【手続補正書】
【提出日】平成30年10月5日(2018.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンゼンポリカルボン酸またはその誘導体の環水素化のための方法であって、前記酸またはその誘導体を含む供給流を触媒の存在下、水素化条件で水素含有ガスと接触させて、水素化生成物を生成することを含み、前記触媒が、９７〜１００質量％のシリカを含む担体に適用されたルテニウムおよびロジウムを含む、方法。
【請求項２】
前記触媒が、ルテニウムおよびロジウムを、前記触媒の総質量に対して、０．０５〜２．５質量％の量で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記触媒が、ルテニウムおよびロジウムを、０．１：１〜１０：１の比率で含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒が、シリカを９９〜１００質量％の量で含む担体材料に適用されたルテニウムおよびロジウムを、０．２〜２質量％の総量で含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
２０〜２２０ｂａｒの圧力、５０〜１５０℃の温度、１〜５ｈ-1のＬＶＶＨおよび５０〜２００％の水素過剰量で実施される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記供給流が希釈剤を更に含み、前記希釈剤が、ベンゼンポリカルボン酸またはその誘導体１００部当たり５０〜２００部の量で存在する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記供給流が、前記供給流の総質量に対して０．５〜５質量％の量の水を更に含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ａ．前記酸またはその誘導体を含む供給流が第１の水素化反応器中において第１の触媒の存在下、水素化条件で第１の水素含有ガスと接触して、少なくとも部分的に水素化された中間生成物を生成する第１の水素化工程であって、前記第１の触媒が担体材料を含み、前記第１の触媒がルテニウムおよびロジウムを含む、第１の水素化工程と、
ｂ．前記少なくとも部分的に水素化された中間生成物が、第１の中間生成物画分および第２の中間生成物画分に分離される中間生成物分離工程と、
ｃ．前記第２の中間生成物画分が第２の水素化反応器中において第２の触媒の存在下、水素化条件で第２の水素含有ガスと接触して、水素化生成物を生成する第２の水素化工程であって、前記第２の触媒が担体材料を含み、前記第２の触媒がルテニウムおよびロジウムを含む、第２の水素化工程と、を含み、
前記第１の中間生成物画分が、前記第１の水素化反応器で再利用される、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の中間生成物画分が、前記第１の水素化反応器で、前記酸またはその誘導体を含む前記供給流が前記第１の水素化反応器に供給される流量の５０〜２００％の流量で再利用される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ｄ．前記水素化生成物が、第１の水素化生成物画分および第２の水素化生成物画分に分離される生成物分離工程を更に含み、
前記第１の水素化生成物画分が前記第２の水素化反応器で再利用され、前記第１の水素化生成物画分が前記第２の水素化反応器で、前記第１の中間生成物画分が前記第２の水素化反応器に供給される流量の０〜１００％の流量で再利用されてもよい、請求項８または９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
連続フローのＤＩＮＰ水素化を、圧力８０ｂａｒ（８．１ＭＰａ）および温度８０℃で行った。触媒粒子サイズは０．８５〜１．０ｍｍであり、触媒の質量は２．２０ｇであった。液体供給材料の流量は、１０ｇ／時間であり、供給材料組成物は、５０％のＤＩＮＰおよび希釈剤としての５０％のＩｓｏｐａｒ  Ｃであった。水素流量は２０ｍｌ／分であった。触媒活性を、一次速度定数および一次モル速度定数で算出した。触媒の活性および選択率を、図９に要約する。図９は、本発明の触媒の高い活性を、担持された単一金属ルテニウム触媒よりも著しく低いライトの生成（ＧＣ分析により決定される）と共に示す。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  ベンゼンポリカルボン酸またはその誘導体の環水素化のための方法であって、前記酸またはその誘導体を含む供給流を触媒の存在下、水素化条件で水素含有ガスと接触させて、水素化生成物を生成することを含み、前記触媒が、９７〜１００質量％のシリカを含む担体に適用されたルテニウムおよびロジウムを含む、方法。
２．  前記ポリカルボン酸またはその誘導体が、Ｃ7−Ｃ13フタレート、Ｃ7−Ｃ13テレフタレート、Ｃ7フタレートおよびＣ9フタレートの混合物、Ｃ7テレフタレートおよびＣ9テレフタレートの混合物、Ｃ7フタレートおよびＣ10フタレートの混合物、ならびにＣ7およびＣ10テレフタレートの混合物からなる群から選択される、上記１に記載の方法。
３．  前記触媒が、ルテニウムを、前記触媒の総質量に対して、０．０５〜２．５質量％の量で含む、上記１または２に記載の方法。
４．  前記触媒が、ロジウムを、前記触媒の総質量に対して、０．０５〜２．５質量％の量で含む、上記１から３までのいずれか１項に記載の方法。
５．  前記触媒が、ルテニウムおよびロジウムを、０．１：１〜１０：１の比率で含む、上記１から４までのいずれか１項に記載の方法。
６．  前記触媒が、シリカを９９〜１００質量％の量で含む担体材料に適用されたルテニウムおよびロジウムを、０．２〜２質量％の総量で含む、上記１から５までのいずれか１項に記載の方法。
７．  ２０〜２２０ｂａｒの圧力、５０〜１５０℃の温度、１〜５ｈ-1のＬＶＶＨおよび５０〜２００％の水素過剰量で実施される、上記１から６までのいずれか１項に記載の方法。
８．  連続方法として、好ましくは固定床反応器で実施される、上記１から７までのいずれか１項に記載の方法。
９．  前記供給流が希釈剤を更に含み、前記希釈剤が、ベンゼンポリカルボン酸またはその誘導体１００部当たり５０〜２００部の量で存在する、上記１から８までのいずれか１項に記載の方法。
１０．  前記供給流が、前記供給流の総質量に対して０．５〜５質量％の量の水を更に含む、上記１から９までのいずれか１項に記載の方法。
１１．  前記供給流が、１種または複数のイソパラフィン流体を更に含む、上記１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
１２．  ａ．前記酸またはその誘導体を含む供給流が第１の水素化反応器中において第１の触媒の存在下、水素化条件で第１の水素含有ガスと接触して、少なくとも部分的に水素化された中間生成物を生成する第１の水素化工程であって、前記第１の触媒が担体材料を含み、前記第１の触媒がルテニウムおよびロジウムを含む、第１の水素化工程と、
ｂ．前記少なくとも部分的に水素化された中間生成物が、第１の中間生成物画分および第２の中間生成物画分に分離される中間生成物分離工程と、
ｃ．前記第２の中間生成物画分が第２の水素化反応器中において第２の触媒の存在下、水素化条件で第２の水素含有ガスと接触して、水素化生成物を生成する第２の水素化工程であって、前記第２の触媒が担体材料を含み、前記第２の触媒がルテニウムおよびロジウムを含む、第２の水素化工程と、を含み、
前記第１の中間生成物画分が、前記第１の水素化反応器で再利用される、上記１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
１３．  前記第１の中間生成物画分が、前記第１の水素化反応器で、前記酸またはその誘導体を含む前記供給流が前記第１の水素化反応器に供給される流量の５０〜２００％の流量で再利用される、上記１２に記載の方法。
１４．  ｄ．前記水素化生成物が、第１の水素化生成物画分および第２の水素化生成物画分に分離される生成物分離工程を更に含み、
前記第１の水素化生成物画分が前記第２の水素化反応器で再利用され、前記第１の水素化生成物画分が前記第２の水素化反応器で、前記第１の中間生成物画分が前記第２の水素化反応器に供給される流量の０〜１００％の流量で再利用されてもよい、上記１２または１３に記載の方法。
１５．    ｉ）前記水素化生成物を１つまたは複数の反応器に移す工程、
ｉｉ）過剰の水素を前記水素化生成物から分離する工程、
ｉｉｉ）前記水素化生成物をスチームストリッピングする工程、
ｉｖ）前記水素化生成物を、真空下で窒素ストリッピングによって乾燥させる工程、
および
ｖ）前記水素化生成物を濾過する工程
のうちの１つまたは複数を更に含む、上記１から１４までのいずれか１項に記載の方法。