(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の主面に形成され、当該主面に形成された他の配線から絶縁されたダミー電極と、を備えており、
前記基板には、前記ダミー電極に接続されたスルービア又はブラインドビアであるダミービアと、前記ダミービアとは異なり、かつ、スルービア又はブラインドビアである他のビアとが形成されており、
前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなるように構成されている、
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記ダミービアの一方の端部は前記ダミー電極に接続され、
前記ダミービアの他方の端部は前記基板に形成されたグランドと接続され、
前記ダミー電極に接続され、前記ダミー電極が前記グランドと導通しているか否かを検出するセンサを更に備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記ダミービアは、内部空間を有する筒状の導体膜により構成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記ダミービアは、前記内部空間が密閉されており、
前記他のビアは、開放された内部空間を有する筒状の導体膜により構成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記ダミービアを構成する導体層の厚みは、前記他のビアを構成する導体層の厚みよりも薄い、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記ダミービアの直径は、前記他のビアの直径よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプリント基板。
【請求項７】
前記基板には、熱源となる素子が実装されており、
前記素子から前記ダミービアまでの距離は、前記素子から前記他のビアまでの距離よりも短い、
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のプリント基板。
【請求項８】
前記基板は、複数の誘電体層を含み、
前記ダミービアが貫通する誘電体層の層数は、前記他のビアが貫通する誘電体層の層数よりも多い、
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のプリント基板。
【請求項９】
前記基板には、破断し易さが異なる２以上の前記ダミービアが形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載のプリント基板。
【請求項１０】
請求項２〜９までの何れか１項に記載のプリント基板に形成された前記他のビアの破断を予知する予知方法であって、
前記ダミー電極が前記基板に形成されたグランドと導通しているか否かを判定する工程を含んでいる、
ことを特徴とする予知方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のプリント基板における前記他のビアの破断時期を予知する予知方法であって、
前記ダミービアとして前記基板に形成された各ビアの破断時期に基づいて、前記基板に形成された他のビアの破断時期を予知する工程を含んでいる、
ことを特徴とする予知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビアが形成された基板を備えたプリント基板と、このようなプリント基板に形成されたビアの破断を予知する予知方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、広く用いられているプリント基板は、１又は複数の誘電体層（例えば液晶ポリマー製）により構成された基板を備えており、当該基板には、複数のビアが形成されている（例えば非特許文献１参照）。これらの複数のビアは、基板に対して貫通孔又は非貫通孔を形成したうえで、その貫通孔又は非貫通孔の内壁に導体膜（例えば銅製）を形成することによって得られる。これらのビアは、基板の一対の主面の各々に形成された導体膜同士を短絡したり、基板の一方の主面に形成された導体膜と、基板の内層に形成された導体膜とを短絡したりする。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Tsuneo Kobayashi et. al.，2000 Electronic Components and Technology Conference ，p.1658，2000
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非特許文献１には、上述のようなプリント基板を実際に使用する場合、ビアが破断することによりビアの導通不良が生じ得ることが記載されている。このビアの破断の原因は、以下のように考えられる。
【０００５】
プリント基板の基板は、外部環境の温度変化に応じて膨張又は収縮を繰り返す。このような膨張又は収縮に伴い、ビアを構成する導体膜には応力が繰り返し印加され、やがて、ビアを構成する導体膜の一部が破断する。この応力は、基板を構成する材料（例えば液晶ポリマー）と導体膜を構成する材料（例えば銅）との熱膨張係数が異なることに起因して発生する。
【０００６】
本発明の一態様に係るプリント基板及び予知方法は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ビアが形成された基板を備えたプリント基板において、ビアの破断を予知することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係るプリント基板は、基板と、前記基板の一方の主面に形成され、当該主面に形成された他の配線から絶縁されたダミー電極と、を備えており、前記基板には、前記ダミー電極に接続されたスルービア又はブラインドビアであるダミービアと、前記ダミービアとは異なり、かつ、スルービア又はブラインドビアである他のビアとが形成されており、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなるように構成されている。
【０００８】
上記の構成によれば、前記ダミービアの破断を検知することによって、前記基板に形成された他のビア（前記ダミービア以外のビア）の破断を予知することができる。
【０００９】
また、本発明の第２の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様において、前記ダミービアの一方の端部は前記ダミー電極に接続され、前記ダミービアの他方の端部は前記基板に形成されたグランドと接続され、前記ダミー電極に接続され、前記ダミー電極が前記グランドと導通しているか否かを検出するセンサを更に備えている。
【００１０】
上記の構成によれば、前記センサの検出結果を参照して前記ダミービアの破断を検知することによって、前記基板に形成された他のビアの破断を予知することができる。
【００１１】
また、本発明の第３の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様又は第２の態様において、前記ダミービアは、内部空間を有する筒状の導体膜により構成されている。
【００１２】
上記の構成によれば、前記ダミービアの破断が生じ易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００１３】
また、本発明の第４の態様に係るプリント基板は、上述した第３の態様において、前記ダミービアは、前記内部空間が密閉されており、前記他のビアは、開放された内部空間を有する筒状の導体膜により構成されている。
【００１４】
上記の構成によれば、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００１５】
また、本発明の第５の態様に係るプリント基板は、上述した第３の態様又は第４の態様において、前記ダミービアを構成する導体層の厚みは、前記他のビアを構成する導体層の厚みよりも薄い、ように構成されている。
【００１６】
上記の構成によれば、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００１７】
また、本発明の第６の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様〜第５の態様のいずれかにおいて、前記ダミービアの直径は、前記他のビアの直径よりも小さい、ように構成されている。
【００１８】
上記の構成によれば、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００１９】
また、本発明の第７の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様〜第６の態様のいずれかにおいて、前記基板には、熱源となる素子が実装されており、前記素子から前記ダミービアまでの距離は、前記素子から前記他のビアまでの距離よりも短い、ように構成されている。
【００２０】
上記の構成によれば、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００２１】
また、本発明の第８の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様〜第７の態様のいずれかにおいて、前記基板は、複数の誘電体層を含み、前記ダミービアが貫通する誘電体層の層数は、前記他のビアが貫通する誘電体層の層数よりも多い。
【００２２】
上記の構成によれば、前記ダミービアは、前記他のビアよりも破断し易くなる。したがって、前記他のビアが破断する前に前記他のビアの破断を予知できる確率が高くなる。
【００２３】
また、本発明の第８の態様に係るプリント基板は、上述した第１の態様〜第８の態様のいずれかにおいて、前記基板には、破断し易さが異なる２以上の前記ダミービアが形成されている。
【００２４】
上記の構成によれば、前記基板に形成された各前記ダミービアの破断時期から前記基板に形成された他のビア（ダミービア以外のビア）の破断時期を予知することが可能になる。
【００２５】
また、本発明の第１０の態様に係る予知方法は、上述した第２の態様〜第９の態様の何れかに形成された前記他のビアの破断を予知する予知方法であって、前記ダミー電極が前記基板に形成されたグランドと導通しているか否かを判定する工程を含んでいる。
【００２６】
上記の方法によれば、前記基板に形成された他のビア（ダミービア以外のビア）の破断を予知することができる。
【００２７】
また、本発明の第１１の態様に係る予知方法は、上述した第９の態様における前記他のビアの破断時期を予知する予知方法であって、前記ダミービアとして前記基板に形成された各ビアの破断時期に基づいて、前記基板に形成された他のビアの破断時期を予知する工程を含んでいる。
【００２８】
上記の方法によれば、前記基板に形成された他のビア（ダミービア以外のビア）の破断時期を予知することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一態様によれば、ビアが形成された基板を備えたプリント基板において、ビアの破断を予知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）及び（ｂ）の各々は、それぞれ、本発明の一実施形態に係るプリント基板の一部の平面図及び断面図である。
【図２】図１に示したプリント基板の第１の変形例の断面図である。
【図３】図１に示したプリント基板の第２の変形例の断面図である。
【図４】図１に示したプリント基板の第３の変形例の断面図である。
【図５】図１に示したプリント基板の第４の変形例の断面図である。
【図６】図１に示したプリント基板の第５の変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
〔プリント基板の構成〕
本発明の第１の実施形態に係るプリント基板１０について、図１を参照して説明する。図１の（ａ）及び（ｂ）の各々は、それぞれ、プリント基板１０の一部の平面図及び断面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）に示したＡ−Ａ’線（スルービアＴＶ１，ＴＶ２の中心軸を通る直線）に沿った断面における断面図である。
【００３２】
図１の（ｂ）に示すように、プリント基板１０は、誘電体層１１，１２，１３、導体層１１１，１１２，１２１，１２２，１３１，１３２、及び樹脂層１４，１５により構成された基板と、複数のスルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・と、シール部材Ｓａ，Ｓｂと、を備えている。すなわち、本実施形態において、プリント基板１０は、多層基板である。なお、本実施形態では多層基板であるプリント基板１０を用いて本発明の一態様について説明するが、プリント基板１０を構成する基板は、単一の誘電体層により構成された単層基板であってもよい。
【００３３】
プリント基板１０は、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）などを実装可能な高周波回路基板である。以下において、導体層１１１，１３２のことをプリント基板１０の表層とも称し、導体層１１２，１２１，１２２，１３１のことをプリント基板１０の内層とも称する。
【００３４】
誘電体層１１，１２，１３は、誘電体製の板状又は層状の部材である。誘電体層１１，１２，１３を構成する誘電体は、限定されるものではなく、実装するＲＦＩＣの動作帯域における損失の大きさなどを考慮して適宜選択することができる。誘電体層１１，１２，１３を構成する誘電体の一例としては、液晶ポリマーや、石英や、ガラスエポキシ樹脂や、ポロテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素樹脂などが挙げられ、本実施形態では、液晶ポリマーを採用している。
【００３５】
導体層１１１，１１２は、誘電体層１１の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている層状部材である。導体層１１１，１１２の各々を構成する導体は、限定されるものではないが、電気抵抗率が小さな金属であることが好ましい。導体層１１１，１１２の各々を構成する導体の一例としては、銅及びアルミニウムが挙げられ、本実施形態では、銅を採用している。
【００３６】
導体層１２１，１２２は、誘電体層１２の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている点を除けば導体層１１１，１１２と同様に構成されている。また、導体層１３１，１３２は、誘電体層１３の一対の主面の各々にそれぞれ形成されている点を除けば導体層１１１，１１２と同様に構成されている。したがって、ここでは、導体層１２１，１２２，１３１，１３２に関する詳しい説明を省略する。
【００３７】
樹脂層１４は、誘電体層１１の導体層１１２または誘電体層１１と、誘電体層１２の導体層１２１または誘電体層１２との間に介在するように形成された層状部材である。樹脂層１４を構成する樹脂は、硬化することによって導体層１１２または誘電体層１１と導体層１２１または誘電体層１２とを接着することができる樹脂であれば限定されるものではない。また、樹脂層１４を構成する樹脂は、紫外線を照射することによって硬化する樹脂であってもよいし、加熱することによって硬化する樹脂であってもよいし、大気中に所定の時間放置することによって硬化する樹脂であってもよい。樹脂層１４を構成する樹脂の一例としては、エポキシ樹脂が挙げられ、本実施形態ではエポキシ樹脂を採用している。
【００３８】
樹脂層１５は、誘電体層１２の導体層１２２と、誘電体層１３の導体層１３１との間に介在するように形成されている点を除けば樹脂層１４と同様に構成されている。したがって、ここでは、樹脂層１５に関する詳しい説明を省略する。
【００３９】
（配線及びグランドパターン）
プリント基板１０の一方の主面を構成する導体層１１１は、まず、誘電体層１１の一方の主面の全体に形成される。その後、導体層１１１の一部を所定の形状に除去する（すなわちパターニングする）ことによって、誘電体層１１の一方の主面には、導体層１１１が残された領域と、導体層が除去された領域とが形成される。導体層１１１が残された領域は、言い換えれば導体パターンであり、その形状に応じて配線として機能したり、グランド層として機能したり、電極として機能したりする。具体的には、図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、導体層１１１はパターニングされ、ダミー電極ＤＥと、配線Ｌ１と、が形成されている。また、図１には図示していないが、導体層１１１はパターニングされ、グランド層が形成されていてもよい。図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダミー電極ＤＥと、配線Ｌ１とは、離間されるとともに絶縁されている。
【００４０】
プリント基板１０の他方の主面を構成する導体層１３２は、導体層１１１と同様に、誘電体層１３の一方の主面の全体に形成され、その後、パターニングされている。その結果、導体層１３２はパターニングされ、パッドＰと、グランドパターンＧとが形成されている。パッドＰとグランドパターンＧとは、アンチパッドＡＰ９により離間されるとともに絶縁されている。
【００４１】
導体層１１２は、誘電体層１１の他方の主面の全体に形成されており、導体層１２１，１２２の各々は、それぞれ、誘電体層１２の一方の主面及び他方の主面の各々の全体に形成されており、導体層１３１は、誘電体層１３の他方の主面の全体に形成されている。プリント基板１０の表層を構成する導体層１１１，１３２と同様に、プリント基板１０の内層を構成する導体層１１２，１２１，１２２，１３１の各々もパターニングされている。導体層１１２，１２１，１２２，１３１の残された領域である導体パターンは、導体層１１１，１３２と同様に、その形状に応じて配線として機能したり、グランド層として機能したり、電極として機能したりする。したがって、ここでは、導体層１１２，１２１，１２２，１３１をパターニングした結果として得られた導体パターンについての説明は省略する。なお、図１の（ｂ）に示すように、導体層１１２はパターニングされ、グランド層とアンチパッドＡＰ１，ＡＰ２とが形成されており、導体層１２１はパターニングされ、グランド層とアンチパッドＡＰ３，ＡＰ４とが形成されており、導体層１２２はパターニングされ、グランド層とアンチパッドＡＰ５，ＡＰ６とが形成されており、導体層１３１はパターニングされ、配線Ｌ２と、グランド層と、アンチパッドＡＰ７，ＡＰ８とが形成されている。なお、図１の（ｂ）においては、導体層１１２，１２１，１２２，１３１をパターニングすることによって形成されるグランドパターンに対して符号を付していない。なお、該グランドパターンの形状及び位置は、適宜設計することができるが、例えば、平面視した場合において、グランドパターンＧと重なる位置に形成することができる。
【００４２】
（スルービアＴＶ１，ＴＶ２）
上述したようにプリント基板１０は、複数のスルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・を備えている。スルービアＴＶ１は、ダミービアの一例であり、スルービア２，・・・の各々は、他のビアの一例である。なお、図１の（ａ）及び（ｂ）には、複数のスルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・のうちスルービアＴＶ１，ＴＶ２のみを図示している。以下では、スルービアＴＶ１，ＴＶ２を用いてダミービア及び他のビアについて説明する。
【００４３】
スルービアＴＶ１，ＴＶ２は、樹脂層１４，１５を用いて接着したあとの誘電体層１１，１２，１３に対してスルーホールＴＨ１，ＴＨ２を形成し、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２の内壁に導体膜を形成することによって得られる。すなわち、スルービアＴＶ１，ＴＶ２は、導体製の筒状部材である。スルービアＴＶ１，ＴＶ２の各々を構成する導体は、限定されるものではないが、電気抵抗率が小さな金属であることが好ましい。スルービアＴＶ１，ＴＶ２の各々を構成する導体の一例としては、銅及びアルミニウムが挙げられ、本実施形態では、銅を採用している。スルービアＴＶ１，ＴＶ２は、導体製の筒状部材としたが、それに限らない。スルーホールＴＨ１，ＴＨ２に導体を充填した円柱部材であってもよい。また、スルービアＴＶ１，ＴＶ２としたが、それに限らない。非貫通孔を形成した後に形成されるブラインドビアでもよい。
【００４４】
スルービアＴＶ１は、プリント基板１０の一方の主面に形成された導体パターンであるダミー電極ＤＥと、プリント基板１０の他方の主面に形成された導体パターンであるグランドパターンＧとを電気的に接続する。なお、図１の（ｂ）に示すように、スルービアＴＶ１は、プリント基板１０の内層に形成された導体パターン（導体層１１２，１２１，１２２，１３１をパターニングすることによって得られる導体パターン）であるグランドパターンとは、アンチパッドＡＰ１，ＡＰ３，ＡＰ５，ＡＰ７により絶縁されている。
【００４５】
スルービアＴＶ２は、プリント基板１０の一方の主面に形成された導体パターンである配線Ｌ１と、プリント基板１０の内層に形成された配線Ｌ２（導体層１３１をパターニングすることによって得られる導体パターン）と、プリント基板１０の他方の主面に形成された導体パターンであるパッドＰとを電気的に接続する。なお、図１の（ｂ）に示すように、スルービアＴＶ２は、プリント基板１０の内層に形成された導体パターンのうち導体層１１２，１２１，１２２，１３１をパターニングすることによって得られる導体パターンであるグランドパターンとは、アンチパッドＡＰ２，ＡＰ４，ＡＰ６，ＡＰ８により絶縁されている。
【００４６】
外部環境の温度変化に応じてプリント基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合に、スルービアＴＶ１は、スルービアＴＶ２，・・・よりも破断し易くなるように構成されている。プリント基板１０が膨張又は収縮を繰り返した場合、スルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・を構成する導体膜には応力が繰り返し印加され、やがて、スルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・の一部が破断する。この応力は、プリント基板１０を構成する誘電体層１１，１２，１３の材料（本実施形態では液晶ポリマー）と、スルービアＴＶ１，ＴＶ２，・・・を構成する材料（本実施形態では銅）との熱膨張係数が異なることに起因して発生する。
【００４７】
本実施形態では、スルービアＴＶ１がスルービアＴＶ２，・・・よりも破断し易くなるために、シール部材Ｓａ，Ｓｂを用いてスルービアＴＶ１の内部空間を密閉している。具体的には、スルービアＴＶ１の一方の端部に形成された開口をシール部材Ｓａにより封止し、スルービアＴＶ１の他方の端部に形成された開口をシール部材Ｓｂにより封止している。シール部材Ｓａ，Ｓｂの各々は、樹脂製の層状部材である。シール部材Ｓａ，Ｓｂの各々は、平面視した場合にスルービアＴＶ１の端部に形成された開口を包含する領域に、硬化していない樹脂をパターニングしたうえで、パターニングした樹脂を硬化することによって得られる。
【００４８】
このようにシール部材Ｓａ，Ｓｂを用いて密閉されたスルービアＴＶ１は、外部環境の温度変化に応じて内部空間の圧力が変動する。したがって、内部空間が開放されているスルービアＴＶ２，・・・と比較して、破断し易い。したがって、スルービアＴＶ１の破断を検知することによって、スルービアＴＶ２，・・・の破断を予知することができる。
【００４９】
スルービアＴＶ１が破断しているか否かは、ダミー電極ＤＥとグランドパターンＧとの間の導通の有無あるいは抵抗値を測定することによって、以下のように判定することができる。スルービアＴＶ１が破断していない場合、ダミー電極ＤＥとグランドパターンＧ２との間の抵抗値は、スルービアＴＶ１を構成する導体膜の厚さと、スルービアＴＶ１の形状とに応じて定まる値となる。一方、スルービアＴＶ１が完全に破断している場合、ダミー電極ＤＥとグランドパターンＧとの間の抵抗値は、測定可能範囲外の値となる。また、スルービアＴＶ１の一部が破断している場合、ダミー電極ＤＥとグランドパターンＧとの間の抵抗値は、スルービアＴＶ１が破断していない場合よりも高くなる。
【００５０】
なお、ダミー電極ＤＥとグランドパターンＧとの間の抵抗値を測定する方法は、限定されるものではない。例えば、テスターを用いてダミー電極ＤＥとグランドパターンＧ２との間の抵抗値を直接測定することもできる。
【００５１】
また、プリント基板１０の一部にコネクタを設けており、そのコネクタを構成する１つの端子にダミー電極ＤＥを接続し、そのコネクタを構成する別の端子にグランドパターンＧを接続し、デジタルボルトメータを用いてこれらの端子間の抵抗値を測定することもできる。
【００５２】
なお、テスター及びデジタルボルトメータは、センサの一例であり、手動により制御されていてもよいし、コンピュータにより実行されるプログラム（ソフトウェア）により制御されていてもよい。このように、センサの検出結果を参照してスルービアＴＶ１の破断を検知することによって、スルービアＴＶ２，・・・の破断を予知することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、上述したように樹脂製のシール部材Ｓａ，Ｓｂを採用している。しかし、シール部材Ｓａ，Ｓｂは、半田製であってもよい。半田製のシール部材Ｓａ，Ｓｂは、樹脂製のシール部材Ｓａ，Ｓｂに比べて、内部空間の密閉度を高めることができる。また、半田は、樹脂に比べて硬いため、内部空間において生じ得る容積の変化を低減することができる。
【００５４】
〔第１の変形例〕
プリント基板１０の第１の変形例であるプリント基板１０Ａについて、図２を参照して説明する。図２は、プリント基板１０Ａの断面図である。なお、図２においては、アンチパッドＡＰ１〜ＡＰ９の図示を省略している。
【００５５】
プリント基板１０Ａは、図１に示したプリント基板１０をベースにして、一方の主面にＩＣ用電極ＩＣＥと、図２に図示していない他のＩＣ用電極とが、更に形成されており、且つ、ＲＦＩＣを更に備えている。ＲＦＩＣは、ＩＣ用電極ＩＣＥ、及び、図２に図示していない他のＩＣ用電極にバンプを用いて実装されている。
【００５６】
ＩＣ用電極ＩＣＥ、及び、図２に図示していない他のＩＣ用電極は、ダミー電極ＤＥ及び配線Ｌ１と同様に、導体層１１１をパターニングすることによって形成される。
【００５７】
ＲＦＩＣは、熱源となる素子の一例である。
【００５８】
図２に示すように、ＲＦＩＣからスルービアＴＶ１までの距離は、ＲＦＩＣからスルービアＴＶ２までの距離よりも短い。すなわち、スルービアＴＶ１は、スルービアＴＶ２よりもＲＦＩＣが発熱することによる温度変化の影響を大きく受ける位置に形成されている。
【００５９】
プリント基板１０Ａにおいて、スルービアＴＶ１は、スルービアＴＶ２よりも破断し易くなる。したがって、スルービアＴＶ２が破断する前にスルービアＴＶ２の破断を予知できる確率が高くなる。
【００６０】
〔第２の変形例〕
プリント基板１０の第２の変形例であるプリント基板１０Ｂについて、図３を参照して説明する。図３は、プリント基板１０Ｂの断面図である。なお、図３においては、アンチパッドＡＰ１〜ＡＰ９の図示を省略している。
【００６１】
プリント基板１０Ｂは、図１に示したプリント基板１０をベースにして、スルービアＴＶ１を構成する導体層の厚さＴ１を薄く、スルービアＴＶ２を構成する導体層の厚さＴ２を厚く変形することによって得られる。すなわち、厚さＴ１は、厚さＴ２よりも薄い。
【００６２】
プリント基板１０Ｂにおいて、スルービアＴＶ１は、スルービアＴＶ２よりも破断し易くなる。したがって、スルービアＴＶ２が破断する前にスルービアＴＶ２の破断を予知できる確率が高くなる。
【００６３】
〔第３の変形例〕
プリント基板１０の第３の変形例であるプリント基板１０Ｃについて、図４を参照して説明する。図４は、プリント基板１０Ｃの断面図である。なお、図４においては、アンチパッドＡＰ１〜ＡＰ９の図示を省略している。
【００６４】
プリント基板１０Ｃは、図１に示したプリント基板１０をベースにして、スルービアＴＶ１の直径Ｄ１を小さく、スルービアＴＶ２の直径Ｄ２を大きく変形することによって得られる。すなわち、直径Ｄ１は、直径Ｄ２よりも小さい。
【００６５】
プリント基板１０Ｃにおいて、スルービアＴＶ１は、スルービアＴＶ２よりも破断し易くなる。したがって、スルービアＴＶ２が破断する前にスルービアＴＶ２の破断を予知できる確率が高くなる。
【００６６】
〔第４の変形例〕
プリント基板１０の第４の変形例であるプリント基板１０Ｄについて、図５を参照して説明する。図５は、プリント基板１０Ｄの断面図である。なお、図５においては、アンチパッドＡＰ１〜ＡＰ９の図示を省略している。
【００６７】
プリント基板１０Ｄは、図１に示したプリント基板１０をベースにして、スルービアＴＶ２をブラインドビアＢＶ２に変更することによって得られる。すなわち、ブラインドビアＢＶ２は、他のビアの一例である。スルービアＴＶ２は、貫通する基板の総数が３層だったのに対し、ブラインドビアＢＶ２は、貫通する基板の層数が２層である。具体的には、ブラインドビアＢＶ２は、誘電体層１１，１２を貫通するものの誘電体層１３の内部には至らないように形成されている。したがって、スルービアＴＶ１が貫通する誘電体層の層数は、ブラインドビアＢＶ２が貫通する誘電体層の層数よりも多い。
【００６８】
その結果、外部環境の温度変化に応じてプリント基板１０Ｄが膨張又は収縮した場合に生じ得るスルービアＴＶ１の全長（中心軸に沿った方向の長さ）の変化量は、ブラインドビアＢＶ２の全長の変化量よりも大きくなる。結果として、スルービアＴＶ１の端部に掛かり得る応力は、ブラインドビアＢＶ２の端部に掛かり得る応力よりも大きくなる。
【００６９】
このように、プリント基板１０Ｄにおいて、スルービアＴＶ１は、ブラインドビアＢＶ２よりも破断し易くなる。したがって、ブラインドビアＢＶ２が破断する前にブラインドビアＢＶ２の破断を予知できる確率が高くなる。
【００７０】
〔第５の変形例〕
プリント基板１０の第５の変形例であるプリント基板１０Ｅについて、図６を参照して説明する。図６は、プリント基板１０Ｅの断面図である。なお、図６においては、アンチパッドＡＰ１〜ＡＰ９の図示を省略している。
【００７１】
プリント基板１０Ｅは、図１に示したプリント基板１０をベースにして、プリント基板１０のスルービアＴＶ１及びダミー電極ＤＥの各々をスルービアＴＶ１ａ及びダミー電極ＤＥａとして、更に、スルービアＴＶ１ｂ及びダミー電極ＤＥｂを追加することによって得られる。すなわち、プリント基板１０Ｅにおいては、誘電体層１１，１２，１３の各々に、スルービアＴＶ１ａ及びスルービアＴＶ１ｂが形成されており、且つ、一方の主面にダミー電極ＤＥａ及びダミー電極ＤＥｂが形成されている。なお、ダミー電極ＤＥａは、スルービアＴＶ１ａに電気的に接続されており、ダミー電極ＤＥｂは、スルービアＴＶ１ｂに電気的に接続されている。プリント基板１０Ｅにおいて、スルービアＴＶ１ａ及びスルービアＴＶ１ｂは、ダミービアの一例であり、ダミー電極ＤＥａ及びダミー電極ＤＥｂは、ダミー電極の一例であり、スルービアＴＶ２は、他のビアの一例である。
【００７２】
スルービアＴＶ１ａ、スルービアＴＶ１ｂ、及びスルービアＴＶ２を比較した場合、各々の直径Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２は、Ｄ１ａ＝Ｄ１ｂ＜Ｄ２であり、各々を構成する導体膜の厚さＴ１ａ，Ｔ１ｂ，Ｔ２は、Ｔ１ｂ＜Ｔ１ａ＝Ｔ２である。したがって、スルービアＴＶ１ａ、スルービアＴＶ１ｂ、及びスルービアＴＶ２を比較した場合、直径Ｄ２及び厚さＴ２がともに最大であるスルービアＴＶ２が最も破断しにくい。また、直径Ｄ１及び直径Ｄ２が等しいスルービアＴＶ１ａ及びスルービアＴＶ１ｂを比較した場合、厚さＴ１ａが厚さＴ１ｂを上回るスルービアＴＶ１ａがスルービアＴＶ１ｂよりも破断しにくい。すなわち、スルービアＴＶ１ｂが最も破断しやすく、スルービアＴＶ１ａが次に破断しやすく、スルービアＴＶ２が最も破断しにくい。
【００７３】
プリント基板１０Ｅにおいて、スルービアＴＶ１ａ及びスルービアＴＶ１ｂの破断時期からスルービアＴＶ２の破断時期を予知することが可能になる。
【００７４】
なお、スルービアＴＶ１ａ、スルービアＴＶ１ｂ、及びスルービアＴＶ２において破断のし易さを異ならせる方法は、上記の方法に限定されるものではなく、シール部材Ｓａ，Ｓｂを用いるか否か、各スルービアを構成する導体膜の厚さ、各スルービアの直径、及び、各スルービアが貫通する基板の総数を適宜組み合わせることによって異ならせることができる。
【００７５】
〔検知方法〕
また、本発明の範疇には、上述したプリント基板１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅの何れかに形成されたスルービアＴＶ２の破断を予知する予知方法も含まれる。ここでは、プリント基板１０を例にして、本発明の一態様に係る予知方法について説明する。本予知方法は、ダミー電極ＤＥがグランドパターンＧと導通しているか否かを判定する工程を含んでいる。
【００７６】
本予知方法によれば、スルービアＴＶ２の破断を予知することができる。
【００７７】
なお、ダミー電極ＤＥと導通しているか否かを判定される対象となるグランドパターンは、プリント基板１０の表層（言い換えれば他方の主面）に形成されたグランドパターンＧに限定されるものではなく、スルービアＴＶ１の他方の端部と導通しているグランドパターンであればプリント基板１０の内層に形成されたグランドパターンであってもよい。
【００７８】
また、プリント基板１０Ｅに形成されたスルービアＴＶ２の破断を予知する予知方法は、スルービアＴＶ１ａ及びスルービアＴＶ１ｂの一方又は両方の破断時期に基づいてスルービアＴＶ２の破断時期を予知する工程を含んでいる。
【００７９】
本予知方法によれば、スルービアＴＶ２の破断時期を予知することができる。
【００８０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ  プリント基板
１１，１２，１３  誘電体層
１１１，１１２，１２１，１２２，１３１，１３２  導体層
１４，１５  樹脂層
ＴＨ１，ＴＨ２  スルーホール
ＴＶ１  スルービア（ダミービア）
Ｓａ，Ｓｂ  シール部材
ＴＶ２  スルービア（他のビア）
ＢＶ２  ブラインドビア（他のビア）
ＡＰ１〜ＡＰ１１  アンチパッド
ＤＥ  ダミー電極
Ｌ１，Ｌ２  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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