(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持材と、
前記支持材の第１の面側に設けられる制御基板と、
前記支持材における前記第１の面と反対側の面である前記支持材の第２の面側に設けられ、コネクタを介して前記制御基板と電気的に接続される第１の多層樹脂基板と、
前記第１の多層樹脂基板の前記支持材側の第１の面に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される複数のマイクロ波デバイスと、
前記第１の多層樹脂基板における前記第１の面の反対側の面である前記第１の多層樹脂基板の第２の面側に設けられ、前記第１の多層樹脂基板と電気的に接続される複数のアンテナ素子と、
前記支持材における前記第１の多層樹脂基板側の面上に設けられて前記第１の多層樹脂基板に電力を供給するブスバーと、
前記第１の多層樹脂基板と前記ブスバーとに接触して前記第１の多層樹脂基板と前記ブスバーとの間に設けられて、前記第１の多層樹脂基板と前記ブスバーとに電気的に接続される導電性の板ばねと、
前記第１の多層樹脂基板と前記支持材とを締結する締結部と、
を備えること、
を特徴とする空中線。
【請求項２】
前記マイクロ波デバイスは、前記第１の多層樹脂基板と前記コネクタと前記制御基板とを介して、前記制御基板と一体化又は別個に設けられた送受信機に接続されること、
を特徴とする請求項１に記載の空中線。
【請求項３】
前記複数のアンテナ素子を有するアンテナ基板を備え、
前記複数のアンテナ素子は、前記マイクロ波デバイスを介して、前記送受信機と接続されること、
を特徴とする請求項２に記載の空中線。
【請求項４】
前記マイクロ波デバイスは、
第２の多層樹脂基板と、
前記第２の多層樹脂基板に設けられ前記第２の多層樹脂基板と電気的に接続される回路装置と、
前記回路装置における前記第２の多層樹脂基板を向く面と反対側の面に設けられて前記回路装置に接するヒートスプレッダと、
前記回路装置及び前記ヒートスプレッダの周囲を覆う樹脂と、
前記樹脂及びヒートスプレッダを覆う導電膜と、
を備え、
前記導電膜の内側が前記ヒートスプレッダに接し、前記導電膜が前記第２の多層樹脂基板のグランドビアホールと電気的に接続されること、
を特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の空中線。
【請求項５】
前記第２の多層樹脂基板と対向して設けられ、前記導電膜に接する放熱シートを備えること、
を特徴とする請求項４に記載の空中線。
【請求項６】
前記放熱シートの弾性率は、前記導電膜の弾性率よりも小さいこと、
を特徴とする請求項５に記載の空中線。
【請求項７】
前記放熱シートの前記マイクロ波デバイスを向く側とは反対側に設けられ、前記放熱シートに接する放熱板を備え、
前記支持材は、前記放熱板が嵌めこまれるスリット部を有すること、
を特徴とする請求項５または６に記載の空中線。
【請求項８】
前記回路装置は、高周波回路であること、
を特徴とする請求項４から７のいずれか１つに記載の空中線。
【請求項９】
前記回路装置は、
前記第２の多層樹脂基板に設けられ、前記第２の多層樹脂基板と電気的に接続される第１の半導体基板と、
前記第１の半導体基板における前記第２の多層樹脂基板を向く側とは反対側に設けられ、前記第１の半導体基板と電気的に接続される第２の半導体基板と、
を備え、
前記ヒートスプレッダは、前記第２の半導体基板の前記第１の半導体基板を向く側とは反対側に設けられ、前記第２の半導体基板に接し、
前記樹脂は、前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板及び前記ヒートスプレッダの周囲を覆うこと、
を特徴とする請求項４から８のいずれか１つに記載の空中線。
【請求項１０】
前記第２の半導体基板には、窒化ガリウムから形成されるトランジスタが設けられること、
を特徴とする請求項９に記載の空中線。
【請求項１１】
前記第１の半導体基板には、ガリウム砒素から形成される回路が設けられること、
を特徴とする請求項９に記載の空中線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波デバイスを有する空中線に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波を用いた通信に用いられる送受信用の空中線として、特許文献１には、複数のアンテナ素子を有するマイクロストリップ線路および電子デバイス等の構成部がプリント板に搭載されたものが開示されている。【０００３】
一方、空中線の構造として、アンテナ素子を搭載した基板を同一平面上に配置した層と、マイクロ波デバイスを搭載した基板を同一平面上に配置した層と、電源回路を実装した層とを積層させ、層間を電気的に接続することで低背化を実現する空中線が検討されている。このような層間の電気的接続には、一般的に多極の基板対基板接続コネクタが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１１２７１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、増幅器を駆動するためのドレイン電流などの大きな電流容量が必要な電源の伝送については、一般的な多極の基板対基板接続コネクタに設けられている１つの端子の電流容量では対応できない。このため、複数の端子を用いることが必要となり、基板対基板接続コネクタが大型化してしまう。基板対基板接続コネクタの大型化は、基板対基板接続コネクタの大型化に起因した基板における基板対基板接続コネクタの実装自由度の低減、および基板対基板接続コネクタの大型化に起因した基板における部品実装面積の低減といった問題につながり、空中線が大型化するという問題が生じる。【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、低背化及び小型化が可能な空中線を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の空中線は、支持材と、支持材の第１の面側に設けられる制御基板と、支持材における第１の面と反対側の面である支持材の第２の面側に設けられ、コネクタを介して制御基板と電気的に接続される第１の多層樹脂基板と、第１の多層樹脂基板の支持材側の第１の面に設けられ、第１の多層樹脂基板と電気的に接続される複数のマイクロ波デバイスと、第１の多層樹脂基板における第１の面の反対側の面である第１の多層樹脂基板の第２の面側に設けられ、第１の多層樹脂基板と電気的に接続される複数のアンテナ素子と、を備える。また、空中線は、支持材における第１の多層樹脂基板側の面上に設けられて第１の多層樹脂基板に電力を供給するブスバーと、第１の多層樹脂基板とブスバーとに接触して第１の多層樹脂基板とブスバーとの間に設けられて、第１の多層樹脂基板とブスバーとに電気的に接続される導電性の板ばねと、第１の多層樹脂基板と支持材とを締結する締結部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、低背化及び小型化が可能な空中線が得られる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイスの断面図
【図２】図１に示すマイクロ波デバイスを備えた空中線の断面図
【図３】図２に示す支持材の全体図
【図４】図１に示すマイクロ波デバイスの機能ブロックを示す図
【図５】図１に示すマイクロ波デバイスの変形例を示す図
【図６】本発明の実施の形態に係るシールド構造を有するサーキュレータを示す図
【図７】図２に示す空中線の変形例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態に係る空中線を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態．
図１は本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイスの断面図である。図２は図１に示すマイクロ波デバイスを備えた空中線の断面図である。図３は図２に示す支持材の全体図である。図４は図１に示すマイクロ波デバイスの機能ブロックを示す図である。
【００１２】
図１に示すようにマイクロ波デバイス１００は、デバイス用の多層樹脂基板である多層樹脂基板１と、高発熱性のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）デバイスであるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）４と、ＩＣ４に熱的に接続される導電性のヒートスプレッダ５とを備える。
【００１３】
またマイクロ波デバイス１００は、高発熱性のＲＦデバイスであるＩＣ６と、ＩＣ６に熱的に接続される導電性のヒートスプレッダ７と、多層樹脂基板１に表面実装されるチップ部品８とを備える。
【００１４】
ＩＣ４及びＩＣ６は回路装置である高周波回路の一例であり、本実施の形態ではＩＣ４は、ドライバ増幅器（Ｄｒｉｖｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＤＡ）である。ＩＣ６は、高出力増幅器（Ｈｉｇｈ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＨＰＡ）である。チップ部品８は、ＲＦ重畳波を抑圧するバイパスキャパシタである。
【００１５】
多層樹脂基板１は、多層樹脂基板１のＹ軸方向の一端側の端面である第１の板面１ａと、多層樹脂基板１のＹ軸方向の他端側の端面である第２の板面１ｂとを有する。図１では、右手系のＸＹＺ座標において、ＩＣ４及びＩＣ６の配列方向がＸ軸方向とされ、多層樹脂基板１の第１の板面１ａ及び第２の板面１ｂの配列方向がＹ軸方向とされ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方に直交する方向がＺ軸方向とされる。
【００１６】
多層樹脂基板１には、多層樹脂基板１の外周寄りに形成された複数のグランドビアホール１１と、信号ビアホール１２と、信号ビアホール１３とが形成される。多層樹脂基板１の第２の板面１ｂ側には、複数のグランドビアホール１１のそれぞれのＹ軸方向における一端と電気的に接続されるグランドパターン１４と、チップ部品８と電気的に接続される信号線路１５と、信号ビアホール１２のＹ軸方向の一端と電気的に接続されるパッド１６と、信号ビアホール１３のＹ軸方向の一端と電気的に接続されるパッド１７と、複数のパッド１８とが設けられている。
【００１７】
多層樹脂基板１の第１の板面１ａ側には、グランドビアホール１１のＹ軸方向の他端と電気的に接続されるグランドパターン１９と、信号ビアホール１２のＹ軸方向の他端と電気的に接続される信号入出力端子２０と、信号ビアホール１３のＹ軸方向の他端と電気的に接続される信号入出力端子２１とが設けられている。
【００１８】
複数のグランドビアホール１１は、多層樹脂基板１の外周面寄りに、信号線路１５と、パッド１６，１７，１８と、信号入出力端子２０，２１等の信号パッドと、信号ビアホール１２，１３とを取り囲むように形成される。
【００１９】
信号線路１５の種類としては、入力ＲＦ線路、ゲートバイアス供給線路、出力ＲＦ線路及びドレインバイアス供給線路である。
【００２０】
ＩＣ４のＹ軸方向の一端面４ａ側には２つの入出力端子４１，４２が設けられている。入出力端子４１は、微細接合材３０を介してパッド１６と電気的に接続される。入出力端子４２は、微細接合材３０を介してパッド１８と電気的に接続される。微細接合材３０としては、導電性の銅ピラー又はソルダーボールを例示できる。ＩＣ４のＹ軸方向の他端面４ｂ側にはヒートスプレッダ５が設けられている。すなわち、ヒートスプレッダ５は、ＩＣ４における多層樹脂基板１側を向く面と反対側の面に設けられている。ＩＣ４はヒートスプレッダ５のＹ軸方向の一端面５ａと熱的に接続される。
【００２１】
ＩＣ６のＹ軸方向の一端面６ａ側には２つの入出力端子６１，６２が設けられている。入出力端子６１は、微細接合材３０を介してパッド１８と電気的に接続される。入出力端子６２は、微細接合材３０を介してパッド１７と電気的に接続される。ＩＣ６のＹ軸方向の他端面６ｂ側にはヒートスプレッダ７が設けられている。ＩＣ６はヒートスプレッダ７のＹ軸方向の一端面７ａと熱的に接続される。
【００２２】
ヒートスプレッダ５，７と接触するように設けられたＩＣ４，６は、多層樹脂基板１に接合され、ＩＣ４，６が接合された多層樹脂基板１上にはモールド樹脂５０が成形されている。モールド樹脂５０は、ＩＣ４，６と、ヒートスプレッダ５，７と、チップ部品８と、信号線路１５と、パッド１６，１７，１８とを内部に含むように成形されている。
【００２３】
ＩＣ４の外周面は、ＩＣ４のＹ軸方向の他端面４ｂを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ＩＣ６の外周面は、ＩＣ６のＹ軸方向の他端面６ｂを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ヒートスプレッダ５の外周面は、ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の一端面５ａとヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂとを除き、モールド樹脂５０で覆われている。
【００２４】
ヒートスプレッダ７の外周面は、ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の一端面７ａとヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂとを除き、モールド樹脂５０で覆われている。ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂは、モールド樹脂５０で覆われることなく露出している。ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂは、モールド樹脂５０で覆われることなく露出している。
【００２５】
モールド樹脂５０の成形方法としては、導電膜２のＹ軸方向の内側面２ａ側の端面に段差が生じないように、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲に樹脂材をモールド成形する方法でもよい。また、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲に樹脂材をモールド成形した後に内側面２ａ側のモールド樹脂５０の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが概ね同一平面になるように研磨され、又は内側面２ａ側のモールド樹脂５０の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが平坦になるように研磨されることで、ヒートスプレッダ５，７の他端面５ｂ，７ｂを露出させてもよい。
【００２６】
モールド樹脂５０及びヒートスプレッダ５，７の表面には、導電膜２が形成されている。導電膜２は、無電解メッキ又は導電性接着剤等の導電性を有する被膜であり、メッキ被膜の材料としては、Ｎｉ（ニッケル）又は銀等を例示でき、導電性接着剤としては、銀粒子を含むエポキシ材料等を例示できる。なお、導電膜２として無電解メッキを用いる場合は、モールド樹脂５０の内側面２ａ側の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面とが隣接する境界領域の上面に、導電性接着剤又は薄膜導電金属シートを接触させて、モールド樹脂５０の内側面２ａ側の端面とヒートスプレッダ５，７の上端面との境界領域の電気的接続及び電磁遮蔽（シールド）機能を強化しても良い。符号３で示される領域は、多層樹脂基板１と導電膜２との間に形成され、モールド樹脂５０が充填された空間である。
【００２７】
多層樹脂基板１に設けられた導電膜２の内側面２ａは、ヒートスプレッダ５のＹ軸方向の他端面５ｂと熱的に接続され、ヒートスプレッダ７のＹ軸方向の他端面７ｂと熱的に接続される。また多層樹脂基板１に設けられた導電膜２のＹ軸方向の端部は、グランドパターン１４と電気的に接続される。
【００２８】
このように構成されたマイクロ波デバイス１００では、信号入出力端子２０にＲＦ信号が入力される。信号入出力端子２０に入力された送信信号であるＲＦ信号は、信号ビアホール１２、パッド１６、微細接合材３０及び入出力端子４１を介してＩＣ４に入力される。ＩＣ４に入力されたＲＦ信号は、入出力端子４２、微細接合材３０及びパッド１８を介して、ＩＣ６側に伝送される。入出力端子６１を介してＩＣ６に入力されたＲＦ信号は、入出力端子６２、微細接合材３０、パッド１７及び信号ビアホール１３を介して、信号入出力端子２１に伝送される。
【００２９】
パッド１６、信号ビアホール１２及び信号入出力端子２０は、同軸構造の信号端子部８４を構成する。パッド１７、信号ビアホール１３及び信号入出力端子２１は、同軸構造の信号端子部８５を構成する。
【００３０】
図２に示すように空中線５００は、マイクロ波モジュール２００と、弾性を有する放熱シート１５０と、放熱板１４０と、制御基板１６０とを備える。放熱シート１５０の弾性率は、マイクロ波デバイス１００の導電膜２の弾性率よりも小さい。マイクロ波モジュール２００、放熱シート１５０、放熱板１４０及び制御基板１６０は、Ｙ軸方向にマイクロ波モジュール２００、放熱シート１５０、放熱板１４０、制御基板１６０の順で配列されている。
【００３１】
マイクロ波モジュール２００は、モジュール用の多層樹脂基板である多層樹脂基板１１０と、複数のマイクロ波デバイス１００と、制御用ＩＣ１２０と、チップ部品１３０と、板ばね１９０と、複数のアンテナ素子２１０とを備える。モジュール用の多層樹脂基板１１０を、第１の多層樹脂基板とすると、上述したデバイス用の多層樹脂基板１は、第２の多層樹脂基板といえる。
【００３２】
複数のマイクロ波デバイス１００と制御用ＩＣ１２０とチップ部品１３０と板ばね１９０とは、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の一端面１１０ａに設けられている。制御用ＩＣ１２０、板ばね１９０及びチップ部品１３０は、多層樹脂基板１１０に表面実装されている。チップ部品１３０としては、抵抗又はコンデンサを例示できる。複数のアンテナ素子２１０は、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂに設けられている。一端面１１０ａは、多層樹脂基板１１０の第１の面である。他端面１１０ｂは、多層樹脂基板１１０の第２の面であり、多層樹脂基板１１０における第１の面の反対側の面である。
【００３３】
図２に示すように、制御基板１６０の多層樹脂基板１１０側の面上には、平板状を呈する支持材１４１が配置されている。すなわち、制御基板１６０は、支持材１４１のＹ軸方向の一端面１４１ａ側に設けられている。また、多層樹脂基板１１０は、支持材１４１のＹ軸方向の他端面１４１ｂ側に設けられている。一端面１４１ａは、支持材１４１の第１の面である。他端面１４１ｂは、支持材１４１における第１の面と反対側の面である支持材１４１の第２の面である。
【００３４】
支持材１４１は、例えば導電性の金属により構成される。支持材１４１は、例えば金属の旋削加工、鋳造で形成した鋳造品に一部切削加工を加える加工、板金加工で形成した板部材を拡散接合技術により接着する拡散接合加工、いわゆる３Ｄプリンターである付加製造（Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ：ＡＭ）を用いた金属積層造形加工、および板金加工に一部切削加工を加える加工などによって加工形成される。
【００３５】
図２および図３に示すように、支持材１４１には、複数のブスバー１４２および複数のスリット１４３が設けられている。それぞれのスリット１４３は、支持材１４１を厚さ方向に貫通している。それぞれのスリット１４３には、それぞれの放熱板１４０が嵌め込まれている。また、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０は、スリット１４３を介して多層樹脂基板１１０に電気的に接続される。ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０には、一般的な基板対基板接続コネクタを用いることができる。マイクロ波モジュール２００は、支持材１４１の制御基板１６０が配置されている側と反対側に敷詰められる。図３においては、支持材１４１の面内方向におけるマイクロ波モジュール２００の配置位置を破線で示している。
【００３６】
支持材１４１における多層樹脂基板１１０側の面上には、制御基板１６０に電気的に接続されるブスバー１４２が設けられている。支持材１４１とブスバー１４２とは、電気的に絶縁されている。例えば、支持材１４１に外導体をなす貫通孔１１９１を形成し、円筒形状絶縁体１１９２を挿入する。円筒形状絶縁体１１９２の軸中心に内導体１１９を設ける。これにより、多層樹脂基板１１０とブスバー１４２とは、貫通孔１１９１の内面と内導体１１９とを介して電気的に接続されている。支持材１４１の上には絶縁膜１１９３を形成し、絶縁膜１１９３の上にブスバー１４２を載置する。内導体１１９は制御基板１６０上のバイアス電源端子に電気的に接続される。
【００３７】
なお、別の態様として、制御基板１６０の外部に図示しない外部電源基板を設けて、ブスバー１４２を当該外部電源基板上のバイアス電源端子に電気的に接続しても良い。この場合、外部電源基板のバイアス電源端子とブスバー１４２とは、制御基板１６０の外部に設けた耐ノイズ性の電源供給用配線またはコネクタ等を介して接続される。またこのとき、制御基板１６０に孔を設けて、当該孔に対して絶縁された状態で、耐ノイズ性の電源供給用配線を孔に通して、ブスバー１４２と外部電源基板との間を電源供給用配線またはコネクタ等により電気的に接続しても良い。このようにすることで、制御基板１６０とブスバー１４２とを電気的に絶縁することができる。これにより、ブスバー１４２に大電力が給電されても、大電力の給電に起因したノイズの影響を制御基板１６０が受けることを抑制し、制御基板１６０の耐電力性を緩和することができるので、制御基板１６０をより安価に製造することができる。この際、耐ノイズ性の電源供給用配線としては、例えばツイストペアケーブルを用いると良い。ツイストペアケーブルは、撚り対線とも呼ばれる。
【００３８】
多層樹脂基板１１０とブスバー１４２との間には、多層樹脂基板１１０とブスバー１４２とに電気的に接続される導電性の板ばね１９０が設けられている。ブスバー１４２は、Ｙ軸方向の一端面が、貫通孔１１９１の端部、円筒形状絶縁体１１９２、絶縁膜１１９３および内導体１１９に接しており、Ｙ軸方向の他端面が板ばね１９０の一方端に接している。また、板ばね１９０の他方端は、多層樹脂基板１１０上のパッド１９０１に接続される。すなわち、板ばね１９０は、断面Ｚ形状を有する。板ばね１９０は、断面Ｚ形状における一端側に設けられた平坦面がブスバー１４２の多層樹脂基板１１０側の面に面接触するとともに、断面Ｚ形状における他端側に設けられた平坦面がパッド１９０１の支持材１４１側の面に面接触している。これにより、板ばね１９０は、多層樹脂基板１１０とブスバー１４２とに電気的に接続されている。
【００３９】
また、マイクロ波モジュール２００と支持材１４１とは、マイクロ波モジュール２００のマイクロ波デバイス１００が表面実装されている側と、支持材１４１のブスバー１４２が設けられている側とが向かい合う状態で、ねじ等の締結部１１９０により固定されている。例えば図２の例において、締結部１１９０は、ボルトおよびナット、または支持材１４１に形成された雌ねじおよび多層樹脂基板１１０に形成された雌ねじ、により構成される。また、多層樹脂基板１１０と支持材１４１との間にボルトが貫通するスペーサ１１９５を挟んで、多層樹脂基板１１０を支持材１４１に締結しても良い。
【００４０】
放熱シート１５０は、Ｙ軸方向の一端面が放熱板１４０に接しており、Ｙ軸方向の他端面が複数のマイクロ波デバイス１００の導電膜２に接している。すなわち、放熱板１４０は、放熱シート１５０におけるマイクロ波デバイス１００を向く側と反対側に設けられている。放熱シート１５０は、高い弾力性を有すると共に高い熱伝導性を有するシートである。放熱シート１５０の材料としては、カーボン、銀等の高熱伝導材が埋め込まれたシリコンゴム等を例示できる。
【００４１】
複数の放熱板１４０は、支持材１４１に形成される複数のスリット１４３にそれぞれ配置されている。各放熱板１４０は、内部に冷媒１８００を流す内部流路１８０１が形成されて、コールドプレート、すなわち冷却板を構成する。各放熱板１４０の内部流路１８０１の入口と出口とは、それぞれ支持材１４１の内部に設けられた冷媒流路１４０１に対し、ラバーシール等により水密を有して接続される。冷媒流路１４０１は、図示しないポンプに接続されて、ポンプから送られる冷媒１８００を各放熱板１４０の内部に循環させる機能を有する。なお、冷媒流路１４０１の代わりに、冷媒流路１４０１と同じ機能を実現する配管を支持材１４１の内部に配置しても良い。
【００４２】
放熱板１４０および冷媒流路１４０１は、それぞれ導電性および熱良導性を有する金属により構成される。放熱板１４０および冷媒流路１４０１は、例えば金属の旋削加工または鋳造で形成した鋳造品に一部切削加工を加える加工で流路溝を形成した後に、金属板を溶接することにより形成される。また、放熱板１４０および冷媒流路１４０１は、板金加工で形成した板部材を拡散接合技術により固着する拡散接合加工によって、内部流路１８０１を一体化形成しても良い。また、放熱板１４０および冷媒流路１４０１は、３Ｄプリンターを用いた金属積層造形加工により、内部流路１８０１を一体化形成しても良い。
【００４３】
なお、冷媒流路１４０１または配管は、３Ｄプリンターを用いた金属積層造形加工により、放熱板１４０と一体的に形成されても良い。
【００４４】
勿論、放熱板１４０に必要な熱伝導性能が得られるのであれば、グラファイト板、アルミ合金板、銅タングステン板等の熱良導体からなる他の放熱板を放熱板１４０の代わりに用いても良い。この場合は、制御基板１６０に穴を設け、穴に他の冷却板を挿入して、他の冷却板の、Ｙ軸方向におけるマイクロ波デバイス１００側と反対側の裏面を、密着または熱的に接続するようにすると良い。
【００４５】
多層樹脂基板１１０及び制御基板１６０は、放熱シート１５０及び放熱板１４０を間に挟んだ状態で、ＲＦ信号と電源と制御信号とを伝送するコネクタであるＲＦ／電源／制御コネクタ１７０により相互に接続されている。
【００４６】
多層樹脂基板１１０は、Ｙ軸方向に圧力が加えられながら放熱板１４０に対してねじ等の締結部１１９０による締結力で固定されているため、マイクロ波デバイス１００の導電膜２が弾性を有する放熱シート１５０に押し当てられた状態となる。これにより、マイクロ波デバイス１００の導電膜２と放熱シート１５０と放熱板１４０とが熱的に接続される。
【００４７】
多層樹脂基板１１０には、同軸構造の信号端子部１１５，１２１と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１６と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１１７とが設けられている。ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０とマイクロ波デバイス１００とは、ＲＦ伝送線路１１６及び信号端子部１１５を介して相互に接続される。アンテナ素子２１０とマイクロ波デバイス１００とは、ＲＦ伝送線路１１７及び信号端子部１２１を介して相互に接続される。
【００４８】
また、多層樹脂基板１１０には、パッド１９０１に接続された内層配線１１８が形成される。内層配線１１８は、マイクロ波モジュール２００のバイアス端子に接続される。
【００４９】
制御基板１６０では、マイクロ波モジュール２００に供給される電源と制御信号とが生成され、電源及び制御信号は、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０を介して多層樹脂基板１１０上のマイクロ波デバイス１００に入力される。すなわち、制御基板１６０は、電源回路が実装された電源基板としての機能を有する。
【００５０】
一方、制御基板１６０で生成された電源のうち大電流を要する電源は、後述するブスバー１４２と板ばね１９０と多層樹脂基板１１０に設けられた内層配線１１８を介して多層樹脂基板１１０上のマイクロ波デバイス１００に入力される。
【００５１】
ブスバー１４２は、２本のグランド用ブスバーと、２本のグランド用ブスバーの間に設けた直流（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＤＣ）信号用ブスバーとが並置されてなる、３本で一組となるブスバーを用いても良い。ブスバー１４２により、マイクロ波モジュール２００内の増幅器のたとえば電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）に、ドレインバイアス電流が供給される。
【００５２】
マイクロ波モジュール２００のＲＦ信号である送信入力信号及び受信出力信号は、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０および制御基板１６０を介して、アンテナ素子２１０と送受信機６００との間で伝送され、又はアンテナ素子２１０と分配合成回路７００との間で伝送される。送受信機６００と分配合成回路７００の接続順は任意である。なお、ここでは、送受信機６００が制御基板１６０と別個に設けられているが、送受信機６００は制御基板１６０と一体化されて構成されてもよい。
【００５３】
送受信機６００から出力されたＲＦ送信信号は、制御基板１６０と、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０と、ＲＦ伝送線路１１６と、信号端子部１１５とを介して、図１に示す信号入出力端子２０に伝送される。図１に示す信号入出力端子２１から出力されたＲＦ送信信号は、ＲＦ伝送線路１１７を介してアンテナ素子２１０へ伝送され、アンテナ素子２１０から出力される。
【００５４】
アンテナ素子２１０で受信されたＲＦ受信信号は、ＲＦ伝送線路１１７を介して、図１に示す信号入出力端子２１へ伝送され、さらに図１に示す信号入出力端子２０と、信号端子部１１５と、ＲＦ伝送線路１１６と、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０とを介して、送受信機６００に伝送される。
【００５５】
図４に示すようにマイクロ波モジュール２００には複数のマイクロ波デバイス１００が設けられている。マイクロ波デバイス１００は、前述したＨＰＡ及びＤＡ以外にも、低雑音増幅器（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）、サーキュレータ（ＣＩｒｃｕｌａｔｏＲ：ＣＩＲ）及び移相器（Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔｅｒ：ＰＳ）等を備える。送受信機６００から出力されたＲＦ送信信号は、ＰＳ、ＤＡ、ＨＰＡ及びＣＩＲを介して、アンテナ素子２１０に伝送される。アンテナ素子２１０で受信されたＲＦ受信信号は、ＣＩＲ、ＬＮＡ及びＰＳを介して、送受信機６００に伝送される。ここでアンテナ側の送受切替回路にはＣＩＲの代わりにスイッチを用いてもよい。図４ではスイッチを「ＳＷ」（Ｓｗｉｔｃｈ）と表記している。また、図２に例示するマイクロ波モジュール２００は、ＣＩＲの代わりにスイッチを用いることで、より小型化することができる。
【００５６】
図５は図１に示すマイクロ波デバイスの変形例を示す図である。図６は本発明の実施の形態に係るシールド構造を有するサーキュレータを示す図である。図７は図２に示す空中線の変形例を示す図である。
【００５７】
図５に示すマイクロ波デバイス１００−１と図１に示すマイクロ波デバイス１００との相違点は、マイクロ波デバイス１００−１は、ＩＣ６及びヒートスプレッダ７の代わりに、ヒートスプレッダ７Ａと、トランジスタを含まない第１の半導体基板である低コスト半導体基板３１０と、トランジスタを含む第２の半導体基板である高コスト半導体基板３２０とを備えることである。高コスト半導体基板３２０には、例えば窒化ガリウムを材料とするトランジスタが設けられ、低コスト半導体基板３１０には、例えばガリウム砒素を材料とする整合回路が設けられる。高コスト半導体基板３２０に設けられるトランジスタは、高耐電力及び高電圧の電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタであり、高出力マイクロ波信号を増幅出力するため、発熱量が高い。低コスト半導体基板３１０には、トランジスタを実装しても良いが、高コスト半導体基板３２０よりも低電圧のトランジスタが使われるので、高コスト半導体基板３２０に比べて発熱量が低い。第１の半導体基板である低コスト半導体基板３１０および第２の半導体基板である高コスト半導体基板３２０は、回路を有する回路装置である。
【００５８】
低コスト半導体基板３１０は、多層樹脂基板１に設けられて、多層樹脂基板１と電気的に接続される。高コスト半導体基板３２０は、低コスト半導体基板３１０における多層樹脂基板１を向く側とは反対側に設けられ、低コスト半導体基板３１０と電気的に接続される。
【００５９】
図５に示すように、低コスト半導体基板３１０の信号パッド３１０ａと、高コスト半導体基板３２０の信号パッド３２０ａとが互いに対向するように配置され、信号パッド３１０ａ及び信号パッド３２０ａは、微細接合材３３０によりフリップチップ接合される。これにより、低コスト半導体基板３１０の表面パターン３１３及び表面パターン３１４は、信号パッド３１０ａ及び微細接合材３３０を介して、信号パッド３２０ａと電気的に接続される。
【００６０】
高コスト半導体基板３２０は、ヒートスプレッダ７Ａと熱的に接続されている。ヒートスプレッダ７Ａは、図１に示すヒートスプレッダ７と同様に、導電膜２と熱的に接続されている。すなわち、ヒートスプレッダ７Ａは、高コスト半導体基板３２０における低コスト半導体基板３１０を向く側とは反対側に設けられて、高コスト半導体基板３２０に接している。
【００６１】
低コスト半導体基板３１０に設けられた入出力端子３１１は、低コスト半導体基板３１０に形成されたスルーホール３１５を介して、表面パターン３１３と電気的に接続される。また入出力端子３１１は、微細接合材３０を介して、多層樹脂基板１上のパッド１８と電気的に接続される。
【００６２】
低コスト半導体基板３１０に設けられた入出力端子３１２は、低コスト半導体基板３１０に形成されたスルーホール３１６を介して表面パターン３１４と電気的に接続される。また入出力端子３１２は、微細接合材３０を介して、多層樹脂基板１上のパッド１７と電気的に接続される。
【００６３】
図６に示されるサーキュレータ８００は、モールドパッケージ８６０と、モールドパッケージ８６０上に設けられる永久磁石８５０と、モールドパッケージ８６０の下に設けられる樹脂基板８８０と、を備える。すなわち、永久磁石８５０は、モールドパッケージ８６０の一端面側に設けられる。また、樹脂基板８８０は、モールドパッケージ８６０の他端面側に設けられる。
【００６４】
モールドパッケージ８６０は、複数の信号端子８１１と、複数の信号端子８１１を取り囲む複数のグランド端子８１２と、ダイパッド８１０と、を備える。また、モールドパッケージ８６０は、信号パターン８２１を有してダイパッド８１０上に設けられるフェライト基板８２０と、信号端子８１１と信号パターン８２１とを電気的に接続するワイヤ８３０と、を備える。また、モールドパッケージ８６０は、ダイパッド８１０とフェライト基板８２０とワイヤ８３０とを覆うモールド樹脂８４０と、モールド樹脂８４０の表面を覆う導体膜８６１と、を備える。モールド樹脂８４０は、複数の信号端子８１１、複数のグランド端子８１２及びダイパッド８１０が露出するように設けられる。
【００６５】
樹脂基板８８０は、グランドビア８８１と、信号ビア８８２と、信号パターン８８３を備える。信号端子８１１と信号ビア８８２と信号パターン８８３とは、電気的に接続される。グランド端子８１２とグランドビア８８１とは、電気的に接続される。
【００６６】
図７に示される空中線５００−１と図２に示される空中線５００との相違点は、空中線５００−１は、マイクロ波モジュール２００の代わりにマイクロ波モジュール２００−１を備えることである。
【００６７】
マイクロ波モジュール２００−１は、アンテナ基板４５０と、多層樹脂基板１１０とを備える。アンテナ基板４５０及び多層樹脂基板１１０は、Ｙ軸方向にアンテナ基板４５０、多層樹脂基板１１０の順で配列されている。アンテナ基板４５０は、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂ側に配置されている。
【００６８】
多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の一端面１１０ａには、複数のマイクロ波デバイス１００−１と制御用ＩＣ１２０とチップ部品１３０とが設けられている。多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂには、複数のサーキュレータ８００と、制御ＩＣ４１０とが表面実装されている。サーキュレータ８００のグランドと、多層樹脂基板１１０の他端面１１０ｂ上のグランド面とを電気的に接続することによりシールド構造を形成する。
【００６９】
アンテナ基板４５０における、多層樹脂基板１１０が配置されている側と反対側の面には、複数のアンテナ素子２１０が設けられている。アンテナ基板４５０に設けられた複数のアンテナ素子２１０はＲＦコネクタ４７０と電気的に接続される。多層樹脂基板１１０と、アンテナ基板４５０とは、ねじ等により共締め固定されている。
【００７０】
多層樹脂基板１１０には、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１２２と、内層信号線路であるＲＦ伝送線路１２３とが設けられている。サーキュレータ８００は、ＲＦ伝送線路１２２を介してＲＦコネクタ４７０に接続される。またサーキュレータ８００は、ＲＦ伝送線路１２３を介してマイクロ波デバイス１００−１に接続される。マイクロ波デバイス１００−１は、マイクロ波デバイス１００と同様に、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０と相互に接続される。そして、多層樹脂基板１１０と制御基板１６０とは、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０により相互に接続されているため、アンテナ基板４５０に設けられた複数のアンテナ素子２１０は、マイクロ波デバイス１００−１を介して、送受信機６００と接続される。
【００７１】
以上に説明したように図２及び図７に示される空中線５００，５００−１では、放熱板１４０、マイクロ波モジュール２００，２００−１及びアンテナ素子２１０が層状に配列されているため、空中線５００，５００−１のＹ軸方向の厚みを低減でき、小型かつ軽量な空中線を実現できる。
【００７２】
また実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、ＩＣ４，６とヒートスプレッダ５，７と導電膜２と放熱板１４０とが熱的に接続され、ヒートスプレッダ５のＸ軸方向の断面積がＩＣ４のＸ軸方向の断面積以上であり、ヒートスプレッダ７のＸ軸方向の断面積が、ＩＣ６のＸ軸方向の断面積以上である。特許文献１に開示される半導体パッケージでは、裏面側キャップ部に設けられた裏面側貫通電極の断面積が、半導体チップに設けられた裏面電極の表面積未満であるため、半導体チップで発生した熱を効果的に半導体パッケージの外部へ放射できない。これに対して実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、広い断面積のヒートスプレッダ５，７が用いられているため、ＩＣ４，６と放熱板１４０との間の熱抵抗が低減され、ＩＣ４，６で発生した熱を効果的に放熱板１４０へ伝えることができる。
【００７３】
またマイクロ波デバイス１００では、マイクロ波デバイス１００の高さばらつき、多層樹脂基板１１０の反り、マイクロ波デバイス１００と多層樹脂基板１１０との接合層の高さばらつき等により、複数のマイクロ波デバイス１００のそれぞれの導電膜２のＹ軸方向の高さが異なる場合でも、弾性を有する放熱シート１５０により、導電膜２と放熱シート１５０との熱的な接続を確保することができる。
【００７４】
またモールド樹脂５０の成形方法は従来から採用されている工法であるため、マイクロ波デバイス１００は安価に製造できる。また実施の形態では、ＩＣ４，６及びヒートスプレッダ５，７の周囲が樹脂材で固められているため、マイクロ波デバイス１００が放熱シート１５０に押し付けられるようにして固定された場合でも、導電膜２を介してＩＣ４，６に加えられる圧力がモールド樹脂５０にも分散されるため、ＩＣ４，６に設けられた端子に加わる機械的なストレスが軽減される。従って、ＩＣ４，６と放熱シート１５０との間の熱抵抗を低下させるためにマイクロ波デバイス１００が放熱シート１５０に押し付けられるようにして固定された場合でも、多層樹脂基板１とＩＣ４，６との機械的な接続強度の低下が抑制され、マイクロ波デバイス１００の寿命の低下が抑制される。
【００７５】
また実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、モールド樹脂５０及びヒートスプレッダ５，７の周囲が導電膜２で覆われ、多層樹脂基板１のグランドビアホール１１と導電膜２とが電気的に接続され、さらに同軸構造の信号端子部８４，８５が、多層樹脂基板１１０に形成された同軸構造の信号端子部１１５，１２１とそれぞれ接続されている。そのため、ＩＣ４，６から放射された電磁波がマイクロ波デバイス１００の内部に閉じ込められる。従って、多層樹脂基板１１０の全体をシールドで覆う必要がなく、構造を簡素化できる。
【００７６】
また実施の形態のように、複数のＩＣ４，６がマイクロ波デバイス１００に格納される場合、マイクロ波デバイス１００のサイズは１０［ｍｍ］角程度になる。ここで、導電性材料で覆われるパッケージ内にヒートスプレッダ５，７が設けられていない場合、共振周波数はＸ帯（１０ＧＨｚ帯）近くまで低下する。具体例で示すと、モールド寸法を１０［ｍｍ］×１０［ｍｍ］×１［ｍｍ］とし、モールド樹脂の外周の全体を導体で覆い、モールド材の誘電率が３．５であるとき、最低次の共振周波数は１１．３３［ＧＨｚ］である。実施の形態では、グランド電位の導電性のヒートスプレッダ５，７によりパッケージ内が短絡されるため、共振周波数を動作周波数よりも十分に高く設定することが可能となり、マイクロ波デバイス１００内部でのＲＦ信号結合による発振を抑制できる。
【００７７】
またマイクロ波デバイス１００とアンテナ素子２１０との間の損失は最小化する必要があるが、マイクロ波デバイス１００と送受信機６００との間では一定の損失が許容される。このため、空中線５００の製造時においては、ＲＦ線路を多層樹脂基板１１０内に引き回して配線し、放熱性能への影響の小さい位置でＲＦ／電源／制御コネクタ１７０をまとめた後に、放熱板１４０に貫通させることができる。これによりヒートスプレッダ５，７の放熱性能を重視した放熱板１４０の設計が可能となる。また空中線５００の仕様によっては、多層樹脂基板１１０内でＲＦ信号の伝送経路を分配及び合成することにより、放熱板１４０に貫通するＲＦコネクタ数を低減させることができる。
【００７８】
実施の形態に係るマイクロ波デバイス１００では、マイクロ波デバイス１００のドレイン電源といった大きな電流容量を要する電源を、板ばね１９０及びブスバー１４２を介して制御基板１６０もしくは外部電源基板から多層樹脂基板１１０に伝送することができる。一方、一般的な基板対基板接続コネクタの１つの端子の電流容量で対応することができるような電流容量の小さい電源は、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０に備えた１つの端子を用いて制御基板１６０から多層樹脂基板１１０に伝送する。このため、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０においては少ない端子で多層樹脂基板１１０に電源を伝送することが可能である。
【００７９】
例えば、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０に加えて給電用多芯コネクタを使用し、１つの給電用多芯コネクタとＲＦ／電源／制御コネクタ１７０とを、それぞれ多層樹脂基板１１０と制御基板１６０の間に実装し、両基板間を電気的に接続することも可能である。しかしながら、この場合、大電力を流すための複数のピン接続型の給電用多芯コネクタを用いると、複数のピンと絶縁体をケーシングするための収容空間とコネクタケースとが必要となり、多層樹脂基板１１０と制御基板１６０とにおける給電用多芯コネクタの実装スペースが大きくなる。
【００８０】
一方、しかしながら、実施の形態に係る空中線５００では、大電力を流すための給電用多芯コネクタを、ブスバー１４２と板ばね１９０とを用いた表面実装型の端子間接続によって構成することができるので、大電力を流すための構成部の実装スペースをより小さくすることができる。
【００８１】
これにより、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０を小型化することが可能となる。そして、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０を小型化することにより、制御基板１６０と多層樹脂基板１１０とにおけるＲＦ／電源／制御コネクタ１７０の実装自由度の低減の抑制、およびＲＦ／電源／制御コネクタ１７０の大型化に起因した制御基板１６０と多層樹脂基板１１０とにおける部品実装面積の低減の抑制が可能である。これにより、制御基板１６０と多層樹脂基板１１０との大型化による空中線５００の大型化を抑制して空中線５００の小型化が可能となる。なお、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０に備える電源の伝送用の端子が複数となる場合であっても端子数を低減できる効果が得られる。マイクロ波デバイス１００−１においても同様の効果が得られる。
【００８２】
また、ブスバー１４２と板ばね１９０とは、半田リフロー工程を用いて、表面実装することができるので、給電用多芯コネクタの組立および実装作業が削減できる。
【００８３】
また、ブスバー１４２と板ばね１９０とからなるコネクタ部およびＲＦ／電源／制御コネクタ１７０は、共に多層樹脂基板１１０と制御基板１６０との面内に設けられたコネクタ部に接続される必要がある。例えば、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０と給電用多芯コネクタとを多層樹脂基板１１０と制御基板１６０の間に実装する場合には、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０と給電用多芯コネクタとのそれぞれを、多層樹脂基板１１０の面内と制御基板１６０との面内において設けられたコネクタ部に対して正確に位置合わせしないと接続することができない。
【００８４】
一方、ブスバー１４２と板ばね１９０とからなるコネクタ部およびＲＦ／電源／制御コネクタ１７０を用いる場合には、ＲＦ／電源／制御コネクタ１７０は、多層樹脂基板１１０と制御基板１６０との既定の位置に正確に位置合わせしなければならない。しかしながら、ブスバー１４２と板ばね１９０とからなるコネクタ部は、多層樹脂基板１１０の面内および制御基板１６０との面内に対する位置合わせの精度は、給電用多芯コネクタを多層樹脂基板１１０の面内と制御基板１６０との面内において設けられたコネクタ部に対して位置合わせする精度よりも極端に緩くなるため、多層樹脂基板１１０と制御基板１６０の電気的接続を容易に行うことができる。
【００８５】
したがって、実施の形態に係る空中線５００，５００−１では、空中線の低背化及び小型化が実現可能である。
【００８６】
また実施の形態では、アンテナ側の送受切替回路にＣＩＲ又はスイッチが用いられるが、これらのＣＩＲ又はスイッチが設けられている多層樹脂基板１１０の裏面にアンテナ素子２１０が設けられているため、アンテナ一体型のマイクロ波モジュール２００を実現でき、部品点数が削減される。
【００８７】
また図５に示されるマイクロ波デバイス１００−１では、高コスト半導体基板３２０にトランジスタのみ実装されているため、チップ面積が最小化される。また低コスト半導体基板３１０に整合回路が構成されているため、高コスト半導体基板３２０にトランジスタ整合回路がモノリシックに製造される図１のＩＣ６と比較して、マイクロ波デバイス１００−１のコストを低減できる。
【００８８】
また図７に示される空中線５００−１では、マイクロ波デバイス１００−１の外部にサーキュレータ８００が用いられている。サーキュレータ８００は、多層樹脂基板１１０のＹ軸方向の他端面１１０ｂ、すなわち多層樹脂基板１１０のアンテナ素子２１０側の面に設けられている。これによりアンテナ面での負荷インピーダンスの変動によるＩＣ４の特性変化を低減できる。
【００８９】
また図７に示される空中線５００−１において、サーキュレータ８００は、多層樹脂基板１１０に実装されることでシールド構造を有しているため、多層樹脂基板１１０とアンテナ基板４５０との間にシールド構造を別に設ける必要が無くなる。またサーキュレータ８００と制御ＩＣ４１０とをマイクロ波デバイス１００−１と同一面に実装することにより、空中線５００のようにアンテナ基板４５０を省略できる。
【００９０】
また図７に示された空中線５００−１では、多層樹脂基板１１０のアンテナ素子２１０側とは反対側に放熱板１４０が配置されるため、多層樹脂基板１１０とアンテナ基板４５０との間に放熱板１４０が配置される場合に比べて、ＲＦ配線及びＲＦ／電源／制御コネクタ１７０を配置する際の制約が軽減され、冷却性能が向上する。
【００９１】
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１，１１０  多層樹脂基板、１ａ  第１の板面、１ｂ  第２の板面、２  導電膜、２ａ  内側面、３  空間、４，６  ＩＣ、４ａ，５ａ，６ａ，７ａ，１１０ａ，１４１ａ  一端面、４ｂ，５ｂ，６ｂ，７ｂ，１１０ｂ，１４１ｂ  他端面、５，７，７Ａ  ヒートスプレッダ、８，１３０  チップ部品、１１  グランドビアホール、１２，１３  信号ビアホール、１４，１９  グランドパターン、１５  信号線路、１６，１７，１８  パッド、２０，２１  信号入出力端子、３０，３３０  微細接合材、４１，４２，６１，６２，３１１，３１２  入出力端子、５０  モールド樹脂、８４，８５，１１５，１２１  信号端子部、１００，１００−１  マイクロ波デバイス、１１６，１１７，１２２，１２３  ＲＦ伝送線路、１１８  内層配線、１１９  内導体、１２０  制御用ＩＣ、１４０  放熱板、１４１  支持材、１４２  ブスバー、１４３  スリット、１５０  放熱シート、１６０  制御基板、１７０  ＲＦ／電源／制御コネクタ、１９０  板ばね、２００，２００−１  マイクロ波モジュール、２１０  アンテナ素子、３１０  低コスト半導体基板、３１０ａ，３２０ａ  信号パッド、３１３，３１４  表面パターン、３１５，３１６  スルーホール、３２０  高コスト半導体基板、４１０  制御ＩＣ、４５０  アンテナ基板、４７０  ＲＦコネクタ、５００，５００−１  空中線、６００  送受信機、７００  分配合成回路、８００  サーキュレータ、８１０  ダイパッド、８１１  信号端子、８１２  グランド端子、８２０  フェライト基板、８２１  信号パターン、８３０  ワイヤ、８４０  モールド樹脂、８５０  永久磁石、８６０  モールドパッケージ、８６１  導体膜、８８０  樹脂基板、８８１  グランドビア、８８２  信号ビア、８８３  信号パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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