【手続補正書】
【提出日】平成30年9月12日(2018.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象特徴物幅をもつ強磁性対象物体特徴物を有する強磁性対象物体の動きを検知するための磁場センサであって、
基板と、
前記強磁性対象物体特徴物の動きに応答して第１の信号を生成するための、前記基板上に配置された第１の磁気抵抗素子と、
前記強磁性対象物体特徴物の動きに応答して第２の信号を生成するための、前記基板上に配置された第２の磁気抵抗素子と、
前記第１の信号と前記第２の信号とを合成して、強磁性対象物体特徴物が前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子の中央にあるときに最大値をとる特徴信号を生成するように構成される、前記基板上に配置された第１の合成回路と、
前記第１の信号と前記第２の信号とを合成して、前記第１の磁気抵抗素子が対象特徴物のエッジの一方側にあり前記第２の磁気抵抗素子が同じエッジの反対側にあるときに最大値をとるエッジ信号を生成するように構成される、前記基板上に配置された第２の合成回路と、
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合された電子回路であって、前記電子回路は、前記エッジ信号を１又は複数の閾値と比較して第１の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記特徴信号を他の１又は複数の閾値と比較して第２の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記磁場センサによって生成された出力信号は、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの選択された一方の状態遷移の整合を特定する信号エンコーディングを含む、電子回路と
を含む、磁場センサ。
【請求項２】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記強磁性対象物体の動きの方向に対する接線に平行なライン上に配置される、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記対象特徴物幅の約１／２から約２倍の間の間隔で配置される、
請求項２に記載の磁場センサ。
【請求項４】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成するための磁石をさらに含み、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５】
前記強磁性対象物体は、交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記リング磁石は前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成し、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項６】
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合され、前記特徴信号と前記エッジ信号との間の位相差の符号を計算して前記強磁性対象物体の動きの方向のインジケーションを生成するように構成される電子回路をさらに含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項７】
前記出力信号は、前記対象物体の前記動きの速度を表すパルスレート、及び、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの前記選択された一方の前記状態遷移に整合するパルスエッジ、を有するパルスを含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項８】
前記第１の２値信号と前記第２の２値信号との間の相対位相は、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表し、前記パルスは、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表すパルス幅を含む、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項９】
前記基板は、第１及び第２の平行な最大面を含み、前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記基板の前記第１の最大面内又は前記基板の前記第１の最大面上に配置され、前記強磁性対象物体は、第１及び第２の平行な最大面を有し、前記基板の前記第１の最大面は、前記強磁性対象物体の前記第１の最大面に対して実質的に平行である、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１０】
前記基板上に配置された第１の抵抗素子と、
前記基板上に配置された第２の抵抗素子と、をさらに含み、
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記第１の抵抗素子及び前記第２の抵抗素子とともにフルブリッジ回路内に結合され、前記フルブリッジ回路は、前記第１の信号が生成される第１のノード及び前記第２の信号が生成される第２のノードを有する、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１１】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記強磁性対象物体の動きの方向に対する接線に平行なライン上に配置される、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１２】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記対象特徴物幅の約１／２から約２倍の間の間隔で配置される、
請求項１１に記載の磁場センサ。
【請求項１３】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成するための磁石をさらに含み、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１４】
前記強磁性対象物体は、交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記リング磁石は前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成し、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１５】
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合され、前記特徴信号と前記エッジ信号との間の位相差の符号を計算して前記強磁性対象物体の動きの方向のインジケーションを生成するように構成される電子回路をさらに含む、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１６】
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合された電子回路をさらに含み、前記電子回路は、前記エッジ信号を１又は複数の閾値と比較して第１の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記特徴信号を他の１又は複数の閾値と比較して第２の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記磁場センサによって生成された出力信号は、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの選択された一方の状態遷移の整合を特定する信号エンコーディングを含む、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１７】
前記出力信号は、前記対象物体の前記動きの速度を表すパルスレート、及び、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの前記選択された一方の前記状態遷移に整合するパルスエッジ、を有するパルスを含む、
請求項１６に記載の磁場センサ。
【請求項１８】
前記第１の２値信号と前記第２の２値信号との間の相対位相は、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表し、前記パルスは、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表すパルス幅を含む、
請求項１７に記載の磁場センサ。
【請求項１９】
前記基板は、第１及び第２の平行な最大面を含み、前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記基板の前記第１の最大面内又は前記基板の前記第１の最大面上に配置され、前記強磁性対象物体は、第１及び第２の平行な最大面を有し、前記基板の前記第１の最大面は、前記強磁性対象物体の前記第１の最大面に対して実質的に平行である、
請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項２０】
前記基板上に配置された第３の磁気抵抗素子と、
前記基板上に配置された第４の磁気抵抗素子と、をさらに含み、
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記第３の磁気抵抗素子及び前記第４の磁気抵抗素子とともにフルブリッジ回路内に結合され、前記フルブリッジ回路は、前記第１の信号が生成される第１のノード及び前記第２の信号が生成される第２のノードを有する、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項２１】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記強磁性対象物体の動きの方向に対する接線に平行な第１のライン上に配置され、前記第３の磁気抵抗素子及び前記第４の磁気抵抗素子は、前記第１のラインに平行であり且つ前記強磁性対象物体から前記第１のラインよりも遠くにある、第２のライン上に配置される、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２２】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記対象特徴物幅の約１／２から約２倍の間の間隔で配置される、
請求項２１に記載の磁場センサ。
【請求項２３】
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成するための磁石をさらに含み、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２４】
前記強磁性対象物体は、交互のＮ極及びＳ極を有するリング磁石を含み、前記リング磁石は前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれにおいて磁場を生成し、前記強磁性対象物体は、前記強磁性対象物体の動きが前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子において前記磁場の変化をもたらすような位置に配置される、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２５】
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合され、前記特徴信号と前記エッジ信号との間の位相差の符号を計算して前記強磁性対象物体の動きの方向のインジケーションを生成するように構成される電子回路をさらに含む、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２６】
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合された電子回路をさらに含み、前記電子回路は、前記エッジ信号を１又は複数の閾値と比較して第１の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記特徴信号を他の１又は複数の閾値と比較して第２の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記磁場センサによって生成された出力信号は、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの選択された一方の状態遷移の整合を特定する信号エンコーディングを含む、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項２７】
前記出力信号は、前記対象物体の前記動きの速度を表すパルスレート、及び、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの前記選択された一方の前記状態遷移に整合するパルスエッジ、を有するパルスを含む、
請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項２８】
前記第１の２値信号と前記第２の２値信号との間の相対位相は、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表し、前記パルスは、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表すパルス幅を含む、
請求項２７に記載の磁場センサ。
【請求項２９】
前記基板は、第１及び第２の平行な最大面を含み、前記第１の磁気抵抗素子、前記第２の磁気抵抗素子、前記第３の磁気抵抗素子、及び、前記第４の磁気抵抗素子は、前記基板の前記第１の最大面内又は前記基板の前記第１の最大面上に配置され、前記強磁性対象物体は、第１及び第２の平行な最大面を有し、前記基板の前記第１の最大面は、前記強磁性対象物体の前記第１の最大面に対して実質的に平行である、
請求項２０に記載の磁場センサ。
【請求項３０】
前記特徴信号及び前記エッジ信号はアナログ信号である、
請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３１】
対象特徴物幅をもつ強磁性対象物体特徴物を有する強磁性対象物体の動きを検知するための磁場センサであって、
基板と、
前記強磁性対象物体特徴物の動きに応答して第１の信号を生成するための、前記基板上に配置された第１の磁気抵抗素子と、
前記強磁性対象物体特徴物の動きに応答して第２の信号を生成するための、前記基板上に配置された第２の磁気抵抗素子と、
前記第１の信号と前記第２の信号とを合成して、強磁性対象物体特徴物が前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子の中央にあるときに最大値をとる特徴信号を生成するように構成される、前記基板上に配置された第１の合成回路と、
前記第１の信号と前記第２の信号とを合成して、前記第１の磁気抵抗素子が対象特徴物のエッジの一方側にあり前記第２の磁気抵抗素子が同じエッジの反対側にあるときに最大値をとるエッジ信号を生成するように構成される、前記基板上に配置された第２の合成回路と、
を含み、
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記強磁性対象物体の動きの方向に対する接線に平行なライン上に配置され、
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子は、前記対象特徴物幅の約１／２から約２倍の間の間隔で配置され、前記磁場センサはさらに、
前記基板上に配置され、前記特徴信号及び前記エッジ信号を受信するために結合された電子回路をさらに含み、前記電子回路は、前記エッジ信号を１又は複数の閾値と比較して第１の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記特徴信号を他の１又は複数の閾値と比較して第２の２値信号を生成するよう動作可能であり、前記磁場センサによって生成された出力信号は、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの選択された一方の状態遷移の整合を特定する信号エンコーディングを含む、
磁場センサ。
【請求項３２】
前記出力信号は、前記対象物体の前記動きの速度を表すパルスレート、及び、前記第１の２値信号又は前記第２の２値信号のうちの前記選択された一方の前記状態遷移に整合するパルスエッジ、を有するパルスを含む、
請求項３１に記載の磁場センサ。
【請求項３３】
前記第１の２値信号と前記第２の２値信号との間の相対位相は、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表し、前記パルスは、前記強磁性対象物体の前記動きの方向を表すパルス幅を含む、
請求項３２に記載の磁場センサ。