(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニタリングユニットと、制御ユニットと、駆動機構とが設けられた、ガラス板を加熱するための加熱炉を含むガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法であって、加熱炉をアイドル運転させて稼動温度に達するときに対応する加熱素子の稼動パラメータの数値を制御ユニットに入力することで閾値を設定し、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、炉内で加熱される過程において、モニタリングユニットは、モニタリングされた加熱素子の稼動パラメータをフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された加熱素子の稼動パラメータを制御ユニットに送信し、制御ユニットは、受信された加熱素子の稼動パラメータと閾値とを比較し、加熱素子の稼動パラメータが最大値／最小値を経た後、再び変化する過程において閾値に達する場合に、制御ユニットは、駆動機構にコマンドを送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成し、前記稼動パラメータは、加熱素子の総仕事率、又は加熱素子の総電流値、又は加熱素子のオン比、又は加熱素子のオフ比、又は加熱素子のガス流量値であることを特徴とする、ガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項２】
前記加熱素子として、電気加熱素子が用いられ、その稼動パラメータは加熱炉における加熱素子の総仕事率でであり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子の総仕事率をリアルタイムにモニタリングするとともに、加熱素子の総仕事率をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された加熱素子の総仕事率を制御ユニットに送信して設定された閾値Ｗ１と比較し、加熱素子の総仕事率が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｗ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成することを特徴とする、請求項１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項３】
前記モニタリングユニットが電気メータであることを特徴とする、請求項２に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項４】
前記閾値Ｗ１＝Ｗ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｗ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子の総仕事率であることを特徴とする、請求項２に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項５】
前記加熱素子として、電気加熱素子が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における加熱素子の総電流値であり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子の総電流値をリアルタイムにモニタリングするとともに、加熱素子の総電流値をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された総電流値を制御ユニットに送信して設定された閾値Ａ１と比較し、加熱素子の総電流値が最大値を経た後、低下過程において閾値Ａ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成することを特徴とする、請求項１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項６】
前記モニタリングユニットが電流計であることを特徴とする、請求項５に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項７】
前記閾値Ａ１＝Ａ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ａ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子の総電流値であることを特徴とする、請求項５に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項８】
前記加熱素子として、電気加熱素子又はガス加熱素子のうちのいずれか１種が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における全ての加熱素子のオン比であり、前記加熱素子のオン比が全ての加熱素子の数に占める稼動状態の加熱素子の数のパーセントであり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子のオン比をリアルタイムにモニタリングするとともに、モニタリングされた加熱素子のオン比をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理されたオン比を制御ユニットに送信して閾値Ｋ１と比較し、加熱素子のオン比が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｋ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成することを特徴とする、請求項１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項９】
前記オン比は、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をモニタリングした後、稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、算出されることを特徴とする、請求項８に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１０】
前記閾値Ｋ１＝Ｋ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｋ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のオン比であることを特徴とする、請求項８に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１１】
前記加熱素子として、電気加熱素子又はガス加熱素子のうちのいずれか１種が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における全ての加熱素子のオフ比であり、前記加熱素子のオフ比が全ての加熱素子の数に占めるオフ状態の加熱素子の数のパーセントであり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子のオフ比をリアルタイムにモニタリングするとともに、モニタリングされた加熱素子のオフ比をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理されたオフ比を制御ユニットに送信して閾値Ｄ１と比較し、加熱素子のオフ比が最小値を経た後、上昇過程において閾値Ｄ１以上になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成することを特徴とする、請求項１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１２】
前記オフ比は、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をモニタリングした後、１−稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、算出されることを特徴とする、請求項１１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１３】
前記閾値Ｄ１＝Ｄ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｄ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のオフ比であることを特徴とする、請求項１１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１４】
前記加熱素子として、ガス加熱素子が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における加熱素子のガス流量値であり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子のガス流量値をリアルタイムにモニタリングするとともに、ガス流量値をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理されたガス流量値を制御ユニットに送信して設定された閾値Ｒ１と比較し、加熱素子のガス流量値が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｒ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成することを特徴とする、請求項１に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１５】
前記モニタリングユニットがガス流量計であることを特徴とする、請求項１４に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１６】
前記閾値Ｒ１＝Ｒ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９５≦Ｋ≦１．０５の補正係数であり、Ｒ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のガス流量値であることを特徴とする、請求項１４に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１７】
前記閾値が手動でマンマシンインタフェースを介して前記制御ユニットに入力されることを特徴とする、請求項１、２、４、５、７、８、１０、１１、１３、１４又は１６に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【請求項１８】
前記フィルタ処理がデジタルフィルタ処理又はアナログフィルタ処理であることを特徴とする、請求項１、２、５、８、１１又は１４に記載のガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス板の製造プロセスに関し、特に、ガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス板の強化処理プロセスにおいて、まず、ガラス板を軟化温度（例えば、６００℃〜７００℃）に加熱し、次に、迅速に冷却することにより強化処理を完成する。ここで、ガラス板に対する加熱は、重要なプロセス制御過程となっており、従来技術において、通常、加熱時間によりガラス板の加熱過程を制御し、すなわち、ガラス板の厚さに時間係数を掛けることにより、ガラス板の加熱時間を推定し、設定された加熱時間に達した後にガラス板を排出する。このような経験によりガラス板の加熱過程を制御する方式は、以下の技術上の欠陥がある。１、ガラス板の加熱温度を正確に制御し難く、ガラス板に加熱温度が不足し又は過熱になる現象が現れることが多く、ガラス板の強化品質に対して、例えば、強化応力が目標に達せず、ガラス板の平坦度が不合格になるなどの悪影響を直接に与える。２、加熱時間が長すぎると、エネルギー浪費を引き起こし、製造のコストが高くなる。３、操作者の経験及び素質に過度に依存し、人件費を増加させるだけでなく、製品の歩留まりの向上及び品質の長時間安定性に寄与しない。
【０００３】
ガラス板強化炉の加熱部に加熱部におけるガラス板の温度を検知するための複数の温度センサが設けられており、ガラス板を加熱する過程において、温度センサは、ガラス板の温度が設定された温度に達し又は近いことを検知する場合に、ガラス板を加熱部から移す、ガラス板強化過程におけるガラス板の加熱方法が開示されている中国特許出願がある。当該方法は、加熱時間及び操作経験によりガラス板の加熱過程を制御するときに生じる技術上の欠陥を解決したが、依然として以下の技術的問題がある。１、ガラス板は、加熱過程において、各部分の昇温速度が一致しておらず、モニタリング方法が非接触式のものではないため、温度センサは、ガラス板が実際に達する温度を正確にモニタリングすることが困難であり、加熱制御効果が依然として不十分である。２、ガラス板の温度をモニタリングするために、温度センサは、長時間高温環境にある必要があり、環境内の炉温は、モニタリング結果の信頼性に影響を与え、炉の温度であるかガラス板の温度であるかを具体的に区別できないことがある。３、ガラス板が加熱炉内で運動状態にあるため、温度センサは、ガラス板の同一点の温度をリアルタイムに追従できず、測定された温度は、ガラス板の実際の温度を全面的に反映することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、従来技術において、センサによりガラス板の表面温度を直接モニタリングするときに、センサが加熱炉の環境温度に影響されることにより測定が不正確となり、ガラス板の排出が早すぎ又は遅すぎ、それによりガラス板の不良率が大幅に増加し、資源の浪費を引き起こすという問題を解決するために、ガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法を提供することを目的とする。
【０００５】
本発明は、前記技術的問題の不足を解決するために、以下の技術手段を採用する。
【０００６】
ガラス板を加熱炉内で加熱過程を完成した後に排出する動作の制御に用いられる、ガラス板強化プロセス過程におけるガラス板の排出の制御方法であって、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子の稼動パラメータをリアルタイムにモニタリングするとともに、加熱素子の稼動パラメータをフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された加熱素子の稼動パラメータを制御ユニットに送信し、制御ユニットは、受信された加熱素子の稼動パラメータと設定された閾値とを比較し、加熱素子の稼動パラメータが最大値／最小値を経た後、再び変化する過程において設定された閾値に達する際に、制御ユニットは、駆動機構にコマンドを送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成する。
【０００７】
前記制御ユニットは、ＰＬＣ又はＰＣ機である。
【０００８】
前記加熱素子として、電気加熱素子が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における加熱素子の総仕事率である。ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子の加熱総仕事率をリアルタイムにモニタリングするとともに、加熱素子の総仕事率をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された加熱素子の総仕事率を制御ユニットに送信して設定された閾値Ｗ１と比較し、加熱素子の総仕事率が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｗ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成する。
【０００９】
前記モニタリングユニットは、電気メータであり、電気メータにより加熱素子の総仕事率をモニタリングする。
【００１０】
前記閾値Ｗ１＝Ｗ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｗ０は、常温状態で、加熱炉がアイドルして稼動温度に達するときにモニタリングされた加熱素子の加熱総仕事率である。Ｗ０を確定するときに、加熱炉をアイドル運転させて、加熱炉が稼動温度に達することをモニタリングしたときの加熱総仕事率を複数回モニタリングする必要があり、複数回の測定結果の平均値を取ればよく、例えば、５回測定すればよい。
【００１１】
前記加熱素子として、電気加熱素子が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉における加熱素子の総電流値であり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子の即時総電流値をリアルタイムにモニタリングするとともに、加熱素子の総電流値をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理された総電流値を制御ユニットに送信して設定された閾値Ａ１と比較し、加熱素子の総電流値が最大値を経た後、低下過程において閾値Ａ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを加熱炉の駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成する。
【００１２】
前記モニタリングユニットは、電流計であり、電流計により加熱素子の総電流値をモニタリングする。
【００１３】
前記閾値Ａ１＝Ａ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ａ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子の総電流値である。Ａ０を確定するときに、加熱炉をアイドル運転させて、加熱炉が稼動温度に達することをモニタリングしたときの総電流値を複数回モニタリングする必要があり、複数回の測定結果の平均値を取ればよく、例えば、５回測定すればよい。
【００１４】
前記加熱素子は、稼動パラメータが加熱炉における全ての加熱素子のオン比である電気加熱素子又はガス加熱素子のうちのいずれか１種を用いて、前記加熱素子のオン比が全ての加熱素子の数に占める稼動状態の加熱素子の数のパーセントである。ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子のオン比をリアルタイムにモニタリングして、モニタリングされたオン比をフィルタ処理し、フィルタ処理されたオン比を制御ユニットに送信して閾値Ｋ１と比較し、加熱素子のオン比が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｋ１以下である場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構が動作してガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出し、それによりガラス板の加熱過程を完成する。
【００１５】
前記オン比は、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をモニタリングした後、稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、算出される。
【００１６】
前記閾値Ｋ１＝Ｋ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｋ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のオン比である。Ｋ０を確定するときに、加熱炉をアイドル運転させて、加熱炉が稼動温度に達することをモニタリングしたときのオン比を複数回モニタリングする必要があり、複数回の測定結果の平均値を取ればよく、例えば、５回測定すればよい。
【００１７】
前記加熱素子として、電気加熱素子又はガス加熱素子のうちのいずれか１種が用いられ、稼動パラメータが加熱炉における全ての加熱素子のオフ比であり、前記加熱素子のオフ比が全ての加熱素子の数に占めるオフ状態の加熱素子の数のパーセントである。ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、加熱素子のオフ比をリアルタイムにモニタリングするとともに、モニタリングされた加熱素子のオフ比をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理されたオフ比を制御ユニットに送信して閾値Ｄ１と比較し、加熱素子のオフ比が最小値を経た後、上昇過程において閾値Ｄ１以上になる場合に、制御ユニットは、コマンドを加熱炉の駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成する。
【００１８】
前記オフ比は、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をモニタリングした後、１−稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、算出される。
【００１９】
前記閾値Ｄ１＝Ｄ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦１．１の補正係数であり、Ｋ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のオフ比である。Ｄ０を確定するときに、加熱炉をアイドル運転させて、加熱炉が稼動温度に達することをモニタリングしたときのオフ比を複数回モニタリングする必要があり、複数回の測定結果の平均値を取ればよく、例えば、５回測定すればよい。
【００２０】
前記加熱素子として、ガス加熱素子が用いられ、その稼動パラメータが加熱炉のガス加熱素子におけるガス流量値であり、ガラス板が加熱炉に送り込まれた後、モニタリングユニットは、ガス加熱素子のガス流量値をリアルタイムにモニタリングするとともに、ガス流量値をフィルタ処理し、その後、フィルタ処理されたガス流量値を制御ユニットに送信して設定された閾値Ｒ１と比較し、加熱素子のガス流量値が最大値を経た後、低下過程において閾値Ｒ１以下になる場合に、制御ユニットは、コマンドを駆動機構に送信し、駆動機構は、ガラス板を加熱炉から直接送り出し、又は時間を置いてからガラス板を加熱炉から送り出すように動作することによりガラス板の加熱過程を完成する。
【００２１】
前記モニタリングユニットは、ガス流量計であり、ガス流量計により加熱素子のガス流量値をモニタリングする。
【００２２】
前記閾値Ｒ１＝Ｒ０・Ｋであり、Ｋは、値の範囲が０．９≦Ｋ≦ｌ．ｌの補正係数であり、Ｒ０は、常温状態で、加熱炉がアイドル状態で稼動温度に達するときの加熱素子のガス流量値である。Ｒ０を確定するときに、加熱炉をアイドル運転させて、加熱炉が稼動温度に達することをモニタリングしたときのガス流量値を複数回モニタリングする必要があり、複数回の測定結果の平均値を取ればよく、例えば、５回測定すればよい。
【００２３】
前記閾値は、手動でマンマシンインタフェースを介して前記制御ユニットに入力される。アイドル運転により対応する標準閾値が決定され、対応する補正係数が選択される。Ｋの選択は、環境温度に応じて調整される。以下、加熱素子の総仕事率を例として補正係数Ｋの選択方法を説明する。環境温度が常温よりも高い場合に、Ｋは、通常、１よりも小さくされ、それは、外部温度が高すぎると、加熱炉の放熱が少なくなるので、アイドル状態で、外部に放出される熱が少なくなり、それにより加熱素子の発生する熱が少なくなり、閾値を小さくするように調整する必要があるためである。環境温度が常温よりも低い場合に、Ｋは、通常、１よりも大きくされ、それは、外部温度が低すぎると、加熱炉の放熱が増加するため、アイドル状態で、外部に放出される熱が増加し、それにより加熱素子の発生する熱が多くなり、閾値を大きくするように調整する必要があるためである。環境温度が常温に等しい場合に、Ｋは、１とされ、すなわち、閾値が調整されることなく、補正係数が決定された後、対応する標準閾値に対して補正してから対応する閾値を決定し、その後、操作者により当該閾値が制御ユニットに入力される。
【００２４】
前記フィルタ処理は、デジタルフィルタ処理又はアナログフィルタ処理である。
【００２５】
本発明における「稼動温度」とは、ガラス板強化処理プロセスにおいて、加熱炉が種類の異なるガラス板を加熱するときに、設定される加熱温度を意味する。当該設定された加熱温度がガラス板の種類に応じて調整され得ることは、当業者にとって公知の常識であるので、ここで詳細な説明を省略する。
【００２６】
本発明における「設定された閾値に達する」とは、加熱素子の稼動パラメータが低下過程において当該閾値以下になり、或いは、加熱素子の稼動パラメータが上昇過程において当該閾値以上になることを意味する。
【００２７】
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。
１、本技術分野における時間に準じた従来の制御方法を打ち破り、加熱炉の運転過程における加熱素子の稼動パラメータ（加熱素子の総仕事率、総電流、オン比やオフ比、又はガス加熱素子のガス流量値）をリアルタイムにモニタリングすることにより、加熱炉の内部温度を直接モニタリングするという従来の方式を代替する。当該モニタリング方式は、大面積のガラス板の温度をモニタリングし、ガラス板の温度を測定し難いという問題を回避することができ、加熱素子の電気情報をモニタリングする方が簡単であるので、加熱素子の情報変化を監視することによりガラス板を観察する。ガラス板が恒温加熱炉内で加熱され、加熱炉を恒温に維持する必要があるため、加熱素子の発生する熱がガラス板に伝導されることから、ガラス板の温度変化に必要な熱は、全て加熱素子の稼動状態の変化により提供されるものであり、加熱素子の情報を間接的にモニタリングすることは、ガラス板の加熱過程をより科学的、正確に制御することができ、それによりガラス板の排出時刻を正確に判断し、強化ガラス板の製造過程における消費エネルギーを低下させるだけでなく、強化ガラス板の製品の品質を向上させる。
【００２８】
２、加熱過程は、操作者の経験、素質に依存しなくなり、人件費を低減させるだけでなく、データベースを設置して自動的に比較してもよく、手動で比較してもよい。データベースにより、設備がよりインテリジェントになり、操作がより簡単で、簡便になり、製造プロセス及び製品の品質の安定化に寄与する。
【００２９】
３、システムは、構造が簡単であり、高温状態にあるガラス板をそのままモニタリングすることを回避し、比較的高い信頼性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明における電気加熱素子の総仕事率を用いる場合の変化曲線図である。
【図２】本発明における電気加熱素子の総電流を用いる場合の変化曲線図である。
【図３】本発明における電気加熱素子のオン比を用いる場合の変化曲線図である。
【図４】本発明における電気加熱素子のオフ比を用いる場合の変化曲線図である。
【図５】本発明におけるガス加熱素子のガス流量値を用いる場合の変化曲線図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について詳細に説明する。具体的な実施形態は、以下のとおりである。
【００３２】
実施例１
図１に示すように、電気加熱素子の総仕事率を例として、本発明に係る加熱制御方法の制御過程を以下のように説明する。
【００３３】
まず、使用対象の加熱炉を決定し、加熱対象のガラス板の種類（例えば、低放射のフィルムメッキガラス板、透明ガラス）、厚さ情報に応じて加熱炉の稼動温度を調整し、加熱炉を環境温度が常温である状態で、稼動温度に達するまでアイドル運転させ、当該状態の加熱素子の総仕事率値をモニタリングして、五つの異なる時刻の総仕事率値を測定し、五つの数値から平均値を求め、当該平均値を標準閾値Ｗ０とした。環境温度を測定し、補正係数テーブル（当該テーブルにおける補正係数Ｋは、異なる環境温度での加熱炉がアイドル運転して稼動温度に達するときの加熱素子の総仕事率値をそれぞれモニタリングして、それぞれの総仕事率値をＷ０で除算することにより算出された）と照合して補正係数を決定し、補正係数Ｋ及びＷ０から、公式Ｗ１＝Ｗ０・Ｋにより、閾値Ｗ１を算出し、操作者は、マンマシンインタフェースを介して当該閾値Ｗ１を制御ユニットに入力した。
【００３４】
ガラス板が加熱炉に入った後、電気メータにより加熱素子の総仕事率をリアルタイムにモニタリングし、ガラス板が低温状態で加熱炉に入った後、熱を吸収し始め、このとき、加熱炉内の温度が下がるため、加熱炉の恒温稼動状態を維持するために、より多くの熱を提供するように、稼動状態の加熱素子が増加し、このとき、加熱素子の加熱総仕事率が迅速に増加して、一定の時間内に最大値に達した後に安定して維持した。ガラス板の温度が徐々に上昇するにつれて、ガラス板の温度と炉室内の温度との差が徐々に小さくなり、このとき、ガラス板は、加熱炉内の熱を吸収する速度が遅くなり、加熱炉内のガラス板の温度は、一定になる傾向があり、稼動状態にある加熱素子の数は、徐々に少なくなり、加熱素子の総仕事率は、徐々に低下する傾向にあり、加熱素子に接続された電気メータは、加熱素子の総仕事率が最大値を経た後、再び設定された閾値Ｗ１以下になることをモニタリングし、すなわち、低下過程において加熱素子の総仕事率が設定された閾値Ｗ１以下になることをモニタリングし、つまり、加熱総仕事率が設定された閾値Ｗ１以下になることを再びモニタリングした場合に、ガラス板が強化プロセスに適する温度ｔｌを満たすまで加熱されたと判断し、時刻Ｔ１に対応し、このとき、図１（この図における曲線は、モニタリングされた加熱素子の総仕事率の変化により、データ曲線をフィルタ処理した曲線図である）のように、すなわち、Ｔ１時刻に、制御ユニットにより駆動機構にコマンドを送信し、ガラス板を加熱炉から送り出し、加熱過程を完成し、次の工程に進む。
【００３５】
実施例２
図２に示すように、電気加熱素子の総電流を例として、本発明に係る加熱制御方法の制御過程を以下ように説明する。
【００３６】
まず、使用対象の加熱炉を決定し、加熱対象のガラス板の種類（例えば、低放射のフィルムメッキガラス板、透明ガラス）、厚さ情報に応じて加熱炉の稼動温度を調整し、加熱炉を環境温度が常温である状態で、稼動温度に達するまでアイドル運転させ、当該状態の加熱素子の総電流をモニタリングして、五つの異なる時刻の総電流を測定し、五つの数値から平均値を求め、当該平均値を標準閾値Ａ０とした。環境温度を測定し、補正係数テーブル（当該テーブルにおける補正係数Ｋは、異なる環境温度での加熱炉がアイドル運転して稼動温度に達するときの加熱素子の総電流値をそれぞれモニタリングして、それぞれの総電流値をＡ０で除算することにより算出された）と照合して補正係数を決定し、補正係数Ｋ及びＡ０から、閾値Ａ１＝Ａ０・Ｋという公式により、閾値を算出し、操作者は、マンマシンインタフェースを介して当該閾値Ａ１を制御ユニットに入力した。
【００３７】
ガラス板が加熱炉に入った後、電流計により加熱素子の総電流をリアルタイムにモニタリングし、ガラス板が低温状態で加熱炉に入った後、熱を吸収し始め、このとき、加熱炉内の温度が下がるため、加熱炉の恒温稼動状態を維持するために、より多くの熱を提供するように、稼動状態の加熱素子が増加し、このとき、加熱素子の加熱総電流が迅速に増加して、一定の時間内に最大値に達した後に安定して維持した。ガラス板の温度が徐々に上昇するにつれて、ガラス板の温度と炉室内の温度との差が徐々に小さくなり、このとき、ガラス板は、加熱炉内の熱を吸収する速度が遅くなり、加熱炉内のガラス板の温度は、一定になる傾向があり、稼動状態にある加熱素子の数は、徐々に少なくなり、加熱素子の総電流は、徐々に低下する傾向にあり、加熱素子に接続された電気メータは、加熱素子の総電流が再び設定された閾値Ａ１以下になることをモニタリングし、すなわち、低下過程において加熱素子の総電流が設定された閾値Ａ１以下になることをモニタリングした場合に、ガラス板が強化プロセスに適する温度ｔｌを満たすまで加熱されたと判断し、時刻Ｔ１に対応し、このとき、図２（この図における曲線は、モニタリングされた加熱素子の総電流の変化により、データ曲線をフィルタ処理した曲線図である）のように、すなわち、Ｔ１時刻に、制御ユニットにより駆動機構にコマンドを送信して、ガラス板を加熱炉から送り出し、加熱過程を完成し、次の工程に進む。
【００３８】
実施例３
図３に示すように、電気加熱素子のオン比を例として、本発明に係る加熱制御方法の制御過程を以下のように説明する。
【００３９】
まず、使用対象の加熱炉を決定し、加熱対象のガラス板の種類（例えば、低放射のフィルムメッキガラス板、透明ガラス）、厚さ情報に応じて加熱炉の稼動温度を調整し、加熱炉を環境温度が常温である状態で、稼動温度に達するまでアイドル運転させ、当該状態の加熱素子のオン比をモニタリングして、五つの異なる時刻のオン比を測定し、五つの数値から平均値を求め、当該平均値を標準閾値Ｋ０とした。環境温度を測定し、補正係数テーブル（当該テーブルにおける補正係数Ｋは、異なる環境温度での加熱炉がアイドル運転して稼動温度に達するときの加熱素子のオン比をそれぞれモニタリングして、それぞれのオン比値をＫ０で除算することにより算出された）と照合して補正係数を決定し、補正係数Ｋ及びＫ０から、閾値Ｋ１＝Ｋ０・Ｋという公式により、閾値を算出し、操作者は、マンマシンインタフェースを介して当該閾値Ｋ１を制御ユニットに入力した。
【００４０】
ガラス板が加熱炉に入った後、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をリアルタイムにモニタリングした後、稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、加熱素子のオン比を算出した。ガラス板が低温状態で加熱炉に入った後、熱を吸収し始め、このとき、加熱炉内の温度が下がるため、恒温稼動状態を維持するために、稼動状態の加熱素子が増加し、加熱素子のオン比が迅速に増加して、一定の時間内に最大値に達した後に安定して維持した。ガラス板の温度が徐々に上昇するにつれて、ガラス板の温度と炉室内の温度との差が徐々に小さくなり、このとき、ガラス板は、加熱炉内の熱を吸収する速度が遅くなり、加熱炉内のガラス板の温度は、一定になる傾向があり、加熱素子が稼動状態にある数は、徐々に少なくなり、加熱素子のオン比は、徐々に低下する傾向にあり、加熱素子のオン比が再び設定された閾値Ｋ１以下になり、すなわち、低下過程において加熱素子のオン比が設定された閾値Ｋ１以下になることをモニタリングした場合に、ガラス板が強化プロセスに適する温度ｔｌを満たすまで加熱されたと判断し、時刻Ｔ１に対応し、このとき、図３（この図における曲線は、モニタリングされた加熱素子のオン比の変化により、データ曲線をフィルタ処理した曲線図である）のように、すなわち、Ｔ１時刻に、制御ユニットにより駆動機構にコマンドを送信して、ガラス板を加熱炉から送り出し、加熱過程を完成し、次の工程に進む。
【００４１】
実施例４
図４に示すように、電気加熱素子のオフ比を例として、本発明に係る加熱制御方法の制御過程を以下のように説明する。
【００４２】
まず、使用対象の加熱炉を決定し、加熱対象のガラス板の種類（例えば、低放射のフィルムメッキガラス板、透明ガラス）、厚さ情報に応じて加熱炉の稼動温度を調整し、加熱炉を環境温度が常温である状態で、稼動温度に達するまでアイドル運転させ、当該状態の加熱素子のオフ比をモニタリングして、五つの異なる時刻のオフ比を測定し、五つの数値から平均値を求め、当該平均値を標準閾値Ｄ０とした。環境温度を測定し、補正係数テーブル（当該テーブルにおける補正係数Ｋは、異なる環境温度での加熱炉がアイドル運転して稼動温度に達するときの加熱素子のオフ比をそれぞれモニタリングして、それぞれのオフ比値をＤ０で除算することにより算出された）と照合して補正係数を決定し、補正係数Ｋ及びＤ０から、閾値Ｄ１＝Ｄ０・Ｋという公式により、閾値を算出し、操作者は、マンマシンインタフェースを介して当該閾値Ｄ１を制御ユニットに入力した。
【００４３】
ガラス板が加熱炉に入った後、モニタリングユニットにより稼動状態の加熱素子の数をリアルタイムにモニタリングした後、１−稼動状態の加熱素子の数／加熱素子の総数という公式で演算することにより、加熱素子のオフ比を算出する。ガラス板が低温状態で加熱炉に入った後、熱を吸収し始め、このとき、加熱炉内の温度が下がるため、恒温稼動状態を維持するために、稼動状態の加熱素子が増加し、加熱素子のオフ比が小さくなり、一定の時間内に最小値に達した後に安定して維持した。ガラス板の温度が徐々に上昇するにつれて、ガラス板の温度と炉室内の温度との差が徐々に小さくなり、このとき、ガラス板は、加熱炉内の熱を吸収する速度が遅くなり、加熱炉内のガラス板の温度は、一定になる傾向があり、加熱素子が稼動状態にある数は、徐々に少なくなり、加熱素子のオフ比は、徐々に向上する傾向にあり、加熱素子のオフ比が再び設定された閾値Ｄ１以上になり、すなわち、上昇過程において加熱素子のオフ比が設定された閾値Ｄ１以上であることをモニタリングした場合に、ガラス板が強化プロセスに適する温度ｔｌを満たすまで加熱されたと判断し、時刻Ｔ１にし、このとき、図４（この図における曲線は、モニタリングされた加熱素子のオフ比の変化により、データ曲線をフィルタ処理した曲線図である）のように、すなわち、Ｔ１時刻に、制御ユニットにより駆動機構にコマンドを送信して、ガラス板を加熱炉から送り出し、加熱過程を完成し、次の工程に進む。
【００４４】
実施例５
図５に示すように、ガス加熱素子のガス流量を例として、本発明に係る加熱制御方法の制御過程を以下のように説明する。
【００４５】
まず、使用対象の加熱炉を決定し、加熱対象のガラス板の種類（例えば、低放射のフィルムメッキガラス板、透明ガラス）、厚さ情報に応じて加熱炉の稼動温度を調整し、加熱炉を環境温度が常温である状態で、稼動温度に達するまでアイドル運転させ、当該状態の加熱素子のガス流量をモニタリングして、五つの異なる時刻のガス流量を測定し、五つの数値から平均値を求め、当該平均値を標準閾値Ｒ０とした。環境温度を測定し、補正係数テーブル（当該テーブルにおける補正係数Ｋは、異なる環境温度での加熱炉がアイドル運転して稼動温度に達するときの加熱素子のガス流量をそれぞれモニタリングして、それぞれのガス流量値をＲ０で除算することにより算出された）と照合して補正係数を決定し、補正係数Ｋ及びＲ０から、閾値Ｒ１＝Ｒ０・Ｋという公式により、閾値を算出し、操作者は、マンマシンインタフェースを介して当該閾値Ｒ１を制御ユニットに入力した。
【００４６】
ガラス板が加熱炉に入った後、ガス流量計により加熱素子の総ガス流量をリアルタイムにモニタリングし、ガラス板が低温状態で加熱炉に入った後、熱を吸収し始め、このとき、加熱炉内の温度が下がるため、加熱炉の恒温稼動状態を維持するために、より多くの熱を提供するように、稼動状態の加熱素子が増加し、このとき、加熱素子のガス流量が迅速に増加し、一定の時間内に最大値に達した後に安定して維持した。ガラス板の温度が徐々に上昇するにつれて、ガラス板の温度と炉室内の温度との差が徐々に小さくなり、このとき、ガラス板は、加熱炉内の熱を吸収する速度が遅くなり、加熱炉内のガラス板の温度は、一定になる傾向があり、加熱素子が稼動状態にある数は、徐々に少なくなり、ガス流量は、徐々に低下する傾向にあり、加熱素子に接続されたガス流量計は、加熱素子のガス流量が再び設定された閾値Ｒ１以下になることをモニタリングし、すなわち、低下過程においてガス流量が設定された閾値Ｒ１以下になることをモニタリングした場合に、ガラス板が強化プロセスに適する温度ｔｌを満たすまで加熱されたと判断し、時刻Ｔ１に対応し、このとき、図５（この図における曲線は、モニタリングされた加熱素子のガス流量の変化により、データ曲線をフィルタ処理した曲線図である）のように、すなわち、Ｔ１時刻に、制御ユニットにより駆動機構にコマンドを送信して、ガラス板を加熱炉から送り出し、加熱過程を完成し、次の工程に進む。
【００４７】
前記実施例１〜実施例における閾値Ｗ１、Ａ１、Ｋ１、Ｄ１及びＲ１は、操作者によりマンマシンインタフェースを介して補正係数Ｋを制御ユニットに入力し、制御ユニットが公式により対応する閾値を算出することにより得ることもできる。
【００４８】
説明すべきなのは、本発明における「常温」とは、２５℃を指すが、当業者であれば、「常温」の代わりにその他の温度を用いて、対応する標準閾値を得ることに容易に想到することである。
【００４９】
本発明で挙げられた技術方案及び実施形態は、限定するためのものではなく、本発明で挙げられた技術方案及び実施形態と同様で、又は効果が同じ方案は、全て本発明の特許請求の範囲内に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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