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【手続補正書】
【提出日】平成30年6月18日(2018.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
更に、種々の例示的な実施形態が説明されてきた。これら及び他の実施形態は、以下の特許請求の範囲に含まれる。本発明の実施態様の一部を以下の［項目１］−［項目１５］に記載する。
［項目１］
光制御フィルムであって、
第１の主表面、及び前記第１の主表面とは反対の第２の主表面と、
前記第１及び第２の主表面のうちの少なくとも１つに対して略垂直な視軸と、
光透過性材料を含む柱状物のアレイであって、前記柱状物のアレイが、列及び行を伴って２次元で配置され、前記第１の主表面から前記第２の主表面までそれぞれの長手方向軸に沿って延在する、柱状物のアレイと、
前記柱状物のアレイ間に配設された吸収性領域であって、前記吸収性領域が、光学的吸収性材料を含み、前記第１の主表面から前記第２の主表面まで少なくとも部分的に延在する、吸収性領域と、を備え、
前記柱状物のうちの少なくとも１つが、前記それぞれの長手方向軸に沿ってテーパ形状を有し、
前記柱状物のアレイ及び前記吸収性領域が、前記第１又は第２の主表面から透過された光を、前記視軸の周囲の３６０°視円錐内に閉じ込めるように配置される、光制御フィルム。
［項目２］
前記柱状物のアレイのそれぞれの端部を支持するために、前記第１及び第２の主表面のうちの少なくとも１つに隣接して配設された光学的に透明な担体層を更に備える、項目１に記載の光制御フィルム。
［項目３］
前記光制御フィルムを基材に結合させるように構成された接着剤層を更に備える、項目１又は２に記載の光制御フィルム。
［項目４］
前記柱状物のアレイのそれぞれの端部を接続するように構成された、前記第１及び第２の主表面におけるランド領域を更に備え、前記ランド領域が、前記光透過性材料を含む、項目１〜３のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目５］
前記柱状物のアレイが、透明なポリマー材料を含み、任意に、前記透明なポリマー材料が、ポリウレタン、アクリレート、及びポリカーボネートのうちの少なくとも１つを含む、項目１〜４のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目６］
前記光学的吸収性材料が、顔料及び染料のうちの少なくとも１つを含む、項目１〜５のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目７］
前記吸収性領域が、放射線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を更に含む、項目１〜６のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目８］
前記柱状物のうちの少なくとも１つが、多角形の断面形状を有し、任意に、前記柱状物が、六角形の断面形状を各々有し、前記六角形が、最密充填レイアウトで配置され、それらの間の前記吸収性領域が、蜂の巣パターンを形成する、項目１〜７のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目９］
前記柱状物が、前記視軸に沿って深さＤを有し、前記第１の主表面に隣接する前記六角形が、側面幅Ｗ１を有し、前記第２の主表面に隣接する前記六角形が、側面幅Ｗ２を有し、前記吸収性領域の前記蜂の巣パターンが、前記第１の主表面に隣接する壁厚Ｔ１を有し、前記吸収性領域の蜂の巣パターンが、前記第２の主表面に隣接する壁厚Ｔ２を有し、比Ｄ／（（Ｗ１＋Ｗ２）／２）が、２〜８であり、比（Ｗ１＋Ｗ２）／（Ｔ１＋Ｔ２）が、２〜３０である、項目８に記載の光制御フィルム。
［項目１０］
前記柱状物のアレイと前記第１の主表面に隣接する前記吸収性領域との面積比が、３：２以上であり、前記柱状物のアレイと前記第２の主表面に隣接する前記吸収性領域との面積比が、４：１以上である、項目１〜９のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目１１］
前記柱状物のうちの前記少なくとも１つの前記テーパ形状が、約５°以下の抜き勾配を有する、項目１〜１０のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目１２］
前記３６０°視円錐が、約４５°以下の前記視軸に対する透過カットオフ角を有する、項目１〜１１のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目１３］
前記３６０°視円錐内で、正規化光透過率が、約５０％以上である、項目１〜１２のいずれか一項に記載の光制御フィルム。
［項目１４］
前記正規化光透過率が、約６３％以上である、項目１３に記載の光制御フィルム。
［項目１５］
項目１〜１４のいずれか一項に記載の光制御フィルムを備える表示デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光制御フィルムであって、
第１の主表面、及び前記第１の主表面とは反対の第２の主表面と、
前記第１及び第２の主表面のうちの少なくとも１つに対して略垂直な視軸と、
光透過性材料を含む柱状物のアレイであって、前記柱状物のアレイが、列及び行を伴って２次元で配置され、前記第１の主表面から前記第２の主表面までそれぞれの長手方向軸に沿って延在する、柱状物のアレイと、
前記柱状物のアレイ間に配設された吸収性領域であって、前記吸収性領域が、光学的吸収性材料を含み、前記第１の主表面から前記第２の主表面まで少なくとも部分的に延在する、吸収性領域と、を備え、
前記柱状物のうちの少なくとも１つが、前記それぞれの長手方向軸に沿ってテーパ形状を有し、
前記柱状物のアレイ及び前記吸収性領域が、前記第１又は第２の主表面から透過された光を、前記視軸の周囲の３６０°視円錐内に閉じ込めるように配置される、光制御フィルム。
【請求項２】
請求項１に記載の光制御フィルムを備える表示デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月15日(2018.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料チャンネル（１３１）、反応チャンバ（１２６）、及びリザーバ（１５１，１５２）を有する流体ネットワーク（１０６）であって、前記試料チャンネルは、生物試料を受け入れるよう構成した試料通口（１１６）に流体連通するものとした、該流体ネットワーク（１０６）と、
前記流体ネットワークに流体連通するよう構成したポンプアセンブリと、
フローチャンネル（１４０）を有し、また第１バルブ位置と第２バルブ位置との間で回転するよう構成した回転バルブ（１２３）であって、前記フローチャンネルは、前記回転バルブが前記第１バルブ位置にあるとき前記反応チャンバ及び前記試料チャンネルを流体的に接続し、また前記回転バルブが前記第２バルブ位置にあるとき前記リザーバ及び前記反応チャンバを流体的に接続し、前記ポンプアセンブリは、前記回転バルブが前記第１バルブ位置にあるとき前記生物試料を前記反応チャンバに向かわせるフローを誘導することができ、また前記回転バルブが前記第２バルブ位置にあるとき反応成分を前記リザーバから前記反応チャンバに向かわせるフローを誘導することができる、前記回転バルブ（１２３）と、
を備え、
前記回転バルブは、前記回転バルブが前記第１バルブ位置から前記第２バルブ位置に回転するにつれて、前記フローチャンネル内に前記生物試料を保持することができ、前記ポンプアセンブリは、前記回転バルブが前記第２バルブ位置にあるとき、前記生物試料を前記リザーバ内に流入させるフローを誘導することができる、システム（１００）。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、前記ポンプアセンブリは、前記反応チャンバ（１１６）に流体連通しかつ前記反応チャンバに対して下流側に位置するシステムポンプ（１１９）を有する、システム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムにおいて、前記試料チャンネル（１３１）は第１試料チャンネルとし、また前記生物試料は第１生物試料とし、前記流体ネットワーク（１０６）は第２生物試料を有する第２試料チャンネルを含み、前記回転バルブ（１２３）は、前記フローチャンネル（１４０）が前記第２試料チャンネルに流体連通する第３バルブ位置に回転するよう構成し、前記ポンプアセンブリは、前記第２試料チャンネル内の第２生物試料を前記フローチャンネル内に流入させるフローを誘導する構成とし、この場合、前記回転バルブが前記第３バルブ位置から前記第２バルブ位置に回転するにつれて、前記フローチャンネル内に前記第２生物試料を保持することができ、また前記ポンプアセンブリは、前記回転バルブが前記第２バルブ位置にあるとき、前記フローチャンネルにおける前記第２生物試料を前記リザーバ（１５１，１５２）に流入させるフローを誘導することができる、システム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムにおいて、前記リザーバ（１５１，１５２）は第１リザーバとし、前記流体ネットワーク（１０６）はさらに第２リザーバを有するものとし、この場合、前記回転バルブ（１２３）は、前記フローチャンネル（１４０）が前記第２リザーバ及び前記反応チャンバ（１２６）を流体的に接続する第３バルブ位置に移動する構成とした、システム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、前記試料チャンネル（１３１）は第１試料チャンネルとし、また前記流体ネットワークは第２試料チャンネルを含むものとする、システム。
【請求項６】
請求項５記載のシステムにおいて、前記第１試料チャンネル及び第２試料チャンネルのそれぞれは、共通サプライ通口を介して前記回転バルブ（１２３）に流体連通する、システム。
【請求項７】
請求項５記載のシステムにおいて、さらに、前記試料チャンネル（１３１）に接続し、第１位置と第２位置との間で移動するよう構成したチャネルバルブ（１２１）であって、前記第１位置及び第２位置ではそれぞれ、前記試料チャンネルを通過するフローを阻止及び許可する、該チャネルバルブ（１２１）を備える、システム。
【請求項８】
請求項１記載のシステムにおいて、前記回転バルブ（１２３）は軸線（１４２）周りに回転し、前記流体ネットワーク（１０６）は、前記軸線に整列しかつ前記フローチャンネル（１４０）及び前記反応チャンバ（１２６）を流体的に接続するフィード通口を有する、システム。
【請求項９】
請求項１記載のシステムにおいて、前記流体ネットワーク（１０６）は、さらに、試薬チャンネルを有し、前記試料チャンネル（１３１）及び前記試薬チャンネルは、前記フローチャンネル（１４０）に対して上流側に配置した共通のサプライ通口に流体連通し、前記サプライ通口は、前記試料チャンネル及び前記試薬チャンネルを前記フローチャンネルに流体的に接続する、システム。
【請求項１０】
請求項１記載のシステムにおいて、さらに、前記反応チャンバ（１２６）内の指定反応を検出するよう構成した検出アセンブリ（１０８）を備える、システム。
【請求項１１】
請求項１記載のシステムにおいて、さらに、前記回転バルブ（１２３）及び前記ポンプアセンブリを自動的に制御して、シークエンシング・バイ・シンセシスプロトコールの反復サイクルを行うよう構成したシステムコントローラ（１８０）を備える、システム。
【請求項１２】
請求項１−１１のいずれか一項に記載のシステム（１００）を使用する方法であり、
前記回転バルブ（１２３）を第１バルブ位置に回転し、前記第１バルブ位置にあるとき前記フローチャンネル（１４０）を前記反応チャンバ（１２６）に流体連通させるステップと、
前記回転バルブが前記第１バルブ位置にあるとき、生物試料を試料チャンネル（１３１）又は第１リザーバ（１５１）から前記フローチャンネルを経由して前記反応チャンバ内に流入させるステップと、
前記回転バルブを第２バルブ位置に回転し、前記第２バルブ位置にあるとき前記フローチャンネルを第２リザーバ（１５２）及び前記反応チャンバに流体的に接続するステップと、
前記第２リザーバからの反応成分を前記反応チャンバ内に流入させ、前記反応成分を前記反応チャンバ内の前記生物試料と相互反応させるステップと、
有する、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、さらに、複数の前記生物試料を個別に前記リザーバ（１５１，１５２）内に流入させて前記生物試料をリザーバ（１５１，１５２）内で組み合わせ、前記回転バルブ（１２３）が前記第１バルブ位置にあるとき、前記生物試料を同時に前記フローチャンネル（１４０）経由で前記反応チャンバ（１２６）内に流入させるステップを有する、方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の方法において、さらに、前記回転バルブ（１２３）を第３バルブ位置に回転し、また第３リザーバからの洗浄溶液を前記反応チャンバ（１２６）内に流入させるステップを有し、さらに、前記回転バルブを前記第２バルブ位置に回転し、また前記第２リザーバからの前記反応成分を前記反応チャンバ内に導入させるステップを有する、方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の方法において、前記回転バルブ（１２３）は軸線（１４２）周りに回転し、フィード通口が前記フローチャンネル（１４０）及び前記反応チャンバ（１２６）を流体的に接続し、前記軸線は前記フィード通口を貫通するものとする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月19日(2018.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動圧コーン、排出コーン、および吸引ポートを有する吸引器であって、前記動圧コーンの動圧出口端部は、前記排出コーンの排出入口に面して、前記吸引ポートに流体連通するベンチュリ間隙を画定する、吸引器と、
少なくとも開位置および閉位置を有するリリーフバルブと、
を備えるバルブアセンブリであって、前記リリーフバルブは、
ハウジング内に封入されたピストンの動きによって制御される互いに選択的に流体連通する入口および出口を画定するハウジングであって、前記ピストンは、前記ハウジングを前記吸引器の前記吸引ポートに流体連通する加圧チャンバと、前記加圧チャンバに対向するバイパス部分とに分割し、前記バイパス部分は、前記リリーフバルブの前記入口および前記出口に流体連通する、ハウジングと、
前記ピストンに接続されたバルブ部材であって、前記入口から前記出口に流れる流体を選択的にブロックするバルブ部材と、
を備え、
真空が前記加圧チャンバに適用される場合に、前記ピストンが前記加圧チャンバ内で前記開位置に向かって移動する、バルブアセンブリ。
【請求項２】
前記バルブ部材は、第１端部および第２端部を有するバルブステムを含むポペット型バルブであり、かつ前記バルブステムの前記第１端部は、前記ピストンに接続され、かつ前記バルブステムの前記第２端部は、ヘッドを含む、請求項１に記載のバルブアセンブリ。
【請求項３】
第１端部および第２端部を有する付勢部材を備え、前記付勢部材の前記第１端部が前記リリーフバルブの前記ハウジングに当接し、かつ前記付勢部材の前記第２端部が前記ピストンに対して付勢力を加える、請求項１に記載のバルブアセンブリ。
【請求項４】
前記付勢力が前記リリーフバルブの前記出口に向かって加えられる、請求項３に記載のバルブアセンブリ。
【請求項５】
前記リリーフバルブが可変リリーフバルブである、請求項１に記載のバルブアセンブリ。
【請求項６】
前記加圧チャンバ内における前記ピストンの位置を検出するための位置センサを備える、請求項５に記載のバルブアセンブリ。
【請求項７】
前記加圧チャンバに流体的に接続されたベントバルブを備え、前記ベントバルブが前記加圧チャンバ内の真空の量を変えて前記加圧チャンバ内における前記ピストンの位置を制御する、請求項５に記載のバルブアセンブリ。
【請求項８】
前記ピストンが前記リリーフバルブの前記入口および前記出口の間の流体の流れをブロックし、前記バルブアセンブリが、前記吸引器の前記吸引ポートを前記加圧チャンバに流体的に接続する制御ポートをさらに備える、請求項５に記載のバルブアセンブリ。
【請求項９】
前記リリーフバルブが互いに協働して間に空間を作る内側ハウジングおよび外側ハウジングを含み、前記空間が前記加圧チャンバを画定し、前記ピストンがピストンチャンバを画定する本体を含み、前記ピストンチャンバが前記内側ハウジングおよび前記外側ハウジングの間の前記空間に流体的に接続されている、請求項８に記載のバルブアセンブリ。
【請求項１０】
エンジンシステムであって、
空気導入システムと、
前記導入システムから空気を受け取るターボチャージャーであって、圧縮空気を送るためにエンジンのスロットルおよび吸気マニホールドと流体連通するターボチャージャーと、
動圧コーン、排出コーン、および吸引ポートを有する吸引器であって、前記動圧コーンの動圧出口端部は、前記排出コーンの排出入口に面して、前記吸引ポートに流体連通するベンチュリ間隙を画定する、吸引器と、
ピストンを封入するハウジングを有するリリーフバルブであって、前記ハウジングは、前記ピストンおよび前記ピストンに接続されたバルブ部材の動きによって制御される互いに選択的に流体連通する入口および出口を画定し、前記ピストンは、前記ハウジングを前記吸引器の前記吸引ポートに流体連通する加圧チャンバと、前記加圧チャンバに対向するバイパス部分とに分割し、前記バイパス部分は、前記リリーフバルブの前記入口および前記出口に流体連通し、前記リリーフバルブの前記入口は、前記スロットルの上流の前記ターボチャージャーからの前記圧縮空気と流体連通し、前記リリーフバルブの前記出口は、前記空気導入システムまたは大気と流体連通する、リリーフバルブと、
高圧空気が前記動圧コーンから前記排出コーンへ前記吸引器を通り流れるように、前記吸引器に流体連通する高圧空気の貯蔵タンクであって、それによって前記リリーフバルブの前記加圧チャンバに作用する真空を生成して、前記ピストンを閉位置および開位置の間で動かし、
前記吸引器の前記排出コーンは、前記ターボチャージャーの上流の大気または前記空気導入システムに流体連通する、エンジンシステム。
【請求項１１】
前記リリーフバルブが、前記ターボチャージャーの圧縮機サージを防止するために、前記開位置および前記閉位置の間のバイパス量を調整可能な可変リリーフバルブである、請求項１０に記載のエンジンシステム。
【請求項１２】
前記貯蔵タンクに流体的に接続された制御バルブをさらに備え、前記制御バルブが、前記貯蔵タンクからの高圧空気を前記吸引器を通って選択的に流すことを可能にする、請求項１０に記載のエンジンシステム。
【請求項１３】
前記制御バルブは、通常閉位置にある、請求項１０に記載のエンジンシステム。
【請求項１４】
前記制御バルブと信号通信するコントローラをさらに備え、前記コントローラは、前記エンジンシステムの動作パラメータを監視し、前記制御バルブを開閉するための制御信号をいつ送信するかを決定し、前記ハウジング内の前記ピストンの位置を検出する位置センサを備え、前記位置センサは、前記コントローラと信号通信する、請求項１２に記載のエンジンシステム。
【請求項１５】
前記吸引器の下流で前記吸引器と流体連通する騒音減衰器をさらに備える、請求項１０に記載のエンジンシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管により貫通される貫通孔のシール閉鎖体を形成するための加圧式シールであって、
前記導管に接触してシールするためのエラストマー体（２）と
加圧板（３ａ）と、
前記エラストマー体（２）を貫通する締め付けボルト（４）と、を備え、
前記加圧板（３ａ）が前記締め付けボルト（４）により、前記エラストマー体（２）を導管に接触してシールさせるように、前記エラストマー体（２）上に押し付けられ、
前記締め付けボルト（４）のねじ山が回転軸線（２１）を中心としてナット（２０）にねじ込まれ、
前記エラストマー体（２）に近い位置にある前記ナット（２０）の部分（２０ａ）が、前記加圧板（３ａ）の座繰り部に嵌め合いにより保持され、前記回転軸線（21）の周りに回転運動ができないようになっており、
前記エラストマー体（２）から遠い位置にある前記ナット（２０）の部分（２０ｂ）が、前記加圧板（３ａ）上に力を伝えるとともに、前記締め付けボルト（４）の締め付け時に前記エラストマー体（２）上に前記加圧板（３ａ）を押し付けるために、前記回転軸線（２１）に対して垂直方向に外側に向かって前記座繰り部を越えて突出するフランジを有し、
前記エラストマー体（２）に遠い方の前記加圧板（３ａ）の端面（２３）が、縁部を除き、平坦であり、
前記加圧板（３ａ）が、縁部を除き、平坦板として形成される
加圧式シール（１）。
【請求項２】
前記座繰り部を前記回転軸線（２１）の垂直方向外側で制限する前記加圧板（３ａ）の囲み面が、前記エラストマー体（２）に対して遠い方の前記加圧板（３ａ）の端面（２３）に直接移行し、前記フランジが前記遠い方の端面（２３）に当接する請求項１記載の加圧式シール（１）。
【請求項３】
前記加圧板（３ａ）が、金属製である請求項１または２記載の加圧式シール（１）。
【請求項４】
前記加圧板（３ａ）が、板金から打ち抜き加工される請求項３記載の加圧式シール（１）。
【請求項５】
前記座繰り部を前記回転軸線（２１）の垂直方向に外側に向かって制限する前記加圧板（３ａ）の囲み面が、もっぱら前記回転軸線（２１）に対して平行方向に段差なしで延在している請求項１から４６の１つに記載の加圧式シール（１）。
【請求項６】
前記座繰り部が前記加圧板（３ａ）の貫通孔の一部であり、
前記貫通孔を前記回転軸線（２１）に対して垂直方向外側を制限する貫通孔の囲み面が、もっぱら前記回転軸線（２１）に対して平行方向に段差なしに延在している請求項５記載の加圧式シール（１）。
【請求項７】
前記回転軸線（２１）を中心とする円周に対して、前記フランジが、前記円周全体に亘って延在し、
前記フランジが、前記座繰り部を越えて、前記回転軸線（２１）の垂直な全方向外側に向かって突出する請求項１から６の１つに記載の加圧式シール（１）。
【請求項８】
前記フランジが当接面（２２）で前記加圧板（３ａ）に当接し、
前記当接面（２２）が、前記エラストマー体（２）の近い側に位置する前記ナット（２０）の端面の面積の少なくとも１．１倍の面積を有する請求項１から７の１つに記載の加圧式シール（１）。
【請求項９】
前記締め付けボルト（４）が、前記ナット（２０）の反対側の端部にボルトヘッドドライブ付きのボルトヘッド（２９）を有する請求項１から８の１つに記載の加圧式シール（１）。
【請求項１０】
・前記加圧板（３ａ）に前記座繰り部を設ける工程と、
・前記ナット（２０）を前記座繰り部に嵌め込む工程と、
・前記エラストマー体（２）と前記加圧板（３ａ）を互いに接触するように配置する工程と、
・これらの工程に続いて、前記締め付けボルト（４）を前記エラストマー体（２）と交差するように貫通させるとともに、前記締め付けボルト（４）を前記ナット（２０）にねじ込む工程と、
を有する請求項１から９の１つに記載の加圧式シール（１）の製造方法。
【請求項１１】
前記フランジが下方を向くように、前記ナット（２０）を受け装置内に配置し、
次いで、前記ナット（２０）の前記近い方の部分（２０ａ）で前記座繰り部内に嵌め合わされるように、前記加圧版（３ａ）が前記受け装置上に載置され、
続いて、前記エラストマー体（２）が前記加圧板（３ａ）上に載置される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記座繰り部がレーザーカッティングにより前記加圧板（３ａ）に形成される請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
好適には建物の壁または床部材における貫通孔内で、電気、ガス、水、熱、通信、信号またはデータの導管をシールするための請求項１から９の１つに記載の加圧式シール（１）の利用法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月20日(2018.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト被験者が多形膠芽腫（ＧＢＭ）に罹患している可能性を評価するための方法であって、被験者の脳組織、腫瘍細胞、若しくは血液、又はそれらの画分中のＧＢＭＳｉｇの３３種類のタンパク質からなる群より選択される少なくとも１種類のタンパク質のレベルを評価すること、及び該タンパク質のレベルを健常者の脳組織、腫瘍細胞、若しくは血液、又はそれらの画分中の該タンパク質のレベルと比較することを含み、それにより、健常者と比較した該被験者におけるレベルの差が、該被験者がＧＢＭに罹患している可能性があることを示し、
ここで、該３３種類のタンパク質は、ＡＢＣＡ１、ＡＳＰＨ、ＣＡ１２、ＣＡＤＭ１、ＣＡＶ１、ＣＤ１０９、ＣＤ１５１、ＣＤ２７６、ＣＤ４４、ＣＤ４７、ＣＤ９７、ＣＤ９９、ＣＬＣＣ１、ＣＲＴＡＰ、ＤＤＲ２、ＥＧＦＲ、ＨＭＯＸ１、ＩＴＧＡ７、ＭＧＳＴ１、ＭＲＣ２、ＭＹＯＦ、ＮＲＰ１、ＰＤＩＡ４、ＰＴＧＦＲＮ、ＲＴＮ４、Ｓ１００Ａ１０、ＳＣＡＭＰ３、ＳＬＣ１６Ａ１、ＳＬＣ１６Ａ３、ＴＧＦＢＩ、ＴＭＸ１、ＴＮＣ、及びＶＣＡＭ１である、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１種類のタンパク質が、ＤＤＲ２、ＰＤＩＡ４、ＣＡＤＭ１、ＩＴＧＡ７、ＭＲＣ２、ＭＹＯＦ、ＮＲＰ１、ＲＴＮ４、ＴＮＣ、ＳＣＡＭＰ３、及びＣＤ４７からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ）被験者の血液又はその画分中のＨＭＯＸ１、ＣＤ４４、ＶＣＡＭ１、及びＴＧＦ−βＩからなる群より選択される少なくとも１種類のタンパク質のレベルを評価すること；
ｂ）前記少なくとも１種類の該タンパク質のレベルを、健常者の血液又はその画分中の該タンパク質のレベルと比較すること；
を含み、
ここで、健常者と比較して該被験者における、ＣＤ４４レベルの減少、及び／又は、ＨＭＯＸ１レベルの増加、及び／又は、ＶＣＡＭ１レベルの減少、及び／又は、ＴＧＦＢＩレベルの減少は、該被験者がＧＢＭに罹患している可能性があることを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも２種類の前記タンパク質のレベルが被験者において評価され、健常者と比較される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記２種類のタンパク質がＣＤ４４とＨＭＯＸ１である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ａ）の評価が、ＳＲＭ質量分析法又はイムノアッセイにより行われる、請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ＡＢＣＡ１、ＡＳＰＨ、ＣＡ１２、ＣＡＤＭ１、ＣＡＶ１、ＣＤ１０９、ＣＤ１５１、ＣＤ２７６、ＣＤ４４、ＣＤ４７、ＣＤ９７、ＣＤ９９、ＣＬＣＣ１、ＣＲＴＡＰ、ＤＤＲ２、ＥＧＦＲ、ＨＭＯＸ１、ＩＴＧＡ７、ＭＧＳＴ１、ＭＲＣ２、ＭＹＯＦ、ＮＲＰ１、ＰＤＩＡ４、ＰＴＧＦＲＮ、ＲＴＮ４、Ｓ１００Ａ１０、ＳＣＡＭＰ３、ＳＬＣ１６Ａ１、ＳＬＣ１６Ａ３、ＴＧＦＢＩ、ＴＭＸ１、ＴＮＣ、及びＶＣＡＭ１からなる群より選択される少なくとも３種類のタンパク質を検出するための試薬が、並べられたアレイに結合されている、固相支持体。
【請求項８】
タンパク質ＨＭＯＸ１、ＣＤ４４、ＶＣＡＭ１、及びＴＧＦＢＩの各々を検出するための試薬が並べられてアレイに結合されている、請求項７に記載の固相支持体。
【請求項９】
ａ）該被験者の血液、脳組織、腫瘍細胞又はその画分を請求項７又は請求項８に記載の固相支持体の並べられたアレイに配置された該タンパク質を検出するための前記試薬に接触させることにより少なくとも３種類の該タンパク質のレベルを評価すること；
ｂ）前記レベルを健常者の血液、脳組織、腫瘍細胞又はその画分について実施された同様のアッセイで観測されたレベルと比較すること；
を含み、
ここで、健常者と比較した該被験者における少なくとも３種類のタンパク質のレベルの差は、該被験者がＧＢＭに罹患している可能性があることを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ａ）該被験者の血液又はその画分を請求項８に記載の固相支持体の並べられたアレイに配置された該タンパク質を検出するための前記試薬に接触させることにより、ＨＭＯＸ１、ＣＤ４４、ＶＣＡＭ１及びＴＧＦＢＩの少なくとも１種類のレベルを評価すること；
ｂ）該レベルを、健常者の血液又はその画分について実施された同様のアッセイで観測されたレベルと比較すること；
を含み、
ここで、健常者と比較して該被験者における、ＣＤ４４のレベルの減少、及び／又は、ＨＭＯＸ１レベルの増加、及び／又は、ＶＣＡＭ１レベルの減少、及び／又は、ＴＧＦＢＩレベルの減少は、該被験者がＧＢＭに罹患している可能性があることを示す、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
ＧＢＭに罹患した被験者がＴＧＦ−β１阻害剤による治療に応答性であるかどうかを判定する方法であって、
当該方法は該被験者の血液もしくはその画分中の又はＧＢＭ組織中のＴＧＦＢＩ、ＩＴＧＡ７、ＴＮＣ、ＤＤＲ２、ＭＲＣ２、ＭＧＳＴ１、ＣＬＣＣ１、ＰＴＧＦＲＮ、ＣＲＴＡＰ、ＣＤ１０９、及びＳＬＣ１６Ａ１からなる群より選択される少なくとも１種類のタンパク質のレベルを評価すること、及び該レベルを健常者におけるレベルと比較することを含み、ここで、該被験者における該タンパク質のレベルの亢進がＴＧＦ−β１阻害剤による治療への感受性を示すか、あるいは、
当該方法は前記被験者の血液もしくはその画分中の又はＧＢＭ組織中のＨＭＯＸ１、ＳＬＣ１６Ａ１、ＣＤ４７、及びＭＲＣ２からなる群より選択される少なくとも１種類のタンパク質のレベルを評価すること、及び該レベルを健常者におけるレベルと比較することを含み、ここで、健常者と比較した該被験者における該タンパク質のレベルの亢進がＴＧＦ−β１阻害剤による治療への感受性を示す、方法。
【請求項１２】
前記被験者の血液中のＣＤ４７、ＭＹＯＦ、ＡＢＣＡ１、Ｓ１００Ａ１０、ＣＡ１２、及びＳＬＣ１６Ａ３からなる群より選択される少なくとも１種類のタンパク質のレベルを評価すること、及び該レベルを健常者のレベルと比較することをさらに含み、ここで、少なくとも１種類の該タンパク質のレベルが高いことがＴＧＦ−β１阻害剤による治療への感受性を示す、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
対象者におけるＧＢＭの治療に使用するための組成物であって、血液又は組織中のＨＭＯＸ１、ＳＬＣ１６Ａ１、ＣＤ４７、ＭＲＣ２、ＴＧＦＢＩ、ＩＴＧＡ７、ＴＮＣ、ＤＤＲ２、ＭＲＣ２、ＭＧＳＴ１、ＣＬＣＣ１、ＰＴＧＦＲＮ、ＣＲＴＡＰ、ＣＤ１０９、及びＳＬＣ１６Ａ１からなる群より選択されるタンパク質の発現レベル又は濃度を低下させる有効成分を含む組成物。
【請求項１４】
ＧＢＭ組織を分類する方法であって、組織中の少なくとも１種類のＧＢＭＳｉｇタンパク質のレベルを評価すること、及び該レベルを健常組織中のレベルと比較することを含み、ここで、該ＧＢＭ組織中のＡＳＰＨ、ＳＣＡＭＰ３、ＣＬＣＣ１、及び／又はＣＡＤＭ１のレベルの亢進は、該組織が前神経性であることを示し、該ＧＢＭ組織中のＣＤ４４、ＴＴＧ４７、及び／又はＥＧＦＲのレベルの亢進は、該ＧＢＭ組織が古典的であることを示し、かつ、該組織中のＣＡＶ及び／又はＴＧＦＢＩのレベルの亢進は、該組織が間葉系であることを示す、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
約100m2/g〜約500m2/gの表面積を有する表面多孔性粒子を備えた支持体と、前記表面多孔性粒子の多孔層にキラル選択剤が共有結合してなるキラル固定相とを有する固定相。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、前記第１の層に隣接する第２の層とを備える光学積層体であって、前記第１の層と前記第２の層との間の境界面が第１の格子を備え、前記第１の層が屈折率ｎ１を有し、前記第２の層が屈折率ｎ２を有し、前記第１の格子がピークから谷までの高さｈを有し、｜ｎ１〜ｎ２｜にｈを乗算したものが約１５０ｎｍ〜約３５０ｎｍであり、前記第１の格子が約２マイクロメートル〜約５０マイクロメートルの範囲の第１のピッチを有し、前記第１の層、又は前記第２の層、又は前記第１の層及び前記第２の層の両方は、前記光学積層体が約５３２ｎｍの波長を有するレーザ光で照明されたときに、
強度Ｉ０を有する中央回折ピーク、
前記中央回折ピークから距離ｄに位置する最近接回折ピーク、
及び
強度分布であって、
前記中央回折ピークと前記最近接回折ピークとの間の中間点における強度Ｉｍｉｄ、
前記中央回折ピークから距離２ｄの点における強度Ｉ２ｄ、を含む、強度分布、を含む回折パターンが生成されるように、粒径、屈折率、及び数密度を有する複数の粒子を含み、
ＩｍｉｄがＩ０の約０．０１倍超であり、Ｉ２ｄがＩ０の約０．００１倍未満である、光学積層体。
【請求項２】
前記第１の格子が二方向格子である、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項３】
前記第１の層と反対側の前記第２の層に隣接する第３の層をさらに備える、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項４】
前記第２の層と前記第３の層との間の境界面が第２の格子を備える、請求項３に記載の光学積層体。
【請求項５】
前記第１の格子が、第１の方向に実質的に沿って延びる第１の一方向格子であり、前記第２の格子が、前記第１の方向とは異なる第２の方向に実質的に沿って延びる第２の一方向格子である、請求項４に記載の光学積層体。
【請求項６】
前記第２の層と反対側の第１の層に近接する防眩層をさらに備える、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項７】
前記第１の層が前記第２の層と反対側の外側主表面をさらに含み、前記外側主表面が防眩特徴部を含む、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学積層体を備えるディスプレイであって、前記ディスプレイが複数のピクセルを備え、前記光学積層体は、第１の色を有する前記複数のピクセルのうちの第１のピクセルが照明されて前記光学積層体を通して見られたときに、複数の二次画像が生成されるように、前記複数のピクセルに近接して位置付けられており、各二次画像が前記第１のピクセルから側方変位しており、前記第１のピクセルが、前記第１の色を有する複数の一次隣接ピクセル及び前記第１の色を有する複数の二次隣接ピクセルを有し、各二次画像の前記側方変位は、各二次画像が前記複数の一次隣接ピクセルと重なるか、又は前記第１のピクセルと前記複数の一次隣接ピクセルとの間のスペースと重なるようなものであり、前記複数の二次画像と前記二次隣接ピクセルとの重なりが実質的に存在しない、ディスプレイ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学積層体を備えるディスプレイであって、前記ディスプレイが複数のピクセルを備え、前記光学積層体は、前記格子が前記複数のピクセルを含む平面から距離Ｚにあるように、前記複数のピクセルに近接して位置付けられており、前記複数のピクセルが第１のピッチＰを有し、前記複数の粒子が実質的に単分散しており、かつ直径Ｄを有し、ここで、Ｄが、マイクロメートル単位でＺをＰで割ったものの約０．７〜約２．５倍の範囲である、ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月18日(2018.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を検出するための装置であって、
前記物体が交番磁場に曝露されているときに前記物体の温度の関数として変動するコイルの電気的特性に基づいて、前記物体の存在を誘導的に感知するように構成されたコイルと、
時間による前記電気的特性における変化を検出し、
前記電気的特性における前記検出された変化に基づいて、前記物体の温度応答を決定する
ように構成されたコントローラとを備える装置。
【請求項２】
前記電気的特性は、等価抵抗、等価インダクタンス、共振周波数、複素共振周波数、減衰係数、Q値、インピーダンス、または前記コイルが共振へと同調され、正弦波信号源によって励振されるときの位相を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記電気的特性は、前記コイルがパルス信号源によって励振されるときの前記コイルのインパルス応答、前記コイルが電圧もしくは電流時間関数のいずれかによって励振されるときの前記コイルの応答、または、前記コイルが共振へと同調され、電圧もしくは電流時間関数によって励振されるときの前記コイルの応答を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記コイルは複数のコイルを含み、前記コントローラは、前記複数のコイルの前記電気的特性における複数の変化の測定値を多重化するようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラは、
磁場の曝露サイクルをスケジュールし、
前記曝露サイクルの時間の少なくとも一部分にわたる前記電気的特性における前記検出された変化を、同じ時間期間にわたる前記曝露サイクルと比較し、
前記電気的特性における前記検出された変化と前記曝露サイクルとの前記比較に基づいて、前記物体の前記存在を判定するようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記曝露サイクル中の前記電気的特性における前記検出された変化がしきい値を超えたときに、前記物体の前記存在を判定するようにさらに構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記曝露サイクルの時間の少なくとも一部分にわたる前記電気的特性における前記検出された変化の微分値を、前記同じ時間期間にわたる前記曝露サイクルと比較するようにさらに構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項８】
磁場曝露を調節するために信号を送信するように構成された送信機をさらに備える、請求項5に記載の装置。
【請求項９】
前記曝露サイクルのタイミングスケジュールと前記磁場曝露の強度とを示すフィードバック信号を受信するように構成された受信機をさらに備える、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記受信機は、曝露磁場を生成するデバイスから、前記曝露磁場を生成するために使用される電力信号の電気的特性を示す基準信号を受信するようにさらに構成される、請求項9に記載の装置。
【請求項１１】
前記コイルおよび前記コントローラはワイヤレス電力送信機内に配置される、請求項1に記載の装置。
【請求項１２】
物体の存在を検出するための方法であって、
前記物体が交番磁場に曝露されているときに前記物体の温度の関数として変動するコイルの電気的特性に基づいて、前記物体の存在を感知するステップと、
時間による前記電気的特性における変化を検出するステップと、
前記電気的特性における前記検出された変化に基づいて、前記物体の温度応答を決定するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元物体を構築するためのシステムにおいて、
粉末材料の層を構築トレイ上に加えるための粉末送達ステーションと、
マスク・パターンを前記層上に印刷するためのデジタル印刷ステーションであって、前記マスク・パターンは、焼結されることになる前記層の一部分のネガを画定する、デジタル印刷ステーションと、
焼結されることになる前記マスクによって画定される前記層の前記部分を選択的に焼結するための焼結ステーションであって、前記焼結ステーションは前記層を焼結するための高サーマル・マス・ローラを備える、焼結ステーションと、
共に前記３次元物体を形成する複数の層を構築するために、前記構築トレイを前記粉末送達ステーション、デジタル印刷ステーション、及び焼結ステーションのそれぞれに繰り返し進めるステージと
からなるシステム。
【請求項２】
前記粉末材料の層に圧縮成形するためのダイ圧縮成形ステーションをさらに備え、前記圧縮成形ステーションは、前記層を受け取るためのダイを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ダイ圧縮成形ステーションは、前記層と界接する前記ダイの表面を暖めるための加熱要素を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ダイ圧縮成形ステーションは、最大１００ＭＰａの圧力を前記層に対して加えるように動作可能であり、前記ダイ圧縮成形ステーションは、前記構築トレイを前記ダイに向かって持ち上げるためのリフティング・システムを備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記ダイ圧縮成形ステーションは、剥がれ防止機構を備え、前記剥がれ防止機構は、前記構築トレイと前記ダイとの間に配置された箔を有し、前記箔は、２つの反対側の縁部によって支持され、前記構築トレイと前記ダイの間の分離中、前記箔の弓反りを可能にする、請求項２〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
後続の層における前記構築トレイの高さを、圧縮成形後、前記層の厚さに応答して調整するためのコントローラをさらに備える、請求項２〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
焼結後、前記層を冷却するための冷却ステーションをさらに備え、前記冷却ステーションは、ガスのジェット噴流を提供するためのエア・ナイフを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記デジタル印刷システムは、液体担体内に懸濁するフリットを含んでなるインクを分配すべく動作可能であり、前記フリットは、５００ｎｍから１μｍの直径を有する粒子から形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記高サーマル・マス・ローラは、前記粉末の前記溶融温度より０℃〜８０℃高く加熱される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記高サーマル・マス・ローラは、ローラ長の１ｃｍ当たり２０〜１８０ニュートン（Ｎ／ｃｍ）程度の大きさの圧力を加える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記焼結ステーションは、剥がれ防止機構を備え、前記剥がれ防止機構は、前記高サーマル・マス・ローラと前記層との間に配置された箔を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記焼結ステーションは、予熱又は焼結のうちの少なくとも一方を行うために前記層の上で掃引した垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のアレイを含んでなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記構築トレイは、前記層が配置される前記トレイの表面に対して実質的に平行に走る少なくとも１つのチャネルを有し、前記チャネルを通じて前記構築トレイを冷却するための流体が導入される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記粉末は、アルミニウム又はアルミニウム合金のうちの少なくとも一方からなる粉末である、請求項４に記載のシステム。
【請求項１５】
３次元物体を構築するための方法において、
粉末の層を構築トレイ上に延展する工程と、
マスク・パターンを前記層上に印刷する工程であって、前記マスク・パターンは、焼結されることになる前記層の一部分のネガを画定し、前記層のための前記マスク・パターンは、前記３次元物体の形状を画定するマスク・パターン・データによって定義される、マスク・パターンを前記層上に印刷する工程と、
焼結されることになる前記マスクによって画定される前記層の前記部分を焼結する工程であって、前記焼結する工程は、前記層の上で転動する高サーマル・マス・ローラによって実施される、前記焼結する工程と、
前記延展する工程、前記印刷する工程、及び前記焼結する工程を前記３次元物体が完成するまで繰り返す工程と
からなる方法。
【請求項１６】
前記マスク・パターンは、インクを分配するデジタル・プリンタで印刷され、前記インクは、前記層のマスクされた部分上に断熱被覆を与える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記インクは、前記粉末の溶融温度より低い蒸発温度を有するように選択された液体担体を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記焼結する工程の前、かつ前記層の印刷する工程の後で、前記層の上にダイ圧縮成形を実施する工程をさらに備え、前記ダイ圧縮成形中に前記層に加えられる圧力は、最大１００ＭＰａである、請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
温間ダイ圧縮成形を実施する工程をさらに備え、前記ダイ圧縮成形中に前記層に加えられる圧力は、最大１００ＭＰａであり、前記温間ダイ圧縮成型は前記印刷する工程後、層ごとに実施される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ダイ圧縮成形中に前記構築トレイを冷却する工程を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記高サーマル・マス・ローラは、前記焼結する工程中、前記粉末の溶融温度より０℃〜３０℃高く加熱される、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記高サーマル・マス・ローラは、ローラ長の１ｃｍ当たり１０ニュートン（Ｎ／ｃｍ）程度の大きさの圧力で前記層に押し付けられる、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
焼結する工程中、前記構築トレイを冷却する工程を備える、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記焼結する工程の直後に前記層を冷却する工程をさらに備え、前記冷却する工程は、ガスのジェット噴流で実施される、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
構築される前記物体の１つ又は複数の前の層の厚さに応答して前記構築トレイの高さを調整する工程をさらに備える、請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ及びガス供給装置を有するＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉であって、
前記ガス供給装置は、中心の周りにスター状に配置されそれぞれ気化ガスソース（２１）と接続された入口ダクト（２２）を具備し、該入口ダクト（２２）はそれぞれ前記ガスソース（２１）から供給された各ガス流を、中心の周りに環状円筒形にて配置された第１混合室（１２）に供給し、
前記第１混合室（１２）では１又は複数の第１ガス偏向要素（１３）により１又は複数回の各ガス流の偏向及び各ガス流の混合が生じ、かつ、
前記ガス供給装置はオーバーフロー障壁（１４）を具備し、前記第１混合室（１２）から出た全ての各ガス流からなる第１ガス流が前記オーバーフロー障壁（１４）を超えて１８０°向きを変えさせられて前記第１混合室（１２）の内側に配置された第２混合室（１５）に流れ、前記第２混合室（１５）にて第２ガス偏向要素（１６）により前記第１ガス流の１又は複数回の偏向を生じ、
前記ガス供給装置はガス出口ダクト（８）を具備し、前記ガス出口ダクト（８）は前記第２混合室（１５）からＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置（１）のガス入口部材（５）への前記ガス流の出口のために中心に配置され、かつ、
２つの前記混合室（１２，１５）と前記気化ガスソース（２１）とからなる前記ガス供給装置が前記プロセスチャンバ（２）の鉛直方向上方に配置されている、前記ＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉において、
前記ガスソース（２１）から前記ガス入口部材（５）までの各ガス流の有効行程長が互いに同じであることを特徴とする
ＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項２】
前記入口ダクト（２２）が入口平面に配置されかつ共通の中心を向いており、前記ガス出口ダクト（８）が入口平面に対して交差する方向に延在することを特徴とする
請求項１に記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項３】
前記第１混合室（１２）が予備混合室であって各ガス流の層状の方向変化を生じる第１ガス偏向要素（１３）を具備し、かつ、前記第２混合室（１５）が渦流生成室であって前記第２混合室（１５）内に渦状の第２ガス流を生成するために第２ガス偏向要素（１６）を具備することを特徴とする
請求項１又は２に記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項４】
第１又は第２の前記ガス偏向要素（１３，１６）が、複数段階にてフロー方向に互いに重なって配置されていることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項５】
第１又は第２の前記混合室（１２、１５）が、同心状の管（１８，１９）から形成されており、それらは反対方向に流れられ通過されることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項６】
第１又は第２の前記混合室（１２，１５）の直径が、第１又は第２の前記混合室（１２，１５）の軸方向高さより短いことを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項７】
前記ガスソース（２１）及び前記混合室（１２，１５）が、前記反応炉ハウジング（１）の上壁の真上に配置されていることを特徴とする
請求項１〜６のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項８】
希釈ガス流の流入のための付加的なガス入口ダクト（２２’）があることを特徴とする
請求項１〜７のいずれかに記載のＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉。
【請求項９】
ＣＶＤ又はＰＶＤコーティング装置のガス入口部材（５）にプロセスガスを供給するための方法であって、
複数のプロセスガスの各々をそれぞれのガスソース（２１）に供給するステップと、
複数のプロセスガスの各々を各ガス流として他の各ガス流とは分離して各ガスソース（２１）から各入口ダクト（２２）をそれぞれ通って第１混合室（１２）に送るステップと、
前記第１混合室（１２）内で第１ガス偏向要素（１３）を用いて各ガス流を偏向しかつ各ガス流を混合するステップと、
全ての各ガス流からなる第１ガス流を、オーバーフロー障壁（１４）を超えさせて第２混合室（１５）にオーバーフローさせるステップと、
第２ガス偏向要素（１６）を用いて前記ガス流を偏向させるステップと、
全ての各ガス流からなるガス流をガス出口ダクト（８）から前記ガス入口部材（５）に送出するステップと、を有する方法において、
前記ガスソース（２１）と前記ガス入口部材（５）の間の行程における前記ガスの有効滞在時間が最大で１０ミリ秒異なることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ガスソース（２１）と前記ガス入口部材（５）の間の行程における前記ガスの有効滞在時間が、１００ミリ秒より短いことを特徴とする
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１混合室（１２）に配置された前記第１ガス偏向要素（１３）が前記各ガス流を層状に偏向させ、かつ／又は、前記第２混合室（１５）に配置された前記第２ガス偏向要素（１６）が渦状の第２のガス流を生じることを特徴とする
請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記入口ダクト（２２）におけるガス流は、各ガス流がそれぞれの入口ダクト（２２）を同じ平均ガス速度で出るように設定されていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
付加的な入口ダクト（２２’）を通して希釈ガス流が供給されることを特徴とする
請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１％〜１０％の範囲のヒドロキシプロピル化の程度；及び
４００ｃＰ〜３５００ｃＰの範囲のＲＶＡ粘度を有するアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンであって；
ここで、前記アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが牛乳中に容易に分散可能なものであるか、および/または８０％未満の相応する天然デンプンの表面タンパク質を有する、アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項２】
８０％未満、好ましくは５０％未満、たとえば２０％未満の相応する天然デンプンの表面タンパク質を有する、請求項１に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項３】
アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが凝集された形態であり、かつ、好ましくは２〜１５％の範囲、たとえば４〜７％の範囲、６〜１０％の範囲、７．５％超、または７．５〜１０％の範囲の水分レベルを有する、請求項１または２に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項４】
アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが１％〜８％の範囲、たとえば１．５％〜６％の範囲、または２％〜５％の範囲の、ヒドロキシプロピル置換を有する、請求項１から３までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項５】
アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが架橋されており、たとえば、ホスフェートによって架橋されている、請求項１から４までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項６】
アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが、７００ｃＰ〜２５００ｃＰの範囲のＲＶＡ粘度を有する、請求項１から５までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項７】
アルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンが、トウモロコシデンプン、たとえばＷａｘｙトウモロコシデンプンに基づく、請求項１から６までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項８】
任意の追加的な変性の量は、１重量％未満のレベルである、請求項１から７までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンの製造方法において、デンプンをヒドロキシプロピル化し、かつ、場合によっては架橋し、かつ、前記デンプンを表面処理してヒドロキシプロピル化デンプンを提供する段階、及び前記ヒドロキシプロピル化デンプンをゼラチン化してアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンを形成する段階を含む、前記方法。
【請求項１０】
前記ヒドロキシプロピル化が、表面処理の前に行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面処理が、プロテアーゼ処理またはカルボヒドラーゼ処理である、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記表面処理が、３未満のｐＨでの酸処理である、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記表面処理が、機械的研磨である、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から８までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンまたは請求項９から１３までのいずれか一項に記載の方法によって製造されたアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプンを少なくとも９０質量％含む、デンプン組成物であって、前記デンプン組成物が、好ましくはマルトデキストリンを実質的に含まない、前記デンプン組成物。
【請求項１５】
水性液体を増粘させる方法であって、前記方法が、請求項１から８までのいずれか一項に記載のアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン、請求項９から１３までのいずれか１項に記載の方法によって製造されたアルファ化、ヒドロキシプロピル化デンプン、または請求項１４に記載のデンプン組成物を液体中に分散させて、実質的に均質な増粘された液体を提供する段階を含む、前記方法。
【請求項１６】
前記液体が、水、飲料、スープ、ブロス、ソース、グレービー、シロップ、ドレッシング、薬物及び栄養補助剤から成る群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記液体が５〜３０℃の範囲の温度であり、かつ、前記デンプン組成物が、好ましくは３分以下の間に液体中で掻き混ぜられて実質的に均質な増粘された液体を提供する、請求項１５または１６に記載の方法。