(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬し、洗浄した後、乾燥処理してＣｕＣｒ屑を得る洗浄乾燥プロセスＳ１と、
Ｃｒ含有量１０〜５０質量％のＣｕＣｒ屑となるように上記ＣｕＣｒ切り屑を配合し、金型に入れて成型させ、圧力を１００〜３００ＭＰａとし、保圧時間を２〜１５ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスＳ２と、
製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に装入して陰極の仮電極に接続し、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が１３０℃以上である炉装入プロセスＳ３と、
炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、初期電圧を２０〜８５Ｖに制御し、電流を１０００〜５０００Ａに制御し、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、−０．０９〜−０．６ＭＰａとなるように炉内にアルゴンガスを充填し、その後、さらにパワーを高め、温度を１３００〜２０００℃に制御し、水冷晶析器の強制冷却作用下で溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するエレクトロスラグ再溶解プロセスＳ４と、
アニールプロセスにより、得られた再溶解ＣｕＣｒ塊の応力を解消し、熱処理温度を６００〜９００℃に制御し、保温時間を２〜４ｈとする熱処理プロセスＳ５と、
設計図通りに機械加工する機械加工プロセスＳ６と、
を含むことを特徴とする、微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料の製造方法。
【請求項２】
前記炉装入プロセスＳ３において、エレクトロスラグ炉内のエレクトロスラグをＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ又はＣａＯとし、使用前に残渣を５００〜８００℃で乾燥させ、ベーク時間を４ｈ以上とすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エレクトロスラグ再溶解プロセスＳ４において、４回繰り返し再溶解させ、
前記４回の再溶解のうち後の３回の再溶解は、
１回目の再溶解ＣｕＣｒ塊を二次電極とし真空自己消費アーク炉内に入れて２回目溶解させ、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を得るプロセス１）と、
その後、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を１回目の再溶解操作により再溶解させ、三次再溶解ＣｕＣｒ塊を得るプロセス２）と、
三次再溶解ＣｕＣｒ塊を真空自己消費アーク炉内に入れ、２回目の溶解操作により処理し、４回再溶解処理された電極棒を得るプロセス３）を有し、
前記プロセス１）と前記プロセス３）の溶解では、水冷晶析器として水冷銅モールドを用い、晶析器の仕様をΦ５００〜Φ６００ｍｍとし、溶解前の真空度≦３Ｐａとし、気体漏れ率≦１．５Ｐａ／ｍｉｎとし、溶解電圧を４５〜６０Ｖとし、溶解電流を１０〜１５ＫＡとし、アーク安定電流を直流１５〜２０Ａとし、溶解後の冷却時間を０．５〜２ｈとすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する装置であって、
洗浄乾燥用洗浄部品と、
定量洗浄倉（５）におけるＣｕＣｒ屑を取り出し、取り出した後Ｃｒ含有量の異なる各ＣｕＣｒ屑を運送と混合する混合部品と、
電極棒を成型する成型部品と、を備え、
前記洗浄部品は、
炭化水素系洗浄剤を収容する洗浄溝（１）と、ＣｕＣｒ屑を輸送する回転輪（４）と、を含み
前記洗浄溝（１）内の片側に回転輪が取り付けられる斜め面（１１）が設けられており、前記回転輪（４）が、斜め面（１１）に回転して設けられ斜め面（１１）の内部中心に嵌め込まれた回転モータ出力軸に接続されており、
前記回転輪（４）の円周に複数の凹溝（４１）が等間隔で設けられており、前記凹溝（４１）ごとに取り外し可能な定量洗浄倉（５）が配設されており、
前記斜め面（１１）には、定量洗浄倉（５）における回転経路位置に対応する場所に、定量洗浄倉（５）を動かす環状溝（１２）が設けられており、前記環状溝（１２）の片側に対応する洗浄溝（１）の内壁に、ＣｕＣｒ屑を乾燥させるホットネット（１３）が設けられ、
前記混合部品は、
部材を負荷する荷揚げ台（２）と、定量洗浄倉（５）に対接して荷揚げする案内レール（６）と、Ｃｒ含有量の異なるＣｕＣｒ屑を混合する混合倉（７）と、を含み、
前記荷揚げ台（２）が、洗浄溝（１）の外後側面の上部に接続固定されており、複数層の前記案内レール（６）の両側がそれぞれ固定板（２１）により荷揚げ台（２）に接続固定されており、
各案内レール（６）の後側に位置する秤量する秤量領域の前後に、それぞれ電気制御ゲート（６１）が設けられており、２つの前記電気制御ゲート（６１）間の案内レール（６）上に沈殿溝（６２）が設けられており、前記沈殿溝（６２）にＣｕＣｒ屑を秤量する計量パッド（６３）が設けられており、前記案内レール（６）の出口がいずれも導管（６４）に連通しており、
前記混合倉（７）が導管（６４）の下方に設けられ荷揚げ台（２）に固定接続されており、混合倉（７）の両側壁にモータで駆動された２つの撹拌翼（７１）が対称的に設けられ、
前記成型部品は、
各部材を負荷する成型支持板（３）と、ＣｕＣｒ屑を対応するダイキャビティ（３１）に分流する分配案内溝（８）と、電極棒を成型するモールドプレス部材（９）とを含み、
前記成型支持板（３）が、洗浄溝（１）の外後側面の下部に接続固定されており、成型支持板（３）の上面後部に、金型を収容する２つのダイキャビティ（３１）が開設されており、
前記分配案内溝（８）が、基板（８１）により２つのダイキャビティ（３１）の前方にあり混合倉（７）の下方に位置する成型支持板（３）に接続されており、分配案内溝（８）が主案内溝（８２）及び２つの副案内溝（８３）からなる組合せ溝であり、前記主案内溝（８２）と副案内溝（８３）が交差する場所に、２つの副案内溝（８３）のモータ駆動を切り替える案内板（８４）が設けられており、
前記モールドプレス部材（９）が、スタンド（９２）により成型支持板（３）の両側面に係合して固定されており、モールドプレス部材（９）が、液圧ポンプにより電極棒を成型する二重圧子（９１）に接続されている、
ことを特徴とする微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する装置。
【請求項５】
前記定量洗浄倉（５）は、
部材を負荷する中心板（５１）と、ＣｕＣｒ屑を収容する単一倉（５２）とが、さらに設けられており、
前記中心板（５１）には、
両側面に信号を伝送する第１のセンサー（５４）と、前記環状溝（１２）の下方の両側内壁にそれぞれ第１のセンサー（５４）に信号対接する第２のセンサー（１４）とが設けられており、前記第１のセンサー（５４）、第２のセンサー（１４）が定量洗浄倉（１）を伸縮する指示を発信し、
前記単一倉（５２）は、
複数設けられており、中心板（５１）の上下両側に対称的に設けられ、
前記単一倉（５２）は、第１の半倉体（５２１）、第２の半倉体（５２２）からなり、
前記第２の半倉体（５２２）が、第１の半倉体（５２１）の底部円心に設けられたバネ式回転軸（５２３）に回転接続されており、第１の半倉体（５２１）の内底面に第２の半倉体（５２２）を回転させて外へ露出する弧状突起（５２４）が設けられており、第２の半倉体（５２２）外側面一端に、案内レール（６）の前端に架設されたレバー（６５）に合わせて荷揚げするレバー塊（５２５）が設けられており、隣接する２つの単一倉（５２）の間、単一倉（５２）と中心板（５１）との間が、いずれもリフトロッド（５３）により接続されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記定量洗浄倉（５）と回転輪（４）の凹溝が、水平に安定化させる組合せ部材により取り外し可能に係合しており、
前記組合せ部材が回転シート（４２）、弧状レール（４３）からなり、
定量洗浄倉（５）が使用需要に応じて複数種の仕様の定量洗浄倉（５）が係合して設けられており、
２つの単一倉（５２）と４つの単一倉（５２）であり、複数層の前記案内レール（６）に、具体的に４層の案内レール（６）が設けられており、
前記洗浄部品、混合部品及び成型部品が、いずれもコントローラによりプログラム設定及び制御を行う、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクト材料の技術分野に関し、具体的には、微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法及び装置に関する。  
【背景技術】
【０００２】
ＣｕＣｒコンタクトは、現在公認されている、真空遮断器に用いられる最適な材料であり、使用過程において、正常回路での電流を開閉、負荷及び遮断し、所定の時間で異常回路での電流を負荷と遮断するという役割を果たすが、実際の使用時、破壊、溶接等の要求を満たしていない場合がある。
ＣｕＣｒ切り屑は、ＣｕＣｒ合金材料に対する機械加工プロセによって生成された廃棄物であり、これらのＣｕＣｒ切り屑は、ＣｕＣｒ含有量によりCuCr1、CuCr2、CuCr10、CuCr25、CuCr30、CuCr35、CuCr40、CuCr45、CuCr50などに分類されている。
【０００３】
ＣｕＣｒ切り屑の再利用について、中国特許第CN110842208A号公報には、ＣｕＣｒコンタクトの廃棄料の回収及び再利用方法が開示された。具体的に、ＣｕＣｒ切り屑を回収し、回収されたＣｕＣｒ切り屑を真空誘導融解炉で溶解し、合金溶体を得って、更に、合金溶体を窒素又はヘリウムなどの不活性気体雰囲気で霧化させることにより、ＣｕＣｒ合金粉末を得ることが開示された。しかし、上記方法により製造されたＣｕＣｒコンタクト材料は、雑質の量が多く、製造コストが高いこと欠点が存在している。
【０００４】
総じて言えば、現在の技術は、主に以下の欠点がある。１、真空誘導溶解プロセスを採用し、原材料のコストが低いが、Ｃｒ粒子が粗大化し、冷却効率が低く、組織に富化現象が存在するため、コンタクトの使用に不利である。２、粉末冶金プロセスで製造されたコンタクトは、コストが低く、組織が均一であるが、Ｃｒ粒子が粗大化し、組織の緻密さが低く、原材料のコストが高い。３、真空自己消費プロセスにより、組織が微細化されたＣｒ粒子が得られ、コンタクトの使用性能を最適化できるが、原材料に対して高く要求されており、製造コストが高まり、プロセスの制限で、現在、真空自己消費プロセスでは、Ｃｒ含有量＜３０％のコンタクトの製造歩留まりが低いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】中国特許第CN110842208A号公報
【発明の概要】
【０００６】
低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法であって、
Ｓ１：Ｅｘｘｓｏｌ  ＤとＩｓｏｐａｒのような炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬、洗浄し、表面油汚、不純物を除去した後、乾燥処理し、表面水分を除去し、ＣｕＣｒ屑を得る洗浄乾燥プロセスと、
【０００７】
Ｓ２：Ｃｒ含有量１０〜５０質量％のＣｕＣｒ屑となるように上記ＣｕＣｒ切り屑を配合し、金型に入れて成型し、圧力を１００〜３００ＭＰａとし、保圧時間を２〜１５ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスと、
【０００８】
Ｓ３：製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に装入して陰極の仮電極に接続し、両者を同軸、垂直にし、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が１３０℃以上であり、温度が低すぎるとアーキングしにくくなったり、放熱が速くアーキングが不安定になる炉装入プロセスと、
【０００９】
Ｓ４：炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、初期電圧を２０〜８５Ｖに制御し、電流を１０００〜５０００Ａに制御し、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、−０．０９〜−０．６ＭＰａとなるように炉内にアルゴンガスを充填し、その後、さらにパワーを高め、温度を１３００〜２０００℃に制御し、再溶解過程において、電極端部の金属溶滴が重力作用で落下し、残渣池を通過して金属溶融池に入り、水冷晶析器の強制冷却作用下で溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するプロセスであって、溶解速度を制御するために電圧電流を前記範囲に制御し、溶解速度は、溶融池の形状と結晶化速度に影響する主因であり、溶解速度が遅すぎる場合、保冷現象を引き起こすとともに、不純物が多くなり、溶解速度が速すぎる場合、結晶粒子が成長するとともに、成分が偏析しやすくなり、原則上、温度を、溶解された合金の融点より２００℃高くするように制御し、電圧と電流を温度により調整するエレクトロスラグ再溶解プロセスと、
【００１０】
Ｓ５：アニールプロセスにより、得られた再溶解ＣｕＣｒ塊の応力を解消し、熱処理温度を６００〜９００℃に制御し、保温時間を２〜４ｈとするプロセスであって、熱処理温度が６００℃以下であると応力解消効果を達成できなくなり、材料の導電性が低く、硬度が高く、９００℃以上であると、材料の硬度が低く、エネルギー消費量が高くなり、局所的に溶解するリスクがある熱処理プロセスと、
【００１１】
Ｓ６：設計図通りに機械加工する機械加工プロセスと、
を含む方法。
【００１２】
本発明の一態様として、前記プロセスＳ２において電極を成型するには、Ｃｒ含有量５％とＣｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑をＣｒ総含有量が２５％となるように混合する。Ｃｒ含有量２５％のＣｕＣｒ屑をそのまま用いてもよい。原材料をＣｕＣｒ１〜ＣｕＣｒ５０切り屑とし、ＣｕＣｒ製品が正常加工過程で切削屑、大鋸屑等が生じ、現在必要とされる一般的なＣｕＣｒ製品は、主にＣｕＣｒ１、ＣｕＣｒ２、ＣｕＣｒ１０、ＣｕＣｒ２５、ＣｕＣｒ３０、ＣｕＣｒ３５、ＣｕＣｒ４０、ＣｕＣｒ４５、ＣｕＣｒ５０であるので、必要に応じて異なるＣｕＣｒ１〜ＣｕＣｒ５０切り屑を配合し、以上の仕様の製品として溶解させることができる。
【００１３】
本発明の一態様として、前記プロセスＳ３においてエレクトロスラグ炉内のエレクトロスラグをＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ又はＣａＯとし、エレクトロスラグにより、熱を発させて電極棒を溶解させ、また、不純物を濾過でき、残渣を使用前に５００〜８００℃で乾燥させ、水蒸気等の易揮発物を除去するために、ベーク時間を４ｈ以上とし、４〜７時間とすることが好ましい。
【００１４】
本発明の一態様として、前記プロセスＳ４において４回繰り返し再溶解させる。単独で真空自己消費プロセスにより、組織が微細化されたＣｒ粒子が得られ、コンタクトの使用性能を最適化できるが、原材料に対して高く要求されており、製造コストが高まり、プロセスの制限で、現在、真空自己消費プロセスでは、Ｃｒ含有量＜３０％のコンタクトの製造歩留まりが低いという問題がある。しかし、研究によると、エレクトロスラグ再溶解と真空自己消費プロセスを組み合わせることにより、優れた効果が得られる。一回目のエレクトロスラグ再溶解により、材料性能が大幅に向上し、その後、真空自己消費プロセスにより溶解させると、原材料に対する要求を満たし、Ｃｒ含有量＜３０％のコンタクトの製造歩留まりも大幅に向上し、電極棒に対して、エレクトロスラグ再溶解と真空自己消費プロセスを組み合わせた再溶解処理を４回行った後、酸素と窒素含有量をさらに低下させ、緻密さをさらに向上させ、硬度をさらに増大し、導電性をより良好にし、コンタクトの遮断性を向上させることができる。
【００１５】
前記４回の再溶解のうち後の３回の再溶解は、具体的に以下のとおりである。
１）１回目の再溶解ＣｕＣｒ塊を二次電極とし真空自己消費アーク炉内に入れて２回目溶解させ、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
２）その後、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を１回目の再溶解操作により再溶解させ、三次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
３）三次再溶解ＣｕＣｒ塊を真空自己消費アーク炉内に入れ、２回目の溶解操作により処理し、４回再溶解処理された電極棒を得る。
ここで、前記プロセス１）及びプロセス３）において溶解の具体的なプロセスパラメータとしては、水冷晶析器として水冷銅モールドを用い、晶析器の仕様がΦ５００〜Φ６００ｍｍであり、溶解前の真空度≦３Ｐａであり、気体漏れ率≦１．５Ｐａ／ｍｉｎであり、溶解電圧が４５〜６０Ｖであり、溶解電流が１０〜１５ＫＡであり、アーク安定電流を直流１５〜２０Ａとし、溶解後の冷却時間が０．５〜２ｈである。
【００１６】
本発明の別の形態は、前記方法におけるＳ１〜Ｓ２処理に用いる装置を提供し、該装置は、
炭化水素系洗浄剤を収容する洗浄溝と、ＣｕＣｒ屑を輸送する回転輪とを含む洗浄乾燥用洗浄部品であって、
【００１７】
前記洗浄溝内の片側に回転輪が取り付けられる斜め面が設けられており、前記回転輪は、斜め面に回転して設けられており、斜め面の内部中心に嵌め込まれた回転モータ出力軸に接続されており、
【００１８】
前記回転輪の円周に複数の凹溝が等間隔で設けられており、前記凹溝ごとに取り外し可能な定量洗浄倉が配設されており、前記斜め面には、定量洗浄倉における回転経路位置に対応する場所に、定量洗浄倉を動かす環状溝が設けられており、前記環状溝の片側に対応する洗浄溝の内壁にＣｕＣｒ屑を乾燥させるホットネットが設けられている洗浄乾燥用洗浄部品と、
【００１９】
定量洗浄倉におけるＣｕＣｒ屑を取り出し、取り出した後Ｃｒ含有量の異なる各ＣｕＣｒ屑を運送し混合する混合部品であって、部材を負荷する荷揚げ台と、定量洗浄倉に対接して荷揚げする案内レールと、Ｃｒ含有量の異なるＣｕＣｒ屑を混合する混合倉とを含み、
前記荷揚げ台は、洗浄溝の外後側面の上部に接続固定されており、複数層の前記案内レールの両側は、固定板により荷揚げ台に接続固定されており、
【００２０】
各案内レールの後側に位置する秤量する秤量領域は、前後ごとに電気制御ゲートが設けられており、２つの前記電気制御ゲート間の案内レールに沈殿溝が設けられており、前記沈殿溝にＣｕＣｒ屑を秤量する計量パッドが設けられており、前記案内レールの出口は、いずれも導管に連通しており、
【００２１】
前記混合倉は、導管の下方に設けられ荷揚げ台に固定接続されており、混合倉内の両側壁に、モータで駆動された２つの撹拌翼が対称的に設けられている混合部品と、
電極棒を成型する成型部品であって、各部材を負荷する成型支持板と、ＣｕＣｒ屑を対応するダイキャビティに分流する分配案内溝と、電極棒を成型するモールドプレス部材とを含み、
【００２２】
前記成型支持板は、洗浄溝の外後側面下部に接続固定されており、成型支持板の上面後部に金型を収容する２つのダイキャビティが開設されており、
前記分配案内溝は、基板により２つのダイキャビティの前方にあり混合倉の下方に位置する成型支持板に接続されており、分配案内溝は、主案内溝及び２つの副案内溝により接続された組合せ溝であり、前記主案内溝と副案内溝が交差する場所に、２つの副案内溝のモータ駆動を切り替える案内板が設けられており、
【００２３】
前記モールドプレス部材は、スタンドにより成型支持板の両側面に係合固定されており、モールドプレス部材は、液圧ポンプにより電極棒を成型する二重圧子に接続されている成型部品とを含む。
【００２４】
前記装置は、洗浄、乾燥及び成型を一括して設計し、プロセスにおいてＣｒ含有量の異なる各種のＣｕＣｒ屑に対して前記処理を行うことは、十分に煩瑣であり、低コストでＣｕＣｒコンタクトを製造する過程においてプロセスの複雑さ等が高まり、低コストでＣｕＣｒコンタクトを製造する初心に影響しやすい。したがって、本装置は、斜めに設けられた回転輪４の回転作用下で、Ｃｒ含有量の異なる複数種のＣｕＣｒ屑に対して同時に洗浄、乾燥及び後の混合成型処理を行い、プロセスの難度を効果的に低下させるとともに生産効率を向上させ、本発明のプロセスの効果的な実施に大きく寄与し、効率がより高くコストがより低いＣｕＣｒコンタクトの製造プロセスを得ることができる。
【００２５】
本発明の一態様として、前記定量洗浄倉は、
部材を負荷する中心板であって、両側面に、信号を伝送する第１のセンサーがさらに設けられており、前記環状溝の下方の両側内壁に第１のセンサーによる信号に対接する第２のセンサーがそれぞれ設けられており、前記第１のセンサー、第２のセンサーは、定量洗浄倉を伸縮する指示を出す中心板と、
ＣｕＣｒ屑を収容する単一倉であって、複数設けられており、中心板の上下両側に対称的に設けられており、第１の半倉体、第２の半倉体からなり、前記第２の半倉体は、第１の半倉体の底部円心に設けられたバネ式回転軸に回転接続されており、第１の半倉体の内底面に第２の半倉体を回転させて外へ露出する弧状突起が設けられており、第２の半倉体の外側面の一端に案内レールの前端に架設けられたレバーに合わせて荷揚げするレバー塊が設けられており、隣接する２つの単一倉間、単一倉と中心板との間は、いずれもリフトロッドにより接続されている単一倉とを含む。
【００２６】
前記定量洗浄倉の構造設計により、各単一倉にＣｒ含有量の異なるＣｕＣｒ屑を収容するとともに、洗浄乾燥等に影響することなく、ＣｕＣｒ屑が互いに混合されることを避け、後で定量比で混合する際に混合誤差を引き起こすことを防止し、また、定量洗浄倉の構造設計により、案内レールによく合わせて荷揚げ操作を行い、荷揚げ効果を高くし、速度を速くすることができる。
【００２７】
本発明の一態様として、前記定量洗浄倉と回転輪の凹溝は、水平に安定化させる組合せ部材により取り外し可能に係合し、前記組合せ部材は、回転シート、弧状レールからなる。定量洗浄倉については、使用需要に応じて複数種の仕様の定量洗浄倉が係合して設けられてもよく、具体的には、２つの単一倉と４つの単一倉であり、複数層の前記案内レールには、具体的に、４層の案内レールが設けられており、前記洗浄部品、混合部品及び成型部品は、いずれもコントローラによりプログラム設定及び制御を行う。前記異なる仕様の定量洗浄倉の設定により、異なる使用需要により異なる定量洗浄倉を選択することができ、対応する定量洗浄倉を合理的に選択することにより、電力消費量を低下させるだけでなく、処理時間を最適化、短縮等することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の有益な効果は以下のとおりである。
（１）本発明の生産過程で生じた屑を原材料として電極を製造し、原材料の使用コストを低下させ、また、エレクトロスラグ再溶解プロセスにより不純物を除去し、自己消費電極ヘッドが次第に溶解していると、溶融金属が液滴となり、残渣池を通過し、水冷晶析器に落下し、水冷作用で、迅速に凝固し、エレクトロスラグ再溶解過程全体は、層ごとに融化と凝固が共存し、Ｃｒ粒子が微細化するので、緻密さ、硬度、導電性能等により優れたＣｕＣｒコンタクト材料を得る。
【００２９】
（２）本発明のエレクトロスラグ再溶解は、真空で行われることにより、製造されたＣｕＣｒ１〜ＣｕＣｒ５０合金は、気体含有量が低いという特徴を有し、エレクトロスラグ再溶解プロセスにより鋳造組織が得られ、製造されたＣｕＣｒコンタクト材料は、緻密さが高く、コンタクトの遮断性を向上させることができる。
【００３０】
（３）本発明の装置は、洗浄、乾燥及び成型を一括して設計し、プロセスの難度を効果的に低下させるとともに製造効率を向上させ、本発明のプロセスの効果的な実施に大きく寄与し、効率がより高くコストがより低いＣｕＣｒコンタクトの製造プロセスが得られる。
【００３１】
（４）本発明は、定量洗浄倉の構造設計により、各単一倉にＣｒ含有量の異なるＣｕＣｒ屑的を収容し、ＣｕＣｒ屑が互いに混合することを避けることができるとともに、案内レールによく合わせて荷揚げ操作を行い、荷揚げ効果を高くし、速度を速くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例２で製造されたＣｕＣｒ２５コンタクト材料の金相図である。
【図２】本発明の実施例６で製造されたＣｕＣｒ３０コンタクト材料の金相図である。
【図３】本発明の実施例７で製造されたＣｕＣｒ４０コンタクト材料の金相図である。
【図４】本発明の装置の全体構造の模式図の視野一である。
【図５】本発明の装置の全体構造の模式図の視野二である。
【図６】本発明の洗浄部品の構造模式図である。
【図７】本発明の混合部品の構造模式図。
【図８】本発明の成型部品の構造模式図。
【図９】本発明の２つの単一倉の定量洗浄倉の伸展状態模式図である。
【図１０】本発明の２つの単一倉の定量洗浄倉の収縮状態模式図である。
【図１１】本発明の４つの単一倉の定量洗浄倉の伸展状態模式図である。
【図１２】本発明の４つの単一倉の定量洗浄倉の収縮状態模式図である。
【図１３】本発明の単一倉の荷揚げ状態構造模式図である。
【図１４】本発明の単一倉の第１の半倉体の構造模式図である。
【図１５】本発明の単一倉的第２の半倉体の構造模式図である。
【図１６】本発明のバネ式回転軸の構造模式図である。
【図１７】本発明の案内レールの内部構造模式図である。
【図１８】本発明の案内レールの導管構造模式図である。
【図１９】本発明の混合倉の内部構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明で提供される、ＣｕＣｒ切り屑を利用して微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法について、以下、図面及び具体的な実施例により本発明をさらに詳しく説明する。しかし、本発明で保護された範囲を限定すると理解できなく、当業者であれば、前記発明の内容により本発明を本質的でない改良と調整を行うことができる。
ＣｕＣｒ切り屑の回収は、CuCr1、CuCr2、CuCr10、CuCr25、CuCr30、CuCr35、CuCr40、CuCr45、CuCr50が得られ、Cr含有量≦2％の場合、ゼーマン効果電熱原子吸収分光法によりクロム、マンガン、クロム、マンガン、およびマンガンを測定する。
【００３４】
Cr含有量>2％の場合、硫酸第一鉄アンモニウム標準溶液で滴定法により、Cr含有量を測定する。加工において冷却液やオイルなどの混入により、Cr含有量の測定値が変動ある。具体的な分類と含有量は、表１に示される。
【００３５】
表１
0006902679.tif 000002
【００３６】
実施例１（ＣｕＣｒ１０コンタクト材料の製造）
低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法は、
【００３７】
Ｓ１：Ｅｘｘｓｏｌ  Ｄ炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬、洗浄し、表面油汚、不純物を除去した後、乾燥処理させ、表面水分を除去する洗浄乾燥プロセスと、
【００３８】
Ｓ２：Ｃｒ含有量５％とＣｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑をＣｒ総含有量が１０％となるように配合し、金型に入れて成型し、圧力を１００Ｍｐａとし、保圧時間を２ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスと、
【００３９】
Ｓ３：以上で製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に入れて陰極の仮電極に接続し、両者を同軸、垂直にし、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、エレクトロスラグをＣａＦ２とし、残渣を使用前に５００℃で乾燥させ、ベーク時間を４時間とし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が１３０℃である炉装入プロセスと、
【００４０】
Ｓ４：炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、炉内にアルゴンガスを−０．０９Ｍｐａまで充填し、その後、さらにパワーを高め、温度を１３００℃に制御し、随着電極端部の金属溶滴が重力作用下で落下し、残渣池を通過して金属溶融池に入り、水冷晶析器の強制冷却作用で、溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するエレクトロスラグ再溶解プロセスであって、具体的に、電源をオフにする際に、初期電圧を２０Ｖに制御し、電流を１０００Ａに制御するエレクトロスラグ再溶解プロセスと、
【００４１】
Ｓ５：アニールプロセスによりインゴットの応力を解消し、熱処理温度を６００℃に制御し、保温時間を２ｈとする熱処理プロセスと、。
Ｓ６：設計図通りに機械加工する機械加工プロセスとを含む。
【００４２】
上記炭化水素洗浄剤は、具体的には、Exxsol D炭化水素洗浄剤、Isopar炭化水素洗浄剤が挙げられる。好ましくは、低臭気、狭い蒸留範囲、低粘度を有し、CuCr切り屑の表面と適合性のあるExxsolD炭化水素洗浄剤である。
上記乾燥プロセスは、熱風乾燥、冷風乾燥、遠赤外線乾燥が挙げられる。好ましくは、速乾性と低エネルギー消費の特性を有する熱風乾燥であり、冷風乾燥は、エネルギー消費が少ないが乾燥効率が遅い。遠赤外線乾燥効率は高いですが、エネルギー消費量は比較的高くなる。
【００４３】
実施例２（ＣｕＣｒ２５コンタクト材料の製造）
低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法は、
Ｓ１：Ｉｓｏｐａｒ炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬、洗浄し、表面油汚、不純物を除去した後、乾燥処理させ、表面水分を除去する洗浄乾燥プロセスと、
【００４４】
Ｓ２：Ｃｒ含有量２５％のＣｕＣｒ屑をそのまま用い、金型に入れて成型し、圧力を１５０Ｍｐａとし、保圧時間を２ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスと、
【００４５】
Ｓ３：以上で製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に入れ、陰極の仮電極に接続し、両者を同軸、垂直にし、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、エレクトロスラグをＡｌ２Ｏ３とし、残渣を使用前に５００℃で乾燥させ、ベーク時間を４時間とし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が１３０℃である炉装入プロセスと、
【００４６】
Ｓ４：炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、炉内にアルゴンガスを−０．０９Ｍｐａまで充填し、その後、さらにパワーを高め、温度を１３００℃に制御し、電極端部の金属溶滴が重力作用下で落下し、残渣池を通過して金属溶融池に入り、水冷晶析器の強制冷却作用で、溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するエレクトロスラグ再溶解プロセスであって、具体的に、電源をオフにする際に、初期電圧を３５Ｖに制御し、電流を１６００Ａに制御するエレクトロスラグ再溶解プロセスと、
【００４７】
Ｓ５：アニールプロセスによりインゴットの応力を解消し、熱処理温度を６００℃に制御し、保温時間を２ｈとする熱処理プロセスと、。
Ｓ６：設計図通りに機械加工する機械加工プロセスとを含む。
【００４８】
実施例３（ＣｕＣｒ４０コンタクト材料の製造）
低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法は、
Ｓ１：Ｉｓｏｐａｒ炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬、洗浄し、表面油汚、不純物を除去した後、乾燥処理させ、表面水分を除去する洗浄乾燥プロセスと、
【００４９】
Ｓ２：Ｃｒ含有量５％とＣｒ含有量５０％のＣｕＣｒ屑をＣｒ総含有量が４０％となるように配合し、金型に入れて成型し、圧力を２００Ｍｐａとし、保圧時間を８ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスと、
【００５０】
Ｓ３：以上で製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に入れ、陰極の仮電極に接続し、両者を同軸、垂直にし、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、エレクトロスラグをＭｇＯとし、残渣を使用前に６００℃で乾燥させ、ベーク時間を５時間とし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が３５０℃である炉装入プロセスと、
【００５１】
Ｓ４：炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、向炉内充入アルゴンガス至〜０．０７Ｍｐａ、その後、さらにパワーを高め、温度を１６００℃に制御し、電極端部の金属溶滴が重力作用下で落下し、残渣池を通過して金属溶融池に入り、水冷晶析器の強制冷却作用で、溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するエレクトロスラグ再溶解プロセスであって、具体的に、電源をオフにする際に、初期電圧を５８Ｖに制御し、電流を３０００Ａに制御するエレクトロスラグ再溶解プロセスと、
【００５２】
Ｓ５：アニールプロセスによりインゴットの応力を解消し、熱処理温度を７００℃に制御し、保温時間を３ｈとする熱処理プロセスと、。
Ｓ６：設計図通りに機械加工する機械加工プロセスとを含む。
【００５３】
実施例４（ＣｕＣｒ５０コンタクト材料の製造）
低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法は、
【００５４】
Ｓ１：Ｅｘｘｓｏｌ  Ｄ炭化水素系洗浄剤によりＣｕＣｒ切り屑を浸漬、洗浄し、表面油汚、不純物を除去した後、乾燥処理させ、表面水分を除去する洗浄乾燥プロセスと、
【００５５】
Ｓ２：Ｃｒ含有量５０％のＣｕＣｒ屑を用い、金型に入れて成型し、圧力を３００Ｍｐａとし、保圧時間を１５ｍｉｎとし、緻密さ＞８０％とし、電極棒を得る電極成型プロセスと、
【００５６】
Ｓ３：以上で製造された電極棒をエレクトロスラグ炉内に入れ、陰極の仮電極に接続し、両者を同軸、垂直にし、晶析器として水冷銅モールドを用い、ガスケットを、電極と同じ材質とし、厚さ＞３ｍｍとし、エレクトロスラグをＣａＯとし、残渣を使用前に８００℃で乾燥させ、ベーク時間を７時間とし、アーキング前に晶析器に加えられた残渣の温度が５００℃である炉装入プロセスと、
【００５７】
Ｓ４：炉装入完了後、真空システムを開き、３×１０−１ｐａオーダーまで真空引きすると、電源をオフにし、電極棒の下端が赤くなり熱と光が出ると、炉内にアルゴンガスを０．６Ｍｐａまで充填し、その後、さらにパワーを高め、温度を２０００℃に制御し、電極端部の金属溶滴が重力作用下で落下し、残渣池を通過して金属溶融池に入り、水冷晶析器の強制冷却作用で、溶融金属が迅速に凝固し、微細なクロム相、即ち再溶解ＣｕＣｒ塊を形成するエレクトロスラグ再溶解プロセスであって、具体的に、電源をオフにする際に、初期電圧を８５Ｖに制御し、電流を５０００Ａに制御するエレクトロスラグ再溶解プロセスと、
【００５８】
Ｓ５：アニールプロセスによりインゴットの応力を解消し、熱処理温度を９００℃に制御し、保温時間を４ｈとする熱処理プロセスと、
Ｓ６：設計図通りに機械加工する機械加工プロセスとを含む。
【００５９】
実施例５
プロセスＳ４において４回繰り返し再溶解させたこと以外、他の操作及びプロセスパラメータは、実施例２と同様であった。
ここで、４回の再溶解のうち後の３回の再溶解は具体的に以下のとおりである。
【００６０】
１）１回目の再溶解ＣｕＣｒ塊を二次電極とし真空自己消費アーク炉内に入れて２回目溶解させ、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００６１】
２）その後、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を１回目の再溶解操作により再溶解させ、三次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００６２】
３）三次再溶解ＣｕＣｒ塊を真空自己消費アーク炉内に入れ、２回目の溶解操作により処理し、４回再溶解処理された電極棒を得る。
【００６３】
ここで、プロセス１）とプロセス３）の溶解の具体的なプロセスパラメータとしては、晶析器として水冷銅モールドを用い、晶析器の仕様をΦ５００ｍｍとし、溶解前の真空度≦３Ｐａとし、気体漏れ率≦１．５Ｐａ／ｍｉｎとし、溶解電圧を４５Ｖとし、溶解電流を１０ＫＡとし、アーク安定電流を直流１５Ａとし、溶解後の冷却時間を０．５ｈとする。
【００６４】
実施例６
プロセスＳ４において４回繰り返し再溶解させたこと以外、他の操作及びプロセスパラメータは、実施例３と同様であった。
【００６５】
ここで、４回の再溶解のうち後の３回の再溶解は具体的に以下のとおりである。
１）１回目の再溶解ＣｕＣｒ塊を二次電極とし真空自己消費アーク炉内に入れて２回目溶解させ、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００６６】
２）その後、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を１回目の再溶解操作により再溶解させ、三次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００６７】
３）三次再溶解ＣｕＣｒ塊を真空自己消費アーク炉内に入れ、２回目の溶解操作により処理し、４回再溶解処理された電極棒を得る。
【００６８】
ここで、２回目と４回目の溶解の具体的なプロセスパラメータとしては、晶析器として水冷銅モールドを用い、晶析器の仕様をΦ５５０ｍｍとし、溶解前の真空度≦３Ｐａとし、気体漏れ率≦１．５Ｐａ／ｍｉｎとし、溶解電圧を５０Ｖとし、溶解電流を１２ＫＡとし、アーク安定電流を直流１８Ａとし、溶解後の冷却時間を１ｈとする。
【００６９】
実施例７
プロセスＳ４において４回繰り返し再溶解させたこと以外、他の操作及びプロセスパラメータは、実施例４と同様であった。
ここで、４回の再溶解のうち後の３回の再溶解は具体的に以下のとおりである。
【００７０】
１）１回目の再溶解ＣｕＣｒ塊を二次電極とし真空自己消費アーク炉内に入れて２回目溶解させ、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００７１】
２）その後、二次再溶解ＣｕＣｒ塊を１回目の再溶解操作により再溶解させ、三次再溶解ＣｕＣｒ塊を得る。
【００７２】
３）三次再溶解ＣｕＣｒ塊を真空自己消費アーク炉内に入れ、２回目の溶解操作により処理し、４回再溶解処理された電極棒を得る。
２回目と４回目の溶解の具体的なプロセスパラメータとしては、晶析器として水冷銅モールドを用い、晶析器の仕様をΦ６００ｍｍとし、溶解前の真空度≦３Ｐａとし、気体漏れ率≦１．５Ｐａ／ｍｉｎとし、溶解電圧を６０Ｖとし、溶解電流を１５ＫＡとし、アーク安定電流を直流２０Ａとし、溶解後の冷却時間を２ｈとする。
【００７３】
実施例８
プロセスＳ１〜Ｓ２で異なる装置を用いたこと以外、他の操作及びプロセスパラメータは、実施例１と同様であった。
図４〜５に示されるように、方法におけるＳ１〜Ｓ２処理に用いる装置は、
【００７４】
図６に示されるように、炭化水素系洗浄剤を収容する洗浄溝１と、ＣｕＣｒ屑を輸送する回転輪４とを含み、洗浄溝１内の片側に回転輪が取り付けられる斜め面１１が設けられており、回転輪４が、斜め面１１に回転して設けられ斜め面１１の内部中心に嵌め込まれた回転モータ出力軸に接続されており、回転輪４の円周に複数の凹溝４１が等間隔で設けられており、凹溝４１こごとに取り外し可能な定量洗浄倉５が配設されており、斜め面１１には、定量洗浄倉５の回転経路位置に対応する場所に、定量洗浄倉５を動かす環状溝１２が設けられており、環状溝１２の片側に対応する洗浄溝１の内壁に、ＣｕＣｒ屑を乾燥させるホットネット１３が設けられている洗浄乾燥用洗浄部品であって、
【００７５】
図９〜１０、１３〜１６に示されるように、定量洗浄倉５が、両側面に信号を伝送する第１のセンサー５４がさらに設けられており、環状溝１２の下方の両側内壁に第１のセンサー５４信号に対接する第２のセンサー１４がそれぞれ設けられており、第１のセンサー５４、第２のセンサー１４が、定量洗浄倉１を伸縮する指示を出す、部材を負荷する中心板５１と、複数設けられ中心板５１の上下両側に対称的に設けられており、第１の半倉体５２１、第２の半倉体５２２からなり、第２の半倉体５２２が、第１の半倉体５２１の底部円心に設けられたバネ式回転軸５２３に回転接続されており、バネ式回転軸５２３が上下２つの回転シート及び中間の若干の周方向に設けられたバネにより構成されており、第１の半倉体５２１の内底面に第２の半倉体５２２を回転させて外へ露出する弧状突起５２４が設けられており、第２の半倉体５２２の外側面の一端に案内レール６の前端に架設けられたレバー６５に合わせて荷揚げするレバー塊５２５が設けられており、隣接する２つの単一倉５２間、単一倉５２と中心板５１との間が、いずれもリフトロッド５３により接続されている、ＣｕＣｒ屑を収容する単一倉５２とを含む洗浄乾燥用洗浄部品と、
【００７６】
定量洗浄倉５におけるＣｕＣｒ屑を取り出し、取り出した後Ｃｒ含有量の異なる各ＣｕＣｒ屑を運送と混合する混合部品であって、部材を負荷する荷揚げ台２と、定量洗浄倉５に対接して荷揚げする案内レール６と、Ｃｒ含有量の異なるＣｕＣｒ屑を混合する混合倉７とを含み、
【００７７】
図７、１７〜１９に示されるように、荷揚げ台２が、洗浄溝１の外後側面の上部に接続固定されており、複数層の案内レール６の両側がそれぞれ固定板２１により荷揚げ台２に接続固定されており、各案内レール６の後側に位置する秤量する秤量領域の前後に電気制御ゲート６１がそれぞれ設けられており、２つの電気制御ゲート６１間の案内レール６上に沈殿溝６２が設けられており、沈殿溝６２にＣｕＣｒ屑を秤量する計量パッド６３が設けられており、案内レール６の出口が、いずれも導管６４に連通しており、混合倉７が、導管６４の下方に設けられ荷揚げ台２に固定接続されており、混合倉７内の両側壁に、モータで駆動された２つの撹拌翼７１が対称的に設けられている混合部品と、
【００７８】
図５、８に示されるように、電極棒を成型する成型部品、各部材を負荷する成型支持板３と、ＣｕＣｒ屑を対応するダイキャビティ３１に分流する分配案内溝８と、電極棒を成型するモールドプレス部材９とを含み、成型支持板３が、洗浄溝１の外後側面の下部に接続固定されており、成型支持板３の上面後部に、金型を収容する２つのダイキャビティ３１が開設されており、分配案内溝８が、基板８１により２つのダイキャビティ３１の前方にあり混合倉７の下方に位置する成型支持板３に接続されており、分配案内溝８が、主案内溝８２及び２つの副案内溝８３からなる組合せ溝であり、主案内溝８２と副案内溝８３が交差する場所に、２つの副案内溝８３のモータ駆動を切り替える案内板８４が設けられており、モールドプレス部材９がスタンド９２により成型支持板３の両側面に係合して固定されており、モールドプレス部材９が液圧ポンプにより電極棒を成型する二重圧子９１に接続されており、
【００７９】
如図９、１０に示されるように、定量洗浄倉５と回転輪４の凹溝が、水平に安定化させる組合せ部材により取り外し可能に係合しており、組合せ部材が、回転シート４２、弧状レール４３からなり、定量洗浄倉５として２つの単一倉５２を用い、複数層の案内レール６に、具体的に、４層の案内レール６が設けられており、洗浄部品、混合部品及び成型部品がいずれもコントローラによりプログラム設定及び制御を行い、前記各モータが、いずれも市販のモータにより本装置にマッチするために外観調整を行い、前記第１のセンサー５４、第２のセンサー１４として赤外センサーを用い、前記コントローラとして市販の小型プログラマブルＰＬＣコントローラのいずれでもよく、前記計量パッド６３が圧力センサーである成型部品と、を含む。
【００８０】
前記装置の作動原理としては、Ｃｒ含有量５％、Ｃｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑をそれぞれ定量洗浄倉５の２つの単一倉５２に装入した後、回転輪４を始動させ、ＣｕＣｒ屑を収容した定量洗浄倉５を連動させて洗浄溝１におけるＥｘｘｓｏｌ  Ｄ炭化水素系洗浄剤、ホットネット１３を順次通過し、その後、案内レール６に入り込み、この間、ホットネット１３を通過する前に、第２のセンサー１４と定量洗浄倉５の第１のセンサー５４が信号対接し、そして、コントローラの指示で各リフトロッド５２を展開し、２つの単一倉５２を外に伸展し、その後案内レール６に入り込み、
【００８１】
その後、案内レール６のレバー６５作用下で対応する単一倉５２の第２の半倉体５２２をレバー塊５２５下で回転させ、回転過程において、第２の半倉体５２２が弧状突起５２４の作用下で上げられ、前端の押出バネ式回転軸５２３により第２の半倉体５２２に合わせて案内レール６の片側に傾斜し、ＣｕＣｒ屑を荷揚げし、
【００８２】
その後、Ｃｒ含有量５％、Ｃｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑をそれぞれ対応する案内レール６に入れ、予定の２つのＣｕＣｒ屑の重量比で秤量領域で秤量し、計量パッド６３で測定された重量が要求を満たすと、後側の電気制御ゲート６１を開き、ＣｕＣｒ屑が導管６４を通過して混合倉７に落入した後、混合倉７の撹拌翼７１によりＣｒ含有量５％、Ｃｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑を混合し、
【００８３】
その後、混合されたＣｕＣｒ屑を分配案内溝８に通過して案内板８４により２つのダイキャビティ３１に二等分し、モールドプレス部材９により、二重圧子９１により２つの電極棒を押し出す。
【００８４】
実施例９
図１１〜１２に示されるように、定量洗浄倉５として４つの単一倉５２を用いて処理したこと以外、他の操作及びプロセスパラメータは、実施例８と同様であった。
【００８５】
ＣｕＣｒコンタクトの性能試験
それぞれ実施例１〜７のプロセス方法によりＣｕＣｒコンタクトを製造し、その密度、導電性、硬度、酸素含有量及び窒素含有量を測定した。測定結果を表2に示す。
【００８６】
表２
0006902679.tif 000003
【００８７】
試験結論：
１）実施例１〜４を比較すると、前記表１の結果から分かるように、本発明で製造されたＣｒ含有量の異なるＣｕＣｒコンタクト材料における酸素と窒素の含有量が低く、図１〜３のＣｕＣｒコンタクト材料の金相図に示されるように、緻密さが高く、硬度が大きく、導電性能が良好であった。
【００８８】
２）実施例２、５を比較すると、４回再溶解処理されたＣｕＣｒコンタクトは、その酸素と窒素含有量がさらに低下し、緻密さがさらに向上し、硬度がさらに増大し、導電性能がより良好であり、コンタクトの遮断性能が向上した。
【００８９】
３）実施例３、６を比較すると、４回再溶解処理されたＣｕＣｒコンタクトは、その酸素と窒素含有量がさらに低下し、緻密さがさらに向上し、硬度がさらに増大し、導電性能がより良好であり、コンタクトの遮断性能が向上した。
【００９０】
４）実施例４、７を比較すると、４回再溶解処理されたＣｕＣｒコンタクトは、その酸素と窒素含有量がさらに低下し、緻密さがさらに向上し、硬度がさらに増大し、導電性能がより良好であり、コンタクトの遮断性能が向上した。
【００９１】
更に、中国特許第CN110842208A号公報に開示された方法により得られたＣｕＣｒコンタクト材料を対照例として、実施例２と同じ条件で密度、導電性、硬度、酸素含有量及び窒素含有量を測定した。測定結果を表３に示す。
【００９２】
表３
0006902679.tif 000004
【００９３】
ＣｕＣｒコンタクトの製造効率
１）試験の群分け：
【００９４】
群１：実施例１では、一般的な洗浄池及びオーブンによりＣｒ含有量５％、Ｃｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑をそれぞれ洗浄及び乾燥した後、定量配合して混合粉とし、そして、同様に二重機器により成型した。
群２：実施例８では、本発明の装置によりＣｒ含有量５％、Ｃｒ含有量３０％のＣｕＣｒ屑を一括して洗浄、乾燥及び成型した。
【００９５】
２）試験方法：
製造された仕様が同じ６個の電極棒を用いて効率試験を行い、緻密さが８０％以上である場合、合格品とした。
【００９６】
３）試験結果：
生産結果から分かるように、本出願で６個の電極棒を製造した場合、実施例１において５、６番目のみを成型した。
【００９７】
結論：本発明の装置は、一括して設けられることにより、洗浄、乾燥及び秤量配合を効率よく行い、莫大な手間を省くとともに操作強度を低下させることができる。したがって、本装置の使用により、本発明のプロセスの生産効率を大きく最適化し、人力、物力を節約することができる。
【符号の説明】
【００９８】
１：洗浄溝
２：荷揚げ台
３：成型支持板
４：回転輪
５：定量洗浄倉
６：案内レール
７：混合倉
８：分配案内溝
９：モールドプレス部材
１１：斜め面
１２：環状溝
１３：ホットネット
１４：第２のセンサー
２１：固定板
３１：ダイキャビティ
４１：凹溝
４２：回転シート
４３：弧状レール
５１：中心板
５２：単一倉
５３：リフトロッド
５４：第１のセンサー
６１：電気制御ゲート
６２：沈殿溝
６３：計量パッド
６４：導管
６５：レバー
７１：撹拌翼
８１：基板
８２：主案内溝
８３：副案内溝
８４：案内板
９１：二重圧子
９２：スタンド
５２１：第１の半倉体
５２２：第２の半倉体
５２３：バネ式回転軸
５２４：弧状突起
５２５：レバー塊
【要約】      （修正有）【課題】ＣｕＣｒ切り屑を利用する、低コストで微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法、及び装置を提供する。【解決手段】微粒子ＣｕＣｒコンタクト材料を製造する方法は、Ｓ１洗浄して乾燥させ、Ｓ２電極を成型し、Ｓ３炉に入れ、Ｓ４エレクトロスラグを再溶解させ、Ｓ５熱処理し、Ｓ６機械加工することを含み、製造する装置は、洗浄部品、混合部品及び成型部品を含む。生産過程で生じた屑を原材料として電極を製造し、原材料の使用コストを低下させ、また、エレクトロスラグ再溶解プロセスにより不純物を除去し、緻密さ、硬度、導電性能等により優れたＣｕＣｒコンタクト材料を得る。【選択図】図３【図１】
0006902679.tif 000005
【図２】
0006902679.tif 000006
【図３】
0006902679.tif 000007
【図４】
0006902679.tif 000008
【図５】
0006902679.tif 000009
【図６】
0006902679.tif 000010
【図７】
0006902679.tif 000011
【図８】
0006902679.tif 000012
【図９】
0006902679.tif 000013
【図１０】
0006902679.tif 000014
【図１１】
0006902679.tif 000015
【図１２】
0006902679.tif 000016
【図１３】
0006902679.tif 000017
【図１４】
0006902679.tif 000018
【図１５】
0006902679.tif 000019
【図１６】
0006902679.tif 000020
【図１７】
0006902679.tif 000021
【図１８】
0006902679.tif 000022
【図１９】
0006902679.tif 000023