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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を処理する方法であって、
ドーパントを含む第１の粒子組と、研磨剤を含む第２の粒子組を、少なくとも１つの流体ジェットから実質的に同時に前記基材の表面に、前記基材の前記表面に前記ドーパントを含浸させるために供給することを含み、
前記ドーパントは、前記基材の前記表面に又は前記表面上に接着促進プライマーコーティングを形成するような接着促進種を含む、方法。
【請求項２】
前記接着促進種は、ＰＴＦＥ等のフルオロポリマー、テフロン（Teflon）等のペルフルオロアルコキシ材料、ポリフッ化ビニリデン、ペルフルオロポリエーテル、ペルフルオロ化エラストマー、又はポリフッ化ビニルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接着促進種は、シラン、シロキサン、アクリレート、エポキシ、水素結合したケイ素化合物、又はビニル、ペルオキシエステル、ペルオキシド、アセテート、若しくはカルボキシレートの官能基を１つ以上含む材料を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記プライマーコーティングは第１の層を形成し、前記方法は、前記第１の層に第２の層をつけることをさらに含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の層は、スクラッチ防止層である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の層は、腐食防止層である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の層は、接着性層である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の層は、固体の低摩擦層である、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の層は、ノンスティック表面である、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着促進プライマーコーティングは、前記ドーパントのラミネート層が生じないような性質を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記基材は金属基材であり、
金属表面を暴露させるために、前記基材の前記表面から金属酸化物を、前記第１の粒子組の前記供給と実質的に同時に前記第２の粒子組で前記金属酸化物を研磨性ブラスト加工することにより除去することをさらに含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記接着促進種は、前記基材の前記表面に化成コーティングを形成する、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記接着促進種は、前記基材に化学的に結合されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基材は金属基材であり、
前記第２の粒子組の前記供給を介して、前記金属基材の前記表面を加工硬化することをさらに含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記基材は金属基材であり、
前記第２の粒子組の前記供給を介して、前記金属基材の前記表面に圧縮応力を導入することをさらに含む、請求項１から１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインプロセスから非凝縮性ガスを除去するための方法であって、
前記メインプロセスは、凝縮性作動媒体と、高温の気体状作動媒体を生成するための熱交換器（５２）と、気体状の作動媒体から前記作動媒体を凝縮された作動媒体に凝縮するための熱交換器（５２）とを含む、閉ループ熱力学プロセスから本質的になり、前記方法は、前記作動媒体を凝縮するための少なくとも１つの付加凝縮容器（７）を使用して行われ、前記凝縮容器（７）は、弁（１）を介して通気ライン（２３）に接続されかつ弁（２，３，４）を通して前記メインプロセスの前記メイン凝縮容器（５０）と接続され、
前記方法が、少なくとも以下のステップ：
a）前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）及び前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）内の圧力を平衡化させるために、弁（３）を開くステップ；
ｂ）前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）から前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）に凝縮された作動流体の噴霧及び前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）内の温度（Ｔ９）と前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）内の温度（Ｔ１０）の測定を開始するために、弁（４）を開くステップ；
ｃ）前記少なくとも一つの付加凝縮容器（７）から前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）を分離するために、弁（３）を閉鎖する一方、前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）内の前記作動流体の液位が上昇するように前記凝縮された作動媒体を供給するために、弁（４）が開であるステップ；
ｄ）前記凝縮容器（７）に対して前記凝縮された作動流体の供給を停止するために、弁（４）を閉鎖するステップ；
ｅ）前記通気ライン（２３）を通して前記非凝縮性ガスを放出及び除去するために、弁（１）を開くステップ；を含む、方法において、
前記方法は：
前記ステップｂ）が、前記メインプロセスから前記少なくとも１つの凝縮容器（７）へ気体状の作動流体及び蓄積している凝縮されなかったガスを進入させるために、弁（２）を開くことからもなり、前記凝縮容器（７）内に前記気体状の作動流体の一部が凝縮され、前記凝縮されなかったガスが蓄積されることを特徴とし、かつ、
前記ステップｃ）が、前記メインプロセスから前記少なくとも１つの凝縮容器（７）へ前記気体状の作動流体の及び前記蓄積している凝縮されなかったガスの進入を停止するために、弁（２）を閉鎖することからもなり、前記少なくとも１つの凝縮容器（７）内の、前記気体状の作動流体及び前記蓄積している凝縮されなかったガスを含む、ガス空間（６）が隔離され、前記凝縮された作動流体の液位の上昇により圧縮され、前記少なくとも１つの凝縮容器（７）内のガス圧力（Ｐ１２）が大気圧超に上昇するようにすることを特徴とする、方法。
【請求項２】
１つ又は複数の前記非凝縮性ガスをより効果的に除去するために、前記ステップｃ）から前記ステップｅ）を少なくとも１回繰り返すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップｃ）は、前記温度上昇が前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）内においてよりも前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）内において低くなる場合に、開始されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記温度上昇は、前記流体が前記付加凝縮容器（７）にスプレーとして供給される前の前記凝縮された作動流体内で測定された温度（Ｔ８）と、前記少なくとも１つの付加凝縮容器（７）内の前記凝縮された作動流体の測定温度（Ｔ９）及び前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）内の前記凝縮された作動流体の温度（Ｔ１０）との間の温度差に基づいて算出されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップｃ）は、前記温度差（Ｔ８−Ｔ９）が前記温度差（Ｔ８−Ｔ１０）の３０％未満である場合に、開始されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）から前記少なくとも１つの凝縮容器（７）への前記凝縮された作動媒体の噴霧は、冷却器（５４）により能動的に冷却された低温の凝縮された作動流体であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｅ）は、通気ライン（２３）に接続して配置された、前記非凝縮性ガス以外のガスに対して本質的に非透過性のダイヤフラム又は膜を通して、コールドトラップ又はフィルター又はガス集塵機又は燃焼／火炎生成ユニットを通して、前記少なくとも１つの凝縮容器（７）から前記非凝縮ガスを放出することを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
部分的に真空下で動作する作動流体を含む閉ループ熱力学プロセスの、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法との併用。
【請求項９】
メインプロセスから非凝縮性ガスを除去するための装置であって、
前記メインプロセスは、凝縮性作動媒体と、高温の気体状作動媒体を生成するための熱交換器（５２）と、前記作動媒体を気体状の作動媒体から凝縮された作動媒体に凝縮するためのメイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）とを含む、閉ループ熱力学プロセスから本質的になり、前記装置は、前記非凝縮性ガスが弁（１）を介して放出される通気ライン（２３）に接続されかつ弁（２，３，４）を通して前記メインプロセスの前記メイン凝縮容器（５０）と接続される凝縮容器（７）を備え、弁（３，４）は、前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）から前記少なくとも１つの凝縮容器（７）に凝縮された作動流体を進入させることからなり、
弁（２）は、前記メインプロセスから前記少なくとも１つの凝縮容器（７）に気体状の作動媒体を進入させることを特徴とする、装置。
【請求項１０】
弁（４）は、前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）から前記少なくとも１つの凝縮容器（７）に前記凝縮された作動流体をスプレーとして進入させることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記流体が前記少なくとも１つの凝縮容器（７）にスプレーとして供給される前の凝縮された作動流体温度（Ｔ８）と、圧力（Ｐ１２）と、前記少なくとも１つの凝縮容器（７）内の凝縮された作動流体温度（Ｔ９）及びメイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）内の凝縮された作動流体温度（Ｔ１０）とを監視するために、温度及び圧力センサーを備えることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記メイン凝縮容器すなわち熱交換器（５０）から前記少なくとも１つの凝縮容器（７）へと入る前記凝縮された作動流体を能動的に冷却するための冷却器（５４）を備えることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記通気ライン（２３）に接続して配置されるものが、前記非凝縮性ガス以外のガスに対して本質的に非透過性のダイヤフラム又は膜、コールドトラップ又はフィルター又はガス集塵機又は燃焼／火炎生成ユニットを備えることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第９ステップによれば、セルを乾燥させる作業が実行され、且つ、排出の前に、組立体は、乾燥窒素の吹付けによって冷却され、この作業は、湿度の計測によって後続される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月27日(2018.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属チップから炭化水素及び／又は水分を除去する乾燥機であって、
スクラップコンベアを含む細長いチャンバで構成される上部分と、
バーナー、熱交換器、及び高温揮発性有機化合物（ＶＯＣ）除去チャンバを含むベース部分と、を有し、
前記装置は、金属チップを入口のところで受入れ、金属チップを出口まで搬送し、加熱空気を前記ベース部分から受入れるように構成される、乾燥機。
【請求項２】
前記ベース部分は、外気を受入れるポートを含む、請求項１に記載の乾燥機。
【請求項３】
外気が、前記ベース部分の外部領域を形成するプレナムに導入される、請求項２に記載の乾燥機。
【請求項４】
前記スクラップコンベヤは、前記細長いチャンバの入口端部と出口端部の間に延びるスクリューコンベアを含み、
前記ベース部分は、上部分排気ガスのための入口部分と、下側ユニットの外面に隣接して排気ガスを搬送するプレナムと、過熱排気ガスを得且つ揮発性有機化合物（ＶＯＣ）を除去するために排気ガスの温度を上昇させるヒーターと、過熱排気ガスを受入れて熱を排気ガスに移送する熱交換器と、を含む、請求項１に記載の乾燥機。
【請求項５】
前記上部分からの排気ガスは、前記ベース部分に受入れられ、前記揮発性有機化合物（ＶＯＣ）除去チャンバ内で前記バーナーによって加熱され、過熱ガスを得、過熱ガスを、前記熱交換器の第１の側に導入し、外気を前記熱交換器の第２の側に導入し、加熱された外気を形成する、請求項１に記載の乾燥機。
【請求項６】
前記スクラップコンベアは、前記管の上面よりも底面の近くに配置される、請求項１に記載の乾燥機。
【請求項７】
前記スクラップコンベアは、細長い円筒形トラフを有し、前記円筒形トラフは、加熱された外気を受入れる複数の噴出通路を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の乾燥機。
【請求項８】
エアナイフが前記噴出通路の各々に隣接して配置される、請求項７に記載の乾燥機。
【請求項９】
前記プレナムは、渦巻チャネルを含む、請求項３に記載のヒーター。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートと、
コンタクトと、
前記ゲートと前記コンタクトとの間に配置されるスペーサと、
前記コンタクトに電気的に結合されるソース／ドレイン領域と、を含み、
前記スペーサの複数の表面および前記ソース／ドレイン領域の表面が、前記ゲートと前記コンタクトとの間に配置されるギャップを画定し、
前記ギャップがエアギャップ又は真空ギャップを含み、
前記スペーサが前記ソース／ドレイン領域に接触し、
前記ゲートおよび前記ソース／ドレイン領域が基板に接触し、
前記ギャップの高さが前記ゲートの高さ未満である、半導体デバイス。
【請求項２】
前記ゲート、前記コンタクト、および前記ソース／ドレイン領域が、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスに含まれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ゲート、前記コンタクト、および前記ソース／ドレイン領域が、携帯電話、セルラー電話、ポータブルコンピュータ、ラジオ、衛星ラジオ、通信デバイス、ポータブル音楽プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モバイル位置データユニット、またはこれらの組合せに組み込まれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記ゲート、前記コンタクト、および前記ソース／ドレイン領域が、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、固定位置データユニット、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、またはこれらの組合せに組み込まれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記コンタクトが前記ソース／ドレイン領域と異なっている、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記コンタクトと前記ゲートとの間に配置される誘電材料をさらに含み、前記誘電材料が前記ソース／ドレイン領域上にある、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記スペーサに接触する前記基板をさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記基板がシリコンを含む、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記スペーサが酸化物または窒化物を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記スペーサがシリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）またはホウ素（Ｂ）を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記基板をさらに含み、前記基板が前記ギャップをさらに画定し、前記スペーサが前記基板に接触する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記スペーサが第１のスペーサ構造および第２のスペーサ構造を含み、前記第１のスペーサ構造の第１のスペーサ材料および前記第２のスペーサ構造の第２のスペーサ材料が異なる材料である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記基板をさらに含み、前記基板、前記第１のスペーサ構造および前記第２のスペーサ構造がさらに前記ギャップを画定する、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
半導体デバイスのチャネル領域を活性化するための手段であって、前記チャネル領域が前記半導体デバイスのソース／ドレイン領域に結合される、手段と、
前記ソース／ドレイン領域に結合される、電流を導くための手段と、
前記活性化するための手段と前記電流を導くための手段との間に配置される間隔をあけるための手段と、を含み、
前記間隔をあけるための手段の複数の表面および前記ソース／ドレイン領域の表面が、前記活性化するための手段と前記電流を導くための手段との間に配置されるギャップを画定し、
前記ギャップがエアギャップ又は真空ギャップを含み、
前記間隔をあけるための手段が前記ソース／ドレイン領域に接触し、
前記チャネル領域を活性化するための手段および前記ソース／ドレイン領域が基板に接触し、
前記ギャップの高さが前記チャネル領域を活性化するための手段の高さ未満である、装置。
【請求項１５】
前記チャネル領域を活性化するための手段および前記電流を導くための手段が、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスに含まれる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記チャネル領域を活性化するための手段および前記電流を導くための手段が、モバイル通信デバイスに含まれる、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持表面を有する支持体と、
前記支持体に取り付けられたベース板であり、その中に冷却チャネルが形成されたベース板と、
入口通路および出口通路を介して前記冷却チャネルに接続された冷却アセンブリと
を備え、前記冷却アセンブリが、
ガス源に結合された入口と、
前記ベース板がその中に配された処理チャンバの外側の隣接する環境に開いた出口と、
前記入口と前記入口通路との間に結合された流量制御装置と、
前記出口通路に結合された熱交換器と
を備える
ペデスタルアセンブリ。
【請求項２】
前記ガス源が、前記隣接する環境から空気を抜き取るためのポンプを備える、請求項１に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項３】
前記冷却アセンブリが、前記熱交換器に結合された冷却液体源をさらに備え、前記熱交換器が、液体およびガス熱交換を実行する、請求項２に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項４】
前記流量制御装置に結合されたコントローラをさらに備え、冷却ガスの流れの流量および圧力を調整するため、前記コントローラが、前記流量制御装置に制御信号を送る、請求項１に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項５】
半導体基板を処理する装置であって、
処理容積を画定するチャンバ本体と、
処理の間、１つまたは複数の基板を支持するペデスタルアセンブリと
を備え、前記ペデスタルアセンブリが、
基板支持表面を有し、前記処理容積内に配された支持体と、
前記支持体に取り付けられたベース板であり、その中に冷却チャネルが形成されたベース板と
を備え、
前記装置がさらに、
入口通路および出口通路を介して前記ペデスタルアセンブリの前記冷却チャネルに接続された冷却アセンブリであり、前記処理容積の外側に配された冷却アセンブリ
を備え、前記冷却アセンブリが、
ガス源に結合された入口と、
前記チャンバ本体の外側の隣接する環境に開いた出口と、
前記入口と前記入口通路との間に結合された流量制御装置と、
前記出口通路に結合された熱交換器と
を備える
装置。
【請求項６】
前記冷却アセンブリが、前記チャンバ本体に隣接して配された、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ガス源が、前記チャンバ本体の外側の前記隣接する環境から空気を抜き取るポンプ、圧縮ガス源および既存のシステムガス源のうちの１つを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記冷却アセンブリが、前記熱交換器に結合された冷却液体源をさらに備え、前記熱交換器が、液体およびガス熱交換を実行する、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記冷却アセンブリに結合されたコントローラをさらに備え、冷却ガスの流れの流量および／または圧力を調整するため、前記コントローラが、前記冷却アセンブリに制御信号を送る、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記コントローラに結合された１つまたは複数の温度センサをさらに備え、前記コントローラが、前記１つまたは複数の温度センサの測定値に従って、前記冷却ガスの流れの前記流量および／または圧力を調整する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
処理中の基板の温度を制御する方法であって、
処理チャンバ内の基板支持体上で基板を処理すること、
前記基板支持体内に形成された冷却チャネルに冷却ガスの流れを供給して、前記基板の温度を制御すること、
前記冷却チャネルを出た前記冷却ガスの流れを熱交換器に流すこと、および
前記冷却ガスの流れを、前記処理チャンバの周囲の環境に再び放出すること
を含む方法。
【請求項１２】
冷却ガスの流れを供給することが、前記処理チャンバの周囲の前記環境から空気の流れを抜き取ることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板を処理することが、前記基板の温度を、摂氏約４００度〜摂氏約４５０度の間に維持することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板を処理することが、約１０００秒よりも長い時間、前記基板の上に物理的気相堆積を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
１つまたは複数の温度センサを介して前記基板の温度を測定すること、および前記冷却ガスの流れの流量および／または圧力を調整することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
最長１０００秒の間に前記基板上で物理的気相堆積を実行することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記支持体は、静電チャックである、請求項１に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１８】
前記支持体は、静電チャックである、請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
台と、前記台に埋設された複数の電極（埋設電極）とを有し、前記埋設電極が、電極‐台表面距離が１ミリ以下となるように前記台のワークピース位置に最も近い外側表面から離れており、前記埋設電極がキャパシタの一方の側となり、ワークピースが前記キャパシタの他方の側となり、前記埋設電極の少なくともいくつかが帯電したときに前記ワークピースを前記台に保持するものである静電クランプと、
前記埋設電極の少なくともいくつかに電気的に接続された、処理によって前記ワークピースに電圧がかかっているときの前記ワークピースの電圧を測定するための高インピーダンス電圧計（ＨＩＶ）と、を備え、前記ＨＩＶが、１０１６オーム以上のインピーダンスを有することを特徴とするクランプシステム。
【請求項２】
前記埋設電極の少なくともいくつかが、前記ＨＩＶに電気的に接続されていない請求項１記載のクランプシステム。
【請求項３】
前記ＨＩＶに電気的に接続されていない前記埋設電極が、前記ＨＩＶに電気的に接続されている前記埋設電極よりも大きい請求項２記載のクランプシステム。
【請求項４】
台と、前記台に埋設された複数の電極（埋設電極）とを有する静電クランプを用意し、前記埋設電極が、電極‐台表面距離が１ミリ以下となるように前記台のワークピース位置に最も近い外側表面から離れるものとし、
前記埋設電極の少なくともいくつかに電気的に接続された高インピーダンス電圧計（ＨＩＶ）を用意し、前記ＨＩＶは、１０１６オーム以上のインピーダンスを有し、
前記台を介してワークピースを支持し、
前記埋設電極の少なくともいくつかを帯電させ、前記ワークピースを前記台に対して保持するために、前記埋設電極がキャパシタの一方の側となり、前記ワークピースが前記キャパシタの他方の側となるものとし、
処理によって前記ワークピースに電圧がかかっているときの前記ワークピースの電圧を測定するために、前記ＨＩＶを用いて前記埋設電極の少なくともいくつかの電圧を監視し、
前記埋設電極の少なくともいくつかの監視電圧に応じて、前記ワークピースの電圧を調節する、ワークピースのクランプ方法。
【請求項５】
前記埋設電極の少なくともいくつかが、前記ＨＩＶに電気的に接続されていない請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ＨＩＶに電気的に接続されていない前記埋設電極が、前記ＨＩＶに電気的に接続されている前記埋設電極よりも大きい請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定論理集積回路であって、
前記集積回路に本質的に固有の値を有するコード（４）を生成するように構成された固有コード発生器（３）と、
前記固有コード（４）に基づいて登録パターン（６）を生成するように構成された登録パターン発生器（５）とを備え、
前記集積回路は、前記登録パターン（６）を外部登録装置（２）に送信し、前記外部登録装置からイネーブルデータ（７）を受信するように構成され、前記集積回路はさらに、
前記イネーブルデータ（７）および前記固有コード（４）を用いて構成データ（１０）を生成するように構成された構成ファイル発生器（９）と、
前記集積回路の特徴（１３）を起動しかつ／またはディスエーブルにし、かつ／または前記構成データ（１０）に依存して前記集積回路をカスタマイズするように構成された特徴起動モジュール（１１）とを備える、固定論理集積回路。
【請求項２】
前記固有コード発生器（３）は、物理的複製防止機能を備える、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記登録パターン発生器（５）は、前記コード（４）からノイズを除去するように構成される、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記登録パターン発生器（５）は、登録パターンを暗号化するように構成され、前記集積回路は、前記登録パターン（６）を暗号化された形態で前記外部登録装置（２）に送信するように構成される、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項５】
前記構成データ（１０）は起動パターンを備える、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項６】
前記特徴起動モジュール（１１）は、不正確な構成データに応答して最小の特徴の組を起動するように構成される、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項７】
前記固有コード発生器（３）、前記登録パターン発生器（５）、前記構成ファイル発生器（９）、および前記特徴起動モジュール（１１）は最小の特徴の組に含まれる、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項８】
前記固有コード発生器（３）、前記登録パターン発生器（５）、前記構成ファイル発生器（９）、および前記特徴起動モジュール（１１）はそれぞれの固定論理モジュールを備える、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項９】
前記特徴起動モジュール（１１）は、前記構成データに依存して少なくとも周辺モジュールを起動するように構成される、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記特徴起動モジュール（１１）は、前記構成データに依存してクロック速度を設定するように構成される、請求項１〜９のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記特徴起動モジュール（１１）は、前記構成データに依存して利用可能なメモリの量を設定するように構成される、請求項１〜１０のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記イネーブルデータ（７）を格納するための不揮発性メモリ（８）をさらに備える、請求項１〜１１のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１３】
デジタル集積回路である、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１４】
混合信号集積回路である、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１５】
メモリを含む、請求項１〜１４のうちいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１６】
登録装置であって、
固定論理集積回路（１）を構成するための構成データ（１５）と、
前記構成データ（１５）と前記集積回路によって生成された登録パターン（６）とを用いて、前記集積回路についてのイネーブルデータ（７）を生成するように構成されたイネーブルデータ発生器（１６）とを備える、登録装置。
【請求項１７】
システムであって、
請求項１〜１５のうちいずれか１項に記載の集積回路（１）と、
請求項１６に記載の登録装置（２）とを備え、
前記集積回路と前記登録装置とは、通信し、任意に安全に通信する、システム。
【請求項１８】
固定論理集積回路を登録する方法であって、前記方法は、
集積回路に固有の値を有するコード（４）を生成することと、
前記固有コード（４）に基づいて登録パターン（６）を生成することと、
前記登録パターン（６）を外部登録装置に送ることと、
前記登録装置からイネーブルデータ（７）を受信することと、
遠隔に生成されたイネーブルデータを任意に格納することとを備える、方法。
【請求項１９】
固定論理集積回路（１）を構成する方法であって、前記方法は、
遠隔に生成されたイネーブルデータ（７）と、前記集積回路に固有の値を有するコード（４）とを用いて構成データ（１０）を生成することと、
前記構成データに依存して、前記集積回路の特徴（１３）を起動しかつ／または停止させ、かつ／または前記集積回路をカスタマイズすることとを備える、方法。
【請求項２０】
前記集積回路（１）が始動するたびに行われる、請求項１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
外部試験機器３６が周辺モジュール１３Ａ，１３Ｂを制御することを可能にするために、特徴起動モジュール１１と、生産試験モジュール３８によって制御される各周辺モジュール１３Ａ，１３Ｂとの間にマルチプレクサ３７Ａ，３７Ｂを直列に設けることができる。生産試験モジュール３８は、登録パターンの必要性なしに集積回路１が試験されることを可能にすることができる。試験モジュール３８は、特徴起動に対する制御の迂回を妨げるかまたは防止するために保護される。たとえば、これは、使用後にモジュール３８を自動的に吹き飛ばすことによって、かつ／またはウェハスクライブ線（図示せず）にモジュール３８を配置することによって、モジュール３８に対するアクセスを制御するための鍵（図示せず）を用いることで実現され得る。これは、その後のウェハダイシング工程中にモジュール３８が破壊されることを意味することになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2017512337.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウォッシュモードとビームモードとを切り替える光スイッチであって、
前記光スイッチは、
実質的に同じ焦点距離を有する２つの平行レンチキュラーレンズのセットであって、第１の距離によって分離されており、且つ少なくともビーム構成及びウォッシュ構成を採用する、２つの平行レンチキュラーレンズのセットと、
光源から放射された光にパターンを付与するＧＯＢＯであって、前記光源と前記２つの平行レンチキュラーレンズのセットとの間に配置されるＧＯＢＯと、
を含み、
前記ビーム構成では、前記平行レンチキュラーレンズは、前記平行レンチキュラーレンズのセットの屈折力が約ゼロであるように実質的に同じ軸に沿って位置合わせされ、
前記ウォッシュ構成では、前記２つの平行レンチキュラーレンズの一方が他方の平行レンチキュラーレンズに対して回転される、光スイッチ。
【請求項２】
前記ウォッシュ構成では、前記２つの平行レンチキュラーレンズの前記一方の回転度は、０〜９０度である、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記ウォッシュ構成では、前記２つの平行レンチキュラーレンズの前記一方の回転度は、約９０度である、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記２つの平行レンチキュラーレンズの少なくとも一方を回転させる回転機構を更に含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記２つの平行レンチキュラーレンズの少なくとも一方を回転させるように前記回転機構に指示するコントローラを更に含む、請求項４に記載の光スイッチ。
【請求項６】
ＬＥＤベース光源を更に含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項７】
前記２つの平行レンチキュラーレンズの各々は、円柱レンチキュールを含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項８】
前記ＧＯＢＯは、微小機械電子システム（ＭＥＭＳ）デバイス、デジタルマイクロミラー、又は液晶ディスプレイを含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項９】
前記２つの平行レンチキュラーレンズのセットは、更にアナモルフィック構成を採用し、前記アナモルフィック構成では、前記第１の距離が増加される、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項１０】
光源と、前記２つの平行レンチキュラーレンズのセットとの間に配置されるプリズム板を更に含む、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項１１】
光源と、
前記光源と照明ターゲットとの間に配置される自動光スイッチと
を含む照明器具であって、前記自動光スイッチは、ウォッシュモードとビームモードとを切り替え、更に、前記自動光スイッチは、
実質的に同じ焦点距離を有する２つの平行レンチキュラーレンズのセットであって、第１の距離によって分離されており、且つ少なくともビーム構成及びウォッシュ構成を採用する、２つの平行レンチキュラーレンズのセットと、
前記２つの平行レンチキュラーレンズの少なくとも一方を回転させる回転機構と、
前記２つの平行レンチキュラーレンズの少なくとも一方を回転させるように前記回転機構に指示するコントローラと、
光源から放射された光にパターンを付与するＧＯＢＯであって、前記光源と前記２つの平行レンチキュラーレンズのセットとの間に配置されるＧＯＢＯと、
を含み、
前記ビーム構成では、前記平行レンチキュラーレンズは、前記平行レンチキュラーレンズのセットの屈折力が約ゼロであるように実質的に同じ軸に沿って位置合わせされ、
前記ウォッシュ構成では、前記２つの平行レンチキュラーレンズの一方が他方の平行レンチキュラーレンズに対して回転される、照明器具。
【請求項１２】
前記ウォッシュ構成では、前記２つの平行レンチキュラーレンズの前記一方の回転度は、０〜９０度であるか、又は約９０度である、請求項１１に記載の照明器具。
【請求項１３】
前記光源は、ＬＥＤベース光源である、請求項１１に記載の照明器具。
【請求項１４】
前記ＧＯＢＯは、微小機械電子システム（ＭＥＭＳ）デバイス、デジタルマイクロミラー、又は液晶ディスプレイを含む、請求項１１に記載の照明器具。
【請求項１５】
ウォッシュモードとビームモードとを切り替える光スイッチであって、
前記光スイッチは、
実質的に同じ焦点距離を有する２つのレンチキュラーレンズのセットであって、第１の距離によって分離されており、且つ少なくともビーム構成、ウォッシュ構成、及び歪み構成を採用する、２つのレンチキュラーレンズのセット
を含み、
前記ビーム構成では、前記２つのレンチキュラーレンズは、実質的に平行であり、且つ前記２つのレンチキュラーレンズのセットの屈折力が約ゼロであるように実質的に同じ軸に沿って位置合わせされ、
前記ウォッシュ構成では、前記２つのレンチキュラーレンズが実質的に平行であり、且つ前記２つのレンチキュラーレンズの一方が他方のレンチキュラーレンズに対して回転され、
前記歪み構成では、前記２つのレンチキュラーレンズの一方の面のピッチが、前記２つのレンチキュラーレンズの面が平行ではないように調節される、光スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を提示する方法であって、
前記映像の推定された動きから、トランスレーションに基づくパラメータを抽出するステップと、
前記トランスレーションに基づくパラメータに従って、垂直トランスレーションの時間にわたる展開に対する水平トランスレーションの時間にわたる展開を与える少なくとも１つの特徴を計算するステップと、
前記少なくとも１つの特徴の関数として決定された向きにおいて前記映像を提示するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記映像の前記推定された動きから、回転に基づくパラメータを抽出するステップと、
前記回転に基づくパラメータに従って検出された回転によって分けられる少なくとも１つのセグメントに前記映像を分割するステップと、
前記少なくとも１つのセグメントの夫々にわたる前記少なくとも１つの特徴の積分の関数として前記映像の向きを決定するステップと
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記推定は、前記映像のドミナント・モーションを推定することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定された向きは、前記映像のフレームごとに横向き及び縦向きを有する、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記推定は、前記映像の動きのパラメトリック近似を各瞬間において計算することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記分割するステップは、前記抽出された回転に基づくパラメータの閾値化を含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記決定は、セグメントごとに前記少なくとも１つの特徴の１つの代表単一値を得るよう当該セグメントの全フレームについて前記少なくとも１つの特徴を積分することによって、回転の前及び後で各セグメントの向きを計算することを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項８】
スライディング・タイム・ウィンドウにわたって前記少なくとも１つの特徴を平滑化するステップ
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記回転に基づくパラメータの回転角度に従って前記決定された結果から前記映像の向きを決定するステップ
を更に有する請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記回転角度は、前記回転に基づくパラメータのサイナスに従って決定される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定された向きは、前記映像のフレームごとに０°、９０°、−９０°及び１８０°の向きを有する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
映像を提示する装置であって、
前記映像の推定された動きから、トランスレーションに基づくパラメータを抽出し、
前記トランスレーションに基づくパラメータに従って、垂直トランスレーションの時間にわたる展開に対する水平トランスレーションの時間にわたる展開を与える少なくとも１つの特徴を計算し、
前記少なくとも１つの特徴の関数として決定された向きにおいて前記映像を提示する
よう構成されるプロセッサを有する
装置。
【請求項１３】
通信ネットワークからダウンロード可能であり、及び／又はコンピュータによって読み出し可能な媒体において記録されており、及び／又はプロセッサによって実行可能であるコンピュータプログラムであって、
請求項１乃至１１のうちのいずれか一項に記載される方法のステップを実施するプログラムコード命令を有する
コンピュータプログラム。
【請求項１４】
プロセッサによって実行されることが可能であって、請求項１乃至１１のうちのいずれか一項に記載される方法のステップを実施するプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムが記録されている
非一時的なコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＣＲ活性モレキュラーシーブをベースとした触媒を製造する方法であって、
モレキュラーシーブを、少なくとも１種類のイオン性鉄種、並びにポリカルボン酸、テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルアミン、Ｌ−アスコルビン酸、クエン酸、コハク酸、シュウ酸、スクロース、グルコース、エチレングリコール及びエチレンジアミンから選択される少なくとも１種類の有機化合物と組み合わせて混合物を形成する工程であって、液相イオン交換、インシピエントウェットネス含浸、湿式含浸法、噴霧乾燥及び固相混合技法によって、少なくとも１種類のイオン性鉄種及び少なくとも１種類の有機化合物をモレキュラーシーブに導入することを含む、組み合せる工程と；
混合物を焼成することによって少なくとも１種類の有機化合物を除去する工程とを含む方法。
【請求項２】
モレキュラーシーブがゼオライト又はシリコアルミノリン酸塩（ＳＡＰＯ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
モレキュラーシーブが、ＢＥＡ、ＭＦＩ、ＦＥＲ、ＣＨＡ、ＡＦＸ、ＡＥＩ、ＳＦＷ、ＳＡＰＯ−３４、ＳＡＰＯ−５６、ＳＡＰＯ−１８又はＳＡＶ  ＳＡＰＯ  ＳＴＡ−７である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
有機化合物が、酸素含有有機化合物又は窒素含有化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
有機化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウムブロミド、アダマンチン置換された水酸化テトラアルキルアンモニウム、トリエチルメチルアンモニウム塩、及びテトラ−ｎ−プロピルアンモニウム塩からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
有機化合物が、ピロリジン、ジ−ｎ−プロピルアミン及びジアミノオクタンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１種類の溶解性鉄塩が、硝酸鉄、硫酸鉄、シュウ酸鉄アンモニウム、塩化鉄、酢酸鉄、硫酸アンモニウム鉄、及びクエン酸鉄アンモニウムからなる群より選択され、鉄がＦｅ（ＩＩ）若しくはＦｅ（ＩＩＩ）、又はこれらの混合である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１種類のイオン性鉄種及び少なくとも１種類の有機化合物が、約１：１から約１：１０のモル比で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
焼成が、約４００から約６００℃において、約１から約３時間の間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
選択的触媒還元によってガス流中の窒素酸化物を低減するための触媒モジュールの作製方法であって、
モレキュラーシーブを、少なくとも１種類のイオン性鉄種、並びにポリカルボン酸、テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルアミン、Ｌ−アスコルビン酸、クエン酸、コハク酸、シュウ酸、スクロース、グルコース、エチレングリコール及びエチレンジアミンから選択される少なくとも１種類の有機化合物と組み合わせて混合物を形成する工程であって、液相イオン交換、インシピエントウェットネス含浸、湿式含浸法、噴霧乾燥及び固相混合技法によって、少なくとも１種類のイオン性鉄種及び少なくとも１種類の有機化合物をモレキュラーシーブに導入することを含む、組み合せる工程と；
混合物を焼成して少なくとも１種類の有機化合物を除去する工程と；
混合物を押出成形することによって又は混合物を基材上にコーティングすることによって触媒構造物を形成する工程と；
処理されるガスのためならびに選択的触媒還元における試薬としてのアンモニア又は尿素のための１つ以上の入口を有する筐体内に触媒構造物を取り付ける工程とを含む方法。
【請求項１１】
鉄含有ゼオライトであって、窒素酸化物の還元が、エイジング又は蒸気への曝露の前に測定された場合、有機化合物で処理されていない同等の鉄含有ゼオライトのものよりも少なくとも２０％大きい、排ガス中、３００℃でのＮＨ３又は尿素を用いる窒素酸化物の選択的触媒還元を示す、鉄含有ゼオライト。
【請求項１２】
ゼオライトがフェリエライトである、請求項１１に記載の鉄含有ゼオライト。
【請求項１３】
鉄含有ゼオライトであって、（ａ）１０％のＨ２Ｏの存在下、７００℃で２０時間のエイジングの後に、排ガス中、３００℃で変換が４０％を超え；かつ（ｂ）１０％のＨ２Ｏの存在下、７００℃で２０時間のエイジングの後に、排ガス中、４００℃で変換が８０％を超える、ＮＨ３又は尿素を用いる窒素酸化物の選択的触媒還元を示す、鉄含有ゼオライト。
【請求項１４】
ゼオライトがベータゼオライトである、請求項１３に記載の鉄含有ゼオライト。
【請求項１５】
異性体シフト（ＣＳ）及び四極子分裂（ＱＳ）を有する２つのダブレットと１つのセクステットを含むメスバウアースペクトルを有するＳＣＲ活性鉄含有フェリエライトであって、
２つのダブレットが、
（ａ）ＣＳ＝０．３４ｍｍ／秒及びＱＳ＝０．９２ｍｍ／秒；並びに
（ｂ）ＣＳ＝０．４８ｍｍ／秒及びＱＳ＝２．４ｍｍ／秒を有し、
セクステットが、Ｈ＝４９．１  Ｔ、ＣＳ＝０．３８ｍｍ／秒を有し、
ＣＳ及びＱＳの値が±０．０２ｍｍ／秒である、ＳＣＲ活性鉄含有フェリエライト。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品に、暗号化してマーキングをするための方法であって、以下の工程：
現像剤との反応によって蛍光化合物を作り出すことができる重合可能な蛍光化合物前駆体（プロフルオロフォア）を準備する工程； 
ＤＮＡ及び前記重合可能な蛍光化合物前駆体を含むＤＮＡセキュリティーマーカーを形成する工程；
前記セキュリティーマーカーを対象物に、塗布し、印刷し、スプレーし、結合し、又は貼付し、あるいは前記セキュリティーマーカーを対象物の上又は中に埋め込み；
それによって、暗号化してマーキングがされた物品をもたらす工程、を含む方法。
【請求項２】
物品に、暗号化してマーキングをするための方法であって、以下の工程：
現像剤との反応によって蛍光化合物を作り出すことができる重合可能な蛍光化合物前駆体（プロフルオロフォア）を準備する工程； 
ＤＮＡ及び前記重合可能な蛍光化合物前駆体を含むＤＮＡセキュリティーマーカーを形成する工程；
（ｉ）前記ＤＮＡセキュリティーマーカーを含むコーティング剤で物品をコーティングし、（ｉｉ）ラベル又は証印の形態の前記ＤＮＡセキュリティーマーカーを物品に付着させ、又は（ｉｉｉ）物品の少なくとも一部にＤＮＡセキュリティーマーカーを埋め込み；
それによって、暗号化してマーキングをした物品をもたらす工程、を含む方法。
【請求項３】
前記セキュリティマーカー又は現像剤がアニオンを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記セキュリティマーカー又は現像剤が遷移金属イオンを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
遷移金属イオンがＣｕ２＋を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
蛍光化合物前駆体が本質的に無色である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
蛍光化合物前駆体が本質的に非蛍光性である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
蛍光化合物前駆体が、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ロードール誘導体、オキサジン誘導体、ピリジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、及びチアゾール誘導体からなる群から選択される化合物を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
蛍光化合物前駆体が、スピロ環において修飾されたローダミンスピロラクタム誘導体を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
蛍光化合物前駆体がスピロラクタムヒドラジドを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
蛍光化合物前駆体を現像剤で現像して蛍光化合物（フルオロフォア）を生成させる工程をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
現像剤が、触媒と、蛍光化合物前駆体と反応して蛍光化合物を生成することができる反応剤とを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
蛍光化合物前駆体が金属イオンを含み、現像剤が、前記金属イオンと反応することができるか又は前記金属イオンと錯体を形成して蛍光化合物を生成することができる反応剤を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属イオンが遷移金属イオンを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属イオンがランタニドイオンである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記遷移金属イオンが、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、及びロジウム（Ｒｈ）からなる群から選択されるイオンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記蛍光化合物前駆体がロイコ型である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記蛍光化合物前駆体が、重合して固体、層、又は粒子、ミクロ粒子又はナノ粒子を形成することができる重合性モノマーを含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
ＤＮＡセキュリティーマーカーを形成する工程が、ｉ）前記重合可能な蛍光化合物前駆体でＤＮＡをカプセル化する工程、又はｉｉ）前記重合可能な蛍光化合物前駆体を、その中にＤＮＡが取り込まれたミクロ粒子又はナノ粒子に組み立てる工程を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膝関節の整形外科手術における靭帯付着中にフィードバックを提供するシステムであって、
膝関節の関節面形状データを提供する撮像デバイスと、
遠位靭帯付着部位を提供する位置測定デバイスと、
靭帯基準歪みを提供する歪み測定デバイスと、
前記膝関節のための規定の運動学的経路を提供する駆動システムと、
前記膝関節の関節面形状データ、前記遠位靭帯付着部位、前記靭帯基準歪み、及び前記膝関節のための前記規定の運動学的経路を含む入力を受信し、規定の遠位靭帯付着部位に関連付けられた靭帯繊維の近位付着部位を表す同緊張、高緊張及び低緊張のポイントの組を含む出力を生成するように構成される適応的移動アプリケーションと、
を備え、
2つの同緊張のポイント間に張られた靭帯繊維が、屈曲アーク全体にわたって張力における最小変異をもつように、該適応的移動アプリケーションは同緊張、高緊張及び低緊張のポイントの該組を生成する、
システム。
【請求項２】
前記膝関節の関節面形状データは、2つの接線方向に交差する円形アークとして表される、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
前記適応的移動アプリケーションは、屈曲アークにわたる靭帯緊張ベクトルの積分に基づいて前記遠位靭帯付着部位を反復的に適応させることによって、前記同緊張、高緊張及び低緊張のポイントの組を生成する、請求項1に記載のシステム。
【請求項４】
前記靭帯緊張ベクトルの前記積分は、前記適応的移動アプリケーションの連続反復に伴い、ゼロの限界値に向かう傾向にあり、前記限界値において、前記屈曲アークにわたる伸張歪み及び圧縮歪みのバランスをとる遠位靭帯付着部位が決定される、請求項3に記載のシステム。
【請求項５】
2つの同緊張ポイント間に張られた靭帯は、前記屈曲アーク全体にわたって等しい張力を有する、請求項3に記載のシステム。
【請求項６】
前記膝関節のための前記規定の運動学的経路は、屈曲、内旋、前後の変位又は内外の変位のうちの1つを含む、請求項1に記載のシステム。
【請求項７】
前記膝関節のための前記規定の運動学的経路は、前記膝関節が2自由度で制約されている間に適用される、請求項1に記載のシステム。
【請求項８】
コスト関数が、適用される歪みの大きさに基づいて定義され、各靭帯における、歪みにより生じる張力の方向が決定される、請求項1に記載のシステム。
【請求項９】
前記遠位靭帯付着部位は、屈曲アーク全体にわたる、各靭帯における前記生じる張力の作用線に平衡する方向に移動される、請求項9に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スマート杖のユーザの手によって把持されるように適合されているハンドルと、
一端部が基部を備え、他端部がハンドルに連結されるように構成されている本体と、
ハンドルの中に設けられ、ユーザがハンドルを握っているときに見える表示部と、
ユーザの日常活動の情報を収集するために、前記スマート杖に搭載されている１つ以上の活動追跡コンポーネントと、
収集されたユーザの日常活動の情報を保存するための電子メモリと、
ユーザの日常活動の情報を前記スマート杖の電子メモリから他の電子デバイスへ伝送するための１つ以上の電子通信コンポーネントと、
を含む、多機能スマート杖。
【請求項２】
前記ハンドルは、把持センサを備え、前記スマート杖のユーザが前記把持センサを握るときに前記スマート杖を電源オン及び電源オフするように利用される、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項３】
前記１つ以上の電子通信コンポーネントは、ＳＩＭカード、Ｗｉ−Ｆｉ通信モジュール、又はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）通信モジュールである、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項４】
前記１つ以上の電子通信コンポーネントは、移動体通信ネットワーク、アプリ・プッシュ通知、サードパーティアップデート、又はウェブサイトアップデートを利用して通信を提供する、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項５】
前記１つ以上の電子通信コンポーネントは、スマートフォン、スマートウオッチ、スマートグラス、又はタブレットを利用する前記スマート杖にユーザのデータ入力を提供する、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項６】
前記スマート杖の内部に設けられた再充電可能な電池は、無線充電、又はセルフ着脱マグネチックプラグを利用した充電に適合され、構成されている、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項７】
血液検査、血圧、血糖、心拍数、酸素レベル／酸素率、ＥＣＧ、ＥＭＧ、筋挫傷、湿度、紫外線、又は身体温度から選択される前記スマート杖のユーザのバイオメトリクスを検出するためのセンサを更に備える、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項８】
加速度計、ジャイロスコープ、ＭＥＭＳ磁力計、気圧センサ、温度センサ、マイクロコントローラ、フラッシュメモリ、デジタル運動プロセッサー、運動処理ライブラリ又はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ低エネルギー無線コンポーネント、前記スマート杖における運動センサ、圧力センサ、又は、ユーザによって装置に加えられている重量を検出するように構成されたセンサから選択される１つ以上の前記スマート杖のユーザの活動追跡コンポーネントを更に備える、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項９】
直線加速、方位、高度、温度、角速度、又は角度位置の機能を更に有する、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項１０】
光センサにより操作可能な照明を備える、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項１１】
前記照明は、光センサが暗さを検出したときに自動的に点灯される、請求項１０に記載のスマート杖。
【請求項１２】
一の基部タイプを外して他の基部タイプに取り替え可能な基部交換機構を更に備える、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項１３】
ユーザの好み又はスマート杖アドバイスによって、一の基部タイプが外され、他の基部タイプの取り替えが決められる、請求項１に記載のスマート杖。
【請求項１４】
前記一の基部タイプ及び前記他の基部タイプは、基本型基部、三脚型基部、柔軟型基部、及びアイスチップ型基部の中から選択される、請求項１３に記載のスマート杖。
【請求項１５】
ユーザからの無線信号を検出するように構成されたセンサ又は非常ボタンを更に備え、
前記非常ボタンが押されたときに、一人以上の介護者又は９１１救急サービスとの通信が確立されるように構成されている、
請求項１に記載のスマート杖。
【請求項１６】
前記表示部は、光、ＬＥＤライト、音声、振動、又は図形の形式によってユーザの健康状態の指標を提供するように構成されている、請求項１に記載のスマート杖。