(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体吐出ダイであって：
流体の液滴を吐出する複数のノズルと；
第一の行列の形に配列された第一の複数のメモリユニットを有するメモリバンクと、この第一の行列が複数の行および複数の列を有することと；および
第一の複数のメモリユニットに共通する第一のバンク選択トランジスタとを含み、ここで第一のバンク選択トランジスタはバンク選択信号に基づいて第一の複数のメモリユニットのうちのメモリユニットに対するアクセスを促進し、
メモリバンクは第二の行列の形に配列された第二の複数のメモリユニットを含み、ここでシステムは第二の複数のメモリユニットに共通する第二のバンク選択トランジスタを含み、そして第二のバンク選択トランジスタはバンク選択信号を受信し、このバンク選択信号に基づいて第二の複数のメモリユニットのうちのメモリユニットに対するアクセスを促進する、流体吐出ダイ。
【請求項２】
複数のメモリユニットの各々のメモリユニットは、電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）メモリユニットである、請求項１の流体吐出ダイ。
【請求項３】
第一のバンク選択トランジスタは第一の複数のメモリユニットの周囲に配置され、第二のバンク選択トランジスタは第二の複数のメモリユニットの周囲に配置されている、請求項１または２の流体吐出ダイ。
【請求項４】
第一の複数のメモリユニットのうちのメモリユニットは、そのメモリユニットを有する行によって行選択信号が受信され、そのメモリユニットを有する列によって列選択信号が受信され、そして第一のバンク選択トランジスタがバンク選択信号を受信した場合にアクセス可能とされ、
第二の複数のメモリユニットのうちのメモリユニットは、そのメモリユニットを有する行によって行選択信号が受信され、そのメモリユニットを有する列によって列選択信号が受信され、そして第二のバンク選択トランジスタがバンク選択信号を受信した場合にアクセス可能とされる、請求項１から３のいずれかの流体吐出ダイ。
【請求項５】
流体カートリッジであって：
流体を格納する流体リザーバと；
流体リザーバに結合された流体吐出ダイとを含み、流体吐出ダイが：
流体の液滴を吐出する複数のノズルと；
複数の電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）バンクとを含み、ここで各々のＥＭバンクが：
行列の形に配列された複数のＥＭメモリユニットと、この行列が複数の行および列を有することと；および
複数のＥＭユニットに共通するバンク選択トランジスタとを含み、ここでバンク選択トランジスタはバンク選択信号を受信してＥＭバンク内のＥＭメモリユニットに対するアクセスを促進し、
各々のＥＭメモリユニットは読み出しおよび書き込みを行うためにアクセス可能な浮遊ゲートトランジスタを含み、
各々のＥＭバンクは：
複数の列選択トランジスタと、ここで各々の列選択トランジスタは複数のＥＭメモリユニットのＥＭメモリユニットに対応しており列選択信号を受信すること；および
複数の行選択トランジスタと、ここで各々の行選択トランジスタは行列の行に対応しており行選択信号を受信することを含み、そして
各々のＥＭメモリユニットの浮遊ゲートトランジスタは、そのＥＭメモリユニットに対応する列選択トランジスタおよびそのＥＭメモリユニットを有する行に対応する行選択トランジスタに接続されている、流体カートリッジ。
【請求項６】
バンク選択トランジスタは複数の行選択トランジスタの各々の行選択トランジスタに接続されている、請求項５の流体カートリッジ。
【請求項７】
バンク選択トランジスタは複数のＥＭメモリユニットの周囲に配置されている、請求項５または６の流体カートリッジ。
【請求項８】
流体カートリッジであって：
流体を格納する流体リザーバと；
流体リザーバに結合された流体吐出ダイとを含み、流体吐出ダイが：
流体の液滴を吐出する複数のノズルと；
複数の電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）バンクとを含み、ここで各々のＥＭバンクが：
第一の行列の形に配列された第一の複数のＥＭメモリユニットと、この行列が複数の行および列を有すること；
第一の複数のＥＭユニットに共通する第一のバンク選択トランジスタと、ここで第一のバンク選択トランジスタはバンク選択信号を受信してＥＭバンク内のＥＭメモリユニットに対するアクセスを促進すること、
第二の行列の形に配列された第二の複数のＥＭメモリユニットと、この行列が複数の行および列を有すること；および
第二の複数のＥＭメモリユニットの各々のＥＭメモリユニットに共通する第二のバンク選択トランジスタを含み、そして
第二のバンク選択トランジスタはバンク選択信号をそのゲート端子で受信する、流体カートリッジ。
【請求項９】
第一のバンク選択トランジスタは第一の複数のＥＭメモリユニットの周囲に配置され、第二のバンク選択トランジスタは第二の複数のＥＭメモリユニットの周囲に配置されている、請求項８の流体カートリッジ。
【請求項１０】
読み出しおよび書き込みの少なくとも一方についてＥＭメモリユニットにアクセスするために、複数のＥＭメモリユニットの各々のＥＭメモリユニットに接続された識別（ＩＤ）ラインを含む、請求項５から９のいずれかの流体カートリッジ。
【請求項１１】
バンク選択信号を複数のＥＭバンクのバンク選択トランジスタに提供するバンク選択レジスタを含む、請求項５から１０のいずれかの流体カートリッジ。
【請求項１２】
行選択信号を複数のＥＭバンクの行選択トランジスタに提供するための行選択レジスタ、および列選択信号を複数のＥＭバンクの列選択トランジスタに提供するための列選択レジスタを含む、請求項５から１１のいずれかの流体カートリッジ。
【請求項１３】
プリントカートリッジであって：
印刷材料を格納するための印刷材料リザーバと；
印刷材料リザーバに結合されたプリントヘッドを含み、プリントヘッドが：
印刷材料を吐出するための複数のノズルと；
複数の電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）バンクとを含み、ここで複数のＥＭバンクの各々のＥＭバンクが：
行および列の形に配列された第一の複数のＥＭメモリユニットと；
ＥＭメモリユニットに接続された行選択トランジスタおよび列選択トランジスタを介して第一の複数のＥＭメモリユニットの各々のＥＭメモリユニットに接続された第一のバンク選択トランジスタと、ここで第一のバンク選択トランジスタはバンク選択信号を受信した際にＥＭメモリユニットのアクセスを促進することと、
行および列の形に配列された第二の複数のＥＭメモリユニットと；および
第二の複数のＥＭメモリユニットの各々のＥＭメモリユニットに接続された第二のバンク選択トランジスタとを含み、第二のバンク選択トランジスタがバンク選択信号を受信した場合に第二の複数のＥＭメモリユニットのうちのＥＭメモリユニットに対するアクセスを促進する、プリントカートリッジ。
【請求項１４】
ＥＭメモリユニットにアクセスするために第一および第二の複数のＥＭメモリユニットの各々のＥＭメモリユニットに接続された識別（ＩＤ）ラインを含む、請求項１３のプリントカートリッジ。
【請求項１５】
第一のバンク選択トランジスタは第一の複数のＥＭメモリユニットの周囲に配置され、第二のバンク選択トランジスタは第二の複数のＥＭメモリユニットの周囲に配置されている、請求項１３または１４のプリントカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
メモリユニットは、情報を記憶するために広く使用されている。例えばプリントヘッドにおいては、プリントカートリッジの属性に関する情報は通常、メモリユニットに記憶されている。この情報はメモリユニットにバイナリ形態で、すなわち「０」および「１」で記憶されてよい。メモリユニットの種類の幾つかの例は、マスクリードオンリーメモリ（ＭＲＯＭ）メモリユニット、消去可能なプログラム可能リードオンリーメモリ（ＥＰＲＯＭ）メモリユニット、および電気的に消去可能なプログラム可能リードオンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）メモリユニットである。場合によっては、幾つかのメモリユニットが単一のメモリバンクの形で一緒に配列される。メモリバンクは複数のメモリユニットを行列の形で、すなわち行および列でもって含んでよい。
【図面の簡単な説明】
【０００２】
以下の詳細な説明は図面を参照するが、そこにおいて：
【０００３】
図１は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、流体吐出ダイを示す。
【０００４】
図２（ａ）は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、流体吐出ダイを含む流体カートリッジを示す。
【０００５】
図２（ｂ）は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、プリントヘッドを含むプリントカートリッジを示す。
【０００６】
図３は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、メモリバンク内の電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）メモリユニットの行列に対するバンク選択トランジスタの接続を示している。
【０００７】
図４は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、ＥＭバンクのレイアウトを示している。
【０００８】
図５は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、ＥＭメモリユニットの複数の行列を有するＥＭバンクを示している。
【０００９】
図６は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、列選択信号、行選択信号、およびバンク選択信号をそれぞれ生成するための、列選択レジスタ、行選択レジスタ、およびバンク選択レジスタを示している。
【００１０】
図７は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、ＥＭバンクについてバンク選択信号を発生するバンク選択シフトレジスタの第一段を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
メモリバンクは、識別情報、シリアルナンバー、セキュリティ情報、特徴エンハンスメント情報、およびその他といった、流体吐出ダイに関連する種々の情報を記憶するために、プリントヘッドのような流体吐出ダイにおいて使用されてよい。メモリバンクは、メモリバンク内のメモリユニットに対するデータの読み出しまたは書き込みを行うために、複数のメモリユニットを含んでいる。メモリユニットは、読み出し動作または書き込み動作に先立って選択される。メモリユニットは行および列に配列されているから、メモリユニットは、そのメモリユニットが配置されている行および列を選択することによって選択可能である。そのメモリユニットに対応する行および列は、そのメモリユニットに対応する行に印加される行選択信号、およびそのメモリユニットに対応する列に印加される列選択信号のような、一組の選択信号を提供することによって選択されてよい。
【００１２】
大量のデータを記憶する場合には、幾つかのメモリバンクを使用してよい。そうした場合には、読み出しまたは書き込みのためにメモリユニットにアクセスするためには、そのメモリユニットに対応する行および列を選択することに加えて、そのメモリユニットに対応するメモリバンクもまた選択される。したがって、選択するメモリユニットに対応するメモリバンクに対して、バンク選択信号もまた提供される。
【００１３】
こうした各種の選択信号は、一つまたはより多くのレジスタによって生成してよい。かくしてメモリユニットの選択は、メモリユニットの行を選択する行選択信号を生成し、メモリユニットの列を選択する列選択信号を生成し、そしてそのメモリユニットが存在するバンクを選択するバンク選択信号を生成する、一つまたはより多くのレジスタによって行われてよい。
【００１４】
本願の主題は、メモリバンク内のメモリユニットに対してアクセスを行う側面に関連する。本願の主題の実施形態は、例えば、各種の選択レジスタを実施するために、流体吐出ダイにおいて消費される空間の量を最小限にする効率的なレイアウトを提供する。
【００１５】
本願の主題の例示的な実施形態によれば、メモリバンク内に存在する複数のメモリユニットに共通する、バンク選択トランジスタが提供される。メモリバンク内の複数のメモリユニットは、複数の行および列を有する行列の形で配列される。バンク選択トランジスタは、選択レジスタによって提供されてよいバンク選択信号に基づいて、メモリバンク内の複数のメモリユニットのうちのメモリユニットに対するアクセスを促進する。
【００１６】
本願の主題の例示的な実施形態によれば、流体吐出ダイのようなデバイスに、複数のメモリバンクが備えられる。各々のメモリバンクには、複数のメモリユニット、および複数のメモリユニットに共通するバンク選択トランジスタが備えられる。メモリバンク内のバンク選択トランジスタはバンク選択信号を受信し、メモリバンク内のメモリユニットに対するアクセスを促進する。バンク選択トランジスタは各々のメモリユニットに対して、そのメモリユニットに接続された行選択トランジスタおよび列選択トランジスタを介して接続されてよく、そしてバンク選択信号を受信すると、複数のメモリユニットのうちのメモリユニットに対するアクセスを促進することができる。
【００１７】
バンク選択トランジスタは、メモリバンク内の複数のメモリユニットに共通であるから、複数のメモリユニットへのアクセスは、バンク選択トランジスタに対して提供される単一のバンク選択信号を使用して制御することができる。また、メモリユニットごとに一つのバンク選択トランジスタを備えさせることに代えて、単一のバンク選択トランジスタをメモリバンク内の複数のメモリユニットに対して共通に備えさせることにより、本願の主題は、メモリユニットに対するアクセスを促進するためにメモリバンクに備えられるトランジスタの数をかなり低減させる。このことは、メモリバンクを用いたデバイスの大きさを低減させる。したがって、本願の主題の側面は、プリントヘッドのような空間的に制約されたデバイスにおいて、限られた量の空間に大量のデータを記憶するために使用することができる。備えられるトランジスタの数の低減はまた、デバイスにより多くのメモリユニットおよびメモリバンクを有することを可能にし、それによってデバイスにより行われる機能の数が増大される。
【００１８】
以下の説明は、添付図面を参照している。可能な限り、同じ参照番号を図面および以下の説明中において使用し、同一または類似の部材を参照している。説明中では幾つかの例を記載しているが、修正、適合、および他の実施が可能である。したがって以下の詳細な説明は、開示された例を限定するものではない。そうではなしに、開示された例の適切な範囲が、添付の請求項によって定義されていてよい。
【００１９】
本願の主題の例示的な実施形態は、プリントヘッドのような流体吐出ダイにおいて使用されるメモリバンクに関して記載される。記載はされていないが、本願の主題の実施形態は、幾つかのメモリバンクの一つにあるメモリユニットがアクセスされる、他の種類の流体吐出ダイについても使用可能であることが理解されよう。
【００２０】
図１は、本願の主題の例示的な実施形態に従う流体吐出ダイ１００を示している。流体吐出ダイ１００の例には、限定するものではないが、サーマルインクジェット（ＴＩＪ）プリントヘッドおよび圧電インクジェットプリントヘッドのようなプリントヘッドが含まれる。流体吐出ダイ１００は、インクおよび液体トナーのような流体の液滴を、複数のオリフィスまたはノズル１０４を介して印刷媒体（図１には示されていない）に向けて吐出し、印刷媒体上に印刷を行う。印刷媒体は、紙、板紙、布帛、およびその他といった適切なシート状材料の任意の種類のものであることができる。典型的には、ノズル１０４は一つまたはより多くの列またはアレイに配列されており、ノズルから流体が適切なシーケンスで吐出されると、文字、符号、および／または他のグラフィックスまたはイメージが印刷媒体上に印刷されるようになっている。
【００２１】
メモリバンク１０２はまた複数のメモリユニット１０６−１、１０６−２、・・・、１０６−ｎを含んでおり、集合的にメモリユニット１０６と称される。メモリユニット１０６は、複数の行および列を有する行列の形でもって、メモリバンク１０２内に配列されている。
【００２２】
各々のメモリユニット１０６は、データを記憶することができる。メモリユニットに記憶可能なデータは例えば、１ビットのデータ、すなわち論理「０」または論理「１」であってよい。また、メモリユニットに記憶されるデータは、取り出し可能である。換言すれば、各々のメモリユニットは書き込みまたは読み出しが可能である。メモリユニットは、データの書き込みまたはデータの読み出しのためにアクセス可能である。メモリユニット１０６のうちのあるメモリユニットに対するアクセスを促進するために、流体吐出ダイ１００はバンク選択トランジスタ１０８を含んでいる。バンク選択トランジスタ１０８はメモリバンク１０２の外側に配置されるものとして示されているが、実施形態によっては、バンク選択トランジスタ１０８はメモリバンク１０２内部に配置される。
【００２３】
バンク選択トランジスタ１０８はメモリユニット１０６に共通である。バンク選択トランジスタ１０８は、バンク選択トランジスタ１０８をメモリユニット１０６の各々のメモリユニットに接続することによって、メモリユニット１０６に共通のものとすることができる。ここではバンク選択トランジスタ１０８は、メモリユニット１０６へと矢印で接続されたものとして示されており、バンク選択トランジスタ１０８がメモリユニット１０６へと直接的または間接的のいずれかで接続可能であることが示されている。バンク選択トランジスタ１０８のメモリユニット１０６との接続は、図３を参照して説明される。バンク選択トランジスタ１０８はバンク選択信号１１０を受信する。バンク選択信号１１０に基づいて、バンク選択トランジスタ１０８はメモリバンク１０２内のメモリユニットに対するアクセスを促進する。
【００２４】
ある実施形態では、メモリユニット１０６は電気的にプログラム可能なリードオンリーメモリ（ＥＭ）メモリユニットである。用語「ＥＭメモリユニット」は、本願明細書で使用するところでは、電源供給がスイッチオフされた場合にもデータを保持する任意のプログラム可能なリードオンリーメモリとして広く理解される。一つの例では、ＥＭは消去可能なプログラム可能リードオンリーメモリ（ＥＰＲＯＭ）である別の例では、ＥＭは電気的に消去可能なプログラム可能リードオンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）である。
【００２５】
図１は単一のメモリバンク１０２を流体吐出ダイ１００内に示しているが、流体吐出ダイ１００は複数のメモリバンクを含むことができる。したがって、各々のメモリバンクは、そのメモリバンクにある複数のメモリユニットに共通の、対応するバンク選択トランジスタを有することができる。
【００２６】
バンク選択トランジスタ１０８はバンク選択信号１１０をバンク選択レジスタ（図１には示されていない）から受信し、これはバンク選択信号１１０を、アクセスするメモリユニットが含まれるメモリバンクに基づいて生成する。各々のメモリユニットはまた、それに関連する行選択トランジスタおよび列選択トランジスタ（両方とも図１には示されていない）を有することができる。メモリユニットは、それに接続された行選択トランジスタおよび列選択トランジスタが行選択信号および列選択信号をそれぞれ受信し、そしてバンク選択トランジスタ１０８がバンク選択信号１１０を受信した場合にアクセス可能である。各々のメモリユニットに対応して別々のバンク選択トランジスタを備えさせることに代えて、共用されるバンク選択トランジスタ１０８を複数のメモリユニット１０６対して備えさせることにより、流体吐出ダイ１００において相当の空間的節約が達成される。
【００２７】
上述した実施形態について、以下の段落を参照してより詳細に説明する。
【００２８】
図２（ａ）は、本願の主題の例示的な実施形態に従う流体カートリッジ２００を示している。この流体カートリッジ２００はより一般的には、流体噴射精密分配デバイスまたは流体吐出構造であり、インクおよび液体トナーといった流体を正確に分配する。一つの例では、流体カートリッジ２００は、流体噴射プリンタ用の単色インクカートリッジといった、プリントカートリッジであってよい。
【００２９】
本願の記載は、媒体上へとインクを吐出するインクジェットプリントカートリッジを一般的に説明しているが、本願の明細書の例は、インクジェットプリントカートリッジだけに限定されなくてよい。一般的に、本願の明細書の例は、流体を分配する任意の種類の流体噴射精密分配または吐出デバイスに関連している。流体という用語は、適用された力のもとで変形する任意の物質として、広く解釈されることを意図している。したがって流体の例には、液体および気体が含まれる。流体噴射精密分配デバイスは、対象となる流体の印刷または分配が、正確に特定された位置において、印刷されまたは分配が行われているものの上に特定のイメージを作成し、または作成することなく、精密に印刷または分配を行うことによって達成されるデバイスである。かくして、説明を行う目的で、プリントカートリッジまたはインクカートリッジについて記載する。しかしながら、本願に記載の原理で使用するについて、任意の種類の流体カートリッジを使用してよいことが理解されよう。
【００３０】
一つの実施形態において、流体カートリッジ２００は、インクおよび液体トナーのような流体を格納するための流体リザーバ２０２、および流体リザーバ２０２に結合されている、流体吐出ダイ１００のような流体吐出ダイ２０４を含んでいる。 流体カートリッジ２００がプリントカートリッジである場合は、流体リザーバ２０２に格納されている流体は印刷材料として参照されてよく、そして流体リザーバ２０２は印刷材料リザーバとして参照されてよい。流体リザーバ２０２に格納されている流体は、流体吐出ダイ２０４に流れることができ、これが流体の液滴を複数のノズル２０６を介して、印刷媒体に向けて吐出する。
【００３１】
一つの例では、流体吐出ダイ２０４は複数のＥＭバンク２０８−１、・・・、２０８−ｎを含んでおり、集合的にＥＭバンク２０８として称される。ＥＭバンクは、ＥＭメモリユニットの任意の数の行列の任意の組み合わせを指している。ＥＭバンク２０８は、それが使用されるデバイスについて、種々の情報を記憶するために使用可能である。例えば、流体吐出ダイ２０４がプリントヘッドである場合、記憶される情報は、プリントヘッドの識別、インクカートリッジの種類、およびインクカートリッジに収容されているインクの種類といった識別情報、シリアルナンバー、セキュリティ情報、特徴エンハンスメント情報、およびその他であってよい。ＥＭバンク２０８に記憶されている情報に基づいて、流体吐出ダイ２０４を含んでいるプリンタ（図２（ａ）には示されていない）にあるプリンタコントローラ（図２（ａ）には示されていない）は、イメージ品質を維持するための印刷ルーチンの変更といった、一つまたはより多くの動作を行ってよい。
【００３２】
各々のＥＭバンクは、複数のＥＭメモリユニットの行列を含んでいる。メモリユニットの行列は、複数の行および列をなすメモリユニットの配列を指している。例えば、ＥＭバンク２０８−１は、行列の形をしたＥＭメモリユニット２１０−１、２１０−２、・・・、２１０−ｎを含んでいる。同様に、ＥＭバンク２０８−ｎは、行列の形をしたＥＭメモリユニット２１２−１、２１２−２、・・・、２１２−ｎを含んでいる。
【００３３】
一つの例では、ＥＭバンクは６４のメモリユニットを含んでいる。一つの例では、メモリユニットの行列は、８行および８列に配列されたメモリユニットを含み、すなわち、そのメモリユニットの行列は、メモリユニットの８×８配列である。別の例では、メモリユニットの行列は、メモリユニットの８×４配列であり、すなわち８行および４列に配列されたメモリユニットを含んでいる。さらに他の例では、４×８、２×１６、およびその他といった他の配列を使用してよい。
【００３４】
複数のＥＭメモリユニットの行列に加えて、各々のＥＭバンクはまた、バンク選択トランジスタを含んでいる。例えば、ＥＭバンク２０８−１はバンク選択トランジスタ２１４を含み、そしてＥＭバンク２０８−ｎはバンク選択トランジスタ２１６を含んでいる。ＥＭバンクにあるバンク選択トランジスタは、複数のＥＭメモリユニットに共通である。バンク選択トランジスタを複数のＥＭメモリユニットに共通のものとするために、バンク選択トランジスタは複数のＥＭメモリユニットの各々のメモリユニットに接続されてよい。例えば図２（ａ）を参照すると、バンク選択トランジスタ２１４は、ＥＭメモリユニット２１０の各々のＥＭメモリユニット、すなわちＥＭメモリユニット２１０−１、ＥＭメモリユニット２１０−２、・・・、ＥＭメモリユニット２１０−ｎに接続可能である。バンク選択トランジスタの複数のＥＭメモリユニットとの接続については、図３を参照して説明する。
【００３５】
各々のバンク選択トランジスタはゲート端子を含んでいる。ゲート端子は、特定のＥＭバンクを選択するために使用される信号である、バンク選択信号を受信することができる。バンク選択トランジスタがバンク選択信号をそのゲート端子で受信すると、バンク選択トランジスタはターンオンする。バンク選択トランジスタは複数のＥＭメモリユニットの行列に共通であるから、バンク選択トランジスタがターンオンされると、行列中のＥＭメモリユニットに対する読み出しまたは書き込みのためのアクセスが促進される。
【００３６】
したがって、図２（ａ）に戻って参照すると、バンク選択トランジスタ２１４がバンク選択信号２１８をそのゲート端子で受信すると、ＥＭメモリユニット２１０−１、２１０−２、・・・、２１０−ｎに対するアクセスが促進される。同様に、バンク選択トランジスタ２１６がバンク選択信号２１８をそのゲート端子で受信すると、ＥＭメモリユニット２１２−１、２１２−２、・・・、２１２−ｎに対するアクセスが促進される。異なるＥＭバンクにあるバンク選択トランジスタは、バンク選択信号２１８を異なる時点において受信してよく、かくして任意の時点においては、単一のＥＭバンクだけにあるＥＭメモリユニットに対するアクセスが促進されている。バンク選択信号の生成については、図５を参照して説明する。一つの実施形態では、バンク選択トランジスタ２１４は各々のＥＭメモリユニットに対して、そのＥＭメモリユニットに接続された行選択トランジスタおよび列選択トランジスタを介して接続される。
【００３７】
図２（ｂ）は、本願の主題の例示的な実施形態に従うプリントカートリッジ２５０を示している。このプリントカートリッジ２５０は、流体カートリッジ２００に類似していてよい。プリントカートリッジ２５０の部品で流体カートリッジ２００の部品に対応するものは、流体カートリッジ２００の対応する部品よりも５０大きな参照番号によって示されている。例えば、プリントカートリッジ２５０のノズル２５６は、流体カートリッジ２００のノズル２０６に対応している。流体カートリッジ２００と同様に、プリントカートリッジ２５０もまたｎ個のＥＭバンクを含んでよい。しかしながら明確化のために、単一のＥＭバンク２５８−１が図示されている。同様に、ＥＭバンク２５８−１はＥＭメモリユニットを複数の行および列で含んでいるが、単一の列のＥＭメモリユニットが示されている。
【００３８】
ＥＭユニット２６０−１はバンク選択トランジスタ２６４へと、列選択トランジスタ２７０および行選択トランジスタ２７２を介して接続されている。同様に、ＥＭユニット２６０−ｍはバンク選択トランジスタ２６４へと、列選択トランジスタ２７４および行選択トランジスタ２７６を介して接続されている。行選択トランジスタおよび列選択トランジスタを介しての、メモリバンク内の複数のＥＭメモリユニットの行列に対するバンク選択トランジスタの接続については、図３を参照して説明する。複数のＥＭメモリユニットの行列は、互換的に、ＥＭメモリユニットの行列として参照されてよい。
【００３９】
図３は本願の主題の例示的な実施形態に従う、メモリバンク３００内のＥＭメモリユニットの行列３０４に対するバンク選択トランジスタ３０２の接続を示している。ＥＭメモリユニットの行列３０４は、複数のＥＭメモリユニット３０６−１、３０６−２、・・・、３０６−ｍ、３０６−ｎを含んでおり、集合的にＥＭメモリユニット３０６と称される。ＥＭメモリユニットの行列３０４はＥＭメモリユニットを２行および２列で含むものとして示されているが、行列は任意の数の行および列のＥＭメモリユニットを含んでよいことが理解されよう。一つの例では、行列３０４は８×８行列のＥＭメモリユニットである。
【００４０】
ＥＭメモリユニット３０６−１は浮遊ゲートトランジスタ３０８を含んでいる。浮遊ゲートトランジスタ３０８のドレーン端子は抵抗器３１４の一方の端子に接続されている。抵抗器３１４の他方の端子は識別（ＩＤ）ライン３１６に接続されており、これを介して浮遊ゲートトランジスタ３０８は読み出しまたは書き込みのためにアクセス可能となる。浮遊ゲートトランジスタ３０８のソース端子は列選択トランジスタ３１０のドレーン端子に接続されている。列選択トランジスタ３１０のソース端子は行選択トランジスタ３１２のドレーン端子に接続されている。このようにして、浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２は相互に接続されている。浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２のこうした接続は、直列接続と称してよい。また、行選択トランジスタ３１２のソース端子は、バンク選択トランジスタ３０２のドレーン端子に接続されている。こうして、バンク選択トランジスタ３０２はＥＭメモリユニット３０６−１に接続される。バンク選択トランジスタ３０２のＥＭメモリユニット３０６−１とのこうした接続（列選択トランジスタ３１０および行選択トランジスタ３１２を介する）は、直列接続と称されてよい。バンク選択トランジスタ３０２のソース端子は基準電圧、例えば接地３１８に接続されてよい。
【００４１】
浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２は、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることができる。一つの例では、浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２は、Ｎ型（ＮＭＯＳ）デバイスである。他の例では、浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２はＰＭＯＳデバイスまたはＣＭＯＳデバイスである。一つの実施形態では、バンク選択トランジスタ３０２はＭＯＳＦＥＴであり、そしてＮＭＯＳデバイスであってよい。
【００４２】
一つの実施形態では、各々のＥＭメモリユニットは対応する列選択トランジスタを含んでいる。換言すれば、ＥＭメモリユニット内の浮遊ゲートトランジスタは、そのＥＭメモリユニット専用の列選択トランジスタに接続されている。例えば、列選択トランジスタ３１０はＥＭメモリユニット３０６−１専用であり、浮遊ゲートトランジスタ３８０の他には、どの浮遊ゲートトランジスタにも接続されていない。しかしながら行選択トランジスタは、ＥＭメモリユニットの行列の特定の行にあるすべてのＥＭメモリユニットに共通である。換言すれば、行選択トランジスタは、ＥＭメモリユニットの行列のある行に対応している。図３を参照すると、行選択トランジスタ３１２は、行列３０４にあるＥＭメモリユニットの最初の行に対応している。したがって、行選択トランジスタ３１２は、行列３０４の最初の行にある各々の列選択トランジスタに接続されている。行選択トランジスタは、ＥＭメモリユニットのある行全体に対応するものとして示されており、列選択トランジスタが一つのＥＭメモリユニットに対応しているが、一つの実施形態では、列選択トランジスタがＥＭメモリユニットのある列全体に対応するようにされ、行選択トランジスタは一つのＥＭメモリユニットに対応するようにされることが可能である。別の実施形態では、各々のＥＭメモリユニットは、それに対応する行選択トランジスタおよび列選択トランジスタを有してよい。
【００４３】
他のＥＭメモリユニット３０６−２、・・・、３０６−ｍ、３０６−ｎは、ＥＭメモリユニット３０６−１と同一であってよく、そしてＥＭメモリユニット３０６−１と類似の構成要素および接続を含んでいる。したがって、各々のＥＭメモリユニットの浮遊ゲートトランジスタのソース端子は、そのＥＭメモリユニットに対応する列選択トランジスタのドレーン端子に接続され、そして列選択トランジスタのソース端子は、そのＥＭメモリユニットを有する行に対応する行選択トランジスタのドレーン端子に接続されている。さらに、行列３０４内の各々の行に対応する行選択トランジスタのソース端子は、バンク選択トランジスタ３０２のドレーン端子に接続されている。このようにして、バンク選択トランジスタ３０２は、ＥＭメモリユニットの行列３０４内にある各々のＥＭメモリユニットに接続されている。換言すれば、こうした接続は、バンク選択トランジスタ３０２を行列３０４内にある複数のＥＭメモリユニット３０６−１、３０６−２、・・・、３０６−ｎに共通のものとすることを可能にする。
【００４４】
ＥＭメモリユニットの行列に対して共通のバンク選択トランジスタを備えさせることは、行列内でのバンク選択トランジスタと他のトランジスタの直列接続によって支援されるものとして図示されているが、バンク選択トランジスタを行列に対して共通のものとする、任意の他の方法を使用してよいことが理解されよう。
【００４５】
浮遊ゲートトランジスタ３０８は、絶縁体として作用する酸化層によって相互に分離された、二つのゲート端子を含んでいる。ゲートの一方はフローティングゲートと呼ばれ、そして他方はコントロールゲートと呼ばれている。フローティングゲートのＩＤライン３１６に対するリンクは、コントロールゲートを介している。浮遊ゲートトランジスタ３０８、列選択トランジスタ３１０、および行選択トランジスタ３１２のすべてのゲート端子が開放、すなわち電圧信号が供給されていない場合には、ＥＭメモリユニット３０６−１は何のデータも記憶せず、論理「０」（低抵抗状態）の値を与える。こうした場合に、フローティングゲートは電荷を持たず、ＥＭメモリユニット３０６−１のしきい値電圧を低とする。換言すれば、この場合には、ＥＭメモリユニット３０６−１は論理「０」の値を記憶する。
【００４６】
ＥＭメモリユニット３０６−１に記憶された値を論理「１」（高抵抗状態）に変化させるためには、列選択トランジスタ３１０および行選択トランジスタ３１２は、それぞれのゲート端子に電圧信号を印加することによってターンオンされる。その後、プログラミング電圧が浮遊ゲートトランジスタ３０８のコントロールゲートおよびドレーン端子に印加される。このプログラミング電圧は、ＩＤライン３１６を介して印加されてよい。プログラミング電圧は、励起された電子をフローティングゲートに引き寄せ、それによってしきい値電圧を増大させる。励起電子は薄い酸化膜に押し込まれ、その反対側にトラップされて、負の電荷を与える。これらの負に帯電した電子は、コントロールゲートおよびフローティングゲートの間で障壁として作用し、それによって記憶値を高抵抗状態、すなわち論理「１」に変化させる。記憶された値を変化させるためのプログラミング電圧の印加は、書き込みデータとして参照される。
【００４７】
ＥＭメモリユニット３０６−１に記憶された値を読み出すためには、まず、列選択トランジスタ３１０および行選択トランジスタ３１２がターンオンされる。その後、ＥＭメモリユニット３０６−１のしきい値電圧を検出することができる。しきい値電圧が低、例えばしきい値レベルよりも低い場合、ＥＭメモリユニット３０６−１は論理「０」の値を有すると言う。しきい値電圧が高（すなわちしきい値レベルよりも高い）場合、ＥＭメモリユニット３０６−１は論理「１」の値を有すると言う。しきい値電圧は、ＩＤライン３１６を使用して検出してよい。ＩＤライン３１６は行列３０４内のすべてのＥＭメモリユニットに接続されているから、ＩＤライン３１６を介してすべてのＥＭメモリユニットの書き込みおよび読み出しが可能である。
【００４８】
先に説明したように、列選択トランジスタ３１０および行選択トランジスタ３１２のターンオンは、それぞれのゲート端子に電圧信号を供給することによって達成可能である。列選択トランジスタ３１０のゲート端子に印加される電圧信号は列選択信号３２０と称され、そして行選択トランジスタ３１２のゲート端子に印加される電圧信号は行選択信号３２２と称される。一つの実施形態では、行列３０４の単一の列にあるすべての列選択トランジスタのゲート端子は一緒に接続されており、その列についての列選択信号３２０がその列のすべての列選択トランジスタをターンオン可能なようになっている。例えば、ＥＭメモリユニット３０６−１および３０６−ｍは両方とも行列３０４の最初に列にあることから、列選択トランジスタ３１０のゲート端子、およびＥＭメモリユニット３０６−ｍに対応する列選択トランジスタ３１４のゲート端子は、一緒に接続されている。
【００４９】
先に説明したように、バンク選択トランジスタ３０２は、行列３０４内にあるすべての行選択トランジスタに接続されている。したがって、行列３０４内にあるＥＭメモリユニットにデータを書き込みまたはそこからデータを読み出すためには、バンク選択トランジスタ３０２に対してバンク選択信号３２４を与えることによって、バンク選択トランジスタ３０２がターンオンされる。さらに、行列３０４内にある任意のＥＭメモリユニットに対するデータの書き込みまたは読み出しを防止するためには、バンク選択信号３２４はバンク選択トランジスタ３０２に与えられなくてよい。要するに、行列３０４内にあるＥＭメモリユニットへのアクセスは、バンク選択信号３２４をバンク選択トランジスタ３０２に与え、また与えないことによって制御することができる。
【００５０】
個別のバンク選択トランジスタを各々のＥＭメモリユニットに接続するのでなしに、バンク選択トランジスタ３０２を行列３０４内にあるすべてのＥＭメモリユニットに共用のものとして備えることにより、行列３０４、そして結果的に、ＥＭバンク３００の大きさを低減させることが可能になる。一つの例では、複数のＥＭメモリユニットに対して共通のバンク選択トランジスタを備えさせることにより、各々のＥＭメモリユニットが専用のバンク選択トランジスタ持っていた場合には２５６のＥＭメモリユニットを収容できた空間に、３２０のＥＭメモリユニットを配置することができる。かくして、本願の主題は、限られた空間により多くの数のＥＭメモリユニットを収容することを可能にする。したがって、本願の主題の技術を用いるプリントヘッドは、利用空間が限定されている場合でも、多くの数のＥＭメモリユニットを収容することができる。
【００５１】
図４は、本願の主題の例示的な実施形態に従うＥＭバンク４００のレイアウトを示している。先に説明したように、ＥＭバンク４００は、ＥＭメモリユニット４０２−１、４０２−２、・・・、４０２−ｎの行列を含むことができる。
【００５２】
ＥＭメモリユニット４０２−１は、データビットを記憶するための浮遊ゲートトランジスタ４０４を含んでいる。浮遊ゲートトランジスタ４０４は、列選択トランジスタ４０６によって取り囲まれている。さらに、行選択トランジスタ４０８が列選択トランジスタ４０６の周囲に配置されている。先に説明したように、この実施形態では、行選択トランジスタ４０８はＥＭメモリユニット４０２−１を有する行の全体に対応することから、行選択トランジスタ４０８はＥＭメモリユニット４０２−１を有する行にあるすべての列選択トランジスタを取り囲んでいる。さらに、先に説明したように、ＥＭメモリユニットの行列の一つの列にあるすべての列選択トランジスタのゲート端子は一緒に接続されている。このような接続はジャンパー４１０によって示されており、これは列選択トランジスタ４０６のゲート端子を、同じ列の次の行にある列選択トランジスタ４１２と接続している。
【００５３】
バンク選択トランジスタ４１４は、ＥＭメモリユニット４０２−１、４０２−２、・・・、４０２−ｎの行列の周囲に配置されている。バンク選択トランジスタ４１２のこうした配置は、それを行列内のすべての行選択トランジスタに共通に接続することを容易にする。さらにこうした配置は、寸法の大きなトランジスタをバンク選択トランジスタ４１２として提供することを可能にする。バンク選択トランジスタ４１２の寸法が大きいことは、それが小さな抵抗を有することを確実にする。さらに、寸法が大きいことはまた、バンク選択トランジスタ４１２が高いフリンジ静電容量を有することを可能にする。フリンジ静電容量が高いとバンク選択トランジスタ４１２の充電効率が改善され、これは次いで、バンク選択トランジスタ４１２のゲート端子電圧（Ｖｇ）を増大させる。高いＶｇは、バンク選択トランジスタ４１２の抵抗を減少させる。したがって、バンク選択トランジスタ４１２を接続することに起因して、各々のＥＭメモリユニットに導入される追加の抵抗値は最小限である。換言すれば、ＥＭメモリユニット全体の直列ターンオン抵抗（Ｒｏｎ）は小さい。Ｒｏｎの値が小さいことは、ＥＭメモリユニットのプログラミング効率を増大させる。換言すれば、Ｒｏｎが小さいことから、ＥＭメモリユニットに印加されるプログラミング電圧の大部分は、ＥＭメモリユニット内の浮遊ゲートトランジスタをプログラムするために使用される。
【００５４】
一つの実施形態では、高さが同じで幅方向に分離されているＥＭメモリユニット（例えば、４０２−１と４０２−２）はＥＭメモリユニットの行を形成し、そして垂直方向に分散された、すなわち一方が他の下側にあるＥＭメモリユニット（例えば、４０２−１と４０２−ｉ）は、ＥＭメモリユニットの列を形成する。ＥＭメモリユニットのこうした配列は、列が垂直方向に配向されていることから、垂直列配向として参照されてよい。しかしながら、別の実施形態では、高さが同じＥＭメモリユニットは行列の列を形成し、そして一方が別の下側にあるＥＭメモリユニットは行列の行を形成する。換言すれば、行に対応する行選択トランジスタは、一方が他方の下側にあるすべてのＥＭメモリユニットの周囲に配置することができ、高さが同じであるすべての列選択トランジスタのゲート端子は、一緒に接続することができる。ＥＭメモリユニットのこうした配列は、水平列配向として参照されてよい。  
【００５５】
図４は、メモリバンク４００にあるＥＭメモリユニットの単一の行列を図示しているが、しかしメモリバンクはＥＭメモリユニットの複数の行列を含んでよい。メモリバンクが収容されるダイ、例えばプリントヘッドダイが、メモリバンクのすべてのＥＭメモリユニットを単一の行列として収容するのに十分な寸法を有しない場合には、メモリバンクはＥＭメモリユニットの複数の行列を含んでよい。例えば、ＥＭメモリユニットを垂直列配向で有するＥＭバンク４００が、６４のＥＭメモリユニットを含む場合、プリントヘッドダイが８行のＥＭメモリユニットを収容するのに十分な長さを有し、そして８列のＥＭメモリユニットを収容するのに十分な幅を有するのであれば、それらをＥＭメモリユニットの単一の８×８行列として配列することができる。しかしながら、プリントヘッドダイが８列のＥＭメモリユニットを収容するのに十分な幅を有していないが、１６行のＥＭメモリユニットを含むのに十分な長さを有する場合には、６４のＥＭメモリユニットはメモリバンク内に、一方が他方の下側にある、ＥＭメモリユニットの二つの８×４行列として配列してよい。同様に、ＥＭバンクが水平列配向を有しており、６４のＥＭメモリユニットを含む場合、そしてプリントヘッドダイが８行のＥＭメモリユニットを収容するのに十分な幅を有していないが、１６列のＥＭメモリユニットを含むのに十分な長さを有する場合には、６４のＥＭメモリユニットはメモリバンク内に、一方が他方の下側にある、ＥＭメモリユニットの二つの４×８行列として配列してよい。このように、ダイの限られた幅に対応するために行および列の数が異なる複数の行列を有するＥＭバンクの配列は、こうした配列がより「スリム」なＥＭバンクをもたらすことを可能にすることから、スリムＥＭレイアウトとして知られている。他方、８×８行列のような、同じ数の行および列を有する単一の行列を持つＥＭバンクの配列は、ワイドＥＭレイアウトとして参照されてよい。ＥＭメモリユニットを収容するために流体吐出ダイ上で利用可能な長さおよび幅は、デバイスの利用可能なシリコン（Ｓｉ）面積として知られている。一つの例では、一方が他方の下側にある、二つの８×４行列として配列された水平配向のＥＭメモリユニットを有するＥＭバンクは、１０２３μｍの長さおよび２２５μｍの幅を有する。別の例では、一つの８×８行列に配列されたワイドＥＭレイアウトを有するＥＭバンクは、４８６μｍの長さおよび４２５μｍの幅を有する。ＥＭバンクにおけるＥＭメモリユニットの複数の行列の配列は、図５を参照して説明する。
【００５６】
図５は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、ＥＭメモリユニットの複数の行列５０２、５０４を有するＥＭバンク５００を示している。ＥＭメモリユニットの行列５０２およびＥＭメモリユニットの行列５０４はそれぞれ、ＥＭメモリユニットの第一の行列およびＥＭメモリユニットの第二の行列として参照されてよい。ＥＭメモリユニットの第一の行列５０２にあるＥＭメモリユニットは、第一の複数のＥＭメモリユニットとして参照されてよい。同様に、ＥＭメモリユニットの第二の行列５０４にあるＥＭメモリユニットは、第二の複数のＥＭメモリユニットとして参照されてよい。第一の行列５０２および第二の行列５０４は、ＥＭメモリユニットを２行１列で含むものとして示されているが、しかし第一の行列５０２および第二の行列５０４は、任意の数の行および列のＥＭメモリユニットを含んでよい。例えば、第一の行列５０２および第二の行列５０４はそれぞれ、８行および４列（８×４）のＥＭメモリユニットを垂直列配向で含んでよい。別の例では、第一の行列５０２および第二の行列５０４はそれぞれ、４行および８列（４×８）のＥＭメモリユニットを水平列配向で含んでよい。一つの実施形態では、第一の行列５０２および第二の行列５０４は、同じ数のＥＭメモリユニットの行、そしてまた同じ数のＥＭメモリユニットの例を含んでいる。
【００５７】
ＥＭメモリユニットの第一の行列５０２および第二の行列５０４は、メモリバンク５００において横並びで配列されたものとして示されているが、しかし一つの実施形態では、第二の行列５０４は第一の行列５０２の下側に配列されてよい。例えば、第一の行列５０２および第二の行列５０４は、一方が他方の下側に配列された、垂直列配向の８×４行列または水平列配向の４×８行列であってよい。先に記載したように、ＥＭメモリユニットの第一の行列５０２および第二の行列５０４のこうした配列は、プリントヘッドのような狭い幅を有する流体吐出ダイの上にメモリバンク５００を収容することを可能にする。
【００５８】
一つの実施形態では、ＥＭバンク５００内の各々の行列は、専用のバンク選択トランジスタを含んでいる。換言すれば、個別のバンク選択トランジスタが、単一の行列だけに存在する複数の行選択トランジスタに接続されている。図５に戻って参照すると、第一のバンク選択トランジスタとしても参照されるバンク選択トランジスタ５０６が、第一の行列５０４だけにある行選択トランジスタに対して共通に接続されており、これに対して第二のバンク選択トランジスタ５０８が、第二の行列５０４だけにある行選択トランジスタに対して接続されている。理解されるように、ＥＭバンク５００が追加のＥＭメモリユニットの行列を含む場合には、メモリバンク５００はＥＭメモリユニットの追加の行列の各々について個別のバンク選択トランジスタを含むことができる。例えば、ＥＭバンク５００がＥＭメモリユニットの四つの８×２行列を含む場合には、ＥＭバンク５００は、一つの行列にある行選択トランジスタに各々が接続された、四つのバンク選択トランジスタを含むことができる。
【００５９】
図５に示されているように、第一のバンク選択トランジスタ５０６および第二のバンク選択トランジスタ５０８のゲート端子は一緒に接続されており、バンク選択信号５１０を同時に受信できるようになっている。したがって、第一のバンク選択トランジスタ５０６および第二のバンク選択トランジスタ５０８の両方のターンオンは、バンク選択信号５１０に基づいて一緒に制御される。ＥＭメモリユニットの各々の行列に別個のバンク選択トランジスタを備えさせ、それらのゲート端子を一緒に接続すると、本願の主題の技術をスリムＥＭレイアウトにおいても同様に使用することが可能になる。したがって、本願の主題の技術は、幅の狭い流体吐出ダイを有するプリントヘッドにおいても使用可能である。さらに、複数の行列のバンク選択トランジスタが一緒に接続されていることから、バンク選択トランジスタの有効寸法は増大される。このことはフリンジ静電容量をさらに増大させ、それによってＶｇを増大させ、抵抗を減少させる。一つの例では、ＥＭメモリユニットの行列が８×８行列である場合、バンク選択トランジスタ４１０の有する幅対長さ（Ｗ／Ｌ）比は１４４６μｍ／４μｍである。一つの例では、ＥＭメモリユニットの行列が８×４行列である場合、バンク選択トランジスタ４１０の有する幅対長さ（Ｗ／Ｌ）比は１３３８μｍ／４μｍである。
【００６０】
第一のバンク選択トランジスタ５０６および第二のバンク選択トランジスタ５０８にバンク選択信号５１０が供給されている場合、第一の行列５０２または第二の行列５０４にあるＥＭメモリユニットについてデータの読み出しまたは書き込みを行うことができるが、そのＥＭメモリユニットの行に対応する行選択トランジスタおよびそのＥＭメモリユニットに対応する列選択トランジスタが、それぞれのゲート端子に行選択信号および列選択信号を提供することによりターンオンされていることが条件である。例えば、ＥＭメモリユニット５１２−１にデータを書き込み、またはそこからデータを読み出すためには、列選択信号５１４が列選択トランジスタ５１６のゲート端子に印加され、そして行選択信号５１８が行選択トランジスタ５２０のゲート端子に印加される。列選択信号５１４、行選択信号５１８、およびバンク選択信号５１０は、レジスタによって生成されてよい。一つの実施形態では、列選択信号５１４は列選択レジスタによって生成され、行選択信号５１８は行選択レジスタによって生成され、そしてバンク選択信号５１０はバンク選択レジスタによって生成される。
【００６１】
図６は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、列選択信号、行選択信号、およびバンク選択信号をそれぞれ生成するための、列選択レジスタ６０２、行選択レジスタ６０４、およびバンク選択レジスタ６０６を示している。列選択レジスタ６０２、行選択レジスタ６０４、およびバンク選択レジスタ６０６の各々はシフトレジスタ、例えば直列入力並列出力形レジスタであってよい。列選択レジスタ６０２、行選択レジスタ６０４、およびバンク選択レジスタ６０６がシフトレジスタである場合、それらは列選択シフトレジスタ６０２、行選択シフトレジスタ６０４、およびバンク選択シフトレジスタ６０６として、それぞれ互換的に参照されてよい。さらに、列選択シフトレジスタ６０２、行選択シフトレジスタ６０４、およびバンク選択シフトレジスタ６０６は集合的に、選択シフトレジスタとして参照されてよい。選択シフトレジスタはデバイス、例えばメモリバンクを収容しているプリントヘッドのメモリデバイス内の幾つかのメモリバンクに接続されている。例えば選択シフトレジスタは、メモリバンク６０８−１、６０８−２、・・・、６０８−ｎに接続されている。
【００６２】
一つの実施形態では、各々の選択シフトレジスタは、クロックを共有し双安定状態を有するフリップフロップ回路のカスケード接続を含んでいる。各々のフリップフロップ回路は、カスケード接続の次の段のフリップフロップのデータ入力に接続することができ、その結果、クロック入力の遷移の各々について、アレイの入力で受信したデータをシフト入力させ、最後のビットをシフト出力することにより、記憶したビットアレイをシフト（移動）させる回路が得られる。選択シフトレジスタの各々のフリップフロップ回路は、段として参照されてよい。選択シフトレジスタは任意の数の段を含むことができる。一つの例では、各々の選択シフトレジスタは８つの段を含む。
【００６３】
先に記載したように、列選択シフトレジスタ６０２は列選択信号を生成し、これはＥＭメモリユニットの行列の単一の列にあるすべてのＥＭメモリユニットを選択するために使用可能である。そのため、先に説明したように、単一の列にあるすべてのＥＭメモリユニットの列選択トランジスタのゲート端子は一緒に接続されている。したがって、列選択信号がＥＭメモリユニットの行列の所与の列に対して与えられる場合、その列にあるすべてのＥＭメモリユニット内の列選択トランジスタがターンオンされる。
【００６４】
列選択シフトレジスタ６０２は、列選択信号をＥＭメモリユニットの異なる列に対して異なる時点で与えることができ、かくして任意の時点においてはＥＭメモリユニットの単一の列が選択される。列選択シフトレジスタ６０２は幾つかのＥＭバンク６０８−１、６０８−２、・・・、６０８−ｎ（集合的にＥＭバンク６０８として参照される）に接続されているから、所与の列に対する列選択信号は、すべてのＥＭバンク６０８にある対応する列へと与えられる。例えば、ＥＭメモリユニットの行列の第一の列にあるＥＭメモリユニットを選択する列選択信号は、幾つかのＥＭバンク６０８の各々の第一の列へと与えられる。
【００６５】
一つの実施形態では、ＥＭメモリユニットの行列の各々の列に対する列選択信号は、列選択シフトレジスタ６０２の異なる段によって生成される。したがって、列選択シフトレジスタ６０２の段の数は、ＥＭメモリユニットの行列にある列の数と同じであってよい。さらに、各々のＥＭバンクが、行よりも多い列を有するＥＭメモリユニットの行列を一つより多く持つ場合、例えばＥＭメモリユニットの二つの４×８行列を持つ場合、所与の列に対する列選択信号は、すべての行列にある対応する列へと与えられる。同様に、各々のＥＭバンクが、列よりも多い行を有する行列を一つより多く持つ場合には、列選択シフトレジスタ６０２にある段の数は、各々の行列にある列の数の合計であってよい。例えば、ＥＭバンクがＥＭメモリユニットの二つの８×４行列を持つ場合には、列選択シフトレジスタ６０２は８つ（４＋４）の段を含み、かくして８つの列のすべてに異なる列選択信号を与えることが可能になる。
【００６６】
行選択シフトレジスタ６０４は行選択信号を生成し、これはＥＭメモリユニットの行列の単一の行にあるすべてのＥＭメモリユニットを選択するために使用可能である。そのため、行選択信号は、ＥＭメモリユニットの行に対応する行選択トランジスタのゲート端子に与えることができる。行選択シフトレジスタ６０４は、行選択信号をＥＭメモリユニットの異なる行に対して異なる時点で与えることができ、かくして任意の時点においては、ＥＭメモリユニットの単一の行が選択される。行選択シフトレジスタ６０４は幾つかのＥＭバンク６０８に接続されているから、所与の行に対する行選択信号は、すべてのＥＭバンク６０８にある対応する行へと与えられる。例えば、ＥＭメモリユニットの行列の第二の行にあるＥＭメモリユニットを選択する行選択信号は、幾つかのＥＭバンク６０８の各々の第二の行へと与えられる。
【００６７】
一つの実施形態では、ＥＭメモリユニットの行列の各々の行に対する行選択信号は、行選択シフトレジスタ６０４の異なる段によって生成される。したがって、行選択シフトレジスタ６０４の段の数は、ＥＭメモリユニットの行列にある行の数と同じであってよい。さらに、各々のＥＭバンクが、列よりも多い行を有するＥＭメモリユニットの行列を一つより多く持つ場合、例えば、ＥＭメモリユニットの二つの８×４行列を持つ場合、所与の行に対する行選択信号は、全ての行列にある対応する行へと与えられることができる。同様に、各々のＥＭバンクが、行よりも多い列を有するＥＭメモリユニットの行列を一つより多く持つ場合には、行選択シフトレジスタ６０４にある段の数は、各々の行列にある行の数の合計であってよい。例えば、ＥＭバンクがＥＭメモリユニットの二つの４×８行列を持つ場合には、行選択シフトレジスタ６０４は８つ（４＋４）の段を含み、かくして８つの行のすべてに異なる行選択信号を与えることが可能になる。
【００６８】
一つの例では、各々のＥＭバンクは、ＥＭメモリユニットを８つの行および８つの列において有する一つのＥＭバンクを含んでいる。別の例では、各々のＥＭバンクは二つの行列を含み、各々はＥＭメモリユニットを８つの行および４つの列において有する。さらなる例では、各々のＥＭバンクは二つの行列を含み、各々はＥＭメモリユニットを４つの行および８つの列において有する。これら三つの例のすべてによれば、列選択シフトレジスタ６０２および行選択シフトレジスタ６０４の両者は、各々が８つの段を含んでいる。
【００６９】
バンク選択シフトレジスタ６０６は、異なるＥＭバンクについて、バンク選択信号を異なる時点で生成することができる。バンク選択信号は、ＥＭバンク内のバンク選択トランジスタに対して与えられることができる。例えば、ＥＭバンク６０８−１に対するバンク選択信号は、バンク選択トランジスタ６１０に与えられる。各々のバンクが一つより多いバンク選択トランジスタを有している場合には、それぞれのゲート端子を一緒に接続することにより、バンク選択信号をそのバンクにあるすべてのバンク選択トランジスタに与えることができる。一つの実施形態では、バンク選択シフトレジスタ６０６は、それが接続されているＥＭバンクの数と同じ数の段を含んでいる。換言すれば、バンク選択シフトレジスタ６０６は、ｎ個の異なるＥＭバンクに対してバンク選択信号を与えるために「ｎ」段を含んでいる。
【００７０】
先に説明したように、読み出しまたは書き込みのためＥＭバンクにあるＥＭメモリユニットにアクセスするについては、そのＥＭメモリユニットの行に対応する行選択トランジスタおよびそのＥＭメモリユニットに対応する列選択トランジスタが、それぞれのゲート端子に行選択信号および列選択信号を供給することによってターンオンされ、そしてそのＥＭバンクにあるバンク選択トランジスタが、そのゲート端子にバンク選択信号を提供することによってターンオンされる。そのため、列選択シフトレジスタ６０２、行選択シフトレジスタ６０４、およびバンク選択シフトレジスタ６０６は、そのＥＭメモリユニットに対応する列選択信号、行選択信号、およびバンク選択信号を生成することができる。第二のＥＭバンク内の第二の行および第三の列にあるＥＭメモリユニット、すなわち６０８−２が、それにデータを書き込むためにアクセスされる、例示的な筋書きを考える。この筋書きにおいては、行選択シフトレジスタ６０４の第二段が第二の行のための行選択信号を与え、列選択シフトレジスタ６０２の第三段が第三の列のための列選択信号を与え、そしてバンク選択シフトレジスタ６０６の第二段が第二のＥＭバンク６０８−２のためのバンク選択信号を生成する。このようにして、選択シフトレジスタの組み合わせを使用することにより、任意の行、列、およびＥＭバンクにある任意のＥＭメモリユニットにアクセスすることが可能になる。
【００７１】
先に記載したように、異なるＥＭバンクに対するバンク選択信号は、バンク選択シフトレジスタ６０６の異なる段によって与えることができる。
【００７２】
図７は、本願の主題の例示的な実施形態に従う、バンク選択信号をＥＭバンク６０８−１に与えるバンク選択シフトレジスタ６０６の第一段７００を示している。理解されるように、バンク選択シフトレジスタは、バンク選択信号を他のＥＭバンクに与えるための他の段を含んでいる。
【００７３】
図７に示されているように、バンク選択シフトレジスタ６０６の第一段７００は、複数のトランジスタ７０２−７１２を含んでいる。トランジスタは例えば、Ｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であることができる。図示されているように、トランジスタ７０２のゲート端子およびドレーン端子はクロック信号Ｓ１を受信する。トランジスタ７０２のソース端子はノードＹ０に結合されている。トランジスタ７０４のゲート端子およびドレーン端子は、クロック信号Ｓ３を受信する。トランジスタ７０４のソース端子はノードＹに結合されており、これは次いでバンク選択トランジスタ７１０のゲート端子に結合されている。トランジスタ７０６および７０８のドレーン端子は、ノードＹ０およびＹのそれぞれに結合されている。トランジスタ７０６のゲート端子はクロック信号Ｓ２を受信し、そしてトランジスタ７０８のゲート端子はクロック信号Ｓ４を受信する。トランジスタ７０６および７０８のソース端子はそれぞれ、トランジスタ７１０および７１２のドレーン端子に結合されている。トランジスタ７１０および７１２のソース端子は、接地のような基準電圧に結合されている。トランジスタ７１０のゲート端子は、検出回路（図７には示されていない）の出力に結合されていてよい。バンク選択シフトレジスタ５０６の後続の段にある、トランジスタ７１０に対応するトランジスタは、それぞれの前段にある出力に結合されていてよい。例えば、トランジスタ７１０に対応する第二段にあるトランジスタは、ノードＹに結合されていてよい。
【００７４】
クロック信号Ｓ１からＳ４の各々は、周期的なパルス列であり、位相は順次オフセットされていて、Ｓ２のパルスはＳ１のパルスの後に生じ、Ｓ３のパルスはＳ２のパルスの後に生ずる、といった具合になっている。
【００７５】
動作時には、Ｓ１に際して、トランジスタ７０２がノードＹ０を充電する（例えば論理１）。同時に、デコーダ回路はパルスをもたらし、トランジスタ７１０をターンオンする。Ｓ２に際しては、デコーダ回路は引き続きパルスをもたらす。したがってノードＹ０は放電されて論理０となるが、これはトランジスタ７０６および７１０が両方ともオンとなるためである。Ｓ３に際しては、デコーダ回路はパルスの供給を停止し、そしてノードＹがトランジスタ７０４として充電される。Ｓ４に際しては、トランジスタ７０８がターンオンされるものの、Ｙ０が論理０であるため、トランジスタ７１２はオフであり、そしてしたがって、Ｙは充電されたままである。ノードＹはバンク選択トランジスタ７１０のゲート端子に接続されているから、バンク選択信号はノードＹが充電された場合にバンク選択トランジスタ７１０に与えられる。理解されるように、上記のサイクルが反復された場合に、ノードＹは充電されたままであり、それによつてバンク選択信号をバンク選択トランジスタ７１０へと継続的に提供する。例えば別のＥＭバンクを選択するために、バンク選択信号をバンク選択トランジスタ７１０に送信するのを停止するためには、デコーダ回路はパルスを供給する順序を変化させて、ノードＹが放電されるようにすることができる。
【００７６】
メモリバンク内のメモリユニットにアクセスする側面の実施形態について、構造的特徴および／または方法に特有の用語を用いて説明してきたが、本願の主題は記載された具体的な特徴または方法に必然的に限定されるものではないことが理解されよう。むしろ、これらの具体的な特徴および方法は、例示的な実施形態として開示され、説明されているものである。
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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