【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板の表面上の第１のパターン化金属層であって、前記前記ディスプレイ基板の表面に直接接触している第１のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第１のパターン化金属層上の誘電体層であって、前記ディスプレイ基板および前記第１のパターン化金属層に直接接触している誘電体層と、
前記誘電体層上のポリマー層であって、前記ポリマー層は、前記誘電体層に直接接触しており、前記ポリマー層は、前記誘電体層とは異なる材料を含む、ポリマー層と、
前記ポリマー層の表面上の複数の発光体であって、前記複数の発光体は、前記ポリマー層の表面に直接接触しており、前記複数の発光体のうちの各発光体は、それぞれの発光体の同一側面上に第１の電気接続部および第２の電気接続部を有し、前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光体に非ネイティブである、複数の発光体と、
前記ポリマー層および誘電体層を通して形成される複数のビアであって、各ビアは、前記複数の発光体のうちの対応する発光体に関連付けられている、複数のビアと、
第２のパターン化金属層と
を備え、
前記第２のパターン化金属層は、単一の層の中に複数の第１の相互接続部と、複数の第２の相互接続部とを備え、各第１の相互接続部は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の第１の電気接続部を前記第１のパターン化金属層に電気的に接続し、各第２の相互接続部は、前記対応する発光体の前記第２の電気接続部を電気的に接続する、ディスプレイ。
【請求項２】
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】
前記複数の発光体は、複数の無機発光ダイオードを備えている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項４】
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項５】
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項６】
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項７】
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項８】
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項９】
前記ディスプレイ基板は、連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光体の各々は、発光面積を有し、前記複数の発光体の複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１０】
前記複数の発光体の前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、請求項９に記載のディスプレイ。
【請求項１１】
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１２】
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１３】
前記第１のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１４】
前記金属スタックは、アルミニウムとチタンとを含む、請求項１３に記載のディスプレイ。
【請求項１５】
前記チタンは、前記アルミニウムの上にある、請求項１４に記載のディスプレイ。
【請求項１６】
前記ポリマー層は、感光性負作用半導体グレードエポキシである、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１７】
前記複数の発光体は、印刷ツールを使用して前記ポリマー層の表面上にマイクロ転写印刷されている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項１８】
前記印刷ツールは、粘弾性エラストマースタンプである、請求項１７に記載のディスプレイ。
【請求項１９】
前記第２のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項２０】
前記複数の発光体は、赤色光を発する複数の赤色発光体と、緑色光を発する複数の緑色発光体と、青色光を発する複数の青色発光体とを備えている、請求項１に記載のディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
ある実施形態では、本方法は、非ネイティブウエハを複数のディスプレイに切断するステップに先立って、保護フォトレジスト層でウエハをコーティングするステップと、ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断した後、複数のディスプレイのうちの各ディスプレイから保護フォトレジスト層を除去するステップとを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
ある実施形態では、本システムはさらに、各光学反射構造が複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの第１の金属端子と同一の側面上に位置している、複数の光学反射構造を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
ある実施形態では、本システムはさらに、各光学反射構造が、第１の金属端子から複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの反対側で該発光ダイオードの下に位置する、複数の光学反射構造を備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
ある実施形態では、本システムはさらに、各々が対応する発光ダイオードの第１の金属端子に電気的に接続されている複数の第１の相互接続と、各々が対応する発光ダイオードの第２の金属端子に電気的に接続されている複数の第２の相互接続であって、複数の第１の相互接続および複数の第２の相互接続は、第１の面の上にある、複数の第２の相互接続とを備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
別の側面では、本発明は、無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイを微細に組み立てる方法を対象とし、本方法は、１つ以上のネイティブ基板の中もしくは上に複数の印刷可能無機ＬＥＤを形成するステップと、複数のピクセルを形成するように、１つ以上のネイティブ基板と別個であり異なるディスプレイ基板上に複数の印刷可能無機ＬＥＤを転写印刷するステップであって、各ピクセルは、一次無機ＬＥＤのセットと、冗長無機ＬＥＤのセットとを備えている、ステップと、一次無機ＬＥＤをディスプレイ回路に接続するステップと、欠陥一次無機ＬＥＤを識別するようにディスプレイを試験するステップとを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
ある実施形態では、本システムは、マイクロＬＥＤが、ディスプレイ基板に向かって放射光を反射するように、ディスプレイ基板の反対のマイクロＬＥＤの側面を実質的に覆う１つ以上の反射構造を備えている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２８】
ある実施形態では、機能的要素は、センサまたは送受信機である。ある実施形態では、機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４８】
別の側面では、本発明は、機能的要素と組み合わせられた発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイを微細に組み立てる方法を対象とし、本方法は、第１の基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成するステップと、第２の基板上に複数の機能的要素を形成するステップと、複数のマイクロＬＥＤおよび複数の機能要素に非ネイティブなディスプレイ基板上に複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てるステップであって、ディスプレイ基板上に複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てるステップは、複数のマイクロＬＥＤの一部を接触表面を有する第１の転写デバイスと接触させ、それによって、接触表面がその上に一時的に配置された複数のマイクロＬＥＤの一部を有するように、複数のマイクロＬＥＤの一部を接触表面に一時的に結合するステップと、第１の転写デバイスの接触表面上に配置された複数のマイクロＬＥＤの一部をディスプレイ基板の受け取り表面と接触させるステップと、第１の転写デバイスの接触表面および複数のマイクロＬＥＤの一部を分離するステップであって、複数のマイクロＬＥＤの一部は、受け取り表面上に転写され、それによって、ディスプレイ基板の受け取り表面上で複数のマイクロＬＥＤの一部を組み立てる、ステップとを含む、ステップと、ディスプレイ基板上に複数の機能的要素を微細に組み立てるステップであって、複数の機能的要素の一部を第２の転写デバイスと接触させ、それによって、接触表面がその上に配置された複数の機能的要素の一部を有するように、複数の機能的要素の一部を接触表面に結合するステップと、第２の転写デバイスの接触表面上に配置された複数の機能的要素の一部をディスプレイ基板の受け取り表面と接触させるステップと、第２の転写デバイスの接触表面および複数の機能的要素の一部を分離するステップであって、複数の機能的要素の一部は、ディスプレイ基板の受け取り表面上に転写され、それによって、ディスプレイ基板の受け取り表面上で複数の機能的要素の一部を組み立てる、ステップとを含む。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
ある実施形態では、複数の機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１９】
ある実施形態では、ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、ＰｂＳｎ、またはＡｇＳｎを含む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３７】
ある実施形態では、ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、ＰｂＳｎ、またはＡｇＳｎを含む。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３９】
ある実施形態では、デバイスは、第１の導電体および第２の導電体から電気的に絶縁される導体基板上の第３の導電体を備え、第３の導電体は、伝導性ジャンパ要素の陥凹の下に位置する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３５７】
ある実施形態では、転写デバイスは、エラストマースタンプを備えている。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
無機発光ダイオードディスプレイであって、前記ディスプレイは、
複数の発光ダイオードに非ネイティブなディスプレイ基板上でアレイに組み立てられた複数の無機発光ダイオードを備え、
前記アレイの各発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第１の側面上の第１の金属端子を備え、前記第１の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の側面上の第２の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、１００ｎｍ〜２０ミクロンである、ディスプレイ。
（項目２）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目１に記載のディスプレイ。
（項目３）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目１または２に記載のディスプレイ。
（項目４）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目１〜３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目５）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目１〜４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目６）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目１〜５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目７）
各発光ダイオードは、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層と
を備え、
前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備え、前記第１の金属端子は、前記無機発光層の一部の上に配置され、前記第２の金属端子は、前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置され、前記第１の金属端子と前記第２の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、項目１〜６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８）
前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、項目１〜７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９）
前記横の伝導層は、前記ＬＥＤから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目１〜７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１０）
前記第１および第２の金属端子は、透明である、項目１〜９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１１）
前記第１および第２の金属端子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目１〜９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１２）
前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板を通して発せられるように、下向き発光マイクロＬＥＤディスプレイである、項目１〜１１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１３）
複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの前記第１の金属端子と同一の側面上に位置している、項目１２に記載のディスプレイ。
（項目１４）
前記第１および第２の金属端子は、少なくとも部分的に反射性であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第１および第２の金属端子から少なくとも部分的に反射し、前記第１の面と反対の各発光ダイオードの第２の面を通ることを可能にする、項目１２または１３に記載のディスプレイ。
（項目１５）
各発光ダイオードの少なくとも一部の直接下方に位置する材料は、少なくとも部分的に透明である、項目１２〜１４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６）
前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板から離れた方向に発せられるように、上向き発光マイクロＬＥＤディスプレイである、項目１〜１１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１７）
複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下、前記発光ダイオードの前記第１の金属端子から反対側に位置している、項目１６に記載のディスプレイ。
（項目１８）
前記第１および第２の金属端子は、少なくとも部分的に透明であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第１および第２の金属端子を少なくとも部分的に通過することを可能にする、項目１６〜１７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１９）
各々が対応する発光ダイオードの前記第１の金属端子に電気的に接続されている複数の第１の相互接続と、
各々が対応する発光ダイオードの前記第２の金属端子に電気的に接続されている複数の第２の相互接続と
を備え、
前記複数の第１の相互接続および前記複数の第２の相互接続は、前記第１の面の上にある、項目１〜１８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０）
前記複数の第１の相互接続特徴および前記複数の第２の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、項目１９に記載のディスプレイ。
（項目２１）
前記複数の第１の相互接続の各々は、絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して複数の列電極のうちの１つの列電極に電気的に連結され、各ビアは、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードに関連付けられている、項目１９または２０に記載のディスプレイ。
（項目２２）
前記複数の列電極、前記複数の第１の相互接続、および前記複数の第２の相互接続は、前記第１および第２の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、項目２１に記載のディスプレイ。
（項目２３）
前記発光ダイオードの各々は、その幅の２倍以上の長さを有する、項目１〜２２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２４）
前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第１および第２の金属端子は、対応する発光ダイオードの前記横の設置面積の少なくとも半分、３分の２、または４分の３を覆う、項目１〜２３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２５）
前記複数の発光ダイオードは、マイクロ転写印刷を介して組み立てられる、項目１〜２４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２６）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１〜２５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２７）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目１〜２６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２８）
前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目１〜２７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２９）
前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目２８に記載のディスプレイ。
（項目３０）
前記複数の無機発光ダイオードのうちの各無機発光ダイオードに対して、前記水平距離は、５００ｎｍ〜１μｍ、１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、または１０μｍ〜２０μｍである、項目１〜２９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３１）
前記複数の無機発光ダイオードのうちの各無機発光ダイオードに対して、前記第１の金属端子の表面および第２の金属端子の表面は、平面を共有する、項目１〜３０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３２）
前記ディスプレイ基板上の複数のマイクロ集積回路を備え、各々は、前記複数の発光ダイオードのセットと電気的に接続されている、項目１〜３１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３３）
各集積回路は、ある色の光を発するＬＥＤを制御するために使用される、項目３２に記載のディスプレイ。
（項目３４）
それぞれの集積回路によって駆動される前記複数の発光ダイオードの各セットは、独立サブディスプレイを形成する、項目３２または３３に記載のディスプレイ。
（項目３５）
複数の第２の発光ダイオードに非ネイティブな第２のディスプレイ基板上で第２のアレイに組み立てられた複数の第２の無機発光ダイオードを備え、前記複数の第２の発光ダイオードのうちの各第２の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第１の側面上の第１の金属端子を備え、前記第１の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の側面上の第２の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、１００ｎｍ〜２０ミクロンであり、前記第１のディスプレイ基板と前記第２の基板とは、積み重ねられている、項目１〜３４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３６）
前記ディスプレイ基板の前記複数の無機発光ダイオードと反対の側面上で第２のアレイに組み立てられた複数の第２の無機発光ダイオードを備え、前記複数の第２の発光ダイオードのうちの各第２の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第１の側面上の第１の金属端子を備え、前記第１の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の側面上の第２の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、１００ｎｍ〜２０ミクロンであり、前記第１のディスプレイ基板と前記第２の基板とは、積み重ねられている、項目１〜３４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３７）
前記複数の無機発光ダイオードの前記アレイは、前記複数の第２の無機発光ダイオードの前記第２のアレイと異なる解像度を有する、項目３５または３６に記載のディスプレイ。
（項目３８）
前記複数の無機発光ダイオードの各々は、第１のサイズを有し、前記複数の第２の無機発光ダイオードの各々は、第２のサイズを有し、前記第１のサイズは、前記第２のサイズと異なる、項目３５〜３７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３９）
発光ダイオードディスプレイを形成する方法であって、前記方法は、
基板上に複数の列線を形成することと、
前記列線上に絶縁体を堆積させることと、
前記絶縁体上に複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することであって、各マイクロ発光ダイオードは、その発光ダイオードの第１の面上に第１および第２の金属端子を備え、前記基板は、前記複数の発光ダイオードに非ネイティブである、ことと、
前記絶縁体に複数の孔を形成し、それによって、前記複数の列線の各々の部分を露出することと、
前記第１の面上に複数の伝導性相互接続を堆積させることと
を含み、
前記複数の伝導性相互接続は、複数の行電極と、複数の列相互接続とを備え、前記複数の列相互接続の各々は、列線を対応する発光ダイオードの前記第１の金属端子に電気的に接続する、方法。
（項目４０）
前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、前記第１の金属端子は、１００ｎｍ〜５ミクロンの水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の面上の前記第２の金属端子から水平に分離されている、項目３９に記載の方法。
（項目４１）
前記第１および第２の金属端子は、透明である、項目３９または４０に記載の方法。
（項目４２）
前記第１および第２の金属端子は、少なくとも部分的に透明であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第１および第２の金属端子を少なくとも部分的に通過することを可能にする、項目３９〜４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４３）
前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板を通して発せられるように、下向き発光マイクロＬＥＤディスプレイである、項目３９〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
複数の光学反射構造を堆積させることを含み、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードの上方、前記発光ダイオードの前記ディスプレイ基板から反対側に位置している、項目４３に記載の方法。
（項目４５）
各発光ダイオードの少なくとも一部の直接下方に位置する材料は、少なくとも部分的に透明である、項目４３または４４に記載の方法。
（項目４６）
前記第１および第２の金属端子は、少なくとも部分的に反射性であり、それによって、それぞれの発光ダイオードから発せられる光が、前記第１および第２の金属端子から少なくとも部分的に反射し、各発光ダイオードの前記第１の面と反対の第２の面を通ることを可能にする、項目４３〜４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目４７）
前記第１および第２の金属端子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目４３〜４６のいずれか１項に記載の方法。
（項目４８）
前記ディスプレイは、前記複数の発光ダイオードによって発せられる光の大部分が前記ディスプレイ基板から離れた方向に発せられるように、上向き発光マイクロＬＥＤディスプレイである、項目３９〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４９）
前記複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することに先立って、複数の光学反射構造を堆積させることを含み、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下に位置している、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
各発光ダイオードは、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層と
を備え、
前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備え、前記第１の金属端子は、前記無機発光層の一部の上に配置され、前記第２の金属端子は、前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置され、前記第１の金属端子と前記第２の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、項目３９〜４９のいずれか１項に記載の方法。
（項目５１）
前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記横の伝導層は、前記ＬＥＤから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目５０に記載の方法。
（項目５３）
前記複数の発光ダイオードをマイクロ転写印刷することは、
取り外し可能に取り付けられた前記複数の発光ダイオードの一部を有する転写デバイスを提供することであって、前記転写デバイスは、前記複数の発光ダイオードの前記一部と少なくとも部分的に接触している３次元特徴を備えている、ことと、
前記転写デバイスに取り外し可能に取り付けられた前記複数の発光ダイオードの前記一部を前記基板の受け取り表面と接触させることと、
前記受け取り表面と前記複数の発光ダイオードの前記一部の前記接触に続いて、前記複数の発光ダイオードの前記一部から前記転写デバイスを分離することであって、前記複数の発光ダイオードの前記一部は、前記受け取り表面上に転写される、ことと、
を含む、項目３９〜５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目５４）
各々が前記複数の第１の相互接続のうちのそれぞれの１つに電気的に接続されている複数の列電極と、
前記複数の列電極と前記複数の発光ダイオードとの間の絶縁体と
を備え、
前記複数の第２の相互接続は、複数の行電極を備え、前記複数の行電極は、前記複数の発光ダイオードのうちの少なくとも１つの前記第２の金属端子に電気的に接続されている、項目３９〜５３のいずれか１項に記載の方法。
（項目５５）
前記複数の第１の相互接続の各々は、前記絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して前記複数の列電極のうちの前記列電極の１つに電気的に連結されている、項目５４に記載の方法。
（項目５６）
前記複数の列電極、前記複数の第１の相互接続、および前記複数の第２の相互接続は、前記第１および第２の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、項目５４〜５５のいずれか１項に記載の方法。
（項目５７）
前記複数の列電極、前記複数の第１の相互接続、および前記複数の第２の相互接続は、２ミクロン〜２ミリメートルの最小線および空間寸法範囲を有する、項目５４〜５６のいずれか１項に記載の方法。
（項目５８）
前記発光ダイオードの各々は、その幅の２倍以上の長さを有する、項目３９〜５７のいずれか１項に記載の方法。
（項目５９）
前記複数の第１の相互接続特徴および前記複数の第２の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、項目３９〜５８のいずれか１項に記載の方法。
（項目６０）
前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第１および第２の金属端子は、対応する発光ダイオードの横の設置面積の少なくとも半分、３分の２、または４分の３を覆う、項目３９〜５９のいずれか１項に記載の方法。
（項目６１）
前記複数の発光ダイオードのそれぞれの前記第１の面は、各ダイオードの前記ディスプレイ基板から離れた側面上にある、項目３９〜６０のいずれか１項に記載の方法。
（項目６２）
前記非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３９〜６１のいずれか１項に記載の方法。
（項目６３）
前記複数の発光ダイオードの各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目３９〜６２のいずれか１項に記載の方法。
（項目６４）
前記複数の発光ダイオードの各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目３９〜６３のいずれか１項に記載の方法。
（項目６５）
前記複数の発光ダイオードの各々は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目３９〜６４のいずれか１項に記載の方法。
（項目６６）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目３９〜６５のいずれか１項に記載の方法。
（項目６７）
前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目３９〜６６のいずれか１項に記載の方法。
（項目６８）
前記発光体の前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目６７に記載の方法。
（項目６９）
前記複数の伝導性相互接続は、単一のステップで堆積させられる、項目３９〜６８のいずれか１項に記載の方法。
（項目７０）
複数のマイクロ集積回路を前記ディスプレイ基板上にマイクロ転写印刷することを含み、各々は、前記複数の発光ダイオードのセットと電気的に接続されている、項目３９〜６９のいずれか１項に記載の方法。
（項目７１）
各集積回路は、ある色の光を発するＬＥＤを制御するために使用される、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
複数の第２の発光ダイオードに非ネイティブな第２のディスプレイ基板上で第２のアレイにおいて複数の第２の無機発光ダイオードをマイクロ転写印刷することを含み、前記複数の第２の発光ダイオードのうちの各第２の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第１の側面上の第１の金属端子を備え、前記第１の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の側面上の第２の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、１００ｎｍ〜２０ミクロンであり、前記第１のディスプレイ基板と前記第２の基板とは、積み重ねられている、項目３９〜７１のいずれか１項に記載の方法。
（項目７３）
前記ディスプレイ基板の前記複数の無機発光ダイオードと反対の側面上で第２のアレイにおいて複数の第２の無機発光ダイオードをマイクロ転写印刷することを含み、前記複数の第２の発光ダイオードのうちの各第２の発光ダイオードは、対応する発光ダイオードの第１の側面上の第１の金属端子を備え、前記第１の金属端子は、水平距離によって、同じ発光ダイオードの前記第１の側面上の第２の金属端子から水平に分離されており、前記水平距離は、１００ｎｍ〜２０ミクロンであり、前記第１のディスプレイ基板と前記第２の基板とは、積み重ねられている、項目３９〜７１のいずれか１項に記載の方法。
（項目７４）
前記複数の無機発光ダイオードの前記アレイは、前記複数の第２の無機発光ダイオードの前記第２のアレイと異なる解像度を有する、項目７２または７３に記載の方法。
（項目７５）
前記複数の無機発光ダイオードの各々は、第１のサイズを有し、前記複数の第２の無機発光ダイオードの各々は、第２のサイズを有し、前記第１のサイズは、前記第２のサイズと異なる、項目７２〜７４のいずれか１項に記載の方法。
（項目７６）
ディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板の表面上の第１のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第１のパターン化金属層上の誘電体層と、
前記誘電体層上のポリマー層と、
前記ポリマー層の表面上の複数の発光体であって、前記複数の発光体のうちの各発光体は、それぞれの発光体の同一側面上にアノードおよびカソードを有し、前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光体に非ネイティブである、複数の発光体と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成される複数のビアであって、各ビアは、前記複数の発光体のうちの対応する発光体に関連付けられている、複数のビアと、
第２のパターン化金属層と
を備え、
前記第２のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記アノードを前記第１のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記カソードに電気的に接続する、ディスプレイ。
（項目７７）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目７６に記載のディスプレイ。
（項目７８）
前記複数の発光体は、複数の無機発光ダイオードを備えている、項目７６または７７に記載のディスプレイ。
（項目７９）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目７６〜７８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８０）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目７６〜７９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８１）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目７６〜８０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８２）
前記複数の発光体の各々は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目７６〜８１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８３）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目７６〜８２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８４）
前記ディスプレイ基板は、連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光体の各々は、発光面積を有し、前記複数の発光体の複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目７６〜８３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８５）
前記複数の発光体の前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目８４に記載のディスプレイ。
（項目８６）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目７６〜８５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８７）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目７６〜８６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８８）
前記第１のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、項目７６〜８７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目８９）
前記金属スタックは、アルミニウムとチタンとを含む、項目８８に記載のディスプレイ。
（項目９０）
前記チタンは、前記アルミニウムの上にある、項目８９に記載のディスプレイ。
（項目９１）
前記ポリマー層は、感光性負作用半導体グレードエポキシである、項目７６〜９０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９２）
前記複数の発光体は、印刷ツールを使用して前記ポリマー層の表面上にマイクロ転写印刷されている、項目７６〜９１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９３）
前記印刷ツールは、粘弾性エラストマースタンプである、項目９２に記載のディスプレイ。
（項目９４）
前記第２のパターン化金属層は、金属スタックを備えている、項目７６〜９３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９５）
前記金属スタックは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉを含む、項目９４に記載のディスプレイ。
（項目９６）
前記第２のパターン化金属層は、前記ディスプレイ基板上の複数のパッドを備えている、項目７６〜９５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９７）
前記複数の発光体は、赤色光を発する複数の赤色発光体と、緑色光を発する複数の緑色発光体と、青色光を発する複数の青色発光体とを備えている、項目７６〜９６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９８）
前記複数の発光体のうちの各発光体の前記アノードおよびカソードのうちの少なくとも１つは、発光体誘電体層上に形成される、項目７６〜９７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目９９）
前記誘電体層は、窒化ケイ素である、項目７６〜９８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１００）
前記ディスプレイ基板は、可撓性である、項目７６〜９９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１０１）
ディスプレイを形成する方法であって、前記方法は、
ディスプレイ基板上に第１の金属層を堆積させることと、
前記第１の金属層をパターン化し、第１のパターン化金属層を形成することと、
前記第１のパターン化金属層上に誘電体の層を堆積させ、電気絶縁層を作成することと、
未硬化ポリマー層を適用することと、
ネイティブ基板から前記ポリマー上に複数の発光体をマイクロ転写印刷することであって、前記ネイティブ基板は、前記複数の発光体の少なくとも一部にネイティブであり、前記発光体の各々は、電力を前記発光体に提供するためのアノードおよびカソードを有する、ことと、
前記ポリマーを紫外線にさらし、前記ポリマーを硬化させることと、
前記硬化ポリマーおよび誘電体層を通して複数のビアを形成し、前記第１のパターン化金属層の一部を露出することと、
第２の金属層を堆積させることであって、前記第２の金属層は、前記複数の発光体のうちの各発光体のアノードおよびカソードに接触する、ことと、
前記第２の金属層をパターン化し、前記第２のパターン化金属層を形成することと
を含み、
前記第２のパターン化金属層は、複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記アノードを前記第１のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、前記複数の発光体のうちの対応する発光体の前記カソードに電気的に接触する、方法。
（項目１０２）
前記複数の発光体は、複数の無機発光ダイオードを備えている、項目１０１に記載の方法。
（項目１０３）
前記ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断することを含む、項目１０１または１０２に記載の方法。
（項目１０４）
非ネイティブウエハを前記複数のディスプレイに切断することに先立って、保護フォトレジスト層で前記ウエハをコーティングすることと、
前記ディスプレイ基板を複数のディスプレイに切断した後に、前記複数のディスプレイのうちの各ディスプレイから前記保護フォトレジスト層を除去することと
を含む、項目１０３に記載の方法。
（項目１０５）
前記非ネイティブウエハの表面上の受け取りパッド上にパッシブマトリクスドライバ集積回路を提供することを含む、項目１０１〜１０４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０６）
前記複数の発光体のうちの各発光体をバーンインすることを含む、項目１０１〜１０５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０７）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜１００ミクロンである、項目１０１〜１０６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０８）
前記ポリマーは、感光性負作用半導体グレードエポキシである、項目１０１〜１０７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０９）
前記第１の金属層は、金属物理蒸着を使用して堆積させられる、項目１０１〜１０８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１０）
前記第１の金属層は、フォトリソグラフィを使用してパターン化される、項目１０１〜１０９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１１）
前記第１の金属層をパターン化することは、
前記第１の金属層を堆積させることに先立って、負作用フォトレジストを前記第１の金属層に適用し、（例えば、マスクを使用して）前記フォトレジストを光に選択的にさらし、前記フォトレジストを現像し、リフトオフテンプレートを形成することと、
前記第１の金属層を堆積させた後、前記リフトオフテンプレートを除去し、それによって、前記第１のパターン化金属層を形成することと
を含む、項目１０１〜１１０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１２）
前記第１の金属層は、チタンの上のアルミニウムの上にチタンの金属スタックを備えている、項目１０１〜１１１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１３）
前記第１の金属層を堆積させることは、電子ビーム蒸着を使用して、前記第１の金属層を堆積させることを含む、項目１０１〜１１２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１４）
前記第２の金属層をパターン化することは、
負作用フォトレジストにリフトオフマスクをパターン化することと、
金属スタックを堆積させることと、
前記フォトレジストマスクを外し、前記第２のパターン化金属層を後に残すことと
を含む、項目１０１〜１１３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１５）
前記第２の金属層は、金属スタックを備えている、項目１０１〜１１４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１６）
前記金属スタックは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉを含む、項目１１５に記載の方法。
（項目１１７）
１つ以上の熱処理を使用して、前記ポリマーから１つ以上の溶媒を除去することを含む、項目１０７〜１１６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１８）
前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、印刷ツールを使用して前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することを含む、項目１０７〜１１７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１９）
前記印刷ツールは、粘弾性エラストマースタンプを備えている、項目１１８に記載の方法。
（項目１２０）
前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、前記複数の発光体と前記粘弾性エラストマー表面との間の動力学的に調整可能な接着を使用することを含む、項目１０１〜１１９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２１）
前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、
粘弾性エラストマースタンプを前記複数の発光体の少なくとも一部の中の前記発光体の各々の第１の表面に接触させて、前記エラストマーと前記複数の発光体の前記一部との間の接着の効果的な増加につながる第１の速度で、前記ネイティブ基板から離して前記粘弾性エラストマースタンプを移動させることによって、前記ネイティブ基板から前記複数の発光体の前記一部を取り上げることと、
粘弾性エラストマースタンプによって取り上げられた前記発光体の各々の第２の表面を前記ポリマーに接触させて、第２の速度で前記ディスプレイ基板から離して前記粘弾性エラストマースタンプを移動させ、それによって、前記粘弾性エラストマースタンプによって取り上げられた前記発光体を前記ポリマー上に残すことによって、前記複数の発光体の前記一部を前記非ネイティブ基板に印刷することであって、前記第２の速度は、前記第１の速度より小さい、ことと
を含む、項目１０１〜１２０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２２）
マイクロ転写印刷プロセス中に前記スタンプを横方向に剪断することを含む、項目１０１〜１２１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２３）
前記複数の発光体は、赤色光を発する複数の赤色発光体と、緑色光を発する複数の緑色発光体と、青色光を発する複数の青色発光体とを備えている、項目１０１〜１２２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２４）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目１０１〜１２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２５）
ネイティブ基板から前記ポリマー上に前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、少なくとも２つのマイクロ転写印刷動作を行うことを含む、項目１０１〜１２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２６）
ネイティブ基板から前記ポリマー上に前記複数の発光体をマイクロ転写印刷することは、
赤色発光体ネイティブ基板から赤色光を発する複数の赤色発光体をマイクロ転写印刷することと、
緑色発光体ネイティブ基板から緑色光を発する複数の緑色発光体をマイクロ転写印刷することと、
青色発光体ネイティブ基板から青色光を発する複数の青色発光体をマイクロ転写印刷することと
を含み、
前記複数の発光体は、前記複数の赤色発光体と、前記複数の緑色発光体と、前記複数の青色発光体とを備えている、項目１０１〜１２５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２７）
前記ディスプレイ基板は、可撓性である、項目１０１〜１２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２８）
無機発光ダイオードであって、
伝導層と、
前記伝導層の一部の上に配置されている無機発光層であって、前記伝導層は、前記無機発光層の縁を超えて延びているカンチレバー拡張を備えている、無機発光層と、
前記無機発光層の一部の上に配置されている第１の金属端子と、
前記伝導層の前記カンチレバー拡張の上に配置されている第２の金属端子であって、前記第１の金属端子と前記第２の金属端子との間に供給される電流は、前記無機発光層に発光させる、第２の金属端子と、
前記無機発光層の少なくとも一部の上に配置されている誘電体層と
を備え、
前記誘電体層は、前記第２の金属端子から前記第１の金属端子を電気的に絶縁し、前記第１および第２の金属端子は、前記無機発光ダイオードの同一側面の上にあり、１００ｎｍ〜２０μｍの水平距離によって分離されている、無機発光ダイオード。
（項目１２９）
前記無機発光ダイオードは、０．５〜２μｍ、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目１２８に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３０）
前記無機発光ダイオードは、０．５〜２μｍ、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目１２８または１２９に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３１）
前記無機発光ダイオードは、０．５〜２μｍ、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目１２８〜１３０のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３２）
前記水平距離は、５００ｎｍ〜１μｍ、１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、または１０μｍ〜２０μｍである、項目１２８〜１３１のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３３）
前記第１の金属端子の表面および第２の金属端子の表面は、平面を共有する、項目１２８〜１３２のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３４）
前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードに対して、対応する第１および第２の金属端子は、対応する発光ダイオードの横の設置面積の少なくとも半分、３分の２、または４分の３を覆う、項目１２８〜１３３のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３５）
前記横の伝導層は、金属反射鏡、誘電体反射鏡、高屈折率半導体、および前記発光ダイオードから発せられる光に対して実質的に透明な半導体から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備え、それによって、上向き発光ディスプレイを形成する、項目１２８〜１３４のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３６）
前記横の伝導層は、前記ＬＥＤから発せられる光に対して実質的に透明な半導体、透明伝導性酸化物、および薄い金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目１２８〜１３５のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３７）
前記第１および第２の金属端子は、透明である、項目１２８〜１３６のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３８）
前記第１および第２の金属端子は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、カーボンナノチューブフィルム、アルミニウム、銀、金、ニッケル、白金、チタン、および細かい金網から成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目１２８〜１３７のいずれか１項に記載の無機発光ダイオード。
（項目１３９）
項目１２８〜１３８のいずれか１項に記載の複数の無機発光ダイオードを備えている無機発光ダイオードディスプレイであって、前記複数の無機発光ダイオードは、基板上に配置されている、無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４０）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目１３９に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４１）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目１３９または１４０に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４２）
複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの前記第１の金属端子と同一の側面上に位置している、項目１４１に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４３）
複数の光学反射構造を備え、各光学反射構造は、前記複数の発光ダイオードのうちの対応する発光ダイオードの下、前記発光ダイオードの前記第１の金属端子から反対側に位置している、項目１４１に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４４）
各々が対応する発光ダイオードの前記第１の金属端子に電気的に接続されている複数の第１の相互接続と、
各々が対応する発光ダイオードの前記第２の金属端子に電気的に接続されている複数の第２の相互接続と
を備え、
前記複数の第１の相互接続および前記複数の第２の相互接続は、前記第１の面の上にある、項目１３９〜１４３のいずれか１項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４５）
前記複数の第１の相互接続特徴および前記複数の第２の相互接続特徴は、単一のリソグラフィレベルにある、項目１４４に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４６）
前記複数の第１の相互接続の各々は、絶縁体内の複数のビアのうちのビアを通して複数の列電極のうちの１つの列電極に電気的に連結され、各ビアは、前記複数の発光ダイオードのうちの発光ダイオードに関連付けられている、項目１４４または１４５に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４７）
前記複数の列電極、前記複数の第１の相互接続、および前記複数の第２の相互接続は、前記第１および第２の金属端子を形成するために使用されるリソグラフィより粗い解像度でリソグラフィによって形成されている、項目１４６に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４８）
前記発光ダイオードの各々は、その幅の２倍以上の長さを有する、項目１３９〜１４７のいずれか１項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１４９）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１３９〜１４８のいずれか１項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１５０）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目１３９〜１４９のいずれか１項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１５１）
前記ディスプレイ基板は、前記複数の発光ダイオードを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、前記複数の発光ダイオードのうちの各発光ダイオードは、発光面積を有し、前記複数の発光ダイオードの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目１３９〜１５０のいずれか１項に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１５２）
前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目１５１に記載の無機発光ダイオードディスプレイ。
（項目１５３）
無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え
各ピクセルは、ディスプレイ回路に接続されている一次無機ＬＥＤのセットと、前記ディスプレイ回路に接続されていない冗長無機ＬＥＤのセットとを備え、前記冗長無機ＬＥＤの各々は、前記一次無機ＬＥＤのうちの１つである対応する欠陥ＬＥＤを交換するために、前記ディスプレイ回路に電気的に接続されることができ、
各一次および冗長無機ＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にある、ディスプレイ。
（項目１５４）
前記ディスプレイ回路に電気的に接続される冗長ＬＥＤを備えている、項目１５３に記載のディスプレイ。
（項目１５５）
冗長ＬＥＤを前記ディスプレイ回路に電気的に接続する伝導性ジャンパを備えている、項目１５３または１５４に記載のディスプレイ。
（項目１５６）
無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え、
各ピクセルは、一次無機ＬＥＤのセットと、冗長無機ＬＥＤのセットとを備え、
各一次および冗長無機ＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、
前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にあり、
前記冗長セットの各無機ＬＥＤは、抵抗器と直列に接続され、ＬＥＤ・抵抗器ペアを形成し、各ＬＥＤ・抵抗器ペアは、前記一次セットのうちの無機ＬＥＤと並列に配線されている、ディスプレイ。
（項目１５７）
無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイであって、前記ディスプレイは、
ディスプレイ基板と、
複数のピクセルと
を備え、
各ピクセルは、一次無機ＬＥＤのセットと、冗長無機ＬＥＤのセットとを備えている、
各一次および冗長無機ＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中または上に形成され、前記ネイティブ基板は、前記ディスプレイ基板の上にあり、前記冗長セットの各無機ＬＥＤは、ダイオードと直列に接続され、ＬＥＤ・ダイオードペアを形成し、各ＬＥＤ・ダイオードペアは、前記一次セットのうちの無機ＬＥＤと並列に配線されている、ディスプレイ。
（項目１５８）
前記一次無機ＬＥＤのセットは、赤色光を発する複数の赤色無機ＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色無機ＬＥＤと、青色光を発する複数の青色無機ＬＥＤとを備え、
前記冗長無機ＬＥＤのセットは、赤色光を発する複数の冗長赤色無機ＬＥＤと、緑色光を発する複数の冗長緑色無機ＬＥＤと、青色光を発する複数の冗長青色無機ＬＥＤとを備えている、項目１５３〜１５７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１５９）
前記一次無機ＬＥＤのセットは、黄色光を発する複数の黄色無機ＬＥＤを備え、前記冗長無機ＬＥＤのセットは、黄色光を発する複数の冗長黄色無機ＬＥＤを備えている、項目１５３〜１５８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６０）
前記一次無機ＬＥＤのセットおよび前記冗長無機ＬＥＤのセットは、前記ディスプレイ基板の直接上にある、項目１５３〜１５９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６１）
各ピクセルは、それぞれのピクセルの中の各無機ＬＥＤに電気的に接続されている無機集積回路を備えている、項目１５３〜１６０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６２）
各ピクセルは、一次マイクロ集積回路と、冗長マイクロ集積回路とを備えている、項目１５３〜１６１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６３）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１５３〜１６２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６４）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目１５３〜１６３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６５）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目１５３〜１６４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６６）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目１５３〜１６５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６７）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目１５３〜１６６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６８）
前記ディスプレイ基板は、前記一次無機ＬＥＤのセットと、前記冗長無機ＬＥＤのセットとを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各ＬＥＤは、発光面積を有し、ＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目１５３〜１６７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１６９）
前記ＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目１６８に記載のディスプレイ。
（項目１７０）
無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
１つ以上のネイティブ基板の中もしくは上に複数の印刷可能無機ＬＥＤを形成することと、
前記１つ以上のネイティブ基板と別個であり異なるディスプレイ基板上に前記複数の印刷可能無機ＬＥＤを転写印刷し、複数のピクセルを形成することであって、各ピクセルは、一次無機ＬＥＤのセットと、冗長無機ＬＥＤのセットとを備えている、ことと、
前記一次無機ＬＥＤをディスプレイ回路に接続することと、
前記ディスプレイを試験し、欠陥一次無機ＬＥＤを識別することと
を含む、方法。
（項目１７１）
前記一次無機ＬＥＤのセットは、赤色光を発する複数の赤色無機ＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色無機ＬＥＤと、青色光を発する複数の青色無機ＬＥＤとを備え、
前記冗長無機ＬＥＤのセットは、赤色光を発する複数の冗長赤色無機ＬＥＤと、緑色光を発する複数の冗長緑色無機ＬＥＤと、青色光を発する複数の冗長青色無機ＬＥＤとを備えている、項目１７０に記載の方法。
（項目１７２）
前記一次無機ＬＥＤのセットは、黄色光を発する複数の黄色無機ＬＥＤを備え、前記冗長無機ＬＥＤのセットは、黄色光を発する複数の冗長黄色無機ＬＥＤを備えている、項目１７０〜１７１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７３）
前記ディスプレイ回路から前記欠陥一次無機ＬＥＤを断絶することを含む、項目１７０〜１７２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７４）
前記冗長無機ＬＥＤの各々が前記ディスプレイ回路に接続されるように、前記欠陥一次無機ＬＥＤの各々に近接近している冗長無機ＬＥＤへの電気接続を確立することを含む、項目１７０〜１７３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７５）
前記冗長ＬＥＤの各々への電気接続を確立することは、電気トレースを直接かつ物理的に配線することを含む、項目１７４に記載の方法。
（項目１７６）
前記冗長ＬＥＤの各々への電気接続を確立することは、マイクロアセンブリによって、前記冗長ＬＥＤの各々とそれぞれの欠陥ＬＥＤとの間に伝導性ジャンパを配置することを含む、項目１７４に記載の方法。
（項目１７７）
前記冗長ＬＥＤの各々への電気接続を確立することは、清浄金属表面間のはんだリフローまたは接触によって、電気接続を確立することを含む、項目１７４に記載の方法。
（項目１７８）
前記ディスプレイを試験することに先立って、各ＬＥＤ・抵抗器ペアが一次無機ＬＥＤと並列に接続されるように、各冗長無機ＬＥＤを抵抗器と直列に前記ディスプレイ回路に接続し、ＬＥＤ・抵抗器ペアを形成することを含む、項目１７０〜１７７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７９）
前記ディスプレイを試験することに先立って、各ＬＥＤ・ダイオードペアが一次無機ＬＥＤと並列に接続されるように、各冗長無機ＬＥＤをダイオードと直列に前記ディスプレイ回路に接続し、ＬＥＤ・ダイオードペアを形成することを含む、項目１７０〜１７８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８０）
前記ディスプレイを試験することは、
前記一次無機ＬＥＤのうちの１つ以上のものを照射することと、
欠陥一次ＬＥＤを識別することと、
を含む、項目１７０〜１７９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８１）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１７０〜１８０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８２）
前記複数の印刷可能無機ＬＥＤは、前記ディスプレイ基板上に直接、マイクロ転写印刷される、項目１７０〜１８１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８３）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目１７０〜１８２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８４）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目１７０〜１８３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８５）
各無機ＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目１７０〜１８４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８６）
前記ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目１７０〜１８５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８７）
前記ディスプレイ基板は、前記一次無機ＬＥＤのセットと、前記冗長無機ＬＥＤのセットとを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各ＬＥＤは、発光面積を有し、ＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目１７０〜１８６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８８）
前記ＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目１８７に記載の方法。
（項目１８９）
マイクロＬＥＤディスプレイであって、
少なくとも部分的に透明であるディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上の色変換構造のアレイであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、色変換構造のアレイと、
前記色変換構造と別個のマイクロＬＥＤのアレイであって、前記マイクロＬＥＤのアレイの中の各マイクロＬＥＤは、前記色変換構造のアレイの中の前記色変換構造のうちの対応するものの上にある、マイクロＬＥＤのアレイと
を備えている、マイクロＬＥＤディスプレイ。
（項目１９０）
前記ディスプレイ基板は、前記色変換材料が位置する陥凹のアレイを備えている、項目１８９に記載のディスプレイ。
（項目１９１）
前記陥凹は、前記色変換材料で充填されている、項目１９０に記載のディスプレイ。
（項目１９２）
前記マイクロＬＥＤは、前記マイクロＬＥＤから発せられる光の殆どまたは全てが、前記色変換材料および前記ディスプレイ基板を通って下向きに発するように、前記色変換材料の前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記色変換材料を覆って位置している、項目１８９〜１９１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１９３）
前記マイクロＬＥＤが前記ディスプレイ基板に向かって放射光を反射するように、前記マイクロＬＥＤの前記ディスプレイ基板と反対の側面を実質的に覆う１つ以上の反射構造を備えている、項目１８９〜１９２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１９４）
前記１つ以上の反射構造は、アレイ接続金属またはマイクロＬＥＤ接点を備えている、項目１９３に記載のディスプレイ。
（項目１９５）
マイクロＬＥＤディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上のマイクロＬＥＤのアレイと、
前記マイクロＬＥＤ構造と別個の色変換構造のアレイと
を備え、
前記色変換構造のアレイの中の各色変換構造は、前記マイクロＬＥＤのアレイの中の前記マイクロＬＥＤのうちの対応するものの上にあり、各色変換構造は、色変換材料を含む、マイクロＬＥＤディスプレイ。
（項目１９６）
前記色変換材料は、前記マイクロＬＥＤの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記マイクロＬＥＤの上にあるか、またはそれを少なくとも部分的に包囲している、項目１９５に記載のディスプレイ。
（項目１９７）
前記色変換材料は、蛍光体担持ゲルまたは樹脂、蛍光体セラミックス、または単結晶蛍光体を含む、項目１８９〜１９６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１９８）
前記色変換材料は、直接バンドギャップ半導体のチップである、項目１８９〜１９７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目１９９）
前記色変換材料は、前記マイクロＬＥＤを少なくとも部分的に包囲している、項目１８９〜１９８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２００）
前記ディスプレイ基板上に補足鏡構造を備えている、項目１８９〜１９９のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０１）
各マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と別個のＬＥＤ基板を有する、項目１８９〜２００のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０２）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成されている、項目１８９〜２０１のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０３）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目１８９〜２０２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０４）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目１８９〜２０３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０５）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目１８９〜２０４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０６）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目１８９〜２０５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０７）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目１８９〜２０６のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０８）
前記ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目１８９〜２０７のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２０９）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目１８９〜２０８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２１０）
前記マイクロＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目２０９に記載のディスプレイ。
（項目２１１）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目１８９〜２１０のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２１２）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目２１１に記載のディスプレイ。
（項目２１３）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１８９〜２１２のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２１４）
前記マイクロＬＥＤのアレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目１８９〜２１３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２１５）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目１８９〜２１４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目２１６）
マイクロＬＥＤ発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、
第１の基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成することと、
少なくとも部分的に透明であるディスプレイ基板を提供することと、
アレイにおいて前記ディスプレイ基板上に複数の色変換構造を提供することであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、ことと、
前記複数のマイクロＬＥＤのうちの各マイクロＬＥＤが、前記複数の色変換構造のうちの前記色変換構造の対応するものの上にあるように、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることと
を含み、
前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロＬＥＤの一部を接触表面を有する第１の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を有するように、前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記複数の色変換構造の一部と接触させることと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部とを分離することと
を含み、
前記複数のマイクロＬＥＤの一部は、前記色変換構造の前記一部の上に転写され、それによって、前記色変換構造の前記一部の上に前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を組み立てる、方法。
（項目２１７）
アレイにおいて前記ディスプレイ基板を覆って位置する複数の色変換構造を提供することは、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることに先立って、
前記ディスプレイ基板の中に複数の陥凹を形成することと、
色変換材料で前記複数の陥凹を充填することであって、前記複数の印刷可能ＬＥＤは、前記色変換材料を覆って印刷される、ことと
を含む、項目２１６に記載の方法。
（項目２１８）
アレイにおいて前記ディスプレイ基板を覆って位置する複数の色変換構造を提供することは、ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることに先立って、前記ディスプレイ基板上に色変換材料のチップを微細に組み立てることを含む、項目２１６または２１７に記載の方法。
（項目２１９）
前記マイクロＬＥＤは、前記マイクロＬＥＤから発せられる光の殆どまたは全てが、前記色変換材料および前記ディスプレイ基板を通って下向きに発するように、前記色変換材料の前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記色変換材料を覆って位置している、項目２１６〜２１８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２０）
前記マイクロＬＥＤが前記ディスプレイ基板に向かって放射光を反射するように、前記マイクロＬＥＤの前記ディスプレイ基板と反対の側面を実質的に覆う１つ以上の反射構造を備えている、項目２１６〜２１９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２１）
前記１つ以上の反射構造は、アレイ接続金属またはマイクロＬＥＤ接点を備えている、項目２２０に記載の方法。
（項目２２２）
マイクロＬＥＤ発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第１の基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成することと、
ディスプレイ基板を提供することと、
ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることであって、前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロＬＥＤの一部を接触表面を有する第１の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を有するように、前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記複数の色変換構造の一部と接触させることと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部とを分離することであって、前記複数のマイクロＬＥＤの一部は、前記色変換構造の前記一部の上に転写され、それによって、前記色変換構造の前記一部の上に前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を組み立てる、ことと
を含む、ことと、
複数の色変換構造のうちの各色変換構造が、前記複数のマイクロＬＥＤのうちの前記マイクロＬＥＤの対応するものの上にあるように、アレイにおいて前記ディスプレイ基板上に前記複数の色変換構造を提供することであって、各色変換構造は、色変換材料を含む、ことと
を含む、方法。
（項目２２３）
前記色変換材料は、前記マイクロＬＥＤの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記マイクロＬＥＤの上にあるか、またはそれを少なくとも部分的に包囲している、項目２２２に記載の方法。
（項目２２４）
前記色変換材料は、蛍光体担持ゲルまたは樹脂、蛍光体セラミックス、または単結晶蛍光体を含む、項目２１６〜２２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２５）
前記色変換材料は、直接バンドギャップ半導体のチップである、項目２１６〜２２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２６）
前記色変換材料は、前記マイクロＬＥＤを少なくとも部分的に包囲している、項目２１６〜２２５のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２７）
前記ディスプレイ基板上に補足鏡構造を備えている、項目２１６〜２２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２８）
各マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と別個のＬＥＤ基板を有する、項目２１６〜２２７のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２９）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、項目２１６〜２２８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３０）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目２１６〜２２９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３１）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目２１６〜２３０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３２）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目２１６〜２３１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３３）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目２１６〜２３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３４）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目２１６〜２３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３５）
前記ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目２１６〜２３４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３６）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目２１６〜２３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３７）
前記マイクロＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目２３６に記載の方法。
（項目２３８）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目２１６〜２３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３９）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目２３８に記載の方法。
（項目２４０）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２１６〜２３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４１）
前記複数のマイクロＬＥＤは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目２１６〜２４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４２）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目２１６〜２４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４３）
多機能ディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上のマイクロＬＥＤのアレイと、
前記ディスプレイ基板上の機能的要素のアレイと
を備え、
前記マイクロＬＥＤは、前記機能的要素の間に組み込まれ、前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤおよび前記機能的要素に非ネイティブである、多機能ディスプレイ。
（項目２４４）
前記機能的要素は、センサまたは送受信機である、項目２４３に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２４５）
前記機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目２４３に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２４６）
前記機能的要素は、前記ディスプレイ基板にわたって前記マイクロＬＥＤと異なる空間密度を有する、項目２４３〜２４５のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２４７）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、項目２４３〜２４６のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２４８）
前記機能的要素は、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、項目２４３〜２４７のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２４９）
前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロＬＥＤの数以下である、項目２４３〜２４８のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５０）
前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロＬＥＤの数の３分の１以下である、項目２４３〜２４９のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５１）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目２４３〜２５０のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５２）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目２４３〜２５１のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５３）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目２４３〜２５２のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５４）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目２４３〜２５３のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５５）
各機能的要素は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２４３〜２５４のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５６）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目２４３〜２５５のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５７）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目２４３〜２５６のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５８）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目２４３〜２５７のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２５９）
前記マイクロＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目２５８に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６０）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目２４３〜２５９のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６１）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目２６０に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６２）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２４３〜２６１のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６３）
前記マイクロＬＥＤのアレイおよび前記機能的要素のアレイは、共通平面上にある、項目２４３〜２６２のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６４）
複数のマイクロ集積回路を備え、各マイクロ集積回路は、前記マイクロＬＥＤのアレイの中の少なくとも１つのマイクロＬＥＤと前記機能的要素のアレイの中の少なくとも１つの機能的要素とに接続されている、項目２４３〜２６３のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６５）
前記ディスプレイ基板上のポリマー層を備え、前記マイクロＬＥＤのアレイおよび前記機能的要素のアレイは、前記ポリマー層が前記ディスプレイ基板と前記マイクロＬＥＤのアレイおよび前記機能的要素のアレイとの間にあるように、前記ポリマー層の上にある、項目２４３〜２６４のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６６）
前記ディスプレイ基板の表面上の第１のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第１のパターン化金属層上の誘電体層であって、前記ポリマー層は、前記ディスプレイ基板の上にある、誘電体層と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成されている複数のビアであって、各ビアは、対応するマイクロＬＥＤに関連付けられている、複数のビアと、
第２のパターン化金属層と
を備え、
前記第２のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、対応するマイクロＬＥＤの前記アノードを前記第１のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、対応するマイクロＬＥＤの前記カソードに電気的に接触する、項目２６５に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６７）
複数のピクセルを備え、各ピクセルは、前記マイクロＬＥＤのアレイの中の少なくとも１つのマイクロＬＥＤと、前記機能的要素のアレイの中の少なくとも１つの機能的要素とを備えている、項目２４３〜２６６のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６８）
前記マイクロＬＥＤのアレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目２６７に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２６９）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目２４３〜２６８のいずれか１項に記載の多機能ディスプレイ。
（項目２７０）
機能的要素と組み合わせられた発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第１の基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成することと、
第２の基板上に複数の機能的要素を形成することと、
前記複数のマイクロＬＥＤおよび前記複数の機能要素に非ネイティブなディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることであって、前記ディスプレイ基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立てることは、
前記複数のマイクロＬＥＤの一部を接触表面を有する第１の転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を有するように、前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を前記ディスプレイ基板の受け取り表面と接触させることと、
前記第１の転写デバイスの前記接触表面と前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部とを分離することであって、前記複数のマイクロＬＥＤの一部は、前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上に前記複数のマイクロＬＥＤの前記一部を組み立てる、ことと
を含む、ことと、
ディスプレイ基板上に前記複数の機能的要素を微細に組み立てることと
を含み、
前記ディスプレイ基板上に前記複数の機能的要素を微細に組み立てることは、
前記複数の機能的要素の前記一部を第２の転写デバイスと接触させ、それによって、接触表面がその上に配置された前記複数の機能的要素の前記一部を有するように、前記複数の機能的要素の前記一部を前記接触表面に結合することと、
前記第２の転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記複数の機能的要素の前記一部を前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面と接触させることと、
前記第２の転写デバイスの前記接触表面と前記複数の機能的要素の一部とを分離することであって、前記複数の機能的要素の前記一部は、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記ディスプレイ基板の前記受け取り表面上で前記複数の機能的要素の前記一部を組み立てる、ことと
を含む、方法。
（項目２７１）
前記機能的要素は、センサまたは送受信機である、項目２７０に記載の方法。
（項目２７２）
前記複数の機能的要素は、画像捕捉デバイス、光学センサ、フォトダイオード、赤外線センサ、ジェスチャセンサ、温度センサ、電力収穫デバイス、太陽電池、運動エネルギースカベンジングデバイス、圧電デバイス、コンデンサ、アンテナ、および無線伝送デバイスから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備えている、項目２７０に記載の方法。
（項目２７３）
前記複数の機能的要素は、前記ディスプレイ基板にわたって前記マイクロＬＥＤと異なる空間密度を有する、項目２７０〜２７２のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７４）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、項目２７０〜２７３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７５）
前記複数の機能的要素は、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるネイティブ基板の中に形成される、項目２７０〜２７４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７６）
前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロＬＥＤの数以下である、項目２７０〜２７５のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７７）
前記機能的要素の数は、前記ディスプレイの中の前記マイクロＬＥＤの数の３分の１以下である、項目２７０〜２７６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７８）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目２７０〜２７７のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７９）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目２７０〜２７８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８０）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目２７０〜２７９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８１）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目２７０〜２８０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８２）
各機能的要素は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２７０〜２８１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８３）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目２７０〜２８２のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８４）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目２７０〜２８３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８５）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目２７０〜２８４のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８６）
前記複数の発光ダイオードの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、
項目２８５に記載の方法。
（項目２８７）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目２７０〜２８６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８８）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目２８７に記載の方法。
（項目２８９）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２７０〜２８８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９０）
前記複数のマイクロＬＥＤおよび前記複数の機能的要素は、共通平面上にある、項目２７０〜２８９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９１）
複数のマイクロ集積回路を備え、各マイクロ集積回路は、前記複数のマイクロＬＥＤの中の少なくとも１つのマイクロＬＥＤと前記複数の機能的要素の中の少なくとも１つの機能的要素とに接続されている、項目２７０〜２９０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９２）
前記ディスプレイ基板上のポリマー層を備え、前記複数のマイクロＬＥＤおよび前記複数の機能的要素は、前記ポリマー層が前記ディスプレイ基板と前記複数のマイクロＬＥＤおよび前記複数の機能的要素との間にあるように、前記ポリマー層の上にある、項目２７０〜２９１のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９３）
前記ディスプレイ基板の表面上の第１のパターン化金属層と、
前記ディスプレイ基板および前記第１のパターン化金属層上の誘電体層であって、前記ポリマー層は、前記ディスプレイ基板の上にある、誘電体層と、
前記ポリマーおよび誘電体層を通して形成されている複数のビアであって、各ビアは、対応するマイクロＬＥＤに関連付けられている、複数のビアと、
第２のパターン化金属層と
を備え、
前記第２のパターン化金属層は、単一の層の中に複数のアノード相互接続と、複数のカソード相互接続とを備え、各アノード相互接続は、前記複数のビアのうちの対応するビアを通して、対応するマイクロＬＥＤの前記アノードを前記第１のパターン化金属層に電気的に接続し、各カソード相互接続は、対応するマイクロＬＥＤの前記カソードに電気的に接触する、項目２９２に記載の方法。
（項目２９４）
複数のピクセルを備え、各ピクセルは、前記複数のマイクロＬＥＤの中の少なくとも１つのマイクロＬＥＤと、前記複数の機能的要素の中の少なくとも１つの機能的要素とを備えている、項目２７０〜２９３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９５）
前記複数のマイクロＬＥＤは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目２９４に記載の方法。
（項目２９６）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目２７０〜２９５のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９７）
前記第２の転写デバイスは、前記第１の転写デバイスである、項目２７０〜２９６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９８）
前記第１の転写デバイスは、エラストマースタンプを備えている、項目２７０に記載の方法。
（項目２９９）
マルチモードディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板を覆って形成されている第１の発光型無機マイクロＬＥＤディスプレイと、
前記ディスプレイ基板を覆って形成されている第２のディスプレイと
を備え、
前記第２のディスプレイは、前記第１の発光型マイクロＬＥＤディスプレイと異なるタイプのディスプレイである、マルチモードディスプレイ。
（項目３００）
前記第２のディスプレイは、非発光型反射ディスプレイである、項目２９９に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０１）
前記第２のディスプレイは、電気泳動またはＭＥＭベースのディスプレイである、項目３００に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０２）
前記第１のディスプレイは、複数の第１のピクセルを備え、前記第２のディスプレイは、複数の第２のピクセルを備え、前記複数の第１のピクセルの各々は、前記複数の第２のピクセルの各々より小さい、項目２９９〜３０１のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０３）
前記第１のディスプレイと前記第２のディスプレイとを切り替えるためのコントローラを備えている、項目２９９〜３０２のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０４）
携帯電話、スマートフォン、またはタブレットコンピュータデバイスを備えている、項目２９９〜３０３のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０５）
前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第２のディスプレイと異なる部分を覆って位置している、項目２９９〜３０４のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０６）
前記第１のディスプレイおよび前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の同一部分を覆って位置している、項目２９９〜３０５のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０７）
前記第１のディスプレイは、前記第２のディスプレイの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記第２のディスプレイの上に位置している、項目３０６に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０８）
前記第１のディスプレイの光制御要素は、前記ディスプレイ基板上で前記第２のディスプレイの光制御要素と組み合わせられている、項目３０６に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３０９）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、項目２９９〜３０８のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１０）
前記第１のディスプレイおよび前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上に形成される、項目２９９〜３０９のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１１）
前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の第１の側面上にあり、前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第１の側面と反対の第２の側面上にある、項目２９９〜３０９のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１２）
前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上にあり、前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり、前記ディスプレイ基板を覆って位置しているマイクロＬＥＤディスプレイ基板上にある、項目２９９〜３０９のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１３）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目２９９〜３１２のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１４）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目２９９〜３１３のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１５）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目２９９〜３１４のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１６）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目２９９〜３１５のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１７）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目２９９〜３１６のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１８）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目２９９〜３１７のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３１９）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目２９９〜３１８のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３２０）
前記マイクロＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目３１９に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３２１）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目２９９〜３２０のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３２２）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目３２１に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３２３）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２９９〜３２２のいずれか１項に記載のマルチモードディスプレイ。
（項目３２４）
前記第１の発光型マイクロＬＥＤディスプレイは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、前記第１の発光型マイクロＬＥＤディスプレイの各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目２９９〜３２３のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３２５）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目２９９〜３２４のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３２６）
前記第１の発光型無機マイクロＬＥＤディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり異なるＬＥＤ基板の中に形成されている複数の無機マイクロＬＥＤを備え、前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の上または中に形成され、それにネイティブであり、前記ＬＥＤ基板は、前記ディスプレイ基板に接着されている、項目２９９〜３２５のいずれか１項に記載のディスプレイ。
（項目３２７）
マイクロＬＥＤ発光体アレイを微細に組み立てる方法であって、前記方法は、
第１の基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成することと、
ディスプレイ基板を提供することと、
前記ディスプレイ基板を覆って前記複数のマイクロＬＥＤを微細に組み立て、それによって、前記ディスプレイ基板を覆って第１の発光型マイクロＬＥＤディスプレイを形成することと、
前記ディスプレイ基板を覆って第２のディスプレイを形成することと
を含み、
前記第２のディスプレイは、前記第１の発光型マイクロＬＥＤディスプレイと異なるタイプのディスプレイである、方法。
（項目３２８）
前記第２のディスプレイは、非発光型反射ディスプレイである、項目３２７に記載の方法。
（項目３２９）
前記第２のディスプレイは、電気泳動またはＭＥＭベースのディスプレイである、項目３２８に記載の方法。
（項目３３０）
前記第１のディスプレイは、複数の第１のピクセルを備え、前記第２のディスプレイは、複数の第２のピクセルを備え、前記複数の第１のピクセルの各々は、前記複数の第２のピクセルの各々より小さい、項目３２７〜３２９のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３１）
前記第１のディスプレイと前記第２のディスプレイとを切り替えるためのコントローラを備えている、項目３２７〜３３０のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３２）
携帯電話、スマートフォン、またはタブレットコンピュータデバイスを備えている、項目３２７〜３３１のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３３）
前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第２のディスプレイと異なる部分を覆って位置している、項目３２７〜３３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３４）
前記第１のディスプレイおよび前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の同一部分を覆って位置している、項目３２７〜３３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３５）
前記第１のディスプレイは、前記第２のディスプレイの前記ディスプレイ基板と反対の側面上で前記第２のディスプレイの上に位置している、項目３３４に記載の方法。
（項目３３６）
前記第１のディスプレイの光制御要素は、前記ディスプレイ基板上で前記第２のディスプレイの前記光制御要素と組み合わせられている、項目３３４に記載の方法。
（項目３３７）
前記マイクロＬＥＤは、前記ディスプレイ基板と異なり別個であるネイティブ基板の中に形成される、項目３２７〜３３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３８）
前記第１のディスプレイおよび前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上に形成される、項目３２７〜３３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３９）
前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の第１の側面上にあり、前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板の前記第１の側面と反対の第２の側面上にある、項目３３８に記載の方法。
（項目３４０）
前記第２のディスプレイは、前記ディスプレイ基板上にあり、前記第１のディスプレイは、前記ディスプレイ基板と別個であり、前記ディスプレイ基板を覆って位置しているマイクロＬＥＤディスプレイ基板上にある、項目３２７〜３３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４１）
前記ディスプレイ基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目３２７〜３４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４２）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目３２７〜３４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４３）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目３２７〜３４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４４）
各マイクロＬＥＤは、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目３２７〜３４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４５）
前記ディスプレイの解像度は、１２０×９０、１４４０×１０８０、１９２０×１０８０、１２８０×７２０、３８４０×２１６０、７６８０×４３２０、または１５３６０×８６４０である、項目３２７〜３４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４６）
ディスプレイ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目３２７〜３４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４７）
前記ディスプレイ基板は、前記マイクロＬＥＤを含む連続したディスプレイ基板面積を有し、各マイクロＬＥＤは、発光面積を有し、前記マイクロＬＥＤの複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の４分の１以下である、項目３２７〜３４６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４８）
前記マイクロＬＥＤの前記複合発光面積は、前記連続したディスプレイ基板面積の８分の１、１０分の１、１２分の１、１５分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、または１００００分の１以下である、項目３４７に記載の方法。
（項目３４９）
各マイクロＬＥＤは、それぞれのマイクロＬＥＤの同一側面上にアノードおよびカソードを有する、項目３２７〜３４８のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５０）
それぞれの発光体の前記アノードおよびカソードは、水平距離によって水平に分離され、前記水平距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目３４９に記載の方法。
（項目３５１）
前記ディスプレイ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３２７〜３５０のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５２）
前記複数のマイクロＬＥＤは、赤色光を発する複数の赤色マイクロＬＥＤと、緑色光を発する複数の緑色マイクロＬＥＤと、青色光を発する複数の青色マイクロＬＥＤとを備え、各ピクセルは、前記複数の赤色マイクロＬＥＤのうちの赤色マイクロＬＥＤと、前記複数の緑色マイクロＬＥＤのうちの緑色マイクロＬＥＤと、前記複数の青色マイクロＬＥＤのうちの青色マイクロＬＥＤとを備えている、項目３２７〜３５１のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５３）
前記マイクロＬＥＤは、有機マイクロＬＥＤである、項目３２７〜３５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５４）
マイクロ組立デバイスであって、
デバイス基板と、
前記デバイス基板上の第１の導電体と、
前記デバイス基板上の第２の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、１つ以上のジャンパ導体を有する、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記伝導性ジャンパ要素は、前記デバイス基板上にあり、前記１つ以上のジャンパ導体のうちの第１のジャンパ導体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体と電気接触している、マイクロ組立デバイス。
（項目３５５）
前記伝導性ジャンパ要素は、伝導性受動デバイスである、項目３５４に記載のデバイス。
（項目３５６）
前記伝導性ジャンパ要素は、能動デバイスである、項目３５４または３５５に記載のデバイス。
（項目３５７）
前記能動デバイスは、ＣＭＯＳデバイスである、項目３５６に記載のデバイス。
（項目３５８）
前記能動デバイスは、駆動回路および不揮発性メモリのうちの少なくとも１つを備えている、項目３５６または３５７に記載のデバイス。
（項目３５９）
前記伝導性ジャンパ要素は、マイクロ転写印刷に好適な構造内に収納される、項目３５４〜３５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６０）
前記伝導性ジャンパ要素は、半導体、シリコン、シリコンオンインシュレータ、ガラス、金属、および誘電体のうちの１つ以上のものを含む、項目３５４〜３５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６１）
前記ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、ＰｂＳｎ、またはＡｇＳｎを含む、項目３５４〜３６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６２）
前記導体基板に隣接する前記伝導性ジャンパ要素の一部は、陥凹を設けられている、項目３５４〜３６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６３）
前記導体基板上の第３の導電体を備え、前記第３の導電体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体から電気的に絶縁されており、前記第３の導電体は、前記伝導性ジャンパ要素の前記陥凹の下に位置している、項目３６２に記載のデバイス。
（項目３６４）
前記陥凹は、露出絶縁体を備えている、項目３６２に記載のデバイス。
（項目３６５）
前記伝導性ジャンパ要素は、第２の端子に電気的に接続されている第１の端子を備え、露出絶縁体が、それらの間にあり、前記第１の端子、前記第２の端子、および前記露出絶縁体は、前記伝導性ジャンパ要素の少なくとも１つの側面上に平面を形成する、項目３５４〜３６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３６６）
前記導体基板上の第３の導電体を備え、前記第３の導電体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体から電気的に絶縁されており、前記第３の導電体は、前記露出絶縁体によって接触されている、項目３６４または３６５に記載のデバイス。
（項目３６７）
前記ジャンパ導体のうちの少なくとも１つの一部は、絶縁体で覆われている、項目３５４に記載のデバイス。
（項目３６８）
前記ジャンパ導体のうちの少なくとも１つの中心部分は、前記ジャンパ導体の露出端を分離する絶縁体で覆われている、項目３５４に記載のデバイス。
（項目３６９）
前記基板は、ディスプレイ基板であり、前記伝導性ジャンパ要素は、冗長発光体をディスプレイ回路に電気的に接続する、項目３５４〜３６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７０）
前記冗長発光体は、欠陥一次発光体の代わりに前記ディスプレイ回路に接続される、項目３５４〜３６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７１）
前記第１の導電体と前記第２の導電体との間の距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目３５４〜３７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７２）
前記デバイス基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目３５４〜３７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７３）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目３５４〜３７２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７４）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目３５４〜３７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７５）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目３５４〜３７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７６）
デバイス基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目３５４〜３７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７７）
前記デバイス基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３５４〜３７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７８）
前記伝導性ジャンパ要素は、クロスオーバである、項目３５４〜３７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３７９）
前記デバイス基板上の複数の第１の導電体であって、前記複数の第１の導電体は、前記第１の導電体を備えている、複数の第１の導電体と、
前記デバイス基板上の複数の第２の導電体であって、前記複数の第２の導電体は、前記第２の導電体を備えている、複数の第２の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、複数のジャンパ導体を有し、前記複数のジャンパ導体は、前記１つ以上のジャンパ導体を備えている、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記複数のジャンパ導体のうちの各ジャンパ導体は、前記複数の第１の導電体のうちの第１の導電体および前記複数の第２の導電体のうちの第２の導電体と電気接触している、項目３５４〜３７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目３８０）
マイクロ組立デバイスを提供する方法であって、
デバイス基板と、
前記デバイス基板上の第１の導電体と、
前記デバイス基板上の第２の導電体と
を備えているデバイスを提供することと、
前記デバイス基板上に、１つ以上のジャンパ導体を有する伝導性ジャンパ要素を微細に組み立てることと
を含み、
前記伝導性ジャンパ要素は、前記デバイス基板上にあり、前記１つ以上のジャンパ導体のうちの第１のジャンパ導体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体と電気接触している、マイクロ組立デバイスを提供する方法。
（項目３８１）
前記伝導性ジャンパ要素は、伝導性受動デバイスである、項目３８０に記載の方法。
（項目３８２）
前記伝導性ジャンパ要素は、能動デバイスである、項目３８０または３８１に記載の方法。
（項目３８３）
前記能動デバイスは、ＣＭＯＳデバイスである、項目３８２に記載の方法。
（項目３８４）
前記能動デバイスは、駆動回路および不揮発性メモリのうちの少なくとも１つを備えている、項目３８２または３８３に記載の方法。
（項目３８５）
前記伝導性ジャンパ要素は、マイクロ転写印刷に好適な構造内に収納される、項目３８０〜３８４のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８６）
前記伝導性ジャンパ要素は、半導体、シリコン、シリコンオンインシュレータ、ガラス、金属、および誘電体のうちの１つ以上のものを含む、項目３８０〜３８５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８７）
前記ジャンパ導体は、半導体、金属、貴金属、金、銀、白金、銅、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、はんだ、ＰｂＳｎ、またはＡｇＳｎを含む、項目３８０〜３８６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８８）
前記導体基板に隣接する前記伝導性ジャンパ要素の一部は、陥凹を設けられている、項目３８０〜３８７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８９）
前記導体基板上の第３の導電体を備え、前記第３の導電体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体から電気的に絶縁されており、前記第３の導電体は、前記伝導性ジャンパ要素の前記陥凹の下に位置している、項目３８８に記載の方法。
（項目３９０）
前記陥凹は、露出絶縁体を備えている、項目３８８に記載の方法。
（項目３９１）
前記伝導性ジャンパ要素は、第２の端子に電気的に接続されている第１の端子を備え、露出絶縁体が、それらの間にあり、前記第１の端子、前記第２の端子、および前記露出絶縁体は、前記伝導性ジャンパ要素の少なくとも１つの側面上に平面を形成する、項目３８０〜３８７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９２）
前記導体基板上の第３の導電体を備え、前記第３の導電体は、前記第１の導電体および前記第２の導電体から電気的に絶縁されており、前記第３の導電体は、前記露出絶縁体によって接触されている、項目３９０または３９１に記載の方法。
（項目３９３）
前記ジャンパ導体のうちの少なくとも１つの一部は、絶縁体で覆われている、項目３８０に記載の方法。
（項目３９４）
前記ジャンパ導体のうちの少なくとも１つの中心部分は、前記ジャンパ導体の露出端を分離する絶縁体で覆われている、項目３８０に記載の方法。
（項目３９５）
前記基板は、ディスプレイ基板であり、前記伝導性ジャンパ要素は、冗長発光体をディスプレイ回路に電気的に接続する、項目３８０〜３９４のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９６）
前記冗長発光体は、欠陥一次発光体の代わりに前記ディスプレイ回路に接続される、項目３８０〜３９５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９７）
前記第１の導電体と前記第２の導電体との間の距離は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ、５００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜２０ミクロン、２０ミクロン〜５０ミクロン、または５０ミクロン〜１００ミクロンである、項目３８０〜３９６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９８）
前記デバイス基板は、５〜１０ミクロン、１０〜５０ミクロン、５０〜１００ミクロン、１００〜２００ミクロン、２００〜５００ミクロン、５００ミクロン〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、５ｍｍ〜１０ｍｍ、または１０ｍｍ〜２０ｍｍの厚さを有する、項目３８０〜３９７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９９）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの幅を有する、項目３８０〜３９８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４００）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの長さを有する、項目３８０〜３９９のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０１）
前記伝導性ジャンパ要素は、２〜５μｍ、４〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、または２０〜５０μｍの高さを有する、項目３８０〜４００のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０２）
デバイス基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、または９５％以上の透明度を有する、項目３８０〜４０１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０３）
前記デバイス基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３８０〜４０２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０４）
前記伝導性ジャンパ要素は、クロスオーバである、項目３８０〜４０３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０５）
前記デバイス基板上の複数の第１の導電体であって、前記複数の第１の導電体は、前記第１の導電体を備えている、複数の第１の導電体と、
前記デバイス基板上の複数の第２の導電体であって、前記複数の第２の導電体は、前記第２の導電体を備えている、複数の第２の導電体と、
前記デバイス基板と異なり別個である伝導性ジャンパ要素であって、前記伝導性ジャンパ要素は、複数のジャンパ導体を有し、前記複数のジャンパ導体は、前記１つ以上のジャンパ導体を備えている、伝導性ジャンパ要素と
を備え、
前記複数のジャンパ導体のうちの各ジャンパ導体は、前記複数の導電体のうちの第１の導電体および前記複数の第２の導電体のうちの第２の導電体と電気接触している、項目３８０〜４０４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０６）
前記伝導性ジャンパ要素を微細に組み立てることは、
前記伝導性ジャンパ要素を接触表面を有する転写デバイスと接触させ、それによって、前記接触表面がその上に一時的に配置された前記伝導性ジャンパ要素を有するように、前記伝導性ジャンパ要素を前記接触表面に一時的に結合することと、
前記転写デバイスの前記接触表面上に配置された前記伝導性ジャンパ要素を前記デバイス基板の受け取り表面と接触させることと、
前記転写デバイスの前記接触表面と前記伝導性ジャンパ要素とを分離することであって、前記伝導性ジャンパ要素は、前記受け取り表面上に転写され、それによって、前記デバイス基板の前記受け取り表面上に前記伝導性ジャンパ要素の部分を組み立てる、ことと
を含む、項目３８０〜４０５のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０７）
前記転写デバイスは、エラストマースタンプを備えている、項目３８０に記載の方法。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３６５】
本明細書で使用されるように、「マイクロＬＥＤ」は、０．５〜２５０μｍの規模の無機発光ダイオードを指す。例えば、マイクロＬＥＤは、０．５〜２μｍ、２〜５μｍ、５〜１０μｍ、１０〜２０μｍ、２０〜５０μｍ、５０〜１００μｍ、または１００〜２５０μｍの幅、長さ、および高さ（もしくは２つまたは３つ全ての寸法）のうちの少なくとも１つを有することができる。マイクロＬＥＤは、通電させられたときに発光する。ＬＥＤによって発せられる光の色は、マイクロＬＥＤの構造に応じて変動する。例えば、通電させられたとき、赤色マイクロＬＥＤは、赤色光を発し、緑色マイクロＬＥＤは、緑色光を発し、青色マイクロＬＥＤは、青色光を発し、黄色マイクロＬＥＤは、黄色光を発し、シアンマイクロＬＥＤは、シアン光を発する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０３】
図１３は、マイクロアセンブリのために好適な５つの異なるタイプの電気コネクタ１３０２、１３０４、１３０６、１３０８、１３１０、または「ジャンパ」の断面図を図示する。いくつかの実施形態では、電気コネクタは、金、銀、または白金を含む、露出貴金属表面を含む。いくつかの実施形態では、電気コネクタは、銅、ステンレス鋼、アルミニウム、チタン、ニッケル、またはクロムを含む、露出金属表面を含む。いくつかの実施形態では、電気コネクタは、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎ、またはそれらの合金、もしくは他のはんだ合金のようなはんだを含む。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０７】
図１４は、一次ＲＧＢ無機マイクロＬＥＤ（例えば、マイクロＬＥＤ１４０２ｇ、１４０２ｋ、１４０２ｍ、１４０２ｏ、１４０２ｕ、および１４０２ｗ）と、補足ＲＧＢ無機マイクロＬＥＤ（例えば、マイクロＬＥＤ１４０２ｂ、１４０２ｄ、１４０２ｆ、１４０２ｈ、１４０２ｊ、１４０２ｎ、１４０２ｐ、１４０２ｒ、１４０２ｔ、１４０２ｖ、および１４０２ｘ）とを含む、マイクロ組立ディスプレイ１４００の説明図である。いくつかの実施形態では、本ディスプレイ内の全てではないがいくつかのピクセルは、特別に明るい光の閃光またはカメラフラッシュもしくは昼光視認性のためにディスプレイの輝度を増補するように、複数のＲ、Ｇ、またはＢマイクロＬＥＤを含む。例えば、マイクロＬＥＤ１４０２ａ、１４０２ｃ、１４０２ｅ、１４０２ｉ、１４０２ｌ、１４０２ｏ、１４０２ｑ、および１４０２ｓが示されるが、図１４に示される実施例では省略される。これらの省略されたマイクロＬＥＤは、意図的または非意図的に省略されることができる。例えば、それらは、印刷されていなくてもよく、またはそれらは、欠陥があったため除去されていてもよい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７６】
図５３Ａ−５３Ｂは、ＬＥＤの１つの面から両方の端子に接触するために好適なマイクロＬＥＤの例示的アーキテクチャの説明図である。図５３Ａは、ＬＥＤ５３００の平面図であり、図５３Ｂは、ＬＥＤ５３００の断面図である。図５３Ａおよび５３Ｂに示されるように、端子５３０２ａおよび５３０２ｂは、ＬＥＤ５３００の最上部の大部分を覆い、両方の端子５３０２ａおよび５３０２ｂは、ＬＥＤ５３００の頂面の上にある。電極の間の間隙は、上記で議論されるように最小限にされる（例えば、１００ｎｍ〜１００ミクロンの距離）。本構成は、線および空間が比較的粗く、面積あたりの基準で形成することが安価である（例えば、２ミクロン線および空間対２ｍｍ線および空間）、パネル処理または他の低解像度大面積処理を使用して、ＬＥＤへの相互接続が確立されることを可能にする。いくつかの実施形態では、マイクロＬＥＤ５３００の２つの端子の外側分離を達成するために、ＬＥＤ５３００は、その幅より有意に長い長さを有する。いくつかの実施形態では、ＬＥＤは、端子の間の分離距離を短縮するために、微細リソグラフィ（例えば、１００ｎｍから２０ミクロンに及ぶ特徴を有する、ウエハスケールリソグラフィ）を使用する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８６】
図５４Ａ、５４Ｃ、および５４Ｄに関して上記で説明される構造は、ディスプレイを形成するためにエラストマースタンプ等のスタンプを採用する印刷プロセスを使用して、ディスプレイ基板５４１０上に印刷されることができる。図５４Ｂは、ディスプレイ基板５４１０上の第１の接触パッド５４５２と接触している第１の電気接点５４０２を伴うディスプレイ基板５４１０上の図５４Ａの発光ダイオードを図示する。電気接続５４５０が、印刷された半導体構造の第２の電気接点５４０４に行われることができる。不動態化層５４１９は、第１および第２のワイヤ５４５０、５４５２から半導体要素５４０６への不要な電気伝導を防止する。同様に、図５４Ｅは、電線５４５０、５４５２が形成されたディスプレイ基板５４１０上の図５４Ｃの発光ダイオードを図示する。