(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端子と第２端子とを結ぶ信号経路を構成するフィルタ回路と、
前記信号経路上の前記第１端子と前記フィルタ回路との間に位置する第１ノードおよび前記信号経路上の前記第２端子と前記フィルタ回路との間に位置する第２ノードに接続され、前記第１ノードと前記第２ノードとを結ぶ他の信号経路を構成する付加回路と、を備え、
前記フィルタ回路は、
前記信号経路上に設けられた直列腕共振子と、
前記信号経路上の第３ノードとグランドとを結ぶ接地経路上に設けられた並列腕共振子および第２インダクタンス素子と、を有し、
前記付加回路は、前記他の信号経路上に、弾性波伝搬方向に並置された複数のＩＤＴ電極からなる縦結合型の共振子群と容量素子と第１インダクタンス素子とを有し、
前記第１インダクタンス素子は、前記第２インダクタンス素子と電磁気的に結合している、
フィルタ。
【請求項２】
前記付加回路は、前記フィルタ回路の通過帯域外の周波数を有する信号成分に対し、逆相の信号を生成する、
請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記フィルタは、
パターン導体が形成された多層配線基板と、
前記多層配線基板の一方主面に実装され、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極および配線電極が形成された圧電基板と、を備え、
前記共振子群および前記容量素子は前記ＩＤＴ電極で構成され、
前記第１インダクタンス素子は前記配線電極で構成され、
前記第２インダクタンス素子は前記パターン導体で構成され、
前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記多層配線基板および前記圧電基板を平面視したとき、互いに少なくとも一部が重複する領域に配置されている、
請求項１に記載のフィルタ。
【請求項４】
一端同士が互いに接続された第１フィルタと第２フィルタとを備え、
前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうちの少なくとも一方のフィルタが、請求項１から３のいずれか１項に記載のフィルタである、
マルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、付加回路を有するフィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波フィルタおよび弾性波フィルタを用いたマルチプレクサにおいては、フィルタの減衰特性の向上やフィルタ間のアイソレーション特性の向上が求められている。そのため、従来、フィルタ回路に並列に接続され、フィルタ回路で伝達される通過帯域外の信号成分に対し逆相の信号を生成する付加回路を用いることが知られている（例えば、特許文献１のキャンセル回路）。特許文献１のキャンセル回路は、縦結合型共振子および容量からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２２０２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、フィルタの広帯域化などを背景に、従来の構成では、所望の周波数帯域にわたって位相調整を行うことが難しく、十分な減衰特性およびアイソレーション特性を得ることが難しい。【０００５】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、付加回路を有するフィルタおよびマルチプレクサにおいて減衰特性および、またはアイソレーション特性の改善を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタは、第１端子と第２端子とを結ぶ信号経路を構成するフィルタ回路と、前記信号経路上の前記第１端子と前記フィルタ回路との間に位置する第１ノードおよび前記信号経路上の前記第２端子と前記フィルタ回路との間に位置する第２ノードに接続され、前記第１ノードと前記第２ノードとを結ぶ他の信号経路を構成する付加回路と、を備え、前記付加回路は、前記他の信号経路上に、弾性波伝搬方向に並置された複数のＩＤＴ電極からなる共振子群と容量素子と第１インダクタンス素子とを有し、前記第１インダクタンス素子は、前記フィルタ回路と電磁気的に結合している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係るフィルタによれば、付加回路にて、フィルタ回路の通過帯域外の周波数を有する信号成分に対し、逆相の信号を生成することができる。付加回路は、信号の位相を、共振子群（従来の縦結合型共振子に対応）によって調整することに加えて、第１インダクタンス素子とフィルタ回路との電磁気的な結合により調整することができる。その結果、縦結合型共振子のみで信号の位相を調整する従来の構成と比べてより広い周波数帯域で信号の位相を調整できる。これにより、通過帯域外の信号成分をより効果的に減衰させる信号が得られるので、減衰特性に優れたフィルタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施の形態に係るマルチプレクサの構成の一例を示す回路図である。
【図２】図２は、実施の形態に係るマルチプレクサの詳細な構成の一例を示す回路図である。
【図３】図３は、実施の形態に係るマルチプレクサの実装構造の一例を模式的に示す側面図である。
【図４】図４は、実施の形態に係るマルチプレクサの実装構造の一例を模式的に示す平面図である。
【図５】図５は、比較例に係るマルチプレクサの詳細な構成の一例を示す回路図である。
【図６】図６は、実施の形態に係る送信フィルタ回路および付加回路の位相特性の一例を示すグラフである。
【図７】図７は、実施の形態に係る送信フィルタの減衰特性の一例を示すグラフである。
【図８】図８は、実施の形態に係るマルチプレクサのアイソレーション特性の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
【００１０】
（実施の形態）
実施の形態に係るフィルタおよびマルチプレクサについて、送信フィルタと受信フィルタとを有し、送信信号と受信信号とを分波および合波するデュプレクサの例を挙げて説明する。ここでは、送信フィルタが実施の形態に係るフィルタの一例である。
【００１１】
図１は、実施の形態に係るマルチプレクサの構成の一例を示す回路図である。図１に示されるように、マルチプレクサ１は、端子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、送信フィルタ回路１０、受信フィルタ回路２０、および付加回路３０を有する。
【００１２】
端子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、それぞれアンテナ端子ＡＮＴ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘである。端子Ｐ１は、アンテナ５に接続される。
【００１３】
送信フィルタ回路１０は、一端が端子Ｐ１に接続され、他端が端子Ｐ２に接続され、端子Ｐ１と端子Ｐ２とを結ぶ信号経路Ｒ１を構成する。送信フィルタ回路１０の一端および他端はそれぞれ端子Ｐ１、Ｐ２に直接接続されてもよく、他の回路素子（図示せず）を介して接続されてもよい。
【００１４】
受信フィルタ回路２０は、一端が端子Ｐ１に接続され、他端が端子Ｐ３に接続され、端子Ｐ１と端子Ｐ３とを結ぶ信号経路Ｒ２を構成する。受信フィルタ回路２０の一端および他端はそれぞれ端子Ｐ１、Ｐ３に直接接続されてもよく、他の回路素子（図示せず）を介して接続されてもよい。
【００１５】
付加回路３０は、送信フィルタ回路１０で伝達される信号のうち通過帯域に含まれない目的の周波数帯域の信号成分（つまり、キャンセル対象の信号成分）に対し、逆相の信号を生成する。付加回路３０は、一端が信号経路Ｒ１上の端子Ｐ１と送信フィルタ回路１０との間に位置するノードＮ１に接続され、他端が信号経路Ｒ１上の端子Ｐ２と送信フィルタ回路１０との間に位置するノードＮ２に接続される。付加回路３０は、ノードＮ１とノードＮ２とを結ぶ信号経路Ｒ３を構成する。
【００１６】
送信フィルタ回路１０と付加回路３０とは送信フィルタ４１を構成する。受信フィルタ回路２０は受信フィルタ４２を構成する。送信フィルタ４１および受信フィルタ４２によって、送信信号と受信信号とが分波および合波される。
【００１７】
付加回路３０は、信号経路Ｒ３上に、共振子群３１と容量素子３２とインダクタンス素子３３とを有している。
【００１８】
共振子群３１は、弾性波の伝搬方向に並置されたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３１１、３１２からなる。共振子群３１は、弾性波の伝搬方向に並置された３以上のＩＤＴ電極（図示せず）からなっていてもよい。共振子群３１は、ＩＤＴ電極３１１、３１２間での表面波の伝搬を利用して信号を伝達するトランスバーサル型フィルタであってもよく、ＩＤＴ電極３１１、３１２間での表面波の結合を利用して信号を伝達する縦結合型共振子であってもよい。
【００１９】
インダクタンス素子３３は、送信フィルタ回路１０と電磁気的に結合している（図１において点線Ｍで表す）。インダクタンス素子３３と送信フィルタ回路１０との電磁気的な結合は、誘導結合および容量結合のいずれであってもよく、その両方であってもよい。
【００２０】
共振子群３１および容量素子３２は、付加回路３０を通過する信号の位相および振幅をそれぞれ制御する。付加回路３０を通過する信号の位相は、送信フィルタ回路１０と電磁気的に結合したインダクタンス素子３３によりさらに調整される。
【００２１】
付加回路３０は、上述の構成により、送信フィルタ回路１０で伝達される信号のうち通過帯域に含まれない目的の周波数帯域の信号成分に対し、逆相の信号（以下、キャンセル信号と言う）を生成する。キャンセル信号は、キャンセル対象の信号成分と合算されたときに合算結果の振幅が元のキャンセル対象の信号成分の振幅より小さくなる信号であり、送信フィルタ回路１０を通過後のキャンセル対象の信号成分に対し、逆相でかつ好ましくは同振幅の信号である。
【００２２】
ここで、キャンセル対象の信号成分とキャンセル信号とが逆相であるとは、−１８０°以上１８０°以下の範囲内で両者の位相差の絶対値が９０°より大きいことをいう。これは、キャンセル対象の信号成分とキャンセル信号とが互いに逆方向の位相成分を有することと等しい。
【００２３】
また、キャンセル信号はキャンセル対象の信号成分と同振幅であることが好ましいが、振幅が異なっていても構わない。キャンセル信号とキャンセル対象の信号成分との位相差に応じて、両者の合算結果の振幅が元のキャンセル対象の信号成分の振幅よりも小さくなる場合は、減衰特性を向上させることができる。
【００２４】
付加回路３０では、キャンセル信号の位相を、共振子群３１によって調整することに加えて、送信フィルタ回路１０と電磁気的に結合したインダクタンス素子３３により調整することができる。その結果、共振子群３１のみでキャンセル信号の位相を調整する構成と比べてより広い周波数帯域でキャンセル信号の位相を調整できる。これにより、キャンセル対象の信号成分をより効果的に減衰させるキャンセル信号が得られるので、減衰特性に優れた送信フィルタ４１が得られる。
【００２５】
なお、付加回路３０は、共振子群３１の代わりに遅延線を用いて構成されていてもよい。
【００２６】
以下では、マルチプレクサ１の詳細な構成について、送信フィルタ回路１０および受信フィルタ回路２０が複数の弾性波共振子で構成された弾性波フィルタ回路である場合の例を挙げて説明する。
【００２７】
図２は、マルチプレクサ１ａの詳細な構成の一例を示す回路図であり、送信フィルタ回路１０および受信フィルタ回路２０の内部的な構成の一例が示されている。図２のマルチプレクサ１ａでは、図１のマルチプレクサ１の回路が次のように具体化される。
【００２８】
送信フィルタ回路１０は、信号経路Ｒ１上に設けられた直列腕共振子１１１〜１１５と、信号経路Ｒ１とグランドとの間に設けられた並列腕共振子１２１〜１２４およびインダクタンス素子１３〜１５とを有する。
【００２９】
インダクタンス素子１４が、付加回路３０のインダクタンス素子３３と電磁気的に結合する（図２において点線Ｍで表す）。インダクタンス素子１４は、信号経路Ｒ１上のノードＮ３とグランドとを結ぶ接地経路Ｒ４上に並列腕共振子１２３とともに設けられる。
【００３０】
受信フィルタ回路２０は、信号経路Ｒ２上に設けられた弾性波共振子２１と、共振子群２２とを有する。共振子群２２は、２つの縦結合型共振子２２１、２２２を直列に接続して構成される。
【００３１】
付加回路３０において、容量素子３２は弾性波共振子であり、ＩＤＴ電極が有する容量を容量素子３２として利用する。
【００３２】
このような構成によれば、送信フィルタ回路１０は、直列腕共振子１１１〜１１５と並列腕共振子１２１〜１２４とを用いた弾性波フィルタとして構成される。インダクタンス素子１３〜１５は、弾性波フィルタではしばしば設けられる。そこで、インダクタンス素子１４を付加回路３０のインダクタンス素子３３と電磁気的に結合させることで、部品点数を増やさずに減衰特性が改善された送信フィルタ４１を得ることができる。
【００３３】
図２のマルチプレクサ１ａの実装構造について、多層配線基板と圧電基板とを用いたモジュールの例を挙げて説明する。
【００３４】
図３および図４は、マルチプレクサ１ａの実装構造の一例を模式的に示す側面図および平面図である。図３および図４に示されるように、マルチプレクサ１ａは、多層配線基板５０と、多層配線基板５０の一方主面（図３では上方主面）に実装された圧電基板６０とを備える。
【００３５】
多層配線基板５０は複数の基材の積層体であり、基材の面内および層間にパターン導体５１が形成されている。基材は、例えば樹脂材料またはセラミック材料からなり、パターン導体５１は、例えば銅または銀を含有する金属材料からなる。
【００３６】
パターン導体５１は、コイル状に配置されることにより、インダクタンス素子１３〜１５を構成する。
【００３７】
圧電基板６０は、例えばタンタル酸リチウムの単結晶またはセラミックスなどの圧電材料からなり、一方主面（図３では下方主面）にはＩＤＴ電極６１、配線電極６２および接続電極６３が形成されている。ＩＤＴ電極６１、配線電極６２および接続電極６３は、例えば銅、アルミニウムおよび銀のうちの少なくとも１つを含有する金属材料からなる。
【００３８】
ＩＤＴ電極６１は、送信フィルタ回路１０における直列腕共振子１１１〜１１５、並列腕共振子１２１〜１２４、受信フィルタ回路２０における弾性波共振子２１、共振子群２２、および付加回路３０における共振子群３１、容量素子３２を構成する。
【００３９】
配線電極６２は、ＩＤＴ電極６１で構成される共振子間および共振子と接続電極６３との間を接続する。配線電極６２の一部はインダクタンス素子３３を構成する。インダクタンス素子３３を構成する配線電極６２の部分は、一例として、蛇行形状に形成されてもよい。
【００４０】
接続電極６３は、はんだなどの導電性接合材を介して、多層配線基板５０のパターン導体に接続される（図示せず）。
【００４１】
上述した実装構造により図２に示すマルチプレクサ１ａの回路が形成され、マルチプレクサ１ａは、多層配線基板５０と圧電基板６０とを備えるモジュールとして実現される。
【００４２】
図３に示されるように、多層配線基板５０および圧電基板６０を平面視したとき、配線電極６２の一部からなるインダクタンス素子３３とインダクタンス素子１４とは、互いに少なくとも一部が重複する領域に配置されている。これにより、インダクタンス素子３３とインダクタンス素子１４とは互いに対向する部分を有することとなり、基板上での両者の配置に応じた結合度で電磁気的に結合する（図３において点線Ｍで表す）。
【００４３】
したがって、マルチプレクサ１ａによれば、インダクタンス素子１４、３３として、例えばチップインダクタなどの追加的な部品を用いることなく、減衰特性に優れた送信フィルタ４１を小型および低コストに実現できる。
【００４４】
以下では、インダクタンス素子の結合による減衰特性の改善効果を確認するために行ったシミュレーションの結果について説明する。シミュレーションでは、インダクタンス素子３３、１４間に適切な大きさの結合を設定したマルチプレクサ１ａ（図２）を実施例とし、インダクタンス素子３３、１４間に結合がないマルチプレクサを比較例とした。
【００４５】
図５は、比較例に係るマルチプレクサ９の詳細な構成の一例を示す回路図である。マルチプレクサ９は、図２のマルチプレクサ１ａと比べて、回路構成は同一であり、インダクタンス素子３３、１４間に結合がないとした点で相違する。区別のため、マルチプレクサ１ａにおける付加回路３０および送信フィルタ４１を、マルチプレクサ９では付加回路３９および送信フィルタ４９として参照する。
【００４６】
なお、別の比較例としてインダクタンス素子３３そのものを削除したマルチプレクサも検討したが、マルチプレクサ９と比べて特性に差がなかったため、以下の説明では、マルチプレクサ９を代表して比較例とする。
【００４７】
送信フィルタ４１および受信フィルタ４２の通過帯域は、それぞれＬＴＥ（登録商標）（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のバンドＢ２８Ｂの送信帯域：７１８ＭＨｚ−７４８ＭＨｚおよび受信帯域：７７３ＭＨｚ−８０３ＭＨｚとした。これにより、送信フィルタ４１におけるキャンセル対象の信号成分の周波数帯域（以下、キャンセル帯域とも言う）をバンドＢ２８Ｂの受信帯域：７７３ＭＨｚ−８０３ＭＨｚとした。ここで、ａＭＨｚ−ｂＭＨｚなる表記は、ａＭＨｚ以上ｂＭＨｚ以下の周波数範囲を意味する。
【００４８】
図６は、送信フィルタ回路１０、付加回路３０、３９の位相特性の一例を示すグラフである。図６では、ノードＮ１−Ｎ２間で、送信フィルタ回路１０および付加回路３０、３９のいずれかの回路を通過した信号に生じる位相変化量（以下では短く、送信フィルタ回路１０の位相、付加回路３０、３９の位相と言う）を示している。
【００４９】
前述したように、キャンセル信号は、キャンセル対象の信号成分を減衰させるために、当該信号成分とは逆相である（つまり、−１８０°以上１８０°以下の範囲内で絶対値で９０度より大きな位相差がある）ことが求められる。
【００５０】
図６に見られるように、付加回路３０の位相（太線）は、付加回路３９の位相（細線）と比べて、キャンセル帯域のより多くの部分で送信フィルタ回路１０の位相（破線）に対して逆相になっている。このことは、付加回路３０で生成されたキャンセル信号が、付加回路３９で生成されたキャンセル信号と比べて、キャンセル対象の信号成分をより効果的に減衰させることを意味している。したがって、付加回路３０で生成されたキャンセル信号によって、送信フィルタ４１の減衰特性が向上する。
【００５１】
図７は、送信フィルタ４１、４９の減衰特性の一例を示すグラフである。図７では、端子Ｐ１−Ｐ２間での挿入損失を示している。
【００５２】
図７に見られるように、キャンセル帯域において、送信フィルタ４１の挿入損失は送信フィルタ４９の挿入損失より大きく、送信フィルタ４１のキャンセル帯域における減衰特性は、送信フィルタ４９と比べて優れていることが確認できる。送信フィルタ４１の優れた減衰特性によって、マルチプレクサ１ａでのアイソレーション特性が向上する。
【００５３】
図８は、マルチプレクサ１ａ、９のアイソレーション特性の一例を示すグラフである。図８では、端子Ｐ３−Ｐ２間での挿入損失を示している。
【００５４】
図８に見られるように、キャンセル帯域において、マルチプレクサ１ａでの挿入損失はマルチプレクサ９での挿入損失より大きく、マルチプレクサ１ａのキャンセル帯域におけるアイソレーション特性は、マルチプレクサ９と比べて優れていることが分かる。
【００５５】
このように、インダクタンス素子１４、３３間に適切な大きさの結合を設けたマルチプレクサ１ａでは、インダクタンス素子１４、３３間に結合を設けないマルチプレクサ９と比べて、減衰特性およびアイソレーション特性の向上が認められた。
【００５６】
以上、本発明の実施の形態に係るフィルタおよびマルチプレクサについて説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
【００５７】
例えば、実施の形態ではデュプレクサにおける送信フィルタへの適用例を挙げて説明したが、本発明は、デュプレクサにおける受信フィルタや単体のフィルタにも同様に適用できる。また、本発明は、単に周波数帯域が異なる複数の信号を分波および合波するダイプレクサ、トリプレクサ、クアッドプレクサなどにおけるフィルタに適用されてもよい。
【００５８】
また、付加回路のインダクタンス素子と電磁気的に結合するフィルタ回路内の素子は特には限定されない。例えば、図２において、インダクタンス素子３３は、インダクタンス素子１３またはインダクタンス素子１５と電磁気的に結合してもよいし、送信フィルタ回路１０が信号経路Ｒ１上にインダクタンス素子を有する場合は、当該インダクタンス素子と電磁気的に結合してもよい。
【００５９】
（まとめ）
本発明の一態様に係るフィルタは、第１端子と第２端子とを結ぶ信号経路を構成するフィルタ回路と、前記信号経路上の前記第１端子と前記フィルタ回路との間に位置する第１ノードおよび前記信号経路上の前記第２端子と前記フィルタ回路との間に位置する第２ノードに接続され、前記第１ノードと前記第２ノードとを結ぶ他の信号経路を構成する付加回路と、を備え、前記付加回路は、前記他の信号経路上に、弾性波伝搬方向に並置された複数のＩＤＴ電極からなる共振子群と容量素子と第１インダクタンス素子とを有し、前記第１インダクタンス素子は、前記フィルタ回路と電磁気的に結合している。
【００６０】
このような構成によれば、付加回路は、キャンセル信号の位相を、共振子群によって調整することに加えて、第１インダクタンス素子とフィルタ回路との電磁気的な結合により調整することができる。その結果、共振子群のみでキャンセル信号の位相を調整する場合と比べて、より広い周波数帯域でキャンセル信号の位相を調整できる。これにより、通過帯域外の信号成分をより効果的に減衰させるキャンセル信号が得られるので、減衰特性に優れたフィルタが得られる。
【００６１】
また、前記フィルタ回路は、前記信号経路上に設けられた直列腕共振子と、前記信号経路上の第３ノードとグランドとを結ぶ接地経路上に設けられた並列腕共振子および第２インダクタンス素子と、を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とが電磁気的に結合しているとしてもよい。
【００６２】
このような構成によれば、フィルタ回路は、直列腕共振子と並列腕共振子とを用いた弾性波フィルタとして構成される。実用の弾性波フィルタでは、しばしば特性調整用のインダクタンス素子が接地経路に設けられる。そこで、当該インダクタンス素子を第２インダクタンス素子として、付加回路の第１インダクタンス素子と電磁気的に結合させる。これにより、部品点数を増やさずに減衰特性が改善されたフィルタを得ることができる。
【００６３】
また、前記フィルタは、パターン導体が形成された多層配線基板と、前記多層配線基板の一方主面に実装され、ＩＤＴ電極および配線電極が形成された圧電基板と、を備え、前記共振子群および前記容量素子は前記ＩＤＴ電極で構成され、前記第１インダクタンス素子は前記配線電極で構成され、前記第２インダクタンス素子は前記パターン導体で構成され、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、前記多層配線基板および前記圧電基板を平面視したとき、互いに少なくとも一部が重複する領域に配置されているとしてもよい。
【００６４】
このような構成によれば、配線電極で形成された第１インダクタンス素子とパターン導体で形成された第２インダクタンス素子とを、両者の基板上での配置に応じた結合度で電磁気的に結合させることができる。これにより、第１インダクタンス素子および第２インダクタンス素子としてチップインダクタなどの追加的な部品を用いることなく、減衰特性に優れたフィルタを小型および低コストに実現できる。
【００６５】
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、一端同士が互いに接続された第１フィルタと第２フィルタとを備え、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタのうちの少なくとも一方のフィルタが、前述のフィルタである。
【００６６】
このような構成によれば、減衰特性に優れた前述のフィルタを用いることにより、アイソレーションに優れたマルチプレクサが得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、付加回路を有するフィルタおよびマルチプレクサとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【００６８】
１、１ａ、９  マルチプレクサ
５  アンテナ
１０  送信フィルタ回路
１３、１４、１５、３３  インダクタンス素子
２０  受信フィルタ回路
２１  弾性波共振子
２２、３１  共振子群
３０、３９  付加回路
３２  容量素子
４１、４９  送信フィルタ
４２  受信フィルタ
５０  多層配線基板
５１  パターン導体
６０  圧電基板
６１、３１１、３１２  ＩＤＴ電極
６２  配線電極
６３  接続電極
１１１〜１１５  直列腕共振子
１２１〜１２４  並列腕共振子
２２１、２２２  縦結合型共振子
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３  ノード
Ｐ１、Ｐ３、Ｐ３  端子
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３  信号経路
Ｒ４  接地経路
【図１】
0006852837.tif 000002
【図２】
0006852837.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006852837.tif 000009