(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク構造であって、ディスプレイパネルのアレイ基板の表面に金属パターンを形成することに用いられる、アレイ状に分布する複数のフォトマスクユニットを含み、
前記フォトマスクユニットは、
前記アレイ基板の表面の対応する領域に第１透明電極を形成するための第１フォトマスクと、
前記第１フォトマスクに接続され、前記アレイ基板の表面の対応する領域に第２透明電極を形成するための第２フォトマスクと、を含み、
前記第１透明電極と前記第２透明電極から画素電極が構成され、
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクとは異なる光透過率を有し、マスク全体としての透過率が半透過である半透過マスクであって、且つ前記第２フォトマスクの光透過率は前記第１フォトマスクの光透過率未満であることにより、異なる光照射量を形成し、
前記第２フォトマスクの下方に位置する金属の反射によって露光が強化されることにより、前記第２フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量と、前記第１フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量とが均衡するように構成されている、フォトマスク構造。
【請求項２】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域を含み、前記第２フォトマスクは２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域、及び前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む請求項１に記載のフォトマスク構造。
【請求項３】
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用する請求項２に記載のフォトマスク構造。
【請求項４】
前記第１フォトマスクは、回折効果が所定の範囲となる寸法のスリットパターンを有するスリット回折フォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用する請求項２に記載のフォトマスク構造。
【請求項５】
前記第１フォトマスクのスリット幅は１．６ｕｍ〜１．８ｕｍである請求項４に記載のフォトマスク構造。
【請求項６】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域、及び２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域を含み、前記第２フォトマスクは前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む請求項１に記載のフォトマスク構造。
【請求項７】
前記第１フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクは、回折効果が所定の範囲となる寸法のスリットパターンを有するスリット回折フォトマスクを採用する請求項６に記載のフォトマスク構造。
【請求項８】
フォトマスク構造であって、それはアレイ状に分布する複数のフォトマスクユニットを含み、ディスプレイパネルのアレイ基板の表面に金属パターンを形成することに用いられ、
前記フォトマスクユニットは、
前記アレイ基板の表面の対応する領域に第１透明電極を形成するための第１フォトマスクと、
前記第１フォトマスクに接続され、前記アレイ基板の表面の対応する領域に第２透明電極を形成するための第２フォトマスクと、を含み、
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクとは異なる光透過率を有し、マスク全体としての透過率が半透過である半透過マスクであって、且つ前記第２フォトマスクの光透過率は前記第１フォトマスクの光透過率未満であることにより、異なる光照射量を形成し、
前記第２フォトマスクの下方に位置する金属の反射によって露光が強化されることにより、前記第２フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量と、前記第１フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量とが均衡するように構成されている、フォトマスク構造。
【請求項９】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域を含み、前記第２フォトマスクは２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域、及び前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む請求項８に記載のフォトマスク構造。
【請求項１０】
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用する請求項９に記載のフォトマスク構造。
【請求項１１】
前記第１フォトマスクは、回折効果が所定の範囲となる寸法のスリットパターンを有するスリット回折フォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用する請求項９に記載のフォトマスク構造。
【請求項１２】
前記第１フォトマスクのスリット幅は１．６ｕｍ〜１．８ｕｍである請求項１１に記載のフォトマスク構造。
【請求項１３】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域、及び２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域を含み、前記第２フォトマスクは前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む請求項８に記載のフォトマスク構造。
【請求項１４】
前記第１フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクは、回折効果が所定の範囲となる寸法のスリットパターンを有するスリット回折フォトマスクを採用する請求項１３に記載のフォトマスク構造。
【請求項１５】
アレイ基板の製造方法であって、請求項１〜７のいずれか一項に記載のフォトマスク構造を使用し、前記製造方法は、
基板の表面に薄膜トランジスタのゲート及びゲートラインを形成するステップと、
前記基板の表面に薄膜トランジスタのアクティブ層、ソース、ドレイン、パッシベーション層及びパッシベーション層ビアホールを形成するステップと、
前記基板の表面に透明金属層を堆積し、且つ前記透明金属層の表面にフォトレジストをコーティングするステップと、
前記フォトマスク構造を使用して前記フォトレジストにパターニング処理を行い、前記第２フォトマスクの下方に位置する金属の反射によって露光が強化されることにより、前記第２フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量と、前記第１フォトマスクに対応する前記アレイ基板の表面が受ける光照射量とが均衡するように、前記第１フォトマスク及び前記第２フォトマスクを同時に使用して前記フォトレジストの異なる領域を露光するステップと、
前記フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成し、次に前記透明金属層の前記フォトレジストを被覆していない部分をエッチングし、最終的に前記透明金属層の表面の前記フォトレジストを剥離し、画素電極パターンを形成するステップと、を含むアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示の技術分野に関し、特にフォトマスク構造及び前記フォトマスク構造を用いてアレイ基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３ｍａｓｋ技術はＬｉｆｔ−ｏｆｆ（剥離）プロセスを用いてＩＴＯ（画素電極）層とＰＶ（パッシベーション層）層を１枚のフォトマスクで同時に形成することができ、それによりフォトマスクの総数を３枚（３ｍａｓｋ）に減らすことができる。
【０００３】
従来の３ｍａｓｋプロセスはほとんどＴＮ方式のみに対するものであり、ＩＴＯはスリットパターンを形成することがないか、又はＩＴＯはスリットパターンを形成してもＩＴＯは孔箇所にしか堆積できないため、すべてのＩＴＯ層をＳｉＮｘ（窒化ケイ素）の溝内に位置させることにより、ＩＴＯの横方向電界が弱くなるため、液晶表示効果に影響し、表示画面の輝度ムラという欠陥が発生してしまう。技術の発展に伴って、改良後の３ｍａｓｋ技術では、ＰＶ／ＩＴＯ層が１枚のＨＴＭ（ハーフトーンフォトマスク）又はＧＴＭ（グレースケールフォトマスク）を用いて形成され、それにより画素領域のＩＴＯはスリットを形成できるだけでなく、ＰＶ層の上方に被覆して４ｍａｓｋと完全に同様な構造を形成することができる。
【０００４】
このような大面積ＨＴＭフォトマスクは、同一透過率の半透過膜を用いるため、単層膜を作製して実験を行う時に、フォトマスクのスリットが比較的狭いことによって、光の一部が回折し、それにより該領域に対応するフォトレジストの感光量はほかの領域のフォトレジストより少なくなり、感光量の差によって２箇所のフォトレジスト膜厚の差が０．５ｕｍ程度となる。全プロセスの実験では、アレイ基板のビアホールの下方のドレイン金属が光を反射するため、ドレイン金属の上方のフォトマスクの対応する領域の露光量が増加し、対応する該領域の薄かったフォトレジストがさらに薄くなり、ひいては消失し、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの断線（オープン）を招いてしまう。
【０００５】
上記のように、従来技術のＨＴＭフォトマスクは各領域がともに同一透過率の半透過膜を用いるため、アレイ基板の製造時、同一層のＩＴＯ表面の異なる領域のフォトレジストには膜厚の差が存在し、ひいては比較的薄いフォトレジストが消失することを引き起こし、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの断線（オープン）を招いてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はフォトマスク構造を提供し、アレイ基板の異なる領域に対して異なる光照射量を実現でき、それにより従来技術のＨＴＭフォトマスクは各領域がともに同一透過率の半透過膜を用いるため、アレイ基板の製造時、同一層のＩＴＯ表面の異なる領域にはフォトレジストの膜厚の差が存在し、ひいては比較的薄いフォトレジストが消失することを引き起こし、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの断線（オープン）を招いてしまうという技術的課題を解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明により提供される技術的手段は以下の通りである。
【０００８】
本発明はフォトマスク構造であって、ディスプレイパネルのアレイ基板の表面に金属パターンを形成することに用いられる、アレイ状に分布する複数のフォトマスクユニットを含むフォトマスク構造を提供し、
前記フォトマスクユニットは、
前記アレイ基板の表面の対応する領域に第１透明電極を形成するための第１フォトマスクと、
前記第１フォトマスクに接続され、前記アレイ基板の表面の対応する領域に第２透明電極を形成するための第２フォトマスクと、を含み、
前記第１透明電極と前記第２透明電極から画素電極が構成され、
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクとは異なる光透過率を有し、且つ前記第２フォトマスクの光透過率は前記第１フォトマスクの光透過率未満であることにより、異なる光照射量を形成する。
【０００９】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域を含み、前記第２フォトマスクは２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域、及び前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む。
【００１０】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用する。
【００１１】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用する。
【００１２】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクのスリット幅は１．６ｕｍ〜１．８ｕｍである。
【００１３】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域、及び２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域を含み、前記第２フォトマスクは前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む。
【００１４】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用する。
【００１５】
本発明はフォトマスク構造をさらに提供し、アレイ状に分布する複数のフォトマスクユニットを含み、ディスプレイパネルのアレイ基板の表面に金属パターンを形成することに用いられ、
前記フォトマスクユニットは、
前記アレイ基板の表面の対応する領域に第１透明電極を形成するための第１フォトマスクと、
前記第１フォトマスクに接続され、前記アレイ基板の表面の対応する領域に第２透明電極を形成するための第２フォトマスクと、を含み、
前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクとは異なる光透過率を有し、且つ前記第２フォトマスクの光透過率は前記第１フォトマスクの光透過率未満であることにより、異なる光照射量を形成する。
【００１６】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域を含み、前記第２フォトマスクは２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域、及び前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む。
【００１７】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用する。
【００１８】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用する。
【００１９】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクのスリット幅は１．６ｕｍ〜１．８ｕｍである。
【００２０】
前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域、及び２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域を含み、前記第２フォトマスクは前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む。
【００２１】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用し、前記第２フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用する。
【００２２】
本発明の上記目的に基づき、アレイ基板の製造方法を提案し、前記製造方法は、
前記基板の表面に薄膜トランジスタのゲート及びゲートラインを形成するステップと、
前記基板の表面に薄膜トランジスタのアクティブ層、ソース、ドレイン、パッシベーション層及びパッシベーション層ビアホールを形成するステップと、
前記基板の表面に透明金属層を堆積し、且つ前記透明金属層の表面にフォトレジストをコーティングするステップと、
前記フォトマスク構造を使用して前記フォトレジストにパターニング処理を行い、前記第１フォトマスク及び前記第２フォトマスクを同時に使用して前記フォトレジストの異なる領域を露光するステップと、
前記フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成し、次に前記透明金属層の前記フォトレジストを被覆していない部分をエッチングし、最終的に前記透明金属層の表面の前記フォトレジストを剥離し、画素電極パターンを形成するステップと、を含む。
【００２３】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域を含み、前記第２フォトマスクは２つの前記スリット領域を接続するための第１接続領域、及び前記第１接続領域の一端に接続される第２接続領域を含む。
【００２４】
本発明の１つの好適な実施例によれば、前記第１フォトマスクと前記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用する。
【発明の効果】
【００２５】
（有益な効果）
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。従来のフォトマスク構造に比べて、本発明のフォトマスク構造は、同一フォトマスクユニットが２種の異なる光照射量を有するフォトマスクを含み、アレイ基板の同一層の異なる領域のフォトレジストが異なる光照射量を受けることを実現でき、特定の領域において底部金属の反射によって該領域の露光強度がほかの領域より大きいことに起因する該領域のフォトレジストとほかの領域のフォトレジストとの高さ差を相殺し、それにより同一層のフォトレジストの各領域が同一高さを有することを実現し、従来技術のＨＴＭフォトマスクは各領域がともに同一透過率の半透過膜を用いるため、アレイ基板の製造時、同一層のＩＴＯ表面の異なる領域のフォトレジストに膜厚の差が存在し、ひいては比較的薄いフォトレジストが消失することを引き起こし、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの断線（オープン）を招いてしまうという技術的課題を解決する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
図面の説明
実施例又は従来技術の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例又は従来技術の説明に必要な図面を簡単に説明するが、明らかなように、以下説明される図面は単に発明のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な努力をせずにこれらの図面に基づきほかの図面を取得し得る。
【００２７】
【図１】図１は、本発明のフォトマスク構造の模式図である。
【図２】図２は、本発明のフォトマスク構造のフォトマスクユニットの構造模式図である。
【図３】図３は、本発明のフォトマスク構造の別のフォトマスクユニットの構造模式図である。
【図４】図４は、本発明のフォトマスク構造のさらに別のフォトマスクユニットの構造模式図である。
【図５】図５は、本発明のアレイ基板の製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の最適な実施形態
以下、各実施例の説明は、添付する図面を参照し、本発明の実施可能な特定の実施例を例示するためのものである。本発明に係る方向用語、たとえば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等は、添付する図面を参照する方向に過ぎない。従って、使用される方向用語は本発明を説明及び理解するためのものに過ぎず、本発明を限定するためのものではない。図中、構造が類似するユニットは同一符号で示される。
【００２９】
本発明は、従来技術のＨＴＭフォトマスクが各領域がともに同一透過率の半透過膜を用いるためにアレイ基板の製造時に同一層のＩＴＯ表面の異なる領域のフォトレジストに膜厚の差が存在し、ひいては比較的薄いフォトレジストが消失することを引き起こすという技術的課題、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの断線（オープン）を招いてしまうという技術的課題に対するものであり、本実施例はこのような欠陥を解決することができる。
【００３０】
図１に示すように、本発明により提供されるフォトマスク構造は、透明基板１０１を含み、上記透明基板１０１の表面にアレイ状に分布する複数のフォトマスクユニット１０２が設置される。上記フォトマスクユニット１０２は遮光領域及び透過領域を含み、上記透過領域は透かしパターンであり、露光によって透かしパターンをフォトレジストの表面に転写でき、上記フォトレジストを現像することでフォトレジストパターンを形成する。次に上記透明金属層の上記フォトレジストを被覆していない部分をエッチングし、最終的に上記透明金属層の表面の上記フォトレジストを剥離し、電極パターンを形成する。
【００３１】
３ｍａｓｋプロセスのアレイ基板は、ガラス基板、及び上記ガラス基板の表面にアレイ状に分布する薄膜トランジスタを含み、上記薄膜トランジスタは、上記ガラス基板の表面に形成される金属遮光層、上記金属遮光層の上方に位置するアクティブ層、上記アクティブ層の上方に位置するゲート、上記ゲートの上方に位置し且つ上記アクティブ層の一側に接続されるソース、及び上記アクティブ層の他側に接続されるドレインを含む。上記薄膜トランジスタのソース・ドレインの表面にはパッシベーション層が製造され、上記パッシベーション層の表面に画素電極が製造され、上記パッシベーション層において上記薄膜トランジスタのドレインに対応する領域に画素電極ビアホールが開口し、画素電極と上記薄膜トランジスタのドレインとの電気的接続を実現することに用いられる。
【００３２】
上記画素電極は液晶の偏向を駆動する電界を形成するためのスリット領域、及び上記薄膜トランジスタのドレインと接続するための接続領域を含み、上記接続領域は上記画素電極ビアホールの上方に位置する。
【００３３】
上記フォトマスクユニット１０２は第１フォトマスク及び第２フォトマスクを含み、上記第１フォトマスクは、上記アレイ基板の表面の対応する領域に第１透明電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクは、上記第１フォトマスクに接続され、上記アレイ基板の表面の対応する領域に第２透明電極を形成することに用いられ、上記第１透明電極と上記第２透明電極から上記画素電極が構成される。
【００３４】
上記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域１０３を含み、上記第２フォトマスクは２つの上記スリット領域を接続するための第１接続領域１０４、及び上記第１接続領域１０４の一端に接続される第２接続領域１０５を含む。
【００３５】
上記第１フォトマスクと上記第２フォトマスクとは異なる光透過率を有し、且つ上記第２フォトマスクの光透過率は上記第１フォトマスクの光透過率未満であり、それによって異なる光照射量を形成し、それにより上記第２透明電極の下方の金属反射に起因する該領域の露光強化によって、上記第１透明電極の表面のフォトレジストと上記第２透明電極の表面のフォトレジストとの間に形成される高さの差を解消する。
【００３６】
図２に示される、本発明のフォトマスク構造のフォトマスクユニットについて、上記フォトマスクユニットは第１フォトマスク及び第２フォトマスクを含む。
【００３７】
上記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域２０１を含み、上記第２フォトマスクは２つの上記スリット領域２０１を接続するための第１接続領域２０２、及び上記第１接続領域２０２の一端に接続される第２接続領域２０３を含む。
【００３８】
上記第１フォトマスクの２つの上記スリット領域２０１は、上記アレイ基板の表面の対応する領域に画素電極のスリット電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクの第１接続領域２０２は２つの上記スリット電極を接続する第１接続電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクの第２接続領域２０３は第２接続電極を形成することに用いられ、上記第２接続電極は上記第１接続電極と薄膜トランジスタのドレインとの間の接続を実現することに用いられる。
【００３９】
上記第１フォトマスクと上記第２フォトマスクはともにハーフトーンフォトマスクを採用し、上記第１フォトマスクは第１半透過膜を採用し、上記第２フォトマスクは第２半透過膜を採用し、上記第１半透過膜は正常光透過率を採用し、上記第２半透過膜の光透過率は正常光透過率未満であり、すなわち、上記第２フォトマスクの光照射量を減少させている。
【００４０】
使用時において、上記第２フォトマスクの光照射量は減少しているが、上記第２フォトマスクの下方に位置する金属の反射によって露光が強化され、それにより上記第２フォトマスク２０２に対応するフォトレジスト領域の受ける光照射量を上記第１フォトマスクに対応するフォトレジスト領域の受ける光照射量と均衡させる。さらに露光後のフォトレジストの対応する領域が同一膜厚を有するとともに、上記第２フォトマスクに対応するフォトレジスト領域が完全に露光されてベース金属の露出を引き起こすことにより、ドライエッチングプロセスでベース金属を弱めるという課題を回避する。
【００４１】
図３に示される、本発明のフォトマスク構造のフォトマスクユニットについて、上記フォトマスクユニットは第１フォトマスク及び第２フォトマスクを含む。
【００４２】
上記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域３０１を含み、上記第２フォトマスクは２つの上記スリット領域３０１を接続するための第１接続領域３０２、及び上記第１接続領域３０２の一端に接続される第２接続領域３０３を含む。
【００４３】
上記第１フォトマスクの２つの上記スリット領域３０１は、上記アレイ基板の表面の対応する領域に画素電極のスリット電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクの第１接続領域３０２は２つの上記スリット電極を接続する第１接続電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクの第２接続領域３０３は第２接続電極を形成することに用いられ、上記第２接続電極は上記第１接続電極と薄膜トランジスタのドレインとの間の接続を実現することに用いられる。
【００４４】
上記第１フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用し、上記第２フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用する。上記第２フォトマスクの半透過膜の光透過率は正常半透過膜の光透過率未満であり、好ましい回折効果を実現するために、上記第１フォトマスクのスリット幅を１．６ｕｍ〜１．８ｕｍに設定し、それにより上記第１フォトマスクと上記第２フォトマスクとに異なる光透過率を有させ、さらに第１フォトマスクと第２フォトマスクとが異なる光照射量を有することを実現して、露光後のフォトレジストの対応する領域に同一膜厚を有させる。
【００４５】
図４に示される、本発明のフォトマスク構造のフォトマスクユニットについて、上記フォトマスクユニットは第１フォトマスク及び第２フォトマスクを含む。
【００４６】
上記第１フォトマスクは対称的に設置される２つのスリット領域４０１、及び２つの上記スリット領域４０１を接続するための第１接続領域４０２を含み、上記第２フォトマスクは上記第１接続領域４０２の一端に接続される第２接続領域４０３を含む。
【００４７】
上記第１フォトマスクの２つの上記スリット領域４０１は、上記アレイ基板の表面の対応する領域に画素電極のスリット電極を形成することに用いられ、上記第１フォトマスクの第１接続領域４０２は２つの上記スリット電極を接続する第１接続電極を形成することに用いられ、上記第２フォトマスクの第２接続領域４０２は第２接続電極を形成することに用いられ、上記第２接続電極は上記第１接続電極と薄膜トランジスタのドレインとの間の接続を実現することに用いられる。
【００４８】
上記第１フォトマスクはハーフトーンフォトマスクを採用し、上記第２フォトマスクはシングルスリット回折フォトマスクを採用し、それによって第１フォトマスクと第２フォトマスクとが異なる光照射量を有することを実現し、露光後のフォトレジストの対応する領域に同一膜厚を有させる。
【００４９】
図５に示すように、本発明は上記目的に基づき、アレイ基板の製造方法を提案し、上記製造方法はステップＳ１０１〜Ｓ１０５を含む。
【００５０】
ステップＳ１０１、上記ガラス基板の表面に薄膜トランジスタのゲート及びゲートラインを形成する。
【００５１】
ステップＳ１０２、上記ガラス基板の表面に薄膜トランジスタのアクティブ層、ソース、ドレイン、パッシベーション層及びパッシベーション層ビアホールを形成する。
【００５２】
ステップＳ１０３、上記ガラス基板の表面に透明金属層を堆積し、且つ上記透明金属層の表面にフォトレジストをコーティングする。
【００５３】
ステップＳ１０４、上記フォトマスク構造を使用して上記フォトレジストにパターニング処理を行い、上記第１フォトマスク及び上記第２フォトマスクを同時に使用して上記フォトレジストの異なる領域を露光する。
【００５４】
ステップＳ１０５、上記フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成し、次に上記透明金属層の上記フォトレジストを被覆していない部分をエッチングし、最終的に上記透明金属層の表面の上記フォトレジストを剥離し、画素電極パターンを形成する。
【００５５】
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。従来のフォトマスク構造に比べて、本発明のフォトマスク構造は、アレイ基板の同一層の異なる領域のフォトレジストが異なる光照射量を受けることを実現でき、特定の領域において底部金属の反射によって該領域の露光強度がほかの領域より大きいことに起因する該領域のフォトレジストとほかの領域のフォトレジストとの高さ差を相殺し、それにより同一層のフォトレジストの各領域が同一高さを有することを実現し、従来技術のＨＴＭフォトマスクは各領域がともに同一透過率の半透過膜を用いるため、アレイ基板の製造時、同一層のＩＴＯ表面の異なる領域のフォトレジストに膜厚の差が存在し、ひいては比較的薄いフォトレジストが消失することを引き起こし、さらに後続のドライエッチングプロセス時にＩＴＯがエッチングされて弱まり、それによりＩＴＯの（オープン）を招いてしまうという技術的課題を解決する。
【００５６】
上記のように、本発明は好適な実施例を参照して開示されているが、上記好適な実施例は本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、誰も本発明の精神及び範囲を逸脱せずに種々の変更や修飾を行うことができ、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲に定められた範囲に準じる。
【符号の説明】
【００５７】
１０１  透明基板
１０２  フォトマスクユニット
１０３  スリット領域
１０４  第１接続領域
１０５  第２接続領域
２０１  スリット領域
２０２  第１接続領域
２０３  第２接続領域
３０１  スリット領域
３０２  第１接続領域
３０３  第２接続領域
４０１  スリット領域
４０２  第２接続領域
４０２  第１接続領域
４０３  第２接続領域
【図１】
0006985419.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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