(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１０〜０．０１０％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％、Ｐ：０．００１〜０．１質量％、Ｃ：０．００５質量％以下、Ｓ：０．００１〜０．００５質量％、Ｎ：０．００５質量％以下およびＴｉ：０．００５質量％以下を含み、残部はＦｅおよび不可避不純物からなり、
鋼板の表面に対し、粒径が５０〜２００ｎｍであるＳｉ酸化物の密度が５個／μｍ２以下であることを特徴とする無方向性電磁鋼板。
【請求項２】
前記無方向性電磁鋼板は、ＳｎおよびＳｂのうち１種以上を単独またはその合量で０．０６質量％以下さらに含むことを特徴とする請求項１に記載の無方向性電磁鋼板。
【請求項３】
前記無方向性電磁鋼板は、Ｃｕ：０．０５質量％以下、Ｎｉ：０．０５質量％以下、Ｃｒ：０．０５質量％以下、Ｚｒ：０．０１質量％以下、Ｍｏ：０．０１質量％以下、およびＶ：０．０１質量％以下のうち１種以上をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無方向性電磁鋼板。
【請求項４】
前記無方向性電磁鋼板は、鉄損（Ｗ１５／５０）が２．８０Ｗ／ｋｇ以下であり、磁束密度（Ｂ５０）が１．７０Ｔ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の無方向性電磁鋼板。
【請求項５】
質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１０〜０．０１０％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％、Ｐ：０．００１〜０．１質量％、Ｃ：０．００５質量％以下、Ｓ：０．００１〜０．００５質量％、Ｎ：０．００５質量％以下およびＴｉ：０．００５質量％以下、残部がＦｅおよび不可避不純物からなるスラブを加熱する段階と、
スラブを熱間圧延して熱延板を製造する段階と、
前記熱延板を冷間圧延して冷延板を製造する段階と、
前記冷延板を最終焼鈍する段階とを含み、
前記最終焼鈍する段階は、雰囲気ガスとして水素ガスを含み、
前記雰囲気ガス内の水素ガス含量比が下記数１を満たし、
鋼板の表面に対し、粒径が５０〜２００ｎｍであるＳｉ酸化物の密度が５個／μｍ２以下であることを特徴とする無方向性電磁鋼板の製造方法。
［数１］
０．０１３≦（［Ｚｎ］＋［Ｂ］）×１００／［Ｈ２］≦０．０５１
数１において、［Ｚｎ］および［Ｂ］は、それぞれスラブ内のＺｎおよびＢの含有量（質量％）を示し、［Ｈ２］は、雰囲気ガス内の水素ガス含有量（体積％）を示す。
【請求項６】
前記スラブは、ＳｎおよびＳｂのうち１種以上を単独またはその合量で０．０６質量％以下さらに含むことを特徴とする請求項５に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項７】
前記スラブは、Ｃｕ：０．０５質量％以下、Ｎｉ：０．０５質量％以下、Ｃｒ：０．０５質量％以下、Ｚｒ：０．０１質量％以下、Ｍｏ：０．０１質量％以下、およびＶ：０．０１質量％以下のうち１種以上をさらに含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項８】
前記熱延板を製造する段階以後、
前記熱延板を熱延板焼鈍する段階をさらに含むことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無方向性電磁鋼板およびその製造方法に係り、より詳しくは、鉄損と磁束密度が同時に優れた無方向性電磁鋼板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無方向性電磁鋼板は、モータ、発電機などの回転機器と小型変圧器などの静止機器において鉄心用材料に使用され、電気的エネルギを機械的エネルギに変える役割をする。したがって、電気機器のエネルギ効率の決定における非常に重要な素材であり、省エネルギのために優れた特性の無方向性電磁鋼板に対する需要が増加している実情である。
無方向性電磁鋼板では鉄損と磁束密度が非常に重要な特性である。鉄損はエネルギ変換過程で損失されるエネルギであるため、低いほど良く、磁束密度は出力と関係するので高いほど良い。最近の電動機および発電機に求められる高効率の特性のためには低鉄損および高磁束密度の特性を同時に有する磁性に優れた無方向性電磁鋼板が必要となっている。鉄損を低くするための最も効率的な方法としては、無方向性電磁鋼板の主な添加元素であるＳｉ、Ａｌ、Ｍｎ添加量を増加させ、鋼の比抵抗を増加させる方法があるが、合金元素の添加量の増加は、磁束密度を減少させ、生産性を低下させる短所を有しているので、最適の添加量の導き出しにより鉄損と磁束密度を同時に向上させる方向への技術が開発されてきた。
【０００３】
磁性を向上させるためにＲＥＭなど特殊の添加元素を活用して集合組織を改善して磁気的性質を向上させるか、２回圧延２回焼鈍など追加的な製造工程を導入する技術などが用いられている。しかし、このような技術は、いずれも製造原価の上昇を招き、大量生産には問題がある。
このような問題を解決するために、集合組織の向上による磁性改善のために鋼中の酸化物系介在物の中のＭｎＯとＳｉＯ２の組成質量比（ＭｎＯ／ＳｉＯ２）を調節し、熱間圧延時の仕上げ圧延を鋼鉄とロールとの間の摩擦係数が０．２以下であり、かつ仕上げ圧延温度が７００℃以上のフェライト単相領域で実施後に熱延板焼鈍、冷間圧延、冷延板焼鈍する方法が提示された。ただし、この時、熱延板の厚さを１．０ｍｍ以下に制御しなければならないため生産性が落ちるので、商業的な生産が難しい問題がある。
【０００４】
また、圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造のために熱間圧延、熱延板焼鈍、冷間圧延、冷延板焼鈍の工程に追加で圧下率３〜１０％で、ｓｋｉｎ  ｐａｓｓ圧延を行い、再び焼鈍する工程が提示された。これもまた追加工程による原価上昇の問題を有している。
また、磁気的特性を向上させるために熱延板に中間焼鈍を含む２回圧延２回焼鈍する方法が提示され、冷間圧延時に中間焼鈍を含んで２回圧延する方法が提示されたが、これも圧延−焼鈍工程の追加により製造コストの増加が発生する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が目的とするところは、鉄損と磁束密度が同時に優れた無方向性電磁鋼板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による無方向性電磁鋼板は、質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１〜０．０１％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％を含み、残部がＦｅおよび不可避不純物からなることを特徴とする。
【０００７】
前記無方向性電磁鋼板は、Ｐ：０．００１〜０．１質量％、Ｃ：０．００５質量％以下、Ｓ：０．００１〜０．００５質量％、Ｎ：０．００５質量％以下およびＴｉ：０．００５質量％以下をさらに含むことを特徴とする。
【０００８】
前記無方向性電磁鋼板は、ＳｎおよびＳｂのうち１種以上を単独またはその合量で０．０６質量％以下さらに含むことを特徴とする。
【０００９】
前記無方向性電磁鋼板は、Ｃｕ：０．０５質量％以下、Ｎｉ：０．０５質量％以下、Ｃｒ：０．０５質量％以下、Ｚｒ：０．０１質量％以下、Ｍｏ：０．０１質量％以下、およびＶ：０．０１質量％以下のうち１種以上をさらに含むことを特徴とする。
【００１０】
前記無方向性電磁鋼板は、鋼板の表面に対し、粒径が５０〜２００ｎｍであるＳｉ酸化物の密度が５個／μｍ２以下であることを特徴とする。
【００１１】
前記無方向性電磁鋼板は、鉄損（Ｗ１５／５０）が２．８０Ｗ／ｋｇ以下であり、磁束密度（Ｂ５０）が１．７０Ｔ以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の無方向性電磁鋼板の製造方法は、質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１〜０．０１％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％を含み、残部がＦｅおよび不可避不純物からなるスラブを加熱する段階と、スラブを熱間圧延して熱延板を製造する段階と、熱延板を冷間圧延して冷延板を製造する段階と、冷延板を最終焼鈍する段階とを含むことを特徴とする。
【００１３】
前記スラブは、Ｐ：０．００１〜０．１質量％、Ｃ：０．００５質量％以下、Ｓ：０．００１〜０．００５質量％、Ｎ：０．００５質量％以下およびＴｉ：０．００５質量％以下をさらに含むことを特徴とする。
【００１４】
前記スラブは、ＳｎおよびＳｂのうち１種以上を単独またはその合量で０．０６質量％以下さらに含むことを特徴とする。
【００１５】
前記スラブは、Ｃｕ：０．０５質量％以下、Ｎｉ：０．０５質量％以下、Ｃｒ：０．０５質量％以下、Ｚｒ：０．０１質量％以下、Ｍｏ：０．０１質量％以下、およびＶ：０．０１質量％以下のうち１種以上をさらに含ことを特徴とする。
【００１６】
前記熱延板を製造する段階以後、熱延板を熱延板焼鈍する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１７】
前記最終焼鈍する段階は、雰囲気ガスとして水素ガスを含み、雰囲気ガス内の水素ガス含量比が下記数１を満たすことを特徴とする。
［数１］
０．１≦（［Ｚｎ］＋［Ｂ］）×１００／［Ｈ２］≦０．６
数１において、［Ｚｎ］および［Ｂ］は、それぞれＺｎおよびＢの含有量（質量％）を示し、［Ｈ２］は、雰囲気ガス内の水素ガス含有量（体積％）を示す。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の無方向性電磁鋼板および製造方法によれば、鉄損に優れ、同時に磁束密度にも優れる無方向性電磁鋼板を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
第１、第２および第３等の用語は、多様な部分、成分、領域、層および／またはセクションを説明するために使われるが、これらに限定されない。これらの用語は、ある部分、成分、領域、層またはセクションを他の部分、成分、領域、層またはセクションとの区別にのみ使われる。したがって、以下で叙述する第１部分、成分、領域、層またはセクションは、本発明の範囲を逸脱しない範囲内で第２部分、成分、領域、層またはセクションと言及され得る。
ここで使われる専門用語は、単に特定の実施例を言及するためのものであり、本発明を限定することを意図しない。ここで使われる単数形は文面がこれと明確に反対の意味を示さない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」の意味は、特定の特性、領域、整数、段階、動作、要素および／または成分を具体化し、他の特性、領域、整数、段階、動作、要素および／または成分の存在や付加を除外させるものではない。
【００２０】
ある部分が他の部分「上に」または「の上に」あると言及する場合、これは他の部分のすぐ上にまたは上方にあるか、その間に他の部分を伴うことができる。対照的に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あると言及する場合、その間に他の部分が介在しない。
他に定義のない限り、本願で用いられる技術用語及び科学用語を含む全ての用語は、本発明が属する技術分野における者により普通に理解される意味と同じ意味を持つ。一般に用いられている辞書で定義されているような用語は、関連技術文献と現在開示されている内容に合う意味を持つものと追加解釈され、定義されていない限り理想的や公式的過ぎる意味に解釈されない。
また、特記しない限り、％は質量％を意味し、１ｐｐｍは０．０００１質量％である。
本発明の一実施例で追加元素をさらに含むことの意味は、追加元素の追加量だけ残部である鉄（Ｆｅ）を代替して含むことを意味する。
以下、本発明の実施例に対し、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００２１】
本発明の無方向性電磁鋼板は、質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１〜０．０１％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％を含み、残部はＦｅおよび不可避不純物からなる。
さらに、Ｐ：０．００１〜０．１質量％、Ｃ：０．００５質量％以下、Ｓ：０．００１〜０．００５質量％、Ｎ：０．００５質量％以下およびＴｉ：０．００５質量％以下を含む。
また、ＳｎおよびＳｂのうち１種以上を単独またはその合量で０．０６質量％以下をさらに含む。
また、Ｃｕ：０．０５質量％以下、Ｎｉ：０．０５質量％以下、Ｃｒ：０．０５質量％以下、Ｚｒ：０．０１質量％以下、Ｍｏ：０．０１質量％以下、およびＶ：０．０１質量％以下のうち１種以上をさらに含む。
【００２２】
以下、無方向性電磁鋼板の成分含有量について説明する。
Ｓｉ：１．０〜４．０質量％
ケイ素（Ｓｉ）は、鋼の比抵抗を増加させて鉄損のうち渦流損失を低くするために添加される主な元素である。過度に少なく添加される場合、鉄損改善効果が不十分となる。逆に過度に多く添加される場合、磁束密度を減少させて圧延性を低下させる。したがって、前述した範囲でＳｉを添加する。
Ｍｎ：０．１〜１．０質量％
マンガン（Ｍｎ）は、Ｓｉ、Ａｌなどとともに比抵抗を増加させて鉄損減少のために添加され、集合組織を改善する効果がある。添加量が過度に少ない場合、磁性に及ぼす影響が微弱であり、添加量が過度に多い場合、磁束密度を大きく低下させる。したがって、前述した範囲でＭｎを添加する。
【００２３】
Ａｌ：０．１〜１．５質量％
アルミニウム（Ａｌ）は、Ｓｉと同様に比抵抗を増加させて鉄損を減少させる役割をする。過度に多く添加されると、磁束密度を大きく減少させる。したがって、前述した範囲でＡｌを添加する。より具体的にはＡｌを０．１〜１．０質量％含む。
Ｚｎ：０．００１〜０．０１質量％
亜鉛（Ｚｎ）は、含有量が過度である場合、不純物として作用して磁性を劣らせ、逆に含有量が過度に少ない場合、磁性に及ぼす影響が微弱である。したがって、前述した範囲でＺｎを添加する。
Ｂ：０．０００５〜０．００５質量％
ホウ素（Ｂ）は、Ｎと強く結合する元素としてＴｉ、Ｎｂ、Ａｌなどとの窒化物の形成を抑制するために添加される元素である。添加量が過度に少ない場合、その効果が微弱であり、添加量が過度に多い場合、ＢＮ化合物自体によって磁性を低下させる。したがって、前述した範囲でＢを添加する。
【００２４】
Ｐ：０．００１〜０．１質量％
リン（Ｐ）は、比抵抗を増加させて鉄損を低くする役割をし、結晶粒界に偏析して集合組織を向上させる役割をする。ただし、高合金鋼では圧延性を低下させる元素であるため、Ｐがさらに添加される場合、前述した範囲でＰを添加する。
Ｃ：０．００５質量％以下
炭素（Ｃ）は、Ｔｉなどと結合して炭化物を形成して磁性を低下させ、最終製品から電気製品への加工後の使用時、磁気時効によって鉄損を高めるので、含有量が低いほど好ましい。Ｃがさらに添加される場合、前述した範囲でＣを添加する。
Ｓ：０．００１〜０．００５質量％
硫黄（Ｓ）は、磁気的特性に有害なＭｎＳ、ＣｕＳおよび（Ｃｕ，Ｍｎ）Ｓなどの硫化物を形成する元素であるので、できるだけ低く添加することが好ましい。しかし、過度に少なく添加される場合、かえって集合組織形成に不利であるため、磁性が低下する。また過度に多く添加される場合は、微細な硫化物の増加によって磁性が劣る。したがって、Ｓがさらに添加される場合、前述した範囲でＳを添加する。
【００２５】
Ｎ：０．００５質量％以下
窒素（Ｎ）は、Ａｌ、Ｔｉなどと強く結合することによって窒化物を形成して結晶粒成長を抑制するなど磁性に有害な元素であるため、含有量は少ないほど好ましい。Ｎがさらに添加される場合、前述した範囲でＮを添加する。
Ｔｉ：０．００５質量％以下
チタニウム（Ｔｉ）は、微細な炭化物と窒化物を形成して結晶粒成長を抑制し、多く添加されるほど増加した炭化物と窒化物によって集合組織も劣るため磁性が悪くなる。Ｔｉがさらに添加される場合、前述した範囲でＴｉを添加する。
【００２６】
ＳｎおよびＳｂ：０．０６質量％以下
スズ（Ｓｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）は、結晶粒界偏析元素であり、結晶粒界による窒素の拡散を抑制して磁性に有害な｛１１１｝，｛１１２｝集合組織の形成を抑制して磁性に有利な｛１００｝および｛１１０｝集合組織を増加させて磁気的特性を向上させるために添加するが、その添加量が少ない場合、効果が少なく、添加量が多い場合は、かえって結晶粒成長を抑制して磁性を落とす。ＳｎまたはＳｂが添加される場合、単独またはその合量で０．０６質量％以下さらに含む。すなわち、Ｓｎを単独で含む場合、Ｓｎを０．０６質量％以下含むか、Ｓｂを単独で含む場合、Ｓｂを０．０６質量％以下含むか、ＳｎおよびＳｂを含む場合、ＳｎおよびＳｂの合量で０．０６質量％以下含む。
不純物元素
前記元素の他にもＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｖなどの不可避に混入される不純物がある。Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒの場合、不純物元素と反応して微細な硫化物、炭化物および窒化物を形成して磁性に有害な影響を及ぼすので、これらの含有量をそれぞれ０．０５質量％以下に制限する。Ｚｒ、Ｍｏ、Ｖなども強力な炭窒化物形成元素であるので、可能な限り添加しないことが好ましく、それぞれ０．０１質量％以下とする。
【００２７】
本発明の無方向性電磁鋼板は、ＺｎおよびＢの含有量を精密に制御することによって、鋼板の表面に形成されるＳｉ酸化物の密度を制御し、究極的に鉄損および磁束密度を同時に向上させる。具体的には鋼板の表面に対し、粒径が５０〜２００ｎｍのＳｉ酸化物の密度が５個／μｍ２以下である。この時、鋼板の表面とは、鋼板厚さ方向と垂直の表面層を意味する。粒径が５０ｎｍ未満のＳｉ酸化物は、磁性に及ぼす影響が微弱であるため、密度評価時は除く。粒径が２００ｎｍ超のＳｉ酸化物も磁性に及ぼす影響が微弱であるため除く。このようにＳｉ酸化物の密度を制御することによって、鉄損および磁束密度が同時に優れた無方向性電磁鋼板が得られる。具体的には鉄損（Ｗ１５／５０）が２．８０Ｗ／ｋｇ以下であり、磁束密度（Ｂ５０）が１．７０Ｔ以上である。
【００２８】
本発明の無方向性電磁鋼板の製造方法は、質量％でＳｉ：１．０〜４．０％、Ｍｎ：０．１〜１．０％、Ａｌ：０．１〜１．５％、Ｚｎ：０．００１〜０．０１％、Ｂ：０．０００５〜０．００５％を含み、残部がＦｅおよび不可避不純物からなるスラブを加熱する段階と、スラブを熱間圧延して熱延板を製造する段階と、熱延板を冷間圧延して冷延板を製造する段階と、冷延板を最終焼鈍する段階とを含む。
以下では各段階別に具体的に説明する。
先にスラブを加熱する。スラブ内の各組成の添加比率を限定した理由は、前述した無方向性電磁鋼板の組成を限定した理由と同一であるため、重複する説明は省略する。後述する熱間圧延、熱延板焼鈍、冷間圧延、最終焼鈍などの製造過程でスラブの組成は、実質的に変動しないので、スラブの組成と無方向性電磁鋼板の組成が実質的に同一である。
スラブを加熱炉に裝入して１１００〜１２００℃で加熱する。１２００℃を超える温度で加熱時スラブ内に存在するＡｌＮ、ＭｎＳなどの析出物が再固溶された後、熱間圧延時に微細析出されて結晶粒成長を抑制して磁性を低下させる。
【００２９】
加熱したスラブは、熱間圧延して２〜２．３ｍｍの熱延板にされる。熱間圧延時の仕上圧延は、板形状の校正のために最終圧下率は２０％以下で行う。熱延板は７００℃以下で巻き取り、空気中で冷却する。
熱延板を製造する段階以後、熱延板を熱延板焼鈍する段階をさらに含む。この時、熱延板焼鈍温度は１０００〜１２００℃である。熱延板焼鈍温度が過度に低い場合、結晶粒成長が不充分であるため、磁性が劣り、焼鈍温度が過度に高い場合、結晶粒が粗大で冷間圧延性が劣る。
次に、熱延板を酸洗して所定の板厚になるように冷間圧延する。熱延板の厚さに応じて異なるように適用できるが、５０〜９５％の圧下率を適用して最終の厚さが０．１０〜０．７０ｍｍになるように冷間圧延して冷延板を製造する。必要に応じて、中間焼鈍を含む複数の冷間圧延工程を含む。
最終冷間圧延された冷延板は、最終焼鈍を行う。最終焼鈍温度は、７５０〜１０５０℃である。最終焼鈍温度が過度に低いと再結晶が十分でなく、最終焼鈍温度が過度に高いと結晶粒の急激な成長が発生して磁束密度と高周波鉄損が劣る。具体的には９００〜１０００℃の温度で最終焼鈍する。
【００３０】
最終焼鈍する段階で雰囲気ガスとして水素ガスと窒素ガスを使用する。この時、スラブ内のＺｎ、Ｂ含有量と雰囲気ガス内の水素ガス含有量を調節する。Ｓｉ、Ａｌは鋼の比抵抗を増加させて鉄損を減少させる役割をするので、低鉄損特性のためにその添加量が徐々に増加している傾向があるが、Ｓｉは焼鈍時に酸素と反応して母材の表面に酸化物を形成することによって、磁化過程で磁区の移動を妨害して磁性を劣らせ、Ａｌも酸素および窒素と反応して酸化物または窒化物を形成して同様に磁性を劣らせる。したがって、このような酸化物または窒化物の形成を可能な限り抑制する必要がある。ＺｎとＢ添加量および焼鈍時の水素比を制御して酸化物または窒化物の形成を抑制することによって、磁性が向上する。
【００３１】
具体的には雰囲気ガス内の水素ガス含量比が下記数１を満たすようにする。
［数１］
０．１≦（［Ｚｎ］＋［Ｂ］）×１００／［Ｈ２］≦０．６
式１において、［Ｚｎ］および［Ｂ］は、それぞれＺｎおよびＢの含有量（質量％）を示し、［Ｈ２］は、雰囲気ガス内の水素ガス含有量（体積％）を示す。
最終焼鈍過程において、前段階の冷間圧延段階で形成された加工組織がすべて（すなわち、９９％以上）再結晶される。最終焼鈍された鋼板の結晶粒は、平均結晶粒径が５０〜１５０μｍである。
このようにして製造された無方向性電磁鋼板は、絶縁被膜処理される。絶縁被膜は、有機質、無機質および有無機複合被膜に処理される。その他絶縁が可能な被膜剤で処理することも可能である。
【００３２】
以下では実施例により本発明をさらに詳細に説明する。しかし、このような実施例は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明はここに限定されるものではない。
実施例
表１および表２の組成で、残部がＦｅおよび不可避不純物からなるスラブを製造した。スラブを１１４０℃で加熱し、８８０℃の仕上げ温度で熱間圧延して板厚み２．５ｍｍの熱延板を製造した。熱間圧延した熱延板は、１０３０℃で１００秒間熱延板焼鈍後、酸洗および冷間圧延して厚さを０．５０ｍｍにして、１０２０℃で１００秒間最終焼鈍を行った。最終焼鈍過程で雰囲気ガスを水素ガスおよび窒素ガスの混合ガスにし、水素ガスの比率を下記表３のように変更した。
最終焼鈍後、鋼板の表面に形成された粒径５０〜２００ｎｍのＳｉ酸化物の密度を測定して下記表３に整理し、各試験片に対する磁束密度（Ｂ５０）、鉄損（Ｗ１５／５０）を表３に示した。鉄損（Ｗ１５／５０）は、５０Ｈｚ周波数で１．５Ｔｅｓｌａの磁束密度が誘起されたときの圧延方向と圧延方向垂直方向の平均損失（Ｗ／ｋｇ）であり、磁束密度（Ｂ５０）は、５０００Ａ／ｍの磁場を付加したとき誘導される磁束密度の大きさ（Ｔｅｓｌａ）である。
【００３３】
【表１】
0006890181.tif 000002
【００３４】
【表２】
0006890181.tif 000003
【００３５】
【表３】
0006890181.tif 000004
【００３６】
表１ないし表３に示すように、ＺｎおよびＢが適切に含まれ、最終焼鈍時の雰囲気ガス内の水素比率が適切なＡ１、Ａ３、Ａ４、Ａ７、Ａ１０およびＡ１１場合、Ｓｉ酸化物の密度が適切に形成され、優れた鉄損Ｗ１５／５０と磁束密度Ｂ５０を示した。
これに対し、Ａ２とＡ６は、Ｚｎが管理範囲を満たすことができず、最終焼鈍時の雰囲気ガス内の水素比率が適切にできなかった。またＳｉ酸化物が多量生成され、その結果、劣った鉄損Ｗ１５／５０と磁束密度Ｂ５０が示された。
Ａ５とＡ１２は、Ｂが管理範囲を満たすことができず、最終焼鈍時の雰囲気ガス内の水素比率が適切に含まれなかった。またＳｉ酸化物が多量生成され、その結果、劣った鉄損Ｗ１５／５０と磁束密度Ｂ５０が示された。
【００３７】
Ａ８は、ＺｎとＢは、それぞれの管理範囲を満たしたが、最終焼鈍時の雰囲気ガス内の水素比率が適切に含まれなかった。またＳｉ酸化物が多量生成され、その結果、劣った鉄損Ｗ１５／５０と磁束密度Ｂ５０が示された。
また、Ａ９は、ＺｎとＢがそれぞれの管理範囲を満たすことができず、最終焼鈍時の雰囲気ガス内の水素比率が適切に含まれなかった。Ｓｉ酸化物が多量生成され、その結果、劣った鉄損Ｗ１５／５０と磁束密度Ｂ５０が示された。
本発明は実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造され、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記実施例はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。