(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装されたデバイスチップと、
前記配線基板上の外延部分に形成されたメタルパターンと、
前記デバイスチップを機密封止する封止部と
を有し、
前記メタルパターンは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、前記封止部は、前記メタルパターンと前記配線基板の両方に接合している弾性波デバイス。
【請求項２】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、前記電極パッドと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域においては、前記封止部と前記配線基板が接合する面積が、前記封止部と前記メタルパターンが接合する面積よりも大きい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、前記電極パッドと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記電極パッドと隣接しない前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積よりも小さい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、前記電極パッドは、複数形成されており、前記電極パッドの少なくとも一つは、グランド電位であり、グランド電位の前記電極パッドは、前記メタルパターンと電気的に接続されている、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、前記配線基板上に形成され、前記電極パッドと電気的に接続された素子パターンを有し、前記素子パターンと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記封止部と前記メタルパターンが接合する面積よりも大きい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、前記配線基板上に形成され、前記電極パッドと電気的に接続された素子パターンを有し、前記素子パターンと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記素子パターンと隣接しない前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積よりも小さい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記封止部は、合成樹脂からなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記デバイスチップは、ＳＡＷフィルタである、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記デバイスチップは、音響薄膜共振器を用いたフィルタである、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記配線基板上に２つのデバイスチップが実装されたデュプレクサである請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記配線基板の最外延部分は、前記メタルパターンが形成されていない請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
請求項１乃至１１に記載の弾性波デバイスを含むモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関連する。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどでは、複数の高周波数帯における通信に対応することが要請される。このため、高周波の周波数帯域の通信を通過させる複数のバンドパスフィルタを搭載したフロントエンドモジュールが用いられている。
【０００３】
また、フロントエンドモジュールでは、バンドパスフィルタやデュプレクサ、クワトロプレクサといった弾性波デバイスが用いられている。
【０００４】
特許文献１には、弾性波デバイスに関する技術の一例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１９−５４３５４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする主たる課題について説明する。
【０００７】
バンドパスフィルタやデュプレクサなどの弾性波デバイスにおいては、ＳＡＷフィルタなどのデバイスチップが、配線基板にフリップチップボンディングされている。
【０００８】
ＳＡＷフィルタを構成する共振器が機械的振動をするための中空領域を形成して、合成樹脂や金属などにより封止する。
【０００９】
弾性波デバイスの共振器は、機械的な振動等により発熱するため、放熱性のよいパッケージ構造が望まれる。
【００１０】
また、封止された中空領域への水分の浸入を抑制するため、封止部と配線基板の密着性が高いことが望まれる。
【００１１】
また、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンは、カップリング現象等が生じないように配慮されることが望まれる。
【００１２】
放熱性が悪いと、特性の劣化や耐電力寿命の低下等が生じてしまう。また、封止部と配線基板の密着性が低いと、内部の金属に錆等が発生しやすくなり、特性の劣化や寿命の劣化等が生じてしまう。また、カップリング現象が生じると、特性が劣化してしまう。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、より放熱性がよく、封止部と配線基板の密着性に優れ、かつ、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンとのカップリングが発生しにくい優れた特性の弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を達成するために、本発明にあっては、
配線基板と、
前記配線基板上に実装されたデバイスチップと、
前記配線基板上の外延部分に形成されたメタルパターンと、
前記デバイスチップを機密封止する封止部と
を有し、
前記メタルパターンは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、前記封止部は、前記メタルパターンと前記配線基板の両方に接合している弾性波デバイスとした。
【００１５】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、
前記電極パッドと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域においては、前記封止部と前記配線基板が接合する面積が、前記封止部と前記メタルパターンが接合する面積よりも大きいことが、本発明の一形態とされる。
【００１６】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、
前記電極パッドと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記電極パッドと隣接しない前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積よりも小さいことが、本発明の一形態とされる。
【００１７】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、
前記電極パッドは、複数形成されており、前記電極パッドの少なくとも一つは、グランド電位であり、グランド電位の前記電極パッドは、前記メタルパターンと電気的に接続されていることが、本発明の一形態とされる。
【００１８】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、
前記配線基板上に形成され、前記電極パッドと電気的に接続された素子パターンを有し、前記素子パターンと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記封止部と前記メタルパターンが接合する面積よりも大きいことが、本発明の一形態とされる。
【００１９】
前記配線基板上に形成され、前記デバイスチップと電気的に接続された電極パッドを有し、
前記配線基板上に形成され、前記電極パッドと電気的に接続された素子パターンを有し、前記素子パターンと隣接する前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積は、前記素子パターンと隣接しない前記凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域における前記封止部と前記配線基板が接合する面積よりも小さいことが、本発明の一形態とされる。
【００２０】
前記封止部は、合成樹脂からなることが、本発明の一形態とされる。
【００２１】
前記デバイスチップは、ＳＡＷフィルタであることが、本発明の一形態とされる。
【００２２】
前記デバイスチップは、音響薄膜共振器を用いたフィルタであることが、本発明の一形態とされる。
【００２３】
前記配線基板上に２つのデバイスチップが実装されたデュプレクサであることが、本発明の一形態とされる。
【００２４】
前記配線基板の最外延部分は、前記メタルパターンが形成されていないことが、本発明の一形態とされる。
【００２５】
前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本発明の一形態とされる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、より放熱性がよく、封止部と配線基板の密着性に優れ、かつ、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンとのカップリングが発生しにくい優れた特性の弾性波デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本実施例にかかる弾性波デバイス１の断面図である。
【図２】図２は、配線基板３のデバイスチップ５が実装される主面の構成例を示す図である。
【図３】図３は、配線基板３のデバイスチップ５が実装される主面の他の構成例を示す図である。
【図４】図４は、デバイスチップ５の構成を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施例にかかる弾性波デバイス１と、比較例の特性を示す図である。
【図６】図６は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。
【図７】図７は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の断面図である。
【図９】図９は、モジュール１００の回路構成の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２９】
図１は、本実施例にかかる弾性波デバイス１の断面図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施例にかかる弾性波デバイス１は、配線基板３と、配線基板３上に実装された、２つのデバイスチップ５を備える。
【００３１】
本実施例では、デバイスチップ５が２つ実装された、デュプレクサである弾性波デバイスの例を示すが、当然のことながら、本発明の適用対象として、デバイスチップ５が一つであるバンドパスフィルタとしての弾性波デバイスでもよく、デバイスチップ５が４つ実装されたクワトロプレクサでもよい。また、一つのデバイスチップ上にデュプレクサを実現する機能素子を形成することもできる。
【００３２】
配線基板３は、例えば、樹脂からなる多層基板、または、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板等が用いられる。また、配線基板３は、複数の外部接続端子３１を備える。
【００３３】
デバイスチップ５は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスからなる基板を用いることができる。
【００３４】
また、デバイスチップ５は、圧電基板と支持基板が接合された基板を用いてもよい。支持基板は、例えば、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板を用いることができる。
【００３５】
配線基板３上に、メタルパターン７および複数の電極パッド９が形成されている。メタルパターン７は、配線基板３の外延部分に形成されている。また、電極パッド９は、メタルパターン７の内側に形成されている。メタルパターン７および電極パッド９は、例えば、銅または銅を含む合金を用いることができる。また、メタルパターン７および電極パッド９は、例えば、１０μｍ〜２０μｍの厚みとすることができる。
【００３６】
デバイスチップ５を覆うように、封止部１７が形成されている。封止部１７は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、金属を用いてもよい。合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部１７を形成する。
【００３７】
デバイスチップ５は、バンプ１５を介して、配線基板３にフリップチップボンディングにより実装されている。
【００３８】
バンプ１５は、例えば、金バンプを用いることができる。バンプ１５の高さは、例えば、２０μｍから５０μｍである。
【００３９】
電極パッド９は、バンプ１５を介して、デバイスチップ５と電気的に接続されている。
【００４０】
図２は、配線基板３のデバイスチップ５が実装される主面の構成例を示す図である。
【００４１】
図２に示すように、配線基板３の外延部分にメタルパターン７が形成されている。メタルパターン７は、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有している。また、メタルパターン７は、必ずしも一つながりの金属パターンである必要はなく、間欠部分が形成されていてもよい。
【００４２】
配線基板３の外延を示す実線と、当該実線の内側に記載された破線で挟まれた領域ＡＲＥＡ１７は、封止部１７が接合する領域を示す。封止部１７が接合する領域ＡＲＥＡ１７は、配線基板３に接合する領域と、配線基板３上に形成されたメタルパターン７に接合する領域がある。すなわち、封止部１７（図２には図示なし）は、配線基板３とメタルパターン７の両方に接合している。
【００４３】
メタルパターン７は、配線基板３と封止部１７間の熱伝導性を高め、弾性波デバイスの放熱性をよくする。また、封止部１７が配線基板３と接合する領域と、封止部１７がメタルパターン７と接合する領域の境界が、凹凸形状またはギザギザ形状となっていることにより、境界線が長くなり、さらに、凹凸形状においてはメタルパターン７の凹部部分に、ギザギザ形状においては、メタルパターン７の谷部分に、封止部１７が入り込む。これにより、アンカー効果が得られ、封止部１７と配線基板３の密着性が高まる。
【００４４】
また、図２に示すように、配線基板３上に、複数の電極パッド９が形成されている。一部の電極パッドは、メタルパターン７と電気的に接続されており、グランド電位である電極パッドＧＮＤ９として形成されている。これにより、グランドを強化することができる。
【００４５】
一部の電極パッドは、素子パターン９１と電気的に接続されている。素子パターン９１は、例えば、インダクタンス成分を付加するなどの目的で適宜形成することができる。
【００４６】
また、図２に示すように、電極パッド９に隣接する領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＡＤＪ９は、封止部１７と配線基板３が接合する面積が、封止部１７とメタルパターン７が接合する面積よりも大きい。
【００４７】
これにより、電極パッド９とメタルパターン７のカップリング現象の発生を十分に抑制するための距離を確保することができる。
【００４８】
また、図２に示すように、電極パッド９に隣接する領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＡＤＪ９の封止部１７と配線基板３が接合する面積は、電極パッド９に隣接しない領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＮＯＴＡＤＪ９の封止部１７と配線基板３が接合する面積よりも小さい。
【００４９】
これにより、電極パッド９とメタルパターン７のカップリング現象の発生を十分に抑制するための距離を確保しつつ、配線基板３の放熱に十分なメタルパターン７の面積を確保しやすくすることができる。
【００５０】
また、図２に示すように、素子パターン９１に隣接する領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＡＤＪ９１は、封止部１７と配線基板３が接合する面積が、封止部１７とメタルパターン７が接合する面積よりも大きい。
【００５１】
これにより、素子パターン９１とメタルパターン７のカップリング現象の発生を十分に抑制するための距離を確保することができる。
【００５２】
また、図２に示すように、素子パターン９１に隣接する領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＡＤＪ９１の封止部１７と配線基板３が接合する面積は、素子パターン９１に隣接しない領域であって、メタルパターン７の凹凸形状部分又はギザギザ形状部分の領域として、一点鎖線で示す領域ＮＯＴＡＤＪ９１の封止部１７と配線基板３が接合する面積よりも小さい。
【００５３】
これにより、素子パターン９１とメタルパターン７のカップリング現象の発生を十分に抑制するための距離を確保しつつ、配線基板３の放熱に十分なメタルパターン７の面積を確保しやすくすることができる。
【００５４】
図３は、配線基板３のデバイスチップ５が実装される主面の他の構成例を示す図である。
【００５５】
図３に示すように、配線基板の最外延部分１０には、メタルパターン７が形成されていない。このような構造とすることにより、封止部１７と配線基板３の密着性は、さらに高まる。また、メタルパターン７は、必ずしも一つながりの金属パターンである必要はなく、間欠部分が形成されていてもよい。その他の構成は、図２で説明した内容と同様である。
【００５６】
図４は、デバイスチップ５の構成を説明するための図である。
【００５７】
図４に示すように、デバイスチップ５上に、弾性波素子５２および配線パターン５４が形成されている。
【００５８】
配線パターン５４上に、絶縁体５６が形成されている。絶縁体５６は、例えば、ポリイミドを用いることができる。絶縁体５６は、例えば、１０００ｎｍの膜厚で形成する。
【００５９】
絶縁体５６上にも配線パターン５４が形成されており、絶縁体５６を介して立体的に交差するように配線が形成されている。
【００６０】
弾性波素子５２および配線パターン５４は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金からなる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。弾性波素子５２および配線パターン５４は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍとすることができる。
【００６１】
配線パターン５４は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを構成する配線を含んでいる。また、配線パターン５４は、弾性波素子５２と電気的に接続されている。
【００６２】
図４に示すように、弾性波素子５２を複数形成することで、例えば、バンドパスフィルタを構成することができる。バンドパスフィルタは、入力パッドＩｎから入力された電気信号のうち、所望の周波数帯域のみの電気信号を通過させるように設計されている。
【００６３】
入力パッドＩｎから入力された電気信号は、バンドパスフィルタを通過し、所望の周波数帯域の電気信号が、出力パッドＯｕｔに出力される。
【００６４】
出力パッドＯｕｔに出力された電気信号は、バンプ１５および電極パッド９を介して、配線基板３の外部接続端子３１から出力される。
【００６５】
図５は、本実施例にかかる弾性波デバイス１と、比較例の特性を示す図である。
【００６６】
比較例は、配線基板上に形成されたメタルパターンにおいて、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有していない点以外、本実施例にかかる弾性波デバイス１と同様の構成である。
【００６７】
本実施例にかかる弾性波デバイス１の特性を実線の波形で、比較例にかかる特性を点線で示している。
【００６８】
図５に示すように、本実施例にかかる弾性波デバイス１は、比較例に比べて、カップリング現象が低減され、アイソレーション特性が改善していることが明らかである。特に、１．９ＧＨｚから２．０ＧＨｚの帯域においては、顕著な特性改善がみられた。
【００６９】
図６は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。
【００７０】
図６に示すように、デバイスチップ５上に、弾性表面波を励振するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと反射器５２ｂが形成されている。ＩＤＴ５２ａは、互いに対向する一対の櫛形電極５２ｃを有する。
【００７１】
櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄと複数の電極指５２ｄを接続するバスバー５２ｅを有する。反射器５２ｂは、ＩＤＴ５２ａの両側に設けられている。
【００７２】
ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、例えば、アルミニウムと銅の合金からなる。ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。
【００７３】
ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、他の金属、例えば、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。また、ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。
【００７４】
図７は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。
【００７５】
図７に示すように、チップ基板６０上に圧電膜６２が設けられている。圧電膜６２を挟むように下部電極６４および上部電極６６が設けられている。下部電極６４とチップ基板６０との間に空隙６８が形成されている。下部電極６４および上部電極６６は、圧電膜６２内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。
【００７６】
チップ基板６０は、例えば、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板を用いることができる。圧電膜６２は、例えば、窒化アルミニウムを用いることができる。
【００７７】
下部電極６４および上部電極６６は、例えば、ルテニウム等の金属を用いることができる。
【００７８】
弾性波素子５２は、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、適宜、多重モード型フィルタやラダー型フィルタに採用されることができる。
【００７９】
以上説明した本発明の一実施形態によれば、より放熱性がよく、封止部と配線基板の密着性に優れ、かつ、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンとのカップリングが発生しにくい優れた特性の弾性波デバイスを提供することができる。
【００８０】
（実施例２）
次に、本発明の別の実施形態である実施例２について説明する。
【００８１】
図８は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の断面図である。
【００８２】
図８に示すように、配線基板１３０の主面上に、弾性波デバイス１が実装されている。弾性波デバイス１は、例えば、図示はしないが、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１と、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２からなるデュアルフィルタであるとすることができる。
【００８３】
配線基板１３０は、複数の外部接続端子１３１を有している。複数の外部接続端子１３１は、所定の移動通信端末のマザーボードに実装される構成となっている。
【００８４】
配線基板１３０の主面上に、インピーダンスマッチングのため、第１のインダクタンス１１１および第２のインダクタ１１２が実装されている。モジュール１００は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止するための封止部１１７により、封止されている。
【００８５】
配線基板１３０の内部に、集積回路部品ＩＣが実装されている。集積回路部品ＩＣは、図示はしないが、スイッチング回路ＳＷ、第１のローノイズアンプＬＮＡ１および第２のローノイズアンプＬＮＡ２を含む。
【００８６】
図９は、モジュール１００の回路構成の概略を示す図である。
【００８７】
図９に示すように、モジュール１００の共通入力端子１０１（外部接続端子１３１）は、アンテナ端子ＡＮＴに接続されている。第１出力端子１０３および第２出力端子１０５（外部接続端子１３１）は、図示はしないが、信号処理回路に接続されている。
【００８８】
共通入力端子１０１から、スイッチング回路ＳＷによって、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１を通過する信号と、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２を通過する信号が切り分けられる。
【００８９】
第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１を通過した信号は、第１のインダクタ１１１によってインピーダンスマッチングがされ、第１のローノイズアンプＬＮＡ１により増幅され、第１出力端子１０３から出力される。或いは、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１が送信用フィルタである場合には、第１出力端子１０３は入力端子として機能し、第１のローノイズアンプＬＮＡ１により増幅され、かつ、第１のインダクタ１１１によってインピーダンスマッチングがされた信号が、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１を通過し、アンテナ端子から発信される。
【００９０】
第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２を通過した信号は、第２のインダクタ１１２によってインピーダンスマッチングがされ、第２のローノイズアンプＬＮＡ２により増幅され、第２出力端子１０５から出力される。或いは、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２が送信用フィルタである場合には、第２出力端子１０５は入力端子として機能し、第２のローノイズアンプＬＮＡ２により増幅され、かつ、第２のインダクタ１１２によってインピーダンスマッチングがされた信号が、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２を通過し、アンテナ端子から発信される。
【００９１】
その他の構成は、実施例１で説明した内容と重複するため、省略する。
【００９２】
以上説明した本発明の実施形態によれば、より放熱性がよく、封止部と配線基板の密着性に優れ、かつ、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンとのカップリングが発生しにくい優れた特性の弾性波デバイスを有するモジュールを提供することができる。
【００９３】
なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。
【００９４】
また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。
【００９５】
かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
【００９６】
また、ここで使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、および横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は例示にすぎない。
【符号の説明】
【００９７】
１  弾性波デバイス
３  １３０  配線基板
５  デバイスチップ
７  メタルパターン
９  ＧＮＤ９  電極パッド
１０  最外延部分
１５  バンプ
１７  １１７封止部
３１  １３１  外部接続端子
５２  弾性波素子
５４  配線パターン
５６  絶縁体
６０  チップ基板
６２  圧電膜
６４  下部電極
６６  上部電極
６８  空隙
１００  モジュール
１０１  共通入力端子
１０３  第１出力端子
１０５  第２出力端子
１１１  第１のインダクタ
１１２  第２のインダクタ
ＡＮＴ  アンテナ端子
ＳＷ    スイッチング回路
ＢＰＦ１  第１のバンドパスフィルタ
ＢＰＦ２  第２のバンドパスフィルタ
ＬＮＡ１  第１のローノイズアンプ
ＬＮＡ２  第２のローノイズアンプ
ＩＣ      集積回路部品
【要約】
【課題】より放熱性がよく、封止部と配線基板の密着性に優れ、かつ、所望の周波数帯の電気信号が通過するメタルパターンと、所望の周波数帯の電気信号が通過しないメタルパターンとのカップリングが発生しにくい優れた特性の弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】配線基板と、前記配線基板上に実装されたデバイスチップと、前記配線基板上の外延部分に形成されたメタルパターンと、前記デバイスチップを機密封止する封止部とを有し、前記メタルパターンは、凹凸形状部分又はギザギザ形状部分を有し、前記封止部は、前記メタルパターンと前記配線基板の両方に接合している弾性波デバイス。
【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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