(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体とのオーミック接触をもたらす複数層のスタックを有する、半導体用のオーミック・コンタクトであって、
前記スタックが：
前記半導体に直接接触して配置された下方金属層；
前記下方金属層の上に配置された中間層であり、所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する中間層；及び
前記中間層の上に配置されたチタン層である放射線吸収層であり、前記放射線エネルギーに対する前記中間層の前記所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きい、前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する放射線吸収層；  
を含み、
前記中間層が、所定の電気抵抗率を有し、
前記放射線吸収層が、前記中間層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する、
オーミック・コンタクト。
【請求項２】
前記放射線エネルギーが赤外線放射エネルギーである、請求項１に記載のオーミック・コンタクト。
【請求項３】
前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項１に記載のオーミック・コンタクト。
【請求項４】
所定の波長を有する放射線を用いて、半導体層とのオーミック接触を形成する方法であって：
（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；
（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックをアニールするステップと；
を含み、
前記オーミック・コンタクト・スタックが：
前記所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率を有する層を含むチタン層である頂部層であり、該頂部層の前記所定のエネルギー吸収率が前記オーミック接触を形成するために前記オーミック・コンタクト・スタックにより吸収される前記放射線エネルギーの量に従って選択される、頂部層と；
前記頂部層の下で、前記半導体層に接触する導電層と；
を含み、
前記アニールするステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露するステップを含み、
前記導電層が、所定の電気抵抗率を有し、
前記頂部層が、前記導電層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する、
方法。
【請求項５】
前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
半導体層へのオーミック接触を形成する方法であって：
（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；
（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップと；
を含み、
前記オーミック・コンタクト・スタックが：
所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、所定の電気抵抗率とを有するチタン層である頂部層と；
前記頂部層の下の導電層であり、前記頂部層の前記所定のエネルギー吸収率よりも少なくとも一桁少ない前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、前記頂部層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁小さい所定の電気抵抗率を有する導電層と；
を含み、
前記合金化するステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露し、前記放射線エネルギーの一部が前記頂部層により吸収されるステップを含む、
方法。
【請求項７】
前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
半導体層へのオーミック接触を形成するための方法であって：
前記半導体層の上に窓を有するフォトレジストマスクをリソグラフィー的に形成するステップであり、前記半導体層の表面の一部を前記オーミック接触のために露出させるステップと；
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記半導体層の露出部分上に、100オングストロームから400オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層を形成するステップと；
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記チタン層上に、800オングストロームから2000オングストロームの範囲の厚さを有するアルミニウム層を形成するステップと；
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記アルミニウム層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するプラチナ層を形成するステップと；
前記マスクを蒸発フラックスに暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記プラチナ層上に、200オングストロームから100000オングストロームの範囲の厚さを有する金層を形成するステップと；
前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記金層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層である放射線吸収材料の層を形成するステップと；
前記フォトレジストマスク並びにチタン、アルミニウム、プラチナ、金及びチタンの層を除去し、予備合金オーミック・コンタクト・スタックを残すステップと；
前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップであり、前記スタックの前記放射線吸収材料を放射線に暴露し、前記放射線の一部が前記放射線吸収材料の層により吸収されるステップと；
を含み、
前記放射線に対する前記放射線吸収材料の層の吸収係数が、前記放射線に対する前記金層の吸収係数よりも少なくとも一桁大きく、
前記放射線吸収材料の層の電気抵抗率が、前記金層の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、半導体上に構造物を形成する方法に関し、より詳細には、そのような構造物を加熱する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当技術分野で知られているように、多くの半導体デバイスは、半導体上の種々の構造物の加熱を必要とする。例えば、電界効果トランジスタ（FET）は、ソースコンタクト及びドレインコンタクトのためにオーミック・コンタクトを使用する。FETの一つのタイプは、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)半導体層とオーミック・コンタクトするソース電極及びドレイン電極を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（HEMT）である。GaNとAlGaNは広バンドギャップ半導体である。これらの広バンドギャップ半導体上に良好な金属形態で信頼性の高いオーミック・コンタクトを作ることは困難である。Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Mo/Au、Ti/Al/Ta/Au及びTa/Al/Taなどのような、GaN及びAlGaN上の種々の金属混合物を用いて多くのアプローチが試みられてきた。積層体中の各層の厚さを変えることにより、構造の変化を試みてきた。これらの金属スキームは、オーミック・コンタクトを形成するために、高い合金温度、例えば、600℃から900℃を超える範囲の合金温度を必要とする。
【０００３】
必要な高合金温度を提供するために使用される1つの技術は、高速熱アニール(Rapid  Thermal  Anneal（RTA）)プロセスと呼ばれる。RTA合金プロセスでは、図２に示すように、処理されるべき多くのFET構造物を有するウェハがRTA内に配置される。主として可視放射帯域内でエネルギーを放射し、赤外線帯域内にまで延び、紫外線帯域内にわずかに及ぶタングステンハロゲン加熱ランプのような加熱ランプが、放射によってオーミック金属を加熱するために使用される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、半導体上に配置された構造物によって吸収されるべき、所定の波長を有する放射線の量を制御するための方法が提供される。当該方法は、（Ａ）前記構造物によって吸収される放射線の量に応じて選択される反射率を有する材料の層を、前記構造物上に設けるステップと；（Ｂ）前記材料の層を載せた前記構造物を、前記所定の波長を有する放射線に曝すステップと；を含む。
【０００５】
一実施形態では、半導体のためのオーミック・コンタクトが提供される。該オーミック・コンタクトは、複数層のスタックを有する。該スタックは、前記半導体と直接接触して配置された下方金属層と；前記下方金属層の上方に配置された放射線吸収制御層であり、前記半導体を伴う前記スタックを合金化して前記オーミック接触を形成するために使用されるプロセスの間に、前記スタックが放射線に暴露される間に前記放射線吸収制御層に吸収されるべき放射線エネルギーの量を制御する放射線吸収制御層と；を含む。
【０００６】
一実施形態では、  半導体のためのオーミック・コンタクトが提供される。該オーミック・コンタクトは、複数層のスタックを有する。該スタックは、前記半導体に直接接触して配置された下方金属層；前記下方金属層の上に配置された中間層であり、所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する中間層；及び前記中間層の上に配置された放射線吸収層であり、前記放射線エネルギーに対する前記中間層の前記所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きい、前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する放射線吸収層；を含む。
【０００７】
一実施形態では、前記中間層が、所定の電気抵抗率を有し、
前記放射線吸収層が、前記中間層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する。
【０００８】
一実施形態では、前記放射線エネルギーが赤外線放射エネルギーである。
【０００９】
一実施形態では、前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む。
【００１０】
一実施形態では、所定の波長を有する放射線を用いて、半導体層とのオーミック接触を形成する方法が提供される。該方法は、（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックをアニールするステップと；を含む。前記オーミック・コンタクト・スタックが：前記所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率を有する層を含む頂部層であり、該頂部層の前記所定のエネルギー吸収率が前記オーミック接触を形成するために前記オーミック・コンタクト・スタックにより吸収される前記放射線エネルギーの量に従って選択される、頂部層と；前記頂部層の下で、前記半導体層に接触する導電層と；を含む。前記アニールするステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露するステップを含む。
【００１１】
一実施形態では、半導体層とのオーミック接触を形成する方法が提供される。該方法は、（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックをアニールするステップと；を含む。前記オーミック・コンタクト・スタックが：所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、所定の電気抵抗率とを有する金属層を含む頂部層と；前記頂部層の下の導電層であり、前記頂部層の前記所定のエネルギー吸収率よりも少なくとも一桁少ない前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、前記頂部層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁大きい所定の電気抵抗率を有する導電層と；を含む。前記アニールするステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露し、前記放射線エネルギーの一部が前記頂部層により吸収されるステップを含む。
【００１２】
特に、オーミック形態は金属被覆率に依存する。オーミック金属の広い面積は、粗い形態を有する合金後の小さな孤立オーミック構造より滑らかである。本開示は、オーミック金属上に放射線吸収制御層を採用することにより、オーミック・パターンのカバレッジ依存性の問題を解決する。産業界は、GaNオーム再成長、Taベースのオーミック及び他の低合金温度構造を含む代替解を研究している。これまでのところ、これらの技術にはそれぞれ独自の課題があり、従って、それらは生産には実施されていない。金は、電気抵抗率が低い優れた導電体であるが、オーミック金属上では可視スペクトルにわたって、また長波長領域内の放射線を反射する。従って、大きなオーミック領域は、より多くの熱を反射し、局所的により低温になる。かくして、高い導電性及び不活性のために、従って、オーミック・コンタクトを他の電子回路に接続することにおけるその望ましさのために、金が上層として使用される。本発明者らは、特に大きなオーミック・コンタクトでは、Auの反射率が高いため、これらの大きなオーミック・コンタクト領域は、高レベルの放射エネルギーを反射し、望ましくないほど冷たいことを認識した。
【００１３】
上方の放射線吸収層は、以下の特性を有するべきである。１．放射スペクトルの長波長領域における低反射率；２．この層の添加は、合金プロセスを妨害しない；３．オーミック接触を劣化させない；４．安定である；５．蒸発しやすい；６．この層はオーミック金属の一体的部分となるので、導電性である。上方放射線吸収層のためのそのような材料の一つは、長波長領域（800nm〜1300nm以上）の放射線エネルギーに対して約50%〜60%の反射率を有するチタンである。
【００１４】
本発明は、パターン密度依存性と粗い形態の両方の問題を同時に解決した。業界の大部分は、一般に、異なるオーミック金属（例えば、Taベース、NiOベース、及びオーミック再成長）の発見に努力を集中してきたが、この開示は、オーミック密度依存性の根本原因を対処した。上方の放射線吸収層は、事実上、「放射線吸収制御」層であり、これは、放射線による加熱の量を調節することができるように合金温度を制御するのを補助する。以下に説明する実施形態では、薄いチタン(Ti)層が使用されるが、他の材料または材料の組み合わせが使用されてもよい。オーミック金属上に配置したTiの薄層を用いてAuの反射率を低減し,パターン密度依存性を排除した。
【００１５】
本開示における１又は複数の実施形態の詳細が、添付図面及び下記の説明において記述される。本開示の他の特徴、目的、及び利点は、明細書及び図面、ならびに特許請求の範囲から明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来技術による半導体構造物の断面の概略図である。
【図２】従来技術による半導体構造物に使用される構成の概略図である。
【図３】本開示による半導体構造物の断面の概略図である。
【図４】図３の半導体構造物を形成するために使用されるプロセスのフローチャートである。
【図４Ａ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図４Ｂ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図４Ｃ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図４Ｄ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図４Ｅ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図４Ｆ】本開示による図３の半導体構造物を形成するためのプロセスにおいて使用される様々なステップにおける半導体構造物の断面の、各ステップにおける概略的スケッチである。
【図５】図３の半導体構造物を形成するプロセスに使用される高速熱アニール装置の放射発光スペクトルであり、図５に示す開示による最大放射を有する特定の波長におけるピーク放射レベルに正規化されている。
【図６】図３の半導体構造物に使用されるチタンを含む様々な金属の反射率と波長との関係を示すグラフである。  種々の図面における同様な参照記号は、同様な要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
ここで図３を参照すると、半導体構造物10が示されており、半導体構造物10は、該構造物10のための予めアニールされたオーミック・コンタクト・スタック11を有する。より詳細には、例えば、ここでは炭化ケイ素(SiC)12である基板12が、基板12上に窒化ガリウム(GaN)半導体層14、GaN層16上に窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)半導体層16、及びAlGaN層16上にオーミック・コンタクト積層体17を有する。オーミック・コンタクト・スタック17は、図示のように、ここではAlGaN層16と直接接触するチタン(Ti)層18である下層18；Ti層18上のアルミニウム(Al)層20；Al層20上のプラチナ(Pt)層22；及びPt層22上の金(Au)層24を含む。オーミック・コンタクト・スタック17は、ここでは、例えば、図示のように、スタック17上、特に、Au層24上のチタン(Ti)層26である、放射線吸収制御層26を備える。放射線吸収制御層26は、構造物10を加熱するために使用される赤外線放射エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有し、それは赤外線放射エネルギーに対するAu層24の所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きいことに留意されたい。また、放射線吸収制御層26は、Au層24の所定の電気抵抗率より少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有することに留意されたい。
【００１８】
次に、図４を参照すると、半導体層16とのオーミック・コンタクトを形成するプロセスのフローチャートが示されている。絶縁性基板12に半導体層14を設け、層14上に半導体層16を提供した後、プロセスが開始し、以下のステップを含む。半導体層16上にフォトレジストマスク30（図４Ａ）をリソグラフィー的に形成する。フォトレジストマスクは、図示のように、オーミック・コンタクトのため半導体層16の表面の一部を露出するためのウィンドウ32を有する（ステップ41）。マスク30を用いて基板12を電子ビーム蒸発器（E-beam  evaporator）（図示せず）に露光する。電子ビーム蒸発器において、電子ビームを用いて、電子ビーム蒸発器内の金属源に衝突させ、電子ビーム蒸発器内の金属の一部を溶融して、溶融した金属を蒸発させ、それにより、蒸発器内のターゲット上に堆積する金属蒸気の流れを生成する。本明細書では、蒸発した金属の流れを、「蒸発剤」または「蒸発剤フラックス」と呼ぶことがある。ここで、ターゲットは、半導体層14及び層14上の半導体層16を有する絶縁性基板12であり、形成されたフォトレジストマスク30は、その中にウィンドウ32を有し、半導体層16の表面の一部を露出させる。第１の金属源は、チタンである。かくして、金属源内のチタン金属は、マスク30上及び半導体層16の露出部分上にチタン金属の層として蒸着され、チタンの層18を形成する（ステップ42）。ここで、例えば、100オングストロームから400オングストロームの範囲の厚さを有する（図４ｂ）。次に、金属源は、チタンからアルミニウムに変更され、それによって、マスク30を蒸発されたアルミニウムフラックスに露出し、マスク30上及びチタンの層18上にアルミニウム金属を蒸着させる（ステップ43）。アルミニウムの層は、800オングストロームから2000オングストロームの範囲の厚さを有し、層20をもたらす（図４Ｃ）。次いで、金属源は、アルミニウムからプラチナに変更し、それによって、マスク30を蒸発されたプラチナのフラックスに露出し、マスク30上及びアルミニウムの層20上にプラチナの金属を蒸着させる（ステップ44）。ここで、プラチナの層は、例えば、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有し、層22を提供する（図４Ｄ）。次いで、金属源は、プラチナから金に変更し、それにより、マスク30を蒸発された金のフラックスに露出して、マスク30及びプラチナの層22の上に金を蒸着させる（ステップ45）。ここで金の層は、例えば、200オングストロームから100000オングストロームの範囲の厚さを有し、金層24（図４Ｅ）を提供する。次に、金属源を、金から、放射線吸収材料として機能する金属に変更し、それにより、マスク30を当該金属の蒸発フラックスに露出する。当該金属は、マスク30上及び金の層24上で放射線吸収材料として機能する。ここで、例えば、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するチタンの層を設けることができ、放射線吸収制御層26を提供する  （ステップ46）（図４Ｆ）。フォトレジストマスク30並びにチタン層18、アルミニウム層20、プラチナ層22、金層24及びチタン層26を、マスク30と同時に除去して、予備（pre-）アニール・オーミック・コンタクト・スタック11を残す  （図３）。
【００１９】
次に、本プロセスは、予備オーミック・コンタクト・スタック11を合金化するステップを含む。この合金化するステップは、予備合金スタック11の放射線吸収制御層26を放射線に曝露し、放射線の一部が放射線吸収制御層26に吸収されるステップを含む。より具体的には、予備アニールされたオーミック積層体11を有する構造物10（図３）は、サセプタ内、例えばグラファイトサセプタ内に配置される。次に、サセプタを、RTAチャンバ内に配置する。RTAの例としては、AG  Associatesが製造し、Guadalupe  Road  Gilbert,  AZ  85233にあるOEM  Group,  Inc.が販売するヒートパルスRTAがあり、放射線源を含む。ここでは、放射線放出スペクトルを有する光源は、例えば、図５に示す約600nmの最大放射線を有する特定波長のピーク放射線レベルに正規化されており、例えば、ここでは、タングステンハロゲンランプである。
【００２０】
約600〜1000nmの波長で放射されるエネルギーから、金は約99%（１%吸収）の反射率を有し（図６）、Tiは55〜60%（45〜40%吸収）の範囲の反射率を有することに留意されたい。かくして、Tiは金よりも約40〜45倍吸収性が高い。また、金の電気抵抗率は2.2マイクロOhm-cmであり、Tiの電気抵抗率は42マイクロOhm-cmであることに留意されたい。かくして、Ti放射線吸収制御層26である層26は、約600〜1200nmの波長帯を有する赤外線放射エネルギーに曝され、600〜1200nmの範囲の赤外線放射エネルギーに対する金層の所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きい所定のエネルギー吸収係数を有する。
【００２１】
本開示によるオーミック・コンタクトは、半導体とのオーミック接触をもたらす複数金属層のスタックを有する。前記スタックが：前記半導体と直接接触して配置された下層と；前記下層の上方に配置された放射線吸収制御層であり、前記半導体を伴う前記スタックをアニールして前記オーミック接触を形成するために使用されるプロセスの間に、前記スタックが放射線に暴露される間に前記放射線吸収制御層に吸収されるべき放射線エネルギーの量を制御する放射線吸収制御層と；を含む。
【００２２】
本開示による半導体用のオーミック・コンタクトは、半導体とのオーミック接触をもたらす複数層のスタックを有する。前記スタックが：前記半導体に直接接触して配置された下方金属層；前記下方金属層の上に配置された中間層であり、所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する中間層；及び前記中間層の上に配置された放射線吸収層であり、前記放射線エネルギーに対する前記中間層の前記所定のエネルギー吸収係数よりも少なくとも一桁大きい、前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収係数を有する放射線吸収層；を含む。オーミック・コンタクトは、以下の特徴を個別に又は組み合わせて含んでも良い。前記放射線エネルギーが赤外線放射エネルギーである。前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含む。前記中間層が、所定の電気抵抗率を有し、前記放射線吸収層が、前記中間層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁高い所定の電気抵抗率を有する。
【００２３】
本開示による所定の波長を有する放射線を使用して半導体層とのオーミック接触を形成する方法が提供される。該方法は、（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックをアニールするステップと；を含む。前記オーミック・コンタクト・スタックが：前記所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率を有する層を含む頂部層であり、該頂部層の前記所定のエネルギー吸収率が前記オーミック接触を形成するために前記オーミック・コンタクト・スタックにより吸収される前記放射線エネルギーの量に従って選択される、頂部層と；前記頂部層の下で、前記半導体層に接触する導電層と；を含む。前記アニールするステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露するステップを含む。当該方法は、前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含むという特徴を含んでもよい。
【００２４】
本開示による半導体層へのオーミック接触を形成する方法は、（Ａ）オーミック・コンタクト・スタックをもたらすステップと；（Ｂ）前記オーミック接触を形成するために前記半導体層を伴う前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップと；を含む。前記オーミック・コンタクト・スタックが：所定の波長を有する放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、所定の電気抵抗率とを有する金属層を含む頂部層と；前記頂部層の下の導電層であり、前記頂部層の前記所定のエネルギー吸収率よりも少なくとも一桁少ない前記放射線エネルギーに対する所定のエネルギー吸収率と、前記頂部層の前記所定の電気抵抗率よりも少なくとも一桁大きい所定の電気抵抗率を有する導電層と；を含む。前記合金化するステップが、前記スタックの前記頂部層を、前記所定の波長を有する前記放射線エネルギーに暴露し、前記放射線エネルギーの一部が前記頂部層により吸収されるステップを含む。当該方法は、前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含むという特徴を含んでもよい。
【００２５】
本開示による半導体層へのオーミック接触を形成する方法はまた、以下のステップを含むことが理解されるべきである。すなわち、前記半導体層の上に窓を有するフォトレジストマスクをリソグラフィー的に形成するステップであり、前記半導体層の表面の一部を前記オーミック接触のために露出させるステップと；前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記半導体層の露出部分上に、100オングストロームから400オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層を形成するステップと；前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記チタン層上に、800オングストロームから2000オングストロームの範囲の厚さを有するアルミニウム層を形成するステップと；前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記アルミニウム層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するプラチナ層を形成するステップと；前記マスクを蒸発フラックスに暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記プラチナ層上に、200オングストロームから100000オングストロームの範囲の厚さを有する金層を形成するステップと；前記マスクを暴露して金属を堆積させ、前記マスク上及び前記金層上に、50オングストロームから150オングストロームの範囲の厚さを有するチタン層である放射線吸収材料の層を形成するステップと；前記フォトレジストマスク並びにチタン、アルミニウム、プラチナ、金及びチタンの層を除去し、予備合金オーミック・コンタクト・スタックを残すステップと；前記オーミック・コンタクト・スタックを合金化するステップであり、前記スタックの前記放射線吸収材料を放射線に暴露し、前記放射線の一部が前記放射線吸収材料の層により吸収されるステップとを含んで良い。当該方法は、前記放射線エネルギーが所定の波長帯を含むという特徴を含んでもよい。
【００２６】
本開示による半導体上に配置された構造物によって吸収されるべき、所定の波長を有する放射線の量を制御するための方法は、（Ａ）前記構造物によって吸収される放射線の量に応じて選択される反射率を有する材料の層を、前記構造物上に設けるステップと；（Ｂ）前記材料の層を載せた前記構造物を、前記所定の波長を有する放射線に曝すステップとを含むことに留意されたい。
【００２７】
さらに、本開示による半導体上に配置された構造物によって吸収されるべき、所定の波長帯域を有する放射線の量を制御するための方法は、（Ａ）前記構造物によって吸収される放射線の量に応じて選択される反射率を有する材料の層を、前記構造物上に設けるステップと；（Ｂ）前記材料の層を載せた前記構造物を、前記所定の波長帯域を有する放射線に曝すステップと
を含むことに留意されたい。
【００２８】
本開示の多くの実施形態が記述されてきた。とはいうものの、本開示の技術思想及び範囲から逸脱せずに、種々の改変がなされてもよいということを理解されたい。例えば、放射線吸収制御層26は、合金プロセス中に誘電体材料であってもよいが、オーミック・コンタクトに電気的に接触させるために引き続いて除去される。さらに、本方法は、オーミック接触構造以外の構造の形成に使用することができる。さらに、本方法は、他のスタックと共に使用されてもよい。さらに、本方法は、例えば、下にある積層体または構造物の反射率よりも高い反射率を有する層を、積層体または構造物の上に形成することによって、積層体または構造物によって吸収される放射線量を低減する放射線吸収制御層と共に使用されてもよい。別の用途では、放射線吸収制御層を使用して、放射線吸収制御層の下の層よりも高い反射率を有する放射線吸収制御層を使用することによって、下層構造を保護することができる。したがって、他の態様は特許請求の範囲の範囲内にある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６】
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