(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１−Ａ１）、式（１−Ａ２）又は式（１−Ａ３）で表される金属錯体。
【化１】
0006941711.tif 000112
［式中、
Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ１は、１、２又は３を表す。ｎ２は、０、１又は２を表す。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は３であり、Ｍが白金原子又はパラジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は２である。
Ｙａ及びＹｂのうち一方は単結合であり、他方は式（Ｃ−１）：
【化２】
0006941711.tif 000113
（式中、
ＲＣは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表す。
環ＲＣ１及び環ＲＣ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環ＲＣ１が有していてもよい置換基と環ＲＣ２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。）
で表される基である。Ｙａ及びＹｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ１は、Ａ１及びＡ２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ１−Ｇ１−Ａ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ１が窒素原子の場合、Ｒ１は存在しない。Ｅ２が窒素原子の場合、Ｒ２は存在しない。Ｅ３が窒素原子の場合、Ｒ３は存在しない。Ｅ４が窒素原子の場合、Ｒ４は存在しない。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９、Ｒ１０とＲ１１、及び、Ｒ５とＲ１２は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、環ＲＣ１が有する置換基及び環ＲＣ２が有する置換基のうち、少なくとも一つは、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
【化３】
0006941711.tif 000114
［式中、
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２及びｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
【化４】
0006941711.tif 000115
［式中、
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６及びｍＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
【化５】
0006941711.tif 000116
［式中、
ｍＤＡ１は、０以上の整数を表す。
ＡｒＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項２】
前記式（Ｃ−１）で表される基が、式（Ｃ−２）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
【化６】
0006941711.tif 000117
［式中、ＲＣは、前記と同じ意味を表す。
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ＲＣ１１とＲＣ１２、ＲＣ１２とＲＣ１３、ＲＣ１３とＲＣ１４、ＲＣ１４とＲＣ２４、ＲＣ２４とＲＣ２３、ＲＣ２３とＲＣ２２、及び、ＲＣ２２とＲＣ２１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、環ＲＢ１が有する置換基、環ＲＢ２が有する置換基、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
【請求項３】
式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体である、請求項２に記載の金属錯体。
【化７】
0006941711.tif 000118
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、及び、Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。］
【請求項４】
環ＲＡが、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項５】
環ＲＡが、六員環であり、且つ、環ＲＢ１と結合する炭素原子に対するパラ位に、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有する、請求項４に記載の金属錯体。
【請求項６】
前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、式（Ｄ−Ａ４）で表される基又は式（Ｄ−Ａ５）で表される基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【化８】
0006941711.tif 000119
［式中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３及びＲｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【請求項７】
環ＲＡがピリジン環である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
式（Ｈ−１）で表される化合物及び式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種とを含有する組成物。
【化９】
0006941711.tif 000120
［式中、
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１及びｎＨ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【化１０】
0006941711.tif 000121
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体を含有する発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体、金属錯体を含有する組成物、及び、金属錯体を含有する発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期又は第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１では、デンドロンを有するフェニルピリジン構造を配位子として有する金属錯体（例えば、下記式で表される金属錯体）が提案されている。
【化１】
0006941711.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１０５７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記金属錯体を用いて作製された発光素子は、長期劣化の抑制が必ずしも十分ではなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、長期劣化が抑制された発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物、及び、該金属錯体を含有する発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。
【０００７】
［１］
式（１）で表される金属錯体。
【化２】
0006941711.tif 000003
［式中、
Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ１は、１、２又は３を表す。ｎ２は、０、１又は２を表す。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は３であり、Ｍが白金原子又はパラジウム原子の場合、ｎ１＋ｎ２は２である。
環ＲＡは芳香族複素環を表し、当該芳香族複素環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環ＲＡが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
環ＲＢ１及び環ＲＢ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環ＲＢ１及び環ＲＢ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｙａ及びＹｂのうち一方は単結合であり、他方は式（Ｃ−１）：
【化３】
0006941711.tif 000004
（式中、
ＲＣは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子を表す。
環ＲＣ１及び環ＲＣ２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環ＲＣ１が有していてもよい置換基と環ＲＣ２が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。）
で表される基である。Ｙａ及びＹｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ１は、Ａ１及びＡ２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ１−Ｇ１−Ａ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する。］
【化４】
0006941711.tif 000005
［式中、
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２及びｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２及びＡｒＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
【化５】
0006941711.tif 000006
［式中、
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６及びｍＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
【化６】
0006941711.tif 000007
［式中、
ｍＤＡ１は、０以上の整数を表す。
ＡｒＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体又は式（１−Ａ３）で表される金属錯体である、［１］に記載の金属錯体。
【化７】
0006941711.tif 000008
［式中、
Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｙａ、Ｙｂ及びＡ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ１が窒素原子の場合、Ｒ１は存在しない。Ｅ２が窒素原子の場合、Ｒ２は存在しない。Ｅ３が窒素原子の場合、Ｒ３は存在しない。Ｅ４が窒素原子の場合、Ｒ４は存在しない。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９、Ｒ１０とＲ１１、及び、Ｒ５とＲ１２は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、環ＲＣ１が有する置換基及び環ＲＣ２が有する置換基のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
［３］
前記式（Ｃ−１）で表される基が、式（Ｃ−２）で表される基である、［１］又は［２］に記載の金属錯体。
【化８】
0006941711.tif 000009
［式中、ＲＣは、前記と同じ意味を表す。
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ＲＣ１１とＲＣ１２、ＲＣ１２とＲＣ１３、ＲＣ１３とＲＣ１４、ＲＣ１４とＲＣ２４、ＲＣ２４とＲＣ２３、ＲＣ２３とＲＣ２２、及び、ＲＣ２２とＲＣ２１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、環ＲＢ１が有する置換基、環ＲＢ２が有する置換基、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４のうち、少なくとも一つは、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。］
［４］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体である、請求項［３］に記載の金属錯体。
【化９】
0006941711.tif 000010
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、及び、Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。］
［５］
環ＲＡが、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の金属錯体。
［６］
環ＲＡが、六員環であり、且つ、環ＲＢ１と結合する炭素原子に対するパラ位に、前記式（Ｄ−Ａ）、前記式（Ｄ−Ｂ）又は前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有する、［５］に記載の金属錯体。
［７］
前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、式（Ｄ−Ａ４）で表される基又は式（Ｄ−Ａ５）で表される基である、［１］〜［６］のいずれかに記載の金属錯体。
【化１０】
0006941711.tif 000011
［式中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３及びＲｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
［８］
環ＲＡがピリジン環である、［１］〜［７］のいずれかに記載の金属錯体。
［９］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体と、
式（Ｈ−１）で表される化合物及び式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを含有する組成物。
【化１１】
0006941711.tif 000012
［式中、
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１及びｎＨ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【化１２】
0006941711.tif 000013
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１０］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１１］
［１］〜［８］のいずれかに記載の金属錯体を含有する発光素子。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、長期劣化が抑制された発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物、及び、該金属錯体を含有する発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１１】
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
【００１２】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１３】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。
【００１４】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０４以下の化合物を意味する。
【００１５】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３以上（例えば、１×１０３〜１×１０８）である重合体を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。高分子化合物中に２個以上存在する構成単位は、一般に、「繰り返し単位」とも呼ばれる。
【００１６】
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。
【００１７】
「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基及びドデシル基が挙げられる。また、アルキル基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。このようなアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
【００１８】
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００１９】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基が挙げられる。また、アリール基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。
【００２０】
「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。また、アルコキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。
【００２１】
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルコキシ基としては、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２２】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基が挙げられる。また、アリールオキシ基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基であってもよい。
【００２３】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００２４】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基が挙げられる。また、１価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基であってもよい。
【００２５】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
【００２６】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基（好ましくは第２級アミノ基又は第３級アミノ基、より好ましくは第３級アミノ基）が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。アミノ基が有する置換基が複数存在する場合、それらは同一で異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環を形成していてもよい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基）、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基（例えば、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基）が挙げられる。
【００２７】
「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタトリエニル基、ノルボルニレニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。
【００２８】
「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。シクロアルキニル基としては、例えば、シクロオクチニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。
【００２９】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。アリーレン基は、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【化１３】
0006941711.tif 000014
【化１４】
0006941711.tif 000015
【化１５】
0006941711.tif 000016
【化１６】
0006941711.tif 000017
（式中、Ｒ及びＲａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。）
【００３０】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよい。２価の複素環基としては、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール又はトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。また、２価の複素環基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基であってもよい。２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【化１７】
0006941711.tif 000018
【化１８】
0006941711.tif 000019
【化１９】
0006941711.tif 000020
【化２０】
0006941711.tif 000021
【化２１】
0006941711.tif 000022
【化２２】
0006941711.tif 000023
【化２３】
0006941711.tif 000024
（式中、Ｒ及びＲａは、前記と同じ意味を表す。）
【００３１】
「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋基は、好ましくは、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−１８）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよく、各基が有する置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
【化２４】
0006941711.tif 000025
【００３２】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００３３】
＜金属錯体＞
次に、本実施形態の金属錯体について説明する。本実施形態の金属錯体は、式（１）で表される金属錯体である。
【００３４】
式（１）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。
【００３５】
式（１）で表される金属錯体は、中心金属であるＭと、添え字ｎ１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ２でその数を規定されている配位子とから構成されている。
【００３６】
Ｍは、本実施形態の金属錯体を用いた発光素子の長期劣化がより抑制されるため、イリジウム原子であることが好ましい。
【００３７】
ｎ２は、本実施形態の金属錯体を用いた発光素子の長期劣化がより抑制されるため、０であること（換言すれば、例えば、Ｍがイリジウム原子である場合、ｎ１は３であること）が好ましい。
【００３８】
環ＲＡにおいて、芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、４〜１５である。
【００３９】
環ＲＡにおける芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環及びジヒドロフェナジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環又はカルバゾール環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００４０】
環ＲＡは、置換基として式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有していてもよい。
【００４１】
式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外に、環ＲＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましい。
【００４２】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４０であり、より好ましくは６〜２５である。
【００４３】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、アリール基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、又は、これらの環が縮合した環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はトリフェニレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくはベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００４４】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、アリールオキシ基としては、−Ｏ−Ａｒ１（Ａｒ１はアリール基を示し、当該アリール基は置換基を有していてもよい）で表される基が挙げられる。Ａｒ１のアリール基の例及び好ましい範囲は、環ＲＡが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００４５】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、３〜１５である。
【００４６】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環、ジヒドロフェナジン環、又は、これらの環に芳香環が縮合した環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、トリアジン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００４７】
環ＲＡが有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環ＲＡが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、環ＲＡが有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００４８】
環ＲＡが有していてもよい置換基において、ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
【００４９】
環ＲＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００５０】
環ＲＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環ＲＡが有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。
【００５１】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２において、芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【００５２】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環及びトリフェニレン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００５３】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２において、芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、４〜１５である。
【００５４】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２における芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環及びジヒドロフェナジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環又はカルバゾール環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００５５】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２は、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つが芳香族炭化水素環であることが好ましく、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち２つ以上が芳香族炭化水素環であることがより好ましく、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２の全てが芳香族炭化水素環であることが更に好ましい。
【００５６】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２は、置換基として式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を有していてもよい。
【００５７】
式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外に、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基がより好ましく、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、１価の複素環基が特に好ましい。これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００５８】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４０であり、より好ましくは６〜２５である。
【００５９】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、アリール基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、又は、これらの環が縮合した環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はトリフェニレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくはベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００６０】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、アリールオキシ基としては、−Ｏ−Ａｒ２（Ａｒ２はアリール基を示し、当該アリール基は置換基を有していてもよい）で表される基が挙げられる。Ａｒ２のアリール基の例及び好ましい範囲は、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００６１】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜３０であり、より好ましくは、３〜１５である。
【００６２】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環、ジヒドロフェナジン環、又は、これらの環に芳香環が縮合した環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、特に好ましくは、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００６３】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基における１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００６４】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基において、ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
【００６５】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００６６】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。
【００６７】
本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち、少なくとも１つが置換基としてアリール基又は１価の複素環基を有することが好ましく、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち、少なくとも１つが置換基としてアリール基を有することがより好ましく、環ＲＢ２が置換基としてアリール基を有することが更に好ましい。
【００６８】
環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち、少なくとも１つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が置換基として有するアリール基及び１価の複素環基の合計の個数は、好ましくは１〜５個であり、より好ましくは、１〜３個であり、更に好ましくは１又は２個であり、特に好ましくは１個である。
【００６９】
ＲＣは、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、好ましくは炭素原子、ケイ素原子又はゲルマニウム原子であり、より好ましくは炭素原子又はケイ素原子であり、更に好ましくは炭素原子である。
【００７０】
式（Ｃ−１）で表される基としては、例えば、式（Ｃ−２）で表される基が挙げられる。
【００７１】
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。
【００７２】
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環ＲＣ１及び環ＲＣ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００７３】
ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３及びＲＣ２４は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、長期劣化がより抑制されるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基であることが更に好ましい。
【００７４】
式（１）で表される金属錯体において、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を置換基として有する。
【００７５】
式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、環ＲＡに置換していることが好ましい。また、環ＲＡが六員環であるとき、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、環ＲＢ１と結合する炭素原子に対するパラ位（すなわち、例えば、後述の式（１−Ａ）におけるＲ２）に置換していることが好ましい。これにより、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制される。
【００７６】
式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基のうち、本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるため、式（Ｄ−Ａ）で表される基がより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ２）又は式（Ｄ−Ａ３）で表される基が更に好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基が特に好ましい。
【００７７】
式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ）で表される金属錯体が挙げられる。
【化２５】
0006941711.tif 000026
［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、環ＲＢ１、環ＲＢ２、Ｙａ、Ｙｂ及びＡ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ１が窒素原子の場合、Ｒ１は存在しない。Ｅ２が窒素原子の場合、Ｒ２は存在しない。Ｅ３が窒素原子の場合、Ｒ３は存在しない。Ｅ４が窒素原子の場合、Ｒ４は存在しない。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００７８】
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３及びＥ４は、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、炭素原子であることが好ましい。
【００７９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環ＲＡが有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。
【００８０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環ＲＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００８１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
【００８２】
式（１−Ａ）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体、及び、式（１−Ａ３）で表される金属錯体が挙げられる。
【００８３】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環ＲＢ１及び環ＲＢ２が有していてもよい置換基におけるアリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基及びハロゲン原子の例及び好ましい範囲と同じである。
【００８４】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２における各基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環ＲＢ１及び環ＲＢ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【００８５】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基以外の基である場合は、長期劣化がより抑制されるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基であることが更に好ましい。
【００８６】
本実施形態の金属錯体を含有する発光素子の長期劣化がより抑制されるので、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうち少なくとも一つが、アリール基又は１価の複素環基（より好ましくはアリール基）であることが好ましく、Ｒ７及びＲ８のうち少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基（更に好ましくはアリール基）であることがより好ましい。
【００８７】
式（１−Ａ１）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−Ａ１−１）で表される金属錯体が挙げられる。
【００８８】
・式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６及びｍＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６及びｍＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。
【００８９】
ＧＤＡは、好ましくは芳香族炭化水素基又は複素環基であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環又はカルバゾール環から環を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子３個を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９０】
ＧＤＡが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９１】
ＧＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００９２】
ＧＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）又は式（ＧＤＡ−１４）で表される基である。
【化２６】
0006941711.tif 000027
［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ２、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ４、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ５、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒＤＡ７との結合を表す。
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００９３】
ＲＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９４】
ＲＤＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００９５】
ＲＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００９６】
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−５）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−３）で表される基であり、特に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）又は式（ＡｒＤＡ−２）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（ＡｒＤＡ−２）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６及びＡｒＤＡ７が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、ＧＤＡが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【化２７】
0006941711.tif 000028
［式中、
ＲＤＡは、前記と同じ意味を表す。
ＲＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００９７】
ＲＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９８】
ＲＤＢが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００９９】
ＲＤＢが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１００】
ＴＤＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１０１】
ＴＤＡが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アルキル基又はアリール基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１０２】
ＴＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−３）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ−１）で表される基である。
【化２８】
0006941711.tif 000029
［式中、ＲＤＡ及びＲＤＢは、前記と同じ意味を表す。］
【０１０３】
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ａ３）で表される基である。
【化２９】
0006941711.tif 000030
［式中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３及びＲｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【０１０４】
式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ６）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）、式（Ｄ−Ｂ５）又は式（Ｄ−Ｂ６）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）、式（Ｄ−Ｂ３）又は式（Ｄ−Ｂ５）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）で表される基である。
【化３０】
0006941711.tif 000031
【化３１】
0006941711.tif 000032
［式中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３及びＲｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒｐ１、Ｒｐ２及びＲｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は同一でも異なっていてもよい。複数あるｎｐ２は、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１０５】
式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜式（Ｄ−Ｃ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）又は式（Ｄ−Ｃ２）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）で表される基である。
【化３２】
0006941711.tif 000033
［式中、
Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表し、ｎｐ６は０〜５の整数を表す。］
【０１０６】
ｎｐ１は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０である。ｎｐ５は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｎｐ６は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。
【０１０７】
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるアルキル基は、好ましくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるシクロアルキル基は、好ましくは炭素原子数５〜６のシクロアルキル基であり、より好ましくはシクロヘキシル基である。
【０１０８】
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるアルコキシ基は、好ましくは炭素原子数１〜６のアルコキシ基であり、より好ましくはメトキシ基又は２−エチルヘキシルオキシ基である。
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるシクロアルコキシ基は、好ましくは炭素原子数５〜６のシクロアルコキシ基であり、より好ましくはシクロへキシルオキシ基である。
【０１０９】
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６は、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。
【０１１０】
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６が有していてもよい置換基としては、アルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１１１】
Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１１２】
式（Ｄ−Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。
【化３３】
0006941711.tif 000034
【化３４】
0006941711.tif 000035
［式中、ＲＤは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１１３】
ＲＤにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びシクロアルコキシ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びシクロアルコキシ基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０１１４】
ＲＤが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０１１５】
金属錯体の量子収率の観点から、ＲＤは、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基であることが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることがより好ましく、水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが更に好ましい。
【０１１６】
式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−７）で表される基が挙げられる。
【化３５】
0006941711.tif 000036
【化３６】
0006941711.tif 000037
［式中、ＲＤは前記と同じ意味を表す。］
【０１１７】
式（Ｄ−Ｃ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−１）〜式（Ｄ−Ｃ−１３）で表される基が挙げられる。
【化３７】
0006941711.tif 000038
［式中、ＲＤは前記と同じ意味を表す。］
【０１１８】
・アニオン性の２座配位子
Ａ１−Ｇ１−Ａ２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ１−Ｇ１−Ａ２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ１でその数を定義されている配位子とは異なる。
【化３８】
0006941711.tif 000039
【化３９】
0006941711.tif 000040
【化４０】
0006941711.tif 000041
［式中、
＊は、Ｍと結合する部位を表す。
ＲＬ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＬ１は、同一でも異なっていてもよい。
ＲＬ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１１９】
ＲＬ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はフッ素原子であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２０】
ＲＬ２は、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２１】
ＲＬ１が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１２２】
ＲＬ１が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１２３】
ＲＬ２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１２４】
ＲＬ２が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１２５】
式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）で表される金属錯体が挙げられる。これらの中でも、本実施形態の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−８）、式（Ｉｒ−１３）〜式（Ｉｒ−１６）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−８）で表される金属錯体がより好ましい。これらの中でも、本実施形態の金属錯体の合成が容易になるため、式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−４）で表される金属錯体が更に好ましく、式（Ｉｒ−１）又は式（Ｉｒ−３）で表される金属錯体が特に好ましい。
【化４１】
0006941711.tif 000042
【化４２】
0006941711.tif 000043
【化４３】
0006941711.tif 000044
【化４４】
0006941711.tif 000045
【化４５】
0006941711.tif 000046
【０１２６】
式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、
ＲＬ５は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、４位及び６位にアリール基を置換基として有する１，３，５−トリアジン−２−イル基、４位及び６位にアリール基を置換基として有する１，３−ピリミジン−２−イル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。ＲＬ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ１ａは式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。Ｚ１ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１２７】
ＲＬ５におけるアルキル基の例及び好ましい範囲は、Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるアルキル基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０１２８】
ＲＬ５におけるシクロアルキル基の例及び好ましい範囲は、Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ｒｐ３、Ｒｐ４、Ｒｐ５及びＲｐ６におけるシクロアルキル基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０１２９】
ＲＬ５におけるアリール基の例及び好ましい範囲は、環ＲＡが有していてもよい置換基におけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０１３０】
ＲＬ５が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が好ましく、アルキル基又はアリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１３１】
ＲＬ５が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基又はアリール基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１３２】
式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、
ＲＬ５は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−１５）で表される基及び下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
Ｚ１ａは、上記式（Ｄ−Ａ）で表される基に相当する下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
【０１３３】
＜群ＩＩ＞
【化４６】
0006941711.tif 000047
【化４７】
0006941711.tif 000048
【０１３４】
＜群ＩＩＩ＞
【化４８】
0006941711.tif 000049
【化４９】
0006941711.tif 000050
【化５０】
0006941711.tif 000051
【０１３５】
式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２０）中、Ｚ１ａとしては、式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることがより好ましく、式（ＩＩＩ−７）〜式（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることが特に好ましい。
【０１３６】
式（１）で表される金属錯体の具体例としては、式（Ｉｒ−１０１）〜式（Ｉｒ−１１８）で表される金属錯体が挙げられる。
【化５１】
0006941711.tif 000052
【化５２】
0006941711.tif 000053
【化５３】
0006941711.tif 000054
【化５４】
0006941711.tif 000055
【化５５】
0006941711.tif 000056
【化５６】
0006941711.tif 000057
【化５７】
0006941711.tif 000058
【化５８】
0006941711.tif 000059
【化５９】
0006941711.tif 000060
【０１３７】
本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子には、本実施形態の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【０１３８】
式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本実施形態の金属錯体の発光スペクトルの半値幅がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更により好ましく、１００モル％（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。
【０１３９】
＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
［製造方法１］
本実施形態の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。
【０１４０】
式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ１が２又は３であるものは、例えば、
式（Ｍ１−１）で表される化合物と、イリジウム化合物又はその水和物とを反応させることで、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体を合成する工程Ａ１、及び、
式（Ｍ１−２）で表される金属錯体と、式（Ｍ１−１）で表される化合物又はＡ１−Ｇ１−Ａ２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ１を含む方法により製造することができる。
【化６０】
0006941711.tif 000061
【０１４１】
工程Ａ１において、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられ、イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。
【０１４２】
工程Ａ１及び工程Ｂ１は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。
【０１４３】
工程Ａ１及び工程Ｂ１において、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。
【０１４４】
工程Ａ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の量は、イリジウム化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１４５】
工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物又はＡ１−Ｇ１−Ａ２で表される配位子の前駆体の量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。
【０１４６】
工程Ｂ１において、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
【０１４７】
式（Ｍ１−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−３）で表される化合物と、式（Ｍ１−４）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。
【化６１】
0006941711.tif 000062
［式（Ｍ１−３）中、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、Ｙａ及びＹｂは、前記と同じ意味を表す。但し、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
ＲＷ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＷ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］
【０１４８】
式（Ｍ１−４）中、Ｚ１は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表す。Ｗ１は、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＷ１は、前記と同じ意味を表す。
【０１４９】
−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基としては、例えば、式（Ｗ−１）〜式（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。
【化６２】
0006941711.tif 000063
【０１５０】
Ｗ１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。
【０１５１】
Ｗ１としては、式（Ｍ１−４）で表される化合物と式（Ｍ１−３）で表される金属錯体とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、これらの中でも、式（Ｍ１−４）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子又は式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。
【０１５２】
環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環が式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに有する置換基における、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基及びアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基及びアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。
【０１５３】
Ｚ１としては、式（Ｄ−Ａ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基がより好ましい。
【０１５４】
式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応は、通常、溶媒中で行う。用いられる溶媒、反応時間及び反応温度は、工程Ａ１及び工程Ｂ１について説明したものと同じであってよい。
【０１５５】
式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応において、式（Ｍ１−４）で表される化合物の量は、式（Ｍ１−３）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
【０１５６】
式（Ｍ１−４）で表される化合物としては、例えば、Ｚ１が式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、且つ、Ｗ１が−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、臭素原子又はヨウ素原子である化合物が挙げられる。
【０１５７】
式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。
【化６３】
0006941711.tif 000064
［式中、
Ｒｐ１及びｎｐ１は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ２は−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１５８】
式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−１ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。
【０１５９】
式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。
【化６４】
0006941711.tif 000065
［式中、Ｒｐ１、ｎｐ１及びＷ２は、前記と同じ意味を表す。］
【０１６０】
式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。
【０１６１】
式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｄ）で表される化合物とを、石山−宮浦−Ｈａｒｔｗｉｇ反応させることにより合成することができる。
【０１６２】
式（Ｍ１−３）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−５）で表される化合物と、式（Ｍ１−６）で表される化合物とを、カップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。
【化６５】
0006941711.tif 000066
［式（Ｍ１−５）中、環ＲＢ１、環ＲＢ２、Ｙａ及びＹｂは、前記と同じ意味を表す。また、式（Ｍ１−６）中、環ＲＡは、前記と同じ意味を表す。但し、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
Ｗ３及びＷ４は、それぞれ独立に、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１６３】
式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ１が１であるものは、例えば、
Ａ１−Ｇ１−Ａ２で表される配位子の前駆体と、イリジウム化合物又はその水和物とを反応させる工程Ａ１’、及び、
工程Ａ１’で得られた金属錯体と、式（Ｍ１−１）で表される化合物とを反応させる工程Ｂ１’を含む方法により製造することができる。
工程Ａ１’及び工程Ｂ１’は、それぞれ、工程Ａ１及び工程Ｂ１に準じて実施することができる。
【０１６４】
［製造方法２］
本実施形態の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。
【０１６５】
式（１）で表される金属錯体は、例えば、
上記式（Ｍ１−４）で表される化合物と、式（Ｍ１−７）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同様の反応であってよい。
【化６６】
0006941711.tif 000067
［式（Ｍ１−７）中、ｎ１、ｎ２、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、Ｙａ、Ｙｂ、Ａ１−Ｇ１−Ａ２は、前記と同じ意味を表す。但し、環ＲＡ、環ＲＢ１、環ＲＢ２、環ＲＣ１及び環ＲＣ２のうち少なくとも一つの環は、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基の代わりに、−Ｂ（ＯＲＷ１）２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を置換基として有する。
ＲＷ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＷ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］
【０１６６】
式（Ｍ１−７）で表される金属錯体は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における工程Ａ１及び工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の代わりに、前記式（Ｍ１−３）で表される化合物を用いることで合成することができる。
【０１６７】
＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１６８】
＜組成物＞
本実施形態の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本実施形態の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本実施形態の金属錯体とを含有する。
【０１６９】
本実施形態の組成物において、本実施形態の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１７０】
［ホスト材料］
本実施形態の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子収率がより優れたものとなる。本実施形態の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
【０１７１】
本実施形態の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本実施形態の金属錯体の含有量は、本実施形態の金属錯体とホスト材料との合計を１００質量部とした場合、通常、０．０１〜８０質量部であり、好ましくは０．０５〜４０質量部であり、より好ましくは０．１〜２０質量部であり、更に好ましくは１〜２０質量部である。
【０１７２】
ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ１）は、本実施形態の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子収率がより優れるため、本実施形態の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ１）と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
【０１７３】
ホスト材料としては、本実施形態の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本実施形態の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。
【０１７４】
ホスト材料は、低分子ホストと高分子ホストとに分類される。
【０１７５】
・低分子ホスト
低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。
【化６７】
0006941711.tif 000068
［式中、
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎＨ１及びｎＨ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎＨ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎＨ３は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲＨ１１）２］ｎＨ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＨ１１は、１以上１０以下の整数を表す。ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＨ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬＨ２は、−Ｎ（−ＬＨ２１−ＲＨ２１）−で表される基を表す。ＬＨ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＬＨ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＨ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１７６】
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ−１）又は（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７７】
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１７８】
ｎＨ１は、好ましくは１である。ｎＨ２は、好ましくは０である。
【０１７９】
ｎＨ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
【０１８０】
ｎＨ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数であり、更に好ましくは１である。
【０１８１】
ＲＨ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８２】
ＬＨ１は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。
【０１８３】
ＬＨ１は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜式（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）又は式（ＡＡ−２９）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。
【０１８４】
ＬＨ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１８５】
ＬＨ２１は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
【０１８６】
ＬＨ２１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、ＬＨ１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同様である。
【０１８７】
ＲＨ２１は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８８】
ＲＨ２１で表されるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、ＡｒＨ１及びＡｒＨ２で表されるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同様である。
【０１８９】
ＲＨ２１が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、ＡｒＨ１及びＡｒＨ２が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同様である。
【０１９０】
式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。
【化６８】
0006941711.tif 000069
［式中、ＡｒＨ１、ＡｒＨ２、ｎＨ３及びＬＨ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１９１】
ホスト材料に用いられる低分子化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。
【化６９】
0006941711.tif 000070
【０１９２】
・高分子ホスト
ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。
【０１９３】
ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。
【０１９４】
高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。
【化７０】
0006941711.tif 000071
［式中、ＡｒＹ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１９５】
ＡｒＹ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）又は式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９６】
ＡｒＹ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）、式（Ａ−５３）又は式（Ａ−５４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）又は式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９７】
ＡｒＹ１で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒＹ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０１９８】
「アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【化７１】
0006941711.tif 000072
［式中、ＲＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１９９】
ＲＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２００】
ＡｒＹ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２０１】
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位である。
【０２０２】
【化７２】
0006941711.tif 000073
［式中、ＲＹ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲＹ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２０３】
ＲＹ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０４】
【化７３】
0006941711.tif 000074
［式中、ＲＹ１は前記と同じ意味を表す。ＸＹ１は、−Ｃ（ＲＹ２）２−、−Ｃ（ＲＹ２）＝Ｃ（ＲＹ２）−又はＣ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基を表す。ＲＹ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ２は、同一でも異なっていてもよく、ＲＹ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２０５】
ＲＹ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０６】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜式（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【化７４】
0006941711.tif 000075
【０２０７】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）＝Ｃ（ＲＹ２）−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０８】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基中の４個のＲＹ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜式（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【化７５】
0006941711.tif 000076
［式中、ＲＹ２は前記と同じ意味を表す。］
【０２０９】
【化７６】
0006941711.tif 000077
【化７７】
0006941711.tif 000078
［式中、ＲＹ１は前記と同じ意味を表す。ＲＹ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２１０】
ＲＹ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１１】
【化７８】
0006941711.tif 000079
［式中、ＲＹ１は前記を同じ意味を表す。ＲＹ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２１２】
ＲＹ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２１３】
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）〜式（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）〜式（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３０１）〜式（Ｙ−３０４）で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【化７９】
0006941711.tif 000080
【化８０】
0006941711.tif 000081
【化８１】
0006941711.tif 000082
【化８２】
0006941711.tif 000083
【化８３】
0006941711.tif 000084
【化８４】
0006941711.tif 000085
【化８５】
0006941711.tif 000086
【化８６】
0006941711.tif 000087
【化８７】
0006941711.tif 000088
【０２１４】
式（Ｙ）で表される構成単位であって、ＡｒＹ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜１００モル％であり、より好ましくは６０〜９５モル％である。
【０２１５】
式（Ｙ）で表される構成単位であって、ＡｒＹ１が２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜２０モル％である。
【０２１６】
式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０２１７】
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
【化８８】
0006941711.tif 000089
［式中、ａＸ１及びａＸ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２１８】
ａＸ１は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
【０２１９】
ａＸ２は、高分子ホストと本実施形態の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
【０２２０】
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２１】
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）又は式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２２】
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）又は式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２３】
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２２４】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２５】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０２２６】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２２７】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒＹ１で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
【０２２８】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２２９】
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２３０】
式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位である。
【化８９】
0006941711.tif 000090
【化９０】
0006941711.tif 000091
【化９１】
0006941711.tif 000092
【化９２】
0006941711.tif 000093
［式中、ＲＸ４及びＲＸ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＸ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲＸ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲＸ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２３１】
式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは２〜３０モル％である。
【０２３２】
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜式（Ｘ１−１７）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜式（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。
【化９３】
0006941711.tif 000094
【化９４】
0006941711.tif 000095
【化９５】
0006941711.tif 000096
【化９６】
0006941711.tif 000097
【化９７】
0006941711.tif 000098
【化９８】
0006941711.tif 000099
【化９９】
0006941711.tif 000100
【０２３３】
高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２３４】
高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−７が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０２３５】
【表１】
0006941711.tif 000101
【０２３６】
表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０２３７】
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
【０２３８】
＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
【０２３９】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。
【０２４０】
遷移金属触媒としては、特に限定されないが、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。
【０２４１】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０２４２】
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
【０２４３】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
【０２４４】
本実施形態の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。
【０２４５】
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２４６】
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２４７】
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
【０２４８】
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
【０２４９】
本実施形態の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。
【０２５０】
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２５１】
［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２５２】
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
【０２５３】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
【０２５４】
本実施形態の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。
【０２５５】
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２５６】
［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
【０２５７】
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
【０２５８】
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
【０２５９】
［発光材料］
発光材料（本実施形態の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２６０】
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
【０２６１】
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイルジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
【０２６２】
発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。
【０２６３】
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
【化１００】
0006941711.tif 000102
【化１０１】
0006941711.tif 000103
【０２６４】
本実施形態の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００質量部に対して、通常、０．１〜４００質量部である。
【０２６５】
本実施形態の金属錯体及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
【０２６６】
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。
【０２６７】
インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−デカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２６８】
インクにおいて、溶媒の配合量は、本実施形態の金属錯体１００質量部に対して、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。
【０２６９】
＜膜＞
膜は、本実施形態の金属錯体を含有する。
【０２７０】
膜には、本実施形態の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本実施形態の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
【０２７１】
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、外部量子収率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
【０２７２】
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
【０２７３】
膜は、発光素子における正孔輸送層又は正孔注入層として好適である。
【０２７４】
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
【０２７５】
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。
【０２７６】
＜発光素子＞
本実施形態の発光素子は、本実施形態の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本実施形態の金属錯体が分子内又は分子間で架橋されたものであってもよく、本実施形態の金属錯体が分子内及び分子間で架橋されたものであってもよい。
本実施形態の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本実施形態の金属錯体を用いて得られる層とを有する。
【０２７７】
［層構成］
本実施形態の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
【０２７８】
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本実施形態の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
【０２７９】
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、本実施形態の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。
【０２８０】
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【０２８１】
本実施形態の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
【０２８２】
積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子収率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。
【０２８３】
［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２８４】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
【０２８５】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
【０２８６】
［用途］
本実施形態の発光素子は、例えば、ディスプレイ、照明に有用である。
【０２８７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【実施例】
【０２８８】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０２８９】
ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１２９０  Ｉｎｆｉｎｉｔｙ  ＬＣ及び６２３０  ＴＯＦ  ＬＣ／ＭＳ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ  ＯＤＳ  Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
【０２９０】
ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ  ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＺ４００Ｓ／Ｌ１、又は、ブルカー製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００）を用いて測定した。
【０２９１】
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ  ＯＤＳ  Ｚ−ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
【０２９２】
化合物の純度の指標として、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＧＣ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名：Ａｇｉｌｅｎｔ７８２０）での値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＧＣに１〜１０μＬ注入した。キャリヤーはヘリウムを用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムオーブンは５０℃〜３００℃まで変化させながら用いた。ヒーター温度は注入口２８０℃、検出器３２０℃とした。カラムは、ＳＧＥ製ＢＰＸ−５（３０ｍ×０．２５ｍｍ×０．２５μｍ）を用いた。
【０２９３】
ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ  ＡｃｃｕＴＯＦ  ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。
【０２９４】
＜実施例１＞  金属錯体Ｍ１の合成
【化１０２】
0006941711.tif 000104
【化１０３】
0006941711.tif 000105
【０２９５】
（化合物Ｌ１Ａの合成）
化合物Ｌ１Ａは、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に準じて合成した。
【０２９６】
（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ１Ｂの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ａ（３００ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２５８ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（１５ｇ）、酢酸カリウム（１３６ｇ）、及び１，２−ジメトキシエタン（３Ｌ）を加え、８０℃で１時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水（２．７Ｌ）とｎ−ヘプタン（１．４Ｌ）を加え、水層を除去し、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、アセトニトリルを用いて晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｂ（３００ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＢのＧＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
【０２９７】
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ１Ｄの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｂ（７３ｇ）、化合物Ｌ１Ｃ（７５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．５ｇ）、３５質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２８ｇ）、イオン交換水（１９０ｍＬ）、及びトルエン（１０４０ｍＬ）を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、イオン交換水（４００ｍＬ）を加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ−ヘキサンの混合溶媒）により精製することで、化合物Ｌ１Ｄ（７９ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＤのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０２［Ｍ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）δ（ｐｐｍ）＝７．８９（ｓ，１Ｈ），７．８１−７．７３（ｍ，２Ｈ），７．６８−７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４７（ｄ，１Ｈ），７．２７（ｓ，２Ｈ），７．０５（ｓ，１Ｈ），２．６９−２．６１（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．６０（ｍ，４Ｈ），１．４３−１．２８（ｍ，１２Ｈ），０．９４−０．８５（ｍ，６Ｈ）．
【０２９８】
（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ１Ｅの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、２−ブロモジフェニル（５３ｇ）、及びテトラヒドロフラン（１３００ｇ）を加え、−７０℃に冷却した。そこへ、１．６Ｍｎ−ブチルリチウムｎ−ヘキサン溶液（１３９ｍＬ）をゆっくり加え、−７０℃で１時間撹拌した。そこへ、化合物Ｌ１Ｄ（７２ｇ）、トルエン（７２ｇ）、及びテトラヒドロフラン（２１６ｇ）の混合物をゆっくり加え、その後、−６５℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（７２ｇ）をゆっくり加え、得られた反応液を室温とした後、イオン交換水（３６０ｇ）とトルエン（３６０ｇ）を加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ−ヘキサンの混合溶媒）により精製することで、化合物Ｌ１Ｅ（７５ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＥのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６３９［Ｍ−ＯＨ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）δ（ｐｐｍ）＝８．４５（ｄ，１Ｈ），７．５８−７．５２（ｍ，１Ｈ），７．４７−７．４３（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．３１（ｍ，４Ｈ），７．２２−７．１６（ｍ，３Ｈ），７．０８（ｄ，１Ｈ）６．９９（ｓ，１Ｈ），６．９２−６．８３（ｍ，２Ｈ），６．７５−６．００（ｍ，２Ｈ），６，１４−６．０３（ｍ，２Ｈ），２．６７−２．５８（ｍ，４Ｈ），２．４８（ｓ，１Ｈ），１．６８−１．５８（ｍ，４Ｈ），１．４１−１．２６（ｍ，１２Ｈ），０．９３−０．８６（ｍ，６Ｈ）．
【０２９９】
（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ１Ｆの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｅ（７４ｇ）、及びトルエン（８５６ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、濃硫酸（１７ｇ）をゆっくり加え、０℃で３時間撹拌した。そこへ、イオン交換水（７４２ｇ）をゆっくり加え、その後、トルエン（７４２ｇ）を加え、得られた反応液を室温で４０分撹拌した。水層を除去し、得られた有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、次いでイオン交換で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた
晶析を行った後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｆ（６８ｇ）を得た。化合物Ｌ１ＦのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６３９［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）δ（ｐｐｍ）＝７．９３−７．８８（ｍ，３Ｈ），７．７７（ｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．５２（ｄｄ，１Ｈ），７．４１（ｔ，２Ｈ），７．１６（ｔ，２Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ），６．９３−６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８３−６．７４（ｍ，３Ｈ），２．５７−２．４９（ｍ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３４−１．２２（ｍ，１２Ｈ），０．８９−０．８３（ｍ，６Ｈ）．
【０３００】
（Ｓｔａｇｅ５：化合物Ｌ１Ｇの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｆ（１４ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（６．４ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（１３５ｍＬ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（８６０ｍｇ）及び酢酸カリウム（４．１ｇ）を加え、１００℃で６時間撹拌した。
その後、そこへｎ−ヘプタンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥後、トルエン／ヘプタンで溶解後、活性炭を加えて３０分攪拌後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ１Ｇ（１３．２ｇ）を白色の固体として得た。化合物Ｌ１ＧのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６８７［Ｍ＋Ｈ］＋
【０３０１】
（Ｓｔａｇｅ６：化合物Ｌ１Ｈの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｇ（１３ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（４．５ｇ）、トルエン（１２０ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５６ｇ）を加え、６５℃で１５時間撹拌した。
その後、そこへ、ｎ−ヘプタン加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、トルエン、ｎ−ヘプタン及び活性炭を加え、６０℃で３０分攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮後トルエン、ｎ−ヘプタン及びエタノールで、晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１Ｈ（７．３ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｌ１ＨのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）δ（ｐｐｍ）＝８．５７（ｓ，１Ｈ），８．０３−７．９１（ｍ，５Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），７．６８（ｄ，１Ｈ），７．５２（ｄ，１Ｈ），７．４１（ｔ，２Ｈ），７．３１（ｓ，１Ｈ），７．１４（ｔ，２Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ），６．９３（ｄ，２Ｈ），６．７８（ｄ，２Ｈ），２．５３（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２２（ｍ，１２Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．
【０３０２】
（Ｓｔａｇｅ７：化合物Ｌ１Ｉの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｈ（７．３ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３．４ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（２９０ｍｇ）、酢酸カリウム（３．２ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）を加え、加熱還流下で３時間攪拌した。
その後、そこへ、トルエン（９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへトルエン、ｎ−ヘプタン及び活性炭を加え、室温で３０分攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、更にトルエン／アセトニトリルで晶析することにより、化合物Ｌ１Ｉ（７．８ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｌ１ＩのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝７６４［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝８．８９（ｓ，１Ｈ），８．１５（ｄ，１Ｈ），７．９７−７．８８（ｍ，５Ｈ），７．６３（ｄ，１Ｈ），７．５１（ｄ，１Ｈ），７．３９（ｔ，２Ｈ），７．３２（ｓ，１Ｈ），７．１４（ｔ，２Ｈ），７．０３（ｓ，２Ｈ），６．９０（ｍ，２Ｈ），６．８３（ｄ，２Ｈ），２．５４（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２２（ｍ，２４Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．
【０３０３】
（Ｓｔａｇｅ８：化合物Ｌ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１Ｉ（７．０ｇ）、化合物Ｌ１Ｊ（３．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２１０ｍｇ）、トルエン（７０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２７ｇ）を加え、７０℃で３時間撹拌した。なお、化合物Ｌ１Ｊは、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
その後、そこへトルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥後、更にトルエン／エタノールで晶析することにより化合物Ｌ１（８．３ｇ）を淡黄色固体として得た。化合物Ｌ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）＝９．８９（ｓ，１Ｈ），８．８８（ｄ，１Ｈ），８．６３（ｄ，４Ｈ），８．２５（ｄ，１Ｈ），８．０２−７．８９（ｍ，４Ｈ），７．７６（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｄ，１Ｈ），７．５８（ｄ，４Ｈ），７．４８（ｓ，１Ｈ），７．３９（ｔ，１Ｈ），７．１７−７．１３（ｍ，３Ｈ），７．０６（ｓ，２Ｈ），６．９４（ｓ，１Ｈ），６．９０（ｓ，１Ｈ），６．８６（ｄ，２Ｈ），２．５６（ｔ，４Ｈ），１．５９−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３３−１．２４（ｍ，１２Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，６Ｈ）．
【０３０４】
（Ｓｔａｇｅ９：金属錯体Ｍ１ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、イオン交換水（５ｍＬ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（６５ｍｇ）、化合物Ｌ１（４．０ｇ）及び２−ブトキシエタノール（４０ｍＬ）を加え、１０５℃で１時間攪拌した。その後、１５０℃で６５時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（９０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣を減圧乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧濃縮後、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（２．８ｇ）を得た。
【０３０５】
（Ｓｔａｇｅ１０：金属錯体Ｍ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（８００ｍｇ）、化合物Ｌ１（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（１２２ｍｇ）、２，６−ルチジン（８６０μＬ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル（６．４ｍＬ）を加え、１４０℃で８時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）に加え、０℃で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にトルエン（２０ｍＬ）を加え、活性炭を加えて３０分攪拌後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、晶析（トルエン／ｎ−ヘプタン／アセトニトリル）で順次精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ１（５９０ｍｇ、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物を３水和物とした場合のＩｒＣｌ３・３Ｈ２Ｏ仕込量に対して収率４０％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６２３［Ｍ＋Ｈ］＋
【０３０６】
＜実施例２＞  金属錯体Ｍ２の合成
【化１０４】
0006941711.tif 000106
【０３０７】
（Ｓｔａｇｅ１：金属錯体Ｍ２の合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１ａ（１．００ｇ）、２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオン（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（１２２ｍｇ）、炭酸ナトリウム（８１ｍｇ）、トルエン（５０ｍｌ）及び２−エトキシエタノール（２５ｍＬ）を加え、５０℃で３０分攪拌した。続いて８０℃で２時間撹拌した後、１００℃で２時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４５ｍＬ）に加え、０℃で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にジクロロメタン（２０ｍＬ）を加え、アミンシリカゲルを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体を晶析（ジクロロメタン／２−プロパノール）、トルエンで精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ２（５６４ｍｇ、収率４４％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）δ（ｐｐｍ）＝９．９９（ｄ、２Ｈ），９．０１（ｄ、１Ｈ），８．９９（ｄ、１Ｈ），８．８２−８．７７（ｍ、８Ｈ），７．９４（ｄ、４Ｈ），７．８８（ｄ、２Ｈ），７．６７−７．５５（ｍ、１２Ｈ），７．５２（ｄ、２Ｈ），７．４５−７．３７（ｍ、６Ｈ），７．２７−７．０８（ｍ、１２Ｈ），６．９２（ｄ、４Ｈ），６．８５−６．８０（ｍ、８Ｈ），５．４２（ｓ、１Ｈ），２．４６（ｔ、８Ｈ），２．２２−２．１１（ｍ、４Ｈ），１．７５−１．６５（ｍ、２Ｈ），１．４７（ｐｅｎｔａ、８Ｈ），１．２８−１．１５（ｍ、２４Ｈ），０．８１（ｔ、１２Ｈ），０．５７（ｄ、６Ｈ），０．５２（ｄ、６Ｈ）．
【０３０８】
＜比較例１＞  金属錯体ＣＭ１の合成
【化１０５】
0006941711.tif 000107
【０３０９】
（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ１ｂの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ａ（１２ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（５．７ｇ）、トルエン（１４０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（９０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）、イオン交換水（４５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５３０ｍｇ）及び４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６０ｇ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。
その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ１ｂ（１０ｇ、収率８０％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４６［Ｍ＋Ｈ］＋
【０３１０】
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ１ｃの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｂ（１０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（７．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２、７８０ｍｇ）、酢酸カリウム（５．６ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）を加え、加熱還流下で２時間攪拌した。
その後、そこへ、トルエン（９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン及び活性炭を加え、６０℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ１ｃ（１２ｇ）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
【０３１１】
（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＣＬ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｃ（１２ｇ）、化合物Ｌ１Ｊ（８．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４４０ｍｇ）、トルエン（１０５ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５６ｇ）を加え、７０℃で３時間撹拌した。
その後、そこへ、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物ＣＬ１（９．３ｇ）を淡黄色固体として得た。化合物ＣＬ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８１２［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１０．０２（ｄ，１Ｈ），９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．７２（ｄｔ，４Ｈ），８．２３（ｓ，１Ｈ），８．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１−７．７８（ｍ，１Ｈ），７．６５（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．３５（ｍ，３Ｈ），２．１８−２．０１（ｍ，４Ｈ），１．４３（ｓ，１８Ｈ），１．２１−１．０７（ｍ，２０Ｈ），０．８０（ｔ，６Ｈ），０．７５−０．５６（ｍ，４Ｈ）．
【０３１２】
（Ｓｔａｇｅ４：金属錯体ＣＭ１ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＬ１（４８０ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）を加え、６０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１３ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（８８ｍｇ）を加え、１０５℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（８０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣を減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）を得た。
【０３１３】
（Ｓｔａｇｅ５：金属錯体ＣＭ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＣＭ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）、化合物ＣＬ１（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（８７ｍｇ）、２，６−ルチジン（４０μＬ）及びジエチレングリコールジメチルエーテル（６．３ｍＬ）を加え、１５０℃で１７時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（２０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、得られた残渣にトルエン（２０ｍＬ）を加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、再結晶（酢酸エチル／アセトニトリル）で順次精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ１（２００ｍｇ、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物を３水和物とした場合のＩｒＣｌ３・３Ｈ２Ｏ仕込量に対して収率３０％）を赤色固体として得た。金属錯体ＣＭ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３１３２［Ｍ＋Ｈ］＋
【０３１４】
＜比較例２＞  金属錯体ＣＭ２の合成
【化１０６】
0006941711.tif 000108
【０３１５】
（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ２ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２１号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｌ２ａ（８７．４ｇ）、及び、テトラヒドロフラン（脱水品、８７０ｍＬ）を加え、攪拌しながら−７４℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）を加え、−７４℃で１時間攪拌した。その後、そこへ、イオン交換水（４４０ｍＬ）を加え、室温まで昇温させた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をトルエンに溶解させた後、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２ｂ（６３．５ｇ、収率８４％）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９３．０％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０２［Ｍ］＋
【０３１６】
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ２ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｂ（６３．５ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３５．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（３．１ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２．１ｇ）、酢酸カリウム（３７．１ｇ）及び１，４−ジオキサン（３７０ｍＬ）を加え、加熱還流下で３．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５５０ｍＬ）を加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、トルエン、活性白土及び活性炭を加え、６０℃で３０分間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ｃ（７８．５ｇ）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は８９．９％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５５０［Ｍ］＋
【０３１７】
（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ２ｄの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｃ（６９．４ｇ）、２，５−ジブロモピリジン（３５．８ｇ）、トルエン（７６０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（３８０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（５００ｍＬ）、イオン交換水（２５０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．４ｇ）及び４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３３０ｍＬ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル及びアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｌ２ｄ（５７．２ｇ、収率７８％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５７９［Ｍ］＋
【０３１８】
（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ２ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｄ（５６．９ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３７．３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン付加物（４．８ｇ）、酢酸カリウム（２８．９ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（３９０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、ヘキサン及び活性炭を加え、６５℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ｅ（８２．１ｇ）を褐色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．６％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６２８［Ｍ＋Ｈ］＋
【０３１９】
（Ｓｔａｇｅ５：化合物ＣＬ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｅ（４１．４ｇ）、化合物Ｌ１J（３０．１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．６ｇ）、トルエン（３６０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３９０ｍＬ）を加え、７０℃で１２時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル及びアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチル及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶することにより精製した。その後、４０℃で一晩減圧乾燥させることにより、化合物ＣＬ２（４５．５ｇ、収率８２％）を薄黄色固体として得た。化合物ＣＬ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８４５．５［Ｍ＋Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９５（ｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ），８．７０（ｄｔ，４Ｈ），８．２１（ｄｄ，１Ｈ），８．０９（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｔ，２Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．６３（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．２７（ｍ，３Ｈ），６．８７（ｓ，３Ｈ），２．４９（ｔ，４Ｈ），１．９６（ｓ，３Ｈ），１．５８−１．２１（ｍ，３４Ｈ），０．８５（ｔ，６Ｈ）．
【０３２０】
（Ｓｔａｇｅ６：金属錯体ＣＭ２ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＬ２（３７６ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）を加え、８０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１０ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（７１ｍｇ）を加え、１２０℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、残渣を減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ２ａを含む固体（これを「固体Ａ」という。３８４ｍｇ）を得た。この操作を繰り返し行うことで、固体Ａの必要量を得た。
固体Ａをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製した。その後、５０℃で一晩減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ２ａを含む赤色固体（これを「固体Ｂ」という。）を得た。
【０３２１】
（Ｓｔａｇｅ７：金属錯体ＣＭ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、固体Ｂ（５００ｍｇ）、アセチルアセトン（２６０ｍｇ）、炭酸ナトリウム（２７７ｍｇ）及び２−エトキシエタノール（２７ｍＬ）を加え、１２０℃で３時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（１００ｍＬ）を加え、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をエタノールで洗浄し、ヘキサンで洗浄することにより精製した後、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＣＭ２（３２０ｍｇ）を赤色固体として得た。金属錯体ＣＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：  ｍ／ｚ＝２０１８［Ｍ＋Ｋ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９７（ｄ，２Ｈ），９．０６（ｄ，２Ｈ），９．３５（ｄ，８Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），７．６９（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｄ，８Ｈ），７．４０−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．１３（ｔ，６Ｈ），６．８８−６．８１（ｍ，８Ｈ），５．４８（ｓ，１Ｈ），２．５２−２．３９（ｍ，８Ｈ），２．０６（ｓ，６Ｈ），１．８７−１．８３（ｍ，６Ｈ），１．６１−１．４０（ｍ，４４Ｈ），１．２６（ｍ，２４Ｈ），０．８９（ｍ，１２Ｈ）．
【０３２２】
＜合成例１＞  高分子化合物ＩＰ１の合成
高分子化合物ＩＰ１は、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ１と、国際公報第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ２と、国際公報第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ３と、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ４を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法で合成した。
【化１０７】
0006941711.tif 000109
【０３２３】
高分子化合物ＩＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ４から誘導される構成単位とが、５０：３０：１２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。
【０３２４】
＜合成例２＞  高分子化合物Ｐ１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記合成例２’に記載の方法で合成した単量体ＰＭ５（４．７７ｇ）、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ６（０．７７３ｇ）、単量体ＰＭ３（１．９７ｇ）、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ７（０．３３１ｇ）、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ８（０．４４３ｇ）及びトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。
その後、これに、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
その後、これに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）及びイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３質量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。有機層を水層と分離した後、有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．４×１０５、Ｍｗ＝４．１×１０５であった。
【化１０８】
0006941711.tif 000110
【０３２５】
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ６から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ７から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ８から誘導される構成単位とが、５０：１０：３０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。
【０３２６】
＜合成例２’＞  単量体ＰＭ５の合成
【化１０９】
0006941711.tif 000111
【０３２７】
化合物ＰＭ５ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
【０３２８】
（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＰＭ５ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）及びテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＰＭ５ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）及び水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。
【０３２９】
（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＰＭ５ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）及びジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌの三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０質量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を混合した後、減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。この固体に、酢酸ブチル及びメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、化合物ＰＭ５ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．
【０３３０】
（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＰＭ５の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｃ（１００ｇ）及びテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。このろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。この固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥させることにより、化合物ＰＭ５（７２ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ），７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．
【０３３１】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製及び評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
【０３３２】
（正孔輸送層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．７０質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
【０３３３】
（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１（高分子化合物Ｐ１／金属錯体Ｍ１＝９２．５質量％／７．５質量％）を１．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により９０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。
【０３３４】
（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。
【０３３５】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、６２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５８，０．３３９）であった。１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率は１５．２％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、２０３時間であった。
【０３３６】
＜比較例ＣＤ１＞  発光素子ＣＤ１の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体ＣＭ１を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。
【０３３７】
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６８，０．３２９）であった。１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率は１５．１％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、１６４時間であった。
【０３３８】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
【０３３９】
発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより、６３０ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６２，０．３２７）であった。１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率は１０．７％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、２４４時間であった。
【０３４０】
＜比較例ＣＤ２＞  発光素子ＣＤ２の作製及び評価
実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び金属錯体Ｍ１」に代えて、高分子化合物Ｐ１及び金属錯体ＣＭ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
【０３４１】
発光素子ＣＤ２に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６６，０．３３０）であった。１０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率は１０．６％であった。電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電流値を設定後、定電流密度で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間は、７９時間であった。