【手続補正書】
【提出日】平成30年10月22日(2018.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロクロミック積層体を製造する方法であって、
陰極着色エレクトロクロミック材料を備える陰極着色層を形成することと、
酸化ニッケルタングステンタンタルを備える陽極着色層を形成することと、
を含み、
前記酸化ニッケルタングステンタンタルはＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率が１．８：１と３：１の間であり、Ｗ：Ｔａの原子比率が１：１と２：１の間である、
方法。
【請求項２】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが約１．８：１と２．５：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが約２．１：１と２．５：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが約２：１と３：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記陽極着色層を形成することが、前記酸化ニッケルタングステンタンタルを形成するために１つまたは複数のスパッタターゲットをスパッタすることを含み、前記１つまたは複数のスパッタターゲットはそれぞれ、ニッケル、タングステン、およびタンタルから成るグループから選択される少なくとも１の金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のスパッタターゲットの内の少なくとも１つが、ニッケル、タングステン、及びタンタルから成るグループから選択される元素金属を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つまたは複数のスパッタターゲットの内の少なくとも１つが、ニッケル、タングステン、及びタンタルから成るグループから選択される２つ以上の金属を備える合金を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数のスパッタターゲットの内の少なくとも１つが酸化物を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記陽極着色層が実質的に非晶質である、請求項１から請求項８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記陰極着色層及び前記陽極着色層が、前記陰極着色層と前記陽極着色層との間に別個のイオン伝導体層を成膜されることなく、互いと直接的に物理的に接触して形成され、
前記方法は、前記陰極着色層と前記陽極着色層の間に、イオン伝導性かつ電子絶縁性を有する界面領域を形成することをさらに含む、請求項１から請求項９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記陽極着色層が、異なる組成及び／または形態を有する２つ以上の副層を備える、請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記陰極着色エレクトロクロミック材料が酸化タングステン（ＷＯｘ）を備える、請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
ｘが３．０未満である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ｘが少なくとも約２．７である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記陰極着色層が二重層または傾斜層を備え、前記陰極着色層の一部分が酸素に対して超化学量論的である、請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
エレクトロクロミックデバイス積層体であって、
陰極着色材料を備える陰極着色層と、
酸化ニッケルタングステンタンタルを備える陽極着色層と、
を備え、
前記酸化ニッケルタングステンタンタルはＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率が１．８：１と３：１の間であり、Ｗ：Ｔａの原子比率が１：１と２：１の間である、
エレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項１７】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約１．８：１と２．５：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項１６に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項１８】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約２：１と２．５：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項１７に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項１９】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約２：１と３：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項１６に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２０】
前記陽極着色層が実質的に非晶質である、請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２１】
前記陽極着色層が、非晶質基質全体に散乱される第２の材料の領域を有する第１の材料の前記非晶質基質を備える、請求項１６から請求項２０の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２２】
前記陰極着色層が前記陽極着色層と直接的に物理的に接触する、請求項１６から請求項２１の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２３】
前記陽極着色層が、異なる組成及び／または形態を有する２つ以上の副層を備える、請求項１６から請求項２２の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２４】
前記陰極着色材料が酸化タングステン（ＷＯｘ）を備える、請求項１６から請求項２３の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２５】
ｘは３．０未満である、請求項２４に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２６】
ｘは少なくとも約２．７である、請求項２５に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２７】
前記陰極着色層が二重層または傾斜層を備え、前記陰極着色層の一部分が酸素に対して超化学量論的である、請求項１６から請求項２６の何れか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス積層体。
【請求項２８】
エレクトロクロミックデバイス積層体を製造するための統合成膜システムであって、
順番に位置合わせされ、相互接続され、外部環境に基板を曝露することなくあるステーションから次のステーションに前記基板を通すよう作動する複数の成膜ステーションであって、前記複数の成膜ステーションが、
（ｉ）陰極着色層を成膜するための１つまたは複数の物質源を含む第１の成膜ステーションと、
（ｉｉ）酸化ニッケルタングステンタンタルを備える陽極着色層を成膜するための１つまたは複数の物質源を含む第２の成膜ステーションであって、前記酸化ニッケルタングステンタンタルはＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率が１．８：１と３：１の間であり、Ｗ：Ｔａの原子比率が１：１と２：１の間である、第２の成膜ステーションと、
を備える、前記複数の成膜ステーションと、
少なくとも前記陰極着色層及び前記陽極着色層を備える積層体を形成するために、前記基板に（ｉ）前記陰極着色層、及び（ｉｉ）前記陽極着色層を成膜するように、前記複数の成膜ステーションに前記基板を通すためのプログラム命令を含むコントローラと、
を備える、統合成膜システム。
【請求項２９】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約１．８：１と２．５：１の間のＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項２８に記載の統合成膜システム。
【請求項３０】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約２：１と２．５：１の間のＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項２９に記載の統合成膜システム。
【請求項３１】
前記酸化ニッケルタングステンタンタルが、約２：１と３：１の間のＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率を有する、請求項２８に記載の統合成膜システム。
【請求項３２】
前記陽極着色層を成膜するための前記１つまたは複数の物質源の内の少なくとも１つが、ニッケル、タングステン、及びタンタルから成るグループから選択される元素金属を備える、請求項２８から請求項３１の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３３】
前記陽極着色層を成膜するための前記１つまたは複数の物質源の内の少なくとも１つが、ニッケル、タングステン、及びタンタルから成るグループから選択される２つ以上の金属を備える合金を備える、請求項２８から請求項３２の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３４】
前記陽極着色層を成膜するための前記１つまたは複数の物質源の内の少なくとも１つが酸化物を備える、請求項２８から請求項３３の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３５】
前記統合成膜システムが、実質的に非晶質な物質として前記陽極着色層を成膜するように構成される、請求項２８から請求項３４の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３６】
前記統合成膜システムが、互いと直接的に物理的に接触するように前記陰極着色層及び前記陽極着色層を成膜するように構成される、請求項２８から請求項３５の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３７】
前記コントローラが、異なる組成及び／または形態を有する２つ以上の副層として前記陽極着色層を成膜するためのプログラム命令を含む、請求項２８から請求項３６の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３８】
前記陰極着色層が酸化タングステン（ＷＯｘ）を備える、請求項２８から請求項３７の何れか一項に記載の統合成膜システム。
【請求項３９】
ｘが３．０未満である、請求項３８に記載の統合成膜システム。
【請求項４０】
ｘが少なくとも約２．７である、請求項３９に記載の統合成膜システム。
【請求項４１】
前記陰極着色層が二重層または傾斜層を備え、前記陰極着色層の一部分が酸素に対して超化学量論的である、請求項２８に記載の統合成膜システム。
【請求項４２】
物質の組成物であって、
（ａ）ニッケルと、
（ｂ）タングステンと、
（ｃ）タンタルと、
（ｄ）酸素と、
を備え、
前記組成物が約１．８：１と３：１の間であるＮｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の原子比率および、約１：１と２：１の間であるＷ：Ｔａの原子比率を備える、
物質の組成物。
【請求項４３】
Ｎｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の前記原子比率が約１．８：１と２．５：１の間である、請求項４２に記載の物質の組成物。
【請求項４４】
Ｎｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の前記原子比率が約２：１と２．５：１の間である、請求項４３に記載の物質の組成物。
【請求項４５】
Ｎｉ：（Ｗ＋Ｔａ）の前記原子比率が約２：１と３：１の間である、請求項４２に記載の物質の組成物。
【請求項４６】
約５０〜６５０ｎｍの間の厚さを有する層で提供される、請求項４２から請求項４５の何れか一項に記載の物質の組成物。
【請求項４７】
前記組成物が１つまたは複数のスパッタターゲットをスパッタすることにより形成される、請求項４２から請求項４６の何れか一項に記載の物質の組成物。
【請求項４８】
前記組成物が印加された陽極電位に応えて着色状態になる、請求項４２から請求項４７の何れか一項に記載の物質の組成物。
【請求項４９】
前記組成物が非晶質である、請求項４２から請求項４８の何れか一項に記載の物質の組成物。
【請求項５０】
前記組成物が、ナノ結晶が全体に分布する非晶質基質として提供され、前記ナノ結晶の平均直径は、約５０ｎｍ以下である、請求項４２から請求項４９の何れか一項に記載の物質の組成物。
【請求項５１】
前記ナノ結晶が約５０ｎｍ未満の平均直径を有する、請求項５０に記載の物質の組成物。
【請求項５２】
前記ナノ結晶が約１〜１０ｎｍの間の平均直径を有する、請求項５１に記載の物質の組成物。