【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
更に、本発明は、例えば、１１００ｐｍ／Ｖより大きな横有効直線Ｅ−Ｏ係数γTC及び最大５２７ｐｍ／Ｖの縦有効直線Ｅ−Ｏ係数γlCを示し、(ドープされた若しくはドープされていないＰＭＮ−ＰＴ、ＰＩＮ−ＰＭＮ−ＰＴ又はＰＺＮ−ＰＴ強誘電体結晶から作られ得る）超高直線Ｅ−Ｏ係数γCを示し、非常に多くの変調、コミュニケーション、レーザー及び産業用途において、２００Ｖ未満の非常に低い半波長電圧Ｖlπ及び８７Ｖ未満のＶTπをもたらすような電気光学（Ｅ−Ｏ）結晶素子に関する。同様に、本発明は、提案結晶素子は、結果を与える手段として有効であることに付いて言及し、別の言い方をすれば、提案結晶素子は、以下の有効な構造と同じものを含む製品、システム及び装置において２００Ｖ未満のＶlπ及び８７Ｖ未満のＶTπの非常に低い半波長電圧をもたらす１１００ｐｍ／Ｖよりも大きい横有効直線Ｅ−Ｏ係数γTC及び最大５２７ｐｍ／Ｖの縦有効直線Ｅ−Ｏ係数γlCを提供するための手段である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
Ｅ−Ｏ単結晶材料は、ＰＭＮ−ＰＴ（マグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛）若しくはＰＩＮ−ＰＭＮ−ＰＴ（インジウムニオブ酸鉛−マグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛）又はＰＺＮ−ＰＴ（亜鉛ニオブ酸鉛−チタン酸鉛）若しくは上記のドープ結晶から選択され得る。発明は、特に、再分極可能設計、即ち結晶中のポーリング方向＜０１１＞に平行な応用電場に関する。Ｅ−Ｏ結晶素子は、（１）（操作温度-３０℃〜８５℃で）３５０〜１１００ｐｍ／Ｖの範囲と同じ高さで有効横直線Ｅ−Ｏ係数γTC及び４５Ｖ(ｌ／ｄ＝1)未満の非常に低い半波長電圧ＶTπを示し、（２）（操作温度-３０℃〜１１０℃で）２８０〜８００ｐｍ／Ｖの範囲と同じ高さで有効縦直線Ｅ−Ｏ係数γlC及び３００Ｖ（ｌ／ｄ＝１）未満、好ましくは約２００Ｖ、より好ましくは約１５０Ｖ未満の非常に低い半波長電圧Ｖlπを示す。再ポーリング能の性質に加えて、超高有効Ｅ−Ｏ係数γC及び非常に低いＶπが、新世代のＥ−Ｏ結晶素子として各種のＥ−Ｏ装置への発明結晶素子の使用を可能にしている。特に、しかし限定されないが、Ｅ−Ｏ切り替え、Ｅ−Ｏ位相変調、Ｅ−Ｏ振幅変調、レーザービーム変調及び光学複屈折装置に利用可能である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の一つの態様にしたがって、電気光学結晶素子を製造する方法が提供され、以下の化学式の一つによって表わされる化学組成を有する強誘電体結晶を作成する工程と、
（Ｉ）Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    式中ｘは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは
（ＩＩ）Pb(Zn1/3Nb2/3)1-ｙTiｙO3    式中ｙは０．０４〜０．１１として定義され、
全ての結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）、テルビウム（Ｔｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープすることができ、
（０１１）にその結晶素子をスライスし、ウェハースを形成する工程と、
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向にその結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極する工程とを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の別の態様にしたがって、電気光学結晶素子を製造する方法が提供され、分極の工程が単一ドメイン並びに複数のナノドメイン構造の一つをもたらす。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の別の態様にしたがって、横モード結晶素子を提供する電気光学結晶素子及び＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５２７ｐｍ／Ｖよりも大きい横有効Ｅ−Ｏ係数γTC及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも小さい半波長電圧ＶTπを与える、横モード結晶素子を製造する方法が提供される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の別の態様にしたがって、縦モード結晶素子上に透明な電極をコーティングしつつ縦モード結晶素子を提供する電気光学結晶素子及び室温２０℃で４２７ｐｍ／Ｖよりも大きい縦有効Ｅ−Ｏ係数γlC及び３００Ｖよりも小さいＶlπの＜０１１＞分極を提供する縦モード結晶素子を製造する方法が提供される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の別の態様にしたがって、電気光学結晶素子を製造する方法が提供され、下記化学式によって表わされる化学組成を有する強誘電体結晶を作成する工程と、
(III)    y*[Pb(In1/2Nb1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
式中ｘは、０．００〜０．３５として定義、
ｙは０．００〜０．３５として定義され、
その結晶素子を（０１１）ウェハースにスライスする工程と、
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向にその結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極する工程とを含む。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明の別の態様にしたがって、電気光学結晶素子を製造する方法が提供され、式IIIに従って、更に工程は、横モード結晶素子及び＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５００ｐｍ／Ｖよりも大きい横有効Ｅ−Ｏ係数γTC及び、１２Ｖ（ｌ／ｄ＝７）よりも小さい半波長電圧ＶTπを与える横モード結晶素子を提供する工程を含む。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明の別の態様にしたがって、電気光学結晶素子を製造する方法が提供され、縦モード結晶素子を提供する工程と、縦モード結晶素子上に透明な電極をコーティングする工程を含み、縦モード結晶素子が、室温２０℃で４２７ｐｍ／Ｖよりも大きい縦有効Ｅ−Ｏ係数γlC及び３００Ｖよりも小さいＶlπの＜０１１＞分極を提供する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明の別の態様にしたがって、振幅変調器及び位相変調器の一つであるシステムは、式IIIに従う方法によって製造される縦モード電気光学結晶素子及び室温２０℃で４２７ｐｍ／Ｖよりも大きい縦有効Ｅ−Ｏ係数γlC及び３００Ｖよりも小さいＶlπの＜０１１＞分極を提供するための手段を含む縦モード電気光学結晶素子を備える電気光学システムが提供される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の別の態様にしたがって、振幅変調器及び位相変調器の一つであるシステムは、式I若しくは式IIに従う方法によって製造される横モード電気光学結晶素子及び＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５００ｐｍ／Ｖよりも大きい横有効Ｅ−Ｏ係数γTC及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも小さい半波長電圧ＶTπを与えるための手段を含む横モード電気光学結晶素子を備える電気光学システムが提供される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明の別の態様にしたがって、振幅変調器及び位相変調器の一つであるシステムは式IIIに従う方法によって製造される横モード電気光学結晶素子及び＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５００ｐｍ／Ｖよりも大きい横有効Ｅ−Ｏ係数γTC及び１２Ｖ（ｌ／ｄ＝７）よりも小さい半波電圧ＶTπを与えるための手段を含む横モード電気光学結晶素子を備える電気光学システムが提供される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
【図１】＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶の圧電係数ｄ31の異方性表面である。
【図１Ａ】図１の＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶に関する圧電係数ｄ31の異方性表面の３Ｄプロットである。
【図１Ｂ】ユニークな異方性特性、正のｄ31並びに負のｄ32を示す図１Ａ中の３ＤプロットのＸ−Ｙ切断面の２Ｄプロットであり、＜００１＞ポーリング並びに＜１１１＞ポーリングに対してｄ31並びにｄ32は両方とも負である。
【図２Ａ】＜０１１＞分極を持つ横モードＥ−Ｏ結晶素子である。
【図２Ｂ】＜０１１＞分極を持つ縦モードＥ−Ｏ結晶素子である。
【図３】記載の通り、Ｅ−Ｏ結晶素子（セル)にするために、さいの目にされ、研磨され、光学的仕上げがなされたＥ−Ｏ結晶ウエハーである。
【図３Ａ】ここに記載の通り、＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶素子を用いる縦モードＥ−Ｏ振幅変調システムである。
【図３Ｂ】ここに記載の通り、＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶素子を用いる縦モードＥ−Ｏ位相変調器システムである。
【図４】記載の通り、Ｅ−Ｏ結晶素子（セル)にするためにさいの目にされ、研磨され、光学的仕上げがなされたＥ−Ｏ結晶ウエハーである。
【図４Ａ】ここに記載の通り、＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶素子を用いる横モードＥ−Ｏ振幅変調器システムである。
【図４Ｂ】ここに記載の通り、＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶素子を用いる横モードＥ−Ｏ位相変調器システムである。
【図５】Ｅ−Ｏ結晶素子（セル)にするために、さいの目にされ、研磨され、光学的仕上げがなされたＥ−Ｏ結晶ウエハーである。
【図５Ａ】例えば、コミュニケーションシステムに使用するための横モードの＜０１１＞分極Ｅ−Ｏ結晶素子を用いる進行波Ｅ−Ｏ変調器である。
【図６Ａ】レーザービームのための典型的なＥ−Ｏ変調器であって、位相内ビームとともに再結合した(０１１)表面上のマッハツェンダー干渉計変調器の上面図と一体の概略図である。
【図６Ｂ】レーザービームのための典型的なＥ−Ｏ変調器であって、位相外ビームとともに再結合した、(０１１)表面上のマッハツェンダー干渉計変調器の上面図と一体の概略図である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
強誘電体Ｅ−Ｏ単結晶材料は、ＰＭＮ−ＰＴ（マグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛）若しくはＰＩＮ−ＰＭＮ−ＰＴ（インジウムニオブ酸鉛−マグネシウムニオブ酸鉛−チタン酸鉛）又はＰＺＮ−ＰＴ（亜鉛ニオブ酸鉛−チタン酸鉛）若しくは上記のドープ結晶であっても良い。特に、発明は、上に述べた、再極化可能設計＜０１１＞極化（立方表記）強誘電体結晶に関する。０．４１μｍから透明である分極化結晶の光透過は、ＩＲ領域、すくなくとも５μｍまで、任意の顕著な吸収帯も無く連続している。Ｅ−Ｏ結晶は、超高有効で明確な電気光学係数γC/γ＊C及び非常に低い８７Ｖ未満の半波電圧を与える。この＜０１１＞再分極化可能特性は、使用の信頼性と便利さに関して実際の応用にとって戦略的に重要である。再分極化可能構造の別の長所は、Ｅ−Ｏ結晶素子の製作コストが低いことである。＜０１１＞極化Ｅ−Ｏ結晶素子は、（１）（操作温度−３０℃〜１１０℃で）３５０〜１１００ｐｍ／Ｖの範囲と同じ高さで有効横直線Ｅ−Ｏ係数γTC及び８５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）未満と１２Ｖ（ｌ／ｄ＝７）未満の非常に低い半波長電圧ＶTπを示し、（２）３１５Ｖ未満の非常に低い半波長電圧Ｖlπをもち（操作温度−３０℃〜１１０℃で）２８０〜８００ｐｍ／Ｖの範囲と同じ高さで有効縦直線Ｅ−Ｏ係数γlCを示すことを発見した。再ポーリング能の性質に加えて、超高有効Ｅ−Ｏ係数γC及び非常に低いＶπによって、発明結晶素子が、新世代のＥ−Ｏ結晶素子として各種のＥ−Ｏ装置に使用可能である。特に、Ｅ−Ｏ切り替え、Ｅ−Ｏ位相変調、Ｅ−Ｏ振幅変調、レーザー光変調、同調フィルター及び光複屈折装置に利用可能である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
実験サンプル２
以下の組成を持つ縦モードＥ−Ｏ結晶素子：６７．５％ＰＭＮ−３２．５％ＰＴ単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図２Ｂに示す。試験の結果は以下の通り、３００Ｖ未満の非常に低い半波電圧Ｖlπを具備する２０℃で４５０ｐｍ／Ｖの高さの有効縦直線Ｅ−Ｏ係数γlCである。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
実験サンプル３
以下の組成を持つ縦モードＥ−Ｏ結晶素子：２４％ＰＩＮ５２．４％ＰＭＮ−２３．６％ＰＴ単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図３に示す。試験結果は以下の通り、３１５Ｖ未満の非常に低い半波電圧Ｖlπを具備する２０℃で５００ｐｍ／Ｖの高さの有効縦直線Ｅ−Ｏ係数γlCである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
実験サンプル４
以下の組成を持つ横モードＥ−Ｏ結晶素子：２４％ＰＩＮ５２．４％ＰＭＮ−２３．６％ＰＴ単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図４に示す。試験結果は以下の通り、９５Ｖ未満の非常に低い半波電圧ＶTπを具備する２０℃で５２７ｐｍ／Ｖよりも大きい有効横直線Ｅ−Ｏ係数γTCである。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
さて、図５Ａを具体的に参照して、横モード結晶を備えた電気光学システムは、例えば、示されるように、コミュニケーションシステム中に、無反射終端を有し、同様に示されるように変調シグナル源に動作可能にリンクした電気光学結晶間隔伝送線を含んでも良い。追加的に含まれるのは、偏光特性（ここでは４分の１波長板）及び出力偏光板である。その他の支持構造物は、提案発明を研究する各技術分野の当業者によって理解されるものである。結果として、本発明は、電気光学システム、例えば、光学イメージングシステム、レーザーシステム、コミュニケーションシステム又は、提案開示を研究している当業者によって理解されるであろうその他のものを提供する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（Ｉ）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-yTiyO3    ここでyは０．０４〜０．１１として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極化する工程と、
横モード結晶素子を提供する工程とを含み、及び
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５２７ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも低い半波電圧ＶTπを与えることを特徴とするＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項２】
前記結晶素子を製造する工程は、当該製造の際に最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）、テルビウム（Ｔｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素を一緒にドープ又は共ドープする請求項１記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項３】
前記分極化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項１または２に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項４】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項５】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項６】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（Ｉ）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは 
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-yTiyO3    ここでyは０．０４〜０．１１として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極化する工程と、
縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、及び
前記縦モード結晶素子が、室温２０℃で４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γｌc及び３００Ｖよりも低い半波電圧Ｖlπの＜０１１＞分極を提供することを特徴とするＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項７】
前記結晶素子を製造する工程は、当該製造の際に最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）、テルビウム（Ｔｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）ならびにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素を一緒にドープ又は共ドープする請求項６記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項８】
前記分極化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項６または７に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項９】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項６または７に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１０】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１１】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
ｙは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極化する工程と、
横モード結晶素子を提供する工程とを含み、及び
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞分極を提供し、室温２０℃で５００ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc及び１２Ｖ(ｌ／ｄ＝７)よりも低い半波電圧ＶTπを与えることを特徴とするＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１２】
前記分極化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項１１に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１３】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項１１に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１４】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１５】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
ｙは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５℃未満の温度範囲で、抗電場（Ｅｃ）の２倍の下で、＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造で分極化する工程と、
縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、及び
前記縦モード結晶素子が、室温２０℃で４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γｌc及び３００Ｖよりも低い半波電圧Ｖlπの＜０１１＞分極を提供することを特徴とするＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１６】
前記分極化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項１５に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１７】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子を研磨し、光学的仕上げを行う工程と、それによって前記電気光学結晶素子を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１５に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１８】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載のＥ−Ｏ結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法。