(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１２０℃におけるせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下であり、
１８０℃におけるせん断損失弾性率が０．０１ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下であり、
前記１２０℃におけるせん断損失弾性率に対する前記１８０℃におけるせん断損失弾性率の比が０．５以上０．８以下である
ダイボンドフィルム。
【請求項２】
ベアウェハに対する１２０℃におけるせん断接着力が０．１ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下であり、
ベアウェハに対する１８０℃におけるせん断接着力が０．０５ＭＰａ以上０．３ＭＰａ以下である
請求項１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項３】
室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定により弾性率が１ＧＰａ以上３ＧＰａ未満である
請求項１または２に記載のダイボンドフィルム。
【請求項４】
熱硬化性を有し、
１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の吸湿率が１質量％以下である
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイボンドフィルム。
【請求項５】
熱硬化性を有し、
１７５℃にて１時間硬化させた後の１３０℃における引張貯蔵弾性率が０．２ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下である
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイボンドフィルム。
【請求項６】
熱硬化性を有し、
１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の、ベアウェハに対するせん断接着力が１５ＭＰａ以上であり、
１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前のベアウェハに対するせん断接着力に対する、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後のベアウェハに対するせん断接着力の比は、０．６以上である
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のダイボンドフィルム。
【請求項７】
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
前記ダイボンド層が請求項１乃至６のいずれか１項に記載されたダイボンドフィルムで構成されている
ダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。
前記ダイシングダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、該ダイシングテープの前記粘着剤層上に剥離可能に積層されたダイボンド層と、を備えている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべき半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
上記のようにして得られたダイボンディング用の半導体チップは、加熱条件下（例えば、１２０℃）で積層される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１８５５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
割断されたダイボンディング用の半導体チップ（ダイボンド層付半導体チップともいう）は、加熱条件下で、例えば、同一方向に所定距離ずつずらして階段状になるように積層されるが、この積層時に、半導体チップの表面からダイボンド層が剥がれることがある。
【０００６】
ところで、上記のようなダイボンディング用の半導体チップを得る方法においては、通常、断面視において比較的平坦な表面を有する半導体ウェハを用いるため、割断されたダイボンディング用の半導体チップは、断面視において比較的平坦な表面を有することが多いものの、断面視において曲折箇所が複数ある表面（例えば、断面視において波打ったような表面）を有するダイボンディング用の半導体チップが得られることがある。
そして、上記した積層時における半導体チップの表面からのダイボンド層の剥離は、断面視において曲折箇所が複数ある表面を有するダイボンディング用の半導体チップでは、より顕著となる。
【０００７】
そこで、本発明は、加熱条件下での積層時に、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いダイボンドフィルム、及び、ダイボンド層が前記ダイボンドフィルムで構成されているダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが鋭意検討したところ、ダイボンド層を１２０℃におけるせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下であるものとすることにより、加熱条件下での積層時において、半導体チップの表面から前記ダイボンドフィルムが比較的剥がれ難くなることを見出して、本発明を想到するに至った。
【０００９】
即ち、本発明に係るダイボンドフィルムは、
１２０℃におけるせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下である。
【００１０】
斯かる構成によれば、１２０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上であるので、加熱条件下（例えば、１２０℃）でのダイボンド層（ダイボンドフィルム）付半導体チップの積層時に、前記ダイボンド層を適度な硬さを有するものとすることができる。
また、１２０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率が０．０９ＭＰａ以下であるので、加熱条件下（例えば、１２０℃）でのダイボンド層（ダイボンドフィルム）付半導体チップの積層時に、被着体との濡れ性を比較的良好なものとすることができる。
上記により、前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下の積層時において半導体チップの表面から比較的剥がれ難いものとすることができる。
【００１１】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
１８０℃におけるせん断損失弾性率が０．０１ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００１２】
一般に、積層されたダイボンド層（ダイボンドフィルム）付半導体チップは、加熱条件下（例えば、１８０℃）にてモールド（封止）されるが、斯かる構成によれば、１８０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率が０．０１ＭＰａ以上であるので、積層されたダイボンド層（ダイボンドフィルム）付半導体チップの加熱条件下でのモールド時においても、前記ダイボンドフィルムを適度な硬さを有するものとすることができる。
また、１８０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率が０．０５ＭＰａ以下であるので、積層されたダイボンド層（ダイボンドフィルム）付半導体チップのモールド時においても、被着体との濡れ性を比較的良好なものとすることができる。
上記により、前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下の積層時に加えて、モールド時においても、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いものとすることができる。
【００１３】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
１２０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率に対する１８０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の比が０．５以上０．８以下であることが好ましい。
【００１４】
斯かる構成によれば、１８０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率に対する１２０℃における前記ダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の比が０．５以上０．８以下であるので、前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下の積層時に加えて、モールド時においても、半導体チップの表面からより一層剥がれ難いものとすることができる。
【００１５】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
ベアウェハに対する１２０℃におけるせん断接着力が０．１ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下であり、
ベアウェハに対する１８０℃におけるせん断接着力が０．０５ＭＰａ以上０．３ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００１６】
斯かる構成によれば、前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下での積層時に加えて、モールド時においても、半導体チップの表面からより一層剥がれ難いものとすることができる。
【００１７】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が１ＧＰａ以上３ＧＰａ未満であることが好ましい。
【００１８】
斯かる構成によれば、室温（２３℃）環境下において、ダイボンド層（ダイボンドフィルム）を介して基板上に積層された半導体チップをモールド樹脂成形装置まで搬送するときに、前記ダイボンドフィルムを半導体チップの表面から比較的剥がれ難いものとすることができる。
【００１９】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
熱硬化性を有し、
１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の吸湿率が１質量％以下であることが好ましい。
【００２０】
斯かる構成によれば、高温高湿度環境下（いわゆるＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ａｎｄ  Ｈｕｍｉｄｉｔｙ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ｔｅｓｔ）環境）に曝されたとしても、前記ダイボンドフィルムを、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いものとすることができる。
【００２１】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
熱硬化性を有し、
１７５℃にて１時間硬化させた後の１３０℃における引張貯蔵弾性率が０．２ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００２２】
斯かる構成によれば、前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下での積層時に加えて、モールド時においても、半導体チップの表面からより一層剥がれ難いものとすることができる。
【００２３】
前記ダイボンドフィルムにおいては、
熱硬化性を有し、
１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の、ベアウェハに対するせん断接着力が１５ＭＰａ以上であり、
１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前のベアウェハに対するせん断接着力に対する、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後のベアウェハに対するせん断接着力の比は、０．６以上であることが好ましい。
【００２４】
斯かる構成によれば、高温高湿度環境下に曝されたとしても、前記ダイボンドフィルムを、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いものとすることができる。
【００２５】
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
前記ダイボンド層が上記のいずれかのダイボンドフィルムで構成されている。
【００２６】
斯かる構成によれば、前記ダイシングダイボンドフィルムの前記ダイボンドフィルムを、加熱条件下での積層時において半導体チップの表面から比較的剥離し難いものとすることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、加熱条件下での積層時に、半導体チップの表面から比較的剥がれ難いダイボンドフィルム、及び、ダイボンド層が前記ダイボンドフィルムで構成されているダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。
【図２Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。
【図２Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット工程の様子を模式的に示す断面図。
【図２Ｃ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット工程の様子を模式的に示す断面図。
【図２Ｄ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット工程の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ａ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ｂ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ｃ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ａ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ｂ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図６】半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。
【図７】半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【００３０】
［ダイボンドフィルム］
本実施形態に係るダイボンドフィルムは、１２０℃におけるせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下である。
本実施形態に係るダイボンドフィルムは、複数の半導体チップ同士を積層させるために用いられる。
なお、ダイボンドフィルムによる複数の半導体チップ同士の積層は、通常、１２０℃下で行われ、ダイボンドフィルムによって積層された複数の半導体チップは、通常、１８０℃下で樹脂封止（モールド成形）される。すなわち、ダイボンドフィルムは、通常、複数の半導体チップ同士の積層時に１２０℃の温度に曝され、樹脂封止（モールド成形）時に１８０℃の温度に曝される。
【００３１】
１２０℃におけるせん断損失弾性率は、Φ７．５ｍｍ×１ｍｍの円柱状に打ち抜いたダイボンドフィルムの一方の円状面に、温度１２０℃において、周波数１Ｈｚのせん断振動を与えた際に、他方の円状面に伝わるせん断振動を測定し、測定値を解析することにより得ることができる。
上記のせん断損失弾性率の測定及び測定値の解析は、粘弾性測定装置（例えば、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、型式ＡＲＥＳ）を用いて行うことができる。
【００３２】
本実施形態に係るダイボンドフィルムは、１８０℃におけるせん断損失弾性率が０．０１ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下であることが好ましい。
１８０℃におけるせん断損失弾性率は、温度を１８０℃とする以外は、上記と同様にして測定することができる。
【００３３】
本実施形態に係るダイボンドフィルムは、１２０℃におけるせん断損失弾性率に対する１８０℃におけるせん断損失弾性率の比が０．５以上０．８以下であることが好ましい。
【００３４】
ダイボンドフィルムは、ベアウェハに対する１２０℃におけるせん断接着力が０．１ＭＰａ以上０．４ＭＰａ以下であり、ベアウェハに対する１８０℃におけるせん断接着力が０．０５ＭＰａ以上０．３ＭＰａ以下であることが好ましい。
１２０℃におけるせん断接着力は、温度１２０℃、速度１０ｍｍ／ｓ、圧力０．１５ＭＰａの条件で、ダイボンド層を厚み０．５ｍｍ、３ｍｍ×３ｍｍのベアチップ（ベアウェハを割断したもの）に貼付したものを試験片とし、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、前記試験片に、測定速度５００μｍ／ｓ、測定ギャップ１００μｍ、ステージ温度１２０℃の条件を採用することにより測定することができる。なお、上記測定は、測定ステージにサンプルを置いてから約２０秒後に行う。
１８０℃におけるせん断接着力は、ステージ温度を１８０℃とする以外は、上記と同様にして測定することができる。
【００３５】
ダイボンドフィルムは、室温（２３℃）で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が１ＧＰａ以上３ＧＰａ未満であることが好ましい。
室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による硬化させる前の弾性率は、動的粘弾性装置（レオロジ社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００）を用い、硬化させる前のダイボンド層を、自動静荷重モードで、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件にて−５０℃から１００℃まで測定することにより得ることができる。
【００３６】
ダイボンドフィルムは、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンドフィルムに熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンドフィルムに熱硬化性を付与することができる。
【００３７】
ダイボンドフィルムが熱硬化性を有する場合、ダイボンドフィルムは、１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の吸湿率が１質量％以下であることが好ましい。
上記吸湿率は、１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前と、１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後との質量変化を求めることにより算出することができる。
【００３８】
ダイボンドフィルムが熱硬化性を有する場合、ダイボンドフィルムは、１７５℃にて１時間硬化させた後の１３０℃における引張貯蔵弾性率が０．２ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下であることが好ましい。
１７５℃にて１時間硬化させた後の１３０℃における引張貯蔵弾性率は、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて測定する。
詳しくは、１７５℃にて１時間硬化させた後のダイボンド層から、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの試験片を切り出し、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−３０〜２８０℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定する。その際、１３０℃での値を読み取ることにより求めることができる。
【００３９】
ダイボンドフィルムが熱硬化性を有する場合、ダイボンドフィルムは、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の、ベアウェハに対するせん断接着力が１５ＭＰａ以上であり、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前のベアウェハに対するせん断接着力に対する、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後のベアウェハに対するせん断接着力の比は、０．６以上であることが好ましい。
また、ダイボンドフィルムは、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝した後の、ベアウェハに対するせん断接着力が５０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００４０】
１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後の、ベアウェハに対するせん断接着力は、上記の条件でダイボンドフィルムをベアウェハに貼付し、１７５℃で５時間硬化させ、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝したものを試験片とし、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、前記試験片に、測定速度５００μｍ／ｓ、測定ギャップ１００μｍ、ステージ温度２３℃の条件を採用することにより測定することができる。なお、上記測定は、測定ステージにサンプルを置いてから約２０秒後に行う。
また、１７５℃にて５時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝す前の、ベアウェハに対するせん断接着力は、上記の条件でダイボンドフィルムをベアウェハに貼付し、１７５℃で５時間硬化させたものを試験片とした以外は、上記と同様にして測定することができる。
【００４１】
ダイボンドフィルムが熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。被着体である半導体チップの腐食原因となるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあるという観点から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００４２】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、かつ、耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００４３】
エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に、当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にあるという観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。
【００４４】
ダイボンドフィルムがエポキシ樹脂と該エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂とを含む場合、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点から、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が０．５当量以上２．０当量以下となる量で含まれることが好ましく、０．７当量以上１．５当量以下となる量で含まれることがより好ましい。
【００４５】
ダイボンドフィルムにおける上記熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルムにおいて上記熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、ダイボンドフィルムの総質量に対して、５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。
【００４６】
ダイボンドフィルムが熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。
すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。
また、ダイボンド層が熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を含む場合、硬化剤を含んでいることが好ましい。上記硬化剤としては、例えば、ポリフェノール系化合物が挙げられる。
【００４７】
ダイボンドフィルムは、上記熱硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
【００４８】
上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。
【００４９】
ダイボンドフィルムが上記熱硬化性樹脂に加えて上記熱可塑性樹脂を含む場合、上記熱可塑性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム中のフィラーを除く有機成分（例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化触媒、シランカップリング剤、染料）の総質量に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、４５質量％以上５５質量％以下であることがさらに好ましい。
【００５０】
ダイボンドフィルムはフィラーを含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、導電性、熱伝導性、及び、弾性率等の各種物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーは、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００５１】
上記フィラーの平均粒子径は、０．００５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。平均粒子径が０．００５μｍ以上であることにより、半導体チップ等の被着体への濡れ性や接着性を向上させることができる。平均粒子径が１０μｍ以下であることにより、耐熱性を確保することができる。フィラーの平均粒子径は、例えば、光度式の粒度分布計（例えば、商品名「ＬＡ−９１０」。堀場製作所製）を用いて求めることができる。
【００５２】
ダイボンドフィルムがフィラーを含む場合、上記フィラーの含有割合は、ダイボンドフィルムの総質量に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、４２質量％以上５５質量％以下であることがさらに好ましい。
【００５３】
ダイボンドフィルムは、必要に応じて、上記以外の他の成分を含んでいてもよい。上記以外の他の成分としては、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。上記他の成分は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００５４】
ダイボンドフィルムの厚さ（積層体の場合は総厚さ）は、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下である。厚さの上限は１００μｍであることが好ましく、８０μｍであることがより好ましい。厚さの下限は３μｍであることが好ましく、５μｍであることがより好ましい。
ダイボンド層の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
【００５５】
ダイボンドフィルムは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以上であることが好ましく、１０℃以上であることがより好ましい。ガラス転移温度が０℃以上であることにより、低温（例えば、−１５℃〜５℃）下において、ダイボンドフィルムを比較的容易に割断することができる。ダイボンドフィルムのガラス転移温度の上限は、例えば、１００℃である。
【００５６】
ダイボンドフィルムとしては、単層のダイボンドフィルムからなるものが挙げられる。
なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層を意味し、同一の組成からなる層が複数積層された構成のものを含む。
ダイボンドフィルムは、単層に限定されるものではなく、組成の異なる二種以上の層が積層されてなる多層構造のものであってもよい。
【００５７】
［ダイシングダイボンドフィルム］
次に、図１を参照しながら、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。
【００５８】
図１に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３と、を備える。
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンド層３は、上記実施形態に係るダイボンドフィルムで構成されている。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。
【００５９】
基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は、樹脂を含む。基材層１に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及び、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００６０】
ポリオレフィンとしては、例えば、α−オレフィンのホモポリマー、２種以上のα−オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。
【００６１】
α−オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα−オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。
【００６２】
２種以上のα−オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１−ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１−ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１−ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体等が挙げられる。
【００６３】
１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。
【００６４】
ポリオレフィンは、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーと呼ばれるものであってもよい。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα−オレフィン三元共重合体が挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。
【００６５】
基材層１は、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１は、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。
【００６６】
基材層１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基材層１は、無延伸成形により得られてもよいし、延伸成形により得られてもよいが、延伸成形により得られることが好ましい。基材層１が積層構造である場合、基材層１は、エラストマーを含む層（以下、エラストマー層という）と非エラストマーを含む層（以下、非エラストマー層という）とを有することが好ましい。
基材層１をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層１に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層１を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、エキスパンド工程における割断時に、基材層１が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。
【００６７】
エラストマー層は、１種のエラストマーを含むものであってもよいし、２種以上のエラストマーを含むものであってもよいが、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。
非エラストマー層は、１種の非エラストマーを含むものであってもよいし、２種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンＰＰを含むことが好ましい。
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層１は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造（非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層）に形成されることが好ましい。
【００６８】
また、前記したように、カーフ維持工程においては、室温（例えば２３℃）でエキスパンド状態を維持した前記ダイシングダイボンドフィルムに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当てて前記ダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた後、冷却固化させるため、基材層１の最外層は、ダイシングテープに当てられる熱風の温度に近い融点を有する樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、熱風を当てることにより溶融した最外層をより迅速に固化させることができる。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００６９】
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造であり、エラストマー層がα−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、非エラストマー層が後述するメタロセンＰＰなどのポリオレフィンを含む場合、エラストマー層は、該エラストマー層を形成するエラストマーの総質量に対して、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、エラストマー層と非エラストマー層との親和性が高くなるため、基材層１を比較的容易に押出成形することができる。また、エラストマー層を応力緩和層として作用させることができるので、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
【００７０】
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造である場合、基材層１は、エラストマーと非エラストマーとを共押出して、エラストマー層と非エラストマー層との積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材層１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。
【００７１】
積層構造をなす基材層１を共押出成形にて得る場合、前記エラストマー層及び前記非エラストマー層は加熱されて溶融された状態で接するため、前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかに過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかが熱劣化することによって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかの粘度が過度に低下することにより前記エラストマー層と前記非エラストマー層との間に積層不良が生じることも抑制できる。前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメンツ社製、型式ＤＳＣ  Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。
【００７２】
基材層１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材層１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付された半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材層１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
【００７３】
エラストマー層と非エラストマー層とを積層させた基材層１において、エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
【００７４】
エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じエラストマーを含んでいてもよいし、少なくも２層が異なるエラストマーを含んでいてもよい。
【００７５】
非エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。非エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。非エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じ非エラストマーを含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる非エラストマーを含んでいてもよい。
【００７６】
非エラストマー層は、非エラストマーとして、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）を含むことが好ましい。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。非エラストマー層がメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＸＫ１２３３、ウィンテックＷＭＸ０３（いずれも、日本ポリプロ社製）が挙げられる。
【００７７】
ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。
【００７８】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα−オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα−オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。
【００７９】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングフィルムに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。
【００８０】
ここで、前記エラストマー層が基材層１の最外層に配されていると、基材層１をロール体とした場合に、最外層に配された前記エラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材層１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、前記した積層構造の基材層１の好ましい態様では、非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材層１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。
【００８１】
前記非エラストマー層は、１００℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂を含むことが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングフィルムを熱収縮させた後に、基材層１が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００８２】
粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、ダイボンド層３としてのダイシングフィルムを粘着することにより保持する。
【００８３】
前記粘着剤としては、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。
【００８４】
粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、割断により個片化された複数のダイボンド層３が、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、ダイボンド層３及びダイボンド層３に貼付された半導体ウェハの割断後に、個片化された複数のダイボンド層付半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数のダイボンド層付半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。
【００８５】
前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。
【００８６】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。
【００８７】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。
【００８８】
前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
【００８９】
粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
【００９０】
前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。
【００９１】
前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。
【００９２】
粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでいてもよい。
【００９３】
粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
粘着剤層２の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
【００９４】
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材層１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。
【００９５】
半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。
【００９６】
ハーフカット工程では、図２Ａ〜図２Ｄに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図２Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図２Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図２Ｂ参照）。溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図２Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図２Ｄ参照）。
【００９７】
マウント工程では、図３Ａ〜図３Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図３Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図３Ｂ参照）。
【００９８】
エキスパンド工程では、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図４Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば−２０〜５℃であり、好ましくは−１５〜０℃、より好ましくは−１０〜−５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図４Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図５Ａ〜図５Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップＷをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
【００９９】
カーフ維持工程では、図６に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップＷ間の距離（カーフ）を維持する。
【０１００】
ピックアップ工程では、図７に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷをダイシングテープ１０の粘着層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＷを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。
【０１０１】
ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷを被着体に接着させる。
なお、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、ダイボンド層３（ダイボンドフィルム）の１２０℃におけるせん断損失弾性率が０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下であるので、加熱条件下（例えば、１２０℃）において、ダイボンド層３を被着体に接着させるときに、ダイボンド層３が前記被着体から剥離することが抑制される。
【０１０２】
なお、本発明に係るダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例】
【０１０３】
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【０１０４】
［実施例１］
＜ダイシングテープの作製＞
剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後のＰＥＴ系セパレータを１２０℃で２分間加熱乾燥して、粘着剤層を形成した。次いで、前記粘着剤層上にＥＶＡフィルム（グンゼ社製。厚さ１１５μｍ）を貼付し、室温（２３℃）にて７２時間保存して、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器内に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）１００質量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）１９質量部、過酸化ベンゾイル０．４質量部、及び、トルエン８０質量部を加え、窒素気流中にて６０℃（液温）で１０時間重合反応を行うことにより、第１樹脂組成物を得た。
次に、前記第１樹脂組成物に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）１．２質量部を加え、大気中にて５０℃（液温）で６０時間付加反応を行い、第２樹脂組成物を得た。
次に、前記第２樹脂組成物１００質量部に対し、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名「コロネートＬ」）１．３質量部、及び、光重合開始剤（チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製、商品名「イルガキュア１８４」）３質量部を加えて、粘着剤組成物を調製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−８０Ｈ」）１００質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ−７８５１」）１５質量部、シリカフィラー（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）２２質量部、及び、シランカップリング剤（信越シリコーン社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部を、固形分濃度が２０質量％となるようにメチルエチルケトンに溶解して、第１ダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように、前記第１ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥させることにより、前記剥離ライナー上にダイボンド層（ダイボンドフィルム）が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、ハンドローラを用いて、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側を貼付して、実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。
【０１０５】
（１２０℃及び１８０℃におけるせん断損失弾性率の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）について、１２０℃及び１８０℃におけるせん断損失弾性率を測定した。
１２０℃におけるせん断損失弾性率は、Φ７．５ｍｍ×１ｍｍの円柱状に打ち抜いたダイボンドフィルムの一方の円状面に、温度１２０℃において、周波数１Ｈｚのせん断振動を与えた際に、他方の円状面に伝わるせん断振動を測定し、解析することにより求めた。
せん断振動の測定及び測定値の解析は、粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、型式ＡＲＥＳ）を用いて行った。
また、１８０℃におけるせん断損失弾性率は、温度を１８０℃とする以外は、上記と同様にして測定した。
１２０℃及び１８０℃におけるせん断損失弾性率を測定した結果を、以下の表１に示した。
なお、１２０℃及び１８０℃におけるせん断損失弾性率は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても、表１に示した。
【０１０６】
（１２０℃及び１８０℃におけるせん断接着力の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）の熱硬化性樹脂（アクリル樹脂及びフェノール樹脂）を硬化させる前に、該ダイボンドフィルムの１２０℃及び１８０℃におけるせん断接着力を測定した。
１２０℃におけるせん断接着力は、温度１２０℃、速度１０ｍｍ／ｓ、圧力０．１５ＭＰａの条件で、ダイボンドフィルムを厚み０．５ｍｍ、３ｍｍ×３ｍｍのベアチップに貼付したものを試験片とし、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、前記試験片に、測定速度５００μｍ／ｓ、測定ギャップ１００μｍ、ステージ温度１２０℃の条件を採用することにより測定した。なお、上記測定は、測定ステージに前記試験片を置いてから２０秒後に行った。
１８０℃におけるせん断接着力は、ステージ温度を１８０℃とした以外は、上記と同様にして測定した。
１２０℃及び１８０℃におけるせん断接着力を測定した結果を、以下の表１に示した。
なお、１２０℃及び１８０℃におけるせん断接着力は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても、表１に示した。
【０１０７】
（高温・高湿度環境下に曝した後のせん断接着力の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）を１７５℃にて５時間硬化させて、高温・高湿度（１３５℃、相対湿度８５％ＲＨ）の環境（いわゆる、ＨＡＳＴ環境）に１００時間曝した後に、該ダイボンド層のせん断接着力を測定した。
この測定は、温度１２０℃、速度１０ｍｍ／ｓ、圧力０．１５ＭＰａの条件で、ダイボンドフィルムを厚み０．５ｍｍ、３ｍｍ×３ｍｍのベアチップに貼付した後、ダイボンドフィルムを１７５℃で５時間硬化させ、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝したものを試験片とし、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、前記試験片に、測定速度５００μｍ／ｓ、測定ギャップ１００μｍ、ステージ温度２３℃の条件を採用して測定した。なお、上記測定は、測定ステージに前記試験片を置いてから２０秒後に行った。
また、ベアウェハに貼付した後、１７５℃で５時間硬化させた後のダイボンドフィルムについて、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前にも、上記と同様にして、せん断接着力を測定した。
１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝した後にせん断接着力を測定した結果、及び、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前にせん断接着力を測定した結果を、以下の表１に示した。
なお、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝した後にせん断接着力、及び、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前にせん断接着力は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても表１に示した。
【０１０８】
（高温・高湿度環境下に曝した後の吸湿率の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを１７５℃にて１時間硬化させて、高温・高湿度（１３５℃、相対湿度８５％ＲＨ）の環境に１００時間曝した後に、該ダイボンドフィルムの吸湿率を測定した。
吸湿率は、１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝す前と、１７５℃にて１時間硬化させて１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１００時間曝した後との質量変化を求めることにより算出した。
吸湿率を測定した結果を、以下の表１に示した。
なお、吸湿率は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても表１に示した。
【０１０９】
（１３０℃における引張貯蔵弾性率の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを１７５℃にて１時間硬化させた後に、該ダイボンドフィルムについて、１３０℃における引張貯蔵弾性率を測定した。
１７５℃にて１時間硬化させた後の１３０℃における引張貯蔵弾性率は、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて測定した。
詳しくは、１７５℃にて１時間硬化させた後のダイボンドフィルムから、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの試験片を切り出し、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−３０〜２８０℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定した。その際、１３０℃での値を読み取ることにより求めた。
なお、１３０℃における引張貯蔵弾性率は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても表１に示した。
【０１１０】
（室温、９００Ｈｚでの弾性率の測定）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを硬化させる前に、該ダイボンドフィルムについて、室温（２３℃）で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率を測定した。
室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による硬化させる前の弾性率は、動的粘弾性装置（レオロジ社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−４０００）を用い、硬化させる前のダイボンドフィルムを、自動荷重モードで、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件にて−５０℃から１００℃まで測定することにより得た。
なお、室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率は、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層（ダイボンドフィルム）についても測定した。その結果についても表１に示した。
【０１１１】
上のようにして得た実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムについて、以下のようにして、被着体（ベアチップ）からの剥離評価を行った。
【０１１２】
（被着体からの剥離評価）
・ダイボンド時の剥離評価
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、１２インチのベアウェハ（直径３００ｍｍ、厚さ５０μｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層（ダイボンドフィルム）の割断を行って、複数のダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを得て、該複数のダイボンド層付ベアチップをリードフレーム基板上に階段状となるように積層ボンディングしたものについて行った。ベアウェハとしては反りウェハを用いた。
【０１１３】
反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７０Ｌ」）：１００質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名「ＨＰ−４７００」）：９０質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化学社製、商品名「Ｈ−４」）：１０２質量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）：２２０質量部
（ｅ）硬化触媒（四国化成社製、商品名「２ＰＨＺ」）：０．６質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１５０℃で２分間乾燥して、前記剥離ライナーに反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ−６００）を用いて、６０℃、０．３ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における熱硬化性樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ−１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハをダイシングリングに固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）に、１０ｍｍ×１０ｍｍサイズのハーフカットダイシングを行った。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼付し、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが５０μｍ（０．０５ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。
【０１１４】
ダイボンド時の剥離評価は、詳細には、以下のようにして行った。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／ｓ、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、ベアウェハ及びダイボンド層（ダイボンドフィルム）の割断を行って複数のダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを得た。
次に、室温（２３℃）、エキスパンド速度１ｍｍ／ｓ、エキスパンド量１０ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２２０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させて、前記複数のダイボンド層付ベアチップのカーフを維持した。
次に、前記複数のダイボンド層付ベアチップをピックアップし、ダイボンダー（新川社製、商品名「ダイボンダーＳＰＡ−３００」）を用いて、ピックアップした前記複数のダイボンド層付ベアチップを、ステージ温度１２０℃、ダイボンド荷重０．２ＭＰａ、及び、ダイボンド時間２秒の条件で、リードフレーム基板上に、階段状に７段連続ボンディングした。７段連続ボンディングは、それぞれのダイボンド層付ベアチップを同一方向に２００μｍずつずらして階段状になるようにボンディングすることにより行った。
ダイボンド時の剥離状態の評価は、ダイボンド層付ベアチップを階段状に積層した直後に、積層方向と直交する側から、顕微鏡観察によりベアチップの積層状態を撮影し、二値化することにより、ベアチップからのダイボンド層の剥離状態を評価した。ダイボンド層の剥離状態は、実用上問題のないレベルを〇とし、実用上問題のあるレベルを×として評価した。その結果を表１に示した。
【０１１５】
・室温（２３℃）における剥離評価
室温（２３℃）における剥離評価は、階段状に積層したダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを室温（２３℃）下に置いた後に、積層方向と直交する側から、顕微鏡観察によりベアチップの積層状態を撮影し、二値化することにより、ベアチップからのダイボンド層（ダイボンドフィルム）の剥離状態を評価した。その結果を表１に示した。
【０１１６】
・モールド時における剥離評価
モールド樹脂成形装置を用いて温度１８０℃にて、リードフレーム基板上に積層されたベアチップを覆うようにモールド成形した後、モールド成形部分を取り除いて、積層方向と直交する側から、顕微鏡観察によりベアチップの積層状態を撮影し、二値化することにより、ベアチップからのダイボンド層（ダイボンドフィルム）の剥離状態を評価した。その結果を表１に示した。
【０１１７】
・高温高湿度下における剥離評価
モールド樹脂成形装置を用いて温度１８０℃にて、リードフレーム基板上に積層されたベアチップを覆うようにモールド成形した後、モールド部分を取り除き、さらに、１３５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に曝した後に、積層方向と直交する側から、顕微鏡観察によりベアチップの積層状態を撮影し、二値化することにより、ベアチップからのダイボンド層（ダイボンドフィルム）の剥離状態を評価した。その結果を表１に示した。
なお、後述する実施例２、比較例１、及び、比較例２についても、実施例１と同様に、ダイボンド時の剥離評価、室温における剥離評価、モールド時における剥離評価、及び、高温高湿度下における剥離評価を行った。その結果についても、表１に示した。
【０１１８】
［実施例２］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１と同様にしてダイシングテープを作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−Ｐ３」）１００質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ−７８５１」）４５質量部、シリカフィラー（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）４７質量部、及び、シランカップリング剤（信越シリコーン社製、商品名「ＫＢＭ４０３」）０．５質量部を、固形分濃度が２０質量％となるようにメチルエチルケトンに溶解して、第２ダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように、前記第２ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥させることにより、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、ハンドローラを用いて、ダイシングテープの粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側を貼付して、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。
＜ダイボンド層付ベアチップの積層＞
実施例１と同様にして、リードフレーム基板上に、ダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを階段状に７段連続ボンディングした。
【０１１９】
［比較例１］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１と同様にしてダイシングテープを作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７９０」）１００質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ−７５００」）１００質量部、及び、シリカスラリー（日産化学社製、商品名「ＭＥＫ−ＳＴ４０」）１４０質量部（固形分換算）を、固形分濃度が２０質量％となるようにメチルエチルケトンに溶解して、第３ダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように、前記第３ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥させることにより、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、ハンドローラを用いて、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側を貼付して、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。
＜ダイボンド層付ベアチップの積層＞
実施例１と同様にして、リードフレーム基板上に、ダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを階段状に７段連続ボンディングした。
【０１２０】
［比較例２］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１と同様にしてダイシングテープを作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７９０」）１００質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ−７５００」）１０質量部、及び、シリカスラリー（日産化学社製、商品名「ＭＥＫ−ＳＴ４０」）１２３質量部（固形分換算）を、固形分濃度が２０質量％となるようにメチルエチルケトンに溶解して、第４ダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように、前記第４ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥させることにより、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、ハンドローラを用いて、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側を貼付して、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。
＜ダイボンド層付ベアチップの積層＞
実施例１と同様にして、リードフレーム基板上に、ダイボンド層（ダイボンドフィルム）付ベアチップを階段状に７段連続ボンディングした。
【０１２１】
【表１】
0006983200.tif 000002
【０１２２】
実施例１及び２においては、１２０℃におけるダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の値は、いずれも０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下の範囲に入っており、ダイボンド時剥離評価はいずれも〇であった。すなわち、実施例１及び２においては、ダイボンドフィルムは、ダイボンド時において、実用上問題のないレベルでしか剥離しないことが分かった。
また、実施例１及び２においては、１８０℃におけるダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の値は、いずれも０．０１ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下の範囲に入っており、モールド時剥離評価はいずれも〇であった。すなわち、実施例１及び２においては、ダイボンドフィルムは、モールド時において、実用上問題のないレベルでしか剥離しないことが分かった。
さらに、実施例１及び２においては、室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率の値は、１ＧＰａ以上３ＧＰａ未満の範囲に入っており、室温剥離評価はいずれも〇であった。すなわち、実施例１及び２においては、ダイボンドフィルムは、室温時において、実用上問題のないレベルでしか剥離しないことが分かった。
また、実施例１及び２においては、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に曝した後の、せん断接着力の値は、いずれも１５ＭＰａ以上であり、さらに、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に曝す前のせん断接着力に対する、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に１００時間曝した後のせん断接着力の比は、いずれも０．６以上であって、高温高湿度環境下剥離評価はいずれも〇であった。すなわち、実施例１及び２においては、ダイボンドフィルムは、高温高湿度環境下において、実用上問題のないレベルでしか剥離しないことが分かった。
これに対し、比較例１及び２においては、１２０℃におけるダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の値は、いずれも０．０３ＭＰａ以上０．０９ＭＰａ以下の範囲に入っておらず、１８０℃におけるダイボンドフィルムのせん断損失弾性率の値は、いずれも０．０１ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下の範囲に入っていなかった。
また、比較例１及び２においては、室温で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率の値は、１ＧＰａ以上３ＧＰａ未満の範囲に入っていなかった。
さらに、比較例１及び２においては、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に曝した後の、せん断接着力の値は、いずれも１５ＭＰａ未満であり、さらに、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に曝す前のせん断接着力に対する、１３５℃かつ相対湿度８５％の環境に１００時間曝した後のせん断接着力の比は、いずれも０．６未満であった。
そして、比較例１及び２においては、ダイボンド時剥離評価、室温剥離評価、モールド時剥離評価、及び、高温高湿度環境下剥離評価は、いずれも×であった。すなわち、比較例１及び２においては、ダイボンドフィルムは、実用上問題のあるレベルまで剥離することが分かった。
【符号の説明】
【０１２３】
１  基材層
２  粘着剤層
３  ダイボンド層
１０  ダイシングフィルム
２０  ダイシングダイボンドフィルム
Ｇ  バックグラインドテープ
Ｈ  保持具
Ｊ  吸着治具
Ｔ  ウェハ加工用テープ
Ｕ  突き上げ部材
Ｗ  半導体ウェハ
【図１】
0006983200.tif 000003
【図２Ａ】
0006983200.tif 000004
【図２Ｂ】
0006983200.tif 000005
【図２Ｃ】
0006983200.tif 000006
【図２Ｄ】
0006983200.tif 000007
【図３Ａ】
0006983200.tif 000008
【図３Ｂ】
0006983200.tif 000009
【図４Ａ】
0006983200.tif 000010
【図４Ｂ】
0006983200.tif 000011
【図４Ｃ】
0006983200.tif 000012
【図５Ａ】
0006983200.tif 000013
【図５Ｂ】
0006983200.tif 000014
【図６】
0006983200.tif 000015
【図７】
0006983200.tif 000016