Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスネットワーク内のワイヤレス通信の方法であって、
デバイスにおいてネットワークからタイミング変数とタイミングオフセット許容値とを受信することと、前記タイミング変数は前記デバイスが接続モードにある間に受信される、
前記受信されたタイミング変数とローカルタイミング変数との間の差が前記タイミングオフセット許容値内であるかどうかを決定するために、前記受信されたタイミング変数を前記ローカルタイミング変数と比較することによって、デバイス間（Ｄ２Ｄ）発見メッセージの認証に前記受信されたタイミング変数と前記タイミングオフセット許容値とを使用することと
を備える、方法。
【請求項２】
ローカルタイミング変数と比較するために、前記デバイスに前記受信されたタイミング変数を記憶すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記タイミング変数が、前記ネットワーク内の近接度ベースのサービス（ＰｒｏＳｅ）機能から受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記タイミング変数が、Ｄ２Ｄ発見アプリケーションコードとともに受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワーク内の前記ＰｒｏＳｅ機能から前記タイミングオフセット許容値を受信すること
をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記受信されたタイミング変数と前記ローカルタイミング変数との間の前記差が前記タイミングオフセット許容値内であるとき、Ｄ２Ｄ発見アプリケーションコードを告知すること
をさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記差が前記タイミングオフセット許容値よりも大きいとき、前記ＰｒｏＳｅ機能に異常を通知すること
をさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワークから受信された前記タイミング変数が協定世界時（ＵＴＣ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイスがネットワーク制御のＤ２Ｄ発見リソース割当て方式を使用しているとき、無線リソース制御（ＲＲＣ）メッセージを介してＤ２Ｄ発見リソースを要求すること、  ここで、前記タイミング変数が前記ＲＲＣメッセージに対する応答を介して受信される、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記差が前記タイミングオフセット許容値よりも小さいとき、前記ＰｒｏＳｅ機能から受信された前記タイミング変数を前記ローカルタイミング変数と同期することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
ワイヤレス通信のために構成された装置であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに結合されたメモリと
を備え、ここで、前記少なくとも１つのプロセッサが、
デバイスにおいてネットワークからタイミング変数とタイミングオフセット許容値とを受信することと、前記タイミング変数は前記デバイスが接続モードにある間に受信される、
前記受信されたタイミング変数とローカルタイミング変数との間の差が前記タイミングオフセット許容値内であるかどうかを決定するために、前記受信されたタイミング変数を前記ローカルタイミング変数と比較することによって、デバイス間（Ｄ２Ｄ）発見メッセージの認証に前記受信されたタイミング変数と前記タイミングオフセット許容値とを使用することと
を行うように構成される、
装置。
【請求項１２】
前記タイミング変数が、前記ネットワーク内の近接度ベースのサービス（ＰｒｏＳｅ）機能から受信される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのプロセッサが、
前記ネットワーク内の前記ＰｒｏＳｅ機能から前記タイミングオフセット許容値を受信すること
を行うようにさらに構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのプロセッサが、
前記受信されたタイミング変数と前記ローカルタイミング変数との間の前記差が前記タイミングオフセット許容値内である場合、Ｄ２Ｄ発見コードを告知すること
を行うようにさらに構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
ワイヤレスネットワーク内のワイヤレス通信の方法であって、
デバイスとの接続モードに入ることと、
前記デバイスが前記接続モードにある間に、デバイス間（Ｄ２Ｄ）発見メッセージの認証において使用するための前記デバイスに対するタイミング変数とタイミングオフセット許容値とを前記デバイスに送信することと、ここで、前記タイミング変数が、前記タイミング変数とローカルタイミング変数との間の差が前記タイミングオフセット許容値内であるかどうかを決定するために、前記タイミング変数を前記ローカルタイミング変数と比較するために使用される、
を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月12日(2018.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
ネットワークにおける第１計算デバイスから前記ネットワークにおける第２計算デバイスにデーターを転送する要求を受けるステップであって、前記要求が、
前記第２計算デバイスの識別と、
前記要求にしたがって前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスに転送されるデーターのボリュームの識別と、
時刻を識別するデッドラインであって、前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスへのデーターの転送が、前記デッドラインにおいて識別された前記時刻よりも前に完了される、デッドラインと、
を含む、ステップと、
前記要求を受けたことに応答して、かつ前記要求に基づいて、複数の時間単位を含む第１時間ウィンドウをカバーする長期スケジュールを計算するステップであって、前記長期スケジュールが、前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスへのデーターの転送の前記デッドラインにおいて識別された前記時刻よりも前における完了を促進するために生成され、前記長期スケジュールが、前記複数の時間単位における１つの時間単位に対して、前記データーが前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスに転送されるネットワークにおける少なくとも１つの経路を識別する、ステップと、
前記長期スケジュールに基づいて、前記第１時間ウィンドウより前に生じる第２時間ウィンドウをカバーする短期スケジュールを計算するステップであって、前記短期スケジュールが、前記長期スケジュールよりも少ない時間単位を含み、前記短期スケジュールが、前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスへの前記ボリュームのデーターの転送の前記デッドラインにおいて識別された時刻よりも前における完了を促進するために計算され、前記短期スケジュールが、前記ネットワークにおけるネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスに対するルーティング・テーブルを含み、前記ルーティング・テーブルが、前記ネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスによって受信されたデーターが転送される少なくとも１つのデバイスを識別する、ステップと、
前記ルーティング・テーブルを前記ネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスに送信するステップであって、前記ネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスが、前記ルーティング・テーブルにしたがって前記少なくとも１つのデバイスに対し前記データーを転送する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、更に、
前記ネットワークのマップを受信するステップであって、前記ネットワークのマップが、前記ネットワークにおけるデバイスをそれぞれ表す複数のノードを含み、前記ネットワークのマップが、更に、前記ネットワークにおけるそれぞれのデバイス間のリンクを表す複数のエッジを含む、ステップと、
前記ネットワークのマップに基づいて、前記長期スケジュールを生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、更に、
前記ネットワークのマップの受信に応答して、前記複数の時間単位にわたる前記ネットワークを表すネットワーク・グラフを構築するステップであって、前記ネットワーク・グラフが、前記複数の時間単位にそれぞれ対応する前記ネットワークのマップの複数のインスタンスを含み、前記ネットワークのマップの前記複数のインスタンスが、共通のデバイスを表す前記ネットワークのマップの前記複数のインスタンスにおけるノード間のエッジを介して互いに接続され、前記長期スケジュールが前記ネットワーク・グラフに基づいて生成される、ステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、更に、前記第１計算デバイスと前記第２計算デバイスとの間における前記データー転送に対して、前記ネットワーク・グラフにおいて表された経路の内、前記第１計算デバイスから前記第２計算デバイスに前記データーを転送するために使用することができる経路の数を、可能な閾値数の経路に制約するステップを含み、前記長期スケジュールの生成が、前記可能な閾値数の経路に基づく、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、更に、
前記ネットワークにおける種々の計算デバイス間におけるそれぞれの複数のデーター転送に対する複数の要求を受けるステップであって、前記複数の要求が、それぞれの複数のデッドラインを識別し、前記それぞれの複数のデッドラインが異なる、ステップと、
前記複数の要求に基づいて前記長期スケジュールを生成するステップであって、前記長期スケジュールが、前記ネットワークにおける前記種々の計算デバイス間における前記データー転送のそれぞれの複数のデッドラインよりも前における完了を促進するために生成される、ステップと、
を含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記長期スケジュールが、複数のプロセッサー・コアに跨がって並列に計算される、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記長期スケジュールの計算が、前記長期スケジュールを計算するために混合パッキングおよびカバリング・アルゴリズムの実行を含む、方法。
【請求項８】
制御計算デバイスであって、
少なくとも１つのプロセッサーと、
命令を格納するメモリーと、
を含み、前記命令が前記少なくとも１つのプロセッサーにより実行されると前記少なくとも１つのプロセッサーに動作を実行させ、該動作が、
複数のデーター転送要求を受ける動作であって、各データー転送要求が、
転送されるデーターのボリュームの識別と、
それぞれの時刻を識別するデッドラインであって、各データー転送要求が、複数のネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスを含むネットワークを介してデーターを転送する要求であり、各データー転送要求が、前記デッドラインにおいて識別された前記それぞれの時刻よりも前に完了される、動作と、
を含む、動作と、
前記複数のデーター転送要求に基づいて長期スケジュールを計算する動作であって、前記長期スケジュールが複数の時間単位を含む第１時間ウィンドウをカバーし、前記長期スケジュールが、前記複数の時間単位における各時間単位に対する前記ネットワークを介したトラフィックのフローを定める、動作と、
前記長期スケジュールに基づいて短期スケジュールを計算する動作であって、前記短期スケジュールが第２時間ウィンドウをカバーし、該第２時間ウィンドウが、前記第１時間ウィンドウよりも短くかつ前記第１時間ウィンドウより前に生じる、動作と、
前記短期スケジュールに基づいてそれぞれのルーティング・テーブルを前記複数のネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスに送信させる動作であって、前記複数のネットワーク・インフラストラクチャー・デバイスが、前記ルーティング・テーブルに基づいて、データー・パケットを前記ネットワークにおいて導く、動作と、
を含む、制御計算デバイス。  
【請求項９】
請求項８記載の計算デバイスにおいて、前記長期スケジュールを計算する動作が、混合パッキングおよびカバリング・アルゴリズムを実行することを含む、計算デバイス。
【請求項１０】
請求項８記載の計算デバイスにおいて、前記長期スケジュールと前記短期スケジュールとが、互いに時間的に隣接した、計算デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノピラー基体表面を製造する方法において、
ポリマー溶液であって、
疎水性ブロックと親水性ブロックとを有する両親媒性ブロックコポリマー、
前記両親媒性ブロックコポリマーの前記親水性ブロックと化学的に適合性である親水性ホモポリマー、および
塗布溶媒、
を含有するポリマー溶液を基体の基体表面に塗布する工程、
前記塗布溶媒を除去して、前記ポリマー溶液中の前記両親媒性ブロックコポリマーおよび前記親水性ホモポリマーを前記基体表面上で自己組織化させて、自己組織化ポリマー層であって、該基体表面に隣接した疎水性領域と、該基体表面と反対の該自己組織化ポリマー層の露出表面から該自己組織化ポリマー層中に延在する、前記親水性ホモポリマーの親水性領域と、前記疎水性領域と前記親水性領域との間の、前記両親媒性ブロックコポリマーの前記親水性ブロックからなる移行領域と、を備える自己組織化ポリマー層を形成する工程、
前記親水性ホモポリマーの前記親水性領域の少なくとも一部分を除去して、前記自己組織化ポリマー層の前記露出表面に複数の細孔を形成する工程、
保護層を前記露出表面上に堆積させる工程、
前記複数の細孔を通してエッチングして、前記自己組織化ポリマー層を通って前記基体表面まで貫通孔を形成する工程、
ナノピラー形成材料を、前記貫通孔を通じて前記基体表面上に堆積させる工程、および
前記自己組織化ポリマー層を除去して、上に複数のナノピラーを有するナノピラー基体表面を露出する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記両親媒性ブロックコポリマーが、ポリスチレン疎水性ブロックとポリエチレンオキシド親水性ブロックとを有するＰＳ−ｂ−ＰＥＯブロックコポリマーを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記親水性ホモポリマーがポリ（アクリル酸）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記両親媒性ブロックコポリマーが、約１００，０００ダルトンから約５００，０００ダルトンの数平均分子量を持つポリスチレン疎水性ブロックとポリエチレンオキシド親水性ブロックとを有するＰＳ−ｂ−ＰＥＯブロックコポリマーを含み、
前記親水性ホモポリマーがポリ（アクリル酸）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記保護層が金属層または誘電体層であり、
前記保護層を前記露出表面に堆積させる工程が、
視射角蒸着であって、前記保護層を前記露出表面に堆積させ、かつ堆積されている材料で前記複数の細孔を塞がない視射角で行われる視射角蒸着によって、該保護層を所定の保護層厚まで堆積させる工程、
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記基体がガラスであり、前記ナノピラー形成材料がシランおよびシロキサンからなる群より選択されたガラス形成材料である、請求項１記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
基体表面上に自己組織化ポリマー層を形成するために使用できる両親媒性ブロックコポリマーの特定の非限定的例としては、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン（ＰＳ−ｂ−ＰＩ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリスチレン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレン（ＰＳ−ｂ−ＰＥ）、ポリスチレン−ブロック−ポリ有機シリケート（ＰＳ−ｂ−ＰＯＳ）、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ｂ−ＰＦＳ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリイソプレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＩ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリブタジエン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＥＯ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリエチルエチレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＥＥ）、ポリブタジエン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＢＤ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリビニルピリジン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＶＰ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、およびポリイソプレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＩ−ｂ−ＰＭＭＡ）が挙げられる。実施の形態において、両親媒性ブロックコポリマーは、ポリスチレン疎水性ブロックおよびポリエチレンオキシド親水性ブロックを有するポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）ブロックコポリマーを含むことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下の工程：
（Ａ）少なくとも一種のポリエステルポリオール及び／又はポリエーテルポリオールを、ポリイソシアネートの全量に対して０．５〜１２ｍｏｌ％の量の少なくとも一種の第１のポリイソシアネートとしての脂肪族ポリイソシアネートと反応させて、存在する末端基の７０％を超える末端基が末端ヒドロキシ基であるプレポリマーを生成する工程と、
（Ｂ）工程（Ａ）からのプレポリマーを、少なくとも一種の第２のポリイソシアネート及び、任意に他の添加剤と反応させて、ポリウレタンを生成する工程と、
を有し、
ポリイソシアネートの全量が、工程（Ａ）で加えられた量及び工程（Ｂ）で加えられた量から構成され、
前記少なくとも一種の第１のポリイソシアネートと前記少なくとも一種の第２のポリイソシアネートが異なり、
前記存在する末端基の７０％を超える末端基が末端ヒドロキシ基であるプレポリマーが、工程（Ａ）後に分離されず、工程（Ｂ）で直接使用されることを特徴とするポリウレタンの製造方法。
【請求項２】
工程（Ｂ）が、２０〜２５０℃の温度で行われることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
以下の工程（Ｃ）
（Ｃ）工程（Ｂ）で生成されたポリウレタンを３０〜１２０℃の温度でコンデショニングする工程が、工程（Ｂ）の後に行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の製造方法によって製造されるポリウレタン。
【請求項５】
ＡＳＴＭ  Ｅ３１３に準ずる黄色度が１〜６０であることを特徴とする請求項４に記載のポリウレタン。
【請求項６】
自動車、コーティング、ケーブル、プラグコネクタ、太陽電池モジュール、箔、成形体、靴底及び靴構成部材、ボール及びボール構成部材、ローラー、繊維、プロファイル、積層体及びワイパーブレード、ホース、ケーブルプラグ、蛇腹構造体、牽引用ケーブル、ケーブル外装、ガスケット、不織布、駆動ベルト又は減衰要素におけるクラッディングとして、請求項４又は５に記載のポリウレタンを使用する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ＷＯ２０１０／１０７５６２Ａ１には、変色が減少傾向にある熱可塑性ポリウレタンが開示されている。この目的のために、反応が、初めに、ヒドロキシ末端ポリエステルと、ポリイソシアネートと、グリコール系鎖延長剤との間で行われ、ヒドロキシ末端ポリエステルは、プロピレン１，３−グリコールとジカルボン酸から得られる繰り返し単位を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
方法３（本発明による）
ポリマーポリオール１を最初に１ｍｏｌ％のイソシアネート２を反応させる。イソシアネート２を加えた後すぐに、イソシアネート１、鎖延長剤１及び加水分解安定剤１を加え、同様に反応させた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分としてポリマー又はポリマー混合物から成り，設定プロセス中に繊維の捲縮の促進に適した方法で前記繊維の断面を横断するように配置され，主成分らは結晶化熱に差異（dHc）がある，少なくとも２つの領域で構成された捲縮した２成分又は多成分繊維から成るバットであって，
前記結晶化熱の差異（dHc）は３０J/g〜１０J/gの範囲であり，前記主成分らは，メルトフローインデックス，多分散度及び曲げ弾性率の群より選択される他のパラメータの少なくとも１つに相対的な差異が，前記メルトフローインデックスにおいては１００g／１０分〜５g／１０分の範囲で，前記多分散度においては１未満であるが０．３超の範囲で，前記曲げ弾性率においては３００MPa〜５０MPaの範囲であり；
前記主成分らの前記メルトフローインデックスの相対的差異は１００g／１０分以下であり，前記多分散度の相対的差異は１未満であり，前記曲げ弾性率の相対的差異は３００MPa以下であり；
かつ，前記繊維の捲縮率は，繊維２０mm当り少なくとも５個であることを特徴とするバット。
【請求項２】
メルトフローインデックスについての前記主成分間の相対的な差異は８０g／１０分〜５g／１０分，好ましくは６０g／１０分〜１０g／１０分の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項３】
多分散度についての前記主成分間の相対的な差異は１未満であるが０．５以上，好ましくは１未満であるが０．７以上の範囲内であることを特徴とする請求項１又は２記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項４】
結晶化熱（dHc）についての前記主成分間の相対的な差異は３０J/g〜２０J/gの範囲内であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項５】
曲げ弾性率についての前記主成分間の相対的な差異は２５０MPa〜８０MPa，好ましくは２００MPa〜８０MPaの範囲内であることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項６】
前記繊維がサイドバイサイド型の２成分繊維であることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項７】
前記２成分繊維の両主成分がプロピレンホモポリマーであることを特徴とする請求項６記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項８】
前記繊維中のポリマー領域の数と同数の繊維断面の中心を通る数本の軸に対して中心非対称及び／又は軸非対称に，前記繊維の断面を横断するように前記主成分が配置されていることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項９】
前記繊維が添加剤を含むことを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の捲縮した繊維から成るバット。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項記載のバットから成ることを特徴とする不織布。
【請求項１１】
前記不織布がスパンメルトタイプであることを特徴とする請求項１０記載の不織布。
【請求項１２】
多成分繊維から成るバットの製造方法であって，以下の工程：
i.  主成分としてポリマー又はポリマー混合物を含み，繊維の形成に適している少なくとも２種の材料を調製する工程；
ii.  スピナレット下で調製された材料から多成分繊維を形成し，すなわち領域内に配置された前記材料を含む多成分繊維を形成し，これを設定プロセス中，繊維の捲縮の促進に適した方法で繊維の断面を横断するように配置し，冷却気流及び細長化気流により繊維を冷却し，細長化する工程；並びに
iii.  前記多成分繊維からバットを形成する工程；
を含み，
結晶化熱の差異（dHc）は３０J/g〜１０J/gの範囲であり，かつ，メルトフローインデックス，多分散度及び曲げ弾性率の群より選択される他のパラメータの少なくとも１つに相対的な差異が，メルトフローインデックスにおいては１００g／１０分〜５g／１０分の範囲で，多分散度においては１〜０．３の範囲で，前記曲げ弾性率においては３００MPa〜５０MPaの範囲であるように前記主成分らが選択され；
前記主成分らの前記メルトフローインデックスの相対的差異は１００g／１０分以下であり，前記多分散度の相対的差異は１以下であり，前記曲げ弾性率の相対的差異は３００MPa以下であり；
かつ，前記繊維の捲縮率は，繊維２０mm当り少なくとも５個であることを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記繊維中にある領域の数と同数の繊維断面の中心を通る数本の軸に対して中心非対称及び／又は軸非対称に，前記繊維の断面を横断するように主成分の前記領域が配置されていることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記多成分繊維がサイドバイサイド型の２成分繊維であることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマー領域が主成分としてポリプロピレンホモポリマーを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
結晶化熱の差異（dHc）が３０J/g〜２０J/gの範囲になるように領域中の前記主成分を選択することを特徴とする請求項１２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
Kimberly Clark社の公知の文書ＥＰ０６８５５７９は融解熱の最小限の差を記述しており，これは４０J/gの結晶化熱にほぼ等しい。対照的に，本発明に従えば，領域の主要成分間の他の差異が驚く程に大きな相乗効果の利点を得る場合，差異らが小さめでも繊維の捲縮は起こる。本発明に基づく繊維のカール形成又は捲縮は，結晶化熱（dHc）及び，少なくとも１つ，好ましくは複数のポリマーのパラメータのわずかな差異を組み合わせて得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月4日(2017.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料内の２つ以上の類似の若しくは同じエピトープを含むマルチエピトープの標的分析物を検出するための、及び／又は、試料内の前記マルチエピトープの標的分析物の濃度を決定するための試験において検出粒子の凝集を防ぐ方法であって、
検出粒子を提供するステップ、
前記マルチエピトープの分析物上の少なくとも１つのエピトープに特異的に結合することができる第１の捕獲実体を適用するステップであり、前記第１の捕獲実体は、前記少なくとも１つのエピトープが前記検出粒子に結合するのを阻止し、単一のエピトープのうちごく一部のみを残したままにしておく、ステップ、及び、
前記第１の捕獲実体と同じか又は類似の前記マルチエピトープの標的分析物のエピトープに特異的に結合することができる第２の捕獲実体を使用するステップであり、前記第２の捕獲実体は、前記検出粒子と相互作用する能力を持つ、ステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２の捕獲実体は、前記検出粒子に対する前記第２の捕獲実体の結合を可能にするラベルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の捕獲実体は、前記検出粒子上に存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
−  前記第２の捕獲実体を適用するステップであり、前記第２の捕獲実体は、前記検出粒子に対する第２の捕獲実体の結合を可能にするラベルを含む、又は、前記第２の捕獲実体は、前記検出粒子上に存在する、ステップ、及び、
−  前記第２の捕獲実体の上に存在する前記ラベルに結合する能力を持つ検出粒子を用いて、又は、前記マルチエピトープの標的分析物の前記エピトープに特異的に結合することができる第２の捕獲実体を含む検出粒子を用いて前記マルチエピトープの標的分析物を検出するステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記試験において使用されることになる前記第１の捕獲実体の量及び／又は前記第２の捕獲実体の量は、
（ｉ）使用されることになる検出粒子の数、
（ｉｉ）前記マルチエピトープの標的分析物に対する前記第２の捕獲実体の数、
（ｉｉｉ）前記マルチエピトープの標的分析物上の類似の又は同じエピトープの数、
（ｉｖ）測定されることになる前記マルチエピトープの標的分析物の濃度範囲、
（ｖ）前記マルチエピトープの標的分析物に対する前記第１の捕獲実体の親和性、
（ｖｉ）前記マルチエピトープの標的分析物に対する前記第２の捕獲実体の親和性、及び／又は、
（ｖｉｉ）前記ラベルに対する前記検出粒子上の結合部位の数、
次第にされる、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
試料内のマルチエピトープの標的分析物を検出するための、及び／又は、試料内の前記マルチエピトープの標的分析物の濃度を決定するための前記試験において使用されることになる前記第１の捕獲実体と前記第２の捕獲実体の割合は、ｎ−１対１であり、ｎは、前記マルチエピトープの標的分析物上の同じエピトープの数である、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記マルチエピトープの標的分析物を含む前記試料は、前記検出粒子が加えられる前に前記第１の捕獲実体及び／又は前記第２の捕獲実体と接触させられる、請求項２乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の捕獲実体及び／又は前記第２の捕獲実体は、抗体、Ｆａｂフラグメント等の抗体断片、ＤＮＡ分子、ＲＮＡ分子又は非免疫グロブリンタンパク質である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法であって、試料内の前記マルチエピトープの標的分析物の検出及び／又は試料内の前記マルチエピトープの標的分析物の濃度の決定はシステムにおいて行われ、当該方法は、
−  前記マルチエピトープの標的分析物を前記検出粒子に結合させるステップ、
−  前記マルチエピトープの標的分析物に結合した前記検出粒子を、前記システムのセンサ表面に接触させるステップ、
−  前記システムのセンサ表面上に存在する第３の捕獲実体による、前記マルチエピトープの標的分析物の異なる（同じではない又は類似ではない）エピトープの結合を可能にするステップ、及び、
−  前記センサ表面にて残る前記粒子を検出するステップ、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記検出粒子は磁気粒子である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記試料内のマルチエピトープの標的分析物の検出及び／又は前記試料内のマルチエピトープの標的分析物の濃度の決定は、光磁気システムにおいて行われ、さらに、光学検出は定常性の試料流体において行われる、請求項９又は１０に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年9月12日(2018.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学試料の特性評価方法であって
少なくとも１つの２次元検出器アレイアセンブリに近接する試料ホルダに試料を支持することと、
前記試料を少なくとも１つの照明ビームで照明することと、
前記２次元アレイアセンブリを用いて、照明された前記試料における屈折による、前記少なくとも１つの照明ビームの一部分のたわみ量を検出することと、
たわみ量を検出する前記工程の結果に基づいて試料の屈折率に関する情報を導出することと、
前記少なくとも１つの照明ビームの曖昧化を検出することと、
曖昧化を検出する前記工程の結果に基づいて粒子の空間寸法を検出することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの照明ビームは２次元照明ビームを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記照明することは照明ソース及び移動ミラーによってなされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
曖昧化を検出することは、曖昧化範囲又は曖昧化持続期間を検出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記試料ホルダはキャピラリーチューブであり、前記試料を支持することはクロマトグラフィーカラムから溶出する流動試料を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記試料を支持することは、前記試料の勾配を設定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試料ホルダはフローセルであり、
前記少なくとも１つの照明ビームは２次元照明ビームを含み、
当該方法はさらに、前記少なくとも１つの照明ビームと、前記２次元アレイアセンブリによって照明された前記試料中の粒子との間の相互作用を、前記粒子が前記２次元照明ビームを通過する際に検出することと、前記相互作用を検出する工程の結果に基づいて前記粒子に関する情報を導出することと、を含む、請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
試料を保持するための試料ホルダと、
前記試料ホルダ内の試料を少なくとも１つの照明ビームで照明するように構成された少なくとも１つの照明ソースであって、前記試料ホルダ及び前記少なくとも１つの照明ビームは、前記少なくとも１つの照明ビームが前記試料の屈折率に関連する量だけ屈折するように構成される、少なくとも１つの照明ソースと、
前記試料ホルダに近接して配置された２次元検出器アレイであって、前記少なくとも１つの照明ソースから概して前記試料ホルダに対向しており、屈折した照明ビームを検出するように配置され、前記試料中の粒子による、前記少なくとも１つの照明ビームの一部分の曖昧化を検出するように構成された、２次元検出器アレイと、
前記２次元検出器アレイによって検出されたたわみ光の位置から試料屈折率を計算するように構成された画像分析論理回路と、を含み、
前記画像分析論理回路は、相互作用を検出する工程の結果に基づいて前記試料中の前記粒子に関する情報を導出するように構成され、前記粒子に関する情報を導出することは、粒子の空間次元及び／又は粒子の屈折率を定めることを含む、
試料の特性検出装置。
【請求項９】
前記照明ソースは、前記試料ホルダ内の試料の異なる部分を照明するように構成され、前記照明ソースは任意で移動ミラーを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記試料ホルダに近接して配置され、前記２次元検出器アレイに対してある角度で配置されたさらなる２次元検出器アレイをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記試料ホルダ内の前記試料をさらなる照明ビームによって照明するように構成されたさらなる照明ソースを備え、該さらなる照明ソースは、前記照明ソースとタイプが異なる、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記試料ホルダはキャピラリーチューブであり、当該装置は前記試料ホルダの上流にクロマトグラフィーカラムを備える、請求項８〜１１の何れか１項に記載の装置。
【請求項１３】
当該装置は撮像レンズを含まない、請求項８〜１２の何れか１項に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
この実施形態は、図１に示したものとは異なり、試料は、その長さ（y軸）に沿った複
数の異なる点で照明されている。これにより、複数の試料点についての測定値を同時に検出することができる。このタイプの実施形態では、勾配が流体中に存在する場合、又は、液体クロマトグラフィーカラムなどから流体が試料ホルダを介して流れている場合のように、不均一な試料上の異なる場所での測定が可能になる。また、試料中の意図しない又は望ましくない不均一性の影響を低減するために行われる平均化も可能にし得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
動作時には、図９ｂ及び図１０に示すように、システムが、無粒子状態で動いているとき、２次元照明ビーム９６が、アレイ（画像１００ａ）上に線画像を生成する。その後、狭チャネルフローセル９２を流れる不透明粒子が、ビーム１０２の一部を曖昧（ｏｂｓｃｕｒｅ）にする（画像１００ｂ）。ビームの曖昧化の幅は、粒子の空間寸法に関係する。ビームの曖昧化の持続期間は、粒子の別の空間寸法に関係する。したがって、第２のより小さな粒子が、例えば、ビーム１０４の一部に別の曖昧化を生じさせ、この変化をより狭く、持続期間をより短くする可能性がある（画像１００ｃ）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月10日(2018.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
で数学的に定められる。ここで、ｃは基球の曲率、ｋは円錐定数、ρは表面の動径座標、Ｃｊは第ｊゼルニケ項Ｚｊにかかる重み因子である。第１項は、第２項のゼルニケ多項式の重み付き総和が上に重ねられる、基本円錐（球は特別な場合である）である。第１の表面からかなり変位されたシステムの外部絞りを有する結果は、物視野が表面を「歩き」回ると考えられることであり、これはそれぞれの視野点が表面の異なる領域を経験することを意味する。それぞれの視野は、表面の頂点及び表面形状に対するその位置に応じて表面から正味の収差視野への異なる寄与を受け取る。収差補正のタイプは表面式のひとみ微分に比例する。例えば、表面が純粋にコマ型であれば、得られる収差補正は非点収差に、また低次のひとみ依存性をもつ他の収差にも、なるであろう。外部絞りの結果、システムは視野無依存性収差に対しては容易に補正することができない。しかし、それでも残留視野依存性収差を補正することができ、高性能システムがそれでも設計され得ることを数量で表すことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが装着したときに周囲環境の隠されていない光景を提供する、シースルー光学頭部装着表示（ＨＷＤ）装置において、
像を形成するよう構成された像形成コンポーネント、
非平面で自由形状の前面光学面を有する、傾けられた一次ミラー、及び
非平面で自由形状の前面光学面および、外部ひとみを有する、傾けられた二次ミラー、
を備え、
前記装置は、隠されていない周囲環境視野像を提供し、前記像形成コンポーネントにより形成された像の拡大像を重畳するよう構成される、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記一次ミラーと前記二次ミラーは２ミラーシステムを形成し、前記一次ミラーが半透明性／半反射性の光学コンポーネントであり、前記二次ミラーは１００％反射性自由形状前光学面を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記一次ミラーが非平面で自由形状の背面光学面を有することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記一次ミラーおよび前記二次ミラーの前記前面が凹曲率を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
ユーザが装着したときに周囲環境の隠されていない光景を提供する、シースルー光学頭部装着表示（ＨＷＤ）装置において、
像を形成するよう構成された像形成コンポーネント、
平面を有し、半透明性／半反射性の光学コンポーネントである、一次ミラー、
非平面で自由形状の前面光学面を有する、傾けられた二次ミラー、
非平面で自由形状の前面光学面を有する、傾けられた三次ミラー、及び
外部ひとみ、
を備え、
前記一次ミラー、前記二次ミラー、及び、前記三次ミラーは３ミラーシステムを形成し、
前記二次ミラーおよび前記三次ミラーは１００％反射性自由形状前光学面を有し、
前記装置は、隠されていない周囲環境視野像を提供し、前記像形成コンポーネントにより形成された像の拡大像を重畳するよう構成される、
ことを特徴とする装置。
【請求項６】
前記二次ミラー及び前記三次ミラーの前記前面が凹曲率を有することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ミラーの表面の内の少なくとも一方がフォトクロミックコーティングまたはエレクトロクロミックコーティングを有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
３２.５ｍｍ以下の直径を有する体積フットプリントを特徴とする請求項１または５に記載の装置。
【請求項９】
１４ｍｍ以下の半径を有する体積フットプリントを特徴とする請求項１または５に記載の装置。
【請求項１０】
２０°〜３０°の間の視野（ＦＯＶ）を特徴とする請求項１または５に記載の装置。
【請求項１１】
前記像形成コンポーネント、前記一次ミラー及び前記二次ミラーが結合される眼鏡フレームをさらに備えることを特徴とする請求項１または５に記載の装置。
【請求項１２】
前記像形成コンポーネント、前記一次ミラー及び前記二次ミラーが結合される頭部装着構造をさらに備えることを特徴とする請求項１または５に記載の装置。
【請求項１３】
前記外部ひとみが、前記像を視ている観察者の入射ひとみに配された開口絞りであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記像形成コンポーネントがＯＬＥＤ超小型ディスプレイであることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載のシースルー光学頭部装着表示（ＨＷＤ）装置であって、前記装置の像形成コンポーネントにより、または前記像形成コンポーネント上に、形成された像を表示するためのシースルー光学表示装置を設計／作製するための方法において、
ａ）装置仕様を決定する工程、
ｂ）前記装置に対する視野の大きさ及び開口絞りの径を選択する工程、
ｃ）観察光学系の入射ひとみに開口絞りを位置決めする工程、
ｄ）回転対称の球面光学系を設計する工程、
ｅ）前記視野の全体にわたる前記装置の収差の内訳を決定する工程、
ｆ）コマ収差及び非点収差の内の一方を含む支配的な収差を識別する工程、及び
１）  コマ収差であれば、
前記コマ収差がより視野無依存性であるかまたはより視野依存性であるかを決定する工程、及び
より視野無依存性であれば、
前記開口絞りに最も近い光学面にコマ収差項を付加する工程、または
より視野依存性であれば、
前記開口絞りから最も遠い光学面に球面収差項を付加する工程、
あるいは
２）  非点収差であれば、
前記非点収差がより視野無依存性であるかまたはより視野依存性であるかを決定する工程、及び
より視野無依存性であれば、
前記開口絞りに最も近い光学面に非点収差項を付加する工程、または
より視野依存性であれば、
前記開口絞りから最も遠い光学面にコマ収差項を付加する工程、
ｇ）前記光学系の設計を最適化する工程、
ｈ）前記最適化された設計の前記収差内訳が低減されているか否かを決定する工程、及び
３） 低減されていなければ、
前記決定された仕様を前記装置が満たしているか否かを決定する工程、及び
満たしていれば、
設計は完了する、または
満たしていなければ、
制限している収差がより視野無依存性であるかまたはより視野依存性であるかを決定する工程、及び
より視野無依存性であれば、
前記開口絞りに最も近い光学面に次の高次収差項を付加する工程、または
より視野依存性であれば、
前記開口絞りから最も遠い光学面に次の高次収差項を付加する工程、
ｉ）前記工程（ｇ）から前記工程（ｈ）を反復する工程、
あるいは
４）  低減されていれば、
前記工程（ｅ）から前記工程（ｈ）を反復する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
検査されるべき対象物と対比試験片とは軸対称であり、超音波ビームの照射方向は対称軸に関して放射状であり、対比試験片は、対比試験片の表面と径方向面との交差部の、前記試験片の線に沿って走査される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
その結果、超音波ビームによる対比試験片の走査ステップ１１００で、超音波ビームの照射方向は対称軸に関して放射状であり、対比試験片は、対比試験片の表面と径方向面との交差部の、前記試験片の線に沿って走査される。有利に、対比試験片は単一線に従って走査されるが、得られたゲイン補正を検証するために、いくつかの線で走査が繰り返されることも可能である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年6月25日(2018.6.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
一実施形態では、本発明は、ナタネ植物、例えば、ブラシカ・ナプスまたはブラシカ・ジュンセアからハイブリッド種子を生産するための方法であって、エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）を含んでなる雄性不稔母本ナタネ植物を準備する工程；エリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）を好ましくはホモ接合型で含んでなる雄性稔性父本ナタネ植物を準備する工程；前記父本ナタネ植物からの花粉を前記母本ナタネ植物に受粉させる工程；前記母本植物からハイブリッド種子を採種する工程を含んでなる方法を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
よって、本発明の一実施形態では、ナタネ植物、例えば、ブラシカ・ナプスまたはブラシカ・ジュンセアからハイブリッド種子を生産するための方法であって、
・雄性不稔遺伝子を含んでなるエリートイベントＭＳ−Ｂ２を含んでなる雄性不稔母本ナタネ植物を準備する工程；
・稔性回復遺伝子を、好ましくはホモ接合型で含んでなるエリートイベントＲＦ−ＢＮ１を含んでなる雄性稔性父本ナタネ植物を準備する工程；
・父本ナタネ植物からの花粉を母本ナタネ植物に受粉させる工程；および
・前記母本植物からハイブリッド種子を採種する工程
を含んでなる方法が提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
要約すると、本発明は、以下に符番した段落に記載される実施形態で表される。
１．ナタネ植物からハイブリッド種子を生産するための方法であって、
ａ．エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）を含んでなる雄性不稔母本ナタネ植物を準備する工程；
ｂ．エリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）を好ましくはホモ接合型で含んでなる雄性稔性父本ナタネ植物を準備する工程；
ｃ．前記父本ナタネ植物からの花粉を前記母本ナタネ植物に受粉させる工程；
ｄ．前記母本植物からハイブリッド種子を採種する工程
を含んでなる、方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナタネ植物からハイブリッド種子を生産するための方法であって、
ａ．エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）を含んでなる雄性不稔母本ナタネ植物を準備する工程；
ｂ．エリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）を含んでなる雄性稔性父本ナタネ植物を準備する工程；
ｃ．前記父本ナタネ植物からの花粉を前記母本ナタネ植物に受粉させる工程；
ｄ．前記母本植物からハイブリッド種子を採種する工程
を含んでなる、方法。
【請求項２】
前記雄性稔性父本ナタネ植物が、エリートイベントＲＦ−ＢＮ１をホモ接合型で含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ナタネ植物がブラシカ・ナプス種またはブラシカ・ジュンセア種に属する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
その核ゲノム内に少なくとも１コピーのエリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）と、少なくとも１コピーのエリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）とを含んでなる、ナタネ植物。
【請求項５】
前記ナタネ植物がブラシカ・ナプス種またはブラシカ・ジュンセア種に属する、請求項４に記載のナタネ植物。
【請求項６】
請求項４のナタネ植物の細胞または組織または種子。
【請求項７】
ハイブリッド種子の生産において使用するためのナタネ植物のペアであって、前記ナタネ植物の一方がエリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）を含んでなり、前記ナタネ植物の他方がエリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）を含んでなる、ペア。
【請求項８】
請求項４に記載のナタネ植物のゲノムＤＮＡ。
【請求項９】
エリートイベントＲＦ−ＢＮ１（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）を含んでなる、ブラシカ・ジュンセア植物または植物細胞。
【請求項１０】
エリートイベントＲＦ−ＢＮ１を含んでなる請求項９に記載のブラシカ・ジュンセア植物からの種子（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−７３０として寄託されている）。
【請求項１１】
エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）をさらに含んでなる、請求項９に記載の植物または細胞。
【請求項１２】
トランスジェニックナタネ植物において種子収量を増大させるための、エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）の使用。
【請求項１３】
前記ナタネ植物がブラシカ・ジュンセアである、請求項１２に記載の使用。
【請求項１４】
ナタネ植物の収量を増大させるための方法であって、エリートイベントＭＳ−Ｂ２（前記エリートイベントを含んでなるリファレンス種子は、ＡＴＣＣに寄託番号ＡＴＣＣ＿ＰＴＡ  ２４８５またはＡＴＣＣ＿ＰＴＡ−８５０として寄託されている）を有する前記ナタネ植物を準備する工程を含んでなる、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非気体状合成経路を使用して調製された、患者に注射可能な溶液中の１８Ｆ−標識フッ素化コリン類似体の精製方法であって、前記方法が、
合成バルク生成物又は合成粗製溶液を選択する開始工程；１８Ｆ−標識フッ素化コリン類似体を捕捉するためのカチオン交換カートリッジでの合成バルク生成物の第一精製工程；前記カチオン交換カートリッジからの捕捉された１８Ｆ−標識フッ素化コリン類似体の溶出；及び溶出された溶液からの不純物及び試薬を保持するが、１８Ｆ−標識フッ素化コリン類似体を保持しないための非イオン性固体支持体を使用した合成バルク生成物の固相抽出（ＳＰＥ）精製による、溶出された１８Ｆ−標識フッ素化コリン類似体溶液の第二精製工程、但し前記不純物及び試薬は、本質的に放射能標識されていない（ｃｏｌｄ）芳香族四級化生成物及び非極性生成物である、
を連続的に含み、
非イオン性固体支持体が、ジビニルベンゼン及び／又はスチレンとコモノマービニル化合物とのコポリマーを含む固相抽出樹脂及び液体クロマトグラフィー樹脂からなる群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
非気体状合成経路が、トシラート、メシラート、及びトリフラートからなる群から選択される離脱基を有するアルキル化剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
共重合体化のために使用されるビニル化合物が、ビニルピロリドン、酢酸ビニル、（メタクリロイルオキシメチル）ナフタレン、４，４′−ビス（マレイミド）ジフェニルメタン、ｐ，ｐ′−ジヒドロキシジフェニルメタンジグリシジルメタクリルエステル、ｐ，ｐ′−ジヒドロキシジフェニルプロパンジグリシジルメタクリルエステル、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）、２，２−ジメチルアミノエチルメタクリレート（ＤＭＡＥＭＡ）、エチレンジメタクリレート、グリシジルメタクリレート、Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリロニトリル、ビニルピリジン、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド、アミノスチレン、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレート、Ｎ−ビニルカプロラクタム、及びＮ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
固体支持体が、ジビニルベンゼン及び／又はスチレンの（コ）ポリマーから作られた予備成形されたビーズの、コモノマービニル化合物との共重合体化による表面官能基化によって得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
共重合体化のために使用されるビニル化合物が、ビニルピロリドンであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
離脱基を有するアルキル化剤が、トシラートアルキル化剤であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
離脱基を有するアルキル化剤が、メチレンビス（トルエン−４−スルホン酸塩）であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
放射能標識されていない（ｃｏｌｄ）芳香族四級化生成物の形の不純物が、ジメチルアミノエタノール（ＤＭＡＥ）と前駆体メチレンビス（トルエン−４−スルホン酸塩）との間の反応から生じることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
四級化反応（例えば、メタンジトシラートとＤＭＡＥの反応）中に、特にワンポット標識化及び四級化を行なうときに生成する放射能標識されていない（ｃｏｌｄ）不純物の存在が、最近証明された（Ｒｏｄｎｉｃｋ  ｅｔ  ａｌ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｉｓｏｔｏｐｅｓ  ７８（２０１３）２６−３２）。これらの不純物は、最終生成物中に存在する。これらの不純物は、除去されなければならない。最近まで、信頼の置ける精製を行なう唯一の方法は、高圧液体クロマトグラフィーであった。