Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月5日(2018.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の処理ステップによる電子部品の成型及び表面処理方法であって、
Ａ）担体上に複数の電子部品からなるグリッドを取り付けること、
Ｂ）前記電子部品における前記担体に対して反対側に位置する側面に、フォイルを配置すること、
Ｃ）前記担体上の前記フォイル被覆電子部品を型キャビティで包囲すること、
Ｄ）前記型キャビティへ圧送成型または注入成型によって封止材料をフィードすること、
Ｅ）前記型キャビティにフィードされた前記封止材料を少なくとも部分的に硬化させること、
Ｆ）前記型キャビティから、前記担体に取り付けられた部分封入済み電子部品を取り外すこと、
Ｇ）前記担体に取り付けられた部分封入電子部品から前記フォイルを取り除くこと、
Ｈ）前記担体に取り付けられた前記部品の開放側に対して、少なくとも一つの表面加工処理を施すこと、及び
Ｉ）前記担体から、部分封入及び表面処理済み電子部品を解放することからなる、前記方法。
【請求項２】
処理ステップＩ）の後、前記部分封入及び表面処理済み電子部品が分離されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理ステップＡ）中、前記複数の電子部品からなるグリッドが、シリコン・ウェファーとして組み付けられることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の電子部品からなるグリッドが、処理ステップＡ）中に平坦な担体プレート、好ましくは平坦な金属プレートに取り付けられることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記封止材料が、液体として処理ステップＤ）中に前記型キャビティへフィードされ、１〜５Ｐａ．ｓの粘度を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記型キャビティから、前記担体に取り付けられた部分封入済み電子部品を取り外す処理ステップＦ）が、処理ステップＧ）による前記担体に取り付けられた部分封入済み電子部品からの前記フォイルの除去と同時に実行されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
処理ステップＧ）中、前記電子部品から前記フォイルを取り除くために前記フォイルが加熱されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
処理ステップＨ）による前記部品の開放側に施される少なくとも一つの表面加工処理が、リソグラフィー、エッチング、照射、刷り込み、レーザ活性化、メッキの群から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
処理ステップＨ）による前記部品の開放側に施される少なくとも一つの表面加工処理が、前記電子部品から前記封止材表面への導電結合部を設ける処理であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の方法で製造される部分封入電子部品。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年3月12日(2018.3.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のシートに着座した成人乗員の肩の高さよりも上から車両のシャシーに結合しているアンカーポイントにまで及び、ドラム又は滑車に巻き取られるベルトと、前記シート上の乗員からみて前記アンカーポイントがある側とは反対側において前記シャシーに取り付けられたクラスプとを有し、前記ベルトが下方に向かいつつ乗員を横切るように引き出されて、前記クラスプに係合させられることで、サッシュセクションとラップセクションの両方で前記乗員を拘束する成人用３点式シートベルトを、子供が使用するのに適応させるための装置であって、
前記シートベルトの前記ラップセクションに係合するとともに該ラップセクションが前記子供の脚の上を横切って下に押すようにする側部留め金、および、前記側部留め金が接続された横方向の部材が取り付けられたマットであって、前記横方向の部材は、横方向のストラップ、横方向の金属の帯板、及び、延長可能な横方向のアームからなる群から選択される１つの部材である、マット、及び、
前記サッシュセクションに係合されるストラップであって、前記マットに固定され、先端にクリップを有し、前記子供の後ろに延び、前記クリップは、前記ドラム又は滑車から延びる前記ベルトにクリップ留め可能に係合し、前記ベルトの前記サッシュセクションを、前記子供の肩を越えて下ろす、ストラップ、
を備え、
前記側部留め金の間隔は、様々な幅の子供に合わせて前記ラップセクションを押し下げることができるように、調整可能である、装置。
【請求項２】
前記シートベルトには、該ベルトに沿って摺動することができる摺動体に取着されているバックルが設けられており、前記クラスプは、近位端が前記シャーシに取着され遠位端が前記乗員側に位置する可撓性ロッドの前記遠位端に取り付けられ、前記クラスプは前記バックルと、解放可能にロック可能に係合するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記マットは可撓性であり、保管のためにロール巻きにすることができる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記マットは、保管のために折り畳むことができる、一緒に蝶着される少なくとも２つのセクションを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
一緒に蝶着される前記少なくとも２つのセクションは布ヒンジによって蝶着される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記側部留め金は、シャックル、開口バックル及びフックを含む群から選択される１つのものである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記側部留め金はＣ字状のフックである、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ストラップの有効長はバックルによって調整することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ストラップはナイロン織物を含む、請求項１に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
マット２０５自体は、実質的に任意の材料から作製することができる。好ましくは、少なくとも横方向のストラップ２１０及びシートベルト１２のサッシュセクション５４に係合するストラップ２２０は、ナイロン、又は他の強靭な生地、すなわち例えば革から作製される。しかし、横方向のストラップ２１０は例えば金属の帯板であってもよい。好ましい実施形態では、マット２０５の横方向のストラップ２１０には、側部留め金２１５ａ、２１５ｂを交互に連結することができる複数のループ２１２が設けられる。このように、装置２００の有効幅は、様々なサイズの子供の骨盤の幅に合わせて調整することができるか、又は、子供が成長するにつれて子供のサイズに合わせて、若しくは、様々なサイズの様々な子供によって定期的に調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月5日(2018.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属クロム又はクロム含有合金を製造するための工程であって、
クロム化合物及び金属還元剤を含むテルミット混合物を、テルミット反応に耐えることができる真空容器のなかに収容して、真空脱気し、
該容器のなかで、前記テルミット混合物に点火して、前記クロム化合物を還元し、
反応生成物を凝固し、
前記反応生成物を冷却する
ことを備え、
前記点火することと、前記凝固することと、前記冷却することとを、１バール未満の圧力下で行う、工程。
【請求項２】
請求項１記載の工程において、
前記反応生成物を冷却することは、前記反応生成物を、１バール未満の圧力下で冷却して、周囲温度にすることを含む、工程。
【請求項３】
請求項１又は２記載の工程において、
製造される前記金属クロム又はクロム含有合金は、窒素含有量が５重量ｐｐｍ未満である、工程。
【請求項４】
請求項１又は２記載の工程において、
製造される前記金属クロム又はクロム含有合金は、窒素含有量が１０重量ｐｐｍ未満である、工程。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか記載の工程において、
前記テルミット混合物を点火することと、前記反応生成物を凝固することとを、２００ミリバールまでの圧力下で行う、工程。
【請求項６】
請求項１乃至４いずれか記載の工程において、
前記テルミット混合物を点火することと、前記反応生成物を凝固することとを、２００ミリバールの圧力下で行う、工程。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか記載の工程において、
前記テルミット混合物を真空脱気することは、前記テルミット混合物を真空脱気して、１ミリバール未満の初期圧力にすることを含む、工程。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか記載の工程において、
前記真空容器は、耐火性材料で裏打ちされたセラミック製又は金属製容器である、工程。
【請求項９】
請求項８記載の工程において、
前記真空容器を、全還元反応の間、真空気密で水冷式のチャンバーの内部に置く、工程。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか記載の工程において、
前記還元剤は、アルミニウムである、工程。
【請求項１１】
請求項１０記載の工程において、
前記アルミニウム還元剤は、粉末状である、工程。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれか記載の工程において、
前記テルミット混合物は、少なくとも一つのエネルギー・ブースターを、更に含む、工程。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれか記載の工程において、
前記真空脱気した後、前記点火する前に、前記真空容器のなかの前記圧力を、非窒素気体の導入により２００ミリバールまで増加させる、工程。
【請求項１４】
請求項１乃至１３いずれか記載の工程において、
前記テルミット混合物は、ニッケル、鉄、コバルト、ホウ素、炭素、ケイ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、レニウム、銅、及びこれらの混合物からなる群から選択された元素を、これらの金属の形態で、又は金属熱還元可能なこれらの化合物として、更に含有する、工程。
【請求項１５】
窒素含有量が１０ｐｐｍ未満である、
金属クロム又はクロム含有合金。
【請求項１６】
ニッケル、鉄、コバルト、ホウ素、炭素、ケイ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、レニウム、銅、及びこれらの混合物からなる群から選択された元素を更に含有し、窒素含有量が１０ｐｐｍ未満であり、請求項１乃至１４いずれかの工程により調製された、
クロム含有合金。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスデューサ取り付け部と、
前記トランスデューサ取り付け部の上側面に結合されたトランスデューサスタックと、
前記トランスデューサスタックに結合されて、前記トランスデューサ取り付け部の下方に巻き付けられたフレキシブル回路であって、前記トランスデューサ取り付け部の下側面の一部分を覆うフレキシブル回路と、
前記トランスデューサ取り付け部の前記下側面の反対側で前記フレキシブル回路に隣接するインターポーザと、
前記フレキシブル回路の反対側で前記インターポーザに隣接するプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に隣接するボルスタープレートであって、前記トランスデューサ取り付け部に固定され、前記インターポーザを介して前記フレキシブル回路に電気的に接触するように前記プリント回路基板を保持するボルスタープレートと
を備える、超音波プローブ。
【請求項２】
前記ボルスタープレートは、前記ボルスタープレートの表面から前記トランスデューサ取り付け部へと延在するタブを含み、前記タブは前記トランスデューサ取り付け部に結合し、前記タブは前記トランスデューサ取り付け部の側部に対接して設けられる面を有する、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項３】
前記タブは第１の開口を含み、前記トランスデューサ取り付け部は第２の開口を含み、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するために前記第１及び第２の開口内に嵌合する留め具を更に備える、請求項２に記載の超音波プローブ。
【請求項４】
前記留め具は、前記トランスデューサスタックの平面に平行な平面に延在し、好ましくは、前記留め具は、前記トランスデューサスタックの音響路の外側にある、請求項３に記載の超音波プローブ。
【請求項５】
前記第１の開口及び前記第２の開口は互いからオフセットされて配置され、前記ボルスタープレートに圧縮が印加されたときに整列する、請求項３に記載の超音波プローブ。
【請求項６】
前記第２の開口は、Ｕ字形状スロットである、請求項３に記載の超音波プローブ。
【請求項７】
前記ボルスタープレートは、前記ボルスタープレートの周辺部から延在するリップであって、前記プリント回路基板の一部分を少なくとも部分的に包囲するリップを含む、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項８】
前記リップは、前記トランスデューサ取り付け部へと延在し、第１の開口を含み、前記トランスデューサ取り付け部は、第２の開口を含み、前記第１及び第２の開口は、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するために前記第１及び第２の開口内に留め具を嵌合させる、請求項７に記載の超音波プローブ。
【請求項９】
前記フレキシブル回路は導体を含み、前記インターポーザは導体を含み、前記プリント回路基板は導体を含み、前記フレキシブル回路、前記インターポーザ及び前記プリント回路基板の前記導体は、前記ボルスタープレートによって前記トランスデューサ取り付け部に対して保持されたときに、電気的に結合される、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項１０】
前記トランスデューサ取り付け部は、前記下側面にフランジを含み、前記フランジは、前記プリント回路基板を前記インターポーザと整列させる、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項１１】
前記ボルスタープレート、前記プリント回路基板、前記インターポーザ、前記フレキシブル回路、前記トランスデューサ取り付け部、及び前記トランスデューサスタックの一部分を囲む保護シェルを更に備え、オプションで、前記保護シェルは、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に固定する、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項１２】
前記超音波プローブは、内視鏡タイプのデバイスの遠位端部に含まれる、請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項１３】
トランスデューサスタックに結合されたフレキシブル回路を、前記トランスデューサスタックに結合されたトランスデューサ取り付け部の下方に巻き付けるステップと、
インターポーザを、前記フレキシブル回路に対接して配置するステップと、
プリント回路基板を、前記インターポーザに対接して配置するステップと、
ボルスタープレートによって、前記プリント回路基板、前記インターポーザ及び前記フレキシブル回路を前記トランスデューサ取り付け部に対して圧縮するステップと、
前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するステップと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合する前記ステップは、前記ボルスタープレート及び前記トランスデューサ取り付け部に留め具を通すステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ボルスタープレートによって、前記トランスデューサスタックから熱を放散するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月31日(2018.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）吸着剤ポリマー材料であって、複数の芳香環を有し、少なくとも１つの式−ＳＯ２Ｒ５の基を有し、前記吸着剤ポリマー材料中の各芳香環について最大１つの式−ＳＯ２Ｒ５の基を有する吸着剤ポリマー材料、を提供することと、
ｂ）前記吸着剤ポリマー材料にホルムアルデヒドを吸着させることと、
を含み、
前記吸着剤ポリマー材料を提供することは、前駆体ポリマー材料をスルホニル含有化合物と反応させることを含み、
前記前駆体ポリマー材料は、式（Ｉ）
【化１】
2018501086.tif 000001
（Ｉ）
のモノマーを含有する重合性組成物、の重合生成物を含み、
各Ｒ１は、水素、ハロ、アルキル、アリール、アルカリール、又はアラルキルであり、少なくとも１つのＲ１が水素であり、
各Ｒ２は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、アラルキルであるか、同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に環状アルキルを形成しているか、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しており、
各Ｒ３は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、アラルキルであるか、同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に環状アルキルを形成しているか、同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しているか、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ４と一緒に炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ４は、独立して、水素であるか、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ３と一緒に、炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ５は、独立して、−ＮＨ２又は−ＮＲ６−Ｑ−ＮＲ６Ｒ７であり、
各Ｒ６は、独立して、水素又はアルキルであり、
各Ｒ７は、水素又は−Ｃ（＝ＮＨ）−ＮＨ２であり、
Ｑは、単結合、アルキレン、又は式−（Ｑ１−ＮＲ６）ｘ−Ｑ２−の基であり、
各Ｑ１はアルキレンであり、
各Ｑ２は、アルキレンであり、
ｘは、１〜４の範囲の整数である、ホルムアルデヒドの捕捉方法。
【請求項２】
ａ）吸着剤ポリマー材料であって、複数の芳香環を有し、少なくとも１つの
式−ＳＯ２Ｒ５の基を有し、前記吸着剤ポリマー材料中の各芳香環について最大１つの式−ＳＯ２Ｒ５の基を有する吸着剤ポリマー材料と、
ｂ）ホルムアルデヒドと、
を含有する混合物、の反応生成物を含み、
前記吸着剤ポリマー材料は、前駆体ポリマー材料とスルホニル含有化合物との反応生成物を含み、
前記前駆体ポリマー材料は、式（Ｉ）
【化２】
2018501086.tif 000002
（Ｉ）
のモノマーを含有する重合性組成物、の重合生成物、を含み、
各Ｒ１は、水素、ハロ、アルキル、アリール、アルカリール、又はアラルキルであり、少なくとも１つのＲ１が水素であり、
各Ｒ２は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、アラルキルであるか、同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に環状アルキルを形成しているか、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しており、
各Ｒ３は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、アラルキルであるか、同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に環状アルキルを形成しているか、同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しているか、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ４と一緒に炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ４は、独立して、水素であるか、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ３と一緒に、炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ５は、独立して、−ＮＨ２又は−ＮＲ６−Ｑ−ＮＲ６Ｒ７であり、
各Ｒ６は、独立して、水素又はアルキルであり、
各Ｒ７は、水素又は−Ｃ（＝ＮＨ）−ＮＨ２であり、
Ｑは、単結合、アルキレン、又は式−（Ｑ１−ＮＲ６）ｘ−Ｑ２−の基であり、
各Ｑ１はアルキレンであり、
各Ｑ２は、アルキレンであり、
ｘは、１〜４の範囲の整数である、ポリマー材料。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月24日(2018.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経糸および緯糸を有する布地の切れ端から繊維、特に炭素繊維をほぐして再整列させるための方法であって、歯（３００）を含む櫛（３０）を使用して繊維をほぐすステップを含み、
第１の整列モジュール（４）の少なくとも２つの壁との連続接触によって前記繊維を再整列させるステップと、第２のモジュール（６）によって成形するステップとを含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記第２のモジュール（６）は並進運動を与えられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
熱可塑性または熱硬化性ポリマー結合剤を添加するステップを含むことを特徴とする、前述の請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記結合剤（７０、７１）は、ほぐされるべき前記繊維（７）と同時に添加された熱可塑性物質であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記結合剤は、前記第１の整列モジュール（４）からの出口で添加されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記結合剤は熱可塑性繊維（７１）からなることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記結合剤は熱可塑性粉末（７０）からなることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記結合剤は、前記第１の整列モジュール（４）の入口で添加されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記ポリマー結合剤を活性化し、加圧するステップを含むことを特徴とする、請求項３〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の格子（３２）および第２の格子（３３）という２つの格子（３２、３３）を含むほぐしツールを含む装置であって、
前記２つの格子（３２、３３）の下に配置された第１の整列モジュール（４）と、前記第１の整列モジュール（４）の下流に位置付けられた第２のモジュール（６）とを含むこと、および、
前記第１の整列モジュール（４）は、９０°≦α≦０および９０°≧β≧０であるようなそれぞれの角度αおよびβだけ垂線に対して傾斜する平面で構成された少なくとも２つの偏向器（４００）を有し、前記第１の整列モジュール（４）は下部に開口（４０３）を有することを特徴とする、装置。
【請求項１１】
前記第２のモジュール（６）は、可撓性材料で作られた傾斜トレイ（６０）を含み、前記傾斜トレイは、前記トレイの底で回転運動を作り出す垂直揺動運動で駆動される２つの縁を有することを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２のモジュールはコンベヤベルト（４０１）を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記第２のモジュール（６）の後に回転チューブ（６３）が続くことを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２のモジュール（６）の下流に位置付けられた、結合剤を活性化する手段を含むことを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の格子（３２）は平行剛性ロッド（３２０）で生成され、前記第２の格子（３３）は平行板（３３０）で生成されることを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも１つの可撓性の壁部（１２、１４）を有するホイルチャンバ（１０）内の試験対象物（１６）に対する気密性試験の実施方法であって、
試験対象物をホイルチャンバ内に取り込む工程と、
試験対象物をホイルチャンバ内に取り込む際に、既に試験対象物に含まれているガス又はガス成分を気密性試験のための試験ガスとして用いる工程と、
試験対象物内の試験ガスの圧力及び大気圧よりも低くい圧力に、ホイルチャンバの圧力を減圧する工程と、
搬送ガスを、ホイルチャンバ内であって、試験対象物の外側の領域に取り込む工程と、
ホイルチャンバ内であって、試験対象物の外側の領域に生成される混合ガスにおける試験ガスの濃度を測定する工程と、を備えることを特徴とする、気密性試験の実施方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記搬送ガス流が、搬送ガス運搬手段（２５）を用いて、能動的に供給されることを特徴とする、請求項２に記載の気密性試験の実施方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記搬送ガス流が、前記ホイルチャンバ内の真空によって可撓性の壁部（１２、１４）から抜け出すガス成分により形成されることを特徴とする、請求項２に記載の気密性試験の実施方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記試験対象物は、前記ホイルチャンバ内に載置される前に、前記試験ガスで充たされることを特徴とする、請求項１〜１０の何れかに記載の気密性試験の実施方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月15日(2018.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスを収容する光学体の光学窓を清掃するための清掃装置であって、前記光学デバイスは、前記光学窓を通る視線を有し、
前記光学デバイスは、
流体塗布器と、
ワイパーと、
前記光学体と前記ワイパーとの間の相対移動を生じさせて、前記ワイパーによって前記光学窓の少なくとも１つの視線部分が清掃される清掃サイクルの第１段階を開始させ、且つ、前記光学体と前記流体塗布器との間の相対移動を生じさせて、前記流体塗布器によって少なくとも光学窓の視線部分を覆うように液体膜が塗布される前記清掃サイクルの第２段階を開始させ、前記液体膜を前記光学窓上に残存させるとともに、前記液体膜の下にある前記光学窓への汚染物質の付着を抑制しながら前記光学デバイスの光学的動作を可能にするよう構成されたアクチュエータと
を備える清掃装置。
【請求項２】
前記流体塗布器は、前記液体膜を塗布するための液体の量を保持するように構成された流体チャンバを備え、
前記流体塗布器は、前記流体チャンバと前記光学体との間に、前記流体塗布器と前記光学体との間の相対移動中に前記光学窓に前記液体膜を塗布するためのディスペンサとして作用するよう動作可能に構成された一次シールを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記一次シールは、前記流体塗布器と前記光学体との間の相対移動中に前記光学窓に塗布される前記液体膜の厚さを制御するように動作可能に構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ワイパーは、前記一次シールに隣接して配置され、清掃サイクルの第一段階の間に前記光学窓及び前記一次シールから汚染物質を除去するように動作可能である、請求項２〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記ワイパーと前記一次シールは一体的に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ワイパーは、前記清掃サイクルの前記第２の段階の間に前記流体塗布器によって前記液体膜が塗布される幅に対応する前記光学窓の一部を清掃するように寸法決めされ配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記流体塗布器は、前記液体膜を塗布するための液体の量を保持するように構成された流体チャンバを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記液体膜を塗布するための液体を貯蔵するように構成された液体貯蔵源をさらに備え、前記液体貯蔵源は、前記流体チャンバの液体量を補充するために前記流体チャンバと液体連通している、請求項２〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記液体貯蔵源と前記流体リザーバとの間で前記流体をポンピングする手段をさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ポンピングする手段は、前記アクチュエータによって生成された相対移動を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記液体貯蔵源は、フィルタを介して前記流体チャンバと液体連通し、前記フィルタは前記液体から汚染物質を除去するように動作可能である、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記光学体は、光学シリンダー、光学プレート、平面光学面、及び球体の１つを備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記アクチュエータは、
前記光学体と前記流体塗布器との間の直線往復相対移動、
前記光学体と前記流体塗布器との間の往復回転相対運動、
前記光学体と前記流体塗布器との間の一方向の相対回転運動、及び
前記光学体と前記流体塗布器との間の一方向であって連続的な回転相対移動
の１つを生じさせるよう動作可能に構成される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記光学窓上の汚染物質の存在を検出するように構成されたセンサをさらに備える、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記液体は、前記液体膜が汚染物質と前記光学窓との間の結合を弱め、清掃サイクルの前記第１段階の間において前記汚染物質を除去することを容易にするように選択される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
光学デバイスを収容する光学体の光学窓を清掃する方法であって、前記光学窓を通る視線を有する光学デバイスを清掃する方法であって、
前記方法は、
前記光学体とワイパーとの間に相対移動を生じさせて、前記ワイパーによって前記光学窓の少なくとも１つの視線部分が清掃される清掃サイクルの第１段階を開始させるステップと、
前記光学体と前記流体塗布器との間の相対移動を生じさせて、前記流体塗布器によって少なくとも前記光学窓の視線部分を覆うように液体膜が塗布される清掃サイクルの第２段階を開始させるステップと
を含み、
前記液体膜は、前記光学窓上に残存させ、前記液体膜の下にある前記光学窓への汚染物質の付着を抑制しながら、前記光学デバイスの光学動作を可能にする、光学デバイスを収容する光学体の光学窓を清掃する方法。
【請求項１７】
前記流体塗布器は、前記液体膜を塗布するための液体の量を保持するように構成された流体チャンバを備え、
前記流体塗布器は、前記流体チャンバと前記光学体との間に、一次シールを備え、
前記液体膜は、前記流体塗布器と前記光学体との間の相対移動中に前記光学窓に前記液体膜を塗布するためのディスペンサとして作用する前記一次シールによって、前記流体塗布器によって塗布される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
相対移動を引き起こすことは、
前記光学体と前記流体塗布器との間の直線往復相対移動、
前記光学体と前記流体塗布器との間の往復回転相対運動、
前記光学体と前記流体塗布器との間の一方向の相対回転運動、及び
前記光学体と前記流体塗布器との間の一方向であって連続的な回転相対移動
の１つを生じさせる、請求項１６〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記光学窓上の汚染物質の存在をさらに検出する、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記流体チャンバと液体連通され前記液体チャンバの液体量を補充するために液体貯蔵源を更に備えた、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
汚染物質を除去するために前記液体を濾過するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記液体は、前記液体膜が汚染物質と前記光学窓との間の結合を弱め、清掃サイクルの第１段階中に前記汚染物質の除去を容易にするように選択される、請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月28日(2018.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部での腐食性流体の循環に適した、熱交換器（１）のためのろう付けされた金属製の母材（２）を製造するための方法であって、前記母材（２）が、構成部材（４、５、６）の積層体を含み、前記構成部材（４、５、６）の複数が、前記腐食性流体を運ぶためのチャネル（８）を画定し、
以下の連続する工程：
ａ）前記母材（２）の前記構成部材（４、５、６）を提供する工程と、
ｂ）前記構成部材の間を機械的に接続するように意図された前記構成部材の領域（９）上に、ろう付け材料（３）の層を堆積する工程と、
ｃ）前記チャネル（８）を、耐食層で被覆する工程と、
ｄ）前記構成部材を積層して、前記母材（２）を形成する工程と、
ｅ）積層した前記母材（２）をろう付け炉中に設置する工程と、
ｆ）前記母材（２）に熱サイクルを受けさせ、単一作業で、前記母材（２）をろう付けし、流体経路（１０）を耐食コーティング（７）で被覆する工程と
を含む、方法。
【請求項２】
前記ろう付け材料（３）の層及び前記耐食層が同一の製品で作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ろう付け材料（３）の層及び前記耐食層が、溶融温度の差が５０℃以下である２つの異なる製品で作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記耐食層が、液体溶媒と、湿潤剤と、金属合金粉末とを含む懸濁液である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
構成部材（４、５、６）の積層体を含む、熱交換器（１）のための金属製の母材（２）であり、
前記構成部材（４、５、６）が、ろう付け材料（３）の層によって互いに対して保持され、それによって、前記母材を機械的に一体化し、
内部に流体循環経路（１０）を含み、各流体循環経路（１０）が、径方向に流体を完全に収容するように設けられた内壁（１１）を有する母材（２）であって、
各内壁（１１）が、耐食コーティング（７）で完全に被覆されたことを特徴とする、母材（２）。
【請求項６】
前記流体循環経路（１０）の全ての各内壁（１１）が、前記耐食コーティング（７）で完全に被覆された、請求項５に記載の母材（２）。
【請求項７】
前記耐食コーティング（７）が、前記ろう付け材料（３）と同一の材料で作られた、請求項５又は６に記載の母材（２）。
【請求項８】
前記ろう付け材料（３）が第１合金で作られ、前記耐食コーティング（７）が、前記第１合金と異なり、前記第１合金の溶融温度と５０℃を超えて異ならない溶融温度を有する第２合金で作られた、請求項５又は６に記載の母材（２）。
【請求項９】
前記第２合金が、前記第１合金と同一の群の合金に属する、請求項８に記載の母材（２）。
【請求項１０】
前記構成部材（４、５、６）の積層体が、エッチングプレート若しくはコルゲーション（４）、セパレータシート（５）及び柵部（６）の積層体、又は２つのタイプの積層体の組み合わせである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属合金粉末が、ニッケル及びクロムをベースとした合金粉末である、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記構成部材（４、５、６）の積層体が、エッチングプレート若しくはコルゲーション（４）、セパレータシート（５）及び柵部（６）の積層体、又は２つのタイプの積層体の組み合わせである、請求項５に記載の金属製の母材。
【請求項１３】
前記耐食コーティング（７）が、ニッケル及びクロムをベースとした合金である、請求項７に記載の母材（２）。
【請求項１４】
前記耐食コーティング（７）が、ニッケル、クロム、ホウ素及びケイ素（ＮｉＣｒＢＳｉ）の合金である、請求項１３に記載の母材（２）。
【請求項１５】
前記第２合金が、ニッケル及びクロムをベースとした合金の群に属する、請求項９に記載の母材（２）。
【請求項１６】
前記第２合金が、ニッケル、クロム及びケイ素（ＮｉＣｒＳｉ）の合金、又はニッケル、クロム、ケイ素及びリン（ＮｉＣｒＳｉＰ）の合金である、請求項１５に記載の母材（２）。
【請求項１７】
ｃ）前記チャネル（８）と、前記柵部（６）とを、耐食層で被覆する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月1日(2018.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポータブルコンピューティングデバイス(PCD)の電力領域における電力消費を管理するための方法であって、
ピーク動的電力しきい値を初期レベルに設定するステップと、
システムオンチップ(SoC)の1つまたは複数の処理構成要素の温度を監視するステップと、
前記1つまたは複数の処理構成要素に供給される電圧レベルを監視するステップと、
前記SoCの前記1つまたは複数の処理構成要素に割り振られてもよい電力の残りの量を表す前記ピーク動的電力しきい値の利用可能なレベルを計算するステップであって、前記利用可能なレベルが、前記1つまたは複数の処理構成要素と関連する、前記監視される温度および電圧レベルから計算されるリーク電力レベルに基づくものである、計算するステップと、
前記ピーク動的電力しきい値の前記利用可能なレベルが前記ピーク動的電力しきい値の前記初期レベルとは異なると決定するステップと、
前記ピーク動的電力しきい値を前記利用可能なレベルに調整するステップと、
前記調整されたピーク動的電力しきい値に基づいて、前記SoCの前記処理構成要素のうちの1つまたは複数の中の1つまたは複数の機能ブロックのためにスロットリングレベルへの調整をトリガするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記電力領域への実際の電力供給レベルを示す1つまたは複数の電力レベルパラメータを監視するステップをさらに含み、
前記ピーク動的電力しきい値の利用可能なレベルを計算するステップが、前記計算を前記電力領域への前記実際の電力供給レベルに基づかせるステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記1つまたは複数の電力レベルパラメータが、スイッチングモード電源装置への入力電圧、電源タイプ、アクティブなスイッチングモード電源装置の数、スイッチングモード電源装置の出力電圧、電力管理集積回路に関連する温度、およびそれらの組合せからなるグループから選択される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記1つまたは複数の処理構成要素が、グラフィカル処理装置(GPU)、カメラサブシステム、中央処理装置(CPU)、モデム、またはそれらの組合せからなるグループから選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数を低減させるステップ、または実行スループットを低減させるステップのうちの一方を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数を増加させるステップ、または実行スループットを増加させるステップのうちの一方を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数および前記電力領域に供給される電圧を低減させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記処理構成要素のうちの1つまたは複数の中の1つまたは複数の機能ブロックのために前記スロットリングレベルへの調整をトリガするステップが、前記1つまたは複数の機能ブロックの設定をルックアップテーブルから決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
ポータブルコンピューティングデバイス(PCD)の電力領域における電力消費を管理するためのコンピュータシステムであって、
ピーク動的電力しきい値を初期レベルに設定するための手段と、
システムオンチップ(SoC)の1つまたは複数の処理構成要素の温度を監視するための手段と、
前記1つまたは複数の処理構成要素に供給される電圧レベルを監視するための手段と、
前記SoCの前記1つまたは複数の処理構成要素に割り振られてもよい電力の残りの量を表す前記ピーク動的電力しきい値の利用可能なレベルを計算するための手段であって、前記利用可能なレベルが、前記1つまたは複数の処理構成要素と関連する、前記監視される温度および電圧レベルから計算されるリーク電力レベルに基づくものである、計算するための手段と、
前記ピーク動的電力しきい値の前記利用可能なレベルが前記ピーク動的電力しきい値の前記初期レベルとは異なると決定するための手段と、
前記ピーク動的電力しきい値を前記利用可能なレベルに調整するための手段と、
前記調整されたピーク動的電力しきい値に基づいて、前記SoCの前記処理構成要素のうちの1つまたは複数の中の1つまたは複数の機能ブロックのためにスロットリングレベルへの調整をトリガするための手段とを備える、コンピュータシステム。
【請求項１０】
前記電力領域への実際の電力供給レベルを示す1つまたは複数の電力レベルパラメータを監視するための手段をさらに備え、
前記ピーク動的電力しきい値の利用可能なレベルを計算することが、前記計算を前記電力領域への前記実際の電力供給レベルに基づかせることをさらに含む、
請求項9に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記1つまたは複数の電力レベルパラメータが、スイッチングモード電源装置への入力電圧、電源タイプ、アクティブなスイッチングモード電源装置の数、スイッチングモード電源装置の出力電圧、電力管理集積回路に関連する温度、およびそれらの組合せからなるグループから選択される、請求項10に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数を低減させること、または実行スループットを低減させることのうちの一方を含む、請求項9に記載のコンピュータシステム。
【請求項１３】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数を増加させること、または実行スループットを増加させることのうちの一方を含む、請求項9に記載のコンピュータシステム。
【請求項１４】
スロットリングレベルへの前記調整が、動作周波数および前記電力領域に供給される電圧を低減させることをさらに含む、請求項9に記載のコンピュータシステム。
【請求項１５】
ポータブルコンピューティングデバイス内のプロセッサに請求項１から8のいずれか一項に記載の方法を実行させるように動作可能なコンピュータ可読プログラマブル記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、データ通信方法のアプリケーションシナリオを示す。説明される方法は、こうしたアプリケーションシナリオに限定されず、他の類似のアプリケーションが、本発明の実施形態に従った方法を採用してもよい。クライアント端末ソフトウェアが実行しているとき、ブラウザ１１（ブラウザは、ｆｉｒｅｆｏｘまたはＩＥなどの任意のブラウザであってよい）を使用することによりウェブページを開く必要があると仮定されたい。この実施形態では、ブラウザにおいて実行される「オンラインバンク」が一実施例として挙げられている。オンラインバンクを使用するプロセスにおいて、パスワードを入力する必要がある場合がある。図１は、パスワードを入力する必要のあるページを示す。こうしたページは、「ターゲットページ」と呼ばれることがある。ページにおいて、楕円形のボックス１２により示されるログインパスワード入力領域は、パスワード制御によって管理され、パスワード入力フィールドは、通常、図１のページにおいて表示され、また、ユーザにより入力されるパスワードは、パスワード制御が実行される場合のみ受信される（制御の設定は、一般に、パスワードのセキュリティを確保するためのものである）と考えられる。この実施形態において、パスワード制御は、「ターゲットプラグイン」と呼ばれ、すなわち、図１に示したターゲットページの実行は、ターゲットプラグインを必要とし、ターゲットプラグインを実行することによってのみ、ターゲットページにおいて対応するパスワードを入力する機能が正常に実行され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不均一メモリアーキテクチャを有するポータブルコンピューティングデバイス内のメモリを割り振るための方法であって、
第1のシステムオンチップ(SoC)上で実行されているプロセスから、仮想メモリページについての要求を受け取るステップであって、前記第1のSoCがチップ間インターフェースを介して第2のSoCに電気的に結合され、前記第1のSoCが第1の高性能バスを介して第1のローカル揮発性メモリデバイスに電気的に結合され、前記第2のSoCが第2の高性能バスを介して第2のローカル揮発性メモリデバイスに電気的に結合される、ステップと、
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上で利用可能な同じ物理アドレスを含んだ空き物理ページペアを決定するステップと、
前記空き物理ページペアを単一の仮想ページアドレスにマップするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記空き物理ページペアを前記単一の仮想ページアドレスに前記マップするステップが、前記同じ物理アドレスに関連するページテーブルエントリを変更するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ページテーブルエントリを前記変更するステップが、前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上の前記同じ物理アドレスに記憶されたメモリデータを複製するようにコピー属性を設定するステップを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上の前記同じ物理アドレスに記憶されたメモリデータを複製するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記空き物理ページペアを前記決定するステップが、
前記利用可能な同じ物理アドレスを識別するためにグローバルディレクトリで物理ページフレームを検索するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記空き物理ページペアを前記決定するステップが、
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス用の前記同じ物理アドレスが、異なる仮想アドレスに割り当てられることを決定するステップと、
前記物理ページペアを空けるために、前記物理アドレスを再割り当てするステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
別の仮想メモリページを求めるさらなる要求を受け取るステップと、
さらなる物理ページペアが利用可能ではないと決定するステップと、
前記さらなる要求に応答して、さらなる物理ページを別の仮想ページアドレスにマップするステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
オペレーティングシステムが、以前に割り振られた物理ページをさらなる空き物理ページペアに変換するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイスのうちの1つまたは複数が、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポータブルコンピューティングデバイスが、モバイルフォン、タブレットコンピュータ、ナビゲーションデバイス、および携帯ゲーム機のうちの1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
不均一メモリアーキテクチャを有するポータブルコンピューティングデバイス内のメモリを割り振るためのシステムであって、
第1のシステムオンチップ(SoC)上で実行されているプロセスから、仮想メモリページについての要求を受け取るための手段であって、前記第1のSoCがチップ間インターフェースを介して第2のSoCに電気的に結合され、前記第1のSoCが第1の高性能バスを介して第1のローカル揮発性メモリデバイスに電気的に結合され、前記第2のSoCが第2の高性能バスを介して第2のローカル揮発性メモリデバイスに電気的に結合される、手段と、
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上で利用可能な同じ物理アドレスを含んだ空き物理ページペアを決定するための手段と、
前記空き物理ページペアを単一の仮想ページアドレスにマップするための手段と
を含む、システム。
【請求項１２】
前記空き物理ページペアを前記単一の仮想ページアドレスにマップするための前記手段が、前記同じ物理アドレスに関連するページテーブルエントリを変更するための手段をさらに含む、請求項11に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ページテーブルエントリを変更するための前記手段が、前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上の前記同じ物理アドレスに記憶されたメモリデータを複製するようにコピー属性を設定するための手段を含む、請求項12に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第1および第2のローカル揮発性メモリデバイス上の前記同じ物理アドレスに記憶されたメモリデータを複製するための手段
をさらに含む、請求項11に記載のシステム。
【請求項１５】
不均一メモリアーキテクチャでメモリを割り振るためにプロセッサによって実行可能である、コンピュータプログラムであって、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成された論理を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池装置の少なくとも１つのアノード中、少なくとも１つのカーバイド化合物のカーバイド酸化によって、元素状炭素物質を製造する工程を有する方法であって、
前記電気化学電池装置はガルバニ電池装置であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記カーバイド化合物は塩型カーバイド、又は、中間遷移金属カーバイドであることを特徴とする、請求項１に記載した方法。
【請求項３】
前記カーバイド化合物は塩型カーバイドであることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載した方法。
【請求項４】
前記カーバイド化合物はカルシウムカーバイド又はアルミニウムカーバイドであることを特徴とする、請求項１−３の何れか１項に記載した方法。
【請求項５】
前記電気化学電池装置は少なくとも１０−８Ｓ/ｃｍの電気伝導率を有することを特徴とする、請求項１−４の何れか１項に記載した方法。
【請求項６】
前記電気化学電池装置は少なくとも１つのカソードを更に有することを特徴とする、請求項１−５の何れか１項に記載した方法。
【請求項７】
前記電気化学電池装置は少なくとも１つの金属カソードを更に有し、前記カソードは亜鉛、スズ、鉄、銅、又は、銀製のカソードであることを特徴とする、請求項１−６の何れか１項に記載した方法。
【請求項８】
前記電気化学電池装置のアノードは、少なくとも１つの溶媒と少なくとも１つの塩とを有する少なくとも１つの第１溶液に接続し、
ガルバニ電池装置のカソードも、少なくとも１つの溶媒と少なくとも１つの塩とを有する少なくとも１つの溶液に接続していることを特徴とする、請求項１−７の何れか１項に記載した方法。
【請求項９】
前記元素状炭素物質を製造する反応温度は１０℃から９０℃であることを特徴とする、請求項１−８の何れか１項に記載した方法
【請求項１０】
前記元素状炭素物質を製造する反応圧力は０．１Ｔｏｒｒから５気圧であることを特徴とする、請求項１−９の何れか１項に記載した方法
【請求項１１】
前記元素状炭素物質の製造は、外部電圧源を使用しないで行うことを特徴とする、請求項１−１０の何れか１項に記載した方法。
【請求項１２】
前記電気化学電池装置は、前記酸化反応を制御するために外部電圧源を有することを特徴とする、請求項１−１０の何れか１項に記載した方法。
【請求項１３】
前記元素状炭素物質は５０％を超えるｓｐ２炭素からなることを特徴とする、請求項１−１２の何れか１項に記載した方法。
【請求項１４】
前記元素状炭素物質は５０％を超えるｓｐ３炭素からなることを特徴とする、請求項１−１２の何れか１項に記載した方法。
【請求項１５】
前記元素状炭素物質は二次元の板状構造体からなることを特徴とする、請求項１−１４の何れか１項に記載した方法。
【請求項１６】
グラフェンを製造するために、少なくとも１つの剥離工程に前記元素状炭素物質を付すことを特徴とする、請求項１−１５の何れか１項に記載した方法。
【請求項１７】
前記電気化学電池装置はガルバニ電池装置であり、
前記カーバイド化合物はカルシウムカーバイド又はアルミニウムカーバイドであり、
前記ガルバニ電池装置のアノードは少なくとも１つの有機溶媒と少なくとも１つの溶解した塩とを含む溶液と接触し、
１５℃から５０℃、及び、７２０Ｔｏｒｒから８００Ｔｏｒｒで、前記元素状炭素物質を製造することを特徴とする、請求項１−１６の何れか１項に記載した方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの電気化学電池を有する装置であって、前記装置は、
少なくとも１つのカーバイド化合物を有する少なくとも１つのアノードと、
少なくとも１つのカソードを有することを特徴とする装置。
【請求項１９】
前記電気化学電池装置は、ガルバニ電池装置であることを特徴とする、請求項１８に記載した装置。
【請求項２０】
前記カーバイド化合物は、塩型カーバイド又は中間遷移金属カーバイドであることを特徴とする、請求項１８又は請求項１９に記載した装置。
【請求項２１】
前記カーバイド化合物は、少なくとも１０−８Ｓ／ｃｍの電子伝導性を有することを特徴とする、請求項１８−２０の何れか１項に記載した装置。
【請求項２２】
前記カーバイド化合物は、少なくとも１つの電子導電物質と接触することを特徴とする、請求項１８−２１の何れか１項に記載した装置。
【請求項２３】
前記電気化学電池装置のアノードは、少なくとも１つの有機溶媒と、少なくとも１つの溶解した塩とを含む溶液と接触していることを特徴とする、請求項１８−２２の何れか１項に記載した装置。
【請求項２４】
前記電気化学電池装置のカソードは、少なくとも１つの有機溶媒と、少なくとも１つの溶解した塩とを含む溶液と接触していることを特徴とする、請求項１８−２３の何れか１項に記載した装置。
【請求項２５】
前記電気化学電池装置は、前記カーバイド化合物中のカーバイドの酸化反応を制御するために、外部電圧源を有することを特徴とする、請求項１８−２４の何れか１項に記載した装置。
【請求項２６】
少なくとも１つのカーバイド化合物を含む電極構造体であって、
随意、前記カーバイド化合物は塩型カーバイドであり、
前記カーバイド化合物と異なる少なくとも１つの電気伝導性構造要素を有し、前記少なくとも１つのカーバイド化合物と接触していることを特徴とする電極構造体。
【請求項２７】
電気化学電池の少なくとも１つのアノードを操作する工程を有する方法であって、前記アノードは少なくともカーバイド化合物を有することを特徴とする方法。
【請求項２８】
少なくとも１つの有機溶媒と、還元される少なくとも１つの金属カチオンを含む少なくとも１つの溶解している塩と、を含む溶液と接触している少なくとも１つのカーバイド化合物中のカーバイドを酸化することで、元素状炭素物質を製造する工程を有する方法。
【請求項２９】
請求項１−１７又は請求項２７−２８の何れか１項に記載した方法を含む方法によって調製した元素状炭素物質組成物。
【請求項３０】
請求項２９に記載した組成物を有する装置、機器、又は、システム。