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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体型容量性感知装置を備えたディスプレイ装置のための処理システムであって、
表示更新モードにある間は前記ディスプレイ装置の表示を更新するように構成され且つスリープモードにある間は前記ディスプレイ装置を更新しないように構成されたディスプレイドライバモジュールと、
第１の複数のセンサ電極がドーズモードでの動作中に変調信号で駆動される間に第１の複数のセンサ電極から第１の結果信号を受信するように構成された受信器モジュールであって、前記ディスプレイドライバモジュールに通信可能に結合される受信器モジュールと
を備えた処理システム。
【請求項２】
アクティブな感知モードにある間に第２の複数のセンサ電極へ送信器信号を駆動するように構成された送信器モジュールを更に備え、
前記受信器モジュールが、更に、前記送信器信号に対応する作用を含む第２の結果信号を前記第１の複数のセンサ電極から受信するように構成されている、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記受信器モジュールが、更に、前記送信器モジュールに通信可能に結合され、前記受
信器モジュールが、更に、ドーズモードで動作する間に、前記送信器モジュールと通信し且つそれをトリガーしてアクティブな感知モードに入る一方、前記ディスプレイドライバモジュールが、前記第２の結果信号に基づいて入力オブジェクトの存在が検出されたときにスリープモードに留まるように構成されている、請求項２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記受信器モジュールは、更に、前記送信器モジュールがタッチアクティブモードにある間に前記第２の結果信号からウェイクアップジェスチャーが識別されたときホストと通信するように構成されている、請求項２又は３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記ディスプレイドライバモジュールが、更に、ホストプロセッサからのコマンドに応答してスリープモードに入るように構成され、前記ディスプレイドライバモジュールが、スリープモードにある間はセンサ電極へ信号を駆動せず又は表示を更新しないように構成されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項６】
前記ディスプレイドライバモジュール及び前記受信器モジュールが、単一の集積回路内に存在する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項７】
前記受信器モジュールが、前記第１の結果信号に基づいてドーズモードでの動作からアクティブモードでの動作へ切り換わるように構成されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項８】
前記第１の複数のセンサ電極の少なくとも１つが、前記ディスプレイ装置の複数の共通電極のうちの少なくとも１つの共通電極を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項９】
複数のセンサ電極であって、該複数のセンサ電極の少なくとも１つが、ディスプレイ装置の複数の共通電極のうちの少なくとも１つの共通電極を含む、複数のセンサ電極と、
前記複数のセンサ電極に結合された処理システムと
を備える入力装置であって、
前記処理システムが、
表示更新モードにある間は前記ディスプレイ装置の表示を更新するように構成され且つスリープモードにある間は前記ディスプレイ装置を更新しないように構成されたディスプレイドライバモジュールと、
前記複数のセンサ電極のうちの第１のセンサ電極がドーズモードでの動作中に変調信号で駆動される間に前記複数のセンサ電極のうちの前記第１のセンサ電極のセットから第１の結果信号を受信するように構成された受信器モジュールと
を備え、
前記受信器モジュールが、前記ディスプレイドライバモジュールに通信可能に結合され、且つ前記第１の結果信号に基づいて前記ディスプレイドライバモジュールをスリープモードから表示更新モードへ移行させるように構成されている、入力装置。
【請求項１０】
前記処理システムが、更に、アクティブな感知モードにある間に前記複数のセンサ電極のうちの第２のセンサ電極のセットへ送信器信号を駆動するように構成された送信器モジュールを備え、前記受信器モジュールが、更に、前記送信器信号に対応する作用を含む第２の結果信号を前記第１のセンサ電極のセットから受信するように構成されている、請求項９に記載の入力装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
好適には、前記１つ以上の破壊可能部は、当該電極板内に溝又は一連の小さな凹部を画定することによって形成される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃを参照すると、破壊可能部１１０Ｃと電極板１００の他の部分との間の境界面は溝１１２を含む。一の実施形態では、溝１１２は、電極板１００の面の軸法線に対して約３０°の角をなす楔形形状である。図示されているように、溝１１２は電極板１００の端部から０．５ｍｍの位置で終端している。しかし、破壊可能部１１０Ｃが電極板１００の試験後に容易に除去可能となるように、溝１１２は任意の適切な形状であって良いことに留意して欲しい。それに加えて、溝１１２は連続的なものとして図示されているが、その代わりに溝１１２は、たとえば一連の小さな凹部に置き換えられ得ることに留意して欲しい。たとえばポリマーのような材料中に破壊可能部を製造する様々な方法が、当技術分野において周知であり、かつ、本発明に適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月18日(2018.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーデバイスであって、
一つの半導体チップの上に備えられ、かつ、それぞれが電気的に並列に接続された、２個と４個との間のメサと、
前記メサを電気的に駆動するように構成されているドライバと、
を含み、
前記ドライバは、前記２個と４個との間のメサに対して定められた閾値電圧を提供するように適合されており、かつ、
前記２個と４個との間のメサは、前記定められた閾値電圧の受取りに応じて、相互に同時にレーザー光を発するように構成されており、
それぞれのメサは、７μｍと９μｍとの間の活性直径を含み、
前記半導体チップは、１５０μｍより小さい側面の長さを有し、
前記レーザーデバイスは、光強度を伴うレーザー光を発するように適合されており、前記光強度は、３ｍＡと１２ｍＡとの間の電流で駆動される場合に、提供される電流に線形的に依存する、
レーザーデバイス。
【請求項２】
前記レーザーデバイスは、３個のメサを含む、
請求項１に記載のレーザーデバイス。
【請求項３】
前記レーザーデバイスは、
４ｍＷと１０ｍＷとの間の光強度のレーザー光を発するように適合されている、
請求項１に記載のレーザーデバイス。
【請求項４】
前記レーザーデバイスは、
４ｍＷと１０ｍＷとの間の光強度のレーザー光を発する場合に、１２ｍＡの電流において、１．６Ｖと２．２Ｖとの間の電圧で駆動されるように適合されている、
請求項３に記載のレーザーデバイス。
【請求項５】
前記レーザーデバイスは、
前記半導体チップの温度が６０°Ｃであるときに、４ｍＷと１０ｍＷとの間の光強度のレーザー光を発するように適合されている、
請求項１に記載のレーザーデバイス。
【請求項６】
前記レーザーデバイスは、
１２ｍＡの電流で駆動される場合に、
前記半導体チップの温度が６０°Ｃのときに発せられるレーザー強度から２０％より少なく外れている、光強度のレーザー光を、前記半導体チップの温度が２５°Ｃのときに発するように適合されている、
請求項５に記載のレーザーデバイス。
【請求項７】
前記半導体チップは、機能性レイヤを含み、
前記機能性レイヤは、前記レーザーデバイスを特定するためのコードを含んでいる、
請求項１に記載のレーザーデバイス。
【請求項８】
前記機能性レイヤは、前記半導体チップの金属化レイヤである、
請求項７に記載のレーザーデバイス。
【請求項９】
前記金属化レイヤは、前記半導体チップの少なくとも一つの端においてバイナリーコードを含んでいる、
請求項８に記載のレーザーデバイス。
【請求項１０】
前記メサは、前記半導体チップにわたり一様な熱分布が可能となるように、前記半導体チップ上に分散されている、
請求項１に記載のレーザーデバイス。
【請求項１１】
前記金属化レイヤは、前記半導体チップの電気的接点を含む、
請求項９に記載のレーザーデバイス。
【請求項１２】
レーザーデバイスであって、
一つの半導体チップを定めているサブストレートと、
前記一つの半導体チップにおいて前記サブストレート上に備えられている、４個より多くない複数のメサと、
前記サブストレート上に配置された金属化レイヤであり、前記半導体チップの電気的接点を含む、金属化レイヤと、
を含み、
前記複数のメサは、相互に電気的に並列に接続されており、定められた閾値電圧を相互に同時に提供されるように構成されており、かつ、前記定められた閾値電圧の受取りに応じて、前記複数のメサは、相互に同時にレーザー光を発し、
それぞれのメサは、７μｍと９μｍとの間の活性直径を有し、
前記半導体チップの電気的接点を含む前記金属化レイヤは、また、前記レーザーデバイスを特定するためのコードも含む、
レーザーデバイス。
【請求項１３】
前記複数のメサは、３個のメサである、
請求項１２に記載のレーザーデバイス。
【請求項１４】
前記金属化レイヤは、前記半導体チップの少なくとも一つの端においてバイナリーコードを含んでいる、
請求項１２に記載のレーザーデバイス。
【請求項１５】
前記レーザーデバイスは、  光強度を伴うレーザー光を発するよう適合されており、前記光強度は、３ｍＡと１２ｍＡとの間の電流で駆動される場合に、提供される電流に線形的に依存する、
請求項１２に記載のレーザーデバイス。
【請求項１６】
レーザーデバイスであって、
一つの半導体チップを定めているサブストレートと、
前記一つの半導体チップにおいて前記サブストレート上に備えられている、６個より多くない複数のメサと、
前記サブストレート上に配置された金属化レイヤであり、前記半導体チップの電気的接点を含み、さらに、前記半導体チップの少なくとも一つの端に沿って配置された数多くの異なる幅のエクステンションを含み、前記半導体チップを一意的に特定するバイナリーコードを形成している、金属化レイヤと、
を含み、
前記複数のメサは、相互に電気的に並列に接続されており、定められた閾値電圧を相互に同時に提供されるように構成されており、かつ、前記定められた閾値電圧の受取りに応じて、前記複数のメサは、相互に同時にレーザー光を発し、
それぞれのメサは、７μｍと９μｍとの間の活性直径を有する、
レーザーデバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨折固定プレートに連結して使用するためのフックプレートにおいて、前記骨折固定プレートは骨接触面および対向面を含み、前記フックプレートは、
第１の部分および第２の部分を有する剛性のプレートを含み、
当該第１の部分は前記骨折固定プレートの前記対向面に摺動可能に係合するように適合され、
当該第２の部分は骨片に係合するために前記骨折固定プレートの縁を覆うように形成され、
当該第１の部分は平面で形成されるとともに、第１の部分の平面を規定し、
当該第２の部分は当該第１の部分の平面の下側に湾曲するとともに、前記骨片に係合するように適合されるフックエンドで終わる少なくとも２つの突部を有し、
当該第１の部分はファスナーを使用して前記骨折固定プレートの前記対向面に係合するための閉じた長穴を含み、
当該第１の部分は、前記第２の部分に係合する前記骨片を整復するように前記フックプレートに張力を加えるための張力補助具を含み、前記張力補助具は、前記骨折固定プレートへの前記フックプレートの締結より先に前記骨折固定プレートに対する前記フックプレートの摺動を容易にする、フックプレート。
【請求項２】
前記張力補助具は張力タブを含む請求項１に記載のフックプレート。
【請求項３】
前記張力タブは取り外し可能な張力離脱タブである請求項２に記載のフックプレート。
【請求項４】
前記張力補助具は張力ポートを含む請求項１に記載のフックプレート。
【請求項５】
前記ファスナーはねじ付きファスナーである請求項１に記載のフックプレート。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
縫合糸用穴１６４に加えて又は代えて、本発明は掌側周縁片を固定および整復するためフックプレートを提供してもよい。ここで図１９Ａ〜１９Ｃを参照すると、各図にはフックプレート６００が示され、フックプレート６００は、掌側周縁片を固定するため、骨折固定プレート２００の尺骨用ヘッド部２２０に取り付けられるものである。図１９Ｂに示すように、フックプレート６００は、複数のフックエンド６０１と、単一の長穴６０２と、峡部６０７において切断可能な張力離脱タブ６０３と、フックプレートの変形の手術後の発見のための印６０８とを有する。一度、掌側周縁片は外科医が道具（図示しない）を橈骨の安定した部分について使用することによって一時的に整復され、フックプレート６００は適切に装着された骨折固定プレート２００の尺骨用ヘッド部２２０の上に重ねられ、留めねじ６０５は、長穴６０２を通して挿入され、尺骨用ヘッド部２２０のねじ穴６０４の中に緩く通される。外科医は、その後でフックエンド６０１を掌側周縁片に係止し、張力離脱タブ６０３を、掌側周縁片の所望の整復が達成されるまで引っ張ることで、張力をフックプレート６００に加える。図１９Ｄに示すように、留めねじ６０５は、次にねじ穴６０４の中で固く締結され、張力離脱タブ６０３は切り取り峡部６０７で曲げられることで取り外される。印６０８の位置は、将来参照するため手術後の変形を確認するべく記録される。図１９Ｅは、適切に装着された骨折固定プレート２００に強固に固定されている間、安定した橈骨３００に対して周縁片６２０を整復させたフックプレート６００の組み付けの完成を示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図１９Ｆ〜１９Ｉは、フックプレート６００の張力離脱タブ６０３が張力ポート６０３´に代えられたフックプレート６００´の代替的な実施形態を示す。フックエンド６０１´が掌側周縁片６２０´に係止した後に、外科医は、張力ポート６０３´を道具（図示しない）で所望の整復が達成されるまで引っ張ることで張力を加える。保持ねじ６０５´は、それからフックプレート６０５´を骨折固定プレート２００に取り付けるため、ねじ穴６０４の中で固く締結され、それにより、図１９Ｉに示すように、掌側周縁片６２０´の安定した整復を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月29日(2018.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
【表２】
2018510968.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有膜形成組成物であって、次式：
（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｘ
［式中、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択されるハロゲン原子；イソシアナト基［−ＮＣＯ］；アミノ基［−ＮＲ１Ｒ２］；Ｃ４〜Ｃ１０の飽和または不飽和の窒素含有複素環；またはアルコキシ基［−Ｏ−Ｒ］から選択され；ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＲはそれぞれ、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ６の直鎖または分枝の飽和または不飽和ヒドロカルビル基；またはシリル基［ＳｉＲ’３］から選択され、ここで、Ｒ’は各々独立に、Ｈ；Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択されるハロゲン原子；Ｃ１〜Ｃ４の飽和または不飽和ヒドロカルビル基；Ｃ１〜Ｃ４の飽和または不飽和アルコキシ基；またはアミノ基［−ＮＲ３Ｒ４］（ここで、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、ＨまたはＣ１〜Ｃ６の直鎖または分枝の飽和または不飽和ヒドロ
カルビル基から選択される）から選択されるが、但し、ここで、Ｒ１＝Ｈである場合、Ｒ２≠ＨまたはＭｅである］を有する一置換ＴＳＡ前駆体を含む、Ｓｉ含有膜形成組成物。
【請求項２】
Ｘ＝Ｃｌである、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項３】
Ｘ＝ＮＲ１Ｒ２であり、Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に、Ｈ、Ｍｅ、Ｅｔ、またはｉＰｒから選択される、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項４】
前記一置換ＴＳＡ前駆体が（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−ＮｉＰｒ２である、請求項３に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項５】
前記一置換ＴＳＡ前駆体が（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−ＮＥｔ２である、請求項３に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項６】
前記一置換ＴＳＡ前駆体が（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−ＮＨｉＰｒである、請求項３に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項７】
Ｘ＝−Ｎ（ＳｉＲ３）２であり、各Ｒは独立に、ハロゲン、Ｈ、またはＣ１〜Ｃ４アルキル基から選択される、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項８】
前記一置換ＴＳＡ前駆体が（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）２である、請求項７に記載のＳｉ含有膜形成組成物。
【請求項９】
Ｓｉ含有膜を形成するための方法であって、
基板を含む反応器に、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成組成物を含む蒸気を送り込む工程と、
蒸着プロセスを用いて、前記一置換ＴＳＡ前駆体の少なくとも一部を前記基板上に付着させて、前記基板上に前記ケイ素含有膜を形成する工程と
を含む方法。
【請求項１０】
前記蒸着プロセスが原子層堆積または化学蒸着である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応器に、反応物、および／または第２前駆体を含む第２蒸気を送り込む工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板が、ケイ素ウェーハ、ガラス基板、およびプラスチック基板からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板を、有機質または無機質のパターン化または非パターン化膜で被覆する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応器に第２反応物を送り込む工程であって、前記第２反応物が前記反応物とは異なり、前記第２反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、アルコール、ジオール、カルボン酸、ケトン、エーテル、Ｏ原子、Ｏラジカル、Ｏイオン、アンモニア、Ｎ２、Ｎ原子、Ｎラジカル、Ｎイオン、飽和または不飽和ヒドラジン、アミン、ジアミン、エタノールアミン、Ｈ２、Ｈ原子、Ｈラジカル、Ｈイオン、およびこれらの組合せからなる群から選択される、工程をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
窒素をドープした酸化ケイ素膜であって、
基板を含む反応器に、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成組成物を含
む蒸気を送り込み；
酸化剤を前記反応器に送り込むことにより、前記酸化剤を前記ケイ素含有層と反応させて酸化ケイ素含有層を形成し；
前記一置換ＴＳＡ前駆体を前記反応器に送り込むことにより、前記一置換ＴＳＡ前駆体を前記酸化ケイ素含有層と反応させてケイ素を多く含む酸化ケイ素含有層を形成し；
窒素含有反応物を前記反応器に送り込むことにより、前記窒素含有反応物を前記ケイ素含有層と反応させて前記窒素をドープした酸化ケイ素膜を形成する
というプロセスにより形成される、窒素をドープした酸化ケイ素膜。
【請求項１６】
それぞれの送り込む工程と送り込む工程との間に、前記反応器を不活性ガスでパージすることをさらに含む、請求項１５に記載の窒素をドープした酸化ケイ素膜。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式（Ｉ）のジシクロプラチンを製造するための方法であって、
2018510914.tif 000001
前記方法が、カルボプラチンを、対応する割合の１，１−シクロブタンジカルボン酸、及び溶媒と組み合わせて懸濁液を形成させ；懸濁液から形成された沈殿固形物を分離し；そして固形物を乾燥することを含み、
前記固形物が、存在するカルボプラチンのＸＲＰＤによって検出可能な量なしで式（Ｉ）のジシクロプラチンを含み、
組み合わせ工程におけるカルボプラチンと１，１−シクロブタンジカルボン酸のモル比が、約１：１．１５〜約１：５０の範囲である、方法。
【請求項２】
分離工程の前に沈殿固形物を冷却することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
組み合わせ工程の後で分離工程の前に懸濁液を攪拌することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
固形物が、本質的にジシクロプラチンからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
固形物が、ジシクロプラチンからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
溶媒が、水である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンと１，１−シクロブタンジカルボン酸のモル比が、約１：１５〜約１：５０の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンと１，１−シクロブタンジカルボン酸のモル比が、約１：１．１５〜１：２の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンのグラム重量と溶媒のｍＬ体積の割合が、約１：２〜約１：５０の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンのグラム重量と溶媒のｍＬ体積の割合が、約１：３〜約１：５の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
ジシクロプラチンが、実質的に図２に描かれるようなＸ線粉末回折パターンを有する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
組み合わせ工程の反応温度が、０〜８０℃の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
組み合わせ工程の反応温度が、１０〜２５℃の範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
溶媒が、ＴＨＦ，ＤＣＭ、イソプロパノール、エタノール、ＥｔＯＡｃ，ＤＭＦ，１，４−ジオキサン、アセトン、トルエン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、クロロホルム、２−メトキシエタノール、ＭＩＢＫ，ＭＴＢＥ，１，２−ジクロロエタン、及びそれらの混合物からなる群から選択される有機溶媒である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１５】
溶媒が、水と、ＴＨＦ，ＤＣＭ、イソプロパノール、エタノール、ＥｔＯＡｃ，ＤＭＦ，１，４−ジオキサン、アセトン、及びそれらの混合物からなる群から選択された有機溶媒の混合物である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１６】
組み合わせ工程の反応温度が、０〜８０℃の範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
組み合わせ工程の反応温度が、２０〜３５℃の範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンと１，１−シクロブタンジカルボン酸のモル比が、１：３〜約１：５０の範囲である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１９】
組み合わせ工程におけるカルボプラチンと１，１−シクロブタンジカルボン酸のモル比が、１：５〜１：１０の範囲である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウール基材を処理するための方法であって、
５〜６０分の間の反応時間にわたって、アルコールとアルカリとの反応混合物によって前記ウール基材を処理する第１の反応工程と、
前記第１の反応工程の結果として得られたウール基材を、酸化剤の水性混合物によって処理する第２の反応工程と、
を備え、
該方法が、前記ウール基材の吸収力特性を未処理のウール基材と比較して高める、方法。
【請求項２】
前記第１の反応工程において使用される前記ウール基材は、（ｉ）化学処理されていない不織ウール基材、および（ｉｉ）ノップが組み入れられた化学処理されていない不織基材から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の反応工程において使用される前記ウール基材は、（ｉ）積層されたスパンボンド処理済みウール繊維またはカーディング済みウール繊維を含む、ニードルパンチ処理されたウール不織基材、（ｉｉ）積層されたスパンボンド処理済みウール繊維またはカーディング済みウール繊維を含む、スパンレース処理された（水流交絡された）ウール不織基材、および（ｉｉｉ）ばらウール繊維を含むウール不織基材から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ウール基材は、（ｉ）１００〜１０００グラム毎平方メートルの間、または（ｉｉ）２００〜６００グラム毎平方メートルの間の密度を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記アルコールは、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールまたはこれらの混合物から選択される、および、
前記アルカリは、水酸化カリウムもしくは水酸化ナトリウムまたはこれらの混合物から選択される、
の少なくとも一方を満たす、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記アルコールの前記混合物中の前記アルカリの濃度は、（ｉ）０．５〜５％の間、（ｉｉ）１〜２％の間、または（ｉｉｉ）１．５％である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化剤は、過酸化水素である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記水性混合物中の前記酸化剤の濃度は、（ｉ）０．５〜５％の間、（ｉｉ）１〜２％の間、または（ｉｉｉ）２％である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の反応工程の前記反応時間は、（ｉ）５〜３０分の間、（ｉｉ）１０〜３０分の間、（ｉｉｉ）１０分、または（ｉｖ）１２〜１４分である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の反応工程の反応時間は、（ｉ）３０〜１８０分の間、（ｉｉ）３０〜１２０分の間、（ｉｉｉ）３０〜９０分の間、または（ｉｖ）６０分である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
１：１０から１：４０までの繊維対処理液比によって実施される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
高められた吸収力特性を有するウール製品の作製方法であって、
未処理のウール基材を、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法によって処理して処理済みの前記ウール製品を得る工程を含み、
前記処理済みの前記ウール製品は、前記未処理のウール基材より８００％以上大きな吸収力特性を有する、方法。
【請求項１３】
前記ウール製品は、（ｉ）未処理のウール基材より１０００％以上（ｉｉ）未処理のウール基材より１２００％以上大きな吸収力特性を有する、（ｉｉｉ）未処理のウール基材より１５００％以上大きな吸収力特性を有する、または、（ｉｖ）未処理のウール基材より２４００％以上の大きな吸収力特性を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウール製品は、吸収特性を有する材料を要求する１つまたは複数の製品においてさらに使用される、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
吸収特性を有する材料を要求する前記１つまたは複数の製品は、おむつ、おむつライナーおよびおしめを含む個人衛生用製品、創傷用被覆材または外科用被覆材、化学物質流出対処用または浄化用製品を含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月17日(2018.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体炭化水素燃料固体酸化物形燃料電池における炭素質堆積物を除去する方法であって、
アノードと、カソードと、前記アノード及び前記カソードの間に配向された固体酸化物電解質と、前記固体酸化物電解質及び前記カソードに近接して配置された増幅器カソードと、前記アノード及び前記カソードを電気的に接続する燃料電池電気回路と、前記アノード及び前記増幅器カソードを電気的に接続する増幅器電気回路と、を備える固体酸化物形燃料電池システムを提供する工程であって、前記増幅器電気回路が、前記増幅器電気回路に電力を供給し、それを制御する、少なくとも１つのバッテリ、ポテンショスタット、又は、ガルバノスタットを含んでいる、工程と、
前記増幅器電気回路を電解モードで動作させて前記増幅器カソードに電力を供給する工程であって、前記増幅器カソードが、Ｏ２−またはＣＯ３２−を生成して前記アノードに供給する、工程と、
前記Ｏ２−または前記ＣＯ３２−との反応を介して前記炭素質堆積物を二酸化炭素ガスに変換し、前記二酸化炭素ガスを排出することによって、前記アノード上の前記炭素質堆積物を除去する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記増幅器電気回路に供給される電流が、経時的に実質的に一定である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記増幅器電気回路に供給される前記電流が、前記Ｏ２の還元電位よりも高くかつ前記電解質の還元電位よりも低い電圧を維持する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記増幅器電極回路に供給される電流がパルス化される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記固体酸化物形燃料電池システムが、前記固体酸化物形燃料電池システムの電力出力が炭素質堆積物を伴わない初期動作の５０％未満に低下したときに電流が供給されるように、前記増幅器電極回路に供給される前記電流をパルス化する制御回路をさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記カソードの組成が前記増幅器カソードの組成と異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記カソード、前記増幅器カソード、またはそれらの両方が、一般タイプＡＢＯ３またはＡＢＭＯ３またはＡ１−ｘＳｒｘＦｅ１−ｙＣｏｙＯ３−δまたはＡ１−ｘＢｘＭ１−ｙＭｇｙＯ３−δの少なくとも１つのペロブスカイト材料からなる群から選択され、式中、
Ａが、Ｌａ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｂａ、またはＤｙであり、
Ｂが、２＋、３＋、４＋、または５＋カチオンであり、
Ｍが、遷移金属である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ペロブスカイト材料が、ＬａＳｒＦｅＣｏＯ３−δ（ＬＳＣＦ）、またはＬａＳｒＭｎＯ３−δ（ＬＳＭ）、またはＳｒ２ＭｇＭｏ０．８Ｎｂ０．２Ｏ６−δである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アノードが、金属、金属酸化物、またはセラミック金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記アノードが、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、テルビウム（Ｔｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電解質が、ジルコニア系、セリア系、チタニア系、ペロブスカイト酸化物、またはカチオン系炭酸塩系である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記固体酸化物形燃料電池システムが、前記液体炭化水素燃料を前記アノード全体に分配するように位置する液体燃料噴霧器をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
液体炭化水素燃料固体酸化物形燃料電池における炭素質堆積物を除去する方法であって、
アノードと、カソードと、前記アノード及び前記カソードの間に配向された固体酸化物電解質と、前記固体酸化物電解質及び前記カソードに近接して配置された増幅器カソードと、前記アノード及び前記カソードを電気的に接続する燃料電池電気回路と、前記アノード及び前記増幅器カソードを電気的に接続する少なくとも１つのバッテリ、ポテンショスタット、またはガルバノスタットを備えた増幅器電気回路と、を備える固体酸化物形燃料電池システムを提供する工程と、
前記固体酸化物形燃料電池システムの電力反応速度を監視する工程と、
前記増幅器電気回路を電解モードで動作させて前記増幅器カソードに電力を供給する工程であって、前記増幅器カソードが、Ｏ２−またはＣＯ３２−を生成して前記アノードに供給する、工程と、
前記炭素質堆積物を前記Ｏ２−または前記ＣＯ３２−との反応を介して二酸化炭素ガスに変換し、前記二酸化炭素ガスを排出することによって、前記アノード上の前記炭素質堆積物を除去する工程と、
前記アノード上の前記炭素質堆積物の前記除去の定常状態動作を得るように前記増幅器電気回路に供給される電流を調整する工程と、を含む、方法。
【請求項１４】
前記増幅器電気回路に供給される前記電流が、経時的に実質的に一定である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記増幅器電極回路に供給される前記電流がパルス化される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記増幅器電気回路が、前記増幅器電気回路に電力を供給し、それを制御する少なくとも１つのポテンショスタットをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記増幅器電気回路が、前記増幅器電気回路に電力を供給し、それを制御する少なくとも１つのガルバノスタットをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記ジルコニア系電解質が、イットリア安定化ＺｒＯ２（ＹＳＺ）、スカンジア安定化ＺｒＯ２（ＳｃＳＺ）、カルシア安定化ＺｒＯ２（ＣＳＺ）、)、サマリア安定化ＺｒＯ２（ＳｍＳＺ）及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記セリア系電解質が、ガドリニアドープセリア（ＧＤＣ）、イットリアドープセリア（ＹＤＣ）、サマリアドープセリア（ＳｍＤＣ）、スカンジアドープセリア（ＧＤＣ）、ジルコニウムドープセリア（ＺＤＣ）、ガドリニア安定化セリア（ＣＧＯ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月4日(2018.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴画像装置を操作する方法であって、
データアクセスにて被験者の最低一部位、MRIシステムの主磁石内及び実質的に均一磁場を発生する主磁石内にに配置された部位、に値する第一領域が提示され、
データアクセスにて、MRIシステムに関連する制御装置及び駆動可能なシミングコイル群により、駆動すると第一領域の磁場均質性が増加するように構成された第一部分集合内のシミングコイルが選択され、更に、
第一部分集合内のシミングコイルを駆動せずした場合に比べ、他の使用可能なシミングコイル集合内のシミングコイルを駆動することなく第一部分集合内のシミングコイルを駆動した場合、第一の領域における磁場の相対的均質性が増加される。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、更に、
第一部分シミングコイル集合内の各シミングコイルの荷重を、制御装置で得る。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、第一部分シミングコイル集合内のシミングコイル駆動は、
第一部分シミングコイル集合内の各シミングコイルへ電流を生成し、その第一部分シミングコイル集合内の各シミングコイルへ電流はそれぞれのシミングコイルの荷重に比例し、更に
生成された電流を第一部分集合内のシミングコイルへ分配する。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、第一部分シミングコイル集合内のシミングコイル駆動は、第一部分シミングコイル集合内のシミングコイルを同時駆動する事を含む。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、第一部分シミングコイル集合内のシミングコイル駆動は、
パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合へ接続し、群内のパワーアンプ数は駆動可能なシミングコイル数より少数である事を含む。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、接続されるパワーアンプ群にて、
各パワーアンプは第一部分シミングコイル集合内のそれぞれのシミングコイルへ接続するように、パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合へ接続する事を含む。
【請求項７】
請求項５に記載の方法において、接続されるパワーアンプ群にて、
各パワーアンプは第一部分シミングコイル集合内の一個以上のシミングコイルへ接続するように、パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合へ接続する事を含む。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、更に、
データアクセスにより被験者の他の一部位、第一領域とは異なる第二領域が提示され、
データアクセスにて、MRIシステムに関連する制御装置及び駆動可能なシミングコイル群により、駆動すると第二領域の磁場均質性が増加するように構成された第一部分集合と異なる第二部分集合内のシミングコイルが選択され、更に、
第二部分シミングコイル集合内のシミングコイルを駆動せずした場合に比べ、他の使用可能なシミングコイル集合内のシミングコイルを駆動することなく第二部分集合内のシミングコイルを駆動した場合、第二の領域における磁場の相対的均質性が増加される。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
第一部分集合内のシミングコイルを駆動する事は、群内のパワーアンプ数はシミングコイル数より少数であり、パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合へ接続する事を含み、更に、
第二部分シミングコイル集合内のシミングコイルを駆動する事は、
パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合から切断する、更に、
パワーアンプ群を第一部分シミングコイル集合から切断した後、パワーアンプ群を第二部分シミングコイル集合へ接続する事を含む。
【請求項１０】
磁気共鳴画像装置であって、
被験者が配置されるボアのあるハウジング、
そのハウジングのボア内にある実質的に均一磁場を発生する主磁石、
そのハウジングの周り置かれ、磁場の相対的均質性が増加されるように構成された駆動可能なシミングコイル群、
無線周波数（RF）パルスを順番に生成し、被験者をスキャンするパルス発生コイル、
実質的に均一磁場を摂動し、RFパルスに応答して取得されたMRI信号を符号化する勾配磁場コイル、
主磁石に結合された制御装置、更にそれは、
データアクセスにて被験者の最低一部位に値する第一領域が提示され、
データアクセスにて、駆動すると第一領域の磁場均質性が増加するように構成された第一部分集合内のシミングコイルが選択され、更に、
第一部分シミングコイル集合内のシミングコイルを駆動せずした場合に比べ、第一の領域における磁場の相対的均質性が増加されるように、他の使用可能なシミングコイル集合内のシミングコイルが駆動されることなく第一部分集合内のシミングコイルが駆動される。
【請求項１１】
請求項１０に記載の磁気共鳴画像装置であって、制御装置は更に、
第一部分シミングコイル集合内の各シミングコイルへ適用される荷重を得る、事を備える。
【請求項１２】
請求項１１に記載の磁気共鳴画像装置であって、更に、
群内のパワーアンプ数はシミングコイル数より少数のような、パワーアンプ群を含む。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁気共鳴画像装置であって、各パワーアンプを備え、
得た荷重に比例した電流を第一部分シミングコイル集合の各シミングコイルに生成する。
【請求項１４】
請求項１２に記載の磁気共鳴画像装置であって、各パワーアンプは、それぞれのシミングコイルに接続される。
【請求項１５】
請求項１２に記載の磁気共鳴画像装置であって、各パワーアンプは、一個以上のシミングコイルに接続される。
【請求項１６】
請求項１１に記載の磁気共鳴画像装置であって、各シミングコイルを備え、
特定次基底関数に基づいて、磁場補正を適用する。
【請求項１７】
請求項１６に記載の磁気共鳴画像装置であって、特定次基底関数は球面調和関数である。
【請求項１８】
請求項１１に記載の磁気共鳴画像装置であって、第一部分シミングコイル集合は基底関数群に対し、又複数の第一次基底関数がそれぞれの荷重対し、混ぜられる。
【請求項１９】
請求項１０に記載の磁気共鳴画像装置であって、制御装置は、更に備え、
データアクセスによりボア内に配置された被験者の一部位に値する第二領域が提供され、
データアクセスにて、駆動すると第二領域の磁場均質性が増加するように構成された第一部分集合と異なる第二部分集合内のシミングコイルが選択され、更に、
第二部分シミングコイル集合内のシミングコイルを駆動せずした場合に比べ、第二の領域における磁場の相対的均質性が増加されるように、他の使用可能なシミングコイル集合内のシミングコイルが駆動されることなく第二部分集合内のシミングコイルが駆動される事を備える。
【請求項２０】
請求項１９に記載の磁気共鳴画像装置であって、制御装置は更に、
第一部分シミングコイル集合内のシミングコイルが駆動される事は、パワーアンプ群が第一部分シミングコイル集合へ接続される事を含み、更に、
第二部分シミングコイル集合内のシミングコイルが駆動される事は、
パワーアンプ群が第一部分シミングコイル集合から切断され、更に、
パワーアンプ群が第一部分シミングコイル集合から切断された後、パワーアンプ群が第二部分シミングコイル集合へ接続される事を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月4日(2018.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡筒（２８）内に収容されている少なくとも１つの光学素子（２６）を備えている、内視鏡（２）用の結像ユニット（２０）であって、前記鏡筒（２８）は、案内筒（２２）に囲まれている内室（３０）内に少なくとも部分的に収容されており、あるいは収容可能であり、前記鏡筒（２８）は外側の側面（３２）に複数の棒部（３４）を備えており、前記複数の棒部（３４）は、前記鏡筒（２８）の長手方向（Ｌ１）に延在し、各々が、前記案内筒（２２）の内側の側面（３８）内にてくぼんでいる溝部（３６）と係合しており、前記溝部（３６）は、前記案内筒（２２）の長手方向（Ｌ２）に延在している、ことを特徴とする、結像ユニット（２０）。
【請求項２】
前記棒部（３４）及び前記溝部（３６）は、前記長手方向（Ｌ１，Ｌ２）に垂直に広がる断面において互いに相補的な形状をしていることを特徴とする、請求項１記載の結像ユニット（２０）。
【請求項３】
前記棒部（３４）および／または前記溝部（３６）は、前記長手方向（Ｌ１，Ｌ２）に垂直に広がる断面において台形であり、前記棒部（３４）の少なくとも１つの側斜面（４０）および／または前記溝部（３６）の少なくとも１つの側壁（４２）は、前記棒部（３４）あるいは前記溝部（３６）の中心に向かって傾斜しており、断面において、前記棒部（３４）は端面（４４）に向かって次第に細くなり、および／または、前記溝部（３６）は底面（４６）に向かって狭まっていることを特徴とする、請求項１または２に記載の結像ユニット（２０）。
【請求項４】
前記棒部（３４）の前記少なくとも１つの側斜面（４０）および／または前記溝部（３６）の前記少なくとも１つの側壁（４２）は、半径方向（Ｒ）に対して所定の傾斜角（α，β）で傾斜しており、前記半径方向（Ｒ）は、断面において、前記鏡筒（２８）あるいは前記案内筒（２２）の中心（Ｚ）から始まって半径方向に延伸して、前記棒部（３４）の前記端面（４４）あるいは前記溝部（３６）の前記底面（４６）の中央を貫通する方向であると見なされることを特徴とする、請求項３記載の結像ユニット（２０）。
【請求項５】
前記所定の傾斜角（α，β）は、３０°から６０°の間であることを特徴とする、請求項４記載の結像ユニット（２０）。
【請求項６】
前記案内筒（２２）は、前記案内筒（２２）の外側の側面（５０）内に形成され、前記案内筒（２２）の前記長手方向（Ｌ２）に延在している外側溝部（４８）を備えており、前記外側溝部（４８）は、前記案内筒（２２）の領域内で、前記内側の側面（３８）内にてくぼんでいる前記溝部（３６）に円周方向において少なくとも部分的に重なるように延在していて、さらに、円周方向において前記外側溝部（４８）は、少なくとも前記内側の側面（３８）内に形成されている前記溝部（３６）の幅の大きさであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の結像ユニット（２０）。
【請求項７】
前記案内筒（２２）は透光性材料で形成されており、前記鏡筒（２８）は吸光性が非常に高い材料で形成されていることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の結像ユニット（２０）。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の結像ユニット（２０）を備えている内視鏡（２）。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項に記載の結像ユニット（２０）を製造する方法であって、
前記案内筒（２２）で囲まれた前記内室（３０）内に前記鏡筒（２８）を少なくとも部分的に挿入し、それぞれ溝部（３６）内には１つの棒部（３４）が係合していて、
前記鏡筒（２８）を前記案内筒（２２）に接続することによって、前記光学素子（２６）を固定する、ことを特徴とする、方法。
【請求項１０】
前記棒部（３４）および／または前記溝部（３６）は、前記長手方向（Ｌ１，Ｌ２）に垂直に広がる断面において台形であり、前記棒部（３４）の少なくとも１つの側斜面（４０）および／または前記溝部（３６）の少なくとも１つの側壁（４２）は、前記棒部（３４）あるいは前記溝部（３６）の中心に向かって傾斜しており、断面において、前記棒部（３４）は端面（４４）に向かって次第に細くなり、および／または、前記溝部（３６）は底面（４６）に向かって狭まっていて、本方法は、前記鏡筒（２８）内に収容されている前記光学素子（２６）を調整するために、さらに、
前記鏡筒（２８）を、前記棒部（３４）の前記傾斜側斜面（４０）が前記溝部（３６）の前記傾斜側壁（４２）と接触するように、前記案内筒（２２）に対して長手方向（Ｌ１，Ｌ２）を中心として回転させて、前記光学素子（２６）を調心し、
前記鏡筒（２８）を前記案内筒（２２）に対して前記案内筒（２２）の前記長手方向（Ｌ２）に変位させることによって、前記鏡筒（２８）の所望の長手方向位置を設定することを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記鏡筒（２８）および前記案内筒（２２）は、レーザ照射の作用を受けて、互いに溶接、はんだ付け、および／または接着されており、前記案内筒（２２）はレーザ照射を透過する材料で形成されており、前記鏡筒（２８）はレーザ照射を著しく吸収する材料で形成されており、前記案内筒（２２）は前記外側溝部（４８）の領域内においてレーザ照射にさらされることにより、前記鏡筒（２８）と前記案内筒（２２）とを溶接、はんだ付け、および／または接着することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか１項に記載の方法によって製造される、内視鏡（２）の結像ユニット（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月4日(2018.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織生検装置であって、
使用者に把持されるように構成されたハンドルと、
前記ハンドルに動作可能に連結された針アセンブリであって、組織サンプルを切断するように構成される、前記針アセンブリと、
前記ハンドル及び針アセンブリに動作可能に連結された起動アセンブリであって、
付勢部材、
前記起動アセンブリが起動されたときに、前記付勢部材によって変位されるように構成される、第１のハブ部材、
前記針アセンブリに連結された第２のハブ部材であって、前記第１のハブ部材が前記第２のハブ部材に衝突したときに、前記第１のハブ部材が前記針アセンブリの少なくとも一部分を変位させるように構成される、前記第２のハブ部材、
及び前記ハンドルに対して前記第２のハブ部材の運動を止めるために、前記第２のハブ部材の運動エネルギーの一部分を吸収するように構成された、緩衝部材（dampening member）を備える、起動アセンブリと、を備える、生検装置。
【請求項２】
前記第１のハブ部材が、前記第２のハブ部材に衝突する前に、ある距離にわたって変位される、請求項１に記載の生検装置。
【請求項３】
前記付勢部材が、前記装置が起動されたときに、前記第２のハブ部材に直接力を及ぼさない、請求項１又は２に記載の生検装置。
【請求項４】
前記装置が起動されたときに、前記第１のハブ部材に関連する運動エネルギーが前記第２のハブ部材に伝達されて前記第２のハブ部材を加速させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項５】
前記針アセンブリが、前記第１のハブ部材に連結された第１の中空カニューレ及び前記第２のハブ部材に連結された第２の中空カニューレを備え、前記第１の中空カニューレが、組織サンプルの遠位端を切断するように構成され、前記第２の中空カニューレが、組織サンプルの長手方向部分を切断するように構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項６】
前記第１の中空カニューレが、螺旋状の切れ目を更に備え、前記螺旋状の切れ目が、前記ハンドルに対する前記第１の中空カニューレの相対的変位に反応して長手方向に圧縮するように構成される、請求項５に記載の生検装置。
【請求項７】
前記螺旋状の切れ目の前記圧縮が、前記第１の中空カニューレの中心軸を中心として１つ以上の切開要素を回転させるように構成される、請求項６に記載の生検装置。
【請求項８】
前記ハンドルに動作可能に連結された調節可能な停止部材を更に備え、前記調節可能な停止部が、前記第２のハブ部材の移動長さを変化させるために、連続範囲にわたって調節可能である、請求項５〜７のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項９】
前記調節可能な停止部材が、長手方向の変位なく回転されるように構成された第１の部分と、前記第１の部分を回転させるときに長手方向に変位されるように構成された第２の部分と、を備える、請求項８に記載の生検装置。
【請求項１０】
前記第１のハブ部材及び前記第２のハブ部材が、前記生検装置の動作中取り外し可能に連結されている、請求項８又は９に記載の生検装置。
【請求項１１】
前記第１のハブ部材及び前記第２のハブ部材が、前記生検装置の動作中、前記装置が起動されたときに、前記第１のハブ部材が前記第２のハブ部材より長い距離にわたって移動するように分離する、請求項１０に記載の生検装置。
【請求項１２】
前記調節可能な停止部材と前記第２のハブ部材との間の接触により、前記第１のハブ部材と前記第２のハブ部材とが分離する、請求項１１に記載の生検装置。
【請求項１３】
前記緩衝部材が、前記調節可能な停止部材との相互作用により、前記ハンドルに対する前記第２のハブ部材の前記運動を止めるとき、前記緩衝部材が前記第２のハブ部材に関連する前記エネルギーの一部分を吸収するように、前記第２のハブと前記調節可能な停止部材との間に配置される、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１４】
前記緩衝部材が、弾性材料を備える、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１５】
前記緩衝部材が、前記生検装置の動作に関連する騒音を減少させる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１６】
前記緩衝部材が、前記生検装置の動作中、触覚フィードバックを減少させる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の生検装置。
【請求項１７】
起動アセンブリ入力部を更に備え、前記入力部が、前記起動アセンブリをトリガするために前記起動アセンブリに動作可能に連結され、前記入力部が、前記ハンドルも把持している使用者の手で操作されるために構成されるように配置される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の生検装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＨ４を形成するためのＨ２及びＣＯ２の水素資化性メタン生成方法であって、天然ガス、製造された水素、及びＣＯ２とを含み、１０％の最低天然ガス濃度を有するガス混合物が、ガスゾーンを含む地下貯蔵施設に供給され、当該地下貯蔵施設にメタン生成微生物の存在下で貯蔵されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ガス混合物が、ＣＨ４の形成について化学量論的である水素とＣＯ２の比を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記地下貯蔵施設における前記ガス混合物の滞留時間が注入孔と回収孔との間の距離により決定され、注入されたＣＯ２の含量が１８％未満である天然ガスが回収孔で回収されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記地下貯蔵施設が、貯留岩石の孔隙空間の少なくとも１５％の含水量を有し、当該貯蔵施設の連続運転中に変換が起こることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記貯蔵施設のガスゾーンにおけるｐＨ値が、水素及び／又はＣＯ２の制御された添加によって調節され、前記メタン生成微生物の生産性について最適な範囲内に維持されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記メタン生成微生物が、すでに運転されている他の貯蔵施設からの鉱床水を前記貯蔵施設に接種することによって提供されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
貯蔵されるべきガス混合物中の水素濃度が７２％未満であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
貯蔵されるべきガス混合物中のＣＯ２濃度が１８％未満であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
メタノバクテリウム綱（Methanobacteria）、メタノコックス綱（Methanococci）、メタノミクロビウム綱（Methanomicrobia）及びメタノピュルス綱（Methanopyri）並びにそれらの混合物から選ばれた細菌が使用されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記地下貯蔵施設が孔隙貯蔵施設であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
天然に産出する石油又は天然ガスの鉱床のガスゾーンにおけるＣＯ２含有量を、前記鉱床からの石油の抽出前又は後のいずれかで減少させるための、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法の使用。
【請求項１２】
天然ガス中のＣＯ２及び／又は水素含有量を調節するための請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法の使用。