【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハのフォトリソグラフィを用いない自己整合逆活性エッチングのための方法であって、前記方法は、
パッド酸化物を半導体ウエハのシリコン基板上に堆積させるステップと、
活性窒化ケイ素を前記パッド酸化物上に堆積させるステップと、
シャロートレンチアイソレーションウェルを前記シリコン基板内に形成するステップと、
酸化ライナを前記シャロートレンチアイソレーションウェル内に形成するステップであって、前記酸化ライナは、前記シリコン基板が露出される場所のみに形成される、ステップと、
酸化物を前記窒化ケイ素および前記シャロートレンチアイソレーションウェルを覆って堆積させるステップと、
部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層を前記酸化物を覆って堆積させるステップと、
乾式プラズマエッチングを行うことにより、前記部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層を前記酸化物から除去するステップであって、前記ステップは、最初に非選択的にエッチングすることによって前記部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層のいくらかおよび前記酸化物のいくらかを除去することと、そして前記酸化物を選択的にエッチングすることによって前記酸化物のみを除去することとによって行われ、前記窒化ケイ素上の前記酸化物は、所定の厚さまでに除去される、ステップと、
化学機械研磨を行うことにより、前記活性窒化ケイ素を被覆する前記酸化物の全てを除去するステップと、
前記活性窒化ケイ素を除去するステップであって、前記シリコン基板の一部は、残りの酸化物間に露出され、前記シリコン基板内での活性トランジスタ要素ドーピングのステップのための準備ができている、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記パッド酸化物は、酸化ケイ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シャロートレンチアイソレーションウェルを形成するステップは、前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シャロートレンチアイソレーションウェルを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化ライナは、酸化ケイ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップは、高密度プラズマ酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層を前記酸化物を覆って堆積させるステップは、前記部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層を前記酸化物上にスピンコーティングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スピンコーティングするステップは、スピンオングラスさえも含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記乾式プラズマエッチングを行うステップは、調整エッチングを行うことにより、前記窒化ケイ素上の前記部分的に平坦化された有機ケイ酸塩層を開放するステップと、高密度プラズマ酸化物層のみを除去する短い選択的エッチングをエッチングするステップとを含み、前記半導体ウエハは、酸化物エッチング装置内でエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記非選択的にエッチングするステップは、ＣＦ４、Ｏ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択的にエッチングするステップは、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２、Ｎ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記乾式プラズマエッチングを行った後に、および前記化学機械研磨を行う前に、残りの部分的に平坦化された有機ケイ酸塩が剥離される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
酸化灰化を行うことにより、前記残りの部分的に平坦化された有機ケイ酸塩を剥離するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ＨＦ剥離を行うことにより、前記残りの部分的に平坦化された有機ケイ酸塩を剥離するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちの１項に記載の方法によって作成された半導体集積回路。
【請求項１５】
請求項１〜１３のうちの１項に記載の方法に従って処理された表面を有する半導体ウエハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに別の実施形態によると、半導体ウエハは、パッド酸化物を半導体ウエハのシリコン基板上に堆積させるステップと、活性窒化ケイ素をパッド酸化物上に堆積させるステップと、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）ウェルをシリコン基板内に形成するステップと、酸化ライナをＳＴＩウェル内に形成するステップであって、酸化ライナは、シリコン基板が露出され得る場所のみに形成され得る、ステップと、酸化物を窒化ケイ素およびＳＴＩウェルを覆って堆積させるステップと、部分的に平坦化された有機ケイ酸塩（ＤＵＯ）層を酸化物を覆って堆積させるステップと、乾式プラズマエッチングを行うことにより、ＤＵＯ層を酸化物から除去するステップと、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行うことにより、活性窒化ケイ素を被覆する酸化物の全てを除去するステップと、活性窒化ケイ素を除去するステップであって、シリコン基板の一部は、残りの酸化物間に露出され、シリコン基板内における活性トランジスタ要素ドーピングのステップのための準備ができ得る、ステップとに従って処理された表面を有してもよい。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
半導体ウエハのフォトリソグラフィを用いない自己整合逆活性エッチングのための方法であって、前記方法は、
パッド酸化物を半導体ウエハのシリコン基板上に堆積させるステップと、
活性窒化ケイ素を前記パッド酸化物上に堆積させるステップと、
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）ウェルを前記シリコン基板内に形成するステップと、
酸化ライナを前記ＳＴＩウェル内に形成するステップであって、前記酸化ライナは、前記シリコン基板が露出される場所のみに形成される、ステップと、
酸化物を前記窒化ケイ素および前記ＳＴＩウェルを覆って堆積させるステップと、
部分的に平坦化された有機ケイ酸塩（ＤＵＯ）層を前記酸化物を覆って堆積させるステップと、
乾式プラズマエッチングを行うことにより、前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップと、
化学機械研磨（ＣＭＰ）を行うことにより、前記活性窒化ケイ素を被覆する前記酸化物の全てを除去するステップと、
前記活性窒化ケイ素を除去するステップであって、前記シリコン基板の一部は、残りの酸化物間に露出され、前記シリコン基板内での活性トランジスタ要素ドーピングのステップのための準備ができている、ステップと
を含む、方法。
（項目２）
前記パッド酸化物は、窒化ケイ素である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記ＳＴＩウェルを形成するステップは、前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記ＳＴＩウェルを形成するステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記酸化ライナは、酸化ケイ素である、項目１に記載の方法。
（項目５）
酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップは、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物を覆って堆積させるステップは、前記ＤＵＯ層を前記酸化物上にスピンコーティングするステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップは、調整エッチングを行うことにより、前記ＤＵＯ層を開放するステップと、短い選択的エッチングを前記ＤＵＯ層にエッチングするステップとを含み、前記半導体ウエハは、酸化物エッチング装置内でエッチングされる、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップは、複数の乾式プラズマエッチングのステップを含む、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記複数の乾式プラズマエッチングのステップは、酸化物に対して非選択的にエッチングするステップと、酸化物に対して部分的にエッチングするステップとを含む、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記酸化物に対して非選択的にエッチングするステップは、ＣＦ４、Ｏ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、項目９に記載の方法。
（項目１１）
酸化物に対して部分的にエッチングするステップは、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２、Ｎ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、項目９に記載の方法。
（項目１２）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップは、前記乾式プラズマエッチングを行うステップが完了されるまで行われる、項目１に記載の方法。
（項目１３）
半導体集積回路であって、
パッド酸化物を半導体ウエハのシリコン基板上に堆積させるステップと、
活性窒化ケイ素を前記パッド酸化物上に堆積させるステップと、
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）ウェルを前記シリコン基板内に形成するステップと、
酸化ライナを前記ＳＴＩウェル内に形成するステップであって、前記酸化ライナは、前記シリコン基板が露出される場所のみに形成される、ステップと、
酸化物を前記窒化ケイ素および前記ＳＴＩウェルを覆って堆積させるステップと、
部分的に平坦化された有機ケイ酸塩（ＤＵＯ）層を前記酸化物を覆って堆積させるステップと、
乾式プラズマエッチングを行うことにより、前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップと、
化学機械研磨（ＣＭＰ）を行うことにより、前記活性窒化ケイ素を被覆する前記酸化物の全てを除去するステップと、
前記活性窒化ケイ素を除去するステップであって、前記シリコン基板の一部は、残りの酸化物間に露出され、前記シリコン基板内での活性トランジスタ要素ドーピングのステップのための準備ができている、ステップと
を含むプロセスによって作成される、半導体集積回路。
（項目１４）
酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップは、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物を前記酸化ライナを覆って堆積させるステップを含む、項目１３に記載のプロセス。
（項目１５）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップは、調整エッチングを行うことにより、前記ＤＵＯ層を開放するステップと、短い選択的エッチングを前記ＤＵＯ層にエッチングするステップとを含み、前記半導体ウエハは、酸化物エッチング装置内でエッチングされる、項目１３に記載のプロセス。
（項目１６）
前記ＤＵＯ層を前記酸化物から除去するステップは、複数の乾式プラズマエッチングのステップを含む、項目１３に記載のプロセス。
（項目１７）
前記複数の乾式プラズマエッチングのステップは、酸化物に対して非選択的にエッチングするステップと、酸化物に対して部分的にエッチングするステップとを含む、項目１６に記載のプロセス。
（項目１８）
前記酸化物に対して非選択的にエッチングするステップは、ＣＦ４、Ｏ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、項目１７に記載のプロセス。
（項目１９）
前記酸化物に対して部分的にエッチングするステップは、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２、Ｎ２、およびＡｒから成る群から選択されたガスを使用する、項目１７に記載のプロセス。
（項目２０）
項目１３に記載のプロセスに従って処理された表面を有する半導体ウエハ。