(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の層に第１パターンを露光する別の露光装置における露光の後に、前記第１パターンを露光する領域とは異なる前記層の領域に第２パターンを走査露光する露光装置であって、
前記基板上に形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第１マーク群の位置と、前記第１マーク群の２つのアライメントマークを結ぶ直線に対して垂直な成分を含む方向に前記基板を移動させた状態で形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第２マーク群の位置と、を計測する計測部を有し、
前記別の露光装置により計測された前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置と、前記計測部により計測された前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置との差分に基づいて、前記基板上に前記第２パターンを露光することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記計測部で前記第１マーク群を計測したときの基板位置から、前記計測部で前記第２マーク群を計測したときの基板位置へ移動した方向に、前記第２パターンを走査露光することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板を保持する基板ステージを更に有し、
前記基板ステージの移動によるずれを補正して、前記基板上に前記第２パターンを走査露光することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板ステージに前記基板を載置したときの前記基板の回転方向の目標位置からの位置ずれか、前記基板ステージの移動による前記基板の目標位置からのずれか、を判別した結果に基づいて、前記基板上に前記第２パターンを走査露光することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１マーク群及び前記第２マーク群のアライメントマークを結んだ領域は、前記基板上に前記第１パターン及び第２パターンを露光する領域を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１パターン及び前記第２パターンの露光は、前記基板上に潜像パターンを形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記アライメントマークは、前記第１パターンが露光される領域に対する前記第２パターンが露光される領域を決定するためのマークであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
基板上の層に第１パターンを形成する別のパターン形成装置におけるパターン形成の後に、前記第１パターンを形成する領域とは異なる前記層の領域に第２パターンを形成するパターン形成装置であって、
前記基板上に形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第１マーク群の位置と、前記第１マーク群の２つのアライメントマークを結ぶ直線に対して垂直な成分を含む方向に前記基板を移動させた状態で形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第２マーク群の位置と、を計測する計測部を有し、
前記別のパターン形成装置で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置と、前記計測部で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置との差分に基づいて、前記第２パターンを形成することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
第１露光装置で基板上の層に第１パターンを露光する第１工程、及び、第２露光装置で前記基板上の前記第１パターンを露光する領域とは異なる前記層の領域に第２パターンを露光する第２工程によって、前記基板上にパターンを露光する露光方法であって、
前記第１工程は、
第１基板位置において、少なくとも２つのアライメントマークを前記基板上に形成する第１マーク形成工程と、
前記第１マーク形成工程で形成された少なくとも２つのアライメントマークの位置を計測する第１計測工程と、
前記第１マーク形成工程で形成された２つのアライメントマークを結ぶ直線に対して垂直な成分を含む方向に、前記基板を移動させる移動工程と、
前記移動工程で移動させた基板位置において、少なくとも２つのアライメントマークを前記基板上に形成する第２マーク形成工程と、
前記第２マーク形成工程で形成された少なくとも２つのアライメントマークの位置を計測する第２計測工程と、
前記移動工程で前記基板を移動させた方向に走査しながら、前記基板上に前記第１パターンを露光する第１露光工程と、
を含み、
前記第２工程は、
前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置を、前記第２露光装置で計測する第３計測工程と、
前記第１計測工程と前記第２計測工程で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置と、前記第３計測工程で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置との差分に基づいて、前記基板上に前記第２パターンを走査露光する第２露光工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
第１露光装置で基板上の層に第１パターンを露光する第１工程と、
前記第１工程で露光された前記基板を現像する前に、第２露光装置で前記基板上の前記第１パターンを露光する領域とは異なる前記層の領域に第２パターンを露光する第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程で露光された前記基板を現像する第３工程と、を含み、
前記第１工程は、
第１基板位置において、少なくとも２つのアライメントマークを前記基板上に形成する第１マーク形成工程と、
前記第１マーク形成工程で形成された少なくとも２つのアライメントマークの位置を計測する第１計測工程と、
前記第１マーク形成工程で形成された２つのアライメントマークを結ぶ直線に対して垂直な成分を含む方向に、前記基板を移動させる移動工程と、
前記移動工程で移動させた基板位置において、少なくとも２つのアライメントマークを前記基板上に形成する第２マーク形成工程と、
前記第２マーク形成工程で形成された少なくとも２つのアライメントマークの位置を計測する第２計測工程と、
前記移動工程で前記基板を移動させた方向に走査しながら、前記基板上に前記第１パターンを露光する第１露光工程と、
を有し、
前記第２工程は、
前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置を、前記第２露光装置で計測する第３計測工程と、
前記第１計測工程と前記第２計測工程で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置と、前記第３計測工程で得られた前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置との差分に基づいて、前記基板上に前記第２パターンを走査露光する第２露光工程と、
を有し、
前記第３工程で現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の露光方法の各工程の制御をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にパターンを露光する露光装置、パターンを形成するパターン形成装置、露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）においてはパネルの大きさが大型化しており、パネルの基台としての基板を無駄なく利用することが求められている。そのため、１枚の基板に複数の異なるサイズのパネルを複数の装置を用いて形成する、いわゆるＭＭＧ（Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅｌ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）と呼ばれる技術が提案されている（特許文献１参照）。このようなＭＭＧ技術では、複数の装置によって基板上の１つの層に形成された複数のパターン全体での寸法と位置とが、パターンの形成精度の評価指標として用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０９２１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＭＧ技術に用いられる複数の装置では、パターンの形成特性に個体差が生じていることがある。この場合、複数の装置によりそれぞれ形成された複数のパターンの位置関係が目標位置に対してずれてしまい、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になる。
【０００５】
そこで、本発明は、ＭＭＧ技術におけるパターンの形成精度の低下を抑制するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板上の層に第１パターンを露光する別の露光装置における露光の後に、前記第１パターンを露光する領域とは異なる前記層の領域に第２パターンを走査露光する露光装置であって、前記基板上に形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第１マーク群の位置と、前記第１マーク群の２つのアライメントマークを結ぶ直線に対して垂直な成分を含む方向に前記基板を移動させた状態で形成された少なくとも２つのアライメントマークを含む第２マーク群の位置と、を計測する計測部を有し、前記別の露光装置により計測された前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置と、前記計測部により計測された前記第１マーク群及び前記第２マーク群の位置との差分に基づいて、前記基板上に前記第２パターンを露光することを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、ＭＭＧ技術におけるパターンの形成精度の低下を抑制するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】形成システムの全体構成を示す概略図である。
【図２】第１露光装置の構成を示す図である。
【図３】パターン形成精度の指標を示す図である。
【図４】比較例におけるパターン形成を示す図である。
【図５】比較例におけるアライメントマーク形成手順を示す図である。
【図６】４つのアライメントマークにおけるパターン形成を示す図である。
【図７】４つのアライメントマークによって判別可能な基板の位置ずれを示す図である。
【図８】パターン形成処理を示すフローチャートである。
【図９】６つのアライメントマークが形成された基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の形成システムについて説明する。本実施形態の形成システムは、複数のパターン形成装置を用いて、基板上の１つの層における互いに異なる領域にパターンをそれぞれ形成する、いわゆるＭＭＧ技術を実行するシステムである。パターン形成装置としては、例えば、基板を走査露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置、モールドを用いて基板にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、荷電粒子線を用いて基板にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。
【００１２】
また、本発明に係るＭＭＧ技術が適用される「基板上の１つの層」は、例えば、パターンが未だ形成されていないベア基板上に最初に形成される第１層でありうるが、それに限られず、第２層以降であってもよい。本実施形態では、複数の露光装置を有する形成システムを用いて、基板上の１つのレジスト層に潜像パターンを形成する例について説明する。ここで、基板としては、例えば、ガラスプレートや半導体ウェハなどが適用されうるが、本実施形態では、基板としてガラスプレートを用いる例について説明する。また、以下では、「基板上の１つの層」を単に「基板上」と称することがある。
【００１３】
図１は、本実施形態の形成システム１００の全体構成を示す概略図である。基板Ｗの表面に対して垂直な方向をＺ方向とし、Ｚ方向に対して垂直な方向をＸ、Ｙ方向とする。形成システム１００は、第１露光装置１０と、第２露光装置２０と、搬送部３０と、主制御部４０とを含む。搬送部３０は、第１露光装置１０及び第２露光装置２０に基板Ｗを搬送する。主制御部４０は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータで構成され、形成システム１００の全体を統括的に制御する。また、主制御部４０は、第１露光装置１０と第２露光装置２０との間でのデータや情報の転送を制御する。
【００１４】
図２は第１露光装置１０の構成例を示す図である。第１露光装置１０は、パターン形成部１１と、マーク形成部１２と、マーク計測部１３と、制御部１４とを有する。パターン形成部１１は、光源１１ａと、照明光学系１１ｂと、マスクステージ１１ｃと、投影光学系１１ｄと、基板ステージ１１ｅとを含む。マスクステージ１１ｃはマスクＭを保持して移動可能なステージである。照明光学系１１ｂは、光源１１ａからの光を用いてマスクＭを照明する。基板ステージ１１ｅは基板Ｗを保持して移動可能なステージである。マスクＭと基板Ｗは投影光学系１１ｄを介して光学的に共役な位置に配置されている。投影光学系１１ｄは照明光学系１１ｂによって照明されたマスクＭのパターンを基板Ｗ上に投影して、基板Ｗ上のレジスト層に潜像パターンを形成する。
【００１５】
マーク形成部１２は、アライメントマークを形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、基板Ｗ上にアライメントマークを形成する。マーク計測部１３は、マーク形成部１２によって形成されたアライメントマークの位置を計測する。制御部１４は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、装置座標系に従ってパターン形成部１１、マーク形成部１２及びマーク計測部１３を制御する（即ち、第１露光装置１０による各処理を制御する）。また、制御部１４は、第２露光装置２０で利用できるように、第１露光装置１０で得られたデータや情報を出力する出力部として機能する。本実施形態では、制御部１４は、主制御部４０と別体として設けられているが、主制御部４０の構成要素として設けられてもよい。
【００１６】
第２露光装置２０は、パターン形成部２１と、マーク計測部２３と、制御部２４とを有する。本実施形態の第２露光装置２０では、マーク形成部が設けてられていない点で第１露光装置１０とは異なるが、それ以外の構成については同様である。つまり、第２露光装置２０のパターン形成部２１及びマーク計測部２３は、第１露光装置１０のパターン形成部１１及びマーク計測部１３とそれぞれ同様に構成される。また、第２露光装置２０にもマーク形成部が設けられてもよい。パターン形成部２１は、例えば、第１露光装置１０で基板Ｗ上に形成したパターンの露光領域とは異なる露光領域に、潜像パターンを形成する。マーク計測部２３は、第１露光装置１０のマーク形成部１２によって形成されたアライメントマークの位置を計測する。制御部２４は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、装置座標系に従ってパターン形成部２１及びマーク計測部２３を制御する（即ち、第２露光装置２０による各処理を制御する）。本実施形態では、制御部２４は、主制御部４０と別体として設けられているが、主制御部４０の構成要素として設けられてもよい。
【００１７】
［パターン形成精度について］
次に、形成システム１００に求められるパターンの形成精度について、図３を用いて説明する。第１パターンＰ１は、第１露光装置１０のパターン形成部１１により形成される。第２パターンＰ２は、第２露光装置２０のパターン形成部２１により、第１パターンＰ１が形成される露光領域とは異なる露光領域に形成される。図３に示す例では、矩形の基板Ｗに第１パターンＰ１及び第２パターンＰ２が同じ大きさで１つずつ基板上に形成されているが、それに限られず、互いに異なる寸法及び個数であってもよい。
【００１８】
形成システム１００に求められるパターンの形成精度は、基板上に形成されたパターン全体の寸法と位置とに基づいて評価されうる。基板上に形成されたパターン全体の寸法は、例えば、基板上に形成されたパターン全体における対角線の長さを表す第１指標ＴＰ（Ｔｏｔａｌ  Ｐｉｔｃｈ）によって規定されうる。本実施形態では、第１露光装置１０によって基板上に形成された第１パターンＰ１の右下の端点ＥＰ１と、第２露光装置２０によって基板上に形成された第２パターンＰ２の左上の端点ＥＰ２とを結ぶ直線の長さが、第１指標ＴＰとして決定されうる。一方、基板上に形成されたパターン全体の位置は、例えば、基板上に形成されたパターン全体における中心点の位置を示す第２指標ＣＳ（Ｃｅｎｔｅｒ  Ｓｈｉｆｔ）によって規定されうる。本実施形態では、端点ＥＰ１と端点ＥＰ２とを結ぶ直線の中心点が、第２指標ＣＳとして決定されうる。
【００１９】
［比較例］
本実施形態の比較例として、第１露光装置１０のパターン形成部１１において、基板Ｗ上に３個のアライメントマークを形成する場合の例を挙げる。図４に示す例では、３個のマークＡＭ１〜ＡＭ３が、同一直線上に配置されないように、矩形である基板Ｗの四隅付近に形成されている。このように３個のマークＡＭ１〜ＡＭ３を基板Ｗ上に形成すると、３個のマークＡＭ１〜ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、基板ＷのＸ方向シフト、Ｙ方向シフト、Ｚ軸回りの回転、Ｘ方向倍率、Ｙ方向倍率を求めることができる。
【００２０】
形成システム１００では、上述した第１指標ＴＰ及び第２指標ＣＳがそれぞれ許容範囲に収まるように、基板Ｗ上にパターンを形成することが求められる。マーク形成部１２が２つの場合、まず、図５（ａ）のようにマークＡＭ１とマークＡＭ２を同時に形成する。その後、図５（ｂ）のように基板Ｗを保持している基板ステージ１１ｅをＹ方向に移動させて、マークＡＭ３を形成する手順が考えられる。
【００２１】
しかしながら、第１露光装置１０において、図５（ｃ）のように基板ステージ１１ｅがＹ方向からずれた方向に移動してしまうことによる誤差、即ち基板ステージ１１ｅのドリフトによる誤差が発生してしまう場合がある。以下ではこの誤差を、基板ステージ１１ｅのドリフトと呼ぶ。基板ステージ１１ｅのドリフトがある場合、マークＡＭ３が形成される位置は本来形成されるはずであった位置からずれた位置に形成されてしまう。
【００２２】
このようにして形成されたマークＡＭ１〜ＡＭ３の位置の計測結果からは、基板ステージ１１ｅのドリフトを正確に求めることができない。したがって、第１指標ＴＰ及び第２指標ＣＳがそれぞれ許容範囲に収まるように、基板Ｗ上にパターンを形成することが困難になる場合がある。具体例としては、基板ステージ１１ｅのドリフトと、基板Ｗが基板ステージ１１ｅ上に載置された際のＺ軸回りの回転方向のずれを制御部２４が誤って判別することにより、パターンの形成精度が低下してしまう場合がある。なお、第２露光装置２０において基板ステージのドリフトが発生している場合や第１露光装置１０と第２露光装置２０の両方において基板ステージのドリフトが発生している場合にも、パターンの形成精度が低下してしまう場合がありうる。
【００２３】
［本実施形態のパターン形成処理］
本実施形態では、基板ステージ１１ｅのドリフトを求めるために、図４に示すような３つのアライメントマークの形成ではなく、図６に示すように４つのマークＡＭ１〜ＡＭ４の形成を行う。パターン形成の補正精度を向上させるためには、４つのマークＡＭ１〜ＡＭ４が基板Ｗの四隅付近に形成され、４つのマークＡＭ１〜ＡＭ４を結んだ領域が、第１露光装置１０及び第２露光装置２０で露光される露光領域を含むように形成されることが好ましい。４つのアライメントマークの計測によって基板ステージ１１ｅのドリフトについても精度よく求めることが可能となる。具体例としては、図７（ａ）のように基板ステージ１１ｅのドリフトがある場合と、図７（ｂ）のように基板Ｗが基板ステージ１１ｅ上に載置された際にＺ軸回りの回転方向のずれがある場合を制御部２４が判別できるようになる。これにより、基板ステージ１１ｅのドリフトが生じている場合にも、パターン形成の際に基板ステージ１１ｅのドリフトに対応する補正を制御部２４により制御された第２露光装置２０が実行することにより、パターンの形成精度の低下を抑制することができる。
【００２４】
パターン形成の位置を補正する方法の一例として、制御部２４が第２露光装置２０の投影光学系の構成要素の１つである光学素子（例えば、２枚の平行平板）の駆動や回転を制御する。光学素子の駆動や回転によって、基板Ｗ上の露光位置の補正（例えば、走査露光する方向であるＹ方向や、走査露光する方向に垂直な方向であるＸ方向の倍率の補正）が可能である。
【００２５】
ところで、形成システム１００に用いられる第１露光装置１０及び第２露光装置２０では、装置固有の露光中心のずれに個体差が生じていることがある。特性とは、例えば、装置座標系の誤差、基板Ｗが載置された際に生じる誤差のことである。このように、第１露光装置１０と第２露光装置２０とに特性の個体差が生じていると、第１露光装置１０で形成された第１パターンＰ１と第２露光装置２０で形成された第２パターンＰ２との位置関係が目標位置関係からずれてしまう。その結果、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰ、及びパターン全体の位置としての第２指標ＣＳの許容範囲に収まらない場合がある。例えば、第１指標ＴＰで要求される精度が１０μｍ以内であったとしても、その許容範囲に収まらないということが起きる。
【００２６】
そこで、本実施形態の形成システム１００では、第１露光装置１０のマーク計測部１３により計測されたアライメントマークの位置と、第２露光装置２０のマーク計測部２３により計測されたアライメントマークの位置との差分を求める。当該差分に基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで基板Ｗ上に形成される第２パターンＰ２の露光領域を補正する。具体的には、第１露光装置１０と第２露光装置２０におけるパターン形成特性の個体差に起因する第１パターンＰ１と第２パターンＰ２との位置関係のずれが補正されるように、基板Ｗ上に形成される第２パターンＰ２の露光領域を決定する。
【００２７】
なお、本実施形態では差分を求めることにより第２パターンＰ２の露光領域を補正することについて述べたが、例えば、第１露光装置１０と第２露光装置２０のそれぞれで第１パターンＰ１と第２パターンＰ２の露光領域を決定する方法であっても良い。
【００２８】
以下に、本実施形態の形成システム１００における基板Ｗ上へのパターン形成処理について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施形態に係る基板Ｗ上へのパターン形成処理を示すフローチャートである。図８に示すフローチャートの各工程は、主制御部４０による制御のもとで実行されうる。また、図８ではマーク形成部１２が２つの場合を想定しているが、マーク形成部１２が１つでも、３つ以上あってもよい。また、図８ではマーク計測部１３、２３が２つの場合を想定しているが、マーク計測部１３が１つでも、３つ以上あってもよい。
【００２９】
ステップＳ１１では、搬送部３０により基板Ｗを第１露光装置１０に搬送する。ステップＳ１２では、形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク形成部１２により基板Ｗ上にマークＡＭ１とマークＡＭ２（第１マーク群）を同時に形成する。即ち、第１露光装置１０の座標系における当該目標位置座標にマークＡＭ１とマークＡＭ２（第１マーク群）を形成する。
【００３０】
ステップＳ１３では、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク計測部１３により、Ｓ１２の工程で基板Ｗ上に形成されたマークＡＭ１とマークＡＭ２（第１マーク群）の位置を計測する。
【００３１】
ステップＳ１４では、基板ＷをマークＡＭ３とマークＡＭ４（第２マーク群）を形成するための基板位置へと移動させるために、基板Ｗを保持している基板ステージ１１ｅを移動させる。
【００３２】
ステップＳ１５では、形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク形成部１２により基板Ｗ上にマークＡＭ３とマークＡＭ４（第２マーク群）を同時に形成する。即ち、第１露光装置１０の座標系における当該目標位置座標にマークＡＭ３とマークＡＭ４（第２マーク群）を形成する。このとき、基板ステージ１１ｅのドリフトがある場合、図７（ａ）のようにマークＡＭ３とマークＡＭ４（第２マーク群）は本来形成されるはずであった位置からずれた位置に形成される。
【００３３】
ステップＳ１６では、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク計測部１３により、Ｓ１５の工程で基板Ｗ上に形成されたマークＡＭ３とマークＡＭ４（第２マーク群）の位置を計測する。Ｓ１３の工程及びＳ１６の工程により、第１露光装置１０の座標系におけるマークＡＭ１〜ＡＭ４の位置座標を示すマーク座標情報Ｃ１を得ることができる。このマーク座標情報Ｃ１は、第１露光装置１０で固有に生じる誤差成分ＣＭ１と、マーク形成部１２によるアライメントマークの形成誤差成分ＣＭＸとを有する。
【００３４】
ステップＳ１７では、第１パターンＰ１を形成すべき目標位置座標を示す位置情報に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のパターン形成部１１により基板Ｗ上に第１パターンＰ１を形成する。
【００３５】
ステップＳ２１では、搬送部３０により基板Ｗを第１露光装置１０から第２露光装置２０へと搬送する。ステップＳ２２では、第２露光装置２０の座標系のもとで、第２露光装置２０のマーク計測部２３により、Ｓ１２の工程及びＳ１５の工程で基板Ｗ上に形成されたマークＡＭ１〜ＡＭ４（第１マーク群と第２マーク群）の位置を計測する。これにより、第２露光装置２０の座標系におけるマークＡＭ１〜ＡＭ４（第１マーク群と第２マーク群）の位置座標を示すマーク座標情報Ｃ２を得ることができる。このマーク座標情報Ｃ２は、第２露光装置２０で固有に生じる誤差成分ＣＭ２と、マーク形成部１２によるアライメントマークの形成誤差成分ＣＭＸとを有する。
【００３６】
ステップＳ２３では、第２露光装置２０の座標系のもとで第２パターンＰ２を基板Ｗ上に形成する際に用いる補正値ＣＶを求める。補正値ＣＶは、第１露光装置１０と第２露光装置２０との特性の個体差、即ち、第１露光装置１０で固有に生じる誤差と第２露光装置２０で固有に生じる誤差との差を補正するためのものであり、以下の式（１）によって求められる。
【００３７】
ＣＶ＝Ｃ２−Ｃ１
＝（ＣＭ２＋ＣＭＸ）−（ＣＭ１＋ＣＭＸ）
＝ＣＭ２−ＣＭ１                            ・・・（１）
式（１）では、Ｓ１６の工程で第１露光装置１０により得られたマーク座標情報Ｃ１と、Ｓ２２の工程で第２露光装置２０により得られたマーク座標情報Ｃ２との差分が、補正値ＣＶとして求められる。マーク座標情報Ｃ１及びマーク座標情報Ｃ２には、アライメントマークの形成誤差成分ＣＭＸが共通に含まれる。そのため、補正値ＣＶはアライメントマークの形成誤差成分ＣＭＸが除かれた、第１露光装置１０で固有に生じる誤差成分ＣＭ１と、第２露光装置２０で固有に生じる誤差成分ＣＭ２との差分となる。したがって、マーク形成部１２によるアライメントマークの形成誤差成分ＣＭＸが生じている場合、本実施形態での差分による補正が望ましい。
【００３８】
ステップＳ２４では、第２パターンＰ２を形成すべき目標位置座標を示す位置情報に基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで、第２露光装置２０のパターン形成部２１により基板Ｗ上に第２パターンＰ２を形成する。このとき、Ｓ２３の工程で求めた補正値ＣＶに基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで基板Ｗ上に形成される第２パターンＰ２の位置を決定する。その結果、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰ、及びパターン全体の位置としての第２指標ＣＳをそれぞれ許容範囲に収めることができる。ステップＳ２５では、搬送部３０により基板Ｗを第２露光装置２０から搬出する。
【００３９】
上述したように、本実施形態の形成システム１００は、第１露光装置１０で得られたマーク座標情報Ｃ１と第２露光装置２０で得られたマーク座標情報Ｃ２との差分に基づいて、第２露光装置２０で基板Ｗ上に形成する第２パターンＰ２の位置を決定する。また、図６に示すような４つのアライメントマークを形成することにより、基板ステージ１１ｅのドリフトも求めることができるため、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度の低下を防ぐことができる。
【００４０】
本実施形態の別の効果として、アライメントマークの数が３つである場合と比較して、各補正成分（特に基板ＷのＸ方向倍率、Ｙ方向倍率）の補正精度を向上させることができ、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度を向上させる効果も期待できる。
【００４１】
また、本実施形態で形成するアライメントマークの数は５つ以上であっても良い。例えば、図９に示すように、アライメントマークが６つである場合では、マークＡＭ１〜４の間にマークＡＭ５、６があることによって、補正成分を増やすことが可能となる。具体的には、基板ＷのＸ方向倍率、Ｙ方向倍率の非線形成分を補正することが可能となる。このように、アライメントマークの数を増やすことで、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度を向上させる効果も期待できる。
【００４２】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、第１露光装置１０のマーク形成部１２によって、基板Ｗ上にマークＡＭ１〜ＡＭ４を形成する場合について説明した。これに対し、本実施形態では、第１露光装置１０とは別の装置によって、基板Ｗ上にマークＡＭ１〜ＡＭ４を形成する場合について説明する。即ち、マークＡＭ１〜ＡＭ４が基板Ｗ上に形成された状態で、搬送部３０により第１露光装置１０に基板Ｗが搬送される。このとき、図２で示した第１露光装置１０のマーク形成部１２は設けられていなくても良い。マーク形成部１２を設ける理由としては、例えば、第１露光装置１０とは別の装置により形成されたアライメントマークではパターン形成精度が不十分となる場合に、マーク形成部１２によってアライメントマークを基板Ｗ上に再形成するために設けても良い。
【００４３】
本実施形態の形成システム１００における基板Ｗ上へのパターン形成処理は、アライメントマークの形成工程以外については同様である。図８に示した第１実施形態のフローチャートのＳ１２の工程及びＳ１５の工程以外については同様である。
【００４４】
上述したように、本実施形態では外部の装置でアライメントマークを形成し、第１露光装置１０でのマーク座標情報Ｃ１と第２露光装置２０でのマーク座標情報Ｃ２との差分に基づいて、第２パターンＰ２の露光領域を決定する。また、アライメントマークの形成を４つにすることにより、基板ステージ１１ｅのドリフトも求めることができるため、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度の低下を防ぐことができる。
【００４５】
本実施形態の別の効果として、アライメントマークの数が３つである場合と比較して、各補正成分（特に基板ＷのＸ方向倍率、Ｙ方向倍率）の補正精度を向上させることができ、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度を向上させる効果も期待できる。
【００４６】
また、本実施形態で形成するアライメントマークの数は５つ以上であっても良い。例えば、図９に示すように、アライメントマークが６つである場合では、マークＡＭ１〜４の間にマークＡＭ５、６があることによって、補正成分を増やすことが可能となる。具体的には、基板ＷのＸ方向倍率、Ｙ方向倍率の非線形成分を補正することが可能となる。このように、アライメントマークの数を増やすことで、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度を向上させる効果も期待できる。
【００４７】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４８】
＜その他の実施例＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  第１露光装置
１１  パターン形成部
１２  マーク形成部
１３  マーク計測部
２０  第２露光装置
２１  パターン形成部
２３  マーク計測部
３０  搬送部
４０  主制御部
１００  形成システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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