(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記マイクロ発光素子が前記光放出面を通じて放出する光について、前記周期パターンによる回折効果によって、前記光放出面に対する垂線方向への光の放射を強める事を特徴とする画像表示素子。
【請求項２】
前記凸部は金属を含む事を特徴とする請求項１に記載の画像表示素子。
【請求項３】
前記凸部は半導体を含む事を特徴とする請求項１に記載の画像表示素子。
【請求項４】
前記凸部は誘電体を含む事を特徴とする請求項１に記載の画像表示素子。
【請求項５】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、
前記凸部は金属を含み、
前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナはシールドパターンを有している事を特徴とする画像表示素子。
【請求項６】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、
前記凸部は金属を含み、
前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナは電気的に一定の電位に固定されている事を特徴とする画像表示素子。
【請求項７】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、
前記周期パターンのＸ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＸ方向周期の１／Ｎ（Ｎ：自然数）であり、前記周期パターンのＹ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＹ方向周期の１／Ｍ（Ｍ：自然数）である事を特徴とする画像表示素子。
【請求項８】
前記光放出面における、前記アンテナに含まれる前記凸部の配置パターンと、隣接する前記光放出面間に挟まれた領域における、前記アンテナに含まれる前記凸部の配置パターンとは、互いに異なる事を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項９】
前記アンテナは低屈折率樹脂に覆われている事を特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項１０】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、
前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する化合物半導体よりなる本体の表面である事を特徴とする画像表示素子。
【請求項１１】
前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する一方の電極の表面である事を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項１２】
前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する一方の電極を覆う絶縁膜の表面である事を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項１３】
前記画像表示素子は、第１の発光波長で発光する第１のマイクロ発光素子と、前記第１の発光波長より長い波長である第２の発光波長で発光する第２のマイクロ発光素子を含み、前記第１のマイクロ発光素子の光放出面上に形成された前記アンテナに含まれる周期パターンの周期は、前記第２のマイクロ発光素子の光放出面上に形成された前記アンテナに含まれる周期パターンの周期より、短い事を特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項１４】
前記マイクロ発光素子は、励起光を発する励起光発光素子と前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む事を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項１５】
前記光放出面が、前記波長変換部の表面である事を特徴とする請求項１４に記載の画像表示素子。
【請求項１６】
前記光放出面は、前記波長変換部上に配置された誘電体多層膜の表面である事を特徴とする請求項１４に記載の画像表示素子。
【請求項１７】
前記光放出面は、前記波長変換部上に配置されたカラーフィルターの表面である事を特徴とする請求項１４に記載の画像表示素子。
【請求項１８】
前記光放出面は、前記波長変換部上に配置された透明層の表面である事を特徴とする請求項１４に記載の画像表示素子。
【請求項１９】
前記波長変換部は、周囲を遮光性の隔壁によって覆われている事を特徴とする請求項１４から１８のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２０】
前記隔壁の側面は、光反射材で構成されており、前記隔壁の側面は、光放出方向に対して開く様に傾斜している事を特徴とする請求項１９に記載の画像表示素子。
【請求項２１】
前記励起光発光素子は、前記励起光を生成する発光層と、前記発光層に電子を注入する第１導電層と、前記発光層に正孔を注入する第２導電層よりなる本体と、前記第１導電層と接続する第１電極と、前記第２導電層と接続する第２電極よりなり、前記本体の側壁は、光放出方向に対して開く様に傾斜している事を特徴とする請求項１４から２０の何れか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２２】
前記マイクロ発光素子は、光を発する励起光発光素子と前記光を透過する透明部を含み、前記透明部の表面が前記光放出面であり、
前記透明部は、周囲を遮光性の隔壁によって覆われており、
前記隔壁の側面は、光反射材で構成されており、前記隔壁の側面は、光放出方向に対して開く様に傾斜している事を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２３】
前記第１のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光を透過する透明部を含み、前記透明部の表面が前記第１のマイクロ発光素子の光放出面であり、
前記第２のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む事を特徴とする請求項１３に記載の画像表示素子。
【請求項２４】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、
前記画像表示素子は、第１の発光波長で発光する第１のマイクロ発光素子と、前記第１の発光波長より長い波長である第２の発光波長で発光する第２のマイクロ発光素子を含み、
前記第１のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光を透過する透明部を含み、前記透明部の表面が光放出面であり、前記第１のマイクロ発光素子の光放出面にはアンテナが配置されておらず、
前記第２のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含み、前記第２のマイクロ発光素子の光放出面には前記アンテナが配置されている事を特徴とする画像表示素子。
【請求項２５】
前記凸部の水平方向の寸法は、隣接する前記凸部間の距離の５０％から８０％である事を特徴とする請求項１から２４のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２６】
前記凸部の高さは、隣接する前記凸部間の距離の１／４から±２５ｎｍの範囲にある事を特徴とする請求項１から２５のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２７】
前記凸部の高さを、前記凸部の水平方向の寸法で除したアスペクト比は、０．５から０．３の範囲にある事を特徴とする請求項１から２６のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項２８】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、
前記画像表示素子は更に、前記凸部を覆う埋込層と、前記埋込層の上にキャップ層を有しており、前記キャップ層の屈折率は、前記埋込層の屈折率より大きい事を特徴とする画像表示素子。
【請求項２９】
前記埋込層の膜厚は、前記埋込層内での光の波長の整数倍から±２５ｎｍ以内にある事を特徴とする請求項２８に記載の画像表示素子。
【請求項３０】
前記キャップ層の膜厚は、前記キャップ層内での光の波長の半分の整数倍から±２５ｎｍ以内にある事を特徴とする請求項２８または２９に記載の画像表示素子。
【請求項３１】
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、
前記画像表示素子は更に、前記凸部を覆う凸部保護膜を有しており、前記凸部保護膜の屈折率は、１．３以下であり、前記凸部保護膜の厚さは、前記凸部間のスペースを埋め尽くさない範囲である事を特徴とする画像表示素子。
【請求項３２】
画像表示素子であって、
マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、
前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、
前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に、周期的に配置された凸部を含み、
周期的に配置された前記凸部は、前記マイクロ発光素子が前記光放出面を通じて放出する光について、回折効果によって、前記光放出面に対する垂線方向への光の放射を強める事を特徴とする画像表示素子。
【請求項３３】
前記マイクロ発光素子は、励起光を発する励起光発光素子と前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む事を特徴とする請求項４に記載の画像表示素子。
【請求項３４】
前記波長変換部は、周囲を隔壁によって覆われており、前記隔壁の側面は、光反射材で構成されており、且つ、光放出方向に対して開く様に傾斜している事を特徴とする請求項３３に記載の画像表示素子。
【請求項３５】
前記波長変換部のアスペクト比は、０．７５より大きい事を特徴とする請求項３４に記載の画像表示素子。
【請求項３６】
前記波長変換部と前記アンテナの間には中間層が配置されている事を特徴とする請求項３３から３５のいずれか１項に記載の画像表示素子。
【請求項３７】
前記中間層の厚さは、前記波長変換部の厚さの半分より厚い事を特徴とする請求項３６に記載の画像表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ発光素子、及びそれを含む画像表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板（backplane）上に、画素を構成するマイクロ発光素子が複数配置された表示素子が提案されている。例えば、特許文献１に開示されている技術では、シリコン基板の上に駆動回路が形成され、駆動回路の上に紫外光を発光する微小な発光ダイオード（ＬＥＤ：
Light Emitting Diode）アレイが配置される。また、前記技術では、発光ダイオードアレイの上に、紫外光を赤色、緑色、及び青色の可視光へ変換する波長変換層（wavelength conversion layer）が設けられる事により、カラー画像を表示する小型の表示素子が開示されている。
【０００３】
このような表示素子は、小型でありながら、輝度が高く、耐久性も高いという特性を有している。この為、眼鏡型端末（glasses-like devices）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ：Head-Up Display）等の表示素子として期待されている。
【０００４】
この様な表示素子においては、電力効率を向上する上で、発光効率を向上すると共に、発生した光を効率良く光学系に取り込む必要がある。そこで、特許文献２に開示されている様に、マイクロ発光素子上にフォトニック結晶構造を設ける事で、光取り出し効率を向上し、放出光をコリメートする事が提案されている。また、表示素子では無く、照明装置ではあるが、蛍光体表面に金属製のアンテナを配置する事で、蛍光光の光放出方向を制御する技術が特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００２−１４１４９２号公報（２００２年５月１７日公開）」
【特許文献２】米国公開特許「ＵＳ２０１１／０２９７９７５（２０１１年１２月８日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２０１８−０１３６８８号公報（２０１８年１月２５日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の特許文献１に開示されたマイクロ発光素子及び表示素子の構造では、光がマイクロ発光素子内部に閉じ込められ、外部に光を放出する割合が低く、発光効率（light emission efficiency）が低いと言う問題も生じる。この様な光取出し効率（light extraction efficiency）の低下は、マイクロ発光素子を構成する発光素材の屈折率が空気や樹脂に比べて大きい為に起きる現象である。発光効率の低下により、消費電力の増加や発熱による温度上昇と言った問題が発生する。
【０００７】
また、上記マイクロ発光素子は、ランバーシャン分布に近い光放出分布を示し、光放出角分布が広い。小型の眼鏡型端末用の表示素子やモバイル用ディスプレイでは、使用されない無駄な光が大量に放出される事となる。その結果、上記消費電力の無駄な増加が生じる。
【０００８】
本発明の一態様は、上記の問題点に鑑みて為されたものであり、その目的は、マイクロ発光素子の発光効率を向上すると共に、光放出分布を制御する事で、消費電力の少ない画像表示素子を実現する事である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記マイクロ発光素子が前記光放出面を通じて放出する光について、前記周期パターンによる回折効果によって、前記光放出面に対する垂線方向への光の放射を強める。  本発明の別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記凸部は金属を含み、前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナはシールドパターンを有する。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記凸部は金属を含み、前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナは電気的に一定の電位に固定されている。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記周期パターンのＸ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＸ方向周期の１／Ｎ（Ｎ：自然数）であり、前記周期パターンのＹ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＹ方向周期の１／Ｍ（Ｍ：自然数）である。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含み、前記光放出面は、前記マイクロ発光素子を構成する化合物半導体よりなる本体の表面である。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、前記画像表示素子は、第１の発光波長で発光する第１のマイクロ発光素子と、前記第１の発光波長より長い波長である第２の発光波長で発光する第２のマイクロ発光素子を含み、前記第１のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光を透過する透明部を含み、前記透明部の表面が光放出面であり、前記第１のマイクロ発光素子の光放出面にはアンテナが配置されておらず、前記第２のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含み、前記第２のマイクロ発光素子の光放出面には前記アンテナが配置されている。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、前記画像表示素子は更に、前記凸部を覆う埋込層と、前記埋込層の上にキャップ層を有しており、前記キャップ層の屈折率は、前記埋込層の屈折率より大きい。
本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む画像表示素子であって、前記画像表示素子は更に、前記凸部を覆う凸部保護膜を有しており、前記凸部保護膜の屈折率は、１．３以下であり、前記凸部保護膜の厚さは、前記凸部間のスペースを埋め尽くさない範囲である。
【００１０】
前記の課題を解決するために、本発明のさらに別の一態様に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に、周期的に配置された凸部を含み、周期的に配置された前記凸部は、前記マイクロ発光素子が前記光放出面を通じて放出する光について、回折効果によって、前記光放出面に対する垂線方向への光の放射を強める。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、マイクロ発光素子の発光効率を向上し、光放出分布を制御する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る画像表示素子の画素領域の平面模式図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る、光取り出し効率とアンテナの周期の関係を示すシミュレーション結果である。
【図４】本発明の実施形態２に係る画像表示素子の画素領域の平面模式図である。
【図５】本発明の実施形態３に係る画像表示素子の画素領域の平面模式図である。
【図６】本発明の実施形態４に係る画像表示素子の画素領域の平面模式図である。
【図７】本発明の実施形態５に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図８】本発明の実施形態５に係る、光取り出し効率とアンテナの周期の関係を示すシミュレーション結果である。
【図９】本発明の実施形態６に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図１０】本発明の実施形態７に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図１１】本発明の実施形態７に係る画像表示素子の画素領域の平面模式図である。
【図１２】構造１２Ａは、実施形態７に係るマイクロ発光素子の光取り出し効率、をシミュレーションした構造の断面模式図である。構造１２Ｂ、構造１２Ｃ、構造１２Ｄは、構造１２Ａと比較する為にシミュレーションしたマイクロ発光素子の構造を示す断面模式図である。
【図１３】本発明の実施形態７に係る、赤色光取り出し効率のθｗとの関係を示すシミュレーション結果である。
【図１４】本発明の実施形態８に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図１５】本発明の実施形態９に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図１６】本発明の実施形態９に係る画像表示素子の平面模式図である。
【図１７】本発明の実施形態１０に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図１８】本発明の実施形態１１に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図１９】本発明の実施形態１２に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図２０】本発明の実施形態１３に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図２１】本発明の実施形態１４に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図２２】本発明の実施形態１４に係る画像表示素子の赤色光マイクロ発光素子の断面模式図である。
【図２３】本発明の実施形態１５に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図２４】本発明の実施形態１６に係る画像表示素子の画素領域の断面模式図である。
【図２５】図２に示した正三角形パターンにおける、凸部の高さが１５０ｎｍの場合の凸部の径と前方放射強度との関係を示すグラフである。
【図２６】図２に示した正三角形パターンにおける、凸部の径が２００ｎｍである場合の凸部の高さと前方放射強度との関係を示すグラフである。
【図２７】本発明の実施形態１８に係る画像表示素子に関し、凸部が円柱状である場合の前方放射強度に対する、凸部が平面形状正方形の場合の前方放射強度の増減率を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施形態１９に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図２９】本発明の実施形態１７で示した径２００ｎｍ、高さ１００ｎｍの円柱状の凸部を有するアンテナについて、埋込層厚と前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施形態１９に係る画像表示素子におけるキャップ層厚と前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３１】図２８に示した構成において、キャップ層が無い場合の埋込層厚と前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３２】本発明の実施形態２０に係る画像表示素子の断面模式図である。
【図３３】図３２に示した構成における凸部保護膜の屈折率と前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３４】図３２に示した構成における凸部保護膜厚さと前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３５】本発明の実施形態２１に係る画像表示素子における凸部の径と前方放射強度増減率との関係を示すグラフである。
【図３６】本発明の実施形態２２に係る画像表示素子の構成における様々なアンテナについての、放射角２０度以下に放出される光の放射強度の比較。
【図３７】本発明の実施形態２２に係る画像表示素子の構成における様々なアンテナについての、全光束の放射強度の比較。
【図３８】本発明の実施形態２２に係る画像表示素子の構成における、凸部の高さと前方放射強度との関係を示すグラフである。
【図３９】本発明の実施形態２３に係る画像表示素子における、誘電体アンテナの平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、複数のマイクロ発光素子１００を有する画像表示素子２００を例に挙げ、図１から図２４を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、画像表示素子２００は、複数のマイクロ発光素子１００と、駆動回路基板５０を含み、駆動回路基板５０は画素領域１
(pixel region)にある該マイクロ発光素子１００に電流を供給し、発光を制御する。マイクロ発光素子１００は画素領域１において、アレイ状に配置されている。
【００１４】
マイクロ発光素子１００は、駆動回路基板５０とは反対側に光を放出する。特に断らない限り、マイクロ発光素子１００が空気中へ光を放出する面を光放出面１３０（light emitting surface）と呼ぶ。なお、画像表示素子２００の構成の説明において、特に断らない限り、光放出面１３０を上面（第１面）、光放出面側とは反対側の面を下面（第２面）、上面及び下面以外の側方の面を側面と称する。光放出面１３０に対する垂線方向で、空気中へ向かう方向を前方と呼ぶ。
【００１５】
駆動回路基板５０は、画素領域１では、各マイクロ発光素子１００に供給する電流を制御するマイクロ発光素子駆動回路(micro light emitting element driving circuit)を配置し、２次元マトリックス状に配置されたマイクロ発光素子１００の各行を選択する行選択回路や、各列に発光信号を出力する列信号出力回路、入力信号に基づいて発光信号を算出する画像処理回路、入出力回路、等を画素領域１の外側に配置している。
【００１６】
駆動回路基板５０の接合面側の表面には、マイクロ発光素子１００と接続するＰ駆動電極５１(P-drive electrode)（第２駆動電極）とＮ駆動電極５２(N-drive electrode)（第１駆動電極）が配置されている。駆動回路基板５０は、一般的には、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）が形成されたシリコン基板（半導体基板）や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたガラス基板であり、公知の技術で製造できる為、その機能、構成に関しては詳述しない。
【００１７】
尚、図ではマイクロ発光素子１００を正方形に近い形で描いているが、マイクロ発光素子１００の形状は特に限定されない。マイクロ発光素子は矩形、多角形、円形、楕円形など様々な平面形状を取り得るが、最も大きな長さが、６０μｍ以下を想定している。画像表示素子２００は画素領域１に、３千個以上のマイクロ発光素子を集積している事を想定している。
【００１８】
〔実施形態１〕
（画像表示素子２００の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る画像表示素子２００の画素領域１の断面模式図である。図２は、本発明の実施形態１に係る画像表示素子２００の画素領域１の平面模式図である。図２に示す様に、画像表示素子２００の上面は、複数の画素５がアレイ状に配列した画素領域（pixel region）１となっている。本実施形態では、画像表示素子２００は単色の表示素子であり、各画素５には単色のマイクロ発光素子１００が１個含まれている。
【００１９】
本構成では、マイクロ発光素子１００の上面が光放出面１３０であり、光放出面１３０上に、アンテナ７０が形成されている。アンテナ７０は、孤立した凸部７１を、規則的に配置した物であり、マイクロ発光素子１００の光放出面１３０の間を埋める埋込材６０の表面も含めて、画像表示素子２００全体に対して、一様な周期パターンで配置されている。
【００２０】
マイクロ発光素子１００は、化合物半導体層１４よりなる本体１６と、Ｐ電極２３Ｐ（第２電極）と、Ｎ電極２３Ｎ（第１電極）とを備えている。化合物半導体層１４は光を発する発光層１２（light emission layer）と、発光層１２へ電子を注入するＮ側層１１（N-side layer、第１導電層）、発光層１２へ正孔を注入するＰ側層１３（P-side layer、第２導電層）よりなる。化合物半導体層１４は、例えば、紫外光から緑色までの波長帯で発光するマイクロ発光素子１００では、窒化物半導体（ＡｌＩｎＧａＮ系）であり、黄緑色から赤色までの波長帯で発光する場合は、ＡｌＩｎＧａＰ系である。赤色から赤外線の波長帯では、ＡｌＧａＡｓ系やＧａＡｓ系である。
【００２１】
以下では、マイクロ発光素子１００の本体１６を構成する化合物半導体層１４について、光放出側にＮ側層１１を配置する構成について専ら説明するが、Ｐ側層１３を光放出側に配置する構成も可能である。Ｎ側層１１、発光層１２、Ｐ側層１３は、通常、単層では無く複数の層を含んで最適化されているが、本特許構成とは直接関係しないので、各層の詳細な構造は記載しない。通常、発光層１２はＮ型層(N-type layer)とＰ型層(P-type layer)に挟まれているが、Ｎ型層やＰ型層が、ノンドープ層や、場合によっては導電性が逆のドーパントを有する層を含む場合も在り得る為、以下ではＮ側層、Ｐ側層と記載する。
【００２２】
図１は、図２のＡ−Ａ線の断面図である。マイクロ発光素子１００は、図１及び２に示す様に、駆動回路基板５０上に２次元アレイ状に配列している。マイクロ発光素子１００のＰ電極２３ＰとＮ電極２３Ｎが共に、第２面側に形成される。マイクロ発光素子１００の第２面側には保護膜１７が形成されている。Ｐ電極２３ＰとＮ電極２３Ｎは、それぞれ対応する、駆動回路基板５０上のＰ駆動電極５１とＮ駆動電極５２と接続している。
【００２３】
駆動回路基板５０からマイクロ発光素子１００へ供給される電流は、Ｐ駆動電極５１からＰ電極２３Ｐを経て、Ｐ側層１３に伝わる。Ｐ側層１３から発光層１２を通過した電流は、Ｎ側層１１から、Ｎ電極２３Ｎを経て、Ｎ駆動電極５２に流れる。この様にして、駆動回路基板５０より供給される電流量に応じて、マイクロ発光素子１００は所定の強度で光を発する。
【００２４】
マイクロ発光素子１００は、個々に分割されており、マイクロ発光素子１００は埋込材６０に覆われている。光放出面１３０の高さと、埋込材６０の高さはほぼ等しい事が好ましい。隣接画素への光漏洩を防止する為に、埋込材６０が、反射または吸収による遮光機能を有する事が好ましい。埋込材６０が透明な場合は、埋込材６０が遮光機能を有しない為、マイクロ発光素子１００の側壁を金属膜で覆う事が好ましい。
【００２５】
本構成では、光放出面１３０上に、金属製の凸部７１を一定周期で配置している。図２に示す様に、平面視では正三角形の頂点に凸部７１を配置している。凸部７１の形状は円形であり、本例では、直径は１００ｎｍ、高さは１５０ｎｍである。この様なパターンは、光放出面１３０上に金属膜を堆積し、凸部７１に対応する位置にレジストパターンを形成し、ドライエッチング技術によって、金属膜をエッチングする事で形成する事が出来る。レジストパターンは、フォトリソグラフィ技術やナノインプリント技術で形成できる。本構成では、マイクロ発光素子１００のアレイ配列に対して、アンテナ７０をアライメントしていない。尚、凸部７１は、半導体、誘電体であっても良い。
【００２６】
凸部７１の大きさ、形状、高さ、配置パターンは、光放出面１３０の材質や、発光波長によって、適宜、選択する事が出来る。但し、凸部７１が金属製の場合には、アンテナ７０を透過する光量が減少しない為には、隣接する凸部７１間の距離に対して、凸部７１の水平方向の大きさが１／２以下であることが好ましい。また、透過する光の偏光方向の影響を低減する為には、凸部７１の水平方向の大きさに対する、高さの比であるアスペクト比（＝高さ／凸部の水平方向の大きさ）は、０．５から２．０の間である事が好ましく、０．７５から１．５の間である事が更に好ましい。本構成では凸部７１を構成する金属は、アルミニウムであるが、銀等、他の金属材であっても良い。
【００２７】
本構成に於いて、アンテナ７０の周期（antenna pitch）を変えた場合の、光取り出し効率のシミュレーション結果を図３に示す。尚、この様なシミュレーションを高精度に行うと、非常に大きな計算リソースが必要となるので、ここでは数値精度より、各種パラメータの影響度を評価する為の簡便なモデルを用いた。光線追跡法(Ray-trace method)を用いて、マイクロ発光素子１００内部は高精度に計算する一方、アンテナ７０の効果としては、光放出面１３０における０次及び１次回折光のみを考慮し、透過率は一定として扱った。
【００２８】
マイクロ発光素子１００はＧａＮ系のＬＥＤであり、発光波長は４５０ｎｍである。マイクロ発光素子１００の光放出面１３０は、一辺が８μｍの正方形であり、本体１６の厚さは４．１μｍである。図３中の４本の線は、光放出面１３０の垂線と放出光の進行方向がなす角度（図１に記したθ）が、それぞれ２０°以下、３０°以下、４０°以下、９０°以下となる光の積分値である。
【００２９】
アンテナ７０が無い場合の、シミュレーション値は、それぞれ０．９％、１．９％、３．３％、８．１％である為、アンテナ７０によって、光出力は数倍に増加し、特に前方への光放出量の増加が著しい。化合物半導体は一般に屈折率が高く、化合物半導体中の光は光放出面１３０での全反射の効果によって、光取り出し効率が非常に低い。しかし、全反射によって外部に放出されなかった光を、アンテナ７０の回折効果によって、空気中に放出する事が可能となる。従って、光取り出し効率を向上する事が出来る。更に、アンテナ７０周期によって、回折方向が変わる為、周期を適切に選ぶことによって、前方への光放出強度を増すことが出来る。
【００３０】
特許文献３に記載された波長変換材表面に金属製アンテナを配置する構造は、前方への光放出量を増加させる事を開示している。しかし特許文献３は、アレイ状に配置されたマイクロ発光素子１００と、マイクロ発光素子１００間を埋める埋込材６０の表面に、一定周期のアンテナ７０を配置する構造については、開示していない。また特許文献３は、この様な構造によって、光クロストークを抑制すると共に、前方への光取り出し効率を高める事が出来ると言う点に関しても開示していない。
【００３１】
以上の様に、マイクロ発光素子１００の光放出面１３０に、アンテナ７０を配置する事で、光出力を大幅に向上し、前方への光放出を増加させる事が出来る。
【００３２】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図４を用いて以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。以下の実施形態についても同様である。本実施形態の画像表示素子２００ａは、アンテナ７０ａの配置パターンが実施形態１と異なるが、他の構成は実施形態１と同じである。
【００３３】
実施形態１では、マイクロ発光素子１００のアレイ配置に対して、アンテナ７０をアライメントする事無く、配置している。従って、製造工程においては、精密なアライメントが必要無く、製造が容易であるという利点がある。しかし、マイクロ発光素子１００が微細となると、マイクロ発光素子１００の光放出面１３０に配置されている凸部７１の数や位置が、マイクロ発光素子１００毎に異なると言う問題が生じる。マイクロ発光素子１００が大きければ、凸部７１の数が多い為、大きな問題とならない。しかし、マイクロ発光素子１００が微細となるに従い、凸部７１の数や位置のバラツキが、放出される光の角度分布バラツキを生じる。
【００３４】
本実施形態はこの様な問題を生じない為に、全てのマイクロ発光素子１００に対して、凸部７１の数や位置が同じとなる様に、配置する。即ち、光放出面１３０を覆う凸部７１の配置パターンは、実施形態１と同じ規則性を保っているが、光放出面１３０の外側である埋込材６０上では、規則性が乱れる。即ち、凸部７１の配置パターンは、光放出面１３０上と、隣接する前記光放出面に挟まれた領域では、配置パターンが異なる。この様なアンテナ７０ａを形成する為には、製造工程において、マイクロ発光素子１００のアレイ配置に対して、アンテナ７０ａをアライメントする必要がある。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【００３５】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、マイクロ発光素子１００が微細化された際に、画素５間の光放出角度分布バラツキを低減できると言う、２次的な効果を有する。
【００３６】
〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、図５を用いて以下に説明する。本実施形態の画像表示素子２００ｂは、アンテナ７０ｂの配置パターンが実施形態１と異なるが、他の構成は実施形態１と同じである。
【００３７】
実施形態１及び２では、マイクロ発光素子１００間の距離が小さくなると、マイクロ発光素子１００の光出力が、アンテナ７０、アンテナ７０ａを介して、隣接するマイクロ発光素子１００の影響を受ける場合が生じる。あるマイクロ発光素子１００が非常に発光強度の強い場合、アンテナに励起されるプラズモン振動が隣接するマイクロ発光素子１００上のアンテナまで広がる場合がある。この様な場合には隣接するマイクロ発光素子１００が光を放出する様に見える為、コントラストの低下が生じる。アンテナによって、一種の光クロストークが生じる事となる。
【００３８】
この様なアンテナ経由の光クロストークを防ぐ様に、図５では、プラズモン振動が隣接画素へ広がる事を防止する為の、シールドパターン７２を画素間に配置している。即ち、シールドパターン７２はマイクロ発光素子１００の外周部に配置されている。シールドパターン７２は、マイクロ発光素子１００の全周囲を囲う、連続したパターンである事が好ましいが、短い距離であれば、部分的に切断されていても良い。
【００３９】
本構成の様なシールドパターン７２は、アンテナ７０ｂの一部として、同時に形成できる為、製造コストを増加させる事は無い。シールドパターン７２の設置によって、外部光の反射が増えると言う問題が生じる場合は、シールドパターン７２をブラックマトリクスで覆っても良い。
【００４０】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、マイクロ発光素子１００間の距離が微細化された際に、隣接画素間で生じる光クロストークを低減できると言う、２次的な効果を有する。
【００４１】
〔実施形態４〕
本発明の他の実施形態について、図６を用いて以下に説明する。本実施形態の画像表示素子２００ｃは、アンテナ７０ｃの配置パターンが実施形態１と異なるが、他の構成は実施形態１と同じである。
【００４２】
実施形態１では、マイクロ発光素子１００のアレイ配置に対して、アンテナ７０をアライメントする事無く、配置している。従って、製造工程においては、精密なアライメントが必要無く、製造が容易であるという利点がある。しかし、マイクロ発光素子１００が微細となると、マイクロ発光素子１００の光放出面１３０に配置されている凸部７１の数や位置が、マイクロ発光素子１００毎に異なると言う問題が生じる。マイクロ発光素子１００が大きければ、凸部７１の数が多い為、大きな問題とならない。しかし、マイクロ発光素子１００が微細となるに従い、凸部７１の数や位置のバラツキが、放出される光の角度分布バラツキを生じる。
【００４３】
本実施形態はこの様な問題を生じさせない為に、全てのマイクロ発光素子１００に対して、凸部７１の数や位置が同じとなる様に、配置する。即ち、本実施形態では、アンテナ７０ｃの周期が、マイクロ発光素子１００のアレイ配置の周期の自然数分の１となる様に設定されている。画素５のＸ方向、Ｙ方向のピッチを、Ｘｐ、Ｙｐ、アンテナ７０ｃのユニットセルのＸ方向、Ｙ方向のピッチを、Ｘｃ、Ｙｃとすると、Ｘｐ＝Ｘｃ×Ｎ、Ｙｐ＝Ｘｃ×Ｍ（Ｎ、Ｍは共に自然数）に設定されている。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【００４４】
この関係が満たされていれば、マイクロ発光素子１００のアレイ配置に対して、アンテナ７０ｃをアライメントしなくても、全ての光放出面１３０上での凸部７１の配置パターンは同じとなる。この様にアンテナ７０ｃのユニットセルの大きさを選択する事で、製造工程での精密なアライメント無に、画素間のバラツキを低減する事が出来る。
【００４５】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、マイクロ発光素子１００が微細化された際に、画素５間の光放出角度分布バラツキを低減できると言う、２次的な効果を有する。
【００４６】
〔実施形態５〕
本発明の他の実施形態について、図７を用いて以下に説明する。実施形態５の画像表示素子２００ｄでは、マイクロ発光素子１００ｄが実施形態１のマイクロ発光素子１００と異なる。即ち、マイクロ発光素子１００は駆動回路基板５０と貼り合わされる第２面にＰ電極２３ＰとＮ電極２３Ｎを有しているが、マイクロ発光素子１００ｄはＰ電極２３Ｐｄを第２面に、共通Ｎ電極３０を光放出面１３０側に有している。共通Ｎ電極３０は透明電極である。本構成では、第２面にＮ電極を設ける必要が無いため、マイクロ発光素子１００ｄを微細化し易いという利点を有している。
【００４７】
画像表示素子２００ｄでは、画素領域１外において、共通Ｎ電極３０と、駆動回路基板５０ｄ上のＮ駆動電極５２ｄが、Ｎ電極２３Ｎｄを介して接続されている。図７では、その接続方法は本願とは直接関係ないため、図示しない（図１０参照）。Ｐ電極２３Ｐｄは、駆動回路基板５０ｄ上のＰ駆動電極５１ｄと接続している。
【００４８】
駆動回路基板５０ｄからマイクロ発光素子１００ｄへ供給される電流は、Ｐ駆動電極５１ｄからＰ電極２３Ｐｄを経て、Ｐ側層１３に伝わる。Ｐ側層１３から発光層１２を通過した電流は、Ｎ側層１１から、共通Ｎ電極３０を経て、Ｎ駆動電極５２ｄに流れる。この様にして、駆動回路基板５０ｄより供給される電流量に応じて、マイクロ発光素子１００ｄは所定の強度で光を発する。
【００４９】
マイクロ発光素子１００ｄの共通Ｎ電極３０の上には、透明な保護層である絶縁膜７３が配置されており、絶縁膜７３の表面が光放出面１３０である。絶縁膜７３は共通Ｎ電極３０とアンテナ７０を絶縁する役割を果たしている。絶縁膜７３を介した光クロストークを防ぐため、絶縁膜７３は薄い事が好ましく、１０ｎｍから１０００ｎｍの厚さである。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【００５０】
マイクロ発光素子１００ｄは、マイクロ発光素子１００と同様に、化合物半導体層１４を個々に分割し、本体１６ｄとしている。本体１６ｄの本体側面１６Ｓｄ（側壁）は、光放出方向に開く様に傾斜している事が好ましい。図７では、本体側面１６Ｓｄの傾斜角度θｅは一定となっているが、傾斜角度の異なる複数の面からなっても良い。
【００５１】
図８に光取り出し効率の傾斜角度依存性のシミュレーション結果を示す。傾斜角度θｅを５０°から７０°とする事で、光取り出し効率を光放出方向に開く様な傾斜のない場合（傾斜角度θｅが９０°）と比較して、２０％から５０％程度向上できる。この様に、本体側面１６Ｓｄを光放出方向に開く様に傾斜させる事で、マイクロ発光素子１００ｄからの光取り出し効率を、大幅に向上できる。
【００５２】
マイクロ発光素子１００ｄ間の光クロストークを防止する為に、遮光性の埋込材６０によって、周囲を囲うか、マイクロ発光素子１００ｄの本体側面１６Ｓｄを高反射性金属膜等の反射材で覆う事が好ましい。更に、本体側面１６Ｓｄと高反射性金属膜の間に、透明絶縁膜を配置する事で、本体側面１６Ｓｄでの反射率を高め、光出力を一層増加させる事が出来る。
【００５３】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【００５４】
〔実施形態６〕
本発明の他の実施形態について、図９を用いて以下に説明する。実施形態６の画像表示素子２００ｅは、単色の表示素子であり、各画素５には単色のマイクロ発光素子１００ｅが１個含まれている。ここでは、赤色表示素子の場合について説明するが、他の表示色についても同様である。また、励起光として青色光を使用する場合について、説明するが、青紫光（波長４００ｎｍ〜４３０ｎｍ）や紫外光（波長４００ｎｍ未満）を用いる事も可能である。
【００５５】
マイクロ発光素子１００ｅは、青色光を放射する励起光発光素子１０５と赤色波長変換部３２よりなる。励起光発光素子１０５は実施形態１のマイクロ発光素子１００と同様の物である。マイクロ発光素子１００ｅの光放出面１３０は、赤色波長変換部３２の上面である。
【００５６】
マイクロ発光素子１００ｅは、実施形態１と同様に、遮光性の埋込材６０ｅによって、周囲を覆われている。即ち、励起光発光素子１０５と赤色波長変換部３２も、埋込材６０ｅによって、周囲を覆われている。従って、マイクロ発光素子１００ｅ間における、光クロストークを防止する事が出来る。
【００５７】
アンテナ７０ｅは、図１に示した実施形態１と同様である。図１との相違点は、発光波長が赤色光に換わる事と、光放出面１３０の屈折率ｎが変わる事によって、アンテナ７０ｅの周期や、凸部７１の大きさが変わる点である。周期の最適値をＰ、発光ピークの中心波長をλとすると、大凡、ｎ・Ｐ／λが一定となる。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【００５８】
例えば、実施形態１では、光放出面１３０は窒化物半導体であり、屈折率ｎ＝２．４７、中心波長λ＝４５０ｎｍにおいて、周期の最適値Ｐ＝２５０ｎｍであった。本構成では、屈折率ｎ＝１．６７、中心波長λ＝６２０ｎｍであり、周期の最適値Ｐ＝５１０ｎｍとなる。本実施形態に関するシミュレーションの結果では、周期５２５ｎｍが最も高い光取り出し効率を示した。
【００５９】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【００６０】
〔実施形態７〕
（画像表示素子２００ｆの構成）
図１０は、本発明の実施形態７に係る画像表示素子２００ｆの断面模式図である。図１１は、本発明の実施形態７に係る画像表示素子２００ｆの画素領域１の平面模式図である。図１１のＡ−Ａ線部分の断面図が、図１０の画素領域１部分である。なお、図１０には、画素領域１の外側にあるＮ接続領域３の断面模式図も示している。
【００６１】
本実施形態では、実施形態６と同様に、画像表示素子２００ｆは単色の表示素子であり、マイクロ発光素子１００ｆは、励起光である青色光を発する励起光発光素子１０５ｆと、青色光を吸収して、赤色光に変換する赤色波長変換部３２を含む。本実施形態では、赤色波長変換部３２の表面が光放出面１３０であり、アンテナ７０ｆが設けられている。本実施形態は、高い解像度の画像表示素子２００ｆを実現する為に、マイクロ発光素子１００ｆを微細化する必要がある場合に適している。
【００６２】
アンテナ７０ｆとしては、図１１に示したように、ユニットセルが正方形の４角と中央に凸部７１を配置した構成とした。ユニットセルが正三角形の場合、縦横の比が無理数となるため、一般的な正方形形状の画素に対して、マイクロ発光素子１００ｆアレイに対するアンテナ７０ｆの精密なアライメント無しでの適用が難しい。しかし、ユニットセルを正方形にする事で、この様な問題は回避できる。例えば、画素５の一辺は４．７２５μｍ、アンテナ７０ｆの周期（ユニットセルの一辺の長さ）は６７５ｎｍである。凸部７１は実施形態１と同様であるが、半導体や誘電体であっても良い。
【００６３】
本構成の励起光発光素子１０５ｆは、本体側面１６Ｓｆが光放出方向に対して、開く様に傾斜しており、本体側面１６Ｓｆや下面は高反射性材で覆う事で、光クロストークを防止すると共に、赤色波長変換部３２での青色吸収量を増加させる事が出来る。更に、赤色波長変換部３２を高反射性の隔壁側面３４Ｓを有する隔壁３４で区切る事で、赤色波長変換部３２での光クロストークを防止すると共に、赤色波長変換部３２から空気中への光取り出し効率を向上している。
【００６４】
比較の為に、図１２に示す４種のマイクロ発光素子の構造（構造１２Ａ、構造１２Ｂ、構造１２Ｃ、構造１２Ｄ）での、赤色波長変換部３２での青色光吸収量（Ａ）と、赤色光の光取り出し効率（Ｃ）のシミュレーション値を表１にまとめる。尚、赤色波長変換部３２の平面形状は正方形であり、一辺の長さは４．０μｍである。また、構造１２Ａにおいて、傾斜角度θｗを変えた際の青色光吸収量（Ａ）と、青色光吸収量を考慮した赤色光取り出し効率（Ｄ）のシミュレーション結果を図１３に示す。
【００６５】
【表１】
0006964725.tif 000002
【００６６】
表１の左端の列（アンテナ無し：WO-Antenna）は、構造１２Ａに於いて、アンテナが無い場合のシミュレーション結果である。赤色波長変換部３２での青色光吸収量（Ａ）は、本体側面１６Ｓｆの傾斜角度θｅの影響が大きく、赤色波長変換部３２の側面（隔壁側面３４Ｓ）の傾斜角度θｗの影響は小さい事が分かる。また、アンテナ有無の影響も小さい事が分かる。赤色光の光取り出し効率（Ｃ）は、赤色波長変換部３２の側面の傾斜角度θｗの影響が大きく、本体側面１６Ｓｆの傾斜角度θｅの影響が小さい事が分かる。また、アンテナ７０ｆによって、光取り出し効率が大幅に向上する事、特に小さな角度程、影響が大きい事が分かる。
【００６７】
青色光吸収量（Ａ）と赤色光の光取り出し効率（Ｃ）の積（Ｄ）を青色光の吸収量を考慮した、赤色光取り出し効率として表１及び図１３に示した。前方に強く光を放出する為には、構造１２Ａの様に、赤色波長変換部３２の側壁を、光放出方向に開く様に傾斜させると共に、本体側面１６Ｓｆも光放出方向に開く様に傾斜させる必要がある。
【００６８】
図１３に示す様に、赤色波長変換部３２の側面の傾斜角度θｗが小さいほど、赤色光取り出し効率は向上する。但し、傾斜角度θｗを小さくすると、赤色波長変換部３２が厚い程、開口部３７が小さくなる。従って、傾斜角度θｗには下限がある。赤色波長変換部３２の上面の一辺の長さをＬ、厚さをＴとすると、２・Ｔ／Ｌ＝ｔａｎθｗを満たす傾斜角度θｗが下限となる。更に、開口部３７が小さくなると、励起光発光素子１０５ｆから、赤色波長変換部３２への光取り込み効率が低下する為、前記傾斜角度θｗの下限より、一定程度大きな傾斜角度θｗを使う必要がある。
【００６９】
特許文献１や特許文献２に記載されたマイクロ発光素子と波長変換材の組み合わせ形態は構造１２Ｄの様な構造であり、励起光発光素子で発生した光の内、波長変換部での光吸収量は４０％以下と非常に低い。また、波長変換部で発生した光の波長変換部からの光取り出し効率も２０％以下と低い。従って、構造１２Ａは、これらの先行技術に対して、優れた発光特性を実現できる。
【００７０】
また、特許文献３が扱っている照明用の蛍光体では、蛍光体粒子径が数十μｍと大きく、光散乱性が非常に高く、且つ、蛍光体が数ｍｍの厚さを有している為、蛍光体内部での光の進行方向は、散乱によって常に向きを変える。従って、蛍光体の光放出面に入射しながら、空気中に放出されずに反射された光も、蛍光体内部で散乱され進行方向を変えて、再度、光放出面に入射し、空気中に放出される事が可能である。即ち、特許文献３が扱っている照明用の蛍光体では、蛍光体の外形がどの様な形状であっても、光取出し効率を高くする事ができる。
【００７１】
しかし、微細なマイクロ発光素子では、数ｎｍから数十ｎｍの粒径を有する量子ドットや、数十ｎｍから３００ｎｍの粒径を有するナノ蛍光体を波長変換に用いる為、光散乱性は殆んど無く、波長変換部の中で、光はほぼ直進する。また、波長変換部の大きさも数μｍと小さい。その結果、表１の比較で示す様に、ダウンコンバートされた光の光取り出し効率を高める為には、波長変換部の側面（隔壁側面３４Ｓ）を光放出方向に対して、開く様に傾斜させる事が非常に重要である。
【００７２】
但し、赤色波長変換部３２での励起光の吸収量を増加させる方法としては、後述する様に、励起光発光素子１０５ｆその物を、波長変換部で覆う事も可能であり、その様な場合には、本体側面１６Ｓｆを光放出方向に開く様に傾斜させる必要は無い。
【００７３】
励起光発光素子１０５ｆは窒化物半導体からなる化合物半導体層１４よりなる励起光発光素子の本体１６ｆ（以下、単に本体１６ｆと記す）と、Ｐ電極２３Ｐｄ（第２の電極）と、共通Ｎ電極３０（第１の電極）とを備えている。窒化物半導体からなる化合物半導体層１４は青色光を発する発光層１２（light emission layer）と、発光層１２へ電子を注入するＮ側層１１（N-side layer、第１導電層）、発光層１２へ正孔を注入するＰ側層１３（P-side layer、第２導電層）よりなる。
【００７４】
本構成では窒化物半導体からなる化合物半導体層１４のＮ側層１１が光射出面側に配置され、Ｐ側層１３が駆動回路基板５０ｄ側に配置されている。従って、光出射面側にＮ側層１１と接続する共通Ｎ電極３０が配置され、駆動回路基板５０ｄ側にＰ側層１３と接続するＰ電極２３Ｐｄを配置している。Ｐ電極２３Ｐｄは駆動回路基板５０ｄ上のＰ駆動電極５１ｄに接続されている。共通Ｎ電極３０は画素領域１の外側のＮ接続領域３において、駆動回路基板５０ｄ上のＮ駆動電極５２ｄに接続されている。
【００７５】
励起光発光素子１０５ｆはそれぞれ対応するＰ駆動電極５１ｄから電流を供給され、発光する。本体１６ｆは窒化物半導体からなる化合物半導体層１４を分割溝によって、励起光発光素子１０５ｆ毎に分割した物である。即ち、励起光発光素子１０５ｆは個別に分割されており、励起光発光素子１０５ｆ同士の間は、埋込材６０ｆによって、埋められている。
【００７６】
駆動回路基板５０ｄにおける画素領域１の表面には、励起光発光素子１０５ｆに電流を供給する為のＰ駆動電極５１ｄが２次元アレイ状に配置されている。又、駆動回路基板５０ｄにおける画素領域１の外側の表面（Ｎ接続領域３の表面）には、Ｎ駆動電極５２ｄが配置されている。Ｎ駆動電極５２ｄは、共通Ｎ電極３０（common N-electrode、光放出面側電極）とダミー素子１０１を介して導通する。
【００７７】
ダミー素子１０１では、共通Ｎ電極３０とＮ電極２３Ｎｄが接続部４０を介して導通している。ダミー素子１０１は励起光発光素子１０５ｆと同じ接続方法によって、Ｎ駆動電極５２ｄと接続されている。ダミー素子１０１の駆動回路基板５０ｄとは反対側の上面側には、共通Ｎ電極３０上に金属層３４Ｌが形成されている。本明細書では、Ｐ電極２３ＰｄとＰ駆動電極５１ｄが直接接続する構造のみを表示するが、両者の間にバンプやペースト、ナノパーティクル等、接続の為の部材が介在しても構わない。Ｎ電極２３ＮｄとＮ駆動電極５２ｄも同様である。
【００７８】
Ｐ電極２３Ｐｄの本体１６ｆと接する側には、可視光に対する反射率が大きい金属層が配置される事が好ましい。例えば、Ｐ電極２３Ｐｄは、Ｐ側層１３側に、銀又はアルミニウムを主成分とする金属層を有する。これらの金属層とＰ側層１３との間に良好なオーミック接触を実現する事が好ましい。一方、Ｐ電極２３Ｐｄの駆動回路基板５０ｄと接する側には、Ｐ駆動電極５１ｄと接続しやすい金属材料を配置する事が好ましい。例えば、金や銅である。この様に、Ｐ電極２３Ｐｄは複数の金属層やバリア層より構成されている。
【００７９】
共通Ｎ電極３０は、Ｎ側層１１と導通する透明導電層（transparent conductive layer）、つまり、透明導電膜から成る。共通Ｎ電極３０は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide、インジュウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide、インジュウム亜鉛酸化物）等の酸化物半導体であっても良いし、銀ナノファイバー膜等であっても良い。共通Ｎ電極３０は青色光の吸収を低減する為に、出来るだけ薄い事が好ましい。薄くする事で、配線抵抗が高くなるが、本構成では、導電材である隔壁３４が共通Ｎ電極３０と電気的に接続し、画素領域１全体に配置されている為、Ｎ駆動電極５２ｄと励起光発光素子１０５ｆとの間の配線抵抗は低く保つ事が出来る。
【００８０】
本構成では、隔壁３４の表面にもアンテナ７０ｆを構成する凸部７１の一部が配置される。凸部７１が金属製の場合には、隔壁３４と電気的に導通していても良い。隔壁３４はグランド電位に固定される為に、隔壁３４の表面及び隔壁と導通した凸部７１は、実施形態３において設けたシールドパターン７２と同様に、アンテナによる光クロストークを低減する効果がある。即ち、隔壁３４と電気的に導通した凸部７１は、シールドパターンとなる。
【００８１】
励起光発光素子１０５ｆを構成する窒化物半導体からなる化合物半導体層１４は、分割溝によって、本体１６ｆに分割されている。隣接する励起光発光素子１０５ｆ同士が、窒化物半導体からなる化合物半導体層１４の一部を介して繋がる事が無い。即ち、本体１６ｆの本体側面１６Ｓｆは、図１０に示す様に、窒化物半導体からなる化合物半導体層１４の一方の面（Ｎ側層１１の表面）から、他方の面（Ｐ側層１３の表面）まで達している。この為、互いに隣接する励起光発光素子１０５ｆ間の光漏洩が生じる事を防ぐ事ができる。
【００８２】
本実施形態では、図１１に示す様に、励起光発光素子１０５ｆの平面形状が四角形であり、本体１６ｆの本体側面１６Ｓｆは、４つの面を含む。励起光発光素子１０５ｆの平面形状が多角形であり、角数がＮ（Ｎは自然数）である場合、Ｎ個の本体側面１６Ｓｆが構成される。又、マイクロ発光素子１００ｆの平面形状が円形である場合、本体側面１６Ｓｆは円錐台の側面で構成される。
【００８３】
本体側面１６Ｓｆは、光放出方向に対して、開く様に傾斜する事が好ましい。本体側面１６Ｓｆの傾斜角度θｅは、大凡３０°以上８０°以下である事が好ましい。傾斜角度θｅは、本体側面１６Ｓｆと本体１６ｆの上面とのなす角度である。傾斜角度θｅは一定である事が好ましいが、製造工程によっては、傾斜角度が変化する場合もありえる。
【００８４】
尚、実施形態５における本体側面１６Ｓｄの傾斜角度の最適値と、本構成に於ける本体側面１６Ｓｆの傾斜角度の最適値は同じではない。実施形態５では、化合物半導体内で生成された光が、そのまま空気中に放出される為、空気中への放出効率を、放出角度分布も含めて最適化する事で、傾斜角度θｅが決定される。しかし、本構成では、主に赤色波長変換部３２での青色光の吸収量を最大化する傾斜角度θｅを選ぶ必要がある。従って、両者は同じ角度になるとは限らない。
【００８５】
本構成では、発光層１２が本体１６ｆの下面側、即ち駆動回路基板５０ｄ側に配置されているが、本体１６ｆの上面側に配置しても良い。赤色波長変換部３２での青色光吸収量を高める為に、傾斜角度θｅを小さく設定しても、発光層１２の水平面の面積が縮小し難い。従って、発光層１２を通過する電流の電流密度の増加が少なく、内部量子効率の低下を防止する事が出来る。
【００８６】
本体側面１６Ｓｆは、透明絶縁膜１７ｆ（第１透明絶縁膜）に覆われており、透明絶縁膜１７ｆは、反射材２０（第２金属膜）によって覆われている。つまり、本体側面１６Ｓｆは反射材２０によって覆われている。透明絶縁膜１７ｆは、ＳｉＯ２等の様に、可視光に対して透明であり、かつ、屈折率が窒化物半導体からなる化合物半導体層１４より小さい物質が好ましい。
【００８７】
透明絶縁膜１７ｆは、本体側面１６Ｓｆと反射材２０との間に配置されている。透明絶縁膜１７ｆの膜厚は７５ｎｍ以上である事が好ましく、特に４００ｎｍ以上である事が更に好ましい。
【００８８】
本構成では、製造工程の簡略化の為、Ｐ電極２３Ｐｄを本体側面１６Ｓｆ上まで伸ばす事で、本体側面１６Ｓｆを覆う反射材２０を構成している。しかし、反射材２０は必ずしもＰ電極２３Ｐｄと接続している必要は無い。反射材２０は単層で構成されても複数層で構成されても良い。反射材２０は、透明絶縁膜１７ｆ側、つまり、窒化物半導体からなる化合物半導体層１４側に、可視光に対して反射率が大きい銀又はアルミニウムを主成分とする金属層を有する事が好ましい。反射材２０は、光を遮蔽する必要があり、その全体の厚さは数十ｎｍ以上である事が好ましい。
【００８９】
反射材２０は、駆動回路基板５０ｄ側からの平面視において、励起光発光素子１０５ｆ全体を覆って、配置されている事が好ましい。窒化物半導体からなる化合物半導体層１４の露出部があると、光が外部に放出され、光クロストークの原因となる為、この様な露出部がない事が好ましい。
【００９０】
本構成では、励起光発光素子１０５ｆの底面及び側面の大部分は、Ｐ電極２３Ｐｄや反射材２０によって覆われており、光の漏洩は非常に少ない。しかし、本体１６ｆの上面側側面において、反射材２０に覆われていない部分が存在する為、この部分を介した光クロストークを防止する為には、埋込材６０ｆは遮光性材料である事が好ましい。この様な埋込材６０ｆとしては、カーボンブラックの様な光吸収材、ＴｉＯ２の粒子を含んだ白樹脂等を使用できる。
【００９１】
また、図１０において、埋込材６０ｆの上部に遮光性材料を配置し、下部に透明材料を配置しても、同様の効果を得る事が出来る。反射材２０に覆われていない透明絶縁膜１７ｆが露出している部分が薄く、光クロストークが少ない場合には、埋込材６０ｆは透明材料であっても良い。
【００９２】
赤色波長変換部３２を区切る隔壁３４は、可視光に対して高い反射率を有する金属材で構成されている。従って、その側面である隔壁側面３４Ｓは光反射材で構成されている。また側面は光照射方向に向かって、開く様に傾斜している。即ち、隔壁３４の隔壁側面３４Ｓは順テーパーに傾斜している。
【００９３】
その傾斜角度θｗは９０度より小さい方が好ましく、４５度から８０度程度が更に好ましい。傾斜角度θｗが小さくなると、隔壁３４の底部幅が大きくなり、画素５の一辺の長さに占める隔壁３４の幅が大きくなり、励起光発光素子１０５ｆが小さくなるからである。画素５の面積が小さい場合には、励起光発光素子１０５ｆの面積が減少する為、発光層１２の有効面積が減少する事で、発光層１２を通過する電流密度が上昇し、発光効率の低下や温度上昇が大きくなる為である。
【００９４】
赤色波長変換部３２内部に於いて、青色光が吸収され、赤色光が生成される。生成された赤色光の内、直接空気中に放出される赤色光は多くない。発生した赤色光の一部は赤色波長変換部３２内での反射によって失われる。発生した赤色光の大半は本体１６ｆへ入射し、本体１６ｆ内での反射を経て、再度、赤色波長変換部３２に戻る。赤色波長変換部３２に戻った赤色光の一部が空気中に放出され、残りは赤色波長変換部３２内での反射によって失われるか、再度、本体１６ｆへ入射する。この様に、赤色光が外部に放出する上で、赤色波長変換部３２内での反射によるロスを低減する事と、本体１６ｆに入射した赤色光を効率よく、赤色波長変換部３２へ戻す事が非常に重要である。
【００９５】
赤色波長変換部３２内部での反射による光のロスを低減する為には、励起光発光素子１０５ｆとの接続部を除いて、赤色波長変換部３２を反射率の高い光反射材で覆う必要が有る。その為には、隔壁側面３４Ｓを高反射率金属膜等の光反射材によって構成し、且つ、隔壁３４の底部の開口部３７は励起光発光素子１０５ｆの反射材２０の上端部の内側にある事が重要である。隔壁側面３４Ｓを高反射率金属膜によって構成する事で、隔壁３４からの光の漏洩を防止すると共に、隔壁側面３４Ｓでの反射率を向上し、光のロスを低減できる。
【００９６】
隔壁３４の底部の開口部３７を励起光発光素子１０５ｆの反射材２０の上端部の内側に配置する事で、赤色波長変換部３２から見た場合に、埋込材６０ｆが露出される事が無くなり、赤色波長変換部３２から埋込材６０ｆへの光漏洩によるロスや光クロストークを低減できる。赤色波長変換部３２から、下方に放出される光を全て、励起光発光素子１０５ｆの本体１６ｆへ導き、励起光発光素子１０５ｆを介して、赤色波長変換部３２へ戻す事が出来る。
【００９７】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【００９８】
〔実施形態８〕
本発明の他の実施形態について、図１４を用いて以下に説明する。実施形態８の画像表示素子２００ｇは、実施形態７と同様に、赤色波長変換部３２を有するマイクロ発光素子１００ｇを備えた単色表示素子であるが、赤色波長変換部３２の表面に誘電体多層膜７４を有している点で異なる。本構成では誘電体多層膜７４の表面が光放出面１３０である。
【００９９】
赤色波長変換部３２について説明するが、他の波長に関しても同様である。誘電体多層膜７４は、励起光を反射し、赤色光を透過する特性を有する。これにより、赤色波長変換部３２が薄くても、励起光の漏洩を低減し、赤色光の強度を高める事が出来る。図１４では、誘電体多層膜７４は画素５間を跨いで、連続して配置されているが、画素毎に分割して形成しても良い。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１００】
なお、図１４の構成では、励起光発光素子１０５ｇの本体１６ｇの本体側面１６Ｓｇ（側壁）は、発光層１２の周囲は３０度から６０度程度に傾斜させると共に、Ｎ側層１１の側面も８５度から７０度程度に傾斜している。この様な本体１６ｇの形状により、赤色波長変換部３２での青色光の吸収効率を増加できる。図１４では省略しているが、実施形態７の図１０と同様に、これらの傾斜面は透明な絶縁膜で覆い、更にその外側をアルミニウムや銀等の高反射性金属膜で覆う事で、一層光取り出し効率を向上できる。
【０１０１】
また、赤色波長変換部３２を区切る隔壁３４ｇとして、実施形態７の様な単一材による構成では無く、隔壁母材３５と、その表面を覆う隔壁反射材３６（光反射材）によって構成している。隔壁３４ｇの側面上の隔壁反射材３６の表面が反射面であり、隔壁側面３４Ｓｇである。隔壁反射材３６の厚さがほぼ一定の場合には、反射面の傾斜角度θｗは、隔壁母材３５の側面の傾斜角と大凡等しい。隔壁母材３５は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機材や、フォトレジスト材の様な樹脂材で構成することができる。隔壁反射材３６は、例えば高反射性金属膜などで構成することができる。この様に、隔壁３４ｇは隔壁側面３４Ｓｇが良好な反射面であれば、複数の部材で構成されても良い。
【０１０２】
実施形態７の様に、単一の反射材によって、隔壁３４ｇを構成しようとすると、隔壁３４ｇの高さ以上の金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ法やドライエッチング技術によって、傾斜面を有する隔壁３４ｇに加工しなければならない。隔壁３４ｇの高さは数μｍとなる場合がある為、非常に厚い金属膜が必要となるが、この様な厚い金属膜の表面は凹凸が大きく、下地層に対する精密なアライメントが難しい。また、隔壁側面３４Ｓｇの底部が励起光発光素子１０５ｇの光放出面１３０を覆わない事が望ましいため、画像表示素子２００ｇの画素サイズが小さくなる程、隔壁３４ｇを励起光発光素子１０５ｇの光放出面１３０に対して精密にアライメントする必要が有る。そこで、精密アライメントが容易な、表面凹凸が少なく、透明な材料によって、隔壁３４ｇの中心部（隔壁母材３５）を形成し、その表面を隔壁反射材３６で覆う事により、上記問題を回避する事できる。
【０１０３】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【０１０４】
〔実施形態９〕
本発明の他の実施形態について、図１５及び図１６を用いて以下に説明する。図１６のＡ−Ａ部分の断面が図１５である。本構成の画像表示素子２００ｈは、ＲＧＢの３原色のフルカラー表示素子であり、画素５は青サブ画素６、赤サブ画素７、緑サブ画素８を含んでいる。青サブ画素６は１個の青色光マイクロ発光素子１００Ｂを含み、赤サブ画素７は１個の赤色光マイクロ発光素子１００Ｒを含み、緑サブ画素８は２個の緑色光マイクロ発光素子１００Ｇを含んでいる。
【０１０５】
赤色光マイクロ発光素子１００Ｒは、青色光を放射する励起光発光素子１０５ｇと赤色波長変換部３２よりなる。同様に、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇは、励起光発光素子１０５ｇと緑色波長変換部３３よりなる。青色光マイクロ発光素子１００Ｂは、励起光発光素子１０５ｇと透明部３１よりなる。
【０１０６】
励起光発光素子１０５ｇは実施形態１のマイクロ発光素子１００と同様の物である。青色光マイクロ発光素子１００Ｂの光放出面１３０は、透明部３１の上面である。赤色光マイクロ発光素子１００Ｒの光放出面１３０は、赤色波長変換部３２の上面であり、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇの光放出面１３０は、緑色波長変換部３３の上面である。
【０１０７】
尚、本構成では赤色、緑色については、青色光を励起光として、波長のダウンコンバートを行う波長変換部を設け、青色光は励起光をそのまま用いた。しかし、近紫外光や紫外光を励起光として、ダウンコンバートする事によって、青色光を発生させる事も可能である。なお、以下の説明において、透明部３１、赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３を特に区別する必要がないときには、単に波長変換部と記載することがある。
【０１０８】
励起光を発生する励起光発光素子１０５ｇは、実施形態８と同様に、光取り出し効率を向上する為に、本体側面１６Ｓｇを、光放出方向に開く様に傾斜している。透明部３１、赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３の側壁（隔壁側面３４Ｓｇ）も、実施形態８と同様に、光放出方向に開く様に傾斜させ、側壁を隔壁反射材３６で構成している。
【０１０９】
本構成においては、各発光色のマイクロ発光素子に対して、異なるパターン（形態）のアンテナを配置している。青色光マイクロ発光素子１００Ｂの光放出面１３０である透明部３１の表面には、青色光用アンテナ７０Ｂが、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒの光放出面１３０である赤色波長変換部３２の表面には、赤色光用アンテナ７０Ｒが、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇの光放出面１３０である緑色波長変換部３３の表面には、緑色光用アンテナ７０Ｇが配置されている。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１１０】
例えば、青色光用アンテナ７０Ｂの周期は４７５ｎｍ、緑色光用アンテナ７０Ｇの周期は５５５ｎｍ、赤色光用アンテナ７０Ｒの周期は６７５ｎｍであり、いずれも、凸部７１の配置パターンは、実施形態７のアンテナ７０ｆと同じ配置パターンである。
【０１１１】
実施形態６で説明した様に、周期の最適値をＰ、発光ピークの中心波長λとすると、大凡、ｎ・Ｐ／λが一定となる。図１５の構成では、各サブ画素の光放出面１３０の屈折率の相違は大きくない為、各サブ画素のアンテナ周期は、ほぼ中心波長λに比例する事となる。従って、「青色光用アンテナ７０Ｂの周期＜緑色光用アンテナ７０Ｇの周期＜赤色光用アンテナ７０Ｒの周期」という関係が成り立つ。
【０１１２】
尚、図１５及び１６では、光放出面１３０上にのみ、各アンテナの凸部７１を配置しているが、隔壁３４ｇの表面上に、凸部７１を配置しても構わない。凸部７１が金属製の場合には、隔壁３４ｇと接続した凸部７１は、電気的にグランド電位に固定され、シールドパターンとなる。
【０１１３】
なお、本実施形態では、赤色光と緑色光を波長変換部によって生成する構成を取っているが、赤色光や緑色光を自発光するマイクロ発光素子を、それぞれ採用する事も可能である。
【０１１４】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、各サブ画素の発光分布が一致する様に調整する事ができる。
【０１１５】
〔実施形態１０〕
本発明の他の実施形態について、図１７を用いて以下に説明する。実施形態１０の画像表示素子２００ｉは、青色光マイクロ発光素子１００Ｂ、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｉ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｉを備える。本構成は、実施形態９と同様のフルカラー表示素子である。実施形態９との相違点は、波長変換部（赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３）上にそれぞれカラーフィルター７５を配置している事である。
【０１１６】
波長変換部を用いて、青色光を赤色や緑色に変換する場合には、励起光である青色光の漏洩を完全に防止する事は難しい。特に画素５が微細化され、波長変換部の厚さを薄くしなければならない場合には、励起光の漏洩が生じ得る。励起光を吸収し、赤色光や緑色光を透過する各々のカラーフィルター７５を配置する事で、励起光の漏洩を抑制できる。
【０１１７】
画像表示素子２００ｉでは図１７に示す様に、赤色波長変換部３２上にカラーフィルター７５を配置し、カラーフィルター７５表面に赤色光用アンテナ７０Ｒｉを配置する。緑色光用アンテナ７０Ｇｉに関しても同様である。この場合、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｉと緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｉの光放出面は各々のカラーフィルター７５表面となる。本構成においても、実施形態９と同様に、各発光色のマイクロ発光素子に対して、異なるパターン（形態）のアンテナを配置する事が好ましい。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１１８】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、励起光の漏洩を低減できると言う副次的な効果も実現できる。
【０１１９】
〔実施形態１１〕
本発明の他の実施形態について、図１８を用いて以下に説明する。実施形態１１の画像表示素子２００ｊは、青色光マイクロ発光素子１００Ｂ、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｊ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｊを備える。本構成は、実施形態９と同様のフルカラー表示素子である。実施形態９との相違点は、波長変換部（赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３）上にそれぞれ透明層７６を配置している事である。
【０１２０】
画素５を微細化する為に、波長変換部も薄くしなければならない。薄い波長変換部を実現する為に、波長変換部の屈折率が高くなる場合がある。例えば、波長変換材（量子ドット、ナノ蛍光体、染料等）の濃度を上げて、励起光の吸収係数を増やす場合等である。光放出面の屈折率が高くなると、アンテナの周期を短くしなければならない。アンテナの周期が短くなる程、アンテナの加工は難しくなる。
【０１２１】
そこで、波長変換部（赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３）の表面にそれぞれ透明層７６を設ける事で、マイクロ発光素子（赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｊ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｊ）の光放出面を、波長変換部から透明層７６に代え、アンテナ（赤色光用アンテナ７０Ｒｊ、緑色光用アンテナ７０Ｇｊ）の周期を大きくする事が出来る。本構成においても、実施形態９と同様に、各発光色のマイクロ発光素子に対して、異なるパターン（形態）のアンテナを配置する事が好ましい。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１２２】
更に、本構成では、赤色波長変換部３２と緑色波長変換部３３の厚さが、大きくことなる場合でも、各サブ画素の表面を、容易に平坦にする事ができる。例えば、隔壁３４ｇを形成後に、赤色波長変換部３２及び緑色波長変換部３３をそれぞれ形成した後、透明部３１を形成する際に、流動性の高い透明樹脂を用いて、赤サブ画素７及び緑サブ画素８上にも透明樹脂を塗布すれば、樹脂の流動によって、平坦な表面を得る事が出来る。表面が平坦にできれば、アンテナの形成が容易となる。
【０１２３】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、アンテナの周期を長くして、製造を容易にすると言う２次的な効果も実現できる。
【０１２４】
〔実施形態１２〕
本発明の他の実施形態について、図１９を用いて以下に説明する。実施形態１２の画像表示素子２００ｋの構成では、アンテナを低屈折率の樹脂層中に埋め込んでいる点において、他の実施例と異なる。
【０１２５】
光放出面１３０の上に形成されたアンテナ（青色光用アンテナ７０Ｂｋ、赤色光用アンテナ７０Ｒｋ、緑色光用アンテナ７０Ｇｋ）を、透明な低屈折率樹脂７７によって覆っている。低屈折率樹脂７７は、例えばシロキサン系の樹脂で、屈折率は１．３以下である。この様な低屈折率樹脂７７で覆う事によって、アンテナを剥落、倒れ、腐食等から保護し、長期信頼性を向上できる。
【０１２６】
更に、アンテナを別基板上で作成し、低屈折率樹脂７７を塗布して、アンテナを低屈折率樹脂７７に埋め込んだ部材を形成した後、前記基板から剥離し、光放出面１３０上に貼り付ける事が可能となる。アンテナを別基板で形成した後に、光放出面１３０に貼り付ける事で、より微細なアンテナを高精度に形成する事が可能となる。本構成においても、実施形態９と同様に、各発光色のマイクロ発光素子に対して、異なるパターン（形態）のアンテナを配置する事が好ましい。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１２７】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。更に、アンテナの長期信頼性を高めると言う副次的な効果も実現できる。
【０１２８】
〔実施形態１３〕
本発明の他の実施形態について、図２０を用いて以下に説明する。実施形態１３の画像表示素子２００ｌは、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｌ、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｌ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｌを備える。
【０１２９】
本構成は、実施形態９と同様のフルカラー表示素子である。実施形態９との相違点は、励起光発光素子１０５ｌと、赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３あるいは透明部３１が、傾斜した側壁を有する隔壁３４ｌ内に配置されており、各波長変換部あるいは透明部が励起光発光素子１０５ｌを覆って配置されている点にある。それ以外の点は、実施形態９と同様である。
【０１３０】
励起光発光素子１０５ｌは、本体１６ｌの上部が角錐台の形状を有している。この様な、直方体の上部を斜めに切り落とした様な形状とする事で、周囲の透明部３１や、赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３への光取り出し効率を向上できる。
【０１３１】
本体１６ｌの下面にあるＰ電極２３ＰｄとＰ駆動電極５１ｄが接続されており、本体１６ｌの下部側面は保護膜１７ｌにて覆われており、本体１６ｌの上部には共通Ｎ電極３０ｌが配置されている。共通Ｎ電極３０ｌは本体１６ｌのＮ側層１１と電気的に接続しており、画素領域１の外側で、Ｎ駆動電極５２ｄと接続されている。本構成では、共通Ｎ電極３０ｌは、保護膜１７ｌ上や隔壁３４ｌの表面上にも配置されており、隔壁３４ｌが配線の一部となっている。図２０では、Ｐ側層１３が下面側、Ｎ側層１１が上面側に配置されているが、逆でも構わない。
【０１３２】
サブ画素（青サブ画素６、赤サブ画素７、緑サブ画素８）の境界には、隔壁３４ｌが配置されており、隔壁３４ｌの底部は駆動回路基板５０ｄと接している。隔壁３４ｌは隔壁母材３５と、その上に配置された隔壁反射材３６より構成されている。隔壁反射材３６は本体１６ｌやＰ駆動電極５１ｄのある部分は、削除されている。隔壁側面３４Ｓｌは実施形態７と同様に、光放出面１３０に対して、傾斜角度θｗで傾斜している。隔壁３４ｌは、隔壁側面３４Ｓｌが光放出方向に開く様に傾斜している。
【０１３３】
透明部３１の光放出面１３０上には、青色光用アンテナ７０Ｂ、赤色波長変換部３２の光放出面１３０上には、赤色光用アンテナ７０Ｒ、緑色波長変換部３３の光放出面１３０上には、緑色光用アンテナ７０Ｇが配置されている。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１３４】
本実施形態においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【０１３５】
〔実施形態１４〕
本発明の他の実施形態について、図２１及び図２２を用いて以下に説明する。本構成の画像表示素子２００ｍは、実施形態７と同様のフルカラー表示素子であるが、マイクロ発光素子として、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドットＬＥＤ）を採用している点が異なる。
【０１３６】
本構成では、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｍは、Ｐ駆動電極５１ｄと、その上に形成された赤色発光層１１０Ｒと、更にその上に構成された共通Ｎ電極３０ｍより構成されている。赤色発光層１１０Ｒは、図２２に示すように、赤色発光量子ドット層１２０の両側に、電子輸送層１２１（第１導電層）とホール輸送層１２２（第２導電層）を配置している。電子輸送層１２１とホール輸送層１２２より、それぞれ電子とホールを赤色発光量子ドット層１２０へ注入し、量子ドット内で再結合させる事により発光させる。
【０１３７】
ＱＬＥＤでは、量子ドットのコアサイズを変更する事で、発光波長を制御する事が出来る。従って、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｍ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｍも同様にＱＬＥＤによって構成できる。尚、以下では、色を区別する必要が無い場合には、単に発光層１１０と記す場合がある。ＱＬＥＤの構成の詳細は、本発明と直接関係しないため、触れない。
【０１３８】
共通Ｎ電極３０ｍは透明導電膜である。Ｐ駆動電極５１ｄの表面は可視光に対して反射率が高い事が好ましい。本構成での光放出面１３０は共通Ｎ電極３０ｍの表面である。赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｍ、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｍ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｍは、第１絶縁膜１９によって互いに絶縁されている。第１絶縁膜１９は遮光性である事が好ましい。第１絶縁膜１９は、例えば、光吸収性の顔料や染料を含有する樹脂材である。或は、酸化チタン等の散乱性粒子を含む樹脂材である。前者は吸光性であり、後者は反射性である。第１絶縁膜１９は、反射性であることが更に好ましい。
【０１３９】
本構成では、各マイクロ発光素子（青色光マイクロ発光素子１００Ｂｍ、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｍ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｍ）を構成する共通Ｎ電極３０ｍが光放出面１３０であり、各マイクロ発光素子の表面が光放出面１３０である。赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｍの共通Ｎ電極３０ｍ上に、赤色光用アンテナ７０Ｒｍが配置されている。同様に、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｍでは、緑色光用アンテナ７０Ｇｍが、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｍでは、青色光用アンテナ７０Ｂｍが配置されている。
【０１４０】
青色光用アンテナ７０Ｂｍ、緑色光用アンテナ７０Ｇｍ、赤色光用アンテナ７０Ｒｍとも正三角形パターンであり、凸部間の距離は、青色光用アンテナ７０Ｂｍが３５０ｎｍ、緑色光用アンテナ７０Ｇｍが４００ｎｍ、赤色光用アンテナ７０Ｒｍが５００ｎｍである。発光色毎にアンテナを変更する事で、それぞれの前方放射強度を高める事ができる。例えば、赤色光用アンテナ７０Ｒｍ用の５００ｎｍパターンを青色光用アンテナ７０Ｂｍに適用した場合、３０度以下の光取り出し効率は１３％しか実現できないが、凸部間距離を３５０ｎｍとする事で、３２％に向上する事が出来る。即ち、２倍以上向上する事が出来る。
【０１４１】
凸部７１の径は１００ｎｍから２５０ｎｍ程度、高さは１００ｎｍから２５０ｎｍｎｍである。発光色の波長に合わせて、径を変更しても良い。短波長程、径を小さくしても良い。各アンテナ径を、発光スペクトルの中心波長に比例して、変更しても良い。発光色毎にパターンを変更しても良い。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１４２】
本構成では、サブ画素（青サブ画素６、赤サブ画素７、緑サブ画素８）間にシールドパターン７２が設けられている。シールドパターン７２は、凸部７１が金属製の場合には、凸部７１と同じ材料で形成する事が好ましい。シールドパターン７２は凸部７１と同時に形成できる為、製造工程を増やすことが無い。シールドパターン７２は共通Ｎ電極３０ｍと導通していても良い。これにより、アンテナによる水平方向のエネルギーの散逸を防ぐことが出来る。従って、サブ画素の光放出面積の拡大を防ぎ、光クロストークを防止できる。
【０１４３】
尚、本構成では共通Ｎ電極３０はグランド電位に保持されており、シールドパターン７２もグランド電位に保たれるが、電子輸送層１２１（第１導電層）とホール輸送層１２２（第２導電層）の配置を、上下逆転した構成では、光放出面１３０側の電極は正電位（例えば電源電圧Ｖｃｃ）に保たれる為、シールドパターン７２も正電位に保たれる。
【０１４４】
本構成では、サブ画素間のシールドパターン７２を、ブラックマトリクス７８が覆っている。シールドパターン７２は光クロストークの防止に必要であるが、光放出面１３０に大きな金属パターンがあると、外部光の反射によって、表示画像が劣化する。これを防ぐために、外部光を吸収するブラックマトリクスを配置する事が好ましい。
【０１４５】
本構成に於いても、光放出面１３０を覆う様にアンテナを配置する事で、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【０１４６】
〔変形例〕
実施形態１４の変形例として、発光層１１０（青色発光層１１０Ｂ、赤色発光層１１０Ｒ、緑色発光層１１０Ｇ）をＱＬＥＤでは無く、有機ＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）に置き換える事が出来る。有機ＬＥＤはＱＬＥＤと同様に電子輸送層１２１（第１導電層）とホール輸送層１２２（第２導電層）の間に発光層を配置した構成である。
【０１４７】
〔実施形態１５〕
本発明の他の実施形態について、図２３を用いて以下に説明する。本構成の画像表示素子２００ｎは、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｎ、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｎ、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｎを備え、実施形態１４と同様にＱＬＥＤをマイクロ発光素子としているが、ＱＬＥＤ上に配置した透明層７６を光放出面１３０としている点で、異なる。
【０１４８】
ＱＬＥＤの様な発光材料は一般に屈折率が高く、光取り出し効率が低くなりやすい。そこで、ＱＬＥＤ上に比較的屈折率の高い透明樹脂を配置する事で、透明樹脂へ光を取り出し、透明樹脂から空気中に光を放出する事で、光取り出し効率を向上する事が出来る。透明層７６から、空気中への光取り出し効率は、透明層７６の側壁を、光反射材で構成し、光放出方向に向けて、開く様に傾斜させる事で、光取り出し効率を改善できる。
【０１４９】
各サブ画素は隔壁３４ｎに隔てられており、隔壁３４ｎの隔壁側面３４Ｓは光放出方向に対して開く様に傾斜している。隔壁側面３４Ｓは高反射性材料によって構成されている。隔壁側面３４Ｓは図２３に示すように傾斜角度θｗで傾斜している。傾斜角度θｗは３０度から６０度である事が好ましい。ＱＬＥＤは等方的に発光する為、図２３において、水平方向にも光を発する。この水平方向に進む光を上方へ反射する事で、隣接画素へ光漏洩を防止すると共に、光取出し効率を向上する事が出来る。
【０１５０】
本構成では、透明層７６も隔壁３４ｎ内に配置されており、隔壁側面３４Ｓによって、透明層７６から、空気中への光取り出し効率を向上できる。透明層７６の表面に、各アンテナ（青色光用アンテナ７０Ｂｎ、緑色光用アンテナ７０Ｇｎ、赤色光用アンテナ７０Ｒｎ）を配置する事で、前方への光放出を増加させる事が出来る。透明部３１上に配置する各アンテナは、実施形態１４と同様に、発光色毎に変更する事が好ましい。本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。また、サブ画素（青サブ画素６、赤サブ画素７、緑サブ画素８）間にシールドパターン７２やブラックマトリクス７８を配置しても良い。
【０１５１】
共通Ｎ電極３０ｎは隔壁３４ｎと導通しても良い。導通させる事で、共通Ｎ電極３０ｎを薄くしても、Ｎ電極の抵抗増加を防ぐ事が出来る。隔壁３４ｎの高さは、発光層１１０（青色発光層１１０Ｂ、赤色発光層１１０Ｒまたは緑色発光層１１０Ｇ）の厚さと、透明層７６の厚さの和と、ほぼ等しい事が好ましい。
【０１５２】
図２３では、発光層１１０は隔壁側面３４Ｓと接しているが、Ｐ駆動電極５１ｄと隔壁３４ｎは短絡してはならない。従って、例えば、ホール輸送層１２２はＰ駆動電極５１ｄ上のみに配置しても良い。
【０１５３】
本構成に於いても、光放出面にアンテナを配置する事で、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【０１５４】
〔実施形態１６〕
本発明の他の実施形態である、画像表示素子２００ｏについて、断面模式図である図２４を用いて以下に説明する。本構成は、実施形態９と同様のフルカラー表示素子である。実施形態９との相違点は、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｏだけが、アンテナを有していない点である。赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｏは赤色光用アンテナ７０Ｒｏを有し、緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｏは緑色光用アンテナ７０Ｇｏを有する。
【０１５５】
また、本形態のマイクロ発光素子の構成は、実施形態７と類似である。即ち、実施形態７において、赤色波長変換部３２に代えて、透明部３１や緑色波長変換部３３を配置する事で、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｏと緑色光マイクロ発光素子１００Ｇｏを実現し、赤色光マイクロ発光素子１００Ｒｏは実施形態７と同じ構造である。
【０１５６】
本構成において、青色光マイクロ発光素子１００Ｂｏにアンテナを配置しない理由は、図２４の様な構造の青色光マイクロ発光素子１００Ｂｏでは、アンテナ無しで、高い前方出力が得られる場合があるからである。即ち、透明部３１が周囲を遮光性の隔壁３４によって覆われ、隔壁の隔壁側面３４Ｓが光反射材で構成され、隔壁の隔壁側面３４Ｓが光放出方向に対して開く様に傾斜しおり、励起光発光素子１０５ｆの本体側面１６Ｓｆが反射面で覆われ、光放出方向に対して開く様に傾斜している場合には、必ずしもアンテナは必要ない。
【０１５７】
図１２で示した、４つの構造に於いて、赤色波長変換部３２を透明部３１で置き換えた場合の、青色光の光取り出し効率をシミュレーションした結果を表２に示す。
【０１５８】
【表２】
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【０１５９】
励起光を、透明部３１を介して、空気中へ放出する場合においても、波長変換部を区切る隔壁の側壁を、光放出方向に開く様に傾斜させ、励起光発光素子１０５ｆの本体側面１６Ｓｆを光放出方向に開く様に傾斜させる構造が、光取り出し構造を向上する上で、非常に重要である点は、波長変換する場合と同様である。
【０１６０】
構造１２Ａの様な構造ではアンテナが無い場合と、ある場合で、殆ど光取り出し効率が変わらない。但し、他の構造（構造１２Ｂ、構造１２Ｃ、構造１２Ｄ）では、アンテナが無い場合には、光取り出し効率が大幅に低下した。又、赤色光用アンテナ７０Ｒｏと同じ、アンテナを構造１２Ａに適用した場合には、光取り出し効率は大幅に低下した。
【０１６１】
励起光を、透明部３１を介して、そのまま空気中へ放出する場合には、主に本体側面１６Ｓｆの傾斜によって、光放出面に入射する青色光が、完全にランダムな方向で入射するのでは無く、前方に強く配光して入射する為、アンテナが有っても、前方に配光させる効果と、前方に配光した光を前方から曲げてしまう効果が、相殺する為に、この様な現象が生じると考えられる。波長変換部（赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３）に対しては、ダウンコンバートされた光の進行方向が完全にランダムである為に、アンテナ（赤色光用アンテナ７０Ｒｏ、緑色光用アンテナ７０Ｇｏ）は必須である。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１６２】
本構成に於いても、光放出面にアンテナを配置する事で、実施形態１と同様の効果を実現できる。
【０１６３】
〔実施形態１７〕
本発明の他の実施形態について、図２５を用いて以下に説明する。本実施形態は、アンテナ７０を構成する凸部７１のアスペクト比に関する。アンテナの配置パターン（アンテナパターン）に関しては、本明細書中に記載の任意のアンテナパターン（例えば、実施形態１におけるアンテナパターン）と同様であってもよい。
【０１６４】
凸部７１の径ｄや高さｈが、どの程度、前方放射強度に影響するかを調べる為、蛍光体表面にアンテナ７０を形成して、前方放射強度を調べた。ここで、前方放射強度としては、θ≦２０°に放射される光量を用いた。蛍光体の表面は平坦に研磨されており、その表面にアンテナ７０を形成する。蛍光体に励起光を照射し、放射される光の角度分布を計測する。蛍光体の屈折率は１．８２、注目した波長は５５０ｎｍである。また、アンテナ７０のみによる光量への寄与を調べる為、前方放射強度としては、θ≦２０°に放射される光量について、蛍光体表面にアンテナ７０を形成した場合と、アンテナ７０が無い場合との差分のみを用いた。
【０１６５】
図２５は、図２に示した、正三角形パターン（実施形態１におけるアンテナパターン）に対して、前方放射強度の径ｄ依存性を示している。径ｄが１５０ｎｍの場合を１００％として表示している。この結果から、径ｄは１５０ｎｍより大きい方が良い事が分かる。そこで、径を２００ｎｍに固定し、高さｈを変更した実験結果を図２６に示した。径ｄが２００ｎｍでは、高さｈが１００ｎｍの場合に、高さが１５０ｎｍの場合の約１．１倍の出力が得られる。従って、凸部７１の径ｄは２００ｎｍ程度、高さは１００ｎｍ程度が最も効率的であると考えられる。
【０１６６】
径ｄや高さｈを最適化する事で、更に改善できる可能性がある。次に、条件を更に精査する為に、凸部７１の径ｄと高さｈを、ｄ＝２００ｎｍ、ｈ＝１００ｎｍを中心に、細かく振って、前方放射強度をｄ＝２００ｎｍ、ｈ＝１００ｎｍの場合と比較した。ｈ＝１００ｎｍでは、ｄ＝２２５ｎｍから、ｄ＝３２５ｎｍにおいて、ｄ＝２００ｎｍより改善が見られた。尚、高さは、１００ｎｍより高い場合も、低い場合も、ｄ＝１００ｎｍの場合より、前方放射は低下した。従って、高さは１００ｎｍ±２５ｎｍの範囲が好ましい。
【０１６７】
以上の結果は、凸部７１の大きさが、隣接凸部との距離に比べて、小さすぎても、大きすぎても回折効率が低く、凸部の平面的な寸法が、凸部７１間の距離の５０％から８０％である事が良い事を示している。一方、凸部の高さは、１００ｎｍが好ましく、隣接凸部間の距離の１／４程度が、好ましい事を示している。見方を変えると、凸部７１のアスペクト比（高さ／径）が、０．５から０．３が好ましい事を示している。
【０１６８】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。特に、凸部の大きさ、アスペクト比を本構成に合わせる事で、より大きな効果を実現する事が出来る。
【０１６９】
〔実施形態１８〕
本発明の他の実施形態について、図２７を用いて以下に説明する。本実施形態は、アンテナ７０を構成する凸部７１の形状に関する。アンテナの配置パターンに関しては、実施形態１におけるアンテナパターンと同様である。
【０１７０】
形状について検討した結果、円柱形状よりも、平面形状が正方形である直方体形状の方が、前方放射強度が高い事が分かった。図２７に、凸部７１が実施形態１７で示した径２００ｎｍ、高さ１００ｎｍの円柱状である場合の前方放射強度に対する、凸部７１が直方体形状の場合の前方放射強度の増減率（前方放射強度増減率）を示した。図２７では、横軸が正方形の辺の長さａである。図２７では、θ≦２０°に放射される光量について、基準となる円柱形状（径２００ｎｍ、厚さ１００ｎｍ）の場合との差分を、基準値で割り算した数値で示している。以下同様である。
【０１７１】
直方体の高さを１００ｎｍに固定して、平面の一辺の長さａを３００ｎｍから１００ｎｍまで変換させた時、ａ＝２００ｎｍ、２５０ｎｍに於いて、円柱形状での前方放射強度を上回っている。従って、凸部７１の平面形状は、四角形であっても、円柱形と同等以上の前方放射を実現できる。
【０１７２】
上記検討において、最も良い結果を示した、ａ＝２５０ｎｍ、ｈ＝１００ｎｍの場合、凸部のアスペクト比は、０．４であり、円柱形状の場合の好ましいアスペクト比範囲に含まれている。
【０１７３】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。特に、凸部の形状、アスペクト比を本構成に合わせる事で、より大きな効果を実現する事が出来る。
【０１７４】
〔実施形態１９〕
本発明の他の実施形態について、図２８を用いて以下に説明する。本実施形態の画像表示素子２００ｐは、図１９に示した、アンテナ（青色光用アンテナ７０Ｂｋ、赤色光用アンテナ７０Ｒｋ、緑色光用アンテナ７０Ｇｋ）を低屈折率樹脂７７によって覆う構造（実施形態１２）に加えて、低屈折率樹脂７７の上に、キャップ層７９を配置した構成である。アンテナの配置パターンおよび形状に関しては、例えば実施形態９および実施形態１２におけるアンテナの配置パターンおよび形状と同様である。本実施形態では、実施形態１２の低屈折率樹脂７７が埋込層８１に置換される。埋込層８１は屈折率が小さい事が好ましいが、樹脂である必要は無く、無機膜でも良い。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１７５】
赤色波長変換部３２や緑色波長変換部３３が、空気中では水分や酸素の浸透によって、劣化して行く場合が有る。例えば、カドミウム（Ｃｄ）を含まない量子ドット材は、空気中では劣化し易い。この様な場合には、画像表示素子２００ｐを密閉されたパッケージに収納し、パッケージ内部に不活性ガスで充填する、等の方法によって、劣化を抑制する事が出来る。しかし、この様なパッケージに収納する事で、表示素子の大きさが大きくなり、ＡＲ（Augmented Reality）眼鏡などの小型デバイスの使用には適さなくなる。また、製造コストも増加する。この様な問題を回避する為には、画像表示素子そのものが、酸素や水分に対するバリア性を備える必要がある。この様な、バリア性を備える薄膜材料として、窒化ケイ素膜（ＳｉＮ）が知られており、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって堆積されるプラズマＳｉＮ膜が多用されている。
【０１７６】
画像表示素子２００ｐは、波長変換部を保護する為に、図２８に示す様に、埋込層８１の光放出面側にキャップ層７９を配置する。キャップ層７９は、例えば、プラズマＳｉＮ膜等である。しかし、この様な構造は、波長変化部の劣化を抑制できても、アンテナの機能を阻害する恐れがある。図２９は、実施形態１７で示した径２００ｎｍ、高さ１００ｎｍの円柱状の凸部７１を有するアンテナについて、埋込層８１の厚さｔｂを変えた場合の前方放射強度増減率を示している。キャップ層７９としては、プラズマＳｉＮ膜を用いた。屈折率２．０、厚さｔｃ＝１５０ｎｍである。尚、埋込層８１及びキャップ層７９が無い場合である、実施形態１６を基準としている。
【０１７７】
ｔｂ≧３５０ｎｍでは、埋込層８１が無い場合に対して、前方放射強度を改善できる事を示している。即ち、埋込層８１の厚さが３５０ｎｍ以上の領域では、アンテナの前方放射強化を一層強めながら、波長変換部を保護し、且つ、アンテナを物理的に保護する事が可能となる。尚、凸部の高さが１００ｎｍである為、埋込層８１の厚さは、凸部７１の高さの３．５倍以上である事が好ましい。
【０１７８】
埋込層８１の膜厚に関しては、別の見方が出来る。即ち、埋込膜８１の最も好ましい厚さは、４００ｎｍから４５０ｎｍであり、埋込層８１中での光の波長４４０ｎｍを含む範囲である。キャップ層７９が無い場合について、埋込層８１と前方放射強度増減率との関係を図３１に示す。キャップ層７９が無い場合には、埋込層厚が２００ｎｍから２５０ｎｍの場合と、４００ｎｍから４５０ｎｍの場合に、前方放射強度を高く出来る。これらの膜厚は、埋込層８１中での光の波長の半分の、それぞれ１倍と２倍に近い値である。即ち、埋込層８１の光放出面で反射された光が、波長変換部との界面で再反射し、光放出面に再入射する際に、光放出面での透過光と、互いに強め合う条件である。
【０１７９】
キャップ層７９が無い場合には、埋込層厚が２００ｎｍから２５０ｎｍの場合の方が前方放射強度は高い。しかし、２００ｎｍから２５０ｎｍの厚さの埋込層８１にキャップ層７９を組み合わせると、前方放射が減少した。従って、キャップ層７９を設ける場合には、埋込層８１の膜厚は、埋込層８１中での光の波長に近い事が好ましく、その膜厚範囲は±２５ｎｍ程度の範囲が好ましい。
【０１８０】
次に、キャップ層の厚さｔｃを変えた場合の前方放射強度増減率を図３０に示す。埋込層８１の厚さは４００ｎｍである。この場合の基準も、埋込層８１もキャップ膜７９も無い実施形態１６である。ｔｃ＝１５０ｎｍとｔｃ＝３００ｎｍが、ほぼ同等の結果を示し、他の膜厚はこれらより低い前方放射強度増減率を示す。ｔｃ＝１５０ｎｍとｔｃ＝３００ｎｍは、キャップ層８９内での光の波長のほぼ半分と１倍に近い。即ち、キャップ層７９の配置が、アンテナ７０の機能を低下させない為には、キャップ層７９の厚さが、キャップ層８９内での光の波長の半分の整数倍が好ましい事を示している。これは、キャップ層８９の光放出面で反射された光が、埋込層８１との界面で再反射し、光放出面に再入射する際に、光放出面での透過光と、互いに強め合う条件である。従って、赤色光に対しては、屈折率２．０のキャップ層７９は１５７．５ｎｍの整数倍である。緑色光に対しては、屈折率２．０のキャップ層７９は１３１．２５ｎｍの整数倍の膜厚が好ましい。青色光に対しては、屈折率２．０のキャップ層７９は１１５．０ｎｍの整数倍の膜厚が好ましい。
【０１８１】
但し、フルカラー表示素子の場合には、各サブ画素に、キャップ層７９の膜厚を変える事が難しい場合が有る。その様な場合には、各サブ画素の発光する中心波長について、キャップ層７９での波長の半分を計算し、それらの最小公倍数に近い膜厚に、キャップ層７９の膜厚に設定しても良い。或は、或るサブ画素の発光効率が低い場合、そのサブ画素の波長に合わせてキャップ層膜厚を設定しても良い。
【０１８２】
尚、本実施形態では、径２００ｎｍ、高さ１００ｎｍの円柱状の凸部を用いたのは、埋込層８１がある場合には、無い場合と比べて、凸部７１の径は小さい方が、前方放射を強く出来るからである。本実施形態の場合、前方放射が最も強いのは、径が２００ｎｍから２２５ｎｍの場合であって、実施形態１６に示された径より小さめであった。
【０１８３】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。特に低誘電率膜とキャップ層を適切に配置する事で、前方放射強化機能を改善しつつ、波長変換部を外気から遮断し、波長変換部の劣化を抑制する事で、長期信頼性を改善できる。
【０１８４】
〔実施形態２０〕
本発明の他の実施形態について、図３２から図３４を用いて以下に説明する。本実施形態の画像表示素子２００ｑは、アンテナ７０の保護膜として、アンテナ（青色光用アンテナ７０Ｂｋ、赤色光用アンテナ７０Ｒｋ、緑色光用アンテナ７０Ｇｋ）を埋込層８１によって埋め込む構造（実施形態１２）では無く、アンテナ７０を覆う薄い膜を用いる構成である。アンテナの配置パターンや形状に関しては、他の実施形態と同様である。
【０１８５】
本構成の画像表示素子２００ｑは、図３２に示す様に、波長変換部（赤色波長変換部３２、緑色波長変換部３３）、透明部３１、マイクロ発光素子１００本体１６等、の光放出面１３０に配置した凸部７１からなるアンテナ７０を覆う薄い凸部保護膜８０を配置している。この様な、凸部保護膜８０は、凸部７１形成後に、凸部保護膜８０をＣＶＤ法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、スパッタ方等の薄膜形成方法によって、堆積する事で形成できる。凸部保護膜８０としては、ＳｉＯ２膜や、ＳｉＯＣ膜等、低屈折率絶縁膜が好ましい。従って、凸部保護膜８０は、凸部７１のみを覆っても良いが、光放出面１３０も含めて覆う構造が好ましい。製造工程が簡略化できる。尚、本構成の凸部７１は、金属、半導体、誘電体のいずれであっても良い。
【０１８６】
図３３に、凸部保護膜８０の屈折率を変えた時の、前方放射強度増減率を示す。凸部保護膜の厚さは５０ｎｍに設定している。凸部７１は径２００ｎｍ、高さ１００ｎｍの円柱状であり、他の条件は実施形態１６と同じである。屈折率が１．３以下において、前方放射強度は、凸部保護膜８０が無い場合と、同等か、それ以上である。従って、凸部保護膜８０の材料は屈折率１．３以下の材料が好ましい。
【０１８７】
図３４に、凸部保護膜８０の厚さを変えた時の、前方放射強度増減率を示す。凸部保護膜８０の屈折率は１．２５である。凸部保護膜８０は薄いほど好ましいが、厚さ７５ｎｍから１２５ｎｍでは大差が無い。即ち、凸部保護膜８０は凸部７１間のスペースを埋め尽くさない範囲の厚さであれば良い。
【０１８８】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。前方放射強化機能を改善しつつ、アンテナと光放出面を保護する事が出来る。
【０１８９】
〔実施形態２１〕
本発明の他の実施形態について、図３５を用いて以下に説明する。本実施形態では、アンテナ７０を構成する凸部７１の素材として、金属（特にアルミニウム）の代わりに、シリコンの様な半導体を適用する。
【０１９０】
シリコン製のアンテナ７０も、アルミニウムと同様に形成する事が出来る。光放出面１３０上に、プラズマＣＶＤ法等の成膜技術により、７５ｎｍから２００ｎｍ程度のシリコン薄膜を形成し、ナノインプリント法等のリソグラフィ手段によって、レジストパターンを加工して、アレイ状に配置されたドットパターンを形成する。その後に、ドライエッチング技術によって、シリコン膜をエッチングする事で、シリコン製のアンテナ７０を形成する事が出来る。
【０１９１】
シリコン製のアンテナ７０の配列は、アルミニウムの場合と同様に、一辺が４００ｎｍの正三角形の頂点に凸部を配列しており、凸部の径は平均１７５ｎｍから、２７５ｎｍの範囲で検討した。径２００ｎｍ、厚さ１００ｎｍのアルミニウム製のアンテナ７０の場合を基準として、相対的な前方放射強度を図３５に示す。横軸は径の寸法であり、異なる厚さのデータを重ねて表示している。
【０１９２】
厚さは１００ｎｍでは、径が２００ｎｍから２２５ｎｍにおいて、アルミニウム製のアンテナ７０を上回る結果が得られた。また、径２００ｎｍでは、厚さが１２５ｎｍから１５０ｎｍに於いて、更に良い結果を示した。この様に、シリコン製の凸部の形状を最適化する事で、更に改善を実現できる事が判明した。
【０１９３】
本構成においても、実施形態１と同様の効果を実現できる。特にシリコンの様な屈折率の大きな半導体を凸部の素材として利用する事で、前方放射強化機能を改善できる。
【０１９４】
〔実施形態２２〕
本発明の他の実施形態について以下に説明する。本実施形態では、画像表示素子の構成は実施形態７と同様であるが、アンテナ７０を構成する凸部７１の素材として、金属（特にアルミニウム）や半導体（例えばシリコン）の代わりに、樹脂、窒化シリコン、酸化チタンの様な誘電体を適用する。
【０１９５】
この様な誘電体は、放出する光に対して、吸収が非常に少なく、透明である。放出する光の波長における、誘電体の屈折率は、波長変換部の屈折率より大きい事が好ましい。例えば、波長変換部の屈折率は１．５程度の場合は、誘電体の屈折率は１．６以上が好ましく、更に、誘電体の屈折率は２以上が好ましい。
【０１９６】
また、本実施形態では、赤色波長変換部３２が、実施形態７より厚く、赤色波長変換部３２の厚さを、赤色波長変換部３２の光放出面１３０の長さ（四角形であれば短辺の長さ、円形であれば直径、等、光放出面の典型的な長さ）で除したアスペクト比が１より大きい点が実施形態７と異なる。
【０１９７】
波長変換部に含まれる量子ドット等の波長変換材の濃度を上げると波長変換効率が落ちる為、濃度を低く保たねばならない場合が有る。この様な場合には、励起光の吸収量を増やすために、波長変換部を厚くする必要があり、波長変換部のアスペクト比は、少なくとも０．７５より大きくなる。本構成は、この様な場合に適しており、波長変換部のアスペクト比は１以上である事が更に好ましい。
【０１９８】
誘電体製のアンテナも、アルミニウムと同様に形成する事が出来る。以下では窒化シリコンの場合について説明する。光放出面１３０上に、プラズマＣＶＤ法等の成膜技術により、３００ｎｍ程度の窒化シリコン膜を形成し、紫外線やｉ線を光源として用いる露光装置（ステッパ又はスキャナ）よって、レジストパターンを形成して、アレイ状に配置されたドットパターンを形成する。その後に、ドライエッチング技術によって、窒化シリコン膜をエッチングする事で、窒化シリコン製のアンテナを形成する事が出来る。
【０１９９】
又、高屈折率樹脂の場合には、光放出面１３０上に高屈折率樹脂を塗布し、ナノインプリント法によって、直接ドットパターンを形成しても良い。光感光性を有する高屈折率樹脂であれば、光リソグラフィによって、直接、ドットパターンを形成しても良い。高屈折率樹脂とは、発光する光の波長での屈折率が、波長変換部の屈折率より大きい樹脂である。尚、高屈折率樹脂の場合、屈折率を上げる為の、ナノ粒子を含有していても良い。ナノ粒子としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）の様に屈折率が高い無機材からなる、径が数百ｎｍ以下の粒子である。
【０２００】
窒化シリコン製のアンテナ７０としては、（Ａ）の場合として、一辺が８００ｎｍの正三角形の頂点に凸部７１を配列する。凸部７１は、径が平均３００ｎｍ、高さが平均３００ｎｍの円柱である。（Ｂ）の場合として、一辺が４６０ｎｍの正三角形の頂点に凸部７１を配列し、凸部７１の径が平均２００ｎｍ、高さが平均１００ｎｍである。
【０２０１】
また、（Ｃ）の場合として、（Ｂ）と同配列、同形状のアルミニウム製凸部を有するアンテナも比較した。アンテナが無い場合を基準にした、赤色波長帯での、光放出面１３０の垂線と放出光の進行方向がなす角度（図１に記したθ：以下、放射角）が２０度以下での放射強度、及び全光束の放射強度の、比較グラフを図３６と図３７にそれぞれ示した。なお、評価に用いた赤色波長変換部３２の厚さは３μｍ、平面形状は一辺が２．５μｍの正方形であり、アスペクト比は１．２であった。
【０２０２】
アルミニウム製のアンテナ７０では（（Ｃ）の場合）、本構成では、アンテナが無い場合に比べて、全光束、放射角２０度以下の放射強度共に低下した。一方、同じサイズ、配置パターンの誘電体アンテナは（（Ｂ）の場合）、アンテナが無い場合に比べて、放射強度は約１０％増加した。更に、アンテナの配置ピッチを大きくし、アンテナ径も大きした構成では（（Ａ）の場合）、放射角２０度以下の放射強度を更に増加させる事ができた。
【０２０３】
ここに示された傾向は以下の様に説明できると考える。本構成の様に、赤色波長変換部３２のアスペクト比が大きく、且つ、赤色波長変換部３２を囲う隔壁側面３４Ｓが傾斜している場合には、光放出面１３０に入射する光の平均的な入射角度が小さくなる。その理由は次の通りである。赤色波長変換部３２のアスペクト比が大きくなる事により、赤色波長変換部３２の深い部分から来る光の寄与が大きくなる。赤色波長変換部３２の深部から、光放出面１３０に、直接入射する光の入射角は小さくなる。
【０２０４】
一方、隔壁側面３４Ｓによって反射されて、光放出面１３０に入射する光は、隔壁側面３４Ｓの傾斜によって、光放出面１３０への入射角が小さくなる様に反射される。従って、赤色波長変換部３２の深部から光放出面１３０に入射する光の、入射角度は小さくなり、赤色波長変換部３２のアスペクト比が増すほど、この様な深部からの光の寄与が増加する。
【０２０５】
（Ｃ）の様な、波長６３０ｎｍに比べて、４６０ｎｍとピッチの小さなアンテナ７０では、アンテナ７０が無ければ全反射される、臨界角より大きな入射角の光を、前方へ回折する事で、前方への放射を強め、全光束放射強度を増大させる。従って、平均的な入射角度が低下する事で、アンテナによるプラスの効果が低下すると考えられる。
【０２０６】
一方、アルミニウムに限らず、金属製のアンテナは、入射光を反射する為、アンテナ７０が無くても外部へ放出される光の透過率を低下させる。アンテナ７０による回折効果が弱まった結果、アンテナ７０による透過率の低下によって、（Ｃ）の場合には、アンテナ７０が無い場合に対して、光放出量が低下したと考えられる。
【０２０７】
（Ｂ）の場合には、反射による光のロスが少ない為、全体としてはプラスの効果が表れたと考えられる。更に（Ａ）では、アンテナ７０のピッチを８００ｎｍと波長６３０ｎｍより大きくしたことで、４６０ｎｍピッチの場合に比べて、より小さな入射角の光を前方に回折する事が出来る。その結果、全光束の増加（＋５％）以上に、放射角２０度以下の放射強度を増加させる（＋２２％）事が出来る。
【０２０８】
尚、赤色波長変換部３２内部での、放出される光の波長は４００ｎｍ程度であり、ピッチ４６０ｎｍは４００ｎｍの１．１５倍、ピッチ８００ｎｍは２．０倍であるから、誘電体アンテナのピッチは、赤色波長変換部３２内部での、放出される光の波長の、少なくとも１．５倍以上が好ましく、２倍以上が更に好ましい。
【０２０９】
誘電体アンテナの凸部７１の径ｄや高さ、材質の影響を見る為に、ピッチ８００ｎｍの配置パターンは変えずに、径３００ｎｍで高さを２５０ｎｍ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、４００ｎｍと変えた場合を比較した。更に、高さ３００ｎｍにて、径ｄを４００ｎｍとした場合を比較した。また、凸部材料として酸化チタン（ＴｉＯ２）を用い、凸部７１の径を３００ｎｍ、高さは２５０ｎｍとした場合も比較した。
【０２１０】
放射角２０度以下の放射強度の比較を図３８に示す。径３００ｎｍ、高さ３００ｎｍの場合を基準とした。高さに関しては、高い方が、効果が大きく、３５０ｎｍ以上で飽和する傾向が有る。酸化チタンを用いた凸部では、高さが低くても、窒化シリコンを用いた凸部以上の効果が得られる事から、屈折率は高い方が良いと考えられる。
【０２１１】
径ｄに関しては、４００ｎｍの方が、効果が大きく、更に、５００ｎｍでは、わずかだが増加している。従って、円柱型の凸部７１の場合、径ｄは、ピッチの半分以上である事が好ましい。放出光の波長は、窒化シリコン中では３１５ｎｍ、酸化チタン中では２６３ｎｍ程度である為、凸部７１の高さは、誘電体凸部中での放出光の波長と同程度か、それ以上である事が好ましい。
【０２１２】
以上の様に、波長変換部のアスペクトが大きい場合、或は、波長変換部の隔壁側壁が傾斜している場合には、誘電体アンテナの方が、光放出効率を向上する効果が大きい。これは、光放出面１３０に入射する光の内、光放出面１３０での全反射臨界角より大きな入射角度の光の割合が少ない場合である。更に、アンテナのピッチを、放出される光の、波長変換部内での波長より、１．５倍以上大きくする事で、前方放射を、より一層増大させる事が出来る。
【０２１３】
同様に、誘電体アンテナが有効な場合として、発光領域とアンテナの距離が大きい場合が有る。例えば、励起光を吸収する為のカラーフィルターや、励起光を反射する為の誘電体多層膜、アンテナ形成を様にする為の透明層等の中間層を波長変換部の上に配置し、その上にアンテナを配置する場合である。特に、中間層の厚さが、波長変換部の厚さに比べて無視できない場合である。この様な場合には、発光が起きる領域からアンテナまでの距離が大きくなり、アンテナに入射する光の入射角度の平均値が小さくなる。従って、波長変換部のアスペクトが大きい場合と同様に、誘電体アンテナの方が、効果が大きくなる。
【０２１４】
中間層の厚さが、波長変換部の厚さに比べて無視できない場合とは、例えば、中間層の厚さが、波長変換部の厚さの半分より大きい場合である。この場合には、発光領域とアンテナの平均的な距離は、中間層が無い場合に比べると、２倍以上となる。又、中間層とはマイクロ発光素子が発光する光を透過する層であり、波長変換部とアンテナの間に配置される層である。例えば、実施形態５の図７の７３、実施形態８の図１４の７４、実施形態１０の図１７の７５、実施形態１１の図１８の７６、実施形態１５の図２３の７６等である。
【０２１５】
〔実施形態２３〕
本発明の他の実施形態について以下に説明する。本実施形態では、画像表示素子の構成は実施形態７と同様であるが、アンテナが、誘電体膜８３にアンテナ開口部８２を配置した構成の誘電体アンテナ７０ｔである点で異なる。即ち、これまでの構成例では、凸部７１を光放出面１３０に配置していたが、本構成では、光放出面１３０に誘電体膜８３を形成し、その誘電体膜８３に穴を、凸部７１と同様のパターンで形成する。図３９に、一画素分の誘電体アンテナ７０ｔを平面視した時の模式図を示す。見方を変えると、本構成では、これまでの構成例の凸部７１が空気と考える事が出来る。
【０２１６】
誘電体膜８３としては、窒化シリコン膜を用いる。光放出面１３０上に、プラズマＣＶＤ法等の成膜技術により、３００ｎｍ程度の窒化シリコン膜を形成し、ｉ線を光源として用いる露光装置（ステッパ又はスキャナ）よって、ホールを開口したレジスト膜を形成する。
【０２１７】
その後に、ドライエッチング技術によって、窒化シリコン膜をエッチングする事で、窒化シリコン膜にアンテナ開口部８２をアレイ状に配置した誘電体アンテナ７０ｔを形成する。アンテナ開口部８２の径は３００ｎｍ、アンテナ開口部８２間の距離（ピッチ）は８００ｎｍであり、アンテナ開口部８２を正三角形の頂点に配置する、これまでと同様の配置パターンを用いた。本構成によっても、実施形態２２と同様の効果を得る事が出来た。
【０２１８】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に配置されたアンテナと、を有し、前記アンテナは、凸部よりなる周期パターンを含む構成を備える。
【０２１９】
本発明の態様２に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部は金属を含む構成を備えていてもよい。
【０２２０】
本発明の態様３に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部は半導体を含む構成を備えていてもよい。
【０２２１】
本発明の態様４に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部は誘電体を含む構成を備えていてもよい。
【０２２２】
本発明の態様５に係る画像表示素子は、上記態様２において、前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナはシールドパターンを有していてもよい。
【０２２３】
本発明の態様６に係る画像表示素子は、上記態様２において、前記マイクロ発光素子の外周部において、前記アンテナは電気的に一定の電位に固定されていてもよい。
【０２２４】
本発明の態様７に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記周期パターンのＸ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＸ方向周期の１／Ｎ（Ｎ：自然数）であり、前記周期パターンのＹ方向周期は、前記マイクロ発光素子の配列のＹ方向周期の１／Ｍ（Ｍ：自然数）である構成を備えていてもよい。
【０２２５】
本発明の態様８に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記光放出面における、前記アンテナに含まれる前記凸部の配置パターンと、隣接する前記光放出面間に挟まれた領域における、前記アンテナに含まれる前記凸部の配置パターンとは、互いに異なる構成を備えていてもよい。
【０２２６】
本発明の態様９に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記アンテナは低屈折率樹脂に覆われていてもよい。低屈折率樹脂とは、発光する光の波長に於ける屈折率が１．３以下の樹脂である。
【０２２７】
本発明の態様１０に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する化合物半導体よりなる本体（１６）の表面である構成を備えていてもよい。
【０２２８】
本発明の態様１１に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する一方の電極（共通Ｎ電極３０ｍ）の表面である構成を備えていてもよい。
【０２２９】
本発明の態様１２に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記光放出面が、前記マイクロ発光素子を構成する一方の電極を覆う絶縁膜（７３）の表面である構成を備えていてもよい。
【０２３０】
本発明の態様１３に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記画像表示素子は、第１の発光波長で発光する第１のマイクロ発光素子と、前記第１の発光波長より長い波長である第２の発光波長で発光する第２のマイクロ発光素子を含み、前記第１のマイクロ発光素子の光放出面上に形成された前記アンテナに含まれる周期パターンの周期は、前記第２のマイクロ発光素子の光放出面上に形成された前記アンテナに含まれる周期パターンの周期より、短い構成を備えていてもよい。
【０２３１】
本発明の態様１４に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記マイクロ発光素子は、励起光を発する励起光発光素子と前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む構成を備えていてもよい。
【０２３２】
本発明の態様１５に係る画像表示素子は、上記態様１４において、前記光放出面が、前記波長変換部の表面である構成を備えていてもよい。
【０２３３】
本発明の態様１６に係る画像表示素子は、上記態様１４において、前記光放出面は、前記波長変換部上に配置された誘電体多層膜の表面である構成を備えていてもよい。
【０２３４】
本発明の態様１７に係る画像表示素子は、上記態様１４において、前記光放出面は、前記波長変換部上に配置されたカラーフィルターの表面である構成を備えていてもよい。
【０２３５】
本発明の態様１８に係る画像表示素子は、上記態様１４において、前記光放出面は、前記波長変換部上に配置された透明層（７６）の表面である構成を備えていてもよい。
【０２３６】
本発明の態様１９に係る画像表示素子は、上記態様１４において、前記波長変換部は、周囲を遮光性の隔壁によって覆われていてもよい。
【０２３７】
本発明の態様２０に係る画像表示素子は、上記態様１９において、前記隔壁の側面は、光反射材（隔壁反射材３６）で構成されており、前記隔壁の側面は、光放出方向に対して開く様に傾斜していてもよい。
【０２３８】
本発明の態様２１に係る画像表示素子は、上記態様１４から２０の何れかにおいて、前記励起光発光素子は、前記励起光を生成する発光層と、前記発光層に電子を注入する第１導電層と、前記発光層に正孔を注入する第２導電層よりなる本体と、前記第１導電層と接続する第１電極と、前記第２導電層と接続する第２電極よりなり、前記本体の側壁は、光放出方向に対して開く様に傾斜している構成を備えていてもよい。
【０２３９】
本発明の態様２２に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記マイクロ発光素子は、光を発する励起光発光素子と前記光を透過する透明部（３１）を含み、前記透明部の表面が前記光放出面であり、前記透明部は、周囲を遮光性の隔壁によって覆われており、前記隔壁の側面は、光反射材（隔壁反射材３６）で構成されており、前記隔壁の側面は、光放出方向に対して開く様に傾斜している構成を備えていてもよい。
【０２４０】
本発明の態様２３に係る画像表示素子は、上記態様１３において、前記第１のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光を透過する透明部（３１）を含み、前記透明部の表面が前記第１のマイクロ発光素子の光放出面であり、前記第２のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む構成を備えていてもよい。
【０２４１】
本発明の態様２４に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記画像表示素子は、第１の発光波長で発光する第１のマイクロ発光素子と、前記第１の発光波長より長い波長である第２の発光波長で発光する第２のマイクロ発光素子を含み、前記第１のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光を透過する透明部（３１）を含み、前記透明部の表面が光放出面であり、前記第１のマイクロ発光素子の光放出面にはアンテナが配置されておらず、前記第２のマイクロ発光素子は、前記第１の発光波長の励起光を発する励起光発光素子と、前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含み、前記第２のマイクロ発光素子の光放出面には前記アンテナが配置されていてもよい。
【０２４２】
本発明の態様２５に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部の水平方向の寸法は、隣接する前記凸部間の距離の５０％から８０％であってもよい。
【０２４３】
本発明の態様２６に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部の高さは、隣接する前記凸部間の距離の１／４から±２５ｎｍの範囲であってもよい。
【０２４４】
本発明の態様２７に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部の高さを、前記凸部の水平方向の寸法で除したアスペクト比は、０．５から０．３の範囲であってもよい。
【０２４５】
本発明の態様２８に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部を覆う埋込層と、前記埋込層の上にキャップ層を有しており、前記キャップ層の屈折率は、前記埋込層の屈折率より大きくてもよい。
【０２４６】
本発明の態様２９に係る画像表示素子は、上記態様２８において、前記埋込層の膜厚は、前記埋込層内での光の波長の整数倍から±２５ｎｍ以内であってもよい。
【０２４７】
本発明の態様３０に係る画像表示素子は、上記態様２８または２９において、前記キャップ層の膜厚は、前記キャップ層内での光の波長の半分の整数倍から±２５ｎｍ以内であってもよい。
【０２４８】
本発明の態様３１に係る画像表示素子は、上記態様１において、前記凸部を覆う凸部保護膜を有しており、前記凸部保護膜の屈折率は、１．３以下であり、前記凸部保護膜の厚さは、前記凸部間のスペースを埋め尽くさない範囲であってもよい。
【０２４９】
本発明の態様３２に係る画像表示素子は、マイクロ発光素子に電流を供給して発光させる駆動回路を含む駆動回路基板と、前記駆動回路基板の上にアレイ状に配列された複数の前記マイクロ発光素子と、前記マイクロ発光素子の各々の光放出面上に、周期的に配置された凸部を含む。
【０２５０】
本発明の態様３３に係る画像表示素子は、上記態様４において、前記マイクロ発光素子は、励起光を発する励起光発光素子と前記励起光をダウンコンバートする波長変換部を含む構成を備えていてもよい。
【０２５１】
本発明の態様３４に係る画像表示素子は、上記態様３３において、前記波長変換部は、周囲を隔壁によって覆われており、前記隔壁の側面は、光反射材で構成されており、且つ、光放出方向に対して開く様に傾斜していてもよい。
【０２５２】
本発明の態様３５に係る画像表示素子は、上記態様３４において、前記波長変換部のアスペクト比は、０．７５より大きい構成を備えていてもよい。
【０２５３】
本発明の態様３６に係る画像表示素子は、上記態様３３において、前記波長変換部と前記アンテナの間には中間層が配置されていてもよい。
【０２５４】
本発明の態様３７に係る画像表示素子は、上記態様３６において、前記中間層の厚さは、前記波長変換部の厚さの半分より厚くてもよい。
【０２５５】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【０２５６】
１００、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ  マイクロ発光素子
１００Ｂ、１００Ｂｌ、１００Ｂｍ、１００Ｂｎ、１００Ｂｏ  青色光マイクロ発光素子
１００Ｒ、１００Ｒｉ、１００Ｒｊ、１００Ｒｌ、１００Ｒｍ、１００Ｒｎ、１００Ｒｏ  赤色光マイクロ発光素子
１００Ｇ、１００Ｇｉ、１００Ｇｊ、１００Ｇｌ、１００Ｇｍ、１００Ｇｎ、１００Ｇｏ  緑色光マイクロ発光素子
２００、２００ａ〜２００ｏ  画像表示素子
１０１  ダミー素子
１０５、１０５ｆ、１０５ｇ、１０５ｌ  励起光発光素子
１１０Ｂ  青色発光層
１１０Ｒ  赤色発光層
１１０Ｇ  緑色発光層
１２０  赤色発光量子ドット層
１２１  電子輸送層
１２２  ホール輸送層
１３０  光放出面
１  画素領域
５  画素
６  青サブ画素
７  赤サブ画素
８  緑サブ画素
１１  Ｎ側層（第１導電層）
１２、１１０  発光層
１３  Ｐ側層（第２導電層）
１４  化合物半導体層
１６、１６ｄ、１６ｆ、１６ｇ、１６ｌ  本体
１６Ｓｄ、１６Ｓｆ、１６Ｓｇ  本体側面
１７、１７ｌ  保護膜
１７ｆ  透明絶縁膜
１９  第１絶縁膜
２０  反射材
２３Ｎ、２３Ｎｄ  Ｎ電極（第２電極）
２３Ｐ、２３Ｐｄ  Ｐ電極（第１電極）
３０、３０ｌ、３０ｍ、３０ｎ  共通Ｎ電極（光放出面側電極）
３１  透明部
３２  赤色波長変換部
３３  緑色波長変換部
３４、３４ｇ、３４ｌ、３４ｎ  隔壁
３４Ｌ  金属層
３４Ｓ、３４Ｓｇ、３４Ｓｌ  隔壁側面
３５  隔壁母材
３６  隔壁反射材
３７  開口部
５０、５０ｄ  駆動回路基板
５１、５１ｄ  Ｐ駆動電極（第１駆動電極）
５２、５２ｄ  Ｎ駆動電極（第２駆動電極）
６０、６０ｅ、６０ｆ  埋込材
７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｅ、７０ｆ  アンテナ
７０Ｂ、７０Ｂｋ、７０Ｂｍ、７０Ｂｎ  青色光用アンテナ
７０Ｇ、７０Ｇｉ、７０Ｇｊ、７０Ｇｋ、７０Ｇｍ、７０Ｇｎ、７０Ｇｏ  緑色光用アンテナ
７０Ｒ、７０Ｒｉ、７０Ｒｊ、７０Ｒｋ、７０Ｒｍ、７０Ｒｎ、７０Ｒｏ  赤色光用アンテナ
７０ｔ  誘電体アンテナ
７１  凸部
７２  シールドパターン
７３  絶縁膜（アンテナ下）
７４  誘電体多層膜
７５  カラーフィルター
７６  透明層
７７  低屈折率樹脂
７８  ブラックマトリクス
７９  キャップ層
８０  凸部保護膜
８１  埋込層
８２  アンテナ開口部
８３  誘電体膜
θｅ  傾斜角度（本体）
θｗ  傾斜角度（波長変換部）
【図１】
0006964725.tif 000004
【図２】
0006964725.tif 000005
【図３】
0006964725.tif 000006
【図４】
0006964725.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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