(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の少なくとも一方の表面上に配置された、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するパターン状被めっき層と、
前記パターン状被めっき層を覆うように配置され、前記基板と接する銅めっき層と、
前記銅めっき層を覆うように配置された、銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層と、
前記銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層を覆うように配置された、含窒素化合物層と、
前記含窒素化合物層を覆うように配置された、保護層と、を含む、導電性フィルム。
【請求項２】
前記含窒素化合物層が、含窒素非芳香族化合物、または、含窒素芳香族化合物を含む、請求項１に記載の導電性フィルム。
【請求項３】
前記含窒素化合物層が、前記含窒素非芳香族化合物を含む、請求項２に記載の導電性フィルム。
【請求項４】
前記含窒素非芳香族化合物が、含窒素脂肪族非環式化合物である、請求項３に記載の導電性フィルム。
【請求項５】
前記含窒素脂肪族非環式化合物が、式（１）で表される化合物である、請求項４に記載の導電性フィルム。
【化１】
0006923745.tif 000008
Ｘは、水酸基、メルカプト基、アミノ基、および、リン酸基からなる群から選択される親水性基を表す。Ｙは、水素原子、または、前記親水性基以外の置換基を表す。Ｌは、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。ｎは１〜３の整数を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎ＋ｍ＝３の関係を満たす。
【請求項６】
前記保護層が、ケイ素原子、硫黄原子、および、リン原子からなる群から選択される少なくとも１種のヘテロ原子を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項７】
前記保護層が、シロキサン系樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項８】
前記パターン状被めっき層が、メッシュ状に配置される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項９】
前記基板が３次元形状を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性フィルムを含む、タッチパネルセンサー。
【請求項１１】
請求項１０に記載のタッチパネルセンサーを含む、タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属層（好ましくは、パターン状金属層）が配置された導電性フィルム（金属層付き基板）は、種々の用途に使用されている。例えば、近年、携帯電話または携帯ゲーム機器などへのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量式のタッチセンサー用の導電性フィルムの需要が急速に拡大している。【０００３】
例えば、特許文献１においては、基体上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を含むポリマー層（被めっき層）を形成し、その後、めっき処理を行って、パターン状の金属層を形成して、導電性フィルムを得る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３５２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、特許文献１に記載される方法に従って銅めっき層を含む導電性フィルムを作製して、その特性を評価したところ、時間の経過と共に、導電性フィルムの面状が悪化していく場合があることを知見した。特に、基板としてポリカーボネート基板（ポリカーボネート系樹脂を含む基板）を用いた場合には、導電性フィルム中の基板の溶解が観察される場合もあった。
また、導電性フィルムにおいては銅めっき層を保護する為に、保護層を設ける場合があるが、特許文献１に記載される方法に従って作製された銅めっき層を覆うように保護層を配置した場合、導電性フィルムに対して長時間光照射を行った際の保護層の密着性（以後、「保護層の耐光密着性」ともいう）が十分でなく、さらなる改良が必要であった。【０００６】
本発明は、上記実情を鑑みて、面状変化が抑制され、かつ、保護層の耐光密着性にも優れる導電性フィルムを提供することを課題とする。
また、本発明は、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルを提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の層構成の導電性フィルムを用いることにより、上記解題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００８】
（１）  基板と、
基板の少なくとも一方の表面上に配置された、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するパターン状被めっき層と、
パターン状被めっき層を覆うように配置され、基板と接する銅めっき層と、
銅めっき層を覆うように配置された、銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層と、
銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層を覆うように配置された、含窒素化合物層と、
含窒素化合物層を覆うように配置された、保護層と、を含む、導電性フィルム。
（２）  含窒素化合物層が、含窒素非芳香族化合物、または、含窒素芳香族化合物を含む、（１）に記載の導電性フィルム。
（３）  含窒素化合物層が、含窒素非芳香族化合物を含む、（２）に記載の導電性フィルム。
（４）  含窒素非芳香族化合物が、含窒素脂肪族非環式化合物である、（３）に記載の導電性フィルム。
（５）  含窒素脂肪族非環式化合物が、後述する式（１）で表される化合物である、（４）に記載の導電性フィルム。
（６）  保護層が、ケイ素原子、硫黄原子、および、リン原子からなる群から選択される少なくとも１種のヘテロ原子を含む、（１）〜（５）のいずれかに記載の導電性フィルム。
（７）  保護層が、シロキサン系樹脂を含む、（１）〜（６）のいずれかに記載の導電性フィルム。
（８）  パターン状被めっき層が、メッシュ状に配置される、（１）〜（７）のいずれかに記載の導電性フィルム。
（９）  基板が３次元形状を有する、（１）〜（８）のいずれかに記載の導電性フィルム。
（１０）  （１）〜（９）のいずれかに記載の導電性フィルムを含む、タッチパネルセンサー。
（１１）  （１０）に記載のタッチパネルセンサーを含む、タッチパネル。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、面状変化が抑制され、かつ、保護層の耐光密着性にも優れる導電性フィルムを提供できる。
また、本発明によれば、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】導電性フィルムの一実施形態の拡大上面図である。
【図２】図１に示す導電性フィルムのＡ−Ａ断面における断面図である。
【図３】３次元形状を有する被めっき層付き基板の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明について詳述する。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明における図は発明の理解を容易にするための模式図であり、各層の厚みの関係または位置関係などは図の形態に限定されない。
【００１２】
本発明の導電性フィルムの特徴点としては、銅めっき層と保護層との間に、銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層（以下、単に「特定金属層」ともいう。）および含窒素化合物層を配置している点が挙げられる。
本発明者らは従来技術において導電性フィルムの面状変化が起こる機構について検討したところ、銅めっき層が水分または酸素と接触して形成される銅イオンが基板に浸透して、基板を触媒的に分解してしまうためであることを知見した。特に、被めっき層を覆うように配置される銅めっき層と基板との接触部分において、上記現象が生じやすい。
そこで、本発明者らは、銅めっき層と保護層との間に、特定金属層および含窒素化合物層を配置することにより、銅のイオン化を防ぐことにより上記基板の分解の進行を抑制でき、かつ、保護層の密着性も向上することを知見している。
【００１３】
以下に、本発明の導電性フィルムの実施形態について説明する。図１は、本発明の導電性フィルムの一実施形態の拡大上面図であり、図２は、図１に示す導電性フィルムのＡ−Ａ断面における断面図である。
導電性フィルム１０は、基板１２と、基板１２の一方の表面上に配置されたパターン状被めっき層１４と、パターン状被めっき層１４を覆うように配置され、かつ、基板１２と接している銅めっき層１６と、銅めっき層１６を覆うように配置される特定金属層１８と、特定金属層１８を覆うように配置される含窒素化合物層２０と、含窒素化合物層２０を覆うように配置される保護層２２とを含む。
図１および図２に示すように、パターン状被めっき層１４はメッシュ状に配置されており、その形状に沿って銅めっき層１６が配置されている。つまり、銅めっき層１６もメッシュ状に配置されている。
以下、導電性フィルムを構成する各部材について詳述する。
【００１４】
＜基板＞
基板は、２つの主面を有し、各部材を支持する部材であればよい。
基板としては、公知の基板（例えば、樹脂基板、ガラス基板、および、セラミック基板など）が挙げられ、可撓性を有する基板（好ましくは絶縁基板）が好ましく、樹脂基板がより好ましい。
樹脂基板の材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂などが挙げられる。
基板の厚みは特に限定されず、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
基板としては、透明基板（特に、透明樹脂基板）が好ましい。透明基板とは、可視光（波長４００〜７００ｎｍ）の透過率が６０％以上である基板を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
【００１５】
また、基板は、多層構造であってもよく、例えば、支持体と、支持体上に配置されたプライマー層とから構成されていてもよい。基板がプライマー層を含むことにより、パターン状被めっき層の密着性がより向上する。
支持体としては、公知の支持体（例えば、樹脂支持体、ガラス支持体、および、セラミック支持体など）が挙げられる。樹脂支持体の材料としては、上述した樹脂基板の材料で例示した樹脂が挙げられる。
プライマー層としては、公知のプライマー層が挙げられる。
【００１６】
なお、図１および図２において基板は平板状であるが、基板の形状は特に限定されず、例えば、基板は３次元形状を有していてもよい。３次元形状としては、例えば、曲面を含む形状などが挙げられる。
【００１７】
＜パターン状被めっき層＞
パターン状被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、「相互作用性基」とも称する）を有する層であって、所定のパターン状に配置される層である。上述したように、図１および図２に示す導電性フィルム１０においては、パターン状被めっき層１４はメッシュ状に配置される。
後述する銅めっき層は、パターン状被めっき層のパターン模様に沿って配置される。そのため、形成したい銅めっき層の形状に合わせて、パターン状被めっき層を基板上に配置することにより、所望の形状のパターン状銅めっき層が形成される。
なお、図１および図２においては、パターン状被めっき層がメッシュ状に配置された形態を示すが、本発明はこの形態に限定されず、パターン状被めっき層は他のパターン模様状（例えば、ストライプ状）に配置されていてもよい。
【００１８】
パターン状被めっき層の厚みは特に限定されず、めっき触媒またはその前駆体を十分に担持でき、かつ、めっき異常を防ぐ点で、０．０５〜２．０μｍが好ましく、０．１〜１．０μｍがより好ましい。
【００１９】
パターン状被めっき層がメッシュ状である場合、メッシュを構成する細線部の線幅は特に限定されず、銅めっき層の導電特性および視認しづらさのバランスの点から、３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以下が特に好ましく、０．５μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がより好ましい。
【００２０】
パターン状被めっき層がメッシュ状である場合、メッシュの開口部（図１においては、開口部２４）が略菱形の形状を有していることが好ましい。但し、その他、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状でもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する２辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する２辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
【００２１】
開口部の一辺の長さＬは特に限定されず、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の辺の長さが上記範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性フィルムを表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
【００２２】
また、透過率の観点から、パターン状被めっき層が形成される領域は、基板の全表面積に対して、５０面積％以下であることが好ましく、４０面積％以下がより好ましく、３０面積％以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．５面積％以上の場合が多い。
【００２３】
パターン状被めっき層が有する相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、ならびに、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、および、含酸素官能基が挙げられる。
相互作用性基としては、例えば、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン基、トリアゾール基、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、キナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、および、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、および、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、および、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフェート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、および、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素原子、および、臭素原子などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用できる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基などのイオン性極性基、または、シアノ基が好ましく、カルボン酸基、または、シアノ基がより好ましい。
【００２４】
パターン状被めっき層は、通常、上述した相互作用性基を有する化合物を含む。化合物としては、ポリマーが好ましい。つまり、パターン状被めっき層は、相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマーを含むことが好ましい。相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマーについては、後段で詳述する。
パターン状被めっき層が相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマーを含む場合、上記ポリマーの含有量は、パターン状被めっき層全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に限定されず、１００質量％が挙げられる。
【００２５】
＜銅めっき層＞
銅めっき層は、パターン状被めっき層を覆うように配置される層である。
上述したように、銅めっき層は、パターン状被めっき層のパターン模様に沿って配置される。例えば、パターン状被めっき層がメッシュ状である場合、形成される銅めっき層もメッシュ状となる。
また、銅めっき層は、基板１２と接するように配置される。例えば、図２に示すように、銅めっき層１６は、パターン状被めっき層１４を覆いつつ、その一部が基板１２と接するように配置される。
【００２６】
銅めっき層は、銅を主成分として構成される層である。主成分とは、銅めっき層全質量に対して、銅（金属銅）の含有量が９０質量％以上であることを意図する。なかでも、銅めっき層中の銅の含有量は、銅めっき層全質量に対して、９５質量％以上が好ましく、１００質量％がより好ましい。
【００２７】
銅めっき層がメッシュ状である場合、メッシュを構成する細線部の線幅は特に限定されず、銅めっき層の導電特性および視認しづらさのバランスの点から、３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以下が特に好ましく、０．５μｍ以上が好ましく、１μｍ以上がより好ましい。
【００２８】
銅めっき層の厚みは特に限定されず、抵抗がより低く、かつ、密着性により優れる点で、０．１〜５．０μｍが好ましく、０．３〜３．０μｍがより好ましい。
なお、銅めっき層の厚みとは、図２に示すように、基板１２の表面の法線方向に沿った銅めっき層１６のパターン状被めっき層１４側の表面からパターン状被めっき層１４側とは反対側の表面までの厚みＴ１に該当する。
【００２９】
＜銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層＞
銅よりも電気化学的に貴な金属を含む金属層は、銅めっき層を覆うように配置される層である。
特定金属層は、銅よりも電気化学的に貴な金属を含む。銅よりも電気化学的に貴な金属としては、パラジウム、銀、金、水銀、および、白金などが挙げられ、導電性フィルムの面状変化がより抑制される点で、パラジウムが好ましい。
特定金属層は、銅よりも電気化学的に貴な金属を主成分として含むことが好ましい。上記主成分とは、特定金属層中に含まれる成分のうち、最も含有量（質量）が大きい成分を意図する。特定金属層中、銅よりも電気化学的に貴な金属の含有量は、特定金属層全質量に対して、５５質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、１００質量％がさらに好ましい。
【００３０】
特定金属層の厚みは特に限定されず、銅めっき層の導電性を低下させない点で、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましい。なお、下限は特に限定されないが、１０ｎｍ以上が好ましい。
なお、特定金属層の厚みとは、図２に示すように、基板１２の表面の法線方向に沿った特定金属層１８の銅めっき層１６側の表面から銅めっき層１６側とは反対側の表面までの厚みＴ２に該当する。
【００３１】
＜含窒素化合物層＞
含窒素化合物層は、特定金属層を覆うように配置される層である。含窒素化合物層が銅めっき層と保護層との間に配置されることにより、保護層の耐光密着性が向上する。
【００３２】
含窒素化合物層は、含窒素化合物を主成分として含む層である。主成分とは、含窒素化合物層全質量に対して、含窒素化合物の含有量が９０質量％以上であることを意図し、１００質量％が好ましい。
含窒素化合物とは、窒素原子を含む化合物を意図する。含窒素化合物は、窒素原子以外に、酸素原子、硫黄原子、リン原子、および、ケイ素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよく、保護層の耐光密着性がより優れる点で、酸素原子を含むことが好ましい。
【００３３】
含窒素化合物としては、含窒素非芳香族化合物、および、含窒素芳香族化合物が挙げられ、保護層の耐光密着性がより優れる点で、含窒素非芳香族化合物が好ましい。
含窒素非芳香族化合物とは、窒素原子を含む非芳香族化合物を意図する。
含窒素非芳香族化合物としては、例えば、含窒素脂肪族非環式化合物、および、含窒素脂肪族環式化合物が挙げられ、保護層の耐光密着性がより優れる点で、含窒素脂肪族非環式化合物が好ましい。
含窒素脂肪族非環式化合物とは、窒素原子を含む非環式（例えば、直鎖状、または、分岐鎖状）の脂肪族化合物を意図し、例えば、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、および、モノエタノールアミンなどが挙げられる。
含窒素脂肪族環式化合物とは、窒素原子を含む環式の脂肪族化合物を意図し、例えば、ピロリジン、および、ピペリジンなどが挙げられる。
【００３４】
含窒素芳香族化合物とは、窒素原子を含む芳香族化合物を意図する。
含窒素芳香族化合物は、単環構造であっても、多環構造であってもよい。
含窒素芳香族化合物としては、例えば、１，２，３−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、および、トリアジンなどが挙げられる。
【００３５】
含窒素脂肪族非環式化合物としては、保護層の耐光密着性がより優れる点で、式（１）で表される化合物が好ましい。
【００３６】
【化１】
0006923745.tif 000002
【００３７】
Ｘは、水酸基、メルカプト基、アミノ基、および、リン酸基からなる群から選択される親水性基を表す。なかでも、保護層の耐光密着性がより優れる点で、水酸基が好ましい。
Ｙは、水素原子、または、上記親水性基以外の置換基を表す。上記親水性基以外の置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｌは、それぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の種類は特に限定されず、例えば、２価の飽和炭化水素基（直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、炭素数１〜２０が好ましく、例えば、アルキレン基が挙げられる。）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＣＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−）、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＳＯ3−、−ＳＯ2ＮＲ−、および、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒは、水素原子またはアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を表す。
ｎは１〜３の整数を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎ＋ｍ＝３の関係を満たす。なかでも、保護層の耐光密着性がより優れる点で、ｎが３、ｍが０であることが好ましい。
【００３８】
含窒素化合物層の厚みは特に限定されず、保護層の耐光密着性がより優れる点で、１ｎｍ以上が好ましい。上限は特に限定されず、１００ｎｍ以下の場合が多い。
なお、含窒素化合物層の厚みとは、図２に示すように、基板１２の表面の法線方向に沿った含窒素化合物層２０の特定金属層１８側の表面から特定金属層１８側とは反対側の表面までの厚みＴ３に該当する。
【００３９】
＜保護層＞
保護層は、含窒素化合物層を覆うように配置される層である。保護層は、図２に示すように、基板にも接していることが好ましい。
保護層を構成する材料は特に限定されず、例えば、ケイ素原子、硫黄原子、および、リン原子からなる群から選択される少なくとも１種のヘテロ原子を含むことが好ましい。
より具体的には、保護層は樹脂を含むことが好ましく、樹脂としては、例えば、シロキサン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリオール系樹脂、ポリビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、および、ポリエステル系樹脂などが挙げられ、導電性フィルムの面状変化がより抑制される点、および、保護層の耐光密着性がより優れる点で、シロキサン系樹脂が好ましい。
【００４０】
保護層は、樹脂を主成分として含むことが好ましい。主成分とは、保護層全質量に対して、樹脂の含有量が７０質量％以上であることを意図する。樹脂の含有量の上限値は特に制限されないが、保護層全質量に対して、１００質量％が挙げられる。
【００４１】
保護層としては、透明保護層が好ましい。透明保護層とは、可視光（波長４００〜７００ｎｍ）の透過率が６０％以上である保護層を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
【００４２】
保護層の厚みは特に限定されず、導電性フィルムの面状変化がより抑制される点、および、導電性フィルムの透過率がより優れる点で、１〜３００μｍが好ましく、１〜１００μｍがより好ましい。
なお、保護層の厚みとは、図２に示すように、基板１２の表面の法線方向に沿った保護層２２の基板１２と接する表面から基板１２側とは反対側の表面までの厚みＴ４に該当する。
【００４３】
なお、図１および図２においては、導電性フィルムの基板の一方の表面上に各種部材が配置される形態を示すが、本発明はこの形態に限定されず、基板の両面にパターン状被めっき層、銅めっき層、特定金属層、含窒素化合物層、および、保護層が配置されていてもよい。
【００４４】
＜導電性フィルムの製造方法＞
上述した導電性フィルムの製造方法は特に限定されず、以下の工程１〜工程７を含む方法が好ましい。
工程１：基板と被めっき層形成用組成物とを接触させて、基板上に被めっき層前駆体層を形成する工程
工程２：被めっき層前駆体層に露光処理および現像処理を施し、パターン状被めっき層を形成する工程
工程３：パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程
工程４：めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して銅めっき処理を施し、銅めっき層を形成する工程
工程５：銅めっき層を覆うように、特定金属層を形成する工程
工程６：特定金属層を覆うように、含窒素化合物層を形成する工程
工程７：含窒素化合物層を覆うように、保護層を形成する工程
以下、各工程の手順について詳述する。
【００４５】
（工程１）
工程１は、基板と被めっき層形成用組成物とを接触させて、基板上に被めっき層前駆体層を形成する工程である。本工程を実施することにより、基板と、基板上に配置された被めっき層前駆体層とを有する被めっき層前駆体層付き基板が得られる。
なお、被めっき層前駆体層とは、硬化処理が施される前の未硬化の状態の層である。
【００４６】
基板と被めっき層形成用組成物とを接触させる方法は特に限定されず、例えば、被めっき層形成用組成物を基板上に塗布する方法、または、被めっき層形成用組成物中に基板を浸漬する方法が挙げられる。
なお、必要に応じて、被めっき層前駆体層から溶媒を除去するために、乾燥処理を実施してもよい。
【００４７】
被めっき層形成用組成物は、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む。
化合物Ｘ：相互作用性基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
【００４８】
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。相互作用性基の定義は、上述した通りである。
化合物Ｘは、相互作用性基が２種以上有していてもよい。
【００４９】
重合性基は、エネルギー付与により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、および、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アルケニル基（例：−Ｃ＝Ｃ−）、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、および、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、アルケニル基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、または、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、または、スチリル基がより好ましい。
化合物Ｘ中は、重合性基が２種以上有していてもよい。また、化合物Ｘが有する重合性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
【００５０】
上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
【００５１】
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に限定されず、溶解性など取扱い性がより優れる点で、１０００〜７０００００が好ましく、２０００〜２０００００がより好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（特開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
【００５２】
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、組成物Ｙが、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物は、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。なお、相互作用性基を有する化合物は、重合性基を含んでいてもよい。
相互作用性基を有する化合物の好適形態としては、相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマー（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。
相互作用性基を有する繰り返し単位の一好適形態としては、式（Ａ）で表される繰り返し単位が挙げられる。
【００５３】
【化２】
0006923745.tif 000003
【００５４】
式（Ａ）中、Ｒ1は、水素原子またはアルキル基（例えば、メチル基、エチル基など）を表す。
Ｌ１は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基の種類は特に限定されず、例えば、２価の炭化水素基（２価の飽和炭化水素基であっても、２価の芳香族炭化水素基であってもよい。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、炭素数１〜２０が好ましく、例えば、アルキレン基が挙げられる。また、２価の芳香族炭化水素基は、炭素数５〜２０が好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、アルケニレン基、アルキニレン基であってもよい。）、２価の複素環基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＮＲ−、−ＣＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−）、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＳＯ3−、−ＳＯ2ＮＲ−、および、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒは、水素原子またはアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を表す。
Ｚは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
【００５５】
相互作用性基を有する繰り返し単位の他の好適形態としては、不飽和カルボン酸またはその誘導体由来の繰り返し単位が挙げられる。
不飽和カルボン酸とは、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ基）を有する不飽和化合物である。不飽和カルボン酸の誘導体とは、例えば、不飽和カルボン酸の無水物、不飽和カルボン酸の塩、不飽和カルボン酸のモノエステルなどが挙げられる。
不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、および、シトラコン酸などが挙げられる。
【００５６】
相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマー中における相互作用性基を有する繰り返し単位の含有量は特に限定されず、めっき析出性のバランスの点で、全繰り返し単位に対して、１〜１００モル％が好ましく、１０〜１００モル％がより好ましい。
【００５７】
相互作用性基を有する繰り返し単位を含むポリマーの好適形態としては、少ないエネルギー付与量（例えば、露光量）にて被めっき層が形成しやすい点で、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位、および、不飽和カルボン酸またはその誘導体由来の繰り返し単位を有するポリマーＸが挙げられる。
不飽和カルボン酸またはその誘導体由来の繰り返し単位の説明は、上述の通りである。
【００５８】
共役ジエン化合物としては、一つの単結合で隔てられた、二つの炭素−炭素二重結合を有する分子構造を有する化合物であれば特に制限されない。
共役ジエン化合物としては、例えば、イソプレン、１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２，４−ヘキサジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−ヘプタジエン、２，４−ヘプタジエン、１，３−オクタジエン、２，４−オクタジエン、３，５−オクタジエン、１，３−ノナジエン、２，４−ノナジエン、３，５−ノナジエン、１，３−デカジエン、２，４−デカジエン、３，５−デカジエン、２，３−ジメチル−ブタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、３−メチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−フェニル−１，３−ブタジエン、２−フェニル−１，３−ペンタジエン、３−フェニル−１，３−ペンタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−ヘキシル−１，３−ブタジエン、３−メチル−１，３−ヘキサジエン、２−ベンジル−１，３−ブタジエン、および、２−ｐ−トリル−１，３−ブタジエンなどが挙げられる。
【００５９】
なかでも、ポリマーＸの合成が容易で、被めっき層の特性がより優れる点で、共役ジエン化合物由来の繰り返し単位は、式（２）で表されるブタジエン骨格を有する化合物由来の繰り返し単位であることが好ましい。
【００６０】
【化３】
0006923745.tif 000004
【００６１】
式（２）中、Ｒ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基（例えば、アルキル基、アルケニル基など。炭素数１〜１２が好ましい。）、および、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ナフチル基など。）が挙げられる。複数あるＲ2は同一であっても異なっていてもよい。
【００６２】
式（２）で表されるブタジエン骨格を有する化合物（ブタジエン構造を有する単量体）としては、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１−フェニル−１，３−ブタジエン、１−α−ナフチル−１，３−ブタジエン、１−β−ナフチル−１，３−ブタジエン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−ブロム−１，３−ブタジエン、１−クロルブタジエン、２−フルオロ−１，３−ブタジエン、２，３−ジクロル−１，３−ブタジエン、１，１，２−トリクロル−１，３−ブタジエン、および、２−シアノ−１，３−ブタジエンなどが挙げられる。
【００６３】
ポリマーＸ中における共役ジエン化合物由来の繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、２５〜７５モル％であることが好ましい。
ポリマーＸ中における不飽和カルボン酸またはその誘導体由来の繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、２５〜７５モル％であることが好ましい。
【００６４】
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成されるパターン状被めっき層の硬度がより優れる点で、２つ以上の重合性基を有する多官能モノマーが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６つの重合性基を有するモノマーが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量は、１５０〜１０００が好ましく、２００〜８００がより好ましい。
【００６５】
多官能モノマーとしては、ポリオキシアルキレン基を有する多官能アクリルアミド、および、ポリオキシアルキレン基を有する多官能メタクリルアミドからなる群から選択されるアミド化合物が好ましい。
多官能アクリルアミドは、２つ以上のアクリルアミド基を含む。多官能アクリルアミド中のアクリルアミド基の数は特に限定されず、２〜１０つが好ましく、２〜５つがより好ましく、２つがさらに好ましい。
多官能メタクリルアミドは、２つ以上のメタクリルアミド基を含む。多官能メタクリルアミド中のメタクリルアミド基の数は特に限定されず、２〜１０つが好ましく、２〜５つがより好ましく、２つがさらに好ましい。
なお、アクリルアミド基およびメタクリルアミド基は、それぞれ以下式（Ｂ）および式（Ｃ）で表される基である。＊は、結合位置を表す。
【００６６】
【化４】
0006923745.tif 000005
【００６７】
Ｒ2は、水素原子または置換基を表す。置換基の種類は特に限定されず、公知の置換基（例えば、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基など。より具体的には、アルキル基、アリール基など。）が挙げられる。
【００６８】
ポリオキシアルキレン基とは、オキシアルキレン基を繰り返し単位として有する基である。ポリオキシアルキレン基としては、式（Ｄ）で表される基が好ましい。
式（Ｄ）    −（Ａ−Ｏ）q−
Ａは、アルキレン基を表す。アルキレン基中の炭素数は特に限定されず、１〜４が好ましく、２〜３がより好ましい。例えば、Ａが炭素数１のアルキレン基の場合、−（Ａ−Ｏ）−はオキシメチレン基（−ＣＨ2Ｏ−）を、Ａが炭素数２のアルキレン基の場合、−（Ａ−Ｏ）−はオキシエチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−）を、Ａが炭素数３のアルキレン基の場合、−（Ａ−Ｏ）−はオキシプロピレン基（−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2Ｏ−または−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−）を示す。なお、アルキレン基は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよい。
【００６９】
ｑは、オキシアルキレン基の繰り返し数を表し、２以上の整数を表す。繰り返し数は特に限定されず、なかでも、２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。
なお、複数のオキシアルキレン基中のアルキレン基の炭素数は、同一であっても異なっていてもよい。
また、複数種のオキシアルキレン基が含まれる場合、それらの結合順は特に限定されず、ランダム型でもブロック型でもよい。
【００７０】
被めっき層形成用組成物中における化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に制限されず、被めっき層形成用組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限としては、１００質量％が挙げられる。
被めっき層形成用組成物が組成物Ｙを含む場合、被めっき層形成用組成物中における相互作用性基を有する化合物の含有量は特に制限されないが、被めっき層形成用組成物中の全固形分に対して、１０〜９０質量％が好ましく、２５〜７５質量％がより好ましく、３５〜６５質量％がさらに好ましい。
なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に限定されず、形成されるパターン状被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜２がより好ましい。
【００７１】
被めっき層形成用組成物には、上述した成分以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、被めっき層形成用組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤の種類は特に限定されず、公知の重合開始剤（好ましくは、光重合開始剤）が挙げられる。
被めっき層形成用組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒の種類は特に限定されず、水および有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、公知の有機溶媒（例えば、アルコール系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ハロゲン系溶媒、および、炭化水素系溶媒など）が挙げられる。
【００７２】
被めっき層形成用組成物は、必要に応じて、他の成分（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、難燃剤、滑剤、可塑剤、または、めっき触媒若しくはその前駆体）を含んでいてもよい。
【００７３】
（工程２）
工程２は、被めっき層前駆体層に露光処理および現像処理を施し、パターン状被めっき層を形成する工程である。
露光処理においては、所望のパターン状被めっき層が得られるように、被めっき層前駆体層に対してパターン状に光照射がなされる。使用される光の種類は特に限定されず、例えば、紫外光、および、可視光が挙げられる。パターン状に光照射を行う際には、所定の形状の開口部を有するマスクを用いて光照射を行うことが好ましい。
被めっき層前駆体層の露光部においては、被めっき層前駆体層中の化合物に含まれる重合性基が活性化され、化合物間の架橋が生じ、層の硬化が進行する。
【００７４】
次に、パターン状に硬化処理を施した被めっき層前駆体層に対して、現像処理を施すことにより、未露光部が除去されて、パターン状被めっき層が形成される。
現像処理の方法は特に限定されず、使用される材料の種類に応じて、最適な現像処理が実施される。現像液としては、例えば、有機溶媒、純水、および、アルカリ水溶液などが挙げられる。
【００７５】
（工程３）
工程３は、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。
パターン状被めっき層は上記相互作用性基を有するため、相互作用性基がその機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒または電極として機能する。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
【００７６】
めっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体が好ましい。
無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば特に限定されず、例えば、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）が挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、および、Ｃｏなどが挙げられる。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
無電解めっき触媒前駆体は、化学反応により無電解めっき触媒となるものであれば特に限定されず、例えば、上記無電解めっき触媒として挙げた金属のイオンが挙げられる。
【００７７】
めっき触媒またはその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を溶媒に分散または溶解させた溶液を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布する方法、または、その溶液中にパターン状被めっき層付き基板を浸漬する方法が挙げられる。
上記溶媒としては、例えば、水または有機溶媒が挙げられる。
【００７８】
（工程４）
工程４は、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して銅めっき処理を施し、銅めっき層を形成する工程である。
銅めっき処理の方法は特に限定されず、例えば、無電解銅めっき処理、または、電解銅めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解銅めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解銅めっき処理を実施した後にさらに電解銅めっき処理を実施してもよい。
【００７９】
（工程５）
工程５は、銅めっき層を覆うように、特定金属層を形成する工程である。
特定金属層の形成方法としては、積層方法、および、置換方法が挙げられ、置換方法が好ましい。置換方法としては、銅めっき層表面をより貴な金属に置換して被覆層（特定金属層）を作製する方法が挙げられる。貴な金属への置換めっき方法としては、銅よりも電気化学的な貴な金属のイオンを含む溶液（例えば、パラジウムを含む溶液）を用いる方法が挙げられる。銅よりも電気化学的な貴な金属のイオンを含む溶液と銅めっき層とを接触させると、層を構成していた銅が溶解して銅イオンとなり、電子を放出する。この電子が、溶液中の銅よりも電気化学的な貴な金属のイオンを還元し、銅よりも電気化学的な貴な金属が銅めっき層の表面に析出する。
【００８０】
特定金属層を形成する際には、所定の溶液と、工程４で得られた銅めっき層を有する基板とを接触させる方法が好ましい。接触方法としては、所定の溶液を上記基板上に塗布する方法、および、所定の溶液中に上記基板を浸漬する方法が挙げられる。
接触の際の溶液の液温は特に限定されず、通常、１０〜９０℃であり、２０〜６０℃が好ましい。接触時間は特に限定されず、１〜１０分間が好ましい。
【００８１】
（工程６）
工程６は、特定金属層を覆うように、含窒素化合物層を形成する工程である。
含窒素化合物層の形成方法としては、例えば、含窒素化合物を含む組成物と工程５で得られた特定金属層を有する基板とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、含窒素化合物を含む組成物を上記基板上に塗布する方法、および、含窒素化合物を含む組成物中に上記基板を浸漬する方法が挙げられる。
含窒素化合物の定義は上述した通りである。
含窒素化合物を含む組成物中における含窒素化合物の濃度は特に限定されず、組成物全質量に対して、０．１〜２０質量％が好ましい。
含窒素化合物を含む組成物は、含窒素化合物以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、溶媒が挙げられる。溶媒の具体例としては、上述した被めっき層形成用組成物が含んでいてもよい溶媒が挙げられる。
【００８２】
含窒素化合物を含む組成物と工程５で得られた特定金属層を有する基板との接触の際の溶液の液温は特に限定されず、通常、１０〜９０℃であり、２０〜６０℃が好ましい。接触時間は特に限定されず、１〜１０分間が好ましい。
【００８３】
なお、含窒素化合物を含む組成物と工程５で得られた特定金属層を有する基板との接触後、必要に応じて、得られた基板を洗浄してもよい。
【００８４】
（工程７）
工程７は、含窒素化合物層を覆うように、保護層を形成する工程である。
保護層の形成方法は特に限定されず、用いられる材料にとって最適な方法が選択される。例えば、樹脂を含む保護層を形成する場合は、樹脂前駆体（いわゆる、モノマー）または樹脂を含む組成物を工程６で得られた含窒素化合物層を有する基板上に塗布して、必要に応じて、硬化処理を施す方法が挙げられる。
硬化処理の方法としては、加熱処理が挙げられる。
【００８５】
（その他の手順）
導電性フィルムを製造する際に、上述したパターン状被めっき層付き基板を変形させて、３次元形状を有するパターン状被めっき層付き基板としてもよい。つまり、上述したパターン状被めっき層付き基板を変形させることにより、３次元形状を有する基板と、この基板上に配置されたパターン状の被めっき層とを有する被めっき層付き基板が得られる。このような３次元形状を有するパターン状被めっき層付き基板を用いて、上述した工程３〜工程７を実施することにより、３次元形状を有する導電性フィルムを製造できる。
【００８６】
パターン状被めっき層付き基板の変形方法は特に制限されず、例えば、真空成形、ブロー成形、フリーブロー成形、圧空成形、真空−圧空成形、および、熱プレス成形などの公知の方法が挙げられる。
【００８７】
なお、上記ではパターン被めっき層付き基板を変形させる形態について述べたが、この形態には制限されず、上述した被めっき層前駆体層付き基板を変形させた後、上述した工程２を実施して、３次元形状を有する被めっき層付き基板を得てもよい。
【００８８】
また、上記では被めっき層前駆体層に対してパターン状に硬化処理を施してパターン状の被めっき層を形成する形態について述べたが、この形態には制限されず、基板上にパターン状に被めっき層前駆体層を配置して、このパターン状の被めっき層前駆体層に硬化処理を施すことにより、パターン状の被めっき層を形成することもできる。なお、パターン状に被めっき層前駆体層を配置する方法としては、例えば、スクリーン印刷法またはインクジェット法にて被めっき層形成用組成物を基板上の所定の位置に付与する方法が挙げられる。
【００８９】
＜用途＞
本発明の導電性フィルムは、種々の用途に使用できる。例えば、タッチパネルセンサー、半導体チップ、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、タッチパネルセンサー（特に、静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記導電性フィルムをタッチパネルセンサーに適用する場合、銅めっき層がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。このようなタッチパネルセンサーは、タッチパネルに好適に適用できる。
また、導電性フィルムは、発熱体として用いることもできる。例えば、銅めっき層に電流を流すことにより、銅めっき層の温度が上昇して、銅めっき層が熱電線として機能する。
【実施例】
【００９０】
以下に、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。【００９１】
＜実施例１＞
（被めっき層形成用組成物の調製）
以下の各成分を混合し、被めっき層形成用組成物を得た。
イソプロパノール                                          ３６．６質量部
ブタジエン−マレイン酸共重合体４２質量％水溶液（ポリサイエンス製）  ２．３８質量部
化合物Ａ                                                        １質量部
ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １２７（ＢＡＳＦ社製）                  ０．０５質量部【００９２】
【化５】
0006923745.tif 000006
【００９３】
（導電性フィルムの作製）
樹脂支持体（帝人製ＰＣ（ポリカーボネート）フィルム、パンライトＰＣ、厚み１２５μｍ）上にアイカトロンＺ９１３−３（アイカ工業製）を塗布し、塗膜を形成した。次に、得られた塗膜に対して紫外光を照射し、塗膜を硬化させ、厚み０．８μｍのプライマー層を形成し、樹脂支持体とプライマー層とからなる基板を得た。
次に、得られた基板上に被めっき層形成用組成物を塗布して、厚み０．９μｍの被めっき層前駆体層を形成して、被めっき層前駆体層付き基板を得た。【００９４】
次に、細線部の幅が１μｍで、開口部の一辺の長さが１５０μｍであるメッシュ状の被めっき層が形成されるように、所定の開口パターンを有する石英マスクを介して、被めっき層前駆体層を露光（０．２Ｊ）した。その後、露光された被めっき層前駆体層をシャワー現像処理し、メッシュ状の被めっき層を有する基板（被めっき層付き基板）を得た（図１参照）。なお、メッシュ状の被めっき層の厚みは、０．５μｍであった。
次に、得られた被めっき層付き基板を炭酸ナトリウム１質量％水溶液に常温にて５分間浸漬し、取り出した被めっき層付き基板を純水で洗浄した。次に、Ｐｄ触媒付与液（オムニシールド１５７３アクチベーター、ローム・アンド・ハース電子材料社製）に３０℃にて５分間浸漬し、その後、取り出した被めっき層付き基板を純水で洗浄した。次に、得られた被めっき層付き基板を還元液（サーキュポジットＰ１３オキサイドコンバーター６０Ｃ、ローム・アンド・ハース電子材料社製）に３０℃にて５分間浸漬し、その後、取り出した被めっき層付き基板を純水で２回洗浄した。次に、得られた被めっき層付き基板を無電解めっき液（サーキュポジット４５００、ローム・アンド・ハース電子材料社製）に４５℃にて１５分間浸漬し、その後、取り出した被めっき層付き基板を純水にて洗浄して、メッシュ状の銅めっき層を有する基板（銅めっき層付き基板）を得た。なお、銅めっき層は、メッシュ状の被めっき層を覆うように配置され、その一部が基板と接していた（図２参照）。なお、銅めっき層の厚みは、３．０μｍであった。
次に、得られた銅めっき層付き基板とＯＰＣブラックカッパー液（奥野製薬製）とを、３０℃で３分間接触させて処理を行い、銅めっき層を覆う特定金属層を形成し、特定金属層付き基板を得た（図２参照）。なお、特定金属層には、パラジウムが含まれていた。特定金属層の厚みは、０．１μｍであった。
次に、得られた特定金属層付き基板とエタノールアミンを含むブラックキープ液（奥野製薬製）とを、３０℃で１分間接触させて、特定金属層を覆う含窒素化合物層（エタノールアミン含有層）を形成し、含窒素化合物層付き基板を得た（図２参照）。
次に、含窒素化合物層付き基板上に、ＳｉｌＦＯＲＴ ＰＨＣ５８７Ｃ（モメンティブ製）をイソプロパノールで４倍希釈した溶液をスプレー塗布して、得られた基板を７０℃で２時間、次いで１００℃で１時間加熱して、含窒素化合物層を覆う保護層（シロキサン系樹脂含有保護層）を含む導電性フィルムを得た（図２参照）。なお、保護層の厚みは、３．０μｍであった。【００９５】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順に従って、銅めっき層付き基板を得た。
次に、得られた銅めっき層付き基板と黒化液（オムニシールド１５７３アクチベーター、ローム・アンド・ハース電子材料社製）とを２５℃で１分間接触させて、取り出した基板を純水にて２回洗浄して、銅めっき層を覆うように配置された特定金属層を含む特定金属層付き基板を得た。なお、特定金属層には、パラジウムが含まれていた。
次に、得られた特定金属層付き基板と１，２，３−トリアゾールを含む水溶液（１，２，３−トリアゾール濃度：１質量％）とを、２５℃で１分間接触させて、特定金属層を覆う含窒素化合物層（１，２，３−トリアゾール含有層）を形成し、含窒素化合物層付き基板を得た。
次に、得られた含窒素化合物層付き基板を用いて、実施例１と同様の手順に従って保護層を形成して、導電性フィルムを得た。【００９６】
＜比較例１＞
実施例１と同様の手順に従って、銅めっき層付き基板を得た。
次に、得られた銅めっき層付き基板を用いて、実施例１と同様の手順に従って保護層を形成して、導電性フィルムを得た。得られた導電性フィルム中には、特定金属層および含窒素化合物層が含まれていない。【００９７】
＜評価＞
（面状評価）
ＥＳＰＥＣ製恒温恒湿槽ＩＨ４０１を用い、８５℃、８５ＲＨ％の条件下で、実施例および比較例にて得られた導電性フィルムを５００時間曝露した。
曝露後の導電性フィルムを目視および顕微鏡にて観察し、以下の基準に従って評価した。
Ａ：導電性フィルム中に白化および欠損が見られない。
Ｂ：導電性フィルム中に白化または欠損が見られるが実用上許容範囲内であり、かつ、基板の溶解および基板中に貫通孔の発生は認められない。
Ｃ：導電性フィルム中に著しい白化もしくは欠損がみられるか、または、基板の溶解もしくは基板中に貫通孔の発生がみられる。【００９８】
（耐光密着性評価）
スガ試験機製メタリングウェザーメータ−ＭＶ３０００を用い、実施例および比較例にて得られた導電性フィルムを２４０Ｗにて１２０時間連続照射して曝露した。
曝露後の導電性フィルムの保護層上に１８ｍｍ幅のセロテープ（登録商標。ニチバン製、ＬＰ−１８）を貼り付けて、消しゴム摩擦により密着させ、１分間待機した後、９０度剥離を実施し、以下の基準に従って評価した。
Ａ：保護層の残存率が９５〜１００％
Ｂ：保護層の残存率が９０％以上９５％未満
Ｃ：保護層の残存率が９０％未満【００９９】
表１に、評価結果をまとめ示す。
表１中、「特定金属層および含窒素化合物層の有無」欄は、導電性フィルム中における特定金属層および含窒素化合物層の有無を表し、導電性フィルム中に特定金属層および含窒素化合物層が含まれる場合を「有」、導電性フィルム中に特定金属層および含窒素化合物層が含まれない場合を「無」とする。【０１００】
【表１】
0006923745.tif 000007
【０１０１】
上記表１に示すように、本発明の導電性フィルムにおいて、所望の効果が得られた。特に、含窒素脂肪族非環式化合物を用いた場合、より効果が優れていた。【０１０２】
＜実施例３＞
実施例１と同様の手順に従って、被めっき層付き基板を得た。
被めっき層付き基板の中央部分を半球形状に変形させて、図３のような形状の３次元形状を有する被めっき層付き基板２６を得た。
得られた３次元形状を有する被めっき層付き基板を用いて、実施例１と同様の手順に従って、銅めっき層、特定金属層、含窒素化合物層、および、保護層を形成し、３次元形状を有する導電性フィルムを得た。
【符号の説明】
【０１０３】
１０    導電性フィルム
１２    基板
１４    パターン状被めっき層
１６    銅めっき層
１８    特定金属層
２０    含窒素化合物層
２２    保護層
２４    開口部
２６    被めっき層付き基板
【図１】
0006923745.tif 000009
【図２】
0006923745.tif 000010
【図３】
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