(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する工程と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける工程と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された未処理基板の枚数に応じて、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理を継続して行う基板処理枚数を決定し、決定した前記基板処理枚数に従い、前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続する工程と、
当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された全基板の基板処理が完了するまで前記処理室での基板処理を継続する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記メンテナンス予約情報を受け付けると、当該メンテナンス予約情報を受け付けてメンテナンスが予約された旨の報知を行う工程
を有する請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記報知を、前記処理室を有する基板処理装置での画面表示によって行う
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記報知を、前記処理室での基板処理を管理するホスト装置へのデータ送信によって行う
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記メンテナンス予約情報に応じて前記処理室をメンテナンス可能状態にするタイミングの所定範囲内での変更を受け付ける工程
を有する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記タイミングを早めるように当該タイミングの変更を受け付ける
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記タイミングを早めるにあたり、少なくとも、前記処理室での基板処理中の基板については当該基板処理を完了させ、搬送中の基板については前記格納容器に回収する
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記タイミングを遅らせるように当該タイミングの変更を受け付ける
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記タイミングを遅らせる場合に、変更前のタイミングでは前記処理室をメンテナンス可能状態とせず、当該処理室にて次の基板についての基板処理を開始させる
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記メンテナンス予約情報のキャンセルを受け付ける工程
を有する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記処理室での基板処理が完了して当該処理室がメンテナンス可能状態になるまでの所要時間の報知を行う工程
を有する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記メンテナンス予約情報は、前記処理室をメンテナンス可能状態にするタイミングを指定するパラメータ情報を含む
請求項１から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
基板を処理する処理室と、
複数の基板が格納された格納容器と前記処理室との間の基板搬送を行う搬送ロボットと、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける情報受付部と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された未処理基板の枚数に応じて、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理を継続して行う基板処理枚数を決定し、決定した前記基板処理枚数に従い、前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にするメンテナンス制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１５】
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する手順と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける手順と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された未処理基板の枚数に応じて、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理を継続して行う基板処理枚数を決定し、決定した前記基板処理枚数に従い、前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続する手順と、
当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程では、基板処理プロセスの効率化を図るべく、複数の基板を一つの単位（ロット）として取り扱うことがある。かかる基板処理プロセスを実行する基板処理装置については、その基板処理プロセスを行う処理空間（処理室）に対して、スループットを損なうことなくメンテナンス処理を行う技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６１５９５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の基板を一つのロットとして取り扱う場合、メンテナンス処理を行うタイミングによっては、各基板の処理品質が問題となり得る。例えば、あるロットに対する処理の途中でメンテナンス処理を挟むと、メンテナンス処理の前後で処理条件が変わり、同一ロット内で処理品質にばらつきが生じてしまうおそれがある。また、例えば、メンテナンス処理の実行を先送りし過ぎると、適切なタイミングを逸してしまい、基板の処理品質に悪影響が及ぶおそれがある。また、例えば、どのタイミングでメンテナンス処理を行うかの判断を保守作業者等に委ねると、その保守作業者等への負担が過大になり、しかも適切な判断が行えるとは限らない。
【０００５】
本開示は、メンテナンス処理を行うタイミングの適正化が図れる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様によれば、
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する工程と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける工程と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする工程と、
を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る技術によれば、メンテナンス処理を行うタイミングの適正化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の横断面の概略図である。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図３】一実施形態に係るコントローラの概略構成図である。
【図４】一実施形態に係る基板処理工程の概要のフロー図である。
【図５】複数基板に対して順に基板処理を行う場合の手順の概要のフロー図である。
【図６】一実施形態に係るコントローラによる機能構成例のブロック図である。
【図７】一実施形態に係るメンテナンスタイミング制御処理の一例のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜一実施形態＞
以下に、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
以下の実施形態で例に挙げる基板処理装置は、半導体装置の製造工程で用いられるもので、処理対象となる基板に対して所定の処理を行うように構成されたものである。
処理対象となる基板としては、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という。）が挙げられる。なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合）がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
また、ウエハに対して行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、成膜処理等がある。本実施形態では、特に成膜処理を行う場合を例に挙げる。
【００１１】
（１）システム全体の構成
まず、一実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の構成例について説明する。
図１は、本実施形態に係る基板処理装置のシステム全体の横断面の概略図である。
【００１２】
図１に示すように、本開示が適用される基板処理装置のシステム全体（以下、単に「基板処理システム」という。）２０００は、基板としてのウエハ２００を処理するもので、複数台の基板処理装置１００を有して構成された、いわゆるクラスタ型のものである。さらに詳しくは、クラスタ型の基板処理システム２０００は、ＩＯステージ２１００、大気搬送室２２００、ロードロック（Ｌ／Ｌ）室２３００、真空搬送室２４００、および、複数台の基板処理装置１００（１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を備えて構成されている。なお、図中において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。
【００１３】
基板処理システム２０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）２１００が設置されている。ＩＯステージ２１００上には、フープ（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）と呼ばれる格納容器（以下、単に「ポッド」という。）２００１が複数搭載されている。ポッド２００１は、ウエハ２００を搬送するキャリアとして用いられ、その内部に未処理のウエハ２００または処理済のウエハ２００がそれぞれ水平姿勢で複数枚格納されるように構成されている。
【００１４】
ＩＯステージ２１００は、大気搬送室２２００に隣接している。大気搬送室２２００内には、ウエハ２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット２２２０が設置されている。大気搬送室２２００には、ＩＯステージ２１００とは異なる側に、ロードロック室２３００が連結されている。
【００１５】
ロードロック室２３００は、その内部の圧力が大気搬送室２２００の圧力と後述する真空搬送室２４００の圧力に合わせて変動するようになっており、そのために負圧に耐え得る構造に構成されている。ロードロック室２３００には、大気搬送室２２００とは異なる側に、真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）２４００が連結されている。
【００１６】
ＴＭ２４００は、負圧下でウエハ２００が搬送される搬送空間となる搬送室として機能する。ＴＭ２４００を構成する筐体２４１０は、平面視が五角形に形成され、五角形の各辺のうち、ロードロック室２３００が連結される辺を除く各辺に、ウエハ２００を処理する基板処理装置１００が複数台（例えば４台）連結されている。ＴＭ２４００の略中央部には、負圧下でウエハ２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット２７００が設置されている。なお、ここでは、真空搬送室２４００を五角形の例を示すが、四角形や六角形等の多角形であってもよい。
【００１７】
ＴＭ２４００内に設置される真空搬送ロボット２７００は、独立して動作が可能な二つのアーム２８００，２９００を有する。真空搬送ロボット２７００は、後述するコントローラ２６０により制御される。
【００１８】
ＴＭ２４００と各基板処理装置１００との間には、ゲートバルブ（ＧＶ）１４９０が設けられている。具体的には、基板処理装置１００ａとＴＭ２４００との間にはゲートバルブ１４９０ａが、基板処理装置１００ｂとの間にはＧＶ１４９０ｂが設けられる。基板処理装置１００ｃとの間にはＧＶ１４９０ｃが、基板処理装置１００ｄとの間にはＧＶ１４９０ｄが設けられる。各ＧＶ１４９０の開放により、ＴＭ２４００内の真空搬送ロボット２７００は、各基板処理装置１００に設けられた基板搬入出口１４８０を介したウエハ２００の出し入れを行うことが可能となる。
【００１９】
（２）基板処理装置の構成
次に、上述した基板処理システム２０００において用いられる基板処理装置１００（１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）について説明する。なお、基板処理装置１００ａから基板処理装置１００ｄは同様の構成であるので、以下の説明では、これらを基板処理装置１００と総称する。
【００２０】
基板処理装置１００は、半導体装置の製造工程の一工程である成膜処理を行う際に用いられるもので、例えば、枚葉式基板処理装置として構成されている。
図２は、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【００２１】
（処理容器）
図２に示すように、基板処理装置１００は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料または石英により、横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂとを備えており、これらの間に仕切部２０４が設けられている。仕切部２０４よりも上方の上部容器２０２ａに囲まれた空間は、成膜処理の処理対象となるウエハ２００を処理する処理空間（「処理室」ともいう）２０１として機能する。一方、仕切部２０４よりも下方の空間の下部容器２０２ｂに囲まれた空間は、ウエハ２００を移載するための搬送空間（「移載室」ともいう）２０３として機能する。移載室２０３として機能するために、下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、その基板搬入出口１４８０を介してウエハ２００がＴＭ２４００との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは、接地されている。
【００２２】
（基板支持部）
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部（サセプタ）２１０が設けられている。サセプタ２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１を有した基板載置台２１２を備える。基板載置台２１２は、少なくとも、載置面２１１上のウエハ２００の温度を調整（加熱または冷却）するヒータ２１３ａ，２１３ｂを内蔵している。ヒータ２１３ａ，２１３ｂには、それぞれへの供給電力を調整する温度調整部２１３ｃ，２１３ｄが個別に接続されている。各温度調整部２１３ｃ，２１３ｄは、後述するコントローラ２６０からの指示に従い、それぞれが独立して制御される。これにより、ヒータ２１３ａ，２１３ｂは、載置面２１１上のウエハ２００に対して、各領域別に独自の温度調整を行うゾーン制御が可能となるように構成されている。また、基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
【００２３】
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらには処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。そして、昇降機構２１８を作動させることで、基板載置台２１２を昇降させることが可能に構成されている。シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。
【００２４】
基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８０の位置（ウエハ搬送位置）となるように下降し、ウエハ２００の処理時には、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナ等の材質で形成することが望ましい。
【００２５】
（ガス導入口）
処理室２０１の上部には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス導入口２４１に接続されるガス供給ユニットの構成については後述する。
【００２６】
ガス導入口２４１に連通する処理室２０１内には、ガス導入口２４１から供給されるガスを分散させて処理室２０１内に均等に拡散させるために、分散板２３４ｂを有したシャワーヘッド（バッファ室）２３４が配されていることが望ましい。
【００２７】
分散板２３４ｂの支持部材２３１ｂには、整合器２５１と高周波電源２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成される。これにより、分散板２３４ｂを通じて、処理室２０１内に供給されるガスを励起してプラズマ化し得るようになっている。つまり、分散板２３４ｂ、支持部材２３１ｂ、整合器２５１および高周波電源２５２は、後述する第１処理ガスおよび第２処理ガスをプラズマ化するものであり、プラズマ化したガスを供給する第１ガス供給部（詳細は後述）の一部および第２ガス供給部（詳細は後述）の一部として機能する。
【００２８】
（ガス供給部）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２には、第１ガス供給管２４３ａ、第２ガス供給管２４４ａ、第３ガス供給管２４５ａが接続されている。第１ガス供給管２４３ａを含む第１ガス供給部２４３からは第１処理ガス（詳細は後述）が主に供給され、第２ガス供給管２４４ａを含む第２ガス供給部２４４からは第２処理ガス（詳細は後述）が主に供給される。第３ガス供給管２４５ａを含む第３ガス供給部２４５からは、主にパージガスが供給される。
【００２９】
（第１ガス供給部）
第１ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、および、開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。そして、第１ガス供給源２４３ｂから、第１元素を含有するガス（第１処理ガス）が、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、第１ガス供給管２４３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
【００３０】
第１処理ガスは、例えば、シリコン（Ｓｉ）元素を含むガスである。具体的には、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２，ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＤＣＳ）ガスやテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４，Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ：ＴＥＯＳ）ガス等が用いられる。以下の説明では、ＤＣＳガスを用いた例について説明する。
【００３１】
第１ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第１不活性ガス供給管２４６ａの下流端が接続されている。第１不活性ガス供給管２４６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４６ｂ、ＭＦＣ２４６ｃ、および、バルブ２４６ｄが設けられている。そして、不活性ガス供給源２４６ｂから、不活性ガスが、ＭＦＣ２４６ｃおよびバルブ２４６ｄを介して、第１ガス供給管２４３ａに供給される。
不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ２）ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。
【００３２】
主に、第１ガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃおよびバルブ２４３ｄにより、処理ガス供給部の一つである第１ガス供給部（Ｓｉ含有ガス供給部ともいう）２４３が構成される。なお、第１ガス供給源２４３ｂを、第１ガス供給部２４３に含めて考えてもよい。
また、主に、第１不活性ガス供給管２４６ａ、ＭＦＣ２４６ｃおよびバルブ２４６ｄにより、第１不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４６ｂ、第１ガス供給管２４３ａを、第１不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。さらには、第１不活性ガス供給部を、第１ガス供給部２４３に含めて考えてもよい。
【００３３】
（第２ガス供給部）
第２ガス供給管２４４ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源２４４ｂ、ＭＦＣ２４４ｃ、および、バルブ２４４ｄが設けられている。そして、第２ガス供給源２４４ｂから、第２元素を含有するガス（第２処理ガス）が、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、第２ガス供給管２４４ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
【００３４】
第２処理ガスは、第１処理ガスが含有する第１元素（例えばＳｉ）とは異なる第２元素（例えば窒素）を含有するもので、例えば、窒素（Ｎ）含有ガスである。Ｎ含有ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガスが用いられる。
【００３５】
第２ガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２４７ａの下流端が接続されている。第２不活性ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、ＭＦＣ２４７ｃ、および、バルブ２４７ｄが設けられている。そして、不活性ガス供給源２４７ｂから、不活性ガスが、ＭＦＣ２４７ｃおよびバルブ２４７ｄを介して、第２ガス供給管２４４ａに供給される。
不活性ガスについては、第１不活性ガス供給部の場合と同様である。
【００３６】
主に、第２ガス供給管２４４ａ、ＭＦＣ２４４ｃおよびバルブ２４４ｄにより、処理ガス供給部の他の一つである第２ガス供給部（酸素含有ガス供給部ともいう）２４４が構成される。なお、第２ガス供給源２４４ｂを、第２ガス供給部２４４に含めて考えてもよい。
また、主に、第２不活性ガス供給管２４７ａ、ＭＦＣ２４７ｃおよびバルブ２４７ｄにより、第２不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４７ｂ、第２ガス供給管２４４ａを、第２不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。さらには、第２不活性ガス供給部を、第２ガス供給部２４４に含めて考えてもよい。
【００３７】
（第３ガス供給部）
第３ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源２４５ｂ、ＭＦＣ２４５ｃ、および、バルブ２４５ｄが設けられている。そして、第３ガス供給源２４５ｂから、パージガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、第３ガス供給管２４５ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。
【００３８】
ここで、不活性ガスは、例えば、Ｎ２ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。
【００３９】
主に、第３ガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃおよびバルブ２４５ｄにより、不活性ガス供給部である第３ガス供給部（パージガス供給部ともいう）２４５が構成される。なお、第３ガス供給源２４５ｂを、第３ガス供給部２４５に含めて考えてもよい。
【００４０】
（排気部）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁上面には、処理室２０１内の雰囲気を排気するための排気口２２１が設けられている。排気口２２１には、第１排気管としての排気管２２４が接続されている。排気管２２４には、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２２７と、その前段または後段に設けられた排気調整部としての排気調整バルブ２２８と、真空ポンプ２２３とが、直列に接続されている。
【００４１】
圧力調整器２２７および排気調整バルブ２２８は、後述する基板処理工程を行う際に、同じく後述するコントローラ２６０による制御に従いつつ、処理室２０１内の圧力を調整するように構成されている。さらに詳しくは、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピに応じて、圧力調整器２２７および排気調整バルブ２２８における弁（バルブ）の開度を可変させることで、処理室２０１内の圧力を調整するように構成されている。
【００４２】
また、排気管２２４には、例えば、圧力調整器２２７の前段（すなわち、処理室２０１に近い側）に、その排気管２２４内の圧力を測定する圧力測定部としての圧力センサ２２９が設けられている。なお、ここでは、圧力センサ２２９が排気管２２４内の圧力を測定する場合を例に挙げているが、圧力センサ２２９は、処理室２０１内の圧力を測定するものであってもよい。つまり、圧力センサ２２９は、処理室２０１内または排気部を構成する排気管２２４内のいずれかの圧力を測定するものであればよい。
【００４３】
主に、排気口２２１、排気管２２４、圧力調整器２２７、排気調整バルブ２２８により、排気部（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３、圧力センサ２２９を、排気部に含めて考えてもよい。
【００４４】
（３）基板処理装置におけるコントローラの構成
次に、一実施形態に係る基板処理装置の一部であるコントローラ２６０について説明する。
図３は、本実施形態に係るコントローラの概略構成図である。
【００４５】
（ハードウエア構成）
コントローラ２６０は、基板処理装置１００の各部および基板処理システム２０００の搬送ロボット等の動作を制御する制御部（制御手段）として機能する。そのために、コントローラ２６０は、図３に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。
【００４６】
記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラム、基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、様々な処理の過程で生じる演算データや処理データ等が、読み出し可能に格納される。なお、プロセスレシピは、基板処理の各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。
【００４７】
ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４８】
Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１４９０、昇降機構２１８、圧力調整器２２７、排気調整バルブ２２８、真空ポンプ２２３、圧力センサ２２９、ＭＦＣ２４３ｃ，２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃ、バルブ２４３ｄ，２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ、温度調整部２１３ｃ，２１３ｄ、整合器２５１、高周波電源２５２、真空搬送ロボット２７００、大気搬送ロボット２２２０、等に接続されている。
【００４９】
また、コントローラ２６０は、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２が接続可能に構成されている。さらに、コントローラ２６０は、送受信部２８５およびネットワーク２６３（インターネットや専用回線等）を介して、基板処理装置１００の上位装置となるホスト装置（ホストコンピュータ）５００が接続可能に構成されている。なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブル（信号線）で繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。
【００５０】
（プログラム）
記憶装置２６０ｃ内に格納される制御プログラムやプロセスレシピ等は、演算部としてのＣＰＵ２６０ａに実行されるプログラムとして機能する。以下、これらを総称して、単にプログラムまたは単にレシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラム単体のみを含む場合、レシピ単体のみを含む場合、または、これらの組合せを含む場合がある。
【００５１】
演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからプログラムを読み出して実行するように構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出したプログラムで規定される内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、温度調整部２１３ｃ，２１３ｄの電力供給、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源２５２のオンオフ制御、ＭＦＣ２４３ｃ，２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃの動作制御、バルブ２４３ｄ，２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ，３０８のガスのオンオフ制御、圧力調整器２２７のバルブ開度調整、排気調整バルブ２２８のバルブ開度調整、真空ポンプのオンオフ制御、真空搬送ロボット２７００の動作制御、大気搬送ロボット２２２０の動作制御、等を行う。
【００５２】
なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、かかる外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。ただし、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。
【００５３】
（４）基板処理工程の基本的な手順
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、ウエハ２００上に所定膜を成膜する基板処理工程を例に挙げ、その概要を説明する。なお、ここでは、所定膜として、例えば窒化膜としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜する場合を例に挙げる。以下に説明する基板処理工程は、上述の基板処理システム２０００における各基板処理装置１００（１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）で行われる。また、以下の説明において、各部の動作はコントローラ２６０により制御される。
【００５４】
図４は、本実施形態に係る基板処理工程の概要のフロー図である。
【００５５】
（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０１）
基板処理に際しては、まず、基板搬入・加熱工程（Ｓ３０２）において、ＩＯステージ２１００上のポッド２００１から未処理のウエハ２００を取り出すとともに、そのウエハ２００をいずれかの基板処理装置１００へ搬入する。基板処理装置１００が複数存在する場合、所定順序でそれぞれの基板処理装置１００への搬入を行う。ウエハ２００の取り出しは、大気搬送室２２００内の大気搬送ロボット２２２０を用いて行う。また、ウエハ２００の搬入は、ＴＭ２４００内の真空搬送ロボット２７００を用いて行う。そして、ウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット２７００を退避させ、ＧＶ１４９０を閉じて基板処理装置１００の処理容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させて、基板載置面２１１上のウエハ２００をウエハ処理位置に位置させる。その状態で、処理室２０１内が所定の圧力となるように排気部（排気系）を制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるようにヒータ２１３ａ，２１３ｂを制御する。
【００５６】
（基板処理工程：Ｓ１０２）
ウエハ処理位置に位置させたウエハ２００が所定温度となったら、続いて、基板処理工程（Ｓ１０２）を行う。基板処理工程（Ｓ１０２）では、ウエハ２００を所定の温度に加熱した状態で、第１ガス供給部２４３を制御して第１ガスを処理室２０１に供給するとともに、排気部を制御して処理室２０１を排気し、ウエハ２００に処理を行う。なお、このとき、第２ガス供給部２４４を制御して、第２ガスを第１ガスと同時に処理空間に存在させてＣＶＤ処理を行ったり、第１ガスと第２ガスとを交互に供給してサイクリック処理を行ったりしてもよい。また、第２ガスをプラズマ状態として処理する場合は、分散板２３４ｂに高周波電力を供給することで、処理室２０１内にプラズマを生成してもよい。
【００５７】
膜処理方法の一具体例であるサイクリック処理としては、次の方法が考えられる。例えば、第１ガスとしてＤＣＳガスを用い、第２ガスとしてＮＨ３ガスを用いた場合が挙げられる。その場合、第１工程ではＤＣＳガスをウエハ２００に供給し、第２工程ではＮＨ３ガスをウエハ２００に供給する。第１工程と第２工程の間には、パージ工程として、Ｎ２ガスを供給するとともに、処理室２０１の雰囲気を排気する。この第１工程、パージ工程、第２工程を複数回行うサイクリック処理を行うことで、ウエハ２００上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が形成される。
【００５８】
（基板搬入出工程：Ｓ１０３）
ウエハ２００に所定の処理が施された後は、基板搬入出工程（Ｓ１０３）において、基板処理装置１００の処理容器２０２内からの処理済みのウエハ２００の搬出を行う。処理済みのウエハ２００の搬出は、例えば、ＴＭ２４００内の真空搬送ロボット２７００のアーム２９００を用いて行う。
【００５９】
このとき、例えば、真空搬送ロボット２７００のアーム２８００に未処理のウエハ２００が保持されている場合は、その未処理のウエハ２００の処理容器２０２内への搬入を真空搬送ロボット２７００が行う。そして、処理容器２０２内のウエハ２００に対して、基板処理工程（Ｓ１０２）が行われる。なお、アーム２８００に未処理のウエハ２００が保持されていない場合は、処理済みのウエハ２００の搬出のみが行われる。
【００６０】
真空搬送ロボット２７００がウエハ２００の搬出を行うと、その後、搬出した処理済みのウエハ２００を、ＩＯステージ２１００上のポッド２００１内に収容する。ポッド２００１へのウエハ２００の収容は、大気搬送室２２００内の大気搬送ロボット２２２０を用いて行う。
【００６１】
（判定工程：Ｓ１０４）
基板処理システム２０００では、基板処理工程（Ｓ１０２）および基板搬入出工程（Ｓ１０３）を、未処理のウエハ２００がなくなるまで繰り返し行う。そして、未処理のウエハ２００がなくなると、上述した一連の処理（Ｓ１０１〜Ｓ１０４）を終了する。
【００６２】
（５）メンテナンス処理の概要
次に、上述した基板処理システム２０００における基板処理装置１００のメンテナンス処理について説明する。
【００６３】
基板処理システム２０００において、各基板処理装置１００で行う基板処理工程に際しては、複数のウエハ２００を一つの単位（ロット）として取り扱う。例えば、一つのポッド２００１に格納された複数（例えば、２５枚）のウエハ２００を一つのロットとする。また、例えば、所定数のポッド２００１に格納された各ウエハ２００を一つのロットとするようにしてもよい。
【００６４】
複数のウエハ２００を一つのロットとする場合、基板処理装置１００では、そのロットを構成する各ウエハ２００に対して、順に基板処理工程を実施することになる。
図５は、複数基板に対して順に基板処理を行う場合の手順の概要のフロー図である。
具体的には、図５に示すように、基板処理装置１００では、ｍ（ｍは自然数）番目のロットについて、そのロットの１枚目のウエハ２００から基板処理を開始する。そして、そのロットの最終枚目であるｎ（ｎは自然数）枚目のウエハ２００の基板処理が完了するまで、そのロットを構成する各ウエハ２００の基板処理を順に繰り返し行う。ｍ番目のロットの全ウエハ２００の基板処理が完了すると、その後は、ｍ＋１番目のロットについて、再び同様の手順で基板処理を行う。
【００６５】
このように、複数のウエハ２００に対して基板処理を繰り返し行う場合、基板処理装置１００では、処理容器２０２内に不要な膜（反応副生成物等）が堆積するおそれがある。そのため、基板処理装置１００については、所定のメンテナンス時期に、クリーニングのためのメンテナンス処理を行うことが好ましい。なお、メンテナンス時期は、ウエハ２００の処理枚数、累計膜厚、累積処理時間等の少なくともいずれかに基づいて判断される。
【００６６】
ただし、複数のウエハ２００を一つのロットとして取り扱う場合、メンテナンス処理を行うタイミングによっては、各ウエハ２００の処理品質が問題となり得る。例えば、あるロットに対する処理の途中でメンテナンス処理を挟むと、メンテナンス処理の前後で処理条件が変わり、同一ロット内でウエハ２００の処理品質にばらつきが生じてしまうおそれがある。また、例えば、処理条件を揃えるべくメンテナンス処理の実行を先送りし過ぎると、適切なタイミングを逸してしまい、ウエハ２００の処理品質に悪影響が及ぶおそれがある。また、例えば、どのタイミングでメンテナンス処理を行うかの判断を保守作業者等に委ねると、その保守作業者等への負担が過大になり、しかも適切な判断が行えるとは限らない。
【００６７】
そこで、本実施形態の基板処理システム２０００では、各基板処理装置１００でメンテナンス処理を行うタイミングの適正化を図るべく、コントローラ２６０が以下に説明する特徴的な機能構成を実現するとともに、その機能構成によって以下に説明する特徴的な制御処理を行うようになっている。以下、特徴的な機能構成および制御処理について順に説明する。
【００６８】
（６）コントローラの特徴的な機能構成
図６は、一実施形態に係るコントローラによる機能構成例のブロック図である。
図６に示すように、コントローラ２６０は、記憶装置２６０ｃから読み出したプログラムをＣＰＵ２６０ａが実行することにより、情報受付部２６０ｆ、メンテナンス制御部２６０ｇおよび情報報知部２６０ｈとして機能するようになっている。
【００６９】
情報受付部２６０ｆは、メンテナンス予約情報を受け付ける機能である。メンテナンス予約情報は、各基板処理装置１００の処理容器２０２内、特に処理容器２０２内に形成される処理室２０１について、メンテナンス処理を行うことを予約する情報であり、基板処理装置１００毎に個別に与えられる情報である。メンテナンス予約情報は、例えば、所定のメンテナンス時期にホスト装置５００から与えられる。メンテナンス時期となったか否かは、各基板処理装置１００におけるウエハ２００の処理枚数、累計膜厚、累積処理時間等の少なくともいずれかに基づいて、ホスト装置５００にて判断される。ただし、メンテナンス予約情報は、ホスト装置５００から与えられるものに限定されることはなく、例えば、各基板処理装置１００に付設されたタッチパネル等の入出力装置２６１から保守作業者等の操作によって与えられるものであってもよい。
【００７０】
メンテナンス制御部２６０ｇは、情報受付部２６０ｆがメンテナンス予約情報を受け付けると、そのメンテナンス予約情報によって予約されたメンテナンス処理を行うタイミングを制御する機能である。なお、メンテナンス処理のタイミング制御の具体的な態様については、詳細を後述する。
【００７１】
情報報知部２６０ｈは、情報受付部２６０ｆがメンテナンス予約情報を受け付けると、メンテナンス予約情報を受け付けてメンテナンス処理が予約された旨の報知を行う機能である。情報報知部２６０ｈによる報知は、例えば、メンテナンス処理が予約された基板処理装置１００に付設されたタッチパネル等の入出力装置２６１での画面表示によって行う。ただし、これに限定されることはなく、例えば、ホスト装置５００へのデータ送信によって行うようにしても構わない。
【００７２】
（７）メンテナンスタイミングの特徴的な制御処理手順
続いて、上述した機能構成を利用して行うメンテナンス処理のタイミング制御について、具体的な制御態様を説明する。
【００７３】
（第１の制御態様）
まず、第１の制御態様について説明する。
図７は、本実施形態に係るメンテナンスタイミング制御処理の一例のフロー図である。
【００７４】
例えば、図７に示すように、ある基板処理装置１００において、ｍ番目のロットの各ウエハ２００の基板処理中、すなわちｍ番目のロットにおけるｎ枚目のウエハ２００の基板処理が完了する前に、その基板処理装置１００に対してメンテナンス予約情報が発せられた場合を考える。メンテナンス予約情報は、基板処理装置１００におけるウエハ２００の処理枚数、累計膜厚、累積処理時間等が所定の許容値を超えると、その基板処理装置１００がメンテナンス時期になったと判断されて、その基板処理装置１００での基板処理の状況にかかわらずに、ホスト装置５００または入出力装置２６１から発せられるものとする。メンテナンス予約情報が発せられると、そのメンテナンス予約情報は、情報受付部２６０ｆによって受け付けられる。
【００７５】
情報受付部２６０ｆがメンテナンス予約情報を受け付けると、メンテナンス制御部２６０ｇは、その受け付け後から基板処理装置１００で処理中の基板処理が完了するまで、さらに具体的には処理中のｍ番目のロットにおけるｎ枚目のウエハ２００の基板処理が完了するまで、その基板処理装置１００に基板処理を継続して行わせる。つまり、処理中のロットを構成する全ウエハ２００の基板処理が完了するまで、基板処理装置１００に基板処理を継続して行わせる。したがって、例えば、一つのポッド２００１に格納された複数のウエハ２００を一つのロットとする場合であれば、そのポッド２００１に格納された全ウエハ２００の基板処理が完了するまで、基板処理装置１００での基板処理を継続することになる。
【００７６】
また、情報受付部２６０ｆがメンテナンス予約情報を受け付けると、その時点で、情報報知部２６０ｈは、メンテナンス予約情報を受け付けてメンテナンス処理が予約された旨の報知を行う。これにより、入出力装置２６１を操作する保守作業者またはホスト装置５００のオペレータであるシステム管理者（以下、単に「保守作業者やシステム管理者等」という。）は、メンテナンス予約情報に応じてメンテナンス処理が予約されたことを認識することができる。
【００７７】
そして、処理中のロットを構成する全ウエハ２００の基板処理が完了すると、その後、メンテナンス制御部２６０ｇは、処理済み全ウエハ２００をポッド２００１に格納させる一方で、その基板処理装置１００への新たなウエハ２００（すなわち、ｍ＋１番目のロットにおける１枚目のウエハ２００）の搬送を停止して、その基板処理装置１００における処理容器２０２内（特に、処理室２０１内）をメンテナンス可能状態にする。
【００７８】
メンテナンス可能状態とは、基板処理装置１００が動作を停止し、その基板処理装置１００の処理容器２０２を大気開放でき、その処理容器２０２内（特に、処理室２０１内）に対してクリーニング等のメンテナンス処理を行うことが可能である状態のことをいう。
【００７９】
以上に説明したように、第１の制御態様では、基板処理装置１００に対するメンテナンス予約情報の受け付けから、その基板処理装置１００をメンテナンス可能状態とするまでに、処理中の基板処理を完了させるだけのタイムラグ（時間差）を生じさせる。そのため、任意のタイミングでメンテナンス予約情報を発することができ、その場合であっても、例えば、あるロットに対する処理の途中で基板処理が中断されるといったことが生じない。また、任意のタイミングでメンテナンス予約情報を発しても、その後における所定タイミングにて、自動的に基板処理装置１００がメンテナンス可能状態に移行する。
【００８０】
したがって、第１の制御態様によれば、メンテナンス予約情報を発するタイミングにかかわらず、同一ロット内でウエハ２００の処理品質にばらつきが生じてしまうことがない。また、例えば、メンテナンス処理の実行を先送りし過ぎて適切なタイミングを逸してしまうこともなく、ウエハ２００の処理品質に悪影響が及ぶのを未然に回避できる。さらには、保守作業者やシステム管理者等への負担も抑制でき、その保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性に優れたものとなる。つまり、第１の制御態様によれば、基板処理装置１００でメンテナンス処理を行うタイミングの適正化が図れる。なお、基板処理装置１００を複数有する基板処理システム２０００では、メンテナンス処理を行うタイミングを適正化することにより、基板処理システム２０００の稼働率を向上させることが可能となる。すなわち、基板処理システム２０００における半導体装置の製造スループットを向上させることが可能となる。
【００８１】
（第２の制御態様）
次に、第２の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１の制御態様との相違点を説明する。
【００８２】
メンテナンス予約情報の受け付け後、第１の制御態様では処理中のロットの全ウエハ２００が完了するまで基板処理装置１００での基板処理を継続するが、第２の制御態様においては、処理中のロットにおける未処理のウエハ２００の枚数に応じて、基板処理装置１００で継続して行う基板処理の処理枚数を決定する。
【００８３】
例えば、一つのポッド２００１に格納された複数（例えば、２５枚）のウエハ２００を一つのロットとする場合について考える。その場合に、未処理のウエハ２００の枚数がロット全体の枚数の半分以下であれば、メンテナンス制御部２６０ｇは、そのロットの全ウエハ２００が完了するまで基板処理装置１００での基板処理を継続する。一方、未処理のウエハ２００の枚数がロット全体の枚数の半分を超えていれば、その処理に多くの時間を要することが予想されることから、メンテナンス制御部２６０ｇは、そのロットの全ウエハ２００の処理完了を待たずに、そのうちの所定枚数（例えば、処理中である少なくとも１枚）の処理が完了した段階で、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。つまり、例えば、２５枚のウエハ２００を一つのロットとする場合であれば、その半分に近い１０〜１３枚程度を判断基準となる閾値として設定し、メンテナンス予約情報を受け付けた時点の未処理枚数が閾値以下であるか否かに応じて、基板処理装置１００で継続して行う基板処理の処理枚数を可変させるのである。
【００８４】
以上に説明したように、第２の制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付けた時点における処理中ロットの未処理枚数に応じて、基板処理装置１００で継続して行う基板処理の処理枚数を可変させる。そのため、例えば、未処理枚数が少なければ、そのロット分の基板処理が完了するまで当該基板処理を継続して、これにより同一ロット内での処理品質のばらつきを抑制することができる。一方、未処理枚数が多ければ、そのロット分の基板処理の完了を待たずにメンテナンス可能状態とすることで、迅速なメンテナンス処理の開始が可能になる。
【００８５】
したがって、第２の制御態様によれば、メンテナンス予約情報を受け付けた時点における処理中ロットの未処理枚数に応じて、メンテナンス処理を行うタイミングを臨機応変に可変させることが可能となり、その結果として、基板処理装置１００でメンテナンス処理を行うタイミングについて、より一層の適正化が図れるようになる。
【００８６】
（第３の制御態様）
次に、第３の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１または第２の制御態様との相違点を説明する。
【００８７】
上述したように、第１または第２の制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付けると、処理中ロットについての基板処理を継続して行った後に、所定のタイミングで基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。ただし、メンテナンス予約情報を発した後であっても、場合によっては何らかの理由により、メンテナンス処理を行うタイミングを早めたり、または遅らせたりする必要が生じることもあり得る。そこで、第３の制御態様においては、メンテナンス予約情報に応じて基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングについて、そのタイミングの所定範囲内での変更を受け付けるようにする。
【００８８】
例えば、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス予約情報の受け付け後、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする前に、ホスト装置５００または入出力装置２６１からメンテナンス処理を前倒しする旨の指示情報が送られてくると、その基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを早めるように、そのタイミングの変更を受け付ける。さらに具体的には、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス可能状態にするタイミングを早めるにあたり、少なくとも、指示情報を受けた時点において基板処理装置１００で基板処理中のウエハ２００については当該基板処理を完了させ、真空搬送ロボット２７００または大気搬送ロボット２２２０で搬送中のウエハ２００についてはポッド２００１に回収する。そして、ウエハ２００をポッド２００１に回収したら、変更前のタイミング（例えば、処理中ロットが完了するタイミング）となる以前であっても、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。
【００８９】
また、例えば、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス予約情報の受け付け後、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする前に、ホスト装置５００または入出力装置２６１からメンテナンス処理を先送りする旨の指示情報が送られてくると、その基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを遅らせるように、そのタイミングの変更を受け付ける。さらに具体的には、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス可能状態にするタイミングを遅らせる場合に、変更前のタイミング（例えば、処理中ロットが完了するタイミング）では基板処理装置１００をメンテナンス可能状態とせず、その基板処理装置１００にて次のロットのウエハ２００についての基板処理を開始させる。そして、次のロット（例えば、ｍ＋１ロット目）の全ウエハ２００についての基板処理が完了するまで待った後に、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。
【００９０】
以上に説明したように、第３の制御態様では、メンテナンス予約情報の受け付け後であっても、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングの所定範囲内での変更を受け付ける。そのため、メンテナンス予約情報によってメンテナンス処理が予約された状態であっても、何らかの理由によりメンテナンス処理のタイミングを早めたり、または遅らせたりする必要が生じた場合には、そのタイミングの前倒しまたは先送りに対応することが可能となる。
【００９１】
したがって、第３の制御態様によれば、必要に応じてメンテナンス処理を行うタイミングを可変させることが可能となり、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理のタイミングの可変に対応し得ることから、メンテナンス処理のタイミングについて、より一層の適正化が図れるようにもなる。
【００９２】
なお、タイミングの変更は、所定範囲内でのみ受け付けるようにすることが好ましい。所定範囲は、例えば、ウエハ２００の処理枚数、累計膜厚、累積処理時間、処理ロット数、メンテナンス処理の実行時期等のいずれか、またはこれらの組み合わせに関して、許容し得る範囲を適宜設定しておけばよい。このように、所定範囲内での変更に限定すれば、タイミングが無限に変更されてしまうのを回避できるので、タイミング変更による弊害が生じてしまうことがない。つまり、タイミング変更は、そのタイミング変更による弊害が生じない範囲内に限定することが好ましい。
【００９３】
（第４の制御態様）
次に、第４の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第３の制御態様との相違点を説明する。
【００９４】
例えば、メンテナンス予約情報を発した後であっても、場合によっては何らかの理由により、そのメンテナンス予約情報によって予約されるメンテナンス処理が不要になることもあり得る。そこで、第４の制御態様においては、メンテナンス予約情報を受け付けた後、そのメンテナンス予約情報のキャンセルを受け付け可能にする。
【００９５】
具体的には、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス予約情報の受け付け後、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする前に、ホスト装置５００または入出力装置２６１からメンテナンス予約情報をキャンセルする旨の指示情報が送られてくると、そのメンテナンス予約情報のキャンセルを受け付ける。そして、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス予約情報が無かったものとし、例えば、キャンセル前のタイミング（例えば、処理中ロットが完了するタイミング）となっても基板処理装置１００をメンテナンス可能状態とせず、その基板処理装置１００にて次のロットのウエハ２００についての基板処理を開始させる。
【００９６】
以上に説明したように、第４の制御態様では、メンテナンス予約情報の受け付け後であっても、そのメンテナンス予約情報のキャンセルを受け付けるので、メンテナンス処理が不要となった場合に適切に対応することが可能となる。したがって、第４の制御態様によれば、必要に応じてメンテナンス予約情報が無かったものとすることが可能となり、柔軟かつ適切なシステム運用が図れるようになる。
【００９７】
（第５の制御態様）
次に、第５の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第４の制御態様との相違点を説明する。
【００９８】
第５の制御態様においては、メンテナンス予約情報を受け付けると、その受け付け後から、基板処理装置１００での基板処理が完了して当該基板処理装置１００がメンテナンス可能状態になるまでの所要時間の報知を行う。
【００９９】
具体的には、メンテナンス予約情報を受け付けると、メンテナンス制御部２６０ｇは、これに応じて基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを特定するとともに、そのタイミングまでの所要時間を算出する。所要時間の算出手法は、公知技術を利用したものであればよい。そして、メンテナンス制御部２６０ｇが所要時間を算出すると、情報報知部２６０ｈは、その所要時間の算出結果について入出力装置２６１またはホスト装置５００への報知を行う。
【０１００】
以上に説明したように、第５の制御態様では、基板処理装置１００がメンテナンス可能状態になるまでの所要時間の報知を行うので、どの時点でメンテナンス処理を実施可能になるかを保守作業者やシステム管理者等が容易かつ的確に認識することができる。したがって、第５の制御態様によれば、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理の実施時期の適切化を図ることも可能となり、適切なシステム運用を図る上で非常に好ましいものとなる。
【０１０１】
（第６の制御態様）
次に、第６の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第５の制御態様との相違点を説明する。
【０１０２】
上述した第３の制御態様ではメンテナンス予約情報の受け付け後にタイミング変更を受け付けるが、第６の制御態様においては、メンテナンス予約情報を発する時点で、そのメンテナンス予約情報に応じて基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを、任意に指定できるようにする。そのために、メンテナンス予約情報には、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを指定するパラメータ情報が含まれているものとする。
【０１０３】
例えば、メンテナンス処理を即座に実施したい場合であれば、その旨のパラメータ情報を含むメンテナンス予約情報をメンテナンス制御部２６０ｇに受け付けさせる。そして、そのメンテナンス予約情報を受け付けたメンテナンス制御部２６０ｇは、受け付け時点において基板処理装置１００で基板処理中のウエハ２００については当該基板処理を完了させ、その後に基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。
また、例えば、複数ロットについての基板処理を継続した後にメンテナンス処理を実施したい場合であれば、その旨のパラメータ情報を含むメンテナンス予約情報をメンテナンス制御部２６０ｇに受け付けさせる。そして、そのメンテナンス予約情報を受け付けたメンテナンス制御部２６０ｇは、複数ロットについての基板処理が完了するまで基板処理装置１００に基板処理を継続して行わせ、複数ロットについての基板処理が完了した後に基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。
【０１０４】
以上に説明したように、第６の制御態様では、メンテナンス予約情報に含まれるパラメータ情報によって、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを任意に指定することが可能となる。したがって、第６の制御態様によれば、保守作業者やシステム管理者等が所望するタイミングでのメンテナンス処理の実施が可能となり、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理の実施時期の適切化を図ることも可能となり、適切なシステム運用を図る上で非常に好ましいものとなる。
【０１０５】
（第７の制御態様）
次に、第７の制御態様について説明する。ここでは、主に、上述した第１〜第６の制御態様との相違点を説明する。
【０１０６】
上述した第１〜第６の制御態様では一つの基板処理装置１００にて同一ロットの各ウエハ２００を連続的に処理する場合を想定しているが、第７の制御態様においては、ＴＭ２４００に連結された複数台の基板処理装置１００を利用し、各基板処理装置１００に基板処理を振り分けるようにする。
【０１０７】
例えば、ある基板処理装置１００についてのメンテナンス予約情報を受け付けた場合に、メンテナンス制御部２６０ｇは、その基板処理装置１００で基板処理中のウエハ２００については当該基板処理を継続して行わせる。その一方で、基板処理中のウエハ２００と同一ロットに未処理のウエハ２００があれば、メンテナンス制御部２６０ｇは、メンテナンス予約情報を受け付けていない他の基板処理装置１００に未処理のウエハ２００を搬送し、その基板処理装置１００にてウエハ２００の基板処理を行わせる。つまり、同一ロットの未処理のウエハ２００の基板処理を、メンテナンス予約情報を受け付けていない他の基板処理装置１００に振り分ける。図１に示す基板処理システム２０００を例に説明すると、以下のようになる。基板処理装置１００ａ〜１００ｄの内、基板処理装置１００ａにメンテナンス予約情報を受け付けた場合に、メンテナンス制御部２６０ｇは、基板処理装置１００ｂ〜１００ｄで基板処理中のウエハ２００については当該基板処理を継続して行わせる。その一方で、基板処理装置１００ａをオフライン状態とする。
【０１０８】
以上に説明したように、第７の制御態様では、複数台の基板処理装置１００を利用し、各基板処理装置１００に基板処理を振り分けるようにする。したがって、第７の制御態様によれば、基板処理を振り分けない場合に比べて、メンテナンス予約情報の受け付けからメンテナンス処理までの所要時間を短縮することが可能となり、効率的なシステム運用を図る上で非常に好ましいものとなる。
【０１０９】
（８）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
【０１１０】
（ａ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付け後、そのメンテナンス予約情報に係る基板処理装置１００での基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にする。したがって、複数のウエハ２００を一つのロットとして取り扱う場合に、任意のタイミングでメンテナンス予約情報を発しても、各ウエハ２００の処理品質に悪影響が及ぶことがなく、また保守作業者やシステム管理者等への負担が過大になってしまうこともなく、基板処理装置１００でメンテナンス処理を行うタイミングの適正化が図れる。
【０１１１】
（ｂ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、例えば、一つのポッド２００１に格納された複数のウエハ２００を一つのロットとする場合に、メンテナンス予約情報を受け付けると、そのポッド２００１に格納された全ウエハ２００の基板処理が完了するまで、基板処理装置１００での基板処理を継続する。したがって、メンテナンス予約情報を発するタイミングにかかわらず、同一ロット内でウエハ２００の処理品質にばらつきが生じてしまうことがなく、ポッド２００１単位で各ウエハ２００をロット化する場合に適用して非常に好適である。
【０１１２】
（ｃ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付けた時点における処理中ロットの未処理枚数に応じて、基板処理装置１００で継続して行う基板処理の処理枚数を可変させる。したがって、メンテナンス処理を行うタイミングを臨機応変に可変させることが可能となり、その結果として、基板処理装置１００でメンテナンス処理を行うタイミングについて、より一層の適正化が図れるようになる。
【０１１３】
（ｄ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付けると、当該メンテナンス予約情報を受け付けてメンテナンスが予約された旨の報知を行う。したがって、保守作業者やシステム管理者等にとっては、メンテナンス予約情報に応じてメンテナンス処理が予約されたことを認識することができるので、非常に利便性に優れたものとなる。
【０１１４】
（ｅ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報に応じて基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングについて、そのタイミングの所定範囲内での変更を受け付ける。したがって、必要に応じてメンテナンス処理を行うタイミングを可変させることが可能となり、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理のタイミングの可変に対応し得ることから、メンテナンス処理のタイミングについて、より一層の適正化が図れるようにもなる。
【０１１５】
（ｆ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報を受け付けた後、そのメンテナンス予約情報のキャンセルを受け付け可能にする。したがって、必要に応じてメンテナンス予約情報が無かったものとすることが可能となり、柔軟かつ適切なシステム運用が図れるようになる。
【０１１６】
（ｇ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報の受け付け後、基板処理装置１００での基板処理が完了して当該基板処理装置１００がメンテナンス可能状態になるまでの所要時間の報知を行う。したがって、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理の実施時期の適切化を図ることも可能となり、適切なシステム運用を図る上で非常に好ましいものとなる。
【０１１７】
（ｈ）本実施形態で説明した一つの制御態様では、メンテナンス予約情報に、基板処理装置１００をメンテナンス可能状態にするタイミングを指定するパラメータ情報が含まれている。したがって、保守作業者やシステム管理者等が所望するタイミングでのメンテナンス処理の実施が可能となり、保守作業者やシステム管理者等にとって非常に利便性が優れたものとなる。また、メンテナンス処理の実施時期の適切化を図ることも可能となり、適切なシステム運用を図る上で非常に好ましいものとなる。
【０１１８】
＜他の実施形態＞
以上に、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
【０１１９】
例えば、上述の実施形態では、第１ガスと第２ガスを交互に供給して成膜する方法について説明したが、他の方法にも適用可能である。例えば、２種類のガスではなく、１種類のガスを用いた処理であってもよい。
【０１２０】
また、上述の実施形態では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、ウエハ面上にＳｉＮ膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等がある。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜等がある。
【０１２１】
また、上述した実施形態では、基板処理工程で行う処理として成膜処理を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、本開示は、上述した実施形態で例に挙げた成膜処理以外の処理にも適用可能である。例えば、プラズマを用いた拡散処理、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、還元処理、酸化還元処理、エッチング処理、加熱処理等がある。さらには、例えば、反応ガスのみを用いて、基板表面や基板に形成された膜をプラズマ酸化処理やプラズマ窒化処理する際にも、本開示を適用することができる。また、反応ガスのみを用いたプラズマアニール処理にも適用することができる。これらの処理を第１処理として、その後、上述の第２処理を行わせてもよい。
【０１２２】
また、上述の実施形態では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向または垂直方向に並べた装置であってもよい。
【０１２３】
また、例えば、上述の実施形態では、半導体装置の製造工程について説明したが、本開示は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、等の基板処理がある。
【０１２４】
＜本開示の好ましい態様＞
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
【０１２５】
［付記１］
本開示の一態様によれば、
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する工程と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける工程と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２６】
［付記２］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された全基板の基板処理が完了するまで前記処理室での基板処理を継続する
付記１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２７】
［付記３］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記格納容器に格納された未処理基板の枚数に応じて、前記処理室で継続して行う基板処理の処理枚数を決定する
付記１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２８】
［付記４］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報を受け付けると、当該メンテナンス予約情報を受け付けてメンテナンスが予約された旨の報知を行う工程
を有する付記１から３のいずれか１態様に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１２９】
［付記５］
好ましくは、
前記報知を、（前記処理室を有する基板処理装置での）画面表示によって行う
付記４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３０】
［付記６］
好ましくは、
前記報知を、前記処理室での基板処理を管理するホスト装置へのデータ送信によって行う
付記４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３１】
［付記７］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報に応じて前記処理室をメンテナンス可能状態にするタイミングの所定範囲内での変更を受け付ける工程
を有する付記４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３２】
［付記８］
好ましくは、
前記タイミングを早めるように当該タイミングの変更を受け付ける
付記７に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３３】
［付記９］
好ましくは、
前記タイミングを早めるにあたり、少なくとも、前記処理室での基板処理中の基板については当該基板処理を完了させ、搬送中の基板については前記格納容器に回収する
付記８に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３４】
［付記１０］
好ましくは、
前記タイミングを遅らせるように当該タイミングの変更を受け付ける
付記７に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３５】
［付記１１］
好ましくは、
前記タイミングを遅らせる場合に、変更前のタイミングでは前記処理室をメンテナンス可能状態とせず、当該処理室にて次の基板についての基板処理を開始させる
付記１０に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３６】
［付記１２］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報のキャンセルを受け付ける工程
を有する付記４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３７】
［付記１３］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、前記処理室での基板処理が完了して当該処理室がメンテナンス可能状態になるまでの所要時間の報知を行う工程
を有する付記４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３８】
［付記１４］
好ましくは、
前記メンテナンス予約情報は、前記処理室をメンテナンス可能状態にするタイミングを指定するパラメータ情報を含む
付記１から１３のいずれか１態様に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３９】
［付記１５］
本開示の他の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
複数の基板が格納された格納容器と前記処理室との間の基板搬送を行う搬送ロボットと、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける情報受付部と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にするメンテナンス制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１４０】
［付記１６］
本開示のさらに他の一態様によれば、
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する手順と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける手順と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
【０１４１】
［付記１７］
本開示のさらに他の一態様によれば、
複数の基板が格納された格納容器から当該基板を処理室に搬送して処理する手順と、
前記処理室のメンテナンス予約情報を受け付ける手順と、
前記メンテナンス予約情報の受け付け後、当該メンテナンス予約情報に係る前記処理室での基板処理が完了するまで当該基板処理を継続し、当該基板処理の完了後に当該処理室への基板搬送を停止して当該処理室をメンテナンス可能状態にする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１４２】
１００，１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ…基板処理装置、２００…ウエハ（基板）、２０１…処理空間（処理室）、２０２…処理容器、２６０…コントローラ、２６０ａ…ＣＰＵ、２６０ｃ…記憶装置、２６０ｆ…情報受付部、２６０ｇ…メンテナンス制御部、２６０ｈ…情報報知部、２６１…入出力装置、５００…ホスト装置、２０００…基板処理システム、２００１…格納容器（ポッド）、２２２０…大気搬送ロボット、２７００…真空搬送ロボット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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