【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
本発明の解決策は、このように曇りの有意な減少を可能にする。
孔タイプの欠陥数の顕著な減少、そしてそれゆえの曇りの顕著な減少が、高温熱処理の後に観察される。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
少なくとも１つの反射防止コーティングの上に位置する銀ベースの少なくとも１つの機能性金属層を含む薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であり、
前記スタックにより被覆された前記透明基材は４００℃を超える温度Ｔｍａｘで熱処理を受けることを意図するものであり、
前記反射防止コーティングは孔タイプの欠陥を発生しやすい少なくとも１つの誘電体層を含んでいる、
薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であって、下記の一連の段階、すなわち、
・孔タイプの欠陥を発生しやすい少なくとも１つの誘電体層を含む反射防止コーティングを透明基材上に被着させる段階であって、該孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を陰極スパッタリングにより被着させる、反射防止コーティングの被着段階、次いで、
・前記孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を事前の熱処理に付す段階、次いで、
・前記銀ベースの少なくとも１つの機能性金属層を被着させる段階、
を含む、薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法。
《態様２》
前記基材がガラス製、特にソーダ石灰シリカガラス製である、態様１記載の方法。
《態様３》
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を、酸化チタンをベースとする層、酸化ニオブをベースとする層及び酸化スズをベースとする層から選ぶ、態様１又は２記載の方法。
《態様４》
前記スタックが、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように、少なくとも２つの反射防止コーティングを含み、各反射防止コーティングは少なくとも１つの誘電体層を含み、当該方法が反射防止コーティングを銀ベースの機能性金属層の上に被着させる段階を含む、態様１〜３のいずれか１つに記載の方法。
《態様５》
前記スタックにより被覆された基材を、４５０℃より高い、好ましくは５００℃より高い温度Ｔｍａｘでの熱処理に付す、態様１〜４のいずれか１つに記載の方法。
《態様６》
前記熱処理が焼きなまし、曲げ加工及び／又は焼き戻しである、態様５記載の方法。
《態様７》
前記事前の熱処理を、層の各点を３００℃以上の温度、好ましくは４００℃を超える温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、態様１〜６のいずれか１つに記載の方法。
《態様８》
前記事前の熱処理を、１秒以内、実際のところさらには０．５秒以内の時間、層の各点を３００℃以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、態様７記載の方法。
《態様９》
前記事前の熱処理を、波長が５００〜２０００ｎｍ、特に７００〜１１００ｎｍ、実際のところさらには８００〜１０００ｎｍの範囲内の放射線を用いて行う、態様１〜８のいずれか１つに記載の方法。
《態様１０》
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層の厚さが５ｎｍを超え、好ましくは８ｎｍと２０ｎｍの間である、態様１〜９のいずれか１つに記載の方法。
《態様１１》
前記孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を１以上の層により前記機能性層から切り離し、前記孔タイプの欠陥を発生しやすい層と前記機能性層との間に挿入されるすべての層の厚さは最大で２０ｎｍ、好ましくは最大で１５ｎｍである、態様１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
《態様１２》
前記反射防止コーティングの孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を１以上の層により前記機能性層から切り離し、前記孔タイプの欠陥を発生しやすい層と前記機能性層との間に挿入されるすべての層の厚さは少なくとも６ｎｍ、好ましくは少なくとも７．５ｎｍである、態様１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
《態様１３》
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を、熱処理の温度Ｔｍａｘよりも低い温度範囲で起こりそして５０℃未満の温度の変動に対して０．１ＧＰａを超える応力値の変動に対応する応力ジャンプを示す誘電体層から選ぶ、態様１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
《態様１４》
前記事前の熱処理を、前記層の各点を応力ジャンプを起こす温度範囲にある温度以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、態様１３記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの反射防止コーティングの上に位置する銀ベースの少なくとも１つの機能性金属層を含む薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であり、
前記スタックにより被覆された前記透明基材は４００℃を超える温度Ｔｍａｘで熱処理を受けることを意図するものであり、
前記反射防止コーティングは孔タイプの欠陥を発生しやすい少なくとも１つの誘電体層を含んでいる、
薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であって、下記の一連の段階、すなわち、
・孔タイプの欠陥を発生しやすい少なくとも１つの誘電体層を含む反射防止コーティングを透明基材上に被着させる段階であって、該孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を陰極スパッタリングにより被着させる、反射防止コーティングの被着段階、次いで、
・前記孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を事前の熱処理に付す段階、次いで、
・前記銀ベースの少なくとも１つの機能性金属層を被着させる段階、
を含む、薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法。
【請求項２】
前記基材がガラス製である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基材がソーダ石灰シリカガラス製である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を、酸化チタンをベースとする層、酸化ニオブをベースとする層及び酸化スズをベースとする層から選ぶ、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記スタックが、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように、少なくとも２つの反射防止コーティングを含み、各反射防止コーティングは少なくとも１つの誘電体層を含み、当該方法が反射防止コーティングを銀ベースの機能性金属層の上に被着させる段階を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記スタックにより被覆された基材を、４５０℃より高い温度Ｔｍａｘでの熱処理に付す、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理が焼きなまし、曲げ加工及び／又は焼き戻しである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記事前の熱処理を、層の各点を３００℃以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記事前の熱処理を、１秒以内の時間、層の各点を３００℃以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記事前の熱処理を、波長が５００〜２０００ｎｍの範囲内の放射線を用いて行う、請求項１〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層の厚さが５ｎｍを超える、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を１以上の層により前記機能性層から切り離し、前記孔タイプの欠陥を発生しやすい層と前記機能性層との間に挿入されるすべての層の厚さは最大で２０ｎｍである、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記反射防止コーティングの孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を１以上の層により前記機能性層から切り離し、前記孔タイプの欠陥を発生しやすい層と前記機能性層との間に挿入されるすべての層の厚さは少なくとも６ｎｍである、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
孔タイプの欠陥を発生しやすい誘電体層を、熱処理の温度Ｔｍａｘよりも低い温度範囲で起こりそして５０℃未満の温度の変動に対して０．１ＧＰａを超える応力値の変動に対応する応力ジャンプを示す誘電体層から選ぶ、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記事前の熱処理を、前記層の各点を応力ジャンプを起こす温度範囲にある温度以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより行う、請求項１４記載の方法。