(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動制御ユニットと、第１発光ユニットと、第２発光ユニットとを含むＯＬＥＤ画素駆動回路であって、
前記駆動制御ユニットは、第１スイッチと、第２スイッチと、蓄積コンデンサとを含み、
前記第２スイッチは、制御端が走査線に接続され、ドレイン電極がデータ線に接続され、ソース電極が前記蓄積コンデンサの一端及び前記第１スイッチの制御端にそれぞれ接続され、
前記蓄積コンデンサの他端及び前記第１スイッチのドレイン電極は、第１電源に接続され、
前記第１スイッチのソース電極は、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットにそれぞれ接続され、
前記第１発光ユニットと前記第２発光ユニットとは、それぞれ第２電源に接続され、
前記第１発光ユニットの制御端は、第１制御信号に接続され、
前記第２発光ユニットの制御端は、第２制御信号に接続され、
前記駆動制御ユニット、前記第１制御信号及び前記第２制御信号は、交互に発光するように前記第１発光ユニットと前記第２発光ユニットとを制御し、
前記第１発光ユニットは、第３スイッチと、第５スイッチと、第７スイッチと、第９スイッチと、第１発光ダイオードとを含み、
前記第１発光ダイオードは、陽極が前記第３スイッチのドレイン電極及び前記第７スイッチのドレイン電極に接続され、陰極が前記第９スイッチのソース電極及び前記第５スイッチのソース電極に接続され、
前記第５スイッチのドレイン電極は、前記第１電源に接続され、
前記第７スイッチのソース電極及び前記第９スイッチのドレイン電極は、前記第２電源に接続される、
ＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項２】
前記第１制御信号と前記第２制御信号とが同一のタイミングで出力するレベル信号は、極性が逆である、
請求項１に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項３】
前記第２発光ユニットは、第４スイッチと、第６スイッチと、第８スイッチと、第１０スイッチと、第２発光ダイオードとを含み、
前記第２発光ダイオードは、陽極が前記第４スイッチのドレイン電極及び前記第８スイッチのドレイン電極に接続され、陰極が前記第１０スイッチのソース電極及び前記第６スイッチのソース電極に接続され、
前記第６スイッチのドレイン電極は、前記第１電源に接続され、
前記第８スイッチのソース電極及び前記第１０スイッチのドレイン電極は、前記第２電源に接続される、
請求項１に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項４】
前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第５スイッチ、前記第６スイッチ、前記第７スイッチ及び前記第８スイッチは、Ｎ型トランジスタスイッチであり、
前記第３スイッチ、前記第４スイッチ、前記第９スイッチ及び前記第１０スイッチは、Ｐ型トランジスタスイッチである、
請求項３に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項５】
前記第１発光ダイオードが発光するときに、前記第２発光ダイオードが逆バイアスされ、
前記第２発光ダイオードが発光するときに、前記第１発光ダイオードが逆バイアスされる、
請求項３に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項６】
前記第１電源の電圧値は、前記第２電源の電圧値よりも高い、
請求項１に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項７】
前記第１制御信号と前記第２制御信号とのシーケンスサイクルは、いずれも隣接する二つのフレームの画像表示時間である、
請求項１に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路を備える、
ＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項９】
請求項８に記載のＯＬＥＤアレイ基板が設けられた、
ＯＬＥＤ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術領域に関し、特にＯＬＥＤ画素駆動回路、アレイ基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード表示装置（ＯＬＥＤ）は、広色域、高コントラスト、ソリッドステートデバイス等の多くの利点を有するため、表示技術領域において高い競争力を有する。通常、有機発光ディスプレイの表示領域には、電子画素から構成される画素アレイが設けられ、各画素ユニットは、画素駆動回路を含む。
【０００３】
従来の２Ｔ１Ｃ型のアーキテクチャ回路は、二つの薄膜トランジスタと一つの蓄積コンデンサを含み、スイッチとして機能する薄膜トランジスタがオンにされると、データ電圧を駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加し、データ電圧を蓄積コンデンサに蓄積させることにより、駆動薄膜トランジスタが通電状態にあり続けることができる。一方、ＯＬＥＤが長時間にわたって直流バイアス状態にあるとき、内部のイオンが極性化して内蔵電界が形成されることにより、ＯＬＥＤの閾値電圧が漸次増大しつつ、ＯＬＥＤの発光輝度が漸次低下するとともに、ＯＬＥＤの寿命が長時間発光によって短縮し、ＯＬＥＤの劣化が進む。
【０００４】
上記のような問題を解決するために、発光しない表示フレームにおいてＯＬＥＤを逆バイアスさせることにより、内蔵電界の強度を低下することができる。しかしながら、このような方式において、各ＯＬＥＤデバイスを各データ線に対応させる必要があるため、ＯＬＥＤパネルにおけるデータ線の配線が倍増し、パネルの開口率が低下する。また、各ＯＬＥＤが一つの駆動薄膜トランジスタと一つの蓄積コンデンサに対応するので、パネルにおける蓄積コンデンサの数が倍増し、パネルの寄生容量が増加してしまう。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の解決しようとする課題は、パネルにおける寄生容量とデータ線の数を減らし、ＯＬＥＤデバイスの開口率を向上させることができるＯＬＥＤ画素駆動回路、アレイ基板及び表示装置を提供することにある。
【０００６】
上記の目的を実現するために、本発明のある態様によれば、
駆動制御ユニットと、第１発光ユニットと、第２発光ユニットとを含むＯＬＥＤ画素駆動回路であって、
前記駆動制御ユニットは、第１スイッチと、第２スイッチと、蓄積コンデンサとを含み、
前記第２スイッチは、制御端が走査線に接続され、ドレイン電極がデータ線に接続され、ソース電極が前記蓄積コンデンサの一端及び前記第１スイッチの制御端にそれぞれ接続され、
前記蓄積コンデンサの他端及び前記第１スイッチのドレイン電極は、第１電源に接続され、
前記第１スイッチのソース電極は、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットにそれぞれ接続され、
前記第１発光ユニットと前記第２発光ユニットとは、それぞれ第２電源に接続され、
前記第１発光ユニットの制御端は、第１制御信号に接続され、
前記第２発光ユニットの制御端は、第２制御信号に接続され、
前記駆動制御ユニット、前記第１制御信号及び前記第２制御信号は、交互に発光するように前記第１発光ユニットと前記第２発光ユニットとを制御し、
前記第１発光ユニットは、第３スイッチと、第５スイッチと、第７スイッチと、第９スイッチと、第１発光ダイオードとを含み、
前記第１発光ダイオードは、陽極が前記第３スイッチのドレイン電極及び前記第７スイッチのドレイン電極に接続され、陰極が前記第９スイッチのソース電極及び前記第５スイッチのソース電極に接続され、
前記第５スイッチのドレイン電極は、前記第１電源に接続され、
前記第７スイッチのソース電極及び前記第９スイッチのドレイン電極は、前記第２電源に接続される、
ＯＬＥＤ画素駆動回路が提供される。
【０００７】
上記の目的を実現するために、本発明のある他の態様によれば、
本発明のある態様に記載のＯＬＥＤ画素駆動回路を備える、
ＯＬＥＤアレイ基板が提供される。
【０００８】
上記の目的を実現するために、本発明のあるその他の態様によれば、
本発明のある他の態様のＯＬＥＤアレイ基板が設けられた、
ＯＬＥＤ表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の態様は、下記の有益な効果を奏する。
従来技術と相違し、本発明では、二つのＯＬＥＤに一つの駆動薄膜トランジスタ、一つの蓄積コンデンサ及び一つのデータ線を共有させることにより、二つのＯＬＥＤが交互に発光し、ＯＬＥＤの発光時間が減少し、パネルにおける寄生容量とデータ線の数を減らし、ＯＬＥＤデバイスの開口率が向上することができる。発光しない表示フレームにおいてＯＬＥＤを逆バイアスさせることにより、ＯＬＥＤが長時間直流バイアス状態にある必要がないため、ＯＬＥＤデバイスの劣化を遅らせることができる。さらに、本発明では、他の逆バイアス電圧が接続されていないため、画素回路配線の難易度及びバイアス電圧線による他の信号線へのクロストークを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例に係るＯＬＥＤ画素駆動回路の概略構造図である。
【図２】本発明の実施例に係るＯＬＥＤ画素駆動回路の概略回路シーケンス図である。
【図３】本発明の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の概略構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例の添付図面を参照しながら本発明の実施例の態様を明確かつ十分に説明する。明らかに、説明される実施例は、本発明の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、創造的な努力なしに当業者によって得られる他のすべての実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属するものである。
【００１２】
図１は、本発明の実施例に係るＯＬＥＤ画素駆動回路の概略構造図である。本実施例では、駆動制御ユニットＭ３と、第１発光ユニットＭ１と、第２発光ユニットＭ２とを含む画素駆動回路が提供される。駆動制御ユニットＭ３は、第１スイッチＴ１と、第２スイッチＴ２と、蓄積コンデンサＣｓｔとを含む。第２スイッチＴ２は、制御端が走査線Ｖｓｃａｎに接続され、ドレイン電極がデータ線Ｖｄａｔａに接続され、ソース電極が蓄積コンデンサＣｓｔの一端及び第１スイッチＴ１の制御端にそれぞれ接続される。蓄積コンデンサＣｓｔの他端及び第１スイッチＴ１のドレイン電極は、第１電源ＯＶＤＤに接続される。なお、本実施例において、第１スイッチＴ１は、駆動薄膜トランジスタであり、第２スイッチＴ２は、データ信号Ｖｄａｔａを走査信号Ｖｓｃａｎの制御によってソース電極に伝送するためのものである。蓄積コンデンサＣｓｔは、第２スイッチＴ２のソース電極と第１電源ＯＶＤＤとの間に存在するレベルを蓄積するためのものである。第１スイッチＴ１のソース電極は、第１発光ユニットＭ１及び第２発光ユニットＭ２にそれぞれ接続され、第１発光ユニットＭ１及び第２発光ユニットＭ２は、第２電源ＯＶＳＳに接続される。第１発光ユニットＭ１の制御端は、第１制御信号Ｃｔｒ１に接続され、第２発光ユニットの制御端は、第２制御信号Ｃｔｒ２に接続される。
【００１３】
さらに、本実施例の第１発光ユニットＭ１は、具体的には、第３スイッチＴ３と、第５スイッチＴ５と、第７スイッチＴ７と、第９スイッチＴ９と、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１とを含む。第１発光ダイオードＯＬＥＤ１は、陽極が第３スイッチＴ３のドレイン電極及び第７スイッチＴ７のドレイン電極に接続され、陰極が第９スイッチＴ９のソース電極及び第５スイッチＴ５のソース電極に接続される。第５スイッチＴ５のドレイン電極は、第１電源ＯＶＤＤに接続され、第７スイッチＴ７のソース電極及び第９スイッチＴ９のドレイン電極は、第２電源ＯＶＳＳに接続される。第２発光ユニットＭ２は、具体的には、第４スイッチＴ４と、第６スイッチＴ６と、第８スイッチＴ８と、第１０スイッチＴ１０と、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２とを含む。第２発光ダイオードＯＬＥＤ２は、陽極が第４スイッチＴ４のドレイン電極及び第８スイッチＴ８のドレイン電極に接続され、陰極が第１０スイッチＴ１０のソース電極及び第６スイッチＴ６のソース電極に接続される。第６スイッチＴ６のドレイン電極は、第１電源ＯＶＤＤに接続され、第８スイッチＴ８のソース電極及び第１０スイッチＴ１０のドレイン電極は、第２電源ＯＶＳＳに接続される。
【００１４】
上記した実施例に記載のスイッチは、Ｐ型トランジスタスイッチと、Ｎ型トランジスタスイッチとを含む。具体的には、第１スイッチＴ１、第２スイッチＴ２、第５スイッチＴ５、第６スイッチＴ６、第７スイッチＴ７及び第８スイッチＴ８は、Ｎ型であり、第３スイッチＴ３、第４スイッチＴ４、第９スイッチＴ９及び第１０スイッチＴ１０は、Ｐ型である。ここで、Ｐ型トランジスタスイッチは、制御端がローレベルであるときにオンにされ、制御端がハイレベルであるときにオフにされる。Ｎ型トランジスタスイッチは、制御端がローレベルであるときにオフにされ、制御端がハイレベルであるときにオンにされる。
【００１５】
図２は、本発明の実施例に係るＯＬＥＤ画素駆動回路の概略回路シーケンス図であり、走査信号Ｖｓｃａｎ、第１制御信号Ｃｔｒ１及び第２制御信号Ｃｔｒ２におけるレベルのハイ／ローの経時変化を示す。ここで、レベルのハイ／ローは、相対的なものである。本実施例の画素駆動回路の動作過程は、第１蓄積段階Ａ、第１発光表示段階Ｂ、第２蓄積段階Ｃ及び第２発光表示段階Ｄのような四つの段階に分割される。第１蓄積段階Ａと第１発光表示段階Ｂとによって第１フレーム画面が構成され、第２蓄積段階Ｃと第２発光表示段階Ｄとによって第２フレーム画面が構成される。第１フレームにおいて、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１が発光し、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２が逆バイアスされる。第２フレームにおいて、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２が発光し、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１が逆バイアスされる。本実施例の駆動制御ユニットと、第１制御信号と、第２制御信号とは、交互に発光するように第１発光ユニットと第２発光ユニットとを同時に制御する。以下、図１及び図２を参照しながらこのような制御について詳しく説明する。
【００１６】
本実施形態において、第１制御信号Ｃｔｒ１と第２制御信号Ｃｔｒ２とが同一のタイミングで出力するレベル信号は、極性が逆である。すなわち、第１制御信号Ｃｔｒ１がハイレベルであるときに、第２制御信号Ｃｔｒ２がローレベルであり、第１制御信号Ｃｔｒ１がローレベルであるとき、第２制御信号Ｃｔｒ２がハイレベルである。第１制御信号Ｃｔｒ１と第２制御信号Ｃｔｒ２とのシーケンスサイクルは、いずれも隣接する二つのフレームの画像表示時間である。第１制御信号Ｃｔｒ１と第２制御信号Ｃｔｒ２とが同一のタイミングで出力するレベル信号の極性が逆であることは、本発明の具体的な一実施形態にすぎない。他の実施形態において、第１発光ユニットと第２発光ユニットとが交互に発光することさえ実現できれば、第１制御信号Ｃｔｒ１と第２制御信号Ｃｔｒ２とのレベル信号が他の関係であってもよく、いずれも本発明の保護範囲に含まれる。第１電源ＯＶＤＤの電圧値は、第２電源ＯＶＳＳの電圧値よりも高い。例えば、第１電源ＯＶＤＤの電圧値を正電圧、第２電源ＯＶＳＳの電圧値を負電圧に設定してもよく、又は、第１電源ＯＶＤＤの電圧値を正電圧、第２電源ＯＶＳＳの電圧値を０Ｖに設定してもよい。
【００１７】
第１蓄積段階Ａにおいて、走査信号Ｖｓｃａｎと第２制御信号Ｃｔｒ２は、ハイレベルであり、第１制御信号Ｃｔｒ１は、ローレベルである。第２スイッチＴ２がＮ型であるため、この場合、第２スイッチＴ２がオンにされ、データ信号Ｖｄａｔａを走査信号Ｖｓｃａｎの制御によって蓄積ノートＳ１に出力する。この段階において、蓄積コンデンサＣｓｔは、充電状態にあり、第１スイッチＴ１は、オフ状態にある。そして、蓄積コンデンサＣｓｔは、ノートＳ１と第１電源ＯＶＤＤとの間に存在するレベルを蓄積するためのものである。第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がＰ型であるため、第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がオンにされ、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がＮ型であるため、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がオフにされる。この場合、第１スイッチＴ１のオフによって発光するように第１発光ダイオードＯＬＥＤ１を駆動することができない。第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がＰ型であるため、第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がオフにされる。第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がＮ型であるため、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がオンにされる。この場合、ノートＳ４におけるレベルを第８スイッチＴ８によって第２発光ダイオードＯＬＥＤ２の陽極に伝送し、ノートＳ２におけるレベルを第６スイッチＴ６によって第２発光ダイオードＯＬＥＤ２の陰極に伝送することにより、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２は、逆バイアス状態となる。この段階において、ノートＳ１と第１電源ＯＶＤＤとの間に存在するレベルの蓄積を主に蓄積コンデンサＣｓｔによって行う。すなわち、この段階は、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１のデータ信号Ｖｄａｔａの蓄積段階である。
【００１８】
第１発光表示段階Ｂにおいて、走査信号Ｖｓｃａｎと第１制御信号Ｃｔｒ１は、ローレベルであり、第２制御信号Ｃｔｒ２は、ハイレベルである。この場合、第２スイッチＴ２は、オフにされるとともに第１スイッチＴ１は、オンにされる。第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がＰ型であるため、第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がオンにされ、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がＮ型であるため、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がオフにされる。この場合、第１電源ＯＶＤＤ、第１スイッチＴ１、第３スイッチＴ３、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１、第９スイッチＴ９及び第２電源ＯＶＳＳによって通路が形成され、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１が発光する。第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がＰ型であるため、第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がオフにされる。第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がＮ型であるため、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がオンにされる。この場合、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２は、第１蓄積段階Ａと同様に、継続的に逆バイアス状態となる。すなわち、この段階は、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１の発光表示段階である。
【００１９】
第２蓄積段階Ｃにおいて、走査信号Ｖｓｃａｎと第１制御信号Ｃｔｒ１は、ハイレベルであり、第２制御信号Ｃｔｒ２は、ローレベルである。第２スイッチＴ２がＮ型であるため、この場合第２スイッチＴ２がオンにされ、データ信号Ｖｄａｔａを走査信号Ｖｓｃａｎの制御によってノートＳ１に出力する。この段階において、蓄積コンデンサＣｓｔは、充電状態にあり、第１スイッチＴ１は、切断状態にある。蓄積コンデンサＣｓｔは、ノートＳ１と第１電源ＯＶＤＤとの間に存在するレベルを蓄積するためのものである。第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がＰ型であるため、第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がオンにされ、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がＮ型であるため、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がオフにされる。この場合、第１スイッチＴ１のオフによって、発光するように第２発光ダイオードＯＬＥＤ２を駆動することができない。第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がＰ型であるため、第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がオフにされる。第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がＮ型であるため、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がオンにされる。この場合、ノートＳ３におけるレベルを第７スイッチＴ７によって第１発光ダイオードＯＬＥＤ１の陽極に伝送し、ノートＳ２におけるレベルを第５スイッチＴ５によって第１発光ダイオードＯＬＥＤ１の陰極に伝送することにより、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１は、逆バイアス状態となる。第１蓄積段階Ａと同様に、この段階において、ノートＳ１と第１電源ＯＶＤＤとの間に存在するレベルの蓄積を主に蓄積コンデンサＣｓｔによって行う。すなわち、この段階は、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２のデータ信号Ｖｄａｔａの蓄積段階である。
【００２０】
第２発光表示段階Ｄにおいて、走査信号Ｖｓｃａｎと第２制御信号Ｃｔｒ２は、ローレベルであり、第１制御信号Ｃｔｒ１は、ハイレベルである。この場合、第２スイッチＴ２は、オフにされるとともに第１スイッチＴ１は、オンにされる。第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がＰ型であるため、第４スイッチＴ４と第１０スイッチＴ１０がオンにされ、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がＮ型であるため、第６スイッチＴ６と第８スイッチＴ８がオフにされる。この場合、第１電源ＯＶＤＤ、第１スイッチＴ１、第４スイッチＴ４、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２、第１０スイッチＴ１０及び第２電源ＯＶＳＳによって通路が形成され、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２が発光する。第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がＰ型であるため、第３スイッチＴ３と第９スイッチＴ９がオフにされる。第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がＮ型であるため、第５スイッチＴ５と第７スイッチＴ７がオンにされる。この場合、第１発光ダイオードＯＬＥＤ１が第２蓄積段階Ｃと同様に、継続的に逆バイアス状態となる。すなわち、この段階は、第２発光ダイオードＯＬＥＤ２の発光表示段階である。
【００２１】
以上の四つの段階から分かるように、本発明では、二つのＯＬＥＤに一つの駆動薄膜トランジスタ、一つの蓄積コンデンサ及び一つのデータ線を共有させることにより、二つのＯＬＥＤが交互に発光し、ＯＬＥＤの発光時間が減少し、パネルにおける寄生容量とデータ線の数を減らし、ＯＬＥＤデバイスの開口率が向上することができる。発光しない表示フレームにおいてＯＬＥＤを逆バイアスさせることにより、ＯＬＥＤが長時間直流バイアス状態にある必要がないため、ＯＬＥＤデバイスの劣化を遅らせることができる。さらに、本発明では、他の逆バイアス電圧が接続されていないため、画素回路配線の難易度及びバイアス電圧線による他の信号線へのクロストークを軽減することができる。
【００２２】
図３は、本発明の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板の概略構造図である。当該アレイ基板３００は、複数のアレイ状に配列されるＯＬＥＤ画素ユニット３０１を含む。ここで、各ＯＬＥＤ画素ユニット３０１は、上記した画素駆動回路を含む。
【００２３】
本発明の実施例によれば、ＯＬＥＤ表示装置がさらに提供される。当該表示装置には、複数のアレイ状に配列されるＯＬＥＤ画素ユニットを含む上記したＯＬＥＤアレイ基板が設けられる。ここで、各ＯＬＥＤ画素ユニットは、上記した画素駆動回路を含む。当該ＯＬＥＤ表示装置を、具体的には、携帯電話、パソコン、テレビ、モニター、デジタルカメラ等の表示機能を有する製品とすることができる。
【００２４】
従来技術と相違し、本発明では、二つのＯＬＥＤに一つの駆動薄膜トランジスタ、一つの蓄積コンデンサ及び一つのデータ線を共有させることにより、二つのＯＬＥＤが交互に発光し、ＯＬＥＤの発光時間が減少し、パネルにおける寄生容量とデータ線の数を減らし、ＯＬＥＤデバイスの開口率が向上することができる。発光しない表示フレームにおいてＯＬＥＤを逆バイアスさせることにより、ＯＬＥＤが長時間直流バイアス状態にある必要がないため、ＯＬＥＤデバイスの劣化を遅らせることができる。さらに、本発明では、他の逆バイアス電圧が接続されていないため、画素回路配線の難易度及びバイアス電圧線による他の信号線へのクロストークを軽減することができる。
【００２５】
当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱しない限り、若干の変更及び修正を加えることができる。これらの変更および修正が本発明の特許請求の範囲及びその同等の技術的範囲に属する場合、これらの変更及び修正も本発明に含まれることを意図している。
【図１】
0006875600.tif 000002
【図２】
0006875600.tif 000003
【図３】
0006875600.tif 000004