Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層ガラス物品において、
コアガラス組成を有するコア層と、
前記コア層に直に隣接した、クラッドガラス組成を有するクラッド層であって、該クラッド層が圧縮下にあり、前記コア層が張力下にあるように、前記クラッドガラス組成の平均クラッド熱膨張係数（ＣＴＥ）が前記コアガラス組成の平均コアＣＴＥより小さい、クラッド層と
を含み、
前記クラッド層の外側部分内においては、前記クラッド層の圧縮応力が、前記クラッド層の外面からの距離が増加するにつれて減少し、
前記クラッド層の前記外側部分と前記コア層との間に配設された前記クラッド層の中間部分内においては、前記クラッド層の前記圧縮応力が、前記クラッド層の前記外面からの距離が増加しても略一定のままであり、前記クラッド層の前記中間部分の厚さが前記クラッド層の厚さの少なくとも８２％である
ことを特徴とする積層ガラス物品。
【請求項２】
前記クラッド層の前記外側部分が、前記クラッド層の表面イオン交換領域を含む、請求項１記載の積層ガラス物品。
【請求項３】
前記クラッド層の前記外面においては、前記クラッド層の前記圧縮応力が４００ＭＰａ〜１０００ＭＰａである、請求項１または２記載のガラス物品。
【請求項４】
前記クラッド層の前記中間部分内においては、前記クラッド層の前記圧縮応力が５０ＭＰａ〜４５０ＭＰａである、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス物品。
【請求項５】
前記クラッド層の前記中間部分と前記コア層との間に配設された前記クラッド層の内側部分内においては、前記クラッド層の前記圧縮応力が、前記クラッド層の前記外面からの距離が増加するにつれて増加し、前記クラッド層の前記内側部分が、前記クラッド層の界面イオン交換領域を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス物品。
【請求項６】
ガラス物品において、
引張領域と、
圧縮領域であって、前記引張領域に直に隣接した内面と、該内面とは反対側の外面と、前記圧縮領域の前記外面から内側に前記引張領域に向かって外側層深さ（外側ＤＯＬ）まで延在する前記圧縮領域の外側部分と、前記外側ＤＯＬから内側に前記引張領域に向かって中間ＤＯＬまで延在する前記圧縮領域の中間部分とを含む圧縮領域と
を含み、
前記圧縮領域の圧縮応力プロファイルが、第１の圧縮応力ＣＳ１と、該ＣＳ１より小さい第２の圧縮応力ＣＳ２とを含み、前記外側部分の圧縮応力が、前記外面において前記ＣＳ１であり、前記外側ＤＯＬにおいて前記ＣＳ２であり、前記中間部分の圧縮応力が前記ＣＳ２で略一定であり、
前記外側ＤＯＬが、前記圧縮領域の厚さの高々１８％である
ことを特徴とするガラス物品。
【請求項７】
前記外側ＤＯＬと前記中間ＤＯＬとの間の距離が、前記圧縮領域の厚さの少なくとも８２％である、請求項６記載の積層ガラス物品。
【請求項８】
前記ＣＳ１が４００ＭＰａ〜１０００ＭＰａであり、前記ＣＳ２が５０ＭＰａ〜４５０ＭＰａである、請求項６または７記載のガラス物品。
【請求項９】
前記中間ＤＯＬから内側に前記引張領域に向かって内側ＤＯＬまで延在する前記圧縮領域の内側部分を更に含み、
前記圧縮領域の前記圧縮応力プロファイルが、前記ＣＳ２と前記ＣＳ１との間の第３の圧縮応力ＣＳ３を含み、前記内側部分の圧縮応力が前記中間ＤＯＬにおいて前記ＣＳ２であり、前記内側ＤＯＬにおいて前記ＣＳ３である、
請求項６〜８のいずれか一項に記載のガラス物品。
【請求項１０】
コア層と、該コア層に直に隣接したクラッド層とを含む積層ガラス物品を形成するために、溶融したコアガラスを溶融したクラッドガラスと接触させる工程であって、前記コアガラスのコア熱膨張係数（ＣＴＥ）が前記クラッドガラスのクラッドＣＴＥより少なくとも１０−７／℃高い、工程と、
前記コアＣＴＥと前記クラッドＣＴＥとの差から生じる前記コア層内の引張応力および前記クラッド層内の圧縮応力を生じるために、前記積層ガラス物品を冷却する工程と、
外側層深さ（外側ＤＯＬ）から内側に前記コア層に向かって中間ＤＯＬまで延在する前記クラッド層の中間部分であって、前記クラッド層の厚さの８２％〜９９．９％の厚さを有する前記クラッド層の前記中間部分における前記圧縮応力を増加させることなく、前記クラッド層の外面から内側に前記コア層に向かって前記外側ＤＯＬまで延在する前記クラッド層の外側部分における前記圧縮応力を増加させるために、前記積層ガラス物品を化学的に強化する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
加熱設備、例えばオーブンの出口における加熱された流体の温度を想定する場合、交換表面の温度は、しばしば、想定される温度よりはるかに高く、その差は、場合によっては、１００℃の程度になる。壁と接触する際に、加熱される流体は、それ故に、高温に付される。したがって、２５０〜３７５℃がオーブンの出口において想定されるならば、加熱される混合物は、壁と接触して、３５０〜４７５℃の程度の温度に曝される。熱交換器における熱交換によって加熱する第１の工程と、次の、高温希釈流出物と混合することによって加熱する第２の工程と、オーブンにおいて加熱する第３の工程とを含む３工程で供給原料を加熱することにより、アルキル基によって２位で置換された第一級モノアルコールが濃縮されて、すなわち、９５重量％超の、アルキル基によって２位で置換された第一級モノアルコールを含む混合物で、２８０℃超の温度への露出を経験することを回避することが可能となる。アルキル基により２位で置換された第一級モノアルコールは、それ故に、熱劣化の危険に対して保護され、これは、方法の全体収率を改善する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
好ましい配列において、工程ｂ）の間に、予熱された供給原料／希釈流出物の混合物を加熱するため、および圧縮された蒸気部分を過熱の状態とするために単一のオーブンが用いられ、圧縮された蒸気部分は、オーブンの高温部において過熱の状態とされるが、前記混合物は、低温部における温度にされない。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さｔと、ｔ／２にある中央と、前記ガラス物品の表面から０．１・ｔ超の層深さＤＯＬまで延在する圧縮層とを有するガラス物品であって、
ここでｔはガラスの厚さであり、
前記ガラス物品は、前記表面の５００ＭＰａ超の最大圧縮応力ＣＳと、前記表面から前記表面下の３０μｍまでのスパイク領域を有する応力プロファイルとを有し、
前記スパイク領域における前記応力プロファイルは、傾斜を有し、
前記傾斜は、２０ＭＰａ／μｍ超の絶対値を有する、ガラス物品。
【請求項２】
前記圧縮層は、０．８・ｔ超のＰｈｙｓｉｃａｌ＿ＤＯＬを有する、請求項１に記載のガラス物品。
【請求項３】
前記スパイク領域は、前記表面から前記表面下の８μｍ〜１５μｍの深さまで延在する、請求項１又は２に記載のガラス物品。
【請求項４】
前記ガラス物品は、前記層深さ又は前記圧縮深さから、前記ガラスの中央まで延在する、物理的中央張力ＣＴ下の引張領域を有し、
前記物理的中央張力ＣＴは、｜−１．９５６×１０−１６×ｔ６＋１．２４２７４×１０−１２×ｔ５−３．０９１９６×１０−９×ｔ４＋３．８０３９１×１０−６×ｔ３−２．３５２０７×１０−３×ｔ２＋５．９６２４１×１０−１×ｔ＋３６．５９９４｜より大きく、
前記ガラス物品は、前記ガラスの厚さに対して正規化された合計弾性エネルギ合計Ｅ合計と、張力下の試料の内部に貯蔵された弾性エネルギＥ内部とを有し、
（Ｅ合計／ｔ（ｍｍ））＝１７４．７５Ｊ／ｍ２・ｍｍ及び（Ｅ内部／ｔ（ｍｍ））＝３０Ｊ／ｍ２・ｍｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス物品。
【請求項５】
前記ガラス物品はアルカリアルミノシリケートガラスを含み、該アルカリアルミノシリケートガラスは：４０モル％〜７０モル％のＳｉＯ２；１１モル％〜２５モル％のＡｌ２Ｏ３；０モル％〜５モル％のＢ２Ｏ３；４モル％〜１５モル％のＰ２Ｏ５；１３モル％〜２５モル％のＮａ２Ｏ；及び０モル％〜１モル％のＫ２Ｏを含み、
１．３＜［（Ｐ２Ｏ５＋Ｒ２Ｏ）／Ｍ２Ｏ３］≦２．３であり、
Ｍ２Ｏ３＝Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３であり、
Ｒ２Ｏは前記アルカリアルミノシリケートガラス中に存在する１価のカチオン酸化物の総和であり、
前記アルカリアルミノシリケートガラス物品は、リチウム非含有である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス物品。
【請求項６】
厚さｔ及び応力プロファイルを有するガラス物品を強化する方法であって、
前記方法は：
ａ．カリウム塩及び少なくとも３０重量％のナトリウム塩を含む第１のイオン交換浴中で前記ガラス物品をイオン交換して、前記ガラス物品の表面から０．１・ｔ超の層深さＦＳＭ＿ＤＯＬ又は圧縮深さＤＯＣまで延在し、表面の１００ＭＰａ〜４００ＭＰａの圧縮応力ＣＳ１を有する、圧縮層と、前記層深さ又は前記圧縮深さからｔ／２にある前記ガラス物品の中央まで延在する物理的中央張力ＣＴ下の引張領域とを形成する、ステップ；並びに
ｂ．少なくとも９０重量％のカリウム塩を含む第２のイオン交換浴中で前記ガラス物品をイオン交換して、前記表面から前記表面下３０μｍの深さまで延在するスパイク領域を形成する、ステップであって、前記スパイク領域は、表面において、５００ＭＰａ超の最大圧縮応力ＣＳを有し、前記スパイク領域における前記応力プロファイルは傾斜を有し、前記傾斜は、２０ＭＰａ／μｍ超の絶対値を有する、ステップ
を含む、方法。
【請求項７】
前記圧縮層は、前記第２のイオン交換浴中でのイオン交換後、０．８・ｔ超のＰｈｙｓｉｃａｌ＿ＤＯＬを有する、請求項６に記載のガラス物品。
【請求項８】
前記ガラス物品はアルカリアルミノシリケートガラスを含み、該アルカリアルミノシリケートガラスは：４０モル％〜７０モル％のＳｉＯ２；１１モル％〜２５モル％のＡｌ２Ｏ３；０モル％〜５モル％のＢ２Ｏ３；４モル％〜１５モル％のＰ２Ｏ５；１３モル％〜２５モル％のＮａ２Ｏ；及び０モル％〜１モル％のＫ２Ｏを含み、
１．３＜［（Ｐ２Ｏ５＋Ｒ２Ｏ）／Ｍ２Ｏ３］≦２．３であり、
ここで、Ｍ２Ｏ３＝Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３であり、かつ、Ｒ２Ｏは前記アルカリアルミノシリケートガラス中に存在する１価のカチオン酸化物の合計であり、
前記ガラス物品はリチウム非含有である、請求項６又は７に記載のガラス物品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入口及び出口を有する音響デバイスであって、
エキスパンションチャンバを画定する外部ハウジングと、
前記エキスパンションチャンバを貫いて延在し、前記エキスパンションチャンバを、中心チャンバと、前記中心チャンバに隣接する周辺チャンバとに区分する管状壁であって、前記入口及び出口は両方とも前記中心チャンバと連通している、管状壁と、を備え、
前記管状壁が、前記中心チャンバと前記周辺チャンバとの間の空気流動を可能にするための、前記管状壁を貫いて形成された複数のアパーチャを含み、前記複数のアパーチャは、１００ＭＫＳ  Ｒａｙｌ〜５０００ＭＫＳ  Ｒａｙｌの範囲の平均流動抵抗を実現するように構成されている、音響デバイス。
【請求項２】
前記管状壁が、０．３パーセント〜５パーセントの範囲の有孔率を有する、請求項１に記載の音響デバイス。
【請求項３】
前記管状壁が、０．２ＧＰａ〜１０ＧＰａの範囲の弾性率を有する材料を含む、請求項１又は２に記載の音響デバイス。
【請求項４】
前記管状壁が、１７０リットル毎分の流量における前記入口から前記出口までの圧力降下を、前記エキスパンションチャンバのみに関連付けられる圧力降下に対して最小の２０パーセント低減する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の音響デバイス。
【請求項５】
前記入口及び前記出口が、前記管状壁の断面直径に概ね一致する断面直径を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の音響デバイス。
【請求項６】
前記管状壁が前記エキスパンションチャンバの全長に沿って延在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の音響デバイス。
【請求項７】
前記管状壁が第１の管状壁であり、前記アパーチャが第１のアパーチャであり、前記周辺チャンバが第１の周辺チャンバであり、
前記第１の周辺チャンバに隣接する第２の周辺チャンバを画定する第２の管状壁を更に備え、
前記第２の管状壁は、前記複数の第１のアパーチャの音響伝達インピーダンスよりも大幅に低い音響伝達インピーダンスを実現するサイズに作られた複数の第２のアパーチャを有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の音響デバイス。
【請求項８】
前記複数の第２のアパーチャが、１００ＭＫＳ  Ｒａｙｌ〜５０００ＭＫＳ  Ｒａｙｌの範囲の平均流動抵抗を実現するサイズに作られている、請求項７に記載の音響デバイス。
【請求項９】
前記エキスパンションチャンバが第１のエキスパンションチャンバであり、前記外部ハウジングが、前記第１のエキスパンションチャンバの全ての前記限定を有する第２のエキスパンションチャンバを更に備え、前記第１のエキスパンションチャンバの出口が前記第２のエキスパンションチャンバの入口と連通している、請求項１〜８のいずれか一項に記載の音響デバイス。
【請求項１０】
エキスパンションチャンバを画定する外部ハウジングと、前記エキスパンションチャンバを貫いて延在し、前記エキスパンションチャンバを、中心チャンバと、前記中心チャンバに隣接する周辺チャンバとに区分する管状壁と、前記中心チャンバの複数の対向端部と連通した入口及び出口と、を備える音響デバイスを用いて空気伝搬音エネルギーを減衰させる方法であって、前記方法は、
前記中心チャンバを通して空気を流すことと、
前記音響エネルギーを前記中心チャンバから、前記管状壁内に配置された複数のアパーチャを通り抜けるように導くことと、を含み、前記複数のアパーチャは、１００ＭＫＳ  Ｒａｙｌ〜５０００ＭＫＳ  Ｒａｙｌの範囲の平均流動抵抗を実現する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
さらに、以下に記載されている特定の熱力学的実施形態を実証するので微細構造および性能の実施形態を満たすものと考えられる合金を、表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月25日(2017.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
香料成分としての、式Ｉ 
【化１】
2017534732.tif 000001
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキル、アルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表される化合物の使用。 
【請求項２】
式Ｉ 
【化２】
2017534732.tif 000002
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキルまたはアルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表される化合物であって、 
前記化合物は、４−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）ブタナール、４−（４−イソプロピルフェニル）ブタナール、４−（４−イソブチルフェニル）ブタナール、４−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−３−メチルブタナールではない、前記化合物。 
【請求項３】
式Ｉ 
【化３】
2017534732.tif 000003
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキル、アルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表される化合物を放出するのに好適である、プロ香料であって、 
好ましくは、式Ｉにより表される化合物のアミナールおよび／またはエナミンである、前記プロ香料。 
【請求項４】
式Ｉ 
【化４】
2017534732.tif 000004
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキル、アルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表される化合物を含む、 
および／または請求項３に記載のプロ香料を含む、香料組成物。 
【請求項５】
アルデヒド官能基を有する置換基に対してアリール環上のオルト位が非置換である、および／またはアルデヒド官能基としてブタナールを有しない、任意のアリール置換プロパナール着臭剤、特にLilial（商標）を含まない、請求項４に記載の香料組成物。 
【請求項６】
１種以上の追加のフレグランス成分、特に３−（４−イソブチル−２−メチルフェニル）プロパナールおよび／または３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）−２−メチルフェニル）−２−メチルプロパナールを含む、請求項４または５に記載の香料組成物。 
【請求項７】
式Ｉ 
【化５】
2017534732.tif 000005
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキル、アルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表される化合物を含む、 
または請求項４〜６のいずれか一項に記載の香料組成物を含む、パーソナルケアまたは家庭用ケア組成物。 
【請求項８】
ミュゲの匂い特性をファインフレグランスまたは消費者製品に付与する方法であって、それに式Ｉ 
【化６】
2017534732.tif 000006
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、独立して、Ｈまたはメチルであり；および 
Ｒ５は、分岐または直鎖の、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ７アルキル、アルケニル、シクロアルキルまたはシクロアルケニル残基である； 
により表されるアリール置換ブタナール化合物、 
および／または請求項３に記載のプロ香料を添加するステップ、および 
ラットから単離された肝細胞とインキュベートした場合に、その安息香酸誘導体への酵素的に媒介される分解を受ける、任意のアリール置換ブタナール化合物の非常に減少した感受性を有する前記化合物を、前記ファインフレグランスまたは消費者製品から選択的に排除するステップを含み、前記化合物は、Lilial（商標）と比較して、それらがはるかに少なくその安息香酸誘導体に分解するという基準において、添加に好適である、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月8日(2018.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素含有層を形成する方法であって、
第１の処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記第１の処理チャンバが炭素含有スパッタターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ２から約１０Ｗ／ｃｍ２の間の平均電力及び１００μｓ未満かつ３０μｓ超であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場に曝される、供給することと、
前記炭素含有スパッタターゲットからスパッタされた炭素含有材料を含むイオン化種を形成することであって、前記イオン化種が前記基板の上に結晶性の炭素含有層を形成する、形成することと、
前記基板にバイアスを提供することと、
活性化堆積ガスを形成するために、炭素含有源を含む堆積ガスの存在下でプラズマを形成することと、
前記結晶性の炭素含有層の上にナノ結晶ダイヤモンド層を形成するために、前記活性化堆積ガスを前記基板に供給することと
を含む方法。
【請求項２】
前記堆積ガスが、水素源を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スパッタターゲットが、グラファイト状ターゲットである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が、摂氏１００度未満の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記結晶性の炭素含有層が、ナノ結晶ダイヤモンド層である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積ガスが、マイクロ波源を使用して活性化される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エネルギーパルスが、約１０マイクロ秒から１００マイクロ秒の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記磁場が、約２００ガウス未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
炭素含有層を形成するための方法であって、
第１の処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記第１の処理チャンバがグラファイト状ターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ２から約１０Ｗ／ｃｍ２の間の平均電力及び１００μｓ未満であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場によって制御される、供給することと、
中間の炭化物層が前記基板の上に形成されるように、前記スパッタリングプラズマを形成することと、
前記中間の炭化物層を有する前記基板を第２の処理チャンバに移送することと、
前記第２の処理チャンバに堆積ガスを供給することと、
ＣＨ４、Ｈ２、Ａｒ、ＣＯ２又はそれらの組み合わせを含む活性化堆積ガスを作り出すために前記堆積ガスを活性化することと、
前記活性化堆積ガスを基板に供給することと、
ナノ結晶ダイヤモンド層を前記中間の炭化物層で成長させることと
を含む方法。
【請求項１０】
前記基板が、約２ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒの間の圧力で維持される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
デューティサイクルが、スパッタリング持続時間の約１０％未満である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記堆積ガスが、マイクロ波源を使用して活性化される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁場が、約２００ガウス未満である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
炭素含有層を形成するための方法であって、
ＰＶＤ処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記ＰＶＤ処理チャンバがグラファイト状スパッタターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ２から約１０Ｗ／ｃｍ２の間の平均電力及び１００μｓ未満かつ３０μｓ超であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場に曝される、供給することと、
前記基板上に結晶性の炭素含有層を形成するために、前記グラファイト状スパッタターゲットに前記スパッタリングプラズマを供給することと、
前記ＰＶＤ処理チャンバの前記処理領域に位置付けられた前記基板に不活性ガスを供給することと、
摂氏１００度未満の温度で前記ＰＶＤ処理チャンバを維持することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記不活性ガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマがスパッタリング持続時間を有し、前記エネルギーパルスが、１Ｗ／ｃｍ２から約１０Ｗ／ｃｍ２の間の平均電力、前記平均電力を上回るパルス電圧、及び１００μｓ未満であるパルス幅を有し、前記スパッタリングプラズマが、２００ガウス以下である磁場によって制御される、供給することと、
ナノ結晶ダイヤモンド層を前記結晶性の炭素含有層の上に形成するために、前記グラファイト状スパッタターゲットに前記スパッタリングプラズマを供給することと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月22日(2018.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接性及び振動減衰性を備えた接着剤組成物であって、
ａ）シリコーン系感圧接着剤マトリクスと、
ｂ）前記マトリクス内に分散された導電性又は金属の粒子と、
ｃ）架橋剤とを備え、
前記シリコーン系接着剤マトリクスは、（ｉ）シリコーン接着剤と、（ｉｉ）シリコーンガム、ＭＱ樹脂、及び他のシリコーン接着剤のうちの１つ以上とを含む、接着剤組成物。
【請求項２】
前記接着剤は、５０Ｈｚの周波数で０．１０を上回るか、又は８０００Ｈｚの周波数で０．０５を上回る対称または非対称のピーク複合損失係数を示す、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】
前記シリコーン接着剤のうちの少なくとも１つは、ａ）鎖中及び／又は末端鎖にビニル官能基を備えたポリオルガノシロキサンガムと、ｂ）ＭＱ樹脂とを含む、請求項１または２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記シリコーン接着剤のうちの少なくとも１つは、ａ）ポリジメチルシロキサンガム、ポリメチルフェニルシロキサンガム、ポリジメチル及びポリメチルフェニルシロキサンガムの共重合体、又はポリジメチル及びポリジフェニルシロキサンガムの共重合体のうちの１つ以上と、ｂ）ＭＱ樹脂とを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
前記ＭＱ樹脂は、反応性シラノール及び／又はビニル官能基を含有するか、又は反応性官能基を有さない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
前記架橋剤は、過酸化物であるか、又は水酸化ケイ素官能基を含有する化合物である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
触媒をさらに備え、前記触媒は、白金、鉄、銅、及び／又はロジウム等、ヒドロシリル化反応に触媒作用を及ぼすことができる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項８】
（ｉｉ）は、シリコーンガムであり、（ｉ）の（ｉｉ）に対する重量比は、１００：０〜４０：６０の範囲内である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項９】
前記（ｉ）の（ｉｉ）に対する比率は、９５：５〜５５：４５である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１０】
前記（ｉ）の（ｉｉ）に対する比率は、９０：１０〜７０：３０である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１１】
前記シリコーン系接着剤マトリクスは、（ｉ）シリコーン接着剤と、（ｉｉ）ＭＱ樹脂とを含み、前記シリコーン接着剤のＭＱ樹脂に対する重量比は、１００：０〜６０：４０の範囲内である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１２】
前記（ｉ）の（ｉｉ）に対する比率は、９５：５〜８０：２０である、請求項１１に記載の接着剤組成物。
【請求項１３】
前記シリコーン系接着剤マトリクスは、（ｉ）シリコーン接着剤と、（ｉｉ）他のシリコーン接着剤とを含み、前記（ｉ）の（ｉｉ）に対する重量比は、１００：０〜０：１００の範囲内である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１４】
前記（ｉ）の（ｉｉ）に対する比率は、１００：０〜５０：５０である、請求項１３に記載の接着剤組成物。
【請求項１５】
前記導電性粒子又は金属粒子は、アルミニウム、鉄、銀、炭素、又はＰＥＤＴを含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１６】
前記金属粒子の少なくとも９０％は、７１ミクロン未満の粒径を有する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１７】
前記金属粒子の少なくとも８０％は、４５ミクロン未満の粒径を有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１８】
前記金属粒子の濃度は、溶接性接着剤を付与するのに好適である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項１９】
前記金属粒子の濃度は、０．２〜１０．０重量％の範囲内である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項２０】
前記接着剤は、感圧接着剤である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項２１】
前記架橋剤は、過酸化物であるか、又は水酸化ケイ素官能基を含有する化合物である、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項２２】
前記架橋剤は、過酸化ジベンゾイルである、請求項２１に記載の接着剤組成物。
【請求項２３】
テープであって、
ａ）基板と、
ｂ）請求項１〜２２のいずれか一項に記載の接着剤組成物とを備える、テープ。
【請求項２４】
前記接着剤は、５ミクロン〜１５０ミクロンの範囲内の厚さを有する少なくとも１つの層において、前記基板上に配される、請求項２３に記載のテープ。
【請求項２５】
前記範囲は、１０〜１００ミクロンである、請求項２４に記載のテープ。
【請求項２６】
前記接着剤は、基板上か、又は単一層としての剥離ライナ上に配される、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のテープ。
【請求項２７】
前記基板上に接着剤組成物の２つの層が存在する、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のテープ。
【請求項２８】
接着剤組成物の各層は、前記基板の反対方向を向いた面上に設けられる、請求項２７に記載のテープ。
【請求項２９】
前記接着剤は、基板上に２つ以上の層として配され、各々、前記基板上の同一面に設けられる、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のテープ。
【請求項３０】
前記基板の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの接着剤層上に、少なくとも１つの追加接着剤組成層をさらに備える、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のテープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【表５】
2017534721.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【表９】
2017534721.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月16日(2018.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度ファンアウトパッケージ構造であって、
導電性相互接続層を含むコンタクト層であり、前記導電性相互接続層が、アクティブダイに面する第１の面と、再配線層に面する第２の面と、少なくとも１つの側壁とを有する、コンタクト層と、
バリアライナーであり、前記導電性相互接続層が前記導電性相互接続層の前記側壁および前記第１の面上にのみ前記バリアライナーを含む、バリアライナーと、
第１の導電性相互接続部を前記導電性相互接続層に結合するように構成された複数の導電性ルーティング層を含む前記再配線層と、
前記バリアライナーに結合された第１のビアであり、前記第１のビアが、前記バリアライナーを第２の導電性相互接続部を介して前記アクティブダイに結合するように構成される、第１のビアと
を含む高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項２】
前記第１の導電性相互接続部がボールグリッドアレイである、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項３】
前記バリアライナーがタンタルを含む、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項４】
前記第１のビアが、前記バリアライナー上のアンダーバンプ導電層と、前記アンダーバンプ導電層上にあり前記第２の導電性相互接続部に結合された導電性材料とを含む、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項５】
前記導電性相互接続層が、第１のバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）導電性相互接続層（Ｍ１）を含む、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項６】
前記第２の導電性相互接続部が導電性ピラーまたは導電性バンプを含む、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項７】
前記第２の導電性相互接続部が前記アクティブダイのコンタクトパッドに結合される、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項８】
前記導電性相互接続層が、第２のビア、または前記導電性ルーティング層上の導電性トレースを介して、前記再配線層の前記複数の導電性ルーティング層のうちの１つに結合される、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項９】
前記第１のビアがミドルオブライン０ビアを含み、前記第２のビアがＢＥＯＬの第１のビアを含む、請求項８に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項１０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末、固定位置データユニット、およびコンピュータのうちの少なくとも１つの中に組み込まれる、請求項１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造。
【請求項１１】
高密度ファンアウトパッケージ構造のための方法であって、
キャリア基板上にコンタクト層を製造するステップであり、前記コンタクト層が導電性相互接続層を含み、前記導電性相互接続層が前記導電性相互接続層の側壁および第１の面上にのみバリアライナーを有する、ステップと、
複数の導電性ルーティング層を含む再配線層を製造するステップであり、前記複数の導電性ルーティング層が第１の導電性相互接続部を前記導電性相互接続層に結合するように構成された、ステップと、
前記バリアライナー上に配置された第１のビアを形成するために、前記キャリア基板を除去した後に、前記コンタクト層の開口内に導電性材料を堆積させるステップと、次いで、
第２の導電性相互接続部を使用してアクティブダイを前記第１のビアに取り付けるステップであり、前記導電性相互接続層の前記第１の面上の前記バリアライナーが前記アクティブダイに面する、ステップと
を含む方法。
【請求項１２】
前記導電性材料を堆積させるステップが、
前記バリアライナー上にアンダーバンプ導電層を堆積させるステップと、
前記導電性材料を、前記アンダーバンプ導電層上に、前記第２の導電性相互接続部に結合して堆積させる、ステップと
をさらに含む、請求項１１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造のための方法。
【請求項１３】
前記バリアライナーとして前記アクティブダイに面する前記導電性相互接続層の前記第１の面上にタンタルを堆積するステップをさらに含む、請求項１１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造のための方法。
【請求項１４】
前記コンタクト層を製造するステップが、
前記キャリア基板上に絶縁層を堆積させるステップと、
前記絶縁層上に誘電体層を堆積させるステップと、
第１のバックエンドオブライン導電性相互接続層を使用して前記導電性相互接続層の導電性部分を製造するステップと
をさらに含む、請求項１１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造のための方法。
【請求項１５】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末、固定位置データユニット、およびコンピュータのうちの少なくとも１つに前記高密度ファンアウトパッケージ構造を組み込むステップをさらに含む、請求項１１に記載の高密度ファンアウトパッケージ構造のための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤドライバとＬＥＤ装置との間を接続するＬＥＤ調光器であって、
前記ＬＥＤドライバから定電流及び定電圧を受信する入力部と、
前記ＬＥＤ調光器が、定電圧及び定電流のどちらを受信しているのかを決定する手段と、
必要な調光レベルに依存して、電圧変換を提供するコンバータ回路であって、ブーストコンバータ及びバックコンバータの少なくとも一方を含むコンバータ回路と、
前記ＬＥＤ調光器が、定電圧及び定電流のどちらを受信しているのかに依存して、前記コンバータ回路を制御することによって、前記ＬＥＤ調光器を制御するコントローラと、
前記コンバータ回路から前記ＬＥＤ装置の第１の端子に、信号を提供する第１の出力部と、
を含む、ＬＥＤ調光器。
【請求項２】
前記入力部と第１のダイオードコンポーネントのアノードとの間のインダクタと、
前記第１のダイオードコンポーネントの前記アノードと、前記ＬＥＤドライバへの電流戻り経路との間に接続される制御スイッチと、
を含み、
前記第１のダイオードコンポーネントのカソードは、前記第１の出力部に接続されている、請求項１に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項３】
前記制御スイッチを制御するコントローラを含む、請求項２に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項４】
前記制御スイッチは、トランジスタを含む、請求項３に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項５】
前記第１の出力部と前記電流戻り経路との間に接続されるコンデンサを更に含む、請求項２乃至４の何れか一項に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項６】
前記コントローラは、定電流入力が検出される場合に、第１のモードで前記コンバータ回路を動作させ、前記ＬＥＤ装置の動作電圧を下回る定電圧入力が検出される場合に、第２のモードで前記コンバータ回路を動作させる、請求項１に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項７】
前記ＬＥＤ調光器が、定電圧及び定電流のどちらを受信しているのかを決定する手段は、前記ＬＥＤ装置と直列に接続されるセンサ抵抗器を含む、請求項１又は６に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項８】
前記入力部と第１のダイオードコンポーネントの前記アノードとの間のインダクタと、
前記第１のダイオードコンポーネントの前記アノードと、前記ＬＥＤドライバへの電流戻り経路との間に接続される制御スイッチと、
を含み、
前記第１のダイオードコンポーネントの前記カソードは、前記第１の出力部に接続され、
前記ＬＥＤ調光器は更に、
前記センサ抵抗器と直列の第２のスイッチと、
前記入力部と前記ＬＥＤ装置の第２の端子への接続のための第２の出力部との間に接続される第２のダイオードコンポーネントと、
を含む、請求項７に記載のＬＥＤ調光器。
【請求項９】
定電流又は定電圧ＬＥＤドライバと、
ＬＥＤ装置に駆動信号を提供するために、前記ＬＥＤドライバの出力部に接続される、請求項１乃至８の何れか一項に記載のＬＥＤ調光器と、
を含む、ＬＥＤドライバ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のＬＥＤドライバ装置と、
ＬＥＤ装置と、
を含む、照明装置。
【請求項１１】
前記ＬＥＤ調光器は、前記ＬＥＤ装置の回路基板上に提供される、請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
ＬＥＤ装置を駆動する駆動方法であって、
ＬＥＤ調光器の入力部において、ＬＥＤドライバから入力信号を受信するステップと、
受信されている前記入力信号が、定電圧であるか、又は、定電流であるかを決定するステップと、
ブーストコンバータ及びバックコンバータの少なくとも一方を含むコンバータ回路を使用して、必要な調光レベルに依存して、電圧変換を提供するステップと、
前記ＬＥＤ調光器が、定電圧及び定電流のどちらを受信しているのかに依存して、前記コンバータ回路を制御することによって、前記ＬＥＤ調光器を制御するステップと、
前記コンバータ回路から前記ＬＥＤ装置の第１の端子に、信号を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記コンバータ回路が、ブーストコンバータを含み、前記方法が、
前記受信入力信号が定電流である場合、第１のモードで動作するブーストコンバータを用いて、請求項１２に記載される方法を実行するステップと、
前記受信入力信号が、前記ＬＥＤ装置の動作電圧を下回る定電圧である場合、第２のモードで動作する前記ブーストコンバータを用いて、前記必要な調光レベルに依存して、電圧ブースティングを提供するステップと、
前記ブーストコンバータから前記ＬＥＤ装置の第１の端子に、信号を提供するステップと、
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンバータ回路が、バックコンバータを更に含み、前記方法が、
前記受信入力信号が、前記ＬＥＤ装置の前記動作電圧を上回る定電圧である場合、前記バックコンバータを用いて、前記必要な調光レベルに依存して、電圧バッキングを提供するステップと、
前記バックコンバータから前記ＬＥＤ装置の第１の端子に、信号を提供するステップと、
を更に含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月6日(2018.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
コンピュータシステムによって、１つ以上のデータソースからのデータにおけるパターンを識別するステップと、
知識サービスからのエンティティ情報に対して前記パターンをマッチングするステップと、
前記エンティティ情報に基づいて前記データのための１つ以上の変換スクリプトを生成するステップと、
前記１つ以上の変換スクリプトに対応する１つ以上の推薦を生成するステップと、
前記１つ以上の推薦をユーザインターフェイスに表示させるステップと、
前記１つ以上の推薦に基づく変換命令を受けるステップと、
前記変換命令に基づいて前記データを変換するステップと、
前記変換命令に基づいて前記変換されたデータを１つ以上のデータターゲットに対して公開するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記１つ以上のデータソースのうちの少なくとも１つのデータソースからデータの少なくとも１つの列の選択を受けるステップと、
前記データの少なくとも１つの列のデータプロファイルを表示させるステップとをさらに含み、前記データプロファイルは、前記データの少なくとも１つの列において識別された複数のパターンと、前記データの少なくとも１つの列に対応付けられた少なくとも１つのデータビジュアライゼーションとを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変換命令は、前記エンティティ情報に基づいてデータの少なくとも１つの列をリネームすることを指示する変換命令を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記データの少なくとも１つの列をデフォルト名にリネームすることを指示する他の変換命令を受けるステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記変換命令は、前記エンティティ情報に基づいてデータの少なくとも１つの列を再フォーマットすることを指示する変換命令を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記変換命令は、前記エンティティ情報に基づいてデータの少なくとも１つの列を難読化することを指示する他の変換命令を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変換命令は、前記エンティティ情報に基づいて前記知識サービスから取得したデータの１つ以上の列を追加することを指示する強化命令を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
システムであって、
複数のデータソースと、
複数のデータターゲットと、
クラウドコンピューティングインフラストラクチャシステムとを備え、前記クラウドコンピューティングインフラストラクチャシステムは、
少なくとも１つの通信ネットワークを通して前記複数のデータソースに通信可能に結合されかつ前記複数のデータターゲットに通信可能に結合された１つ以上のプロセッサと、
前記１つ以上のプロセッサに結合されたメモリとを含み、前記メモリは、データ強化サービスを提供することを指示する命令を格納し、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されたときに、前記１つ以上のプロセッサに、
データ強化要求をクライアントデバイスから受けることと、
前記データ強化要求において指定されている少なくとも１つのデータソースからのデータにおけるパターンを識別することと、
知識サービスからのエンティティ情報に対して前記パターンをマッチングすることと、
前記エンティティ情報に基づいて前記データのための１つ以上の変換スクリプトを生成することと、
前記１つ以上の変換スクリプトに対応する１つ以上の推薦を生成することと、
前記１つ以上の推薦を前記クライアントデバイス上のユーザインターフェイスに表示させることと、
前記１つ以上の推薦に基づく変換命令を受けることと、
前記変換命令に基づいて前記データを変換することと、
前記変換命令に基づいて前記変換されたデータを１つ以上のデータターゲットに対して公開することとを実行させる、システム。
【請求項９】
命令を記憶するプログラムであって、前記命令は、プロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサに、以下のオペレーションを実行させ、前記オペレーションは、
コンピュータシステムによって、１つ以上のデータソースからのデータにおけるパターンを識別することと、
知識サービスからのエンティティ情報に対して前記パターンをマッチングすることと、
前記エンティティ情報に基づいて前記データのための１つ以上の変換スクリプトを生成することと、
前記１つ以上の変換スクリプトに対応する１つ以上の推薦を生成することと、
前記１つ以上の推薦をユーザインターフェイスに表示させることと、
前記１つ以上の推薦に基づく変換命令を受けることと、
前記変換命令に基づいて前記データを変換することと、
前記変換命令に基づいて前記変換されたデータを１つ以上のデータターゲットに対して公開することとを含む、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種の電子デバイスのためのアプリケーション配信を区分化するための方法であって、
アプリケーションの第１のバイナリファイルのための第１のリソースロケータを受信するステップと、
前記第１のリソースロケータのための第１のデータベースレコードへの第１の入力セットを生成するステップと、
第１のデバイスの第１のオペレーティングシステムバージョンを前記第１の入力セットに割り当てるステップと、
前記アプリケーションの第２のバイナリファイルのためのプロパティリストメタデータファイルを受信するステップと、
前記プロパティリストメタデータファイルのための第２のデータベースレコードへの第２の入力セットを生成するステップと、
第２のデバイスの第２のオペレーティングシステムバージョンを前記第２の入力セットに割り当てるステップと、
前記第１の入力セットおよび前記第２の入力セットに少なくとも部分的に基づいて論理アプリケーションを生成するステップと、
前記論理アプリケーションと連携して少なくとも前記第１のバイナリファイルまたは前記第２のバイナリファイルを実行するように前記第１のデバイスを構成するステップとを備える、方法。
【請求項２】
マルチプルタブインターフェイスをさらに備え、第１のユーザインターフェイス要素は、前記マルチプルタブインターフェイスの第１のタブ上にあり、第２のユーザインターフェイス要素は、前記マルチプルタブインターフェイスの第２のタブ上にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の入力セットは、前記第１のデバイスの第１のオペレーティングシステムプラットフォームの最小オペレーティングシステムバージョンおよび最大オペレーティングシステムバージョンを備え、前記第２の入力セットは、前記第２のデバイスの第２のオペレーティングシステムプラットフォームの最小オペレーティングシステムバージョンおよび最大オペレーティングシステムバージョンを備える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のオペレーティングシステムバージョンのタイプまたは前記第２のオペレーティングシステムバージョンのタイプは、ｉＯＳ（登録商標）バージョン、アンドロイド（登録商標）オペレーティングシステムバージョンおよびウインドウズ（登録商標）オペレーティングシステムバージョンからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
第１のデバイスまたは前記第２のデバイスのタイプは、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、タブレットコンピュータ、モバイルデバイス、およびウェアラブルデバイスからなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の入力セットにリンクされた第１のユーザインターフェイス要素および前記第２の入力セットにリンクされた第２のユーザインターフェイス要素を有するユーザインターフェイスを表示するステップをさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のデバイスの第１のユーザに関連付けられる第１のポリシーを特定するステップと、
前記第１のポリシーに基づいて、前記第１のデバイスにインストールすべき前記論理アプリケーションの第１のバージョンを決定するステップと、
前記決定に基づいて、前記第１のデバイスへの前記論理アプリケーションの前記第１のバージョンのインストールを生じさせるステップとをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のデバイスの第２のユーザに関連付けられる第２のポリシーを特定するステップと、
前記第２のポリシーに基づいて、前記第２のデバイスにインストールすべき前記論理アプリケーションの第２のバージョンを決定するステップと、
前記決定に基づいて、前記第２のデバイスへの前記論理アプリケーションの前記第２のバージョンのインストールを生じさせるステップとをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記論理アプリケーションの前記第２のバージョンの前記インストールを生じさせるステップは、前記論理アプリケーションの前記第２のバージョンを前記第２のデバイスにダウンロードするようにプッシュ通知イベントを前記第２のデバイスに送信するステップをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
システムであって、
プロセッサと、
メモリデバイスとを備え、前記メモリデバイスは、命令を含み、前記命令は、前記プロセッサによって実行されたときに前記プロセッサに
アプリケーションの第１のバイナリファイルのための第１のデータベースレコードへの第１の入力セットを生成させ、
第１のデバイスの第１のオペレーティングシステムバージョンを前記第１の入力セットに割り当てさせ、
前記アプリケーションの第２のバイナリファイルのためのプロパティリストメタデータファイルのための第２のデータベースレコードへの第２の入力セットを生成させ、
第２のデバイスの第２のオペレーティングシステムバージョンを前記第２の入力セットに割り当てさせ、
前記第１の入力セットおよび前記第２の入力セットに少なくとも部分的に基づいて論理アプリケーションを生成させ、
前記第１のデバイスまたは前記第２のデバイスへの前記論理アプリケーションのインストールを生じさせる、システム。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。