(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上にピクセル定義層を形成するステップであって、前記ピクセル定義層はサブピクセル間領域に形成してかつＯＬＥＤディスプレイ基板のサブピクセル領域を規定するものである前記形成ステップと、
前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に絶縁媒質層を形成し、および前記絶縁媒質層を形成した後、前記絶縁媒質層に設置したフォトマスクを使ってそれぞれのサブピクセル領域に有機発光層を形成するステップであって、前記絶縁媒質層は前記サブピクセル領域より広い第１開口領域を規定するために形成するためのものである前記形成ステップと
を備え、
前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層は前記第１開口領域のベース基板上での投影が前記サブピクセル領域の投影を覆うように形成され、
前記フォトマスクに複数の開口があり、前記複数の開口のそれぞれの開口の縁にサブピクセル領域が取り囲んでおり、および
前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記フォトマスクの一部と前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記ピクセル定義層の一部は隙間を通じて仕切られており、
前記隙間は前記絶縁媒質層の厚さと同じ厚さを有し、
前記有機発光層を形成する前に、
前記サブピクセル間領域に複数の突起構造を含む突起層を形成し、前記複数の突起構造それぞれは基板のサブピクセル領域を取り囲むように形成し、
前記複数の突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と遮るように形成し、前記突起層の前記基板に対する相対的高さは前記絶縁媒質層の高さより小さく、
同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層と前記突起層を形成し、
または、
同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記絶縁媒質層と前記突起層を形成し、
または、
同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層、前記絶縁媒質層と前記突起層を形成することを特徴とする、前記サブピクセル領域と前記サブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数突起構造それぞれは第２開口領域を規定するために形成し、
前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影は前記第２開口領域の投影を覆い、および
第２開口領域の前記ベース基板上での投影は基本的前記複数の突起構造の１つに取り囲まれている前記サブピクセル領域の投影と重なることを特徴とする、請求項１に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１開口領域の広さは前記サブピクセル領域の広さより少なくとも１μm広いことを特徴とする、請求項１に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記サブピクセル間領域に薄膜トランジスターを形成し、
前記ベース基板に第１電極を形成し、
前記第１電極の前記ベース基板に遠く離れている片側に有機層を形成し、
前記有機層の前記第１電極に遠く離れている片側に第２電極を形成し、
また、前記薄膜トランジスターの形成はドレインを形成することと、
前記ドレインがＯＬＥＤの前記第１電極と接続することを含むことを特徴とする、
請求項１に記載するサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかの１項に記載した前記ＯＬＥＤディスプレイ基板を備えるＯＬＥＤディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願との相互参照］
本発明は２０１６年１２月１６日中国特許局に出願し、出願番号はＮｏ.２０１６１１１７６０２４.８で、すべての内容は引用により本願に記載したものである。
【０００２】
本発明はディスプレイ技術分野に関し、特にＯＬＥＤディスプレイ基板、ＯＬＥＤディスプレイ装置およびＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光ダイオード(Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ, ＯＬＥＤと略す)ディスプレイ装置は自発光装置であるため、バックライトが要らない。伝統的なＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ, ＬＣＤと略す）に比べ、ＯＬＥＤディスプレイ装置はさらに豊富な色彩とさらに広い色域を提供している。そのほか、ＯＬＥＤディスプレイ装置は典型的なＬＣＤよりもさらにコンパクト、さらに薄く、さらに軽くすることができる。
【発明の概要】
【０００４】
一方、本発明はサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を提供し、当該方法によれば、ベース基板にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は前記サブピクセル間領域かつ前記ＯＬＥＤディスプレイ基板を規定する前記サブピクセル領域に形成し、前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に絶縁媒質層を形成し、前記絶縁媒質層は前記サブピクセル領域より広い第１開口領域を規定するために形成し、および前記絶縁媒質層を形成した後、前記絶縁媒質層に設置したフォトマスクを使ってそれぞれのサブピクセル領域に有機発光層を形成し、前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層は前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影を前記サブピクセル領域の投影を覆うように形成し、および前記フォトマスクに複数の開口があり、前記複数開口のそれぞれの開口の縁はサブピクセル領域を取り囲み、および前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記フォトマスクの一部と前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記サブピクセル定義層の一部は隙間を通じて仕切られている。
【０００５】
オプションとして、前記隙間は前記絶縁媒質層の厚さと基本的同じ厚さを有する。
【０００６】
オプションとして、前記有機発光層を形成する前に、当該方法において、前記サブピクセル間領域で複数の突起構造を含む突起層を形成し、前記複数の突起構造それぞれは基板上でサブピクセル領域を取り囲んで形成し、前記複数の突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と遮るように形成し、および前記突起層の前記ベース基板に対する相対的高さは前記絶縁媒質層の高さより小さい。
【０００７】
オプションとして、前記複数の突起構造それぞれは第２開口領域を規定するために形成し、第１開口領域の前記ベース基板での投影は前記第２開口領域の投影を覆い、および前記第２開口領域の前記ベース基板での投影は基本的に前記複数の突起構造の前記サブピクセル領域を取り囲む１つの投影と重なる。
【０００８】
オプションとして、前記第１開口領域の広さは前記サブピクセル領域の広さより少なくとも１μm広い。
【０００９】
オプションとして、同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層を形成する。
【００１０】
オプションとして、同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層と前記突起層を形成する。
【００１１】
オプションとして、同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記絶縁媒質層と前記突起層を形成する。
【００１２】
オプションとして、同じ材料と同じフォトマスクを使って一次工程で前記ピクセル定義層、前記絶縁媒質層および前記突起層を形成する。
【００１３】
オプションとして、当該方法はまた前記ピクセル間領域で薄膜トランジスターを形成し、前記ベース基板で第１電極を形成し、前記第１電極の前記ベース基板に遠く離れている片側に有機層を形成し、および前記有機層の前記第１電極に遠く離れている片側に前記第２電極を形成し、そのうち、前記薄膜トランジスターの形成はドレインの形成、および前記ドレインと前記ＯＬＥＤの前記第１電極の接続を含む。
【００１４】
一方、本発明はサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板を提供し、前記基板は、ベース基板と、前記サブピクセル間領域の定義層かつ前記ＯＬＥＤディスプレイ基板の前記サブピクセル領域を規定するピクセル定義層と、前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に位置し、前記サブピクセル領域より広い第１開口領域を規定する絶縁媒質層とを備え、前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影は前記サブピクセル領域の投影を覆う。
【００１５】
オプションとして、前記絶縁媒質層は前記ピクセル定義層に隣接している。
【００１６】
オプションとして、前記絶縁媒質層は前記ピクセル定義層の全体部分である。
【００１７】
オプションとして、前記ＯＬＥＤディスプレイ基板は前記サブピクセル間領域の複数の突起構造を含む突起層をさらに備え、前記複数の突起構造のそれぞれの基板にサブピクセル領域が取り囲み、
前記複数の突起構造それぞれは前記絶縁媒質層と仕切られており、
前記突起層の前記ベース基板に対する高さは前記絶縁媒質層の高さより小さい。
【００１８】
オプションとして、前記複数の突起構造それぞれは第２開口領域を規定し、
前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影は前記第２開口領域の投影を覆い、
前記第２開口領域の前記ベース基板上での投影は基本的前記複数の突起構造の１つが取り囲んでいる前記サブピクセル領域の投影と重なる。
【００１９】
オプションとして、前記突起層は前記ピクセル定義層に隣接している。
【００２０】
オプションとして、前記突起層は前記ピクセル定義層の全体部分である。
【００２１】
オプションとして、前記ＯＬＥＤディスプレイ基板は前記サブピクセル間領域の薄膜トランジスターと、ＯＬＥＤとを含み、前記ＯＬＥＤは、前記ベース基板の第１電極と、前記第１電極の前記ベース基板に遠く離れている片側の有機層と、前記有機層の前記第１電極に遠く離れている片側の第２電極とを含み、前記有機層は有機発光層を含み、前記薄膜トランジスターは前記ＯＬＥＤに電気的接続している前記第１電極のドレインを含む。
【００２２】
オプションとして、前記絶縁媒質層の厚さは約１μmから約５μmの範囲内にある。
【００２３】
一方、本発明はＯＬＥＤディスプレイ基板を含むＯＬＥＤディスプレイ装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
公開した種々の実施方法に基づいて、以下の図面は単に説明するために用いるものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【図１】は従来のＯＬＥＤディスプレイ基板を製造するための基板を示す図である。
【図２】は従来のＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。
【図３】は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。
【図４】は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を示す図である。
【図５】は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。
【図６】は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法の説明図である。
【図７】は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。
【図８Ａ】は本発明のいくつかの実施方法に基づく絶縁媒質層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図８Ｂ】は本発明のいくつかの実施方法に基づく絶縁媒質層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図８Ｃ】は本発明のいくつかの実施方法に基づく絶縁媒質層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図８Ｄ】は本発明のいくつかの実施方法に基づく絶縁媒質層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図９Ａ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図９Ｂ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図９Ｃ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図９Ｄ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層と突起構造の形成流れを示す図である。
【図１０Ａ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層および突起構造の形成流れを示す図である。
【図１０Ｂ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層および突起構造の形成流れを示す図である。
【図１０Ｃ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層および突起構造の形成流れを示す図である。
【図１０Ｄ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層および突起構造の形成流れを示す図である。
【図１０Ｅ】は本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層および突起構造の形成流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
ここからは下記の実施方法を参照して具体的に本発明を説明する。本願の次に記述したいくつかの実施方法は単に例示と説明を目的としていることに注目すべきである。これは公開した適切な形式を網羅または制限するものではない。
【００２６】
図１は従来のＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を示す図である。図２は従来のＯＬＥＤの構造図である。従来のＯＬＥＤディスプレイ基板の製造において、ベース基板１０に第１電極１０１（例えば、陽極）を形成し、それから第１電極１０１のベース基板１０に遠く離れている片側にピクセル定義層２０を形成する。その後、ピクセル定義層２０に金属フォトマスク３０を設置する。金属フォトマスク３０の開口とピクセル定義層２０の開口を揃わせ、例えばサブピクセル領域２０１。有機材料を基板に蒸着して有機層１０２を形成し、および電極材料を基板に蒸着して第２電極１０３（例えば、陰極）を形成する。
【００２７】
有機材料蒸着液の溢出によって引き起こされる陰影現象を避けるために、フォトマスク３０はできるだけ基板に近づくように維持されている。通常、図１に示すように、ベース基板１０の片側に磁石４０を設置してフォトマスク３０をピクセル定義層２０に付着させる。
【００２８】
金属フォトマスク３０が変形しやすいため、通常金属フォトマスク３０の縁がしわになりやすい。金属フォトマスク３０がピクセル定義層２０に付着している場合、しわの縁がピクセル定義層２０の縁に押さえ付けられ、ピクセル定義層２０の縁に沿って（例えば、ピクセル定義層２０の縁が凹む）損壊を引き起こすため、ＯＬＥＤの不良を招く。そのほか、フォトマスク３０が基板に移動あるいは離れる際、当該移動でＯＬＥＤの縁に擦り傷ができやすいため、ＯＬＥＤに黒点と黒斑をもたらす。そのほか、蒸着期間中に、各種有機あるいは無機材料はフォトマスク３０の開口の縁に沿って凝結して、顆粒を形成しやすい。これらの顆粒はＯＬＥＤに押さえつけられ、余計な圧痕を招く。
【００２９】
そのため、本発明は特にＯＬＥＤディスプレイ基板、ＯＬＥＤディスプレイ装置およびＯＬＥＤの製造方法を提供し、従来のプロセス関連の制限と欠点によって招かれた１つあるいは複数の問題点をほぼ取り除いた。一方、本発明はサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板を提供する。いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤディスプレイ基板は、ベース基板と、前記サブピクセル間領域に位置しかつ前記ＯＬＥＤディスプレイ基板の前記サブピクセル領域を規定するピクセル定義層と、前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側に位置し、第１開口領域を規定する絶縁媒質層とを備える。オプションとして、前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影は前記サブピクセル領域の投影を覆う。一方、本発明はサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を提供する。いくつかの実施方法において、当該方法はベース基板にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は前記サブピクセル間領域に形成され、かつ前記ＯＬＥＤディスプレイ基板の前記サブピクセル領域を規定するためのものである。前記ピクセル定義層の前記ベース基板に遠く離れている片側には絶縁媒質層が形成され、前記絶縁媒質層は前記サブピクセル領域より広い前記第１開口領域を規定するために形成される。前記絶縁媒質層を形成した後、前記絶縁媒質層に設置したフォトマスクを使ってそれぞれのサブピクセル領域に有機発光層を形成する。オプションとして、前記ピクセル定義層と前記絶縁媒質層は前記第１開口領域の前記ベース基板上での投影で前記サブピクセル領域の投影を覆うために形成されるものである。前記フォトマスクは複数のＯＬＥＤに対応しているパターンを有する。前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記フォトマスクの一部と前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲む前記ピクセル定義層の一部は隙間を通じて仕切られている。オプションとして、前記第１開口領域に位置しかつ前記サブピクセル領域を取り囲むフォトマスクの縁と前記第１領域に位置しかつサブピクセル領域を取り囲むピクセル定義層の縁は隙間を通じて仕切られている。
【００３０】
本発明に使った、サブピクセル領域とはサブピクセルの発光領域、例えばＯＬＥＤディスプレイパネルの有機発光層に対応している領域、あるいはＬＣＤのピクセル電極に対応している領域を指す。オプションとして、ピクセルはピクセルの複数サブピクセルに対応している複数の単独発光領域を含んでもよい。オプションとして、サブピクセル領域は白色サブピクセル発光領域である。本発明に使った、サブピクセル間領域は隣り合っているサブピクセル領域間の領域、例えばＯＬＥＤディスプレイパネルのピクセル定義層に対応している領域、あるいはＬＣＤの黒色マトリックスに対応している領域である。オプションとして、サブピクセル間領域は２つの隣り合っているサブピクセル領域と２つの隣り合っているサブピクセル領域間の領域である。オプションとして、サブピクセル間領域は赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣り合っている緑色サブピクセルのサブピクセル領域間の領域である。オプションとして、サブピクセル領域は赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣り合っている青色サブピクセルのサブピクセル領域間の領域である。オプションとして、サブピクセル領域は緑色サブピクセルのサブピクセル領域と隣り合っている青色サブピクセルのサブピクセル領域間の領域である。
【００３１】
図３は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。図３に示すように、いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤディスプレイ基板がサブピクセル領域２０１とサブピクセル間領域２０２を有する。いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤディスプレイ基板は、ベース基板１０と、サブピクセル間領域２０２に位置しかつＯＬＥＤディスプレイ基板のサブピクセル領域２０１を規定するピクセル定義層２０と、ピクセル定義層２０のベース基板１０に遠く離れている片側に位置し、かつ、第１開口領域５０１がサブピクセル領域２０１より広いことを規定する絶縁媒質層５０とを備える。第１開口領域５０１のベース基板１０での投影はピクセル領域２０１の投影を覆う。ピクセル定義層２０のベース基板１０での投影は絶縁媒質層５０の投影を覆う。図３に示すように、第１開口領域５０１の広さはサブピクセル領域２０１の広さより広い。サブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁は第１開口領域５０１を取り囲む絶縁媒質層５０の縁で広さw１を伸ばす。図３に示すように、オプションとして、第１開口領域５０１の広さは第１サブピクセル領域２０１の広さより少なくとも１μm広い。
【００３２】
いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤは、第１電極１０１、有機層１０２および第２電極１０３を含む。オプションとして、有機層１０２は有機発光層を含む。オプションとして、前記第１電極１０１はＯＬＥＤの陽極で、第２電極１０３は有機発光ダイオードの陰極である。オプションとして、第１電極１０１はＯＬＥＤの陰極であり、第２電極１０３はＯＬＥＤの陽極である。オプションとして、ピクセル領域２０１の第１電極の一部、有機層１０２および第２電極１０３の一部はＯＬＥＤを構成する。オプションとして、第２電極１０３は複数ＯＬＥＤの全体電極（例えば、全体陰極）であるため、サブピクセル領域２０１を制限しない。オプションとして、第１電極１０１は複数ＯＬＥＤの全体電極であるため、サブピクセル領域２０１を制限しない。
【００３３】
オプションとして、絶縁媒質層２０はピクセル定義層２０に隣接している。オプションとして、絶縁媒質層５０はピクセル定義層２０の全体部分である。例えば、絶縁媒質層５０とピクセル定義層２０は同じ材料、同じフォトマスクを使ってかつ一次工程で形成する。
【００３４】
図４は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を示す図である。図４に示すように、いくつかの実施方法において、当該方法はベース基板１０にピクセル定義層２０を形成し、ピクセル定義層２０は、サブピクセル間領域に位置し、かつＯＬＥＤディスプレイ基板のサブピクセル領域２０１を規定するため形成されたものである。ベース基板１０に遠く離れているピクセル定義層２０の片側に絶縁媒質層５０が形成され、絶縁媒質層５０はサブピクセル領域２０１より大きい第１開口領域５０１を規定するために形成される。絶縁媒質層５０を形成した後で、それぞれのサブピクセル領域２０１において絶縁媒質層５０に設置したフォトマスク３０を使って有機発光層を形成する。オプションとして、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０を形成して第１開口領域５０１のベース基板１０での投影がサブピクセル領域のベース基板上での投影を覆いかつピクセル定義層２０のベース基板１０での投影が絶縁媒質層５０のベース基板上での投影を覆うようにする。フォトマスク３０は複数のＯＬＥＤに対応しているパターンを有する。図４に示すように、第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むフォトマスク３０の縁と第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁は隙間ｇを通じて仕切られている。例えば、第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むフォトマスク３０の縁は第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁と接触しない。フォトマスク３０とピクセル定義層２０は絶縁媒質層５０を挟んでおり、絶縁媒質層５０とサブピクセル領域２０１の間に凹部Ｒを形成する。オプションとして、隙間ｇは絶縁媒質層５０の厚さと基本的同じ厚さを有する。
【００３５】
オプションとして、それぞれのサブピクセル領域２０１にＯＬＥＤを形成することは、サブピクセル領域２０１に第１電極１０１を形成し、サブピクセル領域２０１に有機層１０２を形成し、サブピクセル領域に第２電極１０３を形成することを含む。オプションとして、有機層１０２は蒸着を通じて形成する。蒸着期間中、フォトマスク３０は絶縁媒質層５０に付着している。
【００３６】
各種の適切な絶縁媒質材料を使って絶縁媒質層５０を製造することができる。適切な絶縁媒質材料は有機絶縁材料と無機絶縁材料を含む。オプションとして、絶縁媒質層５０とピクセル定義層２０は同じ材料で製造したものである。オプションとして、絶縁媒質層５０とピクセル定義層は違う材料で製造したものである。絶縁媒質層５０はいかなる適切な厚さに製造されてもよく、例えば、蒸着期間中の陰影現象を避けられる厚さである。オプションとして、フォトマスク３０は金属製フォトマスクである。
【００３７】
当該方法において、フォトマスクを使って有機発光層を形成する前に、ピクセル定義層２０に絶縁媒質層５０を形成し、絶縁媒質層５０はフォトマスク３０を絶縁媒質層５０に設置した時縁媒質層５０とサブピクセル領域２０１の間に凹部Ｒを形成するために形成される。例えば、第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むフォトマスク３０の縁は第１開口領域５０１に位置しかつサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁と接触しない。このような設計を通じて、蒸着期間中あるいはその後、フォトマスク３０が変形してかつ縁にしわができて、あるいはフォトマスク３０はベース基板１０に対して相対的に移動しても、フォトマスク３０と接触しないため、例えば、サブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁と仕切られており、ＯＬＥＤ層を損害させることを避けることができる。そのほか、このような設計を通じて、フォトマスクの縁に凝結した顆粒によって引き起こされる損壊を免れることもできる。
【００３８】
絶縁媒質層５０の厚さが１〜５μmは好適である。こうすれば、後続の蒸着工程に陰影現象の発生を免れることができる。
【００３９】
図５は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。図５に示すように、いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤディスプレイ基板は、突起層をさらに含む。当該突起層は複数のサブピクセル間領域２０２の突起構造６０を含み、それぞれの突起構造６０に基本的サブピクセル領域２０１が取り囲んでいる。それぞれの突起構造６０と絶縁媒質層５０の間隔はすべてw２である。図５に示すように、それぞれの突起構造６０のベース基板１０に対する相対的高さh１は絶縁媒質層５０のベース基板１０に対する相対的高さより小さい。突起層はいかなる適切な高さに製造されてもよい。オプションとして、それぞれの突起構造は絶縁媒質層５０に設置したフォトマスクを仕切る高さを有する。このような設計を通じて、フォトマスク３０が変形してかつ縁にしわができても、フォトマスク３０はそれぞれの突起構造と接触しない。
【００４０】
図６は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法の説明図である。図６に示すように、いくつかの実施方法において、当該方法はまた、有機発光層を形成する前に、サブピクセル間領域２０２に複数の突起構造を含む突起層を形成し、それぞれの突起構造６０は基本的サブピクセル領域２０１を取り囲むように形成する。それぞれの突起構造は絶縁媒質層５０との間隔w２に形成される。それぞれの突起構造６０のベース基板１０に対する相対的高さh１は絶縁媒質層５０のベース基板１０に対する相対的高さより小さい。
【００４１】
複数のサブピクセル領域２０１を取り囲む突起構造６０を含む突起層を通じて、フォトマスク３０が変形してかつ縁にしわができた場合、フォトマスクは複数の突起構造６０に支えられているため、フォトマスク３０とサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁間のいかなる直接接触を免れることができる。そのほか、フォトマスク３０が絶縁媒質層５０に設置された場合、蒸着期間中において、複数の突起構造６０の存在でフォトマスク３０に蓄積した異物のピクセル領域２０１への落下を防ぐことができる。
【００４２】
図５に示すように、それぞれの突起構造６０は第２開口領域６０１を規定する。第１開口領域５０１のベース基板１０での投影は第２開口領域６０１の投影を覆う。第２開口領域６０１のベース基板１０での投影は基本的複数の突起構造６０の１つの突起構造が取り囲んでいるサブピクセル領域２０１の投影と重なる。ピクセル定義層のベース基板１０での投影は突起層の投影を覆う。図５に示すように、第１開口領域５０１の広さは第２開口領域６０１の広さより広い。第１開口領域５０１の広さは第２開口領域６０１の広さよりw２広く、図５に示すように、オプションとして、第１開口領域５０１の広さは第２開口領域６０１広さより少なくとも１μm広い。
【００４３】
オプションとして、突起層がピクセル定義層２０に隣接する。オプションとして、ピクセル定義層２０、絶縁媒質層５０と突起構造６０の材料がすべて異なる。オプションとして、ピクセル定義層２０と突起層が同じ材料で製造される。オプションとして、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０が同じ材料で製造される。オプションとして、突起層と絶縁媒質層５０が同じ材料で製造される。オプションとして、絶縁媒質層５０はピクセル定義層２０の全体部分であり、例えば、絶縁媒質層５０とピクセル定義層２０は同じ材料、同じフォトマスクを使ってかつ一次工程で形成する。オプションとして、突起層は絶縁媒質層５０の全体部分であり、例えば、突起層と絶縁媒質層５０は同じ材料、同じフォトマスクを使ってかつ一次工程で形成する。オプションとして、絶縁媒質層５０と突起層はピクセル定義層の全体部分であり、例えば、絶縁媒質層５０、突起層とピクセル定義層２０は同じ材料、同じフォトマスクを使ってかつ一次工程で形成する。
【００４４】
各種の適切な材料を使ってピクセル定義層２０を製造することができる。ピクセル定義層２０の材料は各種有機材料、例えばポリイミド、フェノール樹脂を含むことができる。
【００４５】
各種の適切な材料を使って絶縁媒質層５０を製造することができる。適切な絶縁材料は有機絶縁材料と無機絶縁材料を含む。絶縁媒質層５０の材料が有機材料である場合、ポリイミド、フェノール樹脂を採用することができる。絶縁媒質層５０の材料が無機材料である場合、酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）などの無機材料を採用することができる。
【００４６】
各種の適切な材料を使って突起層を製造することができる。適切な絶縁材料は有機絶縁材料と無機絶縁材料を含む。突起層の材料が有機材料である場合、ポリイミド、フェノール樹脂などの材料を採用することができる。突起層の材料が無機材料である場合、酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）などの無機材料を採用することができる。
【００４７】
図７は本発明のいくつかの実施方法に基づくＯＬＥＤディスプレイ基板の構造図である。図７に示すように、いくつかの実施方法において、前記ＯＬＥＤディスプレイパネルはまたピクセル間領域２０２の薄膜トランジスター７０とピクセル領域２０１のＯＬＥＤを含み、いくつかの実施方法において、ＯＬＥＤは第１電極１０１、有機層１０２と第２電極１０３を含む。オプションとして、第１電極１０１と薄膜トランジスター７０のドレインが接続しており、薄膜トランジスター７０がピクセル定義層２０とベース基板１０の間に設置されている。
【００４８】
オプションとして、サブピクセル領域２０１のベース基板１０での投影は第１電極１０１の少なくとも一部の投影と重なる。有機層１０２がサブピクセル領域２０１に設置されている。オプションとして、サブピクセル領域２０１のベース基板１０での投影は第２電極１０３の少なくとも一部の投影を覆う。
【００４９】
オプションとして、薄膜トランジスター７０は、グリッドと、グリッド絶縁層と、半導体アクチブ層と、ソース電極と、ドレインとを含む。オプションとして、薄膜トランジスターはボトムゲート型薄膜トランジスター７０（図７）である。オプションとして、薄膜トランジスターはトップゲート型薄膜トランジスターである。
【００５０】
有機層１０２は有機発光層を含む。オプションとして、前記有機層１０２は、１つあるいは複数の電子輸送層、１つあるいは複数の正孔輸送層と１つあるいは複数の陰極（例えば、第２電極１０２）と電輸送層の間に設置した電子注入層、および１つあるいは複数正孔輸送層と陰極（例えば、第１電極１０１）の間に設置した正孔注入層をさらに含むことができる。
【００５１】
各種の適切な材料を使って第１電極１０１を製造することができる。オプションとして、第１電極１０１は陽極である。オプションとして、第１電極１０１は陰極である。オプションとして、第１電極１０１は透明な導電材料から製造される。オプションとして、第１電極１０１は金属材料から製造される。オプションとして、前記第１電極１０１はラミネーションした複数の副層、例えば、透明な導電副層―非透明な導電副層―透明な導電副層をラミネーションすることを含む。
【００５２】
各種の適切な材料を使って第２電極１０３を製造することができる。オプションとして、第２電極１０３は陽極である。オプションとして、第２電極１０３は陰極である。オプションとして、第２電極１０３は透明な導電材料から製造される。オプションとして、第２電極１０３は金属材料から製造される。
【００５３】
一方、本発明は本発明に記述した、あるいは本発明を通じて記述した方法で製造したＯＬＥＤディスプレイ基板のＯＬＥＤディスプレイパネルを提供する。オプションとして、ＯＬＥＤディスプレイパネルはまたＯＬＥＤディスプレイパネルに向かつている対向基板を含む。オプションとして、対向基板はカラーのフィルター基板である。
【００５４】
一方、本発明はＯＬＥＤディスプレイ装置を提供する。適切なＯＬＥＤディスプレイ装置は電子ペーパー、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、モニター、ノートパソコン、デジタルアルバム、ＧＰＳなどを含むが、それらに限らない。
【００５５】
一方、本発明はサブピクセル領域とサブピクセル間領域を有するＯＬＥＤディスプレイ基板の製造方法を提供する。図３に示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は、ベース基板１０にピクセル定義層２０を形成し、ピクセル定義層２０は、サブピクセル間領域２０２に位置し、かつＯＬＥＤディスプレイ基板のサブピクセル領域２０１を規定するために形成されたものである。また、ベース基板１０に遠く離れているピクセル定義層２０の片側に絶縁媒質層５０が形成され、絶縁媒質層５０は第１開口領域５０１がサブピクセル領域２０１より広いことを規定するために形成されるものである。図３に示すように、絶縁媒質層５０は第１開口領域５０１の広さがサブピクセル領域２０１の広さより広いように形成され、サブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁は第１開口領域５０１を取り囲む絶縁媒質層５０の縁で広さw１を伸ばす。オプションとして、第１開口領域５０１の広さは第２開口領域６０１の広さより少なくとも１μm広い。
【００５６】
いくつかの実施方法において、当該方法は、さらに、絶縁媒質層を形成した後にそれぞれのサブピクセル領域２０１で絶縁媒質層５０に設置したフォトマスクを使って有機発光層を形成する。オプションとして、有機的な発光ダイオードを形成するステップは、少なくとも部分的にサブピクセル領域２０１に形成した第１電極１０１と、少なくとも部分的にサブピクセル領域２０１に形成した有機層１０２と、少なくとも部分的にサブピクセル領域２０１に形成した第２電極１０３とを含む。
【００５７】
図４に示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は有機層１０２を形成するステップと第２電極１０３を形成する前にまず絶縁媒質層５０を形成することを含む。オプションとして、絶縁媒質層５０に設置したフォトマスク３０を使って有機層１０２を形成する。
【００５８】
オプションとして、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０は１つあるいは複数のフォトエッチングプロセスを通じて形成する。オプションとして、当該フォトエッチングプロセスは露出、現像およびエッチングステップ含む。
【００５９】
本発明の製造方法において、フォトマスクを使って有機発光層を形成する前に、ピクセル定義層２０に絶縁媒質層５０を形成する。絶縁媒質層５０はフォトマスク３０を絶縁媒質層５０に設置した時に絶縁媒質層５０とサブピクセル領域２０１の間に凹部Ｒを形成するために形成される。例えば、第１開口領域５０１かつサブピクセル領域２０１を取り囲むフォトマスク３の縁は第１開口領域５０１かつサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁と接触しない。このような設計を通じて、蒸着期間中あるいはその後、フォトマスク３０の縁が変形かつしわができ、あるいはフォトマスク３０はベース基板１０に対して相対的に移動しても、フォトマスク３０と接触しないため、有機発光ダイオード層に損壊を与えることを免れることができ、例えば、サブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁と仕切られている。そのほか、このような設計を通じて、フォトマスクの縁に凝結した顆粒によって引き起こされる損壊を免れることもできる。
【００６０】
絶縁媒質層５０の厚さが１〜５μmは好適である。こうすれば、後続の蒸着工程における陰影現象の発生を免れることができる。
【００６１】
図５に示すように、いくつかの実施方法において、当該方法はまた有機発光層を形成する前に、複数のサブピクセル間領域２０２の突起構造６０を含む突起層を形成し、それぞれの突起構造６０に基本的サブピクセル領域２０１が取り囲んでいる。それぞれの突起構造は絶縁媒質層５０との間隔w２に成形される。それぞれの突起構造６０のベース基板１０に対する相対的高さh１は絶縁媒質層５０のベース基板１０に対する相対的高さより小さい。
【００６２】
絶縁媒質層５０と突起層を形成した後に有機層１０２（有機発光層を含む）を形成する。オプションとして、有機層１０２を形成した後に第２電極１０３を形成する。
【００６３】
オプションとして、ピクセル定義層２０、絶縁媒質層５０、突起層は１つあるいは複数のフォトエッチングプロセスを通じて形成する。オプションとして、フォトエッチングプロセスは露出、現像およびエッチングステップ含む。
【００６４】
複数のサブピクセル領域２０１を取り囲む突起構造６０を含む突起層を通じて、フォトマスク３０が変形してかつ縁にしわができた場合、フォトマスクは複数突起構造６０に支えられることができるため、フォトマスク３０とサブピクセル領域２０１を取り囲むピクセル定義層２０の縁間のいかなる直接接触を免れることができる。そのほか、フォトマスク３０が絶縁媒質層５０に設置された場合、蒸着期間中において、複数の突起構造６０の存在はフォトマスク３０に蓄積した異物のサブピクセル領域２０１への落下を防ぐことができる。
【００６５】
いくつかの実施方法において、ピクセル定義層２０、絶縁媒質層５０および突起層は分けられたパターン化ステップに形成される。１つの実施例において、当該方法は第１次フォトエッチングプロセスで、ピクセル定義層２０のパターンに対応している第１フォトマスクを使ってピクセル定義層を形成することを含む。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使ってピクセル定義層２０を形成する。もう一つの実施例において、まずベース基板１０に第１電極１０１を形成し、それからベース基板１０に有機絶縁材料層を形成し、有機絶縁材料層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第１フォトマスクを使ってフォトレジストに対する露出、現像を行ってピクセル定義層２０に対応している第１領域のフォトレジストパターンおよび第１領域以外の第２領域を取得し、第２領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の有機絶縁材料層を暴露させ、そして第２領域の有機絶縁材料を取り除くことによって、ピクセル定義層２０を形成する。
【００６６】
次には、当該方法は，第２次フォトエッチングプロセスにおいて、絶縁媒質層５０のパターンに対応している第２フォトマスクを使って絶縁媒質層５０を形成することをさらに含む。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使って絶縁媒質層５０を形成する。オプションとして、無機材料（酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2））を使って絶縁媒質層５０を形成する。もう一つの実施例において、前もってピクセル定義層２０を形成したベース基板１０に絶縁媒質層を形成し、絶縁媒質層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第２フォトマスクを使ってフォトレジストに対する露出、現像を行って絶縁媒質層の第３領域に対応しているフォトレジストパターンおよび第３領域以外の第４領域を取得し、第４領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の絶縁媒質層を暴露させ、そして第４領域の絶縁媒質材料を取り除くことによって、絶縁媒質層５０を形成する。
【００６７】
引き続いて、当該方法は、第３次フォトエッチングプロセスにおいて、突起層のパターンに対応している第３フォトマスクを使って突起層を形成することをさらに含む。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使って突起層６０を形成する。オプションとして、無機材料（例えば、酸化アルミニウム（Ａl２O３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２））を使って突起層を形成する。もう一つの実施例において、前もってピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０を形成したベース基板に突起層を形成し、絶縁媒質層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第３フォトマスクを使ってフォトレジスト層に対する露出、現像を行って突起層の第５領域に対応しているフォトレジストパターンおよび第５領域以外の第６領域を取得し、第６領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の絶縁媒質層を暴露させ、そして第６領域の絶縁媒質材料を取り除くことによって、突起層５０を形成する。
【００６８】
いくつかの実施方法において、絶縁媒質層５０と突起層は同じフォトマスクと同じ材料を使って一次工程で形成するが、ピクセル定義層２０は単独のパターン化ステップで形成する。１つの実施例において、当該方法は第１次フォトエッチングプロセスで、ピクセル定義層２０のパターンに対応している第１フォトマスクを使ってピクセル定義層を形成する。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使ってピクセル定義層２０を形成する。もう一つの実施例において、まずベース基板１０に第１電極１０１を形成し、それからベース基板１０に有機絶縁材料層を形成し、有機絶縁材料層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第１フォトマスクを使ってフォトレジストに対する露出、現像を行ってピクセル定義層２０の第１領域に対応しているフォトレジストパターンおよび第１領域以外の第２領域を取得し、第２領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の有機絶縁材料層を暴露させ、そして第２領域の有機絶縁材料を取り除くことによって、ピクセル定義層２０を形成する。
【００６９】
引き続いて、当該方法は、一次フォトエッチングプロセスで第１階調あるいはグレイスケールフォトマスクを使って絶縁媒質層５０と突起層を形成することをさらに含む。図８Ａ〜図８Ｄに本発明のいくつかの実施方法に基づく絶縁媒質層と突起層を形成する過程を示した。図８Ａに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は前もって形成したピクセル定義層２０と第１電極１０１のベース基板１０に第１絶縁媒質材料層５１を形成し、第１絶縁媒質材料層５１のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層８０を形成し、第１階調あるいはグレイスケールフォトマスクを使ってフォトレジスト層８０に対する露出、現像を行って図８Ｂに示したフォトレジストパターンを取得することを含む。当該フォトレジストパターンは未形成の絶縁媒質層５０に対応している第１領域８０１、未形成の突起層に対応している第２領域８０２および第１領域８０１と第２領域８０２以外の第３領域８０３を有しており、第１領域８０１は基本的に未露出で、第２領域は部分的に露出され、第３領域８０３はすべて露出されており、かつ第３領域８０３でフォトレジスト材料を取り除く。図８Ｃに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は、（例えば、エッチング）第３領域８０３の第１絶縁媒質材料層５１を取り除くことをさらに含む。図８Ｄに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は、（例えば、アッシング）第２領域８０２のフォトレジスト層の第１領域８０１に同時に保留したフォトレジスト層を取り除くことによって、第２領域８０２で第１絶縁媒質材料層５１を露出させ、かつ部分的に第２領域８０２の第１絶縁媒質材料層５１を取り除くことによって、突起層を形成することを含む。オプションとして、当該方法は、前記第１領域８０１のフォトレジスト層を取り除くことをさらに含む。
【００７０】
オプションとして、第１絶縁媒質材料は有機材料である。オプションとして、第１絶縁媒質材料は無機材料である。
【００７１】
オプションとして、第１絶縁媒質材料は有機フォトレジスト材料である。オプションとして、第１絶縁媒質材料は有機感光材料である。オプションとして、第１絶縁媒質材料層５１の材料が有機感光材料である場合、フォトレジスト層８０を形成する必要がない。この場合、当該方法はまた第１階調あるいはグレイスケールフォトマスクを用いて第１絶縁媒質材料層５１を露出させてフォトレジストパターンを取得することを含む。
【００７２】
いくつかの実施方法において、ピクセル定義層２０と突起層は同じフォトマスクと同じ材料を使って一次工程で形成するが、絶縁媒質層５０は単独のパターン化ステップで形成する。図９Ａ〜図９Ｄは本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層と突起層の形成過程を示す。図９Ａに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は前もって形成した第１電極１０１のベース基板１０に第２絶縁媒質材料層５２を形成し、第２絶縁媒質材料層５２のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層８０を形成し、第１階調あるいはグレイスケールフォトマスク９１を用いてフォトレジスト層８０を露出、現像して図９Ｂに示したフォトレジストパターンを取得することを含む。当該フォトレジストパターンは突起層に対応している第１領域８０１、第１領域８０１以外のピクセル定義層に対応している第２領域８０２および第１領域８０１と第２領域８０２以外の第３領域８０３を有しており、かつ第１領域８０１は基本的に未露出で、第２領域は部分的に露出され、第３領域８０３はすべて露出されており、かつ第３領域８０３でフォトレジスト材料を取り除く。図９Ｄに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法はまた（例えば、アッシング）第２領域８０２のフォトレジスト層の第１領域８０１に同時に保留したフォトレジスト層を取り除くことによって、第２領域８０２で第２絶縁媒質材料層５２を露出させ、かつ部分的に第２領域８０２の第２絶縁媒質材料層５２を取り除くことによって、突起層を形成することを含む。オプションとして、当該方法はまた第１領域８０１のフォトレジスト層を取り除くことを含む。
【００７３】
オプションとして、第２絶縁媒質材料は有機材料である。オプションとして、第２絶縁媒質材料は無機材料である。
【００７４】
オプションとして、第２絶縁媒質材料は有機感光材料である。オプションとして、第２絶縁媒質材料５２が有機感光材料である場合、フォトレジスト層８０を形成する必要がない。この場合、当該方法はまた第１階調あるいはグレイスケールフォトマスクを用いて第２絶縁媒質材料層５２を露出させてフォトレジストパターンを取得することを含む。
【００７５】
次には、当該方法は、第２次フォトエッチングプロセスにおいて、絶縁媒質層５０のパターンに対応している第２フォトマスクを使って絶縁媒質層５０を形成することをさらに含む。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使って絶縁媒質層５０を形成する。オプションとして、無機材料（例えば、酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2））を使って絶縁媒質層５０を形成する。もう一つの実施例において、前述したように、前もってピクセル定義層２０と突起層を形成したベース基板１０に絶縁媒質層を形成し、絶縁媒質層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第２フォトマスクを使ってフォトレジストに対する露出、現像を行って絶縁媒質層に対応している第１領域のフォトレジストパターンおよび第１領域以外の第２領域を取得し、第２領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の絶縁媒質層を暴露させ、そして第２領域の絶縁媒質材料を取り除くことによって、絶縁媒質層５０を形成する。
【００７６】
いくつかの実施方法において、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０は同じフォトマスクと同じ材料を使って一次工程で形成するが、突起層は単独のパターン化ステップで形成する。１つの実施例において、当該方法は前もって形成した第１電極１０１のベース基板１０に第３絶縁媒質材料層を形成し、第３絶縁媒質材料層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第３階調あるいはグレイスケールフォトマスクを使ってフォトレジストに対する露出、現像を行ってフォトレジストパターンを取得することを含む。当該フォトレジストパターンは絶縁媒質層５０に対応している第１領域、第１領域以外のピクセル定義層に対応している第２領域、および第１領域と第２領域以外の第３領域を有しており、かつ第１領域は基本的に未露出で、第２領域は部分的に露出され、第３領域はすべて露出されており、かつ第３領域でフォトレジスト材料を取り除く。オプションとして、当該方法はまた（例えば、エッチング）第３領域の第３絶縁媒質材料層を取り除くことを含む。オプションとして、当該方法は、（例えば、アッシング）第２領域のフォトレジスト層の第１領域に同時に保留したフォトレジスト層を取り除くことによって、第２領域で第３絶縁媒質材料層を露出させ、かつ部分的に第２領域の第３絶縁媒質材料層を取り除くことによって、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０を形成することをさらに含む。オプションとして、当該方法はまた前記第１領域のフォトレジスト層を取り除くことを含む。
【００７７】
引き続いて、当該方法はまた第３次フォトエッチングプロセスにおいて、突起層のパターンに対応している第３フォトマスクを使って突起層を形成することを含む。オプションとして、有機材料（例えば、ポリイミドとフェノール樹脂）を使って突起層６０を形成する。オプションとして、無機材料（例えば、酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2））を使って突起層を形成する。１つの実施例において、前もってピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０を形成したベース基板に突起層を形成し、絶縁媒質層のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層を形成し、第３フォトマスクを使ってフォトレジスト層に対する露出、現像を行って突起層の第１領域に対応しているフォトレジストパターンおよび第１領域以外の第２領域を取得し、第２領域でフォトレジスト材料を取り除いて、下の絶縁媒質層を暴露させ、そして第２領域の絶縁媒質材料を取り除くことによって、突起層を形成する。
【００７８】
いくつかの実施方法において、ピクセル定義層２０、絶縁媒質層５０と突起層は同じフォトマスクと同じ材料を使って一次工程で形成する。図１０Ａ〜図１０Ｅは本発明のいくつかの実施方法に基づくピクセル定義層、絶縁媒質層と突起層の形成過程を示す。図１０Ａに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は前もって形成した第１電極１０１のベース基板１０に第４絶縁媒質材料層５４を形成し、第４絶縁媒質材料層５４のベース基板１０に遠く離れている片側にフォトレジスト層８０を形成し、第４階調あるいはグレイスケールフォトマスク９４を用いてフォトレジスト層８０に対する露出し、現像を行って図１０Ｂに示したフォトレジストパターンを取得することを含む。当該フォトレジストパターンは絶縁媒質層５０に対応している第１領域８０１、突起層に対応している第２領域８０３、第１領域８０１と第２領域８０３以外のピクセル定義層２０に対応している第３領域８０４、および第１領域８０１、第２領域８０３と第３領域８０４以外の第４領域８０５を有している。第１領域８０１は基本的に未露出で、第２領域８０３は第１部分的に露出した領域、第３領域８０４は第２部分的に露出した領域、第４領域８０５はすべて露出されている。第４領域８０５でフォトレジスト層を取り除く。第２領域８０３は第３領域８０４よりさらに厚い厚さを有している。図１０Ｃに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は（例えば、エッチング）第４部分８０５の第４絶縁媒質材料層５４を取り除くことを含む。図１０Ｄに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は、（例えば、アッシング）第３領域８４のフォトレジスト層の第１領域８０１と第２領域８０３に同時に保留したフォトレジスト層を取り除くことによって、第３領域８０４で第４絶縁媒質層５４を露出させ、かつ第３領域８０４で第４絶縁媒質層５４を取り除くことによって、ピクセル定義層２０と絶縁媒質層５０を形成することをさらに含む。図１０Ｅに示すように、いくつかの実施方法において、当該方法は（例えば、アッシング）第２領域８０３のフォトレジスト層の第１領域８０１に同時に保留したフォトレジスト層を取り除くことによって、第２領域８０３に第４絶縁媒質層５４を露出させることを含む。ここで、部分的に第２領域８０３の第４絶縁媒質層を取り除くことによって、突起層を形成する。オプションとして、当該方法はまた第１領域８０１のフォトレジスト層を取り除くことを含む。
【００７９】
オプションとして、第４絶縁媒質材料は有機材料である。オプションとして、第４絶縁媒質材料は無機材料である。
【００８０】
オプションとして、第４絶縁媒質材料は有機感光材料である。オプションとして、第４絶縁媒質材料が有機感光材料である場合、フォトレジスト層８０が要らない。この場合、当該方法はまた階調あるいはグレイスケールフォトマスクを使って第４絶縁媒質材料層５４を露出してフォトレジストパターンを取得することを含む。
【００８１】
いくつかの実施方法において、当該方法は、第１電極１０１のベース基板１０に遠く離れている片側に有機層１０２を形成し、かつ有機層１０２の第１電極１０１に遠く離れている片側に第２電極１０３を形成することをさらに含む。オプションとして、有機層１０２は蒸着過程で形成する。オプションとして、第２電極１０３は蒸着過程で形成する。オプションとして、有機層１０２のステップは有機発光層を形成することを含む。
【００８２】
いくつかの実施方法において、当該方法はまた薄膜トランジスター７０を形成することを含む。オプションとして、薄膜トランジスター７０はピクセル定義層２０とベース基板１０間に形成される。オプションとして、薄膜トランジスター７０は薄膜トランジスター７０のドレインを第１電極１０１（例えば、有機発光ダイオードの陽極）に接続させるために形成される。
【００８３】
説明と描述の目的から、すでに前記実施方法に対する描述を提供した。これは本発明の精確な形式あるいは公開した例示性実施方法を網羅あるいは制限するものではない。そのため、前記説明は説明性のものであって規定性のものでないことを理解すべきである。当然なことながら、当該領域の技術者にとって、多くの改正と変形は簡易にできるものである。選択と描述した実施方法は本発明の原理と最適モデルの実際応用を釈明することによって、当該領域の技術者に本発明の各種実施方法への応用および特定の使用あるいは実現に適した種々の修正を理解してもらうためのものである。付加した権利請求および等価物を通じて本発明の範囲を制限し、そのうち特別の説明がない限り、あらゆる用語はすべて最広範の合理的な意味合で表示している。そのため、専門用語の“発明”、“本発明”あるいは類似の権利請求範囲は必ずしも特定の実施方法に規定するものではなく、かつ本発明の例示的実施方法の引用は本発明を制限する意味がなく、かつこのような制限を推断することもできない。本発明は付加の権利請求の精髄と範囲にのみ規定される。そのほか、これらの権利請求は“第１”、“第２”などを使って名称あるいは部品の後に付随したものを指す可能性がある。このような用語は用語とすべきで、かつ具体的な数量を提供しない限り、このような用語によって修飾された部品の数量的制限と解釈すべきではない。描述したいかなる長所と利点は本発明のすべての実施方法に適しているわけではないかもしれない。本発明の権利請求に規定された本発明の範囲を離脱しない限り、当該領域の技術者は描述した実施方法に対する修正を行うことができるが理解されたい。そのほか、本発明の権利請求に当該部品あるいはモジュールを明白に記載しているかどうかに関わらず、本発明の部品あるいはモジュールは公衆に献上するものではない。
【図１】
0006980645.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006980645.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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