【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）または（ＩＩ）で表され、
2017510545.tif 000001
2017510545.tif 000002
該式（Ｉ）または（ＩＩ）中、
Ｒ1は、アルキル基、シクロアルキル−アルキル基、シクロ（ヘテロ）アルキル−アルキル基、または、アリールアルキル基であり、
Ｒ2は、Ｈ、Ｄ、ＣＤ3、ＣＨ2ＣＤ3、ＣＤ2ＣＨ3、ＣＤ2ＣＤ3、アルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、シクロ（ヘテロ）アルキル−アルキル基、アリール−アルキル基、アルケニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基であり、該アルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、シクロ（ヘテロ）アルキル−アルキル基、アリール−アルキル基、アルケニル基、アリール基、および、ヘテロアリール基は、ハロ基、Ｏ−アルキル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、ＣＯＯＭｅ、および、ＣＯＯＥｔから独立的に選択された置換基により、モノ置換あるいは多置換されたものであり、および、
ｎは、１〜８である、
化合物の製造方法であって、
該製造方法は、ｅｅ≧９９％の高エナンチオ選択的純度を有する式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、
2017510545.tif 000003
2017510545.tif 000004
該式（ＩＶ）および（Ｖ）中、
Ｘは、ＯＲxであり、Ｒxは、Ｈまたは保護基であり、および、Ｚは、Ｈまたは保護基である、化合物を、還元条件またはクロスカップリング条件の下で処理し、前記式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物を得て、および、
式（ＩＶ）の化合物を用いて前記式（Ｉ）で表される化合物を得て、式（Ｖ）の化合物を用いて前記式（ＩＩ）で表される化合物を得て、
前記式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物は、ｅｅ≧９９％の高エナンチオ選択的純度を有し、
前記式（ＩＶ）または（Ｖ）で表される化合物は、
（ａ）式（ＩＩＩ）で表される、
2017510545.tif 000005
化合物を、Ｚｒ触媒を用いた不斉カルボアルミ化条件の下で処理し、中間体（ｉ）または（ｉｉ）を得て、
（ｂ）該中間体（ｉ）または（ＩＩ）を、酸化試薬とともに処理し、前記式（ＩＶ）または（Ｖ）で表される化合物を、ｅｅ＜９９％の低エナンチオ選択的純度で得て、および、
（ｃ）該低エナンチオ選択的純度を有する式（ＩＶ）または（Ｖ）で表される化合物を、リパーゼ触媒を用いたアセチル化反応条件の下で精製し、前記ｅｅ≧９９％の高エナンチオ選択的純度を有する式（ＩＶ）または（Ｖ）で表される化合物を得る、
工程により、製造して得る、
化合物の製造方法。
【請求項２】
前記還元条件は、ＬｉＡｌＨ4を含むか、あるいは、前記クロスカップリング条件は、
（ａ）Ｃｕ触媒、Ｎｉ触媒、あるいはＰｄ触媒を用いたクロスカップリング反応であるか、
（ｂ）アルキルマグネシウムハライド試薬を用いた、Ｃｕ触媒クロスカップリング反応であって、（ｉ）ＭｅＭｇＢｒおよびＬｉ2ＣｕＣｌ4、または、（ｉｉ）ＥｔＭｇＣｌ、ＣｕＣｌ2、および、１−フェニルプロピンを含む反応であるか、
（ｃ）Ｐｄ触媒を用いた根岸カップリング反応条件であって、ビニルブロミドおよびＰｄ（ＤＰＥｐｈｏｓ）Ｃｌ2を含む、
請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項３】
Ｚｒ触媒を用いた不斉カルボアルミ化条件は、溶媒中に、
（ｉ）Ｍｅ3ＡｌまたはＥｔ3ＡｌまたはnＰｒ3Ａｌである、トリアルキルアルミニウム試薬と、
（ｉｉ）メチルアルミノキサンまたはイソブチルアルミノキサンである、アルミノキサンと、
（ｉｉｉ）（＋）−（ＮＭＩ）2ＺｒＣｌ2を含み、
前記溶媒が、ＣＨ2Ｃｌ2である、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項４】
前記リパーゼ触媒を用いたアセチル化反応条件は、有機溶媒、無機溶媒、あるいは、これらの組み合わせである溶媒中に、
（ｉ）アマノリパーゼＰＳまたはアマノリパーゼＡＫであるリパーゼ、および、
（ｉｉ）ビニルアセテートを含み、
前記溶媒は、ＴＨＦとＨ2Ｏの組み合わせなど、ＣＨ2Ｃｌ2、ＣＨ2ＣｌＣＨ2Ｃｌ、ＴＨＦ、もしくは、Ｈ2Ｏ、または、これらの組み合わせである、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）で用いられる前記酸化試薬は、Ｏ2を含む、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項６】
ｎは、
（ａ）１、または、
（ｂ）２〜４である、
請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項７】
（ｉ）Ｚは、Ｈであり、および／または、
（ｉｉ）Ｒ1は、メチル基、エチル基、または、ｎ−プロピル基などのアルキル基であり、および／または、
（ｉｉｉ）Ｒ2は、Ｈ、アルキル基、または、アルケニル基である、
請求項６の選択肢（ａ）に記載の化合物の製造方法。
【請求項８】
（ｉ）Ｚは、ＴＢＳであり、および／または、
（ｉｉ）Ｒ1は、メチル基、エチル基、または、ｎ−プロピル基などのアルキル基であり、および／または、
（ｉｉｉ）Ｒ2は、Ｈ、アルキル基、シクロヘキシル基、または、ｐ−メチルフェニル基などのＨ、アルキル基、シクロアルキル基、シクロ（ヘテロ）アルキル−アルキル基、アルケニル基、または、アリール基である、
請求項６の選択肢（ｂ）に記載の化合物の製造方法。
【請求項９】
前記製造方法は、前記式（ＩＶ）または（Ｖ）で表される化合物を、前記クロスカップリング反応の前に、トシル化条件、または、ヨウ素化条件の下で処理する工程をさらに備える、請求項６の選択肢（ｂ）に記載の化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記式（Ｉ）で表される化合物は、
（Ｒ）−２−メチルプロパン−３−ｄ1―１−オール、
（Ｒ）−２−エチルブタン−４，４，４−ｄ3−１−オール、
（Ｒ）−４−プロピルヘプタン−６，６，７，７，７−ｄ5−１−オール、
（Ｒ）−４−プロピルヘプタン−６，６−ｄ2−１−オール、および、
（Ｒ）−４−プロピルヘプタン−７，７，７−ｄ3−１−オール、
から選択される、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｉ）で表される化合物は、
（Ｒ）−２−メチルブタン−１−オール、
（Ｒ）−２−メチルブタン−１−オール、
（Ｒ）−２−メチルペント−４−エン−１−オール、
（Ｒ）−２−メチルペンタン−１−オール、
（Ｒ）−２−エチルペンタン−１−オール、
（Ｒ）−２−エチルペンタン−１−オール、
（Ｒ）−２−エチルヘキサン−１−オール、
（Ｒ）−２−エチルヘプタン−１−オール、
（Ｒ）−２−プロピルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−２−プロピルペント−４−エン−１−オール、
（Ｓ）−４−エチルヘプタン−１−オール、
（Ｓ）−６−メチル−４−プロピルヘプタン−１−オール、
（Ｓ）−４−（シクロヘキシルメチル）ヘプタン−１−オール、および、
（Ｒ）−７−（１，３−ジオキサン−２−イル）−４−プロピルヘプタン−１−オール、
から選択される、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項１２】
前記（ＩＩ）で表される化合物は、
（Ｓ）−２−エチルブタン−４，４，４−ｄ3−１−オール、または、
（Ｓ）−５−プロピルオクタン−７，７，８，８，８−ｄ5−１−オールである、
請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項１３】
前記（ＩＩ）で表される化合物は、
（Ｓ）−２−メチルブタン−１−オール、
（Ｓ）−２−メチルペンタン−１−オール、
（Ｓ）−２−エチルヘキサン−１−オール、
（Ｓ）−２−プロピルヘキサン−１−オール、
（Ｓ）−２−プロピルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−３−メチルペンタン−１−オール、
（Ｓ）−３−エチルヘキサン−１−オール、
（Ｒ）−４−メチルヘプタン−１−オール、
（Ｒ）−４−エチルヘプタン−１−オール、
（Ｓ）−４−プロピルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−６−メチル−４−プロピルヘプタン−１−オール、
（Ｒ）−４−（４−メチルベンジル）ヘプタン−１−オール、
（Ｒ，Ｅ）−エチル−８−ヒドロキシ−５−プロピルオクト−２−エノエート、
（Ｒ）−５−メチルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−５−エチルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−５−エチルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−７−イーエチル−５−プロピルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−７，７−エイメチル−５−プロピルオクタン−１−オール、
（Ｒ）−５−（シクロヘキシルメチル）オクタン−１−オール、および、
（Ｒ）−８−（１，３−ジオキサン−２−イル）−５−プロピルオクタン−１−オール、
から選択される、請求項１に記載の化合物の製造方法。
【請求項１４】
式（ＶＩ）で表される、
2017510545.tif 000006
化合物。