(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対にある第１の面および第２の面を含む放熱絶縁基板と、
該放熱絶縁基板の該第１の面に結合された複数のパワー・デバイスと、
該放熱絶縁基板の該第２の面に配置された放熱ベースプレートであり、該放熱ベースプレートの一面および該放熱絶縁基板の該第２の面のうちの少なくとも一方が、少なくとも１つのプラトーを有し、該少なくとも１つのプラトーが、該複数のパワー・デバイスの投影面積内にのみ配置されている、放熱ベースプレートと、
該放熱絶縁基板の該第２の面と該放熱ベースプレートの該面との間に配置された熱界面層と
を備える、パワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項２】
前記放熱ベースプレートの前記面または前記放熱絶縁基板の前記第２の面に占める前記少なくとも１つのプラトーの面積率が、１０％から３５％の間である、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項３】
前記少なくとも１つのプラトーが、前記放熱ベースプレートまたは前記放熱絶縁基板と一体形成され、または熱接触する、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項４】
前記少なくとも１つのプラトーの各々の断面形状が、台形形状、三角形形状、円形形状または矩形形状である、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項５】
前記複数のパワー・デバイスのうちの少なくとも１つが、フリップチップ・ボンディング方法で前記第１の面に結合される、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項６】
前記複数のパワー・デバイスが前記放熱絶縁基板に接合されている側とは反対側に配置され、前記複数のパワー・デバイスと前記放熱絶縁基板の前記第１の面とを電気的に接続している、導通クリップをさらに含む、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項７】
前記導通クリップの材料が、アルミニウム、銅またはグラファイトを含む、請求項６に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項８】
前記放熱絶縁基板が、直接接合銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）またはプリント回路基板（ＰＣＢ）を含む、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項９】
前記熱界面層が、熱グリース、焼結銀（Ａｇ）または共晶はんだを含む、請求項１に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項１０】
互いに反対にある第１の面および第２の面を含む放熱絶縁基板と、
該放熱絶縁基板の該第１の面に結合された複数のパワー・デバイスと、
該放熱絶縁基板の該第２の面に配置された放熱ベースプレートと、
該放熱絶縁基板の該第２の面と該放熱ベースプレートとのそれぞれに接触し、放熱絶縁基板の該第２の面と該放熱ベースプレートとの間に配置された熱界面層であり、該複数のパワー・デバイスの投影面積内における該熱界面層の最小厚さが、該複数のパワー・デバイスの該投影面積外のその厚さよりも小さい、熱界面層とを備え、
前記熱界面層に接触している前記放熱ベースプレートおよび前記放熱絶縁基板のうちの少なくとも一方の一面が、少なくとも１つのプラトーを有し、該少なくとも１つのプラトーが、前記複数のパワー・デバイスの前記投影面積内にのみ配置されている、パワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのプラトーが、前記放熱ベースプレートまたは前記放熱絶縁基板と一体形成され、または熱接触する、請求項１０に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【請求項１２】
前記熱界面層が、熱グリース、焼結Ａｇまたは共晶はんだを含む、請求項１０に記載のパワー・デバイスのパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造に関し、より詳細には、パワー・デバイスのパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、パワー・モジュールは、パワー・デバイスが内部にパッケージされる様々な製品における電気エネルギー変換のための主要なコア装置である。パワー・モジュールの放熱基板が、直接接合銅（ＤＢＣ）セラミック基板等のチップ回路基板に接続されている場合、ＤＢＣ基板と放熱基板には、熱膨張係数の不一致に起因して、加熱期間中に異なる熱変形が起こり、その結果、ＤＢＣ基板の縁における熱応力がより高くなる。
【０００３】
現在、ＤＢＣ基板に関する熱応力を低減させるために、放熱基板とＤＢＣ基板との間に、熱応力の低減のためにより大きな厚さの熱界面層が使用されている。それでもやはり、熱界面層の厚さの増加とともに、パッケージ構造の熱抵抗も増加してしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、従来のパワー・モジュールにおける高い熱応力の問題を解決し、パッケージ構造の熱抵抗を低減させることができる、パワー・デバイスのパッケージ構造を提供する。
【０００５】
本発明は、放熱絶縁基板の応力を増加させずに、パワー・モジュールの熱抵抗を低減させることができる、パワー・デバイスの別のパッケージ構造をさらに提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパワー・デバイスのパッケージ構造は、放熱絶縁基板と、複数のパワー・デバイスと、放熱ベースプレートと、熱界面層とを含む。放熱絶縁基板は、互いに反対にある第１の面と第２の面とを有し、パワー・デバイスは、放熱絶縁基板の第１の面に結合されている。放熱ベースプレートは、放熱絶縁基板の第２の面に配置されている。放熱ベースプレートの一面および放熱絶縁基板の第２の面のうちの少なくとも一方は、少なくとも１つのプラトー（ｐｌａｔｅａｕ）を有し、少なくとも１つのプラトーは、少なくとも、複数のパワー・デバイスの投影面積内に配置されている。熱界面層は、放熱絶縁基板の第２の面と、放熱ベースプレートのその面との間に配置されている。
【０００７】
本発明の一実施形態では、放熱ベースプレートの面に占める少なくとも１つのプラトーの面積率は、１０％から３５％の間である。
【０００８】
本発明の一実施形態では、複数のパワー・デバイスのうちの少なくとも１つは、フリップチップ・ボンディング方法で第１の面に結合される。
【０００９】
本発明の一実施形態では、パワー・デバイスのパッケージ構造は、パワー・デバイスが放熱絶縁基板に接合されている側とは反対側に配置され、パワー・デバイスと放熱絶縁基板の第１の面とを電気的に接続している、導通クリップをさらに含む。
【００１０】
本発明の一実施形態では、導通クリップの材料は、たとえばアルミニウム、銅またはグラファイトを含む。
【００１１】
本発明の一実施形態では、少なくとも１つのプラトーの各々の断面形状は、台形形状、三角形形状、円形形状または矩形形状である。
【００１２】
本発明の一実施形態では、放熱絶縁基板は、直接接合銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）またはプリント回路基板（ＰＣＢ）を含む。
【００１３】
本発明のパワー・デバイスの別のパッケージ構造は、放熱絶縁基板と、複数のパワー・デバイスと、放熱ベースプレートと、熱界面層とを含む。放熱絶縁基板は、互いに反対にある第１の面と第２の面とを有し、パワー・デバイスは、放熱絶縁基板の第１の面に結合されている。放熱ベースプレートは、放熱絶縁基板の第２の面に配置されている。熱界面層は、放熱絶縁基板の第２の面と放熱ベースプレートとのそれぞれに接触している。熱界面層は、第２の面と放熱ベースプレートとの間に位置している。パワー・デバイスの投影面積内における熱界面層の最小厚さは、パワー・デバイスの投影面積外のその厚さよりも小さい。
【００１４】
本発明の別の実施形態において、熱界面層に接触している放熱ベースプレートおよび放熱絶縁基板のうちの少なくとも一方の一面は、少なくとも１つのプラトーを有し、少なくとも１つのプラトーは、少なくとも、複数のパワー・デバイスの投影面積内に配置されている。
【００１５】
本発明の各実施形態において、少なくとも１つのプラトーが占める面積は、複数のパワー・デバイスの投影面積よりも大きく、または複数のパワー・デバイスの投影面積と実質的に等しい。
【００１６】
本発明の各実施形態において、少なくとも１つのプラトーは、放熱ベースプレートまたは放熱絶縁基板と一体形成され、または熱接触する。
【００１７】
本発明の各実施形態において、熱界面層は、熱グリース、焼結銀（Ａｇ）または共晶はんだを含む。
【００１８】
（発明の効果）
上記に基づいて、放熱絶縁基板と放熱板との間に配置されたプラトーを含む本発明のパワー・デバイスのパッケージ構造において、放熱絶縁基板の熱応力が増加することなく、パワー・デバイスのパッケージ構造全体の熱抵抗が低減され得る。
【００１９】
本発明の上記の特徴および利点をより理解しやすくするために、図面を伴う実施形態について以下に詳細に述べる。
【００２０】
添付の図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれ、その一部をなしている。図面は、本発明の実施形態を示しており、詳細な説明とあわせて本発明の原理を説明する役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態によるパワー・デバイスのパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００２２】
【図１Ｂ】第１の実施形態によるパワー・デバイスの別のパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００２３】
【図１Ｃ】第１の実施形態によるパワー・デバイスのまた別のパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００２４】
【図１Ｄ】第１の実施形態によるパワー・デバイスのさらに別のパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００２５】
【図２】本発明の第２の実施形態によるパワー・デバイスのパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００２６】
【図３Ａ】実験例１の放熱ベースプレートを示す概略斜視図である。
【００２７】
【図３Ｂ】比較例の放熱ベースプレートを示す概略斜視図である。
【００２８】
【図４Ａ】実験例１のパワー・デバイスのパッケージ構造の概略熱分布図である。
【００２９】
【図４Ｂ】比較例のパワー・デバイスのパッケージ構造の概略熱分布図である。
【００３０】
【図５】実験例２のパワー・デバイスのパッケージ構造についての、チップ温度および応力に対するプラトーが占める面積の関係図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下の開示において、本発明の様々な特徴の実施のために、いくつかの異なる実施形態または例が提供される。当然、これらの実施形態は、単なる例としての役割に過ぎず、本発明の範囲または適用に対する限定と解釈すべきでない。さらに、明確にするため、各構成要素、層または領域の相対的な厚さおよび位置は、縮小または拡大してあることがある。さらに、各図面において、類似のまたは同じ要素または特徴には、類似のまたは同じ要素符号が付されており、ある図面にある要素符号がそれよりも前の図面におけるものと同じ場合、それに関する説明は省略する。
【００３２】
図１Ａは、本発明の第１の実施形態によるパワー・デバイスのパッケージ構造を示す概略断面図である。
【００３３】
図１Ａを参照すると、本実施形態のパワー・デバイスのパッケージ構造１００は、放熱絶縁基板１０２と、複数のパワー・デバイス１０４と、放熱ベースプレート１０６と、熱界面層１０８とを含む。パワー・デバイス１０４は、放熱絶縁基板１０２の第１の面１０２ａに結合される。一実施形態では、パワー・デバイス１０４のうちの少なくとも１つは、フリップチップ・ボンディング方法により第１の面１０２ａに結合される。放熱絶縁基板１０２は、たとえば、直接接合銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）、またはプリント回路基板（ＰＣＢ）を含む。放熱ベースプレート１０６は、放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂに配置され、放熱ベースプレート１０６の面１０６ａは、複数のプラトー１１０を有し、プラトー１１０は、少なくとも、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ内に配置される。本実施形態では、プラトー１１０は、放熱ベースプレート１０６と一体形成され、または熱接触しており、各プラトー１１０の断面形状は、台形形状である。とは言え、本発明は、この点に関して限定されない。上述のプラトー１１０の位置、数、分布範囲および断面形状は、必要に応じて変えることができる。たとえば、プラトー１１０は、第２の面１０２ｂに配置することもでき、プラトー１１０の数は、１つまたは２つ以上とすることができ、プラトー１１０が占める面積は、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡよりも大きいまたは実質的に等しくてよく、プラトー１１０および放熱ベースプレート１０６は、互いに間隔を置いて配置することができ、各プラトー１１０の断面形状は、三角形形状、円形形状または矩形形状等とすることができる。熱界面層１０８に関しては、熱界面層１０８は、放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂと放熱ベースプレート１０６の面１０６ａとの間に配置され、熱グリース、焼結銀（Ａｇ）または共晶はんだ等のはんだを含むことができる。
【００３４】
引き続き図１Ａを参照すると、放熱絶縁基板１０２は、たとえば、パターン回路１１２を有し、パターン回路１１２は、絶縁材料板１１４上に形成される。放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂは、下側回路層１１６全体を有することができる。たとえば、各パワー・デバイス１０４のパッド（図示せず）上にはんだ接合部１１８を形成し、フリップチップ技術を用いてそのはんだ接合部１１８を放熱絶縁基板１０２のパターン回路１１２に適当に接合することによって、パワー・デバイス１０４は放熱絶縁基板１０２に接合される。
【００３５】
プラトー１１０があることで、放熱ベースプレート１０６への、パワー・デバイス１０４によって発せられる熱の伝達経路は短縮され、小発熱抵抗体が大発熱抵抗体に並列に接続されるような態様になっており、それによって構造全体の熱抵抗が低減する。図１Ａの下向き矢印によって示されるように、パワー・デバイス１０４が発する熱の大部分は、プラトー１１０から放熱ベースプレート１０６に伝わり、それによって、同時に、構造の熱抵抗が低減する。その一方、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ外の（放熱絶縁基板１０２の縁に近い）熱界面層１０８の厚さは、パワー・デバイスのパッケージ構造１００（すなわち放熱絶縁基板１０２の縁）の熱応力を低減させるのに十分な厚さがある。
【００３６】
図１Ｂは、第１の実施形態によるパワー・デバイスの別のパッケージ構造を示す概略断面図であり、図１Ａに関連する要素符号および内容部分は、ここで参照され、同じまたは類似の要素は、類似のまたは同じ要素符号によって示されており、同じ技術的内容に関する説明は省略する。省略されている部分についての詳細な説明は上記を参照することができ、したがって本明細書の以下には繰り返しの説明は含まれていない。
【００３７】
図１Ｂにおいて、プラトー１２０は、第２の面１０２ｂに配置され放熱ベースプレート１０６の方に向けて突き出ており、したがって放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂと放熱ベースプレート１０６の面１０６ａとの間の熱界面層１０８の、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ内における最小厚さは、投影面積ＰＡ外のその任意の領域の厚さよりも小さい。加えて、プラトー１２０は、放熱絶縁基板１０２の下側回路層１１６と一体形成され、または熱接触し、したがって、プラトー１２０および放熱絶縁基板１０２は、一体形成構造または熱接触する構造として考えることができる。
【００３８】
図１Ｃは、第１の実施形態によるパワー・デバイスのさらに別のパッケージ構造を示す概略断面図であり、図１Ａに関連する要素符号および内容部分は、ここで参照され、同じまたは類似の要素は、類似のまたは同じ要素符号によって示されており、同じ技術的内容に関する説明は省略する。省略されている部分についての詳細な説明は、上記を参照することができ、したがって本明細書の以下には繰り返しの説明は含まれていない。
【００３９】
図１Ｃにおいて、プラトー１２２の数は１つであり、プラトー１２２が占める面積は、投影面積ＰＡよりも若干大きく、プラトー１２２および放熱ベースプレート１０６は、互いに間隔を置いて配置される。したがって、プラトー１２２および放熱ベースプレート１０６は、異なる材料から作製することができるが、本発明はそれに限定されない。プラトー１２２および放熱ベースプレート１０６は、同じ材料から作製してもよい。
【００４０】
図１Ｄは、第１の実施形態によるパワー・デバイスのさらに別のパッケージ構造を示す概略断面図であり、図１Ａに関連する要素符号および内容部分は、ここで参照され、同じまたは類似の要素は、類似のまたは同じ要素符号によって示されており、同じ技術的内容に関する説明は省略する。省略されている部分についての詳細な説明は、上記を参照することができ、したがって本明細書の以下には繰り返しの説明は含まれていない。
【００４１】
図１Ｄにおいて、導通クリップ１２４は、パワー・デバイス１０４が放熱絶縁基板１０２に接合されている側とは反対の側１０４ａに配置される。導通クリップ１２４は、パワー・デバイス１０４と放熱絶縁基板１０２の第１の面１０２ａを電気的に接続する。一実施形態では、導通クリップ１２４の材料は、たとえば、アルミニウム、銅またはグラファイトを含む。一方、１つの導通クリップ１２４が、複数のパワー・デバイス１０４と放熱絶縁基板１０２を電気的に接続することができる。とは言え、本発明は、この点に限定されない。１つの導通クリップ１２４が、１つだけのパワー・デバイス１０４と放熱絶縁基板１０２を電気的に接続することもできる。一実施形態では、パワー・デバイス１０４が縦型パワー・デバイスの場合、導通クリップ１２４の一部は、縦型パワー・デバイスの非有効領域に電気的に接続され、導通クリップ１２４の他の部分は、第１の面１０２ａに電気的に接続されてもよい。さらに、第１の面１０２ａと導通クリップ１２４は、追加のはんだ層１２６を介して互いに電気的に接続されてもよく、したがってパワー・デバイス１０４と導通クリップ１２４は追加のはんだ層１２６を介して互いに電気的に接続されてもよいが、本発明はそれに限定されない。はんだ層１２６は、たとえば焼結Ａｇまたは共晶はんだである、はんだを含む。
【００４２】
図２は、本発明の第２の実施形態によるパワー・デバイスのパッケージ構造を示す概略断面図であり、第１の実施形態に関連する要素符号および内容部分は、ここで参照され、同じまたは類似の要素は、類似のまたは同じ要素符号によって示されており、同じ技術的内容に関する説明は省略する。省略されている部分についての詳細な説明は、先述の実施形態を参照することができ、したがって以下の実施形態には繰り返しの説明は含まれていない。
【００４３】
図２を参照すると、本実施形態のパワー・デバイスのパッケージ構造２００は、放熱絶縁基板１０２と、複数のパワー・デバイス１０４と、放熱ベースプレート１０６と、熱界面層２０２とを含む。熱界面層２０２は、放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂと放熱ベースプレート１０６とのそれぞれに接触し、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ内の熱界面層２０２の最小厚さｔ１は、パワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ外のその厚さｔ２よりも小さい。したがって、パワー・デバイス１０４が発する熱を放熱ベースプレート１０６に伝達する経路（すなわち最小厚さｔ１）は短縮され、それによって構造の熱抵抗が低減し、投影面積ＰＡ外（すなわち、放熱絶縁基板１０２の縁）の熱界面層２０２の厚さｔ２は、パワー・デバイスのパッケージ構造２００の熱応力を低減させるのに十分な厚さがある。
【００４４】
図２において、熱界面層２０２と接触する放熱絶縁基板１０２の面は、さらに、プラトー２０４を有する。プラトー２０４は、すべてのパワー・デバイス１０４の投影面積ＰＡ内に配置される。本実施形態において、プラトー２０４は、放熱絶縁基板１０２の下側回路層１１６の下に配置されるが、本発明はそれに限定されない。別の実施形態では、プラトー２０４は、放熱ベースプレート１０６または放熱絶縁基板１０２と一体形成され、または熱接触することができる。さらに、上述したプラトー２０４の位置、数、分布範囲および断面形状は、必要に応じて変えることができ、それについては図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃおよび図１Ｄに関する記載の参照から推論できるので繰り返さない。
【００４５】
以下に、本発明の効果を検証する実験を列挙するが、本発明の範囲は、以下にある実験例に限定されない。
【００４６】
＜実験例１＞
【００４７】
図３Ａに示される、プラトー３００が放熱ベースプレートと一体形成され、または熱接触する、放熱ベースプレートを製造した。次いで、図３Ａに示される放熱ベースプレートを組み立てに用いて、図１Ａに示されるようなパワー・デバイスのパッケージ構造を形成した。
【００４８】
パワー・デバイスのパッケージ構造全体の熱分布を、パワー・デバイス１０４が熱を発する状態で測定し、図４Ａに示されるような熱分布が得られた。
【００４９】
＜比較例＞
【００５０】
図３Ｂに示される、表面が平面の放熱ベースプレートを製造した。次いで、図３Ｂに示される放熱ベースプレートを組み立てに用いて、図１Ａに示されるようなパワー・デバイスのパッケージ構造であるがプラトーのないものを形成した。
【００５１】
パワー・デバイスのパッケージ構造全体の熱分布を、パワー・デバイス１０４が熱を発する状態で測定し、図４Ｂに示されるような熱分布が得られた。
【００５２】
図４Ａおよび図４Ｂにより、プラトーのあるパワー・デバイスのパッケージ構造の熱分布は、プラトーのないパワー・デバイスのパッケージ構造の熱分布よりも均一であり、図４Ｂに示されるような中央部での１３５℃よりも高い温度の領域を一切有さないことが分かる。分析および比較により、実験例１での熱抵抗は０．１３７℃／Ｗであり、その一方で比較例での熱抵抗は０．１４１℃／Ｗである。したがって、熱抵抗の低減は３％となり得る。
【００５３】
さらに、パワー・デバイスが熱を発する状態にある実験例および比較例のパワー・デバイスのパッケージ構造について、ダイス応力測定（ｄｉｃｅ  ｓｔｒｅｓｓ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）を実施した。実験例１での応力は１２８．４ＭＰａであり、比較例での応力は１２８．６ＭＰａという結果が得られた。したがって、プラトーを配置することでより低い熱応力の維持が可能になることが明らかである。
【００５４】
＜実験例２＞
【００５５】
シミュレーションのために、放熱ベースプレートの一面に占めるプラトーの面積率が０％から４０％の間にある、いくつかの図３Ａに示されるような放熱ベースプレートを用い、各構成要素の寸法を同じに設定して、図１Ａに示されるようなパワー・デバイスのパッケージ構造を組み立てて形成した。
【００５６】
パワー・デバイス１０４が熱を発する状態でパワー・デバイス１０４との間の接合部の最高温度およびダイス応力をシミュレートした。図５にはその結果が示してある。
【００５７】
図５によれば、プラトーが占める面積が大きいほど、パワー・デバイスの接合部温度がより低くなり、好ましくは、プラトーが占める面積は１０％から３５％の間であり、特定のプラトー設計では、プラトーが占める面積は２５％未満であり、パワー・デバイスのより低い接合部温度を下げる効果は、ダイス応力が増加しない状態で達成され得る。したがって、本発明は、プラトーを使用することによって放熱経路を短くすることができ、熱抵抗を低減させると同時に、放熱絶縁基板の縁が依然として十分な厚さの熱界面層を有することを確実にすることができる。
【００５８】
上記に基づいて、放熱絶縁基板と放熱板との間に配置される複数のプラトーを含む本発明によって提供されるパワー・デバイスのパッケージ構造において、異なる領域の熱界面層が異なる厚さを有するという結果が達成され得る。したがって、放熱絶縁基板の熱応力が低減される一方で、パワー・デバイスのパッケージ構造全体の熱抵抗も低減され得る。
【００５９】
当業者には、本開示の範囲または趣旨から逸脱することなく、開示の実施形態の構造に様々な修正および変更を加えることができることが明らかであろう。以上を考慮して、本開示は、本開示の修正形態および変更形態を包含することを意図しており、ただし、それらは以下の請求の範囲およびそれらの均等物の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明のパワー・デバイスのパッケージ構造は、従来のパワー・モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１００  パワー・デバイスのパッケージ構造
１０２  放熱絶縁基板
１０２ａ  第１の面
１０２ｂ  第２の面
１０４  パワー・デバイス
１０６  放熱ベースプレート
１０６ａ  面
１０８  熱界面層
１１０  プラトー
１１２  パターン回路
１１４  絶縁材料板
１１６  下側回路層
１１８  はんだ接合部
ＰＡ  投影面積
【図１Ａ】
0006967063.tif 000002
【図１Ｂ】
0006967063.tif 000003
【図１Ｃ】
0006967063.tif 000004
【図１Ｄ】
0006967063.tif 000005
【図２】
0006967063.tif 000006
【図３Ａ】
0006967063.tif 000007
【図３Ｂ】
0006967063.tif 000008
【図４Ａ】
0006967063.tif 000009
【図４Ｂ】
0006967063.tif 000010
【図５】
0006967063.tif 000011