Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．少なくとも１つのオープンリーディングフレーム（ＯＲＦ）と、
ｂ．ＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲ又はＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲの変異体に由来する核酸配列を含む少なくとも１つの３’−非翻訳領域エレメント（３’−ＵＴＲエレメント）とを含み、
前記オープンリーディングフレーム（ＯＲＦ）及び前記３’−ＵＴＲエレメントが、互いに異種である人工核酸分子を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
前記オープンリーディングフレーム（ＯＲＦ）が、レポーター遺伝子をコードしておらず、レポーター遺伝子に由来してもおらず、前記レポーター遺伝子が、発光タンパク質、好ましくはルシフェラーゼ、蛍光タンパク質、好ましくは赤色、青色、又は緑色蛍光タンパク質；酵素レポーター；大腸菌（Ｅ．ｃｏｌｉ）由来のｌａｃＺ遺伝子（ベータ−ガラクトシダーゼ）；アルカリホスファターゼ；分泌型胎盤性アルカリホスファターゼ（ＳＥＡＰ）；クロラムフェニコールアセチルトランスフェラーゼ（ＣＡＴ）；ホルモン及びサイトカインからなる群から選択されないことが好ましい請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記オープンリーディングフレーム（ＯＲＦ）が、ＦＩＧ４遺伝子、好ましくは、真核生物のＦＩＧ４遺伝子、より好ましくは、哺乳類のＦＩＧ４遺伝子、最も好ましくは、ヒトのＦＩＧ４遺伝子をコードしておらず、由来してもいない請求項１から２のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つの３’−ＵＴＲエレメントが、前記人工核酸分子からのタンパク質産生を安定化／延長する請求項１から３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つの３’−ＵＴＲエレメントが、配列番号１又は配列番号２に係る核酸配列に対して少なくとも約４０％、好ましくは少なくとも約５０％、好ましくは少なくとも約６０％、好ましくは少なくとも約７０％、より好ましくは少なくとも約８０％、より好ましくは少なくとも約９０％、更により好ましくは少なくとも約９５％、更により好ましくは少なくとも約９９％の同一性を有する核酸配列を含むか又はからなる、或いは、前記少なくとも１つの３’−ＵＴＲエレメントが、配列番号１又は配列番号２に係る核酸配列に対して少なくとも約４０％、好ましくは少なくとも約５０％、好ましくは少なくとも約６０％、好ましくは少なくとも約７０％、より好ましくは少なくとも約８０％、より好ましくは少なくとも約９０％、更により好ましくは少なくとも約９５％、更により好ましくは少なくとも約９９％の同一性を有する核酸配列の断片を含むか又はからなる請求項１から４のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
ｃ．ポリ（Ａ）配列及びポリアデニル化シグナルの少なくともいずれかを更に含み、
前記ポリ（Ａ）配列又はポリアデニル化シグナルが、好ましくは前記３’−ＵＴＲエレメントの３’側に位置する請求項１から５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
５’−キャップ構造、ポリ（Ｃ）配列、ヒストンステムループ、及びＩＲＥＳモチーフの少なくともいずれかを更に含む請求項１から６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記核酸が、更なる５’−エレメント（好ましくは、５’−ＵＴＲ）、プロモーター、又は５’−ＵＴＲ及びプロモーター含有配列を含む請求項１から７のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記５’−ＵＴＲが、５’−ＴＯＰ  ＵＴＲである請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記人工核酸分子、好ましくは前記オープンリーディングフレームが、少なくとも部分的にＧ／Ｃ改変されており、好ましくは、前記オープンリーディングフレームのＧ／Ｃ含量が、野生型オープンリーディングフレームに比べて増加している、及び／又は
前記オープンリーディングフレームが、コドンが最適化されている領域を含み、好ましくは、前記オープンリーディングフレームのコドンが最適化されている請求項１から９のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記人工核酸分子が、ＲＮＡ分子、好ましくはｍＲＮＡ分子である請求項１から１０のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかによって定義される人工核酸分子を含むベクターを含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１３】
前記ベクターが、プラスミドベクター又はウイルスベクター、好ましくは、プラスミドベクターである請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれかによって定義される人工核酸分子又は請求項１２から１３のいずれかにによって定義されるベクターを含む細胞を含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１５】
１以上の薬学的に許容できるビヒクル、希釈剤、賦形剤、及び１以上のアジュバントの少なくともいずれかを更に含む請求項１から１４のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１６】
医薬として使用するための請求項１から１１のいずれかによって定義される人工核酸分子、請求項１２から１３のいずれかによって定義されるベクター、請求項１４によって定義される細胞、又は請求項１から１５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１７】
ワクチンとして使用するための又は遺伝子治療において使用するための請求項１から１１のいずれかによって定義される人工核酸分子、請求項１２から１３のいずれかによって定義されるベクター、請求項１４によって定義される細胞、又は請求項１から１５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１８】
人工核酸分子（好ましくは、ｍＲＮＡ分子又はベクター）からのタンパク質産生の安定化及び／又は延長を行うインビトロにおける方法であって、前記核酸分子（好ましくは、ｍＲＮＡ分子又はベクター）と３’−ＵＴＲエレメントとを結合させる工程を含み、前記３’−ＵＴＲエレメントが、ＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲ、又はＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲの変異体に由来する核酸配列を含むか又はからなり、
前記人工核酸がオープンリーディングフレームを含み、
前記オープンリーディングフレーム及び前記３’−ＵＴＲエレメントが、互いに異種であることを特徴とする方法。
【請求項１９】
核酸分子（好ましくは、ｍＲＮＡ分子又はベクター）からのタンパク質産生を安定化及び／又は延長させるための３’−ＵＴＲエレメントの使用であって、前記３’−ＵＴＲエレメントが、ＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲ、又はＦＩＧ４遺伝子の３’−ＵＴＲの変異体に由来する核酸配列を含むか又はからなり、
前記核酸がオープンリーディングフレームを含み、
前記オープンリーディングフレーム及び前記３’−ＵＴＲエレメントが、互いに異種であることを特徴とする使用。
【請求項２０】
請求項１から１５のいずれかに記載の医薬組成物を含むことを特徴とするキット又はキットオブパーツ。
【請求項２１】
使用説明書と、トランスフェクション用の細胞と、アジュバントと、医薬組成物の投与手段と、前記医薬組成物を溶解又は希釈するための薬学的に許容できる担体及び薬学的に許容できる溶液の少なくともいずれかとを更に含む請求項２０に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配電システムであって、
−  電力を供給する給電装置と、
−  負荷を含む受電装置であって、前記給電装置と着脱可能に電気的に結合され、且つ更に前記給電装置によって給電される、受電装置と、
−  前記給電装置を前記受電装置に着脱可能に電気的に結合し、且つ更に前記給電装置から前記受電装置へ前記電力を伝達する導電体と
を含み、前記給電装置が、更に、前記給電装置から前記受電装置への電流の流れを感知し、且つ、最小電流以上の電流が少なくとも周期的に感知される場合に電力を供給し、
前記受電装置が、更に、少なくとも一部の時間において前記負荷が前記最小電流よりも小さい電流を引き出すスタンバイモードで、及び少なくとも一部の時間において前記負荷が前記最小電流以上の電流を引き出す動作モードで動作し、
前記受電装置が、前記給電装置から、バルクコンデンサを含む前記受電装置の少なくとも一部を電気的に切り離す制御可能スイッチを更に含み、
前記受電装置は、少なくとも前記制御可能スイッチを制御することを通じて、前記受電装置が前記スタンバイモードで動作しているときに、前記給電装置から前記最小電流以上のパルス電流を、所定の期間にわたり且つ所定の周波数で引き出すパルス生成回路を更に含み、
前記制御可能スイッチは、更に、パルスが生成されるときに前記バルクコンデンサを切り離し、当該バルクコンデンサが前記パルスを除去することを防ぐ、配電システム。
【請求項２】
請求項１に記載の配電システムであって、前記受電装置の前記パルス生成回路が、
−  前記パルス電流を消費する抵抗と、
−  前記抵抗と直列に配置されるパルス生成スイッチと、
−  前記パルス生成スイッチ及び前記制御可能スイッチを制御するコントローラと
を含み、前記コントローラが、更に、前記パルス電流を消費するために前記パルス生成スイッチがオンにされ、且つ前記制御可能スイッチがオフにされるパルス生成モードと、前記パルス生成スイッチがオフにされ、且つ前記制御可能スイッチがオンにされる非パルス生成モードとの間を循環する、配電システム。
【請求項３】
請求項１に記載の配電システムであって、前記受電装置の前記パルス生成回路が、
−  前記制御可能スイッチがオンにされると、前記給電装置から受け取られた電気エネルギーを貯蔵する、バッファコンデンサと、
−  前記制御可能スイッチを制御するコントローラと
を含み、前記コントローラが、更に、前記制御可能スイッチがオンにされ、且つ前記バッファコンデンサが充電されるパルス生成モードと、前記制御可能スイッチがオフにされ、且つ前記バッファコンデンサに貯蔵された前記電気エネルギーが消費される非パルス生成モードとの間を循環する、配電システム。
【請求項４】
請求項１に記載の配電システムであって、前記受電装置が電力変換装置を含み、前記受電装置の前記パルス生成回路が前記電力変換装置及び前記制御可能スイッチを制御するコントローラを含み、
前記コントローラが、更に、前記制御可能スイッチがオンにされ、且つ前記電力変換装置の貯蔵部品が充電される非パルス生成モードと、前記制御可能スイッチがオフにされ、且つ前記電力変換装置の前記貯蔵部品に貯蔵された前記電気エネルギーが消費されるパルス生成モードとの間を循環する、配電システム。
【請求項５】
請求項４に記載の配電システムであって、前記電力変換装置が入力電流制御モードで制御される、配電システム。
【請求項６】
請求項１に記載の配電システムであって、前記受電装置がパルストランスを含み、前記受電装置の前記パルス生成回路が前記パルストランス及び前記制御可能スイッチを制御するコントローラを含み、
前記コントローラが、更に、一次電流が前記パルストランスの一次巻線で生成されるパルス生成モードと非パルス生成モードとの間を循環し、
前記パルス生成モードにおいて前記パルストランスの前記一次巻線で生成された前記一次電流が、前記パルストランスの二次巻線で二次電流に変換され、前記二次電流が前記最小電流以上であり、
前記パルストランスの前記二次巻線が前記給電装置を伴う閉電流ループに電気的に結合されており、
前記制御可能スイッチが、前記非パルス生成モードにおいて前記パルストランスの前記一次巻線を短絡する、配電システム。
【請求項７】
請求項６に記載の配電システムであって、前記受電装置が、前記給電装置から前記受電装置への電流の流れを感知する電流センサを更に含み、前記コントローラが、更に、感知された前記電流の流れに基づいて前記パルストランスによる注入電流の振幅を調節する、配電システム。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の配電システムであって、前記受電装置がパワーオーバーイーサネット（登録商標）規格において指定される受電装置であり、前記受電装置が前記導電体を介して電力を受け取るための物理インターフェースチップ又はチップセットを含み、前記パルス生成回路が前記物理インターフェースチップ又はチップセットの一部である、配電システム。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の配電システムであって、前記受電装置がパワーオーバーイーサネット（登録商標）規格において指定される受電装置であり、前記受電装置が分離スイッチを含み、前記制御可能スイッチが前記分離スイッチである、配電システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の配電システムであって、前記導電体がイーサネット（登録商標）ケーブルである、配電システム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載のシステムにおいて使用される給電装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載のシステムにおいて使用される受電装置。
【請求項１３】
受電装置のスタンバイモード中に、給電装置に電気的に結合された前記受電装置において電流パルスを生成するための方法であって、
−  前記給電装置から、バルクコンデンサを含む前記受電装置の少なくとも一部を電気的に切り離すステップと、
−  前記給電装置から受け取られた電気エネルギーを消費するステップと
を含む、方法。
【請求項１４】
コンピュータ上で実行されると、請求項１３に記載のステップを実行するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１次受信機チェーンとダイバーシティ受信機チェーンとを備える受信機を有するワイヤレス通信デバイスにおいて干渉消去（ＩＣ）を実行する方法であって、前記方法は、
前記受信機上で送信信号の干渉レベルを決定することと、
前記干渉レベルが所定の範囲内にあるかどうかを決定することと、
前記干渉レベルが所定の範囲内にある場合、第１の動作モードを選択することと、
前記干渉レベルが前記所定の範囲内にない場合、第２の動作モードを選択することと
を備え、
ここにおいて、前記第１のモードが、
前記１次受信機チェーンにおいて、前記送信信号に対応する第１の信号を受信することと、
前記干渉レベルが前記所定の範囲内にあると決定することに応答して、前記ダイバーシティ受信機チェーンによって、ＩＣ回路に前記送信信号に対応する第２の信号を提供することと、
前記ＩＣ回路において、前記第２の信号に基づいて出力信号を生成することと、
前記出力信号と前記第１の信号とに基づいて消去信号を生成することと
を備え、
ここにおいて、前記第２のモードが、
前記１次受信機チェーンにおいて、前記送信信号に対応する第１の信号を受信することと、
前記１次受信機チェーンを介して前記第１の信号を処理することと、
前記ダイバーシティ受信機チェーンにおいて、前記送信信号に対応する第２の信号を受信することと、
前記ダイバーシティ受信機チェーンを介して前記第２の信号を処理することと
を備える、方法。
【請求項２】
消去信号が前記第２のモードにおいて生成されない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記送信信号が前記ワイヤレス通信デバイスの送信機とは異なるワイヤレス通信デバイスの送信機から送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記干渉レベルが、信号対干渉（ＳＩＲ）レベルおよび干渉対雑音（ＩＮＲ）レベルのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、
少なくとも１つの送信機と少なくとも１つの受信機との間の既知の共存問題を備えるデータベースに基づいて、前記送信信号を送信する送信機と前記受信機との間の共存問題を検出することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の共存問題が第１の所定の範囲に対応し、
第２の共存問題が第２の所定の範囲に対応する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記所定の範囲が前記共存問題に基づく、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
共存問題を前記検出することが、前記干渉レベルをあらかじめ定義されたテーブルと比較することを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記受信機上で送信信号の干渉レベルを決定することは、前記共存問題が検出されない場合実行されず、
前記干渉レベルが所定の範囲内にあるかどうかを決定することは、前記共存問題が検出されない場合実行されず、
前記干渉レベルが所定の範囲内にある場合、第１の動作モードを選択することは、前記共存問題が検出されない場合実行されず、
前記干渉レベルが前記所定の範囲内にない場合、第２の動作モードを選択することは、前記共存問題が検出されない場合実行されない、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＣ回路が適応フィルタを備え、前記適応フィルタが最小２乗平均（ＬＭＳ）適応フィルタを備え、前記ＬＭＳ適応フィルタが、アナログ制御アナログＬＭＳ適応フィルタおよびデジタル制御アナログＬＭＳ適応フィルタのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記１次受信機チェーンが１次フィルタを備え、前記ダイバーシティ受信機チェーンがダイバーシティフィルタを備え、前記１次フィルタと前記ダイバーシティフィルタとが同等のフィルタ処理特性を有し、前記１次フィルタおよび前記ダイバーシティフィルタの各々が、帯域フィルタ、デュプレクサ、およびノッチフィルタのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
各々の干渉レベルに基づいて前記１次受信機チェーンおよび前記ダイバーシティ受信機チェーンのうちの１つを選択すること
をさらに備え、前記１次受信機チェーン上の前記干渉レベルが前記ダイバーシティ受信機チェーン上の前記干渉レベルよりも大きい場合、前記１次受信機チェーンが選択される、または、前記ダイバーシティ受信機チェーン上の前記干渉レベルが前記１次受信機チェーン上の前記干渉レベルよりも大きい場合、前記ダイバーシティ受信機チェーンが選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の動作モードおよび第２の動作モードの各々が、前記１次受信機チェーンおよび前記ダイバーシティ受信機チェーンのための動作モードである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の信号の信号経路は、前記干渉レベルが前記所定の範囲内にあると決定することに応答して、前記ＩＣ回路に切り替えられ、前記第２の信号経路が、スイッチを用いて前記ＩＣ回路に切り替えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１次受信機チェーンとダイバーシティ受信機チェーンとを備える受信機を有するワイヤレス通信デバイスにおいて干渉消去（ＩＣ）を実行するための装置であって、前記装置が、
前記受信機上で送信信号の干渉レベルを決定するように構成されたプロセッサと、前記プロセッサは、前記干渉レベルが所定の範囲内にあるかどうかを決定するように構成され、前記プロセッサは、前記干渉レベルが前記所定の範囲内にある場合、第１の動作モードを選択するように構成され、前記プロセッサは、前記干渉レベルが前記所定の範囲内にない場合、第２の動作モードを選択するように構成される、
ＩＣ回路と、ここにおいて、前記第１の動作モードにおいて、
前記ＩＣ回路が、前記ダイバーシティ受信機チェーンにおいて受信された第２の信号に基づいて前記装置の加算器への出力信号を生成するように構成され、前記第２の信号が前記送信信号に対応し、
前記加算器が、前記出力信号と前記１次受信機チェーンにおいて受信された第１の信号とに基づいて消去信号を生成するように構成され、前記第１の信号が前記送信信号に対応し、前記プロセッサはさらに、前記干渉レベルが前記所定の範囲内にあると決定することに応答して、前記ＩＣ回路に前記第２の信号を提供するように構成される、
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、
前記誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、
前記ＲＦバイアス板の下方に配され、前記誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、
前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、
前記誘電体ディスクを前記ＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように前記誘電体ディスクの前記第２の表面にその第１の端部が結合され、前記誘電体ディスクから離れる方向へ延びて前記ＲＦバイアス板および前記金属板を貫くシャフトと、
前記シャフトに結合され、前記シャフトおよび前記誘電体ディスクを、前記ＲＦバイアス板、前記複数のランプおよび前記金属板に対して回転させるための回転アセンブリと
を備える静電チャック。
【請求項２】
バイポーラ静電チャックである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記ＲＦバイアス板、前記複数のランプおよび前記金属板を含むハウジング
をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記金属板の外径と前記ハウジングの内面との間に配された隙間
をさらに含み、前記隙間が、前記複数のランプからの熱を前記金属板が吸収したときに前記金属板の熱膨張によって前記金属板の前記外径が前記ハウジングの前記内面と接触するようにサイズ設定される、
請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記ＲＦバイアス板が前記誘電体ディスクと前記複数のランプの間に配された、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記バイアス板が、前記複数のランプから放出された熱が前記誘電体ディスクを加熱することを可能にするための複数の開口を含む、請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記複数のランプがハロゲンランプを含む、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項８】
前記複数のランプが、ランプの内側アレイと、ランプの独立に制御可能な外側アレイとを含む、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項９】
前記回転アセンブリが磁気回転アセンブリである、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記磁気回転アセンブリが、前記シャフトの前記第１の端部とは反対側の第２の端部の近くの前記シャフトの下部に取り付けられた内側磁石と、前記内側磁石の周りに配され、前記内側磁石の回転を駆動するための外側磁石とを含む、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記シャフトの周りに配された軸受アセンブリ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記軸受アセンブリを通して電力を送って、前記少なくとも１つのチャッキング電極に電力を供給することができるように、前記軸受アセンブリが、前記チャッキング電極に電気的に結合された、請求項１１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのチャッキング電極に結合された導体の周りに配されたインダクタフィルタであり、前記少なくとも１つのチャッキング電極とのＲＦ干渉を最小限に抑えるためのインダクタフィルタ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記誘電体ディスクの前記支持表面を貫いて移動可能に配された複数のリフトピンを含むリフトピンアセンブリ
をさらに備える、請求項１から６のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記複数のリフトピンのうちの少なくとも１本のリフトピンが、前記誘電体ディスクの温度を測定するための高温計を含む、請求項１４に記載の静電チャック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本明細書では、回転可能な被加熱静電チャックの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、ＲＦバイアス板の下方に配され、誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、誘電体ディスクをＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように誘電体ディスクの第２の表面にその第１の端部が結合され、誘電体ディスクから離れる方向へ延びてＲＦバイアス板および金属板を貫くシャフトと、シャフトに結合され、シャフトおよび誘電体ディスクを、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板に対して回転させるための回転アセンブリとを含む。
いくつかの実施形態では、静電チャックが、基板を支持する支持表面および反対側の第２の表面を有する誘電体ディスクであり、少なくとも１つのチャッキング電極がその中に配された誘電体ディスクと、誘電体ディスクの下方に配された高周波（ＲＦ）バイアス板と、前記少なくとも１つのチャッキング電極に結合された導体の周りに配されたインダクタフィルタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）であり、前記少なくとも１つのチャッキング電極とのＲＦ干渉を最小限に抑えるためのインダクタフィルタと、ＲＦバイアス板の下方に配され、誘電体ディスクを加熱するための複数のランプと、前記複数のランプの下方に配され、前記複数のランプによって生み出された熱を吸収するための金属板と、誘電体ディスクをＲＦバイアス板に対して離隔された関係で支持するように誘電体ディスクの第２の表面にその第１の端部が結合され、誘電体ディスクから離れる方向へ延びてＲＦバイアス板および金属板を貫くシャフトと、シャフトに結合された磁気回転アセンブリであり、シャフトおよび誘電体ディスクを、ＲＦバイアス板、複数のランプおよび金属板に対して回転させるための磁気回転アセンブリとを含み、磁気回転アセンブリが、シャフトの第１の端部とは反対側の第２の端部の近くのシャフトの下部に取り付けられた内側磁石と、内側磁石の周りに配され、内側磁石の回転を駆動するための外側磁石とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
1つまたは複数の参照拡張トランスポートフォーマット組合せ(E-TFC)インジケータ(E-TFCI)が、高速アップリンクパケットアクセス(HSUPA)に対して、参照E-TFCIの有効範囲の外にあるものと決定するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の外で最低の参照E-TFCIを識別するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の外で前記識別された最低の参照E-TFCIに部分的に基づいて、E-TFCIの前記有効範囲の中でE-TFCIに関連するE-TFCに対する利得係数を決定するステップと、
前記利得係数に基づく電力レベルにおいて信号を送信するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記利得係数が、制御チャネルに対する送信電力とデータチャネルに対する送信電力との間のオフセットを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記利得係数がβedを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記利得係数を決定するステップが、E-TFCIの前記有効範囲の外の前記最低の参照E-TFCIと前記有効範囲内の最大の参照E-TFCIとを使用する内挿を実施するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
ワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数の参照拡張トランスポートフォーマット組合せ(E-TFC)インジケータ(E-TFCI)が、高速アップリンクパケットアクセス(HSUPA)に対して、参照E-TFCIの有効範囲の外にあるものと決定するための手段と、
E-TFCIの前記有効範囲の外で最低の参照E-TFCIを識別するための手段と、
E-TFCIの前記有効範囲の外で前記識別された最低の参照E-TFCIに部分的に基づいて、E-TFCIの前記有効範囲の中でE-TFCIに関連するE-TFCに対する利得係数を決定するための手段と、
前記利得係数に基づく電力レベルにおいて信号を送信するための手段と
を含む、装置。
【請求項６】
前記利得係数が、制御チャネルに対する送信電力とデータチャネルに対する送信電力との間のオフセットを含む、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記利得係数がβedを含む、請求項5に記載の装置。
【請求項８】
前記利得係数を決定するステップが、E-TFCIの前記有効範囲の外の前記最低の参照E-TFCIと前記有効範囲内の最大の参照E-TFCIとを使用する内挿を実施するステップを含む、請求項5に記載の装置。
【請求項９】
コンピュータに、
1つまたは複数の参照拡張トランスポートフォーマット組合せ(E-TFC)インジケータ(E-TFCI)が、高速アップリンクパケットアクセス(HSUPA)に対して、参照E-TFCIの有効範囲の外にあるものと決定するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の外で最低の参照E-TFCIを識別するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の外で前記識別された最低の参照E-TFCIに部分的に基づいて、E-TFCIの前記有効範囲の中でE-TFCIに関連するE-TFCに対する利得係数を決定するステップと、
前記利得係数に基づく電力レベルにおいて信号を送信するステップと、
を実施させる命令を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記利得係数が、制御チャネルに対する送信電力とデータチャネルに対する送信電力との間のオフセットを含む、請求項9に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記利得係数がβedを含む、請求項9に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記利得係数を決定するステップが、E-TFCIの前記有効範囲の外の前記最低の参照E-TFCIと前記有効範囲内の最大の参照E-TFCIとを使用する内挿を実施するステップを含む、請求項9に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
ワイヤレス通信のための方法であって、
第1の拡張トランスポートフォーマット組合せ(E-TFC)インジケータ(E-TFCI)が、高速アップリンクパケットアクセス(HSUPA)に対して、参照E-TFCIの有効範囲の外にあるものと決定するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の中で最大の参照E-TFCIを識別するステップと、
前記有効範囲の中で前記最大のE-TFCIを使用する外挿を実施することで、前記第1のE-TFCに対する利得係数を決定するステップと、
前記利得係数に基づく電力レベルにおいて信号を送信するステップとを含む、方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための方法であって、
第1の拡張トランスポートフォーマット組合せ(E-TFC)インジケータ(E-TFCI)が、高速アップリンクパケットアクセス(HSUPA)に対して、参照E-TFCIの有効範囲の外にあるものと決定するステップと、
E-TFCIの前記有効範囲の中で最大の参照E-TFCIを識別するステップと、
前記有効範囲の中で前記最大のE-TFCIを使用する外挿を実施することで、最大許容E-TFCI(E-TFCI_X)を決定するステップと、
前記最大許容E-TFCIに対する利得係数に基づいて内挿を実施するステップと、
を含む、前記第1のE-TFCに対する前記利得係数を決定するステップと、
前記利得係数に基づく電力レベルにおいて信号を送信するステップとを含む、方法。
【請求項１５】
前記有効範囲の中で前記最大の参照E-TFCIに対する参照電力オフセットを決定するステップをさらに含み、前記内挿はさらに前記参照電力オフセットに基づく、請求項14に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
下部レベル相互接続ジオメトリ上に形成される第１のエッチング停止層と、
前記第１のエッチング停止層の上にある第１の誘電体の層と、
前記第１の誘電体の層の上にある金属薄膜レジスタと、
前記金属薄膜レジスタ上に堆積される第２のエッチング停止層と、
前記第１の誘電体の層の上にあり、且つ、前記第２のエッチング停止層の上にある層間誘電体（ＩＬＤ）層と、
前記ＩＬＤ層を介してエッチングされた第１のレジスタビアであって、第１の上部レベル相互接続ジオメトリを前記金属薄膜レジスタの第１の端部に接続する、前記第１のレジスタビアと、
前記ＩＬＤ層を介してエッチングされた第２のレジスタビアであって、第２の上部レベル相互接続ジオメトリを前記金属薄膜レジスタの第２の端部に接続する、前記第２のレジスタビアと、
前記ＩＬＤ層を介して、前記第１の誘電体の層を介して、および前記第１のエッチング停止層を介して、第３の上部レベル相互接続ジオメトリを前記下部レベル相互接続ジオメトリに接続する相互接続ビアと、
を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記金属薄膜レジスタのジオメトリが、約１．５〜４０ｎｍの範囲の厚さのＣｒＳｉまたはＮｉＣｒである、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記金属薄膜レジスタのジオメトリが、約３．５ｎｍの厚さのＣｒＳｉである、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さの、ＳｉＮとＳｉＯＮとＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とから成るグループから選択される誘電体であり、
前記第２のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さの、ＳｉＮとＳｉＯＮとＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とから成るグループから選択される誘電体である、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さのＳｉＮであり、
前記第２のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さのＳｉＮである、集積回路。
【請求項６】
集積回路を形成する方法であって、
下部相互接続ジオメトリの上に第１のエッチング停止層を堆積することと、
前記第１のエッチング停止層上に第１の誘電体層を堆積することと、
前記第１の誘電体層上に金属薄膜レジスタ材料を堆積することと、
前記金属薄膜レジスタ材料上に第２のエッチング停止層を堆積することと、
前記第２のエッチング停止層上に、レジスタフォトレジストジオメトリを有するレジスタフォトレジストパターンを形成することと、
前記第２のエッチング停止層をエッチングすることと、
金属薄膜レジスタを形成するように前記金属薄膜レジスタ材料をエッチングすることと、
前記レジスタフォトレジストパターンを除去することと、
前記第１の誘電体層上と前記第２のエッチング停止層上とに層間誘電体（ＩＬＤ）層を堆積することと、
少なくとも１つの相互接続ビア開口を備え、前記金属薄膜レジスタの第１の端部の上の第１のレジスタビア開口を備え、前記金属薄膜レジスタの第２の端部の上の第２のレジスタビア開口を備える、ビアフォトレジストパターンを前記ＩＬＤ層上に形成することと、
前記相互接続ビア開口内の前記ＩＬＤ層をエッチングし、前記相互接続ビア開口内の前記第１の誘電体層をエッチングし、前記相互接続ビア開口内の前記第１のエッチング停止層上でエッチングを停止し、前記第１のレジスタビア開口内と前記第２のレジスタビア開口内の前記ＩＬＤ層をエッチングし、前記第１のレジスタビア開口内と前記第２のレジスタビア開口内の前記第２のエッチング停止層上でエッチングを停止する、第１のプラズマエッチングを行うことであって、前記第１のプラズマエッチングが、前記第１のエッチング停止層に対する高選択性を有し、前記第２のエッチング停止層に対する高選択性を有する、前記第１のプラズマエッチングを行うことと、
前記相互接続ビア開口内の前記第１のエッチング停止層をエッチングし、前記相互接続ビア開口内の前記下部相互接続ジオメトリ上でエッチングを停止し、前記第１のレジスタビア開口内と前記第２のレジスタビア開口内の前記第２のエッチング停止層をエッチングし、前記第１のレジスタビア開口内と前記第２のレジスタビア開口内の前記薄膜レジスタ上でエッチングを停止する、第２のプラズマエッチングを行うことと、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記金属薄膜レジスタ材料が、１．５〜４０ｎｍの範囲の厚さのＮｉＣｒまたはＣｒＳｉである、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記レジスタ材料が、約３．５ｎｍの厚さのＣｒＳｉである、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、
前記第１のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さの、ＳｉＮとＳｉＯＮとＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とから成るグループから選択される誘電体であり、
前記第２のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さの、ＳｉＮとＳｉＯＮとＳｉＣとＡｌ２Ｏ３とから成るグループから選択される誘電体である、方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法であって、
前記第１のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さのＳｉＮであり、
前記第２のエッチング停止層が、約２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さのＳｉＮである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙基材を含む質量分析プローブであって、前記紙基材の一部が材料で被覆されており、前記材料の一部が前記紙基材から突出する、質量分析プローブ。
【請求項２】
前記紙基材に連結された電圧源をさらに含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記電圧源が、３ボルトまたはそれ未満の電圧を生成するように構成されている、請求項２に記載のプローブ。
【請求項４】
前記材料が導電性材料である、請求項１に記載のプローブ。
【請求項５】
前記導電性材料が、１つまたはそれ超の導電性ナノチューブを含む、請求項４に記載のプローブ。
【請求項６】
前記導電性ナノチューブが、カーボンナノチューブである、請求項５に記載のプローブ。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブが、前記基材の外面を被覆する、請求項６に記載のプローブ。
【請求項８】
紙基材を含む質量分析プローブであって、前記紙基材の一部が材料で被覆されており、前記材料の一部が前記紙基材から突出する、質量分析プローブと、
前記紙基材に連結された電圧源と、
質量分析器と
を含むシステム。
【請求項９】
前記電圧源が、３ボルトまたはそれ未満の電圧を生成するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記材料が導電性材料である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記導電性材料が、１つまたはそれ超の導電性ナノチューブを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記導電性ナノチューブが、カーボンナノチューブである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記カーボンナノチューブが、前記紙基材の外面を被覆する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記紙基材が、先端部へと先細りする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
前記プローブが、溶媒のフローから別個である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プローブが、空気圧支援を用いずに作動する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１７】
前記質量分析器が、ミニチュア質量分析計である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１８】
紙基材および複数のカーボンナノチューブを含む質量分析プローブと、
前記質量分析プローブに連結された電圧源と、
質量分析器と
を含むシステム。
【請求項１９】
前記紙基材が濾紙である、請求項１８に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の態様は、カーボンナノチューブを有する質量分析プローブと、プローブに連結した電圧源と、質量分析器とを含むシステムを提供する。ある特定の実施形態では、カーボンナノチューブだけでプローブを作り上げる。他の実施形態では、プローブは、基材（多孔質または非多孔質）をさらに含み、カーボンナノチューブは、基材に連結されている。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基材を含む質量分析プローブであって、前記基材の一部が材料で被覆されており、前記材料の一部が前記基材から突出する、質量分析プローブ。
（項目２）
前記基材に連結された電圧源をさらに含む、項目１に記載のプローブ。
（項目３）
前記電圧源が、３ボルトまたはそれ未満の電圧を生成するように構成されている、項目２に記載のプローブ。
（項目４）
前記材料が導電性材料である、項目１に記載のプローブ。
（項目５）
前記導電性材料が、１つまたはそれ超の導電性ナノチューブを含む、項目４に記載のプローブ。
（項目６）
前記導電性ナノチューブが、カーボンナノチューブである、項目５に記載のプローブ。
（項目７）
前記カーボンナノチューブが、前記基材の外面を被覆する、項目６に記載のプローブ。
（項目８）
基材を含む質量分析プローブであって、前記基材の一部が材料で被覆されており、前記材料の一部が前記基材から突出する、質量分析プローブと、
前記基材に連結された電圧源と、
質量分析器と
を含むシステム。
（項目９）
前記電圧源が、３ボルトまたはそれ未満の電圧を生成するように構成されている、項目８に記載のシステム。
（項目１０）
前記材料が導電性材料である、項目８に記載のシステム。
（項目１１）
前記導電性材料が、１つまたはそれ超の導電性ナノチューブを含む、項目１０に記載のシステム。
（項目１２）
前記導電性ナノチューブが、カーボンナノチューブである、項目１１に記載のシステム。
（項目１３）
前記カーボンナノチューブが、前記基材の外面を被覆する、項目１２に記載のシステム。
（項目１４）
前記基材が、先端部へと先細りする、項目８に記載のシステム。
（項目１５）
前記プローブが、溶媒のフローから別個である、項目８に記載のシステム。
（項目１６）
前記プローブが、空気圧支援を用いずに作動する、項目８に記載のシステム。
（項目１７）
前記質量分析器が、ミニチュア質量分析計である、項目８に記載のシステム。
（項目１８）
カーボンナノチューブを含む質量分析プローブと、
前記プローブに連結された電圧源と、
質量分析器と
を含むシステム。
（項目１９）
前記プローブが、基材をさらに含み、前記カーボンナノチューブが、前記基材に連結されている、項目１８に記載のシステム。
（項目２０）
前記基材が多孔質基材である、項目１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池スタック組立体であって、
積み重ね型構成で配置される燃料電池であって、各電池が、ｘ−ｙ平面に対して実質的に平行であり、かつ前記ｘ方向に、前記電池内の平板の縁から側方に延びて、前記ｘ−ｙ平面と直交するｚ方向に、前記燃料電池スタックの側面に沿って延びるタブの配列を形成するタブを含む、燃料電池と、
前記燃料電池スタックのタブと係合するためのコネクタであって、前記コネクタが、
支持領域、
係合領域であって、各々が、前記支持領域により画成され、前記ｘ方向での係合により前記タブの配列のうちの１つを受容するように構成される、係合領域、及び
可撓性導体であって、それらの各々が、前記支持領域から前記係合領域のうちの１つの少なくとも一部分に亘って側方に延び、受容されたタブにより前記支持領域から離れて偏向されるように構成される、可撓性導体を備えるコネクタとを備える、燃料電池スタック組立体。
【請求項２】
前記可撓性導体が、前記受容されたタブにより前記支持領域から離れて前記ｘ方向に偏向されるように構成される、請求項１に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項３】
各係合領域が、前記支持領域中の別個の開口部により提供され、各係合領域が、前記ｘ方向に前記開口部を通して前記タブの配列のうちの１つを受容するように構成される、請求項１または請求項２に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項４】
各可撓性導体が、前記タブにより偏向されたときに、前記受容されたタブと電気的に接触するように構成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項５】
前記支持領域が、ｙ−ｚ平面に延びる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項６】
前記支持領域が、前記可撓性導体と電気的に接触する導電層を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項７】
前記支持領域の前記導電層及び前記可撓性導体が、一体的に形成される、請求項６に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項８】
前記コネクタ上に、前記可撓性導体に電気的に結合される電気ソケットまたはプラグをさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項９】
前記ソケットまたはプラグと前記可撓性導体のうちの少なくとも１つとの間で各々電気的に結合される抵抗器をさらに備える、請求項８に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１０】
前記係合領域の各々に、異なる抵抗器に関連する、請求項９に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１１】
前記支持領域が、前記可撓性導体より堅固である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１２】
前記支持領域が、前記係合領域の各々を包囲する、請求項１に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１３】
前記支持領域上に、前記係合領域のうちの１つに各々関連する剛性導体をさらに備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１４】
前記コネクタからの前記タブの解放を防止するために、前記タブが各々、それぞれの剛性導体と係合するように構成されるラッチを備える、請求項１３に記載の燃料電池スタック組立体。
【請求項１５】
燃料電池スタックのタブの配列と係合するためのコネクタであって、
前記コネクタが、
前記タブの配列のうちの１つを受容するように各々構成される複数の開口部を中に画定する平板型基板と、
前記基板の前記平面中の前記開口部のうちの１つの中に各々延び、前記開口部中に受容されたタブにより前記基板の前記平面から外れて偏向されるように、かつこのタブと係合するように構成される可撓性導体とを備える、コネクタ。
【請求項１６】
前記平板型基板が、印刷回路基板を備え、前記可撓性導体が各々、前記印刷回路基板に結合される導電層を備え、前記可撓性導体が各々、前記印刷回路基板より可撓性がある、請求項１５に記載のコネクタ。
【請求項１７】
可撓性‐剛性ＰＣＢ材料を使用して形成される、請求項１６に記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から反射されてモバイル計算デバイスの光センサによって検知された光を示すデータを取得するステップであって、反射光が、照明ユニットによって放出される光から生成される、ステップと；
前記モバイル計算デバイスに関連付けられる１つ又は複数の他のセンサから、前記モバイル計算デバイスの物理的配置を示すデータを取得するステップと；
前記モバイル計算デバイスの物理的配置を示すデータに基づいて、前記モバイル計算デバイスの物理的配置が物理的配置基準を満たしていないかどうかを判断するステップと；
反射光の１つ又は複数の特性を表すデータに基づいて、反射光の特性が照明特性基準を満たしていないと判断するステップと；
反射光が前記照明特性基準を満たすように、前記照明ユニットによって放出される光の較正を行わせるステップとを含む、
コンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記照明特性基準は、反射光の特性の値が或る値範囲内に入るときに満たされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
別の表面上に別の照明ユニットによって放出される光の画像から前記値範囲を決定するステップを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記取得するステップは、前記モバイル計算デバイスが前記照明ユニットの所定の近位範囲内にあるという判断に応答して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記取得するステップは、前記モバイル計算デバイスが前記照明ユニットと無線通信しているという判断に応答して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記物理的配置基準を満たすように前記モバイル計算デバイスの物理的配置を変えるようにユーザに促す出力を前記モバイル計算デバイスに提供させるステップとを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記物理的配置は、前記照明ユニット又は表面に対する前記モバイル計算デバイスの向き又は位置を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記モバイル計算デバイス又は照明システムブリッジによる命令の実行に応答して、
前記モバイル計算デバイス又は前記照明システムブリッジに請求項１に記載の方法を実行させる命令を含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項９】
前記取得するステップ、前記判断するステップ、及び前記較正を行わせるステップは、前記モバイル計算デバイスによって行われる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１０】
前記取得するステップ、前記判断するステップ、及び前記較正を行わせるステップは、前記照明ユニットが関連付けられる前記照明システムを制御するブリッジによって行われる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１１】
前記取得するステップ、前記判断するステップ、及び前記較正を行わせるステップは、１つ又は複数のコンピュータネットワークを介して前記モバイル計算デバイスと通信する計算サーバによって行われる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１２】
前記取得するステップ、前記判断するステップ、及び前記較正を行わせるステップは、前記照明ユニットによって行われる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１３】
１つ又は複数のプロセッサと；
前記１つ又は複数のプロセッサと動作可能に結合された光センサと；
前記１つ又は複数のプロセッサと動作可能に結合され、且つ照明特性基準及び命令を記憶するメモリとを含む、モバイル計算デバイスであって、
前記命令が、
前記１つ又は複数のプロセッサによる命令の実行に応答して、
表面から反射されて光センサによって検知された光を示すデータを取得することであって、反射光が、照明ユニットによって放出される光から生成される、取得することと；
前記１つ又は複数のプロセッサに動作可能に結合された１つ又は複数の他のセンサから、前記モバイル計算デバイスの物理的配置を示すデータを取得することと；
前記モバイル計算デバイスの物理的配置を示すデータに基づいて、前記モバイル計算デバイスの物理的配置が物理的配置基準を満たしていないかどうかを判断することと；
反射光を示すデータに基づいて、反射光の特性が前記照明特性基準を満たしていないと判断することと；
反射光が前記照明特性基準を満たすように、前記照明ユニットによって放出される光の較正を行わせることとを、
前記１つ又は複数のプロセッサに行わせる、
モバイル計算デバイス。
【請求項１４】
前記メモリは、前記１つ又は複数のプロセッサによる命令の実行に応答して、前記モバイル計算デバイスが前記照明ユニットの所定の近位範囲内にあるという判断に応答して、前記表面から反射された光を示すデータを取得することを１つ又は複数のプロセッサに行わせる命令を更に記憶する、請求項１３に記載のモバイル計算デバイス。
【請求項１５】
前記１つ又は複数の他のセンサを更に含み、
前記メモリは、
前記１つ又は複数のプロセッサによる命令の実行に応答して、
前記物理的配置基準を満たすように前記モバイル計算デバイスの物理的配置を変えるようにユーザに促す出力を提供することを、
前記１つ又は複数のプロセッサに行わせる命令を更に記憶している、
請求項１３に記載のモバイル計算デバイス。