【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低磁場磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）のために０．２Ｔ未満の磁場強度にあるＢ０磁場を生成するように構成されるＢ０磁石と、
少なくとも１つのラミネートパネルとを含み、
前記Ｂ０磁石は、巻回導体によって形成される並びに前記Ｂ０磁場に寄与するように構成される少なくとも１つの巻回Ｂ０コイルを有する、電磁石を含み、
前記少なくとも１つのラミネートパネルは、その上に形成される複数のコンポーネントを有し、該複数のコンポーネントは、
作動させられるときに、放射される磁気共鳴（ＭＲ）信号の空間符号化を提供して低磁場ＭＲＩを促進する磁場を形成するように或いは磁場に寄与するように構成される、少なくとも１つの勾配コイルと、
前記Ｂ０磁場に寄与するように構成される少なくとも１つのパターン化されたＢ０コイルとを含む、
低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２】
前記少なくとも１つのラミネートパネルは、第１のラミネートパネルと、第２のラミネートパネルとを含み、前記第１のラミネートパネル及び前記第２のラミネートパネルは、２平面構成において配置される、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの巻回Ｂ０コイルは、２平面構成において配置される、少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイルと少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルとを含む、請求項２に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項４】
前記第１のラミネートパネルは、前記Ｂ０磁石の視野の第１の側で前記少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイルに近接して配置され、前記第２のラミネートパネルは、前記Ｂ０磁石の前記視野の第２の側で前記少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルに近接して配置される、請求項３に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つのパターン化されたＢ０コイルは、前記Ｂ０磁場の同質性に影響を与えるよう、前記Ｂ０磁場に寄与するように構成される、少なくとも１つの補正コイルを含む、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つのラミネートパネルに形成される前記少なくとも１つの勾配コイルは、ｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向においてそれぞれ空間符号化をもたらすよう、少なくとも１つのｘ勾配コイルと、少なくとも１つのｙ勾配コイルと、少なくとも１つのｚ勾配コイルとを含む、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項７】
前記Ｂ０磁石、前記第１のラミネートパネル、及び前記第２のラミネートパネルを収容し且つ／或いは支持するように構成される、輸送可能な構造を更に含み、前記輸送可能なハウジングは、当該低磁場ＭＲＩシステムが所望の場所に輸送されることを可能にする、請求項４に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項８】
当該低磁場ＭＲＩシステムが前記所望の場所に運ばれるのを可能にするよう、前記構造に連結されるホイールを更に含む、請求項７に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項９】
当該低磁場ＭＲＩシステムを、当該低磁場ＭＲＩシステムを輸送するのに適した第１の構成から当該低磁場ＭＲＩシステムを作動させるのに適した第２の構成に変換することを容易にするよう、少なくとも１つの変換可能なコンポーネントを更に含む、請求項７に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１０】
前記Ｂ０磁石、前記第１のラミネートパネル、及び前記第２のラミネートパネルを支持し且つ収容するカートを更に含み、該カートは、所望の場所に押されることのできる運搬可能な低磁場ＭＲＩシステムをもたらす、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１１】
患者を支持するように構成される少なくとも１つの滑動コンポーネントを更に含み、該少なくとも１つの滑動コンポーネントは、患者が前記第１のラミネートパネルと前記第２のラミネートパネルとの間に位置付けられることを可能にする、請求項１０に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１２】
前記第１のラミネートパネルと前記第２のラミネートパネルとを支持するフレームと、
患者を前記第１のラミネートパネルと前記第２のラミネートパネルとの間に位置付ける調整可能なシートとを更に含む、
請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１３】
前記第１のラミネートパネル、前記第２のラミネートパネル、前記少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイル、及び前記少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルは、あるサイズに生成され、特定の解剖学的構造の低磁場ＭＲＩを容易にするよう互いに対して配置される、請求項４に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１４】
前記第１のラミネートパネル、前記第２のラミネートパネル、前記少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイル、及び少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルは、あるサイズに生成され、患者の頭部の低磁場ＭＲＩを容易にするよう互いに対して配置され、当該低磁場ＭＲＩシステムによって生成される前記Ｂ０磁場は、患者の脳を撮像するのに十分な視野を有する、請求項１３に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１５】
前記Ｂ０磁石は、約０．２Ｔ以下であり且つ約０．１Ｔ以上である強度を有するＢ０磁場を生成するように構成される、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１６】
前記Ｂ０磁石は、約０．１Ｔ以下であり且つ約５０ｍＴ以上である強度を有するＢ０磁場を生成するように構成される、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１７】
前記Ｂ０磁石は、約５０ｍＴ以下であり且つ約２０ｍＴ以上である強度を有するＢ０磁場を生成するように構成される、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１８】
前記Ｂ０磁石は、約２０ｍＴ以下であり且つ約１０ｍＴ以上である強度を有するＢ０磁場を生成するように構成される、請求項１に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項１９】
所定のパルスシーケンスに従って無線周波数信号を送信するように構成される少なくとも１つの無線周波数コイルを更に含み、
前記可搬式の構造は、
前記Ｂ０磁石、前記第１のラミネートパネル、前記第２のラミネートパネル、及び前記少なくとも１つの無線周波数コイルに給電するように構成される、１つ又はそれよりも多くのパワーコンポーネントと、
前記所定のパルスシーケンスに従って当該低磁場ＭＲＩシステムのコンポーネントを制御するように構成されるコンソールとを収容する、
請求項８に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの無線周波数コイルは、前記視野から放射される磁気共鳴信号に応答するように構成される少なくとも１つの受信コイルを含む、請求項１９に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの受信コイルによって受信される前記磁気共鳴信号内のノイズを抑制するために使用される１つ又はそれよりも多くのノイズ信号を取得するよう、前記視野の外側で前記視野の近接して位置付けられる、少なくとも１つの補助センサを含む、請求項２０に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２２】
前記コンソールは、ユーザが前記可搬式の構造にある当該低磁場ＭＲＩシステムを作動させるのを可能にする、ユーザインターフェースを含む、請求項１９に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２３】
前記第１のラミネートパネル及び前記第２のラミネートパネルは、それぞれ、約２０．３２ｃｍ×２０．３２ｃｍ以上の寸法を有する、請求項８に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２４】
前記第１のラミネートパネル及び前記第２のラミネートパネルは、それぞれ、約４０．６４ｃｍ×４０．６４ｃｍ以上の寸法を有する、
請求項２３に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２５】
前記第１のラミネートパネル及び前記第２のラミネートパネルは、それぞれ、約５５．８８ｃｍ×５５．８８ｃｍ以上の寸法を有する、
請求項２４に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２６】
少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイル及び少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルは、それぞれ、約２５．４ｃｍ以上であり且つ約１２７ｃｍ以下である内径と、約３８．１ｃｍ以上であり且つ約２０３．２ｃｍ以下である外径とを有する、請求項８に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの第１の巻回Ｂ０コイル及び前記少なくとも１つの第２の巻回Ｂ０コイルは、少なくとも１００回の巻きを有する銅導体で巻回される、請求項２６に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２８】
前記第１のラミネートパネルは、前記第１のラミネートパネルの少なくとも４個の別個のラミネート層の上に形成された第１の複数のパターン化されたＢ０コイルを含み、前記第２のラミネートパネルは、前記第２のラミネートパネルの少なくとも４個の別個のラミネート層の上に形成された第２の複数のパターン化されたＢ０コイルを含む、請求項４に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項２９】
前記第１のラミネートパネルは、前記第１のラミネートパネルの少なくとも１０個の別個のラミネート層の上に形成された第１の複数のパターン化されたＢ０コイルを含み、前記第２のラミネートパネルは、前記第２のラミネートパネルの少なくとも１０個の別個のラミネート層の上に形成された第２の複数のパターン化されたＢ０コイルを含む、
請求項４に記載の低磁場ＭＲＩシステム。
【請求項３０】
前記ｘ勾配コイルは、化学エッチングを介して、前記少なくとも１つのラミネートパネルの複数の層の上に形成され、
前記ｙ勾配コイルは、化学エッチングを介して、前記少なくとも１つのラミネートパネルの複数の層の上に形成され、
前記ｚ勾配コイルは、化学エッチングを介して、前記少なくとも１つのラミネートパネルの複数の層の上に形成される、
請求項６に記載の低磁場ＭＲＩシステム。