(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流線路に挿入され、定常時は閉である遮断部と、
前記遮断部に並列に接続され、互いに直列に接続されているコンデンサ、リアクトルおよび定常時は開である第１のスイッチを有する共振回路と、
前記コンデンサの充電電圧を検出する電圧検出回路と、
接地された充電用抵抗と第２のスイッチとが直列接続され、前記コンデンサを前記直流線路の直流電位で充電する充電回路と、
事故発生時に、前記第１のスイッチを閉にし、前記直流線路に流れる直流電流に前記共振回路により生じる共振電流を重畳して電流零点を形成し、前記遮断部を開として前記直流電流を遮断する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、前記第２のスイッチを閉にして前記コンデンサを充電し、この後、検出された前記充電電圧が第１の電圧値より大きくなると、前記第２のスイッチを開とし、検出された前記充電電圧が前記第１の電圧値より小さな第２の電圧値より小さくなると前記第２のスイッチを閉とする
ことを特徴とする直流遮断器。
【請求項２】
前記第１の電圧値は、定格電圧であることを特徴とする請求項１に記載の直流遮断器。
【請求項３】
複数の直流遮断器が直列接続される直流遮断器システムであって、
各直流遮断器は、
直流線路に挿入され、定常時は閉である遮断部と、
前記遮断部に並列に接続され、互いに直列に接続されているコンデンサ、リアクトルおよび定常時は開である第１のスイッチを有する共振回路と、
前記コンデンサの充電電圧を検出する電圧検出回路と、
抵抗値を可変できる接地された充電用可変抵抗と第２のスイッチとが直列接続され、前記コンデンサを前記直流線路の直流電位で充電する充電回路と、
事故発生時に、前記第１のスイッチを閉にし、前記直流線路に流れる直流電流に前記共振回路により生じる共振電流を重畳して電流零点を形成し、前記遮断部を開として前記直流電流を遮断する制御回路と、
をそれぞれ備え、
前記制御回路は、前記第２のスイッチを閉にして前記コンデンサを充電し、この後、検出された前記充電電圧が第３の電圧値になると、前記充電用可変抵抗の抵抗値を定常時の抵抗値である第１の抵抗値より大きな第２の抵抗値に変え、この後、検出された前記充電電圧が前記第３の電圧値より大きな第４の電圧値より大きくなると、前記第２のスイッチを開とする
ことを特徴とする直流遮断器システム。
【請求項４】
前記第４の電圧値は、前記各直流遮断器の定格電圧であることを特徴とする請求項３に記載の直流遮断器システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、強制消弧方式の直流遮断器および直流遮断器システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
直流遮断器を多端子高電圧直流（High  Voltage  Direct  Current：ＨＶＤＣ）送電に適用する場合、系統にて直流事故が発生すると一定時間内に直流電流を遮断することが要求される。多端子ＨＶＤＣ系統において、直流系統電圧が交流側系統と直流側系統とを結ぶコンバータの運転可能電圧の閾値を下回ると、コンバータ自体が運転を停止し、系統崩壊を引き起こす。したがって、地絡故障または短絡故障が発生した場合においても、多端子ＨＶＤＣ送電の系統の運用を維持するためには、事故発生後、直流遮断器によって速やかに事故電流を遮断し、直流系統電圧が閾値以下に低下することを防ぐ必要がある。【０００３】
強制消弧方式の直流遮断器では、コンデンサおよびリアクトルを有する共振回路を備え、コンデンサの放電によって生じた共振電流を直流電流に重畳して電流零点を形成し、電流零点において直流電流を遮断する消弧が行われる。特許文献１では、共振回路のコンデンサとリアクトルとの間に充電用抵抗と充電用開閉部が対地に接続されており、充電用開閉部が閉じたときに、コンデンサが充電用抵抗を介して系統電圧に充電される。系統にて事故が発生すると、充電用開閉部を開制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１６４８７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、定常時は充電用抵抗が常に対地に接続されているため、充電抵抗を介してコンデンサの電荷が放電される。コンデンサは、系統電圧との電位差により充電されるため、充放電を繰り返すことになる。特許文献１では、コンデンサの充放電が常に起きるため、充電用抵抗の電力容量が大きくなり、結果的に充電用抵抗が大型化する。【０００６】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、充電用抵抗の小型化が実現できる直流遮断器および直流遮断器システムを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示の直流遮断器は、直流線路に挿入され、定常時は閉である遮断部と、遮断部に並列に接続され、互いに直列に接続されているコンデンサ、リアクトルおよび定常時は開である第１のスイッチを有する共振回路と、コンデンサの充電電圧を検出する電圧検出回路と、接地された充電用抵抗と第２のスイッチとが直列接続され、コンデンサを直流線路の直流電位で充電する充電回路と、事故発生時に、第１のスイッチを閉にし、直流線路に流れる直流電流に共振回路により生じる共振電流を重畳して電流零点を形成し、遮断部を開として直流電流を遮断する制御回路と、を備える。制御回路は、第２のスイッチを閉にしてコンデンサを充電し、この後、検出された充電電圧が第１の電圧値より大きくなると、第２のスイッチを開とし、検出された充電電圧が第１の電圧値より小さな第２の電圧値より小さくなると第２のスイッチを閉とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の直流遮断器によれば、充電用抵抗の小型化が実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１にかかる直流遮断器の構成を示す図
【図２】実施の形態１にかかる直流遮断器の動作を説明するためのタイムチャート
【図３】実施の形態１における制御回路の充電動作を示すフローチャート
【図４】実施の形態１における直流遮断器のコンデンサの充電電圧の経時変化を示すタイムチャート
【図５】実施の形態２にかかる直流遮断器システムの構成を示す図
【図６】実施の形態２にかかる直流遮断器の構成を示す図
【図７】実施の形態２にかかる直流遮断器のコンデンサの充電状態を示すタイムチャート
【図８】実施の形態２における直流遮断器のコンデンサの充電電流の遮断を説明するためのタイムチャート
【図９】実施の形態２における制御回路の充電動作を示すフローチャート
【図１０】実施の形態１または２にかかる直流遮断器が有する制御回路のハードウェア構成の例を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態にかかる直流遮断器および直流遮断器システムを図面に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる直流遮断器１の構成を示す図である。実施の形態１にかかる直流遮断器１は、強制消弧方式の機械式の直流遮断器（Direct  Current  Circuit  Breaker：ＤＣＣＢ）である。直流遮断器１は、電力系統の直流線路２に設けられている。直流遮断器１の直流線路２の図示左側は、交流電力を直流電力に変換する電力系統のコンバータ（図示せず）に接続されている。
【００１２】
実施の形態１において、電力系統は、多端子ＨＶＤＣ送電を行う電力系統である。直流遮断器１は、直流線路２における短絡あるいは地絡といった事故の発生時に直流電流を遮断することによって、電力系統を保護する。直流遮断器１は、直流線路２を流れる直流電流に振動電流である共振電流を重畳させることによって形成された電流零点において、直流電流を遮断する。
【００１３】
直流遮断器１は、直流線路２に設けられている遮断部３と、共振回路４と、避雷器８と、充電回路９と、電圧検出回路１２と、直流遮断器１の全体を制御する制御回路２０とを有する。共振回路４は、コンデンサ５、第１のスイッチとしての投入スイッチ６、およびリアクトル７を有する。避雷器８は、ＤＣＣＢの耐電圧仕様に基づいた電圧レベルまでに過電圧を抑制する。充電回路９は、コンデンサ５を直流線路２の直流電位で充電する回路であり、第２のスイッチとしての充電スイッチ１０および充電用抵抗１１を有する。充電用抵抗１１は接地され、充電スイッチ１０と充電用抵抗１１とは直列接続されている。
【００１４】
電圧検出回路１２は、コンデンサ５の充電電圧Ｖｃを検出する。電圧検出回路１２は、例えば、抵抗Ｚ１および抵抗Ｚ２を有する分圧回路によって構成されている。抵抗Ｚ１および抵抗Ｚ２は、直列に接続されており、抵抗Ｚ１の一端がコンデンサ５と投入スイッチ６との接続点に接続され、抵抗Ｚ２の一端は接地されている。コンデンサ５と、投入スイッチ６と、リアクトル７とは、互いに直列に接続されている。コンデンサ５と、投入スイッチ６と、リアクトル７とは、遮断部３と並列に接続されている。避雷器８は、コンデンサ５および投入スイッチ６と並列に接続されている。
【００１５】
遮断部３は、直流線路２に挿入され、定常時は閉である。遮断部３は、共振電流と直流電流とが互いに打ち消し合うことによって形成される電流零点において、直流電流を遮断する。すなわち、遮断部３は、強制消弧方式によって直流電流を遮断する。遮断部３は、電流の高速な遮断が可能な遮断器であって、例えば真空遮断器（Vacuum  Circuit  Breaker：ＶＣＢ）である。コンデンサ５とリアクトル７とは、コンデンサ５の放電により共振電流を生成する。投入スイッチ６は、電流零点の形成のための投入を行うスイッチである。
【００１６】
図２は、実施の形態１にかかる直流遮断器１の動作を説明するためのタイムチャートである。図２の上図は事故発生時の遮断部３の電流Ｉｅの波形を示し、図２の下図は事故発生時の遮断部３の電圧Ｖｅの波形を示している。図２の上図の破線は、共振電流の波形を示している。電力系統が定常状態である定常時において、遮断部３は閉状態とされ、かつ、投入スイッチ６は開状態とされている。コンデンサ５は、充電回路９によって充電されている。充電動作は、後述する。電力系統において事故が発生すると（時刻ｔ１）、図２の上図に示すように、定常時の電流よりも大きい事故電流が直流線路２に流れることによって、電流Ｉｅは急激に増加する。直流系統における通電電流は交流系統と異なり、電流が周期的に電流零点を形成しないため、何らかの方法で電流零点を形成して遮断する必要がある。
【００１７】
電力系統での事故発生時には、制御回路２０は投入スイッチ６を閉にする。投入スイッチ６が閉となることによって、投入スイッチ６、コンデンサ５、リアクトル７および遮断部３を含むループにコンデンサ５からの電荷が放出される。コンデンサ５から電荷が放出されることによって、コンデンサ５からリアクトル７と遮断部３と投入スイッチ６とを通過する共振電流が流れる。これにより、直流遮断器１は、遮断部３において、事故電流である直流電流の向きとは逆向きの振動電流を事故電流に重畳させる（時刻ｔ２）。事故電流への振動電流の重畳によって電流零点が形成される（時刻ｔ３）。電流零点が形成されたタイミングで、制御回路２０は遮断部３を開とし、電流遮断する。このようにして、遮断部３におけるアークの消弧、すなわち電流遮断が完了する。
【００１８】
事故電流へ重畳する共振電流Ｉｇの波高値は式（１）によって計算することができる。
Ｉｇ＝√（Ｃｐ／Ｌｐ）×Ｖｃ          …（１）
ここで、Ｃｐはコンデンサ５の静電容量、Ｌｐはリアクトル７のリアクタンス、Ｖｃはコンデンサ５の充電電圧である。ＬＣ共振電流の波高値が、遮断する電流値よりも大きくなるように、式（１）の各パラメータを調整する。
【００１９】
強制的に事故電流を遮断することによって、系統には、電磁エネルギーが残留する。避雷器８は、ある電圧値にまで電圧Ｖｅが上昇した時刻ｔ４からエネルギーの処理を開始する。時刻ｔ４から時刻ｔ５において避雷器８がエネルギーを処理することによって、避雷器８は、電圧Ｖｅの上昇を抑制させる。このように、避雷器８は、遮断部３によるアークの消弧後に電力系統に残留するエネルギーを処理する。
【００２０】
つぎに、コンデンサ５の充電の手法に関して説明する。コンデンサ５の充電電圧Ｖｃは、電圧検出回路１２で検出される。電圧検出回路１２は、検出された充電電圧Ｖｃを制御回路２０へ出力する。電圧検出回路１２は、抵抗Ｚ１および抵抗Ｚ２を有する分圧回路によって構成されている。電圧検出回路１２は、抵抗Ｚ２の分圧電圧を検出して、制御回路２０に入力する。制御回路２０は、抵抗Ｚ２の分圧電圧と、抵抗Ｚ１および抵抗Ｚ２の各抵抗値とに基づいてコンデンサ５の充電電圧Ｖｃを求める。電圧検出回路１２は、分圧回路以外の手法で充電電圧Ｖｃを検出してもよい。
【００２１】
図３は、制御回路２０の充電動作を示すフローチャートである。図４は、コンデンサ５の充電電圧Ｖｃの経時変化を示すタイムチャートである。直流遮断器１の動作が開始されると、制御回路２０は、充電スイッチ１０を閉とする（ステップＳ１００）。これにより、コンデンサ５は、図１に矢印Ｆで示す充電経路で充電され、充電電圧Ｖｃが上昇する（ステップＳ１０５）。制御回路２０は、電圧検出回路１２の検出値から得た充電電圧Ｖｃをモニタしている。制御回路２０は、コンデンサ５の充電が完了すると、別言すれば充電電圧Ｖｃが第１の電圧値Ｖｕに達すると（ステップＳ１１０：Ｙｅｓ）、制御回路２０は充電スイッチ１０を開にする（ステップＳ１２０）。これにより、常に接地されている充電用抵抗１１を介してコンデンサ５が放電されることを防ぐ。充電スイッチ１０は、電流遮断できる開閉器である。第１の電圧値Ｖｕは、例えば、直流遮断器１を構成するモジュールの定格電圧であり、充電電圧制御の上限値として機能する。
【００２２】
しかし、充電スイッチ１０が開となった場合においても、回路に内在する浮遊インピーダンス（充電スイッチ１０の浮遊静電容量などを含む）の影響により、コンデンサ５の電荷は自然放電する。コンデンサ５の充電電圧Ｖｃがある電圧値より低下すると、遮断電流によっては、式（１）で求まる共振電流の波高値が遮断電流よりも小さくなるため、電流零点を形成できなくなり、電流遮断の不能が起きる可能性がある。そこで、制御回路２０は、充電電圧Ｖｃが第２の電圧値Ｖｄより小さくなると（ステップＳ１３０：Ｙｅｓ）、充電スイッチ１０を閉にする（ステップＳ１４０）。第２の電圧値Ｖｄは、第１の電圧値Ｖｕより若干値αだけ小さい値であり、充電電圧制御の下限値として機能する。
【００２３】
充電スイッチ１０が閉にされると、コンデンサ５は、再充電され、充電電圧Ｖｃが再上昇する（ステップＳ１０５）。直流遮断器１の動作が終了するまで、ステップＳ１０５〜ステップＳ１４０の動作が繰り返される。制御回路２０は、このような制御によって、充電電圧Ｖｃを第２の電圧値Ｖｄから第１の電圧値Ｖｕまでの範囲内に収める。
【００２４】
直流遮断器１を構成するモジュールの定格電圧が８０ｋＶであるとすると、例えば、第１の電圧値Ｖｕは８０ｋＶに設定され、第２の電圧値Ｖｄは、８０ｋＶより若干値αだけ小さい値とする。
【００２５】
図４では、時刻ｔ０からｔ１までの期間は、コンデンサ５の充電が完了した後の浮遊インピーダンスによる自然放電期間を示している。この自然放電期間には、充電スイッチ１０は開となっている。時刻ｔ１において、充電電圧Ｖｃが第２の電圧値Ｖｄより小さくなると、充電スイッチ１０が閉にされる。これにより、コンデンサ５は再充電され、充電電圧Ｖｃが再上昇する。時刻ｔ２において、充電電圧Ｖｃが第１の電圧値Ｖｕより大きくなると、充電スイッチ１０が開にされる。これにより、充電用抵抗１１を介してコンデンサ５が放電されることを防ぐ。
【００２６】
このように実施の形態１では、充電電圧Ｖｃが第１の電圧値Ｖｕより大きくなると、充電スイッチ１０が開にされ、充電電圧Ｖｃが第２の電圧値Ｖｄより小さくなると、充電スイッチ１０が閉にされるので、充電電圧Ｖｃを第２の電圧値Ｖｄから第１の電圧値Ｖｕまでの範囲内に収めることができる。これにより充電用抵抗１１の小型化が実現できる。
【００２７】
実施の形態２．
図５は、実施の形態２にかかる直流遮断器システム３０の構成を示す図である。実施の形態２にかかる直流遮断器システム３０は、複数の直流遮断器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが直列に接続されて構成されている。図６は、実施の形態２にかかる直流遮断器１ａの構成を示す図である。他の直流遮断器１ｂ，１ｃ，１ｄも、直流遮断器１ａと同じ構成を有している。
【００２８】
図５において、直流線路２の図示左側は、交流系統を直流系統に変換するコンバータ（図示せず）に接続されている。直流遮断器システム３０では、定格８０ｋＶの直流遮断器１ａ〜１ｄを４つ直列接続することで、３２０ｋＶの電力系統に適用することができる。すなわち、コンバータ（図示せず）からは、３２０ｋＶの直流電力が直流線路２に供給される。
【００２９】
図６に示すように、各直流遮断器１ａは、遮断部３と、コンデンサ５、投入スイッチ６、およびリアクトル７を有する共振回路４と、避雷器８と、充電スイッチ１０および充電用可変抵抗１５を有する充電回路９と、電圧検出回路１２と、制御回路２５とを有する。図６に示す直流遮断器１ａでは、図１の充電用抵抗１１が充電用可変抵抗１５に置換され、図１の制御回路２０が制御回路２５に置換されている。その他の構成要素の動作、機能は、図１に示したものと同様であり、重複する説明は省略する。充電用可変抵抗１５は、制御回路２５の制御によって抵抗値を可変する。その詳細は、後述する。
【００３０】
定格８０ｋＶの直流遮断器１ａ〜１ｄが複数個、直列接続された直流遮断器システム３０を３２０ｋＶの電力系統に適用し、系統電力によって各直流遮断器１ａ〜１ｄの各コンデンサ５を充電する場合、各コンデンサ５の定格電圧は８０ｋＶであるため、３２０ｋＶの系統電圧まで各コンデンサ５を充電すると過充電となり、各コンデンサ５が故障する。そこで、実施の形態２では、各コンデンサ５の充電電圧Ｖｃが定格電圧である８０ｋＶまで充電されると、充電スイッチ１０を閉から開にして、充電スイッチ１０を流れる充電電流Ｉｃを遮断することで充電を止める。充電スイッチ１０は、電流遮断できる開閉器である。
【００３１】
図７は、直流遮断器１ａ〜１ｄのコンデンサ５の充電状態を示すタイムチャートである。図７の縦軸は充電電圧Ｖｃである。コンデンサ５の充電状態は実線で示されている。充電スイッチ１０が閉となることにより、コンデンサ５は充電され、充電電圧Ｖｃが上昇する。充電電圧Ｖｃが定格電圧である第４の電圧値Ｖｕに達すると、充電スイッチ１０が開にされて、充電が止められる。これにより、破線で示されるように、コンデンサ５が系統電圧３２０ｋＶまで過充電されることが防止される。
【００３２】
各直流遮断器１ａ〜１ｄのコンデンサ５が規定の定格電圧である第４の電圧値Ｖｕに到達すると、充電スイッチ１０が充電電流Ｉｃを遮断することで、充電を止めることができる。この時、充電スイッチ１０は、図８に示すように、充電電流Ｉｃが零点に到達する前に遮断する必要がある。図８は、実施の形態２における直流遮断器のコンデンサの充電電流の遮断を説明するためのタイムチャートである。図８では、充電電圧Ｖｃと充電電流Ｉｃとの関係を示しており、充電電圧Ｖｃが定格電圧である８０ｋＶに達する時刻ｔ１では、充電電流はまだ大きな電流値状態である。しかし、充電電流Ｉｃが大きいと、充電スイッチ１０での電流遮断が難しくなる可能性がある。そこで、実施の形態２では、充電用可変抵抗１５の抵抗値を充電完了前に大きくすることで、充電スイッチ１０が充電電流Ｉｃを効果的に遮断できるレベルまで充電電流Ｉｃを小さくする。具体的には、充電電圧Ｖｃが、８０ｋＶの定格電圧である第４の電圧値Ｖｕより若干小さな値である第３の電圧値Ｖ１に達すると、充電用可変抵抗１５の抵抗値が定常時の抵抗値である第１の抵抗値より大きな第２の抵抗値に変えられる。これにより、充電スイッチ１０の電流遮断を容易にすることができる。
【００３３】
以下、図９に従って実施の形態２の各直流遮断器１ａ〜１ｄの制御回路２５の動作について説明する。図９は、実施の形態２の制御回路２５の充電動作を示すフローチャートである。ここでは、直流遮断器１ａの制御回路２５の動作について説明するが、他の直流遮断器１ｂ，１ｃ，１ｄの制御回路２５も同様に動作する。直流遮断器１ａの動作が開始されると、制御回路２５は、充電スイッチ１０を閉とする（ステップＳ２００）。これにより、コンデンサ５は、図５および図６に矢印Ｆで示す充電経路で充電され、充電電圧Ｖｃが上昇する（ステップＳ２０５）。
【００３４】
制御回路２５は、電圧検出回路１２の検出値から得た充電電圧Ｖｃをモニタしている。制御回路２５は、充電電圧Ｖｃが、第３の電圧値Ｖ１に達すると（ステップＳ２１０：Ｙｅｓ）、充電用可変抵抗１５の抵抗値を定常時の抵抗値である第１の抵抗値から、第１の抵抗値より大きな第２の抵抗値に変える（ステップＳ２２０）。これにより、充電スイッチ１０を流れる充電電流Ｉｃは、小さくなる。この後、コンデンサ５の充電が完了すると、別言すれば充電電圧Ｖｃが第４の電圧値Ｖｕに達すると（ステップＳ２３０：Ｙｅｓ）、制御回路２５は、充電スイッチ１０を開にする（ステップＳ２４０）。充電スイッチ１０が開にされるときには、充電用可変抵抗１５によって充電電流Ｉｃは、充電スイッチ１０が充電電流Ｉｃを容易に遮断できるレベルまで小さくなっている。これ以降、充電スイッチ１０が開になるので、接地されている充電用可変抵抗１５を介してコンデンサ５が放電されることが防止される。
【００３５】
この後、制御回路２５は、実施の形態１で説明したように、充電電圧Ｖｃが第２の電圧値Ｖｄより小さくなると、充電スイッチ１０が閉にし、充電電圧Ｖｃが第１の電圧値Ｖｕより大きくなると、充電スイッチ１０を開にする制御を実行する。したがって、充電電圧Ｖｃを第２の電圧値Ｖｄと第１の電圧値Ｖｕとの間の範囲内に収めることができる。
【００３６】
このように実施の形態２では、複数の直流遮断器１ａ〜１ｄが直列接続される直流遮断器システム３０において、コンデンサ５の充電が完了する前に、充電用可変抵抗１５の抵抗値が定常時の抵抗値である第１の抵抗値より大きな第２の抵抗値に変えられるので、充電スイッチ１０の電流遮断を容易にすることができる。また、複数の直流遮断器１ａ〜１ｄが直列接続される直流遮断器システム３０において、各直流遮断器１ａ〜１ｄは、各直流遮断器１ａ〜１ｄを構成するモジュールの定格電圧で、コンデンサ５に対する充電を停止しているので、コンデンサ５が系統電圧まで過充電されることが防止される。
【００３７】
図１０は、実施の形態１または２にかかる直流遮断器１，１ａ〜１ｄが有する制御回路２０，２５のハードウェア構成の例を示す図である。図１０には、プログラムを実行するハードウェアを用いることによって制御回路２０，２５の機能が実現される場合におけるハードウェア構成を示している。プロセッサ３１とメモリ３２とインタフェース３３とは、バスを介して相互に接続されている。
【００３８】
プロセッサ３１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、又はＤＳＰ（Digital  Signal  Processor）である。制御回路２０，２５の各機能は、プロセッサ３１と、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせによって実現される。ソフトウェアまたはファームウェアは、プログラムとして記述され、内蔵メモリであるメモリ３２に格納される。メモリ３２は、不揮発性もしくは揮発性の半導体メモリであって、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ（Erasable  Programmable  Read  Only  Memory）またはＥＥＰＲＯＭ（登録商標）（Electrically  Erasable  Programmable  Read  Only  Memory）である。
【００３９】
インタフェース３３は、信号の入力と信号の出力とを担う。インタフェース３３は、遮断部３、投入スイッチ６、および充電スイッチ１０の各々へ指令を出力する。インタフェース３３には、電圧検出回路１２の検出結果を示す信号が入力される。
【００４０】
以上の実施の形態に示した構成は、本開示の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本開示の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１，１ａ〜１ｄ  直流遮断器、２  直流線路、３  遮断部、４  共振回路、５  コンデンサ、６  投入スイッチ、７  リアクトル、８  避雷器、９  充電回路、１０  充電スイッチ、１１  充電用抵抗、１２  電圧検出回路、１５  充電用可変抵抗、２０，２５  制御回路、３０  直流遮断器システム、３１  プロセッサ、３２  メモリ、３３  インタフェース。
【要約】
遮断部（３）と、コンデンサ（５）、リアクトル（７）および投入スイッチ（６）を有する共振回路（４）と、電圧検出回路（１２）と、充電用抵抗（１１）と充電スイッチ（１０）とを有する充電回路（９）と、制御回路（２０）とを備え、制御回路（２０）は、充電スイッチ（１０）を閉にしてコンデンサ（５）を充電し、この後、充電電圧が第１の電圧値より大きくなると、充電スイッチ（１０）を開とし、充電電圧が第１の電圧値より小さな第２の電圧値より小さくなると、充電スイッチ（１０）を閉とする。【図１】
0006921364.tif 000002
【図２】
0006921364.tif 000003
【図３】
0006921364.tif 000004
【図４】
0006921364.tif 000005
【図５】
0006921364.tif 000006
【図６】
0006921364.tif 000007
【図７】
0006921364.tif 000008
【図８】
0006921364.tif 000009
【図９】
0006921364.tif 000010
【図１０】
0006921364.tif 000011