(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの表面上への層の堆積する間に、配向ノッチを有する前記半導体ウェハを保持するためのサセプタであって、
サセプタリングと、サセプタベースと、を備え、
前記サセプタリングは、前記半導体ウェハの裏面の縁部領域に前記半導体ウェハを配置するための配置領域と、前記配置領域に隣接する前記サセプタリングの段差形状の外側限界とを備え、
前記サセプタは、４つの位置を有し、前記４つの位置において、前記サセプタの構造がさらに別の４つの位置における前記サセプタの構造と異なり、
前記４つの位置の１つから前記４つの位置の隣のものまでの間隔は９０°であり、前記４つの位置の１つから隣のさらに別の位置までの間隔は４５°であり、
前記４つの位置の１つは、ノッチ位置であり、前記ノッチ位置において、前記サセプタの構造は、前記サセプタの前記４つの位置のうちの３つの他の位置における前記サセプタの構造と異なり、
前記サセプタの前記ノッチ位置に、内向きの前記配置領域の突起および内向きの前記外側限界の突起が存在する、サセプタ。
【請求項２】
半導体ウェハが前記配置領域上にある状況において、前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置における、前記半導体ウェハの外側縁部と前記サセプタリングの前記外側限界の内側縁部との間に存在する距離Ａは、前記サセプタの前記ノッチ位置におけるものよりも小さく、前記サセプタの前記さらに別の４つの位置におけるものよりも小さい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置における、前記サセプタリングの前記配置領域の径方向幅Ｗは、前記サセプタの前記ノッチ位置におけるものよりも小さく、前記サセプタの前記さらに別の４つの位置におけるものよりも小さい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項４】
前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置における、前記サセプタリングの前記外側限界の高さＨは、前記サセプタの前記ノッチ位置におけるものよりも大きく、前記サセプタの前記さらに別の４つの位置におけるものよりも大きい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項５】
前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置における，前記サセプタの厚さＤは、前記サセプタの前記ノッチ位置におけるものよりも小さく、前記サセプタの前記さらに別の４つの位置におけるものよりも小さい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項６】
前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置における、前記サセプタリングの前記外側限界の径方向幅Ｂは、前記サセプタの前記ノッチ位置におけるものよりも小さく、前記サセプタの前記さらに別の４つの位置におけるものよりも小さい、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項７】
前記サセプタリングの前記外側限界は、前記サセプタの前記４つの位置のうちの前記３つの他の位置において、前記外側限界の内側縁部から前記外側限界の外側縁部まで、高さＨ２から高さＨ１まで減少し、前記サセプタの前記ノッチ位置および前記サセプタの前記さらに別の４つの位置において、前記Ｈ１でとどまる、請求項１に記載のサセプタ。
【請求項８】
配向ノッチを有する半導体ウェハの表面上に層を堆積する方法であって、前記半導体ウェハは、＜１００＞配向を有し、
前記配向ノッチおよび前記サセプタの前記ノッチ位置が前記半導体ウェハの中央部に向かう線上に配置されるように、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のサセプタリング上に、前記半導体ウェハを配置することと、
単一ウェハ反応器において前記半導体ウェハの前記表面をコーティングすることと、を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタに関する。本発明は、サセプタを用いることによって配向ノッチを有する半導体ウェハの表面上に層を堆積する方法にも関し、半導体ウェハは、＜１００＞配向を有する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術／課題
ＵＳ２００８／０１１８７１２Ａ１は、サセプタリングと、サセプタベースとを備える、サセプタを開示している。サセプタリングは、半導体ウェハの裏面の縁部領域に半導体ウェハを配置するための出っ張りを有し、半導体ウェハの表面上に層を堆積する目的のためにサセプタベース上に配置される。配置された半導体ウェハは、サセプタのポケットに位置する。サセプタリングの中央部と外側限界の内側縁部との間の半径は、ポケットの半径を規定する。サセプタリングおよびサセプタベースは、２部品のユニットを形成する。
【０００３】
サセプタリングおよびサセプタベースは、１部品のサセプタとして形成されてもよい。ＵＳ２００７／０２２７４４１Ａ１は、このようなサセプタを開示しており、この文献は、エピタキシャル的にコーティングされた半導体シリコンウェハの縁部領域におけるエピタキシャル層の厚さの周期変動に着目している。この理由は、エピタキシャル層が成長する異なる成長速度である。異なる成長速度は、結晶配向に関する。半導体ウェハの表面に隣接する縁部領域において、異なる結晶配向を有する結晶平面が露出する。＜１００＞配向を有する単結晶シリコンの半導体ウェハの場合、結晶配向は、半導体ウェハの外周に沿って周期的に変化する。縁部領域には、エピタキシャル層が比較的迅速に成長する＜１１０＞配向を有するそれぞれ９０°離間された、４つの場所、およびエピタキシャル層が比較的ゆっくり成長する他の４つの場所に対してそれぞれ４５°離間された、４つのさらに別の場所が存在する。縁部領域において、エピタキシャル層の厚さをより均一にするために、ＵＳ２００７／０２２７４４１Ａ１は、厚さ変動の周期でサセプタの構造を変化させることを提案している。
【０００４】
この教示は、述べられた厚さ変動が問題となると考えられる半導体ウェハが、縁部領域に配向ノッチを有して提供されることを無視する。表面の＜１００＞配向を有するシリコン半導体ウェハの場合、配向ノッチは、通常、エピタキシャル層が比較的迅速に成長する４つの場所の１つに位置し、４つの＜１１０＞結晶方向の１つをマークする。配向ノッチは、場合によっては、このような場所から４５°離れて位置し、４つの＜１００＞結晶方向の１つをマークする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、配向ノッチの存在を可能にし、縁部領域において述べられた場所で好適に適切な成長条件を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に、配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタであって、サセプタリングとサセプタベースとを備え、サセプタリングは、半導体ウェハの裏面の縁部領域に半導体ウェハを配置するための配置領域と、配置領域に隣接するサセプタリングの段差形状の外側限界とを備え、サセプタは、４つの位置を有し、４つの位置において、サセプタの構造は、４つのさらに別の位置におけるサセプタの構造と異なり、４つの位置の１つから４つの位置の隣のものまでの間隔は９０°であり、４つの位置の１つから隣のさらに別の位置までの間隔は４５°であり、４つの位置の１つはノッチ位置であり、ノッチ位置において、サセプタの構造は、サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置におけるサセプタの構造と異なる、サセプタによって達成される。
【０００７】
サセプタリングおよびサセプタベースは、１部品のユニットとしてまたは２部品のユニットとして形成され得る。２部品の構成が好ましく、サセプタベースは、好ましくは、グラファイトフェルトもしくはシリコンカーバイドでコーティングされたグラファイトフェルト、またはシリコンカーバイドでコーティングされたグラファイト、またはシリコンカーバイドからなり、サセプタリングは、好ましくは、シリコンカーバイドまたはシリコンカーバイドでコーティングされた他の材料である。他の材料は、好ましくは、グラファイトまたはシリコンである。
【０００８】
サセプタリングは、半導体ウェハの裏面の縁部領域における半導体ウェハを配置するための配置領域（出っ張り）と、配置領域に隣接する段差形状の外側限界とを備える。配置された半導体ウェハは、サセプタのポケットに位置する。
【０００９】
配置領域は、径方向幅を有し、外側限界の内側縁部から内側に延在する。配置領域は、好ましくは、内側にある部分領域においてまたは完全に、内向きに下がって傾斜するように形成される。
【００１０】
外側限界は、外側限界の内側縁部と外側縁部との間の距離に対応する径方向幅を有する。外側限界は、上側限界表面と、配置領域から上側限界表面まで延在する内側縁部における高さとを有する。外側限界の内側縁部および外側縁部では、サセプタは、それぞれ、厚さを有する。
【００１１】
外周にわたって分配されるサセプタの４つの位置において、サセプタの構造は、外周にわたって分配されるサセプタの４つのさらに別の位置におけるサセプタの構造と異なる。４つの位置は、それぞれ、４つの位置の隣のものから９０°の間隔を有し、それぞれ、４つのさらに別の位置の隣のものから４５°の間隔を有する。加えて、サセプタの構造は、４つの位置のうちの３つにおいて、４つの位置、ノッチ位置における構造と異なる。
【００１２】
サセプタの構造は、好ましくは、４つの位置のうちの３つから±２２．５°の横方向範囲にわたって、周方向に変化しないままである。しかしながら、周方向の構造変化が、４つの位置のうちの３つの直近、たとえば±１°以上の距離で始まり、迅速に、好ましくは４つの位置の構造がすでに±５°以下の距離で達成されるほど迅速に進むように、サセプタを設計することが特に好ましい。
【００１３】
サセプタは、配向ノッチを有する半導体ウェハの表面上に層を堆積する方法において用いられる。半導体ウェハは、＜１００＞配向を有し、上記方法は、配向ノッチおよびサセプタのノッチ位置が半導体ウェハの中央部に向かう線上に配置されるように、サセプタリングの配置領域上に半導体ウェハを配置することと、単一ウェハ反応器において半導体ウェハの表面をコーティングすることとを含む。
【００１４】
半導体ウェハの表面は、半導体ウェハの上側主面であり、エピタキシャル層が堆積され、たとえば（１００）面である。配向ノッチは、＜１１０＞方向が縁部から離れて向く場所、すなわちエピタキシャル層が比較的迅速に成長する場所の１つにおける、半導体ウェハの縁部領域における窪みである。
【００１５】
半導体ウェハは、好ましくは、シリコン、ゲルマニウムまたはこれらの元素の混合物からなる。しかしながら、それは、ＳＯＩウェハ（絶縁体上のシリコン）、結合された半導体ウェハまたは１つ以上のエピタキシャル層で既にコーティングされた基板ウェハであり得る。エピタキシャル層は、好ましくは、シリコン、ゲルマニウムまたはこれらの元素の混合物からなり、場合によってはドーパントを含む。
【００１６】
半導体ウェハは、ＦＺ法（フロートゾーン）またはＣＺ法によって結晶化された単結晶からスライスされ得る。ＣＺ法は、るつぼに含まれる融解物に核結晶を浸漬することと、融解物から核結晶およびその上に結晶化する単結晶を引き上げることとを含む。
【００１７】
半導体ウェハは、少なくとも２００ｍｍ、好ましくは少なくとも３００ｍｍの直径を有する。
【００１８】
サセプタの構造と組み合わせられる配置領域上における半導体ウェハの本発明に係る配置は、エピタキシャル層の成長のために適合された条件を与える。エピタキシャル層が比較的迅速に成長する４つの場所のうちの３つは、サセプタの４つの位置のうちの３つに対応する。配向ノッチが位置する場所に対応する４つめの場所は、サセプタの４つの位置のうちの４つめの位置、ノッチ位置に対応する。ノッチ位置におけるサセプタの構造は、サセプタの４つの位置のうちの３つにおけるサセプタの構造と異なる。本発明の１つの改良によれば、ノッチ位置におけるサセプタの構造は、サセプタのさらに別の４つの位置におけるサセプタの構造に対応する。本発明の別の改良によれば、サセプタの４つめの位置における構造は、サセプタの４つのさらに別の位置におけるものとは異なる構造である。
【００１９】
本発明に係る装置の上記に記載された実施形態に関して特定された構成は、本発明に係る方法にも対応して適用可能である。本発明に係る実施形態のこれらのおよび他の構成は、図の説明および請求項において説明される。個々の構成は、本発明の実施形態として、単独でまたは組み合わせで実現可能である。さらに、それらは、独立して保護可能である有利な実施形態を説明し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】サセプタリングとサセプタベースとを備えるサセプタを示す図である。
【図２】平面図で、＜１００＞配向を有する半導体ウェハを示す図である。
【図３】垂直断面で、サセプタリングの配置領域上に配置されるサセプタおよび半導体ウェハを示す図である。
【図４】垂直断面で、サセプタリングの配置領域上に配置されるサセプタおよび半導体ウェハを示す図である。
【図５】平面図で、サセプタリング６の配置領域８上にあるサセプタリング６および半導体ウェハ２の詳細を示す図である。
【図６】配置領域およびサセプタリングの外側限界の内側縁部の一部の側面図である。
【図７】各々の場合において、表面上へのエピタキシャル層の堆積後の半導体ウェハの裏面のトポグラフィを示す図である。
【図８】各々の場合において、表面上へのエピタキシャル層の堆積後の半導体ウェハの裏面のトポグラフィを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明に係る例示の実施形態の詳細な説明
図１は、サセプタベース７、サセプタリング６および配向ノッチ３を有する半導体ウェハ２の相対配置を示す。使用の間、サセプタリング６はサセプタベース７上にあり、半導体ウェハ２はサセプタリング６の配置領域８上にある。サセプタベース７およびサセプタリング６の直径は同じであってもよい。しかしながら、サセプタベース７の直径は、サセプタリング６の直径よりも大きくてもよい。図から逸脱するものとして、サセプタリング６およびサセプタベース７は、１部品のユニットを形成してもよい。
【００２２】
図２は、配向ノッチ３を有する半導体ウェハ２を示す。半導体ウェハ２は、＜１００＞配向を有する。半導体ウェハ２の上側表面は、たとえば、（１００）平面である。配向ノッチ３は、９０°離間される半導体ウェハの外周の周りに分配される、半導体ウェハの縁部の領域における対応する平面を指す４つの＜１１０＞結晶方向の１つをマークする。４つの＜１１０＞結晶方向の１つでは、エピタキシャル層は４つの＜１００＞結晶方向が指す縁部の領域における平面上よりも比較的高い速度で成長する。
【００２３】
これに対応して、本発明に係るサセプタ１は、４つの位置を有する。４つの位置では、サセプタの構造は、４つのさらに別の位置でサセプタが有する構造と異なる。４つの位置の１つから隣の位置までの間隔は９０°であり、４つの位置の１つから隣のさらに別の位置までの間隔は４５°である。加えて、４つの位置の１つにおけるサセプタの構造は、３つの他の位置においてサセプタが有する構造と異なる。その配向ノッチ３およびノッチ位置が半導体ウェハの中央部に向かう線上に配置されるように、サセプタの使用の間に＜１００＞配向を有する半導体ウェハをサセプタリングの配置領域上に配置することが意図されるため、この１つの位置は、以下、ノッチ位置とよばれる。
【００２４】
図３は、垂直断面で、サセプタ１およびサセプタリング６の配置領域８上に配置される半導体ウェハ２を示す。垂直断面は、０°で識別されるノッチ位置、およびノッチ位置に対向し１８０°で識別される位置を通過する。
【００２５】
本発明に係るサセプタの第１の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つにおける、半導体ウェハの外側縁部５とサセプタリング６の外側限界１０の内側縁部１１との間の距離Ａが、４つめの位置、ノッチ位置におけるものよりも小さく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも小さいことを与える。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００２６】
本発明に係るサセプタの第２の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つの位置における、サセプタリング６の配置領域８の径方向幅Ｗが、４つめの位置、ノッチ位置におけるものよりも小さく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも小さいことを与える。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００２７】
本発明に係るサセプタの第３の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つの位置における、サセプタリングの外側限界の高さＨが、４つめの位置、ノッチ位置におけるものよりも大きく、サセプタ１のさらに別の４つの位置におけるものよりも大きいことを与える。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００２８】
本発明に係るサセプタの第４の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つの位置における、サセプタ１の厚さＤが、４つめの位置、ノッチ位置におけるものよりも小さく、サセプタ１のさらに別の４つの位置におけるものよりも小さいことを与える。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００２９】
本発明に係るサセプタの第５の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つの位置における、サセプタリング６の外側限界の径方向幅Ｂが、４つめの位置、ノッチ位置におけるものよりも小さく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも小さいことを与える。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００３０】
本発明に係るサセプタの第６の実施形態は、サセプタ１の４つの位置のうちの３つの他の位置における、サセプタリング６の外側限界１０が、外側限界６の内側縁部１１から外側限界６の外側縁部１２まで、高さＨ２から高さＨ１まで減少し、サセプタ１のノッチ位置およびサセプタのさらに別の４つの位置において高さＨ１でとどまることを与える（図４）。高さＨ２は、好ましくは、サセプタリングの配置領域上にある半導体ウェハの上表面の平面に届く。ノッチ位置において、サセプタは、さらに別の４つの位置におけるものと同じ構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３（図５）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよく、または内向きの配置領域の突起１３および内向きの外側限界の突起１４（図６）によってさらに特徴付けられる構造を有してもよい。
【００３１】
図５は、平面図で、サセプタリング６、およびサセプタリング６の配置領域８上にある半導体ウェハ２の詳細を示す。サセプタのノッチ位置の周りの領域が示される。半導体ウェハ２の配向ノッチ３は、サセプタリング６の配置領域８の突起１３が下に敷かれ得る。この場合、突起１３がなければ、配向ノッチ３は、配置領域８の内側縁部を超えて内側に突出し得る。突起１３の外側の領域、すなわち４つの位置のうちの他の３つの位置およびサセプタ１のさらに別の４つの位置において、配置領域８の径方向幅Ｗは、ノッチ位置よりも小さい。
【００３２】
図６は、配置領域８、およびサセプタリング６の外側限界１０の内側縁部１１の一部の側面図を示す。サセプタのノッチ位置の周りの領域が示される。サセプタ１のこの位置には、内向きに外側限界１０の突起１４が存在し得る。突起１４は、好ましくは、配置領域８上に配置される半導体ウェハの配向ノッチ３の中へ突出するように形成される。
【００３３】
例示の実施形態の上記の説明は、例示として与えられるものとして理解されるべきである。これによってなされた開示は、第一に当業者に本発明およびそれに関する利点を理解させることを可能にし、第二に当業者の理解内で説明された構造および方法の明らかな代替物および変形物を包含する。したがって、すべてのこのような代替物および修正物ならびに等価物は、請求の保護の範囲によってカバーされることが意図される。
【００３４】
上記の説明は、配向ノッチが４つの＜１１０＞結晶方向の１つをマークするときの状況を考慮する。配向ノッチが４つの＜１００＞結晶方向の１つをマークする場合、以下の条件の１つがその代わりに当てはまることが好ましい：
ａ）半導体ウェハが配置領域上にある状況において、サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置における、半導体ウェハの外側縁部とサセプタリングの外側限界の内側縁部との間の距離Ａは、サセプタのノッチ位置におけるものよりも大きく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも大きい；
ｂ）サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置における、サセプタリングの配置領域の径方向幅Ｗは、サセプタのノッチ位置におけるものよりも大きく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも大きい；
ｃ）サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置における、サセプタリングの外側限界の高さＨは、サセプタのノッチ位置におけるものよりも小さく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも小さい；
ｄ）サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置における、サセプタの厚さＤは、サセプタのノッチ位置におけるものよりも大きく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも大きい；
ｅ）サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置における、サセプタリングの外側限界の径方向幅Ｂは、サセプタのノッチ位置におけるものよりも大きく、サセプタのさらに別の４つの位置におけるものよりも大きい；
ｆ）サセプタリングの外側限界は、外側限界の内側縁部から外側限界の外側縁部まで、サセプタの４つの位置のうちの３つの他の位置において高さＨ１でとどまり、サセプタのノッチ位置およびサセプタのさらに別の４つの位置において、高さＨ２から高さＨ１まで減少する。
【００３５】
実施例
＜１００＞配向および３００ｍｍの直径を有する単結晶シリコンの半導体ウェハが、単一ウェハ反応器において、シリコンのエピタキシャル層でコーティングされた。エピタキシャル層の厚さは、２μｍであった。サセプタは、第６の実施形態にしたがって形成された。半導体ウェハは、＜１１０＞方向をマークする配向ノッチを有し、配向ノッチおよびサセプタのノッチ位置が半導体ウェハの中央部に向かう線上に配置されるように、サセプタ上へ配置された。加えて、ノッチ位置におけるサセプタ上には、内向きの配置領域の突起および内向きの外側限界の突起の両方が存在した。
【００３６】
サセプタのこの構成によれば、ＥＳＦＱＲｍａｘおよび１ｍｍの縁部除外として表現される、１５０ｎｍ以下の縁部領域における平坦度が達成された。特に、この方法で、「ノッチバンプ」として知られる、配向ノッチの領域における半導体ウェハの裏面上への成長の発生を抑制することも可能になった。
【００３７】
図７は、このような半導体ウェハの裏面のトポグラフィを示し、図８は、比較として、サセプタがノッチ位置に突起を有しないため抑制されることができなかった「ノッチバンプ」を有する半導体ウェハの裏面のトポグラフィを示す。
【符号の説明】
【００３８】
１    サセプタ
２    半導体ウェハ
３    半導体ウェハの配向ノッチ
４    層
５    半導体ウェハの外側縁部
６    サセプタリング
７    サセプタベース
８    サセプタリングの配置領域
９    配置領域の内側縁部
１０  サセプタリングの外側限界
１１  外側限界の内側縁部
１２  外側限界の外側縁部
１３  配置領域の突起
１４  外側限界の突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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