Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月16日(2018.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の計算装置上で実施されるコンパイラまたはプラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、クラスファイルにおけるクラス名を識別することを含み、前記クラス名は構造記述を含み、前記構造記述は、前記ジェネレータ関数を識別する情報と前記ジェネレータ関数についての１つ以上のパラメータとを含み、さらに、  前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって前記ジェネレータ関数を実行することを含み、前記実行することは、前記ジェネレータ関数に入力として前記１つ以上のパラメータを提供することを含み、さらに、  前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、前記クラス名に対応するクラスを生成することを含み、前記生成することは、前記実行することによる結果に少なくとも部分的に基づく、方法。
【請求項２】
前記識別すること、前記実行すること、および前記生成することは、前記コンパイラによってコンパイル時間に行なわれ、前記クラスファイルは、プラットフォームに依存しないオブジェクト指向言語に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記識別すること、前記実行すること、および前記生成することは、プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境において行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記実行することは、ランタイムライブラリから前記ジェネレータ関数をローディングすることを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上のパラメータのうちの１つは別の構造記述を含み、前記別の構造記述は、別のジェネレータ関数を識別する情報と前記別のジェネレータ関数についての１つ以上の他のパラメータとを含み、前記実行することはさらに、
前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、前記別のジェネレータ関数を実行することを含み、前記別のジェネレータ関数を実行することは、前記１つ以上の他のパラメータを前記別のジェネレータ関数に入力として提供することを含み、さらに、
前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、前記別のジェネレータ関数を実行することからの結果を前記ジェネレータ関数に入力として提供することを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記構造記述は、前記１つ以上のパラメータのうちの少なくとも１つに適用されることになる特殊化動作を指定し、
前記ジェネレータ関数を実行することは、前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、前記指定された特殊化動作を前記少なくとも１つのパラメータに適用することをさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって、別の構造記述を識別することをさらに含み、前記別の構造記述は、別のジェネレータ関数を識別する情報と前記別のジェネレータ関数についての１つ以上の他のパラメータとを含み、さらに、
前記構造記述と前記別の構造記述との比較、および前記１つ以上のパラメータと前記１つ以上の他のパラメータとの間の比較に少なくとも部分的に基づいて、前記構造記述および前記別の構造記述が２つの等価なクラスを表わすかどうかを、前記コンパイラまたは前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境によって判定することを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
計算装置であって、
プロセッサと、
プログラム命令を含むメモリとを備え、前記プログラム命令は、前記プロセッサ上で実行されると、前記プロセッサに、
構造記述を含むクラス名をクラスファイルにおいて識別させ、前記構造記述は、ジェネレータ関数を識別する情報と前記ジェネレータ関数についての１つ以上のパラメータとを含み、さらに前記プロセッサに、
前記ジェネレータ関数を実行させ、前記ジェネレータ関数を実行するために、前記プログラム命令は、さらに前記プロセッサに、前記１つ以上のパラメータを前記ジェネレータ関数に入力として提供させ、
前記ジェネレータ関数の実行の結果に少なくとも部分的に基づいて、前記クラス名に対応するクラスを生成させる、計算装置。
【請求項９】
前記プログラム命令は、プラットフォームに依存しないオブジェクト指向言語のためのコンパイラを実施するようにプロセッサ上で実行可能であり、前記コンパイラは、前記識別すること、前記実行すること、および前記生成することをコンパイル時間において行なうように構成される、請求項８に記載の計算装置。
【請求項１０】
前記プログラム命令は、プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境を実施するように前記プロセッサ上で実行可能であり、前記識別すること、前記実行すること、および前記生成することは、前記プラットフォームに依存しないオブジェクト指向ランタイム環境のランタイムにおいて行なわれる、請求項８に記載の計算装置。
【請求項１１】
前記１つ以上のパラメータのうちの１つは別の構造記述を含み、前記別の構造記述は、別のジェネレータ関数を識別する情報と前記別のジェネレータ関数についての１つ以上の他のパラメータとを含み、前記ジェネレータ関数を実行するために、前記プログラム命令は、さらに前記プロセッサに、
前記別のジェネレータ関数を実行させ、前記別のジェネレータ関数を実行するために、前記プログラム命令は、さらに前記プロセッサに、前記１つ以上の他のパラメータを前記別のジェネレータ関数に入力として提供させ、
前記別のジェネレータ関数を実行することからの結果を前記ジェネレータ関数に入力として提供させる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の計算装置。
【請求項１２】
前記構造記述は、前記１つ以上のパラメータのうちの少なくとも１つに適用されることになる特殊化動作を指定し、
前記ジェネレータ関数を実行するために、前記プログラム命令は、さらに前記プロセッサに、前記指定された特殊化動作を前記少なくとも１つのパラメータに適用させる、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の計算装置。
【請求項１３】
前記プログラム命令は、さらに前記プロセッサに、
別の構造記述を識別させ、前記別の構造記述は、別のジェネレータ関数を識別する情報と前記別のジェネレータ関数についての１つ以上の他のパラメータとを含み、さらに、
前記構造記述と前記別の構造記述との比較、および前記１つ以上のパラメータと前記１つ以上の他のパラメータとの間の比較に少なくとも部分的に基づいて、前記構造記述および前記別の構造記述が２つの等価なクラスを表わすかどうかを判定させる、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の計算装置。
【請求項１４】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月5日(2018.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフィックス処理の方法であって、
グラフィックス処理ユニット(GPU)によって、前記GPUがフレームの少なくとも一部分をレンダリングするためにダイレクトレンダリングモードおよびビニングレンダリングモードからレンダリングモードを選択してもよいことを示すGPUコマンドパケットを受信するステップと、
前記GPUによって、前記受信されたGPUコマンドパケット内の情報に基づいて、前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするために前記レンダリングモードを選択するステップであって、前記受信されたGPUコマンドパケット内で受信された前記情報は、1つまたは複数の第2のレベルの間接バッファへのポインタを含むシーン記述子を備える、ステップと、
前記GPUによって、前記シーン記述子によって参照される1つまたは複数の第2のレベルの間接バッファへの前記ポインタを使用して、実行順序を生成するステップと、
前記GPUによって、前記選択されたレンダリングモードに対する一連の実行コマンドを使用して前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記GPUによって、前記受信されたGPUコマンドパケット内の前記情報および前記GPUの状態に基づいて、前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするために前記複数のレンダリングモードから前記レンダリングモードを選択するステップであって、前記GPUの前記状態が、前記GPUの電力消費量、前記GPUの処理負荷、前記GPUのメモリ使用量、または前記GPUの利用負荷のうちの少なくとも1つに対応する情報を含む、ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記GPUの電力消費量がしきい値電力消費値を超えることを示す前記GPUの状態に基づいて、ビニングレンダリングモードを選択するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記GPUの利用負荷が利用値を超えることを示す前記GPUの状態に基づいて、ビニングレンダリングモードを選択するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記シーン記述子が、構成ペアを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記シーン記述子が、前記フレームの少なくとも前記一部分についての解像度情報を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記受信されたGPUコマンドパケット内の前記情報が、前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするために必要とされるすべてのビンを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、
前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするときに生じるオーバードローの量を決定するステップと、
生じる前記オーバードローの量に基づいて前記レンダリングモードを選択するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
グラフィックス処理ユニット(GPU)を備えるデバイスであって、前記GPUが、
前記GPUがフレームの少なくとも一部分をレンダリングするために複数のレンダリングモードからレンダリングモードを選択してもよいことを示すGPUコマンドパケットを受信するための手段であって、前記複数のレンダリングモードが、ダイレクトレンダリングモードおよびビニングレンダリングモードを含む、手段と、
前記受信されたGPUコマンドパケット内の情報に基づいて、前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするために前記複数のレンダリングモードから前記レンダリングモードを選択するための手段であって、前記受信されたGPUコマンドパケット内で受信された前記情報は、1つまたは複数の第2のレベルの間接バッファへのポインタを含むシーン記述子を備える、手段と、
前記選択されたレンダリングモードを使用して前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするための手段と
をさらに備える、デバイス。
【請求項１０】
前記GPUの電力消費量がしきい値電力消費値を超えることを示す前記GPUの状態に基づいて、ビニングレンダリングモードを選択するための手段
をさらに備える、請求項9に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記GPUの利用負荷が利用値を超えることを示す前記GPUの状態に基づいて、ビニングレンダリングモードを選択するための手段
をさらに備える、請求項9に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記受信されたGPUコマンドパケット内の前記情報および前記GPUの状態に基づいて、前記フレームの少なくとも前記一部分をレンダリングするために前記複数のレンダリングモードから前記レンダリングモードを選択するための手段をさらに備え、前記GPUの前記状態が、前記GPUの電力消費量、前記GPUの処理負荷、前記GPUのメモリ使用量、または前記GPUの利用負荷のうちの少なくとも1つに対応する情報を含む、請求項9に記載のデバイス。
【請求項１３】
実行されると、GPUの少なくとも1つのプロセッサに、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法を行わせる命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示エリアと、前記表示エリア内の指紋読取エリアとを含む前面を備えるディスプレイカバーガラスを有する電子ディスプレイと、
受光された散乱光を検出するための手段であって、前記受光された散乱光は、光と、前記前面の前記指紋読取エリアと少なくとも部分的に光学的に接触している物体との相互作用から生じる、手段と
受光された散乱光を検出するように構成される少なくとも1つの光検知素子であって、前記受光された散乱光は、光と、前記指紋読取エリア内で前記前面と少なくとも部分的に光学的に接触している物体との相互作用から生じる、少なくとも1つの光検知素子と
を備え、
前記受光された散乱光の少なくとも一部は、少なくとも2回の内部反射を受け、
前記光検知素子は、前記光検知素子の視野内に前記物体の画像の複数の個別の反射を位置合わせすることと、プロセッサに前記複数の個別の反射の画像データを出力することとを行うように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の個別の反射の前記画像データから、前記電子ディスプレイのユーザの指紋を認識するように構成される、
装置。
【請求項２】
前記検出するための手段は、
受光された散乱光を検出するように構成される少なくとも1つの光検知素子であって、前記受光された散乱光は、光と、前記指紋読取エリア内で前記前面と少なくとも部分的に光学的に接触している物体との相互作用から生じる、少なくとも1つの光検知素子
を備え、
前記散乱光の少なくとも一部は、前記光検知素子によって検出される前に少なくとも2回の内部反射を受け、
前記光検知素子は、前記光検知素子の視野内に前記物体の画像の複数の個別の反射を位置合わせすることと、プロセッサに前記複数の個別の反射の画像データを出力することとを行うように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の個別の反射の前記画像データから、前記電子ディスプレイのユーザの指紋を認識するように構成される、
請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記電子ディスプレイは、前記前面に近接し、かつその後方に配置されるとともに、前記受光された散乱IR光を前記光検知素子に向かって変向するように構成される第1の平面導光路を含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記認識された指紋に基づいて前記ユーザの生体認証を行うように構成される、請求項1または2に記載の装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、連続的な生体認証およびディスプレイ画面と同時にやりとりしている複数のユーザの生体認証のうちの1つまたは複数を実行するように構成される、請求項4に記載の装置。
【請求項６】
前記電子ディスプレイは、前記第1の平面導光路の後方に配置され、かつ光源から受光された光を前記前面に対して直交する実質的な成分を有する方向に変向するように構成される第2の平面導光路を含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項７】
前記光検知素子は、ユーザ付属物の表面によって放射される赤外光を検出するように構成される、請求項2に記載の装置。
【請求項８】
表示エリアと、前記表示エリア内の光学撮像エリアとを含む前面を備えるディスプレイカバーガラスを有する電子ディスプレイと、
受光された散乱光を検出するように構成される少なくとも1つの光検知素子であって、前記受光された散乱光は、光と、前記光学撮像エリア内で前記前面と光学的に接触している物体との相互作用から生じる、少なくとも1つの光検知素子と
を備え、
前記散乱光の少なくとも一部は、前記光検知素子によって検出される前に少なくとも2回の内部反射を受け、
前記光検知素子は、前記光検知素子の視野内に前記物体の画像の複数の個別の反射を位置合わせすることと、プロセッサに前記複数の個別の反射の画像データを出力することとを行うように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の個別の反射の前記画像データから、前記物体の識別子特性を認識するように構成される、
装置。
【請求項９】
前記光学撮像エリアは、前記表示エリアと実質的に同じ広がりを有する、請求項1、2、または8のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記光検知素子はカメラであり、前記カメラは光軸を有するレンズを含み、
前記カメラは、前記光軸が前記前面に対して概ね平行になるようにして配置される、
請求項1、2、または8のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記プロセッサは、前記画像データまたは前記認識された指紋に基づいて、ユーザの認証を行うように構成される、請求項1、2、または8のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記電子ディスプレイは、遠隔ロック可能デバイスと通信可能に結合され、前記プロセッサは、前記遠隔ロック可能デバイスに、前記ユーザの前記認証後にロックさせるか、またはロック解除させることができる、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
光検知素子を用いて、受光された散乱光を検出するステップであって、前記受光された散乱光は、光と、電子ディスプレイのディスプレイカバーガラスの前面の指紋読取エリアと少なくとも部分的に光学的に接触している物体との相互作用から生じ、前記前面は表示エリアを有し、前記指紋読取エリアは前記表示エリア内にある、ステップと、
前記光検知素子からプロセッサに指紋画像データを出力するステップと
を含み、
前記受光された散乱光の少なくとも一部は、前記光検知素子によって検出される前に少なくとも2回の内部反射を受け、
前記光検知素子は、前記光検知素子の視野内に前記物体の画像の複数の個別の反射を位置合わせすることと、プロセッサに前記複数の個別の反射の画像データを出力することとを行うように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の個別の反射の前記画像データから、前記電子ディスプレイのユーザの指紋を認識するように構成される、
方法。
【請求項１４】
プロセッサを用いて、前記指紋画像データに基づいて、前記ユーザが認定ユーザであるか否かを判断するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
プロセッサを用いて、前記指紋画像データに基づいて、前記ユーザの生体認証を行うステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月15日(2018.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散性の側面及び非拡散性の側面を含む半透明の光ガイドであって、前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面は前記光ガイドの反対側に配置された、光ガイドと、
基板の幅にわたって分配された複数の光発生源を含む基板であって、前記基板は、前記光ガイドの縁部の周囲を覆い、かつ前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面の両方において配置され、それにより、
前記基板は、前記縁部、前記拡散性の側面の一部分、及び前記非拡散性の側面の一部分を覆い、かつ
前記縁部の少なくとも２つ、前記光ガイドの前記拡散性の側面の前記一部分、または前記光ガイドの前記非拡散性の側面の前記一部分は、前記光ガイドに光を放射するように、前記基板上に置かれている前記複数の光発生源のうちの少なくとも１つの光発生源を有する、基板と、
前記非拡散性の側面に配置され、かつ前記光発生源から放射された光を反射して、前記拡散性の側面の方に前記光ガイドへ戻すように構成された反射コーティングと、
を備えた、バックライト照明装置。
【請求項２】
前記拡散性の側面は、前記反射された光を拡散して、前記光ガイドから、拡散された光を放射するように構成されたエッチング部を含む、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項３】
前記複数の光発生源が、発光半導体を含み、発光半導体の少なくとも１つが、約５ミクロンから約２０ミクロンの最大の高さと、約１０ミクロンから約５０ミクロンの直径とを有する断面を有する、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項４】
前記複数の光発生源が、発光ダイオードを含む、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項５】
前記基板が、フレキシブルでかつ約７０ミクロンから約２００ミクロンの厚さを有する、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項６】
前記複数の光発生源のうちのそれぞれの光発生源が、前記拡散性の側面と垂直、前記非拡散性の側面と垂直、または前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面を含む複数の方向のうちの少なくとも１つの方向に光を送るように前記基板上で方向づけられた、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項７】
前記複数の光発生源から放射された光が、前記光ガイドの前記拡散性の側面の前記一部分、前記非拡散性の側面の前記一部分及び縁部の各々を通じて前記光ガイドに入る、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項８】
前記エッチング部が、前記拡散性の側面をコーティングする材料、前記拡散性の側面における材料除去、または前記拡散性の側面の型のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載のバックライト照明装置。
【請求項９】
前記エッチング部が、前記拡散性の側面をコーティングする材料を含み、前記材料は、蛍光体を含む、請求項８に記載のバックライト照明装置。
【請求項１０】
前記エッチング部が、前記拡散性の側面における材料除去を含み、前記材料は、アブレーション、切除、脱離、切断、エングレービング、インプリント、切開、腐食、研磨、溶解、浸食、または酸化のうちの１つまたは複数を介して除去される、請求項８に記載のバックライト照明装置。
【請求項１１】
前記エッチング部が、前記拡散性の側面の前記型を含み、前記型は、突起、小塊、隆起部、凸状部、リッジ、またはバルジのうちの１つまたは複数を含む、請求項８に記載のバックライト照明装置。
【請求項１２】
前記拡散性の側面の覆われた部分及び前記非拡散性の側面の覆われた部分が、前記放射された光が変質せずに前記光ガイドに入ることができるように構成された、請求項１に記載のバックライト照明装置。
【請求項１３】
拡散性の側面及び非拡散性の側面を含む半透明平面の光ガイドであって、前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面は前記光ガイドの反対側に配置された、半透明平面の光ガイドと、
基板の幅にわたって分配された複数の光発生源を含む基板であって、前記基板は、前記光ガイドの縁部の周囲を覆い、かつ前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面の両方において配置され、それにより、前記基板は、前記縁部、前記拡散性の側面の一部分及び前記非拡散性の側面の一部分を覆い、かつ前記拡散性の側面の前記一部分、前記非拡散性の側面の前記一部分及び前記光ガイドの前記縁部の各々は、前記光ガイドに光を放射するように、前記基板上に置かれている前記複数の光発生源のうちの少なくとも１つの光発生源を有する、基板と、
を備えた、バックライト照明装置。
【請求項１４】
前記非拡散性の側面に配置された反射コーティングをさらに含み、前記反射コーティングは、前記光発生源から放射された前記光を反射して、前記拡散性の側面の方に前記光ガイドへ戻すように構成された、請求項１３に記載のバックライト照明装置。
【請求項１５】
前記複数の光発生源が、発光半導体を含み、発光半導体の少なくとも１つが、約５ミクロンから約２０ミクロンの最大の高さと、約１０ミクロンから約５０ミクロンの直径とを有する断面を有する、請求項１３に記載のバックライト照明装置。
【請求項１６】
前記複数の光発生源が、発光ダイオードを含む、請求項１３に記載のバックライト照明装置。
【請求項１７】
前記基板が、フレキシブルでかつ約７０ミクロンから約２００ミクロンの厚さを有する、請求項１３に記載のバックライト照明装置。
【請求項１８】
前記複数の光発生源のうちのそれぞれの光発生源が、前記拡散性の側面と垂直、前記非拡散性の側面と垂直、または前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面に平行を含む複数の方向のうちの少なくとも１つの方向に光を送るように前記基板上に方向づけられた、請求項１３に記載のバックライト照明装置。
【請求項１９】
拡散性の側面及び非拡散性の側面を含む半透明平面の光ガイドであって、前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面は前記光ガイドの反対側に配置された、半透明平面の光ガイドと、
基板の幅にわたって分配された複数の光発生源を含む基板であって、前記基板は、前記光ガイドの縁部の周囲を覆い、かつ前記拡散性の側面及び前記非拡散性の側面の両方において配置され、それにより、前記基板は、前記縁部、前記拡散性の側面の一部分及び前記非拡散性の側面の一部分を覆い、かつ前記縁部、前記光ガイドの前記拡散性の側面の前記一部分、または前記光ガイドの前記非拡散性の側面の前記一部分のうちの少なくとも２つは、前記光ガイドに光を放射するように、前記基板上に置かれている前記複数の光発生源のうちの少なくとも１つの光発生源を有する、基板と、
を備えた、バックライト照明装置。
【請求項２０】
前記複数の光発生源が、発光半導体を含み、発光半導体の少なくとも１つが、約５ミクロンから約２０ミクロンの最大の高さと、約１０ミクロンから約５０ミクロンの直径を有する断面を有する、請求項１９に記載のバックライト照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月20日(2018.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅光ビームを生成する放射源と、
真空チャンバと、
前記真空チャンバの内側にあるターゲット位置に向けてターゲット材料を誘導するとともに、前記増幅光ビームを受け取るターゲット材料デリバリシステムであって、前記ターゲット材料が、プラズマに変換されると極端紫外光を放出する材料を含む、ターゲット材料デリバリシステムと、
前記真空チャンバの内側にあり、前記放出された極端紫外光を受け取って誘導するように位置決めされているコレクタと、
を備える極端紫外光源であって、
前記放射源が、
ビームパス上に位置決めされた利得媒体をそれぞれが備える２つ以上の光増幅器であって、前記光増幅器のそれぞれが、前記ビームパスに沿って進む入力光ビームを入力で受け取りかつ出力光ビームを出力で前記ビームパス上へと放出する、２つ以上の光増幅器と、
前記ビームパス上に位置決めされ、フィードバック信号に応答して調整可能である１つまたは複数の適応光学要素と、
前記１つまたは複数の適応光学要素に結合されたフィードバックシステムであって、前記フィードバックシステムは、一つの前記光増幅器の出力で位置決めされたセンサを備え、前記フィードバックシステムは、前記センサによって測定された特性に基づき前記フィードバック信号を発生させるとともに対応する適応光学要素に前記フィードバック信号を提供し、前記対応する適応光学要素は、前記適応光学要素の少なくとも一つであって、前記一つの前記光増幅器の前記出力と他の前記光増幅器の前記入力との間に位置決めされ、前記センサは、前記対応する適応光学要素と前記一つの前記光増幅器の前記出力との間にある、フィードバックシステムと、を有する、
極端紫外光源。
【請求項２】
前記１つまたは複数の適応光学要素が、少なくとも１つの適応光学要素を備え、
前記少なくとも１つの適応光学要素が、
第１の側に変形可能反射面を有し、かつ、前記第１の側と熱連通する第２の側を有する光学要素と、
前記光学要素の前記第２の側と熱連通する第１の導管を備える流体経路であって、前記第１の導管が熱伝導性流体を受け取る、流体経路と、
前記第１の導管と流体連通し、かつ、前記第１の導管に対して圧力を提供および除去する圧力アクチュエータと流体連通する、第２の導管を備える圧力経路と、
を備える、請求項１に記載の極端紫外光源。
【請求項３】
前記光増幅器のうちの少なくとも１つの前記出力に位置決めされた空間フィルタをさらに備える、請求項１に記載の極端紫外光源。
【請求項４】
前記適応光学要素のうちの少なくとも１つが、前記フィードバック信号に応答して前記ビームパスの長さを変化させる、請求項１に記載の極端紫外光源。
【請求項５】
極端紫外光を発生させるために使用される増幅光ビームの特性を維持するための方法であって、
ビームパス上に光増幅器を位置決めすることであって、前記光増幅器が前記ビームパス上に利得媒体を備えることと、
前記ビームパス上に適応光学部品を位置決めすることと、
前記光増幅器から、前記ビームパス上に増幅光ビームを放出することであって、前記増幅光ビームは、デューティサイクルと関連付けられるとともに前記光増幅器から前記適応光学部品へと伝搬することと、
前記光増幅器の出力で前記増幅光ビームの特性を測定することであって、前記特性は、前記光増幅器と前記適応光学部品との間で測定されることと、
前記測定に基づいて前記増幅光ビームの特性を決定することと、
前記決定された特性に基づいて前記適応光学部品を調整し、それにより前記増幅光ビームの前記デューティサイクルの変動にかかわらず前記増幅光ビームの前記特性を維持することと、
ターゲット材料を受け取るターゲット位置に前記増幅光ビームを提供し、極端紫外光を発生させることと、
を含む、方法。
【請求項６】
前記適応光学部品を調整することが、前記適応光学部品の曲率半径を調整し、それにより前記増幅光ビームのビームダイバージェンスを調整することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記増幅光ビームの特性を決定することが、前記増幅光ビームのパワーを測定すること、ビームサイズを決定すること、および、前記増幅光ビームのウェスト位置を決定すること、のうちの１つまたは複数を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記増幅光ビームの前記特性がビームウェスト位置を含み、
前記適応光学部品を調整して前記ビームウェスト位置を維持することが、前記適応光学部品を調整して前記ビームパスの長さを変化させることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記増幅光ビームの前記特性が、前記光増幅器の内側の位置で決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記増幅光ビームが、前記ターゲット位置に提供される前に前記ビームパス上の第２の光増幅器に提供される、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
極端紫外（ＥＵＶ）光源のためのシステムであって、
ビームパス上に位置決めされた利得媒体を備え、入力で光ビームを受け取り、かつ、出力でＥＵＶ光源のための出力光ビームを放出する光増幅器と、
センサを有するフィードバックシステムであって、前記センサは、前記光増幅器の前記出力で位置決めされるとともに、前光増幅器によって放出された前記出力光ビームを受け取るように位置決めされ、前記センサは、前記出力光ビームの特性を測定するとともに、前記測定された特性に基づいてフィードバック信号を生成する、フィードバックシステムと、
前記ビームパス内に位置決めされる適応光学部品であって、前記センサは、前記増幅器の前記出力と前記適応光学部品との間にあり、前記適応光学部品は、前記フィードバック信号を受け取るとともに、前記フィードバック信号に応答して前記出力光ビームの特性を調整する、適応光学部品と、
を備える、システム。
【請求項１２】
前記フィードバックシステムが、前記出力光ビームのパワー、前記出力光ビームの形状、および、前記出力光ビームのサイズ、のうちの１つまたは複数を測定する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
利得媒体を備える第２の光増幅器をさらに備え、
前記適応光学部品が、前記第２の光増幅器と前記光増幅器との間に位置決めされる、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記適応光学部品が、可変半径ミラー（ＶＲＭ）を備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
第２の適応光学部品をさらに備え、
前記適応光学部品および前記第２の適応光学部品が、それぞれ可変半径ミラー（ＶＲＭ）を備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ビームパス上かつ前記第２の光増幅器と前記光増幅器との間に、空間フィルタをさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月31日(2018.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層は、それぞれ、窒化ガリウムまたは窒化ガリウム合金を含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４Ｂは、ｎ−エピ層１０４の上に多層半導体デバイス４１０が設けられた状態で、図４Ａの多層構造を例示する。１つの実施例において、多層半導体デバイス４１０は、ＰＩＮダイオードとすることができ、ＰＩＮダイオード構造を形成するために、非ドープおよび／または低導電性の半導体層によって分離される、異なる導電率および／またはドーパントを持つ１つまたは複数の半導体層を含むことができる。描写されるように、多層半導体デバイス４１０は、例えば、オーム性接触層４１２、オーム性接触層４１２の上に配置されたドリフト層４１４、およびドリフト層４１４の上に配置されたオーム性接触層４１６を含み得る。多層半導体デバイス４１０の層の材料は、ｎ＋基板１０２およびｎ−エピ層１０４の材料と類似または同一とすることができ、（例えば）分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、超高真空化学気相成長（ＵＨＶ−ＣＶＤ）などの、さまざまなエピタキシャル成長プロセスによって形成され得る。描写された層４１２、４１４、４１６の厚さは、使われる製造プロセスおよび結果として生じるダイオードの望ましい機能性に応じて、変化し得る。１つの実施例において、ｎ−エピ層１０４は、有利には、本明細書で説明した電気化学エッチング処理の間に、ＰＩＮダイオードの１つまたは複数の高導電性半導体層４１２、４１６をエッチングされることから保護することを容易にする、停止層としての役割を果たし得ることに留意されたい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図７Ｃは、多層半導体デバイス７１０の上に接触層７１４を設けた後、図７Ｂの多層構造を例示する。接触層７１４は、例えば、半導体層７１２へのオーム性接触としての役割を果たすことができ、接触層５１４（図５Ｃ）の材料と類似とすることができ、例えば、接触層５１４に対して上で述べた析出プロセスの１つを使用して形成され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム照射によってパッケージング容器を殺菌するための電子ビーム発生器であって、
電子射出窓（１８）と、
高温に加熱された際に電子ビームを放出し、且つ前記電子ビームを前記電子射出窓（１８）に向けて加速させるように構成された電子放出デバイス（３２）とを備え、
前記電子放出デバイス（３２）が、螺旋部分（３６）を有するフィラメント（３４）を備え、
前記電子放出デバイス（３２）がディスク状であることを特徴とする電子ビーム発生器。
【請求項２】
前記電子放出デバイス（３２）が、螺旋状のフィラメント（３４）の外側端部に接続された平坦な外側支持素子（５０）を備えることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム発生器。
【請求項３】
外側支持素子（５０）にギャップ（５４）が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム発生器。
【請求項４】
前記フィラメント（３４）が複数の巻線（３８）を備え、半径方向における巻線（３８）間の距離（ｄ）が、半径方向における巻線（３８）の幅（ｗ）以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項５】
前記フィラメントの外側巻線と外側支持素子（５０）との間の距離（ｄ）が、前記フィラメント（３４）の隣接する巻線（３８）間の距離（ｄ）よりも大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項６】
前記フィラメント（３４）が、３巻から８巻の間、好ましくは３巻から５巻の間の巻線（３８）を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項７】
前記フィラメント（３４）が外側支持素子（５０）に接続される前記フィラメント（３４）の外側接続部分（４２）が、前記フィラメント（３４）が内側支持素子（６０）に接続される前記フィラメント（３４）の内側接続部分（４４）に対して円周方向にずらされていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項８】
前記フィラメント（３４）が、内側支持素子（６０）及び／又は外側支持素子（５０）と一体になる接続部分（４２、４４）を備え、前記接続部分（４２、４４）が、半径方向と円周方向との間の屈曲部を備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項９】
前記フィラメント（３４）の螺旋部分（３６）が、長手方向に沿って一定の幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項１０】
前記フィラメント（３４）の螺旋部分（３６）が、長手方向に沿って変化する幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項１１】
前記螺旋部分（３６）の少なくとも外側巻線（８０）が、長手方向に沿って変化する幅（ｗ）を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子ビーム発生器。
【請求項１２】
外側支持素子（５０）が、前記電子放出デバイス（３２）に機械的及び／又は電気的に接続するための少なくとも一つの接続点（５８）を備えることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項１３】
内側支持素子（６０）が、前記電子放出デバイス（３２）に機械的及び／又は電気的に接続するための少なくとも一つの接続点（６８）を備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器。
【請求項１４】
電子ビーム照射によってパッケージング容器を殺菌するための電子ビーム殺菌デバイス（１０）であって、
内部空間（１４）を封入し、且つ電子射出窓（３０）を備える筐体（１２）と、
高温に加熱された際に電子ビームを放出するように構成された請求項１から１３のいずれか一項に記載の電子放出デバイス（３２）を備える電子ビーム発生器（３０）とを備え、
前記電子ビーム発生器が前記内部空間（１４）内に配置されていることを特徴とする電子ビーム殺菌デバイス。
【請求項１５】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の電子ビーム発生器（３０）を備える請求項１４に記載の電子ビーム殺菌デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、鉄含有促進剤としては、鉄含有活性化剤（例えば、鉄ラジカル生成化合物）または例えば、米国特許第7,029,508号および第7,077,880号明細書中に開示されたような、コロイド状シリカ粒子の表面に結合された（例えば、被覆されたまたは結合された）鉄含有触媒を挙げることができる。例えば、鉄含有促進剤は、コロイド状シリカ粒子の表面上のシラノール基と結合されていることができる。１つの態様では、鉄含有促進剤は、ホウ素含有安定剤および鉄含有触媒を含むことができる。そのような態様では、安定剤および触媒は、コロイド状シリカ粒子上の利用可能な表面サイトの実質的にいずれかのパーセント、例えば、利用可能な表面サイトの１％超、５０％超、または８０％超、を占めることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水系の液体キャリア；
該液体キャリアに分散された第１のコロイド状シリカ研磨剤、該第１のコロイド状シリカ研磨剤は、少なくとも１０ｍＶの永久的な正の電荷を有している；
該液体キャリアに分散された第２のコロイド状シリカ研磨剤、該第２のコロイド状シリカ研磨剤は、少なくとも１０ｍＶの永久的な正の電荷を有している；ならびに、
鉄含有促進剤；
を含んでなる化学機械研磨組成物であって、
該第２のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径は、該第１のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径よりも少なくとも２０ナノメートル大きい、化学機械研磨組成物。
【請求項２】
前記第１のコロイド状シリカ研磨剤および前記第２のコロイド状シリカ研磨剤のそれぞれが、少なくとも２０ｍＶの永久的な正の電荷を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記第１のコロイド状シリカ研磨剤および前記第２のコロイド状シリカ研磨剤のそれぞれが、アミノシラン化合物で処理されている、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記アミノシラン化合物が、プロピル基含有アミノシランである、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
前記アミノシラン化合物が、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリアルコキシシラン、ジエチルアミノメチルトリアルコキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル)トリアルコキシシラン）、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノプロピルトリアルコキシシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン、（２−Ｎ−ベンジルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリアルコキシシラン）、トリアルコキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロリド、Ｎ−（トリアルコキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロリド、（ビス（メチルジアルコキシシリルプロピル）−Ｎ−メチルアミン、ビス（トリアルコキシシリルプロピル）尿素、ビス（３−（トリアルコキシシリル）プロピル）−エチレンジアミン、ビス（トリアルコキシシリルプロピル）アミン、ビス（トリアルコキシシリルプロピル）アミンおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項３記載の組成物。
【請求項６】
（ａ）前記第１のコロイド状シリカ研磨剤の前記平均粒子径が、２０〜１１０ナノメートルの範囲であり、かつ、
（ｂ）前記第２のコロイド状シリカ研磨剤の前記平均粒子径が、９０〜１８０ナノメートルの範囲である、
請求項１記載の組成物。
【請求項７】
前記第１のコロイド状シリカ研磨剤および前記第２のコロイド状シリカ研磨剤が、コロイド状シリカを含み、該コロイド状シリカ研磨剤の粒子の５０％以上が、２つもしくは３つ以上が凝集された一次粒子を含む、
請求項１記載の組成物。
【請求項８】
１．５〜５の範囲のｐＨを有する、請求項１記載の組成物。
【請求項９】
前記鉄含有促進剤が、溶解性の鉄含有触媒を含み、かつ、前記組成物が、該溶解性の鉄含有触媒に結合された安定剤を更に含み、該安定剤が、酢酸、リン酸、フタル酸、クエン酸、アジピン酸、シュウ酸、マロン酸、アスパラギン酸、コハク酸、グルタル酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、グルタコン酸、ムコン酸、エチレンジアミン四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
過酸化水素酸化剤を更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
アミン含有化合物を含むタングステンエッチング抑制剤を更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
タングステン層を含む基材を化学機械研磨する方法であって、
（ａ）該基材を、以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含む研磨組成物であって、
（ｉ）水系の液体キャリア、
（ｉｉ）該液体キャリアに分散された第１のコロイド状シリカ研磨剤、該第１のコロイド状シリカ研磨剤は、少なくとも１０ｍＶの永久的な正の電荷を有している、
（ｉｉｉ）該液体キャリア中に分散された第２のコロイド状シリカ研磨剤、該第２のコロイド状シリカ研磨剤は、少なくとも１０ｍＶの永久的な正の電荷を有している、ならびに、
（ｉｖ）鉄含有促進剤、
該第２のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径は、該第１のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径よりも少なくとも２０ナノメートル大きい、研磨組成物と接触させること、
（ｂ）該研磨組成物を、該基材に対して動かすこと、ならびに、
（ｃ）該基材を削り取って、該基材から該タングステンの一部を除去し、そしてそれによって該基材を研磨すること、
を含んでなる、方法。
【請求項１３】
前記第１のコロイド状シリカ研磨剤および前記第２のコロイド状シリカ研磨剤が、プロピル基含有アミノシラン化合物で処理されている、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）前記第１のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径が、２０〜１１０ナノメートルの範囲であり、かつ、
（ｂ）前記第２のコロイド状シリカ研磨剤の平均粒子径が、９０〜１８０ナノメートルの範囲である、
請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）前記第１のコロイド状シリカ研磨剤および前記第２のコロイド状シリカ研磨剤が、コロイド状シリカを含み、該コロイド状シリカ研磨剤の粒子の５０％以上が、２つもしくは３つ以上が凝集された一次粒子を含む、
請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物が、１．５〜５の範囲のｐＨを有する、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記鉄含有促進剤が、溶解性の鉄含有触媒を含み、かつ、前記研磨組成物が、該溶解性の鉄含有触媒に結合された安定剤を更に含み、該安定剤が、酢酸、リン酸、フタル酸、クエン酸、アジピン酸、シュウ酸、マロン酸、アスパラギン酸、コハク酸、グルタル酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、グルタコン酸、ムコン酸、エチレンジアミン四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨組成物が、過酸化水素酸化剤を更に含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
前記研磨組成物が、アミン含有化合物を含むタングステンエッチング抑制剤を更に含む、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱エレメント（１５０、１５１）を支持するための支持システム（１００）であって、
高さ方向に延びる主延在方向と、近位端部（１１３）と、遠位端部（１１２）を有する支持メンバ（１１１）であって、前記近位端部（１１３）が前記加熱エレメント（１５０，１５１）を支持するように構成された支持メンバ（１１１）と、
少なくとも１つのヒンジ（１３１）を介して、前記支持メンバ（１１１）の遠位部分に接続されたベースメンバ（１２１）であって、前記遠位部分が前記近位端部（１１３）から遠位に配置されたベースメンバ（１２１）と、を備え、
前記支持メンバ（１１１）が、前記ベースメンバ（１２１）に対して、実質的に剛性方向と平行な回転軸線（１３２）の周りに回動可能であることを特徴とする支持システム。
【請求項２】
前記回転軸線（１３２）が、前記支持メンバの質量中心から離されて配置されていることを特徴とする請求項１記載の支持システム。
【請求項３】
前記回転軸線（１３２）が、高さ方向及び可動方向の少なくとも一方に沿って、前記支持メンバの質量中心から離れて配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の支持システム。
【請求項４】
前記ベースメンバが、高さ方向において前記遠位端部から前記近位端部（１１３）の方向に向かって、少なくとも部分的に延在していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の支持システム。
【請求項５】
前記支持メンバ（１１１）が、実質的に平行に配置された２以上のバー（１１１ａ、１１１ｂ）を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の支持システム。
【請求項６】
前記支持メンバ及び前記ベースメンバの少なくとも一方の材料が、少なくとも９０重量％の高融点金属を含んでいることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の支持システム。
【請求項７】
前記高融点金属が、タングステン、モリブデン、タンタル、レニウム、ニオビウム及びこれらの合金から選択されたものであることを特徴とする請求項６記載の支持システム。
【請求項８】
少なくとも１つの加熱エレメント（１５０、１５１）と、請求項１〜７のいずれかに記載された少なくとも１つの支持システム（１００）を有する加熱システム。
【請求項９】
前記支持システム（１００）は、異なる支持システムのそれぞれの可動方向が共通の中心点を始点とするように方向付けられていることを特徴とする請求項８記載の加熱システム。
【請求項１０】
前記加熱エレメント（１５０、１５１）の下方に、かつ前記ヒンジ（１３１）および前記ベースメンバ（１２１）の上方に配置されるとともに、前記支持システム（１００）が挿通可能な開口を有する熱シールドシステム（１６０）を有することを特徴とする請求項８又は９記載の加熱システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状の物体において層交差パターンを製作する方法であって、前記方法は、付加製造システムによって実行され、
受け媒体の上にパターニング材料を分注して第１のパターン要素を形成する工程と、
前記第１のパターン要素の上に造形材料からなる第１の層を分注する工程であってその工程は、前記第１の層の下方において前記第１のパターン要素の少なくとも一部分を露出させる第１の開放キャビティを形成しながら行われることと、
前記第１のパターン要素の露出部分及び前記第１の層の上にパターニング材料を分注して、前記第１のパターン要素に接触する第２のパターン要素を形成し、それにより、前記パターニング材料の層交差パターンを形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の開放キャビティは非垂直の壁を備え、前記第１のパターン要素の露出部分の上への前記パターニング材料の分注は、前記非垂直の壁の上にも前記パターニング材料を分注することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層の上に造形材料からなる第２の層を分注することを更に含む、請求項１及び２の何れか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の層の分注は、前記第２の層の下方において前記第２のパターン要素の少なくとも一部分を露出したままにすることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の層の分注は、前記パターニング材料を分注して前記第２のパターン要素を形成する前に行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の層の分注は、前記第２の層に第２の開放キャビティを形成し、それにより、前記第２の層の下方において前記第２のパターン要素の前記一部分を露出させることを含む、請求項４及び５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の層の分注及び前記第２の層の分注は、前記付加製造システムの異なる分注ヘッドで行われ、各ヘッドは異なる造形材料を分注する、請求項３〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記パターニング材料の分注と造形材料からなる前記層の分注とを交互に複数回繰り返すことにより、造形材料からなる複数の層と複数のパターン要素とを形成する工程を更に含み、前記複数のパターン要素は、相互に接続されて前記複数の層と交差する連続パターンを形成する、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記パターニング材料は導電性である、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の開放キャビティ内に電子デバイス又は電気デバイスを配置する工程を更に含み、前記パターン要素は導電性であり、前記パターン要素は前記デバイスの電気端子に接触している、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記パターン要素を焼結する工程を更に含む、請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記造形材料は焼結誘導剤を含み、前記造形材料及び前記パターニング材料の少なくとも一方の分注は、前記焼結誘導剤が前記パターニング材料と反応してパターニング要素を焼結するように行われる、請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記焼結誘導剤は、遊離基重合性化合物、陽イオン重合性化合物、及び陰イオン重合性化合物からなる群から選択される化合物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記焼結誘導剤はイオン基及び対イオンを含み、前記イオン基はアクリルモノマー又は誘導体である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記イオン基は、アクリル酸塩、メタクリル酸塩、アクリルアミド、メタクリルアミド、オリゴマー、及びポリマーからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記焼結誘導剤は、一般式：
【化１】
2017516295.tif 000001
を有する（メタ）アクリレート誘導体であり、式中、
ＸはＯ又はＮＨであり、
Ｙは、長さが１〜２０炭素原子の置換又は非置換炭化水素鎖であり、
Ｒ１はＨ又はＣＨ３であり、
Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立してアルキルであり、
Ｚは陰イオンである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
最終的な物体において、導電性要素のうちの１つ又は複数、好ましくは少なくとも２つは、少なくともその一部分に沿って露出されたまま残り得る。これらの実施形態は、露出した要素を外部電子又は電気デバイスに接続できるようにするために特に有用である。好ましくは、これらの要素は、物体の周縁において露出される。これらの実施形態を図４Ｃに示す。図示されるように、非導電層８０は、要素７５の端部７７が層８０によって覆われず、周囲環境に露出したままであるように、導電性要素材料７５上に分注される。図４Ｃに示される代表的な図では、導電性要素７５を担持する非導電層６０は、最終的な物体から外側に向けて水平に突出するように分注され、要素７５は、これもまた最終的な物体から外側に向けて水平に突出するように分注される。しかし、幾つかの実施形態では、そのような突出部なしの導電性要素７５を作ることが望ましい場合があるため、これが必ずしも該当する必要はない。代表的な例を図４Ｄに示しており、図４Ｄでは、層８０は内側に向かって集中し、それにより、要素７５の端部７７を露出したままにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
本発明者らにより、非導電層の上に分注される導電性要素の厚さが比較的薄いことに起因して、導電性要素がならし動作によって潜在的に破損し得ることが見出された。そのような破損は、導電性パターンの導電性を低減し得るために望ましくない。本実施形態は、図５及び図６を参照してこれより説明するように、階段様の構造を有するキャビティを形成し、次に、導電層を分注することにより、この問題に解決策を提供する。