(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの温度を制御する方法であって、マルチダイ温度制御装置が、入力信号を受信し、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを独立して駆動する、方法において、該方法は、前記マルチダイ温度制御装置によって実行され、
前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイの中の１つのダイの温度を表す信号を、１つのサイクル内で、該ダイが導通していないときに取得するステップと、
前記マルチダイパワーモジュールの全ての前記ダイの温度によって決まる参照温度を設定するため、並列に置かれた全ての前記ダイの内部ゲート抵抗の等価抵抗値を表す信号を、同じサイクルの１期間内で、該ダイが導通していないときに取得するステップと、
前記１つのダイの温度を表す前記信号を、前記参照温度を表す前記信号と比較するステップと、
前記比較の結果に従って、前記１つのダイの導通時間の持続時間を短縮するか、又は、前記マルチダイパワーモジュールの他のダイの前記導通時間の前記持続時間を短縮するステップと、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記１つのダイの温度を表す前記信号と、前記参照温度を表す前記信号とは、前記１つのダイのゲート及び前記他のダイのゲートに電流を提供することによって取得されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの温度を制御するマルチダイ温度制御装置であって、入力信号を受け取り、前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイを独立して駆動する、マルチダイ温度制御装置において、該マルチダイ温度制御装置は、
前記マルチダイパワーモジュールの前記ダイの中の１つのダイの温度を表す信号を、１つのサイクル内で、該ダイが導通していないときに取得する手段と、
前記マルチダイパワーモジュールの全ての前記ダイの温度によって決まる参照温度を設定するため、並列に置かれた全ての前記ダイの内部ゲート抵抗の等価抵抗値を表す信号を、同じサイクルの１期間内で、該ダイが導通していないときに取得する手段と、
前記１つのダイの温度を表す前記信号を、前記参照温度を表す前記信号と比較する手段と、
前記比較の結果に従って、前記１つのダイの導通時間の持続時間を短縮するか、又は、前記マルチダイパワーモジュールの他のダイの前記導通時間の前記持続時間を短縮する手段と、
を備えることを特徴とする、マルチダイ温度制御装置。
【請求項４】
前記１つのダイの温度を表す前記信号と、前記参照温度を表す前記信号とは、前記１つのダイのゲート及び前記他のダイのゲートに電流を提供することによって取得されることを特徴とする、請求項３に記載のマルチダイ温度制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的には、マルチダイパワーモジュールの温度を制御する方法及びマルチダイ温度制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおける限界のために、単一のパワーダイの場合、総半導体面積に実際的な限界がある。このため、高出力モジュールは、通常、所与の電流定格を達成するために、並列で幾つかのダイを含む。
【０００３】
しかしながら、形状に対する非理想的制約と電気パラメータの変動とにより、並列ダイの組の中の温度分布は、通常、不均一である。したがって、最も高温のダイが、そのモジュールが放散させることができる総電力量を制限し、不均一な温度分布により、各ダイの経年変化が一様でなくなり、並列のデバイスを使用する有効性が制限される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、局所的なホットスポットの温度を低下させることにより、マルチダイパワーモジュールの寿命を延長するために、閉ループ温度制御を用いる、信頼性の高いマルチダイパワーモジュールの温度制御を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このために、本発明は、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの温度を制御する方法であって、マルチダイ温度制御装置が、入力信号を受信し、マルチダイパワーモジュールのダイを独立して駆動する、方法において、本方法は、マルチダイ温度制御装置によって実行され、
−マルチダイパワーモジュールのダイの中の１つのダイの温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得するステップと、
−マルチダイパワーモジュールの全てのダイの温度によって決まる参照温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得するステップと、
−１つのダイの温度を表す信号を、参照温度を表す信号と比較するステップと、
−比較の結果に従って、１つのダイの導通時間の持続時間を短縮するか、又は、マルチダイパワーモジュールの他のダイの導通時間の持続時間を短縮するステップと、
を含むことを特徴とする、方法に関する。
【０００６】
本発明はまた、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの温度を制御するマルチダイ温度制御装置であって、入力信号を受け取り、マルチダイパワーモジュールのダイを独立して駆動する、マルチダイ温度制御装置において、このマルチダイ温度制御装置は、
−マルチダイパワーモジュールのダイの中の１つのダイの温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得する手段と、
−マルチダイパワーモジュールの全てのダイの温度によって決まる参照温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得する手段と、
−１つのダイの温度を表す信号を、参照温度を表す信号と比較する手段と、
−比較の結果に従って、１つのダイの導通時間の持続時間を短縮するか、又は、マルチダイパワーモジュールの他のダイの導通時間の持続時間を短縮する手段と、
を備えることを特徴とする、マルチダイ温度制御装置に関する。
【０００７】
したがって、マルチダイ温度制御装置は、負荷状態とは無関係に、かついかなる追加のセンサーもなしに、並列ダイの組にわたって温度を平衡させることができる。
【０００８】
特定の特徴によれば、入力信号は、連続した周期的な時間のサイクルからなるパルス幅変調信号であり、マルチダイパワーモジュールのダイの中の１つのダイの温度を表す信号と、参照温度を表す信号とは、同じ時間のサイクル内で取得される。
【０００９】
したがって、マルチダイ温度制御装置は、１つのダイの温度を直近の参照温度と比較することができる。マルチダイ温度制御装置動作は、システムにおけるダイの数及び負荷状態とは無関係に更新することができる。
【００１０】
特定の特徴によれば、１つのダイの温度を表す信号と、参照温度を表す信号とは、１つのダイのゲート及び他のダイのゲートに電流を提供することによって取得される。
【００１１】
したがって、１つのダイの温度及び参照温度を取得するために、１つの回路のみが必要である。温度を検知するための低コストかつ単純な方法を、パワーデバイス用のゲートドライバーに容易に組み込むことができる。
【００１２】
特定の特徴によれば、参照温度を表す信号は、並列に置かれたダイの内部ゲート抵抗値の等価抵抗値を表す。
【００１３】
したがって、参照温度は、並列に置かれたパワーデバイスの平均温度に近い値である。参照温度は、いかなる更なる複雑な計算なしに導出することができる。
【００１４】
本発明の特徴は、例示の実施形態の以下の説明を読むことによってより明らかになる。この説明は、添付図面に関して作成されたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明によるマルチダイ温度制御装置によって制御されるマルチダイパワーモジュールの一例を表す図である。
【図２】本発明によるパワーダイの温度検知手段を備える増幅器の一例を表す図である。
【図３】本発明による電流配分手段を表す図である。
【図４】本発明によるマルチダイ温度制御装置のアーキテクチャの一例を表す図である。
【図５】本発明による、マルチダイパワーモジュールの参照温度ともに１つのダイの温度を求めるために使用されるクロノグラムの一例を表す図である。
【図６】本発明による、参照温度を用いてマルチダイパワーモジュールの個々のダイを制御するために、１つのダイの温度及び参照温度を求めるアルゴリズムの一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明によるマルチダイ温度制御装置によって制御されるマルチダイパワーモジュールの一例を表す。
【００１７】
マルチダイパワーモジュール１５は、Ｄ１〜ＤＮで示すＮ個のダイを備える。各抵抗Ｒ１〜ＲＮは、ダイＤ１〜ＤＮの等価内部ゲート抵抗を表す。
【００１８】
マルチダイ温度制御装置１０は、入力信号ＩＮを受信し、ダイＤ１〜ＤＮを、それぞれの増幅器１１０１〜１１０Ｎを通して独立して駆動する。増幅器１１０１〜１１０Ｎは、ダイ温度検知手段を更に備える。
【００１９】
マルチダイ温度制御装置１０は、局所的なホットスポットの温度を低下させることにより、マルチダイパワーモジュール１５の寿命を延長するために、ダイＤ１〜ＤＮからの相対温度又は絶対温度とすることができる閉ループ温度制御を使用する。
【００２０】
本発明によれば、参照温度及び個々のダイ温度が、単一のパルス幅変調サイクルにおいて確定される。参照温度及び個々のダイ温度は、マルチパワーモジュール１５のダイＤ１〜ＤＮの温度を制御するために使用される。
【００２１】
抵抗Ｒ１〜ＲＮは、それぞれ、ダイＤ１〜ＤＮの内部ゲート抵抗である。
【００２２】
温度は、温度感受性パラメータとしてパワーモジュール内のダイの内部ゲート抵抗を使用することに依存する、内部ゲート抵抗測定技術に従って導出される。
【００２３】
本発明によれば、参照温度は、並列に置かれたダイの内部ゲート抵抗値の等価抵抗値から導出され、ダイＤ１〜ＤＮのおよその平均温度とみなすことができる。
【００２４】
ダイの内部ゲート抵抗Ｒは、Ｒ＝ａ×ｔ＋ｂとして近似することができ、ａ及びｂは、温度を抵抗に関連付ける較正された値のテーブルによる定数であって、ｂ≫ａであり、ｔはダイの温度である。例えば、最近のＩＧＢＴパワーデバイスの場合、ａ＝０．００３Ω／℃であり、ｂ＝１３Ωである。
【００２５】
参照温度は、ダイＤ１〜ＤＮの全てが導通していないときにダイＤ１〜ＤＮの内部ゲート抵抗を通過する電流Ｉ１〜ＩＮを用いて測定される電圧Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎの平均として求められ、すなわち、測定は、並列に置かれた内部ゲート抵抗の等価抵抗値を測定することによって行われる。
【００２６】
参照温度は、ダイＤ１〜ＤＮの全てが導通していない、すなわちオフ状態にあるときに求められる。
【００２７】
実際の電力変換器は、転流サイクル中の非活動の期間を特徴とするため、これにより、変換器の中断なしに参照温度点の生成が可能になる。
【００２８】
ダイＤｎの個々の温度は、ダイＤｎが導通しておらず、他の全てのダイが導通している、すなわちオン状態にあるときに求められる。
【００２９】
マルチダイ温度コントローラ１０は、ダイ温度検知手段を備える各増幅器１１０１〜１１０Ｎにそれぞれ電流Ｉ１〜ＩＮを提供する。
【００３０】
マルチダイ温度コントローラ１０は、測定信号Ｍ１〜ＭＮにより温度検知手段をアクティブにする。
【００３１】
マルチダイ温度コントローラ１０は、各ダイＤ１〜ＤＮにゲート信号ＰＷ１〜ＰＷＮを提供する。
【００３２】
マルチダイ温度コントローラ１０は、各ダイＤ１〜ＤＮの温度を表す信号Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎを受信する。信号Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎの平均が計算され、マルチダイ温度制御装置のＩ／Ｏインタフェースに備えられたアナログデジタル変換器に提供される。
【００３３】
本発明によれば、マルチダイ温度制御装置は、複数のダイを備えるマルチダイパワーモジュールの温度を制御し、入力信号を受け取り、マルチダイパワーモジュールのダイを独立して駆動する。マルチダイ温度制御装置は、
−マルチダイパワーモジュールのダイの中の１つのダイの温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得する手段と、
−マルチダイパワーモジュールの全てのダイの温度によって決まる参照温度を表す信号を、このダイが導通していないときに取得する手段と、
−１つのダイの温度を表す信号を、参照温度を表す信号と比較する手段と、
−比較の結果に従って、１つのダイの導通時間の持続時間を短縮するか、又は、マルチダイパワーモジュールの他のダイの導通時間の持続時間を短縮する手段と、
を備える。
【００３４】
図２は、本発明によるパワーダイの温度検知手段を含む増幅器の一例を表す。
【００３５】
ｎ＝１〜Ｎで、トランジスタＴ１ｎ及びＴ２ｎのゲートに、温度検知手段１１０ｎを備える増幅器によって受信されるパルス幅変調信号ＰＷｎが提供される。
【００３６】
トランジスタＴ１ｎのドレインは、正電源Ｖｄｄに接続され、トランジスタＴ１ｎのソースは、抵抗Ｒ１ｎの第１の端子に接続されている。抵抗Ｒ１ｎの第２の端子は、内部ゲート抵抗Ｒｎの第１の端子に接続されている。
【００３７】
トランジスタＴ２ｎのソースは、抵抗Ｒ２ｎの第１の端子に接続されている。抵抗Ｒ２ｎの第２の端子は、内部ゲート抵抗Ｒｎの第１の端子に接続されている。
【００３８】
トランジスタＴ２ｎのドレインは、トランジスタＴ３ｎのドレインにかつダイオードＤｉｎのアノードに接続され、Ｔｊ，ｎと示すその点における電圧は、温度に従って変化するダイＤｎの内部ゲート抵抗の抵抗によって決まる。トランジスタＴ３ｎのソースは、負電源Ｖｓｓに接続されている。
【００３９】
トランジスタＴ３ｎのゲートに、ダイＤｎの温度の測定をアクティブにする信号Ｍｎが提供される。
【００４０】
ダイオードＤｉｎのアノードに、温度検知手段を含む増幅器１１０ｎに提供される電流Ｉｎが提供される。
【００４１】
ダイオードＤｉｎのカソードは、電圧Ｔｊ，ｎを制限する電圧Ｖｃｌａｍｐに接続されている。電圧Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎの平均は、マルチダイ温度コントローラ１０のＩ／Ｏインタフェースに備えられているデジタルアナログ変換器の入力に提供される。
【００４２】
図３は、本発明による電流配分手段を表す。
【００４３】
電流配分手段は、後に開示するマルチダイ温度コントローラ１０のＩ／Ｏインタフェースに備えられている。
【００４４】
電流配分手段は、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに電流Ｉ１〜ＩＮを提供する。
【００４５】
単一のダイＤｎの温度が検知されるとき、電流Ｉは、ダイＤｎに提供される電流Ｉｎに等しい。
【００４６】
参照温度が検知されるとき、電流Ｉは、ダイＤ１〜ＤＮに提供される電流Ｉ１〜ＩＮの和に等しい。
【００４７】
図４は、本発明によるマルチダイ温度制御装置のアーキテクチャの一例を表す。
【００４８】
マルチダイ温度制御装置１０は、例えば、バス４０１によって合わせて接続されたコンポーネントに基づくアーキテクチャと、図６に開示するようなプログラムによって制御されるプロセッサ４００とを有する。
【００４９】
バス４０１は、プロセッサ４００を、リードオンリーメモリＲＯＭ４０２、ランダムアクセスメモリＲＡＭ４０３及びＩ／Ｏインタフェース４０５に連結する。
【００５０】
メモリ４０３は、変数と、図６に開示するようなアルゴリズムに関するプログラムの命令とを受け取るように意図されたレジスタを含む。
【００５１】
プロセッサ４００は、Ｉ／Ｏインタフェース４０５を通して、ダイＤ１〜Ｄ６の接合部温度Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎの測定値、入力信号ＩＮを受け取り、パルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮ、測定信号Ｍ１〜Ｍｎ及び電流Ｉ１〜ＩＮを出力する。
【００５２】
リードオンリーメモリ又は場合によりフラッシュメモリ４０２は、図６に開示するようなアルゴリズムに関するプログラムの命令を収容し、そうした命令は、マルチダイ温度制御装置１０に電源が投入されると、ランダムアクセスメモリ４０３に転送される。
【００５３】
マルチダイ温度制御装置１０は、ＰＣ（パーソナルコンピューター）、ＤＳＰ（デジタル信号プロセッサ）若しくはマイクロコントローラ等のプログラマブルコンピューティングマシンによる、命令若しくはプログラムのセットの実行により、ソフトウェアで実装するか、又は、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）若しくはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等、マシン若しくは専用コンポーネントにより、ハードウェアで実装することができる。
【００５４】
言い換えれば、マルチダイ温度制御装置１０は、マルチダイ温度制御装置１０が、図６に開示するようなアルゴリズムに関するプログラムを実行することができるようにする、回路、又は回路を備える装置を備える。
【００５５】
図５は、本発明によるマルチダイパワーモジュールの参照温度とともに１つのダイの温度を求めるために使用されるクロノグラムの一例を表す。
【００５６】
図５は、パルス幅変調信号ＰＷ１及びＰＷＮと、マルチダイ温度コントローラ１０によって温度検知手段を備える増幅器１１０１及び１１０Ｎに転送される測定信号Ｍ１及びＭＮとを表す。
【００５７】
本発明によれば、１つのサイクル５０内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１の間に測定信号Ｍｎを提供することにより、ダイＤｎの温度によって決まる内部ゲート抵抗Ｒｎの値を測定するように、温度検知手段を備える１つの増幅器１１０ｎに命令する。同時に、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１の間、他の全てのダイが導通状態にある一方でダイＤｎを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷｎを、温度検知手段を備える増幅器１１０ｎに提供する。
【００５８】
同じサイクル５０内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５２の間に測定信号Ｍ１〜ＭＮを提供することにより、ダイＤ１〜ＤＮの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値Ｒ１〜ＲＮの等価抵抗値を測定するように、温度検知手段を備える全ての増幅器１１０１〜１１０Ｎに命令する。少なくとも同じ期間５２の間に、マルチダイ温度コントローラ１０は、少なくとも期間５２の間、ダイＤ１〜ＤＮを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに提供する。
【００５９】
サイクル５０ａ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１ａの間に測定信号Ｍ１を提供することにより、ダイＤ１の温度によって決まる内部ゲート抵抗Ｒ１の値を測定するように、温度検知手段を備える１つの増幅器１１０１に命令する。同時に、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１ａの間、他の全てのダイＤ２〜ＤＮが導通状態にある一方でダイＤ１を非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１を、温度検知手段を備える増幅器１１０１に提供する。
【００６０】
サイクル５０ａ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５２ａの間に測定信号Ｍ１〜ＭＮを提供することにより、ダイＤ１〜ＤＮの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値Ｒ１〜ＲＮの等価抵抗値を測定するように、温度検知手段を備える全ての増幅器１１０１〜１１０Ｎに命令する。少なくとも同じ期間５２ａの間に、マルチダイ温度コントローラ１０は、少なくとも期間５２ａの間、ダイＤ１〜ＤＮを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに提供する。
【００６１】
サイクル５０ｂ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１ｂの間に測定信号ＭＮを提供することにより、ダイＤＮの温度によって決まる内部ゲート抵抗ＲＮの値を測定するように、温度検知手段を備える１つの増幅器１１０Ｎに命令する。同時に、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１ｂの間、他の全てのダイＤ１〜ＤＮ−１が導通状態にある一方でダイＤＮを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０Ｎに提供する。
【００６２】
サイクル５０ｂ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５２ａの間に測定信号Ｍ１〜ＭＮを提供することにより、ダイＤ１〜ＤＮの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値Ｒ１〜ＲＮの等価抵抗値を測定するように、温度検知手段を備える全ての増幅器１１０１〜１１０Ｎに命令する。少なくとも同じ期間５２ｂの間に、マルチダイ温度コントローラ１０は、少なくとも期間５２ｂの間、ダイＤ１〜ＤＮを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに提供する。
【００６３】
サイクル５０ｃ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５１ｃの間に測定信号Ｍｎを提供することにより、ダイＤｎの温度によって決まる内部ゲート抵抗Ｒｎの値を測定するように、温度検知手段を備える１つの増幅器１１０ｎに命令する。同時に、マルチダイ温度コントローラ１０は、他の全てのダイが導通状態にある一方でダイＤｎを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷｎを、温度検知手段を備える増幅器１１０ｎに提供する。
【００６４】
サイクル５０ｃ内で、マルチダイ温度コントローラ１０は、期間５２ｃの間に測定信号Ｍ１〜ＭＮを提供することにより、ダイＤ１〜ＤＮの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値Ｒ１〜ＲＮの等価抵抗値を測定するように、温度検知手段１１０１〜１１０Ｎを備える全ての増幅器に命令する。少なくとも同じ期間５２ｃの間に、マルチダイ温度コントローラ１０は、少なくとも期間５２ｃの間、ダイＤ１〜ＤＮを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに提供する。
【００６５】
図６は、本発明による、参照温度を用いてマルチダイパワーモジュールの個々のダイを制御するために、１つのダイの温度及び参照温度を求めるアルゴリズムの一例を表す。
【００６６】
本アルゴリズムについて、マルチダイ温度コントローラ１０のプロセッサ４００によって実行される一例で開示する。
【００６７】
ステップＳ６０において、プロセッサ４００は、ダイＤｎの温度によって決まる内部ゲート抵抗値の測定を実行するように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に対して、測定信号コマンドの生成を命令する。
【００６８】
プロセッサ４００は、少なくとも期間５１の間に低レベルであるパルス幅変調信号ＰＷｎを転送するように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に命令し、他の全てのダイが導通状態にある一方でダイＤｎの内部ゲート抵抗を通して電流Ｉｎが流れるのを可能にする測定信号ＰＷｎを転送するように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に命令する。
【００６９】
プロセッサ４００は、例えば、期間５１の持続時間の半分に等しい期間の後、電圧値Ｔｊ，ｎをサンプリングするように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に備えられたアナログデジタル変換器に命令する。
【００７０】
次のステップＳ６１において、プロセッサ４００は、サンプリングされた電圧をメモリ４０３に記憶する。
【００７１】
次のステップＳ６２において、プロセッサ４００は、ダイＤ１〜Ｄｎの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値の等価抵抗値を表す参照温度の測定を実施するように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に対し、測定信号コマンドの生成を命令する。
【００７２】
マルチダイ温度コントローラ１０は、測定信号Ｍ１〜ＭＮを提供することにより、期間５２の間、ダイＤ１〜Ｄｎの温度によって決まる、並列に置かれた内部ゲート抵抗値Ｒ１〜ＲＮの等価抵抗値を測定するように、温度検知手段を備える全ての増幅器１１０１〜１１０Ｎに命令する。少なくとも同じ期間５２の間、マルチダイ温度コントローラ１０は、少なくとも期間５２の間にダイＤ１〜Ｄｎを非導通状態にするパルス幅変調信号ＰＷ１〜ＰＷＮを、温度検知手段を備える増幅器１１０１〜１１０Ｎに提供するために、Ｉ／Ｏインタフェースに命令する。
【００７３】
プロセッサ４００は、例えば、期間５２の持続時間の半分に等しい期間の後、電圧値Ｔｊ，１〜Ｔｊ，Ｎの平均値をサンプリングするように、Ｉ／Ｏインタフェース４０５に備えられたアナログデジタル変換器に命令する。
【００７４】
次のステップＳ６３において、プロセッサ４００は、サンプリングされた平均電圧値をメモリ４０３に記憶する。
【００７５】
次のステップＳ６４において、プロセッサ４００は、ステップＳ６１及びＳ６３において記憶された値を比較することにより、ダイＤｎに提供すべきパルス幅変調信号ＰＷｎ信号を更新する。
【００７６】
例えば、値Ｔｊ，ｎが参照値より高い場合、プロセッサ４００は、少なくとも１つのパルス幅変調サイクルの間のダイＤｎの導通時間の持続時間を短縮する。
【００７７】
例えば、値Ｔｊ，ｎが参照値より低い場合、プロセッサ４００は、少なくとも１つのパルス幅変調サイクル中のダイＤ１〜Ｄｎ−１及びＤｎ＋１〜ＤＮの導通時間の持続時間を低減させる。
【００７８】
次のステップＳ６５において、プロセッサ４００は、ダイＤｎとは異なる別のダイを選択し、ステップＳ６０に戻る。
【００７９】
当然のことながら、本発明の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明の実施形態に対して多くの変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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