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【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形材料から形成する成形品の曲げ靭性を改良する方法であって、ポリオキシメチレン又は多数のオキシメチレン単位を含有するコポリマーを含む成形材料中に、該成形材料から形成する成形品の曲げ靭性を改良するため、ポリ−１，３−ジオキセパン、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物を導入する工程を含み、２０，０００〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の質量平均モル質量（Ｍｗ）を有するポリオキシメチレンコポリマーであって、ポリマーに対して少なくとも９０質量％が、モノマーとしてのトリオキサン及び１，３−ジオキセパン及び調節剤としてのブチラールから誘導され、１，３−ジオキセパンの割合がポリマーに対して１〜３０質量％の範囲であり、またブチラールの割合がポリマーに対して０．０１〜２．５質量％の範囲にある（質量％はコポリマーに対するものである）ものを使用し、分子量をゲル浸透クロマトグラフィー又はサイズ排除クロマトグラフィーによって測定することを特徴とする方法。
【請求項２】
成形材料から形成する成形品の曲げ靭性を改良することには、破断点伸びを増大させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリ−１，３−ジオキセパン、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物を、ポリオキシメチレン又は多数のオキシメチレン単位を含有するコポリマー、及びポリ−１，３−ジオキセパン、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物の総量に対して、１〜１６質量％の量で使用する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
質量平均分子量が１００００〜１５００００ｇ／ｍｏｌのポリ−１，３−ジオキセパンを使用する請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリオキシメチレンコポリマーの質量平均モル質量（Ｍｗ）が、３０，０００〜６０，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは４０，０００〜５０，０００ｇ／ｍｏｌ、及び／又は数平均モル質量（Ｍｎ）が５，０００〜１８，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは８，０００〜１６，０００ｇ／ｍｏｌ、特に、１０，０００〜１４，０００ｇ／ｍｏｌである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ポリオキシメチレンコポリマーのＭｗ／Ｍｎ比が３〜５の範囲、好ましくは３．５〜４．５の範囲にある請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記成形材料が混合物を含むものであって、
成分Ｂ１．１として１０〜９０質量％のポリオキシメチレンホモポリマー又はコポリマーで６０，０００ｇ／ｍｏｌを超えて２００，０００ｇ／ｍｏｌまでの範囲の質量平均モル質量（Ｍｗ）を有するもの、
及び
成分Ｂ１．２として１０〜９０質量％のポリオキシメチレンコポリマーで１０，０００〜６０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の質量平均モル質量（Ｍｗ）を有するもの
を含むものである請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ポリマーに対して少なくとも９０質量％の成分Ｂ１．１は、モノマーとしてのトリオキサン及び任意の１，３−ジオキセパン、好ましくはモノマーとしてのトリオキサン及び１，３−ジオキセパンから誘導されるものであって、１，３−ジオキセパンの割合が、ポリマーに対して１〜５質量％、好ましくは２〜３．５質量％、特に、２．５〜３質量％である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ポリマーに対して少なくとも９０質量％の成分Ｂ１．２は、モノマーとしてのトリオキサン及び任意の１，３−ジオキセパン、好ましくはモノマーとしてのトリオキサン及び１，３−ジオキセパンから誘導されるものであって、１，３−ジオキセパンの割合が、ポリマーに対して２．７〜３０質量％、好ましくは２．８〜２０質量％、特に、３〜１７質量％である請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
Ａ．）焼結可能な粉砕金属又は焼結可能な粉砕金属合金又は焼結可能な粉砕セラミック又はこれらの混合物４０〜７０体積％；
Ｂ．）下記のものからなる混合物を含むバインダー３０〜６０体積％；
Ｂ１．）５０〜９７質量％（成分Ｂの合計量に対して）の１種又はそれ以上のポリオキシメチレンホモポリマー又はコポリマー；
Ｂ２．）２〜３５質量％（成分Ｂの合計量に対して）の１種又はそれ以上のポリオレフィン；
Ｂ３．）１〜４０質量％（成分Ｂの合計量に対して）のポリ−１，３−ジオキソラン、ポリ−１，３−ジオキセパン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物（Ｂ１．）、Ｂ２．）及びＢ３．）の総量が１００質量％になるまで加える）； 
を含む成形材料を使用する請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
成分Ｂ１．１として、１０〜９０質量％のポリオキシメチレンホモポリマー又はコポリマーで６０，０００ｇ／ｍｏｌを超えて２００，０００ｇ／ｍｏｌまでの範囲の質量平均モル質量（Ｍｗ）を有するものと、成分Ｂ１．２として、１０〜９０質量％のポリオキシメチレンコポリマーで１０，０００〜６０，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の質量平均モル質量（Ｍｗ）を有するものとを含む異なるポリオキシメチレンホモポリマー又はコポリマーの混合物を含む成形材料から形成する成形品の曲げ靭性を改良する方法であって、該成形材料中にポリ−１，３−ジオキセパン、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物を含ませる工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記成形材料及びポリ−１，３−ジオキセパン、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリテトラヒドロフラン又はこれらの混合物が請求項４〜１０のいずれか一項で定義したものである請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１１〜１２のいずれか一項に記載の成形材料。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの熱硬化性樹脂を含む硬化可能な熱硬化性マトリックス樹脂と、
硬化可能な熱硬化性マトリックス樹脂を含浸させた補強繊維と、
アミン官能化ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）重合体又はその共重合体の粒子とを含み、
粒子が、熱硬化性樹脂と共有結合を形成可能な粒子上のアミン官能基を含み、実質的に球状の形である、複合材料。
【請求項２】
前記アミン官能化ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）重合体又は共重合体が、以下のアリールエーテルケトン繰り返し単位：
−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−
−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−
−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−
−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−
−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ａｒ−Ｃ（＝Ｏ）−
（式中、各々のＡｒは独立して芳香族部分である）
のうち１つ又は複数を有する、請求項１に記載の複合材料。
【請求項３】
アミン官能化ＰＡＥＫ共重合体が、アリールエーテルケトン繰り返し単位及び以下の繰り返し単位：
2017523256.tif 000001
又は−Ｃ（ＣＦ３）２−
のうち１つ又は複数を含む、請求項１又は２に記載の複合材料。
【請求項４】
アミン官能化ＰＡＥＫ重合体又は共重合体が以下の構造：
2017523256.tif 000002
（式中、Ｅはアミン官能基であり、ｎは１５から２００の整数である）
を有する、請求項１に記載の複合材料。
【請求項５】
Ｅがフェノキシアニリンである、請求項４に記載の複合材料。
【請求項６】
粒子が、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルケトンポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＰＥＫＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、及びそれらのブレンドからなる群から選択されるＰＡＥＫ重合体を含む、請求項１又は２に記載の複合材料。
【請求項７】
前記粒子が約１から１．５のアスペクト比（Ｒ）を有する実質的に球状の形である、請求項１に記載の複合材料。
【請求項８】
粒子が７５μｍ未満の直径を有する実質的に球状の粒子である、請求項１に記載の複合材料。
【請求項９】
前記アミン官能化ポリアリールエーテルケトン重合体又はその共重合体が、−ＮＨ２末端基及び１００：０から６０：４０の範囲内のテレフタル基：イソフタル基（Ｔ：Ｉ）比を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）又はそのイミド−若しくはスルホン−共重合体である、請求項１に記載の複合材料。
【請求項１０】
Ｒ１及びＲ３のうち少なくとも１つが分岐単位：
2017523256.tif 000003
であり、分岐単位が０．５％から２５％のモル百分率で存在する、請求項４に記載の複合材料。
【請求項１１】
少なくとも１つの熱硬化性樹脂がエポキシド、ビスマレイミド、及びベンゾオキサジンからなる群から選択される、請求項１に記載の複合材料。
【請求項１２】
補強繊維が複数の繊維層として配置され、少なくとも１つの層間領域が２層の隣り合った繊維層間に作られ、粒子が前記層間領域内に位置する、請求項１に記載の複合材料。
【請求項１３】
各々の繊維層における補強繊維が一方向繊維である、請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１４】
各々の繊維層における補強繊維が織物である、請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１５】
複合材積層板を製作する方法であって、
各プリプレグが、硬化可能なマトリックス樹脂を含浸させた補強繊維層、及び補強繊維層に隣り合って位置するアミン官能化ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）の官能化重合体粒子を含む、複数のプリプレグを形成することと、
層間領域が補強繊維の隣り合った層間に画定され、且つ官能化ＰＡＥＫ粒子が前記層間領域内に位置するように、プリプレグを積重ね配置でレイアップすることとを含み、
硬化可能なマトリックス樹脂が少なくとも１つの熱硬化性樹脂を含み、
官能化重合体粒子が、少なくとも１つの熱硬化性樹脂と共有結合を形成可能なアミン官能基を含む、アミン官能化ポリアリールエーテルケトン重合体又はその共重合体の粒子であり、官能化重合体粒子が実質的に球状の形である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＦ3ＣＨ2ＳＨを作成する方法であって、ＣＦ3ＣＨ2Ｘ（ここで、Ｘは、ハライドおよびトシレートからなる群から選択される脱離基である）を、ＭＳＨ（ここで、Ｍは、アルカリ金属である）と反応させる工程を含む、方法。
【請求項２】
ＸがＣｌである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＭがＮａである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記反応が、少なくとも１種の有機溶媒の中で実施される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記反応が、少なくとも１種の極性有機溶媒の中で実施される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記反応が、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、エチレングリコール、およびそれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１種の溶媒の中で実施される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記反応が、相間移動触媒の存在下に実施される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記相間移動触媒がテトラアルキルアンモニウム塩である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記テトラアルキルアンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩、たとえばテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、メチルトリオクチルアンモニウムクロリド、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ＭＳＨが、過剰モル状態でＣＦ3ＣＨ2Ｘと反応される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
ＣＦ3ＣＨ2Ｘの１モルあたり、少なくとも２モルのＭＳＨが反応される、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記反応が、７０℃〜１１０℃の範囲内の温度で実施される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
ＣＦ3ＣＨ2ＸとＭＳＨとが、１時間〜５時間の時間をかけて反応される、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記反応が、大気圧よりも高い圧力で実施される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
ＣＦ3ＣＨ2ＸとＭＳＨとの反応の際に、Ｈ2Ｓをさらに存在させる、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記反応が、密閉された反応器の中で、液状の反応媒体の中に存在させたＣＦ3ＣＨ2ＸおよびＭＳＨを用いて実施され、かつ前記密閉された反応器の中に十分な量のＨ2Ｓを存在させて、前記液状の反応媒体の上でのＨ2Ｓの分圧が飽和分圧よりも高くなるようにする、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
ＣＦ3ＣＨ2ＸとＭＳＨとの反応が、ＣＦ3ＣＨ2ＳＨならびに、（ＣＦ3ＣＨ2）2Ｓ2および（ＣＦ3ＣＨ2）2Ｓからなる群から選択される少なくとも１種の副生物からなる、反応生成物の混合物を生成する、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記反応生成物の混合物からＣＦ3ＣＨ2Ｘを分離するさらなる工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記反応生成物の混合物から前記少なくとも１種の副生物を分離するさらなる工程をさらに含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記反応生成物の混合物から分離された前記少なくとも１種の副生物を水素化剤と反応させてＣＦ3ＣＨ2ＳＨを形成させるさらなる工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ＣＦ3ＣＨ2ＳＨを作成する方法であって、１種または複数の極性有機溶媒からなる反応媒体中、７０℃〜１１０℃の温度で、１〜５時間の時間をかけて、ＣＦ3ＣＨ2Ｃｌを過剰モルのＮａＳＨと反応させる工程が含まれる、方法。
【請求項２２】
ＣＦ3ＣＨ2ＣｌとＮａＳＨとの反応の際に、Ｈ2Ｓをさらに存在させる、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月15日(2018.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空冷プラズマ切断トーチのための旋回リングであって、
外面及び内部空洞を有する上流部と、
外面及び内部空洞を有する下流部と、
を含み、
前記上流部の外面は、前記下流部の外面の外径よりも大きい外径を有し、
前記上流部は、前記上流部の外面に形成されるとともに前記上流部の長さに沿って延びた複数の流路を有し、
前記下流部は、前記下流部の外面から前記下流部の内部空洞に延びた複数の孔を有し、該複数の孔は第１の種類の孔及び第２の種類の孔で構成され、前記第１の種類の孔のそれぞれは、前記第１の種類の孔の中心線が前記下流部の中心線に対して垂直になるように前記下流部の中心線を通って延びる中心線を有し、該第２の種類の孔のそれぞれは、前記下流部の中心線に対して傾斜した中心線を有する、旋回リング。
【請求項２】
前記複数の流路は前記上流部の長さ全体に沿って延び及び／又は前記流路は前記旋回リングの中心線に対して傾斜している、請求項１に記載の旋回リング。
【請求項３】
前記下流部は少なくとも２列の前記第１の種類の孔及び少なくとも２列の前記第２の種類の孔を有する、請求項１又は２に記載の旋回リング。
【請求項４】
前記第１の種類の孔は第１の直径を有する第１の量の孔及び第２の直径を有する第２の量の孔を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の旋回リング。
【請求項５】
前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して１５〜７５°の範囲の角度又は２５〜６０°の範囲の角度で傾斜している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の旋回リング。
【請求項６】
前記第２の種類の孔のそれぞれの中心線は互いに対して同一平面上にある、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の旋回リング。
【請求項７】
前記第２の種類の孔は第１の直径を有する第１の量の孔及び第２の直径を有する第２の量の孔を有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の旋回リング。
【請求項８】
前記第２の種類の孔は少なくとも２つの列に配置され、前記列のうちの第１の列にある前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して第１の方向を有し、前記列のうちの第２の列にある前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して第２の方向を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の旋回リング。
【請求項９】
空冷プラズマトーチであって、
ワークピースを切断するためのプラズマジェットの発生源であるハフニウム挿入体を有する電極と、
空洞を有する円筒部と、遠位端にのどを有する円錐状下流部とを有するノズルであって、前記プラズマジェットが前記のどを通って送られるように前記電極が前記空洞に挿入されている、ノズルと、
外面及び内部空洞を有する上流部と、外面及び内部空洞を有する下流部とを含む旋回リングであって、前記電極は前記上流部の内部空洞及び前記下流部の内部空洞を通って挿入されている、旋回リングと、
を含み、
前記上流部の外面は、前記下流部の外面の外径よりも大きい外径を有し、
前記上流部は、前記上流部の外面に形成されるとともに前記上流部の長さに沿って延びた複数の流路を有し、
前記下流部は、前記下流部の外面から前記下流部の内部空洞に延びた複数の孔を有し、該複数の孔は第１の種類の孔及び第２の種類の孔で構成され、該第１の種類の孔のそれぞれは、前記第１の種類の孔の中心線が前記下流部の中心線に対して垂直になるように前記下流部の中心線を通って延びる中心線を有し、該第２の種類の孔のそれぞれは、前記下流部の中心線に対して傾斜した中心線を有する、空冷プラズマトーチ。
【請求項１０】
前記複数の流路は前記上流部の長さ全体に沿って延び及び／又は前記流路は前記旋回リングの中心線に対して傾斜している、請求項９に記載のトーチ。
【請求項１１】
前記下流部は少なくとも２列の前記第１の種類の孔及び少なくとも２列の前記第２の種類の孔を有する、請求項９又は１０に記載のトーチ。
【請求項１２】
前記第１の種類の孔は第１の直径を有する第１の量の孔及び第２の直径を有する第２の量の孔を有する、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のトーチ。
【請求項１３】
前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して１５〜７５°の範囲の角度又は２５〜６０°の範囲の角度で傾斜している、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のトーチ。
【請求項１４】
前記第２の種類の孔のそれぞれの中心線は互いに対して同一平面上にある、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載のトーチ。
【請求項１５】
前記第２の種類の孔は第１の直径を有する第１の量の孔及び第２の直径を有する第２の量の孔を有する、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載のトーチ。
【請求項１６】
前記第２の種類の孔は少なくとも２つの列に配置され、前記列のうちの第１の列にある前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して第１の方向を有し、前記列のうちの第２の列にある前記第２の種類の孔は前記下流部の中心線に対して第２の方向を有する、請求項９乃至１５のいずれか一項に記載のトーチ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月7日(2018.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストコンピューティングデバイスにより実行される方法であって、
前記ホストコンピューティングデバイスのアクセサリポートへのコネクタの接続を、前記コネクタにおいて割り当てられた一対の検出ピンを介して伝達された信号に基づいて検出するステップと、
前記信号に基づいて、前記アクセサリポートへの前記コネクタの前記接続の向きを確認するステップであって、前記信号は、前記一対の検出ピンについての論理状態の組合せを示し、前記論理状態の組合せは、前記コネクタを介して接続されたアクセサリデバイスが、１ワイヤデバイスであるか又は２ワイヤデバイスであるかを示す、ステップと、
前記の確認された向き及び前記論理状態の組合せに応じて信号をルーティングするように、前記ホストコンピューティングデバイスの切り替えメカニズムを構成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記検出することは、
前記一対の検出ピンを介して伝達された前記信号をともにサンプリングすることと、
前記一対の検出ピンを介して取得された値を組み合わせて、前記論理状態の組合せを導出することと、
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記一対の検出ピンを介して伝達された前記信号をともに前記サンプリングすることは、前記信号を並列にサンプリングすることを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記一対の検出ピンは、ホットプラグ検出と、デバイス認証、電力交換、及び信号ルーティング制御のための通信と、をサポートするためのインタフェースを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記インタフェースは、接続された前記アクセサリデバイスのデバイスタイプ及び前記接続の前記向きに基づいて、異なる信号ルーティングオプションの間で且つ異なる通信技術の間で切り替えるよう構成可能である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記構成することは、前記の確認された向きに応じてストレート信号経路又はリバース信号経路を生じさせるように、前記ホストコンピューティングデバイスのスイッチ及びマルチプレクサについての位置を指示することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記構成することは、前記ホストコンピューティングデバイスの指示の下で前記アクセサリデバイスの信号切り替えコンポーネントを介する信号ルーティングのセットアップを生じさせるためのコマンドを、前記アクセサリデバイスに送信することをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記確認することは、
前記コネクタの割り当てられた検出ピンに関連付けられた信号をサンプリングして、前記アクセサリデバイスのデバイスタイプを、１ワイヤデバイス又は２ワイヤデバイスとして判定することと、
前記デバイスタイプが前記１ワイヤデバイスである場合、前記のサンプリングされた信号から直接的に、前記接続の前記向きを判定することと、
前記デバイスタイプが前記２ワイヤデバイスである場合、前記アクセサリデバイスにより提供されたクレデンシャルを使用して、前記向きを示す前記検出ピンについての正当性状態を確立する認証シーケンスを通じて、前記向きを解決することと、
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
ホストコンピューティングデバイスであって、
１以上のマイクロコントローラと、
アクセサリデバイスのためのコネクタに接続可能なアクセサリポートと、
命令を記憶している１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記命令が、前記１以上のマイクロコントローラにより実行されたときに、前記命令は、前記ホストコンピューティングデバイスに、
前記コネクタに組み込まれた一対の検出ピンを介して、前記アクセサリポートへの前記コネクタの挿し込みを検出する動作と、
前記一対の検出ピンを介して伝達された、高論理状態と低論理状態との論理状態の組合せを取得する動作と、
前記論理状態の組合せに基づいて、前記アクセサリデバイスのデバイスタイプを、１ワイヤデバイス又は２ワイヤデバイスとして判定する動作と、
前記アクセサリポートに挿し込まれた前記コネクタの向きを確認する動作であって、
前記デバイスタイプが前記１ワイヤデバイスである場合、前記論理状態の組合せから直接的に、前記向きを判定する動作と、
前記デバイスタイプが前記２ワイヤデバイスである場合、前記一対の検出ピンを介して前記アクセサリデバイスの１以上のアイデンティティレジスタのレジスタ値をサンプリングして、前記向きを示す正当性状態を確立する動作と、
を含む動作と、
前記デバイスタイプ及び前記の確認された向きに応じて信号ルーティングをセットアップする動作と、
を実行させる、１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体と、
を備えたホストコンピューティングデバイス。
【請求項１０】
ホストコンピューティングデバイスであって、
処理システムと、
命令を記憶している１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記命令が、前記処理システムにより実行されたときに、前記命令は、前記ホストコンピューティングデバイスに、セキュリティモジュールを実行させ、前記セキュリティモジュールは、
前記ホストコンピューティングデバイスのアクセサリポートへの、アクセサリデバイスのためのコネクタの接続を、前記コネクタに組み込まれた一対の検出ピンを介して取得された論理状態の組合せに基づいて検出する動作であって、前記コネクタ及び前記アクセサリポートは、前記アクセサリポートへの前記コネクタのリバーシブル接続をサポートするよう構成されている、動作と、
前記論理状態の組合せに基づいて、前記アクセサリデバイスのデバイスタイプを識別する動作であって、前記論理状態の組合せは、前記アクセサリデバイスが、１ワイヤデバイスであるか又は２ワイヤデバイスであるかを示す、動作と、
前記アクセサリポートへの前記コネクタの前記接続の向きを確認する動作と、
前記の識別されたデバイスタイプ及び前記の確認された向きに応じて信号を自動的にルーティングするように、前記ホストコンピューティングデバイスの切り替えメカニズムを構成する動作と、
を行うよう構成されている、１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体と、
を備えたホストコンピューティングデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月20日(2018.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷として１以上のＬＥＤを有するＬＥＤユニットを駆動するためのドライバ装置であって、
−  当該ドライバ装置を電源に接続して、該電源から入力電圧を変化し得る電圧として受けるための入力端子と、
−  前記入力電圧を出力電圧に変換するためのコンバータユニットであって、共振コンバータ及びスイッチユニットを含み、該スイッチユニットが前記入力電圧のチョップされた電圧を前記共振コンバータに駆動電圧として供給するコンバータユニットと、
−  前記スイッチユニットに接続されて前記チョップされた電圧のパルス周波数を制御するための制御ユニットであり、前記電源から取り出される入力電流を前記チョップされた電圧の前記パルス周波数を変化し得る前記入力電圧の測定値に基づいて制御することにより制御する制御ユニットであって、更に、入力電流基準値を決定し、前記入力電流基準値と前記入力電流の測定値を比較する制御ユニットと、
を有する、ドライバ装置。
【請求項２】
前記測定値は前記入力電圧の位相であり、前記制御ユニットが前記入力電流を該入力電圧の位相に基づいて制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項３】
前記入力端子に接続されて前記入力電圧を整流された電圧に整流すると共に該整流された電圧を前記コンバータユニットに供給する整流器を更に有し、前記チョップされた電圧の包絡線が該整流された電圧に対応する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項４】
前記コンバータユニットが前記共振コンバータに接続された電磁トランスを有する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項５】
前記共振コンバータがＬＬＣコンバータである、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項６】
前記制御ユニットが前記パルス周波数を前記共振コンバータの測定変数に基づいて制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項７】
前記スイッチユニットが前記入力電圧を前記チョップされた電圧に変換するための２つの可制御スイッチを有し、これら可制御スイッチの間のノードが前記チョップされた電圧を前記共振コンバータに直に供給するために該共振コンバータに直に接続される、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項８】
前記制御ユニットは当該ドライバ装置の出力電力を決定するための測定ユニットに接続され、前記制御ユニットが前記入力電流を該測定された出力電力に基づいて制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項９】
前記制御ユニットは前記コンバータユニットの出力電流を測定するための電流測定ユニットに接続され、前記制御ユニットが前記パルス周波数を制御することにより該出力電流を制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項１０】
前記制御ユニットは前記コンバータユニットの出力電圧を測定するための電圧測定ユニットに接続され、前記制御ユニットが前記パルス周波数を制御することにより該出力電圧を制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項１１】
前記制御ユニットが、前記出力電圧の測定値又は出力電流の測定値、及びそれに対応して出力端子において達成されるべき所望の値としての前記出力電圧の基準値又は前記出力電流の基準値を受ける、請求項４又は請求項５に記載のドライバ装置。
【請求項１２】
前記制御ユニットが前記チョップされた電圧の前記パルス周波数を前記スイッチユニットのスイッチング周波数を制御することにより制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項１３】
前記制御ユニットが前記入力電流を前記変化し得る入力電圧の各半周期内で少なくとも部分的に一定な値に制御する、請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項１４】
負荷としてＬＥＤユニットを駆動するための駆動方法であって、当該駆動方法は、
−  前記負荷に給電するために、共振コンバータを含むコンバータユニットにより、変化し得る入力電圧を出力電圧に変換するステップであって、スイッチユニットにより前記入力電圧のチョップされた電圧が前記共振コンバータに駆動電圧として供給されるステップと、
−  電源から取り出される入力電流を、該電源から入力される前記変化し得る入力電圧の測定値に基づいて前記チョップされた電圧のパルス周波数を制御することにより制御するステップと、
を有する、駆動方法。
【請求項１５】
１以上のＬＥＤである１以上の照明デバイスと、該照明デバイスを駆動するための請求項１に記載のドライバ装置とを有する、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月30日(2018.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二焦点懐中電灯であって、
筐体部材と、
幾何学的中心点を有するレンズであって、該レンズは、
光ビームをスポットビームに整形するように適合されるとともに、該レンズの幾何学的中心点から第１の距離離れた第１のフォーカス素子、及び
光ビームをフラッドビームに整形するように適合されるとともに、該レンズの幾何学的中心点から第２の距離離れた第２のフォーカス素子、
を含むレンズと、
光を前記第１のフォーカス素子に通すように配置された第１のＬＥＤと、
光を前記第２のフォーカス素子に通すように配置された第２のＬＥＤと、
前記筐体部材内に配置されるとともに、前記第１のＬＥＤ及び前記第２のＬＥＤに電力を提供するように適合された電源と、
前記第１のＬＥＤ、前記第２のＬＥＤ又は前記第１のＬＥＤ及び前記第２のＬＥＤの双方に電力を選択的に提供するように構成された制御要素と、
を含み、
前記第１のＬＥＤは前記第２のＬＥＤよりもダイが小さく、前記第１のＬＥＤと前記第１のフォーカス素子との間の距離は前記第２のＬＥＤと前記第２のフォーカス素子との間の距離よりも大きい、懐中電灯。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月3日(2018.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッドキャッシュアーキテクチャを製造するための方法であって、
前記ハイブリッドキャッシュアーキテクチャのための磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを、
第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルと第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルとを設けるステップと、
前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルを前記第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルに結合するステップと
によって設けるステップと、
1つまたは複数の差動センスアンプおよび1つまたは複数のシングルエンドセンスアンプを備える複数のセンスアンプを設けるステップと、
前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の各磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルを、前記1つまたは複数のシングルエンドセンスアンプのうちの1つに結合し、かつ前記1つまたは複数の差動センスアンプのうちのいずれにも結合しないステップと、
前記第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各ペアを、前記1つまたは複数の差動センスアンプのうちの1つに結合し、かつ前記1つまたは複数のシングルエンドセンスアンプのうちのいずれにも結合しないステップと
を含み、
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを設けるステップが、前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各列中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの数が前記第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各列中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの数と同じになるように、一様な構成における前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを設けるステップを含み、
前記複数のセンスアンプを設けるステップが、一様でない構成における前記複数のセンスアンプを設けるステップを含む、
ハイブリッドキャッシュアーキテクチャを製造するための方法。
【請求項２】
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを設けるステップが、スピントルクトランスファー磁気抵抗ランダムアクセスメモリアレイを設けるステップを含む、請求項1に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャを製造するための方法。
【請求項３】
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイを設けるステップが、トグル磁気抵抗ランダムアクセスメモリアレイを設けるステップを含む、請求項1に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャを製造するための方法。
【請求項４】
各シングルエンドセンスアンプを基準セルに結合するステップをさらに含む、請求項1に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャを製造するための方法。
【請求項５】
ハイブリッドキャッシュアーキテクチャを含む装置であって、前記ハイブリッドキャッシュアーキテクチャが、
第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルと、前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルに結合される第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルとを備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイと、
差動方式でセンシングしかつシングルビットを出力するための1つまたは複数の増幅手段であって、前記第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各ペアが、前記差動方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段のうちの1つによって結合されかつセンシングされ、かつシングルエンド方式でセンシングしかつシングルビットを出力するための前記1つまたは複数の増幅手段のうちのいずれによっても結合されずかつセンシングされない、手段と、
シングルエンド方式でセンシングするための1つまたは複数の増幅手段であって、前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセル中の各磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルが、前記シングルエンド方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段のうちの1つによって結合されかつセンシングされ、かつ前記差動方式でセンシングしかつシングルビットを出力するための前記1つまたは複数の増幅手段のうちのいずれによっても結合されずかつセンシングされない、手段と
を含み、
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイに対する構成が、前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各列中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの数が前記第2の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの各列中の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルの数と同じになるように、一様であり、
前記差動方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段および前記シングルエンド方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段に対する構成が一様でない、
装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイが、スピントルクトランスファー磁気抵抗ランダムアクセスメモリアレイである、請求項5に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャ。
【請求項７】
前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイが、トグル磁気抵抗ランダムアクセスメモリアレイである、請求項5に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャ。
【請求項８】
前記シングルエンド方式でセンシングするための各増幅手段が、基準セルにさらに結合される、請求項5に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャ。
【請求項９】
前記シングルエンド方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段に結合される前記第1の複数の磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルを備える前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイの一部が、前記差動方式でセンシングするための前記1つまたは複数の増幅手段を備える前記磁気抵抗ランダムアクセスメモリビットセルアレイの一部よりも遅い、請求項6に記載のハイブリッドキャッシュアーキテクチャ。
【請求項１０】
前記ハイブリッドキャッシュアーキテクチャが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項6に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信メッセージに応答して、該受信メッセージをアイテムの識別情報を含む第１の部分と、該アイテムに対して行われる少なくとも１つの変更を含む第２の部分とにパースするステップと、
コンピュータープログラムコードのテンプレートを記憶するステップと、
各記憶されたテンプレートをアイテムに関連付けるステップと、
前記第１の部分に基づいて前記アイテムを含むテンプレートを出力するステップと、
前記第２の部分に基づいて前記少なくとも１つの変更に関連付けられた値を出力するステップと、
前記少なくとも１つの変更に関連付けられた値を用いて、前記出力されたテンプレートを変更することによって、前記アイテムに関連付けられた前記テンプレートを調整するステップと、
を含む、衣服の製造機械のコンピュータープログラムコードの自動変更の方法。
【請求項２】
前記テンプレートのフィールドの識別情報を記憶するステップと、各フィールドを変更に関連付けるステップとを更に含み、前記調整するステップは、前記テンプレートの前記フィールドを変更する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アイテムに関連付けられた前記テンプレートを受信するステップと、前記少なくとも１つの変更に応じて前記受信されたテンプレートのフィールドを変更するステップとを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記変更するステップは、機械を制御して前記アイテムを製造するためのコンピュータープログラムコードの一部分を変更することを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記調整された少なくとも１つのテンプレートを送信するステップを更に含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
複数のテンプレートをアイテムに関連付けるステップを更に含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
任意の調整されたテンプレートを含む前記複数のテンプレートを送信するステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記変更されたテンプレートを中央管理サーバーから製造エンティティに送信するステップを更に含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記注文を複数の製造エンティティのうちの１つにルーティングするステップを更に含み、各製造エンティティは、テンプレートを変更するように適合されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
各製造エンティティからステータス情報を受信するステップを更に含み、前記ルーティングは、該受信されたステータス情報に依存する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記注文における製造エンティティのアドレスを決定するステップを更に含み、前記ルーティングは、該決定されたアドレスに依存する、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
注文のステータスを判断するステップと、注文のステータスをユーザーに送信するステップとを更に含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
ユーザーによって行われる前記少なくとも１つの変更を定義するステップを更に含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
受信された注文に注文コードを割り当てるステップと、該注文に関連付けられた各テンプレートを変更して、前記注文コードを含む各アイテムの不用パネルを生成するステップとを更に含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されアレンジされた、システムアーキテクチャ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月1日(2018.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体管を通るガスの流れを可能にするように基板処理システムの導管に結合される誘電体管であって、円錐形の側壁を有する誘電体管と、
前記誘電体管の前記円錐形の側壁の外面の周りに巻回されたＲＦコイルと
を備える基板処理システムの導管内でガスを処置するための装置。
【請求項２】
前記ＲＦコイルが中空であり、前記ＲＦコイルの第１の端部に結合された第１の冷却剤取付け具と、前記ＲＦコイルの第２の端部に結合された第２の冷却剤取付け具とを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ＲＦコイルにＲＦ電力を提供するように前記ＲＦコイルの第１の端部に結合されたＲＦ電源
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記誘電体管が、アルミナ、サファイア、または石英から製造される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記誘電体管の第１の端部に結合された第１の端部フランジと、
前記誘電体管の第２の端部に結合された第２の端部フランジとをさらに備え、前記第１および第２の端部フランジがそれぞれ、前記誘電体管を導管にインライン式に結合するように構成される、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記誘電体管の前記円錐形の側壁が、前記誘電体管の前記第１の端部に位置するまっすぐな端部部分と、前記誘電体管の前記第２の端部に位置するまっすぐな端部部分とで終端し、前記第１および第２の端部フランジが、前記まっすぐな端部部分で前記誘電体管に結合される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１および第２の端部フランジの少なくとも１つが、前記第１および第２の端部フランジの前記少なくとも１つを通る冷却剤の循環を容易にするために、冷却剤チャネルをさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記ＲＦコイルと前記誘電体管との間の接触を向上させるために、前記ＲＦコイルと前記誘電体管との間に配置された変形可能な層
をさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記変形可能な層が、シリコンゴムまたは放熱グリスを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＲＦコイルが、平坦な円形の横断面を有し、前記ＲＦコイルの平坦な部分が、前記誘電体管に面して配置される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＲＦコイルへのＲＦ電力の結合を容易にするために、前記ＲＦコイルの第１の端部に配置された１つまたは複数の第１の端子と、前記ＲＦコイルの第２の端部に配置された１つまたは複数の第２の端子と
をさらに備える、請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の第１の端子が、複数の第１の端子を構成し、前記１つまたは複数の第２の端子が、複数の第２の端子を構成し、前記複数の第１の端子および前記複数の第２の端子のそれぞれが、異なる巻数の前記ＲＦコイルを通るＲＦエネルギーの結合を容易にするために、前記ＲＦコイルに沿って異なる場所に位置する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバからの排気ガスの流れを可能にするように前記プロセスチャンバに結合された排気導管と、
前記排気導管を通って前記プロセスチャンバからの排気ガスを排気するように前記排気導管に結合された真空ポンプと、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板処理システムの導管内でガスを処置するための装置とを備え、誘電体管が、前記誘電体管を通る前記排気ガスの流れを可能にするように前記排気導管に結合される、
基板処理システム。
【請求項１４】
前記排気導管がフォアラインである、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記誘電体管が、前記プロセスチャンバと前記真空ポンプとの間に配置される、請求項１３に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
いくつかの例示的な実施形態では、電源１１０は、ある周波数範囲でＲＦエネルギーを提供することが可能な可変周波数電源とすることができる。本開示の実施形態は、低周波（ＬＦ）または中周波（ＭＦ）帯域の電力供給を使用して、ガス軽減のための誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）放電を駆動することができる。ＬＦからＭＦのバイポーラＲＦ電力供給を駆動に使用することができ、これは、有利には、高周波（ＨＦ）、超高周波（ＶＨＦ）などのより高い周波数帯域よりはるかに小さいコイル電位を有する。コイル電位が小さければ小さいほど、ガスを処置するための装置１０４内で容量プラズマ結合を減少させ、ＩＣＰ電力効率を増大させる。加えて、ＲＦコイル上の電位が低ければ低いほど、ガスを処置するための装置１０４の内面のスパッタリングを低減させるのに役立ち、それによってガスを処置するための装置１０４の寿命を増大させることができる。いくつかの例示的な実施形態では、電源１１０は、約１．９〜約３．２ＭＨｚの周波数で約２〜約３ｋＷのＲＦエネルギーを提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
誘電体管２０２は、プラズマの着火を容易にするように誘電体管２０２の内側体積２０４へのＲＦ電力の伝送を可能にするのに適した任意の誘電体材料から製造することができ、この誘電体材料はまた、処理条件（たとえば、温度、プラズマ、化学的性質など）に耐えることができる。たとえば、非限定的な適した材料には、セラミック（アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）など）、サファイア、石英が含まれる。
誘電体管２０２は、処置のためにフォアラインから誘電体管２０２を通る排気ガスの流れを可能にするのに適した任意の寸法を有することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、誘電体管２０２は、約６〜約１５インチの長さを有することができる。いくつかの実施形態では、誘電体管２０２は、約１．５〜約４インチの直径を有することができる。誘電体管は、機械的強度および所望のＲＦ結合効率を提供するのに適した変動する壁の厚さを有することができる。側壁が厚ければ厚いほど、長い寿命を提供するが、電力結合効率が低くなる。いくつかの実施形態では、誘電体管２０２は、約０．１２５インチの壁の厚さを有することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月14日(2018.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄エネルギー装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（好ましい実施形態の説明）
吸熱性ガス発生物質なしの断熱材の熱暴走の間の性能は、吸熱性ガス発生物質をもつ断熱材の性能よりも著しく劣る。リチウムイオン型貯蔵装置では、２００〜２５０℃の温度範囲が、熱暴走の発現に危険と考えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄エネルギー装置であって、
（Ａ）複数の蓄電装置と、
（Ｂ）前記蓄エネルギー装置中の熱暴走を制限する材料であって、前記蓄エネルギー装置が、高い通常動作温度、及び前記蓄エネルギー装置が熱暴走する傾向にある温度よりも高い閾値温度を有し、前記材料が、無機ガス発生吸熱物質を包含するセラミックマトリックスを含み、
・前記セラミックマトリックスが、前記高い通常動作温度以上で断熱性を与えることができ、
・前記無機ガス発生吸熱物質が、前記高い通常動作温度と前記高い閾値温度との間で１つ以上の吸熱反応を受けるように選択され、
・１つ以上の前記反応が、ガスの発生をもたらし、
・前記セラミックマトリックスが、前記ガスを前記無機ガス発生吸熱物質から放出することによって前記無機ガス発生吸熱物質から熱を除去することを可能にするのに十分な多孔性を有する、材料と、
（Ｃ）前記ガスの発生により強制的に開かれる放出システムと
を備える蓄エネルギー装置。
【請求項２】
前記材料は、重量で１：１９〜９：１の範囲にある前記セラミックマトリックスと前記無機ガス発生吸熱物質との比を有する、請求項１に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項３】
前記材料は、重量で１：９〜６：４の範囲にある前記セラミックマトリックスと前記無機ガス発生吸熱物質との比を有する、請求項２に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項４】
前記セラミックマトリックスが、無機繊維、無機粒子状材料及びバインダを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項５】
前記無機粒子状材料が、ヒュームドセラミックス、不透明剤及びこれらの混合物から選択される、請求項４に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項６】
前記無機ガス発生吸熱物質が、２つ以上の吸熱物質の混合物を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項７】
前記材料は、７６重量％以上の前記無機ガス発生吸熱物質を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項８】
前記材料は、
０〜６０重量％のセラミック酸化物粉末
０〜３０重量％の不透明剤
１０〜９０重量％の吸熱物質
０〜１０重量％の乾式バインダ
０〜６０重量％の液状バインダ
０〜６０重量％の繊維
を含み、上記の指定成分が合計で組成物の６０重量％超過、７０重量％超過、８０重量％超過又は９０重量％超過になる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項９】
前記材料は、前記無機ガス発生吸熱物質の異なる濃度を有する２つ以上の領域を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項１０】
前記材料は、圧縮可能であり、組み立ての際に部品の圧入を可能にする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の蓄エネルギー装置。
【請求項１１】
複数の蓄電装置を含む蓄エネルギー装置中の熱暴走を制限する材料の成形体を含む本体であって、
前記蓄エネルギー装置が、高い通常動作温度、及び前記蓄エネルギー装置が熱暴走する傾向にある温度よりも高い閾値温度を有し、前記材料が、無機ガス発生吸熱物質を包含するセラミックマトリックスを含み、
・前記セラミックマトリックスが、前記高い通常動作温度以上で断熱性を与えることができ、
・前記無機ガス発生吸熱物質が、前記高い通常動作温度と前記高い閾値温度との間で１つ以上の吸熱反応を受けるように選択され、
・１つ以上の前記反応が、ガスの発生をもたらし、
・前記セラミックマトリックスが、前記ガスを前記無機ガス発生吸熱物質から放出することによって前記無機ガス発生吸熱物質から熱を除去することを可能にするのに十分な多孔性を有し、
前記蓄エネルギー装置を受けるために成形された少なくとも１つの凹部を有する、本体。
【請求項１２】
前記蓄エネルギー装置を受けるためにそれぞれ成形された複数の凹部を有する、請求項１１に記載の本体。
【請求項１３】
複数の蓄電装置を含む蓄エネルギー装置においてガスを発生させて放出システムを強制的に開き且つ熱暴走を制限するための、材料の使用であって、
前記蓄エネルギー装置が、高い通常動作温度、及び前記蓄エネルギー装置が熱暴走する傾向にある温度よりも高い閾値温度を有し、前記材料が、無機ガス発生吸熱物質を包含するセラミックマトリックスを含み、
・前記セラミックマトリックスが、前記高い通常動作温度以上で断熱性を与えることができ、
・前記無機ガス発生吸熱物質が、前記高い通常動作温度と前記高い閾値温度との間で１つ以上の吸熱反応を受けるように選択され、
・１つ以上の前記反応が、ガスの発生をもたらし、
・前記セラミックマトリックスが、前記ガスを前記無機ガス発生吸熱物質から放出することによって前記無機ガス発生吸熱物質から熱を除去することを可能にするのに十分な多孔性を有する、使用。
【請求項１４】
複数の蓄電装置を含む蓄エネルギー装置中の熱暴走を制限する方法であって、
前記蓄エネルギー装置が、高い通常動作温度、及び前記蓄エネルギー装置が熱暴走する傾向にある温度よりも高い閾値温度を有し、
（Ａ）無機ガス発生吸熱物質を包含するセラミックマトリックスを含む材料を提供する工程と、
（Ｂ）前記高い通常動作温度以上で前記セラミックマトリックスから断熱を提供する工程と、
（Ｃ）前記無機ガス発生吸熱物質の活性化温度を超える温度上昇をもたらす熱現象を提供し、前記高い通常動作温度と前記高い閾値温度との間で１つ以上の吸熱反応をもたらす工程と、
（Ｄ）１つ以上の前記吸熱反応からガスを発生させる工程と、
（Ｅ）十分な多孔性を有する前記セラミックマトリックスを通じて前記ガスを放出し、それによって前記蓄エネルギー装置の放出システムを強制的に開けて前記蓄エネルギー装置から熱を除去する工程と
を含む、方法。
【請求項１５】
前記セラミックマトリックスが、前記高い通常動作温度と前記高い閾値温度との間でのガスの発生の間中、前記ガスを放出するのに十分な多孔性を有する、請求項１４に記載の方法。