(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法であって、
基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室内の真空度が１０〜２００ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引し、不活性ガスＨｅ、Ａｒ又はＨｅとＡｒの混合ガスを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる、前処理ステップ（１）と、
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が３０〜３００ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＢ又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＢ又はモノマーＣ蒸気の導入を停止するステップを少なくとも１回行うことによって、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、少なくとも１種の低双極子モーメント有機物モノマーと、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＢ蒸気成分は、少なくとも１種の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂と、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＢ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、二重結合、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ構造又は環状構造を含有する少なくとも１種のシリコーンモノマーと、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＣ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＡ、モノマーＢ及びモノマーＣのいずれの導入流量も１０〜１０００μＬ／ｍｉｎである、高絶縁ナノコーティング製造ステップ（２）と、
プラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が１０〜２００ミリトルで１〜５ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了し、あるいは、
プラズマ放電を停止して、反応室に空気又は不活性ガスを圧力２０００−５０００ミリトルとなるまで導入し、次に、１０−２００ミリトルまで真空吸引し、上記ガス導入と真空吸引のステップを少なくとも１回行い、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了する、後処理ステップ（３）と、を含み、
前記低双極子モーメント有機物モノマーは、パラキシレン、ベンゼン、トルエン、四フッ化炭素、α−メチルスチレン、ジクロロジパラキシリレン、ジメチルシロキサン、分子量５００−５００００のポリジメチルシロキサン、アリルベンゼン、デカフルオロビフェニル、デカフルオロベンゾフェノン、パーフルオロアリルベンゼン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロペン、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルアミン、ヨウ化パーフルオロドデシル、ペルフルオロトリブチルアミン、１，８−ジヨードパーフルオロオクタン、トリデカフルオロヘキシルヨージド、パーフルオロブチルヨージド、パーフルオロデシルヨージド、パーフルオロオクチルヨージド、１，４−ビス（２’，３’−エポキシプロピル）ペルフルオロブタン、ペルフルオロ−２−メチル−２−ペンテン、２−（パーフルオロブチル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロオクチル）エチルメチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルヨージド、よう化１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデシル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシルヨージド、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−１−ヘキセン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロ−１−デセン、２，４，６−トリス（ペンタデカフルオロヘプチル）−１，３，５−トリアジン、（ペルフルオロヘキシル）エチレン、３−（パーフルオロオクチル）−１，２−プロペンオキシド、ペルフルオロシクロエーテル、ペルフルオロドデシルエチレン、ペルフルオロデシルエチルヨージド、ジブロモパラキシレン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを含む、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記ステップ（１）では、基材は、反応室において運動し、基材の運動形態として、基材は、反応室に対して直線往復運動又は曲線運動を行い、前記曲線運動には、円運動、楕円運動、遊星運動、球面運動又は非規則的な経路を有するほかの曲線運動が含まれる、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項３】
前記ステップ（１）では、基材は、電子製品、電器部品、電子仕掛品、ＰＣＢ基板、金属板、ポリテトラフルオロエチレン板材又は電子デバイスである固体材料であり、且つ前記基材の表面にシリコーンナノコーティングが製造されると、その基材のいずれの界面も水環境、カビの生えた環境、酸・アルカリ溶媒環境、酸・アルカリ性塩噴霧環境、酸性大気環境、機溶媒浸漬環境、化粧品環境、汗環境、冷熱サイクル衝撃環境又は湿熱交互環境に晒されて使用することができる、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項４】
前記ステップ（１）では、反応室は、回転体形状のチャンバー又は立方体形状のチャンバーであり、その容積が５０〜１０００Ｌであり、反応室の温度が３０〜６０℃に制御され、前記不活性ガスの導入流量が５〜３００ｓｃｃｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項５】
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気、モノマーＢ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入して、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、堆積過程におけるプラズマ放電過程には、低電力連続放電、パルス放電又は周期性交互放電が含まれる、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項６】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は低電力連続放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、プラズマ放電電力が１０〜１５０Ｗ、持続放電時間が６００〜３６００ｓに調整されるような堆積過程を少なくとも１回含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項７】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程はパルス放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階はパルス放電であり、電力１０〜３００Ｗ、時間６００ｓ〜３６００ｓ、パルス放電の周波数１〜１０００ＨＺ、パルスのデューティサイクル１：１〜１：５００であるような堆積過程を少なくとも１回含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項８】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は周期性交互放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階では、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行い、電力１０〜３００Ｗ、時間６００ｓ〜３６００ｓ、交互周波数１−１０００Ｈｚであり、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行う波形は、鋸歯波形、正弦波形、方波波形、全波整流波形又は半波整流波形であるような堆積過程を少なくとも１回含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項９】
前記単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂は、３−（ペルフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロデシル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロヘキシル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロドデシル）エチルアクリレート、２−ペルフルオロオクチルアクリル酸エチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロオクチルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、（２Ｈ−ペルフルオロプロピル）−２−アクリレート、（ペルフルオロシクロヘキシル）メチルアクリレート、３，３，３−トリフルオロ−１−プロピン、１−エチニル−３，５−ジフルオロベンゼン又は４−エチニルトリフルオロトルエンを含み、
前記二重結合、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ構造又は環状構造を含有するシリコーンモノマーは、
アリルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、３−ブテニルトリメチルシラン、ビニルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、１，２，２−トリフルオロビニルトリフェニルシランである二重結合構造含有シリコーンモノマーと、
トリフェニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシラン、トリフルオロプロピルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルメチルジクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシランであるＳｉ−Ｃｌ結合含有シリコーンモノマーと、
テトラメトキシシラン、トリメトキシハイドロジェンシロキサン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（２−メトキシエトキシ）シラン、トリエチルビニルシラン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、３−（メチルアクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン、フェニルトリ（トリメチルシロキシ）シラン、ジフェニルジエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランであるＳｉ−Ｏ−Ｃ構造含有シリコーンモノマーと、
ヘキサメチルジシロキシアミン、ヘキサメチルシクロトリシランアミノ、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシリルエーテルであるＳｉ−Ｎ−Ｓｉ又はＳｉ−Ｏ−Ｓｉ構造を含有するシリコーンモノマーと、
ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリフェニルヒドロキシシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン、クロム酸ビス（トリフェニルシリル）、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４−テトラメチル−６，６，８，８−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、３−３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランであ環状構造含有シリコーンモノマーと、を含み、
前記多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，４−ペンタジエン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジビニルエーテル又はネオペンチルグリコールジアクリレートを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【請求項１０】
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式は、ＲＦ放電、マイクロ波放電、中間周波放電、高周波放電、火花放電であり、前記高周波放電及び中間周波放電の波形は正弦又は双極性パルスである、
ことを特徴とする請求項１に記載の変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ化学気相堆積の技術分野に属し、具体的には、ナノ保護コーティングの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
防カビ、防湿、防塩水噴霧（単に３防と呼ばれる）は、電子デバイスの保管、輸送及び使用中に解決しなければならない重要な問題である。その中でも、カビ、塩水噴霧及び湿気により、電子デバイスが短絡のために故障することがしばしば発生する。したがって、エレクトロニクス業界に適用される保護コーティングには、優れた「３防」特性を備えていることに加えて、良好な絶縁性も必要である。
【０００３】
現在、電子製品を保護するための保護コーティングの使用は、電子製品の耐用年数を延ばすための効果的な方法である。通常、保護コーティングを得るには、液相法と気相法の２つの方法がある。液相法は、通常、コンフォーマルコーティングを使用して、電子製品をコーティングした後、熱硬化又は光硬化により回路基板上に緻密な有機コーティングを形成し、回路基板及び関連機器を環境による侵食から保護する。コンフォーマルコーティングは、耐高温・耐低温性に優れており、硬化後、透明保護フィルムを形成し、優れた絶縁性、耐湿性、耐電気リーク性、耐衝撃性、防塵性、耐腐食性、耐老化性、耐コロナ性を備えている。しかし、液相法は廃水、廃ガス及び廃液を発生し、使用される溶媒は電子デバイスの基板へ一定の損傷を与え、さらに、その厚さはほとんどが数十ミクロンであり、ナノメートルレベルに制御することは困難であり、放熱及び信号伝送を必要とするデバイスの場合は、機能が影響を受ける。
【０００４】
気相法には、蒸着やプラズマ気相堆積などの方法が含まれる。最も一般的な蒸着コーティングは、米国Ｕｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ  Ｃｏが開発したパリレンコーティングであり、電子製品の保護に広く使用されている。パリレンコーティングは、パラキシレンのポリマーであり、まず、パラキシレンを６８０℃に加熱して活性を有するパラキシレン二量体を形成し、堆積チャンバー内の温度が低下した後、この二量体が電子製品の表面に堆積してポリマーフィルムを形成する。パラキシレンは高度に対称な構造を有し、双極子モーメントが０であり、且つベンゼン環が存在するため、ポリマー分子は大きな自由体積を有し、また、ポリマーの分子量が比較的大きいため、コーティングの緻密性が高くなる。上記の特徴により、パリレンコーティングは、水分、ガス透過性が低く、バリア効果が高く、耐湿性、防水性、防錆性、耐酸・アルカリ性の効果を実現できる。このパリレンは、真空下で堆積して発生するものであり、たとえば、高周波回路や非常に弱い電流システムの保護など、液体塗料が適用できない分野に利用できる。ポリマーフィルムコーティングの厚さは、ポリパラキシリレンを堆積したコンフォーマルコーティングによる保護が失敗する主な原因であり、プリント回路基板コンポーネントのポリマーフィルムコーティングは、３〜７ミクロンの厚さでは局所的に錆びが発生して作用できなくなりやすく、周波数誘電損失に影響を与えずにコーティングの厚さを３０ミクロン以上とすべきである。パリレンコーティングは、保護を必要とするプリント回路基板の前処理への要件が高く、たとえば導電性コンポーネント、信号伝送コンポーネント、ＲＦコンポーネントなどの場合、コンフォーマルコーティングを気相堆積するときに、コンポーネントの特性を損なわないように回路基板コンポーネントを事前にマスクする必要がある。この欠点のため、パリレンコーティングの応用が大きく制限される。パリレンコーティングは、製造原料のコストが高く、コーティングの製造条件が厳しく（高温、高真空が要求される）、成膜速度が低いため、広く使用するのは困難である。そのほか、厚肉コーティングは、放熱性が低下したり、信号をブロックしたり、コーティング欠陥が増加したりするなどの問題を引き起こす。
【０００５】
上記の問題に対して、環境に優しく、絶縁性が良好で、コーティングが薄い場合に優れた保護性能を有するコーティング及び製造方法を開発することは、重要な応用価値がある。
【０００６】
プラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＣＶＤ）は、反応性ガスをプラズマで活性化させて、マトリックスの表面又は表面の近くで化学反応を促進し、固体膜を形成する技術である。プラズマ化学気相堆積法によるコーティングには、次の利点がある
（１）乾式プロセスであるため、ピンホールのない均一なフィルムを生成する。
（２）プラズマ重合フィルムは、耐溶媒性、耐薬品性、耐熱性、耐摩耗性などの化学的及び物理的特性が安定している。
（３）プラズマ重合フィルムは、マトリックスとの接着性が良好である。
（４）不規則な凹凸を有する基材の表面にも均一な膜を形成できる。
（５）コーティングは、製造温度が低く、常温条件下で実施できるため、温度に敏感なデバイスの損傷を効果的に回避できる。
（６）プラズマプロセスは、厚さがミクロンスケールのコーティングを製造できるだけでなく、極薄ナノスケールのコーティングを製造できる。
（７）コーティングの設計性は高く、プラズマ条件下では、ほとんどの有機モノマーが活性化されて高活性を有するラジカルになり、電子製品の表面にコーティングを形成することができる。モノマーの双極子モーメント、化学的不活性、及び自由体積のスクリーニングと設計は、絶縁性に優れており、薄い場合に優れた保護性能を備えたコーティングを得るための重要な手段である。
（８）コーティング構造は高度に制御可能であり、モノマーの組成と割合をいつでも変更できるため、コーティングに多層、勾配、変調などの特殊な構造を持たせる。
（９）無機・有機複合構造コーティングを製造できる。
現在、単一構造又は単一成分のコーティングは、特性が比較的単一であり、保護性能を向上させるには、厚さを増やす必要があるが、厚さの増加は熱放散や信号透過などの特性の低下につながる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記技術的課題を解決するために、変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングを製造する方法を提供する。この製造プロセスでは、低双極子モーメントと高い化学的不活性を有する有機モノマーを選択し、コーティングの自由体積と緻密性を多機能モノマーで調整することによって、コーティングに高絶縁性と優れた保護性を同時に付与する。また、この製造過程では、低双極子モーメント有機物コーティングとシリコーンコーティングの製造又は有機フルオロカーボンコーティングの製造を交互に実行することで、低双極子モーメント―シリコーン／フルオロカーボンの変調多層緻密構造を形成し、変調多層構造の設計と組み合わせることにより、熱伝導性と信号透過性を失うことなくコーティングの保護性能を大幅に向上できる。
【０００８】
プラズマ化学気相堆積法は、さまざまなモノマーに適用できるだけでなく、形成されたコーティングの成分と構造に対する制御性が高いため、モノマーの設計及びプロセスパラメーターの最適化によってコーティングの成分と構造を調整・構築することで、変調構造を有するナノ保護コーティングを設計できる。層間の界面を利用して腐食の垂直拡散を防ぎ、また、ナノ層状構造の超格子効果、層間の転位の蓄積のため、コーティングは、より絶縁破壊しにくくなり、耐水中導電性が大幅に向上する。この変調構造のコーティングは、同じ厚さではパリレンなどの従来のコーティングよりも優れた保護性と絶縁性を有する。保護と絶縁はより薄い厚さで実現でき、これにより、厚すぎるコーティング、低い生産効率、不十分な熱放散、信号ブロックなど、現在、パリレンなどのコーティングを使用する場合に存在する多くの問題が解決される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に使用される技術案は、以下のとおりである。
【００１０】
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法であって、
基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室内の真空度が１０〜２００ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引し、不活性ガスＨｅ、Ａｒ又はＨｅとＡｒの混合ガスを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる、前処理ステップ（１）と、
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が３０〜３００ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＢ又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＢ又はモノマーＣ蒸気の導入を停止するステップを少なくとも１回行うことによって、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、少なくとも１種の低双極子モーメント有機物モノマーと、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＢ蒸気成分は、少なくとも１種の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂と、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＢ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、二重結合、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ構造又は環状構造を含有する少なくとも１種のシリコーンモノマーと、少なくとも１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＣ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５〜６５質量％であり、
前記モノマーＡ、モノマーＢ及びモノマーＣのいずれの導入流量も１０〜１０００μＬ／ｍｉｎである、高絶縁ナノコーティング製造ステップ（２）と、
プラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が１０〜２００ミリトルで１〜５ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了し、あるいは、
プラズマ放電を停止して、反応室に空気又は不活性ガスを圧力２０００−５０００ミリトルとなるまで導入し、次に、１０−２００ミリトルまで真空吸引し、上記ガス導入と真空吸引のステップを少なくとも１回行い、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了する、後処理ステップ（３）と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
低真空プラズマ放電環境では、エネルギーを有効に出力することにより、モノマーの分子構造内のより活性な化学結合が破断するように制御し、高活性ラジカルを発生させ、ラジカルと電子製品の表面の活性化基が化学結合を介して結合されてナノ薄膜を形成し、最終的に基材の表面に高絶縁性保護コーティングが形成される。
【００１２】
前記ステップ（１）では、基材は、反応室において運動し、基材の運動形態として、基材は、反応室に対して直線往復運動又は曲線運動を行い、前記曲線運動には、円運動、楕円運動、遊星運動、球面運動又は非規則的な経路を有するほかの曲線運動が含まれる
【００１３】
前記ステップ（１）では、基材は、電子製品、電器部品、電子仕掛品、ＰＣＢ基板、金属板、ポリテトラフルオロエチレン板材又は電子デバイスである固体材料であり、且つ前記基材の表面にシリコーンナノコーティングが製造されると、その基材のいずれの界面も水環境、カビの生えた環境、酸・アルカリ溶媒環境、酸・アルカリ性塩噴霧環境、酸性大気環境、機溶媒浸漬環境、化粧品環境、汗環境、冷熱サイクル衝撃環境又は湿熱交互環境に晒されて使用することができる。
【００１４】
前記ステップ（１）では、反応室は、回転体形状のチャンバー又は立方体形状のチャンバーであり、その容積が５０〜１０００Ｌであり、反応室の温度が３０〜６０℃に制御され、前記不活性ガスの導入流量が５〜３００ｓｃｃｍである。
【００１５】
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気、モノマーＢ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入して、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、堆積過程におけるプラズマ放電過程には、低電力連続放電、パルス放電又は周期性交互放電が含まれる。
【００１６】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は低電力連続放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、プラズマ放電電力が１０〜１５０Ｗ、持続放電時間が６００〜３６００ｓに調整されるような堆積過程を少なくとも１回含む。
【００１７】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程はパルス放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階はパルス放電であり、電力１０〜３００Ｗ、時間６００ｓ〜３６００ｓ、パルス放電の周波数１〜１０００ＨＺ、パルスのデューティサイクル１：１〜１：５００であるような堆積過程を少なくとも１回含む。
【００１８】
前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は周期性交互放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０〜６００Ｗであり、持続放電時間が６０〜４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階では、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行い、電力１０〜３００Ｗ、時間６００ｓ〜３６００ｓ、交互周波数１−１０００Ｈｚであり、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行う波形は、鋸歯波形、正弦波形、方波波形、全波整流波形又は半波整流波形であるような堆積過程を少なくとも１回含む。
【００１９】
前記低双極子モーメント有機物モノマーは、パラキシレン、ベンゼン、トルエン、四フッ化炭素、α−メチルスチレン、ジクロロジパラキシリレン、ジメチルシロキサン、分子量５００−５００００のポリジメチルシロキサン、アリルベンゼン、デカフルオロビフェニル、デカフルオロベンゾフェノン、パーフルオロアリルベンゼン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロペン、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルアミン、ヨウ化パーフルオロドデシル、ペルフルオロトリブチルアミン、１，８−ジヨードパーフルオロオクタン、トリデカフルオロヘキシルヨージド、パーフルオロブチルヨージド、パーフルオロデシルヨージド、パーフルオロオクチルヨージド、１，４−ビス（２’，３’−エポキシプロピル）ペルフルオロブタン、ペルフルオロ−２−メチル−２−ペンテン、２−（パーフルオロブチル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロオクチル）エチルメチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルヨージド、よう化１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデシル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシルヨージド、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−１−ヘキセン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロ−１−デセン、２，４，６−トリス（ペンタデカフルオロヘプチル）−１，３，５−トリアジン、（ペルフルオロヘキシル）エチレン、３−（パーフルオロオクチル）−１，２−プロペンオキシド、ペルフルオロシクロエーテル、ペルフルオロドデシルエチレン、ペルフルオロデシルエチルヨージド、ジブロモパラキシレン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを含み、
前記単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂は、３−（ペルフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロデシル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロヘキシル）エチルメチルアクリレート、２−（ペルフルオロドデシル）エチルアクリレート、２−ペルフルオロオクチルアクリル酸エチル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロオクチルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、（２Ｈ−ペルフルオロプロピル）−２−アクリレート、（ペルフルオロシクロヘキシル）メチルアクリレート、３，３，３−トリフルオロ−１−プロピン、１−エチニル−３，５−ジフルオロベンゼン又は４−エチニルトリフルオロトルエンを含み、
前記二重結合、Ｓｉ−Ｃｌ、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ構造又は環状構造を含有するシリコーンモノマーは、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、３−ブテニルトリメチルシラン、ビニルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、１，２，２−トリフルオロビニルトリフェニルシランである二重結合構造含有シリコーンモノマーと、
トリフェニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシラン、トリフルオロプロピルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルメチルジクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシランであるＳｉ−Ｃｌ結合含有シリコーンモノマーと、
テトラメトキシシラン、トリメトキシハイドロジェンシロキサン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（２−メトキシエトキシ）シラン、トリエチルビニルシラン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、３−（メチルアクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン、フェニルトリ（トリメチルシロキシ）シラン、ジフェニルジエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランであるＳｉ−Ｏ−Ｃ構造含有シリコーンモノマーと、
ヘキサメチルジシロキシアミン、ヘキサメチルシクロトリシランアミノ、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシリルエーテルであるＳｉ−Ｎ−Ｓｉ又はＳｉ−Ｏ−Ｓｉ構造を含有するシリコーンモノマーと、
ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリフェニルヒドロキシシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン、クロム酸ビス（トリフェニルシリル）、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４−テトラメチル−６，６，８，８−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、３−３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランであ環状構造含有シリコーンモノマーと、を含み、
前記多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，４−ペンタジエン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジビニルエーテル又はネオペンチルグリコールジアクリレートを含む。
【００２０】
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式は、ＲＦ放電、マイクロ波放電、中間周波放電、高周波放電、火花放電であり、前記高周波放電及び中間周波放電の波形は正弦又は双極性パルスであり、ＲＦプラズマは、高周波電磁界放電により発生するプラズマである。マイクロ波法は、マイクロ波のエネルギーを利用してプラズマを励起することであり、エネルギー利用効率が高いという利点を有し、また、電極放電がないため、プラズマが純粋であり、今まで最も高品質、高速度、大面積で製造できる優れた方法といえる。
【００２１】
コーティングの製造において、基材の運動特性とプラズマ放電のエネルギーとが関連付けられる。製造するときに、プラズマ放電と同時に、基材が運動し、それによって、コーティングの堆積効率を高め、且つコーティング厚さの均一性及び緻密性を改善する。
【００２２】
製造されたコーティングは、防水性、耐湿性、耐カビ性、耐酸・アルカリ溶媒性、耐酸・アルカリ性塩噴霧性、耐酸性大気性、有機溶媒浸漬に対する耐性、耐化粧品性、耐汗性、冷熱サイクル衝撃に対する耐性（−４０℃〜＋７５℃）、湿熱交互に対する耐性（湿度７５％〜９５％）などの特性を有する。上記保護性能を有するとともに、コーティングの厚さが１〜１０００ｎｍである場合、周波数１０Ｍ〜８Ｇの範囲にあるＲＦ通信信号への影響が５％よりも低い。
【発明の効果】
【００２３】
従来技術に比べて、本発明の上記技術案は、以下の利点を有する。
【００２４】
１、プラズマ化学気相堆積技術の方法は、液相法による３防コーティングの塗布法よりも環境にやさしく、また、パリレン蒸着法と比較して、堆積温度が低く、速度がより速く、コーティング構造と成分がより制御可能であり、モノマーの選択性が強い。
【００２５】
２、基板は反応チャンバ内を移動するため、異なる位置での基材コーティングの厚さは同じになる傾向があり、それによって、反応チャンバ内の各領域でのモノマー密度の違いによる基材表面のコーティング厚さの不均一の問題を解決する。製造する際に、基材の運動特性とプラズマ放電のエネルギーとを関連付けて、放電エネルギーを出力するとともに、基材が運動し、このようにして、堆積効率を高め、得られた多機能ナノ保護コーティングの緻密性を大幅に向上させる。また、堆積効率が高まるため、モノマー蒸気の化学モノマー原料の使用量がほかの従来技術における使用量の１０％〜１５％だけであり、このため、排出ガスの排出量を低減させて、環境によりさやしくなり、実際な生産性の向上について重大な意義がある。
【００２６】
３、本発明は、低双極子モーメントと高い化学的不活性を有する有機モノマーを選択し、多官能性モノマーによってコーティングの自由体積と緻密性を調整することによって、コーティングは高い絶縁性と優れた保護性を同時に有する。
（１）本発明では、対称性の高いベンゼン環及びそのベンゼン誘導体又はそのペルフルオロ化合物をモノマーとして使用し、重合後、分子が対称性であり又はり各炭素原子が多数のフッ素原子で覆われているため、極性が極めて低く、その誘電率が非常に低くなり、２．７未満であり、絶縁性が高い。
（２）ベンゼン環構造とフルオロカーボン構造の化学的不活性が高いため、それによって形成されるポリマーは優れた化学的安定性を有する。
（３）架橋剤の分子鎖の長さと官能性は、コーティングの緻密性と自由体積を効果的に向上させ、それによって絶縁性と保護性を高めることができる。
（４）架橋構造を有する他のモノマーを導入し、モノマーの配合比を制御することにより、各モノマーの分子結合エネルギー、結合長の差、気化温度の差に応じて、デバイスへ対応するエネルギー出力とプロセスパラメーターの有効な変化を与えて、変調、複合、及び勾配構造のポリマーナノコーティング、たとえば、高絶縁性層−フルオロカーボン層−高絶縁性層−フルオロカーボン層−構造コーティングなどが得られ、それによって、フィルムの絶縁性を保証するだけでなく、電子製品などの製品の耐環境腐食性を向上させる。
【００２７】
４、本発明は、低双極子モーメント有機物コーティングとシリコーンコーティングの製造又は有機フルオロカーボンコーティングの製造を交互に実施する方式によって、低双極子モーメント−シリコーン／フルオロカーボンの変調多層緻密構造を形成し、それによって、コーティングの応力を低減させて、コーティングの靭性を向上させることができ、さらに、低双極子モーメント−シリコーン／フルオロカーボンの間に横方向界面が存在するので、腐食性媒体がコーティングを腐食するときに横方向界面に合うと、腐食が横方向に行進し、このため、コーティングを貫通する縦方向腐食が発生しにくく、腐食性媒体がコーティングを通り抜けて保護対象となる材料やデバイスを腐食することを回避し、さらに、変調ナノ層状構造の超格子効果、層間の転位の蓄積のため、コーティングは、より絶縁破壊しにくくなり、耐水中導電性が大幅に向上する。
【００２８】
５、本発明は、プラズマ化学気相堆積を採用して、モノマー及びコーティング構造を制御することで、変調構造を有するナノ保護コーティングを得る。このようなコーティングには、次の利点がある。各周期ごとに、ナノスケールの低双極子モーメントとナノスケールのシリコーンコーティング又は有機フルオロカーボンコーティングで構成され、コーティングの総厚は２０ｎｍ〜１０μｍの間、硬度はＨＢ−４Ｈ間で制御可能であり、さらに、優れた絶縁特性、耐水中導電性、低表面エネルギーを備え、優れた３防特性を有する。
【００２９】
６、通常の単回長時間コーティングと比較して、本発明の方法で得られたコーティングは、その結合力と緻密度がそれぞれ少なくとも４０％−５０％及び３５％−５０％向上し、耐水中導電性が４０％−５０％向上する。サイクル周期を交互に繰り返すことによって得られる変調構造コーティングは、特性に優れており、実用性が高い。
【００３０】
７、一般に、単官能性の炭化水素酸素有機化合物モノマーは、特定の架橋構造を有するコーティングを得るためにプラズマ重合に使用される。架橋構造は、モノマーがプラズマ放電時に連鎖切断して形成される複数の活性部位の交互接続により形成される。しかしながら、この架橋構造は、比較的緩く、より多くの線形成分を含み、耐溶液浸透性及び溶解性が悪い。従来の単官能性有機モノマーと比較して、プラズマ条件下では、シリコーンモノマー中のシリコンに結合された官能基が互いに縮合反応を起こすため、モノマーとモノマーの間に３次元網目状架橋が発生し、それによって、コーティングの緻密性、耐摩耗性及び耐食性がさらに向上する。同じ厚さのシリコーンコーティングは、硬度が従来のコーティングの硬度よりも１〜２等級高く、耐塩水噴霧性が３０〜５０％向上する。
【００３１】
日常の電子機器は、腐食性環境により浸食されて破損しやすいが、基本的に腐食性環境に使用され、長期的には、電子機器に短絡や開回路などの損傷を与えてしまう。本発明の特許におけるコート方法は、ナノメートルの実際な生産性の向上における重要性を大幅に高める。腐食環境でのコーティングの耐用年数を延ばし、製品への保護効果を向上させる。主に以下の製品で使用される。
【００３２】
（１）、携帯性機器のキーボード：ポータブルキーボードは、軽量化及び小型化の特徴を有し、コンピュータ、携帯電話などの機器によく使用されている。これにより、ユーザーは旅行中にも仕事を簡便にすることができる。ただし、水を容れたカップの偶発的な転倒、雨や汗の浸透など、一般的な液体による汚染が発生すると、キーボードの内部が短絡して損傷されることが発生しやすい。このタイプのナノコーティングでキーボードをコーティングすると、キーボードの表面の掃除し易さ、水にさらされた場合の機能保全を確保することができ、キーボードがより厳しい環境に適用できるようにする。
【００３３】
（２）、ＬＥＤディスプレイ：ＬＥＤディスプレイには、商品プロモーション、店舗装飾、照明、警告などの用途がある。雨の日、モールの屋外ＬＥＤ広告スクリーン、道路警告灯、生産作業場のＬＥＤディスプレイのコントロールパネルなど、雨や粉塵の多い過酷な環境に直面する必要がある一部の用途では、これらの過酷な環境は、ＬＥＤスクリーンの故障を引き起こし、且つ粉塵がたまりやすく、きれいにすることは難しく、このナノコーティングを使用すると、上記の問題を効果的に解決できる。
【００３４】
（３）、スマート指紋ロック：指紋ロックは、コンピュータ情報技術、電子技術、機械技術、最新のハードウェア技術を統合したスマートロックであり、公安犯罪捜査及び司法の分野で広く使用されている。ただし、水に晒されると、その内部回路に短絡が発生しやすく、修理しにくく、ロックを強制的に解除する必要があるが、このコーティングを使用すると、この課題を解決できる。
【００３５】
（４）、補聴器、ブルートゥースヘッドセット：補聴器及びブルートゥースヘッドセットのいずれも通信回線がなく、このコーティングを使用すると、ユーザーは、機器が雨の侵入により損傷されることなく、たとえばシャワーをしたり雨が降ったりするような水環境で一定時間使用することができる。
【００３６】
（５）、一部のセンサ：液体環境で作動する必要がある、たとえば水圧、油圧センサなどのセンサ、水中作業機器で使用されるセンサ、及び作動環境で水に晒されることが多いセンサ。これらセンサにこのコーティングを使用すると、機械装置の内部構造への液体の侵入によるセンサの故障が防止される。
【００３７】
（６）、ほとんどの３Ｃ製品：たとえば、携帯電話、ノートブック、ＰＳＰなど。
【００３８】
（７）、防水性が必要とされるその他の機器：高湿度環境での作業が必要であり、又はよく液が飛散するなどの予期せぬ状況が発生し、内部の弱い回路の正常な動作に影響する場合がある機器。
【００３９】
該方法で製造された多機能ナノコーティングは、次のさまざまな環境及び関連製品にも適用できる。
【００４０】
防水、防湿、防カビ：
１、家のインテリア：バスルームのルーフ、壁紙、シャンデリア、カーテン、網戸。２、日用品：蚊帳、ランプカバー、箸ケース、自動車のバックミラー。３、文化遺物及び芸術品：手本、骨董品、木彫り、革、青銅器、絹、衣装、昔の書籍。４、電子デバイス及び電子製品：センサ（高湿度又は粉塵の多い環境で作業）、さまざまな電子製品（電子血圧計、スマートウォッチ）のチップ、回路基板、携帯電話、ＬＥＤスクリーン、補聴器。５、精密機器及び光学機器：機械式時計、顕微鏡。
【００４１】
耐酸・アルカリ性溶媒性、酸性・アルカリ性塩噴霧に対する耐性、耐酸性大気性：
１、住宅の内装部品：壁紙、タイル。２、保護具：酸（アルカリ）耐性手袋、酸（アルカリ）耐性防護服。３、機械装置及びパイプライン：排煙脱硫装置、シール部材（酸性／アルカリ性潤滑剤）、パイプ、バルブ、大口径海洋輸送用パイプラインのライナーなどの部位。４、さまざまな反応釜、反応器。５、化学薬品の生産、貯蔵；下水処理、曝気槽；６、そのほか：酸及びアルカリ性ワークショップ、耐アルカリ性航空宇宙、エネルギー及び電力、鉄鋼及び冶金、石油化学、医療などのさまざまな産業、貯蔵容器、彫像（酸性雨による腐食を低減させる）、センサ（酸／アルカリ性環境で）。
【００４２】
有機溶媒浸漬に対する耐性、耐化粧品性、耐汗性：
１、パラフィン、オレフィン、アルコール、アルデヒド、アミン、エステル、エーテル、ケトン、芳香族炭化水素、水素化炭化水素、テルペンオレフィン、ハロゲン化炭化水素、複素環式化合物、窒素含有化合物、及び硫黄化合物含有溶媒など；２、化粧品包装容器；３、指紋ロック、ヘッドフォン。
【００４３】
冷熱サイクル衝撃に対する耐性（−４０℃〜＋７５℃）、湿熱交互に対する耐性（湿度７５％〜９５％）：航空、自動車、家電、科学研究その他の機器などの電気、電子、自動車電気。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、図面及び特定の実施例を参照しながら本発明を詳細に説明するが、本発明は、特定の実施例に制限されない。
【００４５】
〔実施例１〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）前処理
基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が１０ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＡｒを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状アルミ材及びＰＣＢ基板である固体材料であり、且つ冷熱サイクル衝撃に対する耐性を有するコーティングが前記基材表面に製造されると、このいずれの界面も冷熱サイクル試験環境に晒され得る。
ステップ（１）では、反応室は、回転体形状のチャンバーであり、反応室の容積が５０Ｌであり、反応室の温度が３０℃に制御され、不活性ガスの導入流量が５ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、反応室において運動し、基材の運動形態として、基材は、反応室に対して回転数１０回転／ｍｉｎの円運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを１２回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が４０ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＢ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＢ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
１種の低双極子モーメント有機物モノマーと、２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５質量％であり、
前記１種低双極子モーメント有機物モノマーは、１，８−ジヨードパーフルオロオクタンであり、
前記２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，３−ブタジエン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートであり、
前記モノマーＢ蒸気成分は、
１種の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂と、３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＢ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が６５質量％であり、
前記１種の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂は、２−（ペルフルオロドデシル）エチルアクリレートであり、
前記３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，４−ペンタジエン、トリプロピレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートであり、
前記モノマーＡ、モノマーＢ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧１０ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＢのいずれの導入流量も１０μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＢ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、堆積過程におけるプラズマ放電過程は、いずれも低電力連続放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０Ｗであり、持続放電時間が４５０ｓであり、次にコート段階に入り、プラズマ放電電力が１０Ｗ、持続放電時間が３６００ｓに調整されるような堆積過程を１回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式はＲＦ放電である。
（３）後処理
プラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が１０ミリトルで１ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、次に基材を取り出すと完了する。
上記過程で得られたコーティングの誘電率は２．７３であり、コートしたアルミ材及びＰＣＢ基板の冷熱サイクル衝撃の試験効果は、以下のとおりである。
【表１】
0006937430.tif 000002
上記コートしたアルミ材について湿熱交互試験を行った効果は、以下のとおりである。
【表２】
0006937430.tif 000003
【００４６】
〔実施例２〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が３０ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＨｅを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状アルミ材である固体材料であり、且つ湿熱交互に対する耐性を有するコーティングが前記基材の表面に製造されると、このいずれの界面も湿熱試験環境に晒され得る。
ステップ（１）では、反応室は、立方体形状のチャンバーであり、反応室の容積が２７０Ｌであり、反応室の温度が４２℃に制御され、不活性ガスの導入流量が１８ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、公転速度４回転／ｍｉｎ、自転速度１０回転／ｍｉｎの遊星運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを１回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が７０ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＣ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
３種の低双極子モーメント有機物モノマーと、１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が２９質量％であり、
前記３種の低双極子モーメント有機物モノマーは、分子量５００００のポリジメチルシロキサン、デカフルオロベンゾフェノン、ヘキサフルオロプロペンであり、
前記１種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、エチレングリコールジアクリレートであり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、
１種の二重結合構造含有シリコーンモノマーと、４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＣ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が３２質量％であり、
前記１種の二重結合構造含有シリコーンモノマーは、ビニルトリス（メチルエチルケトオキシム）シランであり、
前記４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、イソプレン、１，４−ペンタジエン、トリプロピレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジビニルエーテルであり、
前記モノマーＡ、モノマーＣ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧３０ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＣのいずれの導入流量も８５μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、堆積過程におけるプラズマ放電過程は、いずれも低電力連続放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が６００Ｗであり、持続放電時間が６０ｓであり、次にコート段階に入り、プラズマ放電電力が１５０Ｗであり、持続放電時間が６００ｓに調整されるような堆積過程を５回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式はマイクロ波放電である。
（３）後処理
プラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が６０ミリトルで２ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、次に基材を取り出すと完了する。
上記過程で得られたコーティングの誘電率は２．４５であり、コートしたアルミ材の冷熱サイクル衝撃の試験効果は、以下のとおりである。
【表３】
0006937430.tif 000004
上記コートしたアルミ材について湿熱交互試験を行った効果は、以下のとおりである。
【表４】
0006937430.tif 000005
【００４７】
〔実施例３〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が８０ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＡｒとＨｅの混合ガスを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状のポリテトラフルオロエチレン板及び電器部品である固体材料であり、且つ防カビ性を有するコーティングが前記ブロック状のポリテトラフルオロエチレン板の表面に製造されると、そのいずれの界面もＧＪＢ１５０．１０Ａ−２００９カビ試験環境に晒されて使用することができ、防水性と耐絶縁破壊性を有するコーティングが前記電器部品の表面に製造されると、そのいずれの界面も国際工業防水等級標準ＩＰＸ７に記載の環境に晒されて使用することができる。
ステップ（１）では、反応室は、回転体形状のチャンバーであり、反応室の容積が５８０Ｌであり、反応室の温度が５３℃に制御され、不活性ガスの導入流量が６５ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、回転数１２回転／ｍｉｎの円運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを８回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が１２０ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＣ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
４種類の低双極子モーメント有機物モノマーと、２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が４８質量％であり、
前記４種類の低双極子モーメント有機物モノマーは、トルエン、α−メチルスチレン、ジメチルシロキサン、デカフルオロベンゾフェノンであり、
前記２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、イソプレン、ネオペンチルグリコールジアクリレートであり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、
５種類のＳｉ−Ｃｌ構造含有シリコーンモノマーと、２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＣ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が５２質量％であり、
前記５種類のＳｉ−Ｃｌ構造含有シリコーンモノマーは、トリフェニルクロロシラン、トリフルオロプロピルメチルジクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシランであり、
前記２種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートであり、
前記モノマーＡ、モノマーＣ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧８０ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＣのいずれの導入流量も４４０μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、前記堆積過程におけるプラズマ放電過程はパルス放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０Ｗであり、持続放電時間が４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階はパルス放電であり、電力１０Ｗ、時間３６００ｓ、パルス放電の周波数１ＨＺ、パルスのデューティサイクル１：５００であるような堆積過程を１回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式は火花放電である。
（３）後処理
プラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が１００ミリトルで３ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、次に基材を取り出すと完了する。
上記過程で得られたコーティングの誘電率は２．４６であり、コートしたポリテトラフルオロエチレン板のＧＪＢ１５０．１０Ａ−２００９カビ試験結果は、以下のとおりである。
【表５】
0006937430.tif 000006
防水性と耐絶縁破壊性を有するコーティング付き電器部品を製造して、さまざまな電圧で浸水試験を行った結果は、以下のとおりである。
【表６】
0006937430.tif 000007
ＩＰＸ７防水等級試験（水中１ｍで浸水試験３０ｍｉｎ）結果
【表７】
0006937430.tif 000008
【００４８】
〔実施例４〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が１００ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＡｒを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状のポリテトラフルオロエチレン板及び電器部品である固体材料であり、且つ防カビ性を有するコーティングが前記ブロック状のポリテトラフルオロエチレン板の表面に製造されると、そのいずれの界面もＧＪＢ１５０．１０Ａ−２００９カビ試験環境に晒されて使用することができ、防水性と耐絶縁破壊性を有するコーティングが前記電器部品の表面に製造されると、そのいずれの界面も国際工業防水等級標準ＩＰＸ７に記載の環境に晒されて使用することができる。
ステップ（１）では、反応室の容積は６４０Ｌであり、反応室の温度は５４℃に制御され、不活性ガスの導入流量は２４０ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、運動速度２３ｍｍ／ｍｉｎの直線往復運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを１５回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が１５０ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＢ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＢ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
５種類の低双極子モーメント有機物モノマーと、３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が６５質量％であり、
前記５種類の低双極子モーメント有機物モノマーは、パラキシレン、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルアミン、２−（ペルフルオロオクチル）エチルメチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシルヨージド、２，４，６−トリス（ペンタデカフルオロヘプチル）−１，３，５−トリアジンであり、
前記３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、イソプレン、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートであり、
前記モノマーＢ蒸気成分は、
４種類の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂と、４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＢ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が１５質量％であり、
前記４種類の単官能性不飽和フルオロカーボン樹脂は、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、（ペルフルオロシクロヘキシル）メチルアクリレート、３，３，３−トリフルオロ−１−プロピン、４−エチニルトリフルオロトルエンであり、
前記４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、イソプレン、１，４−ペンタジエン、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートであり、
前記モノマーＡ、モノマーＢ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧１００ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＢのいずれの導入流量も１０００μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＢ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、前記堆積過程におけるプラズマ放電過程はパルス放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が６００Ｗであり、持続放電時間が６０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階はパルス放電であり、電力３００Ｗ、時間６００ｓ、パルス放電の周波数１０００ＨＺ、パルスのデューティサイクル１：１であるような堆積過程を７回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式は高周波放電であり、高周波放電の波形は正弦である。
（３）後処理
モノマー蒸気の導入を停止するとともにプラズマ放電を停止して、持続的に真空吸引し、反応室の真空度が２００ミリトルで４ｍｉｎ保持された後、空気を１大気圧となるまで導入し、次に基材を取り出すと完了する。
上記過程で得られたコーティングの誘電率は２．４８であり、コートしたポリテトラフルオロエチレン板のＧＪＢ１５０．１０Ａ−２００９カビ試験結果は、以下のとおりである。
【表８】
0006937430.tif 000009
防水性と耐絶縁破壊性を有するコーティング付き電器部品を製造して、さまざまな電圧で浸水実験を行った結果は、以下のとおりである。
【表９】
0006937430.tif 000010
ＩＰＸ７防水等級試験（水中１ｍで浸水試験３０ｍｉｎ）結果
【表１０】
0006937430.tif 000011
【００４９】
〔実施例５〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が２００ミリトルとなるまで反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＡｒとＨｅの混合ガスを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状のアルミ材である固体材料であり、且つ酸・アルカリ環境に対する耐性を有するコーティングが前記基材の表面に製造されると、そのいずれの界面も酸・アルカリ試験環境に晒され得る。
ステップ（１）では、反応室の容積は１０００Ｌであり、反応室の温度は６０℃に制御され、不活性ガスの導入流量は３００ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、速度５０ｍｍ／ｍｉｎの曲線往復運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを２６回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が３００ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＣ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
６種類の低双極子モーメント有機物モノマーと、３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が５６質量％であり、
前記６種類の低双極子モーメント有機物モノマーは、ベンゼン、α−メチルスチレン、ジメチルシロキサン、アリルベンゼン、２−（パーフルオロブチル）エチルメチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシルヨージドであり、
前記３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，４−ペンタジエン、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートであり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、
前記４種類のＳｉ−Ｏ−Ｃ構造含有シリコーンモノマーは、トリメトキシハイドロジェンシロキサン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、トリエチルビニルシラン、３−（メチルアクリロキシ）プロピルトリメトキシシランであり、
前記３種の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，４−ペンタジエン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートであり、
前記モノマーＡ、モノマーＣ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧２００ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＣのいずれの導入流量も７８０μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は周期性交互放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が１５０Ｗであり、持続放電時間が４５０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階では、プラズマは周期的に交互して変化して放電出力を行い、電力１０Ｗ、時間３６００ｓ、交互周波数１Ｈｚであり、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行う波形が鋸歯波形であるような堆積過程を１回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式は中間周波放電であり、中間周波放電の波形は双極性パルスである。
（３）後処理
プラズマ放電を停止して、反応室内に空気を圧力２０００ミリトルとなるまで導入し、次に、１０ミリトルまで真空吸引し、上記ガス導入と真空吸引のステップを１０回行い、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了する。
上記過程で得られたコーティング及びコートしたアルミ材の試験効果は、以下のとおりである。
【表１１】
0006937430.tif 000012
（２）耐有機溶剤試験結果（ｐａｓｓは、所定時間浸漬後の接触角の変化が５°未満であることを意味する）
【表１２】
0006937430.tif 000013
（３）耐酸・アルカリ性試験の結果：（ｐａｓｓは、実験を所定時間行った後に腐食現象がないことを意味する）
【表１３】
0006937430.tif 000014
【００５０】
〔実施例６〕
変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法は、ステップ（１）〜ステップ（３）を含む。
（１）基材をナノコーティング製造装置の反応室に入れて、反応室を密閉させて、反応室内の真空度が１６０ミリトルとなるように反応室を連続的に真空吸引して、不活性ガスＡｒを導入し、運動機構を起動させて、基材を反応室において運動させる。
ステップ（１）では、基材は、ブロック状のアルミ材及び電器部品である固体材料であり、且つ高絶縁性コーティングが前記基材の表面に製造されると、そのいずれの界面も有機溶剤試験環境に晒され得る。
ステップ（１）では、反応室の容積は４００Ｌであり、反応室の温度は４０℃に制御され、不活性ガスの導入流量は１５０ｓｃｃｍである。
ステップ（１）では、基材は、速度３０ｍｍ／ｍｉｎの曲線往復運動を行う。
（２）高絶縁ナノコーティングの製造
以下のステップを３５回行い、基材の表面に変調構造を有する高絶縁性ナノコーティングを製造する。
モノマーＡ蒸気を反応室に導入し、真空度が２３０ミリトルとなると、プラズマ放電を開始させて、化学気相堆積を行い、モノマーＡ蒸気の導入を停止して、モノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電を行い続け、化学気相堆積を行い、モノマーＣ蒸気の導入を停止し、
前記モノマーＡ蒸気成分は、
５種類の低双極子モーメント有機物モノマーと、４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体の混合物とを含み、前記モノマーＡ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が６５質量％であり、
前記５種類の低双極子モーメント有機物モノマーは、アリルベンゼン、デカフルオロベンゾフェノン、ヘキサフルオロプロペン、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチルアミン、パーフルオロオクチルヨージドであり、
前記４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，４−ペンタジエン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレートであり、
前記モノマーＣ蒸気成分は、
６種類の環状構造含有シリコーンモノマーと、４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体との混合物を含み、前記モノマーＣ蒸気において、多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体が４０質量％であり、
前記６種類の環状構造含有シリコーンモノマーは、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、ジフェニルジヒドロキシシラン、クロム酸ビス（トリフェニルシリル）、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、２，２，４，４−テトラメチル−６，６，８，８−テトラフェニルシクロテトラシロキサンであり、
前記４種類の多官能性不飽和炭化水素及び炭化水素系誘導体は、１，３−ブタジエン、イソプレン、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレングリコールジアクリレートであり、
前記モノマーＡ、モノマーＣ蒸気の導入において、モノマーを供給ポンプで霧化して揮発させ、低圧１６０ミリトルで反応室に導入し、前記モノマーＡ、モノマーＣのいずれの導入流量も４６０μＬ／ｍｉｎであり、
前記ステップ（２）では、モノマーＡ蒸気又はモノマーＣ蒸気を導入し、プラズマ放電をして、化学気相堆積を行い、前記堆積過程におけるプラズマ放電過程は周期性交互放電であり、具体的には、
前処理段階とコート段階を含み、前処理段階では、プラズマ放電電力が６００Ｗであり、持続放電時間が６０ｓであり、次にコート段階に入り、コート段階では、プラズマは周期的に交互して変化して放電出力を行い、電力３００Ｗ、時間６００ｓ、交互周波数１０００Ｈｚであり、プラズマが周期的に交互して変化して放電出力を行う波形が半波整流波形であるような堆積過程を５回含む。
前記ステップ（２）では、プラズマ放電方式はマイクロ波放電である。
（３）後処理
プラズマ放電を停止して、反応室内に不活性ガスを圧力５０００ミリトルとなるまで導入し、次に、２００ミリトルまで真空吸引し、上記ガス導入と真空吸引のステップを１回行い、空気を１大気圧となるまで導入し、基材の運動を停止して、次に基材を取り出すと完了する。
上記コートしたアルミ材の試験効果は、以下のとおりである。
（１） 疎水疎油性
【表１４】
0006937430.tif 000015
（２）上記コートした電器部品について各電圧でテストした浸水試験結果は、以下のとおりである。
【表１５】
0006937430.tif 000016
（３）耐有機溶剤試験結果：（ｐａｓｓは、所定時間浸漬後の接触角の変化が５°未満であることを意味する）
【表１６】
0006937430.tif 000017
（４）酸・アルカリ性試験の結果：（ｐａｓｓは、実験を所定時間行った後に腐食現象がないことを意味する）
【表１７】
0006937430.tif 000018