(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象面の全体に被覆膜が形成された基板の周縁領域から前記被覆膜を除去する基板処理方法であって、
（ａ）  前記処理対象面に保護膜を形成する工程であって、前記処理対象面のうちの前記周縁領域が前記保護膜に覆われず、かつ、前記処理対象面のうちの前記周縁領域よりも内側にある内側領域の全体が前記保護膜に覆われるように、前記保護膜を形成する工程と、
（ｂ）  前記工程（ａ）の後に、前記被覆膜を除去することができ、かつ、前記保護膜を実質的に除去することができない処理液を前記基板に供給して、前記保護膜に覆われていない前記周縁領域にある前記被覆膜を除去する工程と、
（ｃ）  前記工程（ｂ）の後に、前記保護膜を除去することができ、かつ、前記被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質を前記基板に供給して、前記処理対象面の前記内側領域にある前記保護膜を除去する工程と
を備え、
前記被覆膜は、Ｃｕ膜またはＣｏ膜であり、
前記保護膜は、ポリイミド膜であり、
前記処理液は、硝酸とフッ酸との混合薬液またはフッ酸と過酸化水素水との混合薬液である、基板処理方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、
（ａ−１）  前記保護膜を前記処理対象面の全体に形成する工程と、
（ａ−２）  前記工程（ａ−１）の後に、前記処理対象面の前記周縁領域に有機薬液を供給して前記周縁領域にある前記保護膜を除去する工程と
を含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記工程（ａ−１）は、前記基板を基板保持回転機構により水平姿勢で鉛直軸線回りに回転させながら、前記保護膜を形成するための流動性材料を流動性材料供給ノズルから前記基板の前記処理対象面に供給することにより実行され、
前記工程（ａ−２）は、前記基板保持回転機構により水平姿勢で鉛直軸線回りに回転させながら、保護膜除去用の前記有機薬液を除去液供給ノズルから前記処理対象面の前記周縁領域に供給することにより実行される
請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）は、
（ａ−３）  前記工程（ａ−２）の後に、前記基板を加熱して前記保護膜をベークする工程をさらに含む、請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）は、前記基板を基板保持回転機構により水平姿勢で鉛直軸線回りに回転させながら、前記基板の前記処理対象面に前記処理液を処理液供給ノズルから供給することにより実行される、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、前記処理液供給ノズルから、前記基板の中心部に前記処理液が着液するように、前記処理液が供給される、請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、前記処理液供給ノズルから、前記基板の前記周縁領域に前記処理液が着液するように、前記処理液が供給される、請求項５記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）は、前記基板を、単独で、あるいは前記工程（ａ）と同じ工程が施された他の基板と一緒に、前記処理液が貯留された処理槽内に浸漬することにより実行される、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）では、前記反応性物質として有機薬液が用いられる、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記工程（ｃ）では、前記基板に対して、前記反応性物質として反応性ガスまたは活性種を用いたドライエッチングまたはドライアッシングが施される、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１に記載された前記工程（ａ）を実施するための第１ユニットと、
請求項１に記載された前記工程（ｂ）を実施するための第２ユニットと、
請求項１に記載された前記工程（ｃ）を実施するための第３ユニットと、
前記第１ユニットにより前記工程（ａ）を実行させ、その後に、前記第２ユニットにより前記工程（ｂ）を実行させ、その後に前記第３ユニットにより前記工程（ｃ）を実行させる制御部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１ユニット、前記第２ユニット及び前記第３ユニットのうちの少なくとも２つが同一のユニットである、請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１に記載された前記工程（ａ）を実施するための第１ユニットと、請求項１に記載された前記工程（ｂ）を実施するための第２ユニットと、請求項１に記載された前記工程（ｃ）を実施するための第３ユニットを備えた基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項１に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理対象面の全体に形成された被覆膜のうち、周縁領域にあるものを除去する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、ＣＶＤ等の手法により基板の表面（デバイスが形成される表面）の全体に被覆膜が形成される。多くの場合、基板の表面の周縁領域にある被覆膜は不要であり、後の工程の妨げになるおそれがあり、また、クロスコンタミネーションの原因ともなり得る。このため、基板の周縁領域にある被覆膜は、エッジカットまたはベベルカットなどと呼ばれる周縁膜除去工程により除去される。周縁膜除去工程は、通常、基板の表面の周縁領域の近傍に配置したノズルから、水平姿勢で鉛直軸線回りに回転する基板の表面の周縁領域に向けて被覆膜除去用の薬液を供給することにより行われる（例えば特許文献１を参照）。【０００３】
上記の周縁膜除去工程を実行しているときに、基板の表面の周縁領域に着液した薬液が跳ねて、周縁領域よりも内側の内側領域（デバイスが形成されている領域）に付着すし、内側領域を汚染するおそれがある。また、被覆膜の種類によっては、高い反応温度を実現しなければならない場合があるが、高温で薬液を供給することや特許文献１に開示される様な専用の加熱機構を設けることは構造的及びコスト的に困難なことがある。上記の点において、従来の周縁膜除去工程には改善の余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２１６２２４号公報
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、基板の処理対象面の周縁領域よりも内側の内側領域が、被覆膜を除去するための処理液により汚染されることを少なくとも防止し得る技術を提供することを目的としている。
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、処理対象面の全体に被覆膜が形成された基板の周縁領域から前記被覆膜を除去する基板処理方法であって、（ａ）  前記処理対象面に保護膜を形成する工程であって、前記処理対象面のうちの前記周縁領域が前記保護膜に覆われず、かつ、前記処理対象面のうちの前記周縁領域よりも内側にある内側領域の全体が前記保護膜に覆われるように、前記保護膜を形成する工程と、（ｂ）  前記工程（ａ）の後に、前記被覆膜を除去することができ、かつ、前記保護膜を実質的に除去することができない処理液を前記基板に供給して、前記保護膜に覆われていない前記周縁領域にある前記被覆膜を除去する工程と、（ｃ）  前記工程（ｂ）の後に、前記保護膜を除去することができ、かつ、前記被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質を前記基板に供給して、前記処理対象面の前記内側領域にある前記保護膜を除去する工程とを備えた基板処理方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の実施形態によれば、上記の工程（ａ）を実施するための第１ユニットと、上記の工程（ｂ）を実施するための第２ユニットと、上記の工程（ｃ）を実施するための第３ユニットと、前記第１ユニットにより前記工程（ａ）を実行させ、その後に、前記第２ユニットにより前記工程（ｂ）を実行させ、その後に前記第３ユニットにより前記工程（ｃ）を実行させる制御部と、を備えた基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の実施形態によれば、上記の工程（ａ）を実施するための第１ユニットと、上記の工程（ｂ）を実施するための第２ユニットと、上記の工程（ｃ）を実施するための第３ユニットを備えた基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して上記の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体が提供される。
【０００９】
上記の実施形態によれば、基板の処理対象面の周縁領域の被覆膜を除去する工程が、内側領域が保護膜により被覆された状態で行われるため、内側領域が処理液により汚染されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板処理装置（基板処理システム）に含め得る枚葉式の液処理ユニットの概略図である。
【図２】基板処理装置（基板処理システム）に含め得るベークユニットの概略図である。
【図３】基板処理方法の一連の工程の流れを示す概略図である。
【図４】保護膜形成工程について説明する概略図である。
【図５】被覆膜除去工程について説明する概略図である。
【図６】保護膜除去工程について説明する概略図である。
【図７】基板処理装置（基板処理システム）に含まれるバッチ式の液処理ユニットの概略図である。
【図８】基板処理システムの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る基板処理方法は、処理対象面例えば表面（デバイス形成面）の全体に被覆膜が形成されたウエハＷ（基板）の周縁領域から被覆膜を除去するものである。
【００１３】
本明細書において、用語「被覆膜」は、蒸着、めっき及び塗布等の、ウエハＷの表面にウエハＷそれ自体とは別の物質を付着させることにより形成された膜だけを意味するものではない。すなわち、用語「被覆膜」は、ウエハＷの最表面領域を変質させた結果、この変質した最表面領域が、この変質した最表面領域の直ぐ下の領域を覆う膜と見なすことができるようになった場合における、この変質した最表面領域をも意味している。具体的には、例えばシリコンウエハの最表面領域を窒化した結果、最表面領域に形成されたシリコン窒化膜が、当該シリコン窒化膜の直ぐ下のシリコン層を覆う膜と見なすことができる場合、当該シリコン窒化膜は、「被覆膜」に該当する。
【００１４】
基板処理方法は、
（ａ）ウエハＷの表面のうちの周縁領域が保護膜に覆われず、かつ、処理対象面のうちの周縁領域よりも内側にある内側領域の全体が保護膜に覆われるように、処理対象面に保護膜を形成する保護膜形成工程（図３の（Ａ）→（Ｂ）を参照）と、
（ｂ）  保護膜形成工程（ａ）の後に、被覆膜を除去することができ、かつ、保護膜を実質的に除去することができない処理液をウエハＷに供給して、保護膜に覆われていない周縁領域にある被覆膜を除去する被覆膜除去工程（図３の（Ｂ）→（Ｃ）を参照）と、
（ｃ）  被覆膜除去工程（ｂ）の後に、保護膜を除去することができ、かつ、被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質をウエハＷに供給して、処理対象面の内側領域にある保護膜を除去する保護膜除去工程（図３の（Ｃ）→（Ｄ）を参照）と
を備える。
【００１５】
ウエハＷの表面が概略的に示された図３〜図５において、網掛けされた領域は被覆膜が最上層として存在している領域であり、ハッチングが付けられた領域は保護膜が最上層として存在している領域であり、白抜きの領域は、被覆膜の下地層が最上層として存在している領域である。
【００１６】
なお、本願の明細書及び図１において、参照符号６は当該参照符号が付けられたノズルがウエハＷの中心部に液を供給するためのノズルであることを意味しており、参照符号８は当該参照符号が付けられたノズルがウエハＷの内側領域に液を供給するためのノズルであることを意味しており、同じ参照符号が付けられているノズルが同じノズルであるとは限らない。例えば、互いに反応性がある２種類の薬液をウエハＷに供給する場合には、同じ参照符号が付けられた別のノズルが用いられる場合もある。また、一つのノズルを移動させることにより、当該ノズルからウエハＷの中心部にある液を供給すること、並びに当該ノズルからウエハＷの周縁領域に同じ液または別の液を供給することの両方を行ってもよい。
【００１７】
［保護膜形成工程（保護膜形成工程の工程１）］
まず、保護膜形成工程について説明する。まず、処理対象のウエハＷを、図１に示す枚葉式の液処理ユニット２内に搬入して、スピンチャック４（基板保持回転機構）により水平姿勢で保持する。次に、スピンチャック４によりウエハＷを鉛直軸線回りに回転させ、ウエハＷの中心部の上方に位置させたノズル６（流動性材料供給ノズル）から、保護膜形成用の液体（保護膜を形成するための流動性材料）を供給する。保護膜形成用の液体は、遠心力によりウエハＷの周縁部に向けて広がり、ウエハＷの表面の全面が保護膜形成用の液体により覆われる（図４（Ａ）を参照）。
【００１８】
［保護膜形成工程（保護膜形成工程の工程２）］
次に、ノズル８（除去液供給ノズル）をウエハＷの周縁部の上方に移動させ、ノズル８から、保護膜除去液（保護膜形成用の液膜を除去しうる液、例えば有機薬液）を回転するウエハＷの周縁領域に供給し（図４（Ｂ）を参照）、ウエハＷの周縁領域から上記工程１で形成した保護膜を除去するとともに、周縁領域よりも内側の内側領域に保護膜を残す（図４（Ｃ）を参照）。この工程２は、工程１で用いた液処理ユニット２とは別の、ウエハＷの周縁領域の膜の除去処理に特化した処理ユニット（例えば本件出願人による特開２０１５−２１６２２４号に記載されたもの）を用いて行ってもよい。
【００１９】
［保護膜形成工程（保護膜形成工程の工程３）］
次に、図示しないノズルからウエハＷの周縁領域にリンス液を供給してウエハＷの周縁領域に残留した保護膜除去液を除去する。なお、この工程３は、保護膜除去液が純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の場合には、省略することができる。
【００２０】
［保護膜形成工程（保護膜形成工程の工程４）］
次に、ウエハＷに液を供給しないでウエハＷを回転させることにより、ウエハＷの乾燥を行う。この工程４によって、ウエハＷの周縁領域を乾燥させ、かつ、ウエハＷの内側領域上にある保護膜を完全に乾燥させる。
【００２１】
［保護膜形成工程（保護膜形成工程の工程５）］
次に、必要に応じて、ウエハＷを加熱して、保護膜のベーク処理を行う。このベーク処理を行う場合には、ウエハＷは、例えば図２に示したベークユニット１０に搬入される。
ベークユニット１０内には、抵抗加熱ヒータが内蔵されたホットプレート１２を有し、ウエハＷはホットプレート１２の上面に設けられたプロキシミティピン１４の上に載置される。保護膜形成工程の工程５は、保護膜の種類あるいはその原料の特性次第では省略することができる。
【００２２】
以上により、ウエハＷの表面の周縁領域は保護膜に覆われずに被覆膜が露出した状態となり、ウエハＷの表面の周縁領域よりも内側にある内側領域の全体が保護膜に覆われるようになる（図３（Ｂ）及び図４（Ｃ）を参照）。
【００２３】
［被覆膜除去工程］
次に、被覆膜除去工程について説明する。被覆膜除去工程は以下に説明する手法のいずれかにより実行することができる。
【００２４】
［被覆膜除去工程（第１の手法）］
被覆膜除去工程の第１の手法では、枚葉ウエット処理を行う。この場合、まず、上記の保護膜形成工程により保護膜が形成されたウエハＷを、図２に示した液処理ユニット２内、あるいは図２に示した液処理ユニット２と同一又は類似の構成を有する別の処理ユニット内に搬入し、スピンチャック４により保持する。スピンチャック４によりウエハＷを回転させた状態で、ウエハＷに、被覆膜を除去することができ、かつ、保護膜を実質的に除去することができない処理液をノズル６（処理液供給ノズル）（又はノズル８）から供給し（図５（Ａ）を参照）、これにより、ウエハＷの内側領域にある保護膜を残しつつ、周縁領域にある被覆膜を除去する（図５（Ｂ）を参照）。その後、必要に応じてリンス処理を行い、また、必要に応じて乾燥処理を行う。
【００２５】
ノズル６からウエハＷの中心部に向けて処理液を供給してもよいし、ノズル８からウエハの周縁領域に向けて処理液を供給してもよい。比較的高温で処理液と被覆膜とを反応させたい場合には、ノズル６からウエハＷの中心部に向けて加熱した処理液を供給することが好ましい。こうすることによりウエハＷの全体が処理液により加熱されるので、ただでさえ周速が高くて冷えやすいウエハＷの周縁領域から内側領域に熱が逃げて周縁領域が冷えることを抑制することができる。このため、ノズル６から供給する処理液の温度を低く抑えることもできる。一方、そのような要求が無い場合には、処理液の消費量抑制の観点から、ノズル８からウエハＷの周縁領域に処理液を供給することが好ましい。
【００２６】
［被覆膜除去工程（第２の手法）］
被覆膜除去工程の第２の手法では、第１の手法で用いた枚葉処理に代えて、図７概略的に示したバッチ式の液処理ユニット１５を用いてバッチ処理を行う。具体的には、上記の保護膜形成工程により保護膜が形成された複数枚例えば５０枚のウエハＷを、直立姿勢で互いに水平方向に間隔を空けてウエハボート１６（基板保持具）により保持した状態で、処理槽１８内に貯留された処理液中に浸漬する。好ましくは、処理槽１８にはポンプ２０、ヒータ２２、フィルタ２４等が介設された循環ライン２６が接続されており、処理槽１８から循環ライン２６に流出した処理液がヒータ２２で加熱された後に処理槽１８に戻される。この第２の手法によっても、ウエハＷの内側領域にある保護膜を残しつつ、周縁領域にある被覆膜を除去することができる。
【００２７】
処理槽１８を用いたバッチ処理によれば、処理槽１８内の処理液及びウエハＷを高温に維持することが容易であるため、比較的高温で処理液と被覆膜とを反応させたい要求を満足することができる。
【００２８】
［保護膜除去工程］
次に、保護膜除去工程について説明する。保護膜除去工程は、保護膜を除去することができ、かつ、被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質をウエハＷに供給することにより行われる。具体的には、保護膜除去工程は以下に説明する手法のいずれかにより実行することができる。
【００２９】
［保護膜除去工程（第１の手法）］
保護膜除去工程の第１の手法では、保護膜を除去することができ、かつ、被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質として、保護膜除去用の処理液をウエハＷに供給するウエット処理が行われる。ウエット処理においては、図２に示した構成を有する液処理ユニット２を用い、スピンチャック４によりウエハＷを鉛直軸線回りに回転させた状態で、ウエハＷの中心部の上方に位置させたノズル６から、反応性物質として保護膜除去用の処理液が供給される（図６（Ａ）を参照）。これにより、ウエハＷの表面の内側領域にある保護膜が除去され、当該保護膜により覆われていた被覆膜が露出する（図６（Ｂ）を参照）。保護膜除去用の処理液によるウエット処理の終了後、ウエハＷに対してリンス処理及び乾燥処理を行うことができる。
【００３０】
［保護膜除去工程（第２の手法）］
保護膜除去工程の第２の手法では、保護膜を除去することができ、かつ、被覆膜を実質的に除去することができない反応性物質として、ガス状の活性種をウエハに供給するドライアッシングが行われる。この第２の手法を実行するにあたっては、公知のドライアッシング装置２８（図８のみに示す）を用いることができる。ドライアッシングの後、アッシングにより生じた残渣を除去するためウエハＷに対して薬液洗浄処理を行い、その後ウエハＷに対してリンス処理及び乾燥処理を行うことができる。
【００３１】
上記の一連の工程における、被覆膜、保護膜、被覆膜除去工程において用いられる処理液、保護膜除去工程において用いられる反応性物質の組み合わせは下記の条件を満足する限りにおいて任意である。
−  処理液が、被覆膜を除去することができ、かつ、保護膜を実質的に除去することができない。
−  反応性物質が保護膜を除去することができ、かつ、被覆膜を実質的に除去することができない。
【００３２】
なお、「保護膜（または被覆膜）を実質的に除去することができない」とは、保護膜（または被覆膜）全く除去することができない場合と、目的とする処理結果を考慮した上で、保護膜（または被覆膜）が除去される量が被覆膜（または保護膜）が除去される量と比較して無視できるほどに小さい場合の両方を含む。
【００３３】
また、「保護膜または被覆膜を実質的に除去することができない」という事象は、保護膜（または被覆膜）が処理液（または反応性物質）と反応し難い場合だけでなく、処理液（または反応性物質）に対する保護膜（または被覆膜）の濡れ性が低い場合（これには物質の極性に影響を受ける）にも生じうる。
【００３４】
以下に、被覆膜、保護膜、処理液及び反応性物質の組み合わせの一例及びその場合の一連の処理の流れについて説明する。
【００３５】
被覆膜は金属膜（具体的にはＣｕ膜またはＣｏ膜）である。
【００３６】
保護膜はポリイミドである。この場合、保護膜形成工程の工程１において、液状ポリイミドがノズル６から回転するウエハＷの表面の中心部に供給され、これにより、ウエハＷの表面がポリイミドの液膜により覆われる（図４（Ａ）→（Ｂ）を参照）。液状ポリイミドとしては、ポリイミド前駆体、熱硬化性イミドオリゴマー、溶媒可溶型ポリイミド等が例示される。保護膜形成工程の工程２においては、液状タイプのポリイミドを基板上から除去できる有機溶媒が、ノズル８から回転するウエハＷの周縁領域に供給され、これによりウエハＷの周縁領域上からポリイミドの液膜が除去される（図４（Ｂ）→（Ｃ）を参照）。保護膜形成工程の工程３においては、ノズル８から洗浄液及び／又はリンス液（例えばＩＰＡ）が回転するウエハＷの周縁領域に供給され、ウエハＷの周縁領域からポリイミドが実質的に完全に除去される。保護膜形成工程の工程４においては、ウエハＷに液を供給せずにウエハＷを回転させることにより、ポリイミドの液膜中から溶媒を蒸発させて、ポリイミドの液膜を固化させてポリイミド膜を形成する。なお、液状ポリイミドは、固化させるためにベークが必要なものと不要なものがあるので、保護膜形成工程の工程５を実行するか否かは、液状ポリイミドの種類に応じて決定すればよい。
【００３７】
被覆膜である金属膜（Ｃｕ膜またはＣｏ膜）を除去することができ、かつ、保護膜であるポリイミド膜を実質的に除去することができない処理液は、硝酸とフッ酸との混合薬液あるいはフッ酸と過酸化水素水との混合薬液である。このような酸化性の混合薬液が、被覆膜除去工程（第１の手法）において、回転するウエハＷの中心部または周縁領域にノズル６または８から供給される（図５（Ａ）を参照）。ポリイミド膜は撥水性を有しているため、水ベースの薬液（硝酸とフッ酸との混合薬液あるいはフッ酸と過酸化水素水）を弾き、また、ポリイミドは上記の混合薬液には侵され難いため、被覆膜である金属膜の保護膜として機能する。このため、ウエハＷの周縁領域においてポリイミド膜に覆われずに露出している金属膜が溶解し、ウエハＷの内側領域にありポリイミド膜により覆われている金属膜は溶解しない（図５（Ｂ）を参照）。なお、混合薬液をウエハＷの周縁領域に供給した場合、供給された混合薬液が内側領域に飛散したとしても、内側領域にある金属膜はポリイミド膜により保護される。
【００３８】
保護膜であるポリイミド膜を除去することができ、かつ、被覆膜である金属膜（Ｃｕ膜またはＣｏ膜）を実質的に除去することができない反応性物質は有機薬液である。なお、このような特性を有する有機薬液は公知であり、商業的に入手可能である。このような有機薬液が、保護膜除去工程（第１の手法）において、回転するウエハＷの中心部または周縁領域にノズルから供給され（図６（Ａ）を参照）、これによりウエハＷの内側領域を覆っているポリイミド膜が除去される（図６（Ｂ）を参照）。その後、ウエハＷに対してリンス処理及び乾燥処理を行うことができる。
【００３９】
保護膜は、上述したように塗布方法により形成されたものに限定されず、例えば蒸着装置を用いて蒸着により形成されたものであってもよい。保護膜が蒸着により形成される場合、保護膜が原子層レベルまたは分子層レベルの非常に薄い厚さを有するものであってもよい。このような極薄の保護膜には、特定の液を弾くような特性（例えば極性）を付与することができる。
【００４０】
図８に示すように、図１に示した液処理ユニット２、図２に示したベークユニット、図７に示したバッチ式の液処理ユニット１５、アッシング装置２８（図８のみに示した）等を適宜組み合わせて、上記の一連の工程を実行する基板処理システム１（基板処理装置）を構築することができる。基板処理システム１は、上記の複数のユニットを単一のハウジング内に組み込んで構成したものであってもよいし、工場内の別々の場所に設置した複数のユニットから構成されたものであってもよい。１つの液処理ユニット２が、保護膜形成工程、被覆膜除去工程及び保護膜除去工程のうちの少なくとも２つを実行するように構成されていてもよい。
【００４１】
基板処理システム１は、制御装置１００を備える。制御装置１００は、たとえばコンピュータであり、制御部１０１と記憶部１０２とを備える。記憶部１０２には、基板処理システムにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１０１は、記憶部１０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００４２】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１００の記憶部１０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００４３】
上記の実施形態によれば、周縁領域の被覆膜を除去する被覆膜除去工程が、内側領域が保護膜により被覆された状態で行われるため、内側領域が処理液により汚染されることを防止することができる。また、内側領域が保護膜により保護されているため、保護膜が無い場合には実現不可能な処理条件で周縁領域の被覆膜を除去することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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