(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を有する半導体モジュールと、
平板状のベースと、放熱フィンとを有するヒートシンクと、
前記放熱フィンを収容し、グラウンドに接続された筐体とを備え、
前記ベースは、前記半導体モジュールが搭載される第１面と、前記第１面と反対側であって、前記放熱フィンが固定される第２面とを有し、
前記筐体は、前記ベースの前記第２面を支持する鍔部を有し、
前記ヒートシンクと前記筐体とを電気的に絶縁する第１の絶縁部材をさらに備え、
前記第１の絶縁部材は、
平板状の形状を有し、前記ベースの前記第２面と前記鍔部との間に設けられた基部と、
前記基部に対して垂直に折れ曲がり、前記ベースの側面に面接触する第１の折れ曲がり部とを含む、電力変換ユニット。
【請求項２】
前記第１の絶縁部材は、前記基部に対して垂直に折れ曲がり、前記筐体の側壁部に面接触する第２の折れ曲がり部をさらに含む、請求項１に記載の電力変換ユニット。
【請求項３】
前記ベースには、前記ベースを厚み方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、
前記鍔部および前記第１の絶縁部材の各々には、前記第１の貫通孔に重なる第２の貫通孔が形成され、
前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔を貫通し、前記ベースを前記鍔部に締結するボルトと、
前記ヒートシンクと前記ボルトとを電気的に絶縁する第２の絶縁部材および絶縁スペーサとをさらに備え、
前記第２の絶縁部材は、平板状の形状を有し、前記ボルトの頭部と前記ベースの前記第１面との間に設けられ、
前記絶縁スペーサは、前記ベースの前記第１の貫通孔の内側に、前記ボルトを挿通可能に配置される、請求項１または２に記載の電力変換ユニット。
【請求項４】
前記第１の絶縁部材の前記基部の厚みは０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である、請求項１または２に記載の電力変換ユニット。
【請求項５】
前記第２の絶縁部材の厚みは０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である、請求項３に記載の電力変換ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電力変換ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ヒートシンクをフレームグラウンドに取り付ける取付構造として、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間に、中空円筒状の絶縁ブッシングを配置し、絶縁ブッシングを貫通するボルトによってヒートシンクをフレームグラウンドに固定する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開昭６４−５０４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の取付構造は、絶縁ブッシングの厚みによって、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間の絶縁のための距離（空間距離および沿面距離）を確保している。言い換えれば、絶縁ブッシングは、ヒートシンクおよびフレームグラウンドとの電気的絶縁を確保できる厚みが必要とされる。その結果、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間に絶縁ブッシングの厚みに相当する隙間ができてしまうことになる。これによると、電力変換ユニットが大型化してしまうため、電力変換ユニットの配置に必要なスペースも大きくなることが懸念される。【０００５】
本開示は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、電力変換ユニットにおいて、ヒートシンクと筐体との電気的絶縁を確保しながら小型化を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る電力変換ユニットは、半導体素子を有する半導体モジュールと、ヒートシンクと、筐体とを備える。ヒートシンクは、平板状のベースと、放熱フィンとを有する。筐体は、放熱フィンを収容し、グラウンドに接続される。ベースは、半導体モジュールが搭載される第１面と、第１面と反対側であって、前記放熱フィンが固定される第２面とを有する。筐体は、ベースの第２面を支持する鍔部を有する。電力変換ユニットは、ヒートシンクと筐体とを電気的に絶縁する第１の絶縁部材をさらに備える。第１の絶縁部材は、基部と、第１の折れ曲がり部とを有する。基部は、平板状の形状を有し、ベースの第２面と鍔部との間に設けられる。第１の折れ曲がり部は、基部に対して垂直に折れ曲がり、ベースの側面に面接触する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、電力変換ユニットにおいて、ヒートシンクと筐体との電気的絶縁を確保しながら小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態に係る電力変換ユニットの構成例を示す回路ブロック図である。
【図２】半導体モジュールの構成例を模式的に示す概略平面図である。
【図３】３つの半導体モジュールの素子配置を示す概略平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】ヒートシンクの取付構造を模式的に示す展開斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では図中または相当部分には同一符号を付してその説明は原則的に繰返さないものとする。
【００１０】
図１は、実施の形態に係る電力変換ユニットの構成例を示す回路ブロック図である。
図１を参照して、電力変換ユニット１０は、交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３および直流出力端子Ｔ４，Ｔ５を備える。交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３は、交流電源１から商用周波数の三相交流電力を受ける。直流出力端子Ｔ４，Ｔ５は負荷２に接続される。負荷２は電力変換ユニット１０から供給される直流電力によって駆動される。
【００１１】
電力変換ユニット１０は、さらに、コンバータ３、直流正母線Ｌ１、直流負母線Ｌ２、コンデンサ４および制御装置６を備える。コンバータ３は、制御装置６によって制御され、商用交流電源から供給される三相交流電力を直流電力に変換して直流正母線Ｌ１および直流負母線Ｌ２間に出力する。
【００１２】
コンバータ３は、３つのレグ回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗを有する。レグ回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗは、直流正母線Ｌ１および直流負母線Ｌ２の間に並列に接続される。レグ回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの各々は、直列接続された２つのスイッチング素子と、２つのダイオードとを有する。
【００１３】
具体的には、レグ回路３Ｕは、直流正母線Ｌ１および交流入力端子Ｔ１の間に接続されたスイッチング素子Ｑ１、交流入力端子Ｔ１および直流負母線Ｌ２の間に接続されたスイッチング素子Ｑ２、およびダイオードＤ１，Ｄ２を有する。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、ＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）、ＧＣＴ（Gate  Commutated  Turn-off）サイリスタ等の任意の自己消弧型のスイッチング素子によって構成することができる。ダイオードＤ１，Ｄ２はＦＷＤ（Freewheeling  Diode）であり、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２に対してそれぞれ逆並列に接続される。スイッチング素子およびダイオードは「半導体素子」の一実施例に対応する。
【００１４】
レグ回路３Ｖは、直流正母線Ｌ１および交流入力端子Ｔ２の間に接続されたスイッチング素子Ｑ３、交流入力端子Ｔ２および直流負母線Ｌ２の間に接続されたスイッチング素子Ｑ４、およびダイオードＤ３，Ｄ４を有する。レグ回路３Ｗは、直流正母線Ｌ１および交流入力端子Ｔ３の間に接続されたスイッチング素子Ｑ５、交流入力端子Ｔ３および直流負母線Ｌ２の間に接続されたスイッチング素子Ｑ６、およびダイオードＤ５，Ｄ６を有する。以下では、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６およびダイオードＤ１〜Ｄ６を総括的に説明する場合、スイッチング素子ＱおよびダイオードＤとそれぞれ表記する。
【００１５】
制御装置６は、交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３の交流電圧に同期して動作し、直流出力端子Ｔ４，Ｔ５間の直流電圧ＶＤＣが目標直流電圧ＶＤＣＴになるように、コンバータ３を制御する。すなわち、制御装置６は、６個のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を制御し、直流出力端子Ｔ４，Ｔ５間の直流電圧ＶＤＣを三相交流電圧に変換して交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３間に出力させる。このとき、制御装置６は、交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３に流れる交流電流をほぼ正弦波状に、かつ、交流入力端子Ｔ１〜Ｔ３の交流電圧と同相になるように、６個のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を制御することによって、力率をほぼ１にすることができる。
【００１６】
コンバータ３を構成する３つのレグ回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの各々は、半導体モジュールで構成されている。次に、半導体モジュールの構成例を詳細に説明する。
【００１７】
図２は、半導体モジュールの構成例を模式的に示す概略平面図である。
図１の例では、３つのレグ回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗに対応して、３つの半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗが配置されている。各相の半導体モジュールの構成は同一であるため、図２では、Ｕ相の半導体モジュール５Ｕの構成を説明する。
【００１８】
半導体モジュール５Ｕは、平面状の基板上に、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２が実装された構成を有している。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２は図示しないボンディングワイヤまたは導電体からなる配線層によって電気的に接続されている。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２およびダイオードＤ１，Ｄ２は、基板、ボンディングワイヤおよび配線層などとともに樹脂により封止されている。
【００１９】
なお、図２の例では、１つの半導体モジュール５Ｕについて、スイッチング素子およびダイオードがそれぞれ２つずつ設ける構成を示しているが、スイッチング素子およびダイオードがそれぞれ４つずつ設ける構成としてもよい。この構成では、２つのスイッチング素子および２つのダイオードがそれぞれ並列に接続されている。
【００２０】
図３は、３つの半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗの素子配置を示す概略平面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【００２１】
電力変換ユニット１０は、ヒートシンク２０および筐体３０をさらに備える。ヒートシンク２０は、ベース２１と、放熱フィン２２とを有する。ベース２１および放熱フィン２２は、例えば、アルミニウムまたは銅などの高い熱伝導性を有する金属で形成されている。ベース２１は、平板状に形成されており、矩形板状の形状を有する。ベース２１は、第１面２１Ａと、第１面２１Ａと反対側の第２面２１Ｂとを有する。半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗは、ベース２１の第１面２１Ａに並べて搭載される。放熱フィン２２は、ベース２１の第２面２１Ｂに固定されている。
【００２２】
半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗの各々は、その動作中にスイッチング素子ＱおよびダイオードＤには導通損失およびスイッチング損失からなる電力損失が発生するため、スイッチング素子ＱおよびダイオードＤが発熱する。半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗで発生した熱は、各半導体モジュールからベース２１を経由して放熱フィン２２に伝導され、放熱フィン２２から外部へ放熱される。
【００２３】
図４に示すように、ヒートシンク２０は、筐体３０に収容されている。筐体３０は、略直方体形状を有しており、半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗの上方に開口部３１が形成されている。筐体３０は、例えば、鉄、ステンレス等の金属により形成されている。筐体３０は、アースによって、グラウンド（接地電位）に接続されている。
【００２４】
筐体３０は、底部３２と、鍔部３３と、底部３２および鍔部３３を接続する側壁部３４とを有する。鍔部３３は、開口部３１の開口縁部に沿って環状に形成されている。鍔部３３は、ベース２１の第２面２１Ｂの外周縁部を支持するように構成される。ベース２１は、ボルト６０によって鍔部３３に締結することにより、筐体３０に固定されている。
【００２５】
ここで、ヒートシンク２０は導電性を有しているため、ヒートシンク２０と筐体３０との間が電気的に絶縁される必要がある。仮に、ヒートシンク２０と筐体３０との間が電気的に絶縁されていない場合、半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗの直流負母線Ｌ２（図１参照）とグラウンド（接地電位）との間に発生する電位差によって電流が流れることにより、電力損失が発生する可能性がある。また、半導体モジュール５Ｕ，５Ｖ，５Ｗの動作中に発生する電磁ノイズがヒートシンク２０および筐体３０を伝搬して筐体３０の外部に漏れ出る可能性がある。
【００２６】
従来、ヒートシンクをフレームグラウンドに取り付ける取付構造として、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間に、中空円筒状の絶縁ブッシングを配置し、絶縁ブッシングを貫通するボルトによってヒートシンクをフレームグラウンドに固定する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。上記構成において、絶縁ブッシングは、ヒートシンクに形成された貫通孔よりも直径が大きく、かつ、所定の厚みの鍔部を有している。ヒートシンクの一方面から貫通孔に絶縁ブッシングを嵌挿し、ヒートシンクの他方面において貫通孔の部分に、貫通孔よりも直径が大きく、強度的に十分な肉厚の絶縁部材を重ねる。そして、絶縁部材から絶縁ブッシングを貫通するボルトにより、フレームグランドを絶縁ブッシングの鍔部を挟んでヒートシンクに固定する。
【００２７】
上述した従来の取付構造は、絶縁ブッシングの鍔部の厚みによって、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間の絶縁のための距離（空間距離および沿面距離）を確保している。なお、空間距離および沿面距離は電力変換ユニットの動作電圧等に基づいて要求値が決まる。言い換えれば、絶縁ブッシングの鍔部は、ヒートシンクおよびフレームグラウンドとの電気的絶縁を確保できる厚みが必要とされる。その結果、ヒートシンクとフレームグラウンドとの間に絶縁ブッシングの鍔部の厚みに相当する隙間ができてしまうことになる。これによると、電力変換ユニットが大型化してしまうため、電力変換ユニットの配置に必要なスペースも大きくなることが懸念される。
【００２８】
そこで、本実施の形態では、ヒートシンク２０と筐体３０との電気的絶縁を確保しながら電力変換ユニット１０の小型化を実現する、ヒートシンク２０の取付構造を提案する。
【００２９】
図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。図６は、ヒートシンク２０の取付構造を模式的に示す展開斜視図である。
【００３０】
図５を参照して、電力変換ユニット１０は、絶縁部材４０，５０と、ボルト６０と、ワッシャ７０と、絶縁スペーサ８０とをさらに備える。
【００３１】
絶縁部材４０は、平板状に形成されており、矩形板状の形状を有する。絶縁部材４０は、例えばポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ樹脂のような樹脂等の絶縁材料で形成されている。絶縁部材４０の厚みは０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、０．５ｍｍ程度である。絶縁部材４０は、第１面４０Ａと、第１面４０Ａと反対側の第２面４０Ｂとを有する。絶縁部材４０には、絶縁部材４０を厚み方向に貫通する複数の貫通孔４１が形成されている。複数の貫通孔４１は、矩形板状の絶縁部材４０の長辺に沿って並べられて形成されている。絶縁部材４０は、「第２の絶縁部材」の一実施例に対応する。
【００３２】
絶縁部材５０は、基部５１と、基部５１に対して垂直に折れ曲がる折れ曲がり部５２，５３とを有する。絶縁部材５０は、例えばポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ樹脂のような樹脂等の絶縁材料で形成されている。絶縁部材５０の厚みは０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、例えば０．５ｍｍ程度である。絶縁部材５０は、「第１の絶縁部材」の一実施例に対応する。
【００３３】
基部５１は、平板状に形成されており、略矩形板状の形状を有する。基部５１は、第１面５１Ａと、第１面５１Ａと反対側の第２面５１Ｂとを有する。基部５１には、基部５１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔５４が形成されている。複数の貫通孔５４は、矩形板状の基部５１の長辺に沿って並べられて形成されている。
【００３４】
第１の折れ曲がり部５２は、平板状の形状を有する。第１の折れ曲がり部５２は、矩形板状の基部５１の長辺の一方側に接合され、基部５１の第１面５１Ａに対して垂直に突出している。
【００３５】
第２の折れ曲がり部５３は、平板状の形状を有する。第２の折れ曲がり部５３は、矩形板状の基部５１の長辺の他方側に接合され、基部５１の第２面５１Ｂに対して垂直に突出している。第２の折れ曲がり部５３は、第１の折れ曲がり部５２と平行に設けられている。絶縁部材５０は、平板状の素材に穴開け加工が施されるとともに素材が曲げ加工されることにより、形成されている。
【００３６】
絶縁スペーサ８０は、中空円筒状の形状を有する。絶縁スペーサ８０は、例えばポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ樹脂のような樹脂等の絶縁材料で形成されている。絶縁スペーサ８０の延在方向における長さは、ベース２１の厚みと同等である。なお、ベース２１の厚みと同等とは、ベース２１の厚みに対する長さの差が５％以内の範囲を含む。ただし、絶縁スペーサ８０の長さはベース２１の厚み以下とする。中空円筒状の絶縁スペーサ８０の内径は、ボルト６０の軸部の直径よりも大きい。絶縁スペーサ８０の外径は、ベース２１に形成されている貫通孔２４の内径よりも小さい。
【００３７】
筐体３０の鍔部３３は、平板状に形成されており、矩形板状の形状を有する。鍔部３３は、第１面３３Ａと、第１面３３Ａと反対側の第２面３３Ｂとを有する。鍔部３３の厚みは例えば１．６ｍｍ程度である。鍔部３３には、鍔部３３を厚み方向に貫通する複数の貫通孔３５が形成されている。
【００３８】
矩形板状のベース２１の外周縁部には、ベース２１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔２４が形成されている。複数の貫通孔２４は、矩形板状のベース２１の一辺に沿って並べて形成されている。
【００３９】
本実施の形態に係る電力変換ユニット１０は、筐体３０の鍔部３３にヒートシンク２０のベース２１が固定されて形成されている。ベース２１を鍔部３３に適切に組み付けた状態で、ベース２１に形成された貫通孔２４と、鍔部３３に形成された貫通孔３５とは互いに重なり、それぞれ同心に配置される。典型的には、貫通孔２４と貫通孔３５とは同一形状に形成される。
【００４０】
ベース２１は、貫通孔２４，３５を貫通するボルト６０により、鍔部３３に締結される。これにより、ベース２１は鍔部３３に固定される。ボルト６０の端部に位置する頭部とベース２１の第１面２１Ａとの間には環状のワッシャ７０が配置されている。
【００４１】
中空円筒状の絶縁スペーサ８０は、外周面がベース２１の貫通孔２４の内周面に面接触するように、貫通孔２４の内側に配置される。ボルト６０は、絶縁スペーサ８０の中空部分８１を貫通するように、絶縁スペーサ８０の中空部分８１に配置される。
【００４２】
平板状の絶縁部材４０は、ワッシャ７０とベース２１との間に設けられる。絶縁部材４０は、第１面４０Ａがワッシャ７０に面接触し、第２面４０Ｂがベース２１の第１面２１Ａに面接触するように配置される。
【００４３】
絶縁部材５０は、ベース２１の第２面２１Ｂと鍔部３３との間に設けられる。絶縁部材５０は、平板状の基部５１の第１面５１Ａがベース２１の第２面２１Ｂに面接触し、基部５１の第２面５１Ｂが鍔部３３の第１面３３Ａに面接触するように配置される。このとき、平板状の第１の折れ曲がり部５２は、矩形板状のベース２１の側面に面接触する。また平板状の第２の折れ曲がり部５３は、筐体３０の側壁部３４に面接触する。
【００４４】
ベース２１および鍔部３３に対して絶縁部材４０，５０を適切に配置した状態で、絶縁部材４０に形成された貫通孔４１および絶縁部材５０の基部５１に形成された貫通孔５４と、ベース２１に形成された貫通孔２４および鍔部３３に形成された貫通孔３５とは、互いに重なり、それぞれ同心に配置される。
【００４５】
以上に示した電力変換ユニット１０において、ヒートシンク２０と筐体３０との電気的絶縁は、絶縁部材５０により確保されている。具体的には、ヒートシンク２０のベース２１と筐体３０の鍔部３３との間には、絶縁部材５０（第１の絶縁部材）の基部５１が配置されている。基部５１は平板状に形成されているため、平板の厚みを薄くすることによってベース２１と鍔部３３との間隔を狭めることができる。よって、従来の絶縁ブッシングと比較して、電力変換ユニット１０の鉛直方向（ベース２１の法線方向に相当）の高さを低減できるため、電力変換ユニット１０を小型化することができる。
【００４６】
一方、基部５１の厚みを薄くするに従ってベース２１と鍔部３３とが接近するため、ヒートシンク２０と筐体３０との電気的絶縁を確保することが難しくなる。そのため、絶縁部材５０は、基部５１に対して垂直に折れ曲がる折れ曲がり部５２，５３を有している。第１の折れ曲がり部５２は、ベース２１と鍔部３３との間の絶縁距離（空間距離および沿面距離）を延ばす働きをする。第２の折れ曲がり部５３は、ベース２１の第２面２１Ｂと側壁部３４との間の沿面距離を延ばす働きをする。
【００４７】
第１の折れ曲がり部５２の幅（電力変換ユニット１０の鉛直方向における長さ）は、ベース２１と鍔部３３との間の絶縁距離の要求値に応じて設定することができる。したがって、図５の例では、第１の折れ曲がり部５２の幅とベース２１の厚みとが等しいが、第１の折れ曲がり部５２の幅はベース２１の厚みより短くてもよい。第２の折れ曲がり部５３の幅（電力変換ユニット１０の鉛直方向における長さ）は、放熱フィン２２と側壁部３４との間の絶縁距離の要求値に応じて設定することができる。
【００４８】
このように基部５１に対して折れ曲がり部５２，５３を接合したことにより、基部５１単体で絶縁部材５０を構成した場合と比較して、ヒートシンク２０と筐体３０との間の絶縁距離を延ばすことができる。したがって、基部５１の厚みを薄くし、ベース２１と鍔部３３とを近接させても、ヒートシンク２０と筐体３０との間の電気的絶縁を確保することが可能となる。
【００４９】
また、本実施の形態に係る電力変換ユニット１０において、ヒートシンク２０とボルト６０との電気的絶縁は、絶縁部材４０および絶縁スペーサ８０により確保されている。絶縁部材４０は平板状に形成されているため、平板の厚みを薄くすることによって、ボルト６０の頭部とベース２１の第１面２１Ａとの間隔を狭めることができる。よって、電力変換ユニット１０の鉛直方向の高さを低減でき、電力変換ユニット１０を小型化することができる。また、絶縁部材４０の厚みを薄くしても、絶縁部材４０と絶縁スペーサ８０とによって、ベース２１とボルト６０との間の絶縁距離を確保することができる。
【００５０】
さらに、本実施の形態に係る電力変換ユニット１０において、絶縁部材５０は、基部５１および折り曲げ部５２，５３からなるクランク状に形成されていることから、電力変換ユニット１０の組立工程において、ベース２１に対して、絶縁部材５０を容易に位置決めすることができる。これにより、電力変換ユニット１０の組立工程が簡素化される。
【００５１】
なお、上述した実施の形態では、絶縁部材５０が基部５１と２つの折れ曲がり部５２，５３とを有する構成について説明したが、ヒートシンク２０の放熱フィン２２と筐体３０の側壁部３４との間に絶縁に十分な距離がある場合には、絶縁部材５０から第２の折れ曲がり部５３を省略することができる。この場合、絶縁部材５０は基部５１と第１の折れ曲がり部５２とを有することになる。
【００５２】
また、上述した実施の形態では、絶縁部材４０と絶縁部材５０とを互いに別体に形成する構成について説明したが、絶縁部材４０と絶縁部材５０とを一体的に形成する構成としてもよい。この場合、絶縁部材４０は、矩形板状の第１の折れ曲がり部５２の長辺の一方側に接合され、第１の折れ曲がり部５２に対して垂直に突出している。絶縁部材４０と基部５１とは互いに平行に配置されている。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５４】
１  交流電源、２  負荷、３  コンバータ、３Ｕ，３Ｖ，３Ｗ  レグ回路、４  コンデンサ、５Ｕ，５Ｖ，５Ｗ  半導体モジュール、１０  電力変換ユニット、２０  ヒートシンク、２１  ベース、２２  放熱フィン、３０  筐体、３１  開口部、３２  底部、３３  鍔部、３４  側壁部、４０，５０  絶縁部材、５１  基部、５２  第１の折れ曲がり部、５３  第２の折れ曲がり部、６０  ボルト、７０  ワッシャ、８０  絶縁スペーサ。
【要約】
ヒートシンク（２０）は、平板状のベース（２１）と、放熱フィン（２２）とを有する。筐体（３０）は、放熱フィン（２２）を収容し、グラウンドに接続される。ベース（２１）は、半導体モジュールが搭載される第１面（２１Ａ）と、第１面（２１Ａ）と反対側であって、放熱フィン（２２）が固定される第２面（２１Ｂ）とを有する。筐体（３０）は、ベース（２１）の第２面（２１Ｂ）を支持する鍔部（３３）を有する。電力変換ユニット（１０）は、ヒートシンク（２０）と筐体（３０）とを電気的に絶縁する第１の絶縁部材（５０）をさらに備える。第１の絶縁部材（５０）は、基部（５１）と、第１の折れ曲がり部（５２）とを有する。基部（５１）は、平板状の形状を有し、ベース（２１）の第２面（２１Ｂ）と鍔部（３３）との間に設けられる。第１の折れ曲がり部（５２）は、基部（５１）に対して垂直に折れ曲がり、ベース（２１）の側面に面接触する。【図１】
0006901635.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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