【手続補正書】
【提出日】平成30年7月26日(2018.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体デバイスであって、該パワー半導体デバイスは、
第１および第２の面を有する第２導電性型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２の第１導電性型エミッタ／コレクタ領域と、
前記第２導電性型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２の第２導電性型ベースコンタクト領域と、
前記第２導電性型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２の絶縁フィールドプレート構造であって、前記第１および第２の絶縁フィールドプレート構造は導電性を有し、縦方向に延在し、横方向に前記第１および第２の第１導電性型エミッタ／コレクタ領域と隣接する、第１および第２の絶縁フィールドプレート構造と、を備え、
前記第１の第１導電性型エミッタ／コレクタ領域は側面および端部を有する細片状に形成され、両側面および両端部において前記第１の絶縁フィールドプレート構造によって横方向に取り囲まれ、前記第１の絶縁フィールドプレート構造に電気的に接続され、前記第２の第１導電性型エミッタ／コレクタ領域は側面および端部を有する細片状に形成され、両側面および両端部において前記第２の絶縁フィールドプレート構造によって横方向に取り囲まれ、前記第２の絶縁フィールドプレート構造に電気的に接続されている、
パワー半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１導電性型がｎ型である、請求項１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項３】
前記第２導電性型半導体ダイがシリコンでできている、請求項１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１および第２の絶縁フィールドプレート構造がトレンチフィールドプレートである、請求項１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１および第２の絶縁フィールドプレート構造が酸化物充填トレンチ内のドープポリフィールドプレートを有する、請求項１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１導電性型がｐ型である、請求項１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項７】
パワー半導体デバイスであって、該パワー半導体デバイスは、
第１および第２の面を有するｐ型半導体ダイと、
前記ｐ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域と、
前記ｐ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のｐ型ベースコンタクト領域と、
前記ｐ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のトレンチフィールドプレート構造と、を備え、
前記第１のｎ型エミッタ／コレクタ領域は前記第１のトレンチフィールドプレート構造に電気的に接続され、前記第１のトレンチフィールドプレート構造によって完全に取り囲まれ、
前記第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域は前記第２のトレンチフィールドプレート構造に電気的に接続され、前記第２のトレンチフィールドプレート構造によって完全に取り囲まれている、
パワー半導体デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のパワー半導体デバイスであって、該パワー半導体デバイスは、 
前記ｐ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のフィールドリミッティングリング構造をさらに備え、
前記第１のフィールドリミッティングリング構造は前記第１のｎ型エミッタ／コレクタ領域、前記第１のトレンチフィールドプレート構造、および前記第１のｐ型ベースコンタクト領域を取り囲み、
前記第２のフィールドリミッティングリング構造は前記第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域、前記第２のトレンチフィールドプレート構造、および前記第２のｐ型ベースコンタクト領域を取り囲む、
パワー半導体デバイス。
【請求項９】
前記ｐ型半導体ダイがシリコンでできている、請求項７に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１および第２のトレンチフィールドプレート構造が酸化物充填トレンチ内のドープポリフィールドプレートを有する、請求項７に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１１】
パワー半導体デバイスであって、該パワー半導体デバイスは、
第１および第２の面を有するｎ型半導体ダイと、
前記ｎ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域と、
前記ｎ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のｎ型ベースコンタクト領域と、
前記ｎ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のトレンチフィールドプレート構造と、を備え、
前記第１のｐ型エミッタ／コレクタ領域は前記第１のトレンチフィールドプレート構造に電気的に接続され、前記第１のトレンチフィールドプレート構造によって完全に取り囲まれ、
前記第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域は前記第２のトレンチフィールドプレート構造に電気的に接続され、前記第２のトレンチフィールドプレート構造によって完全に取り囲まれている、
パワー半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のパワー半導体デバイスであって、該パワー半導体デバイスは、
前記ｎ型半導体ダイの前記第１および第２の面上にそれぞれ位置する、第１および第２のフィールドリミッティングリング構造をさらに備え、
前記第１のフィールドリミッティングリング構造は前記第１のｐ型エミッタ／コレクタ領域、前記第１のトレンチフィールドプレート構造、および前記第１のｎ型ベースコンタクト領域を取り囲み、
前記第２のフィールドリミッティングリング構造は前記第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域、前記第２のトレンチフィールドプレート構造、および前記第２のｎ型ベースコンタクト領域を取り囲む、
パワー半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ｎ型半導体ダイがシリコンでできている、請求項１１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第１および第２のトレンチフィールドプレート構造が酸化物充填トレンチ内のドープポリフィールドプレートを有する、請求項１１に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１５】
スイッチングの方法であって、該方法は、
オン状態において、ｐ型基板の対向面に位置する第１および第２のｐ型ベースコンタクト領域うちの一方へベース電流を駆動することであって、それによって、おなじく前記ｐ型基板の対向面に位置する第１および第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域間で電流の通過が可能になり、前記第１および第２のｐ型ベースコンタクト領域および前記第１および第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域は、前記ｐ型基板の両面上で、誘電体材料に横方向に取り囲まれた縦方向に延在する導電性フィールドプレートによって横方向に分離されている、ことと、
オフ状態において、絶縁フィールドプレートへの容量結合によってエミッタ−ベース接合近くの最大電界を低減させることと、を含む、
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、ターンオン時に、前記第１および第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域のうちのより高電位な一方を、前記対向面のうちの同じ一方のｐ型ベースコンタクト領域とともに短絡させ、それによってダイオード電圧降下をともない電流を導通させることをさらに含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、前記ベース電流を駆動することは、前記第１および第２のｎ型エミッタ／コレクタ領域のうちのより高電位な一方により近い方のｐ型ベースコンタクト領域へベース電流を駆動するが、前記ｐ型ベースコンタクト領域のうちのもう一方にベース電流を流さない、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、オフ状態への移行において、前記対向面のうちの一方のｐ型ベースコンタクト領域を、同じ面のｎ型エミッタ／コレクタ領域に一時的に短絡させると同時に、前記対向面のうちのもう一方のｐ型ベースコンタクト領域を、同じ面のｎ型エミッタ／コレクタ領域に短絡させることと、その後少なくとも前記対向面のうちの一方のｐ型ベースコンタクト領域をフロートすることと、をさらに含む、方法。
【請求項１９】
スイッチングの方法であって、該方法は、
オン状態において、ｎ型基板の対向面に位置する第１および第２のｎ型ベースコンタクト領域うちの一方へベース電流を駆動することであって、それによって、おなじく前記ｎ型基板の対向面に位置する第１および第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域間で電流の通過が可能になり、前記第１および第２のｎ型ベースコンタクト領域および前記第１および第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域は、前記ｎ型基板の両面上で、誘電体材料に横方向に取り囲まれた縦方向に延在する導電性フィールドプレートによって横方向に分離されている、ことと、
オフ状態において、絶縁フィールドプレートへの容量結合によってエミッタ−ベース接合近くの最大電界を低減させることと、を含む、
方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、ターンオン時に、前記第１および第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域のうちのより低電位な一方を、前記対向面のうちの同じ一方のｎ型ベースコンタクト領域とともに短絡させ、それによってダイオード電圧降下をともなう電流導通を行うことをさらに含む、方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって、前記ベース電流を駆動することは、前記第１および第２のｐ型エミッタ／コレクタ領域のうちのより低電位な一方により近い方のｎ型ベースコンタクト領域へベース電流を駆動するが、前記ｎ型ベースコンタクト領域のうちのもう一方にベース電流を流さない、方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、オフ状態への移行において、前記対向面のうちの一方のｎ型ベースコンタクト領域を、同じ面のｐ型エミッタ／コレクタ領域に一時的に短絡させると同時に、前記対向面のうちのもう一方のｎ型ベースコンタクト領域を、同じ面のｐ型エミッタ／コレクタ領域に短絡させることと、その後少なくとも前記対向面のうちの一方のｎ型ベースコンタクト領域をフロートすることと、をさらに含む、方法。