【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路であって、
入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する第１の電力増幅器のステージ、前記第１の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける;および
前記入力信号を受けるための入力と、前記出力ノードに結合された出力とを有する前記第１の電力増幅器のステージと並列に構成される第２の電力増幅器のステージ、前記第２の電力増幅器のステージは、前記時変電源電圧を受ける、
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの第１の利得は、前記時変電源電圧が第１の低電圧範囲にあるとき減少するように適合される、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージの第２の利得は、前記第１の低電圧範囲における前記第１の電力増幅器のステージの前記減少する利得を補うように適合される、および
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの前記出力は、分路構成における前記第２の電力増幅器のステージの前記出力に結合される、
を備える回路。
【請求項２】
前記第１の電力増幅器のステージは、第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子と、前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２のトランジスタを備え、前記第２のトランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子と、１つまたは複数の積層されたトランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第１のトランジスタは、第１のデバイスタイプであり、および前記第２のトランジスタは、第２のデバイスタイプである、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、異なるゲートバイアス電圧に結合される、請求項２に記載の回路。
【請求項５】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、同じゲートバイアス電圧に結合される、請求項２に記載の回路。
【請求項６】
前記１つまたは複数の積層されたトランジスタは、カスコードに構成された２つのトランジスタである、請求項２に記載の回路。
【請求項７】
前記第２のトランジスタは、複数のセグメントを備える、および、ここにおいて、異なる数のセグメントは、前記電源電圧に基づいて、アクティベートされる、および、ここにおいて、前記複数のセグメントのうちの前記１つまたは複数は好ましくは、
ソース、ゲート、およびドレイン;
前記ゲートと基準電圧との間に結合された第１のスイッチ;および
前記ゲートに結合された第２のスイッチを備える、請求項２に記載の回路。
【請求項８】
前記複数のセグメントの前記ドレインは、互いに結合され、前記複数のセグメントの前記ソースは、互いに結合される、および、ここにおいて、セグメントがアクティベートされるとき、特定のセグメントをオンにするために、前記特定のセグメント上の前記第１のスイッチは開かれ、および前記第２のスイッチは閉じられる、および、ここにおいて、前記セグメントがアクティベートされないとき、前記特定のセグメントをオフにするために、前記第１のスイッチは閉じられ、および前記第２のスイッチは開かれる、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
前記第１の電力増幅器のステージは、第１の高電圧トランジスタを備え、前記第１の高電圧トランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子と、前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２の標準トランジスタを備え、前記第２の標準トランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子と、少なくとも１つの高電圧トランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
方法であって、
第１の電力増幅器のステージにおいて、入力信号を受けること、およびそれに従って、出力ノード上で出力信号を生じさせること、前記第１の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける;および、
前記第１の電力増幅器のステージと並列に構成される第２の電力増幅器のステージにおいて、前記入力信号を受けること、およびそれに従って、前記出力ノード上で前記出力信号を生じさせること、前記第２の電力増幅器のステージは、前記時変電源電圧を受ける、
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの第１の利得は、前記時変電源電圧が第１の低電圧範囲にあるとき減少する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージの第２の利得は、前記第１の低電圧範囲における前記第１の電力増幅器のステージの前記減少する利得を補う、および
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの前記出力は、分路構成における前記第２の電力増幅器のステージの前記出力に結合される、
を備える、方法。
【請求項１１】
前記第１の電力増幅器のステージは、第１のトランジスタを備え、前記方法は、前記第１のトランジスタのコントロール端子上で前記入力信号を受けることをさらに備える、ここにおいて、前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合される、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２のトランジスタを備え、前記方法は、前記第２のトランジスタのコントロール端子上で、前記入力信号を受けることをさらに備える、ここにおいて、前記第２のトランジスタの第１の端子は、１つまたは複数の積層されたトランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合される、および、ここにおいて、好ましくは、前記第１のトランジスタは、第１のデバイスタイプであり、および前記第２のトランジスタは、第２のデバイスタイプである、または、ここにおいて、前記第１のトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスであり、前記１つまたは複数のカスコードトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスであり、および前記第２のトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスではない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、異なるゲートバイアス電圧に結合される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、同じゲートバイアス電圧に結合される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のトランジスタは、複数のセグメントを備え、前記方法は、前記電源電圧に基づいて、異なる数のセグメントをアクティベートすることをさらに備える、および、ここにおいて、前記複数のセグメントのうちの前記１つまたは複数は好ましくは、
ソース、ゲート、およびドレイン;
前記ゲートと基準電圧との間に結合された第１のスイッチ;および
前記ゲートに結合された第２のスイッチを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のセグメントの前記ドレインは好ましくは、互いに結合され、前記複数のセグメントの前記ソースは、互いに結合される、および、ここにおいて、セグメントがアクティベートされるとき、特定のセグメントをオンにするために、前記特定のセグメント上の前記第１のスイッチは開かれ、および前記第２のスイッチは閉じられる、および、ここにおいて、前記セグメントがアクティベートされないとき、前記特定のセグメントをオフにするために、前記第１のスイッチは閉じられ、および前記第２のスイッチは開かれる、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
[0042]  上記の説明は、どのように特定の実施形態の態様がインプリメントされ得るのかの例とともに、本開示の様々な実施形態を例示する。上記の例は、唯一の実施形態であると見なされるべきではなく、以下の特許請求の範囲によって定義されるような特定の実施形態の柔軟性および利点を例示するために提示された。上記の開示および以下の特許請求の範囲に基づいて、他の配置、実施形態、インプリメンテーションおよび同等物は、特許請求の範囲によって定義される本開示の範囲から逸脱することなく用いられ得る。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
回路であって、
入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する第１の電力増幅器のステージ、前記第１の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける;および
前記入力信号を受けるための入力と、前記出力ノードに結合された出力とを有する前記第１の電力増幅器のステージと並列に構成される第２の電力増幅器のステージ、前記第２の電力増幅器のステージは、前記時変電源電圧を受ける、
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの第１の利得は、前記電源電圧が第１の低電圧範囲にあるとき減少する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージの第２の利得は、前記第１の低電圧範囲における前記第１の電力増幅器のステージの前記減少する利得を補う、
を備える回路。
［Ｃ２］
前記第１の電力増幅器のステージは、第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子および前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２のトランジスタを備え、前記第２のトランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子および１つまたは複数の積層されたトランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、Ｃ１に記載の回路。
［Ｃ３］
前記第１のトランジスタは、第１のデバイスタイプであり、および前記第２のトランジスタは、第２のデバイスタイプである、Ｃ２に記載の回路。
［Ｃ４］
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、異なるゲートバイアス電圧に結合される、Ｃ２に記載の回路。
［Ｃ５］
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、同じゲートバイアス電圧に結合される、Ｃ２に記載の回路。
［Ｃ６］
前記１つまたは複数の積層されたトランジスタは、カスコードに構成された２つのトランジスタである、Ｃ２に記載の回路。
［Ｃ７］
前記第２のトランジスタは、複数のセグメントを備え、および、ここにおいて、異なる数のセグメントは、前記電源電圧に基づいて、アクティベートされる、Ｃ２に記載の回路。
［Ｃ８］
前記複数のセグメントのうちの前記１つまたは複数は、
ソース、ゲート、およびドレイン;
前記ゲートと基準電圧との間に結合された第１のスイッチ;および
前記ゲートに結合された第２のスイッチを備える、Ｃ７に記載の回路。
［Ｃ９］
前記複数のセグメントの前記ドレインは、互いに結合され、前記複数のセグメントの前記ソースは、互いに結合される、および、ここにおいて、セグメントがアクティベートされるとき、特定のセグメントをオンにするために、前記特定のセグメント上の前記第１のスイッチは開かれ、および前記第２のスイッチは閉じられる、および、ここにおいて、前記セグメントがアクティベートされないとき、前記特定のセグメントをオフにするために、前記第１のスイッチは閉じられ、および前記第２のスイッチは開かれる、Ｃ８に記載の回路。
［Ｃ１０］
前記第１の電力増幅器のステージは、第１の高電圧トランジスタを備え、前記第１の高電圧トランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子、および前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２の標準トランジスタを備え、前記第２の標準トランジスタは、前記入力信号を受けるように結合されたコントロール端子および少なくとも１つの高電圧トランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合された第１の端子とを有する、Ｃ１に記載の回路。
［Ｃ１１］
方法であって、
第１の電力増幅器のステージにおいて、入力信号を受けること、およびそれに従って、出力ノード上で出力信号を生じさせること、前記第１の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける;および、
前記第１の電力増幅器のステージと並列に構成される第２の電力増幅器のステージにおいて、前記入力信号を受けること、およびそれに従って、前記出力ノード上で前記出力信号を生じさせること、前記第２の電力増幅器のステージは、前記時変電源電圧を受ける、
ここにおいて、前記第１の電力増幅器のステージの第１の利得は、前記電源電圧が第１の低電圧範囲にあるとき減少する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージの第２の利得は、前記第１の低電圧範囲における前記第１の電力増幅器のステージの前記減少する利得を補う、
を備える、方法。
［Ｃ１２］
前記第１の電力増幅器のステージは、第１のトランジスタを備え、前記方法は、前記第１のトランジスタのコントロール端子上で前記入力信号を受けることをさらに備え、ここにおいて、前記第１のトランジスタの第１の端子は前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合される、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器のステージは、第２のトランジスタを備え、前記方法は、前記第２のトランジスタのコントロール端子上で、前記入力信号を受けることをさらに備え、ここにおいて、前記第２のトランジスタの第１の端子は、１つまたは複数の積層されたトランジスタおよび前記出力ノードを通じて前記電源電圧に結合される、Ｃ１１に記載の方法。
［Ｃ１３］
前記第１のトランジスタは、第１のデバイスタイプであり、および前記第２のトランジスタは、第２のデバイスタイプである、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］
前記第１のトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスであり、前記１つまたは複数のカスコードトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスであり、および前記第２のトランジスタは、高電圧ＭＯＳデバイスではない、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、異なるゲートバイアス電圧に結合される、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１６］
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、同じゲートバイアス電圧に結合される、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１７］
前記第２のトランジスタは、複数のセグメントを備え、前記方法は、前記電源電圧に基づいて、異なる数のセグメントをアクティベートすることをさらに備える、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１８］
前記複数のセグメントのうちの前記１つまたは複数は、
ソース、ゲート、およびドレイン;
前記ゲートと基準電圧との間に結合された第１のスイッチ;および
前記ゲートに結合された第２のスイッチを備える、Ｃ１７に記載の方法。
［Ｃ１９］
前記複数のセグメントの前記ドレインは、互いに結合され、前記複数のセグメントの前記ソースは、互いに結合される、および、ここにおいて、セグメントがアクティベートされるとき、特定のセグメントをオンにするために、前記特定のセグメント上の前記第１のスイッチは開かれ、および前記第２のスイッチは閉じられる、および、ここにおいて、前記セグメントがアクティベートされないとき、前記特定のセグメントをオフにするために、前記第１のスイッチは閉じられ、および前記第２のスイッチは開かれる、Ｃ１８に記載の方法。
［Ｃ２０］
回路であって、
入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する第１の電力増幅器の手段、前記第１の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける;および
前記入力信号を受けるための入力と、前記出力ノードに結合された出力とを有する前記第１の電力増幅器の手段と並列に構成される第２の電力増幅器の手段、前記第２の電力増幅器のステージは、前記時変電源電圧を受ける、
ここにおいて、前記第１の電力増幅器の手段の第１の利得は、前記電源電圧が第１の低電圧範囲にあるとき減少する、および、ここにおいて、前記第２の電力増幅器の手段の第２の利得は、前記第１の低電圧範囲における前記第１の電力増幅器の手段の前記減少する利得を補う、
を備える、回路。