(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊方法であって、不揮発性メモリに基づいて、記憶モジュールにおいて記憶領域を画定し、異なる記憶期間を設定するステップと、異なる記憶領域において異なるプロセス又は物理的材料を用いて、データを特定の記憶期間内で自己破壊させるか、又は各記憶領域ごとに読み書き方式を動的に選択して、異なる読み書き操作を行い、ユーザ自分で自己破壊時間を設定するステップとを含む構成であって、
前記不揮発性メモリは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであり、読み書き操作は、高圧で書き込むことであり、データの常駐エラーを増加し、所定の短時間でデータの自己破壊を実現する
ことを特徴とする不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理ハードウェアの設計に基づくデータ自己破壊用の記憶方法及びシステムに関し、データ自己破壊の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
記憶性能の向上に伴い、ほとんどの人は、データ保持特性及びデバイスの信頼性の向上に焦点を当てているが、情報セキュリティへの要件を無視することがよくある。時効性のある情報やコールド情報の場合は、記憶されたデータが所定の期間内に自己破壊すればよい。一般に、データの自己破壊は、ソフトウェア又は物理ハードウェアによって手動で行われる。
【０００３】
中国特許文献ＣＮ１０７６０８９１５Ａにおいて、電子データ記憶媒体の回路に接触していない面上に低速火薬層を１層被覆して、該低速火薬層を点火装置に接続し、低速火薬が点火装置によって点火されると、記憶媒体の表面で高温を発生させて、媒体の内部に物理的ダメージを引き起こすことで、データ自己破壊の目的を達成させる電子データの物理的自己破壊方法が開示されている。ＣＮ１０５０９５７９７Ａは、『電子データ記憶ユニットの物理的自己破壊の制御回路』を開示している。
【０００４】
ＣＮ１０５２７９４５７Ａにおいて開示された『データを自己破壊可能なデータ暗号化管理システム』では、まず、ユーザーによって入力されたデータ情報を自動的にセグメント化し、一定の長さのデータを１つのデータ区間にして、データ区間ごとのデータを異なるデータ暗号化アルゴリズムで自動的に暗号化し、各区間の暗号化鍵を再度暗号化するとともに、秘密キーにより暗号化された暗号文を復号化できるパスワードをユーザーにより作成する。ユーザーがデータベースにアクセスしてデータを閲覧するたびに、閲覧対象暗号文に対するパスワード検証が必要とされ、検証に合格すると、システムは、自動的に暗号文を復号化するとともに、初期に書き込まれたデータ情報を復元し、このようにして、ユーザーは、データ情報に便利にアクセスできる。パスワードの検証に失敗した場合や悪意のあるクラッキングが検出された場合、システムは、データの自己破壊機能を起動させて、データを強力で徹底的に消去する。ＣＮ１０２５７１９４９Ａは、『ネットワークに基づくデータ自己破壊方法』を開示している。
【０００５】
ＣＮ１０１６１５２３５において開示された『メモリのデータ自己破壊システム』は、メモリ及びマイクロコントローラを物理的に封止するためのカバーと、前記カバーに巻き付けられて蛇行配線配置を形成し、一端が電源に接続されて他端がマイクロコントローラに接続されるとともに抵抗を介して接地する攻撃防止回線と、前記攻撃防止回線の他端のレベル変化を検出し、変化すると検出すると、メモリに記憶された少なくとも一部のメモリを消去するためのマイクロコントローラと、データを格納しマイクロコントローラに接続され、マイクロコントローラの制御下でデータを消去するためのメモリとを備える。
【０００６】
データ記憶に対する需要が高まっており、低コストのメモリが期待されており、その中でも、フラッシュメモリは、現在最も広く使用されているメモリである。フラッシュメモリに対する世界市場の需要は、劇的に増加している。フラッシュメモリは、ＮＡＮＤとＮＯＲの２種類に分けられる。ＮＡＮＤフラッシュメモリは、消去時間が短く、記憶ユニットあたりの面積が小さいため、ＮＯＲフラッシュメモリよりも、ビットあたりのコストが低く、記憶密度が高くなる。ＮＡＮＤフラッシュメモリは、非常に高いユニット密度を提供し、高記憶密度を実現でき、且つ書き込みおよび消去の速度が高い。
【０００７】
ＲＲＡＭ（登録商標）（抵抗変化型メモリ）は、フラッシュメモリの特徴サイズを連続的に縮小することができない場合、次世代の新型不揮発性メモリとして、構造がシンプルで、動作速度が高く、電力消費が低く、３次元集積が容易であり、且つ従来のＣＭＯＳプロセスとは互換性があるなどの特徴を有する。長年発展した結果、ＲＲＡＭ（登録商標）の信頼性、安定性及び均一性は、工業化の要求に近くなりつつ、学術界や産業界の研究の中心は、ＲＲＡＭ（登録商標）デバイスの改良から大規模集積技術の研究へとシフトしている。
【０００８】
従来のデータ自己破壊技術は、メモリの外部からソフトウェアプログラミングによって実現されており、メモリ自体のハードウェア設計でデータの自己破壊を実現することができず、必要に応じて所定の期間保持することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】中国特許文献ＣＮ１０７６０８９１５Ａ
【特許文献２】中国特許文献ＣＮ１０５０９５７９７Ａ
【特許文献３】中国特許文献ＣＮ１０５２７９４５７Ａ
【特許文献４】中国特許文献ＣＮ１０２５７１９４９Ａ
【特許文献５】中国特許文献ＣＮ１０１６１５２３５Ａ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来のデータ自己破壊技術に存在する欠点に対して、メモリの物理ハードウェアの特性（ＲＲＡＭ（登録商標）及びＮＡＮＤフラッシュメモリを例にする）と組み合わせて、異なる時間でのデータ自己破壊を実現し、データ記憶の利便性を実現することができる不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊方法を提供するとともに、該方法の実現システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊方法は、
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）に基づいて、記憶モジュールにおいて異なる記憶領域を画定し、異なるデータ記憶期間（１つの記憶領域ごとに１つの記憶期間を設定する）を設定し、異なる記憶領域において異なるプロセス又は物理的材料を用いて、データを特定の記憶期間内で自己破壊させるか、又は各記憶領域ごとに読み書き方式を動的に選択して、異なる読み書き操作を行い、ユーザー自分で自己破壊時間を設定する。
【００１２】
前記不揮発性メモリは、ＲＲＡＭ（登録商標）であり、異なる記憶領域において異なるプロセス又は物理的材料が使用されており、具体的には、このプロセスは、薄膜作製プロセス、材料キャラクタリゼーション技術などであり、物理的材料は、電極層及び抵抗変化記憶層材料を選択することにより実現されるものであり、主に抵抗変化記憶層材料であり、材料システムが極めて豊富であり、大部分の絶縁体及び半導体材料を含むが、抵抗変化特性がそれぞれ異なる。現時点、二元酸化物は、研究材料として好適ななものであり、ハードウェア設計でデバイス保持特性を悪くし、それにより、必要に応じて所望の材料を選択することでデータを特定の期間内で自己破壊させることができる。
【００１３】
前記不揮発性メモリは、ＲＲＡＭ（登録商標）であり、読み書き操作は、大きさの異なる電流の状態及び異なる電圧パルスでデータを記憶領域に書き込み、電圧の大きさと電流の大きさとの関係のバランスを取り、ユーザーの要求に応じてデータの自己破壊を実現する。
【００１４】
前記不揮発性メモリは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであり、異なる記憶領域において異なるプロセス又は物理的材料が使用されており、チップの製造プロセスは、薄膜プロセス、パターニングプロセス、ドーピング及び熱処理などであり、物理的材料は、フローティングゲート、トンネリング層及びバリア層材料の抵抗率、材料の物理的特徴、及びデバイスの物理的寸法である。データ保持特性が悪い材料を用いて、ユーザーの選択に応じてデータの書き込みを行い、設定された記憶時間に基づいてデバイスの元のデータを消去する。
【００１５】
前記不揮発性メモリは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであり、ＴＬＣ又はＭＬＣデバイスは、ＳＬＣよりもデータ保持時間が短く、又は、読み書き操作は、高圧で書き込むことであり、それによりデータの常駐エラーを増加し、所定の短時間でデータを自己破壊させるという目的を実現する。
【００１６】
上記方法を実現するデータ自己破壊システムは、以下の技術案を採用する。
該システムは、記憶データインターフェース、不揮発性メモリコントローラ、記憶領域及び記憶データ変換センターを備え、記憶データインターフェースは、不揮発性メモリコントローラに接続され、不揮発性メモリコントローラには、記憶領域分析モジュール及び記憶モード制御モジュールが設置されており、記憶領域分析モジュールは、異なる自己破壊時間及び管理記憶領域を画定することに用いられ、記憶モード制御モジュールは、異なる記憶領域の作動モードに対応しており、記憶データ変換センターは、データ保存時間を動的に設定し、各時間記憶モードごとに初期に限定するか、又はメモリへの読み書きの過程に動的に調整する。
【００１７】
データ入力命令を受信すると、保存すべきデータをバッファ記憶空間に記憶し、次にユーザーによる保存時間の要求に応じてデータ記憶のアドレスを特定し、データを設定された記憶領域に保存した後、データの書き込み操作を行い、正確であると決定した場合、特定期間保持した後にデータの自己破壊を行う。ユーザーにより自己破壊時間が設定されると、記憶領域において、必要に応じて、記憶データ変換センターによる処理により異なる書き込み電圧電流を設定して、その記憶期間を動的に決定し、データ自己破壊時間の切り替えを実現する。
【００１８】
不揮発性メモリのうちのＲＲＡＭ（登録商標）及びＮＡＮＤフラッシュメモリを例にして、このシステムを説明する。
【００１９】
本発明では、ＲＲＡＭ（登録商標）のデバイス特性に関して、メモリの物理ハードウェア特性と組み合わせて、デバイス保持特性の劣化方法を提供し、所定期間内でデータを自己破壊させるという目的を達成させる。この方法は、具体的には、ＲＲＡＭ（登録商標）の材料、たとえば、電極層及び抵抗変化記憶層材料の選択に応じて、プロセスそのものからデバイス保持特性を悪くすることを含む。大きさの異なる電流状態でデータの書き込みを行うと、データ保持特性が変化し、保持特性が悪い場合、低電流で書き込み、保持特性が良好である場合、高電流で書き込み、低電流で書き込む場合、データがより失われやすくなり、さらにデータの自己破壊が実現されることをさらに含んでもよい。ＲＲＡＭ（登録商標）は、保存時間が書き込み電流（電圧）に比例し、その作動方式をハードウェア回路に組み込み得る。このようにすると、読み書きをする際に、ユーザーのニーズに応じてメモリの記憶期間を変更できる。電圧パルスが異なる場合にも、データ保持特性に影響を与え、短パルスでデータを書き込む場合、データの保持特性が悪くなる。電圧の大きさと電流の大きさとの関係のバランスを取り、ユーザーの要求に応じてデータの自己破壊を実現する。
【００２０】
本発明は、ＲＲＡＭ（登録商標）特性だけではなく、ＮＡＮＤフラッシュメモリの特性に基づくようにしてもよい。ＮＡＮＤフラッシュメモリ特性に関して、デバイスのハードウェア設計と組み合わせて、その使用時限に基づいて、データの自己破壊を実現する。具体的には、データ保持特性が比較的悪い材料を選択し、実際なシステムにおいてユーザーによる選択に応じてデータの書き込みを行い、所定の記憶時間に基づいてデバイスの元のデータを消去することを含む。具体的には、高圧での操作による高電界ストレスがトンネリング酸化層を劣化させて、圧力により誘起されたトンネリング層のリーク電流を発生させ、トンネリング層が小さくなるに連れて、電流リークが深刻化され、その結果、保持特性の劣化や読み取るときのクロストークなどの一連の信頼性についての問題を生じさせることをさらに含む。特定の実施形態では、高圧で書き込むことによって、データの常駐エラーが高まり、所定の短時間でデータを自己破壊させるという目的を達成させる。記憶ユニットで消去する過程に、ＭＬＣモード及びＴＬＣモードでの記憶ユニットが劣化しやすので、本発明の記憶デバイスが多値記憶に基づいてデータ自己破壊を行い、それによって、全体的にメモリの作動効率を高めることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、不揮発性メモリの物理的性質に基づいて、プロセス及びメモリそのものの物理的性質を通じてデータの所定時間内での自己破壊を実現し、デバイス保持特性を悪くすることで、所定時間内でのデータ自己破壊を実現し、ユーザーのニーズに応じて異なる時間でデータ自己破壊をすることができ、したがって、データ記憶の利便性を実現する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ＲＲＡＭ（登録商標）の構造を示す模式図である。
【図２】ＲＲＡＭ（登録商標）の抵抗切替特性を示す図である。
【図３】ＲＲＡＭ（登録商標）の異なる保持電流でのＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を示す図である。
【図４】ＲＲＡＭ（登録商標）電圧パルスの持続時間及び電圧の大きさと保持特性との関係を示す図である。
【図５】ＮＡＮＤフラッシュメモリの構造を示す模式図である。
【図６】ＮＡＮＤフラッシュメモリの異なる動作モードを示す模式図である。
【図７】ＮＡＮＤフラッシュメモリの異なる記憶ユニットの状態切替状態を示す模式図である。
【図８Ａ】メモリチップの領域選択モードを示す図である。１時間、１日間の自己破壊領域と普通領域の選択モードを示す図である。
【図８Ｂ】メモリチップの領域選択モードを示す図である。多領域の選択モードを示す図である。
【図９】データ自己破壊システムの実施例を示す図である。
【図１０】データ自己破壊に基づく記憶領域の動的選択の実施例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は、データ自己破壊デバイスを設計することを目的とし、本発明では、情報内容を選択的に所定時間保持し、具体的には、ソフトウェア設計ではなく、物理ハードウェアの設計ことにより実現される。本発明では、ＮＡＮＤフラッシュメモリ及びＲＲＡＭ（登録商標）を例にして、ハードウェア設計から、データの自己破壊を実現する。
【００２４】
本発明に係る不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊方法において、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）に基づいて、記憶モジュールにおいて異なる記憶領域を画定し、異なる記憶期間を設定し、異なる記憶領域において異なるプロセス又は物理的材料を用いて、それを特定期間内で自己破壊させるか、又は各読み書き操作を使用して、ユーザー自分で自己破壊時間を設定し、各領域ごとに読み書き方式を動的に選択して、データ自己破壊を実現する。
【００２５】
ＮＡＮＤフラッシュメモリ及びＲＲＡＭ（登録商標）を例にする場合、異なる記憶領域を設定して、保持時間に応じて、そのデバイスのそれぞれの層に使用される材料及びデバイスの製造プロセスを決定する。デバイスの物理的特性に基づいてデータの自己破壊を実現し、ＮＡＮＤフラッシュメモリを例にする場合、高圧で書き込み、ＭＬＣ又はＴＬＣを用いることで、データの保持特性を悪くし、それにより短時間内でデータデータを自己破壊させ、ＲＲＡＭ（登録商標）を例にする場合、短パルス・低電流でデータを書き込むと、データの保持特性が悪くなり、それにより短時間内でデータデータを自己破壊させる。メモリの記憶領域を設計するときに、所定の領域のために所定の自己破壊時間を設定してもよく、メモリのデータ変換センターによりデバイスの書き込み方式を変えて、記憶期間を調整してもよい。
【００２６】
以下、不揮発性メモリのうちのＲＲＡＭ（登録商標）及びＮＡＮＤフラッシュメモリを例にして、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００２７】
図１は、ＲＲＡＭ（登録商標）の構造を示している。ＲＲＡＭ（登録商標）の材料の構造は、上下部電極及び抵抗変化機能層を含み、その中でも、抵抗変化機能層材料がコアである。材料の組み合わせの選択によって、デバイスの性能パラメータが大きく異なる。使用しうる抵抗変化機能層の材料は、多数あり、たとえば、複雑な多元酸化物、固体電解液材料、有機材料及び二元酸化物などである。具体的には、そのプロセスは、薄膜作製プロセス、材料キャラクタリゼーション技術などである。半導体製造プロセスの好適化、材料の変化、デバイス構造設計の変化に連れて、材料を通じて特定期間内でのデータの自己破壊を実現できるようになり、そして、その場合は、コストダウンが図れる。記憶期間、記憶特徴に応じて材料及びプロセスを柔軟に使用できる。
【００２８】
図２は、ＲＲＡＭ（登録商標）の抵抗切替特性を示している。ＲＲＡＭ（登録商標）は、薄膜材料の抵抗が電気励起の作用によりハイインピーダンス状態とローインピーダンス状態の間で可逆的に切り替わることによって、データを記憶する。ＲＲＡＭ（登録商標）は、単極性と双極性の２種の操作方式がある。適切な電気信号の作用によって、デバイスの抵抗は、ハイインピーダンス状態とローインピーダンス状態の間で互いに切り替えられることで、「０」と「１」を記憶する。ＳＥＴ過程におけるデバイスの永久的なブレークダウンを避けるために、限界電流を印加する必要があり、限界電流の大きさは、ＲＲＡＭ（登録商標）の保持特性に影響を及ぼす。
【００２９】
Ｉ−Ｖ特性は、一般に、電流と電圧が線形関係を有する領域と、電流と電圧の二乗が比例する領域と、電流が電圧の増大に連れて迅速に増大する領域との３つの領域に分けられる。このため、実際に使用されるときに、電圧が大きい場合、データ保持特性が悪くなるが、電流との関係のバランスを取らなければならず、電流が小さい場合、データ保持特性が悪くなり、電流と電圧の関係に基づいて、所望の電流と電圧の値を決定する。
【００３０】
図３は、ＲＲＡＭ（登録商標）の異なる保持電流でのＩ−Ｖ特性を示している。ＲＲＡＭ（登録商標）は、構造がシンプルで、速度及び密度が高いので、幅広く注目されてきた。本発明の目的は、ＲＲＡＭ（登録商標）の保持特性を悪くすることで、データ自己破壊を実現することにあり、実際に使用されるときに、操作電流と性能の均一性をバランスよくする。電流が比較的大きい状態では、デバイスの性能が良好であるが、逆には、電流が比較的小さい場合は、デバイスの保持特性が悪くなる。
【００３１】
図４は、ＲＲＡＭ（登録商標）電圧パルスの持続時間及び電圧の大きさと保持特性との関係を示している。ハイインピーダンス状態の抵抗へのｒｅｓｅｔ電圧又はローインピーダンス状態の抵抗へのｓｅｔ電圧の供給時間が長すぎる又は電圧パルスが高すぎると、可変抵抗の保持特性が悪くなり、さらに抵抗状態の反転にはエラーが発生することがある。このような現象は、書き込み干渉の原因となりながら、エネルギーの無駄を引き起こす。本発明は、ユーザーのニーズに応じて、短パルスでデータを書き込むことができ、デバイスの保持特性が悪くなり、電圧の大きさと電流の大きさとのバランスを取り、コストダウンが図られる。
【００３２】
図５は、ＮＡＮＤフラッシュメモリの構造を開示している。従来のフローティングゲート構造のタイプのメモリは、基板、ソース、ドレイン、トンネリング層、フローティングゲート、バリア層（多結晶間誘電体層）及び制御グリッドなどの構造を含む。プロセス（薄膜プロセス、パターニングプロセス、ドーピング及び熱処理など）の変化及び最適化に伴い、フローティングゲートは、ほかの材料で代替してもよく、トンネリング層及びバリア層の材料のいずれも変化可能であり、ユーザーの特定ニーズに応じて、ＮＡＮＤフラッシュメモリの性能及び信頼性を変化することが可能になる。
【００３３】
図６は、ＮＡＮＤフラッシュメモリの異なる動作モードを示している。従来のメモリ動作モードのうち、主に単値記憶（ＳＬＣ）、多値記憶（ＭＬＣ）及び三値記憶（ＴＬＣ）の３種の読み書き方式を含むが、四値記憶（ＱＬＣ）も三次元フラッシュメモリメモリにおいて適用されている。ＳＬＣとは、１つあたりのユニットに１バイト記憶することをいい、消去速度が高く、データ読込ウィンドウが大きく、バイト誤読率が極めて低く、消去寿命が長い反面、コストが高い。ＭＬＣとは、１つあたりのユニットに２バイト記憶することをいい、密度が増大して、ＭＬＣ素子へのデータ記憶のコストを削減させ、消去速度を低下させる。ＴＬＣとは、１つあたりのユニットに３バイト記憶することを言い、消去速度が低く、消去寿命が短く、ＴＬＣの低コストが書き込み量が少ない消費者に適している。ＱＬＣとは、１つあたりのユニットに４バイト記憶することをいい、記憶密度がＳＬＣモードの１６倍であるものの、消去速度が極めて低く、そして、データ読み取りエラー率が高く、消去可能な回数にも限りがある。本発明は、ＭＬＣ及びＴＬＣの低コスト及び限られたデータ消去回数を利用するものである。
【００３４】
図７は、ＮＡＮＤフラッシュメモリの各種記憶ユニットの状態切り替えを示している。一般に、デバイスでは、高圧操作モード（プログラミング／消去モード）で、トンネリング酸化層が劣化する。記憶ユニットには、閾値電圧が高い（右側）状態、特に閾値電圧が最高の「０１」状態及び二番目に高い状態「００」では、データの常駐エラーが発生しやすい。閾値電圧の最低側にある消去状態「１１」では、データの常駐エラーが存在しない。このため、ＮＡＮＤフラッシュメモリの利用者の角度からは、所定のデータ処理手段により記憶セルにおける「０１」状態の比率を向上できれば、ＮＡＮＤ  フラッシュメモリが抱えるデータの常駐エラーが高まる。
【００３５】
図８は、メモリチップの領域選択モードを示している。１つの記憶チップには、複数のブロック（Ｂｌｏｃｋ）があり、３つの部分に分けられ、そのうちのいくつかのＢｌｏｃｋを所定時間で自己破壊するための専用領域とし、図８（ａ）には、１時間、１日間の自己破壊領域と普通領域だけが示されている。ユーザーは、必要に応じて、図８（ｂ）のように複数の領域に分けることができる。
【００３６】
本発明に係る不揮発性メモリに基づくデータ自己破壊システムは、図９及び図１０のとおりである。記憶データインターフェース、不揮発性メモリコントローラ、記憶領域及び記憶データ変換センターを備える。不揮発性メモリコントローラには、記憶領域分析モジュール及び記憶モード制御モジュールが設置されており、記憶領域分析モジュールは、異なる自己破壊時間と管理記憶領域を画定することに用いられ、記憶モード制御モジュールは、異なる記憶領域の作動モードに対応しており、記憶データ変換センターは、データ保存時間を動的に設定し、各時間記憶モードごとに初期に限定されるか、又はメモリへの読み書きの過程に動的に調整する。
【００３７】
図９は、データ自己破壊システムの一実施例を示している。データ入力命令を受信すると、保存すべきデータをバッファ記憶空間に記憶し、次にユーザーによる保存時間の要求に応じてデータ記憶のアドレスを特定し、データを設定された記憶領域に保存した後、データの書き込み操作を行い、正確であると決定した場合、特定期間保持した後にデータの自己破壊を行う。ユーザーにより自己破壊時間が設定されると、記憶領域において、必要に応じて、記憶データ変換センターによる処理により異なる書き込み電圧電流を設定して、その記憶期間を動的に決定し、データ自己破壊時間の変換を実現する。
【００３８】
図１０は、データ自己破壊の記憶領域の動的選択の一実施例を示している。ユーザーにより自己破壊時間が設定されると、記憶領域において、必要に応じて、その読み書き方式を動的に決定し、記憶データ変換センターによる処理により所望の動作モードを設定し、データ自己破壊時間の切替を実現するようにしてもよい。。
【００３９】
本発明において詳細に説明されていない部分については、従来技術とみなされる。
【図１】
0006835370.tif 000002
【図２】
0006835370.tif 000003
【図３】
0006835370.tif 000004
【図４】
0006835370.tif 000005
【図５】
0006835370.tif 000006
【図６】
0006835370.tif 000007
【図７】
0006835370.tif 000008
【図８Ａ】
0006835370.tif 000009
【図８Ｂ】
0006835370.tif 000010
【図９】
0006835370.tif 000011
【図１０】
0006835370.tif 000012