【手続補正書】
【提出日】平成29年12月21日(2017.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を評価するための方法であって、前記半導体層は、少なくとも部分的に、前記層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化され、前記結晶化は、第１の方向における前記層上の第１の群の周期的表面特徴と、前記第１の方向と垂直な第２の方向における第２の群の周期的表面特徴とを生成し、前記第１および第２の群の周期的特徴の特性は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度に依存し、
前記方法は、
前記層の表面に垂直に指向された光のビームを用いて、前記結晶化された半導体層のある面積を照明することと、
検出器を用いて前記照明された面積の画像を記録することであって、前記検出器は、前記層に垂直な軸が中心である光を捕捉するように整合され、前記第１および第２の群の周期的特徴によって前記照明された面積から回折された光を捕捉するように配列され、前記記録された画像内における輝度の変動は、前記層の前記照明された面積内の前記第１および第２の群の周期的特徴の前記特性に対応する、ことと、
前記層の前記第１および第２の方向のうちの１つに対応する前記画像の少なくとも１つの方向に沿った輝度のコントラストの測定値から、前記エネルギー密度を判定することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記画像は、透過型顕微鏡画像である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、周期的画像特徴のコントラストの測定値として平均振幅から標準偏差を求めることによって判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、周期的画像特徴のコントラストの測定値として最高測定振幅と最低測定振幅との間の差異を求めることによって判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記画像は、緑色フィルタリングされた画像である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記画像は、青色フィルタリングされた画像である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記測定されたコントラストの最小値は、前記結晶化のための最適エネルギー密度を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ゼロ次光の少なくとも一部は、前記検出器に到達することが遮断される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ゼロ次光は、９０度相対回転における偏光板および分析器の組み合わせを使用して、前記検出器に到達することが遮断される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ゼロ次光は、前記捕捉された光の中心軸に沿って位置付けられた停止部によって、前記検出器に到達することが遮断される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
半導体層を評価するための装置であって、前記半導体層は、少なくとも部分的に、前記層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化され、前記結晶化は、第１の方向における前記層上の第１の群の周期的表面特徴と、前記第１の方向と垂直な第２の方向における第２の群の周期的表面特徴とを生成し、前記第１および第２の群の周期的特徴の特性は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度に依存し、
前記装置は、
前記結晶化された半導体層のある面積を照明するために、前記層の表面に垂直に指向された光のビームを生成するための光源と、
前記第１および第２の群の周期的特徴の両方によって前記照明された面積から回折された光を捕捉するように配列された２次元アレイ検出器であって、前記光の輝度の変動は、前記層の前記照明された面積内の前記第１および第２の群の周期的特徴の特性に対応する、２次元アレイ検出器と、
前記第１および第２の方向の両方に沿った輝度のコントラストの測定値から、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスの前記エネルギー密度を判定するためのプロセッサと
を備える、装置。
【請求項１２】
前記アレイ検出器は、画像を生成し、前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、周期的画像特徴のコントラストの測定値として平均振幅から標準偏差を求めることによって判定される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記アレイ検出器は、画像を生成し、前記画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、周期的画像特徴のコントラストの測定値として最高測定振幅と最低測定振幅との間の差異を求めることによって判定される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
ゼロ次光の少なくとも一部が前記検出器に到達することを遮断するための手段をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
ゼロ次光を遮断するための前記手段は、９０度相対回転における偏光板および分析器の組み合わせによって定義されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
ゼロ次光を遮断するための前記手段は、前記捕捉された光の中心軸に沿って位置付けられた停止部によって定義されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記検出器の前に位置する青色フィルタをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記検出器の前に位置する緑色フィルタをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面では、半導体層を評価する方法は、結晶化された半導体層のある面積を照明するステップと、第１の群および第２の群の周期的特徴によって照明された面積から回折された光内の照明された面積の顕微鏡画像を記録するステップとを含む。記録された画像は、それぞれ、層の照明された面積内の第１の群および第２の群の周期的特徴に対応する水平群および垂直群の周期的画像特徴を含有する。エネルギー密度は、水平群および垂直群の周期的画像特徴のうちの少なくとも１つのコントラストの測定から判定される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
少なくとも部分的に、層上にあるエネルギー密度を有する複数のレーザ放射パルスへの暴露によって結晶化された半導体層を評価するための方法であって、前記結晶化は、第１の方向における前記層上の第１の群の周期的表面特徴と、前記第１の方向と垂直な第２の方向における第２の群の周期的特徴とを生成し、前記第１の群および第２の群の周期的特徴の形成は、前記半導体層が暴露された前記レーザ放射パルスのエネルギー密度に依存し、
前記方法は、
前記結晶化された半導体層のある面積を照明するステップと、
前記第１の群および第２の群の周期的特徴によって前記照明された面積から回折された光内の照明された面積の顕微鏡画像を記録するステップであって、前記記録された画像は、前記層の照明された面積内の前記第１の群および第２の群の周期的特徴に対応する、水平群および垂直群の周期的画像特徴を含有する、ステップと、
前記水平群および垂直群の周期的画像特徴のうちの少なくとも１つのコントラストの測定値から前記エネルギー密度を判定するステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記顕微鏡画像は、透過型顕微鏡画像である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記顕微鏡画像は、画素の行および列から形成され、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、前記周期的画像特徴のコントラストの測定値として平均振幅から標準偏差を求めることによって判定される、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記顕微鏡画像は、画素の行および列から形成される透過型顕微鏡画像であり、前記コントラストは、前記画像内の画素の全行および全列のうちの１つの振幅を測定し、前記周期的画像特徴のコントラストの測定値として最高測定振幅と最低測定振幅との間の差異を求めることによって判定される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記画像は、緑色フィルタリングされた画像である、前記項目のいずれかに記載の方法。
（項目６）
前記画像は、青色フィルタリングされた画像である、項目１〜４のいずれかに記載の方法。
（項目７）
前記測定されたコントラストの最小値は、前記結晶化の最適エネルギー密度を示す、前記項目のいずれかに記載の方法。