【手続補正書】
【提出日】平成30年7月20日(2018.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電圧レベルにおいてバイアス電圧を生成するように構成されるバイアスソースと、
前記バイアスソースに結合され、マルチレベルソースから複数の電圧レベルにおいてマルチレベルシグナリングを受信することと、前記バイアスソースから前記バイアス電圧を受信することと、前記受信されたマルチレベルシグナリングと前記受信されたバイアス電圧との組合せによって終端抵抗器にわたって形成される入力電圧レベルに従って対応する分極された電圧および電流を生成することとを行うように構成される前記終端抵抗器と、
前記終端抵抗器の両端間に結合され、前記終端抵抗器にわたって形成される前記入力電圧レベルの電圧の大きさを決定することと、複合インデックスエントリのセットの対応する第１の部分を決定することとを行うように構成されるレベル復号器と、
前記終端抵抗器の両端間に結合され、前記終端抵抗器にわたって形成される前記入力電圧レベルの前記電圧の大きさの極性を測定することによって前記終端抵抗器中を流れる電流の方向を決定することと、前記複合インデックスエントリのセットの対応する第２の部分を決定することとを行うように構成される電流センサーと、
前記レベル復号器および前記電流センサーに結合されたルックアップテーブル、前記ルックアップテーブルは、データシンボルのアレイおよび対応するルックアップテーブルインデックスを含み、前記ルックアップテーブルインデックスは、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との異なる組合せを前記データシンボルのアレイ中の異なるデータシンボルに一意に関連付け、前記ルックアップテーブルは、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分とを受信することと、前記データシンボルのアレイから対応するデータシンボルを取り出すこととを行うように構成され、前記バイアス電圧レベルは、前記終端抵抗器によって受信された前記マルチレベルシグナリングの最大振幅シグナリングレベルの１／３と１／２との間である、と
を備えるマルチレベル復号器と
を備える、装置。
【請求項２】
前記ルックアップテーブルに結合され、前記データシンボルのアレイを記憶するように構成される受信機メモリをさらに備える、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
受信機のデータリンク端子に結合された終端抵抗器に所定のバイアス電圧レベルを印加することと、
前記データリンク端子にわたる電圧レベルに従ってパルス振幅変調信号を受信すること、前記電圧レベルは、複数の電圧レベルのうちの１つである、と、
前記印加されたバイアス電圧レベルと前記受信されたパルス振幅変調信号との組合せに従って、前記終端抵抗器にわたる電圧レベルと前記終端抵抗器を通る電流方向とを測定することと、
前記測定された電圧レベルに対応する複合インデックスエントリのセットの第１の部分を決定することと、前記測定された電流方向に対応する前記複合インデックスエントリのセットの第２の部分を決定することと、
前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との組合せに従ってルックアップテーブル中に含まれているメッセージシンボルアレイ中のメッセージシンボルに選択的にアクセスすること、前記メッセージシンボルアレイ中の各メッセージシンボルは、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との異なる組合せに関連付けられる、と、
前記ルックアップテーブルから前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との前記組合せに対応する前記メッセージシンボルのうちの１つを取り出すことと
を備え、前記適用することは、前記終端抵抗器によって受信された前記マルチレベルシグナリングの最大振幅シグナリングレベルの１／３と１／２との間のバイアス電圧レベルの大きさを調整することを備える、方法。
【請求項４】
前記測定された電圧レベルをマルチレベルシグナリング振幅にマッピングすることと、
前記終端抵抗器を通る前記測定された電流方向を電流方向インジケータにマッピングすることと、
前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分とをアグリゲートすることと、
前記取り出されたメッセージシンボルを受信機メモリに送信することと
をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記メッセージシンボルは、反転データシンボルであり、前記方法は、
前記反転データシンボルに関連付けられた反転インジケーションを検出すること、前記反転インジケーションは、前記反転データシンボル内のビットのパーティションにさらに関連付けられる、と、
前記反転インジケーションに従って、データシンボルを生成するために前記反転データシンボル内のビットの前記パーティションを選択的に反転させることと、
前記データシンボルを受信機メモリに送信することと
をさらに備え、好ましくは
前記反転インジケーションは、前記反転データシンボルの最上位パーティションが符号化プロセスに従って条件付きで反転されることを示す、または
前記反転インジケーションは、前記反転データシンボル中の前記パーティション内のビットが符号化プロセスに従って反転されることを示し、
前記パーティションは、前記符号化プロセス内で指定される、または
前記反転インジケーションは、データ指定部分とは別個のビットロケーションにおける前記反転データシンボル内に位置するバイナリビットである、または
前記データシンボルは、パルス振幅変調信号を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記メッセージシンボルは、反転データシンボルであり、前記方法は、
前記反転データシンボルに関連付けられた反転インジケーションを検出することと、
前記反転インジケーションをパーティションセレクタと反転指示子とに復号することと、
前記パーティションセレクタに従って、選択されたパーティションを決定すること、ここにおいて、前記パーティションセレクタがアサートされたとき、奇数パーティションが選択され、他の場合、偶数パーティションが選択されると決定される、と、
前記反転指示子に従って、前記選択されたパーティション内のビットを選択的に反転させること、ここにおいて、前記反転指示子がアサートされたとき、前記選択されたパーティション内のビットが反転され、他の場合、前記選択されたパーティション内のビットが維持される、と、
前記データシンボルを受信機メモリに送信することと
をさらに備え、好ましくは
前記復号することは、前記反転インジケーションを、前記パーティションセレクタに対応する第１のビットと前記反転指示子に対応する第２のビットとを含むバイナリビットの順序対に復号することを含む、または
前記反転インジケーションは、バイナリビットの順序対を含むように符号化されたマルチレベル反転シンボルであり、前記順序対は、前記パーティションセレクタに対応する第１のビットと前記反転指示子に対応する第２のビットとを含む、さらに好ましくは
前記反転インジケーションは、４つの信号レベルを含むマルチレベル反転シンボルであり、各信号レベルが、前記順序対によって決定された反転指定状態の符号化に対応する、または
前記反転インジケーションは、順序対に符号化された４つの信号レベルを含むマルチレベル反転シンボルであり、
さらに、ここにおいて、
前記順序対の第１のビットが、選択されたパーティションを、アサートされたとき、奇数パーティションであり、他の場合、偶数パーティションであると決定し、
前記順序対の第２のビットが、アサートされたとき、前記選択されたパーティションが反転され、他の場合、維持されると決定する、
請求項３に記載の方法。
【請求項７】
バイアス電圧レベルにおいてバイアス電圧を生成するように構成されるバイアスソースと、
データリンク端子および前記バイアスソースに結合された終端抵抗器、前記終端抵抗器は、複数の電圧レベルにおいてデータリンクを通してマルチレベルシグナリングを受信することと、前記バイアスソースから前記バイアス電圧を受信することと、前記受信されたマルチレベルシグナリングと前記受信されたバイアス電圧との組合せによって前記終端抵抗器にわたって形成される入力電圧レベルに従って、対応する分極された電圧および電流を生成することとを行うように構成される、と、
前記終端抵抗器の両端間に結合され、前記終端抵抗器にわたって形成される前記入力電圧レベルの電圧の大きさを決定することと、複合インデックスエントリのセットの対応する第１の部分を決定することとを行うように構成されるレベル復号器と、
前記終端抵抗器の両端間に結合され、前記終端抵抗器にわたって形成される前記入力電圧レベルの前記電圧の大きさの極性を測定することによって前記終端抵抗器中を流れる電流の方向を決定することと、前記複合インデックスエントリのセットの対応する第２の部分を決定することとを行うように構成される電流センサーと、
前記レベル復号器および前記電流センサーに結合されたレベル復号論理、前記レベル復号論理は、送信シンボルのアレイおよび対応するインデックスを含み、前記インデックスは、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との異なる組合せを前記送信シンボルのアレイ中の異なる送信シンボルに一意に関連付け、前記レベル復号論理は、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分とを受信することと、前記データシンボルのアレイから対応するメッセージシンボルを取り出すこととを行うように構成される、と
を備えるマルチレベル復号器と、
前記マルチレベル復号器に結合され、反転インジケーションと、それの少なくとも一部分が反転データシンボルである前記関連するメッセージシンボルとを受信し、反転データシンボルをデータシンボルに復号するように構成される反転データ復号器と
を備え、前記バイアス電圧レベルは、前記終端抵抗器によって受信された前記マルチレベルシグナリングの最大振幅シグナリングレベルの１／３と１／２との間である、装置。
【請求項８】
前記反転データ復号器に結合され、前記マルチレベルシグナリングに対応するデータシンボルを記憶するように構成される受信機メモリをさらに備える、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記反転データ復号器は、前記反転インジケーションに従ってそれぞれの反転データシンボルの部分中のデータビットを選択的に反転することによって、反転データシンボルをデータシンボルに復号するように構成され、
前記反転インジケーションは、前記それぞれの反転データシンボルの部分が符号化プロセスに従って反転されたとき、反転データシンボルに関連付けられる、
請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
メッセージに対応するデータシンボルを記憶することと、取り出すこととを行うように構成される送信機メモリと、
前記送信機メモリに結合され、前記送信機メモリからメッセージシンボルを受信することと、前記データシンボルをマルチレベル送信シンボルに符号化することとを行うように構成されるマルチレベル符号化器と、
前記マルチレベル符号化器に結合され、マルチレベルシグナリングプロトコルに従って、前記符号化されたマルチレベル送信シンボルを送信するように構成される送信機、前記マルチレベルプロトコルは、複数の電圧レベルを備える、と、
前記送信機に結合され、前記マルチレベルシグナリングプロトコルに従って、前記符号化されたマルチレベル送信シンボルを受信するように構成される受信機、前記受信機は、
バイアス電圧レベルにおいてバイアス電圧を選択的に生成するように構成されるバイアスソースと、
前記送信機および前記バイアスソースに結合された終端抵抗器、前記終端抵抗器は、前記複数の電圧レベルにおいてマルチレベルシグナリングを受信することと、前記バイアスソースから前記バイアス電圧を受信することと、前記受信されたマルチレベルシグナリングと前記受信されたバイアス電圧との組合せによって前記終端抵抗器にわたって形成される入力電圧レベルに従って対応する分極された電圧および電流を生成することとを行うように構成される、と、
レベル復号器および電流センサー、各々は、前記終端抵抗器の両端間に結合され、前記レベル復号器は、前記終端抵抗器にわたる前記入力電圧レベルの値を決定することと、複合インデックスエントリのセットの対応する第１の部分を決定することとを行うように構成され、前記電流センサーは、前記終端抵抗器中を流れる電流の方向を決定することと、前記複合インデックスエントリのセットの対応する第２の部分を決定することとを行うように構成される、と、
前記レベル復号器および前記電流センサーに結合されたレベル復号論理、前記レベル復号論理は、メッセージシンボルのアレイを含み、前記メッセージシンボルのアレイ中の各メッセージシンボルは、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との異なる組合せに関連付けられ、前記レベル復号論理は、前記複合インデックスエントリのセットの前記第１の部分と前記第２の部分との組合せに基づいて、前記メッセージシンボルのアレイからメッセージシンボルを取り出すように構成され、前記バイアス電圧レベルは、前記終端抵抗器によって受信された前記マルチレベルシグナリングの最大振幅シグナリングレベルの１／３と１／２との間である、と
を備える、と、
前記受信機に結合され、前記メッセージに対応するデータシンボルを記憶するように構成される受信機メモリと
を備える、システム。
【請求項１１】
前記送信機メモリと前記マルチレベル符号化器との間に結合され、前記メッセージシンボルを反転データシンボルに事前コーディングするように構成される反転データ符号化器と、
前記受信機と前記受信機メモリとの間に結合された反転データ復号器、前記反転データ復号器は、前記反転データシンボルをデータシンボルに復号するように構成される、と、
前記反転データ符号化器と前記反転データ復号器との間に結合された反転インジケータノード、前記反転インジケータノードは、前記反転データ符号化器から前記反転データ復号器に反転インジケータを伝搬するように構成される、と
をさらに備える、請求項１０に記載のシステム。