(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号を通信するように構成された伝送線路と、
前記第１のポートと前記第２のポートとの間の位置において前記伝送線路に結合された１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器であって、各ＤＣバイアス抵抗器が、前記ＲＦ信号にＤＣバイアスを提供するために前記伝送線路にＤＣ電流を注入するための経路を設ける、ＤＣバイアス抵抗器とを備え、
各ＤＣバイアス抵抗器が、点接続部を介して前記伝送線路に結合され、
前記点接続部が前記伝送線路の長さの約５％未満である長さを有する、無線周波数（ＲＦ）システム。
【請求項２】
前記点接続部が、チップ接点を使用して実装される、請求項１に記載のＲＦシステム。
【請求項３】
前記チップ接点が、次第に細くされる、請求項２に記載のＲＦシステム。
【請求項４】
前記チップ接点が、三角形を有し、前記三角形の先端が、前記伝送線路に結合される、請求項２に記載のＲＦシステム。
【請求項５】
前記チップ接点が、ＤＣバイアス抵抗器の一部を形成する、請求項２に記載のＲＦシステム。
【請求項６】
前記チップ接点が、前記ＤＣバイアス抵抗器と前記伝送線路との間に結合された構造体である、請求項２に記載のＲＦシステム。
【請求項７】
前記伝送線路が、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの範囲における周波数を有するＲＦ信号を通信するように構成される、請求項１に記載のＲＦシステム。
【請求項８】
前記伝送線路に結合されたＤＣ阻止コンデンサをさらに備える、請求項１に記載のＲＦシステム。
【請求項９】
前記１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器が、第１のチップ接点を介して前記伝送線路に結合された第１のＤＣバイアス抵抗器と、第２のチップ接点を介して前記伝送線路に結合された第２のＤＣバイアス抵抗器とを備え、前記第１のＤＣバイアス抵抗器および前記第１のチップ接点が、前記伝送線路に関して前記第２のＤＣバイアス抵抗器および前記第２のチップ接点を鏡映する、請求項１に記載のＲＦシステム。
【請求項１０】
前記第１のポートが、能動デバイスに結合される、請求項１に記載のＲＦシステム。
【請求項１１】
前記能動デバイスが、トランジスタ、特定用途向け集積回路、光変換機、またはレーザダイオードを備える、請求項１０に記載のＲＦシステム。
【請求項１２】
第１の端部および第２の端部を有する平面伝送線路と、
前記第１の端部と前記第２の端部との間の位置においてチップ接点を介して前記平面伝送線路に結合された薄膜ＤＣバイアス抵抗器と、
前記平面伝送線路の前記第１の端部に結合された第１のコンタクトパッドと、
前記平面伝送線路の前記第２の端部に結合された第２のコンタクトパッドと、
前記薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合された第３のコンタクトパッドとを備え、前記チップ接点が、前記平面伝送線路の長さの約５％未満である長さを有する点接続部を介して前記平面伝送線路に結合される、表面実装デバイス。
【請求項１３】
前記チップ接点が、次第に細くされる、請求項１２に記載の表面実装デバイス。
【請求項１４】
第２のチップ接点を介して前記平面伝送線路に結合された第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器をさらに備え、第４のコンタクトパッドが、前記第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合される、請求項１２に記載の表面実装デバイス。
【請求項１５】
前記薄膜ＤＣバイアス抵抗器が、ＣｒＳｉ材料を備える、請求項１２に記載の表面実装デバイス。
【請求項１６】
前記平面伝送線路が、誘電体基板上に設けられる、請求項１２に記載の表面実装デバイス。
【請求項１７】
伝送線路にＤＣバイアスを提供する方法であって、
平面伝送線路の第１のポートから前記平面伝送線路の第２のポートにＲＦ信号を通信するステップであって、前記平面伝送線路が、誘電体基板上に設けられる、通信するステップと、
薄膜ＤＣバイアス抵抗器を介して前記ＲＦ信号にＤＣ電流バイアスを注入するステップとを含み、
前記薄膜ＤＣバイアス抵抗器が、前記伝送線路に点接続部を提供するチップ接点を使用して前記第１のポートと前記第２のポートとの間の位置において前記伝送線路に結合され、
前記点接続部が前記平面伝送線路の長さの約５％未満である長さを有する、方法。
【請求項１８】
前記ＲＦ信号が、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの範囲における周波数に関連する、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、参照により本明細書に組み込まれている、２０１７年８月２日に出願した「Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌｉｎｅ  Ｂｉａｓ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ（伝送線路バイアス抵抗器）」という名称の米国仮特許出願第６２／５４０，３６６号の優先権の利益を主張する。
【背景技術】
【０００２】
伝送線路を使用し、ＲＦシステムにおける構成部品の間でＲＦ信号を通信することができる。例えば、伝送線路（例えば、トレース）をプリント回路板上に設け、ＲＦ信号を様々なデバイスに通信することができる。状況によっては、伝送線路に沿って伝送されるＲＦ信号に、広い周波数範囲にわたってＤＣバイアスを加えることが望ましい場合がある。より高い周波数の適用例には、伝送線路内にＤＣ電流を注入するのに円錐誘導子が使用されてきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本開示の一態様例は、無線周波数（ＲＦ：ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）システムを対象とする。ＲＦシステムは、第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号を通信するように構成された伝送線路を含むことができる。１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器が、第１のポートと第２のポートとの間の位置において伝送線路に結合することができる。各ＤＣバイアス抵抗器は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを提供するために伝送線路にＤＣ電流を注入するための経路を設けることができる。各ＤＣバイアス抵抗器は、点接続部を介して伝送線路に結合することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の他の特徴および態様を、以下に、より詳細に示す。
当業者を対象とした、本開示のその最良の態様を含む完全なおよび実施可能な程度の開示を、添付の図を参照する本明細書の残りにおいてより詳細に示す。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本開示の実施形態例によるＲＦシステム例を示す回路図である。
【図２】本開示の実施形態例によるＲＦシステム例を示す図である。
【図３】本開示の実施形態例による基板上に実装されたＲＦシステム例を示す図である。
【図４】本開示の実施形態例による表面実装デバイスの一部として実装されたＲＦシステム例を示す図である。
【図５】本開示の実施形態例によるＲＦシステム例の模擬挿入損失例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本明細書および図面における符号の反復使用は、本開示の同じまたは類似の特徴または要素を表すことが意図されている。
現在の説明は例示的な実施形態だけの説明であり、例示的な構成で具現化される、本開示のより広い態様を限定することとして意図されていないことを当業者によって理解されたい。
【０００７】
本開示の態様例が、伝送線路にわたって通信されるＲＦ信号にＤＣバイアス電流を注入するためのシステムおよび方法を対象とする。例えば、ＲＦシステムが、第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号を通信するように構成された伝送線路を含むことができる。１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器が、第１のポートと第２のポートとの間の位置において伝送線路に結合することができる。１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器のそれぞれは、ＤＣバイアスを提供するためにＲＦ信号内へのＤＣ電流の注入のための経路を設けることができる。
【０００８】
本開示の態様例によれば、１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器のそれぞれは、小さな点接続部を使用して伝送線路に（例えば、第１のポートと第２のポートとの間の位置において）結合することができる。点接続部とは、伝送線路およびＤＣバイアス抵抗器の大きさに対して、伝送線路との小さな接点を有する接続部を表す。例えば、いくつかの実施形態において、点接続部は、伝送線路の長さの約２％未満など、伝送線路の長さの約１％未満など、伝送線路の長さの約０．５％未満など、伝送線路の長さの約５％未満である長さ（例えば、伝送線路との接点の長さ）を有することができる。本明細書では、数値に関連した「約（ａｂｏｕｔ）」という用語の使用は、数値の２０％以内を表すことが意図されている。
【０００９】
小さな点接続部を使用することによって、ＤＣバイアス電流は、ＤＣバイアス抵抗器を介して広い周波数範囲（例えば、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚ）にわたってＲＦ信号内に注入し、性能パラメータ（例えば、挿入損失）に対する影響は低減することができる。このようにして、ＤＣバイアス電流は、高周波トランジスタ、光変換機、レーザダイオード、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、または伝送線路に結合された他のデバイスなど、伝送線路にわたってＲＦシステムにおける能動デバイスに通信されるＲＦ信号に提供することができる。
【００１０】
いくつかの実施形態において、ＤＣバイアス抵抗器は、チップ接点を使用して伝送線路に結合することができる。チップ接点は、ＤＣバイアス抵抗器の一部を形成することができ、またはＤＣバイアス抵抗器と伝送線路との間に結合された別個の構造体であることができる。チップ接点は、ＤＣバイアス抵抗器と伝送線路との間に点接続部を設けるように適合された形状を有することができる。例えば、チップ接点は、チップ接点の狭小部分が伝送線路に結合されるように、次第に細くすることができる。いくつかの実施形態において、チップ接点は三角形を有することができる。三角形の先端は、伝送線路に結合することができる。チップ接点は、本開示の範囲から逸脱することなく点接続部を設けるように適合された他の適切な形状を有することができる。
【００１１】
いくつかの実施形態において、第１のＤＣバイアス抵抗器が、第１のチップ接点を介して伝送線路に結合することができる。第２のＤＣバイアス抵抗器が、第２のチップ接点を介して伝送線路に結合することができる。第１のチップ接点および第２のチップ接点のそれぞれは、伝送線路との点接続部を設けることができる。いくつかの実装形態において、第１のＤＣバイアス抵抗器および第２のＤＣバイアス抵抗器は、伝送線路に関して互いに鏡映することができる。これにより、例えば、表面実装デバイスを使用して実装されたとき、ＲＦシステムに、より良好な対称性をもたらすことができる。
【００１２】
実施形態例において、本開示の実施形態例によるＲＦシステムが、プリント回路板などの基板に取り付けられるように構成された表面実装デバイスに実装することができる。例えば、多ポート表面実装デバイスが、第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号を通信するための伝送線路を含むことができる。伝送線路は、窒化アルミニウム、アルミナ、または他の材料などの適切な誘電体基板上に設けた導電トレースとして実装することができる。伝送線路は、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの間などの広い範囲の周波数に関連したＲＦ信号を通信するのに適切な大きさを有することができる。いくつかの実施形態において、伝送線路は、接地面より上の表面実装デバイスに実装することができる。
【００１３】
第１のコンタクトパッドが、第１のポートを設けるために伝送線路の第１の端部に結合することができる。第２のコンタクトパッドが、第２のポートを設けるために伝送線路の第２の端部に結合することができる。コンタクトパッドは、銅または他の導電材料などの適切な導電材料で製作することができる。
【００１４】
薄膜ＤＣバイアス抵抗器が、本開示の実施形態例によるチップ接点を介して伝送線路に結合することができる。薄膜ＤＣバイアス抵抗器は、第１のポートと第２のポートとの間の位置においてチップ接点を介して伝送線路に結合することができる。薄膜バイアス抵抗器は、伝送線路にわたって通信されるＲＦ信号内へのＤＣバイアス電流の注入のための経路を設けることができる。いくつかの実施形態において、薄膜抵抗器は、ＣｒＳｉ材料または他の適切な材料から製作することができる。いくつかの実施形態において、薄膜抵抗器は、約１ｋオームの値を有することができる。
【００１５】
実施形態例において、第１の薄膜ＤＣバイアス抵抗器が、第１のチップ接続部を介して伝送線路に結合することができる。第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器が、第２のチップ接続部を介して伝送線路に結合することができる。表面実装デバイスは、第１の薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合された第３のコンタクトパッドを含むことができる。表面実装デバイスは、第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合された第４のコンタクトパッドを含むことができる。
【００１６】
本開示の実施形態例による表面実装デバイス（例えば、表面実装デバイスのコンタクトパッド）は、任意の適切な接続部を使用してプリント回路板などの基板上の他の構成部品に電気的に結合することができる。例えば、表面実装デバイスは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）接続部または他の適切な接続部を含むことができる。
【００１７】
実施形態例が例示および説明のために以下に提供される。本開示の一実施形態例が、無線周波数（ＲＦ）システムを対象とする。ＲＦシステムは、第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号（例えば、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの間の周波数に関連した）を通信するように構成された伝送線路を含む。ＲＦシステムは、第１のポートと第２のポートとの間の位置において伝送線路に結合された１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器を含む。各ＤＣバイアス抵抗器は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを提供するために伝送線路にＤＣ電流を注入するための経路を設ける。各ＤＣバイアス抵抗器は、点接続部を使用して伝送線路に結合することができる。
【００１８】
本開示のこの実施形態例に変形および変更を加えることができる。例えば、いくつかの実施形態において、点接続部は、伝送線路の長さの、約２％未満など、約１％未満など、約０．５％未満など、約５％未満である長さを有することができる。いくつかの実施形態において、ＲＦシステムは、伝送線路に結合されたＤＣ阻止コンデンサを含むことができる。
【００１９】
いくつかの実施形態において、点接続部は、チップ接点を使用して実装することができる。チップ接点は次第に細くすることができる。いくつかの例において、チップ接点は三角形を有することができる。三角形の先端は、伝送線路に結合することができる。いくつかの実施形態において、チップ接点は、ＤＣバイアス抵抗器の一部を形成する。いくつかの実施形態において、チップ接点は、ＤＣバイアス抵抗器と伝送線路との間に結合された構造体である。
【００２０】
いくつかの実施形態において、１つまたは複数のＤＣバイアス抵抗器は、第１のチップ接点を介して伝送線路に結合された第１のＤＣバイアス抵抗器と、第２のチップ接点を介して伝送線路に結合された第２のＤＣバイアス抵抗器とを含むことができる。第１のＤＣバイアス抵抗器と第１のチップ接点および第２のＤＣバイアス抵抗器と第２のチップ接点は、伝送線路に関して互いに鏡映することができる。
【００２１】
いくつかの実施形態において、第１のポートは、能動デバイスに結合することができる。能動デバイスは、例えば、トランジスタ、ＡＳＩＣ、光変換機、レーザダイオードなどを含むことができる。
【００２２】
本開示の別の実施形態例が、表面実装デバイスを対象とする。表面実装デバイスは、第１の端部と第２の端部とを有する平面伝送線路を含むことができる。伝送線路は、例えば、誘電体基板上に設けることができる。表面実装デバイスは、第１の端部と第２の端部との間の位置においてチップ接点（例えば、次第に細くされたチップ接点）を介して平面伝送線路に結合された薄膜ＤＣバイアス抵抗器（例えば、ＣｒＳｉ材料を備える）を含むことができる。第１のコンタクトパッドが、平面伝送線路の第１の端部に結合することができる。第２のコンタクトパッドが、平面伝送線路の第２の端部に結合することができる。第３のコンタクトパッドが、薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合することができる。
【００２３】
本開示のこの実施形態例に変形および変更を加えることができる。例えば、いくつかの実施形態において、チップ接点は、伝送線路の長さの約２％未満など、伝送線路の長さの約１％未満など、伝送線路の長さの約０．５％未満など、伝送線路の長さの約５％未満である長さを有する点接続部を介して平面伝送線路に結合される。
【００２４】
いくつかの実施形態において、表面実装デバイスは、第２のチップ接点を介して平面伝送線路に結合された第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器を含むことができる。第４のコンタクトパッドが、第２の薄膜ＤＣバイアス抵抗器に結合することができる。
【００２５】
本開示のさらに別の実施形態例が、伝送線路にＤＣバイアスを提供する方法を対象とする。方法は、平面伝送線路の第１のポートから平面伝送線路の第２のポートにＲＦ信号（例えば、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの間の周波数に関連した）を通信するステップを含む。平面伝送線路は、誘電体基板上に設けることができる。方法は、薄膜ＤＣバイアス抵抗器を介してＲＦ信号にＤＣ電流バイアスを注入するステップを含むことができる。ＤＣバイアス抵抗器は、点接続部を伝送線路に提供するチップ接点を使用して第１のポートと第２のポートとの間の位置において伝送線路に結合することができる。本開示のこの実施形態例に変形および変更を加えることができる。
【００２６】
図は、本開示の実施形態例の例示および説明のために提供される。図１は、本開示の実施形態例によるＲＦシステム例１００の略図を示す。システム１００は、第１のポート１１２と第２のポート１１４との間でＲＦ信号を通信するように構成された伝送線路１１０を含む。ＲＦ信号は、広い範囲の周波数に関連することができる。例えば、実施形態例において、ＲＦ信号は、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの範囲における周波数または周波数帯に関連することができる。
【００２７】
能動デバイス１４０が、第１のポート１１２に結合することができる。能動デバイス１４０は、伝送線路にわたって通信されるＲＦ信号に少なくとも一部基づいて動作し、および／または受信する任意の適切なデバイスであることができる。実施形態例において、能動デバイスは、例えば、高周波トランジスタ、ＡＳＩＣ、光学デバイス、または他のデバイスであることができる。
【００２８】
ＤＣバイアス抵抗器１２０が、第１のポート１１２と第２のポート１１４との間の位置において伝送線路１１０に結合することができる。ＤＣバイアス抵抗器１２０は、例えば、薄膜抵抗器であることができる。ＤＣバイアス抵抗器１２０は、伝送線路１１０にわたって通信されるＲＦ信号内へのＤＣ電流の注入のための経路を設けることができる。ＤＣバイアス電流は、例えば、第３のポート１２２から提供することができる。ＤＣバイアス抵抗器１２０は、点接続部１２５を使用して伝送線路１１０に結合することができる。点接続部例を以下に詳細に説明する。
【００２９】
任意選択で、ＲＦシステム１００は、ＤＣ阻止コンデンサ１３０を含むことができる。ＤＣ阻止コンデンサ１３０は、ＤＣバイアス抵抗器１２０を経由してＲＦ信号に注入されたＤＣバイアス成分を阻止することができる。これらの実施形態例において、第１のポート１１２は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを提供することができ、第２のポート１１４は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを何も提供しないことができ、第３のポート１２２は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを実装するためのＤＣ電流を提供することができる。
【００３０】
図２は本開示の別の実施形態例によるＲＦシステム１００を示す。図２のＲＦシステム１００は、ＲＦシステム１００が、第１のポート１１２と第２のポート１１４との間の位置において伝送線路１１０に結合された第２のＤＣバイアス抵抗器１５０をさらに含むことを除いて、図１のものと同様である。第２のＤＣバイアス抵抗器１５０は、例えば、薄膜抵抗器であることができる。第２のＤＣバイアス抵抗器１５０は、伝送線路１１０にわたって通信されるＲＦ信号内へのＤＣ電流の注入のための経路を設けることができる。ＤＣバイアス電流は、例えば、第４のポート１５２から提供することができる。ＤＣバイアス抵抗器１２０は、点接続部１２５を使用して伝送線路１１０に結合することができる。点接続部例を以下に詳細に説明する。
【００３１】
図２の実施形態例において、第１のポート１１２は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを提供することができる。第２のポート１１４は、ＲＦ信号にＤＣバイアスを何も提供しないことができる。第３のポート１２２は、ＤＣバイアスの少なくとも一部をＲＦ信号に実装するためのＤＣ電流を提供することができ、第４のポート１５２は、ＤＣバイアスの少なくとも一部をＲＦ信号に実装するためのＤＣ電流を提供することができる。
【００３２】
図２は例示および説明のために伝送線路１１０に結合された２つのＤＣバイアス抵抗器を示す。本明細書に提供される本開示を使用する当業者は、本開示の範囲から逸脱することなく、より多いまたはより少ないＤＣバイアス抵抗器が伝送線路１１０に結合することができることを理解するであろう。
【００３３】
図３は、例えば、表面実装デバイスに使用することができるＲＦシステム２００の実装形態例の一部分の平面図を示す。システム２００は伝送線路２１０を含む。伝送線路２１０は、誘電体基板上の導電トレースとして実装することができる。伝送線路２１０は、伝送線路２１０の第１の端部において第１の導電パッド２１２に結合することができる。伝送線路２１０は、伝送線路２１０の第２の端部において第２の導電パッド２１４に結合することができる。
【００３４】
ＲＦ信号は、伝送線路２１０にわたって通信することができる。第１の導電パッド２１２は、ＲＦシステムの第１のポートとして働くことができ、または第１のポートと通信することができる。第２の導電パッド２１４は、ＲＦシステムの第２のポートとして働くことができ、または第２のポートと通信することができる。伝送線路２１０は、第１のポートと第２のポートとの間でＲＦ信号を通信することができる。
【００３５】
いくつかの実施形態において、伝送線路２１０は、様々な異なる周波数範囲にわたるＲＦ信号に対応する大きさおよび寸法にされる。いくつかの実施形態において、伝送線路２１０は、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚの範囲におけるＲＦ信号に対応する大きさにされる。
【００３６】
第１のＤＣバイアス抵抗器２２０が、伝送線路２１０の第１の端部と第２の端部との間の位置において第１のチップ接点２２５を介して伝送線路２１０に結合することができる。第１のＤＣバイアス抵抗器２２０は、伝送線路２１０にわたって通信されるＲＦ信号内へのＤＣ電流バイアスの注入のための経路を設けることができる。第３のコンタクトパッド２５２が、伝送線路２１０に結合することができる。第３のコンタクトパッド２５２が、ＲＦシステム２００の第３のポートとして働くことができ、および／または第３のポートと通信することができる。
【００３７】
第１のチップ接点２２５は、点接続部２２７に伝送線路２１０を提供することができる。第１のチップ接点２２５は、第１のＤＣバイアス抵抗器２２０の一部を形成することができ、または第１のＤＣバイアス抵抗器２２０と別個の構造体であることができる。図示するように、第１のチップ接点２２５は、第１のチップ接点２２５のより狭い部分が伝送線路に結合されるように、次第に細くされる。より詳細には、第１のチップ接点２２５は三角形を有する。三角形の先端が伝送線路２１０に接触している。
【００３８】
第２のＤＣバイアス抵抗器２５０が、伝送線路２１０の第１の端部と第２の端部との間の位置において第２のチップ接点２５５を介して伝送線路２１０に結合することができる。第２のＤＣバイアス抵抗器２２０は、伝送線路２１０にわたって通信されるＲＦ信号内へのＤＣ電流バイアスの注入のための経路を設けることができる。第４のコンタクトパッド２５２が、伝送線路２１０に結合することができる。第４のコンタクトパッド２５２は、ＲＦシステム２００の第４のポートとして働くことができ、および／または第４のポートと通信することができる。
【００３９】
第２のチップ接点２５５は、点接続部２５７に伝送線路２１０を提供することができる。第２のチップ接点２５５は、第２のＤＣバイアス抵抗器２５０の一部を形成することができ、または第２のＤＣバイアス抵抗器２５０と別個の構造体であることができる。図示するように、第２のチップ接点２５５は、第２のチップ接点２５５のより狭い部分が伝送線路に結合されるように、次第に細くされる。より詳細には、第１のチップ接点２５５は三角形を有する。三角形の先端が伝送線路２１０と接触している。図３に示すように、第１のＤＣバイアス抵抗器２２０および第２のＤＣバイアス抵抗器２５０は、対称性の改善をもたらすために伝送線路２１０に関して互いに鏡映する。
【００４０】
図４は、本開示の実施形態例による表面実装デバイス３００上の図３のＲＦシステム２００の実装形態例の一部分を示す。伝送線路２１０は誘電体基板上に実装することができる。誘電体基板は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナなどから形成することができる。基板は、コンタクトパッド２１２、２１４、２２２、および２５２に接続するための端子を含むことができる。端子は、例えば、例えば、１０μｍの大きさに関連した銅端子であることができる。コンタクトパッドは、約０．２ｍｍｘ０．２ｍｍの大きさを有することができる。表面実装デバイスは、ボールグリッドアレイを使用して、例えば、プリント回路板に接続するように構成することができる。いくつかの実施形態において、表面実装デバイスは、約１．４ｍｍの長さ、約１．２ｍｍの幅、および約０．５ｍｍの高さを有することができる。
【００４１】
図５は、本開示の実施形態例によるＲＦシステム２００の挿入損失パラメータ例を示す。図５は、縦軸に沿って挿入損失（単位ｄＢ）および横軸に沿ってＲＦ信号周波数を作図したものである。曲線４１０は、第３および第４のポートが接地された場合の挿入損失を示す。曲線４２０は、図３に示すように、第３および第４のポートがＤＣバイアス抵抗器を用いて構成された場合の挿入損失を示す。明らかにしたように、ＤＣバイアス電流の注入のためのＤＣバイアス抵抗器の包含は、広い周波数範囲（例えば、約５００ＭＨｚから約４０ＧＨｚ）にわたってＲＦシステムの挿入損失に対してほとんど影響を有していない。
【００４２】
本主題をその具体的な実施形態例に関して詳細に説明してきたが、前述のものの理解を達成し次第、そのような実施形態の改変形態、変形形態、および等価形態を当業者が容易に作り出すことができることが理解されよう。したがって、本開示の範囲は、限定によるのではなく例によるものであり、当業者には容易に明らかであるように、主題の開示は、本主題のそのような変更形態、変形形態および／または追加形態の包含を除外しない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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