(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒を含む塗工液膜が塗工される上面と、前記塗工液膜の液周縁部の反対側にある下面側周縁部を有する下面とを含む基板を収容するチャンバと、
前記チャンバの内部を減圧排気する減圧排気部と、
前記塗工液膜からの前記溶媒の気化を促進する気化促進部とを備える減圧乾燥装置であって、
前記気化促進部は、前記チャンバの内部よりも高温に加熱される接触加熱部であり、
前記接触加熱部は、前記下面側周縁部に対向配置される接触端を有し、
前記接触加熱部の前記接触端が前記下面側周縁部に接触して前記液周縁部を加熱することによって、前記液周縁部からの前記溶媒の気化が促進されることを特徴とする、減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記塗工液膜は、平面視で矩形形状であり、
前記接触加熱部は、平面視で矩形形状であることを特徴とする、請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
前記接触端は、先端の尖ったナイフエッジ形状をしていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項４】
前記基板の前記下面を支持する支持ピンと、前記支持ピンを上下に移動させるピン昇降モータとを有するピン昇降部をさらに備え、前記ピン昇降部によって前記基板の前記下面に対する前記支持ピンの離接を制御し、
前記液周縁部を加熱するとき、前記支持ピンは、前記基板の前記下面から離れていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項５】
前記接触加熱部は、前記液周縁部の直下に配設されることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記チャンバの内部を常温よりも高温に加熱するチャンバ加熱部を、前記チャンバの内部に配設することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、減圧乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に形成された塗工膜の膜周縁部では、膜周縁部よりも内側に位置する膜内周部に比べて膜厚が大きくなる現象（いわゆる、エッジビード：edge-bead）が知られている。半導体デバイスの分野では、エッジビードが発生すると、基板内でチップとして利用可能な有効面積が縮小し、歩留りが低下する。表示ディスプレイの分野では、エッジビードの存在は、画像品位に直接的な影響を及ぼす。したがって、膜厚均一性の高い塗工膜を基板上に形成するための様々な取り組みがなされている。
【０００３】
特許文献１は、液送ポンプからの塗工液の吐出とダイヘッドおよび基板の間の相対移動とのタイミングを制御する塗工装置を開示する。特許文献２は、塗布領域の周縁部に対してライン状の塗工膜をあらかじめ形成しておき、ライン状の塗工膜によって面状の塗工膜の広がりを規制する塗工装置を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１３７７６４号公報
【特許文献２】特開２００７−００７６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、塗工液の特性（材質や粘度）、所望とする塗工膜の厚みが変わると、その都度、制御を調整する必要があるという問題がある。特許文献２では、ライン状の塗工膜を形成する工程と、面状の塗工膜を形成する工程という２つの膜形成工程が必要になるので、生産時間が長くなるという問題がある。特許文献１および特許文献２のいずれもが、塗工液膜を基板上に塗工することに関し、塗工後に行われる減圧乾燥に関するものではない。
【０００６】
基板に塗工される塗工液膜は、揮発性の溶媒を多量に含み、その後の減圧乾燥によって揮発性の溶媒が気化して抜けていくので、減圧乾燥における揮発性の溶媒の気化が、それ以降の形状を画定する上で多大な影響を及ぼす。それにもかかわらず、従来、減圧乾燥について十分な検討がなされていなかった。
【０００７】
そこで、この発明の課題は、膜厚均一性の高い塗工膜を基板上に形成できる減圧乾燥装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、この発明の一態様に係る減圧乾燥装置は、
溶媒を含む塗工液膜が塗工された基板を収容するチャンバと、
前記チャンバの内部を減圧排気する減圧排気部と、
前記塗工液膜からの前記溶媒の気化を促進する気化促進部とを備える減圧乾燥装置であって、
前記気化促進部を、前記基板に塗工された前記塗工液膜の液周縁部の周辺に配設することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、液周縁部の周辺に配設される気化促進部により、液周縁部が保形性を有するともに、それ以外の部分が液周縁部に向けて流動することによって、液周縁部においてレベリングが行われるので、膜厚均一性の高い塗工膜を基板上に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る減圧乾燥装置を含む塗工乾燥装置の模式図である。
【図２】塗工液膜が塗工された基板の断面図である。
【図３】接触加熱部の斜視図である。
【図４】開放状態にある減圧乾燥装置を説明する断面図である。
【図５】減圧乾燥状態にある減圧乾燥装置を説明する断面図である。
【図６】図５に示した減圧乾燥装置に配設された基板を上方から見た模式図である。
【図７】取出可能状態にある減圧乾燥装置を説明する断面図である。
【図８】変形例に係る減圧乾燥装置を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、この発明に係る減圧乾燥装置３の実施の形態を説明する。
【００１２】
〔実施形態〕
図１を参照しながら、一実施形態に係る減圧乾燥装置３を含む塗工乾燥装置１を説明する。図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置３を含む塗工乾燥装置１の模式図である。
【００１３】
図１に示すように、塗工乾燥装置１は、塗工装置２、減圧乾燥装置３、硬化装置４および搬送ロボット５を備えている。
【００１４】
塗工装置２では、図２のように、溶質および揮発性の溶媒を含む塗工液が、基板７の上面に塗工されて、塗工液膜８が塗工される。基板７上に塗工された塗工液膜８は、塗工液膜８の周縁部に位置する液周縁部４９と、液周縁部４９の近傍であって液周縁部４９よりも内側に位置する液内周部４８とを有する。塗工液膜８が平面視で矩形形状をしている場合、液周縁部４９は、矩形の４つの辺に対応した矩形形状をしている。基板７は、基板７を挟んで液周縁部４９の反対側において、液周縁部４９に対応する下面側周縁部３９を有する。
【００１５】
塗工装置２は、例えば、塗工液を吐出口から吐出するスリット状のノズルを基板７に対して相対的に走査して塗工液膜８を塗工する、いわゆるスリットコーターである。当該構成によれば、フラットパネルディスプレイや半導体の製造に用いられる大型の基板７に対して、フォトレジスト液などからなる塗工液膜８を均一に塗工できる。もちろん、例えばスピンコートのような他方式の塗工装置を用いることができる。なお、所望厚みの塗工膜を形成するには、揮発性の溶媒の気化を考慮して、塗工膜よりも厚みの厚い塗工液膜８が形成される。
【００１６】
塗工液膜８が塗工された基板７は、搬送ロボット５によって塗工装置２から減圧乾燥装置３に搬送される。減圧乾燥装置３では、塗工液膜８に含まれる揮発性の溶媒を気化させる（すなわち、塗工液膜８を乾燥させる）ことにより、厚みが薄くなった塗工液膜８が形成される。なお、減圧乾燥装置３の構成および動作の詳細については、後述する。
【００１７】
厚みが薄くなった塗工液膜８が形成された基板７は、搬送ロボット５により減圧乾燥装置３から硬化装置４に搬送される。硬化装置４は、熱や紫外線などを用いて、乾燥された塗工液膜８を硬化させることにより、塗工膜を形成する。硬化装置４は、基板７を一枚ごと加熱する枚葉式の加熱であってもよいし、複数の基板７を一括して加熱するバッチ式や連続式の加熱であってもよい。
【００１８】
次に、図３から図７を参照しながら、減圧乾燥装置３の構成および動作について説明する。
【００１９】
図４に示すように、減圧乾燥装置３は、チャンバ６と、ピン昇降部１７と、下加熱部１２と、上加熱部２２と、接触加熱部３０と、減圧排気部２０と、復圧部１９と、制御部（図示せず）とを備える。
【００２０】
チャンバ６は、基板７を収容して、基板７に対して減圧乾燥処理（＝減圧処理＋加熱処理）を行うための内部空間１０を有する耐圧容器である。チャンバ６は、互いに離間可能なベース１１と蓋２１とから構成されている。ベース１１は、図示しない装置フレーム上に設置されている。
【００２１】
蓋２１には、蓋２１を上下に駆動する蓋昇降機構２７が接続されている。これにより、図示しない制御部からの昇降指令に応じて蓋昇降機構２７が動作することで、ベース１１に対して蓋２１が上下に移動する。図５のように蓋２１を下降させたときには、ベース１１と蓋２１とが当接して一体となり、その内部に内部空間１０（基板７の処理空間）が形成される。ベース１１の上面の周縁部には、Ｏリング溝１１ｂが設けられている。Ｏリング溝１１ｂには、シリコンゴムなどの弾性体で構成されたＯリング１１ａが取り付けられている。蓋２１の下降時には、ベース１１の上面と蓋２１の下面との間に介在されるＯリング１１ａにより、チャンバ６の内部空間１０が気密状態となる。一方、図７のように蓋２１の上昇時には、チャンバ６が開放され、チャンバ６の内部空間１０に対して基板７の出し入れが可能になる。基板７がピン昇降部１７によって持ち上げられる。持ち上げられた基板７は、搬送ロボット５によって減圧乾燥装置３から硬化装置４に搬送される。
【００２２】
チャンバ６の内部空間１０を減圧するために、減圧排気部２０が設けられている。減圧排気部２０は、揮発性の溶媒を含むガス（以下「排気ガス」という）を、チャンバ６の内部空間１０から排気する排気ポンプ２０である。チャンバ６と排気ポンプ２０との間は、排気管１８によって接続されている。排気管１８の途中には、排気ガスの排気量を制御する排気バルブ１８ａが設けられている。図５に示すように、チャンバ６の内部空間１０を気密状態にした状態で、制御部からの動作指令に応じて排気ポンプ２０が作動するとともに制御部からの開閉指令に応じて排気バルブ１８ａを開くと、排気バルブ１８ａの開度に応じた排気量で排気ガスが排気管１８を通じて排気ラインに排気され、内部空間１０が所定の圧力に減圧される。内部空間１０の圧力を減圧することにより、塗工液膜８に含まれる揮発性の溶媒が気化する。
【００２３】
減圧された内部空間１０を大気圧に復圧するために、復圧部１９が設けられている。復圧部１９は、外部からのガス（以下、「外部ガス」という）をチャンバ６の内部空間１０に導入する復圧管１９ａと、外部ガスの導入量を制御する復圧バルブ１９ｂとを有する。内部空間１０が減圧された状態で、制御部からの開閉指令に応じて復圧バルブ１９ｂを開くと、復圧バルブ１９ｂの開度に応じて、外部ガスが復圧管１９ａを通じて内部空間１０に導入され、内部空間１０が大気圧に復圧する。
【００２４】
下加熱部１２は、下支持部１３を介して、ベース１１の上面に立設されている。上加熱部２２は、上支持部２３を介して、蓋２１の下面から吊り下げられている。上加熱部２２および下加熱部１２は、例えば、電熱ヒータであり、制御部からの加熱指令に応じて内部空間１０を所定の温度に昇温し、基板７を上下から加熱する。下加熱部１２および上加熱部２２は、チャンバ加熱部として働き、チャンバ６の内部温度を常温（２０℃）よりも高温になるように、温度制御される。当該構成によれば、塗工液膜８に含まれる揮発性の溶媒が気化することを促進できる。
【００２５】
接触加熱部３０は、下加熱部１２を介して、ベース１１の上面に立設されている。接触加熱部３０は、図３のように平面視で矩形形状をしている。接触加熱部３０は、熱伝導性の良い金属材料、例えばアルミニウムや銅から構成されている。接触加熱部３０は、熱容量の大きな材料、例えば樹脂材料から構成することもできる。接触加熱部３０は、基板７の下面に向けて延在している。接触加熱部３０は、例えば外側から内側に向けて斜め上方に延在している。すなわち、接触時において、接触加熱部３０の下端は、塗工液膜８よりも外側に位置し、接触加熱部３０の上端すなわち接触端３１は、基板７を挟んで液周縁部４９の反対側にある下面側周縁部３９に位置するように構成される。すなわち、接触加熱部３０は、下面側周縁部３９および基板７の厚み部分を介して、液周縁部４９の周辺に配設され、好ましくは、液周縁部４９の直下に配設される。
【００２６】
接触加熱部３０の上端である接触端３１は、先端が尖ったナイフエッジ形状をしており、基板７の下面側周縁部３９に対して線状に接触するように構成されている。接触加熱部３０の接触端３１の反対側すなわち下端側には、接触加熱用加熱源３２として、例えば、電熱ヒータが設けられている。接触加熱用加熱源３２からの熱は、接触加熱部３０の本体部を伝導して、接触端３１に伝導する。接触加熱用加熱源３２は、制御部によって制御される。接触加熱部３０は、チャンバ６の内部よりも高温に加熱される。当該構成によれば、液周縁部４９において塗工液膜８に含まれる揮発性の溶媒が、気化することを促進できる。制御部からの加熱指令に応じて接触加熱用加熱源３２を所定の温度に加熱すると、接触加熱部３０は、接触端３１を介して、基板７の下面側周縁部３９を接触加熱する。基板７の下面側周縁部３９、基板７の厚み部分、および塗工液膜８の液周縁部４９が、この順番で接触加熱される。当該構成によれば、簡単な構成で、液周縁部４９を下面側から加熱できる。
【００２７】
ピン昇降部１７は、複数の支持ピン１４と、リンク１５と、ピン昇降モータ１６とを備える。複数の支持ピン１４として、例えば図６に示すように、４つの支持ピン１４が配設されている。各支持ピン１４の頭部が基板７の下面に当接することにより、基板７が、チャンバ６の内部空間１０において水平姿勢で支持される。各支持ピン１４は、ベース１１および下加熱部１２を貫通してチャンバ６の内部空間１０に突出している。複数の支持ピン１４は、チャンバ６の外部に配置されたリンク１５によって一体化されている。
【００２８】
リンク１５には、ピン昇降モータ１６が接続されている。制御部からの昇降指令に応じてピン昇降モータ１６が作動することで、リンク１５によって一体となった複数の支持ピン１４が上下に移動する。複数の支持ピン１４上に基板７を載置しつつピン昇降モータ１６を作動させることにより、搬送ロボット５による基板７の受け渡しを可能にするとともに、下加熱部１２に対する基板７の高さ位置を調整できる。例えば、図５に示すように、チャンバ６の内部空間１０を気密状態にした状態で、各支持ピン１４が下降することにより、各支持ピン１４の上端が基板７の下面から離間するように、ピン昇降部１７が制御される。これにより、基板７の下面は、各支持ピン１４とは非接触になり、接触加熱部３０の接触端３１だけに接触して接触加熱部３０で支持される。したがって、チャンバ６の内部空間１０が減圧された状態で、上述した、接触加熱部３０による接触加熱が行われる。
【００２９】
従来技術で説明したように、基板７上に形成された塗工膜の膜周縁部では、膜周縁部の内側に位置する膜内周部に比べて膜厚が大きくなる現象（いわゆる、エッジビード：edge-bead）が知られている。当該現象は、十分に解明されていないが、例えば、塗工液膜８を基板７上に塗工する段階で、液周縁部４９での塗工液の表面張力が液内周部４８での塗工液の表面張力よりも大きいために、液内周部４８での塗工液が液周縁部４９に流動することにより、液周縁部４９の厚みが液内周部４８の厚みよりも厚くなると仮定することができる。
【００３０】
塗工液膜８は、上述したように、溶質および揮発性の溶媒から構成されているが、塗工液膜８の減圧乾燥によって塗工液膜８の厚みが大幅に低下することから、塗工液膜８には揮発性の溶媒が多く含まれている。したがって、塗工液膜８のうち、含有量の多い揮発性の溶媒が、エッジビードに関与していると推察することができる。
【００３１】
接触加熱部３０は、液周縁部４９からの揮発性の溶媒の気化を促進する気化促進部として働き、接触加熱部３０は、基板７に塗工された塗工液膜８の液周縁部４９の周辺に配設される。図４および図５では、接触加熱部３０の接触端３１が、基板７を挟んで液周縁部４９の反対側にある下面側周縁部３９に接触するように、接触加熱部３０が配設されている。接触加熱部３０は、基板７の下面側周縁部３９を加熱したあと、基板７の厚み部分および塗工液膜８の液周縁部４９の順で加熱し、最終的に、液周縁部４９を局所的に加熱する。
【００３２】
従来技術ではエッジビードが形成されるのに対して、気化促進部として働く接触加熱部３０を備える減圧乾燥装置３では、エッジビードが低減可能であることについて、一仮説に基づいて説明する。
【００３３】
塗布直後の塗工液膜８は、揮発性の溶媒を多く含有するので、塗工液膜８の流動性が高いのに対して、減圧乾燥が行われた塗工液膜８は、揮発性の溶媒の含有量が少なくなるので、塗工液膜８の流動性が低くなる。
【００３４】
塗布直後の塗工液膜８の液周縁部４９では、それ以外の部分（液内周部４８）との比較で、基板７との界面が存在する分だけ、表面張力が大きくなるので、液周縁部４９での盛り上がりが生じると考えられる。従来技術のように、液周縁部４９が盛り上がりを有する状態で塗工液膜８を単に減圧乾燥するだけでは、液周縁部４９での盛り上がりを維持した状態で膜厚が全体的に均等に薄くなるため、減圧乾燥後に、エッジビードが生じてしまう。
【００３５】
これに対して、この発明に係る減圧乾燥装置３では、接触加熱部３０が液周縁部４９を局所的に加熱して、液周縁部４９での溶媒の気化を促進する。これにより、液周縁部４９において、揮発性の溶媒の含有量が少なくなって、液周縁部４９の流動性が低下するので、液周縁部４９が保形性を有するようになる。液周縁部４９が保形性を有するものの、液周縁部４９以外の部分（液内周部４８）は、液周縁部４９よりも大きな流動性を有する。液周縁部４９が盛り上がりを有していても、塗工液膜８を減圧乾燥する過程で、それ以外の部分（液内周部４８）での揮発性の溶媒が、保形性を有する液周縁部４９に向けて流動することによって、液周縁部４９とそれ以外の部分（液内周部４８）との間でレベリングが行われる。これにより、液周縁部４９とそれ以外の部分（液内周部４８）との間で高低差が少なくなり、膜厚均一性の高い塗工膜を基板７上に形成できる。
【００３６】
したがって、上記構成の減圧乾燥装置３によれば、液周縁部４９の周辺に配設される接触加熱部（気化促進部）３０により、液周縁部４９が保形性を有するともに、それ以外の部分（液内周部４８）が液周縁部４９に向けて流動することによって、液周縁部４９においてレベリングが行われるので、膜厚均一性の高い塗工膜を基板７上に形成できる。
【００３７】
〔変形例〕
図８は、変形例に係る減圧乾燥装置３を説明する断面図である。変形例に係る減圧乾燥装置３では、離間加熱部３５が気化促進部として用いられている。
【００３８】
図８に示すように、気化促進部として働く離間加熱部３５は、液周縁部４９および下面側周縁部３９に対して離間して上方および下方で対面するように構成されている。すなわち、上方に位置する離間加熱部３５は、液周縁部４９の周辺に配設され、好ましくは、液周縁部４９の直上に配設される。下方に位置する離間加熱部３５は、下面側周縁部３９および基板７の厚み部分を介して、液周縁部４９の周辺に配設され、好ましくは、液周縁部４９の直下に配設される。上方に位置する離間加熱部３５は、上加熱部２２を貫通する複数の離間支持部３６によって、蓋２１の下面から支持されている。下方に位置する離間加熱部３５は、下加熱部１２を貫通する複数の離間支持部３６によって、ベース１１の上面に支持されている。
【００３９】
離間加熱部３５は、平面視で矩形形状をしている。離間加熱部３５は、例えば、電熱ヒータである。離間加熱部３５は、制御部によって制御される。制御部からの加熱指令に応じて上下の離間加熱部３５を所定の温度に昇温すると、上下の離間加熱部３５は、間隙を介して、液周縁部４９および下面側周縁部３９を局所的に加熱する。下面側周縁部３９への加熱は、基板７の厚み部分を介して、最終的に液周縁部４９を局所的に加熱する。
【００４０】
上下の離間加熱部３５を備える減圧乾燥装置３は、上下の離間加熱部３５によって液周縁部４９および下面側周縁部３９に対して局所的に離間加熱（非接触加熱）することにより、液周縁部４９での溶媒の気化を促進している。これにより、液周縁部４９において、揮発性の溶媒の含有量が少なくなって、液周縁部４９の流動性が低下するので、液周縁部４９が保形性を有するようになる。液周縁部４９が保形性を有するものの、液周縁部４９以外の部分（液内周部４８）は、液周縁部４９よりも大きな流動性を有する。液周縁部４９が盛り上がりを有していても、塗工液膜８を減圧乾燥する過程で、それ以外の部分（液内周部４８）での揮発性の溶媒が、保形性を有する液周縁部４９に向けて流動することによって、液周縁部４９とそれ以外の部分（液内周部４８）との間でレベリングが行われる。これにより、液周縁部４９とそれ以外の部分（液内周部４８）との間で高低差が少なくなり、膜厚均一性の高い塗工膜を基板７上に形成できる。
【００４１】
したがって、上記構成の減圧乾燥装置３によれば、液周縁部４９の周辺に配設される離間加熱部（気化促進部）３５により、液周縁部４９が保形性を有するともに、それ以外の部分（液内周部４８）が液周縁部４９に向けて流動することによって、液周縁部４９においてレベリングが行われるので、膜厚均一性の高い塗工膜を基板７上に形成できる。さらに、例えば、上下の離間加熱部３５により、溶媒の気化を複数の方向から行うことができるので、液周縁部４９からの溶媒の気化が促進される。また、非接触での気化促進であるので、接触跡が基板７や液周縁部４９に付くことを防止できる。
【００４２】
この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４３】
塗工液膜８の液周縁部４９が基板７の縁部の近傍まで延在しているとき、基板７の側方部分（厚み部分）を加熱する側方の離間加熱部３５を追加配置することもできる。側方からも離間加熱部３５で加熱することにより、液周縁部４９からの溶媒の気化が促進される。
【００４４】
離間加熱部３５は、例えば、赤外線ハロゲンランプによる放射加熱方式や、熱風を吹き出す熱風ヒータ方式にすることもできる。
【００４５】
下面側周縁部３９を接触加熱部３０で加熱するとともに、液周縁部４９を離間加熱部３５で上方から加熱する構成にすることもできる。
【００４６】
液周縁部４９からの溶媒の気化を促進する気化促進部は、上述した加熱タイプだけでなく、液周縁部４９の周辺を減圧する減圧タイプとすることもできる。減圧タイプの気化促進部は、例えば、排気管１８の一部を分岐した分岐排気管を、液周縁部４９の周辺に配設した構成にすることもできる。
【００４７】
この発明および実施形態をまとめると、次のようになる。
【００４８】
この発明の一態様に係る減圧乾燥装置３は、
溶媒を含む塗工液膜８が塗工された基板７を収容するチャンバ６と、
前記チャンバ６の内部を減圧排気する減圧排気部２０と、
前記塗工液膜８からの前記溶媒の気化を促進する気化促進部３０，３５とを備える減圧乾燥装置３であって、
前記気化促進部３０，３５を、前記基板７に塗工された前記塗工液膜８の液周縁部４９の周辺に配設することを特徴とする。
【００４９】
上記構成によれば、液周縁部４９の周辺に配設される気化促進部３０，３５により、液周縁部４９が保形性を有するともに、それ以外の部分（液内周部４８）が液周縁部４９に向けて流動することによって、液周縁部４９においてレベリングが行われるので、膜厚均一性の高い塗工膜を基板７上に形成できる。
【００５０】
また、一実施形態の減圧乾燥装置３では、
前記気化促進部３０，３５が、前記チャンバ６の内部よりも高温に加熱された加熱部である。
【００５１】
上記実施形態によれば、液周縁部４９に含まれる溶媒が、気化することを促進できる。
【００５２】
また、一実施形態の減圧乾燥装置３では、
前記加熱部が、前記液周縁部４９に対応して前記基板７の下面に位置する下面側周縁部３９に接触する接触加熱部３０である。
【００５３】
上記実施形態によれば、簡単な構成で、液周縁部４９を下面側から加熱できる。
【００５４】
また、一実施形態の減圧乾燥装置３では、
前記気化促進部３５を、前記液周縁部４９に対して離間して配設する。
【００５５】
上記実施形態によれば、非接触での気化促進であるので、接触跡が基板７や液周縁部４９に付くことを防止でき、溶媒の気化を複数の方向から行うことができるので、液周縁部４９からの溶媒の気化が促進される。
【００５６】
また、一実施形態の減圧乾燥装置３では、
前記チャンバ６の内部を常温よりも高温に加熱するチャンバ加熱部１２，２２を、前記チャンバ６の内部に配設する。
【００５７】
上記実施形態によれば、塗工液膜８に含まれる溶媒が気化することを促進できる。
【００５８】
また、一実施形態の減圧乾燥装置３では、
スリット状のノズルから前記塗工液を吐出しながら前記基板７の上を走査する塗工装置２によって、前記塗工液膜８を前記基板７に塗工する。
【００５９】
上記実施形態によれば、フラットパネルディスプレイや半導体の製造に用いられる大型の基板７の上に、フォトレジスト液などからなる塗工液膜８を均一に塗工できる。
【符号の説明】
【００６０】
１…塗工乾燥装置
２…塗工装置
３…減圧乾燥装置
４…硬化装置
５…搬送ロボット
６…チャンバ
７…基板
８…塗工液膜
１０…内部空間
１１…ベース
１１ａ…Ｏリング
１１ｂ…Ｏリング溝
１２…下加熱部（チャンバ加熱部）
１３…下支持部
１４…支持ピン
１５…リンク
１６…ピン昇降モータ
１７…ピン昇降部
１８…排気管
１８ａ…排気バルブ
１９…復圧部
１９ａ…復圧管
１９ｂ…復圧バルブ
２０…排気ポンプ（減圧排気部）
２１…蓋
２２…上加熱部（チャンバ加熱部）
２３…上支持部
２７…蓋昇降機構
３０…接触加熱部（気化促進部）
３１…接触端
３２…接触加熱用加熱源
３５…離間加熱部（気化促進部）
３６…離間支持部
３９…下面側周縁部
４８…液内周部
４９…液周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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