(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた遮光金属ブロックと、前記遮光金属ブロック及び前記ベース基板上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられて前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層と、前記能動層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲートと、前記ゲート、前記能動層及び前記バッファ層上に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記能動層の両側の上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールと、前記層間絶縁層上に設けられてそれぞれ前記第１スルーホール及び前記第２スルーホールを介して前記能動層の両側に接するソース及びドレインと、前記ソース、前記ドレイン及び前記層間絶縁層上に設けられたパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックと、前記赤色遮光カラーレジストブロック及び前記パッシベーション層上に設けられた平坦層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールと、前記平坦層及び前記パッシベーション層上に設けられて第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極と、前記第１電極及び前記パッシベーション層上に設けられた画素定義層と、前記画素定義層に設けられて前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールと、前記第４スルーホール内に下から設けられたＯＬＥＤ発光層及び第２電極と、を含み、
前記第１電極、前記ＯＬＥＤ発光層及び前記第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成し、前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物であり、
前記ＯＬＥＤデバイスは、ボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ベース基板に垂直投影すると、前記第３スルーホールは前記能動層に対してずれるように配置されて、前記第４スルーホールは前記能動層、前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインに対してずれるように配置される、
ＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項２】
前記赤色遮光カラーレジストブロックは、前記能動層の上方で前記能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、前記能動層を完全に覆う、
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項３】
前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層に設けられて、前記パッシベーション層上に設けられたカラーフィルタ層をさらに含み、
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスである、
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項４】
前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記パッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物である、
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項５】
ステップＳ１：ベース基板を提供し、前記ベース基板上に遮光金属ブロックを堆積してパターニング形成し、前記遮光金属ブロック及び前記ベース基板上にバッファ層を堆積し、前記バッファ層上に前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層を堆積してパターニング形成し、前記能動層及び前記バッファ層上に無機材料膜及び第１金属層を順次堆積し、前記無機材料膜及び前記第１金属層をパターニング処理し、前記能動層上に位置するゲート絶縁層を前記無機材料膜から得、前記ゲート絶縁層上に位置するゲートを前記第１金属層から得、前記ゲート絶縁層及び前記ゲートが前記能動層の両側を露出するステップであって、
前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物であるステップと、
ステップＳ２：前記ゲート、前記能動層及び前記バッファ層上に層間絶縁層を堆積し、
前記層間絶縁層上に前記能動層の両側上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールを形成し、前記層間絶縁層上に第２金属層を堆積し、前記第２金属層をパターニング処理して、それぞれ前記第１スルーホール及び前記第２スルーホールを介して前記能動層の両側と接するソース及びドレインを得るステップと、
ステップＳ３：前記ソース、前記ドレイン及び前記層間絶縁層上にパッシベーション層を堆積し、前記パッシベーション層上に前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを前記能動層の上方でパターニング形成するステップと、
ステップＳ４：前記赤色遮光カラーレジストブロック及び前記パッシベーション層上に平坦層をパターニング形成し、前記パッシベーション層上に前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールを形成し、前記平坦層及び前記パッシベーション層上には前記第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極を形成し、前記第１電極及び前記パッシベーション層上に画素定義層を形成し、前記画素定義層上に前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールを形成し、前記第４スルーホール内に下から順にＯＬＥＤ発光層及び第２電極を形成するステップと、を含み、
前記第１電極、ＯＬＥＤ発光層及び第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成し、
前記ＯＬＥＤデバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ベース基板に垂直投影すると、前記第３スルーホールは前記能動層に対してずれるように配置されて、前記第４スルーホールは前記能動層、前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインに対してずれるように配置される、
ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記ステップＳ３において、形成された前記赤色遮光カラーレジストブロックが、前記能動層の上方で前記能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、前記能動層を完全に覆う、
請求項５に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ステップＳ３は、前記パッシベーション層上に前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層のカラーフィルタ層をパターニング形成することをさらに含む、
請求項５に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記遮光金属ブロック、前記能動層、前記ゲート、前記ソース、前記ドレイン及び前記第１電極がいずれも物理気相成長法により堆積され、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記パッシベーション層がいずれもプラズマ化学気相成長法により堆積され、
前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記パッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物であり、
前記ステップＳ１は、前記ゲート及び前記ゲート絶縁層をマスク層として前記能動層をプラズマ処理して導体化することをさらに含み、
前記ステップＳ１において、前記無機材料膜及び前記第１金属層をパターニング処理する具体的なプロセスは、前記第１金属層をウェットエッチングでエッチングして、前記能動層の上方に対応する前記ゲートを得、次いで前記ゲートをマスク層として、前記無機材料膜をドライエッチングでエッチングして、前記ゲートと同一形状の前記ゲート絶縁層を得る、
請求項５に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた遮光金属ブロックと、前記遮光金属ブロック及び前記ベース基板上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられて前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層と、前記能動層上に設けられたゲート絶縁層
と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲートと、前記ゲート、前記能動層及び前記バッファ層上に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記能動層の両側の上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールと、前記層間絶縁層上に設けられてそれぞれ第１スルーホール及び第２スルーホールを介して前記能動層の両側に接するソース及びドレインと、前記ソース、前記ドレイン及び前記層間絶縁層上に設けられたパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックと、前記赤色遮光カラーレジストブロック及び前記パッシベーション層上に設けられた平坦層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールと、前記平坦層及び前記パッシベーション層上に設けられて第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極と、前記第１電極及び前記パッシベーション層上に設けられた画素定義層と、前記画素定義層に設けられて前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールと、前記第４スルーホール内に下から設けられたＯＬＥＤ発光層及び第２電極と、を含み、
前記第１電極、前記ＯＬＥＤ発光層及び前記第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成し、前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物であり、
前記赤色遮光カラーレジストブロックが、前記能動層の上方で前記能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、前記能動層を完全に覆い、
前記ＯＬＥＤデバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスであり、
前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層に設けられて、前記パッシベーション層上に設けられたカラーフィルタ層をさらに含み、
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、前記ゲート絶縁層、前記層間絶縁層及び前記パッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物であり、
前記ベース基板に垂直投影すると、前記第３スルーホールは前記能動層に対してずれるように配置されて、前記第４スルーホールは前記能動層、前記ゲート、前記ソース及び前記ドレインに対してずれるように配置される、
ＯＬＥＤ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術分野に関し、特にＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示技術の発展に伴い、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）及び有機発光ダイオードディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）などの平面表示装置が表示装置の主流となっている。有機発光ダイオードディスプレイは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとも呼ばれ、新興のフラットディスプレイ装置であり、製造工程が簡単で、コストが低く、消費電力が低く、発光輝度が高く、動作温度の適応範囲が広く、体積が軽量で薄く、応答速度が速く、カラー表示及び大画面表示が容易であり、集積回路ドライバとのマッチングが容易であり、フレキシブルディスプレイが容易であるなどの利点を有するため、広い将来性を有する。
【０００３】
ＯＬＥＤディスプレイは、駆動方式によって、パッシブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＰＭＯＬＥＤ）とアクティブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＡＭＯＬＥＤ）の２種類、即ち直接アドレス方式と薄膜トランジスタマトリクス方式との２種類に大別することができる。ＡＭＯＬＥＤは、マトリクス状に配置された画素を有し、アクティブ表示タイプであり、発光効率が高く、高精細な大型表示装置として一般的に用いられている。
【０００４】
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）は、現在の液晶表示装置及びアクティブマトリクス駆動型有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにおける主要駆動素子であり、高性能フラットディスプレイ装置の開発方向に直結している。
【０００５】
ＡＭＯＬＥＤは一般的に、ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板上に設けられた、陽極と、陽極上に設けられた正孔注入層と、正孔注入層上に設けられた正孔輸送層と、正孔輸送層上に設けられた発光層と、発光層上に設けられた電子輸送層と、電子輸送層上に設けられた電子注入層と、電子注入層上に設けられた陰極とからなるＯＬＥＤデバイスとを含む。ＯＬＥＤデバイスの発光原理は、電界駆動下で半導体材料及び有機発光材料がキャリア注入及び再結合により発光することである。具体的に、ＡＭＯＬＥＤ表示デバイスは、陽極にＩＴＯ画素電極を、陰極に金属電極を用い、ある電圧に駆動されることにより、陰極から電子注入層に電子を、陽極から正孔注入層に正孔を注入し、電子及び正孔が電子輸送層及び正孔輸送層をそれぞれ経て発光層に移動するとともに、発光層で会合して励起子を形成し、発光分子を励起させ、正孔が放射緩和により可視光を発光する。
【０００６】
フラットパネル産業では、現在の表示業界における大サイズ化、高解像度の要求が強まるにつれて、半導体装置の能動層の充放電に対する要求がより高くなっている。インジウムガリウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ，ＩＧＺＯ）材料が、高移動度、高オン電流、低オフ電流で迅速にスイッチングできる等の特徴を有し、上記の要求を有効に満たすことができるので、現在の薄膜トランジスタ技術分野における研究重点となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＩＧＺＯ−ＴＦＴにおけるＩＧＺＯ能動層はプロセス及び環境に非常に敏感であり、ＩＧＺＯの禁制帯幅（約３．４ｅＶ）と紫外（ＵＶ）光の禁制帯幅（３．１ｅＶよりも高い）とが近いため、ＩＧＺＯはＵＶ光をよく吸収し、ＩＧＺＯ能動層はＵＶ光の照射により価電子帯電子等がエネルギーを吸収して伝導帯に遷移しやすく、ＴＦＴの閾値電圧をシフトさせ、ディスプレイの表示効果が不安定となる。このため、従来のトップゲート型（ｔｏｐ  ｇａｔｅ）ＩＧＺＯ−ＴＦＴの製造中に、ドライバ（ｄｒｉｖｅｒ）ＴＦＴのＩＧＺＯ能動層がＴＦＴの底部の光照射から影響を受けて光リーク電流が発生することを防止するために、その底部に光の照射を遮断する遮光（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）金属層を製造するのが一般的である。しかし、ボトムエミッション型ＯＬＥＤ（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｔｔｉｏｎ−ＯＬＥＤ）の表示パネルでは、ＩＧＺＯ能動層がＴＦＴの上面部から入射される光の影響を受けることによって、能動層の光リーク電流の発生を誘発し、ＴＦＴの特性に影響を及ぼし、ひいてはＴＦＴ閾値電圧Ｖｔｈのシフトを引き起こし、ＴＦＴの正常動作に影響を与える。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的は、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光の能動層への影響を低減することで、光リーク電流の発生を防止し、ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持することができるＯＬＥＤ表示パネルを提供することにある。
【０００９】
本発明の目的はさらに、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光の能動層への影響を低減することで、光リーク電流の発生を防止し、ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持することができるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を提供することにある。
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は、ベース基板と、ベース基板上に設けられた遮光金属ブロックと、前記遮光金属ブロック及びベース基板上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられて前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層と、前記能動層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲートと、前記ゲート、能動層及びバッファ層上に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記能動層の両側の上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールと、前記層間絶縁層上に設けられてそれぞれ第１スルーホール及び第２スルーホールを介して前記能動層の両側に接するソース及びドレインと、ソース、ドレイン及び層間絶縁層上に設けられたパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックと、前記赤色遮光カラーレジストブロック及びパッシベーション層上に設けられた平坦層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールと、前記平坦層及びパッシベーション層上に設けられて第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極と、前記第１電極及びパッシベーション層上に設けられた画素定義層と、画素定義層に設けられて前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールと、前記第４スルーホール内に下から設けられたＯＬＥＤ発光層及び第２電極と、を含むＯＬＥＤ表示パネルを提供し、
前記第１電極、ＯＬＥＤ発光層及び第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成し、前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物である。
【００１１】
前記赤色遮光カラーレジストブロックが、能動層の上方で能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、能動層を完全に覆う。
【００１２】
前記ＯＬＥＤデバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスである。
【００１３】
前記ＯＬＥＤ表示パネルは、前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層に設けられて、前記パッシベーション層上に設けられたカラーフィルタ層をさらに含み、
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスである。
【００１４】
前記ゲート、ソース及びドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、ゲート絶縁層、層間絶縁層及びパッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物である。
【００１５】
本発明は、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法をさらに提供しており、
ステップＳ１：ベース基板を提供し、前記ベース基板上に遮光金属ブロックを堆積してパターニング形成し、前記遮光金属ブロック及びベース基板上にバッファ層を堆積し、前記バッファ層上に前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層を堆積してパターニング形成し、前記能動層及びバッファ層上に無機材料膜及び第１金属層を順次堆積し、前記無機材料膜及び第１金属層をパターニング処理し、前記能動層上に位置するゲート絶縁層を無機材料膜から得、前記ゲート絶縁層上に位置するゲートを第１金属層から得、前記ゲート絶縁層及びゲートが前記能動層の両側を露出するステップであって、
前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物であるステップと、
ステップＳ２：前記ゲート、能動層及びバッファ層上に層間絶縁層を堆積し、前記層間絶縁層上に前記能動層の両側上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールを形成し、前記層間絶縁層上に第２金属層を堆積し、前記第２金属層をパターニング処理して、それぞれ第１スルーホール及び第２スルーホールを介して前記能動層の両側と接するソース及びドレインを得るステップと、
ステップＳ３：前記ソース、ドレイン及び層間絶縁層上にパッシベーション層を堆積し、前記パッシベーション層上に前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを前記能動層の上方でパターニング形成するステップと、
ステップＳ４：前記赤色遮光カラーレジストブロック及びパッシベーション層上に平坦層をパターニング形成し、前記パッシベーション層上に前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールを形成し、前記平坦層及びパッシベーション層上には前記第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極を形成し、前記第１電極及びパッシベーション層上に画素定義層を形成し、前記画素定義層上に前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールを形成し、前記第４スルーホール内に下から順にＯＬＥＤ発光層及び第２電極を形成するステップと、を含み、
前記第１電極、ＯＬＥＤ発光層及び第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成する。
【００１６】
前記ステップＳ３において、形成された赤色遮光カラーレジストブロックが、能動層の上方で能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、能動層を完全に覆う。
【００１７】
前記ＯＬＥＤデバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスである。
【００１８】
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ステップＳ３は、前記パッシベーション層上に前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層のカラーフィルタ層をパターニング形成することをさらに含む。
【００１９】
前記遮光金属ブロック、能動層、ゲート、ソース、ドレイン及び第１電極は、いずれも物理気相成長法により堆積され、前記バッファ層、ゲート絶縁層、層間絶縁層及びパッシベーション層は、いずれもプラズマ化学気相成長法により堆積され、
前記ゲート、ソース及びドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、ゲート絶縁層、層間絶縁層及びパッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物であり、
前記ステップＳ１は、前記ゲート及びゲート絶縁層をマスク層として前記能動層をプラズマ処理して導体化することをさらに含み、
前記ステップＳ１において、前記無機材料膜及び第１金属層をパターニング処理する具体的なプロセスは、前記第１金属層をウェットエッチングでエッチングして、前記能動層の上方に対応するゲートを得、次いで前記ゲートをマスク層として、前記無機材料膜をドライエッチングでエッチングして、前記ゲートと同一形状のゲート絶縁層を得る。
【００２０】
本発明は、ベース基板と、ベース基板上に設けられた遮光金属ブロックと、前記遮光金属ブロック及びベース基板上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられて前記遮光金属ブロックの上方に対応する能動層と、前記能動層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲートと、前記ゲート、能動層及びバッファ層上に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に設けられて前記能動層の両側の上方に対応する第１スルーホール及び第２スルーホールと、前記層間絶縁層上に設けられてそれぞれ第１スルーホール及び第２スルーホールを介して前記能動層の両側に接するソース及びドレインと、ソース、ドレイン及び層間絶縁層上に設けられたパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックと、前記赤色遮光カラーレジストブロック及びパッシベーション層上に設けられた平坦層と、前記パッシベーション層上に設けられて前記ドレインの上方に対応する第３スルーホールと、前記平坦層及びパッシベーション層上に設けられて第３スルーホールを介して前記ドレインと接する第１電極と、前記第１電極及びパッシベーション層上に設けられた画素定義層と、画素定義層に設けられて前記第１電極の上方に対応する第４スルーホールと、前記第４スルーホール内に下から設けられたＯＬＥＤ発光層及び第２電極と、を含むＯＬＥＤ表示パネルをさらに提供し、
前記第１電極、ＯＬＥＤ発光層及び第２電極が共にＯＬＥＤデバイスを構成し、前記能動層の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物であり、
前記赤色遮光カラーレジストブロックが、能動層の上方で能動層のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、能動層を完全に覆い、
前記ＯＬＥＤデバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスであり、
前記赤色遮光カラーレジストブロックと同層に設けられて、前記パッシベーション層上に設けられたカラーフィルタ層をさらに含み、
前記ＯＬＥＤデバイスが白色光を出射する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、
前記ゲート、ソース及びドレインの材料がそれぞれモリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、前記バッファ層、ゲート絶縁層、層間絶縁層及びパッシベーション層の材料がそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、前記第１電極の材料が透明導電性金属酸化物である。
【００２１】
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明のＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法は、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光のＩＧＺＯの能動層への影響を低減可能にすることで、光リーク電流の発生を防止し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持するとともに、能動層を覆う赤色遮光カラーレジストブロックは、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの能動層に影響を与える高エネルギーの短波青色光のみを遮断し、他の波長帯域の光は正常透過できるので、ＯＬＥＤ表示パネルの発光領域の開口率に影響を与えることがない。
【００２２】
本発明の特徴及び技術的内容をより一層明らかにするために、以下の本発明に関する詳細な説明及び添付図面を参照するが、添付図面は、参照及び説明のためのものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下、図面を参照しながら、本発明の具体的な実施形態について詳細に説明することにより、本発明の技術的手段及び他の有益な効果が明らかになるであろう。
図面において、
【図１】図１は本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法のステップＳ１を示す概略図である。
【図３】図３は本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法のステップＳ２を示す概略図である。
【図４】図４は本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法のステップＳ３を示す概略図である。
【図５】図５は本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法のステップＳ４を示す概略図及び本発明のＯＬＥＤ表示パネルの構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に用いられた技術的手段及びその効果をより明らかにするために、本発明の好ましい実施例及びその添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図５を参照すると、本発明は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に設けられた遮光金属ブロック２１と、前記遮光金属ブロック２１及びベース基板１０上に設けられたバッファ層３０と、前記バッファ層３０上に設けられて前記遮光金属ブロック２１の上方に対応する能動層４１と、前記能動層４１上に設けられたゲート絶縁層４２と、前記ゲート絶縁層４２上に設けられたゲート４３と、前記ゲート４３、能動層４１及びバッファ層３０上に設けられた層間絶縁層４４と、前記層間絶縁層４４上に設けられて前記能動層４１の両側の上方に対応する第１スルーホール４４１及び第２スルーホール４４２と、前記層間絶縁層４４上に設けられてそれぞれ第１スルーホール４４１及び第２スルーホール４４２を介して前記能動層４１の両側に接するソース４５及びドレイン４６と、ソース４５、ドレイン４６及び層間絶縁層４４上に設けられたパッシベーション層５１と、前記パッシベーション層５１上に設けられて前記能動層４１を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１と、前記赤色遮光カラーレジストブロック６１及びパッシベーション層５１上に設けられた平坦層５２と、前記パッシベーション層５１上に設けられて前記ドレイン４６の上方に対応する第３スルーホール５１１と、前記平坦層５２及びパッシベーション層５１上に設けられて第３スルーホール５１１を介して前記ドレイン４６と接する第１電極７１と、前記第１電極７１及びパッシベーション層５１上に設けられた画素定義層８０と、画素定義層８０に設けられて前記第１電極７１の上方に対応する第４スルーホール８１１と、前記第４スルーホール８１１内に下から設けられたＯＬＥＤ発光層７２及び第２電極７３と、を含むＯＬＥＤ表示パネルを提供する。
前記第１電極７１、ＯＬＥＤ発光層７２及び第２電極７３が共にＯＬＥＤデバイス７０を構成し、前記能動層４１の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）であり、前記能動層４１、ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６は共に薄膜トランジスタを構成して、ＩＧＺＯ  ＴＦＴである。
【００２６】
本発明のＯＬＥＤ表示パネルは、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層４１を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１を設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光のＩＧＺＯの能動層４１への影響を低減可能にすることで、光リーク電流の発生を防止し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持する。また、能動層４１を覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１は、ＩＧＺＯの能動層４１に影響を与える高エネルギーの短波青色光のみを遮断し、他の波長帯域の光は正常透過できるので、ＯＬＥＤ表示パネルの発光領域の開口率に影響を与えることがない。
【００２７】
具体的には、前記実施例において、前記ＴＦＴはＯＬＥＤデバイス７０を駆動するドライバＴＦＴであるが、ＯＬＥＤ表示パネルにおけるスイッチＴＦＴ（Ｓｗｉｔｃｈ  ＴＦＴ）に対しても、青色光の照射を遮蔽するために、同様に上記の方法によりその上に赤色遮光カラーレジストブロック６１を設けることができる。しかし、ＯＬＥＤ表示パネルは一般的にスイッチＴＦＴに対する性能要求が高くないので、赤色遮光カラーレジストブロック６１をスイッチＴＦＴに設けなくてもよい。
【００２８】
具体的には、前記赤色遮光カラーレジストブロック６１は、能動層４１の上方に能動層４１のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、つまり、赤色遮光カラーレジストブロック６１の各側辺が、前記能動層４１の対応する側辺よりも２〜５μｍ広いことで、能動層４１を完全に覆う。
【００２９】
具体的には、前記ＯＬＥＤデバイス７０はボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスである。
【００３０】
具体的には、前記ＯＬＥＤデバイス７０は白色光を発光する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、前記ＯＬＥＤ表示パネルは、前記赤色遮光カラーレジストブロック６１と同層に設けられて、前記パッシベーション層５１上に設けられたカラーフィルタ層６２をさらに含む。
【００３１】
具体的には、前記ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６の材料がそれぞれ、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｇｒ）の１種又は複数種を含み、好ましくは、前記ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６の材料が、銅層とモリブデンチタン合金層とのスタック組み合わせ層（Ｃｕ＋Ｍｏ−Ｔｉ）である。
【００３２】
具体的には、前記バッファ層３０、ゲート絶縁層４２、層間絶縁層４４及びパッシベーション層５１の材料はそれぞれ酸化シリコン（ＳｉＯｘ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の１種又は複数種を含み、好ましくは、前記バッファ層３０、ゲート絶縁層４２、層間絶縁層４４及びパッシベーション層５１の材料はいずれも酸化シリコンである。
【００３３】
具体的には、前記第１電極７１、第２電極７３を、それぞれＯＬＥＤデバイス７０の陽極及び陰極とし、前記第１電極７１の材料が透明導電性金属酸化物であり、好ましくは、前記第１電極７１の材料が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。
【００３４】
具体的には、前記遮光金属ブロック２１の材料が金属であり、好ましくは、前記遮光金属ブロック２１の材料がモリブデンチタン合金（Ｍｏ−Ｔｉ）である。
【００３５】
図１を参照して、上述したＯＬＥＤ表示パネルに基づいて、本発明は、更に、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法をさらに提供し、以下のステップを含む：
【００３６】
ステップＳ１：図２に示すように、ベース基板１０を提供し、前記ベース基板１０上に遮光金属ブロック２１を堆積してパターニング形成し、前記遮光金属ブロック２１及びベース基板１０上にバッファ層３０を堆積し、前記バッファ層３０上に前記遮光金属ブロック２１の上方に対応する能動層４１を堆積してパターニング形成し、前記能動層４１及びバッファ層３０上に無機材料膜及び第１金属層を順次堆積し、前記無機材料膜及び第１金属層をパターニング処理し、前記能動層４１上に位置するゲート絶縁層４２を無機材料膜から得、前記ゲート絶縁層４２上に位置するゲート４３を第１金属層から得、前記ゲート絶縁層４２及びゲート４３が前記能動層４１の両側を露出し、前記能動層４１を前記ゲート４３及びゲート絶縁層４２をマスク層としてプラズマ処理して導体化させるステップ。
【００３７】
具体的には、前記能動層４１の材料がインジウムガリウム亜鉛酸化物である。
【００３８】
具体的には、前記ステップＳ１において、前記無機材料膜及び第１金属層をパターニング処理する具体的なプロセスは、前記第１金属層をウェットエッチングでエッチングして、前記能動層４１の上方に対応するゲート４３を得、次いで前記ゲート４３をマスク層として、前記無機材料膜をドライエッチングでエッチングして、前記ゲート４３と同一形状のゲート絶縁層４２を得る。
【００３９】
ステップＳ２：図３に示すように、前記ゲート４３、能動層４１及びバッファ層３０上に層間絶縁層４４を堆積し、前記層間絶縁層４４上に前記能動層４１の両側上方に対応する第１スルーホール４４１及び第２スルーホール４４２を形成し、前記層間絶縁層４４上に第２金属層を堆積し、前記第２金属層をパターニング処理して、それぞれ第１スルーホール４４１及び第２スルーホール４４２を介して前記能動層４１の両側と接するソース４５及びドレイン４６を得るステップ。
【００４０】
具体的には、前記能動層４１、ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６は共にＴＦＴを構成し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴである。
【００４１】
ステップＳ３：図４に示すように、前記ソース４５、ドレイン４６及び層間絶縁層４４上にパッシベーション層５１を堆積し、前記パッシベーション層５１上に前記能動層４１を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１を前記能動層４１の上方でパターニング形成するステップ。
【００４２】
具体的には、前記ステップＳ３において、形成された赤色遮光カラーレジストブロック６１が、能動層４１の上方で能動層４１のエッジに対応して外方に２〜５μｍ延びることにより、能動層４１を完全に覆う。
【００４３】
ステップＳ４：図５に示すように、前記赤色遮光カラーレジストブロック６１及びパッシベーション層５１上に平坦層５２をパターニング形成し、前記パッシベーション層５１上に前記ドレイン４６の上方に対応する第３スルーホール５１１を形成し、前記平坦層５２及びパッシベーション層５１上には前記第３スルーホール５１１を介して前記ドレイン４６と接する第１電極７１を形成し、前記第１電極７１及びパッシベーション層５１上に画素定義層８０を形成し、前記画素定義層８０上に前記第１電極７１の上方に対応する第４スルーホール８１１を形成し、前記第４スルーホール８１１内に下から順にＯＬＥＤ発光層７２及び第２電極７３を形成し、前記第１電極７１、ＯＬＥＤ発光層７２及び第２電極７３が共にＯＬＥＤデバイス７０を構成し、前記第１電極７１、第２電極７３がそれぞれＯＬＥＤデバイス７０の陽極及び陰極とするステップ。
【００４４】
本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層４１を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１を設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光のＩＧＺＯの能動層４１への影響を低減可能にすることで、光リーク電流の発生を防止し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持するとともに、能動層４１を覆う赤色遮光カラーレジストブロック６１は、ＩＧＺＯの能動層４１に影響を与える高エネルギーの短波青色光のみを遮断し、他の波長帯域の光は正常透過できるので、ＯＬＥＤ表示パネルの発光領域の開口率に影響を与えることがない。
【００４５】
具体的には、前記ＯＬＥＤデバイス７０がボトムエミッション型ＯＬＥＤデバイスである。
【００４６】
具体的には、前記ＯＬＥＤデバイス７０が白色光を発光する白色光ＯＬＥＤデバイスであり、前記ステップＳ３は、前記パッシベーション層５１上に前記赤色遮光カラーレジストブロック６１と同層のカラーフィルタ層６２をパターニング形成することをさらに含む。
【００４７】
具体的には、前記遮光金属ブロック２１、能動層４１、ゲート４３、ソース４５、ドレイン４６及び第１電極７１はいずれも物理気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＶＤ）により堆積され、前記バッファ層３０、ゲート絶縁層４２、層間絶縁層４４及びパッシベーション層５１はいずれもプラズマ化学気相成長法（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＥＣＶＤ）により堆積される。
【００４８】
具体的には、前記ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６の材料はそれぞれ、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン、クロムの１種又は複数種を含み、好ましくは、前記ゲート４３、ソース４５及びドレイン４６の材料は、銅層とモリブデンチタン合金層とのスタック組み合わせ層である。
【００４９】
具体的には、前記バッファ層３０、ゲート絶縁層４２、層間絶縁層４４及びパッシベーション層５１の材料はそれぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンの１種又は複数種を含み、好ましくは、前記バッファ層３０、ゲート絶縁層４２、層間絶縁層４４及びパッシベーション層５１の材料はいずれも酸化シリコンである。
【００５０】
具体的には、前記第１電極７１の材料は透明導電性金属酸化物であり、好ましくは、前記第１電極７１の材料は酸化インジウムスズである。
【００５１】
具体的には、前記遮光金属ブロック２１の材料は金属であり、好ましくは、前記遮光金属ブロック２１の材料はモリブデンチタン合金（Ｍｏ−Ｔｉ）である。
【００５２】
以上説明したように、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法は、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの上方に能動層を完全に覆う赤色遮光カラーレジストブロックを設けることによって、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの頂部から入射する高エネルギーの青色光のＩＧＺＯの能動層への影響を低減可能にすることで、光リーク電流の発生を防止し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの特性を確保し、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの正常動作を維持する。また、能動層を覆う赤色遮光カラーレジストブロックは、ＩＧＺＯ  ＴＦＴの能動層に影響を与える高エネルギーの短波青色光のみを遮断し、他の波長帯域の光は正常透過できるので、ＯＬＥＤ表示パネルの発光領域の開口率に影響を与えることがない。
【００５３】
上記の内容は、当業者にとっては、本発明の技術的手段及び技術的思想に基づいて他の様々な変更及び変形を行うことができるが、これらの変更及び変形も全て本発明の特許請求の保護範囲に属するものと理解されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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