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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積デバイスを製造する方法であって、
基板の面の直接上に第１の導電層を堆積およびパターン形成するステップと、
前記第１の導電層の面上に第１の層間誘電体を堆積するステップと、
前記第１の導電層上に第２の層間誘電体を堆積およびパターン形成するステップと、
前記第２の層間誘電体上に第２の導電層を堆積およびパターン形成するステップと、
前記第１の層間誘電体の直接上において、第１のビアを通して前記第１の導電層に結合される第３の導電層を堆積およびパターン形成し、第１の導電性スタックを形成するステップであって、前記第３の導電層が前記基板を基準とした第１の高さにあるステップと、
前記基板の前記面の直接上に前記第３の導電層を堆積およびパターン形成し、前記第１の導電性スタックに隣接して第２の高さに第２の導電性スタックを形成するステップであって、前記第２の高さが前記第１の高さとは異なるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の導電性スタックの中で、第３の層間誘電体の直接上において、第２のビアを通して前記第３の導電層に結合される第４の導電層を堆積およびパターン形成するステップと、
前記第２の導電性スタックの中で、前記基板の前記面の直接上に、前記第４の導電層を堆積およびパターン形成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３の導電層の面上にのみ第３の層間誘電体を堆積するステップと、
第４の導電層の面上および前記第３の層間誘電体の上にのみ第４の層間誘電体を堆積するステップと、
第５の導電層を堆積およびパターン形成するステップと、
前記第５の導電層の面上および前記第４の層間誘電体の上にのみ第５の層間誘電体を堆積するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の導電性スタックと前記第２の導電性スタックとの間の前記第３の層間誘電体、前記第４の層間誘電体、および前記第５の層間誘電体のうちの少なくとも１つを除去するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の導電層、前記第２の層間誘電体、および前記第２の導電層で、前記第１の導電性スタック内に金属−絶縁体−金属コンデンサを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の導電層および前記第３の導電層でインダクタを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記集積デバイスを、音楽プレイヤ、ビデオプレイヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータのうちの少なくとも１つの中に組み込むステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の堆積された層間誘電体を支持するための手段と、
第１の導電性スタックであって、前記支持手段の面の直接上の第１の導電層、前記第１の導電層の面上にある前記第１の堆積された層間誘電体、前記第１の導電層上の第２の堆積された層間誘電体、前記第２の堆積された層間誘電体上の第２の導電層、および前記第１の堆積された層間誘電体の直接上で、第１のビアを通して前記第１の導電層に結合される第３の導電層を備え、前記第３の導電層が前記支持手段を基準とした第１の高さにバックエンド（ＢＥＯＬ）導電層を形成する第１の導電性スタックと、
前記支持手段の面の直接上にＢＥＯＬ導電層を備える第２の導電性スタックであって、前記第１の高さと異なる前記支持手段に対する第２の高さにある、第２の導電性スタックと
を備える、集積デバイス。
【請求項９】
前記支持手段の前記面が、前記第１の導電性スタックと前記第２の導電性スタックとの間で露出される、請求項８に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記第１の導電層および前記第３の導電層で形成されるインダクタを備える、請求項８に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
前記第１の導電性スタックが、前記第１の導電層、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の前記第２の堆積された層間誘電体、および前記第２の導電層で形成される金属−絶縁体−金属コンデンサを備える、請求項８に記載の集積デバイス。
【請求項１２】
音楽プレイヤ、ビデオプレイヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータのうちの少なくとも１つの中に組み込まれる、請求項８に記載の集積デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月21日(2018.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の側面を有するハウジングであって、各側面が内面および外面を有する、ハウジングと、
前記ハウジング内に含まれる電子構成要素と、
前記ハウジングの前記複数の側面のうちの少なくとも１つに関連する多孔質で熱伝導性の材料であって、３０μｍと２００μｍとの間の外面平滑度、熱伝導率、ｋ、および１０％から７０％の間の空隙率を有し、前記空隙率を有することにより、積ｋ＊ρ＊Ｃｐが０Ｊ＊Ｗ／ｍ４＊Ｋ２から１，０００，０００Ｊ＊Ｗ／ｍ４＊Ｋ２の間となるような、多孔質で熱伝導性の材料についての密度、ρ、および比熱、Ｃｐ、が得られる、多孔質で熱伝導性の材料と
を備える電子デバイス。
【請求項２】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記内面および前記外面の一方または両方に関連する層を備える請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つを形成する請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記ハウジングの全体を形成する請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記電子構成要素によって放散される熱が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記内面での接合温度を生み出し、前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記電子デバイスの定常状態動作中に前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記外面での表面温度を３０Ｃから６０Ｃの間の範囲内に維持し、前記接合温度をしきい値レベル未満に維持するように構成される請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項６】
電子デバイスを操作する方法であって、
前記電子デバイスのハウジングの内部において熱を生成するステップであって、前記ハウジングが複数の側面を有し、各側面が内面および外面を有する、ステップと、
前記ハウジングの前記内部において生成された前記熱の少なくとも一部を前記ハウジングの外部の環境に伝導するステップであって、前記ハウジングの前記複数の側面のうちの少なくとも１つに関連する多孔質で熱伝導性の材料を通じて行われ、前記材料が、３０μｍと２００μｍとの間の外面平滑度、熱伝導率、ｋ、および１０％から７０％の間の空隙率を有し、前記空隙率を有することにより、積ｋ＊ρ＊Ｃｐが０Ｊ＊Ｗ／ｍ４＊Ｋ２から１，０００，０００Ｊ＊Ｗ／ｍ４＊Ｋ２の間となるような、前記多孔質で熱伝導性の材料についての密度、ρ、および比熱、Ｃｐ、が得られる、ステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記内面および前記外面の一方または両方に関連する層を備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つを形成する請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記多孔質で熱伝導性の材料が、前記ハウジングの全体を形成する請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ハウジングの前記内部において生成された前記熱が、前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記内面での接合温度を生み出し、前記ハウジングの前記内部において生成された前記熱の少なくとも一部を伝導するステップが、前記電子デバイスの定常状態動作中に前記複数の側面のうちの前記少なくとも１つの前記外面での表面温度を３０Ｃから６０Ｃの間の範囲内に維持するステップと、前記接合温度をしきい値レベル未満に維持するステップとを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記ハウジングの前記内部において熱を生成するステップが、前記ハウジング内の少なくとも１つの電子構成要素から熱を放散するステップを含む請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
ホストプロセッサと、
シリアル半二重のユニバーサル非同期レシーバ／トランスミッタ（ＵＡＲＴ）回路要素であって、前記ホストプロセッサに結合され、受信データ入力と送信データ出力とを有し、前記送信データ出力が前記受信データ入力から分離される、前記ＵＡＲＴ回路要素と、
前記ホストプロセッサと前記ＵＡＲＴ回路要素とから分離されるロジック回路要素であって、前記送信データ出力に結合される送信データ入力と、前記送信／受信モード出力とを有する、前記ロジック回路要素と、
を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路要素が、コプロセッサ回路要素を含む、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路要素が、前記送信データ入力と前記送信／受信モード出力とに結合されるタイマ回路要素を含む、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記ホストプロセッサが、如何なる送信／受信モード出力から自由である、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記受信データ入力に結合される受信データ出力と、前記送信データ出力に結合される送信データ入力と、前記送信／受信モード出力に結合されるモード入力とを有するトランシーバ回路要素を更に含む、集積回路。
【請求項６】
集積回路であって、
ホストプロセッサと、
前記ホストプロセッサに結合され、受信データ入力と送信データ出力とを有するシリアル半二重ＵＡＲＴ回路要素であって、前記送信データ出力が前記受信データ入力から分離されており、前記ＵＡＲＴ回路要素が、前記送信データ出力上でのフレーム伝送の過程を追跡するライン状態レジスタを含む、前記ＵＡＲＴ回路要素と、
前記ホストプロセッサと前記ＵＡＲＴ回路要素とから分離されているロジック回路要素であって、前記送信データ出力に結合される送信データ入力と、送信／受信モード出力と、前記ＵＡＲＴ回路要素の前記ライン状態レジスタに結合されるライン状態レジスタ入力とを有する、前記ロジック回路要素と、
を含む、集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路要素が、コプロセッサ回路要素を含む、集積回路。
【請求項８】
請求項６に記載の集積回路であって、
前記ホストプロセッサが、如何なる送信／受信モード出力から自由である、集積回路。
【請求項９】
請求項６に記載の集積回路であって、
前記受信データ入力に結合される受信データ出力と、前記通信データ出力に結合される送信データ入力と、前記送信／受信モード出力に結合されるモード入力とを有するトランシーバ回路要素を更に含む、集積回路。
【請求項１０】
集積回路を作動するプロセスであって、
ホストプロセッサから分離されたロジック回路要素において、スタートビットのためにＵＡＲＴの送信データ出力をモニタリングし、
前記ロジック回路要素内のタイマをスタートして、前記送信データ出力上にスタートビットをモニタリングするときに前記ロジック回路要素から送信モード出力を選択し、
前記タイマの満了のときに前記ロジック回路要素から受信モード出力を選択し、
前記選択の前に遅延を開始し、
前記遅延の間に別のスタートビットのために前記ＵＡＲＴの送信データ出力をモニタリングし、
前記遅延の満了のときに前記選択を進める、
ことを含む、プロセス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプロセスであって、
前記タイマの満了のときに、前記選択の前に遅延を開始することを更に含む、プロセス。
【請求項１２】
請求項１０に記載のプロセスであって、
前記タイマの満了のときに、前記選択の前に遅延を開始して、別のスタートビットのために前記ＵＡＲＴの送信データ出力をモニタリングすることを更に含む、プロセス。
【請求項１３】
集積回路を作動するプロセスであって、
ホストプロセッサから分離されたロジック回路要素において、スタートビットのためにＵＡＲＴの送信データ出力をモニタリングし、
前記ロジック回路要素内のタイマをスタートして、前記送信データ出力上にスタートビットをモニタリングするときに前記ロジック回路要素から送信モード出力を選択し、
前記タイマの満了のときに、前記ロジック回路要素から受信モード出力を選択し、
前記選択の前に遅延を開始し、
前記遅延の間に別のスタートビットのために前記ＵＡＲＴの送信データ出力をモニタリングし、
前記ロジック回路要素内のタイマを再びスタートして、前記送信データ出力上に別のスタートビットをモニタリングするときに前記ロジック回路要素から前記送信モード出力を選択する、
ことを含む、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイルデバイスとパーソナルエリアネットワークシステムとの間にパーソナルエリアネットワーク接続を確立するための方法であって、
前記モバイルデバイスを前記パーソナルエリアネットワークシステムとペアリングするステップと、
前記モバイルデバイスにおいて通話を受信するステップと、
前記モバイルデバイスが通話を受信したことを、前記パーソナルエリアネットワークシステムに通知するステップと、
前記モバイルデバイスの1つまたは複数のマイクから音声データを取り込むステップであって、前記音声データが、前記パーソナルエリアネットワークシステムが結合された音声システムによって生成された音響信号を含み、前記パーソナルエリアネットワークシステムが前記モバイルデバイスから前記通知を受信することに応答して前記パーソナルエリアネットワークシステムが、前記音響信号が前記音声システムによって生成されるようにする、ステップと、
前記取り込まれた音声データに基づいて、前記モバイルデバイスと前記パーソナルエリアネットワークシステムとの間の物理的距離を決定するステップと、
前記決定された物理的距離が閾値を下回るとき、前記モバイルデバイスによって受信された通話データを前記パーソナルエリアネットワークシステムに転送するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記モバイルデバイスと前記パーソナルエリアネットワークシステムとの間の前記物理的距離が、前記音響信号から前記モバイルデバイスによって決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記音響信号が、人間の聴覚の上限よりも高い周波数を有する超音波信号であり、前記モバイルデバイスが、3つのマイクを含み、前記3つのマイク間の前記音響信号の差分飛行時間から前記モバイルデバイスと前記パーソナルエリアネットワークシステムとの間の前記物理的距離を三角測量で求めるために利用される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記決定された物理的距離が前記閾値を超えるとき、前記モバイルデバイスにおいて前記通話を処理するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記閾値が、前記パーソナルエリアネットワークシステムが設置されている物理構造体内に前記モバイルデバイスがあることを保証するために選択された基準距離である、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記取り込まれた音声データ内に前記音響信号データが存在しないとき、前記モバイルデバイスにおいて前記通話を処理するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
複数のモバイルデバイスが、前記パーソナルエリアネットワークシステムとペアリングされ、前記決定された物理的距離が閾値を下回るとき、および前記決定された物理的距離が、残りの複数のモバイルデバイスと前記パーソナルエリアネットワークシステムとの間の物理的距離未満であるとき、前記通話データが、前記パーソナルエリアネットワークシステムに転送される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記モバイルデバイスの1つまたは複数のマイクから音声データを定期的に取り込むステップと、
前記定期的に取り込まれた音声データに基づいて、前記モバイルデバイスと前記パーソナルエリアネットワークシステムとの間の第2の物理的距離を決定するステップと、
前記第2の物理的距離が閾値を上回るとき、前記モバイルデバイスにおいて前記通話を処理するステップであって、前記モバイルデバイスが、前記通話データを前記パーソナルエリアネットワークシステムに転送することをやめる、ステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記モバイルデバイスがセルラー電話であり、前記パーソナルエリアネットワークシステムが、自動車の内部のBluetooth(登録商標)通信デバイスであり、前記Bluetooth(登録商標)通信デバイスが、前記自動車の音声システムと結合される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記音声データが、前記パーソナルエリアネットワークシステムが結合された音声システムによって生成される、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を行わせる命令を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
モバイルデバイスとパーソナルエリアネットワークシステムとの間にパーソナルエリアネットワーク接続を確立するためのモバイルデバイスであって、
パーソナルエリアネットワーク通信エンジンおよび信号距離計算機を記憶するためのメモリと、
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実施するように、前記パーソナルエリアネットワーク通信エンジンおよび前記信号距離計算機を実行するための、前記メモリと結合されたプロセッサと
を含む、モバイルデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月30日(2018.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の強磁性層と、第２の強磁性層と、第１および第２の強磁性層の各々の間の且つそれらと接触しているブロッキング層とを含む磁性材料において、前記第１および第２の強磁性層が異なった抗電界を有し、前記第１の強磁性層が第１の希土類窒化物材料を含み、前記第２の強磁性層が第２の希土類窒化物材料を含み、前記第１および第２の希土類窒化物材料が各々独立に窒化プラセオジム（ＰｒＮ）、窒化ネオジム（ＮｄＮ）、窒化サマリウム（ＳｍＮ）、窒化ユウロピウム（ＥｕＮ）、窒化ガドリニウム（ＧｄＮ）、窒化テルビウム（ＴｂＮ）、窒化ジスプロシウム（ＤｙＮ）、窒化ホルミウム（ＨｏＮ）、窒化エルビウム（ＥｒＮ）、窒化ツリウム（ＴｍＮ）、および窒化イッテルビウム（ＹｂＮ）、ならびにそれらの任意の２つ以上の合金からなる群から選択される、磁性材料。
【請求項２】
前記第１および第２の希土類窒化物材料の一方または両方が、１つまたは複数の付加的なドーパントをさらに含む、請求項１に記載の磁性材料。
【請求項３】
前記第１の強磁性希土類窒化物材料がＧｄＮを含み、前記第２の強磁性希土類窒化物材料がＳｍＮを含む、又は、
前記第１の強磁性希土類窒化物材料がＳｍＮを含み、前記第２の強磁性希土類窒化物材料がＧｄＮを含む、請求項１又は２に記載の磁性材料。
【請求項４】
前記ブロッキング層が、ＬａＮ、ＬｕＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、および（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ合金からなる群から選択される、請求項１〜３の何れか１項に記載の磁性材料。
【請求項５】
前記ブロッキング層が、ＡｌＮを含む、又はＡｌＮのみからなる、請求項３に記載の磁性材料。
【請求項６】
前記ブロッキング層が厚さ約１〜２００ｎｍである、請求項１〜５の何れか１項に記載の磁性材料。
【請求項７】
前記第１の強磁性層と接触している基材をさらに含む、請求項１〜６の何れか１項に記載の磁性材料。
【請求項８】
前記第１の強磁性層が前記基材とエピタキシャルであり、前記ブロッキング層が前記第１の強磁性層とエピタキシャルであり、前記第２の強磁性層が前記ブロッキング層とエピタキシャルである、請求項７に記載の磁性材料。
【請求項９】
前記第２の強磁性層と接触しているキャッピング層をさらに含む、請求項１〜８の何れか１項に記載の磁性材料。
【請求項１０】
第１の強磁性層と、第２の強磁性層と、第１および第２の強磁性層の各々の間の且つそれらと接触しているブロッキング層とを含む磁性材料において、前記第１および第２の強磁性層が異なった抗電界を有し、前記第１の強磁性層が第１の希土類窒化物材料を含み、前記第２の強磁性層が第２の希土類窒化物材料を含み、前記第１および第２の希土類窒化物材料が各々独立に窒化プラセオジム（ＰｒＮ）、窒化ネオジム（ＮｄＮ）、窒化サマリウム（ＳｍＮ）、窒化ユウロピウム（ＥｕＮ）、窒化ガドリニウム（ＧｄＮ）、窒化テルビウム（ＴｂＮ）、窒化ジスプロシウム（ＤｙＮ）、窒化ホルミウム（ＨｏＮ）、窒化エルビウム（ＥｒＮ）、窒化ツリウム（ＴｍＮ）、および窒化イッテルビウム（ＹｂＮ）、ならびにそれらの任意の２つ以上の合金からなる群から選択される磁性材料を作製する方法であって、
（ａ）前記第１の希土類窒化物材料を含む前記第１の強磁性層を堆積させる工程と、
（ｂ）工程（ａ）において形成された前記第１の強磁性層上に前記ブロッキング層を堆積させる工程と、
（ｃ）工程（ｂ）において形成された前記ブロッキング層上に前記第２の希土類窒化物材料を含む前記第２の強磁性層を堆積させる工程とを含む、方法。
【請求項１１】
前記第１および第２の希土類窒化物材料の一方または両方が、１つまたは複数の付加的なドーパントをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の強磁性希土類窒化物材料がＧｄＮを含み、前記第２の強磁性希土類窒化物材料がＳｍＮを含む、又は、
前記第１の強磁性希土類窒化物材料がＳｍＮを含み、前記第２の強磁性希土類窒化物材料がＧｄＮを含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ブロッキング層が、ＬａＮ、ＬｕＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、および（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ合金からなる群から選択される、請求項１０〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ブロッキング層が、ＡｌＮを含む、又はＡｌＮのみからなる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ブロッキング層が厚さ約１〜２００ｎｍである、請求項１０〜１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の強磁性層が基材上に堆積される、請求項１０〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の強磁性層が前記基材とエピタキシャルであり、前記ブロッキング層が前記第１の強磁性層とエピタキシャルであり、前記第２の強磁性層が前記ブロッキング層とエピタキシャルである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
（ｄ）工程（ｃ）において形成された前記第２の強磁性層上にキャッピング層を堆積させる工程をさらに含む、請求項１０〜１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記希土類と窒素供給源とを組み合わせることによって前記希土類窒化物材料の１つまたは複数がＭＢＥによって堆積される、請求項１０〜１８の何れか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記窒素供給源が、高純度分子窒素、アンモニア、および活性窒素の供給源、またはそれらの任意の２つ以上の混合物からなる群から選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記窒素供給源フラックスが、希土類フラックスよりも少なくとも１００倍大きい、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記層が周囲温度または高温で堆積される、請求項１０〜２１の何れか１項に記載の方法。
【請求項２３】
請求項１〜９の何れか１項に記載の磁性材料と、任意選択により、電気接点とを含む磁気デバイス。
【請求項２４】
基材および／またはキャッピング層が電気接点を提供する、請求項２３に記載の磁気デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
いくつかの実施形態では、符号器２００は、現在のフレームを処理するときにパイプライン２２０構成要素によって使用される基準データ２４０から取得された基準フレームデータの形式を変更するように構成され得る、形式変更２５０構成要素を含み得る。形式変更２５０は、例えば、基準フレームを符号化するときに使用されるフォーカス範囲／伝達関数から、現在のフレームを符号化するときに使用されるフォーカス範囲／伝達関数へと基準フレームデータを変換することを伴い得る。一実施例として、基準フレームに対する輝度のフォーカス範囲／伝達関数のマッピングは、Ｃ（例えば、１０）ビットで表現された０．０５ｃｄ／ｍ２〜１０００ｃｄ／ｍ２の値であり得る。現在のフレームに対しては、フォーカス範囲が、より明るい画像コンテンツを理由に拡張されてもよく、例えば、フォーカス範囲が２０００ｃｄ／ｍ２へと拡張又は増加されてもよい。したがって、現在のフレームに対する輝度のフォーカス範囲／伝達関数のマッピングは、０．０５ｃｄ／ｍ２〜２０００ｃｄ／ｍ２であり得る。パイプライン２２０内、例えば動き推定動作内で基準フレームデータを使用するために、基準フレームデータの形式は、現在のフレームを符号化するために形式変更２５０構成要素によって使用されているフォーカス範囲／伝達関数に従って変更され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連付けられた物理セルＩＤ（ＰＣＩＤ）を有するｅノードＢによって実行される方法であって、
カバレッジ拡張システム情報ブロック（ＣＥ−ＳＩＢ）の送信のための周波数リソースを割り当てるステップであって、前記周波数リソースは、少なくとも部分的に前記ＰＣＩＤに基づいて割り当てられる、ステップと、
前記割り当てられた周波数リソースを使用して、前記ＣＥ−ＳＩＢを前記ｅノードＢから送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記周波数リソースの前記割り当ては、さらに少なくとも部分的にシステム帯域幅に基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも部分的に前記ＰＣＩＤに基づいて前記ＣＥ−ＳＩＢについての時間位置を割り当てるステップをさらに含み、前記ＣＥ−ＳＩＢは、前記割り当てられた時間位置を使用して送信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記周波数リソースの前記割り当ては、さらに少なくとも部分的にサブフレーム番号に基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＥ−ＳＩＢについての前記周波数リソース割り当ては物理ダウンリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）で送信されないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
マスタ情報ブロック（ＭＩＢ）を前記ｅノードＢから送信するステップをさらに含み、前記ＭＩＢは前記ＣＥ−ＳＩＢの周期性を示し、前記ＣＥ−ＳＩＢは前記ＭＩＢで示された前記周期性で送信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
マスタ情報ブロック（ＭＩＢ）を前記ｅノードＢから送信するステップをさらに含み、前記ＭＩＢは前記ＣＥ−ＳＩＢの変調符号化方式（ＭＣＳ）レベルを示し、前記ＭＣＳレベルは前記ＣＥ−ＳＩＢのトランスポートブロックサイズ（ＴＢＳ）の関数であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）にて実行される方法であって、
ｅノードＢから、前記ｅノードＢに関連付けられた物理セルＩＤ（ＰＣＩＤ）を受信するステップと、
カバレッジ拡張システム情報ブロック（ＣＥ−ＳＩＢ）の受信のための周波数リソースを割り当てるステップであって、前記周波数リソースは、少なくとも部分的に前記ＰＣＩＤに基づいて割り当てられる、ステップと、
前記割り当てられた周波数リソースにて、前記ＣＥ−ＳＩＢを前記ｅノードＢから受信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記周波数リソースの前記割り当ては、さらに少なくとも部分的にシステム帯域幅に基づくことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも部分的に前記ＰＣＩＤに基づいて前記ＣＥ−ＳＩＢについての時間位置を割り当てるステップをさらに含み、前記ＣＥ−ＳＩＢは、前記割り当てられた時間位置のなかで受信されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記周波数リソースの前記割り当ては、さらに少なくとも部分的にサブフレーム番号に基づくことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
マスタ情報ブロック（ＭＩＢ）を前記ｅノードＢから受信するステップをさらに含み、前記ＭＩＢは前記ＣＥ−ＳＩＢの周期性を示し、前記ＣＥ−ＳＩＢは前記ＭＩＢで示された前記周期性で受信されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
マスタ情報ブロック（ＭＩＢ）を前記ｅノードＢから受信するステップをさらに含み、前記ＭＩＢは前記ＣＥ−ＳＩＢの変調符号化方式（ＭＣＳ）レベルを示し、前記ＭＣＳレベルは前記ＣＥ−ＳＩＢのトランスポートブロックサイズ（ＴＢＳ）の関数であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）にて実行される方法であって、
現在のカバレッジ拡張（ＣＥ）レベルについて、物理ランダムアクセスチャネル（ＰＲＡＣＨ）プリアンブル送信についての試みの最大数を決定するステップと、
対応するランダムアクセス応答（ＲＡＲ）が受信されるまで、前記ＰＲＡＣＨプリアンブルを繰り返して送信するステップと、
試みの前記決定された最大数についての前記ＰＲＡＣＨプリアンブルの送信に応答して、前記ＣＥレベルを次のＣＥレベルまで増やすステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記次のＣＥレベルは、試行の第２の最大数に関連付けられることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月20日(2018.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＰ処理後のウエハを洗浄するためのブラシであって、
発泡材でできており、軸のある円柱形の基部と、基部から外向きに延びる均一な形状で均一に離間する複数のこぶとを備え、こぶがそれぞれの中心と、こぶの高さと、こぶの直径を有し、こぶの直径に対するこぶのピッチの比（Ｐ／Ｄ）が１．２から１．５で、なおかつ、こぶの直径に対するこぶの高さの比（Ｈ／Ｄ）が０．２から０．５であることを特徴とするブラシ。
【請求項２】
請求項１に記載のブラシであって、発泡材がポリビニルアルコールか、ポリビニルアセタールか、ポリウレタンかのいずれか１種類の材料からなることを特徴とするブラシ。
【請求項３】
請求項１に記載のブラシであって、均一な形状で均一に離間する複数のこぶが各々実質的に円柱形であることを特徴とするブラシ。
【請求項４】
請求項１に記載のブラシであって、２つの端部を有し、その２つの端部のうち少なくとも１つの端部において周方向に並んだ細長いこぶの列が配置されていることを特徴とするブラシ。
【請求項５】
請求項１に記載のブラシであって、ブラシの回転軸に対して垂直な平面によってブラシが第一側部と第二側部に分かれており、ブラシの第一側部にあるこぶの形状が、ブラシの第二側部にあるこぶの形状と異なることを特徴とするブラシ。
【請求項６】
ＣＭＰ処理後のウエハを洗浄するためのブラシであって、発泡材でできており、軸のある円柱形の基部と、基部から外向きに延びている複数のこぶとを有し、こぶがそれぞれの中心と、こぶの高さと、こぶの直径を有し、こぶの直径に対するこぶの平均ピッチの比（Ｐ／Ｄ）が１．２から１．５で、こぶの直径に対するこぶの高さの比（Ｈ／Ｄ）が０．２から０．５であることを特徴とするブラシ。
【請求項７】
請求項６に記載のブラシであって、こぶがそれぞれ実質的に円柱形であることを特徴とするブラシ。
【請求項８】
請求項６に記載のブラシであって、２つの端部を有し、その２つの端部のうち少なくとも１つの端部において周方向に並んだ細長いこぶの列が配置されていることを特徴とするブラシ。
【請求項９】
請求項６に記載のブラシであって、ブラシの回転軸に対して垂直な平面によってブラシが第一側部と第二側部に分かれており、ブラシの第一側部にあるこぶの形状がブラシの第二側部にあるこぶの形状と異なることを特徴とするブラシ。
【請求項１０】
ＣＭＰ処理後のウエハを洗浄するためのブラシであって、発泡材でできており、２つの端部と回転軸のある円柱形の基部と、この基部から外向きに延びる均一な形状で均一に離間する複数のこぶとを備え、複数のこぶは、基部の２つの端部のそれぞれに隣接する箇所から延びており、こぶはそれぞれの中心と、こぶの高さと、こぶの直径を有し、こぶの直径に対するこぶのピッチの比（Ｐ／Ｄ）が１．２から１．５で、こぶの直径に対するこぶの高さの比（Ｈ／Ｄ）が０．２から０．５であることを特徴とするブラシ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０〜９９％接着剤成分と、
０〜３％架橋剤と、
０〜３％抗酸化剤と、
接着剤製剤全般に分散される０．１〜１０％膨脹可能な微小球体と、
を含む接着剤製剤。
【請求項２】
充填剤、顔料、可塑剤、耐燃剤、紫外線安定剤、及びそれらの組み合わせで構成されるグループから選ばれる０．１〜３０％の少なくとも一つの剤をさらに含む、請求項１に記載の接着剤製剤。
【請求項３】
０．１〜４０％粘着付与剤をさらに含む、請求項１又は２に記載の接着剤製剤。
【請求項４】
前記微小球体は、ガス充填された中空内部コアをカプセル化する熱可塑性ポリマーシェルを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の接着剤製剤。
【請求項５】
前記微小球体は、膨脹前の非膨張状態において５〜７５μｍの範囲内の大きさを有する、請求項１乃至４のいずれかに記載の接着剤製剤。
【請求項６】
前記微小球体は、７０〜２２０℃の範囲内の温度への露出時に膨張状態となり、膨脹後に１０〜２００μｍの範囲内の大きさを有する、請求項１乃至５のいずれかに記載の接着剤製剤。
【請求項７】
６５〜７５％の前記接着剤成分と、
２５〜３５％の前記粘着付与剤と、
０．１〜１％の前記架橋剤と、
０．２５〜１％の前記抗酸化剤と、
１．５〜４％の前記微小球体とを含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の接着剤製剤。
【請求項８】
膜と、
請求項１乃至７のいずれかに記載の接着剤製剤の層と、
を含む層状接着剤組立体。
【請求項９】
前記接着剤の層は第１層であり、前記組立体は接着剤の第２層をさらに含む、請求項８に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１０】
前記接着剤の第２層は、前記接着剤の第１層が分散される前記膜の面と反対である膜の面に配置される、請求項９に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１１】
前記接着剤の第２層は、５０〜９９％接着剤成分、０〜３％架橋剤、０〜３％抗酸化剤、及び前記製剤全般に分散される０．１〜１０％膨脹可能な微小球体を含む、請求項９又は１０に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１２】
前記接着剤の第２層は、０．１〜４０％の粘着付着剤をさらに含む、請求項１１に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１３】
基材に付着される部品への機械的衝撃を吸収する方法であって、
５０〜９９％接着剤成分、０〜３％架橋剤、０〜３％抗酸化剤、及び製剤全般に分散される０．１〜１０％膨脹可能な微小球体を含む接着剤の層を提供する工程と、
前記成分と前記基材との間に前記接着剤の層を配置する工程と、
を含む方法。
【請求項１４】
接着剤の第１スキン層及び第２スキン層と、
請求項１乃至７のいずれかに記載の接着剤製剤のコア層と、
を含む層状接着剤組立体。
【請求項１５】
前記接着剤製剤は、６５〜７５％の前記接着剤成分、２５〜４０％の前記粘着付与剤、０．１〜５％の前記架橋剤、０．２５〜３％の前記抗酸化剤、及び１．５〜５％の前記微小球体を含む、請求項１４に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１６】
前記接着剤のコア層は、ゴム接着剤成分を含む、請求項１４又は１５に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１７】
前記スキン層のそれぞれは、ゴム接着剤成分を含む、請求項１４又は１５に記載の層状接着剤組立体。
【請求項１８】
前記第１スキン層及び第２スキン層とが同じ組成物である、請求項１４乃至１７のいずれかに記載の層状接着剤組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これまでに開示されている難燃性エポキシ樹脂を調製するためのプロセスは、エポキシ樹脂と難燃性添加剤または硬化剤若しくは鎖延長剤との反応に焦点が当てられている。本質的に難燃性のエポキシ系モノマー、オリゴマー、ポリマー、またはコポリマーを生成するアプローチが理想的である。反応性末端基、例えばヒドロキシル基を含有していてよい広範な化学構造を有するホスホネートポリマー、コポリマー、オリゴマー及びコオリゴマーが知られている。しかし、ビスフェノールＡ及びエピクロルヒドリンと水酸化ナトリウム塩基との反応を開示している従来技術は、ホスホネートモノマーまたはポリマー、コポリマー、オリゴマー若しくはコオリゴマーに適用できない。なぜなら、合成を行うための強塩基の使用が、ホスホネート基の加水分解を引き起こして鎖開裂（及びこれによる分子量の減少）ならびにホスホン酸基を生じさせ、また、他の望ましくない反応を引き起こして副生成物の複合混合物を生じさせるからである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００５／００２０８００号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００５／０１０１７０８号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００９／００３２７７０号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２００９／０１９２２５７号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２０１１／０２７５７４３号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２０１２／０１７２５００号明細書
（特許文献７）  米国特許出願公開第２０１２／０２３８６７６号明細書
（特許文献８）  米国特許出願公開第２０１３／０１０９７９２号明細書
（特許文献９）  米国特許出願公開第２０１５／０１８３９９２号明細書
（特許文献１０）  米国特許出願公開第２０１５／０２４００８０号明細書
（特許文献１１）  米国特許第６，８６１，４９９号明細書
（特許文献１２）  米国特許第７，６４５，８５０号明細書
（特許文献１３）  米国特許第７，８１６，４８６号明細書
（特許文献１４）  米国特許第７，８３８，６０４号明細書
（特許文献１５）  欧州特許出願公開第０９８９７８８号明細書
（特許文献１６）  特開２００４−００８５４２号公報
（特許文献１７）  国際公開第２００９／１４５２２４号
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ａｂｓｔｒａｃｔ  ｏｆ  ＪＰ  ０４００８５４２  Ａ
（非特許文献２）  Ｄａｔａｂａｓｅ  ＷＰＩ，Ｗｅｅｋ  ２００９８２，Ｔｈｏｍａｓ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；  ＡＮ  ２００９−Ｒ８９８０３  ＸＰ００２７７３９９
（非特許文献３）  Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ｆｏｒ  ＥＰ  １５７５７７１３  ｄａｔｅｄ  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２１，２０１７．
（非特許文献４）  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ａｎｄ  Ｗｒｉｔｔｅｎ  Ｏｐｉｎｉｏｎ  ｆｏｒ  ＰＣＴ／ＵＳ２０１５／０１８７２１  ｄａｔｅｄ  Ｍａｙ  １９，２０１５．
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）少なくとも１種のポリマーであって、
（ａ）二量体脂肪酸が、
（ｂ）少なくとも１種の、一般構造式（Ｉ）
【化１】
2017513963.tif 000001
のポリエーテル
（式中、Ｒは、Ｃ３〜Ｃ６アルキレンラジカルであり、
ｎは、前記ポリエーテルが、４５０〜２２００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有するように選択され、
成分（ａ）及び（ｂ）は、０．７／２．３〜１．３／１．７のモル比で使用され、
結果として生じるポリマーは、１５００〜５０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量、及び１０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満の酸価を有する）
と反応することによって製造可能なポリマーと、
（Ｂ）少なくとも１種の、一般構造式（ＩＩ）
【化２】
2017513963.tif 000002
のポリエーテルと、
（式中、Ｒは、Ｃ３〜Ｃ６アルキレンラジカルであり、
ｎは、前記ポリエーテルが、２５０〜３０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有するように選択される）
（Ｃ）少なくとも１種の化合物であって、
少なくとも１種のアニオン性基、及び／又は少なくとも１種の、アニオンを形成することができる官能基を有し、
及び少なくとも１種の、より特には、少なくとも２種のイソシアネート反応性官能基を有し、（Ａ）及び（Ｂ）とは異なる化合物と、
（Ｄ）少なくとも１種のポリイソシアネートと、
（Ｅ）任意に、少なくとも１種のモノオール、又はジオールであって、（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）とは異なるモノオール、又はジオールと、
（Ｆ）少なくとも１種の化合物であって、
２種以上のイソシアネート反応性官能基を有し、（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）とは異なる化合物と、
が反応し、
及び任意に、アニオンを形成することができる成分（Ｃ）の基を中和することによって製造し得ることを特徴とするポリマー。
【請求項２】
使用される前記二量体脂肪酸が、ある程度、少なくとも９０質量％の二量体分子、５質量％未満の三量体分子、５質量％未満の単量体分子、及び他の副生成物からなることを特徴とする請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
一般構造式（Ｉ）の前記ポリエーテルが、ポリプロピレングリコール、又はポリテトラヒドロフランであり、更に、８００〜１２００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポリマー。
【請求項４】
一般構造式（ＩＩ）の前記ポリエーテルが、ポリプロピレングリコール、又はポリテトラヒドロフランであり、更に、１８００〜２２００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項５】
成分（ａ）、及び（ｂ）が、０．９／２．１〜１．１／１．９のモル比で使用されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項６】
５０００〜５００００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項７】
５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満の酸価を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリマー。
【請求項８】
少なくとも１種の、請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリマーを含むことを特徴とする着色水性ベースコート材料。
【請求項９】
前記着色水性ベースコート材料の合計質量に対する、本発明に係る全てのポリマーの質量パーセンテージフラクションの合計が、０．１質量％〜３０質量％であることを特徴とする請求項８に記載の着色水性ベースコート材料。
【請求項１０】
更なる結合剤として、少なくとも１種の、本発明に係るポリマーとは異なる他のポリウレタン樹脂を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の着色水性ベースコート材料。
【請求項１１】
付着を促進するため、着色水性ベースコート材料に請求項１に記載のポリマーを使用する方法。
【請求項１２】
（１）着色水性ベースコート材料を基材に塗布し、
（２）工程（１）で塗布されたコーティング材料からポリマーフィルムを形成し、
（３）結果として生じるベースコートフィルムにクリアコート材料を塗布し、続いて、
（４）クリアコートフィルムと共に前記ベースコートフィルムを硬化する
ことによるマルチコート塗料系の製造方法であって、
工程（１）において、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の着色水性ベースコート材料を使用することを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
工程（１）から生じた前記基材が、欠陥部分を有するマルチコート塗料系であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の製造方法によって製造し得ることを特徴とするマルチコート塗料系。
【請求項１５】
前記欠陥部分を有するマルチコート塗料系が、請求項１４に記載の塗料系であることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
尿道留置カテーテルを使用した結果発生するカテーテル関連尿路感染症（ＣＡＵＴＩ）の低減に用いられる水性洗浄組成物であって、
前記尿道留置カテーテルの当該使用において、尿道カテーテルが、哺乳動物の尿道内に挿入されることにより尿道挿入部位を規定し、当該部位が、尿道留置カテーテルを有し、
前記尿道留置カテーテルが、カテーテル挿入部位とカテーテル露出部分により特徴付けられ、前記尿道挿入部位が、バリア機能を有した酸性の角質層組織により規定され、尿道口周囲の会陰及び当該会陰と尿道口の間の周辺粘膜を含み、
前記カテーテルの挿入前に、前記カテーテル尿道挿入部位の周囲の会陰、尿道口、周辺粘膜および前記カテーテル本体を清拭するステップと、前記カテーテルの挿入後に、前記会陰、尿道口、周辺粘膜および前記カテーテル露出部分を３〜１２時間ごとに清拭するステップと、前記カテーテルの抜去直前に、前記カテーテル露出部分、会陰、尿道口および周辺粘膜を清拭するステップに使用され、前記清拭ステップでは、前記皮膚を一度に殺菌し、菌叢のバランスを維持し、真皮の深い層に浸透し、皮膚の酸性ｐＨを維持し、カテーテル関連尿路感染症（ＣＡＵＴＩ）の発生を低減し、
前記水性洗浄組成物が、
（ａ）少なくとも１種の両性界面活性剤と、
（ｂ）アロエベラ、アラントイン、コカミドプロピルベタインおよびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の抗炎症剤と、
（ｃ）少なくとも１種の皮膚適合性の消泡剤と、
（ｄ）アロエベラ、アラントイン、βグルカン、バイオフラボノイド、ポリフェノール化合物、グレープフルーツ由来の第四級化合物およびこれらの混合物から選択される少なくとも１種の細胞増殖促進剤と、
（ｅ）コロイド銀、ピクノジェノール、ブドウ種子エキス、グレープフルーツ由来の四級化合物およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の速効性の皮膚適合性の抗菌剤と、
（ｆ）以下の成分： 
（ｉ）アロエベラ、βグルカン、コロイド銀、アラントインおよびこれらの混合物からなる群より選択される免疫系強化剤、
（ｉｉ）βグルカン、アロエベラ、コロイド銀およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の吸収促進剤、
（ｉｉｉ）アロエベラ、ビタミンＥ、コカミドプロピルベタインおよびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の湿潤剤ならびに軟化剤、
（ｉｖ）バイオフラボノイド、ポリフェノール化合物、グレープフルーツ由来の四級化合物、βグルカン、アラントイン、ビタミンＥ、ピクノジェノール、ブドウ種子エキスおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種のフリーラジカル補足剤、ならびに
（ｖ）アロエベラ、アラントイン、βグルカンおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種の治癒促進剤、
からなる群より選択される少なくとも１種の異なる成分と
を含み、
前記皮膚の酸外套を維持し、感染性の微生物を除菌し、皮膚のバリア特性を維持する、水性洗浄組成物。
【請求項２】
尿道留置カテーテルの使用の結果発生するカテーテル関連尿路感染症（ＣＡＵＴＩ）の低減に用いられる水性洗浄組成物であって、前記尿道留置カテーテルの当該使用において、尿道カテーテルが哺乳動物の尿道内に挿入されることにより尿道挿入部位を規定し、当該部位が尿道留置カテーテルを有し、
更に前記カテーテルの抜去直後に前記会陰、尿道口および周辺粘膜を清拭するステップに使用される、請求項１に記載の水性洗浄組成物。
【請求項３】
尿道留置カテーテルの使用の結果発生するカテーテル関連尿路感染症（ＣＡＵＴＩ）の低減に用いられる水性洗浄組成物であって、
前記尿道留置カテーテルの当該使用において、尿道カテーテルが哺乳動物の尿道内に挿入されることにより尿道挿入部位を規定し、当該部位が尿道留置カテーテルを有し、
前記カテーテルの抜去直後に前記会陰、尿道口および周辺粘膜を清拭するステップの後、更に５日間から１ヶ月間にわたり６〜１２時間ごとならびに失禁の発生後ごとに会陰、尿道口および周辺粘膜を清拭するステップに使用される、請求項２に記載の水性洗浄組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
本発明に有用であるスキンケア洗浄剤は、米国特許第６，３５８，５１６号明細書に記載されるような洗浄剤であって、その他の成分のうち特に、
（ａ）少なくとも１種の界面活性剤(surfactant)と、
（ｂ）少なくとも１種の抗炎症剤(anti-inflammatory)と、
（ｃ）少なくとも１種の消泡剤(anti-foaming agent)と、
（ｄ）少なくとも１種の細胞増殖促進剤(cell growth-promoting agent)と、
（ｅ）少なくとも１種の速効性の抗菌剤(fast-acting antimicrobial agent)であって、前記成分のそれぞれが皮膚適合性であり前記組成物の他の成分とは異なる抗菌剤を含み、
（ｆ）少なくとも１種の免疫系強化剤(immune system-enhancing agent)がアロエベラ、βグルカン、コロイド銀、またはアラントインである、複数の免疫系強化剤(immune system-enhancing agents)；
（ｇ）少なくとも１種の吸収促進剤(absorption facilitation agents)がβグルカン、アロエベラ、またはコロイド銀である、複数の吸収促進剤；
（ｈ）少なくとも１種の湿潤剤(humectants)または軟化剤(emollients)が、アロエベラ、ビタミンＥ、またはコカミドプロピルである、複数の湿潤剤および軟化剤；
（ｉ）少なくとも１種のフリーラジカル捕捉剤(free radical-scavenging agents)が、バイオフラボノイド、ポリフェノール化合物、グレープフルーツ由来の四級化合物、βグルカン、アラントイン、ビタミンＥ、ピクノジェノール(pycnogenol)、またはブドウ種子エキスである、複数のフリーラジカル捕捉剤；ならびに
（ｊ）皮膚に適用したとき素早く空気乾燥し、洗浄し、治療可能な状態とし(therapeutically conditions)、一段階の適用で皮膚を処置する、安定したすすぎのいらない(no-rinse)放射線殺菌の可能な組成物を形成するために選択される前記成分が選択され、少なくとも１種の治癒促進剤(healing-promoting agent)がアロエベラ、アラントインまたはβグルカンであり、複数の治癒促進剤
の群から選択される少なくとも１種の異なる成分を含んでもよい。ある化合物が２つの異なるカテゴリ内で言及される場合、その化合物は製剤中で２つ両方の機能を果たし、その化合物が存在するとき各機能が存在することが理解されるべきである。