(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス製造システムのロードロックであって、
前記電子デバイス製造システムの移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジング；
前記第１の内部チャンバに連結された複数のガスライン；
前記複数のガスラインのうちの１つ以上の内部のガスを加熱して、加熱されたガスを前記第１の内部チャンバに送給するように構成された複数のガスラインヒータ；
前記複数のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサ；
前記複数のガスライン温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、該１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて前記複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成されたガスラインヒータコントローラ；
前記ハウジングに埋め込まれ、かつ、前記ハウジングを加熱するように構成された複数のカートリッジヒータ；を含み、
前記複数のカートリッジヒータのうちの第１の部分集合が第１のロードロック加熱ゾーン内に含まれ、かつ、前記複数のカートリッジヒータのうちの第２の部分集合が第２のロードロック加熱ゾーン内に含まれ、前記第１及び第２の部分集合のそれぞれは複数のカートリッジヒータを含み、
前記第１の部分集合のうちの幾つかが、前記第１の部分集合の他のものよりも低い最大熱出力を有しており、さらに
前記ハウジング内の異なる位置で感知された１つ以上の温度の受信に応じて、前記第１の部分集合、前記第２の部分集合、又はその両方の設定を調整することによって、前記ハウジングの設定温度を提供するように構成されたロードロックヒータコントローラ；
を含む、ロードロック。
【請求項２】
前記ハウジングが、前記電子デバイス製造システムの前記移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第２の内部チャンバを有しており；
前記複数のガスラインが、前記第２の内部チャンバに連結されており；かつ
前記複数のガスラインヒータが、前記第２の内部チャンバに送給されるガスを加熱するように構成されている、
請求項１に記載のロードロック。
【請求項３】
前記第１の内部チャンバに送給される前記ガスが不活性ガスである、請求項１に記載のロードロック。
【請求項４】
前記複数のガスライン温度センサのうちの少なくとも１つが熱電対である、請求項１に記載のロードロック。
【請求項５】
電子デバイス製造システムにおいて、
移送チャンバを含むプロセスツール；
ファクトリインターフェース；及び
前記移送チャンバと前記ファクトリインターフェースとの間に連結されたロードロックを含む、電子デバイス製造システムであって、
前記ロードロックが、
前記移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジングと、
前記第１の内部チャンバに加熱ガスを送給するように連結された１つ以上のガスライン内のガスを加熱するように構成された複数のガスラインヒータと、
前記１つ以上のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサと、
前記複数のガスライン温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、前記１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて、前記複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成されたガスラインヒータコントローラと、
前記ハウジングに埋め込まれ、かつ、前記ハウジングを加熱するように構成された複数のカートリッジヒータと、
を備えており、
前記複数のカートリッジヒータのうちの第１の部分集合が第１のロードロック加熱ゾーン内に含まれ、かつ前記複数のカートリッジヒータのうちの第２の部分集合が第２のロードロック加熱ゾーン内に含まれ、前記第１及び第２の部分集合のそれぞれは複数のカートリッジヒータを含み、
前記第１の部分集合のうちの幾つかが、前記第１の部分集合の他のものよりも低い最大熱出力を有しており、前記ロードロックがさらに
前記ハウジング内の異なる位置で感知された１つ以上の温度の受信に応じて、前記第１の部分集合、前記第２の部分集合またはその両方の設定を調整することによって、前記ハウジングの設定温度を提供するように構成されたロードロックヒータコントローラを含む、電子デバイス製造システム。
【請求項６】
前記ハウジング内の異なる位置に連結された複数のロードロック温度センサをさらに有し、前記１つ以上の温度が、前記複数のロードロック温度センサのうちの１つ以上によって感知される、請求項５に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項７】
前記複数のカートリッジヒータが、８つのカートリッジヒータを含み、前記８つのカートリッジヒータのうちの第１の４つが前記第１のロードロック加熱ゾーンに含まれ、前記８つのカートリッジヒータのうちの第２の４つが前記第２のロードロック加熱ゾーンに含まれ、前記第１及び第２のロードロック加熱ゾーンがそれぞれ前記ロードロックヒータコントローラによって別個に制御される、請求項５に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項８】
前記複数のガスラインヒータが、少なくとも３つのガスラインヒータを含み、該少なくとも３つのガスラインヒータがそれぞれ、前記ガスラインヒータコントローラによって別個に制御される異なる加熱ゾーンに含まれる、請求項５に記載の電子デバイス製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、すべての目的でその全体が参照により本願に援用される、２０１７年３月１７日出願の「ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＤＥＶＩＣＥ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭＳ，  ＭＥＴＨＯＤＳ，  ＡＮＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＦＯＲ  ＨＥＡＴＩＮＧ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ  ＡＮＤ  ＲＥＤＵＣＩＮＧ  ＣＯＮＴＡＭＩＮＡＴＩＯＮ  ＩＮ  ＬＯＡＤＬＯＣＫＳ」と題された米国特許出願第１５／４６２，２０３号（代理人整理番号２４７９０／ＵＳＡ）に基づく優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、電子デバイスの製造に関し、より詳細には、ロードロック及びその中の基板を加熱して腐食及び汚染を低減することに関する。
【背景技術】
【０００３】
電子デバイス製造システムは、電子デバイスを製造可能な基板を受け取るように構成されたファクトリインターフェース（例えば、機器フロントエンドモジュール、すなわちＥＦＥＭでありうる）を含みうる。電子デバイス製造システムはまた、ロードロック、移送チャンバ、及び１つ以上の処理チャンバを備えることができる、プロセスツールも含みうる。処理される基板は、基板キャリア（例えば、前方開口型統一ポッド、すなわちＦＯＵＰなどの密閉可能な容器でありうる）から、ファクトリインターフェースを通じてロードロックへと移送されうる。ロードロックから、基板は、移送チャンバへと移送され、そこから１つ以上の処理チャンバへと移送されうる。処理されると、基板は、システムから取り外すためにロードロックに戻されうる。しかしながら、処理済み基板の表面は、処理中にロードロックに放出されうる反応ガスを吸着した可能性がある。ガスの放出は、ガス放出と呼ばれる場合がある。ガス放出は、特にロードロックの内部表面に存在しうる水分と結合すると、ロードロックに腐食を引き起こしうる。この腐食が、今度は、ロードロックを通過する基板を汚染し、その処理に悪影響を与える可能性のある、大量の微粒子をもたらしうる。したがって、既存の電子デバイス製造システムは、改善されたロードロック及びその中の腐食と汚染を低減する方法からの恩恵を受けることができる。
【発明の概要】
【０００４】
第１の態様によれば、電子デバイス製造システムのロードロックが提供される。ロードロックは、電子デバイス製造システムの移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジング、該第１の内部チャンバに連結された複数のガスライン、該複数のガスラインのうちの１つ以上の内部のガスを加熱して、第１の内部チャンバに加熱されたガスを送給するように構成された複数のガスラインヒータ、複数のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサ、及びガスラインヒータコントローラを備えている。ガスラインヒータコントローラは、複数のガスライン温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて、複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成される。
【０００５】
第２の態様によれば、電子デバイス製造システムが提供される。電子デバイス製造システムは、プロセスツール、ファクトリインターフェース、及びプロセスツールの移送チャンバとファクトリインターフェースとの間に連結されたロードロックを含む。ロードロックは、移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジング、該第１の内部チャンバに加熱されたガスを送給するように連結された１つ以上のガスライン内のガスを加熱するように構成された複数のガスラインヒータ、１つ以上のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサ、及びガスラインヒータコントローラを含む。ガスラインヒータコントローラは、複数の温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、該１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて、複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成される。
【０００６】
第３の態様によれば、電子デバイス製造システムのロードロック内の基板を加熱する方法が提供される。本方法は、電子デバイス製造システムの移送チャンバからロードロック内に処理済み基板を受け入れ；ロードロック内の圧力を第１の増加率で第１の値から大気圧より低い第２の値へと増加させ；ある期間、加熱されたガスをロードロック内に流し；期間の満了時に、加熱されたガスを流すことを停止し；かつ、停止後に第１の増加率より高い第２の増加率でロードロック内の圧力を大気圧へと増加させることを含む。
【０００７】
本開示のこれら及び他の実施態様に従う、さらに他の態様、特徴、及び利点は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、並びに添付の図面から容易に明らかになるであろう。したがって、図面及び本明細書の説明は、本質的に例示的であるとみなすべきであり、限定であるとみなすべきではない。
【０００８】
以下に記載される図面は、単に例示目的のものであり、必ずしも縮尺どおりには描かれていない。図面は、本開示の範囲を多少なりとも限定することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の実施態様による電子デバイス製造システム（カバーは取り外されている）の概略的な上面図。
【図２Ａ】本開示の実施態様によるロードロックの概略的な正面図。
【図２Ｂ】本開示の実施態様によるロードロックの概略的な上面図。
【図２Ｃ】本開示の実施態様によるロードロックの概略的な右側面図。
【図３】本開示の実施態様による電子デバイス製造システムのロードロック内で基板を加熱する方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
添付の図面に示されている本開示の例となる実施態様について詳細に参照する。可能な限り、同一又は同様の部分についての言及には、図面全体を通じて同一の参照番号が使用される。
【００１１】
ガス放出の結果として電子デバイス製造システムのロードロックに起こりうる腐食、及びその後にロードロックを通過する基板の微粒子汚染を低減するため、本開示の１つ以上の実施態様による電子デバイス製造システムは、改善されたロードロックを含みうる。この改善されたロードロックは、加熱されたガスをロードロックの内部チャンバに供給して、その中の処理済み基板を加熱することができる。加熱されたガスは、例えば窒素などの不活性ガスでありうる。処理済み基板を加熱すると、残留化学物質が基板からロードロック内へとさらに追い出される場合がある（すなわちガス放出が増加しうる）；しかしながら、加熱された不活性ガスは、脱着したガスをロードロックの外へと基板から遠くに運び去るための媒体として作用しうる。ロードロックから除去されないガス放出は、特に水分が存在する場合には、ロードロックの内部表面を腐食させる可能性がある。その後、腐食は、大量の微粒子をもたらす可能性があり、ロードロックを通過する後続の基板を汚染し、その処理に悪影響を与えうる。改善されたロードロックは、ガスラインヒータコントローラによって制御される複数の加熱ゾーンを形成する複数のガスラインヒータを含みうる。ガスラインヒータコントローラは、感知されたガスライン及び内部チャンバの温度に基づいて、複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整することにより、ロードロックの内部チャンバに所望の温度を有する加熱ガスを供給するように構成されうる。
【００１２】
本開示の１つ以上の実施態様による電子デバイス製造システムはまた、ロードロックのハウジング内に複数の埋め込みヒータを有する改善されたロードロックも含みうる。埋め込みヒータは、ロードロックの腐食に寄与しうるロードロックの内部表面の水分を防ぐまではいかないにしても、低減するように構成することができる。複数の埋め込みヒータは、ロードロック加熱コントローラによって個別に制御可能な複数の加熱ゾーンを形成しうる。加熱ゾーンの埋め込みヒータのうちの１つ以上は、加熱ゾーンの他のものとは異なる最大熱出力を有しうる。ロードロック加熱コントローラは、その周囲の異なる位置で感知されたロードロックハウジングの温度に基づいて埋め込みヒータのうちの１つ以上の設定を調整することにより、ロードロックハウジングの所望の温度を提供するように構成することができる。
【００１３】
電子デバイス製造システム内の改善されたロードロックを例示及び説明する例となる実施態様、並びに電子デバイス製造システムのロードロック内で基板を加熱する方法を含む他の態様のさらなる詳細は、図１〜３に関連して以下により詳細に説明される。
【００１４】
図１は、１つ以上の実施態様による電子デバイス製造システム１００を示している。電子デバイス製造システム１００は、基板１０２上で１つ以上の処理を実行することができる。基板１０２は、電子デバイス又はその上の回路構成要素の製造に適した、例えば、ケイ素含有ディスク又はウエハ、パターン化されたウエハ、ガラス板などの任意の物品でありうる。
【００１５】
電子デバイス製造システム１００は、該プロセスツール１０４に連結されたプロセスツール１０４及びファクトリインターフェース１０６を含みうる。プロセスツール１０４は、その中に移送チャンバ１１０を有するハウジング１０８を含んでよく、移送チャンバ１１０は、その中に位置した基板移送ロボット１１２を有していてもよい。複数の処理チャンバ１１４、１１６、及び１１８は、ハウジング１０８及び移送チャンバ１１０に連結されうる。ロードロック１２０は又はウジング１０８及び移送チャンバ１１０にも連結されうる。移送チャンバ１１０、処理チャンバ１１４、１１６、及び１１８、及びロードロック１２０は、減圧レベルで維持されうる。移送チャンバ１１０の減圧レベルは、例えば、約０．０１Ｔｏｒｒ（１０ｍＴｏｒｒ）から約８０Ｔｏｒｒの範囲でありうる。他の減圧レベルを使用することもできる。
【００１６】
移送ロボット１１２は、移送チャンバ１１０に物理的に連結された処理チャンバとロードロックとの間で基板１０２を移送するように構成された多重アーム及び１つ以上のエンドエフェクタを備えていてもよい（基板１０２及び基板配置位置が図１に円で示されていることに留意されたい）。
【００１７】
処理チャンバ１１４、１１６、及び１１８のそれぞれにおいて、１つ以上の基板に、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、前洗浄、金属又は金属酸化物の除去など、同一又は異なる基板処理を行うことができる。例えば、ＰＶＤ処理は、処理チャンバ１１４の一方又は両方で行うことができ、エッチング処理は、処理チャンバ１１６の一方又は両方で行うことができ、アニーリング処理は、処理チャンバ１１８の一方又は両方で行うことができる。その中の基板に他の処理を行うこともできる。
【００１８】
ロードロック１２０は、一方の側で移送チャンバ１１０と、反対の側でファクトリインターフェース１０６とインターフェースするように構成することができる。ロードロック１２０は、減圧環境（基板を移送チャンバ１１０との間で移送することができる）から大気圧不活性ガス環境（基板をファクトリインターフェース１０６との間で移送することができる）に切り替えることができる環境制御雰囲気を有しうる。幾つかの実施態様では、図２Ａ〜Ｃに関連して以下により詳細に説明されるように、ロードロック１２０は、異なる垂直レベル（例えば一方が他方の上）に位置している一対の上部内部チャンバと一対の下部内部チャンバとを有する積み重ねられたロードロックでありうる。幾つかの実施態様では、一対の上部内部チャンバは、プロセスツール１０４から取り外すために移送チャンバ１１０から処理済み基板を受け取るように構成することができ、一方、一対の下部内部チャンバは、プロセスツール１０４内で処理するためにファクトリインターフェース１０６から基板を受け取るように構成することができる。
【００１９】
ファクトリインターフェース１０６は、例えば機器フロントエンドモジュール、すなわちＥＦＥＭ）などの任意の適切な筐体でありうる。ファクトリインターフェース１０６は、該ファクトリインターフェース１０６のさまざまな負荷ポート１２４でドッキングされた基板キャリア１２２（例えば、前方開口型統一ポッド、すなわちＦＯＵＰ）から基板１０２を受け取るように構成することができる。ファクトリインターフェースロボット１２６（破線で示されている）は、基板キャリア１２２とロードロック１２０との間の基板１０２の移送に用いることができる。任意の従来のロボットタイプをファクトリインターフェースロボット１２６に用いることができる。移送は、任意の順序又は方向で行うことができる。ファクトリインターフェース１０６は、（例えば非反応性ガスとして窒素を使用して）例えば正圧の非反応性ガス環境内で維持されうる。
【００２０】
図２Ａ、２Ｂ、及び２Ｃは、それぞれ、１つ以上の実施態様による電子デバイス製造システムのロードロックの正面、上面、及び右側面概略図を示している。ロードロック１２０（図１）は、図２Ａ〜Ｃのロードロックと同様又は同一とすることができる。図２Ａに示されるように、ロードロック２２０Ａは、一対の上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに一対の下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄを囲むハウジング２２０Ｈを有する積み重ねられたロードロックでありうる。ハウジング２２０Ｈは、例えば、単片の機械加工されたアルミニウムブロックでありうる。上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂは、下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄとは異なる垂直レベルに位置していてもよい（例えば、一方の対がもう一方の対の上になる）。
【００２１】
内部チャンバ２２８ａ〜ｄのそれぞれは、そこを通って基板を受け入れるように構成されたそれぞれの開口部２３０ａ〜ｄを有しうる。開口部２３０ａ〜ｄを開閉するために、１つ以上の従来のスリットバルブ（すなわち、ドア；図示せず）を設けてもよい。幾つかの実施態様では、ロードロック２２０Ａを横切って延びる第１のスリットバルブ（図示せず）を同時に開閉することができ、一方、ロードロック２２０Ａを横切って延びる第２のスリットバルブ（図示せず）は、下部開口部２３０ｃ及び２３０ｄを同時に（及び第１スリットとは独立して）開閉することができる。スリットバルブの他の構成も可能である。開口部２３０ａ〜ｄは、ファクトリインターフェース（例えば、図１のファクトリインターフェース１０６）との間で基板を移送するように構成されうる。ロードロック２２０Ａは、移送チャンバ（例えば、図１の移送チャンバ１１０）との間で基板を移送するように構成された背面（図示せず）に位置した４つの同一及び／又は対応する開口部及びスリットバルブを有していてもよい。幾つかの実施態様では、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂは、プロセスツールの搬送チャンバ（例えば、プロセスツール１０４の移送チャンバ１１０）から処理済み基板を受け取り、それらをファクトリインターフェース（例えば、ファクトリインターフェース１０６）に移送するように構成することができる。下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄは、ファクトリインターフェースから基板を受け取り、それらをプロセスツールの移送チャンバに移送するように構成されうる。
【００２２】
内部チャンバ２２８ａ〜ｄのそれぞれは、例えば大気圧不活性ガス環境から減圧環境までの範囲でありうる、制御された環境を有しうる。幾つかの実施態様では、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂの制御環境は、下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄの制御環境から完全に隔離されていてもよい。すなわち、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂは、例えば減圧環境で維持されてもよく、一方、下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄは、例えば大気環境で維持されてもよく、逆もまた同様である。幾つかの実施態様では、上部内部チャンバ２２８ａは、上部内部チャンバ２２８ｂとは異なる制御環境で維持することができ、及び／又は下部内部チャンバ２２８ｃは、下部内部チャンバ２２８ｄとは異なる制御環境で維持することができる。
【００２３】
ロードロック２２０Ａは、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄに連結された減圧ポンプ２３１を含みうる（図２Ａの明瞭さを維持するために、フローライン、マニホルド及び排気チャネル、制御バルブ、流量コントローラ、流量計等は示されていないことに留意されたい）。幾つかの実施態様では、減圧ポンプ２３１は、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂと下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄとの間で共有されてもよく、それによって、下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄとは異なる時間に、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂに、適切な減圧レベルが提供されうる（例えば、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂが、下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄと交互に又は異なるサイクル時間で動作する場合など）。幾つかの実施態様では、減圧レベルは、約０．０１Ｔｏｒｒから約８０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で供給される。他の減圧が提供されてもよい。減圧ポンプ２３１は、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄからガスを排出、ガス抜き、及び排気するための排気口２３２を有しうる。減圧ポンプ２３１は、例えば、ＢＯＣ  Ｅｄｗａｒｄｓポンプなどでありうる。他の減圧ポンプを使用することもできる。幾つかの実施態様では、ロードロック２２０Ａは、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ及び／又は下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄを排出、パージ、及び／又は排気するための追加の又は代替となる機器（図示せず）を含みうる。
【００２４】
ロードロック２２０Ａは、上部内部チャンバ２２８ａ及び／又は上部内部チャンバ２２８ｂに送給されたガスを加熱するように構成することができる。ガスは、不活性ガス供給２３３によって供給される、例えば窒素などの不活性ガスでありうる。例えばヘリウム又はアルゴンなど、他の不活性ガスも使用することができる。幾つかの実施態様では、ロードロック２２０Ａは、上部内部チャンバ２２８ａ及び／又は２２８ｂに送給されたガスを加熱するように構成された複数のガスラインヒータを含みうる。ロードロック２２０Ａは、ハウジング２２０Ｈ及び関連したガスライン内及び周囲に利用可能な限られたスペースを有しうるため、ロードロック２２０Ａは、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂへの入口付近に位置する単一のより大きいガスラインヒータの代わりに、ハウジング２２０Ｈ及び不活性ガス供給２３３内及び周囲に位置する複数のより小さいガスラインヒータを含んでいてもよい。複数のより小さいガスラインヒータは、ロードロック２２０Ａに供給されるガスが、幾つかの実施態様では約７５℃から９５℃の範囲でありうる、所望の温度まで加熱されることを確実にすることができる。
【００２５】
幾つかの実施態様では、ロードロック２２０Ａは、第１のガスラインヒータ２３４ａ、第２のガスラインヒータ２３４ｂ、第３のガスラインヒータ２３４ｃ、及び第４のガスラインヒータ２３４ｄを含みうる。第１のガスラインヒータ２３４ａ、第２のガスラインヒータ２３４ｂ、第３のガスラインヒータ２３４ｃ、及び第４のガスラインヒータ２３４ｄのうちの１つ以上は、例えば、Ｗａｔｌｏｗ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｃｏ．から入手可能なガスラインジャケット型ヒータでありうる。あるいは、インライン型ヒータ及び／又は他の適切なガスラインヒータを使用することができる。
【００２６】
第１のガスラインヒータ２３４ａは第１のガスライン加熱ゾーン内に含まれてよく、第２のガスラインヒータ２３４ｂは第２のガスライン加熱ゾーン内に含まれてよく、第３のガスラインヒータ２３４ｃ及び第４のガスラインヒータ２３４ｄは第３のガスライン加熱ゾーン内に含まれうる。第１のガスラインヒータ２３４ａは、第１のガスライン２３６ａに連結されて、その中のガスを加熱することができる。第２のガスラインヒータ２３４ｂは、第２のガスライン２３６ｂに連結されて、その中のガスを加熱することができる。第３のガスラインヒータ２３４ｃは、第３のガスライン２３６ｃに連結されて、その中のガスを加熱することができる。また、第４のガスラインヒータ２３４ｄは、第４のガスライン２３６ｄに連結されて、その中のガスを加熱することができる。
【００２７】
第１のガスライン２３６ａは、ハウジング２２０ＨのＹ接合部２３７で第３のガスライン２３６ｃに連結された１つの端部を有しうる。第１のガスライン２３６ａの他方の端部は、ハウジング２２０Ｈの上部に連結されて、ディフューザー２３８ａを介して上部内部チャンバ２２８ａにガスを送給することができる。第２のガスライン２３６ｂは、Ｙ接合部２３７で第３のガスライン２３６ｃに連結された１つの端部を有しうる。第２のガスライン２３６ｂの他方の端部は、ハウジング２２０Ｈの上部に連結されて、ディフューザー２３８ｂを介して上部内部チャンバ２２８ｂにガスを送給することができる。ディフューザー２３８ａ及び２３８ｂは、それぞれ、ガス流をそれぞれの上部内部チャンバ２２８ａ又は２２８ｂ内に拡散するように構成することができ、また粒子フィルターとしても機能することができる。ディフューザー２３８ａ及び２３８ｂは、幾つかの実施態様では、それぞれ、酸化アルミニウムディフューザーでありうる。
【００２８】
第３のガスライン２３６ｃは、Ｙ接合部２３７と不活性ガス供給２３３との間を連結することができる。流量コントローラ２４０は、第３のガスライン２３６ｃに連結することができる。第４のガスライン２３６ｄは、第３のガスライン２３６ｃの一部分に平行に延びてよく、第４のガスライン２３６ｄの一方の端部が、第３のガスラインヒータ２３４ｃの下流の第３のガスライン２３６ｃに連結されうる。第４のガスライン２３６ｄの他方の端部は、不活性ガス供給２３３に連結されうる。流量コントローラ２４２は、第４のガスライン２３６ｄに連結されうる。幾つかの実施態様では、流量コントローラ２４２は、流量コントローラ２４０より高い流量に設定されうる。したがって、例えば、単独の第３のガスライン２３６ｃを介して（第１のガスライン２３６ａ及び／又は第２のガスライン２３６ｂに）供給される場合よりも高い流量のガスが、第４のガスライン２３６ｄを介して上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂに（かつ、第３のガスライン２３６ｃの残りの部分を介して第１のガスライン２３６ａ及び／又は第２のガスライン２３６ｂに）供給されうる。
【００２９】
ロードロック２２０Ａはまた、複数の温度センサ２４６ａ、２４６ｂ、及び２４６ｃ（１つのガスライン加熱ゾーンあたり１つ）、及び複数の制御バルブ２４８ａ、２４８ｂ、２４８ｃ、及び２４８ｄも含みうる。温度センサ２４６ａ、２４６ｂ、及び２４６ｃは、それぞれ、熱電対又は他の適切な温度感知デバイスであってよく、制御バルブ２４８ａ、２４８ｂ、２４８ｃ、及び２４８ｄは、必要に応じて一方向、二方向、又は三方向タイプのバルブであってよく、例えば、ＫＦ−４０タイプのゲートバルブなどでありうる。他の適切な制御バルブを使用することもできる。
【００３０】
他の実施態様は、他の適切な構成及び数の複数のガスラインヒータ、ガスライン、温度センサ、及び／又は制御バルブを有しうる。
【００３１】
ロードロック２２０Ａはまた、ガスラインヒータコントローラ２５０も含みうる。ガスラインヒータコントローラ２５０は、第１のガスラインヒータ２３４ａ（第１のガスライン加熱ゾーンを確立する）、第２のガスラインヒータ２３４ｂ（第２のガスライン加熱ゾーンを確立する）、並びに第３のガスラインヒータ２３４ｃ及び第４のガスラインヒータ２３４ｄ（第３のガスライン加熱ゾーンを確立する）に平行に連結されうる。この構成は、各ガスライン加熱ゾーンをガスラインコントローラ２５０によって個別に制御可能にする。
【００３２】
ガスラインヒータコントローラ２５０は、各ガスライン加熱ゾーンの所望のガス温度を（ガスラインヒータコントローラ２５０で実行するソフトウェアを介して）設定及び維持するように構成されうる。例えば、ガスラインヒータコントローラ２５０は、第１及び第２のガスライン加熱ゾーンのそれぞれの第１のガス温度、並びに、第３の加熱ゾーンの第２のより高いガス温度を設定及び維持することができる。第２のより高いガス温度は、例えば、加熱されたガスがハウジング２２０Ｈを通過するときに第３のガスライン２３６ｃで発生しうる熱損失を説明することができる。ガスラインヒータコントローラ２５０はまた、温度センサ２４６ａ、２４６ｂ、及び２４６ｃの各々から感知されたガス温度を受信するように構成することもできる。ガスラインヒータコントローラ２５０は、必要に応じて、設定された所望のガス温度を維持するために、感知されたガス温度の受信に応答して、第１のガスラインヒータ２３４ａ、第２のガスラインヒータ２３４ｂ、並びに第３のガスラインヒータ２３４ｃ及び／又は第４のガスラインヒータ２３４ｄのうちの１つ以上の設定を調整するようにさらに構成することもできる。調整するように設定することは、幾つかの実施態様では、ガスラインヒータのオン／オフの状態であってもよい。他の実施態様では、ガスラインヒータコントローラ２５０は、ガスラインヒータのうちの１つ以上に印加される電圧を修正して、その熱出力を修正することができる。幾つかの実施態様では、上部内部チャンバ２２８ａ及び／又は２２８ｂに送給される加熱ガスの所望の温度は、約８５℃であってよく、幾つかの実施態様では、７５℃から９５℃の範囲でありうる。他の適切なガス温度及び範囲も可能である。適切なガスラインヒータコントローラ２５０は、例えば、Ｗａｔｌｏｗ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｃｏ．から入手可能でありうる。他の適切なガスラインヒータコントローラを使用することもできる。
【００３３】
幾つかの実施態様では、移送チャンバから上部内部チャンバ２２８ａ又は２２８ｂ内に受け入れることができる処理済み基板（例えば、エッチング後基板）は、約３０℃の温度でありうる。ロードロック２２０Ａは、幾つかの実施態様では、本明細書で説明するように、上部内部チャンバ２２８ａ又は２２８ｂに加熱ガスを提供し、処理済み基板の温度を約８〜１２℃から約３８〜４２℃上昇させるように構成することができる。約３８〜４２℃の温度で処理された基板は、上部内部チャンバ２２８ａ又は２２８ｂの内部表面のいずれかでの基板のガス放出による腐食の発生を防ぐことはできないにしても、低減するには十分でありうる。基板温度のその他の上昇により、基板のガス放出の悪影響を防ぐことはできないにしても、減らすことは可能でありうる。
【００３４】
さらには、加熱ガスを上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂに有利に供給してその中のそれぞれの基板を加熱することにより、加熱ペデスタル及びその関連ハードウェア（例えば、基板リフト機構、駆動モータ等）を上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ内で動作させる費用及び経費を節約することができる。
【００３５】
幾つかの実施態様では、ロードロック２２０Ａは、ハウジング２２０Ｈに埋め込まれた複数のカートリッジヒータを含みうる。複数のカートリッジヒータは、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄの内部表面に存在する水分を減らすことができ、完全に除去することができ、及び／又はその上に形成されることを防ぐことができるように、ハウジング２２０Ｈを加熱するように構成されうる。幾つかの実施態様では、図２Ａ〜Ｃに示されるように、８つのカートリッジヒータ２５２ａ〜ｈがハウジング２２０Ｈ内に埋め込まれてもよく、ここで、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、及び２５２ｄは、図２Ａのロードロック２２０Ａ（正面図）内に示されており、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、２５２ｄ、２５２ｅ、２５２ｆ、２５２ｇ、及び２５２ｈは、図２Ｂのロードロック２２０Ｂ（上面図）内に示されており、カートリッジヒータ２５２ｃ、２５２ｄ、２５２ｇ、及び２５２ｈは、図２Ｃのロードロック２２０Ｃ（右側面図）内に示されている。カートリッジヒータ２５２ａ〜ｈの各々は、ハウジング２２０Ｈにドリル又は別の方法で形成された適切なサイズの穴に挿入されてもよい。カートリッジヒータ２５２ａ及び２５２ｅは、ハウジング２２０Ｈの左側に同じレベルで水平に埋め込むことができ、カートリッジヒータ２５２ｄ及び２５２ｈは、ハウジング２２０Ｈの右側に同じレベルで水平に埋め込むことができる。カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｅ、２５２ｄ、及び２５２ｈのそれぞれは、同じレベルで水平に埋め込むことができ、対称的に間隔を空けて配置することができる。カートリッジヒータ２５２ｂ、２５２ｃ、２５２ｆ、及び２５２ｇは、ハウジング２２０Ｈの底部２５３に垂直に埋め込むことができる。ハウジング２２０Ｈの所望の加熱に応じて、カートリッジヒータの他の配置が可能である。幾つかの実施態様では、上部内部チャンバ２２８ａ及び下部内部チャンバ２２８ｃの周囲に位置するカートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｅ、及び２５２ｆは、平行に連結されて、第１のロードロック加熱ゾーンを形成することができ、上部内部チャンバ２２８ｂ及び下部内部チャンバ２２８ｄの周囲に位置するカートリッジヒータ２５２ｃ、２５２ｄ、２５２ｇ、及び２５２ｈは、平行に連結されて、第２のロードロック加熱ゾーンを形成することができる。カートリッジヒータ２５２ａ〜ｈのそれぞれは、例えば、Ｗａｔｌｏｗ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｃｏ．から入手可能なＦＩＲＥＲＯＤ（登録商標）カートリッジヒータでありうる。他の適切なカートリッジ型ヒータも使用することができる。
【００３６】
幾つかの実施態様では、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、及び２５２ｄ（これらは、ロードロック２２０Ａの前面の近くにあり、ファクトリインターフェースとインターフェースしている）は、カートリッジヒータ２５２ｅ、２５２ｆ、２５２ｇ、及び２５２ｈ（これらは、ロードロック２２０Ａの背面の近くにあり、移送チャンとインターフェースしている）よりも低い最大熱出力を有しうる。移送チャンバはファクトリインターフェースよりも大きいヒートシンクとして機能することができることから、カートリッジヒータ２５２ｅ、２５２ｆ、２５２ｇ、及び２５２ｈは、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、及び２５２ｄよりも高い熱出力を有することができ、したがって、比較的一定／均一なロードロック温度を維持するためには、カートリッジヒータ２５２ｅ、２５２ｆ、２５２ｇ、及び２５２ｈがより多くの熱を出力することを必要とする。例えば、幾つかの実施態様では、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ、及び２５２ｄはそれぞれ３５５ワットのカートリッジヒータとすることができ、一方、カートリッジヒータ２５２ｅ、２５２ｆ、２５２ｇ、及び２５２ｈはそれぞれ８２５ワットのカートリッジヒータとすることができる。カートリッジヒータ２５２ａ〜ｈはそれぞれ他の適切なワット数のものであってもよい。
【００３７】
ロードロック２２０Ａは、ロードロックヒータコントローラ２５４を含みうる。カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｅ、及び２５２ｆは、ロードロックヒータコントローラ２５４に平行に連結することができ（第１のロードロック加熱ゾーンを形成する）、カートリッジヒータ２５２ｃ、２５２ｄ、２５２ｇ、及び２５２ｈもまた、ロードロックヒータコントローラ２５４に平行に連結することができる（第２のロードロック加熱ゾーンを形成する）。ロードロックヒータコントローラ２５４は、２つのロードロック加熱ゾーンのそれぞれについて所望のロードロックハウジング２２０Ｈ温度を（ロードロックヒータコントローラ２５４で実行するソフトウェアを介して）設定及び維持するように構成されうる。例えば、ロードロックヒータコントローラ２５４は、第１のロードロック加熱ゾーンの第１のロードロック温度及び第２のロードロック加熱ゾーンの第２のロードロック温度（第１のロードロック温度と同じであってもよい）を設定及び維持することができる。第１及び第２のロードロック温度はそれぞれ、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄの内部表面に水分が形成されるのを低減又は防止するのに十分でありうる。
【００３８】
幾つかの実施態様では、ロードロックヒータコントローラ２５４及びカートリッジヒータ２５２ａ〜ｈは、ロードロックハウジング２２０Ｈ（及び特に、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄのすべての内部減圧表面）を、約１時間以内に、室温から開始して約５５℃〜約１００℃の温度へと加熱するように構成することができる。上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ並びに下部内部チャンバ２２８ｃ及び２２８ｄのすべての内部減圧表面を約５５℃から約１００℃で維持することにより、その上に水分が形成されること及び／又はそれらの腐食を、防止はできないとしても低減することができる。
【００３９】
ロードロックヒータコントローラ２５４は、それぞれが熱電対でありうるロードロック温度センサ２５５ａ及び２５５ｂ（図２Ｂ及び２Ｃ参照）によって感知される温度を受信することにより、設定された第１及び第２のロードロック温度を維持するように構成することができる。これらの温度の受信に応じて、ロードロックヒータコントローラ２５４はまた、設定された第１及び／又は第２のロードロック温度を維持するために、必要に応じて、カートリッジヒータ２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｅ、及び２５２ｆ（第１のロードロック加熱ゾーン内）の設定及び／又はカートリッジヒータ２５２ｃ、２５２ｄ、２５２ｇ、及び２５２ｈ（第２のロードロック加熱ゾーン内）の設定を調整するように構成することもできる。すなわち、加熱ゾーンのカートリッジヒータを同時に動作させる。設定は、幾つかの実施態様では、加熱ゾーン内のカートリッジヒータのオン／オフの状態でありうる。他の実施態様では、ロードロックヒータコントローラ２５４は、第１及び／又は第２のロードロック加熱ゾーン内のカートリッジヒータに印加される電圧を修正し、それぞれの熱出力を修正することができる。適切なロードロックヒータコントローラ２５４は、例えば、Ｗａｔｌｏｗ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｃｏ．から入手可能でありうる。他の適切なロードロックヒータコントローラを使用することもできる。
【００４０】
幾つかの実施態様では、ガスラインヒータコントローラ２５０及び／又はロードロックヒータコントローラ２５４は、ガスラインヒータ２３４ａ〜２３４ｄ及びカートリッジヒータ２５２ａ〜ｈにそれぞれ供給される電流を感知するように構成された電流センサ（図示せず）を含みうる。感知された電流は、ヒータのいずれかが動作不能であるかどうかを示唆することができる。例えば、ロードロックヒータコントローラ２５４は、その電流センサにより感知される電流が、すべてのカートリッジヒータ２５２ａ〜ｈについて感知される電流よりも、１つのカートリッジヒータ分だけ比例して少ない場合、カートリッジヒータ２５２ａ〜ｈのうちの１つが動作していないと判断することができる。
【００４１】
幾つかの実施態様では、ガスラインヒータコントローラ２５０及びロードロックヒータコントローラ２５４は、両方の機能を実行する単一のヒータコントローラで置き換えることができる。
【００４２】
ロードロック２２０Ａの動作は、ロードロック２２０Ａを含む電子デバイス製造システムのシステムコントローラでありうるコントローラ２５６（図２Ａ）の制御下とすることができる。コントローラ２５６は、ロードロック２２０Ａのアクティブなハードウェア構成要素の各々に連結されて、それらの動作を制御することができる。幾つかの実施態様では、アクティブな構成要素は、減圧ポンプ２３１及び制御バルブ２４８ａ、２４８ｂ、２４８ｃ、及び２４８ｄを含みうる。コントローラ２５６は、プログラムされたプロセッサ、プロセッサ実行可能命令を格納するメモリ、サポート回路、及び入出力回路を含みうる。ガスラインヒータコントローラ２５０及び／又はロードロックヒータコントローラ２５４はコントローラ２５６とは独立して動作することができるが、各々は、コントローラ２５６に情報を提供することができる、及び／又は、コントローラ２５６によって制御することができる。代替的な実施態様では、ガスラインヒータコントローラ２５０及び／又はロードロックヒータコントローラ２５４の機能はコントローラ２５６によって実行することができ、ガスラインヒータコントローラ２５０及び／又はロードロックヒータコントローラ２５４はロードロック２２０Ａから省くことができる。
【００４３】
図３は、１つ以上の実施態様による、電子デバイス製造システムのロードロック内で基板を加熱する方法３００を示している。方法３００は、例えば、コントローラ２５６及び／又はガスラインヒータコントローラ２５０（図２Ａ）など、１つ以上のコントローラによって実行することができる。
【００４４】
プロセスブロック３０２では、方法３００は、電子デバイス製造システムの移送チャンバからロードロック内に処理済み基板を受け入れることを含みうる。例えば、図１及び２Ａを参照すると、処理チャンバ１１４、１１６、及び１１８のうちの１つ以上の内部で処理された基板は、移送チャンバ１１０からロードロック２２０Ａの上部内部チャンバ２２８ａ又は２２８ｂへと移送されうる。
【００４５】
プロセスブロック３０４では、方法３００は、ロードロック内の圧力を第１の増加率で第１の値から大気圧より低い第２の値へと増加させることを含みうる。例えば、図２Ａを参照すると、ロードロック２２０Ａの上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂは、移送チャンバから基板を受け取り時には、ある減圧レベル（すなわち、第１の値）でありうる。コントローラ２５６は、必要な制御バルブを動作させて排気口２３２を開き、かつ、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ内の圧力が大気圧より低い第２の値へと上昇するまで、不活性ガスが、流量コントローラ２４０によって設定される流量（すなわち第１の増加率に対応する）で、第３のガスライン２３６ｃ、第１のガスライン２３６ａ、及び第２のガスライン２３６ｂを通って流れるように、制御バルブ２４８ａ、２４８ｂ、２４８ｃ、及び２４８ｄを設定することができる。第２の値は、パージ圧力値と呼ばれる場合がある。幾つかの実施態様では、第１の圧力値は約２２０ｍＴｏｒｒから１８０ｍＴｏｒｒの範囲とすることができ、第２の圧力値は約２０Ｔｏｒｒから１０Ｔｏｒｒの範囲でありうる。幾つかの実施態様では、この圧力増加中に加熱ガスを提供するために、ガスラインヒータ２３４ａ〜ｃのうちの１つ以上を作動させることができることに留意されたい。
【００４６】
プロセスブロック３０６では、方法３００は、ある期間、加熱されたガスをロードロック内に流すことを含みうる。例えば、図２Ａを参照すると、ガスラインヒータコントローラ２５０は、ガスラインヒータ２３４ａ〜ｄを作動させることができ、コントローラ２５６は、減圧ポンプ２３１を作動させることができ、制御バルブ２４８ｃ及び２４８ｄを設定して、不活性ガス供給２３３からの不活性ガスを、ロードロック２２０Ａを通って、第４のガスライン２３６ｄ、第３のガスライン２３６ｃの残りの部分、及び第１のガスライン２３６ａ及び／又は第２のガスライン２３６ｂに流すことができる。
【００４７】
プロセスブロック３０８では、方法３００は、期間の満了時に加熱されたガスの流れを停止することを含みうる。例えば、ガスラインヒータコントローラ２５０は、ガスラインヒータ２３４ａ、２３４ｂ、２３４ｃ、及び２３４ｄを停止することができ、コントローラ２５６は、減圧ポンプ２３１を停止することができる。幾つかの実施態様では、期間は、約２０秒から４０秒の範囲でありうる。
【００４８】
また、プロセスブロック３１０では、方法３００は、停止後に第１の増加率より高い第２の増加率でロードロック内の圧力を大気圧まで増加させることを含みうる。例えば、再び図２Ａを参照すると、不活性ガスは、上部内部チャンバ２２８ａ及び２２８ｂ内の圧力が大気圧へと上昇するまで、流量コントローラ２４２によって設定される（すなわち第２の増加率に対応する）流量で、第４のガスライン２３６ｄ、第３のガスライン２３６ｃの残りの部分、及び第１のガスライン２３６ａ及び／又は第２のガスライン２３６ｂ内を流れうる。
【００４９】
圧力が大気圧に達した後、方法３００は、ファクトリインターフェース（例えば図１のファクトリインターフェース１０６）へのロードロックドアを開いて、さらなる処理のために電子デバイス製造システムから処理済み基板を取り出すことをさらに含みうる。
【００５０】
前述の説明は、本開示の例示的な実施形態を開示しているにすぎない。上記開示される装置、システム、及び方法の修正は、本開示の範囲内に含まれうる。したがって、本開示の例となる実施態様が開示されているが、以下の特許請求の範囲によって定義されるように、他の実施態様が本開示の範囲内に含まれうることが理解されるべきである。  また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
電子デバイス製造システムのロードロックであって、
前記電子デバイス製造システムの移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジング；
前記第１の内部チャンバに連結された複数のガスライン；
前記複数のガスラインのうちの１つ以上の内部のガスを加熱して、加熱されたガスを前記第１の内部チャンバに送給するように構成された複数のガスラインヒータ；
前記複数のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサ；及び
前記複数のガスライン温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、該１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて前記複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成されたガスラインヒータコントローラ
を含む、ロードロック。
（態様２）
前記ハウジングが、前記電子デバイス製造システムの前記移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第２の内部チャンバを有しており；
前記複数のガスラインが、前記第２の内部チャンバに連結されており；かつ
前記複数のガスラインヒータが、前記第２の内部チャンバに送給されるガスを加熱するように構成されている、
態様１に記載のロードロック。
（態様３）
前記第１の内部チャンバに送給される前記ガスが不活性ガスである、態様１に記載のロードロック。
（態様４）
前記複数のガスライン温度センサのうちの少なくとも１つが熱電対である、態様１に記載のロードロック。
（態様５）
前記ハウジングに埋め込まれ、かつ、前記ハウジングを加熱するように構成された複数のカートリッジヒータ；及び
前記ロードロックハウジング内の異なる位置で感知された１つ以上の温度の受信に応じて、前記カートリッジヒータの第１の一部複数（ｓｕｂ−ｐｌｕｒａｌｉｔｙ）、前記カートリッジヒータの第２の一部複数、又はその両方の設定を調整することによって、前記ロードロックハウジングの設定温度を提供するように構成されたロードロックヒータコントローラ
をさらに含み、
前記カートリッジヒータの第１の一部複数が第１のロードロック加熱ゾーン内に含まれ、かつ、前記カートリッジヒータの第２の一部複数が第２のロードロック加熱ゾーン内に含まれ；かつ
前記カートリッジヒータの前記第１の一部複数のうちの幾つかが、前記カートリッジヒータの前記第１の一部複数の他のものよりも低い最大熱出力を有している、
態様１に記載のロードロック。
（態様６）
電子デバイス製造システムにおいて、
移送チャンバを含むプロセスツール；
ファクトリインターフェース；及び
前記移送チャンバと前記ファクトリインターフェースとの間に連結されたロードロックを含む、電子デバイス製造システムであって、
前記ロードロックが、
前記移送チャンバからその中に基板を受け入れるように構成された第１の内部チャンバを有するハウジングと、
前記第１の内部チャンバに加熱ガスを送給するように連結された１つ以上のガスライン内のガスを加熱するように構成された複数のガスラインヒータと、
前記１つ以上のガスラインに異なる位置で連結された複数のガスライン温度センサと、
前記複数の温度センサのうちの１つ以上から１つ以上の感知されたガス温度を受信し、前記１つ以上の感知されたガス温度の受信に応じて、前記複数のガスラインヒータのうちの１つ以上の設定を調整するように構成されたガスラインヒータコントローラ
を備えている、
電子デバイス製造システム。
（態様７）
前記ハウジングに埋め込まれ、かつ、前記ハウジングを加熱するように構成された複数のカートリッジヒータ；
前記ハウジング内の異なる位置に連結された複数のロードロック温度センサ；及び
前記複数のロードロック温度センサのうちの１つ以上によって感知された１つ以上の温度の受信に応じて、前記埋め込まれたカートリッジヒータのうちの１つ以上の設定を調整することによって、前記ロードロックハウジングの設定温度を提供するように構成されたロードロックヒータコントローラ
をさらに含む、態様６に記載の電子デバイス製造システム。
（態様８）
前記複数のカートリッジヒータが、８つのカートリッジヒータを含み、前記８つのヒータのうちの第１の４つが第１の加熱ゾーンに含まれ、前記８つのヒータのうちの第２の４つが第２の加熱ゾーンに含まれ、前記第１及び第２の加熱ゾーンがそれぞれ前記ロードロックヒータコントローラによって別個に制御される、態様７に記載の電子デバイス製造システム。
（態様９）
前記複数のガスラインヒータが、少なくとも３つのガスラインヒータを含み、該少なくとも３つのガスラインヒータがそれぞれ、前記ガスラインヒータコントローラによって別個に制御される異なる加熱ゾーンに含まれる、態様６に記載の電子デバイス製造システム。
（態様１０）
電子デバイス製造システムのロードロック内で基板を加熱する方法であって、
前記電子デバイス製造システムの移送チャンバから前記ロードロック内に処理済み基板を受け入れ；
第１の値から大気圧より低い第２の値まで、第１の増加率で前記ロードロック内の圧力を増加し；
ある期間、加熱されたガスを前記ロードロック内に流し；
前記期間の満了時に前記加熱されたガスを流すことを停止し；かつ
前記停止後に、前記第１の増加率より高い第２の増加率で、前記ロードロック内の前記圧力を大気圧へと増加させる
ことを含む、方法。
（態様１１）
前記電子デバイス製造システムのファクトリインターフェースへのロードロックドアを開くことをさらに含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
前記第１の値が２２０ｍＴｏｒｒから１８０ｍＴｏｒｒの範囲であり、前記第２の値が２０Ｔｏｒｒから１０Ｔｏｒｒの範囲である、態様１０に記載の方法。
（態様１３）
前記加熱されたガスを流すことが、
前記ロードロックに連結された流路内の減圧ポンプを起動すること；及び
複数のガスラインヒータを起動して、前記ロードロックの上流の前記流路内を流れるガスを加熱すること
を含む、態様１０に記載の方法。
（態様１４）
前記加熱されたガスが不活性ガスであり、かつ、７５℃から９５℃の範囲である、態様１０に記載の方法。
（態様１５）
前記期間が、前記基板を３５℃から４５℃の範囲の温度に加熱するのに十分である、態様１０に記載の方法。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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