(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液であって、
下記濃度の成分：
硫酸銅五水和物：１５０〜２５０ｇ／Ｌ
硫酸：２０〜５０ｇ／Ｌ
塩素イオン：２０〜８５ｍｇ／Ｌ
ポリエチレングリコール：３〜１０ｇ／Ｌ
２−チオイミダゾリジノン：１０〜８０ｍｇ／Ｌ
２−チアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム（２−ｓｏｄｉｕｍ  ｔｈｉａｚ
ｏｌｉｄｉｎｅ  ｄｉｔｈｉｏｐｒｏｐａｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：２〜１０ｍｇ／
Ｌ      
ポリエトキシ化アルコール：２０〜５００ｍｇ／Ｌ
ＤＩ純水：残量
を含むものであり、
ガラススルーホール両面銅めっきの両面電気めっきに用いられる、
ことを特徴とする電気めっき液。
【請求項２】
前記２−チオイミダゾリジノンの分子はＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含み、スルーホール表面の
高電位領域に付着することができ、ホール口および表面における銅の成長を抑制すること
ができ、低電位領域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させることに寄与する
ことができ、これにより理想的な成長方式に達することができ、
前記２−チオイミダゾリジノンは、濃度を１５〜４５ｍｇ／ｍＬとする、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気めっき液。
【請求項３】
前記ポリエトキシ化アルコールは、一般式はＲＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨであり、
前記ポリエトキシ化アルコールは、湿潤添加剤として応用する場合は、電気めっき液の表
面張力を低減させ、湿潤効果を向上することが可能で、金属銅を整然とスルーホールのシ
ード層に電気めっきすることができ、
前記ポリエトキシ化アルコールは、濃度を５０〜２００ｍｇ／Ｌとする、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気めっき液。
【請求項４】
前記２−チアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、銅めっき層結晶粒を細か
くさせ、銅めっき層結晶を繊細にさせ、電気めっき層を明るくさせるとともに、高電流密
度領域の銅めっきを抑制することができ、
前記２−チアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、濃度を３〜８ｍｇ／Ｌと
する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気めっき液。
【請求項５】
前記硫酸銅五水和物は、濃度を２００〜２３０ｇ／Ｌとし、銅めっき工程に対して銅イオ
ンを提供するものであり、
前記硫酸は、添加濃度を３０〜５０ｇ／Ｌとし、溶液導電性を向上することができ、
前記塩素イオンのソースは塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化銅、塩酸の中のいずれか
一つであり、濃度を３０〜６５ｍｇ／Ｌとする、
ことを特徴とする請求項１に記載の電気めっき液。
【請求項６】
前記ポリエチレングリコールの分子量が１０００〜２００００とし、その濃度を５〜８ｇ
／Ｌとすることにより、電気めっき液の分散性を改善することができることを特徴とする
請求項１に記載の電気めっき液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、材料電気化学の領域に関し、特にガラススルーホール両面銅めっきに用いられ
る電気めっき液及び電気めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、集積回路技術はムーアの法則に沿って効果的に発展してきたが、32 nm以下の
線幅技術は単一チップの集積、高密度、多機能などの面で進展するにつれて、コストも高
くなり、新たな解決策が出現した。すなわち超ムーアの法則が現れた。ここで、三次元（
3 D）集積技術は、現在、ムーア法則を超える小型化、高密度化、多機能化を持続可能に
実現するための第一の解決策であると考えられている。スルーホール技術は三次元集積技
術の核心であると考えられている。シリコンスルーホール（TSV）技術が現在の比較的成
熟したプロセスであるリード結合技術に徐々に取り替わっているように、第4世代パッケ
ージ技術であると考えられている。TSV技術は、銅、タングステン、ポリシリコンなどの
導電物質を充填することにより、シリコンの貫スルーホールの垂直方向の電気的相互接続
を実現し、接続長さを低減し、信号遅延を低減し、静電容量/インダクションを低減し、
チップ間の低消費電力、高速通信を実現し、広帯域を増加し、デバイス集積の小型化など
を実現する。ガラススルーホール（TGV）技術は、シリコンスルーホール技術によって実
証され、その金属化充填法も主に、化学蒸着（CVD）、物理蒸着（PVD）、化学電気めっき
（Electroless Plating）、電気めっき（Electroplining）の4つの方法を含み、現在は化
学電気めっきと電気めっきの2つの方法が多く使われており、充填材料は一般にCuを選択
している。本発明は電気めっきの方式であり、電気めっき液にスルーホールの充填を完了
させる。
標準的なTSV/TGVスルーホール充填プロセスでは、まず基板上に盲ホールをエッチングし
、電気めっきによって銅のスルーホールなしまたは隙間なしの完全充填を行い、余分な銅
層を除去した後、背面研磨基板によって減量してスルーホールを露出した他端に導通のス
ルーホールを形成する。ガラス基板については、ガラスが脆いため、薄くする過程におい
てスルーホールや他のところに亀裂が生じやすく、ガラス片全体が割れてしまうもある。
また、ガラスは比較的密なため、ガラス研磨速度が遅く、研磨困難などの問題がある。一
方、両面の銅めっきプロセスは、スルーホールがある基板に単一の電気めっきプロセスに
よって基板の両面とスルーホールの両方を同時に充填して相互接続を形成することができ
、付加的な化学研磨研磨研磨（CMP）の背面に薄いプロセスと多層の盲スルーホール重ね
合わせプロセスを必要とせず、プロセス消耗時と技術複雑性を低減し、生産の良率と効率
を向上させる。
スルーホールの両面の銅めっきプロセスの技術的難点はスルーホール内の無孔充填を実現
することにあり、金属がスルーホールの堆積速度が速すぎるとスルーホールの中間部が金
属で満たされずスルーホールができ、チップ信号伝送の安定性に影響を与え、他の一連の
悪影響を与える可能性がある。同時に余分な銅の被覆層はできるだけ薄くして、CMPなど
の後続工程のコストを下げるべきである。電気めっき充填効果は主に電気めっき溶液中の
各添加剤組成濃度及び電気めっき方法に影響される。銅めっきプロセスの両面における銅
めっきパターンは、盲スルーホールの底から上に銅めっきするのと違い、適切な電気めっ
き銅溶液及び電気めっき方法を採用して、銅をスルーホール内部の中間部にあらかじめ接
続して充填して、更に両面の穴に向かって徐々に同期して充填し、最終的に高い効率の密
封導通の銅材料を形成し、スルーホールのない金属化を実現する。
この目的を達成するために、対応する電気めっき液及び電気めっき方法を開発する必要が
ある。
【発明の概要】
【０００３】
従来技術の不足に対して、本発明は下記の技術方案を提供する。
【０００４】
ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液であって、
下記濃度の成分：
硫酸銅五水和物：１５０〜２５０ｇ／Ｌ
硫酸：２０〜５０ｇ／Ｌ
塩素イオン：２０〜８５ｍｇ／Ｌ
ポリエチレングリコール：３〜１０ｇ／Ｌ
２−チオイミダゾリジノン：１０〜８０ｍｇ／Ｌ
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム（２−ｓｏｄｉｕｍ  ｔｈｉａ
ｚｏｌｉｄｉｎｅ  ｄｉｔｈｉｏｐｒｏｐａｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：２〜１０ｍｇ
／Ｌ      
ポリエトキシ化アルコール：２０〜５００ｍｇ／Ｌ
ＤＩ純水：残量
を含むものであり、
前記濃度に従って前記成分を混合することにより製造され、
ガラススルーホール両面銅めっきの両面電気めっきに用いられる、電気めっき液である。
【０００５】
好ましくは、前記２−チオイミダゾリジノンの分子はＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含み、スルー
ホール表面の高電位領域に付着することができ、ホール口および表面における銅の成長を
抑制することができ、低電位領域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させるこ
とに寄与することができ、これにより理想的な成長方式に達することができ、前記２−チ
オイミダゾリジノンは、濃度を１５〜４５ｍｇ／ｍＬとする。
【０００６】
好ましくは、前記ポリエトキシ化アルコールは、飽和または不飽和のＣ１２〜１８の長鎖
あるいは飽和または不飽和の分岐鎖脂肪族アルコールが、水と酸素ガスのない条件でエポ
キシエタンと開環重合反応して得られるものであり、一般式はＲＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ
Ｈである。
【０００７】
好ましくは、前記２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、銅めっき
層結晶粒を細かくさせ、銅めっき層結晶を繊細にさせ、電気めっき層を明るくさせるとと
もに、高電流密度領域の銅めっきを抑制することができ、前記２−チオアゾリジンジチオ
プロパンスルホン酸ナトリウムは、濃度を３〜８ｍｇ／Ｌとする。
【０００８】
好ましくは、前記硫酸銅五水和物は、濃度を２００〜２３０ｇ／Ｌとし、銅めっき工程に
対して銅イオンを提供するものであり、前記硫酸は、添加濃度を３０〜５０ｇ／Ｌとし、
溶液導電性を向上することができ、前記塩素イオンのソースは濃度を３０〜６５ｍｇ／Ｌ
とする。前記ポリエチレングリコールの分子量が１０００〜２００００とし、その濃度を
５〜８ｇ／Ｌとすることにより、電気めっき液の分散性を改善することができる。
【０００９】
好ましくは、ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液の電気めっき方
法であって、
工程１：シード層が電気めっきされたスルーホールガラス板を、５％〜２０％濃度の硫酸
溶液により５〜１０ｍｉｎフラッシュ洗浄し、表面の汚れを除去して、その後、ＤＩ純水
により３回噴射洗浄し、余分の酸液を除去する工程と、
工程２：洗浄したスルーホールガラス板を陰極電気めっき用ハンガーに掛け、ＤＩ純水に
浸漬させ、バキュームによりスルーホール内の気泡を消除することにより、ホール内の表
面を充分に湿潤させ、電気めっき液をホール内において均一に配布させ、有効的に添加剤
を特定のホール位置で機能させることができ、以降の電気めっきにおいてホール内に引っ
掛かる気泡が、電気めっき層の効果に影響を与えることによる、穴や隙間などの不都合を
を防止する工程と、
工程３：バキュームが行われたスルーホールガラス板を上記電気めっき液に入れ、ただし
温度は１５〜３５℃とし、また、ハンガーを電気めっき液の真ん中に配置し、陰極回路に
接続して、また、スルーホールガラス板の両面に等距離で対向するように電気めっき液の
両側にそれぞれ銅陽極を設置して、それらを陽極回路に接続させ、そして、電気めっき液
を均一に配布させるようにホール内に循環を１０ｍｉｎさせる工程と、
工程４：回路をオンにさせ、電流密度は０．１〜１．５Ａ／ｄｍ２、循環速率は３〜４  
ＴＯ／ｈとするように調整して、電気めっき時間は３〜８ｈとすることにより、適当な電
流密度で、電気めっき液における添加剤をスルーホール表面付近の領域における高電位領
域に付着させることができ、ホール口および表面における銅の成長を抑制でき、低電位領
域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させることに寄与することができ、それ
により銅めっきは、まずスルーホール内部の中間で接続ができて、その後スルーホール両
側へ漸次的に堆積させるようにでき、別の成長方式によるスルーホール内で穴や隙間など
の不都合を有効的に回避できる工程と、
を含むことを特徴とする電気めっき方法である。
【００１０】
本発明の有利な効果は、従来従来技術と比較して、ガラススルーホール両面銅めっきに用
いられる電気めっき液及び電気めっき方法を提供することにある。有利な効果は下記の通
りである。
【００１１】
１）本発明にかかる電気めっき液は、２−チオイミダゾリジノン、２−チオアゾリジンジ
チオプロパンスルホン酸ナトリウムとポリエトキシ化アルコールという三種類のものを含
む。２−チオイミダゾリジノンの分子はＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含み、スルーホール表面の
高電位領域に付着することができ、ホール口および表面における銅の成長を抑制すること
ができ、低電位領域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させることに寄与する
ことができ、それにより理想的な成長方式に達することができる。ポリエトキシ化アルコ
ールは、湿潤添加剤として応用される場合、電気めっき液の表面テンションを低減させ、
湿潤効果を向上することが可能で、金属銅を整然とスルーホールのシード層に電気めっき
することができる。２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、銅めっ
き層結晶粒を細かくさせ、銅めっき層結晶を繊細にさせ、電気めっき層を明るくさせると
ともに、高電流密度領域の銅めっきを抑制することもできる。これら3つの成分を含むこ
とにより、提案される電気めっき液は、より完璧に両面銅めっき工程を実現することがで
きる。
【００１２】
２）提案される両面銅めっきは、適当な銅めっき溶液および電気めっき方法を利用して、
銅をスルーホール内部中間位置でまず満遍に接続ができてから、ついでに両側のホール口
へ漸次的に充填するように行った結果、効果が良く、密閉的な貫通構成となる銅材を形成
できる。穴なしでスルーホールの金属化作成を実現することができる。このような工程は
、工程の時間を減少させ、技術上の複雑さも降下させ、良品率と生産率を向上することが
できる。
【００１３】
３）本発明の電気めっき液および電気めっき方法により銅めっきを行えば、スルーホール
内の銅層が整美で均一になり、内部に穴や隙間が生じない。添加したＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基
を含んだ２−チオイミダゾリジノンは優先的に高電位領域のスルーホール表面およびホー
ル口に付着することができ、該部分における銅の堆積を抑制することができる。スルーホ
ール内部の中間における低電位領域で優先的に銅を堆積させ、中間で接続ができてから両
側のホール口へ銅めっきすることにより、有効的に穴や隙間の不都合を回避することがで
き、実際の生産に適用することができる。
【００１４】
４）該方法による電気めっき工程は、簡単であり、スルーホールを快速的、かつ穴や隙間
なしに充填することができ、幅広くウェハなりのパッケージにおける垂直スルーホールの
金属化制作に適応することができ、従来技術における標準電気めっきの欠陥を克服するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】スルーホール電気めっきの標準的な銅めっきプロセスと両面銅めっきプロセスの対比図である。
【図２】スルーホール両面電気めっきの概略図である。
【図３】スルーホール両面電気めっき銅層の成長モデルを示す図である。
【図４】実施例１におけるスルーホール充填中に出現する穴空け不良の発生を示す概略図である。
【図５】実施例２のスルーホールのホール型1（320＊150μm）の両面銅めっきの効果図である。
【図６】実施例３のスルーホールのホール型2（230＊60μm）の両面銅めっきの効果図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明をより明確に説明するため、以下、図面を用いて、本発明を更に説明する。
本発明は、ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液であって、
下記濃度の成分：
硫酸銅五水和物：１５０〜２５０ｇ／Ｌ
硫酸：２０〜５０ｇ／Ｌ
塩素イオン：２０〜８５ｍｇ／Ｌ
ポリエチレングリコール：３〜１０ｇ／Ｌ
２−チオイミダゾリジノン：１０〜８０ｍｇ／Ｌ
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム（２−ｓｏｄｉｕｍ  ｔｈｉａ
ｚｏｌｉｄｉｎｅ  ｄｉｔｈｉｏｐｒｏｐａｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：２〜１０ｍｇ
／Ｌ      
ポリエトキシ化アルコール：２０〜５００ｍｇ／Ｌ
ＤＩ純水：残量
を含むものであり、
前記濃度に従って前記成分を混合することにより製造され、
ガラススルーホール両面銅めっきの両面電気めっきに用いられる、
ことを特徴とする電気めっき液を提供する。
【００１７】
本実施例において、前記２−チオイミダゾリジノンの分子はＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含み、
スルーホール表面の高電位領域に付着することができ、ホール口および表面における銅の
成長を抑制することができ、低電位領域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積さ
せることに寄与することができ、これにより理想的な成長方式に達することができ、前記
２−チオイミダゾリジノンは、濃度を１５〜４５ｍｇ／ｍＬとする。
【００１８】
本実施例において、前記ポリエトキシ化アルコールは、飽和または不飽和のＣ１２〜１８
の長鎖あるいは飽和または不飽和の分岐鎖脂肪族アルコールが、水と酸素ガスのない条件
でエポキシエタンと開環重合反応して得られるものであり、一般式はＲＯ（ＣＨ２ＣＨ２
Ｏ）ｎＨであり、前記ポリエトキシ化アルコールは、湿潤添加剤として応用する場合は、
電気めっき液の表面張力を低減させ、湿潤効果を向上することが可能で、金属銅を整然と
スルーホールのシード層に電気めっきすることができ、前記ポリエトキシ化アルコールは
、濃度を５０〜２００ｍｇ／Ｌとする。
【００１９】
本実施例において、前記２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、銅
めっき層結晶粒を細かくさせ、銅めっき層結晶を繊細にさせ、電気めっき層を明るくさせ
るとともに、高電流密度領域の銅めっきを抑制することができ、前記２−チオアゾリジン
ジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、濃度を３〜８ｍｇ／Ｌとする。
【００２０】
前記の目的を達成するために、本発明は、ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる
電気めっき液の電気めっき方法であって、
工程１：シード層が電気めっきされたスルーホールガラス板を、５％〜２０％濃度の硫酸
溶液により５〜１０ｍｉｎフラッシュ洗浄し、表面の汚れを除去して、その後、ＤＩ純水
により３回噴射洗浄し、余分の酸液を除去する工程と、
工程２：洗浄したスルーホールガラス板を陰極電気めっき用ハンガーに掛け、ＤＩ純水に
浸漬させ、バキュームによりスルーホール内の気泡を消除することにより、ホール内の表
面を充分に湿潤させ、電気めっき液をホール内において均一に配布させ、有効的に添加剤
を特定のホール位置で機能させることができ、以降の電気めっきにおいてホール内に引っ
掛かる気泡が、電気めっき層の効果に影響を与えることによる、穴や隙間などの不都合を
を防止する工程と、
工程３：バキュームが行われたスルーホールガラス板を上記電気めっき液に入れ、ただし
温度は１５〜３５℃とし、また、ハンガーを電気めっき液の真ん中に配置し、陰極回路に
接続して、また、スルーホールガラス板の両面に等距離で対向するように電気めっき液の
両側にそれぞれ銅陽極を設置して、それらを陽極回路に接続させ、そして、電気めっき液
を均一に配布させるようにホール内に循環を１０ｍｉｎさせる工程と、
工程４：回路をオンにさせ、電流密度は０．１〜１．５Ａ／ｄｍ２、循環速率は３〜４  
ＴＯ／ｈとするように調整して、電気めっき時間は３〜８ｈとすることにより、適当な電
流密度で、電気めっき液における添加剤をスルーホール表面付近の領域における高電位領
域に付着させることができ、ホール口および表面における銅の成長を抑制でき、低電位領
域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させることに寄与することができ、それ
により銅めっきは、まずスルーホール内部の中間で接続ができて、その後スルーホール両
側へ漸次的に堆積させるようにでき、別の成長方式によるスルーホール内で穴や隙間など
の不都合を有効的に回避できる工程と、
を含むことを特徴とする電気めっき方法を提供する。
【００２１】
従来技術と比較して、本発明は、ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっ
き液及び電気めっき方法を提供する。有利な効果は下記の通りである。
【００２２】
１）本発明にかかる電気めっき液は、２−チオイミダゾリジノン、２−チオアゾリジンジ
チオプロパンスルホン酸ナトリウムとポリエトキシ化アルコールという三種類のものを含
む。２−チオイミダゾリジノンの分子はＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含み、スルーホール表面の
高電位領域に付着することができ、ホール口および表面における銅の成長を抑制すること
ができ、低電位領域のスルーホール内部において優先的に銅を堆積させることに寄与する
ことができ、それにより理想的な成長方式に達することができる。
ポリエトキシ化アルコールは、湿潤添加剤として応用される場合、電気めっき液の表面テ
ンションを低減させ、湿潤効果を向上することが可能で、金属銅を整然とスルーホールの
シード層に電気めっきすることができる。
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウムは、銅めっき層結晶粒を細かく
させ、銅めっき層結晶を繊細にさせ、電気めっき層を明るくさせるとともに、高電流密度
領域の銅めっきを抑制することもできる。
これら3つの成分を含むことにより、提案される電気めっき液は、より完璧に両面銅めっ
き工程を実現することができる。
２）提案される両面銅めっきは、適当な銅めっき溶液および電気めっき方法を利用して、
銅をスルーホール内部中間位置でまず満遍に接続ができてから、ついでに両側のホール口
へ漸次的に充填するように行った結果、効果が良く、密閉的な貫通構成となる銅材を形成
できる。穴なしでスルーホールの金属化作成を実現することができる。このような工程は
、工程の時間を減少させ、技術上の複雑さも降下させ、良品率と生産率を向上することが
できる。
３）該方法による電気めっき工程は、簡単であり、スルーホールを快速的、かつ穴や隙間
なしに充填することができ、幅広くウェハなりのパッケージにおける垂直スルーホールの
金属化制作に適応することができ、従来技術における標準電気めっきの欠陥を克服するこ
とができる。
【００２３】
本発明をより明確に説明するため、以下、図面と文字を通じて、本発明を更に説明する。
【００２４】
実施例１
１）清浄な電気めっき溝に５ＬのＤＩ純水を注いで、上記電気めっき液の各成分を入れて
、下記濃度の電気めっき液を調整した。
硫酸銅五水和物：２００ｇ／Ｌ
硫酸：３０ｇ／Ｌ
塩酸：３５ｍｇ／Ｌ
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム：４ｍｇ／Ｌ  
ドデカノールオキシエチレン：１００ｍｇ／Ｌ
２）シード層が電気めっきされたスルーホールガラス板を、濃度１０％の硫酸溶液により
５ｍｉｎフラッシュ洗浄し、表面の汚れを除去して、その後、ＤＩ純水により３回噴射洗
浄し、余分の酸液を除去した。
３）洗浄したスルーホールガラス板を陰極電気めっき用ハンガーに掛け、ＤＩ純水に浸漬
させ、バキュームによりスルーホール内の気泡を消除した。これにより、以降の電気めっ
きにおいてホール内に引っ掛かる気泡が、電気めっき層の効果を影響することを防止した
。
４）バキュームが行われたスルーホールガラス板を上記電気めっき液に入れた。ただし温
度は２５℃とした。ハンガーは電気めっき液の真ん中に配置して、陰極回路に接続させた
。スルーホールガラス板の両面に等距離で対向するように電気めっき液の両側にそれぞれ
銅陽極を設置して、それらを陽極回路に接続させた。電気めっき液を均一に配布させるよ
うにホール内に循環を１０ｍｉｎさせた。
５）回路をオンにさせ、電流密度は０．５Ａ／ｄｍ２、循環速率は３〜４ＴＯ／ｈとする
ように調整して、電気めっき時間は３ｈとした。
【００２５】
実施例２
１）清浄な電気めっき溝に５ＬのＤＩ純水を注いで、上記電気めっき液の各成分を入れて
、下記濃度の電気めっき液を調整した。
硫酸銅五水和物：２００ｇ／Ｌ
硫酸：３０ｇ／Ｌ
塩酸：５０ｍｇ／Ｌ
８０００分子量のポリエチレングリコール：３ｇ／Ｌ
２−チオイミダゾリジノン：６０ｍｇ／Ｌ
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム：８ｍｇ／Ｌ  
ドデカノールオキシエチレン：８０ｍｇ／Ｌ
２）シード層が電気めっきされたスルーホールガラス板を、濃度１０％の硫酸溶液により
５ｍｉｎフラッシュ洗浄し、表面の汚れを除去して、その後、ＤＩ純水により３回噴射洗
浄し、余分の酸液を除去した。
３）洗浄したスルーホールガラス板を陰極電気めっき用ハンガーに掛け、ＤＩ純水に浸漬
させ、バキュームによりスルーホール内の気泡を消除した。これにより、以降の電気めっ
きにおいてホール内に引っ掛かる気泡が、電気めっき層の効果を影響することを防止した
。
４）バキュームが行われたスルーホールガラス板を上記電気めっき液に入れた。ただし温
度は３０℃とした。ハンガーは電気めっき液の真ん中に配置して、陰極回路に接続させた
。スルーホールガラス板の両面に等距離で対向するように電気めっき液の両側にそれぞれ
銅陽極を設置して、それらを陽極回路に接続させた。電気めっき液を均一に配布させるよ
うにホール内に循環を１０ｍｉｎさせた。
５）回路をオンにさせ、電流密度は０．３５Ａ／ｄｍ２、循環速率は３ＴＯ／ｈとするよ
うに調整して、電気めっき時間は４ｈとした。
【００２６】
実施例３
１）清浄な電気めっき溝に５ＬのＤＩ純水を注いで、上記電気めっき液の各成分を入れて
、下記濃度の電気めっき液を調整した。
硫酸銅五水和物：２５０ｇ／Ｌ
硫酸：３０ｇ／Ｌ
塩酸：４５ｍｇ／Ｌ
２−チオイミダゾリジノン：３０ｍｇ／Ｌ
２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム：５ｍｇ／Ｌ  
オキシビロエーテル：１２０ｍｇ／Ｌ
２）シード層が電気めっきされたスルーホールガラス板を、濃度１０％の硫酸溶液により
５ｍｉｎフラッシュ洗浄し、表面の汚れを除去して、その後、ＤＩ純水により３回噴射洗
浄し、余分の酸液を除去した。
３）洗浄したスルーホールガラス板を陰極電気めっき用ハンガーに掛け、ＤＩ純水に浸漬
させ、バキュームによりスルーホール内の気泡を消除した。これにより、以降の電気めっ
きにおいてホール内に引っ掛かる気泡が、電気めっき層の効果を影響することを防止した
。
４）バキュームが行われたスルーホールガラス板を上記電気めっき液に入れた。ただし温
度は２５℃とした。ハンガーは電気めっき液の真ん中に配置して、陰極回路に接続させた
。スルーホールガラス板の両面に等距離で対向するように電気めっき液の両側にそれぞれ
銅陽極を設置して、それらを陽極回路に接続させた。電気めっき液を均一に配布させるよ
うにホール内に循環を１０ｍｉｎさせた。
５）回路をオンにさせ、電流密度は１.０Ａ／ｄｍ２、循環速率は３ＴＯ／ｈとするよう
に調整して、電気めっき時間は４ｈとした。
【００２７】
図１の左図は、標準的な銅めっき工程を示す。先ずは有底ホールを充填する。その後、ホ
ールの底部で金属導電層を露出させるまでＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａ
ｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により薄肉化させる。ホールの深さは一般的に浅いものとする
。実用際には、該標準的な工程を複数回繰り返して多層層積圧着する必要がある。その右
図は、両面銅めっきを示す。電気めっき可能なスルーホールホールの深さは深いものとす
る。一回の電気めっきで尽きるほど両面が導電可能となり、肉薄／圧着等の工程がいらな
い。時間がかからなく、工程が簡単であり、生産率を著しく向上することができる。
図２は両面電気めっきにかかる模式図を示す。標準的工程における、基材の一側だけで開
口される有底ホールとして、一つの陽極に対応する場合と異なって、本発明は、電気めっ
きの基材１を貫通するスルーホール２としている。とくに、スルーホールが接続するのは
、基材の表面のシード層３であり、そして、基材が、二つの銅陽極４に対応して、両面と
もが電気めっき可能で銅材を堆積させる。
【００２８】
3つの実施例の結果によれば、以下のようにわかられる。２−チオイミダゾリジノンを添
加しなかった実施例一は、図４に示されるように、スルーホールへの銅めっきした結果、
穴という不都合が生じた。穴に電気めっき液が含まれているので、高温や長時間の電気投
入などで導電性と安定性に影響を与えるはずであると思われる。さらに、実際の電子機器
などの生産においては、その性能安定性の悪化、信号伝送の不安定化、出力過大や、失効
傾向などという欠陥が生じるおそれがある。本発明の電気めっき液および電気めっき方法
による銅めっきの実施例２及び実施例３において、図５と図６から分かるように、スルー
ホール内の銅層が整美で均一になり、内部に穴や隙間が生じない。成長モデルは図３に示
すように、添加したＣ−Ｓ基とＣ−Ｎ基を含んだ２−チオイミダゾリジノンは優先的に高
電位領域のスルーホール表面およびホール口に付着することができ、該部分における銅の
堆積を抑制することができる。スルーホール2内部の中間における低電位領域で優先的に
銅5を堆積させ、中間で接続ができてから両側のホール口へ銅めっき6することにより、有
効的に穴や隙間の不都合を回避することができ、実際の生産に適用することができる。
【００２９】
以上の開示は本発明の実施形態にすぎず、本発明はこれに限定されるものではなく、いか
なる当業者が考えることができる変化は本発明の保護範囲に含まれるべきである。
【要約】      （修正有）【課題】穴なしでスルーホールの金属化作成を実現することができ、また、工程の時間を減少させ、良品率と生産率を向上することができる、特にガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液及び電気めっき方法を提供する。【解決手段】ガラススルーホール両面銅めっきに用いられる電気めっき液であって、硫酸銅五水和物：１５０〜２５０ｇ／Ｌ、硫酸：２０〜５０ｇ／Ｌ、塩素イオン：２０〜８５ｍｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール：３〜１０ｇ／Ｌ、２−チオイミダゾリジノン：１０〜８０ｍｇ／Ｌ、２−チオアゾリジンジチオプロパンスルホン酸ナトリウム（２−ｓｏｄｉｕｍ  ｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎｅ  ｄｉｔｈｉｏｐｒｏｐａｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：２〜１０ｍｇ／Ｌ、ポリエトキシ化アルコール：２０〜５００ｍｇ／Ｌ、ＤＩ純水：残量、を含む。【選択図】なし【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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