(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面の反対側にある第２面と前記第１面及び前記第２面の間にある複数の側面とを有すると共に、前記第２面及び前記複数の側面における２つに接する複数の角部を有し、且つ、前記第２面に１対の電極を有し、前記側面には粗い構造を有するＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップの前記電極が形成される前記第２面をカバーせずに、前記複数の側面を完全にカバーし、且つ、前記角部を露出させず、且つ、前記ＬＥＤチップに接する側の周縁が前記ＬＥＤチップの前記側面側の周縁と一致する構成になっている、断面の輪郭が逆せっとうテーパ状をなす透明材料層と、
前記透明材料層の外周を包囲する反射材料層と、を有する発光装置であって、
前記透明材料層の粘度は１０００〜６０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にあり、前記透明材料層の厚さが１０μｍ〜６０μｍの範囲内にあり、前記ＬＥＤチップの厚さが１５０μｍ〜２００μｍの範囲内にあり、前記粗い構造の表面粗さは０.０１μｍ〜２μｍの範囲内にあることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記粗い構造は周期性または非周期性であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記粗い構造はインビジブルレーザー切削もしくは表面改質加工により作成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
第１面と前記第１面の反対側にある第２面と前記第１面及び前記第２面の間にある複数の側面とを有すると共に、前記第２面及び前記複数の側面における２つに接する複数の角部を有し、且つ、前記第２面に１対の電極を有し、前記側面には粗い構造を有する複数のＬＥＤチップ及び波長変換材料層を提供し、
前記複数のＬＥＤチップと前記波長変換材料層とを、前記ＬＥＤチップの電極が前記波長変換材料層から離れるように貼り合わせてから、
前記波長変換材料層の上に、前記ＬＥＤチップの前記電極が形成される前記第２面をカバーせずに、前記複数の側表面を完全にカバーすると共に、各前記角部を露出させないよう、且つ、前記ＬＥＤチップに接する側の周縁が前記ＬＥＤチップの前記側表面側の周縁と一致するよう構成になっている、断面の輪郭が逆せっとうテーパ状をなす透明材料層を作成して固化させてから、
前記透明材料層の外周を反射材料層でカバーし、
それから各前記ＬＥＤチップの間の反射材料層に沿って複数のユニットに分離させることにより発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
前記透明材料層の粘度は１０００〜６０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にあり、前記透明材料層の厚さが１０μｍ〜６０μｍの範囲内にあり、前記ＬＥＤチップの厚さが１５０μｍ〜２００μｍの範囲内にあり、前記粗い構造の表面粗さは０.０１μｍ〜２μｍの範囲内にあることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＬＥＤチップの側面に、チップ側面と前記透明材料層との接触面の面積を増大することにより、チップの透明材料に対するアフィニティーを強化して透明材料のチップ側面における濡れ性を高めることにより、前記透明材料層がチップの側面を完全にカバーするようにさせることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記透明材料層の固化過程において、温度を階段的に上昇させる方法により固化させることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記温度を階段的に上昇させる方法は、まずは５０℃の温度で１５分間加熱してから、７０℃の温度で１５分間加熱して、最後に１５０℃の温度で３０分間加熱することを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
固化温度を制御することにより、透明材料層の粘度を１０００〜１５００ｍＰａ・Ｓの範囲内に下げると共に、該粘度の温度において１０〜６０分間維持することにより、透明材料層の構造的均一性を高めることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明半導体の技術分野に関し、特に発光装置及び該発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の片面発光チップスケールパッケージ装置(Chip Scale Package、略してＣＳＰ）は、薄型化の需要を満たすが、図１に示されるように、ＬＥＤチップの側面側の発光が反射材料層により遮蔽されるため、このような片面発光ＣＳＰの光束が比較的に低い。一方、中国特許出願公開第１０６１２９２３１Ａ号明細書には、逆せっ頭錐面形状を有する透明材料層でＬＥＤチップの側面をカバーし、ＬＥＤチップの側面の光を正面に反射させることにより、光束を高めることが記載されている。
【０００３】
しかし、従来の製造方法では透明材料層のＬＥＤチップの側面に対するカバー具合を確保することができないため、透明材料層のＬＥＤチップの側面に対するカバーを完全にすることができず、透明材料層はＬＥＤチップの側面の一部しかカバーできないため、パッケージ装置の正面の光取り出し効率に影響し、図２及び図３に示される結果となる。また、現存の製造方法ではＬＥＤチップの側面発光の利用率はそれぞれ異なり、同一のバッチの製品でも輝度の分布が均一でなく分散的であるため、このような高光束片面発光ＣＳＰの製造歩合を大きく制限している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】中国特許出願公開第１０６１２９２３１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来技術の不足を克服することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的に達成すべく、本発明の第１の視点として、第１面と前記第１面の反対側にある第２面と前記第１面及び前記第２面の間にある複数の側面とを有すると共に、前記第２面及び前記複数の側面における２つに接する複数の角部を有し、且つ、前記第２面に１対の電極を有し、前記側面には粗い構造を有するＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップの前記電極以外の側面を完全にカバーし、且つ、前記角部を露出させない透明材料層と、前記透明材料層の外周を包囲する反射材料層と、を有する発光装置であって、前記透明材料層の粘度をＡとし、その粘度の範囲をＷ(Ａ)とし、前記透明材料層の厚さをＢとし、前記チップの厚さをＣとし、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さをＤとして前記透明材料層が前記ＬＥＤチップの側面を完全にカバーするようにする場合、前記透明材料層の粘度の範囲Ｗ(Ａ)と前記透明材料層の厚さＢ、前記チップの厚さＣ、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さＤは、Ｗ(Ａ)∝Ｂ×Ｄ／Ｃの条件を満足することを特徴とする発光装置を提供する。
【０００７】
前記粗い構造の表面粗さは０.０１μｍ〜２μｍの範囲内にあることが好ましい。
【０００８】
前記粗い構造は周期性または非周期性であることが好ましい。
【０００９】
前記粗い構造はインビジブルレーザー切削もしくは表面改質加工により作成されたことが好ましい。
【００１０】
前記ＬＥＤチップの側面に、前記チップの側表面を完全にカバーする透明材料層の粘度範囲選択を拡大するのに用いられる粗い構造を有することが好ましい。
【００１１】
前記ＬＥＤチップの側面に、チップ側面と前記透明材料層との接触面の面積を増大することにより、チップの透明材料に対するアフィニティーを強化して透明材料のチップ側面における濡れ性を高めることにより、前記透明材料層がチップの側面を完全にカバーするようにさせることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の第２の視点として、第１面と前記第１面の反対側にある第２面と前記第１面及び前記第２面の間にある複数の側面とを有すると共に、前記第２面及び前記複数の側面における２つに接する複数の角部を有し、且つ、前記第２面に１対の電極を有し、前記側面には粗い構造を有する複数のＬＥＤチップ及び波長変換材料層を提供し、前記複数のＬＥＤチップと前記波長変換材料層とを、前記ＬＥＤチップの電極が前記波長変換材料層から離れるように貼り合わせてから、前記波長変換材料層の上に、前記ＬＥＤチップの前記電極以外の側表面を完全にカバーすると共に、各前記角部を露出させないよう透明材料層を作成して固化させてから、前記透明材料層の外周を反射材料層でカバーし、それから各前記ＬＥＤチップの間の反射材料層に沿って複数のユニットに分離させることにより発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、前記透明材料層の粘度をＡとし、その粘度の範囲をＷ(Ａ)とし、前記透明材料層の厚さをＢとし、前記チップの厚さをＣとし、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さをＤとして前記透明材料層を前記ＬＥＤチップの側面を完全にカバーするようにする場合、前記透明材料層の粘度の範囲Ｗ(Ａ)と前記透明材料層の厚さＢ、前記チップの厚さＣ、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さＤは、Ｗ(Ａ)∝Ｂ×Ｄ／Ｃの条件を満足することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
【００１３】
前記ＬＥＤチップの側面に、チップ側面と前記透明材料層との接触面の面積を増大することにより、チップの透明材料に対するアフィニティーを強化して透明材料のチップ側面における濡れ性を高めることにより、前記透明材料層がチップの側面を完全にカバーするようにさせることが好ましい。
【００１４】
前記ＬＥＤチップの側面に、前記チップの側表面を完全にカバーする透明材料層の粘度範囲選択を拡大するのに用いられる粗い構造を有することが好ましい。
【００１５】
前記透明材料層の粘度は１０００〜６０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にあることがこのましい。
【００１６】
前記透明材料層の固化過程において、温度を階段的に上昇させる方法により固化させることがこのましい。
【００１７】
前記温度を階段的に上昇させる方法は、まずは５０℃の温度で１５分間加熱してから、７０℃の温度で１５分間加熱して、最後に１５０℃の温度で３０分間加熱することが好ましい。
【００１８】
固化温度を制御することにより、透明材料層の粘度を１０００〜１５００ｍＰａ・Ｓの範囲内に下げると共に、該粘度の温度において１０〜６０分間維持することにより、透明材料層の構造的均一性を高めることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
従来技術と比べて、本発明が提供する発光装置及びその製造方法は、少なくとも以下の効果が得られる。
【００２０】
（１）ＬＥＤチップを使用してチップスケールパッケージ装置（ＣＳＰ構造）を製造し、ＬＥＤチップの側表面は粗い構造を有するため、透明材料層は効果的に、且つ完全にＬＥＤチップの側面をカバーすると共に、透明材料の選択可能範囲を広げることができ、より広い粘度範囲内にある材料をこのＣＳＰ構造の製造に用いることができる。
【００２１】
（２）このＣＳＰ製造方法において、透明材料層の粘度を制御し、且つ側面に粗い構造を有するＬＥＤチップを採用することにより、バッチ生産における発光装置の逆せっ頭錐面形状の一致性を効果的に制御することができるため、バッチ生産における発光装置の輝度の分布の集中性及び均一性を高めることができる。
【００２２】
本発明の他の特徴及び利点は以下の明細書の中に説明される。また、部分的に明細書の中から明らかとなり、もしくは本発明を実施することにより理解できる。本発明の目的及び他の利点は、明細書、特許請求の範囲及び添付の図面に特別に示した構造により実現及び獲得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
添付の図面は本発明に対する更なる理解を提供し、そして明細書の一部を構成し、本発明の実施形態と共に本発明の解釈に用いられるが、本発明に対して制限するものではない。この他、添付図面のデータは概要を説明するものであり、実物のスケールに対応するものではない。
【図１】従来の片面発光ＣＳＰの構造が示される断面図である。
【図２】現存する改善された片面発光ＣＳＰの構造が示される説明用断面図である。
【図３】現存する改善された片面発光ＣＳＰの構造が示される説明用斜視図である（図中では反射材料層は表示されず）。
【図４】本発明の第１の実施形態の発光装置の構造が示される断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の発光装置の構造が示される斜視図である（図中では反射材料層は表示されず）。
【図６】図４におけるＬＥＤチップの構造が示される説明用断面図である。
【図７】図４におけるＬＥＤチップの構造が示される説明用断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法が示される説明用フローチャートである。
【図９】本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法が示される説明用フローチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法が示される説明用フローチャートである。
【図１１】本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法が示される説明用フローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法が示される説明用フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下は説明図を参照しながら本発明の発光装置及びその製造方法について詳しく説明する。本発明を更に説明する前に、特定に実施例に対して改造することが可能であるため、本発明は以下の特定の実施例により限定されるものではないことを理解すべきである。更に、本発明の範囲は特許請求の範囲のみにより限定されるものであり、採用される実施例は紹介のために用いられるので制限するものではないことも理解すべきである。他に説明がない限り、ここで用いられる全ての技術及び科学用語は、当該技術分野において一般的に理解される意味と同じである。
【００２５】
（実施例１）
図４〜図７に示されるように、本実施例が提供する発光装置構造は、第１面と前記第１面の反対側にある第２面と前記第１面及び前記第２面の間にある複数の側面とを有すると共に、前記第２面及び前記複数の側面における２つに接する角部を有し、且つ、前記第２面に１対の電極１０１を有し、各前記側面には粗い構造１０４を有するＬＥＤチップ１００と、前記ＬＥＤチップの前記電極以外の側面を完全にカバーし、且つ、前記角部を露出させない透明材料層２００と、前記透明材料層の外周を包囲する反射材料層３００と、前記反射材料層３００、透明材料層２００及びＬＥＤチップ１００の上をカバーする波長変換材料層４００と、を有する。
【００２６】
前記透明材料層の粘度をＡとし、その粘度の範囲をＷ(Ａ)とし、前記透明材料層の厚さをＢとし、前記チップの厚さをＣとし、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さをＤとすると、前記透明材料層が前記ＬＥＤチップの側面を完全にカバーする場合には、前記透明材料層の粘度の範をＷ(Ａ)、前記透明材料層の厚さＢ、前記チップの厚さＣ、前記チップの側面の粗い構造の表面粗さＤは、Ｗ(Ａ)∝Ｂ×Ｄ／Ｃの条件を満足し、即ち、Ｗ(Ａ)とＢ×Ｄ／Ｃは正比例する関係になっている。
【００２７】
図６及び図７に示されるように、この実施例ではフリップチップ構造のＬＥＤチップを使用してチップスケール発光装置を製造する。このＬＥＤチップは側表面に粗い構造を有している。この側面は底部１０３を含む側面でもいいし、半導体外側延伸層１０２を含む側面でもいいし、底部及び半導体外側延伸層両方を含む側面でも構わない。この粗い構造は周期性であってもいいし、非周期性であっても構わない。
【００２８】
具体的には、この粗い表面はＬＥＤチップのレーザー切削により作成することができる。インビジブルレーザー技術を採用することにより、ＬＥＤチップの底部に対して異なる深さまでフォーカス切削を行い、異なるフォーカス深さの間の距離は約３０μｍ〜８０μｍであり、そして図６に示されるように、５０μｍ〜６０μｍの範囲内にあることが好ましい。一般的には、厚さが１５０μｍ〜２００μｍのフリップチップ構造ＬＥＤチップに対して３〜４回の異なる深さの切削を行うことにより、底部側面に粗い構造を有するＬＥＤチップを作成することができる。
【００２９】
また、この粗い表面は表面改質加工により作成することも可能である。ＬＥＤチップの側面にマイクロ構造を有する粗い表面を形成し、図７に示されるように、マイクロ構造は粒径５ｎｍ〜５μｍの微粒子を使用して、吹きかけ、化学結合、沈積などの方法で形成することができる。使用する微粒子としては例えば二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、そしてポリメチルシルセスキオキサンなどの有機または無機非導電性材料を利用することができるが、これらの材料に限定されるものではない。また、無機ナノ粒子に関しては、粒径が０.５ｎｍ〜５０ｎｍの微粒子を使用することが好ましく、有機ナノ粒子に関しては、粒径が０.５μｍ〜２μｍの微粒子を使用することが好ましい。更に、ＬＥＤチップの側面の表面粗さは０.０１μｍ〜２μｍの範囲内にあることが好ましい。ＬＥＤチップの側面に粗い構造を有することにより、ＬＥＤチップの側面と透明材料層との実際の接触面の面積を増大し、ＬＥＤチップの透明材料に対するアフィニティーを強化して透明材料のチップ側面における濡れ性を高めることにより、透明材料層がチップの側面を確実に完全にカバーすることを確保でき、即ち、透明材料層が第２面及び複数の側面における２つに接する角部を露出させないように被覆することができる。
【００３０】
（実施例２）
図８〜図１２に示されるように、この実施例は上記フリップチップ構造ＬＥＤチップを使用してチップスケール発光装置を製造する方法を提供する。この方法は以下のステップを含む。
【００３１】
ステップ（１）：図８に示されるように、仮基板５００を用意し、該仮基板に厚さが１０μｍ〜２００μｍの波長変換材料を貼り付けて波長変換材料層４００とする。この波長変換材料としては蛍光フィルムまたはガラス蛍光シートもしくはセラミック蛍光シートなどを選択することができる。仮基板は記号（マーク）を有する基板であり、その材料としてはステンレススチール、セラミック、ガラス、プラスチック、もしくは他のハイポリマー複合材料を使用することができる。それから、波長変換材料層４００に厚さが１０μｍ〜６０μｍの範囲内になるよう液状透明材料層２００を塗布する。透明材料層２００の厚さ最適値は、フリップチップ構造ＬＥＤチップの厚さに応じて決まる。例えばフリップチップ構造ＬＥＤチップの厚さが１５０μｍの場合、透明材料層２００の厚さは３０μｍであることが好ましい。
【００３２】
ステップ（２）：図９に示されるように、フリップチップ構造ＬＥＤチップ１００を、フリップチップの電極１０１が波長変換材料層４００から離れる位置に配置されるよう、液状透明材料層２００に貼り付けて、加熱して固化させる。隣り合うフリップチップ構造ＬＥＤチップの間の距離は、ＬＥＤチップのサイズ及び厚さに応じて決定する。例えば、フリップチップ構造ＬＥＤチップのサイズが４０ｍｉｌ×４０ｍｉｌで厚さが１５０μｍである場合、１.６ｍｍの距離を置いて配置することが好ましい。
【００３３】
液状透明材料層の材料としては、粘度を考慮する必要ある。粘度は逆せっ頭錐面形状の透明材料層の形成に大きく影響する。粘度が異なれば液状透明材料層のフリップチップの側面に対する被覆具合も異なる。液状透明材料層の粘度をＡとし、粘度ＡがＷ（Ａ）の範囲にあるときに液状透明材料層がＬＥＤチップの側面を完全にカバーできるとすると、粘度範囲Ｗ（Ａ）は、液状透明材料層の厚さＢ、チップの厚さＣとし、チップの側面の粗い構造の表面粗さＤと密接な関連性があり、その関連性は「Ｗ(Ａ)∝Ｂ×Ｄ／Ｃ」の式に簡潔化することができる。即ち、Ｗ(Ａ)とＢ×Ｄ／Ｃは正比例する関係になっている。
【００３４】
ここで、液状透明材料層の厚さが大きければ大きいほど、もしくはＬＥＤチップの側面の粗い構造の表面粗さが高い場合、粘度の範囲が広くなり、これは即ち、完全且つ効果的にＬＥＤチップの側面をカバーできる液状透明材料層として、より多くの種類の材料を選択できることを意味する。ＬＥＤチップの厚さが薄ければ薄いほど、粘度の選択可能範囲も広くなる。比較的厚いＬＥＤチップに対しては、ＬＥＤチップの側面の表面粗さを高めることにより、同じく透明材料層を用いてＬＥＤ側面を完全にカバーすることができる。
【００３５】
側面に粗い構造が採用されていない通常のＬＥＤチップに対し、従来では粘度が２５００〜４０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にある液状透明材料が選択され、それでもＬＥＤチップの側面を完全にカバーすることができなかった。一方、本発明は側面に粗い構造を有するＬＥＤチップを採用して、従来よりも広い範囲で液状透明材料を選択することができるため、粘度が１０００〜６０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にある材料でも確実に逆せっ頭錐面形状を有する透明材料層を形成することができる。なお、粘度が室温で３０００〜４０００ｍＰａ・Ｓの範囲内にある液状透明材料が特に好ましい。このように、側面に粗い構造を有するＬＥＤチップの側表面をカバーできる透明材料の粘度選択可能範囲は、側面に粗い構造を有しないＬＥＤチップの側表面をカバーできる透明材料の粘度選択可能範囲の３倍以上になっている。
【００３６】
また、透明材料層の固化過程において、温度を階段的に上昇させる方法を採用することにより、逆せっ頭錐面形状を有する透明材料層の構造的均一性を効果的に高めることができる。液体シリコーンゴムを透明材料層の材料として選択する場合、固化温度及び時間の制御としては、まずは５０℃の温度で１５分間加熱してから、７０℃の温度で１５分間加熱して、最後に１５０℃の温度で３０分間加熱することが好ましい。無論、異なる材料の流動性に応じて、昇温勾配の制御法は異なる。
【００３７】
固化温度を制御することにより、固化プロセスにおいて透明材料層の粘度変化を制御することができる。即ち、透明材料層の固化プロセスにおいて、透明材料層の粘度を１０００〜１５００ｍＰａ・Ｓの範囲内に下げて、この比較的低い粘度の温度において１０〜６０分間維持することにより、バッチ生産における透明材料層の構造的均一性を高めることができる。これは比較的低い粘度では液状透明材料はより良好的にＬＥＤチップの粗い側面を完全にカバーすることができるからである上、ＬＥＤチップの側面をカバーしない波長変換材料層の表面にある液状透明材料の流れを促進してバッチ生産における透明材料層の構造的均一性を高めることができる。つまり、より効果的に加工を制御することができる。
【００３８】
ステップ（３）：図１０に示されるように、逆せっ頭錐面形状の透明材料層の上に反射材料層３００を充填して固化させる。
【００３９】
ステップ（４）：図１１に示されるように、切削加工を行い仮基板５００を除去し、図１２に示されるように、複数の発光装置に分離させる。なお、分離される発光装置は1個だけのＣＳＰ発光ユニットであってもいいし、複数個のＣＳＰ発光ユニットであっても構わない。
【００４０】
この実施例が提供する発光装置の製造方法は、透明材料層をＬＥＤチップの側面を完全にカバーさせ、即ち透明材料層が複数の第２面及び複数の側面における２つに接する角部を露出させないように被覆することができるので、パッケージ装置全体の光束を高め、且つバッチ生産における発光装置の輝度の分布の集中性及び均一性を高めることができる。
【００４１】
（実施例３）
実施例３の実施例２との相違点は、本発明が提供する発光装置の製造方法のステップ（１）において、スポット接着もしくはプリンティング方式により、波長変換材料層の表面において互いに離れた複数の透明材料層を形成してから、ステップ（２）において、フリップチップ構造ＬＥＤチップを逆方向に透明材料層に貼り付ける方法が使用される点である。即ち、透明材料層を先に形成してから、フリップチップ構造ＬＥＤチップを透明材料層の側面に貼り付けることにより、透明材料層が複数の第２面及び複数の側面における２つに接する角部を露出させないように被覆することができる。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、最も広い解釈の精神および範囲内に含まれる様々な構成として、全ての修飾および均等な構成を包含するものとする。
【符号の説明】
【００４３】
１００  ＬＥＤチップ
１０１  電極
１０２  半導体外側延伸層
１０３  底部
１０４  粗い構造
２００  透明材料層
３００  反射材料層
４００  波長変換材料層
５００  仮基板
【図１】
0006929957.tif 000002
【図２】
0006929957.tif 000003
【図３】
0006929957.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006929957.tif 000008
【図８】
0006929957.tif 000009
【図９】
0006929957.tif 000010
【図１０】
0006929957.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0006929957.tif 000013