(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
含フッ素ポリマー、および、一般式：ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）で表されるケイ素酸化物を含有し、
前記含フッ素ポリマーが、含フッ素エラストマーであり、
前記ケイ素酸化物の含有量が、前記含フッ素ポリマー１００質量部に対して、０．１〜５０質量部である組成物。
【請求項２】
前記ケイ素酸化物のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）により特定される前記ケイ素酸化物中のＳｉの構成比率（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｏ））が、３５〜９０ａｔｏｍ％である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物を架橋して得られる架橋物を空気中で加熱することにより、架橋物の温度を１０℃／ｍｉｎの速度で常温から４００℃まで上昇させた場合の重量増加率が０．１％以上である請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
さらに、架橋剤を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の組成物を架橋することにより得られる架橋物。
【請求項６】
シール材である請求項５に記載の架橋物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、含フッ素ポリマーを含有する組成物および架橋物に関する。
【背景技術】
【０００２】
含フッ素エラストマー等の含フッ素ポリマーからなる組成物は、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性、耐燃料油性などに優れることから、Ｏ−リング、ホース、ステムシール、シャフトシール、ダイヤフラム等の成形品を製造するために、広く使用されている。このような組成物として、たとえば、特許文献１では、架橋性エラストマー成分と酸化ケイ素微粒子を含む架橋性エラストマー組成物であって、該酸化ケイ素微粒子がその表面に１００×１０１９個／ｇ以下の水酸基をもち、かつ平均粒子径が０．５μｍ以下である酸化ケイ素微粒子である組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第００／０７８８７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示では、特定のケイ素酸化物を含有する新規の組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示によれば、含フッ素ポリマー、および、一般式：ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）で表されるケイ素酸化物を含有する組成物が提供される。
【０００６】
前記ケイ素酸化物のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）により特定される前記ケイ素酸化物中のＳｉの構成比率（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｏ））が、３５〜９０ａｔｏｍ％であることが好ましい。
本開示の組成物において、前記ケイ素酸化物の含有量が、前記含フッ素ポリマー１００質量部に対して、０．１〜１００質量部であることが好ましい。
本開示の組成物は、前記組成物を架橋して得られる架橋物を空気中で加熱することにより、架橋物の温度を１０℃／ｍｉｎの速度で常温から４００℃まで上昇させた場合の重量増加率が０．１％以上であることが好ましい。
前記含フッ素ポリマーが、含フッ素エラストマーであることが好ましい。
本開示の組成物は、さらに、架橋剤を含有することが好ましい。
【０００７】
また、本開示によれば、上記の組成物を架橋することにより得られる架橋物が提供される。
【０００８】
本開示の架橋物は、シール材として好適に利用できる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、特定のケイ素酸化物を含有する新規の組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の具体的な実施形態について詳細に説明するが、本開示は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
本開示の組成物は、含フッ素ポリマー、および、一般式：ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）で表されるケイ素酸化物を含有する。本開示の組成物は、上記ケイ素酸化物を含有することによって、空気中の酸素を吸着できる。したがって、本開示の組成物を、半導体製造装置などの密閉空間を備える装置の、シール材などの架橋物を製造するために用いることによって、密閉空間中の酸素を吸着して、密閉空間中の酸素濃度を低減したり、外部から密閉空間内への酸素の侵入を抑制したりすることができる。さらには、本開示の組成物は、含フッ素ポリマーを含有しているので、耐熱性および耐プラズマ性にも優れる架橋物を得ることもできる。
【００１２】
上記ケイ素酸化物は、ケイ素原子を含有する酸化物である。一般式：ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）で表されるケイ素酸化物は、定比組成から組成のずれがある化合物であり、不定比化合物と呼ばれることがある。
【００１３】
上記ケイ素酸化物のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）により特定される充填剤中のＳｉの構成比率（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｏ））は、好ましくは３５〜９０ａｔｏｍ％であり、より好ましくは３７ａｔｏｍ％以上であり、さらに好ましく３９ａｔｏｍ％以上であり、より好ましくは８０ａｔｏｍ％以下であり、さらに好ましく７０ａｔｏｍ％以下である。
【００１４】
上記ケイ素酸化物中のＳｉの構成比率（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｏ））は、上記ケイ素酸化物のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）によって得られる値を用いて、以下の方法で算出できる。
構成比率（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｏ））＝Ａ／Ｂ
Ａ：Ｓｉ元素のピーク面積値
Ｂ：Ｓｉ元素およびＯ元素のピーク面積値の合計値
【００１５】
上記ケイ素酸化物の粒径は、好ましくは２００μｍ未満であり、より好ましくは５〜１００ｎｍである。上記ケイ素酸化物の粒径は、上記ケイ素酸化物の比表面積測定により測定した比表面積を、粒径に換算して求めることができる。
【００１６】
上記ケイ素酸化物としては、熱プラズマ法によって製造されたものが好ましく、熱プラズマ炎にケイ素粉末を供給することにより得られたものがより好ましい。熱プラズマ炎にケイ素粉末を供給することにより、供給したケイ素粉末が熱プラズマ処理され、ケイ素酸化物を生成させることができる。ケイ素粉末の組成は、所望するケイ素酸化物の組成に応じて調整される。熱プラズマ炎は、水素ガス、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガスからなる群より選択される少なくとも１種のガスに由来するものが好ましく、水素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスに由来するものがより好ましい。熱プラズマ炎の温度は、たとえば、２０００〜３０００℃である。熱プラズマ処理の圧力は、大気圧以下であることが好ましい。ケイ素粉末の熱プラズマ炎への供給は、たとえば、アルゴンガスをキャリアガスとして用いて、行うことができる。
【００１７】
上記ケイ素酸化物は、たとえば、定比ケイ素酸化物粉末と、ケイ素粉末、酸素以外の元素とケイ素の化合物の粉末、および不定比ケイ素酸化物の粉末のうち、少なくとも１つの粉末とを用意する工程と、定比ケイ素酸化物粉末と前記少なくとも１つの粉末とを、熱プラズマ炎中に供給する工程とを有するケイ素酸化物粒子の製造方法により、製造することができる。このような製造方法としては、特開２０１４−１４４８８４号公報に記載の製造方法を挙げることができる。
【００１８】
上記の製造方法においては、ケイ素粉末などの粉末が、定比ケイ素酸化物粉末に対して還元剤として働き、熱プラズマ炎により、定比ケイ素酸化物粉末が一部還元され、上記ケイ素酸化物となる。定比ケイ素酸化物粉末の還元により発生した酸素は、ケイ素粉末のケイ素元素と結合し上記ケイ素酸化物になるが、外部からの酸素供給がなく、定比のケイ素酸化物が生成できる程の十分な酸素が得られないため上記ケイ素酸化物となる。このようにして、定比ケイ素酸化物粉末およびケイ素粉末などの粉末のいずれもから、上記ケイ素酸化物粒子が生成されると考えられる。
【００１９】
本開示の組成物における上記ケイ素酸化物の含有量は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１００質量部であり、より好ましくは０．５質量部以上であり、さらに好ましくは１．０質量部以上であり、特に好ましくは５質量部以上であり、より好ましくは５０質量部以下であり、さらに好ましくは３０質量部以下であり、特に好ましくは２５質量部以下である。
【００２０】
本開示の組成物は、該組成物を架橋して得られる架橋物を空気中で加熱することにより、架橋物の温度を１０℃／ｍｉｎの速度で常温から４００℃まで上昇させた場合の重量増加率が０．１％以上であることが好ましい。本開示の組成物の重量増加率は、好ましくは０．２％以上であり、より好ましくは０．３％以上である。重量増加率は、大きい方が好ましいので、上限は特に限定されないが、本開示の組成物に含まれる含フッ素ポリマーは耐熱性に優れており、加熱により重量がほとんど増加しない。したがって、容易に実現でき、含フッ素ポリマーが有する優れた特性を十分に享受できる範囲の重量増加率は、通常、２％以下であり、好ましくは１％以下である。
【００２１】
架橋物の重量増加率は、次の方法により決定できる。含フッ素ポリマーを含有する組成物を、公知の方法により架橋させ、得られた架橋物から、厚さ２ｍｍのサンプルを作製する。示差熱熱重量同時測定装置を用いて、空気雰囲気下で約１０ｍｇのサンプルを加熱して、サンプルの温度を１０℃／ｍｉｎの速度で常温から４００℃以上に上昇させ、４００℃に到達した時点の重量を測定する。次に、４００℃に到達した時点の重量から初期重量を減じることによって、４００℃に到達した時点の重量増加量を算出する。そして、重量増加率として、４００℃に到達した時点の重量増加量の、初期重量に対する割合（％）を算出する。
【００２２】
本開示において、重量増加率を算出するために、常温で測定したサンプルの重量を基準とし、また、４００℃に到達した時点のサンプルの重量を測定するために、サンプルを常温から４００℃に加熱する。本開示において、常温とは、１０〜４０℃の範囲の温度であってよい。１０〜４０℃の温度の幅は、算出値に大きな影響を与えない。
【００２３】
含フッ素ポリマーは耐熱性に優れており、通常、上記のような温度まで加熱しても、酸化または分解することが少ないので、通常は架橋物の重量が変化しない。しかし、本開示の組成物から得られる架橋物は、空気中での加熱により、重量が増加するという特徴を有しており、この特徴によって、空気中の酸素を吸着できるという驚くべき効果を奏する。
【００２４】
組成物の重量増加率は、たとえば、上記ケイ素酸化物の含有量を調整することによって、調整することができる。
【００２５】
本開示の組成物は、含フッ素ポリマーを含有する。上記含フッ素ポリマーとしては、シール性、耐薬品性および耐熱性が優れることから、含フッ素エラストマーが好ましい。
【００２６】
本開示において、含フッ素エラストマーとは、非晶質含フッ素ポリマーである。「非晶質」とは、含フッ素ポリマーの示差走査熱量測定〔ＤＳＣ〕（昇温速度１０℃／分）あるいは示差熱分析〔ＤＴＡ〕（昇温速度１０℃／分）において現われた融解ピーク（ΔＨ）の大きさが４．５Ｊ／ｇ以下であることをいう。含フッ素エラストマーは、架橋することにより、エラストマー特性を示す。エラストマー特性とは、ポリマーを延伸することができ、ポリマーを延伸するのに必要とされる力がもはや適用されなくなったときに、その元の長さを保持できる特性を意味する。
【００２７】
上記含フッ素エラストマーとしては、部分フッ素化エラストマーであってもよいし、パーフルオロエラストマーであってもよいが、耐薬品性、耐熱性がさらに優れている点よりパーフルオロエラストマーを用いることが好ましい。
【００２８】
本開示において、部分フッ素化エラストマーとは、フルオロモノマー単位を含み、全重合単位に対するパーフルオロモノマー単位の含有量が９０モル％未満の含フッ素ポリマーであって、２０℃以下のガラス転移温度を有し、４．５Ｊ／ｇ以下の融解ピーク（ΔＨ）の大きさを有する含フッ素ポリマーである。
【００２９】
本開示において、パーフルオロエラストマーとは、全重合単位に対するパーフルオロモノマー単位の含有量が９０モル％以上の含フッ素ポリマーであって、２０℃以下のガラス転移温度を有し、４．５Ｊ／ｇ以下の融解ピーク（ΔＨ）の大きさを有する含フッ素ポリマーであり、さらに、含フッ素ポリマーに含まれるフッ素原子の濃度が７１質量％以上であるポリマーである。本開示において、含フッ素ポリマーに含まれるフッ素原子の濃度は、含フッ素ポリマーを構成する各モノマーの種類と含有量より、含フッ素ポリマーに含まれるフッ素原子の濃度（質量％）を計算により求めるものである。
【００３０】
本開示において、パーフルオロモノマーとは、分子中に炭素原子−水素原子結合を含まないモノマーである。上記パーフルオロモノマーは、炭素原子及びフッ素原子の他、炭素原子に結合しているフッ素原子のいくつかが塩素原子で置換されたモノマーであってもよく、炭素原子の他、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子を有するものであってもよい。上記パーフルオロモノマーとしては、全ての水素原子がフッ素原子に置換されたモノマーであることが好ましい。上記パーフルオロモノマーには、架橋部位を与えるモノマーは含まれない。
【００３１】
上記部分フッ素化エラストマーとしては、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン（Ｐｒ）系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）系フッ素ゴム等が挙げられる。なかでも、ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムおよびテトラフルオロエチレン／プロピレン系フッ素ゴムからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００３２】
上記ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムは、ビニリデンフルオライド４５〜８５モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５５〜１５モル％とからなる共重合体であることが好ましい。好ましくは、ビニリデンフルオライド５０〜８０モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５０〜２０モル％とからなる共重合体である。
【００３３】
本開示において、含フッ素ポリマーを構成する各モノマーの含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析をモノマーの種類によって適宜組み合わせることで算出できる。
【００３４】
上記ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマーとしては、ＴＦＥ、ＨＦＰ、フルオロアルキルビニルエーテル、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、トリフルオロエチレン、トリフルオロプロピレン、ペンタフルオロプロピレン、トリフルオロブテン、テトラフルオロイソブテン、ヘキサフルオロイソブテン、フッ化ビニル、一般式（１１）：ＣＨＸ１１＝ＣＸ１１Ｒｆ１１（式中、２つのＸ１１のうち、一方がＨであり、他方がＦであり、Ｒｆ１１は炭素数１〜１２の直鎖または分岐したフルオロアルキル基）で表されるフルオロモノマー、一般式（１２）：ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＦ２）ｎ−Ｘ１２（式中、Ｘ１２はＨまたはＦであり、ｎは３〜１０の整数である。）で表されるフルオロモノマー；架橋部位を与えるモノマー；エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテル等の非フッ素化モノマーが挙げられる。これらをそれぞれ単独で、または、任意に組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、ＴＦＥ、ＨＦＰ、フルオロアルキルビニルエーテルおよびＣＴＦＥからなる群より選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
【００３５】
上記フルオロアルキルビニルエーテルとしては、
一般式（１３）：ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ１３
（式中、Ｒｆ１３は、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１４）：ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＲｆ１４
（式中、Ｒｆ１４は炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状パーフルオロアルキル基、炭素数５〜６の環式パーフルオロアルキル基、１〜３個の酸素原子を含む炭素数２〜６の直鎖状または分岐鎖状パーフルオロオキシアルキル基である）で表されるフルオロモノマー、および、
一般式（１５）：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（Ｙ１５）Ｏ）ｍ（ＣＦ２）ｎＦ
（式中、Ｙ１５はフッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。ｍは１〜４の整数である。ｎは１〜４の整数である。）で表されるフルオロモノマー
からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、一般式（１３）で表されるフルオロモノマーがより好ましい。
【００３６】
ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムの具体例としては、ＶｄＦ／ＨＦＰ系ゴム、ＶｄＦ／ＨＦＰ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＣＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＣＴＦＥ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／一般式（１１）で表されるフルオロモノマー系ゴム、ＶｄＦ／一般式（１１）で表されるフルオロモノマー／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／パーフルオロ（メチルビニルエーテル）〔ＰＭＶＥ〕系ゴム、ＶｄＦ／ＰＭＶＥ／ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ／ＰＭＶＥ／ＴＦＥ／ＨＦＰ系ゴム等が挙げられる。ＶｄＦ／一般式（１１）で表されるフルオロモノマー系ゴムとしては、ＶｄＦ／ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３系ゴムが好ましく、ＶｄＦ／一般式（１１）で表されるフルオロモノマー／ＴＦＥ系ゴムとしては、ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３系ゴムが好ましい。
【００３７】
上記ＶｄＦ／ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３系ゴムは、ＶｄＦ４０〜９９．５モル％、および、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３０．５〜６０モル％からなる共重合体であることが好ましく、ＶｄＦ５０〜８５モル％、および、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３１５〜５０モル％からなる共重合体であることがより好ましい。
【００３８】
上記テトラフルオロエチレン／プロピレン系フッ素ゴムは、テトラフルオロエチレン４５〜７０モル％、プロピレン５５〜３０モル％、および、架橋部位を与えるフルオロモノマー０〜５モル％からなる共重合体であることが好ましい。
【００３９】
上記含フッ素エラストマーは、パーフルオロエラストマーであってもよい。上記パーフルオロエラストマーとしては、ＴＦＥを含むパーフルオロエラストマー、例えばＴＦＥ／一般式（１３）、（１４）または（１５）で表されるフルオロモノマー共重合体、および、ＴＦＥ／一般式（１３）、（１４）または（１５）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。
【００４０】
その組成は、ＴＦＥ／ＰＭＶＥ共重合体の場合、好ましくは、４５〜９０／１０〜５５（モル％）であり、より好ましくは５５〜８０／２０〜４５であり、さらに好ましくは５５〜７０／３０〜４５である。
【００４１】
ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／架橋部位を与えるモノマー共重合体の場合、好ましくは４５〜８９．９／１０〜５４．９／０．０１〜４（モル％）であり、より好ましくは５５〜７７．９／２０〜４９．９／０．１〜３．５であり、さらに好ましくは５５〜６９．８／３０〜４４．８／０．２〜３である。
【００４２】
ＴＦＥ／炭素数が４〜１２の一般式（１３）、（１４）または（１５）で表されるフルオロモノマー共重合体の場合、好ましくは５０〜９０／１０〜５０（モル％）であり、より好ましくは６０〜８８／１２〜４０であり、さらに好ましくは６５〜８５／１５〜３５である。
【００４３】
ＴＦＥ／炭素数が４〜１２の一般式（１３）、（１４）または（１５）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体の場合、好ましくは５０〜８９．９／１０〜４９．９／０．０１〜４（モル％）であり、より好ましくは６０〜８７．９／１２〜３９．９／０．１〜３．５であり、さらに好ましくは６５〜８４．８／１５〜３４．８／０．２〜３である。
これらの組成の範囲を外れると、ゴム弾性体としての性質が失われ、樹脂に近い性質となる傾向がある。
【００４４】
上記パーフルオロエラストマーとしては、ＴＦＥ／一般式（１５）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体、ＴＦＥ／一般式（１５）で表されるフルオロモノマー共重合体、ＴＦＥ／一般式（１３）で表されるフルオロモノマー共重合体、および、ＴＦＥ／一般式（１３）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００４５】
上記パーフルオロエラストマーとしては、国際公開第９７／２４３８１号、特公昭６１−５７３２４号公報、特公平４−８１６０８号公報、特公平５−１３９６１号公報等に記載されているパーフルオロエラストマーも挙げることができる。
【００４６】
架橋部位を与えるモノマーとは、架橋剤により架橋を形成するための架橋部位を含フッ素ポリマーに与える架橋性基を有するモノマー（キュアサイトモノマー）である。
【００４７】
架橋部位を与えるモノマーとしては、
一般式（１６）：ＣＸ４２＝ＣＸ５Ｒｆ２Ｘ６
（式中、Ｘ４、Ｘ５は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｆまたは炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒｆ２は１個以上のエーテル結合性酸素原子を有していてもよく、芳香環を有していてもよい、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基またはオキシアルキレン基であり、Ｘ６はヨウ素原子、臭素原子、ニトリル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、水酸基、ビニル基、アジド基、スルホニルアジド基、カルボニルアジド基またはアルキン基である）で表されるモノマーが挙げられる。アルキン基は、エチニル基であってよい。
【００４８】
架橋部位を与えるモノマーとしては、なかでも、
一般式（１７）：ＣＸ１６２＝ＣＸ１６−Ｒｆ１６ＣＨＲ１６Ｘ１７
（式中、Ｘ１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子またはＣＨ３、Ｒｆ１６は、フルオロアルキレン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロ（ポリ）オキシアルキレン基またはパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基、Ｒ１６は、水素原子またはＣＨ３、Ｘ１７は、ヨウ素原子または臭素原子である）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１８）：ＣＸ１６２＝ＣＸ１６−Ｒｆ１７Ｘ１７
（式中、Ｘ１６は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子またはＣＨ３、Ｒｆ１７は、フルオロアルキレン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロ（ポリ）オキシアルキレン基またはパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基、Ｘ１７は、ヨウ素原子または臭素原子である）で表されるフルオロモノマー、
一般式（１９）：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｍ（ＣＦ２）ｎ−Ｘ１８
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜３の整数、Ｘ１８は、シアノ基、アジド基、スルホニルアジド基、カルボニルアジド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキン基、ヨウ素原子、臭素原子、または、−ＣＨ２Ｉである）で表されるフルオロモノマー、
一般式（２０）：ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２Ｏ（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ（ＣＦ３））ｎ−Ｘ１９
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜３の整数、Ｘ１９は、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、またはＣＨ２ＯＨである）で表されるフルオロモノマー、および、
一般式（２１）：ＣＲ２０２＝ＣＲ２０−Ｚ−ＣＲ２０＝ＣＲ２０２
（式中、Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基である。Ｚは、直鎖または分岐状で酸素原子を有していてもよい、炭素数１〜１８のアルキレン基、炭素数３〜１８のシクロアルキレン基、少なくとも部分的にフッ素化している炭素数１〜１０のアルキレン基もしくはオキシアルキレン基、または、
−（Ｑ）ｐ−ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｎ−ＣＦ２−（Ｑ）ｐ−
（式中、Ｑはアルキレン基またはオキシアルキレン基である。ｐは０または１である。ｍ／ｎが０．２〜５である。）で表され、分子量が５００〜１００００である（パー）フルオロポリオキシアルキレン基である。）で表されるモノマーからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００４９】
Ｘ１６は、フッ素原子であることが好ましい。Ｒｆ１６およびＲｆ１７は炭素数が１〜５のパーフルオロアルキレン基であることが好ましい。Ｒ１６は、水素原子であることが好ましい。Ｘ１８は、シアノ基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、または、−ＣＨ２Ｉであることが好ましい。Ｘ１９は、シアノ基、アルコキシカルボニル基、ヨウ素原子、臭素原子、または−ＣＨ２ＯＨであることが好ましい。
【００５０】
架橋部位を与えるモノマーとしては、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＮ、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯＨ、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｉ、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｉ、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＮ、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨ、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２＝ＣＨＣＦ２ＣＦ２Ｉ、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＦ２）６ＣＨ＝ＣＨ２、および、ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）５ＣＮからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＮおよびＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｉからなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。
【００５１】
上記含フッ素エラストマーは、高温における圧縮永久歪特性に優れる点から、ガラス転移温度が−７０℃以上であることが好ましく、−６０℃以上であることがより好ましく、−５０℃以上であることがさらに好ましい。また、耐寒性が良好であるという点から、５℃以下であることが好ましく、０℃以下であることがより好ましく、−３℃以下であることがさらに好ましい。
【００５２】
上記ガラス転移温度は、示差走査熱量計（メトラー・トレド社製、ＤＳＣ８２２ｅ）を用い、試料１０ｍｇを１０℃／ｍｉｎで昇温することによりＤＳＣ曲線を得て、ＤＳＣ曲線の二次転移前後のベースラインの延長線と、ＤＳＣ曲線の変曲点における接線との２つの交点の中点を示す温度として求めることができる。
【００５３】
上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１７０℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋２０）が３０以上であることが好ましく、４０以上であることがより好ましく、５０以上であることがさらに好ましい。また、加工性が良好な点で、１５０以下であることが好ましく、１２０以下であることがより好ましく、１１０以下であることがさらに好ましい。
【００５４】
上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１４０℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋２０）が３０以上であることが好ましく、４０以上であることがより好ましく、５０以上であることがさらに好ましい。また、加工性が良好な点で、１８０以下であることが好ましく、１５０以下であることがより好ましく、１１０以下であることがさらに好ましい。
【００５５】
上記含フッ素エラストマーは、耐熱性が良好な点で、１００℃におけるムーニー粘度ＭＬ（１＋１０）が１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましく、３０以上であることがさらに好ましい。また、加工性が良好な点で、１２０以下であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、８０以下であることがさらに好ましい。
【００５６】
上記ムーニー粘度は、ＡＬＰＨＡ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ社製  ムーニー粘度計ＭＶ２０００Ｅ型を用いて、１７０℃または１４０℃、１００℃において、ＪＩＳ  Ｋ６３００に従い測定することができる。
【００５７】
上述した部分フッ素化エラストマーおよびパーフルオロエラストマーは、常法により製造することができるが、得られる重合体の分子量分布が狭く、分子量の制御が容易である点、末端にヨウ素原子または臭素原子を導入することができる点から、連鎖移動剤としてヨウ素化合物または臭素化合物を使用することもできる。ヨウ素化合物または臭素化合物を使用して行う重合方法としては、例えば、実質的に無酸素状態で、ヨウ素化合物または臭素化合物の存在下に、加圧しながら水媒体中で乳化重合を行う方法が挙げられる（ヨウ素移動重合法）。使用するヨウ素化合物または臭素化合物の代表例としては、例えば、一般式：
Ｒ２１ＩｘＢｒｙ
（式中、ｘおよびｙはそれぞれ０〜２の整数であり、かつ１≦ｘ＋ｙ≦２を満たすものであり、Ｒ２１は炭素数１〜１６の飽和もしくは不飽和のフルオロ炭化水素基またはクロロフルオロ炭化水素基、または炭素数１〜３の炭化水素基であり、酸素原子を含んでいてもよい）で表される化合物が挙げられる。ヨウ素化合物または臭素化合物を使用することによって、ヨウ素原子または臭素原子が重合体に導入され、架橋点として機能する。
【００５８】
ヨウ素化合物および臭素化合物としては、例えば１，３−ジヨードパーフルオロプロパン、２−ヨードパーフルオロプロパン、１，３−ジヨード−２−クロロパーフルオロプロパン、１，４−ジヨードパーフルオロブタン、１，５−ジヨード−２，４−ジクロロパーフルオロペンタン、１，６−ジヨードパーフルオロヘキサン、１，８−ジヨードパーフルオロオクタン、１，１２−ジヨードパーフルオロドデカン、１，１６−ジヨードパーフルオロヘキサデカン、ジヨードメタン、１，２−ジヨードエタン、１，３−ジヨード−ｎ−プロパン、ＣＦ２Ｂｒ２、ＢｒＣＦ２ＣＦ２Ｂｒ、ＣＦ３ＣＦＢｒＣＦ２Ｂｒ、ＣＦＣｌＢｒ２、ＢｒＣＦ２ＣＦＣｌＢｒ、ＣＦＢｒＣｌＣＦＣｌＢｒ、ＢｒＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｂｒ、ＢｒＣＦ２ＣＦＢｒＯＣＦ３、１−ブロモ−２−ヨードパーフルオロエタン、１−ブロモ−３−ヨードパーフルオロプロパン、１−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブタン、２−ブロモ−３−ヨードパーフルオロブタン、３−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブテン−１、２−ブロモ−４−ヨードパーフルオロブテン−１、ベンゼンのモノヨードモノブロモ置換体、ジヨードモノブロモ置換体、ならびに（２−ヨードエチル）および（２−ブロモエチル）置換体等が挙げられ、これらの化合物は、単独で使用してもよく、相互に組み合わせて使用することもできる。
【００５９】
これらのなかでも、重合反応性、架橋反応性、入手容易性等の点から、１，４−ジヨードパーフルオロブタン、１，６−ジヨードパーフルオロヘキサン、２−ヨードパーフルオロプロパンを用いるのが好ましい。
【００６０】
上記含フッ素ポリマーは、シアノ基を有することが好ましい。特に、かご型シルセスキオキサンを架橋剤として用いる場合、上記含フッ素ポリマーは、シアノ基を有することが好ましい。含フッ素ポリマーがシアノ基を有することによって、上記かご型シルセスキオキサンが架橋剤としてより好適に作用し、さらに、耐熱性に優れる架橋物を得ることができる。
【００６１】
上記シアノ基を有する含フッ素ポリマーとしては、主鎖末端および／または側鎖にシアノ基（−ＣＮ基）を有する含フッ素エラストマーであることが好ましい。
【００６２】
主鎖末端および／または側鎖にシアノ基（−ＣＮ基）を有する含フッ素エラストマーとしては、たとえば、パーフルオロエラストマーおよび部分フッ素化エラストマーがあげられる。
【００６３】
主鎖末端および／または側鎖にシアノ基（−ＣＮ基）を有するパーフルオロエラストマーとしては、上述した、ＴＦＥ／一般式（１３）、（１４）または（１５）で表されるフルオロモノマー／架橋部位を与えるモノマー共重合体のうち、架橋部位を与えるモノマーが、シアノ基（−ＣＮ基）を有するモノマーである共重合体が挙げられる。この場合、シアノ基（−ＣＮ基）を有するモノマー単位の含有量は、良好な架橋特性および耐熱性の観点から、ＴＦＥ単位と一般式（１３）、（１４）および（１５）で表されるフルオロモノマー単位との合計量に対して、０．１〜５モル％であってよく、０．３〜３モル％であってよい。さらに好適な組成は、上述したとおりである。
【００６４】
また、シアノ基（−ＣＮ基）を有するモノマーとしては、たとえば、
式：ＣＹ１２＝ＣＹ１（ＣＦ２）ｎ−ＣＮ
（式中、Ｙ１は、それぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子、ｎは１〜８の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｒｆ８−ＣＮ
（式中、Ｒｆ８は−（ＯＣＦ２）ｎ−または−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ−であり、ｎは０〜５の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｍ（ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２）ｎＯＣＨ２ＣＦ２−ＣＮ
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは０〜５の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２（ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは０〜５の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦ（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｍＯ（ＣＦ２）ｎ−ＣＮ
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜８の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦ（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｍ−ＣＮ
（式中、ｍは１〜５の整数）
式：ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２（ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２）ｎＣＦ（−ＣＮ）ＣＦ３
（式中、ｎは１〜４の整数）
式：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）ｎＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
（式中、ｎは２〜５の整数）
式：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）ｎ−（Ｃ６Ｈ４）−ＣＮ
（式中、ｎは１〜６の整数）
式：ＣＦ２＝ＣＦ（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｎＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
（式中、ｎは１〜２の整数）
式：ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２Ｏ（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
（式中、ｎは０〜５の整数）、
式：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｍ（ＣＦ２）ｎ−ＣＮ
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜３の整数である）
式：ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
式：ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＨ２ＣＦ２−ＣＮ
式：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＮ
（式中、ｍは０以上の整数である）
式：ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２）ｎ−ＣＮ
（式中、ｎは１以上の整数）
式：ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２−ＣＮ
で表されるモノマーなどがあげられ、これらをそれぞれ単独で、または任意に組み合わせて用いることができる。
【００６５】
上記の中でも、
式：ＣＦ２＝ＣＦ（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｍＯ（ＣＦ２）ｎ−ＣＮ
（式中、ｍは０〜５の整数、ｎは１〜８の整数である）で表されるモノマーが好ましく、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＮがより好ましい。
【００６６】
これらのパーフルオロエラストマーは、常法により製造することができる。
【００６７】
かかるパーフルオロエラストマーの具体例としては、国際公開第９７／２４３８１号、特公昭６１−５７３２４号公報、特公平４−８１６０８号公報、特公平５−１３９６１号公報などに記載されているフッ素ゴムなどがあげられる。
【００６８】
主鎖末端および／または側鎖にシアノ基（−ＣＮ基）を有する部分フッ素化エラストマーとしては、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／プロピレン／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロエチレン（ＨＦＰ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）系フッ素ゴム、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）系フッ素ゴム、フルオロシリコーン系フッ素ゴム、またはフルオロホスファゼン系フッ素ゴムなどがあげられ、これらをそれぞれ単独で、または本開示の効果を損なわない範囲で任意に組み合わせて用いることができる。
【００６９】
ビニリデンフルオライド系フッ素ゴムとは、ビニリデンフルオライド４５〜８５モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５５〜１５モル％とからなる含フッ素共重合体をいう。好ましくは、ビニリデンフルオライド５０〜８０モル％と、ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマー５０〜２０モル％とからなる含フッ素共重合体をいう。
【００７０】
ビニリデンフルオライドと共重合可能な少なくとも１種の他のモノマーとしては、たとえば、ＴＦＥ、ＣＴＦＥ、トリフルオロエチレン、ＨＦＰ、トリフルオロプロピレン、テトラフルオロプロピレン、ペンタフルオロプロピレン、トリフルオロブテン、テトラフルオロイソブテン、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、フッ化ビニルなどのフルオロモノマー、エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテルなどの非フッ素化モノマーがあげられる。これらをそれぞれ単独で、または、任意に組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、ＴＦＥ、ＨＦＰ、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）が好ましい。
【００７１】
具体的なゴムとしては、ＶｄＦ−ＨＦＰ系ゴム、ＶｄＦ−ＨＦＰ−ＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ−ＣＴＦＥ系ゴム、ＶｄＦ−ＣＴＦＥ−ＴＦＥ系ゴムなどがあげられる。
【００７２】
これらの部分フッ素化エラストマーは、常法により製造することができる。
【００７３】
また、含フッ素エラストマーとして、エラストマー性含フッ素ポリマー鎖セグメントと非エラストマー性含フッ素ポリマー鎖セグメントからなる熱可塑性フッ素ゴムを用いてもよい。
【００７４】
本開示の組成物は、架橋剤をさらに含有することが好ましい。上記架橋剤としては、パーオキサイド架橋、ポリオール架橋、ポリアミン架橋、トリアジン架橋、オキサゾール架橋、イミダゾール架橋、および、チアゾール架橋において用いる架橋剤が挙げられる。上記含フッ素ポリマーが主鎖末端および／または側鎖にシアノ基（−ＣＮ基）を有する含フッ素エラストマーである場合、架橋剤としては、オキサゾール架橋剤、イミダゾール架橋剤およびチアゾール架橋剤からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００７５】
パーオキサイド架橋において用いる架橋剤は、熱や酸化還元系の存在下で容易にパーオキシラジカルを発生し得る有機過酸化物であればよく、具体的には、たとえば１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジヒドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（パーブチルＤ）、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド（パーブチルＣ）、ジクミルパーオキサイド（パークミルＤ、パークミルＤ−４０、パークミルＤ−４０ＭＢ（Ｔ））、α，α−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（パーヘキサ２５Ｂ、パーヘキサ２５Ｂ−４０）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−ヘキシン−３（パーヘキシン２５Ｂ、パーヘキシン２５Ｂ−４０）、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン（パーヘキサ２５Ｚ）、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸（ｔ−ブチルＭＡ）、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート（パーブチルＩ−７５）、メチルエチルケトンパーオキサイド（パーメックＤ（ＤＲ）、パーメックＨ（ＨＲ、ＨＹ）、パーメックＮ（ＮＲ、ＮＹ）、パーメックＳ（ＳＲ）、パーメックＦ（ＦＲ）、パーメックＧ（ＧＲ、ＧＹ））、シクロヘキサノンパーオキサイド（パーヘキサＨ）、アセチルアセトンパーオキサイド（パーキュアーＡＨ、ＡＬ）、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（パーヘキサＴＭＨ）、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン（パーヘキサＨＣ）、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン（パーヘキサＭＣ）、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン（パーヘキサＣ−８０（Ｓ）、パーヘキサＣ−７５（ＥＢ）、パーヘキサＣ（Ｃ）、パーヘキサＣ−４０、パーヘキサＣ−４０ＭＢ（Ｓ））、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン（パーヘキサ２２）、４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ペンタン酸ブチル（パーヘキサＶ、パーヘキサＶ−４０（Ｆ））、２，２−ジ（４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキシル）プロパン（パーテトラＡ）、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド（パーメンタＨ）、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド（パークミルＰ）、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド（パーオクタＨ）、クメンヒドロパーオキサイド（パークミルＨ−８０）、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド（パーブチルＨ−６９）、ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン（パーブチルＰ、パーブチルＰ−４０、ペロキシモンＦ−４０、パーブチルＰ−４０ＭＢ（Ｋ））、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド（パーヘキシルＤ）、ジイソブチリルパーオキサイド（パーロイルＩＢ）、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド（パーロイル３５５（Ｓ））、ジラウロイルパーオキサイド（パーロイルＬ）、ジコハク酸パーオキサイド（パーロイルＳＡ）、ジ−（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３−メチル��ンゾイル）パーオキサイド、及び、ジベンゾイルパーオキサイドの混合物（ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０、ナイパーＢＭＴ−Ｍ）、ジベンゾイルパーオキサイド（ナイパーＢＷ、ナイパーＢＯ、ナイパーＦＦ、ナイパーＢＳ、ナイパーＥ、ナイパーＮＳ）、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド（ナイパーＰＭＢ）、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート（パーロイルＮＰＰ−５０Ｍ）、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート（パーロイルＩＰＰ−５０、パーロイルＩＰＰ−２７）、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート（パーロイルＴＣＰ）、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート（パーロイルＯＰＰ）、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート（パーロイルＳＢＰ）、クミルパーオキシネオデカノエート（パークミルＮＤ、パークミルＮＤ−５０Ｅ）、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート（パーオクタＮＤ、パーオクタＮＤ−５０Ｅ）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート（パーヘキシルＮＤ、パーヘキシルＮＤ−５０Ｅ）、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート（パーブチルＮＤ、パーブチルＮＤ−５０Ｅ）、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート（パーブチルＮＨＰ）、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート（パーヘキシルＰＶ、パーヘキシルＰＶ−５０Ｅ）、ｔ−ブチルパーオキシピバレート（パーブチルＰＶ、パーブチルＰＶ−４０Ｅ）、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（パーオクタＯ）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン（パーヘキサ２５Ｏ）、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（パーヘキシルＯ、パーキュアーＨＯ（Ｎ））、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（パーブチルＯ、パーキュアーＯ）、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（パーヘキシルＩ）、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート（パーブチル３５５）、ｔ−ブチルパーオキシラウレート（パーブチルＬ）、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（パーブチルＥ）、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート（パーヘキシルＺ）、ｔ−ブチルパーオキシアセテート（パーブチルＡ）、ｔ−ブチルパーオキシ−３−メチルベンゾエート及びｔ−ブチルパーオキシベンゾエートの混合物（パーブチルＺＴ）、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（パーブチルＺ）、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート（ペロマーＡＣ）、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン（ＢＴＴＢ−２５）、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン（ノフマーＢＣ−９０）などをあげることができる。なかでも、好ましいものは、ジアルキルタイプのものである。さらに、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンが特に好ましい。一般に活性−Ｏ−Ｏ−の量、分解温度などを考慮して有機過酸化物の種類並びに使用量が選ばれる。
【００７６】
また、パーオキサイド架橋において用いることのできる架橋助剤としては、パーオキシラジカルとポリマーラジカルに対して反応活性を有する化合物であればよく、たとえば−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＦ＝ＣＦ２、−Ｃ（ＣＦ３）＝ＣＦ２、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＦ（ＣＦ３）、−ＣＦ＝ＣＦ（ＣＨ３）、−Ｃ（Ｃ６Ｈ５）＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＦ（Ｃ６Ｈ５）、−ＣＨ＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−Ｃ（ＣＦ３）＝ＣＨＦ、−ＣＦ＝ＣＨ（ＣＦ３）、−ＣＨ＝ＣＦ（ＣＦ３）などの官能基を有する多官能性化合物があげられる（各式中の「Ｃ６Ｈ５」はフェニル基を表す）。具体的には、たとえばトリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）、トリアクリルホルマール、トリアリルトリメリテート、Ｎ，Ｎ’−ｎ−フェニレンビスマレイミド、ジプロパギルテレフタレート、ジアリルフタレート、テトラアリルテレフタレートアミド、トリアリルホスフェート、ビスマレイミド、フッ素化トリアリルイソシアヌレート（１，３，５−トリス（２，３，３−トリフルオロ−２−プロペニル）−１，３，５−トリアジン２，４，６−トリオン）、トリス（ジアリルアミン）−Ｓ−トリアジン、亜リン酸トリアリル、Ｎ，Ｎ−ジアリルアクリルアミド、１，６−ジビニルドデカフルオロヘキサンなどがあげられる。
【００７７】
また、パーオキサイド架橋剤とともに用いる架橋助剤としては、一般式（３１）：
【化１】
0006881541.tif 000002
（式中、６つのＲ３１は、それぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン原子、または、エーテル結合が挿入されていてもよい、任意選択的にハロゲン化された１〜５の炭素原子を有する基であり、Ｚ３１は、ヘテロ原子を任意選択的に含有する、線状若しくは分岐状の炭素数１〜１８の任意選択的にハロゲン化されたアルキレン基、シクロアルキレン基、または、（パー）フルオロポリオキシアルキレン基）で表される化合物を挙げることもできる。
【００７８】
一般式（３１）で表される化合物としては、一般式（３２）：
【化２】
0006881541.tif 000003
（式中、ｊは、２〜１０の整数、好ましくは４〜８の整数であり、４つのＲ３２は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｆまたは炭素数１〜５のアルキル基若しくは（パー）フルオロアルキル基である）で表される化合物、一般式（３３）：
【化３】
0006881541.tif 000004
（式中、Ｙ３１は、それぞれ独立して、Ｆ、ＣｌまたはＨであり、Ｙ３２は、それぞれ独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＨまたはＯＲ３３（ここで、Ｒ３３は、部分的に、実質的にまたは完全にフッ化若しくは塩素化されていてもよい、分岐若しくは直鎖のアルキル基である）であり、Ｚ３３は、エーテル結合が挿入されていてもよい、任意選択的にフッ素化された、２〜１０個の炭素原子を有する二価の基であり、好ましくはＺ３３は、ｍが３〜５の整数である、−（ＣＦ２）ｍ−基であり、一般式（３３）で表される化合物は、好ましくはＦ２Ｃ＝ＣＦ−Ｏ−（ＣＦ２）５−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２である）で表される化合物、一般式（３４）：
【化４】
0006881541.tif 000005
（式中、Ｙ３１、Ｙ３２およびＺ３３は、上記のとおりであり、Ｒ３４は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｆまたは炭素数１〜５のアルキル基若しくは（パー）フルオロアルキル基である）で表される化合物などを挙げることができる。
【００７９】
架橋剤、または、パーオキサイド架橋剤とともに用いる架橋助剤としては、一般式（３５）：
【化５】
0006881541.tif 000006
【００８０】
（式中、Ｒ３５〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、または、置換もしくは非置換のアリール基であり、Ｒ３５〜Ｒ３７の少なくとも１つは、フッ素原子またはフッ素原子を含む基である。ｍは１〜５の整数である。ｍが２以上である場合、ｍ個のＲ３５〜Ｒ３７は、それぞれ、同じであっても、異なっていてもよい。ベンゼン環の水素原子は、置換されていてもよい。）で表される構造を、少なくとも１つ有する化合物を挙げることもできる。ｍが１の場合は、該構造を２以上有することが好ましい。
【００８１】
一般式（３６）で表される構造を有する化合物としては、一般式（３６）：
【化６】
0006881541.tif 000007
【００８２】
（式中、Ｒ３５〜Ｒ３７は、上記のとおり。ｐは０〜２の整数であり、ｎは２〜６の整数である。）で表される化合物、一般式（３７）：
【化７】
0006881541.tif 000008
【００８３】
（式中、Ｒ３５〜Ｒ３７は、上記のとおり。Ｒ３８は、単結合手、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、ヘテロ原子含有基、置換もしくは非置換のアルキレン基、置換もしくは非置換のシクロアルキレン基または置換もしくは非置換のアリーレン基である。ｍは１〜５の整数である。これらの基は一部又は全部がフッ素化されていてもよい。）で表される化合物などを挙げることができる。
【００８４】
ヘテロ原子含有基としては、ヘテロ原子を含有する２価の基であれば、特に限定されない。ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子が例示できる。
【００８５】
ポリオール架橋に用いる架橋剤としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦなどの多価アルコール化合物があげられる。
【００８６】
ポリアミン架橋に用いる架橋剤としては、ヘキサメチレンジアミンカルバメート、Ｎ，Ｎ’−ジシンナミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、４，４’−ビス（アミノシクロヘキシル）メタンカルバメートなどの多価アミン化合物があげられる。
【００８７】
トリアジン架橋に用いる架橋剤としては、テトラフェニルスズ、トリフェニルスズなどの有機スズ化合物があげられる。
【００８８】
オキサゾール架橋、イミダゾール架橋、チアゾール架橋に使用する架橋剤としては、たとえば一般式（４１）：
【００８９】
【化８】
0006881541.tif 000009
【００９０】
（式中、Ｒ４１は−ＳＯ２−、−Ｏ−、−ＣＯ−、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基または単結合手、または、
【００９１】
【化９】
0006881541.tif 000010
【００９２】
で示される基であり、Ｒ４２およびＲ４３は一方が−ＮＨ２であり他方が−ＮＨＲ４４、−ＮＨ２、−ＯＨまたは−ＳＨであり、Ｒ４４は水素原子、フッ素原子または一価の有機基であり、好ましくはＲ４２が−ＮＨ２でありＲ４３が−ＮＨＲ４４である。炭素数１〜６のアルキレン基の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などをあげることができ、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基としては、
【００９３】
【化１０】
0006881541.tif 000011
【００９４】
などがあげられる。なお、これらの化合物は、特公平２−５９１７７号公報、特開平８−１２０１４６号公報などで、ビスジアミノフェニル化合物の例示として知られているものである）で表されるビスジアミノフェニル系架橋剤、ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノール系架橋剤、一般式（４２）：
【００９５】
【化１１】
0006881541.tif 000012
（Ｒ４１は、上記のとおり、Ｒ４５は、それぞれ独立に、以下の基のいずれかである。）
【化１２】
0006881541.tif 000013
【００９６】
で表されるビスアミドラゾン系架橋剤、一般式（４３）：
【００９７】
【化１３】
0006881541.tif 000014
【００９８】
（式中、Ｒｆ４１は炭素数１〜１０のパーフルオロアルキレン基である）で表されるアミドラゾン系架橋剤、または一般式（４４）：
【００９９】
【化１４】
0006881541.tif 000015
【０１００】
（式中、ｎは１〜１０の整数である）で表されるビスアミドオキシム系架橋剤、一般式（４５）：ＨＮ＝ＣＲ４５Ｒ４６
（式中、Ｒ４５は、Ｈ、ＮＨ２、およびＮＨＲ４７からなる群から選択され、Ｒ４６は、Ｐｈ、ＳＯ２Ｈ、ＮＲ４８Ｒ４９、２−ピリジン、およびＣＨ２ＣＯＮＨ２からなる群から選択され、Ｒ４７は、Ｐｈ、ＮＨ２、およびＣＮからなる群から選択され、Ｒ４８は、Ｈ、ＮＨＰｈ、ＣＨ２ＣＯＮＨ２、炭素数１〜８の直鎖アルキル基、および炭素数１〜８の分枝アルキル基からなる群から選択され、かつ、Ｒ４９は、Ｐｈ、ＣＯＯＣ（ＣＨ３）３、ＮＨ２、ＣＨ２ＣＯＯＨ、ＣＳＮＨ２、ＣＮＨＮＨ３＋Ｃｌ−、ｐ−フェニルＣＮ、
【化１５】
0006881541.tif 000016
および、ＣＯＰｈからなる群から選択される）で表される化合物などがあげられる。これらのビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノール系架橋剤またはビスジアミノフェニル系架橋剤などは従来シアノ基を架橋点とする架橋系に使用していたものであるが、カルボキシル基およびアルコキシカルボニル基とも反応し、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環を形成し、架橋物を与える。
【０１０１】
また、架橋剤としては、一般式（４６）：Ｘ４１−（ＣＨ２）ｎ−Ｒ５０−（ＣＨ２）ｍ−Ｘ４１（式中、Ｘ４１は、それぞれ独立に、アルキン基、ニトリル基またはＹ４１ＰＮ３（Ｙ４１は、ＳＯ、ＳＯ２、Ｃ６Ｈ４またはＣＯであり、ｐは０または１である）であり、ｎ、ｍは独立して１〜４の整数であり、Ｒ５０は、
ｉ）炭素数３〜１０のフルオロアルキレン基、
ｉｉ）炭素数３〜１０のフルオロアルコキシレン基、
ｉｉｉ）置換アリーレン基、
ｉｖ）フッ化ビニリデンおよびパーフルオロ（メチルビニルエーテル）の共重合単位を含むオリゴマー、
ｖ）フッ化ビニリデンおよびヘキサフルオロプロピレンの共重合単位を含むオリゴマー、
ｖｉ）テトラフルオロエチレンおよびパーフルオロ（メチルビニルエーテル）の共重合単位を含むオリゴマー、および、
ｖｉｉ）テトラフルオロエチレンおよび炭化水素オレフィンの共重合単位を含むオリゴマーからなる群から選択される）で表される架橋剤を挙げることもできる。この架橋剤は、ニトリル基、アジド基、スルホニルアジド基、カルボニルアジド基またはアルキン基を有する含フッ素エラストマーとともに用いることが好ましい。たとえば、含フッ素エラストマーのニトリル基と、架橋剤のアジド基とが反応して、テトラゾール環を形成し、架橋物を与える。
【０１０２】
とくに好ましい架橋剤としては、複数個の３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル基、もしくは３−アミノ−４−メルカプトフェニル基を有する化合物、または一般式（４７）：
【０１０３】
【化１６】
0006881541.tif 000017
【０１０４】
（式中、Ｒ４１、Ｒ４２およびＲ４３は上記のとおり）で表される化合物があげられ、具体的には、たとえば２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（一般名：ビス（アミノフェノール）ＡＦ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−メルカプトフェニル）ヘキサフルオロプロパン、テトラアミノベンゼン、ビス−３，４−ジアミノフェニルメタン、ビス−３，４−ジアミノフェニルエーテル、２，２−ビス（３，４−ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−メチルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−エチルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−プロピルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−パーフルオロフェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−ベンジルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンなどである。
【０１０５】
これらの中でも、架橋剤としては耐熱性、耐スチーム性、耐アミン性、良好な架橋性の点から、２，２−ビス［３−アミノ−４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンが好ましい。
【０１０６】
上記架橋剤の含有量は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して、好ましくは０．０５〜１０質量部であり、より好ましくは０．５〜５質量部である。
【０１０７】
上記組成物は、充填剤（ただし、上記ケイ素酸化物を除く）を含有してもよい。
【０１０８】
上記ケイ素酸化物以外の充填剤としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどのイミド構造を有するイミド系フィラー、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリオキシベンゾエートなどのエンジニアリングプラスチック製の有機物フィラー、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化イットリウムなどの金属酸化物フィラー、炭化ケイ素、炭化アルミニウムなどの金属炭化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物フィラー、フッ化アルミニウム、フッ化カーボン、硫酸バリウム、カーボンブラック、シリカ、クレー、タルクなどの無機物フィラーがあげられる。
【０１０９】
これらの中でも、各種プラズマの遮蔽効果の点から、カーボンブラック、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化イットリウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ポリイミド、フッ化カーボンが好ましい。
【０１１０】
また、無機物フィラー、有機物フィラーを単独で、または２種以上を組み合わせて配合してもよい。
【０１１１】
上記ケイ素酸化物以外の充填剤の配合量は、含フッ素ポリマー１００質量部に対して、好ましくは０．５〜１００質量部、より好ましくは５〜５０質量部である。
【０１１２】
とくに高純度かつ非汚染性が要求されない分野では、必要に応じて含フッ素ポリマー組成物に配合される通常の添加物、たとえば加工助剤、可塑剤、着色剤などを配合することができ、前記のものとは異なる常用の架橋剤や架橋助剤を１種またはそれ以上配合してもよい。
【０１１３】
上記組成物は、有機塩基性化合物を含有してもよい。有機塩基性化合物としては、式：ＣＨ３（ＣＨ２）１７−ＮＨ２のオクダデシルアミン；
式：Ｈ２Ｎ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）１１−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２）７ＣＨ３のエルカアミド；
式：Ｈ２Ｎ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）７−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２）７ＣＨ３のオレアミド；
式：Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）６−ＮＨ２のヘキサメチレンジアミン
式：
【化１７】
0006881541.tif 000018
の１，８−ジアザビシクロウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）等を挙げることができる。
【０１１４】
上記組成物は、上記の各成分を、通常のポリマー用加工機械、たとえば、オープンロール、バンバリーミキサー、ニーダーなどを用いて混合することにより調製することができる。この他、密閉式混合機を用いる方法によっても調製することができる。
【０１１５】
上記組成物は、架橋して架橋物を得るための架橋性組成物として好適に使用できる。
【０１１６】
本開示の架橋物は、上述した組成物を架橋することにより得ることができる。架橋物を得るための組成物は、架橋剤を含有することが好ましい。本開示の架橋物は、空気中の酸素を吸着することができる。したがって、本開示の架橋物を、半導体製造装置などの密閉空間を備える装置のシール材などに用いることによって、密閉空間中の酸素を吸着して、密閉空間中の酸素濃度を低減したり、外部から密閉空間内への酸素の侵入を抑制したりすることができる。さらには、本開示の架橋物は、含フッ素ポリマーを含有しているので、耐熱性および耐プラズマ性にも優れている。
【０１１７】
架橋物が酸素を吸着できることは、たとえば、架橋物を空気中で加熱した場合に、架橋物の重量が増加することを確認する方法より、確認することができる。架橋物中に含まれる含フッ素ポリマーは耐熱性に優れており、加熱により重量がほとんど増加しない。したがって、空気中で加熱することにより重量が増加する本開示の組成物は、新規な組成物である。
【０１１８】
上記架橋は、一次架橋、二次架橋の順で、行うことができる。一次架橋は、１５０〜２００℃で５〜１２０分間行うことが好ましく、１６０〜１９０℃で５〜６０分間行うことがより好ましい。架橋手段としては、公知の架橋手段を用いればよく、例えば、プレス架橋などをあげることができる。
【０１１９】
二次架橋は、１７０〜３２０℃で２〜２４時間行うことが好ましく、１８０〜３１０℃で５〜２０時間行うことがより好ましい。架橋手段としては、公知の架橋手段を用いれば良く、例えば、オーブン架橋などをあげることができる。また、窒素ガスなどの不活性ガス中で架橋させることにより、得られる架橋物の酸素吸着能を一層向上させることができる。
【０１２０】
上記組成物を成形して予備成形体を得た後、架橋することにより、架橋物（成形品）を得てもよい。上記組成物を成形して予備成形体を得る方法は通常の方法でよく、金型にて加熱圧縮する方法、加熱された金型に圧入する方法、押出機で押出す方法など公知の方法で行なうことができる。ホースや電線などの押出製品の場合は押出後にスチームなどによる加熱架橋を行なうことで、架橋物を得ることができる。
【０１２１】
本開示の架橋物は、特に耐熱性が要求される半導体製造装置、特に高密度プラズマ照射が行なわれる半導体製造装置のシール材として好適に使用できる。上記シール材としては、Ｏ−リング、角−リング、ガスケット、パッキン、オイルシール、ベアリングシール、リップシール等が挙げられる。
そのほか、半導体製造装置に使用される各種のポリマー製品、例えばダイヤフラム、チューブ、ホース、各種ゴムロール、ベルト等としても使用できる。また、コーティング用材料、ライニング用材料としても使用できる。
【０１２２】
なお、本開示でいう半導体製造装置は、特に半導体を製造するための装置に限られるものではなく、広く、液晶パネルやプラズマパネルを製造するための装置等、高度なクリーン度が要求される半導体分野において用いられる製造装置全般を含むものであり、例えば次のようなものを挙げることができる。
【０１２３】
（１）エッチング装置
ドライエッチング装置
プラズマエッチング装置
反応性イオンエッチング装置
反応性イオンビームエッチング装置
スパッタエッチング装置
イオンビームエッチング装置
ウェットエッチング装置
アッシング装置
（２）洗浄装置乾式エッチング洗浄装置
ＵＶ／Ｏ３洗浄装置
イオンビーム洗浄装置
レーザービーム洗浄装置
プラズマ洗浄装置
ガスエッチング洗浄装置
抽出洗浄装置
ソックスレー抽出洗浄装置
高温高圧抽出洗浄装置
マイクロウェーブ抽出洗浄装置
超臨界抽出洗浄装置
（３）露光装置
ステッパー
コータ・デベロッパー
（４）研磨装置
ＣＭＰ装置
（５）成膜装置
ＣＶＤ装置
スパッタリング装置
（６）拡散・イオン注入装置
酸化拡散装置
イオン注入装置
【０１２４】
本開示の架橋物は、例えば、ＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、反応性イオンエッチング装置、アッシング装置またはエキシマレーザー露光機のシール材として優れた性能を発揮する。
【０１２５】
以上、実施形態を説明したが、特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。
【実施例】
【０１２６】
つぎに本開示の実施形態について実施例をあげて説明するが、本開示はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【０１２７】
実施例の各数値は以下の方法により測定した。
【０１２８】
＜含フッ素エラストマーのモノマー単位組成＞
１９Ｆ−ＮＭＲ分析により求めた。
【０１２９】
＜含フッ素エラストマーのムーニー粘度＞
ＡＬＰＨＡ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ社製  ムーニー粘度計ＭＶ２０００Ｅ型を用いて、１７０℃において、ＪＩＳ  Ｋ６３００に従い測定した。
【０１３０】
＜重量増加率＞
厚さ２ｍｍの被験サンプルを用いて、１０ｍｇの大きさの重量増加率を測定するためのサンプルを作製した。示差熱熱重量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製  ＴＧ／ＤＴＡ７２００）を用い、空気２００ｍｌ／ｍｉｎ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、常温〜６００℃の条件で、サンプルの重量変化を測定した。縦軸を重量変化率（％）、横軸を温度（℃）としたグラフに、ＴＧ曲線を描き、４００℃まで到達した時点での重量の増加量を初期重量に対する百分率で示した。０％を超える重量増加率は、サンプルが酸素を吸着したことを意味する。また、重量増加率が大きいほど、サンプルの酸素吸着量が大きいことを意味する。
【０１３１】
＜常態物性＞
ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準じて、厚さ２ｍｍの被験サンプルの常態（２５℃）での１００％引張応力（ＭＰａ）、引張強度（ＭＰａ）、伸び（％）、硬度Ｐｅａｋ（Ｓｈｏｒｅ  Ａ）を測定した。
【０１３２】
製造例（ケイ素酸化物の製造）
原料粉末には、ＳｉＯ２粉末とＳｉ粉末との混合粉末を用いた。プラズマガスとして水素ガスとアルゴンガスを用いて、熱プラズマ炎を発生させ、キャリアガスとしてアルゴンガスを用い、混合粉末を熱プラズマ炎に供給することにより、一般式：ＳｉＯｘ（０＜ｘ＜２）で表されるケイ素酸化物粒子を作製した。
得られた粒子について、島津製作所社製  Ｘ線光電子分析装置ＥＳＣＡ−３４００にて粒子を構成する元素の組成を分析した。その結果、ケイ素と酸素の構成比率はケイ素４１ａｔｏｍｉｃ％、酸素５９ａｔｏｍｉｃ％であった。
【０１３３】
また、日本ベル社製  比表面積・細孔分布測定装置ＢＥＬＳＯＡＰ−ｍｉｎｉＩＩを用いて、得られた粒子の比表面積を測定し、この比表面積から換算して得られた粒子の粒径を求めた結果、得られた粒子の粒径は２２ｎｍであった。
【０１３４】
実施例１
含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＮ＝５９．３／３９．９／０．８（モル％）、ムーニー粘度（ＭＬ１＋２０（１７０℃）＝８０）１００質量部に対して、製造例で得られたケイ素酸化物を１０質量部、架橋剤として４，４’−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビス［Ｎ１−フェニル−１，２−ベンゼンジアミン］を０．８質量部、配合したものをオープンロールにて混練して、架橋性組成物を調製した。
【０１３５】
得られた架橋性組成物を１８０℃で３０分間プレスして架橋を行ったのち、さらに窒素環境下にて２９０℃で１８時間オーブン架橋を施し、厚さ２ｍｍの架橋物の被験サンプルを作製した。
【０１３６】
得られた架橋物の常態物性を上記した方法により測定した。結果を表１に示す。
【０１３７】
さらに、得られた架橋物の被験サンプルの重量変化を上記した方法により測定した。その結果、４００℃に到達した時点の重量増加率は０．１８％であった。
【０１３８】
実施例２
ケイ素酸化物の含有量を、含フッ素エラストマー１００質量部に対して、２０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にして、架橋性組成物を調製し、厚さ２ｍｍの架橋物の被験サンプルを作製した。同様に評価した結果を表１に示す。また、４００℃に到達した時点の重量増加率は０．５１％であった。
【０１３９】
【表１】
0006881541.tif 000019