(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス製の基体と、
前記基体に埋設された電極と、
一方の主面及び他方の主面を有し、前記一方の主面が前記電極側を向き、且つ前記電極と電気的に接続された状態で前記基体に埋設されたタングステン又はモリブデンの少なくとも一方を含む接続部材と、
前記基体の外面から前記接続部材の他方の主面まで延びる穴部と、
を備える電極埋設部材であって、
前記基体には緩衝部材が埋設され、
前記緩衝部材は、少なくともセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方とを含み、
前記接続部材は、前記一方の主面と前記他方の主面とを接続する側面と、前記一方の主面と前記側面とによって、または、前記他方の主面と前記側面とによって形成される縁部とをさらに備え、
且つ前記緩衝部材は、前記接続部材の前記縁部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする電極埋設部材。
【請求項２】
請求項１記載の電極埋設部材であって、
前記緩衝部材は、少なくとも前記基体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを含むことを特徴とする電極埋設部材。
【請求項３】
請求項１記載の電極埋設部材であって、
前記穴部に一部が挿入された状態で前記接続部材に接続された外部金属端子を備えることを特徴とする電極埋設部材。
【請求項４】
請求項３記載の電極埋設部材であって、
前記縁部は、前記一方の主面と前記側面とによって形成されるものであり、
前記緩衝部材は、前記縁部を全周に亘って覆うことを特徴とする電極埋設部材。
【請求項５】
請求項１記載の電極埋設部材であって、
前記縁部は、前記一方の主面と前記側面とによって形成されるものであり、
前記緩衝部材は、前記縁部を全周に亘って覆うことを特徴とする電極埋設部材。
【請求項６】
請求項４に記載の電極埋設部材の製造方法であって、
セラミックス製の第１成形体及び第２成形体を形成する成形体形成工程と、
前記第１成形体の上に前記電極と前記接続部材とを載置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記第１成形体及び前記第２成形体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記第１成形体、前記電極、前記接続部材及び前記緩衝部材の上に前記第２成形体を載せる第２成形体載置工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を前記第１成形体と前記第２成形体とで挟んだ状態で加圧焼成する焼結工程と、
を備える電極埋設部材の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の電極埋設部材の製造方法であって、
セラミックス製の第１成形体及び第２成形体を形成する成形体形成工程と、
前記第１成形体の上に前記電極と前記接続部材とを載置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記第１成形体及び前記第２成形体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記第１成形体、前記電極、前記接続部材及び前記緩衝部材の上に前記第２成形体を載せる第２成形体載置工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を前記第１成形体と前記第２成形体とで挟んだ状態で加圧焼成する焼結工程と、
を備える電極埋設部材の製造方法。
【請求項８】
請求項４に記載の電極埋設部材の製造方法であって、
開口を有する有底筒状型にセラミックス製の原料粉を充填して加圧し第１圧粉体を形成する第１圧粉体形成工程と、
前記有底筒状型の中で、前記第１圧粉体の前記有底筒状型の開口側に、前記電極と前記接続部材とを配置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記原料粉を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記有底筒状型の中の、前記第１圧粉体、前記電極、及び前記緩衝部材の前記開口側に前記原料粉を充填して加圧し前記第１圧粉体を含んだ第２圧粉体を形成する第２圧粉体形成工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を埋設した前記第２圧粉体を加圧焼成する焼結工程と、
を備える電極埋設部材の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の電極埋設部材の製造方法であって、
開口を有する有底筒状型にセラミックス製の原料粉を充填して加圧し第１圧粉体を形成する第１圧粉体形成工程と、
前記有底筒状型の中で、前記第１圧粉体の前記有底筒状型の開口側に、前記電極と前記接続部材とを配置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記原料粉を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記有底筒状型の中の、前記第１圧粉体、前記電極、及び前記緩衝部材の前記開口側に前記原料粉を充填して加圧し前記第１圧粉体を含んだ第２圧粉体を形成する第２圧粉体形成工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を埋設した前記第２圧粉体を加圧焼成する焼結工程と、
を備える電極埋設部材の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の電極埋設部材は静電チャックであることを特徴とする静電チャック。
【請求項１１】
請求項１に記載の電極埋設部材はセラミックス製ヒーターであることを特徴とするセラミックス製ヒーター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス製の基体の内部に電極が埋設された電極埋設部材及びその製造方法に関する。ここで、電極埋設部材は、例えば、半導体製造装置に組み込まれるセラミックス製ヒーターまたは静電チャックとして用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスからなる板状の基体の内部に金属電極（内部電極）を埋設して構成された電極埋設部材が知られている。この電極埋設部材においては、セラミックス製の基体に機械加工によって穴（端子穴）を形成し、この穴に基体内部の金属電極を露出させ、当該穴に円柱状の金属端子を挿入して、金属端子の先端面を基体内部の金属電極にロウ付けしている。【０００３】
電極埋設部材は、例えば半導体製造装置（エッチング装置、ＣＶＤ装置等）に組み込まれて、半導体ウェハの静電チャックや加熱のために使用されるものであり、使用環境下で高温に繰り返しさらされることがある。【０００４】
日本国特許第３７７６４９９号公報によれば、従来の電極埋設部材に対して、室温と６００℃との間での熱サイクル試験、及び６００℃での長期間の保持試験を行ったところ、金属端子用の穴を画定する基体の内側面にクラックが発生することがあった。そのようなクラック発生への対策として、日本国特許第３７７６４９９号公報では、電極埋設部材の製造時に基体に残留する応力を減少させ、基体に発生するクラックを抑える技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７７６４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電極埋設部材において発生する上述のクラックについて更に詳細に調べると、端子穴の底部にその一部が露出した接続部材の縁部から、その周囲の、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等からなる基体の内部においてクラックが発生していることが確認された。
この点について、従来の電極埋設部材の接続部材及びその周辺の部分を拡大して示した図７を参照して説明する。【０００７】
図７に示したように、従来の電極埋設部材１００は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスで形成された基体１０１に埋設された内部電極１０２を備えており、内部電極１０２の裏面側（図中上側）に接続部材１０３が設けられている。接続部材１０３は、例えばタングステン（Ｗ）等の金属で形成されている。基体１０１には、基体１０１の裏面側（図中上側）から接続部材１０３の裏面まで延在する端子穴１０４が穿設されている。端子穴１０４には端子１０５（外部金属端子）の一部が挿入されており、端子１０５の端部と接続部材１０３とがロウ付け部１０６によって接続されている。端子１０５は、例えばニッケル（Ｎｉ）で形成されている。上記の構成によって、端子１０５と内部電極１０２とが電気的に接続されている。【０００８】
なお、電極埋設部材１００のセラミックス製の基体１０１の表面側（図中下側）の部分は、例えば半導体製造装置（エッチング装置、ＣＶＤ装置等）に組み込まれた電極埋設部材１００の上に載置される半導体ウェハと、電極埋設部材１００の内部電極１０２との間を電気的に絶縁するための絶縁層を形成している。【０００９】
そして、従来の電極埋設部材１００においては、電極埋設部材１００の製造過程において、或いは半導体製造装置等に組み込まれて繰り返し高温下で使用される際に、セラミックス製の基体１０１の内部にクラックが発生するという問題があった。【００１０】
図７に示したように、典型的には、接続部材１０３の裏側（図中上側）の縁部付近を起点として、基体１０１の内部にクラック１０７が発生している。このクラック１０７は、内部電極１０２を通過して基体１０１の表面（半導体ウェハ等の載置面）まで達する場合もあった。クラック１０７が接続部材１０３の裏側（図中上側）の縁部付近を起点として発生しやすいのは、電極埋設部材１００の内部における酸化の進行が、主として、接続部材１０３の表面側（図中下側）ではなく裏面側（図中上側）から進むことに起因するものと考えられる。【００１１】
なお、上述したように電極埋設部材１００の基体１０１の表面側の部分は、電極埋設部材１００の上に載置される半導体ウェハ等の被処理基板と電極埋設部材１００の内部電極１０２との間を電気的に絶縁するための絶縁層を形成しているので、電極埋設部材１００の基体１０１の内部におけるクラックの発生を防止し、特にクラックが絶縁層を貫通して被処理基板の載置面まで達することは防止しなければならない。【００１２】
上述のクラックの発生原因については、従来、ニッケル（Ｎｉ）からなる端子（外部接続端子）１０５と、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る基体１０１に埋設されたタングステン（Ｗ）からなる接続部材１０３との間の線膨張係数差（熱膨張係数差）の影響が大きいと考えられていたが、特に長期間使用される場合には、埋設しているタングステン（Ｗ）からなる接続部材１０３と周囲のＡｌＮの線膨張係数差に起因する影響がより大きいことが分かった。【００１３】
本発明は、以上の点に鑑み、セラミックス製の基体の内部に電極が埋設された電極埋設部材において、基体の内部でクラックが発生することを抑制または防止することができる電極埋設部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
［１］上記目的を達成するため、本発明による電極埋設部材は、
セラミックス製の基体と、
前記基体に埋設された電極と、
一方の主面及び他方の主面を有し、前記一方の主面が前記電極側を向き、且つ前記電極と電気的に接続された状態で前記基体に埋設されたタングステン又はモリブデンの少なくとも一方を含む接続部材と、
前記基体の外面から前記接続部材の他方の主面まで延びる穴部と、
を備える電極埋設部材であって、
前記基体には緩衝部材が埋設され、
前記緩衝部材は、少なくともセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方とを含み、
前記接続部材は、前記一方の主面と前記他方の主面とを接続する側面と、前記一方の主面と前記側面とによって、または、前記他方の主面と前記側面とによって形成される縁部とをさらに備え、
且つ前記緩衝部材は、前記接続部材の前記縁部の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
【００１５】
上記特徴を備えた本発明の電極埋設部材によれば、緩衝部材を構成している混合組織の線膨張係数（熱膨張係数）が、接続部材の材料と基体の材料のそれぞれの線膨張係数の中間の値をとり、部材間における線膨張係数（熱膨張係数）の変化（差異の大きさ）が緩和される。これにより、接続部材の縁部に集中する応力を緩和することができ、その結果、接続部材から基体に進展するクラックの発生を抑制または防止することができる。【００１６】
［２］また、本発明の電極埋設部材において、前記緩衝部材は、少なくとも前記基体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを含むことが好ましい。【００１７】
［３］また、本発明の電極埋設部材において、前記穴部に一部が挿入された状態で前記接続部材に接続された外部金属端子を備えることが好ましい。
これにより、基体内部に埋設された内部電極を、外部金属端子及び接続部材を介して外部と電気的に接続することができる。【００１８】
［４］また、本発明の電極埋設部材において、前記縁部は、前記一方の主面と前記側面とによって形成されるものであり、前記緩衝部材は、前記縁部を全周に亘って覆うことが好ましい。
これにより、接続部材の縁部を起点として発生するクラックを確実に抑制し又は防止することができる。
【００１９】
［５］上記目的を達成するため、本発明による電極埋設部材の製造方法は、
上記何れかの電極埋設部材の製造方法であって、
セラミックス製の第１成形体及び第２成形体を形成する成形体形成工程と、
前記第１成形体の上に前記電極と前記接続部材とを載置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記第１成形体及び前記第２成形体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記第１成形体、前記電極、前記接続部材及び前記緩衝部材の上に前記第２成形体を載せる第２成形体載置工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を前記第１成形体と前記第２成形体とで挟んだ状態で加圧焼成する焼結工程と、
を備える。【００２０】
上記特徴を備えた本発明の電極埋設部材の製造方法によれば、接続部材から基体に進展するクラックの発生を抑制または防止できる電極埋設部材を製造することができる。すなわち、緩衝部材を構成している混合組織の線膨張係数が、接続部材の材料と基体の材料のそれぞれの線膨張係数の中間の値をとり、部材間における線膨張係数の変化（差異の大きさ）が緩和される。これにより、接続部材の縁部に集中する応力を緩和することができ、その結果、接続部材から基体に進展するクラックの発生を抑制または防止することができる。【００２１】
［６］上記目的を達成するため、本発明による電極埋設部材の製造方法は、
上記何れかの電極埋設部材の製造方法であって、
開口を有する有底筒状型にセラミックス製の原料粉を充填して加圧し第１圧粉体を形成する第１圧粉体形成工程と、
前記有底筒状型の中で、前記第１圧粉体の前記有底筒状型の開口側に、前記電極と前記接続部材とを配置する電極載置工程と、
前記接続部材の縁部の少なくとも一部を、少なくとも前記原料粉を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成された前記緩衝部材によって覆う緩衝部材工程と、
前記有底筒状型の中の、前記第１圧粉体、前記電極、及び前記緩衝部材の前記開口側に前記原料粉を充填して加圧し前記第１圧粉体を含んだ第２圧粉体を形成する第２圧粉体形成工程と、
前記電極、前記接続部材、及び前記緩衝部材、を埋設した前記第２圧粉体を加圧焼成する焼結工程と、
を備える。【００２２】
上記特徴を備えた本発明の電極埋設部材の製造方法によれば、接続部材から基体に進展するクラックの発生を抑制または防止できる電極埋設部材を製造することができる。すなわち、緩衝部材を構成している混合組織の線膨張係数が、接続部材の材料と基体の材料のそれぞれの線膨張係数の中間の値をとり、部材間における線膨張係数の変化（差異の大きさ）が緩和される。これにより、接続部材の縁部に集中する応力を緩和することができ、その結果、接続部材から基体に進展するクラックの発生を抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図２】図２は、図１Ａ、図１Ｂに示した電極埋設部材の接続部材及び緩衝部材を互いに分離した状態で拡大して示した説明図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の製造方法を示す説明図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の製造方法を示す説明図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の製造方法を示す他の説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の一実施形態としての電極埋設部材の製造方法を示す他の説明図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の他の実施形態としての電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の他の実施形態としての電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図６】図６は、本発明の他の実施形態としての電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図７】図７は、従来の電極埋設部材の主要部を模式的に示す説明図である。
【図８】図８は、本実施形態における静電チャック１０００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図９】図９は、本実施形態における静電チャック１０００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図１０】図１０は、セラミックス構造体の平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＡ−Ａ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施形態としての電極埋設部材及びその製造方法について、図面を参照して説明する。なお、図面は、電極埋設部材の主要部、特に内部電極と外部金属端子との接続箇所を、模式的（概念的）に示すものである。本実施形態の電極埋設部材は、例えば、半導体製造装置に組み込まれ、半導体製造用ウエハを加熱するセラミックス製ヒーター、または半導体製造用ウエハをジョンセン−ラーベック力又はクーロン力により引き付ける静電チャックとして用いられる。
【００２５】
図１Ａ及び図１Ｂに示したように、本実施形態による電極埋設部材１は、表面２ａ及び裏面２ｂを有し、セラミックスからなる板状の基体２を備えている。基体２の内部には、基体２の表面２ａと平行に延在し、金属材料からなる内部電極３が埋設されている。基体２を構成するセラミックス材料としては、典型的には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）があげられ、その他、酸化アルミニウム(Ａｌ２Ｏ３)がある。内部電極３を構成する金属材料としては、典型的にはモリブデン（Ｍｏ）があげられ、その他、タングステン（Ｗ）、タングステン及び／又はモリブデンを主成分とする合金がある。
【００２６】
内部電極３の裏面側には、基体２の表面２ａに沿って延在する円板状の接続部材４が配置されている。接続部材４は、内部電極３の側を向く一方の主面４ａと、一方の主面４ａに対向する他方の主面４ｂとを有する。接続部材４は、内部電極３に対して電気的に接続されている。接続部材４を構成する材料としては、上述した内部電極３を構成する金属材料と同じ材料を用いることができるが、内部電極３と同じ材料である必要は必ずしもない。すなわち、接続部材４を構成する材料は、タングステン又はモリブデンの少なくとも一方を含んでいれば良い。
【００２７】
基体２には、その裏面（外面）２ｂから基体２内部の接続部材４の他方の主面４ｂに到達するまで延在する端子穴（穴部）５が穿設されている。端子穴５には円柱状の端子６の一部が挿入されており、端子６の端部と接続部材４とがロウ付け部７によって接続されている。ロウ付け部７には、Ａｕ−Ｎｉ系に代表される金ロウやＡｇ−Ｃｕ系に代表される銀ロウ等のロウ材の中に埋設されたタングステン（Ｗ）の中間部材７ａとコバールの中間部材７ｂとが含まれている。端子穴５の径は、例えば５ｍｍである。端子６は、例えば、直径が４．８ｍｍであり、長さが２０ｍｍである。端子６と、端子穴５を画定する基体２の内側面８との間には、隙間９が形成されている。隙間９の幅は、例えば０．１ｍｍである。端子（外部金属端子）６を構成する金属材料としては、典型的にはニッケルがあげられ、その他、コバール等の低熱膨張金属合金、及び／又はチタン、銅又はこれらを主成分とする合金がある。
【００２８】
なお、本実施形態においては、円柱状の端子６と円板状の接続部材４とが互いに同心的に配置されて接続されているが、端子６と接続部材４とは必ずしも同心的に配置する必要はなく、同心位置からずれていても良い。また、端子６の形状は、円柱状以外の棒状の形状でも良い。また、ロウ付け部７は、その周囲の部材（例えば緩衝部材１０）と接触していても良い。
【００２９】
上述した構成によって、端子（外部金属端子）６と、基体２の内部に埋設された内部電極３とが電気的に接続される。なお、接続部材４の形状は、必ずしも円板状に限定されるものではなく、内部電極３と端子６とを電気的に接続する上で好適な形状を適宜選択することができる。また、内部電極３と接続部材４との間の電気的な接続状態を確保するための形態としては、両者を直接的に接触させる形態、または導電性ペーストを使って両者を接着する形態等を採用することができる。
【００３０】
そして、本実施形態による電極埋設部材１は、接続部材４の縁部の少なくとも一部を覆う緩衝部材１０が、基体２の内部に埋設されている。緩衝部材１０は、少なくとも、基体２を構成するセラミックス材料と、タングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを含んでいる。
【００３１】
緩衝部材１０を構成する導電性材料は、必ずしも接続部材４を構成する材料と同じものである必要はない。例えば、接続部材４がモリブデン製の場合、緩衝部材１０を構成する導電性材料は、モリブデンでも良いが、タングステンでも良い。
【００３２】
また、緩衝部材１０を構成する導電性材料は、タングステンの炭化物またはモリブデンの炭化物でも良く、要するにタングステン又はモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする材料であれば良い。
【００３３】
図２に示したように、本実施形態における接続部材４は、一方の主面４ａと他方の主面４ｂとを接続する側面４ｃと、主面４ａ、４ｂと側面４ｃとによって形成される縁部４ｄ、４ｅとを有する。本実施形態においては、緩衝部材１０は、円板状の接続部材４の他方の主面４ｂ側の縁部４ｅを、その全周にわたって覆っている。
【００３４】
次に、図１Ａ及び図１Ｂに示した電極埋設部材１の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、電極埋設部材１の製造方法には、大別して、成形体プレス法を用いる方法と、粉末ホットプレス法を用いる方法とがある。
【００３５】
まず、成形体プレス法を用いて電極埋設部材１を製造する方法について説明する。なお、この成形体プレス法で処理される成形体には、脱脂体、仮焼体も含まれるものとする。
【００３６】
この製造方法は、セラミックス製の第１成形体及び第２成形体を形成する成形体形成工程と、第１成形体の上に内部電極３と接続部材４とを載置する電極載置工程と、接続部材４の縁部４ｄ、４ｅの少なくとも一部を緩衝部材１０によって覆う緩衝部材工程と、第１成形体、内部電極３、接続部材４及び緩衝部材１０の上に第２成形体を載せる第２成形体載置工程と、電極３、接続部材４、及び緩衝部材１０、を第１成形体と第２成形体とで挟んだ状態で加圧焼成する焼結工程と、を備えている。
【００３７】
緩衝部材工程における緩衝部材１０は、少なくとも第１成形体及び第２成形体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成される。緩衝部材１０は、例えば、タングステン（またはモリブデン）と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とを主成分とし、必要に応じてＹ２Ｏ３等の焼結助剤を加えた混合材料で形成することができる。
【００３８】
緩衝部材１０を形成する混合材料について、より具体的な材料の組み合わせ（組成の割合等）は、以下の通りである。
（１）ＡｌＮに５ｗｔ％Ｙ２Ｏ３を混合した混合粉末が５０ｖｏｌ％、タングステン粉末が５０ｖｏｌ％
（２）ＡｌＮに５ｗｔ％Ｙ２Ｏ３を混合した混合粉末が３０ｖｏｌ％、タングステン粉末が７０ｖｏｌ％
（３）ＡｌＮに５ｗｔ％Ｙ２Ｏ３を混合した混合粉末が９０ｖｏｌ％、タングステン粉末が１０ｖｏｌ％
（４）ＡｌＮに５ｗｔ％Ｙ２Ｏ３を混合した混合粉末が７０ｖｏｌ％、モリブデン粉末が３０ｖｏｌ％
【００３９】
ここで、ＡｌＮが９０ｖｏｌ％を超えると、緩衝部材１０の線膨張係数が、基体２の材料の線膨張係数に近づきすぎるため、接続部材４と基体２との間における線膨張係数の変化（差異の大きさ）が十分に緩和されなくなる。これにより、接続部材４の縁部に集中する応力を緩和することができず、接続部材４から基体２に進展するクラックの発生を抑制または防止することができなくなる可能性がある。
【００４０】
また、ＡｌＮが３０ｖｏｌ％未満であると、緩衝部材１０の線膨張係数が、接続部材４の材料の線膨張係数に近づきすぎるため、接続部材４と基体２との間における線膨張係数の変化（差異の大きさ）が十分に緩和されなくなる。これにより、接続部材４の縁部に集中する応力を緩和することができず、接続部材４から基体２に進展するクラックの発生を抑制または防止することができなくなる可能性がある。
【００４１】
以下、より具体的な電極埋設部材１の製造方法について、図３Ａ乃至図４Ｂを参照して説明する。
【００４２】
（１）ＡｌＮ成形体を複数準備する工程
従前の方法でＣＩＰ体などから切り出して、所定の形状に加工する工程
この工程において、
ｉ)第１成形体(焼成後絶縁層となるプレート)
ii)第２成形体(焼成後に基台となるプレート)
を作製する。
【００４３】
（２）第1及び第２ＡｌＮ成形体を脱脂して、第１脱脂体２０及び第２脱脂体２１を作製する工程
【００４４】
（３）第１脱脂体２０に内部電極３及びその上に接続部材４を載置する工程
【００４５】
（４）ＡｌＮ原料粉と接続部材４を構成する金属の粉末の混合成形体を作製し、接続部材４を覆う形状の緩衝部材１０に加工し、接続部材４に被せる工程
【００４６】
（５）第２脱脂体２１をその上に載置して、一軸加圧焼成(ホットプレス)する工程（図３Ａ）
ここで、第１脱脂体２０及び第２脱脂体２１が焼結し、内部電極３、接続部材４及び緩衝部材１０が焼結一体化する。
【００４７】
（６）焼結体の一方の面（裏面２ｂ）より穴加工を行い、端子穴５を穿設して、埋設した接続部材４を露出させる工程（図３Ｂ）
ここで、端子穴５の直径は、接続部材４の代表寸法(例えば直径)より小さいことがより望ましい。
【００４８】
（７）端子（外部接続端子）６と接続部材４をロウ材（ロウ付け部）でロウ接合する工程（図４Ａ、図４Ｂ）
【００４９】
上記（１）〜（７）の一連の工程により、図1Ａ及び図１Ｂに示した電極埋設部材１が製造される。
【００５０】
また、電極埋設部材１の基体２に埋設される内部電極３の数は１つに限らず、複数の内部電極３を基体２に埋設してもよい。その場合、基体２の厚み方向の異なる位置に複数の内部電極３を埋設することができる。例えば、２つの内部電極３を埋設した基体２は、上記（５）工程において、第２脱脂体２１の上にさらに内部電極３を載置し、この内部電極３の所定の位置に接続部材４と緩衝部材１０を配置し、その上に別に準備したＡｌＮ成形体の脱脂体を載置した後に一軸加圧焼成（ホットプレス）を行うことにより製造することができる。
【００５１】
次に、粉末ホットプレス法を用いて電極埋設部材１を製造する方法について説明する。
この製造方法は、開口を有する有底筒状型にセラミックス製の原料粉を充填して加圧し第１圧粉体を形成する第１圧粉体形成工程と、有底筒状型の中で、第１圧粉体の有底筒状型の開口側に、内部電極３と接続部材４とを配置する電極載置工程と、接続部材４の縁部４ｄ、４ｅの少なくとも一部を緩衝部材１０によって覆う緩衝部材工程と、有底筒状型の中の、第１圧粉体、内部電極３、及び緩衝部材１０の開口側に原料粉を充填して加圧し第１圧粉体を含んだ第２圧粉体を形成する第２圧粉体形成工程と、内部電極３、接続部材４、及び緩衝部材１０、を埋設した第２圧粉体を加圧焼成する焼結工程と、を備える。
【００５２】
この製造方法においても、緩衝部材工程における緩衝部材１０は、少なくとも第１成形体及び第２成形体を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを混合させて形成される。
【００５３】
また、粉末ホットプレス法を用いて２つの内部電極３を基体２の厚み方向の異なる位置に埋設する場合は、第２圧粉体の上に更に、内部電極３を載置し、この内部電極３の所定の位置に接続部材４、緩衝部材１０を配置し、有底筒状型の中の開口側に原料粉を充填して加圧することによって、第２圧粉体と、内部電極３、接続部材４、及び緩衝部材１０、を埋設した第３圧粉体を作製し、これを加圧焼成する焼結工程を行うことができる。
【００５４】
以上、本発明の実施形態としての電極埋設部材及びその製造方法について説明したが、上記実施形態によれば、以下に述べるような特有の作用効果を奏することができる。
【００５５】
すなわち、上記実施形態においては、接続部材４の周囲、特に他方の主面４ｂ側の縁部４ｅの全周にわたって、緩衝部材１０が配置されている。そして、この緩衝部材１０は、少なくとも基体２を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料とを含んだ混合組織からなる。そのため、緩衝部材１０を構成している混合組織は、その線膨張係数が、接続部材４の材料と基体２の材料（ＡｌＮ等のセラミックス）のそれぞれの線膨張係数の中間の値をとり、部材間における線膨張係数の変化（差異の大きさ）が緩和される。これにより、接続部材４の縁部に集中する応力を緩和することができ、その結果、接続部材４の縁部から基体２に進展するクラックの発生を抑制または防止することができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、接続部材４の周囲に配置された緩衝部材１０が、少なくとも基体２を構成するセラミックス材料とタングステン及びモリブデンの少なくとも一方を構成元素とする導電性材料（例えばタングステン（Ｗ）−ＡｌＮの混合組織）を備えているので、焼成処理等の際に緩衝部材１０と基体２との間の界面において発生する微小な凹凸の発生量が増加する。その結果、緩衝部材１０と基体２との間で良好な接合状態が確保され、電極埋設部材１の内部における酸化の進行を抑制することができる。
【００５７】
次に、本発明の他の実施形態による電極埋設部材について、図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。なお、図１Ａ等に示した上記実施形態と構成を共通にする部分については、図５Ａ、図５Ｂにおいて共通の符号を付すと共に、以下では、特に上記実施形態と相違する部分について説明する。
【００５８】
図１Ａ等に示した実施形態においては、緩衝部材１０の、内部電極３側の端面（内部電極３に電気的に接続される面）が、接続部材４の周囲に延在する円環状をなしており、この緩衝部材１０の円環状の端面の全体が、内部電極３の裏面に電気的に接続されている。
【００５９】
これに対して、図５Ａ及び図５Ｂに示した実施形態においては、緩衝部材１０Ａの内部電極３側の端面（内部電極３に電気的に接続される面）が、接続部材４の周囲に円環状（連続的）に延在するのではなく、周方向において断続的（不連続）に形成されている。すなわち、緩衝部材１０Ａと内部電極３との電気的な接続状態が、周方向において断続的（不連続）となっている。換言すれば、図５Ａ及び図５Ｂに示した実施形態においては、緩衝部材１０Ａと内部電極３との間に、セラミックス製の基体２Ａの一部が局所的に介在している。
【００６０】
図５Ａ及び図５Ｂに示した実施形態においても、図１Ａ等に示した上記実施形態と同様に、接続部材４の他方の主面４ｂ側の縁部４ｅを全周にわたって覆うことができるので、接続部材４の縁部４ｅの付近において、応力の集中を緩和してクラックの発生を抑制または防止することができる。
【００６１】
さらに他の実施形態としては、第１脱脂体又は第１圧粉体の所定の位置に別の緩衝部材を配置することにより、図６に示すように、接続部材４の他方の主面４ｂ側の縁部４ｅの周囲のみならず、接続部材４の一方の主面４ａ側の縁部４ｄの周囲にも緩衝部材を配置するようにしても良い。このようにすれば、接続部材４の両方の縁部４ｄ、４ｅの付近においてクラックの発生を抑制または防止することができる。
【００６２】
本発明は、高周波電極、接地電極や静電吸着用電極としての内部電極３が基体２の表面２ａに近い位置に埋設される電極埋設部材１に好適である。更には電極埋設部材１が自己発熱できるように、基体の表面２ａに近い位置に埋設される内部電極３とは別にヒーター電極としての内部電極３が埋設された電極埋設部材１に好適である。以下の実施例では、高温下での使用時に基体２の内部でクラックが発生することを抑制することを目的とし、基体２に高周波電極とヒーター電極としての２つの内部電極３を埋設した電極埋設部材１について開示する。
【００６３】
（実施例）
図１Ａ乃至図４Ｂは、基体の表面２ａに近い位置に埋設される高周波電極としての内部電極３、接続部材４、及び緩衝部材１０の埋設工程及び構造を説明したものである。ヒーター電極としての内部電極３とこれに対応して設けられる接続部材４及び緩衝部材１０の埋設工程及び構造は、高周波電極としての内部電極３の埋設工程及び構造に準じるため図示は省略するが、以下には高周波電極及びヒーター電極としての２つの内部電極３が埋設された電極埋設部材１の製造方法に関する各種の実施例について説明する。
また、下記の実施例に記載の脱脂、焼成、ロウ付けの条件は従前のセラミックス焼結体の製造方法に準拠し、適切な条件の変更を含むものとする。
【００６４】
［実施例１］
まず、実施例１として、成形体プレス法を用いて電極埋設部材１を製造した例について説明する。
【００６５】
（１）窒化アルミニウム粉末９５質量％、酸化イットリウム粉末５質量％からなる粉末混合物にバインダーを添加して造粒後に、ＣＩＰ成形(圧力１ｔｏｎ／ｃｍ２)し、成形体のインゴットを得て、これを機械加工により以下の成形体を作製した。
（ｉ）円板状成形体Ａ(焼成後絶縁層となるプレート)
直径３４０ｍｍ、厚み５ｍｍ
（ii)円板状成形体Ｂ(焼成後に中間基台となるプレート)
直径３４０ｍｍ、厚み１０ｍｍ
円板状成形体Ｂの一方の面に、成形体の中心を共有し、第１の内部電極３（高周波電極）を収納するための直径３００ｍｍ、深さ０．１ｍｍの凹部を設ける。
更に、端子を形成する所定の位置に、接続部材４及び緩衝部材１０を収納するための直径１２ｍｍ、深さ１．５ｍｍの凹部を設ける。
（iii)円板状成形体Ｃ(焼成後に基台となるプレート)
直径３４０ｍｍ、厚み２０ｍｍ
円板状成形体Ｃの一方の面に、成形体の中心を共有し、第２の内部電極３（ヒーター電極）を収納するための直径３００ｍｍ、深さ０．１ｍｍの凹部を設ける。
更に、端子を形成する所定の位置に、接続部材４及び緩衝部材１０を収納するための直径１２ｍｍ、深さ１．５ｍｍの凹部を設ける。
【００６６】
（２）円板状成形体Ａ、Ｂ、Ｃを脱脂して円板状脱脂体Ａ、Ｂ、Ｃを作製する。
脱脂は５００℃以上、大気雰囲気で行う。
【００６７】
（３）円板状脱脂体Ｂに第１の内部電極３、接続部材４及び緩衝部材１０を内装し、円板状脱脂体Ｃに第２の内部電極３、接続部材４及び緩衝部材１０を内装した。
（iii）ヒーター電極及び高周波電極
モリブデンワイヤーによるメッシュ（線径０．１ｍｍ、平織り、メッシュサイズ＃５０）
これを所定の形状に裁断しヒーター電極とする。最外径２９４ｍｍ。
同じモリブデンワイヤーによるメッシュから円形形状に裁断し高周波電極とする。最
外径２９８ｍｍ。
（iv）接続部材
直径８ｍｍ厚み０．５ｍｍのタングステンのバルク体とする。
（iv）緩衝部材
ＡｌＮ原料粉とＷの粉末を体積比５０％：５０％で混合した後に成形し、直径１２ｍｍ厚み１．５ｍｍの円板に片面から直径８ｍｍ、深さ０．５ｍｍのザグリ加工を施した凹部状部材を準備する。
（ｖ）ヒーター電極等の配置
円板状脱脂体Ｃの直径１２ｍｍの凹部に緩衝部材をザグリ穴が上方になる向きに配置する。
緩衝部材のザグリ穴に接続部材を収納する。
その上に、直径３００ｍｍの凹部に第２の内部電極としてのヒーター電極を収納する。
（vi）円板状脱脂体Ｂの積層
円板状脱脂体Ｃのヒーター電極が埋設された側に、円板状脱脂体２を積層する。
（vii）高周波電極等の配置
円板状脱脂体Ｂの直径１２ｍｍの凹部に緩衝部材をザグリ穴が上方になる向きに配置する。
緩衝部材のザグリ穴に接続部材を収納する。
その上に、直径３００ｍｍの凹部に第１の内部電極としての高周波電極を収納する。
その上に円板状脱脂体Ａを積層し、積層体(脱脂体)を完成させる。
【００６８】
（４）脱脂体をカーボン型内に移設しホットプレス炉に載置してホットプレス焼成した。
１０ＭＰａの圧力で、焼成温度１８００℃、焼成時間２時間でホットプレス焼成を行った。
【００６９】
（５）焼成後加工
その後、全面に研削、研磨加工を行い、総厚２５ｍｍ、絶縁層厚さ１．０ｍｍ、表面粗さをＲａ０．４μｍのウェハ載置面を形成した。
セラミック基体裏面側より端子位置に接続部材に到達するまで穴径φ５．５ｍｍの平底穴加工を行う。
【００７０】
（６）外部金属端子接続
露出した接続部材底面にロウ材を介して直径５ｍｍ、厚み１ｍｍのタングステンとコバール製の中間部材と直径５ｍｍ長さ３０ｍｍの円柱状Ｎｉ製給電端子を設置し、真空炉により１０５０℃でＡｕ−Ｎｉ系ロウ材によるロウ付けを行い電極埋設部材を完成させた。
【００７１】
［実施例２］
次に、実施例２として、粉末ホットプレス法を用いて実施例１と同様の電極埋設部材１を製造した例について説明する。
【００７２】
（１）窒化アルミニウム粉末９５質量％、酸化イットリウム粉末５質量％からなる粉末混合原料粉を有底のカーボン型に充填して一軸加圧し円板状圧粉体１を作製する。
（ｉ）円板状圧粉体Ａ（焼成後絶縁層となるプレート)
直径３４０ｍｍ、厚み５ｍｍ。
（ii)実施例１と同じ高周波電極を円板状圧粉体１上の所定位置に載置する。
（iii）接続部材
実施例１と同じ接続部材を高周波電極上の所定の位置に配置する。
（iv）緩衝部材
実施例１と同じ緩衝部材を高周波電極上の接続部材に被せて配置する。
【００７３】
（２）同一の粉末混合原料粉を有底のカーボン型に更に充填して一軸加圧して円板状圧粉体Ｂを作製する。
直径３４０ｍｍ、厚み１０ｍｍ
（ｖ)ヒーター電極を円板状圧粉体Ｂ上に載せる。
（vi）接続部材
実施例１と同じ接続部材をヒーター電極上の所定の位置に配置する。
（vii）緩衝部材
実施例１と同じ緩衝部材をヒーター電極上の接続部材に被せる。
【００７４】
（３）同一の粉末混合原料粉を有底のカーボン型に更に充填して一軸加圧して円板状圧粉体Ｃを作製する。
（viii）円板状圧粉体Ｃ(焼成後に基台となるプレート)
直径３４０ｍｍ、厚み２０ｍｍ
【００７５】
（４）ホットプレス焼成
１０ＭＰａの圧力で、焼成温度１８００℃、焼成時間２時間でホットプレス焼成を行った。
【００７６】
（５）焼成後加工
その後、全面に研削、研磨加工を行い、総厚２５ｍｍ、絶縁層厚さ１．０ｍｍ、表面粗さをＲａ０．４μｍのウェハ載置面を形成した。
セラミック基体裏面側より端子位置に接続部材に到達するまで穴径φ５．５ｍｍの平底穴加工を行う。
【００７７】
（６）外部金属端子接続
露出した接続部材底面にロウ材を介して直径５ｍｍ、厚み１ｍｍのタングステンとコバール製の中間部材と直径５ｍｍ長さ３０ｍｍの円柱状Ｎｉ製給電端子を設置し、真空炉により１０５０℃でＡｕ−Ｎｉ系ロウ材によるロウ付けを行い電極埋設部材を完成させた。
【００７８】
［実施例３］
次に、実施例３として、成形体プレス法を用いて電極埋設部材１を製造した別の例について説明する。
緩衝部材をＡｌＮ原料粉とタングステン（Ｗ）の粉末を体積比７０％：３０％で混合した後に成形し、直径１２ｍｍ、厚み１．５ｍｍの円板に片面から直径８ｍｍ、深さ０．５ｍｍのザグリ加工を施した凹部状部材を準備することとしたこと以外は実施例１と同じ工程とした。
【００７９】
［実施例４］
次に、実施例４として、成形体プレス法を用いて電極埋設部材１を製造した別の例について説明する。
緩衝部材をＡｌＮ原料粉とタングステン（Ｗ）の粉末を体積比９０％：１０％で混合した後に成形し、直径１２ｍｍ、厚み１．５ｍｍの円板に片面から直径８ｍｍ、深さ０．５ｍｍのザグリ加工を施した凹部状部材を準備することとしたこと以外は実施例１と同じ工程とした。
【００８０】
［実施例５］
次に、実施例５として、成形体プレス法を用いて電極埋設部材１を製造した別の例について説明する。
接続部材が直径８ｍｍ、厚み０．５ｍｍのモリブデンのバルク体とすること、及び緩衝部材をＡｌＮ原料粉とモリブデン（Ｍｏ）の粉末を体積比７０％：３０％で混合した後に成形し、直径１２ｍｍ、厚み１．５ｍｍの円板に片面から直径８ｍｍ、深さ０．５ｍｍのザグリ加工を施した凹部状部材を準備することとしたこと以外は実施例１と同じ工程とした。
【００８１】
［比較例］
次に、上記実施例に対する比較例について説明する。
本比較例においては、上述の実施例１において、緩衝部材を接続部材の周囲に配置せず、緩衝部材を含まない従来の製法による電極埋設部材を作製した。
【００８２】
(評価)
実施例１〜５及び比較例で作製した電極埋設部材を用いて、プロセス温度が６００℃である半導体製造プロセスに使用した。
【００８３】
使用開始後３か月経過後に端子部の断面をＳＥＭ観察したところ、実施例１〜５ともクラックは確認されなかったが、比較例においては、接続部材の縁部から電極埋設部材の表面に向かうクラックの進展が確認された。
【００８４】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０００の構成：
図８は、本実施形態における静電チャック１０００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図９は、本実施形態における静電チャック１０００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。図８及び図９には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００８５】
静電チャック１０００は、対象物（例えばウエハ１５００）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウエハ１５００を固定するために使用される。静電チャック１０００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１０１０およびベース板１０２０を備える。セラミックス板１０１０とベース板１０２０とは、セラミックス板１０１０の下面（以下、「セラミックス側接着面Ｓ２」という）とベース板１０２０の上面（以下、「ベース側接着面Ｓ３」という）とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック１０００は、さらに、セラミックス板１０１０のセラミックス側接着面Ｓ２とベース板１０２０のベース側接着面Ｓ３との間に配置された接着層１０３０を備える。
【００８６】
セラミックス板１０１０は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックス板１０１０の直径は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１０１０の厚さは、例えば２ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００８７】
セラミックス板１０１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性、後述するベース板１０２０の形成材料との関係等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。
【００８８】
セラミックス板１０１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対の内部電極１０４０が設けられている。一対の内部電極１０４０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウエハ１５００がセラミックス板１０１０の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。
【００８９】
また、セラミックス板１０１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ１０５０が設けられている。ヒータ１０５０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ１０５０が発熱することによってセラミックス板１０１０が温められ、セラミックス板１０１０の吸着面Ｓ１に保持されたウエハ１５００が温められる。これにより、ウエハ１５００の温度制御が実現される。なお、ヒータ１０５０は、セラミックス板１０１０の吸着面Ｓ１をできるだけ満遍なく温めるため、例えばＺ方向視で略同心円状に配置されている。
【００９０】
ベース板１０２０は、例えばセラミックス板１０１０と同径の、または、セラミックス板１０１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、セラミックスとアルミニウム合金とから構成された複合材料により形成されている。ベース板１０２０の直径は、例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、ベース板１０２０の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００９１】
ベース板１０２０の形成材料としては、金属や種々の複合材料が用いられ得る。金属としては、Ａｌ（アルミニウム）やＴｉ（チタン）が用いられることが好ましい。複合材料としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主成分とする多孔質セラミックスに、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金を溶融して加圧浸透させた複合材料が用いられることが好ましい。複合材料に含まれるアルミニウム合金は、Ｓｉ（ケイ素）やＭｇ（マグネシウム）を含んでいてもよいし、性質等に影響の無い範囲でその他の元素を含んでいてもよい。
【００９２】
ベース板１０２０の内部には冷媒流路１０２１が形成されている。冷媒流路１０２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース板１０２０が冷却され、接着層１０３０を介したベース板１０２０とセラミックス板１０１０との間の伝熱によりセラミックス板１０１０が冷却され、セラミックス板１０１０の吸着面Ｓ１に保持されたウエハ１５００が冷却される。これにより、ウエハ１５００の温度制御が実現される。
【００９３】
接着層１０３０は、セラミックス板１０１０とベース板１０２０とを接着している。接着層１０３０の厚さは、例えば０．０３ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００９４】
Ａ−２.セラミックスヒータ２０００の構成：
図１０は、実施例のセラミックスヒータ２０００の平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００９５】
本実施例のセラミックス構造体としてのセラミックスヒータ２０００は、図１０に示すように、例えば、Ｙ２Ｏ３を含むＡＩＮのセラミックス焼結体からなる板状のセラミックス基材としての基材２０２０を有している。
【００９６】
基材２０２０は、円板形状を有している。基材２０２０は、一方の面が基板載置面２０２０Ｓとなっている。基材２０２０を形成するセラミックス焼結体の材料としては、上記した窒化アルミニウムの他、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナ等を使用することも可能である。
【００９７】
図１１に示すように、基板ＳＢ（図１１において破線で示す）は、基板載置面２０２０Ｓ上に接して載置される。
【００９８】
基板載置面２０２０Ｓの中心点Ｃを中心とする円の内部には、基板載置領域ＳＲが設けられている。
【００９９】
支持体としてのシャフト２０１１は、円筒状の中空シャフト部材である。シャフト２０１１は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミックス焼結体からなっている。
【０１００】
シャフト２０１１には、軸方向の一方の端部においてフランジ部２０１１Ｆが設けられている。シャフト２０１１は、当該フランジ部２０１１Ｆが形成されている一端において、基材２０２０の主面である下面２０２１に取り付けられている。例えば、シャフト２０１１の基材２０２０への取付けは、基材２０２０の下面２０２１とフランジ部２０１１Ｆの表面とを固相接合することによって行われる。
【０１０１】
金属電極層としての電極２０３０は、基材２０２０内に埋設されている発熱抵抗体である。金属端子としての給電ロッド２０４０は、当該一端部において電極２０３０と電気的に接続している。また、給電ロッド２０４０は、他端部において、電源（図示せず）に接続されている。すなわち、電極２０３０には、給電ロッド２０４０を介して電源からの電力が供給される。電極２０３０は、この電力の供給により発熱する発熱体であり、それによって基材２０２０全体が加熱される。図示しないが、電極２０３０には、複数の給電ロッド２０４０が電気的に接続されている。
【０１０２】
電極２０３０は、基板載置面２０２０Ｓと垂直な方向から見て、基板載置領域ＳＲに亘って延在するように埋設されている。また、電極２０３０は、例えば、基板載置面２０２０Ｓと垂直な方向から見てメッシュ形状を有している。電極２０３０は、例えば、モリブデン等の金属材料からなっている。
【０１０３】
給電ロッド２０４０は、シャフト２０１１の中空部分においてシャフト２０１１の軸方向に伸長し、かつ一端部が基材２０２０内まで伸長する柱状に形成されている。
【０１０４】
給電ロッド２０４０の材料としては、ニッケル（Ｎｉ）等を使用することができる。尚、給電ロッド２０４０の形状は、柱状のものであれば、例えば、多角柱や円錐台等の形状にすることもできる。
【符号の説明】
【０１０５】
１  電極埋設部材
２、２Ａ  基体
３  内部電極
４  接続部材
４ａ、４ｂ  接続部材の主面
４ｄ、４ｅ  接続部材の縁部
５  端子穴
６  端子（外部金属端子）
７  ロウ付け部
７ａ、７ｂ  中間部材
１０、１０Ａ  緩衝部材
２０  第１脱脂体
２１  第２脱脂体
【図１Ａ】
0006966651.tif 000002
【図１Ｂ】
0006966651.tif 000003
【図２】
0006966651.tif 000004
【図３Ａ】
0006966651.tif 000005
【図３Ｂ】
0006966651.tif 000006
【図４Ａ】
0006966651.tif 000007
【図４Ｂ】
0006966651.tif 000008
【図５Ａ】
0006966651.tif 000009
【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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