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【手続補正書】
【提出日】平成30年10月11日(2018.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のスルフィット及び少なくとも１種の第三級アミンを含む触媒組成物。
【請求項２】
前記スルフィットは、ｉ）Ｍ2ＳＯ3（式中、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃｓの群から選択されるアルカリ金属である）、ｉｉ）ＭＳＯ3（式中、Ｍは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａの群から選択されるアルカリ土類金属である）；及びｉｉｉ）Ｍ2ＳＯ3（式中、Ｍは、一般式Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎの第四級アンモニウムイオンであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、線状、分枝状の、複素環を含む基を含む又は含まない、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、置換されたアルキル、アルケニル又はアルキルアリールである）の少なくとも１つの構造式を示す、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項３】
前記スルフィットは、亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2ＳＯ3）、亜硫酸カリウム（Ｋ2ＳＯ3）、亜硫酸リチウム（Ｌｉ2ＳＯ3）、亜硫酸セシウム（Ｃｓ2ＳＯ3）、亜硫酸カルシウム（ＣａＳＯ3）、亜硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ3）、亜硫酸テトラメチルアンモニウム［（Ｍｅ4Ｎ）2ＳＯ3］、亜硫酸テトラエチルアンモニウム［（Ｅｔ4Ｎ）2ＳＯ3］、亜硫酸テトラブチルアンモニウム［（Ｂｕ4Ｎ）2ＳＯ3］、亜硫酸トリメチルベンジルアンモニウム［（Ｍｅ3Ｎ−ＣＨ2−Ｃ6Ｈ5）2ＳＯ3］、亜硫酸セチルトリメチルアンモニウム［（Ｍｅ3Ｎ−（ＣＨ2）14−ＣＨ3）2ＳＯ3］、亜硫酸Ｎ−メチル−ピリジニウム［（Ｍｅ−Ｃ5ＮＨ5）2ＳＯ3］、及びジアルキルイミダゾリウム亜硫酸塩［（Ｒ2Ｃ3Ｎ2Ｈ3）2ＳＯ3］からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項２に記載の触媒組成物。
【請求項４】
前記スルフィットは、式（Ｘn）m（Ｙm）n［ＳＯ3］(m.n+n.m/2)を示し、前記式中、Ｘは、電荷ｎを示す金属カチオンであり、Ｙは、電荷ｍを示すアルキルアンモニウムイオン又はポリアルキルアンモニウムイオンであり、Ｘは、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｓ+、Ｂｅ2+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、及びＺｎ2+の群から選択され、ｎは、１〜４、好ましくは１〜３の整数であり、かつｍは、１〜６の整数である、請求項２に記載の触媒組成物。
【請求項５】
Ｙは、一般式Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎの少なくとも１種のアンモニウムカチオンを含む、請求項４に記載の触媒組成物。
【請求項６】
Ｙは、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ジベンジルジメチルアンモニウム、トリベンジルメチルアンモニウム、テトラベンジルアンモニウム、フェニルトリメチルアンモニウム、ジフェニルジメチルアンモニウム、トリフェニルメチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウム、及びジアルキルイミダゾリウム、トリエチレンジアミンを基礎とする第四級アンモニウムからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項５に記載の触媒組成物。
【請求項７】
前記スルフィットは、一般式［（Ｘn）m.w］［（Ｙm）n.z］［ＳＯ3］(m.n+n.m/2)を示し、前記式中、Ｘは、電荷ｎを示す金属カチオンであり、Ｙは、電荷ｍを示すアルキルアンモニウムイオン又はポリアルキルアンモニウムイオンであり、ｗ及びｚは、ｗ＋ｚ＝２で定義される任意の整数であり、かつｎ及びｍは１〜４の範囲にわたる、請求項２に記載の触媒組成物。
【請求項８】
Ｘカチオンは、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｓ+、Ｂｅ2+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、及びＺｎ2+であり；かつＹカチオンは、一般式Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎのアンモニウムカチオンである、請求項７に記載の触媒組成物。
【請求項９】
Ｙは、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ジベンジルジメチルアンモニウム、トリベンジルメチルアンモニウム、テトラベンジルアンモニウム、フェニルトリメチルアンモニウム、ジフェニルジメチルアンモニウム、トリフェニルメチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウム、ジアルキルイミダゾリウム、及びトリエチレンジアミンを基礎とする第四級アンモニウムからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項８に記載の触媒組成物。
【請求項１０】
前記組成物は、実質的に、アミン不含である、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項１１】
前記組成物は、実質的に、Ｓｎ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、及びＺｎを基礎とする金属化合物不含である、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項１２】
少なくとも１種のスルフィット触媒、水、少なくとも１種のポリオール、並びに相間移動触媒、少なくとも１種の第三級アミン触媒、及び少なくとも１種の金属触媒から選択される少なくとも１種を含む、組成物。
【請求項１３】
少なくとも１種のスルフィットを含む触媒の存在で、少なくとも１種のポリオールと少なくとも１種のイソシアナートとを接触させることを含む、ポリウレタンの製造方法。
【請求項１４】
前記触媒は、請求項２の触媒組成物を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリウレタンはフォームを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法により製造されたポリウレタンフォーム。
【請求項１７】
前記フォームは、硫黄約０．０２〜約０．６質量％を含む、請求項１６に記載のポリウレタンフォーム。
【請求項１８】
前記フォームは、VDA-278に従って測定した場合に、アミンエミッションを示さない、請求項１６に記載のポリウレタンフォーム。
【請求項１９】
前記フォームは、アルデヒドエミッションを示さない、請求項１６に記載のポリウレタンフォーム。
【請求項２０】
ｉ）Ｍ2ＳＯ3（式中、Ｍは、一般式Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎの第四級アンモニウムイオンであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、線状、分枝状の、複素環を含む基を含むか又は含まない、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、アルケニル、アリール、アルキルアリール、置換されたアルキル、アルケニル又はアルキルアリールである）、ｉｉ）式（Ｘn）m（Ｙm）n［ＳＯ3］(m.n+n.m/2)（式中、Ｘは、電荷ｎを示す金属カチオンであり、Ｙは、電荷ｍを示すアルキルアンモニウムイオン又はポリアルキルアンモニウムイオンであり、Ｘは、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｓ+、Ｂｅ2+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、及びＺｎ2+の群から選択され、ｎは、１〜４；好ましくは１〜３の整数であり、かつｍは、１〜６の整数である）を示すスルフィット、及びｉｉｉ）一般式［（Ｘn）m.w］［（Ｙm）n.z］［ＳＯ3］(m.n+n.m/2)（式中、Ｘは、電荷ｎを示す金属カチオンであり、Ｙは、電荷ｍを示すアルキルアンモニウムイオン又はポリアルキルアンモニウムイオンであり、ｗ及びｚは、ｗ＋ｚ＝２で定義される任意の整数であり、かつｎ及びｍは１〜４の範囲に及ぶ）を示すスルフィットからなる群から選択される少なくとも１つを含む触媒組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月11日(2018.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、
包み込み領域（１３０）によって包囲されるプラスチックライナー（１２０）および内部体積空間（１３３）を有する複合圧縮タンク容器（１００）と、
閉鎖末端（１５５）および解放基端（１６０）を具備する、プラスチック製、非カーボン性のブラインドボス（１５０）であって、当該閉止末端（１５５）が上記ライナーに固着されている、上記ブラインドボスと、
環状壁部（１６２）により包囲された、上記ブラインドボスのキャビティ（１６４）と、
上記ブラインドボスの上記キャビティ中に固着されたアンカー材料（２００）と、
上記アンカー材料中に固着されたＲＦＩＤ装置とを有することを特徴とする、追跡システム。
【請求項２】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、さらに、
上記ＲＦＩＤ装置中のメモリにストアされたデータと、
上記ＲＦＩＤ装置と信号通信を行うＲＦＩＤ読取器とを有し、
上記ＲＦＩＤ装置の上記メモリにストアされているデータが読みだされる、通信システム。
【請求項３】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、上記ブラインドボスは粗面化された内部環状壁部（１６２）を有する、追跡システム。
【請求項４】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、ブラインドボスはその内部環状壁部にネジ溝が形成される、追跡システム。
【請求項５】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、そのキャビティ内に突起（４５０）を有する、追跡システム。
【請求項６】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、さらに、部分的に上記キャビティ内において上記内部環状壁部と固着される挿入可能な端部スリーブ（５００）を有し、もって、上記スリーブが上記ブラインドボスの上記解放基端の直径を有効的に減少させる、追跡システム。
【請求項７】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、さらに、部分的に上記キャビティ内において上記内部環状壁部（１６２）に固着される挿入可能なプラグ（７００）を有し、もって、上記プラグが上記アンカー材料および上記ＲＦＩＤ装置を含む、追跡システム。
【請求項８】
請求項１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、さらに上記内部環状壁部上に付加的なアンカー材料（１７０）のコーティングを有する、追跡システム。
【請求項９】
請求項２記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の追跡システムにおいて、上記ＲＦＩＤ読取器が上記ＲＦＩＤ装置から読みだした情報をネットワーク（１１００）に供給する、追跡システム。
【請求項１０】
伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、
包み込み領域（１３０）によって包囲されるプラスチックライナー（１２０）および内部体積空間（１３３）を有する複合圧縮タンク容器（１００）と、
閉止末端において上記ライナーに固着され、解放基端（１６０）と、環状壁部（１６２）により包囲されたキャビティ（１６４）とを具備する、プラスチック製、非カーボン性のブラインドボス（１５０）と、
上記ブラインドボスの上記キャビティ中に固着されたアンカー材料（２００）と、
上記アンカー材料中に固着されたＲＦＩＤ装置と、
上記ＲＦＩＤ装置と信号通信を行うＲＦＩＤ読取器（１０００）とを有することを特徴とする、資産管理システム。
【請求項１１】
請求項１０記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、上記ＲＦＩＤ読取器がネットワーク（１１００）を通じてサーバ（１１２０）と信号通信を行い、上記ＲＦＩＤ装置から収集したデータを上記サーバに供給する、資産管理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、上記ＲＦＩＤ読取器は、約５メートルまでの距離で、上記ＲＦＩＤ装置と信号通信を行う、資産管理装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、上記ＲＦＩＤ読取器は、約１０メートルまでの距離で、上記ＲＦＩＤ装置と信号通信を行う、資産管理装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、上記ＲＦＩＤ読取器は、約１５メートルまでの距離で、上記ＲＦＩＤ装置と信号通信を行う、資産管理装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、上記サーバは供給された上記データを分析して上記データの少なくともいくつかをリモートのコンピュータ装置（１３００）に供給する、資産管理装置。
【請求項１６】
請求項１０記載の伝導性材料圧縮複合タンク用の資産管理システムにおいて、さらに、入力装置（１２００）を有し、上記入力装置（１２００）が上記ＲＦＩＤ読取器（１０００）と同時に、これに限定されないけれども、ｊｐｅｇ、ｍｐｅｇ、ジオグラフィック位置、温度、動力車ＩＤ、日付および時刻の１つまたは複数を含む他のデータを収集し、上記入力装置は上記他のデータを上記ネットワークを通じて上記サーバに供給する、資産管理装置。
【請求項１７】
複合伝導性圧縮タンクを追跡する方法において、
複合圧縮タンク容器のプラスチック製ライナーに、開放キャビティを具備するブラインドボスを固着または形成するステップと、
上記キャビティ中にアンカー材料を用いてＲＦＩＤを固着するステップと、
上記ＲＦＩＤ装置のメモリ中にデータをストアするステップと、
ストアされた上記データをＲＦＩＤ書き込み器／読取器で読み出すステップと、
収集されたデータをネットワークを通じてサーバに供給するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、上記ＲＦＩＤ書き込み器／読取器を用いて上記ＲＦＩＤ装置にデータを書き込むステップをさらに有する、方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、上記ＲＦＩＤ装置のデータの読出しと同時に入力装置を用いて他のデータをネットワークに供給するステップをさらに有し、上記他のデータは、ｊｐｅｇ、ｍｐｅｇ、ジオグラフィック位置、温度、動力車ＩＤ、視覚的検査のうちの少なくとも１つである、方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の方法において、上記アンカー材料は低誘電性を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気活性材料を含有する電気活性層；
該電気活性層に隣接する複合層よりなる電気化学セルに使用する電極であって、該複合層は、ポリマー材料および該ポリマー材料内に埋め込まれている多数の粒子よりなり、該多数の粒子は該複合層内のポリマー材料の平均厚さより大きな最大断面寸法を有し、該多数の粒子の少なくとも一部は電気活性層に直接接触しており、そして該複合層は電気活性材料のイオンに対して伝導性がある、上記電極。
【請求項２】
電気活性材料を含有する電気活性層；
該電気活性層に隣接する第１の表面および第２の表面を有する複合層、該複合層はポリマー材料を含有している；および
該複合層のポリマー材料内に埋め込まれている多数の粒子
よりなる電気化学セルに使用する電極であって、
該多数の粒子の少なくとも一部は、該複合層の第１の表面で該電気活性層と直接接触しており、そして、該多数の粒子の少なくとも一部は、該複合層の第２の表面で露出しており、そして
該複合層は電気活性材料のイオンに対して伝導性がある、
上記電極。
【請求項３】
電気活性材料を含有する電気活性層、該電気活性層の表面は１ミクロン以下の山谷粗さ（Ｒｚ）を有する；および
該電気活性層に隣接する複合層、該複合層はポリマー材料および該ポリマー材料内に埋め込まれている多数の粒子を含有する、
よりなる充電または放電前の電気化学セルに使用する電極。
【請求項４】
前記電気活性材料がリチウムよりなる、請求項１〜３いずれかに記載の電極。
【請求項５】
前記電気活性材料が少なくとも１ミクロンの表面粗さを有する、請求項１〜４いずれかに記載の電極。
【請求項６】
前記ポリマー材料がイオン伝導性ポリマーよりなる、請求項１〜請求項５いずれかに記載の電極。
【請求項７】
前記ポリマー材料が非イオン伝導性ポリマーよりなる、請求項１〜請求項６いずれかに記載の電極。
【請求項８】
前記ポリマー材料が、１０−８Ｓ／ｃｍ未満の電解質中におけるイオン伝導性を有する、請求項１〜請求項７いずれかに記載の電極。
【請求項９】
前記多数の粒子のそれぞれの一部が、複合層の第１の表面で電気活性層と直接接触している第１の部分、および複合層の第２の表面で露出している第２の部分よりなる、請求項１〜請求項８にいずれかに記載の電極。
【請求項１０】
前記多数の粒子が、ポリマー材料の厚さより大きい最長断面寸法を有する、請求項１〜請求項９いずれかに記載の電極。
【請求項１１】
前記多数の粒子が、少なくとも５００ｎｍの最小断面寸法を有する、請求項１〜請求項１０いずれかに記載の電極。
【請求項１２】
前記多数の粒子が、無機材料よりなる、請求項１〜請求項１１いずれかに記載の電極。
【請求項１３】
前記多数の粒子が、アルミニウムオキサイド、シリコンオキサイド、リチウムオキサイド、Ｌｉ１０ＭＰ２Ｓ１２（式中、Ｍは、Ｓｎ、Ｇｅ、またはＳｉである）、ガーネット型イオン伝導性セラミック、他のイオン伝導性無機材料およびそれらの混合物から選択される材料よりなる、請求項１〜請求項１２いずれかに記載の電極。
【請求項１４】
前記無機材料が、セラミックである、請求項１３に記載の電極。
【請求項１５】
前記多数の粒子がイオン伝導性材料よりなる、請求項１〜請求項１４いずれかに記載の電極。
【請求項１６】
前記多数の粒子が少なくとも１０−５Ｓ／ｃｍのイオン伝導性を有する、請求項１〜請求項１５いずれかに記載の電極。
【請求項１７】
前記多数の粒子が１０−１０Ｓ／ｃｍ未満の電子伝導性を有する、請求項１〜請求項１６いずれかに記載の電極。
【請求項１８】
前記多数の粒子が非多孔性である、請求項１〜請求項１７いずれかに記載の電極。
【請求項１９】
前記多数の粒子が、該多数の粒子の表面に結合した架橋性ポリマーよりなる、請求項１〜請求項１８いずれかに記載の電極。
【請求項２０】
複合層における前記多数の粒子に占められる容積が、全複合層の容積の１０容量％以上である、請求項１〜請求項１９いずれかに記載の電極。
【請求項２１】
前記複合層が、少なくとも１０−１０Ｓ／ｃｍ、少なくとも１０−８Ｓ／ｃｍ、または、少なくとも１０−５Ｓ／ｃｍの総括イオン伝導性を有する、請求項１〜請求項２０いずれかに記載の電極。
【請求項２２】
請求項１〜請求項２１いずれかに記載の電極よりなる電気化学セル。
【請求項２３】
前記電気化学セルが、リチウム-イオウ電気化学セルである、請求項２２記載の電気化学セル。
【請求項２４】
電気活性材料よりなる電気活性層の表面をポリマー材料でコーティングすること；
前記ポリマー材料の表面の少なくとも一部上に多数の粒子を配置すること；
前記多数の粒子に外圧を印加し、該多数の粒子の少なくとも一部をポリマー材料中に受け込み、それにより複合層を形成すること；
よりなる、電極を製造する方法であって、
前記多数の粒子の少なくとも一部が、電気活性層と直接接触しており、そして前記複合層が電気活性材料のイオンに対して伝導性である、該方法。
【請求項２５】
前記外圧が１０ｋｇ／ｃｍ２より大きい、請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ照明装置内での使用のためのリニアポストレギュレータであって、
ＬＥＤ照明負荷の端子と前記ＬＥＤ照明装置の電力変換器との間の接続のための制御ループカスケードと、
前記ＬＥＤ照明負荷を流れるＬＥＤ電流を調節するためのトランジスタと、
基準電流への接続のための第１の入力部と、
基準電流リップルへの接続のための第２の入力部と、
前記リニアポストレギュレータの電力制御出力を前記電力変換器に接続するための出力部と
を備え、
前記制御ループカスケードが、前記基準電流に基づいて前記ＬＥＤ電流を調節し、前記基準電流リップルに基づいて前記ＬＥＤ照明装置の電流リップルを調節するための、少なくとも２つの相互接続された制御ループを備える、リニアポストレギュレータ。
【請求項２】
前記基準電流リップルが基準電圧を含み、前記制御ループカスケードが、前記基準電圧に基づいて前記電力変換器の出力電圧を調節する、請求項１に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項３】
前記トランジスタに制御信号を供給するための第１の制御ループを備える、請求項１から２のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項４】
前記基準電流及び前記トランジスタを流れる電流に基づいて第１のループ基準電流を生成するための第２の制御ループを備える、請求項１から３のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項５】
前記制御信号が、前記第２の制御ループによって供給される前記第１のループ基準電流に基づいて生成される、請求項３又は４に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項６】
前記基準電流リップルと、前記リニアポストレギュレータの両端間の電圧とに基づいて前記電力変換器に電力制御出力を供給するための第３の制御ループを備える、請求項１から５のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項７】
前記トランジスタが、ＭＯＳＦＥＴ、好ましくはｎチャネルデプレッションモードＭＯＳＦＥＴを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項８】
制御ループが複数の演算増幅器を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータ。
【請求項９】
電源に接続するための単段電力変換器と、
複数のＬＥＤを備えるＬＥＤ照明負荷と、
前記ＬＥＤ照明負荷の端子と前記単段電力変換器の端子との間に接続された、請求項１から８のいずれか一項に記載のリニアポストレギュレータと、
基準電流及び基準電流リップルを前記リニアポストレギュレータに供給するための入力手段と
を備える、ＬＥＤ照明装置。
【請求項１０】
前記単段電力変換器が、力率補正を伴うスイッチモード電力変換器を含む、請求項９に記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項１１】
入力手段が前記ＬＥＤ照明装置内のローカル信号源に接続され、及び／又は入力手段がリモート信号源に接続される、請求項９又は１０に記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項１２】
ＬＥＤ照明装置のＬＥＤ照明負荷の電流をポストレギュレートする方法であって、
前記ＬＥＤ照明負荷の端子と前記ＬＥＤ照明装置の電力変換器との間の接続のための、少なくとも２つの相互接続された制御ループの制御ループカスケードと、前記ＬＥＤ照明負荷を流れるＬＥＤ電流を調節するためのトランジスタとを備えるポストレギュレータを設けるステップと、
基準電流への接続のための第１の入力部を前記ポストレギュレータに設けるステップと、
基準電流リップルへの接続のための第２の入力部を前記ポストレギュレータに設けるステップと、
前記基準電流に基づいて前記ＬＥＤ電流を調節し、前記基準電流リップルに基づいて前記ＬＥＤ照明装置の電流リップルを調節するために、前記制御ループカスケードを適用するステップと
を含む、方法。
【請求項１３】
前記基準電流リップルが基準電圧を含む場合、前記ポストレギュレータの調節損失が、前記制御ループカスケードの制御ループからの電力制御出力に基づいて制御される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延伸する少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤを含む金属組立体において、該少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤは、
−金属母材に埋め込まれた所定の温度領域内で超電導特性を呈する材料を含む超電導ワイヤと、
−該超電導ワイヤに被覆として配設された電気絶縁層とを含み、該電気絶縁層は、少なくとも107Ωmの比抵抗を有するポリマベースの絶縁体を含み、
該金属組立体はさらに、伝熱性材料を含む伝熱要素を含み、該伝熱性材料は、前記少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤを少なくとも部分的に囲繞して、前記金属組立体がコイル状に巻回された状態では等方性または実質的に等方性の熱伝導特性を呈する層として配設され、前記伝熱性材料は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、または銅およびアルミニウムを含む複合体から選択されることを特徴とする金属組立体。
【請求項２】
請求項１に記載の金属組立体において、前記伝熱要素は、平均層厚が前記少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤの等価直径の少なくとも0.2倍、好ましくは少なくとも0.5倍であることを特徴とする金属組立体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の金属組立体において、前記伝熱要素、および前記少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤ内の金属母材はともに、所定の温度領域内で超電導特性を呈する前記材料の体積の少なくとも２倍、好ましくは少なくとも５倍の体積を有することを特徴とする金属組立体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の金属組立体において、前記伝熱性材料は、高純度銅、高純度アルミニウム、または銅被覆アルミニウム複合体から選択されることを特徴とする金属組立体。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の金属組立体において、前記電気絶縁層は、少なくとも1010Ωmの比抵抗を有する絶縁体を含むことを特徴とする金属組立体。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の金属組立体において、前記ポリマベースの絶縁体は、ポリビニルアセタール樹脂（Formvar）、ポリエチレンイミン（PEI）、ポリエチレンテレフタラート（PET）、ガラス繊維、ポリエステル、およびポリイミド（PI）からなる群から選択されることを特徴とする金属組立体。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の金属組立体において、該金属組立体はさらに、前記伝熱要素に被覆として配設された高電気抵抗層を含むことを特徴とする金属組立体。
【請求項８】
請求項７に記載の金属組立体において、前記高電気抵抗層は、クロム、ニッケル、スズ、またはそれらの合金を含む金属層であることを特徴とする金属組立体。
【請求項９】
請求項７に記載の金属組立体において、前記高電気抵抗層は、セラミック、または、例えば酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化チタン、酸化ジルコニウムもしくはアルミナ−酸化チタンを含む酸化物層であることを特徴とする金属組立体。
【請求項１０】
請求項７に記載の金属組立体において、前記高電気抵抗層は電気絶縁性有機ポリマフィルムであることを特徴とする金属組立体。
【請求項１１】
請求項１ないし10のいずれかに記載の金属組立体において、該金属組立体は、ワイヤ・イン・チャネル構造として構成され、前記少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤは、前記伝熱要素にある長手方向溝に配設されていることを特徴とする金属組立体。
【請求項１２】
請求項１ないし10のいずれかに記載の金属組立体において、前記伝熱要素は、前記少なくとも１つの絶縁型超電導ワイヤ全体を囲繞する層として配設されていることを特徴とする金属組立体。
【請求項１３】
請求項１ないし12のいずれかに記載の金属組立体において、該金属組立体はさらに、該金属組立体の最外側に配設された金属メッシュを含むことを特徴とする金属組立体。
【請求項１４】
請求項１ないし13のいずれかに記載の金属組立体を含むことを特徴とする電磁石用コイル。
【請求項１５】
請求項14に記載のコイルを含むことを特徴とする伝導冷却電磁石。
【請求項１６】
請求項14に記載のコイルを含むことを特徴とする寒剤冷却電磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月18日(2018.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を研磨するように構成されている研磨面を有する研磨パッドであって、
各々が約４０℃以上のガラス遷移温度を有する第１のポリマー材料を含む複数の第１の研磨要素であって、前記第１の研磨要素のそれぞれの表面が前記研磨面の少なくとも一部を形成する、複数の第１の研磨要素と、
約４０℃より低いガラス遷移温度を有する第２のポリマー材料を含む一又は複数の第２の研磨要素であって、前記一又は複数の第２の研磨要素の少なくとも１つの領域が、前記複数の第１の研磨要素のうちの少なくとも１つと前記研磨パッドの支持面との間に配置されている、一又は複数の第２の研磨要素と
を含む、研磨パッド。
【請求項２】
前記一又は複数の第２の研磨要素の少なくとも一部が、前記第１の研磨要素のそれぞれの間に配置されている、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記第１のポリマー材料が、第１の樹脂前駆体と第２の樹脂前駆体との第１の混合物から形成されており、
前記第１の樹脂前駆体が、硬化されたとき、約４０℃以上のガラス遷移温度を有し、
前記第２の樹脂前駆体が、硬化されたとき、約４０℃より低いガラス転移温度を有し、
前記第１の混合物が、前記第２の樹脂前駆体より大きい量の前記第１の樹脂前駆体を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記第２のポリマー材料が、前記第１の樹脂前駆体と前記第２の樹脂前駆体との第２の混合物から形成されており、
前記第２の混合物が、前記第１の樹脂前駆体より大きい量の前記第２の樹脂前駆体を含む、
請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記第１の樹脂前駆体が、２以上の官能基数を有する、請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項６】
前記第１のポリマー材料が、２％を上回る架橋密度を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記第１のポリマー材料が、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート、及びそれらのコポリマーから成る群から選択されたポリマーを含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項８】
前記第１の研磨要素の前記第１のポリマー材料と前記第２の研磨要素の前記第２のポリマー材料との間の界面が、前記第１のポリマー材料と前記第２のポリマー材料との混合物である濃度勾配を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項９】
前記第１のポリマー材料が、前記第２のポリマー材料より大きい貯蔵弾性率を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
一又は複数の基板観察窓を更に含み、前記基板観察窓が、前記一又は複数の第２の研磨要素の１つの少なくとも一部を通って形成されており、前記基板観察窓の透過率が、２８０ｎｍから８００ｎｍの波長内の電磁放射に対して３５％より大きい、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
前記複数の第１の研磨要素及び前記一又は複数の第２の研磨要素の各々が、前記研磨面に垂直な方向の厚さが０．１から１ｍｍである複数の硬化された層を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１２】
前記第１のポリマー材料が第１の液滴組成物から形成され、前記第２のポリマー材料が第２の液滴組成物から形成されており、前記第１の液滴組成物が、前記第２の液滴組成物が含む重量より多くの重量の、２以上の官能基数を有する樹脂前駆体を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１３】
基板の表面を研磨するように構成されている研磨面を有する研磨パッドであって、
各々が約４０℃以上のガラス遷移温度を有する第１のポリマー材料を含む複数の第１の研磨要素であって、前記第１の研磨要素のそれぞれの表面が前記研磨面の少なくとも一部を形成し、前記第１のポリマー材料が第１の樹脂前駆体と第２の樹脂前駆体との硬化された第１の混合物を含む、複数の第１の研磨要素と、
約４０℃より低いガラス遷移温度を有する第２のポリマー材料を含む一又は複数の第２の研磨要素であって、前記第２のポリマー材料が前記第１の樹脂前駆体と第３の樹脂前駆体との硬化された第２の混合物を含む、一又は複数の第２の研磨要素と
を含み、
前記一又は複数の第２の研磨要素の少なくとも１つの領域が、前記複数の第１の研磨要素のうちの少なくとも１つと前記研磨パッドの支持面との間に配置されている、研磨パッド。
【請求項１４】
前記第１の研磨要素のそれぞれと前記一又は複数の第２の研磨要素の一部の間に形成された界面が、前記研磨面から前記一又は複数の第２の研磨要素に至る方向において、前記第１のポリマー材料から前記第２のポリマー材料への組成勾配を含む、請求項１３に記載の研磨パッド。
【請求項１５】
前記第１の樹脂前駆体が、硬化されたとき、約４０℃以上のガラス遷移温度を有し、
前記第２の樹脂前駆体及び前記第３の樹脂前駆体が、硬化されたとき、約４０℃より低いガラス遷移温度を有し、
前記第１の混合物が、前記第２の樹脂前駆体より大きい量の前記第１の樹脂前駆体を含む、
請求項１３に記載の研磨パッド。
【請求項１６】
前記第２の混合物が、前記第１の樹脂前駆体よりも大きい量の前記第３の樹脂前駆体を含む、請求項１５に記載の研磨パッド。
【請求項１７】
前記第１の樹脂前駆体が、２以上の官能基数を有する、請求項１５に記載の研磨パッド。
【請求項１８】
前記第１のポリマー材料が、２％を上回る架橋密度を有する、請求項１７に記載の研磨パッド。
【請求項１９】
第１のポリマー材料が、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート、及びそれらのコポリマーから成る群から選択されたポリマーを含む、請求項１３に記載の研磨パッド。
【請求項２０】
前記第１のポリマー材料が第１の液滴組成物から形成され、前記第２のポリマー材料が第２の液滴組成物から形成され、前記第１の液滴組成物が、前記第２の液滴組成物が含む重量より多くの重量の、２以上の官能基数を有する樹脂前駆体を含む、請求項１３に記載の研磨パッド。
【請求項２１】
前記複数の第１の研磨要素が複数の順次形成されたポリマー層を含み、
前記ポリマー層のそれぞれが、前記ポリマー層のそれぞれにおいて第１のパターンで位置決めされた複数の第１の液滴と、前記ポリマー層のそれぞれにおいて第２のパターンで位置決めされた複数の第２の液滴とから形成され、前記ポリマー層のそれぞれにおける前記第１の液滴のパターンと前記第２の液滴のパターンは部分的に重なり、
前記第２の液滴に対する前記第１の液滴の比率は１より大きく、
前記第１の液滴が、硬化されたとき、４０℃以上のガラス遷移温度（Ｔｇ）を有する樹脂前駆体を含み、
前記第２の液滴が、硬化されたとき、４０℃より低いガラス遷移温度（Ｔｇ）を有する樹脂前駆体を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月16日(2018.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース導体とドレイン導体との間に、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗを有する無機酸化膜半導体チャネルを備えるトランジスタデバイスであって、前記無機酸化膜半導体チャネルは、前記無機酸化膜半導体チャネルと接している有機ポリマー誘電体を介してゲート導体に容量的に結合されており、前記ゲート導体および前記ドレイン導体が同じ電位に維持されている間に１４時間の期間にわたって前記ソース導体と前記ドレイン導体との間に少なくともＸ  ｎＡの定電流を維持するために必要とされるゲート電圧は、１Ｖ未満、好ましくは約０．２Ｖ未満だけ変化し、ＸはＷ／Ｌ比に５０を乗算した値に等しい、トランジスタデバイス。
【請求項２】
前記半導体チャネルは、有機ポリマー誘電体材料のみから構成されているゲート誘電体によって、前記ゲート導体に容量的に結合されている、請求項１に記載のトランジスタデバイス。
【請求項３】
電源および発光材料と直列に接続されているソース導体および駆動導体を備える駆動トランジスタを介して、前記発光材料を通る電流を制御することによって動作可能な発光デバイスであって、前記駆動トランジスタは、無機酸化膜半導体チャネルを備え、前記無機酸化膜半導体チャネルは、前記無機酸化膜半導体と接している有機ポリマー誘電体を介してゲート導体に容量的に結合されている、発光デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の発光デバイスを生成する方法であって、溶液ベースの処理によって前記無機酸化膜半導体および前記有機ポリマー誘電体の堆積物を形成するステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の発光デバイスを動作させる方法であって、前記発光材料および前記駆動トランジスタに少なくともＸ  ｎＡの電流を通すステップを含み、Ｘは前記駆動トランジスタのＷ／Ｌ比に５０を乗算した値に等しい、方法。
【請求項６】
ソース導体とドレイン導体との間に無機酸化膜半導体を備えるトランジスタデバイスであって、前記無機酸化膜半導体は、前記半導体と接しており、１ｋＨｚにおいて少なくとも５、好ましくは約４０よりも大きい誘電率を呈する有機ポリマー誘電体を介してゲート導体に容量的に結合されている、トランジスタデバイス。
【請求項７】
トランジスタデバイスを生成する方法であって、金属有機前駆体の溶液から酸化膜半導体チャネル材料の堆積物を形成するステップと、１５０℃と３５０℃との間の温度において水の存在下で前駆体薄膜をアニーリングするステップと、前記酸化膜半導体チャネルの上に有機ポリマーゲート誘電体を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項８】
８０℃未満の最大処理温度による堆積プロセスによって前記有機ポリマーゲート誘電体を堆積するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属有機前駆体は、アルコールまたは水溶媒中に溶解されている金属アルコキシドまたは金属硝酸塩である、請求項７または８に記載のトランジスタデバイスを生成する方法。
【請求項１０】
前記酸化膜半導体チャネル材料は、前記ポリマーゲート誘電体の堆積後に、少なくとも１０％の金属水酸化物種を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載のトランジスタデバイスを生成する方法。
【請求項１１】
少なくとも２つのトランジスタデバイスを備える電子デバイスであって、第１のトランジスタデバイスは、無機酸化膜半導体チャネルを備え、第２のトランジスタデバイスは、有機ポリマー半導体チャネルを備え、前記無機酸化膜半導体チャネルと前記有機ポリマー半導体チャネルは両方とも、前記無機酸化膜半導体チャネルと前記有機ポリマー半導体チャネルの両方に接している共通の有機ポリマー誘電体を介して、それぞれのゲート導体に容量的に結合されている、電子デバイス。
【請求項１２】
前記第１のトランジスタデバイスの前記ゲート導体および前記ドレイン導体が同じ電位に維持されている間に、１４時間の期間にわたって一定の条件下で前記第１のトランジスタデバイスの前記ソース導体と前記ドレイン導体との間で少なくともＸ  ｎＡの定電流を維持するために必要とされるゲート電圧は、１Ｖ未満、好ましくは約０．２Ｖ未満だけ変化し、Ｘは、Ｗ／Ｌ比に５０を乗算した値に等しい、請求項１１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
無機酸化膜半導体チャネルを備えるトランジスタデバイスであって、前記無機酸化膜半導体チャネルは、前記無機酸化膜半導体チャネルと接しているポリマー強誘電体を介してゲート導体に容量的に結合されている、トランジスタデバイス。
【請求項１４】
酸化膜半導体材料の前駆体の堆積物を形成するステップと、最初に第１の温度において酸素の存在下で、その後、前記第１の温度よりも低い第２の温度において酸素がない状態で、前記前駆体堆積物をアニーリングするステップとを含む、方法。
【請求項１５】
前記第１の温度は２３０〜２７５℃の範囲内であり、前記第２の温度は８０〜１００℃の範囲内である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月30日(2018.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバ装置部を含むＬＥＤランプであって、
前記ドライバ装置部は、
ＬＥＤ照明システムのワイヤレス通信装置部から受信される受信信号に従って前記ＬＥＤランプを制御する制御ユニットと、
前記ドライバ装置部のドライバへの位相カット入力を検出する位相カット検出器と、
前記位相カット入力の位相カット角が臨界閾値を超える限り、前記ＬＥＤランプの前記位相カット入力への暴露を阻止することによって、前記位相カット入力を用いる前記ＬＥＤランプの動作を阻止する保護回路と、
を含む、ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記位相カット検出器は、位相カット調光器の位相カット角を検出する、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記位相カット検出器は、不足電圧検出回路を含む、請求項１又は２に記載のＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記位相カット検出器は、過電流検出器回路を含む、請求項１又は２に記載のＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記位相カット検出器は、ドライバ電流モニタリング回路を含む、請求項２乃至４の何れか一項に記載のＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記保護回路は、前記ＬＥＤランプを、スタンバイ動作モードにおき、及び／又は、前記保護回路は、遠隔制御される調光器デバイスに、ワイヤレス通信装置部を介して、位相カット角補正信号を発する、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項７】
ＬＥＤ照明システムのデバイス間での信号のワイヤレス伝送のためのワイヤレス通信装置部と、主電源に接続可能であり、請求項１乃至６の何れか一項に記載のＬＥＤランプの少なくとも１つと、を含む、ＬＥＤ照明システム。
【請求項８】
遠隔制御される調光器デバイスを含み、前記保護回路は、前記遠隔制御される調光器デバイスに、前記ワイヤレス通信装置部を介して、位相カット角補正信号を発する、請求項７に記載のＬＥＤ照明システム。
【請求項９】
前記ＬＥＤ照明システムのデバイスは、ジグビー（登録商標）仕様に従って通信する、請求項７又は８に記載のＬＥＤ照明システム。
【請求項１０】
ＬＥＤ照明システムを制御する方法であって、
前記ＬＥＤ照明システムのデバイス間での信号のワイヤレス伝送のためのワイヤレス通信装置部を提供するステップと、
主電源に接続可能な少なくとも１つのＬＥＤランプであって、受信信号に従って前記少なくとも１つのＬＥＤランプを制御する制御ユニットを有するドライバ装置部を含む、前記少なくとも１つのＬＥＤランプを提供するステップと、
前記少なくとも１つのＬＥＤランプへの位相カット入力を検出するステップと、
前記位相カット入力の位相カット角が臨界閾値を超える限り、前記少なくとも１つのＬＥＤランプの前記位相カット入力への暴露を阻止することによって、前記位相カット入力を用いる前記少なくとも１つのＬＥＤランプの動作を阻止するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記位相カット入力を用いる前記少なくとも１つのＬＥＤランプの動作を阻止する前記ステップは、前記ＬＥＤ照明システムのユーザの通信デバイス上で動作するソフトウェアアプリケーションによる提示のために、前記ワイヤレス通信装置部を介するメッセージを発するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記メッセージは、前記ＬＥＤ照明システムの設定を補正する際に、前記ユーザを支援する一組の命令を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＬＥＤ照明システムのユーザに対して、視覚的な警告を発生するように前記少なくとも１つのＬＥＤランプを駆動するステップを含む、請求項１０乃至１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＬＥＤ照明システムの遠隔制御される調光器デバイスの前記位相カット角を最小値に調節するように、前記遠隔制御される調光器デバイスに、前記ワイヤレス通信装置部を介する位相カット角補正信号を発するステップを含む、請求項１０乃至１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＬＥＤランプへの許容可能な入力を検出するステップと、
前記許容可能な入力を使用する前記少なくとも１つのＬＥＤランプの動作を再開するステップと、
を含む、請求項１０乃至１４の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月18日(2018.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）照明要素と、
ｂ）前記照明要素に隣接して配置された又は接続された延伸架橋半結晶性ポリマーと、
ｃ）前記照明要素と電気的に通信している制御機構と、を備える照明器具であって、
前記制御機構は、前記照明要素のエネルギー出力と、前記延伸架橋半結晶性ポリマーの温度と、を制御する、照明器具。
【請求項２】
前記制御機構と電気的に通信している加熱要素を更に備える、請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記制御機構が、前記照明要素の前記エネルギー出力、加熱要素、又はこれらの組み合わせから前記延伸架橋半結晶性ポリマーに印加される熱量を制御することによって前記延伸架橋半結晶性ポリマーの温度を制御する、請求項１又は２に記載の照明器具。
【請求項４】
前記照明要素が、前記延伸架橋半結晶性ポリマーに取り付けられており、
前記照明要素の重量が、前記延伸架橋半結晶性ポリマーによって支持されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項５】
前記延伸架橋半結晶性ポリマーが、弾性材料に積層されて架橋半結晶性積層品を形成し、
前記弾性材料が、１℃につき５０×１０−６未満の膨張係数を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項６】
前記架橋半結晶性積層品が、前記照明要素を少なくとも部分的に取り囲むシェードを形成する、請求項５に記載の照明器具。
【請求項７】
前記延伸架橋半結晶性ポリマーは、前記延伸架橋半結晶性ポリマーの前記温度の変化により、前記照明要素の位置に影響を及ぼす、請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項８】
前記積層品が、前記延伸架橋半結晶性ポリマーの前記温度の変化により、前記照明要素から放出される光の方向に影響を及ぼす、請求項５又は６に記載の照明器具。
【請求項９】
前記制御機構が、１つの回路を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１０】
前記制御機構が、調光スイッチを備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１１】
前記延伸架橋半結晶性ポリマーは、ポリエチレン、ポリエチレン−ｃｏ−ビニルアセテート、放射線架橋ポリシクロオクテン、ポリウレタン、ポリアミド及びポリラクチドから選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１２】
前記延伸架橋半結晶性ポリマーが、二方向形状記憶ポリマーである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の照明器具。
【請求項１３】
ａ）照明要素を用意することと、
ｂ）架橋半結晶性ポリマーを形成することと、
ｃ）前記架橋半結晶性ポリマーを前記照明要素に隣接して配置するか、又は前記架橋半結晶性ポリマーを前記照明要素に接続することと、
ｃ）制御機構を前記照明要素と電気的に接続することと、を含む照明器具の製造方法であって、
前記制御機構が、前記照明要素のエネルギー出力と、前記架橋半結晶性ポリマーの温度と、を制御する、方法。
【請求項１４】
前記架橋半結晶性ポリマーを形成することが、前記架橋半結晶性ポリマーを、延伸前の前記架橋半結晶性ポリマーの長さを少なくとも５０％超える長さまで延伸することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月26日(2018.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１色の光を放射し、第１ピーク波長を有する第１発光ダイオードと；
前記第１色の光を放射し、前記第１ピーク波長とは異なる第２ピーク波長を有する第２発光ダイオードと；
前記第１色とは異なる第２色の紫外光を放射する第３発光ダイオードと；
前記第１発光ダイオード、前記第２発光ダイオード及び前記第３発光ダイオードに整合して配置された波長変換素子であり、該波長変換素子の一部が前記第３発光ダイオードに整合して配置され紫外光を吸収して赤色光を放出する、波長変換素子と；
を含む照明システム。
【請求項２】
前記第１ピーク波長と前記第２ピーク波長とが少なくとも10nmだけ異なる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記波長変換素子が蛍光体を含み、
該蛍光体が、前記第１ピーク波長における第１吸収と、前記第２ピーク波長における第２吸収とを含み、前記第１吸収は前記第２吸収とは異なる、
請求項１に記載の照明システム。
【請求項４】
前記波長変換素子は、第１蛍光体及び第２蛍光体を含み；
前記第１蛍光体は前記第１色の光を放射し、前記第２蛍光体は前記第１色とは異なる前記第２色の光を放射する；
請求項１に記載の照明システム。
【請求項５】
前記第１蛍光体は紫外光を吸収し、赤色光を放射する、
請求項４に記載の照明システム。
【請求項６】
前記第２蛍光体は、前記第３発光ダイオードによって放射される光に応答して光を放射することはしない、請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
前記第１蛍光体及び前記第２蛍光体が単一の層で混合される、請求項４に記載の照明システム。
【請求項８】
前記第１蛍光体が第１層に配置され、前記第２蛍光体が前記第１層とは別個の第２層に配置される、請求項４に記載の照明システム。
【請求項９】
前記第１ピーク波長は、431〜441nmの間にあり；
前記第２ピーク波長は、452nm〜462nmの間にあり；
前記波長変換素子はYAG：Ceを含む、
請求項１に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記第２発光ダイオードを起動させずに前記第１発光ダイオード及び前記第３発光ダイオードを同時に起動させ、前記第１発光ダイオードを起動させずに前記第２発光ダイオード及び前記第３発光ダイオードを同時に起動させる制御回路を更に含む、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードが青色光を放射する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記第３発光ダイオードによって放射される光の一部を反射又は吸収するフィルタをさらに備え、
前記波長変換素子は、前記フィルタと前記第３発光ダイオードとの間に配置される、
請求項1に記載の照明システム。
【請求項１３】
第１色の光を放射し、第１ピーク波長を有する第１発光ダイオードと；
前記第１色の光を放射し、前記第１ピーク波長とは異なる第２ピーク波長を有する第２発光ダイオードと；
前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードに整合し、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードから離れて配置された波長変換素子と；
を含む照明システム。
【請求項１４】
前記第１ピーク波長及び前記第２ピーク波長が少なくとも10nmだけ異なる、請求項１３に記載の照明システム。
【請求項１５】
さらに第３発光ダイオードを含む請求項１３に記載の照明システムであり、
前記波長変換素子は、第１蛍光体及び第２蛍光体を有し；
前記第１蛍光体は前記第１色の光を放射し、前記第２蛍光体は前記第１色とは異なる第２色の光を放射し、；かつ
前記波長変換素子は、前記第３発光ダイオードに整合して配置される；
照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーオーバーイーサネット（ＰｏＥ）システムにおいて給電機器（ＰＳＥ）に結合可能な受電デバイス（ＰＤ）のためのインタフェース回路であって、
前記ＰＤ内の負荷に接続されるときに前記ＰＳＥからの電流が流れる第１のレジスタに結合されるコンパレータであって、前記負荷電流を判定し、前記負荷電流を表す出力信号を生成するために、前記第１のレジスタの電圧降下を測定するように構成される、前記コンパレータと、
スイッチ制御信号とイネーブル信号とを生成するために前記出力信号に応答するタイミングロジックと、
保持電力シグネチャ（ＭＰＳ）要件を満たすようにより正確な電流パルスを生成するために前記第１のレジスタの電流経路において第２のレジスタを挿入するためにスイッチ制御信号の１つに応答するスイッチと、
負荷に給電するために前記ＰＤにより引き出される電流と共に、前記ＰＤへの電力が維持されることを前記ＰＳＥに示す、充分な大きさの負荷パルスを自動的に生成するために、前記電流経路に結合され、前記イネーブル信号に応答するエラー増幅器と、
を含む、インタフェース回路。
【請求項２】
請求項１に記載のインタフェース回路であって、
前記第１のレジスタと直列に結合され、前記負荷への電流を制限するための電流制限回路に結合されるゲートを有する第１のトランジスタと、
前記第２のレジスタと直列に結合される第２のトランジスタと、
を更に含み、
前記スイッチが、前記第１のトランジスタをディセーブルし、前記第２のトランジスタのゲートを前記電流制限回路に結合する、インタフェース回路。
【請求項３】
請求項１に記載のインタフェース回路であって、
前記インタフェース回路が一般ＬＥＤ照明に電力を提供する、インタフェース回路。
【請求項４】
請求項１に記載のインタフェース回路であって、
前記負荷パルスが所定の期間と間隔とを有する、インタフェース回路。
【請求項５】
請求項１に記載のインタフェース回路であって、
前記第１のレジスタが低値シャントであり、前記第２のレジスタが少なくとも前記第１のレジスタの抵抗より高次の大きさを有する、インタフェース回路。
【請求項６】
パワーオーバーイーサネット（ＰｏＥ）システムのための受電デバイス（ＰＤ）のためのインタフェース回路であって、
前記ＰＤにおいて負荷電流を測定し、前記負荷電流を基準と比較し、出力信号を生成するコンパレータと、
イネーブル信号を生成するために前記出力信号に応答するタイミングロジック回路と、
基準に基づいて出力電圧を生成するために前記イネーブル信号に応答するエラー増幅器と、
給電機器（ＰＳＥ）が前記ＰＤへの電力供給を維持するためであることを前記ＰＳＥに自動的に示すために前記ＰＤが前記ＰＳＥに結合されるときに電流パルスを引き出すために前記エラー増幅器の出力に結合されるレジスタと、
を含む、インタフェース回路。
【請求項７】
請求項６に記載の前記インタフェース回路であって、
前記負荷電流の大きさが外部レジスタにより制御される、インタフェース回路。
【請求項８】
請求項６に記載の前記インタフェース回路であって、
一般ＬＥＤ照明に電力を提供する、インタフェース回路。
【請求項９】
ＬＥＤ一般照明負荷を有するパワーオーバーイーサネット（ＰｏＥ）受電デバイス（ＰＤ）を動作させる方法であって、
所定の限界を下回る負荷電流を検出することと、
前記ＰＤへの電力が維持されるべきであることを前記ＰＤに電力を供給する給電機器（ＰＳＥ）にシグナリングするために保持電力シグネチャ（ＭＰＳ）パルスを自動的に生成することと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ＭＰＳパルスが所定の期間と間隔とを有する、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記ＭＰＳパルスが、前記ＰＤ上の総負荷電流と規格により要求される最小電流との差に等しい大きさを有する、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記ＰＤが省電力モードに入り得、その場合でも、局地的起動要求に応答するために前記ＰＤの機能性を維持するために充分な電力を受信し得る、方法。