【手続補正書】
【提出日】平成30年6月6日(2018.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子、光学、又は光電子デバイスで使用するためのパターン化薄膜部品を形成する方法であって、
基板上に光パターン化可能な組成物を堆積して薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を像様パターンで放射に曝露して、薄膜の非曝露領域を現像剤に可溶性にし、薄膜の曝露領域を現像剤に不溶性にする工程と、
前記薄膜の非曝露領域を現像剤によって除去してパターン化薄膜部品を形成する工程と
を含み、
前記光パターン化可能な組成物がフッ化ビニリデン系ポリマーと、感光性非求核塩基と、架橋剤とを含み、
前記フッ化ビニリデン系ポリマーがフッ化ビニリデンである第1の反復単位と、フッ化ビニル、トリフルオロエチレン、クロロフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、塩化ビニリデン、及びヘキサフルオロプロピレンからなる群から選択される第2の反復単位と、任意選択で、フッ化ビニル、クロロフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、塩化ビニリデン、及びヘキサフルオロプロピレンからなる群から選択される第2の反復単位と異なる第3の反復単位とを含み、
前記感光性非求核塩基が
【化１】
2017522613.tif 000001
[式中、
YはC=C、CR2、NR、O、S、及びSeからなる群から選択され、RがH、C1〜6アルキル基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、
ZはNR、任意選択で置換されているピリジル基、又は共有結合からなる群から選択され、
Ra、Rb、Rc、及びRdは独立にH、C1〜6アルキル基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRaとRbが一緒になって及び/又はRcとRdが一緒になって窒素原子と結合してグアニジニル基又はトリアミノホスファゼニル基を形成することができ、
Re及びRfは独立にハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基であり、
Rg、Rh、Ri、及びRjは独立にH、ハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRgとRhが一緒になって又はRhとRiが一緒になって又はRiとRjが一緒になって炭素原子2個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
Rk、Rl、Rm、及びRnは独立にH、ハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRkとRlが一緒になって又はRlとRmが一緒になって又はRmとRnが一緒になって炭素原子2個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
或いはRgとRhが一緒になって結合しても、RmとRnが一緒になって結合しても、任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成しない場合は、RgとRnが一緒になってQ及び炭素原子4個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
nは0、1、2又は3である]
からなる群から選択される式のうちの1つによって表され、
前記架橋剤が熱的に活性化されず、過酸化物系でない、
方法。
【請求項２】
前記感光性非求核塩基が
【化２】
2017522613.tif 000002
[式中、R1及びR2はそれぞれ独立にH又はC1〜6アルキル基であり、R3はそれぞれ独立にC1〜6アルキル基又は任意選択で置換されているベンジル基であり、mは0、1、又は2である]
からなる群から選択される式のうちの1つによって表される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記感光性非求核塩基が
【化３】
2017522613.tif 000003
からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記フッ化ビニリデン系ポリマーが、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマー(P(VDF-TrFE))、フッ化ビニリデンとクロロトリフルオロエチレンのコポリマー(P(VDF-CTFE))、及びフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンのコポリマー(P(VDF-HFP))からなる群から選択されるコポリマー、又はポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロトリフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロフルオロエチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-ヘキサフルオロプロピレン)、ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-フッ化ビニル)、及びポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-塩化ビニリデン)からなる群から選択されるターポリマーである、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
部分フッ化ポリマーが式(I)
【化４】
2017522613.tif 000004
[式中、
X1はH又はClであり、
X2、X3、及びX4は、H、F及びClからなる群から選択され、但し、X2、X3、及びX4の1つ以下がClであり、X2、X3、及びX4の全てがFであることはなく、
xは30mol%〜85mol%であり、
yは10mol%〜65mol%であり、
x+y≦100mol%である]
によって表される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記架橋剤が、マレイミド、アミン、チオール、フェノール、シンナマート及びクマリン基からなる群から独立に選択される2つ以上の架橋基を含み、任意選択で前記架橋基が、ビスフェノール、ジアミン、ビスマレイミド、多官能性チオール、及びビス(シンナマート)からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記感光性非求核塩基及び前記架橋剤が、個別に、フッ化ビニリデン系ポリマーの10質量%未満で組成物中に存在する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記光パターン化可能な組成物が、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ヘプチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)、乳酸メチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2-ブタノン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、シクロペンタノン、及びシクロヘキサノンからなる群から選択される有機溶媒を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記パターン化薄膜部品に隣接して有機薄膜を形成する工程を含み、前記有機薄膜が非強誘電性ポリマーを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
ゲート電極としてパターン化薄膜部品を含む有機薄膜トランジスタであって、前記パターン化薄膜は、フッ化ビニリデン系ポリマーと、感光性非求核塩基と、架橋剤とを含む光パターン化可能な組成物由来の膜をゲート電極上に堆積することによって調製され、
前記フッ化ビニリデン系ポリマーがフッ化ビニリデンである第1の反復単位と、フッ化ビニル、トリフルオロエチレン、クロロフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、塩化ビニリデン、及びヘキサフルオロプロピレンからなる群から選択される第2の反復単位と、任意選択で、フッ化ビニル、クロロフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、塩化ビニリデン、及びヘキサフルオロプロピレンからなる群から選択される第2の反復単位と異なる第3の反復単位とを含み、
感光性非求核塩基が
【化５】
2017522613.tif 000005
[式中、
YはC=C、CR2、NR、O、S、及びSeからなる群から選択され、RがH、C1〜6アルキル基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、
ZはNR、任意選択で置換されているピリジル基、又は共有結合からなる群から選択され、
Ra、Rb、Rc、及びRdは独立にH、C1〜6アルキル基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRaとRbが一緒になって及び/又はRcとRdが一緒になって窒素原子と結合してグアニジニル基又はトリアミノホスファゼニル基を形成することができ、
Re及びRfは独立にハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基であり、
Rg、Rh、Ri、及びRjは独立にH、ハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRgとRhが一緒になって又はRhとRiが一緒になって又はRiとRjが一緒になって炭素原子2個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
Rk、Rl、Rm、及びRnは独立にH、ハロ基、シアノ基、ニトロ基、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、若しくはC1〜6アルコキシ基、任意選択で置換されているフェニル基、又は任意選択で置換されているベンジル基であり、或いはRkとRlが一緒になって又はRlとRmが一緒になって又はRmとRnが一緒になって炭素原子2個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
或いはRgとRhが一緒になって結合しても、RmとRnが一緒になって結合しても、任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成しない場合は、RgとRnが一緒になってQ及び炭素原子4個とその間で結合して任意選択で置換されているC6〜14アリール基又は任意選択で置換されている5〜14員ヘテロアリール基を形成することができ、
nは0、1、2又は3である]
からなる群から選択される式のうちの1つによって表され、
前記架橋剤が、マレイミド、アミン、チオール、フェノール、及びシンナマートからなる群から独立に選択される2つ以上の架橋基を含み、
基板と、ゲート電極と、ソース及びドレイン電極と、有機半導体層とを更に含み、前記ゲート誘電体が、前記ゲート電極と前記有機半導体層との間に位置する、
有機薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記パターン化薄膜部品に隣接した非強誘電性ポリマーを含む有機薄膜を更に含み、前記有機薄膜は、電界が前記パターン化薄膜部品に印加された場合、有機薄膜が、パターン化薄膜部品中のフッ化ビニリデン系ポリマーの強誘電性ドメインの形成を防止し、前記有機薄膜が、前記パターン化薄膜部品と前記有機半導体層又はゲート電極のいずれかとの間に位置する、請求項10に記載の有機薄膜トランジスタ。