(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
深紫外（ＤＵＶ）放射を実質的に吸収する第１材料を備える第１ＤＵＶ吸収層と、第２材料を備える第１保護層と、を有する基板を備え、
前記第１ＤＵＶ吸収層は、その中に第１貫通孔を有し、
前記第１保護層は、平面視において、前記第１貫通孔内に位置し、前記第１貫通孔内の前記第１保護層は、複数の貫通孔を備えるパターン領域を有し、
前記第２材料は、前記第１材料よりも貴であることを特徴とするセンサマーク。
【請求項２】
前記第２材料は、深紫外放射を実質的に吸収することを特徴とする請求項１に記載のセンサマーク。
【請求項３】
前記第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層および基板は、可視領域の波長範囲の法線入射またはかすり入射における反射を実質的に抑制するよう構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサマーク。
【請求項４】
前記第１保護層は、前記第１ＤＵＶ吸収層の少なくとも一部を被覆することにより前記第１ＤＵＶ吸収層の露出を防ぐことを特徴する請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項５】
前記第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層は、異なる材料の少なくとも二つのサブ層を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項６】
前記第１保護層は、前記第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層内の前記第１貫通孔の面積の半分より多くを被覆することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項７】
前記第１ＤＵＶ吸収層の縁は、前記第１貫通孔を規定し、前記第１保護層は、前記縁を被覆することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項８】
前記第１保護層は、前記第１ＤＵＶ吸収層の上に少なくとも部分的に形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項９】
前記第１ＤＵＶ吸収層上に位置する第３材料を備える第２保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項１０】
前記第３材料は、深紫外放射を少なくとも部分的に吸収する、および／または、前記第３材料は、可視放射および／または赤外放射を実質的に反射または透過することを特徴とする請求項９に記載のセンサマーク。
【請求項１１】
前記第２保護層は、前記第１貫通孔を規定する前記第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層の縁を被覆することを特徴とする請求項９または１０に記載のセンサマーク。
【請求項１２】
前記第２保護層は、前記第１保護層の上に部分的に形成されることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項１３】
前記第１保護層は、前記第２保護層の上に部分的に形成されることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項１４】
前記第２材料は貴金属であり、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、白金または金であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【請求項１５】
前記第２材料は、セラミック、または酸化物、または半金属、またはケイ素化合物を備えることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のセンサマーク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１７年３月１５日に提出された欧州出願１７１６１０５８．７号、２０１７年６月１９日に提出された欧州出願１７１７６５５４．８号、および、２０１７年７月２６日に提出された欧州出願１７１８３２３４．８号の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
【０００２】
［技術分野］
本開示は、リソグラフィ用センサのためのセンサマークおよびセンサマークの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に与えるよう構築される装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「デザインレイアウト」または「デザイン」とも称される）を基板（例えばウェハ）上に設けられる放射感受性材料（レジスト）の層に投影しうる。
【０００４】
パターンを基板に投影するため、リソグラフィ装置は電磁放射を使用しうる。放射の波長は、基板上にパターン化されるフィーチャの最小サイズを定義する。現状用いられる典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１３．５ｎｍである。４ｎｍから２０ｎｍの波長範囲、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外（ＥＵＶ）放射を用いるリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長の放射を用いるリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するために使用されうる。
【０００５】
液浸リソグラフィ装置において、液体は液浸空間に流体ハンドリング構造（または液体閉じ込め構造）により閉じ込められる。液浸空間は、パターンを結像させるための投影システムの最終光学素子と、パターンが転写される基板または基板が支持されるサポートテーブルとの間にある。液体は、液浸空間に液体シールにより閉じ込められてもよい。液体ハンドリング構造は、液浸空間における液体の流れおよび／または位置の制御を助けるためにガスの流れを生成または使用しうる。ガスの流れは、液体を液浸空間に閉じ込めるシールの形成を助けうる。サポートテーブルに一体化されるセンサの少なくとも一部（例えばセンサマーク）は、液浸液に接触することになる。
【０００６】
液浸リソグラフィ装置は、基板を支持するサポートテーブルに一体化される複数のセンサに依拠する。これらのセンサは、以下のために用いられる：
−基準フレームに対する基板／サポートテーブルのアライメント；
−レンズの（再）調整、セットアップ、熱補償；および
−レチクル（マスク）の熱補償。
【０００７】
センサマークは、基板テーブルに一体化される石英プレートに堆積する薄膜層の積層体に一体化され、以下のように機能する：
−ＤＵＶ用の空間透過フィルタ（ＩＬＩＡＳ(Integrated Lens Interferometry At Scanner）センサ、パラレルＩＬＩＡＳセンサ（ＰＡＲＩＳ）、透過イメージセンサ（ＴＩＳ）のセンサ機能）；透過フィルタは、パターニングされた吸収層の積層体として実現でき、吸収体は密な金属（クロム）または他の材料である。
−可視光放射（ＶＩＳ）、近赤外放射（ＮＩＲ）、中赤外放射（ＭＩＲ）用の空間反射フィルタ（ＳＭＡＳＨ（Smart Alignment Sensor Hybrid）センサ機能）。
【０００８】
積層体の上面（マークなし領域）からの反射は、レベルセンサのために用いることができる。
【０００９】
センサマークの金属（クロム）層をガルバニック腐食から保護するため、液体ハンドリング構造とセンサマークの間に電圧が印加される。これは、ガルバニック防食とみなすことができる。このような電圧がない場合、液体ハンドリング構造のステンレス鋼とセンサマークの層のクロムとの間で電池が形成され、液浸液が電解質として機能する。
【００１０】
ガルバニック防食の存在は、加速度的に腐食するクロムよりも卑なセンサマークの他の層に及ぶおそれがある。
【００１１】
さらに、層とＤＵＶ放射の相互作用により光電流が誘起するおそれがある。光電流は、光電効果により生じる。光電流の存在は、腐食を加速させるおそれがある。
【００１２】
センサマークの層内の材料の腐食は、これがセンサマークを劣化させ、これにより測定値を生成するセンサの機能を劣化させ、結像誤差が生じるおそれのある粒子を液浸液中に導入するため、望ましくない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
腐食に対して改善された耐性を有するセンサマークを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、深紫外（ＤＵＶ）放射を実質的に吸収する第１材料を備える第１ＤＵＶ吸収層と、第２材料を備える第１保護層と、を有する基板を備える。第１ＤＵＶ吸収層は、その中に第１貫通孔を有する。第１保護層は、平面視において、第１貫通孔内に位置し、第１貫通孔内の第１保護層は、複数の貫通孔を備えるパターン領域を有する。第２材料は、第１材料よりも貴である。
【００１５】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、基板と少なくとも一つの層を備える。少なくとも一つの層のパターン領域は、周辺領域により囲まれる。パターン領域は、放射のビームに特性を与えるためのものである。少なくとも一つの層は、少なくとも一つの層内におけるパターン領域から周辺領域への、または、その逆の電子の流れを制限するように適合する電流制限器をさらに備える。
【００１６】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、基板と、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの導電層上の電気絶縁層と、少なくとも一つの導電層の少なくとも一つの露出領域を露出させる電気絶縁層内の少なくとも一つの貫通孔とを備える。少なくとも一つの露出領域は、放射のビームに特性を付与するための少なくとも一つのパターン領域を備え、少なくとも一つのパターン領域の平面積は、少なくとも一つの露出領域の平面積よりも１０倍以上小さい。
【００１７】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、基板と、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの導電層上の電気絶縁層と、少なくとも一つの導電層の少なくとも一つの露出領域を露出させる電気絶縁層内の少なくとも一つの貫通孔とを備える。少なくとも一つの露出領域は、放射のビームに特性を付与するための少なくとも一つのパターン領域を備え、少なくとも一つのパターン領域は、その対応する露出領域の幾何学的な中心からずれている。
【００１８】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、基板と；ＤＵＶ放射を実質的に吸収し、放射のビームに特性を付与するための複数の貫通孔を備えるパターン領域を備えるＤＵＶ吸収層と；ＤＵＶ放射を実質的に透過し、ＤＵＶ吸収層の基板とは反対側の表面を被覆するＤＵＶ透過層と；貫通孔の外縁にてＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止するエッジ部分と；を備える。エッジ部分は、ＤＵＶ吸収層と同一平面内にあり、ＤＵＶ透過層は、エッジ部分のそれぞれの一部を被覆する。
【００１９】
ある態様によれば、センサマークの製造方法が提供される。この方法は、基板上の第１層の上のＤＵＶ吸収層と、ＤＵＶ吸収層の上部の上の第２層とを有する基板を提供することと；第１層を貫通する貫通孔のパターンを第１形成することと；貫通孔の外縁にてＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止するエッジ部分を第２形成することとを備える。
【００２０】
ある態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、対象物を支持するよう構成されるサポートテーブルと；対象物にパターン放射ビームを投影するよう構成される投影システムと；液浸液を投影システムとサポートテーブルおよび／または対象物との間の空間に閉じ込めるよう構成される液体ハンドリング構造と；対象物と液体ハンドリング構造の間にバイアス電圧を供給するよう構成される電力供給部であって、電力供給部、液体ハンドリング構造、対象物および空間内の液浸液を備える電気回路を形成する電力供給部と；対象物が液体ハンドリング構造の対向面の下を通過するときに電気回路を流れる電流を抑制するよう適合した電流制限器とを備える。
【００２１】
ある態様によれば、センサマークが提供される。このセンサマークは、深紫外放射を実質的に吸収する第１材料を備え、放射のビームに特性を付与するための複数の貫通孔を備える基板上の第１ＤＵＶ吸収層と；第１ＤＵＶ吸収層を被覆することにより、貫通孔の外縁および／または第１ＤＵＶ吸収層の上面にて第１ＤＵＶ吸収層の縁が露出するのを防止する第２材料を備えるパッシベーション層とを有する基板を備える。第２材料は、第１材料よりも貴である。
【００２２】
ある態様によれば、センサマークの製造方法が提供される。この方法は、第１材料を備えるＤＵＶ吸収層を有する基板を提供することと；ＤＵＶ吸収層を貫通する貫通孔のパターンを第１形成することと；貫通孔のパターンを含むＤＵＶ吸収層の少なくとも一部をパッシベーション処理溶液中に浸し、第１ＤＵＶ吸収層を被覆する第２材料を備えるパッシベーション層を形成することにより、貫通孔の外縁および／またはＤＵＶ吸収層の上面にて第１ＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止することと、を備える。第２材料は、第１材料よりも貴である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
本発明の実施の形態は、単なる例示として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略的な図面を参照しながら説明されるであろう。
【００２４】
【図１】リソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【００２５】
【図２】リソグラフィ装置内で使用される流体ハンドリング構造を概略的に示す図である。
【００２６】
【図３】別の液体供給システムを示す側断面図である。
【００２７】
【図４】従来の透過型センサマークの断面図である。
【００２８】
【図５】従来の反射型センサマークの断面図である。
【００２９】
【図６】単一の石英プレート内の図４および図５のセンサマークを示す図である。
【００３０】
【図７】ある実施の形態の透過型センサマークを示す断面図である。
【００３１】
【図８】一連の断面図により図６の透過型センサマークの製造工程を示す図である。
【００３２】
【図９】図９Ａ−９Ｄは、右上隅に示す従来の透過型センサマークと、ある実施の形態に係る三つの透過型センサマークとを示す平面図である。
【００３３】
【図１０】図１０Ａ−１０Ｄは、右上隅に示す従来の透過型センサマークと、ある実施の形態に係る三つの透過型センサマークとを示す平面図である。
【００３４】
【図１１】図１１Ａ−１１Ｃは、右上隅に示す従来の透過型センサマークと、ある実施の形態に係る三つの透過型センサマークとを示す平面図である。
【００３５】
【図１２】ある実施の形態の透過型センサマークの製造工程を示す断面図である。
【００３６】
【図１３】本発明のある実施の形態を概略的に示す断面図である。
【００３７】
【図１４】本発明のある実施の形態を概略的に示す断面図である。
【００３８】
【図１５】図１５Ａ−１５Ｂは、図１４のコーティングの二つの実施の形態の流体ハンドリング構造を下から見た二つの視点で概略的に示す図である。
【００３９】
【図１６】ある実施の形態に係る透過型センサマークを示す断面図である。
【００４０】
【図１７】ある実施の形態に係る反射型センサを示す断面図である。
【００４１】
【図１８】単一の石英プレート上の図１６および図１７のセンサマークを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本書において、「放射」および「ビーム」の用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外放射を含む、任意の種類の電磁放射を包含するために用いられる。
【００４３】
この文書にて用いられる「レチクル」、「マスク」または「パターニングデバイス」の用語は、基板のターゲット部分に生成されるべきパターンに対応するパターン化された断面を入射放射ビームに与えるために使用可能な包括的なパターニングデバイスを称するものとして広く解釈されうる。「ライトバルブ」の用語もこの文脈において使用できる。古典的なマスク（透過型または反射型、バイナリ型、位相シフト型、ハイブリット型など）に加えて、他のこのようなパターニングデバイスの例は、以下を含む：
−プログラマブルミラーアレイ；このようなミラーアレイのより詳細の情報は、ＵＳ５，２９６，８９１およびＵＳ５，５２３，１９３に与えられ、これらは参照により本書に援用される。
−プログラマブルＬＣＤアレイ；このような構成の例は、ＵＳ５，２２９，８７２に与えられ、これは参照により本書に援用される。
【００４４】
図１は、リソグラフィ装置を概略的に描いている。この装置は、選択的に、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを特定のパラメータに従って正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構築され、ポジショナ１３０の制御下で基板を特定のパラメータに従って正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続されるサポート構造（例えばウェハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」または「基板テーブル」をも含む。この装置は、パターニングデバイスＭＡにより投影ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成される投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。
【００４５】
動作中、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームＢを例えばビームデリバリシステムＢＤを介して受ける。照明システムＩＬは、放射を方向付け、整形および／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型および／または他の形式の光学要素もしくはそれらの組み合わせといった様々な形式の光学要素を含んでもよい。イルミネータＩＬは、パターニングデバイスＭＡの平面にて放射ビームＢの断面が所望の空間および角度強度分布を有するように放射ビームＢを調整するために用いられてもよい。
【００４６】
本書で用いられる「投影システム」ＰＳの用語は、用いられる露光放射に適切であれば、および／または、液浸液を用いるか真空を用いるかといった他の要素に適切であれば、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁気型および／または静電型の光学システムもしくはこれらの任意の組み合わせを含む任意の形式の投影システムを包含するものと広く解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」の用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影システム」と同義であるとみなされてもよい。
【００４７】
リソグラフィ装置は、二以上のサポートテーブルＷＴ、例えば二以上のサポートテーブル、または、一以上のサポートテーブルと、一以上のクリーニング、センサもしくは測定テーブルとの組み合わせを有する形式であってもよい。例えば、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置する二以上のテーブルを備え、各テーブルが一以上の対象物を備える、および／または、保持するマルチステージ装置である。ある例において、一以上のテーブルは、放射感受性基板を保持してもよい。ある例において、一以上のテーブルは、投影システムからの放射を測定するためのセンサを保持してもよい。ある例において、マルチステージ装置は、放射感受性基板を保持するよう構成される第１テーブル（つまり、サポートテーブル）と、放射感受性基板を保持するよう構成されない第２テーブル（以下、一般に測定、センサおよび／またはクリーニングテーブルとも称されるが、これに限られない）とを備える。第２テーブルは、放射感受性基板とは異なる一以上の対象物を備えてもよいし、および／または、保持してもよい。このような一以上の対象物は、以下から選択される一以上を含んでもよい：放射システムからの放射を測定するセンサ、一以上のアライメントマーク、および／または、クリーニングデバイス（例えば流体ハンドリング構造を清掃する）。
【００４８】
動作中、放射ビームＢは、サポート構造ＭＴ上に保持されるパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターン化される。パターニングデバイスＭＡを横切ると、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダまたは静電容量センサ）の助けにより、サポートテーブルＷＴは、例えば異なるターゲット部分Ｃが放射ビームＢの経路内の合焦かつアライメントされた位置に位置決めされるように、正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）は、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢに対して正確に位置決めするために用いることができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図示されるように基板アライメントマークＭ１，Ｍ２が専用のターゲット部分を占めているが、これらはターゲット部分Ｃの間のスペースに位置してもよい（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られる）。
【００４９】
リソグラフィ装置は、説明される様々なアクチュエータおよびセンサの動作および測定の全てを制御する制御ユニットをさらに含んでもよい。制御ユニットは、リソグラフィ装置の動作に関連する所望の計算を実行するための信号処理およびデータ処理能力を含んでもよい。実際には、制御ユニットが多数のサブユニットのシステムとして実現され、各サブユニットがリソグラフィ装置内のサブシステムまたは要素のリアルタイムのデータ取得、処理および制御を扱うであろう。例えば、一つの処理サブシステムは、第２位置決め装置ＰＷのサーボ制御に特化してもよい。別々のユニットが異なるアクチュエータまたは異なる軸を扱ってもよい。別のサブユニットは、位置センサＩＦの読み出しに特化しているかもしれない。リソグラフィ装置の全般制御は、中央処理ユニットにより制御されてもよい。中央処理ユニットは、リソグラフィ製造プロセスに関わるサブユニット、オペレータおよび他の装置と通信してもよい。
【００５０】
投影システムＰＳの最終光学素子と基板の間に液体を供給する構成は、三つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、槽形式構成、いわゆる局所液浸システム、および、オールウェット液浸システムである。本発明の実施の形態は、局所液浸システムに特に関連する。
【００５１】
局所液浸システム向けに提案されている構成において、流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終光学素子１００と投影システムＰＳに対向するステージまたはテーブルの対向面との間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。テーブルの対向面は、テーブルが使用中に移動してめったに静止しないためにこのように称される。一般にテーブルの対向面は、基板Ｗの表面、サポートテーブルＷＴ、例えば基板Ｗを囲む基板テーブル、またはその両方である。このような構成が図２に示される。図２に示される後述する構成は、図１に示される上述のリソグラフィ装置に適用されてもよい。
【００５２】
図２は、流体ハンドリング構造１２を概略的に描いている。流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終光学素子１００と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。ある例において、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗ／基板テーブルＷＴの表面との間にシールが形成される。シールは、ガスシール１６（ガスシールを有するこのようなシステムはＥＰ１，４２０，２９８に開示される）または液体シールといった非接触シールであってもよい。
【００５３】
流体ハンドリング構造１２は、液浸流体、例えば液体を液浸空間１０に供給および閉じ込めるよう構成される。液浸流体は、一つの液体開口、例えば開口１３ａを通じて液浸空間１０に運ばれる。液浸流体は、一つの液体開口、例えば開口１３ｂを通じて除去されてもよい。液浸流体は、少なくとも二つの開口、例えば開口１３ａおよび開口１３ｂを通じて液浸空間１０に運ばれてもよい。どちらの液体開口が液浸流体の供給に用いられるか、および、選択的にどちらが液浸液の除去に用いられるかは、基板テーブルＷＴの動きの方向に依存してもよい。
【００５４】
液浸流体は、動作中に流体ハンドリング構造１２の底面とテーブルの対向面（つまり、基板Ｗの表面および／または基板テーブルＷＴの表面）との間に形成されるガスシール１６により液浸空間１０に収容されてもよい。ガスシール１６内のガスは、ガス入口１５を介した圧力下で流体ハンドリング構造１２と基板Ｗおよび／またはサポートテーブルＷＴとの間のギャップに提供される。ガスは、ガス出口１４に関連する流路を介して抽出される。メニスカス１０１は、液浸流体の境界に形成される。このようなシステムは、ＵＳ２００４−０２０７８２４に開示される。他の流体ハンドリング構造１２は、本発明の実施の形態とともに用いることができる。
【００５５】
図３は、ある例に係る別の液体供給システムまたは流体ハンドリング構造を描く断面視である。図３に示される後述の構成は、上述の図１に示されるリソグラフィ装置に適用されてもよい。液体供給システムは、流体ハンドリング構造１２（または液体閉じ込め構造）に設けられ、投影システムＰＳの最終素子とサポートテーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。
【００５６】
流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終素子と基板Ｗの間の空間１０に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込める。空間１０は、投影システムＰＳの最終素子の下に位置して最終素子を取り囲む流体ハンドリング構造１２により少なくとも部分的に形成される。ある例において、流体ハンドリング構造１２は、本体部材５３と多孔質部材８３を備える。多孔質部材８３は、プレート形状であり、複数の孔（つまり、開口または細孔）を有する。ある例において、多孔質部材８３は、多数の小孔８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。このようなシステムは、ＵＳ２０１０−００４５９４９Ａ１に開示されており、参照によりその全体が援用される。
【００５７】
本体部材５３は、空間１０に液浸液を供給可能な供給口７２と、空間１０から液浸液を回収可能な回収口７３とを備える。供給口７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続されている。液体供給装置７５は、対応する通路７４を通じて液浸液を供給口７２に供給可能である。回収口７３は、空間１０から液浸液を回収可能である。回収口７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続されている。液体回収装置８０は、回収口７３を介して回収される液浸液を通路７９を通じて回収する。多孔質部材８３は、回収口７３に配置される。供給口７２を用いた液体供給動作および多孔質部材８３を用いた液体回収動作の実行は、投影システムＰＳと、一方側の流体ハンドリング構造１２と、他方側の基板Ｗとの間の空間１０を形成する。
【００５８】
本発明は、石英の基板２００と、放射のビームと相互作用するための積層体３００の一以上の層３１０，３２０，３３０，３５０と、限定された親水性を有する、例えば水との接触角が少なくとも７５°、好ましくは少なくとも９０°である上部層４００（親水性コーティングまたはコーティングと称されることがある）とを備えるセンサマーク１７を参照しながら詳細に後述されるであろう。
【００５９】
図４、図５および図６は、基板、例えば石英（ＳｉＯ２）プレート２００の上に形成される従来技術のセンサマーク１７を描いている。センサのマークは、石英プレート２００の上部に堆積される薄膜の積層体３００に一体化されている。石英プレート２００は、サポートテーブルＷＴと一体化している。薄膜の積層体３００は、任意の数の層を備えてもよい。図４、図５および図６に示されるように、積層体３００は、四つの層を備え、層３１０，３２０および３３０は、図示されるように上からセンサマーク１７に投影されるＤＵＶ放射を吸収するための層であり、ＤＵＶ放射が照射されるときに可視光を放出する石英プレート２００の下の材料２５０により石英プレート２００の下から放出されうる放射を吸収するための層である。積層体の最上層である層３５０は、積層体３００の層３１０，３２０，３３０の上部に形成される。ある実施の形態において、層３５０および／または３３０，３２０，３１０は、可視および／または近赤外放射を反射し、および／または、ＤＵＶ放射を部分的に吸収する。
【００６０】
いくつかの測定を提供するため、センサは、流体ハンドリング構造１２の下を通過し、そのためセンサマーク１７は液浸液に覆われることになる。これらの測定の後、センサは流体ハンドリング構造１２の下を再度通過して液浸液から離れる。液浸液がセンサマーク１７の上、または、センサマーク１７の周りの積層体３００の上に残ったままとなることを避けるため、限定された親水性を有する上部層４００がセンサマーク１７およびセンサマーク１７の周りに塗布される。
【００６１】
これらの層の目的およびこれらの製造は、リソグラフィ装置におけるセンサマーク１７の使用の説明の後、以下により詳細に説明されるであろう。
【００６２】
センサマーク１７は、以下のように機能する：
−深紫外（ＤＵＶ）向けの空間透過フィルタ（ＰＡＲＩＳ、ＩＬＩＡＳ、ＴＩＳ機能）
−ＶＩＳ，ＮＩＲ，ＭＩＲ向けの空間反射フィルタ（ＳＭＡＳＨ機能）。
【００６３】
積層体３００の上面（マークなし領域）からの反射は、他のセンサにより用いられることができる。
【００６４】
現行のセンサマークは、図４を参照しながら以下のシーケンスを通じて製造される：
１）全体の厚さ〜１００ｎｍ（例えば５０−２００ｎｍ）を有するブルークロム（ＣｒＯｘ−Ｃｒ−ＣｒＯｘ）の連続層３１０，３２０，３３０が石英プレート２００の上に堆積される。ブルークロム３１０，３２０，３３０は、石英プレート２００の下に位置する材料２５０からの可視光の二次反射を最小化するために必要である。この材料２５０は、ＤＵＶをセンサに捕捉される可視光に変換する。投影システムＰＳからのＤＵＶは、ブルークロム３１０，３２０，３３０にパターニングされた貫通孔１００を通過する。ＣｒＯｘの組成はＣｒ２Ｏ３、ＣｒＯｘＮｙまたはＣｒＯｘＮｙＣｚのいずれかである。ブルークロム３１０，３２０，３３０に含まれる層は：下層３１０のＣｒＯｘ＝１０−８０ｎｍ厚；中間層３２０のＣｒ＝５−６０ｎｍ厚；および上層３３０のＣｒＯｘ＝２０−１００ｎｍ厚である。
２）ＰＡＲＩＳ／ＩＬＩＡＳ／ＴＩＳ／ＳＭＡＳＨマーク用のパターン（１Ｄおよび２Ｄグレーティング）および他のマークは、リソグラフィにより堆積され、その後に石英の表面（エッチストップとして機能する）が露出するまでブルークロム３１０，３２０，３３０に彫り込まれる。貫通孔１００はパターンを形成する。
３）全体の厚さが３００ｎｍまで、または１００ｎｍ未満であるＴｉＮの層３５０がブルークロム３１０，３２０，３３０および石英プレート２００の上部に堆積され、パターンに適合する。このＴｉＮ層３５０は、これらのマークを通じて、ＶＩＳ／ＩＲの反射を介した、石英を通過する光漏れ（ＶＩＳ／ＩＲ／ＤＵＶ）のない測定用マークを提供するであろう。
４）限定された親水性を有するコーティングの上部層４００（例えば、例えばＳｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏの主鎖を有し、好ましくはＬｉｐｏｃｅｒ（登録商標）といったメチル基を有する無機ポリマ）がＴｉＮ層３５０の上部に塗布される。Ｌｉｐｏｃｅｒの下と称される（しかしながら、これに限定されることを意図しない）。ＬｉｐｏｃｅｒはＴｉＮ層３５０の上に堆積され、センサを有するサポートテーブルＷＴが液体ハンドリング構造１２の下から移動する時間における水の損失を最小限にする。上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００は、５０−４００ｎｍの厚さである。
５）測定の手順に起因して高ＤＵＶ線量が予想されるセンサプレート上のいくつかのスポットにおいて、Ｌｉｐｏｃｅｒは存在せず、例えば除去される（典型的に、スポットは〜１００×１００μｍ２であるが、より大きくてもよく、例えば〜２×２ｃｍ２であってもよい）。
【００６５】
ＤＵＶが石英プレート２００の表面およびブルークロム３１０，３２０，３３０の貫通孔１００に向けて通過可能となるように、同じスポットにおいてＴｉＮも除去されるであろう。このようなスポットは、通常、ＴＩＳ、ＩＬＩＡＳおよびＰＡＲＩＳの上にある（図４，５，６を参照）。
【００６６】
図４，図５，図６において：
−グレーティングは縮尺通りではなく、典型的なタイルサイズ（つまり、パターンの四角形のサイズ）、グレーティングの線幅は１−１０μｍである。
−（レチクルマークおよびレンズを通じて投影される）ＤＵＶは、ブルークロム３１０，３２０，３３０内の貫通孔１００を通過する。
−（ＳＭＡＳＨ測定システムの光源からの）ＩＲ／ＶＩＳは、Ｌｉｐｏｃｅｒ／ＴｉＮの界面またはＴｉＮ／ブルークロムの界面でほとんど反射される。
−レベルセンサは、Ｌｉｐｏｃｅｒからの反射およびＴｉＮからの反射に基づく。
【００６７】
図４は、ＰＡＲＩＳ積層体（およびＩＬＩＡＳ）を示す。図５は、ＳＭＡＳＨ積層体を示す。図６は、共通の石英プレート２００に同じ製造手順で製造されるＰＡＲＩＳマークおよびＳＭＡＳＨマークを示す。
【００６８】
層３２０のクロムのガルバニック腐食（流体ハンドリング構造１２のステンレス鋼とペアを形成する）を防ぐため、センサマーク１７の全体は、接地された流体ハンドリング構造１２に対してバイアスされている。
【００６９】
電気的バイアスの提供によりクロム層３２０をガルバニック腐食から保護できるが、任意の電流の流れが積層体３００の層、特にＣｒＯｘ層３１０，３３０の溶解に寄与する。さらに、特定層が投影ビームＢのＤＵＶ放射により照射されるとき、光電効果が潜在的に大きな電流を生じさせる。照射される領域を周囲から切り離すことにより、この電流を低減できる。積層体３００の層に流れる電流の低減を目的とするいくつかの実施の形態が後述される。この実施の形態は、明示的に言及する場合を除いて、層３２０のクロムと流体ハンドリング構造１２の間のバイアス源とともに、または、バイアス源なしに動作できる。ガルバニック防食が存在しない場合、本発明は光電流に起因する腐食を低減する。副次的な効果として、バイアスを必要としないシステムを有することの利点は、光電効果により誘起される任意の光電流がより低くなることであろう。
【００７０】
本発明は、サブ層３１０，３２０，３３０を備える深紫外（ＤＵＶ）吸収層を参照しながら以下に説明される。しかしながら、本発明は、吸収層に一つまたは二つのサブ層が存在する場合、および、吸収層に三つより多いサブ層が存在する場合にも等しく適用可能である。例えば、クロム層のみを備える吸収層にも適用可能であろう。
【００７１】
図７および図８は、断面視にて、本発明の第１の実施の形態に係るセンサマーク１７および取り得る製造フローを示す。単純化のため、層の形態の材料２５０は図面において省略されているが、センサに材料２５０は存在するであろう；さらに、センサは、近く（例えば、１ｃｍよりも近く）に配置されるいくつかの透過型および反射型マークを含んでもよく、石英プレート基板２００および光変換層となりうる材料２５０を共有してもよい。第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、ＤＵＶ放射を実質的に吸収する第１材料（例えば、クロム）を備える。図７，図８に示されるように、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、その中に第１貫通孔５００を有する（図８参照）。第１保護層６００は、第２材料（積層体３１０，３２０および３３０の材料とは異なる）を備え、第１貫通孔５００内に位置する。第１保護層６００は、石英プレート２００に接触する。第１保護層６００は、その後、その中に少なくとも一つの貫通孔７００を設けるためにパターン化され、これにより複数の貫通孔を備えるパターン領域を形成する。第１保護層６００内の孔７００のパターンは、現状製造されるセンサマーク１７の貫通孔１００のパターンに整合しうる。第２材料は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の第１材料よりも、劣化、酸化および／または腐食に対して強固であり、および／または、耐性があり、つまり、より貴である（more noble）ため、センサマーク１７の劣化が低減されるであろう。
【００７２】
ある実施の形態において、第１保護層６００の第２材料は、深紫外放射を実質的に吸収する。この方法で、第２材料は、パターン領域の第１深紫外ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を代替できる。貫通孔５００の周りに第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０としてのブルークロムを維持することにより、可視領域の波長範囲の法線入射またはかすり入射での反射を抑制する特性が維持される。これは、異なる透過型マークに対応する材料２５０からの放射の任意の反射が抑制されるために有利であり、したがって異なるマーク間のクロストークが防止される。
【００７３】
（例えばＴｉＮの）層３５０も存在し、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の上および貫通孔５００の周りに位置する。この実施の形態において、ＴｉＮの層３５０は、第２保護層３５０とみなすことができる。第２保護層３５０は、第３材料を備え、それは一つの実施の形態においてＴｉＮである。第３材料は、第１材料よりも貴であることが好ましく、これにより第１材料が腐食から保護される。
【００７４】
第２保護層３５０の第３材料は、可視および／または近赤外放射を実質的に反射することが好ましい。これは、第２保護層３５０の上面を可視および／または近赤外放射を用いるレベルセンサといったセンサが用いることを可能にする。第３材料は、深紫外放射を少なくとも部分的に吸収することが好ましい。これは、迷走するＤＵＶ放射が装置の周りで反射されない、または、迷走するＤＵＶ放射が反射型マークを通じて漏れることにより反射型マークの信号を汚染しないといった利点がある。
【００７５】
図７のセンサマークにおいて、第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層３１０，３２０，３００を液浸液から電気的に隔離するために対策が講じられてもよい。
【００７６】
流体ハンドリング構造１２との間で液浸液を通って流れる電流からクロムの層３２０を保護するため、第１深紫外吸収層３１０，３２０，３３０は少なくとも部分的にそれが被覆されることにより保護され、その部分が液浸液への露出から保護される。被覆は、第１保護層６００および／または第２保護層３５０により実現されてもよい。ある実施の形態において、図示されるように、第１ＤＵＶ吸収層は完全に封止される。しかしながら、これは必須ではなく、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の腐食のリスクが低い領域が被覆されなくてもよい。
【００７７】
以下、様々な層が堆積される方法を図８を参照しながら説明する。図８に示される第１段階１は、ブルークロム層３１０，３２０，３３０を通常どおりに堆積することである。第２段階２において、第１貫通孔５００が通常の技術を用いて第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０に彫り込まれる。
【００７８】
第３段階３において、第１保護層６００が第１貫通孔５００に堆積される。図示されるように、第１保護層６００は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の縁の上方に設けられ、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の少なくとも一部を被覆する。これは、第１貫通孔５００を規定する第１吸収層３１０，３２０，３３０の縁が露出するのを防止する。
【００７９】
次のステップ４において、一連の貫通孔７００が第１保護層６００内に通常の方法で現像される。複数の貫通孔７００は、第１貫通孔５００内にパターン領域を形成する。ステップ５において、第２保護層３５０が塗布される。第２保護層３５０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の上部に通常どおりに塗布され、第１保護層６００と重なるようにも塗布される。
【００８０】
最終ステップ６において、限定された親水性を有するコーティングの上部層４００が第２保護層３５０の上部の第１貫通孔５００の周囲の領域に塗布される。代替的に、層３５０および４００は、連続的に塗布されてから貫通孔７００および層６００を露出させるように（例えば、反応性イオンエッチングを介して）除去される。
【００８１】
ある代替的な実施の形態において、第１保護層６００は、第１貫通孔５００の周囲の縁において第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０と重ならない。代わりに、第１保護層６００は、第１貫通孔５００内のみに形成される。第２保護層３５０は、その後、第１貫通孔５００を囲む第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の実質的に全体を被覆するように形成される。第２保護層３５０は、第１貫通孔５００を規定する第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の縁を被覆してもよい。第２保護層３５０は、石英プレート２００と接触するように塗布されてもよい。第２保護層３５０は、第１貫通孔５００内の第１保護層６００と重なるように塗布されてもよいし、重ならないように塗布されてもよい。
【００８２】
ある別の実施の形態において、第２保護層３５０は、第１保護層６００の前に塗布されてもよい。この方法では、第２保護層３５０が第１保護層６００の上に重なる代わりに、第１保護層６００が第２保護層３５０の上に重なるであろう。これは、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の上部の上、または、第１貫通孔５００の内側の石英プレート２００の上部の上のいずれかであってもよい。
【００８３】
ある実施の形態において、第２材料は貴金属であり、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、イリジウム、白金または金である。
【００８４】
ある実施の形態において、第２材料はニッケルよりも貴である。
【００８５】
ある実施の形態において、第２材料はセラミックを備え、好ましくは、ニッケルよりも貴な金属または金属の混合体の酸化物または窒化物を備える。
【００８６】
ある実施の形態において、第２材料は半金属を備え、好ましくは、金属窒化物または金属窒化物の混合体を備え、好ましくはＣｒＮ，ＭｏＮ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｇｅ３Ｎ４，ＡｌＴｉＮ、または、ＴｉＡｌＮ，ＨｆＮ，ＴａＮを備える。
【００８７】
ある実施の形態において、第２材料は、ニッケルよりも貴な金属のケイ素化合物を備え、好ましくはＭｏＳｉ，ＴａＳｉまたはＲｕＳｉを備える。
【００８８】
ある実施の形態において、第１保護層６００は、ＤＵＶ吸収層の上側に塗布され、ＤＵＶ吸収層を少なくとも部分的に封止する。第１保護層６００の第２材料が第２ＤＵＶ吸収層の材料よりも貴である場合、これは第２ＤＵＶ吸収層の材料を保護するのに効果的であろう。
【００８９】
図９Ｂ−１１Ｃの実施の形態は、センサマーク１７の層に流れる任意の電流を低減することにより、流れうるガルバニック電流を低減することを意図する。クロムのプールベ図（電位−ｐＨ図）は、Ｃｒ−ステンレス鋼のペアにおけるクロムのガルバニック腐食を電気的バイアス（例えば−１Ｖ）の印加により防止できることを示す。しかしながら、これは、Ｃｒ２Ｏ３（ＣｒＯｘ）の腐食の促進という犠牲に至る。
【００９０】
ＣｒＯｘ（またはＣｒＯｘＮｙ）の腐食率（Ｃｒｘ（ＯＨ）ｙｍ＋、Ｃｒｘ（ＯＨ）ｙまたはＣｒｎ＋に変換後に溶解する）は、（クロムの腐食に比べて）緩やかであるかもしれないが、熱力学的に積層体３００が不安定となる。
【００９１】
液浸液、例えば超純水（液浸リソグラフィツールにて用いられるＣＯ２と混合される）の典型的なｐＨは４−６の範囲内である。したがって、ブルークロムの積層体３００に印加される約−１Ｖのバイアスは、実際にクロムの溶解を防止するが、Ｃｒ２Ｏ３の腐食を促進する。
【００９２】
ガルバニック腐食には電流／導電率が必要であるが、実際ＣｒＯｘ（またはＣｒＯｘＮｙ）は不十分な絶縁体であろう：
ａ．Ｃｒ２Ｏ３の抵抗率は１０４Ω・ｍであり、
ｂ．ＣｒＯ２の抵抗率は〜１０６Ω・ｍである：
ｃ．ＣｒＮは、ＴｉＮと同様の電気的特性を有し、その抵抗率は〜１０４Ω・ｍである。
ｄ．比較のため、良好な絶縁体のＡｌ２Ｏ３の抵抗率は１０１３Ω・ｍである。
【００９３】
したがって、酸化クロムは（および、おそらくＣｒＯｘＮｙも）、接触するＴｉＮおよび／またはクロムを通じてバイアスされて液浸液に露出する場合にかなりの電流を導通可能である。
【００９４】
図９Ｂ−１１Ｃの実施の形態は、クロム層３２０を保護するための電気的バイアスを維持可能である一方、流れる任意の電流を制限することによりＣｒＯｘ（またはＣｒＯｘＮｙ）のガルバニック腐食を低減することを試みる。
【００９５】
図９Ａ−１１Ｃは、様々な実施の形態のセンサマーク１７を概略的に示す平面図である。これらの図のそれぞれにおいて、左上の「Ａ」の部分は、図３を参照しながら上述したものに相当する従来のセンサマーク１７を示す。図９Ｂ−１１Ｃの残りの図の「Ｂ」「Ｃ」および「Ｄ」のそれぞれは、ガルバニック電流を制限する対策が講じされた本発明のある実施の形態を示す。
【００９６】
図９Ｂ−９Ｄの実施の形態「Ｂ」−「Ｄ」のそれぞれにおいて、電流制限器８００，８２０、８３０がセンサマーク１７の少なくとも一つの層に設けられる。電流制限器８００，８２０，８３０は、液浸液および／またはＤＵＶ放射に露出する層からの電子の任意の流れの低減に効果的であり、この層は、そうでなければクロム層３２０と流体ハンドリング構造１２の間の電気的バイアスに起因して溶解するかもしれない。電流制限器８００，８２０，８３０は、導電層、例えば３１０または３２０（図９では見えない）または３３０または３５０内の電気絶縁領域を備える。
【００９７】
図示されるように、複数の貫通孔１００により形成されるパターン領域は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０（これらのうち上層３３０のみが見える）内に存在する。パターン領域を囲む領域は周辺領域と呼ばれ、図示されるように、平面視における径方向の最外周の縁における（および縁を越える）領域とみなすことができる。電流制限器８００，８２０，８３０は、パターン領域から周辺領域に向けて、またはその逆に流れるおそれのある電子を制限する。電子の流れが小さいほど、電流に起因する任意の溶解速度は遅くなる。この方法において、機能的に最も重要な領域であるパターン領域をガルバニック腐食から保護可能となる。
【００９８】
好ましくは、電流制限器８００，８２０，８３０は、パターン領域と周辺領域の間の電気絶縁領域を備える。本発明の一形態において、電流制限器８００は、少なくとも一つの層（第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０）のうちの第１層にある貫通孔である。図示されるように、電流制限器８００，８２０，８３０を形成する貫通孔は、電流制限器８００，８２０，８３０が形成される位置にてセンサマーク１７を作り上げる全ての層を貫通する貫通孔である。しかしながら、これは、導電性ではない層（例えば限定された親水性の上部層４００）が存在する場合には必要ではなく、貫通孔がその層を貫通する必要はない。
【００９９】
図示されるように、電流制限器８００，８２０，８３０は、パターン領域を実質的に包囲する。ある実施の形態において、周辺領域を介してパターン領域に電気的バイアスを要因に印加できるようにするため、導電性ブリッジ８１０がパターン領域と周辺領域の間に設けられる。導電性ブリッジ８１０は、パターン領域から周辺領域への電子の導通を可能にするが、その限定されたサイズに起因して、これら二つの領域間を通過できる電流を制限する。図示されるように、導電性ブリッジ８１０は、電流制限器８００，８２０，８３０を形成する貫通孔の形成時に除去されない層の一部にすぎない。
【０１００】
図９の「Ｂ」「Ｃ」および「Ｄ」の実施の形態の間の違いは、電流制限器８００，８２０，８３０の位置である。図８「Ｂ」の実施の形態において、電流制限器８００は、パターン領域を形成する第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０のみに形成される。選択的にＴｉＮで形成される露出層３５０の領域は電流制限器８００を囲み、その次に限定された親水性の例えばＬｉｐｏｃｅｒの上部層４００に被覆される領域が続く。
【０１０１】
図９「Ｃ」の実施の形態において、電流制限器８２０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を貫通するとともに、（例えばＴｉＮの）層３５０を貫通するように形成される。図９「Ｄ」の実施の形態において、電流制限器８３０は、センサマーク１７を形成する層の全てを貫通するように形成される。
【０１０２】
図９Ｂ−１１Ｃの実施の形態は、電気的バイアスとともに用いることができるが、電気的バイアスを用いなくても用いることができる。電気的バイアスがない場合、図９Ｂ−１１Ｃの発明は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０のＤＵＶ露光により生じる光誘起電流を低減することにより機能する。
【０１０３】
電流制限器８００，８２０，８３０が貫通孔の形態である場合、これはＤＵＶおよび可視光に対して透過性があるであろう。したがって、貫通孔は、ＤＵＶ放射の漏れによるコントラスト損失または信号スミアリングを防止するために、パターン領域から十分に離れていることが好ましい。したがって、電流制限器８００，８２０，８３０を形成する貫通孔は、少なくとも１０タイルサイズ（例えばグレーティングピッチサイズ）だけパターン領域から離れることが好ましい。貫通孔の幅はタイルサイズより小さいことが好ましく、タイルサイズの半分より小さいことが好ましく、タイルサイズの四分の一より小さいことがより好ましい。
【０１０４】
図１０Ａ−１０Ｄの実施の形態は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０が導電性であり、ＴｉＮの層３５０も導電性であるが、層４００が非導電性であるという理解に基づいて動作する。パターン領域の面積が導電性露出領域に比べて小さければ、パターン領域における溶解は、導電性露出領域に比べてパターン領域の相対面積が大きい場合よりも低減されるであろう。これは、ガルバニック腐食が時間積分されるガルバニック電流密度に比例するという事実に起因し、したがって：
寿命の向上度は、〜(Ｓｎｅｗ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ／Ｓｏｌｄ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ)０．５に比例であろう。
【０１０５】
少なくとも一つのパターン領域の平面積（図１０に寸法Ｇで示される）が少なくとも一つの露光領域の平面積（図１０に寸法ＬＦで示される）よりも少なくとも１０倍小さいことを確保することで、パターン領域の腐食を顕著に低減できる。限定された親水性の上部層４００は、電気絶縁層とみなすことができる。したがって、限定された親水性の上部層４００がＴｉＮの層３５０および第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を液浸液に露出させたままにする範囲は、図９「Ａ」の寸法ＬＦを有する露出領域とみなすことができる。露出領域は、少なくとも一つの導電層（図１０の場合、（例えばＴｉＮの）層３５０および第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０）が露出する領域である。
【０１０６】
図１０「Ａ」において、パターン領域が寸法Ｇを有し、導電性露出周辺領域が寸法ＬＦを有することが分かる。したがって、パターン領域の導電性周辺領域に対する比率は、Ｇ２：ＬＦ２である。
【０１０７】
図１０「Ｂ」、「Ｃ」、「Ｄ」および図１１「Ｂ」および「Ｃ」は、この比率を改善できる方法の実施の形態を示す。図１０「Ｄ」は、平面形状に非対称性を導入する方法をさらに示し、周辺領域に対するパターン領域の位置決めによってガルバニック腐食をさらに低減できる。
【０１０８】
図１０「Ｂ」の実施の形態において、限定された親水性の上部層４００がパターン領域に近接する度合いを低くすることで露出領域の面積が増えする。したがって、より多くの面積のＴｉＮの層３５０が露出する。しかしながら、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の露出量は同じままである。さらなる利点は、限定された親水性の上部層４００のより広い開口がＤＵＶに露出する層３１０，３２０，３３０，３５０の化学的安定性を改善することである。限定された親水性の上部層４００の材料、液浸液の超純水および投影ビームからのＤＵＶ放射の相互作用は、ブルークロム層３１０，３２０，３３０を劣化させ、および／または、（ブルークロム内の貫通孔により露出する）石英プレート２００の石英を浸食する。
【０１０９】
図１０「Ｃ」の実施の形態において、追加的に第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の露出領域の量が増える。
【０１１０】
図１１Ｂ−１１Ｃの実施の形態において、少なくとも一つの露出領域の面積は、パターン領域を備えない露出領域（図１１「Ｂ」および「Ｃ」の下側）を含むことにより、パターン領域に比べて増える。図１０「Ｂ」の実施の形態において、ＴｉＮの層３５０のみが露出する一方、図１０「Ｃ」の実施の形態では、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０とともにＴｉＮの層３５０の双方が露出する。
【０１１１】
図１１Ｂおよび１１Ｃの実施の形態において、パターン領域の結像中にパターンなし露出領域が液浸液に被覆されるように、パターンなし露出領域の大きさおよび位置が決められている。
【０１１２】
パターン領域間の距離（Ｌ＿ｍａｒｋで示される）は、グレーティングの一つのサイズよりも顕著に大きいことが好ましい。限定された親水性の上部層４００のない面積（Ｄ＿ｍａｒｋの寸法を有する）は、Ｌ＿ｍａｒｋよりも小さいことが好ましく、少なくとも２倍小さいことが好ましい。図１１Ｂ−１１Ｃには各パターン露出領域についてパターンなし露出領域が一つだけ（Ｌ＿ｏｆｆｓｅｔの距離で）示されているが、現実には任意の数のパターンなし露出領域が各パターン露出領域について設けられてもよい。ある実施の形態において、比率は１：１から１：１００の範囲にあり、好ましい範囲は１：２から１：２０である。この方法では、Ｄ＿ｍａｒｋ≦Ｌ＿ｏｆｆｓｅｔ≦Ｌ＿ｍａｒｋとすることが可能である。ある実施の形態において、パターン化されていない露出領域のサイズは、パターン領域のサイズＤ＿ｍａｒｋのサイズと同等であるか、パターン領域のサイズＤ＿ｍａｒｋより大きい。
【０１１３】
図１０「Ｄ」において、図１０Ｂ−１０Ｄおよび図１１Ｂ−１１Ｃの残りに示される特徴と組み合わせて使用されうる、または、それらと独立して使用されうる別の特徴が示される。
【０１１４】
図１０「Ｄ」の実施の形態において、パターン領域は、対応する露出領域の幾何学的な中心から離れるようにずれている。したがって、非対称性が導入されている。この配置は、流れる任意の電流がパターン領域を流れない可能性を高める。さらにパターン領域が汚染されていない状態のままとなる可能性を高めるであろう（センサマーク１７が流体ハンドリング構造１２から離れる方向に移動した後に露出領域に残存する水滴に起因する）。パターン領域の最大寸法Ｇは、露出領域の幾何学的な中心とパターン領域の幾何学的な中心の間の距離よりも小さい。効果的には寸法Ｇが図１０「Ｄ」の寸法Ｏｆよりも小さい。
【０１１５】
図１０Ｂ−１０Ｄおよび図１１Ｂ−１１Ｃの実施の形態は、ガルバニック電流密度を低減させる。全体のガルバニック電流は、露出領域の増加したサイズおよび液浸液の減少した抵抗値のために増大しうるが、ガルバニック電流が通過する面積の増加に起因してガルバニック電流密度は減少するであろう。したがって、パターン領域の腐食が低減されるであろう。
【０１１６】
図１２の実施の形態において、エッジ部分９００はブルークロムのクロム層３２０と同一平面内に設けられる。エッジ部分９００は、ＤＵＶを吸収するクロム層３２０の縁が露出するのを防止する。エッジ部分９００は、層３１０，３３０と同じ材料で構成されることが好ましい。この方法では、ガルバニック腐食が防止可能となるように、層３１０，３３０およびエッジ部分９００の材料の保護に適した電気的バイアスを積層体３００に与えることができる。
【０１１７】
図１２は、四つの製造ステップを示す。石英プレート２００が提供され、その上に層３１０，３２０，３３０を備えるブルークロム積層体３００が図７のステップ１と同様の方法で堆積される。その後、複数の貫通孔１００がブルークロム層に通常の技術でステップ３において形成される。これは、放射のビームに特性を付与するためのパターン領域を形成する。
【０１１８】
積層体３００の主要なＤＵＶ吸収材料であるクロム層３２０のクロムを保護するため、エッジ部分９００が貫通孔１００の縁の周りに形成され、これによりクロム層３２０の縁の露出を防止する。エッジ部分９００は、クロム層３２０と同じ平面内にある（かつ、実質的に他の平面には存在しない）。追加的に、エッジ部分９００は、積層体３００の上層３３０の下、および、積層体３００の下層３１０の上を延在する。したがって、上層（ＤＵＶ透過層）３３０は、各エッジ部分９００の一部を被覆し、下層（ＤＵＶ透過層）３１０は、エッジ部分９００の一部により被覆される。
【０１１９】
ある実施の形態において、エッジ部分９００は、図１２のステップ３に示されるブルークロムのリソグラフィエッチングパターニングの後、酸素／窒素プラズマまたは酸素もしくは窒素リッチ環境における高温アニーリングにより、クロム層３２０に含まれるクロムの酸化および／または窒化によりステップ４において形成される。
【０１２０】
図１３の実施の形態は、他の実施の形態とともに、または、他の実施の形態から分離して用いられてもよい。同じことが図１４および図１５Ａ−１５Ｂの実施の形態にも言える。図１３−１５Ｂの全ての実施の形態は、ガルバニック防食システムの電気回路を流れる電流を抑制するよう適合したガルバニック防食システム内の電流制限器を含む。
【０１２１】
図１３の実施の形態の場合、センサマーク１７が液浸液により被覆される全時間にわたって電流が制限される。図１４および図１５Ａ−１５Ｂの実施の形態では、センサマーク１７が流体ハンドリング構造１２の対向面の下を通過するときに特に電流が制限される。センサマーク１７が流体ハンドリング構造１２の対向面の下を通過するとき（図１４に示される状況）、流体ハンドリング構造１２とセンサマーク１７の間の液浸液の厚さが小さい（したがって低抵抗である）ため、最大電流がガルバニック防食回路に流れる可能性が高い時間となる。
【０１２２】
図１３−１４Ｂでは、センサマーク１７を参照しながら説明しているが、本発明は、サポートテーブルＷＴ上の任意の対象物に適用できる。
【０１２３】
図１３−１５Ｂの実施の形態において、電力供給部１００３は、センサマーク１７と流体ハンドリング構造１２の間のバイアス電圧を供給するよう構成される。したがって、電力供給部１００３、流体ハンドリング構造１２およびセンサマーク１７を備える電気回路が形成され、センサマーク１７が流体ハンドリング構造１２の下にあるときに液浸液が回路を完成させる。
【０１２４】
図１３の実施の形態において、電流制限器１００９は回路に設けられる。したがって、ガルバニック電流が制限される一方でバイアスを維持する。バイアスは、層３２０が液浸液に接触する間、層３２０を保護し、電流制限器は、センサが流体ハンドリング構造１２の下を通過する間、積層体３１０，３３０のダメージを最小化する。
【０１２５】
電流制限器１００９は、回路に直列に堅固に配線された抵抗を備える。抵抗は、電気回路の抵抗を増加させるよう適合する。これにより、特に対象物が流体ハンドリング構造１２の対向面の下（図１４で示される位置）を通過するときに、電気回路を流れる電流を抑制する。
【０１２６】
ある実施の形態において、抵抗は、電流が増加するにつれてその抵抗値が増大することを意味するバラスト抵抗であってもよい。これは、流体ハンドリング構造１２に対するセンサマーク１７の位置がどこであっても適切なバイアスが維持されることを意味する。
【０１２７】
代替的な実施の形態において、抵抗１００９は、回路内で電流が流れるにつれて発熱する（したがって、抵抗値が増大する）ことで同様に動作するサイリスタであってもよい。異なる種類の可変抵抗が用いられてもよく、例えば、センサマーク１７と流体ハンドリング構造１２の相対位置に依存して制御システムにより抵抗値が変化する可変抵抗が用いられてもよい。
【０１２８】
図１４の実施の形態において、電流制限器１０１０は、流体ハンドリング構造１２の対向面のうち下方でセンサマーク１７が通過する部分に設けられるコーティングを備えてもよい。コーティングは、センサマーク１７が対向面に近接するとき（そして、回路内の液浸液の量が少なく、したがって抵抗も小さいとき）であっても、流れる電流が劇的には増加しないという意味で、少なくとも部分的に電気絶縁性である。
【０１２９】
図１５Ａ−１５Ｂは、電流制限器１０１０のコーティングの形態での二つの取り得る実施の形態を示し、対向面を下から見ている。図１５Ａにおいて、コーティングは対向面の小さい部分のみに塗布されており、センサマーク１７が投影システムの下を移動するときにこの部分の下をセンサマーク１７が通過するであろう。このシステムは、サポートテーブルＷＴの位置を制御するコントローラが対向面の同じ部分（塗布されたコーティングを有する部分）の下をセンサマーク１７が通過することを常に保証すれば、十分に機能する。ある実施の形態において、コーティングは、０．１から５０ｎｍの範囲の厚さを有してもよい。
【０１３０】
図１５Ｂの実施の形態は、センサマーク１７が対向面の任意の部分の下を通過することを可能にする点で異なり、コーティングの存在により依然として保護される。図１５Ｂの実施の形態では、コーティングが対向面の全体を被覆する。
【０１３１】
好ましくは、コーティングの厚さは０．１−１０μｍの範囲である（サポートテーブルＷＴの上面の上方での流体ハンドリング構造１２の飛行高さよりも十分に小さい）。これは、流体ハンドリング構造１２の再設計の必要性を回避する。
【０１３２】
コーティング材料のバルク抵抗は、１０１０Ω・ｍを超えることが好ましい（１μｍ厚の層を考えた場合、センサ〜Ｗ×Ｗの上の絶縁材料の区画（１ｃｍ２×１μｍ）の抵抗値は、Ｒ＝１０１０Ω・ｍ×１０−６／１ｃｍ２＝１００ＭΩ）である）。
【０１３３】
抵抗値は、センサマーク１７が流体ハンドリング構造１２の下を通過して液浸液の抵抗値が最小となる時間にわたってガルバニック電流のスパイクを防ぐのに十分である。
【０１３４】
コーティングは、ガスナイフ動作とともに流体ハンドリング構造１２の水の供給および吸引をサポートする穴のために途切れることができる。これらの領域は、流体ハンドリング構造１２の表面（またはセンサマーク１７の近傍の液体閉じ込め構造１２の表面）に比べて非常に小さいため、これらによって収集される電流も小さい。
【０１３５】
絶縁層の好ましい候補は、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＳｉＯ２である（これらは全て１０１３Ω・ｍ以上の抵抗率であることを特徴としており、ＵＰＷといった液浸液と両立しうる）。高抵抗率は、より薄いコーティングを可能にすることが容易となり、これは、低応力かつ剥がれにくいことで本質的により強くなる。
【０１３６】
コーティングの別の好ましい候補は、（流体ハンドリング構造１２との良好な接着が実現されれば）Ｌｉｐｏｃｅｒであるかもしれない。利点は塗布しやすいことである。
【０１３７】
図１６−１８は、以下の記載を除いて、図７および図８の実施の形態と同様である。第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、図４−８を参照しながら説明したものと同じである。ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を堆積し、放射のビームに特性を付与するためにその層内に製造される複数の貫通孔１００を有した後、パッシベーション層７５０の形態の層が第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０に塗布される。パッシベーション層７５０の材料は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の第１材料（例えばクロム）よりも貴である。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を形成する個々の層のそれぞれの厚さに比べて相対的に薄い。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、０．５−５０ｎｍ厚であり、好ましくは１０−２０ｎｍ厚である。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、１００ｎｍ以下の厚さであり、貫通孔１００の閉塞を避けることが好ましい。パッシベーション層７５０の下限となる厚さは、少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは少なくとも２ｎｍ、より好ましくは少なくとも５ｎｍであり、層が十分に強固であることを確実にする。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０が１００ｎｍより厚く、貫通孔１００が厚いパッシベーション層７５０を収容する層のサイズを有するように最初に形成される。パッシベーション層７５０の厚さは均一でなくてもよい。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、パッシベーション層７５０が貫通孔１００の外縁に形成される箇所に比べて、吸収層３１０，３２０，３３０の上部にて厚い。
【０１３８】
図１６−１８に示されるように、ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は基板２００の上には形成されていない。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０のＤＵＶ吸収特性が許容可能な程度に十分に低い場合、それが基板２００を被覆してもよい。しかしながら、パッシベーション層７５０は、そうでなければ露出するはずの第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の全ての表面上に形成される。したがって、パッシベーション層７５０は、貫通孔１００の外縁において第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の縁の露出（例えば液浸液との直接接触）を防ぐ。パッシベーション層７５０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の上面の露出（例えば液浸液との直接接触）も防ぐ。
【０１３９】
選択的にＴｉＮ層３５０は、パッシベーション７５０の上部（第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の上部）の上に形成されてもよい。上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００は、選択的にパッシベーション層７５０の上部の上（例えばＴｉＮ層３５０の上）に形成されてもよい。
【０１４０】
ある実施の形態において、接着を促進するための層がパッシベーション層７５０とＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００との間に設けられる。ＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００がパッシベーション層７５０の形成後に堆積されれば、図１６−１８に示されるのと同様の構造が現れるであろう。このような構造は、パッシベーション層７５０が例えば金属またはセラミックのスパッタリングにより形成される場合に特に適している。パッシベーション層が陽極腐食抑制剤であり、および／または、化学的（電気化学的および光電気化学的を含む）に堆積される場合に特に適している代替的な実施の形態において、ＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００は、パッシベーション層７５０の前に形成することができる。この場合、パッシベーション層７５０は、ＴｉＮ層３５０／上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００と第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の間に存在しないが、露出している（つまり、ＴｉＮ層３５０または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００のいずれかに被覆されていない）部分（上面および貫通孔１００の外縁）にのみ存在する。
【０１４１】
ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、電解めっきにより形成されることができ、または、例えば参照により全体が本書に援用されるＵＳ２００７−０２４３３９７Ａ１に記載されるように、パッシベーション処理溶液にセンサマークを浸す、もしくは、パッシベーション溶液をセンサマークにスプレーすることにより形成されることができる。
【０１４２】
パッシベーション層７５０は、陽極腐食抑制剤であってもよい。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は不溶層である。これにより、パッシベーション層７５０は、任意の液浸液と第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の間でなされる電気的接続を防ぐ。したがって、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、図７および図８の実施の形態と同様の方法で劣化から保護される。しかしながら、図７および図８の実施の形態とは対照的に、放射のビームに特性を付与する貫通孔１００のパターンは、（図４−６の従来の構成と同様に）第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０により形成される。これは、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０内に形成されている放射のビームに特性を付与するための複数の貫通孔１００に基づいた以前の仕様にセンサマーク１７が依然として準拠しているために有利である。したがって、ブルークロム積層体の反射防止特性が維持され、このようなマークの実績のある機能も維持されうる。ある実施の形態において、図６に示されるようなセンサマークは、パッシベーション処理溶液に浸される。ある実施の形態において、パッシベーション処理溶液は、抑制剤またはその前駆体が溶解した液体である。
【０１４３】
ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を堆積し、複数の貫通孔１００を形成した後に形成される。追加的に、パッシベーション層７５０は、ＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００の後に形成されてもよい。ある実施の形態において、パッシベーション層７５０は、貫通孔１００のパターンを含む第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の少なくとも一部をパッシベーション層７５０を形成するためのパッシベーション処理溶液に浸すことにより形成される。パッシベーション処理溶液は、例えばリン酸であってもよい。ある実施の形態において、その一部がパッシベーション溶液に浸される間、電気的バイアスが第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０に印加される。
【０１４４】
パッシベーション処理溶液に浸している間、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０が選択的に電気的バイアスにさらされる。バイアスは、抑制剤の堆積を促進し、典型的に−１Ｖから＋１Ｖの範囲のＳＨＥ（または、パッシベーション処理溶液の所定のＰＨでのＨ２およびＯ２の生成の間の範囲の他のバイアス）である。追加的または代替的に、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０への抑制剤の堆積を促進するために光が照射される。ある実施の形態において、ＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００と抑制剤の相互作用が回避される。
【０１４５】
ある実施の形態において、パッシベーション処理溶液は、３−１１の範囲のｐＨを有する。これは、ＴｉＮ層３５０および／または上部（Ｌｉｐｏｃｅｒ）層４００との相互作用のリスクを好適に減少させる。ある実施の形態において、堆積時間は１−１００分である。ある実施の形態において、パッシベーション処理溶液の濃度は、０．０１Ｍ以下である。これは、堆積時間を増加させるが、パッシベーション層の厚さの均一性を増大させるために有利である。
【０１４６】
ある実施の形態において、パッシベーション処理溶液は、センサマークの特定の領域のみに塗布される。ある実施の形態において、センサマークの残りがパッシベーション処理溶液との接触を回避するためにマスクされてもよい。これは、パッシベーション処理溶液のより幅広い特性（例えば、より高いまたは低いｐＨ、および／または、より高濃度）を可能にする。
【０１４７】
ある実施の形態において、パッシベーション処理溶液はリン酸であり、（パッシベーション層７５０）の第２材料はリン酸クロムである。
【０１４８】
代替的な実施の形態において、（パッシベーション層７５０）の第２材料は、ＺｎＯ、リン酸塩、ホスホン酸塩、タングステン酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、クロム酸ナトリウム、ニッケル、コバルト、ガリウム、ルテン、オルトリン酸塩または窒化物またはルテニウム、イリジウム、白金、ハフニウムおよびそれらの酸化物／窒化物または酸窒化物の一以上を含む、任意の無機材料（少なくとも炭素を含まない）の腐食抑制剤であってもよい。
【０１４９】
パッシベーション層７５０の分子は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の中に浸透しないが、化学的および／または物理的吸収によりその表面にくっつく。
【０１５０】
パッシベーション層７５０の堆積は、使用期間後の２回目またはそれ以降のために実施されてもよい。
【０１５１】
ある実施の形態において、センサの構造は図４−６に示される通りである。上述のように、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、三つの別々の層から構成されてもよく、三つはクロムの中間層３２０（実際には１０％までの酸素、例えば５−１０％の酸素を含んでもよい）と、実際にはクロム酸窒化物またはクロム酸炭窒化物であってもよいクロム酸化物の上層３１０および下層３３０とを含む。センサマーク１７は、ステンレス鋼（したがって大きな割合のクロムを含む）で構成されうる接地された流体ハンドリング構造１２に対して−０．９Ｖだけバイアスされる。この実施の形態において、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の腐食は、ドーピング、例えば第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の一以上の層にリンをドープすることによる組成の変更により低減される。これは、電荷キャリアの移動度の増加につながるであろう。電荷キャリアの移動度の増加は、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０が生成されるホールを中和する能力を増加させ、これにより積層体を不動態化（パッシベーション）する。したがって、ある実施の形態において、センサマーク１７の第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、リンがドープされたクロム、クロム酸化物、クロム酸窒化物またはクロム酸炭窒化物の一以上の層を備える。
【０１５２】
第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の一以上の個々の層のドーパント濃度は、好ましくは０．０１−１０％原子濃度の範囲である。濃度は、一つの層内で変化してもよく、例えば濃度勾配があってもよい。異なる層３１０，３２０，３３０のそれぞれは、残りの層３１０，３２０，３３０とは異なるドーパント濃度を有してもよい。
【０１５３】
ある実施の形態において、ドーピングが第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の製造時（つまり、最初の形成時）に達成される。代替的な実施の形態において、後述されるように、第１形成されるＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、最初に形成され、その後にドープされるように処理される。
【０１５４】
ある実施の形態において、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の一以上の層は、通常の方法で堆積されてもよい。ＴｉＮの層３５０および／または上部層４００（いずれの層も選択的である）を塗布する前または後に、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の層が光電解めっきによりドープされる。
【０１５５】
この実施の形態において、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、約２のＰＨを有するリン酸に浸される。第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０は、約−０．８Ｖカソード電位および１００ｋＪ／ｃｍ２までの積分フルエンスを用いてＤＵＶで照明される。代替的に、第１ＤＵＶ吸収層は、１ＭＪ／ｃｍ２までの積分フルエンスを有するＶＩＳ／ＮＩＲレーザ照射により照明されてもよく、ＤＵＶおよびＶＩＳ／ＮＩＲ照射の双方において、超純水および／またはリンを含む溶液および／または積層体３１０，３２０，３３０もしくはその近傍へのカソード電位の存在は選択的である。ＤＵＶ照射は、独立した機器で提供されてもよいし、センサの使用の開始時にリソグラフィ機器内で提供されてもよい。独立した機器が用いられる場合、カソード電位は０−１Ｖの範囲であってもよい。照明を用いなければ、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０を上記の電位を有するリン酸に延長された時間、例えば１から２０時間にわたって、選択的に高温の液浸液で、例えば２０−１００℃の範囲で浸すことが必須となるかもしれない。
【０１５６】
ある実施の形態において、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の一以上の層のドーピングは、拡散誘起ドーピングにより達成されてもよい。例えば、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０はリン酸に浸され、レーザ照射を用いて第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の局所加熱が実現されてもよい。
【０１５７】
上述の実施の形態において、リン酸は、酸性のリン酸クロム（ＩＩＩ）水溶液と置換されてもよい。代替的な実施の形態において、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０のドーピングは、イオン注入または共スパッタリングにより実現されてもよい。共スパッタリングは、スパッタリング堆積による積層体３１０，３２０，３３０の製造時に用いられるスパッタリングターゲット（金属クロムまたはその酸化物、窒化物もしくは酸窒化物およびそれらの組み合わせ）にリン含有物質を添加すること、または、ガス（Ｎ２，Ｏ２，ＮＯ，ＮＯ２，ＣｘＨｙ，Ａｒ）に揮発性リン物質を添加することである。リンのドーピングの代替は、硝酸の塗布により実現できる窒素原子のドーピング（硝化）、ハロゲンのドーピング、例えば臭化物のドープングを含む。これは、第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の自由電子数を増加させ、これによりホールの再結合速度および中和を増加させるであろう。モリブデン酸塩、クロム酸ナトリウム、他のリン酸塩およびケイ酸塩がドーパントであってもよい。
【０１５８】
ある実施の形態において、パッシベーション層７５０が塗布されてもよく、処理（例えばＤＵＶ、ＶＩＳまたはＮＩＲ照射）に応じて、第１ＤＵＶ層３１０，３２０，３３０のいくつかのドーピングが行われてもよい。これは、パッシベーション層７５０と第１ＤＵＶ吸収層３１０，３２０，３３０の間の結合強度を高めるために有利である。
【０１５９】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどにも適用可能であるものと理解されたい。当業者であれば、このような他の用途において、本書の「ウェハ」または「ダイ」の用語の任意の使用は、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」のそれぞれと同義とみなしうることが理解されよう。本書に参照される基板は、露光の前または後に処理されてもよく、トラック（一般にレジストの層を基板に適用して露光されたレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示は、このような基板処理ツールや他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板が２回以上処理されてもよく、本書で使用される基板の用語は、複数回処理された層をすでに含む基板を指してもよい。
【０１６０】
「レンズ」の用語は、文脈において許されれば、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型および静電型の光学素子を含む、様々な種類の光学素子の任意の一つまたはその組み合わせを指してもよい。
【０１６１】
特定の実施の形態が上述されたが、本発明の実施の形態は、説明とは異なる態様で実施されてもよい。上記の説明は、例示を意図しており、限定を意図しない。したがって、当業者であれば、以下の特許請求の範囲を逸脱しない限りにおいて、説明された発明に改変がなされてもよいことが理解されよう。
【０１６２】
第１態様において、ＤＵＶ放射を実質的に吸収する第１材料を備える第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層を有する基板と、第２材料を備える第１保護層と、を備えるセンサマークが提供される。第１ＤＵＶ吸収層は、その中に第１貫通孔を有し、第１保護層は、パターン領域を有する第１貫通孔の第１保護層内に位置決めされる。複数の貫通孔を備え、第２材料は、第１材料よりも貴である。
【０１６３】
第２態様において、第１態様のセンサマークは、第１ＤＵＶ吸収層上に位置する第３材料を備える第２保護層をさらに備える。
【０１６４】
第３態様において、第２態様の第３材料は、少なくとも部分的に深紫外放射を吸収し、および／または、第３材料は、可視および／または近赤外放射を実質的に反射または透過する。
【０１６５】
第４態様において、第２または第３態様の第２材料は、深紫外放射を実質的に吸収する。
【０１６６】
第５態様において、第１および第４態様のいずれかの第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層および基板は、可視領域の波長範囲の法線入射またはかすり入射における反射を実質的に抑制するよう構成される。
【０１６７】
第６態様において、第１から第５態様のいずれかの第１保護層は、第１ＤＵＶ吸収層の少なくとも一部を被覆することにより第１ＤＵＶ吸収層の露出を防ぐ。
【０１６８】
第７態様において、第１から第６態様のいずれかの第２保護層は、第１貫通孔を規定する第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層の縁を被覆する。
【０１６９】
第８態様において、第１から第７態様のいずれかの第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層は、異なる材料の少なくとも二つのサブ層を備える。
【０１７０】
第９態様において、第１から第８態様のいずれかの第１保護層は、第１深紫外（ＤＵＶ）吸収層内の第１貫通孔の面積の半分より多くを被覆する。
【０１７１】
第１０態様において、第１から第９態様のいずれかの第１ＤＵＶ吸収層の縁は、第１貫通孔を規定し、第１保護層は、その縁を被覆する。
【０１７２】
第１１態様において、第１から第１０態様のいずれかの第１保護層は、第１ＤＵＶ吸収層の上に少なくとも部分的に形成される。
【０１７３】
第１２態様において、第１から第１１態様のいずれかの第２保護層は、第１保護層の上に少なくとも部分的に形成される。
【０１７４】
第１３態様において、第１から第１２態様のいずれかの第１保護層は、第２保護層の上に少なくとも部分的に形成される。
【０１７５】
第１４態様において、第１から第１３態様のいずれかの第２材料は、貴金属であり、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、白金または金である。
【０１７６】
第１５態様において、第１から第１３態様のいずれかの第２材料は、ニッケルより貴である。
【０１７７】
第１６態様において、第１から第１３態様のいずれかの第２材料は、セラミックまたは酸化物を備え、好ましくは、ニッケルよりも貴な金属の酸化物もしくは窒化物または金属の混合物を備える。
【０１７８】
第１７態様において、第１から第１３態様のいずれかの第２材料は、半金属を備え、好ましくは、金属窒化物または金属窒化物の混合物を備え、好ましくは、ＣｒＮ，ＭｏＮ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｇｅ３Ｎ４，ＡｌＴｉＮまたはＴｉＡｌＮ，ＨｆＮ，ＴａＮを備える。
【０１７９】
第１８態様において、第１から第１３態様のいずれかの第２材料は、ニッケルよりも貴な金属のケイ素化合物を備え、好ましくはＭｏＳｉ，ＴａＳｉまたはＲｕＳｉを備える。
【０１８０】
第１９態様において、第１から第１８態様のセンサマークは、第１ＤＵＶ吸収層をさらに備え、第１保護層は、第１保護層または第２保護層により少なくとも部分的に封止される。
【０１８１】
第２０態様において、第１から第１９態様のいずれかの第３材料は、ＴｉＮを備える。
【０１８２】
第２１態様において、基板および少なくとも一つの層を備えるセンサマークが提供される。少なくとも一つの層のパターン領域は周辺領域により囲まれ、パターン領域は放射のビームに特性を付与するためのものであり、少なくとも一つの層は、少なくとも一つの層内におけるパターン領域から周辺領域へのまたはその逆の電子の流れを制限するよう適合する電流制限器をさらに備える。
【０１８３】
第２２態様において、第２１態様の電流制限器は、少なくとも一つの層内のパターン領域と周辺領域の間に電気絶縁領域を備える。
【０１８４】
第２３態様において、第２１または第２２態様の電気絶縁領域は、少なくとも一つの層の第１層内の貫通孔である。
【０１８５】
第２４態様において、第２１から第２３態様のいずれかのセンサマークは、第２層をさらに備える。
【０１８６】
第２５態様において、第２４態様の貫通孔は、第２層に存在せず、第１層が導電材料でできている。
【０１８７】
第２６態様において、第２１から第２５態様のいずれかの電気絶縁領域は、パターン領域を実質的に包囲する。
【０１８８】
第２７態様において、周辺領域を介してパターン領域に電気的バイアスを印加することを可能にするために、第２１から第２６態様のいずれかのパターン領域と周辺領域の間に導電性ブリッジが設けられる。
【０１８９】
第２８態様において、基板と、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの導電層上の電気絶縁層と、少なくとも一つの導電層の少なくとも一つの露出領域を露出させる電気絶縁層内の少なくとも一つの貫通孔と、を備えるセンサマークが提供される。少なくとも一つの露出領域は、放射のビームに特性を付与するための少なくとも一つのパターン領域を備える。少なくとも一つのパターン領域の平面積は、少なくとも一つの露出領域の平面積より１０倍以上小さい。
【０１９０】
第２９態様において、第２８態様の少なくとも一つの導電層は、少なくとも二つの層を備え、少なくとも二つの導電層の上側はその中の露出領域に貫通孔を有し、パターン領域は、少なくとも二つの導電層の上側の貫通孔内の少なくとも二つの導電層の下側に形成される。
【０１９１】
第３０態様において、第２８または第２９態様の少なくともの一つの露出領域の少なくとも一つは、パターン領域を備えない。
【０１９２】
第３１態様において、第２９態様のパターン領域を備えない少なくとも一つの露出領域の少なくとも一つにおいて、少なくとも二つの導電層の下側は、少なくとも二つの導電層の上側により被覆される。
【０１９３】
第３２態様において、基板と、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの導電層上の絶縁層と、少なくとも一つの導電層の少なくとも一つの露出領域を露出させる絶縁層内の少なくとも一つの貫通孔とを備えるセンサマークが提供される。少なくとも一つの露出領域は、放射のビームに特性を付与するための少なくとも一つのパターン領域を備え、少なくとも一つのパターン領域は、その対応する露出領域の幾何学的な中心からずれている。
【０１９４】
第３３態様において、第３２態様のパターン領域の最大寸法は、対応する露出領域の幾何学的な中心とパターン領域の幾何学的な中心の間の距離よりも小さい。
【０１９５】
第３４態様において、基板と、ＤＵＶ放射を実質的に吸収し、放射のビームに特性を付与するための複数の貫通孔を備えるパターン領域を備えるＤＵＶ吸収層と、ＤＵＶ吸収層の基板とは反対側の表面を被覆するＤＵＶを実質的に透過するＤＵＶ透過層と、貫通孔の外縁にてＤＵＶ吸収層の露出を防止するエッジ部分と、を備えるセンサマークが提供される。エッジ部分は、ＤＵＶ吸収層と同一平面内にあり、ＤＵＶ透過層は、エッジ部分のそれぞれの一部を被覆する。
第３５態様において、センサマークの製造方法が提供される。この方法は、基板上の第１層上のＤＵＶ吸収層およびＤＵＶ吸収層の上部上の第２層を有する基板を提供することと、第１層、ＤＵＶ吸収層および第２層を貫通する貫通孔のパターンを第１形成することと、貫通孔の外縁にてＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止するエッジ部分を第２形成することとを備える。
【０１９６】
第３５態様において、センサマークの製造方法が提供される。この方法は、基板上の第１層上のＤＵＶ吸収層およびＤＵＶ吸収層の上部上の第２層を有する基板を提供することと、第１層、ＤＵＶ吸収層および第２層を貫通する貫通孔のパターンを第１形成することと、貫通孔の外縁にてＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止するエッジ部分を第２形成することとを備える。
【０１９７】
第３６態様において、第３５態様の第２形成は、第１形成により露出するＤＵＶ吸収層の材料の酸化を備える。
【０１９８】
第３７態様において、第３５態様の第２形成は、第１形成により露出するＤＵＶ吸収層の材料の窒化を備える。
【０１９９】
第３８態様において、対象物を支持するよう構成されるサポートテーブルと；対象物上にパターン放射ビームを投影するよう構成される投影システムと；液浸液を投影システムとサポートテーブルおよび／または対象物との間の空間に閉じ込めるよう構成される液体ハンドリング構造と；対象物と液体ハンドリング構造の間にバイアス電圧を供給するよう構成される電力供給部であって、電力供給部、流体ハンドリング構造、対象物および空間内の液浸液が電気回路を形成する電力供給部と；対象物が流体ハンドリング構造の対向面の下を通過するときに電気回路を流れる電流を抑制するよう適合する電流制限器と；を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０２００】
第３９態様において、第３８態様の電流制限器は、電気回路内で抵抗を増加させることにより、対象物が流体ハンドリング構造の下を通過するときに電気回路を流れる電流を抑制するよう適合する抵抗を備える。
【０２０１】
第４０態様において、第３９態様の抵抗は、バラスト抵抗を備える。
【０２０２】
第４１態様において、第３９態様の抵抗は、サイリスタを備える。
【０２０３】
第４２態様において、第３８態様の電流制限器は、その下を対象物が通過するよう適合する流体ハンドリング構造の対向面の一部にあるコーティングを備える。
【０２０４】
第４３態様において、第４２態様のコーティングは、電気絶縁性である少なくとも一つの層を備える。
【０２０５】
第４４態様において、第４２または第４３態様の電気絶縁層のバルク抵抗は、１０１０Ω・ｍ以上である。
【０２０６】
第４５態様において、第４２、第４３または第４４態様のコーティングの材料は、Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｂａ２Ｏ３を備える。
【０２０７】
第４６態様において、ＤＵＶ放射を実質的に吸収する第１材料を備え、放射のビームに特性を付与するための複数の貫通孔を備える基板上の第１ＤＵＶ吸収層と；第１ＤＵＶ吸収層を被覆することにより、貫通孔の外縁および／または第１ＤＵＶ吸収層の上面にて第１ＤＵＶ吸収層の縁が露出するのを防止する第２材料を備えるパッシベーション層とを有する基板を備え、第２材料が第１材料よりも貴であるセンサマークが提供される。
【０２０８】
第４７態様において、第４６態様のパッシベーション層は、アノード抑制剤である。
【０２０９】
第４８態様において、第４６または第４７態様の第２材料は、リン酸クロムである。
【０２１０】
第４９態様において、第４６、第４７または第４８態様の第２材料は、ＺｎＯ、リン酸塩、ホスホン塩、タングステン酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、クロム酸ナトリウム、ニッケル、コバルト、ルテン、オルトリン酸塩または窒化物またはルテニウム、イリジウム、白金、ハフニウムおよびそれらの酸化物／窒化物または酸窒化物からなる群から選択される一以上の材料を備える。
【０２１１】
第５０態様において、センサマークの製造方法が提供される。この方法は、第１材料を備えるＤＵＶ吸収層を有する基板を提供することと；貫通孔のパターンを含むＤＵＶ吸収層の少なくとも一部をパッシベーション処理溶液中に浸し、第１ＤＵＶ吸収層を被覆する第２材料を備えるパッシベーション層を形成することにより、貫通孔の外縁および／またはＤＵＶ吸収層の上面にて第１ＤＵＶ吸収層の縁の露出を防止することと；を備える。第２材料は、第１材料よりも貴である。
【０２１２】
第５１態様において、第５０態様は、パッシベーション溶液中に浸される間、ＤＵＶ吸収層の一部に電気的バイアスを印加することをさらに含む。
【０２１３】
第５２態様において、第５０または第５１態様のパッシベーション処理溶液は、リン酸を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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