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【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板（１２１）上に材料を堆積させるための真空堆積システム（３００、４００、５００）であって、
チャンバ容積を有する真空チャンバ（１１０）と、
堆積中は前記真空チャンバ（１１０）内に配置されている、堆積されるべき材料を供給するための材料堆積装置（１００）と、
２つ以上の基板のサイズによって形成された基板サイズを有する前記複数の基板（１２１）を前記真空チャンバ（１１０）内で支持するための２つの基板支持体（１２６、６００）とを備え、
チャンバ容積対基板サイズの比が１５ｍ以下である、真空堆積システム。
【請求項２】
前記真空堆積システム（３００、４００、５００）が、真空蒸発システムであり、前記材料堆積装置が、前記複数の基板（１２１）上に堆積されるべき前記材料を蒸発させるための蒸発器（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）を含む、請求項１に記載の真空堆積システム。
【請求項３】
前記基板支持体（１２６、６００）の各々が、前記基板サイズの最大で３０％まで前記基板サイズを超える基板保持デバイス（６１０）を保持または案内することを可能にする、請求項１に記載の真空堆積システム。
【請求項４】
前記基板支持体（１２６、６００）の各々が、前記基板サイズの最大で３０％まで前記基板サイズを超える基板保持デバイス（６１０）を保持または案内することを可能にする、請求項２に記載の真空堆積システム。
【請求項５】
前記基板サイズが、前記材料堆積装置（１００）に面する前記２つ以上の基板の基板面積である、請求項１から３のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項６】
前記チャンバ容積が、前記真空チャンバ（１１０）の排気可能な容積によって定められる、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項７】
前記基板支持体（１２６、６００）の各々が、基板保持デバイス（６１０）を保持または案内することを可能にする、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項８】
前記基板保持デバイスがＥチャックである、請求項７に記載の真空堆積システム。
【請求項９】
前記真空堆積システム（３００、４００、５００）が、垂直に配置された複数の基板（１２１）上に材料を堆積させるように構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１０】
前記材料堆積装置（１００）が、２つ以上のるつぼ（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）と、前記るつぼ（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）と流体連通している直線状の散布管（１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ）とを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１１】
前記材料堆積装置（１００）が、２つ以上の有機材料の材料源である材料堆積装置アレイである、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１２】
前記材料の散布管（１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ）に１つ以上のノズル（７１２）を更に備え、少なくとも１つのノズル（７１２）が、開口部長さと開口部サイズを有する開口部を有し、前記ノズルは、ノズルの長さ対ノズルのサイズの比が２：１又はそれより大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１３】
前記材料堆積装置（１００）が、前記真空チャンバ（１１０）内で可動である、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１４】
前記材料堆積装置（１００）が、前記真空チャンバ（１１０）内で回転可能である、請求項１２に記載の真空堆積システム。
【請求項１５】
前記２つの基板支持体が、約３ｍ×３ｍまでのサイズを有する基板（１２１）を支持するように構成されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１６】
２つのマスキングステーションを更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム。
【請求項１７】
前記真空堆積システムが、垂直に配向された前記基板（１２１）上に材料を堆積するために構成されており、
前記真空チャンバ（１１０）が、１０−５〜１０−７ｍｂａｒの圧力レベルを提供し、
前記材料堆積装置（１００）が、材料を蒸発させるためのるつぼ（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）と、前記るつぼと流体連通し、前記真空チャンバ（１１０）内で蒸発した材料を案内するための出口を備える散布管（１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ）とを備え、前記真空チャンバ内で可動である、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空堆積システム（３００、４００、５００）。
【請求項１８】
垂直に配向された複数の基板（１２１）上に材料を堆積させるための真空堆積システム（３００、４００、５００）であって、
チャンバ容積を有する真空チャンバ（１１０）であって、１０−５〜１０−７ｍｂａｒの圧力レベルを提供する真空チャンバ（１１０）と、
堆積されるべき材料を供給するための材料堆積装置（１００）であって、前記材料堆積装置（１００）は、堆積中は前記真空チャンバ（１１０）内に配置されており、材料を蒸発させるためのるつぼ（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）と、前記るつぼと流体連通し、前記真空チャンバ（１１０）内で蒸発した材料を案内するための出口を備える直線状の散布管（１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ）とを備え、前記真空チャンバ内で可動である、材料堆積装置（１００）と、
２つ以上の基板のサイズによって形成された基板サイズを有する前記複数の基板（１２１）を前記真空チャンバ（１１０）内で支持するための２つの基板支持体（１２６、６００）とを備え、
チャンバ容積対基板サイズの比が、１５ｍ以下である、真空堆積システム。
【請求項１９】
チャンバ容積を有する真空チャンバ（１１０）及び材料堆積装置（１００）を備える真空堆積システム（３００、４００、５００）内で複数の基板上に材料を堆積させる方法であって、
２つ以上の基板のサイズによって形成された基板サイズを有する処理されるべき前記複数の基板（１２１）を前記真空チャンバ（１１０）内に提供することであって、前記複数の基板（１２１）が、チャンバ容積対基板サイズの比が１５ｍ以下である前記真空チャンバ（１１０）内に提供されることと、
前記材料堆積装置（１００）内で材料を蒸発させることと、
蒸発した材料（８０２）を前記複数の基板（１２１）に導くことと
を含む方法。
【請求項２０】
前記材料堆積装置（１００）を前記真空チャンバ（１１０）内で移動させることを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月2日(2018.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、ニッケル、コバルト、又はこれらのアロイを堆積させるための無電解めっき浴であって、少なくとも1つの金属イオン源及び少なくとも1つの還元剤を含み、式(I)
【化１】
2017538040.tif 000001
(式中、1価の残基R1からR2、末端基Y及び2価のスペーサー基Z、並びに指数nは、以下の群から選択され、
-  R1は、-O-R3及び-NH-R4からなる群から選択され、ここで、R3は、水素、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、アンモニウム、アルキル、アリールから選択され、R4は、水素、アルキル、及びアリールから選択され;
-  R2は、水素、アルキル、アルキルアリール、及びアリールからなる群から選択され;
-  Yは、
【化２】
2017538040.tif 000002
からなる群から選択され、ここで、1価の残基R1'は、-O-R3'及び-NH-R4'からなる群から選択され、ここで、R3'は、水素、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、アンモニウム、アルキル、アリールから選択され、R4'は、水素、アルキル、及びアリールから選択され、1価の残基R2'は、水素、アルキル、アルキルアリール、及びアリールからなる群から選択され、n'は、1から2の範囲の整数であり;
-  Zは、
【化３】
2017538040.tif 000003
であり、ここで、R5からR8は、非分岐鎖状飽和アルキレン残基であり;ここで、pは、1から100の範囲の整数であり、qは、0から99の範囲の整数であり、rは、0から99の範囲の整数であり、sは、0から99の範囲の整数であるが、但し、(p+q+r+s)の合計は、1から100の範囲であり;
-  nは、1から2の範囲の整数である)
に従うめっき速度調整剤を更に含むことを特徴とする、無電解めっき浴。
【請求項２】
前記非分岐鎖状飽和アルキレン残基に結合した個々の水素はそれぞれ、アルキル、アリール、及びヒドロキシル(-OH)から選択される官能基によって置換されている、請求項1に記載の無電解めっき浴。
【請求項３】
Yが、
【化４】
2017538040.tif 000004
であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の無電解めっき浴。
【請求項４】
前記めっき速度調整剤の残基R5からR8が、非分岐鎖状飽和C1-からC6-アルキレン残基であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の無電解めっき浴。
【請求項５】
前記非分岐鎖状飽和アルキレン残基に結合した個々の水素はそれぞれ、アルキル、アリール、及びヒドロキシルから選択される官能基によって置換されている、請求項4に記載の無電解めっき浴。
【請求項６】
前記めっき速度調整剤の残基R5からR8が、エタン-1,2-ジイル(-CH2-CH2-)、プロパン-1,2-ジイル(-CH(CH3)-CH2-)、ブタン-1,2-ジイル(-CH(CH2-CH3)-CH2-)、及び2-ヒドロキシプロパン-1,3-ジイル(-CH2-CH(OH)-CH2-)からなる群から選択される、請求項1から5のいずれか一項に記載の無電解めっき浴。
【請求項７】
式(I)に従う前記めっき速度調整剤が、無電解めっき浴中に、0.1から1500μmol/lの濃度で含有されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の無電解めっき浴。
【請求項８】
前記金属イオン源が、水溶性の銅塩、ニッケル塩、及びコバルト塩、並びに水溶性の銅化合物、ニッケル化合物、及びコバルト化合物から選択される、請求項1から7のいずれか一項に記載の無電解めっき浴。
【請求項９】
安定化剤を更に含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の無電解めっき浴。
【請求項１０】
前記金属イオン源が、水溶性ニッケル塩、及び水溶性ニッケル化合物から選択され、前記還元剤が、次亜リン酸塩化合物、ホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、ヒドラジン、及びこれらの混合物から選択される、請求項8又は9に記載の無電解めっき浴。
【請求項１１】
前記金属イオン源が、水溶性コバルト塩、及び水溶性コバルト化合物から選択され、前記還元剤が、次亜リン酸塩化合物、ホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、ヒドラジン、及びこれらの混合物から選択される、請求項8又は9に記載の無電解めっき浴。
【請求項１２】
前記金属イオン源が、水溶性銅塩、及び水溶性銅化合物から選択され、少なくとも1つの前記還元剤が、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、グリオキシル酸、グリオキシル酸源、アミノボラン、水素化ホウ素アルカリ金属塩、ヒドラジン、ポリサッカリド、糖、次亜リン酸、グリコール酸、ギ酸、前述の酸の塩、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項8又は9に記載の無電解めっき浴。
【請求項１３】
(i)基材を用意する工程、
(ii)前記基材を、請求項1から12のいずれか一項に記載の無電解めっき浴と接触させ、それによって、前記基材の少なくとも一部分上に金属又は金属アロイを堆積させる工程
を含む、金属又は金属アロイを堆積させるための方法。
【請求項１４】
(i.a)前記基材を前処理する工程
を更に含む、請求項13に記載の金属又は金属アロイを堆積させるための方法。
【請求項１５】
前記基材が、ガラス、プラスチック、シリコン、絶縁体、及び金属基材からなる群から選択される、請求項13又は14に記載の金属又は金属アロイを堆積させるための方法。
【請求項１６】
前記基材が、プリント回路板、チップキャリア、半導体ウエハ、回路キャリア、及び相互接続デバイスから選択される、請求項15に記載の金属又は金属アロイを堆積させるための方法。
【請求項１７】
前記基材が、ポリイミド(PI)及びポリエチレンテレフタレート(PET)ホイルから選択される、請求項15に記載の金属又は金属アロイを堆積させるための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（１，２）と、ガス出口孔（８）のあるガス出口面（７’）を具備してハウジング（１，２）に取り付けられたガス入口部材（７）と、ハウジング上部（１）に取り付けられた保持装置（３）と、を備え、保持装置（３）にガス入口部材（７）が複数の吊下点（６’）にて固定され、かつ、能動的に温度制御可能な温度制御装置（１１，１２）により保持装置（３）が温度安定化可能である、ＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置において、温度制御装置（１１，１２）が能動的な熱障壁としてガス入口部材（７）と保持装置（３）の間に配置されていることを特徴とするＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項２】
温度制御装置（１１，１２）が温度制御チャネル（１２）を有することを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項３】
保持装置（３）が機械的安定化要素（４，５）を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項４】
保持装置（３）が鉛直方向の接続ラインにて互いに接続された鉛直壁（４，５）を有する保持ラーメン構造により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項５】
保持装置（３）が、その水平な縁（３’）のみによってハウジング（１，２）に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項６】
保持装置（３）が、弾性の取付手段（１３，１４）によりハウジング（１，２）に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項７】
ガス入口部材（７）が、水平な延在面全体に分散して配置されたハンガー（６）により保持装置（３）に固定されており、ハンガー（６）は鉛直方向に吊下点（６’）から保持装置（３）まで延在していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項８】
ガス入口部材（７）と保持装置（３）の間にある鉛直方向の間隙空間に１又は複数の熱障壁（１０）が配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項９】
温度制御装置（１１）により形成された熱障壁が保持装置（３）の直ぐ隣にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項１０】
２つの直ぐ隣にある吊下点（６’）が、最大でガス入口部材の円等価対角線の５分の１ほど互いに離間していることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項１１】
保持装置（３）が、鉛直方向に延在するセル壁（４，５）と水平なセル面とをもつセル構造を有し、セル面は保持装置（３）のベース面の最大で２５分の１、好適には最大で１００分の１であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置。
【請求項１２】
保持装置（３）が、温度制御装置（１１，１２）の補助により均一な温度に維持されることにより、保持装置の最低温度点が保持装置の最高温度点と最大で５℃だけ異なることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月22日(2018.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬物送達装置であって、
第１端部（１０６）および第２端部（１０８）を有するボア（１０４）を含むリザーバ（１０２）と、第１端部（１０６）と第２端部（１０８）との間のボア（１０４）内で移動可能なプランジャ（１１２）を含むプランジャアセンブリ（１１０）と、
カニューレ（１１４）がリザーバ（１０２）と流体連通して接続される動作状態を有するカニューレ（１１４）と、
プランジャ（１１２）を第１端部（１０６）と第２端部（１０８）との間で移動させるようにプランジャアセンブリ（１１０）に連結される駆動部（１１６）と、
リザーバ（１０２）の第１端部（１０６）と第２端部（１０８）との間のプランジャ（１１２）の移動を選択的に制限するように構成された係止部（１１８）と、
リザーバ（１０２）、駆動部（１１６）および係止部（１１８）がハウジング（１２２）内に少なくとも部分的に配置されたハウジング（１２２）と、
ハウジング（１２２）に対して移動するように動作可能に連結された近接センサ（１２０）と、を含み、近接センサ（１２０）は、近接センサ（１２０）がハウジング（１２２）から延びる第１センサ状態と、近接センサ（１２０）が第１センサ状態に対して患者の皮膚へのハウジングの適用時にハウジング（１２２）側に後退する第２センサ状態とを有し、近接センサ（１２０）が第１センサ状態にある場合、係止部（１１８）はプランジャアセンブリ（１１０）の移動を制限する、薬物送達装置。
【請求項２】
近接センサが第１センサ状態にある場合、係止部が、動作線に沿って移動し、かつ、プランジャアセンブリおよび駆動部のいずれかに動作可能に連結されるプレートの壁を含み、任意に、プレートが、係止部の壁を形成する第１端部と、近接センサを形成する第２端部とを有する、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項３】
近接センサが第１センサ状態にある場合、係止部が、枢軸を中心に移動し、かつ、プランジャアセンブリおよび駆動部のいずれかに動作可能に連結されるレバーの壁を含み、任意に、レバーが、ハウジング内に配置可能で、かつ係止部の壁を形成する第１端部と、ハウジングの外側に配置され、かつ近接センサを形成する第２端部とを有する、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項４】
駆動部がばねを含み、近接センサが第１センサ状態にある場合、係止部がプランジャおよびばねのいずれかに選択的に連結される、請求項１から３のいずれか一項に記載の薬物送達装置。
【請求項５】
プランジャアセンブリが、
プランジャに取り付けられたプランジャアームを含み、
係止部がプランジャアセンブリに連結される場合に、係止部の壁が、プランジャの移動を制限するようにプランジャアームに当接し、
近接センサが壁に連結され、近接センサが第１センサ状態にある場合、前記壁はプランジャアームに当接し、近接センサが第２センサ状態にある場合、前記壁はプランジャアームから離間される、請求項２から４のいずれか一項に記載の薬物送達装置。
【請求項６】
係止部がプランジャアセンブリに連結された場合、係止部の壁がプランジャの移動を制限するようにばねに当接し、
近接センサが壁に取り付けられ、近接センサが第１センサ状態にある場合、前記壁はばねに当接し、近接センサが第２センサ状態にある場合、前記壁はばねから離間される、請求項４に記載の薬物送達装置。
【請求項７】
駆動部がガス源を含み、近接センサが第１センサ状態にある場合、係止部が、ガス源からの正圧を排出するようにガス源に動作可能に連結される通気口を含む、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項８】
通気口が封止部および通気カニューレを含み、近接センサが第１センサ状態にある場合、通気カニューレが封止部を穿孔する、請求項７に記載の薬物送達装置。
【請求項９】
近接センサの移動が通気レバーを介して通気カニューレに伝達されるように、通気カニューレに接続された第１端部と近接センサに接続された第２端部とを有する通気レバーをさらに含む、請求項８に記載の薬物送達装置。
【請求項１０】
係止部がリザーバとカニューレとの間に配置された弁を含み、弁は開放状態と閉鎖状態との間で移動可能であり、近接センサが第１センサ状態にある場合に閉鎖状態を占め、近接センサが第１センサ状態にある場合に弁を閉鎖状態に位置決めするための、近接センサおよび弁に接続されたコントローラをさらに含む、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項１１】
リザーバとカニューレとの間に配置された可撓性のある流体ラインをさらに含み、近接センサが第１センサ状態にある場合、係止部が可撓性のある流体ラインを狭持する可動プレートを含む、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項１２】
係止部が壁を含み、近接センサが第１センサ状態にある場合、カニューレの第１端部が壁内に存在してリザーバと流体連通せず、カニューレの第１端部が、近接センサが第２センサ状態にある場合、壁を貫通してリザーバと流体連通する、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項１３】
壁内に存在するようにカニューレの第１端部を付勢する付勢部材をさらに含む、請求項１２に記載の薬物送達装置。
【請求項１４】
近接センサが第２センサ状態にある場合にプランジャアセンブリに選択的に連結され、近接センサが第１センサ状態にある場合にプランジャアセンブリに対して選択的に分離されるインジケータをさらに含む、請求項１に記載の薬物送達装置。
【請求項１５】
プランジャアセンブリがプランジャに取り付けられたプランジャアームを含み、インジケータが、係合および脱係合するように移動可能な少なくとも１つのギヤを有するギヤ列を介してプランジャアームに機械的に連結され、近接センサが、少なくとも１つのギヤを脱係合するように移動させ、かつ近接センサが第１センサ状態にある場合にインジケータをプランジャアームから分離させるように、少なくとも１つのギヤに連結される、請求項１４に記載の薬物送達装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月25日(2018.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の下錐体静脈洞（ＩＰＳ）に配備されるように構成されたシャントであって、
前記ＩＰＳを介して患者の小脳橋（ＣＰ）角槽へ導入されて配置されるように構成された遠位部であって、該ＣＰ角槽が脳脊髄液（ＣＳＦ）を含んでいる遠位部と、
患者の頸静脈（ＪＶ）内またはその近くに配置されるように構成された近位部と、
前記遠位部から前記近位部まで延びるルーメンであって、前記遠位部内の１以上のＣＳＦ取り入れ開口と、前記近位部内のＣＳＦ流出開口とに連通するルーメンとを具え、
前記シャントの遠位部がＣＰ角槽内に配置され、且つ前記シャントの近位部がＪＶ内かその近くに配置された状態で前記シャントがＩＰＳ内に配備されたときに、ＣＳＦがＣＰ角槽から前記１以上のＣＳＦ取り入れ開口、シャントルーメンおよびＣＳＦ流出開口をそれぞれ通ってＪＶに流れることを特徴とするシャント。
【請求項２】
請求項１に記載のシャントにおいて、さらに、前記ルーメン内に配置されるか、または前記ＣＳＦ流出開口にわたって連結されるバルブを具え、前記ＣＰ角槽から前記シャントルーメンを通ってＪＶ内へと流れるＣＳＦは前記バルブを通って流れることを特徴とするシャント。
【請求項３】
請求項２に記載のシャントにおいて、前記バルブおよびシャントルーメンは、患者のＣＰ角槽と静脈系の間における通常の差圧条件下で、前記シャントルーメンを通る毎時５ｍｌから毎時１５ｍｌのＣＳＦの目標流速を達成するように構成され寸法決めされることを特徴とするシャント。
【請求項４】
請求項２に記載のシャントにおいて、前記バルブは、３ｍｍＨｇから５ｍｍＨｇの範囲のＣＰ角槽とＪＶの間の差圧で開くように構成されることを特徴とするシャント。
【請求項５】
請求項１に記載のシャントにおいて、前記シャントがさらに、前記遠位部から前記近位部まで延びる管状の本体部分をさらに備え、当該管状の本体部分は、ポリマー材料を含むことを特徴とするシャント。
【請求項６】
請求項１に記載のシャントにおいて、前記シャントの前記遠位部分は、ＣＰ角槽に導入された後に、折り畳まれた送達構成から拡張した展開構成へと自己拡張することを特徴とするシャント。
【請求項７】
請求項１に記載のシャントにおいて、前記シャントの遠位部は、当該シャントの遠位部をＣＰ角槽内に固定するように構成された遠位固着機構を具えることを特徴とするシャント。
【請求項８】
請求項７に記載のシャントにおいて、前記遠位固着機構は、前記１以上のＣＳＦ取り入れ開口をＣＰ角槽のクモ膜層から分離し、離し、および／または離れる方へ向けて維持するように構成されていることを特徴とするシャント。
【請求項９】
正常圧水頭症を含む水頭症および／または高い頭蓋内圧の治療システムであって、前記システムは、
患者の下錐体静脈洞（ＩＰＳ）に配備されるように構成されたシャントであって、
前記ＩＰＳを介して患者の小脳橋（ＣＰ）角槽へ導入されて配置されるように構成された遠位部であって、前記ＣＰ角槽が脳脊髄液（ＣＳＦ）を含んでいる遠位部と、
患者の頸静脈（ＪＶ）内またはその近くに配置されるように構成された近位部と、
前記遠位部から前記近位部まで延びるルーメンであって、前記遠位部内の１以上のＣＳＦ取り入れ開口と、前記近位部内のＣＳＦ流出開口とに連通するルーメンとを具え、
前記シャントの遠位部がＣＰ角槽内に配置され、且つ前記シャントの近位部がＪＶ内かその近くに配置された状態で前記シャントがＩＰＳ内に配備されたときに、ＣＳＦがＣＰ角槽から前記１以上のＣＳＦ取り入れ開口、シャントルーメンおよびＣＳＦ流出開口をそれぞれ通ってＪＶに流れる、シャントと、
静脈アクセスポイントを介して患者の体内に導入し、前記シャントをＩＰＳ内へと操縦するように構成された送達システムとを具えることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムにおいて、前記送達システムが組織貫通遠位先端を有する送達カテーテルを具え、当該送達カテーテルは、送達カテーテルルーメンと、当該送達カテーテルルーメンと連通する開放遠位端とを具え、前記送達カテーテルルーメンは前記シャントをＩＰＳ内に配備するために運ぶように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムにおいて、さらに、前記送達カテーテルの遠位部に連結され、前記組織貫通遠位先端がＣＰ角槽内で遠位に進められる距離を制限する貫通止めを具えることを特徴とするシステム。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシステムにおいて、前記送達カテーテルは、前記組織貫通先端を硬膜組織と３０度から９０度の範囲の角度で接触させるように誘導する、ＩＰＳ内の湾曲構造をとるように構成された遠位部を具えることを特徴とするシステム。
【請求項１３】
請求項１０に記載のシステムにおいて、前記送達カテーテルは、前記組織貫通先端の軌道を示すように設けられ寸法決めされた１以上のＸ線不透過性マーカーを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項９に記載のシステムにおいて、さらに、前記ルーメン内に配置されるか、または前記ＣＳＦ流出開口にわたって連結されるバルブを具え、前記ＣＰ角槽から前記シャントルーメンを通ってＪＶ内へと流れるＣＳＦは前記バルブを通って流れることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムにおいて、前記バルブおよびシャントルーメンは、患者のＣＰ角槽と静脈系の間における通常の差圧条件下で、前記シャントルーメンを通る毎時５ｍｌから毎時１５ｍｌのＣＳＦの目標流速を達成するように構成され寸法決めされることを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１４に記載のシステムにおいて、前記バルブは、３ｍｍＨｇから５ｍｍＨｇの範囲のＣＰ角槽とＪＶの間の差圧で開くように構成されることを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項９に記載のシステムにおいて、前記シャントがさらに、前記遠位部から前記近位部まで延びる管状の本体部分をさらに備え、当該管状の本体部分は、ポリマー材料を含むことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生検位置において組織内にマーカーを挿入する器具であって、
ブラインドボアが内部に形成された長いプランジャ、
前記ブラインドボア内に収容され固定される近位端部を有し、前記プランジャとともに動くプランジャロッド、
前記プランジャロッドの遠位端部を収容するルーメンを有する長いカニューレ、
前記カニューレの遠位端部付近の前記カニューレの内側表面に形成された停止部材、
を有し、
前記カニューレは、前記マーカーが前記カニューレの前記ルーメンから射出される側面開口を有し、
前記側面開口は、前記停止部材の遠位側に配置されており、
前記器具は、さらに、
前記側面開口と通じるように形成され、前記ルーメンから射出される前記マーカーの角度を制御する予め選択された傾斜面を有するランプ部、および、
前記プランジャロッドの前記遠位端部に固定され、前記プランジャロッドにより規定される長手方向軸に沿って前記プランジャロッドに対して軸方向に延長するスプリング、
を有し、
前記スプリングの近位端部に接触した前記プランジャロッドにより、前記プランジャロッドの近位から遠位への移動が、前記プランジャロッドと前記マーカーとの間の前記スプリングの圧縮を生じ、これにより、前記マーカーを前記スプリングにより前記停止部材を通過させる
ことを特徴とする器具。
【請求項２】
前記停止部材は、環状のシワ（ｃｒｉｍｐ）である請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記停止部材は、前記カニューレ内に形成された少なくとも２つのディンプルにより形成されている請求項１に記載の器具。
【請求項４】
前記少なくとも２つのディンプルは、等間隔に、かつ円周方向に離隔された相互関係に配置されている請求項３に記載の器具。
【請求項５】
前記少なくとも２つのディンプルは、相互に略９０°離隔された２つのディンプルを含む請求項４に記載の器具。
【請求項６】
前記少なくとも２つのディンプルは、２つから８つの間のディンプルを含む請求項３に記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側部分、側方部分、側方端及び移行領域を有する修復布のパッチであって、前記内側部分は第１組織面に位置するように構成され、前記側方部分は、前記第１組織面からずれた第２組織面に位置するように構成され、前記移行領域は、前記第１組織面及び前記第２組織面の面を分離する組織及び／又は筋肉の開口部を通って位置するように構成される、修復布のパッチと、
前記パッチの展開を助ける、及び／又は、拡張した構成で前記パッチを保持するための、前記内側部分、前記側方部分及び前記移行領域に沿って配置された支持部材であって、当該支持部材は、前記パッチの前記移行領域に関連づけられた移行部分を備え、当該移行部分は、前記パッチの前記側方端から少なくとも２．５ｃｍ〜少なくとも５．１ｃｍに配置され、かつ、４．２ｃｍを超えない外幅を有する、支持部材と、を備える、鼠径ヘルニアを改善するための埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２】
前記支持部材の前記移行部分は２．５ｃｍ〜４．０ｃｍの外幅を有する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３】
前記パッチの前記側方端から少なくとも２．５ｃｍ〜少なくとも３．８ｃｍに配置された前記移行部分の一部が、３．７ｃｍを超えない外幅を有する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項４】
前記支持部材の前記移行部分の前記一部のが２．５ｃｍ〜３．５ｃｍの外幅を有する、請求項３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項５】
前記移行領域が、前記パッチに沿って長手方向に延び、前記支持部材の前記移行部分が長手方向に２．５ｃｍの長さを有する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項６】
前記移行部分が、前記パッチの前記側端から２．５ｃｍ〜５．１ｃｍにわたって延在する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項７】
前記側方部分が０．０４ｐｓｉ〜０．０９ｐｓｉの剛性を有する、請求項６に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項８】
前記側方部分が０．０４ｐｓｉ〜０．０７ｐｓｉの剛性を有する、請求項６に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項９】
前記移行部分が前記パッチの前記移行領域に相当する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１０】
前記支持部材が前記パッチを実質的に包囲している、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１１】
前記支持部材が、その実質的部分に沿う凸状部分と、前記内側部分に沿って延在する凸状部分と、前記移行領域の少なくとも一部に沿って延在する一対の凹状部分と、を有する、請求項１０に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１２】
前記支持部材が、それらの間に中断部を形成するように離間した第１端部及び第２端部を有する、請求項１１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１３】
前記パッチが、長軸及び短軸を有する長円形の構成を有する、請求項１２に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１４】
前記パッチが側端を有し、前記中断部が前記長軸の側端に配置される、請求項１３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１５】
前記凹状部分が短軸と側端との間に配置される、請求項１４に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１６】
前記内側部分が前記側方部分よりも広い、請求項１３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１７】
前記内側部分に沿った前記支持部材の一部が、前記支持部材の前記移行部分よりも大きい外幅を有する、請求項１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１８】
前記側方部分に沿った前記支持部材の一部が、前記支持部材の前記移行部分よりも小さい外側幅を有する、請求項１７に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項１９】
内側部分と側方部分とを有する修復布のパッチを有し、前記内側部分は第１組織面に位置するように構成され、前記側方部分は、前記第１組織面からずれて組織及び／又は筋肉によって分離される第２組織面に位置するように構成され、前記側方部分は０．０４ｐｓｉ〜０．０９ｐｓｉの剛性を有する、鼠径ヘルニアを改善するための埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２０】
前記側方部分は０．０４ｐｓｉ〜０．０７ｐｓｉの剛性を有する、請求項１９に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２１】
前記パッチが、前記第１組織面及び前記第２組織面を分離する組織及び／又は筋肉を通って延在するように構成された移行領域を有する、請求項１９に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２２】
前記パッチの展開を助ける、及び／又は、拡張した構成で前記パッチを保持するために、前記内側部分、前記側方部分及び前記移行領域に沿って配置された支持部材をさらに備える、請求項２１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２３】
前記支持部材が、前記移行領域に関連づけられた前記パッチの一部に沿って延在する移行部分を有し、前記移行部分は２．５ｃｍ〜４．０ｃｍの外幅を有する、請求項２２に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２４】
前記支持部材の移行部分は２．５ｃｍ〜３．５ｃｍの外幅を有する、請求項２３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２５】
前記移行領域が前記パッチに沿って長手方向に延在し、前記支持部材の前記移行部分が長手方向に２．５ｃｍの長さを有する、請求項２３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２６】
前記パッチが側端を有し、前記支持部材の前記移行部分が前記パッチの側端から少なくとも２．５ｃｍに配置される、請求項２３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２７】
前記移行部分が、前記パッチの側端から２．５ｃｍ〜５．１ｃｍにわたって延在している、請求項２６に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２８】
前記移行部分が前記パッチの前記移行領域に相当する、請求項２７に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項２９】
前記支持部材が前記パッチを実質的に包囲している、請求項２７に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３０】
前記支持部材が、その実質的部分に沿う凸状部分と、前記内側部分に沿って延在する凸状部分と、前記移行領域の少なくとも一部に沿って延在する一対の凹状部分と、を有する、請求項２９に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３１】
前記支持部材が、それらの間に中断部を形成するように離間した第１端部及び第２端部を有する、請求項３０に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３２】
前記パッチが、長軸及び短軸を有する楕円形の構成を有する、請求項３１に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３３】
前記パッチが側端を有し、前記中断部が前記長軸の側端に位置している、請求項３２に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３４】
前記凹状部分が前記短軸と前記側端との間に配置される、請求項３３に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【請求項３５】
前記内側部分が前記側方部分よりも広い、請求項３２に記載の埋め込み型プロテーゼ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月2日(2018.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化ビニリデンポリマーから製造される平膜の形態にある疎水性膜であって、前記膜は、壁厚を有する壁、第１の表面及び第２の表面を有し、
前記膜は、前記第１の表面上に、開放細孔を有する網目構造を有し、前記第２の表面上に、細孔が形成された連続的スキンを有し、
前記第２の表面の前記スキンに隣接する前記膜が、前記壁厚を横切って実質的に等方性である、開放気孔性の、微多孔質の、かつスポンジ状の細孔構造を有する支持層を有し、前記支持層は、前記壁厚の少なくとも８０％に亘って延在しており、平均直径が１μｍ未満である細孔を含む膜において、
前記膜を形成する前記フッ化ビニリデンポリマーは、重量平均分子量ＭＷが３０００００〜５０００００ダルトンの範囲にあり、重量平均分子量ＭＷと数平均分子量ＭＮとの比によって与えられる多分散度ＭＷ／ＭＮは、５．５より大きく、
前記第２の表面の前記スキン中の細孔は、前記スキンの平面中で閉じた周囲長を有し、その最長の軸の方向における伸長の、その最短の軸の方向における伸長に対する平均比が、多くとも５であり、かつ前記第１の表面及び前記第２の表面中の細孔は、表面に対して垂直に見たときに、それらの向きの本質的に等方性の分布を有し、
前記膜の多孔度は、５０〜９０体積％の範囲にあり、壁厚は、５０〜３００μｍの範囲にあり、
前記膜は、最大分離孔径ｄｍａｘが、バブルポイント法に従って測定して、０．０５〜１．５μｍの範囲にあることを特徴とする、膜。
【請求項２】
イソプロピルアルコールの膜貫通流量が、２５℃で測定して、３〜１５ｍｌ／ｃｍ２・分・バール）の範囲にあることを特徴とする、請求項１に記載の膜。
【請求項３】
水蒸気の膜貫通流量が、平膜モジュールにより、膜面積４０ｃｍ２、塩水循環路温度８０℃、及び蒸留物循環路温度３０℃、前記循環路における体積流量２００ｌ／ｈ、入口から平膜モジュールまでの前記循環路における圧力レベル５００ミリバール、及び前記塩循環路における塩濃度３６ｇ／ｌで測定して、少なくとも３５ｌ／（ｍ２・ｈ）であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜。
【請求項４】
最大分離孔径ｄｍａｘが、０．１〜１．０μｍの範囲にあることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜を、フッ化ビニリデンのホモポリマー又はコポリマーから製造する方法であって、少なくとも
ａ）８０〜７０重量％の溶媒系中、少なくとも１種のフッ化ビニリデンポリマーから製造される２０〜３０重量％のポリマー成分の均質なキャスト溶液を用意するステップであって、前記ポリマー成分及び溶媒系の前記キャスト溶液が、冷却時に、脱混合臨界温度及び固化温度、並びに凝集の液体状態における前記脱混合臨界温度未満の混和度ギャップを有し、かつ、前記溶媒系が、液体であって溶解温度にて互いに均質に混合され得る化合物Ａ及び化合物Ｂを含有し、かつ、ポリマー成分のための溶媒が化合物Ａとして選択され、化合物Ｂがポリマー成分のための非溶媒であるステップと、
ｂ）キャスト溶液を、脱混合臨界温度より高いツール温度を有する成形ツール中で、第１の表面及び第２の表面を有するフィルムへと形成するステップと、
ｃ）前記フィルムの第１の側を調節可能な担体上に配置し、これを固化温度未満の冷却温度へと調節し、その結果、ポリマーに富む相とポリマーに乏しい相とへの熱力学的非平衡液−液相分離が起きるような速度にて、前記調節可能な担体を介して前記フィルムが冷却され、続いて固化温度未満になると前記ポリマーに富む相の固化が起きて膜構造を形成するステップと、同時に、
ｄ）前記フィルムの前記第２の表面を気体雰囲気と接触させるステップと、
ｅ）形成された膜構造を有するフィルムを担体から引っ張るステップと、
ｆ）前記溶媒系の少なくとも一部を前記フィルムから除去して平膜を得るステップとを含む方法において、
前記ポリマー成分が、重量平均分子量ＭＷが３０００００〜５０００００ダルトンの範囲にあり、重量平均分子量ＭＷと数平均分子量ＭＮとの比により与えられる多分散度ＭＷ／ＭＮが５．５より大きいことを特徴とする、方法。
【請求項６】
グリセリルトリアセテート、グリセリルジアセテート、２−（２−ブトキシエトキシ−）エチルアセテート、フタル酸ジブチル、アジピン酸ジエチルエステル、アジピン酸ジブチルエーテル、ブチルジグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、グリコールジアセテート、炭酸プロピレン、ブチロラクトン若しくはε−カプロラクタム、又は挙げられた化合物の混合物が、化合物Ａとして使用されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
アジピン酸ジオクチル、グリセリルモノアセテート、グリセロール、グリコール、ジグリコール若しくはヒマシ油、又はこれらの混合物が、化合物Ｂとして使用されることを特徴とする、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記気体雰囲気が、２０〜２５℃の範囲の温度を有することを特徴とする、請求項５〜７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にゴム完成物品を補強するために用いることができる補強製品であって、１つまたは複数の繊維または金属の補強スレッドを含み、前記スレッドが熱可塑性ポリマー組成物を含むシースで覆われ、前記シースで覆われたスレッド自体がコーティングゴムと称されるゴム組成物中に埋め込まれており、このコーティングゴムが、ｐｈｒ（エラストマー１００質量部あたりの質量部）で表わした硫黄と補強フィラーの量の比が０．０８未満である、少なくとも１種のジエンエラストマーと、補強フィラーと、硫黄系加硫系とをベースとする組成物であることを特徴とする、補強製品。
【請求項２】
前記コーティングゴム組成物が、硫黄と補強フィラーの量の比が０．０６以下である、請求項１に記載の補強製品。
【請求項３】
前記コーティングゴム組成物が３．５分未満の「ｔ０」と称される加硫開始時間を有する加硫促進剤を含む、請求項１または２に記載の補強製品。
【請求項４】
前記コーティングゴム組成物が、ｐｈｒで表わした金属酸化物とステアリン酸誘導体の含量の比が７未満である量で金属酸化物とステアリン酸誘導体を含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項５】
前記コーティングゴム組成物が７ｐｈｒ未満の含量で金属酸化物を、また１ｐｈｒを超える含量でステアリン酸誘導体を含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項６】
前記コーティングゴム組成物がコバルト塩を含まない、請求項１から５までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項７】
前記コーティングゴム組成物のジエンエラストマーが主として天然ゴム、合成ポリイソプレンまたはそれらの混合物からなる群から選択されるエラストマーを含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項８】
前記コーティングゴム組成物が２０〜８０ｐｈｒの補強フィラーを含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項９】
前記補強スレッドが金属スレッドである、請求項１から８までのいずれか１項に記載の補強製品。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の補強製品を含むタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月24日(2018.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
家具のスライディングドアの戸ための減衰または戻り装置（１）であって、反対の極性を有し、相互に連結された第１及び第２の部分（６ａ、６ｂ）を備える直径方向に分極した環状部材によって構成される、磁石（６）の中で、摺動可能で、軸方向に相互作用する鋼のピン（２）を備える装置。
【請求項２】
多角形の胴部（４）は、実質的に、Ｖ字型または丸まった先端部（５）を前記第１のヘッド（３）から軸方向に、突き出し、平面において多角形の第１のヘッド（３）と一体の、鋼で作られた、ピン（２）によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記鋼のピン（２）の前記胴部（４）は、減衰素子（７）と対照的に動くことを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
環状部材によって構成され、前記ピン（２）の前記胴部（４）と相補的な形状の磁石（６）を備え、前記環状部材は、開口する２つの端部を有し、または、２つの内１つは閉じていることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記ピン（２）の前記胴部（４）は、滑り摩擦なしに、前記磁石（６）の中に、摺動可能で軸方向に配置されることができることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記磁石（６）は直径方向に分極され、磁気の観点から、前記ピン（２）の前記胴部（４）がその中に挿入された状態で、一緒に連結され、相互に同一で、反対の極性を有する、第１の半分の環状部材（６ａ）と第２の半分の環状部材（６ｂ）に分けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の半分の環状部材（６ａ）はＮ極を有し、前記第２の半分の環状部材（６ｂ）はＳ極を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記減衰素子（７）は、前記直径方向に分極した磁石（６）の中に配置される少なくとも１つのバネによって構成され、前記減衰素子（７）は、前記直径方向に分極した磁石（６）の内側または外側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記減衰素子（７）の長さは、前記直径方向に分極した磁石（６）の長さより短く、前記ピン（２）の前記先端部（５）に向かって移動される前記減衰素子の端部（８）において、前記磁石（６）の中を滑ることができる挿入部（１０）の相補的な形状の胴部（９）は、軸方向に挿入され、前記挿入部（１０）は、前記ピン（２）の前記先端部（５）と相補的な形状の第２のヘッド（１１）を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記減衰素子（７）は、前記第１のヘッド（３）と結合し、半径方向に突き出る第１の付属品（１２）と結合し、直角に突き出ており、前記減衰素子（７）は、実質的に前記胴部（４）の前記自由終端（５）の方向で前記胴部（４）と平行に配置され、前記減衰素子（７）の自由終端（８）は、前記磁石（６）を形成する前記第１または第２の半分の環状部材（６ａ、６ｂ）の１つから半径方向に突き出る第２の付属品（１３）に隣接して相互作用することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月29日(2018.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも５０重量％のプロピレンを含む、少なくとも４０重量％の未変性の半結晶性プロピレンポリマーと、
第１の非官能化ワックス及び前記第１の非官能化ワックスと異なる第２の非官能化ワックスを含む、少なくとも１５重量％の非官能化ワックスと、
８重量％以下のエチレン−エチレン性不飽和エステルコポリマーと、
を含む、ホットメルト接着剤組成物。
【請求項２】
少なくとも５０重量％のプロピレンを含む、少なくとも４０重量％の未変性の半結晶性プロピレンポリマーと、
少なくとも１５重量％の非官能化ワックスと、
０重量％〜１０重量％以下の官能化ワックスと、
１重量％〜１０重量％の、スチレンを含むエラストマー性ブロックコポリマーと、
を含む、ホットメルト接着剤組成物。
【請求項３】
少なくとも５０重量％のプロピレンを含む、少なくとも５５重量％の半結晶性プロピレンポリマーと、
ホットメルト接着剤組成物の重量に対して０重量％〜１０重量％以下の官能化ワックスを含む、２０重量％超のワックスと、
を含み、
２秒以下の硬化時間を示す、ホットメルト接着剤組成物。
【請求項４】
前記ワックスが
第１のワックス、及び、
前記第１ワックスと異なる第２のワックス
を含む、請求項３に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項５】
５５重量％〜約７０重量％の未変性の半結晶性プロピレンポリマーと、
約２０重量％〜約３５重量％の非官能化ワックスと、
０重量％〜約１０重量％の官能化ワックスと、
を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項６】
２０重量％超の非官能化ワックスを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項７】
前記未変性の半結晶性プロピレンポリマーの融解熱が１５Ｊ／ｇ〜５０Ｊ／ｇ以下である、請求項１、２及び４〜６のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項８】
４℃で５０％超の繊維断裂率、及び、６０℃で５０％超の繊維断裂率、並びに、１．５秒以下の硬化時間を示す、請求項１〜７のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項９】
前記未変性の半結晶性プロピレンポリマーが、未変性の、メタロセン触媒によるプロピレンコポリマー、未変性の、非メタロセンヘテロアリール触媒によるプロピレンコポリマー又はこれらの組み合わせを含む、請求項１、２及び４〜８のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のホットメルト接着剤組成物と、
繊維を含む第１の基材と、
繊維を含む第２の基材と、
を含むパッケージであって、
前記第２の基材が前記接着剤組成物によって前記第１の基材と接合されている、パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月27日(2018.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2017538836.tif 000001
［式中、
それぞれのＲ１は、アルキル又はＨであり、
それぞれのＲ２は、Ｈ、アルキル基、アリール基又はベンゾオキサジン基であり、
ｙは、１〜４であり、
Ｒarylは、２００℃を超える沸点を有するアリールアミンから誘導され、
Ｎ−Ｂｚは、窒素連結ベンゾオキサジン基を表し、
ｚは、０〜３である。］
の硬化性ベンゾオキサジン、並びに
チオール化合物、アミン化合物及びこれらの組み合わせの群から選択される硬化剤を含む、硬化性組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（２）と、該ハウジング（２）内に配置された碍子（３）と、該碍子（３）内に配置された中心電極（１０）と、前記ハウジング（２）に配置された接地電極（５）とを有する点火プラグ（１）であって、前記接地電極（５）と前記中心電極（１０）とは互いに、前記接地電極（５）と前記中心電極（１０）とが火花ギャップを形成するように配置されており、前記中心電極（１０）は電極ヘッド（４）で以って、前記碍子（３）の内側に構成された座部（３ａ）上に載っており、前記中心電極（１０）が、電極ベース体（１１）と該電極ベース体（１１）内に配置されたコア（１２）とを有しており、該コア（１２）は、前記電極ベース体（１１）の材料よりも高い熱伝導率を有する材料より成っている形式のものにおいて、
前記電極ベース体（１１）が、１．７ｍｍより大きくない直径（ｄＥ）を有しており、
前記中心電極（１０）が、少なくとも１つの第１の領域（１５）を有しており、該第１の領域（１５）内で前記電極ベース体（１１）と前記コア（１２）とがそれぞれ一定の直径を有しており、
少なくとも１つの前記第１の領域（１５）内において、前記コア（１２）の横断面が前記中心電極（１０）の全横断面の少なくとも２０％に相当する
ことを特徴とする点火プラグ（１）。
【請求項２】
前記碍子（３）が、該碍子（３）の内側に形成された前記座部（３ａ）の領域に２ｍｍより小さくない壁厚を有している
ことを特徴とする請求項１記載の点火プラグ（１）。
【請求項３】
少なくとも１つの前記第１の領域（１５）内において、前記コア（１２）の横断面が、前記中心電極（１０）の全横断面の最大で６５％に相当する
ことを特徴とする請求項１または２記載の点火プラグ（１）。
【請求項４】
前記電極ベース体（１１）が、少なくとも０．１５ｍｍの周壁厚さｃを有している
ことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項記載の点火プラグ（１）。
【請求項５】
前記電極ベース体（１１）の燃焼室側の端部（１６）において、前記電極ベース体（１１）の前記端部（１６）と、前記コア（１２）の燃焼室に面した端部（１７）との間の間隔ｂが、３．５ｍｍより大きくない
ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の点火プラグ（１）。
【請求項６】
少なくとも１つの前記第１の領域（１５）が、前記電極ベース体（１１）の直径よりも長い
ことを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項記載の点火プラグ（１）。
【請求項７】
前記コア（１２）の横断面と前記電極ベース体（１１）の横断面とが同じ形状を有している
ことを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項記載の点火プラグ（１）。
【請求項８】
前記電極ベース体（１１）が、ニッケル含有合金を有している
ことを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項記載の点火プラグ（１）。