(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス製造方法であって、
投影システムと、支持テーブル及び／又は前記支持テーブル上のオブジェクトの対向表面との間の液浸空間に、液体閉じ込め構造を使用して液体を閉じ込めることと、
前記液浸空間が前記オブジェクト上へと移動する前に前記オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために、抽出ユニットへの負圧の印加を開始することと、
前記オブジェクト上の複数のターゲット位置が前記投影システムの下を通るように、前記オブジェクトの露光の一連の動作を含むルートに沿って前記支持テーブルを移動させることと、
前記ターゲット部分が前記投影システムの下を通る際に、前記液浸空間を介してパターン付きビームを前記オブジェクトの前記ターゲット部分上に投影することであって、前記投影は前記オブジェクト内のある所定の温度プロファイルを反映するように実行される、投影することと、
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上から離れて移動してから所定の時間後に前記負圧の印加を停止し、それによって少なくとも部分的に前記オブジェクト内の前記ある所定の温度プロファイルを誘発することと、
を含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上を離れて移動する前に、前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上を離れて移動する予測される完了時間を、前記ルートから予測すること、停止時間を計算するために、前記予測される完了時間に前記所定の時間を追加すること、及び、前記停止時間において、前記負圧の印加を停止するためのコマンドを生成すること、
をさらに含む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動するよりもさらなる所定の時間前に前記負圧の印加を開始することであって、それによって少なくとも部分的に、前記オブジェクト内の前記ある所定の温度プロファイルを誘発させる、前記負圧の印加を開始すること、
をさらに含む、請求項１又は２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動する前に、前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動する予測される開始時間を、前記ルートから予測すること、開始時間を計算するために、前記予測される開始時間から前記さらなる所定の時間を減じること、及び、前記開始時間において、前記負圧の印加を開始するためのコマンドを生成すること、をさらに含む、請求項３に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記予測することは、前記抽出ユニットの寸法及び液体閉じ込め構造の寸法に関するデータに少なくとも部分的に基づく、請求項２から４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
前記所定の時間の長さは前記さらなる所定の時間の長さよりも長い、請求項３から５のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記さらなる所定の時間は、所定の絶対値に到達するために前記抽出ユニットに前記負圧が印加されるのに要する始動時間よりも長いか又は等しい、請求項３から６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記所定の時間の後に、前記抽出ユニット内に液体が残る、請求項１から７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
液浸リソグラフィ装置であって、
少なくとも１つのターゲット部分を有するオブジェクトを支持するように構成された支持テーブルと、
前記オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するための抽出ユニットと、
パターン付きビームを前記オブジェクト上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムに関して前記支持テーブルを移動させるように構成されたポジショナと、
前記投影システムと前記オブジェクト及び／又は前記支持テーブルの表面との間の液浸空間に、液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造と、
前記オブジェクト上の複数のターゲット位置が前記投影システムの下を通るように、前記オブジェクトの露光の一連の動作からなるルートを追従するように前記支持テーブルを移動させるために前記ポジショナを制御するように構成されたコントローラと、を備え、前記コントローラは、
前記液浸空間が前記オブジェクト上へと移動する前に前記オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために前記抽出ユニットへの負圧の印加を開始するように適合され、
前記ターゲット部分が前記投影システムの下を通る際に、前記液浸空間を介してパターン付きビームを前記オブジェクトの前記ターゲット部分上に投影するための前記投影システムを制御するように適合され、前記投影は前記オブジェクト内のある所定の温度プロファイルを反映するように実行され、
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上から離れて移動してから所定の時間後に前記負圧の印加を停止し、それによって少なくとも部分的に前記オブジェクト内の前記ある所定の温度プロファイルを誘発するように適合される、
液浸リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上を離れて移動する前に、前記一連の動作の間、前記液浸空間が最後に前記オブジェクト上を離れて移動する予測される完了時間を、前記ルートから予測するように、停止時間を計算するために、前記予測される完了時間に前記所定の時間を追加するように、及び、前記停止時間において、前記負圧の印加を停止するためのコマンドを生成するように、
さらに適合される、請求項９に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記コントローラは、
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動するよりもさらなる所定の時間前に前記負圧の印加を開始し、それによって少なくとも部分的に、前記オブジェクト内の前記ある所定の温度プロファイルを誘発させるように、
さらに適合される、請求項９又は１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記コントローラは、
前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動する前に、前記一連の動作の間、前記液浸空間が最初に前記オブジェクト上に移動する予測される開始時間を、前記ルートから予測するように、開始時間を計算するために、前記予測される開始時間から前記さらなる所定の時間を減じるように、及び、前記開始時間において、前記負圧の印加を開始するためのコマンドを生成するように、
さらに適合される、請求項１１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記予測することは、前記抽出ユニットの寸法及び液体閉じ込め構造の寸法に関するデータに少なくとも部分的に基づく、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記所定の時間の長さは前記さらなる所定の時間の長さよりも長い、請求項９から１３のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記さらなる所定の時間は、所定の絶対値に到達するために前記抽出ユニットに前記負圧が印加されるのに要する時間よりも長いか又は等しい、請求項９から１４のいずれか一項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１７年１月２６日出願の欧州特許出願第１７１５３３３９．１号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００４】
[0004]  液浸リソグラフィ装置において、液体は液体閉じ込め構造によって液浸空間に閉じ込められる。液浸空間は、パターンがイメージングされる際に介する投影システムの最終光学要素と、パターンが転写される基板及び基板が保持される支持テーブルとの間にある。液体は、流体シールによって液浸スペースに閉じ込められ得る。液体閉じ込め構造は、例えば、液浸空間における液体の流れ及び／又は位置を制御する助けとなるために、ガス流を作成又は使用し得る。ガス流は、液浸空間に液体を閉じ込めるためのシールを形成するのを助け得る。
【０００５】
[0005]  基板に印加するパターン内の欠陥は、歩留まり、すなわち基板当たりの使用可能なデバイスの数を減少させるため、望ましくない。デバイスを作るためには多くのパターニングステップが必要であるため、たとえ非常に低い露光当たりの欠陥率であっても、歩留まりを大幅に低減させる可能性がある。一般に、液体閉じ込め構造が通る基板又は他のオブジェクトの縁部と、支持テーブルとの間に、ギャップが存在する。液浸液はギャップから漏れる可能性がある。ギャップ内に液浸液が存在することで、蒸発によって基板上に熱負荷を印加すること、さらにまた装置の一部が濡れるという危険を含む、難点を生じさせる可能性がある。したがってギャップ内の液浸液は、抽出システムを使用して、基板又は他のオブジェクトと支持テーブルとの間のギャップから除去されることが望ましい。抽出システムがこの液浸液を除去できる１つの方法は、ギャップを負圧源に接続することである。そのようにして、ギャップ内のいずれの液浸液も支持テーブルを介してギャップの外へ排出される、それによってギャップから除去される。
【０００６】
[0006]  ギャップから液浸液を除去するために負圧源を使用することに伴う難点は、これによって、ギャップ内にガスが流れ込む結果として液浸液の蒸発が加速することに起因して、基板又はオブジェクトにかかる大きな冷却負荷を誘発する可能性があることである。基板又はオブジェクトにかかる冷却負荷は、イメージングエラー、特にオーバーレイエラーにつながる可能性があるため、望ましくない。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  例えば、抽出システムによってオブジェクトと支持テーブルとの間のギャップから液浸液を除去する結果として、冷却負荷に起因して誘発されるイメージングエラーが減少するシステムを提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  一態様によれば、投影システムと、基板テーブル及び／又は支持テーブル上のオブジェクトの対向表面との間の液浸空間に、液体閉じ込め構造を使用して液体を閉じ込めること、液浸空間がオブジェクトへと移動する前にオブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために、抽出ユニットへの負圧の印加を開始すること、オブジェクト上の複数のターゲット位置が投影システムの下を通るように、一連の動作を含むルートに沿って支持テーブルを移動させること、ターゲット部分が投影システムの下を通る際に、液浸空間を介してパターン付きビームをオブジェクトのターゲット部分上に投影することであって、投影はオブジェクト内のある所定の温度プロファイルを反映するように実行される、投影すること、一連の動作の間、液浸空間が最後にオブジェクトから離れて移動した後、所定の時点で負圧の印加を停止し、それによって少なくとも部分的にオブジェクト内のある所定の温度プロファイルを誘発すること、を含む、デバイス製造方法が提供される。
【０００９】
[0009]  一態様によれば、少なくとも１つのターゲット部分を有するオブジェクトを支持するように構成された支持テーブルと、オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するための抽出ユニットと、パターン付きビームをオブジェクト上に投影するように構成された投影システムと、投影システムに関して支持テーブルを移動させるように構成されたポジショナと、投影システムとオブジェクト及び／又は支持テーブルの表面との間の液浸空間に、液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造と、オブジェクト上の複数のターゲット位置が投影システムの下を通るように、一連の動作からなるルートを追従するように支持テーブルを移動させるためにポジショナを制御するように構成されたコントローラと、を備える、液浸リソグラフィ装置であって、コントローラは、液浸空間がオブジェクトへと移動する前にオブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために、抽出ユニットへの負圧の印加を開始するように適合され、ターゲット部分が投影システムの下を通る際に、液浸空間を介してパターン付きビームをオブジェクトのターゲット部分上に投影するための投影システムを制御するように適合され、投影はオブジェクト内のある所定の温度プロファイルを反映するように実行され、一連の動作の間、液浸空間が最後にオブジェクトから離れて移動した後、所定の時点で負圧の印加を停止し、それによって少なくとも部分的にオブジェクト内のある所定の温度プロファイルを誘発するように適合される、液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[0010]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0011]リソグラフィ装置を概略的に示す図である。
【図２】[0012]リソグラフィ装置において使用するための液体閉じ込め構造を概略的に示す図である。
【図３】[0013]一実施形態に従った、さらなる液体供給システムを概略的に示す垂直断面図である。
【図４】[0014]別のさらなる液体閉じ込め構造の底面を概略的に示す平面図である。
【図５】[0015]基板テーブルの上面及び液体閉じ込め構造のフットプリントを概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0016]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、また、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成されたポジショナ１３０の制御下で第２の位置決めデバイスＰＷに接続された支持テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」又は「基板テーブル」を含む。さらに、この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１３】
[0017]  照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0018]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。
【００１５】
[0019]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１６】
[0020]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
【００１７】
[0021]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなすことができる。
【００１８】
[0022]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１９】
[0023]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上のステージ又はテーブルを有するタイプでよい。テーブルのうちの少なくとも１つは、基板を保持することができる基板サポートを有する。テーブルのうちの少なくとも１つは、基板を保持するように構成されていない測定テーブルであり得る。一実施形態では、２つ以上のテーブルはそれぞれ基板サポートを有する。リソグラフィ装置は、２つ以上のパターニングデバイステーブル又は「マスクサポート」を有することができる。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又はサポートを並行して使用するか、又は１つ以上の他のテーブル又はサポートを露光に使用している間に１つ以上のテーブル又はサポートで予備工程を実行することができる。
【００２０】
[0024]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば超純水（ＵＰＷ）などの水のような比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプである。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間など、リソグラフィ装置内の他の空間に供給することも可能である。液浸技法を用いて、投影システムの開口数を大きくすることができる。本明細書で使用する「液浸」という言葉は、基板Ｗなどの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、「液浸」とは、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体が存在することを意味するに過ぎない。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターン付き放射ビームの経路は完全に液体を通過する。
【００２１】
[0025]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされない。放射源がリソグラフィ装置から離れている構成では、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２２】
[0026]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、-outer及び-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００２３】
[0027]  放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡによってパターニングされた投影ビームＢは、パターン付きビームと呼ばれることがある。パターニングデバイスＭＡを横断した後、投影ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計装置、エンコーダ又は容量センサ）の助けにより、支持テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。
【００２４】
[0028]  一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、支持テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動は、第２の位置決めデバイスＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。
【００２５】
[0029]  パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（これらはスクライブラインアライメントマークとして既知である）。同様に、パターニングデバイス上に複数のダイが設けられている状況では、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２をダイ間に配置することができる。
【００２６】
[0030]  リソグラフィ装置は、説明する様々なアクチュエータ及びセンサのすべての動き及び測定を制御する、制御ユニット１２０をさらに含む。制御ユニット１２０は、リソグラフィ装置の動作に関連する望ましい計算を実施するための信号処理及びデータ処理の能力も含む。実際には、制御ユニット１２０は、それぞれが、リソグラフィ装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムのデータ獲得、処理、及び制御をハンドリングする、多くのサブユニットのシステムとして実現される。例えば、１つの処理サブシステムを、第２の位置決めデバイスＰＷのサーボ制御専用とすることができる。別々のユニットが、異なるアクチュエータ又は異なる軸をハンドリングすることができる。別のサブユニットを、位置センサＩＦの読出し専用とすることができる。リソグラフィ装置の全体制御は、中央処理ユニットによって制御し得る。中央処理ユニットは、サブユニット、オペレータ、及び、リソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と、通信し得る。
【００２７】
[0031]  投影システムＰＳの最終光学要素と基板との間に液体を提供するための配置は、３つの一般カテゴリに分類することができる。これらのカテゴリは、浴式配置、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット（all-wet）液浸システムである。本発明の一実施形態は、特に局所液浸システムに関する。
【００２８】
[0032]  局所液浸システムについて提案されている配置において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と、投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向表面との間の、液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。テーブルの対向表面がそのように呼ばれるのは、テーブルが使用中移動し、ほとんど静止していないためである。一般に、テーブルの対向表面は、基板Ｗ、支持テーブルＷＴ、例えば基板Ｗを取り囲む基板テーブル、又はその両方の表面である。こうした配置は図２に示されている。図２に示し下記で説明する配置は、上記で説明し図１に示したリソグラフィ装置に適用可能である。
【００２９】
[0033]  図２は、液体閉じ込め構造１２を概略的に示す。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素１００と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。一実施形態において、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ／支持テーブルＷＴの表面との間に、シールが形成される。シールは、ガスシール１６（こうしたガスシールを伴うシステムが、欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールであり得る。
【００３０】
[0034]  液体閉じ込め構造１２は、液浸流体、例えば液体を液浸空間１０に供給し、閉じ込めるように構成される。液浸流体は、液体開口のうちの１つ、例えば開口１３ａを介して液浸空間１０内に運ばれる。液浸流体は、液体開口のうちの１つ、例えば開口１３ｂを介して除去され得る。液浸流体は、少なくとも２つの液体開口、例えば開口１３ａ及開口１３ｂを介して、液浸空間１０内に運ばれ得る。液浸流体を供給するためにいずれの液体開口が使用されるか、及び任意選択で、液浸液を除去するためにいずれが使用されるかは、支持テーブルＷＴの動作の方向に依存し得る。
【００３１】
[0035]  液浸流体は、使用中、液体閉じ込め構造１２の底部とテーブルの対向表面（すなわち、基板Ｗの表面及び／又は支持テーブルＷＴの表面）との間に形成されるガスシール１６によって、液浸空間１０内に封じ込めることができる。ガスシール１６内のガスは、ガスインレット１５を介して、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は支持テーブルＷＴとの間のギャップに負圧で提供される。ガスは、ガスアウトレット１４に関連付けられたチャネルを介して抽出される。液浸流体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流が存在するように、ガスインレット１５上の過圧、ガスアウトレット１４上の真空レベル、及びギャップのジオメトリが配置される。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は支持テーブルＷＴとの間の液浸流体にかかるガスの力が、液浸流体を液浸空間１０内に封じ込める。メニスカス３２０が、液浸流体の境界を形成する。こうしたシステムが、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。他の液体閉じ込め構造１２が本発明の実施形態とともに使用可能である。
【００３２】
[0036]  図３は、一実施形態に従った、さらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す、垂直断面図である。図３に示し下記で説明する配置は、上記で説明し図１に示したリソグラフィ装置に適用可能である。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終光学要素と支持テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造１２が提供される。（下記の文において基板Ｗの表面についての言及は、特に明示的に示されていない限り、追加又は代替として、支持テーブルＷＴの表面も言い表している。）
【００３３】
[0037]  液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗ及び／又は支持テーブルＷＴとの間の液浸空間１０内に、液浸流体を少なくとも部分的に封じ込める。液浸空間１０は、投影システムＰＳの最終光学要素の下に位置決めされ、これを取り囲む、液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。一実施形態において、液体閉じ込め構造１２は、本体部材５３及び多孔質部材８３を備える。多孔質部材８３は板状であり、複数のホール８４（すなわち、開口又は細孔）を有する。一実施形態において、多孔質部材８３は、多数の小さなホール８４がメッシュ内に形成されたメッシュ板である。こうしたシステムが、米国特許出願公開第２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。
【００３４】
[0038]  本体部材５３は、液浸流体を液浸空間１０に供給することが可能な１つ以上の供給ポート７２と、液浸流体を液浸空間１０から回収することが可能な回収ポート７３とを備える。１つ以上の供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液浸流体を１つ以上の供給ポート７２に供給することが可能である。液体供給装置７５から送られる液浸流体は、対応する通路７４を介して１つ以上の供給ポート７２に供給される。１つ以上の供給ポート７２は、光路に対向する本体部材５３のそれぞれの規定された位置において、光路の近傍に配設される。回収ポート７３は、液浸空間１０から液浸流体を回収することが可能である。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は真空システムを備え、回収ポート７３を介して液浸流体を吸引することによって、液浸流体を回収することが可能である。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介して回収した液浸流体を、通路７９を介して回収する。多孔質部材８３は回収ポート７３内に配設される。
【００３５】
[0039]  一実施形態において、一方の側に投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間の液浸流体、及び他方の側に基板Ｗを伴う、液浸空間１０を形成するために、液浸流体が１つ以上の供給ポート７２から液浸空間１０へと供給され、多孔質部材８３のホール８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液浸流体を回収するように、液体閉じ込め構造１２内の回収チャンバ８１内の圧力は負の圧力に調節される。１つ以上の供給ポート７２を使用する液体供給動作及び多孔質部材８３を使用する液体回収動作を実行することによって、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造１２及び基板Ｗの間に液浸空間１０を形成する。
【００３６】
[0040]  図４は、気体抵抗の原理を使用するアウトレットを有し得、本発明の一実施形態が関し得る、液体閉じ込め構造１２を含む液浸システムのメニスカス制御特徴部を、概略的に示す平面図である。例えば、図２のインレット１５及びアウトレット１４によって提供されるガスシール１６によって示されるメニスカス制御特徴部と置き換えることが可能な、メニスカス制御特徴部の特徴が示されている。図４のメニスカス制御特徴部は、抽出器、例えば２相抽出器の形である。メニスカス制御特徴部は、液体閉じ込め構造１２内に形成される一連の開口、例えば複数の離散開口５０を備える。各開口５０は円形として示されているが、必ずしもこれに当てはまるとは限らない。実際のところ、形状は必須ではなく、開口５０のうちの１つ以上は円形、楕円形、直線的（例えば、正方形又は長方形）、三角形などから選択される１つ以上であってよく、１つ以上の開口は細長くてもよい。
【００３７】
[0041]  開口５０の内側に向かって放射状のメニスカス制御特徴部は存在し得ない。メニスカス３２０は、開口５０内へのガス流によって誘発されるドラッグ力によって、開口５０の間に固定される。約１５ｍ／ｓよりも大きい、望ましくは約２０ｍ／ｓのガスドラッグ速度で十分である。基板Ｗからの液浸流体の蒸発量は低減され得、それによって、液浸流体のスプラッシュ、並びに熱膨張／収縮効果の両方が低減される。
【００３８】
[0042]  流体ハンドリング構造の底部の様々なジオメトリが可能である。例えば、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号又は米国特許出願公開第２０１０−０３１３９７４号に開示されたいずれの構造も、本発明の一実施形態において使用可能である。本発明の一実施形態は、平面的に任意の形状を有するか、又は、アウトレットが任意の形状に配置されるようなコンポーネントを有する、液体閉じ込め構造１２に適用可能である。こうした形状の非限定的リストは、円形などの楕円形、例えば正方形などの矩形の直線的形状、又はひし形などの平行四辺形、あるいは、図４に示されるような、４つ又はそれ以上の頂点を持つ星形などの、４つ以上のコーナを伴う角形を含み得る。液浸空間１０のメニスカス３２０は、角形を有する。角形は、例えば、一般に丸いコーナを伴うダイヤモンド形状であり得る。辺はわずかに凹状であり得る。コーナはスキャン方向（Ｙ）及び非スキャン方向（Ｘ）を指すため、角形の主軸は実質的に直交し、それぞれがスキャン方向及び非スキャン方向に対して実質的に平行となる。支持テーブルＷＴの主な動きはスキャン方向及び非スキャン方向である。液浸空間１０と対向表面との間のインターフェースに対応するウェットエリアは、時には「フットプリント」と呼ばれる。説明したような実施形態において、動作中の液体閉じ込め構造１２は角形を有するフットプリントを有する。別の実施形態において、フットプリントはコーナを有さず、実質的に例えば楕円形又は円形であり得るが、フットプリントはいずれの形状でも可能である。
【００３９】
[0043]  既知のリソグラフィ装置は、ガスナイフを備える液体閉じ込め構造１２を備え得る。ガスナイフは、液浸流体を液浸空間１０に閉じ込める助けとなるように使用可能である。したがってガスナイフは、後に欠陥につながる可能性のある、液浸空間１０からの液浸流体の漏れを防止する際に有用であり得る。膜引張り（液体は、鋭い縁部（例えば、基板の縁部）の上を通ることに起因して印加される力、又は、親水性表面などの異なる固定特徴部を有する）を防止する際に、強力なガスナイフを提供することが有用であり、これは、強力なガスナイフが、液体閉じ込め構造１２の後にドラッグされる液浸流体の量を減少させるか又は防止することになり、液体閉じ込め構造１２の後に残される液浸流体の量を減少させるためにより速く膜を壊すことができるためである。しかしながら、ガスナイフが強力であるとき、ガスナイフが基板Ｗの表面上の液浸流体の液滴と衝突する際に、強力なガスナイフによって液浸流体の液滴はガスナイフの内側に通過できなくなるため、ガスナイフの進み側の欠陥を悪化させる可能性がある。これは、液浸流体の液滴が、液体閉じ込め構造１２の進み側によって前方に押され、セッチングにつながる可能性があることを意味する。膜の引張り及びセッチングはどちらも欠陥を生じさせ、この欠陥がエラーの増加及び場合によっては歩留まりの減少を生じさせる可能性があるため、これらのどちらの問題にも同時に対処することが有益である。
【００４０】
[0044]  本発明において、液体閉じ込め構造１２を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。液体閉じ込め構造１２は、例えば図４に関して、前述の通りであり得る。液体閉じ込め構造１２は、ある領域に液浸流体を閉じ込めるように構成され、ガスナイフシステムを備える。ガスナイフシステムは、使用中、ガスナイフを生成するように構成可能である。ガスナイフは、空間１０（その他の場合、領域と呼ばれる）の外側に向かって放射状であり得、液浸流体を閉じ込めることに寄与し得る。ガスナイフシステムは、液体閉じ込め構造１２内に形成される一連の開口を備え、例えばガスナイフシステムは、各々が出口６０を有する通路を備える。ガスナイフは、使用中、出口６０から出るガスによって形成され得る。出口６０は、平面図における形状の少なくとも１辺を形成し得る。出口６０は、平面図における形状の少なくとも１つ、複数、又はすべての辺を形成し得る。例えば出口６０は、図４に示されるような４つの頂点を持つ星形の辺を形成し得る。この形状は複数の辺を有し得、例えば任意の適切な数の辺、例えば３、４、５、６、７、８、９、１０、又はそれ以上の辺が提供され得る。前述のように、出口６０は任意の形状の辺を形成し得、これは特に限定されない。図４は、４つの頂点を持つ星形のうちの２つの頂点が一列に並ぶようなスキャン方向１１０を示すが、これが当てはまるとは限らない。ガスナイフによって形成される形状は、任意の選択された配向におけるスキャン方向１１０と位置合わせされ得る。
【００４１】
[0045]  リソグラフィ装置において、支持テーブルＷＴは通常は移動するが、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造１２は静止していることに留意されたい。しかしながら、あたかも支持テーブルＷＴが静止しており、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造１２が移動するように、支持テーブルＷＴの動作を説明することが、しばしば都合がよい。本発明の一実施形態は、支持テーブルＷＴ及び／又は投影システムＰＳ／液体閉じ込め構造１２が移動しているかどうかに関わらず、適用される。
【００４２】
[0046]  一連のターゲット部分を露光するために、一連の動作からなるルートが典型的には予め計算される。ルートは、基板Ｗの表面を横切る連続的な列内の逐次フィールドに沿った、支持テーブルＷＴの表面全体の蛇行動作に基づき得る。これには、露光されるべき各ターゲット部分についての支持テーブルＷＴのスキャン動作と、次のスキャン動作のために支持テーブルＷＴを整列させるためのスキャン動作間の転写動作とが含まれる。露光の間、支持テーブルＷＴはスキャン方向、例えば＋Ｙ方向に移動し、これは実質的に非スキャン方向、又は逆スキャン方向、例えば−Ｙ方向に対して垂直である。一連の露光は、スキャン方向と逆スキャン方向との間で繰り返される。したがって、露光動作及び転写動作が共にルートを形成する。ルートは、一連の露光の前、露光の間、又は露光の後に測定を実行するための動作、及び、支持テーブルＷＴのスワップのための動作も含み得る。ルートの間、基板Ｗは、部分的又は完全に、液体閉じ込め構造１２の下から外れて移動し得る。これは特に、縁部ターゲット部分、すなわち、基板Ｗの縁部に隣接するか又は基板Ｗの縁部の上に重なるフィールドの、縁部ターゲット部分を露光するときに生じる。
【００４３】
[0047]  下記の説明は、基板Ｗの縁部の上を移動する液浸空間１０を参照しながら行われる。しかしながら本発明は、液浸空間１０が支持テーブルＷＴ上の他のオブジェクトの上を、例えばセンサ縁部などのセンサの上を通る場合にも、等しく適用可能である。
【００４４】
[0048]  本発明は、図４の液体閉じ込め構造１２を参照しながら説明される。しかしながら、図２及び図３の液体閉じ込め構造１２を含む他の液体閉じ込め構造１２も、本発明から利益を得ることが可能であることを理解されよう。本発明は、液浸流体がどのようにフットプリントに閉じ込められるかに関わらず、任意のタイプの液体閉じ込め構造１２に適用可能である。例えば本発明は、液浸流体を閉じ込めるのを助けるために液体閉じ込め構造１２から出るガス流のない液体閉じ込め構造１２に適用可能であり、さらに、液体及び／又はガスの抽出（例えば、多孔質部材を介した抽出）のための開口の２次元アレイを伴う液体閉じ込め構造１２にも適用可能である。
【００４５】
[0049]  リソグラフィ装置の所有コストを低減するか又は最小にするために、スループット及び歩留まりを最大にすることが望ましい。スループットは、基板が露光される速さである。歩留まりは、正しく機能する液浸リソグラフィツールにおいて、露光によって基板上に形成されるデバイスの割合である。デバイスを作成するためには多くの露光ステップが必要であり得るため、たとえ露光当たりの欠陥率が低い場合であっても、結果として歩留まりの著しい低下を生じさせる可能性がある。
【００４６】
[0050]  露光欠陥の１つの原因は、望ましい設定点温度からの基板Ｗの温度の偏差である。温度の偏差は、基板Ｗにおける温度傾度の形、又は、望ましい設定点温度からの全体偏差の形であり得る。
【００４７】
[0051]  基板Ｗの温度における偏差は、基板Ｗの縁部における熱負荷の存在に起因して起こり得る。基板Ｗの縁部における熱負荷の１つの原因は、基板Ｗの縁部における液浸液の存在である。熱負荷は、基板Ｗの縁部と、基板Ｗが位置決めされる支持テーブルＷＴの上面の縁部との間のギャップ４００を介して、基板Ｗの縁部を通るガス流が存在するかどうかに応じて異なる。ギャップ４００内のガス流は、液体閉じ込め構造１２がギャップ４００の上を通る結果としてギャップ４００内に進入する液浸液を除去するように設計された抽出システムによって印加される、ギャップ４００内の負圧の存在に起因する。熱負荷は、例えばギャップ４００内の液体の蒸発に起因する、冷却熱負荷である。ギャップ内にガス流が存在する冷却熱負荷は、液体がギャップ内に残される場合に経験するよりも大きい。しかしながら、ギャップ内に液体が残ることは他の理由（例えば、装置の一部が濡れること）にとって望ましくない。
【００４８】
[0052]  ギャップ４００からの液浸液の抽出に起因する、基板Ｗの縁部における冷却熱負荷を減少させるための試行が行われてきた（例えば、できる限り迅速に負圧をスイッチオフにすることによって抽出プロセスができる限り短時間で実行される、米国特許出願公開第２００８−０３０４０２５号又は米国特許出願公開第２０１３−００４５４４７号を参照のこと）。日本特許出願公開第２０１１−２２２６５２号は、同様の概念を開示し、基板Ｗを取り囲むギャップ４００を離散部分に分割し、その部分に液体が存在するときのみ、離散部分からの抽出を活動化する。しかしながら本発明者等は、こうした技法を向上させることが可能であることを発見した。特に、従来技術の技法は、こうした方法を使用して基板Ｗの縁部付近で誘発される熱負荷を予測することが不可能であるという事実から、損害を被ることがわかってきた。熱負荷は、特に多くの基板のイメージングを開始する時点で、基板によって異なることがわかってきた。
【００４９】
[0053]  本発明者等は、抽出システムによってギャップ４００に印加される負圧をスイッチオフ（及びオン）する方法を考案した。前述の従来技術とは異なり、本発明は、ギャップ４００からの液浸液の抽出の熱的影響を最小にすることを目標としていない。その代わりにプロセスは、ガス流が存在しない期間及びガス流が存在する期間から、基板Ｗに対する熱負荷の寄与をより予測可能にする（例えば、基板間で一貫する）ように変化している。結果として、基板Ｗの望ましい設定点温度からのいずれの偏差も予測可能である。望ましい設定点温度からの偏差がわかっている場合、温度偏差によって誘発されるいずれのイメージングエラーも予測可能である。この予測に基づいて、望ましい設定点温度からの温度偏差を補償するために、パターン付きビームを基板Ｗに投影する間（すなわち、イメージングの間）に使用されるパラメータを変更することが可能である。すなわち、一実施形態において、本発明は、温度フィンガープリントに寄与する両方の組み合わせ（流れがオン及び流れがオフの状態での蒸発）を、より予測可能にし、多くの基板Ｗのすべてにわたって適用可能な補償手段を実行可能にするものである。
【００５０】
[0054]  したがって、本発明において、ある所定の温度プロファイルは、抽出システムによってギャップ４００に印加される負圧のスイッチオフ（及び／又はオン）のタイミングによって、基板Ｗ内で故意に誘発される。これは、一連の動作の間に液浸空間１０が最後に基板Ｗから離れて移動した後の所定の時点で、負圧の印加を停止することによって、及び／又は、液浸空間１０が基板Ｗ上に移動する前のさらなる所定の時点で、基板Ｗの縁部に近接した位置から流体を除去するために、抽出ユニットへの負圧の印加を開始することによって、達成される。
【００５１】
[0055]  したがって、従来技術におけるように、一連の動作の間に液浸空間１０が最後に基板Ｗから離れて移動した後、できる限り迅速に負圧の印加を停止するのではなく、負圧は所定の時間の間オンで維持される。それによって、負圧がオフのとき基板Ｗに印加される熱負荷、及び、負圧がオンのとき基板Ｗに印加される熱負荷が、基板Ｗごとにより同様になるため、各基板Ｗにかかる熱負荷はより均一になる。したがって、各基板Ｗのロード、イメージング、及びアンロード間で、多くの基板Ｗの各基板Ｗの温度プロファイルはより均一になる。結果として、多くの基板Ｗ各々のイメージングは、あらゆる基板Ｗの温度プロファイルを考慮しているように行うことができる。できる限り迅速に抽出を停止する従来技術のシステムは、予測可能又は一貫した温度プロファイルを基板Ｗ内に誘発させるものではない。これは少なくとも部分的に、投影システムＰＳの下で支持テーブルＷＴが辿るルートが基板Ｗによって変動することに起因するものと考えられる。従来技術において、負圧の抽出ユニットの活動化のタイミングにおける変動に起因して、多数の基板Ｗにおいて、基板Ｗの縁部における熱負荷は基板ごとに異なる。熱負荷における変動は、次の基板Ｗの温度プロファイルに影響を与える。発明者等は、すべての基板において（より大きいが）一貫した温度プロファイルを有すること、及び、基板Ｗ内で生じることが予測されるある所定の温度プロファイルを反映するようにパターン付きビームを投影することが有利であると、決定した。これは、基板ごとの温度プロファイルは異なるが、基板Ｗの望ましい設定点温度からの最小温度偏差を目指すこととは対照的である。結果として、本発明を使用することで、従来技術と比べてより高い全体歩留まりが達成可能である。
【００５２】
[0056]  上記の記述は、支持テーブルＷＴ上の基板Ｗを参照しながら本発明を説明している。しかしながら、負圧を使用して、オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために抽出ユニットが存在する支持テーブルＷＴ上のいずれのオブジェクトにも、同じ原理が適用可能である。ギャップ４００は、オブジェクト全体の周辺の単一の連続的なギャップとして扱うことができるか、又は、負圧が個々に制御可能ないくつかのギャップに離散化することができる。
【００５３】
[0057]  次に、本発明の実装形態を詳細に説明する。一実施形態において、制御ユニット１２０は、支持テーブルＷＴのポジショナ１３０を制御し、それによって一連の動作を含むルートに沿って投影システムＰＳの下で支持テーブルＷＴを移動させる。制御ユニット１２０は、抽出ユニットコントローラ１４０も制御する。
【００５４】
[0058]  望ましいルートの詳細は制御ユニット１２０に送信される。望ましいルートの詳細は、動作の開始時点における基板Ｗに対する液浸空間１０のロケーション、動作の終了時点における基板Ｗに対する液浸空間１０のロケーション、及び、動作の開始時点におけるロケーションと動作の終了時点におけるロケーションとの間の動きの速さ及び方向に関する、情報を含む。
【００５５】
[0059]  一実施形態において、これらの詳細は、液浸空間１０が基板Ｗの上を移動する前に制御ユニット１２０が入手可能である。したがって、制御ユニット１２０について、一連の動作の間、液浸空間１０が最後に基板Ｗを離れて移動する前に、一連の動作の間、液浸空間１０が最後に基板Ｗを離れて移動する予測される完了時間を、ルートから予測することが可能である。抽出システムによってその後負圧がそれ以上印加されることのない所定の時間を、予測される完了時間に追加することによって、負圧の印加を停止するための停止時間を計算することができる。停止時間において負圧の印加を停止するためのコマンドを生成し、抽出ユニットコントローラ１４０に送信することができる。
【００５６】
[0060]  液浸空間１０が基板Ｗから離れて移動するより前に停止時間を計算することによって、負圧の印加が所定の時間に停止されること、及び、負圧の印加を停止するために制御ユニット１２０によって関連する計算が行われる前に、所定の時間が経過するリスクがないことを、保証することが可能である。
【００５７】
[0061]  抽出ユニットによって負圧がもはや印加されなくなった後、液浸液がギャップ４００内に残される可能性がある。ギャップ４００内に取り残された液浸液は、支持テーブルＷＴによって温度調整され、ギャップ４００はいずれの場合でも相対的に狭いため、ガス流が存在する場合に比べて、発生する液浸液の蒸発（及び、それによる冷却負荷の発生）は少ない。しかしながら、結果として生じるいずれの熱負荷も、無視できるほどではない。
【００５８】
[0062]  所定の時間は、基板Ｗ間で一貫している限り、任意の時間長さであり得る。所定の時間に基づいて、基板Ｗ内の温度パターンは実験的に測定すること及び／又は予測することが可能であり、パターン付きビームを基板Ｗのターゲット部分上に投影することは、基板Ｗ内の所定の温度プロファイルを考慮して実行することが可能である。
【００５９】
[0063]  一実施形態において、一連の動作の間、液浸空間１０が最初に基板Ｗ上に移動する前に、負圧の印加はさらなる所定の時間に開始される。さらなる所定の時間は、所定の絶対値（例えば、通常動作の負圧レベル又は絶対値）に到達するために抽出ユニットによって負圧が印加されるのに要する時間よりも長いか又は等しい、時間の長さである。すなわち、抽出ユニットは、ギャップ４００において安定した所望のレベルの負圧を発生させるためにある時間量を要し得、さらなる所定の時間は、好ましくはその安定した絶対値に達するための最小時間よりも大きい。
【００６０】
[0064]  負圧が開始される時間は開始時間とみなされ、これは、一連の動作の間、液浸空間１０が最初にオブジェクト上へと移動する予測される開始時間に基づいて、制御ユニット１２０によって計算可能である。この情報は、ルートの詳細から入手可能であるか又は計算可能である。予測される開始時間からさらなる所定の時間を減じることによって、開始時間を生成し、抽出ユニットコントローラ１４０に送信することができる。
【００６１】
[0065]  一実施形態において、所定の時間の長さはさらなる所定の時間よりも長い。この結果、基板間の温度プロファイルにおける相違が最も小さくなることがわかっている。
【００６２】
[0066]  一実施形態において、コントローラ１２０は、抽出ユニットの寸法及び液体閉じ込め構造１２の寸法（及び、したがって液浸空間１０の寸法）がわかっており、停止時間及び／又は開始時間を計算する際にこれを用いる。これにより、液浸空間１０の縁部が基板Ｗ上に／基板Ｗを離れて移動するとき、計算の精度が確実に向上する。
【００６３】
[0067]  コントローラ１２０は、液浸空間１０が延長期間の間、基板Ｗ及び／又は支持テーブルＷＴ上の１つの位置に残っている結果として、基板Ｗ及び／又は基板Ｗ上のレジストへの損傷、並びにオーバーレイ問題を生じさせる可能性のある熱的悪影響を回避するためにも使用可能である。これは、液体閉じ込め構造１２がパーク位置６００の上でホバリングするように、支持テーブルＷＴを移動させることによって達成される。パーク位置６００は、例えばセンサの上であってよい。一実施形態において、コントローラ１２０は、装置内のプロセスの段階及び／又は装置の現在の使用などの他の考慮事項とは関係なく、ルートからの情報に基づいて、支持テーブルＷＴをパーク位置６００へと移動させるようにステージポジショナ１３０を制御する。これは、自律的プロセスとみなすことができる。自律的プロセスは、支持テーブルＷＴが静止している（例えば、測定位置における測定を完了させるために異なるオブジェクトテーブルを待っている）間に、十分長い時間期間が存在するとき、又は、液体閉じ込め構造１２が基板Ｗ又はギャップ４００の上でホバリングしており、支持テーブルＷＴは移動していないときのいずれかに、パーク移動を実行する。
【００６４】
[0068]  以上、基板を露光する間の動作である一連の動作を含むルートに沿って、支持テーブルを移動させる前及び後に、抽出ユニットへの負圧の印加を開始及び停止する方法に関して、本発明を説明してきた。しかしながら本発明は、任意の他の理由で、投影システムの下のオブジェクトを移動させる前及び後に、抽出ユニットへの負圧の印加を開始及び停止するためにも、等しく適用可能である。こうした動きは、オブジェクト上の複数のターゲット部分が投影システムの下を通るようなルートに沿うものである得るか、又はそうしたルートに沿わないものであり得る。例えば、支持テーブル全体の動きは、液浸空間がセンサの上にある１つのロケーションからであり得、その後、支持テーブルは、例えば１つの支持テーブルを投影システムの下の別の支持テーブルとスワップする間に、液浸空間が異なるロケーションの上にあるように移動される。こうした動作の間、液浸空間はオブジェクトの上（及び、したがってギャップ４００の上）を通り得る。その場合、前述と同じ方法、すなわち、液浸空間がオブジェクト上へと移動する前に、オブジェクトの縁部に近接した位置から流体を除去するために、抽出ユニットへの負圧の印加を開始すること、及び、動作の間、液浸空間が最後にオブジェクトを離れて移動した後、所定の時間に負圧の印加を停止することが、使用可能である。所定の時間は、異なるタイプの動作について異なり得るか、又は同じであり得る。液浸空間がオブジェクト上へと移動する前のさらなる所定の時間は、基板が露光されている実施形態とも異なり得るか、又は同じであり得る。
【００６５】
[0069]  前述の欠陥性の原因はすべて、ガス流の状況及びギャップ４００内に液体が存在するか否かを正確に知らなければ診断することが困難である。例えば、ギャップ４００全体の周辺に分散された３つの抽出ポイントが存在し得る。それらの抽出ポイントの各々を介する流体の圧力及び流速を測定することが可能である。しかしながらこれでは、ギャップ内に液体が存在するか否か、又はギャップ４００全体の周辺の流量に関して、正確な情報は得られない。
【００６６】
[0070]  本発明者等は、ギャップ４００内で何が起こっているかのより良い発想を得るために、液浸空間が最後にオブジェクトから離れて移動した後、所定の時間にギャップ４００への負圧の印加を停止する前述の方法を回避することを目的とする効果を確実に使用する方法を発明した。この方法は、リソグラフィ装置を開くことなくインラインで実行可能であるため有利であり、これは、この方法が高速、低コストであり、システムに付加的な汚染物を導入するリスクがないことを意味する。
【００６７】
[0071]  この方法において、基板上の第１の層が、ギャップ４００からの抽出がスイッチオフされる間にリソグラフィ装置内で露光される。加えて、支持テーブルＷＴの加熱は実施されない。その後、第１の層は現像される。その後、同じ基板上の第２の層がリソグラフィ装置内で露光される。第２の層がリソグラフィ装置内で露光されるとき、ギャップ４００からの抽出はターンオンされる。第２の層の露光の間、支持テーブルＷＴの加熱もターンオフされる。
【００６８】
[0072]  第２の層と比較した第１の層の露光の間の冷却負荷における相違は、それ自体が第１と第２の層の間のオーバーレイエラーとなる。したがって、第２の層を現像した後、第１の層と第２の層との間のオーバーレイエラーの測定は、ギャップ４００からの抽出をスイッチオンする効果に関する情報を提供する。このようにして、特に基板Ｗの縁部周辺のオーバーレイエラーを決定することによって、ギャップ４００の周辺のガス流における流れ又は変動から画像を構成することができる。ギャップ４００を介したガス流をターンオンする効果をその他の方法で部分的に補償することになるため、基板サポートＷＴヒータはターンオフされる。したがって、オーバーレイエラーは最大化され、すなわち測定の感度が上昇する。
【００６９】
[0073]  この方法を使用して、ギャップ４００を介する特定のガス流を使用することによって誘発される、特徴的な温度プロファイルを決定し、それによってギャップ４００を介する実際のガス流のモデルを確立することができる。これに基づいて、ギャップ４００に接続された抽出ユニットの動作のための受け入れ可能なパラメータのレンジを決定することができる。すなわち、ガス流の受け入れ可能な欠陥性（泡及びスプラッシュ）の下限が決定可能であり、（誘発される温度プロファイルに起因した）受け入れ可能なオーバーレイエラーの上限が決定可能である。
【００７０】
[0074]  一実施形態において、ルートを計算又は実行するための命令は、上記で開示されるような方法を記述する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、こうしたコンピュータプログラムが内部に記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形を取り得る。コンピュータプログラムは、既存のリソグラフィ装置に対するアップグレードとして適用可能である。
【００７１】
[0075]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００７２】
[0076]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００７３】
[0077]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
【００７４】
[0078]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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