(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含むＯＬＥＤ基板の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層を形成する材料はポリイミドであり、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、前記発光層と前記第２金属層とが接触せず、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なり、
前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られ、
前記水は、流量により金属層の表面の結晶現象を制御するために用いられることを特徴とするＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項３】
順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項４】
物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項５】
下記のステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含むＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、前記発光層と前記第２金属層とが接触せず；
ステップＳ５０において、前記発光層の表面にカソードを塗布し；及び
ステップＳ６０において、前記カソードの表面に封止薄膜層を形成し、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なり、
前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られ、
前記水は、流量により金属層の表面の結晶現象を制御するために用いられることを特徴とするＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項５に記載のＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。
【請求項７】
物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項５に記載のＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法。
【請求項８】
下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含むＯＬＥＤ基板の製造方法であって、
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、前記発光層と前記第２金属層とが接触せず、
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なり、
前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップが下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られ、
前記水は、流量により金属層の表面の結晶現象を制御するために用いられることを特徴とするＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀であることを特徴とする請求項８に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項１０】
順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングであることを特徴とする請求項８に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【請求項１１】
物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜することを特徴とする請求項８に記載のＯＬＥＤ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ユニットは有機薄膜電気発光素子であり、簡易な製造工程、低コスト、高発光効率、フレキシブル構造の形成容易性、及び広視野角等の利点を有する。このため、有機発光ダイオードを利用したディスプレイ技術は重要なディスプレイ技術となっている。
【０００３】
現在主流のフラットパネル表示技術である薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＴＦＴ−ＬＣＤ）に比して、アクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ（Ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）は高コントラスト、広視野角、低消費電力、より軽量及び薄型である等の利点を有し、ＬＣＤに継ぐ次世代のフラットパネル表示技術となることが期待されており、現在、フラットパネル表示技術の中で最も注目を集めている技術の１つである。
【０００４】
図１に示すように、従来のトップエミッション型ＡＭＯＬＥＤにおけるバックアノード１１（ａｎｏｄｅ）を作製する際、頂部金属層１１３／銀１１２／底部金属層１１１の構造を採用し、銀１１２をエミッタ層とし、頂部金属層１１３及び底部金属層１１１は物理気相成膜時において同一の成膜パラメータを採用していた。アノード１１にウェットエッチングを施す際、頂部電極のエッチングと、銀のエッチングと、底部金属層のエッチングとに分けられ、合せて３回のエッチングを施していた。ここで、底部金属層のエッチング時において、頂部金属層１１３が再度エッチングされることとなる。このため、頂部金属層１１３の損失が大きくなり、その後蒸着されるＯＬＥＤ有機発光材料１２が銀１１２上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすことがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、ＯＬＥＤバックアノードにおける頂部金属層の過度のエッチングによる損失により有機発光材料が直接銀の上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすという問題を解決しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を実現するために、本発明の提供する技術案は以下の通りである。
【０００７】
本発明の一態様において、ＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含み、
【０００８】
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
【０００９】
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
【００１０】
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層を形成する材料はポリイミドであり、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
【００１１】
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
【００１２】
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
【００１３】
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
【００１４】
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
【００１５】
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
【００１６】
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
【００１７】
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
【００１８】
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板は薄膜トランジスタ基板である。
【００１９】
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
【００２０】
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
【００２１】
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
【００２２】
本発明の他の態様において、ＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含み、
【００２３】
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
【００２４】
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
【００２５】
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
【００２６】
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；
【００２７】
ステップＳ５０において、前記発光層の表面にカソードを塗布し；及び
【００２８】
ステップＳ６０において、前記カソードの表面に封止薄膜層を形成し、
【００２９】
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
【００３０】
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
【００３１】
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
【００３２】
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
【００３３】
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
【００３４】
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
【００３５】
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
【００３６】
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
【００３７】
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
【００３８】
本発明のさらなる態様において、ＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ４０を含み、
【００３９】
ステップＳ１０において、ベース基板を提供し；
【００４０】
ステップＳ２０において、前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、順次積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含み；
【００４１】
ステップＳ３０において、前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含み、前記第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され；及び
【００４２】
ステップＳ４０において、前記第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置され、
【００４３】
前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
【００４４】
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは下記のステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４を含み、
【００４５】
ステップＳ２０１において、水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成し；
【００４６】
ステップＳ２０２において、前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成し；
【００４７】
ステップＳ２０３において、水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成し；及び
【００４８】
ステップＳ２０４において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望の前記アノード層が得られる。
【００４９】
本発明の好ましい一実施形態において、前記ベース基板は薄膜トランジスタ基板である。
【００５０】
本発明の好ましい一実施形態において、前記第１金属層及び前記第３金属層はＩＴＯであり、前記第２金属層は銀である。
【００５１】
本発明の好ましい一実施形態において、順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
【００５２】
本発明の好ましい一実施形態において、物理気相成長法により前記第１金属層及び前記第３金属層をそれぞれ成膜する。
【発明の効果】
【００５３】
本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、アノードにおける第１金属層と第３金属層の成膜条件を変更することで、第３金属層のエッチングによる損失を減少させ、蒸着したＯＬＥＤ有機発光材料の全てが第３金属層上に落ちるようになり、以って、ＯＬＥＤの発光特性を大幅に改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
実施形態又は既存の技術における技術案をより明確に説明するために、以下において、実施形態又は既存の技術に係る記述で必要とされる添付の図面を簡単に紹介する。明らかに、以下に記載の添付の図面は本発明における一部の実施形態を示すものにすぎず、本分野の通常の技術者であるならば、如何なる創造的労力も費やさないことを前提として、これら添付の図面に基づいて他の添付の図面を得ることもできる。
【００５５】
【図１】既存の技術に係るＯＬＥＤ基板の構造を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の構造を示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法におけるステップＳ２０を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
以下における各実施形態の説明は添付の図式を参照してなされており、本発明で実施可能な特定の実施形態が例示されている。本発明で用いられている方向を示す用語として、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等は、添付の図式における方向を参照するためのものにすぎない。従って、用いられている方向を示す用語は、本発明の説明及び理解に供されるものであり、本発明を限定するものではない。図中、同様の構造を有するユニットには同一の符号が付されている。
【００５７】
本発明は、既存のＯＬＥＤ基板及びＯＬＥＤディスプレイ装置に係る技術において、ＯＬＥＤバックアノードにおける頂部金属層の過度のエッチングによる損失により、有機発光材料が直接銀の上に落ち、ＯＬＥＤの発光に影響を及ぼすという問題を解決しようとするものであり、ＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供するものである。本実施形態はこのような欠陥を改善することができる。
【００５８】
以下において、添付の図面及び具体的な実施形態を組み合わせて、本発明に対するさらなる説明を行なう。
【００５９】
図２は、本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の構造を示す概略図である。図３及び図４は、本発明の実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法を示すフローチャートである。本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法を提供し、当該製造方法は以下のステップを含む。
【００６０】
ステップＳ１０：ベース基板２０を提供する。
【００６１】
ステップＳ２０：ベース基板２０上にアノード層２１を形成し、アノード層２１は、順次積層するように設けられた、第１金属層２１１と、第２金属層２１２と、第３金属層２１３とを含む。
【００６２】
ステップＳ１０において、提供されたベース基板２０は薄膜トランジスタ基板であり、薄膜トランジスタ基板はアレイ状に分布した複数の薄膜トランジスタを含む。
【００６３】
ここで、ベース基板２０上にアノード層２１を形成するステップは以下のステップを含む。
【００６４】
ステップＳ２０１：水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、第１金属層を形成する。
【００６５】
ここで、第１金属層２１１はアノード層２１の底部金属層であり、ベース基板２０の表面に設けられる。第１金属層２１１は通常、ＩＴＯ薄膜であり、ＩＴＯ薄膜は即ちインジウムス・スズ酸化物の半透明導電膜であり、良好な導電性を有する。
【００６６】
物理気相成長法により第１金属層２１１を成膜し、第１金属層２１１の成膜条件は：真空状態下、予め設定した水の流量４〜６標準ｍＬ／分である。
【００６７】
ステップＳ２０２：第１金属層２１１の表面に蒸着により第２金属層２１２を形成する。
【００６８】
第２金属層２１２は概ね、銀金属層であり、銀は良好な導電性を有する。第２金属層２１２はアノード層２１構造のエミッタ層であるため、発光層１２の有機発光材料と直接接触してはならず、接触した場合、ＯＬＥＤ基板２の発光性能に影響を及ぼすこととなる。
【００６９】
ステップＳ２０３：水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、第２金属層２１２の表面に第３金属層２１３を形成する。
【００７０】
ここで、第３金属層２１３と第１金属層２１１は同一の材料でできており、その構造も基本的に同一である。
【００７１】
第３金属層２１３は物理気相成長法により成膜され、第３金属層２１３の成膜条件は：真空状態下、予め設定した水の流量１〜２標準ｍＬ／分である。第１金属層２１１の成膜条件と比較すると、第３金属層２１３の成膜時における予め設定した水の流量は、第１金属層２１１の成膜時のそれよりも大幅に小さい。相違点として、第３金属層２１３の成膜時において、予め設定した水の流量が比較的少ないため、第３金属層２１３の表面に微かな結晶現象が生じることがある。
【００７２】
ステップＳ２０４：順次、第３金属層２１３、第２金属層２１２、及び第１金属層２１１に対してエッチングを施すことで、所望のアノード層２１が得られる。
【００７３】
第３金属層２１３の材料及び構造は第１金属層２１１の材料及び構造と基本的に同一であるため、第３金属層２１３のエッチング後、第１金属層に対してエッチングを施す際に、エッチング液は第１金属層２１１の上方に位置する第３金属層２１３に対してもエッチング作用を及ぼすようになるが、第３金属層２１３の表面にある少量の結晶が第３金属層２１３のエッチング速度を遅延させ、以って、重複してエッチングされることでもたらされる第３金属層２１３の損失を減少させることができ、アノード層２１の構造上の完全性が確保される。
【００７４】
ここで、第１金属層２１１、第２金属層２１２、及び第３金属層２１３に対して施すエッチング工程はウェットエッチングである。
【００７５】
ステップＳ３０：第２金属層２１２の表面にピクセル定義層２３を形成し、ピクセル定義層２３は少なくとも２つのピクセル定義体を含む。ここで、第３金属層２１３は隣接するピクセル定義体の間に配置される。
【００７６】
ピクセル定義層２３を形成する材料はポリイミドである。
【００７７】
ステップＳ４０：第３金属層２１３の表面に発光層２２を形成し、発光層２２と第３金属層２１３は対応するように設けられ、発光層２２は隣接するピクセル定義体の間に配置される。
【００７８】
ここで、発光層２２はＯＬＥＤ基板２の発光部である。
【００７９】
上述の目的に基づき、本発明はさらにＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、当該ＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法は以下のステップを含む。
【００８０】
ステップＳ１０：ベース基板を提供する。
【００８１】
ステップＳ２０：前記ベース基板上にアノード層を形成し、前記アノード層は、積層するように設けられた、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含む。
【００８２】
ステップＳ３０：前記第２金属層の表面にピクセル定義層を形成し、前記ピクセル定義層は少なくとも２つのピクセル定義体を含む。ここで、第３金属層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置される。
【００８３】
ステップＳ４０：第３金属層の表面に発光層を形成し、前記発光層と前記第３金属層は対応するように設けられ、前記発光層は隣接する前記ピクセル定義体の間に配置される。
【００８４】
ステップＳ５０：前記発光層の表面にカソードを塗布する。
【００８５】
ステップＳ６０：前記カソードの表面に封止薄膜層を形成する。
【００８６】
ここで、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層の成膜条件は互いに異なる。
【００８７】
前記ベース基板上に前記アノード層を形成するステップは以下のステップを含む。
【００８８】
ステップＳ２０１：水の流量を予め４〜６標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第１金属層を形成する。
【００８９】
ステップＳ２０２：前記第１金属層の表面に蒸着により前記第２金属層を形成する。
【００９０】
ステップＳ２０３：水の流量を予め１〜２標準ｍＬ／分に設定した条件下で、前記第２金属層の表面に前記第３金属層を形成する。
【００９１】
ステップＳ２０４：順次、前記第３金属層、前記第２金属層、及び前記第１金属層に対してエッチングを施すことで、所望のアノード層が得られる。
【００９２】
本実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法の原理は、上述のＯＬＥＤ基板の製造方法の原理と一致しており、具体的には、上述の好ましい実施形態に係るＯＬＥＤ基板の製造方法における動作原理を参照されたい。従って、ここではその記述を省略する。
【００９３】
本発明はＯＬＥＤ基板の製造方法及びＯＬＥＤディスプレイ装置の製造方法を提供し、アノードにおける第１金属層と第３金属層の成膜条件を変更することで、第３金属層のエッチングによる損失を減少させ、蒸着したＯＬＥＤ有機発光材料の全てが第３金属層上に落ちるようになり、以って、ＯＬＥＤの発光特性を大幅に改善させることができる。
【００９４】
以上のように、本発明はその好ましい実施形態を通じて上記において開示されたが、上述の好ましい実施形態は本発明を限定するものではない。本分野の通常の技術者は、本発明の趣旨及び範囲から逸脱しない限りにおいて、様々な変更及び修整を施すことができる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で定められた範囲を基準とする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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