(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体を備えた積層複合フィルタ装置であって、
前記積層体は、互いに異なる第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の領域には、第１のインダクタを含み、第１の通過帯域を有する第１のフィルタが配置され、
前記第２の領域には、第２のインダクタを含み、前記第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタが配置され、
前記第１の領域のうち前記第２の領域と隣り合う領域、または前記第２の領域のうち前記第１の領域と隣り合う領域のいずれか一方には、前記積層体の積層方向に延び、一方端が接地された第１の導電部材が配置され、
前記第１の導電部材が前記第１の領域のうち前記第２の領域と隣り合う領域に配置されている場合、前記第１の導電部材の他方端は、前記第１のインダクタに接続され、
前記第１の導電部材が前記第２の領域のうち前記第１の領域と隣り合う領域に配置されている場合、前記第１の導電部材の他方端は、前記第２のインダクタに接続されていることを特徴とする、積層複合フィルタ装置。
【請求項２】
前記第１の導電部材は、前記第１の領域のうち前記第２の領域と隣り合う領域に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項３】
前記第１のフィルタは、第３のインダクタをさらに含み、
前記第１の領域のうち前記第２の領域と隣り合う領域には、前記積層体の積層方向に延び、一方端が接地された第２の導電部材がさらに配置され、
前記第２の導電部材の他方端は、前記第３のインダクタに接続されていることを特徴とする、請求項２に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項４】
前記第１の領域のうち前記第２の領域と隣り合う領域には、前記積層体の積層方向に延び、一方端が接地され、他方端が開放状態である、第３の導電部材がさらに配置され、
前記第３の導電部材は、前記第１の導電部材と前記第２の導電部材との間に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項５】
複数の誘電体層が積層されてなり、それぞれ前記複数の誘電体層のうち所定の層間に配置された、それぞれ少なくとも１つの第１および第２のインダクタパターンならびにそれぞれ少なくとも２つの第１および第２のキャパシタパターンと、前記複数の誘電体層の少なくとも１つを貫通して配置された少なくとも１つの第１の導電部材とを含む積層体と、前記積層体の底面に形成される第１ないし第３の信号電極と、接地電極とを備え、
前記第１のインダクタパターンと前記第１のキャパシタパターンとを含み、第１の通過帯域を有する第１のフィルタが、前記第１の信号電極と前記第２の信号電極との間に形成されており、
前記第２のインダクタパターンと前記第２のキャパシタパターンとを含み、前記第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタが、前記第１の信号電極と前記第３の信号電極との間に形成されており、
前記積層体を前記複数の誘電体層の積層方向から見たとき、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとは、互いに重ならないように配置されており、
前記第１の導電部材は、一方端が接地され、他方端が前記第１のインダクタパターンのうちの１つに接続され、かつ前記第１のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つと前記第２のキャパシタパターンの少なくとも１つとの間に配置されていることを特徴とする、積層複合フィルタ装置。
【請求項６】
前記積層体を前記積層方向と直交する方向から見たとき、前記第１の導電部材が間に配置されている前記第１のキャパシタパターンの少なくとも一部と前記第２のキャパシタパターンの少なくとも一部とは、異なる誘電体層上に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項７】
前記第１のフィルタは、前記第１の信号電極と前記第２の信号電極との間の経路に接続された第１の直列キャパシタと、前記第１の直列キャパシタと前記第２の信号電極との間の経路と前記接地電極との間の経路に接続された第１の並列キャパシタと、前記第１の並列キャパシタと前記接地電極との間の経路に接続された第１の並列インダクタとを含む第１のハイパスフィルタを備え、
前記第２のフィルタは、前記第１の信号電極と前記第３の信号電極との間の経路に接続された第２直列キャパシタと、前記第２直列キャパシタと前記第３の信号電極との間の経路と前記接地電極との間の経路に接続された第２の並列キャパシタと、前記第２の並列キャパシタと前記接地電極との間の経路に接続された第２の並列インダクタとを含む第２のハイパスフィルタを備え、
前記第１の導電部材は、前記第１のハイパスフィルタを構成する前記第１のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つと、前記第２のハイパスフィルタを構成する前記第２のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つとの間に配置されていることを特徴とする、請求項５または６に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項８】
複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された積層体で構成される積層複合フィルタ装置であって、
第１のインダクタと、第１のキャパシタとを含む第１のフィルタと、
第２のインダクタと、第２のキャパシタとを含む第２のフィルタと、
接地電位に接続される接地導体と、
前記積層体の積層方向に延在する導電部材と、を備え、
前記第１のフィルタおよび前記第２のフィルタは、前記積層方向から平面視したとき、互いに異なる第１の領域および第２の領域にそれぞれ配置され、
前記導電部材は、前記第１のインダクタを前記接地導体に電気的に接続し、前記第１の領域のうち前記第２の領域に隣り合う領域に配置される、
積層複合フィルタ装置。
【請求項９】
前記第１のインダクタは、前記複数の導体層に構成される複数のパターン導体と、前記複数のパターン導体を接続する複数のビア導体から構成され、
前記導電部材は、第１のビア導体を含み、
前記第１のビア導体は、前記第１のインダクタを構成する前記複数のパターン導体のうち、積層方向で見て、前記接地導体から最も距離的に遠い導体層に形成されたパターン導体と、前記接地導体とを電気的に接続する、
請求項８に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項１０】
前記第１のキャパシタを構成する第１のキャパシタパターン導体と、
前記第２のキャパシタを構成する第２のキャパシタパターン導体と、を含み、
前記導電部材は、前記第１のキャパシタパターン導体の少なくとも一部と、前記第２のキャパシタパターン導体の少なくとも一部との間に配置される、
請求項９に記載の積層複合フィルタ装置。
【請求項１１】
前記導電部材は、一方端が前記第１のインダクタに接続されず、他方端が前記接地導体に接続される第２のビア導体をさらに含む、
請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の積層複合フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、積層複合フィルタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型移動体通信機器のさらなる小型化、省スペース化が進められている。そのため、小型移動体通信機器に用いられる分波器の小型化が必要とされている。小型化に適した分波器として、積層された複数の誘電体層、パターン導体およびビア導体を含むフィルタを複数備えた積層複合フィルタ装置が知られている。そのような積層複合フィルタ装置の一例として、特開２０１７−１３５６３６号公報（特許文献１）に記載された積層複合フィルタ装置が挙げられる。【０００３】
特許文献１に記載された積層複合フィルタ装置は、共通ポートと、第１の信号ポートと、第２の信号ポートと、第１のフィルタと、第２のフィルタとを備えている。第１のフィルタは、共通ポートと第１の信号ポートとの間に設けられ、第１の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させる。第２のフィルタは、共通ポートと第２の信号ポートとの間に設けられ、第１の通過帯域と異なる第２の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１３５６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された積層複合フィルタ装置では、第１のフィルタと第２のフィルタとの間に電磁界結合が生じ、一方のフィルタを通過する信号が、他方のフィルタに漏洩する虞があった。【０００６】
すなわち、この開示の目的は、第１のフィルタと第２のフィルタとの間の信号漏洩を抑制することができる積層複合フィルタ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この開示に従う積層複合フィルタ装置では、第１のフィルタと第２のフィルタとの間の信号漏洩を抑制する構造についての改良が図られる。【０００８】
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第１の態様は、積層体を備えている。積層体は、互いに異なる第１の領域と第２の領域とを有している。第１の領域には、第１のインダクタを含み、第１の通過帯域を有する第１のフィルタが配置されている。第２の領域には、第２のインダクタを含み、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタが配置されている。【０００９】
第１の領域のうち第２の領域と隣り合う領域、または第２の領域のうち第１の領域と隣り合う領域のいずれか一方には、第１の導電部材が配置されている。第１の導電部材は、積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。【００１０】
そして、第１の導電部材が第１の領域のうち第２の領域と隣り合う領域に配置されている場合、第１の導電部材の他方端は、第１のインダクタに接続されている。また、第１の導電部材が第２の領域のうち第１の領域と隣り合う領域に配置されている場合、第１の導電部材の他方端は、第２のインダクタに接続されている。【００１１】
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第２の態様は、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、第１ないし第３の信号電極と、接地電極とを備えている。【００１２】
積層体は、それぞれ少なくとも１つの第１および第２のインダクタパターンならびにそれぞれ少なくとも２つの第１および第２のキャパシタパターンと、少なくとも１つの第１の導電部材とを含んでいる。第１および第２のインダクタパターンならびに第１および第２のキャパシタパターンは、それぞれ複数の誘電体層のうち所定の層間に配置されている。第１の導電部材は、誘電体層の少なくとも１つを貫通して配置されている。【００１３】
第１の電極と第２の電極との間には、第１のインダクタパターンと第１のキャパシタパターンとを含み、第１の通過帯域を有する第１のフィルタが形成されている。第１の電極と第３の電極との間には、第２のインダクタパターンと第２のキャパシタパターンとを含み、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタが形成されている。積層体を複数の誘電体層の積層方向から見たとき、第１のフィルタと第２のフィルタとは、互いに重ならないように配置されている。【００１４】
第１の導電部材は、一方端が接地され、他方端が第１または第２のインダクタパターンのうちの１つに接続されている。そして、第１の導電部材は、第１のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つと第２のキャパシタパターンの少なくとも１つとの間に配置されている。【００１５】
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第３の態様は、複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された積層体で構成される積層複合フィルタ装置である。第１のフィルタと、第２のフィルタと、接地導体と、導電部材とを備える。第１のフィルタは、第１のインダクタと、第１のキャパシタとを含む。第２のフィルタは、第２のインダクタと、第２のキャパシタとを含む。接地導体は、接地電位に接続される。導電部材は、積層体の積層方向に延在する。第１のフィルタおよび第２のフィルタは、積層方向から平面視したとき、互いに異なる第１の領域および第２の領域にそれぞれ配置される。導電部材は、第１のインダクタを接地導体に電気的に接続し、第２の領域に隣接して配置される。
【発明の効果】
【００１６】
この開示に従う積層複合フィルタ装置は、上記の構造を有しているため、第１のフィルタと第２のフィルタとの間の信号漏洩を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この開示に従う積層複合フィルタ装置の第１の実施形態である積層複合フィルタ装置の積層体が有する第１の領域、第２の領域および第３の領域の、各々の配置が示された透視斜視図である。
【図２】積層複合フィルタ装置において、第１の領域に配置されている第１のフィルタの等価回路図である。
【図３】この開示に従う積層複合フィルタ装置の第２の実施形態である積層複合フィルタ装置の積層体が有する第１の領域、第２の領域および第３の領域の、各々の配置が示された透視斜視図である。
【図４】積層複合フィルタ装置において、第１の領域に配置されている第１のフィルタの等価回路図である。
【図５】積層複合フィルタ装置に対する比較例である積層複合フィルタ装置の積層体が有する第１の領域、第２の領域および第３の領域の、各々の配置が示された透視斜視図である。
【図６】積層複合フィルタ装置および積層複合フィルタ装置における、各フィルタのフィルタ特性（減衰特性およびアイソレーション特性）が表されたグラフである。
【図７】この開示に従う積層複合フィルタ装置の第３の実施形態である積層複合フィルタ装置の分解斜視図である。
【図８】積層複合フィルタ装置が備える第１のフィルタおよび第２のフィルタの等価回路図である。
【図９】図９（Ａ）は、第１のキャパシタパターンを構成するパターン導体と第２のキャパシタパターンを構成するパターン導体と第１の導電部材との位置関係を表す透視斜視図である。図９（Ｂ）は、第１のキャパシタパターンを構成するパターン導体と第２のキャパシタパターンを構成するパターン導体と第１の導電部材との位置関係を表す透視斜視図である。
【図１０】積層複合フィルタ装置において、２つのパターン導体の位置関係を種々変更した第１ないし第３の変形例を、積層方向から透視した平面図である。
【図１１】積層複合フィルタ装置を積層方向から見たときの、２つのパターン導体と第１の導電部材Ｓ１を構成する２つのビア導体との位置関係を規定した第４の変形例を、積層方向から透視した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
この開示の特徴とするところを、この開示の実施形態に基づき、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さないことがある。
【００１９】
−積層複合フィルタ装置の第１の実施形態−
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第１の実施形態である積層複合フィルタ装置１００について、図１および図２を用いて説明する。
【００２０】
積層複合フィルタ装置１００は、誘電体層が積層されて構成され、パターン導体およびビア導体を含む、直方体形状の積層体を備えている。誘電体層の積層方向は、パターン導体と直交する方向であり、矢印で表されている。
【００２１】
図１は、積層複合フィルタ装置１００の積層体が有する、互いに異なる領域である第１の領域１０、第２の領域２０および第３の領域３０の、各々の配置が示された透視斜視図である。第１の領域１０に対応する破線、第２の領域２０に対応する一点鎖線、第３の領域３０に対応する二点鎖線は、各領域が互いに異なる領域であることを模式的に示すものである。図１では、誘電体層を透視してパターン導体およびビア導体が目視できるようにされている。
【００２２】
第１の領域１０には、第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ１が配置されている。第１のフィルタＦ１は、第１のインダクタＬ１と第３のインダクタＬ３とを含んでいる。第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３は、第１の領域１０のハッチングが施された領域に配置されている。
【００２３】
第２の領域２０には、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタＦ２が配置されている。第２のフィルタＦ２は、第２のインダクタＬ２を含んでいる。第２のインダクタＬ２は、第２の領域２０のハッチングが施された領域に配置されている。
【００２４】
ここで、第２の通過帯域が第１の通過帯域より低周波側にあるとは、第２の通過帯域の下限値が第１の通過帯域の下限値より低周波側にあり、第２の通過帯域の上限値が第１の通過帯域の上限値より低周波側にあることをいう。通過帯域の下限値とは、図６に示すようなＳ２１（減衰特性）の周波数特性において、信号レベルの最大値（０ｄＢ）より３ｄＢ小さくなる周波数のうち、最も低周波側の周波数をいう。また、通過帯域の上限値とは、図６に示すようなＳ２１の周波数特性において、信号レベルの最大値（０ｄＢ）より３ｄＢ小さくなる周波数のうち、最も高周波側の周波数をいう。
【００２５】
第３の領域３０には、第２の通過帯域よりさらに低周波側にある第３の通過帯域を有する第３のフィルタＦ３が配置されている。そして、第３の通過帯域の下限値は第２の通過帯域の下限値より低周波側にあり、第３の通過帯域の上限値は第２の通過帯域の上限値より低周波側にある。上限値と下限値は上記と同様である。
【００２６】
すなわち、積層複合フィルタ装置１００は、３つの通過帯域を有し、互いに周波数帯域が異なる３つの信号を分離するトリプレクサである。ただし、後述するように、この開示に係る発明は、トリプレクサに限らず、ダイプレクサまたはクワッドプレクサなどを含めたマルチプレクサや、それ以外の積層複合フィルタ装置にも適用できる。
【００２７】
第１の領域１０のうち第２の領域２０と隣り合う領域には、第１の導電部材Ｓ１と、第２の導電部材Ｓ２とが配置されている。
【００２８】
積層複合フィルタ装置１００において、第１の導電部材Ｓ１は、３つのビア導体Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３から構成されている。３つのビア導体Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３は、各々積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。また、第２の導電部材Ｓ２は、２つのビア導体Ｓ２１，Ｓ２２から構成されている。２つのビア導体Ｓ２１，Ｓ２２も、各々積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。
【００２９】
そして、第１の導電部材Ｓ１を構成する３つのビア導体のＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３の各々の他方端は、第１のインダクタＬ１に接続されている。また、第２の導電部材Ｓ２を構成する２つのビア導体のＳ２１，Ｓ２２の各々の他方端は、第３のインダクタＬ３に接続されている。
【００３０】
上記の構成は、第１の導電部材Ｓ１のみを接地する構成よりも接地領域が広いため、第２のフィルタから漏洩する信号をシールドする機能を向上させることができる。
【００３１】
なお、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２の構成は、上記に限らない。また、後述するように、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２は、第１のフィルタＦ１を接地する際の接地導体と、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間のシールド導体を兼ねるものである。第１のフィルタＦ１の構造によっては、第１の導電部材Ｓ１だけで接地を行なう場合もある。すなわち、第２の導電部材Ｓ２は、必須の構成要素ではない。
【００３２】
図２は、積層複合フィルタ装置１００において、第１の領域１０に配置され第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ１の等価回路図である。第２のフィルタＦ２および第３のフィルタＦ３の等価回路図は省略される。第１のフィルタＦ１では、第１の信号ポートＰＯ１と第２の信号ポートＰＯ２との間に、第１のキャパシタＣ１と第２のキャパシタＣ２とが直列に接続されている。
【００３３】
第１のキャパシタＣ１と第２のキャパシタＣ２との間のノードと、グランドとの間には、第３のキャパシタＣ３と第１のインダクタＬ１と第１の導電部材Ｓ１とが直列に接続されている。前述したように、第１の導電部材Ｓ１の一方端は接地され、他方端は第１のインダクタＬ１に接続されている。
【００３４】
同様に、第２のキャパシタＣ２と第２の信号ポートＰＯ２との間と、グランドとの間には、第４のキャパシタＣ４と第３のインダクタＬ３と第２の導電部材Ｓ２とが直列に接続されている。前述したように、第２の導電部材Ｓ２の一方端は接地され、他方端は第３のインダクタＬ３に接続されている。
【００３５】
積層複合フィルタ装置１００では、第２の通過帯域を通る信号が第１のフィルタＦ１側に漏洩したとしても、一方端が接地されている第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２を介してグランドに落とされる。すなわち、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２は、第２の通過帯域から第１の通過帯域への信号漏洩を抑制するシールド部材となっている。
【００３６】
なお、第１の導電部材Ｓ１は、第２の領域２０のうち第１の領域１０と隣り合う領域に配置されるようにしてもよい。第１の導電部材Ｓ１の一方端は、前述したように接地され、他方端は第１のインダクタには接続されず、第２のインダクタＬ２に接続される。また、第１のフィルタＦ１が第３のインダクタＬ３を有している場合、第２の領域２０のうち第１の領域１０と隣り合う領域には、第２の導電部材Ｓ２がさらに配置されるようにしてもよい。第２の導電部材Ｓ２の一方端は、前述したように接地され、他方端は第３のインダクタには接続されず、第２のインダクタＬ２に接続される。
【００３７】
この場合、積層複合フィルタ装置１００では、第１の通過帯域を通る信号が第２のフィルタＦ２側に漏洩したとしても、一方端が接地されている第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２を介してグランドに落とされる。すなわち、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２は、第１の通過帯域から第２の通過帯域への信号漏洩を抑制するシールド部材となっている。
【００３８】
したがって、積層複合フィルタ装置１００は、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間の信号漏洩を抑制することができる。
【００３９】
なお、積層複合フィルタにおいては、低周波側の通過帯域を通過する信号の高調波が高周波側の通過帯域へ漏洩し減衰特性およびアイソレーション特性に影響を及ぼす傾向がある。すなわち、良好なフィルタ特性を得るためには、低周波側の通過帯域から高周波側の通過帯域への信号漏洩を抑制することが効果的である。したがって、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２は、第１の領域１０のうち第２の領域２０と隣り合う領域に配置されていることが好ましい。
【００４０】
−積層複合フィルタ装置の第２の実施形態−
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第２の実施形態である積層複合フィルタ装置１００Ａについて、図３および図４を用いて説明する。
【００４１】
図３は、積層複合フィルタ装置１００Ａの積層体が有する、互いに異なる領域である第１の領域１０、第２の領域２０および第３の領域３０の、各々の配置が示された透視斜視図である。第１の領域１０に対応する破線、第２の領域２０に対応する一点鎖線、第３の領域３０に対応、二点鎖線は、図１と同様に各領域が互いに異なる領域であることを模式的に示すものである。
【００４２】
積層複合フィルタ装置１００Ａの積層体の第１の領域１０には、積層複合フィルタ装置１００の第１のフィルタＦ１に代えて、第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ１Ａが配置されている。第２の領域２０には、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタＦ２が配置されている。第３の領域３０には、第２の通過帯域よりさらに低周波側にある第３の通過帯域を有する第３のフィルタＦ３が配置されている。
【００４３】
第１の領域１０には、第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ１が配置されている。第１のフィルタＦ１は、第１のインダクタＬ１と第３のインダクタＬ３とを含んでいる。第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３は、第１の領域１０のハッチングが施された領域に配置されている。そして、第１の領域１０のうち第２の領域２０と隣り合う領域には、第１の導電部材Ｓ１と、第２の導電部材Ｓ２と、第３の導電部材Ｓ３とが配置されている。第３の導電部材Ｓ３は、第１の導電部材Ｓ１と第２の導電部材Ｓ２との間に配置されている。
【００４４】
積層複合フィルタ装置１００Ａにおいて、第１の導電部材Ｓ１は、２つのビア導体Ｓ１１，Ｓ１２から構成されている。２つのビア導体Ｓ１１，Ｓ１２は、各々積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。また、第２の導電部材Ｓ２は、２つのビア導体Ｓ２１，Ｓ２２から構成されている。２つのビア導体Ｓ２１，Ｓ２２も、各々積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。そして、第３の導電部材Ｓ３は、１つのビア導体で構成されている。第３の導電部材Ｓ３も、積層体の積層方向に延び、一方端が接地されている。
【００４５】
なお、第１の導電部材Ｓ１、第２の導電部材Ｓ２および第３の導電部材Ｓ３の構成は、上記に限らない。
【００４６】
そして、第１の導電部材Ｓ１を構成する３つのビア導体のＳ１１，Ｓ１２の各々の他方端は、第１のインダクタＬ１に接続されている。第２の導電部材Ｓ２を構成する２つのビア導体のＳ２１，Ｓ２２の各々の他方端は、第３のインダクタＬ３に接続されている。一方、第３の導電部材Ｓ３の他方端は開放状態となっている。開放状態とは、どこにも電気的に接続されておらず、浮いている状態を示す。
【００４７】
図４は、積層複合フィルタ装置１００Ａにおいて、第１の領域１０に配置されている第１のフィルタＦ１Ａの等価回路図である。第２のフィルタＦ２および第３のフィルタＦ３の等価回路図は省略される。図４の等価回路図は、第１のフィルタＦ１Ａにおいて、第１の導電部材Ｓ１と第２の導電部材Ｓ２との間に、一方端が接地され、他方端は他の回路素子に接続されず、開放状態となっている第３の導電部材Ｓ３が配置されていることを示すものである。その他の構成は、図２の等価回路図と同じであるため、説明は省略される。
【００４８】
積層複合フィルタ装置１００Ａでは、第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２が、積層複合フィルタ装置１００と同様に、第２の通過帯域から第１の通過帯域への信号漏洩を抑制するシールド部材となっている。
【００４９】
また、積層複合フィルタ装置１００Ａが備えている第３の導電部材Ｓ３により、第１の導電部材Ｓ１のビア導体Ｓ１２と第２の導電部材Ｓ２のビア導体Ｓ２２との間の電磁界結合が抑制されている。そのため、第１のインダクタＬ１と第３のインダクタＬ３との間の電磁界結合が抑制されている。その結果、第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３のインピーダンスを抑制し、良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００５０】
−積層複合フィルタ装置の第２の実施形態におけるフィルタ特性の調査例−
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第２の実施形態である積層複合フィルタ装置１００Ａのフィルタ特性について、前述の各導電部材がない場合のフィルタ特性と比較した調査例について、図５および図６を用いて説明する。
【００５１】
図５は、積層複合フィルタ装置１００Ａに対する比較例である積層複合フィルタ装置２００の積層体が有する、互いに異なる領域である第１の領域２１０、第２の領域２２０および第３の領域２３０の、各々の配置が示された透視斜視図である。第１の領域２１０に対応する破線、第２の領域２２０に対応する一点鎖線、第３の領域２３０に対応する二点鎖線は、図１と同様に各領域が互いに異なる領域であることを模式的に示すものである。
【００５２】
積層複合フィルタ装置２００の積層体の第１の領域２１０には、第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ２０１が配置されている。第２の領域２２０には、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタＦ２０２が配置されている。第３の領域２３０には、第２の通過帯域よりさらに低周波側にある第３の通過帯域を有する第３のフィルタＦ２０３が配置されている。
【００５３】
第１のフィルタＦ２０１では、第１の領域２１０のうち第２の領域２２０と隣り合う領域、および第２の領域２２０のうち第１の領域２１０と隣り合う領域に、第１のフィルタＦ１Ａが有する各導電部材に相当するものが配置されていない。その他の構成は、積層複合フィルタ装置１００Ａと同様であるため、説明は省略される。
【００５４】
図６は、積層複合フィルタ装置１００Ａおよび積層複合フィルタ装置２００における、各フィルタのフィルタ特性（減衰特性およびアイソレーション特性）が表されたグラフである。なお、各フィルタのフィルタ特性は、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値として行なったシミュレーションにより求められている。
【００５５】
図６（Ａ）は、各々の積層複合フィルタ装置の第１のフィルタの減衰特性（Ｓ２１）が表されたグラフである。この結果を見ると、通過帯域よりも低周波側において、第１のフィルタＦ１Ａは、比較例の第１のフィルタＦ２０１よりも減衰している。
【００５６】
図６（Ｂ）は、各々の積層複合フィルタ装置の第２のフィルタの減衰特性（Ｓ２１）が表されたグラフである。各々の積層複合フィルタ装置における第２のフィルタが有する第２の通過帯域は、上記の第１のフィルタが有する第１の通過帯域より低周波側にある。この結果を見ると、通過帯域より高周波側において第２のフィルタＦ２は、比較例の第２のフィルタＦ２０２よりも減衰している。
【００５７】
すなわち、第２の領域２０の縁部と対向する第１の領域１０の縁部に前述の各導電部材が形成されている積層複合フィルタ装置１００Ａでは、第１のフィルタと第２のフィルタとの間の信号漏洩が抑制されている。
【００５８】
図６（Ｃ）は、各々の積層複合フィルタ装置の、第２のフィルタの通過帯域から第１のフィルタの通過帯域への信号漏洩に対するアイソレーション特性（Ｓ２１）が表されたグラフである。この結果を見ると、積層複合フィルタ装置１００Ａでは、第２のフィルタＦ２の減衰域（約７．５ＧＨｚから約１２ＧＨｚの間、図６（Ｂ）参照）において、積層複合フィルタ装置２００と比較して、高いアイソレーションが得られている。
【００５９】
すなわち、積層複合フィルタ装置１００Ａでは、第１のフィルタと第２のフィルタとの間の信号漏洩が抑制されているため、第１のフィルタと第２のフィルタとの間で高いアイソレーションが得られている。
【００６０】
−積層複合フィルタ装置の第３の実施形態−
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第３の実施形態である積層複合フィルタ装置１００Ｂについて、図７ないし図９を用いて説明する。
【００６１】
図７は、積層複合フィルタ装置１００Ｂの分解斜視図である。図８は、積層複合フィルタ装置１００Ｂが備える第１のフィルタＦ１Ｂおよび第２のフィルタＦ２Ｂの等価回路図である。
【００６２】
図７は、以後の説明に必要な構成要素のみを図示しており、その他のパターン導体およびビア導体などの構成要素は、図示が省略されている。そのため、図８に示された等価回路図においては、図７にその構成要素が図示されていないものがある。また、図７は模式図であり、例えば誘電体層および後述する各パターン導体の厚み、ならびにビア導体の太さなどは、模式的なものである。また、製造工程上で発生する各構成要素の形状のばらつきなどは、各図面に必ずしも反映されていない。すなわち、以後、この明細書中で説明のために用いられる図面は、たとえ実際の製品と異なる部分があったとしても、本質的な面で実際の製品を表すものと言うことができる。
【００６３】
積層複合フィルタ装置１００Ｂは、誘電体層１ａないし１ｕ（複数の誘電体層）が積層されてなる積層体と、第１の信号電極２ｕ1と、第２の信号電極２ｕ2と、第３の信号電極２ｕ3と、接地電極２ｕ4とを備えている。なお、第３の実施形態における「接地導体」は、接地電極２ｕ4を含んでもよい。
【００６４】
積層体は、第１のインダクタパターンと、第２のインダクタパターンと、第１のキャパシタパターンと、第２のキャパシタパターンと、第１ないし第３の導電部材と、接続部材とを含んでいる。
【００６５】
第１のインダクタパターンは、第１のフィルタＦ１Ｂを構成する複数のインダクタに含まれるパターン導体であり、パターン導体２ａ1、２ｂ1を含む。そして、パターン導体２ａ1は図８の等価回路のインダクタＬ３に含まれ、パターン導体２ｂ1は図８の等価回路のインダクタＬ１に含まれる。第１のキャパシタパターン（第１のキャパシタ）は、第１のフィルタＦ１Ｂを構成する複数のキャパシタに含まれるパターン導体であり、パターン導体２ｅ1、２ｆ1、２ｇ1、２ｉ1、２ｉ2、２ｋ1、２ｍ1、２ｒ1、２ｔ1を含んでいる。なお、第３の実施形態における「第１のインダクタ」は、インダクタＬ１およびＬ３を含んでもよい。
【００６６】
そして、パターン導体２ｅ1は図８の等価回路のキャパシタＣ３に含まれ、パターン導体２ｆ1は図８の等価回路のキャパシタＣ４に含まれ、パターン導体２ｇ1は図８の等価回路のキャパシタＣ２とＣ４とＣ５に含まれ、パターン導体２ｉ1は図８の等価回路のキャパシタＣ１とＣ２とＣ３に含まれ、パターン導体２ｉ2は図８の等価回路のキャパシタはＣ５に含まれ、パターン導体２ｋ1は図８の等価回路のキャパシタＣ２に含まれ、パターン導体２ｍ1は図８の等価回路のキャパシタＣ１に含まれ、パターン導体２ｒ1は図８の等価回路のキャパシタＣ６に含まれ、パターン導体２ｔ1は図８の等価回路のキャパシタＣ６に含まれる。
【００６７】
第２のインダクタパターンは、第２のフィルタＦ２Ｂを構成する複数のインダクタに含まれるパターン導体であり、２ａ2、２ｏ2を含んでいる。パターン導体２ａ2は図８の等価回路のインダクタＬ２に含まれ、パターン導体２ｏ2は図８の等価回路のキャパシタＣ８と並列に接続されるインダクタに含まれる。なお、パターン導体２ｏ2を設地するビア電極は図示を省略している。第２のキャパシタパターン（第２のキャパシタ）は、第２のフィルタＦ２Ｂを構成する複数のインダクタに含まれるパターン導体であり、第２のキャパシタパターンは、パターン導体２ｅ2、２ｇ2、２ｊ1、２ｌ1、２ｓ1、２ｔ2を含んでいる。なお、第３の実施形態における「第２のインダクタ」は、インダクタＬ２を含んでもよい。
【００６８】
そして、パターン導体２ｅ2は図８の等価回路のキャパシタＣ１０に含まれ、パターン導体２ｇ2は図８の等価回路のキャパシタＣ９とＣ１０に含まれ、パターン導体２ｊ1は図８の等価回路のキャパシタＣ８とＣ９に含まれ、パターン導体２ｌ1は図８の等価回路のキャパシタＣ８に含まれ、パターン導体２ｓ1は図８の等価回路のキャパシタＣ７に含まれ、パターン導体２ｔ2は図８の等価回路のキャパシタＣ７に含まれる。
【００６９】
なお、第３の実施形態における「複数の導体層」は、パターン導体２ａ1から２ｔ１、２ａ2から２ｔ2、信号電極２ｕ1から２ｕ3、および接地電極２ｕ4を含んでもよい。
【００７０】
第１の導電部材Ｓ１は、ビア導体３ａ、３ｂを含んでいる。第２の導電部材Ｓ２は、ビア導体３ｃ、３ｄを含んでいる。第３の導電部材Ｓ３は、ビア導体３ｅを含んでいる。接続部材は、パターン導体２ｔ1およびビア導体３ｆを含み、第１の導電部材Ｓ１、第２の導電部材Ｓ２および第３の導電部材Ｓ３と接地電極２ｕ4とを接続している。なお、第３の実施形態における「導電部材」は、ビア導体３ａ〜３ｄを含んでもよい。また、第３の実施形態における「第２のビア導体」は、ビア導体３ｅを含んでもよい。
【００７１】
上記の第１および第２のインダクタパターンならびに第１および第２のキャパシタパターンを構成する各キャパシタパターンは、それぞれ複数の誘電体層のうち所定の層間に配置されている。第１ないし第３の導電部材を構成する各ビア導体は、誘電体層の少なくとも１つを貫通して配置されている。
【００７２】
第１の信号電極２ｕ1と、第２の信号電極２ｕ2との間には、上記の第１のインダクタパターンと第１のキャパシタパターンとを含み、第１の通過帯域を有する第１のフィルタＦ１Ｂが形成されている。第１の信号電極２ｕ1は、アンテナ接続電極であって、等価回路図における第１の信号ポートＰＯ１に対応する。第２の信号電極２ｕ2は、第１の通過帯域（高周波側）の入出力電極であって、等価回路図における第２の信号ポートＰＯ２に対応する。第１のフィルタＦ１Ｂは、第１のキャパシタＣ１ないし第６のキャパシタＣ６と、第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３と、第１の導電部材Ｓ１ないし第３の導電部材Ｓ３とを含んでいる。
【００７３】
第１のキャパシタＣ１は、パターン導体２ｉ1と、パターン導体２ｍ1とにより構成されている。第２のキャパシタＣ２は、パターン導体２ｇ1と、パターン導体２ｉ1と、パターン導体２ｋ1とにより構成されている。第３のキャパシタＣ３は、パターン導体２ｅ1と、パターン導体２ｉ1とにより構成されている。第４のキャパシタＣ４は、パターン導体２ｆ1と、パターン導体２ｇ1とにより構成されている。第５のキャパシタＣ５は、パターン導体２ｇ1と、パターン導体２ｉ2とにより構成されている。第６のキャパシタＣ６は、パターン導体２ｒ1と、パターン導体２ｔ1とにより構成されている。
【００７４】
すなわち、パターン導体２ｉ1は、第１のキャパシタＣ１ないし第３のキャパシタＣ３で共有されている。また、パターン導体２ｇ1は、第２のキャパシタＣ２、第４のキャパシタＣ４および第５のキャパシタＣ５で共有されている。これらにより、パターン導体の点数を減らすことができ、延いては積層複合フィルタ装置の構成を簡略化することができ、積層複合フィルタ装置を小型化することができる。
【００７５】
なお、第３の実施形態における「第１のキャパシタ」は、キャパシタＣ１からＣ５を含んでもよい。
【００７６】
第１のインダクタＬ１は、パターン導体２ｂ1に含まれる。第３のインダクタＬ３は、パターン導体２ａ1に含まれる。その他の不図示のインダクタの構成については説明を省略する。第１のインダクタＬ１は、後述する第１の導電部材Ｓ１を介して、接地電極２ｕ4に接続されている。第３のインダクタＬ３は、後述する第２の導電部材Ｓ２を介して、接地電極２ｕ4に接続されている。
【００７７】
第１の信号電極２ｕ1と第３の信号電極２ｕ3との間には、上記の第２のインダクタパターンと第２のキャパシタパターンとを含み、第１の通過帯域より低周波側にある第２の通過帯域を有する第２のフィルタＦ２Ｂが形成されている。第３の信号電極２ｕ3は、第２の通過帯域（低周波側）の入出力電極であって、等価回路図における第３の信号ポートＰＯ３に対応する。第２のフィルタＦ２Ｂは、第７のキャパシタＣ７ないし第１０のキャパシタＣ１０と、第２のインダクタＬ２とを含んでいる。
【００７８】
第７のキャパシタＣ７は、パターン導体２ｓ1と、パターン導体２ｔ2とにより構成されている。第８のキャパシタＣ８は、パターン導体２ｊ1と、パターン導体２ｌ1とにより構成されている。第９のキャパシタＣ９は、パターン導体２ｇ2と、パターン導体２ｊ1とにより構成されている。第１０のキャパシタＣ１０は、パターン導体２ｅ2と、パターン導体２ｇ2とにより構成されている。
【００７９】
すなわち、パターン導体２ｊ1は、第８のキャパシタＣ８および第９のキャパシタＣ９で共有されている。また、パターン導体２ｇ2は、第９のキャパシタＣ９および第１０のキャパシタＣ１０で共有されている。これらにより、パターン導体の点数を減らすことができ、延いては積層複合フィルタ装置の構成を簡略化することができ、積層複合フィルタ装置を小型化することができる。
【００８０】
なお、第３の実施形態における「第２のキャパシタ」は、キャパシタＣ７からＣ１０を含んでもよい。
【００８１】
第２のインダクタＬ２はパターン導体２ａ2を含み、図示しないビア電極によって接地電極２ｕ4に接続されている。パターン導体２ａ1および２ａ2は、接地電極２ｕ4から最も距離的に遠い誘電体層１ａに形成されている。
【００８２】
積層体を誘電体層１ａないし１ｕの積層方向から見たとき、第１のフィルタＦ１Ｂと第２のフィルタＦ２Ｂとは、互いに重ならないように配置されている（図３参照）。
【００８３】
第１の導電部材Ｓ１は、前述したように、ビア導体３ａ、３ｂを含んでいる。第２の導電部材Ｓ２は、ビア導体３ｃ、３ｄを含んでいる。ビア導体３ｂは、パターン導体２ｑ1を介してビア導体３ａに接続されている。第３の導電部材Ｓ３は、ビア導体３ｅを含んでいる。ビア導体３ａ、３ｃないし３ｅは、それぞれ一方端がパターン導体２ｔ3に接続され、ビア導体３ｆおよび接地電極２ｕ4を介して接地されている。
【００８４】
第１のフィルタＦ１Ｂが第１の導電部材Ｓ１および第２の導電部材Ｓ２を介して接地される。上記の構成は、第１の導電部材Ｓ１のみを接地する構成よりも接地領域が広いため、第２のフィルタから漏洩する信号をシールドする機能を向上させることができる。なお、第１のフィルタＦ１Ｂは、第２の導電部材Ｓ２を含まなくてもよい。
【００８５】
ビア導体３ａ、３ｂの他方端は、第１のインダクタパターンを構成するパターン導体２ｂ1に接続されている。また、ビア導体３ｃ、３ｄの他方端は、同じく第１のインダクタパターンを構成するパターン導体２ａ1に接続されている。ビア導体３ｅの他方端は、積層複合フィルタ装置１００Ｂにおいては、開放状態となっている。開放状態とは、どこにも電気的に接続されておらず、浮いている状態を示す。その結果、ビア導体３ｅはいわゆるオープンスタブとなっている。このビア導体３ａ、３ｂにより、第１の導電部材Ｓ１のビア導体３ａ、３ｂと第２の導電部材Ｓ２の３ｃ、３ｄとの間の電磁界結合が抑制されている。そのため、第１のインダクタＬ１と第３のインダクタＬ３との間の電磁界結合が抑制されている。その結果、第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３のインピーダンスを抑制し、良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００８６】
なお、第１の導電部材Ｓ１と第２の導電部材Ｓ２とは、それぞれ第２のインダクタパターンを構成するパターン導体に接続されるようにしてもよい。なお、第１のフィルタＦ１Ｂは、第３の導電部材Ｓ３を含まなくてもよい。
【００８７】
図９は、第１のキャパシタパターンを構成するパターン導体と、第２のキャパシタパターンを構成するパターン導体と、第１の導電部材Ｓ１との位置関係の一例を表す透視斜視図である。第１の導電部材Ｓ１は、図９に示すように、第１のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つと第２のキャパシタパターンの少なくとも１つとの間に配置されている。
【００８８】
積層複合フィルタ装置１００Ｂでは、第１の通過帯域を通る信号が第２のフィルタＦ２Ｂ側に漏洩したとしても、一方端が接地されている第１の導電部材Ｓ１を介してグランドに落とされる。すなわち、第１の導電部材Ｓ１は、第１の通過帯域から第２の通過帯域への信号漏洩を抑制するシールド部材となっている。そして、第１の導電部材Ｓ１は、他方端が不図示のパターン導体に接続されているため、漏洩した信号をより効果的にグランドに落とすことができる。
【００８９】
したがって、積層複合フィルタ装置１００Ｂは、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間の信号漏洩を抑制することができる。
【００９０】
なお、不図示の第２の導電部材Ｓ２についても、第１の導電部材Ｓ１と同様のことが言える。そして、不図示の第３の導電部材Ｓ３により、第１の導電部材Ｓ１のビア導体３ａと第２の導電部材Ｓ２のビア導体３ｄとの間の電磁界結合が抑制されている。そのため、第１のインダクタＬ１と第３のインダクタＬ３との間の電磁界結合が抑制されている（図８参照）。その結果、第１のインダクタＬ１および第３のインダクタＬ３のインピーダンスが増大せず、良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００９１】
なお、積層体を各誘電体層の積層方向と直交する方向から見たとき、第１の導電部材Ｓ１が間に配置されている第１のキャパシタパターンと第２のキャパシタパターンとは、同じ平面上に配置されていてもよい。図９（Ａ）では、第１の導電部材Ｓ１であるビア導体３ａ、３ｂが、積層複合フィルタ装置１００Ｂの底面から同じ高さｈ１にあるパターン導体２ｇ1とパターン導体２ｇ2との間に配置されている場合を示している。ここで、パターン導体２ｇ1は、第１のキャパシタパターンを構成している。また、パターン導体２ｇ2は、第２のキャパシタパターンを構成している。
【００９２】
また、第１の導電部材Ｓ１が間に配置されている第１のキャパシタパターンと第２のキャパシタパターンとは、異なる平面上に配置されていてもよい。図９（Ｂ）では、第１の導電部材Ｓ１であるビア導体３ａ、３ｂが、積層複合フィルタ装置１００Ｂの底面から高さｈ２にあるパターン導体２ｆ1と高さｈ３にあるパターン導体２ｅ2との間に配置されていることを示している。ここで、パターン導体２ｆ1は、第１のキャパシタパターンを構成している。また、パターン導体２ｅ2は、第２のキャパシタパターンを構成しているいずれの場合であっても、第１の導電部材Ｓ１は、シールド部材として機能する。
【００９３】
対向するパターン導体間の容量は、対向するパターン導体がそれぞれ異なる平面上に配置されている場合の方が、対向するパターン導体がそれぞれ同じ平面上に配置されている場合よりも大きくなる。そして、容量に比例して漏洩する信号も増える。したがって、第１のキャパシタパターンと第２のキャパシタパターンとが異なる平面上に配置されている場合の方が、それらの間に配置された第１の導電部材Ｓ１のシールド部材としての効果は高くなる。
【００９４】
ここで、図８を参照して、積層複合フィルタ装置１００Ｂの回路構成を見ると、第１のフィルタＦ１Ｂは、第１のハイパスフィルタと、第１のローパスフィルタとを備えたフィルタと言える。
【００９５】
第１のハイパスフィルタは、第１の直列キャパシタと、第１の並列キャパシタと、第１の並列インダクタとを含んでいる。第１の直列キャパシタは、第１の信号ポートＰＯ１（第１の信号電極２ｕ1）と第２の信号ポートＰＯ２（第２の信号電極２ｕ2）との間の経路に接続されている。第１の並列キャパシタは、第１の直列キャパシタと第２の信号ポートＰＯ２との間の経路と接地電極２ｕ4との間の経路に接続されている。第１の並列インダクタは、第１の並列キャパシタと接地電極２ｕ4との間の経路に接続されている。
【００９６】
例えば、第１のキャパシタＣ１と、第３のキャパシタＣ３と、第１のインダクタＬ１との組み合わせで、第１のハイパスフィルタが構成される。また、第２のキャパシタＣ２と、第４のキャパシタＣ４と、第３のインダクタＬ３との組み合わせで、第１のハイパスフィルタが構成されるとしてもよい（図８参照）。
【００９７】
ここで、第２のキャパシタＣ２と、第４のキャパシタＣ４と、第１のインダクタＬ１との組み合わせで、第１のハイパスフィルタが構成される場合を考える。前述したように、第２のキャパシタＣ２は、パターン導体２ｇ1と、パターン導体２ｉ1と、パターン導体２ｋ1とにより構成されている。第４のキャパシタＣ４は、パターン導体２ｆ1と、パターン導体２ｇ1とにより構成されている。すなわち、図７において、第１のハイパスフィルタは、パターン導体２ｆ1、２ｇ1、２ｉ1、２ｋ1と、第１のインダクタＬ１を構成するパターン導体２ｂ1、を含んで構成されている。
【００９８】
第２のキャパシタＣ２、第４のキャパシタＣ４およびパターン導体２ｇ1とパターン導体２ｉ2とにより構成される第５のキャパシタＣ５は、パターン導体２ｇ1を共有している。すなわち、パターン導体２ｇ1は、第２のキャパシタＣ２と第４のキャパシタＣ４と第５のキャパシタＣ５との間の接続導体を兼ねている。また、パターン導体２ｉ1とパターン導体２ｍ1とにより構成される第１のキャパシタＣ１および第２のキャパシタＣ２は、パターン導体２ｉ1を共有している。すなわち、パターン導体２ｉ1は、第１のキャパシタＣ１と第２のキャパシタＣ２との間の接続導体を兼ねている。
【００９９】
そして、第２のキャパシタＣ２の一方側電極であるパターン導体２ｉ1は、パターン導体２ｍ1、２ｐ1と不図示のビア導体とを介して、第１の信号電極２ｕ1と電気的に接続されている。また、第２のキャパシタＣ２の他方側電極であり、第４のキャパシタＣ４の一方側電極であるパターン導体２ｇ1は、パターン導体２ｉ2と不図示のビア導体を介して、第２の信号電極２ｕ2と電気的に接続されている。また、第４のキャパシタＣ４の他方側電極であるパターン導体２ｆ1は、第１のインダクタＬ１を構成するビア導体（不図示含む）と、ビア導体３ａ、３ｂと、パターン導体２ｔ3とを介して、接地電極２ｕ4と電気的に接続されている。
【０１００】
同様に、第２のフィルタＦ２Ｂは、第２のローパスフィルタと、第２のハイパスフィルタとを備えたフィルタと言える。
【０１０１】
第２のハイパスフィルタは、例えば、第９のキャパシタＣ９と、第１０のキャパシタＣ１０と、第２のインダクタＬ２との組み合わせで、第２のハイパスフィルタを構成することができる（図８参照）これに限定されず、以下の構成としてもよい。第２の直列キャパシタと、第２の並列キャパシタと、第２の並列インダクタとを含んでいる。第２の直列キャパシタは、第１の信号ポートＰＯ１（第１の信号電極２ｕ1）と第３の信号ポートＰＯ３（第３の信号電極２ｕ3）との間の経路に接続されている。第２の並列キャパシタは、第２の直列キャパシタと第３の信号ポートＰＯ３との間の経路と接地電極２ｕ4との間の経路に接続されている。第２の並列インダクタは、第２の並列キャパシタと接地電極２ｕ4との間の経路に接続されている。
【０１０２】
第２のローパスフィルタは、たとえば、第７のキャパシタＣ７と、第７のキャパシタＣ７とＧＮＤとの間に接続されるインダクタと、第８のキャパシタＣ８と、第８のキャパシタＣ８と並列に接続されるインダクタと、で構成される。
【０１０３】
前述したように、第９のキャパシタＣ９は、パターン導体２ｇ2と、パターン導体２ｊ1とにより構成されている。第１０のキャパシタＣ１０は、パターン導体２ｅ2と、パターン導体２ｇ2とにより構成されている。すなわち、図７において、第２のハイパスフィルタは、パターン導体２ｅ2、２ｇ2、２ｊ1と、第２のインダクタＬ２を構成するビア導体（不図示含む）とを含んで構成されている。
【０１０４】
第９のキャパシタＣ９および第１０のキャパシタＣ１０は、パターン導体２ｇ2を共有している。すなわち、第２のキャパシタＣ２と第４のキャパシタＣ４と第５のキャパシタＣ５との間の接続導体を兼ねている。
【０１０５】
そして、第９のキャパシタＣ９の一方側電極であるパターン導体２ｊ1は、パターン導体２ｎ1、２ｏ2と不図示のビア導体とを介して、第１の信号電極２ｕ1と電気的に接続されている。また、第９のキャパシタＣ９の他方側電極であり、第１０のキャパシタＣ１０の一方側電極であるパターン導体２ｇ2は、不図示のパターン導体と不図示のビア導体を介して、第３の信号電極２ｕ3と電気的に接続されている。また、第１０のキャパシタＣ１０の他方側電極であるパターン導体２ｅ2は、第２のインダクタＬ２を構成するビア導体（不図示含む）を介して、接地電極２ｕ4と電気的に接続されている。
【０１０６】
そして、第１の導電部材Ｓ１は、第１のハイパスフィルタを構成する第１のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つと、第２のハイパスフィルタを構成する第２のキャパシタパターンのうちの少なくとも１つとの間に配置されている。
【０１０７】
例えば、第１の導電部材Ｓ１であるビア導体３ａ、３ｂは、第４のキャパシタＣ４のパターン導体２ｆ1と、第１０のキャパシタＣ１０のパターン導体２ｅ2との間に配置されている。第４のキャパシタＣ４は、前述したように第１のハイパスフィルタを構成している。第１０のキャパシタＣ１０は、第２のハイパスフィルタを構成している。
【０１０８】
第１のハイパスフィルタを構成するキャパシタのパターン導体から第２のハイパスフィルタを構成するキャパシタのパターン導体で信号漏洩が生じると、そのまま第３の信号ポートＰＯ３に漏洩した信号が流れてしまう。そのため、フィルタ特性に与える悪影響が大きい。したがって、第１の導電部材Ｓ１が上記のように配置されることにより、第１のフィルタＦ１Ｂと第２のフィルタＦ２Ｂとの間の信号漏洩を効果的に抑制することができる。
【０１０９】
−積層複合フィルタ装置の第３の実施形態の変形例−
この開示に従う積層複合フィルタ装置の第３の実施形態である積層複合フィルタ装置１００Ｂの第１ないし第４の変形例について、図１０および図１１を用いて説明する。
【０１１０】
図１０は、積層複合フィルタ装置１００Ｂにおいて、互いに対向しているパターン導体２ｆ1とパターン導体２ｅ2との位置関係を種々変更した第１ないし第３の変形例を示す、積層体を各誘電体層の積層方向から見たときの透視平面図である。なお、第１ないし第３の変形例においては、第１の導電部材Ｓ１は、１本のビア導体で構成されているとする。
【０１１１】
ここで、パターン導体２ｅ2と対向するパターン導体２ｆ1の外縁を第１の外縁とし、パターン導体２ｆ1と対向するパターン導体２ｅ2の外縁を第２の外縁とする。そして、第１の外縁と、第２の外縁と、第１の外縁の一方端と、第２の外縁の一方端とを仮想的につなぐ線分と、第１の外縁の他方端と第２の外縁の他方端とを仮想的につなぐ線分とにより構成される仮想的な図形を考える。なお、それぞれの外縁の一方端および他方端は、同じ側にあるものとする。なお、図９（Ａ）は、この仮想的な図形において、第１の外縁を第２の外縁に投影したとき、第１の外縁と第２の外縁とが重なるような場合を示す。
【０１１２】
図１０（Ａ）に示された第１の変形例は、この仮想的な図形において、第１の外縁を第２の外縁に投影したとき、第２の外縁が第１の外縁より長く、第１の外縁が第２の外縁と重なる場合を示す。なお、第１の外縁が第２の外縁より長く、第２の外縁が第１の外縁と重なる場合も同様である。図１０（Ｂ）に示された第２の変形例は、第１の外縁の一部が第２の外縁と重なる場合を示す。図１０（Ｃ）に示された第３の変形例は、第１の外縁と第２の外縁とが、線として重ならない場合を示す。
【０１１３】
第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間の信号漏洩は、信号の回り込みを無視すれば、基本的にはこの仮想的な図形の領域で生じる。したがって、第１ないし第３の変形例のいずれの場合であっても、仮想的な図形の内部に第１の導電部材が配置されているため、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間の信号漏洩を抑制することができる。
【０１１４】
一方、第４の変形例では、第１の導電部材Ｓ１が２つのビア導体Ｓ１１（図７のビア導体３ａに相当）およびビア導体Ｓ１２（図７のビア導体３ｂに相当）で構成されているとする。図１１は、積層複合フィルタ装置１００Ｂにおいて、積層方向から見たときの、パターン導体２ｆ1とパターン導体２ｅ2と２つのビア導体Ｓ１１、Ｓ１２との位置関係を規定した第４の変形例を示す透視平面図である。
【０１１５】
第４の変形例では、ビア導体Ｓ１１は、第１の外縁の一方端と第２の外縁の一方端とを仮想的につなぐ線分上に配置されている。また、ビア導体Ｓ１２は、第１の外縁の他方端と第２の外縁の他方端とを仮想的につなぐ線分上に配置されている。
【０１１６】
パターン導体２ｆ1とパターン導体２ｅ2との間に発生する電界は、いわゆる縁端効果の影響を受ける。すなわち、両者の間に発生する電界は、第１の外縁の一方端と第２の外縁の一方端とを仮想的につなぐ線分上と、第１の外縁の他方端と第２の外縁の他方端とを仮想的につなぐ線分上とで強くなる。したがって、電界が強くなった部分に第１の導電部材Ｓ１を配置することにより、第１のフィルタＦ１と第２のフィルタＦ２との間の信号漏洩を効果的に抑制することができる。
【０１１７】
この明細書に開示された実施形態は、例示的なものであって、この開示に係る発明は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではない。すなわち、この開示に係る発明の範囲は、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、上記の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。
【０１１８】
この開示に係る発明は、スマートフォンに代表される小型移動体通信機器に用いられる分波器であるマルチプレクサなどに適用されるが、これに限られない。
【０１１９】
なお、本発明の隣り合うという表現について補足する。たとえば、第１の領域に配置される部材のうち、第１の導電部材が最も第２の領域に近接して配置されているとき、第１の導電部材が配置される領域を第２の領域に隣り合う領域と言う。
【符号の説明】
【０１２０】
１ａ〜１ｕ  誘電体層、２ｕ4  接地電極、２ａ1，２ａ2，２ｂ1，２ｅ1，２ｅ2，２ｆ1，２ｇ1，２ｇ2，２ｉ1，２ｉ2，２ｊ1，２ｋ1，２ｌ1，２ｍ1，２ｎ1，２ｏ2，２ｑ1，２ｒ1，２ｓ1，２ｔ1，２ｔ2，２ｔ3  パターン導体、２ｕ1〜２ｕ3  信号電極、３ａ〜３ｆ，Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２  ビア導体、１０，２１０  第１の領域、２０，２２０  第２の領域、３０，２３０  第３の領域、１００，１００Ａ，１００Ｂ，２００  積層複合フィルタ装置、Ｃ１〜Ｃ１０  キャパシタ、Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ，Ｆ１，Ｆ２０１  第１のフィルタ、Ｆ２Ｂ，Ｆ２，Ｆ２０２  第２のフィルタ、Ｆ３，Ｆ２０３  第３のフィルタ、Ｌ１〜Ｌ３  インダクタ、ＰＯ１〜ＰＯ３  ポート、Ｓ１〜Ｓ３  導電部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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