【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層を調製する方法であって、
半導体性ペロブスカイト物質又はその前駆体と、前記半導体性ペロブスカイト物質又はその前駆体よりも広いバンドギャップを有する材料とを含む溶液を混合し、次に、そうして形成された前記溶液から溶媒を除去することによって、前記半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子を得る工程を含み、
前記半導体性ペロブスカイトが、ＡＭＸ３構造を有するペロブスカイトを含み、Ａは一価カチオンであり、Ｍは二価カチオンであり、かつ、Ｘはハライドアニオンである、方法。
【請求項２】
半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層であって、
前記半導体性ペロブスカイトが、ＡＭＸ３構造を有するペロブスカイトを含み、Ａは一価カチオンであり、Ｍは二価カチオンであり、かつ、Ｘはハライドアニオンである、薄層。
【請求項３】
半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料が、１．５ｅＶより大きなバンドギャップを有する、請求項２に記載のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項４】
半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料が、絶縁材料及び半導体材料からなる群から選択され、
前記絶縁材料は、絶縁性ポリマー、絶縁性小有機分子、及び絶縁性無機材料から選択されることができ、好ましくは、絶縁性ポリマー又は絶縁性小有機分子は、極性ポリマー又は極性小有機分子であってよく、
前記絶縁材料は、ポリイミド、好ましくは、下記式：
【化１】
2018504787.tif 000001
を有する、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物４，４−オキシジアニリンｍ−フェニレンジアミンポリマー（ＰＩＰ）のポリアミック酸；ポリスチレン；式：
【化２】
2018504787.tif 000002
のポリ（９−ビニルカルバゾール）；式：
【化３】
2018504787.tif 000003
の小有機化合物４，４−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−１，１−ビフェニル；又はアルミナであってよい、請求項２又は３に記載のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項５】
（半導体性ペロブスカイトナノ粒子：前記半導体性ペロブスカイトナノ粒子が埋め込まれている、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料）の質量比が、０．０１：１〜２０：１であり、好ましくは０．１：１〜１０：１、好ましくは１：１〜５：１、最も好ましくは１：１〜２：１であり；かつ／あるいは
半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層の厚さが、５００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である、
請求項２〜４のいずれか一項に記載のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項６】
二価金属カチオンＭが、二価金属カチオン、好ましくはスズ（Ｓｎ２＋）又は鉛（Ｐｂ２＋）であり；かつ／あるいは、
一価カチオンＡが、
−  ［ＨＮＲ１Ｒ２Ｒ３］＋
（式中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のそれぞれは同じであるか異なり、水素、非置換又は置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、及び非置換又は置換Ｃ５〜Ｃ１８アリール基から選択される）
を有する一級、二級、又は三級のアンモニウムカチオン；及び／又は、
−  式：［Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＣＨ＝ＮＲ３Ｒ４］＋：
【化４】
2018504787.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４のそれぞれは同じであるか異なり、水素、非置換又は置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、及び非置換又は置換Ｃ５〜Ｃ１８アリール基から選択される）のカチオン；及び／又は
−  式：（Ｒ１Ｒ２Ｎ）（Ｒ３Ｒ４Ｎ）Ｃ＝ＮＲ５Ｒ６：
【化５】
2018504787.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６のそれぞれは同じであるか異なり、水素、非置換又は置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、及び非置換又は置換Ｃ５〜Ｃ１８アリール基から選択される）
のカチオン；及び／又は
−  アルカリ金属カチオン、好ましくは、セシウム（Ｃｓ＋）又はルビジウム（Ｒｂ＋）
であり；かつ／あるいは、
Ｘが、クロライド、ブロマイド、アイオダイド、及びフルオライドから選択されるハライドアニオンであり、ＡＭＸ３構造中、各ハライドは同じであっても異なっていてもよい、請求項２〜５のいずれか一項に記載のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項７】
ペロブスカイト物質が、
−  Ａ１−ｉＢｉＭＸ３構造を有し、
Ａ及びＢはそれぞれ請求項６において規定する一価カチオンであって、Ａ及びＢは異なり；
Ｍは請求項６において規定する二価金属カチオンであり；
Ｘは請求項６において規定するハライドアニオンであり；
ｉは０と１の間であるか、
−  ＡＭＸ３−ｋＹｋ構造を有し、
Ａは請求項６において規定する一価カチオンであり；
Ｍは請求項６において規定する二価金属カチオンであり；
Ｘ及びＹはそれぞれ請求項６において規定するハライドアニオンであって、Ｘ及びＹは異なり；
ｋは０と３の間であるか、
−  ＡＭ１−ｊＮｊＸ３構造を有し、
Ａは請求項６において規定する一価カチオンであり；
Ｍ及びＮはそれぞれ請求項６において規定する二価金属カチオンであり；
Ｘは請求項６において規定するハライドアニオンであって；
ｊは０と１の間であるか、あるいは、
−  Ａ１−ｉＢｉＭ１−ｊＮｊＸ３−ｋＹｋ構造を有し、
Ａ及びＢはそれぞれ請求項６において規定する一価カチオンであり、Ａ及びＢは異なり；
Ｍ及びＮはそれぞれ請求項４において規定する二価金属カチオンであり；
Ｘ及びＹはそれぞれ請求項６において規定するハライドアニオンであって、Ｘ及びＹは異なり；
ｉは０と１の間であり、ｊは０と１の間であり、ｋは０と３の間である、請求項２〜６のいずれか一項に記載のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項８】
請求項１に記載の方法にしたがって作成された、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有するマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層。
【請求項９】
固体発光素子又は太陽電池であって、
Ａ）第一の電荷注入層と結合された第一の電極；
第二の電荷注入層と結合された第二の電極；
半導体性ペロブスカイト物質を含む発光層
を含み、前記発光層が前記第一及び第二の電荷注入層の間に配置されており、
前記半導体性ペロブスカイト物質が、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層を構成しているか、あるいは、
Ｂ）電荷注入層と結合された第一の電極；
第二の電極；
半導体性ペロブスカイト物質を含む発光層
を含み、前記発光層が前記電荷注入層と第二の電極の間に配置され；
前記半導体性ペロブスカイト物質が、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層を構成している、固体発光素子又は太陽電池。
【請求項１０】
発光ダイオード又は太陽電池から選択される、請求項９に記載の固体発光素子又は太陽電池。
【請求項１１】
請求項９のＡ）に規定した固体発光素子の製造方法であって、以下の工程：
基材上に第一の電極を備えつける工程；
前記第一の電極上に第一の導電層を堆積させる工程；
前記第一の導電層の上に発光性半導体性ペロブスカイト層を堆積させる工程；
前記発光性半導体性ペロブスカイト層の上に第二の導電層を堆積させる工程；
前記第二の導電層の上に第二の電極を堆積させる工程
を含み、
前記半導体性ペロブスカイト層が、半導体性ペロブスカイト物質又はそのための前駆体と、半導体性ペロブスカイトナノ粒子又はそのための前駆体よりも広いバンドギャップを有する材料とを含む溶液を混合し、そうして形成された混合物を前記第一の導電層の上に堆積させ、次にそうして形成された混合物から溶媒を除去することによって、前記半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた所望する半導体性ペロブスカイトナノ粒子を得る工程によって得ることによって調製される、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子を含み、
−  第一の電極が、かつ透明導電性材料、好ましくはインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）の堆積によって形成されたアノードであってよく；かつ／あるいは
−  薄い絶縁層が、電荷注入層のいずれか又は両方と発光層との間に堆積されていてよく；かつ／あるいは
−  第一の導電層及び第二の導電層のうち少なくとも１つが半導体材料から形成されていてよく；かつ／あるいは
−  三酸化モリブデン及び三酸化タングステンから選択される材料の３０ｎｍ未満の薄層が、
透明導電性電極と半導体性ペロブスカイト層の間、
電荷注入層と導電性電極の間、
透明導電性電極と電荷注入層の間、
半導体性ペロブスカイト層と電荷注入層の間、又は
半導体性ペロブスカイト層と導電性電極の間
に堆積されていてよく；かつ／あるいは
−  層の堆積が、以下の堆積方法：真空熱蒸着、スピンコーティング、直接描画印刷（direct-write printing）、インクジェット印刷、リソグラフパターン形成、及び溶液堆積のうち１つ以上を用いて行われてよい、製造方法。
【請求項１２】
請求項９若しくは１０に記載の発光素子又は請求項１１に記載の方法で製造された発光素子を含む、ＬＥＤディスプレイを含む電子デバイス。
【請求項１３】
請求項２〜８のいずれか一項に記載されたか又は請求項１に記載の方法で製造されたマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層を含む、発光素子又は太陽電池。
【請求項１４】
請求項２〜８のいずれか一項に記載されたか又は請求項１に記載の方法で製造されたマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層の使用であって、
マトリクス中に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子に励起子エネルギーが移動することを容易にして、エレクトロルミネッセンスを促進させるための、あるいは、
固体発光素子の発光層の形成において、半導体性ペロブスカイト物質又はその前駆体に対する絶縁材料又はその前駆体の比を変えることによって、請求項９又は１０に記載の固体発光素子によって放射される波長を制御するための、使用。
【請求項１５】
発光リン光体の調製における、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド物に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層の使用。