【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスのアクティブ領域におけるダミーゲートと、
前記ダミーゲートの各々の側の、前記ダミーゲートに隣接した第１および第２のアクティブコンタクトと、
ダミーゲートおよび第１および第２のアクティブコンタクトの上の誘電体層と、
前記誘電体層を通過し、前記ダミーゲートのゲートコンタクトおよび前記第１のアクティブコンタクトに電気的に直接結合され、前記ダミーゲートと前記第１のアクティブコンタクトの両方に少なくとも部分的にオーバーラップすることによって前記ダミーゲートをアースするように配置されている拡張された積層コンタクトと、
前記誘電体層を通過し、前記第２のアクティブコンタクトに電気的に直接結合されている、近接の積層コンタクトであって、前記拡張された積層コンタクトが、前記近接の積層コンタクトから電気的に絶縁されている、近接の積層コンタクトとを備える、半導体デバイス。
【請求項２】
アクティブゲートと、
前記アクティブゲートに隣接した第３のアクティブコンタクトと、
前記誘電体層を通過し、前記第３のアクティブコンタクトに電気的に結合された第２の積層コンタクトであって、前記第２の積層コンタクトを前記アクティブゲートから電気的に絶縁する側壁上の絶縁層を含む第２の積層コンタクトと、
前記誘電体層を通過し、前記アクティブゲートに電気的に結合され、前記絶縁層によって前記第２の積層コンタクトから電気的に分離されているビアとをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、携帯型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯用データユニット、および／または固定ロケーションデータユニットに組み込まれている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
半導体デバイスのアクティブ領域においてダミーゲートを電気的にアースする方法であって、
前記半導体デバイスのアクティブ領域において前記ダミーゲートに隣接した第１のアクティブコンタクトを形成するステップと、
前記ダミーゲートおよび第１のアクティブコンタクトの上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層内に開口を形成し、開口の側壁に第１の絶縁層を堆積するステップと、
前記開口に第１の積層コンタクトを形成し、前記第１の積層コンタクトが前記第１のアクティブコンタクトに電気的に結合されるステップと、
前記第１の積層コンタクトの表面上にキャップ層を堆積するステップと、
前記誘電体層を通過し、前記ダミーゲート上にランディングするとともに前記キャップ層の一部分を通って前記第１の積層コンタクトの表面に直接ランディングする第１のビアを形成し、前記第１の積層コンタクトと前記第１のアクティブコンタクトを前記ダミーゲートに電気的に結合して、前記ダミーゲートをアースするステップとを含む、方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の一部分が、前記第１の積層コンタクトを前記ダミーゲートから電気的に絶縁するように配置される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体層を形成する前に、
ハードマスク層を通過する開口を形成し、前記開口がダミーゲートを露出するステップと、
前記開口の側壁にライナを堆積するステップと、
前記開口内にゲートコンタクトを形成するステップであって、前記ゲートコンタクトが前記第１のアクティブコンタクトに対して自己整合され、前記第１の積層コンタクトに対して自己整合される、ステップと、
によって前記ダミーゲート上にゲートコンタクトを形成するステップをさらに含み、
前記第１の積層コンタクトが、前記第１の絶縁層によって前記ゲートコンタクトから電気的に絶縁され、前記第１のビアが前記第１のゲートコンタクト上にランディングする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記近接の積層コンタクトが前記第１の積層コンタクトから電気的に絶縁されるように、前記近接の積層コンタクトを形成するステップをさらに含む、請求項４または６に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体デバイスが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、携帯型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯用データユニット、および／または固定ロケーションデータユニットに組み込まれている、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
半導体デバイスのアクティブ領域におけるダミーゲートと、
前記ダミーゲートに隣接した第１のアクティブコンタクトと、
前記ダミーゲートおよび前記第１のアクティブコンタクトの上の誘電体層と、
前記第１のアクティブコンタクトに電気的に結合された第１の積層コンタクトであって、前記ダミーゲートから前記第１の積層コンタクトを電気的に絶縁する側壁上の第１の絶縁層と、前記第１のアクティブコンタクトの反対側の前記第１の積層コンタクトの表面のキャップ層とを含む、第１の積層コンタクトと、
前記ダミーゲートに電気的に結合された第１のビアであって、前記キャップ層の一部分を通って前記第１の積層コンタクトの前記表面上に直接ランディングし、前記第１の積層コンタクトと前記第１のアクティブコンタクトを前記ダミーゲートに電気的に結合して、前記ダミーゲートをアースする、第１のビアとを備える、半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ダミーゲートと前記第１のビアとの間に直接結合されたゲートコンタクトであって、側壁上に第２の絶縁層を有し、前記第１のアクティブコンタクトに対して自己整合され、前記第１の積層コンタクトに対して自己整合されているゲートコンタクトをさらに備える、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ダミーゲートに隣接した第２のアクティブコンタクトと、
前記誘電体層を通過する近接の積層コンタクトであって、前記第２のアクティブコンタクトに対して電気的に結合され、前記第１のビアから電気的に絶縁された、近接の積層コンタクトとをさらに備える、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１のビアが、前記ゲートコンタクトおよび前記第１のアクティブコンタクトに少なくとも部分的にオーバーラップするように配置された前記第１の積層コンタクトの側壁上の前記第１の絶縁層に対して自己整合され、前記第１の絶縁層のオーバーラップする部分が、前記第１の積層コンタクトの一部分を前記第１のビアの一部分から電気的に絶縁する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
アクティブゲートと、
前記アクティブゲートに隣接した第２のアクティブコンタクトと、
前記第２のアクティブコンタクトに電気的に結合された第２の積層コンタクトであって、前記第２の積層コンタクトを前記アクティブゲートから電気的に絶縁するための側壁上に第３の絶縁層を含む第２の積層コンタクトと、
前記アクティブゲートに電気的に結合され、前記第２の積層コンタクトから第３の絶縁層によって電気的に絶縁する第２のビアとをさらに備える、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１４】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、携帯型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯用データユニット、および／または固定ロケーションデータユニットに組み込まれている、請求項９に記載のデバイス。