(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックを改修するための方法であって、
静電チャック本体の第２の部分を露出させるために前記静電チャック本体の第１の部分を除去するステップであり、前記第１の部分が、前記静電チャック本体の上面より下に第１の深さを有し、前記第２の部分が、前記静電チャック本体の前記上面より下に第２の深さを有する、除去するステップと、
懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して誘電体材料の層を前記第２の部分の上に堆積させるステップであり、前記懸濁スラリプラズマ溶射プロセスが、
プラズマ放電を生成するステップと、
誘電体材料の懸濁スラリを小滴の流れに霧化させるステップであり、前記懸濁スラリが、液体または半液体キャリア物質中に分散された前記誘電体材料のナノサイズの固体粒子を含む、霧化させるステップと、
キャリアガスの使用なしに、部分的に溶融された滴を形成するために前記小滴の流れを前記プラズマ放電内に注入するステップと、
前記部分的に溶融された滴を前記静電チャック本体の前記第２の部分の上に放出することによって、誘電体材料の層を前記露出された第２の部分の上に形成するステップと
を含む、堆積させるステップと、
誘電体材料の層を前記第２の部分の上に堆積させた後、前記誘電体材料の層を粗化するステップと、
新しい上面を確立するために前記誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記粗化された誘電体材料が、約２μｉｎと約１０μｉｎとの間の表面粗さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体材料が、約２０μｍから約６０μｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体材料の前記ナノサイズの固体粒子が、約１μｍから約１０ｎｍの直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
静電チャック本体の第１の部分を除去するステップが、前記静電チャック本体の前記上面に形成された複数のメサを除去するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
新しい上面を確立するために前記誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップが、
前記誘電体材料の層の上にマスクを形成するステップと、
メサを形成するために、前記マスクを通して露出された前記誘電体材料の層をビードブラストするステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記新しい上面を研磨するステップをさらに含み、前記新しい上面を研磨するステップが、前記メサからバリを除去するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電体材料の層が、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
静電チャックを改修するための方法であって、
静電チャック本体のベース面を露出させるために前記静電チャック本体の一部分を除去するステップと、
懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して誘電体材料の層を前記ベース面の上に堆積させるステップであり、前記懸濁スラリプラズマ溶射プロセスが、
プラズマ放電を生成するステップと、
誘電体材料の懸濁スラリを小滴の流れに霧化させるステップであり、前記懸濁スラリが、液体または半液体キャリア物質中に分散された前記誘電体材料のナノサイズの固体粒子を含む、霧化させるステップと、
キャリアガスの使用なしに、部分的に溶融された滴を形成するために前記小滴の流れを前記プラズマ放電内に直接注入するステップと、
前記部分的に溶融された滴を前記プラズマ放電により前記静電チャック本体の前記ベース面の方に加速させることによって誘電体材料の層を前記ベース面の上に形成するステップと
を含む、堆積させるステップと、
前記誘電体材料の層を粗化するステップと、
新しい上面を確立するために前記誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
静電チャック本体のベース面を露出させるために前記静電チャック本体の一部分を除去するステップと、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して誘電体材料の層を前記ベース面の上に堆積させるステップと、前記誘電体材料の層を粗化するステップと、新しい上面を確立するために前記誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップとを繰り返すステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記粗化された誘電体材料が、約２μｉｎと約１０μｉｎとの間の表面粗さを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体材料の層が、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
新しい上面を確立するために前記誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップが、
前記誘電体材料の層の上にマスクを形成するステップと、
メサを形成するために、前記マスクを通して露出された前記誘電体材料の層をビードブラストするステップと
を含む、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施態様は、一般に、改修された静電チャックおよび焼結静電チャックを改修する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電チャックは半導体デバイスの製造に有用である。静電チャックは、基板をチャックに静電的にクランプすることによって、その基板が処理の間静電チャックの固定場所にとどまるのを可能にする。
静電チャックは、一般に、誘電体材料内に埋め込まれた電極を有する。静電チャックの最上面には、複数のメサ（すなわち、突起）があり、その上に基板が処理の間置かれることになる。時間とともに、メサは摩損することがあり、静電チャックはそれほど有効でなくなることになる。静電チャックの電気的性質は、誘電体材料の亀裂によって危険にさらされることがあり、または誘電体材料は、誘電体材料に絶縁破壊を引き起こす化学的またはプラズマ攻撃によって損なわれることがある。メサが摩損すると、基板の接触が多くなり、それが温度変動を引き起こし、それが基板内の均一性に影響を及ぼす。静電チャックの温度はさらにこれを補償し、その温度を上昇させる。摩損したメサからの別の影響は、裏側ガス冷却が基板の下に達することができず、それも基板内の均一性に影響を及ぼすことである。この不均一性は、歩留り低下を引き起こし、デバイス性能を変化させることがある。したがって、静電チャックは、もはや有用ではなく、一般に、廃棄されるかまたは改修される。新しい静電チャックを購入する費用を避けることは有益であろう。
【０００３】
化学およびプロセス副産物が誘電特性を変化させ、それが、チャッキング力を増減させ、基板の破損またはウエハハンドリング問題を引き起こす。標準の改修プロセスは、残っているメサと５〜５０μｍの誘電体材料とを除去し、メサを作り直すことである。これは、誘電体材料をより薄くし、そのため、それを２、３回しか行うことができない。誘電体材料が薄くなりすぎると、高電圧パンチスルーが生じることになる。
焼結静電チャックは、誘電体材料を少なくし、基板をチャックするのに必要とされるチャッキング電圧を下げるために使用される。従来のプラズマ溶射は、現行プロセスに関連する多孔性問題のために修理に使用することができない。
新しい焼結静電チャックを購入する費用を避けるために、改修プロセスを実行して、誘電体材料（その上に形成されたメサを含む）の所望の厚さの除去とそれに続くビードブラスティングおよびマスキングプロセスによって静電チャックを改修して誘電体材料にメサを形成することができる。しかしながら、この手法では、実行できる改修プロセスの数は、いくつかのプロセスサイクルの後誘電体材料の厚さが薄くなるので限定される。
それゆえに、当技術分野において誘電体材料の亀裂を治すために静電チャックを改修する改善された方法への必要性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の実施態様は、焼結またはプラズマ溶射静電チャックを改修する方法に関する。１つの実施態様において、静電チャックを改修するための方法が開示される。この方法は、静電チャック本体の第２の部分を露出させるために静電チャック本体の第１の部分を除去するステップであり、第１の部分が、静電チャック本体の上面より下に第１の深さを有し、第２の部分が、静電チャック本体の上面より下に第２の深さを有する、除去するステップと、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して誘電体材料の層を第２の部分の上に堆積させるステップと、新しい上面を確立するために誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップとを含む。懸濁スラリプラズマ溶射プロセスは、プラズマ放電を生成するステップと、誘電体材料の懸濁スラリを小滴の流れに霧化させるステップであり、懸濁スラリが、液体または半液体キャリア物質中に分散された誘電体材料のナノサイズの固体粒子を含む、霧化させるステップと、部分的に溶融された滴を形成するために小滴の流れをプラズマ放電内に注入するステップと、部分的に溶融された滴を静電チャック本体の第２の部分の上に放出することによって、誘電体材料の層を、露出された第２の部分の上に形成するステップとを含む。
【０００５】
別の実施態様では、この方法は、（ａ）静電チャック本体のベース面を露出させるために静電チャック本体の一部分を除去するステップと、（ｂ）懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して誘電体材料の層をベース面の上に堆積させるステップであり、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスが、プラズマ放電を生成するステップと、誘電体材料の懸濁スラリを小滴の流れに霧化させるステップであり、懸濁スラリが、液体または半液体キャリア物質中に分散された誘電体材料のナノサイズの固体粒子を含む、霧化させるステップと、部分的に溶融された滴を形成するために小滴の流れをプラズマ放電内に直接注入ステップと、部分的に溶融された滴をプラズマ放電により静電チャック本体のベース面の方に加速させることによって誘電体材料の層をベース面の上に形成するステップとを含む、堆積させるステップと、（ｃ）誘電体材料の層を粗化するステップと、（ｄ）新しい上面を確立するために誘電体材料の層から材料を選択的に除去するステップとを含む。
さらなる別の実施態様において、上述の実施態様に記載された方法によって改修された改修済み静電チャックが提供される。
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上述で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施態様を参照することによって得られ、実施態様のいくつかが添付の図面に示される。しかしながら、本開示は他の等しく効果的な実施態様を認めることができるので、添付の図面は、本開示の典型的な実施態様のみ示しており、それゆえに、本開示の範囲を限定すると見なすべきでないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】改修前の使用済みジョンソン−ラーベクタイプ静電チャックの概略上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの使用済み静電チャックの断面図である。
【図２】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図３】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図４】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図５】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図６】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図７】本開示の実施態様による改修の様々な段階における図１Ａおよび図１Ｂの静電チャックの断面図である。
【図８】本開示の実施態様に従って使用済み静電チャックを改修するための改修プロセスの流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
理解を容易にするために、可能であれば、図に共通する同様の要素を指定するのに、同様の参照番号が使用されている。図は、原寸に比例して描かれておらず、明瞭にするために簡易化されていることがある。ある実施態様の要素および特徴は、さらなる詳述なしに他の実施態様に有益に組み込むことができると考えられる。
本開示の実施態様は、一般に、焼結またはプラズマ溶射静電チャックを改修する方法に関する。最初に、所定の量の誘電体材料（例えば、ＡｌＯ）が、使用済み静電チャックから除去されて、ベース面が残される。次いで、ベース面は、誘電体材料のナノメートル粉末を使用する懸濁スラリプラズマ溶射によって誘電体材料が堆積される。次いで、新しい誘電体層の一部分が、マスキングおよびビードブラスティングによって除去されて、新しいメサが形成される。マスクを除去した後、メサの縁部を平滑化することができ、改修された静電チャックは、洗浄の後再使用する準備が整う。
本明細書で論じる実施態様に従って改修できる好適な焼結またはプラズマ溶射静電チャックには、サンタクララ、カリフォルニア州のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．から入手可能なクーロンまたはジョンソン−ラーベク静電チャックが含まれる。本明細書で論じる実施態様は、他の製造業者から入手可能なものを含む他のタイプの静電チャックに等しく適用可能であることを理解されたい。
【０００８】
図８は、本開示の実施態様に従って使用済み静電チャックを改修するための改修プロセス８００の流れ図を示す。図８は、図１Ａ〜図１Ｂおよび図２〜図７を参照して例証として説明されており、図１Ａ〜図１Ｂおよび図２〜図７は、図８の流れ図による改修プロセスの様々な段階の間の使用済み静電チャックの断面図を示す。改修プロセスは、ブロック８０２において、ベース面を残すように使用済み静電チャックから所定の量の誘電体材料を除去することによって始まる。
図１Ａは、改修前の使用済みクーロンまたはジョンソン−ラーベクタイプ焼結またはプラズマ溶射静電チャック１００の概略上面図である。図１Ｂは、図１Ａの使用済み静電チャック１００の断面図である。図１Ｂに示すように、静電チャック１００は、上面１１２と底面１１４とを含むチャック本体１０８を有する。上面１１２は、静電チャック１００のチャック本体１０８から延びる複数のメサ１０２を含む。メサ１０２は、チャック本体１０８と同じ材料を含むことができる。１つの実施態様では、チャック本体１０８は、耐熱性または耐食性に優れる酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または好適なセラミック材料などの誘電体材料で構成される。所望であれば、チャック本体１０８は、基板を支持するための一体構造として形成された１つまたは複数の誘電体層を有することができる。「層」という用語は、層が連続的に形成されている場合と、層が不連続的に形成されている場合とを含む。
【０００９】
図１Ａおよび図１Ｂに示した実施態様では、チャック本体１０８は、単一の酸化アルミニウム焼結体である。酸化アルミニウム焼結体は、有機溶媒中に主原料となる酸化アルミニウムを含む混合物を供給してスラリを用意し、スラリを乾燥して調製された粉末を用意することによって形作ることができる。調製された粉末をホットプレスによって押し固めるかまたは焼成して、高密度酸化アルミニウム焼結体を形成する。１つの例示的な実施態様では、チャック本体１０８は、主成分としての９５質量％以上（例えば、９９質量％以上）の酸化アルミニウムの組成物から形成される。チャック本体１０８は、ジョンソン−ラーベク静電チャックに好適な体積抵抗、クーロン静電チャックに好適な体積抵抗、またはそれらの間の体積抵抗を用意するためにイットリア、チタン、または希土類元素などの他の元素を含むことができる。本開示では酸化アルミニウムを特に論じるが、本開示の改修方法は他の誘電体材料を含む静電チャックに適用可能であることを理解されたい。
オプションとして、ガス保持リング１０４を上面１１２に形成することができる。ガス保持リング１０４は、上面１１２から延びることができ、メサ１０２が配置される区域を取り囲む。メサ１０２とガス保持リング１０４の両方は、チャック本体１０８と同じ誘電体材料を含むことができる。静電チャック１００の底面１１４に結合されたステム１１０を通して電源に結合する電極１０６が、チャック本体１０８内に埋め込まれる。
【００１０】
図１Ｂに示すように、メサ１０２のうちのいくつかは、処理中の化学またはプラズマ攻撃に起因して、摩損されており、チャック本体１０８の上で異なる高さを有する。それゆえに、静電チャック１００に配置されたいかなる基板も実質的に平らに保持することができず、その結果として、静電チャック１００に配置された基板を均一にチャックし処理することが妨げられる。
静電チャック１００を改修するために、除去されるべき材料の量を決定する必要がある。電極１０６と、メサ１０２またはガス保持リング１０４（使用される場合）の最も高い箇所との間の矢印「Ｂ」で示された距離が、静電チャック１００のキャパシタンスを測定することによって決定される。電極１０６の不測の露出を防ぐために、材料が除去された後、矢印「Ｄ」で示された既定量の材料が電極１０６の上に残ることが望ましい。したがって、距離「Ｃ」によって示された除去されるべき材料の量は、距離「Ｂ」から距離「Ｄ」を引き算することによって決定することができる。いくつかの例示的な実施態様では、除去されるべき材料の量は、チャック本体１０８の上面１１２から測定して、厚さが約１０μｍから約５０μｍである。
除去すべき材料の量が決定された後、静電チャック１００を処理して、メサ１０２、ガス保持リング１０４、およびチャック本体１０８の材料の一部を除去し、それによって、図２に示すように、電極１０６の上の距離「Ｄ」にあるベース面２０２を残す。距離「Ｄ」は、電極１０６から、約２０μｍから約５０μｍの間とすることができる。材料は、研削もしくは研磨、または材料を除去するのに好適な任意の他の技法で除去することができる。
【００１１】
ブロック８０４において、新しい誘電体材料３０２が、図３に示すように、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用してベース面２０２に堆積される。新しい誘電体材料３０２は、約２０μｍから約６０μｍの厚さを有することができる。用途に応じて、より厚いまたはより薄い誘電体材料３０２が考えられる。新しい誘電体材料３０２は、チャック本体１０８を形成する元の誘電体材料と同じかまたは実質的に同一の抵抗を有するべきである。使用することができる好適な誘電体材料には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、またはセラミック材料が含まれる。様々な実施態様において、新しい誘電体材料３０２およびチャック本体は、同じ材料から形成される。１つの例示的な実施態様では、新しい誘電体材料３０２は酸化アルミニウムである。適切な材料がジョンソン−ラーベク静電チャックのために選択された後、新しい誘電体材料３０２は、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用してベース面２０２の上に被覆される。
【００１２】
本明細書で説明する懸濁スラリプラズマ溶射プロセスは、保護被覆またはニアネットシェイプ本体のいずれかを形成するためにベース面２０２に材料堆積物を生成するか、または所与の材料の粉末を生成することができる。材料は、溶媒または他の液体もしくは半液体キャリア物質中に分散された小さいナノサイズの固体粒子または粉末を含む懸濁スラリの形態でプラズマ放電に供給することができる。プラズマ放電は、誘導的にまたは容量的に形成することができる。ナノサイズの固体粒子または粉末は、約１μｍから約１０ｎｍの直径を有することができる。酸化アルミニウムが望ましい場合、材料は、ナノサイズの粒子を有する酸化アルミニウム粉末である。懸濁液は、噴霧プローブでプラズマ放電に運び入れるかまたは注入することができる。噴霧プローブは、加圧ガスを使用して、懸濁液を剪断し、それにより、懸濁液を微細小滴の流れに霧化させる。
【００１３】
懸濁液の微細小滴の流れがプラズマ放電器に達すると、溶媒が最初に蒸発し、それにより形成された蒸気はプラズマの極度の熱の下で分解する。次いで、小さい固体粒子の残りのエーロゾルは、完全にまたは部分的に溶融された滴に凝集する。プラズマ放電は溶融滴を加速させ、溶融滴は運動エネルギーを蓄積する。この運動エネルギーによって運ばれると、溶融滴は、プラズマ放電によって伴出され、ベース面２０２に放出され、ベース面２０２上で凝固し、約２０μｍから約６０μｍの厚さを有する誘電体材料の層を形成する。代替として、溶融滴は、飛行中に凝固し、容器に収集されてその材料の粉末を生成することができる。
【００１４】
懸濁スラリプラズマ溶射プロセスは、誘電体材料から多孔性を追い出す能力を有する。誘電体材料３０２の多孔性を１％以下に低減できることが観察されている。多孔性は、薄い誘電体の高電圧破壊の阻止にとって決定的である。過去のプラズマ溶射は、静電チャックで必要とされる低い多孔性を達成するために、圧力下でアニールまたは圧縮されなければならなかった。懸濁スラリプラズマ溶射を使用するこの改善された改修プロセスを用いて、酸化アルミニウムの多孔性をより効果的に追い出すことができ、それは、今では、圧力下でアニールまたは圧縮することなしにプラズマ溶射が可能であることを意味する。
懸濁スラリプラズマ溶射プロセスは、従来のプラズマ溶射技法と比較して利点があり、その理由は、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスが、プラズマに直接注入されることになる微細小滴の流れの中に小さいナノサイズの固体粒子または粉末を含む懸濁スラリを噴霧することによって、高価な粉末を調製する際に必要とされる多数の複雑で時間のかかるステップを取り除いているからである。それゆえに、小滴は、飛行中に乾燥され、単一のステップで焼成および溶融される。対照的に、従来のプラズマ溶射は、キャリアガスによって粉末をプラズマジェットに注入する必要がある。誘電体の厚さが、改修プロセスの多数のサイクルの後でさえ常に同じであることが最も重要である。
ブロック８０６において、新しい誘電体材料３０２は、約２μｉｎと約１０μｉｎとの間の表面粗さまで粗化され、それにより、図４に示すような粗面４０２がもたらされる。新しい誘電体材料３０２は、最小の力の下でビードブラスティングまたは任意の適切な研磨技法によって粗化することができる。
【００１５】
ブロック８０８において、粗面４０２が形成された後、メサおよびガス保持リング（オプション）が形成される。メサおよびガス保持リングを形成するために、新しい誘電体材料３０２の一部分が選択的に除去される。新しい誘電体材料３０２の一部分を選択的に除去するために、図５に示すように、マスク５０２が新しい誘電体材料３０２の上に置かれる。メサ６０４およびガス保持リング６０２を形成するプロセスの間に、所望に応じて、ガス溝、エンボスメント、および他の幾何学的形状を形成することができる。マスク５０２は、メサおよびガス保持リングが形成されることになる場所に隣接する区域に対応する開口５０４を有する。次いで、露出された新しい誘電体材料３０２は、マスク５０２により形成された開口５０４を通してビードブラストされる。マスク５０２が除去されて、図６に示すように、新しく形成されたメサ６０４およびガス保持リング６０２が残される。
【００１６】
メサ６０４およびガス保持リング６０２には、鋭いエッジまたはバリがあることがあり、それが、処理中に基板の裏面を引っかき、望ましくない粒子を作り出すことがある。それゆえに、メサ６０４およびガス保持リング６０２を、最小の力の下で柔らかい研磨パッドで研磨して、図７に示すように、鋭い角を丸くし、バリを除去し、完成したメサ７０４および保持リング７０２を残すことができる。このようにして、改修された静電チャック７００は、再び、操作するための準備が整う。
改修された静電チャック７００は、電極１０６が中に埋め込まれた元のチャック本体１０８と、その上に配置され、元のチャック本体１０８から離れる方向に延びる複数のメサ７０４を有する上面をもつ新しい誘電体材料３０２とを含む。このようにして、改修された静電チャック７００は、別個の部分、すなわち、元のチャック本体１０８および新しい誘電体材料３０２を有する。元のチャック本体１０８と新しい誘電体材料３０２の両方は、酸化アルミニウムなどの同じ材料を含むことができる。
【００１７】
本明細書で説明する実施態様は、懸濁スラリ中のナノ粉末を用いたプラズマ溶射を使用する改善された改修プロセスを開示している。小さいナノサイズの粉末または固体粒子を含む懸濁スラリは、微細小滴の流れに霧化され、キャリアガスなしでプラズマに直接注入される。小滴は、飛行中に乾燥され、単一のステップで焼成および溶融される。小滴は凝集して、部分的にまたは完全に溶融した誘電体材料の滴を形成する。次いで、誘電体材料の溶融滴は、露出された静電チャック本体に堆積されて、誘電体材料の固くて高密度な堆積物を形成する。
静電チャック本体の誘電体材料の厚さが固定されているために誘電体材料の除去および幾何学的生成（例えば、メサ）の数が限定されている従来の改修プロセスと異なり、本明細書で論じる改修プロセスは、改修の数を拡大することによって静電チャックの寿命を増加させる。特に、ボックス８０２からボックス８０８（または上述の任意の特定のボックス）における改修プロセスは、誘電体材料の物理的厚さに制限されることなしに、所望に応じて何回でも繰り返すことができる。摩損した材料は、懸濁スラリプラズマ溶射プロセスを使用して新しい誘電体材料に繰り返して置き換えることができるので、静電チャックは、従来の改修プロセスよりも多くの回数改修することができる。誘電体の堆積の厚さは、改修プロセスの多数のサイクルの後でさえ常に同じである。本開示の改修プロセスは、誘電体材料の多孔性を１％未満に低減し、それによって、薄い誘電体の高電圧破壊を避けることができることが観察されている。静電チャックの改修によって、全く新しい静電チャックを購入する必要がない。改修された静電チャックは、新しい静電チャックよりも低コストであり、しかも、新しい静電チャックと本質的に同じ抵抗および実質的に同一の機能を有することになる。
【００１８】
前述は、開示したデバイス、方法、およびシステムの実施態様に関するが、開示したデバイス、方法、およびシステムの他のおよびさらなる実施態様を、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
0006955023.tif 000002
【図１Ｂ】
0006955023.tif 000003
【図２】
0006955023.tif 000004
【図３】
0006955023.tif 000005
【図４】
0006955023.tif 000006
【図５】
0006955023.tif 000007
【図６】
0006955023.tif 000008
【図７】
0006955023.tif 000009
【図８】
0006955023.tif 000010