観察用又は解析用の画像に変換する画像提示モジュールと、
を備える、システム。
【請求項２】
前記光子束は設定値であり、前記システムは、露出時間を制御することによってカメラセンサ積分を制御し、前記較正モジュールは、様々なプレート及び培養基の前記デフォルトの光子束及び露出時間を求める、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
信号対雑音比は、前記培養基上に配置された前記試料の前記画像の少なくとも一部分について求められる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記画像取得モジュールは、少なくとも１つ若しくは複数のチャネル又は少なくとも１つ若しくは複数のスペクトル帯について前記カメラから画像データを取得する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記画像取得モジュールは、画像取得ごとに各ピクセルの濃淡値を割り当て、該各ピクセルの濃淡値は、各画像取得後に更新される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記更新された濃淡値は、前記以前の濃淡値から所定の基準値を引いたものであり、該所定の基準値は、前記プレートに基づく所定の値であり、前記プレートの培地及び前記画像取得モジュールの前記露出時間は、取得ごとに各ピクセルの濃淡値を割り当て、各ピクセルの前記濃淡値は、各画像取得後に更新される、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記光子束の前記新たな値は、新たな露出時間若しくは新たな光強度値又はそれらの双方を用いることによって得られる、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記画像取得モジュールは、全てのピクセルが等しく扱われる自動モード又は前記解析されるピクセルが１つ又は複数の関心のある対象物に関連付けられたものとして識別されたピクセルであるスーパバイズモードのうちの少なくとも一方において動作するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記光子束は設定値であり、前記システムは、露出時間を制御することによってカメラセンサ積分を制御する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
培養基に配置された生体試料を撮像する方法であって、
プレート内に支持された培養基上に配置された生体試料の画像を得る光子束及び露出時間のデフォルト値を求めることと、
第１の時間区間にわたり第１の時間において一連の画像に対応するデータを取得することであって、前記一連の画像内の前記第１の画像の前記データは、光子束及び露出時間の前記所定のデフォルトを用いて取得されることと、
前記画像データのピクセル単位のマップを作成することと、
各ピクセルのデータを信号対雑音比、光子束の値、露出時間の値、及び強度の値に関連付けることと、
前記画像の光子束の値及び前記露出時間の値のうちの少なくとも一方を、
ｉ）前記画像データを飽和ピクセル及び前記ピクセルの前記信号対雑音比について再検査し、飽和ピクセルの数が所定の閾値よりも多いのか又は少ないのか及び前記信号対雑音比が所定の閾値よりも大きいのか又は小さいのかに基づいて、光子束及び露出時間のうちの少なくとも一方の新たな値を選択し、その判断に基づいて、光子束、露出時間、又はそれらの双方の前記新たな値を用いて、新たな画像を取得し、信号対雑音比、光子束及び露出時間、並びにピクセル強度の前記新たな値を用いて前記画像の前記マップを更新することと、
ｉｉ）光子束及び露出時間の前記少なくとも一方の新たな値を用いて前記新たな画像のデータを取得することと、
ｉｉｉ）ステップｉ）及びｉｉ）を任意選択的に繰り返すことと、
によって更新することと、
前記画像データが前記所定の信号対雑音比の閾値以上であるとき、画像取得用の前記所定の最大割り当て時間が経過したとき、又は前記所定の最大数の画像が取得されたときに、前記時間区間の画像データ取得を終了することと、
第２の時間区間にわたる第２の時間について、前記取得するステップと、前記作成するステップと、前記関連付けるステップと、前記更新するステップと、終了するステップとを繰り返すことと、
第１の時間区間及び第２の時間区間において取得された前記画像データを第１の画像及び第２の画像に変換することであって、該第１の画像は前記第１の時間において取得され、該第２の画像は第２の時間において取得されることと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記光子束の値は一定であり、前記露出時間の値は更新され、光子束及び露出時間の前記所定のデフォルト値は、プレート、プレート培養物及び露出時間に基づいている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記画像マップが作成される前記ピクセルを求めることを更に含み、前記ピクセルは、関心のある対象物に関連付けられている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
光子束及び露出時間の前記デフォルト値は、デフォルトの露出時間において関心のある対象物に関連付けられた前記ピクセルの黒色レベルを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ピクセル単位のマップは、各ピクセルの濃淡値、前記信号対雑音比及び前記露出時間である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセサリ駆動システムに関連付けられた複数のコンポネントを図示する、無端ベルトの経路図を生成するシステムであって、
ディスプレイと、
前記経路図に関連付けられた経路表を保存する経路データベースであって、前記経路表は前記経路図に表示された少なくとも1つのハイパーリンクされた文字の位置を示す経路情報を保存し、前記ハイパーリンクされた文字は前記アクセサリ駆動システムの特定のコンポネントに関連付けられる、経路データベースと、
前記ディスプレイおよび前記経路データベースと通信するプロセッサであって、前記ディスプレイに前記経路図の第1の画像を生成する指示を実行し、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントに関連付けられたデータにリンクされる前記ハイパーリンクされた文字の第2の画像を前記経路図上に生成する指示を実行するプロセッサと、
を備え、
前記ハイパーリンクされた文字は、フローティングウィンドウにリンクされ、前記フローティングウィンドウは、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントのピクチャおよび部品番号を含み、
前記フローティングウィンドウの前記ピクチャは、第2のウィンドウにリンクされ、
前記第2のウィンドウは、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントに関する複数のピクチャおよび仕様を含む、システム。
【請求項２】
前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントは、無端ベルト、プーリ組立体、およびテンショナのうちの1つである、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
前記システムはウェブベースのアプリケーションであり、前記プロセッサは、ネットワークを通じて前記ディスプレイと通信する、請求項1に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムはストレージを含む電子機器であり、前記ストレージは、ダウンロード可能なソフトウェアを含む、請求項1に記載のシステム。
【請求項５】
前記電子機器は、携帯電子機器である、請求項1に記載のシステム。
【請求項６】
前記プロセッサと通信するマスターデータベースをさらに備え、前記マスターデータベースは、前記経路図に表示された前記ハイパーリンクされた文字の前記位置を示す第2の情報セットを保存する請求項1に記載のシステム。
【請求項７】
前記プロセッサは、前記経路データベースに保存された前記経路情報と前記マスターデータベースに保存された前記第2の情報セットを比較する指示を実行する、請求項6に記載のシステム。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記経路データベースに保存された前記経路情報が前記マスターデータベースに保存された前記第2の情報セットと一致する場合に限り、前記経路図上に、前記ハイパーリンクされた文字の前記第2の画像を生成する前記指示を実行する、請求項7に記載のシステム。
【請求項９】
アクセサリ駆動システムに関連付けられた複数のコンポネントを図示する、無端ベルトの経路図とやり取りする方法であって、
ディスプレイに表示される前記経路図の画像をプロセッサによって生成するステップであって、前記経路図は前記アクセサリ駆動システムの特定のコンポネントに関連付けられた少なくとも1つのハイパーリンクされた文字を含む、ステップと、
前記ハイパーリンクされた文字に、ユーザインターフェースによって制御されるカーソルのポインタを重ねるステップと、
前記ハイパーリンクされた文字に前記カーソルのポインタが重なることに基づいて前記プロセッサによってフローティングウィンドウを生成するステップであって、前記フローティングウィンドウは、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントに関連付けられたデータを含む、ステップと、
を含み、
前記フローティングウィンドウは、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントのピクチャおよび部品番号を含み、
前記ユーザインターフェースによって前記フローティングウィンドウの前記ピクチャを選択するステップをさらに含み、前記ピクチャは第2のウィンドウにリンクされ、
前記プロセッサによって前記ディスプレイに第2のウィンドウの第2の画像を生成するステップをさらに含み、前記第2のウィンドウは、前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントに関する複数のピクチャおよび仕様を含む、方法。
【請求項１０】
特定の車両を前記ユーザインターフェースによって選択するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記ユーザインターフェースによって前記経路図へのリンクを選択するステップをさらに含み、前記経路図は前記特定の車両に関連付けられる、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記アクセサリ駆動システムの前記特定のコンポネントは、無端ベルト、プーリ組立体、およびテンショナのうちの1つである、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
前記プロセッサは、ウェブベースのアプリケーションの一部であり、ネットワークを通じて前記ディスプレイと通信する、請求項9に記載の方法。
【請求項１４】
前記プロセッサは、ダウンロード可能なソフトウェアを含むストレージを含む電子機器の一部である、請求項9に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年1月10日(2018.1.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
[00108]例示的なモバイルデバイス１０６は、暗号化されたデバイス／ユーザ識別子２０８ａ〜ｂ及び／又はインプレッション識別子１６０２を、データベース所有者１０４ａ〜ｂに送信する（ブロック１７１４）。いくつかの例では、モバイルデバイス１０６は、暗号化されたデバイス／ユーザ識別子２０８ａ〜ｂのそれぞれの識別子を、適切なデータベース所有者１０４ａ〜ｂに送信する。他の例では、データベース所有者１０４ａ〜ｂは、自分が対応する復号化キーを有するデバイス識別子（複数可）のみを復号化できることから、モバイルデバイス１０６は、暗号化されたデバイス／ユーザ識別子２０８ａ〜ｂのそれぞれを、データベース所有者１０４ａ〜ｂのそれぞれに送信する。図１７の例示的な命令は、終了する、及び／又は、次のメディアインプレッション及び／又は検索語に対して繰り返される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月21日(2017.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサによって以下の動作、
位置空間における基準の位置を特定する情報を受信することと、
複数の幾何学的構成の候補のうちの１つの幾何学的構成を特定するとともに、複数のオブジェクトのオブジェクトの総数を特定する、データを受信することと、
前記特定された幾何学的構成に従って、前記位置空間中の前記基準の位置に対して、配置される前記複数のオブジェクトを示す第１の表現を生成することと、
を実行することを備える方法。
【請求項２】
前記第１の表現は、デジタル画像であり、前記複数のオブジェクトは、少なくとも１つのアバターを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データは、ある時間期間にわたって前記複数のオブジェクトの各々の動きを特定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記幾何学的構成の候補は多角形を示し、前記複数のオブジェクトは前記多角形の頂点に対応し、前記位置空間は、ピクセル座標空間および物理空間を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のオブジェクトのうちの少なくとも１つの記述を受信することと、
前記受信された記述に基づいて、記憶デバイスから少なくとも１つのオブジェクトの表現を検索することと、
をさらに備え、
前記位置空間は、好ましくは、複数の領域を含み、前記データは、前記基準の位置を含む前記複数の領域のうちの第１の領域を特定する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、
前記請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の方法を実行させる命令を記憶するコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
位置空間における基準の位置を特定する情報を受信するための手段と、
複数の幾何学的構成の候補のうちの１つの幾何学的構成を特定するとともに、複数のオブジェクトのオブジェクトの総数を特定する、データを受信するための手段と、
前記特定された幾何学的構成に従って、前記位置空間中の前記基準の位置に対して、配置される前記複数のオブジェクトを示す第１の表現を生成するための手段と、
を備える装置。
【請求項８】
前記第１の表現は、デジタル画像である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記複数のオブジェクトは、少なくとも１つのアバターを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記幾何学的構成の候補は多角形を示し、前記複数のオブジェクトは前記多角形の頂点に対応する、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のオブジェクトのうちの少なくとも１つのオブジェクトの記述を受信するための手段をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記受信された記述に基づいて、前記少なくとも１つのオブジェクトの表現を検索するための手段をさらに備え、前記生成された表現は、前記検索された表現に基づく、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の表現の生成の後に、前記複数の幾何学的構成の候補のうち、前記幾何学的構成の候補とは異なる第２の幾何学的構成の候補に従って、前記位置空間中の異なる基準の位置に対して、配置される前記複数のオブジェクトを示す第２の表現を生成することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の表現は、ビデオストリームの第１のデジタル画像に含まれ、前記第２の表現は、前記ビデオストリームの第２のデジタル画像に含まれ、前記第２のデジタル画像は、前記ビデオストリーム中の前記第１のデジタル画像の後に発生する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の表現の生成の後に第２の表現を生成するための手段をさらに備え、前記第２の表現は、前記複数の幾何学的構成の候補のうち、前記幾何学的構成の候補とは異なる第２の幾何学的構成の候補に従って、前記位置空間中の異なる基準の位置に対して、配置される前記複数のオブジェクトを示す、請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ内で１つ以上の半導体チップを有機基板と相互接続するためのインタポーザにおいて、前記インタポーザが、
表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第１のガラス基板であって、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する第１のガラス基板、
表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第２のガラス基板であって、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する第２のガラス基板、及び
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板の間に配され、前記第１のガラス基板の前記第２の主表面を前記第２のガラス基板の前記第１の主表面に接合する、インタフェース、
を有し、
前記ＣＴＥ１が前記ＣＴＥ２より小さく、前記第１のガラス基板の前記第１の主表面が前記１つ以上の半導体チップを係合するためにはたらき、前記第２のガラス基板の前記第２の主表面が前記有機基板を係合するためにはたらく、
ことを特徴とするインタポーザ。
【請求項２】
１≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦１０及び５≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１５、あるいは、
３≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦５及び８≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１０であることを特徴とする請求項１に記載のインタポーザ。
【請求項３】
前記インタフェースが、接着剤、シリコン−酸化物接合及び／または、前記第１のガラス基板及び前記第２のガラス基板の融解温度よりかなり低い融解温度を有する、ガラス材料の内の１つ以上で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のインタポーザ。
【請求項４】
半導体パッケージ内で１つ以上の半導体チップを有機基板と相互接続するためのインタポーザにおいて、前記インタポーザが、
表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第１のガラス基板であって、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する第１のガラス基板、
表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第２のガラス基板であって、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する第２のガラス基板、及び
表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第３のガラス基板であって、第３の熱膨張係数（ＣＴＥ３）を有する第３のガラス基板、
を有し、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板は、前記第１のガラス基板の前記第２の主表面が前記第２のガラス基板の前記第１の主表面に接合されるように、融着され、
前記第２のガラス基板と前記第３のガラス基板は、前記第２のガラス基板の前記第２の主表面が前記第３のガラス基板の前記第１の主表面に接合されるように、融着され、
前記第１のガラス基板の前記第１の主表面は前記１つ以上の半導体チップを係合するために適合され、前記第３のガラス基板の前記第２の主表面は前記有機基板を係合するために適合される、
ことを特徴とするインタポーザ。
【請求項５】
前記ＣＴＥ１が前記ＣＴＥ２より小さく、前記ＣＴＥ３が前記ＣＴＥ２より小さい、及び
１≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦１０、５≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１５及び１≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦１０、あるいは、３≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦５、８≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１０及び３≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦５、
であることを特徴とする請求項４に記載のインタポーザ。
【請求項６】
前記ＣＴＥ１が前記ＣＴＥ２より小さく、前記ＣＴＥ２が前記ＣＴＥ３より小さい、及び
１≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦１０、３≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１２及び５≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦１５、あるいは、３≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦５、５≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦８及び８≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦１０、
であることを特徴とする請求項４に記載のインタポーザ。
【請求項７】
半導体パッケージを作製する方法において、
少なくとも１つの半導体チップを提供する工程、
有機基板を提供する工程、及び
前記半導体チップと前記有機基板の間にインタポーザを配する工程、
を含み、
前記インタポーザが、
（ｉ）表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第１のガラス基板であって、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する第１のガラス基板、
（ii）表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第２のガラス基板であって、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する第２のガラス基板、及び
（iii）前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板の、前記第１のガラス基板の前記第２の主表面が前記第２のガラス基板の前記第１の主表面に直接または間接に結合されるような、相互結合手段、
を有し、
前記ＣＴＥ１が前記ＣＴＥ２より小さく、
前記第１のガラス基板の前記第１の主表面が前記少なくとも１つの半導体チップを直接または間接に係合し、
前記第２のガラス基板の前記第２の主表面が前記有機基板を直接または間接に係合する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
１≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦１０及び５≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１５、あるいは、
３≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦５及び８≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１０、
であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
半導体パッケージを作製する方法において、
少なくとも１つの半導体チップを提供する工程、
有機基板を提供する工程、及び
前記半導体チップと前記有機基板の間にインタポーザを配する工程、
を含み、
前記インタポーザが、
（ｉ）表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第１のガラス基板であって、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ１）を有する第１のガラス基板、
（ii）表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第２のガラス基板であって、第２の熱膨張係数（ＣＴＥ２）を有する第２のガラス基板、及び
（iii）表裏をなす第１及び第２の主表面を有する第３のガラス基板であって、第３の熱膨張係数（ＣＴＥ３）を有する第３のガラス基板、
を有し、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板は、前記第１のガラス基板の前記第２の主表面が前記第２のガラス基板の前記第１の主表面に接合されるように、融着され、
前記第２のガラス基板と前記第３のガラス基板は、前記第２のガラス基板の前記第２の主表面が前記第３のガラス基板の前記第１の主表面に接合されるように、融着され、
前記第１のガラス基板の前記第１の主表面は前記少なくとも１つの半導体チップを直接または間接に係合し、
前記第３のガラス基板の前記第２の主表面は前記有機基板を直接または間接に係合する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ＣＴＥ１が前記ＣＴＥ２より小さく、前記ＣＴＥ３が前記ＣＴＥ２より小さい、及び
１≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦１０、５≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１５及び１≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦１０、あるいは、３≦ＣＴＥ１（ｐｐｍ/℃）≦５、８≦ＣＴＥ２（ｐｐｍ/℃）≦１０及び３≦ＣＴＥ３（ｐｐｍ/℃）≦５、
であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ダイ側再配線層と、
前記ダイ側再配線層上のシード層と、
前記シード層を通じて前記ダイ側再配線層に電気的に結合するように構成された、複数のダイ相互接続と、
前記シード層を通じて前記ダイ側再配線層に電気的に結合するように構成された、複数の金属ポストと、
前記基板の中を延在する複数の基板貫通ビアと、
前記基板のボード対向面に隣接するボード対向再配線層と
を備え、前記基板貫通ビアのうちの少なくともサブセットが、前記ダイ側再配線層を前記ボード対向再配線層に電気的に結合させる、パッケージ。
【請求項２】
前記複数のダイ相互接続のうちの少なくともサブセットに電気的に結合された、少なくとも１つのダイをさらに備える、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記基板が、ガラスインターポーザを備え、前記少なくとも１つのダイが、複数のダイを備え、各ダイが、前記ダイ相互接続のうちの対応するサブセットに電気的に結合される、請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記複数のダイを少なくとも部分的に封止するモールドコンパウンドをさらに備え、前記ダイ相互接続と前記金属ポストの両方が、銅およびニッケルからなる群から選択された金属を含む、請求項３に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記複数の金属ポストに電気的に結合された上部パッケージをさらに備える、請求項２に記載のパッケージ。
【請求項６】
前記ダイ相互接続が、複数のはんだバンプを備え、および／または、前記ダイ相互接続が、複数のはんだピラーを備える、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記基板の前記ボード対向面に隣接する複数のはんだボールをさらに備え、前記複数のはんだボールが、前記ボード対向再配線層に電気的に結合され、および／または、前記ダイ側再配線層および前記ボード対向再配線層がそれぞれ、パターン形成された銅金属層を備える、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項８】
ダイ側再配線層を基板のダイ対向面に隣接して形成するステップと、
ボード対向再配線層を前記基板のボード対向面に隣接して形成するステップと、
前記基板の中を延在する複数の基板貫通ビアを、前記基板貫通ビアが前記ダイ側再配線層と前記ボード対向再配線層との間を電気的に結合するように形成するステップと、
前記ダイ側再配線層に隣接する誘電体層の中に、複数のダイ相互接続開口を形成するステップと、
前記誘電体層の中に、複数の金属ポスト開口を形成するステップと、
前記ダイ相互接続開口内に、ダイ相互接続を形成するステップと、
前記金属ポスト開口内に、金属ポストを形成するステップであって、前記金属ポストがインサイチュで前記基板上にある、形成するステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記再配線層上にシード層を堆積させるステップをさらに含み、前記ダイ相互接続を形成するステップが、前記シード層の、前記ダイ相互接続開口内に露出した部分の上に、前記ダイ相互接続をめっきするステップを含み、前記金属ポストを形成するステップが、前記シード層の、前記金属ポスト開口内に露出した部分の上に、前記金属ポストをめっきするステップを含み、前記ダイ相互接続をめっきするステップ、および前記金属ポストをめっきするステップが、好ましくは、銅およびニッケルからなる群から選択された金属をめっきするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つのダイを、前記ダイ相互接続のうちの少なくともサブセットに取り付けるステップ、より好ましくは、複数のダイを前記複数のダイ相互接続に取り付けるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
ダイをモールドコンパウンドで少なくとも部分的に封止するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ダイ相互接続をめっきするステップが、前記誘電体層上に第１のマスク層を堆積させるステップと、前記第１のマスク層を、前記ダイ相互接続開口を露出させるようにパターン形成するステップと、前記露出したダイ相互接続開口内に、前記ダイ相互接続をめっきするステップとを含み、前記金属ポストをめっきするステップが、好ましくは、前記誘電体層上に第２のマスク層を堆積させるステップと、前記第２のマスク層を、前記金属ポスト開口を露出させるようにパターン形成するステップと、前記露出した金属ポスト開口内に、前記金属ポストをめっきするステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
インターポーザが、ガラスインターポーザまたは半導体インターポーザを備える、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１４】
前記パッケージが、セル電話、ラップトップ、タブレット、音楽プレーヤ、通信デバイス、コンピュータ、およびビデオプレーヤのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１５】
シード層を原子層堆積を通じて堆積させるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導材料エレメントの中で捕捉場磁石を活性化させるためのシステムであって、前記システムは、
超伝導材料エレメントと、
前記超伝導材料エレメントの近位に配設されている電磁石源と
を含み、
前記電磁石源は、前記超伝導材料エレメントを活性化させるのに十分な磁場パルスを作り出すように構成されており、
前記超伝導材料エレメントは、前記磁場パルスによって発生させられる磁場に実質的に等しい捕捉磁場を保持するように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記超伝導材料エレメントは、イットリウムバリウム銅酸化物又は他の高温超伝導材料で作られていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記超伝導材料エレメントはピンニングセンターを含み、前記ピンニングセンターはウランの核分裂によって放出された高エネルギーイオンによって形成された破壊された柱状ピンニングセンター、又は点ピンニングセンターを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記超伝導材料エレメントは、約１５，０００Ａ／ｃｍ2以上の電流密度を有していることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記超伝導材料エレメントは、ディスク形状をしており、前記電磁石源は、１対の電磁石を含み、前記超伝導材料エレメントのディスクは、前記電磁石同士の間に配設されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記磁場パルスによって発生させられる前記磁場の実質的にすべてが、前記超伝導材料エレメントの前記ディスクの直径よりも小さい直径の中にあることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記超伝導材料エレメントの温度は、前記超伝導材料エレメントの活性化を維持するのに十分であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記超伝導材料エレメントおよび電磁波源が配設されたクライオスタットであって、前記クライオスタットは、大気圧力より下で動作される閉じられたシステムである、前記クライオスタットと、
前記超伝導材料エレメントが配設された低温液体の蒸発したコールドガスと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記超伝導材料エレメントの活性化の間に、前記超伝導材料エレメントは、ジャイアントフィールドリープを経験するように構成され、前記ジャイアントフィールドリープは、前記超伝導材料エレメントの最大捕捉場に近い捕捉磁場において終わることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
超伝導材料エレメントの中で捕捉磁場を活性化させるための方法であって、前記方法は、
超伝導材料エレメントの近位に少なくとも１つの磁場パルスを発生させるステップを含み、
前記磁場パルスは、前記磁場パルスによって発生させられる磁場に実質的に等しい捕捉磁場を前記超伝導材料エレメントの中で活性化させることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記方法は、前記超伝導材料エレメントのＵ235含有量を変化させるステップと、前記超伝導材料エレメントを中性子照射に露出させるステップとをさらに含み、
前記Ｕ235含有量を変化させるステップは、前記超伝導材料エレメントの電流密度を変化させるステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの磁場パルスを発生させるステップは、前記少なくとも１つの磁場パルスを発生させるために電磁石源を通して電流を流すことによって、前記電磁石源によって前記磁場パルスを発生させるステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの磁場パルスを発生させるステップは、前記超伝導材料エレメントを捕捉場磁石へと完全に活性化させるか、又は、
前記少なくとも１つの磁場パルスによって発生させられる磁場の実質的にすべては、前記超伝導材料エレメントよりも小さい物理的な横寸法を有するエリアの中に含有されていることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
捕捉場磁石であって、前記捕捉場磁石は、
超伝導材料エレメントを含み、前記超伝導材料エレメントは、
前記超伝導材料エレメントを活性化させるように構成されている磁場パルスによって発生させられる捕捉磁場であって、前記磁場パルスによって発生させられる磁場に実質的に等しい、捕捉磁場と、
前記超伝導材料エレメントの電流密度を閾値電流密度よりも上に上昇させるように構成されている複数のピンニングメカニズムと
を含むことを特徴とする捕捉場磁石。
【請求項１５】
前記閾値電流密度は、約１５，０００Ａ／ｃｍ2であるか、又は、
前記磁場パルスが約１．２テスラから約６．６テスラの範囲にあるときに、前記捕捉磁場は、約０．６テスラから約６．０テスラの範囲にあることを特徴とする請求項１４に記載の捕捉場磁石。