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【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このために、本発明は、宇宙飛行体用の極低温流体タンクと、宇宙飛行体の極低温流体タンク用の熱防護システムとを備えるアセンブリにして、前記システムが、
極低温流体タンクを取り囲むのに適応してるシェルであり、シェルとタンクとの間の内部空間を画定するように寸法決めされるシェルと、
冷却流体のタンク（３６）に接続され、冷却流体の噴霧を前記内部空間に噴射するように適応する噴射ダクト（３５）と、
を備える、アセンブリであって、
冷却流体が極低温流体タンクに達する熱流束を得て、それによって、前記冷却流体が蒸発することになることを確実にするように適応される温度で、前記冷却流体が、液体状態で内部空間に噴射され、シェルが気体状の冷却流体がシェルを通して前記内部空間を離れることができるように適応する複数のオリフィスを有することを特徴とする、アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宇宙飛行体用の極低温流体タンク、および宇宙飛行体（１）の極低温流体タンク用の熱防護システム（２）を備えるアセンブリにして、前記システム（１）が、
極低温流体タンクを取り囲むのに適応してるシェル（３）であり、シェル（３）とタンクとの間の内部空間（２１）を画定するように寸法決めされるシェル（３）と、
冷却流体のタンク（３６）に接続され、冷却流体の噴霧を前記内部空間（２１）に噴射するように適応する噴射ダクト（３５）と、
を備える、アセンブリであって、
冷却流体が極低温流体タンクに達する熱流束を得て、それによって、前記冷却流体が蒸発することになることを確実にするように適応される温度で、前記冷却流体が、液体状態で内部空間（２１）に噴射され、シェル（３）が気体状の冷却流体がシェル（３）を通して前記内部空間（２１）を離れることができるように適応する複数のオリフィス（３４）を有することを特徴とする、アセンブリ。
【請求項２】
前記システム（２）が、乾燥ガスを内部空間（２１）に噴射するためのインジェクタ手段（３７、３８）をさらに備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記シェル（３）が、選択的に極低温流体タンクを取り囲むことができ、かつ宇宙飛行体（１）の発射より前にこれを放出することができるように適応する複数のヒンジ連結されたセグメントを備える、請求項１または請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記シェル（３）が、内壁（３１）および外壁（３２）を有し、断熱材（３３）が、それらの間に配置される、請求項１から３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項５】
宇宙飛行体（１）の極低温流体タンクを熱的に保護する方法であって、
シェル（３）とタンクとの間に内部空間（２１）を形成するようにタンクをシェル（３）で取り囲むステップ（Ｅ１）と、
このように形成された内部空間（２１）に冷却流体の噴霧を噴射するステップ（Ｅ３）であり、冷却流体がタンクに達する熱流束と熱を交換する結果として蒸発されるように適応される温度で、冷却流体が液体状に噴射される、ステップ（Ｅ３）と、
シェル（３）の複数のオリフィスを通して熱交換によって形成される冷却流体蒸気を排出するステップ（Ｅ４）と、
を含む、方法。
【請求項６】
液体状態の冷却流体の噴霧を内部空間（２１）に噴射するステップ（Ｅ３）より前に、乾燥ガスが、前記内部空間（２１）から湿気を除去するように前記内部空間（２１）に噴射される（Ｅ２）、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
宇宙飛行体（１）を発射するステップ（Ｅ７）より前に、かつ冷却流体を内部空間（２１）に噴射するステップ（Ｅ３）の後に、周囲温度の乾燥ガスが、前記内部空間（２１）から湿気を除去するように、内部空間（２１）に噴射される（Ｅ５）、請求項５または請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムのメモリトレーニングを実施するための方法であって、
前記DRAMシステムの複数のポートのうちの第1のポートおよび第2のポートに対するメモリ動作をディゼーブルするとともに、前記DRAMシステムの前記複数のポートのうちの残りに対するメモリ動作を維持するステップと、
前記第1のポートおよび前記第2のポートを、ポート間ループバック接続を介して通信するように構成するステップと、
前記DRAMシステムの前記第1のポートによって、システムオンチップ(SoC)からトレーニング信号を受け取るステップと、
前記DRAMシステムの前記第1のポートによって、前記トレーニング信号を前記DRAMシステムの前記第2のポートに、前記ポート間ループバック接続を介して供給するステップと、
前記DRAMシステムの前記第2のポートによって、前記トレーニング信号を前記SoCに供給するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記トレーニング信号を受け取るステップが、前記トレーニング信号を前記SoCの閉ループトレーニングエンジンから受け取るステップを含み、
前記トレーニング信号を前記SoCに供給するステップが、前記トレーニング信号を前記SoCの前記閉ループトレーニングエンジンに供給するステップを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記トレーニング信号が、前記閉ループトレーニングエンジンによって提供される1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号のうちの1つであり、
前記方法がさらに、
前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号に対応する1つまたは複数のトレーニング結果を決定するステップと、
前記1つまたは複数のトレーニング結果に基づいて、前記DRAMシステムに関するハードウェアパラメータを決定するステップと
を含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記ハードウェアパラメータを決定するステップが、前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号のうちの最初に不合格になるインクリメンタルトレーニング信号と、前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号のうちの最後に不合格になるインクリメンタルトレーニング信号との間の中央値を決定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号に対応する前記1つまたは複数のトレーニング結果を決定するステップが、パラメータスイープを行うステップを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記トレーニング信号が、タイミングトレーニングパラメータおよび電圧トレーニングパラメータのうちの1つまたは複数を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のポートおよび前記第2のポートが、前記DRAMシステム内で隣接する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記ポート間ループバック接続が双方向である、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記第1のポートおよび前記第2のポートの各々が、前記ポート間ループバック接続を選択するように動作可能なマルチプレクサ(MUX)を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムのメモリトレーニングを実施するためのシステムであって、
前記DRAMシステムに通信可能に結合されたシステムオンチップ(SoC)
を備え、
前記DRAMシステムが、複数のポートのうちの、ポート間ループバック接続を介して通信可能に結合された第1のポートおよび第2のポートを備え、
前記DRAMシステムが、
前記DRAMシステムの前記複数のポートのうちの前記第1のポートおよび前記第2のポートに対するメモリ動作をディゼーブルするとともに、前記DRAMシステムの前記複数のポートのうちの残りに対するメモリ動作を維持することと、
前記第1のポートおよび前記第2のポートを、前記ポート間ループバック接続を介して通信するように構成することと、
前記DRAMシステムの前記第1のポートによって、前記SoCからトレーニング信号を受け取ることと、
前記DRAMシステムの前記第1のポートによって、前記トレーニング信号を前記DRAMシステムの前記第2のポートに、前記ポート間ループバック接続を介して供給することと、
前記DRAMシステムの前記第2のポートによって、前記トレーニング信号を前記SoCに供給することと
を行うように構成される、システム。
【請求項１１】
前記SoCが、閉ループトレーニングエンジンを備え、
前記DRAMシステムがさらに、
前記トレーニング信号を前記SoCの前記閉ループトレーニングエンジンから受け取ることと、
前記トレーニング信号を前記SoCの前記閉ループトレーニングエンジンに供給することと
を行うように構成される、請求項10に記載のシステム。
【請求項１２】
前記閉ループトレーニングエンジンが、
前記トレーニング信号を備える1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号を提供することと、
前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号に対応する1つまたは複数のトレーニング結果を決定することと、
前記1つまたは複数のトレーニング結果に基づいて、前記DRAMシステムに関するハードウェアパラメータを決定することと
を行うように構成される、請求項11に記載のシステム。
【請求項１３】
前記閉ループトレーニングエンジンが、前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号のうちの最初に不合格になるインクリメンタルトレーニング信号と、前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号のうちの最後に不合格になるインクリメンタルトレーニング信号との間の中央値を決定することによって、前記ハードウェアパラメータを決定することを行うように構成される、請求項12に記載のシステム。
【請求項１４】
前記閉ループトレーニングエンジンが、パラメータスイープを行うことによって、前記1つまたは複数のインクリメンタルトレーニング信号に対応する前記1つまたは複数のトレーニング結果を決定することを行うように構成される、請求項12に記載のシステム。
【請求項１５】
前記DRAMシステムが、タイミングトレーニングパラメータおよび電圧トレーニングパラメータのうちの1つまたは複数を備える前記トレーニング信号を受け取ることを行うように構成される、請求項12に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラムの少なくとも一部を含むデータを受け取るステップと、
プログラムのエントリポイント位置及び実行関連のメタデータを特定して検索するステップと、
特定されたエントリポイント位置及びメタデータに基づいて、プログラム内部のコードの領域を、逆アセンブリを用いて特定するステップと、
複数の関数のそれぞれに対してのエントリポイントを判別するステップと、及び
複数の関数に対して判別されたエントリポイントに基づいて、それぞれの関数に対する可能性のあるコールシーケンスのセットを生成するステップと、
を含むコンピュータが実行する方法。
【請求項２】
コールシーケンスは、アプリケーション  プログラミング  インターフェース（ＡＰＩ）コールをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コールシーケンスは、プログラムによって実行されるサブ関数をコールすることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
可能性のあるコールシーケンスの生成されるセットを特徴付けるＡＰＩコールグラフを生成するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
対応する関数の振る舞いに作用するパラメータ情報を、コールシーケンス内のコールの少なくとも一つに付与するステップをさらに含む、
請求項１から４のいずれか一に記載の方法。
【請求項６】
エントリポイント位置が、オペレーティングシステム又は他のプログラムがプログラムの実行を開始するプログラム内部の位置に対応する、
請求項１から５のいずれか一に記載の方法。
【請求項７】
エントリポイント位置を特定して検索するステップは、
予め規定されるバイトシーケンスについてプログラムをスキャンするステップを含む、
請求項１から６のいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
逆アセンブルが、エミュレーション拡張された逆アセンブリを含む、請求項１から７のいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
機械語を含むプログラムの少なくとも一部を含むデータを受け取るステップと、
機械語を命令に逆アセンブリするステップと、
命令を、コードブロックを含む関数に組成するステップと、
関数を特徴付ける制御フローグラフを構成するステップと、
制御フローグラフを介して、すべての可能性のある経路をトラバースすることによって、アプリケーションプログラミングインターフェース（ＡＰＩ）コールシーケンスを抽出するステップと、
ＡＰＩコール及び子関数コールの相対的な順序を判別するステップと、及び
判別された相対的な順序に従って抽出されるＡＰＩコールシーケンスに基づいて、ＡＰＩコールグラフを生成するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
命令をストアする持続性の機械可読型媒体であって、
少なくとも一つのコンピュータシステムの一部を形成する少なくとも一つのデータプロセッサによって実行される際に、前記命令は請求項１から９のいずれか一に記載の方法を実装するように稼働する、
持続性の機械可読型媒体。
【請求項１１】
少なくとも一つのデータプロセッサ、及び
命令をストアするメモリを含み、命令は、少なくとも一つのデータプロセッサによって実行される際に、請求項１から９のいずれか一に記載の方法を実装するように稼働する、
システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気コネクタを含む口金と、
前記口金に面する底部及び頂部を持つ発光バルブ部と、
前記電気コネクタに電気的に接続されるドライバ回路と、
前記ドライバ回路に電気的に接続されるＬＥＤのセットとを有するＬＥＤ電球であって、
前記発光バルブ部が、前記発光バルブ部の前記頂部に対して開口している中空中央コアと、前記中央コアを囲むチャンバとを有し、前記チャンバが、閉じられたボリュームを有すると共に、前記中央コアのまわりに環状部を持ち、前記環状部の半径方向に最も内側の壁が、前記中空中央コアを規定し、前記ＬＥＤが、前記中央コアのまわりに取り付けられ、前記中空中央コアが、閉じられた底面を有し、前記発光バルブ部の前記頂部から部分的に前記発光バルブ部の深部へ延在するＬＥＤ電球。
【請求項２】
前記ＬＥＤが、前記ＬＥＤが前記閉じられたボリューム内に収容されるように、前記半径方向に最も内側の壁のまわりに設けられる請求項１に記載のＬＥＤ電球。
【請求項３】
前記チャンバの前記閉じられたボリュームが、前記ＬＥＤへの電気接続部を通過させる壁によって完全に規定される請求項１に記載のＬＥＤ電球。
【請求項４】
前記壁が、ガラスである請求項３に記載のＬＥＤ電球。
【請求項５】
前記チャンバの前記閉じられたボリュームが、開口底面を持つ壁と、少なくとも前記中央コアの外側のまわりで、前記開口底面を閉じる底面カバーとによって規定される請求項１に記載のＬＥＤ電球。
【請求項６】
前記壁が、ガラスである請求項５に記載のＬＥＤ電球。
【請求項７】
前記底面カバーが、プラスチックリングを有する請求項５又は６に記載のＬＥＤ電球。
【請求項８】
前記チャンバの前記閉じられたボリュームが、前記中央コアを規定する内側円筒と、前記内側円筒のまわりの外壁とによって規定される請求項１に記載のＬＥＤ電球。
【請求項９】
前記内側円筒が、プラスチック、金属又はセラミックである請求項８に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１０】
前記外壁が、ガラスである請求項８又は９に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１１】
前記ＬＥＤが、可撓性基板に設けられる一連のＬＥＤを有し、前記可撓性基板が、前記中央コアを規定する半径方向に最も内側の壁と接触して取り付けられる請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球。
【請求項１２】
前記内側円筒が、前記ＬＥＤが設けられる導電性トラックを有する請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月18日(2018.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び第２の面を有する基板と、
前記基板の前記第１の面に配置された複数の光源であって、共通の総合的出力方向を有する複数の光源と、
前記基板を取り囲む透光性材料から形成されたハウジングであって、前記ハウジングが光を透過し、前記ハウジングの第１の部分と、前記基板を挟んで前記第１の部分と実質的に反対側に配置された前記ハウジングの第２の部分とを有する、ハウジングと
を備える照明デバイスにおいて、
前記基板の前記第１の面に面する前記ハウジングの前記第１の部分に沿って、前記複数の光源の前記出力方向と実質的に向かい合うように複数の第１の光学要素が配置され、
前記基板は光の透過が可能であり、
前記複数の第１の光学要素が、前記光源によって放出された光の一部を透過し、且つ前記光源によって放出された光の一部を、前記基板を通して前記ハウジングの前記第２の部分に向けて反射し、
前記複数の第１の光学要素がそれぞれ、前記光源からの光を屈折したり、反射したりし、
前記複数の第１の光学要素がそれぞれ、ミラーと、前記ミラーの各側にあるレンズとを備え、前記レンズが、前記第１の光学要素を透過された光に関する屈折によって、角度発散を大きくする
ことを特徴とする、照明デバイス。
【請求項２】
前記ハウジングの前記第２の部分に向けて前記第１の光学要素によって反射される光が、前記複数の光源によって放出された全光の３０％〜７０％の間である、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記基板が、前記第１の光学要素から反射された光を前記ハウジングの前記第２の部分に向けて透過する透光性材料を少なくとも一部備える、請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
前記基板が、前記第１の光学要素から反射された光を前記ハウジングの前記第２の部分に向けて少なくとも一部透過するための少なくとも１つの貫通孔を備える、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記基板の前記第２の面が、前記ハウジングの前記第２の部分に沿って取り付けられる、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項６】
複数の第２の光学要素が、前記ハウジングの前記第２の部分に沿って配置され、前記複数の第２の光学要素が、反射光を屈折して、角度発散を大きくする、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記複数の第１の光学要素が、前記複数の光源によって放出された光の一部を、前記ハウジングの前記第２の部分に向けて各光源に隣接する方向に反射する、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記複数の第１の光学要素が、光を一部反射し、一部透過するコーティングを含む、請求項１乃至７の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記透光性材料が、前記光源によって放出された光の波長を散乱及び／又は変換するための粒子を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記光源が、前記光源に提供される電圧又は電力を制御する電気回路に電気的に接続される、請求項１乃至９の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記照明デバイスが、外部電源から前記複数の光源に電圧を提供する電気コネクタ取付具を備え、前記電気コネクタ取付具が、前記ハウジングの一端に取り付けられる、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
前記電気コネクタ取付具がレトロフィット取付具である、請求項１１に記載の照明デバイス。
【請求項１３】
前記光源が発光ダイオードである、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１４】
前記基板が、前記電気コネクタ取付具の回転軸に平行であり、及び／又は前記光源の主出力方向が、前記電気コネクタ取付具に関する回転軸に垂直である、請求項１１に記載の照明デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月28日(2017.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ本体、
前記チャンバ本体の上方に配置されたリッドアセンブリであって、頂部電極及び、前記頂部電極の反対に位置づけられた底部電極を備えるリッドアセンブリ、
基板処理領域と前記リッドアセンブリとの間に配置されたガス供給プレート、並びに
前記チャンバ本体内部に配置された基板支持体
を備え、
前記頂部電極が高周波（ＲＦ）電源及びＤＣバイアス変調構成に電気的に接続され、プラズマエッチ処理の間、前記頂部電極を一定のゼロＤＣバイアス電圧で動作させるように、前記ＤＣバイアス変調構成が構成される、
基板を処理するための装置。
【請求項２】
前記ＤＣバイアス変調構成が、一定のゼロＤＣバイアス電圧を前記頂部電極に印加するように構成されたＤＣ電源及び電力コントローラを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ＤＣバイアス変調構成が、ＤＣ電源に結合され、前記高周波（ＲＦ）電源からのＲＦ信号が前記ＤＣ電源に侵入することを防止するように構成されたＲＦフィルタをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ＤＣバイアス変調構成が、前記頂部電極で生成されたＤＣバイアスを接地に誘導するように構成された電気的構成要素を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記電気的構成要素が、単一ステージ構成または多重ステージ構成の、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記電気的構成要素が、前記高周波（ＲＦ）電源からのＲＦ信号に対して高インピーダンスパスを提供し、前記頂部電極からのＤＣ信号に対して低インピーダンスパスまたは無インピーダンスパスを提供する、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
チャンバ本体、
前記チャンバ本体の上方に配置されたリッドアセンブリであって、頂部電極及び、前記頂部電極の反対に位置づけられた底部電極を備えるリッドアセンブリ、
前記チャンバ本体内部に配置された基板支持体、並びに
プラズマエッチ処理の間、前記頂部電極と前記底部電極との間に生成されたプラズマと、前記頂部電極または前記底部電極との電位差を調整することによって、前記頂部電極でＤＣバイアス電圧極性を制御するように構成されたでＤＣバイアス変調構成
を備えた、基板を処理するための装置。
【請求項８】
前記ＤＣバイアス変調構成が、膜堆積処理の間、前記頂部電極を一定のゼロＤＣバイアス電圧で動作させる、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ＤＣバイアス変調構成が、ＤＣバイアス電圧を、前記頂部電極から接地に誘導するコア要素を含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＤＣバイアス変調構成が、一定のゼロＤＣバイアス電圧を前記頂部電極に印加する電力コントローラを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、
処理中に処理チャンバの第１の電極と第２の電極との間にプラズマを生成することと、
処理中に前記第１の電極に一定のゼロＤＣバイアス電圧を印加することと
を含む、方法。
【請求項１２】
第１の電極と第２の電極との間にプラズマを生成することが、前記第１の電極に高周波（ＲＦ）電力を印加することによって実行され、前記ＲＦ電力が約５Ｗから約５０００Ｗである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の電極が、前記第２の電極の上方に配置され、前記第２の電極が、基板支持表面を有する基板支持体の上方に向かい合って配置される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の電極と前記第２の電極が、複数の貫通孔を有するガス供給プレートによって前記基板支持体から分離される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の電極が、接地に電気的に接続される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の電極に一定のゼロＤＣバイアス電圧を印加することが、ＤＣ電源に結合された電力コントローラによって制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の電極及び／又は前記第２の電極が、アルミナ又は酸化イットリウムを含む保護層でコーティングされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記処理が、プラズマエッチ処理である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
電気的構成要素が、コア要素、及び前記コア要素の一部の周囲に巻き付けられたコイルを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記コア要素が、高透磁率のロッドまたはチューブを含む、請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−第１セクション及び第２セクションを持つ本体と、
−前記本体に対し、第１位置と第２位置との間を移動可能に配置されたスライドであって、前記スライドは永久磁石、前記永久磁石の対向する磁極面に取り付けられた第１磁極片及び第２磁極片を有するスライドを有する、
磁石であって、
前記第１セクション及び前記第２セクションは、非磁性材料で造られた前記本体の第３セクションに共に取り付けられており、
前記第１セクションは前記本体の第１キャビティ内に開口する孔を有し、前記第１キャビティの底部は前記第２セクションによって少なくとも部分的に区画され、前記孔内にスライドが、前記第２磁極片が前記第１キャビティの底部に向けられるようにして移動可能に設けられ、前記スライドの第１位置においては、前記永久磁石から発生される磁束が前記第１セクションによって短絡され、前記スライドの第２位置においては、前記永久磁石から発生される磁束が前記第１セクション及び前記第２セクションを通過することを特徴とする、
磁石。
【請求項２】
前記永久磁石の厚さは前記第１磁極片及び前記第２磁極片の厚さより小さい、請求項１に記載の磁石。
【請求項３】
スライドの厚さは前記孔の深さより大きい、請求項１又は２に記載の磁石。
【請求項４】
前記第３セクションは前記第１キャビティの壁を画成している、請求項１乃至３のいずれかに記載の磁石。
【請求項５】
前記第１セクション及び前記第２セクションは一体的部分を形成している、請求項１乃至４のいずれかに記載の磁石。
【請求項６】
前記磁石は前記本体に取り付けられるコイルを有し、前記コイルは、前記コイルに供給される電流の方向に依存して、前記スライドを前記第１位置又は前記第２位置の方向へ動かすための磁力を発生するように構成された、請求項１乃至５のいずれかに記載の磁石。
【請求項７】
前記磁石は、前記コイルに電流を供給する手段を有する、請求項６に記載の磁石。
【請求項８】
前記本体は、第２キャビティが前記本体に形成されるように、前記第１セクションに取り付けられた第４セクションを有し、前記第２キャビティは前記孔を介して前記第１キャビティに連通している、請求項１乃至７のいずれかに記載の磁石。  
【請求項９】
前記第１キャビティ及び前記第２キャビティは媒体を含み、前記磁石は、前記媒体を前記第１キャビティと前記第２キャビティの間で搬送するための第１通路を有し、前記第１通路の第１端部は、前記第１キャビティに接続され、前記第１通路の第２端部は、前記第２キャビティに接続されている、請求項８に記載の磁石。
【請求項１０】
前記第１キャビティ及び前記第２キャビティは媒体を含み、前記本体は、前記第１キャビティの内外へ媒体を搬送するための第２通路と前記第２キャビティの内外へ媒体を搬送するための第３通路を有し、前記第２通路の第１端部は前記第１キャビティに連通し、前記第３通路の第１端部は前記第２キャビティに連通している、請求項９に記載の磁石。
【請求項１１】
前記磁石は、前記第２通路及び前記第３通路の第２端部に接続されたポンプを有する、請求項１０に記載の磁石。
【請求項１２】
前記媒体はガス又は液体である、請求項９乃至１１のいずれかに記載の磁石。
【請求項１３】
前記磁石は、前記スライドの周りに取り付けられた又は前記孔の壁に取り付けられたシールリングを有する、請求項１乃至１２のいずれかに記載の磁石。
【請求項１４】
前記シールリングは、前記第１磁極片の溝に取り付けられる、請求項１３に記載の磁石。
【請求項１５】
前記スライドは、前記シールリングを保持するための前記第１磁極片の頂部に取る付けられたキャップを有する、請求項１３に記載の磁石。
【請求項１６】
前記スライドは、前記第２磁極片から前記第１キャビティの底部の穴に向けて延びる案内ロッドを有する、請求項１乃至１５のいずれかに記載の磁石。
【請求項１７】
前記磁石は、
−前記第１セクション内の磁束密度を測定するように構成された磁束センサと、
−測定された磁束密度に基づいて前記スライドの位置を決定するための手段、
を有する、請求項１乃至１６のいずれかに記載の磁石。
【請求項１８】
前記磁束センサは、ホールセンサ、AMR磁気メータ、MEMSセンサ又はリードリレーである、請求項１７に記載の磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に照射光に応じて光起電力を発生する光電変換領域を有する光起電力型画素と、
隣接する画素それぞれの前記光電変換領域の間に、前記光電変換領域を実質的に取り囲む状態で設けられた素子分離領域と
を備える撮像素子。
【請求項２】
前記素子分離領域は、前記光起電力型画素の信号電荷の隣接画素への拡散を阻止する材料により構成されている
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記光起電力型画素に隣接する位置に蓄積型画素を
さらに備える請求項１または請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記光電変換領域には、フォトセンサとしてPN接合ダイオードが形成されている
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記光起電力型画素は、さらに、転送ゲートおよびフローティングディフュージョンを有し、蓄積型兼光起電力型画素として動作する
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記蓄積型兼光起電力型画素に隣接する位置に蓄積型画素を
さらに備える請求項５に記載の撮像素子。
【請求項７】
前記光電変換領域、転送ゲート、およびフローティングディフュージョンを有する蓄積型兼光起電力型画素をさらに備え、
前記光起電力型画素と前記蓄積型兼光起電力型画素は隣接して形成されている
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の撮像素子。
【請求項８】
各画素における前記光電変換領域と画素回路領域との間は絶縁されている
請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の撮像素子。
【請求項９】
撮像素子が搭載された電子装置において、
前記撮像素子は、
画素毎に照射光に応じて光起電力を発生する光電変換領域を有する光起電力型画素と、
隣接する画素それぞれの前記光電変換領域の間に、前記光電変換領域を実質的に取り囲む状態で設けられた素子分離領域と備える
電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端部及び第２端部を含む、磁性材料から構築されたコアと、
前記コアの一部分の周りに巻き付けられた配線であって、予め決定された量の電流が、前記コア内で磁場を誘導するために前記配線に付与される、配線と、
開放位置及び閉鎖位置を有し且つ前記コアにおける前記第１端部と前記第２端部との間に位置決めされるゲート組立体であって、前記ゲート組立体が、通路を規定し、前記通路が、前記ゲート組立体が前記開放位置にあるときに流体の流れをもたらし、且つ前記ゲート組立体が前記閉鎖位置にあるときに流体の流れをブロックする、ゲート組立体と、
を備える磁気アクチュエータ組立体であって、
前記ゲート組立体が、第１孔を規定する第１ゲート部材であって、前記第１ゲート部材が、前記ゲート組立体に付与される境界力に基づいて前記コアにおける前記第１端部と前記第２端部との間で移動し、前記境界力が、前記磁場によって作り出され、前記ゲート組立体の前記通路が、前記第１ゲート部材の前記第１孔によって部分的に規定されている、第１ゲート部材を備えていることを特徴とする磁気アクチュエータ組立体。
【請求項２】
前記境界力が、前記ゲート組立体を開始位置から着座解除するのに十分であり、且つ前記ゲート組立体を第２位置に動かすことを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項３】
前記第１ゲート部材が、磁化材料から構築されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項４】
永久磁石が、前記第１ゲート部材の上面及び下面双方に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項５】
前記ゲート組立体が、第２孔を規定する第２ゲート部材を備え、前記第１ゲート部材及び前記第２ゲート部材双方が、前記第１面と前記第２面との間でともに移動し、前記第１ゲート部材の前記第１孔及び前記第２ゲート部材の前記第２孔双方が、前記ゲート組立体の前記通路を部分的に規定していることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項６】
前記ゲート組立体が、前記第１ゲート部材と前記第２ゲート部材との間に収容された弾性部材を備えており、前記弾性部材が、上側通路及び下側通路を含み、前記第１ゲート部材の前記第１孔と、前記第２ゲート部材の前記第２孔と、前記弾性部材の前記上側通路と、が、前記ゲート組立体の前記通路を規定していることを特徴とする請求項５に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項７】
前記コアの一部分を囲んでいるボビンを備え、前記配線が、前記ボビン周りに巻き付けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項８】
前記コアが、２つの対称的なハーフセクションから構築されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項９】
前記２つの対称的なハーフセクションが、磁束を伝えるためのコンジットとして作用する一連のシートから構築されていることを特徴とする請求項８に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項１０】
前記コアの前記第２端部と前記ゲート組立体の下面との間に配置された付勢要素を備えていることを特徴とする請求項１に記載の磁気アクチュエータ組立体。
【請求項１１】
第１導管部分を有する第１セクションと、
前記第１導管部分と流体連通している第２導管部分を有する第２セクションであって、前記第１セクション及び前記第２セクションが、ハウジングを規定するためにともに接合された、第２セクションと、
前記ハウジング内に配置された磁気アクチュエータ組立体と、
を備えるハウジングであって、
前記磁気アクチュエータ組立体が、
第１端部及び第２端部を含む、磁性材料から構築されたコアと、
前記コアの一部分を囲むボビンと、
前記ボビン周りに巻き付けられた配線であって、予め決定された量の電流が、前記コア内で磁場を誘導するために前記配線に付与される、配線と、
前記コアにおける前記第１端部と前記第２端部との間に位置決めされたゲート組立体であって、前記ゲート組立体が、前記ゲート組立体が閉鎖位置にあるときに前記第１導管部分から流れる流体の流れをブロックする通路を規定する、ゲート組立体と、
を備え、
前記ゲート組立体が、
第１孔を規定する第１ゲート部材と、
第２孔を規定する第２ゲート部材であって、前記第１ゲート部材及び前記第２ゲート部材双方が、前記ゲート組立体に付与される境界力に基づいて前記コアにおける前記第１端部と前記第２端部との間でともに移動し、前記境界力が、前記磁場によって作り出され、前記第１ゲート部材の前記第１孔及び前記第２ゲート部材の前記第２孔双方が、前記ゲート組立体の前記通路を部分的に規定している、第２ゲート部材と、
を備えていることを特徴とするハウジング。
【請求項１２】
前記境界力が、前記ゲート組立体を前記閉鎖位置から着座解除するのに十分であり、且つ前記ゲート組立体を開放位置に動かすことを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１３】
前記第１ゲート部材及び前記第２ゲート部材双方が、磁化材料から構築されていることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１４】
永久磁石が、前記第１ゲート部材及び前記第２ゲート部材双方の上面及び下面に取り付けられていることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１５】
前記ゲート組立体が、前記第１ゲート部材と前記第２ゲート部材との間に収容された弾性部材を備えており、前記弾性部材が、上側通路及び下側通路を含み、前記第１ゲート部材の前記第１孔と、前記第２ゲート部材の前記第２孔と、前記弾性部材の前記上側通路と、が、前記ゲート組立体の前記通路を規定していることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１６】
前記コアが、２つの対称的なハーフセクションから構築されていることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１７】
前記２つの対称的なハーフセクションが、磁束を伝えるためのコンジットとして作用する一連のシートから構築されていることを特徴とする請求項１６に記載のハウジング。
【請求項１８】
前記第１セクション及び前記第２セクションが、プラスチック射出成形部品であることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項１９】
前記第１セクション及び前記第２セクションが、プラスチック溶接によってともに接合されていることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【請求項２０】
前記磁気アクチュエータ組立体が、前記ゲート組立体を前記閉鎖位置に付勢するために付勢要素を備えていることを特徴とする請求項１１に記載のハウジング。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挽き機組立体であって、
挽き機プレートと、
前記挽き機組立体の外側における前記挽き機プレートの上に配置された複数の独立速度制御ブレードと、を含み、
前記複数の独立速度制御ブレードは、前記挽き機組立体を制御する可変速度制御を有する分離モータによって制御され、異なる速度に調整されている、挽き機組立体。
【請求項２】
前記挽き機プレートが、前記挽き機組立体を通して挽かれる物質の線維配向を制御するオリフィスを含む、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記ブレードの組が、前記挽き機組立体を通して挽かれる物質の線維長さ制御を実現する、請求項１に記載の組立体。
【請求項４】
挽き機ヘッド部、取付リング、ブリッジ、バレルおよび集積管を含む挽き機部分と、
ホッパ中の物質を前記ヘッド部を通して前進させるために前記挽き機ヘッド部内に配置された装置と、
前記装置から独立したモータによって制御される複数の独立速度制御ブレードと、
挽き機プレートと、
前記挽き機プレートの下流に配置された集積円錐体部分と、
を含み、
前記挽き機プレートが複数の挽き機アパーチュアと少なくとも１つの集積通路とを含み、
前記挽き機アパーチュアがベンリュリ効果を生じさせる、
挽き機械。
【請求項５】
前記アパーチュアによって生じる前記ベンチュリ効果が、前記挽き機プレートを通して前記挽かれる物質の線維を整列させる、又は前記物質を伸ばす、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項６】
前記挽かれた物質はアクチンおよびミオシンの分離がほとんどまたは全くない、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項７】
前記挽き機プレート内の球形の直径対前記挽き機プレート内の円筒領域の直径の比率が約１．０１〜２．５であるように前記アパーチュアが直径を有する、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項８】
前記挽き機プレートの前記アパーチュアが、前記ベンチュリ効果を生じさせる断面を形成するために、球形と円筒の交差を利用する、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項９】
前記挽かれる物質が肉を含む、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項１０】
前記挽き機プレートの前記アパーチュアが、より大きな直径からより小さな直径へサイズを変える、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項１１】
前記アパーチュアを通した対応する圧力低下を伴う食品の加速をもたらすベンチュリまたはオリフィスを含む、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項１２】
前記挽き機ヘッド部を既存の挽き機に取り付けるためのクランプ機構をさらに含む、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項１３】
前記挽き機械内でチェーンに張力をかけるためにチェーンテンショナをさらに含む、請求項４に記載の挽き機械。
【請求項１４】
ブレード支持体に取り付けられた外側柔軟性ブレードであって、
前記柔軟性ブレードが、前記ブレード支持体に対し縦に取り付けられ、
前記柔軟性ブレードの全体が、前記ブレード支持体の外側にあり、
前記柔軟性ブレードは、そのブレードの長く鋭い刃をせん断表面と接触した状態に保つために前記ブレード自体からのばね圧力を使用し、
前記ブレードが締結具によって前記ブレード支持体に取り付けられ、
圧力が前記ブレードに適用されるとき前記ブレードと前記ブレード支持体との間の空間がブレードの撓みを引き起こし、
前記ブレードと前記ブレード支持体は、回転システムの一部である、柔軟性ブレード。
【請求項１５】
前記ブレードが斜角を有する、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項１６】
前記ブレードが熱処理可能な鋼、高炭素鋼またはセラミックを含む、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項１７】
前記ブレードが４５Ｃ〜６０Ｃの間のロックウェルを有する、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項１８】
前記ブレードが挽肉産業において挽き機械で使用される、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項１９】
前記ブレードと前記ブレード支持体がブレード保持器リングの一部である、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２０】
前記保持器リングが少なくとも２つのブレードを有する、請求項１９に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２１】
前記保持器リングが挽き機組立体の一部として挽き機プレートの上面に配置され、前記挽き機プレートが固定され、前記ブレードが移動する、請求項１９に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２２】
前記保持器リングが前記ブレード支持体に圧力を適用し、前記ブレード支持体が前記ブレードに圧力を適用し、前記ブレードが挽き機プレートに圧力を適用する、請求項１９に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２３】
前記ブレードが約２０°〜７０°の間の角度を有する、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２４】
前記ブレードの角度が前記ブレード支持体の角度よりも大きい、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２５】
前記ブレードが食品パティ成型機械の充填プレートで使用され、前記充填プレートが前記ブレードを使用して前後に移動できる、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２６】
前記ブレードがスタッファーで使用される、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２７】
前記ブレードが押出しプロセスで使用される、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２８】
前記ブレードが挽き機プレートの外側または内側で独立速度制御ブレードの一部として使用される、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項２９】
前記ブレードは摩耗すると柔軟性が低減し、より直立した姿勢で立つ、請求項１４に記載の柔軟性ブレード。
【請求項３０】
前記ブレード支持体は前記ブレードの鋭利な刃を前記せん断表面と連続的に接触させる、請求項１４に記載の柔軟性ブレードおよびブレード支持体。
【請求項３１】
前記ブレード支持体に締結されるクランプ機構に前記ブレードが取り付けられる、請求項１４に記載の柔軟性ブレードおよびブレード支持体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種または複数種の微生物細胞から１種または複数種の多価不飽和脂肪酸を含む微生物油を入手するための方法であって、
（ａ）前記微生物油を含む前記細胞を溶解して溶解細胞組成物を形成する工程；
（ｂ）前記溶解細胞組成物を解乳化して解乳化溶解細胞組成物を形成する工程；
（ｃ）前記解乳化溶解細胞組成物から前記油を分離する工程；および
（ｄ）前記油を回収する工程
を含み、（ｂ）が、少なくとも１種の酵素を添加する工程を含む、方法。
【請求項２】
（ａ）または（ｂ）の少なくとも一方が、前記細胞または前記組成物を少なくとも６０℃、好ましくは約６０℃〜約１００℃に加熱する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｂ）が、
（ｅ）前記溶解細胞組成物に塩基を添加する工程；
（ｆ）前記溶解細胞組成物の約０．０５重量％〜約２０重量％の量で塩を添加する工程；
（ｇ）前記溶解細胞組成物を撹拌する工程；
（ｈ）前記溶解細胞組成物に乳化剤を添加する工程
のうちの少なくとも１の工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
（ｂ）が、前記溶解細胞組成物のｐＨを約８以上に上昇させる工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）が、前記細胞を撹拌する工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
（ａ）の前記細胞が未洗浄である、及び／又は、（ａ）の前記細胞が発酵ブロスに含まれている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
（ｃ）が、前記解乳化溶解細胞組成物を遠心分離する工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記多価不飽和脂肪酸が、ω−３脂肪酸、ω−６脂肪酸およびそれらの混合物から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記多価不飽和脂肪酸が、ドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）、エイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）、ドコサペンタエン酸（ＤＰＡ）、アラキドン酸（ＡＲＡ）、γ−リノール酸（ＧＬＡ）、ジホモ−γ−リノール酸（ＤＧＬＡ）、ステアリドン酸（ＳＤＡ）およびそれらの混合物から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記多価不飽和脂肪酸がドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記多価不飽和脂肪酸がアラキドン酸（ＡＲＡ）である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記微生物細胞が、藻類、酵母、真菌類、原生生物または細菌の細胞である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記微生物細胞が、モルティエレラ（Ｍｏｒｔｉｅｒｅｌｌａ）属、クリプテコディニウム（Ｃｒｙｐｔｈｅｃｏｄｉｎｉｕｍ）属またはスラウストキトリアレス（Ｔｈｒａｕｓｔｏｃｈｙｔｒｉａｌｅｓ）目に由来する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記微生物細胞が、トラウストキトリウム（Ｔｈｒａｕｓｔｏｃｈｙｔｒｉｕｍ）属、シゾキトリウム（Ｓｃｈｉｚｏｃｈｙｔｒｉｕｍ）属またはそれらの混合物に由来する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記微生物細胞がモルティエレラ・アルピナ（Ｍｏｒｔｉｅｒｅｌｌａ  ａｌｐｉｎａ）に由来する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記溶解細胞組成物が、液体、細胞断片および微生物油を含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記油を前記細胞から入手するために有機溶媒が使用されない、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記解乳化溶解細胞組成物の平均粒径が少なくとも１０ミクロンである、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記酵素が、β−グルカナーゼ、キシラナーゼ、セルラーゼ、ペクチナーゼ、マンナナーゼ、アミラーゼおよびそれらの組み合わせから選択される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記酵素が前記溶解細胞組成物の約０．０５重量％〜約１０重量％の量で添加される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記乳化剤がイオン性乳化剤である、請求項３〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、硫酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
（ｄ）の前記油が粗油である、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
（ｄ）が、前記粗油を精製して精油を入手する工程をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記油が少なくとも３０重量％のアラキドン酸を含む、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記油が少なくとも３０重量％のドコサヘキサエン酸を含む、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記油のアニシジン値が約５０未満である、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記油のリン含量が約８ｐｐｍ以下である、請求項１〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記油の過酸化物値が約５ｍｅｑ／ｋｇ未満である、請求項１〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
（ｂ）が、前記ｐＨを約６以下、好ましくは約０．５〜約６に低下させる工程をさらに含む、請求項１〜３または５〜２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
（ｂ）が、溶解細胞組成物の約０．５重量％〜約２０重量％の量で酸を添加する工程をさらに含む、請求項１〜３または５〜３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
（ａ）および（ｂ）が互いに結合されて、１工程の溶解および解乳化する工程を形成する、請求項１〜３１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
（ｃ）が、前記解乳化溶解細胞組成物の前記ｐＨを上昇させる工程をさらに含む、請求項１〜３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
１種または複数種の微生物細胞から１種または複数種の多価不飽和脂肪酸を含む微生物油を入手するための方法であって、
（ａ）前記微生物油を含む前記細胞を溶解して溶解細胞組成物を形成する工程；
（ｂ）前記溶解細胞組成物を解乳化して解乳化溶解細胞組成物を形成する工程；
（ｃ）前記解乳化溶解細胞組成物から前記油を分離する工程；および
（ｄ）前記油を回収する工程
を含み、（ａ）および（ｂ）が互いに結合されて、少なくとも１種の酵素を添加する工程を含む１工程の溶解および解乳化する工程を形成する、方法。
【請求項３５】
請求項１〜３４のいずれか一項に記載の方法により入手される油。