(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と当該第１面とは反対側の第２面とを有する長尺の金属製基材であるワークフィルムをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、前記第１面上に、感光性樹脂を含有する組成物を塗工して絶縁膜を形成し、且つ、巻き取られる前記ワークフィルムにおいて前記第２面と前記絶縁膜との間に保護フィルムを介在させる、第１工程と、
前記第１工程を経た前記ワークフィルムをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、前記絶縁膜上から前記保護フィルムを剥離し、且つ当該絶縁膜に対して露光処理して潜像パターンを形成する、第２工程と、
前記第２工程を経た前記絶縁膜を現像処理してパターニングする第３工程と、を含むことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程を経た前記絶縁膜上に配線を形成する第４工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程における前記ワークフィルムは、前記金属製基材の前記第１面上のベース絶縁層と、当該ベース絶縁層上の配線とを更に含み、
前記第１工程において形成される前記絶縁膜は、カバー絶縁層として、前記金属製基材の前記第１面上において前記ベース絶縁層および前記配線を覆うことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属製基材は、ＣｕまたはＣｕ合金よりなることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記保護フィルムはポリプロピレンフィルムであることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記保護フィルムは、３０μｍ以上７０μｍ以下の厚みを有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記感光性樹脂はポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、配線などの導体部および各種の絶縁層が基材上において積層形成されて、製造される。導体部および絶縁層は、例えばフォトリソグラフィ法によって、パターン形成される。このような配線回路基板の製造過程に含まれる各工程は、高い製造効率を実現するために、いわゆるロールトゥロール方式で実施されることがある。ロールトゥロール方式での配線回路基板の製造方法に関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８５９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ロールトゥロール方式での配線回路基板の製造ラインに供される基材がシート状の金属製基材である場合、当該基材の表面には異物が付着していることがある。金属製基材を構成する金属の種類、および、基材の製造プロセスによっては、当該異物は多数にわたる。そのような金属製基材を用いて配線回路基板をロールトゥロール方式で製造する場合、金属製基材において所定の工程（工程Ｐ）で加工が施された側の面（加工面）と、その反対側において金属製基材表面が露出して異物を伴う裏面とは、工程Ｐの後に金属製基材が巻き取られてロールの形態をとる状態において重なり合う。そのため、加工面には、裏面から異物が転写されやすい。
【０００５】
工程Ｐが、フォトリソグラフィ法によってパターニングされることとなる絶縁膜を形成する工程（即ち、金属製基材上への感光性樹脂含有組成物の塗工による絶縁膜形成工程）である場合、その後の露光工程では、加工面側にある絶縁膜の表面の各所に異物が付着している状態で当該絶縁膜は露光処理され、絶縁膜における異物付着箇所は適切に露光されない。このような露光工程を経た絶縁膜は、その後の現像工程にて適切にパターニングされないことがある。例えば、絶縁膜において露光工程時に異物が付着していた箇所が現像工程にて除去されて、絶縁膜の当該箇所には、絶縁膜直下の金属製基材が臨むピンホールが形成されてしまう。絶縁膜上において、このようなピンホールを含む領域に配線がパターン形成されると、当該配線と金属製基材との間でショートが発生してしまい、配線の信頼性が損なわれる。
【０００６】
本発明は、形成される配線の信頼性を確保するのに適した配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明［１］は、第１面と当該第１面とは反対側の第２面とを有する長尺の金属製基材であるワークフィルムをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、前記第１面上に、感光性樹脂を含有する組成物を塗工して絶縁膜を形成し、且つ、巻き取られる前記ワークフィルムにおいて前記第２面と前記絶縁膜との間に保護フィルムを介在させる、第１工程と、前記第１工程を経た前記ワークフィルムをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、前記絶縁膜上から前記保護フィルムを剥離し、且つ当該絶縁膜に対して露光処理して潜像パターンを形成する、第２工程と、前記第２工程を経た前記絶縁膜を現像処理してパターニングする第３工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。
【０００８】
本方法の第１工程では、上述のように、ロールトゥロール方式において、ワークフィルムである金属製基材の第１面上に絶縁膜が形成された後に当該絶縁膜と金属製基材の第２面との間に保護フィルムを介在させつつワークフィルムが巻き取られる。そのため、第１工程に供される金属製基材の第２面に異物が付着している場合であっても、第１工程後にロールの形態をとるワークフィルムにおいて、第２面から絶縁膜への異物の転写を抑制することができる。そして、本方法の第２工程では、ロールトゥロール方式において、絶縁膜上から保護フィルムを剥離した後に当該絶縁膜（第２面からの異物の転写が抑制された絶縁膜）に対して露光処理するため、絶縁膜に対して所定のパターンで適切に露光処理して潜像パターンを形成することができ、その後の第３工程では、現像処理によって絶縁膜を適切にパターニングすることができる。
【０００９】
このような本方法によると、絶縁膜における異物の付着に起因するピンホールの形成を抑制しつつ当該絶縁膜をパターニングすることができる。そのため、例えば、絶縁膜上に配線がパターン形成される場合に、当該配線と金属製基材との間のショートを抑制することができる。したがって、本方法は、形成される配線の信頼性を確保するのに適する。
【００１０】
本発明［２］は、前記第３工程を経た前記絶縁膜上に配線を形成する第４工程を更に含む、上記［１］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１１】
このような構成においては、第４工程で絶縁膜上に形成される配線と金属製基材との間のショートを抑制することができる。したがって、当該構成は、形成される配線の信頼性を確保するのに適する。
【００１２】
本発明［３］は、前記第１工程における前記ワークフィルムは、前記金属製基材の前記第１面上のベース絶縁層と、当該ベース絶縁層上の配線とを更に含み、前記第１工程において形成される前記絶縁膜は、カバー絶縁層として、前記金属製基材の前記第１面上において前記ベース絶縁層および前記配線を覆う、上記［１］に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１３】
このような構成によると、配線を覆う絶縁膜における異物の付着に起因するピンホールの形成を抑制しつつ当該絶縁膜をパターニングすることができるため、ピンホールの形成が抑制された絶縁膜によって配線を適切に被覆することができる。したがって、当該構成は、形成される配線の信頼性を確保するのに適する。
【００１４】
本発明［４］は、前記金属製基材は、ＣｕまたはＣｕ合金よりなる、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１５】
圧延銅箔などの、ＣｕまたはＣｕ合金よりなる金属製基材は、表面に異物が付着している場合が多いものの、本方法によると、そのような金属製基材を用いる場合においても、絶縁膜への異物の付着を上述のように抑制することができる。
【００１６】
本発明［５］は、前記保護フィルムはポリプロピレンフィルムである、上記［１］から［４］のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１７】
このような構成は、第１工程でワークフィルムとともに巻き取られる保護フィルムにおいて、ワークフィルムへの追従性を確保して、しわの発生を抑制するのに適する。
【００１８】
本発明［６］は、前記保護フィルムは、３０μｍ以上７０μｍ以下の厚みを有する、上記［１］から［５］のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１９】
このような構成は、第１工程でワークフィルムとともに巻き取られる保護フィルムにおいて、ワークフィルムへの追従性を確保して、しわの発生を抑制するのに適する。
【００２０】
本発明［７］は、前記感光性樹脂はポリイミド樹脂である、上記［１］から［６］のいずれか一つに記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２１】
このような構成は、配線回路基板における例えばベース絶縁層やカバー絶縁層として、絶縁性および耐熱性に優れた絶縁膜を上記組成物から形成するのに適する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態における一部の工程を表す。図１Ａは用意工程を表し、図１Ｂは第１の絶縁膜形成工程を表し、図１Ｃは第１の露光工程を表し、図１Ｄは第１の現像工程を表す。
【図２】図１に示す工程の後に続く工程を表す。図２Ａは第１のキュア工程を表し、図２Ｂはシード層形成工程を表し、図２Ｃはレジスト膜形成工程を表し、図２Ｄは第２の露光工程を表す。
【図３】図２に示す工程の後に続く工程を表す。図３Ａは第２の現像工程を表し、図３Ｂは導体部形成工程を表し、図３Ｃはレジストパターン除去工程を表し、図３Ｄはシード層部分除去工程を表す。
【図４】図３に示す工程の後に続く工程を表す。図４Ａは第２の絶縁膜形成工程を表し、図４Ｂは第３の露光工程を表し、図４Ｃは第３の現像工程を表し、図４Ｄは第２のキュア工程を表す。
【図５】図１Ｂに示す工程（第１の絶縁膜形成工程）におけるロールトゥロール方式の態様を表す。
【図６】図１Ｃに示す工程（第１の露光工程）におけるロールトゥロール方式の態様を表す。
【図７】図４Ａに示す工程（第２の絶縁膜形成工程）におけるロールトゥロール方式の態様を表す。
【図８】図４Ｂに示す工程（第３の露光工程）におけるロールトゥロール方式の態様を表す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１から図８は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を表す。本方法は、ワークフィルムＷに対してロールトゥロール方式で各種の処理および加工を施して、例えば後記の配線回路基板Ｘを製造するための方法である。
【００２４】
本製造方法では、まず、図１Ａに示すように、ワークフィルムＷとして、長尺の金属製基材１０を用意する（用意工程）。金属製基材１０は、加工が施される第１面１１と、これとは反対側の第２面１２とを有する。金属製基材１０の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ステンレス、および４２アロイが挙げられ、加工容易性の観点からは、好ましくはＣｕおよびＣｕ合金が挙げられる。金属製基材１０の厚みは、例えば１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上であり、例えば５００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以下である。本工程では、このような金属製基材１０が、ワークフィルムＷとして、図５に示すロールＲ１の形態で用意される。
【００２５】
金属製基材１０の第１面１１は、必要に応じて洗浄処理される。洗浄処理としては、例えばプラズマ洗浄が挙げられる。
【００２６】
本製造方法では、次に、図１Ｂに示すように、金属製基材１０上に、感光性樹脂を含有する組成物（ワニス）Ｃ１を塗工して、ベース絶縁層となる絶縁膜２０を形成する（第１の絶縁膜形成工程，本発明における第１工程の一態様）。具体的には、図５に示すように、ロールトゥロール方式により、ワークフィルムＷである金属製基材１０をロールＲ１から送り出し及びロールＲ２へと巻き取りながら、図１Ｂに示すように金属製基材１０の第１面１１上に組成物Ｃ１をコーター５１から塗布し、塗布した組成物Ｃ１を乾燥炉５２を通過させることによって乾燥して絶縁膜２０（図５では図示略）を形成する。絶縁膜２０は、未硬化の状態にあり、その表面には異物が付着しやすい。感光性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、形成される絶縁膜２０の絶縁性および耐熱性の観点からは、好ましくはポリイミド樹脂が用いられる。絶縁膜２０の厚みは、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。
【００２７】
本工程では、図５に示すように、絶縁膜２０の形成後にロールＲ２へと巻き取られるワークフィルムＷにおいて、既に巻き取られたワークフィルムＷの絶縁膜２０と次に巻き取られるワークフィルムＷの第２面１２との間に保護フィルムＦを介在させる。保護フィルムＦは、別途用意されたロールＲＦから、絶縁膜２０と第２面１２との間に送り出される。保護フィルムＦとしては、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、およびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムが挙げられる。好ましくは、ポリプロピレンフィルムが用いられる。また、保護フィルムＦの厚みは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは３５μｍ以上であり、また、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６５μｍ以下である。
【００２８】
本製造方法では、次に、図１Ｃに示すように、絶縁膜２０に対して露光処理して潜像パターン２０’を形成する（第１の露光工程，本発明における第２工程の一態様）。具体的には、図６に示すように、ロールトゥロール方式により、第１の絶縁膜形成工程を経たワークフィルムＷをロールＲ２から送り出し及びロールＲ３へと巻き取りながら、絶縁膜２０（図６では図示略）上から保護フィルムＦを剥離し、絶縁膜２０を露光装置５３によって露光処理し、図１Ｃに示すように、絶縁膜２０において潜像パターン２０’を形成する。露光処理では、例えば、所定パターンの開口部を有するマスク（図示せず）を介して絶縁膜２０に紫外線Ｌを照射する。
【００２９】
次に、図１Ｄに示すように、絶縁膜２０を現像処理してパターニングする（第１の現像工程，本発明における第３工程の一態様）。具体的には、ワークフィルムＷをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、第１の露光工程を経た絶縁膜２０を現像処理してパターニングする。これにより、所定パターンの絶縁層２１が形成される。現像処理では、例えば、絶縁膜２０を有するワークフィルムＷを所定の現像液の浴中に浸漬して当該浴を通過させる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムなどのアルカリ溶液を用いることができる。
【００３０】
次に、図２Ａに示すように、絶縁層２１を加熱して硬化させる（第１のキュア工程）。加熱温度は例えば２００〜４５０℃であり、加熱時間は例えば０.５〜４８時間である。硬化した絶縁層２１は、製造される配線回路基板において、後記の導体部３４が積層形成されるベース絶縁層として機能する。
【００３１】
次に、図２Ｂに示すように、ワークフィルムＷ上に、シード層３１を形成する（シード層形成工程）。シード層３１は、後記の電気めっき法において通電層として機能する要素であり、ワークフィルムＷにおいて、金属製基材１０の第１面１１とその上の絶縁層２１とを覆うように形成される。シード層３１の構成材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、およびこれらの合金が挙げられる。シード層３１は、単層構造を有してもよく、２層以上の多層構造を有してもよい。また、シード層３１の厚みは、例えば１０〜１０００ｎｍである。このようなシード層３１の形成方法として、例えば、スパッタリング法、電解めっき法、および無電解めっき法が挙げられ、好ましくはスパッタリング法が挙げられる。
【００３２】
次に、図２Ｃに示すように、ワークフィルムＷにレジスト膜３２を形成する（レジスト膜形成工程）。例えば、ワークフィルムＷをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、感光性を有するドライフィルムレジストを、ワークフィルムＷに対してそのシード層３１を覆うように貼り合わせることにより、レジスト膜３２を形成する。レジスト膜３２の厚みは、例えば５μｍ以上であり、また、例えば１００μｍ以下である。
【００３３】
本製造方法では、次に、図２Ｄに示すように、レジスト膜３２に対して露光処理して潜像パターン３２’を形成する（第２の露光工程）。露光処理では、例えば、所定パターンの開口部を有するマスクを介してレジスト膜３２に紫外線を照射する。
【００３４】
次に、図３Ａに示すように、レジスト膜３２を現像処理してパターニングし、所定の開口部３３ａを有するレジストパターン３３を形成する（第２の現像工程）。現像処理は、例えばスプレーエッチング方式で行うことができる。或いは、現像処理では、レジスト膜３２を有するワークフィルムＷを所定の現像液の浴中に浸漬して当該浴を通過させてもよい。
【００３５】
次に、図３Ｂに示すように、導体部３４を形成する（導体部形成工程）。具体的には、電気めっき法により、レジストパターン３３の開口部３３ａ内の領域にてシード層３１上に金属材料を成長させる。金属材料としては、好ましくは銅が用いられる。形成される導体部３４の厚みは例えば１μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下である。
【００３６】
次に、図３Ｃに示すように、ワークフィルムＷからレジストパターン３３を例えばエッチングによって除去する（レジストパターン除去工程）。
【００３７】
次に、図３Ｄに示すように、シード層３１において、上述のレジストパターン除去によって露出した部分を、例えばエッチングにより除去する（シード層部分除去工程）。これにより、シード層３１とその上の導体部３４を含む配線３５が形成される（図２Ｂに示す上述のシード層形成工程から本工程までの一連の過程は、本発明における第４工程の一例である）。
【００３８】
次に、図４Ａに示すように、ワークフィルムＷ上に、感光性樹脂を含有する組成物を塗工して、カバー絶縁層となる絶縁膜４０を形成する（第２の絶縁膜形成工程，本発明における第１工程の一態様）。本工程に供されるワークフィルムＷは、金属製基材１０に加えて、その第１面１１上の絶縁層２１と、絶縁層２１上の配線３５とを含む。
【００３９】
本工程では、具体的には、図７に示すように、ロールトゥロール方式により、ワークフィルムＷをロールＲ４から送り出し及びロールＲ５へと巻き取りながら、図４Ａに示すように、金属製基材１０の第１面１１上に絶縁層２１と配線３５を覆うように組成物（ワニス）Ｃ２をコーター６１から塗布し、塗布した組成物Ｃ２を乾燥炉６２を通過させることによって乾燥して絶縁膜４０（図７では図示略）を形成する。絶縁膜４０は、金属製基材１０の第１面１１上において絶縁層２１と配線３５を覆う。絶縁膜４０は、未硬化の状態にあり、その表面には異物が付着しやすい。感光性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、形成される絶縁膜４０の絶縁性および耐熱性の観点からは、好ましくはポリイミド樹脂が用いられる。絶縁膜４０の厚み（絶縁膜２０からの高さ）は、例えば２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。
【００４０】
本工程では、図７に示すように、絶縁膜４０の形成後にロールＲ５へと巻き取られるワークフィルムＷにおいて、既に巻き取られたワークフィルムＷの絶縁膜４０と次に巻き取られるワークフィルムＷの第２面１２との間に保護フィルムＦを介在させる。保護フィルムＦは、別途用意されたロールＲＦから、絶縁膜４０と第２面１２との間に送り出される。
【００４１】
本製造方法では、次に、図４Ｂに示すように、絶縁膜４０に対して露光装置６３によって露光処理して潜像パターン４０’を形成する（第３の露光工程，本発明における第２工程の一態様）。具体的には、図８に示すように、ロールトゥロール方式により、第２の絶縁膜形成工程を経たワークフィルムＷをロールＲ５から送り出し及びロールＲ６へと巻き取りながら、絶縁膜４０（図８では図示略）上から保護フィルムＦを剥離し、絶縁膜４０を露光処理し、図４Ｂに示すように、絶縁膜４０において潜像パターン４０’を形成する。露光処理では、例えば、所定パターンの開口部を有するマスク（図示せず）を介して絶縁膜４０に紫外線を照射する。
【００４２】
次に、図４Ｃに示すように、絶縁膜４０を現像処理してパターニングする（第３の現像工程，本発明における第３工程の一態様）。具体的には、ワークフィルムＷをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、第３の露光工程を経た絶縁膜４０を現像処理してパターニングする。これにより、絶縁層４１が形成される。現像処理では、例えば、絶縁膜４０を有するワークフィルムＷを所定の現像液の浴中に浸漬して当該浴を通過させる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムなどのアルカリ溶液を用いることができる。
【００４３】
次に、図４Ｄに示すように、絶縁層４１を加熱して硬化させる（第２のキュア工程）。加熱温度は例えば２００〜４５０℃であり、加熱時間は例えば０.５〜４８時間である。硬化した絶縁層４１は、製造される配線回路基板において、配線３５を覆うカバー絶縁層として機能する。
【００４４】
その後、金属製基材１０を、所定パターンの外形を有するように加工してもよい。
【００４５】
以上のようにして、配線回路基板Ｘが製造される。
【００４６】
図１Ｂおよび図５を参照して上述した第１の絶縁膜形成工程では、ロールトゥロール方式において、ワークフィルムＷである金属製基材１０の第１面１１上に絶縁膜２０が形成された後に、絶縁膜２０と金属製基材１０の第２面１２との間に保護フィルムＦを介在させつつワークフィルムＷが巻き取られる。そのため、第１の絶縁膜形成工程に供される金属製基材１０の第２面１２に異物が付着している場合であっても、同工程後にロールＲ２の形態をとるワークフィルムＷにおいて、第２面１２から絶縁膜２０への異物の転写を抑制することができる。そして、図１Ｃおよび図６を参照して上述した第１の露光工程では、ロールトゥロール方式において、絶縁膜２０上から保護フィルムＦを剥離した後に絶縁膜２０（第２面１２からの異物の転写が抑制された絶縁膜２０）に対して露光処理するため、絶縁膜２０に対して所定のパターンで適切に露光処理して潜像パターン２０’を形成することができ、その後の図１Ｄに示す第１の現像工程では、現像処理によって絶縁膜２０を適切にパターニングすることができる。
【００４７】
このような本方法によると、絶縁膜２０における異物の付着に起因するピンホールの形成を抑制しつつ絶縁膜２０をパターニングすることができる。そのため、絶縁膜２０上に形成される上述の配線３５と金属製基材１０との間のショートを抑制することができる。したがって、本方法は、形成される配線３５の信頼性を確保するのに適する。
【００４８】
また、図４Ａおよび図７を参照して上述した第２の絶縁膜形成工程では、ロールトゥロール方式において、ワークフィルムＷ上に絶縁膜４０が形成された後に、絶縁膜４０と金属製基材１０の第２面１２との間に保護フィルムＦを介在させつつワークフィルムＷが巻き取られる。そのため、第２の絶縁膜形成工程に供されるワークフィルムＷにおける金属製基材１０の第２面１２に異物が付着している場合であっても、同工程後にロールＲ５の形態をとるワークフィルムＷにおいて、第２面１２から絶縁膜４０への異物の転写を抑制することができる。そして、図４Ｂおよび図８を参照して上述した第３の露光工程では、ロールトゥロール方式において、絶縁膜４０上から保護フィルムＦを剥離した後に絶縁膜４０（第２面１２からの異物の転写が抑制された絶縁膜４０）に対して露光処理するため、絶縁膜４０に対して所定のパターンで適切に露光処理して潜像パターン４０’を形成することができ、その後の図４Ｃに示す第３の現像工程では、現像処理によって絶縁膜４０を適切にパターニングすることができる。
【００４９】
このような本方法によると、絶縁膜４０における異物の付着に起因するピンホールの形成を抑制しつつ絶縁膜４０をパターニングすることができるため、ピンホールの形成が抑制された絶縁膜４０によって上述の配線３５を適切に被覆することができる。このような観点からも、本方法は、形成される配線３５の信頼性を確保するのに適する。
【００５０】
本方法における金属製基材１０は、上述のように、好ましくはＣｕまたはＣｕ合金よりなる。圧延銅箔などの、ＣｕまたはＣｕ合金よりなる金属製基材は、表面に異物が付着している場合が多いものの、本方法によると、そのような金属製基材を金属製基材１０として用いる場合においても、絶縁膜２０,４０への異物の付着を上述のように抑制することができる。
【００５１】
本方法における保護フィルムＦは、上述のように、好ましくはポリプロピレンフィルムである。このような構成は、上述の第１の絶縁膜形成工程および第２の絶縁膜形成工程において、ワークフィルムＷとともに巻き取られる保護フィルムＦのしわの発生を抑制するのに適する。
【００５２】
また、保護フィルムの厚みは、上述のように、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは３５μｍ以上であり、また、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６５μｍ以下である。このような構成は、上述の第１の絶縁膜形成工程および第２の絶縁膜形成工程において、ワークフィルムＷとともに巻き取られる保護フィルムＦのしわの発生を抑制するのに適する。
【００５３】
以上のように、本方法は、ロールトゥロール方式において配線回路基板Ｘを効率よく製造するのに適するとともに、形成される配線３５の信頼性を確保するのに適する。
【００５４】
本方法では、図１Ｂおよび図４Ａを参照して上述した工程以外の工程においても、保護フィルムＦを介在させつつワークフィルムＷをロールに巻き取ることにより、ワークフィルムＷにおける加工面への上記異物の付着を抑制してもよい。
【実施例】
【００５５】
〔実施例１〜７〕
図１Ａ〜図３Ｄ、図５、および図６を参照して上述した各工程を下記のように実施して、金属製基材１０上に絶縁層２１とその上の配線３５とを所定パターンで形成し、実施例１〜７の配線回路基板を作製した（実施例ごとに、２０ロールのワークフィルムＷのそれぞれにおける全長１００ｍの領域にわたり複数の配線回路基板を作製した）。
【００５６】
図１Ａに示す用意工程では、金属製基材１０として、長尺の圧延銅箔（厚み１０μｍ）を用意した。
【００５７】
図１Ｂに示す第１の絶縁膜形成工程では、金属製基材１０上に、感光性樹脂として所定のポリイミド樹脂を含有する組成物Ｃ１を塗工して絶縁膜２０を形成した。具体的には、図５に示すように、ロールトゥロール方式により、金属製基材１０をロールＲ１から送り出し及びロールＲ２へと巻き取りながら、ワークフィルムＷである金属製基材１０の第１面１１上に組成物（ワニス）Ｃ１を塗布し、塗布した組成物Ｃ１を乾燥して絶縁膜２０（厚み１０μｍ）を形成した。本工程では、巻き取られるワークフィルムＷにおいて、第２面１２と絶縁膜２０との間に保護フィルムＦを介在させた。保護フィルムＦとして、実施例１では、厚み４０μｍのポリプロピレン（ＰＰ）フィルム（溶融温度は１７０℃）を使用し、実施例２では、厚み６０μｍのＰＰフィルム（溶融温度は１７０℃）を使用し、実施例３では、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（溶融温度は２６０℃）を使用し、実施例４では、厚み５０μｍのＰＥＴフィルム（溶融温度は２６０℃）を使用し、実施例５では、厚み１２５μｍのＰＥＴフィルム（溶融温度は２６０℃）を使用し、実施例６では、厚み５０μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（溶融温度は２６５℃）を使用し、実施例７では、厚み５０μｍのＰＥフィルム（溶融温度は１３５℃）を使用した。
【００５８】
図１Ｃに示す第１の露光工程では、絶縁膜２０に対して露光処理して潜像パターン２０’を形成した。具体的には、図６に示すように、ロールトゥロール方式により、ワークフィルムＷをロールＲ２から送り出し及びロールＲ３へと巻き取りながら、絶縁膜２０（図６では図示略）上から保護フィルムＦを剥離した後に絶縁膜２０を露光処理し、図１Ｃに示すように、絶縁膜２０において潜像パターン２０’を形成した。露光処理では、所定パターンの開口部を有するマスクを介して、絶縁膜２０に対し、波長３６５ｎｍの紫外線を照射した。
【００５９】
図１Ｄに示す第１の現像工程では、ワークフィルムＷをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、第１の露光工程を経た絶縁膜２０を現像処理してパターニングし、所定パターンの絶縁層２１形成した。現像処理には、水酸化ナトリウム／エタノールアミン溶液を現像液として使用した。
【００６０】
図２Ａに示す第１のキュア工程では、絶縁層２１を加熱して硬化させた。加熱温度は４００℃であり、加熱時間は２時間である。
【００６１】
図２Ｂに示すシード層形成工程では、ワークフィルムＷにおいて、金属製基材１０の第１面１１とその上の絶縁層２１とを覆うように、スパッタリング法によってＣｒ膜およびＣｕ膜を総厚みが１００ｎｍになるように積層形成した。
【００６２】
図２Ｃに示すレジスト膜形成工程では、ワークフィルムＷをロールトゥロール方式により送り出し及び巻き取りながら、感光性を有するドライフィルムレジストを、ワークフィルムＷに対してそのシード層３１を覆うように貼り合わせることにより、レジスト膜３２を形成した。
【００６３】
図２Ｄに示す第２の露光工程では、レジスト膜３２に対して露光処理して潜像パターン３２’を形成した。露光処理では、例えば、所定パターンの開口部を有するマスクを介して、レジスト膜３２に対し、波長３６５ｎｍの紫外線を照射した。
【００６４】
図３Ａに示す第２の現像工程では、レジスト膜３２を現像処理してパターニングし、所定の開口部３３ａを有するレジストパターン３３を形成した。現像処理には、炭酸ナトリウム水溶液を現像液として使用した。
【００６５】
図３Ｂに示す導体部形成工程では、シード層３１を通電層として使用する電気めっき法により、レジストパターン３３の開口部３３ａ内に銅配線（厚みは１０μｍ）を形成した。
【００６６】
図３Ｃに示すレジストパターン除去工程では、エッチング液として水酸化ナトリウム水溶液を使用するエッチングにより、ワークフィルムＷからレジストパターン３３を除去した。
【００６７】
図３Ｄに示すシード層部分除去工程では、エッチング液として硝酸第二セリウムアンモニウム溶液を使用するエッチングにより、シード層３１において上述のレジストパターン除去によって露出した部分を除去した。
【００６８】
〔比較例１〕
保護フィルムＦを使用しなかったこと以外は実施例１〜７の配線回路基板と同様にして、比較例１の配線回路基板を作製した。
【００６９】
〈不良率〉
実施例１〜７および比較例１の各配線回路基板において、形成した配線ごとに金属製基材との間にショートが発生しているかどうかを調べた。そして、形成した配線の総数に対する、金属製基材との間にショートが発生している配線の数の割合を不良率（％）として算出した。この不良率について、１０％未満である場合を「〇」と評価し、１０％以上である場合を「×」と評価した。その結果を表１に掲げる。
【００７０】
〈耐熱性〉
実施例１〜７の各配線回路基板の製造過程で使用した保護フィルムの耐熱性について、保護フィルムの溶融温度が１４０℃以上である場合を「〇」と評価し、保護フィルムの溶融温度が１４０℃未満である場合を「×」と評価した。その結果を表１に掲げる。
【００７１】
〈しわの抑制〉
実施例１〜７の各配線回路基板について、しわの抑制の程度を調べた。具体的には、しわの抑制の程度に関し、実施例ごとの２０ロールのワークフィルム（配線回路基板形成領域は１ロールにつき全長１００ｍ）のうち、しわの発生したワークフィルムの数の割合が、１０％未満であった場合を「〇」と評価し、１０％以上２５％未満であった場合を「△」と評価した。２５％以上であった場合を「×」と評価した。その結果を表１に掲げる。
【００７２】
【表１】
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【符号の説明】
【００７３】
Ｘ              配線回路基板
Ｗ              ワークフィルム
Ｆ              保護フィルム
１０            金属製基材
１１            第１面
１２            第２面
Ｃ１，Ｃ２      組成物
２０，４０      絶縁膜
２０’，４０’  潜像パターン
２１，４１      絶縁層
３１            シード層
３２            レジスト膜
３３            レジストパターン
３３ａ          開口部
３４            配線
Ｒ１〜Ｒ６      ロール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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