【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化された構造を形成する方法であって、
基板上にグラフェン層を形成する工程と、
前記グラフェン層に結合したパターン化された層を形成する工程と、
前記パターン化された層のパターンに従って前記基板から前記グラフェン層を分離する工程と
を有する、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記パターン化された層は前記グラフェン層上に形成される、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記基板から前記グラフェン層を分離する工程は、前記パターン化された層のパターンに従って前記グラフェン層部分を剥がす工程を有する、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記グラフェン層は、前記グラフェン層が前記基板から分離された後に、パターン化された層によって支持される、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記基板から前記グラフェン層を分離する工程は、前記グラフェン層から前記基板をデカップリングする工程を有する、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記基板から前記グラフェン層を分離する工程は、前記基板をエッチングする工程、泡転写工程、機械的分離工程、またはこれらの組合せを有する、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記基板から前記グラフェン層を分離する工程は、前記グラフェン層のエッチングを必要とし、または伴うものではない、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記グラフェン層はグラフェン単層またはグラフェンの連続層を有する、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、前記基板は触媒膜を有する、方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、前記触媒膜はＣｕ、Ｎｉ、またはＰｔ箔を有する、方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法において、前記基板上にグラフェン層を形成する工程は、化学蒸着を用いて前記グラフェン層を付着する工程を有する、方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、前記パターン化された層を形成する工程は、レーザー印刷、インクジェット印刷、３Ｄ印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、ナノインプリントリソグラフィ、またはこれらの任意の組み合わせを有する、方法。
【請求項１３】
請求項１記載の方法において、前記パターン化された層を形成する工程は材料の選択的焼結を有する、方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法において、前記パターン化された層を形成する工程は、液体結合材料を粉末床層に選択的に付着する工程を有する、方法。
【請求項１５】
請求項１記載の方法であって、さらに、前記基板から前記グラフェン層を分離する工程の前に、前記パターン化された層上に材料の層を形成する工程を有する、方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、前記材料の層はパターン化されていない、方法。
【請求項１７】
請求項１記載の方法であって、さらに、前記分離されたグラフェン層をベース基板上に接着させる工程を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、前記分離されたグラフェン層は前記ベース基板上の前記パターン化された層に接着される、方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の方法において、前記ベース基板はパターン化された、またはパターン化されていない材料の層を有する、方法。
【請求項２０】
パターン化された構造であって、
パターン化された層と、
前記パターン化された層に結合し、かつ前記パターン化された層のパターンに従って基板から分離されたグラフェン層と
を有する、パターン化された構造。
【請求項２１】
請求項２０記載のパターン化された構造において、前記パターン化された層は前記基板から分離されたグラフェン層の支持を行う、パターン化された構造。
【請求項２２】
請求項２０記載のパターン化された構造において、前記分離されたグラフェン層は前記パターン化された層と同じパターンを有する、パターン化された構造。
【請求項２３】
請求項２０記載のパターン化された構造において、前記パターン化された構造は自立構造である、パターン化された構造。
【請求項２４】
請求項２０記載のパターン化された構造において、前記パターン化された構造はベース基板に結合するよう構成される、パターン化された構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
したがって、成長触媒から別の表面へグラフェンを転写することが出来る方法が必要である。グラフェンの他にも（例えば、多層グラフェン、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、他の遷移金属ダイカルコゲナイドや、同様のもの）より改善された膜転写方法が求められている材料が存在する。本開示はこれらや他の重要なニーズに向けられるものである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２０１３／００９８５４０号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＭＥＩＴＬ，Ｍｅｔ  ａｌ．，"Ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｂｙ  ｋｉｎｅｔｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｔｏ  ａｎ  ｅｌａｓｔｏｍｅｒｉｃ  ｓｔａｍｐ"，Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  １１，２００５，Ｎａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．５，Ｊａｎｕａｒｙ  ２００６，［ｏｎｌｉｎｅ），［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｏｎ  ２０１５−０７−０９］．Ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔ：  <ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｒｏｇｅｒｓ．ｍａｔｓｅ．ｉｌｌｉｎｏｉｓ．ｅｄｕ／ｆｉｌｅｓ／２００６／ｎｍａｔ１５３２．ｐｄｆ>；  ｐａｇｅ  ３４，ｆｉｇｕｒｅ  ２ｃ；  ｐａｇｅ  ３５，ｐａｒａｇｒａｐｈ  ３，ｆｉｇｕｒｅｓ  ３ｂ−３ｄ．
（非特許文献２）  ＬＩ，Ｘ  ｅｔ  ａｌ．，"Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｇｒａｐｈｅｎｅ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｎ  Ｎｉ  ａｎｄ  Ｃｕ  ｂｙ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｉｓｏｔｏｐｅ  Ｌａｂｅｌｉｎｇ"，Ａｕｇｕｓｔ  ２７，２００９，Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ（２００９）９，４２６８−４２７２，［ｏｎｌｉｎｅ］．［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｏｎ  ２０１５−０７−０９）．Ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔ：  <ＵＲＬ：  >；  ｐａｇｅ  ４２６８，ａｂｓｔｒａｃｔ，ｆｉｇｕｒｅ  ２，ｐａｒａｇｒａｐｈ  ４；  ｐａｇｅ  ４２７１，ｐａｒａｇｒａｐｈ  ５．
（非特許文献３）  ＣＨＥＮ，Ｘ  ｅｔ  ａｌ．，"Ｔｈｅ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｏｆ  ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｇｒａｐｈｅｎｅ"，  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １４，２０１３，Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｒｅｐｏｒｔｓ，３，３２１６，ＤＯｌ：  １０．１０３８／ｓｒｅｐ０３２１６，［ｏｎｌｉｎｅ］，［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｏｎ  ２０１５−０７−０８］．Ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔ：  <ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎａｔｕｒｅ．ｃｏｍ／ｓｒｅｐ／２０１３／１３１１１４／ｓｒｅｐ０３２１６／ｐｄｆ／ｓｒｅｐ０３２１６．ｐｄｆ>；  ｐａｇｅ  ２，ｐａｒａｇｒａｐｈ  ２，ｆｉｇｕｒｅ  １．
（非特許文献４）  ＫＩＭ，Ｋ  ｅｔ  ａｌ．，"Ｌａｒｇｅ−ｓｃａｌｅ  ｐａｔｔｅｍ  ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  ｇｒａｐｈｅｎｅ  ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ"，  ５  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  ２００９，Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．４５７，７０６−７１０，ｄｏｉ：１０．１０３８／ｎａｔｕｒｅ０７７１９，［ｏｎｌｉｎｅ］，［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｏｎ  ２０１５−０７−０９］．Ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｍｅｔ：  <ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｐｈｙｓｉｃｓ．ｐｕｒｄｕｅ．ｅｄｕ／ｑｕａｎｔｕｍ／ｆｉｌｅｓ／ＣａｒｂｏｎＮａｎｏ／ｎａｔｕｒｅＯ７７１９．ｐｄｆ>；  ｐａｇｅ  ７０６，ｐａｒａｇｒａｐｈ  ２；  ｐａｇｅ  ７０７，ｆｉｇｕｒｅｓ  １ａ−１ｂ；  ｐａｇｅ  ７０８，ｐａｒａｇｒａｐｈｓ  １−２．
（非特許文献５）  ＬＩＡＮＧ，Ｘ  ｅｔ  ａｌ．，"Ｇｒａｐｈｅｎｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｖｉａ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ−Ｐｒｉｎｔｉｎｇ  Ｉｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ａｃｔｉｖｅ−Ａｒｅａｓ  ｏｎ  Ｌａｒｇｅ  Ｗａｆｅｒ"，  Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ（２００７）７，３８４０−３８４４，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １４，２００７．［ｏｎｌｉｎｅ］．［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｏｎ  ２０１５−０７−０９］．Ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ  ｆｒｏｍ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔ：  <ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｂｉｏｅｅ．ｅｅ．ｃｏｌｕｍｂｉａ．ｅｄｕ／ｃｏｕｒｓｅｓ／ｕｐｌｏａｄ／Ｂｉｂｌｉｏｇｒａｐｈｙ／ｌｉａｎｇ＿ｎａｎｏｌｅｔｔｅｒｓ＿２００７．ｐｄｆ>；  ｐａｇｅ  ３８４０，ｆｉｇｕｒｅ  １，ｐａｒａｇｒａｐｈｓ  ２−３；  ｐａｇｅ  ３８４１，ｐａｒａｇｒａｐｈｓ  ２−３．