(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられたゲート層と、
前記ゲート層を覆うように前記ベース基板上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたソースドレイン層と、
前記ソースドレイン層の一部及び前記ゲート絶縁層の一部を覆う第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層上に設けられたカラーレジスト層と、
前記カラーレジスト層上に設けられた第２パッシベーション層と、
を含み、
前記ソースドレイン層に対応する上方には、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層の表面まで延伸するパッシベーション層ビアホールが設けられ、
前記カラーレジスト層内の気体が放出されるように前記パッシベーション層ビアホールの片側から前記カラーレジスト層を露出させ、
前記パッシベーション層ビアホールの第１側面は、前記第２パッシベーション層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記パッシベーション層ビアホールの第２側面は、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記カラーレジスト層内の気体は、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面から析出される、アレイ基板。
【請求項２】
前記第２パッシベーション層の一部、前記第１側面及び前記パッシベーション層ビアホールの底部の一部を覆うＩＴＯ電極層をさらに含む、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記パッシベーション層ビアホールの底部に対応して接触した前記ソースドレイン層の表面は、凹面であり、
前記凹面の底部は、前記パッシベーション層ビアホールの底部である、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記カラーレジスト層の底部には、互いに連通するとともに前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する複数の排気孔が設けられる、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記カラーレジスト層と前記第２パッシベーション層とが接触する接触面には、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する気体通路が設けられる、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記第１側面における前記第２パッシベーション層の表面及び前記第１パッシベーション層の表面は、いずれも斜面である、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記第２側面の上部に位置する断面は、直角形状をなし、
前記直角形状は、その水平辺が前記カラーレジスト層に位置するようにウェットエッチングにより形成される、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のアレイ基板を製造する製造方法であって、
ベース基板上に、下から上へ順に前記ゲート層、前記ゲート絶縁層、前記ソースドレイン層、前記第１パッシベーション層及び前記カラーレジスト層を形成するステップと、
前記カラーレジスト層上に、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層まで延伸するカラーレジストビアホールを形成するステップと、
前記カラーレジスト層及び前記カラーレジストビアホール上に、前記カラーレジスト層及び前記カラーレジストビアホールを覆うように、前記第２パッシベーション層を形成するステップと、
前記第２パッシベーション層上にフォトレジスト層を形成し、露光現像により前記カラーレジストビアホールの底面及びその片側面に対する前記フォトレジスト層を除去することで、対応箇所に位置する前記第２パッシベーション層を露出させるステップと、
前記パッシベーション層ビアホールが形成されるように、露出された部分の前記第２パッシベーション層をエッチングすることで、対応する前記ソースドレイン層及び前記カラーレジスト層を露出させるステップと、
を含む、製造方法。
【請求項９】
前記パッシベーション層ビアホールを形成した後に、
前記パッシベーション層ビアホールの底面と、前記第２パッシベーション層が覆われる片側面との上にＩＴＯ電極層を形成するステップをさらに含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられたゲート層と、
前記ゲート層を覆うように前記ベース基板上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたソースドレイン層と、
前記ソースドレイン層の一部及び前記ゲート絶縁層の一部を覆う第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層上に設けられたカラーレジスト層と、
前記カラーレジスト層上に設けられた第２パッシベーション層と、
を含み、
前記ソースドレイン層に対応する上方には、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層の表面まで延伸するパッシベーション層ビアホールが設けられ、
前記カラーレジスト層内の気体が放出されるように前記パッシベーション層ビアホールの片側から前記カラーレジスト層を露出させ、
前記パッシベーション層ビアホールの第１側面は、前記第２パッシベーション層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記パッシベーション層ビアホールの第２側面は、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記カラーレジスト層内の気体は、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面から析出され、
前記第２パッシベーション層の一部、前記第１側面、及び前記パッシベーション層ビアホールの底部の一部を覆うＩＴＯ電極層をさらに含む、アレイ基板。
【請求項１１】
前記パッシベーション層ビアホールの底部に対応して接触した前記ソースドレイン層の表面は、凹面であり、
前記凹面の底部は、前記パッシベーション層ビアホールの底部である、請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記カラーレジスト層の底部には、互いに連通するとともに前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する複数の排気孔が設けられる、請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記カラーレジスト層と前記第２パッシベーション層とが接触する接触面には、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する気体通路が設けられる、請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記第１側面における前記第２パッシベーション層の表面及び前記第１パッシベーション層の表面は、いずれも斜面である、請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記第２側面の上部に位置する断面は、直角形状をなし、
前記直角形状は、その水平辺が前記カラーレジスト層に位置するようにウェットエッチングにより形成される、請求項１０に記載のアレイ基板。
【請求項１６】
前記パッシベーション層ビアホールの底面と、前記第２パッシベーション層が覆われる片側面との上には、ＩＴＯ電極層が設けられる、請求項１０に記載のアレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示分野に属し、特にアレイ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のＣＯＡ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  ａｒｒａｙ）製品は、衝突されると気泡が発生しやすくなる。主に以下の二つの理由がある。一つ目の理由は、局所位置においてＣＦ（カラーフィルム基板）ビアホールとＴＦＴ（薄膜トランジスタ）ビアホールとが重なり合い、重なり合った位置におけるＰＶ（パッシベーション層）がドライエッチングにより除去されることで、カラーレジスト層中の気体が液晶セルの形成後に重なり合った位置から析出されて気泡を形成することである。これを改善するために、カラーレジスト層ビアホールがパッシベーション層ビアホールと重なり合わないように、カラーレジスト層ビアホールのサイズを拡大することができるものの、透過率が低下する恐れがある。二つ目の理由は、振動する際にＰＶが割れてカラーレジスト層中の気体が析出されて気泡を形成することである。これに対する一つの対策は、カラーレジスト層上に小さな孔を開けて、気体を事前に放出させることである。しかし、カラーレジスト層のエッチング速度がＰＶのエッチング速度よりも低くなり、これにより、エッチング深さが不十分であるため、気体が事前に放出されない。
【０００３】
最初に開発されたＣＯＡ製品のパッシベーション層ビアホール及びＣＦビアホールは、ＣＦカラーレジスト層ビアホール内にパッシベーション層ビアホールを開けることであり、ＣＯＡ製造工程においては、アレイ基板上にカラーレジスト層を形成し、カラーレジスト層全体の厚さは一般に２．５〜３μｍと厚い一方、ＰＶがドライエッチングされて得られたゲート層、ゲート絶縁層及びソースドレイン層の総厚さは約０．７μｍのみであるため、カラーレジスト層に孔を開けないと、エッチング全体の時間が長くなりすぎる。また、カラーレジスト層のエッチングは物理的エッチングであり、エッチングにより得られたビアホールは基本的に垂直であるため、ＩＴＯ電極層の被覆に不利であり、断裂する恐れがある。そのため、現在、カラーレジスト層に孔を開けた後、パッシベーション層ビアホールをカラーレジスト層内に設けている。カラーレジスト層ビアホールとパッシベーション層ビアホールとが重なり合った場合、重なり合った部分にカラーレジスト層内の気体流出通路が形成され、このような重なり合いが局所位置に発生するため、気体の析出は継続的となるので、パネルセル形成後においても気体が析出されて気泡が形成される。この問題を改善するために、カラーレジスト層ビアホールを比較的大きく生成することができる。このようにして、カラーレジスト層ビアホールとパッシベーション層ビアホールとが重なり合うことがないが、開口率が低下する恐れがある。また、気体が事前に析出されるようにカラーレジスト層上に孔を開けてもよい。しかし、カラーレジスト層のエッチング速度とＰＶのエッチング速度との差が比較的大きいため、エッチング深さが不十分であり、気体放出位置に達することができない。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、セル形成工程前に、カラーレジスト層内の気体が全部排出されるアレイ基板及び表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
本発明のある一つの態様によれば、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられたゲート層と、
前記ゲート層を覆うように前記ベース基板上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたソースドレイン層と、
前記ソースドレイン層の一部及び前記ゲート絶縁層の一部を覆う第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層上に設けられたカラーレジスト層と、
前記カラーレジスト層上に設けられた第２パッシベーション層と、
を含み、
前記ソースドレイン層に対応する上方には、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層の表面まで延伸するパッシベーション層ビアホールが設けられ、
前記カラーレジスト層内の気体が放出されるように前記パッシベーション層ビアホールの片側から前記カラーレジスト層を露出させる、アレイ基板が提供される。
【０００６】
前記パッシベーション層ビアホールの第１側面は、前記第２パッシベーション層及び前記第１パッシベーション層を連通し、前記パッシベーション層ビアホールの第２側面は、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を連通し、前記カラーレジスト層内の気体は、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面から析出される。
【０００７】
前記アレイ基板は、前記第２パッシベーション層の一部、前記第１側面及び前記パッシベーション層ビアホールの底部の一部を覆うＩＴＯ電極層をさらに含むことが好ましい。
【０００８】
前記パッシベーション層ビアホールの底部に対応して接触した前記ソースドレイン層の表面は、凹面であり、前記凹面の底部は、前記パッシベーション層ビアホールの底部であることが好ましい。
【０００９】
前記カラーレジスト層の底部には、互いに連通するとともに前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する複数の排気孔が設けられることが好ましい。
【００１０】
前記カラーレジスト層と前記第２パッシベーション層とが接触する接触面には、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する気体通路が設けられることが好ましい。
【００１１】
前記第１側面における前記第２パッシベーション層の表面及び前記第１パッシベーション層の表面は、いずれも斜面であることが好ましい。
【００１２】
前記第２側面の上部に位置する断面は、直角形状をなし、前記直角形状は、その水平辺が前記カラーレジスト層に位置するようにウェットエッチングにより形成されることが好ましい。
【００１３】
本発明のある他の態様によれば、
上述したいずれかのアレイ基板を製造する製造方法であって、
ベース基板上に、下から上へ順に前記ゲート層、前記ゲート絶縁層、前記ソースドレイン層、前記第１パッシベーション層及び前記カラーレジスト層を形成するステップと、
前記カラーレジスト層上に、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層まで延伸するカラーレジストビアホールを形成するステップと、
前記カラーレジスト層及び前記カラーレジストビアホール上に、前記カラーレジスト層及び前記カラーレジストビアホールを覆うように、前記第２パッシベーション層を形成するステップと、
前記第２パッシベーション層上にフォトレジスト層を形成し、露光現像により前記カラーレジストビアホールの底面及びその片側面に対する前記フォトレジスト層を除去することで、対応箇所に位置する前記第２パッシベーション層を露出させるステップと、
前記パッシベーション層ビアホールが形成されるように、露出された部分の前記第２パッシベーション層をエッチングすることで、対応する前記ソースドレイン層及び前記カラーレジスト層を露出させるステップと、
を含む、製造方法が提供される。
【００１４】
前記パッシベーション層ビアホールを形成した後に、前記パッシベーション層ビアホールの底面と、前記第２パッシベーション層が覆われる片側面との上にＩＴＯ電極層を形成するステップをさらに含むことが好ましい。
【００１５】
本発明のあるその他の態様によれば、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられたゲート層と、
前記ゲート層を覆うように前記ベース基板上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたソースドレイン層と、
前記ソースドレイン層の一部及び前記ゲート絶縁層の一部を覆う第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層上に設けられたカラーレジスト層と、
前記カラーレジスト層上に設けられた第２パッシベーション層と、
を含み、
前記ソースドレイン層に対応する上方には、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を貫通して前記ソースドレイン層の表面まで延伸するパッシベーション層ビアホールが設けられ、
前記カラーレジスト層内の気体が放出されるように前記パッシベーション層ビアホールの片側から前記カラーレジスト層を露出させ、
前記パッシベーション層ビアホールの第１側面は、前記第２パッシベーション層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記パッシベーション層ビアホールの第２側面は、前記第２パッシベーション層、前記カラーレジスト層及び前記第１パッシベーション層を連通し、
前記カラーレジスト層内の気体は、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面から析出され、
前記第２パッシベーション層の一部、前記第１側面、及び前記パッシベーション層ビアホールの底部の一部を覆うＩＴＯ電極層をさらに含む、アレイ基板が提供される。
【００１６】
前記パッシベーション層ビアホールの底部に対応して接触した前記ソースドレイン層の表面は、凹面であり、前記凹面の底部は、前記パッシベーション層ビアホールの底部であることが好ましい。
【００１７】
前記カラーレジスト層の底部には、互いに連通するとともに前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する複数の排気孔が設けられることが好ましい。
【００１８】
前記カラーレジスト層と前記第２パッシベーション層とが接触する接触面には、前記第２側面における前記カラーレジスト層の表面と互いに連通する気体通路が設けられることが好ましい。
【００１９】
前記第１側面における前記第２パッシベーション層の表面及び前記第１パッシベーション層の表面は、いずれも斜面であることが好ましい。
【００２０】
前記第２側面の上部に位置する断面は、直角形状をなし、前記直角形状は、その水平辺が前記カラーレジスト層に位置するようにウェットエッチングにより形成されることが好ましい。
【００２１】
前記パッシベーション層ビアホールの底面と、前記第２パッシベーション層が覆われる片側面との上には、ＩＴＯ電極層が設けられることが好ましい。
【００２２】
本発明によれば、  以下の有益な効果が得られる。
本発明に係るアレイ基板及びその製造方法によれば、ソースドレイン層に対応する上方に、第２パッシベーション層、カラーレジスト層及び第１パッシベーション層を貫通し、底部がソースドレイン層の表面に接触し、第１側面及び第２パッシベーション層が第１パッシベーション層を連通し、第２側面が第２パッシベーション層、カラーレジスト層及び第１パッシベーション層相通を連通するパッシベーション層ビアホールを設けることにより、効果的な気体析出経路が形成されるため、カラーレジスト層内の気体が事前に第２側面におけるカラーレジスト層の表面が析出され、液晶パネルに気泡が発生するリスクが低下される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例に係るアレイ基板の全体構造の断面概略図である。
【図２】本発明の実施例に係るアレイ基板の全体構造の断面概略図であり、ＩＴＯ電極層が省略されている。
【図３】本発明の実施例に係るアレイ基板の製造方法の実施手順のフローチャートである。
【図４】本発明の実施例に係るアレイ基板の製造方法の実施手順フローチャートにおいて、第２ビアホールの底面及びその片側面におけるフォトレジスト層を除去することで、対応する箇所に位置する第２パッシベーション層を露出させた後の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下の各実施例の説明は、添付の図面を参考してなされるものであり、本発明を実施するための特定実施例を例示している。また、本発明が言及した方向用語、例えば、上、下、前、後、左、右、内、外、側面等は、図面に示される方向に過ぎない。用いられる方向用語は、本発明を説明及び理解するためのものであり、本発明を限定するためのものではない。図において、構造が類似する部品に同じ符号を付する。
【００２５】
実施例１
図１は、本実施例に係るアレイ基板の完全構造の断面概略図である。図１に示すように、本発明に係るアレイ基板は、
ベース基板１と、
前記ベース基板１上に設けられたゲート層２と、
前記ゲート層２を覆うように前記ベース基板１上に設けられたゲート絶縁層３と、
前記ゲート絶縁層３上に設けられたソースドレイン層４と、
前記ソースドレイン層の一部及び前記ゲート絶縁層３の一部を覆う第１パッシベーション層５と、
前記第１パッシベーション層５の一部を覆うように前記第１パッシベーション層５上に設けられたカラーレジスト層６と、
前記カラーレジスト層６の一部及び前記第１パッシベーション層５を覆うように前記カラーレジスト層６上に設けられた第２パッシベーション層７と、
を含み、
前記ベース基板１は、ガラス基板であることが好ましい。
【００２６】
前記ソースドレイン層４に対応する上方には、前記第２パッシベーション層７、前記カラーレジスト層６及び前記第１パッシベーション層５を貫通して前記ソースドレイン層４の表面まで延伸するパッシベーション層ビアホール９が設けられる。カラーレジスト層６内の気体が放出されるように前記パッシベーション層ビアホール９の片側から前記カラーレジスト層６を露出させる。
【００２７】
前記パッシベーション層ビアホール９の第１側面（即ち、図１のパッシベーション層ビアホール９の左側面）は、前記第２パッシベーション層７及び前記第１パッシベーション層５を連通する。前記パッシベーション層ビアホール９の第２側面（即ち、図１のパッシベーション層ビアホール９の右側面）は、前記第２パッシベーション層７、前記カラーレジスト層６及び前記第１パッシベーション層５を連通する。前記カラーレジスト層６内の気体は、前記第２側面における前記カラーレジスト層６の表面から析出される。
【００２８】
本実施例において、前記アレイ基板は、前記第２パッシベーション層７の一部、前記第１側面及び前記パッシベーション層ビアホール９の底部の一部を覆うＩＴＯ電極層８をさらに含む。
【００２９】
本実施例において、前記パッシベーション層ビアホール９の底部に対応して接触した前記ソースドレイン層４の表面は、凹面である。前記凹面の底部は、前記パッシベーション層ビアホール９の底部である。前記凹面を設けることは、前記第１パッシベーション層５をエッチングにより完全に除去し、ＩＴＯ電極層８とソースドレイン層４との十分な接触を保証するためである。
【００３０】
本実施例において、前記カラーレジスト層６の底部には、互いに連通するとともに前記第２側面における前記カラーレジスト層６の表面と互いに連通する複数の排気孔（図示せず）が設けられる。前記カラーレジスト層６と前記第２パッシベーション層７とが接触する接触面には、前記第２側面における前記カラーレジスト層６の表面と互いに連通する気体通路（図示せず）が設けられる。前記排気孔及び気体通路は、いずれもカラーレジスト層６を塗布する際に物理化学的作用により自然に形成される。これにより、第１側面に対応するカラーレジスト層６内の気体も第２側面におけるカラーレジスト層６の表面から析出される。
【００３１】
本実施例において、前記第１側面における前記第２パッシベーション層７の表面及び前記第１パッシベーション層５の表面は、いずれも斜面である。これにより、前記第１側面に覆われるＩＴＯ電極層８は断裂しにくくなる。
【００３２】
本実施例において、前記第２側面の上部に位置する断面は、直角形状をなす。前記直角形状は、その水平辺が前記カラーレジスト層６に位置するようにウェットエッチングにより形成される。
【００３３】
本実施例において、ＩＴＯ電極層８を介して第１側面をドレン電極及び画素電極に接続させるために、この部分において、カラーレジスト層６とパッシベーション層ビアホール９とが連通しないように設計される。第２側面は、カラーレジスト層６内の気体が放出される箇所であり、設計上においては、カラーレジスト層６とパッシベーション層ビアホール９とを連通させる必要がある。第２側面においてカラーレジスト層６とパッシベーション層ビアホール９とが連通するように設計されるので、気体放出経路が多くなり、セル形成工程前に、カラーレジスト層６内の気体が全て排出される。また、第１側面に形成された第１パッシベーション層５及び第２パッシベーション層７の斜面は比較的平坦であるため、その上に沈着されたＩＴＯ電極層８は断裂することがない。第２側面のカラーレジスト層６の斜面領域に第２パッシベーション層７が覆われていないため、カラーレジスト層６が露出することによって、カラーレジスト層６内の気体は速やかに析出され、気泡の問題が改善される。
【００３４】
本発明に係るアレイ基板において、ソースドレイン層４に対応する上方に、第２パッシベーション層７、カラーレジスト層６及び第１パッシベーション層５を貫通し、底部がソースドレイン層４の表面に接触し、第１側面が第２パッシベーション層７及び第１パッシベーション層５を連通し、第２側面が第２パッシベーション層７、カラーレジスト層６及び第１パッシベーション層５を連通するパッシベーション層ビアホール９を設けることにより、効果的な気体析出経路が形成される。これにより、カラーレジスト層６内の気体は、第２側面におけるカラーレジスト層６の表面から析出され、液晶パネルに気泡が発生するリスクが低下される。
【００３５】
実施例２
図３は、本発明の実施例に係るアレイ基板の製造方法の実施手順のフローチャートである。
【００３６】
本実施例において、実施例１に記載のアレイ基板を製造する製造方法を提供する。前記製造方法は、以下のステップＳ１０１からＳ１０５を含む。
【００３７】
ステップＳ１０１において、ベース基板１上に、下から上へ順に前記ゲート層２、前記ゲート絶縁層３、前記ソースドレイン層４、前記第１パッシベーション層５及び前記カラーレジスト層６を形成する。
【００３８】
ステップＳ１０２において、前記カラーレジスト層６上に、前記ソースドレイン層４の上方に対応する前記第１パッシベーション層５を連通する。即ち、カラーレジスト層６及び第１パッシベーション層５を貫通してソースドレイン層４まで延伸するカラーレジストビアホールを形成する。
【００３９】
ステップＳ１０３において、前記カラーレジスト層６及び前記カラーレジストビアホール上に、前記カラーレジスト層６及び前記カラーレジストビアホールを覆うように、前記第２パッシベーション層７を形成する。
【００４０】
ステップＳ１０４において、前記第２パッシベーション層７上にフォトレジスト層１０を形成し、露光現像により前記カラーレジストビアホールの底面及びその片側面における前記フォトレジスト層１０を除去することで、対応する箇所に位置する前記第２パッシベーション層７を露出させる。露出された部分の前記第２パッシベーション層７の垂直方向の下方には、対応する前記カラーレジスト層６が存する。このステップを図４に示す。
【００４１】
ステップＳ１０５において、前記パッシベーション層ビアホール９が形成されるように、露出された部分の前記第２パッシベーション層７をエッチングすることで、対応する前記ソースドレイン層４及び前記カラーレジスト層を露出させる。
【００４２】
本実施例において、前記パッシベーション層ビアホール９を形成した後に、前記パッシベーション層ビアホール９の底面と、前記第２パッシベーション層７が覆われる片側面との上にＩＴＯ電極層８を形成するステップをさらに含む。
【００４３】
本実施例において、プラズマ照射によりエッチングを行うことが好ましい。
【００４４】
本発明に係るアレイ基板的製造方法において、ソースドレイン層４に対応する上方に、第２パッシベーション層７、カラーレジスト層６及び第１パッシベーション層５を貫通し、底部がソースドレイン層４の表面に接触し、第１側面が第２パッシベーション層７及び第１パッシベーション層５を連通し、第２側面が第２パッシベーション層７、カラーレジスト層６及び第１パッシベーション層５を連通するパッシベーション層ビアホール９を設けることにより、効果的な気体析出経路が形成される。これにより、カラーレジスト層６内の気体は、第２側面におけるカラーレジスト層６の表面から析出され、液晶パネルに気泡が発生するリスクが低下される。
【００４５】
以上のように、本発明は、好適実施例により開示されたが、本発明を限定するものではなく、本発明の属する技術分野における当業者であれば、本発明の要旨を逸脱しない精神及び範囲内において、種々の変更及び改良が可能であることは勿論であるため、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲により定められる。
【図１】
0006829773.tif 000002
【図２】
0006829773.tif 000003
【図３】
0006829773.tif 000004
【図４】
0006829773.tif 000005