Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客による製品へのアクセスを認可するための方法であって、
顧客デバイスから、前記製品及び製品領域を特定する製品キーを受信するステップと、
前記顧客デバイスに関連付けられている顧客アドレスを受信するステップと、
前記顧客アドレスから、前記顧客デバイスが配置されている領域を示す顧客領域を特定するステップと、
前記製品領域が前記顧客領域に合致する場合、前記顧客による前記製品へのアクセスを認可するステップと、
前記製品領域が前記顧客領域に合致しない場合、
ブロックルールを適用して、前記顧客による前記製品へのアクセスがブロックされるべきであるかどうかを判定するステップと、
アクセスがブロックされるべきであると判定すると、前記顧客による前記製品へのアクセスをブロックするステップと、
アクセスがブロックされるべきでないと判定すると、前記顧客による前記製品へのアクセスを認可するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記顧客アドレスは、ＩＰアドレスであり、前記顧客領域を特定することは、前記顧客領域が前記顧客の国から特定されるように、前記ＩＰアドレスから、前記顧客の前記国を特定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記製品キーがアクティブ化されているかどうかを判定するステップと、前記製品キーがアクティブ化されていない場合、前記顧客による前記製品へのアクセスをブロックするステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ブロックルールは、配布モードに基づいてブロックが有効化されていない場合、アクセスをブロックしないことを示す、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ブロックルールは、前記顧客アドレスに関連付けられている、前記顧客の国が正しく特定される確信度が、閾確信度以下である場合、アクセスをブロックしないことを示す、請求項１記載の方法。
【請求項６】
顧客が製品にアクセスすることを認可するためのコンピューティングデバイスであって、
前記製品及び製品領域を特定する製品キーを受信するコンポーネントであって、前記製品キーは、前記製品へのアクセスを認可することができるように、アクティブ化される、コンポーネントと、
前記製品キーを認可システムに提供するコンポーネントであって、前記認可システムは、顧客デバイスに関連付けられている顧客アドレスから、前記顧客デバイスが配置されている領域を示す顧客領域を特定する、コンポーネントと、
前記製品領域が前記顧客領域に合致せず、且つ、前記製品領域が前記顧客領域に合致しない場合であっても前記製品へのアクセスが認可されるように、ブロックルールを使用して、アクセスをブロックすることが確認されていると前記認可システムが判定した場合を除いて、前記顧客による前記製品へのアクセスが認可されているというインジケーションを受信するコンポーネントと、
を備えたコンピューティングデバイス。
【請求項７】
前記顧客アドレスは、ＩＰアドレスであり、前記認可システムは、前記顧客領域が前記顧客の位置に基づいて特定されるように、前記ＩＰアドレスから、前記顧客の前記位置を特定することにより、前記顧客領域を特定する、請求項６記載のコンピューティングデバイス。
【請求項８】
顧客による製品へのアクセスを認可するためにコンピューティングデバイスを制御するためのプログラムであって、前記プログラムは、前記コンピューティングデバイスに、
顧客デバイスから、前記製品及び製品領域を特定する製品キーを受信するステップと、
前記顧客デバイスに関連付けられている顧客アドレスを受信するステップと、
前記顧客アドレスから、前記顧客デバイスが配置されている領域を示す顧客領域を特定するステップと、
前記製品領域が前記顧客領域に合致せず、且つ、前記製品領域が前記顧客領域に合致しない場合であっても前記製品へのアクセスが認可されるように、ブロックルールを適用することにより、顧客アクセスをブロックすることが確認される場合を除いて、前記顧客による前記製品へのアクセスを認可するステップと、
を実行させる、プログラム。
【請求項９】
ブロックルールは、前記顧客アドレスに関連付けられている、前記顧客の位置が正しく特定される確信度が、閾確信度レベル以下である場合、アクセスをブロックしないことを示す、請求項８記載のプログラム。
【請求項１０】
前記プログラムは、前記コンピューティングデバイスに、認可されないアクセスを制限するためのターゲット目標を満たすように、前記閾確信度レベルを調整するステップをさらに実行させる、請求項９記載のプログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶シリコンウェハまたはチップなどの、結晶シリコン層（２）を有する基板を準備し；
少なくとも前記結晶シリコン層（２）の一方の面の一部から酸化物層を除去することにより、前記結晶シリコン層（２）の表面（２１，２３）を洗浄し；
前記洗浄された表面（２１，２３）の少なくとも一部の上に、酸窒化ケイ素層（３）を成膜し；さらに
前記酸窒化ケイ素層（３）の上に水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する（ここで、前記酸窒化ケイ素層（３）は、１００℃から２００℃までの温度で成膜される）ことを含む、結晶シリコン太陽電池デバイス（１）上にパッシベーションスタック（a passivation stack）を製造する方法であって、
前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、プラズマ支援化学気相蒸着を用いることを含み、さらに以下のサブステップを含むことを特徴とする、方法：
Ｎ２雰囲気下で前駆体ガスとしてＮ２ＯおよびＳｉＨ４を用い、かつ、
ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比を、１未満として酸窒化ケイ素を成膜する。
【請求項２】
前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比を０．５として酸窒化ケイ素を成膜することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸窒化ケイ素層（３）は、１００℃から１５０℃までの温度で成膜される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸窒化ケイ素層（３）は、１００℃から１３０℃までの温度で成膜される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、１０ｎｍ未満の厚みを有する当該層（３）を成膜することを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、５ｎｍ未満の厚みを有する当該層（３）を成膜することを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、３ｎｍの厚みを有する当該層（３）を成膜することを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する工程は、２５ｎｍを超える厚みを有する当該層（５）を成膜することを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する工程は、４０ｎｍ以上の厚みを有する当該層（５）を成膜することを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する工程は、プラズマ支援化学気相蒸着を用いることを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する工程は、水素化された窒化ケイ素層を成膜することを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する工程は、４００℃の温度で当該層を成膜することを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸窒化ケイ素層（３）および前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）の成膜後、結晶シリコン基板（２）を、７００℃を超えた温度で加熱する工程をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸窒化ケイ素層（３）および前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）の成膜後、結晶シリコン基板（２）を、８００℃で加熱する工程をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法を含む、結晶シリコン太陽電池の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図４は、１００℃から４００℃までの範囲における成膜温度の関数として、先に言及したｐ−型シリコンの少数キャリア寿命Ｔｅｆｆを、マイクロ秒で示す。同様に、ＳｉＯｘＮｙの成膜速度も示す。ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比を２０：１３および２０：４５として成膜されたＳｉＮｘ／ＳｉＯｘＮｙスタックにより不動態化された試料の両方について、Ｔｅｆｆを示す。図示された成膜速度は、２０：１３の流量比に対応するものである。図からわかるように、２０：１３のガス流量比で成膜されたＳｉＯｘＮｙを有する試料の少数キャリア寿命は、焼成後、１ミリ秒の最も良好なＴｅｆｆを得た一方、２０：４５の流量比で成膜されたＳｉＯｘＮｙを有する試料は、焼成後、２．３ミリ秒の最も良好なＴｅｆｆを得た。両者の試料についてのＴｅｆｆは、成膜温度をそれぞれ４００℃から１３０℃および１００℃まで低減したとき、約２倍となった。図から示される他の有益な効果は、温度の低下と共に、成膜速度が向上することであり、これは、従来技術を考慮すると少々驚くべきことである。例えば、Ｎ２Ｏ：ＳｉＨ４の流量比を２０：１３に保持したまま、成膜温度を４００℃から１３０℃まで下げた際、成膜速度が、０．４６から０．７ｎｍ／ｓまで向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションプロセッサ(AP)においてデータバイトをシリアライズするステップと、
前記シリアライズされたデータをダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)素子を送信するためのバスの単一のレーンを決定するステップと、
前記シリアライズされたデータバイトを前記決定された前記バスの単一のレーンを介して前記ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)素子に送信するステップと、
前記DRAM素子において、前記バスの前記単一のレーンから、前記シリアライズされたデータバイトを受信するステップと、
前記APにおいて2つ以上の他のデータバイトをシリアライズするステップと、
前記2つ以上の他のデータバイトを、前記バスの異なるレーンを介して前記DRAM素子に送信するステップと、
前記2つ以上の他のデータバイトのうちのいくつが存在するかに基づいて使用される前記異なるレーンの数を選択的に変更するステップであって、必要とされない前記バスのレーンをオフにする、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記DRAM素子において、前記シリアライズされたデータバイトをデシリアライズするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記デシリアライズされたデータバイトを先入れ先出し(FIFO)バッファに記憶するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記シリアライズされたデータバイトからのデータを前記DRAM素子のメモリアレイにロードするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
アプリケーションプロセッサ(AP)であって、
シリアライザと、
通信バスに動作可能に結合されるとともに、前記通信バスに関連付けられる複数のデータレーンを扱うように構成されるバスインターフェースと、
制御システムであって、
前記シリアライザに、データバイトをシリアライズすることと、前記シリアライズされたデータバイトを、前記バスインターフェースを通して前記通信バスの単一のレーンに渡すことと、異なるデータのバイトを送信するために使用されるデータレーンの数を変更および決定することとを行わせ、前記変更することが、前記複数のデータレーン内のレーンをオンおよびオフに切り替えることを含む
ように構成される制御システムと
を備える、アプリケーションプロセッサ(AP)。
【請求項６】
クロック信号を生成する位相ロックループをさらに備え、前記クロック信号は前記バスインターフェースによって使用される、請求項5に記載のAP。
【請求項７】
前記バスインターフェースは、クロック信号と、コマンドおよびアドレス信号とを受信するように構成される通信レーンに結合するように構成される、請求項5に記載のAP。
【請求項８】
前記通信レーンは、前記クロック信号と、前記コマンドおよびアドレス信号との両方を搬送するように構成される、請求項7に記載のAP。
【請求項９】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)素子であって、
通信バスに動作可能に結合されるとともに、前記通信バスからの複数のデータレーンを収容するように構成されるDRAMバスインターフェースであって、前記複数のデータレーンのうちの1つはクロックレーンを備える、DRAMバスインターフェースと、
前記DRAMバスインターフェースからデータを受信するとともに、前記受信したデータをデシリアライズするように構成されるデシリアライザと、
前記DRAM素子によって受信された前記データを記憶するように構成されるメモリアレイと
を備える、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)素子。
【請求項１０】
前記複数のデータレーンのうちの1つはコマンドレーンを含む、請求項9に記載のDRAM素子。
【請求項１１】
前記デシリアライザに接続されるとともに、前記デシリアライザから前記デシリアライズされたデータを受信するように構成される先入れ先出し(FIFO)バッファをさらに備える、請求項9に記載のDRAM素子。
【請求項１２】
前記FIFOバッファは、データを前記メモリアレイにロードするようにさらに構成される、請求項10に記載のDRAM素子。
【請求項１３】
複数のデータレーン、1つのクロックレーンおよび1つのコマンドレーンを備える通信バスと、
請求項5〜8のいずれか一項に記載のアプリケーションプロセッサ(AP)と、
請求項9〜12のいずれか一項に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)素子と
を備える、メモリシステム。
【請求項１４】
前記クロックレーンは前記コマンドレーンである、請求項13に記載のメモリシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の順序で実施される段階を含み、段階（ｇ）〜（ｈ）は段階（ａ）〜（ｆ）の直後に実施される、毛髪を直毛化及び染毛するためのプロセス。
（ａ）pHが４以下であり、グリオキシル酸及び／又はその水和物及び／又はその塩を含む第１組成物（直毛化組成物）を毛髪に適用する段階
（ｂ）この組成物を毛髪上に１〜120分間放置する段階
（ｃ）毛髪を乾燥させる段階
（ｄ）任意的に、毛髪を水で濯ぎ、乾燥させる段階
（ｅ）毛髪を、表面温度が130〜250℃のアイロンで処理する段階
（ｆ）任意的に、毛髪を濯ぎ、及び／又はシャンプーして、並びに乾燥させる段階
（ｇ）少なくとも１種の毛髪染料と、任意に少なくとも１種のアルカリ剤と、任意に少なくとも１種の酸化剤を含む第２組成物（染毛組成物）を前記毛髪に適用する段階
（ｈ）この組成物を毛髪上に５〜45分間放置し、組成物を洗い流し、任意的に毛髪をシャンプーで処理し、乾燥させる段階
【請求項２】
染毛組成物が、アニオン染料、カチオン染料及びニトロ染料から選択される１種以上の直接染料を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
染毛組成物が、酸化染料のプレカーサー及びカプラーを含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
染毛組成物が、アルカリ剤を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
染毛組成物が、酸化剤を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
酸化剤が、過酸化水素であることを特徴とする、請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
直毛化組成物が、グリオキシル酸及び／又はその水和物及び／又はその塩を、直毛化組成物の総重量を基準として計算して0.1〜40重量％の範囲の濃度で含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
直毛化組成物のpHが0.5〜３であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
直毛化組成物及び／又は染毛組成物が、１種以上のコンディショニング成分を更に含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
コンディショニング成分がシリコーンである、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
直毛化組成物の硫黄系還元剤の含有率が２％未満である、請求項１〜10のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
直毛化組成物が硫黄系還元剤を含まないことを特徴とする、請求項１〜11のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
直毛化組成物及び／又は染毛組成物が、毛髪上に、毛髪対組成物の重量比が0.5：2〜2：0.5の範囲となるように適用されることを特徴とする、請求項１〜12のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
アイロンの温度が170〜200℃の範囲にあることを特徴とする、請求項１〜13のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
還元組成物又はアルカリ性リラクサーを組み合わせて適用することが除外される、請求項１〜14のいずれか一項に記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２４】
グリオキシル酸一水和物（13.0重量％）（グリオキシル酸10.4重量％に相当）及び増粘剤（1.6重量％）（デヒドロキサンタンガム）を含む、pHが1.5（NaOHで調整）の水溶液を直毛化組成物として使用した。この組成物を櫛を用いて毛髪に1：1の比率で適用し、40℃の温度で15分間処理した。次いで毛髪をブロードライヤーで乾燥させ、ストレートアイロン（温度230℃）で６回伸ばした。その後、毛髪をシャンプー処理し、再びヘアドライヤーで乾燥させた。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２９】
「TopchicR Hair Color 6NN」（ダークブロンド）で染色した毛束の場合、基準毛束における色差ΔＥは5.89であり、グリオキシル酸処理により直毛化した毛束における色差ΔＥは1.46であった。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３０】
赤色に染色した毛束（「TopchicR Hair Color 6RR」）の場合、基準毛束における色差ΔＥは7.34であり、一方、グリオキシル酸処理により直毛化した毛束における色差ΔＥは5.38であった。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合相手側としてＴｉＡｌ製のタービンホイール（２）及び鋼から製造されたシャフト（３）を有するタービンロータ（１）を製造するための方法において、
前記タービンホイール（２）を用意する段階と、
半田を用意する段階と、
前記シャフト（３）を用意する段階と、
電子ビーム（５）により電子ビーム半田付けすることによって、前記タービンホイール（２）の凹部と前記シャフト（３）とを直接的に接続する段階とを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接合相手側（２、３）にそれぞれ割り当てられた温度窓にわたって交互に移動するように前記電子ビーム（５）を分割する段階を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合相手側（２、３）が、生じる熱導入の間に同時に規定された回転速度で均一に回転されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記接合相手側（２、３）を接続する前記工程段階が真空で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記真空が、ＥＢ機械（６）のプロセスチャンバ（７）で発生されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ＴｉＡｌ製のタービンホイール（２）を有し、
鋼製のシャフト（３）を有し、
タービンホイール背部（４）の凹部と前記シャフト（３）の端面（４’）との間に直接的に接続される接続装置（８）を有するタービンロータ（１）において、
前記接続装置（８）が電子ビーム半田接合部の形態であることを特徴とするタービンロータ（１）。
【請求項７】
前記接続装置（８）が選択可能な継手形状を備えることを特徴とする請求項６に記載のタービンロータ（１）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この点に関し、接合相手側は、熱導入の間に同時に規定された回転速度で均一に回転されることが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
前記海洋用コーティングが非防汚剤型防汚コーティングである、請求項５に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
海洋用コーティングのための基板は、塗装されていない表面、例えば海洋用品、または海洋用品の表面上の別のコーティング、例えば表面上の下層の下塗りまたは塗料、であり得る。好適には、海洋用コーティングは、エポキシコーティング、自己研磨型コーティング（例えば、典型的には亜鉛または銅カルボン酸塩群を包含する金属アクリレートコポリマー塗料、またはシリルアクリレートコポリマー塗料）、または非防汚剤型防汚コーティング（ｆｏｕｌ−ｒｅｌｅａｓｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）（例えば、シリコン塗料）である。海洋用コーティング組成物は、バインダーおよび溶媒、および随意に他の材料を含む。溶媒は、有機溶媒または水であり得る。他の材料は、無機顔料、有機顔料または染料、および天然樹脂を含み得る。水性コーティングは、合体剤、分散剤、界面活性剤、レオロジー調節剤、または接着促進剤も含み得る。溶剤型コーティングは、増量剤、可塑剤、またはレオロジー調節剤も含み得る。典型的な海洋用コーティング組成物は、５〜３０％のバインダー、最大１５％までの樹脂／変態樹脂、０．５〜５％の可塑剤、０．１〜２％の沈降防止剤、５〜６０％の溶媒、最大６５％までの酸化第一銅、最大３０％までの顔料（酸化第一銅以外）、および最大１５％までの海洋用防汚剤（ＤＣＯＩＴを含む）を含む。好適には、海洋用コーティングは、少なくとも０．５重量％、好適には少なくとも０．８重量％、好適には少なくとも１重量％、好適には少なくとも１．２重量％、好適には少なくとも１．４重量％、好適には少なくとも１．６重量％、好適には少なくとも１．８重量％、好適には少なくとも２重量％のＤＣＯＩＴを含む。好適には、海洋用コーティングは、５重量％以下、好適には４．５重量％以下、好適には４重量％以下、好適には３．５重量％以下、３重量％以下、好適には２．５重量％以下、好適には２重量％以下、好適には１．８重量％以下のＤＣＯＩＴを含む。好適には、海洋用コーティングは、少なくとも１重量％、好適には少なくとも１．５重量％、好適には少なくとも２重量％、好適には少なくとも２．５重量％、好適には少なくとも３重量％、好適には少なくとも３．５重量％の活性炭素を含む。好適には、海洋用コーティングは、２０重量％以下、好適には１６重量％以下、好適には１４重量％以下、好適には１２重量％以下、好適には１０重量％以下、好適には８重量％以下の活性炭素を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
好適には、活性炭素のＤＣＯＩＴに対する重量比率は、少なくとも１：１、好適には少なくとも１．５：１、好適には少なくとも２：１、好適には少なくとも２．５：１、好適には少なくとも３：１である。好適には、重量比率は、１２：１以下、好適には１０：１以下、好適には８：１以下、好適には６：１以下、好適には５：１以下、好適には４．５：１以下である。好適には、自己研磨型コーティングにおける活性炭素のＤＣＯＩＴに対する重量比率は、１．５：１〜５：１、好適には２：１〜４：１である。好適には、非防汚剤型防汚コーティングにおける活性炭素のＤＣＯＩＴに対する重量比率は、２：１〜１０：１、好適には２：１〜８：１、好適には３：１〜８：１である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
[0004]本発明は、カルボン酸及びその塩を含むカルボキシル基を有する化学物質を生成する方法及びシステムである。シュウ酸を生成する方法は、アノードを備える電気化学電池のアノード液領域でアノード液の供給原料を受けることと、カソードを備える前記電気化学電池のカソード液領域で二酸化炭素及びアルカリ金属水酸化物を含むカソード液の供給原料を受けることを含むことができる。前記方法は、アノードとカソードとの間に十分な電位を印加して、二酸化炭素を少なくとも１種の還元生成物に還元し、前記少なくとも１種の還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物とを熱反応器によりアルカリ金属のシュウ酸塩に転換することを含むことができる。前記方法はさらに、電気化学酸転換電解槽で前記アルカリ金属のシュウ酸塩を受け取り、前記電気化学酸転換電解槽で前記アルカリ金属のシュウ酸塩をシュウ酸に転換することを含むことができる。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
[0087]シュウ酸などジカルボン酸を生成する方法は、システム１００、１０５、２００、２０５によって行われる様々な工程を含むことができるようになっている。本開示及びこれに付随する多数の利点は上記の記述によって理解されると思われる。また、自明ではあるが、開示された対象から逸脱することなく、あるいはその実体の利点のすべてを犠牲にすることなく、構成要素の形態、構成、及び配置に対して様々な変更を加えることができる。上記の形態は、単に説明目的である。
［発明の態様］
［１］アノードを備える電気化学電池のアノード液領域でアノード液供給原料を受けることと、
カソードを備える前記電気化学電池のカソード液領域で二酸化炭素とアルカリ金属水酸化物を含むカソード液供給原料を受けることと、
前記アノードと前記カソードの間に十分な電位を印加して前記二酸化炭素を少なくとも１種の還元生成物に還元することと、
熱反応器により前記少なくとも１種の還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物をアルカリ金属のシュウ酸塩に転換することと、
電気化学酸転換電解槽で前記アルカリ金属のシュウ酸塩を受け取ることと、
前記電気化学酸転換電解槽で前記アルカリ金属のシュウ酸塩をシュウ酸に転換することと、を含む、シュウ酸を生成する方法。
［２］前記アノード液供給原料は水と硫酸を含む、［１］に記載の方法。
［３］前記アノード液供給原料は水とハロゲン化水素を含む、［１］に記載の方法。
［４］前記ハロゲン化水素は臭化水素を含む、［３］に記載の方法。
［５］前記アルカリ金属水酸化物は水酸化カリウムを含む、［１］に記載の方法。
［６］前記少なくとも１種の還元生成物は一酸化炭素を含む、［１］に記載の方法。
［７］前記少なくとも１種の還元生成物はギ酸カリウムを含む、［１］に記載の方法。
［８］熱反応器で前記少なくとも１種の還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物をアルカリ金属のシュウ酸塩に転換することは、アルカリ金属ギ酸塩中間生成物を生成することを含む、［１］に記載の方法。
［９］前記アルカリ金属ギ酸塩中間体はギ酸カリウムである、［８］に記載の方法。
［１０］前記電気化学酸転換電解槽で前記アルカリ金属のシュウ酸塩をシュウ酸に転換することは、１つ以上の陽イオン交換膜で仕切られた前記電気化学酸転換電解槽のイオン交換領域に前記アルカリ金属のシュウ酸塩を通すことを含む、［１］に記載の方法。
［１１］少なくとも１つのイオン交換膜で仕切られた、アノードを備えるアノード液領域とカソードを備えるカソード液領域とを有する電気化学電池と、
前記電気化学電池の前記アノード液領域に動作可能に接続されたアノード液供給原料入力と、
前記電気化学電池の前記カソード液領域に動作可能に接続され、カソード液供給原料が二酸化炭素とアルカリ金属水酸化物と含むカソード液供給原料入力と、
前記電気化学電池の前記カソード液領域での還元反応により生成された還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物を受け取るように構成された熱反応器と、
前記熱反応器で生成されたアルカリ金属のシュウ酸塩生成物を受け取ってシュウ酸を生成するように構成された電気化学酸転換電解槽と、
前記電気化学電池及び前記電気化学酸転換電解槽に動作可能に接続された電位源とを備える、シュウ酸を生成するシステム。
［１２］前記アノード液供給原料は水と硫酸を含む、［１１］に記載のシステム。
［１３］前記アノード液供給原料は水とハロゲン化水素を含む、［１１］に記載のシステム。
［１４］前記ハロゲン化水素は臭化水素を含む、［１３］に記載のシステム。
［１５］前記アルカリ金属水酸化物は水酸化カリウムを含む、［１１］に記載のシステム。
［１６］前記少なくとも１種の還元生成物は一酸化炭素を含む、［１１］に記載のシステム。
［１７］前記少なくとも１種の還元生成物はギ酸カリウムを含む、［１１］に記載のシステム。
［１８］前記電気化学電池の前記カソード液領域で還元反応により生成された還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物を受け取るように構成された前記熱反応器は、
一酸化炭素還元生成物と前記アルカリ金属水酸化物を受け取って、アルカリ金属ギ酸塩生成物を生成するように構成された第１の熱反応器と、
前記アルカリ金属ギ酸塩生成物とアルカリ金属水酸化物を受け取って、アルカリ金属シュウ酸塩生成物を生成するように構成された第２の熱反応器とを含む、［１１］に記載のシステム。
［１９］前記アルカリ金属ギ酸塩生成物はギ酸カリウムを含む、［１８］に記載のシステム。
［２０］アルカリ金属のシュウ酸塩生成物を受け取るように構成された前記電気化学酸転換電解槽は、１つ以上の陽イオン交換膜で少なくとも部分的に仕切られた前記電気化学酸転換電解槽のイオン交換領域でアルカリ金属のシュウ酸塩生成物を受け取るように構成された電気化学酸転換電解槽を含む、［１１］に記載のシステム。
［２１］アノードを備える電気化学電池のアノード液領域でアノード液供給原料を受けることと、
カソードを含む前記電気化学電池のカソード液領域で二酸化炭素と水酸化カリウムを含むカソード液供給原料を受けることと、
前記アノードと前記カソードの間に十分な電位を印加して前記二酸化炭素を一酸化炭素に還元することと、
第１の熱反応器により前記一酸化炭素と前記水酸化カリウムをギ酸カリウムに転換することと、
第２の熱反応器により前記ギ酸カリウムをシュウ酸カリウムに転換することと、
電気化学酸転換電解槽で前記シュウ酸カリウムを受け取ることと、
前記電気化学酸転換電解槽で前記シュウ酸カリウムをシュウ酸に転換することとを含む、シュウ酸を生成する方法。
［２２］前記アノード液供給原料は水と硫酸を含む、［２１］に記載の方法。
［２３］前記第２の熱反応器で水酸化カリウムの供給原料を受けることを更に含む、［２１］に記載の方法。
［２４］前記電気化学酸転換電解槽で前記シュウ酸カリウムをシュウ酸に転換することは、１つ以上の陽イオン交換膜で仕切られた前記電気化学酸転換電解槽のイオン交換領域に前記シュウ酸カリウムを通すことを含む、［２１］に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年3月30日(2018.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の特性：
Ａ）１５０，０００ｇ／モル以上のＭｗと、
Ｂ）１３Ｃ  ＮＭＲにより決定された、１９．５ｐｐｍ〜２２．０ｐｐｍの総積分面積の１５パーセント超である２１．３ｐｐｍ〜２１．８ｐｐｍのピーク面積と、を有するエチレン／プロピレン／ジエン（ＥＰＤＭ）ターポリマーを含む第１の組成物を含む組成物であって、
前記第１の組成物が、油をさらに含み、１．０以下のタンデルタ（０．１ラジアン／秒で１９０℃）を有し、前記１３Ｃ  ＮＭＲにおけるスペクトルデータが３０ｐｐｍのＥＥＥ骨格と関係づけられる、組成物。
【請求項２】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、１８０，０００ｇ／モル以上のＭｗを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、２００，０００ｇ／モル以上のＭｗを有する、請求項１または請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、４０以上のレオロジー比（１９０℃でＶ０．１／Ｖ１００）を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、８０〜１３０のレオロジー比を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記第１の組成物が、０．１ラジアン／秒、１９０℃で１５０，０００〜２５０，０００Ｐａ・ｓの粘度を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、前記インターポリマーの重量に基づいて、６〜１５重量パーセントのポリエン含有量を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、６０以上のムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１２５℃）を有する、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、４．０以下のＭＷＤを有する、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
前記ＥＰＤＭターポリマーが、前記ＥＰＤＭターポリマーの重量に基づいて、４０〜６５重量パーセントのエチレンを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の前記組成物から形成される少なくとも１つの構成要素を備える物品。
【請求項１２】
前記物品が発泡体である、請求項１１に記載の物品。
【請求項１３】
前記物品が、異形材、射出成形部品、ガスケット、自動車部品、建築および建設材料、靴構成要素、ならびに管から成る群から選択される、請求項１１に記載の物品。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれかに記載の前記組成物を調製するための方法であって、
溶液中で、少なくとも以下：エチレン、プロピレン、および非共役ポリエンを重合して、Ａ）１５０，０００ｇ／モル以上のＭｗと、Ｂ）１３Ｃ  ＮＭＲにより決定された、１９．５ｐｐｍ〜２２．０ｐｐｍの総積分面積の１５パーセント超である２１．３ｐｐｍ〜２１．８ｐｐｍのピーク面積と、を有するエチレン／プロピレン／ジエン（ＥＰＤＭ）ターポリマーを得ること
前記ＥＰＤＭターポリマーにオイルを組み込むこと
を含み、前記１３Ｃ  ＮＭＲにおけるスペクトルデータが３０ｐｐｍのＥＥＥ骨格と関係づけられる、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
発明組成物中に使用されるＥＰＤＭのさらなるＮＭＲスペクトル分析は、１９．５〜２２．０ｐｐｍの総積分面積の３．０％を超える２１．３〜２１．８ｐｐｍのピーク面積を示す。比較組成物中に使用されるＥＰＤＭ（ＮＯＲＤＥＬ  ＩＰ  ５５６５以外）の同様のスペクトル分析は、１９．５〜２２．０ｐｐｍの総積分面積の３．０％未満を示す。スペクトルデータは３０ｐｐｍのＥＥＥ骨格と関係づけられる。この領域内のピーク応答は、ＥＰＤＭ内に組み込まれたプロピレン立体規則性の差（ｍｍ％）に典型的に関する。別の種類のエチレン／αオレフィン／非共役ポリエンインターポリマーについて同様の分析を行うことができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
各発明ＥＰＤＭ組成物はまた、ＥＰＤＭ内の立体規則性ｍｍ％（メソダイアド）に関するため、「３．０％超での２１．３〜２１．８ｐｐｍのＮＭＲピーク面積％」により示される通り、予想外に高いプロピレン立体規則性を有するＥＰＤＭを含有する。表２は、バナジウム系触媒を用いて作製された商業的に入手可能なＥＰＤＭ材料（例えばＲＯＹＡＬＥＮＥ  ５２５、ＶＩＳＴＡＬＯＮ  ８６００、８８００、またはＬａｎｘｅｓｓ（Ｋｅｌｔａｎ  ７３４１Ａ）など）は、この特徴を示さないことを示す。この立体規則性特徴は、他の成分とのＥＰＤＭの相溶性および分散を改善することによって、均一溶融を提供する。発泡物品の生成の間、改善された相溶性は、より均一な気泡サイズが発泡体全体で生成されるような気泡形成の均一性の上昇を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３５】
発明組成物が低い吸水率と低い発泡体密度の予想外の組み合わせを提供することが発見された。発明組成物は、高分子量かつ高分枝のエチレン／αオレフィン／非共役ポリエンインターポリマーの、他の添加剤との均一な分散を提供する。高レベルの立体規則性ｍｍ％は、発泡体処方内の追加の成分（例えば、油、硬化剤、促進剤、他のポリマー）との改善された相溶性をもたらすと考えられている。発泡すると、滑らかな表皮、低い開放気泡含有量を有する気泡形状を有する物品がもたらされる。本発泡物品は、良好な圧縮ひずみ、低比重、および非常に低い吸水率を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月5日(2017.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブル駆動される遠位端を有する介入ツールのセンサレス力制御のためのロボットアクチュエーションシステムであって、
アクチュエーション位置のレンジにおいて前記介入ツールを制御するロボットアクチュエータであって、前記介入ツールのケーブル駆動を操作する少なくとも１つのモータ駆動ギアを有する、ロボットアクチュエータと、
前記少なくとも１つのモータ駆動ギアに接続され、前記介入ツールのアクチュエーション位置及び接触力を同時に制御するためのモータコマンドを生成するロボットワークステーションであって、アクチュエーション位置測定、及び前記介入ツールの所望のアクチュエーション位置についての前記少なくとも１つのモータ駆動ギアのモータ電流測定の関数として、前記モータコマンドを生成する、ロボットワークステーションと、
を有するロボットアクチュエーションシステム。
【請求項２】
前記ロボットワークステーションは、前記介入ツールの所望のアクチュエーション位置に関連付けられる前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の所望のモータ位置に対する、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置の比較の関数として、モータ位置誤差を生成する、請求項１に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項３】
前記ロボットワークステーションは、前記モータ駆動ギアの所望のモータ電流に対する、前記モータ駆動ギアの期待されるモータ電流の比較の関数として、接触力誤差を生成する、請求項１に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項４】
前記ロボットワークステーションは、前記介入ツールの所望のアクチュエーション位置に関連付けられる前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の所望のモータ位置に対する、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置の比較の関数として、モータ位置誤差を生成し、
前記ロボットワークステーションは、前記モータ駆動ギアの所望のモータ電流に対する、前記モータ駆動ギアの期待されるモータ電流の比較の関数として、接触力誤差を生成し、
前記モータコマンドが、前記モータ位置誤差及び前記接触力誤差を最小限にするために前記ロボットワークステーションによって生成される、請求項１に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項５】
前記ロボットワークステーションは、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置について期待されるモータ電流を含む較正ルックアップテーブルを有し、
前記ロボットワークステーションは、前記介入ツールの力対モータ電流曲線を含む較正曲線を有し、
前記ロボットワークステーションは、前記較正ルックアップテーブル及び前記較正曲線から、前記介入ツールの期待される接触力を導き出す、請求項３に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項６】
前記ロボットワークステーションは、少なくとも１つの期待されるモータ電流を出力するために、前記較正ルックアップテーブルに、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置を入力する、請求項５に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項７】
前記ロボットワークステーションは、前記介入ツールの前記期待される接触力を出力するために、前記較正曲線に前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の前記少なくとも１つの期待されるモータ電流及び測定されたモータ電流を適用する、請求項６に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項８】
前記介入ツールが、プローブ、ステア可能なカテーテル、ガイドワイヤ及び結腸内視鏡を含むケーブル駆動される介入ツールのグループのうちの１つである、請求項１に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項９】
前記ロボットアクチュエータは更に、前記介入ツールのハンドルに前記少なくとも１つのモータ駆動ギアを係合したものを収容するためのアクチュエーションチャンバを規定するために、ハンドルベース及びハンドルカバーの結合を有する、請求項１に記載のロボットアクチュエーションシステム。
【請求項１０】
ケーブル駆動の遠位端を有する介入ツールのセンサレス力制御のためのロボットワークステーションであって、
前記介入ツールと係合する少なくとも１つの各モータ駆動ギアの測定されたモータ位置について期待されるモータ電流を含む較正ルックアップテーブルを生成するアクチュエーション位置較正器と、
前記介入ツールのための力対モータ電流曲線を含む較正曲線を生成する力制御較正器と、
前記アクチュエーション位置較正器及び前記力制御較正器に接続され、前記較正ルックアップテーブル及び前記較正曲線から導き出される前記介入ツールのアクチュエーション位置及び接触力の同時制御のためのモータコマンドを生成するアクチュエーションコントローラと、
を有し、前記ロボットワークステーションは、アクチュエーション位置測定及び前記介入ツールの所望のアクチュエーション位置のための少なくとも１つのモータ駆動ギアのモータ電流測定の関数として、前記モータコマンドを生成する、ロボットワークステーション。
【請求項１１】
前記アクチュエーションコントローラは、前記介入ツールの所望のアクチュエーション位置に関連付けられる前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の所望のモータ位置に対する、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置の比較の関数として、モータ位置誤差を生成し、
前記ロボットワークステーションは、前記モータ駆動ギアの所望のモータ電流に対する、前記モータ駆動ギアの期待されるモータ電流の比較の関数として、接触力誤差を生成し、
前記モータコマンドは、前記モータ位置誤差及び前記接触力誤差を最小限にするために前記アクチュエータコントローラによって生成される、請求項１０に記載のロボットワークステーション。
【請求項１２】
前記アクチュエーションコントローラは、前記較正ルックアップテーブル及び前記較正曲線から、前記介入ツールの期待される接触力を導き出す、請求項１１に記載のロボットワークステーション。
【請求項１３】
前記アクチュエーションコントローラは、少なくとも１つの期待されるモータ電流を出力するために、前記較正ルックアップテーブルに、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の測定されたモータ位置を入力する、請求項１２に記載のロボットワークステーション。
【請求項１４】
前記アクチュエーションコントローラは、前記介入ツールの期待される接触力を出力するために、前記較正曲線に、前記少なくとも１つのモータ駆動ギアの各々の少なくとも１つの期待されるモータ電流及び測定されたモータ電流を適用する、請求項１４に記載のロボットワークステーション。
【請求項１５】
前記介入ツールは、プローブ、ステア可能なカテーテル、ガイドワイヤ及び結腸内視鏡を含むケーブル駆動される介入ツールのグループのうちの１つである、請求項１４に記載のロボットワークステーション。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
このような材料の全てからワイヤを製造することに伴う問題は、伸線加工が攻撃的であり、鞘が裂ける傾向を有することである。したがって、約１ｍｍ未満の直径をもつワイヤを提供することが難しい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
また、連結は、比較的平滑な表面、例えば、０．７超過、好ましくは０．８超過、より好ましくは０．９超過の凸状を有する粉末を提供することによっても妨げられ得る。凸状は、粒子の像（粒子像によって与えられるような２Ｄ表面での粒子の画像を包囲する仮想弾性バンド（imaginary elastic band）の類推によって典型的に作り出される）の凸包外周（convex hull perimeter）を計算し、粒子の実際の外周を測定し、以下の式によって凸状を決定することによって伝統的に計算される。
凸状＝凸包外周／実際の外周
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
「低延性合金組成」とは、ワイヤとして絞り加工し、従来の伸線装置を用いて直径を１％以上縮小することを可能にするには不十分な延性の相を意味する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの延性第１相の鞘と、前記鞘と異なる組成の粒子を含む芯とを含む複合体から形成されたろう付け合金ワイヤであって、
・前記鞘は絶対温度のアニール温度を有し、
・前記粒子は、前記鞘の前記アニール温度を少なくとも２０％超える融点を有し、
・前記粒子は、２５重量％以下が２５μｍ未満のサイズの粒子を含む粒度分布を有し、かつ、前記ワイヤの直径の７５％を超える粒子は存在せず、
・前記粒子は離散的であり、
・前記粒子は１０体積％未満のフリー金属含有量を有し、
前記複合体の全体的な組成は、低延性合金組成に等しい、ろう付け合金ワイヤ。
【請求項２】
前記粒子は、４：１未満のアスペクト比を有する、請求項１に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項３】
前記粒子は、２：１未満のアスペクト比を有する、請求項２に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項４】
前記粒子は、３：２未満のアスペクト比を有する、請求項３に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項５】
前記粒子は、前記鞘の前記アニール温度を少なくとも３０％超える融点を有する、請求項１〜４の何れか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項６】
前記粒子は、前記鞘の前記アニール温度を少なくとも４０％超える融点を有する、請求項５に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項７】
前記粒子は、５体積％未満のフリー金属含有量を有する、請求項１に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項８】
前記粒子は、０．７を超える凸状を有し、前記凸状は、粒子の像の凸包外周を計算し、粒子の実際の外周を測定し、以下の式によって凸状を決定することによって計算される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
式：凸状＝凸包外周／実際の外周
【請求項９】
前記粒子は、０．８を超える凸状を有する、請求項８に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１０】
前記粒子は、０．９を超える凸状を有する、請求項９に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１１】
前記低延性組成は、アルミニウム系合金、マグネシウム系合金、銅系合金、銀系合金、金系合金、パラジウム系合金、ニッケル系合金、及びコバルト系合金を含む群から選択される合金である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１２】
前記ろう付け合金ワイヤは、アニールされたワイヤである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１３】
前記ワイヤは環状である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１４】
前記ワイヤは、１ｍｍ未満の直径を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１５】
前記ワイヤは、０．５ｍｍ未満の直径を有する、請求項１４に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１６】
前記ワイヤは、０．２５ｍｍ未満の直径を有する、請求項１５に記載のろう付け合金ワイヤ。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤを形成する方法であって、
ａ）少なくとも１つの延性第１相の鞘と、前記鞘と異なる組成の粒子を含む芯とを含む複合体のプリフォームを提供すること（ここで、
・前記鞘は絶対温度のアニール温度を有し、
・前記粒子は、前記鞘の前記アニール温度を少なくとも２０％超える融点を有し、
・前記粒子は、２５重量％以下が２５μｍ未満のサイズの粒子を含む粒度分布を有し、かつ、前記ワイヤの直径の７５％を超える粒子は存在せず、
・前記粒子は離散的であり、
・前記粒子は１０体積％未満のフリー金属含有量を有し、
前記複合体の全体的な組成は、低延性合金組成に等しい）、及び
２つ以上の縮小工程において、前記プリフォームの長さを増大させつつ前記プリフォームの直径を縮小させて前記ワイヤを形成すること
を含み、１つ以上のアニール工程を前記２つ以上の縮小工程の間に提供し、前記鞘に対して延性を回復させる、方法。
【請求項１８】
前記２つ以上の縮小工程は、１つ以上のスウェージング工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記２つ以上の縮小工程は、１つ以上のロール延伸工程を含む、請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記２つ以上の縮小工程は、１つ以上の深絞り工程を含む、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記２つ以上の縮小工程は、スウェージング、ロール延伸及び深絞りの群から選択される２つ以上の異なる縮小工程の組み合わせを含む、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記プリフォームの材料は、前記１つ以上の縮小工程の前に脱気される、請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記１つ以上の延性第１相は、直径で５％以上縮小する前記複合体の絞り加工を可能にするのに十分な割合で存在する、請求項１７〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
部品に接合するために請求項１〜１６のいずれか一項に記載のろう付け合金ワイヤを使用して物品を形成することを含む、炉内ろう付け方法。