Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
本明細書に引用される全ての参考文献及び刊行物は、それらが本開示と直接矛盾し得る場合を除き、それらの全容を参照により本開示において明示的に援用するものである。以上、本明細書において具体的な実施形態を図示、説明したが、様々な代替的かつ／又は等価的な実現形態を、本開示の範囲を逸脱することなく、図示及び説明された具体的な実施形態に置き換えることができる点は、当業者であれば認識されるところであろう。本出願は、本明細書において検討される具体的な実施形態のいかなる適合例又は変形例をも網羅しようとするものである。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその等価物によってのみ限定されるものとする。開示される実施形態は例示の目的で示されるものであり、限定を目的とするものではない。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２２］に記載する。
［１］
転写フィルムであって、
キャリアフィルムと、
前記キャリアフィルム上に配置されており、凹入形成テンプレート特徴部を備える犠牲テンプレート層と、
前記凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と、反対側の平坦な第２表面と、を有する、熱的に安定な裏込め層と、
を含む、転写フィルム。
［２］
前記熱的に安定な裏込め材が有機ケイ素ポリマーを含む、項目１に記載の転写フィルム。
［３］
前記凹入形成テンプレート特徴部が焼成されると同時に、熱的に安定な凹入特徴部の層を残すことが可能である、項目１又は２に記載の転写フィルム。
［４］
前記キャリアフィルムが、前記キャリアフィルムを前記犠牲テンプレート層から分離する剥離層を備える、項目１〜３のいずれかに記載の転写フィルム。
［５］
前記凹入特徴部が楕円放物面を備える、項目１〜４のいずれかに記載の転写フィルム。
［６］
前記凹入特徴部が球台を備える、項目１〜４のいずれかに記載の転写フィルム。
［７］
前記凹入特徴部がレンズ特徴部を形成する、項目１〜６のいずれかに記載の転写フィルム。
［８］
前記凹入特徴部がマイクロ構造又はナノ構造を含む、項目１〜７のいずれかに記載の転写フィルム。
［９］
前記熱的に安定な裏込め層が非弾性である、項目１〜８のいずれかに記載の転写フィルム。
［１０］
前記犠牲テンプレート層が非弾性である、項目１〜９のいずれかに記載の転写フィルム。
［１１］
転写フィルムの形成方法であって、
犠牲テンプレート層をキャリアフィルム上に配置する工程と、
前記犠牲テンプレート層に凹入形成テンプレート特徴部を形成する工程と、
熱的に安定な裏込め材を犠牲テンプレート層上にコーティングして、前記凹入形成テンプレート特徴部に適合する第１表面と反対側の平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層を形成することで、積層転写フィルムを形成する、工程と、
を含む、方法。
［１２］
前記形成工程が、前記犠牲テンプレート層をエンボス加工して第１特徴部を形成し、次に、前記第１特徴部を機械的に又は熱的に変形させて凹入形成テンプレート特徴部を形成することを含む、項目１１に記載の方法。
［１３］
前記形成工程が、前記犠牲テンプレート層上にマスキング層を配置することと、前記マスキング層の開口部を介して前記犠牲テンプレート層をエッチングして前記犠牲テンプレート層に前記凹入形成テンプレート特徴部を形成することと、を含む、項目１１に記載の方法。
［１４］
前記テンプレート特徴部がナノ構造又はマイクロ構造を含み、前記熱的に安定な裏込め層が前記ナノ構造又はマイクロ構造及び前記凹入形成テンプレート特徴部に適合している、項目１１に記載の方法。
［１５］
前記形成工程が、取り外し可能なビーズ上に前記犠牲テンプレート層を配置して前記犠牲テンプレート層に前記凹入形成テンプレート特徴部を形成することを含む、項目１１に記載の方法。
［１６］
前記犠牲テンプレート層が犠牲材料から形成されたビーズを含み、次に、前記ビーズ上に前記熱的に安定な裏込め材をコーティングすることを含む、項目１１に記載の方法。
［１７］
方法であって、
項目１〜８のいずれかに記載の転写フィルムの前記平坦な第２表面をレセプター基板上に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼成して、凹入特徴部を有する熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、含む、方法。
［１８］
前記焼成工程の前に前記キャリアフィルムを前記犠牲テンプレート層から取り除く工程を更に含む、項目１７に記載の方法。
［１９］
前記凹入特徴部が前記熱的に安定な裏込め層のマイクロ構造特徴部上に配置される、項目１７に記載の方法。
［２０］
前記凹入特徴部が楕円放物面を備える、項目１７に記載の方法。
［２１］
前記凹入特徴部が球台を備える、項目１７に記載の方法。
［２２］
前記凹入特徴部がレンズ特徴部を形成する、項目１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写フィルムであって、
キャリアフィルムと、
前記キャリアフィルム上に配置されており、凹入形成テンプレート特徴部を備える犠牲テンプレート層と、
前記凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と、反対側の平坦な第２表面と、を有する、熱的に安定な裏込め層と、
を含む、転写フィルム。
【請求項２】
前記凹入形成テンプレート特徴部が焼成されると同時に、熱的に安定な凹入特徴部の層を残すことが可能である、請求項１に記載の転写フィルム。
【請求項３】
方法であって、
請求項１に記載の転写フィルムの前記平坦な第２表面をレセプター基板上に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼成して、凹入特徴部を有する熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
置換された中間データを生成するために、複数の事前に決定された置換から選択された置換に従って第1の中間データのバイトの順序を置換するステップであって、前記第1の中間データは、暗号アルゴリズムの1つまたは複数の第1の段階によって出力される、ステップと、
前記選択された置換に従って前記暗号アルゴリズムの1つまたは複数の第2の段階によって使用される鍵のバイトの順序を置換するステップと、
第2の中間データを生成するために、前記置換された中間データに前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階を適用するステップであって、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記置換された鍵を使用する、ステップと、
出力を生成するために、前記選択された置換の逆の置換に従って前記第2の中間データのバイトの順序を置換するステップと
を含む、データを暗号化するための方法。
【請求項２】
前記第1の中間データを生成するために暗号化されるデータに、前記暗号アルゴリズムの1つまたは複数の第1の段階を適用するステップ
をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項３】
置換の組から置換を選択するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記置換の組から前記置換を選択するステップは、
乱数シード値を生成するステップと、
前記乱数シード値に基づいて前記置換の組から前記置換を選択するステップと
を含む請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記置換の組から前記置換を選択するステップは、
選択されたパターンに基づいて前記置換の組から前記置換を選択するステップ
を含む請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記出力を生成するために、前記選択された置換の前記逆の置換に従って前記第2の中間データを置換するステップは、前記置換の組からの前記選択された置換に基づいて逆の置換の組から前記逆の置換を選択するステップを含む請求項3に記載の方法。
【請求項７】
前記暗号アルゴリズムは、次世代米国標準暗号(AES)アルゴリズムであって、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第1の段階は、前記AESアルゴリズムの第1のラウンドを含み、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記AESアルゴリズムの第2のラウンドを含むか、または前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第1の段階は、前記AESアルゴリズムの最後のラウンドの前を含み、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記AESアルゴリズムの最後のラウンドを含む請求項1に記載の方法。
【請求項８】
置換された中間データを生成するために、複数の事前に決定された置換から選択された置換に従って第1の中間データのバイトの順序を置換するための手段であって、前記第1の中間データは、暗号アルゴリズムの1つまたは複数の第1の段階によって出力される、手段と、
前記選択された置換に従って暗号アルゴリズムの1つまたは複数の第2の段階によって使用される鍵のバイトの順序を置換するための手段と、
第2の中間データを生成するために、前記置換された中間データに前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階を適用するための手段であって、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記置換された鍵を使用する、手段と、
出力を生成するために、前記選択された置換の逆の置換に従って前記第2の中間データのバイトの順序を置換するための手段と
を含む、データを暗号化するためのシステム。
【請求項９】
前記第1の中間データを生成するために暗号化されるデータに、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第1の段階を適用するための手段
をさらに含む請求項8に記載のシステム。
【請求項１０】
置換の組から置換を選択するための手段をさらに含む請求項8に記載のシステム。
【請求項１１】
前記置換の組から前記置換を選択するための前記手段は、
乱数シード値を生成するための手段と、
前記乱数シード値に基づいて前記置換の組から前記置換を選択するための手段と
を含む請求項10に記載のシステム。
【請求項１２】
前記置換の組から前記置換を選択するための前記手段は、
乱数シード値を生成するための手段と、
前記乱数シード値に基づいて前記置換の組から前記置換を選択するための手段と
を含む請求項10に記載のシステム。
【請求項１３】
前記出力を生成するために、前記選択された置換の前記逆の置換に従って前記第2の中間データを置換するための前記手段は、前記置換の組からの前記選択された置換に基づいて逆の置換の組から前記逆の置換を選択するための手段を含む
請求項10に記載のシステム。
【請求項１４】
前記暗号アルゴリズムは、次世代米国標準暗号(AES)アルゴリズムであって、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第1の段階は、前記AESアルゴリズムの第1のラウンドを含み、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記AESアルゴリズムの第2のラウンドを含むか、または前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第1の段階は、前記AESアルゴリズムの最後のラウンドの前を含み、前記暗号アルゴリズムの前記1つまたは複数の第2の段階は、前記AESアルゴリズムの最後のラウンドを含む請求項8に記載のシステム。
【請求項１５】
データを暗号化するためのコンピュータ可読命令を記憶した非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、コンピュータに、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法を行わせるように構成された命令を含む非一時的コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ構造であり、
ベース面を備えた半球ドームと、
前記ベース面内のキャビティであり、開口部と、当該キャビティ内の断面積が前記開口部の面積よりも小さいようなテーパーと、を有するキャビティと、
を含むレンズ構造と、
前記キャビティ内に位置付けられ且つ前記テーパーと接触した発光デバイスであり、自己支持形ＬＥＤダイ、又は基板上にマウントされたＬＥＤダイである発光デバイスと、
を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）光源。
【請求項２】
前記テーパーは、直線状に傾斜された１つ以上の壁を含む、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項３】
前記キャビティの前記断面積の少なくとも１つが、前記発光デバイスを前記レンズ構造内の定位置に配置するように、前記発光デバイスの断面積に一致する、請求項２に記載のＬＥＤ光源。
【請求項４】
前記キャビティの深さが、前記発光デバイスの電気コンタクトが前記キャビティから突出するようにされている、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項５】
前記テーパーは、１つ以上の曲線状の壁を含む、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項６】
前記発光デバイスが前記キャビティに挿入されるときに物質の移動を可能にする１つ以上のチャネル、を含む請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項７】
前記断面積を小さくするように作用する前記キャビティ内の１つ以上の突出部、を含む請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項８】
前記発光デバイスのエッジと前記キャビティの壁との間の反射材料、を含む請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項９】
前記レンズ構造はシリコーン材料を有する、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項１０】
前記発光デバイスは、前記シリコーン材料の硬化によって前記レンズ構造に接合されている、請求項９に記載のＬＥＤ光源。
【請求項１１】
前記発光デバイスは、介在する接着要素なしで前記レンズ構造に直接的に接合されている、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項１２】
前記キャビティの前記開口部は凹部を有し、前記発光デバイスは、前記凹部と係合するヘリを有する、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項１３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）光源のシートであって、
複数のレンズ構造のシートであり、各レンズ構造が、ベース面を備えた半球ドームと、前記ベース面内の１つ以上のキャビティとを有し、各キャビティが、開口部と、該キャビティ内の断面積が前記開口部の面積よりも小さいようなテーパーとを有する、シートと、
各々が対応するキャビティ内に位置付けられ且つ該キャビティのテーパーと接触した、複数の発光デバイスであり、各発光デバイスが、自己支持形ＬＥＤダイ、又は基板上にマウントされたＬＥＤダイである、複数の発光デバイスと、
を有するシート。
【請求項１４】
前記レンズ構造は、前記断面積を小さくするように作用する前記キャビティ内の１つ以上の突出部を含む、請求項１３に記載のシート。
【請求項１５】
前記キャビティの深さが、前記発光デバイスの電気コンタクトが前記キャビティから突出するようにされている、請求項１３に記載のシート。
【請求項１６】
前記キャビティの前記開口部が凹部を有し、前記発光デバイスが、前記凹部と係合するヘリを有する、請求項１３に記載のシート。
【請求項１７】
発光ダイオード光源を製造する方法であって、
複数のレンズ構造の、プリフォームされた、部分的に硬化されたシートを用意することであり、各レンズ構造が、ベース面を備えた半球ドームと、前記ベース面内の１つ以上のテーパー状キャビティとを有し、各テーパー状キャビティが、開口部と、該テーパー状キャビティ内の断面積が前記開口部の面積よりも小さいようなテーパーとを有する、用意することと、
前記テーパー状キャビティの各々内に発光デバイスを挿入することであり、各発光デバイスが、自己支持形ＬＥＤダイ、又は基板上にマウントされたＬＥＤダイである、挿入することと、
前記挿入することの後に、前記シートを硬化させて、対応する発光デバイスを前記複数のレンズ構造に接着剤なしで接合することと、
前記複数のレンズ構造を前記対応する発光デバイスとともに個片化して、各々が１つのレンズ構造を有する複数の光源を形成することと、
を有する方法。
【請求項１８】
前記レンズ構造は、前記断面積を小さくするように作用する前記テーパー状キャビティ内の１つ以上の突出部を含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月21日(2017.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるデバイス間（Ｄ２Ｄ）ワイヤレス通信の方法であって、
１つまたは複数のモード切替えパラメータを備える接続応答メッセージを基地局から受信することと、前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、前記基地局との差し迫った無線リンク障害（ＲＬＦ）の指示に関係する、
第１のＤ２Ｄモードに従って１つまたは複数の他のＵＥとの通信を確立することと、前記第１のＤ２Ｄモードは、前記基地局から受信された集中送信リソーススケジュールに少なくとも部分的に基づくものであり、
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータが満足されていると決定することと、
前記ＲＬＦが生じる前に、第２のＤ２Ｄモードに切り替えることと、前記第２のＤ２Ｄモードは、前記基地局によって割り振られたリソースのプールを使用する分散送信スケジューリングに少なくとも部分的に基づく、
を備える方法。
【請求項２】
前記リソースのプールの指示に関して、前記基地局からの通信を監視することと、
前記リソースのプールを指示する前記基地局からのメッセージが受信可能でないと決定することと、
第３のＤ２Ｄモードに切り替えることと、前記第３のＤ２Ｄモードは、事前構成されたリソースプールを利用する分散送信に少なくとも部分的に基づく、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
接続セットアップ要求を前記基地局に送ること、前記接続セットアップ要求はＤ２Ｄモード指示を備える、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、不良フレームの数に関係する同期外れの指示、優良フレームの数に関係する同期中の指示、時間期間、経路損失しきい値、および信号対雑音（ＳＩＮＲ）比しきい値のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、ランダムアクセスチャネル（ＲＡＣＨ）要求のしきい値数、不成功のＲＡＣＨ試行後の時間期間、ステータス報告（ＳＲ）、バッファステータス報告（ＢＳＲ）もしくはリソース要求後の時間期間、またはハンドオーバの失敗もしくは不完全なハンドオーバの指示のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、時間期間と、少なくとも１つの付加的なモード切替えパラメータとを備え、
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータが満足されていると決定することは、前記少なくとも１つの付加的なモード切替えパラメータが満足されていると決定することと、第２のＤ２Ｄモードに切り替える前に前記時間期間が経過するまで待機することとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
モード切替え要求を前記基地局に送ることをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、ユーザアプリケーションからの指示を備え、前記モード切替え要求はユーザ主導型のモード切替え指示を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
タイムスタンプ、ＵＥロケーション、無線インターフェース状態、ＵＥ速度、セルＩＤ、およびキャリア周波数のうちの１つまたは複数を備えるモード切替え情報ログを記憶することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
１つまたは複数のヒステリシスパラメータが満たされるまで、分散送信スケジューリングに基づいて通信を継続することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基地局との接続が確立されるまで、前記第２のＤ２Ｄモードに関連付けられる前記リソースのプールを利用することと、
前記基地局との前記接続を確立することとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか一項に従って方法を実施するための命令を備えるコンピュータプログラム。
【請求項１３】
ユーザ機器（ＵＥ）におけるデバイス間（Ｄ２Ｄ）ワイヤレス通信のための装置であって、
１つまたは複数のモード切替えパラメータを備える接続応答メッセージを基地局から受信するための手段と、前記１つまたは複数のモード切替えパラメータは、前記基地局との差し迫った無線リンク障害（ＲＬＦ）の指示に関係する、
第１のＤ２Ｄモードに従って１つまたは複数の他のＵＥとの通信を確立するための手段と、前記第１のＤ２Ｄモードは、前記基地局から受信された集中送信リソーススケジュールに少なくとも部分的に基づくものであり、
前記１つまたは複数のモード切替えパラメータが満足されていると決定するための手段と、
前記ＲＬＦが生じる前に、第２のＤ２Ｄモードに切り替えるための手段と、前記第２のＤ２Ｄモードは、前記基地局によって割り振られたリソースのプールを使用する分散送信スケジューリングに少なくとも部分的に基づく、
を備える装置。
【請求項１４】
前記リソースのプールの指示に関して、前記基地局からの通信を監視するための手段と、
前記リソースのプールを指示する前記基地局からのメッセージが受信可能でないと決定するための手段と、
第３のＤ２Ｄモードに切り替えるための手段と、前記第３のＤ２Ｄモードは、事前構成されたリソースプールを利用する分散送信に基づく、をさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
接続セットアップ要求を前記基地局に送るための手段、前記接続セットアップ要求は、Ｄ２Ｄモード指示を備える、をさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路において動作可能な方法であって、
複数の初期論理状態値を生成するために第1の揮発性メモリ回路を電源投入するステップであって、前記第1の揮発性メモリ回路が前記集積回路上にある、ステップと、
前記複数の初期論理状態値に基づいて秘密データを導出するステップと、
セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密データを記憶するステップであって、前記セキュア揮発性メモリ回路は、非セキュアアプリケーションが前記セキュア揮発性メモリ回路にアクセスするのを防ぐセキュア実行環境(SEE)によってセキュアにされる、ステップと、
前記非セキュアアプリケーションによるデータストレージのために利用可能にするために前記第1の揮発性メモリ回路中の前記複数の初期論理状態値をクリアするステップと、
前記秘密データに基づいて秘密鍵を抽出するために前記SEEにおいて暗号アルゴリズムを実行するステップと、
前記セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密鍵を記憶するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記方法が、1つまたは複数の非セキュアアプリケーションから前記秘密データと前記複数の初期論理状態値とをセキュアにするために、前記第1の揮発性メモリ回路へのアクセスを制御する前記集積回路のセキュアブートフローである、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記セキュアブートフローが、少なくとも前記複数の初期論理状態値が前記第1の揮発性メモリ回路中でクリアされるまで前記第1の揮発性メモリ回路を前記1つまたは複数の非セキュアアプリケーションからアクセス不可能にすることによって、前記1つまたは複数の非セキュアアプリケーションから前記秘密データと前記複数の初期論理状態値とをセキュアにする、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記セキュアブートフローが、1次ブートローダと、第1の2次ブートローダと、第2の2次ブートローダとを含み、前記セキュアブートフローは、前記第1の2次ブートローダが実行する前に前記1次ブートローダに前記第1の2次ブートローダを認証させることによって信用チェーンを確立し、前記第1の2次ブートローダは、前記第2の2次ブートローダが実行する前に前記第2の2次ブートローダを認証し、前記第2の2次ブートローダが前記SEEを認証し、
前記秘密鍵が、前記セキュアブートフロー中に、および前記1つまたは複数の非セキュアアプリケーションの実行より前に、抽出され、前記セキュア揮発性メモリ回路中に記憶される、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第1の揮発性メモリ回路がリセットされると、前記セキュアブートフローが実行される、請求項2に記載の方法。
【請求項６】
前記秘密データが、前記複数の初期論理状態値である、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の初期論理状態値は、前記第1の揮発性メモリ回路が電源投入されるたびに実質的に同じになる、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記暗号アルゴリズムが、ブロックコードアルゴリズム、拡散コードアルゴリズム、および/またはリピートコードアルゴリズムのうちの少なくとも1つに基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密データを記憶するより前に第2の揮発性メモリ回路中に前記秘密データを記憶するステップと、
前記セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密データを記憶した後に前記第2の揮発性メモリ回路中に記憶された前記秘密データをクリアするステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記第2の揮発性メモリ回路中に記憶された前記秘密データをクリアした後に、前記第2の揮発性メモリ回路が、1つまたは複数の非セキュアアプリケーションのためのデータストレージのために利用可能になる、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記SEEが、前記秘密鍵を非セキュアアプリケーションからアクセス不可能にすることによって前記秘密鍵へのアクセスを制御し、前記方法が、
副鍵および/または公開データのうちの少なくとも1つについて前記SEEにおいて前記非セキュアアプリケーションから要求を受信するステップと、
前記秘密鍵に基づいて前記SEEにおいて前記副鍵および/または前記公開データを生成するステップと、
前記副鍵および/または前記公開データを要求する前記非セキュアアプリケーションに前記副鍵および/または前記公開データを与えるステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記副鍵および/または前記公開データが、前記秘密鍵と、前記非セキュアアプリケーションによって与えられる他のデータとに基づいて生成される、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記秘密データに基づいて前記秘密鍵を抽出するために前記SEEにおいて実行される前記暗号アルゴリズムが、不揮発性メモリ回路中に記憶された補助データにさらに基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
集積回路であって、
複数の初期論理状態値を生成するために第1の揮発性メモリ回路を電源投入するための手段であって、前記第1の揮発性メモリ回路が前記集積回路上にある、手段と、
前記複数の初期論理状態値に基づいて秘密データを導出するための手段と、
セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密データを記憶するための手段であって、前記セキュア揮発性メモリ回路は、非セキュアアプリケーションが前記セキュア揮発性メモリ回路にアクセスするのを防ぐセキュア実行環境(SEE)によってセキュアにされる、手段と、
非セキュアアプリケーションによるデータストレージのために利用可能にするために前記第1の揮発性メモリ回路中の前記複数の初期論理状態値をクリアするための手段と、
前記秘密データに基づいて秘密鍵を抽出するために前記SEEにおいて暗号アルゴリズムを実行するための手段と、
前記セキュア揮発性メモリ回路中に前記秘密鍵を記憶するための手段と
を含む集積回路。
【請求項１５】
1つまたは複数の命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、少なくとも1つの集積回路によって実行されたとき、前記集積回路に、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法を実行させる、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ装置（ＵＥ）における電力制御を実行する方法であって、
二重接続が設定された前記ユーザ装置（ＵＥ）が、第１のセルを含む第１のセルグループにアップリンク送信に対する電力を割り当てるステップと、
第２のセルを含む第２のセルグループにアップリンク送信に対する電力を割り当てるステップと、
前記第１のセルグループ及び前記第２のセルグループの前記割り当てられた電力の少なくとも一つに対する電力制御を実行するステップと、を含み、
各セルグループは、個別基地局（ｅＮｏｄｅＢ）に属し、
前記電力制御は、スケーリングダウンに相当し、
前記電力のスケーリングダウンは、ＨＡＲＱ−ＡＣＫ／ＮＡＣＫまたはＳＲを含むＰＵＣＣＨ及びＰＵＳＣＨの少なくとも一つに対して実行される、電力制御実行方法。
【請求項２】
前記電力制御は、ＳＲＳが送信されるか否に基づいて変更される、請求項１に記載の電力制御実行方法。
【請求項３】
前記電力制御は、前記第１のセルグループがＭＣＧに対応し、前記第２のセルグループがＳＣＧに対応するか、または前記第１のセルグループが前記ＳＣＧに対応し、前記第２のセルグループが前記ＭＣＧに対応するかに基づいて変更される、請求項１に記載の電力制御実行方法。
【請求項４】
電力制御を実行するユーザ装置（ＵＥ）であって、
二重接続が設定された受信部と、
第１のセルを含む第１のセルグループにアップリンク送信に対する電力を割り当て、
第２のセルを含む第２のセルグループにアップリンク送信に対する電力を割り当て、
前記第１のセルグループ及び前記第２のセルグループの前記割り当てられた電力の少なくとも一つに対する電力制御を実行するよう構成されたプロセッサと、を含み、
各セルグループは、個別基地局（ｅＮｏｄｅＢ）に属し、
前記電力制御は、スケーリングダウンに相当し、
前記電力のスケーリングダウンは、ＨＡＲＱ−ＡＣＫ／ＮＡＣＫまたはＳＲを含むＰＵＣＣＨ及びＰＵＳＣＨの少なくとも一つに対して実行される、ユーザ装置。
【請求項５】
前記電力制御は、ＳＲＳが送信されるか否に基づいて変更される、請求項４に記載のユーザ装置。
【請求項６】
前記電力制御は、前記第１のセルグループがＭＣＧに対応し、前記第２のセルグループがＳＣＧに対応するか、または前記第１のセルグループが前記ＳＣＧに対応し、前記第２のセルグループが前記ＭＣＧに対応するかに基づいて変更される、請求項４に記載のユーザ装置。
【請求項７】
二重接続が設定された前記ユーザ装置（ＵＥ）が、前記二重接続のために使われる設定情報を含む上位階層シグナルを受信するステップをさらに含み、
前記設定情報は、第１の設定及び第２の設定のいずれか一つを含む、請求項１に記載の電力制御実行方法。
【請求項８】
前記電力は、ＰＲＡＣＨ、ＰＵＣＣＨ及びＰＵＳＣＨの順序で特定される優先度に基づいて割り当てられる、請求項１に記載の電力制御実行方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、発光層を有する半導体構造と、を有する発光デバイスと、
前記発光デバイスを横方向で取り囲むように、前記基板及び前記半導体構造の側面に接触し且つ従う第１の反射層と、
前記発光デバイスの上に配設された波長変換素子であり、頂面及び側壁を有する波長変換素子と、
前記波長変換素子の第１の側壁に隣接して配設されるが、前記波長変換素子の前記頂面又は第２の側壁を覆って配設されない第２の反射層であり、光の大部分が前記波長変換素子の前記頂面を出て行き、且つ当該第２の反射層に突き当たる光の大部分が前記波長変換素子へと反射され返すようにされている、第２の反射層と、
を有するデバイス。
【請求項２】
前記第１の反射層の頂面は前記基板の頂面よりも高くない、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記波長変換素子は、前記発光デバイスとは別個に形成されて、接着剤によって前記発光デバイスに取り付けられている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第２の反射層は、前記第１の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子内に反射され、且つ前記波長変換素子の第２の側壁に向けて放たれた光の大部分が前記波長変換素子から取り出されるように配設されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１の反射層は、透明な成形コンパウンド内に配された反射粒子を有し、且つ
前記第１の反射層は、前記発光デバイスを覆って成形される、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２の反射層は、前記波長変換素子の単一の側壁のみに隣接して配設されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
発光デバイスをマウントに取り付け、
前記発光デバイスを横方向で取り囲むように、前記発光デバイスの側面に接触し且つ従って第１の反射層を形成し、
前記発光デバイスの上に波長変換素子を配設し、当該波長変換素子は頂面及び側壁を有し、且つ
前記波長変換素子の第１の側壁に隣接させるが、前記波長変換素子の前記頂面及び第２の側壁は覆わずに、第２の反射層を形成し、光の大部分が前記波長変換素子の前記頂面を出て行き、且つ当該第２の反射層に突き当たる光の大部分が前記波長変換素子へと反射され返すようにする、
ことを有する方法。
【請求項１０】
前記第２の反射層を形成することは、前記第１の反射層を形成することの後に行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の反射層を形成することは成形することを有し、前記第２の反射層を形成することは噴き付けることを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の反射層を形成することは、前記第２の反射層を形成することとは異なる技術によって前記第１の反射層を形成することを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記発光デバイスの上に前記波長変換素子を配設することは、プリフォームされた波長変換素子を前記発光デバイスの頂面に接着することを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の反射層は、少なくとも９５％反射するものである、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の複数の関心領域を１つまたは複数の荷電粒子ビームを使用して走査するシステムであって、
荷電粒子光学系を有する照射モジュールと、
前記基板と前記荷電粒子光学系の間に相対運動を導入するステージと、
荷電粒子ビームによる関心領域の走査に応答して前記基板から発散した電子を集める画像化モジュールと
を備え、
前記関心領域の前記走査中に前記ステージの移動方向において前記荷電粒子ビームの反対運動を実行し、それによって前記関心領域の前記走査中に前記基板と前記荷電粒子光学系の間に導入された相対運動を無効にするように前記荷電粒子光学系が配置され、
少なくとも幾つかの関心領域は、前記荷電粒子光学系の視野の１パーセントより少ない面積を有する、
システム。
【請求項２】
前記照射モジュールは、前記電荷粒子ビームを発生するように構成されており、
前記システムは、更に、前記ステージ及び前記照射モジュールに動作可能に接続される制御装置であって、複数の関心領域を走査するように前記照射モジュールを制御しながら、走査動作中に、機械的走査パターンに沿って連続的に一定速度で、前記ステージを移動させるように構成された前記制御装置を備え、
各関心領域に対して、前記制御装置は、第１の走査パターンに従って前記電荷粒子ビームで前記関心領域を走査するように前記照射モジュールを制御し、
前記制御装置は、更に、前記関心領域の走査中に前記ステージの機械的移動を無効にするように、前記複数の関心領域の各々の走査中に前記ステージの移動の方向において、前記荷電粒子ビームの反対運動を実行するための前記照射モジュールを制御するように構成される、
請求項１に記載の基板の複数の関心領域を走査するシステム。
【請求項３】
関心領域の走査中に、前記荷電粒子ビームを、第１の方向および前記第１の方向に対して向きが定められた第２の方向に沿って、ある走査パターンで移動させるように前記荷電粒子光学系が配置されており、前記荷電粒子ビームの反対運動の実行が、前記荷電粒子ビームを前記第１の方向に沿って移動させることを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記基板を一定の速度で移動させることによって前記相対運動を導入するように前記ステージが配置されており、鋸歯形の制御信号の制御下で前記荷電粒子ビームの反対運動を実行するように前記荷電粒子光学系が配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
荷電粒子ビームと関心領域の走査の組合せごとに、ステージ位置情報に応答して前記荷電粒子ビームの位置を調整する制御信号を生成するように配置された制御装置を更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
基板の複数の関心領域を１つまたは複数の荷電粒子ビームを使用して走査するシステムであって、
荷電粒子光学系を有する照射モジュールと、
前記基板と前記荷電粒子光学系の間に相対運動を導入するステージと、
荷電粒子ビームによる関心領域の走査に応答して前記基板から発散した電子を集める画像化モジュールと
を備え、
前記関心領域の前記走査中に前記ステージの移動方向において前記荷電粒子ビームの反対運動を実行し、それによって前記関心領域の前記走査中に前記基板と前記荷電粒子光学系の間に導入された相対運動を無効にするように前記荷電粒子光学系が配置され、
前記関心領域の長さが０．２５μｍ〜２μｍの間であり、前記関心領域の走査中のステージの移動の長さが０．２５μｍ〜２００μｍの間である、システム。
【請求項７】
前記荷電粒子光学系が、単一の荷電粒子ビームを発生させる単一の荷電粒子カラムと、それぞれの荷電粒子カラム構造体が単一のビームを発生させている多重荷電粒子カラム構造体と、複数の荷電粒子ビームを発生させる単一の荷電粒子カラムとからなるグループのうちの１つである、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記基板がウエハである、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記基板がレチクルである、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記荷電粒子ビームが電子ビームである、請求項６に記載のシステム。
【請求項１１】
前記荷電粒子ビームがイオンビームである、請求項６に記載のシステム。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の荷電粒子ビームで前記基板の表面全体を走査するように配置された、請求項６に記載のシステム。
【請求項１３】
全ての前記関心領域の全体の面積が前記基板の面積の小部分である、請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの反応炉チャンバと、
前記反応炉チャンバ内に配置された少なくとも１つの作用電極と、
少なくとも１つの対電極と、
前記反応炉チャンバ内に配置され、かつ１つ以上の固定機構を備えるラックと、を備え、前記少なくとも１つの作用電極は、前記１つ以上の固定機構によって前記ラック内に配置される、生物電気化学システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの作用電極は、カセットの形態で前記ラック内に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記作用電極は、前記ラックと電気通信している、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記固定機構は、すり割り付きの溝または締結具である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記ラックは、導電性物質を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記ラックは、ステンレススチールを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記ラックは、１つ以上の水力学的分配要素を備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記ラックは、混合を強化するための１つ以上の要素を備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記ラックは、１つ以上の流体収集要素を備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ラックは、巻き上げのための１つ以上の接続点を備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ラックは、気体注入のための特徴を備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ラックは、基準電極設置のための特徴を備える、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ラックは、システム情報を収集するための１つ以上のセンサをさらに備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ラックは、配線集積化のための１つ以上の要素をさらに備える、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ラックは、液体からの固体の分離を強化するように構成される１つ以上の構成要素をさらに備える、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ラックは、液体からの気体の分離を強化するように構成される１つ以上の構成要素をさらに備える、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ラックは、前記反応炉チャンバの上部領域に配置される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記反応炉チャンバの下部領域は、スラッジに基づく消化のために構成される、請求項１７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスであって、
認識可能な画像を含むパターンを提供するように前記デバイスの反射率を変更する固体状の材料（１０）の層と、
リフレクタ（１２）と、を備え、
前記材料（１０）は、少なくとも２つの安定した値の間で切り替え可能な屈折率を有する相変化材料であって、前記パターンは、前記材料（１０）の層内の異なる領域の屈折率を、前記異なる領域における相変化材料の切り替えによって設定することで定められ、
前記リフレクタ（１２）は、光を透過する固体スペーサ層（１４）によって前記材料（１０）の層から隔てられている、光学デバイス。
【請求項２】
前記材料（１０）の屈折率は、電気的に、熱的に又は印加された光によって切り替え可能である、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記材料（１０）の屈折率は、少なくとも２つの安定した値の間で可逆的に切り替え可能である、請求項１又は２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記光学デバイスの一部の反射率は、当該部分における前記材料（１０）の層の屈折率を切り替えることによって、少なくとも３つの異なる値の何れかに設定可能である、請求項１〜３の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項５】
前記材料（１０）は、ＧｅＳｂＴｅ、ＶＯｘ、ＮｂＯｘ、ＧｅＴｅ、ＧｅＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｅ、ＳｂＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＳｂＳｅ、ＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＭｎＳｎ、ＡｇＳｂＴｅ、ＡｕＳｂＴｅ及びＡｌＳｂの組み合わせのリストから選択される元素の組み合わせに係る化合物又は合金を備え、任意に、前記リストからの元素の組み合わせに係る複数の化合物又は複数の合金の混合物、及び／又は、Ｃ又はＮ等の少なくとも１つのドーパントを更に備える、請求項１〜４の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項６】
前記材料（１０）はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を備える、請求項１〜５の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項７】
前記材料（１０）の層の厚さは２０ｎｍ未満、好ましくは１０ｎｍ未満である、請求項１〜６の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項８】
前記材料（１０）の層は光吸収体層である、請求項１〜７の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項９】
前記スペーサ層（１４）は１０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内の厚みを有する、請求項１〜８の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項１０】
前記スペーサ層（１４）は圧縮可能材料、好ましくはエラストマ材料を備える、請求項１〜９の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項１１】
複数の対の層を備え、前記複数の対の層の各々は、前記光学デバイスの反射率を変更する固体状の材料（１０）の層と、スペーサ層（１４）と、を備え、前記複数の対の層は、スタック状に連続して配列されている、請求項１〜１０の何れかに記載の光学デバイス。
【請求項１２】
前記材料（１０）に電流を流すように構成された集積化電極を更に備える、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１３】
前記集積化電極は画素化されている、請求項１２に記載の光学デバイス。
【請求項１４】
前記材料（１０）の層上に位置するキャッピング層（１６）を更に備え、前記スペーサ層（１４）及び前記キャッピング層（１６）は、インジウムスズ酸化物で形成されている、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１５】
請求項１〜１４の何れかに記載の光学デバイスを備える、セキュリティマーク又は装飾品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リグニンから本質的に生じる導電性炭素粉末。
【請求項２】
粉末、又はウェーハ、バー、ロッド、フィルム、フィラメント若しくはフリース等の成形体の形態を有する、リグニンから本質的に生じる導電性炭素中間体生成物。
【請求項３】
以下の段階を含む請求項１又は２に記載の導電性炭素粉末を製造する方法：
ａ）導電性炭化リグニン中間体生成物を得るために、炭素含量を少なくとも８０％に高めるリグニン含有化合物の熱処理段階、及び
ｂ）導電性を有する炭化リグニン粉末を得るための、前記導電性炭化リグニン中間体生成物の機械処理段階。
【請求項４】
以下の段階を含む請求項１又は２に記載の導電性炭素粉末を製造する方法：
ｉ）リグニンと少なくとも１種の添加剤を供給する段階、
ｉｉ）前記成分を混合する段階、
ｉｉｉ）前記混合物を成形して成形体を形成する段階、
ｉｖ）最後の段階が不活性雰囲気下で室温から約２０００℃までの温度勾配を含む少なくとも１つの段階で前記成形体の熱処理を行い、このようにして導電性炭化中間体生成物を供給する段階、
ｖ）前記導電性炭化中間体生成物を粉砕し、このようにして導電性炭素粉末を供給する段階。
【請求項５】
前記添加剤がポリエチレングリコールである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
室温からの前記温度勾配が、約１６００℃までである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
以下の段階を含む、フィラメントの形態の請求項２に記載の炭化中間体生成物を製造する方法：
ｖｉ）リグニンと少なくとも１種の添加剤を供給する段階、
ｖｉｉ）前記成分を混合し、そして前記混合物をモノフィラメント又はマルチフィラメントの束成分に溶融紡糸する段階、
ｖｉｉｉ）最後の段階が不活性雰囲気下で室温から約２０００℃までの温度勾配を含む２つの段階で前記成形体の熱処理を行い、このようにして導電性炭化中間体生成物をフィラメント形態で供給する段階。
【請求項８】
前記室温からの温度勾配が、約１４００℃までである、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
請求項３から６又は８のいずれか一項に記載の方法により得ることができる導電性炭素粉末。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法により得ることができるフィラメント形態の導電性炭化中間体生成物。
【請求項１１】
コンピュータ及び携帯電話の筐体、自動車の装置、電線、ケーブル、パイプ及び航空機の装置等の用途で使用される、導電性ポリマー組成物の製造用の添加剤としての、請求項１から２又は９のいずれか一項に記載の導電性炭素粉末の使用。
【請求項１２】
電磁干渉又は静電放電から保護するための導電性ポリマー組成物の製造用の添加剤としての、請求項１から２又は９のいずれか一項に記載の導電性炭素粉末の使用。 
【請求項１３】
請求項１から２又は９のいずれか一項に記載の導電性炭素粉末とポリマー、好ましくは熱可塑性ポリマー若しくは熱硬化性ポリマー又はこのようなポリマーの混合物を含む組成物。
【請求項１４】
前記ポリマーが、導電性化合物の製造に使用される熱可塑性ポリマー若しくは熱硬化性ポリマー又はこのようなポリマーの混合物である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記ポリマーが、ポリオレフィン、ポリオレフィンを含むコポリマー又はポリオレフィンの混合物である、請求項１３又は１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ポリマーが、ポリプロピレン（ＰＰ）である、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
前記導電性炭素粉末が、配合される場合、前記ポリマー化合物の浸透閾値を１〜４０％付加レベルで更に高める、請求項１３から１６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１８】
前記導電性炭素粉末が、配合される場合、浸透ポイント後の前記ポリマー化合物の前記体積抵抗率を１００〜１０６Ω・ｃｍに下げる、請求項１３から１７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１９】
導電性炭素粉末をポリマー、好ましくは、熱可塑性ポリマー若しくは熱硬化性ポリマー又はこれらの混合物と混合することを含む、請求項１３から１８のいずれか一項に記載の組成物の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法により得ることができるポリマー組成物。
【請求項２１】
コンピュータ、携帯電話、自動車の装置、電線、ケーブル、パイプ及び航空機の装置に使用される材料等の導電性材料における、請求項１３から１８又は２０のいずれか一項に記載のポリマー組成物の使用。
【請求項２２】
請求項１から２又は９のいずれか一項に記載の導電性炭素粉末と、熱可塑性ポリマー若しくは熱硬化性ポリマー又はこれらの混合物を含むケーブルの半導電性層用のポリマー組成物。
【請求項２３】
前記熱可塑性ポリマーが、ポリオレフィン、ポリオレフィンを含むコポリマー又はポリオレフィンの混合物である、請求項２２に記載のケーブルの半導電性層用のポリマー組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
二酸化ケイ素またはケイ酸が充填材として好ましくは使用される。そのような充填材は特に、結果としてシリコーン材料に特に良好に添加することができるケイ素ベースの鉱物物質である。好ましくは、例えばＥｖｏｎｉｋ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社から商標名ＡＥＲＯＳＩＬで知られるものなど、高熱法シリカが使用される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
示される例示的実施形態において、導体４、具体的には中心導体が、撚られた導体またはワイヤロープとしてケーブル２の中に実装され、および複数の個別ワイヤ６を含み、個別ワイヤ６は好ましくは全てアルミニウムまたはアルミニウム合金から作製される。それらは、シリコーン材料から作製された非付着性の分離層８によって囲まれ、シリコーン材料は本件では充填材９が追加されたシリコーンである。具体的には充填材９として提供されているのは、高熱法シリカである。最後に、分離層８はシリコーンシース１０によって囲まれる。ここではシリコーンシース１０は、半径方向において、分離層８よりもかなり大きい壁厚さを有する。ケーブル中、分離層８およびシリコーンシース１０は、それぞれ内側または外側シリコーンシースとして、ケーブル２の複合シリコーンシース１０を形成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本例示的実施形態で使用される充填材９はいわゆる高熱法シリカであり、これは例えば約２．２ｇ／ｃｍ３の濃度を有する。一般に、シリコーン材料中の充填材９の割合は、２０〜７０質量百分率の範囲、特に３０〜６０質量百分率の範囲である。