(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱する予熱部と、
前記予熱部において予熱された前記電子部品を加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部と、
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された前記電子部品を冷却する冷却部と、
前記電子部品を前記トレイごと保持し、前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する第１搬送部と、
前記シンタリングプレス部から前記冷却部へ前記電子部品を前記トレイごと搬送する第２搬送部と
を含み、
前記第２搬送部は、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路を有し、前記第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆ったままの状態で前記シンタリングプレス部から前記冷却部へ搬送するものであり、
前記冷却部は、前記第２搬送部により搬送される前記電子部品を前記トレイごと前記第２搬送部との間で挟み込み、不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆ったままの状態で冷却するものである
シンタリング装置。
【請求項２】
前記シンタリングプレス部は、前記電子部品を前記トレイごと挟み込む上型および下型と、前記上型および前記下型のそれぞれに設けられたシンタリングプレス部加熱手段と、前記上型および前記下型の少なくとも一方に設けられ、不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給路とを有し、前記電子部品を前記トレイごと前記上型と前記下型とで挟み込み、前記第２不活性ガス供給路から供給され、前記シンタリングプレス部加熱手段により加熱される不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆った状態で前記シンタリングプレス部加熱手段により加熱してシンタリング処理するものである請求項１記載のシンタリング装置。
【請求項３】
前記冷却部は、当該冷却部を加熱する冷却部加熱手段と、当該冷却部を冷却する冷却部冷却手段と、当該冷却部の温度を検知する冷却部温度検知手段とを有し、前記冷却部温度検知手段により検知した温度に基づいて前記冷却部加熱手段および前記冷却部冷却手段を制御して、前記電子部品を所定の冷却時間で所定の温度まで冷却するものである請求項１または２に記載のシンタリング装置。
【請求項４】
前記冷却部は、さらに、前記トレイの温度を検知するトレイ温度検知手段を有し、前記冷却部温度検知手段により検知した温度および前記トレイ温度検知手段により検知した温度に基づいて前記冷却部加熱手段および前記冷却部冷却手段を制御するものである請求項３記載のシンタリング装置。
【請求項５】
前記冷却部は、前記冷却部加熱手段が前記冷却部冷却手段よりも前記電子部品に近い位置に配置されたものである請求項３または４に記載のシンタリング装置。
【請求項６】
前記予熱部は、不活性ガスを供給する第３不活性ガス供給路と、当該予熱部を加熱する予熱部加熱手段と、当該予熱部の温度を検知する予熱部温度検知手段とを有し、前記電子部品を前記トレイごと前記第１搬送部との間で挟み込み、前記第３不活性ガス供給路から供給する不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆い、前記予熱部温度検知手段により検知した温度に基づいて前記予熱部加熱手段を制御して、前記電子部品を所定の予熱温度で所定時間予熱するものである請求項１から５のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項７】
前記第１搬送部は、不活性ガスを供給する第４不活性ガス供給路を有し、前記第４不活性ガス供給路から供給される不活性ガスにより前記電子部品を覆ったままの状態で前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送するものである請求項１から６のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項８】
前記第１搬送部は、当該第１搬送部を加熱する搬送部加熱手段と、当該第１搬送部の温度を検知する搬送部温度検知手段とを有し、前記搬送部温度検知手段により検知した温度に基づいて前記搬送部加熱手段を制御して、前記電子部品の搬送中、前記電子部品を所定温度に保持するものである請求項１から７のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項９】
前記トレイは、不活性ガスが上下に通過する貫通孔を有するものである請求項１から８のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項１０】
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された前記電子部品を冷却する複数の冷却部を有する請求項１から９のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項１１】
前記複数の冷却部は、前記冷却部において所定の温度まで冷却した後、さらに段階的に冷却するものである請求項１０記載のシンタリング装置。
【請求項１２】
前記シンタリングプレス部および前記冷却部をそれぞれ複数有し、
前記複数の冷却部は、前記複数のシンタリングプレス部でシンタリング処理された前記電子部品がそれぞれ振り分けられて冷却するものである請求項１から９のいずれか１項に記載のシンタリング装置。
【請求項１３】
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱部において予熱し、前記予熱部において予熱された前記電子部品をシンタリングプレス部において加熱、加圧してシンタリング処理し、前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された前記電子部品を冷却部において冷却するシンタリング方法であって、
前記予熱部において予熱された前記電子部品を第１搬送部により前記トレイごと保持し、前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送すること、
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された前記電子部品を、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路を有する第２搬送部により、前記シンタリングプレス部から前記冷却部へ前記電子部品を前記トレイごと搬送するに際し、前記第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆ったままの状態で前記シンタリングプレス部から前記冷却部へ搬送すること、
前記冷却部において、前記第２搬送部により搬送される前記電子部品を前記トレイごと前記第２搬送部との間で挟み込み、不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆ったままの状態で冷却すること
を含むシンタリング方法。
【請求項１４】
前記シンタリングプレス部において前記電子部品を前記トレイごと上型と下型とで挟み込み、前記上型および前記下型の少なくとも一方に設けられた第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスであり、前記上型および前記下型のそれぞれに設けられたシンタリングプレス部加熱手段により加熱される不活性ガスにより前記トレイ内の前記電子部品を覆った状態で前記シンタリングプレス部加熱手段により加熱してシンタリング処理すること
を含む請求項１３記載のシンタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀ナノペーストなどの接合材を用いてシンタリング（焼結法）により電子部品を接合する電子部品のシンタリング装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エアーコンディショナー、エレベーター、ハイブリット自動車や電気自動車などの電動機器では、電源電圧と駆動電圧とが異なることが多い。そのため、これらの電動機器には、インバーターやコンバーターなどの電力変換装置が搭載されている。これらの中でパワー半導体を用いて電力を変換する機器をパワーモジュールと呼ぶ。一般的に、パワー半導体は絶縁基板に半田接合されている。
【０００３】
パワー半導体を絶縁基板に半田接合させる方法として、例えば、特許文献１には、インテリジェントパワーモジュールなどの半導体装置の自動化組立において、あらかじめ金属ベース板にパワー回路、制御回路ブロックを搭載した回路組立体を主チャンバーに送り込む搬送途上でその接合面が半田溶融点より３０〜５０℃高い温度となるように予熱し、この予熱された回路組立体の上に端子一体型の外囲樹脂ケースをドッキングして重ね合わせ、この状態で外部導出端子と主回路、制御回路ブロックとの間のはんだ付け、および樹脂ケースと金属ベース板との間の接着を同時に行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２３３４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パワー半導体は、１０ｍｍ角程度の小さなチップ１枚当たりに５０Ａから家庭数世帯分に相当する数百Ａ程度の電流が流れるため、動作中はチップから多くの熱が発生する。現行のＳｉパワー半導体の動作温度の上限は１７５℃程度である。この温度を越えないようにするため、チップから発生した熱は、チップ裏面から半田接合された基板を経由し、ヒートシンクを通じて速やかに排出される必要がある。したがって、パワー半導体チップと絶縁基板とを接合するダイボンド部には、熱伝導率の高い材料を用いることが望ましい。
【０００６】
近年、２００℃以上の高温動作が可能なＳｉＣパワー半導体の開発と製品化が進められている。しかし、現在ダイボンド部に多く用いられている錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）系や錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の鉛（Ｐｂ）フリー半田は２２０℃近傍に融点を持つため、ＳｉＣパワー半導体の特徴を生かすことができない。また、Ｐｂを多く含む半田は２９０℃以上の高い融点を持つが、環境への影響を考慮した場合、適用は避けるべきである。さらに、周辺部材の耐熱性や冷却時の残留応力の観点から、接合温度は３００℃以下が望ましい。
【０００７】
そこで、本発明においては、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能なシンタリング装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のシンタリング装置は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱する予熱部と、予熱部において予熱された電子部品を加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部と、シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を冷却する冷却部と、電子部品をトレイごと保持し、予熱部からシンタリングプレス部へ搬送する第１搬送部と、シンタリングプレス部から冷却部へ電子部品をトレイごと搬送する第２搬送部とを含み、第２搬送部は、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路を有し、第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆ったままの状態でシンタリングプレス部から冷却部へ搬送するものであり、冷却部は、第２搬送部により搬送される電子部品をトレイごと第２搬送部との間で挟み込み、不活性ガスにより電子部品を覆ったままの状態で冷却するものである。
【０００９】
本発明のシンタリング方法は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱部において予熱し、予熱部において予熱された電子部品をシンタリングプレス部において加熱、加圧してシンタリング処理し、シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を冷却部において冷却するシンタリング方法であって、予熱部において予熱された電子部品を第１搬送部によりトレイごと保持し、予熱部からシンタリングプレス部へ搬送すること、シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路を有する第２搬送部により、シンタリングプレス部から冷却部へ電子部品をトレイごと搬送するに際し、第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆ったままの状態でシンタリングプレス部から冷却部へ搬送すること、冷却部において、第２搬送部により搬送される電子部品をトレイごと第２搬送部との間で挟み込み、不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆ったままの状態で冷却することを含むことを特徴とする。
【００１０】
これらの発明によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱し、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリングプレス部においてシンタリング処理されたトレイ内の電子部品を不活性ガスにより覆った状態として冷却部へ搬送し、さらに不活性ガスにより覆ったままの状態で冷却することで、シンタリング処理により高温となって酸化しやすくなっている部材の酸化を防止することができる。
【００１１】
シンタリングプレス部は、電子部品をトレイごと挟み込む上型および下型と、上型および下型のそれぞれに設けられたシンタリングプレス部加熱手段と、上型および下型の少なくとも一方に設けられ、不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給路とを有し、電子部品をトレイごと上型と下型とで挟み込み、第２不活性ガス供給路から供給され、シンタリングプレス部加熱手段により加熱される不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆った状態でシンタリングプレス部加熱手段により加熱してシンタリング処理するものであることが望ましい。これにより、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱し、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリングプレス部においてトレイごと上型と下型とで挟み込み、加熱された不活性ガスにより電子部品を覆った状態で加熱してシンタリング処理し、このシンタリング処理後のトレイ内の電子部品を不活性ガスにより覆った状態として冷却部へ搬送し、さらに不活性ガスにより覆ったままの状態で冷却することで、シンタリング処理により高温となって酸化しやすくなっている部材の酸化を防止することができる。
【００１２】
冷却部は、当該冷却部を加熱する冷却部加熱手段と、当該冷却部を冷却する冷却部冷却手段と、当該冷却部の温度を検知する冷却部温度検知手段とを有し、冷却部温度検知手段により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段および冷却部冷却手段を制御して、電子部品を所定の冷却時間で所定の温度まで冷却するものであることが望ましい。これにより、冷却部の温度を検知した結果に基づいて冷却部を加熱および冷却することで、シンタリング後の電子部品が急激な冷却によりクラック発生などの品質不良を起こさないように適正な冷却時間をかけて所定の温度まで冷却することができる。
【００１３】
冷却部は、さらに、トレイの温度を検知するトレイ温度検知手段を有し、冷却部温度検知手段により検知した温度およびトレイ温度検知手段により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段および冷却部冷却手段を制御するものであることが望ましい。これにより、冷却部の温度に加えてトレイの温度を検知し、検知した冷却部の温度およびトレイの温度に基づいて冷却部をよりさらに高精度に制御して加熱および冷却することで、シンタリング後の電子部品が急激な冷却によりクラック発生などの品質不良を起こさないように、より適正な冷却時間をかけて所定の温度まで冷却することができる。
【００１４】
冷却部は、冷却部加熱手段が冷却部冷却手段よりも電子部品に近い位置に配置されたものであることが望ましい。この構成により、冷却部全体の冷却を冷却部冷却手段で行い、冷却部の温度制御は、電子部品に近い位置に配置され、レスポンス良く制御しやすい冷却部加熱手段により行うことで、冷却部の高精度な冷却管理を行うことが可能となる。
【００１５】
予熱部は、不活性ガスを供給する第３不活性ガス供給路と、当該予熱部を加熱する予熱部加熱手段と、当該予熱部の温度を検知する予熱部温度検知手段とを有し、電子部品をトレイごと第１搬送部との間で挟み込み、第３不活性ガス供給路から供給する不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆い、予熱部温度検知手段により検知した温度に基づいて予熱部加熱手段を制御して、電子部品を所定の予熱温度で所定時間予熱するものであることが望ましい。これにより、予熱時に電子部品を不活性ガスにより覆った状態で、予熱部の温度を検知した結果に基づいて予熱部により加熱することで、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止することができる。
【００１６】
第１搬送部は、不活性ガスを供給する第４不活性ガス供給路を有し、第４不活性ガス供給路から供給される不活性ガスにより電子部品を覆ったままの状態で予熱部からシンタリングプレス部へ搬送するものであることが望ましい。これにより、予熱後の電子部品を不活性ガスにより覆ったままシンタリングプレス部へ搬送することで、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止してシンタリング処理することができる。
【００１７】
第１搬送部は、当該第１搬送部を加熱する搬送部加熱手段と、当該第１搬送部の温度を検知する搬送部温度検知手段とを有し、搬送部温度検知手段により検知した温度に基づいて搬送部加熱手段を制御して、電子部品の搬送中、電子部品を所定温度に保持するものであることが望ましい。これにより、予熱部からシンタリングプレス部までの搬送に時間がかかる場合であっても、搬送中に電子部品を所定温度に保持し、シンタリングプレス部において効率良くシンタリング処理することができる。
【００１８】
トレイは、不活性ガスが上下に通過する貫通孔を有するものであることが望ましい。これにより、トレイの上下の一方から不活性ガスを供給すると、貫通孔を通じて不活性ガスがトレイの上下に供給されるので、トレイ内の電子部品全体が上下より不活性ガスで覆われるようになる。
【発明の効果】
【００１９】
（１）本発明によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱し、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリングプレス部においてシンタリング処理することにより、シンタリング処理を安定させることができ、さらにシンタリング処理後の冷却部への搬送および冷却部における冷却処理までの間、電子部品を不活性ガスにより覆ったままとすることで、シンタリング処理により高温となって酸化しやすくなる部材の酸化を防止することができ、品質を低下させることなく、電子部品を効率良く接合して、電子部品の品質を向上させることができる。
【００２０】
（２）基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をトレイ内に載置した状態で予熱し、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリングプレス部においてトレイごと上型と下型とで挟み込み、加熱された不活性ガスにより電子部品を覆った状態で加熱してシンタリング処理し、このシンタリング処理後のトレイ内の電子部品を不活性ガスにより覆った状態として冷却部へ搬送し、さらに不活性ガスにより覆ったままの状態で冷却する構成により、シンタリング処理を安定させることができ、さらにこのシンタリングプレス部におけるシンタリング処理からその後の冷却部への搬送および冷却部における冷却処理までの間、電子部品を不活性ガスにより覆ったままとすることで、シンタリング処理により高温となって酸化しやすくなる部材の酸化を防止することができ、品質を低下させることなく、電子部品を効率良く接合して、電子部品の品質を向上させることができる。
【００２１】
（３）冷却部が、当該冷却部を加熱する冷却部加熱手段と、当該冷却部を冷却する冷却部冷却手段と、当該冷却部の温度を検知する冷却部温度検知手段とを有し、冷却部温度検知手段により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段および冷却部冷却手段を制御して、電子部品を所定の冷却時間で所定の温度まで冷却するものであることにより、クラック発生などの品質不良を防止して、より電子部品の品質を向上させることができる。
【００２２】
（４）冷却部が、さらに、トレイの温度を検知するトレイ温度検知手段を有し、冷却部温度検知手段により検知した温度およびトレイ温度検知手段により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段および冷却部冷却手段を制御するものであることにより、クラック発生などの品質不良をさらに防止して、さらに電子部品の品質を向上させることができる。
【００２３】
（５）冷却部は、冷却部加熱手段が冷却部冷却手段よりも電子部品に近い位置に配置されたものであることにより、冷却部の高精度な冷却管理を行うことが可能となり、クラック発生などの品質不良をさらに効率良く防止して、さらに電子部品の品質を向上させることができる。
【００２４】
（６）予熱部が、不活性ガスを供給する第３不活性ガス供給路と、当該予熱部を加熱する予熱部加熱手段と、当該予熱部の温度を検知する予熱部温度検知手段とを有し、電子部品をトレイごと第１搬送部との間で挟み込み、第３不活性ガス供給路から供給する不活性ガスによりトレイ内の電子部品を覆い、予熱部温度検知手段により検知した温度に基づいて予熱部加熱手段を制御して、電子部品を所定の予熱温度で所定時間予熱するものであることにより、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止することができ、品質を低下させることなく、電子部品を効率良く接合して、電子部品の品質を向上させることができる。
【００２５】
（７）搬送部が、不活性ガスを供給する第４不活性ガス供給路を有し、第４不活性ガス供給路から供給される不活性ガスにより電子部品を覆ったままの状態で予熱部からシンタリングプレス部へ搬送するものであることにより、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止してシンタリング処理することができ、品質を低下させることなく、電子部品をより効率良く接合して、電子部品の品質をさらに向上させることができる。
【００２６】
（８）第１搬送部が、当該第１搬送部を加熱する搬送部加熱手段と、当該第１搬送部の温度を検知する搬送部温度検知手段とを有し、搬送部温度検知手段により検知した温度に基づいて搬送部加熱手段を制御して、電子部品の搬送中、電子部品を所定温度に保持するものであることにより、複数のシンタリングプレス部を備えるなどして予熱部からシンタリングプレス部までの搬送に時間がかかる場合であっても、搬送中に電子部品を所定温度に保持し、シンタリングプレス部において効率良くシンタリング処理することができる。
【００２７】
（９）トレイが、不活性ガスが上下に通過する貫通孔を有するものであることにより、簡単な構成で電子部品全体を不活性ガスにより覆うことができ、酸化を防止して、電子部品の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図である。
【図２】予熱部および第１搬送部の詳細を示す図であって、（Ａ）は電子部品を予熱部と第１搬送部とで挟み込む前の状態を示す縦断面図、（Ｂ）は電子部品を予熱部と第１搬送部とで挟み込んだ状態を示す縦断面図、（Ｃ）は予熱後の電子部品を第１搬送部によって保持した状態を示す縦断面図である。
【図３】シンタリングプレス部の詳細を示す図であって、（Ａ）は型を開いた状態を示す縦断面図、（Ｂ）は型を締めた状態を示す縦断面図である。
【図４】第２搬送部および冷却部の詳細を示す図であって、（Ａ）は電子部品を第２搬送部と冷却部とで挟み込む前の状態を示す縦断面図、（Ｂ）は電子部品を第２搬送部と冷却部とで挟み込んだ状態を示す縦断面図である。
【図５】第３不活性ガス供給路から供給される不活性ガスの流れを示す図であって、（Ａ）は図２（Ｂ）のトレイの一部を平面視した図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】第３不活性ガス供給路の別の例を示す断面図である。
【図７】シンタリングプレス部の押圧機構を説明する縦断面図である。
【図８】冷却部の温度制御の例を示す図である。
【図９】冷却部の例を示す図であって、（Ａ）は冷却部加熱手段を示す横断面図、（Ｂ）は冷却部冷却手段を示す横断面図である。
【図１０】冷却部の別の例を示す図である。
【図１１】本発明のシンタリング装置の別の実施形態を示す概略構成図である。
【図１２】本発明のシンタリング装置のさらに別の実施形態を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１は本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図、図２は予熱部および第１搬送部の詳細を示す図であって、（Ａ）は電子部品を予熱部と第１搬送部とで挟み込む前の状態を示す縦断面図、（Ｂ）は電子部品を予熱部と第１搬送部とで挟み込んだ状態を示す縦断面図、（Ｃ）は予熱後の電子部品を第１搬送部によって保持した状態を示す縦断面図、図３はシンタリングプレス部の詳細を示す図であって、（Ａ）は型を開いた状態を示す縦断面図、（Ｂ）は型を締めた状態を示す縦断面図、図４は第２搬送部および冷却部の詳細を示す図であって、（Ａ）は電子部品を第２搬送部と冷却部とで挟み込む前の状態を示す縦断面図、（Ｂ）は電子部品を第２搬送部と冷却部とで挟み込んだ状態を示す縦断面図である。
【００３０】
図１において、本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置１は、電子部品１１を供給する供給部２と、供給部２により供給される電子部品１１を予熱する予熱部３と、予熱部３による予熱後の電子部品１１をシンタリング処理するシンタリングプレス部４と、シンタリングプレス部４によるシンタリング処理後の電子部品を冷却する冷却部５と、冷却部５による冷却後の電子部品を収納する収納部６と、電子部品１１を予熱部３からシンタリングプレス部４へ搬送する第１搬送部７と、電子部品をシンタリングプレス部４から冷却部５へ搬送する第２搬送部８と、窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給部９と、予熱部３、シンタリングプレス部４や冷却部５等の温度を制御する温度制御部１０とを有する。
【００３１】
電子部品１１は、図２に示すように、絶縁基板等の基板１１Ｂ上に接合材（図示せず。）を介して半導体チップ１１Ａが載置されたものである。接合材は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどのシンタリング（焼結法）用接合材である。半導体チップは、パワーモジュールに用いられるパワー半導体チップである。電子部品１１は、１つまたは複数個がトレイ１２内に載置された状態のまま、トレイ１２ごとシンタリング装置１内を搬送される。トレイ１２は、電子部品１１を１つずつ収容する収容部１２Ａを有する。収容部１２Ａは、トレイ１２を上下に貫通する開孔１２Ｂを有する。
【００３２】
予熱部３は、シンタリングプレス部４の前段に配設されている。予熱部３では、電子部品１１を第１予熱温度で予熱する。第１予熱温度は、シンタリング処理温度よりも低い温度である。第１予熱温度は、接合材が銀ナノペーストの場合、１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）である。予熱部３は、図２に示すように、不活性ガスを供給する第３不活性ガス供給路３１と、予熱部３を加熱する予熱部加熱手段３２と、予熱部３の温度を検知する予熱部温度検知手段３３とを有する。
【００３３】
予熱部３では、第１搬送部７により供給部２から搬送された電子部品１１を、図２（Ｂ）に示すように、トレイ１２ごと第１搬送部７との間で挟み込み、第１予熱温度まで予熱する。このとき、予熱部３では、不活性ガス供給部９から第３不活性ガス供給路３１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆い、温度制御部１０が予熱部温度検知手段３３により検知した温度に基づいて予熱部加熱手段３２を制御して、電子部品１１を所定の第１予熱温度で所定時間予熱する。
【００３４】
図５は第３不活性ガス供給路３１から供給される不活性ガスの流れを示す図であって、（Ａ）は図２（Ｂ）のトレイ１２の一部を平面視した図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００３５】
図５に示すように、第３不活性ガス供給路３１は、各収容部１２Ａの下方まで不活性ガスを供給する第１流路３１Ａと、第１流路３１Ａに接続され、各収容部１２Ａへ向かって開孔された第２流路３１Ｂと、第２流路３１Ｂに接続され、各収容部１２Ａの開孔１２Ｂへ向かって開孔された第３流路３１Ｃとを備える。トレイ１２の開孔１２Ｂは、各電子部品１１を収容する収容部１２Ａの中心部に、平面視で電子部品１１（基板１１Ｂ）よりも若干小さく形成されている。また、収容部１２Ａの四隅には、収容部１２Ａの電子部品１１上の空間と第２流路３１Ｂとを接続する開孔１２Ｃが設けられている。
【００３６】
トレイ１２の開孔１２Ｂは、収容部１２Ａに電子部品１１が収容された際に、この収容された電子部品１１によって閉塞されるが、第３不活性ガス供給路３１から供給される不活性ガスは、第１流路３１Ａ、第２流路３１Ｂおよび開孔１２Ｃを通じて収容部１２Ａの電子部品１１上の空間へ供給される。一方、収容部１２Ａの下の開孔１２Ｂに対しては、不活性ガスは第１流路３１Ａ、第２流路３１Ｂおよび第３流路３１Ｃを通じて供給される。
【００３７】
図６は第３不活性ガス供給路３１の別の例を示している。図６に示す例では、トレイ１２の下面に第２流路３１Ｂと開孔１２Ｂとに接続される供給路１２Ｄを設けている。これにより、収容部１２Ａの下の開孔１２Ｂに対して、不活性ガスは第１流路３１Ａ、第２流路３１Ｂおよび供給路１２Ｄを通じて供給される。
【００３８】
すなわち、本実施形態におけるトレイ１２では、開孔１２Ｂ，１２Ｃによりトレイ１２の上下の空間が通じているので、予熱部３と第１搬送部７との間で挟み込んだ電子部品１１に対して上下の空間のいずれか一方から不活性ガスを供給すると、この開孔１２Ｂ，１２Ｃを通してトレイ１２内の電子部品１１の全体が不活性ガスにより覆われる。
【００３９】
第１搬送部７は、不活性ガスを供給する第４不活性ガス供給路７１と、第１搬送部７を加熱する搬送部加熱手段７２と、第１搬送部７の温度を検知する搬送部温度検知手段７３とを有する。第１搬送部７は、図２（Ｃ）に示すように、予熱後の電子部品１１を下側に保持し、予熱部３からシンタリングプレス部４へ搬送する。このとき、第１搬送部７は、不活性ガス供給部９から第４不活性ガス供給路７１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆ったままの状態で搬送する。この電子部品１１の搬送中、第１搬送部７は、温度制御部１０が搬送部温度検知手段７３により検知した温度に基づいて搬送部加熱手段７２を制御して、電子部品１１を所定の第２予熱温度に保持する。第２予熱温度は、シンタリング処理温度よりも低い温度である。第２予熱温度は、接合材が銀ナノペーストの場合、１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）である。
【００４０】
シンタリングプレス部４は、図３に示すように、電子部品１１をトレイ１２ごと挟み込む上型４０Ａおよび下型４０Ｂと、不活性ガスを供給する第２不活性ガス供給路４１と、上型４０Ａおよび下型４０Ｂのそれぞれに設けられたシンタリングプレス部加熱手段４２Ａ，４２Ｂと、上型４０Ａと下型４０Ｂとを型締めする型締め機構４３とを有する。また、上型４０Ａには、トレイ１２内の電子部品１１をそれぞれ上側から押圧する押圧部材４４を備える。一方、下型４０Ｂには、この押圧部材４４により押圧される電子部品１１を下側からトレイ１２の開孔１２Ｂを通じて支持する受け部材４５を備える。
【００４１】
なお、図示例では、第２不活性ガス供給路４１が下型４０Ｂに設けられた構成であるが、第２不活性ガス供給路４１は上型４０Ａおよび下型４０Ｂの少なくとも一方に設けられていれば良い。また、押圧部材４４および受け部材４５は上下逆に配置された構成としても良い。
【００４２】
図７はシンタリングプレス部４の押圧機構を説明する縦断面図である。図７に示すように、下型４０Ｂには、受け部材４５から延びるロッド４６Ａの先に接続されたピストン４６Ｂが上下に摺動するシリンダ空間４６Ｃが形成されている。シリンダ空間４６Ｃのピストン４６Ｂよりも下の空間には、油圧機構４７が接続されている。これにより、上型４０Ａと下型４０Ｂとを型締め機構４３により型締めした際、押圧部材４４により電子部品１１が受け部材４５に対して押圧され、余分圧力がロッド４６Ａおよびピストン４６Ｂを通じてシリンダ空間４６Ｃ内の圧油を通じて油圧機構４７へ逃がされる。
【００４３】
なお、押圧部材４４と電子部品１１との間に弾性部材４８を介在させる構成とすることも可能である。押圧部材４４が電子部品１１を押圧する際、この弾性部材４８を介して押圧することにより、電子部品１１の破損を防止することができる。弾性部材４８は、弾性シートや樹脂フィルムなどである。この弾性部材４８は、複数回使用することもできる。
【００４４】
シンタリングプレス部４では、予熱部３において予熱された電子部品１１をトレイ１２ごと上型４０Ａと下型４０Ｂとで挟み込み、型締め機構４３により型締めした後、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理する。このとき、シンタリングプレス部４では、不活性ガス供給部９から第２不活性ガス供給路４１を通じて供給され、シンタリングプレス部加熱手段４２Ｂにより加熱された不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１が覆われる。シンタリングプレス部４では、このようにトレイ１２内の電子部品１１を不活性ガスにより覆った状態でシンタリング処理する。接合材が銀ナノペーストの場合、シンタリング処理温度２５０〜３００℃で加熱し、５〜２０ＭＰａの圧力で加圧する。
【００４５】
第２搬送部８は、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路８１を有する。図４に示すように、第２搬送部８は、シンタリング処理後の電子部品１１をトレイ１２ごと下側に保持して、シンタリングプレス部４から冷却部５へ搬送する。このとき、第２搬送部８は、不活性ガス供給部９から第１不活性ガス供給路８１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆った状態で搬送する。
【００４６】
冷却部５は、シンタリングプレス部４の後段に配設されている。冷却部５では、電子部品１１をシンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する。冷却温度は１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）以下とする。冷却部５は、図４に示すように、冷却部５を加熱する冷却部加熱手段５１と、冷却部５を冷却する冷却部冷却手段５２と、冷却部５の温度を検知する冷却部温度検知手段５３とを有する。冷却部加熱手段５１は、冷却部冷却手段５２よりも電子部品１１に近い位置に配置されている。
【００４７】
冷却部５では、第２搬送部８によりシンタリングプレス部４から搬送された電子部品１１をトレイ１２ごと第２搬送部８との間で挟み込み、冷却温度まで冷却する。このとき、冷却部５では、不活性ガス供給部９から第２搬送部８の第１不活性ガス供給路８１を通じて供給される不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆い、温度制御部１０が冷却部温度検知手段５３により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段５１および冷却部冷却手段５２を制御して、電子部品１１を所定の冷却時間で所定の温度まで冷却する。
【００４８】
図８は冷却部５の温度制御の例を示している。図８に示す例では、冷却部温度検知手段５３により検知する温度は、冷却部５にトレイ１２を載置したところから３００℃まで上昇する。温度制御部１０は、冷却部温度検知手段５３により検知する温度が、トレイ１２の載置から取り出すまでの９０秒間で８０℃まで下降するように、冷却部加熱手段５１および冷却部冷却手段５２を制御する。
【００４９】
また、冷却部５は、さらにトレイ１２の温度を検知するトレイ温度検知手段５４を備えた構成とすることができる。トレイ温度検知手段５４は、例えば赤外線を利用した非接触式温度計を使用することができる。これにより、温度制御部１０は、上記の冷却部温度検知手段５３により検知した温度に加え、トレイ温度検知手段５４により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段５１および冷却部冷却手段５２を制御してさらに高精度に温度制御することができる。
【００５０】
図９は冷却部５の例を示す図であって、（Ａ）は冷却部加熱手段５１を示す横断面図、（Ｂ）は冷却部冷却手段５２を示す横断面図である。図９（Ａ）に示す冷却部加熱手段５１は、冷却部５の上部に埋め込まれた水平方向に延びる複数の棒状の電熱式のヒーターである。図９（Ｂ）に示す冷却部冷却手段５２は、冷却部５の下部を水平方向に蛇行する流路であり、この流路を冷却圧縮空気等の冷媒が通過することにより冷却部５が冷却される。
【００５１】
図１０は冷却部５の別の例を示す図である。図１０に示す例では、冷却部冷却手段５２は冷却部５の下面に設けられた放熱フィンである。この放熱フィンに対し、冷風を吹き付けることで、冷却部５が冷却される。
【００５２】
上記構成のシンタリング装置１では、基板１１Ｂ上に接合材を介して半導体チップ１１Ａが載置された電子部品１１が供給部２から予熱部３に搬送される。予熱部３では、第１搬送部７により供給部２から搬送された電子部品１１をトレイ１２ごと第１搬送部７との間で挟み込み、不活性ガス供給部９から第３不活性ガス供給路３１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆い、電子部品１１を所定の第１予熱温度で所定時間予熱する。第１予熱温度は、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い温度であり、接合材の焼結が進むことなく、接合材の水分や溶媒等が除去される。
【００５３】
予熱部３により予熱された電子部品１１は第１搬送部７によってシンタリングプレス部４に搬送される。このとき、第１搬送部７は、不活性ガス供給部９から第４不活性ガス供給路７１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆ったままの状態で搬送する。この電子部品１１の搬送中、第１搬送部７は搬送部加熱手段７２を制御して、電子部品１１を所定の第２予熱温度に維持して、電子部品１１の温度が低下するのを防止する。
【００５４】
シンタリングプレス部４では、予熱部３において予熱された電子部品１１をトレイ１２ごと上型４０Ａと下型４０Ｂとで挟み込み、型締め機構４３により型締めした後、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理する。このとき、シンタリングプレス部４では、不活性ガス供給部９から第２不活性ガス供給路４１を通じて供給され、シンタリングプレス部加熱手段４２Ｂにより加熱された不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆った状態でシンタリング処理する。
【００５５】
シンタリングプレス部４によりシンタリング処理された電子部品１１は第２搬送部８によって冷却部５に搬送される。このとき、第２搬送部８は、不活性ガス供給部９から第１不活性ガス供給路８１を通じて供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆った状態で搬送する。
【００５６】
冷却部５では、第２搬送部８によりシンタリングプレス部４から搬送された電子部品１１をトレイ１２ごと第２搬送部８との間で挟み込み、冷却温度まで冷却する。このとき、冷却部５では、不活性ガス供給部９から第２搬送部８の第１不活性ガス供給路８１を通じて供給される不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆った状態で所定の冷却時間で所定の温度まで冷却する。冷却部５で冷却された電子部品１１はトレイ１２ごと収納部６へ搬送され、収納される。
【００５７】
以上のように、本実施形態におけるシンタリング装置１によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１１を、トレイ１２内に載置した状態で予熱し、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリングプレス部４においてシンタリング処理されたトレイ１２内の電子部品１１を不活性ガスにより覆った状態として冷却部５へ搬送し、さらに不活性ガスにより覆ったままの状態で冷却することで、シンタリング処理により高温となって酸化しやすくなっている部材の酸化を防止することができ、品質を低下させることなく、電子部品１１を効率良く接合して、電子部品１１の品質を向上させることができる。
【００５８】
また、本実施形態におけるシンタリング装置１では、シンタリングプレス部４に第２不活性ガス供給路４１およびシンタリングプレス部加熱手段４２Ａ，４２Ｂを備えており、第２不活性ガス供給路４１から供給される不活性ガスをシンタリングプレス部加熱手段４２Ｂにより加熱し、この不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆った状態でシンタリングプレス部加熱手段４２Ａ，４２Ｂにより加熱してシンタリング処理するので、さらにシンタリング処理中に高温となって酸化しやすくなっている部材の酸化を防止することができる。
【００５９】
また、本実施形態におけるシンタリング装置１では、冷却部５において、冷却部温度検知手段５３により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段５１および冷却部冷却手段５２を制御して、電子部品１１を適正な冷却時間をかけて所定の温度まで冷却することができ、シンタリング後の電子部品１１が急激な冷却によりクラック発生などの品質不良を起こさないようにすることができる。これにより、クラック発生などの品質不良を防止して、より電子部品の品質を向上させることができる。
【００６０】
さらに、この冷却部５は、トレイ１２の温度を検知するトレイ温度検知手段５４を有するものとして、冷却部温度検知手段５３により検知した温度およびトレイ温度検知手段５４により検知した温度に基づいて冷却部加熱手段５１および冷却部冷却手段５２を制御するものとすることで、シンタリング後の電子部品１１が急激な冷却によりクラック発生などの品質不良を起こさないように、より適正な冷却時間をかけて所定の温度まで冷却することができる。
【００６１】
また、本実施形態における冷却部５では、冷却部加熱手段５１が冷却部冷却手段５２よりも電子部品１１に近い位置に配置されているため、冷却部５全体の冷却を冷却部冷却手段５２で行い、冷却部５の温度制御は、電子部品に近い位置に配置され、レスポンス良く制御しやすい冷却部加熱手段５１により行うことが可能であり、冷却部５の高精度な冷却管理を行うことが可能となっている。
【００６２】
なお、冷却部冷却手段５２が電子部品１１に近く、冷却部加熱手段５１が遠い位置に配置されている場合、冷却部５の電子部品１１に接する面（載置部表面）が冷えすぎたときに、冷却部加熱手段５１の熱は冷却部冷却手段５２の冷気に遮られてしまい、載置部表面に伝わりにくく温度制御が困難となる。一方、本実施形態における冷却部５のように冷却部加熱手段５１が電子部品１１に近い位置に配置されている場合、冷却部冷却手段５２が冷却部加熱手段５１を含めて冷却部５の全体を冷却し、温度の制御は主に載置部表面に近い冷却部加熱手段５１の温度を必要に応じて上下制御することで温度管理が容易となる。
【００６３】
特に、本実施形態における冷却部５では、冷却部冷却手段５２は、冷却圧縮空気等の冷媒の流量制御で行うため、流量制御による温度変化はレスポンスが悪く、細かい制御が困難であるが、冷却部加熱手段５１が電熱式のヒーターであるため、温度管理は電気制御によりレスポンス良く制御しやすく、上記のように冷却部加熱手段５１を電子部品１１に近い位置に配置することで、温度管理が容易となっている。
【００６４】
また、本実施形態における予熱部３は、不活性ガスを供給する第３不活性ガス供給路３１と、当該予熱部３を加熱する予熱部加熱手段３２と、当該予熱部３の温度を検知する予熱部温度検知手段３３とを有し、電子部品１１をトレイ１２ごと第１搬送部７との間で挟み込み、第３不活性ガス供給路３１から供給する不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆い、予熱部温度検知手段３３により検知した温度に基づいて予熱部加熱手段３２を制御して、電子部品１１を所定の予熱温度で所定時間予熱するので、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止することができる。
【００６５】
また、本実施形態におけるシンタリング装置１では、第１搬送部７が、不活性ガスを供給する第４不活性ガス供給路７１を有し、第４不活性ガス供給路７１から供給される不活性ガスにより電子部品１１を覆ったままの状態で予熱部３からシンタリングプレス部４へ搬送するので、予熱温度で酸化しやすい部材であっても酸化を防止してシンタリング処理することができる。
【００６６】
また、第１搬送部７は、当該第１搬送部７を加熱する搬送部加熱手段７２と、当該第１搬送部７の温度を検知する搬送部温度検知手段７３とを有し、搬送部温度検知手段７３により検知した温度に基づいて搬送部加熱手段７２を制御して、電子部品１１の搬送中、電子部品１１を所定温度に保持するため、予熱部３からシンタリングプレス部４までの搬送に時間がかかる場合であっても、搬送中に電子部品１１を所定温度に保持し、シンタリングプレス部４において効率良くシンタリング処理することが可能となっている。
【００６７】
図１１は本発明の別の実施形態を示すシンタリング装置１Ａの概略構成図である。図１１に示すシンタリング装置１Ａは、複数のシンタリングプレス部４Ａ，４Ｂを備えている。このシンタリング装置１Ａでは、第１搬送部７が予熱部３からそれぞれのシンタリングプレス部４Ａ，４Ｂまで電子部品１１を搬送する。このとき、予熱部３に近いシンタリングプレス部４Ａまでの搬送時間よりも予熱部３から遠いシンタリングプレス部４Ｂまでの搬送時間は長いが、この電子部品１１の搬送中、第１搬送部７により所定温度に保持することで、シンタリングプレス部４Ｂにおいても効率良くシンタリング処理することが可能となる。
【００６８】
図１２は本発明のさらに別の実施形態を示すシンタリング装置１Ｂの概略構成図である。図１２に示すシンタリング装置１Ｂは、複数のシンタリングプレス部４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄを備えている。また、冷却部５および収納部６に加えて、第２冷却部５Ａおよび第２収納部６Ａを備えている。このシンタリング装置１Ｂでは、第１搬送部７は予熱部３から各シンタリングプレス部４Ａ〜４Ｄまで電子部品１１を搬送する。また、第２搬送部８は、各シンタリングプレス部４Ａ〜４Ｄによってシンタリング処理された電子部品１１を各シンタリングプレス部４Ａ〜４Ｄから冷却部５まで搬送する。
【００６９】
第２冷却部５Ａは、冷却部５において第１の所定の温度としての中途温度まで冷却した後、さらに第２の所定の温度としての目標温度まで冷却する。中途温度は目標温度よりも高い温度（例えば、１５０〜２００℃）である。各シンタリングプレス部４Ａ〜４Ｄにおいて２５０〜３００℃のシンタリング処理温度でシンタリング処理された電子部品１１を目標温度まで急激に冷却すると電子部品１１の内部に破損が発生する可能性があるため、できるだけゆっくりと冷却（徐冷）したいが、冷却時間を長くすると生産効率が低下する。
【００７０】
そこで、本実施形態におけるシンタリング装置１Ｂでは、冷却部５において電子部品１１を中途温度まで一旦冷却した後、さらに目標温度まで冷却、すなわち２段階に分けて冷却する構成としたものである。これにより、冷却部５および第２冷却部５Ａにより同時に冷却処理を分担して進めることが可能となるため、冷却時間を短縮でき、電子部品１１の生産時間を短縮することができる。
【００７１】
また、図示しないが、第２冷却部５Ａはさらに複数の冷却部とすることも可能である。これにより、冷却部５により所定の中途温度まで冷却した後、さらに段階的に冷却、すなわち複数の冷却部により分担して冷却することが可能となる。なお、複数の冷却部間の電子部品１１の移動は第２搬送部８により行うことが可能であるが、別の搬送部を設けることでさらに生産効率を上げることも可能となる。
【００７２】
あるいは、電子部品１１の冷却を冷却部５や第２冷却部５Ａ等の複数の冷却部にそれぞれ振り分けて冷却する構成とすることも可能である。これにより、それぞれの冷却部における冷却時間を長くしても全体として冷却時間を短縮することが可能となる。また、図１２に示す第２収納部６Ａのように複数の冷却部に対応して複数の収納部を備える構成とすることにより、さらに電子部品１１の生産時間を短縮することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明のシンタリング装置および方法は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な装置および方法として有用である。
【符号の説明】
【００７４】
１，１Ａ，１Ｂ  シンタリング装置
２  供給部
３  予熱部
３１  第３不活性ガス供給路
３２  予熱部加熱手段
３３  予熱部温度検知手段
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ  シンタリングプレス部
４０Ａ  上型
４０Ｂ  下型
４１  第２不活性ガス供給路
４２Ａ，４２Ｂ  シンタリングプレス部加熱手段
４３  型締め機構
４４  押圧部材
４５  受け部材
４６Ａ  ロッド
４６Ｂ  ピストン
４６Ｃ  シリンダ空間
４７  油圧機構
４８  弾性部材
５  冷却部
５１  冷却部加熱手段
５２  冷却部冷却手段
５３  冷却部温度検知手段
５４  トレイ温度検知手段
５Ａ  第２冷却部
６  収納部
６Ａ  第２収納部
７  第１搬送部
７１  第４不活性ガス供給路
７２  搬送部加熱手段
７３  搬送部温度検知手段
８  第２搬送部
８１  第１不活性ガス供給路
９  不活性ガス供給部
１０  温度制御部
１１  電子部品
１１Ａ  半導体チップ
１１Ｂ  基板
１２  トレイ
１２Ａ  収容部
１２Ｂ，１２Ｃ  開孔
１２Ｄ  供給路
【要約】
【課題】耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な電子部品のシンタリング装置および方法の提供。
【解決手段】シンタリングプレス部４においてシンタリング処理された電子部品１１を、不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給路を有する第２搬送部８により、シンタリングプレス部４から冷却部５へ電子部品１１をトレイ１２ごと搬送するに際し、第１不活性ガス供給路から供給される不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆ったままの状態でシンタリングプレス部４から冷却部５へ搬送し、冷却部５において、第２搬送部８により搬送される電子部品１１をトレイ１２ごと第２搬送部８との間で挟み込み、不活性ガスによりトレイ１２内の電子部品１１を覆ったままの状態で冷却する。
【選択図】図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006815678.tif 000009
【図９】
0006815678.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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