(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスキャリアと、
前記ガラスキャリア上に設けられる剥離層と、
前記剥離層上に設けられる、厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の銅層と、
を備え、
前記ガラスキャリアが、少なくとも前記銅層側の表面に、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ未満である複数の平坦領域と、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域とを有し、該凹凸領域が、前記複数の平坦領域を区画するパターンの線状に設けられる、ガラスキャリア付銅箔。
【請求項２】
前記銅層の最外面が、前記ガラスキャリアの前記平坦領域の表面形状に対応した平坦形状と、前記ガラスキャリアの前記凹凸領域の表面形状に対応した凹凸形状とを有する、請求項１に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項３】
前記ガラスキャリアと前記剥離層との間に、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む中間層をさらに備えた、請求項１又は２に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項４】
前記剥離層と前記銅層との間に、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される機能層をさらに備えた、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項５】
前記ガラスキャリアがＳｉＯ２を含むガラスである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項６】
前記凹凸領域のパターンの線幅が１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項７】
前記凹凸領域のパターンが、格子状、柵状又は十字状に設けられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項８】
前記ガラスキャリアの前記平坦領域及び前記凹凸領域の合計面積に対する、前記凹凸領域の面積の比率が０．０１以上０．５以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項９】
前記凹凸領域における前記ガラスキャリアの剥離強度が３０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項１０】
前記ガラスキャリア付銅箔が複数枚に分割されるように、前記凹凸領域が前記パターンに従って切断されることが予定されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のガラスキャリア付銅箔の製造方法であって、
少なくとも一方の表面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ未満の平坦面である、ガラスキャリアを用意する工程と、
前記ガラスキャリアの表面の所定の領域に粗化処理を行って、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域を、複数の領域を区画するパターンの線状に形成する工程と、
前記ガラスキャリア上に、剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に、厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の銅層を形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記粗化処理がブラスト処理又はエッチング処理である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記粗化処理の前に、前記ガラスキャリアの表面の前記所定の領域以外の部分にマスキング層を形成する工程と、
前記粗化処理後に、前記マスキング層を除去する工程と、
をさらに含む、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記粗化処理がブラスト処理であって、該ブラスト処理が、吐出径０．５ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下のノズルから、粒径１．０μｍ以上１０００μｍ以下のメディアを０．０１ＭＰａ以上０．１ＭＰａ以下の吐出圧力で前記ガラスキャリアに対して投射することを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記剥離層の形成が、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われる、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記銅層の形成が、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われる、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯用電子機器等の電子機器の小型化及び高機能化に伴い、プリント配線板には配線パターンの更なる微細化（ファインピッチ化）が求められている。かかる要求に対応するために、プリント配線板製造用銅箔には従前以上に薄く且つ低い表面粗度のものが望まれている。例えば、特許文献１（特開２００５−７６０９１号公報）には、平均表面粗度Ｒｚを０．０１μｍ以上２．０μｍ以下に低減したキャリア銅箔の平滑面に剥離層及び極薄銅箔を順に積層することを含む、キャリア付極薄銅箔の製造方法が開示されており、このキャリア付極薄銅箔により高密度極微細配線（ファインパターン）を施して多層プリント配線板を得ることも開示されている。【０００３】
また、キャリア付極薄銅箔における極薄銅層の厚さと表面粗度の更なる低減を実現するため、従来から典型的に用いられている樹脂製キャリアに代えて、ガラス基板や研磨金属基板等を超平滑キャリアとして用い、この超平滑面上にスパッタリング等の気相法により極薄銅層を形成することも最近提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、キャリア（例えばガラスキャリア）、剥離層、反射防止層、極薄銅層を順に備えたキャリア付銅箔が開示されており、剥離層、反射防止層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、キャリア（例えばガラスキャリア）、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層を備えたキャリア付銅箔が開示されており、中間層、剥離層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。特許文献２及び３のいずれにおいても、表面平坦性に優れたガラス等のキャリア上に各層がスパッタリング形成されることで、極薄銅層の外側表面において１．０ｎｍ以上１００ｎｍ以下という極めて低い算術平均粗さＲａを実現している。【０００４】
ところで、キャリア付銅箔の搬送時等に、キャリアと銅層との積層部分が他の部材と接触することで、銅層の予期せぬ剥離が生じることがあり、かかる問題に対処可能なキャリア付銅箔が幾つか提案されている。例えば、特許文献４（特開２０１６−１３７７２７号公報）には、金属キャリアと金属箔との外周の一部又は全体が樹脂で覆われた積層体が開示されており、かかる構成とすることで、他の部材との接触を防いでハンドリング中の金属箔の剥がれを少なくすることができるとされている。また、特許文献５（国際公開第２０１４／０５４８１２号）には、樹脂製キャリアと金属箔の間の界面が外周領域の少なくとも四隅において接着層を介して強固に接着されていることで角部分の予期せぬ剥離を防止したキャリア付金属箔が開示されており、搬送終了後に、接着層よりも内側部分でキャリア付金属箔を切断することも開示されている。さらに、特許文献６（特開２０００−３３１５３７号公報）には、銅箔キャリアの左右エッジ近傍部分の表面粗度を中央部よりも大きくしたキャリア付銅箔が開示されており、こうすることでキャリア付銅箔の取り扱い時や銅張積層板の作製時に銅層がキャリアから剥離する等の不具合が生じなくなるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７６０９１号公報
【特許文献２】国際公開第２０１７／１５０２８３号
【特許文献３】国際公開第２０１７／１５０２８４号
【特許文献４】特開２０１６−１３７７２７号公報
【特許文献５】国際公開第２０１４／０５４８１２号
【特許文献６】特開２０００−３３１５３７号公報
【発明の概要】
【０００６】
ところで、ＩＣチップ等を基板に実装する際、実装設備が処理できる基板の大きさには上限があり、典型的なサイズのキャリア付銅箔（例えば４００ｍｍ×４００ｍｍ）はこの上限を上回る。したがって、実装設備が処理できる大きさとなるようにキャリア付銅箔を切断して、例えば１００ｍｍ幅程度にダウンサイジングすることが行われている。しかしながら、キャリア付銅箔を切断する際、切断界面に露出した剥離層の剥離強度が低いために、切断時の負荷によって銅層がキャリアから剥がれてしまうことがある。その結果、意図した回路パターンを形成することができず、それ以降の工程に進めないという問題が生じうる。また、ガラスをキャリアとして用いた場合、キャリア付銅箔の切断時にガラス端部にチッピング（はま欠け）が発生する等の不具合が生じやすい。
【０００７】
本発明者らは、今般、ガラスキャリア付銅箔において、本来的に平坦なガラスキャリアの表面に切り代として線状の凹凸領域を設けることにより、ダウンサイジングされても切断箇所で銅層が剥がれにくく、意図した回路パターンを形成しやすく、しかもファインピッチの回路実装基板を望ましく実現することができるとの知見を得た。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、回路実装可能な大きさにダウンサイジングされても切断箇所で銅層が剥がれにくく、意図した回路パターンの形成がしやすく、しかもファインピッチの回路実装基板を望ましく実現可能な、ガラスキャリア付銅箔を提供することにある。
【０００９】
本発明の一態様によれば、
ガラスキャリアと、
前記ガラスキャリア上に設けられる剥離層と、
前記剥離層上に設けられる、厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の銅層と、
を備え、
前記ガラスキャリアが、少なくとも前記銅層側の表面に、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ未満である複数の平坦領域と、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域とを有し、該凹凸領域が、前記複数の平坦領域を区画するパターンの線状に設けられる、ガラスキャリア付銅箔が提供される。
【００１０】
本発明の他の一態様によれば、前記ガラスキャリア付銅箔の製造方法であって、
少なくとも一方の表面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ未満の平坦面である、ガラスキャリアを用意する工程と、
前記ガラスキャリアの表面の所定の領域に粗化処理を行って、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域を、複数の領域を区画するパターンの線状に形成する工程と、
前記ガラスキャリア上に、剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に、厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の銅層を形成する工程と、
を含む、方法が提供される。
【００１１】
なお、本明細書中の以下の説明において、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される最大高さＲｚのことを、単に「最大高さＲｚ」又は「Ｒｚ」と称するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のガラスキャリア付銅箔の一態様を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示されるガラスキャリア付銅箔の点線で囲まれる部分の層構成を示す模式断面図である。
【図３】図１に示されるガラスキャリア付銅箔に含まれる、ガラスキャリアを模式的に示す斜視図である。
【図４】凹凸領域上で切断されたガラスキャリア付銅箔を示す模式断面図である。
【図５】マスキング層を形成したガラスキャリアを示す上面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ガラスキャリア付銅箔
本発明のガラスキャリア付銅箔の一例が図１及び２に模式的に示される。図１及び２に示されるように、本発明のガラスキャリア付銅箔１０は、ガラスキャリア１２と、剥離層１６と、銅層１８とをこの順に備えたものである。剥離層１６は、ガラスキャリア１２上に設けられる層である。銅層１８は剥離層１６上に設けられ、厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の層である。所望により、ガラスキャリア付銅箔１０は、ガラスキャリア１２と剥離層１６との間に中間層１４をさらに有していてもよい。また、ガラスキャリア付銅箔１０は、剥離層１６と銅層１８との間に機能層１７をさらに有していてもよい。さらに、ガラスキャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。ガラスキャリア付銅箔１０は、上述した態様のガラスキャリア１２を備えること以外は、公知の層構成を採用すればよく特に限定されない。いずれにせよ、本発明においては、図２及び３に示されるように、ガラスキャリア１２は、少なくとも銅層１８側の表面に最大高さＲｚが１．０μｍ未満である複数の平坦領域Ｆと、最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域Ｒとを有する。そして、この凹凸領域Ｒが、互いに個別化された複数の平坦領域Ｆを区画するパターンの線状に設けられる。
【００１４】
このように、ガラスキャリア付銅箔において、本来的に平坦なガラスキャリア１２の表面に切り代として線状の凹凸領域Ｒを設けることにより、ダウンサイジングされても切断箇所で銅層１８が剥がれにくく、意図した回路パターンを形成しやすく、しかもファインピッチの回路実装基板を望ましく実現することが可能となる。すなわち、ガラスキャリア１２が最大高さＲｚの小さい平坦領域Ｆを有することで、ガラスキャリア１２上に剥離層１６を介して積層された銅層１８の平坦領域Ｆ上の表面も平坦な形状となり、この銅層１８の平坦面がファインパターンの形成を可能とする。また、ガラスキャリア１２は最大高さＲｚの大きい凹凸領域Ｒも有しており、この凹凸に起因するアンカー効果によって、剥離層１６及び銅層１８の凹凸領域Ｒ上に形成された部分における剥離強度が高くなる。そして、ガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒは互いに個別化された複数の平坦領域Ｆを区画するパターンの線状に設けられているため、この凹凸領域Ｒのパターンに従ってガラスキャリア付銅箔１０を切断することで、それぞれの平坦領域Ｆを有し、かつ、実装設備が処理可能な大きさにダウンサイジングされた複数のガラスキャリア付銅箔１０’を得ることができる。凹凸領域Ｒで切断することによって得られたガラスキャリア付銅箔１０’が図４に示される。図４に示されるように、ガラスキャリア付銅箔１０’は、切断面が凹凸領域Ｒに存在するため、切断面における剥離層１６の剥離強度が高く、それ故切断面からの銅層１８の望ましくない剥離を、切断時のみならず、切断後（例えば実装工程でのキャリア付銅箔の搬送時やハンドリング時）においても、極めて効果的に防止することができる。その結果、意図した回路パターンを形成しやすくなり、ファインピッチの回路実装基板を望ましく実現することができる。
【００１５】
したがって、本発明のガラスキャリア付銅箔１０は、ガラスキャリア付銅箔１０が複数枚に分割されるように、凹凸領域Ｒが上記所定のパターンに従って切断されることが予定されているのが好ましい。すなわち、本発明のガラスキャリア付銅箔１０は、回路実装のためのダウンサイジングが求められる際に、凹凸領域Ｒで上記所定のパターンに従って切断して複数枚に分割されるのが好ましい。ガラスキャリア付銅箔１０の切断は公知の手法に従って行えばよく、特に限定されない。好ましい切断手法の例としては、ダイシング、ウォータカッター、レーザカッター等が挙げられる。
【００１６】
ガラスキャリア１２はガラスで構成される。ガラスキャリア１２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、ガラスキャリア１２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、ガラスキャリア１２はガラス板等の剛性を有する支持体として機能し得るものであることが好ましい。より好ましくは、加熱を伴うプロセスにおけるガラスキャリア付銅箔１０の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）のガラスである。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、ガラスキャリア１２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０ＨＶ以上２５００ＨＶ以下である。ガラスをキャリアとして用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、銅層１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリアがガラスである場合、配線層を形成した後、画像検査を行う際に銅めっきとの視認性に優れる点、電子素子搭載時に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、プリント配線板製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、ガラスキャリア付銅箔１０からガラスキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。ガラスキャリア１２はＳｉＯ２を含むガラスであることが好ましく、より好ましくはＳｉＯ２を５０重量％以上、さらに好ましくはＳｉＯ２を６０重量％以上含むガラスである。ガラスキャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、最も好ましくは無アルカリガラスである。ガラスキャリア１２がホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス又はソーダライムガラスで構成される場合、ガラスキャリア付銅箔１０を切断する際にガラスキャリア１２のチッピングを少なくすることができるため好ましい。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。ガラスキャリア１２の厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、さらに好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながらプリント配線板の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
【００１７】
ガラスキャリア１２の平坦領域Ｆの各々は、最大高さＲｚが１．０μｍ未満であり、好ましくは０．００１μｍ以上０．５μｍ以下、より好ましくは０．００１μｍ以上０．１μｍ以下、さらに好ましくは０．００１μｍ以上０．０８μｍ以下、特に好ましくは０．００１μｍ以上０．０５μｍ以下、最も好ましくは０．００１μｍ以上０．０２μｍ以下である。このように平坦領域Ｆの最大高さＲｚが小さいほど、ガラスキャリア１２上に積層される銅層１８の最外面（すなわち剥離層１６と反対側の表面）において望ましく低い最大高さＲｚをもたらすことができ、それにより、ガラスキャリア付銅箔１０を用いて製造されるプリント配線板において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍから２μｍ／２μｍまで）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンを形成するのに適したものとなる。
【００１８】
ガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒは、最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以上２８．０μｍ以下、より好ましくは２．０μｍ以上２６．０μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以上２４．０μｍ以下、特に好ましくは５．０μｍ以上２２．０μｍ以下、最も好ましくは１０．０μｍ以上２０．０μｍ以下である。こうすることで、凹凸領域Ｒにおける剥離層１６との密着性が向上し、ガラスキャリア付銅箔１０を凹凸領域Ｒのパターンに従って切断した際に、切断面における良好な剥離強度を確保でき、切断に伴う銅層１８の望ましくない剥離をより効果的に抑制できる。その上、ガラスキャリア１２表面に尖った部分やひび割れた部分が生じにくいため、ガラスキャリア付銅箔１０を切断した際に生じるガラスの粒子状破片の数を低減することができる。凹凸領域Ｒにおけるガラスキャリア１２の剥離強度は３０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは５０ｇｆ／ｃｍ以上２８００ｇｆ／ｃｍ以下、さらに好ましくは２００ｇｆ／ｃｍ以上２５００ｇｆ／ｃｍ以下、特に好ましくは４００ｇｆ／ｃｍ以上２３００ｇｆ／ｃｍ以下、最も好ましくは１０００ｇｆ／ｃｍ以上２０００ｇｆ／ｃｍ以下である。この剥離強度は後述の実施例で言及されるように、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７−２００９に準拠して測定される値である。
【００１９】
凹凸領域Ｒのパターンは格子状、柵状又は十字状に設けられるのが、複数の平坦領域Ｆを回路実装基板に適した均等な形状及びサイズに区画しやすい点で好ましい。中でも、凹凸領域Ｒのパターンを格子状又は柵状に設けるのが特に好ましい。こうすることで、個々の平坦領域Ｆの周囲の全体又は大半を凹凸領域Ｒで囲むことができるので、切断後に分割された各ガラスキャリア付銅箔１０’の端部において剥離の起点を生じにくくなる。
【００２０】
凹凸領域Ｒのパターンの線幅は１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１．５ｍｍ以上４５ｍｍ以下、さらに好ましくは、２．０ｍｍ以上４０ｍｍ以下、特に好ましくは２．５ｍｍ以上３５ｍｍ以下である。このような範囲内とすることで、カッター等の切断手段の凹凸領域Ｒへの位置決めがしやすくかつ切断もしやすくなるとともに、平坦領域Ｆを多く確保しながら、凹凸領域Ｒによる各種利点を望ましく実現することができる。
【００２１】
また、ファインパターンの形成に必要な平坦性を銅層１８に付与可能な領域（すなわち平坦領域Ｆ）を十分に確保する観点から、ガラスキャリア１２の平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒの合計面積に対する凹凸領域Ｒの面積の比率が０．０１以上０．５以下であるのが好ましく、より好ましくは０．０２以上０．４５以下、さらに好ましくは０．０５以上０．４０以下、特に好ましくは０．１以上０．３５以下である。
【００２２】
所望により設けられる中間層１４は、キャリア１２と剥離層１６の間に介在して、キャリア１２と剥離層１６との密着性の確保に寄与する層である。中間層１４を構成する金属の例としてはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ及びそれらの組合せ（以下、金属Ｍという）が挙げられ、好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、より好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ及びそれらの組合せが挙げられる。中間層１４は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。中間層１４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、中間層１４の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。上記金属の含有率の上限は特に限定されず、１００原子％であってもよい。中間層１４は物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であるのが好ましく、より好ましくはスパッタリングにより形成された層である。中間層１４は金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。中間層１４の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【００２３】
中間層１４は、１層構成であってもよいし、２層以上の構成であってもよい。中間層１４が１層構成である場合、中間層１４はＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）で構成される金属を含有する層からなるのが好ましく、より好ましくはＡｌ、Ｔｉ、又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）であり、さらに好ましくは主としてＡｌを含有する層又は主としてＴｉを含有する層である。一方、ガラスキャリア１２との密着性が十分高いとはいえない金属又は合金を中間層１４に採用する場合は、中間層１４を２層構成とすることが好ましい。すなわち、ガラスキャリア１２との密着性に優れる金属（例えばＴｉ）又は合金で構成した層をガラスキャリア１２に隣接させて設け、かつ、ガラスキャリア１２との密着性に劣る金属（例えばＣｕ）又は合金で構成した層を剥離層１６に隣接させて設けることで、ガラスキャリア１２との密着性を向上することができる。したがって、中間層１４の好ましい２層構成の例としては、ガラスキャリア１２に隣接するＴｉ含有層と、剥離層１６に隣接するＣｕ含有層とからなる積層構造が挙げられる。また、２層構成の各層の構成元素や厚みのバランスを変えると、剥離強度も変わるため、各層の構成元素や厚みを適宜調整するのが好ましい。なお、本明細書において「金属Ｍ含有層」の範疇には、キャリアの剥離性を損なわない範囲において、金属Ｍ以外の元素を含む合金も含まれるものとする。したがって、中間層１４は主として金属Ｍを含む層ともいうことができる。上記の点から、中間層１４における金属Ｍの含有率は５０原子％以上１００原子％以下であることが好ましく、より好ましくは６０原子％以上１００原子％以下、さらに好ましくは７０原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは８０原子％以上１００原子％以下、最も好ましくは９０原子％以上１００原子％以下である。
【００２４】
中間層１４を合金で構成する場合、好ましい合金の例としてはＮｉ合金が挙げられる。Ｎｉ合金はＮｉ含有率が４５重量％以上９８重量％以下であるのが好ましく、より好ましくは５５重量％以上９０重量％以下、さらに好ましくは６５重量％以上８５重量％以下である。好ましいＮｉ合金は、Ｎｉと、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎｄ、Ｎｂ及びＬａからなる群から選択される少なくとも１種との合金であり、より好ましくはＮｉと、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｕ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも１種の合金である。中間層１４をＮｉ合金層とする場合、Ｎｉ合金ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
【００２５】
剥離層１６はガラスキャリア１２の剥離を可能とする層であり、キャリア付銅箔の剥離層として採用される公知の材料で構成されることができる。剥離層１６は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよい。有機剥離層に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａの少なくとも一種類以上の金属酸化物、炭素層等が挙げられる。これらの中でも特に、剥離層１６は、炭素層、すなわち主として炭素を含んでなる層であるのが剥離容易性や膜形成性の点等から好ましく、より好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。この場合、剥離層１６（すなわち炭素層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離層１６（特に炭素層）は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、水素等）を含みうる。また、剥離層１６（特に炭素層）には機能層１７又は銅層１８の成膜手法に起因して金属原子が混入しうる。炭素はキャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、銅箔層と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この剥離層１６もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、所望により設けられる中間層１４の成膜との連続生産性の点などから好ましい。剥離層１６（特に炭素層）の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【００２６】
所望により剥離層１６と銅層１８の間に機能層１７が設けられてもよい。機能層１７はガラスキャリア付銅箔１０に、エッチングストッパー機能や反射防止機能等の所望の機能を付与するものであれば特に限定されない。機能層１７を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＴｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せである。これらの元素は、銅フラッシュエッチング液に対して溶解しないという性質を有し、その結果、銅フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。したがって、機能層１７は、銅層１８よりも銅フラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層となり、それ故エッチングストッパー層として機能しうる。また、機能層１７を構成する上述の金属は光の反射を防止する機能も有するため、機能層１７は、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））において視認性を向上させるための反射防止層としても機能しうる。機能層１７は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。機能層１７を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、上記金属の含有率の上限は特に限定されず、１００原子％であってもよい。機能層１７は物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であるのが好ましく、より好ましくはスパッタリングにより形成された層である。機能層１７の厚さは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００２７】
銅層１８は銅で構成される層である。銅層１８を構成する銅は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。銅層１８は、いかなる方法で製造されたものでよく、例えば、無電解銅めっき法及び電解銅めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した銅層であってよい。特に好ましくは、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法や真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された銅層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された銅層である。また、銅層１８は、無粗化の銅層であるのが好ましいが、プリント配線板製造時の配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化が生じたものであってもよい。上述したようなファインピッチ化に対応する観点から、銅層１８の厚さは０．０５μｍ以上３．０μｍ以下であり、好ましくは０．１０μｍ以上２．５μｍ以下、より好ましくは０．１５μｍ以上２．０μｍ以下、さらに好ましくは０．２０μｍ以上１．５μｍ以下、特に好ましくは０．２５μｍ以上１．２５μｍ以下、最も好ましくは０．２８μｍ以上１．０μｍ以下である。このような範囲内の厚さの銅層１８はスパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。
【００２８】
銅層１８の最外面は、ガラスキャリア１２の平坦領域Ｆの表面形状に対応した平坦形状と、ガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒの表面形状に対応した凹凸形状とを有するのが好ましい。すなわち、図１及び２に示されるように、平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒを有するガラスキャリア１２上に中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）を介して銅層１８が形成されることで、ガラスキャリア１２の平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒの表面プロファイルが各層の表面にそれぞれ転写される。こうして、銅層１８の最外面にガラスキャリア１２の各領域の形状に対応した望ましい表面プロファイルが付与されるのが好ましい。こうすることで、ガラスキャリア付銅箔１０を切断した場合における銅層１８の剥がれをより一層防止することができるとともに、ファインピッチ化により一層対応できる。典型的には、銅層１８の最外面における、ガラスキャリア１２の平坦領域Ｆに対応した平坦形状を有する面（すなわち平坦面）は、最大高さＲｚが１．０μｍ未満であり、好ましくは０．００１μｍ以上０．５μｍ以下、より好ましくは０．００１μｍ以上０．１μｍ以下、さらに好ましくは０．００１μｍ以上０．０８μｍ以下、特に好ましくは０．００１μｍ以上０．０５μｍ以下、最も好ましくは０．００１μｍ以上０．０２μｍ以下である。また、銅層１８の最外面における、ガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒに対応した凹凸形状を有する面（すなわち凹凸面）は、最大高さＲｚが典型的には１．０μｍ以上３０．０μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以上２８．０μｍ以下、より好ましくは２．０μｍ以上２６．０μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以上２４．０μｍ以下、特に好ましくは５．０μｍ以上２２．０μｍ以下、最も好ましくは１０．０μｍ以上２０．０μｍ以下である。
【００２９】
中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び銅層１８はいずれも物理気相堆積（ＰＶＤ）膜、すなわち物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された膜であるのが好ましく、より好ましくはスパッタ膜、すなわちスパッタリング法により形成された膜である。
【００３０】
ガラスキャリア付銅箔の製造方法
本発明のガラスキャリア付銅箔１０は、（１）ガラスキャリアを用意し、（２）ガラスキャリア表面の所定の領域に粗化処理を行い、（３）ガラスキャリア上に剥離層、銅層等の各種層を形成することにより製造することができる。
【００３１】
（１）ガラスキャリアの用意
まず、少なくとも一方の表面の最大高さＲｚが１．０μｍ未満の平坦面である、ガラスキャリア１２を用意する。この最大高さＲｚは、好ましくは０．００１μｍ以上０．５μｍ以下、より好ましくは０．００１μｍ以上０．１μｍ以下、さらに好ましくは０．００１μｍ以上０．０８μｍ以下、特に好ましくは０．００１μｍ以上０．０５μｍ以下、最も好ましくは０．００１μｍ以上０．０２μｍ以下である。一般的にガラス製品は平坦性に優れるものであることから、上記範囲内のＲｚを満たす平坦面を有する市販のガラスシート、ガラスフィルム及びガラス板をガラスキャリア１２として用いればよい。あるいは、上記Ｒｚを満たさないガラスキャリア１２表面に公知の手法で研磨加工を施すことで上記範囲内のＲｚを付与してもよい。ガラスキャリア１２の好ましい材質や特性については前述したとおりである。
【００３２】
（２）ガラスキャリア表面の粗化処理
次に、ガラスキャリア１２の表面の所定の領域に粗化処理を行って、最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域Ｒを、互いに個別化された複数の領域を区画するパターンの線状に形成する。この最大高さＲｚは、好ましくは１．１μｍ以上２０．０μｍ以下、より好ましくは１．２μｍ以上１５．０μｍ以下、さらに好ましくは１．３μｍ以上１０．０μｍ以下、特に好ましくは１．４μｍ以上７．０μｍ以下、最も好ましくは１．５μｍ以上５．０μｍ以下である。粗化処理は公知の手法に従って行えばよく、上記範囲内の最大高さＲｚを実現でき、かつ、(必要に応じてマスキングを併用して）所望のパターンで凹凸領域Ｒを形成することが出来る限り特に限定されない。好ましい粗化処理の手法は、所望のＲｚの凹凸領域Ｒを効率良く形成可能な点でブラスト処理又はエッチング処理であり、より好ましくはブラスト処理である。ブラスト処理による粗化処理は、ガラスキャリア１２の表面の所定領域（すなわち凹凸領域Ｒが形成されるべき領域）に対して粒子状のメディア（投射材）をノズルから投射することにより行うことができる。好ましいノズルの吐出径は０．５ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下であり、より好ましくは０．７５ｍｍ以上８．５ｍｍ以下である。メディアの粒径は１．０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２．０ｍｍ以上８００ｍｍ以下であり、投射量は１０ｇ／分以上３０００ｇ／分以下であるのが好ましく、より好ましくは２５ｇ／分以上２７５０ｇ／分以下である。また、好ましいメディアの吐出圧力は０．００５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下であり、より好ましくは０．０１ＭＰａ以上０．１ＭＰａ以下である。メディアの材質の好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、鉄、アルミ、亜鉛、ガラス、スチール及びボロンカーバイトが挙げられる。メディアのモース硬度は４以上が好ましく、より好ましくは５．５以上、さらに好ましくは６．０以上である。一方、エッチング処理による粗化処理の好ましい例としては、フッ酸（フッ化水素酸）を含む溶液を用いたウエットプロセス、及びフッ素を含むプロセスガス（例えばＣＦ４やＳＦ６等）を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）によるドライプロセスが挙げられる。
【００３３】
所望の領域に選択的に粗化処理（特にブラスト処理又はエッチング処理）を行うために、マスキングを用いるのが好ましい。具体的には、図５に示されるように、粗化処理の前に、ガラスキャリア１２の表面の所定の領域（すなわち凹凸領域Ｒが形成されるべき領域）以外の部分にマスキング層２０を形成するのが好ましい。この場合、粗化処理後に、マスキング層２０を除去することが望まれる。特に、粗化処理をエッチング処理で行う場合にはマスキング層を用いるのが好ましいが、ブラスト処理の場合であっても必要に応じてマスキング層を用いることができる。
【００３４】
（３）ガラスキャリア上への各種層の形成
粗化処理を行ったガラスキャリア１２上に、所望により中間層１４、剥離層１６、所望により機能層１７、及び厚さ０．１μｍ以上３．０μｍ以下の銅層１８を形成する。中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び銅層１８の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下といった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び銅層１８の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び銅層１８の各層の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
【００３５】
中間層１４の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【００３６】
剥離層１６の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【００３７】
機能層１７の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により行われるのが好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。特に、機能層１７のマグネトロンスパッタ法による成膜は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、圧力０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下で行われるのが好ましい。スパッタリング圧力は、より好ましくは０．２Ｐａ以上１５Ｐａ以下、さらに好ましくは０．３Ｐａ以上１０Ｐａ以下である。なお、上記圧力範囲の制御は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することにより行えばよい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり１．０Ｗ／ｃｍ２以上１５．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。また、製膜時にキャリア温度を一定に保持するのが、安定した膜特性（例えば膜抵抗や結晶サイズ）を得やすい点で好ましい。成膜時のキャリア温度は２５℃以上３００℃以下の範囲内で調整することが好ましく、より好ましくは４０℃以上２００℃以下、さらに好ましくは５０℃以上１５０℃以下の範囲内である。
【００３８】
銅層１８の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、銅ターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。銅ターゲットは金属銅で構成されるのが好ましいが、不可避不純物を含みうる。銅ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９％、さらに好ましくは９９．９９９％以上である。銅層１８の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、安定的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【実施例】
【００３９】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。【００４０】
例１
図１に示されるように、ガラスキャリア１２上に凹凸領域Ｒを形成した後、中間層１４（Ｔｉ含有層及びＣｕ含有層）、剥離層１６としての炭素層、機能層１７、及び銅層１８をこの順に成膜してガラスキャリア付銅箔１０を作製した。具体的な手順は以下のとおりである。なお、以下の例において言及される最大高さＲｚはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して非接触表面形状測定機（Ｚｙｇｏ株式会社製ＮｅｗＶｉｅｗ５０３２）で測定された値である。【００４１】
（１）ガラスキャリアの用意
最大高さＲｚ２．７ｎｍの平坦面を有する２００ｍｍ×２５０ｍｍで厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、セントラル硝子株式会社製）を用意した。【００４２】
（２）ガラスキャリアの粗化処理
図５に示されるように、ガラスキャリア１２表面にマスキング層２０を、４つの矩形状マスキング領域が２．５ｍｍの平均線幅で互いに離間して配置されるパターンに形成した。このマスキング層２０の形成は、感光性フィルムを用いてロールラミネーションにより行った。次に、ブロワブラスト装置（株式会社不二製作所製、ＬＤＱ−３（ＡＢ））を用いて、マスキング層２０で部分的に被覆されたガラスキャリア１２表面に対して、吐出径５ｍｍのノズルから、粒径０．１６ｍｍのメディア（アルミナ）を０．０５ＭＰａの吐出圧力で３０秒間投射することで、ガラスキャリア１２の露出部分に対して粗化処理を行った。こうして、ガラスキャリア１２表面に、平均２．５ｍｍの線幅を有する最大高さＲｚ１．０μｍの凹凸領域Ｒを格子状のパターンで形成した。その後、マスキング層２０を除去して平坦領域Ｆを露出させた。【００４３】
（３）Ｔｉ含有層の形成
粗化処理を行った側のガラスキャリア１２表面に、Ｔｉ含有層として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐  装置：枚葉式マグネロトンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐  ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐  到達真空度：１×１０−４Ｐａ未満
‐  キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐  スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐  スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐  成膜時温度：４０℃【００４４】
（４）Ｃｕ含有層の形成
Ｔｉ含有層の上に、Ｃｕ含有層として厚さ１００ｎｍの銅層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐  装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐  ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
‐  到達真空度：１×１０−４Ｐａ未満
‐  ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐  スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐  スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐  成膜時温度：４０℃【００４５】
（５）炭素層の形成
Ｃｕ含有層の上に、剥離層１６として厚さ６ｎｍのアモルファスカーボン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐  装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐  ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
‐  到達真空度：１×１０−４Ｐａ未満
‐  キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐  スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐  スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
‐  成膜時温度：４０℃【００４６】
（６）機能層の形成
剥離層１６の表面に、機能層１７として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐  装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐  ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
‐  キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐  到達真空度：１×１０−４Ｐａ未満
‐  スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐  スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）【００４７】
（７）極薄銅層の形成
機能層１７の上に、膜厚３００ｎｍの銅層１８を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成して、ガラスキャリア付銅箔１０を得た。
‐  装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐  ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
‐  到達真空度：１×１０−４Ｐａ未満
‐  キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐  スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐  スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐  成膜時温度：４０℃【００４８】
（８）凹凸領域の剥離強度の測定
マスキング層２０の形成を行わなかったこと以外は上記（１）〜（７）と同様にして、片面の全域が凹凸領域であるガラスキャリア付銅箔を作製した。このガラスキャリア付銅箔の銅層側に電解メッキにより銅を１８μｍ積層し、測定サンプルを得た。この測定サンプルに対して、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７−２００９に準拠して、電解メッキした銅層を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を、測定幅１０ｍｍ、測定長さ１７ｍｍ、及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定した。こうして測定された凹凸領域の剥離強度は表１に示されるとおりであった。【００４９】
例２〜１１
ガラスキャリア１２の粗化処理工程において、ブラスト処理の条件及び／又はマスキング層２０同士の離間距離（線幅）を適宜変更することにより、ガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒの最大高さＲｚ及び／又はパターンの平均線幅を変化させたこと以外は、例１と同様にしてガラスキャリア付銅箔１０の作製を行った。また、凹凸領域の剥離強度の測定も例１と同様にして行った。【００５０】
評価
例１〜１１のガラスキャリア付銅箔１０について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表１に示されるとおりであった。また、表１にはガラスキャリア１２の凹凸領域Ｒにおける最大高さＲｚ、剥離強度、パターンの平均線幅、並びに平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒの合計面積に対する凹凸領域Ｒの面積の比率も併せて示してある。【００５１】
＜評価１：凹凸領域の切断により発生した粒子状破片数＞
ダイシング装置を用いて、ガラスキャリア付銅箔１０を凹凸領域の線幅方向の中央を通るように線状パターンと平行に切断した。ガラスキャリア付銅箔１０の切断端部を含む１０ｃｍ２の領域を顕微鏡観察して、切断により発生した直径２０μｍ以上の粒子状破片の数をカウントした。こうして得られた粒子状破片数を以下の基準で格付けした。
評価Ａ：粒子状破片数が１０個未満
評価Ｂ：粒子状破片数が１０個以上５０個未満
評価Ｃ：粒子状破片数が５０個以上１００個未満
評価Ｄ：粒子状破片数が１００個以上【００５２】
＜評価２：切断端部における剥離試験＞
ステンレスカッターを用いて、ガラスキャリア付銅箔１０を凹凸領域の線幅方向の中央を通るように線状パターンと平行に切断した。ガラスキャリア付銅箔１０の切断端部に隣接する銅層１８に粘着テープ（セロハンテープ）を貼り付け、この粘着テープを剥離した。このとき、粘着テープの剥離に伴う切断端部における銅層１８の剥離の有無ないし程度を観察し、以下の基準で格付けした。
評価Ａ：切断端部から銅層が剥離しなかった。
評価Ｂ：切断端部から銅層が部分的に剥離した。
評価Ｃ：切断端部から銅層の大部分が剥離した。
評価Ｄ：粘着テープを貼る前から切断端部から銅層が自然に剥離していた。【００５３】
＜評価３：凹凸領域の切断により発生したチッピング数＞
ダイシング装置を用いて、ガラスキャリア付銅箔１０を凹凸領域の線幅方向の中央を通るように線状パターンと平行に切断した。ガラスキャリア付銅箔１０の切断端部を顕微鏡観察して、ガラス端部から１ｍｍ以上の領域に及ぶサイズのチッピング（はま欠け）の個数をカウントし、切断長さ１ｃｍ辺りの個数に換算した。こうして得られたチッピング数を以下の基準で格付けした。
評価Ａ：切断長さ１ｃｍ辺りの１ｍｍ以上のチッピング数が１０個未満
評価Ｂ：切断長さ１ｃｍ辺りの１ｍｍ以上のチッピング数が１０個以上３０個未満
評価Ｃ：切断長さ１ｃｍ辺りの１ｍｍ以上のチッピング数が３０個以上【００５４】
【表１】
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【００５５】
表１に示されるように、ガラスキャリアにおける凹凸領域の最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下の範囲内である例１〜７及び９〜１１は、評価１〜３の全てにおいて良好な結果であることがわかる。したがって、これらのガラスキャリア付銅箔を凹凸領域のパターンに従って切断することで、切断端部からの銅層等の剥離、並びにガラスキャリアにおける粒子状破片及びチッピングの発生を極めて効果的に防止しつつ、回路実装可能な大きさにダウンサイジングすることが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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