(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲｅＢＣＯテープ間の超伝導結合部を形成する方法であって、
それぞれがむき出しＲｅＢＣＯ領域を有する２つ以上のＲｅＢＣＯテープを与えることと、
むき出しＲｅＢＣＯ層と前記むき出しＲｅＢＣＯ層上の銀裏地とを含むブリッジを与えることと、
むき出しＲｅＢＣＯ領域のそれぞれを、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）が銀の融点（ＴＡｇ）未満となるように酸素分圧が十分に低い第１環境において第１温度（Ｔ１）まで加熱することによって、前記ブリッジのむき出しＲｅＢＣＯ層に接合することであって、前記第１温度（Ｔ１）は、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）と銀の融点（ＴＡｇ）との間に存在する（ＴＪ＜Ｔ１＜ＴＡｇ）ことと、
得られた結合部を、時間（ｔ）の間、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＴＲ）未満の第２温度（Ｔ２）（Ｔ２＜ＴＲ）で、酸素分圧が前記第２温度（Ｔ２）でＲｅＢＣＯに再酸素添加するのに十分な第２環境においてアニーリングすることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記むき出しＲｅＢＣＯ層は、テクスチャを有するＲｅＢＣＯ層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブリッジを与えることは、
基板、バッファスタック、ＲｅＢＣＯ層及び銀層を有するＲｅＢＣＯテープを与えることと、
前記基板及びバッファスタックを前記ＲｅＢＣＯテープから除去することと
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ブリッジを与えることは、
ＲｅＢＣＯ層と前記ＲｅＢＣＯ層の各側面の対応する銀層とを有するＲｅＢＣＯテープを与えることと、
前記銀層を前記ＲｅＢＣＯ層の一側面から除去することと
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記それぞれがむき出しＲｅＢＣＯ領域を有する２つ以上のＲｅＢＣＯテープを与えることは、前記ＲｅＢＣＯテープの少なくとも一つに対し、前記むき出しＲｅＢＣＯ領域を形成するべく前記ＲｅＢＣＯテープの片側面から前記銀層を化学的に除去することを含む、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
ＲｅＢＣＯテープ間の超伝導結合部を形成する方法であって、
各側面が対応する銀層に接合されたＲｅＢＣＯ層を含む剥離ＲｅＢＣＯテープである第１ＲｅＢＣＯテープを与えることと、
少なくとも一側面が銀層に接合されたＲｅＢＣＯ層を含む第２ＲｅＢＣＯテープを与えることと、
前記第１ＲｅＢＣＯテープ及び第２ＲｅＢＣＯテープのそれぞれにおける結合対象領域から銀層を、各テープにむき出しＲｅＢＣＯをもたらすべく化学的に除去することと、
前記むき出しＲｅＢＣＯ領域を互いに、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）が銀の融点（ＴＡｇ）未満となるように酸素分圧が十分に低い第１環境において第１温度（Ｔ１）まで加熱することによって接合することであって、前記第１温度（Ｔ１）は、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）と銀の融点（ＴＡｇ）との間に存在する（ＴＪ＜Ｔ１＜ＴＡｇ）ことと、
得られた結合部を、時間（ｔ）の間、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＴＲ）未満の第２温度（Ｔ２）（Ｔ２＜ＴＲ）で、酸素分圧が前記第２温度（Ｔ２）でＲｅＢＣＯに再酸素添加するのに十分な第２環境においてアニーリングすることと
を含む、方法。
【請求項７】
前記第２ＲｅＢＣＯテープは、前記ＲｅＢＣＯ層の前記銀層に対向する側面にバッファスタック及び基板を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２ＲｅＢＣＯテープは、前記第２ＲｅＢＣＯテープの他側面にさらなる銀層を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記時間（ｔ）は５時間未満である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２環境は純粋酸素環境である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
超伝導電流搬送体であって、
ブリッジを含む結合部によって接続された２つのＲｅＢＣＯテープを含み、
前記ブリッジは、むき出しＲｅＢＣＯ層と前記むき出しＲｅＢＣＯ層上の銀裏地とを含み、
前記むき出しＲｅＢＣＯ層は、各ＲｅＢＣＯテープのＲｅＢＣＯ層に接合される、超伝導電流搬送体。
【請求項１２】
超伝導電流搬送体であって、
結合部により接続された２つのＲｅＢＣＯテープを含み、
前記ＲｅＢＣＯテープの少なくとも一方が、ＲｅＢＣＯ層を含む剥離ＲｅＢＣＯテープであり、
前記ＲｅＢＣＯ層は、前記ＲｅＢＣＯ層の各側面において対応する銀層が接合され、
各テープのＲｅＢＣＯ層が前記結合部において接合される、超伝導電流搬送体。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の超伝導電流搬送体を含む磁場コイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高温超伝導体の技術分野に関する。詳しくは、本発明は、ＲｅＢＣＯテープ間に超伝導結合部を形成する方法と、かかる結合部を含む超伝導電流搬送体とに関する。
【背景技術】
【０００２】
超電導材料は典型的に、「高温超伝導体」（ＨＴＳ）及び「低温超伝導体」（ＬＴＳ）に分けられる。Ｎｂ及びＮｂＴｉのようなＬＴＳ材料は、ＢＣＳ理論により記述可能な超伝導性を有する金属又は合金である。低温超伝導体はすべて、約３０Ｋを下回る臨界温度（これを上回るとゼロ磁場であっても当該材料が超伝導性になり得ない温度）を有する。ＨＴＳ材料の挙動はＢＣＳ理論によっては記述されず、当該材料は、約３０Ｋを上回る臨界温度を有し得る（ただし、ＨＴＳ材料を定義するのは臨界温度というよりはむしろ、超伝導動作及び組成の物理的な差異であることに留意すべきである）。最も一般的に使用されるＨＴＳは、ＢＳＣＣＯ（「ビスマス・ストロンチウム・カルシウム・銅酸化物」）又はＲｅＢＣＯ（「レアアース・バリウム・銅酸化物」、ここでＲｅはＹ又はＧｄが一般的な希土類元素である）のような「銅酸化物超伝導体」、すなわちクプラート（酸化銅基を包含する化合物）に基づくセラミックス、である。他のＨＴＳ材料は、鉄ニクタイド（例えばＦｅＡｓ及びＦｅＳｅ）及び２ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２）を含む。
【０００３】
ＲｅＢＣＯは典型的に、図１に示される構造を有するテープとして製造される。このようなテープ５００は一般に、近似的に１００ミクロン厚であり、基板５０１（典型的には近似的に５０ミクロン厚の電気研磨ハステロイ）を含む。基板５０１の上には、ＩＢＡＤ、マグネトロンスパッタリング、又は他の適切な技法により、近似的に０．２ミクロン厚のバッファスタック５０２として知られる一連のバッファ層が堆積される。（ＭＯＣＶＤ又は他の適切な技法により堆積された）エピタキシャルＲｅＢＣＯ・ＨＴＳ層５０３は、１５のバッファスタックを覆い、典型的には１ミクロン厚である。１〜２ミクロンの銀層５０４が、スパッタリング又は他の適切な技法によりＨＴＳ層上に堆積され、銅スタビライザ層５０５が、電気めっき又は他の適切な技法によりテープ上に堆積される。これにより多くの場合、テープは完全にカプセル化される。
【０００４】
基板５０１は、製造ラインを通して供給されて後続層の成長を許容し得る機械的バックボーンを与える。バッファスタック５０２は、ＨＴＳ層が成長する２軸テクスチャを有する結晶テンプレートを与えることが求められ、その超伝導特性を損なう基板からＨＴＳへの元素化学拡散を防止する。銀層５０４は、ＲＥＢＣＯからスタビライザ層への低抵抗インタフェイスを与えることが求められ、スタビライザ層５０５が、ＲｅＢＣＯの任意部分が超伝導を停止する（「ノーマル」状態に入る）事象において、代替電流経路を与える。
【０００５】
ＲｅＢＣＯテープ間の結合部は、ＲｅＢＣＯシステムの重要なコンポーネントである。一定電流を搬送して疑似永久磁石をもたらすべく超伝導体の閉ループが使用される「持続モード」にとって、当該ループを閉じるべく結合部が必要とされる。すべてのＲｅＢＣＯ磁石にとって、一つのテープの限られた長さ、又は形状的な要件ゆえに結合部が必要となる。各結合部の抵抗は、磁石の合計抵抗を増加させる。持続モード動作にとって、抵抗は５×１０−１２オーム未満にする必要があり、すべての結合部が低抵抗であれば、大きな効率が得られ、冷却負荷が低減される。低温超伝導体結合部は、ルーチンの製造技法によって１０−１３オーム以下の抵抗を有し得るが、ＲｅＢＣＯ結合部の化学的及び構造的要件が意味するのは、そのような低抵抗を得ることはかなり困難ということである。
【０００６】
図２ａ〜２ｃは、超伝導テープ又はワイヤの様々な結合タイプを示す。結合部は、２つの超伝導要素２１１、２１２が端対端で配置される「突き合わせ結合部」（図２ａ）としてよく、２つの超伝導要素２２１、２２２が互いに重なり合う「重ね結合部」（図２ｂ）としてよく、又は２つの超伝導要素２３１、２３２が中間超伝導要素又は２３３（例えば、はんだ、粉末又はテープ「ブリッジ」片）を介して接続される「間接結合部」（図２ｃ）としてよい。各導体が浅い角度に研磨される「スカーフ」構成、又は各導体が研磨されて一連のギザギザ段にされる「段」構成を使用して重ね／突き合わせのハイブリッド結合部を作ってもよい。いずれの場合も、研磨されたエリアは接触するようにされる。
【０００７】
超伝導結合部の技術の現状の外観は非特許文献１に提示される。
【０００８】
超伝導ＲｅＢＣＯ結合部を作る難しさは、主に２つの因子に由来する。第１に、ＲｅＢＣＯが、酸素との特に高い親和性を有しないので、酸素を他の材料に容易に与えることである。これは、ＲｅＢＣＯテープ上に銀層５０４が要求される理由となる。低温超伝導体はいずれも、ＲｅＢＣＯから酸素を引きはがすので、結合部には非超伝導領域がもたらされる。したがって、いずれのＲｅＢＣＯ結合部もＨＴＳ・ＨＴＳとする必要がある。しかしながら、接合を行うのに十分なＲｅＢＣＯにおける溶融に又は原子拡散を可能にすることに必要な温度（すなわち「最小結合温度」を上回る温度）では、酸素は、酸素の酸素分圧（ＰＯ２）において、大気圧以下（及び高温での一層高いＰＯ２）において、拡散して結晶から出る。
【０００９】
第２に、ＲｅＢＣＯの融点は、ｌｏｇ（ＰＯ２）により変化する（非特許文献２）。大気圧と同様の又はこれよりも大きいＰＯ２において、ＲｅＢＣＯの融点は、保護銀層の融点よりも大きい。これは、高いＰＯ２において接合が試みられる場合に銀層の溶融及びＲｅＢＣＯ層への拡散を引き起こし、結合部が形成され得る前にＲｅＢＣＯ層の破壊が生じる。
【００１０】
上記問題にもかかわらず超伝導ＲｅＢＣＯ・ＲｅＢＣＯ結合部を許容する方法が見出されている（非特許文献３）。結合されるＲｅＢＣＯテープは、その銀層が化学溶解によって剥ぎ取られ、重ね結合部構成で対面接触状態に置かれる。結合部は、ＰＯ２が１０−２Ｔｏｒｒ（２．６７Ｐａ）未満である環境において近似的に１０ＭＰａの圧力で一軸方向に加圧され、ＲｅＢＣＯの溶融温度が銀の溶融温度よりも低くされる。ＲｅＢＣＯ層の融合を許容するべく、８５０℃の加熱処理が短時間（およそ１分）テープに適用される。
【００１１】
この段階において、ＲｅＢＣＯは、結合部が酸素枯渇して動作条件において非超伝導となる。これは、結合部が抵抗性となることを意味する。これを克服するべく、結合部は高酸素環境（５００℃においてＰＯ２＝５×１０３Ｔｏｒｒ（６．６７×１０−１Ｐａ））においてアニーリングされる。しかしながら、ＲｅＢＣＯへの酸素拡散は、基板及びバッファ層によって制限される。これは、結合前に一連の２０ミクロン孔をＲｅＢＣＯテープにレーザ穿孔することによって緩和されるが、このステップによっても、アニーリングは非常に長い時間、近似的に３５０時間、を必要とする。
【００１２】
アニーリングステップは、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度未満で行う必要がある。この温度は、ＹＢＣＯに対して５３０℃〜５８０℃である（ＰＯ２に依存する）。典型的には５００℃で行われる。
【００１３】
代替方法は、（随意的に結合対象のテープにおいてＲｅＢＣＯよりも低い融点を有する）結合プロセス中に、中間ＲｅＢＣＯ膜又はバルクをその場で成長させることである。これにより、２つのテープ間にブリッジが形成される。これは、圧縮されたＲｅＢＣＯ粉末又は粉末／結合剤スラリーを当該テープ間に置くことによって行われる。これによりＲｅＢＣＯ層が形成されるが、結合中にその場で形成されるＲｅＢＣＯ層は、剥離ＲＥＢＣＯに存在するテクスチャ又は必要な微細構造特徴物を有しないので、低い電流密度を有することとなる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Brittles, G., Mousavi, T., Grovenor, C., Aksoy, C. and Speller, S. (2015). Persistent current joints between technological superconductors. Superconductor Science and Technology, 28(9), p.093001
【非特許文献２】Tair, F et al (2017), Melting temperature of YBaCuO and GdBaCuO at subatmospheric partial pressure, Journal of Alloys and Compounds, Volume 692, p 787-792
【非特許文献３】Park, Y., Lee, M., Ann, H., Choi, Y. and Lee, H. (2014). A superconducting joint for GdBa2Cu3O7-δ-coated conductors. NPG Asia Materials, 6(5), p.e98
【発明の概要】
【００１５】
本発明の第一側面によれば、ＲｅＢＣＯテープ間の超伝導結合部を形成する方法が与えられる。それぞれがむき出のＲｅＢＣＯ領域を有する２つ以上のＲｅＢＣＯテープが与えられる。ブリッジが与えられる。ブリッジは、むき出しＲｅＢＣＯ層と、当該むき出しＲｅＢＣＯ層の酸素透過裏地とを含む。むき出しＲｅＢＣＯ領域のそれぞれが、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）が銀の融点（ＴＡｇ）未満となるように酸素分圧が十分に低い環境において第１温度（Ｔ１）まで加熱することによって、ブリッジのむき出しＲｅＢＣＯ層に接合される。温度（Ｔ１）は、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）と銀の融点（ＴＡｇ）との間に存在する（ＴＪ＜Ｔ１＜ＴＡｇ）。得られる結合部は、時間（ｔ）の間、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＴＲ）未満の第２温度（Ｔ２）（Ｔ２＜ＴＲ）で、酸素分圧が第２温度（Ｔ２）でＲｅＢＣＯに再酸素添加するのに十分な環境においてアニーリングされる。
【００１６】
第２側面によれば、ＲｅＢＣＯテープ間に超伝導接合部を形成する方法が与えられる。ＲｅＢＣＯテープの少なくとも一つが、ＲｅＢＣＯ層を含む剥離ＲｅＢＣＯテープとなる。当該ＲｅＢＣＯ層の各側面に、対応する銀層が接合される。銀層は、各ＲｅＢＣＯテープに結合される領域から化学的に除去され、各テープ上にはむき出しＲｅＢＣＯ領域がもたらされる。むき出しＲｅＢＣＯ領域は互いに、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）が銀の融点（ＴＡｇ）未満となるように酸素分圧が十分に低い環境において第１温度（Ｔ１）まで加熱することによって、接合される。温度（Ｔ１）は、ＲｅＢＣＯの最小結合温度（ＴＪ）と銀の融点（ＴＡｇ）との間に存在する（ＴＪ＜Ｔ１＜ＴＡｇ）。得られる結合部は、時間（ｔ）の間、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＴＲ）未満の第２温度（Ｔ２）（Ｔ２＜ＴＲ）で、酸素分圧が第２温度（Ｔ２）でＲｅＢＣＯに再酸素添加するのに十分な環境においてアニーリングされる。
【００１７】
第３側面によれば、ブリッジを含む結合部により接続された２つのＲｅＢＣＯテープを含む超伝導電流搬送体が与えられる。ブリッジは、むき出しＲｅＢＣＯ層と、当該むき出しＲｅＢＣＯ層上の酸素透過裏地とを含む。むき出しＲｅＢＣＯ層は、当該テープそれぞれのＲｅＢＣＯ層に接合される。
【００１８】
第４側面によれば、結合部により接続された２つのＲｅＢＣＯテープを含む超伝導電流搬送体が与えられる。ＲｅＢＣＯテープの少なくとも一つが、ＲｅＢＣＯ層を含む剥離ＲｅＢＣＯテープとなり、当該ＲｅＢＣＯ層の各側面に、対応する銀層が接合され、各テープのＲｅＢＣＯ層が結合部において接合される。
【００１９】
第５側面によれば、第４側面又は第５側面に係る超伝導電流搬送体を含む磁場コイルが与えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ＲｅＢＣＯテープの模式的図示である。
【図２ａ−２ｃ】ＲｅＢＣＯテープ間の結合部の模式的図示である。
【図３】ＲｅＢＣＯテープを剥離するプロセスの模式的図示である。
【図４】ＲｅＢＣＯテープ間の結合部を形成するプロセスの模式的図示である。
【図５】ＲｅＢＣＯテープ間の間接結合部を形成するプロセスの模式的図示である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
ＲｅＢＣＯテープの製造における近年の進歩により、長いセクションのＲｅＢＣＯを、「剥離」すること、すなわち基板層から無傷のまま取り外すこと、が許容されるようになっている。このプロセスが図３に示される。ＲｅＢＣＯテープ３０１（ここでは、基板３１１、バッファスタック３１２、ＲｅＢＣＯ層３１３、及び銀層３１４を含むように、すなわちスタビライザ層なしで示される）が、プロセスへと供給され、基板３１１及びバッファスタック３１２が、「剥離」ＲｅＢＣＯ層３１３及び銀層３１４を残すように剥がされる。裏地積層３１５が、プロセス中に剥離ＲｅＢＣＯを支持するべく銀層に適用される。裏地積層３１５は、剥離後に除去されてよい。しかしながら、裏地積層３１５は、剥離ＲｅＢＣＯの構造特性を改善する。銀層が、多くのアプリケーションにとって十分に機械的にロバストとなることはあり得ないからである。ＲｅＢＣＯ層３１３はＲｅＢＣＯテープに由来するので、十分なテクスチャを有して当初のテープと同様の超伝導特性を有する。
【００２２】
剥離ＲｅＢＣＯが標準の電流搬送テープとして使用されるのであれば、むき出しのＲｅＢＣＯ面に第２銀層が適用され、このテープは、剥離ＨＴＳテープを形成するべくスタビライザ層の中にカプセル化される。しかしながら、単数銀層を有する剥離ＲｅＢＣＯは、改善されたＲｅＢＣＯ・ＲｅＢＣＯ結合部を作るべく使用することができる。銀層３１４は酸素に透過性があり、裏地積層３１５を、銀のような酸素透過材料から作ることができる（銀は基板３１１と同じ構造的制約を有するわけではないからである）。したがって、剥離ＲｅＢＣＯをＲｅＢＣＯ・ＲｅＢＣＯ結合部において使用する場合、ＲｅＢＣＯへの酸素拡散が、２つの「基板付き」ＨＴＳテープ（すなわち、依然として基板が取り付けられているＲｅＢＣＯテープ）間の結合部に対する酸素拡散よりも著しく高速となる。剥離ＲｅＢＣＯを、結合されつつある一つ以上の剥離テープにおいて使用しようとする場合、当該テープには、結合すべき領域を除いて第２銀層及びスタビライザ層が適用され得る。その結果、銀層を化学的に除去するステップの必要性を除去することができる。剥離テープは、従来型ＲｅＢＣＯテープとは構造的に異なる。剥離ＨＴＳテープが、各面に銀層を有するＲｅＢＣＯ層を含む一方、従来型ＨＴＳテープは、片面に銀層を、もう片面に酸化物バッファスタック（これが基板に接続される）を有するＲｅＢＣＯ層を含む。
【００２３】
これは、それぞれがＲｅＢＣＯ層４１３と２つの銀層４１４とを含む２つの剥離ＨＴＳテープ間の結合部として達成することができる。これは、図４に示される。すなわち、
・ステップ４０１：結合対象領域において剥離ＨＴＳテープ４１ａの片側面から銀層が化学的に除去され（４０１ａ）、又は剥離ＨＴＳテープ４１ｂの片側面に不完全銀層が設けられ（４０１ｂ）、ＲｅＢＣＯの結合対象領域４２がむき出しにされ、
・ステップ４０２：剥離ＲｅＢＣＯ領域４２が、ＲｅＢＣＯの最小結合温度ＴＲ（ＰＯ２＝０．０１Ｔｏｒｒ（１．３Ｐａ）で近似的に８００℃）を超えるが銀の融点ＴＡｇ（標準圧力で９６１℃）未満となる温度Ｔにある低酸素環境（ＰＯ２が近似的に２００Ｔｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）未満）に接触かつ熱処理され、
・ステップ４０３：結合されたＨＴＳテープが、ＲｅＢＣＯに酸素を回復させるべく、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＰＯ２に応じて５３０℃〜５６０℃）未満の酸素豊富環境においてアニーリングされる。
【００２４】
与えられる温度の例はＹＢＣＯに対してであって、他の希土類元素に対しては異なる。
【００２５】
アニーリングステップは、基板付きＨＴＳテープに対するものよりも著しく高速となる。正確なタイミングは、使用される温度及びＰＯ２に依存するが、５時間未満の時間が達成可能であり、１気圧（７６０Ｔｏｒｒ（１０１ｋＰａ））の純粋酸素における５００℃でのプロセスは、近似的に１時間かかる。これは、先行技術の方法が必要とする３５０時間と比べ、かなりの改善である。
【００２６】
剥離ＨＴＳテープと基板付きＨＴＳテープとの間に、同様の方法によって結合部を形成することができる。
【００２７】
さらなる代替例として、剥離ＨＴＳテープの任意の組み合わせと基板付きＨＴＳテープとの間に、酸素透過裏地（すなわち単なる銀、又は銀プラス酸素透過裏地層３１５）を結合対象テープ間の「ブリッジ」として有する剥離ＲｅＢＣＯを使用することによって、間接結合部を形成することもできる。
【００２８】
それぞれがＲｅＢＣＯ層５１３、銀層５１４及び基板５１１を含む２つの基板付きＨＴＳテープ間に間接結合部を形成する方法を、図５に示す。
・ステップ５０１：銀層が、基板付きＨＴＳテープ５１の結合対象領域から化学的に除去され、結合対象領域５２にＲｅＢＣＯがむき出しのまま残される。
・ステップ５０２：基板付きＨＴＳテープ５１のＲｅＢＣＯが、酸素透過裏地５３を有する剥離ＲｅＢＣＯの一セクションのＲｅＢＣＯに接触させられ、その結合部が、ＲｅＢＣＯの最小結合温度ＴＲ（ＰＯ２＝０．０１Ｔｏｒｒ（１．３Ｐａ）で近似的に８００℃）を超えるが銀の融点ＴＡｇ（９６１℃）未満となる温度Ｔにある低酸素環境（ＰＯ２が近似的に２００Ｔｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）未満）において熱処理される。
・ステップ５０３：結合部が、ＲｅＢＣＯに酸素を回復させるべく、ＲｅＢＣＯの斜方晶から正方晶への相転移温度（ＰＯ２に応じて５３０℃〜５６０℃）未満の酸素豊富環境においてアニーリングされる。
【００２９】
酸素透過裏地を有する剥離ＲｅＢＣＯには、結合される側面に（格納及び移送のための）保護銀層が設けられる。この場合、当該保護銀層は、ステップ５０１において除去される。
【００３０】
ステップ４０３及び５０３における「酸素豊富環境」とは、ＲｅＢＣＯの再酸素添加を引き起こすのに十分なＰＯ２を有する環境のことである。例えば、ＰＯ２が大気レベルを上回る（０．２１ａｔｍ＝１６０Ｔｏｒｒ（２１．３ｋＰａ））又はＰＯ２が１気圧（＝７２０Ｔｏｒｒ（９６．０ｋＰａ））よりも大きい。必要最小ＰＯ２は、アニーリングステップに対して使用される温度に依存する。温度が高ければ高いほど大きなＰＯ２が必要となる。
【００３１】
図５の例が、２つのみのテープが直線構成で結合されることを示すにもかかわらず、多数のテープを様々な構成で結合してよいことがわかる。
【００３２】
ステップ４０１ａ又は５０１における銀層の化学的除去は、ＲｅＢＣＯに影響を及ぼすことなく銀層を除去する任意の適切な手段によって達成することができる。例えば、銅スタビライザなしにテープ上に銀層を溶解するべくＫＩ＋Ｉ：Ｈ２Ｏ溶液を使用することができる。銅スタビライザを有するテープに対しては、銅を溶解するべくＦｅＣｌ３溶液を使用することができる。その後、当該反応により形成された塩化銀を残りの銀層とともに除去するべくＨ２Ｏ２：ＮＨ４ＯＨ溶液を使用することができる。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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