(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法であって、
前記環状アンテナは、半導体基板、媒体基板、第一ＳＰｉＮダイオードリング、第二ＳＰｉＮダイオードリング、第一直流オフセットライン、第二直流オフセットラインおよびカップリングフィードを含み、
前記第一ＳＰｉＮダイオードリング、第二ＳＰｉＮダイオードリング、第一直流オフセットラインおよび第二直流オフセットラインはいずれも前記半導体基板上に取り付けられ、
前記カップリングフィードは前記媒体基板上に取り付けられ、
前記第一ＳＰｉＮダイオードリング、前記第二ＳＰｉＮダイオードリング、前記第一直流オフセットラインおよび前記第二直流オフセットラインは半導体工程により前記半導体基板上に形成され、
前記ＳＰｉＮダイオードの製造方法は、
（ａ）ＧｅＯＩパッドを選択するステップと、
（ｂ）前記ＧｅＯＩパッドの上層Ｇｅ層をエッチングすることにより前記上層Ｇｅ層内に第一チャンネルと第二チャンネルを形成するステップと、
（ｃ）前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させるステップと、
（ｄ）イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰ型イオンを注入することによりＰ型アクティブリージョンを形成し、前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮ型イオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｅ）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にリードワイヤ孔を形成し、かつ金属をスパッタすることにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成するステップとを含むことを特徴とする環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｂ）は、
（ｘ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第一ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｘ２）前記第一ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第一ＳｉＮ層を形成し、それにより第一保護層を形成するステップと、
（ｘ３）第一マスクを採用し、乾式エッチング工程により第一保護層と前記ＧｅＯＩパッドをエッチングすることにより前記ＧｅＯＩパッド内に隔離チャンネルを形成するステップと、
（ｘ４）ＣＶＤ工程により前記隔離チャンネル内に隔離材料を充填するステップと、
（ｘ５）ＣＭＰ工程により第一保護層および前記隔離チャンネル以外の前記隔離材料を除去することにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードの隔離区域を形成するステップとを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ステップ（ｂ）は、
（ｂ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第二ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第二ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第二ＳｉＮ層を形成し、それにより第二保護層を形成するステップと、
（ｂ３）第二マスクを採用し、異方性エッチング工程により第二保護層と前記上層Ｇｅ層をエッチングすることにより第一チャンネルと第二チャンネルを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ（ｃ）が実施される前に実施するステップ、すなわち
（ｙ１）８００℃〜９００℃下において、前記第一チャンネルと前記第二チャンネルを酸化させることにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁に酸化層を形成するステップと、
（ｙ２）湿式エッチング工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの酸化層をエッチングすることにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁の平坦化を実施するステップとを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｃ）は、
（ｃ１）ＭＯＣＶＤ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させるステップと、
（ｃ２）ＣＭＰ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル以外に位置しかつ一定の厚さを有しているＧａＡｓ材料を除去することにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁の平坦化を実施するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）第三マスクを採用し、イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰイオンを注入することによりＰ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ２）第四マスクを採用し、イオン注入工程により前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮイオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ３）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にＳｉＯ２材料を堆積させ、アニーリング工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョン中の不純物をアクティベーションさせるステップと、
（ｄ４）ＳｉＯ２材料を除去するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）パッド表面全面にＳｉＯ２材料を堆積させるステップと、
（ｅ２）第五マスクを採用し、異方性エッチング工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面に位置しているＳｉＯ２材料をエッチングすることにより前記リードワイヤ孔を形成するステップと、
（ｅ３）前記リードワイヤ孔に金属材料をスパッタするステップと、
（ｅ４）鈍化処理をし、かつフォトエッチングによりＰＡＤをエッチングすることにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第一ＳＰｉＮダイオードリングは第一ＳＰｉＮダイオード組を含み、前記第二ＳＰｉＮダイオードリングは第二ＳＰｉＮダイオード組を含み、前記第一ＳＰｉＮダイオードリングと前記第二ＳＰｉＮダイオードリングの円周の長さはそれが受信する電磁波の波長と等しいことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記カップリングフィードは前記媒体基板上に取り付けられ、その上表面は金属マイクロストリップシールであり、下表面は金属接地板であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記金属マイクロストリップシールは、メインマイナーマターズ、第一サブマイナーマターズおよび第二サブマイナーマターズを含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品の製造の技術分野に属し、特に、環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信技術の発展に伴い、アンテナの性能に対する要求がだんだん高まっている。現在、大容量、多機能、超ブロードバンド等は無線通信システムの発展の方向になっている。しかしながら、アンテナの数量が増加することにより通信システムのコストと重量が増加し、かつ電磁波の兼用の問題も現れている。常用の技術であるフェーズドアレイアンテナはフィードネットワークの構造が複雑であり、フェイザー（ｐｈａｓｅｒ）を増加させる必要があるので、コストが多くかかりかつ技術の要求が高いという欠点等を有している。そのため研究者はリファクタリングが可能なアンテナを発明した。
【０００３】
リファクタリングが可能なアンテナは、１個のアンテナまたはアンテナアレイを採用し、スイッチによりアンテナの輻射の構造を制御することにより作動モードを変化させることができるので、複数個のアンテナの機能を奏することができる。そのアンテナはいろいろな応用によりアンテナの重要なパラメーター、例えば作動周波数、輻射の方向、電極化の方式、レーダの拡散断面および入力抵抗等を自動に変化させることができるので、人工的に制御する必要がなく、容易に制御できる特徴等を有している。リファクタリングが可能なアンテナの発展によってアンテナの技術は発展し、無線通信技術の容量は向上し、システムの機能は広くなり、システムの作動ブロードバンドは増加し、かつその技術はソフトウェア型無線電子等の重要なサポートになり、無線通信技術に大きい影響を与えることができる。
【０００４】
現在、リファクタリングが可能なアンテナに用いられる重要な部品すなわちＳＰｉＮダイオードの材料として通常ケイ素材料を採用する。その材料はイントリンシック・リージョン（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）の電荷キャリア（ｃｈａｒｇｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）の移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が低いので、ＳＰｉＮダイオードのイントリンシック・リージョンの電荷キャリアの濃度に影響を与え、かつ固体状態プラズマの濃度に影響を与える。かつ前記構造のＰ区域とＮ区域は注入方法により形成されるものであり、その方法は注入量が多くかつエネルギーの消耗が大きいという問題を有しているので、設備に対する要求が高く、現在の工程を容易に兼用することができない。拡散方法を採用することによりジャンクションの深さを深くすることができるが、Ｐ区域とＮ区域の面積が大きく、集合性が低く、ドーピング濃度の均等性がよくない問題を招来するおそれがあるので、ＳＰｉＮダイオードの電子性能に影響を与え、固体状態のプラズマ濃度と分布を容易に制御することができない。
【０００５】
したがって、適当な材料および製造工程を選択することにより適当なダイオード組を製造し、かつそのダイオード組を周波数のリファクタリングが可能な環状アンテナに採用することは重要な課題になっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術面の欠点と不足を解決するため、本発明において環状アンテナのＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
具体的に、本発明の実施例において環状アンテナのＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を提供する。前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードは環状アンテナの製造に用いられ、前記環状アンテナは、半導体基板（１）、媒体基板（２）、第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、第一直流オフセットライン（５）、第二直流オフセットライン（６）およびカップリングフィード（７）を含む。前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、第一直流オフセットライン（５）および第二直流オフセットライン（６）はいずれも前記半導体基板（１）上に取り付けられ、前記カップリングフィード（７）は前記媒体基板（２）上に取り付けられる。前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、前記第一直流オフセットライン（５）および前記第二直流オフセットライン（６）は半導体工程により前記半導体基板（１）上に形成される。
前記ＳＰｉＮダイオードの製造方法は、
（ａ）ＧｅＯＩパッドを選択するステップと、
（ｂ）前記ＧｅＯＩパッドの上層Ｇｅ層をエッチングすることにより前記上層Ｇｅ層内に第一チャンネルと第二チャンネルを形成するステップと、
（ｃ）前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させるステップと、
（ｄ）イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰ型イオンを注入することによりＰ型アクティブリージョンを形成し、前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮ型イオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｅ）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にリードワイヤ孔を形成し、かつ金属をスパッタすることにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成するステップとを含む。
【０００８】
本発明の実施例において、前記ステップ（ｂ）は、
（ｘ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第一ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｘ２）前記第一ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第一ＳｉＮ層を形成し、それにより前記第一保護層を形成するステップと、
（ｘ３）第一マスクを採用し、乾式エッチング工程により前記第一保護層と前記ＧｅＯＩパッドをエッチングすることにより前記ＧｅＯＩパッド内に隔離チャンネルを形成するステップと、
（ｘ４）ＣＶＤ工程により前記隔離チャンネル内に隔離材料を充填するステップと、
（ｘ５）ＣＭＰ工程により前記第一保護層および前記隔離チャンネル以外の前記隔離材料を除去することにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードの隔離区域を形成するステップとを更に含む。
【０００９】
本発明の実施例において、前記ステップ（ｂ）は、
（ｂ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第二ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第二ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第二ＳｉＮ層を形成し、それにより前記第二保護層を形成するステップと、
（ｂ３）第二マスクを採用し、異方性エッチング工程により前記第二保護層と前記上層Ｇｅ層をエッチングすることにより第一チャンネルと第二チャンネルを形成するステップとを含む。
【００１０】
本発明の実施例において、前記ステップ（ｃ）は、
（ｃ１）ＭＯＣＶＤ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させるステップと、
（ｃ２）ＣＭＰ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル以外に位置しかつ一定の厚さを有しているＧａＡｓ材料を除去することにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁の平坦化を実施するステップとを含む。
【００１１】
本発明の実施例において、前記ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）第三マスクを採用し、イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰイオンを注入することによりＰ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ２）第四マスクを採用し、イオン注入工程により前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮイオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ３）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にＳｉＯ２材料を堆積させ、アニーリング工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョン中の不純物をアクティベーションさせるステップと、
（ｄ４）ＳｉＯ２材料を除去するステップとを含む。
【００１２】
本発明の実施例において、前記ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）パッド表面全面にＳｉＯ２材料を堆積させるステップと、
（ｅ２）第五マスクを採用し、異方性エッチング工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面に位置しているＳｉＯ２材料をエッチングすることにより前記リードワイヤ孔を形成するステップと、
（ｅ３）前記リードワイヤ孔に金属材料をスパッタするステップと、
（ｅ４）鈍化処理をし、かつフォトエッチングによりＰＡＤをエッチングすることにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成するステップとを含む。
【００１３】
本発明の実施例において、前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）は第一ＳＰｉＮダイオード組（８）を含み、前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）は第二ＳＰｉＮダイオード組（９）を含み、前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）と前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）の円周の長さはそれが受信する電磁波の波長と等しい。
【００１４】
本発明の実施例において、前記カップリングフィード（７）は前記媒体基板（２）上に取り付けられ、その上表面は金属マイクロストリップシール（１０）であり、下表面は金属接地板（１１）であり、前記金属マイクロストリップシール（１０）は、メインマイナーマターズ（１２）、第一サブマイナーマターズ（１３）および第二サブマイナーマターズ（１４）を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法により次の発明の効果を奏することができる。
（１）ＳＰｉＮダイオードに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造は、電荷キャリアの移動度が大きくかつ電荷キャリアの寿命が長い特性を有しているので、ＳＰｉＮダイオードの固体状態プラズマの濃度を有効に向上させることができる。
（２）ＳＰｉＮダイオードのＰ区域とＮ区域はエッチング槽によりエッチングされる多結晶ＧａＡｓ結合工程を採用し、前記工程により変形されたＰｉおよびＮｉジャンクションを獲得し、かつＰｉジャンクションとＮｉジャンクションの深さを有効に向上させ、固体状態プラズマの濃度と分布を容易に制御することができる。
（３）ＳＰｉＮダイオードはエッチング槽内の媒体の隔離手段を採用することにより、部品のブレークダウン電圧を向上させ、漏出電流が部品の性能に影響を与えることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
以下、図面により本発明の具体的な実施形態を詳細に説明する。
【図１】本発明の実施例に係るリファクタリングが可能な環状アンテナの構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図３】本発明の実施例に係るリファクタリングが可能な環状アンテナの半導体基板の構造を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る環状アンテナの媒体基板の構造を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの構造を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係るＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオード組の構造を示す図である。
【図７ａ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｂ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｃ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｄ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｅ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｆ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｇ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｈ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｉ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｊ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｋ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｌ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｍ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｎ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｏ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｐ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｑ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図７ｒ】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。
【図８】本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオード組の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の前記目的、特徴および発明の効果をより詳細に理解してもらうため、以下、図面により本発明の具体的な実施形態を詳細に説明する。
【００１８】
本発明において環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を提供する。前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードは絶縁パッド上のゲルマニウム（Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、ＧｅＯＩと略称）により形成される横方向の固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードであり、それに直流バイアスを印加するとき、直流電流はその表面に自由電荷キャリア（電子とホール）で構成された固体状態プラズマを形成し、前記プラズマは金属と類似している特性、すなわち電磁波を反射する特性を有しており、そのプラズマの反射特性は表面プラズマのマイクロ波の伝播特性、濃度およびその分布に緊密に係っている。
【００１９】
固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードのプラズマのリファクタリングが可能なアンテナは固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードのアレイの配列により構成され、外部の制御手段によりアレイ中の所定の固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードをオンさせることにより、前記アレイに動的な（ｄｙｎａｍｉｃ）固体状態プラズマ配列を形成し、アンテナの機能を付与し、所定の電磁波の送信と受信をすることができる。かつ前記アンテナによりアレイ中の所定の固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードをオンさせることにより、固体状態プラズマ配列の形状および分布を変化させ、アンテナのリファクタリングを実施することができる。それは国防通信とレーダ技術の分野において重要な応用性と将来性を有している。
【００２０】
以下、本発明に係るＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法をより詳細に説明する。図面において、説明の利便性を向上させるため各層と区域の厚さを増加させるか或いは減少させることができ、図面に示されるサイズは実際のサイズを示すものでない。
【００２１】
本発明の実施例において環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を提供し、前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードによりリファクタリングが可能な環状アンテナを製造することができる。図１を参照すると、図１は本発明の実施例に係るリファクタリングが可能な環状アンテナの構造を示す図である。前記環状アンテナは、半導体基板（１）、媒体基板（２）、第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、第一直流オフセットライン（５）、第二直流オフセットライン（６）およびカップリングフィード（７）を含み、前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、第一直流オフセットライン（５）および第二直流オフセットライン（６）はいずれも前記半導体基板（１）上に取り付けられ、前記カップリングフィード（７）は前記媒体基板上に取り付けられる。前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）、前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）、前記第一直流オフセットライン（５）および前記第二直流オフセットライン（６）は半導体工程により前記半導体基板（１）上に形成される。
【００２２】
図２を参照すると、図２は本発明の実施例に係るＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。前記製造方法は次のステップを含む。
（ａ）ＧｅＯＩパッドを選択する。
前記ステップ（ａ）において、ＧｅＯＩパッドを採用する原因は固体状態プラズマアンテナに良好なマイクロ波の特性に付与する必要があるからである。固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードはその要求を満たすため、良好な電荷キャリアすなわち固体状態プラズマの限定能力を具備する必要がある。ＧｅＯＩパッドはＧｅＯＩパッドと隔離槽によりＳＰｉＮ隔離区域を容易に形成し、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）は電荷キャリアすなわち固体状態プラズマを上層ケイ素中に集中させることができるので、ＧｅＯＩを固体状態プラズマＳＰｉＮダイオードプラズマのパッドとして用いることが好ましい。かつゲルマニウム材料の電荷キャリアの移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が大きいので、部品の性能を向上させることができる。
【００２３】
（ｂ）前記ＧｅＯＩパッドの上層Ｇｅ層をエッチングすることにより前記上層Ｇｅ層内に第一チャンネルと第二チャンネルを形成する。
（ｃ）前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させる。
（ｄ）イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰ型イオンを注入することによりＰ型アクティブリージョン（Ａｃｔｉｖｅ  ｒｅｇｉｏｎ）を形成し、前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮ型イオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成する。
Ｐ型チェンネルとＮ型チェンネルの深さは第二保護層の厚さより大きいか或いは第二保護層とパッドの上層Ｇｅの厚さの合計より小さい。好ましくは、前記Ｐ型チェンネルとＮ型チェンネルの底部からパッドの上層Ｇｅの底部までの距離は０．５マイクロメートル〜３０マイクロメートルであり、深いチェンネルを形成することにより、Ｐ型アクティブリージョンとＮ型アクティブリージョンを形成するとき不純物を均等に配列し、かつドーピング濃度が高いＰおよびＮ区域とＰｉおよびＮｉジャンクションを形成し、かつｉ区域のプラズマの濃度を向上させることができる。
【００２４】
（ｅ）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にリードワイヤ孔を形成し、かつ金属をスパッタ（ｓｐａｔｔｅｒ）することにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成する。
【００２５】
前記実施例に係る方法は、前記ステップ（ｂ）が実施される前に実施するステップ、すなわち
（ｘ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第一ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｘ２）前記第一ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第一ＳｉＮ層を形成し、それにより前記第一保護層を形成するステップと、
（ｘ３）第一マスクを採用し、乾式エッチング工程により前記第一保護層と前記ＧｅＯＩパッドをエッチングすることにより前記ＧｅＯＩパッド内に隔離チャンネルを形成するステップと、
（ｘ４）ＣＶＤ工程により前記隔離チャンネル内に隔離材料を充填するステップと、
（ｘ５）ＣＭＰ工程により前記第一保護層および前記隔離チャンネル以外の前記隔離材料を除去することにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードの隔離区域を形成するステップとを更に含む。
【００２６】
前記実施例において、前記ステップ（ｂ）は、
（ｂ１）前記ＧｅＯＩパッドの表面にＳｉＯ２材料を形成することにより第二ＳｉＯ２層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第二ＳｉＯ２層の表面にＳｉＮ材料を形成することにより第二ＳｉＮ層を形成し、それにより前記第二保護層を形成するステップと、
（ｂ３）第二マスクを採用し、異方性エッチング工程により前記第二保護層と前記上層Ｇｅ層をエッチングすることにより第一チャンネルと第二チャンネルを形成するステップとを含む。
【００２７】
前記実施例に係る方法は、前記ステップ（ｃ）が実施される前に実施するステップ、すなわち
（ｙ１）８００℃〜９００℃下において、前記第一チャンネルと前記第二チャンネルを酸化させることにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁に酸化層を形成するステップと、
（ｙ２）湿式エッチング工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの酸化層をエッチングすることにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁の平坦化を実施するステップとを更に含む。
【００２８】
前記実施例において、前記ステップ（ｃ）は、
（ｃ１）ＭＯＣＶＤ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル内にＧａＡｓ材料を堆積させるステップと、
（ｃ２）ＣＭＰ工程により前記第一チャンネルと前記第二チャンネル以外に位置しかつ一定の厚さを有しているＧａＡｓ材料を除去することにより前記第一チャンネルと前記第二チャンネルの内壁の平坦化を実施するステップとを含む。
【００２９】
前記実施例において、前記ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）第三マスクを採用し、イオン注入工程により前記第一チャンネル内のＧａＡｓ材料にＰイオンを注入することによりＰ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ２）第四マスクを採用し、イオン注入工程により前記第二チャンネル内のＧａＡｓ材料にＮイオンを注入することによりＮ型アクティブリージョンを形成するステップと、
（ｄ３）前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面にＳｉＯ２材料を堆積させ、アニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョン中の不純物をアクティベーション（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）させるステップと、
（ｄ４）ＳｉＯ２材料を除去するステップとを含む。
【００３０】
前記実施例において、前記ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）パッド表面全面にＳｉＯ２材料を堆積させるステップと、
（ｅ２）第五マスクを採用し、異方性エッチング工程により前記Ｐ型アクティブリージョンと前記Ｎ型アクティブリージョンの表面に位置しているＳｉＯ２材料をエッチングすることにより前記リードワイヤ孔を形成するステップと、
（ｅ３）前記リードワイヤ孔に金属材料をスパッタするステップと、
（ｅ４）鈍化処理をし、かつフォトエッチングによりＰＡＤをエッチングすることにより前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードを形成するステップとを含む。
【００３１】
前記実施例において図３を参照する。図３は本発明の実施例に係るＳＰｉＮダイオードのＳＯＩ周波数のリファクタリングが可能なカップリングフィード（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｆｅｅｄ）式環状アンテナの半導体基板の構造を示す図である。前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）は第一ＳＰｉＮダイオード組（８）を含み、前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）は第二ＳＰｉＮダイオード組（９）を含み、前記第一ＳＰｉＮダイオードリング（３）と前記第二ＳＰｉＮダイオードリング（４）の円周の長さはそれが受信する電磁波の波長と等しい。
【００３２】
図４を参照すると、図４は本発明の実施例に係る本発明の実施例に係るＳＰｉＮダイオードのＳＯＩ周波数のリファクタリングが可能なカップリングフィード式環状アンテナの媒体基板の構造を示す図である。前記実施例において、前記第一ＳＰｉＮダイオード組（８）と前記第二ＳＰｉＮダイオード組（９）の両端には第一直流オフセットライン（５）と第二直流オフセットライン（６）が取り付けられ、前記第一直流オフセットライン（５）と前記第二直流オフセットライン（６）は多結晶ケイ素のドーピングにより前記半導体基板（１）上に形成され、金属マイクロストリップシール（１０）は、メインマイナーマターズ（ｍｉｎｏｒ  ｍａｔｔｅｒｓ、１２）、第一サブマイナーマターズ（１３）および第二サブマイナーマターズ（１４）を含む。
【００３３】
前記実施例において、第一直流オフセットライン（５）と第二直流オフセットライン（６）は電圧の正極にそれぞれ接続され、作動をするとき一組の直流オフセットラインのみが電圧の正極に接続され、第一直流オフセットライン（５）と第二直流オフセットライン（６）の電圧を制御することにより第一ＳＰｉＮダイオード組（８）または第二ＳＰｉＮダイオード組（９）を選択して正方向にオンさせ、オン状態になっているＳＰｉＮダイオードのイントリンシック・リージョン（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）には固体状態のプラズマが形成され、その固体状態のプラズマは金属の特性と類似している特性を有し、アンテナの輻射構造として用いることができる。他のＳＰｉＮダイオード組が作動するとき、アンテナのエレクトリックサイズ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｓｉｚｅ）を変化させ、アンテナの作動周波数のリファクタリングをすることができる。
【００３４】
図４に示すとおり、カップリングフィード（７）は化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）方法により媒体基板（２）上に形成され、その上表面は金属マイクロストリップシール（１０）であり、下表面は金属接地板（１１）であり、金属マイクロストリップシール（１０）は、メインマイナーマターズ（１２）、第一サブマイナーマターズ（１３）および第二サブマイナーマターズ（１４）を含む。金属マイクロストリップシール（１０）の幅と媒体基板（２）の厚さはフィードの抵抗により決められ、内外リングに接続されるエネルギーが大きければ大きいほどメインマイナーマターズ（１２）の幅が大きくなる。第一サブマイナーマターズ（１３）と第二サブマイナーマターズ（１４）の長さと幅はアンテナの抵抗により決められ、第一サブマイナーマターズ（１３）と第二サブマイナーマターズ（１４）の長さと幅を変化させることによりアンテナのスタンディング・ウエーブ（ｓｔａｎｄｉｎｇ  ｗａｖｅ）を調節することができる。半導体基板と媒体基板との間の距離はアンテナの増益により決められる。
【００３５】
図５と図６を参照すると、５は本発明の実施例に係るＳＰｉＮダイオードの構造を示す図であり、図６は本発明の実施例に係るＳＰｉＮダイオード組の構造を示す図である。図５に示すとおり、各ＳＰｉＮダイオード組は複数個のＳＰｉＮダイオードを含み、複数個のＳＰｉＮダイオードは直列に接続される。前記ＳＰｉＮダイオードはＰ＋区域２７、Ｎ＋区域２６およびイントリンシック・リージョン２２で構成され、第一金属接触区域２３はＰ＋区域２７に位置し、第二金属接触区域２４はＮ＋区域２６に位置している。ＳＰｉＮダイオード組の一端に位置しているＳＰｉＮダイオードの第一金属接触区域２３は直流オフセットラインの正極に接続され、ＳＰｉＮダイオード組の他端に位置しているＳＰｉＮダイオードの第二金属接触区域２４に直流電圧が印加されるとき、ＳＰｉＮダイオード組中のすべてのＳＰｉＮダイオードは正方向のオン状態になる。ＳＰｉＮダイオードの正方向のオフセットにより固体状態のプラズマをアクティベーションさせるとき、それをアンテナの電磁輻射に用いることができる。ＳＰｉＮダイオードはオフセットが印加されずかつオフ状態になっているとき、半導体媒体の状態になり、アンテナの間のカップリング問題を解決し、リファクタリングが可能なアンテナを容易に設計することができる。
【００３６】
図７ａ〜図７ｒを参照すると、図７ａ〜図７ｒは本発明の実施例に係る他のＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質構造のＳＰｉＮダイオードの製造方法を示す流れ図である。前記実施例によりチェンネルの長さが２２ｎｍである（固体状態のプラズマ区域の長さは１００マイクロメートルである）ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓによる異質構造のＳＰｉＮダイオードを製造することを例として説明する。その製造方法は次のステップを含む。
ステップ１はパッド材料を製造するステップである。
（１ａ）図７ａに示すとおり、（１００）結晶方向を選択し、そのドーピングタイプはＰ型であり、ドーピング濃度は１０１４ｃｍ−３であるＧｅＯＩパッド１０１において上層Ｇｅの厚さは５０μｍである。
（１ｂ）図７ｂに示すとおり、化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）方法によりＧｅＯＩ層上に厚さが４０μｍである第一ＳｉＯ２層２０１を堆積させる。
（１ｃ）化学気相成長方法によりパッド上に厚さが２μｍである第一Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層２０２を堆積させる。
【００３７】
ステップ２は隔離を製造するステップである。
（２ａ）図７ｃに示すとおり、マスクを採用し、フォトエッチング工程により前記保護層上に隔離区域を形成し、湿式エッチングにより前記隔離区域の第一Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層２０２をエッチングすることにより隔離区域パタンを形成し、乾式エッチングにより隔離区域に幅が５μｍでありかつ深さが５０μｍである深い隔離槽３０１を形成する。
（２ｂ）図７ｄに示すとおり、ＣＶＤ方法でＳｉＯ２４０１を堆積させることにより深い隔離槽３０１を充填する。
（２ｃ）図７ｅに示すとおり、化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）方法により表面の第一Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層２０２と第一ＳｉＯ２層２０１を除去することによりＧｅＯＩパッドの平坦化を実施する。
【００３８】
ステップ３はＰ、Ｎ区域の深い槽を形成するステップである。
（３ａ）図７ｆに示すとおり、ＣＶＤ方法によりパッド上に二層の材料を堆積させ、第一層は厚さが３００ｎｍである第二ＳｉＯ２層６０１であり、第二層は厚さが５００ｎｍである第二Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層６０２である。
（３ｂ）図７ｇに示すとおり、マスクを採用し、フォトエッチング工程によりＰ、Ｎ区域の深い槽をエッチングし、湿式エッチングによりＰ、Ｎ区域の第二Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層６０２と第二ＳｉＯ２層６０１をエッチングすることによりＰ、Ｎ区域のパタンを形成し、乾式エッチングによりＰ、Ｎ区域に幅が４μｍでありかつ深さが５μｍである深い槽７０１を形成し、Ｐ、Ｎ区域の槽の長さはいろいろなアンテナの状況により決められる。
（３ｃ）図７ｈに示すとおり、８５０℃下において高温処理を１０分間実施することにより酸化槽の内壁に酸化層８０１を形成し、それによりＰ、Ｎ区域の槽内の平坦化を実施する。
（３ｄ）図７ｉに示すとおり、湿式エッチング工程によりＰ、Ｎ区域の槽内の酸化層８０１を除去する。
【００３９】
ステップ４はＰ、Ｎ接触区域を形成するステップである。
（４ａ）図７ｊに示すとおり、有機金属気相成長法（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）によりＰ、Ｎ区域の槽内に多結晶ＧａＡｓ１００１を堆積させることによりチャンネルを充填する。
（４ｂ）図７ｋに示すとおり、ＣＭＰにより表面の多結晶ＧａＡｓ１００１と第二Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮ層６０２を除去することにより表面の平坦化を実施する。
（４ｃ）図７ｌに示すとおり、ＣＶＤ方法により表面に多結晶ＧａＡｓ１２０１を堆積させ、その厚さを２００〜５００ｎｍにする。
（４ｄ）図７ｍに示すとおり、マスクを採用し、フォトエッチングによりＰ区域のアクティブリージョンをエッチングし、ゴム粒子を注入する方法によりｐ＋注入をすることによりＰ区域のアクティブリージョンのドーピング濃度を０．５×１０２０ｃｍ−３にし、フォトエッチングでマスクを除去することによりＰ接触区１３０１を形成する。
（４ｅ）マスクを採用し、フォトエッチングによりＮ区域のアクティブリージョンををエッチングし、ゴム粒子を注入する方法によりｎ＋注入をすることによりＮ区域のアクティブリージョンのドーピング濃度を０．５×１０２０ｃｍ−３にし、フォトエッチングでマスクを除去することによりＮ接触区１３０２を形成する。
（４ｆ）図７ｎに示すとおり、湿式エッチングによりＰ、Ｎ接触区以外の多結晶ＧａＡｓ１２０１をエッチングすることによりＰ、Ｎ接触区を形成する。
（４ｇ）図７ｏに示すとおり、ＣＶＤ方法により表面にＳｉＯ２１５０１を形成し、その厚さを８００ｎｍにする。
（４ｈ）１０００℃下においてアニーリングを１分間実施することによりイオンによって注入される不純物をアクティベーションさせ、多結晶ＧａＡｓ中の不純物を移動させる。
【００４０】
ステップ５はＳＰｉＮダイオードを構成するステップである。
（５ａ）図７ｐに示すとおり、フォトエッチングによりＰ、Ｎ接触区にリードワイヤ孔１６０１を形成する。
（５ｂ）図７ｑに示すとおり、パッドの表面に金属をスパッタ（ｓｐａｔｔｅｒ）し、７５０℃により合金で金属シリサイド１７０１を形成し、かつ表面の金属をエッチングする。
（５ｃ）パッドの表面に金属をスパッタし、リードワイヤをエッチングする。
（５ｄ）図７ｒに示すとおり、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＮを堆積させることにより鈍化層１８０１を形成し、フォトエッチングによりＰＡＤをエッチングすることによりＳＰｉＮダイオードを形成し、そのダイオードを固体状態のプラズマアンテナの製造材料として用いる。
【００４１】
前記実施例に説明してきた前記各工程のパラメーターは本発明の例示にすぎないものであるため、本技術分野の技術者は常用の技術により前記パラメーターを適当に変化させることができ、そのような変化があっても本発明に含まれることはもちろんである。
【００４２】
本発明において製造した固体状態プラズマのリファクタリングが可能なアンテナに用いられるＳＰｉＮダイオードにより次の発明の効果を奏することができる。まず、ゲルマニウム材料を用い、その材料は電荷キャリアの移動度が大きくかつ電荷キャリアの寿命が長い特性を有しているので、ＳＰｉＮダイオードの固体状態プラズマの濃度を有効に向上させることができる。また、Ｇｅ基ＳＰｉＮダイオードのＰ区域とＮ区域はエッチング槽によりエッチングされる多結晶ＧａＡｓ結合工程を採用し、前記工程により変形されたＰｉおよびＮｉジャンクションを獲得し、かつＰｉジャンクションとＮｉジャンクションの深さを有効に向上させ、固体状態プラズマの濃度と分布を容易に制御し、性能が高いプラズマアンテナを製造することができる。次に、ゲルマニウム材料はその酸化物ＧｅＯの熱安定性がよくない特性を有しているので、高温環境によりＰ区域とＮ区域の槽の側壁の平坦化を自動に実施することができるので、材料の製造を簡単にすることができる。最後に、本発明において製造した固体状態プラズマのリファクタリングが可能なアンテナに用いられるＧｅＯＩ基ＳＰｉＮダイオードはエッチング槽内の媒体の隔離手段を採用することにより、部品のブレークダウン電圧を向上させ、漏出電流が部品の性能に影響を与えることを抑制することができる。
【００４３】
図８を参照すると、図８は本発明の実施例に係る異質Ｇｅ基ＳＰｉＮダイオードの部品の構造を示す図である。前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードは図２に示される製造方法により製造される。具体的に、前記ＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造のＳＰｉＮダイオードはＧｅＯＩパッド３０１上に形成され、かつＳＰｉＮダイオードのＰ区域３０４と、Ｎ区域３０５と、前記Ｐ区域３０４とＮ区域３０５との間に横方向に位置しているｉ区域（イントリンシック・リージョン）とはいずれも、前記ＧｅＯＩパッドの上層Ｇｅ層３０２内に位置している。前記ＳＰｉＮダイオードはＳＴＩ槽により隔離される。すなわち前記Ｐ区域３０４と前記Ｎ区域３０５の外側には隔離槽３０３が１つずつ設けられ、前記隔離槽３０３の深さは前記上層Ｇｅ層３０２の深さより大きいか或いは等しい。
【００４４】
以上、具体的な例を挙げることにより本発明の固体プラズマＳＰｉＮダイオードの製造方法の原理および実施方法を詳細に説明してきたが、前記実施例は本発明の方法および重要な要旨を説明する例示にしか過ぎないものである。この技術分野の技術者は発明の要旨により本発明の応用範囲を自由に変更することができ、そのような変更等があっても本発明に含まれることは勿論である。すなわち本発明は下記実施例の構成にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲が定めた範囲を基準とする。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の環状アンテナに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質ＳＰｉＮダイオードの製造方法により次の発明の効果を奏することができる。
（１）ＳＰｉＮダイオードに用いられるＧａＡｓ／Ｇｅ／ＧａＡｓ異質構造は、電荷キャリアの移動度が大きくかつ電荷キャリアの寿命が長い特性を有しているので、ＳＰｉＮダイオードの固体状態プラズマの濃度を有効に向上させることができる。
（２）ＳＰｉＮダイオードのＰ区域とＮ区域はエッチング槽によりエッチングされる多結晶ＧａＡｓ結合工程を採用し、前記工程により変形されたＰｉおよびＮｉジャンクションを獲得し、かつＰｉジャンクションとＮｉジャンクションの深さを有効に向上させ、固体状態プラズマの濃度と分布を容易に制御することができる。
（３）ＳＰｉＮダイオードはエッチング槽内の媒体の隔離手段を採用することにより、部品のブレークダウン電圧を向上させ、漏出電流が部品の性能に影響を与えることを抑制することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006839791.tif 000007
【図７ａ】
0006839791.tif 000008
【図７ｂ】
0006839791.tif 000009
【図７ｃ】
0006839791.tif 000010
【図７ｄ】
0006839791.tif 000011
【図７ｅ】
0006839791.tif 000012
【図７ｆ】
0006839791.tif 000013
【図７ｇ】
0006839791.tif 000014
【図７ｈ】
0006839791.tif 000015
【図７ｉ】
0006839791.tif 000016
【図７ｊ】
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【図７ｋ】
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【図７ｌ】
0006839791.tif 000019
【図７ｍ】
0006839791.tif 000020
【図７ｎ】
0006839791.tif 000021
【図７ｏ】
0006839791.tif 000022
【図７ｐ】
0006839791.tif 000023
【図７ｑ】
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【図７ｒ】
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【図８】
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