【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
厚さが約１ｎｍの結晶性酸化ニッケルをベースとするブロッキング層の使用は、ブロッキング下層を含まない材料と比較して曇り度の有意の減少を可能にする。それはまた、従来から使用されているニッケルとクロムをベースとする０．５ｎｍのブロッキング下層で得られるのと少なくとも同等である曇り度の減少も可能にする。しかしながら、特に、本発明による成長層は、他のブロッキング下層と比較して、熱処理の前であっても、最も低い吸収率及び最も低い放射率値を得ることを可能にする。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層及び少なくとも２つの反射防止コーティングを、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように含み、各反射防止コーティングが少なくとも１つの誘電体層を含む薄層のスタックであり、場合により磁場により支援される、陰極スパッタリングにより被着された薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であって、以下の一連の段階、すなわち、
（ａ）結晶性酸化ニッケルをベースとする少なくとも１つの薄層を含む反射防止コーティングを被着させる段階、次いで、
（ｂ）結晶性酸化ニッケルをベースとする薄層の上にそれと接触して、銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層を被着させる段階、
を含む、薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法。
《態様２》
段階（ａ）の間に、
・エピタキシーによる結晶化を誘発することができる層を被着させ、そしてその後、
・酸化ニッケルをベースとする層を上に接触して被着させる、
態様１記載の材料を得るための方法。
《態様３》
段階（ａ）の間に、
・結晶性酸化亜鉛をベースとする層を被着させ、そしてその後、
・酸化ニッケルをベースとする層を上に接触して被着させる、
態様１又は２記載の材料を得るための方法。
《態様４》
段階（ａ）の間に、
・結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする層を被着させ、そしてその後、
・結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする前記薄層を結晶化熱処理に付してから、銀をベースとする機能性金属層を被着させる、
態様１〜３のいずれか１つに記載の材料を得るための方法。
《態様５》
結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする薄層の各点を３００℃以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより結晶化熱処理を行う、態様４記載の材料を得るための方法。
《態様６》
陰極スパッタリングによる被着のためのチャンバー中でスタックのすべての層を製造しそして結晶化熱処理を行う、態様１〜５のいずれか１つに記載の材料を得るための方法。
《態様７》
薄層のスタックにより被覆された基材を４００℃より高い、好ましくは５００℃より高い温度での熱処理に付す段階（ｃ）をさらに含む、態様１〜６のいずれか１つに記載の材料を得るための方法。
《態様８》
銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層及び少なくとも２つの反射防止コーティングを、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように含み、各反射防止コーティングが少なくとも１つの誘電体層を含む薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料であって、前記スタックが、基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性金属層の下にそれと接触して位置している結晶性酸化ニッケルをベースとする層を少なくとも１つ含むことを特徴とする材料。
《態様９》
基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性層の下に位置している反射防止コーティングが、スズと亜鉛の酸化物をベースとする層から選ばれる、ドームタイプの欠陥を発生させうる誘電体層を含むことを特徴とする、態様８記載の材料。
《態様１０》
基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性層の下に位置している反射防止コーティングが、結晶性酸化ニッケルをベースとする層の下に位置してそれと接触している酸化亜鉛をベースとする安定化機能を有する誘電体層を含むことを特徴とする、態様８又は９記載の材料。
《態様１１》
結晶性酸化ニッケルをベースとする層の厚さが少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは０．８ｎｍと５ｎｍの間であることを特徴とする、態様８〜１０のいずれか１つに記載の材料。
《態様１２》
結晶性酸化ニッケルをベースとする層の厚さが４ｎｍ未満、好ましくは３ｎｍ未満、そしてなおも好ましくは２ｎｍ未満であることを特徴とする、態様８〜１１のいずれか１つに記載の材料。
《態様１３》
前記スタックが、
・銀をベースとする機能性金属層の下に位置し、酸化亜鉛をベースとし安定化機能を有する少なくとも１つの誘電体層と、酸化亜鉛をベースとし安定化機能を有する該誘電体層と接触して位置する結晶性酸化ニッケルをベースとする少なくとも１つの層とを含む、反射防止コーティング、
・酸化ニッケルをベースとする前記層と接触して位置する銀ベースの機能性金属層、
・任意選択的に、ブロッキング上層、
・銀をベースとする機能性金属層の上に位置する反射防止コーティング、
・任意選択的に、上部保護層、
を含むことを特徴とする、態様８〜１２のいずれか１つに記載の材料。
《態様１４》
少なくとも、スタックにより被覆された基材が曲げ加工及び／又は焼き戻しされたガラスであることを特徴とする、態様８〜１３のいずれか１つに記載の材料。
《態様１５》
基材がガラス製、特にソーダ石灰シリカガラス製である、態様８〜１４のいずれか１つに記載の材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層及び少なくとも２つの反射防止コーティングを、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように含み、各反射防止コーティングが少なくとも１つの誘電体層を含む薄層のスタックであり、陰極スパッタリングにより被着された薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法であって、以下の一連の段階、すなわち、
（ａ）結晶性酸化ニッケルをベースとする少なくとも１つの薄層を含む反射防止コーティングを被着させる段階、次いで、
（ｂ）結晶性酸化ニッケルをベースとする薄層の上にそれと接触して、銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層を被着させる段階、
を含む、薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料を得るための方法。
【請求項２】
陰極スパッタリングが磁場により支援される、請求項１記載の材料を得るための方法。
【請求項３】
段階（ａ）の間に、
・エピタキシーによる結晶化を誘発することができる層を被着させ、そしてその後、
・酸化ニッケルをベースとする層を上に接触して被着させる、
請求項１又は２記載の材料を得るための方法。
【請求項４】
段階（ａ）の間に、
・結晶性酸化亜鉛をベースとする層を被着させ、そしてその後、
・酸化ニッケルをベースとする層を上に接触して被着させる、
請求項１〜３のいずれか１項記載の材料を得るための方法。
【請求項５】
段階（ａ）の間に、
・結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする層を被着させ、そしてその後、
・結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする前記薄層を結晶化熱処理に付してから、銀をベースとする機能性金属層を被着させる、
請求項１〜４のいずれか１項記載の材料を得るための方法。
【請求項６】
結晶性又は非結晶性酸化ニッケルをベースとする薄層の各点を３００℃以上の温度にすることができるエネルギーを与えることにより結晶化熱処理を行う、請求項５記載の材料を得るための方法。
【請求項７】
陰極スパッタリングによる被着のためのチャンバー中でスタックのすべての層を製造しそして結晶化熱処理を行う、請求項１〜６のいずれか１項記載の材料を得るための方法。
【請求項８】
薄層のスタックにより被覆された基材を４００℃より高い温度での熱処理に付す段階（ｃ）をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項記載の材料を得るための方法。
【請求項９】
銀をベースとする少なくとも１つの機能性金属層及び少なくとも２つの反射防止コーティングを、各機能性金属層が２つの反射防止コーティングの間に配置されるように含み、各反射防止コーティングが少なくとも１つの誘電体層を含む薄層のスタックにより被覆された透明基材を含む材料であって、前記スタックが、基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性金属層の下にそれと接触して位置している結晶性酸化ニッケルをベースとする層を少なくとも１つ含むことを特徴とする材料。
【請求項１０】
基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性層の下に位置している反射防止コーティングが、スズと亜鉛の酸化物をベースとする層から選ばれる、ドームタイプの欠陥を発生させうる誘電体層を含むことを特徴とする、請求項９記載の材料。
【請求項１１】
基材の表面に対して平行な｛２００｝等位面を有するように配向された複数の単結晶粒子を含む銀ベースの機能性層の下に位置している反射防止コーティングが、結晶性酸化ニッケルをベースとする層の下に位置してそれと接触している酸化亜鉛をベースとする安定化機能を有する誘電体層を含むことを特徴とする、請求項９又は１０記載の材料。
【請求項１２】
結晶性酸化ニッケルをベースとする層の厚さが少なくとも０．５ｎｍであることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項記載の材料。
【請求項１３】
結晶性酸化ニッケルをベースとする層の厚さが４ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか１項記載の材料。
【請求項１４】
前記スタックが、
・銀をベースとする機能性金属層の下に位置し、酸化亜鉛をベースとし安定化機能を有する少なくとも１つの誘電体層と、酸化亜鉛をベースとし安定化機能を有する該誘電体層と接触して位置する結晶性酸化ニッケルをベースとする少なくとも１つの層とを含む、反射防止コーティング、
・酸化ニッケルをベースとする前記層と接触して位置する銀をベースとする機能性金属層、
・銀をベースとする機能性金属層の上に位置する反射防止コーティング、
を含むことを特徴とする、請求項９〜１３のいずれか１項記載の材料。
【請求項１５】
前記スタックが、
・銀をベースとする前記機能性金属層と銀をベースとする該機能性金属層の上に位置する前記反射防止コーティングとの間のブロッキング上層、
・前記反射防止コーティングの上の上部保護層、
を含む、請求項１４記載の材料。
【請求項１６】
少なくとも、スタックにより被覆された基材が曲げ加工及び／又は焼き戻しされたガラスであることを特徴とする、請求項９〜１５のいずれか１項記載の材料。
【請求項１７】
基材がガラス製である、請求項９〜１６のいずれか１項記載の材料。
【請求項１８】
基材がソーダ石灰シリカガラス製である、請求項１７記載の材料。