(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを有する液供給部と、
前記ノズルを含む移動体を移動させる駆動部と、
前記移動体の位置に関する情報を検出するセンサと、
前記基板の周縁外に前記ノズルを配置する第一位置から前記基板の周縁部上に前記ノズルを配置する第二位置に前記移動体を移動させるための制御指令を駆動部に出力することと、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動を、前記ノズルが前記基板の周縁上に到達する前に一時停止させるように前記駆動部を制御することと、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動途中で前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止しているときに前記センサにより検出された前記情報と、前記制御指令との関係に基づいて、前記移動体の移動完了位置と前記第二位置との偏差を縮小するように前記制御指令を補正することと、を実行するように構成されている制御部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止しているときに前記ノズルから前記処理液を吐出するように前記液供給部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止する期間の開始後、前記移動体の振動を減衰させるための待機時間の経過後に前記センサにより検出された前記情報に基づいて前記制御指令を補正するように構成されている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止する期間の開始後、前記移動体の振動周期よりも長い所定期間において前記センサにより検出された前記情報の統計値を導出し、当該統計値に基づいて前記制御指令を補正するように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、補正後の前記制御指令に応じた前記移動体の移動完了位置と、前記第二位置との偏差に基づいて、前記制御指令の補正量を調節することを更に実行するように構成されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを有する液供給部と、
前記ノズルを含む移動体を移動させる駆動部と、
前記移動体の位置に関する情報を検出するセンサと、
前記基板の周縁外に前記ノズルを配置する第一位置から前記基板の周縁部上に前記ノズルを配置する第二位置に前記移動体を移動させるための制御指令を駆動部に出力することと、前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動途中で前記センサにより検出された前記情報と、前記制御指令との関係に基づいて、前記移動体の移動完了位置と前記第二位置との偏差を縮小するように前記制御指令を補正することと、補正後の前記制御指令に応じた前記移動体の移動完了位置と、前記第二位置との偏差に基づいて、前記制御指令の補正量を調節することと、を実行するように構成されている制御部と、を備える基板処理装置。
【請求項７】
基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを前記基板の周縁外に配置する第一位置から、前記ノズルを前記基板の周縁部上に配置する第二位置に、前記ノズルを含む移動体を移動させるように駆動部を制御することと、
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動を、前記ノズルが前記基板の周縁上に到達する前に一時停止させることと、
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動途中で前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止しているときに検出された前記移動体の位置に関する情報と、前記駆動部への制御指令との関係に基づいて、前記移動体の移動完了位置と前記第二位置との偏差を縮小するように前記駆動部への制御指令を補正することと、を含む基板処理方法。
【請求項８】
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止しているときに前記ノズルから前記処理液を吐出させることを更に含む、請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止する期間の開始後、前記移動体の振動を減衰させるための待機時間の経過後に検出された前記情報に基づいて前記制御指令を補正する、請求項７又は８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動が一時停止する期間の開始後、前記移動体の振動周期よりも長い所定期間において検出された前記情報の統計値を導出し、当該統計値に基づいて前記制御指令を補正する、請求項７〜９のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１１】
補正後の前記制御指令に応じた前記移動体の移動完了位置と、前記第二位置との偏差に基づいて、前記制御指令の補正量を調節することを更に含む、請求項７〜１０のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項１２】
基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを前記基板の周縁外に配置する第一位置から、前記ノズルを前記基板の周縁部上に配置する第二位置に、前記ノズルを含む移動体を移動させるように駆動部を制御することと、
前記第一位置から前記第二位置への前記移動体の移動途中で検出された前記移動体の位置に関する情報と、前記駆動部への制御指令との関係に基づいて、前記移動体の移動完了位置と前記第二位置との偏差を縮小するように前記駆動部への制御指令を補正することと、
補正後の前記制御指令に応じた前記移動体の移動完了位置と、前記第二位置との偏差に基づいて、前記制御指令の補正量を調節することと、を含む基板処理方法。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】  特許文献１には、半導体基板周辺端部に形成された薬剤膜を溶解除去するノズル機構と、ノズル機構に取り付けられ、半導体基板周辺部の位置を検知するセンサと、ノズル機構を移動させる駆動機構と、センサにより検知された信号を元に薬剤膜の周辺部を所望の幅で溶解除去できるように駆動機構を制御する制御システムと、を備える装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４２３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  本開示は、基板の周縁部に対する処理液の供給位置の精度向上に有効な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】  本開示に係る基板処理装置は、基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを有する液供給部と、ノズルを含む移動体を移動させる駆動部と、移動体の位置に関する情報を検出するセンサと、基板の周縁外にノズルを配置する第一位置から基板の周縁部上にノズルを配置する第二位置に移動体を移動させるための制御指令を駆動部に出力することと、第一位置から第二位置への移動体の移動途中でセンサにより検出された情報と、制御指令との関係に基づいて、移動体の移動完了位置と第二位置との偏差を縮小するように制御指令を補正することと、を実行するように構成されている制御部と、を備える。【０００６】  本基板処理装置によれば、移動体の移動途中に移動体の位置に関する情報を検出し、当該情報に基づいて制御指令を補正することで、移動体の移動完了位置と第二位置との偏差を縮小することができる。なお、移動体の位置に関する情報と制御指令との関係に基づく方式によれば、基板の周縁を検出する方式のように移動体自体にセンサを配置する必要がないので、センサの配置による移動体の大型化等を回避することができる。また、移動体の位置に関する情報と制御指令との関係に基づくことで、基板の周縁等を検出することなく、任意のタイミングで余裕をもって制御指令を補正することができる。したがって、本基板処理装置は、基板の周縁部に対する処理液の供給位置の精度向上に有効である。【０００７】  制御部は、第一位置から第二位置への移動体の移動を、ノズルが基板の周縁上に到達する前に一時停止させるように駆動部を制御することを更に実行し、第一位置から第二位置への移動体の移動が一時停止しているときにセンサにより検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、ノズルが基板の周縁部上に到達する前のタイミングにて、余裕をもって制御指令を補正することができる。【０００８】  制御部は、第一位置から第二位置への移動体の移動が一時停止しているときにノズルから処理液を吐出するように液供給部を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、一時停止のタイミングを利用して処理液の吐出を開始し、吐出開始時の処理液に含まれるパーティクルが基板に付着することを抑制することができる。【０００９】  制御部は、第一位置から第二位置への移動体の移動が一時停止する期間の開始後、移動体の振動を減衰させるための待機時間の経過後にセンサにより検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、センサにより検出される情報のばらつきに起因して、処理液の供給位置の精度が低下することを抑制することができる。【００１０】  制御部は、第一位置から第二位置への移動体の移動が一時停止する期間の開始後、移動体の振動周期よりも長い所定期間においてセンサにより検出された情報の統計値を導出し、当該統計値に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、位置情報のばらつきに起因して、処理液の供給位置の精度が低下することを抑制することができる。【００１１】  制御部は、補正後の制御指令に応じた移動体の移動完了位置と、第二位置との偏差に基づいて、制御指令の補正量を調節す���ことを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、移動体の移動完了位置と第二位置との偏差を更に縮小することができる。【００１２】  本開示に係る基板処理方法は、基板の周縁部に処理液を吐出するためのノズルを基板の周縁外に配置する第一位置から、ノズルを基板の周縁部上に配置する第二位置に、ノズルを含む移動体を移動させるように駆動部を制御することと、第一位置から第二位置への移動体の移動途中で検出された移動体の位置に関する情報と、駆動部への制御指令との関係に基づいて、移動体の移動完了位置と第二位置との偏差を縮小するように駆動部への制御指令を補正することと、を含む。【００１３】  本開示に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１４】  本開示によれば、基板の周縁部に対する処理液の供給位置の精度向上に有効な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】基板液処理システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】塗布ユニットの概略構成を示す模式図である。
【図４】制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図５】成膜処理手順を示すフローチャートである。
【図６】塗布処理手順を示すフローチャートである。
【図７】塗布処理の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図８】周縁除去処理手順を示すフローチャートである。
【図９】周縁除去処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】周縁除去処理の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１１】周縁除去処理の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１２】動作回数と、目標位置からのずれ量との関係を例示するグラフである。
【図１３】周縁除去処理手順の変形例を示すフローチャートである。
【図１４】周縁除去処理手順の変形例を示すフローチャートである。
【図１５】周縁除去処理手順の他の変形例を示すフローチャートである。
【図１６】周縁除去処理手順の他の変形例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】〔基板処理システム〕  基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００１７】〔基板処理装置〕  以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。
【００１８】  キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００１９】  処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００２０】  処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２１】  処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２２】  処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２３】  処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００２４】  処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００２５】  処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００２６】  処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００２７】  インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００２８】  制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２９】  次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３０】  次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３１】  次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
【００３２】  次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００３３】  次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００３４】  なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００３５】〔塗布ユニット〕  続いて、上記塗布ユニットＵ１の構成を具体的に説明する。図３に示すように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、塗布液供給部３０と、駆動部４０と、除去液供給部５０と、駆動部６０と、センサ７０とを備える。
【００３６】  回転保持部２０は、ウェハＷを保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な回転中心ＣＬ１まわりに保持部２１を回転させる。これによりウェハＷも回転する。
【００３７】  塗布液供給部３０は、ウェハＷの表面Ｗａに塗布液（例えば下層膜、レジスト膜又は上層膜形成用の処理液）を供給する。塗布液供給部３０は、ウェハＷに塗布液を吐出するための塗布液ノズル３２を含む移動体３１と、塗布液源３３とを有する。塗布液ノズル３２は、ウェハＷの表面Ｗａ側（下方）に開口しており、下方に塗布液を吐出する。塗布液源３３は、塗布液ノズル３２に塗布液を供給する。
【００３８】  駆動部４０は、塗布液ノズル３２を含む移動体３１を移動させる。例えば駆動部４０は、電動モータ等の動力源４１と、動力源４１の動力を移動体３１に伝達する伝達機構４２とを有する。伝達機構４２は、例えば減速機４３及びタイミングベルト４４等を有し、動力源４１の回転トルクを並進の力に変換して移動体３１に伝達する。
【００３９】  除去液供給部５０は、塗布液の成分の被膜を除去するための処理液（以下、これを「除去液」という。）をウェハＷの表面Ｗａの周縁部（周縁Ｗｃの近傍部分）に供給する。除去液供給部５０は、ウェハＷの周縁部に除去液を吐出するための除去液ノズル５２を含む移動体５１と、除去液源５３とを有する。除去液ノズル５２は、ウェハＷの表面Ｗａ側（下方）に開口しており、下方に除去液を吐出する。除去液源５３は、除去液ノズル５２に除去液を供給する。除去液は、例えば塗布液の成分の被膜を溶解させる有機溶剤である。
【００４０】  駆動部６０は、除去液ノズル５２を含む移動体５１を移動させる。例えば駆動部６０は、電動モータ等の動力源６１と、動力源６１の動力を移動体５１に伝達する除去液ノズル５２とを有する。動力源６１は、オープンループ方式（制御量のフィードバックを伴わない制御方式）にて制御可能なモータであってもよいし、クローズドループ方式（制御量のフィードバックを伴う制御方式）にて制御可能なモータであってもよい。オープンループ方式にて制御可能なモータの具体例としては、ステッピングモータ等が挙げられる。クローズドループ方式にて制御可能なモータの具体例としては、サーボモータ等が挙げられる。
【００４１】  伝達機構６２は、例えば減速機６３及びタイミングベルト６４等を有し、動力源６１の回転トルクを並進の力に変換して移動体５１に伝達する。このような伝達機構６２を有する場合、移動体５１の位置には、伝達機構６２の特性に起因する誤差（例えば減速機６３のバックラッシュ及びタイミングベルト６４の伸び）に起因する誤差が生じ得る。また、当該誤差は、伝達機構６２の特性変化（例えばタイミングベルト６４の伸び量の変化）に起因して経時的に変化し得る。
【００４２】  センサ７０は、移動体５１の位置に関する情報を検出する。移動体５１の位置に関する情報は、移動体５１の位置を直接的に示す情報であってもよいし、移動体５１の位置を間接的に示す情報であってもよい。センサ７０の具体例としては、光学式又は磁気式等のリニアスケールにより移動体５１の位置を検出する位置センサ、レーザ変位計などの非接触式の距離センサ等が挙げられる。また、センサ７０は、例えばフォトインタラプタ等、その設置位置への移動体５１の到達を検出するセンサであってもよい。この場合、当該設置位置への移動体５１の到達時刻を位置に関する情報として検出することができる。到達時刻によっても、目標時刻（上述した誤差を無視した設計上の時刻）に対する遅れ又は進みに基づくことで位置に関する情報を得ることができる。
【００４３】  以上のように構成された塗布ユニットＵ１は、制御部１００により制御される。制御部１００は、ウェハＷの周縁Ｗｃ外に除去液ノズル５２を配置する第一位置Ｐ１からウェハＷの周縁部上に除去液ノズル５２を配置する第二位置Ｐ２に移動体５１を移動させるための制御指令を駆動部６０に出力することと、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動途中でセンサ７０により検出された情報と、制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と第二位置Ｐ２との偏差を縮小するように制御指令を補正することと、を実行するように構成されている。
【００４４】  制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動を、除去液ノズル５２からの除去液の供給位置がウェハＷの周縁Ｗｃに到達する前に一時停止させるように駆動部６０を制御することを更に実行し、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止しているときにセンサ７０により検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止しているときに除去液ノズル５２から除去液を吐出するように除去液供給部５０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動を減衰させるための待機時間の経過後にセンサ７０により検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動周期よりも長い所定期間においてセンサ７０により検出された情報の統計値を導出し、当該統計値に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。
【００４５】  例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、回転制御部１１９と、塗布液ノズル移動制御部１１２と、塗布液供給制御部１１１と、除去液ノズル移動制御部１１４と、除去液供給制御部１１３と、制御指令保持部１１６と、制御指令補正部１１７と、補正量調節部１１８とを有する。
【００４６】  回転制御部１１９は、ウェハＷを保持して回転させるように回転保持部２０を制御する。塗布液ノズル移動制御部１１２は、回転保持部２０により保持されたウェハＷの周縁Ｗｃ外に塗布液ノズル３２を配置する待機位置と、当該ウェハＷの表面Ｗａの中心上に塗布液ノズル３２を配置する塗布目標位置との間で移動体３１を移動させるように駆動部４０を制御する。
【００４７】  塗布液供給制御部１１１は、回転制御部１１９により保持されたウェハＷの表面Ｗａに塗布液を供給するように塗布液供給部３０を制御する。例えば塗布液供給制御部１１１は、移動体３１が塗布目標位置にある状態にて塗布液源３３から塗布液ノズル３２に塗布液を供給するように塗布液供給部３０を制御する。
【００４８】  除去液ノズル移動制御部１１４は、回転保持部２０により保持されたウェハＷの周縁Ｗｃ外に除去液ノズル５２を配置する待機位置（第一位置）と、当該ウェハＷの周縁部上に除去液ノズル５２を配置する除去目標位置（第二位置）との間で移動体５１を移動させるように駆動部６０を制御する。例えば除去液ノズル移動制御部１１４は、上記待機位置から上記除去目標位置に移動体５１を移動させるための制御指令（以下、「往路制御指令」という。）と、上記除去目標位置から上記待機位置に移動体５１を移動させるための制御指令（以下、「復路制御指令」という。）とを駆動部６０に出力する。除去液ノズル移動制御部１１４は、上記オープンループ方式にて駆動部６０を制御するように構成されていてもよいし、上記クローズドループ方式にて駆動部６０を制御するように構成されていてもよい。
【００４９】  除去液ノズル移動制御部１１４は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動を、除去液ノズル５２がウェハＷの周縁Ｗｃ上に到達する前に一時停止させるように駆動部６０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。除去液ノズル５２がウェハＷの周縁Ｗｃ上に到達するとは、除去液ノズル５２の開口の中心線と、表面Ｗａに沿う平面との交点が周縁Ｗｃに到達することを意味する。一時停止とは、制御指令に従った移動が停止することを意味する。すなわち、制御指令に従った移動が停止した後、慣性に起因する振動が継続している状態も一時停止した状態に含まれる。
【００５０】  除去液供給制御部１１３は、除去液ノズル５２からウェハＷの周縁部に除去液を吐出するように除去液供給部５０を制御する。例えば除去液供給制御部１１３は、少なくとも除去液ノズル５２がウェハＷの周縁部上にある状態にて除去液源５３から除去液ノズル５２に除去液を供給するように除去液供給部５０を制御する。除去液供給制御部１１３は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動が一時停止しているときにも除去液ノズル５２から除去液を吐出するように除去液供給部５０を制御してもよい。例えば除去液供給制御部１１３は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動が一時停止しているときに除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液の供給を開始し、その後ウェハＷの周縁部への除去液の吐出が完了するまで除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液の供給を継続するように除去液供給部５０を制御してもよい。
【００５１】  制御指令保持部１１６は、上記往路制御指令及び上記復路制御指令を記憶する。制御指令補正部１１７は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動途中でセンサ７０により検出された情報と、往路制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と除去目標位置との偏差を縮小するように往路制御指令を補正する。例えば制御指令補正部１１７は、センサ７０により検出された情報と、往路制御指令との関係に基づいて、往路制御指令に対する移動体５１の位置の偏差を算出し、当該偏差を縮小するように往路制御指令を補正する。より具体的に、センサ７０により検出された情報に基づく移動体５１の位置が当該情報の検出時点の目標位置（誤差を無視した場合の設計上の到達予定位置）に到達していない場合、制御指令補正部１１７は、当該検出時点以降の移動体５１の移動距離を長くするように往路制御指令を補正する。一方、センサ７０により検出された情報に基づく移動体５１の位置が当該情報の検出時点の目標位置を通り過ぎている場合、制御指令補正部１１７は、当該検出時点以降の移動体５１の移動距離を短くするように往路制御指令を補正する。
【００５２】  なお、センサ７０が、その設置位置への移動体５１の到達を検出するセンサである場合、制御指令補正部１１７は次のように制御指令を補正する。すなわち、センサ７０の設置位置への移動体５１の到達時刻が目標時刻より遅い場合、制御指令補正部１１７は、上記検出時点以降の移動体５１の移動距離を長くするように往路制御指令を補正する。一方、センサ７０の設置位置への移動体５１の到達時刻が目標時刻よりも早い場合、制御指令補正部１１７は、上記検出時点以降の移動体５１の移動距離を短くするように往路制御指令を補正する。
【００５３】  制御指令補正部１１７は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動が一時停止しているときにセンサ７０により検出された情報に基づいて往路制御指令を補正するように構成されていてもよい。制御指令補正部１１７は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動を減衰させるための待機時間の経過後にセンサ７０により検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。制御指令補正部１１７は、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動周期よりも長い所定期間においてセンサ７０により検出された情報の統計値（例えば平均値）を導出し、当該統計値に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。
【００５４】  補正量調節部１１８は、制御指令補正部１１７による補正後の往路制御指令に応じた移動体５１の移動完了位置と、除去目標位置との偏差に基づいて、制御指令補正部１１７による制御指令の補正量を調節する。制御指令補正部１１７による制御指令の補正量とは、例えば、上記検出時点以降の移動体５１の移動距離を長くする又は短くする量を意味する。
【００５５】  より具体的に、補正量調節部１１８は、制御指令補正部１１７による補正後の往路制御指令に応じた移動体５１の移動完了位置と、除去目標位置との偏差に基づいて、補正量が過小であると判断される場合には補正量を増やし、補正量が過大であると判断される場合には補正量を減らす。補正量が過小であると判断される場合の具体例としては、上記検出時点以降の移動距離を長くしたにも関わらず移動体５１の移動完了位置が除去目標位置に到達しない場合、及び上記検出時点以降の移動距離を短くしたにも関わらず移動体５１の移動完了位置が除去目標位置を過ぎている場合が挙げられる。補正量が過大であると判断される場合の具体例としては、上記検出時点以降の移動距離を長くした結果移動体５１の移動完了位置が除去目標位置を過ぎている場合、及び上記検出時点以降の移動距離を短くした結果移動体５１の移動完了位置が除去目標位置に到達していない場合が挙げられる。
【００５６】  制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図４に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を塗布ユニットＵ１に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、回転保持部２０、塗布液供給部３０、駆動部４０、除去液供給部５０、駆動部６０及びセンサ７０との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００５７】〔成膜処理手順〕  以下、基板処理方法の一例として、塗布ユニットＵ１において実行される成膜処理手順を説明する。図５に示すように、制御部１００は、まずステップＳ０１，Ｓ０２を順に実行する。ステップＳ０１では、保持部２１がウェハＷを保持した状態にて、回転駆動部２２によるウェハＷの回転を開始するように、回転制御部１１９が回転保持部２０を制御する。ステップＳ０２は、ウェハＷの表面Ｗａに塗布液を塗布するように塗布液供給部３０及び駆動部４０を制御するステップである。具体的な内容については後述する。
【００５８】  次に、制御部１００はステップＳ０３，Ｓ０４を順に実行する。ステップＳ０３，Ｓ０４は、ステップＳ０２により形成された塗布液の液膜を乾燥させて被膜を形成するように回転保持部２０を制御するステップである。ステップＳ０３では、回転制御部１１９が、ウェハＷの回転速度を予め設定された乾燥用の回転速度に変更するように回転保持部２０を制御する。ステップＳ０４では、予め設定された乾燥期間の経過を回転制御部１１９が待機する。
【００５９】  次に、制御部１００はステップＳ０５，Ｓ０６を順に実行する。ステップＳ０５，Ｓ０６は、ステップＳ０２，Ｓ０３，Ｓ０４により形成された被膜の周縁部を除去するように除去液供給部５０及び駆動部６０を制御するステップである。ステップＳ０５では、回転制御部１１９が、ウェハＷの回転速度を予め設定された周縁除去用の回転速度に変更するように回転保持部２０を制御する。ステップＳ０６は、ウェハＷの周縁部に除去液を供給するように除去液供給部５０及び駆動部６０を制御するステップである。具体的な内容については後述する。
【００６０】  次に、制御部１００はステップＳ０７，Ｓ０８，Ｓ０９を順に実行する。ステップＳ０７では、回転制御部１１９が、ウェハＷの回転速度を予め設定された乾燥用の回転速度に変更するように回転保持部２０を制御する。ステップＳ０８では、予め設定された乾燥期間の経過を回転制御部１１９が待機する。ステップＳ０９では、回転制御部１１９が、回転駆動部２２によるウェハＷの回転を停止するように回転保持部２０を制御する。以上で成膜手順が完了する。
【００６１】（塗布処理手順）  続いて、上述したステップＳ０２の具体的な手順を例示する。図６に示すように、制御部１００は、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５を順に実行する。ステップＳ１１では、塗布液ノズル移動制御部１１２が、上記待機位置から上記塗布目標位置に移動体３１を移動させるように駆動部４０を制御する。これにより、塗布液ノズル３２がウェハＷの中心上に移動する（図７の（ａ）参照）。ステップＳ１２では、塗布液供給制御部１１１が、塗布液源３３から塗布液ノズル３２への塗布液Ｌ１の供給を開始するように塗布液供給部３０を制御する（図７の（ｂ）参照）。ステップＳ１３では、塗布液供給制御部１１１が、予め設定された塗布期間の経過を待機する。ステップＳ１４では、塗布液供給制御部１１１が、塗布液源３３から塗布液ノズル３２への塗布液の供給を停止するように塗布液供給部３０を制御する。ステップＳ１５では、塗布液ノズル移動制御部１１２が、上記塗布目標位置から上記待機位置に移動体３１を移動させるように駆動部４０を制御する（図７の（ｃ）参照）。これにより、塗布液ノズル３２がウェハＷの周縁Ｗｃ外に移動する。以上で塗布処理手順が完了する。塗布処理手順の実行により、ウェハＷの表面Ｗａ上に塗布液Ｌ１の液膜が形成される。
【００６２】（周縁除去処理手順）  続いて、上述したステップＳ０６の具体的な手順を例示する。この手順は、上記待機位置から上記除去目標位置に移動体５１を移動させるように駆動部６０を制御することと、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動途中で検出された移動体５１の位置に関する情報と、駆動部６０への制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と除去目標位置との偏差を縮小するように駆動部６０への制御指令を補正することと、を含む。
【００６３】  図８に示すように、制御部１００は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、除去液ノズル移動制御部１１４が、待機位置から一時停止目標位置まで移動体５１を移動させる制御指令（以下、「往路第一制御指令」という。）を駆動部６０に出力する。駆動部６０は、往路第一制御指令に応じて移動体５１を移動させた後に一時停止する（図１０の（ａ）参照）。一時停止目標位置は、除去液ノズル５２がウェハＷの周縁Ｗｃ上に到達することがないように設定されている。
【００６４】  次に、制御部１００はステップＳ２２，Ｓ２３，Ｓ２４を実行する。ステップＳ２２では、制御指令補正部１１７が、移動体５１の振動を減衰させるために予め設定された待機時間の経過を待機する。ステップＳ２３では、制御指令補正部１１７が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ２４では、制御指令補正部１１７が、ステップＳ２３において取得された情報と、往路制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と除去目標位置との偏差を縮小するように往路制御指令を補正する。例えば制御指令補正部１１７は、ステップＳ２３において取得された情報に基づく移動体５１の位置（以下、「現在位置」という。）と、上記一時停止目標位置との関係に基づいて、往路制御指令に対する移動体５１の位置の偏差を算出し、当該偏差を縮小するように一時停止目標位置から除去目標位置までの制御指令（以下、「往路第二制御指令」という。）を補正する。より具体的に、移動体５１の現在位置が上記一時停止目標位置に到達していない場合、制御指令補正部１１７は、移動再開後の移動体５１の移動距離を長くするように往路第二制御指令を補正する。一方、移動体５１の現在位置が上記一時停止目標位置を通り過ぎている場合、制御指令補正部１１７は、移動再開後の移動体５１の移動距離を短くするように往路第二制御指令を補正する。
【００６５】  次に、制御部１００は、ステップＳ２５，Ｓ２６，Ｓ２７を実行する。ステップＳ２５では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を開始するように除去液供給部５０を制御する（図１０の（ｂ）参照）。ステップＳ２６では、除去液ノズル移動制御部１１４が、予め設定されたダミー吐出時間の経過を待機する。ステップＳ２７では、ステップＳ２４において補正された往路第二制御指令を駆動部６０に出力する。駆動部６０は、往路第二制御指令に応じて移動体５１の移動を再開させ、移動体５１を除去目標位置又はその近傍まで移動させた後に一時停止する。これにより、除去液Ｌ２がウェハＷの周縁部に供給される（図１０の（ｃ）参照）。
【００６６】  図９に示すように、制御部１００は、次にステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３を順に実行する。ステップＳ３１では、補正量調節部１１８が、移動体５１の振動を減衰させるために予め設定された待機時間の経過を待機する。ステップＳ３２では、補正量調節部１１８が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ３３では、補正量調節部１１８が、ステップＳ３２において取得された情報に基づく移動体５１の位置（以下、「現在位置」という。）と、除去目標位置との偏差に基づいて、次回以降のステップＳ２４における制御指令の補正量を調節する。より具体的に、補正量調節部１１８は、移動体５１の現在位置と、除去目標位置との偏差に基づいて、ステップＳ２４における補正量が過小であったと判断される場合には、次回以降のステップＳ２４における補正量を増やし、ステップＳ２４における補正量が過大であると判断される場合には、次回以降のステップＳ２４における補正量を減らす。例えば補正量調節部１１８は、ステップＳ２４において移動再開後の移動距離を長くしたにも関わらず移動体５１の現在位置が除去目標位置に到達しない場合、又は、ステップＳ２４において移動再開後の移動距離を短くしたにも関わらず移動体５１の現在位置が除去目標位置を通り過ぎている場合に、次回以降のステップＳ２４における補正量を増やす。一方、補正量調節部１１８は、ステップＳ２４において移動再開後の移動距離を長くした結果移動体５１の移動完了位置が除去目標位置を過ぎている場合、又は、ステップＳ２４において移動再開後の移動距離を短くした結果移動体５１の移動完了位置が除去目標位置に到達していない場合に、次回以降のステップＳ２４における補正量を減らす。
【００６７】  次に、制御部１００はステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６を実行する。ステップＳ３４では、除去液ノズル移動制御部１１４が、除去目標位置から一時停止目標位置まで移動体５１を移動させる制御指令（以下、「復路第一制御指令」という。）を駆動部６０に出力する。駆動部６０は、復路第一制御指令に応じて移動体５１を移動させた後に一時停止する（図１１の（ａ）参照）。ステップＳ３５では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を停止するように除去液供給部５０を制御する。ステップＳ３６では、除去液ノズル移動制御部１１４が、一時停止目標位置から待機位置まで移動体５１を移動させる制御指令（以下、「復路第二制御指令」という。）を駆動部６０に出力する。駆動部６０は、復路第二制御指令に応じて移動体５１を移動させた後に停止する（図１１の（ｂ）参照）。以上で周縁除去処理手順が完了する。周縁除去処理手順の実行により、表面Ｗａ上の被膜Ｆ１（上記ステップＳ０３，Ｓ０４により形成される被膜）の周縁部が除去される。
【００６８】〔本実施形態の効果〕  以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷの周縁部に除去液を吐出するための除去液ノズル５２を有する除去液供給部５０と、除去液ノズル５２を含む移動体５１を移動させる駆動部６０と、移動体５１の位置に関する情報を検出するセンサ７０と、ウェハＷの周縁Ｗｃ外に除去液ノズル５２を配置する第一位置Ｐ１からウェハＷの周縁部上に除去液ノズル５２を配置する第二位置Ｐ２に移動体５１を移動させるための制御指令を駆動部６０に出力することと、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動途中でセンサ７０により検出された情報と、制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と第二位置Ｐ２との偏差を縮小するように制御指令を補正することと、を実行するように構成されている制御部１００と、を備える。
【００６９】  この塗布・現像装置２によれば、移動体５１の移動途中に移動体５１の位置に関する情報を検出し、当該情報に基づいて制御指令を補正することで、移動体５１の移動完了位置と第二位置Ｐ２との偏差を縮小することができる。なお、移動体５１の位置に関する情報と制御指令との関係に基づく方式によれば、ウェハＷの周縁Ｗｃを検出する方式のように移動体５１自体にセンサ７０を配置する必要がないので、センサ７０の配置による移動体５１の大型化等を回避することができる。また、移動体５１の位置に関する情報と制御指令との関係に基づくことで、ウェハＷの周縁Ｗｃ等を検出することなく、任意のタイミングで余裕をもって制御指令を補正することができる。したがって、本塗布・現像装置２は、ウェハＷの周縁部に対する除去液の供給位置の精度向上に有効である。
【００７０】  図１２は、動作回数と、目標位置からのずれ量との関係を例示するグラフである。「目標位置からのずれ量」は、往路制御指令に応じた移動体５１の移動完了位置と、除去目標位置との偏差である。グラフ中の破線は、制御指令補正部１１７による制御指令の補正を行わない場合における目標位置のずれ量を示している。グラフ中の実線は、制御指令補正部１１７による制御指令の補正を行う場合における目標位置のずれ量を示している。
【００７１】  破線で示されるずれ量は、動作回数が少ない段階においては上限値ＵＬ及び下限値ＬＬの範囲内から大きく逸脱しており、動作回数が増えるにつれて徐々に上限値ＵＬ及び下限値ＬＬの範囲内に収束している。これは、タイミングベルト６４の伸び量が徐々に安定してきているためだと考えられる。ただし、上限値ＵＬ及び下限値ＬＬの範囲内に収束した後も、破線で示されるずれ量は度々下限値ＬＬに近い値に到達している。これは、タイミングベルト６４の伸び量が安定した後にも、依然として減速機６３のバックラッシュ等の影響が残存しているためだと考えられる。これに対し、実線で示されるずれ量は、動作回数が少ない段階においても十分なマージンをもって上限値ＵＬ及び下限値ＬＬの範囲内に収まっており、その傾向は動作回数が増えても同様である。このように、制御指令補正部１１７によって制御指令の補正を行うことは、基板の周縁部に対する処理液の供給位置の精度向上に有効である。
【００７２】  制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動を、除去液ノズル５２がウェハＷの周縁Ｗｃ上に到達する前に一時停止させるように駆動部６０を制御することを更に実行し、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止しているときにセンサ７０により検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、除去液ノズル５２がウェハＷの周縁部上に到達する前のタイミングにて、余裕をもって制御指令を補正することができる。
【００７３】  制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止しているときに除去液ノズル５２から除去液を吐出するように除去液供給部５０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、一時停止のタイミングを利用して除去液の吐出を開始し、吐出開始時の除去液に含まれるパーティクルがウェハＷに付着することを抑制することができる。
【００７４】  制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動を減衰させるための待機時間の経過後にセンサ７０により検出された情報に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、センサ７０により検出される情報のばらつきに起因して、除去液の供給位置の精度が低下することを抑制することができる。
【００７５】  制御部１００は、補正後の制御指令に応じた移動体５１の移動完了位置と、第二位置Ｐ２との偏差に基づいて、制御指令の補正量を調節することを更に実行するように構成されていてもよい。この場合、移動体５１の移動完了位置と第二位置Ｐ２との偏差を更に縮小することができる。
【００７６】〔変形例〕  制御部１００は、第一位置Ｐ１から第二位置Ｐ２への移動体５１の移動が一時停止する期間の開始後、移動体５１の振動周期よりも長い所定期間においてセンサ７０により検出された情報の統計値を導出し、当該統計値に基づいて制御指令を補正するように構成されていてもよい。この場合、位置情報のばらつきに起因して、除去液の供給位置の精度が低下することを抑制することができる。以下、このように構成された制御部１００による周縁除去処理手順を具体的に例示する。図１３に示すように、制御部１００は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、除去液ノズル移動制御部１１４が、ステップＳ２１と同様に、上記往路第一制御指令を駆動部６０に出力する。
【００７７】  次に、制御部１００はステップＳ４２，Ｓ４３を実行する。ステップＳ４２では、制御指令補正部１１７が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ４３では、制御指令補正部１１７が、移動体５１の振動周期よりも長くなるように予め設定されたデータ収集期間が経過したか否かを確認する。ステップＳ４３において、データ収集期間は経過していないと判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ４２に戻す。以後、データ収集期間の経過までは、センサ７０により検出された情報の取得が繰り返される。
【００７８】  ステップＳ４３において、データ収集期間が経過したと判定した場合、制御部１００はステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、制御指令補正部１１７が、ステップＳ４２においてセンサ７０により検出された情報の統計値（例えば平均値）を導出する。
【００７９】  次に、制御部１００はステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、制御指令補正部１１７が、ステップＳ４４において導出された統計値と、往路第一制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と除去目標位置との偏差を縮小するように往路制御指令を補正する。ステップＳ４５の具体的処理内容は、センサ７０により検出された情報として上記統計値を用いる点を除き、上記ステップＳ２４と同様である。
【００８０】  次に、制御部１００は、ステップＳ２５，Ｓ２６，Ｓ２７と同様のステップＳ４６，Ｓ４７，Ｓ４８を順に実行する。ステップＳ４６では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を開始するように除去液供給部５０を制御する。ステップＳ４７では、除去液ノズル移動制御部１１４が、予め設定されたダミー吐出時間の経過を待機する。ステップＳ４８では、ステップＳ４５において補正された往路第二制御指令を駆動部６０に出力する。
【００８１】  図１４に示すように、制御部１００は、次にステップＳ５１，Ｓ５２を実行する。ステップＳ５１では、制御指令補正部１１７が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ５２では、制御指令補正部１１７が、移動体５１の振動周期よりも長くなるように予め設定されたデータ収集期間が経過したか否かを確認する。ステップＳ５２において、データ収集期間は経過していないと判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ５２に戻す。以後、データ収集期間の経過までは、センサ７０により検出された情報の取得が繰り返される。
【００８２】  ステップＳ５２において、データ収集期間が経過したと判定した場合、制御部１００はステップＳ５３を実行する。ステップＳ５３では、制御指令補正部１１７が、ステップＳ５２においてセンサ７０により検出された情報の統計値（例えば平均値）を導出する。
【００８３】  次に、制御部１００はステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、補正量調節部１１８が、ステップＳ５３において導出された統計値に基づく移動体５１の位置（以下、「現在位置」という。）と、除去目標位置との偏差に基づいて、次回以降のステップＳ４５における制御指令の補正量を調節する。ステップＳ５４の具体的処理内容は、センサ７０により検出された情報として上記統計値を用いる点を除き、上記ステップＳ３３と同様である。
【００８４】  次に、制御部１００は、ステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６と同様のステップＳ５５，Ｓ５６，Ｓ５７を順に実行する。ステップＳ５５では、除去液ノズル移動制御部１１４が、上記復路第一制御指令を駆動部６０に出力する。ステップＳ５６では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を停止するように除去液供給部５０を制御する。ステップＳ５７では、除去液ノズル移動制御部１１４が、上記復路第二制御指令を駆動部６０に出力する。以上で周縁除去処理手順が完了する。
【００８５】  制御部は、待機位置と除去目標位置との間における移動体５１の移動を一時停止させないように構成されていてもよい。以下、このように構成された制御部１００による周縁除去処理手順を具体的に例示する。
【００８６】  図１５に示すように、制御部１００は、まずステップＳ６１，Ｓ６２を順に実行する。ステップＳ６１では、除去液ノズル移動制御部１１４が、往路制御指令に従って、待機位置から除去目標位置への移動体５１の移動を開始させるように駆動部６０を制御する。ステップＳ６２では、移動体５１を移動させるための駆動部６０の制御の進捗が、予め設定された吐出開始段階に到達するのを除去液供給制御部１１３が待機する。吐出開始段階は、例えば、予め設定された吐出開始位置まで移動体５１を移動させるための制御指令（以下、「往路第一制御指令」という。）の出力が完了する段階である。
【００８７】  次に、制御部１００はステップＳ２３，Ｓ２４，Ｓ２５と同様のステップＳ６３，Ｓ６４，Ｓ６５を順に実行する。ステップＳ６３では、制御指令補正部１１７が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ６４では、制御指令補正部１１７が、ステップＳ６３において取得された情報と、往路第一制御指令との関係に基づいて、移動体５１の移動完了位置と除去目標位置との偏差を縮小するように往路制御指令を補正する。ステップＳ６５では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を開始するように除去液供給部５０を制御する。
【００８８】  次に、制御部１００は、ステップＳ６６，Ｓ６７を順に実行する。ステップＳ６６では、移動体５１を移動させるための駆動部６０の制御の進捗が、予め設定された移動停止段階に到達するのを除去液ノズル移動制御部１１４が待機する。移動停止段階は、ステップＳ６４において補正された往路制御指令の出力が完了する段階である。ステップＳ６７では、除去液供給制御部１１３が、移動体５１の移動を停止させるように駆動部６０を制御する。
【００８９】  図１６に示すように、制御部１００は、次に、ステップＳ３２，Ｓ３３と同様のステップＳ７１，Ｓ７２を順に実行する。ステップＳ７１では、補正量調節部１１８が、センサ７０により検出された情報を取得する。ステップＳ７２では、補正量調節部１１８が、ステップＳ７１において取得された情報に基づく移動体５１の位置と、除去目標位置との偏差に基づいて、次回以降のステップＳ６４における制御指令の補正量を調節する。
【００９０】  次に、制御部１００は、ステップＳ７３，Ｓ７４，Ｓ７５，Ｓ７６，Ｓ７７を順に実行する。ステップＳ７３では、除去液ノズル移動制御部１１４が、復路制御指令に従って、除去目標位置から待機位置への移動体５１の移動を開始させるように駆動部６０を制御する。ステップＳ７４では、移動体５１を移動させるための駆動部６０の制御の進捗が、予め設定された吐出停止段階に到達するのを除去液供給制御部１１３が待機する。吐出停止段階は、例えば、予め設定された吐出停止位置まで移動体５１を移動させるための制御指令（以下、「復路第一制御指令」という。）の出力が完了する段階である。ステップＳ７５では、除去液供給制御部１１３が、除去液源５３から除去液ノズル５２への除去液Ｌ２の供給を停止するように除去液供給部５０を制御する。ステップＳ７６では、移動体５１を移動させるための駆動部６０の制御の進捗が、予め設定された移動停止段階に到達するのを除去液ノズル移動制御部１１４が待機する。移動停止段階は、復路制御指令の出力が完了する段階である。ステップＳ７７では、除去液ノズル移動制御部１１４が、移動体５１の移動を停止させるように駆動部６０を制御する。以上で周縁除去処理手順が完了する。
【００９１】  以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。基板の周縁部に処理液を供給する処理は、基板の周縁部に上記除去液を供給する処理に限られない。基板の周縁部に処理液を供給する処理は、基板の周縁部に塗布液を供給し、基板の周縁部に被膜を形成する処理であってもよい。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００９２】  ２…塗布・現像装置（基板処理装置）、５０…除去液供給部（液供給部）、５１…移動体、５２…除去液ノズル（ノズル）、６０…駆動部、７０…センサ、１００…制御部、Ｐ１…第一位置、Ｐ２…第二位置、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗｃ…周縁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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