(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１型と第２型との間に形成されるキャビティの底面にゲートを設け、このゲートから該キャビティに樹脂を注入して基板表面に樹脂成形する樹脂成形方法であって、
厚み方向に貫通する挿通孔を有した離型フィルムを、該挿通孔が前記ゲートに重なるように、前記キャビティの底面を含む内面に配置する一方、
前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を型締め時に前記基板を介して押圧してキャビティ底面に密着させるとともに、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を型締め時に形成する押圧流路部材を基板表面に配置しておき、
前記第１型と第２型とを型締めし、
前記ゲートから、前記挿通孔及び連通流路を介して前記キャビティに樹脂を注入し、硬化させることを特徴とする樹脂成形方法。
【請求項２】
前記離型フィルムを前記キャビティの内面に吸着させることを特徴とする請求項１記載の樹脂成形方法。
【請求項３】
前記押圧流路部材が、中央に貫通孔を有するとともに、該貫通孔から外側に延伸して外側周面に開口する１又は複数の流路要素とを具備し、該貫通孔と流路要素とによって前記連通流路が形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂成形方法。
【請求項４】
前記押圧流路部材の一端面に押圧面が設定されており、前記流路要素が、前記一端面から貫通孔の延伸方向に離隔して形成されている請求項３記載の樹脂成形方法。
【請求項５】
前記第１型には基板が保持されているとともに、前記第２型には第１型を向く面が開口するキャビティが設けられており、
型締め位置において、前記キャビティの開口が前記基板によって閉じられ、そのキャビティに樹脂が注入されて、該基板上に樹脂が成形されることを特徴とする請求項１乃至４いずれか記載の樹脂成形方法。
【請求項６】
基板を保持する第１型及び前記第１型を向く面が開口するキャビティが設けられた第２型の型締め位置において、前記キャビティの底面に設けられたゲートから前記キャビティに樹脂を注入して前記基板上に樹脂を成形する樹脂成形方法であって、
厚み方向に貫通する挿通孔を有した離型フィルムを、該挿通孔が前記ゲートに重なるように、前記キャビティの底面を含む内面に配置する一方、
前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を型締め時に押圧してキャビティ底面に密着させるとともに、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を型締め時に形成する押圧流路部材を配置しておき、
前記第１型と第２型とを型締めし、
前記ゲートから、前記挿通孔及び連通流路を介して前記キャビティに樹脂を注入し、硬化させるものであり、
前記押圧流路部材の厚み寸法は、前記基板表面と前記キャビティの底面との距離寸法と同じであることを特徴とする樹脂成形方法。
【請求項７】
前記基板上の各所定位置に半導体チップが配置されており、それら所定位置のいずれかに、半導体チップの代わりに前記押圧流路部材を配置することを特徴とする請求項５又は６記載の樹脂成形方法。
【請求項８】
第１型と第２型との間に形成されるキャビティの底面にゲートが設けられており、該ゲートから前記キャビティに樹脂を注入して基板表面に樹脂成形する樹脂成形装置であって、
前記キャビティの底面を含む内面に配置されるとともに、該配置状態における前記ゲートに重なる位置に、該ゲートから流入する樹脂を通すための挿通孔が設けられている離型フィルムと、
前記基板表面に配置されており、前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を前記基板を介して押圧して、その押圧箇所をキャビティの底面に密着させる押圧面を有するとともに、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を形成する押圧流路部材とを備えていることを特徴とする樹脂成形装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティの底面にゲートを設け、このゲートから樹脂を注入するピンゲート方式の樹脂成形方法及びそれに用いられる樹脂成形装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トランスファー樹脂成形において、例えば特許文献１にあるように、成形品の側面ではなく表面に対応する位置、すなわち、成形型におけるキャビティの底面にゲートを設け、このゲートから樹脂を注入するピンゲート方式（あるいはピンポイントゲート方式）が提案されている。
【０００３】
ピンゲート方式の一般的な利点としては、ゲート跡が小さく目立ちにくい、多点化・多数個取りが容易、均等な圧力分布が得られやすい、などを挙げることができる。特にＩＣチップ等の樹脂封止成形においては、ゲート残りが回路基板上に形成されないという利点も得られる。
【０００４】
他方、該トランスファー樹脂成形において、キャビティの底面を含む内面に離型フィルムを配置し、該離型フィルムを樹脂とキャビティとの間に介在させることによって、キャビティから成形品を外れやすくして、離型の際の成形品の損傷を防止する技術が知られている。
【０００５】
しかしながら、当該ピンゲート方式において、離型フィルムを用いた例は、いまだに見られない。
【０００６】
というのも、ピンゲート方式において、キャビティの内面に離型フィルムを配置すると、離型フィルムがゲートを覆ってしまうため、該離型フィルムにおけるゲートに対応する部分に孔を設ける必要が生じ、それによる不具合が発生し得るからと考えられる。
【０００７】
具体的にいえば、離型フィルムは負圧吸引によってキャビティ内面に吸着しているため、前述のように離型フィルムに孔を開けると、その孔からエアーが漏れてゲート周りの離型フィルムの吸着力が弱くなる。そうすると、樹脂注入充填時の圧力によって孔の周囲における離型フィルムがキャビティ内面から剥がれ、その隙間から樹脂が入り込んで成形不良を惹起するという不具合が発生し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１９−１１１６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであって、ピンゲート方式のトランスファー樹脂成形方法に離型フィルムを適用してその双方の利点を活かしつつ、樹脂注入の際に生じ得る離型フィルムの剥離や浮き上がりといった不具合を防止できるように図ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち本発明に係る樹脂成形方法は、第１型と第２型との間に形成されたキャビティの底面に開口するゲートから、該キャビティに樹脂を注入して成形する樹脂成形方法であって、
厚み方向に貫通する挿通孔を有した離型フィルムを、該挿通孔が前記ゲートに重なるように、前記キャビティの底面を含む内面に配置する一方、
前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を型締め時に押圧してキャビティ底面に密着させる押圧面を有し、かつ、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を型締め時に形成する押圧流路部材を配置しておき、
前記第１型と第２型とを型締めし、
前記ゲートから、前記挿通孔及び連通流路を介して前記キャビティに樹脂を注入し、硬化させることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明は、第１型と第２型との間に形成されるキャビティの底面にゲートが設けられており、該ゲートから前記キャビティに樹脂を注入して成形するものであって、
前記キャビティの底面を含む内面に配置されるとともに、該配置状態における前記ゲートに重なる位置に、該ゲートから流入する樹脂を通すための挿通孔が設けられている離型フィルムと、
前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を押圧して、その押圧箇所をキャビティの底面に密着させる押圧面を有するとともに、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を形成する押圧流路部材とを備えている樹脂成形装置でもよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上に述べた本発明によれば、例えばピンゲート方式のトランスファー樹脂成形法に離型フィルムを用いても、離型フィルムが剥離してキャビティ内面との隙間に溶融樹脂が侵入するといった不具合を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態における基板を示す平面図である。
【図２】同実施形態での型開き位置にある樹脂成形装置を示す模式的断面図である。
【図３】同実施形態での型締め位置にある樹脂成形装置を示す模式的断面図である。
【図４】同実施形態での押圧流路部材を裏面から視た平面図及び斜視図である。
【図５】図１における部分拡大図である。
【図６】図５におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図７】同実施形態での樹脂成形装置を用いた樹脂成形方法を説明するための模式的断面図である。
【図８】同実施形態での樹脂成形装置を用いた樹脂成形方法を説明するための模式的断面図である。
【図９】同実施形態での樹脂成形装置を用いた樹脂成形方法を説明するための模式的断面図である。
【図１０】同実施形態での樹脂成形装置を用いた樹脂成形方法を説明するための模式的断面図である。
【図１１】同実施形態での樹脂成形装置を用いた樹脂成形方法を説明するための模式的断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態での押圧流路部材を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明が以下の実施形態に限定されないことは無論である。
【００１５】
＜実施形態の概要＞
本実施形態に係る樹脂成形方法は、型締め位置において前記第１型と第２型との間に形成されたキャビティの底面に開口するゲートから、該キャビティに樹脂を注入して成形する樹脂成形方法であって、
厚み方向に貫通する挿通孔を有した離型フィルムを、該挿通孔が前記ゲートに重なるように、前記キャビティの底面を含む内面に配置する一方、
前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を型締め時に押圧してキャビティ底面に密着させる押圧面を有し、かつ、型締め時に前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を型締め時に形成する押圧流路部材を設けておき、
前記第１型と第２型とを型締めし、
前記ゲートから、前記挿通孔及び連通流路を介して前記キャビティに樹脂を注入し、硬化させることを特徴とするものである。
【００１６】
このような方法であれば、型締め時に押圧流路部材が離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲をキャビティ内面に密着させるので、離型フィルムとキャビティ内面との隙間に溶融樹脂が侵入することを防止できる。また、押圧流路部材には、ゲートをキャビティに連通させる連通流路が形成されているので、溶融樹脂のキャビティ内への注入が阻害されることもない。
【００１７】
このようにして、ピンゲート方式のトランスファー樹脂成形法に離型フィルムを用いることが初めて可能になる。しかも離型フィルムに挿通孔を穿孔し、押圧流路部材を設けるだけなので、工程や構造の大幅な複雑化を招くこともない。
【００１８】
上述した効果がより顕著に奏される具体的態様としては、前記離型フィルムを前記キャビティの内面に吸着させることを挙げることができる。
【００１９】
比較的簡単に製造できる押圧流路部材の具体的構成としては、該押圧流路部材が、中央に貫通孔を有するとともに、該貫通孔から外側に延伸して外側周面に開口する１又は複数の流路要素とを具備し、該貫通孔と流路要素とによって前記連通流路が形成されるものを挙げることができる。
【００２０】
前記押圧流路部材の一端面が前記押圧面であり、前記流路要素が前記一端面から貫通孔の延伸方向に離隔して形成されていれば、押圧面が離型フィルムにおける前記挿通孔の全周囲をキャビティ内面に密着させるので、離型フィルムとキャビティ内面との隙間に樹脂が侵入することをより確実に防止できる。
【００２１】
半導体基板などの基板上に樹脂を成形する具体的実施態様としては、前記第１型には基板が保持されているとともに、前記第２型には、第１型を向く面が開口するキャビティが設けられており、型締め位置において、前記キャビティの開口部に前記基板が配置され、前記キャビティに樹脂が注入されることにより、前記基板上に樹脂が成形されるものを挙げることができる。
【００２２】
前記基板上に予め設定した複数の所定位置に半導体チップがそれぞれ形成されるように構成してあり、いずれか１以上の前記所定位置に、半導体チップの代わりに、前記押圧流路部材を配置しておけば、押圧流路部材の配置位置の選択自由度が高くなり、例えば、樹脂注入に好適な位置に押圧流路部材を配置することができるようになる。
【００２３】
さらに、押圧流路部材を予め基板に一体に作りこむことが可能になり、そうすれば、押圧流路部材を単独部材とした場合に比べ、押圧流路部材の位置決め等の工程が不要になる。
【００２４】
また、本発明は下記のような樹脂成形装置でも同様の効果を奏し得る。
すなわち、第１型と第２型との間に形成されるキャビティの底面にゲートが設けられており、該ゲートから前記キャビティに樹脂を注入して成形する樹脂成形装置であって、
前記キャビティの底面を含む内面に配置されるとともに、該配置状態における前記ゲートに重なる位置に、該ゲートから流入する樹脂を通すための挿通孔が設けられている離型フィルムと、
型締め位置において、前記離型フィルムにおける前記挿通孔の周囲の一部または全部を押圧して、その押圧箇所をキャビティの底面に密着させる押圧面を有するとともに、前記挿通孔とキャビティとを連通する連通流路を形成する押圧流路部材とを備えている樹脂成形装置である
【００２５】
＜詳細な実施形態＞
以下、詳細な実施形態を図面を参照して説明する。
本実施形態は、基板の表面に配置された半導体チップの所要箇所を樹脂によって封止・被覆するための樹脂成形方法に係るものである。
【００２６】
この樹脂成形方法を説明するに先立ち、まずは、樹脂による封止の対象となる基板Ｗ及び半導体チップＣと、当該樹脂成形方法に用いられる樹脂成形装置１００とについて説明する。
【００２７】
＜基板Ｗの説明＞
基板Ｗとしては、シリコンウェーハ等の半導体基板、リードフレーム、プリント配線基板、金属製基板、樹脂製基板、ガラス製基板、セラミック製基板等を挙げることができる。また、基板Ｗは、ＦＯＷＬＰ（Ｆａｎ  Ｏｕｔ  Ｗｓｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）、ＦＯＰＬＰ（Ｆａｎ  Ｏｕｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）に用いられるキャリアであってもよい。さらにいえば、配線がすでに施されているものでもよいし、未配線のものでも構わない。
この実施形態では、基板Ｗは、図１、図２に示すように、平面視で、例えば矩形状をなすものであり、その表面Ｗａには、縦横にそれぞれ等ピッチで、平面視矩形状をなす複数の同一半導体チップＣが突出するように配置されている。該基板Ｗは、成形後、半導体チップＣごとに切断され個片化されるが、例えば、ＦＯＷＬＰ又はＦＯＰＬＰ等に用いられるのであれば、基板Ｗは、成形後、個片化されることなく封止樹脂から分離されてもよい。
【００２８】
＜樹脂成形装置１００の説明＞
樹脂成形装置１００は、図２等に示すように、第１型である上型１及び第２型である下型２と、これら上型１及び下型２を保持するとともに、図２に示す型開き位置と図３に示す型締め位置との間でこれらを近付けたり遠ざけたりするように進退駆動する型締め機構（図示しない）と、前記型締め位置において上型１と下型２との間に形成されるキャビティ３に樹脂Ｒを注入する樹脂注入機構４とを備えている。
【００２９】
各部について説明する。
上型１は、図示しない固定プラテンの下方に交換可能に取り付けられたものである。この上型１の下面（下型２に対向する対向面）には複数の吸着孔（図示しない）が設けてあり、これら吸着孔を、図示しない真空ポンプなどによって負圧にすることにより、前記基板Ｗの裏面を吸着して固定できるように構成してある。
【００３０】
下型２は、図示しない可動プラテンの上方に交換可能に取り付けられたものであり、下プレート２１と、該下プレート２１の上面に離接可能に取り付けられた中間プレート２２とを備えている。そして、該中間プレート２２の上面（上型に対向する対向面）には、前記基板Ｗよりも一回り小さな輪郭の前記キャビティ３が形成されている。
【００３１】
そして、型締め位置においては、中間プレート２２の上面のうちのキャビティ３の周辺部が、基板表面Ｗａの周縁部に密着し、キャビティ３の上部開口が基板Ｗによって閉じられるとともに、基板Ｗに配置（形成）されている半導体チップＣがキャビティ３内に収容されるように構成してある。
【００３２】
なお、この実施形態では、キャビティ３の深さ寸法を、半導体チップＣの厚み寸法と略等しくし、型締め位置において、キャビティ３の底面に半導体チップＣの頂面が密接するように設定してある。このことにより、半導体チップＣの頂面には樹脂Ｒが回らず、半導体チップＣの側周面のみが樹脂Ｒで被覆される。したがって、樹脂成形後、半導体チップＣの頂面は露出する。なお、ここで、半導体チップＣの「頂面」とは、基板Ｗとは反対側の面であって、樹脂成形動作時の離型フィルム５側の面のことである。
【００３３】
また、前記中間プレート２２は、図示しないリフトアップ機構により、前記下プレート２１の上面から持ち上げられるようにも構成してある。
【００３４】
前記型締め機構は、図示しないが、前記上型１及び下型２を保持する保持構造体と、該保持構造体に保持された下型２を昇降させる型昇降機構とを備えたものである。
【００３５】
保持構造体（図示しない）は、例えば、ベース盤と、該ベース盤から起立する複数の案内ポストと、これら案内ポストの上端部に固定された前記固定プラテンと、該案内ポストの中間部に昇降可能に保持された前記可動プラテンとを備えたものである。そして、前述したように前記固定プラテンの下方に前記上型１が取り付けられている。上型１は、図示しない上型ホルダーを介して、固定プラテンの下面に取り付けられてもよい。上型ホルダーには、上型１を加熱するヒーターを設けてもよく、さらにこのヒーターの固定プラテン側に断熱材を設けてもよい。
また、前述したように、前記可動プラテンの上方に前記下型２が取り付けられている。下型１は、図示しない下型ホルダーを介して、可動プラテンの下面に取り付けられてもよい。下型ホルダーには、下型２を加熱するヒーターを設けてもよく、さらにこのヒーターの可動プラテン側に断熱材を設けてもよい。
型昇降機構は、前記可動プラテンを介して下型２を昇降駆動するボールねじ機構、油圧シリンダ、トグル機構などからなるものである。
【００３６】
前記樹脂注入機構４は、図２等に示すように、下型２を厚み方向に貫通する樹脂注入孔４１とこの樹脂注入孔４１内に充填された溶融樹脂Ｒを押圧して前記キャビティ３に注入するプランジャ機構４２とを備えたものである。
【００３７】
各部を説明する。
前記樹脂注入孔４１は、前記中間プレート２２を厚み方向に貫通する第１孔４１１と、前記下プレート２１を厚み方向に貫通する第２孔４１２とからなるものであり、前記第１孔４１１と第２孔４１２とが連続するように配置してある。
【００３８】
第１孔４１１は、キャビティ３の底面に向かって先細りとなる断面円形状のものであり、キャビティ３の底面に開口する一端部がゲートＧＴとしての機能を担い、その他の部分がスプルーＳＰとしての機能を担う。
【００３９】
第２孔４１２は、貫通方向に亘って断面が同一径の円形状をなすものであり、溶融樹脂Ｒを収容するポットとしての機能を担う。
【００４０】
前記プランジャ機構４２は、前記第２孔４１２に下端部から挿入されたプランジャ４２１と、該プランジャ４２１を昇降進退させるボールねじやモータなどの進退アクチュエータ４２２とからなるものである。
【００４１】
前記プランジャ４２１は、その外径が前記第２孔４１２の内径と等しくなるように設定した円柱状をなすものであり、該第２孔４１２に摺動可能にガタなく嵌合する。
【００４２】
前記進退アクチュエータ４２２は、前記プランジャ４２１を、その先端面が第２孔４１２の上面よりも下方にある待機位置と、この待機位置よりも所定距離だけ上方に設定された注入完了位置との間で進退駆動するものである。前記待機位置においては、固形状態にある所定量のタブレット状樹脂Ｒが、第２孔４１２に上方から投入され、下プレート２１に設けられた図示しない加熱機構によって溶融されるようにしてある。また、その状態から該進退アクチュエータ４２２が、プランジャ４２１を前記注入完了位置にまで上昇させると、溶融樹脂Ｒが前記スプルーＳＰ及びゲートＧＴを介して前記キャビティ３内に注入されるようにしてある。この実施形態では、タブレット状樹脂として熱硬化性樹脂を用いる。  
【００４３】
さらにこの樹脂成形装置１００は、離型フィルム５と、この離型フィルム５を中間プレート２２の上面に供給するフィルム供給機構（図示しない）と、前記キャビティ３の内面及び前記該キャビティ３の周囲における中間プレート２２の上面に密着させるフィルム密着機構とを備えている。
【００４４】
離型フィルム５は、前記キャビティ３の底面を含む内面に密着して配置されることにより、キャビティ３の内面と注入された樹脂との間に介在して該キャビティ３内で固化した成形後の樹脂Ｒを、キャビティ３から剥がれやすくさせるためのものでる。その素材等についての説明は既知のため省略する。
【００４５】
ところで、この実施形態では、前記ゲートＧＴがキャビティ３の底面に開口しているため、該ゲートＧＴを塞がないように、該離型フィルム５における前記ゲートＧＴに対応する位置には、該ゲートＧＴの開口径と同一又はそれよりもやや大きい径の挿通孔５ａが形成されている。
【００４６】
前記フィルム密着機構は、図示しないが、前記キャビティ３の内面及び／又は前記該キャビティ３の外側の周囲上面に設けられた複数の吸着孔と、これら吸着孔を負圧にする図示しない真空ポンプなどから構成されたもので、各吸着孔の負圧によって前記離型フィルム５を吸着する。
【００４７】
しかして、この実施形態の樹脂成形装置１００は、離型フィルム５における前記挿通孔５ａの周囲を、型締め位置において基板Ｗを介して押圧し、キャビティ３の内面に密着させる押圧流路部材６をさらに備えている。
【００４８】
次に、この押圧流路部材６について詳述する。
【００４９】
この実施形態における押圧流路部材６は、その裏面側から視た様子を示す図４に示すように、中央に貫通孔６ａが設けられた薄い円盤状をなすものである。その表面６１は平坦にしてあり、該表面６１が請求項でいう押圧面となる。その一方、裏面６２には、放射状に延びる複数本（ここでは４本）の有底溝６ｂが均等に形成してある。これら各有底溝６ｂは、該押圧流路部材６の外側周面と内側周面との間に亘って設けてある。言い換えると、各有底溝６ｂの外側の端面が押圧流路部材６の外側周面に開口し、内側の端面が押圧流路部材６の内側周面（すなわち前記貫通孔６ａ）に開口するようにしてあって、これら各有底溝６ｂによって、押圧流路部材６の径方向外側と、径方向内側である前記貫通孔６ａとが連通するように構成してある。
【００５０】
かかる押圧流路部材６は、基板Ｗとは別体の単独部材として、エッチングや機械加工等により製作される。そして、図６に示すように、該押圧流路部材６の裏面６２が基板表面Ｗａに接合されて、基板Ｗと一体化される。このようにして、該押圧流路部材６の有底溝６ｂと基板表面Ｗａとによって、押圧部材の押圧面（表面）６１から貫通孔６ａの貫通方向に離隔した流路要素７１が形成されるようにしてある。これら貫通孔６ａ及び流路要素７１が、請求項でいう連通流路７を構成する。なお、この実施形態では、図５に示すように、流路要素７１が半導体チップＣの配列方向とは異なって、斜め４５°方向に延伸するようにしてある。樹脂のキャビティ内への吐出を容易にするためである。
【００５１】
次に、この押圧流路部材６の配置位置であるが、基板表面Ｗａには前述したように、樹脂Ｒによる封止対象物である半導体チップＣが、縦横に等ピッチで設けられている。したがって、そのままでは、押圧流路部材６を配置する余地のないところ、この実施形態では、図１、図５に示すように、半導体チップＣが本来設けられるべき所定位置のうちの１箇所又は複数箇所（ここでは２箇所）に半導体チップＣを設けず、その部位に、該押圧流路部材６を予め配している。
【００５２】
また、この押圧流路部材６の厚み寸法は、基板表面Ｗａとキャビティ３の底面との距離寸法と実質的に等しい寸法にしてある。これは、前述したように、型締め位置において、押圧流路部材６の表面６１（請求項でいう押圧面６１）が、基板Ｗを介して離型フィルム５を押圧し、これをキャビティ３の内面（底面）に密着させるためである。なお、押圧流路部材６の厚み寸法とは、その表面６１と裏面６２との間の寸法のことであり、この実施形態では半導体チップＣの厚み寸法とも等しい。
【００５３】
＜樹脂成形方法の説明＞
次に、このように構成した樹脂成形装置１００を用いて、前記基板Ｗの半導体チップＣを封止・成形する樹脂成形方法の一例について図２、図３、図７〜図１１を参照して説明する。なおこれら図２、図３及び図７〜図１１において、基板Ｗを含む各部は、理解の容易のため、模式化してある。
【００５４】
まず、図２に示すように、上型１と下型２とを離隔させた型開き位置とする。
【００５５】
次に、図７に示すように、離型フィルム５を下プレート２１上にある中間プレート２２上に載置して吸着させる一方、基板Ｗを、半導体チップＣがキャビティ３を向く姿勢にして、上型１の下面に吸着させて保持する。
【００５６】
次に、図８に示すように、中間プレート２２を図示しないリフトアップ機構によって下プレート２１から持ち上げて離隔させる。このとき、プランジャ４２１を、その先端面が、下プレート２１に設けられた第２孔４１２の上面開口よりも下方にある待機位置としておく。
【００５７】
そして、固形状態にあるタブレット樹脂Ｒを、前記第２孔４１２の上面から投入した後、下プレート２１に設けられた図示しない加熱機構によって該タブレット状樹脂Ｒを溶融する。
【００５８】
次に、型締めする。すなわち、図３に示すように、前記型昇降機構によって下プレート２１を上昇させ、中間プレート２２と一体化するとともに、中間プレート２２の上面と基板表面Ｗａの周縁部との間で離型フィルム５を挟む。この位置が型締め位置である。このとき、前述したように、離型フィルム５における挿通孔５ａの周囲を押圧流路部材６の押圧面６１が押圧してキャビティ３の底面に密着させる。
【００５９】
次に、図９に示すように、プランジャ４２１を、前記注入完了位置まで上昇させる。このことにより、溶融樹脂Ｒが、キャビティ３内に注入・充填される。
【００６０】
より詳細に説明する。溶融樹脂Ｒは、プランジャ４２１が待機位置から上昇することによって、スプルーＳＰ、ゲートＧＴ及び離型フィルム５の挿通孔５ａを通って、図６等に示す押圧流路部材６の貫通孔６ａに流入し、さらに、該押圧流路部材６の有底溝６ｂと基板表面Ｗａとによって形成される流路要素７１を通って、キャビティ３内に流入する。
【００６１】
このようにして、キャビティ３内に溶融樹脂Ｒが充填された後、加熱された状態で一定時間待つことにより、樹脂Ｒが硬化して固形化する。
【００６２】
その後、図１０に示すように、前記型昇降機構によって下型２（下プレート２１及び中間プレート２２）を下降させ、型開き位置とする。このとき、スプルーＳＰ、ゲートＧＴ及び第２孔４１２の上部に残った残存樹脂Ｒ（カル）は、基板Ｗからもぎ取られ、樹脂成形後の基板Ｗは、上型１から取り外される。他方、カルＲは、図１１に示すように、中間プレート２２をリフトアップ機構により下プレート２１から離隔させることによって取り出され、廃棄される。
【００６３】
＜効果＞
以上のような本実施形態によれば、型締め位置あるいは型締め時において、押圧流路部材６の押圧面６１が閉じた環状（ここでは円環状）をなし、該押圧面６１が離型フィルム５における前記挿通孔５ａの全周囲をキャビティ３の底面に密着させるので、それらの間に隙間が生じず、溶融樹脂Ｒが離型フィルム５とキャビティ内面に侵入することを確実に防止できる。また、押圧流路部材６には、連通流路７が形成されているので、溶融樹脂Ｒのキャビティ３内への注入を阻害することもない。
【００６４】
このようにして、ピンゲート方式のトランスファー樹脂成形法に離型フィルム５を用いることが初めて可能になる。しかも離型フィルム５に挿通孔５ａを穿孔することと、押圧流路部材６を設けるだけなので、工程や構造の大幅な複雑化を招くこともない。
【００６５】
特に本実施形態では、半導体チップＣが配設されるべき複数の所定位置のいずれかに、半導体チップＣの代わりに、前記押圧流路部材６を配置できるようにしているので、押圧流路部材６の配置位置の選択自由度が高くなり、樹脂注入に好適な位置に押圧流路部材６を配置することができる。この実施形態では、例えば、図１に示すように、矩形基板Ｗにおける長手方向（左右方向）に延びる中心線上であって、左右対称な２ヶ所に樹脂注入口となる押圧流路部材６を配置しているので、キャビティ３内に、可及的均等にかつ速やかに樹脂を注入することができる。
【００６６】
さらに、押圧流路部材６を予め基板Ｗに接合して一体化しているので、成形型の位置で押圧流路部材６の位置決め等の工程が不要になるという効果も得られる。
【００６７】
＜他の実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００６８】
例えば、前記実施形態において、押圧流路部材６を基板Ｗとは別体の単独部材として基板Ｗに接合させていたが、押圧流路部材６を基板Ｗに一体に形成してもよい。
また、予め押圧流路部材６が貼り付けられた離型フィルム５を成形型に供給してもよい。この場合、押圧流路部材６、離型フィルム５、基板Ｗ及び半導体チップＣの型締め時における互いの位置関係は、上述の実施形態と同様にすることができる。
【００６９】
また、図１２に示すように、有底溝６ｂではなく、押圧流路部材６の外側周面と貫通孔６ａとを連通する孔６ｂ’を設けるなどしてもよい。
【００７０】
さらに、前記押圧流路部材６を、上下逆に配置してもよい。この場合、有底溝６ｂが離型フィルム５側を向くことになり、有底溝６ｂに対応する部分においては、離型フィルム５における挿通孔５ａの周囲全部を押さえることはできないが、離型フィルム５の剥離防止には寄与し得る。
【００７１】
押圧流路部材６を円盤状ではなく、矩形盤や多角形盤状にしてもよい。
【００７２】
押圧流路部材６を単体ではなく、例えば、挿通孔５ａの周りに互いに離隔させて配置した複数の押圧要素からなるものとしてもよい。この場合、押圧要素間の隙間が連通流路を形成する。
【００７３】
離型フィルム５についていえば、前記実施形態のように挿通孔５ａを予め穿孔しておいてもよいし、離型フィルム５を中間プレート２２に載置して吸着させた後、ゲートＧＴの位置に合わせて穿孔してもよい。
【００７４】
樹脂成形方法についても、前記実施形態に限られず、手順を前後してもよい。また、例えば、離型フィルム５を吸着せず、単に押圧流路部材６で挿通孔５ａの周辺を押さえるだけにしてもよい。このようにしても、樹脂Ｒの充填圧力で離型フィルム５がキャビティ３の内面に密着し得る。
【００７５】
キャビティ３は、前記実施形態では下型２にのみ設けられていたが、上型にも設け、基板の表裏面双方に樹脂を注入して成形しても構わない。
【００７６】
成形対象物は半導体チップＣが設けられた基板Ｗに限られず、樹脂Ｒのみをキャビティ３によって成形する場合にも本樹脂成形方法は適用できる。
成形型は、上下に昇降するもののみならず、水平方向やその他の方向に対向して進退するものでも本発明を適用可能である。
【００７７】
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７８】
１００・・・樹脂成形装置
１・・・上型（第１型）
２・・・下型（第２型）
３・・・キャビティ
ＧＴ・・・ゲート
Ｒ・・・樹脂
５・・・離型フィルム
５ａ・・・挿通孔
６・・押圧流路部材
６１・・・押圧面
６ａ・・・貫通孔
７・・・連通流路
７１・・・流路要素
Ｗ・・・基板
Ｃ・・・半導体チップ
【要約】
【課題】ピンゲート方式のトランスファー樹脂成形方法に離型フィルムを適用した際に生じ得る離型フィルムの剥離や浮き上がりといった不具合を、工程や構成の大幅な複雑化を招くことなく防止する。
【解決手段】型締め位置において第１型１と第２型２との間に形成されたキャビティ３の底面に開口するゲートＧＴから樹脂を注入して成形する樹脂成形方法であって、厚み方向に貫通する挿通孔５ａを有した離型フィルム５を、該挿通孔５ａがゲートＧＴに重なるように、キャビティ３の底面を含む内面に配置し、前記型締め位置において離型フィルム５における挿通孔５ａの周囲の一部または全部を型締め時に押圧してキャビティ底面に密着させる押圧面６１を有するとともに、前記挿通孔５ａとキャビティ３との連通流路７を型締め時に形成する押圧流路部材６を配置した。
【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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