(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（ｉ）
【化１】
0006973684.tif 000091
（上記一般式（ｉ）中、
Ｒｉ１は、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は、それぞれ独立して、以下の基（ａ）〜基（ｃ）：
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表わし、
上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＺｉ２はそれぞれ独立して、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、
少なくとも一つのＺｉ１あるいはＺｉ２は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
ｍｉ１は、１又は２を表わし、
Ａｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよく、
Ｚｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。）
で表される化合物の１種又は２種以上と、
下記一般式（ｉｉ）
【化２】
0006973684.tif 000092
（上記一般式（ｉｉ）中、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはなく、
Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２及びＺｉｉ３はそれぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
Ａｉｉ１、Ａｉｉ２、Ａｉｉ３、Ａｉｉ４、Ａｉｉ５及びＡｉｉ６はそれぞれ独立して、以下の基（ａ）〜基（ｃ）：
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表わし、
上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよく、
ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３はそれぞれ独立して、０又は１を表すが、
ｍｉｉ１＋ｍｉｉ２＋ｍｉｉ３は０又は１を表わす。）
で表される化合物の１種又は２種以上と、
を含有することを特徴とする、液晶組成物であって、
前記一般式（ｉ）で表される化合物の液晶組成物の総量に対する含有量が１〜２５質量％であり、
前記一般式（ｉｉ）で表される化合物の液晶組成物の総量に対する含有量が１〜４０質量％であり、
前記一般式（ｉ）で表される化合物として、下記一般式（ｉ−１−１’）
【化３】
0006973684.tif 000093
（上記一般式（ｉ−１−１’）中、
Ｒｉ１は、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｘｉ４、Ｘｉ５、Ｘｉ８及びＸｉ９はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表す。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、
前記一般式（ｉｉ）で表される化合物として、下記一般式（ｉｉ−１’）
【化４】
0006973684.tif 000094
（上記一般式（ｉｉ−１’）中、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはなく、
Ｘｉｉ１、Ｘｉｉ２、Ｘｉｉ３及びＸｉｉ４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、
Ａｉｉ２は以下の基（ｄ）又は基（ｆ）を表し、
【化５】
0006973684.tif 000095
基（ｄ）中、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、
基（ｆ）中、Ｘｉｉｆ１及びＸｉｉｆ２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表す。）
からなる群より選ばれる基を表す。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物。
【請求項２】
下記一般式（１ａ）、一般式（１ｂ）及び一般式（１ｃ）から選択される化合物の１種又は２種以上をさらに含有する、請求項１に記載の液晶組成物。
【化６】
0006973684.tif 000096
（上記一般式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルキニル基を表わし、
これらの基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されてもよく、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、
Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５及びＭ１６は、それぞれ独立して、下記の基（ａ）、基（ｂ）、又は基（ｄ）のいずれか１種を表わし、
（ａ）  トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は相互に隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、並びに
（ｄ）  １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、
上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｄ）に含まれる１個又は２個以上の水素原子はそれぞれシアノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていてもよく、
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５及びＬ１６は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
ｐ、ｑ、ｓは、それぞれ独立して、０、１又は２を表し、
Ｍ１２、Ｍ１４、Ｍ１６、Ｌ１１、Ｌ１３及び／又はＬ１５がそれぞれ複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよく、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６及びＸ１７は、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｙ１１、Ｙ１２及びＹ１３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基（−ＣＮ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）、シアナト基（−ＯＣＮ）、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ジフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルキニル基を表し、
これらの基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されてもよく、
またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、
但し、一般式（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）で表される化合物から上記一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）
【請求項３】
前記一般式（１ａ）で表される化合物が、下記一般式（１ａ−１）
【化７】
0006973684.tif 000097
（上記一般式（１ａ−１）中、
Ｙ１１、Ｘ１１及びＸ１２は一般式（１ａ）中のＹ１１、Ｘ１１及びＸ１２とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｒ１ａ１は炭素原子数２〜１２のアルキニル基を表し、
該アルキニル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒ１ａ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｘ１３〜Ｘ１５はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、
Ｘ１１とＸ１３がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ１４とＸ１５がともにフッ素原子を表すことはなく、
Ａ１ａ１は一般式（１ａ）中のＭ１１と同じ意味を表し、
Ｚ１ａ１は一般式（１ａ）中のＬ１１と同じ意味を表し、
ｍ１ａ１は０又は１を表す。）
である、請求項２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
２５℃、５８９．０ｎｍにおけるΔｎは０．３以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた、液晶素子。
【請求項６】
アクティブマトリクス方式又はパッシブマトリクス方式で駆動する、請求項５に記載の液晶素子。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物の液晶分子の配向方向を可逆的に変えることにより誘電率を可逆的にスイッチングする液晶素子。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた、センサ。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた、液晶レンズ。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた、光通信機器。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた、アンテナ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のアンテナであって、
複数のスロットを備えた第１基板と、
前記第１基板と対向し、給電部が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた第１誘電体層と、
前記複数のスロットに対応して配置される複数のパッチ電極と、
前記パッチ電極が設けられた第３基板と、
前記第１基板と前記第３基板との間に設けられた液晶層と、を備え、
前記液晶層が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有するアンテナ。
【請求項１３】
下記一般式（ｉ−１−１ａ−１’）で表される化合物。
【化８】
0006973684.tif 000098
（上記一般式（ｉ−１−１ａ−１’）中、
Ｒｉ１は、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｘｉ７、Ｘｉ８及びＸｉ９はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、
Ｘｉ７とＸｉ８がともにフッ素原子を表すことはなく、
Ｘｉ６は、水素原子又はフッ素原子を表す。）
【請求項１４】
下記一般式（ｉｉ−１ａ’）で表される化合物。
【化９】
0006973684.tif 000099
（上記一般式（ｉｉ−１ａ’）中、
Ｒｉｉａ２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、
Ｒｉｉ１は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、
該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
また、Ｒｉｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉａ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはなく、
Ｘｉｉａ１及びＸｉｉａ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表すが、
Ｘｉｉａ１及びＸｉｉａ２の少なくともいずれか一つは、炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、
Ｘｉｉａ４及びＸｉｉａ５はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表すが、
Ｘｉｉａ４及びＸｉｉａ５の少なくとも１つはフッ素原子又は塩素原子を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物、液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器及びアンテナ並びに化合物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ用途に多く用いられている液晶の新規用途として、自動車等の移動体と通信衛星と間で、電波の送受信を行う液晶を用いたアンテナが注目されている。従来、衛星通信は、パラボラアンテナを用いているが、自動車等の移動体で用いる場合、随時パラボラアンテナを衛星方向へ向けなければならず、大きな可動部が必要であった。しかし液晶を用いたアンテナは、液晶が動作することにより、電波の送受信方向を変える事が出来るため、アンテナ自体を動かす必要が無く、アンテナの形状も平面にすることが出来る。【０００３】
一般に、自動車等の自動運転には、高精度３Ｄマップ情報の大量データダウンロードが必要である。しかし、液晶を用いたアンテナであれば、当該アンテナを自動車に組み込むことにより、通信衛星から大量データダウンロードが、機械的な可動部が無くても可能となる。衛星通信で用いられる周波数帯は、約１３ＧＨｚ帯であり、今までの液晶ディスプレイ用途で使用している周波数と大きく異なる。そのため、液晶への要求物性も大きく異なり、アンテナ用の液晶に要求されるΔｎは、０．４程度、動作温度範囲は−４０〜１２０℃以上となる。【０００４】
また、自動車等の移動体の自動運転用センサーとして、液晶を用いた赤外線レーザー画像認識・測距装置も注目されている。この用途の液晶の要求されるΔｎは０．２〜０．３、動作温度範囲は−４０〜１２０℃以上となる。【０００５】
これに対して、アンテナ用の液晶の技術としては、例えば、特許文献１が挙げられる。【０００６】
また、非特許文献１では、高周波デバイスの構成成分として液晶材料の使用が提唱されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６−３７６０７号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ドルフィ（Ｄ．Ｄｏｌｆｉ），「エレクトロニクスレター（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）」，（英国），１９９３年，２９巻，１０号，ｐ．９２６−９２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
アンテナ用の液晶には、マイクロ波又はミリ波の電磁波に対してより大きな位相制御を可能とする、より高い屈折率異方性（Δｎ）を示す液晶組成物の開発が要求されている。さらには、アンテナを始めとする高周波用途の液晶組成物の分野においても、駆動電圧の低下や迅速な応答性の観点から、誘電率異方性（Δε）がより高いものが求められている。そのため、高いΔｎと高いΔεを両立し、高周波用途の要求特性を満たす液晶組成物が求められている。しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶組成物において、Δｎの具体的な値は、ほとんど示されておらず、また、Δｎが示されていたとしてもΔεが小さい液晶組成物しか示されておらず、高いΔｎと高いΔεを両立した液晶組成物は開示されていなかった。【００１０】
そこで、本発明は、マイクロ波又はミリ波の電磁波に対してより大きな位相制御を可能とする液晶材料において、高いΔｎを有し、且つ、高いΔεを有する、ネマチック液晶組成物、及び、これを用いた液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器、及びアンテナを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意検討した結果、後述する、一般式（ｉ）で表される化合物の１種又は２種以上と、一般式（ｉｉ）で表わされる化合物の１種又は２種以上と、を含有する液晶組成物により、上記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。【００１２】
上記課題を解決する本発明の要旨構成は、以下の通りである。【００１３】
本発明の液晶組成物は、
下記一般式（ｉ）【００１４】
【化１】
0006973684.tif 000002
【００１５】
（上記一般式（ｉ）中、
Ｒｉ１は、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は、それぞれ独立して、以下の基（ａ）〜基（ｃ）：
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表わし、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＺｉ２はそれぞれ独立して、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、少なくとも一つのＺｉ１あるいはＺｉ２は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
ｍｉ１は、１又は２を表わし、
Ａｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよく、Ｚｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。）
で表される化合物の１種又は２種以上と、
下記一般式（ｉｉ）【００１６】
【化２】
0006973684.tif 000003
【００１７】
（上記一般式（ｉｉ）中、
Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはなく、
Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２及びＺｉｉ３はそれぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
Ａｉｉ１、Ａｉｉ２、Ａｉｉ３、Ａｉｉ４、Ａｉｉ５及びＡｉｉ６はそれぞれ独立して、以下の基（ａ）〜基（ｃ）：
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表わし、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよく、
ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３はそれぞれ独立して、０又は１を表すが、ｍｉｉ１＋ｍｉｉ２＋ｍｉｉ３は０又は１を表わす。）で表される化合物の１種又は２種以上と、
を含有することを特徴とする。【００１８】
また、本発明の液晶素子は、上記の液晶組成物を用いたことを特徴とする。【００１９】
また、本発明のセンサは、上記の液晶組成物を用いたことを特徴とする。【００２０】
また、本発明の液晶レンズは、上記の液晶組成物を用いたことを特徴とする。【００２１】
また、本発明の光通信機器は、上記の液晶組成物を用いたことを特徴とする。【００２２】
また、本発明のアンテナは、上記の液晶組成物を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、高い屈折率異方性（Δｎ）を有し、且つ、高い誘電率異方性（Δε）を有する、ネマチック液晶組成物の提供が可能となり、さらにこれを用いた液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器、特には、アンテナを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係るアンテナを搭載した車両の概要図の一例である。
【図２】本発明に係るアンテナの分解図の一例である。
【図３】本発明に係るアンテナ本体の分解図の一例である。
【図４】本発明におけるスロットアレイ部の上面図の一例である。
【図５】本発明に係るアンテナ本体の投影図の上面図の一例である。
【図６】図５のアンテナ本体をＡ−Ａ線で切断した断面図の一形態である。
【図７】図５のアンテナ本体をＡ−Ａ線で切断した断面図の別の形態である。
【図８】本発明に係るアンテナ本体の投影図を示す上面図の他の一例である。
【図９】図８のアンテナ本体をＣ−Ｃ線で切断した断面図である。
【図１０】図８のアンテナ本体をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明の液晶組成物、液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器及びアンテナ並びに化合物を、その実施形態に基づき、詳細に例示説明する。
【００２６】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（ｉ）で表わされる化合物と、一般式（ｉｉ）で表わされる化合物とを含有する。以下、一般式（ｉ）及び一般式（ｉｉ）で表わされる化合物について順に説明する。一般式（ｉ）で表される化合物は、Δεが高く、また、Δｎが比較的高く、更に良好な相溶性を有する。これにより、常温下において安定な液晶組成物を提供できる。
【００２７】
本発明における一般式（ｉ）で表わされる液晶化合物は、以下の通りである。
【００２８】
【化３】
0006973684.tif 000004
【００２９】
上記一般式（ｉ）中、Ｒｉ１は、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−は、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよい。
【００３０】
Ｒｉ１は、直鎖状の基又は分岐状の基であり、直鎖状の基であることが好ましい。また、Ｒｉ１は、好ましくは、炭素原子数２〜１１のアルキル基を表し、より好ましくは、炭素原子数３〜９のアルキル基を表し、さらに好ましくは、炭素原子数４〜７のアルキル基を表す。
【００３１】
本明細書におけるアルキル基は、特に制限されることは無く、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソデシル基、ドデシル基及び２−エチルヘキシル基等を含み、直鎖状のアルキル基が好ましい。
【００３２】
上記一般式（ｉ）のＲｉ１中に存在する、メチレン基は、酸素原子が直接隣接しないように、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。具体的には、Ｒｉ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましい。
【００３３】
液晶組成物全体の信頼性を重視する場合には、Ｒｉ１はアルキル基であることが好ましく、液晶組成物全体の粘性の低下を重視する場合には、Ｒｉ１はアルケニル基であることが好ましい。
【００３４】
本明細書におけるアルケニル基は、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【００３５】
【化４】
0006973684.tif 000005
【００３６】
本明細書におけるアルケニルオキシ基は、式（Ｒ６）から式（Ｒ１０）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【００３７】
【化５】
0006973684.tif 000006
【００３８】
本明細書におけるアルコキシ基は、特に制限されることは無く、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、及びヘキソキシ基を含み、直鎖状のアルコキシ基であることが好ましい。
【００３９】
Ｒｉ１が結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【００４０】
上記一般式（ｉ）中、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は、その環構造中の１個又は２個以上の水素原子が、それぞれ独立して、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基に置換されてもよい、二価の環式基を表わす。当該環式基としては、基（ａ）〜（ｃ）のいずれかであり、式（ａ）又は（ｂ）であることがより好ましい。また、基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよい。
【００４１】
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３の具体例としては、以下の式（ａ１）〜（ａ２６）で表わされる二価の環式基が挙げられる。
【００４２】
【化６】
0006973684.tif 000007
【００４３】
【化７】
0006973684.tif 000008
【００４４】
【化８】
0006973684.tif 000009
【００４５】
【化９】
0006973684.tif 000010
【００４６】
（上記式中、＊は、炭素原子又は他の原子と結合する結合手を表わす。）
上記二価の環式基のうち、（ａ１）〜（ａ３）、（ａ５）〜（ａ６）、（ａ９）〜（ａ１０）、（ａ１２）〜（ａ２５）が好ましく、（ａ１）〜（ａ３）、（ａ５）〜（ａ６）、（ａ１２）〜（ａ２５）がより好ましく、（ａ１）〜（ａ３）、（ａ１２）〜（ａ２６）がさらに好ましい。
Δｎを向上させる観点からは、（ａ５）〜（ａ６）、（ａ９）〜（ａ１０）、（ａ１２）〜（ａ２６）が好ましく、（ａ５）〜（ａ６）、（ａ１２）〜（ａ２６）が好ましい。更にΔεを向上させる観点からは、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３の少なくとも１つ以上が（ａ１２）、（ａ１４）、（ａ１６）、（ａ１７）、（ａ１８）、（ａ１９）、（ａ２１）、（ａ２３）、（ａ２４）、（ａ２５）又は（ａ２６）を有することが好ましい。
【００４７】
また、Ａｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく、異なっていてもよい。
【００４８】
上記一般式（ｉ）中、Ｚｉ１及びＺｉ２は、それぞれ独立して、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、少なくとも一つのＺｉ１あるいはＺｉ２は−Ｃ≡Ｃ−を表す。
【００４９】
Ｚｉ１及びＺｉ２が上記条件であると、メソゲンを構成する環構造間の連結基が、分子の直線性を確保しやすい。
【００５０】
また、上記一般式（ｉ）中、Ｚｉ２及びｍｉ１個のＺｉ１のうち少なくとも一つが−Ｃ≡Ｃ−を表すことから、一般式（ｉ）で表わされる化合物は、その構造内に少なくとも１つの−Ｃ≡Ｃ−を有する。
【００５１】
Ｚｉ１及びＺｉ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−が好ましい。Ｚｉ１及びＺｉ２は、それぞれ独立して、液晶組成物の安定性を重視する場合には単結合が好ましく、Δｎを重視する場合には−Ｃ≡Ｃ−が好ましい。
【００５２】
また、Ｚｉ１が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。
【００５３】
ｍｉ１は、１又は２を表わし、１が好ましい。ｍｉ１が１又は２であると、一般式（ｉ）で表わされる化合物は、３環〜４環の液晶化合物に相当し、他の液晶化合物と高い相溶性を示す。
【００５４】
本発明における一般式（ｉ）で表わされる化合物の一分子中の環構造である、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は、合計でフッ素原子を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００５５】
本発明における一般式（ｉ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子以外）を０〜３個有することが好ましく、０〜２個有することがより好ましい。
【００５６】
本発明における一般式（ｉ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００５７】
本発明における一般式（ｉ）で表わされる化合物は、Ａｉ３に結合するシアノ基を有するが、該シアノ基以外に、一分子中の環構造であるＡｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３はシアノ基を合計で１〜３個有していてもよい。
【００５８】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上組み合わせて使用してもよい。組み合わせ可能な化合物の種類に特に制限は無いが、誘電率異方性、常温における溶解性、転移温度、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する液晶化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。
【００５９】
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値（質量％）は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％である。又、析出等の問題を防ぐ観点から、好ましい含有量の上限値は８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％である。
【００６０】
本発明の一般式（ｉ）で表わされる化合物の好ましい形態の一つは、上記一般式（ｉ）中、Ｒｉ１が、炭素原子数１〜８を有し、かつ直鎖状の、アルキル基、アルコキシ基、炭素原子数２〜８を有し、かつ直鎖状の、アルケニル基、又はアルケニルオキシ基であり、Ａｉ１、Ａｉ２及びＡｉ３は、上記式（ａ１）〜（ａ３）、（ａ１９）又は（ａ２４）であり、Ｚｉ１及びＺｉ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＯＯ−、又は−Ｃ≡Ｃ−であり、かつＺｉ１又はＺｉ２のいずれかが−Ｃ≡Ｃ−であり、ｍｉ１は、１を表わす化合物である。また、一般式（ｉ）で表される化合物の好ましい含有量は、液晶組成物全体（１００質量％）に対して、５〜８５質量％であることが好ましく、１０〜８３質量％であることがより好ましく、１３〜８０質量％であることが特に好ましい。
【００６１】
上記一般式（ｉ）で表わされる化合物は、以下の一般式（ｉ−１）で表わされる化合物であることが好ましい。
【００６２】
【化１０】
0006973684.tif 000011
【００６３】
（上記一般式（ｉ−１）中、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｚｉ２及びｍｉ１は、上記一般式（ｉ）中のＲｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｚｉ２及びｍｉ１とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｘｉ１〜Ｘｉ６はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘｉ１とＸｉ２がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘｉ３とＸｉ４がともにフッ素原子を表すことはない。）
上記一般式（ｉ−１）中、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｚｉ２及びｍｉ１は、上記一般式（ｉ）中のＲｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｚｉ２及びｍｉ１と同一であるため、ここでの説明は省略する。
【００６４】
Ｘｉ１〜Ｘｉ６において、Ｘｉ１とＸｉ２がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘｉ３とＸｉ４がともにフッ素原子を表すことはないため、一般式（ｉ）で表わされる液晶化合物の誘電率異方性（Δε）が０以上を示しやすくなる。
【００６５】
正の誘電率異方性の値を大きくする観点から、Ｘｉ２、Ｘｉ４、Ｘｉ５及びＸｉ６の少なくとも１つ以上がフッ素原子を表すことが好ましい。また、環構造のラテラル位にフッ素原子等のハロゲン原子を導入すると、相溶性が向上するため好ましい。一般式（ｉ−１）で表わされる化合物を使用することで、常温保存安定性を確保しやすくなる。
【００６６】
本発明における一般式（ｉ−１）で表わされる化合物の一分子中の環構造である、ｍｉ１個のＡｉ１及び２つのベンゼン環は、合計でフッ素原子を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００６７】
本発明における一般式（ｉ−１）で表わされる化合物一分子中の環構造である、ｍｉ１個のＡｉ１は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子以外）を０〜３個有することが好ましく、０〜２個有することがより好ましい。
【００６８】
本発明における一般式（ｉ−１）で表わされる化合物一分子中の環構造である、ｍｉ１個のＡｉ１及び２つのベンゼン環は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００６９】
本発明における一般式（ｉ−１）で表わされる化合物一分子中の環構造である、ｍｉ１個のＡｉ１は合計で、シアノ基を０〜３個有することが好ましく、０〜２個有することがより好ましい。
【００７０】
上記一般式（ｉ）及び一般式（ｉ−１）で表わされる化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（ｉ−１−ａ）〜（ｉ−１−ｄ）で表わされる化合物が挙げられる。
【００７１】
【化１１】
0006973684.tif 000012
【００７２】
上記一般式（ｉ−１−ａ）〜（ｉ−１−ｄ）中、Ｒｉ１１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、環Ｘ及び環Ｙは、それぞれ独立して、上記式（ａ１）〜（ａ２６）で表わされる二価の環式基を表し、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｘｉ３、Ｘｉ４、Ｘｉ５及びＸｉ６は、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表す。
【００７３】
上記一般式（ｉ−１−ａ）〜（ｉ−１−ｄ）中、環Ｘ及び環Ｙは、それぞれ独立して、上記（ａ１）〜（ａ３）、（ａ１９）又は（ａ２４）がより好ましい。
【００７４】
上記一般式（ｉ−１−ａ）〜（ｉ−１−ｄ）中、Ｒｉ１は、信頼性の観点から、炭素原子数１〜８のアルキル基が好ましい。上記化合物のうち、（ｉ−１−ａ）、（ｉ−１−ｂ）、（ｉ−１−ｃ）が好ましい。
【００７５】
また、上記一般式（ｉ）及び一般式（ｉ−１）で表わされる化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物が挙げられる。一般式（ｉ−１−１）で表される化合物は、比較的高いΔｎと、良好な相溶性とを有する。これにより、常温下において安定な液晶組成物を得ることができる。
【００７６】
【化１２】
0006973684.tif 000013
【００７７】
（上記一般式（ｉ−１−１）中、Ｒｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ６及びＡｉ１は、上記一般式（ｉ）又は一般式（ｉ−１）中の、Ｒｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ６及びＡｉ１とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｘｉ７、Ｘｉ８及びＸｉ９はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘｉ７とＸｉ８がともにフッ素原子を表すことはなく、
Ｚｉ１２は、単結合又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
Ｚｉ１３は、単結合又は−Ｃ≡Ｃ−を表わすが、少なくとも一つのＺｉ２あるいはＺｉ３は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
ｍｉ２は、０又は１を表す。）
上記一般式（ｉ−１−１）中、Ｒｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ６及びＡｉ１は、上記一般式（ｉ）又は一般式（ｉ−１）中のＲｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ６及びＡｉ１及びＺｉ１と同一であるため、ここでの説明は省略する。
【００７８】
上記一般式（ｉ−１−１）中、Ｘｉ７とＸｉ８がともにフッ素原子を表すことはないことにより、一般式（ｉ−１−１）で表わされる液晶化合物の誘電率異方性（Δε）が０以上を示しやすくなる。
【００７９】
液晶組成物の安定性の観点から、Ｚｉ１２及びＺｉ１３のうち一方が−Ｃ≡Ｃ−を表し、他方が単結合を表すことが好ましい。
【００８０】
本発明に係る一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物において、Ｘｉ１〜Ｘｉ７の少なくとも１つがフッ素原子であることが好ましい。すなわち、本発明における一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物の一分子中において、ベンゼン環には、電子吸引基であるフッ素原を合計１又は２以上有する。これにより、一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物は、より正の誘電率異方性を示しやすくなり、環構造のラテラル位にフッ素原子等のハロゲン原子を導入すると、相溶性が向上するため好ましい。一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物を使用することで、常温保存安定性を確保しやすくなる。
【００８１】
また、本発明における一般式（ｉ−１−１）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉ１及び３つのベンゼン環は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００８２】
本発明に係る一般式（ｉ）の具体的な構造としては、以下の一般式（ｉ．１）〜（ｉ．２６）で表わされる３環又は４環の液晶化合物が好ましい。液晶組成物の相溶性をより向上させる観点からは３環の化合物がより好ましい。本発明に係る液晶組成物において、当該一般式（ｉ．１）〜（ｉ．２６）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８３】
【化１３】
0006973684.tif 000014
【００８４】
【化１４】
0006973684.tif 000015
【００８５】
【化１５】
0006973684.tif 000016
【００８６】
【化１６】
0006973684.tif 000017
【００８７】
上記一般式（ｉ．１）〜（ｉ．２６）中、Ｒｉ１は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【００８８】
上記一般式（ｉ．１）〜（ｉ．２６）で表される化合物の中でも、（ｉ．８）〜（ｉ．２３）が好ましい。
【００８９】
なお、本発明に係る液晶組成物において、液晶組成物全体に対する上記一般式（ｉ．１）〜（ｉ．２６）の化合物のそれぞれの含有量は、一般式（ｉ）の好ましい含有量を適用することができる。
【００９０】
また、上記一般式（ｉ）及び一般式（ｉ−１）で表わされる化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（ｉ−１−１ａ）で表わされる化合物が挙げられる。一般式（ｉ−１−１ａ）で表される化合物は、トラン構造を備え、且つ、環構造の末端にシアノ基、さらにはＸｉ４にフッ素原子を有するため、Δεが向上する。
【００９１】
【化１７】
0006973684.tif 000018
【００９２】
（上記一般式（ｉ−１−１ａ）中、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１及びＸｉ１〜Ｘｉ３、Ｘｉ５及びＸｉ６は、上記一般式（ｉ−１）中のＲｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ３、Ｘｉ５及びＸｉ６とそれぞれ同じ意味を表し、
ｍｉ２は、０又は１を表わし、
Ｚｉａ１及びＺｉａ２はそれぞれ独立して、単結合又は−Ｃ≡Ｃ−を表わすが、少なくとも一方は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、
Ｘｉ７〜Ｘｉ９はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘｉ７とＸｉ８がともにフッ素原子を表すことはなく、
一般式（ｉ−１−１ａ）において、Ｘｉ２、Ｘｉ５、Ｘｉ６、Ｘｉ８及びＸｉ９の少なくとも１つはフッ素原子を表す。）
上記一般式（ｉ−１−１ａ）中、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１及びＸｉ１〜Ｘｉ３、Ｘｉ５及びＸｉ６は、上記一般式（ｉ）又は一般式（ｉ−１）中の、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１及びＸｉ１〜Ｘｉ３、Ｘｉ５及びＸｉ６と同一であるため、ここでの説明は省略する。
【００９３】
液晶組成物の安定性の観点から、Ｚｉａ１及びＺｉａ２のうち一方が−Ｃ≡Ｃ−を表し、他方が単結合を表すことが好ましい。
【００９４】
本発明における一般式（ｉ−１−１ａ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉ１及び３つのベンゼン環は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【００９５】
本発明に係る一般式（ｉ）及び一般式（ｉ−１−１ａ）の具体的な構造としては、以下の一般式（ｉ．２７）〜（ｉ．４４）で表わされる３環又は４環の液晶化合物が好ましい。液晶組成物の相溶性をより向上させる観点からは３環の化合物がより好ましい。本発明に係る液晶組成物において、当該一般式（ｉ．２７）〜（ｉ．４４）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００９６】
【化１８】
0006973684.tif 000019
【００９７】
【化１９】
0006973684.tif 000020
【００９８】
【化２０】
0006973684.tif 000021
【００９９】
上記一般式（ｉ．２７）〜（ｉ．４４）中、Ｒｉ１は、一般式（ｉ）中のＲｉ１と同じ意味を表すが、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【０１００】
上記一般式（ｉ．２７）〜（ｉ．４４）で表される化合物の中でも、（ｉ．２７）〜（ｉ．３４）が好ましい。
【０１０１】
なお、本発明に係る液晶組成物において、液晶組成物全体に対する上記一般式（ｉ．２７）〜（ｉ．４４）の化合物のそれぞれの含有量は、一般式（ｉ）の好ましい含有量を適用することができる。
【０１０２】
一般式（ｉ−１−１ａ）で表される化合物は、公知の方法で製造することができるが、例えば以下の方法で製造できる。
【０１０３】
【化２１】
0006973684.tif 000022
【０１０４】
（式中、Ｒｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ３及びＸｉ５〜Ｘｉ９は一般式（ｉ−１−１ａ）中のＲｉ１、Ａｉ１、Ｚｉ１、Ｘｉ１〜Ｘｉ３及びＸｉ５〜Ｘｉ９とそれぞれ同じ意味を表す。）
一般式（Ｉ−１）で表される化合物を一般式（Ｉ−２）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−３）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えばパラジウム触媒、銅触媒及び塩基を用いた薗頭カップリング反応が挙げられる。パラジウム触媒の具体例としては上記のものが挙げられる。銅触媒の具体例としてはヨウ化銅（Ｉ）が挙げられる。塩基の具体例としてはトリエチルアミン等が挙げられる。
【０１０５】
一般式（Ｉ−３）で表される化合物を例えばｓｅｃブチルリチウム及びヨウ素と反応させることにより一般式（Ｉ−４）で表される化合物を得ることができる。
【０１０６】
一般式（Ｉ−４）で表される化合物を例えばビス（ピナコラト）ジボロンと反応させることにより一般式（Ｉ−５）で表される化合物を得ることができる。
【０１０７】
一般式（Ｉ−６）で表される化合物を一般式（Ｉ−５）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｉ−１−１ａ）で表される化合物を得ることができる。反応方法としては例えば金属触媒及び塩基存在下、クロスカップリングさせる方法が挙げられる。金属触媒の具体例としては［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。金属触媒として酢酸パラジウム（ＩＩ）を使用する場合、トリフェニルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等の配位子を添加してもよい。塩基の具体例としては炭酸カリウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。
【０１０８】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（ｉｉ）で表わされる化合物の１種又は２種以上を含む。該一般式（ｉｉ）で表される化合物は、以下の通りである。
【０１０９】
【化２２】
0006973684.tif 000023
【０１１０】
一般式（ｉｉ）で表される化合物は、高いΔｎを有する。上述の一般式（ｉ）で表される化合物との相溶性に優れ、一般式（ｉ）で表される化合物と一般式（ｉｉ）で表される化合物を組み合わせることで、高いΔｎと高いΔεを両立できる液晶組成物を提供できる。
【０１１１】
上記一般式（ｉｉ）中、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−は、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはない。
【０１１２】
一般式（ｉｉ）中、Ｒｉｉ１は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましい。
【０１１３】
Ｒｉｉ１は、信頼性を重視する場合にはアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。
【０１１４】
また、Ｒｉｉ１が結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒｉｉ１が結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。Ｒｉｉ１は、ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【０１１５】
ここで、アルケニル基としては、上述の式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。
【０１１６】
Ｒｉｉ２は、一般式（ｉｉ）で表される化合物が、Δεが正のいわゆるｐ型化合物である場合には、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はシアノ基が好ましい。
【０１１７】
一般式（ｉｉ）で表される化合物が、Δεがほぼ０のいわゆるノンポーラ型化合物である場合には、Ｒｉｉ２は、Ｒｉｉ１と同じ意味を表すが、Ｒｉｉ２とＲｉｉ１は、同一であっても、異なっていてもよい。
【０１１８】
上記一般式（ｉｉ）中、Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２及びＺｉｉ３は、それぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わす。
【０１１９】
ここで、Ｚｉｉ１〜Ｚｉｉ３は、単結合であることが好ましい。
【０１２０】
上記一般式（ｉｉ）中、Ａｉｉ１、Ａｉｉ２、Ａｉｉ３、Ａｉｉ４、Ａｉｉ５及びＡｉｉ６は、それぞれ独立して、以下の基（ａ）〜基（ｃ）からなる群より選ばれる基を表わす。
【０１２１】
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）
上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されていてもよい。
【０１２２】
Ａｉｉ１〜Ａｉｉ６は、それぞれ独立して、Δｎを高くすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造：
【０１２３】
【化２３】
0006973684.tif 000024
【０１２４】
（Ｒは炭素原子数１〜６のアルキル基を表す）
を表すことがより好ましく、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基及びテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であることが特に好ましく、これらの１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基及びテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中の水素原子はそれぞれ独立して１個又は２個以上の水素原子がフッ素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基により置換されていてもよい。
【０１２５】
Ａｉｉ２は以下の基（ｄ）〜基（ｆ）：
【０１２６】
【化２４】
0006973684.tif 000025
【０１２７】
（Ｘｉｉｄ１、Ｘｉｉｄ２、Ｘｉｉｅ１、Ｘｉｉｅ２、Ｘｉｉｆ１及びＸｉｉｆ２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表わす。）
からなる群より選ばれる基を表わすことが、Δｎ向上の観点から好ましい。また、基（ｆ）を表すことが、他の液晶化合物との相溶性の観点から好ましい。
【０１２８】
また、他の液晶組成物との相溶性を高めるために、Ａｉｉ１〜Ａｉｉ６の少なくとも一つが炭素原子数１〜６のアルキル基により置換された１，４−フェニレン基を表すことが好ましく、エチレン基で置換された１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。
【０１２９】
上記一般式（ｉｉ）中、ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３は、それぞれ独立して、０又は１を表すが、ｍｉｉ１＋ｍｉｉ２＋ｍｉｉ３は、０又は１を表わす。
【０１３０】
ここで、ｍｉｉ１は、液晶組成物への溶解性を重視する場合には０が好ましく、Δｎ及びＴｎｉを重視する場合には１が好ましい。
【０１３１】
また、ｍｉｉ１＋ｍｉｉ２＋ｍｉｉ３は、０であることが好ましい。
【０１３２】
本発明における一般式（ｉｉ）で表わされる化合物の一分子中の環構造である、Ａｉｉ１〜Ａｉｉ６は、合計でフッ素原子を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【０１３３】
本発明における一般式（ｉｉ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉｉ１〜Ａｉｉ６は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子以外）を０〜３個有することが好ましく、０〜２個有することがより好ましい。
【０１３４】
本発明における一般式（ｉｉ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、Ａｉｉ１〜Ａｉｉ６は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【０１３５】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉｉ）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上組み合わせて使用してもよい。組み合わせ可能な化合物の種類に特に制限は無いが、誘電率異方性、常温における溶解性、転移温度、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する液晶化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。
【０１３６】
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値（質量％）は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％である。又、析出等の問題を防ぐ観点から、、好ましい含有量の上限値は７０％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％である。
【０１３７】
上記一般式（ｉｉ）で表わされる化合物は、以下の一般式（ｉｉ−１）で表わされる化合物であることが好ましい。
【０１３８】
【化２５】
0006973684.tif 000026
【０１３９】
（上記一般式（ｉｉ−１）中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉ２、Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２、Ｚｉｉ３、Ａｉｉ１、Ａｉｉ４、Ａｉｉ６、ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３は、上記一般式（ｉｉ）中のＲｉｉ１、Ｒｉｉ２、Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２、Ｚｉｉ３、Ａｉｉ１、Ａｉｉ４、Ａｉｉ６、ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３とそれぞれ同じ意味を表し、
Ａｉｉ２は以下の基（ｄ）〜基（ｆ）：
【０１４０】
【化２６】
0006973684.tif 000027
【０１４１】
（Ｘｉｉｄ１、Ｘｉｉｄ２、Ｘｉｉｅ１、Ｘｉｉｅ２、Ｘｉｉｆ１及びＸｉｉｆ２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表わす。）
からなる群より選ばれる基を表わし、
Ｘｉｉ１、Ｘｉｉ２、Ｘｉｉ３及びＸｉｉ４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。）
上記一般式（ｉｉ−１）中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉ２、Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２、Ｚｉｉ３、Ａｉｉ１、Ａｉｉ４、Ａｉｉ６、ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３は、上記一般式（ｉｉ）中のＲｉｉ１、Ｒｉｉ２、Ｚｉｉ１、Ｚｉｉ２、Ｚｉｉ３、Ａｉｉ１、Ａｉｉ４、Ａｉｉ６、ｍｉｉ１、ｍｉｉ２及びｍｉｉ３と同一であるため、ここでの説明は省略する。
【０１４２】
Ｘｉｉｄ１、Ｘｉｉｄ２、Ｘｉｉｅ１、Ｘｉｉｅ２、Ｘｉｉｆ１及びＸｉｉｆ２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表わすが、Δε向上の観点からは少なくとも１個がフッ素原子であることが好ましく、ともにフッ素原子であることが好ましい。
【０１４３】
Ｘｉｉ１、Ｘｉｉ２、Ｘｉｉ３、Ｘｉｉ４は、Δε向上の観点からは少なくとも１個がフッ素原子であることが好ましい。Ｘｉｉ１、Ｘｉｉ２、Ｘｉｉ３、Ｘｉｉ４のうちフッ素原子の合計数は０〜３であることが好ましく、０〜２であることがより好ましい。
【０１４４】
また、Ｘｉｉ１、Ｘｉｉ２、Ｘｉｉ３、Ｘｉｉ４は、相溶性の観点からは炭素原子数１〜６のアルキル基であることが好ましく、エチル基であることがより好ましい。
【０１４５】
Ｘｉｉ１とＸｉｉ２が結合する環構造、及びＸｉｉ３とＸｉｉ４が結合する環構造は、それぞれ以下の構造であることが好ましい。
【０１４６】
【化２７】
0006973684.tif 000028
【０１４７】
（Ｅｔはエチル基を表す。）
本発明に係る一般式（ｉｉ）の具体的な構造としては、以下の一般式（ｉｉ．１）〜（ｉｉ．３８）で表わされる３環又は４環の化合物が好ましい。液晶組成物の相溶性をより向上させる観点からは３環の化合物がより好ましい。本発明に係る液晶組成物において、当該一般式（ｉｉ．１）〜（ｉｉ．３８）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４８】
【化２８】
0006973684.tif 000029
【０１４９】
【化２９】
0006973684.tif 000030
【０１５０】
【化３０】
0006973684.tif 000031
【０１５１】
上記一般式（ｉｉ．１）〜一般式（ｉｉ．３８）中、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲｉｉ１及びＲｉｉ２と同じ意味を表すが、Ｒｉｉ１は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。また、Ｒｉｉ２は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルケニルオキシ基、フッ素原子又は塩素原子を表すことが好ましい。
【０１５２】
上記一般式（ｉｉ．１）〜一般式（ｉｉ．３８）で表される化合物の中でも、一般式（ｉｉ−１）、（ｉｉ−１０）〜（ｉｉ−１１）、（ｉｉ−２５）〜（ｉｉ−２９）が好ましい。
【０１５３】
また、上記一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉ−１）で表わされる化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（ｉｉ−１ａ）で表わされる化合物が挙げられる。一般式（ｉｉ−１ａ）で表される化合物は、トラン構造を備え、且つ、１分子中にフッ素原子、塩素原子又はシアノ原子で表わされる電子吸引基を２個以上有するため、Δεが向上する。
【０１５４】
【化３１】
0006973684.tif 000032
【０１５５】
（上記一般式（ｉｉ−１ａ）中、Ｒｉｉ１、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２は一般式（ｉｉ−１）中の、Ｒｉｉ１、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２と同じ意味を表し、
Ｒｉｉａ２はフッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒｉｉ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよいが、Ｒｉｉ１及びＲｉｉａ２がともにフッ素原子、塩素原子及びシアノ基から選ばれる置換基を表すことはなく、
Ｘｉｉａ１及びＸｉｉａ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表し、
Ｘｉｉａ３、Ｘｉｉａ４及びＸｉｉａ５はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表すが、Ｘｉｉａ３、Ｘｉｉａ４及びＸｉｉａ５の少なくとも１つはフッ素原子又は塩素原子を表す。）
上記一般式（ｉｉ−１ａ）中、Ｒｉｉ１、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２は、上記一般式（ｉｉ）又は一般式（ｉｉ−１）中の、Ｒｉｉ１、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２と同一であるため、ここでの説明は省略する。
【０１５６】
一般式（ｉｉ−１ａ）において、溶解性を向上させる観点からは、Ｘｉｉａ１及びＸｉｉａ２の少なくともいずれか一つが炭素原子数１〜６のアルキル基を表すことが好ましく、エチル基を表すことがより好ましい。
【０１５７】
また、一般式（ｉｉ−１ａ）において、Δεをより向上させる観点からは、Ｘｉｉａ３及びＸｉｉａ４の少なくともいずれか一つ以上がフッ素原子又は塩素原子を表すことが好ましい。
【０１５８】
また、一般式（ｉｉ−１ａ）において、Ｒｉｉａ２が塩素原子又はシアノ基を表す場合、Ｘｉｉａ３はフッ素原子を表すことが好ましい。
【０１５９】
本発明における一般式（ｉｉ−１ａ）で表わされる化合物一分子中の環構造である、３つのベンゼン環は合計で、ハロゲン原子（フッ素原子を含む）を１〜５個有することが好ましく、１〜４個有することがより好ましい。
【０１６０】
本発明に係る一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉ−１ａ）の具体的な構造としては、以下の一般式（ｉｉ−４１）〜（ｉｉ−５２）で表わされる液晶化合物が好ましい。本発明に係る液晶組成物において、当該一般式（ｉｉ−４１）〜（ｉｉ−５４）で表される化合物は、単独で使用しても、あるいは２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１６１】
【化３２】
0006973684.tif 000033
【０１６２】
上記一般式（ｉｉ−４１）〜一般式（ｉｉ−５４）中、Ｒｉｉ１及びＲｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲｉｉ１及びＲｉｉ２と同じ意味を表すが、Ｒｉｉ１は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、又は炭素原子数１〜６のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。また、Ｅｔはエチル基を表す。
【０１６３】
なお、本発明に係る液晶組成物において、液晶組成物全体に対する上記一般式（ｉｉ−４１）〜一般式（ｉｉ−５４）の化合物のそれぞれの含有量は、一般式（ｉｉ）の好ましい含有量を適用することができる。
【０１６４】
一般式（ｉｉ−１ａ）で表される化合物は、公知の方法で製造することができるが、例えば以下の方法で製造できる。
【０１６５】
【化３３】
0006973684.tif 000034
【０１６６】
（式中、Ｒｉｉ１、Ｒｉｉａ２、Ｘｉｉａ１〜Ｘｉｉａ５、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２は一般式（ｉｉ−１ａ）中のＲｉｉ１、Ｒｉｉａ２、Ｘｉｉａ１〜Ｘｉｉａ５、Ｘｉｉｄ１及びＸｉｉｄ２とそれぞれ同じ意味を表す。）
一般式（ＩＩ−１）で表される化合物を一般式（ＩＩ−２）で表される化合物と反応させることにより一般式（ＩＩ−３）で表される化合物を得ることができる。
【０１６７】
一般式（ＩＩ−３）で表される化合物を一般式（ＩＩ−４）で表される化合物と反応させることにより一般式（ｉｉ−１ａ）で表される化合物を得ることができる。
【０１６８】
上記一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉ−１）で表わされる化合物の好ましい具体的な形態として、下記構造式（ｉｉ−１．１）〜（ｉｉ−１．９６）で表される化合物が挙げられる。
【０１６９】
【化３４】
0006973684.tif 000035
【０１７０】
【化３５】
0006973684.tif 000036
【０１７１】
【化３６】
0006973684.tif 000037
【０１７２】
【化３７】
0006973684.tif 000038
【０１７３】
式中、Ｘは、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。
【０１７４】
【化３８】
0006973684.tif 000039
【０１７５】
式中、Ｘは、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。
【０１７６】
【化３９】
0006973684.tif 000040
【０１７７】
上記構造式（ｉｉ−１．１）〜（ｉｉ−１．９６）で表される化合物の中でも、（ｉｉ−１．２）〜（ｉｉ−１．８）、（ｉｉ−１．１２）〜（ｉｉ−１．１８）、（ｉｉ−１．２２）〜（ｉｉ−１．２８）、（ｉｉ−１．３２）〜（ｉｉ−１．３８）、（ｉｉ−１．４１）〜（ｉｉ−１．９６）が好ましい。
【０１７８】
本発明の液晶組成物において、一般式（ｉｉ）で表される化合物の含有量が少ないとその効果が小さいため、組成物中の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２質量％であり、５質量％であり、７質量％であり、９質量％であり、１０質量％であり、１２質量％であり、１５質量％であり、１７質量％であり、２０質量％、２５質量％、３０質量％である。また、析出等の問題を防ぐ観点から、好ましい含有量の上限値は、５０質量％であり、４０質量％であり、３０質量％であり、２５質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１５質量％であり、１３質量％であり、１０質量％である。
【０１７９】
以上が、本発明に係る液晶組成物の必須成分である一般式（ｉ）及び一般式（ｉｉ）で表わされる化合物に関する説明である。本発明に係る液晶組成物は、任意成分として、一般式（１ａ）〜（１ｃ）で表される化合物、一般式（２ａ）〜（２ｃ）で表される化合物及び一般式（ｉｉｉ）で表わされる化合物からなる群から選択される１種又は２種以上を含有してもよい。以下、本発明に係る液晶組成物の任意成分について説明する。
【０１８０】
本発明に係る液晶組成物は、以下の一般式（１ａ）、一般式（１ｂ）及び一般式（１ｃ）から選択される化合物の１種又は２種以上をさらに含有することが好ましい。
【０１８１】
【化４０】
0006973684.tif 000041
【０１８２】
上記一般式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルキニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されてもよく、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、
Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５及びＭ１６は、それぞれ独立して、下記の基（ａ）、基（ｂ）、又は基（ｄ）のいずれか１種を表わし、
（ａ）  トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は相互に隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、並びに
（ｄ）  １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、
上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｄ）に含まれる１個又は２個以上の水素原子は、それぞれシアノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていてもよく、
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５及びＬ１６は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＦ２Ｏ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｐ、ｑ、ｓは、それぞれ独立して、０、１又は２を表し、
Ｍ１２、Ｍ１４、Ｍ１６、Ｌ１１、Ｌ１３及び／又Ｌ１５がそれぞれ複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよく、
Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６及びＸ１７は、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｙ１１、Ｙ１２及びＹ１３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、シアノ基（−ＣＮ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）、シアナト基（−ＯＣＮ）、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ジフルオロメトキシ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルキニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されてもよく、また、これらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子は、フッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、
但し、上記（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）で表される化合物から、上記一般式（ｉ）で表される化合物を除く。
【０１８３】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（１ａ）〜（１ｃ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を少なくとも１種又は２種以上を含有することが好ましく、２種〜８種含有することが特に好ましい。本発明に係る液晶組成物において、一般式（１ａ）〜一般式（１ｃ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上の液晶化合物の含有量（液晶組成物全体を１００質量％）の下限値は、１質量％であることが好ましく、３質量％であることがより好ましく、５質量％であることがさらに好ましい。また、本発明に係る液晶組成物において、一般式（１ａ）〜一般式（１ｃ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上の液晶化合物の含有量（液晶組成物全体を１００質量％）の上限値は、６０質量％が好ましく、５０質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、３０質量％が更に好ましい。
【０１８４】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（１ａ）又は（１ｂ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を少なくとも１種又は２種以上を含有することがより好ましく、一般式（１ａ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を少なくとも１種又は２種以上を含有することがより好ましい。
【０１８５】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（１ａ）で表される化合物の好ましい含有量（質量％）の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２５％であり、３０％、３５％である。また、析出等の問題を防ぐ観点から、好ましい含有量の上限値は３５％であり、３０％であり、２５％であり、２０であり、１５％であり、１０％であり、５％であり、３％である。
【０１８６】
一般式（１ａ）の化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（１ａ．１）〜一般式（１ａ．５９）で表される各化合物が好ましい。
【０１８７】
【化４１】
0006973684.tif 000042
【０１８８】
【化４２】
0006973684.tif 000043
【０１８９】
【化４３】
0006973684.tif 000044
【０１９０】
【化４４】
0006973684.tif 000045
【０１９１】
【化４５】
0006973684.tif 000046
【０１９２】
【化４６】
0006973684.tif 000047
【０１９３】
【化４７】
0006973684.tif 000048
【０１９４】
【化４８】
0006973684.tif 000049
【０１９５】
【化４９】
0006973684.tif 000050
【０１９６】
【化５０】
0006973684.tif 000051
【０１９７】
上記一般式（１ａ．１）〜（１ａ．５９）中、Ｒ１１ａは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数１〜１２のアルコキシル基、炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基を表す。
【０１９８】
Ｒ１１ｃは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数１〜１２のアルコキシル基、炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基を表し、
Ｘ１１ａ〜Ｘ１１ｄ、Ｘ１１ｇ及びＸ１１ｈは、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｚ１１ａ、Ｚ１１ｂ、Ｚ１１ｃ及びＺ１１ｄは、それぞれ独立して、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ４Ｈ８−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表わす。
【０１９９】
上記一般式（１ａ．１）〜（１ａ．５９）で表される化合物中でも、（１ａ．１）〜（１ａ．２４）、（１ａ．２６）、（１ａ．３５）〜（１ａ．５４）が好ましい。
【０２００】
上記一般式（１ａ）の化合物の具体例としては、例えば、以下の構造式（１ａ．１１．１）〜（１ａ．４８．５）で表される化合物が挙げられる。
【０２０１】
【化５１】
0006973684.tif 000052
【０２０２】
【化５２】
0006973684.tif 000053
【０２０３】
【化５３】
0006973684.tif 000054
【０２０４】
【化５４】
0006973684.tif 000055
【０２０５】
【化５５】
0006973684.tif 000056
【０２０６】
【化５６】
0006973684.tif 000057
【０２０７】
上記構造式（１ａ．１１．１）〜（１ａ．４８．５）で表される化合物の中でも、（１ａ．１１．２）〜（１ａ．１１．５）、（１ａ．１８．２）〜（１ａ．１８．５）、（１ａ．２４．１２）〜（１ａ．２４．１５）、（１ａ．２８．２）〜（１ａ．２８．５）、（１ａ．２８．７）〜（１ａ．２８．１０）、（１ａ．３５．３）、（１ａ．３６．３）、（１ａ．４７．３）、（１ａ．４８．３）が好ましい。
【０２０８】
また、一般式（１ａ）の好ましい形態としては、一般式（１ａ−１）で表される化合物が好ましい。一般式（１ａ−１）で表される化合物を用いることにより、高Δｎを実現しつつ、広い温度範囲の液晶相を有し、粘性が小さく、低温での溶解性が良好で、比抵抗や電圧保持率が高く、熱や光に対して安定な組成物を得ることができる。
【０２０９】
【化５７】
0006973684.tif 000058
【０２１０】
（式中、Ｙ１１、Ｘ１１及びＸ１２は一般式（１ａ）中のＹ１１、Ｘ１１及びＸ１２とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｒ１ａ１は炭素原子数２〜１２のアルキニル基を表し、該アルキニル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、Ｒ１ａ１中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｘ１３〜Ｘ１５はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ１１とＸ１３がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ１４とＸ１５がともにフッ素原子を表すことはなく、
Ａ１ａ１は一般式（１ａ）中のＭ１１と同じ意味を表し、
Ｚ１ａ１は一般式（１ａ）中のＬ１１と同じ意味を表し、
ｍ１ａ１は０又は１を表す。）
式（１ａ−１）で表される化合物としては、１種を使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。
【０２１１】
本発明の液晶組成物の総量に対して一般式（１ａ−１）で表される化合物の含有量（質量％）の下限値は、１質量％が好ましく、２％が好ましく、５％が好ましく、７％が好ましく、９％が好ましく、１０％が好ましく、１２％が好ましく、１５％が好ましく、１７％が好ましく、２０％が好ましい。又、析出等の問題を防ぐ観点から、上限値としては、５０％が好ましく、４０％が好ましく、３０％が好ましく、２５％が好ましく、２０％が好ましく、１８％が好ましく、１５％が好ましく、１３％が好ましく、１０％が好ましい。
【０２１２】
一般式（１ａ−１）中、Ｒ１ａ１は、炭素原子数１〜８のアルキニル基が好ましく、式（Ｒ１１）から式（Ｒ１５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【０２１３】
【化５８】
0006973684.tif 000059
【０２１４】
特に（Ｒ１３）及び（Ｒ１４）が好ましい。
【０２１５】
一般式（１ａ−１）において、Ｙ１１は一般式（１ａ−１）で表される化合物がΔεが正のいわゆるｐ型化合物である場合には、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基であることが好ましく、Δεを向上させる観点からは、フッ素原子又はシアノ基が好ましい。
【０２１６】
一般式（１ａ−１）で表される化合物が、Δεがほぼ０のいわゆるノンポーラー型化合物である場合には、Ｙ１１は炭素原子数１〜１０のアルキル基，炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルキニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されてもよい基を表すことが好ましい。
【０２１７】
Ａ１ａ１はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【０２１８】
【化５９】
0006973684.tif 000060
【０２１９】
トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。
【０２２０】
Ｚ１ａ１は単結合であることが好ましい。
【０２２１】
ｍ１ａ１は液晶組成物への溶解性を重視する場合には０が好ましく、Δｎ及びＴｎｉを重視する場合には１が好ましい。
【０２２２】
Ｘ１１〜Ｘ１４はすべてが水素原子であるか、又は、１個がフッ素原子で残りが水素原子であることが好ましく、Ｘ１４がフッ素原子であり、残りが水素原子であることが好ましい。
【０２２３】
一般式（１ａ−１）で表される化合物は、以下の一般式（１ａ−１１）〜一般式（１ａ−３４）で表される各化合物が好ましい。
【０２２４】
【化６０】
0006973684.tif 000061
【０２２５】
【化６１】
0006973684.tif 000062
【０２２６】
【化６２】
0006973684.tif 000063
【０２２７】
【化６３】
0006973684.tif 000064
【０２２８】
本発明に係る液晶組成物は、以下の一般式（２ａ）〜（２ｃ）で表される化合物を１種又は２種以上さらに含有することが好ましい。
【０２２９】
【化６４】
0006973684.tif 000065
【０２３０】
上記一般式（２ａ）〜（２ｃ）中、
Ｒ２ａ及びＲ２ｂは、それぞれ独立して、炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチル又はエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよく、
環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい、１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基又はピリジン−２，５−ジイル基を表し、
Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ及びＬ２ｃは、それぞれ独立した連結基であって、単結合、エチレン基（−ＣＨ２ＣＨ２−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−及び−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−を表す。
【０２３１】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（２ａ）〜（２ｃ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を少なくとも１種を含有することが好ましく、２種〜８種含有することが特に好ましい。本発明に係る液晶組成物において、一般式（２ａ）〜一般式（２ｃ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上の液晶化合物の含有量（液晶組成物全体を１００質量％）の下限値は、０質量％であることが好ましく、３質量％であることがより好ましく、５質量％であることがさらに好ましい。本発明に係る液晶組成物において、一般式（２ａ）〜一般式（２ｃ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種又は２種以上の液晶化合物の含有量（液晶組成物全体を１００質量％）の上限値は、５０質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、２５質量％が更に好ましい。
【０２３２】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（２ａ）又は（２ｂ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を少なくとも１種又は２種以上を含有することがより好ましく、一般式（２ａ）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物を１種又は２種以上を含有することがさらに好ましい。
【０２３３】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（２ａ）で表される化合物の好ましい含有量（質量％）の下限値は、０％であり、０．５％であり、１％であり、１．５％であり、２％であり、２．５％であり、３％である。また、析出等の問題を防ぐ観点から、好ましい含有量の上限値は４５％であり、３５％であり、２５％であり、１５％であり、１０％であり、８％であり、５％である。
【０２３４】
上記一般式（２ａ）〜（２ｃ）の化合物の好ましい形態としては、以下の一般式（２ａ−１）〜（２ａ−２８）の化合物が挙げられる。
【０２３５】
【化６５】
0006973684.tif 000066
【０２３６】
【化６６】
0006973684.tif 000067
【０２３７】
【化６７】
0006973684.tif 000068
【０２３８】
【化６８】
0006973684.tif 000069
【０２３９】
【化６９】
0006973684.tif 000070
【０２４０】
上記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−２９）中、Ｒ２ａ及びＲ２ｂは、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基又は炭素原子数１〜８のチオアルコキシ基を表わし、環Ｅ、環Ｆ、環Ｇ及び環Ｈは、それぞれ独立して、上述した式（ａ１）〜（ａ２５）のいずれか１つを表す。
【０２４１】
上記一般式（２ａ−１）〜（２ａ−２９）の化合物の中でも、（２ａ−１）〜（２ａ−３）、（２ａ−５）、（２ａ−８）〜（２ａ−１０）、（２ａ−１２）が好ましい。
【０２４２】
本発明に係る一般式（２ａ）の化合物の具体例としては、例えば、以下の構造式（２ａ−５．１）〜（２ａ−５．１３）及び（２ａ−１２．１）〜（２ａ−１２．８）で表される化合物が挙げられる。
【０２４３】
【化７０】
0006973684.tif 000071
【０２４４】
【化７１】
0006973684.tif 000072
【０２４５】
【化７２】
0006973684.tif 000073
【０２４６】
【化７３】
0006973684.tif 000074
【０２４７】
【化７４】
0006973684.tif 000075
【０２４８】
上記構造式（２ａ−５．１）〜（２ａ−５．１３）及び（２ａ−１２．１）〜（２ａ−１２．８）で表される化合物の中でも、（２ａ−５．２）〜（２ａ−５．５）、（２ａ−５．１１）〜（２ａ−５．１３）、（２ａ−１２．１）〜（２ａ−１２．４）が好ましい。
【０２４９】
本発明に係る液晶組成物は、一般式（ｉｉｉ）で表わされる化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物をさらに含むことが好ましい。
【０２５０】
【化７５】
0006973684.tif 000076
【０２５１】
上記一般式（ｉｉｉ）中、
Ｒｉｉｉ１は、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐の、アルキル基又はハロゲン化アルキル基を表し、これらの基中に存在する、メチレン基又は第二級炭素原子を１つ含むハロゲン化アルキレン基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよく、
ｍｉｉｉ１は、０、１又は２の整数を表し、
Ａｉｉｉ１〜Ａｉｉｉ３は、それぞれ独立して、下記の基（ａ）〜基（ｃ）のいずれか１種を表わし、
（ａ）  １，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は相互に隣接していない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は相互に隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
上記基（ａ）〜基（ｃ）中の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、又は炭素原子数１〜１０の直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基に置換されていてもよく、
Ｚｉｉｉ１及びＺｉｉｉ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、又は−Ｃ（Ｒｉｉｉａ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒｉｉｉｂ）−を表し、この際、Ｒｉｉｉａ及びＲｉｉｉｂは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素原子数１〜１０の直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を表し、
ｍｉｉｉ１が２のときに複数存在するＡｉｉｉ１及びＺｉｉｉ１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【０２５２】
上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｒｉｉｉ１は、炭素原子数１〜１１の直鎖状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基を表すことが好ましく、これらの基中に存在する、メチレン基又は第二級炭素原子を１つ含むハロゲン化アルキレン基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてもよい。
【０２５３】
上記一般式（ｉｉｉ）中、Ａｉｉｉ１〜Ａｉｉｉ３は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、又は炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基に置換されていてもよい、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。また、Ａｉｉｉ１〜Ａｉｉｉ３としては、上記一般式（ｉ）のＡｉ１について例示した式（ａ１）〜（ａ２５）で表される二価の環式基が同様に挙げられ、具体的には、Ａｉｉｉ１〜Ａｉｉｉ３は、それぞれ独立して、上記式（ａ１）〜（ａ３）、（ａ５）〜（ａ６）、（ａ９）〜（ａ１０）、（ａ１２）〜（ａ２５）が好ましく、（ａ１）〜（ａ３）、（ａ１２）〜（ａ２５）がより好ましく、（ａ１）〜（ａ３）、（ａ１２）〜（ａ１８）がさらに好ましい。
【０２５４】
上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｚｉｉｉ１及びＺｉｉｉ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、又は−Ｃ（Ｒｉｉｉａ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒｉｉｉｂ）−を表すことが好ましい。
【０２５５】
ここで、Ｒｉｉｉａ及びＲｉｉｉｂは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基を表すことが好ましい。
【０２５６】
上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｚｉｉｉ１及びＺｉｉｉ２は、それぞれ独立して、単結合又は−Ｃ≡Ｃ−がより好ましい。また、一般式（ｉｉｉ）で表わされる化合物１分子中には、少なくとも１つの−Ｃ≡Ｃ−を有することがより好ましい。すなわち、上記一般式（ｉｉｉ）中、Ｚｉｉｉ２及び０以上２以下存在するＺｉｉｉ１のうち少なくとも１つが−Ｃ≡Ｃ−を表わすことが好ましい。
【０２５７】
上記一般式（ｉｉｉ）中、ｍｉｉｉ１は、０、１又は２の整数を表すことが好ましい。ｍｉｉｉ１が２のときに複数存在するＡｉｉｉ１及びＺｉｉｉ１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【０２５８】
本発明に係る液晶組成物は、（ｉｉｉ）で表される化合物を少なくとも１種を含有することが好ましく、２種〜８種含有することが特に好ましい。
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量（質量％）の下限値は、１．７質量％であり、２質量％であり、４質量％であり、４．３質量％であり、５質量％であり、５．７質量％であり、６質量％である。また、析出等の問題を防ぐ観点から、好ましい含有量の上限値は、２３質量％であり、２０質量％であり、１８質量％であり、１４質量％であり、１３質量％であり、１０質量％であり、８質量％であり、５質量％である。また、本発明の液晶組成物において、一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の好ましい含有量は２〜２０質量％であり、より好ましくは４〜１５質量％であり、特に好ましくは６〜１２質量％である。
【０２５９】
上記一般式（ｉｉｉ）の具体的な構造としては、以下の一般式（ｉｉｉ．１）〜（ｉｉｉ．６）で表わされる化合物が挙げられる。
【０２６０】
【化７６】
0006973684.tif 000077
【０２６１】
上記一般式（ｉｉｉ．１）〜（ｉｉｉ．７）中、Ｒ３５は、炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数１〜８のアルコキシル基、又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、Ｒ３６は、炭素原子数１〜８のアルキル基、又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表し、Ｘｉｉｉ１〜Ｘｉｉｉ６は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又は塩素原子を表わす。
【０２６２】
より具体的には、一般式（ｉｉｉ．１）〜（ｉｉｉ．７）で表される化合物は、下記の構造式（ｉｉｉ．ａ）〜（ｉｉｉ．ｅ）で表される化合物であることが好ましい。
【０２６３】
【化７７】
0006973684.tif 000078
【０２６４】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１０〜８５％であることが好ましく、１３〜８０％であることが好ましく、１５〜７０％であることが好ましい。
【０２６５】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１３〜８８％であることが好ましく、１６〜８５％であることが好ましく、１８〜７３％であることが好ましい。
【０２６６】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（１ａ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１３〜８８％であることが好ましく、１６〜８５％であることが好ましく、１８〜７３％であることが好ましい。
【０２６７】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ａ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１３〜８８％であることが好ましく、１６〜８５％であることが好ましく、１８〜７３％であることが好ましい。
【０２６８】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ｂ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１３〜８８％であることが好ましく、１６〜８５％であることが好ましく、１８〜７３％であることが好ましい。
【０２６９】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ｃ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して１３〜８８％であることが好ましく、１６〜８５％であることが好ましく、１８〜７３％であることが好ましい。
【０２７０】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（１ａ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７１】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ａ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７２】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ｂ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７３】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物及び一般式（２ｃ）の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７４】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物、一般式（１ａ）で表わされる化合物及び一般式（２ａ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜８９％であることが好ましく３５〜９３％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７５】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物、一般式（１ａ）で表わされる化合物、一般式（２ａ）〜（２ｂ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７６】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉ）で表わされる化合物、一般式（１ａ）で表わされる化合物、一般式（２ａ）〜（２ｃ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３０〜９３％であることが好ましく、３５〜８８％であることが好ましく、４０〜８５％であることが好ましい。
【０２７７】
本発明に係る液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表わされる化合物、一般式（１ａ）で表わされる化合物、一般式（２ａ）〜（２ｃ）で表わされる化合物の総量（質量％）は、液晶組成物全体に対して３３〜９６％であることが好ましく、３８〜９１％であることが好ましく、４３〜８８％であることが好ましい。
【０２７８】
本発明に係る液晶組成物は、上記の液晶化合物以外、公知の安定剤、公知の重合性液晶化合物又は重合化合物などの添加剤を使用態様に応じて適宜含んでもよい。
【０２７９】
上記安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物、ヒンダードフェノール類、ヒンダードアミン類等が挙げられる。安定剤を使用する場合の添加量は、液晶組成物に対して０．００５〜１質量％の範囲が好ましく、０．０２〜０．５質量％が更に好ましく、０．０３〜０．１質量％が特に好ましい。
【０２８０】
液晶組成物の液晶相上限温度（ＴＮＩ）は、液晶組成物がネマチック相から等方相へ相転移する温度であり、ＴＮＩが高いほど高温でもネマチック相を維持することができるため、駆動温度範囲を広く取ることができる。ＴＮＩは１２０℃以上であることが好ましく、１２０〜２００℃であることが好ましく、１３０〜１８０℃であることが好ましい。
【０２８１】
本発明に係る液晶組成物は、２５℃、５８９．０ｎｍにおけるΔｎ（屈折率異方性）が０．３以上であることが好ましく、０．３〜０．６０であることが好ましく、０．３３〜０．５５であることが好ましく、０．３５〜０．５０であることが好ましい。可視光領域のΔｎは、数十ＧＨｚ帯のΔεと相関し、Δｎが高いほどＧＨｚ帯の誘電率の変化を大きくすることができる。従って、液晶組成物の、５８９．０ｎｍにおけるΔｎが０．３以上であれば、ＧＨｚ帯の誘電率の変化を大きくすることができるため、アンテナ用の液晶組成物として好適となる。
【０２８２】
ここで、位相差Ｒｅと、液晶層の厚さｄ（セルギャップ）と、Δｎと、の間には、式：Δｎ＝Ｒｅ／ｄの関係が成り立ち、本明細書においては、位相差測定装置から、Δｎを求める。より具体的には、ポリイミド配向膜付きのガラスセルに、本発明の液晶組成物のサンプルを注入し、測定温度２５℃、５８９ｎｍにおける面内のリタデーション（位相差Ｒｅ）を位相差フィルム・光学材料検査装置ＲＥＴＳ−１００（大塚電子株式会社製）で測定する。尚、ガラス基板間のセルギャップ３．０μｍ、ポリイミド配向膜のラビング方向が平行のガラスセルを使用する。
【０２８３】
なお、アッベ屈折計で、液晶組成物のｎｅ、ｎｏを測定し、Δｎを算出してもよい。
【０２８４】
本発明に係る液晶組成物の２５℃、１ｋＨｚにおけるΔε（誘電率異方性）は、１２以上であることが好ましく、１２〜３０であることが好ましく、１３〜２５であることが好ましく、１４〜２０であることが好ましい。
【０２８５】
以下、本発明に係る液晶組成物を用いた液晶素子、より具体的には、液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器、アンテナについて説明する。
【０２８６】
本発明に係る液晶素子は、上述の液晶組成物を用いたことを特徴とし、好ましくはアクティブマトリクス方式又はパッシブマトリクス方式で駆動する。
【０２８７】
また、本発明に係る液晶素子は、上述の液晶組成物の液晶分子の配向方向を可逆的に変えることにより誘電率を可逆的にスイッチングする液晶素子であることが好ましい。
【０２８８】
本発明に係るセンサは、上述の液晶組成物を用いたことを特徴とし、例えば、その態様として、電磁波、可視光または赤外光を利用する測距センサ、温度変化を利用する赤外線センサ、コレステリック液晶のピッチ変化による反射光波長変化を利用する温度センサ、反射光波長変化を利用する圧力センサ、組成変化による反射光波長変化を利用する紫外線センサ、電圧、電流による温度変化を利用する電気センサ、放射線粒子の飛跡に伴った温度変化を利用する放射線センサ、超音波の機械的振動による液晶分子配列変化を利用する超音波センサ、温度変化による反射光波長変化または電界による液晶分子配列変化を利用する電磁界センサ等が挙げられる。
測距センサとしては、光源を用いるＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）用であることが好ましい。
ＬｉＤＡＲとしては、人工衛星用、航空機用、無人航空機（ドローン）用、自動車用、鉄道用、船舶用が好ましい。
自動車用としては、自動運転自動車用が特に好ましい。
光源はＬＥＤ又はレーザであることが好ましく、レーザであることが好ましい。
ＬｉＤＡＲに用いられる光は赤外光であることが好ましく、波長は８００〜２０００ｎｍであることが好ましい。
特に、９０５ｎｍまたは１５５０ｎｍの波長の赤外レーザが好ましい。
用いる光検出器のコストや全天候における感度を重視する場合は９０５ｎｍの赤外レーザが好ましく、人間の視覚に関する安全性を重視する場合には１５５０ｎｍの赤外レーザが好ましい。
本発明に係る液晶組成物は、高いΔｎを示すことから、可視光、赤外光および電磁波領域での位相変調力が大きく、検出感度に優れたセンサを提供できる。
【０２８９】
本発明に係る液晶レンズは、上述の液晶組成物を用いたことを特徴とし、例えば、その態様の一つとして、第１の透明電極層と、第２の透明電極層と、前記第１の透明電極層及び前記第２の透明電極層の間に設けられた上述の液晶組成物を含む液晶層と、前記第２の透明電極層及び前記液晶層の間に設けられた絶縁層と、前記絶縁層及び前記液晶層の間に設けられた高抵抗層とを有する。本発明に係る液晶レンズは、例えば、２Ｄ、３Ｄの切り替えレンズ、カメラの焦点調節用のレンズなどとして利用される。
【０２９０】
本発明に係る光通信機器は、上述の液晶組成物を用いたことを特徴とし、例えば、その態様の一つとして、反射層（電極）の上に、複数の画素の各々を構成する液晶が２次元状に配置された液晶層を有する構成のＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ）が挙げられる。本発明に係る光通信機器は、例えば、空間位相変調器として利用される。
【０２９１】
本発明に係るアンテナは、上述の液晶組成物を用いたことを特徴とする。
本発明に係るアンテナは、より具体的には、複数のスロットを備えた第１基板と、前記第１基板と対向し、給電部が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた第１誘電体層と、前記複数のスロットに対応して配置される複数のパッチ電極と、前記パッチ電極が設けられた第３基板と、前記第１基板と前記第３基板との間に設けられた液晶層と、を備え、前記液晶層が、上述の液晶組成物を含有する。
【０２９２】
一般式（ｉ）及び（ｉｉ）で表わされる液晶化合物を含有する液晶層を利用することにより、大きな誘電率異方性Δε、高い屈折率異方性Δｎを有し、かつネマチック液晶温度範囲が広く、常温において安定であり、更に熱等の外部刺激に対して高い信頼性を有するアンテナを提供できる。これにより、マイクロ波又はミリ波の電磁波に対してより大きな位相制御を可能とするアンテナを提供できる。
【０２９３】
以下、図を用いて本発明に係るアンテナについて説明する。
【０２９４】
図１に示すように、アンテナユニット１が４つ連結されたアンテナ組立体１１が車両（自動車）２のルーフ部に取り付けられている。アンテナユニット１は、平面型アンテナであり、ルーフ部に取り付けられていることから、通信衛星方向に対してアンテナユニット１が常に向けられている。これにより、双方で送受信が可能な衛星通信を行うことができる。
【０２９５】
なお、本明細書における「アンテナ」とは、アンテナユニット１又はアンテナユニット１を複数連結したアンテナ組立体１１を含む。
【０２９６】
本発明に係るアンテナは、衛星通信に使用されるＫａ帯周波数又はＫ帯周波数もしくはＫｕ帯周波数において動作することが好ましい。
【０２９７】
次にアンテナユニット１の構成要素の実施形態の一例を図２に示す。図２は、図１で示すアンテナユニット１の分解図である。具体的には、アンテナユニット１は、アンテナ本体１０と、アンテナ本体１０を制御する制御板４と、アンテナ本体１０及び制御板４とを収容可能な凹部を備えたケース３と、ケース３を封止する上蓋５とを有する構成である。
【０２９８】
制御板４には、送信機及び／又は受信機が設けられている。送信機は、音声又は画像等のデータといった信号源からの情報を、情報源符号化処理により、例えば、音声符号化又は画像符号化等され、伝送路符号化処理で誤り訂正符号した後、変調されて電波として伝送する機構を有する。一方、受信機は、到来電波を変調して、伝送路復号処理により誤り訂正した後、情報源復号処理により、例えば音声復号又は画像復号を経て、音声又は画像等のデータといった情報へ変換する機構を有する。また、制御板４は、公知のマイクロコンピュータであるＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等により構成されており、アンテナ本体１、送信機及び／又は受信機の各部の動作を統轄的に制御する。制御板４が備えるＣＰＵ又はＲＯＭには予め格納された各種プログラムをＲＡＭに読み出して実行することにより、所定の処理が実行される。制御板４は、各種の設定情報又は制御プログラムを記憶する記憶部、アンテナ本体１内の液晶層に印加する電圧量及び電圧方向に関する各種演算、電波の送信に関する各種演算、並びに／又は電波の受信における各種演算を実行する演算部、受信又は送信電波の検出あるいは液晶層への印加電圧の検出を行う検出部等の機能を備えている。
【０２９９】
図２では、円盤型のアンテナ本体１を収容可能なケース３の一例として、６角柱型のケース３及び上蓋５を記載しているが、アンテナ本体１の形状に応じてケース３及び上蓋５を、円柱状、八角柱状、三角柱状など公知の形状に適宜変更できる。
【０３００】
アンテナ本体１０の構成を説明するために、図３〜１０を用いて以下説明する。図３は、アンテナ本体１０の構成要素を分解した概略図である。
【０３０１】
図３に示すように、アンテナ本体１０は、スロットアレイ部６と、パッチアレイ部７とを備えている。そして、スロットアレイ部６には、円板状の導体Ｐ面上にスロット（切り欠き部）８が複数形成されており、スロットアレイ部６の中心部の内部に給電部１２が設けられている。また、パッチアレイ部７には、一例として長さＬであり幅Ｗである方形のパッチ９が円板体Ｑに複数形成されている。そして、アンテナ本体１０は、スロット８が複数形成された円板状の導体Ｐであるスロットアレイ部６と、パッチが複数形成された円板状のパッチアレイ部７とを有し、かつ当該円板状の導体Ｐの表面上に形成されたそれぞれのスロット８対して、パッチ９が対峙して配置されるよう、パッチアレイ部７とスロットアレイ部６とが貼り合わされた構造を有する。
【０３０２】
スロットアレイ部６は、円板状の導体Ｐ面上に空いた切り欠き部（以下、スロット８）を放射素子（又は入射素子）として用いるアンテナ部である。そして、スロットアレイ部６は、スロット８と円板状の導体Ｐの中心部に設けられた給電部１２とを有する。一般的には、スロットアレイ部６は、伝送線路の先端で直接励振する、あるいはスロット背面に設けた空洞を介して励振する機構を有する。そして、スロットアレイ部６は、地板を利用したアンテナ又はマイクロストリップ線路等からスロットを介したパッチアンテナへの給電等に用いることができる。図３では、スロットアレイ部６の一例として、ラジアルラインスロットアレイの形態を記載しているが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。
【０３０３】
図３におけるスロットアレイ部６の上面図を図４に示す。以下、図４を用いてスロットアレイ部６を説明する。スロットアレイ部６は、その中心部に設けられた同軸線により給電する構造を備えている。そのため、図４に示すスロットアレイ部６の中心部には給電部１２が設けられている。また、スロットアレイ部６は、円板状の導体Ｐの表面上に、一組のスロット８（以下、「スロットペア」と称する。）が複数形成されている。スロットペア８は、２つの長方形状の切り欠き部が“ハ”の字に配置された構造を備えている。より詳細には、２つの直方体状のスロット８が直交するように配置されており、スロットペア８の一方のスロットが他方のスロットに対して１／４波長離間して配置されている。これによりアンテナの方位角によって異なる回転方向を持つ円偏波を送受信できる。
【０３０４】
なお、本明細書では、２つのスロット８をスロットペア８と称し、１つのスロット８を単にスロット８と称し、スロット及びスロットペアの総称をスロット（ペア）８と称する。
【０３０５】
スロットペア８は、円板状の導体基板Ｐの中心部から放射方向外方に向かってらせん状に複数形成されている。そして、スロットペア８は、らせんに沿って隣接するスロットペア８間の距離がいずれも一定となるよう円盤型の基板表面に形成されている。これにより、スロットアレイ部６の正面で位相が揃って電磁界が強め合うことができ、正面にペンシルビームを形成することができる。
【０３０６】
なお、図３及び４では、スロット８の形状の一例を直方体の形状として示しているが、本発明におけるスロット８の形状は、直方体に限定されず、円形、楕円形、多角形など公知の形状を採用できる。また、図３及び４では、スロット８の一例として、スロットペアの態様を示しているが、本発明におけるスロット８は、スロットペアに限定されることはない。さらには、円板状の導体基板Ｐの表面におけるスロット８の配置をらせん状の例を示しているが、スロット８の配置はらせん状に限定されることはなく、スロット８を例えば後述の図８に示すような同心円状に配置してもよい。
【０３０７】
本発明における給電部１２は、電磁波を受信する及び／又は電磁波を放射する機能を有する。そして、本発明における給電部１２は、放射素子又は入射素子であるパッチ９で電波を捕らえて発生した高周波電力を受信機に伝送する部分、あるいは高周波電力を供給するため放射素子と給電線とを接続する部分であれば、特に制限されることはなく、公知の給電部及び給電線を利用することができる。図３及び図４では、同軸給電部を一例として示している。
【０３０８】
パッチアレイ部７は、図３に示すように、長さＬ、幅Ｗの方形状のパッチ９を複数有する円板体Ｑと、スロットアレイ部６との間に充填された液晶層（図示せず）と、を備えている。本実施形態におけるパッチアレイ部７は、いわゆるマイクロストリップアンテナの構成であり、長さＬが１／２波長の整数倍に一致する周波数で共振する共振器である。
【０３０９】
なお、図３では、パッチ９の一例として、長さＬ、幅Ｗの方形状のパッチ９を示しているが、パッチ９の形状は、四角形に限定されることはなく、円状のパッチ９であってもよい。図５に本発明の他の実施形態として、円状のパッチ９の実施形態を示す。
【０３１０】
図５は、本発明におけるアンテナ本体１０の上面図であり、より詳細には、アンテナ本体１０をパッチアレイ部７から見た場合であって、パッチ９、給電部１２、スロットペア８を円板体Ｑの主面に対して垂直投影した図である。そのため、パッチ９、給電部１２、及びスロットペア８を破線で表示している。また、パッチ９の形状が円状である場合、一般的には、ＴＭ１１モードと呼ばれる電磁界分布で動作させることができる。図５に示す通り、パッチ９の投影体と、スロットペア８の投影体とが重なっていることから、円板状の導体Ｐの表面上に形成されたそれぞれのスロット８に対して、円板体Ｑに設けられたパッチ９が対峙して配置される状態が理解できる。このようにそれぞれのスロット８に対して、それぞれのパッチ９が対応して配置される構成を利用することで、電磁結合給電方式によりスロット８からパッチ９へ給電する、あるいは、パッチ９からスロット８へ到来電波を伝播することができる。そのため、電波の送信及び／又は受信が可能なアンテナを提供することができる。
【０３１１】
一般には、同軸線等の一般的な伝送線路又は平面型伝送線路を用いてパッチアレイ部７の放射素子（例えば、パッチ９）を給電する方法は、直結給電方式及び電磁結合給電方式の２種類に大別される。そのため、本発明における給電方式としては、伝送線路を直接、パッチ９（放射素子）に接続することで放射素子を励振する方法である直結給電方式と、伝送線路とパッチ電極（放射素子）とを直接接続することなく、終端開放又は短絡とした給電線路の周囲に生じる電磁界によりパッチ電極（放射素子）を励振する方法である電磁結合給電方式との２つが挙げられる。本発明では、電磁結合給電方式の態様を示している。
【０３１２】
本実施形態では、（同軸）給電部１２による給電線路は終端開放であるため、当該給電線路の終端が節に一致する電流定在波が生じる。これにより、当該給電線路（（同軸）給電部１２）を取り巻くような磁界が発生し、この磁界がスロット８へ入射することによりスロット（ペア）８が励振される。そして、スロット（ペア）８の励振により生じた磁界がパッチ９に入射することによってパッチ９が励振される。励振強度が最大になるのはスロット８に入射する磁界が最大のときであるため、給電線路（（同軸）給電部１２）から発生する磁界が最大となる位置（電流定在波の腹）にスロット（ペア）８を形成することが好ましい。
【０３１３】
本発明に係るアンテナの好適な態様は、ラジアルラインスロットアレイと、パッチアンテナアレイとを組み合わせた構成である。
【０３１４】
次に、図５に示すアンテナ本体１０の断面図である図６を用いて、アンテナ本体１０の実施形態を説明する。図６は、アンテナの構成を示す概略図であることはいうまでもない。
【０３１５】
図６に示すように、アンテナ本体１０は、円板状の第２基板１４と、複数のスロット（ペア）８が中心部から放射方向外方に向かって形成された、円板状の第１基板１３（円板状の導体Ｐに対応する。スロットアレイ基板とも称する）と、第２基板１４及び第１基板１３の間に設けられた第１誘電体層１７と、円板状の第１基板１３及び円板状の第２基板１４の中心部に設けられた給電部１２と、円板状の第３基板１５（円板体Ｑに対応する。パッチ基板とも称する。）と、第３基板１５に取り付けられたパッチ９（放射素子又は入射素子）と、第３基板１５及び第１基板１３の間に設けられた液晶層１６とを有する。また、給電部１２は給電線１２ａを介して、制御基板に設けられた送信機及び／又は受信機と電気的に接続されている。そして、それぞれのスロットペア８に対してそれぞれのパッチ９が対応している。
【０３１６】
ここでいう「（それぞれ）スロットペア８に対して（それぞれ）パッチ９が対応している」とは、上述した図５の説明の通り、第２基板１４の主面に対してパッチ９を垂直投影した投影面がスロット（ペア）８と重なることをいう。換言すると、第３基板１５の主面に対してスロット（ペア）８を垂直投影した投影面がパッチ９と重なることをいう。
【０３１７】
また、第１基板１３、第２基板１４、及び第３基板１５は、同一の面積を有する円板体であることが好ましい。
【０３１８】
図６において、（同軸）給電部１２により給電された電波（矢印）が円筒波になって第１誘電体層１７内を放射方向外方へ伝播する間に、スロット（ペア）８から液晶層１６へと伝送される様子を記している。そして、スロット（ペア）８は、図４に示したように、いわゆる“ハ”の字型の直交する２つのスロットを１／４波長ずらして配置されていると、円偏波を発生することができる。上述したように、電磁結合給電方式により、スロット（ペア）８が励振されることによってスロット（ペア）８から生じた磁界が、パッチ９に入射してパッチ９が励振される。その結果、パッチ９は指向性の高い電波を放射することができる。
【０３１９】
一方、到来電波を受信する場合は、送受可逆の定理により、上記とは逆にパッチ９が到来電波を受信した後、当該パッチ９の直下に設けられたスロット（ペア）８を介して給電部１２に到来電波が伝播される。
【０３２０】
円偏波は、直線偏波とは異なり、時間経過とともに電界方向が回転する電波であり、ＧＰＳ又はＥＴＣで使用される右旋円偏波と、衛星ラジオ放送等で使用される左旋円偏波とに分類され、本発明に係るアンテナは、いずれの偏波であっても受信することができる。
【０３２１】
パッチ９と第１基板１３との間の液晶層１６に電圧を印加することにより液晶層１６の液晶分子の配向方向を変えることができる。その結果、液晶層１６の誘電率が変わるためスロット（ペア）８の静電容量が変化し、結果的にはスロット（ペア）８のリアクタンス、及び共振周波数を制御することができる。換言すると、液晶層１６の誘電率を制御することにより、スロット８のリアクタンス、及び共振周波数を調節できるため、スロット（ペア）８及びパッチ９の励振の調節による各パッチ９への給電を制御することができる。これにより、液晶層１６を介する放射電波の調節が可能となる。そのため、例えば、ＴＦＴなど液晶層１６に印加する電圧を調節する印加電圧調節手段を設けてもよい。また、液晶層１６の液晶分子の配向方向を変えることにより屈折率が変化し、その結果として液晶層１６を透過する電磁波の位相がずれて、その総合的な結果としてフェーズドアレイ制御が可能となる。
【０３２２】
第１基板１３及び第２基板１４の材料は、銅などの導体であれば特に制限されることはない。また、第３基板１５の材料は特に制限されることはなく、使用態様に応じて、ガラス基板、アクリル基板、セラミック（アルミナ）、シリコン、ガラスクロステフロン（登録商標）（ＰＴＦＥ）等の公知の材料を使用することができる。第１誘電体層１７の材料は、所望の比誘電率に応じて適宜公知の材料を選択することができ、真空であってもよい。さらに、パッチ９の材料は、銅、銀などの導体であれば特に制限されることはない。
【０３２３】
次に、図７を用いて、アンテナ本体１０の他の実施形態を説明する。図７において示す実施形態は、アンテナ本体１０のスロットアレイ部６の部分が図６で示す実施形態とは異なる態様である。
【０３２４】
図７において、アンテナ本体１０は、一方の表面に複数のスロット（ペア）８が形成された、中空体の第１基板１３と、当該中空体の第１基板１３の内部に収容された、円板状の第２基板１４、第１誘電体層１７、及び給電部１２と、円板状の第３基板１５と、第３基板１５に取り付けられたパッチ９と、第３基板１５及び第１基板１３の間に設けられた液晶層１６とを有し、給電部１２は、複数のスロット（ペア）８が形成されていない他方の第１基板１３の表面と第２基板１４との間に設けられ、かつ第１基板１３及び円板状の第２基板１４の中心部に設けられている。また、給電部１２は給電線１２ａを介して、制御基板に設けられた送信機及び／又は受信機と電気的に接続されている。そして、それぞれのスロットペア８に対してそれぞれのパッチ９が対応している。また、図７において、中空体の第１基板１３の両側面部は、中空体の外方に突出しており、具体的には、水平方向に対して４５°の傾斜面を有する。
【０３２５】
図７において示すように、（同軸）給電部１２により給電された電波（矢印）が円筒波になって第１誘電体層１７内を放射方向外方へ伝播する。そして、伝播した円筒波が中空体の第１基板１３の両側面部で反射されることにより、第２基板１４を回り込んだ円筒波が、円板状の第１基板１３の外周から中心に向かう進行波（矢印）に変換されて第１誘電体層１７内を伝播する。その際、スロット（ペア）８から液晶層１６へ進行波が伝送される。これにより、図６で示した実施形態と同様にパッチ９が励振されて、指向性の高い電波を放射することができる。
【０３２６】
一方、到来電波を受信する場合も同様に、パッチ９が到来電波を受信した後、当該パッチ９の直下に設けられたスロット（ペア）８を介して給電部１２に到来電波が伝播する。
【０３２７】
次に、図８〜図１０を用いて、アンテナ本体１０の別の実施形態について説明する。上述した図５〜図７のアンテナ本体１０の実施形態では、第１基板１３と第３基板１５との間に液晶層１６が一様に設けられたアンテナ本体１０の構成について説明した。一方、図８〜図１０の実施形態では、パッチ９とスロット８とそれぞれ配置された空間内（以下、密封領域２０）に液晶層１６が充填されたアンテナ本体１０の構成について説明する。
【０３２８】
図８は、本発明に係るアンテナ本体１０の実施形態の一例を示す上面図である。より詳細には、図８は、アンテナ本体１０をパッチアレイ部７から見た場合であって、パッチ９、給電部１２、スロット８を円板体Ｑの主面に対して垂直投影した図である。そのため、図５と同様に、パッチ９、給電部１２、及びスロット８を破線で表示している。図８では、方形状のパッチ９と、１つの直方体状のスロット８とが密封領域２０にそれぞれ対応して配置されている。また、図８に示す通り、パッチ９の投影体と、スロット８の投影体とが重なっていることから、パッチ９の直下にスロット８が形成されている。これにより、図８で示すアンテナ本体１０の実施形態は、電磁結合給電方式によりスロット８からパッチ９へ給電する、あるいはパッチ９からスロット８へ到来電波を伝播することができる。そのため、電波の送信及び／又は受信が可能なアンテナを提供することができる。
【０３２９】
また、図８で示すように、本実施形態において、パッチ９及びスロット８は、円板体Ｑの中心から円板体Ｑの外周方向に向かって、同心円状に配置されている。そのため、同軸モード給電により、円錐ビームが出るため、円板体Ｑの正面で位相が揃って電磁界が強め合うことができる。
【０３３０】
次に、図８に示すアンテナ本体１０の断面図である図９を用いて、アンテナ本体１０の実施形態を説明する。なお、図９は、アンテナの構成を示す概略図であることは言うまでもない。
【０３３１】
図９に示すように、アンテナ本体１０は、円板状の第２基板１４と、複数のスロット８が中心部から放射方向外方に向かって同心軸状に形成された、円板状の第１基板１３と、第２基板１４側の第１基板１３表面に設けられたバッファー層２２と、バッファー層２２と第２基板１４との間に設けられた第１誘電体層１７と、円板状の第１基板１３及び円板状の第２基板１４の中心部に設けられ、かつ第１誘電体層１７と接触するよう設けられた給電部１２と、円板状の第３基板１５と、第３基板１５に取り付けられたパッチ９（放射素子又は入射素子）と、第３基板１５及び第１基板１３の間のシール壁２４によって隔離され、かつパッチ９が設けられた複数の密封領域２０内をパッチ９と接触するように充填された液晶層１６と、を有する。また、給電部１２は給電線１２ａを介して、制御基板に設けられた送信機及び／又は受信機と電気的に接続されている。そして、それぞれのスロット８に対してそれぞれのパッチ９が対応しており、各密封領域２０内には、少なくとも１つのパッチ９と、少なくとも１つのスロット８と、液晶層１６とが存在しており、複数の密封領域２０のそれぞれはシール壁２１，２３，２４を介して隔離されている。
【０３３２】
図９には示されていないが、必要により各密封領域２０内に液晶層１６の電圧を制御するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例えば、第１基板１３上に設けてもよい。これにより、液晶層１６の電圧の印加をアクティブ方式で制御することができる。また、必要により、各密封領域２０内に液晶層１６を構成する液晶分子の配向方向を固定するために配向膜を設けてもよい。上記配向膜としては、液晶分子の垂直方向へ配向を容易にするホメオトロピック配向膜又は液晶分子の水平方向へ配向を容易にするホモジニアス配向膜を第１基板１３と液晶層１６との間に設けてもよい。例えば、ポリイミド配向膜、光配向膜等が挙げられる。
【０３３３】
次に、図８に示すアンテナ本体１０のＢ−Ｂ線で切断した断面図である図１０を用いて、本実施形態における密封領域２０を説明する。なお、図１０は、密封領域２０を示す概略図であることは言うまでもない。
【０３３４】
図１０に示すように、密封領域２０は、シール壁２４と、バッファー層２２及び第１基板１３と第３基板１５とによって、上下四方囲まれた密封空間であり、内部には少なくとも１つのパッチ９と、少なくとも１つのスロット８とが対峙するよう同一の密封空間内に設けられ、かつ液晶層１６が充填されている。
【０３３５】
本実施形態において、シール壁２４は、公知の絶縁体などから形成されていてもよい。また、バッファー層２２は、公知の誘電体材料などから形成されていてもよい。
【０３３６】
図１０には示していないが、必要により密封領域２０内に液晶層１６の電圧を制御するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を、例えば、第１基板１３上に設けてもよい。これにより、液晶層１６の電圧の印加をアクティブ方式で制御することができる。当該アクティブ方式よる駆動方法についてより詳細に説明すると、例えば、パッチ９を共通電極とし、かつ第１基板１３を画素電極として、第１基板１３上に形成されたＴＦＴによりパッチ９と第１基板１３との間の電圧を制御して液晶層１６の液晶分子の配向を制御する方法、あるいは第１基板１３を画素電極とし、かつ第１基板１３上に電極層及びＴＦＴを形成して、パッチ９と第１基板１３との間の電圧を制御して液晶層１６の液晶分子の配向を制御する方法、さらには第１基板１３上に櫛歯電極及びＴＦＴを設けて、当該ＴＦＴにより液晶層１６の液晶分子の配向を制御する方法等が挙げられる。なお、液晶層１６の電圧の印加をアクティブ方式で制御する方法は上記方法に限定されることはない。
【０３３７】
また、この際、各密封領域２０内に液晶層１６を構成する液晶分子の配向方向を固定するために配向膜を設けてもよい。上記配向膜としては、液晶分子の垂直方向へ配向を容易にするホメオトロピック配向膜又は液晶分子の水平方向へ配向を容易にするホモジニアス配向膜を第１基板１３と液晶層１６との間に設けてもよい。
【０３３８】
液晶層１６を同調させるために、パッチ９と第１基板１３との間の液晶層１６に印加する電圧を変調してもよい。例えば上述したように、液晶層１６への印加電圧がアクティブ方式を用いて制御されることにより、スロット８の静電容量が変化し、結果的にはスロット８のリアクタンス、及び共振周波数を制御することができる。スロット８の共振周波数は、線路を伝播する電波から放射されるエネルギーに対して相関関係を有する。そのため、スロット８の共振周波数を調整することにより、スロット８が給電部１２からの円筒波エネルギーと実質的に結合しないようにする、あるいは円筒波エネルギーと結合し、自由空間に放射する。このような、スロット８のリアクタンス及び共振周波数の制御は、複数形成されている密封領域２０のそれぞれで行うことができる。換言すると、液晶層１６の誘電率を制御することにより、各密封領域２０内のパッチ９への給電をＴＦＴにより制御することができる。そのため、電波を送信するパッチ９と電波を送信しないパッチとを制御することができるため、液晶層１６を介する放射電波の送信及び受信の調節が可能となる。
【実施例】
【０３３９】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）式（Ｉ−１）で表される化合物の製造【０３４０】
【化７８】
0006973684.tif 000079
【０３４１】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−１）で表される化合物３３．７ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．５ｇ、トリエチルアミン６７ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０２ｍＬ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．９ｇを加えた。８０℃で、式（Ｉ−１−２）で表される化合物２０．０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、６時間加熱撹拌した。冷却し、反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−３）で表される化合物２０．６ｇを得た。【０３４２】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−３）で表される化合物１８．６ｇ、テトラヒドロフラン１８６ｍＬを加えた。−７０℃で、ｓｅｃブチルリチウム（１．０５Ｍ）／シクロヘキサン・ヘキサン溶液８４．４ｍＬを滴下し、１時間撹拌した。−６５℃でヨウ素２２．５ｇをテトラヒドロフラン６８ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、２時間撹拌した。徐々に室温まで昇温した。水及び亜硫酸水素ナトリウム水溶液を滴下し、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（メタノール）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−４）で表される化合物１３．９ｇを得た。【０３４３】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−４）で表される化合物１２．９ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン１０．４ｇ、酢酸カリウム１０．１ｇ、ジメチルスルホキシド１０４ｍＬを加えた。８５℃で、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物０．５ｇを加え、５時間加熱撹拌した。冷却し、反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、トルエン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１−５）で表される化合物１２．８ｇを得た。【０３４４】
窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−６）で表される化合物３．５ｇ、炭酸カリウム３．４ｇ、トルエン２８ｍＬ、エタノール１４ｍＬ、水１４ｍＬ、ジクロロビス［ジ−ｔ−ブチル（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ］パラジウム（ＩＩ）０．２ｇを加えた。加熱還流させながら、式（Ｉ−１−５）で表される化合物６．１ｇをトルエン１２ｍＬ及びエタノール６ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、５時間加熱還流させた。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）及び再結晶（ヘキサン）により精製を行うことによって、式（Ｉ−１）で表される化合物５．０ｇを得た。
相転移温度：Ｃ  ７９  Ｎ  １３４  Ｉ
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ７．４７−７．３３（ｍ，５Ｈ），７．２９−７．２６（ｄ，２Ｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），２．６４（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），１．６５−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．３６（ｔｄ，Ｊ＝１４．９，７．３Ｈｚ，２Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３８９
（実施例２）式（Ｉ−２）で表される化合物の製造【０３４５】
【化７９】
0006973684.tif 000080
【０３４６】
実施例１において、式（Ｉ−１−６）で表される化合物を式（Ｉ−２−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−２）で表される化合物を製造した。
相転移温度：Ｃ  ７６  Ｎ  １８３  Ｉ
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３７１
（実施例３）式（Ｉ−３）で表される化合物の製造【０３４７】
【化８０】
0006973684.tif 000081
【０３４８】
実施例１において、式（Ｉ−１−２）で表される化合物を式（Ｉ−３−２）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−３）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４２５
（実施例４）式（ＩＩ−１）で表される化合物の製造【０３４９】
【化８１】
0006973684.tif 000082
【０３５０】
窒素雰囲気下、反応容器に式（ＩＩ−１−１）で表される化合物１０．０ｇ、ジクロロメタン１００ｍＬを加えた。室温で、ペルオキシ一硫酸カリウム［ＫＨＳＯ５（＞約４５％）］１２５ｇを水２００ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、室温で１５時間撹拌した。反応液を分液処理し、有機層を５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した。溶媒を留去した後、酢酸２００ｍＬに溶解させた。室温で、式（ＩＩ−１−２）で表される化合物６．６ｇを加え、１５時間撹拌した。析出物を濾過し、酢酸及び水で順次洗浄した。乾燥させることによって、式（ＩＩ−１−３）で表される化合物１３．２ｇを得た。【０３５１】
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅｓ誌、２０１３年、１４巻、１２号、２３２５７−２３２７３頁に記載の方法によって式（ＩＩ−１−４）で表される化合物を製造した。窒素雰囲気下、反応容器に式（ＩＩ−１−３）で表される化合物１３．２ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）０．２ｇ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物０．２ｇ、トリエチルアミン２６ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７８ｍＬを加えた。５０℃で加熱しながら、式（ＩＩ−１−４）で表される化合物６．７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１４ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、８時間加熱撹拌した。反応液を水に注ぎ、トルエンで抽出した。有機層を５％塩酸、食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ジクロロメタン／ヘキサン）、活性炭処理及び再結晶（アセトン／ヘキサン）により精製を行うことによって、式（ＩＩ−１）で表される化合物１０．２ｇを得た。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝３９８
（実施例５）式（ＩＩ−２）で表される化合物の製造【０３５２】
【化８２】
0006973684.tif 000083
【０３５３】
実施例４において、式（ＩＩ−１−１）で表される化合物を式（ＩＩ−２−１）で表される化合物に、式（ＩＩ−１−２）で表される化合物を式（ＩＩ−２−２）で表される化合物に、式（ＩＩ−１−４）で表される化合物を式（ＩＩ−２−４）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（ＩＩ−２）で表される化合物を製造した。
ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ＝４０２
実施例に記載のネマチック液晶組成物を製作し、各種物性値を測定した。以下の実施例及び比較例の組成物は各化合物を表中の割合で含有し、含有量は「質量％」で記載した。実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造）【０３５４】
【化８３】
0006973684.tif 000084
【０３５５】
以下の実施例において、特に断りがない限り、トランス体を表す。
（側鎖構造及び連結構造）【０３５６】
【表１】
0006973684.tif 000085
【０３５７】
（物性値とその評価方法）
＜上限温度（ＴＮＩ（℃））＞
ＴＮＩ（℃）：組成物がネマチック相から等方相へ転移する温度
＜屈折率異方性（Δｎ）＞
Δｎ：液晶組成物の２５℃、５８９ｎｍにおける屈折率異方性
・屈折率異方性の評価方法
ポリイミド配向膜付きのガラスセルに液晶組成物を注入し、測定温度２５℃、５８９ｎｍにおける面内のリタデーション（位相差）を位相差フィルム・光学材料検査装置ＲＥＴＳ−１００（大塚電子株式会社製）で測定した。尚、ガラス基板間のセルギャップ３．０μｍ、ポリイミド配向膜のラビング方向が平行のガラスセルを使用した。また、位相差＝液晶層の厚さ（セルギャップ）×Δｎの式から、液晶組成物のΔｎを算出した。
＜誘電率異方性（Δε）＞
Δε：液晶組成物の２５℃における誘電率異方性
（実施例６〜１５）
表２、表３に示した液晶化合物を調製し、ネマチック液晶組成物を製作して、上記の評価方法により各種物性値を測定した。
（比較例１〜４）
表４、表５に示した液晶化合物を調製し、ネマチック液晶組成物を製作して、上記の評価方法により各種物性値を測定した。【０３５８】
【表２】
0006973684.tif 000086
【０３５９】
【表３】
0006973684.tif 000087
【０３６０】
【表４】
0006973684.tif 000088
【０３６１】
【表５】
0006973684.tif 000089
【０３６２】
可視光領域のΔｎは、数十ＧＨｚ帯のΔεと相関し、Δｎが高いほどＧＨｚ帯の誘電率の変化を大きくすることができるため、表２〜表５に示す評価結果から、実施例６〜１５の液晶組成物は、アンテナ用の液晶として好ましいことが確認された。また、表２〜表５に示す評価結果から、実施例６〜１５は、比較例３〜４に比べ、Δｎが高く、また比較例１〜２に比べ、Ｔｎｉが高く、Δεが高いことがわかった。また、Ｔｎｉについては、実施例６〜１５は、比較例３〜４に比べ、同程度あるいは高い数値を示し、比較例１〜２に比べ、高いことがわかった。【０３６３】
比較例１〜４の液晶組成物は、Δｎが低いか、若しくは、Δεが低い値となり、電波の大きな位相制御が可能でないか、若しくは、実用に耐えうるΔεを有していないため、アンテナ用の液晶としては使用し難いことが確認された。【０３６４】
（実施例１６〜１８）
更に、実施例６〜１５と同様に種々の液晶組成物を調製し、評価を行ったところ同様の効果が得られることが確認できた。結果を表６に示す。
【０３６５】
【表６】
0006973684.tif 000090
【産業上の利用可能性】
【０３６６】
本発明の液晶組成物は、液晶表示素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器及びアンテナに利用することができる。
【符号の説明】
【０３６７】
１：アンテナユニット
２：車両
３：ケース
４：制御板
５：上蓋
６：スロットアレイ部
７：パッチアレイ部
８：スロット
９：パッチ
１０：アンテナ本体
１１：アンテナ組立体
１２：給電部
１２ａ：給電線
１３：第１基板
１４：第２基板
１５：第３基板
１６：液晶層
１７：第１誘電体層
２０：密封領域
２１，２３，２４：シール壁
２２：バッファー層
Ｐ：導体
Ｑ：円板体
【要約】
本発明は、マイクロ波又はミリ波の電磁波に対してより大きな位相制御を可能とする液晶材料において、高いΔｎを有し、且つ、高いΔεを有する、ネマチック液晶組成物、及び、これを用いた液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器又はアンテナを提供する。具体的には、本発明は、一般式（ｉ）で表される化合物の１種又は２種以上と、一般式（ｉｉ）で表わされる化合物の１種又は２種以上と、を含有する液晶組成物であり、高いΔｎを有し、且つ、高いΔεを有する。【図１】
0006973684.tif 000100
【図２】
0006973684.tif 000101
【図３】
0006973684.tif 000102
【図４】
0006973684.tif 000103
【図５】
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【図６】
0006973684.tif 000105
【図７】
0006973684.tif 000106
【図８】
0006973684.tif 000107
【図９】
0006973684.tif 000108
【図１０】
0006973684.tif 000109