(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、接地層、マイクロストリップアンテナ層を有するメアンダラインアンテナ構造であって、
前記接地層は、前記基板の片側に設置され、
前記マイクロストリップアンテナ層は、前記基板の、前記接地層とは異なる片側に設置され、
前記マイクロストリップアンテナ層は、少なくとも１個の放射ユニットを有し、
前記放射ユニットは蛇行状を呈し、かつ陥没エリアを形成し、
前記放射ユニットの全長は、作動周波数に対応し、０．８個の波長から１．２個の波長の間の長さで、
前記放射ユニットは、信号入力端を有し、入力信号を受信し、放射エネルギーを備える電磁波を発する、ことを特徴とする、
メアンダラインアンテナ構造。
【請求項２】
前記全長は１個の波長の長さであることを特徴とする、請求項１に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項３】
前記放射ユニットは、ヘッドセクション、第一放射セクション、トランシジョンセクション、第二放射セクション、テールセクションを有し、順番に垂直に連接し、蛇行状を呈し、前記第一放射セクション、前記トランシジョンセクション、前記第二放射セクションは連接して前記陥没エリアを形成し、前記放射ユニットの全長は、前記ヘッドセクションから前記テールセクションまでの長さであることを特徴とする、請求項２に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項４】
前記放射ユニットは複数あり、前後に並んで順番につながりアンテナアレイを形成し、前にある放射ユニットは、そのテールセクションにより、後ろにある放射ユニットのヘッドセクションとつながり、前記蛇行状に続くことを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項５】
前記アンテナアレイは複数あり、横に並んで配列され、相互に隣り合う任意の２個の前記アンテナアレイの間は、間隔を開けることを特徴とする、請求項４に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項６】
前記間隔の距離は、１個の波長の長さのおよそ二分の一に対応することを特徴とする、請求項５に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項７】
前記マイクロストリップアンテナ層は、相互に隣り合う前記アンテナアレイ間に、デカップリングユニットをさらに有し、前記デカップリングユニットは、導電部及び複数のサプレッサーを有し、前記複数のサプレッサーは、前記導電部から側方へと延伸し、櫛状を呈し、前記導電部は、前記接地層に電気的に連接し、前記各サプレッサーは、前記陥没エリアに伸長して設置され、これにより前記サプレッサーは陥没エリア中で、対応する放射ユニットの誘導電流を抑制することを特徴とする、請求項５に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項８】
前記各サプレッサーの長さは、前記１個の波長の長さのおよそ四分の一に対応することを特徴とする、請求項７に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項９】
前記各サプレッサーが陥没エリア中へと伸長して設置される長さはトランシジョンセクションに近いが、前記放射ユニットに接触しないことを特徴とする、請求項７に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１０】
前記各導電部と前記接地層の間には、前記基板を貫通し、電気的に連接する複数の連接部を設置し、前記各連接部は、導電部の複数のサプレッサーに対応して設置されることを特徴とする、請求項７に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１１】
前記ヘッドセクションと前記テールセクションの内の任意のいずれかの長さは前記トランシジョンセクションの長さの半分であることを特徴とする、請求項４に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１２】
前記作動周波数は７７ＧＨｚであることを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１３】
前記ヘッドセクション、前記第一放射セクション、前記トランシジョンセクション、前記第二放射セクション及び前記テールセクションの幅は、線幅を備え、前記線幅と前記１個の波長の長さの比率は、１：１０から１：３０であることを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１４】
前記ヘッドセクション、前記第一放射セクション、前記トランシジョンセクション、前記第二放射セクション及び前記テールセクションの幅は、線幅を備え、前記陥没エリアは、陥没幅及び陥没深さを備え、前記トランシジョンセクションの長さ、前記陥没深さ、或いは前記陥没幅と前記線幅の比率は６：１から１０：１であることを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１５】
前記比率は８：１であることを特徴とする、請求項１４に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１６】
前記信号入力端は交流信号を入力し、前記放射ユニットは、前記信号入力端とは異なる一端に、最終端を有し、前記最終端は開放状を呈し、前記基板以外の部材に連接しないことを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【請求項１７】
前記放射ユニットと前記接地層は、相互に電気的に連接しないことを特徴とする、請求項３に記載のメアンダラインアンテナ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ構造に関し、特にハーフパワービーム幅を増大させることができるメアンダラインアンテナ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、直列接続のマイクロストリップアンテナアレイを開示する。
この従来のマイクロストリップアンテナアレイは、伝送線セクション及び放射部材が直列接続して構成され、通電することで、伝送線セクションを経由して電流信号を導入し、放射部材により、放射エネルギーを備える電磁波を生じ、これにより電磁波は物件感知を行う。
【０００３】
しかし、上述の従来のマイクロストリップアンテナアレイでは、放射部材が電磁波を発生する時の放射方向が皆同じであるため、ハーフパワービーム幅（Ｈａｌｆ  Ｐｏｗｅｒ  Ｂｅａｍ  Ｗｉｄｔｈ、ＨＰＢＷ）が制限を受け拡大できないと言う問題がある。
この他、上述の従来のマイクロストリップアンテナアレイは複数あるため、相互に隣り合うマイクロストリップアンテナアレイの間で、放射干渉の現象が起き、前に直列接続される放射部材の放射エネルギーが相対的に強くなり、直列接続較後の放射部材の放射エネルギーが明らかに弱くなると言う影響がある。
更に、マイクロストリップアンテナアレイはこれにより指向性の偏差を生じ、マイクロストリップアンテナアレイ全体の感知効果は悪くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第ＵＳ０４１８０８１７Ａ号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記先行技術には、ハーフパワービーム幅が制限を受け拡大できず、また複数のマイクロストリップアンテナアレイの隣り合うマイクロストリップアンテナアレイ間で放射干渉の現象が起き、前に直列接続される放射部材の放射エネルギーが相対的に強くなり、直列接続較後の放射部材の放射エネルギーが明らかに弱くなると言う影響があり、しかもマイクロストリップアンテナアレイはこれにより指向性の偏差を生じ、マイクロストリップアンテナアレイ全体の感知効果は悪くなってしまうと言う欠点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明はハーフパワービーム幅を増大させ、感知範囲を拡大させられるメアンダラインアンテナ構造に関する。
【０００７】
本発明によるメアンダラインアンテナ構造は、基板、接地層及びマイクロストリップアンテナ層を有する。
接地層は、基板の片側に設置され、マイクロストリップアンテナ層は、接地層とは異なる基板の片側に設置される。
マイクロストリップアンテナ層は、少なくとも１個の放射ユニットを有し、該放射ユニットは蛇行状を呈し、しかも陥没エリアを形成し、放射ユニットの全長は、作動周波数に対応し、０．８個の波長から１．２個の波長の間の長さである。
放射ユニットは、信号入力端を有し、入力信号を受信し、放射エネルギーを備える電磁波を発する。
【０００８】
一実施形態中において、該全長は１個の波長の長さである。
【０００９】
一実施形態中において、該放射ユニットは、ヘッドセクション、第一放射セクション、トランシジョンセクション、第二放射セクション、テールセクションを有し、順番に垂直に連接し、蛇行状を呈し、第一放射セクション、トランシジョンセクション及び第二放射セクションは連接して陥没エリアを形成し、該放射ユニットの全長は、ヘッドセクションからテールセクションまでの長さである。
【００１０】
一実施形態中において、該放射ユニットは複数あり、前後に並んで順番につながりアンテナアレイを形成し、前にある放射ユニットは、そのテールセクションにより、後ろにある放射ユニットのヘッドセクションとつながり、該蛇行状に続く。
【００１１】
一実施形態中において、該アンテナアレイは複数あり、横に並んで配列され、相互に隣り合う任意の２個のアンテナアレイの間は、間隔を開ける。
【００１２】
一実施形態中において、間隔距離は該１個の波長の長さの二分の一に対応する。
【００１３】
一実施形態中において、相互に隣り合うアンテナアレイの間に、デカップリングユニットをさらに有し、デカップリングユニットは、導電部及び複数のサプレッサーを有し、複数のサプレッサーは、導電部から側方へと延伸し、櫛状を呈し、導電部は、接地層に電気的に連接し、各サプレッサーは、該陥没エリアに伸長して設置され、これにより該サプレッサーは陥没エリア中で、対応する放射ユニットの誘導電流を抑制する。
【００１４】
一実施形態中において、各サプレッサーの長さは該１個の波長の長さの四分の一に対応する。
【００１５】
一実施形態中において、各サプレッサーが陥没エリア中に伸長して設置される長さはトランシジョンセクションに近いが、該放射ユニットに接触しない。
【００１６】
一実施形態中において、各導電部と接地層の間には、基板を貫通し、電気的に連接する複数の連接部を設置し、連接部は、導電部の複数のサプレッサーに対応して設置される。
【００１７】
一実施形態中において、ヘッドセクションとテールセクションの内の任意のいずれかの長さはトランシジョンセクションの長さの半分である。
【００１８】
一実施形態中において、作動周波数は７７ＧＨｚである。
【００１９】
一実施形態中において、ヘッドセクション、第一放射セクション、トランシジョンセクション、第二放射セクション及びテールセクション等の幅は、線幅を備え、線幅と該１個の波長の長さの比率は、約１：１０から１：３０である。
【００２０】
一実施形態中において、ヘッドセクション、第一放射セクション、トランシジョンセクション、第二放射セクション及びテールセクション等の幅は、線幅を備え、陥没エリアは、陥没幅及び陥没深さを備え、トランシジョンセクションの長さ、陥没深さ、或いは陥没幅と線幅の比率は６：１から１０：１である。
【００２１】
一実施形態中において、該比率は好ましくは８：１である。
【００２２】
一実施形態中において、信号入力端は交流信号を入力し、放射ユニットは信号入力端とは異なる一端に、最終端を有し、最終端は開放状を呈し、基板以外の部材に連接しない。
【００２３】
一実施形態中において、放射ユニットと接地層は、相互に電気的に連接しない。
【００２４】
上記のように、マイクロストリップアンテナ層のヘッドセクションからテールセクションまでの全長は、作動周波数に対応し、０．８個の波長から１．２個の波長の長さに設計され、好ましくは約１個の波長の長さで、これにより電磁波の最大放射エネルギーは第一放射セクションと第二放射セクションで産生され、干渉現象を経て、ハーフパワービーム幅を増大させ、物件感知可能な幅範囲を拡大する。
この他、マイクロストリップアンテナ層は、複数の放射ユニットが前後に並び順番につながってアンテナアレイを形成し、前の放射ユニットと後ろにある放射ユニットは蛇行状に続いてつながり、アンテナアレイはこれにより放射エネルギー集中の効果を達成し、こうしてマイクロストリップアンテナ層は良好な指向性を維持できる。
さらに、マイクロストリップアンテナ層はアンテナアレイの間にデカップリングユニットを設置し、サプレッサーは陥没エリア中で対応する放射ユニットの誘導電流を抑制する。
これにより、アンテナアレイは平均に分布する電流密度を後ろの方の放射ユニットまで伝達し、これによりハーフパワービーム幅をさらに増大させ、しかもより良い指向性を達成する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明第一実施形態によるメアンダラインアンテナ構造の平面構造模式図である。
【図２】図１の２−２でカットした断面模式図である。
【図３】本発明実施形態のアレイアンテナ及びその放射ユニットの局部拡大構造模式図であり、放射ユニットの全長が全波長の長さに対応する関係を示す。
【図４】本発明実施形態のアレイアンテナ及びその放射ユニットの別種の局部拡大構造模式図である。
【図５】本発明第一実施形態によるメアンダラインアンテナ構造と従来のマイクロストリップアンテナのビームパターン比較図である。
【図６】本発明第二実施形態によるメアンダラインアンテナ構造の平面構造模式図である。
【図７】図６の７−７でカットした断面図である。
【図８】本発明第二実施形態のデカップリングユニットの局部拡大構造模式図である。
【図９】（ａ）本発明第二実施形態のアンテナアレイの間未設デカップリングユニットの電流密度分布図である。（ｂ）本発明第二実施形態においてアンテナアレイの間にデカップリングユニットを設置した電流密度分布図である。
【図１０】本発明実施形態においてアンテナアレイの間にデカップリングユニットが設置された場合と、デカップリングユニットが未設置の場合のビームパターン比較図である。
【図１１】本発明実施形態においてアンテナアレイの間にデカップリングユニットが設置された場合と、デカップリングユニットが未設置の場合のアイソレーション曲線比較図である。
【図１２】本発明実施形態においてアンテナアレイの間にデカップリングユニットが設置された場合と、デカップリングユニットが未設置の場合のサイドローブレベル比較図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（一実施形態）
図１〜図６に示す通り、本発明によるメアンダラインアンテナ構造１００の第一実施形態は、基板１０、接地層２０及びマイクロストリップアンテナ層３０を有し、短距離レーダーに応用される。
【００２７】
基板１０は、相互に異なる両側を有し、接地層２０は、基板１０の片側に設置される。
マイクロストリップアンテナ層３０は、接地層２０とは異なる基板１０の片側に設置される。
基板１０は、誘電材料で製造され、これにより接地層２０とマイクロストリップアンテナ層３０の間は絶縁され、導電しない。
【００２８】
マイクロストリップアンテナ層３０（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  Ａｎｔｅｎｎａ  Ｌａｙｅｒ）は、少なくとも１個の放射ユニット４０を有する。
図３に示す通り、放射ユニット４０は、蛇行状（Ｍｅａｎｄｅｒ  Ｓｈａｐｅ）を呈する。
本実施形態中では、順番に垂直に連接するヘッドセクション４１、第一放射セクション４２、トランシジョンセクション４３、第二放射セクション４４、テールセクション４５を有し、第一放射セクション４２、トランシジョンセクション４３、第二放射セクション４４は連接して陥没エリア４６を形成する。
放射ユニット４０の、ヘッドセクション４１からテールセクション４５までの全長は、作動周波数に対応し、０．８個の波長から１．２個の波長の間の長さである。
放射ユニット４０は、信号入力端４７を有し、入力信号を受信し、放射エネルギーを備える電磁波を発する。
本実施形態中では、波長は、１個の波長が好ましく、放射ユニット４０のヘッドセクション４１からテールセクション４５までの全長は１個の波長の全波長λの長さである。
【００２９】
本実施形態中では、マイクロストリップアンテナ層３０は、４個のアンテナアレイ５０を有する。
この４個のアンテナアレイ５０は、基板１０上で横に並んで配列され、相互に隣り合う任意の２個のアンテナアレイ５０の間は、間隔を開ける。
上記の間隔距離は、１個の波長の長さのおよそ二分の一に対応する。
各アンテナアレイ５０は、本実施形態では、多数の放射ユニット４０で、前後に並び順番につながり形成される。
前にある放射ユニット４０は、そのテールセクション４５により、後ろにある放射ユニット４０のヘッドセクション４１とつながり、蛇行状に続く。
本実施形態中では、作動周波数は７７ＧＨｚであるが、これに限定されない。
本実施形態の１個のアンテナアレイ５０は全体で、１０個の波長を産生する。
【００３０】
本実施形態のアンテナアレイ５０がつながる第１個の放射ユニット４０は、信号入力端４７を有する。
アンテナアレイ５０がつながる最後の１個の放射ユニット４０は、最終端４８を有する（図３参照）。
信号入力端４７が入力する入力信号は交流信号である。
最終端４８は、放射ユニット４０上にあり、アンテナアレイ５０の信号入力端４７とは異なる一端に位置し、最終端４８は開放状を呈して、基板１０上で、アンテナアレイ５０の末端に位置する。
この他、本実施形態のアンテナアレイ５０がつながる放射ユニット４０はどれも、接地層２０と相互に電気的に連接しないことが好ましい。
【００３１】
本実施形態中では、アンテナアレイ５０から放射ユニット４０をキャプチャーした局部拡大図である図３に示す通り、例として作動信号を７７ＧＨｚ、交流信号は正弦波波形を呈するため、接点Ａ、中間点Ｂ、接点Ｃを有する。
図中の接点Ａから接点Ｃまでの長さは、放射ユニット４０の全長で、約４ｍｍである。
さらに、本実施形態のヘッドセクション４１、第一放射セクション４２、トランシジョンセクション４３、第二放射セクション４４、テールセクション４５の幅は等しく、線幅Ｗ１を有する。
この線幅Ｗ１と１個の波長の長さの比率は、約１：１０から１：３０で、本実施形態中では、１：２０が好ましい比率である。
この他、本実施形態の陥没エリア４６は、陥没幅Ｗ２及び陥没深さＨ１を備え、陥没幅Ｗ２はおよそ０．５７ｍｍで、陥没深さＨ１はおよそ０．６６ｍｍである。  
トランシジョンセクション４３の長さＨ２と線幅Ｗ１の比率、陥没深さＨ１と線幅Ｗ１の比率、或いは陥没幅Ｗ２と線幅Ｗ１の比率は６：１〜１０：１で、好ましい比率は８：１である。
【００３２】
図５は、従来のマイクロストリップアンテナと本発明実施形態によるメアンダラインアンテナ構造１００のビームパターン比較図（Ｘ−Ｚ軸方向の参考平面で見られるアンテナ放射パターン）である。
従来のマイクロストリップアンテナのビームパターンは鎖線で表示し、本発明実施形態によるメアンダラインアンテナ構造１００のビームパターンは、実線で示す。
従来のマイクロストリップアンテナと本発明実施形態によるメアンダラインアンテナ構造１００のビームパターンを比較したところ以下のことが分かった。
従来のマイクロストリップアンテナにおいて、−３ｄＢを基準としたハーフパワービーム幅が達する挟角（即ち２個のＰ１の角度）は８４°であるが、本発明実施形態によるメアンダラインアンテナ構造１００では、放射ユニット４０が電磁波を生じる時の放射方向が同方向ではないため、マイクロストリップアンテナ層３０の、−３ｄＢを基準としたハーフパワービーム幅の挟角（即ち２個のＰ２の角度）は１２８°に達する。
即ち、従来のマイクロストリップアンテナのハーフパワービームに比べ、本発明では幅が外へと拡張し４４°増大し、物件を感知可能な幅が大幅に拡大する。
この他、本実施形態のアンテナアレイ５０は、多数の放射ユニット４０が前後に並び順番につながるため、放射エネルギー集中の効果を達成でき、これによりマイクロストリップアンテナ層３０は良好な指向性を維持できる。
【００３３】
図６〜図１２に示す通り、本発明の第二実施形態と、第一実施形態との主要な差異は以下の通りである。
本実施形態では、相互に隣り合うアンテナアレイ５０の間に、デカップリングユニット６０をさらに有する。
図６及び図８に示す通り、デカップリングユニット６０は、導電部６１及び複数のサプレッサー６２を有する。
複数のサプレッサー６２は、本実施形態では、導電部６１から側方へと垂直に延伸し、櫛状を呈する。
本実施形態中では、導電部６１の両側に共にサプレッサー６２を有し、しかも両側のサプレッサー６２の導電部６１における設置位置は互い違いである。
各サプレッサー６２の長さＬは、１個の波長の長さのおよそ四分の一に対応する。
各サプレッサー６２が、陥没エリア４６中で伸長して設置される長さはトランシジョンセクション４３に近いが、サプレッサー６２と放射ユニット４０の間は相互に接触しない。
サプレッサー６２は、陥没エリア４６中で放射エネルギーがより強い位置に接近し伸長して設置されることが好ましい。
【００３４】
本実施形態中では、各導電部６１と接地層２０の間には、複数の連接部６３を設置する。
複数の連接部６３は基板１０をそれぞれ貫通し、導電部６１と接地層２０に電気的に連接し、しかも連接部６３は、導電部６１の複数のサプレッサー６２に対応する。
本実施形態では、導電部６１は、両側の各サプレッサー６２に対応し、それぞれ１個の連接部６３を設置する。
連接部６３は通路（Ｖｉａ）中で、銅材料により導体を形成し、これにより導電部６１は各サプレッサー６２所在の場所で接地層２０に電気的に連接し接地する。
この他、本実施形態では、基板１０において、マイクロストリップアンテナ層３０の片側に、サイド層７０を設置する。
サイド層７０は、接地層２０に電気的に連接し、各導電部６１は、一端がサイド層７０に電気的に連接し接地する。
さらに図６に示す通り、デカップリングユニット６０の各サプレッサー６２は、各放射ユニット４０の陥没エリア４６に伸長して設置され、これによりサプレッサー６２は、陥没エリア４６中で、対応する放射ユニット４０の誘導電流を抑制する。
【００３５】
本発明実施形態によるメアンダラインアンテナ構造１００において、図９（ａ）は、アンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０が未設置の電流密度分布を示し、図９（ｂ）はアンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０が設置されている電流密度分布を示す。
図９（ａ）に示す通り、デカップリングユニット６０未設置時には、アンテナアレイ５０の各第一放射セクション４２と第二放射セクション４４を流れる電流は、明らかに電流密度がより高く、エネルギーが発散されている状況がある。
そのため、相互結合（Ｍｕｔｕａｌ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）現象を生じ、電流がアンテナアレイ５０の後ろの方の放射ユニット４０に伝わると明らかに損耗の影響を引き起こし、エネルギー損耗を招き、エネルギー伝達に影響を及ぼす。
しかも、相互に隣り合うアンテナアレイ５０間は、相互結合現象により、放射エネルギー相互干渉の問題を生じる。
反対に、デカップリングユニット６０の設置時には、デカップリングユニット６０の作用はバンドパスフィルターに類似しているため、アンテナアレイ５０を流れる電流は、デカップリング効果（Ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｅｆｆｅｃｔ）を生じ、図９（ｂ）に示す通り、アンテナアレイ５０の電流密度は、サプレッサー６２の抑制を受ける。
これにより、エネルギーの損耗は減り、最後の１個の放射ユニット４０まで伝達させられ、しかも相互に隣り合うアンテナアレイ５０間には、デカップリングユニット６０が設置されているため、アンテナアレイ５０間に、電流導通により生じる放射に対してブロックを行う。
こうして、アンテナアレイ５０間の放射エネルギー相互干渉の問題の発生を回避できる。
【００３６】
図１０は、Ｘ−Ｚ軸方向の参考平面で見られるアンテナ放射パターンである。
アンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０を設置するメアンダラインアンテナ構造１００のビームパターン（実線で示す）から分かるが、前記のように、アンテナアレイ５０は、デカップリングユニット６０を設置するため、電流密度エネルギーの損耗は減り、エネルギー伝達は延長されており、アンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０を未設置のメアンダラインアンテナ構造１００のビームパターン（鎖線で表示）から分かるように、前者は、後者に比べ、信号強度が約１ｄＢまで拡大されている（図中に示す点Ｐ３は点Ｐ４より広がっている）。
【００３７】
さらに図１１に示す通り、アイソレーション（Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を区分標準とし、７６．５ＧＨｚの周波数においてアイソレーション比較を行う。
アンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０を設置するメアンダラインアンテナ構造１００のアイソレーション（図中では実線で示す）は、約−３０．４６ｄＢが好ましい。
アンテナアレイ５０の間にデカップリングユニット６０が未設置のメアンダラインアンテナ構造１００のアイソレーション（図中では鎖線で表示）は、約−２３．８８ｄＢが好ましい。
このように、前者は後者に比べ、アイソレーションが６．５８ｄＢ改善されている。
アンテナアレイ５０の間のアイソレーションの向上のために、基板１０上でアンテナアレイ５０の間の間隔を特別に開ける必要がないため、同一単位面積でアンテナアレイ５０の密度を高めることができる点は注目に値する。
【００３８】
Ｙ−Ｚ軸方向の参考平面で見られるアンテナ放射パターンを示す図１２に示す通り、サイドローブレベル（Ｓｉｄｅ  Ｌｏｂｅ  Ｌｅｖｅｌ、ＳＬＬ）は、デカップリングユニット６０を設置した場合（図中では実線で示す）では、デカップリングユニット６０を未設置の場合（図中では鎖線で表示）に比べ、明らかに衰減の傾向が見られる。
つまり、アンテナアレイ５０間にデカップリングユニット６０を設置した時には、サイドローブ間の交互作用、及びメインローブに対する影響は減弱し、アンテナアレイ５０の放射エネルギーは、不要な場所には伝わらないことが分かる。
よって、デカップリングユニット６０を設置した場合には、デカップリングユニット６０を未設置の場合に比べ、ピーク  ゲイン（Ｐｅａｋ  Ｇａｉｎ）及びサイドローブレベル（Ｓｉｄｅ  Ｌｏｂｅ  Ｌｅｖｅｌ、ＳＬＬ）でより良いパフォーマンスが見られ、さらに優れた指向性が達成される。
【００３９】
ここで説明を補充する。
上述の第二実施形態のデカップリングユニット６０は、実施形態中では、ヘッドセクション４１、第一放射セクション４２、トランシジョンセクション４３、第二放射セクション４４、テールセクション４５からなる放射ユニット４０が順番に垂直に連接するアンテナアレイ５０に応用されるが、デカップリングユニット６０は、他のアンテナ形態に応用することもでき、前述の放射ユニット４０が順番に垂直に連接するアンテナアレイ５０への応用に限定されない。
例えば、形状が稲妻状、波浪状、正方形アレイ直列接続等の蛇行状のアンテナアレイ（図示なし）に応用することもできる。
【００４０】
前述した本発明の実施形態は本発明を限定するものではなく、よって、本発明により保護される範囲は後述される特許請求の範囲を基準とする。
【符号の説明】
【００４１】
１００  メアンダラインアンテナ構造
１０  基板
２０  接地層
３０  マイクロストリップアンテナ層
４０  放射ユニット
４１  ヘッドセクション
４２  第一放射セクション
４３  トランシジョンセクション
４４  第二放射セクション
４５  テールセクション
４６  陥没エリア
４７  信号入力端
４８  最終端
５０  アンテナアレイ
６０  デカップリングユニット
６１  導電部
６２  サプレッサー
６３  連接部
７０  サイド層    
Ａ  接点
Ｂ  中間点
Ｃ  接点
Ｈ１  陥没深さ
Ｈ２  長さ
Ｘ、Ｙ、Ｚ  軸方向
Ｗ１  線幅
Ｗ２  陥没幅
λ  全波長
【図１】
0006975294.tif 000002
【図２】
0006975294.tif 000003
【図３】
0006975294.tif 000004
【図４】
0006975294.tif 000005
【図５】
0006975294.tif 000006
【図６】
0006975294.tif 000007
【図７】
0006975294.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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