(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤデバイスのパッケージアセンブリであって、
ＯＬＥＤデバイスを担持するための基板基材と、
前記ＯＬＥＤデバイスを覆う第１バリア層であって、前記第１バリア層の前記ＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定の第１方向に沿って間隔をおいて交互に配置された複数の帯状領域を含むことができ、帯状領域のそれぞれが、所定の第２方向に沿って順次交互に接続された第１パターン領域及び第２パターン領域が設けられ、隣接する２つの帯状領域の間の領域を第３パターン領域とみなし、第３パターン領域はＯＬＥＤデバイスの表面を露出させることができ、第１パターン領域における前記第１バリア層の厚さが、前記第２パターン領域における前記第１バリア層の厚さよりも薄い第１バリア層と、
前記第１バリア層上に塗布された有機層であって、前記有機層中に熱伝導粒子がドープされている有機層と、を含むＯＬＥＤデバイスのパッケージアセンブリ。
【請求項２】
前記パッケージアセンブリは、前記有機層及び前記第１バリア層を覆うための第２バリア層をさらに含む請求項１に記載のパッケージアセンブリ。
【請求項３】
前記第２バリア層の前記有機層から離れる面が平滑平面である請求項２に記載のパッケージアセンブリ。
【請求項４】
前記熱伝導粒子の製造材料が光透過性熱伝導材料を含む請求項１に記載のパッケージアセンブリ。
【請求項５】
パッケージアセンブリを含む表示装置であって、前記パッケージアセンブリは、
ＯＬＥＤデバイスを担持するための基板基材と、
前記ＯＬＥＤデバイスを覆う第１バリア層であって、前記第１バリア層の前記ＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定の第１方向に沿って間隔をおいて交互に配置された複数の帯状領域を含むことができ、帯状領域のそれぞれが、所定の第２方向に沿って順次交互に接続された第１パターン領域及び第２パターン領域が設けられ、隣接する２つの帯状領域の間の領域を第３パターン領域とみなし、第３パターン領域はＯＬＥＤデバイスの表面を露出させることができ、第１パターン領域における前記第１バリア層の厚さが、前記第２パターン領域における前記第１バリア層の厚さよりも薄い第１バリア層と、
前記第１バリア層上に塗布された有機層であって、前記有機層中に熱伝導粒子がドープされている有機層と、を含む表示装置。
【請求項６】
前記パッケージアセンブリは、前記有機層及び前記第１バリア層を覆うための第２バリア層をさらに含む請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２バリア層の前記有機層から離れる面が平滑平面である請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記熱伝導粒子の製造材料が光透過性熱伝導材料を含む請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
ＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法であって、
基板基材を提供するステップと、
ＯＬＥＤデバイスを前記基板基材上に担持するステップと、
前記ＯＬＥＤデバイスに第１バリア層を覆い、前記第１バリア層の前記ＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定の第１方向に沿って間隔をおいて交互に配置された複数の帯状領域を含むことができ、帯状領域のそれぞれが、所定の第２方向に沿って順次交互に接続された第１パターン領域及び第２パターン領域を設けて、隣接する２つの帯状領域の間の領域を第３パターン領域とみなし、第３パターン領域はＯＬＥＤデバイスの表面を露出させることができ、第１パターン領域における前記第１バリア層の厚さを、前記第２パターン領域における前記第１バリア層の厚さよりも薄くするステップと、
前記第１バリア層上に有機層を塗布し、前記有機層中には熱伝導粒子がドープされているステップと、を含むＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法。
【請求項１０】
前記第１バリア層に有機層を塗布した後に、前記パッケージ方法はさらに、
前記有機層及び前記第１バリア層を覆う第２バリア層を形成するステップを含む請求項９に記載のパッケージ方法。
【請求項１１】
前記第２バリア層の前記有機層から離れる面が平滑平面である請求項１０に記載のパッケージ方法。
【請求項１２】
光透過性熱伝導材料を用いて前記熱伝導粒子を製造する請求項９に記載のパッケージ方法。
【請求項１３】
マスクプレートに基づくパターニング工程によって前記第１バリア層を形成する請求項９に記載のパッケージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示分野に関し、具体的には、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，有機発光ダイオード）デバイスのパッケージアセンブリ及びパッケージ方法、ならびに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、新世代のディスプレイとして、バックライトを用いることなく、ベース基板上に陰極と陽極金属との間に被覆される有機薄膜を製造し、両電極に電圧を印加することにより、有機薄膜が発光するという点で、従来の液晶ディスプレイとは異なる。有機薄膜の有機材料は、水蒸気及び酸素に非常に敏感であるため、水／酸素の浸透は、ＯＬＥＤデバイスの寿命を大幅に減少させ、したがって、市場の使用寿命及び安定性に対する要求を達成するために、業界ではＯＬＥＤデバイスのパッケージ効果に対する要求が非常に高い。
【０００３】
現在、業界でＯＬＥＤデバイスを薄膜封止方式で封止することが一般的であり、図１に示すように、ＯＬＥＤデバイス１１上にＯＬＥＤデバイス１１を覆う封止薄膜１２を形成し、該封止薄膜１２がバリア層１２１及びバッファ層１２２を交互に堆積させて形成される。バリア層１２１は、水／酸素の効果的なバリア層として、主成分が無機物であるとともに、その製造プロセスにおいてピンホール（Ｐｉｎｈｏｌｅｓ）や異物（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）などの欠陥が発生する。バッファ層１２２は、主成分が有機物であり、バリア層１２１の欠陥を覆って平坦化する役割を果たす。水分／酸素のバリア性が強いほど、バリア層１２１の厚さが厚くなり、ＯＬＥＤデバイス１１を折り曲げる際に受ける応力が大きくなることで、ＯＬＥＤデバイス１１から薄膜１２が剥がれやすくなる。そして、材料歩留りを向上させてコストを節約するために、従来技術は、インクジェットプリンタ法（Ｉｎｋ−ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ，ＩＪＰ）によりバッファ層１２２を形成するのが一般的であり、バッファ層１２２を形成する液滴のオーバーフローをいかに防止するかが重要となる。また、ＯＬＥＤデバイス１１の薄型化の設計傾向により、配線が密集するようになり、ＯＬＥＤデバイス１１の迅速な放熱能力をいかに向上させるかも重要となる。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、これに鑑みて、ＬＥＤデバイスの折り曲げによる封止薄膜の剥離を防止するとともに、インクジェットプリンタ法により封止薄膜を形成する際の液滴のオーバーフローを防止し、ＯＬＥＤデバイスの迅速な放熱能力の向上に寄与することができるＯＬＥＤデバイスのパッケージアセンブリ及びパッケージ方法、ならびに表示装置を提供する。
【０００５】
本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスのパッケージアセンブリは、
ＯＬＥＤデバイスを担持するための基板基材と、
ＯＬＥＤデバイスを覆う第１バリア層であって、第１バリア層のＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定方向に沿って交互に配置された第１パターン領域及び第２パターン領域が設けられ、第１パターン領域における第１バリア層の厚さが、第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄い第１バリア層と、
第１バリア層上に塗布されたバッファ層であって、バッファ層中に熱伝導粒子がドープされているバッファ層と、を含む。
【０００６】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、パッケージアセンブリを含み、該パッケージアセンブリは、
ＯＬＥＤデバイスを担持するための基板基材と、
ＯＬＥＤデバイスを覆う第１バリア層であって、第１バリア層のＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定方向に沿って交互に配置された第１パターン領域及び第２パターン領域が設けられ、第１パターン領域における第１バリア層の厚さが、第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄い第１バリア層と、
第１バリア層上に塗布されたバッファ層であって、バッファ層中に熱伝導粒子がドープされているバッファ層と、を含む。
【０００７】
本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法は、
基板基材を提供するステップと、
ＯＬＥＤデバイスを基板基材上に担持するステップと、
ＯＬＥＤデバイスに第１バリア層を覆い、第１バリア層のＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定方向に沿って交互に配置された第１パターン領域及び第２パターン領域を設けて、第１パターン領域における第１バリア層の厚さを、第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄くするステップと、
第１バリア層上にバッファ層を塗布し、バッファ層中には熱伝導粒子がドープされているステップと、を含む。
【０００８】
有益な効果は以下のとおりであり、本発明の設計により、第１バリア層が所定パターンを有し、第１パターン領域における第１バリア層の厚さが第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄く、ＯＬＥＤデバイスの折り曲げ時に第１バリア層が受ける応力を低減することにより、ＯＬＥＤデバイスの折り曲げによる封止薄膜の剥離を防止することができ、そして、第１パターン領域は、インクジェットプリンタ技術によりバッファ層を形成する液滴を収容し、液滴のオーバーフローを防止することができ、さらに、第１バリア層における熱伝導粒子が、ＯＬＥＤデバイスの迅速な放熱能力を向上させることに寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、従来技術におけるＯＬＥＤデバイスのパッケージアセンブリの断面概略図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置の断面概略図である。
【図３】図３は、図２に示すバッファ層及び第１バリア層の構成平面図である。
【図４】図４は、図３に示す第１バリア層を製造するためのマスクプレートの構成平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態における図面を参照しながら、本発明に係る各例示的実施形態における技術的手段を明確かつ完全に説明する。以下の各実施形態及び実施形態における特徴は、矛盾を生じない限り、相互に組み合わせることができる。なお、本明細書において、「バッファ層」とは、「有機層」を意味する。
【００１１】
図２に参照されるのは、本発明の一実施形態に係る表示装置である。前記表示装置は、ＯＬＥＤデバイス２０と、該ＯＬＥＤデバイス２０のパッケージアセンブリとを含む。前記パッケージアセンブリは、基板基材２１、第１バリア層２２及びバッファ層２３を含むことができる。
【００１２】
ＯＬＥＤデバイス２０が基板基材２１上に担持される。前記基板基材２１は、透明ガラス基板又は透明プラスチック基板を含むが、これらに限定されることはなく、フレキシブル表示装置を製造するときに、基板基材２１が折り曲げ可能な透明プラスチック基板を用いることができる。
【００１３】
第１バリア層２２は、ＯＬＥＤデバイス２０を覆う。該第１バリア層２２のＯＬＥＤデバイス２０から遠い側に所定のパターンを有し、例えば、図３に示すように、第１バリア層２２は、基板基材２１に平行な方向（水平方向）に沿って間隔をおいて交互に配置された複数の帯状領域を含むことができ、帯状領域のそれぞれが、垂直方向に沿って順次交互に接続された第１パターン領域２２１と第２パターン領域２２２とを含み、第１パターン領域２２１における第１バリア層２２の厚さが、第２パターン領域２２２における第１バリア層２２の厚さよりも薄い。隣接する２つの帯状領域の間の領域が、第１バリア層２２の第３パターン領域２２３とみなすことができ、第３パターン領域２２３はＯＬＥＤデバイス２０の表面を露出させることができる。
【００１４】
本発明は、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，プラズマ化学気相成長）法を用いて第１バリア層２２を形成することができる。具体的には、まず、ＯＬＥＤデバイス２０が担持された基板基材２１を密閉キャビティ内に配置するとともに、ＯＬＥＤデバイス２０上にマスクプレート４０を配置し、図４に示すように、マスクプレート４０は、互いに導通した第１サブ領域４１１及び第２サブ領域４１２から構成される中空領域４１と、非中空領域４２とを含み、第１サブ領域４１１の面積が第２サブ領域４１２の面積よりも小さく、第１サブ領域４１１及び第２サブ領域４１２が共に矩形であってもよく、第１サブ領域４１１及び第１パターン領域２２１の平面視した形状が同じであり、第２サブ領域４１２及び第２パターン領域２２２の平面視した形状が同じである。次いで、密閉キャビティに反応ガス、例えば、ＳｉＨ４（シラン）、ＮＨ３（アンモニアガス）及びＮ２（窒素ガス）を含有する混合ガスを導入してから、反応ガスに対して高周波放電を行うことによって、反応ガスを反応させてＳｉＮｘ（シリコンの窒化物）を生成し、該ＳｉＮｘがマスクプレート４０の中空領域４１を通してＯＬＥＤデバイス２０上に堆積することにより、第１バリア層２２を形成する。
【００１５】
マスクプレート４０の中空領域４１の数が第１パターン領域２２１又は第２パターン領域２２２の数よりも小さい場合に、本発明は、１回のＰＥＶＣＤ工程の後に、マスクプレート４０を所定の領域に水平に移動させて、再びＰＥＶＣＤ工程を行うことができる。第１バリア層２２が設けられた第１パターン領域２２１及び第２パターン領域２２２のパターン及び数によって移動する距離及び回数を決定することにより、所定のパターンを有する第１バリア層２２を形成する。
【００１６】
当然ながら、本発明はさらに、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，原子層堆積）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，物理蒸着）法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，化学蒸着）法のいずれかを用いて、前記マスクプレート４０と組み合わせて所定パターンを有する第１バリア層２２を形成することもできる。
【００１７】
そして、第１バリア層２２の製造材料は、アルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物、アルミニウムの酸窒化物、シリコンの酸化物、シリコンの酸窒化物などの他の無機物であってもよい。
【００１８】
引き続き図２及び図３に参照されるように、バッファ層２３は、第１バリア層２２上に塗布され、第１パターン領域２２１、第２パターン領域２２２及び第３パターン領域２２３を完全に覆うことができ、即ち、バッファ層２３は、第１バリア層２２全面を完全に覆う構造である。当然ながら、本発明の他の実施形態において、バッファ層２３は、第１パターン領域２２１及び第３パターン領域２２３のみを覆うこともできる。また、バッファ層２３には熱伝導粒子２３１がドープされている。
【００１９】
バッファ層２３の製造材料は、エポキシ樹脂、シリコン系ポリマー、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などの有機物であってもよい。熱伝導粒子２３１は、グラフェン、カーボンナノチューブ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、銀、銅、金、アルミニウム及びこれらの合金などの熱伝導率の大きい材料で製造される。
【００２０】
本発明は、マスクプレートを必要とせずに前記バッファ層２３を形成でき、例えば、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ，滴下）法、インクジェットプリント法及びノズルプリンティング（Ｎｏｚｚｌｅ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法のいずれかを用いてバッファ層２３を形成することにより、マスクプレートの設計及び製造コストを節約して、パッケージアセンブリ全体の生産及び製造コストを低減することができる。
【００２１】
ＯＤＦ法を例にとり、実際の適用例において、まずナノスケールのアルミナ粒子を親水性に改質し、その後、高速せん断分散乳化機を用いて、アルミナ粒子のドーピング量が３〜５０ｗｔ％（重量％）であってもよいアルミナ粒子をエポキシ樹脂中に均一に分散させ、形成されたバッファ溶液の粘度が０．５Ｐａ・ｓ（１秒あたりのパスカル）未満であり、最終的に８０〜１００℃の温度で硬化してバッファ層２３を形成する。当然ながら、本発明において、ＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，紫外線照射又は放射線）硬化方式を用いてバッファ層２３を形成することもできる。
【００２２】
本発明において、第１バリア層２２が水／酸素の効果的なバリア層であり、バッファ層２３が平坦化を達成するために第１バリア層２２を覆い、バッファ層２３及び第１バリア層２２は、ＯＬＥＤデバイス２０の封止薄膜とみなすことができる。従来技術に比べ、本発明は、第１バリア層２２の第１パターン領域２２１における厚さが第１バリア層２２の第２パターン領域２２２における厚さよりも薄く設計され、これは、第１バリア層２２のＯＬＥＤデバイス２０から遠い側をパターニングする工程に相当し、ＯＬＥＤデバイス２０の折り曲げ時に、第１パターン領域２２１及び第２パターン領域２２２のエッジ部分に押圧せずに、第１バリア層２２がＯＬＥＤデバイス２０の折り曲げ時に受ける応力を低減することにより、ＯＬＥＤデバイス２０の折り曲げによる封止薄膜の剥離を防止することができる。そして、第１パターン領域２２１は、インクジェットプリンタなどの方法によりバッファ層２３を形成する際の液滴を収容し、液滴のオーバーフローを防止することができる。また、バッファ層２３における熱伝導粒子２３１は、ＯＬＥＤデバイス２０の迅速な放熱能力を向上させるのに役立つ一方で、バッファ層２３に熱伝導粒子２３１が添加されて、ＯＬＥＤデバイス２０への水／酸素の進入経路を延長し、ＯＬＥＤデバイス２０の水／酸素に対する耐性をさらに向上させることができる。
【００２３】
さらに、本発明は、ＯＬＥＤデバイス２０の光取り出し性能を確保するために、光透過性の高い熱伝導材料から製造される熱伝導粒子２３１を用いることができる。
【００２４】
引き続き図１に参照されるように、本発明の一実施形態に係るパッケージアセンブリは、バッファ層２３及び第１バリア層２２を覆う第２バリア層２４をさらに含むことができる。該第２バリア層２４の製造材料は、第１バリア層２２の製造材料と同じであってもよい。本発明はマスクプレートを必要とせずに前記第２バリア層２４を形成でき、例えば、ＯＤＦ法、インクジェットプリント法、ノズルプリンティング法のいずれかを用いて第２バリア層２４を形成して、コストを節約することができる。
【００２５】
第２バリア層２４のバッファ層２３から離れる面が平滑平面であってもよい。第２バリア層２４のバッファ層２３から離れる面に保護フィルム又はタッチセンサ（ｔｏｕｃｈ  ｓｅｎｓｏｒ）機能を有するタッチセンサフィルムを貼り付ける際に、本発明は、平滑平面と保護フィルム又はタッチセンサフィルムとの貼り付け箇所に微細な溝を発生させず、ＯＬＥＤデバイス２０の表示時にｂｕｂｂｌｅ（バブル）の発生を防止することができる。
【００２６】
図５に参照されるのは、本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法である。前記パッケージ方法は、以下のステップＳ５１〜Ｓ５４を含むことができる。
Ｓ５１：基板基材を提供する。
前記基板基材は、透明ガラス基板又は透明プラスチック基板を含むが、これらに限定されず、フレキシブルＯＬＥＤディスプレイを製造する際に、基板基材が折り曲げ可能な透明プラスチック基板を用いることができる。
Ｓ５２：ＯＬＥＤデバイスを基板基材上に担持する。
Ｓ５３：ＯＬＥＤデバイスに第１バリア層を覆い、第１バリア層のＯＬＥＤデバイスから遠い側に、所定方向に沿って交互に配置された第１パターン領域及び第２パターン領域を設け、第１パターン領域における第１バリア層の厚さを、第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄くする。
【００２７】
該第１バリア層のＯＬＥＤデバイスから遠い側に所定のパターンを有し、例えば、第１バリア層は、基板基材に平行な方向（水平方向）に沿って間隔をおいて交互に配置された複数の帯状領域を含むことができ、帯状領域のそれぞれが、垂直方向に沿って順次交互に接続された第１パターン領域と第２パターン領域とを含み、第１パターン領域における第１バリア層の厚さが、第２パターン領域における第１バリア層の厚さよりも薄い。隣接する２つの帯状領域の間の領域が、第１バリア層の第３パターン領域とみなすことができ、第３パターン領域はＯＬＥＤデバイスの表面を露出させることができる。
【００２８】
本発明は、ＰＥＣＶＤ法を用いて第１バリア層を形成することができる。具体的には、まず、ＯＬＥＤデバイスが担持された基板基材を密閉キャビティ内に配置するとともに、ＯＬＥＤデバイス上にマスクプレートを配置し、マスクプレートは、互いに導通した第１サブ領域及び第２サブ領域から構成される中空領域と、非中空領域とを含み、第１サブ領域の面積が第２サブ領域の面積よりも小さく、第１サブ領域及び第２サブ領域が共に矩形であってもよく、第１サブ領域及び第１パターン領域の平面視した形状が同じであり、第２サブ領域及び第２パターン領域の平面視した形状が同じである。次いで、密閉キャビティに反応ガス、例えば、ＳｉＨ４、ＮＨ３及びＮ２を含有する混合ガスを導入してから、反応ガスに対して高周波放電を行うことによって、反応ガスを反応させてＳｉＮｘを生成し、該ＳｉＮｘがマスクプレートの中空領域を通してＯＬＥＤデバイス上に堆積することにより、第１バリア層を形成する。
【００２９】
マスクプレートの中空領域の数が第１パターン領域又は第２パターン領域の数よりも小さい場合に、本発明は、１回のＰＥＶＣＤ工程の後に、マスクプレートを所定の領域に水平に移動させて、再びＰＥＶＣＤ工程を行うことができる。第１バリア層が設けられた第１パターン領域及び第２パターン領域のパターン及び数によって移動する距離及び回数を決定することにより、所定のパターンを有する第１バリア層を形成する。
【００３０】
当然ながら、本発明はさらに、ＡＬＤ法、ＰＶＤ法及びＣＶＤ法のいずれかを用いるとともに、前記マスクプレートと組み合わせて所定のパターンを有する第１バリア層を形成することができる。
【００３１】
そして、第１バリア層の製造材料は、アルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物、アルミニウムの酸窒化物、シリコンの酸化物、シリコンの酸窒化物などの他の無機物であってもよい。
【００３２】
Ｓ５４：第１バリア層上にバッファ層を塗布し、バッファ層中に熱伝導粒子がドープされている。
【００３３】
バッファ層は、第１パターン領域、第２パターン領域及び第３パターン領域を完全に覆うことができ、即ち、バッファ層は、第１バリア層全面を完全に覆う構造である。当然ながら、本発明の他の実施形態において、バッファ層は、第１パターン領域及び第３パターン領域のみを覆うこともできる。また、バッファ層には熱伝導粒子がドープされている。そして、本発明は、ＯＬＥＤデバイスの光取り出し性能を確保するために、光透過性の高い熱伝導材料から製造される熱伝導粒子を用いることができる。
【００３４】
バッファ層の製造材料は、エポキシ樹脂、シリコン系ポリマー、ＰＭＭＡなどの有機物であってもよい。熱伝導粒子は、グラフェン、カーボンナノチューブ、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、銀、銅、金、アルミニウム及びこれらの合金などの熱伝導率の大きい材料で製造される。
【００３５】
本発明は、マスクプレートを必要とせずに前記バッファ層を形成でき、例えば、ＯＤＦ法、インクジェットプリント法及びノズルプリンティング法のいずれかを用いてバッファ層を形成することにより、マスクプレートの設計及び製造コストを節約して、パッケージアセンブリ全体の生産及び製造コストを低減することができる。
【００３６】
ＯＤＦ法を例にとり、実際の適用例において、まずナノスケールのアルミナ粒子を親水性に改質し、その後、高速せん断分散乳化機を用いて、アルミナ粒子のドーピング量が３〜５０ｗｔ％であってもよいアルミナ粒子をエポキシ樹脂中に均一に分散させ、形成されたバッファ溶液の粘度が０．５Ｐａ・ｓ未満であり、最終的に８０〜１００℃の温度で硬化してバッファ層を形成する。当然ながら、本発明において、ＵＶ硬化方式を用いてバッファ層を形成することもできる。
【００３７】
本発明は、ステップＳ５４の後に、バッファ層及び第１バリア層を覆う第２バリア層を形成することができ、即ち前記パッケージ方法はステップＳ５５をさらに含むことができ、
Ｓ５５：バッファ層及び第１バリア層を覆う第２バリア層を形成する。
【００３８】
第２バリア層のバッファ層から離れる面が平滑平面である。該第２バリア層の製造材料は、第１バリア層の製造材料と同じであってもよい。本発明はマスクプレートを必要とせずに前記第２バリア層を形成でき、例えば、ＯＤＦ法、インクジェットプリント法、ノズルプリンティング法のいずれかを用いて第２バリア層を形成して、コストを節約することができる。
【００３９】
上記のＯＬＥＤデバイスのパッケージ方法は、図２に示す構造を有するパッケージアセンブリを製造するために用いることができ、したがって、これと同様の有益な効果を有する。
【００４０】
以上の説明は、単に本発明の実施形態に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではなく、本発明の明細書及び添付図面の内容を利用した同等の構造又は同等のプロセスの変更、例えば各実施形態間の技術的特徴の相互の組合せ、又は他の関連する技術分野に直接又は間接的に適用したものは、いずれも本発明の保護範囲内に包含されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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