(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に処理ガスの吐出口が設けられ、一端が閉塞された外管と、一端側に処理ガスの供給口が設けられ、他端側が前記外管の閉塞された一端側の内部で開放された内管と、の二重管構造を有し、前記供給口から処理ガスが供給されることによって前記吐出口から処理ガスが吹き出されるスリットノズルであって、
前記内管の開放端から、当該開放端側の前記吐出口の端部までの間に、前記内管と前記外管との間を塞ぐ整流板を備え、
前記整流板が設けられた面において、前記外管の軸中心と前記吐出口の幅方向の中心を通る基準線からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下となる前記整流板の領域のみに、開口部が設けられている、スリットノズル。
【請求項２】
前記整流板が、前記内管の開放端面に設けられている、請求項１に記載のスリットノズル。
【請求項３】
前記整流板が設けられた面において、前記開口部が、前記基準線に対して左右対称である、請求項１又は２に記載のスリットノズル。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のスリットノズルを用いた浸珪処理法による高珪素鋼帯の製造方法であって、
前記スリットノズルの複数を、浸珪処理炉内の鋼帯の通板方向に、当該通板方向に隣接するスリットノズル又はスリットノズル群ごとに、前記スリットノズルの処理ガスの供給口が交互に異なる方向となるように配置し、
四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む処理ガスを、前記処理ガスの供給口から前記スリットノズル内に供給し、前記スリットノズルの処理ガスの吐出口から、通板する鋼帯に前記処理ガスを吹き付ける工程を有する、高珪素鋼帯の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スリットノズル及び高珪素鋼帯の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑えることができる二重管構造を有するスリットノズル、及び当該スリットノズルを用いた高珪素鋼帯の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｓｉ含有量が４質量％以上の高珪素鋼帯を工業的に製造する方法として、浸珪処理法が知られている。この製造方法は、Ｓｉ濃度が４質量％未満の薄鋼帯に、高温下で四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む処理ガスを吹き付けてＳｉを鋼帯に浸透させるとともに、熱処理することで鋼帯表面に浸透したＳｉを板厚方向に拡散させ、高珪素鋼帯を連続的に製造する方法である。【０００３】
処理ガスを吹き付ける方法としては、浸珪処理炉内において、処理ガスの吐出口（スリット）を有するスリットノズルを、鋼帯の表面側及び裏面側のそれぞれに配置し、ガスの吐出口から鋼帯に処理ガスが吹き付けられる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００４】
また、スリットノズル１０としては、図１０に断面図を示すように、処理ガスの吐出口（スリット）２１を有する外管２０と、一端側から処理ガスが供給され他端側が外管２０内部で開放された内管３０との二重管構造を有するノズルが知られている（例えば、特許文献２参照）。【０００５】
図１０に示すように、このようなスリットノズル１０を用いて、鋼帯に処理ガスを吹き付ける場合、処理ガスの流量は、ガスの供給口３１側から離れるほど多くなる。そのため、この方法ではスリットノズルから吹き出される処理ガスの流量のばらつきに起因して、鋼帯の、板幅方向におけるＳｉ濃度が不均一になる。これにより格子定数差による板形状不良や磁気特性のむらを生じるという問題があった。【０００６】
このような問題を解決するため、図１１に示すように、鋼帯１１に対し、炉長方向で隣接するスリットノズル１０に交互に異なる端部側から処理ガスを供給することで、板幅方向でのＳｉ濃度のばらつきを抑制できる高珪素鋼帯の製造方法が知られている（例えば、特許文献２及び３参照）。【０００７】
しかし、上記特許文献２及び３の製造方法でも、高珪素鋼帯の板幅方向でのＳｉ濃度のばらつきの抑制は十分ではなかった。そのため、従来のスリットノズルよりも、軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑制できる、二重管構造を有するスリットノズルが望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−２２７０７８号公報
【特許文献２】特開平８−１７６７９３号公報
【特許文献３】特開平５−９７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑えることができる二重管構造を有するスリットノズルを提供することである。また、板幅方向におけるＳｉ濃度のばらつきの小さい高珪素鋼帯を安定して製造できる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、二重管構造内の内管の開放端から処理ガスの吐出口の端部までの間に、所定の整流板を設けることによって、軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑えることができることを見いだし、本発明に至った。【００１１】
上記課題を解決するための本発明の要旨は以下の通りである。
［１］軸方向に処理ガスの吐出口が設けられ、一端が閉塞された外管と、一端側に処理ガスの供給口が設けられ、他端側が前記外管の閉塞された一端側の内部で開放された内管と、の二重管構造を有し、前記供給口から処理ガスが供給されることによって前記吐出口から処理ガスが吹き出されるスリットノズルであって、
前記内管の開放端から、当該開放端側の前記吐出口の端部までの間に、前記内管と前記外管との間を塞ぐ整流板を備え、
前記整流板が設けられた面において、前記外管の軸中心と前記吐出口の幅方向の中心を通る基準線からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下となる前記整流板の領域のみに、開口部が設けられている、スリットノズル。
［２］前記整流板が、前記内管の開放端面に設けられている、［１］に記載のスリットノズル。
［３］前記整流板が設けられた面において、前記開口部が、前記基準線に対して左右対称である、［１］又は［２］に記載のスリットノズル。
［４］［１］から［３］のいずれかに記載のスリットノズルを用いた浸珪処理法による高珪素鋼帯の製造方法であって、
前記スリットノズルの複数を、浸珪処理炉内の鋼帯の通板方向に、当該通板方向に隣接するスリットノズル又はスリットノズル群ごとに、前記スリットノズルの処理ガスの供給口が交互に異なる方向となるように配置し、
四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む処理ガスを、前記処理ガスの供給口から前記スリットノズル内に供給し、前記スリットノズルの処理ガスの吐出口から、通板する鋼帯に前記処理ガスを吹き付ける工程を有する、高珪素鋼帯の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、二重管構造を有するスリットノズルにおいて、軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑えることができる。また、当該スリットノズルを用いて、板幅方向のＳｉ濃度のばらつきの小さい高珪素鋼帯を安定して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、浸珪処理炉内でのスリットノズルと鋼帯を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明のスリットノズルの一例を示す断面図である。
【図３】図３は、整流板の一例を示す図２のIII-III線における断面図である。
【図４】図４は、基準線からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下となる整流板の領域を説明するための断面図である。
【図５】図５は、高珪素鋼帯の連続製造ラインの一例を示す概略図である。
【図６】図６は、スリットノズルの処理ガスの供給口を交互に異なる方向になるように配置した場合の模式図である。
【図７】図７は、実施例１の評価結果を示すグラフである。
【図８】図８は、実施例２の評価結果を示すグラフである。
【図９】図９は、実施例３の評価結果を示すグラフである。
【図１０】図１０は、従来例のスリットノズルを示す断面図である。
【図１１】図１１は、従来例における、スリットノズルの処理ガスの供給口を交互に異なる方向になるように配置した場合の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。また、図面中には、スリットノズル内を流れる処理ガスや、スリットノズルへ供給する処理ガスの流れの向きを矢印で示している。
【００１５】
本発明は、内管と外管の二重管構造を有し、吐出口から処理ガスが吹き出されるスリットノズルである。なお、以下の実施形態の説明では、スリットノズルを用いて鋼帯にＳｉを浸珪する浸珪処理を行う例を挙げて説明するが、これに限られるものではなく、本発明の効果が得られれば、他の用途にも適用可能である。例えば、スリットノズルは、鋼板へＴｉＮ等のセラミック被膜を形成する際に用いてもよく、鋼以外にもアルミ板や銅板等へ各種化学蒸着処理をする際に用いることもできる。
【００１６】
スリットノズル１０を用いた浸珪処理は、浸珪処理炉内において、処理ガスの吐出口（スリット）２１を有するスリットノズル１０を鋼帯１１の表面側及び裏面側のそれぞれに配置し、スリットノズル１０の吐出口２１から、鋼帯１１に高温下で四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む処理ガスを吹き付けてＳｉを鋼帯に浸透させる（図１参照）。また、熱処理することで鋼帯表面に浸透したＳｉを板厚方向に拡散させ、高珪素鋼帯を連続的に製造する。
【００１７】
図２に、図１のスリットノズル１０の断面図を示す。図２のスリットノズル１０は、本発明のスリットノズルの一例を示す断面図であり、外管２０と、内管３０との二重管構造を有している。また、スリットノズル１０の内部には、スリットノズル１０内の処理ガスの流れを調整する整流板４０が設けられている。
【００１８】
外管２０には、軸方向Ｄ２に処理ガスの吐出口（スリット）２１が設けられている。また、外管２０の一端（図２の左側の端部）は閉塞されている。また、図２に示した例では、外管２０の他端（図２の右側の端部）は、内管３０を内部に配置できるように内管３０の外径に合った穴が開いており、その他の部分は閉塞されているが、外管２０の他端（図２の右側の端部）は必ずしも閉塞されていなくともよい。
【００１９】
内管３０は、外管２０の内部に設けられている。また、内管３０は、一端側（図２の右側）に処理ガスの供給口３１が設けられており、他端側（図２の左側）が外管２０の閉塞された一端側の内部で開放されている。
【００２０】
また、図２に示すように、スリットノズル１０の供給口３１から処理ガスが吹き込まれると、処理ガスは内管３０の内部を通過して、内管３０の開放端３２から外管２０の閉塞された一端側の内部に向かって吹き出される。次に、処理ガスは、外管２０の内部で折り返して、外管２０と内管３０との間の空隙部を流れ、最終的に外管２０に設けられた吐出口２１から吹き出される。
【００２１】
整流板４０は、図２に示す例では、内管３０の開放端面に設けられており、内管３０と外管２０との間を塞いでいる。なお、整流板４０を設ける位置はこれに限られず、開放端３２から当該開放端３２側の吐出口２１の端部までの間Ｂ１に設けられていればよい（図２参照）。ただし、製造効率の観点から、上述した内管３０の開放端面に設けられていることが好ましい。
【００２２】
また、図３は、図２のIII-III線の断面図であり、整流板４０が設けられた面を示している。また、吐出口２１を整流板４０が設けられた面に投影して記載している。図３に示すように、整流板４０には、整流板４０が設けられた面において、外管２０の軸中心Ｃ１と吐出口２１の幅方向の中心を通る線（以下、単に基準線Ｌ０という。）からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下となる整流板４０の領域のみに、開口部４１が設けられている。
【００２３】
また、外管２０の軸方向Ｄ２に垂直な方向の幅Ｗ２（図３参照）は、本発明の効果を有効に得る観点から、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。また、この幅Ｗ２は、本発明の効果を有効に得る観点から、外管２０の外径の１５％以下であることが好ましい。
【００２４】
なお、基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下の整流板４０の領域は、図４において一点鎖線Ｌ２で囲んだ部分である。
【００２５】
また、図３及び図４には、基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°となる位置の線Ｌ２７．５と、基準線Ｌ０からの中心角が３３２．５°の位置となる線Ｌ３３２．５を、それぞれ点線で示している。
【００２６】
次に、整流板４０によって調整される、スリットノズル１０内の処理ガスの流れについて説明する。
【００２７】
上述したとおり、基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下となる整流板４０の領域のみに、開口部４１が設けられている。つまり、基準線Ｌ０からの中心角が０°以上２７．５°より小さい領域と、基準線Ｌ０からの中心角が３３２．５°より大きく３６０°より小さい領域は、整流板４０で完全に塞がれている。これにより、内管３０の開放端３２から外管２０の内部に吹き出された処理ガスが、外管２０内部で折り返されて、吐出口２１に向かって流れていく際に、本来であれば当該整流板４０の位置を通過しようとした処理ガスが、整流板４０に当たって流速が低下する。したがって、従来のスリットノズル１０において、処理ガスの吹き出し量を不均一にさせていた原因である、内管３０の下部から処理ガスの吐出口２１に向かって流れる処理ガス（図１０の矢印Ｇ１で示す処理ガス）の流速を低下させることができる。これにより、吐出口２１から吹き出されるガス流量の軸方向Ｄ２におけるばらつきを抑えることができたと考えられる。
【００２８】
また、図３に示した例では、整流板４０には、３つの開口部４１が設けられている。なお、開口部４１の数は変更可能であり、例えば、１つ又は２つでもよく、４つ以上であってもよい。
【００２９】
開口部４１は、整流板４０が設けられた面において、基準線Ｌ０に対して左右対称であることが好ましい。これにより、軸方向Ｄ２における吹き出されるガス流量のばらつきをより抑えることができる。
【００３０】
また、開口部４１の面積比率Ｒを下記式のとおり定義したとき、本発明の効果を有効に得つつ、整流板４０の強度も得る観点から、面積比率Ｒは５５％以上７５％以下であることが好ましい。
【００３１】
面積比率Ｒ＝開口部の面積／基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下の整流板４０の領域の面積（図４で一点鎖線Ｌ２で囲んだ部分の面積）
次に、本発明の高珪素鋼帯（Ｓｉ含有量が４質量％以上の鋼帯）の製造方法について説明する。本発明の高珪素鋼帯の製造方法は、本発明のスリットノズル１０を用いた浸珪処理法によって行う。
【００３２】
図５に、浸珪処理法による高珪素鋼帯の連続製造ラインの一例を示す。この製造ラインでは、ペイオフリール１０１から繰り出された鋼帯１１（例えば、３質量％Ｓｉ鋼帯）が、クリーニング設備１０２を経て、非酸化性雰囲気の加熱帯１０３で浸珪処理温度又はその近傍温度まで加熱された後、浸珪処理炉１０４に導入される。
【００３３】
浸珪処理炉１０４内には、炉長方向（通板方向Ｄ１）に間隔をおいて複数の本発明のスリットノズル１０が配置されている。浸珪処理炉１０４内において、スリットノズル１０から反応ガスである四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）を含む処理ガスが鋼帯１１の両面に吹き付けられる。吹き付けられたＳｉＣｌ4が鋼帯１１のＦｅと反応することにより、鋼帯１１の表層にＳｉが富化される。
【００３４】
次いで、鋼帯１１は、拡散均熱帯１０５に導かれ、ＳｉＣｌ4を含まない非酸化性雰囲気中でＳｉを板厚方向に拡散させる拡散熱処理が施される。冷却帯１０６で冷却された後、絶縁皮膜コータ１０７及びオーブン１０８で絶縁皮膜コーティングされ、製品鋼帯（例えば、Ｓｉ含有量が６．５質量％の高珪素鋼帯）としてテンションリール１０９に巻き取られる。
【００３５】
また、本発明の高珪素鋼帯の製造方法は、浸珪処理炉１０４内において、スリットノズル１０の複数を、浸珪処理炉１０４内の鋼帯１１の通板方向Ｄ１に、当該通板方向Ｄ１に隣接するスリットノズル１０又はスリットノズル群ごとに、スリットノズル１０の処理ガスの供給口３１が交互に異なる方向となるように配置することが好ましい（図６参照）。ここで、スリットノズル群とは、２つ以上のスリットノズル１０から構成される群を意味する。なお、図６は鋼帯１１の片面側のみ示しているが、反対側にも同様にスリットノズル１０が設けられている。
【００３６】
そして、高珪素鋼帯の製造方法は、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む処理ガスを、処理ガスの供給口３１から上記のように配置したスリットノズル１０内に供給し、スリットノズル１０の吐出口２１から、通板する鋼帯１１に処理ガスを吹き付ける工程を有する。
【００３７】
なお、本発明のスリットノズル１０は、軸方向Ｄ２において、吐出口２１から吹き出される処理ガス量の流速のばらつきが小さいので、スリットノズル１０を処理ガスの供給口３１が同じ方向となるように配置することも可能である。ただし、上述したように、交互に異なる方向となるように配置することで、浸珪処理炉内に配置した複数のスリットノズル１０全体として、軸方向Ｄ２（通板方向Ｄ１に垂直な方向）における吹き出されるガス流量のばらつきをより抑えることができる。よって、浸珪処理法によって、板幅方向のＳｉ濃度のばらつきの小さい高珪素鋼帯を安定して製造することができる。
【００３８】
以上で説明した本発明の実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。すなわち、本発明の範囲は、上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例１：整流板における開口部の位置の評価］
＜スリットノズル１の製造＞
外管（内径：１２０ｍｍ、外径：１４０ｍｍ、処理ガスの吐出口：７０ｃｍ（軸方向）×１０ｍｍ（軸方向に垂直な方向））と、内管（内径：６０ｍｍ、外径：７０ｍｍ）と、後述する整流板１を準備した。そして、外管の軸中心と内管の軸中心とが一致するようにして、外管内部に内管を配置し、整流板１を内管の開放端面に設けて、図２に示すようなスリットノズル１を製造した。ここで、外管の閉塞された端部の面と内管の開放端の面との距離は２５ｍｍとなるようにした。【００４０】
整流板１には、後述する開口部を３つ設けた。また、３つの開口部の大きさはすべて等しいものである。整流板１の３つの開口部は、それぞれ、開口部の幅Ｗ１：１０ｍｍ、開口部の中心角の開度Ａ１：５０°である（図４参照）。また、開口部は、整流板が設けられた面において、基準線Ｌ０からの中心角の角度が、３５°以上８５°以下、１５５°以上２０５°以下、及び２７５°以上３２５°以下の領域に設けられている。
＜スリットノズル２〜６の製造＞
整流板１において、開口部が設けられた領域の基準線Ｌ０からの中心角の角度を、表１に示すように変更して、整流板２〜６を作製した。また、整流板１を整流板２〜６に変更した以外はスリットノズル１の製造方法と同様にして、スリットノズル２〜６を製造した。【００４１】
なお、整流板２〜６の、開口部の幅Ｗ１、及び開口部の中心角の開度Ａ１は、整流板１と同じ条件にしている。したがって、整流板１〜６は、ぞれぞれ、開口部を設けた位置を変更しているのみであり、それぞれ３つの開口部の面積の合計は等しい。【００４２】
【表１】
0006860088.tif 000002
【００４３】
また、下記式のように面積比率Ｒを定義したとき、本発明例の整流板１〜３の面積比率Rは、それぞれ６２．３％であった。【００４４】
面積比率Ｒ＝開口部の面積／基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下の整流板の領域の面積（図４で一点鎖線Ｌ２で囲んだ部分の面積）
＜吹き出され処理ガスの流速の測定と評価＞
スリットノズル１〜６に対し、供給口から２．３ｍ／ｓｅｃで処理ガスを供給し、処理ガスの吐出口から吹き出される処理ガスの流速を測定した。処理ガスの流速の測定には、処理ガスとして、窒素を用いた。【００４５】
図７に、測定結果である、軸方向位置（ｃｍ）と、処理ガスの流速（ｍ／ｓeｃ）との関係を示すグラフを示す。ここで、横軸の軸方向位置（ｃｍ）は、０ｃｍが吐出口の端部のうち処理ガスの供給口側の端部に相当する。また、７０ｃｍが、吐出口の端部のうち内管の開放端側の端部に相当する。【００４６】
図７に示したグラフの結果より、基準線Ｌ０からの中心角が２７．５°以上３３２．５°以下の整流板４０の領域のみに開口部が設けられているスリットノズル１〜３では、軸方向位置０〜７０ｃｍにおいて、処理ガスの流速を２．２８〜２．３２ｍ／ｓｅｃの範囲に収めることができた。したがって、スリットノズル１〜３では、吐出口から吹き出されるガス流量の軸方向Ｄ２におけるばらつきを抑えることができることが分かった。
［実施例２：交互にスリットノズルを配置したときの処理ガスの流速評価］
実施例１のスリットノズル３（本発明例）を、鋼帯に対して、処理ガスの供給口が交互に異なる方向（反対側となる方向）となるように２つ配置した。ここで、２つのスリットノズル１の吐出口（スリット）の位置が、鋼帯の通板方向に一致するように配置した。【００４７】
また、２つ配置したスリットノズルにおいて、一方のガスノズルは処理ガスを流速１．５ｍ／ｓｅｃ、もう一方は流速３．０ｍ／ｓｅｃで、処理ガスの供給口から処理ガスを供給し、処理ガスの吐出口から吹き出される処理ガスの流速を測定した。流速評価での処理ガスとしては、窒素を用いた。また、２つのスリットノズルの軸方向位置での流速をそれぞれ測定し、同じ軸方向位置での流速の和を軸方向位置での処理ガスの流速とした。【００４８】
また、比較例（従来例）として、整流板を設けなかったスリットノズル７を２つ準備した。そして、スリットノズル３（本発明例）をスリットノズル７に変更した以外は同様にして、２つのスリットノズル１の吐出口（スリット）の位置が、鋼帯の通板方向に一致するように配置した。そして、本発明例と同様に処理ガスをスリットノズル７内に供給し、
本発明例と同様に、処理ガスの吐出口から吹き出される処理ガスの流速を測定した。【００４９】
図８に、本発明例のスリットノズル３と比較例スリットノズル７を用いた際の処理ガスの流速の測定結果のグラフを示す。図８に示すグラフは、軸方向位置と、処理ガスの流速との関係を示している。【００５０】
ここで、図８に示す横軸の軸方向位置（ｃｍ）は、０ｃｍが処理ガスを流速１．５ｍ／ｓｅｃで供給したスリットノズルにおける、吐出口の端部のうち処理ガスの供給口側の端部に相当する。また、７０ｃｍが、当該スリットノズルにおける、吐出口の端部のうち内管の開放端側の端部に相当する。【００５１】
図８に示したように、比較例のスリットノズルを用いた場合は、軸方向において、処理ガスの流速のばらつき（最大値−最小値）が０．４２ｍ／ｓｅｃであった。これに対し、本発明例のスリットノズルを用いた場合は、軸方向において、処理ガスの流速のばらつき（最大値−最小値）を０．１７ｍ／ｓｅｃに抑えることができた。
［実施例３：高珪素鋼帯の製造評価］
珪素鋼帯（板厚：１００μｍ、板幅：６００ｍｍ、Ｓｉ濃度：３．４質量％、ヤング率：２１０ＧＰａ（常温））を準備し、図５に示した連続製造ラインによって、珪素量が６．５質量％の高珪素鋼帯を製造した。【００５２】
本発明例の高珪素鋼帯の製造では、図５に示した連続製造ラインのうち、浸珪処理炉内において、実施例１のスリットノズル３（本発明例）を、鋼帯に対して、処理ガスの供給口が交互に異なる方向（反対側となる方向）となるように、鋼帯の表面及び裏面に２つずつ配置した。また、実施例２と同様に、通板方向に２つ配置したスリットノズルにおいて、一方のガスノズルは処理ガスを流速１．５ｍ／ｓｅｃ、もう一方は流速３．０ｍ／ｓｅｃで、処理ガスの供給口から処理ガス（四塩化ケイ素を含む処理ガス）を供給した。【００５３】
また、比較例の高珪素鋼帯の製造では、スリットノズル３をスリットノズル７に変更して、その他は本発明例と同様にした。【００５４】
製造した高珪素鋼帯について、板幅方向における表層Ｓｉ濃度偏差（質量％）を測定した結果を図９に示す。ここで、表層Ｓｉ濃度偏差（質量％）は、板幅方向の中央の位置を基準（０質量％）として、基準の位置のＳｉ濃度に対する濃度差を表層Ｓｉ濃度偏差（質量％）として示している。表層Ｓｉ濃度は、蛍光X線分析によって測定した。【００５５】
図９の結果からわかるとおり、比較例のスリットノズルを用いた場合は、表層Ｓｉ濃度偏差（質量％）のばらつき（最大値−最小値）は０．５５質量％であった。これに対し、本発明例のスリットノズルを用いた場合は、表層Ｓｉ濃度偏差（質量％）のばらつき（最大値−最小値）を０．１０質量％に抑えることができた。【００５６】
以上の実施例の結果より、本発明によれば、軸方向における吹き出されるガス流量のばらつきを抑えることができる二重管構造を有するスリットノズルを提供できることが分かった。また、本発明のスリットノズルを用いて板幅方向のＳｉ濃度のばらつきの小さい高珪素鋼帯を安定して製造できることがわかった。
【符号の説明】
【００５７】
１０    スリットノズル
１１    鋼帯
２０    外管
２１    吐出口
３０    内管
３１    供給口
３２    開放端
４０    整流板
４１    開口部
１０１  ペイオフリール
１０２  クリーニング設備
１０３  加熱帯
１０４  浸珪処理炉
１０５  拡散均熱帯
１０６  冷却帯
１０７  絶縁皮膜コータ
１０８  オーブン
１０９  テンションリール
Ｄ１    通板方向
Ｄ２    軸方向
Ｌ０    基準線
【図１】
0006860088.tif 000003
【図２】
0006860088.tif 000004
【図３】
0006860088.tif 000005
【図４】
0006860088.tif 000006
【図５】
0006860088.tif 000007
【図６】
0006860088.tif 000008
【図７】
0006860088.tif 000009
【図８】
0006860088.tif 000010
【図９】
0006860088.tif 000011
【図１０】
0006860088.tif 000012
【図１１】
0006860088.tif 000013