(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置し、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側に位置するパッシベーション層と、
前記パッシベーション層の前記ベース基板から離れた側に位置する画素電極層と、
前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に位置するサブ画素間領域内に位置し、サブ画素領域を定義する画素定義層と、
前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に位置する前記サブ画素領域内に位置する有機発光層と、を含み、前記パッシベーション層を貫通するビアを備え、
前記画素電極層は前記ビアを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続され、
各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを備え、前記複数のサブ画素エリア各々における前記サブ画素領域の第１方向に沿った幅が、前記複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチから３０μｍを減じた値より大きくなるように、前記ビアは前記サブ画素領域内に位置する、前記サブ画素領域および前記サブ画素間領域を含むアレイ基板であって、
前記ビアに対応する前記画素電極層の第１部分は、前記ベース基板から離れた第１表面を有し、前記第１表面は、前記画素電極層の他の部分の前記ベース基板から離れた表面に対して凹んでおり、前記ビアは、前記有機発光層のエッジ部分に対応する領域内に位置し、前記有機発光層の前記エッジ部分は、前記有機発光層の中間部分と比べて厚みが大きく、
正孔輸送層の一部は、前記画素電極層の凹面内に充填され、前記正孔輸送層のエッジ部分は、前記正孔輸送層の中間部分と比べて厚みが大きい、アレイ基板。
【請求項２】
前記ビアの前記ベース基板上の投影は、前記アレイ基板内のどの画素定義層の前記ベース基板上の投影とも重ならない、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記有機発光層の前記ベース基板上の投影は、前記ビアの前記ベース基板上の投影を覆う、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記ビアの前記ベース基板上の投影を覆う、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極は前記サブ画素領域内に位置する、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影は、前記アレイ基板内のどの画素定義層の前記ベース基板上の投影とも重ならない、請求項５に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記有機発光層の前記ベース基板上の投影は、前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影を覆う、請求項５に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影を覆う、請求項５に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上の投影を覆う、請求項５に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記複数のサブ画素エリア各々における前記サブ画素領域の第１方向に沿った幅は、前記ピッチから１７μｍを減じた値である、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１１】
隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間
における前記画素定義層の第１方向に沿った幅は３０μｍ未満である、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１２】
隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間における前記画素定義層の第１方向に沿った幅は約１７μｍである、請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記複数のサブ画素エリア各々における前記有機発光層の第１方向に沿った幅は前記ピッチから３０μｍを減じた値より大きい、請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記複数のサブ画素エリア各々における前記有機発光層の第１方向に沿った幅は前記ピッチから１７μｍを減じた値である、請求項１３に記載のアレイ基板。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載のアレイ基板を備える、表示パネル。
【請求項１６】
ドレイン電極を備えるようにベース基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側にパッシベーション層を形成する工程と、
前記パッシベーション層の前記ベース基板から離れた側に画素電極層を形成する工程と、
前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に、サブ画素領域を定義する画素定義層を形成する工程と、
前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に有機発光層を形成する工程と、
前記パッシベーション層を貫通するビアを形成し、前記画素電極層は前記ビアを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続されるように形成される工程と、
を含み、
前記画素定義層はアレイ基板のサブ画素領域を定義し、
前記有機発光層は前記サブ画素領域内に形成され、
各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを備え、前記複数のサブ画素エリア各々における前記サブ画素領域の第１方向に沿った幅が、前記複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチから３０μｍを減じた値より大きくなるように、前記ビアは前記サブ画素領域内に形成される、アレイ基板の製造方法であって、
前記ビアに対応する前記画素電極層の第１部分は、前記ベース基板から離れた第１表面を有し、前記第１表面は、前記画素電極層の他の部分の前記ベース基板から離れた表面に対して凹んでおり、前記ビアは、前記有機発光層のエッジ部分に対応する領域内に位置し、前記有機発光層の前記エッジ部分は、前記有機発光層の中間部分と比べて厚みが大きく、
正孔輸送層の一部は、前記画素電極層の凹面内に充填され、前記正孔輸送層のエッジ部分は、前記正孔輸送層の中間部分と比べて厚みが大きい、アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示技術に関し、特に、アレイ基板、アレイ基板を有する表示パネル、並びにアレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置は自発光型デバイスであり、バックライトが不要である。従来の液晶表示（ＬＣＤ）装置と比べ、ＯＬＥＤ表示装置は色彩が一層鮮やかで色域がより広い。また、ＯＬＥＤ表示装置は、典型的なＬＣＤ装置よりも一層曲げやすく、薄く、軽く製作できる。
【０００３】
ＯＬＥＤ表示装置は、通常、アノードと、発光層を含む有機層と、カソードと、を含む。ＯＬＥＤは、ボトムエミッション型ＯＬＥＤあるいはトップエミッション型ＯＬＥＤのいずれであってもよい。ボトムエミッション型ＯＬＥＤにおいては、アノード側から光が抽出される。ボトムエミッション型ＯＬＥＤにおいては、アノードが一般に透明であるのに対し、カソードは一般に反射型である。トップエミッション型ＯＬＥＤにおいては、カソード側から光が抽出される。カソードが光学的に透明であるのに対し、アノードは反射型である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ひとつの側面において、本発明は、ベース基板と、前記ベース基板上に位置し、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側に位置するパッシベーション層と、前記パッシベーション層の前記ベース基板から離れた側に位置する画素電極層と、前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に位置するサブ画素間領域内に位置し、サブ画素領域を定義する画素定義層と、前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に位置する前記サブ画素領域内に位置する有機発光層と、を含み、前記パッシベーション層を貫通するビアを備え、前記画素電極層は前記ビアを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続され、前記ビアは前記サブ画素領域内に位置する、サブ画素領域およびサブ画素間領域を含むアレイ基板を提供する。
【０００５】
前記ビアの前記ベース基板上の投影は、前記アレイ基板内のどの画素定義層の前記ベース基板上の投影とも基本的に重ならなくてもよい。
【０００６】
前記有機発光層の前記ベース基板上の投影は、前記ビアの前記ベース基板上の投影を基本的に覆ってもよい。
【０００７】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記ビアの前記ベース基板上の投影を基本的に覆ってもよい。
【０００８】
前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極は前記サブ画素領域内に位置してもよい。
【０００９】
前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影は、前記アレイ基板内のどの画素定義層の前記ベース基板上の投影とも基本的に重ならなくてもよい。
【００１０】
前記有機発光層の前記ベース基板上の投影は、前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００１１】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記ドレイン電極の前記ベース基板上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００１２】
前記有機発光層の発光領域の前記ベース基板上の投影は、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００１３】
前記アレイ基板は、各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを備え、前記複数のサブ画素エリア各々における前記サブ画素領域の第１方向に沿った幅は、前記複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチから３０μｍを減じた値より大きくてもよい。
【００１４】
前記複数のサブ画素エリア各々における前記サブ画素領域の第１方向に沿った幅は、大体ピッチから１７μｍを減じた値であってもよい。
【００１５】
前記アレイ基板は、各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを備え、隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間における前記画素定義層の第１方向に沿った幅は３０μｍ未満であってもよい。
【００１６】
隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間における前記画素定義層の第１方向に沿った幅は約１７μｍであってもよい。
【００１７】
前記アレイ基板は、各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを備え、前記複数のサブ画素エリアは第１方向に沿ったピッチを有し、前記複数のサブ画素エリア各々における前記有機発光層の第１方向に沿った幅は前記ピッチから３０μｍを減じた値より大きくてもよい。
【００１８】
前記複数のサブ画素エリア各々における前記有機発光層の第１方向に沿った幅は、大体前記ピッチから１７μｍを減じた値であってもよい。
【００１９】
前記ビアに対応する前記画素電極層の第１部分は、前記ベース基板から離れた第１表面を有し、前記第１表面は前記画素電極層の他の部分の前記ベース基板から離れた表面に対して略水平であってもよい。
【００２０】
硬化した銀ペーストを前記ビア内に含んでもよい。
【００２１】
前記ビアに対応する前記画素電極層の第１部分は、前記ベース基板から離れた第１表面を有し、前記第１表面は前記画素電極層の他の部分の前記ベース基板から離れた表面に対して凹んでいてもよい。
【００２２】
ひとつの側面において、本発明は本開示で述べるアレイ基板を備える表示パネルを提供する。
【００２３】
ひとつの側面において、本開示は、ドレイン電極を備えるようにベース基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側にパッシベーション層を形成する工程と、前記パッシベーション層の前記ベース基板から離れた側に画素電極層を形成する工程と、前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に、サブ画素領域を定義する画素定義層を形成する工程と、前記画素電極層の前記パッシベーション層から離れた側に有機発光層を形成する工程と、前記パッシベーション層を貫通するビアを形成し、前記画素電極層は前記ビアを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続されるように形成される工程と、を含み、前記画素定義層は前記アレイ基板のサブ画素領域を定義し、前記有機発光層は前記サブ画素領域内に形成され、前記ビアは前記サブ画素領域内に形成される、アレイ基板の製造方法を提供する。
【００２４】
以下の図面は開示された様々な実施形態の例にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、従来型のアレイ基板の断面図である。
【図２】図２は、従来型のアレイ基板の平面図である。
【図３】図３は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の断面図である。
【図４】図４は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の平面図である。
【図５】図５は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では、実施形態を参照しつつ、本開示について具体的に説明する。なお、いくつかの実施形態に関する以下の説明は例示及び説明としてのものに過ぎない。開示されるそのままの形態は全てを網羅している訳ではなく、また、本開示はこれらに限定されるものでもない。
【００２７】
図１は、従来型のアレイ基板の断面図である。図２は、従来型のアレイ基板の平面図である。図１および図２を参照すると、いくつかの実施形態における従来型のアレイ基板はサブ画素領域Ｓおよびサブ画素間領域ＩＳを含む。従来型のアレイ基板は、ベース基板１と、ベース基板１に位置し、ドレイン電極５ａを有する薄膜トランジスタ５と、薄膜トランジスタ５のベース基板１から離れた側に位置するパッシベーション層２と、パッシベーション層２のベース基板１から離れた側に位置する画素電極層３と、画素電極層３のパッシベーション層２から離れた側に位置するサブ画素間領域ＩＳ内に位置し、サブ画素領域Ｓを定義する画素定義層４と、画素電極層３のパッシベーション層２から離れた側のサブ画素領域Ｓ内に位置する有機層７と、を含む。従来型のアレイ基板は、パッシベーション層２を貫通するビア６を含む。画素電極層３はビア６を介して薄膜トランジスタ５のドレイン電極５ａに電気的に接続される。従来型のアレイ基板において、薄膜トランジスタ５は画素定義層４によって完全に覆われている。例えば、ビア６はサブ画素間領域ＩＳ内に位置する。従来型のアレイ基板の開口率はやや小さい。
【００２８】
従来型のアレイ基板において、画素定義層４は一般に等辺台形の形状を有し、表面エネルギーの小さい疎水性材料により作製されており、こうすることでインク滴がサブ画素エリア外の画素定義層４まで溢れずにサブ画素エリア内で広がるようにしている。インクジェット印刷処理において、画素定義層４の傾き角およびインク滴と画素定義層４がお互いに接触時におけるその間の表面エネルギー差のために、画素定義層４のエッジ近くに位置するインク滴中の溶媒が急速に揮発する。完全に乾燥した後、インク滴はエッジ部分が厚く中間部分の薄い不均一な薄膜を生じ、これは「コーヒーリング効果」とも呼ばれる。このコーヒーリング効果のために、有機層７は不均一な厚みを有する。厚みが不均一な有機層７のために、発光分布は不均一となる。従来型のアレイ基板を有する表示パネルの画質が損なわれている。
【００２９】
そこで、本開示は、特に、従来技術における制限及び欠点に起因する一つ以上の課題を実質的に解消する、アレイ基板、それを有する表示パネル、並びにアレイ基板の製造方法を提供する。ひとつの側面において、本開示はサブ画素領域およびサブ画素間領域を有するアレイ基板を提供する。いくつかの実施形態において、アレイ基板は、ベース基板と、ベース基板に位置し、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのベース基板から離れた側に位置するパッシベーション層と、パッシベーション層のベース基板から離れた側に位置する画素電極層と、画素電極層のパッシベーション層から離れた側のサブ画素間領域内に位置し、サブ画素領域を定義する画素定義層と、画素電極層のパッシベーション層から離れた側のサブ画素領域内に位置する有機発光層と、を含む。アレイ基板は、パッシベーション層を貫通するビアを含む。画素電極層はビアを介して薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される。ビアはサブ画素領域内に位置する。
【００３０】
本明細書において、「サブ画素領域」とは、サブ画素の発光領域、例えば、有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板の発光層に対応する領域を指す。有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板における発光層は、発光部分および非発光部分を含んでもよく、本開示に関連して、サブ画素領域とは、有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板の発光層の発光部分に対応する領域を指す。画素は、画素内のサブ画素数に対応する若干数の独立した発光領域を含んでもよい。サブ画素領域は、赤色サブ画素の発光領域であってもよい。サブ画素領域は、緑色サブ画素の発光領域であってもよい。サブ画素領域は、青色サブ画素の発光領域であってもよい。サブ画素領域は、白色サブ画素の発光領域であってもよい。
【００３１】
本明細書において、「サブ画素間領域」とは、隣接するサブ画素領域の間の領域、例えば、有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板の画素定義層に対応する領域を指す。有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板における発光層は、発光部分および非発光部分を含んでもよく、本開示に関連して、サブ画素間領域は、有機発光ダイオード表示パネルまたは有機発光ダイオードアレイ基板の発光層の非発光部分に対応する領域を含んでもよい。サブ画素間領域は、同一の画素における隣接するサブ画素領域の間の領域であってもよい。サブ画素間領域は、２つの隣接する画素からの２つの隣接するサブ画素領域の間の領域であってもよい。サブ画素間領域は、赤色サブ画素のサブ画素領域と、隣接する緑色サブ画素のサブ画素領域との間の領域であってもよい。サブ画素間領域は、赤色サブ画素のサブ画素領域と、隣接する青色サブ画素のサブ画素領域との間の領域であってもよい。サブ画素間領域は、緑色サブ画素のサブ画素領域と、隣接する青色サブ画素のサブ画素領域との間の領域であってもよい。
【００３２】
本明細書において、「サブ画素エリア」とは、アレイ基板を有する表示パネル内の、サブ画素に対応するアレイ基板内の領域を指す。サブ画素エリアは、サブ画素領域およびサブ画素間領域を含む。
【００３３】
図３は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の断面図である。図４は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の平面図である。図３および図４を参照すると、いくつかの実施形態におけるアレイ基板はサブ画素領域Ｓおよびサブ画素間領域ＩＳを含む。アレイ基板には、複数のサブ画素エリアのアレイを含む。図３は、アレイ基板のひとつのサブ画素エリアを示したものである。アレイ基板は、ベース基板１と、ベース基板１に位置し、ドレイン電極５ａを有する薄膜トランジスタ５と、薄膜トランジスタ５のベース基板１から離れた側に位置するパッシベーション層２と、パッシベーション層２のベース基板１から離れた側に位置する画素電極層３と、画素電極層３のパッシベーション層２から離れた側に位置するサブ画素間領域ＩＳ内に位置し、サブ画素領域Ｓを定義する画素定義層４と、画素電極層３のパッシベーション層２から離れた側のサブ画素領域Ｓ内に位置する有機層７と、を含む。アレイ基板は、パッシベーション層２を貫通するビア６を含む。画素電極層３はビア６を介して薄膜トランジスタ５のドレイン電極５ａに電気的に接続される。図３および図４に示すように、ビア６はサブ画素領域Ｓ内にある。有機層７は有機発光層７ｂを含む。有機層７は一つ以上の有機機能層をさらに含んでもよい。
【００３４】
いくつかの実施形態において、有機層７は、有機発光層７ｂとサブ画素領域内の画素電極層３との間に位置する一つ以上の有機機能層をさらに含む。一つ以上の有機機能層は、正孔輸送層等のキャリア輸送層を含んでもよい。一つ以上の有機機能層は、正孔注入層等のキャリア注入層を含んでもよい。有機層７は、画素電極層３のベース基板１から離れた側に位置する正孔注入層と、正孔注入層の画素電極層３から離れた側に位置する正孔輸送層と、正孔輸送層の正孔注入層から離れた側に位置する有機発光層７ｂと、を含んでもよい。図３を参照すると、有機層７は、画素電極層３のベース基板１から離れた側に位置する正孔輸送層７ｃと、正孔輸送層７ｃのベース基板１から離れた側に位置する有機発光層７ｂと、を含む。
【００３５】
いくつかの実施形態において、有機層７は、有機発光層７ｂのベース基板から離れた側に位置する一つ以上の有機機能層をさらに含む。一つ以上の有機機能層は、電子輸送層等のキャリア輸送層を含んでもよい。一つ以上の有機機能層は、電子注入層等のキャリア注入層を含んでもよい。有機層７は、有機発光層７ｂの画素電極層３から離れた側に位置する電子輸送層７ａと、電子輸送層７ａの有機発光層７ｂから離れた側に位置する電子注入層と、を含んでもよい。図３を参照すると、有機層７は、画素電極層３のベース基板１から離れた側に位置する正孔輸送層７ｃと、正孔輸送層７ｃのベース基板１から離れた側に位置する有機発光層７ｂと、有機発光層７ｂの正孔輸送層７ｃから離れた側に位置する電子輸送層７ａと、を含む。
【００３６】
有機層７は、画素電極層３のベース基板１から離れた側に位置する正孔注入層と、正孔注入層の画素電極層３から離れた側に位置する正孔輸送層７ｃと、正孔輸送層７ｃの正孔注入層から離れた側に位置する有機発光層７ｂと、有機発光層７ｂの正孔輸送層７ｃから離れた側に位置する電子輸送層７ａと、電子輸送層７ａの有機発光層７ｂから離れた側に位置する電子注入層と、を含んでもよい。
【００３７】
画素電極層３はカソードであってもよい。画素電極層３はアノードであってもよい。アレイ基板は有機発光ダイオードアレイ基板であってもよい。アレイ基板はアクティブマトリクス式有機発光ダイオードアレイ基板であってもよい。アレイ基板はパッシブマトリクス式有機発光ダイオードアレイ基板であってもよい。薄膜トランジスタ５は、アレイ基板内の有機発光層７の発光を駆動する駆動薄膜トランジスタであってもよい。
【００３８】
このような設計とすることで、開口率が大幅に向上し、厚みが略均一な有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）を有するアレイ基板を実現できる。本発明のアレイ基板は、従来型のアレイ基板（例えば、図１および図２におけるアレイ基板）に比べ、例えば第１方向に沿った幅が増加したサブ画素領域Ｓを有する。同様に、本発明のアレイ基板の有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）も、例えば第１方向に沿って増加した幅を有する。図３で示したように、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の第１方向に沿った幅は、図１における有機層７の第１方向に沿った幅と比べてΔＷの値だけ増加する。有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）は、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の中間部分において通常略均一な厚みを有し、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のエッジ部分のみにおいてより大きい厚みを有する。有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の幅を増やし、中間部分の面積および幅も増やすことで、全体の厚みの一層の略均一化、および有機層７からの発光の一層均一な分布が実現される。以下の実施形態でさらに詳しく説明するが、本発明のアレイ基板の開口率は、従来型のアレイ基板と比べて少なくとも９％向上する。
【００３９】
画素定義層４の第１方向に沿った幅は、図１と比べてΔＷの値だけ減少する。（例えば、第１方向に沿って）幅の減少する画素定義層４を有することで、ビア６は画素定義層４に覆われなくなる。いくつかの実施形態において、ビア６のベース基板１上の投影は、アレイ基板内のどの画素定義層のベース基板１上の投影とも基本的に重ならない。例えば、図３および図４に示すように、ビア６のベース基板１上の投影は画素定義層４のベース基板１上の投影と基本的に重ならない。アレイ基板は追加の画素定義層を含み、ビア６のベース基板１上の投影は追加の画素定義層のベース基板１上の投影と基本的に重ならなくてもよい。
【００４０】
いくつかの実施形態において、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、ビア６のベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、ビア６のベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。一実施例において、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）を形成する際、画素定義層４上にいくつかの有機発光材料を配置してもよい。画素定義層４の上部に位置する有機発光材料は発光できない。それ故、いくつかの実施形態において、有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、ビア６のベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、ビア６のベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００４１】
いくつかの実施形態において、薄膜トランジスタ５の少なくとも一部がサブ画素領域Ｓ内に位置する。一実施例において、薄膜トランジスタ５のドレイン電極５ａはサブ画素領域Ｓ内に位置する。いくつかの実施形態において、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影はアレイ基板内のどの画素定義層のベース基板１上の投影とも基本的に重ならない。例えば、図３および図４に示すように、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影は画素定義層４のベース基板１上の投影と基本的に重ならない。アレイ基板は追加の画素定義層を含み、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影は追加の画素定義層のベース基板１上の投影と基本的に重ならなくてもよい。
【００４２】
いくつかの実施形態において、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。いくつかの実施形態において、有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、ドレイン電極５ａのベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００４３】
いくつかの実施形態において、薄膜トランジスタ５はサブ画素領域Ｓ内に完全に収まる。いくつかの実施形態において、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影はアレイ基板内のどの画素定義層のベース基板１上の投影とも基本的に重ならない。薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影は画素定義層４のベース基板１上の投影と基本的に重ならなくてもよい。アレイ基板は追加の画素定義層を含み、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影は追加の画素定義層のベース基板１上の投影と基本的に重ならなくてもよい。
【００４４】
いくつかの実施形態において、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のベース基板１上の投影は、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。いくつかの実施形態において、有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影と基本的に重なる。有機層７の発光領域（例えば、有機発光層７ｂの発光領域）のベース基板１上の投影は、薄膜トランジスタ５のベース基板１上の投影を基本的に覆ってもよい。
【００４５】
いくつかの実施形態において、図４を参照すると、アレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含む。複数のサブ画素エリアは第１方向に沿ったピッチｐを有する。いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しく、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)であってもよい。
【００４６】
一実施例において、アレイ基板は１６０ピクセル・パー・インチ（ｐｐｉ）のアレイ基板である。１６０ｐｐｉアレイ基板内の複数のサブ画素エリアは、第１方向（例えば、サブ画素エリアの縦方向）に沿った１５８．７μｍのピッチｐ１を有し、第２方向（例えば、サブ画素エリアの横方向）に沿った５２．９μｍのピッチｐ２を有する。別の実施例において、１６０ｐｐｉアレイ基板内の複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第１方向に沿った幅は約(ｐ１−１７μｍ)＝(１５８．７μｍ−１７μｍ)＝１４１．７μｍである。１６０ｐｐｉアレイ基板内の複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第２方向に沿った幅は約(ｐ２−１７μｍ)＝(５２．９μｍ−１７μｍ)＝３５．９μｍであってもよい。ビア６の寸法は、通常１４μｍ×２６μｍである。したがって、実施例における開口率は約(１４１．７×３５．９−１４×２６)／(１５８．７×５２．９)、即ち、約５６．３％である。
【００４７】
従来型の１６０ｐｐｉアレイ基板において、１６０ｐｐｉアレイ基板の複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第１方向に沿った幅は約(ｐ１−４０．９μｍ)＝(１５８．７μｍ−４０．９μｍ)＝１１７．８μｍである。従来型の１６０ｐｐｉアレイ基板内の複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域Ｓの第２方向に沿った幅は約(ｐ２−１７μｍ)＝(５２．９μｍ−１７μｍ)＝３５．９μｍである。従来型のアレイ基板における開口率は約(１１７．８×３５．９)／(１５８．７×５２．９)、即ち、約４７．１％である。したがって、本発明のアレイ基板の開口率は、従来型のアレイ基板と比べて９．２％向上する。
【００４８】
いくつかの実施形態において、本発明のアレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含む。隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域Ｓの間における画素定義層の第１方向に沿った幅はｑより小さく、ここで、ｑは３５μｍ以下の値であってもよい。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。一実施例において、隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域Ｓの間における画素定義層の第１方向に沿った幅は約１７μｍである。
【００４９】
いくつかの実施形態において、本発明のアレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含む。複数のサブ画素エリアは第１方向に沿ったピッチを有する。いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々における有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しく、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域の有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)であってもよい。
【００５０】
いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々における有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の発光領域の第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しく、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々における有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の発光領域の第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)であってもよい。
【００５１】
いくつかの実施形態において、図３を参照すると、画素電極層３のビア６に対応する部分はベース基板１から離れた表面を有し、ビア６に対応する部分の表面は、画素電極層３の他の部分のベース基板１から離れた表面と略水平である。略水平の表面を製作するにあたり様々な適切な方法を用いることができる。一実施例において、導電ペースト（例えば、銀ペースト）をビア６内に（例えば、インクジェット印刷によって）印刷することができる。そして導電ペーストを硬化する。続いて、ビア６に硬化した導電ペーストを事前充填した状態で、パッシベーション層２上に画素電極層３が形成される。ビア６に導電ペーストを事前充填することで、パッシベーション層２から離れた画素電極層３の表面全体が略水平となる。
【００５２】
図５は、本開示のいくつかの実施形態におけるアレイ基板の断面図である。図５を参照すると、画素電極層３のビア６に対応する部分は、ベース基板１から離れた表面８を有する。ビア６に対応する表面８は画素電極層３の他の部分のベース基板１から離れた表面に対して凹んでいる。本発明のアレイ基板において、ビア６は有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のエッジ部分に対応する領域内に位置し、有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）のエッジ部分は有機層７（例えば、有機発光層７ｂ）の中間部分と比べて厚みが大きい。したがって、ビア６に対応する凹面８には、領域内の過剰な有機材料が凹面を充填するので、特に問題が生じない。
【００５３】
別の側面において、本開示はアレイ基板の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、この方法は、ベース基板上にドレイン電極を備えるように薄膜トランジスタを形成する工程と、薄膜トランジスタのベース基板から離れた側にパッシベーション層を形成する工程と、パッシベーション層のベース基板から離れた側に画素電極層を形成する工程と、画素電極層のパッシベーション層から離れた側に、サブ画素領域を定義する画素定義層を形成する工程と、画素電極層のパッシベーション層から離れた側に有機層を形成する工程と、パッシベーション層を貫通するビアを形成し、画素電極層はビアを介して薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されるように形成される工程と、を含む。画素定義層は、アレイ基板のサブ画素領域を定義し、有機層はサブ画素領域内に形成される。本発明の方法において、ビアはサブ画素領域内に形成される。有機層は印刷、例えば、インクジェット印刷により形成されてもよい。有機層を形成する工程は、有機発光層を形成することを含む。有機層を形成する工程は、一つ以上の有機機能層を形成することをさらに含んでもよい。有機発光層は印刷、例えば、インクジェット印刷により形成されてもよい。一つ以上の有機機能層は印刷、例えば、インクジェット印刷により形成されてもよい。
【００５４】
いくつかの実施形態において、有機層を形成する工程は、有機発光層とサブ画素領域内の画素電極層との間に一つ以上の有機機能層を形成する工程をさらに含む。一つ以上の有機機能層を形成する工程は、正孔輸送層等のキャリア輸送層を形成することを含んでもよい。一つ以上の有機機能層を形成する工程は、正孔注入層等のキャリア注入層を形成することを含んでもよい。有機層を形成する工程は、画素電極層のベース基板から離れた側に正孔注入層を形成することと、正孔注入層の画素電極層から離れた側に正孔輸送層を形成することと、正孔輸送層の正孔注入層から離れた側に有機発光層を形成することと、を含んでもよい。有機層を形成する工程は、画素電極層のベース基板から離れた側に正孔輸送層を形成することと、正孔輸送層のベース基板から離れた側に有機発光層を形成すること、を含んでもよい。
【００５５】
いくつかの実施形態において、有機層を形成する工程は、有機発光層のベース基板から離れた側に一つ以上の有機機能層を形成することをさらに含む。一つ以上の有機機能層を形成する工程は、電子輸送層等のキャリア輸送層を形成することを含んでもよい。一つ以上の有機機能層を形成する工程は、電子注入層等のキャリア注入層を形成することを含んでもよい。有機層を形成する工程は、有機発光層の画素電極層から離れた側に電子輸送層を形成することと、電子輸送層の有機発光層から離れた側に電子注入層を形成することと、を含んでもよい。有機層を形成する工程は、画素電極層のベース基板から離れた側に正孔輸送層を形成することと、正孔輸送層のベース基板から離れた側に有機発光層を形成することと、有機発光層の正孔輸送層から離れた側に電子輸送層を形成することと、を含んでもよい。
【００５６】
有機層を形成する工程は、画素電極層のベース基板から離れた側に正孔注入層を形成することと、正孔注入層の画素電極層から離れた側に正孔輸送層を形成することと、正孔輸送層の正孔注入層から離れた側に有機発光層を形成することと、有機発光層の正孔輸送層から離れた側に電子輸送層を形成することと、電子輸送層の有機発光層から離れた側に電子注入層を形成することと、を含んでもよい。
【００５７】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層）は、ビアのベース基板上の投影がアレイ基板内のどの画素定義層のベース基板上の投影とも基本的に重ならないように形成される。
【００５８】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影がビアのベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影がビアのベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影がビアのベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影がビアのベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。
【００５９】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、薄膜トランジスタの少なくとも一部がサブ画素領域内に形成されるように形成される。一実施例において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、薄膜トランジスタのドレイン電極がサブ画素領域内に形成されるように形成される。いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、ドレイン電極のベース基板上の投影がアレイ基板内のどの画素定義層のベース基板上の投影とも基本的に重ならないように形成される。
【００６０】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影がドレイン電極のベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影がドレイン電極のベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影がドレイン電極のベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影がドレイン電極のベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。
【００６１】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、薄膜トランジスタが完全にサブ画素領域内に形成されるように形成される。いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、薄膜トランジスタのベース基板上の投影がアレイ基板内のどの画素定義層のベース基板上の投影とも基本的に重ならないように形成される。
【００６２】
いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影が薄膜トランジスタのベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層（例えば、有機発光層）のベース基板上の投影が薄膜トランジスタのベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。いくつかの実施形態において、アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影が薄膜トランジスタのベース基板上の投影と基本的に重なるように形成される。アレイ基板（例えば、画素定義層および有機層）は、有機層の発光領域（例えば、有機発光層の発光領域）のベース基板上の投影が薄膜トランジスタのベース基板上の投影を基本的に覆うように形成されてもよい。
【００６３】
いくつかの実施形態において、アレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含むように形成される。複数のサブ画素エリアは第１方向に沿ったピッチｐを有するように形成される。いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域の第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しくなるように形成され、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々におけるサブ画素領域の第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)となるように形成されてもよい。
【００６４】
いくつかの実施形態において、アレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含むように形成される。隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間における画素定義層の第１方向に沿った幅はｑより小さくなるように形成され、ここで、ｑは３５μｍ以下の値であってもよい。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。一実施例において、隣接する２つのサブ画素エリア内にそれぞれ位置する隣接する２つのサブ画素領域の間における画素定義層の第１方向に沿った幅は約１７μｍとなるように形成される。
【００６５】
いくつかの実施形態において、アレイ基板は各々第１方向に沿って延伸する形状を有する複数のサブ画素エリアを含むように形成される。複数のサブ画素エリアは第１方向に沿ったピッチを有する。いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々における有機層（例えば、有機発光層）の第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しく、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々における有機層（例えば、有機発光層）の第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)となるように形成されてもよい。
【００６６】
いくつかの実施形態において、複数のサブ画素エリア各々における有機層（例えば、有機発光層）の発光領域の第１方向に沿った幅は(ｐ−ｑ)に等しくなるように形成され、ここで、ｐは複数のサブ画素エリアの第１方向に沿ったピッチを表し、ｑは３５μｍ以下の値である。ｑ＝３５μｍであってもよい。ｑ＝３０μｍであってもよい。ｑ＝２５μｍであってもよい。ｑ＝２０μｍであってもよい。複数のサブ画素エリア各々における有機層（例えば、有機発光層）の発光領域の第１方向に沿った幅は約(ｐ−１７μｍ)となるように形成されてもよい。
【００６７】
いくつかの実施形態において、画素電極層のビアに対応する部分はベース基板から離れた表面を有し、ビアに対応する部分の表面は、画素電極層の他の部分のベース基板から離れた表面と略水平となるように形成される。この方法は、導電ペースト（例えば、銀ペースト）をビア内に（例えば、インクジェット印刷によって）印刷する工程を含んでもよい。この方法は、導電ペーストを硬化する工程をさらに含んでもよい。続いて、この方法は、ビアに硬化した導電ペーストを事前充填した状態で、パッシベーション層上に画素電極層を形成する工程をさらに含む。
【００６８】
いくつかの実施形態において、画素電極層のビアに対応する部分はベース基板から離れた表面を有し、ビアに対応する部分の表面は、画素電極層の他の部分のベース基板から離れた表面より凹んで形成される。
【００６９】
別の側面において、本開示は、本開示で述べる、又は本開示で述べる方法により製造されるアレイ基板を有する表示パネルを提供する。本発明の表示パネルは大幅に向上した開口率と厚みが略均一の有機発光層を有する。本発明の表示パネルの開口率は、従来型のアレイ基板と比べて少なくとも９％向上している。
【００７０】
別の側面において、本開示は本開示で述べる表示パネルを有する表示装置を提供する。適切な表示装置の例には、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートパソコン、電子アルバム、ＧＰＳ等が含まれるが、これらに限らない。
【００７１】
本発明の実施形態に関する上記の記述は、例示及び説明を目的とする。開示されるそのままの形態或いは開示した例示的な実施形態は全てを網羅している訳ではなく、また、本発明はこれらに限定するものでもない。それ故、上記記載は限定ではなく例示を目的としていると見なすべきであり、多くの変更や変形は当業者にとって明らかであろう。本発明の原理とそれが実際に適用される最良の形態を最も説明しやすいような実施形態を選択しそれについて記載することで、特定の用途又は想定される適用に適した本発明の様々な実施形態及び様々な変更を当業者に理解させることを目的としている。本開示に付した請求項及びその均等物により本発明の範囲を定義することが意図され、別途示唆しない限り、すべての用語は合理的な範囲内で最も広く解釈されるべきである。従って、「本発明」、「本開示」又はこれに類する用語は請求項の範囲を必ずしも特定の実施形態に限定せず、本発明の例示的実施形態に対する参照は本発明への限定を示唆するものではなく、かかる限定を推論すべきではない。本発明は付属する請求項の構想と範囲のみにより限定される。さらに、これらの請求項では後に名詞又は要素を伴って「第１」「第２」等という表現を用いる場合がある。特定の数量が示されない限り、このような用語は専用語であると理解すべきであり、修飾された要素の数量が上記専用語により限定されると解釈してはならない。記載した効果や利点はいずれも本発明のすべての実施形態に適用されるとは限らない。当業者であれば、以下の請求項により定義される本発明の範囲から逸脱せずに、記載した実施形態を変形できることが理解されよう。さらに、以下の請求項に明記されているか否かを問わず、本開示の要素及び部品のいずれも公衆に捧げる意図はない。
【符号の説明】
【００７２】
１  ベース基板
２  パッシベーション層
３  画素電極層
４  画素定義層
５  薄膜トランジスタ
５ａ  ドレイン電極
６  ビア
７  有機層
７ａ  電子輸送層
７ｂ  有機発光層（有機層）
７ｃ  正孔輸送層
Ｓ  サブ画素領域
ＩＳ  サブ画素間領域
【図１】
0006975147.tif 000002
【図２】
0006975147.tif 000003
【図３】
0006975147.tif 000004
【図４】
0006975147.tif 000005
【図５】
0006975147.tif 000006