(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長域の光信号を受光する第１受光部を有する第１受光素子と、第２波長域の光信号を受光する第２受光部を有する第２受光素子を備え、前記第１受光部を透過した光信号が前記第２受光部に入射するように構成された受光素子ユニットにおいて、  前記第１受光素子は、第１半導体基板と、前記第１半導体基板に立設された壁部と、前記壁部に形成された前記第１受光部を有し、  前記第２受光素子は、第２半導体基板と、前記第２半導体基板の主面側に形成された前記第２受光部と、前記第２半導体基板の端面から入射した光信号を前記第２受光部に向けて反射する反射部を有する端面入射型半導体受光素子であり、  前記端面が前記壁部に臨むように前記第２受光素子が配設されたことを特徴とする受光素子ユニット。
【請求項２】
前記第１受光素子は、前記壁部に隣接する位置に前記壁部の高さだけ前記第１半導体基板の厚さが薄い第１収容部を有し、前記第１収容部に前記第２受光素子が収容されたことを特徴とする請求項１に記載の受光素子ユニット。
【請求項３】
前記第１受光素子は、前記壁部に隣接する位置に前記壁部の高さだけ前記第１半導体基板の厚さが薄い第２収容部を有し、光信号を前記第１受光部に向けて出射する光ファイバケーブルが前記第２収容部に収容されることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子ユニット。
【請求項４】
前記第２収容部は、光ファイバケーブルを固定するために溝状に形成されたことを特徴とする請求項３に記載の受光素子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、異なる波長域の光信号を電気信号に変換するために受光する波長域が異なる２つの受光素子を備えた受光素子ユニットに関し、特に受光素子がその側面側に固定した光ファイバケーブルから入射する光信号を受光する受光素子ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】  光通信分野では、光ファイバケーブルを介して光信号を送信し、この光信号を受光した受光素子が電気信号に変換して出力することによって情報伝達が行われている。光ファイバケーブルは、受光素子との精密な位置合わせが可能なように、例えば受光素子の実装基板に形成された断面Ｖ字状のＶ溝に固定される。この場合、光信号は光ファイバケーブルの出射端から実装基板と平行に出射されるので、例えば特許文献１のような端面入射型半導体受光素子が利用される。【０００３】  一方、１本の光ファイバケーブルにおける通信量を増やすため、異なる波長域の光信号が同じ光ファイバケーブルにおいて同時に送信される。この異なる波長域の光信号を受光するために、受光する波長域が異なる複数の受光素子を並べて配設し、分光機構によって波長に応じて分光して対応する受光素子に入射させることが知られている。【０００４】  複数の受光素子を並べるので面積が大きくなると共に分光機構も必要なので、光通信機器への内蔵に適した小型の受光素子ユニットを形成することは容易ではない。そこで、例えば特許文献２〜４のように、異なる波長域の光信号を受信する２つの受光部を、光ファイバケーブルから光信号の入射方向に重なるように配設することによって、分光機構が不要な小型の受光素子や受光素子ユニットが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８３３９０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９２８７３号公報
【特許文献３】特開２０１９−１２７１３号公報
【特許文献４】特許第６７１１９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  特許文献２〜４のような受光素子ユニットは、光信号を半導体基板の主面側に形成された受光部に垂直に入射させるものである。それ故、実装基板のＶ溝に固定された光ファイバケーブルからの光信号を受光するためには、サブ基板等を使用して、受光素子ユニットを光ファイバケーブルに向けて実装基板に垂直に立てた姿勢に固定する必要があった。また、垂直に立てた受光素子ユニットから電気信号を取り出すために、受光素子ユニットと実装基板上の配線とのワイヤボンディング等による接続が困難になっていた。【０００７】  本発明の目的は、側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信することができる側面入射型の受光素子ユニットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  請求項１の発明の受光素子ユニットは、第１波長域の光信号を受光する第１受光部を有する第１受光素子と、第２波長域の光信号を受光する第２受光部を有する第２受光素子を備え、前記第１受光部を透過した光信号が前記第２受光部に入射するように構成された受光素子ユニットにおいて、前記第１受光素子は、第１半導体基板と、前記第１半導体基板に立設された壁部と、前記壁部に形成された前記第１受光部を有し、前記第２受光素子は、第２半導体基板と、前記第２半導体基板の主面側に形成された前記第２受光部と、前記第２半導体基板の端面から入射した光信号を前記第２受光部に向けて反射する反射部を有する端面入射型半導体受光素子であり、前記端面が前記壁部に臨むように前記第２受光素子が配設されたことを特徴としている。【０００９】  上記構成によれば、第１受光素子の壁部に形成された第１受光部に光信号を入射させ、第１受光部を透過した光信号を端面入射型の第２受光素子の端面から反射部に入射させて、反射部で反射した光信号を第２受光部に入射させる。これにより、入射させる光信号に含まれる第１波長域の光信号を第１受光部が電気信号に変換し、第２波長域の光信号を第２受光部が電気信号に変換する。従って、受光素子ユニットは、受光素子ユニットの実装基板と平行に出射されて受光素子ユニットの側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信することができる。それ故、光信号の入射方向に向けて受光素子ユニットを実装基板に立てる必要がなく、配線接続も容易である。【００１０】  請求項２の発明の受光素子ユニットは、請求項１の発明において、前記第１受光素子は、前記壁部に隣接する位置に前記壁部の高さだけ前記第１半導体基板の厚さが薄い第１収容部を有し、前記第１収容部に前記第２受光素子が収容されたことを特徴としている。  上記構成によれば、第１収容部によって、第１受光部に対して、壁部の高さ方向における第２受光素子の位置が決まる。従って、第１受光部を透過した光信号を第２受光部に入射させるように、第２受光素子を容易に配設することができる。【００１１】  請求項３の発明の受光素子ユニットは、請求項１又は２の発明において、前記第１受光素子は、前記壁部に隣接する位置に前記壁部の高さだけ前記第１半導体基板の厚さが薄い第２収容部を有し、光信号を前記第１受光部に向けて出射する光ファイバケーブルが前記第２収容部に収容されることを特徴としている。  上記構成によれば、第２収容部によって、第１受光部に対して、壁部の高さ方向における光ファイバケーブルの出射端の位置が決まる。従って、第１受光部を透過した光信号を第２受光部に入射させるように、光ファイバケーブルを容易に配設することができる。【００１２】  請求項４の発明の受光素子ユニットは、請求項３の発明において、前記第２収容部は、光ファイバケーブルを固定するために溝状に形成されたことを特徴としている。  上記構成によれば、光ファイバケーブルの出射端の位置を容易に決めて固定することができる。
【発明の効果】
【００１３】  本発明の受光ユニットによれば、受光ユニットの側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信することができる。それ故、光信号の入射方向に向けて受光素子ユニットを実装基板に立てる必要がなく、配線接続も容易である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１に係る受光素子ユニットの要部平面図である。
【図２】図１のII−II線要部断面図である。
【図３】第１受光素子の収容部エッチングマスク形成工程を示す図である。
【図４】第１受光素子の収容部形成工程を示す図である。
【図５】第１受光素子の第１拡散マスク形成工程を示す図である。
【図６】第１受光素子の第１拡散領域形成工程を示す図である。
【図７】第１受光素子の第１電極形成工程を示す図である。
【図８】図２の第２受光素子の要部拡大断面図である。
【図９】第２受光素子の第２拡散領域形成工程を示す図である。
【図１０】第２受光素子の半導体層エッチング工程を示す図である。
【図１１】第２受光素子の第２電極形成工程を示す図である。
【図１２】第２受光素子の溝部エッチングマスク形成工程を示す図である。
【図１３】第２受光素子の溝部形成工程を示す図である。
【図１４】第２受光素子の反射部形成工程を示す図である。
【図１５】本発明の実施例２に係る受光素子ユニットの要部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】  以下、本発明を実施するための形態について実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１６】  図１、図２に示すように、実装基板Ｍに固定される受光素子ユニット１Ａは、第１波長域の光信号を受光する第１受光素子１０と、第２波長域の光信号を受光する第２受光素子２０を有する。第２波長域は、第１波長域よりも長い波長域に設定され、例えば第１波長域は４００〜１１００ｎｍ、第２波長域は１０００〜１７００ｎｍである。第１波長域の例えば波長が８５０ｎｍの光信号と、第２波長域の例えば波長が１５５０ｎｍの光信号が、光ファイバケーブルＯＣの出射端から同時に出射される。【００１７】  実装基板Ｍに平行に配設される光ファイバケーブルＯＣから出射された光信号は、第１受光素子１０の第１受光部１１に入射し、第１波長域の光信号が電気信号に変換されて出力される。また、第１受光部１１を透過した光信号は第２受光素子２０に入射し、第２受光素子２０の反射部２７で第２受光部２２に向かって反射されて第２受光部２２に入射し、第２波長域の光信号が電気信号に変換されて出力される。【００１８】  第１受光素子１０について説明する。  第１受光素子１０は、第１半導体基板１２として例えば表面１２ａが（１１０）面であるｎ−Ｓｉ基板と、この第１半導体基板１２に立設された壁部１４を有する。また、第１受光素子１０は、壁部１４を介して隣接する第１収容部１３と第２収容部１５を有する。【００１９】  第１収容部１３と第２収容部１５は、第１半導体基板１２の所定の領域を表面１２ａから裏面１２ｂに向かってエッチングすることにより凹入させて形成され、壁部１４はエッチングせずに残すことによって形成される。従って、第１収容部１３と第２収容部１５では、壁部１４の高さだけ第１半導体基板１２の厚さが薄くなっている。尚、第１収容部１３、第２収容部１５は、第１半導体基板１２を切削又は研削する機械加工よって形成されてもよく、この場合第１半導体基板１２の結晶方位に関係なく第１、第２収容部１３，１５を形成することができる。【００２０】  第２収容部１５には、光ファイバケーブルＯＣの出射端が第１受光部１１に向かって光信号を出射するように、光ファイバケーブルＯＣが収容される。第１収容部１３には、第２受光素子２０が収容される。尚、第１収容部１３と第２収容部１５の深さは同じであるが、異なる深さに形成することも可能である。【００２１】  壁部１４の第１収容部１３側の側面１４ａは、第１半導体基板１２の（１１１）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに直交する。第１収容部１３の底部１３ａは、第１半導体基板１２の（１１０）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに平行である。壁部１４の第２収容部１５側の側面１４ｂは、側面１４ａに平行な第１半導体基板１２の（１１１）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに直交する。側面１４ｂは第１受光部１１に入射する光信号の入射面であり、側面１４ａは第１受光部１１を透過した光が第２受光素子２０に向けて出射される光信号の出射面である。【００２２】  第２収容部１５の底部１５ａは、第１半導体基板１２の（１１０）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに平行である。第１収容部１３の壁部１４と反対側には、壁部１４の側面１４ａに平行な側面１６ａを有する第２壁部１６が形成され��いるが、第２壁部１６を省略することもできる。【００２３】  第１受光部１１は、壁部１４の第２収容部１５側に第１ｐ型拡散領域１１ａが形成され、第１ｐ型拡散領域１１ａと第１半導体基板１２によるｐｎ接合が壁部１４の側面１４ａ，１４ｂと平行に形成されたフォトダイオードである。第１受光部１１は、壁部１４の第１収容部１３側に第１ｐ型拡散領域１１ａが形成されたフォトダイオードであってもよい。【００２４】  第１受光部１１は、第１ｐ型拡散領域１１ａに接続された第１アノード電極１７を第１半導体基板１２の表面１２ａ側に有し、第１半導体基板１２に接続された第１カソード電極１８を第１半導体基板１２の裏面１２ｂ側に有する。尚、第１カソード電極１８は、第１半導体基板１２の表面１２ａ側に形成することもできる。第１アノード電極１７と、第１カソード電極１８は、例えば主としてアルミニウム又は金を含む金属を選択的に堆積させて形成される。図示を省略するが、第１アノード電極１７は実装基板Ｍの配線に例えばワイヤボンディングによって接続され、第１カソード基板１８は実装基板Ｍの他の配線に例えば導電性ペーストによって接続される。【００２５】  図示を省略するが、例えばダイシングによって、壁部１４の側面１４ａ側の第１半導体基板１２を切り離して第１収容部１３を省略することもでき、壁部１４の側面１４ｂ側の第１半導体基板１２を切り離して第２収容部１５を省略することもできる。また、壁部１４の側面１４ａ，１４ｂ側の第１半導体基板１２を夫々ダイシングにより切り離して、第１、第２収容部１３，１５を省略することも可能である。第１収容部１３を省略した場合、第２受光素子２０は、例えば高さ調整用の図示外のスペーサ等を介して実装基板Ｍに固定される。第２収容部１５を省略した場合、光ファイバケーブルＯＣは、例えば高さ調整可能な図示外の固定具等によって実装基板Ｍに固定される。【００２６】  第１受光素子１Ａの製造工程について説明する。  図３に示すように、ウェハの状態の第１半導体基板１２の表面１２ａに、第１収容部１３、第２収容部１５を形成するためのエッチングマスク３１を形成する（収容部エッチングマスク形成工程）。【００２７】  そして、図４に示すように、例えばＫＯＨ水溶液等の公知のエッチング液を使用する異方性エッチングによって、第１半導体基板１２の表面１２ａから裏面１２ｂ側に向かって凹入させて、第１収容部１３と第２収容部１５を形成する（収容部形成工程）。このとき、第１、第２収容部１３，１５の深さはエッチング時間によって調整でき、表面１２ａに直交するエッチング速度が遅い｛１１１｝面が露出する。尚、図示を省略するが、第１、第２収容部１３，１５は、夫々表面１２ａ側から見て｛１１１｝面によって平行四辺形に形成された凹部の一部である。【００２８】  エッチングマスク３１を除去後、図５に示すように、壁部１４の第２収容部１５側の側面１４ｂの一部と第２収容部１５の底部１５ａの一部を露出させた第１拡散マスク３２を形成する（第１拡散マスク形成工程）。そして、例えばドーパントとしてホウ素を含むドーピングペーストを用いて、図６に示すように壁部１４の側面１４ｂ側の一部と第２収容部１５の底部１５ａの一部に、第１ｐ型拡散領域１１ａを形成する（第１拡散領域形成工程）。【００２９】  次に図７に示すように、第１半導体基板１２の表面１２ａ側に第１ｐ型拡散領域１１ａに接続する第１アノード電極１７を形成し、第１半導体基板１２の裏面１２ｂ側に第１半導体基板１２に接続する第１カソード電極１８を形成する（第１電極形成工程）。そして、例えば１点鎖線Ｌ１，Ｌ２で示すように側面１４ｂに平行な方向と、これに直交する方向に、ダイシングブレードを用いてダイシングする第１ダイシング工程により、図１、図２の第１受光素子１Ａが得られる。尚、第１ｐ型拡散領域１１ａ、第１半導体基板１２の裏面１２ｂは、誘電体膜に覆われていてもよく、第１ｐ型拡散領域１１ａを覆う誘電体膜は例えばＳｉＮ膜等の反射防止膜であってもよい。【００３０】  次に、第２受光素子２０について説明する。  図８は、図２の第２受光素子２０を拡大して示している。第２受光素子２０は、第２半導体基板２１と、第２半導体基板２１の主面２１ａ側に形成された前記第２受光部２２と、第２半導体基板２１の端面２１ｃから入射した光信号を第２受光部２２に向けて反射する反射部２７を有する端面入射型半導体受光素子である。端面２１ｃから入射した光信号は、反射部２７で反射されて第２受光部２２に入射する。【００３１】  第２半導体基板２１の主面２１ａ側には、第１半導体層２３として例えばＩｎＧａＡｓ層と、第２半導体層２４としてｎ−ＩｎＰ層が積層されている。そして、第２半導体層２４の所定の領域に第２ｐ型拡散領域２４ａが形成され、この第２ｐ型拡散領域２４ａに接する第１半導体層２３の領域が光吸収領域２３ａに相当する。第２受光部２２は、第２ｐ型拡散領域２４ａと光吸収領域２３ａを有するフォトダイオードである。【００３２】  反射部２７は、第２半導体基板２１の裏面２１ｂ側に端面２１ｃと平行な方向に延びる溝部２６に、例えば主として金を含む金属膜が成膜されて形成されている。溝部２６は、第２半導体基板２１の｛１１１｝面である傾斜面２６ａ，２６ｂを有する。光信号が入射する端面２１ｃ側の傾斜面２６ａには、主面２１ａに対する交差角が一定（５４．７°）となる平滑な反射部２７が形成され、反射部２７は高い反射率を有する。【００３３】  第２受光部２２で変換された電気信号を出力するために、第２ｐ型拡散領域２４ａに接続する第２アノード電極２８と、第２半導体基板２１に接続する第２カソード電極２９が、半導体基板２１の主面２１ａ側に形成されている。第２アノード電極２８と、第２カソード電極２９は、例えば主としてアルミニウム又は金を含む金属を選択的に堆積させて形成される。図示を省略するが、第２アノード電極２８と第２カソード基板２９は、実装基板Ｍの対応する配線に例えばワイヤボンディングによって夫々接続される。【００３４】  第２受光素子２０の製造工程について説明する。  図９のように、ウェハの状態の第２半導体基板２１の主面２１ａ側に第１半導体層２３と第２半導体層２４を形成後、第２半導体層２４に第２ｐ型拡散領域２４ａを形成するための第２拡散マスク３５を形成し、例えばドーパントとして亜鉛を拡散させた第２ｐ型拡散領域２４ａを形成する（第２拡散領域形成工程）。第２ｐ型拡散領域２４ａに接する第１半導体層２３の領域が光吸収領域２３ａに相当し、第２ｐ型拡散領域２４ａと光吸収領域２３ａを有する第２受光部２２が形成される。【００３５】  第２拡散マスク３５を除去後、図１０に示すように、半導体層エッチングマスク３６を形成し、第２半導体基板２１の所定の領域が露出するように第２半導体層２４と第１半導体層２３を除去する（半導体層エッチング工程）。そして、半導体層エッチングマスク３６を除去後、図１１に示すように、第２半導体基板２１の主面２１ａ側を覆う誘電体膜２５（例えばＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜等）に開口部を形成し、第２ｐ型拡散領域２４ａに接続する第２アノード電極２８と、第２半導体基板２１に接続する第２カソード電極２９を形成する（第２電極形成工程）。【００３６】  次に図１２に示すように、第２半導体基板２１の主面２１ａ側を厚く堆積させたフォトレジスト等の保護膜３７で覆い、第２半導体基板２１の裏面２１ｂにおける第２受光部２２に対応するように開口された溝部エッチングマスク３８を形成する（溝部エッチングマスク形成工程）。そして、図１３に示すように、例えば臭化水素とメタノールの混合液を用いた公知の異方性エッチングにより、第２半導体基板２１の裏面２１ｂ側に第２半導体基板２１の｛１１１｝面である傾斜面２６ａ，２６ｂを有する溝部２６を形成する（溝部形成工程）。【００３７】  溝部エッチングマスク３８を除去後、図１４に示すように、傾斜面２６ａに例えば主として金を含む反射膜を選択的に堆積して、第２受光部２２に向けて反射する反射部２７を形成する（反射部形成工程）。そして、保護膜３７を除去し、例えば１点鎖線Ｌ３，Ｌ４に沿って溝部２６が延びる方向と、これに直交する方向に、ダイシングブレードを用いてダイシングする第２ダイシング工程により、図８の第２受光素子２０が得られる。尚、第２半導体基板２１の裏面２１ｂは、誘電体膜に覆われていてもよい。【００３８】  受光素子ユニット１Ａは、第２受光素子２０の端面２１ｃが第１受光素子１０の壁部１４の側面１４ａに臨むように第１収容部１３に収容されて例えば接着剤によって固定されることにより形成される。この受光素子ユニット１Ａは、実装基板Ｍに固定される。第１収容部１３を省略した場合には、第１受光部１１を透過した光信号を第２受光部２２に入射させるために、第２受光素子２０は、端面２１ｃが第１受光素子１０の壁部１４の側面１４ａに臨むように高さ調整用のスペーサ等を介して、第１受光素子１０が固定された実装基板Ｍに固定される。【００３９】  第１、第２アノード電極１７，２８と第１、第２カソード電極１８，２９は、実装基板Ｍに形成された対応する図示外の配線にワイヤボンディング等によって接続される。そして、第２収容部１５に光ファイバケーブルＯＣの出射端を壁部１４に向けて収容した状態で光ファイバケーブルＯＣを固定することにより、受光素子ユニット１Ａは、その側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信できる。尚、光ファイバケーブルＯＣの出射端の位置は、光信号の発散角を考慮して、入射光の全部が第２受光部２２に入射できるように設定される。
【実施例２】
【００４０】  上記実施例１を部分的に変更した受光素子ユニット１Ｂについて説明する。実施例１と共通の部分には同じ符号を付して説明を省略する。【００４１】  図１５及び図２に示すように、受光素子ユニット１Ｂは、光ファイバケーブルＯＣから出射された光信号を第１受光素子１０の第１受光部１１に入射させ、第１受光部１１を透過した光を第２受光素子２０に入射させる。そして、第２受光素子２０に入射した光信号は、第２受光素子２０の反射部２７で第２受光部２２に向かって反射され、第２受光部２２に入射するように構成されている。【００４２】  第１受光素子１０は、第１半導体基板１２として例えば表面１２ａが（１１０）面であるｎ−Ｓｉ基板と、この第１半導体基板１２に立設された壁部１４を有する。また、第１受光素子１０は、壁部１４を介して隣接する第１収容部１３と第２収容部３０を有する。第２収容部３０は所定の溝幅を有する溝状に形成され、溝が延びる方向の一端側は外部に連通し、他端側の壁部１４には、第１受光部１１が形成されている。【００４３】  第１収容部１３と第２収容部３０は、第１半導体基板１２の所定の領域を表面１２ａから裏面１２ｂに向かってエッチングすることにより凹入させて形成され、壁部１４はエッチングせずに残すことによって形成される。第１収容部１３と第２収容部３０では、壁部１４の高さだけ第１半導体基板１２の厚さが薄くなっている。尚、第１収容部１３を省略することも可能である。【００４４】  溝状の第２収容部３０の溝幅は、例えば光ファイバケーブルＯＣの直径程度に形成されており、第２収容部３０には光ファイバケーブルＯＣの出射端が収容される。第１収容部１３には、第２受光素子２０が収容される。【００４５】  溝状の第２収容部３０は、各々が第１半導体基板１２の（１１１）面である３つの側面に囲まれている。壁部１４の第２収容部３０側の側面１４ｂは、第１半導体基板１２の（１１１）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに直交する。【００４６】  第２収容部３０の溝幅方向に対向する平行な側面３０ｂ、３０ｃは、壁部１４の側面１４ｂに対して夫々θｂ＝１０９．４°、θｃ＝７０．６の角度で連なる。それ故、第１収容部３０に収容された光ファイバケーブルＯＣの出射端から第１受光部１１に向かって表面１２ａに平行に出射された光信号は、表面１２ａ側から見て、光軸が第１受光部１１に１９．４°の入射角で入射する。【００４７】  第１収容部３０の底部３０ａは、第１半導体基板１２の（１１０）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに平行である。壁部１４の第１収容部１３側の側面１４ａは、壁部１４の側面１４ｂに平行な第１半導体基板１２の（１１１）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに直交する。第１収容部１３の底部１３ａは、第１半導体基板１２の（１１０）面であり、第１半導体基板１２の表面１２ａに平行である。第１収容部１３の壁部１４と反対側には、壁部１４の側面１４ａに平行な面を有する第２壁部１６が形成されているが、第２壁部１６を省略することもできる。【００４８】  第１受光部１１を透過した光信号は、第１収容部１３に収容された第２受光素子２０の端面２１ｃに入射する。受光素子ユニット１Ｂは、第２���光素子２０の端面２１ｃが第１受光素子１０の壁部１４の側面１４ａに臨むように第１収容部１３に収容されて例えば接着剤によって固定されることにより形成される。この受光素子ユニット１Ａは、実装基板Ｍに固定される。【００４９】  第１、第２アノード電極１７，２８と第１、第２カソード電極１８，２９は、実装基板Ｍに形成された対応する図示外の配線にワイヤボンディング等によって接続される。そして、第２収容部３０に光ファイバケーブルＯＣの出射端を第１受光部１１に向けて収容した状態で光ファイバケーブルＯＣを固定することにより、受光素子ユニット１Ｂは、受光素子ユニット１Ｂの側面側から実装基板Ｍと平行に入射する異なる波長域の光信号を受信できる。【００５０】  光信号が第２半導体基板２１の主面２１ａに平行な面内で反射部２７に６°程度傾いて入射することを考慮して、第２受光部２２に光信号を入射させるように第１収容部１３における第２受光素子２０の位置が設定される。光ファイバケーブルＯＣの出射端の位置は、光信号の発散角を考慮して、入射光の全部が第２受光部２２に入射できるように設定される。【００５１】  第１受光素子１０の製造工程は、実施例１の収容部エッチングマスク形成工程におけるエッチングマスク３１の開口形状を変更すればよく、第２受光素子２０の製造工程は実施例１と同じなので説明を省略する。【００５２】  上記実施例１，２に係る受光素子ユニット１Ａ，１Ｂの作用、効果について説明する。  受光素子ユニット１Ａ，１Ｂは、第１受光素子１０の壁部１４に形成された第１受光部１１に、壁部１４の側面１４ｂ側に配設される光ファイバケーブルＯＣから光信号を入射させる。そして、第１受光部１１を透過した光を端面入射型の第２受光素子２０の端面２１ｃから反射部２７に入射させて、反射部２７で反射した光信号を第２受光部２２に入射させる。入射させる光信号に含まれる第１波長域の光信号を第１受光部１１が電気信号に変換し、第２波長域の光信号を第２受光部２２が電気信号に変換する。【００５３】  従って、受光素子ユニット１Ａ，１Ｂは、受光素子ユニット１Ａ，１Ｂの実装基板Ｍと平行に出射されて受光素子ユニット１Ａ，１Ｂの側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信することができる。それ故、光信号の入射方向に向けて受光素子ユニット１Ａ，１Ｂを実装基板Ｍに立てる必要がなく、配線接続も容易である。【００５４】  第１受光素子１０は、壁部１４に隣接する位置に壁部１４の高さだけ第１半導体基板１２の厚さが薄い第１収容部１３を有し、第１収容部１３に第２受光素子２０が収容されている。第１収容部１３によって、第１受光部１１に対して、壁部１４の高さ方向における第２受光素子２０の位置が決まる。従って、第２受光素子２０の位置調整の方向が壁部１４の高さ方向以外に限定され、第１受光部１１を透過した光信号を第２受光部２２に入射させるように容易に配設することができる。【００５５】  第１受光素子１０は、壁部１４に隣接する位置に壁部１４の高さだけ第１半導体基板１２の厚さが薄い第２収容部１５（３０）を有し、光信号を第１受光部１１に向けて出射する光ファイバケーブルＯＣが第２収容部１５（３０）に収容される。第２収容部１５（���０）によって、第１受光部１１に対して、壁部１４の高さ方向における光ファイバケーブルＯＣの出射端の位置が決まる。従って、光ファイバケーブルＯＣの位置調整の方向が壁部１４の高さ方向以外に限定され、第１受光部１１を透過した光信号を第２受光部２２に入射させるように容易に配設することができる。【００５６】  また、第２収容部３０は、光ファイバケーブルＯＣを固定するために溝状に形成されているので、光ファイバケーブルＯＣの位置調整の方向が第１受光部１１との距離を変える方向に限定され、第１受光部１１を透過した光信号を第２受光部２２に入射させるように容易に位置を決めて固定することができる。【００５７】  その他、当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱することなく、上記実施形態に種々の変更を付加した形態で実施可能であり、本発明はその種の変更形態も包含するものである。
【符号の説明】
【００５８】１Ａ，１Ｂ  ：受光素子ユニット１０  ：第１受光素子１１  ：第１受光部１１ａ：第１ｐ型拡散領域１２  ：第１半導体基板１２ａ：表面１３  ：第１収容部１４  ：壁部１５，３０  ：第２収容部１７  ：第１アノード電極１８  ：第２カソード電極２０  ：第２受光素子２１  ：第２半導体基板２１ａ：主面２１ｂ：裏面２１ｃ：端面２２  ：第２受光部２３  ：第１半導体層２３ａ：光吸収領域２４  ：第２半導体層２４ａ：第２ｐ型拡散領域２５  ：誘電体膜２６  ：溝部２７  ：反射部２８  ：第２アノード電極２９  ：第２カソード電極３１  ：エッチングマスク３２  ：第１拡散マスク３５  ：第２拡散マスク３６  ：半導体層エッチングマスク３７  ：保護膜３８  ：溝部エッチングマスクＭ    ：実装基板ＯＣ  ：光ファイバケーブル
【要約】［課題］側面側から入射する異なる波長域の光信号を受信することができる受光素子ユニットを提供すること。［解決手段］第１波長域の光信号を受光する第１受光部(11)を有する第１受光素子(10)と、第２波長域の光信号を受光する第２受光部(22)を有する第２受光素子(20)を備え、第１受光部を透過した光信号が第２受光部に入射するように構成された受光素子ユニット(1A,1B)において、第１受光素子(10)は、第１半導体基板と、第１半導体基板に立設された壁部(14)と、この壁部に形成された第１受光部を有し、第２受光素子(20)は、第２半導体基板と第２半導体基板の主面側に形成された第２受光部(22)と、第２半導体基板の端面(21c)から入射した光信号を第２受光部に向けて反射する反射部(27)を有する端面入射型半導体受光素子であり、その端面(21c)が壁部(14)に臨むように第２受光素子(20)を配設する。【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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