(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハをダイシングした半導体ダイをダイシングシートから剥離してピックアップするピックアップシステムであって、
半導体ダイを吸着するコレットと、
前記コレットに接続され、前記コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、
前記吸引機構の吸引空気流量を検出する流量センサと、
前記ダイシングシートから半導体ダイをピックアップするためのピックアップ条件に基づいて、ピックアップ動作を制御する制御手段と、
半導体ダイをピックアップする際に、前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化を示す実流量情報を取得する取得手段と、
取得した前記実流量情報に基づいて、複数の前記ピックアップ条件のうちのいずれか一つの前記ピックアップ条件と、半導体ダイの個別情報とを対応づけた対応情報を生成する生成手段と、を備え、
前記制御手段は、
半導体ダイをピックアップする際に、半導体ダイごとに対応づけられた前記対応情報にしたがって半導体ダイを前記ダイシングシートからピックアップする制御を行う、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記生成手段は、
１枚のウェーハにおける各半導体ダイと、複数の前記ピックアップ条件の識別子であるレベル値とを対応づけたレベルテーブルと、
複数の前記レベル値のいずれか一つと、前記ピックアップ条件のいずれか一つとを対応づけた条件テーブルと、を生成し、
前記対応情報は、前記レベルテーブルおよび前記条件テーブルにより定められる、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
複数の前記レベル値は、ピックアップに要する時間の長短を示す値である、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
画面を表示する表示部と、
表示制御手段と、を備え、
前記表示制御手段は、
前記表示部に、１枚のウェーハの各半導体ダイを模したマップ画像を表示し、
前記マップ画像において、前記レベル値が対応づけられた半導体ダイに対応する半導体ダイ画像に、レベル値に応じた色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付す、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
情報を入力する入力部、を備え、
前記生成手段は、
前記入力部から、前記マップ画像上の１つ又は複数の半導体ダイ画像の選択と、複数の前記レベル値の中から１つのレベル値の選択とを受け付け、
選択された半導体ダイ画像に対応する半導体ダイに、選択されたレベル値を対応づけて、前記レベルテーブルを生成、または、更新する、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
半導体ダイの前記ダイシングシートからの剥離が良好な場合における、当該半導体ダイのピックアップの際の前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化を示す期待流量情報を記憶した記憶部、を備え、
前記取得手段は、
１枚のウェーハにおける各半導体ダイをピックアップする際に、前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化を示す前記実流量情報を取得し、
前記生成手段は、
複数の半導体ダイのそれぞれの前記実流量情報と前記期待流量情報との相関値を求め、
複数の前記相関値のそれぞれに基づいて、複数の半導体ダイのそれぞれに前記レベル値を対応づけて、前記レベルテーブルを生成、または、更新する、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記表示制御手段は、
前記表示部の前記マップ画像において、各半導体ダイ画像または各半導体ダイ画像の近傍に、各半導体ダイ画像に対応した各半導体ダイの前記相関値を表示し、または、
前記表示部において、特定の半導体ダイ画像に対応する半導体ダイの前記相関値を、画面上の所定位置に表示する、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項８】
請求項３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記レベルテーブルにおいて、１枚のウェーハの外周側から内周側に向かうにしたがって、各半導体ダイに、よりピックアップに要する時間が短いレベル値が対応づけられている、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項９】
請求項２または３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記ダイシングシートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、
前記ステージの前記吸着面に設けられた開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、
を備え、
前記制御手段は、半導体ダイをピックアップする際に、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で切換える制御を行い、
前記ピックアップ条件の種類には、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で切換える切換回数を含む、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記ピックアップ条件の種類には、前記開口圧力を前記第１圧力に保持する保持時間を含む、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記開口の中に配置され、先端面が前記吸着面より高い第１位置と前記第１位置より低い第２位置との間で移動する複数の移動要素を含み、前記吸着面に対する段差面を形成する段差面形成機構、を備え、
前記制御手段は、半導体ダイをピックアップする際に、複数の前記移動要素のそれぞれを所定時間の間隔で順に、又は、所定の前記移動要素の組合せで同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させる制御を行い、
前記ピックアップ条件の種類には、前記所定時間を含む、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記ピックアップ条件の種類には、同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させる前記移動要素の数を含む、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項１３】
請求項２または３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
前記ピックアップ条件の種類には、前記コレットが半導体ダイに着地してからその持ち上げを開始するまでの待機時間を含む、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【請求項１４】
ダイシングシートの表面に貼り付けられた半導体ダイをピックアップする半導体ダイのピックアップシステムであって、
半導体ダイを吸着するコレットと、
前記コレットに接続され、前記コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、
前記吸引機構の吸引空気流量を検出する流量センサと、
ピックアップの際に、半導体ダイを前記ダイシングシートから剥離するための剥離動作を制御する制御部と、
画面を表示する表示部と、
を備え、
前記制御部は、
１枚のウェーハにおける各半導体ダイをピックアップする際に、前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化である実流量変化を取得し、
複数の半導体ダイのそれぞれの前記実流量変化に基づいて、複数の半導体ダイのそれぞれの前記ダイシングシートからの剥離容易度または剥離困難度である剥離度を求め、
前記表示部に、１枚のウェーハの各半導体ダイを模したマップ画像を表示し、
前記マップ画像において、剥離度を求めた半導体ダイに対応する半導体ダイ画像に、当該半導体ダイの剥離度に応じた色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付す、
ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ボンディング装置（ボンディングシステム）に用いる半導体ダイのピックアップシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体ダイは、６インチや８インチの大きさのウェーハを所定の大きさに切断して製造される。切断の際には切断した半導体ダイがバラバラにならないように、裏面にダイシングシートを貼り付け、表面側からダイシングソーなどによってウェーハを切断する。この際、裏面に貼り付けられたダイシングシートは若干切り込まれるが切断されないで各半導体ダイを保持した状態となっている。そして切断された各半導体ダイは一つずつダイシングシートからピックアップされてダイボンディング等の次の工程に送られる。【０００３】  ダイシングシートから半導体ダイをピックアップする方法としては、円板状の吸着駒の表面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、吸着駒の中央部に配置された突き上げブロックで半導体ダイを突き上げると共に、コレットを上昇させて、半導体ダイをダイシングシートからピックアップする方法が提案されている（例えば、特許文献１の図９ないし２３参照）。半導体ダイをダイシングシートから剥離させる際には、まず、半導体ダイの周辺部を剥離させ、次に半導体ダイの中央部を剥離させるようにすることが効果的なので、特許文献１に記載されている従来技術では、突き上げブロックを半導体ダイの周囲の部分を突き上げるものと半導体ダイの中央を突き上げるものと、その中間を突き上げるものの３つに分け、最初に３つのブロックを所定の高さまで上昇させた後、中間と中央のブロックを周辺のブロックよりも高く上昇させ、最後に中央のブロックを中間のブロックよりも高く上昇させる方法をとっている。【０００４】  また、円板状のエジェクターキャップの表面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、コレット及び、周辺、中間、中央の各突き上げブロックをエジェクターキャップの表面より高い所定の高さまで上昇させた後、コレットの高さをそのままの高さとし、周囲の突き上げブロック、中間の突き上げブロック、の順に突き上げブロックをエジェクターキャップ表面よりも下の位置まで降下させて半導体ダイからダイシングシートを剥離する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。【０００５】  特許文献１，２に記載された方法で半導体ダイからダイシングシートを剥離させる場合、特許文献１の図４０，４２，４４，特許文献２の図４Ａないし４Ｄ、図５Ａないし５Ｄに記載されているように、半導体ダイが剥離する前に、半導体ダイがダイシングシートに貼りついたままダイシングシートと共に曲げ変形する場合がある。半導体ダイが曲げ変形した状態でダイシングシートの剥離動作を継続すると、半導体ダイが破損してしまう場合があるので、特許文献１の図３１に記載されているように、コレットからの吸引空気の流量の変化によって半導体ダイの湾曲を検出し、特許文献１の図４３に記載されているように、吸気流量が検出された場合には、半導体ダイが変形していると判断して突き上げブロックを一旦降下させた後、再度突き上げブロックを上昇させる方法が提案されている。なお、特許文献３にも、コレットからの吸引空気の流量の変化によって半導体ダイの湾曲（撓み）を検出（判別）することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９４５３３９号公報
【特許文献２】米国特許第８０９２６４５号明細書
【特許文献３】特許第５８１３４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  近年、半導体ダイは、非常に薄くなってきており、例えば、２０μｍ程度のものもある。一方、ダイシングシートの厚さは１００μｍ程度であるから、ダイシングシートの厚みは、半導体ダイの厚みの４〜５倍にもなっている。このような薄い半導体ダイをダイシングシートから剥離させようとすると、ダイシングシートの変形に追従した半導体ダイの変形がより顕著に発生しやすい。特許文献１によれば、半導体ダイの湾曲を検出し剥離動作を変更するため、ダイシングシートから半導体ダイをピックアップする際に半導体ダイの損傷を抑制できる可能性がある。【０００８】  しかし、ピックアップを行っている半導体ダイの湾曲を検出しながら剥離動作を変更していく（リアルタイムで変更していく）ため、ピックアップの制御が非常に複雑になってしまう。半導体ダイの湾曲の検出、検出結果から剥離動作を変更するか判定、判定結果から剥離動作を変更して、或いは、変更しないで動作を前に進める、という一連の処理が何度も繰り返されるため、剥離動作にかかる時間が長くなってしまうことも懸念される。そこで、実際には、このようなリアルタイムで剥離動作を変更することは行わず、最も剥離し難い半導体ダイを想定した剥離動作を、全ての半導体ダイに一律に適用していることが多い。しかし、この場合には、本来、簡易化された短時間の剥離動作を適用できる剥離し易い半導体ダイに対しても、長時間の剥離動作を適用することになり、ピックアップが低速となっている。半導体ダイのそれぞれに適した剥離動作を適用して、半導体ダイごとに、半導体ダイの損傷の抑制と、半導体ダイのピックアップ高速化とのバランスを適正にすることが望まれている。【０００９】  ところで、ウェーハにおける半導体ダイの位置に応じて、半導体ダイのダイシングシートからの剥離性が変化することがある。例えば、ウェーハにおける中心付近の半導体ダイから外周付近の半導体ダイに向かって、剥離性（剥離し易さまたは剥離し難さ）が徐々に変化していくことがある。或いは、例えば、ウェーハにおける特定の領域の半導体ダイの剥離性が、他の領域の半導体ダイの剥離性と大きく異なる場合がある。このようなウェーハの半導体ダイの位置に応じた剥離性の傾向は、連続してピックアップを行う複数のウェーハで共通している場合が多い。複数のウェーハの半導体ダイを連続してピックアップする際に、剥離し易い位置にある半導体ダイには、短時間の剥離動作を適用することで、ピックアップを高速化できる。半導体ダイの位置のそれぞれの剥離性に応じて、半導体ダイのそれぞれに適した剥離動作を適用して、半導体ダイの損傷の抑制と、半導体ダイのピックアップ高速化とのバランスを適正にできる。これらを実現するために、ウェーハの各半導体ダイの位置に応じた各半導体ダイの剥離性を把握するための仕組みが必要とされている。また、ウェーハの各半導体ダイの位置に応じた各半導体ダイの剥離性を把握した後に、或いは、事前に把握できている場合に、ウェーハの半導体ダイのそれぞれに適した剥離動作を適用するための仕組みが必要とされている。【００１０】  本発明は、各半導体ダイに適した剥離動作（ピックアップ動作）を適用して、各半導体ダイのピックアップを行えるようにすることを目的とする。または、本発明は、ウェーハの各半導体ダイの位置に応じた各半導体ダイの剥離性を把握することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムは、ウェーハをダイシングした半導体ダイをダイシングシートから剥離してピックアップするピックアップシステムであって、半導体ダイを吸着するコレットと、コレットに接続され、コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、吸引機構の吸引空気流量を検出する流量センサと、ダイシングシートから半導体ダイをピックアップするためのピックアップ条件に基づいて、ピックアップ動作を制御する制御手段と、半導体ダイをピックアップする際に、流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化を示す実流量情報を取得する取得手段と、取得した実流量情報に基づいて、複数のピックアップ条件のうちのいずれか一つのピックアップ条件と、半導体ダイの個別情報とを対応づけた対応情報を生成する生成手段と、を備え、制御手段は、半導体ダイをピックアップする際に、半導体ダイごとに対応づけられた上記対応情報にしたがって半導体ダイをダイシングシートからピックアップする制御を行う、ことを特徴とする。【００１２】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、生成手段は、１枚のウェーハにおける各半導体ダイと、複数のピックアップ条件の識別子であるレベル値とを対応づけたレベルテーブルと、複数のレベル値のいずれか一つと、ピックアップ条件のいずれか一つとを対応づけた条件テーブルと、を生成し、上記対応情報は、レベルテーブルおよび条件テーブルにより定められる、としてもよい。【００１３】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、複数のレベル値は、ピックアップに要する時間の長短を示す値である、としてもよい。【００１４】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、画面を表示する表示部と、表示制御手段と、を備え、表示制御手段は、表示部に、１枚のウェーハの各半導体ダイを模したマップ画像を表示し、マップ画像において、レベル値が対応づけられた半導体ダイに対応する半導体ダイ画像に、レベル値に応じた色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付す、としてもよい。【００１５】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、情報を入力する入力部、を備え、生成手段は、入力部から、マップ画像上の１つ又は複数の半導体ダイ画像の選択と、複数のレベル値の中から１つのレベル値の選択とを受け付け、選択された半導体ダイ画像に対応する半導体ダイに、選択されたレベル値を対応づけて、レベルテーブルを生成、または、更新する、としてもよい。【００１６】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、半導体ダイのダイシングシートからの剥離が良好な場合における、当該半導体ダイのピックアップの際の流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化を示す期待流量情報を記憶した記憶部、を備え、取得手段は、１枚のウェーハにおける各半導体ダイをピックアップする際に、流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化を示す実流量情報を取得し、生成手段は、複数の半導体ダイのそれぞれの実流量情報と期待流量情報との相関値を求め、複数の相関値のそれぞれに基づいて、複数の半導体ダイのそれぞれにレベル値を対応づけて、レベルテーブルを生成、または、更新する、としてもよい。【００１７】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、表示制御手段は、表示部のマップ画像において、各半導体ダイ画像または各半導体ダイ画像の近傍に、各半導体ダイ画像に対応した各半導体ダイの相関値を表示し、または、表示部において、特定の半導体ダイ画像に対応する半導体ダイの相関値を、画面上の所定位置に表示する、としてもよい。【００１８】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、レベルテーブルにおいて、１枚のウェーハの外周側から内周側に向かうにしたがって、各半導体ダイに、よりピックアップに要する時間が短いレベル値が対応づけられている、としてもよい。【００１９】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、ダイシングシートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、ステージの吸着面に設けられた開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、を備え、制御手段は、半導体ダイをピックアップする際に、上記開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で切換える制御を行い、ピックアップ条件の種類には、上記開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で切換える切換回数を含む、としてもよい。【００２０】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、ピックアップ条件の種類には、上記開口圧力を第１圧力に保持する保持時間を含む、としてもよい。【００２１】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、上記開口の中に配置され、先端面が吸着面より高い第１位置と第１位置より低い第２位置との間で移動する複数の移動要素を含み、吸着面に対する段差面を形成する段差面形成機構、を備え、制御手段は、半導体ダイをピックアップする際に、複数の移動要素のそれぞれを所定時間の間隔で順に、又は、所定の移動要素の組合せで同時に第１位置から第２位置に移動させる制御を行い、ピックアップ条件の種類には、上記所定時間を含む、としてもよい。【００２２】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、ピックアップ条件の種類には、同時に第１位置から第２位置に移動させる上記移動要素の数を含む、としてもよい。【００２３】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、ピックアップ条件の種類には、コレットが半導体ダイに着地してからその持ち上げを開始するまでの待機時間を含む、としてもよい。【００２４】  本発明の半導体ダイのピックアップシステムは、ダイシングシートの表面に貼り付けられた半導体ダイをピックアップする半導体ダイのピックアップシステムであって、半導体ダイを吸着するコレットと、コレットに接続され、コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、吸引機構の吸引空気流量を検出する流量センサと、ピックアップの際に、半導体ダイをダイシングシートから剥離するための剥離動作を制御する制御部と、画面を表示する表示部と、を備え、制御部は、１枚のウェーハにおける各半導体ダイをピックアップする際に、流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化である実流量変化を取得し、複数の半導体ダイのそれぞれの実流量変化に基づいて、複数の半導体ダイのそれぞれのダイシングシートからの剥離容易度または剥離困難度である剥離度を求め、表示部に、１枚のウェーハ��各半導体ダイを模したマップ画像を表示し、マップ画像において、剥離度を求めた半導体ダイに対応する半導体ダイ画像に、当該半導体ダイの剥離度に応じた色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付す、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】  本発明は、各半導体ダイに適した剥離動作（ピックアップ動作）を適用して、各半導体ダイをピックアップできる、という効果を奏する。または、本発明は、１枚のウェーハの各半導体ダイの位置に応じた各半導体ダイの剥離性を把握することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの系統構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムのステージを示す斜視図である。
【図３】ダイシングシートに貼り付けられたウェーハを示す説明図である。
【図４】ダイシングシートに貼り付けられた半導体ダイを示す説明図である。
【図５Ａ】ウェーハホルダの構成を示す説明図である。
【図５Ｂ】ウェーハホルダの構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図７】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図９】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１５】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。
【図１８】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力と、コレットの空気リーク量との時間変化を示す図である。
【図１９】本発明の実施形態におけるパラメータテーブルの一例を示す図である。
【図２０】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの別のレベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力との時間変化を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムのさらに別のレベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力との時間変化を示す図である。
【図２２】本発明の実施形態における１枚のウェーハの各半導体ダイの識別番号についての説明図である。
【図２３】本発明の実施形態におけるレベルテーブルの一例を示す図である。
【図２４】１枚のウェーハの各半導体ダイに対応づけたレベル値の一例を示す説明図である。
【図２５】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態における初期剥離の所定期間における開口圧力の時間変化と、期待流量変化および実流量変化との一例を示す図である。
【図２９】本発明の実施形態における閾値テーブルの一例を示す図である。
【図３０】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図３１】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図３２】本発明の実施形態における設定表示画面を示す図である。
【図３３】１枚のウェーハの各半導体ダイに対応づけたレベル値の別の一例を示す説明図である。
【図３４】１枚のウェーハの各半導体ダイに対応づけたレベル値のさらに別の一例を示す説明図である。
【図３５】１枚のウェーハの各半導体ダイに対応づけたレベル値のさらに別の一例を示す説明図である。
【図３６】本発明の実施形態における制御部の機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】＜構成＞  以下、図面を参照しながら本発明の実施形態の半導体ダイのピックアップシステムについて説明する。図１に示す様に、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、半導体ダイ１５が表面１２ａに貼り付けられたダイシングシート１２を保持し、水平方向に移動するウェーハホルダ１０と、ウェーハホルダ１０の下面に配置され、ダイシングシート１２の裏面１２ｂを吸着する吸着面２２を含むステージ２０と、ステージ２０の吸着面２２に設けられた開口２３の中に配置される複数の移動要素３０と、吸着面２２に対する段差面を形成する段差面形成機構３００と、段差面形成機構３００を駆動する段差面形成機構駆動部４００と、半導体ダイ１５をピックアップするコレット１８と、ステージ２０の開口２３の圧力を切換える開口圧力切換機構８０と、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を切換える吸着圧力切換機構９０と、コレット１８の表面１８ａから空気を吸引する吸引機構１００と、真空装置１４０と、ウェーハホルダ１０を水平方向に駆動するウェーハホルダ水平方向駆動部１１０と、ステージ２０を上下方向に駆動するステージ上下方向駆動部１２０と、コレット１８を上下左右方向に駆動するコレット駆動部１３０と、半導体ダイのピックアップシステム５００の制御を行う制御部１５０と、情報を入力するキーボードやマウス等である入力部４１０と、画面を表示するディスプレイである表示部４５０と、を備えている。
【００２８】  段差面形成機構３００と段差面形成機構駆動部４００とは、ステージ２０の基体部２４の中に収納される。段差面形成機構３００は、ステージ２０の上部にあり、段差面形成機構駆動部４００は、ステージ２０の下部にある。段差面形成機構３００は、上下方向に移動する複数の移動要素３０を備えている。段差面形成機構駆動部４００により、複数の移動要素３０の各先端面が図１に示す矢印ａのように下側に移動する。移動要素３０の詳細については後で説明する。
【００２９】  ステージ２０の開口２３の圧力を切換える開口圧力切換機構８０は、三方弁８１と、三方弁８１の開閉駆動を行う駆動部８２とを備えている。三方弁８１は３つのポートを持ち、第１ポートはステージ２０の開口２３と連通している基体部２４と配管８３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管８４で接続され、第３ポートは大気開放の配管８５と接続されている。駆動部８２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、開口２３の圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、開口２３の圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２としたりすることによって、開口２３の圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切換える。
【００３０】  ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を切換える吸着圧力切換機構９０は、開口圧力切換機構８０と同様、３つのポートを持つ三方弁９１と、三方弁９１の開閉駆動を行う駆動部９２とを備え、第１ポートはステージ２０の溝２６に連通する吸着孔２７と配管９３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管９４で接続され、第３ポートは大気開放の配管９５と接続されている。駆動部９２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を大気圧に近い第４圧力Ｐ４としたりすることによって、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を第３圧力Ｐ３と第４圧力Ｐ４との間で切換える。
【００３１】  コレット１８の表面１８ａから空気を吸引する吸引機構１００は、開口圧力切換機構８０と同様、３つのポートを持つ三方弁１０１と、三方弁１０１の開閉駆動を行う駆動部１０２とを備え、第１ポートはコレット１８の表面１８ａに連通した吸引孔１９と配管１０３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管１０４で接続され、第３ポートは大気開放の配管１０５と接続されている。駆動部１０２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、コレット１８の表面１８ａから空気を吸い込んでコレット１８の表面１８ａの圧力を真空に近い圧力としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、コレット１８の表面１８ａの圧力を大気圧に近い圧力としたりする。コレット１８の吸引孔１９と三方弁１０１との間を接続する配管１０３には、コレット１８の表面１８ａから真空装置１４０に吸引される空気流量（吸引空気流量）を検出する流量センサ１０６が取り付けられている。
【００３２】  ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０、ステージ上下方向駆動部１２０、コレット駆動部１３０は、例えば、内部に設けたモータとギヤによりウェーハホルダ１０、ステージ２０、コレット１８を水平方向、或いは上下方向等に駆動するものである。
【００３３】  制御部１５０は、各種の演算処理や制御処理を行うＣＰＵ１５１と、記憶部１５２と、機器・センサインターフェース１５３とを含み、ＣＰＵ１５１と記憶部１５２と機器・センサインターフェース１５３とは、データバス１５４で接続されているコンピュータである。記憶部１５２の中には、半導体ダイ１５のピックアップ制御のための制御プログラム１５５、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５にピックアップの際の剥離動作を対応づけるための設定表示プログラム１５６、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５と剥離動作のレベル値とが対応づけられたレベルテーブル１５９（図２３参照）、レベル値と各種の剥離パラメータのパラメータ値とが対応づけられたパラメータテーブル１６０（図１９参照）、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合におけるピックアップの際の流量センサ１０６が検出する吸引空気流量の時間変化である期待流量変化１５７、ピックアップする際に流量センサ１０６が実際に検出する吸引空気流量の時間変化である実流量変化１５８が格納されている。図３６は、制御部１５０の機能ブロック図である。制御部１５０は、制御プログラム１５５を実行することによりピックアップ制御手段６００（制御手段）として機能する。また、制御部１５０は、設定表示プログラム１５６を実行することにより後述する生成手段６０２および表示制御手段６０４として機能する。
【００３４】  図１に示す様に、開口圧力切換機構８０、吸着圧力切換機構９０、吸引機構１００の各三方弁８１，９１，１０１の各駆動部８２，９２，１０２及び、段差面形成機構駆動部４００、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０、ステージ上下方向駆動部１２０、コレット駆動部１３０、真空装置１４０は、それぞれ機器・センサインターフェース１５３に接続され、制御部１５０の指令によって駆動される。また、流量センサ１０６は、機器・センサインターフェース１５３に接続され、検出信号は、制御部１５０に取り込まれて処理される。また、入力部４１０および表示部４５０も、機器・センサインターフェース１５３に接続され、入力部４１０からの入力情報が制御部１５０に取り込まれ、制御部１５０からの出力画像情報が表示部４５０へ送られる。
【００３５】  次に、ステージ２０の吸着面２２と、移動要素３０の詳細について説明する。図２に示すように、ステージ２０は、円筒形で、上面には、平面状の吸着面２２が形成されている。吸着面２２の中央には、四角い開口２３が設けられ、開口２３には、移動要素３０が取り付けられている。図６に示すように、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間には隙間ｄが設けられている。図２に示すように、開口２３の周囲には、溝２６が開口２３を取り巻くように設けられている。各溝２６には、吸着孔２７が設けられており、各吸着孔２７は、吸着圧力切換機構９０に接続されている。
【００３６】  図２に示すように、移動要素３０は、中央に配置された柱状移動要素４５と、柱状移動要素４５の周囲に配置された２つの中間環状移動要素４０，４１と、中間環状移動要素４０の周囲に配置されており最外周に配置されている周辺環状移動要素３１とを含んでいる。なお、ここでは中間環状移動要素の数は２つであるが、中間環状移動要素の数は１つ、又は、３つ以上であってもよい。図６以降の図面では、説明を簡単にするために、中間環状移動要素４０の数は１つとなっている。図６に示すように、柱状移動要素４５、中間環状移動要素４０、周辺環状移動要素３１のそれぞれの先端面４７，３８ｂ、３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置にあり、同一面（吸着面２２に対する段差面）を構成している。半導体ダイ１５をピックアップする際に、周辺環状移動要素３１、中間環状移動要素４０、柱状移動要素４５の順に所定時間の間隔で第１位置から第１位置よりも低い第２位置に移動させる。或いは、所定の移動要素の組合せで同時に第１位置から第２位置に移動させる。
【００３７】＜ダイシングシートのセット工程＞  ここで、半導体ダイ１５が貼り付けられたダイシングシート１２をウェーハホルダ１０にセットする工程について説明する。図３に示すように、ウェーハ１１は裏面に粘着性のダイシングシート１２が貼り付けられており、ダイシングシート１２は金属製のリング１３に取り付けられている。ウェーハ１１はこのようにダイシングシート１２を介して金属製のリング１３に取り付けられた状態でハンドリングされる。そして、図４に示すように、ウェーハ１１は切断工程で表面側からダイシングソーなどによって切断されて各半導体ダイ１５となる。各半導体ダイ１５の間にはダイシングの際に出来た切り込み隙間１４が出来る。切り込み隙間１４の深さは半導体ダイ１５からダイシングシート１２の一部にまで達しているが、ダイシングシート１２は切断されておらず、各半導体ダイ１５はダイシングシート１２によって保持されている。
【００３８】  このように、ダイシングシート１２とリング１３とが取り付けられた半導体ダイ１５は図５Ａ及び図５Ｂに示すように、ウェーハホルダ１０に取り付けられる。ウェーハホルダ１０は、フランジ部を持つ円環状のエキスパンドリング１６とエキスパンドリング１６のフランジの上にリング１３を固定するリング押さえ１７とを備えている。リング押さえ１７は図示しないリング押さえ駆動部によってエキスパンドリング１６のフランジに向かって進退する方向に駆動される。エキスパンドリング１６の内径は半導体ダイ１５が配置されているウェーハの径よりも大きく、エキスパンドリング１６は所定の厚さを備えており、フランジはエキスパンドリング１６の外側にあって、ダイシングシート１２から離れた方向の端面側に外側に突出するように取り付けられている。また、エキスパンドリング１６のダイシングシート１２側の外周はダイシングシート１２をエキスパンドリング１６に取り付ける際に、ダイシングシート１２をスムーズに引き伸ばすことができるように曲面構成となっている。図５Ｂに示すように、半導体ダイ１５が貼り付けられたダイシングシート１２はエキスパンドリング１６にセットされる前は略平面状態となっている。
【００３９】  図１に示すように、ダイシングシート１２は、エキスパンドリング１６にセットされるとエキスパンドリング１６の上面とフランジ面との段差分だけエキスパンドリング上部の曲面に沿って引き伸ばされるので、エキスパンドリング１６の上に固定されたダイシングシート１２にはダイシングシート１２の中心から周囲に向かう引っ張り力が働いている。また、この引っ張り力によってダイシングシート１２が延びるので、ダイシングシート１２の上に貼り付けられた各半導体ダイ１５間の隙間１４が広がっている。
【００４０】＜ピックアップ動作＞  次に、半導体ダイ１５のピックアップ動作について説明する。１枚のウェーハにおける各半導体ダイ１５の位置に応じて、各半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が変化することがある。例えば、ウェーハにおける外周付近の半導体ダイ１５から中心付近の半導体ダイ１５に向かって、剥離容易度（剥離し易さ）が徐々に高くなっていることがある。これは、ダイシングシート１２がウェーハホルダ１０のエキスパンドリング１６にセットされると、ダイシングシート１２の中心付近が外周付近に比べて大きく引っ張られるため、ウェーハの中心付近の半導体ダイ１５の剥離容易度がより高まると考えられる。このようなウェーハの半導体ダイ１５の位置に応じた剥離性の傾向は、連続してピックアップを行う複数のウェーハで共通している場合が多い。複数のウェーハの半導体ダイ１５を連続してピックアップする際に、剥離し易い位置にある半導体ダイ１５には、簡易化された短時間の剥離動作（ピックアップ動作）を適用することでピックアップを高速化でき、一方で、剥離し難い位置にある半導体ダイ１５には、長時間の剥離動作（ピックアップ動作）を適用することで半導体ダイ１５の損傷やピックアップミスを抑制できる。そこで、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、１枚のウェーハにおける半導体ダイ１５ごとに、ピックアップの際の剥離動作を変更できるようになっている。
【００４１】  記憶部１５２には、図２３に示すような１枚のウェーハにおける各半導体ダイ１５の位置に従って付された各半導体ダイ１５の識別番号（ダイ識別番号又は個別情報とも言う）とレベル値とを対応づけたレベルテーブル１５９と、図１９に示すような各レベル値と複数種類の剥離パラメータのパラメータ値（ピックアップ条件とも言う）とを対応づけたパラメータテーブル１６０（条件テーブル）とが格納されている。レベルテーブル１５９およびパラメータテーブル１６０により、１枚のウェーハにおける各半導体ダイ１５に適用する剥離動作（剥離パラメータのパラメータ値）が対応づけられている。本実施形態では、レベル値は、剥離動作に要する時間（ピックアップ時間）が最も短いレベル１から、最も長いレベル８までが規定されている。ピックアップ動作前に、ウェーハにおける各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性を考慮して、後述する設定表示画面４６０（図２５参照）を介して、オペレータ等が各半導体ダイ１５にレベル値を対応づけて、レベルテーブル１５９を生成する。ピックアップ動作の際には、レベルテーブル１５９が参照され、１枚のウェーハにおける半導体ダイ１５ごとに、対応づけられたレベル値に応じた剥離動作（ピックアップ動作）が行われる。以下では、パラメータテーブル１６０のレベル４の剥離動作を適用した半導体ダイ１５のピックアップを例に挙げて、ピックアップの動作を説明する。なお、パラメータテーブル１６０の各種の剥離パラメータ、および、設定表示画面４６０については後で詳細に説明する。
【００４２】  制御部１５０は、図１に示す制御プログラム１５５を実行することでピックアップ制御手段として機能して半導体ダイ１５のピックアップ動作の制御を行う。制御部１５０は、ピックアップ動作の一部として、半導体ダイ１５をダイシングシート１２から剥離するための剥離動作を制御する。最初に、制御部１５０は、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０によってウェーハホルダ１０をステージ２０の待機位置の上まで水平方向に移動させる。そして、制御部１５０は、ウェーハホルダ１０がステージ２０の待機位置の上の所定の位置まで移動したら、ウェーハホルダ１０の水平方向の移動を一旦停止する。先に述べたように、初期状態では各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているので、制御部１５０は、ステージ上下方向駆動部１２０によって、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａがダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着し、且つ、吸着面２２の開口２３から少し離れた領域がダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着するまでステージ２０を上昇させる。そして、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａ及び吸着面２２の開口２３から少し離れた領域がダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着したら、制御部１５０はステージ２０の上昇を停止する。そして、制御部１５０は、再度、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０によって、ピックアップしようとする半導体ダイ１５がステージ２０の吸着面２２から僅かに突出している移動要素３０の先端面（段差面）の直上に来るように水平位置を調整する。
【００４３】  図６に示すように、半導体ダイ１５の大きさは、ステージ２０の開口２３よりも小さく、移動要素３０の幅あるいは奥行よりも大きいので、ステージ２０の位置調整が終了すると、半導体ダイ１５の外周端は、ステージ２０の開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間、つまり、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間の隙間ｄの直上となっている。初期状態では、ステージ２０の溝２６、あるいは吸着面２２の圧力は大気圧で、開口２３の圧力も大気圧になっている。初期状態では各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているので、各先端面４７，３８ｂ，３８ａに接しているダイシングシート１２の裏面１２ｂの高さも吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっている。また、開口２３の周縁ではダイシングシート１２の裏面１２ｂは吸着面２２から僅かに浮いており、開口２３から離れた領域では吸着面２２に密着した状態となっている。水平方向の位置調整が終了したら、制御部１５０は、図１に示すコレット駆動部１３０によってコレット１８を半導体ダイ１５の上に降下させてコレット１８の表面１８ａを半導体ダイ１５に着地させる。
【００４４】  図１８は、レベル４の剥離動作（ピックアップ動作）の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力と、コレット１８の空気リーク量との時間変化を示す図である。図１８（ａ）には、コレット１８の表面１８ａの高さが示されており、コレット１８を、時刻ｔ＝０から少し経った時刻から時刻ｔ２にかけて移動させた状態が示されている。制御部１５０は、コレット１８を移動させている間の時刻ｔ１で、吸引機構１００の駆動部１０２によって三方弁１０１をコレット１８の吸引孔１９と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。これにより、吸引孔１９は負圧となり、コレット１８の表面１８ａから吸引孔１９の中に空気が流入してくるので、図１８（ｆ）に示すように、流量センサ１０６が検出する吸引空気流量（空気リーク量）は、時刻ｔ１から時刻ｔ２にかけて増加していく。時刻ｔ２で、コレット１８が半導体ダイ１５に着地すると、表面１８ａに半導体ダイ１５が吸着固定され、表面１８ａから空気流入できなくなる。それにより、時刻ｔ２で、流量センサ１０６が検出する空気リーク量は減少に転じる。コレット１８が半導体ダイ１５に着地した際のコレット１８の表面１８ａの高さは、図６に示すように、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａの高さ（吸着面２２からの高さＨ０）にダイシングシート１２の厚さと半導体ダイ１５の厚さを加えた高さＨｃとなっている。
【００４５】  次に、制御部１５０は、図１８に示す時刻ｔ２に、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力（不図示）を大気圧に近い第４圧力Ｐ４から真空に近い第３圧力Ｐ３に切換える指令を出力する。この指令により、吸着圧力切換機構９０の駆動部９２は、三方弁９１を吸着孔２７と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。すると、図７の矢印２０１に示すように、吸着孔２７を通して溝２６の空気が真空装置１４０に吸い出され、吸着圧力が真空に近い第３圧力Ｐ３となる。そして、開口２３の周縁のダイシングシート１２の裏面１２ｂは図７の矢印２０２に示す様に、吸着面２２の表面に真空吸着される。各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているのでダイシングシート１２には、斜め下向きの引っ張り力Ｆ１が掛かる。この引っ張り力Ｆ１はダイシングシート１２を横方向に引っ張る引っ張り力Ｆ２と、ダイシングシート１２を下方向に引っ張る引っ張り力Ｆ３とに分解できる。横方向の引っ張り力Ｆ２は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２の表面１２ａとの間にせん断応力τを発生させる。このせん断応力τによって、半導体ダイ１５の外周部分あるいは周辺部分とダイシングシート１２の表面１２ａとの間にズレが発生する。このズレは、ダイシングシート１２と半導体ダイ１５の外周部分あるいは周辺部分との剥離のきっかけとなる。
【００４６】  制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ３に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。すると、図８の矢印２０６に示す様に、開口２３の空気が真空装置１４０に吸引され、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ４には開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ1となる。これによって、図８の矢印２０３に示す様に、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との隙間ｄの直上にあるダイシングシート１２が下側に引っ張られる。また、隙間ｄの直上に位置する半導体ダイ１５の周辺部は、ダイシングシート１２に引っ張られて矢印２０４に示す様に下向きに曲げ変形する。これによって半導体ダイ１５の周辺部はコレット１８の表面１８ａから離れる。吸着圧力が真空に近い第３圧力Ｐ３となった際に半導体ダイ１５の外周部分とダイシングシート１２の表面１２ａとの間に発生したズレのため、半導体ダイ１５の周辺部にはダイシングシート１２の表面１２ａから剥離するきっかけが形成されているので、半導体ダイ１５の周辺部は、図８の矢印２０４に示すように曲げ変形しながらもダイシングシート１２の表面１２ａから剥離し始めている。
【００４７】  図８に示すように、半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａから離れると、図８の矢印２０５で示すように、コレット１８の吸引孔１９の中に空気が流入してくる。流入した空気流量（空気リーク量）は、流量センサ１０６によって検出される。これにより、図１８（ｆ）に示すように、時刻ｔ２で減少に転じ、減少を続けていた空気リーク量は、時刻ｔ３で再び増加し始める。具体的には、時刻ｔ３から時刻ｔ４に向かって開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に低下してくるにつれ、半導体ダイ１５がダイシングシート１２と共に下方向に引っ張られて曲げ変形してくるので、コレット１８の吸引孔１９に流入してくる空気リーク量は時刻ｔ３から時刻ｔ４に向かって増加していく。
【００４８】  そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ５の間（時間ＨＴ４）、ステージ２０の開口２３を真空に近い第１圧力Ｐ１に保持する。この時間ＨＴ４は、図１９のパラメータテーブル１６０に規定されているレベル４の「第１圧力の保持時間」である。ＨＴ４は、図１９の例では１３０ｍｓである。第１圧力Ｐ１に保持している間に、図９の矢印２０７に示すように、半導体ダイ１５の周辺部は、コレット１８の吸引孔１９の真空と、半導体ダイ１５の弾性によってコレット１８の表面１８ａに戻っていく。これにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ４に空気リーク量は減少に転じ、減少を続けて、半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、時刻ｔ５の少し前に空気リーク量はほぼゼロとなる。この際、半導体ダイ１５の周辺部は、隙間ｄの直上に位置しているダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する（初期剥離）。そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ５に開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に切換える指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を大気開放の配管８５と開口２３とが連通するように切換える。これにより、図１０に示す矢印２１０のように、空気が開口２３に流入してくるので、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ５から時刻ｔ６に向かって、開口圧力は、真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇していく。
【００４９】  図１８の時刻ｔ１〜ｔ６が初期剥離である。半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性が悪い（剥離容易度が低い）場合には、図８の矢印２０４のように半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから、図９の矢印２０７のように半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまで多くの時間がかかる。そのような半導体ダイ１５には、開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間（図１８（ｅ）の時刻ｔ４〜ｔ５の時間）が長く、或いは、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で切換える回数が多い剥離動作（レベル値）を適用して、半導体ダイ１５の周辺部とダイシングシート１２との剥離を促す。
【００５０】  一方で、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性が良い（剥離容易度が高い）場合には、図８の矢印２０４のように半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから、図９の矢印２０７のように半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間が短い。そのような半導体ダイ１５には、開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間が短く、或いは、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で切換える回数を少ない剥離動作（レベル値）を適用して、ピックアップを高速化する。なお、図１８のレベル４の例では、初期剥離時の開口圧力の切換え回数は１回（第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に切換え、その後、第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に切換えて１回と数えた場合）である。これは、図１９のパラメータテーブル１６０に規定されているレベル４の「初期剥離時の開口圧力の切換回数」（ＦＳＮ４）である。
【００５１】  また、上記のように、半導体ダイ１５の剥離容易度に応じて、半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間が変化するため、流量センサ１０６が検出する空気リーク量の時間変化（実流量変化）も変化する。そこで、後で詳細に説明するように、実流量変化に基づいて、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離容易度を判断することが可能である。
【００５２】  ピックアップ動作の説明を続ける。図１８のｔ６で、開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇すると、図１０の矢印２１２に示すように、真空で下方向に引っ張られていた隙間ｄの直上に位置するダイシングシート１２は、ウェーハホルダ１０に固定する際に印加された引っ張り力によって上方向に戻る。また、開口２３の周縁のダイシングシート１２は、上記の引っ張り力により、吸着面２２から若干浮いた状態になっている。
【００５３】  制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ６に開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２になったら、図１８（ｄ）に示すように、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａの高さを第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の初期位置）から高さＨ１だけ低い第２位置とする指令を出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１１の矢印２１４に示すように周辺環状移動要素３１を下降させる。周辺環状移動要素３１の先端面３８ａは、第１位置（初期位置）から高さＨ１だけ下側で、吸着面２２よりも僅かに低い第２位置（吸着面２２から高さ（Ｈ１−Ｈ０）だけ低い位置）に移動する。
【００５４】  次に、制御部１５０は、図１８に示すように時刻ｔ６から時刻ｔ７まで状態を保持する。この際、開口２３の圧力は大気圧に近い第２圧力Ｐ２になっているので、図１１に示すように、隙間ｄの直上に位置しているダイシングシート１２の裏面１２ｂと周辺環状移動要素３１の先端面３８ａとの間には隙間が空いている。
【００５５】  制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ７に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とが連通するように切換える。これによって図１２の矢印２１５に示すように、開口２３の中の空気が真空装置１４０に吸引され、時刻ｔ８には、開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１となる。開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に低下すると、図１２の矢印２１６に示すように、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａの直上に位置する（対向する）ダイシングシート１２は、裏面１２ｂが先端面３８ａに接するように下側に引っ張られる。これによって、図１２の矢印２１７に示すように、半導体ダイ１５の先端面３８ａの直上に位置する半導体ダイ１５の一部が下方向に曲げ変形し、コレット１８の表面１８ａから離れ、空気がコレット１８の吸引孔１９の中に流入する。吸引孔１９に流入した空気リーク量は流量センサ１０６で検出される。空気リーク量は、図１８（ｆ）に示すように、開口圧力が低下していく時刻ｔ７から時刻ｔ８の間増加していく。そして、開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ８付近で、先端面３８ａに対向する領域の半導体ダイ１５は、図１３に示す矢印２２４のようにコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくる。それにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ８付近で空気リーク量は減少に転じて、図１３に示すように半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、空気リーク量は、また、ほぼゼロに戻る。この時、先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域はダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する。なお、図１２の矢印２１７のように先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２に引っ張られてから、図１３の矢印２２４のようにコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性に応じて変化する。
【００５６】  次に、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ９になると、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇させる指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は三方弁８１を開口２３と大気開放の配管８５とを連通するように切換える。これによって、図１３の矢印２２０で示す様に、開口２３に空気が流入し、時刻ｔ１０で開口２３の圧力は大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇する。これによって、図１３の矢印２２３に示す様に、隙間ｄの直上のダイシングシート１２は、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａから離れて上方向に変位する。
【００５７】  図１８の時刻ｔ１０に、制御部１５０は、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動する指令と、第２位置にある周辺環状移動要素３１の先端面３８ａを、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２−Ｈ０だけ低い位置）に移動する指令とを出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１４の矢印２２７に示すように中間環状移動要素４０を下降させ、矢印２２６に示すように周辺環状移動要素３１を下降させる。中間環状移動要素４０の先端面３８ｂは、第１位置（吸着面から高さＨ０だけ高い位置）から高さＨ１だけ低い第２位置（吸着面２２からＨ１−Ｈ０だけ低い位置）に移動し、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａは、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２−Ｈ０だけ低い位置）に移動する。これにより、図１４に示すように、先端面３８ａ、３８ｂ、４７は相互に段差がある段差面であると同時に吸着面２２に対する段差面となる。
【００５８】  次に、制御部１５０は、図１８に示すように時刻ｔ１０から時刻ｔ１１まで状態を保持する。そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）の時刻ｔ１１に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とを連通させるように切換える。これによって、図１５の矢印２２８に示すように、開口２３の空気は真空装置１４０に吸引され、開口圧力は時刻ｔ１２に真空に近い第１圧力Ｐ１となる。すると、図１５に示す矢印２２９，２３０のようにダイシングシート１２は、第３位置に降下している周辺環状移動要素３１の先端面３８ａ、第２位置に降下している中間環状移動要素４０の先端面３８ｂに向かって引っ張られ、下方向に変位する。これに伴って、先端面３８ａ，３８ｂに対向する半導体ダイ１５の領域も図１５の矢印２３１に示す様にコレット１８の表面１８ａから離れて下向きに曲がり変形する。すると、図１５の矢印２３２に示すように、コレット１８の表面１８ａと半導体ダイ１５との間から空気が吸引孔１９に流入する。吸引孔１９に流入した空気リーク量は流量センサ１０６で検出される。空気リーク量は、図１８（ｆ）に示すように、開口圧力が低下していく時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の間増加していく。そして、開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ１２付近で、先端面３８ａ，３８ｂに対向する領域の半導体ダイ１５は、図１６に示す矢印２４４のようにコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくる。それにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ１２付近で空気リーク量は減少に転じて、図１６に示すように半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、空気リーク量はほぼゼロとなる。なお、このコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくるまでの時間は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性に応じて変化する。
【００５９】  次に、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ１３に開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と大気開放の配管８５とを連通させるように切換える。すると、図１６の矢印２４１に示すように開口２３に空気が流入し、開口圧力が上昇するので、ダイシングシート１２は、図１６に示す矢印２４３に示すように、上方向に変位する。図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ１４に、開口圧力は大気に近い第２圧力Ｐ２となる。この状態では、図１６に示すように柱状移動要素４５の先端面４７に対応する領域の半導体ダイ１５がダイシングシート１２に張り付いているものの、半導体ダイ１５の大部分の領域はダイシングシート１２から剥離した状態となっている。
【００６０】  次に、制御部１５０は、図１８の時刻ｔ１４に、柱状移動要素４５の先端面４７を第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動する指令と、第２位置にある中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２−Ｈ０だけ低い位置）に移動する指令とを出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１７の矢印２６０に示すように柱状移動要素４５を下降させ、矢印２４６に示すように中間環状移動要素４０を下降させる。柱状移動要素４５の先端面４７は、第１位置（吸着面から高さＨ０だけ高い位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動し、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂは、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置に移動する。これにより、図１７に示すように、半導体ダイ１５はダイシングシート１２から剥離した状態となる。
【００６１】  制御部１５０は、図１８の時刻ｔ１５にコレット１８を上昇させる指令を出力する。この指令によって、図１に示すコレット駆動部１３０は、モータを駆動して、図１７に示すようにコレット１８を上昇させる。コレット１８が上昇すると、半導体ダイ１５がコレット１８に吸着された状態でピックアップされる。
【００６２】  半導体ダイ１５をピックアップしたら、制御部１５０は、時刻ｔ１６に、各移動要素３１，４０，４５の各先端面３８ａ，３８ｂ，４７を第１位置に戻し、吸着圧力切換機構９０によりステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３から大気圧に近い第４圧力Ｐ４に切換える。これでピックアップが終了する。
【００６３】  以上説明した図１８の時刻ｔ６〜ｔ１６が本剥離である。本剥離では、外側の移動要素３０から内側の移動要素３０に向かって順次、先端面を第１位置から第２位置に移動させ、開口圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切換えることで、半導体ダイ１５の周辺部より内側の領域をダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する。なお、以上説明した本剥離では、開口圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切換えていたが、開口圧力を真空に近い第１圧力に保持した状態で、各移動要素３０を順次、移動させるようにしてもよい。
【００６４】  ここで、以上説明した図１８の剥離動作の剥離パラメータについて確認する。以上説明した図１８の剥離動作は、図１９のパラメータテーブル１６０のレベル４に規定された各剥離パラメータのパラメータ値を適用して行った。具体的には、次の剥離パラメータのパラメータ値を適用した。「初期剥離時の開口圧力の切換回数（第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に切換え、その後、第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に切換えて１回と数えた場合、以下同じ）」はＦＳＮ４＝１回とした。「本剥離時の開口圧力の切換回数」はＳＳＮ４＝２回とした。開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間である「第１圧力の保持時間」はＨＴ４＝１３０ｍｓとした。「同時に降下させる移動要素の数」はＤＮ４＝０個とした。各移動要素３０の先端面を順次、第１位置から第２位置に降下させる際の「移動要素間の降下時間間隔」はＩＴ４＝２４０ｍｓとした。また、コレット１８が半導体ダイ１５に着地してから半導体ダイ１５の持ち上げを開始するまでの時間である「コレット待機時間」はＷＴ４＝７１０ｍｓとした。そして、「ピックアップ時間」はＰＴ４＝８２０ｍｓであった。
【００６５】＜パラメータテーブル＞  ここで、図１９のパラメータテーブル１６０についてさらに詳しく説明する。パラメータテーブル１６０の各剥離パラメータのパラメータ値は、レベル値の変化に応じて次のような傾向を有している。図１９に示す様に、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」は、レベル１からレベル８に向かって数を多くしている。ただし、これはレベル値が変わるごとに必ず切換回数が多くなっていることを意味しておらず、隣接する複数のレベル値で切換回数が同じである場合がある。これは、他の剥離パラメータも同様であり、レベル値が変わるごとにパラメータ値が変化することを意味しておらず、隣接する複数のレベル値でパラメータ値が同じである場合がある。「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、レベル１からレベル８に向かって数を多くしている。また、「第１圧力の保持時間」は、レベル１からレベル８に向かって時間を長くしている。「移動要素間の降下時間間隔」は、レベル１からレベル８に向かって時間間隔を長くしている。また、「コレット待機時間」は、レベル１からレベル８に向かって時間を長くしている。「ピックアップ時間」は、レベル値が変わるごとに変化し、レベル１からレベル８に向かって長くなる。なお、「ピックアップ時間」は、「コレット待機時間」と似ているが、コレット待機時間に加えて、コレット１８を所定位置から降下させて半導体ダイ１５に着地するまでの時間と、半導体ダイ１５の持ち上げを開始してから所定位置まで上昇するまでの時間とを含む。なお、図１９のパラメータテーブル１６０は、「条件テーブル」と言うこともでき、剥離パラメータは、「ピックアップパラメータ」と言うこともできる。図１９に示されている具体的な各パラメータ値は、あくまで一例であり、他の値であってもよいことは当然である。
【００６６】  ここで、前述したレベル４の剥離動作以外の剥離動作の例として、レベル１とレベル８の剥離動作について説明する。まず、レベル８の剥離動作について説明する。レベル８は、非常に剥離し難い半導体ダイ１５に対応づけるべきレベル値である。図２０は、レベル８の剥離動作の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力とを示す図である。図２０のレベル８の剥離動作と、図１８のレベル４の剥離動作とを比べれば、次のことがわかる。
【００６７】  図２０のレベル８の剥離動作では、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」は、４回（ＦＳＮ８）に増えている。これにより、半導体ダイ１５の周囲がダイシングシート１２から剥離し難い場合でも、半導体ダイ１５の周囲をダイシングシート１２から十分に剥離することができる。開口圧力を何度も切換えることで、半導体ダイ１５の周囲に付いたダイシングシート１２を振り払うイメージであり、時間はかかるが確実に剥離を行うことができる。また、図２０では、初期剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を１５０ｍｓ（図１９参照、以下同様に、詳細なパラメータ値については同図を参照）にして、長くしている。これにより、半導体ダイ１５の周囲が自然にダイシングシート１２から剥がれるのを促すことができる。なお、図１９の例では、「第１圧力の保持時間」について、レベル４と８で大きな差がないが、差をより大きくすることも考えられる。
【００６８】  また、図２０のレベル８の剥離動作では、「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、４回（ＳＳＮ８）に増えている。これにより、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２から剥離し難い場合であっても、半導体ダイ１５に付いたダイシングシート１２を振り払うように、確実な剥離を行うことができる。また、図２０では、本剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を１５０ｍｓにして、長くしている。これにより、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域が自然にダイシングシート１２から剥がれるのを促すことができる。なお、図１９に示すパラメータテーブル１６０では、初期剥離時と本剥離時とで「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を共通にしているが、初期剥離時と本剥離時とで別々の「第１圧力の保持時間」がパラメータテーブル１６０に規定されていてもよい。また、図２０に示すように、初期剥離時、または、本剥離時に開口圧力を複数回切換えることで、第１圧力Ｐ１に保持する時間が複数個ある場合には、複数個の「第１圧力の保持時間」のそれぞれをパラメータテーブル１６０に規定し、それらのパラメータ値を互いに異ならせてもよい。例えば、剥離動作において適用する順番に、複数個の「第１圧力の保持時間」を並べてパラメータテーブル１６０に規定する。
【００６９】  また、図２０のレベル８の剥離動作では、「移動要素間の降下時間間隔」（ＩＴ８）を４５０ｍｓにして、長くしている。周辺環状移動要素３１の先端面３８ａを第１位置から第２位置に降下させてから、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置から第２位置に降下させるまでの時間を長くすれば、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２から自然に剥がれるのを促すことができる。同様に、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置から第２位置に降下させてから、柱状移動要素４５の先端面４７を第１位置から第２位置に降下させるまでの時間を長くすれば、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２から自然に剥がれるのを促すことできる。なお、周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０との間の降下時間間隔と、中間環状移動要素４０と柱状移動要素４５との間の降下時間間隔とを異ならせてもよく、その場合には、それぞれの降下時間間隔がパラメータテーブル１６０に規定される。なお、図２に示すように、中間環状移動要素４０，４１の数が２つ以上の場合があり、その場合には、剥離動作において外周側の中間環状移動要素４０から内周側の中間環状移動要素４１へ向かって順に降下させる。このように中間環状移動要素４０，４１の数が２つ以上ある場合には、中間環状移動要素４０と別の中間環状移動要素４１との間の降下時間間隔がパラメータテーブル１６０に規定されてもよい。なお、例えばピックアップ動作を開始した時点（図２０の時刻ｔ１）から、周辺環状移動要素３１（最初に降下させる移動要素３０）を第１位置から第２位置に降下させる時点までの時間が、パラメータテーブル１６０に規定されてもよい。
【００７０】  また、図２０のレベル８の剥離動作では、「コレット待機時間」（ＷＴ８）を１５９０ｍｓにして、長くしている。そして、図２０では、「ピックアップ時間」（ＰＴ８）が、１７００ｍｓになり、長くなっている。
【００７１】  次に、レベル１の剥離動作について説明する。レベル１は、非常に剥離し易い半導体ダイ１５に対応づけるべきレベル値である。図２１は、レベル１の剥離動作の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力とを示す図である。図２１のレベル１の剥離動作と、図１８のレベル４の剥離動作とを比べれば、次のことがわかる。
【００７２】  図２１のレベル１の剥離動作では、初期剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ１）を１００ｍｓにし、短くしている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、「第１圧力の保持時間」を短くしても、半導体ダイ１５の周囲がダイシングシート１２から十分に剥離される。このように「第１圧力の保持時間」を短くすることで、剥離動作に要する時間を短くすることができる。
【００７３】  また、図２１のレベル１の剥離動作では、「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、１回（ＳＳＮ１）に減らしている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、「本剥離時の開口圧力の切換回数」が１回でも、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２から十分に剥離される。また、図２１では、３つの移動要素３０（周辺環状移動要素３１、中間環状移動要素４０、柱状移動要素４５）の先端面３８ａ，３８ｂ，４７を同時に第１位置から第２位置以下に降下させており、「同時に降下させる移動要素の数」は３つ（ＤＮ１）に増えている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、複数の移動要素３０を同時に降下させても、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２からすぐに剥離される。なお、周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０とを同時に降下させ、その所定時間後に柱状移動要素４５を降下させる場合には、「同時に降下させる移動要素の数」は２つとなる。なお、図１９のパラメータテーブル１６０では、「同時に降下させる移動要素の数」と「移動要素間の降下時間間隔」の２つの剥離パラメータを規定してあるが、それらに代えて、上記した「周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０との間の降下時間間隔」、「中間環状移動要素４０と柱状移動要素４５との間の降下時間間隔」、「中間環状移動要素４０と別の中間環状移動要素４１との間の降下時間間隔」を規定することができる。この場合、複数の移動要素３０を同時に降下させるようにするには、これらの降下時間間隔の１つ又は２つ以上が０に設定される。
【００７４】  また、図２１のレベル１の剥離動作では、「コレット待機時間」（ＷＴ１）を４６０ｍｓにし、短くしている。そして、図２１では、「ピックアップ時間」（ＰＴ１）が、５７０ｍｓであり、短くなっている。
【００７５】  以上説明したように、レベル値に応じて各剥離パラメータのパラメータ値を異ならせており、すなわち、剥離動作（ピックアップ動作）を異ならせている。１枚のウェーハの中の剥離し難い位置にある半導体ダイ１５にはレベル８に近いレベル値を対応づけて剥離動作を行うことで、ピックアップの際の半導体ダイ１５の破損やピックアップミスを抑制することができる。一方、１枚のウェーハの中の剥離し易い位置にある半導体ダイ１５にはレベル１に近いレベル値を対応づけて剥離動作を行うことで、ピックアップを短時間に行うことができる。なお、複数のレベル値は、ピックアップに要する時間の長短を示す値と言うことができる。各剥離パラメータのパラメータ値は、「ピックアップ条件」と言うことができ、同種の剥離パラメータ（例えば「初期剥離時の開口圧力の切換回数」）のレベル１〜８のパラメータ値は、「複数のピックアップ条件」である。また、図１９に示す剥離パラメータの種類は、「ピックアップ条件の種類」と定義できる。
【００７６】＜レベルテーブル＞  次に、レベルテーブル１５９について詳細に説明する。図２２は、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の識別番号（ダイ識別番号、個別情報）の説明図であり、図２３は、レベルテーブル１５９の一例を示す図である。図２２に示すように、１枚のウェーハ１１の各半導体ダイ１５のＸ方向の位置（Ｘ座標）とＹ方向の位置（Ｙ座標）とからなる識別番号が、各半導体ダイ１５に対応づけられている。例えば、ウェーハ１１の最も左上にある半導体ダイ１５は、Ｘ方向の位置が「１」でありＹ方向の位置が「９」であるため、識別番号「１−９」が対応づけられており、同様に、その半導体ダイ１５の右隣の半導体ダイ１５は、Ｘ方向の位置が「１」でありＹ方向の位置が「１０」であるため、識別番号「１−１０」が対応づけられている。
【００７７】  図２３に示すように、レベルテーブル１５９は、各半導体ダイの識別番号（ダイ識別番号、個別情報）と、レベル値とを対応づけている。すなわち、レベルテーブル１５９は、１枚のウェーハにおける各半導体ダイと、剥離パラメータのパラメータ値（複数のピックアップ条件）の識別子であるレベル値とを対応づけている。レベルテーブル１５９とパラメータテーブル１６０により、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５に、レベル値に応じた剥離動作が対応づけられている。レベルテーブル１５９とパラメータテーブル１６０により、各種の剥離パラメータにおける複数のピックアップ条件（レベル１〜８のパラメータ値）のうちの一つのピックアップ条件（パラメータ値）と、半導体ダイの個別情報（識別情報）とを対応づけた対応情報が定められている。
【００７８】  図２４は、図２３のレベルテーブル１５９に従って、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５に、各半導体ダイ１５に対応づけられたレベル値に応じた濃淡またはハッチングを付した図である。前述したように、１枚のウェーハにおける外周付近の半導体ダイ１５から中心付近の半導体ダイ１５に向かって、剥離容易度（剥離し易さ）が徐々に高くなっていることがある。その場合には、図２４のように、ウェーハにおける外周付近の半導体ダイ１５から中心付近の半導体ダイ１５に向かって、対応づけるレベル値が低くなるようにする（剥離動作を簡易化して、剥離動作に要する時間が短くなるようにする）。図２４では、最外周の半導体ダイ１５ｅ（左上り斜線のハッチングが付された半導体ダイ）にはレベル７が対応づけられており、半導体ダイ１５ｅの内周側の半導体ダイ１５ｄ（右上り斜線のハッチングが付された半導体ダイ）にはレベル６が対応づけられており、半導体ダイ１５ｄの内周側の半導体ダイ１５ｃ（濃いグレーが付された半導体ダイ）にはレベル５、半導体ダイ１５ｃの内周側の半導体ダイ１５ｂ（淡いグレーが付された半導体ダイ）にはレベル４、中心付近の半導体ダイ１５ａ（白色が付された半導体ダイ）にはレベル３がそれぞれ対応づけられている。なお、以下で説明する図２５〜２７，３０〜３５における、各半導体ダイ１５または各半導体画像（後述）に付された図２４と同じ濃淡またはハッチングは、図２４の各レベル値と同じレベル値が対応づけられていることを意味している。図２４のように、剥離し難い位置にある半導体ダイ１５に対しては十分に剥離を促せる剥離動作（高いレベル値）を適用することで、ピックアップ時の半導体ダイの損傷やピックアップミスを抑制することができ、剥離し易い位置にある半導体ダイ１５に対しては簡易な剥離動作（低いレベル値）を適用して短時間のピックアップを行うことができる。複数のウェーハにおいて各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性は同様の傾向を示すため、図２３，２４のようなレベルテーブル１５９を用いて、複数のウェーハの半導体ダイ１５を連続してピックアップする。
【００７９】＜設定表示画面＞  次に、オペレータ等がレベルテーブル１５９の生成や編集（更新）を行うための設定表示画面４６０について説明する。図２５〜２７は、設定表示画面４６０の一例を示す図である。制御部１５０は、記憶部１５２に格納されている設定表示プログラム１５６を実行することで、表示部４５０（ディスプレイ）に設定表示画面４６０を表示し、レベルテーブル１５９の読み出し、生成、更新を受け付ける。制御部１５０は、表示制御手段として機能することで、表示部４５０に設定表示画面４６０を表示する。また、後述するように、設定表示プログラム１５６を実行することで、ウェーハの各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性の自動取得の指示を受け付ける。図２５に示すように、設定表示画面４６０は、１枚のウェーハの各半導体ダイを模したマップ画像４８０であり多数の半導体ダイ画像４８２からなるマップ画像４８０と、各種の操作用のボタン４６８からなる操作ボタン群４６４と、「レベル１」〜「レベル８」の各ボタン４６６からなるレベル値ボタン群４６２とを有している。
【００８０】  図２３，２４のように各半導体ダイ１５にレベル値がすでに対応づけられている場合、すなわち、すでにレベルテーブル１５９が生成済みの場合には、オペレータ等は、設定表示画面４６０のマップ画像４８０に、レベルテーブル１５９に規定された対応関係を表示することができる。具体的には、オペレータ等は、マウス（入力部４１０）により、図２５のように設定表示画面４６０上にあるポインタ４７８を「読み出し」のボタン４６８の位置まで移動し、そのボタンをクリック（選択）する。それにより、レベルテーブル１５９に規定された対応関係が読み出され、その対応関係がマップ画像４８０に表示される。具体的には、マップ画像４８０において、各半導体ダイ１５に対応する半導体ダイ画像４８２のそれぞれに、各半導体ダイ１５に対応づけられたレベル値に応じた色が付される。図２５には、図２３，２４に示す各半導体ダイ１５とレベル値との対応関係を有するレベルテーブル１５９が読み出された場合が示されている。このように、各半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じた色を付すことで、オペレータ等は、各位置にある半導体ダイにどのレベル値が対応づけられているかを容易に把握することができる。なお、ここでは、各半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じた色を付すとしたが、マップ画像４８０の各半導体ダイ画像４８２に、レベル値に応じた色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付すようにしてもよい。
【００８１】  オペレータ等は、設定表示画面４６０のマップ画像４８０に読み出したレベルテーブル１５９を編集することができる。これについては、レベルテーブル１５９を新規に生成する方法を説明した後に説明する。なお、本実施形態では、ポインタ４７８の移動やボタンの選択にマウスを使うこととするが、ジョイスティック等が使われてもよい。
【００８２】  図２６は、新規にレベルテーブル１５９を生成する場合の設定表示画面４６０の一例を示す図である。オペレータ等が、ポインタ４７８を「新規作成」のボタン４６８に移動し、そのボタン４６８をクリックすることで、設定表示画面４６０がレベルテーブル１５９の新規作成の画面になる。この時、１枚のウェーハのすべての半導体ダイ１５にデフォルトのレベル値が対応付けられた仮のレベルテーブル１５９が作成され、マップ画像４８０の各半導体ダイ画像４８２にはデフォルトのレベル値に対応した色が付される。図２６では、デフォルトのレベル値はレベル３であり、各半導体ダイ画像４８２にはレベル３に対応した色（白色）が付されている。オペレータ等は、この状態から、各半導体ダイ画像４８２に所望のレベル値を対応づけていくことで、各半導体ダイ画像４８２に対応する半導体ダイ１５にレベル値を対応づけていく。
【００８３】  具体的には、まず、図２６のようにポインタ４７８を所望のレベル値（図２６ではレベル５）のボタン４６６まで移動させ、そのボタン４６６をクリックすることでレベル値を選択する。そして、図２７のように、ポインタ４７８を、選択したレベル値を対応づけたい半導体ダイ画像４８２ｂに移動させ、その半導体ダイ画像４８２ｂをクリックする。それにより、クリックされた半導体ダイ画像４８２ｂに対応する半導体ダイに選択したレベル値が対応づけられる。また、半導体ダイ画像４８２ｂに選択したレベル値に応じた色が付される。図２７には、３つの半導体ダイ画像４８２ｂをクリックしたことで、それらの半導体ダイ画像４８２ｂに、選択したレベル５に応じた色が付された状態が示されている。オペレータ等は、このようにして、レベル値の選択と、選択したレベル値を対応づける半導体ダイ画像（半導体ダイ）の選択とを繰り返すことで、レベルテーブル１５９を作成、又は、編集していく。制御部１５０は、生成手段として機能して、このレベル値の選択と半導体ダイ画像（半導体ダイ）の選択とを受け付ける。
【００８４】  そして、レベルテーブル１５９の作成、又は、編集が完了したら、ポインタ４７８を「上書き保存」のボタン４６８に移動させ、そのボタン４６８をクリック（選択）することで、レベルテーブル１５９の作成（生成）が終了する。制御部１５０は、「上書き保存」のボタン４６８がクリックされると、生成手段として機能して、レベルテーブル１５９を生成する。なお、レベルテーブル１５９が複数存在する場合には、各レベルテーブル１５９を識別するために、レベルテーブル１５９にファイル名を付けて記憶部１５２に格納し、読み出しの際にはファイル名を指定してレベルテーブル１５９を記憶部１５２から読み出す形態が考えられる。この形態の場合には、ポインタ４７８により「名前を付けて保存」のボタン４６８をクリックして、入力部４１０のキーボード等からファイル名がつけられて、レベルテーブル１５９が記憶部１５２に格納される。なお、この場合には、制御部１５０は、「名前を付けて保存」のボタン４６８がクリックされると、生成手段として機能して、レベルテーブル１５９を生成する。そして、前述した「読み出し」のボタン４６８がポインタ４７８によりクリックされた際に、複数のレベルテーブル１５９の中から読み出したいレベルテーブル１５９のファイル名を指定することで、所望のレベルテーブル１５９が設定表示画面４６０に読み出されることになる。
【００８５】  前述した図２５のように、レベルテーブル１５９が設定表示画面４６０のマップ画像４８０に読み出され後、レベルテーブル１５９を編集（更新）する場合も、上記した新規作成の場合と同様の方法で行われる。すなわち、図２５において、ポインタ４７８により所望のレベル値のボタン４６６をクリック（選択）した後、選択したレベル値に変更したい半導体ダイ画像４８２（半導体ダイ）をポインタ４７８によりクリックする。それにより、クリックされた半導体ダイ画像４８２に対応する半導体ダイ１５に、選択したレベル値が対応づけられ、半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じて色が付される。
【００８６】  オペレータ等は、設定表示画面４６０にレベルテーブル１５９を読み出した状態、すなわち、マップ画像４８０の各半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じた色が付されている状態で、不図示のピックアップ実行のボタンを押下することで、半導体ダイ１５のピックアップをスタートする。なお、ピックアップ実行のボタンは、画面上に表示されたボタンを入力部４１０のマウスでクリックする形態、或いは、物理的に存在するボタンをオペレータ等が手や指で押下する形態であることができる。ピックアップ実行のボタンが押下されることで、制御部１５０は、記憶部１５２に格納されている制御プログラム１５５を実行して、半導体ダイ１５のピックアップを行う。この際、各ウェーハの各半導体ダイ１５に対して、設定表示画面４６０のマップ画像４８０に読み出されたレベルテーブル１５９に従って剥離動作が行われる。
【００８７】＜１枚のウェーハにおける各半導体ダイの剥離性の取得＞  次に、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の剥離性の取得について説明する。オペレータ等は、ウェーハの各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性（剥離し易さ、或いは、剥離し難さ）を把握することにより、各半導体ダイ１５に対してより的確なレベル値を対応づけることができる。そこで、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、ウェーハの各半導体ダイの位置に応じた各半導体ダイの剥離性を、自動で取得することが可能となっている。以下に、各半導体ダイ１５の剥離性の自動取得について詳細に説明する。
【００８８】＜剥製性の検出方法＞  まず、半導体ダイのピックアップシステム５００が行う、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性の検出方法について説明する。半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性は、流量センサ１０６が検出するコレット１８の吸引空気流量の時間変化（実流量変化）から検出することができる。
【００８９】  図２８は、初期剥離時の開口圧力と流量センサ１０６が検出するコレット１８の空気リーク量（吸引空気流量）との時間変化を示す図であり、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４の各タイミングの意味は、図１８に示したそれらの各タイミングの意味と同じである。図２８の空気リーク量のグラフにおける実線１５７は、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合（剥離容易度が非常に高い場合）における空気リーク量の時間変化である期待流量変化１５７であり、期待流量変化１５７は、予め記憶部１５２に格納しておくものである。具体的には、記憶部１５２に格納しておく期待流量変化１５７は、所定のサンプリング周期で取得された多数の吸引空気流量の集合であり、多数の離散的な時刻ｔに対応づけられた吸引空気流量であることができる。図２８の空気リーク量のグラフにおける一点鎖線１５８ａと二点鎖線１５８ｂは、実際に半導体ダイ１５をダイシングシート１２からピックアップする際に検出される空気リーク量の時間変化である実流量変化１５８の例である。実流量変化１５８は、半導体ダイ１５をピックアップするたびに記憶部１５２に格納される。具体的には、記憶部１５２に格納される実流量変化１５８は、期待流量変化１５７と対比できる形態であればよく、例えば、期待流量変化１５７と同様に、所定のサンプリング周期で取得された多数の吸引空気流量の集合であり、多数の離散的な時刻ｔに対応づけられた吸引空気流量であることができる。なお、実流量変化を「実流量情報」と言うことができ、期待流量変化を「期待流量情報」と言うことができる。
【００９０】  半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合には、時刻ｔ３に開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めると、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れる（図８参照）が、すぐに半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってくる（図９参照）。そのため、図２８の期待流量変化１５７のように、空気リーク量は、時刻ｔ３から増加し始めるが、すぐに減少に転じる（時刻ｔｒ＿ｅｘｐで減少に転じる）。期待流量変化１５７では、増加する空気リーク量も少ない。
【００９１】  一方、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が悪い場合（剥離容易度が低い場合）には、時刻ｔ３に開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めると、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れ、ある程度時間が経ってから、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってくる。そのため、図２８の実流量変化１５８ａのように、空気リーク量は、時刻ｔ３から増加し始め、増加を続けた後、時刻ｔｒ＿ｅｘｐよりも遅い時刻ｔｒ＿ｒｅｌで減少に転じる。また、実流量変化１５８ａでは、増加する空気リーク量が多い。
【００９２】  また、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が非常に悪い場合（剥離容易度が非常に低い場合）には、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れた後、ある程度時間が経過しても、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってこない。そのため、図２８の実流量変化１５８ｂのように、開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に到達した時刻ｔ４から所定時間経過した時刻ｔｃ＿ｅｎｄでも、空気リーク量は大きいままである。
【００９３】  このように、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が悪くなるほど、実流量変化１５８は、期待流量変化１５７から乖離する。そこで、実流量変化１５８を期待流量変化１５７と比べて、実流量変化１５８が期待流量変化１５７に類似しているほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断する。或いは、実流量変化１５８と期待流量変化１５７との相関が強いほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断する。本実施形態では、実流量変化１５８と期待流量変化１５７とを比較して、それらの相関値を求める。相関値は、０〜１．０の値であり、実流量変化１５８と期待流量変化１５７とが完全に一致するときに１．０とし、０から１．０に近づくほど剥離容易度が高いと判断する。なお、本実施形態では、相関値がとる値の範囲を０〜１．０とするが、それ以外でもよいことは言うまでもない。
【００９４】  実流量変化１５８と期待流量変化１５７とを比較する期間は、例えば、初期剥離の期間の一部である図２８の時刻ｔ１（コレット１８の表面１８ａから空気を吸引し始めた時刻）〜時刻ｔｃ＿ｅｎｄ（最初に開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ４から所定時間経過した時刻）とする。または、比較する期間は、初期剥離の期間の一部である時刻ｔ３（開口圧力が第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めた時刻）〜ｔｃ＿ｅｎｄの期間であってもよい。また、比較する期間は、その他の期間であることもできる。
【００９５】  なお、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性として、実流量変化１５８と期待流量変化１５７との相関値以外を求めてもよい。例えば、図２８の時刻ｔｃ＿ｅｎｄにおける期待流量変化１５７の値と、同時刻における実流量変化１５８の値との差が小さいほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断してもよい。また、例えば、期待流量変化１５７における空気リーク流量が増加から減少に転じるタイミングである時刻ｔｒ＿ｅｘｐと、実流量変化１５８における空気リーク流量が増加から減少に転じるタイミングである時刻ｔｒ＿ｒｅｌとの差が小さいほど、剥離容易度が高いと判断してもよい。また、例えば、図２８の時刻ｔ３以降に検出される期待流量変化１５７の空気リーク流量の最大値と、同時刻以降で検出される実流量変化１５８の空気リーク流量の最大値との差が小さいほど、剥離容易度が高いと判断してもよい。
【００９６】  また、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性を、期待流量変化１５７を使わずに検出することも考えられる。例えば、図２８の時刻ｔｃ＿ｅｎｄにおける実流量変化１５８の値が小さいほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断してもよい。なお、実流量変化１５８に基づいて得られた、上記の相関値、或いは、それに代わる半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性を示す指標値を、「評価値」と言ってもよい。
【００９７】＜剥離性の設定表示画面への表示＞  次に、上記のようにして検出される半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性を、設定表示画面４６０に表示する方法について説明する。オペレータ等は、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の位置における各半導体ダイ１５の剥離性を把握したい場合に、図３０のように、ポインタ４７８により「自動取得」のボタン４６８をクリックする。それにより、制御部１５０は、記憶部１５２の制御プログラム１５５を実行して、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５を所定のレベル値の剥離動作（ピックアップ動作）でピックアップする。この際、制御部１５０は、生成手段として機能し、半導体ダイ１５をピックアップするごとに、実流量変化１５８を取得し、実流量変化１５８と期待流量変化１５７との相関値を求め、実流量変化１５８と相関値とを記憶部１５２に格納する。
【００９８】  そして、制御部１５０（生成手段）は、半導体ダイ１５をピックアップするごとに、相関値を、図２９に示す閾値テーブル１６１の各レベル値の閾値ＴＨ１，ＴＨ２と比較する。図２９は、閾値テーブル１６１の一例であり、閾値テーブル１６１は、予め記憶部１５２に格納しておくテーブルであり、相関値に基づいて半導体ダイ１５に対してどのレベル値を適用すべきかを決定するためのテーブルである。閾値テーブル１６１には、各レベル値の範囲が下側閾値ＴＨ１，上側閾値ＴＨ２で設定されており、低いレベル値ほど大きい閾値ＴＨ１，ＴＨ２が設定されている。例えば、レベル４の範囲は０．８１（下側閾値ＴＨ１）〜０．８５（上側閾値ＴＨ２）であり、レベル１の範囲は０．９６（下側閾値ＴＨ１）以上であり、レベル８の範囲は０．６５（上側閾値ＴＨ２）以下である。制御部１５０（生成手段）は、求められた相関値がどのレベル値の範囲に属しているかを探索し、相関値が属するレベル値を取得する。例えば、求められた相関値が０．７８であれば、レベル５（範囲：０．７６〜０．８０）を取得する。このようにして、制御部１５０は、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５をピックアップするごとに、相関値が属するレベル値を閾値テーブル１６１から取得する。そして、制御部１５０は、そのレベル値を、相関値が求められた半導体ダイ１５（ダイ識別番号）に対応づけていく。すなわち、制御部１５０（生成手段）は、レベルテーブル１５９を作成していく。そして、制御部１５０は、徐々に作成されていくレベルテーブル１５９に基づいて、図３０に示すように、マップ画像４８０の各半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じた色を付していく。
【００９９】  このように、各半導体ダイ１５の相関値（剥離容易度）の大きさをレベル値で段階的にマップ画像４８０に表す。オペレータ等は、図３０のようなマップ画像４８０を見ることで、どの位置の半導体ダイがどの程度の剥離容易度を有しているかを容易に把握することができる。また、「自動取得」のボタン４６８をクリックするだけでレベルテーブル１５９が作成されるので、以降の複数枚のウェーハの各半導体ダイをピックアップする際に、このレベルテーブル１５９をそのまま適用することもできる。また、オペレータ等は、図３０のように自動で各半導体ダイ１５にレベル値が対応づけられたレベルテーブル１５９を編集することもできる。すなわち、前述したレベルテーブル１５９を編集する場合と同様に、図３０の設定表示画面４６０において、所望のレベル値のボタン４６６をポインタ４７８で選択した後、マップ画像４８０の中のレベル値を変更したい半導体ダイ画像４８２をポインタ４７８で選択すればよい。なお、ここでは、マップ画像４８０の各半導体ダイ画像４８２にレベル値に応じた色を付すとしたが、各半導体ダイ画像４８２に、相関値（剥離容易度）の大きさに応じてより細かく変化する色、模様、文字、数字および記号の少なくとも１つを付すようにしてもよい。
【０１００】  さらに、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、オペレータ等が、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の剥離性を詳細に把握できる仕組みを有している。図３１に示すように、マップ画像４８０の所定の半導体ダイ画像４８２ｃにポインタ４７８を移動させると吹き出し４８６が現れ、吹き出し４８６の中に、ポインタ４７８が位置している半導体ダイ画像４８２ｃに対応する半導体ダイ１５の実流量変化の波形と相関値とが表示される。図３１に示す吹き出し４８６の中には、実線で実流量変化が表示されている他、破線で期待流量変化も表示されている。このように、各半導体ダイ１５の実流量変化と相関値とが設定表示画面４６０に表示されるため、オペレータ等は各半導体ダイ１５の剥離性を詳細に知ることができる。なお、マップ画像４８０において、各半導体ダイ画像４８２に、各半導体ダイ画像４８２に対応した各半導体ダイ１５の相関値を付すようにしてもよい。または、特定の１つ又は複数の半導体ダイ画像４８２に対応する半導体ダイ１５の相関値を、設定表示画面４６０上の所定位置に表示するようにしてもよい。
【０１０１】＜作用効果＞  以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、１枚のウェーハにおける各半導体ダイ１５と、各種の剥離パラメータにおける複数のピックアップ条件（レベル１〜８のパラメータ値）のうちの一つのピックアップ条件（パラメータ値）とを対応づけた対応情報（レベルテーブル１５９およびパラメータテーブル１６０）を記憶部１５２に記憶しておく。そして、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５をピックアップする際に、その対応情報を参照して、半導体ダイ１５ごとに対応づけられた剥離動作にしたがって半導体ダイ１５をダイシングシート１２から剥離してピックアップを行う。そのため、１枚のウェーハにおける各半導体ダイ１５に適した剥離動作を適用して、ピックアップを行うことができる。また、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００によれば、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性を把握することができる。
【０１０２】＜その他＞  以上説明した実施形態では、設定表示画面４６０は、レベルテーブル１５９の作成や更新などを行うための画面であった。しかし、設定表示画面４６０において、パラメータテーブル１６０（条件テーブル）の各パラメータ値の設定を行えてもよい。例えば、図３２に示すように、パラメータ値の設定用のウィンドウ４９０を設定表示画面４６０に表示させて、パラメータ値の設定を行えるようにする。具体的には、まず、パラメータ値を設定したいレベル値のボタン４６６をポインタ４７８で選択（クリック）し、その後、「詳細設定」のボタン４７０をポインタ４７８でクリックする。それにより、図３２のように選択したレベル値の剥離パラメータのパラメータ値設定用のウィンドウ４９０が現れる。そして、ウィンドウ４９０内の変更、または、新たに設定したいパラメータ値のテキストボックス４９２をポインタ４７８でクリックし、入力部４１０のキーボードからパラメータ値を入力する。そして、全てのパラメータ値の入力が終了したら、ウィンドウ４９０内の「保存」のボタン４７２をポインタ４７８でクリックする。これにより、選択したレベル値の剥離パラメータのパラメータ値が、変更または新たに設定される。このパラメータ値の受け付けと、「保存」のボタン４７２がクリックされることによるパラメータテーブル１６０の更新、或いは、生成は、制御部１５０が生成手段として機能して行う。このように、設定表示画面４６０においてパラメータテーブル１６０の各パラメータ値を変更、設定できれば、各レベル値の剥離パラメータのパラメータ値を非常に簡単に調整することができる。
【０１０３】  また、以上説明した実施形態では、ウェーハにおける外周付近の半導体ダイ１５から中心付近の半導体ダイ１５に向かって、剥離容易度（剥離し易さ）が徐々に高くなっている場合を例に挙げて説明を行った。しかし、ウェーハにおける各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性のパターンは、これ以外にも様々ある。半導体ダイ１５の裏面にはＤＡＦ（ダイアタッチメントフィルム）と呼ばれるフィルムが貼り付けられることがある。ＤＡＦは、半導体ダイ１５の裏面に貼り付いた状態で半導体ダイ１５と共にピックアップされた後、半導体ダイ１５が基板にダイボンディングされる際に、半導体ダイ１５と基板との間の接着剤として機能する。半導体ダイ１５がダイシングシート１２に貼り付けられている状態では、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との間にＤＡＦが存在する。半導体ダイ１５の裏面に貼り付けられたＤＡＦとダイシングシート１２との剥離性を良好にするために、ウェーハの各半導体ダイ１５をピックアップする前に、ダイシングシート１２に対して紫外線が照射されることがある。紫外線を照射してダイシングシート１２の粘着力を低下させる。この紫外線の照射にムラがでることがあり、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５の位置に応じて各半導体ダイ１５の剥離性が変化することがある。このような要因により、ウェーハにおける各半導体ダイ１５の位置に応じた各半導体ダイ１５の剥離性は様々なパターンがあり、オペレータ等はそれを把握し、１枚のウェーハの各半導体ダイ１５に適切なレベル値を対応づける。例えば、図３３のようにウェーハを周方向に２つ以上（図３３では４つ）に分割して、複数の分割部分のそれぞれに属する半導体ダイ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに異なるレベル値を対応づけることが考えられる。または、例えば、図３４のようにウェーハを径方向に２つ以上（図３４では６つ）に分割して、複数の分割部分のそれぞれに属する半導体ダイ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆに異なるレベル値を対応づけることが考えられる。または、例えば、図３５のようにウェーハを部分的に区分けして、各部分のそれぞれに属する半導体ダイ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに異なるレベル値を対応づけることが考えられる。
【０１０４】  また、以上説明した実施形態では、半導体ダイ１５の剥離性を把握するための指標として、実流量変化と期待流量変化との相関値を求めた。相関値は、０〜１．０の値をとり、値が大きくなるほど半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易いことを表しており、剥離容易度である。一方、１．０から相関値を引いた値（１．０−相関値）は、０〜１．０の値をとり、値が大きくなるほど半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し難いことを表しており、剥離困難度である。半導体ダイ１５の剥離性を把握するための指標として、相関値（剥離容易度）に代えて、剥離困難度を使うことができる。以上説明した実施形態では、相関値（剥離容易度）と、相関値のとる値の範囲（０〜１．０）を前提にした図２９の閾値テーブル１６１（低いレベル値ほど、大きい閾値ＴＨ１，ＴＨ２が設定されたテーブル）を用いて、各半導体ダイ１５にレベル値を対応づけた。しかし、剥離困難度（１．０−相関値）と、剥離困難度がとる値の範囲（０〜１．０）を前提にした閾値テーブル１６１（低いレベル値ほど、小さい閾値ＴＨ１，ＴＨ２が設定されたテーブル）を用いて、各半導体ダイ１５にレベル値を対応づけてもよい。なお、剥離容易度、または、剥離困難度を、剥離度と言うこともできる。
【０１０５】  また、以上説明した実施形態では、相関値を求めるための期待流量変化１５７と実流量変化１５８とを対比する期間は、初期剥離における所定の期間であった。しかし、期待流量変化１５７と実流量変化１５８とを対比する期間は、初期剥離の全期間、または、本剥離の全期間、または、本剥離における所定の期間、または、初期剥離と本剥離と合わせた期間であってもよい。期待流量変化１５７は、実流量変化１５８と対比される期間だけ、予め記憶部１５２に格納しておく。
【０１０６】  また、以上説明した剥離動作では、初期剥離時および本剥離時に、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３に保持した。しかし、初期剥離時、または、本剥離時、または、初期剥離時および本剥離時に、吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３と大気圧に近い第４圧力Ｐ４との間で１回または複数回切換えるようにしてもよい。すなわち、パラメータテーブル１６０の剥離パラメータの１つとして、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を第３圧力Ｐ３と第４圧力Ｐ４との間で切換える回数である「吸着圧力の切換え回数」が設けられてもよい。パラメータテーブル１６０において、レベル値が高くなるほど、「吸着圧力の切換え回数」が多くなるようにパラメータ値を設定しておく。剥離性の悪い半導体ダイ１５には高いレベル値を対応づけて、「吸着圧力の切換え回数」が多くなるようにして、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離を促進させる。
【０１０７】  また、以上説明した実施形態では、図３６に示すように、１つの制御部１５０が、ピックアップ制御手段６００、生成手段６０２、および表示制御手段６０４として機能した。しかし、半導体ダイのピックアップシステム５００が、２つ以上の制御部１５０を備え、例えば、１つの制御部１５０がピックアップ制御手段６００として機能し、別の制御部１５０が生成手段６０２および表示制御手段６０４として機能してもよい。
【０１０８】  半導体ダイのピックアップシステム５００は、半導体ダイのピックアップ装置と言うこともできる。また、半導体ダイのピックアップシステム５００は、ボンディング装置（ボンダ、ボンディングシステム）、或いは、ダイボンディング装置（ダイボンダ、ダイボンディングシステム）の一部であることができ、それらの名称で呼ぶこともできる。
【０１０９】＜付記＞  以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
【符号の説明】
【０１１０】  １０  ウェーハホルダ、１１  ウェーハ、１２  ダイシングシート、１２ａ  表面、１２ｂ  裏面、１３  リング、１４  隙間、１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ  半導体ダイ、１６  エキスパンドリング、１７  リング押さえ、１８  コレット、１８ａ  表面、１９  吸引孔、２０  ステージ、２２  吸着面、２３  開口、２３ａ  内面、２４  基体部、２６  溝、２７  吸着孔、３０  移動要素、３１  周辺環状移動要素、３３  外周面、３８ａ，３８ｂ，４７  先端面、４０，４１  中間環状移動要素、４５  柱状移動要素、８０  開口圧力切換機構、８１，９１，１０１  三方弁、８２，９２，１０２  駆動部、８３−８５，９３−９５，１０３−１０５  配管、９０  吸着圧力切換機構、１００  吸引機構、１０６  流量センサ、１１０  ウェーハホルダ水平方向駆動部、１２０  ステージ上下方向駆動部、１３０  コレット駆動部、１４０  真空装置、１５０  制御部、１５１  ＣＰＵ、１５２  記憶部、１５３  機器・センサインターフェース、１５４  データバス、１５５  制御プログラム、１５６  設定表示プログラム、１５７  期待流量変化、１５８，１５８ａ，１５８ｂ  実流量変化、１５９  レベルテーブル、１６０  パラメータテーブル、１６１  閾値テーブル、３００  段差面形成機構、４００  段差面形成機構駆動部、４１０  入力部、４５０  表示部、４６０  設定表示画面、４６２  レベル値ボタン群、４６４  操作ボタン群、４６６，４６８，４７０，４７２  ボタン、４７８  ポインタ、４８０  マップ画像、４８２，４８２ａ，４８２ｂ，４８２ｃ  半導体ダイ画像、４８６  吹き出し、４９０  ウィンドウ、４９２  テキストボックス、５００  半導体ダイのピックアップシステム、６００  ピックアップ制御手段（制御手段）、６０２  生成手段、６０４  表示制御手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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