(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラム層（３）を有し、焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体（２）を含むダイアフラム支持部材（１）の製造方法であって、
少なくとも以下の工程を備えるダイアフラム支持部材（１）の製造方法。
ａ  多孔質な焼結金属によって形成される層状又は管状のダイアフラム支持体（２）であって上記ダイアフラム層（３）で被覆されるために設けられる表面（４）を有するダイアフラム支持体（２）を設ける工程
ｂ  上記ダイアフラム支持体（２）を気体搬送経路（６）に接続するための金属製の接続要素（５）を設ける工程
ｃ  上記ダイアフラム支持体（２）及び上記接続要素（５）を溶接継目（７）で上記ダイアフラム支持部材（１）に接続し、上記溶接継目（７）及び上記ダイアフラム支持体（２）の間に第１接続区域（８）、上記溶接継目（７）及び上記接続要素（５）の間に第２接続区域（９）を形成する工程
ｄ  金属層（１５）を、この金属層（１５）が少なくとも上記第１接続区域（８）を覆うように上記表面（４）及び上記溶接継目（７）上に配置する工程
ｅ  上記金属層（１５）を、少なくとも上記表面（４）及び上記溶接継目（７）と密着接合する工程
ｆ  上記表面（４）の少なくとも一部及び上記金属層（１５）の少なくとも一部を上記ダイアフラム層（３）で被覆する工程
【請求項２】
工程ｄの前に、上記ダイアフラム支持体（２）が、このダイアフラム支持体（２）の表面（４）を少なくとも部分的に形成する拡散障壁層（１１）で、少なくとも部分的に被覆され、
上記拡散障壁層（１１）が、上記ダイアフラム支持体（２）との拡散相互作用の結果として生じる上記ダイアフラム層（３）の劣化を防止するか、又は少なくとも制限する層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の材料である銀［Ａｇ］、銅［Ｃｕ］、イットリウム［Ｙ］、セリウム［Ｃｅ］、金［Ａｕ］、ルテニウム［Ｒｕ］、インジウム［Ｉｎ］及びパラジウム［Ｐｄ］のうち少なくとも１を含む金属層（１５）が、工程ｄにて適用される請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記金属層（１５）が、９５質量％以上の銀［Ａｇ］又は銅［Ｃｕ］からなる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
５０μｍ［マイクロメートル］以下の厚さ（１２）を有する金属層（１５）が、工程ｄにて堆積される請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程ｄにて、上記金属層（１５）として金属箔（１０）を、上記表面（４）及び上記溶接継目（７）上に配置する請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
上記金属箔（１０）が、工程ｄの前にて軟化焼鈍の状態にある請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程ｄにて、上記金属箔（１０）が、少なくとも上記溶接継目（７）及び上記表面（４）に対して少なくとも１の弾性変形可能なローラ（１３）によって圧縮される請求項６又は請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記金属箔（１０）が、シーム溶接によって少なくとも上記表面（４）と密着接合される請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
上記金属層（１５）が、工程ｅにて、焼結によって少なくとも上記表面（４）及び上記溶接継目（７）と密着接合される請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ダイアフラム支持部材（１）であって、
多孔質な焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体（２）と、
上記ダイアフラム支持体（２）を気体搬送経路（６）に接続するための金属製の接続要素（５）と
を少なくとも備え、
上記ダイアフラム支持体（２）及び上記接続要素（５）が、溶接継目（７）によって互いに接続され、
上記ダイアフラム支持体（２）が、ダイアフラム層（３）で被覆される表面（４）を有し、
上記溶接継目（７）が、金属層（１５）で少なくとも部分的に覆われ、上記表面（４）の上記溶接継目（７）に隣接する領域（１４）が、金属層（１５）で覆われ、
上記ダイアフラム層（３）が、上記金属層（１５）上に少なくとも部分的に配置され、
上記ダイアフラム支持体（２）と上記接続要素（５）との接続が上記溶接継目（７）によって形成された状態でのみ上記金属層（１５）が上記表面（４）及び上記溶接継目（７）上に配置されるダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１２】
上記金属層（１５）が、少なくとも上記表面（４）及び上記溶接継目（７）と焼結によって密着接合された層である請求項１１に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１３】
上記金属層（１５）が、複数の材料である銀［Ａｇ］、銅［Ｃｕ］、イットリウム［Ｙ］、セリウム［Ｃｅ］、金［Ａｕ］、ルテニウム［Ｒｕ］、インジウム［Ｉｎ］、及びパラジウム［Ｐｄ］のうち少なくとも１を含む請求項１１又は請求項１２に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１４】
上記金属層（１５）が、９５質量％以上の銀［Ａｇ］又は銅［Ｃｕ］からなる請求項１１、請求項１２又請求項１３に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１５】
上記金属層（１５）によって覆われる上記ダイアフラム支持体（２）の上記表面（４）の上記領域（１４）が、上記溶接継目（７）から上記接続要素（５）と反対の側に５ｍｍ［ミリメートル］以下の第１距離（１６）まで延びている請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１６】
上記金属層（１５）が、上記接続要素（５）上における上記溶接継目（７）から上記ダイアフラム支持体（２）と反対の側に５ｍｍ［ミリメートル］以下の第２距離（１７）まで延びている請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１７】
上記金属層（１５）が、上記ダイアフラム支持体（２）から出発して上記接続要素（５）に向かって、少なくとも上記溶接継目（７）の中間まで上記ダイアフラム層（３）で被覆されている請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１８】
拡散障壁層（１１）が、
少なくとも部分的に上記金属層（１５）と上記溶接継目（７）との間、
少なくとも部分的に上記ダイアフラム層（３）と上記ダイアフラム支持体（２）の上記多孔質な焼結金属との間、及び
少なくとも部分的に上記金属層（１５）と上記ダイアフラム支持体（２）の上記多孔質な焼結金属との間
に配置され、
上記拡散障壁層（１１）が、上記ダイアフラム支持体（２）との拡散相互作用の結果として生じる上記ダイアフラム層（３）の劣化を防止するか、又は少なくとも制限する層である請求項１１から請求項１７のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）。
【請求項１９】
水素（２０）を生成するための反応器（１９）であって、
請求項１１から請求項１８のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）を少なくとも備え、
上記ダイアフラム支持部材（１）の上記ダイアフラム支持体（２）が、上記接続要素（５）を介して上記反応器（１９）に固定され、かつ上記反応器（１９）に気密状態で接続されている反応器（１９）。
【請求項２０】
気体混合物（２１）から水素（２０）を分離するための使用であって、
請求項１１から請求項１８のいずれか１項に記載のダイアフラム支持部材（１）の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアフラム支持部材の製造方法、及び水素含有気体（ガス）混合物から水素を透過分離するためのダイアフラム支持部材に関する。当該ダイアフラム支持部材は、金属製の接続要素を介して反応器に接続され得る多孔質な焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体を備える。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２０１０／１１５５６２号（ＷＯ２０１０／１１５５６２  Ａ１）は、上述のようなダイアフラム支持部材を開示しており、それは、ダイアフラムパイプとして言及されている。このダイアフラムパイプは、パラジウムを含有するか又はパラジウムから構成されるパラジウムダイアフラムを有する多孔質なパイプであって、焼結金属によって形成される多孔質なパイプを備える。この焼結金属パイプは、その一端に、気密材料から構成される管継手を有する。この管接手は、反応器への接続のために使用される。管継手及び焼結金属パイプは、焼結、ろう付け、又は摩擦圧接によって互いに接続される。これは、短い動作時間後に亀裂を引き起こすことが知られている溶接（例えば、ＴＩＧ溶接）による焼結金属パイプと反応器との接合を置き換えることを目的とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１１５５６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この背景から進んで、本発明の目的は、少なくとも部分的に、先行技術に関連して説明された問題を解決することである。特に、接続要素のダイアフラム支持体への溶接接続が提案され、この溶接接続では、溶接接続にて潜在的に発生する亀裂の結果としてのダイアフラム支持体の機能の障害が防止される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この解決に貢献するのは、請求項１の特徴によるダイアフラム支持部材の製造方法、及び請求項１０の特徴によるダイアフラム支持部材である。有利な発展は、従属請求項の主題である。請求の範囲に個別に記載された特徴は、本発明の追加の設計変形が示されつつ、技術的に意味のある方法で組み合わされ、図面の説明及び詳細からの説明的な事実によって補完される。
【０００６】
本発明は、（気密な）ダイアフラム層を有するダイアフラム支持体であって焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体を含むダイアフラム支持部材の製造方法に関する。この方法は、少なくとも以下の工程を備える。
ａ  多孔質な焼結金属によって形成される層状または管状のダイアフラム支持体であって上記ダイアフラム層で被覆されるために設けられる表面を有するダイアフラム支持体を設ける工程
ｂ  上記ダイアフラム支持体を気体搬送経路に接続するための金属製の接続要素を設ける工程
ｃ  上記ダイアフラム支持体及び上記接続要素を溶接継目で上記ダイアフラム支持部材に接続し、上記溶接継目及び上記ダイアフラム支持体の間に第１接続区域、上記溶接継目及び上記接続要素の間に第２接続区域を形成する工程
ｄ  金属層を、この金属層が少なくとも上記第１接続区域を覆うように上記表面及び上記溶接継目上に配置する工程
ｅ  上記金属層を、少なくとも上記表面及び上記溶接継目と密着接合する工程
ｆ  上記表面の少なくとも一部及び上記箔の少なくとも一部を上記ダイアフラム層で被覆する工程
【０００７】
上記ダイアフラム支持体は、従って、特に上記接続要素も、好ましくは管状であり、その結果、気体混合物が上記ダイアフラム支持部材内に保持され、水素が上記ダイアフラム支持体及び上記気密なダイアフラム層を介して上記ダイアフラム支持部材の外側の環境に放出され得る。特に、上記管状のダイアフラム支持体は、周辺溶接により上記管状の接続要素に接続される。
【０００８】
上記ダイアフラム層は、特に（排他的に）パラジウム又はパラジウムを含有する合金からなる。好ましくは、上記ダイアフラム層は、無電流金属析出又はスパッタリング技術により、公知の方法で上記ダイアフラム支持体上に堆積される。
【０００９】
上記ダイアフラム支持部材及び上記ダイアフラム層の動作温度は、特に３５０℃を超え、好ましくは４００℃を超える。
【００１０】
溶接による上記接続要素及び上記ダイアフラム支持体の接合は、通常、上記ダイアフラム層が上記ダイアフラム支持体に適用される前に実行される。しかし、この接合操作では、この領域を上記ダイアフラム層で被覆することを困難にする間隙が発生し得ることが、観察されている。さらに、特に焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体が使用される場合、上記接続要素及び上記ダイアフラム支持体の間の上記溶接継目は、多くの場合、粗く、部分的に多孔性であるか、又は上記溶接継目の熱影響区域の近傍に亀裂を有する。これらの状況は、また、気密なダイアフラム層がその割り当てられた機能を実行するためのダイアフラム層を適用することを、困難にする。
【００１１】
従って、今回、金属層が、この金属層が少なくとも上記第１接続区域を覆うように少なくとも上記ダイアフラム支持体の表面及び上記溶接継目に配置されることが、提案される。
【００１２】
特に、上記金属層は、工程ｆで適用される上記ダイアフラム層が有するパラジウムであって比率が５０％以下のパラジウムを含有する。
【００１３】
特に、上記金属層は、上記第１接続区域、及び／又は第２接続区域、及び／又は上記溶接継目における凹凸又は亀裂を補償及び／又は覆うことを可能にする。従って、上記接続要素及び上記ダイアフラム支持体の間の完全な気密接続（水素に対してでさえ）が達成され、上記ダイアフラム支持体によって分離される水素の汚染が回避され得る。
【００１４】
特に、工程ｄの前であって好ましくは工程ｃの後、上記ダイアフラム支持体は、上記ダイアフラム支持体の表面を少なくとも部分的に又は完全に形成する拡散障壁（バリア）層で、少なくとも部分的に被覆される。好ましくは、工程ｆにて上記ダイアフラム層で被覆するために提供される少なくとも上記表面の領域が、上記拡散障壁層で被覆される。
【００１５】
特に、上記拡散障壁層は、上記ダイアフラム支持体との拡散相互作用の結果として生じる上記ダイアフラム層の劣化を防止するか、又は少なくとも制限することを目的とする。これは、部分的にイットリウムで安定化された酸化ジルコニウム、純粋な酸化ジルコニウム、酸化チタン又は酸化アルミニウムからなる（セラミック）拡散障壁層である。
【００１６】
特に、上記拡散障壁層は、上記ダイアフラム支持体から少なくとも上記第１接続区域の近傍まで延びている。
【００１７】
上記拡散障壁層は、上記溶接継目の近傍の細孔又は亀裂に浸透することができ、これにより、局所的に厚さが増加され得る。特に、その後の操作中における上記ダイアフラム支持部材の熱負荷、又はその後の上記ダイアフラム支持部材の製造過程における熱処理の一部としての熱負荷の間に、上記拡散障壁層及び上記溶接継目の様々な熱膨張係数に起因して亀裂が発生する可能性があり、これは上記ダイアフラム支持部材の機能に影響を及ぼす可能性がある。
【００１８】
特に、上記金属層は、上記溶接継目から出発し、上記接続区域を越えて上記ダイアフラム支持体の近傍まで延び、少なくとも部分的に上記拡散障壁層を覆うように適用される。
【００１９】
上記拡散障壁層は、特に、上記金属層及び上記ダイアフラム支持体の間にも配置され、その結果、上記金属層は、上記拡散障壁層を有する上記ダイアフラム支持体の表面に載置される。
【００２０】
特に、銀［Ａｇ］、銅［Ｃｕ］、イットリウム［Ｙ］、セリウム［Ｃｅ］、金［Ａｕ］、ルテニウム［Ｒｕ］、インジウム［Ｉｎ］及びパラジウム［Ｐｄ］のうち少なくとも１を含む金属層が、工程ｄにて適用される。
【００２１】
好ましくは、上記金属層は、９５質量％以上の銀［Ａｇ］又は銅［Ｃｕ］からなる。
【００２２】
特に、工程ｄにて、５０μｍ［マイクロメートル］以下、好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下の厚さを有する金属層が堆積される。上記金属層は、好ましくは５μｍ以上の厚さを有する。
【００２３】
特に、上記金属層は、無電解金属析出又はスパッタリング技術による公知の方法で上記表面及び上記溶接継目に堆積される。
【００２４】
特に、上記金属層は、工程ｄにて上記表面及び上記溶接継目上に配置される金属箔である。従って、上記金属層は、好ましくは、堆積される前の上記表面及び上記溶接継目上で平面形状を有し、特に１の片に形成される。
【００２５】
特に、軟化焼鈍の状態の金属箔が、工程ｄにて堆積される。
【００２６】
上記軟化焼鈍の状態は、上記箔の良好な変形性を許容するので、上記接続要素、上記溶接継目、及び／又は上記ダイアフラム支持体の表面に対して最大限に広い領域を覆って載置されるようになり得る。
【００２７】
有利な実施形態によれば、工程ｄにて、上記金属箔が、少なくとも上記溶接継目及び上記表面に対して（及び可能には上記接続要素に対しても）少なくとも１の弾性変形可能なローラによって圧縮される。
【００２８】
また、上記金属箔が、シーム溶接（継目溶接）によって少なくとも上記表面（及び可能には上記溶接継目及び／又は特に上記接続要素も）と密着接合されることが好ましい。
【００２９】
別の有利な実施形態によれば、上記金属層は、工程ｅでの焼結によって、少なくとも上記表面及び上記溶接継目（及び可能には上記接続要素も）と密着接合される。
【００３０】
上記接続相手同士（パートナー）が原子間又は分子間の力によって接続される全ての接続を、密着接続という。同時に、それらは上記接続手段の破壊によってのみ分離され得る取り外し不可能な接続である。
【００３１】
特に上述の方法によって製造されるダイアフラム支持部材も提案される。当該ダイアフラム支持部材は、多孔質な焼結金属によって形成される少なくとも１のダイアフラム支持体と、上記ダイアフラム支持体を気体搬送経路に接続するための金属製の接続要素とを有する。上記ダイアフラム支持体及び上記接続要素は、溶接継目によって互いに接続され、上記ダイアフラム支持体は、ダイアフラム層で被覆される表面を有する。上記金属層は、上記溶接継目（少なくとも部分的に）及び上記溶接継目に隣接する上記表面の領域を覆い、上記ダイアフラム層は、上記金属層上に少なくとも部分的に配置される。
【００３２】
上記金属層は、提案された方法の枠組みに適用される上記箔によって、又は無電解金属析出又はスパッタリング技術によって特に、公知の方法で形成される。当該方法に関する所見は、当該ダイアフラム支持部材にも同様に適用される。
【００３３】
特に、上記金属層は、複数の材料である銀［Ａｇ］、銅［Ｃｕ］、イットリウム［Ｙ］、セリウム［Ｃｅ］、金［Ａｕ］、ルテニウム［Ｒｕ］、インジウム［Ｉｎ］及びパラジウム［Ｐｄ］のうち少なくとも１を含む。
【００３４】
好ましくは、上記金属層は、９５質量％以上の銀［Ａｇ］又は銅［Ｃｕ］からなる。
【００３５】
特に、上記金属層によって覆われる上記ダイアフラム支持体の表面の領域は、上記溶接継目から５ｍｍ［ミリメートル］以下の第１距離まで延びている。
【００３６】
好ましくは、上記金属層は、（追加的に）上記溶接継目から上記接続要素を介して５ｍｍ［ミリメートル］以下の第２距離まで延びている。
【００３７】
特に、上記金属層は、上記ダイアフラム支持体から出発して上記接続要素に向かって、少なくとも上記第１接続区域を超えて、好ましくは上記溶接継目の中間まで被覆されている。これにより、上記ダイアフラム支持部材は全体として気密性が確保される（少なくとも上記ダイアフラム支持体の近傍の混合気体に対して気密性であるが、水素に対して透過性であり、上記接続要素及び上記溶接継目の近傍では完全に気密性である）。
【００３８】
特に、拡散障壁層が
少なくとも部分的に上記金属層と上記溶接継目との間、
少なくとも部分的に（好ましくは完全に）上記ダイアフラム層と上記ダイアフラム支持体の多孔質な焼結金属との間、及び
少なくとも部分的に（好ましくは完全に）上記金属層と上記ダイアフラム支持体の多孔質な焼結金属との間
に配置される。
【００３９】
当該方法に関する言及は、当該ダイアフラム支持部材にも同様に適用され、逆もまた、同様である。
【００４０】
加えて、水素を製造するための反応器が提案される。この反応器は、上述の少なくとも１のダイアフラム支持部材を有し、上記ダイアフラム支持部材の上記ダイアフラム支持体は、上記接続要素を介して上記反応器に固定され、かつ上記反応器に気密状態で接続される。
【００４１】
また、気体混合物から水素を分離するための上述した当該ダイアフラム支持部材の使用も提案される。
【００４２】
本発明及びその技術的環境は、図面を参照してより詳細に説明される。本発明は、示された実施形態によって限定されることを意図していないことが留意されるべきである。特に、明記されていない限り、図面で説明される特徴の部分的な側面を抽出し、それらを本説明及び／又は図面からの他の構成要素及び洞察と組み合わせることができる。同じ参照記号は同じ対象を示すため、必要に応じて他の図面の説明が参照され得る。模式図に以下を示す。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】当該方法の工程ｄによるダイアフラム支持部材の側面断面図を示す。
【図２】当該方法の工程ｆ後のダイアフラム支持部材の側面断面図を示す。
【図３】当該方法の工程ｆ後における追加的に拡散障壁層を有するダイアフラム支持部材の側面断面図を示す。
【図４】図３によるダイアフラム支持部材の側面断面図を詳細に示す。
【図５】反応器を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
図１は、当該方法の工程ｄによるダイアフラム支持部材１を側面断面図で示す。ダイアフラム支持体２は、従って接続要素５も管状である。ダイアフラム支持部材１は、多孔質な焼結金属によって形成されるダイアフラム支持体２と、ダイアフラム支持体１を気体搬送経路６に接続するための金属製の接続要素５とを有する。ダイアフラム支持体１及び接続要素５は、溶接継目（７）によって互いに接続される。この場合、第１接続区域８が溶接継目７及びダイアフラム支持体２の間に形成され、第２接続区域９が溶接継目７及び接続要素５の間に形成される。溶接継目７及びこの溶接継目７に隣接する表面４の領域は、金属層１５によって覆われる。金属層１５は、工程ｄにて適用される箔１０によって形成される。
【００４５】
ここで、金属箔１０は、工程ｄにて、少なくとも１の弾性変形可能なローラ１３によって、溶接継目７及び表面４に対して圧縮され、また可能には接続要素５に対しても圧縮される。
【００４６】
図２は、当該方法の工程ｆ後におけるダイアフラム支持部材１を側面断面図で示す。管状のダイアフラム支持体２は、周辺の溶接継目７によって管状の接続要素５と接合され、その結果、気体混合物２１が、ダイアフラム支持部材１内に保持され、水素２０が、ダイアフラム支持体２及び気密なダイアフラム層３を介してダイアフラム支持部材１の外側の環境に放出され得る。当該方法の工程ｆの後、ダイアフラム支持体２から出発して接続要素５に向かって、金属層１５は、少なくとも第１接続区域８を越えて、好ましくは溶接継目７の中間１８まで、ダイアフラム層３で被覆される。これにより、ダイアフラム支持部材１が全体として気密である（少なくともダイアフラム支持体２の近傍の気体混合物２１に対しては気密であるが、水素２０に対しては透過性であり、接続要素５及び溶接継目７の近傍では完全に気密である）ことが保証される。
【００４７】
金属層１５又は箔１０によって覆われるダイアフラム支持体２の表面４の領域１４は、溶接継目７から第１距離１６まで延びている。金属層１５は、追加的に、溶接継目７から出発して接続要素５を介して第２距離１７まで延びている。
【００４８】
図３は、当該工程の工程ｆ後におけるダイアフラム支持部材１を側面断面図で示す。工程ｄの前に、ダイアフラム支持体２は、ダイアフラム支持体２の表面４を少なくとも部分的に形成する拡散障壁層１１で少なくとも部分的に被覆されている。拡散障壁層１１は、ダイアフラム支持体２との拡散相互作用の結果としてのダイアフラム層３の劣化を防止する、又は少なくとも制限することを目的とする。拡散障壁層１１は、箔１０及びダイアフラム支持体２の間にも配置され、その結果、箔１０は、拡散障壁層１１を有するダイアフラム支持体２の表面４に対して載置される。
【００４９】
従って、拡散障壁層１１は、少なくとも部分的に金属層１５と溶接継目７との間、少なくとも部分的にダイアフラム層３とダイアフラム支持体２の多孔質な焼結金属との間、及び完全に金属層１５とダイアフラム支持体２の多孔質な焼結金属との間に配置される。
【００５０】
図４は、図３によるダイアフラム支持部材１の詳細を側面断面図で示す。ここでは、ダイアフラム支持体２の表面４を形成する拡散障壁層１１は、ダイアフラム支持体２上に配置される。厚さ１２を有する箔１０は、拡散障壁層上に配置される。ダイアフラム層３は、箔１０上に配置され、箔１０を越えて延びている。ダイアフラム層３は、拡散障壁層１１によってダイアフラム支持体２から完全に分離されるように配置される。
【００５１】
図５は、ダイアフラム支持部材１を有する反応器１９を示し、このダイアフラム支持部材１のダイアフラム支持体２は、接続要素５を介して反応器１９内の気体搬送経路６に接続される。ダイアフラム支持部材１は、接続要素５を介して反応器１９に固定され、この反応器１９に気密状態で接続される。ここでは、ダイアフラム支持部材１は、気体混合物２１から水素２０を分離するために使用される。
【符号の説明】
【００５２】
１  ダイアフラム支持部材
２  ダイアフラム支持体
３  ダイアフラム層
４  表面
５  接続要素
６  経路
７  溶接継目
８  第１接続区域
９  第２接続区域
１０  箔
１１  拡散障壁層
１２  厚さ
１３  ローラ
１４  領域
１５  金属層
１６  第１距離
１７  第２距離
１８  中間
１９  反応器
１０  水素
２１  気体混合物
【図１】
0006929374.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006929374.tif 000004
【図４】
0006929374.tif 000005
【図５】
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