(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（Ｉ）
【化１】
0006977911.tif 000098
（式中、
Ｒ１は炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、
Ａ１及びＡ２は各々独立して下記の式（Ａ−１）、（Ａ−３）、（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）及び（Ａ−７）
【化２】
0006977911.tif 000099
（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基を表し、
当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されていても良い
Ｌ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表し、
Ｚ１及びＺ２は各々独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｚ３は、−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ｍ１は０、１又は２の整数を表し、
ｍ２は０又は１の整数を表すが、
ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）
【化３】
0006977911.tif 000100
（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｘ１及びＸ２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、
Ｙ１、Ｙ３、Ｙ４及びＹ６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ２及びＹ５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）
から選ばれる基を表す。）
で表され、
ここで上記一般式（Ｉ）中における
【化４】
0006977911.tif 000101
で表される構造と、
【化５】
0006977911.tif 000102
で表される構造とが、同一ではない化合物。
【請求項２】
上記一般式（Ｉ）が、下記の一般式（Ｉ−ｉｉ）
【化６】
0006977911.tif 000103
（式中、
Ｒ１２は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ１２及びＡ２２は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉ−１）、（Ａ−ｉｉ−３）、（Ａ−ｉｉ−４）、（Ａ−ｉｉ−５）、（Ａ−ｉｉ−６）及び（Ａ−ｉｉ−７）
【化７】
0006977911.tif 000104
（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表すが、
Ｌ１２はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ１２及びＺ２２は各々独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｚ３２は、−Ｃ≡Ｃ−を表すが、
ｍ１２は０、１又は２の整数を表し、
ｍ２２は０又は１の整数を表すが、
ｍ１２＋ｍ２２は０、１又は２の整数を表し、
Ｘ１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ１２及びＹ３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
上記一般式（Ｉ）が、下記の一般式（Ｉ−ｉｉｉ）
【化８】
0006977911.tif 000105
（式中、
Ｒ１３は炭素原子数１から８のアルキル基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ１３及びＡ２３は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉｉ−１）、（Ａ−ｉｉｉ−３）、（Ａ−ｉｉｉ−４）、（Ａ−ｉｉｉ−５）、（Ａ−ｉｉｉ−６）及び（Ａ−ｉｉｉ−７）
【化９】
0006977911.tif 000106
（式中、
破線は結合位置を表し、
Ｌ１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）
から選ばれる基を表し、
Ｌ１３はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ１３及びＺ２３は各々独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｚ３３は、−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｍ１３及びｍ２３は各々独立して０又は１の整数を表すが、
ｍ１３＋ｍ２３は０、１又は２の整数を表し、
Ｘ１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ１３及びＹ３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、
Ｙ２３はフッ素原子、塩素原子及びシアノ基を表す。）
で表される、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含有する液晶組成物。
【請求項５】
屈折率異方性が０．１５以上である、請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
誘電率異方性が２以上である、請求項４又は５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
誘電率異方性が２以下である、請求項４又は５に記載の液晶組成物。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれか一項に記載の液晶組成物を使用した高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶組成物は、スマートフォンやタブレットデバイスなどのモバイル端末、ＴＶやウィンドウディスプレイなどのディスプレイ用途に用いられている。この液晶組成物の新規用途として、車等の移動体と通信衛星間で、電波の送受信を行うアンテナが注目されている。【０００３】
従来、衛星通信は、パラボラアンテナを用いているが、移動体で用いる場合、随時パラボラアンテナを衛星方向へ向けなければならず、大きな可動部が必要であった。しかし液晶組成物を用いたアンテナは、液晶が動作することにより、電波の送受信方向を変える事が出来るため、アンテナ自体を動かす必要が無く、アンテナの形状も平面にすることが出来る。【０００４】
これらの用途に求められる液晶組成物の屈折率異方性Δｎは、例えば０．４程度であり、ディスプレイ用途に求められるΔｎと比較して非常に大きい。そのため、液晶組成物に添加し使用される化合物には、大きなΔｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、素子を作製した場合に電圧保持率が低下しにくいことが求められる。従来、Δｎが大きな化合物として、チエノチオフェン構造を有する化合物が報告されていた。しかしながら、それらの化合物は、アンテナ用途の液晶組成物へ添加した場合に、相溶性が低かったり、素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させてしまったりする問題があった（非特許文献１、特許文献１、２）。そのため、大きなΔｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、素子を作製した場合に電圧保持率が低下しにくい化合物の開発が求められていた。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ誌、２００９年、２１巻、１３号、２７２７−２７３２頁
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＣＮ１０３４７２１１６Ａ号公報
【特許文献２】ＣＮ１０６５１８８９０Ａ号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくい化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、特定の化合物の開発に至った。すなわち、本発明は下記の一般式（Ｉ）【０００９】
【化１】
0006977911.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、当該アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良いが、酸素原子同士が結合することはなく、
Ａ１及びＡ２は各々独立して置換されていてもよい炭素原子数３から１６の炭化水素環又は複素環を表すが、Ａ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は各々独立して二価の連結基又は単結合を表すが、Ｚ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１及びｍ２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）【００１１】
【化２】
0006977911.tif 000003
【００１２】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１及びＸ２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ１、Ｙ３、Ｙ４及びＹ６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２及びＹ５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）
から選ばれる基を表す。）で表され、ここで上記一般式（Ｉ）中における【００１３】
【化３】
0006977911.tif 000004
【００１４】
で表される構造と、【００１５】
【化４】
0006977911.tif 000005
【００１６】
で表される構造とが、同一ではない化合物を提供し、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の化合物は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくいことから、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ等の素子用の材料として有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、一般式（Ｉ）で表される化合物、当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した素子を提供する。
【００１９】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、当該アルキル基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、当該アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良いが、酸素原子同士が結合することはない。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｒ１は水素原子、基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すことが好ましく、Ｒ１は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｒ１は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表すことがさらに好ましく、Ｒ１は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表すことが特に好ましい。
【００２０】
一般式（Ｉ）において、Ａ１及びＡ２は各々独立して置換されていてもよい炭素原子数３から１６の炭化水素環又は複素環を表すが、Ａ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ａ１及びＡ２が各々独立して、無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ１によって置換されていても良い、
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，４−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、アントラセン−９，１０−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基（これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、また、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１，４−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、アントラセン−１，４−ジイル基、アントラセン−９，１０−ジイル基又はフェナントレン−２，７−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｄ）チオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）からなる群より選ばれる基を表すことが好ましく、Ａ１及びＡ２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ１によって置換されていても良い、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，５−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基又はチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ａ１及びＡ２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して下記の式（Ａ−１）から式（Ａ−１４）
【００２１】
【化５】
0006977911.tif 000006
【００２２】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ａ１及びＡ２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して式（Ａ−１）から式（Ａ−７）及び式（Ａ−１２）から選ばれる基を表すことがさらにより好ましく、Ａ１及びＡ２は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して式（Ａ−１）、式（Ａ−３）から式（Ａ−７）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。
【００２３】
Ｌ１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ペンタフルオロスルファニル基、ニトロ基、シアノ基、イソシアノ基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、チオイソシアノ基、又は、１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すが、酸素原子同士が直接結合することはなく、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されていても良い基を表す。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｌ１はフッ素原子、塩素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことが好ましく、Ｌ１はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の−ＣＨ２−が−Ｏ−によって置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｌ１はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すことがさらに好ましく、Ｌ１はフッ素原子又は炭素原子数１から８の直鎖状アルキル基を表すことが特に好ましい。
【００２４】
一般式（Ｉ）において、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は各々独立して二価の連結基又は単結合を表すが、Ｚ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は各々独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ３）―ＣＨ２−、−ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｃ＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は炭素原子数２から２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい基を表すことが好ましく、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがより好ましく、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがさらに好ましく、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことがさらにより好ましく、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、各々独立して−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すことが特に好ましい。
【００２５】
一般式（Ｉ）において、ｍ１及びｍ２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表す。液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、ｍ１及びｍ２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表すことが好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１＋ｍ２は０、１又は２を表すことがより好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０又は１を表し、ｍ１＋ｍ２は０、１又は２を表すことがさらに好ましく、ｍ１及びｍ２は各々独立して０又は１を表し、ｍ１＋ｍ２は０又は１を表すことが特に好ましい。
【００２６】
一般式（Ｉ）において、Ａｘは下記の式（Ａｘ−１）及び式（Ａｘ−２）
【００２７】
【化６】
0006977911.tif 000007
【００２８】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１及びＸ２は各々独立して水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ１、Ｙ３、Ｙ４及びＹ６は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２及びＹ５は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）から選ばれる基を表す。
電圧保持率を高くする観点からは、Ｙ２及びＹ５が上記の構造であることが好ましい。一方で、Ｙ２及びＹ５としてチオイソシアノ基（-NCS）を用いた場合、チエノチオフェン構造との電子共役状態によっては電圧保持率の低下を招くことがある。
液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、Ａｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉ）及び式（Ａｘ−２−ｉ）
【００２９】
【化７】
0006977911.tif 000008
【００３０】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１１は水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ１１、Ｙ３１、Ｙ４１及びＹ６１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２１及びＹ５１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表すことが好ましく、Ａｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｉ）
【００３１】
【化８】
0006977911.tif 000009
【００３２】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ１２及びＹ３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ａｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｉｉ）
【００３３】
【化９】
0006977911.tif 000010
【００３４】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ１３及びＹ３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２３はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ａｘは下記の式（Ａｘ−１−ｉｖ）
【００３５】
【化１０】
0006977911.tif 000011
【００３６】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ１４及びＹ３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。
【００３７】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、式中における
【００３８】
【化１１】
0006977911.tif 000012
【００３９】
で表される構造と、
【００４０】
【化１２】
0006977911.tif 000013
【００４１】
で表される構造とが、同一の構造ではないことが好ましい。これは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基の両端に結合した前記二つの構造が同一である場合、化合物の構造の対称性が高いことから当該化合物の結晶状態がエネルギー的に安定になり、液晶組成物中から結晶の析出が起こりやすくなって保存安定性の低下を引き起こしやすくなるためである。
【００４２】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、液晶相を示す温度範囲の広さ、誘電率異方性、液晶組成物への相溶性、屈折率異方性、電圧保持率、合成の容易さ及び原料の入手性の観点から、下記の一般式（Ｉ−ｉ）
【００４３】
【化１３】
0006977911.tif 000014
【００４４】
（式中、Ｒ１１は水素原子、基中の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、
Ａ１１及びＡ２１は各々独立して１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル基、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，５−ジイル基、ベンゾチアゾール−２，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，６−ジイル基又はチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル基を表すが、Ａ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ１１によって置換されていても良く、
Ｌ１１はフッ素原子、塩素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から２０の分岐状若しくは環状アルキル基を表すが、Ｌ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ１１、Ｚ２１及びＺ３１は各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１１及びｍ２１は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ１＋ｍ２は０から３の整数を表し、
Ａｘ１は下記の式（Ａｘ−１−ｉ）及び式（Ａｘ−２−ｉ）
【００４５】
【化１４】
0006977911.tif 000015
【００４６】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｘ１１は水素原子又は炭素原子数１から８のアルキル基を表し、Ｙ１１、Ｙ３１、Ｙ４１及びＹ６１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２１及びＹ５１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｉ）
【００４７】
【化１５】
0006977911.tif 000016
【００４８】
（式中、Ｒ１２は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の１個又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１２の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、
Ａ１２及びＡ２２は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉ−１）から式（Ａ−ｉｉ−１４）
【００４９】
【化１６】
0006977911.tif 000017
【００５０】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表すが、Ａ１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｌ１２はフッ素原子又は基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されていても良く、基中の−ＣＨ２−が−Ｏ−によって置換されていても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表し、
Ｚ１２、Ｚ２２及びＺ３２は各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ１２及びｍ２２は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ１２＋ｍ２２は０、１又は２を表し、
Ｘ１２は水素原子又は炭素原子数１から５のアルキル基を表し、
Ｙ１２及びＹ３２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｉｉ）
【００５１】
【化１７】
0006977911.tif 000018
【００５２】
（式中、Ｒ１３は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基又は炭素原子数２から８のアルキニル基を表し、
Ａ１３及びＡ２３は各々独立して下記の式（Ａ−ｉｉｉ−１）から式（Ａ−ｉｉｉ−７）及び式（Ａ−ｉｉｉ−１２）
【００５３】
【化１８】
0006977911.tif 000019
【００５４】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表し、
Ｌ１３はフッ素原子又は炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基又は炭素原子数３から１０の分岐状若しくは環状アルキル基を表し、
Ｚ１３、Ｚ２３及びＺ３３は各々独立して−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｍ１３及びｍ２３は各々独立して０又は１を表し、ｍ１３＋ｍ２３は０、１又は２を表し、
Ｘ１３は水素原子、メチル基又はエチル基を表し、
Ｙ１３及びＹ３３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ２３はフッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、下記の一般式（Ｉ−ｉｖ−１）から一般式（Ｉ−ｉｖ−３）
【００５５】
【化１９】
0006977911.tif 000020
【００５６】
（式中、Ｒ１４は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表し、
Ａ１４及びＡ２４は下記の式（Ａ−ｉｖ−１）、式（Ａ−ｉｖ−３）から式（Ａ−ｉｖ−７）
【００５７】
【化２０】
0006977911.tif 000021
【００５８】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｌ１４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。）から選ばれる基を表し、
Ｌ１４はフッ素原子又は炭素原子数１から８の直鎖状アルキル基を表し、
Ｚ１４、Ｚ２４及びＺ３４は各々独立して−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｙ１４及びＹ３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【００５９】
一般式（Ｉ）で表される化合物として具体的には、下記の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−２９）
【００６０】
【化２１】
0006977911.tif 000022
【００６１】
【化２２】
0006977911.tif 000023
【００６２】
【化２３】
0006977911.tif 000024
【００６３】
【化２４】
0006977911.tif 000025
【００６４】
【化２５】
0006977911.tif 000026
【００６５】
【化２６】
0006977911.tif 000027
【００６６】
で表される化合物が挙げられる。
【００６７】
本発明の化合物は以下の製法で製造することができる。
（製法１）下記式（ｓ−７）で表される化合物の製造
【００６８】
【化２７】
0006977911.tif 000028
【００６９】
（式中、Ｒ１４は炭素原子数２から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数３から７のアルキニル基を表し、Ａ１４及びＡ２４は上記の式（Ａ−ｉｖ−１）、式（Ａ−ｉｖ−３）から式（Ａ−ｉｖ−７）から選ばれる基を表し、Ｙ１４及びＹ３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）
式（ｓ−１）で表される化合物を例えばＮ−ブロモスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−２）で表される化合物を得ることができる。
【００７０】
式（ｓ−２）で表される化合物を例えばＮ−ヨードスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−３）で表される化合物を得ることができる。
【００７１】
式（ｓ−３）で表される化合物を一般式（ｓ−４）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−５）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えば金属触媒及び塩基存在下、クロスカップリングさせる方法が挙げられる。金属触媒の具体例としては［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。金属触媒として酢酸パラジウム（ＩＩ）を使用する場合、トリフェニルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等の配位子を添加してもよい。塩基の具体例としては炭酸カリウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。
【００７２】
一般式（ｓ−５）で表される化合物を一般式（ｓ−６）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−７）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えばパラジウム触媒、銅触媒及び塩基を用いた薗頭カップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒の具体例としては上記のものが挙げられる。銅触媒の具体例としてはヨウ化銅（Ｉ）が挙げられる。塩基の具体例としてはトリエチルアミン等が挙げられる。
（製法２）下記式（ｓ−１４）で表される化合物の製造
【００７３】
【化２８】
0006977911.tif 000029
【００７４】
（式中、Ａｌｋｙｌはアルキル基を表し、Ｙ１４及びＹ３４は各々独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ２４はフッ素原子又はシアノ基を表す。）
式（ｓ−８）で表される化合物をルイス酸存在下、式（ｓ−９）で表される化合物と反応させることにより式（ｓ−１０）で表される化合物を得ることができる。ルイス酸の具体例としては塩化アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【００７５】
式（ｓ−１０）で表される化合物のカルボニル基を還元することにより式（ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えば塩化アルミニウム（ＩＩＩ）及び水素化リチウムアルミニウムを用いる方法が挙げられる。
【００７６】
式（ｓ−１１）で表される化合物を例えばＮ−ブロモスクシンイミドと反応させることにより式（ｓ−１２）で表される化合物を得ることができる。
【００７７】
式（ｓ−１２）で表される化合物を一般式（ｓ−１３）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｓ−１４）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えばパラジウム触媒、銅触媒及び塩基を用いた薗頭カップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒、銅触媒及び塩基の具体例としては上記のものが挙げられる。
【００７８】
各工程において記載した以外の反応条件として、例えば実験化学講座（日本化学会編、丸善株式会社発行）、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ（Ａ  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ−Ｉｎｓｔｉｔｕｔ  ｆｕｅｒ  Ｌｉｔｅｒａｔｕｒ  ｄｅｒ  Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ  Ｃｈｅｍｉｅ、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ  Ｂｅｒｌｉｎ  ａｎｄ  Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇ  ＧｍｂＨ  ＆  Ｃｏ．Ｋ）、Ｆｉｅｓｅｒｓ’  Ｒｅａｇｅｎｔｓ  ｆｏｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）等の文献に記載のもの又はＳｃｉＦｉｎｄｅｒ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｂｓｔｒａｃｔｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ）、Ｒｅａｘｙｓ（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｌｔｄ．）等のデータベースに収載のものが挙げられる。
【００７９】
各工程において必要に応じて官能基を保護することができる。保護基としては、例えば、ＧＲＥＥＮＥ’Ｓ  ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ  ＧＲＯＵＰＳ  ＩＮ  ＯＲＧＡＮＩＣ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ（（Ｆｏｕｒｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ）、ＰＥＴＥＲ  Ｇ．Ｍ．ＷＵＴＳ、ＴＨＥＯＤＯＲＡ  Ｗ．ＧＲＥＥＮＥ共著、Ａ  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）等に記載の保護基が挙げられる。
【００８０】
また、各工程において必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤の具体例としてはシリカゲル、アルミナ、活性炭等が挙げられる。
【００８１】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、液晶組成物へ添加し使用されることが好ましい。液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される１つの化合物を含有しても良く、一般式（Ｉ）で表される複数の化合物を含有しても良い。本発明の液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する場合、液晶組成物における一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量の合計が、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であり９５質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上であり９０質量％以下であることがさらに好ましく、２０質量％以上であり８５質量％以下であることが特に好ましい。ここで、「一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量の合計」とは、液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される１つの化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量を意味し、液晶組成物が一般式（Ｉ）で表される複数の化合物を含有する場合、一般式（Ｉ）で表される複数の化合物の含有量の合計を意味する。
【００８２】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、屈折率異方性（Δｎ）が０．１５以上であり１．００以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、屈折率異方性（Δｎ）は０．２０以上であり０．９５以下であることが好ましく、０．２５以上であり０．９０以下であることがより好ましく、０．３０以上であり０．８５以下であることがさらに好ましく、０．３５以上であり０．８０以下であることが特に好ましい。
【００８３】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物を、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズに使用する場合、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、誘電率異方性（Δε）が２以上であり６０以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、保存安定性、耐候性、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、誘電率異方性（Δε）は２．５以上であり５０以下であることが好ましく、３以上であり４０以下であることがより好ましく、３．５以上であり３０以下であることが特に好ましい。
【００８４】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、高周波数素子に使用することが好ましい。周波数範囲としては、１ＭＨｚ以上であり１ＴＨｚ以下であることが好ましく、１ＧＨｚ以上であり５００ＧＨｚ以下であることがより好ましく、２ＧＨｚ以上であり３００ＧＨｚ以下であることがさらに好ましく、５ＧＨｚ以上であり１５０ＧＨｚ以下であることが特に好ましい。
【００８５】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（ＩＶ）
【００８６】
【化２９】
0006977911.tif 000030
【００８７】
（式中、Ｒ２は炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３は下記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−８）
【００８８】
【化３０】
0006977911.tif 000031
【００８９】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３は１から４の整数を表し、
Ａｙは下記の式（Ａｙ−１）及び式（Ａｙ−２）
【００９０】
【化３１】
0006977911.tif 000032
【００９１】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ７、Ｙ９、Ｙ１０及びＹ１２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ８及びＹ１１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換された炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表すが、ここで１個の−ＣＨ２−又は２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−若しくは−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていても良い。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物を含有することが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉ）
【００９２】
【化３２】
0006977911.tif 000033
【００９３】
（式中、Ｒ２１は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３１は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−６）から選ばれる基を表すが、Ａ３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４１は−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１は１から３の整数を表し、
Ａｙ１は下記の式（Ａｙ−１−ｉ）及び式（Ａｙ−２−ｉ）
【００９４】
【化３３】
0006977911.tif 000034
【００９５】
（式中、破線は結合位置を表し、Ｙ７１、Ｙ９１、Ｙ１０１及びＹ１２１は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ８１及びＹ１１１は各々独立してフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｉ）
【００９６】
【化３４】
0006977911.tif 000035
【００９７】
（式中、Ｒ２２は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３２は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−５）から選ばれる基を表すが、Ａ３２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４２は−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３２は１、２又は３を表し、
Ｙ７２及びＹ９２は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ８２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、チオイソシアノ基、ニトロ基、ペンタフルオロスルファニル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から８のアルキル基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数１から７のアルコキシ基、任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から８のアルケニル基又は任意の水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｉｉ）
【００９８】
【化３５】
0006977911.tif 000036
【００９９】
（式中、Ｒ２３は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ３３は上記の式（Ａ６−１）から式（Ａ６−５）から選ばれる基を表すが、Ａ３３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４３は−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３３は１、２又は３を表し、
Ｙ７３及びＹ９３は各々独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｙ８３はフッ素原子、塩素原子、シアノ基又はチオイソシアノ基を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＶＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＶＩ−ｉｖ−１）から一般式（ＶＩ−ｉｖ−２１）
【０１００】
【化３６】
0006977911.tif 000037
【０１０１】
【化３７】
0006977911.tif 000038
【０１０２】
【化３８】
0006977911.tif 000039
【０１０３】
【化３９】
0006977911.tif 000040
【０１０４】
【化４０】
0006977911.tif 000041
【０１０５】
【化４１】
0006977911.tif 000042
【０１０６】
（式中、Ｒ６１４は炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【０１０７】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（ＩＩＩ）
【０１０８】
【化４２】
0006977911.tif 000043
【０１０９】
（式中、Ｒ３１及びＲ３２は各々独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３１及びＡ３２は各々独立して下記の式（Ａ３−１）から式（Ａ３−８）
【０１１０】
【化４３】
0006977911.tif 000044
【０１１１】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ３２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１は１から４の整数を表す。）で表される化合物を含有してもよい。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉ）
【０１１２】
【化４４】
0006977911.tif 000045
【０１１３】
（式中、Ｒ３１１及びＲ３２１は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３１１及びＡ３２１は各々独立して下記の式（Ａ３１−１）から式（Ａ３１−６）
【０１１４】
【化４５】
0006977911.tif 000046
【０１１５】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ３２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１１は１から３の整数を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｉ）
【０１１６】
【化４６】
0006977911.tif 000047
【０１１７】
（式中、Ｒ３１２及びＲ３２２は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ３１２及びＡ３２２は各々独立して下記の式（Ａ３２−１）から式（Ａ３２−４）
【０１１８】
【化４７】
0006977911.tif 000048
【０１１９】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ３２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１２は１又は２を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｉｉ）
0006977911.tif 000049
【０１２０】
（式中、Ｒ３１３及びＲ３２３は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ３１３及びＡ３２３は各々独立して下記の式（Ａ３３−１）及び式（Ａ３３−２）
【０１２１】
【化４８】
0006977911.tif 000050
【０１２２】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ３２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ３１３は１又は２を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＩＩ−ｉｖ−１）から一般式（ＩＩＩ−ｉｖ−１０）
【０１２３】
【化４９】
0006977911.tif 000051
【０１２４】
【化５０】
0006977911.tif 000052
【０１２５】
（式中、Ｒ３１４及びＲ３２４は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【０１２６】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物は、誘電率異方性（Δε）が中性又は負である液晶組成物へ添加して使用しても良い。その場合、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、誘電率異方性（Δε）が−２０以上であり２以下であることが好ましい。液晶組成物の液晶相温度範囲、保存安定性、耐候性、駆動電圧、回転粘度及び弾性率の観点から、誘電率異方性（Δε）は−１５以上であり１．５以下であることが好ましく、−１０以上であり１以下であることがより好ましく、−５以上であり０．５以下であることが特に好ましい。
【０１２７】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物の誘電率異方性（Δε）が中性又は負である場合、液晶組成物は下記の一般式（ＩＶ）
【０１２８】
【化５１】
0006977911.tif 000053
【０１２９】
（式中、Ｒ４１及びＲ４２は各々独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ４１及びＡ４２は各々独立して下記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−１１）
【０１３０】
【化５２】
0006977911.tif 000054
【０１３１】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４１及びＺ４２は各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ４２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１及びｍ４２は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ４１＋ｍ４２は１から３の整数を表す。）で表される化合物を含有しても良い。液晶組成物の液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、回転粘度及び弾性率の観点から、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉ）
【０１３２】
【化５３】
0006977911.tif 000055
【０１３３】
（式中、Ｒ４１１及びＲ４２１は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ４１１及びＡ４２１は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−９）から選ばれる基を表すが、Ａ４１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ４２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４１１及びＺ４２１は各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ４１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ４２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１１及びｍ４２１は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ４１１＋ｍ４２１は１から３の整数を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｉ）
【０１３４】
【化５４】
0006977911.tif 000056
【０１３５】
（式中、Ｒ４１２及びＲ４２２は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から４のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ４１２及びＡ４２２は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−７）から選ばれる基を表すが、Ａ４１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ４２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４１２及びＺ４２２は各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は単結合を表すが、Ｚ４１２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ４２２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１２及びｍ４２２は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ４１２＋ｍ４２２は１又は２を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｉｉ）
【０１３６】
【化５５】
0006977911.tif 000057
【０１３７】
（式中、Ｒ４１３及びＲ４２３は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表し、
Ａ４１３及びＡ４２３は各々独立して上記の式（Ａ４−１）から式（Ａ４−５）から選ばれる基を表すが、Ａ４１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ４２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚ４１３及びＺ４２３は各々独立して−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合を表すが、Ｚ４１３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ４２３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍ４１３及びｍ４２３は各々独立して０、１又は２を表すが、ｍ４１３＋ｍ４２３は１又は２を表す。）で表される化合物であることがさらに好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物は下記の一般式（ＩＶ−ｉｖ−１）から一般式（ＩＶ−ｉｖ−８）
【０１３８】
【化５６】
0006977911.tif 000058
【０１３９】
【化５７】
0006977911.tif 000059
【０１４０】
（式中、Ｒ４１４及びＲ４２４は各々独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から４のアルコキシ基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【０１４１】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、その保存安定性を向上させるために、安定剤を添加することもできる。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。安定剤を使用する場合の添加量は、組成物に対して０．００５質量％から１質量％の範囲が好ましく、０．０２質量％から０．８質量％がより好ましく、０．０３質量％から０．５質量％がさらに好ましい。また、１種類の安定剤を用いても良く、２種類以上の安定剤を併用して用いても良い。安定剤としては下記の一般式（Ｘ１）
【０１４２】
【化５８】
0006977911.tif 000060
【０１４３】
（式中、Ｓｐｘ１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ａｘ１は下記の式（Ａｘ１−１）から式（Ａｘ１−８）
【０１４４】
【化５９】
0006977911.tif 000061
【０１４５】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａｘ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚｘ１は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＯＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｏ−、−Ｏ−ＮＨ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚｘ１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍｘ１は０又は１を表し、
ｍｘ２は０から４の整数を表す。）で表される化合物が挙げられる。電圧保持率、液晶組成物への相溶性の観点から、一般式（Ｘ１）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ１−ｉ）
【０１４６】
【化６０】
0006977911.tif 000062
【０１４７】
（式中、Ｓｐｘ１１は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表し、Ａｘ１１は下記の式（Ａｘ１１−１）及び式（Ａｘ１１−２）
【０１４８】
【化６１】
0006977911.tif 000063
【０１４９】
（式中、破線は結合位置を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａｘ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
Ｚｘ１１は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−又は単結合を表すが、Ｚｘ１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、
ｍｘ１１は０又は１を表し、
ｍｘ２１は０又は１を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｘ１）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ１−ｉｉ−１）から一般式（Ｘ１−ｉｉ−４）
【０１５０】
【化６２】
0006977911.tif 000064
【０１５１】
（式中、Ｓｐｘ１２は炭素原子数１から２０のアルキレン基又は単結合を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【０１５２】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物は、下記の一般式（Ｘ２）
【０１５３】
【化６３】
0006977911.tif 000065
【０１５４】
（式中、Ｒｘ２１、Ｒｘ２２、Ｒｘ２３及びＲｘ２４は各々独立して水素原子、酸素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１から２０のアルキル基又は炭素原子数１から２０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐｘ２１、Ｓｐｘ２２、Ｓｐｘ２３及びＳｐｘ２２は各々独立してスペーサー基又は単結合を表し、
ｍｘ２１は０又は１を表し、
ｍｘ２２は０又は１を表し、
ｍｘ２３は０又は１を表す。）で表される化合物が挙げられる。電圧保持率、液晶組成物への相溶性の観点から、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉ）
【０１５５】
【化６４】
0006977911.tif 000066
【０１５６】
（式中、Ｒｘ２１１、Ｒｘ２２１、Ｒｘ２３１及びＲｘ２４１は各々独立して水素原子、酸素原子、ヒドロキシル基、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐｘ２１１、Ｓｐｘ２２１、Ｓｐｘ２３１及びＳｐｘ２２１は各々独立して、基中の任意の水素原子がフッ素原子に置換されても良く、１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキレン基又は単結合を表し、
ｍｘ２１１は０又は１を表し、
ｍｘ２２１は０又は１を表し、
ｍｘ２３１は０又は１を表す。）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉｉ）
【０１５７】
【化６５】
0006977911.tif 000067
【０１５８】
（式中、Ｒｘ２１２及びＲｘ２２２は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐｘ２１２及びＳｐｘ２２２は各々独立して、１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、
ｍｘ２１２は０又は１を表す。）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（Ｘ２）で表される化合物は下記の一般式（Ｘ２−ｉｉｉ）
【０１５９】
【化６６】
0006977911.tif 000068
【０１６０】
（式中、Ｒｘ２１３及びＲｘ２２３は各々独立して水素原子、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数１から１０のアルコキシ基を表し、
Ｓｐｘ２１３は１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−が各々独立して−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−に置き換えられても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキレン基を表す。）で表される化合物であることが特に好ましい。
【０１６１】
本願発明において、１，４−シクロヘキシレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基に含まれる環構造は、各々トランス体及びシス体のいずれであっても良いが、液晶性の観点から、各々トランス体の含有率がシス体の含有率よりも多いことが好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が８０％以上であることがより好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９０％以上であることがさらに好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９５％以上であることがさらにより好ましく、環構造におけるトランス体の含有率が９８％以上であることが特に好ましい。また、本願発明において下記の表記（ＣＹ−１）
【０１６２】
【化６７】
0006977911.tif 000069
【０１６３】
（式中、破線は結合位置を表す。）は１，４−シクロヘキシレン基のトランス体及び／又はシス体を意味する。
【０１６４】
また、本願発明において、各元素は同じ元素の同位体に置き換えられていても良い。
【実施例】
【０１６５】
以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。各工程において酸素及び／又は水分に不安定な物質を取り扱う際は、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス中で作業を行うことが好ましい。各化合物の純度はＵＰＬＣ（Ｗａｔｅｒｓ  ＡＣＱＵＩＴＹ  ＵＰＬＣ、ＢＥＨ  Ｃ１８（１００×２．１ｍｍ×１．７μｍ）、アセトニトリル／水又は０．１％ギ酸含有アセトニトリル／水、ＰＤＡ、カラム温度４０℃）、ＧＰＣ（島津製作所  ＨＰＬＣ  Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ、Ｓｈｏｄｅｘ  ＫＦ−８０１（３００ｍｍ×８ｍｍ×６μｍ）＋ＫＦ−８０２（３００ｍｍ×８ｍｍ×６μｍ）、テトラヒドロフラン、ＲＩ、ＵＶ（２５４ｎｍ）、カラム温度４０℃）、ＧＣ（Ａｇｉｌｅｎｔ  ６８９０Ａ、Ｊ＆Ｗ  ＤＢ−１、３０ｍ×０．２５ｍｍ×０．２５μｍ、キャリアガス  Ｈｅ、ＦＩＤ、１００℃（１分）→昇温１０℃／分→３００℃（１２分））又は１Ｈ  ＮＭＲ（ＪＥＯＬ、４００ＭＨｚ）によって決定した。
（実施例１）式（Ｉ−１）で表される化合物の製造【０１６６】
【化６８】
0006977911.tif 000070
【０１６７】
窒素雰囲気下、反応容器に塩化アルミニウム（ＩＩＩ）１２．６ｇ、ジクロロメタン３８ｍＬを加えた。氷冷しながらブチリルクロリド１０．０ｇをジクロロメタン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で２時間撹拌した。氷冷しながら式（Ｉ−１−１）で表される化合物１２．０ｇをジクロロメタン４８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応液を氷水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−２）で表される化合物１０．０ｇを得た。【０１６８】
窒素雰囲気下、反応容器に水素化リチウムアルミニウム７．２ｇ、テトラヒドロフラン５８ｍＬを加えた。氷冷しながら、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）１２．７ｇを少量ずつ加えた。氷冷しながら、式（Ｉ−１−２）で表される化合物１０．０ｇをテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で５時間撹拌した。氷冷しながら、１０％塩酸を滴下し、析出物を濾過により除去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−３）で表される化合物７．０ｇを得た。【０１６９】
反応容器に式（Ｉ−１−３）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．６ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−４）で表される化合物１０．０ｇを得た。【０１７０】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−４）で表される化合物９．９ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．３ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７９ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５８ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１−５）で表される化合物５．９ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１）で表される化合物２．８ｇを得た。
相転移温度：Ｃ  ６８  Ｉ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ  ７．３４−７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．２２（ｍ，１Ｈ），７．１２（ｔｄ，Ｊ＝９．４，７．８Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，１Ｈ），２．９０−２．８７（ｍ，２Ｈ），１．７４−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４２（ｔｄ，Ｊ＝１４．９，７．３Ｈｚ，２Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３３２
（実施例２）式（Ｉ−２）で表される化合物の製造【０１７１】
【化６９】
0006977911.tif 000071
【０１７２】
反応容器に式（Ｉ−２−１）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド９．３ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−２）で表される化合物８．８ｇを得た。【０１７３】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２−２）で表される化合物８．８ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．３ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．３ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、１−ヘキシン４．０ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び活性炭処理により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−３）で表される化合物７．０ｇを得た。【０１７４】
反応容器に式（Ｉ−２−３）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ブロモスクシンイミド６．９ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２−４）で表される化合物７．７ｇを得た。【０１７５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２−４）で表される化合物７．７ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−２−５）で表される化合物４．０ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２）で表される化合物５．５ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３５６
（実施例３）式（Ｉ−３）で表される化合物の製造【０１７６】
【化７０】
0006977911.tif 000072
【０１７７】
実施例１においてブチリルクロリドをバレリルクロリドに、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−３−５）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−３）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３６４
（実施例４）式（Ｉ−４）で表される化合物の製造【０１７８】
【化７１】
0006977911.tif 000073
【０１７９】
実施例２において１−ヘキシンを１−ヘプチンに、式（Ｉ−２−５）で表される化合物を式（Ｉ−４−５）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−４）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３８８
（実施例５）式（Ｉ−５）で表される化合物の製造【０１８０】
【化７２】
0006977911.tif 000074
【０１８１】
実施例１において式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−５−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−５）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４００
（実施例６）式（Ｉ−６）で表される化合物の製造【０１８２】
【化７３】
0006977911.tif 000075
【０１８３】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−６−２）で表される化合物３．７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１１ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６−３）で表される化合物５．９ｇを得た。【０１８４】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−３）で表される化合物５．９ｇ、テトラヒドロフラン５９ｍＬを加えた。−５０℃でブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．６１ｍｏｌ／Ｌ）１３ｍＬを滴下し、−５０℃で１時間撹拌した。炭酸ガスを発熱が起こらなくなるまで反応液に導入した。室温に昇温し、反応液を５％塩酸に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／酢酸エチル）及び再結晶（酢酸エチル／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６−４）で表される化合物５．３ｇを得た。【０１８５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−６−４）で表される化合物５．３ｇ、１，２−ジクロロエタン５３ｍＬ、ピリジン０．５ｍＬを加えた。室温で塩化チオニル２．４ｇを滴下し、６時間加熱還流させた。ジクロロエタン及び過剰の塩化チオニルを減圧留去した。１，２−ジクロロエタン５３ｍＬを加えた。氷冷しながら、アンモニアガスを発熱が起こらなくなるまで反応液に導入した。室温に昇温し、反応液を５％塩酸に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、溶媒を減圧留去した。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５３ｍＬを加えた。氷冷しながら、オキシ塩化リン２．５ｇを滴下し、室温で１時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−６）で表される化合物３．５ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３７１
（実施例７）式（Ｉ−７）で表される化合物の製造【０１８６】
【化７４】
0006977911.tif 000076
【０１８７】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−１）で表される化合物７．０ｇ、ピリジン３．２ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、トリフルオロメタンスルホン酸無水物１０．５ｇを滴下し、室温で４時間撹拌した。反応液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、分液処理した。有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−２）で表される化合物９．２ｇを得た。【０１８８】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−２）で表される化合物９．２ｇ、酢酸カリウム８．０ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン８．３ｇ、ジメチルスルホキシド７４ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物０．４ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−３）で表される化合物６．９ｇを得た。【０１８９】
反応容器に式（Ｉ−７−４）で表される化合物７．０ｇ、ジクロロメタン７０ｍＬを加えた。氷冷しながら、Ｎ−ヨードスクシンイミド７．９ｇを少量ずつ加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、分液処理した。有機層を食塩水で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−５）で表される化合物８．８ｇを得た。【０１９０】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−７−５）で表される化合物８．８ｇ、炭酸カリウム５．３ｇ、式（Ｉ−７−３）で表される化合物８．１ｇ、トルエン４５ｍＬ、エタノール２７ｍＬ、水２７ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−６）で表される化合物７．３ｇを得た。【０１９１】
窒素雰囲気下、反応容器に水素化リチウムアルミニウム５．４ｇ、テトラヒドロフラン５４ｍＬを加えた。氷冷しながら、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）４．８ｇを少量ずつ加えた。氷冷しながら、式（Ｉ−７−６）で表される化合物７．３ｇをテトラヒドロフラン１５ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で５時間撹拌した。氷冷しながら、１０％塩酸を滴下し、析出物を濾過により除去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−７−７）で表される化合物４．９ｇを得た。【０１９２】
実施例１において式（Ｉ−１−４）で表される化合物を式（Ｉ−７−７）で表される化合物に、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−７−８）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−７）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４６８
（実施例８）式（Ｉ−８）で表される化合物の製造【０１９３】
【化７５】
0006977911.tif 000077
【０１９４】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−８−２）で表される化合物４．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８−３）で表される化合物５．６ｇを得た。【０１９５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−３）で表される化合物５．６ｇ、酢酸カリウム２．８ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン４．０ｇ、ジメチルスルホキシド５６ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物０．１ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８−４）で表される化合物５．０ｇを得た。【０１９６】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８−４）で表される化合物５．０ｇ、炭酸カリウム２．４ｇ、式（Ｉ−８−５）で表される化合物２．７ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−８）で表される化合物３．８ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７６
（実施例９）式（Ｉ−９）で表される化合物の製造【０１９７】
【化７６】
0006977911.tif 000078
【０１９８】
実施例１において式（Ｉ−１−４）で表される化合物を式（Ｉ−９−１）で表される化合物に、式（Ｉ−１−５）で表される化合物を式（Ｉ−９−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−９）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７２
（実施例１０）式（Ｉ−１０）で表される化合物の製造【０１９９】
【化７７】
0006977911.tif 000079
【０２００】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１０−１）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１０−２）で表される化合物４．１ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ジクロロメタン／メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１０−３）で表される化合物５．０ｇを得た。【０２０１】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１０−３）で表される化合物５．０ｇ、炭酸カリウム２．９ｇ、式（Ｉ−１０−４）で表される化合物２．７ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．３ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１０）で表される化合物４．０ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４０６
（実施例１１）式（Ｉ−１１）で表される化合物の製造【０２０２】
【化７８】
0006977911.tif 000080
【０２０３】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４０ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１１−２）で表される化合物３．４ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−３）で表される化合物５．６ｇを得た。【０２０４】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−３）で表される化合物５．６ｇ、テトラヒドロフラン５６ｍＬを加えた。−６０℃でｓｅｃ−ブチルリチウム／シクロヘキサン、ヘキサン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）２０ｍＬを滴下し、−６０℃で１時間撹拌した。−６０℃でほう酸トリイソプロピル４．０ｇを滴下し、０℃まで昇温した。氷冷しながら、１０％塩酸２０ｍＬを滴下し、室温で１時間撹拌した。水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、酢酸エチル）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−４）で表される化合物５．１ｇを得た。【０２０５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１１−４）で表される化合物５．１ｇ、式（Ｉ−１１−５）で表される化合物２．７ｇ、炭酸カリウム３．０ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン４０ｍＬ、エタノール２０ｍＬ、水２０ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１１−６）で表される化合物４．９ｇを得た。【０２０６】
実施例６において式（Ｉ−６−３）で表される化合物を式（Ｉ−１１−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１１）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４５１
（実施例１２）式（Ｉ−１２）で表される化合物の製造【０２０７】
【化７９】
0006977911.tif 000081
【０２０８】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−１）で表される化合物７．０ｇ、酢酸カリウム８．６ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン８．２ｇ、ジメチルスルホキシド７０ｍＬ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物０．４ｇを加え、８０℃で６時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、ジクロロメタン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−２）で表される化合物６．７ｇを得た。【０２０９】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−２）で表される化合物６．７ｇ、炭酸カリウム４．９ｇ、式（Ｉ−１２−３）で表される化合物６．６ｇ、トルエン５４ｍＬ、エタノール２７ｍＬ、水２７ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−４）で表される化合物５．９ｇを得た。【０２１０】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−５）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４１ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、トリメチルシリルアセチレン３．１ｇを滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び活性炭処理により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−６）で表される化合物５．９ｇを得た。【０２１１】
反応容器に式（Ｉ−１２−６）で表される化合物５．９ｇ、メタノール１１８ｍＬ、炭酸カリウム５．４ｇを加え、室温で８時間撹拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２−７）で表される化合物３．６ｇを得た。【０２１２】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２−４）で表される化合物４．６ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．１ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．１ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇ、ジイソプロピルアミン３７ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７４ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１２−７）で表される化合物３．６ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１２）で表される化合物４．８ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４６８
（実施例１３）式（Ｉ−１３）で表される化合物の製造【０２１３】
【化８０】
0006977911.tif 000082
【０２１４】
実施例７において式（Ｉ−７−１）で表される化合物を式（Ｉ−１３−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１３−３）で表される化合物を製造した。【０２１５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１３−４）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−１３−３）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム５．３ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１３）で表される化合物６．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３４２
（実施例１４）式（Ｉ−１４）で表される化合物の製造【０２１６】
【化８１】
0006977911.tif 000083
【０２１７】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１４−１）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．２ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、ジイソプロピルアミン７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４０ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１４−２）で表される化合物４．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１４）で表される化合物６．０ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３３８
（実施例１５）式（Ｉ−１５）で表される化合物の製造【０２１８】
【化８２】
0006977911.tif 000084
【０２１９】
実施例８において式（Ｉ−８−１）で表される化合物を式（Ｉ−１５−１）で表される化合物に、式（Ｉ−８−２）で表される化合物を式（Ｉ−１５−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１５−３）で表される化合物を製造した。【０２２０】
実施例１４において式（Ｉ−１４−１）で表される化合物を式（Ｉ−１５−３）で表される化合物に、式（Ｉ−１４−２）で表される化合物を式（Ｉ−１５−４）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１５）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４１０
（実施例１６）式（Ｉ−１６）で表される化合物の製造【０２２１】
【化８３】
0006977911.tif 000085
【０２２２】
実施例７において式（Ｉ−７−１）で表される化合物を式（Ｉ−１６−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１６−５）で表される化合物を製造した。【０２２３】
実施例７において式（Ｉ−７−７）で表される化合物を式（Ｉ−１６−５）で表される化合物に、式（Ｉ−７−８）で表される化合物を式（Ｉ−１６−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１６）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５０２
（実施例１７）式（Ｉ−１７）で表される化合物の製造【０２２４】
【化８４】
0006977911.tif 000086
【０２２５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１７−１）で表される化合物５．０ｇ、式（Ｉ−１７−２）で表される化合物２．５ｇ、炭酸カリウム２．６ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５０ｍＬ、エタノール２５ｍＬ、水２５ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１７）で表される化合物４．２ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４７４
（実施例１８）式（Ｉ−１８）で表される化合物の製造【０２２６】
【化８５】
0006977911.tif 000087
【０２２７】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１８−１）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−１８−２）で表される化合物４．２ｇ、炭酸カリウム５．１ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７０ｍＬ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇを加え１２０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１８−３）で表される化合物６．１ｇを得た。【０２２８】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１８−３）で表される化合物６．１ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１８−４）で表される化合物６．８ｇ、トルエン６８ｍＬ、エタノール３４ｍＬ、水３４ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．４ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘプタン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１８−５）で表される化合物６．３ｇを得た。【０２２９】
実施例６において式（Ｉ−６−１）で表される化合物を式（Ｉ−１８−５）で表される化合物に、式（Ｉ−６−２）で表される化合物を式（Ｉ−１８−６）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１８）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４８１
（実施例１９）式（Ｉ−１９）で表される化合物の製造【０２３０】
【化８６】
0006977911.tif 000088
【０２３１】
実施例１２において式（Ｉ−１２−５）で表される化合物を式（Ｉ−１９−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１９−３）で表される化合物を製造した。【０２３２】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１９−４）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．２ｇ、式（Ｉ−１９−５）で表される化合物５．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．２ｇを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１９−６）で表される化合物７．０ｇを得た。【０２３３】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１９−６）で表される化合物７．０ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．１ｇ、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル［ＸＰｈｏｓ］０．１ｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．１ｇ、ジイソプロピルアミン３７ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７４ｍＬを加えた。９０℃で加熱しながら、式（Ｉ−１９−３）で表される化合物３．３ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、９０℃で５時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１９）で表される化合物６．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５３４
（実施例２０）式（Ｉ−２０）で表される化合物の製造【０２３４】
【化８７】
0006977911.tif 000089
【０２３５】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２０−１）で表される化合物７．０ｇ、式（Ｉ−２０−２）で表される化合物７．０ｇ、炭酸カリウム４．１ｇ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇ、トルエン５６ｍＬ、エタノール２８ｍＬ、水２８ｍＬを加え、６時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−２０）で表される化合物８．１ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝５８４
（実施例２１及び比較例１）
実施例において液晶化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造）【０２３６】
【化８８】
0006977911.tif 000090
【０２３７】
（側鎖構造）
２−        ＣＨ３ＣＨ２−
３−        ＣＨ３（ＣＨ２）２−
４−        ＣＨ３（ＣＨ２）３−
５−        ＣＨ３（ＣＨ２）４−
−２        −ＣＨ２ＣＨ３
−３        −（ＣＨ２）２ＣＨ３
−４        −（ＣＨ２）３ＣＨ３
−５        −（ＣＨ２）４ＣＨ３
−Ｃｌ      −Ｃｌ
（連結基）
−          単結合
−Ｔ−      −Ｃ≡Ｃ−
下記化合物によって構成される母体液晶Ｎを調製した。
（母体液晶Ｎ）
２−Ｐｈ３−Ｔ−ＰｈＰｈ−３      ２０．０％
４−Ｐｈ３−Ｔ−ＰｈＰｈ−３      ３６．０％
３−Ｐｈ１Ｐｈ１Ｐｈ−Ｃｌ        １０．０％
５−Ｐｈ１Ｐｈ１Ｐｈ−Ｃｌ        ２０．０％
５−ＣｙＰｈＰｈ１Ｐｈ−２          ７．０％
５−ＣｙＰｈＰｈ１Ｐｈ−３          ７．０％
母体液晶Ｎに対し、実施例１から実施例２０に記載の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−２０）で表される化合物を添加し、評価対象の液晶組成物（Ｍ−１）から液晶組成物（Ｍ−２０）を調製した。また、非特許文献１に記載の式（Ｒ−１）で表される化合物、特許文献１に記載の式（Ｒ−２）で表される化合物、特許文献２に記載の式（Ｒ−３）及び式（Ｒ−４）で表される化合物を添加し、比較対象の液晶組成物（ＲＭ−１）から液晶組成物（ＲＭ−４）を調製した。【０２３８】
【化８９】
0006977911.tif 000091
【０２３９】
（液晶組成物（Ｍ−１））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−２））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−２）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−３））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−３）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−４））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−４）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−５））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−５）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−６））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−６）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−７））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−７）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−８））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−８）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−９））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−９）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１０））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１０）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１１））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１１）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１２））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１２）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１３））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１３）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１４））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１４）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１５））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１５）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１６））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１６）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１７））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１７）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１８））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１８）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−１９））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−１９）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（Ｍ−２０））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｉ−２０）で表される化合物  １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−１））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｒ−１）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−２））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｒ−２）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−３））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｒ−３）で表される化合物    １０．０％
（液晶組成物（ＲＭ−４））
母体液晶Ｎ                      ９０．０％
式（Ｒ−４）で表される化合物    １０．０％
得られた液晶組成物の誘電率異方性Δε、屈折率異方性Δｎを下表に示す。また、評価対象の各化合物について、保存安定性の評価を行った。保存安定性は、得られた各液晶組成物２ｍＬをアルゴン雰囲気下、ガラス製バイアルに密閉し、１０℃で４週間保管した後の状態を目視により評価した。評価結果を下表に示す。【０２４０】
【表１】
0006977911.tif 000092
【０２４１】
【表２】
0006977911.tif 000093
【０２４２】
【表３】
0006977911.tif 000094
【０２４３】
上記の結果から、本発明の化合物は液晶組成物へ添加した場合に析出が起こりにくく、液晶組成物への相溶性が高いことがわかる。【０２４４】
評価対象の各液晶組成物を厚さ８．５μｍのＴＮセルに封入した。得られた各液晶セルに対して、周波数１００Ｈｚで３０Ｖの矩形電圧を５０℃で５０時間印加した。各液晶セルについて電圧保持率を測定し、電圧印加前後における電圧保持率の差（ΔＶＨＲ）を算出した。ΔＶＨＲの値が小さいほど、液晶セルの電圧保持率の低下が少ないことを意味する。電圧保持率は、周波数６０Ｈｚ、印加電圧１Ｖ、３３３Ｋにおいて測定した。結果を下表に示す。【０２４５】
【表４】
0006977911.tif 000095
【０２４６】
【表５】
0006977911.tif 000096
【０２４７】
【表６】
0006977911.tif 000097
【０２４８】
上記の結果から、本発明の化合物を添加した液晶組成物を使用した素子は電圧保持率の低下が起こりにくいことがわかる。【０２４９】
次に、得られた各液晶組成物の高周波数領域での特性を評価した。測定には、伝送遅延方式Ｃｕｔ  ｂａｃｋタイプストリップライン法  比誘電率・誘電正接測定器（ＫＥＹＣＯＭ社製）を使用した。ここで、各物性値を下記のように定義する。【０２５０】
ε⊥            ＝（３εａｖｅｒａｇｅ−ε‖）／２
ｔａｎδ⊥      ＝（３εａｖｅｒａｇｅｔａｎδａｖｅｒａｇｅ−ε‖ｔａｎδ‖）／２ε⊥
変調能（τ）    ＝（ε‖−ε⊥）／ε‖
材料特性（ηε）＝τ／（ｍａｘ（ｔａｎδ‖，ｔａｎδ⊥））
母体液晶Ｎの１９ＧＨｚ、２０℃における物性値は下記の通りであった。【０２５１】
ｔａｎδ⊥      ＝０．０１４
ｔａｎδ‖      ＝０．００３
変調能（τ）    ＝０．２５
材料特性（ηε）＝１７．５
得られた各液晶組成物についても同様に１９ＧＨｚ、２０℃における物性値を測定した。その結果、本発明の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−１２）及び式（Ｉ−１６）から式（Ｉ−２０）で表される化合物を含有する液晶組成物（Ｍ−１）から（Ｍ−２０）について、材料特性（ηε）がいずれも２５以上を示すことがわかった。【０２５２】
以上の結果から、本発明の化合物は、大きな屈折率異方性Δｎを有し、液晶組成物への相溶性が高く、液晶組成物に添加し素子を作製した場合に、素子の電圧保持率を低下させにくいことから、高周波移相器、フェーズドアレイアンテナ、画像認識装置、測距装置、液晶表示素子、液晶レンズ又は立体画像表示用複屈折レンズ等の素子用の材料として有用である。