【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガス供給層と、
任意選択で第１のガス分散層と、
第１の触媒を含むアノード触媒層と、
膜と、
第２の触媒を含むカソード触媒層と、
任意選択で第２のガス分散層と、
第２のガス供給層と、を順に備え、
前記第１のガス供給層が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、
前記アノード触媒層が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、前記第１のガス供給層の前記第２主面が、前記アノード触媒層の前記第２主面によりも前記アノード触媒層の前記第１主面により近く、
前記膜が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、前記アノード触媒層の前記第２主面が、前記膜の前記第２主面によりも前記膜の前記第１主面により近く、
前記カソード触媒層が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、前記膜の前記第２主面が、前記カソード触媒層の前記第２主面によりも前記カソード触媒層の前記第１主面により近く、
前記第２のガス供給層が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、前記カソード触媒層の前記第２主面が、前記第２のガス供給層の前記第２主面によりも前記第２のガス供給層の前記第１主面により近く、
下記の層のうちの少なくとも１つ、即ち、
前記第１のガス供給層の前記第１主面の上に配置された酸素発生反応触媒を含む層、
酸素発生反応触媒を含む前記第１のガス供給層、
前記第１のガス供給層と前記第１のガス分散層との間に配置された酸素発生反応触媒を含む層、
前記第１のガス分散層の前記第１主面の上に配置された酸素発生反応触媒を含む層、
酸素発生反応触媒を含む前記第１のガス分散層、
酸素発生反応触媒を含む前記第２のガス分散層、
前記第２のガス分散層の前記第２主面の上に配置された酸素発生反応触媒を含む層、
前記第２のガス供給層と前記第２のガス分散層との間に配置された酸素発生反応触媒を含む層、
酸素発生反応触媒を含む前記第２のガス供給層、
前記第２のガス供給層の前記第２主面の上に配置された酸素発生反応触媒を含む層、のうちの少なくとも１つが存在する、膜電極アセンブリ。
【請求項２】
前記アノード触媒層が、
（ａ）元素Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つ、
（ｂ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの合金、
（ｃ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの複合物、
（ｄ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸化物、
（ｅ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの有機金属錯体、
（ｆ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの炭化物、
（ｇ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのフッ化物、
（ｈ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの窒化物、
（ｉ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのホウ化物、
（ｊ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸炭化物、
（ｋ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸フッ化物、
（ｌ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸窒化物、又は
（ｍ）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸ホウ化物、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項３】
前記アノード触媒層が、
（ａ’）元素Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つ、
（ｂ’）元素Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの合金、
（ｃ’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの複合物、
（ｄ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸化物、
（ｅ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの有機金属錯体、
（ｆ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの炭化物、
（ｇ’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのフッ化物、
（ｈ’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの窒化物、
（ｉ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸炭化物、
（ｊ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸フッ化物、
（ｋ’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸窒化物、
（ｌ’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのホウ化物、又は
（ｍ’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸ホウ化物、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項４】
前記カソード触媒層が、
（ａ’’）元素Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つ、
（ｂ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの合金、
（ｃ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの複合物、
（ｄ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸化物、
（ｅ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの有機金属錯体、
（ｆ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの炭化物、
（ｇ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのフッ化物、
（ｈ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの窒化物、
（ｉ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのホウ化物、
（ｊ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸炭化物、
（ｋ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸フッ化物、
（ｌ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸窒化物、又は
（ｍ’’）Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ若しくはＲｕのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸ホウ化物、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項５】
前記カソード触媒層が、
（ａ’’’）元素Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つ、
（ｂ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの合金、
（ｃ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの複合物、
（ｄ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸化物、
（ｅ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの有機金属錯体、
（ｆ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの炭化物、
（ｇ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのフッ化物、
（ｈ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの窒化物、
（ｉ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸炭化物、
（ｊ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸フッ化物、
（ｋ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの酸窒化物、
（ｌ’’’）Ａｌ、炭素、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つのホウ化物、又は
（ｍ’’’）Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ若しくはＺｒのうちの少なくとも１つの、少なくとも１つの酸ホウ化物、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項６】
前記膜電極アセンブリが、
（ａ）前記酸素発生反応触媒を含む複数の前記層のうちの少なくとも１つが、１：１以下の元素金属酸素発生反応触媒に対する元素金属Ｐｔの比率を有する、又は
（ｂ）前記酸素発生反応触媒を含む、前記第１のガス供給層、前記第２のガス供給層、前記任意の第１のガス分散層又は前記任意の第２のガス分散層のうちの少なくとも１つの上に配置された前記層のうちの少なくとも１つが、１：１以下の元素金属酸素発生反応触媒に対する元素金属Ｐｔの比率を有する、のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項７】
前記第１のガス分散層が、略対向した第１主面と第２主面とを有し、前記第１のガス供給層の前記第２主面が、前記第１のガス分散層の前記第２主面によりも前記第１のガス分散層の前記第１主面により近い、請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜電極アセンブリ。
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載の膜電極アセンブリのうちの少なくとも１つを備える、電気化学デバイス。
【請求項９】
前記電気化学デバイスが、燃料電池である、請求項８に記載の電気化学デバイス。