(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の絶縁体の両端が封止されて当該絶縁体の内周側に真空室が形成された真空容器と、
真空室において前記両端方向の一方側に位置し、当該両端方向の他方側に対向する電子発生部を有したエミッタと、
エミッタの電子発生部の外周側に位置しているガード電極と、
真空室において前記両端方向の他方側に位置し、エミッタの電子発生部に対向して設けられたターゲットと、
エミッタを前記両端方向に対し移動自在に支持する可動自在なエミッタ支持部と、
エミッタ支持部において前記両端方向の一方側方向に開口した形状で、螺合軸が当該両端方向に延在しているエミッタ支持部雌螺子穴と、
エミッタ支持部雌螺子穴よりも大径の筒状であって、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸と同軸となるように延在し、当該筒状の一端側が真空容器における前記両端方向の一方側に支持され、当該筒状の他端側がエミッタ支持部の外周側に支持されて、真空室の一部を形成している前記両端方向に伸縮自在なベローズと、
真空容器における前記両端方向の一方側でベローズ内周側を当該両端方向に貫通し、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸と同軸となるように延在しているエミッタ支持部操作孔と、
を備え、
エミッタ支持部雌螺子穴の開口縁面は、当該エミッタ支持部雌螺子穴の径方向に沿って延在し、
エミッタ支持部操作孔は、位置調整シャフトおよび押し込みシャフトから選択された一つを、それぞれ先端部側から貫装自在な形状であり、
位置調整シャフトは、エミッタ支持部操作孔に貫装された状態で軸回転自在であって、当該位置調整シャフトの先端部の外周面に、エミッタ支持部雌螺子穴と螺合自在な先端部側雄螺子部が設けられ、
押し込みシャフトは、当該押し込みシャフトの先端部の先端面が、エミッタ支持部雌螺子穴の開口径よりも大径であって、当該押し込みシャフトの径方向に沿って延在していることを特徴とする電界放射装置。
【請求項２】
押しこみシャフトの先端部の先端面中心側には、前記両端方向の他方側方向に開口した形状で、エミッタ支持部雌螺子穴の開口径よりも大径の凹部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電界放射装置。
【請求項３】
エミッタ支持部操作孔は、内周面における前記両端方向の中央側に、当該両端方向の一方側から他方側に向かって階段状に縮径された形状の内周段差部が設けられ、
押し込みシャフトは、外周面における前記両端方向の中央側に、当該両端方向の一方側から他方側に向かって階段状に縮径された形状の外周段差部が設けられ、
内周段差部および外周段差部の両者は、前記両端方向において重畳し、エミッタの電子発生部とガード電極との両者が近接または当接している状態において、互いに接触することを特徴とする請求項１または２記載の電界放射装置。
【請求項４】
内周段差部および外周段差部の両者の接触面は、前記両端方向の一方側から他方側に近づくに連れてエミッタ支持部操作孔径方向に縮径されたテーパー状であることを特徴とする請求項３記載の電界放射装置。
【請求項５】
エミッタ支持部操作孔における前記両端方向の一方側には、螺合軸が当該両端方向に延在している操作孔雌螺子部が設けられており、
押しこみシャフトの基端部の外周面には、操作孔雌螺子部と螺合自在な基端部側雄螺子部が設けられていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電界放射装置。
【請求項６】
エミッタ支持部操作孔は、
前記両端方向の一方側から中央側に延在し、エミッタ支持部操作孔の径方向のうち対向する二方向に拡径された基端部通路と、
基端部通路における前記両端方向の他方側でエミッタ支持部操作孔径方向外側に膨出した空洞部と、
を有し、
押しこみシャフトの基端部は、押し込みシャフト径方向のうち対向する二方向に突出した突出部を有し、
基端部通路は、エミッタ支持部操作孔における前記両端方向の他方側よりも大径であって、当該エミッタ支持部操作孔に貫装された状態の押し込みシャフトが軸回転方向において任意の角度で固定された姿勢の場合に、当該押し込みシャフトの基端部が両端方向に移動自在な形状であり、
空洞部は、基端部通路における前記両端方向の他方側に位置する押しこみシャフトの基端部が軸回転自在な形状である、
ことを特徴とする請求項１または２記載の電界放射装置。
【請求項７】
押し込みシャフトの基端部が基端部通路における前記両端方向の他方側に位置する場合に、エミッタの電子発生部とガード電極との両者が近接または当接する状態となる、ことを特徴とする請求項５または６記載の電界放射装置。
【請求項８】
ガード電極における前記両端方向の他方側には、エミッタ支持部の前記両端方向の移動によりエミッタの電子発生部が接離する小径部が設けられていることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の電界放射装置。
【請求項９】
ガード電極における前記両端方向の他方側には、エミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸側に延出し当該両端方向においてエミッタの電子発生部の周縁部と重畳する縁部が設けられていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の電界放射装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の電界放射装置を用いた電界放射方法であって、
電界放射電流の出力は、位置調整シャフトおよび押し込みシャフトから選択したシャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、当該シャフトを介してエミッタの電子発生部とターゲットとの両者間の距離を変更し任意の距離でエミッタを位置決め固定して設定し、
当該位置決め固定の状態でエミッタの電子発生部から電界放射することを特徴とする電界放射方法。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れかに記載の電界放射装置のエミッタの位置決め固定方法であって、
位置調整シャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、当該位置調整シャフトをエミッタ支持部雌螺子穴に螺合して締付方向に軸回転させることにより、エミッタの電子発生部とターゲットとの両者を互いに離反した状態にし、
前記離反した状態でガード電極に電圧を印加することにより、真空室内の少なくともガード電極を改質処理し、
前記改質処理後、前記位置調整シャフトを弛緩方向に軸回転させてエミッタ支持部操作孔から取り外してから、押し込みシャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、
前記貫装した押し込みシャフトを介して、エミッタの電子発生部とターゲットとの両者を近接または当接している状態にし、当該エミッタを位置決め固定することを特徴とする位置決め固定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線装置，電子管，照明装置等の種々の機器に適用可能な電界放射装置，電界放射方法，位置決め固定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線装置，電子管，照明装置等の種々の機器に適用される電界放射装置の一例としては、筒状の絶縁体の両端が封止されて当該絶縁体の内周側に真空室が形成された真空容器を用いた構成がある。
【０００３】
真空室には、前記絶縁体の両端方向（以下、単に両端方向と適宜称する）の一方側にエミッタ（炭素等を用いてなる電子源）が配置され、当該両端方向の他方側にターゲットが配置される。そして、エミッタとターゲットとの間に電圧印加することにより、エミッタの電界放射（電子を発生させて放出）によって電子線を放出し、その放出した電子線をターゲットに衝突させて所望の機能（例えばＸ線装置の場合はＸ線の外部放出による透視分解能）を発揮できることとなる。
【０００４】
前記のような電界放射装置では、例えば、エミッタとターゲットとの間にグリッド電極等を介在させて３極管構造としたり、エミッタの電子発生部（ターゲットに対向する側に位置し電子を発生する部位）の表面を曲面状にしたり、エミッタと同電位のガード電極を当該エミッタの外周側に配置する等により、エミッタから放出される電子線の分散を抑制することが検討されている。
【０００５】
前記のような電圧印加においては、エミッタの電子発生部のみから電子を発生させて電子線を放出することが望ましい。しかしながら、真空室内に不要な微小突起や汚れ等が存在していると、意図しない閃絡現象を起こし易くなり、耐電圧性等が得られず、所望の機能を発揮できなくなる虞がある。
【０００６】
このような現象が起こる理由としては、例えば真空室内のガード電極等（ターゲット，グリッド電極，ガード電極等；以下、単にガード電極等と適宜称する）において、局部的な電界集中を起こし易い部位が形成（例えば加工において形成された微小突起等）されている場合、ガス成分（例えば真空容器内に残存するガス成分）を吸着している場合、電子を発生させ易い元素が含まれている場合（適用する材料中に含まれている場合）等が挙げられる。このような理由の場合、例えばガード電極にも電子発生部が形成され、電子の発生量が不安定になり、電子線が分散し易くなり、例えばＸ線装置の場合にはＸ線等の焦点はずれ等を起こすおそれもある。
【０００７】
そこで、閃絡現象の抑制を図る手法（電子の発生量を安定化させる手法）として、例えばガード電極等に電圧（高電圧等）を印加（例えばガード電極とグリッド電極に印加）し放電を繰り返す電圧放電コンディショニング処理（改質（再生）；以下、単に改質処理と適宜称する）を施す手法が検討されている。
【０００８】
例えば特許文献１には、エミッタを真空室の両端方向に対し移動自在に支持する可動自在なエミッタ支持部（特許文献１の図１では符号４）と、真空容器の一方側に貫通形成されたエミッタ支持部操作孔（特許文献１の図１では符号６２ｃ）と、そのエミッタ支持部操作孔を介してエミッタ支持部のエミッタ支持部雌螺子穴（特許文献１の図１では符号４０ａ）に螺合接続され当該エミッタ支持部を当該両端方向に移動させる位置調整シャフト（特許文献１の図１では符号６１）と、を備えた電界放射装置が開示されている。
【０００９】
また、特許文献１の場合、例えば電界放射装置の各構成要素（例えば真空容器，エミッタ支持部，ガード電極等）を組み付けた後、エミッタ支持部に螺合接続されている位置調整シャフトを締付方向に軸回転させてエミッタ支持部を操作し、エミッタを放電可能領域（特許文献１の図１では符号ｍ）から無放電領域（特許文献１の図１では符号ｎ）に移動させることが開示されている。これにより、エミッタの電界放射を抑制した状態にし、その状態でガード電極等に電圧を印加して改質処理を行うことが可能とされている。
【００１０】
そして、前記改質処理後は、前記エミッタ支持部に螺合接続されている位置調整シャフトを弛緩方向に軸回転させてエミッタ支持部を操作し、エミッタを無放電領域から放電可能領域に移動させることが開示されている。これにより、エミッタの電子発生部とガード電極との両者間を狭めて、当該両者を近接または当接し、エミッタ（電子発生部）の電界放射が可能な状態になるものとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許６２２６０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
電界放射装置においては、各構成要素の寸法公差や組み立て誤差等の各種公差（以下、単に公差と適宜称する）が存在していることがある。このような公差が存在していると、例えば改質処理後、前記のように単に位置調整シャフトによりエミッタ支持部を操作してエミッタを無放電領域から放電可能領域に移動させても、当該エミッタの電子発生部とガード電極との両者を十分に近接または当接できない場合（例えば両者間に意図しない間隙が形成されている場合）がある。この場合、エミッタ（電子発生部）において所望の電界放射が行われないことも考えられる。
【００１３】
本発明は、かかる技術的課題を鑑みてなされたものであって、エミッタの電子発生部とガード電極との両者を所望通りに近接または当接し易くし、所望の電界放射を発揮し易くすることに貢献可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明に係る電界放射装置，電界放射方法，位置決め固定方法は、前記の課題を解決できるものである。電界放射装置の一態様は、筒状の絶縁体の両端が封止されて当該絶縁体の内周側に真空室が形成された真空容器と、真空室において前記両端方向の一方側に位置し、当該両端方向の他方側に対向する電子発生部を有したエミッタと、エミッタの電子発生部の外周側に位置しているガード電極と、真空室において前記両端方向の他方側に位置し、エミッタの電子発生部に対向して設けられたターゲットと、エミッタを前記両端方向に対し移動自在に支持する可動自在なエミッタ支持部と、エミッタ支持部において前記両端方向の一方側方向に開口した形状で、螺合軸が当該両端方向に延在しているエミッタ支持部雌螺子穴と、エミッタ支持部雌螺子穴よりも大径の筒状であって、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸と同軸となるように延在し、当該筒状の一端側が真空容器における前記両端方向の一方側に支持され、当該筒状の他端側がエミッタ支持部の外周側に支持されて、真空室の一部を形成している前記両端方向に伸縮自在なベローズと、真空容器における前記両端方向の一方側でベローズ内周側を当該両端方向に貫通し、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸と同軸となるように延在しているエミッタ支持部操作孔と、を備えたものである。
【００１５】
そして、エミッタ支持部雌螺子穴の開口縁面は、当該エミッタ支持部雌螺子穴の径方向に沿って延在し、エミッタ支持部操作孔は、位置調整シャフトおよび押し込みシャフトから選択された一つを、それぞれ先端部側から貫装自在な形状であり、位置調整シャフトは、エミッタ支持部操作孔に貫装された状態で軸回転自在であって、当該位置調整シャフトの先端部の外周面に、エミッタ支持部雌螺子穴と螺合自在な先端部側雄螺子部が設けられ、押し込みシャフトは、当該押し込みシャフトの先端部の先端面が、エミッタ支持部雌螺子穴の開口径よりも大径であって、当該押し込みシャフトの径方向に沿って延在していることを特徴とする。
【００１６】
また、押しこみシャフトの先端部の先端面中心側には、前記両端方向の他方側方向に開口した形状で、エミッタ支持部雌螺子穴の開口径よりも大径の凹部が設けられていることを特徴としても良い。
【００１７】
また、エミッタ支持部操作孔は、内周面における前記両端方向の中央側に、当該両端方向の一方側から他方側に向かって階段状に縮径された形状の内周段差部が設けられ、押し込みシャフトは、外周面における前記両端方向の中央側に、当該両端方向の一方側から他方側に向かって階段状に縮径された形状の外周段差部が設けられ、内周段差部および外周段差部の両者は、前記両端方向において重畳し、エミッタの電子発生部とガード電極との両者が近接または当接している状態において、互いに接触することを特徴としても良い。
【００１８】
また、内周段差部および外周段差部の両者の接触面は、前記両端方向の一方側から他方側に近づくに連れてエミッタ支持部操作孔径方向に縮径されたテーパー状であることを特徴としても良い。
【００１９】
また、エミッタ支持部操作孔における前記両端方向の一方側には、螺合軸が当該両端方向に延在している操作孔雌螺子部が設けられており、押しこみシャフトの基端部の外周面には、操作孔雌螺子部と螺合自在な基端部側雄螺子部が設けられていることを特徴としても良い。
【００２０】
また、エミッタ支持部操作孔は、前記両端方向の一方側から中央側に延在し、エミッタ支持部操作孔の径方向のうち対向する二方向に拡径された基端部通路と、基端部通路における前記両端方向の他方側でエミッタ支持部操作孔径方向外側に膨出した空洞部と、を有し、押しこみシャフトの基端部は、押し込みシャフト径方向のうち対向する二方向に突出した突出部を有し、基端部通路は、エミッタ支持部操作孔における前記両端方向の他方側よりも大径であって、当該エミッタ支持部操作孔に貫装された状態の押し込みシャフトが軸回転方向において任意の角度で固定された姿勢の場合に、当該押し込みシャフトの基端部が両端方向に移動自在な形状であり、空洞部は、基端部通路における前記両端方向の他方側に位置する押しこみシャフトの基端部が軸回転自在な形状である、ことを特徴としても良い。
【００２１】
また、押し込みシャフトの基端部が基端部通路における前記両端方向の他方側に位置する場合に、エミッタの電子発生部とガード電極との両者が近接または当接する状態となる、ことを特徴としても良い。
【００２２】
また、ガード電極における前記両端方向の他方側には、エミッタ支持部の前記両端方向の移動によりエミッタの電子発生部が接離する小径部が設けられていることを特徴としても良い。
【００２３】
また、ガード電極における前記両端方向の他方側には、エミッタ支持部雌螺子穴の螺合軸側に延出し当該両端方向においてエミッタの電子発生部の周縁部と重畳する縁部が設けられていることを特徴としても良い。
【００２４】
電界放射方法の一態様は、前記電界放射装置を用いた電界放射方法であって、電界放射電流の出力は、位置調整シャフトおよび押し込みシャフトから選択したシャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、当該シャフトを介してエミッタの電子発生部とターゲットとの両者間の距離を変更し任意の距離でエミッタを位置決め固定して設定し、当該位置決め固定の状態でエミッタの電子発生部から電界放射することを特徴とする。
【００２５】
位置決め固定方法の一態様は、前記電界放射装置のエミッタの位置決め固定方法であって、位置調整シャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、当該位置調整シャフトをエミッタ支持部雌螺子穴に螺合して締付方向に軸回転させることにより、エミッタの電子発生部とターゲットとの両者を互いに離反した状態にし、前記離反した状態でガード電極に電圧を印加することにより、真空室内の少なくともガード電極を改質処理し、前記改質処理後、前記位置調整シャフトを弛緩方向に軸回転させてエミッタ支持部操作孔から取り外してから、押し込みシャフトを先端部側からエミッタ支持部操作孔に貫装し、前記貫装した押し込みシャフトを介して、エミッタの電子発生部とターゲットとの両者を近接または当接している状態にし、当該エミッタを位置決め固定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
以上示したように本発明によれば、エミッタの電子発生部とガード電極との両者を所望通りに近接または当接し易くし、所望の電界放射を発揮し易くすることに貢献可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施例１によるＸ線装置１０を説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（押し込みシャフト９を適用している場合の断面図））。
【図２】実施例１，２によるＸ線装置１０を説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（位置調整シャフト６を適用している場合の断面図））。
【図３】ガード電極５の一例を説明するための概略構成図（図１の一部の拡大図に相当し縁部５２の替わりに小径部５１を有した図）。
【図４】実施例２によるＸ線装置１０を説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（押し込みシャフト９Ａを適用している場合の断面図））。
【図５】実施例３によるＸ線装置１０Ｂを説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（押し込みシャフト９Ｂを適用している場合の断面図））。
【図６】実施例３によるＸ線装置１０Ｂを説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（位置調整シャフト６を適用している場合の断面図））。
【図７】実施例４によるＸ線装置１０Ｃを説明するための概略構成図（（Ａ）は真空室１両端方向に縦断した断面図（押し込みシャフト９Ｃを適用している場合の断面図）、（Ｂ）は（Ａ）の図示右側からフランジ部３０ａを臨んだ図）。
【図８】実施例４によるＸ線装置１０Ｃを説明するための概略構成図（真空室１両端方向に縦断した断面図（位置調整シャフト６を適用している場合の断面図））。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施形態における電界放射装置，電界放射方法，位置決め固定方法は、例えば特許文献１のように単に位置調整シャフトによりエミッタ支持部を操作して、エミッタを無放電領域と放電可能領域との間で移動させるような構成（以下、単に従来構成と適宜称する）とは、全く異なるものである。
【００２９】
すなわち、本実施形態は、エミッタ支持部の両端方向の一方側方向に開口した形状のエミッタ支持部雌螺子穴の開口縁面において、当該エミッタ支持部雌螺子穴の径方向に沿って延在したものとする。
【００３０】
また、真空容器の両端方向の一方側（後述の図１，図２ではフランジ部３０ａ）に設けられたエミッタ支持部操作孔においては、位置調整シャフト（後述の図１，図２では位置調整シャフト６）および押し込みシャフト（後述の図１，図２では押し込みシャフト９）から選択された一つを、それぞれ先端部側から貫装自在な形状とする。
【００３１】
また、位置調整シャフト先端部の外周面は、エミッタ支持部雌螺子穴と螺合自在な先端部側雄螺子部が設けられたものとする。また、押し込みシャフト先端部の先端面（貫装状態においてエミッタ支持部雌螺子穴と対向する先端面）は、エミッタ支持部雌螺子穴の開口径よりも大径であって、当該押し込みシャフトの径方向に沿って延在しているものとする。
【００３２】
このような構成の本実施形態によれば、例えばエミッタ支持部操作孔に位置調整シャフトの先端部がエミッタ支持部雌螺子穴に螺合している状態で、当該位置調整シャフトを締付方向（エミッタ支持部雌螺子穴内に浸入する方向）に軸回転させた場合、エミッタを放電可能領域から無放電領域に移動させることが可能である。
【００３３】
このように無放電領域に移動させた状態でガード電極等に電圧を印加することにより、改質処理を行うことが可能とされている。また、改質処理後、前記位置調整シャフトを弛緩方向（エミッタ支持部雌螺子穴内から退出する方向）に軸回転させた場合には、エミッタを無放電領域から放電可能領域に移動させることが可能である。
【００３４】
ここで、例えば電界放射装置において公差が存在していると、従来構成のように単に位置調整シャフトを軸回転させても、エミッタの電子発生部とガード電極との両者を所望通りに近接または当接できない場合（例えば両者間に意図しない間隙が形成されている場合）がある。
【００３５】
このような場合、本実施形態においては、まず、エミッタ支持部操作孔から位置調整シャフトを取り外してから、当該エミッタ支持部操作孔に押し込みシャフトを貫装して両端方向の他方側に押し込み（エミッタ支持部操作孔に案内されながら押し込み）、当該押し込みシャフト先端部における先端面をエミッタ支持部雌螺子穴の開口縁面に面接触した状態（以下、単に面接触状態と適宜称する）にする。
【００３６】
そして、前記面接触状態において押し込みシャフトを更に押し込むことにより、エミッタ支持部に対する押し込みシャフトの軸心ズレ（平行偏心，偏角等）を抑制しながら、当該エミッタ支持部を両端方向の他方側に移動できる。
【００３７】
したがって、本実施形態によれば、たとえ電界放射装置において公差が存在していても、押し込みシャフトを適宜適用してエミッタ支持部を移動させることにより、エミッタの電子発生部とガード電極との両者を所望通りに近接または当接した状態（以下、所定隣接状態と適宜称する）にし易くなる。そして、所望の電界放射を発揮（Ｘ線装置の場合はＸ線照射等）し易くなる。
【００３８】
本実施形態は、前述のようにエミッタ支持部操作孔において、位置調整シャフトおよび押し込みシャフトから選択された一つをシャフト先端部側から貫装して軸回転自在な形状とし、当該位置調整シャフトおよび押し込みシャフトをそれぞれ適宜選択して適用しエミッタ支持部を移動できる構成であれば良く、種々の分野（例えば電界放射装置分野，カーボンナノチューブ分野等）の技術常識を適宜適用し、必要に応じて特許文献１等を適宜参照して設計変形することが可能であり、その一例として以下に示す実施例１〜４が挙げられる。
【００３９】
なお、以下の実施例１〜４では、例えば重複する内容について同一符号を適用する等により、詳細な説明を適宜省略しているものとする。また、便宜上、後述の真空容器１１の両端方向を単に両端方向と適宜称し、当該両端方向のうち一方側を単に両端一方側と適宜称し、当該両端方向の他方側を単に両端他方側と適宜称する。
【００４０】
≪実施例１≫
＜Ｘ線装置１０の概略構成＞
図１，図２に示す符号１０は、実施例１によるＸ線装置の概略構成を説明するものである。Ｘ線装置１０においては、筒状の絶縁体２の両端一方側の開口２１と両端他方側の開口２２とが、それぞれエミッタユニット３０とターゲットユニット７０とにより封止（例えば蝋付けして封止）されて、絶縁体２の内周側に真空室１を有した真空容器１１が構成されている。
【００４１】
エミッタユニット３０とターゲットユニット７０との間（後述のエミッタ３とターゲットとの間）には、当該真空室１の横断面方向（真空容器１１の両端方向に対して交差する方向；以下、単に横断面方向と適宜称する）に延在するグリッド電極８が設けられている。
【００４２】
絶縁体２は、例えばセラミック等の絶縁材料を用いて成り、エミッタユニット３０（後述のエミッタ３）とターゲットユニット７０（後述のターゲット７）とを互いに絶縁し、内部に真空室１を形成できるものであれば、種々の態様を適用することができる。例えば、図示するように同軸状で軸方向に連なって配置された２つの円筒状の絶縁部材２ａ，２ｂの両者間に、グリッド電極８（例えば後述の引出端子８２）を介在させた状態で、当該両者を蝋付け等により互いに組み付けて構成されたものが挙げられる。
【００４３】
エミッタユニット３０は、絶縁体２の開口２１の端面２１ａに支持されて当該開口２１を封止するフランジ部３０ａと、ターゲットユニット７０（後述するターゲット７）に対向する部位に電子発生部３１を有したエミッタ３と、エミッタ３を両端方向に対し移動自在に支持する可動自在なエミッタ支持部４と、エミッタ３の電子発生部３１の外周側に位置しているガード電極５と、を備えている。
【００４４】
また、エミッタ支持部４は、両端方向に伸縮自在なベローズ４１を介してフランジ部３０ａに支持されており、後述する位置調整シャフト６，押し込みシャフト９を適宜選択して適用（選択した一つを後述するエミッタ支持部操作孔３２に貫装して適用）することにより、両端方向に可動自在な構成となっている。
【００４５】
エミッタ３においては、前述のように電子発生部３１を有し、電圧印加により電子発生部３１から電子を発生し、図示するように電子線Ｌ１を放出できるもの（放射体）であれば、種々の態様を適用することが可能である。具体例としては、例えば炭素等（カーボンナノチューブ等）の材料を用いてなるものであって、図示するように塊状に成形された、または薄膜状に蒸着させたエミッタ３を適用することが挙げられる。電子発生部３１においては、ターゲットユニット７０（後述するターゲット７）に対向する側の表面を凹状（曲面状）にして、電子線Ｌ１を集束し易くすることが好ましい。
【００４６】
エミッタ支持部４においては、前述のようにエミッタ３を両端方向に対して移動自在に支持できるものであって、後述の位置調整シャフト６，押し込みシャフト９によって操作されて可動するものであれば、種々の態様を適用することが可能である。
【００４７】
図中のエミッタ支持部４の場合、ガード電極５の内周側においてエミッタ３の両端一方側を支持（例えば、エミッタ３における電子発生部３１の反対側を、かしめや溶着等により固着して支持）する先端部４２と、当該先端部４２の両端一方側において両端方向に延在し当該先端部４２よりも小径の柱状部４３と、を備えている。また、当該先端部４２と柱状部４３との間の外周面には、段差部４４が形成されている。
【００４８】
柱状部４３においては、両端一方側方向に開口した形状で螺合軸が両端方向に延在しているエミッタ支持部雌螺子穴４５が、設けられている。このエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａは、当該エミッタ支持部雌螺子穴４５の径方向に沿って延在した形状となっている。
【００４９】
また、エミッタ支持部４は、種々の材料を適用して構成することができ、特に限定されるものではないが、例えばステンレス（ＳＵＳ材等）や銅等のように導電性の金属材料を用いてなるものが挙げられる。
【００５０】
ベローズ４１は、柱状部４３よりも大径（エミッタ支持部雌螺子穴４５よりも大径）の筒状であって、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴４５の螺合軸と同軸で延在するように配置されている。このベローズ４１は、両端一方側の端部がフランジ部３０ａに支持され、両端他方側の端部がエミッタ支持部４の外周側（図中では段差部４４）に支持されている。
【００５１】
このようなベローズ４１により、真空室１と大気側（真空容器１１外周側）とが区分され、当該真空室１を気密に保持できる構成（真空容器１１の一部を形成する構成）となっている。また、ベローズ４１を介してエミッタ支持部４を支持することにより、後述の位置調整シャフト６，押し込みシャフト９を適宜選択して適用しエミッタ支持部４を操作した場合には、ベローズ４１が伸縮しながらエミッタ支持部４が両端方向に移動し、その結果、エミッタ３も両端方向に移動することになる。
【００５２】
ベローズ４１は、前述のように両端方向に伸縮自在なものであれば、種々の態様を適用することが可能であり、例えば薄板状金属材料等を適宜加工して成形されたものが挙げられる。具体例としては、図示するように、柱状部４３の外周側を包囲するように両端方向に延在する蛇腹状筒壁４１ａを有した構成が挙げられる。
【００５３】
ガード電極５においては、前述のようにエミッタ３の電子発生部３１の外周側に位置するように設けられたものであって、エミッタ支持部４の可動によって移動するエミッタ３の電子発生部３１が接離し、当該ガード電極５とエミッタ３とが所定隣接状態（例えば図１に示す状態）の場合に、当該エミッタ３から放出される電子線Ｌ１の分散を抑制できるものであれば、種々の態様を適用することが可能である。
【００５４】
ガード電極５の具体例としては、例えばステンレス等（ＳＵＳ材等）の材料を用いてなり、エミッタ３の外周側で両端方向に延在した筒状で、両端一方側の端部がフランジ部３０ａにおけるベローズ４１よりも外周側に支持され、両端他方側の端部（すなわち後述のターゲット７側）がエミッタ３と接離する構成が挙げられる。
【００５５】
このガード電極５のエミッタ３と接離する構成は、特に限定されるものではない。例えば図３に示すように両端他方側の端部に小径部５１を形成した構成であっても良いが、図１，図２に示したように、エミッタ支持部雌螺子穴４５の螺合軸側に延出し両端方向においてエミッタ３の電子発生部３１の周縁部３１ａと重畳する縁部５２が形成された構成も挙げられる。また、小径部５１および縁部５２の両方を形成した構成（図示省略）も挙げられる。
【００５６】
このような接離構成のガード電極５を備えた場合、エミッタ支持部４の可動により、エミッタ３が当該ガード電極５の内周側（筒状内周側）において両端方向に移動し、エミッタ３の電子発生部３１が小径部５１あるいは縁部５２に接離することになる。また、縁部５２を備えた構成の場合には、当該ガード電極５とエミッタ３とが所定隣接状態である場合に、電子発生部３１の周縁部３１ａが、縁部５２よって覆われて保護されることになる。
【００５７】
また、エミッタ３の電子発生部３１の周縁部３１ａの見かけ上の曲率半径を大きくなるようにし、電子発生部３１（特に周縁部３１ａ）で起こり得る局部的な電界集中を抑制したり、その電子発生部３１から他の部位に対する閃絡を抑制できる形状とすることが挙げられる。例えば、図示するガード電極５のように、両端他方側の端部に凸の曲面部５１ａを有した形状が挙げられる。
【００５８】
なお、図３中のガード電極５の場合、外周側にゲッター５４が溶接等により取り付けられているが、そのゲッター５４の取付位置や材質等は特に限定されるものではない。
【００５９】
フランジ部３０ａには、当該フランジ部３０ａにおけるベローズ４１内周側の位置を両端方向に貫通し、軸心がエミッタ支持部雌螺子穴４５の螺合軸と同軸となるように延在したエミッタ支持部操作孔３２が、設けられている。このエミッタ支持部操作孔３２においては、位置調整シャフト６および押し込みシャフト９から選択された一つを、それぞれシャフト先端部（位置調整シャフト６の場合は先端部６１）側から貫装自在な形状とする。
【００６０】
図中のエミッタ支持部操作孔３２の場合、当該エミッタ支持部操作孔３２における両端一方側に、螺合軸が両端方向に延在している操作孔雌螺子部３２ａが設けられ、後述の基端部側雄螺子部９２ａが螺合自在な構成となっている。
【００６１】
位置調整シャフト６は、先端部６１の外周面に、当該位置調整シャフト６をエミッタ支持部操作孔３２に貫装している状態（図２に示すような状態）でエミッタ支持部雌螺子穴４５と螺合自在な先端部側雄螺子部６１ａが、設けられている。
【００６２】
図中の位置調整シャフト６の場合、当該位置調整シャフト６における基端部６２の両端一方側に螺子頭６０が設けられており、ワッシャー（スペーサ等）６０ａを介してエミッタ支持部操作孔３２の開口縁面に係止できる構成となっている。
【００６３】
図２に示すように、エミッタ支持部操作孔３２に貫装している位置調整シャフト６の先端部６１がエミッタ支持部雌螺子穴４５に螺合している状態で、例えば作業者が螺子頭６０を把持して当該位置調整シャフト６を操作することにより、当該位置調整シャフト６を締緩方向に軸回転させることが可能となる。
【００６４】
例えば、位置調整シャフト６を締付方向に軸回転させた場合、エミッタ支持部４は両端一方側に移動する。一方、当該位置調整シャフト６を弛緩方向に軸回転させた場合には、エミッタ支持部４は両端他方側（ターゲット７側）に移動することになる。また、位置調整シャフト６の軸回転を固定した状態にすることにより、エミッタ支持部４は位置決め固定、すなわちエミッタ３が位置決め固定された状態となる。
【００６５】
押し込みシャフト９は、先端部９１における先端面（図１に示すような貫装状態においてエミッタ支持部雌螺子穴４５と対向する先端面）９１ａが、エミッタ支持部雌螺子穴４５の開口径よりも大径であって、当該押し込みシャフト９の径方向に沿って延在した形状となっている。これにより、図１に示すように押し込みシャフト９をエミッタ支持部操作孔３２に貫装している状態において、先端面９１ａと開口縁面４５ａとの両者は並行（横断面方向）に延在し、面接触状態にすることが可能となる。
【００６６】
押し込みシャフト９の基端部９２の外周面には、操作孔雌螺子部３２ａと螺合自在な基端部側雄螺子部９２ａが設けられている。
【００６７】
図中の押し込みシャフト９の場合、当該押し込みシャフト９における基端部９２の両端一方側に、エミッタ支持部操作孔３２よりも大径の螺子頭９０が設けられており、例えばワッシャー等（図示省略）を適宜介してエミッタ支持部操作孔３２の開口縁面に係止できる構成となっている。
【００６８】
図１に示すようにエミッタ支持部操作孔３２に貫装している押し込みシャフト９の先端面９１ａとエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａとが面接触状態で、例えば作業者が螺子頭９０を把持して当該押し込みシャフト９を操作（基端部側雄螺子部９２ａが操作孔雌螺子部３２ａに螺合している場合には、軸回転するように操作）し両端他方側に移動させることにより、エミッタ支持部４も両端他方側（ターゲット７側）に移動することになる。また、押し込みシャフト９の両端方向の移動を固定した状態（例えば図１に示すような状態）にすることにより、エミッタ支持部４は位置決め固定、すなわちエミッタ３が位置決め固定された状態となる。
【００６９】
なお、図１に示す押し込みシャフト９のように基端部側雄螺子部９２ａが操作孔雌螺子部３２ａに螺合する構成の場合、当該押し込みシャフト９を軸回転しながら両端方向に移動できるため、例えば当該両端方向の移動量の微調整が容易になる可能性がある。
【００７０】
次に、ターゲットユニット７０は、エミッタ３の電子発生部３１に対向するターゲット７と、絶縁体２の開口２２の端面２２ａに支持されて当該開口２２を封止するフランジ部７０ａと、を備えている。
【００７１】
ターゲット７においては、エミッタ３の電子発生部３１から放出された電子線Ｌ１が衝突し、図示するようにＸ線Ｌ２等を放出できるものであれば、種々の形態を適用することが可能である。図中のターゲット７においては、エミッタ３の電子発生部３１に対向する部位に、電子線Ｌ１に対して所定角度で傾斜する交差方向に延在した傾斜面７１が形成されている。この傾斜面７１に電子線Ｌ１が衝突することにより、Ｘ線Ｌ２は、電子線Ｌ１の照射方向から折曲した方向（例えば図示するように真空室１の横断面方向）に、照射されることになる。
【００７２】
グリッド電極８においては、前述のようにエミッタ３とターゲット７との間に介在し、当該グリッド電極８を通過する電子線Ｌ１を適宜制御できるものであれば、種々の形態のものを適用することが可能である。例えば図示するように、真空室１の横断面方向に延在し電子線Ｌ１が通過する通過孔８１ａを有した電極部（例えばメッシュ状の電極部）８１と、絶縁体２を貫通（真空室１横断面方向に貫通）する引出端子８２と、を備えた構成が挙げられる。
【００７３】
以上示したように構成されたＸ線装置１０によれば、位置調整シャフト６および押し込みシャフト９をそれぞれ適宜選択して適用することにより、エミッタ支持部４を移動させることができ、エミッタ３の電子発生部３１とターゲット７との間の距離を変化させることができる。例えば図２に示したように、電子発生部３１が放電可能領域ｍから無放電領域ｎに移動し電界放射を抑制された状態であれば、ガード電極５，ターゲット７，グリッド電極８等において所望の改質処理が可能となる。
【００７４】
＜Ｘ線装置１０のガード電極等の改質処理および電界放射方法の一例＞
Ｘ線装置１０のガード電極５等を改質処理する場合、まず、エミッタ支持部操作孔３２に貫装している位置調整シャフト６の先端部６１がエミッタ支持部雌螺子穴４５に螺合している状態で、当該位置調整シャフト６を締付方向に軸回転させると、図２に示すように、エミッタ支持部４が両端一方側に移動すると共に、エミッタ３が無放電領域ｎに移動し、電子発生部３１の電界放射が抑制された状態となる。この場合、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５の縁部５２（なお、図３の場合は小径部５１）との両者は、互いに離反（エミッタ３を無放電領域ｎ（放電電界以下）に移動）した状態となる。
【００７５】
この図２に示すような状態であれば、例えばガード電極５とグリッド電極８（引出端子８２等）との間や、ターゲット７とグリッド電極８との間などに所望の改質時電圧を適宜印加することにより、ガード電極５等において放電が繰り返され、当該ガード電極５等が改質処理（例えばガード電極５の表面が溶解平滑化）されることになる。
【００７６】
前述の改質処理の後の電界放射方法としては、前記位置調整シャフト６を弛緩方向に軸回転させることにより、エミッタ支持部４が両端他方側（ターゲット７側）に移動すると共に、エミッタ３が放電可能領域ｍに移動し、電子発生部３１の電界放射が可能な状態となる。この状態において、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者が所望通りに所定隣接状態になっていれば、エミッタ３から放出される電子線Ｌ１の分散を抑制できる状態となる。
【００７７】
ここで、例えばＸ線装置１０において公差が存在する等の理由により、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者を所望通りに所定隣接状態にできない場合（例えば両者間に意図しない間隙が形成されている場合）には、まず、エミッタ支持部操作孔３２から位置調整シャフト６を取り外す。
【００７８】
次に、当該エミッタ支持部操作孔３２に、押し込みシャフト９を先端部９１側から貫装して両端他方側に押し込み、当該押し込みシャフト９の先端面９１ａとエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａとを面接触状態にする。
【００７９】
そして、前記面接触状態において押し込みシャフト９を更に押し込むことにより、エミッタ支持部４に対する押し込みシャフト９の軸心ズレ（平行偏心，偏角等）を抑制しながら、当該エミッタ支持部４を両端方向の他方側に移動できる。
【００８０】
これにより、図１に示すようにエミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者を所定隣接状態にすることができ、エミッタ３から放出される電子線Ｌ１の分散を抑制できる状態となる。
【００８１】
この図１に示すような状態で、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５とが互いに同電位で、例えばエミッタ３とターゲット７との間に所望の電圧を印加することにより、エミッタ３の電子発生部３１から電子が発生して電子線Ｌ１が放出され、その電子線Ｌ１がターゲット７に衝突することにより、そのターゲット７からＸ線Ｌ２が放出される。
【００８２】
以上示した実施例１によれば、エミッタ支持部操作孔３２に貫装した位置調整シャフト６を適宜操作して改質処理し、Ｘ線装置１０においてガード電極５からの閃絡現象（電子の発生）を抑制することができ、当該Ｘ線装置１０の電子発生量を安定させることができる。また、電子線Ｌ１を集束形電子束とすることができ、Ｘ線Ｌ２の焦点も収束し易くなり、高い透視分解能を得ること可能となる。
【００８３】
また、実施例１のような電界放射方法によれば、位置調整シャフト６および押し込みシャフト９から一つを適宜選択しエミッタ支持部操作孔３２に貫装して適用することにより、たとえＸ線装置１０において公差が存在していても、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者を所望通りに所定隣接状態にし易くなる。
【００８４】
すなわち、エミッタ３の電子発生部３１とターゲット７との両者間の距離を変更して、任意の距離で当該エミッタ３を位置決め固定して設定し、当該位置決め固定の状態で所望のＸ線照射等を発揮することが可能となる。
【００８５】
≪実施例２≫
Ｘ線装置１０においては、図２に示したように位置調整シャフト６の先端部６１がエミッタ支持部雌螺子穴４５に螺合している状態で、当該位置調整シャフト６を締緩方向に軸回転すると、当該エミッタ支持部雌螺子穴４５に所謂バリ等の異物が発生してしまう場合がある。
【００８６】
このような異物が存在している場合、単に位置調整シャフト６を取り外して図１に示すように押し込みシャフト９をエミッタ支持部操作孔３２に貫装し、当該押し込みシャフト９の先端面９１ａとエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａとの両者を互いに接近させていくと、当該両者間に異物が介在してしまうことがある。
【００８７】
これにより、当該両者を面接触状態にできず、そのまま押し込みシャフト９を両端他方側に移動させると、当該押し込みシャフト９とエミッタ支持部４との両者において軸心ズレが起こるおそれがある。
【００８８】
そこで、実施例２では、前記のような異物を想定し、以下に示すように押し込みシャフト９Ａを適用することとした。
【００８９】
＜押し込みシャフト９Ａの概略構成＞
図４は、実施例２による押し込みシャフト９ＡをＸ線装置１０に適用した場合の概略構成を説明するものである。この押し込みシャフト９Ａにおいては、先端面９１ａの中心側（軸心側）に、凹部（所謂ザグリ穴）９１ｂが設けられている。この凹部９１ｂは、先端面９１ａの中心側において両端他方側方向に開口した形状であって、エミッタ支持部雌螺子穴４５の開口径よりも大径の形状となっている。
【００９０】
以上示した実施例２によれば、実施例１と同様の作用効果を奏する他に、以下に示すことが言える。すなわち、例えばエミッタ支持部雌螺子穴４５に異物が存在している場合には、図４に示すような押し込みシャフト９Ａの先端面９１ａとエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａとの両者を近接させて接触すると、当該異物を凹部９１ｂ内に受容し易くなる。
【００９１】
これにより、先端面９１ａと開口縁面４５ａとの両者間に異物が介在しないように抑制できる。そして、当該両者を面接触状態にすることが容易となり、押し込みシャフト９Ａにおいてはエミッタ支持部４に対する軸心ズレを抑制し易くなる。
【００９２】
≪実施例３≫
Ｘ線装置１０においては、押し込みシャフト９，９Ａの両端方向の移動量を適宜設定することにより、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者を所望通りに所定隣接状態にすることが可能であるが、当該Ｘ線装置１０の内部を視認することができないため、当該両者が実際に所定隣接状態になっているかどうか確認することが困難となる場合が考えられる。すなわち、押し込みシャフト９，９Ａの両端方向の移動量を適格に設定することが困難となる場合が考えられる。
【００９３】
そこで、実施例３では、以下に示すように押し込みシャフト９Ｂを適用できるＸ線装置１０Ｂを構成し、当該押し込みシャフト９Ｂの両端方向の移動量を適格に設定し易くした。
【００９４】
＜Ｘ線装置１０Ｂの概略構成＞
図５，図６に示す符号１０Ｂは、実施例３によるＸ線装置の概略構成を説明するものである。Ｘ線装置１０Ｂは、エミッタ支持部操作孔３２に押し込みシャフト９Ｂを貫装自在な構成となっている。
【００９５】
このＸ線装置１０Ｂのエミッタ支持部操作孔３２は、内周面における両端方向の中央側に、両端一方側から両端他方側に向かって階段状に縮径された形状の内周段差部３３が設けられている。これにより、エミッタ支持部操作孔３２の内周面における内周段差部３３から両端一方側が、当該内周段差部３３から両端他方側と比較して、大径となっている。
【００９６】
押し込みシャフト９Ｂは、当該押し込みシャフト９Ｂの外周面における両端方向の中央側に、両端一方側から両端他方側に向かって階段状に縮径された形状の外周段差部９３が設けられている。これにより、当該押し込みシャフト９Ｂの外周面における外周段差部９３から両端一方側が、当該外周段差部９３から両端他方側と比較して、大径となっている。この押し込みシャフト９Ｂの先端面９１ａにおいては、実施例２と同様に、凹部９１ｂを設けても良い（図示省略）。
【００９７】
内周段差部３３および外周段差部９３の両者は、両端方向において重畳しており、当該両者が互いに接触（例えば面接触）する場合に、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５とが所定隣接状態となるように構成されているものとする。
【００９８】
以上示した実施例３によれば、実施例１，２と同様の作用効果を奏する他に、以下に示すことが言える。すなわち、エミッタ支持部操作孔３２に貫装されている押し込みシャフト９Ｂを、内周段差部３３および外周段差部９３の両者が接触するまで移動させた場合に、図５に示すように押し込みシャフト９Ｂの両端他方側への移動が規制されることとなり、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者が所定隣接状態になっているものと見做すことができる。
【００９９】
したがって、実施例３によれば、所定隣接状態が確認し易くなり、押し込みシャフト９Ｂの両端方向の移動量を適格に設定することが容易になる。
【０１００】
なお、内周段差部３３および外周段差部９３は、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者が所定隣接状態となる場合に互いに接触できれば良く、種々の態様を適用することが可能である。その一例としては、内周段差部３３および外周段差部９３の両者の接触面において、横断面方向に延在した形状とすることが挙げられる。具体例としては、図５，図６に示す内周段差部３３および外周段差部９３の接触面のように、両端一方側から両端他方側に近づくに連れてエミッタ支持部操作孔３２の径方向に縮径されたテーパー状のものが挙げられる。
【０１０１】
≪実施例４≫
実施例４では、以下に示すように押し込みシャフト９Ｃを適用できるＸ線装置１０Ｃを構成し、当該押し込みシャフトＢの両端方向の移動量を適格に設定できるようにした。
【０１０２】
＜Ｘ線装置１０Ｃの概略構成＞
図７，図８に示す符号１０Ｃは、実施例４によるＸ線装置の概略構成を説明するものである。Ｘ線装置１０Ｃは、エミッタ支持部操作孔３２に押し込みシャフト９Ｃを貫装自在な構成となっている。
【０１０３】
このＸ線装置１０Ｃのエミッタ支持部操作孔３２には、両端一方側から中央側に延在した基端部通路３４が設けられている。
【０１０４】
押し込みシャフト９Ｃの基端部９２は、当該押し込みシャフト９Ｃの径方向のうち対向する二方向に突出している突出部９２ｃを有した形状となっている。この突出部９２ｃは、突出方向の径寸法が、エミッタ支持部操作孔３２の両端他方側よりも大径となるように構成されている。この押し込みシャフト９Ｃの先端面９１ａにおいては、実施例２と同様に、凹部９１ｂを設けても良い（図示省略）。
【０１０５】
基端部通路３４は、エミッタ支持部操作孔３２の径方向のうち対向する二方向に拡径された長孔形状となっている。この基端部通路３４の拡径方向の径寸法は、エミッタ支持部操作孔３２の両端他方側よりも大径であって、エミッタ支持部操作孔３２に貫装された状態の押し込みシャフト９Ｃが軸回転方向において任意の角度で固定された姿勢の場合に、基端部９２が両端方向に移動自在な形状となっている。
【０１０６】
例えば、図７（Ｂ）の基端部通路３４の場合、エミッタ支持部操作孔３２に貫装された状態の押し込みシャフト９Ｃにおいて、突出部９２ｃが図示左右方向に突出するように延在した姿勢の場合に、基端部９２が基端部通路３４を両端方向に移動自在できる構成となっている。
【０１０７】
また、基端部通路３４における両端他方側には、当該基端部通路３４の径方向外側に膨出した空洞部３５が設けられている。この空洞部３５は、基端部通路３４における両端他方側に位置する押し込みシャフト９Ｃの基端部９２が軸回転自在な形状であり、図７に示すように当該空洞部３５内に突出部９２ｃを受容できる構成となっている。
【０１０８】
押し込みシャフト９Ｃと基端部通路３４の両者においては、当該押し込みシャフト９Ｃがエミッタ支持部操作孔３２に貫装された状態で基端部９２が基端部通路３４における両端他方側に位置する場合（基端部９２が空洞部３５に位置し両端他方側への移動が規制されている場合）に、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５とが所定隣接状態となるように構成されているものとする。この押し込みシャフト９Ｃの先端面９１ａにおいては、実施例２と同様に、凹部９１ｂを設けても良い（図示省略）。
【０１０９】
以上示した実施例４によれば、実施例１〜３と同様の作用効果を奏する他に、以下に示すことが言える。すなわち、エミッタ支持部操作孔３２に貫装されている押し込みシャフト９Ｃにおいて、基端部９２が基端部通路３４における両端他方側に位置するまで移動させた場合に、押し込みシャフト９Ｂの両端他方側への移動が規制されることとなり、エミッタ３の電子発生部３１とガード電極５との両者が所定隣接状態になっているものと見做すことができる。
【０１１０】
したがって、実施例４によれば、所定隣接状態が確認し易くなり、押し込みシャフト９Ｃの両端方向の移動量を適格に設定することが容易になる。また、空洞部３５内に基端部９２を収容した状態にすることにより、押し込みシャフト９Ｃの両端方向の移動を規制し位置決め固定することが可能となる。
【０１１１】
図７，図８に示すＸ線装置１０Ｃの場合、基端部側雄螺子部９２ａや操作孔雌螺子部３２ａによる螺合構成を適用していない。また、電界放射する場合には、押し込みシャフト９Ｃの基端部９２がＸ線装置１０Ｃ（フランジ部３０ａ）内に収容できる。
【０１１２】
これにより、図７，図８に示すＸ線装置１０Ｃにおいては、螺合構成を適用したＸ線装置１０〜１０Ｂと比較すると、当該Ｘ線装置１０Ｃの簡略化や小型化ができる可能性がある。また、エミッタ支持部操作孔３２に貫装されている押し込みシャフト９Ｃにおいて、両端方向に対する移動が容易となり、電界放射する場合には、押し込みシャフト９Ｃに対するＸ線装置１０Ｃの外周側からの衝撃等を抑制（押し込みシャフト９Ｃを保護し損傷等を抑制）することが可能となる。
【０１１３】
以上、本発明において、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲で多彩な変更等が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変更等が特許請求の範囲に属することは当然のことである。
【０１１４】
例えば、Ｘ線装置１０，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、エミッタ支持部４を両端方向に案内移動させるための案内手段（例えばエミッタ支持部４の外周側で両端方向に延在させたガイドレール等；図示省略）を、必要に応じて適宜設けることが挙げられる。
【０１１５】
その他、特許文献１等に開示されている内容を適宜適用して設計変形することもでき、実施例１〜４と同様の作用効果を奏することが可能である。
【符号の説明】
【０１１６】
１…真空室
１０，１０Ｂ，１０Ｃ…Ｘ線装置
１１…真空容器
２…絶縁体
３…エミッタ
３１…電子発生部
３１ａ…周縁部
３２…エミッタ支持部操作孔
３３…内周段差部
３４…基端部通路
３５…空洞部
４…エミッタ支持部
４１…ベローズ
４５…エミッタ支持部雌螺子穴
４５ａ…開口縁面
５…ガード電極
５１…小径部
５２…縁部
６…位置調整シャフト
６１，９１…先端部
７…ターゲット
９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…押し込みシャフト
９１ａ…先端面
９１ｂ…凹部
６２，９２…基端部
９２ｃ…突出部
９３…外周段差部
【要約】      （修正有）【課題】エミッタの電子発生部とガード電極との両者を所望通りに近接または当接し易くし、所望の電界放射を発揮し易くする。【解決手段】エミッタ支持部４に設けられているエミッタ支持部雌螺子穴４５の開口縁面４５ａは、エミッタ支持部雌螺子穴４５の径方向に沿って延在し、真空容器１１のフランジ部３０ａに設けられたエミッタ支持部操作孔３２は、位置調整シャフトおよび押し込みシャフト９から選択された一つを、それぞれ先端部側から貫装自在な形状であり、位置調整シャフトの先端部の外周面は、エミッタ支持部雌螺子穴４５と螺合自在な先端部側雄螺子部が設けられたものとし、押し込みシャフト９の先端部９１の先端面９１ａは、エミッタ支持部雌螺子穴４５の開口径よりも大径であって、押し込みシャフト９の径方向に沿って延在しているものとする。【選択図】図１【図１】
0006927368.tif 000002
【図２】
0006927368.tif 000003
【図３】
0006927368.tif 000004
【図４】
0006927368.tif 000005
【図５】
0006927368.tif 000006
【図６】
0006927368.tif 000007
【図７】
0006927368.tif 000008
【図８】
0006927368.tif 000009