(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非表示エリアの外縁に位置するオーバーラップエリアを備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記オーバーラップエリアは、
前記オーバーラップエリアの平坦化層上に設けられる第一電極と、
前記第一電極上に設けられ、さらに複数の画素規定ブロックを備える画素規定層と、
前記画素規定層上に設けられ、さらに、前記複数の画素規定ブロックの上にそれぞれ配置される複数の支持ブロックを備える隔離層と、
前記オーバーラップエリアにおいて、前記第一電極、前記複数の画素規定ブロック及び前記複数の支持ブロックを覆い、前記第一電極とオーバーラップされている第二電極と、
を備え、
ここで、前記第一電極および前記第二電極は、表示エリア内の画素に電位を供給するために用いられ、
前記第二電極は前記画素規定層における画素規定ブロックと接続され、前記第二電極と前記第一電極とは、前記オーバーラップエリアにおいて重ね合せるように接続されており、
前記第一電極は前記オーバーラップエリアにおいて複数の開孔をさらに有し、前記複数の開孔は前記画素規定層の前記複数の画素規定ブロックと配列方式が同様であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子のオーバーラップエリアに位置する画素規定ブロック、支持ブロックは、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示エリアに位置する画素規定ブロック、支持ブロックと配列方式が同様である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記隔離層における前記複数の支持ブロックは前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと配列方式が同様であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記隔離層における前記複数の支持ブロックは前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと垂直投影位置が同様であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記複数の画素規定ブロックのいずれか一つの面積は、対応する支持ブロックの面積より大きいことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記第一電極における前記複数の開孔は前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと垂直投影位置が同様であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと、前記第一電極における前記複数の開孔と、前記隔離層における前記複数の支持ブロックとは垂直投影位置が同様であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックは、前記第一電極の前記複数の開孔を埋めるとともに覆うことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
フレキシブルプリント回路基板と電源インタフェースとを備え、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子をさらに備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１７年１０月３１日に出願された出願番号２０１７１１０５３１９１．８、発明の名称「有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイ及び移動通信装置」の中国特許に基づいた優先権の利益を主張するものであり、上記出願の開示全体は参考により本出願に組み込まれるものとする。
【０００２】
本出願は、有機エレクトロルミネッセンス素子分野に属し、具体的に、有機エレクトロルミネッセンス素子のオーバーラップエリア配列方式の改善に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来の表示装置にとって、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称）は、電流型発光素子として、自発光、高速応答性、広視野角及びフレキシブル基板に製作可能などの様々な特徴により、高性能表示分野にますます利用されている。
【０００４】
表示分野におけるＯＬＥＤの利用が展開されることに応じて、ＯＬＥＤディスプレイスパネルの輝度に対する要求も増えているが、ディスプレイとリード線のオーバーラップエリアにおいては、しばしばレイアウトの混乱を無視したによる影響があり、高解像度ディスプレイスパネルの要求の下で、オーバーラップエリアのレイアウトの混乱或いは不一致は、さらにオーバーラップエリアの開口率を影響し、ディスプレイパネルの輝度ムラ問題をもたらす。
【発明の概要】
【０００５】
これを考慮して、本出願が解決しようとする課題は、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極オーバーラップエリアにおける開口率が不充分であり、ディスプレイパネルの輝度ムラが生じることである。本出願は、有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイ及びそれらを利用した移動通信装置を提供する。
【０００６】
本出願の上記目的は、以下の技術手段によって達成される。
【０００７】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、非表示エリアの外縁に位置するオーバーラップエリアを備え、前記オーバーラップエリアは、前記オーバーラップエリアの平坦化層上に設けられる第一電極と、前記第一電極上に設けられ、さらに複数の画素規定ブロックを備える画素規定層と、前記画素規定層上に設けられ、さらに、前記複数の画素規定ブロックの上にそれぞれ配置される複数の支持ブロックを備える隔離層と、前記オーバーラップエリアにおいて、前記第一電極、前記複数の画素規定ブロック及び前記複数の支持ブロックを覆い、前記第一電極とオーバーラップされている第二電極と、を備え、ここで、前記第一電極および前記第二電極は、表示エリア内の画素に電位を供給するために用いられ、前記第二電極は前記画素規定層における画素規定ブロックと接続され、前記第二電極と前記第一電極とは、前記オーバーラップエリアにおいて重ね合せるように接続されており、前記第一電極は前記オーバーラップエリアにおいて複数の開孔をさらに有し、前記複数の開孔は前記画素規定層の前記複数の画素規定ブロックと配列方式が同様であり、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のオーバーラップエリアに位置する画素規定ブロック、支持ブロックは、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示エリアに位置する画素規定ブロック、支持ブロックと配列方式が同様である。
【０００８】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記隔離層における前記複数の支持ブロックは前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと垂直投影位置が同様である。
【０００９】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記複数の画素規定ブロックのいずれか一つの面積は対応する支持ブロックの面積より大きい。
【００１０】
前記第一電極は前記オーバーラップエリアにおいて複数の開孔をさらに有し、前記複数の開孔は前記画素規定層の前記複数の画素規定ブロックと配列方式が同様である。
【００１１】
前記オーバーラップエリアにおいて、前記第一電極における前記複数の開孔は前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックと垂直投影位置が同様である。
【００１２】
前記画素規定層における前記複数の画素規定ブロックが前記第一電極の前記複数の開孔を埋めるとともに覆う。
【００１３】
前記第一電極と前記第二電極は透明電極である。
【００１４】
前記複数の画素規定ブロックと前記複数の支持ブロックはいずれも有機材料である。
【００１５】
本出願は、フレキシブルプリント回路基板と電源インタフェースとを備え、有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイをさらに提供する。
【００１６】
本出願は、通信装置と表示装置とを備え、前記表示装置は前記有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである移動通信装置をさらに提供する。
【００１７】
従来の技術に比べると、本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子は、支持ブロックと画素規定ブロックの配列方式或いは垂直投影位置が同じであることによって、陰極オーバーラップエリアの遮蔽を減少し、陰極オーバーラップエリアの開口率を高め、Ｖｓｓリード線の電圧降下を低減することができ、従って、ディスプレイパネルの輝度ムラ問題を改善することができる。
【００１８】
本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子は、また、支持ブロックの配列方式と開孔の配列方式、或いは支持ブロックの垂直投影位置と開孔の垂直投影位置が同じであることによって、陰極オーバーラップエリアの遮蔽を減少し、陰極オーバーラップエリアの開口率を高め、Ｖｓｓリード線の電圧降下を低減することができ、従って、ディスプレイパネルの輝度ムラ問題を改善することができる。
【００１９】
本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子は、更に、本出願の積み重ね方法により、基板の底端側から支持ブロックまでの厚さをオーバーラップエリアにおいて同じ又はほぼ同じくすることができ、表示エリアにおいても同じ又はほぼ同じくすることができ、有機エレクトロルミネッセンス素子のディスプレイスパネルの抗衝撃性向上に有利である。
【００２０】
勿論、本出願を実施するいずれの製品は、必ずしも上記の全ての技術効果を同時に達成する必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成模式図である。
【図２】図２は本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成のＡ−Ａ‘線断面図である。
【図３】図３は本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構造のオーバーラップエリアの拡大模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面及び実施形態を参照して、本出願の実施方法を詳細に説明し、それにより、本出願が如何に技術的手段を応用して技術的課題を解决し且つ技術的効果を達成する本出願の技術的手段の適用が十分に理解され実施され得る。
【００２３】
図１は、本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成模式図である。図１に示されるように、基板１には、表示エリア１１と、非表示エリア１２とが備えられている。表示エリア１１は、基板１上に設けられて、非表示エリア１２は基板１上の表示エリア１１以外のエリアに設けられている。非表示エリア１２は、さらにオーバーラップエリア１２１と駆動回路エリア１２２とを備える。オーバーラップエリア１２１は、非表示エリア１２の外縁に位置されて、駆動回路エリア１２２はオーバーラップエリア１２１と表示エリア１１の間に位置されている。本実施形態において、オーバーラップエリア１２１は陰極オーバーラップエリアであるが、本出願はこれに限定されない。
【００２４】
図２は、本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成のＡ−Ａ‘線断面図である。図２に示すＡ−Ａ‘線断面図は、図１の非表示エリア１２のオーバーラップエリア１２１の断面図である。図２に示されるように、本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子のオーバーラップエリア１２１には、さらに平坦化層２、画素規定層、第一電極４１、第二電極４２及び隔離層が備えられている。平坦化層２は基板１上に設けられ、第一電極４１はオーバーラップエリアの平坦化層２上に設けされている。画素規定層は第一電極４１に設けられ、画素規定層にはさらに複数の画素規定ブロック３が備えられている。隔離層は画素規定層に設けられ、隔離層にはさらに複数の支持ブロック５が備えられている。第二電極４２と第一電極４１とはオーバーラップされている。本実施形態において、第一電極４１は有機エレクトロルミネッセンス素子製造工程における陽極層であってもよく、第二電極４２は有機エレクトロルミネッセンス素子製造工程における陰極層であってもよい。第二電極４２と第一電極４１とは重ね合わせ方法によって接続され、このような方法はオーバーラップとも言う。本実施形態では、第一電極４１と第二電極４２は透明電極であり、第二電極４２は一体的な構成であってもよい。本実施形態では、複数の画素規定ブロック３と前記複数の支持ブロック５とはいずれも有機材料であっても良いが、本出願はこれらに限定されない。
【００２５】
以下、図２に示された実施形態を例として詳細に説明する。オーバーラップエリア１２１において、隔離層の複数の支持ブロック５は画素規定層の複数の画素規定ブロック３と配列方式が同様である。隔離層の複数の支持ブロック５は画素規定層の複数の画素規定ブロック３と垂直投影位置が同様である。本実施形態では、オーバーラップエリア１２１における画素規定層の複数の画素規定ブロック３の面積は、隔離層の複数の支持ブロック５の面積よりも大きくても良いが、本出願はこれに限定されない。
【００２６】
図２に示されるように、第一電極４１はオーバーラップエリア１２１においてさらに複数の開孔４１０を有する。複数の開孔４１０は、円筒形、角柱形、または円錐形であってもよいが、本出願はこれに限定されない。複数の開孔４１０は画素規定層における複数の画素規定ブロック３と配列方式が同様である。オーバーラップエリア１２１において、第一電極４１における複数の開孔４１０は画素規定層における画素規定ブロック３と垂直投影位置が同様である。本実施形態において、画素規定層における画素規定ブロック３はさらに第一電極４１における複数の開孔４１０を充填して覆ってもよい。
【００２７】
図３は、本出願の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の構成のオーバーラップエリア拡大模式図である。図３に示す部分拡大図は、図１の非表示エリアのオーバーラップエリア１２１におけるＭエリアのレイアウトを示す上面図である。図３に示しているように、複数の支持ブロック５と画素規定ブロック３とは重なっており、上面図で表示されていない複数の開孔４１０も実際は画素規定層における複数の画素規定ブロック３と重なっている。図２の断面図を参照することにより分かるように、画素規定層における複数の画素規定ブロック３の垂直投影位置は第一電極４１の複数の開孔４１０の垂直投影位置と同様で、また、隔離層における複数の支持ブロック５の垂直投影位置は画素規定層における複数の画素規定ブロック３の垂直投影位置と同様であるため、画素規定ブロック３、開孔４１０及び支持ブロック５の三方の垂直投影位置は全部同じでもよい。
【００２８】
図３をさらに参照すると、複数の支持ブロック５同士及び複数の画素規定ブロック３同士はそれぞれ間隔を置いて設置され、分離距離は、等距離であってもよく、等差的に増大又は減小してもよいので、隔離層における複数の支持ブロック５は画素規定層における画素規定ブロック３と配列方式が同様である。画素規定ブロック３の面積は支持ブロック５の面積以上であってもよく、実際の設計要件により適応的に調整されるが、本実施形態の図示では画素規定ブロック３の面積は支持ブロック５の面積よりも大きいものとして呈するが、本出願はこれに限定されない。本出願の別の実施形態では、例えば、オーバーラップエリア１２１において画素規定ブロック３と支持ブロック５の配列方式は表示エリア１１における画素規定ブロック３と支持ブロック５の配列方式と同様であってもよい。本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子は、本出願の積み重ね方法により、基板１の底部側から支持ブロック５までの厚さをオーバーラップエリア１２１において同じ又はほぼおなじくすることができ、表示エリア１１においても同じ又はほぼ同じくすることができ、有機エレクトロルミネッセンス素子のディスプレイパネルの抗衝撃性向上に有利である。
【００２９】
有機エレクトロルミネッセンス素子は品質検査の球体落下試験によって、ディスプレイパネルの抗衝撃性について品質評価を行うことができる。本出願の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の球体落下試験の通過率は明らかに従来技術より高く、本出願の実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子はディスプレイパネルの抗衝撃性を向上させることを確認することできる。本出願の有機エレクトロルミネッセンス素子は、画素規定ブロック３、支持ブロック５及び開孔４１０の配列方式或いは垂直投影位置が同じであることによって、陰極オーバーラップエリアの遮蔽を減少し、陰極オーバーラップエリアの開口率を高め、Ｖｓｓリード線の電圧降下を低減することができ、従って、ディスプレイパネルの輝度ムラ問題を改善する。
【００３０】
本出願はまた、上記に基づいて、フレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）と電源インタフェースとを備え、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイを提供する。さらに、通信装置と表示装置とを備え、上記前記表示装置が前記有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである移動通信装置を提供する。
【図１】
0006900511.tif 000002
【図２】
0006900511.tif 000003
【図３】
0006900511.tif 000004