(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、
前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、
前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置されており、
前記突起は、前記リングの下面における内周側から外周側に向けて延在する軸線を有する板部材によって構成されている、めっき装置。
【請求項２】
前記突起の軸線と前記リングの内周面の接線とのなす角度であって、前記基板ホルダが一方向に回転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が、０°以上２０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させ、
前記角度が２０°以上６０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを４０ｒｐｍ以上で回転させ、
前記角度が６０°以上１２０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、
前記角度が１２０°より大きく１６０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、
前記角度が１６０°より大きく１８０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させる、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記角度は、６０°以上１６０°以下である、請求項２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記回転機構は前記基板ホルダを３０ｒｐｍ以上で回転させる、請求項３に記載のめっき装置。
【請求項５】
前記突起の個数は複数である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項６】
前記突起の個数は複数であり、
複数の前記突起は、前記基板ホルダが正転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第１突起と、前記基板ホルダが逆転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第２突起と、を含み、
前記回転機構は、前記基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっき処理時に、前記基板ホルダを正転させること及び逆転させることを、それぞれ少なくとも１回は行うように構成されている、請求項２に記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっき槽の外周壁に設けられて、前記めっき槽にめっき液を供給する少なくとも一つの供給口と、
前記供給口に対向するように前記めっき槽の前記外周壁に設けられて、前記めっき槽のめっき液を吸い込んで前記めっき槽から排出させる少なくとも一つの排出口と、をさらに備え、
前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記めっき槽における前記基板の前記被めっき面の下方に、前記被めっき面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項８】
前記基板の前記被めっき面がめっき液に浸漬される前において、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がるように、前記めっき槽のめっき液を流動させる流動機構をさらに備え、
前記昇降機構は、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がった状態で、前記基板ホルダを下降させることで、前記基板の前記被めっき面の中央を前記被めっき面の外周縁よりも先にめっき液に接液させる、請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項９】
前記めっき装置は、前記基板の前記被めっき面が前記めっき槽のめっき液の水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項１０】
前記めっき槽における前記アノードよりも上方、且つ、前記基板よりも下方に配置されて、水平方向に往復移動することで前記めっき槽のめっき液を攪拌するパドルをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項１１】
めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、を備えるめっき装置の気泡除去方法であって、
前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置され、
前記突起は、前記リングの下面における内周側から外周側に向けて延在する軸線を有する板部材によって構成されており、
前記気泡除去方法は、前記基板の前記被めっき面をめっき液に浸漬させた状態で前記基板ホルダを回転させることを含む、めっき装置の気泡除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置及びめっき装置の気泡除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともに内部にアノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、基板のめっき面が下方を向くように保持する基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転機構と、基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備えている。また、このようなめっき装置の基板ホルダは、基板の被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような、カップ式のめっき装置において、何らかの原因により、めっき槽のめっき液に気泡が発生することがある。この場合、この気泡が、基板の被めっき面に滞留するおそれがある。特に、基板ホルダに上述したようなリングが設けられている場合、めっき液の気泡がリングを乗り越えることが容易でないため、気泡が基板の被めっき面に滞留する可能性が高くなる。このように、気泡が基板の被めっき面に滞留した場合、この滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。【０００５】
本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダを昇降させる昇降機構と、を備え、前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置されている。【０００７】
この態様によれば、基板の被めっき面がめっき液に浸漬された状態で基板ホルダが回転することで、突起によってめっき液を基板ホルダの回転方向に押し出すことができ、これにより、基板の被めっき面の中央側から外周側に向かう強いめっき液の流れ（液流れ）を生じさせることができる。この強い液流れによって、基板の被めっき面に存在する気泡を、リングを乗り越えさせて、リングの外側に排出させることができる。すなわち、基板の被めっき面に存在する気泡を被めっき面から除去することができる。これにより、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。【０００８】
（態様２）
上記の態様１において、前記突起は、前記リングの下面における内周側から外周側に向けて延在する軸線を有する板部材によって構成されていてもよい。【０００９】
（態様３）
上記の態様２において、前記突起の軸線と前記リングの内周面の接線とのなす角度であって、前記基板ホルダが一方向に回転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が、０°以上２０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が２０°以上６０°未満の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを４０ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が６０°以上１２０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が１２０°より大きく１６０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを２５ｒｐｍ以上で回転させ、前記角度が１６０°より大きく１８０°以下の場合は、前記回転機構は前記基板ホルダを１００ｒｐｍ以上で回転させてもよい。【００１０】
（態様４）
上記の態様３において、前記角度は、６０°以上１６０°以下であってもよい。【００１１】
（態様５）
上記の態様４において、前記回転機構は前記基板ホルダを３０ｒｐｍ以上で回転させてもよい。【００１２】
（態様６）
上記の態様１〜５のいずれか１態様において、前記突起の個数は複数であってもよい。この態様によれば、突起の個数が１つの場合に比較して、基板の被めっき面に存在する気泡を効果的に除去することができる。【００１３】
（態様７）
上記の態様３において、前記突起の個数は複数であり、複数の前記突起は、前記基板ホルダが正転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第１突起と、前記基板ホルダが逆転した場合における前記基板ホルダの回転方向で前記軸線の側から前記接線の側に向かって計測したときの前記角度が６０°以上１６０°以下である第２突起と、を含み、前記回転機構は、前記基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっき処理時に、前記基板ホルダを正転させること及び逆転させることを、それぞれ少なくとも１回は行うように構成されていてもよい。【００１４】
この態様によれば、めっき処理時において基板ホルダが回転した場合に（正転及び逆転した場合に）、第１突起及び第２突起のうちいずれか一方は、「突起の軸線とリングの内周面の接線とのなす角度であって、基板ホルダの回転方向で軸線の側から接線の側に向かって計測したときの角度」が６０°以上１６０°以下になる。【００１５】
（態様８）
上記の態様１〜７のいずれか１態様は、前記めっき槽の外周壁に設けられて、前記めっき槽にめっき液を供給する少なくとも一つの供給口と、前記供給口に対向するように前記めっき槽の前記外周壁に設けられて、前記めっき槽のめっき液を吸い込んで前記めっき槽から排出させる少なくとも一つの排出口と、をさらに備え、前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記めっき槽における前記基板の前記被めっき面の下方に、前記被めっき面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されていてもよい。【００１６】
この態様によれば、基板の被めっき面がめっき液に浸漬された場合に、基板の被めっき面の中央に発生した気泡を剪断流によって被めっき面の外周側に向けて移動させることが容易にできる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。【００１７】
（態様９）
上記の態様１〜７のいずれか１態様は、前記基板の前記被めっき面がめっき液に浸漬される前において、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がるように、前記めっき槽のめっき液を流動させる流動機構をさらに備え、前記昇降機構は、前記めっき槽の中央のめっき液の液面が上方に盛り上がった状態で、前記基板ホルダを下降させることで、前記基板の前記被めっき面の中央を前記被めっき面の外周縁よりも先にめっき液に接液させてもよい。【００１８】
この態様によれば、基板の被めっき面のめっき液への接液時において、被めっき面の中央を先に接液させることで、被めっき面の中央に存在する気泡を被めっき面の外周側に逃がしながら、被めっき面をめっき液に浸漬させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。【００１９】
（態様１０）
上記の態様１〜７のいずれか１態様において、前記めっき装置は、前記基板の前記被めっき面が前記めっき槽のめっき液の水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されていてもよい。【００２０】
この態様によれば、基板の被めっき面のめっき液への接液時において、被めっき面に存在する気泡を、浮力を利用して、被めっき面に沿って斜め上方に移動させながら、被めっき面をめっき液に浸漬させることができる。これにより、被めっき面の外周側に気泡を効果的に移動させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。【００２１】
（態様１１）
上記の態様１〜７のいずれか１態様は、前記めっき槽における前記アノードよりも上方、且つ、前記基板よりも下方に配置されて、水平方向に往復移動することで前記めっき槽のめっき液を攪拌するパドルをさらに備えていてもよい。【００２２】
この態様によれば、パドルによってめっき液が撹拌されることで、基板の被めっき面に存在する気泡を被めっき面の外周側に効果的に移動させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起によってリングの外側に効果的に排出させることができる。【００２３】
（態様１２）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置の気泡除去方法は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノードが配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を前記基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、前記基板の前記被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリングを有する基板ホルダと、を備えるめっき装置の気泡除去方法であって、前記リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起が配置され、前記気泡除去方法は、前記基板の前記被めっき面をめっき液に浸漬させた状態で前記基板ホルダを回転させることを含む。【００２４】
この態様によれば、基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。
【図３】実施形態に係るめっき装置におけるめっきモジュールの構成を示す模式図である。
【図４】実施形態に係る基板がめっき液に浸漬された様子を示す模式的断面図である。
【図５】実施形態に係る基板ホルダの模式的下面図である。
【図６】図６（Ａ）は実施形態の変形例１に係るめっき装置の基板ホルダの突起の近傍部分の模式的下面図である。図６（Ｂ）は実施形態の変形例２に係るめっき装置の基板ホルダの突起の近傍部分の模式的下面図である。
【図７】実施形態の変形例３に係るめっき装置の基板ホルダの模式的下面図である。
【図８】実施形態の変形例４に係るめっき装置の基板ホルダの模式的下面図である。
【図９】実施形態の変形例５に係るめっき装置のめっき槽の周辺構成の模式的断面図である。
【図１０】図９のＢ１−Ｂ１線断面の模式図である。
【図１１】実施形態の変形例６に係るめっき装置を説明するための模式図である。
【図１２】実施形態の変形例７に係るめっき装置を説明するための模式図である。
【図１３】実施形態の変形例８に係るめっき装置を説明するための模式図である。
【図１４】実施形態の変形例９に係るめっき装置を説明するための模式図である。
【図１５】実施形態の変形例９に係るパドルの模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や後述する実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ−Ｙ−Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、−Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
【００２７】
図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。
【００２８】
ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
【００２９】
アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
【００３０】
プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
【００３１】
洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
【００３２】
めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
【００３３】
搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
【００３４】
搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
【００３５】
なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
【００３６】
続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
【００３７】
図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の構成を示す模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構５０とを備えている。なお、図３において、一部の部材（めっき槽１０、オーバーフロー槽２０、基板ホルダ３０等）はその断面が模式的に図示されている。
【００３８】
本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。
【００３９】
めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
【００４０】
めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するためのめっき液供給口（図示せず）が設けられている。本実施形態に係るめっき液供給口は、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されており、上方に向けてめっき液Ｐｓを供給している。なお、図３に図示されている「Ｆ１」は、めっき液供給口から供給されためっき液Ｐｓの流動方向の一例を示している。
【００４１】
めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。具体的には、本実施形態に係るアノード１１は、一例として、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１１の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。なお、基板Ｗｆ及びアノード１１は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されている。この通電装置は、めっき処理の実行時に、基板Ｗｆとアノード１１との間に電気を流すための装置である。
【００４２】
めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、抵抗体１２が配置されている。具体的には、抵抗体１２は、複数の孔（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。抵抗体１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、抵抗体１２は、本実施形態に必須の部材ではなく、めっき装置１０００は、抵抗体１２を備えていない構成とすることもできる。
【００４３】
オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられている。オーバーフロー槽２０に一時的に貯留されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出された後に、オーバーフロー槽２０用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留される。このリザーバータンクに貯留されためっき液Ｐｓは、その後、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、めっき液供給口から再びめっき槽１０に循環される。
【００４４】
基板ホルダ３０は、アノード１１よりも上方（本実施形態では、さらに抵抗体１２よりも上方）に配置されている。基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが下方を向くように保持している。
【００４５】
図３の特にＡ１部分の拡大図を参照して、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも下方に突出するように設けられたリング３１（リング状の部材）を有している（このリング３１の下面視は、後述する図５を参照）。なお、図３のＡ１部分拡大図に図示されている「ｈ１」は、リング３１の高さ（突出高さ）を示している。また、本実施形態において、リング３１の下面３１ａは、実質的に平面（水平方向に延在する平面）であるが、この構成に限定されるものではない。例えば、リング３１の下面３１ａは、水平方向に対して傾斜していてもよい。
【００４６】
基板ホルダ３０（リング３１も含む）の材質は、特に限定されるものではないが、本実施形態では一例として、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）を用いている。なお、基板ホルダ３０と基板Ｗｆとの間には、めっき液Ｐｓが基板ホルダ３０と基板Ｗｆとの間の隙間に侵入することを抑制するためのシール部材（図示せず）が配置されていてもよい。すなわち、この場合、基板ホルダ３０は、シール部材を介して基板Ｗｆを保持することになる。このシール部材の材質としては、フッ素ゴム（ＦＫＭ）等を用いることができる。
【００４７】
基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。具体的には、本実施形態に係る回転機構４０は、基板ホルダ３０を正転方向（Ｒ１）に回転させるように構成されている。なお、本実施形態において、基板ホルダ３０の回転方向のうち正転方向（Ｒ１）は、一例として、基板ホルダ３０を上方から視認した上面視（又は平面視）で、時計回りの方向である。回転機構４０の具体的な種類は特に限定されるものではなく、例えば、公知の回転モータ等を用いることができる。
【００４８】
傾斜機構４５は、基板ホルダ３０を水平面に対して傾斜させるための機構である。具体的には、本実施形態に係る傾斜機構４５は、回転機構４０を傾斜させることで、基板ホルダ３０を傾斜させている。このような傾斜機構４５としては、例えばピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。昇降機構５０は、上下方向に延在する支軸５１によって支持されている。昇降機構５０は、基板ホルダ３０、回転機構４０、及び、傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構５０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。
【００４９】
めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００が制御する。この制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサとしてのＣＰＵが作動することで、めっきモジュール４００の被制御部（例えば回転機構４０、傾斜機構４５、昇降機構５０等）の動作を制御する。
【００５０】
図４は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された様子を示す模式的断面図である。基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａにめっき処理を施す「めっき処理時」において、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。なお、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、あるいは、めっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。次いで、通電装置によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。なお、めっき処理時において、傾斜機構４５は、必要に応じて、基板ホルダ３０を傾斜させてもよい。
【００５１】
ところで、本実施形態のようなカップ式のめっき装置１０００において、何らかの原因により、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡（Ｂｕ：この符号は後述する図５に例示されている）が発生することがある。具体的には、本実施形態のように、アノード１１として不溶解アノードを用いる場合、めっき処理の実行時（通電時）に、めっき液Ｐｓには以下の反応式に基づいて酸素（Ｏ２）が発生する。この場合、この発生した酸素が気泡となり得る。
【００５２】
２Ｈ２Ｏ→Ｏ２+４Ｈ++４ｅ-
【００５３】
また、仮に、アノード１１として溶解アノードを用いる場合には、上記のような反応式は生じないが、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを最初に導入する際に、空気がめっき液Ｐｓとともにめっき槽１０に流入するおそれがある。したがって、アノード１１として溶解アノードを用いる場合においても、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生する可能性がある。
【００５４】
上述したように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓに気泡が発生した場合において、仮に、この気泡が基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに滞留した場合、この滞留した気泡が電場を遮断するおそれがある。この場合、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態では、この問題に対処するために、以下に説明する技術を用いている。
【００５５】
図５は、基板ホルダ３０を下方から視認した様子を示す模式的下面図である。図５、及び、前述した図３の特にＡ１部分拡大図を参照して、本実施形態に係るリング３１の下面３１ａの一部には、下方側に向けて突出した少なくとも一つの突起３５が配置されている。突起３５の個数は１つでもよく、複数でもよいが、一例として、本実施形態に係る突起３５の個数は一つである。
【００５６】
突起３５は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させた場合に、突起３５がめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に押し出すように、構成されている。
【００５７】
具体的には、図５に示すように、本実施形態に係る突起３５は、リング３１の下面３１ａにおける内周側から外周側に向けて延在する軸線ＡＬ１を有する、板部材によって構成されている。この構成によれば、突起３５によってめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に効果的に押し出すことができる。
【００５８】
なお、突起３５の具体的な形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る突起３５は、一例として、下面視で、軸線ＡＬ１の方向を長手方向とする長方形の形状を有している。
【００５９】
以上説明したような本実施形態によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で基板ホルダ３０が回転することで、突起３５によってめっき液Ｐｓを基板ホルダ３０の回転方向に押し出すことができ、これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央側から外周側に向かう強いめっき液Ｐｓの流れ（液流れ）を生じさせることができる。この強い液流れによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡（Ｂｕ）を、リング３１を乗り越えさせて、リング３１の外側に排出させることができる（なお、図５の「Ｆ２」は気泡の流動方向の一例を示す線である）。すなわち、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａから除去することができる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに滞留した気泡に起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【００６０】
（実施例）
上述しためっき装置１０００について、「基板ホルダ３０の回転数」、及び、「突起３５の軸線ＡＬ１とリング３１の内周面３１ｂの接線ＴＬとのなす角度θ」を変化させたときにおける、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いを実験で確認した。なお、この軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす「角度θ」は、具体的には、「基板ホルダ３０が一方向に回転した場合（本実施形態では正転した場合）における基板ホルダ３０の回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ」である。この実験結果について以下に説明する。
【００６１】
実験で用いためっき装置１０００は、図３から図５に例示しためっき装置１０００であり、具体的には、リング３１の高さ（ｈ１）が２．５ｍｍ、突起３５の高さ（ｈ２）が５ｍｍ、リング３１の内周面３１ｂと突起３５との水平方向の距離（ｄ）が０．５ｍｍのものを用いた。基板ホルダ３０に保持された基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させ、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに０．１ｍｌの気泡を滞留させ、次いで、回転機構４０によって基板ホルダ３０を正転方向に、表１に記載の回転数（毎分当たりの回転数：ｒｐｍ）で回転させた。このときの基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いを目視で測定した。
【００６２】
この測定結果を表１に示す。なお、表１に示す基板ホルダ３０の回転数は、低速（１０ｒｐｍ）から高速（１００ｒｐｍ）の範囲であるが、これは、めっき装置１０００の通常の使用時に想定される回転数の範囲である。また、基板ホルダ３０の回転数が１００ｒｐｍより大きい場合は、回転数が１００ｒｐｍの場合と同様の結果が得られた。したがって、回転数が１００ｒｐｍよりも大きい場合の測定結果の提示は省略している。
【００６３】
【表１】
0006937972.tif 000002
【００６４】
表１において、Ｄ、Ｃ、Ｂ、Ａの順に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａからの気泡の除去度合いが高くなる。換言すると、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａから気泡を除去するのに要する時間がＤ、Ｃ、Ｂ、Ａの順に短くなる。なお、「Ａ」は、リング３１の内周面３１ｂよりも内側に存在する気泡が突起３５の位置に来た場合に、確実に気泡をリング３１の外側に排出させることができる、という気泡除去度合いである。「Ｂ」は、リング３１の内側に存在する気泡をリング３１の外側に排出させるまでに要する時間が「Ａ」よりもかかり、「Ｃ」は「Ｂ」よりもこの時間がかかり、「Ｄ」は「Ｃ」よりもこの時間がかかる。
【００６５】
表１から、角度θが０°以上１８０°以下の範囲内のいずれの場合であっても、めっき装置１０００の通常の使用時に想定される基板ホルダ３０の回転数の範囲内（低速から高速の範囲内）において、少なくとも「Ｄ」以上の評価が得られていることが分かる。すなわち、基板ホルダ３０のリング３１の下面３１ａに突起３５を設け、この基板ホルダ３０を回転させることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａから除去することができることが分かる。
【００６６】
但し、「Ｄ」の評価よりも、「Ｃ」以上の評価の方が、気泡除去効果が高い点で好ましい。この「Ｃ」以上の評価が得られるような「角度θ及び回転数」の組み合わせは、以下のとおりである。
【００６７】
すなわち、角度θが０°以上２０°未満の場合は、基板ホルダ３０が１００ｒｐｍ以上で回転すると、「Ｃ」以上の評価が得られる点で好ましい。同様に、角度θが２０°以上６０°未満の場合は、基板ホルダ３０が４０ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが６０°以上１２０°以下の場合は、基板ホルダ３０が２５ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合は基板ホルダ３０が２５ｒｐｍ以上で回転することが好ましく、角度θが１６０°より大きく１８０°以下の場合は基板ホルダ３０が１００ｒｐｍ以上で回転することが好ましい。
【００６８】
また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合の方が、角度θが６０°未満の場合や角度θが１６０°より大きい場合に比較して、「Ｃ」以上の評価が得られる基板ホルダ３０の回転数の範囲が広くなることが分かる。すなわち、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、角度θが６０°未満の場合や角度θが１６０°より大きい場合に比較して、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、高い気泡除去効果を得ることができる。
【００６９】
また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲のうち、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合の方が、角度θが６０°以上１２０°以下の場合に比較して、「Ａ」の評価が得られる基板ホルダ３０の回転数の範囲が広くなることが分かる。すなわち、角度θが１２０°より大きく１６０°以下の場合、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、最も高い気泡除去効果を得ることができる。
【００７０】
なお、前述した図５の突起３５の角度θは、６０°以上１６０°以下の範囲になっており、具体的には、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
【００７１】
また、表１から、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、基板ホルダ３０の回転数が３０ｒｐｍ以上の場合の方が、３０ｒｐｍ未満の場合に比較して、気泡の除去効果が高いことが分かる。すなわち、角度θが６０°以上１６０°以下の範囲の場合、基板ホルダ３０の回転数は３０ｒｐｍ以上であることが好ましい。
【００７２】
なお、本実施形態に係るめっき装置の気泡除去方法は、上述しためっき装置１０００によって実現されている。したがって、重複した説明を省くため、この気泡除去方法の詳細な説明は省略する。
【００７３】
（実施形態の変形例１）
上述した実施形態において、突起３５は下面視で長方形の形状を有しているが、突起３５の形状はこれに限定されるものではない。図６（Ａ）は、実施形態の変形例１に係るめっき装置１０００Ａの基板ホルダ３０Ａの突起３５Ａの近傍部分（Ａ２部分）の模式的下面図である。本変形例に係る突起３５Ａは、下面視で三角形の形状を有している。具体的には、本変形例に係る突起３５Ａは、軸線ＡＬ１方向でリング３１の内周側の方向に頂点を有し、この頂点からリング３１の外周側の方向に向かうにつれて、幅が大きくなるような三角形の形状を有している。本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００７４】
（実施形態の変形例２）
図６（Ｂ）は、実施形態の変形例２に係るめっき装置１０００Ｂの基板ホルダ３０Ｂの突起３５Ｂの近傍部分（Ａ２部分）の模式的下面図である。本変形例に係る突起３５Ｂは、下面視で菱形（又は平行四辺形）の形状を有している。具体的には、本変形例に係る突起３５Ｂは、軸線ＡＬ１方向の長さが軸線ＡＬ１に垂直な方向の長さよりも長い菱形（又は平行四辺形）の形状を有している。本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００７５】
なお、図６（Ａ）や図６（Ｂ）は、突起３５の他の形状の一例に過ぎず、突起３５の他の形状はこれらに限定されるものではない。
【００７６】
（実施形態の変形例３）
図７は、実施形態の変形例３に係るめっき装置１０００Ｃの基板ホルダ３０Ｃの模式的下面図である。なお、図７は前述した図５と同様の箇所を模式的に図示している。本変形例に係る基板ホルダ３０Ｃは、突起３５を複数有している点において、前述した図５の基板ホルダ３０と異なっている。
【００７７】
具体的には、本変形例に係る複数の突起３５は、リング３１の下面３１ａに等間隔で４つ配置されている。より具体的には、複数の突起３５は、リング３１の下面３１ａの周方向に４５°の間隔で配列している。また、本変形例において、各々の突起３５の角度θは、図５の場合と同様に、６０°以上１６０°以下の範囲になっており、具体的には、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
【００７８】
なお、複数の突起３５の個数は上述したような４つに限定されるものではなく、４つよりも少なくてもよく、多くてもよい。また、各々の突起３５の形状は、図７に例示するような長方形に限定されるものではなく、長方形以外の形状（例えば、変形例１や変形例２で例示したような形状）であってもよい。
【００７９】
本変形例によれば突起３５の個数が複数であるので、突起３５の個数が１つの場合に比較して、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡と突起３５との位置が合う頻度を増加させることができる。これにより、被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を効果的にリング３１の外側に排出させて、効果的に除去することができる。
【００８０】
（実施形態の変形例４）
図８は、実施形態の変形例４に係るめっき装置１０００Ｄの基板ホルダ３０Ｄの模式的下面図である。本変形例に係る基板ホルダ３０Ｄは、複数の突起として、第１突起３６、及び、第２突起３７を有する点において、図５の基板ホルダ３０と異なっている。
【００８１】
第１突起３６は、前述した図５の突起３５と同様の構成を有している。すなわち、第１突起３６は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄが正転した場合における基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ」が６０°以上１６０°以下になるように構成された突起である。具体的には、本変形例に係る第１突起３６の「角度θ」は、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
【００８２】
一方、第２突起３７は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄが逆転した場合における基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度θ２」が６０°以上１６０°以下になるように構成された突起である。具体的には、本変形例に係る第２突起３７の「角度θ２」は、１２０°より大きく１６０°以下の範囲になっている。
【００８３】
本変形例に係る回転機構４０は、めっき処理時に、基板ホルダ３０Ｄを正転（Ｒ１）させること、及び、逆転（−Ｒ１）させることを、それぞれ少なくとも１回は行う。具体的には、回転機構４０は、めっき処理時に、基板ホルダ３０Ｄを所定時間の間、正転させた後に逆転させてもよく、基板ホルダ３０Ｄを所定時間の間、逆転させた後に正転させてもよく、基板ホルダ３０Ｄの正転及び逆転（又は、逆転及び正転）を複数回繰り返してもよい。
【００８４】
本変形例によれば、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが回転した場合に（正転及び逆転した場合に）、第１突起３６及び第２突起３７のうちいずれか一方は、「軸線ＡＬ１と接線ＴＬとのなす角であって、基板ホルダ３０Ｄの回転方向で軸線ＡＬ１の側から接線ＴＬの側に向かって計測したときの角度」が６０°以上１６０°以下になる。具体的には、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが正転した場合には、第１突起３６の「角度θ」が６０°以上１６０°以下になり、一方、基板ホルダ３０Ｄが逆転した場合には、第２突起３７の「角度θ２」が６０°以上１６０°以下になる。これにより、めっき処理時において基板ホルダ３０Ｄが回転した場合に、リング３１に配置された突起の角度が６０°以上１６０°以下にならない場合（すなわち、この突起の角度が６０°未満、又は、１６０°より大きい場合）に比較して、基板ホルダ３０の回転数の広い範囲で、高い気泡除去効果を得ることができる。
【００８５】
（実施形態の変形例５）
図９は、実施形態の変形例５に係るめっき装置１０００Ｅのめっき槽１０の周辺構成の模式的断面図である。図１０は、図９のＢ１−Ｂ１線断面を模式的に示す図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｅは、少なくとも一つの供給口６０と、少なくとも一つの排出口６１と、をさらに備えている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００（図３）と異なっている。具体的には、本変形例に係るめっき装置１０００Ｅは、供給口６０及び排出口６１をそれぞれ複数備えている。
【００８６】
供給口６０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂに設けられており、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するように構成されている。排出口６１は、供給口６０に対向するように、めっき槽１０の外周壁１０ｂに設けられている。また、排出口６１は、めっき槽１０のめっき液Ｐｓを吸い込んでめっき槽１０から排出させるように構成されている。供給口６０及び排出口６１は、供給口６０から供給されためっき液Ｐｓを排出口６１が吸い込むことで、めっき槽１０における基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの下方に、被めっき面Ｗｆａに沿っためっき液Ｐｓの剪断流（Ｆ３）を形成させる。
【００８７】
具体的には、図９に示すように、本変形例に係る供給口６０及び排出口６１は、めっき槽１０の内部における抵抗体１２よりも上方の箇所に配置されている。図１０に示すように、本変形例に係る供給口６０は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの軸線ＡＬ２（中心軸を示す線）よりも一方の側の全周に亘って配置されている。また、排出口６１は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの軸線ＡＬ２よりも他方の側の全周に亘って配置されている。換言すると、供給口６０は、外周壁１０ｂにおける半周部分に亘って配置されており、排出口６１は、外周壁１０ｂにおける他の半周部分に亘って配置されている。
【００８８】
なお、本変形例において、隣接する供給口６０の間には隔壁６２ａが設けられており、隣接する排出口６１の間にも隔壁６２ｂが設けられている。また、複数の供給口６０の上流側の部分は合流しており、この合流した部分を合流口６３ａと称する。また、複数の排出口６１の下流側の部分は合流しており、この合流した部分を合流口６３ｂと称する。但し、供給口６０及び排出口６１の構成は、これに限定されるものではない。例えば、複数の供給口６０の上流側が合流していない構成とすることもでき、複数の排出口６１の下流側が合流していない構成とすることもできる。
【００８９】
また、供給口６０及び排出口６１の個数も、剪断流（Ｆ３）を形成できるものであれば、複数に限定されるものではない。例えば、めっき装置１０００Ｅは、供給口６０及び排出口６１をそれぞれ１つのみ備える構成とすることもできる。この場合、図１０において、例えば、隔壁６２ａや隔壁６２ｂを備えていない構成とすればよい。すなわち、この場合、図１０において、隔壁６２ａが無くなることで、隣接する供給口６０が接続されて一つの大きな供給口となる。同様に、隔壁６２ｂが無くなることで、隣接する排出口６１が接続されて一つの大きな排出口となる。
【００９０】
なお、供給口６０からのめっき液Ｐｓの供給開始時期、及び、排出口６１からのめっき液Ｐｓの吸い込み開始時期は、少なくとも、めっき処理の実行開始時点で開始されていればよく、その具体的な時期は特に限定されるものではない。例えば、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液される前からめっき液Ｐｓの供給及び吸い込みが開始されてもよく、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された後であって、めっき処理が開始されるまでの間に、めっき液Ｐｓの供給及び吸い込みが開始されてもよい。
【００９１】
本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央に発生した気泡を剪断流（Ｆ３）によって被めっき面Ｗｆａの外周側に向けて移動させることが容易にできる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
【００９２】
なお、本変形例は、前述した変形例１〜４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
【００９３】
（実施形態の変形例６）
図１１は、実施形態の変形例６に係るめっき装置１０００Ｆを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｆは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに浸漬される前において、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面が上方に盛り上がるように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓを流動させるように構成された流動機構７０をさらに備えている。その他の構成は、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と同様である。
【００９４】
具体的には、本変形例に係る流動機構７０は、めっき槽１０の底壁１０ａの中央に配置されて、上方に向けてめっき液Ｐｓを吐出する吐出口によって構成されている。この吐出口が上方に向けてめっき液Ｐｓを吐出することで、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面を上方に盛り上げることが容易にできる。
【００９５】
本変形例に係る昇降機構５０は、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面が上方に盛り上がった状態で、基板ホルダ３０を下降させる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの中央を被めっき面Ｗｆａの外周縁よりも先にめっき液Ｐｓに接液させることができる。
【００９６】
なお、本変形例において、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。
【００９７】
本変形例において、めっき槽１０には抵抗体１２が配置されているが、前述した実施形態と同様に、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていない構成とすることもできる。なお、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていない場合の方が、これが配置されている場合に比較して、めっき槽１０の中央のめっき液Ｐｓの液面を上方に盛り上げることを容易に行うことができる。
【００９８】
本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａのめっき液Ｐｓへの接液時において、被めっき面Ｗｆａの中央を先に接液させることができるので、被めっき面Ｗｆａの中央に存在する気泡を被めっき面Ｗｆａの外周側に逃がしながら、被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
【００９９】
なお、本変形例は、前述した変形例１〜４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
【０１００】
（実施形態の変形例７）
図１２は、実施形態の変形例７に係るめっき装置１０００Ｇを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｇは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき槽１０のめっき液Ｐｓの水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と異なっている。
【０１０１】
具体的には、本変形例に係るめっき装置１０００Ｇは、傾斜機構４５によって、上述した構成を実現している。より具体的には、めっき装置１０００Ｇの傾斜機構４５は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓの液面よりも上方に位置している状態で、基板ホルダ３０を水平面に対して傾斜させる。次いで、このように基板ホルダ３０が傾斜した状態で、昇降機構５０が基板ホルダ３０を下降させて、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させる。
【０１０２】
なお、本変形例において、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき液Ｐｓに接液する前から回転していてもよく、めっき液Ｐｓに接液した後に回転してもよい。
【０１０３】
本変形例によれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａのめっき液Ｐｓへの接液時において、被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を、浮力を利用して、被めっき面Ｗｆａに沿って斜め上方に移動させながら、被めっき面Ｗｆａをめっき液Ｐｓに浸漬させることができる。これにより、被めっき面Ｗｆａの外周側に気泡を効果的に移動させることができる。この結果、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
【０１０４】
なお、本変形例は、前述した変形例１〜４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
【０１０５】
（実施形態の変形例８）
図１３は、実施形態の変形例８に係るめっき装置１０００Ｈを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｈは、めっき装置１０００Ｈが予め水平面に対して傾斜した状態で設置されていることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがめっき槽１０のめっき液Ｐｓの水平な液面に対して傾斜した状態で接液するように構成されている。すなわち、本変形例に係るめっき装置１０００Ｈの少なくとも基板ホルダ３０及びめっき槽１０は、水平面に対して予め傾斜した状態で設置されている。この点において、本変形例は、前述した変形例７に係るめっき装置１０００Ｇと異なっている。なお、本変形例において、めっき装置１０００Ｈは傾斜機構４５を備えていなくてもよい。
【０１０６】
本変形例においても、前述した変形例７に係るめっき装置１０００Ｇと同様の作用効果を奏することができる。
【０１０７】
なお、本変形例は、前述した変形例１〜４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
【０１０８】
（実施形態の変形例９）
図１４は、実施形態の変形例９に係るめっき装置１０００Ｉを説明するための模式図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｉは、パドル８０をさらに備えている点において、前述した実施形態に係るめっき装置１０００と異なっている。
【０１０９】
パドル８０は、アノード１１よりも上方、且つ、基板Ｗｆよりも下方に配置されている。具体的には、本変形例に係るめっき槽１０においてアノード１１よりも上方には抵抗体１２が配置されているので、パドル８０は、抵抗体１２よりも上方且つ基板Ｗｆよりも下方に配置されている。パドル８０は、パドル駆動装置（図示せず）によって駆動されることで、水平方向に往復移動する。これにより、めっき槽１０のめっき液Ｐｓが攪拌される。なお、図示されている「ｍｖ」はパドル８０の移動方向の一例を示す符号である。
【０１１０】
図１５は、パドル８０を上方から視認した様子を示す模式的平面図である。本変形例に係るパドル８０は、パドル８０の往復移動方向に対して垂直な方向に延在する複数の撹拌部材８１と、複数の撹拌部材８１の延在方向で一方側の端部を連結する連結部材８２ａと、複数の撹拌部材８１の延在方向で他方側の端部を連結する連結部材８２ｂと、を備えている。パドル８０が往復移動した場合、パドル８０の特に撹拌部材８１がめっき液Ｐｓを撹拌する。
【０１１１】
なお、パドル８０の往復移動の開始時期は、少なくともめっき処理時に往復移動を開始していればよく、その具体的な時期は特に限定されるものではない。例えば、パドル８０は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液する前から往復移動を開始していてもよい。あるいは、パドル８０は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに接液した後であって、めっき処理が開始する前（基板Ｗｆへの通電が開始する前）に、往復移動を開始してもよい。
【０１１２】
本変形例によれば、パドル８０によってめっき液Ｐｓが撹拌されることで、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに存在する気泡を被めっき面Ｗｆａの外周側に効果的に移動させることができる。これにより、この外周側に移動した気泡を突起３５によってリング３１の外側に効果的に排出させることができる。
【０１１３】
なお、本変形例は、前述した変形例１〜４のいずれかの特徴をさらに備えていてもよい。
【０１１４】
以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０  めっき槽
１１  アノード
３０  基板ホルダ
３１  リング
３１ａ  下面
３１ｂ  内周面
３５  突起
３６  第１突起
３７  第２突起
４０  回転機構
４５  傾斜機構
５０  昇降機構
６０  供給口
６１  排出口
７０  流動機構
８０  パドル
１０００  めっき装置
Ｗｆ  基板
Ｗｆａ  被めっき面
Ｐｓ  めっき液
Ｂｕ  気泡
ＴＬ  接線
ＡＬ１  軸線
θ，θ２  角度
Ｆ３  剪断流
【要約】
基板の被めっき面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供する。
めっき装置１０００は、めっき液を貯留するとともに、内部にアノード１１が配置されためっき槽１０と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を基板の被めっき面が下方を向くように保持するとともに、基板の被めっき面の外周縁よりも下方に突出したリング３１を有する基板ホルダ３０と、基板ホルダを回転させる回転機構４０と、基板ホルダを昇降させる昇降機構５０と、を備え、リングの下面の一部には、下方側に向けて突出した少なくとも１つの突起３５が配置されている。【図１】
0006937972.tif 000003
【図２】
0006937972.tif 000004
【図３】
0006937972.tif 000005
【図４】
0006937972.tif 000006
【図５】
0006937972.tif 000007
【図６】
0006937972.tif 000008
【図７】
0006937972.tif 000009
【図８】
0006937972.tif 000010
【図９】
0006937972.tif 000011
【図１０】
0006937972.tif 000012
【図１１】
0006937972.tif 000013
【図１２】
0006937972.tif 000014
【図１３】
0006937972.tif 000015
【図１４】
0006937972.tif 000016
【図１５】
0006937972.tif 000017