【手続補正書】
【提出日】平成30年3月30日(2018.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
【表９】
2017513722.tif 000001
（ａ）％ＮＵは、標準偏差（Ｓｔｄ．Ｄｅｖ）を平均で除し、１００をかけたもの。
（ｂ）Ｎはサンプルサイズである。
（ｃ）支持面積は、サンプルの遠位端の面積をそのサンプルの突起したパッド面積で除し、１００をかけてパーセンテージとしたもの。
（ｄ）領域当たりそれぞれ、１個の突起部を有する、パッドの１６個の領域が測定された。
以下、本発明の態様について説明する。
〔項目１〕
作業表面、及び前記作業表面と反対側の第２表面を有する研磨層を備える研磨パッドであって、
前記作業表面は、複数の正確に成形された細孔、複数の正確に成形された突起部、及びランド領域を含み、
各細孔は細孔開口部を有し、各突起部は突起部基部を有し、複数の突起部基部は、少なくとも１つの隣接する細孔部と実質的に同一平面上にあり、
前記複数の正確に成形された細孔の深さは、各正確に成形された細孔に隣接する前記ランド領域の厚さよりも小さく、前記ランド領域の厚さは約５ｍｍ未満であり、
前記研磨層はポリマーを含む、研磨パッド。
〔項目２〕
前記複数の正確に成形された突起部の少なくとも約１０％の高さが、約１マイクロメートル〜約２００マイクロメートルである、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３〕
前記複数の正確に成形された細孔の少なくとも約１０％の深さが、約１マイクロメートル〜約２００マイクロメートルである、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目４〕
前記複数の正確に成形された突起部の面密度は、前記複数の正確に成形された細孔の面密度とは別個である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目５〕
前記研磨層はポリマーを更に含み、前記ポリマーは、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱硬化性樹脂、及びこれらの組み合わせを含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目６〕
前記ポリマーは、熱可塑性樹脂又は熱可塑性エラストマーを含む、項目５に記載の研磨パッド。
〔項目７〕
前記熱可塑性樹脂及び熱可塑性エラストマーが、ポリウレタン、ポリアルキレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリアルキレン酸化物、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、これらのポリマーのいずれかのブロックコポリマー、及びこれらの組み合わせを含む、項目６に記載の研磨パッド。
〔項目８〕
前記研磨層は貫通孔を含まない、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目９〕
前記研磨層は一体型シートである、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１０〕
前記研磨層は、１体積％未満の無機研磨粒子を含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１１〕
前記正確に成形された突起部は中実構造である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１２〕
前記正確に成形された突起部は機械加工した穴を含まない、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１３〕
前記研磨層は柔軟であり、折り返すことができ、折り返した領域において、約１０ｃｍ〜約０．１ｍｍの曲率半径を生じる、項目１に記載研磨パッド。
〔項目１４〕
前記正確に成形された突起部の遠位端の表面積の、前記突起した研磨パッドの表面積に対する割合は、約０．０００１〜約４である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１５〕
前記正確に成形された突起部の遠位端の表面積の、前記正確に成形された細孔開口部の表面積に対する割合は、約０．０００１〜約４である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１６〕
少なくとも１つのマクロチャネルを更に含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目１７〕
前記複数の正確に成形された細孔の少なくとも一部の深さは、前記少なくとも１つのマクロチャネルの少なくとも一部の深さよりも小さい、項目１６に記載の研磨パッド。
〔項目１８〕
前記複数の正確に成形された細孔の少なくとも一部の幅は、前記少なくとも１つのマクロチャネルの少なくとも一部の幅よりも小さい、項目１６に記載の研磨パッド。
〔項目１９〕
前記少なくとも１つのマクロチャネルの少なくとも一部の前記深さの、前記正確に成形された細孔の一部の前記深さに対する割合は、約１．５〜約１０００である、項目１６に記載の研磨パッド。
〔項目２０〕
前記少なくとも１つのマクロチャネルの少なくとも一部の幅の、前記正確に成形された細孔の一部の幅に対する割合は、約１．５〜約１０００である、項目１６に記載の研磨パッド。
〔項目２１〕
前記正確に成形された突起部の少なくとも一部がフランジを含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目２２〕
前記研磨層は、前記正確に成形された突起部の表面、前記正確に成形された細孔の表面、及び前記ランド領域の表面の少なくとも１つの上に、複数のナノメートルサイズのトポグラフィ特徴部を含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目２３〕
前記複数のナノメートルサイズの特徴部が、規則的又は不規則的な形状の溝を含み、前記溝の前記幅は約２５０ｎｍ未満である、項目２２に記載の研磨パッド。
〔項目２４〕
前記作業表面が二次表面層及びバルク層を含み、前記二次表面層の少なくとも一部における化学組成は、前記バルク層内の化学組成とは異なる、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目２５〕
前記バルク層内の前記化学組成とは異なる、前記二次表面層の少なくとも一部内の前記化学組成は、シリコンを含む、項目２４に記載の研磨パッド。
〔項目２６〕
前記二次表面層の後退接触角、及び前進接触角の少なくとも一方が、前記バルク層の対応する後退接触角、及び前進接触角よりも小さい、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目２７〕
前記二次表面層の前記後退接触角、及び前進接触角の少なくとも一方が、前記バルク層の前記対応する後退接触角、又は前進接触角よりも少なくとも約２０°小さい、項目２６に記載の研磨パッド。
〔項目２８〕
前記作業表面の前記後退接触角は、約５０°未満である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目２９〕
前記作業表面の前記後退接触角は、約３０°未満である、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３０〕
前記研磨層は、無機研磨粒子を実質的に含まない、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３１〕
前記研磨層は、複数の別個の又は相互接続された複数のマクロチャネルを更に含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３２〕
サブパッドを更に含み、前記サブパッドは前記研磨層の前記第２表面と隣接している、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３３〕
フォーム層を更に含み、前記フォーム層は前記研磨層の前記第２表面と、前記サブパッドとの間に介在している、項目３２に記載の研磨パッド。
〔項目３４〕
項目１に記載の研磨パッドと、研磨溶液とを含む、研磨システム。
〔項目３５〕
前記研磨溶液はスラリーである、項目３４に記載の研磨システム。
〔項目３６〕
前記研磨層は、１体積％未満の無機研磨粒子を含む、項目３５に記載の研磨システム。
〔項目３７〕
作業表面、及び前記作業表面と反対側の第２表面を有する少なくとも１つの第２研磨層であって、前記作業表面は、複数の正確に成形された細孔、複数の正確に成形された突起部、及びランド領域を含み、
各細孔は細孔開口部を有し、各突起部は突起部基部を有し、複数の突起部基部は、少なくとも１つの隣接する細孔部と実質的に同一平面上にあり、
前記複数の正確に成形された細孔の深さは、各正確に成形された細孔に隣接する前記ランド領域の厚さよりも小さく、前記ランド領域の厚さは約５ｍｍ未満であり、
前記少なくとも１つの研磨層はポリマーを含み、
前記研磨層の前記第２表面は、前記少なくとも１つの第２研磨層の前記作業表面と隣接している、第２研磨層を更に含む、項目１に記載の研磨パッド。
〔項目３８〕
前記研磨層の前記第２表面と、前記少なくとも１つの第２研磨層の前記作業表面との間に配置された接着剤層を更に含む、項目３７に記載の研磨パッド。
〔項目３９〕
前記接着剤層は、感圧接着剤層である、項目３８に記載の研磨パッド。
〔項目４０〕
前記研磨層の前記第２表面と、前記少なくとも１つの第２研磨層の前記作業表面との間に配置されたフォーム層と、前記少なくとも１つの第２研磨層の前記第２表面に隣接する第２フォーム層とを更に含む、項目３７に記載の研磨パッド。
〔項目４１〕
基材を研磨する方法であって、
項目１に記載の研磨パッドを準備する工程と、
基材を準備する工程と、
前記研磨パッドの前記作業表面を基材表面と接触させる工程と、
前記研磨パッドの前記作業表面と前記基材表面との間の接触を維持しながら、前記研磨パッド及び前記基材を互いに対して動かす工程と、を含み、研磨は、研磨溶液の存在する状態で行われる、方法。
〔項目４２〕
前記基材が、半導体ウェハである、項目４１に記載の基材を研磨する方法。
〔項目４３〕
前記研磨パッドの前記作業表面と接触する前記半導体ウェハ表面が、誘電材料、及び導電性材料の少なくとも一方を含む、項目４１に記載の基材を研磨する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業表面、及び前記作業表面と反対側の第２表面を有する研磨層を備える研磨パッドであって、
前記作業表面は、複数の正確に成形された細孔、複数の正確に成形された突起部、及びランド領域を含み、
各細孔は細孔開口部を有し、各突起部は突起部基部を有し、複数の突起部基部は、少なくとも１つの隣接する細孔部と実質的に同一平面上にあり、
前記複数の正確に成形された細孔の深さは、各正確に成形された細孔に隣接する前記ランド領域の厚さよりも小さく、前記ランド領域の厚さは約５ｍｍ未満であり、
前記研磨層はポリマーを含む、研磨パッド。
【請求項２】
前記複数の正確に成形された細孔の少なくとも約１０％の深さが、約１マイクロメートル〜約２００マイクロメートルである、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨層は貫通孔を含まない、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層は、１体積％未満の無機研磨粒子を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記正確に成形された突起部の遠位端の表面積の、前記正確に成形された細孔開口部の表面積に対する割合は、約０．０００１〜約４である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
少なくとも１つのマクロチャネルを更に含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記複数の正確に成形された細孔の少なくとも一部の深さは、前記少なくとも１つのマクロチャネルの少なくとも一部の深さよりも小さい、請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項８】
前記研磨層は、前記正確に成形された突起部の表面、前記正確に成形された細孔の表面、及び前記ランド領域の表面の少なくとも１つの上に、複数のナノメートルサイズのトポグラフィ特徴部を含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項９】
前記複数のナノメートルサイズの特徴部が、規則的又は不規則的な形状の溝を含み、前記溝の前記幅は約２５０ｎｍ未満である、請求項８に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記作業表面が二次表面層及びバルク層を含み、前記二次表面層の少なくとも一部における化学組成は、前記バルク層内の化学組成とは異なる、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
前記二次表面層の前記後退接触角、及び前進接触角の少なくとも一方が、前記バルク層の前記対応する後退接触角、又は前進接触角よりも少なくとも約２０°小さい、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１２】
前記作業表面の前記後退接触角は、約３０°未満である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１３】
前記研磨層は、無機研磨粒子を実質的に含まない、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１４】
前記研磨層は、複数の別個の又は相互接続された複数のマクロチャネルを更に含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１５】
作業表面、及び前記作業表面と反対側の第２表面を有する少なくとも１つの第２研磨層であって、前記作業表面は、複数の正確に成形された細孔、複数の正確に成形された突起部、及びランド領域を含み、
各細孔は細孔開口部を有し、各突起部は突起部基部を有し、複数の突起部基部は、少なくとも１つの隣接する細孔部と実質的に同一平面上にあり、
前記複数の正確に成形された細孔の深さは、各正確に成形された細孔に隣接する前記ランド領域の厚さよりも小さく、前記ランド領域の厚さは約５ｍｍ未満であり、
前記少なくとも１つの研磨層はポリマーを含み、
前記研磨層の前記第２表面は、前記少なくとも１つの第２研磨層の前記作業表面と隣接している、第２研磨層を更に含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項１６】
基材を研磨する方法であって、
請求項１に記載の研磨パッドを準備する工程と、
基材を準備する工程と、
前記研磨パッドの前記作業表面を基材表面と接触させる工程と、
前記研磨パッドの前記作業表面と前記基材表面との間の接触を維持しながら、前記研磨パッド及び前記基材を互いに対して動かす工程と、を含み、研磨は、研磨溶液の存在する状態で行われる、方法。