(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、を備えるめっきモジュールを有するめっき装置であって、
前記めっきモジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面に向けて、所定の処理液を吐出させる吐出モジュールをさらに備え、
前記吐出モジュールは、前記処理液を上方に向けて吐出する複数のノズルを有するモジュール本体と、前記めっき槽の横に配置されるとともに前記モジュール本体に接続された回転軸を有し、前記回転軸が回転することで前記モジュール本体を移動させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にない第１位置と、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にあり且つ前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面に当接する第２位置と、の間で、前記モジュール本体を移動させ、
前記複数のノズルは、前記モジュール本体が前記第２位置に移動した場合において前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面の中心部から外周縁部にかけて当接するように配置され、
前記モジュール本体は、前記複数のノズルから吐出されて前記基板の下面に当接した後に落下した前記処理液を回収するように構成された回収部材をさらに備える、めっき装置。
【請求項２】
前記モジュール本体は、平面視で、前記回転軸から離れる方向に延在しており、
前記複数のノズルは、平面視で、前記モジュール本体の延在方向に複数個配列するとともに、前記モジュール本体の延在方向に垂直な方向にも複数個配列している、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記回収部材は、前記モジュール本体の上面に形成された凹部を備え、
前記複数のノズルは前記凹部に配置されている、請求項１又は２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記処理液は純水である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項５】
前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構と、前記めっき装置を制御する制御モジュールと、をさらに備え、
前記制御モジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを施すめっき処理の実行前に、前記基板の下面を前記処理液で濡らすプリウェット処理を実行し、
前記プリウェット処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含み、
前記プリウェット処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項６】
前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構と、前記めっき装置を制御する制御モジュールと、をさらに備え、
前記制御モジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを施すめっき処理の実行後に、前記基板の下面を前記処理液で洗浄する洗浄処理を実行することを含み、
前記洗浄処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含み、
前記洗浄処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項７】
めっき装置を用いたプリウェット処理方法であって、
前記めっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、を備えるめっきモジュールを有するめっき装置であって、
前記めっきモジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面に向けて、所定の処理液を吐出させる吐出モジュールをさらに備え、
前記吐出モジュールは、前記処理液を上方に向けて吐出する複数のノズルを有するモジュール本体と、前記めっき槽の横に配置されるとともに前記モジュール本体に接続された回転軸を有し、前記回転軸が回転することで前記モジュール本体を移動させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にない第１位置と、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にあり且つ前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面に当接する第２位置と、の間で、前記モジュール本体を移動させ、
前記複数のノズルは、前記モジュール本体が前記第２位置に移動した場合において前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面の中心部から外周縁部にかけて当接するように配置され、
前記モジュール本体は、前記複数のノズルから吐出されて前記基板の下面に当接した後に落下した前記処理液を回収するように構成された回収部材をさらに備え、
前記プリウェット処理方法は、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを
施すめっき処理の実行前に、前記基板の下面を前記処理液で濡らすプリウェット処理を実行することを含み、
前記プリウェット処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含む、プリウェット処理方法。
【請求項８】
前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構をさらに備え、
前記プリウェット処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含む、請求項７に記載のプリウェット処理方法。
【請求項９】
めっき装置を用いた洗浄処理方法であって、
前記めっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、を備えるめっきモジュールを有するめっき装置であって、
前記めっきモジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面に向けて、所定の処理液を吐出させる吐出モジュールをさらに備え、
前記吐出モジュールは、前記処理液を上方に向けて吐出する複数のノズルを有するモジュール本体と、前記めっき槽の横に配置されるとともに前記モジュール本体に接続された回転軸を有し、前記回転軸が回転することで前記モジュール本体を移動させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にない第１位置と、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にあり且つ前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面に当接する第２位置と、の間で、前記モジュール本体を移動させ、
前記複数のノズルは、前記モジュール本体が前記第２位置に移動した場合において前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面の中心部から外周縁部にかけて当接するように配置され、
前記モジュール本体は、前記複数のノズルから吐出されて前記基板の下面に当接した後に落下した前記処理液を回収するように構成された回収部材をさらに備え、
前記洗浄処理方法は、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを施すめっき処理の実行後に、前記基板の下面を前記処理液で洗浄する洗浄処理を実行することを含み、
前記洗浄処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含む、洗浄処理方法。
【請求項１０】
前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構をさらに備え、
前記洗浄処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含む、請求項９に記載の洗浄処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板にめっきを施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構とを備えている。【０００３】
また、従来、基板にめっきが施される前に（すなわち、めっき処理の実行前に）、所定の処理液で基板を濡らすプリウェット処理を実行したり、めっき処理の実行後に、所定の処理液で基板を洗浄する洗浄処理を実行したりすることが行われている（例えば、特許文献２参照）。具体的には、この特許文献２には、めっき槽、基板ホルダ及び回転機構を有してめっき処理を実行するめっきモジュールと、プリウェット処理を実行するプリウェットモジュールと、洗浄処理を実行する洗浄モジュールと、を備えるめっき装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９４９６号公報
【特許文献２】特開２０２０−４３３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、めっき装置の小型化が求められてきている。これに関して、上述したような従来のめっき装置は、めっき装置の小型化の観点において改善の余地があった。【０００６】
本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき装置の小型化を図ることができる技術を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、を備えるめっきモジュールを有するめっき装置であって、前記めっきモジュールは、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面に向けて、所定の処理液を吐出させる吐出モジュールをさらに備え、前記吐出モジュールは、前記処理液を上方に向けて吐出する複数のノズルを有するモジュール本体と、前記めっき槽の横に配置されるとともに前記モジュール本体に接続された回転軸を有し、前記回転軸が回転することで前記モジュール本体を移動させる移動機構と、を備え、前記移動機構は、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にない第１位置と、前記モジュール本体が前記基板と前記アノードとの間にあり且つ前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面に当接する第２位置と、の間で、前記モジュール本体を移動させ、前記複数のノズルは、前記モジュール本体が前記第２位置に移動した場合において前記複数のノズルから吐出された前記処理液が前記基板の下面の中心部から外周縁部にかけて当接するように配置され、前記モジュール本体は、前記複数のノズルから吐出されて前記基板の下面に当接した後に落下した前記処理液を回収するように構成された回収部材をさらに備える。【０００８】
この態様によれば、移動機構によってモジュール本体を第１位置から第２位置に移動させ、回転機構によって基板ホルダを回転させながら、複数のノズルから処理液を吐出させることで、プリウェット処理を実行したり、洗浄処理を実行したりすることができる。したがって、この態様によれば、プリウェットモジュールや洗浄モジュールをめっきモジュールとは別に備えることなく、プリウェット処理や洗浄処理を実行することができる。これにより、プリウェットモジュールや洗浄モジュールをめっきモジュールとは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置の小型化を図ることができる。【０００９】
また、この態様によれば、基板の下面の中央部から外周縁部にかけて処理液を全体的に当接させて、基板の下面を全体的に濡らしたり、洗浄したりすることができる。また、この態様によれば、落下した処理液を回収部材で回収することができるので、この落下した処理液がめっき槽の内部に入ることを抑制することができる。【００１０】
（態様２）
上記の態様１において、前記モジュール本体は、平面視で、前記回転軸から離れる方向に延在しており、前記複数のノズルは、平面視で、前記モジュール本体の延在方向に複数個配列するとともに、前記モジュール本体の延在方向に垂直な方向にも複数個配列していてもよい。【００１１】
（態様３）
上記の態様１又は２において、前記回収部材は、前記モジュール本体の上面に形成された凹部を備え、前記複数のノズルは前記凹部に配置されていてもよい。【００１２】
（態様４）
上記の態様１〜３のいずれか１態様において、前記処理液は純水であってもよい。【００１３】
（態様５）
また、上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るプリウェット処理方法は、上記の態様１〜４のいずれか１態様に係るめっき装置を用いたプリウェット処理方法であって、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを施すめっき処理の実行前に、前記基板の下面を前記処理液で濡らすプリウェット処理を実行することを含み、前記プリウェット処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含む。【００１４】
この態様によれば、プリウェットモジュールをめっきモジュールとは別に備えることなく、プリウェット処理を実行することができるので、プリウェットモジュールをめっきモジュールとは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置の小型化を図ることができる。【００１５】
（態様６）
上記の態様５において、前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構をさらに備え、前記プリウェット処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含んでいてもよい。この態様によれば、ノズルから吐出された後に落下した処理液がめっき槽の内部に入ることを効果的に抑制することができる。【００１６】
（態様７）
また、上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る洗浄処理方法は、上記の態様１〜４のいずれか１態様に係るめっき装置を用いた洗浄処理方法であって、前記基板ホルダに保持された前記基板の下面にめっきを施すめっき処理の実行後に、前記基板の下面を前記処理液で洗浄する洗浄処理を実行することを含み、前記洗浄処理は、前記移動機構によって前記モジュール本体を前記第１位置から前記第２位置に移動させ、前記回転機構によって前記基板ホルダを回転させながら、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させることを含む。【００１７】
この態様によれば、洗浄モジュールをめっきモジュールとは別に備えることなく、洗浄処理を実行することができるので、洗浄モジュールをめっきモジュールとは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置の小型化を図ることができる。【００１８】
（態様８）
上記の態様７において、前記めっき装置は、前記基板ホルダを傾斜させる傾斜機構をさらに備え、前記洗浄処理は、前記複数のノズルから前記処理液を吐出させる際に、前記基板ホルダの外周縁のうち、前記回転軸に近い箇所が前記回転軸から遠い箇所よりも下方に位置するように、前記傾斜機構が前記基板ホルダを傾斜させることを含んでいてもよい。この態様によれば、ノズルから吐出された後に落下した処理液がめっき槽の内部に入ることを効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。
【図３】実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は実施形態に係る吐出モジュールの模式的平面図である。
【図５】実施形態に係る吐出モジュールの全体構成を示す模式図である。
【図６】図５のＡ２−Ａ２線断面を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態の変形例３に係るプリウェット処理又は洗浄処理の実行時における基板ホルダの周辺構成の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、実施形態の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ−Ｙ−Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、−Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
【００２１】
図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備えている。また、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、吐出モジュール５０を備えているが、図１において、この吐出モジュール５０の図示は省略されている。
【００２２】
ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
【００２３】
アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。
【００２４】
プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
【００２５】
スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
【００２６】
吐出モジュール５０は、めっき処理の実行前における基板の下面（被めっき面）を、所定の処理液ＰＬで濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液ＰＬで置換するプリウェット処理を実行するためのモジュールである。また、吐出モジュール５０は、めっき処理の実行後に基板に残っためっき液等を除去するために、めっき処理の実行後における基板の下面を処理液ＰＬで洗浄する洗浄処理を実行するためのモジュールでもある。このように本実施形態に係る吐出モジュール５０は、プリウェットモジュール及び洗浄モジュールとしての機能を有している。この吐出モジュール５０の詳細は後述する。
【００２７】
めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
【００２８】
搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００において、吐出モジュール５０は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
【００２９】
次いで、吐出モジュール５０は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
【００３０】
なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
【００３１】
続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
【００３２】
図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。図３に例示された本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、昇降機構４５と、傾斜機構４７と、を備えている。なお、前述したように、めっきモジュール４００は吐出モジュール５０も備えているが、図３において、この吐出モジュール５０の図示は省略されている。また、図３において、めっき槽１０、オーバーフロー槽２０及び基板ホルダ３０は、模式的に断面図示されている。
【００３３】
本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁部１０ａと、この底壁部１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁部１０ｂとを有しており、この外周壁部１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁部１０ｂは、一例として円筒形状を有している。
【００３４】
めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
【００３５】
めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１１の一例として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
【００３６】
めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、隔膜１２が配置されている。具体的には、隔膜１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間の箇所に配置されている。本実施形態に係る隔膜１２は、一例として、保持部材１０ｄを介して、めっき槽１０の外周壁部１０ｂに接続されている。また、本実施形態に係る隔膜１２は、隔膜１２の面方向が水平方向になるように配置されている。
【００３７】
めっき槽１０の内部は、隔膜１２によって上下方向に２分割されている。隔膜１２よりも下方側に区画された領域をアノード室１３と称する。隔膜１２よりも上方側の領域をカソード室１４と称する。前述したアノード１１は、アノード室１３に配置されている。
【００３８】
隔膜１２は、金属イオンの通過を許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。すなわち、本実施形態において、カソード室１４のめっき液は添加剤を含んでいるが、アノード室１３のめっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、アノード室１３のめっき液Ｐｓも添加剤を含んでいてもよい。しかしながら、この場合においても、アノード室１３の添加剤の濃度は、カソード室１４の添加剤の濃度よりも低くなっている。隔膜１２の具体的な種類は、特に限定されるものではなく、公知の隔膜を用いることができる。この隔膜１２の具体例を挙げると、例えば、電解隔膜を用いることができ、この電解隔膜の具体例として、例えば、株式会社ユアサメンブレンシステム製のめっき用電解隔膜を用いたり、イオン交換膜等を用いたりすることができる。
【００３９】
めっき槽１０には、アノード室１３にめっき液Ｐｓを供給するためのアノード用供給口１５が設けられている。また、めっき槽１０には、アノード室１３のめっき液Ｐｓをアノード室１３から排出するためのアノード用排出口１６が設けられている。アノード用排出口１６から排出されためっき液Ｐｓは、その後、アノード用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留された後に、アノード用供給口１５からアノード室１３に再び供給される。
【００４０】
めっき槽１０には、カソード室１４にめっき液Ｐｓを供給するためのカソード用供給口１７が設けられている。具体的には、本実施形態に係るめっき槽１０の外周壁部１０ｂにおけるカソード室１４に対応する部分の一部には、めっき槽１０の中心側に突出した突出部１０ｃが設けられており、この突出部１０ｃにカソード用供給口１７が設けられている。
【００４１】
オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられた槽である。カソード用供給口１７からカソード室１４に供給されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０に流入した後に、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出されて、カソード用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留される。その後、めっき液Ｐｓは、カソード用供給口１７からカソード室１４に再び供給される。
【００４２】
本実施形態におけるカソード室１４には、多孔質の抵抗体１８が配置されている。具体的には、本実施形態に係る抵抗体１８は、突出部１０ｃの上端部近傍箇所に設けられている。抵抗体１８は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。抵抗体１８は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。
【００４３】
また、本実施形態において、アノード室１３には、アノードマスク１９が配置されている。本実施形態に係るアノードマスク１９は、隔膜１２の下面にアノードマスク１９の上面が接触するように配置されている。但し、アノードマスク１９の配置箇所は、アノード室１３であればよく、図３に示す箇所に限定されるものではない。他の例を挙げると、アノードマスク１９は、隔膜１２との間に空間を有するように、隔膜１２よりも下方側の箇所に配置されていてもよい。アノードマスク１９は、アノード１１と基板Ｗｆとの間を流れる電気が通過する開口１９ａを有している。
【００４４】
基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持するための部材である。基板Ｗｆの下面Ｗｆａは、被めっき面に相当する。基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。回転機構４０としては、回転モータ等の公知の機構を用いることができる。回転機構４０は、昇降機構４５に接続されている。昇降機構４５は、上下方向に延在する支軸４６によって支持されている。昇降機構４５は、基板ホルダ３０、回転機構４０及び傾斜機構４７を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構４５としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。傾斜機構４７は、基板ホルダ３０及び回転機構４０を傾斜させるための機構である。傾斜機構４７としては、ピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。
【００４５】
めっき処理を実行する際には、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構４５が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。次いで、通電装置によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される（すなわち、めっき処理が施される）。
【００４６】
めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御されている。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００においては、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいてＣＰＵ８０１がめっきモジュール４００の動作を制御する。
【００４７】
なお、本実施形態においては、一つの制御モジュール８００が、めっきモジュール４００の被制御部を統合的に制御する制御装置として機能しているが、この構成に限定されるものではない。例えば、制御モジュール８００は、複数の制御装置を備え、この複数の制御装置が、それぞれ、めっきモジュール４００の各々の被制御部を個別に制御してもよい。
【００４８】
続いて、吐出モジュール５０の詳細について説明する。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、吐出モジュール５０の模式的平面図である。具体的には、図４（Ａ）は吐出モジュール５０の後述するモジュール本体５１が第１位置にある状態を示し、図４（Ｂ）はモジュール本体５１が第２位置にある状態を示している。なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、吐出モジュール５０の他にめっき槽１０も図示されているが、このめっき槽１０の内部構成の図示は省略されている。また、図５は、吐出モジュール５０の全体構成を示す模式図である。なお、図５において、吐出モジュール５０のモジュール本体５１及び回転軸６１は、図４（Ｂ）のＡ１−Ａ１線断面が模式的に図示されている。また、図５において、めっき槽１０の図示は省略され、この代わりに基板ホルダ３０や回転機構４０が図示されている。図６は、図５のＡ２−Ａ２線断面を模式的に示す断面図である。これらの図を参照しつつ、吐出モジュール５０について説明すると次のようになる。
【００４９】
図５に示すように、吐出モジュール５０は、主として、モジュール本体５１と、移動機構６０と、ポンプ（ポンプ７０ａ及びポンプ７０ｂ）と、リザーバータンク（リザーバータンク７１ａ及びリザーバータンク７１ｂ）と、配管（配管７２ａ及び配管７２ｂ）とを備えている。
【００５０】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、本実施形態に係るモジュール本体５１は、一例として、平面視（上面視）で、後述する回転軸６１から離れる方向に延在する形状を有している。具体的には、モジュール本体５１は、回転軸６１から離れる方向を長辺とし、これに垂直な方向を短辺とする、長方形の形状を有している。図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５及び図６に示すように、モジュール本体５１は、処理液ＰＬを上方に向けて吐出する少なくとも一つのノズル５２を備えている。また、本実施形態に係るモジュール本体５１は、回収部材５３も備えている。
【００５１】
具体的には、本実施形態に係るノズル５２の個数は、複数である。この具体例として、本実施形態に係る複数のノズル５２は、モジュール本体５１の延在方向（長手方向）に複数個（一例として５個）、配列するとともに、この延在方向に垂直な方向（短手方向（又は幅方向））にも複数個（一例として２個）、配列している。具体的には、この短手方向に配列した２個のノズル５２は、図６に示すように、モジュール本体５１を短手方向で切断した断面視において、後述する凹部５４の中心軸線ＸＬを挟んで一方の側と他方の側に、それぞれ１個ずつ配列している。この結果、本実施形態に係る複数のノズル５２の個数は、合計で１０個である。但し、ノズル５２の個数は、これに限定されるものではなく、１０個よりも少なくてもよく、多くてもよい。
【００５２】
図５を参照して、本実施形態において、複数のノズル５２は、モジュール本体５１が後述する第２位置にある場合においてノズル５２から吐出された処理液ＰＬが、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの中央部から外周縁部にかけて当接するように、その配置箇所が設定されている。また、各々のノズル５２は、処理液ＰＬを上方に向けて、広角に（すなわち扇形状に）噴射するように構成されている。具体的には、各々のノズル５２は、処理液ＰＬを広角に噴射する吐出口を有しており、この吐出口から処理液ＰＬが上方に向けて広角で噴射される。
【００５３】
ノズル５２から吐出される処理液ＰＬとしては、プリウェット処理や洗浄処理を実行可能な液体であればよく、その具体的な種類は特に限定されるものではないが、本実施形態では、具体例として純水を用いている。この純水としては、例えば電気抵抗率が「０．１（ＭΩ・ｃｍ）」以上のものを用いることが好ましい。また、この純水として、空気が脱気された純水（すなわち、脱気純水）を用いてもよく、脱気されていない純水を用いてもよく、あるいは、イオンが除去された純水（すなわち、脱イオン水）を用いてもよい。
【００５４】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して、移動機構６０は、モジュール本体５１を移動させるための機構である。具体的には、移動機構６０は、モジュール本体５１を、このモジュール本体５１が基板Ｗｆとアノード１１との間にない「第１位置（図４（Ａ））」と、モジュール本体５１が基板Ｗｆとアノード１１との間にあり、且つ、ノズル５２から吐出された処理液ＰＬが基板Ｗｆの下面Ｗｆａに当接する「第２位置（図４（Ｂ））」と、の間で移動させるように構成されている。なお、本実施形態において、この第２位置は、具体的には、ノズル５２が基板Ｗｆの下面Ｗｆａの真下に位置するような位置であり、換言すると、ノズル５２が基板Ｗｆの下面Ｗｆａに対向するような位置でもある。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態に係る移動機構６０は、回転軸６１とアクチュエータ６２とを備えている。回転軸６１はめっき槽１０の横に配置されている。また、回転軸６１はモジュール本体５１に接続されている。アクチュエータ６２は、回転軸６１を駆動するための装置である。図５において、回転軸６１はＺ軸を中心に回転する。アクチュエータ６２によって駆動された回転軸６１が回転することで、モジュール本体５１は、第１位置と第２位置との間を移動する。アクチュエータ６２としては、例えば、一方の回転方向及び他方の回転方向に回転することが可能なモータ（すなわち、正転及び逆転することが可能なモータ）等を備える、公知のアクチュエータを用いることができる。アクチュエータ６２の動作は、制御モジュール８００が制御している。
【００５６】
本実施形態に係るモジュール本体５１の内部、及び、回転軸６１の内部には、供給流路７３及び排出流路７４が設けられている。なお、供給流路７３及び排出流路７４は、回転軸６１の内部を通過するのではなく、回転軸６１の外側を通過して後述する配管（配管７２ａ、配管７２ｂ）に接続してもよい。供給流路７３は、ノズル５２に供給される処理液ＰＬが流通するための流路である。排出流路７４は、後述する回収部材５３によって回収された処理液ＰＬが流通するための流路である。
【００５７】
供給流路７３は、配管７２ａを介して、リザーバータンク７１ａに連通している。リザーバータンク７１ａには、処理液ＰＬが貯留されている。配管７２ａには、ポンプ７０ａが配置されている。制御モジュール８００の指令を受けてポンプ７０ａが駆動した場合、リザーバータンク７１ａに貯留された処理液ＰＬはポンプ７０ａによって吸い上げられて、配管７２ａ及び供給流路７３を流通して、ノズル５２から吐出される。排出流路７４は、配管７２ｂを介して、リザーバータンク７１ｂに連通している。配管７２ｂには、ポンプ７０ｂが接続されている。
【００５８】
図４（Ｂ）、図５及び図６を参照して、回収部材５３は、複数のノズル５２から吐出されて基板Ｗｆの下面Ｗｆａに当接した後に落下した処理液ＰＬを回収するように構成された部位である。このように、本実施形態によれば、複数のノズル５２から上方に向けて吐出された後に落下した処理液ＰＬを回収部材５３で回収することができるので、この落下した処理液ＰＬがめっき槽１０の内部に入ることを抑制することができる。
【００５９】
具体的には、図６に示すように、本実施形態に係る回収部材５３は、モジュール本体５１の上面５１ａに形成された凹部５４によって構成されている。また、この凹部５４の底部の中心部には、溝５５が設けられており、この溝５５に、前述した排出流路７４が配置されている。排出流路７４には、回収部材５３の凹部５４に回収された処理液ＰＬが排出流路７４に流入するための吸い込み口（図示せず）が設けられている。この吸い込み口の具体的な形成箇所は特に限定されるものではなく、例えば、排出流路７４の上流側端部であってもよく、排出流路７４の側面（排出流路７４を構成する配管の側面）であってもよい。
【００６０】
制御モジュール８００の指令を受けてポンプ７０ｂが駆動することで排出流路７４の内部が負圧になった場合、回収部材５３によって回収された処理液ＰＬは、この吸い込み口から排出流路７４に流入し、その後、配管７２ｂを流通してリザーバータンク７１ｂに貯留される。
【００６１】
また、本実施形態において、モジュール本体５１の複数のノズル５２は、凹部５４に配置されている。これにより、複数のノズル５２から吐出された後に落下した処理液ＰＬを、凹部５４によって効果的に回収することができる。
【００６２】
また、本実施形態において、凹部５４の中心軸線ＸＬを挟んで一方の側に配置されたノズル５２と他方の側に配置されたノズル５２は、それぞれ、処理液ＰＬを上方側且つ凹部５４の中心側に向けて吐出している。これにより、複数のノズル５２から吐出されて基板Ｗｆの下面Ｗｆａに当接した処理液ＰＬを、凹部５４の中心側に向けて落下させることが容易にできる。この点においても、処理液ＰＬを凹部５４によって効果的に回収することができる。
【００６３】
続いて、本実施形態に係るプリウェット処理時及び洗浄処理時におけるめっき装置１０００の動作について説明する。すなわち、本実施形態に係るめっき装置１０００を用いたプリウェット処理方法や洗浄処理方法について説明する。
【００６４】
まず、制御モジュール８００は、通常時においては、モジュール本体５１を第１位置に移動させている（図４（Ａ））。プリウェット処理を実行する場合、制御モジュール８００は、移動機構６０を制御することで、回転軸６１を回転させてモジュール本体５１を第２位置に移動させる（図４（Ｂ））。次いで、制御モジュール８００は、回転機構４０を制御して基板ホルダ３０を回転させるとともに、ポンプ７０ａを駆動させてノズル５２から処理液ＰＬを吐出させる。また、制御モジュール８００は、ポンプ７０ａの駆動と同時にポンプ７０ｂも駆動させることで、回収部材５３に回収された処理液ＰＬをリザーバータンク７１ｂに戻させる。
【００６５】
基板ホルダ３０が回転しながら、ノズル５２から処理液ＰＬが吐出されることで、基板ホルダ３０に保持された基板Ｗｆの下面Ｗｆａに処理液ＰＬを全体的に付着させて、基板Ｗｆの下面Ｗｆａを全体的に処理液ＰＬで濡らすことができる。以上のように、プリウェット処理が実行される。
【００６６】
プリウェット処理の終了後に、制御モジュール８００は、回転機構４０による基板ホルダ３０の回転を停止させるとともに、ポンプ７０ａ及びポンプ７０ｂを停止させる。ポンプ７０ａが停止することで、ノズル５２からの処理液ＰＬの吐出が停止され、ポンプ７０ｂが停止することで、回収部材５３による処理液ＰＬの回収も停止される。次いで、制御モジュール８００は、回転軸６１を回転させてモジュール本体５１を第１位置に移動させる。
【００６７】
制御モジュール８００は、めっき処理の実行後に行われる洗浄処理の実行時においても、上述したプリウェット処理の場合と同様の制御を行う。具体的には、制御モジュール８００は、移動機構６０を制御することで、回転軸６１を回転させてモジュール本体５１を第２位置に移動させる。次いで、制御モジュール８００は、回転機構４０を制御して基板ホルダ３０を回転させるとともに、ポンプ７０ａを駆動させてノズル５２から処理液ＰＬを吐出させる。また、制御モジュール８００は、ポンプ７０ａの駆動と同時にポンプ７０ｂも駆動させることで、回収部材５３に回収された処理液ＰＬをリザーバータンク７１ｂに戻させる。
【００６８】
基板ホルダ３０が回転しながら、ノズル５２から処理液ＰＬが吐出されることで、基板ホルダ３０に保持された基板Ｗｆの下面Ｗｆａを全体的に処理液ＰＬで洗浄することができる。以上のように、洗浄処理が実行される。この洗浄処理の終了後に、制御モジュール８００は、回転機構４０による基板ホルダ３０の回転を停止させるとともに、ポンプ７０ａ及びポンプ７０ｂを停止させる。また、モジュール本体５１を第１位置に移動させる。
【００６９】
以上説明したような本実施形態によれば、吐出モジュール５０によって、プリウェット処理を実行したり、洗浄処理を実行したりすることができる。すなわち、吐出モジュール５０は、プリウェット処理を実行するプリウェットモジュールや洗浄処理を実行する洗浄モジュールとしての機能を発揮することができる。これにより、プリウェットモジュールや洗浄モジュールをめっきモジュール４００とは別に備えることなく、プリウェット処理や洗浄処理を実行することができるので、プリウェットモジュールや洗浄モジュールをめっきモジュール４００とは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置１０００の小型化を図ることができる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、上述したようにめっき装置１０００の小型化を図ることができるので、基板Ｗｆの搬送距離を短くすることもできる。これにより、めっき装置１０００のスループットを向上させることができる。
【００７１】
また、本実施形態によれば、ノズル５２から吐出された処理液ＰＬが、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの中央部から外周縁部にかけて当接するように複数のノズル５２が配置されているので、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの中央部から外周縁部にかけて処理液ＰＬを全体的に当接させて、下面Ｗｆａを全体的に濡らしたり、洗浄したりすることができる。
【００７２】
（変形例１）
上記の実施形態において、めっき装置１０００は、吐出モジュール５０を用いてプリウェット処理及び洗浄処理の両方を実行しているが、この構成に限定されるものではない。例えば、めっき装置１０００は、吐出モジュール５０による洗浄処理は実行せずに、吐出モジュール５０によるプリウェット処理のみを実行してもよい。この場合、めっき装置１０００は、洗浄処理を実行する洗浄モジュールをめっきモジュール４００とは別に備えていることが好ましい。
【００７３】
本変形例においても、プリウェットモジュールをめっきモジュール４００とは別に備えることなく、プリウェット処理を実行することができるので、プリウェットモジュールをめっきモジュール４００とは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置１０００の小型化を図ることができる。
【００７４】
（変形例２）
あるいは、めっき装置１０００は、吐出モジュール５０によるプリウェット処理は実行せずに、吐出モジュール５０による洗浄処理のみを実行してもよい。この場合、めっき装置１０００は、プリウェット処理を実行するプリウェットモジュールをめっきモジュール４００とは別に備えていることが好ましい。
【００７５】
本変形例においても、洗浄モジュールをめっきモジュール４００とは別に備えることなく、洗浄処理を実行することができるので、洗浄モジュールをめっきモジュール４００とは別に備える従来のめっき装置に比較して、めっき装置１０００の小型化を図ることができる。
【００７６】
（変形例３）
図７は、本変形例に係るプリウェット処理又は洗浄処理の実行時における基板ホルダ３０の周辺構成の模式図である。上述した実施形態又は変形例１において、プリウェット処理は、ノズル５２から処理液ＰＬを吐出させる際に、基板ホルダ３０の外周縁のうち、回転軸６１に近い箇所３０ａが回転軸６１から遠い箇所３０ｂよりも下方に位置するように、傾斜機構４７によって基板ホルダ３０を傾斜させることをさらに含んでいてもよい。すなわち、この場合、プリウェット処理において、基板ホルダ３０が上述したように傾斜した状態で、基板ホルダ３０が回転しながら、ノズル５２から処理液ＰＬが吐出される。
【００７７】
これと同様に、上述した実施形態又は変形例２において、洗浄処理は、ノズル５２から処理液ＰＬを吐出させる際に、基板ホルダ３０の外周縁のうち、回転軸６１に近い箇所３０ａが回転軸６１から遠い箇所３０ｂよりも下方に位置するように、傾斜機構４７によって基板ホルダ３０を傾斜させることをさらに含んでいてもよい。すなわち、この場合、洗浄処理において、基板ホルダ３０が上述したように傾斜した状態で、基板ホルダ３０が回転しながら、ノズル５２から処理液ＰＬが吐出される。
【００７８】
本変形例によれば、ノズル５２から吐出された後に落下した処理液ＰＬがめっき槽１０の内部に入ることを効果的に抑制することができる。
【００７９】
以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１０  めっき槽
１１  アノード
３０  基板ホルダ
４０  回転機構
４７  傾斜機構
５０  吐出モジュール
５１  モジュール本体
５１ａ  上面
５２  ノズル
５３  回収部材
５４  凹部
６０  移動機構
６１  回転軸
４００  めっきモジュール
１０００  めっき装置
Ｗｆ  基板
Ｗｆａ  下面
Ｐｓ  めっき液
ＰＬ  処理液
【要約】
めっき装置の小型化を図ることができる技術を提供する。
めっき装置は、吐出モジュール５０を備え、吐出モジュールは、処理液を上方に向けて吐出する複数のノズル５２を有するモジュール本体５１と、めっき槽の横に配置されるとともにモジュール本体に接続された回転軸６１を有し、回転軸が回転することでモジュール本体を移動させる移動機構６０と、を備え、移動機構は第１位置と第２位置との間でモジュール本体を移動させ、複数のノズルは、モジュール本体が第２位置に移動した場合において複数のノズルから吐出された処理液が基板の下面の中心部から外周縁部にかけて当接するように配置され、モジュール本体は、複数のノズルから吐出されて基板の下面に当接した後に落下した処理液を回収するように構成された回収部材をさらに備える。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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