(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁気的に結合され、且つ、複数の層内に配置されている複数の共振器を備えている共振器結合型のフィルタ装置であって、
上記複数の層の層数に対応した数の支持基板であって、１又は複数の凹部が形成された支持基板を更に備え、
上記複数の共振器の各々は、上記１又は複数の凹部の何れかに埋設されると共に該凹部に固定されている、
ことを特徴とするフィルタ装置。
【請求項２】
上記複数の共振器は、
誘電体材料製のブロックと、
上記ブロックの一対の主面に形成された、導体材料製の一対の広壁と、
上記ブロックの側面に形成された、導体材料製の狭壁、又は、上記ブロックの内部に柵状に設けられた複数の導体ポストからなる狭壁と、を備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
上記複数の共振器のうち上記複数の層の積層方向に沿って隣接している共振器同士は、各々の上記一対の広壁のうち隣接している広壁に設けられた開口の対を介して、電磁気的に結合している、
ことを特徴とする請求項２に記載のフィルタ装置。
【請求項４】
上記複数の導体ポストを第１の導体ポスト群として、
上記積層方向に沿って隣接している支持基板同士の少なくとも１つの間に介在する層間基板であって、誘電体材料製の中間層を含む層間基板を更に備え、
層間基板のうち、平面視において、上記共振器同士の各々に設けられた上記開口の対を取り囲むように、上記層間基板の内部に柵状に設けられた複数の導体ポストからなる第２の導体ポスト群が設けられている、
ことを特徴とする請求項３に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
少なくとも１つの上記層間基板の一対の主面には、導体材料製の一対の層状部材が形成されており、該層間基板に隣接する上記支持基板の一対の主面のうち、該層間基板に隣接する側の主面には、導体材料製の層状部材が形成されており、
隣接している支持基板及び層間基板は、導電性接合部材を用いて接合されている、
ことを特徴とする請求項４に記載のフィルタ装置。
【請求項６】
上記積層方向に沿って隣接している支持基板同士の少なくとも１つの間に介在する、層間基板を更に備え、
上記複数の共振器のうち、上記層間基板と隣接する少なくとも１つの共振器の上記一対の広壁のうち、該層間基板と隣接する広壁には、外部からの電気的な制御信号に応じて該共振器の静電容量を変化させるバラクタダイオード又はスイッチが配置されており、
上記層間基板には、上記制御信号をバラクタダイオード又はスイッチに供給する制御信号線が形成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載のフィルタ装置。
【請求項７】
電磁気的に結合され、且つ、複数の層内に配置されている複数の共振器を備えている共振器結合型のフィルタ装置の製造方法であって、
上記複数の層の層数に対応した数の支持基板の各々に、１又は複数の凹部を形成する凹部形成工程と、
上記凹部形成工程により、各支持基板に形成された上記１又は複数の凹部の何れかに、上記複数の共振器の各々を埋設すると共に固定する固定工程と、
上記各支持基板を積層することによって異なる層内に配置されている共振器同士を電磁気的に結合する積層工程と、を含んでいる、
ことを特徴とするフィルタ装置の製造方法。
【請求項８】
上記固定工程よりも前に実施する共振器形成工程であって、
誘電体材料製の母基板の内部に、且つ、平面視において上記複数の共振器の各共振領域を取り囲むように、複数の貫通孔を柵状に設ける貫通孔形成工程と、
上記母基板の一対の主面及び上記複数の貫通孔の内壁に導体材料製の層状部材を形成することによって狭壁及び一対の広壁を形成する導体壁形成工程と、
上記母基板から上記複数の共振器の各々を切り出す切り出し工程と、を含む共振器形成工程を更に含んでいる、
ことを特徴とする請求項７に記載のフィルタ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器結合型のフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
準ミリ波帯（例えば２８ＧＨｚ帯）及びミリ波帯（例えば６０ＧＨｚ帯）に含まれる高周波に対してフィルタリング処理を施す場合、複数の共振器を電磁気的に結合することによって構成された共振器結合型のフィルタ装置が広く用いられている。
【０００３】
特許文献１には、複数の共振器を電磁気的に結合することにより構成された共振器結合型のフィルタ装置が図示されている。これらのフィルタ装置において、各共振器の共振領域は、誘電体材料により構成されている。特許文献１において、複数の共振器は、単一の層内に直線的（一次元的）に、又は、複数の層内に立体的（３次元的）に配置されている。
【０００４】
複数の共振器を複数の層内に立体的に配置した場合、複数の共振器を単一の層内に直線的に配置した場合と比較して、その全長を短くすることができる。これらのフィルタ装置は、各共振器を構成する広壁を平面視した場合に、長方形状である。上述したフィルタ装置の全長とは、平面視した場合に得られる上記長方形状の長辺に対応する長さである。
【０００５】
また、特許文献１に記載された各フィルタ装置においては、フィルタ装置の内部を透過することに伴い生じる誘電損失を低減するために、各共振器の共振領域を構成する誘電体材料として、誘電損失が小さな誘電体材料を採用することが好ましい。誘電損失が小さな誘電体材料の例としては、石英ガラス、水晶、及び液晶ポリマー樹脂が挙げられる。
【０００６】
これらの誘電体材料は、誘電損失が大きな誘電体材料（例えばポリイミド樹脂）などと比較して高価である。また、石英ガラスなどの低損失材料は銅や他の基板材料と熱膨張係数が異なることも多い。したがって、フィルタ装置のコストを低減、実装信頼性を向上するためには、各共振器を構成する誘電体材料のサイズをできるだけ小さくすることが好ましい。すなわち、誘電体材料の小片を用いて各共振器を構成することが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１９−３６８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、誘電体材料の小片により構成された各共振器は、サイズが大きな誘電体材料と比べて、取り扱いが難しい。ここでいう各共振器の取り扱いとは、各共振器をピンセットやマニピュレータや真空チャックなどの器具を用いて保持したり、これらの器具を用いて実装基板上の所定の位置に各共振器を載置したりする操作を意味する。
【０００９】
その結果として、特許文献１に記載された各フィルタ装置においては、フィルタ装置を製造する場合に、実装基板上に各共振器を積層しつつ実装する工程の難易度が高まり、且つ、該工程の実施時により多くの配慮を必要とする。
【００１０】
本発明の一態様は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、各共振器が複数層内に配置されている共振器結合型のフィルタ装置であって、製造時における各共振器の取り扱いが従来よりも容易なフィルタ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係るフィルタ装置は、電磁気的に結合され、且つ、複数の層内に配置されている複数の共振器を備えている共振器結合型のフィルタ装置であって、上記複数の層の層数に対応した数の支持基板であって、１又は複数の凹部が形成された支持基板を更に備え、上記複数の共振器の各々は、上記１又は複数の凹部の何れかに埋設されると共に該凹部に固定されている。
【００１２】
上記の構成によれば、上記複数の共振器が複数の層内に配置されており、且つ、上記複数の共振器の各々が、少なくとも、複数の支持基板のいずれかに固定されている。したがって、本フィルタ装置の製造工程においては、特許文献１に記載のフィルタ装置の製造工程と比較して、上記複数の共振器の各々を、容易に取り扱うことができる。すなわち、本フィルタ装置は、各共振器が複数層内に配置されている共振器結合型のフィルタ装置であって、製造時における各共振器の取り扱いが従来よりも容易なフィルタ装置である。なお、複数の共振器が電磁気的に結合されてなるフィルタ装置は、バンドパスフィルタとして機能する。
【００１３】
本発明の第２の態様に係るフィルタ装置は、上述した第１の態様において、上記複数の共振器は、誘電体材料製のブロックと、上記ブロックの一対の主面に形成された、導体材料製の一対の広壁と、上記ブロックの側面に形成された、導体材料製の狭壁、又は、上記ブロックの内部に柵状に設けられた複数の導体ポストからなる狭壁と、を備えている、という構成を採用している。
【００１４】
上記の構成によれば、共振領域が誘電体材料により構成されている複数の共振器を容易に製造することができる。特に、上記狭壁が複数の導体ポストからなる場合、上記ブロックの側面を導体材料により覆う必要がない。したがって、上記狭壁が複数の導体ポストからなる場合、上記複数の共振器を更に容易に製造することができる。
【００１５】
本発明の第３の態様に係るフィルタ装置は、上述した第２の態様において、上記複数の共振器のうち上記複数の層の積層方向に沿って隣接している共振器同士は、各々の上記一対の広壁のうち隣接している広壁に設けられた開口の対を介して、電磁気的に結合している、という構成を採用している。
【００１６】
上記の構成によれば、上記積層方向に沿って隣接している共振器同士を、容易且つ確実に、電磁気的に結合させることができる。
【００１７】
本発明の第４の態様に係るフィルタ装置は、上述した第３の態様において、上記複数の導体ポストを第１の導体ポスト群として、上記積層方向に沿って隣接している支持基板同士の少なくとも１つの間に介在する層間基板であって、誘電体材料製の中間層を含む層間基板を更に備え、層間基板のうち、平面視において、上記共振器同士の各々に設けられた上記開口の対を取り囲むように、上記層間基板の内部に柵状に設けられた複数の導体ポストからなる第２の導体ポスト群が設けられている、という構成を採用している。
【００１８】
上記の構成によれば、上記支持基板同士の間に上記層間基板が介在することによって、上記複数の共振器の各々を、対応する各凹部に固定する工程が容易になる。したがって、本フィルタ装置は、上記層間基板を備えていないフィルタ装置よりも容易に製造することができる。
【００１９】
本発明の第５の態様に係るフィルタ装置は、上述した第４の態様において、少なくとも１つの上記層間基板の一対の主面には、導体材料製の一対の層状部材が形成されており、該層間基板に隣接する上記支持基板の一対の主面のうち、該層間基板に隣接する側の主面には、導体材料製の層状部材が形成されており、隣接している支持基板及び層間基板は、導電性接合部材を用いて接合されている、という構成を採用している。
【００２０】
上記の構成によれば、上記支持基板の一対の主面、及び／又は、１又は複数の上記層間基板の一対の主面に形成された層状部材同士を、確実に短絡するとともに固定することができる。
【００２１】
本発明の第６の態様に係るフィルタ装置は、上述した第３の態様の何れかにおいて、上記積層方向に沿って隣接している支持基板同士の少なくとも１つの間に介在する、層間基板を更に備え、上記複数の共振器のうち、上記層間基板と隣接する少なくとも１つの共振器の上記一対の広壁のうち、該層間基板と隣接する広壁には、外部からの電気的な制御信号に応じて該共振器の静電容量を変化させるバラクタダイオード又はスイッチが配置されており、上記層間基板には、上記制御信号をバラクタダイオード又はスイッチに供給する制御信号線が形成されている、という構成を採用している。
【００２２】
上記の構成によれば、上記複数の共振器の各々の共振周波数を、外部から制御することができる。したがって、外部からの制御に応じて、フィルタ装置の通過帯域を変化させることができる。
【００２３】
また、上記の課題を解決するために、本発明の第７の態様に係るフィルタ装置の製造方法は、電磁気的に結合され、且つ、複数の層内に配置されている複数の共振器を備えている共振器結合型のフィルタ装置の製造方法であって、上記複数の層の層数に対応した数の支持基板の各々に、１又は複数の凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部形成工程により、各支持基板に形成された上記１又は複数の凹部の何れかに、上記複数の共振器の各々を埋設すると共に固定する固定工程と、上記各支持基板を積層することによって異なる層内に配置されている共振器同士を電磁気的に結合する積層工程と、を含んでいる。
【００２４】
上記の構成によれば、本製造法は、上述した第１の態様に係るフィルタ装置と同様の効果を奏する。
【００２５】
本発明の第８の態様に係るフィルタ装置の製造方法は、上述した第７の態様において、上記固定工程よりも前に実施する共振器形成工程であって、誘電体材料製の母基板の内部に、且つ、平面視において上記複数の共振器の各共振領域を取り囲むように、複数の貫通孔を柵状に設ける貫通孔形成工程と、上記母基板の一対の主面及び上記複数の貫通孔の内壁に導体材料製の層状部材を形成することによって狭壁及び一対の広壁を形成する導体壁形成工程と、上記母基板から上記複数の共振器の各々を切り出す切り出し工程と、を含む共振器形成工程を更に含んでいる、という構成を採用している。
【００２６】
上記の構成によれば、複数の貫通孔の内壁に形成された導体材料製の層状部材は、導体ポストとして機能する。したがって、母基板の内部に、予め、複数の導体ポストが柵状に設けられているため、母基板から誘電体材料の小片を切り出した後に、各共振器の共振領域を取り囲む狭壁を改めて設ける必要がない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様によれば、各共振器が複数層内に配置されている共振器結合型のフィルタ装置であって、製造時における各共振器の取り扱いが従来よりも容易なフィルタ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の分解斜視図である。
【図２】図１に示したフィルタ装置の断面図である。
【図３】図１及び図２に示したフィルタ装置の第１の変形例の断面図である。
【図４】図１及び図２に示したフィルタ装置の第２の変形例の断面図である。
【図５】図１及び図２に示したフィルタ装置の第３の変形例の断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の製造方法のフローチャートである。（ｂ）は、（ａ）に示したデリバリファイバの製造方法に含まれる共振器形成工程のフローチャートである。
【図７】図６の（ａ）に示したフィルタ装置の製造方法の変形例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
〔第１の実施形態〕
本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置１０について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、フィルタ装置１０の分解斜視図である。図２は、フィルタ装置１０の断面図であって、図１に示した直線Ａ−Ａ’を含み、且つ、後述する支持基板１４，１５の主面に直交する断面における断面図である。
【００３０】
後述するように、フィルタ装置１０は、複数の共振器を備えている。したがって、フィルタ装置１０は、予め定められた動作帯域に含まれる高周波を透過させ、動作帯域以外の帯域に含まれる高周波を遮断するバンドパスフィルタとして機能する。フィルタ装置１０の動作帯域は、適宜定めることができる。動作帯域の一例としては、準ミリ波帯（例えば２８ＧＨｚ帯）及びミリ波帯（例えば６０ＧＨｚ帯）が挙げられるが、これに限定されない。
【００３１】
＜フィルタ装置１０の構成＞
フィルタ装置１０は、図１及び図２に示すように、３つの共振器１１，１２，１３と、支持基板１４，１５と、を備えている。
【００３２】
（共振器１１，１２，１３）
共振器１１，１２，１３の各々は、それぞれ、共振領域が一対の広壁と、狭壁として機能するポスト壁と、により取り囲まれている。以下においては、まず、共振器１１を例にして共振器の構成について説明し、その後、共振器１２，１３について簡単に説明する。
【００３３】
共振器１１は、ブロック１１１と、広壁１１２，１１３と、ポスト壁１１４とを備えている。なお、図１においては、後述する開口１１５，１１６を見やすくするために、ポスト壁１１４などの一部の図示を省略している。この点については、共振器１２及び共振器１３も同様である。
【００３４】
ブロック１１１は、誘電体材料製の直方体状の塊である。ブロック１１１を構成する誘電体材料は、限定されないが、誘電損失が小さな誘電体材料を採用することが好ましい。誘電損失が小さな誘電体材料の例としては、石英ガラス、水晶、及び液晶ポリマー樹脂が挙げられる。本実施形態においては、ブロック１１１を構成する誘電体材料として石英ガラスを用いる。
【００３５】
広壁１１２，１１３は、ブロック１１１の一対の主面に形成された一対の広壁である。広壁１１２，１１３は、導体材料製の板状部材である。広壁１１２，１１３の厚さは、適宜定めることができる。広壁１１２，１１３を構成する導体材料は、限定されないが、導電率が高い導電体であることが好ましい。導電率が高い導電体の例としては、銅及びアルミニウムが挙げられる。本実施形態においては、広壁１１２，１１３を構成する導体材料として銅を用いる。
【００３６】
ポスト壁１１４は、ブロック１１１の内部に柵状に設けられたｎ本の導体ポスト１１４ｉにより構成されている。なお、ｎは、任意の正の整数であり、共振領域を平面視した場合、サイズなどに応じて適宜定めることができる。また、ｉは、１≦ｉ≦ｎの整数である。また、隣接する導体ポスト１１４ｉと導体ポスト１１４ｉ＋１との間隔は、フィルタ装置１０の動作帯域に含まれる高周波に対して、ポスト壁１１４が仮想的な導体壁として機能する範囲内において適宜定めることができる。
【００３７】
共振器１１において、広壁１１３には開口１１５が形成されており、且つ、共振器１３と隣接する広壁１１２には開口１１６が形成されている。開口１１５，１１６の各々は、それぞれ、共振器１１の外部と、ブロック１１１の共振領域とを電磁気的に結合させる結合窓として機能する。本実施形態において、開口１１５，１１６の各々は、広壁１１２，１１３を平面視した場合に一致する領域に形成されている。しかし、開口１１５，１１６の各々を形成する位置は、広壁１１２，１１３を平面視した場合に、ポスト壁１１４により取り囲まれている領域内であれば限定されず、適宜定めることができる。
【００３８】
共振器１２は、共振器１１と同一に構成されている。すなわち、共振器１２のブロック１２１、広壁１２２，１２３、ポスト壁１２４、及び開口１２５，１２６の各々は、それぞれ、共振器１１のブロック１１１、広壁１１２，１１３、ポスト壁１１４、及び開口１１５，１１６と同一に構成されている。したがって、本実施形態では、共振器１２に関する説明を省略する。
【００３９】
共振器１３は、共振器１１と同様に構成されている。すなわち、共振器１３のブロック１３１、広壁１３２，１３３、ポスト壁１３４、開口１３５，１３６の各々は、それぞれ、共振器１１のブロック１１１、広壁１１２，１１３、ポスト壁１１４、及び開口１１５，１１６に対応する。ただし、共振器１３は、共振器１１と比較して、開口１３６の形成されている位置が異なる。共振器１３においては、開口１３５，１３６が、何れも、広壁１３３に形成されている。
【００４０】
なお、後述するように、共振器１１と共振器１３とは、開口１１６及び開口１３５を介して電磁気的に結合され、共振器１２と共振器１３とは、開口１２６及び開口１３６を介して電磁気的に結合される。ただし、開口１１６及び開口１３５の各々の形状は、限定されず、それぞれが異なっていてもよい。しかし、開口１１６及び開口１３５における反射損失を低減するためには、開口１１６及び開口１３５の各々の形状が同一であることが好ましい。同様に、開口１２６及び開口１３６の各々形状は、限定されないが、同一（換言すれば合同）であることが好ましい。本実施形態においては、開口１１６、開口１３５、開口１２６、及び開口１３６の形状は、同一である。
【００４１】
フィルタ装置１０において、共振器１１，１２，１３は、２つの層Ｌ１，Ｌ２の層内に配置されている。具体的には、下層である層Ｌ１の層内に共振器１１，１２が配置されており、上層である層Ｌ２の層内に共振器１３が配置されている。換言すれば、共振器１３は、共振器１１，１２の上方に積み上げられている。
【００４２】
なお、本実施形態のフィルタ装置１０では、最初段の共振器１１と、最後段の共振器１２との間に１つの共振器１３を介在させる構成を採用している。しかし、共振器１１と共振器１２との間に介在させる共振器の数は、限定されるものではなく、２つであってもよいし、３つ以上であってもよい。共振器１１と共振器１２との間に複数の共振器を介在させる場合、これらの複数の共振器は、層Ｌ２内に全て配置されていてもよいし、層Ｌ１以外の複数の層内に配置されていてもよい。すなわち、本発明の一実施形態において、複数の共振器が配置されている層の層数は、２層に限定されず、適宜設定することができる。
【００４３】
また、同一層（例えば層Ｌ２）内に複数の共振器を配置し、隣接する共振器同士を電磁気的に結合する場合、隣接する共振器同士を隔てるポスト壁を共通とし、該ポスト壁を構成する導体ポストの一部を省略することによって、その構成を実現することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、ブロック１１１の内部に柵状に設けられた複数の導体ポスト１１４ｉからなるポスト壁１１４を共振器１１の狭壁として用いている。しかし、共振器１１の狭壁は、ポスト壁１１４に限定されず、ブロック１１１の側面に形成した導体材料製の層状部材を狭壁として用いてもよい。
【００４５】
（支持基板１４，１５）
支持基板１４，１５は、上述した層Ｌ１，Ｌ２の層数（本実施形態では２層）に対応した数の板状部材（本実施形態では２枚）である。以下においては、まず、支持基板１４を例にして支持基板の構成について説明し、その後、支持基板１５について簡単に説明する。
【００４６】
支持基板１４は、板状部材１４１と、層状部材１４２，１４３と、を備えている。板状部材１４１は、誘電体材料製である。板状部材１４１を構成する誘電体材料は、限定されないが、共振器１１，１２，１３を構成するブロックと比較して、安価な誘電体材料であることが好ましい。後述するように支持基板１４は、共振器１１，１２を支持する基板であり、高周波の伝送にはあまり関与しない。したがって、支持基板１４の構成材料を選択する場合には、誘電損失の小ささよりも価格の安さを重視することが好ましい。安価な誘電体材料の例としては、ポリイミド樹脂及びガラスエポキシ樹脂が挙げられる。本実施形態においては、板状部材１４１を構成する誘電体材料としてポリイミド樹脂を用いる。
【００４７】
また、層状部材１４２，１４３は、板状部材１４１の一対の主面に形成された、導体材料製の一対の層状部材である。層状部材１４２，１４３は、共振器１１の広壁１１２，１１３と同様に構成されている。本実施形態においては、層状部材１４２，１４３を構成する導体材料として銅を用いる。
【００４８】
以上のように、支持基板１４は、層状部材１４３、板状部材１４１、及び層状部材１４２がこの順番で積層された積層基板である。なお、支持基板１４の厚さは、限定されないが、共振器１１の厚さと同程度であることが好ましい。本実施形態において、支持基板１４の厚さは、共振器１１の厚さと同一である。また、支持基板１４の形状及び大きさは、限定されるものでなく、取り扱いが容易になるように適宜定めればよい。本実施形態の支持基板１４は、平面視した場合に長方形状である。
【００４９】
そのうえで、支持基板１４には、２つの凹部１４ａ，１４ｂが互いに隣接して形成されている。凹部１４ａは、共振器１１を埋設するための凹部である。本実施形態において、凹部１４ａは、共振器１１を包含する形状及びサイズを有する。本実施形態において、凹部１４ａは、層状部材１４２から層状部材１４３まで貫通する貫通孔であり、平面視において長方形状の貫通孔である。また、凹部１４ｂは、共振器１２を埋設するための凹部であり、形成されている位置を除いて、凹部１４ａと同一に構成されている。
【００５０】
なお、本実施形態において、支持基板１４には、凹部１４ａ，１４ｂが形成されているが、凹部１４ａ，１４ｂをまとめて１つの凹部として形成することもできる。すなわち、図１及び図２示されている凹部１４ａと凹部１４ｂとを隔てる隔壁は、省略することもできる。
【００５１】
支持基板１５は、形成されている凹部の数及び凹部が形成されている位置を除いて、支持基板１４と同様に構成されている。すなわち、支持基板１５が備えている板状部材１５１及び層状部材１５２，１５３の各々は、それぞれ、支持基板１４が備えている板状部材１４１及び層状部材１４２，１４３に対応する。
【００５２】
そのうえで、支持基板１５には、１つの凹部１５ａが形成されている。凹部１５ａは、共振器１３を埋設するための凹部である。本実施形態において、凹部１５ａは、共振器１３を包含する形状及びサイズを有する。また、凹部１５ａは、平面視において、凹部１４ａ及び凹部１４ｂの両領域にまたがって形成されている。
【００５３】
より具体的には、凹部１４ａ，１４ｂ及び凹部１５ａの各々は、平面視において、共振器１１の開口１１６と、共振器１３の開口１３５とが一致し、共振器１２の開口１２６と、共振器１３の開口１３６とが一致するように、それぞれの位置が定められている。
【００５４】
（各共振器の支持基板への埋設及び支持基板同士の接合）
図１及び図２に示すように、共振器１１，１２の各々は、凹部１４ａ，１４ｂ，１５ａのうちの凹部１４ａ，１４ｂに、それぞれ、埋設されると共に、凹部１４ａ，１４ｂに固定されている。共振器１１を凹部１４ａの内壁に固定するために用いる固定手段は、限定されないが、本実施形態では、樹脂材料により構成された接着剤を用いている。接着剤１４４は、共振器１１を凹部１４ａに固定し、接着剤１４５は、共振器１２を凹部１４ｂに固定し、接着剤１５４は、共振器１３を凹部１５ａに固定している。接着剤１４４，１４５，１５４は、市販されている接着剤のなかから所望の特性に応じて適宜選択すればよい。
【００５５】
なお、本実施形態において、共振器１１，１２の各々は、開口１１６と、開口１２６とが互いに近接する向きで、それぞれ、凹部１４ａ，１４ｂに埋設されている。このように共振器１１，１２を埋設することによって、共振器１１と共振器１２との間に介在する共振器１３の大きさを、共振器１１，１２と同様の大きさに保つことができる。一方、共振器１１と共振器１２との間に２つの共振器を介在させる場合には、開口１１６と、開口１２６とが互いに離間する向きで、共振器１１，１２の各々を凹部１４ａ，１４ｂに埋設してもよい。
【００５６】
そのうえで、支持基板１４と支持基板１５とは、支持基板１４及び支持基板１５の主面の法線方向に沿って積層されている（図２参照）。以下において、上記法線方向を積層方向とも呼ぶ。したがって、支持基板１４と支持基板１５とは、積層方向に沿って隣接している。
【００５７】
なお、支持基板１４と支持基板１５とは、層状部材１４２と、層状部材１５３との間にできるだけ隙間が生じないように導電性接合部材を用いて接合されていることが好ましい。なお、図１及び図２においては、導電性接合部材の図示を省略している。導電性接合部材の例としては、半田及び導電性ペーストが挙げられる。本実施形態では、導電性接合部材として半田を用いている。
【００５８】
また、支持基板１４と支持基板１５とを導電性接合部材ではなく、樹脂製の接着剤などに代表される非導電性接合部材を用いて接合する場合には、支持基板１４が備えている層状部材１４２，１４３、及び、支持基板１５が備えている層状部材１５２，１５３のうち少なくとも何れかを省略してもよい。
【００５９】
（共振器同士の結合）
このように構成されたフィルタ装置１０において、層Ｌ１及び層Ｌ２の積層方向（支持基板１４及び支持基板１５の主面の法線方向）に沿って隣接している共振器１１，１３同士は、開口の対である開口１１６及び開口１３５を介して電磁気的に結合している。同様に、層Ｌ１及び層Ｌ２の積層方向に沿って隣接している共振器１２，１３同士は、開口の対である開口１２６及び開口１３６を介して電磁気的に結合している。したがって、フィルタ装置１０は、３段の共振器結合型のフィルタ（具体的にはバンドパスフィルタ）として機能する。
【００６０】
なお、共振器１１に設けられた開口１１５及び共振器１２に設けられた開口１２５の各々は、それぞれ、フィルタ装置１０の入出力ポートとして機能する。開口１１５，１２５の各々には、別の導波路を電磁気的に結合させることができる。なお、別の導波路の態様は、限定されないが、その例としてはポスト壁導波路が挙げられる。
【００６１】
また、共振器１１と上述した別の導波路とを電磁気的に結合させるための構成は、開口１１５に限定されず、適宜選択することができる。開口１２５についても同様である。
【００６２】
（フィルタ装置１０の効果）
フィルタ装置１０は、電磁気的に結合され、且つ、複数の層（層Ｌ１，Ｌ２）内に配置されている複数の共振器１１，１２，１３を備えている共振器結合型のフィルタ装置である。フィルタ装置１０は、層Ｌ１，Ｌ２の層数（本実施形態では２層）に対応した数（すなわち２枚）の支持基板１４，１５であって、１又は複数の凹部（凹部１４ａ，１４ｂ及び凹部１５ａ）がそれぞれに形成された支持基板１４，１５を更に備えている。
【００６３】
共振器１１，１２，１３の各々は、凹部１４ａ，１４ｂ，１５ａに埋設されると共に凹部１４ａ，１４ｂ，１５ａに固定されている。
【００６４】
上記の構成によれば、共振器１１，１２，１３が複数の層（層Ｌ１，Ｌ２）内に配置されており、且つ、共振器１１，１２，１３の各々が、複数の支持基板１４，１５のいずれかに固定されている。したがって、フィルタ装置１０の製造工程（図６の（ａ）を参照して後述する製造方法Ｍ１０）においては、特許文献１に記載のフィルタ装置の製造工程と比較して、共振器１１，１２，１３の各々を、容易に取り扱うことができる。すなわち、フィルタ装置１０は、共振器１１，１２，１３が複数層（層Ｌ１，Ｌ２）内に配置されている共振器結合型のフィルタ装置であって、製造時における共振器１１，１２，１３の取り扱いが従来よりも容易なフィルタ装置である。
【００６５】
フィルタ装置１０において、共振器１１，１２，１３は、誘電体材料製のブロック１１１，１２１，１３１と、ブロック１１１，１２１，１３１の一対の主面に形成された、導体材料製の一対の広壁１１２，１１３，１２２，１２３，１３２，１３３と、ブロック１１１，１２１，１３１の内部に柵状に設けられた複数の導体ポスト１１４ｉ，１２４ｊ，１３４ｋからなる狭壁（ポスト壁１１４，１２４，１３４）と、を備えている。また、狭壁は、ポスト壁１１４，１２４，１３４の代わりに、ブロック１１１，１２１，１３１の側面に形成された、導体材料製の層状部材であってもよい。
【００６６】
上記の構成によれば、共振領域が誘電体材料により構成されている共振器１１，１２，１３を容易に製造することができる。特に、狭壁がポスト壁１１４，１２４，１３４からなる場合、ブロック１１１，１２１，１３１の側面を導体材料により覆う必要がない。したがって、狭壁がポスト壁１１４，１２４，１３４からなる場合、共振器１１，１２，１３を更に容易に製造することができる。
【００６７】
フィルタ装置１０において、共振器１１，１２，１３のうち層Ｌ１，Ｌ２の積層方向に沿って隣接している共振器同士（例えば共振器１１及び共振器１３）は、各々の上記一対の広壁（例えば広壁１１２，１１３及び広壁１２２，１２３）のうち一方の広壁（例えば広壁１１２及び広壁１３３）に設けられた開口の対（例えば開口１１６，１３５）を介して、電磁気的に結合している。
【００６８】
上記の構成によれば、積層方向に沿って隣接している共振器同士（例えば共振器１１及び共振器１３）を、容易且つ確実に、電磁気的に結合させることができる。
【００６９】
＜第１の変形例＞
図１及び図２に示したフィルタ装置１０においては、３個の共振器１１，１２，１３を２層の層Ｌ１，Ｌ２内に配置していた。しかし、フィルタ装置１０においては、共振器の数及び共振器を配置する層の層数は、適宜定めることができる。
【００７０】
フィルタ装置１０の第１の変形例であるフィルタ装置１０Ａは、図３に示すように、５個の共振器１１Ａ，１２Ａ，１１Ｂ，１２Ｂ，１３を備え、これらの共振器１１Ａ，１２Ａ，１１Ｂ，１２Ｂ，１３が３層の層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に配置されている。
【００７１】
なお、フィルタ装置１０Ａにおいて、層Ｌ１を構成する支持基板１４Ａ及び共振器１１Ａ，１２Ａと、層Ｌ３を構成する支持基板１４Ｂ及び共振器１１Ｂ，１２Ｂとは、何れも、図１及び図２に示したフィルタ装置１０の支持基板１４及び共振器１１，１２と同一である。また、フィルタ装置１０Ａにおいて、層Ｌ２を構成する支持基板１５及び共振器１３は、図１及び図２に示したフィルタ装置１０の支持基板１５及び共振器１３と同一である。
【００７２】
＜第２の変形例＞
図１及び図２に示したフィルタ装置１０においては、支持基板１４の層状部材１４２と、支持基板１５の層状部材１５３とを、半田を用いて接合していた。しかし、フィルタ装置１０の一変形例においては、支持基板１４と支持基板１５との間に介在する層間基板を更に備えていてもよい。
【００７３】
フィルタ装置１０の第２の変形例であるフィルタ装置１０Ｂは、図４に示すように、積層方向に沿って隣接している支持基板１４と支持基板１５との間に介在する層間基板１６を更に備えている。
【００７４】
層間基板１６は、板状部材１６１と、一対の層状部材１６２，１６３と、ポスト壁１６４，１６５と、を備えている。
【００７５】
板状部材１６１は、誘電体材料製である。板状部材１６１を構成する誘電体材料は、適宜選択することができる。例えば、誘電損失をコストよりも重視する場合、石英ガラスなどの誘電損失が小さな誘電体材料を板状部材１６１に用いればよく、コストを誘電損失よりも重視する場合、ポリイミドなど安価な誘電体材料を板状部材１６１に用いればよい。
【００７６】
層状部材１６２，１６３は、板状部材１６１の一対の主面に形成された一対の層状部材であって、導体材料製の一対の層状部材である。層状部材１６２，１６３は、層状部材１４２，１４３，１５２，１５３と同様に構成されている。
【００７７】
以上のように構成された層間基板１６は、板状部材１６１が中間層を形成し、層状部材１６２，１６３が表面層を形成する積層基板である。
【００７８】
ポスト壁１６４，１６５は、共振器１１のポスト壁１１４などと同様に、板状部材１６１の内部に柵状に設けられた複数の導体ポストにより構成されている。ポスト壁１１４，１２４，１３４は、第１の導体ポスト群の一例であり、ポスト壁１６４，１６５は、第２の導体ポスト群の一例である。
【００７９】
ポスト壁１６４は、層間基板１６のうち、平面視において、開口の対である開口１１６，１３５を取り囲む領域に配置されており、一種の狭壁として機能する。同様に、ポスト壁１６５は、層間基板１６のうち、平面視において、開口の対である開口１２６，１３６を取り囲む領域に配置されており、一種の狭壁として機能する。
【００８０】
支持基板１４の層状部材１４２と、層間基板１６の層状部材１６３とは、フィルタ装置１０の場合と同様に、半田を用いて接合されている。同様に、支持基板１５の層状部材１５３と、層間基板１６の層状部材１６２とは、半田を用いて接合されている。
【００８１】
上記の構成によれば、支持基板１４，１５同士の間に層間基板１６が介在することによって、共振器１１，１２，１３の各々を、それぞれ、対応する凹部１４ａ，１４ｂ，１５に固定する工程が容易になる。したがって、フィルタ装置１０Ｂは、層間基板１６を備えていないフィルタ装置（例えばフィルタ装置１０，１０Ａ）よりも容易に製造することができる。
【００８２】
また、フィルタ装置１０Ｂにおいて、支持基板１４，１５の一対の主面には導体材料製の一対の層状部材である層状部材１４２，１４３，１５２，１５３が形成されており、層間基板１６の一対の主面には、導体材料製の一対の層状部材１６２，１６３が形成されている。
【００８３】
積層方向に沿って隣接している支持基板（例えば支持基板１４）と、層間基板（例えば層間基板１６）とは、半田を用いて接合されている。
【００８４】
上記の構成によれば、支持基板（例えば支持基板１４）の一対の主面、及び、１又は複数の上記層間基板（例えば層間基板１６）の一対の主面に形成された層状部材同士（例えば層状部材１４２と層状部材１６３と）を、確実に短絡するとともに固定することができる。
【００８５】
＜第３の変形例＞
図１及び図２に示したフィルタ装置１０の第３の変形例であり、図４に示したフィルタ装置１０Ｂの変形例でもあるフィルタ装置１０Ｃは、外部からの電気的な制御信号に応じて共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの静電容量を変化させる可変機構を備えている。本変形例では、その可変機構について、図５を参照して説明する。図５は、フィルタ装置１０Ｃの断面図である。
【００８６】
なお、フィルタ装置１０Ｃは、フィルタ装置１０Ｂの構成をベースにし、共振器１１，１２，１３を共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃに置換し、層間基板１６を層間基板１６Ｃに置換することによって得られる。したがって、本変形例では、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃ及び層間基板１６Ｃの可変機構に関する部分について主に説明する。また、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの各々が備えている可変機構は、同様に構成されている。したがって、本変形例では、共振器１１Ｃを例にして可変機構について説明する。
【００８７】
共振器１１Ｃは、図５に示すように、共振器１１の構成に加えて、導体ポスト１１７と、パッド１１８と、バラクタダイオード１１９と、を備えている。
【００８８】
導体ポスト１１７は、ポスト壁１１４を構成する各導体ポスト１１４ｉと同様に構成された導体ポストである。しかし、各導体ポスト１１４ｉとは配置されている場所が異なり、平面視において、共振器１１Ｃの共振領域の中央に配置されている。
【００８９】
また、層状部材１４２のうち、平面視において導体ポスト１１７を取り囲む領域には、円環状に導体材料が除去されたアンチパッドが形成されている。その結果、層状部材１４２のうち、平面視において導体ポスト１１７を取り囲む領域には、導体材料製であり、且つ、円形状であるパッド１１８が形成されている。
【００９０】
パッド１１８と層状部材１４２との間には、図５に示すように、バラクタダイオード１１９が実装されている。共振器１１Ｃにおいては、パッド１１８に印加する電圧を、外部から供給する電気的な制御信号を用いて制御することによって、バラクタダイオード１１９に印加する逆電圧を制御することができる。結果として、共振器１１Ｃは、制御信号を用いて、その共振周波数を変化させることができる。
【００９１】
なお、共振器１１Ｃの共振周波数を変化させるための可変機構は、上述した構成に限定されるものではない。例えば、非特許文献Kamran Entesari, el al., "Tunable SIW Structures", IEEE microwave magazine, PP34-54, June, 2015の図１の（ａ）〜（ｆ）に示されている可変機構を本変形例に適用することもできる。すなわち、可変機構は、上述したバラクタダイオードの代わりにスイッチを用いてもよい。
【００９２】
また、層間基板１６Ｃは、層間基板１６が備えている板状部材１６１を、板状部材１６１Ｃに置換することによって得られる。板状部材１６１Ｃは、図５に示すように、層状部材１６１１と、板状部材１６１２，１６１３とにより構成されている。
【００９３】
層状部材１６１１は、導体材料製である。また、板状部材１６１２，１６１３は、層状部材１６１１の一対の主面に形成された一対の板状部材であって、誘電体材料製である。板状部材１６１Ｃは、板状部材１６１３と、層状部材１６１１と、板状部材１６１２と、をこの順番で積層することによって得られる。
【００９４】
なお、層間基板１６Ｃのうち、平面視において、開口１１６，１３５を包含する領域には、貫通孔１６６が形成されており、開口１２６，１３６を包含する領域には、貫通孔１６７が形成されている。したがって、板状部材１６１Ｃの内部に層状部材１６１１が設けられている場合であっても、共振器１１Ｃと共振器１３Ｃとを電磁気的に結合させることができ、共振器１２Ｃと共振器１３Ｃとを電磁気的に結合させることができる。
【００９５】
図５には図示されていないものの、層状部材１６１１には、バラクタダイオード１１９に上述した制御信号を供給するための制御信号線が形成されている。本実施形態において、制御信号線は、層状部材１６１１をパターニングすることによって形成されている。制御信号線は、自身を挟み込むように残された層状部材１６１１とともにコプレナー線路を構成する。なお、制御信号線は、上述した構成に限定されず、板状部材１６１Ｃに設けられた信号線であればよい。
【００９６】
また、本変形例では、板状部材１６１Ｃを構成する導体材料製の層状部材が一層であるため、（１）共振器１１Ｃのバラクタダイオード１１９、及び、共振器１２Ｃのバラクタダイオード１２９の各々を制御するための制御信号線と、（２）共振器１３Ｃのバラクタダイオード１３９を制御するための制御信号線とが、何れも層状部材１６１１と同じ層内に形成されている。しかし、板状部材１６１Ｃを構成する導体材料製の層状部材が複数層ある場合、上述した、（１）の制御信号線と、（２）の制御信号線とを、異なる層状部材の層内に形成してもよい。
【００９７】
また、この場合、（１）の制御信号線を形成する層と、（２）の制御信号線を形成する層と間に、更なる導体材料製の層状部材を形成してもよい。この構成によれば、（１）の制御信号線と、（２）の制御信号線との間に生じ得るクロストークを低減することができる。
【００９８】
（フィルタ装置１０Ｃの効果）
以上のように、フィルタ装置１０Ｃは、積層方向に沿って隣接している支持基板同士（支持基板１４と支持基板１５）の間に介在する、層間基板（１６Ｃ）を更に備え、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの各々の上記一対の広壁のうち、少なくとも一方の広壁（層状部材１４２及び層状部材１５３）には、外部からの電気的な制御信号に応じて該共振器の静電容量を変化させるバラクタダイオード１１９，１２９，１３９が配置されている。
【００９９】
層間基板（１６Ｃ）には、制御信号をバラクタダイオード１１９，１２９，１３９に供給する制御信号線が形成されている。
【０１００】
上記の構成によれば、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの各々の共振周波数を、外部から制御することができる。したがって、外部からの制御に応じて、フィルタ装置の通過帯域を変化させることができる。
【０１０１】
また、上記の構成によれば、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの形状及びサイズを同一に構成した場合であっても、外部からの制御に応じて、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの各々の共振周波数を異ならせることができる。したがって、共振器１１Ｃ，１２Ｃ，１３Ｃの各々の共振周波数を、設計変更等を伴うことなく容易に最適化することができる。
【０１０２】
〔第２の実施形態〕
本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の製造方法Ｍ１０について、図６を参照して説明する。なお、以下において、フィルタ装置の製造方法Ｍ１０のことを単に製造方法Ｍ１０とも称する。図６の（ａ）は、製造方法Ｍ１０フローチャートである。図６の（ｂ）は、製造方法Ｍ１０に含まれる共振器形成工程Ｓ１のフローチャートである。
【０１０３】
製造方法Ｍ１０は、図１及び図２に示したフィルタ装置１０を好適に製造することができる。製造方法Ｍ１０は、図６の（ａ）に示すように、共振器形成工程Ｓ１２と、凹部形成工程Ｓ１４と、固定工程Ｓ１６と、積層工程Ｓ１８と、を含んでいる。
【０１０４】
共振器形成工程Ｓ１２は、図６の（ｂ）に示すように、貫通孔形成工程Ｓ１２１と、導体壁形成工程Ｓ１２２と、開口形成工程Ｓ１２３と、切り出し工程Ｓ１２４と、を含んでいる。
【０１０５】
貫通孔形成工程Ｓ１２１は、誘電体材料製（本実施形態では石英ガラス製）の母基板の内部に、且つ、平面視において複数の共振器１１，１２，１３の各共振領域を取り囲むように、複数の貫通孔を形成する工程である。貫通孔形成工程Ｓ１２１において、これらの複数の貫通孔の各々は、それぞれ、複数の導体ポスト１１４ｉ，１２４ｊ，１３４ｋに対応する位置に形成される。すなわち、複数の貫通孔は、母基板の内部に柵状に形成される。
【０１０６】
導体壁形成工程Ｓ１２２は、貫通孔形成工程Ｓ１２１において複数の貫通孔が形成された母基板の一対の主面及び複数の貫通孔の内壁に導体材料製の層状部材を形成することによって、各共振器１１，１２，１３の共振領域を取り囲む導体壁を形成する工程である。具体的には、導体壁形成工程Ｓ１２２は、複数の貫通孔の内壁に導体材料製の層状部材を形成することによって、狭壁として機能するポスト壁１１４，１２４，１３４を形成するとともに、母基板の一対の主面に導体材料製の一対の層状部材を形成することによって一対の広壁を形成する工程である。ここで形成された一対の広壁は、後述する切り出し工程Ｓ１２４において各共振器１１，１２，１３が切り出されることによって、上述した広壁１１２，１１３，１２２，１２３，１３２，１３３となる。なお、本実施形態において、ポスト壁１１４，１２４，１３４及び一対の広壁を１つの工程でまとめて形成している。しかし、ポスト壁１１４，１２４，１３４及び一対の広壁の各々は、別個の工程に分けて形成することもできる。
【０１０７】
なお、共振器１１，１２，１３は、ポスト壁導波路の一態様でもあるため、導体壁形成工程Ｓ１２２としては、既存のポスト壁導波路を製造するための技術を適宜利用することができる。
【０１０８】
開口形成工程Ｓ１２３は、導体壁形成工程Ｓ１２２において形成された一対の広壁のうち、各共振器１１，１２，１３の開口１１５，１１６，１２５，１２６，１３５，１３６に対応する位置に開口を形成する工程である。一対の広壁に開口１１５，１１６，１２５，１２６，１３５，１３６に対応する開口を形成する手法は、限定されるものではなく、適宜選択することができる。
【０１０９】
切り出し工程Ｓ１２４は、母基板から複数の共振器１１，１２，１３の各々を切り出す工程である。母基板から各共振器１１，１２，１３を切り出す方法は、限定されないが、例えばダイシングソーを好適に用いることができる。
【０１１０】
凹部形成工程Ｓ１４は、支持基板１４に凹部１４ａ，１４ｂを形成し、且つ、支持基板１５に凹部１５ａを形成する工程である。凹部形成工程Ｓ１４において、支持基板１４，１５に凹部１４ａ，１４ｂ，１５ａを形成する手法は、限定されるものではなく、適宜選択することができる。
【０１１１】
固定工程Ｓ１６は、支持基板１４に形成された凹部１４ａ，１４ｂの各々に、それぞれ、共振器１１，１２の各々を埋設すると共に固定し、且つ、支持基板１５に形成された凹部１５ａに共振器１３を埋設すると共に固定する工程である。本実施形態では、接着剤１４４，１４５，１５４の各々を用いて、共振器１１，１２，１３の各々をそれぞれ凹部１４ａ，１４ｂ，１５ａに固定する。
【０１１２】
積層工程Ｓ１８は、支持基板１４，１５を積層することによって、層Ｌ１内に配置されている共振器１１，１２の各々と、層Ｌ２内に配置されている共振器１３とを、電磁気的に結合する工程である。すなわち、異なる層内に配置されている共振器同士を電磁気的に結合する工程である。本実施形態の積層工程Ｓ１８では、導電性接合部材の一例である半田を用いて支持基板１４と支持基板１５とを接合する。
【０１１３】
以上のように構成された製造方法Ｍ１０は、図１及び図２に示したフィルタ装置１０と同様の効果を奏する。
【０１１４】
また、誘電体材料の小片を用いた共振器の構成としては、以下の２つの構成が考えられる。第１の構成は、共振器１１，１２，１３のように誘電体材料の小片を用い、その小片の一対の主面に一対の広壁を形成し、且つ、誘電体材料の小片の内部にポスト壁１１４，１２４，１３４を形成した構成である。第２の構成は、特許文献１に記載されているように誘電体材料の小片を用い、その小片の全ての表面（すなわち、一対の主面及び側面）を覆うように導体材料製の層状部材を形成した構成である。
【０１１５】
第２の構成を採用した場合、母基板から小片を切り出したうえで、小さいために取り扱いが難しい小片の表面に導体材料製の層状部材を形成することが求められる。一方、第１の構成を採用した場合、切り出し工程Ｓ１２４により母基板から各共振器１１，１２，１３を切り出した段階で各共振器１１，１２，１３が完成している。そのため、取り扱いが難しい小片に対して更なる加工を施す必要がない。以上のように、フィルタ装置１０がポスト壁１１４，１２４，１３４を峡壁として用いた共振器１１，１２，１３を備えていることによって、換言すれば、製造方法Ｍ１０が共振器形成工程Ｓ１２を含むことによって、第２の構成と比較して、容易に共振器１１，１２，１３を形成することができる。
【０１１６】
＜製造方法の変形例＞
図６に示した製造方法Ｍ１０の変形例である製造方法Ｍ１０Ａについて、図７を参照して説明する。図７は、製造方法Ｍ１０Ａのフローチャートである。
【０１１７】
製造方法Ｍ１０Ａは、図５に示したフィルタ装置１０Ｃを好適に製造することができる。製造方法Ｍ１０Ａは、図７に示すように、共振器形成工程Ｓ１２と、層間基板形成工程Ｓ１３と、凹部形成工程Ｓ１４と、固定工程Ｓ１６と、実装工程Ｓ１７と、積層工程Ｓ１８と、を含んでいる。
【０１１８】
製造方法Ｍ１０Ａが含んでいる凹部形成工程Ｓ１４、固定工程Ｓ１６、及び積層工程Ｓ１８は、製造方法Ｍ１０の凹部形成工程Ｓ１４、固定工程Ｓ１６、及び積層工程Ｓ１８と同様である。したがって、本実施形態では、共振器形成工程Ｓ１２、層間基板形成工程Ｓ１３、及び実装工程Ｓ１７について説明する。
【０１１９】
製造方法Ｍ１０Ａの共振器形成工程Ｓ１２は、製造方法Ｍ１０の共振器形成工程Ｓ１２と比較して、上述した共振周波数の可変機構の一部を構成する導体ポスト１１７，１２７，１３７及びパッド１１８，１２８，１３８を、形成する点が異なる。
【０１２０】
共振器１１Ｃを例にして説明すれば、導体ポスト１１７は、形成されている位置が導体ポスト１１４ｉと異なるものの、物理的な構成は、導体ポスト１１４ｉと同一である。したがって、導体ポスト１１７は、上述した導体壁形成工程Ｓ１２２において各導体ポスト１１４ｉと同じプロセスを用いて、容易に形成することができる。
【０１２１】
パッド１１８は、層状部材１４２の一部に円環状のアンチパッドを形成することによって形成することができる。したがって、層状部材１４２の一部に開口１１６，１２６を形成するときに、同じプロセスを用いてアンチパッドを形成することによって、パッド１１８を形成することができる。
【０１２２】
層間基板形成工程Ｓ１３においては、層状部材１６１１と、板状部材１６１２と、層状部材１６２とがこの順番で積層された積層基板（以下において両面板と称する）と、層状部材１６３と、板状部材１６１３とがこの順番で積層された積層基板（以下において片面板と称する）とを用いる。
【０１２３】
まず、両面板において、この層状部材１６１１をパターニングすることによって、第３の変形例において記載した制御信号線を形成する。また、平面視した場合に、バラクタダイオード１３９に対応する領域と、開口１１６，１３５に対応する領域と、開口１２６，１３６に対応する領域とに、両面板を貫通する貫通孔を形成する。
【０１２４】
次に、片面板において、平面視した場合に、バラクタダイオード１１９，１２９に対応する領域と、開口１１６，１３５に対応する領域と、開口１２６，１３６に対応する領域とに、片面板を貫通する貫通孔を形成する。
【０１２５】
そのうえで、両面板の層状部材１６１１と、片面板の板状部材１６１３とが対向した状態で、両面板と片面板とを接合する。以上の工程により、層間基板が形成される。
【０１２６】
実装工程Ｓ１７は、バラクタダイオード１１９を、支持基板１４の凹部１４ａに固定された共振器１１Ｃに実装し、バラクタダイオード１２９を、支持基板１４の凹部１４ｂに固定された共振器１２Ｃに実装し、バラクタダイオード１３９を、支持基板１５の凹部１５ａに固定された共振器１３Ｃに実装する工程である。具体的には、半田を用いて、バラクタダイオード１１９の両端に設けられた電極の各々を、それぞれ、パッド１１８及び広壁１１２に接合し、バラクタダイオード１２９の両端に設けられた電極の各々を、それぞれ、パッド１２８及び広壁１２２に接合し、バラクタダイオード１３９の両端に設けられた電極の各々を、それぞれ、パッド１３８及び広壁１３３に接合する。
【０１２７】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ  フィルタ装置
Ｌ１，Ｌ２  層
１１，１２，１３，１１Ｃ，１２Ｃ，１２Ｃ  共振器
１１４，１２４，１３４  ポスト壁（第１の導体ポスト群）
１１４ｉ，１２４ｊ，１３４ｋ  導体ポスト
１１５，１１６，１２５，１２６，１３５，１３６  開口
１１９，１２９，１３９  バラクタダイオード
１４，１５，１４Ａ，１４Ｂ  支持基板
１４ａ，１４ｂ，１５ａ  凹部
１６，１６Ｃ  層間基板
１６４，１６５  ポスト壁（第２の導体ポスト群）
１６６，１６７  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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