(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に電子線を照射して試料から発生する特性Ｘ線を検出する波長分散型Ｘ線分光器と、
前記波長分散型Ｘ線分光器を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
分析対象の試料に対する、前記波長分散型Ｘ線分光器を用いたＷＤＳ分析の分光条件を設定するための予備分析の分析結果を取得する処理と、
前記予備分析の分析結果に基づいて、前記分光条件を設定する処理と、
前記分析対象の試料に対して、設定された前記分光条件でＷＤＳ分析を行う処理と、
を行い、
前記予備分析では、試料にＸ線を照射して試料から発生する蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線分光器を用いた分析が行われ、前記波長分散型Ｘ線分光器を用いた分析は行われない、分析装置。
【請求項２】
請求項１において、
試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報および試料を構成する元素の濃度の情報を格納するデータベースを含み、
前記予備分析の分析結果は、試料の定量分析の結果を含み、
前記分光条件を設定する処理では、
前記データベースを検索して、前記定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、
抽出された前記類似度の高い試料を構成する元素の情報を前記データベースから取得して、前記類似度の高い試料を構成する元素を分析対象元素として設定し、
設定された前記分析対象元素に基づいて、前記分光条件を設定する、分析装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記データベースには、試料を構成する元素の情報として、前記予備分析では検出できずに、ＷＤＳ分析では検出可能な元素が含まれる、分析装置。
【請求項４】
請求項１において、
試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料を構成する元素の濃度の情報、および試料の分光条件の情報を格納するデータベースを含み、
前記予備分析の分析結果は、試料の定量分析の結果を含み、
前記分光条件を設定する処理では、
前記データベースを検索して、前記定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、
抽出された前記類似度の高い試料の分光条件の情報を前記データベースから取得して、前記分光条件を設定する、分析装置。
【請求項５】
請求項１において、
試料の種類ごとに、試料のスペクトルの情報を格納するデータベースを含み、
前記予備分析の分析結果は、前記分析対象の試料のスペクトルを含み、
前記分光条件を設定する処理では、
前記データベースを検索して、前記分析対象の試料のスペクトルと類似度の高いスペクトルを有する試料を抽出し、
抽出された前記類似度の高いスペクトルを有する試料を構成する元素の情報を前記データベースから取得して、前記類似度の高いスペクトルを有する試料を構成する元素を分析対象元素として設定し、
設定された前記分析対象元素に基づいて、前記分光条件を設定する、分析装置。
【請求項６】
請求項１において、
試料の種類ごとに、試料のスペクトルの情報および試料の分光条件の情報を格納するデータベースを含み、
前記予備分析の分析結果は、前記分析対象の試料のスペクトルを含み、
前記分光条件を設定する処理では、
前記データベースを検索して、前記分析対象の試料のスペクトルと類似度の高いスペクトルを有する試料を抽出し、
抽出された前記類似度の高いスペクトルを有する試料の分光条件の情報を前記データベースから取得して、前記分光条件を設定する、分析装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、
前記制御部は、分析対象元素の数が同時に測定可能な元素の数よりも多い場合、前記予備分析の結果に基づいて、測定順序を設定する処理を行う、分析装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、
前記制御部は、前記予備分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析における電子光学系の条件を設定する処理を行う、分析装置。
【請求項９】
請求項１において、
データベースと、試料の電子線ダメージの受けやすさの情報と、が記憶された記憶部を含み、
前記データベースは、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料を構成する元素の濃度の情報、および電子光学条件の情報を格納し、
前記予備分析の分析結果は、試料の定量分析の結果を含み、
前記電子光学条件は、プローブ電流密度の条件を含み、
前記制御部は、前記予備分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析におけるプローブ電流密度を設定する処理を行い、
前記プローブ電流密度を設定する処理では、
前記データベースを検索して、前記定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、
前記電子線ダメージの受けやすさの情報に基づいて、抽出された前記類似度の高い試料
の電子線ダメージの受けやすさの情報を取得し、
前記類似度の高い試料の電子線ダメージの受けやすさの情報に基づいて、プローブ電流密度を設定する、分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
試料表面に電子線を照射し、試料から放出される特性Ｘ線を分光して検出することにより試料の分析を行う電子プローブマイクロアナライザー（Electron Probe Micro Analyzer、ＥＰＭＡ）が知られている。電子プローブマイクロアナライザーには、一般的に、波長分散型Ｘ線分光器（Wavelength Dispersive X-Ray spectrometer、ＷＤＳ）が搭載されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ＥＰＭＡにおいて、面分析を行う場合、まず、反射電子像などで試料の組成の分布を確認してから、試料を構成する元素を知りたい場所に電子線を照射して、ＷＤＳ分析にて定性分析を行う。次に、ユーザーが定性分析の結果から、分析対象元素を決定し、ＥＰＭＡに、分析対象元素に応じた分析条件を入力する。ＥＰＭＡは、入力された分析条件に基づいて、ＷＤＳ分析を実行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１９−０１２０１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＷＤＳ分析を行う場合、分析対象の試料に応じた分光条件を設定する。例えば、ＷＤＳ分析を行う場合、分析対象元素に固有の特性Ｘ線を分光可能な分光素子（分光結晶）を選ぶ必要がある。このように、ＷＤＳ分析の分析条件には、ＷＤＳ分析に特有の分光条件が含まれるため、オペレーターには分光素子などについての知識が必要であった。そのため、容易に、ＷＤＳ分析の分光条件の設定が可能な分析装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る分析装置の一態様は、
試料に電子線を照射して試料から発生する特性Ｘ線を検出する波長分散型Ｘ線分光器と、
前記波長分散型Ｘ線分光器を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
分析対象の試料に対する、前記波長分散型Ｘ線分光器を用いたＷＤＳ分析の分光条件を設定するための予備分析の分析結果を取得する処理と、
前記予備分析の分析結果に基づいて、前記分光条件を設定する処理と、
前記分析対象の試料に対して、設定された前記分光条件でＷＤＳ分析を行う処理と、
を行い、
前記予備分析では、試料にＸ線を照射して試料から発生する蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線分光器を用いた分析が行われ、前記波長分散型Ｘ線分光器を用いた分析は行われない。
【０００７】
このような分析装置では、制御部が予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分光条件を設定するため、容易に、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る分析装置の構成を示す図。
【図２】第１実施形態に係る分析装置の構成を示す図。
【図３】第１実施形態に係る分析装置の制御部の処理の一例を示すフローチャート。
【図４】データベースを説明するための図。
【図５】第１実施形態の第２変形例に係る分析装置の構成を示す図。
【図６】データベースを説明するための図。
【図７】第１実施形態の第３変形例に係る分析装置の構成を示す図。
【図８】第２実施形態に係る分析装置の構成を示す図。
【図９】第２実施形態に係る分析装置の制御部の処理の一例を示すフローチャート
【図１０】第２実施形態の第２変形例に係る分析装置の構成を示す図。
【図１１】第３実施形態に係る分析装置の構成を示す図。
【図１２】データベースを説明するための図。
【図１３】第２実施形態の変形例に係る分析装置の構成を示す図。
【図１４】データベースを説明するための図。
【図１５】第４実施形態に係る分析装置の構成を示す図。
【図１６】データベースを説明するための図。
【図１７】第４実施形態の変形例に係る分析装置の構成を示す図。
【図１８】データベースを説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１２】
１．  第１実施形態
１．１．  分析装置
まず、第１実施形態に係る分析装置について図面を参照しながら説明する。図１および図２は、第１実施形態に係る分析装置１００の構成を示す図である。分析装置１００は、複数の波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）を備えたＥＰＭＡである。なお、分析装置１００は、ＷＤＳを備えた走査電子顕微鏡であってもよい。
【００１３】
分析装置１００は、図１および図２に示すように、電子光学系１０と、試料ステージ２０と、電子検出器３０と、ＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅと、制御部６０と、操作部７０と、表示部７２と、記憶部７４と、蛍光Ｘ線分光器（X-ray Fluorescence Spectrometer、ＸＲＦ）８０と、を含む。なお、図２では、便宜上、電子光学系１０、およびＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅのみを図示している。
【００１４】
電子光学系１０は、電子線ＥＢからなる電子プローブを形成する。電子光学系１０は、電子銃１２と、集束レンズ１４と、偏向器１６と、対物レンズ１８と、を含む。
【００１５】
電子銃１２は、電子線ＥＢを発生させる。電子銃１２は、所定の加速電圧により加速された電子線ＥＢを試料Ｓに向けて放出する。
【００１６】
集束レンズ１４は、電子銃１２から放出された電子線ＥＢを集束させるためのレンズである。偏向器１６は、電子線ＥＢを二次元的に偏向させる。偏向器１６によって、電子プローブを試料Ｓ上で走査させることができる。対物レンズ１８は、電子線ＥＢを試料Ｓ上で集束させるためのレンズである。集束レンズ１４および対物レンズ１８で電子線ＥＢを集束させることによって電子プローブが形成される。
【００１７】
試料ステージ２０は、試料Ｓを支持している。試料ステージ２０上には、試料Ｓが載置される。図示はしないが、試料ステージ２０は、試料Ｓを移動させるための移動機構を備えている。試料ステージ２０で試料Ｓを移動させることにより、試料Ｓ上での電子線ＥＢが照射される位置を移動させることができる。
【００１８】
電子検出器３０は、試料Ｓから放出された電子を検出するための検出器である。電子検出器３０で試料Ｓから放出された電子を検出することによって、走査電子顕微鏡像（ＳＥＭ像）を取得できる。電子検出器３０は、反射電子を検出する反射電子検出器であってもよいし、二次電子を検出する二次電子検出器であってもよい。
【００１９】
ＷＤＳ５０ａは、分光素子（分光結晶）５２と、Ｘ線検出器５４と、を含む。ＷＤＳ５０ａでは、試料Ｓから発生した特性Ｘ線を分光素子５２で分光し、分光されたＸ線をＸ線検出器５４で検出する。
【００２０】
分光素子５２は、例えば、Ｘ線の回折現象を利用して分光を行うための分光結晶である。ＷＤＳ５０ａは、結晶面間隔が互いに異なる複数の分光素子５２を備えている。すなわち、複数の分光素子５２は、互いに異なる分光波長範囲を有している。分光素子５２としては、ＰＥＴ、ＬｉＦ、ＴＡＰ、ＬＤＥなどが挙げられる。Ｘ線検出器５４は、分光素子５２で分光された特性Ｘ線を検出する。
【００２１】
分析装置１００は、図２に示すように、ＷＤＳ５０ａ、ＷＤＳ５０ｂ、ＷＤＳ５０ｃ、ＷＤＳ５０ｄ、ＷＤＳ５０ｅを有している。この５つのＷＤＳは、それぞれ、複数の分光素子５２を有している。これにより、分析装置１００では、広い分光波長範囲でＷＤＳ分析を行うことができ、様々な元素を検出できる。さらに、分析装置１００では、例えば、同時に、５つの元素の面分析を行うことができる。
【００２２】
ＸＲＦ８０は、試料にＸ線を照射して試料Ｓから発生する蛍光Ｘ線を検出し、ＸＲＦスペクトルを生成する。ＸＲＦ８０は、生成したＸＲＦスペクトルに基づいて、定性分析および定量分析を行う。ＸＲＦ８０と制御部６０とは、例えば、ＬＡＮ（Local Area Network）などのネットワークで接続されている。
【００２３】
操作部７０は、ユーザーによる操作に応じた操作信号を取得し、制御部６０に送る処理を行う。操作部７０は、例えば、ボタン、キー、タッチパネル型ディスプレイ、マイクなどである。
【００２４】
表示部７２は、制御部６０で生成された画像を表示する。表示部７２は、例えば、ＬＣＤ（liquid crystal display）などのディスプレイにより実現できる。
【００２５】
記憶部７４は、制御部６０が各種計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータを記憶している。また、記憶部７４は、制御部６０のワーク領域としても用いられる。記憶部７４は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、およびハードディスクなどにより実現できる。記憶部７４は、データベース２を含む。データベース２は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報および試料を構成する元素の濃度の情報を格納している。
【００２６】
制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果を取得する処理や、ＷＤＳ分析を実行する処理などの処理を行う。制御部６０の機能は、各種プロセッサ（ＣＰＵ（Central Processing Unit）など）で記憶部７４に記憶されたプログラムを実行することにより実現できる。
【００２７】
制御部６０は、ＸＲＦ８０からＸＲＦ分析の分析結果を取得する。ＸＲＦ分析の分析結果は、定性分析の結果、定量分析の結果、およびＸＲＦスペクトルを含む。定量分析の結果は、試料を構成する各元素の濃度の情報である。なお、定量分析の結果は、試料を構成する各元素の濃度に換算可能なＸ線の相対強度（Ｋ−レシオ）などであってもよい。なお、制御部６０は、ＸＲＦ８０から、分析結果とともに、ＸＲＦ分析を行った位置の情報などを取得してもよい。
【００２８】
制御部６０は、電子光学系１０およびＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅを制御する。制御部６０は、電子光学系１０およびＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅを制御して、ＷＤＳ分析を実行する。具体的には、制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分析条件を設定し、設定された分析条件に基づいて電子光学系１０およびＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅを制御して、ＷＤＳ分析を実行する。このように、制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果に基づいて、自動で分析条件を設定し、ＷＤＳ分析を実行する。
【００２９】
ＷＤＳ分析は、点分析、ライン分析、およびマップ分析を含む。制御部６０は、ＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅの出力信号を取得して、ＷＤＳスペクトル、各元素のラインプロファイル、各元素のマップなどを生成する。
【００３０】
１．２．  処理
１．２．１．  制御部の処理の流れ
分析装置１００を用いてＷＤＳ分析を行う場合、まず、分析対象の試料に対して、ＸＲＦ８０を用いて、ＸＲＦ分析を行うことで事前分析を行う。これにより、分析対象の試料の定量分析の結果を得ることができる。
【００３１】
次に、ユーザーは、分析装置１００において試料のＳＥＭ像を観察し、分析手法および分析領域を設定する。ここでは、分析手法として、点分析、線分析、および面分析のいずれかを設定する。
【００３２】
次に、ユーザーが操作部７０を介して、ＷＤＳ分析を開始する指示を入力すると、制御部６０は、ＷＤＳ分析を実行するための処理を開始する。図３は、分析装置１００の制御部６０の処理の一例を示すフローチャートである。
【００３３】
まず、制御部６０は、ＸＲＦ８０からＸＲＦ分析の分析結果を取得する（Ｓ１０）。次に、制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する（Ｓ１２）。次に、制御部６０は、分析対象の試料に対して、設定された分析条件でＷＤＳ分析を実行する（Ｓ１４）。制御部６０は、ＷＤＳ分析を実行することによって得られたＷＤＳ分析の分析結果を、表示部７２に表示させる（Ｓ１６）。
【００３４】
１．２．２．  分析条件の設定
次に、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する処理（Ｓ１２）について説明する。制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する。ＷＤＳ分析の分析条件は、分析対象元素、分光条件、および電子光学条件を含む。
【００３５】
（１）分析対象元素の設定
制御部６０は、データベース２を検索して、ＸＲＦ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料を構成する元素の情報をデータベース２から取得して、分析対象元素を設定する。
【００３６】
図４は、データベース２を説明するための図である。
【００３７】
データベース２には、図４に示すように、試料の種類を示す試料名と、試料を構成する元素の情報と、試料を構成する元素の濃度の情報と、が格納されている。
【００３８】
例えば、データベース２では、試料名としてステンレス鋼、試料を構成する元素として、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、試料を構成する元素の濃度として、Ｃ−０．０５６ｗｔ％、Ｓｉ−０．４７ｗｔ％、Ｃｒ−１８．１７ｗｔ％、Ｆｅ−７２．９５ｗｔ％、Ｎｉ−８．３５ｗｔ％が登録されている。
【００３９】
例えば、制御部６０は、データベース２を検索した結果、ＸＲＦ分析による定量分析の結果が、ステンレス鋼を構成する各元素の濃度に最も類似している場合、ステンレス鋼を構成する元素の情報をデータベース２から取得する。そして、制御部６０は、取得したステンレス鋼を構成する元素を、分析対象元素として設定する。すなわち、制御部６０は、図４に示す、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉを、分析対象元素として設定する。
【００４０】
ここで、ＸＲＦ分析では、ＷＤＳ分析に比べて、Ｂ，Ｃ，Ｎなどの軽元素の検出感度が低い。そのため、試料にこれらの軽元素が微量しか含まれていない場合には、ＸＲＦ分析ではこれらの軽元素が検出できない場合がある。したがって、例えばＸＲＦ分析において検出された元素を分析対象元素に設定した場合、これらの軽元素が分析対象元素から漏れてしまう可能性がある。
【００４１】
データベース２では、試料を構成する元素として、これらの軽元素が含まれている。したがって、データベース２を検索して分析対象元素を設定することによって、ＸＲＦ分析でこれらの軽元素が検出されていない場合でも、これらの軽元素を分析対象元素として設定できる。このように、データベース２に、試料を構成する元素として、ＸＲＦ分析では検出できずに、ＷＤＳ分析では検出可能な元素を含めることによって、微量の軽元素も見逃すことなく、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【００４２】
（２）分光条件の設定
制御部６０は、設定された分析対象元素に基づいて、分光条件を設定する。分光条件は、ＷＤＳ分析における分光波長範囲を含む。分光波長範囲は、ＷＤＳ分析において、Ｘ線が分光される波長範囲であり、設定された分光波長範囲のＸ線がＸ線検出器５４で検出される。
【００４３】
ＷＤＳでは、分光器の種類と分光素子によって、分光波長範囲が決まる。そのため、制御部６０は、分析対象元素ごとに、当該分析対象元素を検出可能なＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅおよび分光素子５２を選択する。
【００４４】
制御部６０は、例えば、分析対象としてＣ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉが設定された場合
、ＷＤＳ５０ａでは分光素子５２としてＬＤＥを選択してＣを測定可能とし、ＷＤＳ５０ｂでは分光素子５２としてＴＡＰを選択してＳｉを測定可能とし、ＷＤＳ５０ｃでは分光素子５２としてＬｉＦを選択してＣｒを測定可能とし、ＷＤＳ５０ｅでは分光素子５２としてＬｉＦを選択してＦｅを測定可能とし、ＷＤＳ５０ｄでは分光素子５２としてＬｉＦを選択してＮｉを測定可能とする。
【００４５】
なお、分析装置１００では、ＷＤＳが５つ搭載されているため、５つの元素を同時に測定可能である。分析対象元素の数が５つよりも多い場合、制御部６０は、予備分析の結果に基づいて、測定する元素の順序を設定する。具体的には、制御部６０は、あらかじめ記憶部７４に記憶されている電子線ダメージを受けやすい元素の情報に基づいて、分析対象元素のうち、電子線ダメージを受けやすい元素ほど、先に測定されるように測定順序を設定する。
【００４６】
（３）電子光学条件の設定
制御部６０は、ＷＤＳ分析による定量分析の結果および設定された分析対象元素に基づいて、電子光学条件を設定する。電子光学条件は、電子光学系１０の条件であり、電子線ＥＢの加速電圧、プローブ電流、プローブ径、および測定時間を含む。
【００４７】
加速電圧は、例えば、分析対象元素に軽元素が含まれている場合には、低加速電圧（例えば５ｋＶ）に設定し、分析対象元素に軽元素が含まれていない場合には、高加速電圧（例えば１５ｋＶ）に設定する。
【００４８】
プローブ電流は、試料に照射される電子プローブを流れる電流である。制御部６０は、分析対象の試料が電子線ダメージを受けやすい材料である場合には、プローブ電流を小さく設定し、分析対象の試料が電子線ダメージを受けにくい材料である場合には、プローブ電流を大きく設定する。分析対象の試料が電子線ダメージを受けやすいか否かは、例えば、定量分析の結果から試料の材料を推定し、推定された材料が、あらかじめ登録されている電子線ダメージを受けやすい材料に該当するか否かで判断する。例えば、推定された材料が金属材料である場合、電子線ダメージを受けにくい試料と判断され、プローブ電流が大きく設定される。
【００４９】
また、試料が電子線ダメージを受けやすい材料である場合には、電流密度を下げるために、プローブ径が大きく設定される。
【００５０】
制御部６０は、例えば、ユーザーが操作部７０を介して入力した測定時間に基づいて、測定時間を設定する。ＷＤＳ分析では、測定精度を求める場合には測定時間が長くなり、短時間では分析精度が悪化する。そのため、例えば、ユーザーが、測定精度を優先するのか、あるいは測定時間を優先するのかを、選択することによって、測定時間が設定される。
【００５１】
なお、ＸＲＦの定量分析の結果と、各分光素子ごとの標準感度データなどのＸ線強度データによって、分析対象元素の信号強度を見積もって、必要な測定精度が得られる信号強度となるように、測定時間を設定してもよい。
【００５２】
１．３．  効果
分析装置１００では、制御部６０は、分析対象の試料に対するＸＲＦ８０を用いた予備分析の分析結果を取得する処理と、当該予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅを用いたＷＤＳ分析の分光条件を設定する処理と、分析対象の試料に対して設定された分光条件でＷＤＳ分析を行う処理と、を行う。このように、分析装置１００では、制御部６０が予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分光条件
を設定するため、容易に、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【００５３】
ここで、ＸＲＦ分析はＸ線励起であるため、電子線励起のＥＤＳ等に比べて、連続Ｘ線の発生が少なくバックグラウンドが低い。そのため、ＸＲＦ分析では、高感度分析を短時間で行うことができる。また、ＸＲＦ分析では、ＷＤＳで面分析を行う領域に含まれる元素を一度に検出できる。このように、ＸＲＦ分析では、短時間で微量元素の測定が可能である。そのため、構成元素が未知の試料においても、予備分析としてＸＲＦ分析を行い、予備分析の分析結果に基づいて分光条件を設定することによって、微量元素を見逃すことなく、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【００５４】
例えば、未知の試料に対して、予備分析としてＷＤＳ分析による定性分析を行い、予備分析の分析結果に基づいて分析条件を設定して、ＷＤＳ分析の面分析などを行う場合、予備分析のＷＤＳ分析において、全元素を対象にして定性分析を行わなければならず、長時間の測定が必要となる。
【００５５】
これに対して、分析装置１００では、上述したように、予備分析としてＸＲＦ分析を行うため、予備分析を短時間で行うことができ、かつ、微量元素も見逃すことなくＷＤＳ分析を行うことができる。
【００５６】
分析装置１００では、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報および試料を構成する元素の濃度の情報を格納するデータベース２を含み、分光条件を設定する処理では、データベース２を検索して、ＸＲＦ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、当該類似度の高い試料を構成する元素の情報をデータベース２から取得して、当該類似度の高い試料を構成する元素を分析対象元素として設定し、分析対象元素の情報に基づいて、分光条件を設定する。また、データベース２には、試料を構成する元素の情報として、予備分析では検出できずに、ＷＤＳ分析では検出可能な元素が含まれる。そのため、上述したように、ＸＲＦ分析では検出が困難な微量な軽元素も分析対象元素に設定することができる。
【００５７】
分析装置１００では、制御部６０は、分析対象元素の数が同時に測定可能な元素の数よりも多い場合、予備分析の結果に基づいて、分析対象元素を測定する順序を設定する処理を行う。そのため、例えば、分析対象元素のうち、電子線ダメージを受けやすい元素ほど、先に測定されるように測定順序を設定することができ、電子線ダメージの影響を低減できる。
【００５８】
分析装置１００では、制御部６０は、予備分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析における電子光学系１０の条件を設定する処理を行う。そのため、分析装置１００では、ＸＲＦ分析の分析結果から分析条件を設定して、ＷＤＳ分析を行うことができる。すなわち、分析装置１００では、自動で分析条件を設定して、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【００５９】
１．４．  変形例
次に、第１実施形態に係る分析装置の変形例について説明する。以下では、上述した分析装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００６０】
１．４．１．  第１変形例
上記した実施形態では、制御部６０は、分析対象元素を設定する処理において、データベース２を検索して、ＸＲＦ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、分析対象元素を設定した。
【００６１】
これに対して、制御部６０は、ＸＲＦ分析で検出された元素を、分析対象元素に設定し
てもよい。例えば、ＸＲＦ分析で検出された全ての元素を、分析対象元素に設定してもよい。
【００６２】
また、制御部６０は、ＸＲＦ８０からＸＲＦ分析の分析結果を取得し、ＸＲＦ分析で検出された全ての元素、および当該元素の濃度を示すリストを、分析対象元素の候補のリストとして、表示部７２に表示させてもよい。このとき、元素を濃度に応じてクラス分けして、表示させてもよい。例えば、高濃度の元素は赤色、低濃度の元素は青色、中濃度の元素は黄色など、濃度によるクラス分けの結果を、色の違いで表してもよい。リストは、周期表上の元素を、濃度によるクラス分けの結果に応じて色分けしたものであってもよい。
【００６３】
ユーザーが操作部７０を介してリストから元素を選択すると、制御部６０は、選択された元素を分析対象元素として設定する。また、制御部６０は、ＸＲＦ分析の分析結果に基づいて、過去の分析条件が格納されたデータベースから、着目されることが多い元素をユーザーに通知してもよい。
【００６４】
なお、試料の保持材やコーティング剤に含まれる元素を、あらかじめ分析対象元素の候補のリストから除外してもよい。
【００６５】
１．４．２．  第２変形例
図５は、第２変形例に係る分析装置１０２の構成を示す図である。
【００６６】
分析装置１０２では、図５に示すように、記憶部７４は、データベース４を有している。データベース４は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料を構成する元素の濃度の情報、および試料の分析条件の情報を格納している。
【００６７】
図６は、データベース４を説明するための図である。
【００６８】
図６に示すように、データベース４は、試料の分析条件の情報を含む点でデータベース２と異なる。試料の分析条件は、分光条件および電子光学条件を含む。
【００６９】
図６に示す例では、分光条件として、「ＷＤＳ１」、すなわち、ＷＤＳ５０ａの分光素子５２を「ＬＤＥ」とし、「ＷＤＳ２」、すなわち、ＷＤＳ５０ｂの分光素子５２を「ＴＡＰ」とすることが登録されている。図６では省略しているが、ＷＤＳ５０ｃ、ＷＤＳ５０ｄ、ＷＤＳ５０ｅについても、同様に、それぞれ分析に用いられる分光素子５２の種類が登録されている。
【００７０】
また、図６に示す例では、電子光学条件として、加速電圧１５ｋＶ、プローブ電流２０ｎＡであることが登録されている。図６では省略しているが、測定時間などのその他の電子光学条件も登録されている。
【００７１】
データベース４に登録されている分析条件は、例えば、分析装置１０２で試料を測定したときの分析条件であってもよい。また、データベース４に登録されている分析条件は、機械学習などによって更新されてもよい。
【００７２】
制御部６０は、分析条件を設定する処理では、データベース４を検索して、ＸＲＦ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料の分析条件の情報をデータベース４から取得する。制御部６０は、取得した当該類似度の高い試料の分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。
【００７３】
例えば、制御部６０は、データベース４を検索した結果、ＸＲＦ分析による定量分析の
結果が、ステンレス鋼を構成する各元素の濃度に最も類似している場合、ステンレス鋼の分析条件の情報をデータベース４から取得する。そして、取得した分析条件の情報を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。制御部６０は、分析対象の試料に対して、設定された分析条件でＷＤＳ分析を実行する。
【００７４】
分析装置１０２では、上述したように、制御部６０は、データベース４を検索して、ＸＲＦ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料の分光条件の情報をデータベース４から取得して、分光条件を設定する。そのため、分析装置１０２では、分析装置１００と同様の作用効果を奏することができる。
【００７５】
１．４．３．  第３変形例
図７は、第３変形例に係る分析装置１０４の構成を示す図である。
【００７６】
分析装置１０４は、図７に示すように、ＸＲＦ８０を含む。ＸＲＦ８０は、試料ＳにＸ線を照射するＸ線源としてのＸ線銃８２と、試料ＳにＸ線を照射することによって発生した蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器８４と、を有している。Ｘ線銃８２は、試料Ｓが収容されている試料室に配置されている。Ｘ線検出器８４は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線検出器である。Ｘ線検出器８４の出力信号は、制御部６０に送られる。制御部６０は、Ｘ線検出器８４の出力信号を取得して、ＸＲＦ分析の分析結果を取得する。分析装置１０４では、ＸＲＦ分析を任意のタイミングで行うことができる。
【００７７】
２．  第２実施形態
２．１．  分析装置
次に、第２実施形態に係る分析装置について説明する。図８は、第２実施形態に係る分析装置２００の構成を示す図である。以下、第２実施形態に係る分析装置２００において、第１実施形態に係る分析装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００７８】
分析装置２００は、図８に示すように、エネルギー分散型Ｘ線分光器（energy dispersive X-ray spectrometer、ＥＤＳ）９０を含む。ＥＤＳ９０は、試料Ｓに電子線ＥＢを照射することによって発生した特性Ｘ線を検出する。ＥＤＳ９０は、特性Ｘ線をエネルギーで弁別し、ＥＤＳスペクトルデータを出力する。
【００７９】
制御部６０は、電子光学系１０およびＥＤＳ９０を制御する。制御部６０は、電子光学系１０およびＥＤＳ９０を制御して、ＥＤＳ分析を実行する。制御部６０は、設定されたＥＤＳ分析の分析条件に基づいて、電子光学系１０およびＥＤＳ９０を制御する。これにより、試料Ｓの指定された領域に電子線ＥＢが照射され、試料Ｓから放出された特性Ｘ線をＥＤＳ９０で検出できる。制御部６０は、ＥＤＳ９０の出力信号を取得して、ＥＤＳスペクトルを生成する。また、制御部６０は、生成されたＥＤＳスペクトルに基づいて、定性分析および定量分析を行う。
【００８０】
２．２．  処理
２．２．１．  制御部の処理の流れ
次に、分析装置２００の制御部６０の処理について説明する。以下では、上述した分析装置１００の制御部６０の処理と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００８１】
ユーザーは、分析装置２００において、試料のＳＥＭ像を観察し、分析手法および分析領域を設定する。次に、ユーザーが操作部７０を介して、ＷＤＳ分析を開始する指示を入力すると、制御部６０は、ＷＤＳ分析を実行するための処理を開始する。
【００８２】
図９は、分析装置２００の制御部６０の処理の一例を示すフローチャートである。
【００８３】
制御部６０は、電子光学系１０およびＥＤＳ９０を制御して、ＥＤＳ分析を行う（Ｓ２０）。これにより、分析対象の試料に対して電子線ＥＢが照射され、試料Ｓから発生した特性Ｘ線をＥＤＳ９０で検出できる。制御部６０は、ＥＤＳ９０の出力信号を取得して、ＥＤＳスペクトルを生成し、定性分析および定量分析を行う。これにより、事前分析の結果として、ＥＤＳ分析による定性分析および定量分析の結果を取得できる。定量分析の結果は、試料を構成する各元素の濃度の情報である。なお、定量分析の結果は、試料を構成する各元素の濃度に換算可能なＸ線の相対強度（Ｋ−レシオ）などであってもよい。
【００８４】
ここで、例えば、ＷＤＳ分析の分析手法として面分析が設定されている場合には、事前分析では、面分析を行う領域内において、位置を変えて点分析を複数回行う。点分析を複数回行うことによって、面分析を行う領域内に、組成の異なる部分があっても、分析対象元素を漏れなく設定できる。また、点分析を行う領域は、面分析を行う領域の外であってもよい。また、事前分析として、線分析や、面分析を行ってもよい。
【００８５】
なお、制御部６０は、分析対象の試料をＳＥＭ観察している間に、ＥＤＳ分析を並行して行ってもよい。すなわち、分析位置などを確認するためのＳＥＭ観察と、事前分析としてのＥＤＳ分析を同時に行ってもよい。
【００８６】
次に、制御部６０が、ＥＤＳ分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する（Ｓ２２）。次に、制御部６０は、分析対象の試料に対して、設定された分析条件でＷＤＳ分析を実行する（Ｓ２４）。制御部６０は、ＷＤＳ分析を実行することによって得られたＷＤＳ分析の分析結果を、表示部７２に表示させる（Ｓ２６）。
【００８７】
２．２．２．  分析条件の設定
次に、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する処理（Ｓ２２）について説明する。制御部６０は、ＥＤＳ分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する。
【００８８】
（１）分析対象元素の設定
制御部６０は、データベース２を検索して、ＥＤＳ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、当該類似度の高い試料を構成する元素の情報をデータベース２から取得して、分析対象元素を設定する。
【００８９】
（２）分光条件の設定
分光条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（２）分光条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【００９０】
（３）電子光学条件の設定
電子光学条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（３）電子光学条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【００９１】
２．３．  効果
分析装置２００では、制御部６０は、分析対象の試料に対するＥＤＳ９０を用いた予備分析の分析結果を取得する処理と、当該予備分析の分析結果に基づいて、ＷＤＳ５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅを用いたＷＤＳ分析の分光条件を設定する処理と、分析対象の試料に対して、設定された分光条件でＷＤＳ分析を行う処理と、を行う。このように、分析装置２００では、制御部６０が予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分光条件を設定するため、上述した分析装置１００と同様に、容易に、ＷＤＳ分析を行うこと
ができる。
【００９２】
ここで、ＥＤＳ分析では、ＷＤＳ分析に比べて、短時間で測定が可能である。そのため、構成元素が未知の試料においても、予備分析としてＥＤＳ分析を行い、予備分析の分析結果に基づいて分光条件を設定することによって、短時間で事前測定を行うことができる。
【００９３】
分析装置２００では、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報および試料を構成する元素の濃度の情報を格納するデータベース２を含み、分光条件を設定する処理では、データベース２を検索して、ＥＤＳ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、当該類似度の高い試料を構成する元素の情報をデータベース２から取得して、当該類似度の高い試料を構成する元素を分析対象元素として設定し、分析対象元素の情報に基づいて、分光条件を設定する。また、データベース２には、試料を構成する元素の情報として、予備分析では検出できずに、ＷＤＳ分析では検出可能な元素が含まれる。そのため、ＥＤＳ分析では検出が困難な微量な軽元素も分析対象元素に設定することができる。
【００９４】
２．４．  変形例
次に、第２実施形態に係る分析装置の変形例について説明する。以下では、上述した分析装置２００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００９５】
２．４．１．  第１変形例
上記した実施形態では、制御部６０は、分析対象元素を設定する処理において、データベース２を検索して、ＥＤＳ分析による定量分析の分析結果と類似度の高い試料を抽出して、分析対象元素を設定した。
【００９６】
これに対して、制御部６０は、ＥＤＳ分析で検出された元素を、分析対象元素に設定してもよい。例えば、ＥＤＳ分析で検出された全ての元素を、分析対象元素に設定してもよい。
【００９７】
また、制御部６０は、ＥＤＳ分析の分析結果を取得し、ＥＤＳ分析で検出された全ての元素、および当該元素の濃度を示すリストを、分析対象元素の候補のリストとして、表示部７２に表示させてもよい。ユーザーが操作部７０を介してリストから元素を選択すると、制御部６０は、選択された元素を分析対象元素として設定する。
【００９８】
２．４．２．  第２変形例
図１０は、第２変形例に係る分析装置２０２の構成を示す図である。
【００９９】
分析装置２０２では、図１０に示すように、記憶部７４は、データベース４を有している。データベース４は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料を構成する元素の濃度の情報、および試料の分析条件の情報を格納している。
【０１００】
制御部６０は、分析条件を設定する処理では、図６に示すデータベース４を検索して、ＥＤＳ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料の分析条件の情報をデータベース４から取得する。制御部６０は、取得した当該類似度の高い試料の分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。
【０１０１】
分析装置２０２では、制御部６０は、データベース４を検索して、ＥＤＳ分析による定量分析の結果と類似度の高い試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料の分光条件の情報をデータベース４から取得して、分光条件を設定する。そのため、分析装置２０２では、分析装置２００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１０２】
３．  第３実施形態
３．１．  分析装置
次に、第３実施形態に係る分析装置について説明する。図１１は、第３実施形態に係る分析装置３００の構成を示す図である。以下、第３実施形態に係る分析装置３００において、第１実施形態に係る分析装置１００および第２実施形態に係る分析装置２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１０３】
上述した分析装置１００では、図１に示すように、記憶部７４は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、および試料を構成する元素の濃度の情報を格納するデータベース２を有していた。
【０１０４】
これに対して、分析装置３００では、図１１に示すように、記憶部７４は、データベース６を有している。データベース６は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、および試料のＸＲＦスペクトルの情報を格納している。
【０１０５】
図１２は、データベース６を説明するための図である。
【０１０６】
データベース６には、図１２に示すように、試料の種類を示す試料名と、試料を構成する元素の情報と、試料のＸＲＦスペクトルの情報と、が格納されている。
【０１０７】
例えば、データベース６では、試料名としてステンレス鋼、試料を構成する元素としてＣ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、スペクトルとして、図１２に示すステンレス鋼のＸＲＦスペクトルが登録されている。データベース６に登録されているＸＲＦスペクトルは、例えば、ＸＲＦ８０で試料を測定した結果得られたＸＲＦスペクトルであってもよい。
【０１０８】
３．２．  処理
３．２．１．  制御部の処理の流れ
分析装置３００を用いてＷＤＳ分析を行う場合、まず、分析対象の試料に対して、ＸＲＦ８０を用いて、ＸＲＦ分析を行うことで事前分析を行う。これにより、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルを得ることができる。
【０１０９】
次に、ユーザーは、分析装置３００において、試料のＳＥＭ像を観察し、分析手法および分析領域を設定する。次に、ユーザーが操作部７０を介して、ＷＤＳ分析を開始する指示を入力すると、制御部６０は、ＷＤＳ分析を実行するための処理を開始する。
【０１１０】
分析装置３００の制御部６０の処理は、上述した図３に示す分析装置１００の制御部６０の処理と、ＷＤＳ分析の分析条件を設定する処理（Ｓ１２）を除いて同様である。以下では、図３に示す分析装置１００の制御部６０の処理と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１１１】
３．２．２．  分析条件の設定
（１）分析対象元素の設定
制御部６０は、データベース６を検索して、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルと類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を抽出し、当該類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を構成する元素の情報をデータベース６から取得して、分析対象元素を設定する。
【０１１２】
例えば、制御部６０は、データベース６を検索した結果、分析対象の試料のＸＲＦスペ
クトルが、ステンレス鋼のＸＲＦスペクトルに最も類似している場合、ステンレス鋼を構成する元素の情報をデータベース６から取得する。そして、制御部６０は、取得したステンレス鋼を構成する元素を、分析対象元素として設定する。すなわち、制御部６０は、図１２に示す、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉを、分析対象元素として設定する。
【０１１３】
（２）分光条件の設定
分光条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（２）分光条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【０１１４】
（３）電子光学条件の設定
電子光学条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（３）電子光学条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【０１１５】
３．３．  効果
分析装置３００は、試料の種類ごとに、試料のＸＲＦスペクトルの情報を格納するデータベース６を含み、予備分析であるＸＲＦ分析の分析結果は、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルを含む。制御部６０は、分光条件を設定する処理では、データベース６を検索して、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルと類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を構成する元素の情報をデータベース６から取得して、当該類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を構成する元素を分析対象元素として設定する。次に、制御部６０は、設定された分析対象元素に基づいて、分光条件を設定する。このように、分析装置３００では、制御部６０が予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分光条件を設定するため、上述した分析装置１００と同様に、容易に、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【０１１６】
３．４．  変形例
次に、第３実施形態に係る分析装置の変形例について説明する。以下では、上述した分析装置３００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１１７】
図１３は、第３実施形態の変形例に係る分析装置３０２の構成を示す図である。
【０１１８】
分析装置３０２では、図１３に示すように、記憶部７４は、データベース８を有している。データベース８は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料のＸＲＦスペクトルの情報、および試料の分析条件の情報を格納している。
【０１１９】
図１４は、データベース８を説明するための図である。
【０１２０】
図１４に示すように、データベース８は、試料の分析条件の情報を含む点でデータベース６と異なる。試料の分析条件は、分光条件および電子光学条件を含む。
【０１２１】
制御部６０は、分析条件を設定する処理では、データベース８を検索して、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルと類似度の高いスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高い試料の分析条件の情報をデータベース８から取得する。制御部６０は、取得した当該類似度の高いスペクトルを有する試料の分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。
【０１２２】
例えば、制御部６０は、データベース８を検索した結果、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルが、ステンレス鋼のＸＲＦスペクトルに最も類似している場合、ステンレス鋼の分析条件をデータベース８から取得する。そして、制御部６０は、取得した分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。制御部６０は、分析対象の試料に対して、設定された分
析条件でＷＤＳ分析を実行する。
【０１２３】
分析装置３０２では、制御部６０は、データベース８を検索して、分析対象の試料のＸＲＦスペクトルと類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高いＸＲＦスペクトルを有する試料の分光条件の情報をデータベース８から取得して、分光条件を設定する。そのため、分析装置３０２では、分析装置３００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１２４】
４．  第４実施形態
４．１．  分析装置
次に、第４実施形態に係る分析装置について説明する。図１５は、第４実施形態に係る分析装置４００の構成を示す図である。以下、第４実施形態に係る分析装置４００において、第１実施形態に係る分析装置１００、第２実施形態に係る分析装置２００、および第３実施形態に係る分析装置３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２５】
上述した分析装置２００では、図８に示すように、記憶部７４は、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、および試料を構成する元素の濃度の情報を格納するデータベース２を有していた。
【０１２６】
これに対して、分析装置４００では、図１５に示すように、記憶部７４は、データベース６ａを有している。データベース６ａは、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、および試料のＥＤＳスペクトルの情報を格納している。
【０１２７】
図１６は、データベース６ａを説明するための図である。
【０１２８】
データベース６ａには、図１６に示すように、試料の種類を示す試料名と、試料を構成する元素の情報と、試料のＥＤＳスペクトルの情報と、が格納されている。
【０１２９】
例えば、データベース６ａでは、試料名としてステンレス鋼、試料を構成する元素として、Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、スペクトルとして、図１６に示すステンレス鋼のＥＤＳスペクトルが登録されている。データベース６に登録されているＥＤＳスペクトルは、例えば、分析装置４００で試料を測定した結果得られたＥＤＳスペクトルであってもよい。
【０１３０】
４．２．  処理
４．２．１．  制御部の処理の流れ
分析装置４００の制御部６０の処理は、上述した図９に示す分析装置２００の制御部６０の処理と、ＥＤＳ分析を実行する処理においてＥＤＳスペクトルを取得する点、ＷＤＳ分析の分析条件をデータベース６ａを用いて設定する点で異なる。以下では、図９に示す分析装置２００の制御部６０の処理と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１３１】
分析装置４００を用いてＷＤＳ分析を行う場合、まず、分析対象の試料に対して、ＥＤＳ９０を用いて、ＥＤＳ分析を行うことで事前分析を行う。これにより、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルを得ることができる。
【０１３２】
４．２．２．  分析条件の設定
（１）分析対象元素の設定
制御部６０は、データベース６ａを検索して、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルと類
似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を抽出し、当該試料を構成する元素の情報をデータベース６ａから取得して、分析対象元素を設定する。
【０１３３】
例えば、制御部６０は、データベース６ａを検索した結果、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルが、ステンレス鋼のＥＤＳスペクトルに最も類似している場合、ステンレス鋼を構成する元素の情報をデータベース６ａから取得する。そして、制御部６０は、取得したステンレス鋼を構成する元素を、分析対象元素として設定する。
【０１３４】
（２）分光条件の設定
分光条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（２）分光条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【０１３５】
（３）電子光学条件の設定
電子光学条件の設定する処理は、上述した「１．２．２．分析条件の設定（３）電子光学条件の設定」で説明した制御部６０の処理と同様であり、その説明を省略する。
【０１３６】
４．３．  効果
分析装置４００は、試料の種類ごとに、試料のＥＤＳスペクトルの情報を格納するデータベース６ａを含み、予備分析であるＥＤＳ分析の分析結果は、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルを含む。制御部６０は、分光条件を設定する処理では、データベース６ａを検索して、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルと類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を構成する元素の情報をデータベース６ａから取得して、当該類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を構成する元素を分析対象元素として設定する。次に、制御部６０は、設定された分析対象元素に基づいて、分光条件を設定する。このように、分析装置４００では、制御部６０が予備分析の分析結果に基づいてＷＤＳ分析の分光条件を設定するため、上述した分析装置１００と同様に、容易に、ＷＤＳ分析を行うことができる。
【０１３７】
４．４．  変形例
次に、第４実施形態に係る分析装置の変形例について説明する。以下では、上述した分析装置４００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１３８】
図１７は、第４実施形態の変形例に係る分析装置４０２の構成を示す図である。
【０１３９】
分析装置４０２では、図１７に示すように、記憶部７４は、データベース８ａを有している。データベース８ａは、試料の種類ごとに、試料を構成する元素の情報、試料のＥＤＳスペクトルの情報、および試料の分析条件の情報を格納している。
【０１４０】
図１８は、データベース８ａを説明するための図である。
【０１４１】
図１８に示すように、データベース８ａは、試料の分析条件の情報を含む点でデータベース６ａと異なる。試料の分析条件は、分光条件および電子光学条件を含む。
【０１４２】
制御部６０は、分析条件を設定する処理では、データベース８ａを検索して、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルと類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料の分析条件の情報をデータベース８ａから取得する。制御部６０は、取得した当該類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料の分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。
【０１４３】
例えば、制御部６０は、データベース８ａを検索した結果、分析対象の試料のＥＤＳス
ペクトルが、ステンレス鋼のＥＤＳスペクトルに最も類似している場合、ステンレス鋼の分析条件をデータベース８ａから取得する。そして、制御部６０は、取得した分析条件を、ＷＤＳ分析の分析条件に設定する。制御部６０は、分析対象の試料に対して、設定された分析条件でＷＤＳ分析を実行する。
【０１４４】
分析装置４０２では、制御部６０は、データベース８ａを検索して、分析対象の試料のＥＤＳスペクトルと類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料を抽出し、抽出された当該類似度の高いＥＤＳスペクトルを有する試料の分光条件の情報をデータベース８ａから取得して、分光条件を設定する。そのため、分析装置４０２では、分析装置４００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１４５】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。
【０１４６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成を含む。実質的に同一の構成とは、例えば、機能、方法、及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成である。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１４７】
２…データベース、４…データベース、６…データベース、６ａ…データベース、８…データベース、８ａ…データベース、１０…電子光学系、１２…電子銃、１４…集束レンズ、１６…偏向器、１８…対物レンズ、２０…試料ステージ、３０…電子検出器、５２…分光素子、５４…Ｘ線検出器、６０…制御部、７０…操作部、７２…表示部、７４…記憶部、８２…Ｘ線銃、８４…Ｘ線検出器、１００…分析装置、１０２…分析装置、１０４…分析装置、２００…分析装置、２０２…分析装置、３００…分析装置、３０２…分析装置、４００…分析装置、４０２…分析装置
【図１】
0006931681.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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