【手続補正書】
【提出日】平成30年4月4日(2018.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の誘電体層と、
前記誘電体層の開口であって、側壁を有し、前記基板および追加のインターコネクト構造の少なくとも１つの導電性領域を露出させる開口と、
前記導電性領域および前記側壁上の、マンガンを含む接着層と、
前記開口内と前記接着層の表面上とに存在する、コバルトを含む充填材料と
を備える金属インターコネクト構造。
【請求項２】
前記充填材料は、少なくとも５０原子％のコバルトで構成される
請求項1に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項３】
前記接着層は、シリコン、窒素、炭素、水素および酸素からなるグループから選択される少なくとも１つの元素を含む
請求項１又は２に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項４】
前記接着層は、５０Å以下の厚みである
請求項１から３のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項５】
前記接着層は、前記充填材料に直接コンタクトする
請求項１から４のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項６】
前記接着層は、前記導電性領域に直接コンタクトする
請求項１から５のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項７】
前記接着層は、前記誘電体層に直接コンタクトする
請求項１から６のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項８】
前記充填材料は、前記接着層に含まれる前記マンガンに直接コンタクトするマンガンを含む
請求項１から７のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項９】
前記充填材料は、シリコンおよびマンガンからなるグループから選択された少なくとも１つの元素を含む
請求項１から８のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１０】
（ａ）前記接着層が前記誘電体層に直接コンタクトしている第１の部分と、前記導電性領域に直接コンタクトしている第２の部分とを含み、且つ、
（ｂ）前記第１の部分は、前記第２の部分よりも高い原子％のマンガンを含む
請求項１から９のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１１】
前記接着層は、前記導電性領域を前記充填材料から完全に分離させず、前記充填材料は、前記導電性領域の一部に直接コンタクトする
請求項１から１０のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１２】
前記充填材料は、本質的にコバルトからなる
請求項１から１１のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１３】
前記接着層および前記充填材料の上部の上に直接形成された誘電体層を備え、
前記誘電体層がマンガンを含み、前記充填材料もマンガンを含む
請求項１から１２のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１４】
前記充填材料の上部の上に直接形成された誘電体層を含み、
前記誘電体層は、第１の材料を含み、
前記第１の材料も前記充填材料に含まれ、前記第１の材料は、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｃ，Ｏ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｒｅ，およびＰｄを含むグループから選択される
請求項１から１３のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項１５】
金属インターコネクト構造の形成方法であって、
基板上の誘電体層に、前記基板および追加のインターコネクト構造の少なくとも１つの導電性領域を露出させる開口を形成する段階と、
前記開口に、前記導電性領域上に、および側壁上にも、マンガンを含む接着層を形成する段階と、
前記開口内および前記接着層の表面上にコバルトを含む充填材料を形成する段階と、
前記誘電体層の上側表面の上方の前記充填材料および前記接着層の複数の部分を除去する段階と
を備える形成方法。
【請求項１６】
前記接着層は、シリコン、窒素、炭素、水素および酸素からなるグループから選択される少なくとも１つの元素を含む
請求項１５に記載の形成方法。
【請求項１７】
前記接着層は、前記充填材料に直接コンタクトする
請求項１５又は１６に記載の形成方法。
【請求項１８】
前記接着層は、前記導電性領域に直接コンタクトする
請求項１５から１７のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項１９】
（ａ）前記接着層が前記誘電体層に直接コンタクトしている第１の部分と、前記導電性領域に直接コンタクトしている第２の部分とを含み、且つ、
（ｂ）前記第１の部分は、前記第２の部分よりも高い原子％のマンガンを含む
請求項１５から１８のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２０】
前記接着層をコンフォーマルな方法で形成する段階と、
前記充填材料を非コンフォーマルな方法で形成する段階と
を備える請求項１５から１９のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２１】
前記接着層および前記充填材料の上部の上に直接、マンガンを含む誘電体層を形成する段階を備え、
前記充填材料もマンガンを含む
請求項１５から２０のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２２】
基板上の誘電体層と、
下部および上部を有する前記誘電体層に含まれ、前記基板および追加のインターコネクト構造の少なくとも１つの導電性領域を露出させる開口と、
前記開口の前記下部に含まれる、コバルトを含むプラグと、
側壁上の、マンガンを含む接着層と、
前記プラグ上で前記開口の前記上部に含まれ、コバルトを含む充填材料と
を備える金属インターコネクト構造。
【請求項２３】
前記接着層は、前記プラグおよび前記誘電体層に直接コンタクトする
請求項２２に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項２４】
前記接着層が前記プラグおよび前記充填材料の間に存在する
請求項２２又は２３に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項２５】
前記接着層および前記充填材料の上部の上に直接形成され、マンガンを含む誘電体層を備え、
前記充填材料もマンガンを含む
請求項２２から２４のいずれか一項に記載の金属インターコネクト構造。
【請求項２６】
炭素および酸素を含む誘電材料と、
底部および側壁を有する、前記誘電材料内のトレンチと、
マンガンおよびタンタルを有し、前記トレンチの前記底部および側壁に沿って配置された接着層と、
前記トレンチ内で、かつ前記接着層上に配置された充填材料であって、前記充填材料は、コバルトおよび銅を含み、少なくとも５０％のコバルトを含む、充填材料と、を備える
集積回路構造。
【請求項２７】
前記充填材料は、少なくとも９０％のコバルトを含む、
請求項２６に記載の集積回路構造。
【請求項２８】
前記充填材料は、９５％を超えるコバルトを含む、
請求項２６または２７に記載の集積回路構造。
【請求項２９】
前記充填材料は、０．５〜５％の銅を含む、
請求項２６から２８のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３０】
前記充填材料は、コバルトの複数の粒子境界における銅を含む、
請求項２６から２９のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３１】
前記トレンチは、２２ナノメートルまたは２２ナノメートル未満の開口部を有する
請求項２６から３０のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３２】
前記トレンチは、ビアプラグに連結される
請求項２６から３１のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３３】
各々が底部および側壁を有する、前記誘電材料内の１又は複数の追加のトレンチをさらに備える
請求項２６から３２のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３４】
前記接着層は、ＭｎＳｉｘＯｙを含む
請求項２６から３３のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３５】
前記接着層は、３ナノメートル未満の厚さを有する
請求項２６から３４のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３６】
前記接着層は、複数の副層を有し、前記複数の副層のうちの一つは、前記複数の副層のうちの別の一つとは異なる組成を有する
請求項２６から３５のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項３７】
炭素および酸素を含む誘電材料と、
底部および側壁を有する、前記誘電材料内のトレンチと、
マンガンおよびタンタルを含み、前記トレンチの前記底部および側壁に沿って配置された第１の材料と、
前記トレンチ内で、かつ前記第１の材料上に配置された第２の材料であって、前記第２の材料は、コバルトおよび銅を含み、少なくとも５０％のコバルトを含む、第２の材料と、を備える
集積回路構造。
【請求項３８】
前記第２の材料は、少なくとも９０％のコバルトを含む
請求項３７に記載の集積回路構造。
【請求項３９】
前記第２の材料は、９５％を超えるコバルトを含む、
請求項３７または３８に記載の集積回路構造。
【請求項４０】
前記第２の材料は、０．５〜５％の銅を含む、
請求項３７から３９のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４１】
前記第２の材料は、コバルトの複数の粒子境界における銅を含む、
請求項３７から４０のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４２】
前記トレンチは、２２ナノメートルまたは２２ナノメートル未満の開口部を有する
請求項３７から４１のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４３】
前記トレンチは、ビアプラグに連結される
請求項３７から４２のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４４】
各々が底部および側壁を有する、前記誘電材料内の１又は複数の追加のトレンチをさらに備える
請求項３７から４３のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４５】
前記第１の材料は、ＭｎＳｉｘＯｙを含む、
請求項３７から４４のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４６】
前記第１の材料は、３ナノメートル未満の厚さを有する
請求項３７から４５のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項４７】
前記第１の材料は、複数の副層を有し、前記複数の副層のうちの一つは、前記複数の副層の別の一つとは異なる組成を有する
請求項３７から４６のいずれか一項に記載の集積回路構造。