【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段階粉砕プロセスにおいて粉砕破片物の生成を制御して、ｃＢＮ複合粉体を調製する方法であって、
最初のＤ５０粒子サイズを有する１つ又は複数の結合剤成分材料及び第１のｃＢＮ成分を粉砕装置へ加えることにより、第１の粉体混合物を形成することと、
前記第１の粉体混合物を最初のＤ５０粒子サイズを少なくとも５０％減少させるのに適した第１の粉砕時間粉砕することと、
第２のｃＢＮ成分を、前記粉砕された第１の粉体混合物と混ぜ合わせて第２の粉体混合物を形成することと、
前記第２の粉体混合物を、前記第１の粉砕時間よりも短い第２の粉砕時間粉砕して、前記ｃＢＮ複合粉体を形成することと
を含み、
前記第２のｃＢＮ成分のＤ５０値の、前記第１のｃＢＮ成分のＤ５０値に対する比は少なくとも３である、方法。
【請求項２】
前記第１の粉体混合物を形成する前に、前記結合剤成分を予備粉砕することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値は、０．２ミクロン〜２．０ミクロンであり、前記第２のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値は、１．２ミクロン〜６．０ミクロンである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記粉砕された結合剤成分材料は、周期律表の第ＩＶ族、第Ｖ族及び第ＶＩ族元素の酸化物、窒化物、及び炭化物、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される組成物を有する粉体を含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記粉砕された結合剤成分材料は、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）、ＺｒＮ、Ｃｏ、Ａｌ、及びそれらの混合物からなる群から選択される組成物を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ｃＢＮは前記粉砕された第２の粉体混合物中に５〜７０ｗｔ％の量で存在する、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のｃＢＮ成分の質量の、前記第２のｃＢＮ成分の質量に対する比は、０．０４〜２．０の範囲である、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のｃＢＮ成分の前記質量の、前記第２のｃＢＮ成分の前記質量に対する前記比は、０．１１未満である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のｃＢＮ成分の前記質量の、前記第２のｃＢＮ成分の前記質量に対する前記比は、１．０より大きい、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｃＢＮ複合粉体は多峰性粒度分布を有する、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値の、前記第１のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値に対する前記比は、３．０〜１０の範囲である、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値の、前記第１のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値に対する前記比は、４．０〜６．０の範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値は、０．２ミクロン〜２．０ミクロンであり、前記第２のｃＢＮ成分の前記Ｄ５０値は、１．２ミクロン〜６．０ミクロンである、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
多段階粉砕プロセスにおいて粉砕破片物の生成を制御して、ｃＢＮ複合粉体を調製する方法であって、
最初のＤ５０粒子サイズを有する１つ又は複数の結合剤成分材料及び第１のｃＢＮ成分を粉砕装置へ加えることにより、第１の粉体混合物を形成することと、
前記第１の粉体混合物を最初のＤ５０粒子サイズを少なくとも９０％減少させるのに適した第１の粉砕時間粉砕することと、
第２のｃＢＮ成分を、前記粉砕された第１の粉体混合物と混ぜ合わせて第２の粉体混合物を形成することと、
前記第２の粉体混合物を、前記第１の粉砕時間よりも短い第２の粉砕時間粉砕して、前記ｃＢＮ複合粉体を形成することと
を含み、
前記第２のｃＢＮ成分のＤ５０値の、前記第１のｃＢＮ成分のＤ５０値に対する比は少なくとも３である、方法。
【請求項１５】
多段階粉砕プロセスにおいて粉砕破片物の生成を制御して調製されるｃＢＮ複合粉体からｃＢＮ系セラミックを形成する方法であって、
１つ又は複数の結合剤成分材料及び第１のｃＢＮ成分を粉砕装置へ加えることにより、第１の粉体混合物を形成することと、
前記第１の粉体混合物を第１の時間粉砕することと、
第２のｃＢＮ成分を、前記粉砕された第１の粉体混合物と混ぜ合わせて第２の粉体混合物を形成することと、
前記第２の粉体混合物を第２の時間粉砕して前記ｃＢＮ複合粉体を形成することと、
前記ｃＢＮ複合粉体にＨＰＨＴプロセスを行うことにより、ｃＢＮ系セラミックを形成することと
を含み、
前記第１のｃＢＮ成分は第１のＤ５０値を有し、前記第２のｃＢＮ成分は第２のＤ５０値を有し、
前記第２のＤ５０値の、前記第１のＤ５０値に対する比は、少なくとも３であり、
前記ｃＢＮ系セラミックは、２．０ミクロン未満のｃＢＮ粒子非含有直径の平均値を有し、
前記第１のｃＢＮ成分の質量の、前記第２のｃＢＮ成分の質量に対する比は、０．０４〜０．１１の範囲である、方法。
【請求項１６】
前記ｃＢＮ系セラミックは、１．５ミクロン未満のｃＢＮ粒子非含有直径の平均値を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ｃＢＮ系セラミックは、１．０ミクロン未満のｃＢＮ粒子非含有直径の平均値を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ｃＢＮ系セラミックは、０．９０ミクロン未満のｃＢＮ粒子非含有直径の平均値を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の粉体混合物を形成する前に、前記結合剤成分を予備粉砕することを更に含む、請求項１５から１８の何れか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の標準偏差は、０．３５ミクロン未満である、請求項１５から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．３０ミクロン未満である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．２０ミクロン未満である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．１５ミクロン未満である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のＤ５０値は、０．２ミクロン〜２．０ミクロンであり、前記第２のＤ５０値は、１．２ミクロン〜６．０ミクロンである、請求項１５から２３の何れか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記結合剤成分材料は、周期律表の第ＩＶ族、第Ｖ族及び第ＶＩ族元素の酸化物、窒化物、及び炭化物、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される組成物を有する粉体を含む、請求項１５から２４の何れか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記結合剤成分材料は、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）、ＺｒＮ、Ｃｏ、Ａｌ、及びそれらの混合物からなる群から選択される組成物を更に含む、請求項１５から２５の何れか一項に記載の方法。
【請求項２７】
ｃＢＮは前記粉砕された第２の粉体混合物中に５〜７０ｗｔ％の量で存在する、請求項１５から２６の何れか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記ｃＢＮ複合粉体は多峰性粒度分布を有する、請求項１５から２７の何れか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記第２のＤ５０値の、前記第１のＤ５０値に対する前記比は、３．０〜１０の範囲である、請求項１５から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２のＤ５０値の、前記第１のＤ５０値に対する前記比は、４．０〜６．０の範囲である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１のＤ５０値は、０．２ミクロン〜２．０ミクロンであり、前記第２のＤ５０値は、１．２ミクロン〜６．０ミクロンである、請求項２９又は３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．３５ミクロン未満である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．３０ミクロン未満である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．２０ミクロン未満である、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ｃＢＮ粒子非含有直径の前記標準偏差は、０．１５ミクロン未満である、請求項３４に記載の方法。