(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板にマザー基板を形成することと、
マザー基板の一部がマザー基板の残りの部分と分離するように、マザー基板を切断してベース基板を形成することと、
マザー基板を切断した後、前記ベース基板に表示基板を封止することに用いられる封止層を形成することと、
複数の薄膜トランジスタを形成することと
を含み、
前記封止層を形成することは、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に封止材料を堆積し、
前記表示基板に対応する開口を有するマスク板を用いて封止材料を堆積し、前記開口を取り囲んでいる前記マスク板の周縁の前記支持基板での投影は、前記ベース基板の周縁の前記支持基板での投影から約１μｍ〜約５００μｍの範取り囲以内の距離を離間していることを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項２】
前記封止層の一部は、前記ベース基板の側面の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいるように形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レーザーを用いて前記マザー基板を切断することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ベース基板を形成するように、前記マザー基板を切断して、前記ベース基板は、頂面と、前記頂面に対向する底面と、前記頂面および前記底面を接続する側面とを有し、前記頂面は、前記底面の複数の薄膜トランジスタに近い側に位置し、前記底面は、前記頂面の複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置し、
前記封止層を形成するように、前記封止材料を堆積し、前記封止層は、頂部および前記頂部に接続される側部を備え、前記頂部は、前記表示基板を封止するように、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置し、
前記封止層の前記側部は、前記表示基板の側面を封止し、前記ベース基板の前記側面をほぼ取り囲んでいるように形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記表示基板は有機発光ダイオード表示基板であり、前記封止材料を堆積する前に、前記方法は、前記ベース基板に複数の有機発光ダイオードを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
フレキシブル材料を用いて前記マザー基板を形成することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術に関し、特に表示基板、表示装置および表示基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置は自発光装置であり、バックライトを必要としない。ＯＬＥＤ表示装置は、従来の液晶表示（ＬＣＤ）装置と比較して、より鮮やかな色彩と広い色域を提供することができる。また、ＯＬＥＤ表示装置は、典型的なＬＣＤより、曲げやすく、薄くて軽量に作製されることができる。ＯＬＥＤ表示装置は、一般的に、陽極と、発光層を含む有機層と、陰極とを備える。ＯＬＥＤはボトムエミッション型ＯＬＥＤまたはトップエミッション型ＯＬＥＤであってもよい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、表示基板の製造方法を提供し、支持基板にマザー基板を形成することと、マザー基板の一部がマザー基板の残りの部分と分離するように、マザー基板を切断してベース基板を形成することと、およびマザー基板を切断した後、ベース基板に、表示基板を封止することに用いられる封止層を形成することとを含む。
【０００４】
オプションとして、封止層の一部は、前記ベース基板の側面の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいるように形成される。
【０００５】
オプションとして、レーザーを用いてマザー基板を切断する。
【０００６】
オプションとして、複数の薄膜トランジスタを形成することをさらに含み、封止層を形成することは、複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に封止材料を堆積することを含む。
【０００７】
オプションとして、ベース基板を形成するように、マザー基板を切断して、前記ベース基板は、頂面と、頂面に対向する底面と、および頂面と底面を接続する側面を有して、頂面は、底面の複数の薄膜トランジスタに近い側に位置し、底面は、頂面の複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置し、封止層を形成するように、封止材料を堆積し、前記封止層は、頂部と該頂部に接続される側部を有して、頂部は、表示基板を封止するように、複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に位置し、封止層の側部は、表示基板の側面を封止し、ベース基板の側面をほぼ取り囲んでいるように形成される。
【０００８】
オプションとして、表示基板に対応する開口を有するマスク板を用いて封止材料を堆積し、開口を取り囲んでいるマスク板の周縁の支持基板での投影は、ベース基板の周縁の支持基板での投影から約１μｍ〜約５００μｍの範取り囲以内の距離を離間している。
【０００９】
オプションとして、前記表示基板は有機発光ダイオード表示基板であり、封止材料を堆積する前に、前記方法は、ベース基板に複数の有機発光ダイオードを形成することをさらに含む。
【００１０】
オプションとして、フレキシブル材料を用いてマザー基板を形成する。
【００１１】
一方、本開示は、表示基板を提供し、ベース基板と、ベース基板上の複数の薄膜トランジスタと、および複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に位置し、表示基板を封止することに用いられる封止層とを備え、封止層の一部は、ベース基板の側面の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいる。
【００１２】
オプションとして、ベース基板は、頂面と、頂面に対向する底面と、および頂面と底面を接続する側面を備え、頂面は、底面の複数の薄膜トランジスタに近い側に位置し、底面は、頂面の複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置し、封止層は、頂部と該頂部に接続される側部を備え、頂部は、表示基板を封止するように、複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に位置し、封止層の側部は、表示基板の側面を封止し、ベース基板の側面をほぼ取り囲んでいる。
【００１３】
オプションとして、封止層の側部は、ベース基板の側面の全周囲（ｐｅｒｉｍｅtｅr）をほぼ取り囲んでいる。
【００１４】
オプションとして、ベース基板の底面は表示基板の底面を構成する。
【００１５】
オプションとして、表示基板のいずれかの信号線は、いずれも頂面の底面から遠い側に位置する。
【００１６】
あるいは、封止層のベース基板の底面を含む平面での投影は、ベース基板のベース基板の底面を含む平面での投影をほぼ覆う。
【００１７】
オプションとして、封止層とベース基板との間の接触界面は、ほぼベース基板の側面に位置する。
【００１８】
オプションとして、表示基板は、封止層のベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、および平坦化層の封止層から遠い側に位置する補助封止層とをさらに含む。
【００１９】
オプションとして、封止層と補助封止層のベース基板の底面を含む平面での投影はほぼ互いに重なる。
【００２０】
オプションとして、ベース基板はフレキシブルベース基板である。
【００２１】
オプションとして、表示基板は有機発光ダイオード表示基板であり、ベース基板に位置する、封止層に封止される複数の有機発光ダイオードをさらに含む。
【００２２】
一方、本開示は、表示装置を提供し、本文に説明された表示基板または本文に説明された方法により製造される表示基板を備える。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下の図面は、本開示の種々の実施例に係る模式のな目的のための例示に過ぎず、本発明の範囲を限定すると意図しない。
【００２４】
【図１】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図である。
【図２】図１における表示基板の底面図である。
【図３】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図である。
【図４】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図である。
【図５Ａ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｂ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｃ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｄ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｅ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｆ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｇ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図５Ｈ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図６Ａ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図６Ｂ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図６Ｃ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図６Ｄ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図６Ｅ】本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示す。
【図７】本開示のいくつかの実施例に係るマザー基板の切断位置を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下の実施例を参照して、本開示をより具体的に説明する。なお、以下のいくつかの実施例についての説明は、模式的なまたは説明された目的のみためにここで示される。その旨は網羅のまたは開示された適切な形式に限定されるものではない。
【００２６】
通常表示基板を形成する（例えば、通常有機発光ダイオード表示基板）過程では、マザー基板に複数の表示基板ユニットを形成し、そのうちの表示素子を封止するように、複数の表示基板ユニットの頂部に封止層を形成し、その後、複数の表示基板ユニットを分離するように、マザー基板が切断されることにより、それぞれの単独の表示基板を形成する。マザー基板を切断する過程では、（切断する前に）複数の表示基板ユニットを封止する全体領域に形成される封止層を切断する必要がある。
【００２７】
一般的に、封止層は、良好な耐酸化性耐湿性を有する無機絶縁材料で作られる無機封止層を含む。このような無機絶縁材料の例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、またはこれらの組み合わせが挙げられる。これらの材料は、相対的に剛性で脆い。切断過程では、無機絶縁層に小さなクラックが多発し、封止層の耐酸化性耐湿性を弱くにする。
【００２８】
したがって、本開示は、特に、従来技術の制限や欠陥に起因する問題の一つまたは複数を実質のに排除した表示基板、それを備えた表示装置および表示基板の製造方法を提供する。本開示は、表示基板を提供する。いくつかの実施例において、表示基板は、ベース基板と、ベース基板上の複数の薄膜トランジスタと、および複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に位置し、表示基板を封止するために用いられる封止層とを備える。封止層の一部は、ベース基板の側面の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいる。本文にを使用される用語「ベース基板」は、所望の層が作られる構成を指す。あるいは、ベース基板は単独層を含む。オプションとして、ベース基板は複数の副層を含む。オプションとして、ベース基板はフレキシブルベース基板である。オプションとして、ベース基板は半導体製造プロセスが開始される１つ目の層である。一例では、半導体部材または信号線を形成する前に、まず、ベース基板にバッファ層を形成してもよい。本開示の文脈において、バッファ層はベース基板の一部ではないと見なされない。オプションとして、ベース基板は表示基板の底面を形成する。
【００２９】
図１は本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図である。図１に示すように、いくつかの実施例に係る表示基板は、ベース基板１０を含み、ベース基板１０は、頂面Ｓ１と、頂面Ｓ１に対向する底面Ｓ２と、頂面Ｓ１および底面Ｓ２を接続する側面Ｓ３とを有する。ベース基板１０の底面Ｓ２は、表示基板の底面に形成される。表示基板の各半導体部材は、頂面Ｓ１の底面Ｓ２から遠い側に形成される。図１に示すように、複数の薄膜トランジスタ３０、複数本の信号線４０、および複数の有機発光ダイオード５０は、頂面Ｓ１の底面Ｓ２から遠い側に形成される。あるいは、表示基板は、頂面Ｓ１のＳ２底面から遠い側に位置するバッファ層（または中間層）をさらに含む。オプションとして、表示基板は画素定義層４００さらに含む。
【００３０】
表示基板の半導体部材を封止するために、複数の有機発光ダイオード５０、複数の薄膜トランジスタ３０および複数本の信号線４０のベース基板１０から遠い側に封止層２０を形成する。現在（ｐｒｅｓｅｎｔ）表示基板において、封止層２０の一部はベース基板１０の側面Ｓ３の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいる。図１に示すように、封止層２０は頂部２０ａと該頂部２０ａに接続される側部２０ｂを含む。頂部２０ａと側部２０ｂは全体封止層２０を形成する。頂部２０ａは複数の薄膜トランジスタ３０のベース基板１０から遠い側に位置する。封止層２０の側部２０ｂは表示基板の側面を封止する。また、側部２０ｂはベース基板１０の側面Ｓ３をほぼ取り囲んでいる。
【００３１】
図２は図１における表示基板の底面図である。図２に示すように、いくつかの実施例における封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３の全周囲ｐをほぼ取り囲んでいる。図１および図２に示すように、封止層２０のベース基板１０の底面Ｓ２を含む平面での投影は、ベース基板１０のベース基板１０の底面Ｓ２を含む平面での投影をほぼ覆う。あるいは、封止層２０の外周縁のベース基板１０の底面Ｓ２を含む平面での投影はベース基板１０の外周縁のベース基板１０の底面Ｓ２を含む平面での投影から距離ｄを離間している。あるいは、該距離は、０μｍ〜約１０００μｍの範囲以内にあり、例えば、約１μｍ〜約１０００μｍの範囲以内、約１μｍ〜約５００μｍの範囲以内、約５００μｍ〜約１０００μｍの範囲以内、約１μｍ〜約２５０μｍの範囲以内、および約１μｍ〜約１００μｍの範囲以内にある。
【００３２】
現在の表示基板と通常表示基板とのひとつの顕著な区別は、通常表示基板において、封止層２０とベース基板１０との間の接触界面がベース基板１０の頂面Ｓ１のみに位置するが、現在の表示基板において、封止層２０とベース基板１０との間の接触界面が少なくとも部分的にベース基板１０の側面Ｓ３に位置することである。図１に示すように、封止層２０の側部２０ｂはベース基板１０の側面Ｓ３と接触し、接触界面ＣＩはベース基板１０の側面Ｓ３にほぼ位置する。図３は本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図である。図３の表示基板は図１の表示基板の構成に類似する構成を有し、異なる点は、図３の表示基板において、接触界面ＣＩが部分的にベース基板１０の側面Ｓ３に位置し、部分的にベース基板１０の頂面Ｓ１に位置することにある。
【００３３】
したがって、いくつかの実施例において、表示基板の側面はベース基板１０の側面（例えば、側面Ｓ３）を含まない。一例では、ベース基板１０の側面Ｓ３は、封止層２０の側部２０ｂにほぼ覆われている。
【００３４】
図４は本開示のいくつかの実施例に係る表示基板の構成を示す概略図であり。図４に示すように、いくつかの実施例に係る表示基板は、封止層２０のベース基板１０から遠い側に位置する平坦化層６０および平坦化層６０の封止層２０から遠い側に位置する補助封止層７０をさらに含む。
オプションとして、封止層２０と補助封止層７０とのベース基板１０の底面Ｓ２を含む平面での投影は、ほぼ互いに重なる。
【００３５】
ベース基板を作製するように、種々の適切な材料を用いてもよく、ベース基板を作製するのに適する材料の例としては、ガラス、石英、ポリイミド、ポリエステル等が挙げられる。オプションとして、ベース基板はフレキシブルベース基板（例えば、ポリイミドベース基板）であり、これらに限定されるものではない。あるいは、ベース基板は相対的にフレキシブルが足りないベース基板（例えば、ガラスベース基板）である。
【００３６】
いくつかの実施例において、表示基板は有機発光表示基板である。あるいは、表示基板は、ベース基板１０に位置し、封止層２０に封止される複数の有機発光ダイオード５０をさらに含む。いくつかの実施例において、表示基板は液晶表示基板である。
【００３７】
一方、本開示は、表示基板の製造方法を提供し、いくつかの実施例において、前記方法は、支持基板にマザー基板を形成することと、マザー基板の一部がマザー基板の残りの部分と分離するように、マザー基板を切断してベース基板を形成することと、およびマザー基板を切断した後、ベース基板に表示基板を封止することに用いられる封止層を形成することとを含む。オプションとして、封止層の一部は、ベース基板の側面の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいるように形成される。あるいは、レーザーを用いてマザー基板を切断する。オプションとして、前記方法は複数の薄膜トランジスタを形成することをさらに含み、封止層は複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に形成される。オプションとして、封止層を形成するステップは、複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に封止材料を堆積することを含む。オプションとして、フレキシブル材料を用いてマザー基板を形成する。
【００３８】
いくつかの実施例において、複数の薄膜トランジスタはマザー基板に形成され、マザー基板を切断するステップの前に、複数の薄膜トランジスタを形成するステップを実行する。いくつかの実施例において、複数の薄膜トランジスタはベース基板に形成され、マザー基板を切断するステップの後、複数の薄膜トランジスタを形成するステップを実行する。
【００３９】
いくつかの実施例において、頂面と、頂面に対向する底面と、および頂面と底面を接続する側面を有するベース基板を形成するように、マザー基板を切断するステップを実行する。頂面は、底面の複数の薄膜トランジスタに近い側に形成される。底面は、頂面の複数の薄膜トランジスタから遠い側に形成される。その後、頂部と該頂部に接続される側部を有する封止層を形成するように、封止材料を堆積するステップを実行し、頂部は、表示基板を封止するように、複数の薄膜トランジスタのベース基板から遠い側に位置する。オプションとして、封止層の側部は、表示基板の側面を封止し、ベース基板の側面をほぼ取り囲んでいるように形成される。
【００４０】
いくつかの実施例において、表示基板に対応する開口を有するマスク板を用いて、封止材料を堆積するステップを実行する。オプションとして、開口を取り囲んでいるマスク板の周縁の支持基板での投影は、ベース基板の周縁の支持基板での投影から距離ｄを離間している。オプションとして、距離ｄは約１μｍ〜約５００μｍの範囲以内である。
【００４１】
いくつかの実施例において、表示基板は有機発光ダイオード表示基板であり、そして、前記方法は、封止材料を堆積する前に、ベース基板に複数の有機発光ダイオードを形成することをさらに含む。
【００４２】
図５Ａ〜図５Ｈは本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示している。図５Ａを参照して、マザー基板１０’に複数の薄膜トランジスタ３０が形成される。マザー基板１０’に複数の表示基板に対応する複数の表示基板ユニットを形成してもよい（例えば、第１の表示基板ユニット１Ａと第２の表示基板ユニット１Ｂ）。図５Ｂはマザー基板１０’の図５Ａにおける第１の表示基板ユニット１Ａに対応する部分を示している。図５Ｂを参照して、マザー基板１０’はガラス基板ような支持基板１に形成される。マザー基板１０’に各種半導体部材（例えば、各種層）、各種信号線４０、および複数の薄膜トランジスタ３０を形成するように、半導体プロセスを実行する。図５Ｃを参照して、その後、マザー基板１０’は破線に沿って切断される。破線で取り囲まれた面積は表示基板ユニットの表示領域の面積よりわずかに大きくてもよく、例えば、比較的小さい周辺領域を有する表示基板を形成する。図５Ｄは図５Ｃの基板の断面図を示している。図５Ｄに示すように、マザー基板１０’はその深さに沿って切り抜かれることにより、マザー基板１０’の一部をマザー基板の残り部分１０”と分離させる。マザー基板から分離される部分は、形成対象の表示基板のベース基板１０である。オプションとして、レーザー切断により切断ステップを実行してもよい。図５Ｅはマザー基板を切断するステップの後の基板を示している。図５Ｅに示すように、ベース基板１０は、頂面Ｓ１と、頂面Ｓ１に対向する底面Ｓ２と、および頂面Ｓ１と底面Ｓ２を接続する側面Ｓ３とを有するように形成される。頂面Ｓ１は、底面Ｓ２の複数の薄膜トランジスタ３０に近い側に位置し、底面Ｓ２は、頂面Ｓ１の複数の薄膜トランジスタ３０から遠い側に位置する。
【００４３】
図５Ｆを参照して、いくつかの実施例に係る方法は、複数の薄膜トランジスタ３０のベース基板１０から遠い側に複数の有機発光ダイオード５０形成することをさらに含む。該ステップはマザー基板を切断するステップの前に実行してもよい。あるいは、マザー基板を切断するステップの後、該複数の有機発光ダイオード５０を形成する。複数の有機発光ダイオード５０におけるそれぞれは、いずれも陽極１００と、有機発光層２００と、および陰極３００とを含む。
【００４４】
図５Ｇを参照して、マザー基板を切断するステップの後、複数の薄膜トランジスタ３０と複数の有機発光ダイオード５０とのベース基板１０から遠い側には、表示基板における表示素子を封止するように、封止材料を堆積する。図５Ｇ示すように、封止層２０は、頂部２０ａと該頂部２０ａに接続される側部２０ｂを有するように形成される。頂部２０ａは、複数の薄膜トランジスタ３０のベース基板１０から遠い側に形成される。封止層２０の側部２０ｂは、表示基板の側面を封止するように形成される。
【００４５】
封止材料を堆積するステップは、形成対象の表示基板の領域に対応する開口８０’を有するマスク板８０を用いて実行されることができる。開口８０’の大きさは、封止層２０の側部２０ｂの所望の厚さに基づいて選択されることができる。開口８０’を取り囲んでいるマスク板８０の周縁の支持基板１での投影は、ベース基板１０の周縁の支持基板１での投影から距離ｄを離間している。オプションとして、該距離は、０μｍ〜約１０００μｍの範囲以内にあり、例えば、約１μｍ〜約１０００μｍの範囲以内、約１μｍ〜約５００μｍの範囲以内、約５００μｍ〜約１０００μｍの範囲以内、約１μｍ〜約２５０μｍの範囲以内、および約１μｍ〜約１００μｍの範囲以内にある。あるいは、気相成長法（例えば、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ））を用いて封止材料を堆積するステップを実行してもよい。
【００４６】
いくつかの実施例において、封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３の少なくとも一部に形成される。あるいは、封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３の少なくとも一部をほぼ取り囲んでいるように形成される。オプションとして、封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３をほぼ取り囲んでいるように形成される。図５Ｇに示すように、図２を参照して、いくつかの実施例に係る封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３の全周囲ｐをほぼ取り囲んでいるように形成される。
【００４７】
いくつかの実施例において、現在の方法により作製された表示基板における封止層２０とベース基板１０との間の接触界面ＣＩは、少なくとも部分的にベース基板１０の側面Ｓ３に位置する。図５Ｇを参照して、封止層２０の側部２０ｂは、ベース基板１０の側面Ｓ３と接触し、接触界面ＣＩは、ベース基板１０の側面Ｓ３にほぼ位置する。図３を参照して、いくつかの実施例において、接触界面ＣＩは、部分的にベース基板１０の側面Ｓ３に位置し、部分的にベース基板１０の頂面Ｓ１に位置する。
【００４８】
図５Ｈを参照して、封止層２０を形成するステップの後、封止層２０のベース基板１０から遠い側に平坦化層６０を形成し、および平坦化層６０の封止層２０から遠い側に補助封止層７０を形成する。その後、支持基板１から（例えば、剥離）表示基板を除去して、表示基板を形成する。
【００４９】
図５Ａ〜図５Ｈに示される過程では、マザー基板を切断するステップの前に、複数の薄膜トランジスタ３０を形成する。あるいは、マザー基板を切断するステップの後、複数の薄膜トランジスタ３０を形成するステップを実行する。
【００５０】
現在の方法では、封止層を形成する前に切断過程を実行する。したがって、現在の方法では、製造過程で封止層を切断しなく、封止層を全体過程で完全に保持されるために、封止層を切断することによるクラックに関する問題を解消することができる。このため、現在の方法で作製された表示基板は、良好な耐酸化性耐湿性を有する。
【００５１】
図６Ａ〜図６Ｅは本開示のいくつかの実施例に係る表示基板を製造する過程を示している。図６Ａ〜図６Ｅに示される過程は、図５Ａ〜図５Ｈに示される過程と類似し、異なる点は、異なる切断位置処にマザー基板１０’を切断するステップを実行することにあり、接触界面ＣＩを、部分的にベース基板１０の側面Ｓ３に位置させ、部分的にベース基板１０の頂面Ｓ１に位置させ、現在の方法の各種変形を実践して表示基板を作製することができる。
【００５２】
図７は本開示のいくつかの実施例に係るマザー基板の切断位置を示している。図７を参照して、マザー基板の切断位置は、表示基板の表示領域ＤＡの周縁から幅ｗだけ離間するように選択することができる。あるいは、幅ｗは０ｍｍ〜約５ｍｍの範囲以内にあり、例えば、約０.１ｍｍ〜約５ｍｍの範囲以内、約０.１ｍｍ〜約２.５ｍｍの範囲以内、および約２.５ｍｍ〜約５ｍｍの範囲以内にある。小さな幅ｗは、表示基板の小さな周辺領域に対応する。
【００５３】
図６Ａ〜図６Ｅに示される過程では、マザー基板を切断するステップの前に、複数の薄膜トランジスタ３０を形成する。あるいは、マザー基板を切断するステップの後、複数の薄膜トランジスタ３０を形成するステップを実行する。
【００５４】
一方、本開示は、本文に説明された表示基板または本文に説明された方法により製造された表示基板を有する表示装置を提供する。あるいは、前記表示装置は有機発光ダイオード表示装置である。あるいは、前記表示装置は液晶表示装置である。適切な表示装置の例は、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートブックコンピュータ、デジタルアルバム、ＧＰＳなどを含むが、これらに限定されない。
【００５５】
模式的なまたは説明された目的ために本発明の実施例について上記の説明を示した。その旨は網羅のまたは本発明を開示された適切な形態または例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、上記の説明は、模式的なものであって限定的ではないと考えられるべきである。多くの修正や変形は当業者に明らかである。これらの実施例を選択し説明するのは、本発明の原理とその最適な形態の実際応用を説明するためのものであり、本発明を特定用途または概念の実現形態に適用した種々の実施例及び種々の変形が可能であることは当業者に理解される。本発明の範囲は添付の特許請求の範囲及びその均等形式によって限定されることであり、特に別の説明でない限り、全ての用語はその最も広い合理的な意味で解釈される。従って、用語「発明」、「本発明」等は、特許請求の範囲を特定の実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する参照は本発明を限定すると啓示しなく、このような限定を推定すべきではない。本発明は、添付の請求項の精神及び範囲のみに限定される。また、これらの請求項は、名詞または元素に付随する「第１の」、「第２の」等の用語を用いてもよい。このような用語は命名方式であると理解すべきであり、このような命名方式で修飾された要素の数を制限せず、具体的な数を与えない限り、説明されたいかなる利点及び利益は、必ずしも本発明の全ての実施例に適用されるものではない。当業者は添付の特許請求の範囲に限定された本発明の範囲を逸脱しない場合、説明された実施例を変更することができると理解されるべきである。また本開示における素子及び部品は、周知のものではなく、該素子または部品が添付の特許請求の範囲に明確的に記載されているか否かに関わらない。
【図１】
0006864111.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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