(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するように構成された基板サポートと、
前記基板サポートに接触し前記基板サポートの少なくとも一部を覆う導電又は半導電要素と、
前記基板サポートのうち前記導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して前記導電又は半導電要素に正の電位を印加するように構成された帯電デバイスと、
電解質と、
を備え、
前記電解質は、前記基板サポートと前記導電又は半導電要素との間の空間を少なくとも部分的に充填する、
システム。
【請求項２】
基板を保持するように構成された基板サポートと、
前記基板サポートに接触し前記基板サポートの少なくとも一部を覆う導電又は半導電要素と、
前記基板サポートのうち前記導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して前記導電又は半導電要素に正の電位を印加するように構成された帯電デバイスと、
を備え、
前記帯電デバイスは、前記導電又は半導電要素に埋め込まれた電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、各々が前記基板サポートの孔を通って突出する作動可能なピンを介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、前記基板サポートによって保持される基板又は前記基板上に液体を閉じ込める液体閉じ込め構造を介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、エアシャワー及びイオナイザを備えており、前記導電又は半導電要素上にイオン化された空気流を向けるように構成されている、
システム。
【請求項３】
前記基板サポートは、本体と、前記本体の本体表面から突出する複数のバールとを有しており、各バールは基板の表面に接触して前記基板を保持するように構成された端子端面を有しており、
前記帯電デバイスは、前記基板サポートの前記複数のバールの前記端子端面に対して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成されている、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記正の電位は０．１Ｖから１０Ｖ、好適には１Ｖから５Ｖの範囲内の連続電圧である、請求項１から３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記基板サポートは電気的に接地され、正の電位が前記導電又は半導電要素に印加される、あるいは、
前記導電又は半導電要素は電気的に接地され、負の電位が前記基板サポートに印加される、請求項１から４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
電解質を備え、
前記電解質は、前記基板サポートと前記導電又は半導電要素との間の空間を少なくとも部分的に充填する、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記空間を前記電解質で少なくとも部分的に充填するように構成された電解質供給デバイスを更に備える、請求項１又は６に記載のシステム。
【請求項８】
電解質又は前記電解質が前記導電又は半導電要素上で凝縮するように前記導電又は半導電要素を熱的に調節するように構成された熱調節デバイスを更に備える、請求項１，６，７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記帯電デバイスは、前記基板サポートにおける基板のロード及びアンロード時にのみ、及び／又は
前記基板サポートの洗浄時にのみ、前記正の電位を印加するように構成されている、請求項１から８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記帯電デバイスは、前記導電又は半導電要素に埋め込まれた電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、各々が前記基板サポートの孔を通って突出する作動可能なピンを介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、前記基板サポートによって保持される基板又は前記基板上に液体を閉じ込める液体閉じ込め構造を介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、エアシャワー及びイオナイザを備えており、前記導電又は半導電要素上にイオン化された空気流を向けるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記導電又は半導電要素は、
前記基板サポートによって保持される、パターンの現像のためのフォトレジストを備える基板と、
前記基板サポートによって保持されるダミー基板と、
前記基板サポートの本体面又は前記本体面に適用された金属層であって、前記本体面からは複数のバール又は前記複数のバールが突出する、金属層と、
前記基板サポートを機械的に洗浄する処置具と、のうちいずれか１つを備える、請求項１から１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
基板を保持するように構成された基板サポートを備える基板テーブルと、
導電又は半導電要素が前記基板サポートに接触し前記基板サポートの少なくとも一部を覆うように、前記基板サポート上に前記導電又は半導電要素をロードするように構成されたロードデバイスと、
前記基板サポートのうち前記導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して前記基板サポートが接触する導電又は半導電要素に正の電位を印加するように構成された帯電デバイスと、
を備え、
前記帯電デバイスは、前記導電又は半導電要素に埋め込まれた電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、各々が前記基板サポートの孔を通って突出する作動可能なピンを介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、前記基板サポートによって保持される基板又は前記基板上に液体を閉じ込める液体閉じ込め構造を介して前記導電又は半導電要素に前記正の電位を印加するように構成された電力源を備えている、あるいは
前記帯電デバイスは、エアシャワー及びイオナイザを備えており、前記導電又は半導電要素上にイオン化された空気流を向けるように構成されている、
リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記正の電位は０．１Ｖから１０Ｖ、好適には１Ｖから５Ｖの範囲内の連続電圧である、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記帯電デバイスは、周期的に、及び／又は
前記リソグラフィ装置の基板処理サイクルの間の１又は複数の特定の時刻に、及び／又は
基板処理の頻度よりも少ない頻度で動作するように構成されている、請求項１２又は１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
基板サポート上における酸化の低減又は酸化物の除去方法であって、
前記基板サポートの少なくとも一部が導電又は半導電要素によって覆われるように前記基板サポートを前記導電又は半導電要素と接触させることと、
前記基板サポートのうち前記導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して前記導電又は半導電要素に正の電位を印加することと、
を備え、
前記基板サポートと前記導電又は半導電要素との間の空間を電解質で少なくとも部分的に充填すること、及び／又は
前記電解質が前記導電又は半導電要素上で凝縮するように前記導電又は半導電要素を熱的に調節することを更に備える、
る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本願は２０１７年６月２９日に提出された欧州出願第１７１７８７４３．５号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、システム、リソグラフィ装置、及び基板サポート上における酸化の低減又は酸化物の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。
【０００４】
[0004]  基板にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターニングされるフィーチャの最小寸法を決定する。現在利用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。例えば１９３ｎｍの波長を有する放射線を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するためには、４ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置が用いられ得る。
【０００５】
[0005]  パターンをパターニングデバイスから転写するとき、基板はリソグラフィ装置内の基板テーブルの基板サポート上にクランプされる。基板サポートは、従来、第１の（ｚ）方向に延びて基板を支持する複数の突出部（バールと呼ばれる）を有している。基板に接触しそれによって基板を支持するバールの端子面の総面積は、基板の総面積と比較して小さい。したがって、基板又は基板サポートの表面上にランダムに位置している汚染物質粒子がバールと基板との間に挟まれる可能性は小さい。また、基板サポートの製造において、バールの頂部は、広い表面を正確に平坦に作製するよりも正確に同一平面上に作製することが可能である。
【０００６】
[0006]  基板は、露光に備えて基板サポート上に最初にロードされるとき、基板を複数の位置で保持する所謂ｅピンによって支持される。基板を基板サポート上にロードするためには、ｅピンが引っ込められ、それにより基板が基板サポートのバールによって支持される。基板がｅピンによって保持されている間は、その自重が基板を歪ませ、基板は、例えば上から見たときに凸状になるであろう。基板を基板サポート上にロードするためには、ｅピンが引っ込められ、それにより基板が基板サポートのバールによって支持される。基板が基板サポートのバール上へと下降される際、基板はいくつかの場所、例えば縁部付近で、他の場所、例えば中央付近よりも前に、接触するであろう。バールと基板の下面との間の摩擦が、基板が完全に弛緩して平坦な無応力状態になるのを妨げ得る。
【０００７】
[0007]  バールの端子面の平坦性（すなわち、バールの端子面のすべてが同一平面内にある状態にどれほど近いか）及びバールの端子面と基板との間の摩擦係数は重要である。これは、バールの平坦性のばらつきは、照射に曝される基板の上面に伝達されるからである。摩擦係数のばらつきは、基板がバール上に下降されたときに均一に弛緩するのを妨げ得るので、不均一な残留曲率が維持される。しかしながら、複数の基板処理サイクルの後では、バールの高さ及び摩擦係数は、所望の開始レベルから不均一に逸脱し得る。そのような逸脱は、基板における焦点誤差及び／又はオーバーレイエラーにつながるであろう。
【０００８】
[0008]  基板サポートは、端子面上で処置具を（第１の方向に垂直な方向で）移動させることによって周期的に洗浄され、それによって基板サポートから汚染が除去される。１つのそのような処置具が国際公開第２０１６／０８１９５１号明細書に開示されている。しかし、このような機械的洗浄は、基板全体にわたる初期レベルの平坦性及び均一な摩擦係数を完全に回復することはできない。また、処置具は基板サポートに破損を引き起こすかもしれず、リソグラフィ装置の製造に支障をきたし得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  例えば、バールの端子面の高度な平坦性及び均一な摩擦係数を維持する、改良されたシステムを提供するのが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板サポートと、基板サポートに接触し基板サポートの少なくとも一部を覆う導電又は半導電要素と、基板サポートのうち導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して導電又は半導電要素に正の電位を印加するように構成された帯電デバイス（charging device）と、を備えるシステムが提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の別の一態様によれば、基板を保持するように構成された基板サポートを備える基板テーブルと、導電又は半導電要素が基板サポートに接触し基板サポートの少なくとも一部を覆うように基板サポート上に導電又は半導電要素をロードするように構成されたロードデバイスと、基板サポートのうち導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して基板サポートが接触する導電又は半導電要素に正の電位を印加するように構成された帯電デバイスと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の別の一態様によれば、基板サポート上における酸化の低減又は酸化物の除去方法が提供され、この方法は、基板サポートの少なくとも一部が導電又は半導電要素によって覆われるように基板サポートを導電又は半導電要素に接触させることと、基板サポートのうち導電又は半導電要素によって覆われる部分に対して導電又は半導電要素に正の電位を印加することと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１４】
【図１】[0014]  リソグラフィ装置を概略的に図示する。
【図２】[0015]  基板サポートを平面図として図示する。
【図３】[0016]  問題の酸化物成長を説明する、基板サポートの平坦性測定を示す。
【図４】[0017]  一実施形態による製造時の基板サポート上での酸化物成長を防止又は低減するシステムを断面図として概略的に図示する。
【図５】[0018]  基板サポート上の金属層を用いて基板サポート上での酸化物成長を防止又は低減する別の一実施形態を断面図として概略的に図示する。
【図６】[0019]  一実施形態によるダミー基板を用いて基板サポートから酸化物を除去するシステムを断面図として概略的に図示する。
【図７】[0020]  機械的処置具を用いて基板サポートから酸化物を除去する別の一実施形態を断面図として概略的に図示する。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0021]  本文書において、「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外線放射を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅するものとして用いられる。
【００１６】
[0022]  本文において使用する「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分に生成されるべきパターンに対応するパターンを付与された断面を入射放射ビームに与えるために使用可能な汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈されてもよい。「ライトバルブ」という用語もこの文脈で用いることができる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスクなど）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例には、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイがある。
【００１７】
[0023]  図１は、一実施形態のリソグラフィ装置を概略的に図示している。この装置は、
任意選択的に、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
支持テーブル、例えば１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は、基板（例えばレジストコートされた基板）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従ってテーブル、例えば基板Ｗの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル又はウェーハテーブルＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、ダイの一部、１つのダイ、又は２つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、
を備える。
【００１８】
[0024]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を満たすように、基板Ｗの少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する液浸液、例えば超純水（ＵＰＷ）のような水によって覆われ得るタイプのものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間にも適用され得る。液浸技術は、投影システムの開口数を増大させるために使用することができる。本明細書において用いられる「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造物が液浸液に浸漬されなければならないことを意味するのではない。むしろ、「液浸」とは単に、露光の際に液浸液が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に位置していることを意味する。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターニングされた放射ビームＢの経路は、全体が液浸液を通る。投影システムＰＳの最終光学素子と基板Ｗとの間に液浸液を提供する構成においては、液体閉じ込め構造１２が、投影システムＰＳの最終光学素子と投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向表面との間の液浸空間の境界の少なくとも一部に沿って延びている。
【００１９】
[0025]  動作時には、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して、放射ビームを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬは、放射ビームＢを、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面が所望の空間強度分布と角度強度分布とを有するように調節するために用いられ得る。
【００２０】
[0026]  本明細書において使用する「投影システム」ＰＳという用語は、例えば使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び／又は静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用する場合、より一般的な用語である「投影システム」と同義と見なすことができる。
【００２１】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ以上の支持テーブル、例えば２つ以上の支持テーブル、又は１つ以上の支持テーブルと１つ以上の洗浄テーブル、センサテーブルもしくは測定テーブルとの組み合わせを有するタイプのものであってもよい。例えば、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置する２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上のオブジェクトを備え及び／又は保持する。一例においては、テーブルのうち１つ以上は放射感応性基板を保持していてもよい。一例においては、テーブルのうち１つ以上は投影システムからの放射を測定するためのセンサを保持していてもよい。一例においては、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち支持テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以下、概して測定テーブル、センサテーブル及び／又は洗浄テーブルと称されるが、これらに限定されない）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外の１つ以上のオブジェクトを備えていてもよく、及び／又は保持していてもよい。そのような１つ以上のオブジェクトは、投影システムからの放射を測定するためのセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造を洗浄するための）洗浄デバイスから選択された１つ以上を含んでいてもよい。
【００２２】
[0028]  動作時には、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内の合焦されアライメントされた位置に位置決めするように、正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされ得る。図示される基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有しているが、基板アライメントマークはターゲット部分Ｃの間の空間に配置されてもよい（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。
【００２３】
[0029]  コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体の動作を制御し、特に、以下に説明する動作プロセスを実施する。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーンのような１つ以上の入力デバイス及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、並びにリソグラフィ装置の様々な部分への１つ以上のインターフェイスを備える、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具現化されることができる。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間に一対一の関係は不要であることは理解されるであろう。１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御してもよい。複数のネットワーク化されたコンピュータが１つのリソグラフィ装置を制御するために用いられてもよい。コントローラ５００は、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタの１つ以上の関連のある処理デバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されていてもよい。コントローラ５００は、リソセルもしくはクラスタの監視制御システム及び／又は製造（fab）の全体制御システムに従属するように構成されることも可能である。
【００２４】
[0030]  基板テーブルＷＴは基板サポート６０を備えている。基板サポート６０は、ボルトを用いて又は真空クランピングによって基板テーブルＷＴに固定可能である。基板Ｗは、従来、露光にあたり基板サポート６０にクランプされる。一般的に２つのクランプ技術が用いられる。真空クランピングにおいては、例えば基板サポート６０と基板Ｗとの間の空間を、基板Ｗの上方の高い圧力を下回る低圧力に接続することによって、基板Ｗの全体にわたり圧力差が確立される。この圧力差が、基板Ｗを基板サポート６０に保持する力を生じる。静電クランピングにおいては、静電力を用いて基板Ｗと基板サポート６０との間に力を及ぼす。これを達成するための、いくつかの異なる構成が知られている。１つの構成では、第１の電極が基板Ｗの下面に提供され、第２の電極が基板サポート６０の上面に提供される。第１の電極と第２の電極との間には電位差が確立される。別の１つの構成では、２つの半円状の電極が基板サポート６０上に提供され、導電層が基板Ｗ上に提供される。２つの半円状の電極の間には、２つの半円状電極と基板Ｗ上の導電層とが２つの直列のキャパシタのように作用するように、電位差が印加される。
【００２５】
[0031]  露光のために基板Ｗを基板サポート６０にロードするべく、基板Ｗは基板ハンドラロボットによって取り上げられ、一組のｅピン上に降ろされる。ｅピンは、基板サポート６０を貫通して突出する。ｅピンは、伸縮できるように作動される。ｅピンには、基板Ｗを把持するために、先端に吸引開口が設けられていてもよい。ｅピンは、例えば、基板サポート６０の中心周りに間隔を置いて６つのｅピンを備えていてもよい。一旦基板Ｗがｅピン上に定着すると、基板Ｗが基板サポート６０のバール又は突出部２０によって支持されるように、ｅピンは引っ込められる。
【００２６】
[0032]  図２は、リソグラフィ装置において用いられる基板サポート６０を平面図として図示する。基板サポート６０は基板Ｗを支持する。基板サポート６０は本体２１を備えている。本体２１は本体表面２２を有する。本体表面２２から第１の（ｚ）方向に突出する複数のバール又は突出部２０が設けられている。各バール２０の端子面は基板Ｗと係合（接触）する。バール２０の端子面は、支持面と略一致し、基板Ｗを支持する。本体２１及びバール２０は、シリコンマトリクス中に炭化珪素（ＳｉＣ）粒子を有するセラミック材料であるＳｉＳｉＣで形成されてもよい。代替的には、本体２１及びバール２０は、ＳｉＣで形成されてもよい。
【００２７】
[0033]  本体２１には複数の貫通孔８９が形成されてもよい。貫通孔８９は、ｅピンが基板サポート６０を貫通して基板Ｗを受けることを可能にする。貫通孔８９は、基板Ｗと基板サポート６０との間の空間が真空引きされることを可能にし得る。基板Ｗと基板サポート６０との間の空間の真空引きは、基板Ｗの上方の空間も真空引きされるのでなければ、クランプ力を提供することができる。このクランプ力が基板Ｗを定位置に保持する。ＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ装置の場合のように、基板Ｗの上方の空間も真空引きされるのであれば、静電クランプを形成するための電極が基板サポート６０上に設けられてもよい。
【００２８】
[0034]  図３は、複数の生産サイクル後の、基板サポート６０のバール２０の端子面の相対高さの典型的なマップである。このマップは、バール２０の端子面の高さのばらつきを示す。所望のレベルからの逸脱がｘ方向及びｙ方向で描画されている。基板サポート６０の縁部２３のバール２０は、高さの有意な増大を示す。基板サポート６０の平坦性の度合いは、生産サイクルの前に、開始時の平坦性から大幅に低減される。発明者等は、このバール２０の高さのばらつきは、基板サポート６０上における酸化物の形成によって引き起こされることを見出した。
【００２９】
[0035]  酸化物は、基板サポート６０のバール２０の端子面上に成長し得る。酸化物は酸化シリコンであろう。この酸化物は、不均一に成長する。これにより、酸化物の成長の補償が問題となる。不均一な酸化物は、基板サポート６０の平坦性の度合いを低減させる。また、不均一な酸化物は、バール２０の端子面上に存在していると、バール２０の端子面と基板との間の摩擦係数のばらつきにつながる。したがって、基板Ｗは、最初に基板サポート６０上にロードされたときに均一に弛緩し得ず、よって不均一な残留曲率を維持する。酸化物は経時的に成長するので、平坦性の度合い及び摩擦係数のばらつきは経時的に変動する。酸化物は、ＳｉＳｉＣ又はＳｉＣで作製された基板サポート６０よりも機械的な摩耗への耐性が低く、その結果、摩耗が加速されるとともに基板サポート６０の平坦性が低減される。基板サポート６０の全面にわたる平坦性の低減及び不均一な摩擦係数は、基板サポート６０によって保持される基板Ｗにおける焦点誤差及び／又はオーバーレイエラーにつながり得る。
【００３０】
[0036]  発明者等は、初めて、酸化物成長が電気化学的に誘発されることを見出した。基板Ｗ又は基板サポート６０は積極的には帯電されず、故意に提供される電解質はないので、これは驚くべきことである。しかしながら、発明者等は、リソグラフィ装置内の低い程度の残留水分と、生産時の基板Ｗに対する基板サポート６０のわずかな正帯電効果とが、酸化物成長を招くことを見出した。水分は、例えば、リソグラフィ装置の液浸液を取り扱う液体閉じ込め構造１２に由来し得る。もっとも、水分は、たとえ液浸液のないリソグラフィ装置であっても、例えば基板Ｗのロード及びアンロードの際にリソグラフィ装置に進入するであろう湿潤空気の形で存在し得る。これは、真空で照明が行われるＥＵＶリソグラフィ装置においても起こり得る。この水分は、酸化を可能にする電解質として作用するであろう。また、酸化を引き起こす駆動力は、基板サポート６０上にロードされた基板Ｗ上の負の残留静電電荷に由来し得るとされる。このような帯電は、基板Ｗにおいて、例えば基板サポート６０上での基板Ｗのプリアライメントプロセスの際に誘起され得る。
【００３１】
[0037]  本発明は、この、基板サポート６０上での酸化物成長の基礎となるメカニズムの新たな理解に基づいて開発されたものである。本発明は、基板サポート６０上での酸化物成長を防止又は低減する、あるいは既に成長した酸化物を基板サポート６０から除去するのに役立つ。
【００３２】
[0038]  発明者等によって行われた実験は、基板サポート６０上での酸化物成長は、基板Ｗと基板サポート６０との間に提供される電界の影響を受けることを示している。基板Ｗが基板サポート６０に対して正の電位を有するように基板サポート６０と基板Ｗとの間に正の電圧又は電位差を印加すると、基板サポート６０上での酸化物成長の速度が低減される、又はまとめて防止される、又は基板サポート６０から酸化物が除去されさえすることが示されている。逆に、基板Ｗが基板サポート６０に対して負の電位を有するように基板サポート６０と基板Ｗとの間に負の電圧又は電位差を印加すると、基板サポート６０上での酸化物成長の速度が増大されることが示されている。発明者等は、この効果を利用するシステムを開発した。図４から図７は、本発明によるシステムの例示的な実施形態を概略的に示している。図４及び図５のシステムは、基板サポート６０上での酸化物成長を低減又は防止するためのものである。図６及び図７のシステムは、基板サポート６０から酸化物を除去するためのものである。
【００３３】
[0039]  本発明による図４から図７のシステムの各々は、基板サポート６０と、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と、帯電デバイス１２０とを備えている。図４から図７のシステムの各々において、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０に接触するとともに、基板サポート６０の少なくとも一部を覆う。また、これらのシステムの各々において、帯電デバイス１２０は、基板サポート６０のうち導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われた部分に対して、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加する。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を基板サポート６０と接触（例えば、基板サポート６０上の任意の酸化物を含む、直接の物理的接触）させること、及び導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と基板サポート６０との間に正の電位を印加することによって、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と基板サポート６０との間には電界が形成される。この電界の方向は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００から基板サポート６０に向かう。電界は、基板サポート６０が酸化から保護されるように、発明者等が基板サポート６０の酸化の要因であるものと特定した電気化学的プロセスを相殺する。こうして、基板サポート６０上での酸化物成長の速度は効果的に低減され、又はそのような酸化物成長はまとめて防止される。電気化学的な酸化プロセスを相殺する電界は、基板サポート６０から酸化物を除去するように、このプロセスを逆転さえさせ得る。
【００３４】
[0040]  図４から図７のシステムの各々の基板サポート６０、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００、及び帯電デバイス１２０の実施形態、並びにこれらのコンポーネントの相互作用及び動作を、以下においてまず概説する。その後、図４から図７に概略的に図示されているシステムを、具体的に詳述する。図４から図７の具体例のコンポーネントの各々は以下の段落において概説される実施形態に置き換えてもよいこと、及びコンポーネントの各々は以下の段落において概説されるように動作し得ることは、明らかであろう。
【００３５】
[0041]  図４から図７の各々において、基板サポート６０は基板Ｗを保持し得る。基板サポート６０は、上述したリソグラフィ装置の一部であってもよい。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は基板サポート６０に接触する。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０のバール２０の端子端面に接触してもよいし、又は基板サポート６０の本体２１面に接触してもよい。したがって、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０に極めて近接している。この近接は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と基板サポート６０との間に生成される電界が基板サポート６０の電気化学的な酸化プロセスを相殺するのに十分なほど強いことを保証する。
【００３６】
[0042]  導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、例えば、（図４に示されるような）基板サポート６０によって保持される、パターンを現像するためのフォトレジストを備える基板（すなわち処理されて製品となる基板）Ｗ，１００、（図５に示されるような）基板サポート６０の本体面２２に適用される金属層２００であってそこから複数のバール２０が突出するもの、（図６に示されるような）基板サポート６０によって保持されるダミー基板３００、又は（図７に示されるような）基板サポート６０を機械的に洗浄するための処置具４００であってもよい。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、代替的には、導電性又は半導電性であって基板サポート６０に接触する任意の他の要素であってもよい。
【００３７】
[0043]  導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、少なくとも基板サポート６０の一部、又は基板サポート６０の表面の一部を覆う。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０の上面又は上面の一部、すなわち本体面２２を覆ってもよく、この上面は、基板Ｗが基板サポート６０によって保持されるときに、基板Ｗに対向する。これは、製造時に基板サポート６０のうち基板Ｗを保持する部分が酸化から保護されることを保証し、したがって基板Ｗは平坦な状態で維持されることができる。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、上から見て、基板サポート６０の表面のうち、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が載置される部分を覆う。基板サポート６０のうち導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われる部分は、基板サポート６０のうち基板Ｗが基板サポート６０によって保持されるときに基板Ｗによって覆われる部分と一致していてもよい。これは、製造時に基板Ｗを保持する基板サポート６０の略全領域もしくは領域の全部が酸化から保護されること、又はこの領域の全部から酸化物が除去可能となることを保証する。したがって、基板サポート６０によって保持される基板Ｗの平坦性は、酸化を防止又は低減することによって初期の所望レベルで最適に維持することができ、又は酸化物を除去することによって高めることができる。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０の上面から延びて製造にあたり基板Ｗを保持する複数のバール２０又は複数のバール２０の各々を覆ってもよい。これは、複数のバール２０が酸化から保護可能となること、又は複数のバール２０から酸化物が除去可能となることを保証する。バール２０は製造時に基板Ｗと直接接触して基板Ｗを保持し、したがってバール２０の酸化は基板Ｗの平坦性に直接的に影響を及ぼすことから、これは特に望ましい。
【００３８】
[0044]  図４から図７のシステムの各々においては、帯電デバイス１２０が、基板サポート６０のうち導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われる部分（又は全部の部分）に対して、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電圧又は電位を印加する。基板サポート６０と導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００との間の電位差は、酸化を効果的に低減もしくは防止するように、又は既に成長した酸化物を除去さえするように、基板サポート６０の酸化の要因となる電気化学的プロセスを相殺する電界をもたらす。帯電デバイス１２０は、基板サポート６０の複数のバール２０の端子端面に対して、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加してもよい。基板Ｗを支持又は保持し基板Ｗの平坦性に直接的に影響するバール２０の端子端面の酸化は、こうして効果的に防止もしくは低減することができ、又は酸化物をバール２０の端子端面から除去することができる。帯電デバイス１２０は、基板Ｗが基板サポート６０によって保持されるときに基板Ｗに接触するすべてのバール２０の端子端面に対して、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加してもよい。これは、バール２０によって保持される基板Ｗの平坦性が、酸化を防止もしくは低減することによって初期の所望レベルで最適に維持されること、又はそのような初期の所望レベルが酸化物を除去することによって最適に回復されることを保証する。
【００３９】
[0045]  導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の電位は、基板サポート６０の電位と比較して高いか又は正である。これは、帯電デバイス１２０によって導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電荷を供給すること、例えば正の電圧を印加することによって達成され得る。帯電デバイス１２０は、追加的又は代替的には、基板サポート６０に、例えば負の電圧を印加することによって、負の電荷を供給してもよい。基板サポート６０が電気的に接地され、正の電位が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加されてもよく、その結果、正の電位が基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加される。これは、基板サポート６０の表面上のセンサもしくは他のコンポーネントとの干渉が低減又は最小化されるべき場合に、有利である。代替的には、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が電気的に接地され、負の電位が基板サポート６０に印加されてもよく、その結果、正の電位が基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加される。これは、例えば導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が未帯電のままであるべき場合、例えば導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が基板Ｗによって具現化されその基板Ｗ上でリソグラフィ処理が実行される場合に、有利である。
【００４０】
[0046]  帯電デバイス１２０は、電力源又は電圧源を備えていてもよい。電力源は、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加される正の電位の正確で且つ信頼性のある制御を可能にする。電力源は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に、基板サポート６０の貫通孔８９を通って突出するｅピン９１を介して、正の電位を印加し得る。これは、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が、ｅピン９１を用いて基板サポート６０上にロードされることが可能な基板Ｗ，１００又はダミー基板３００のような基板状のデバイスによって具現化される場合には、特に有利である。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、ｅピン９１と電気的に接触してもよい。電力源は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に、液体閉じ込め構造１２又は流体ハンドリング構造を介して、正の電位を印加してもよい。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、液体閉じ込め構造１２と電気的に接触してもよい。このように、リソグラフィ装置内に既に提供されている構成要素が、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加するために用いられてもよい。これは、既存のリソグラフィ装置におけるシステムの実装を単純且つ費用効果の高いものにする。代替的には、電力源は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に埋め込まれてもよい。これは、システムが、リソグラフィ装置又は他のデバイスの電気インフラとは無関係又は略無関係に用いられることを可能にし、したがって、システムは様々なデバイスにおいて柔軟に実装可能となる。帯電デバイス１２０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に対して基板６０に負の電位を印加するように、基板サポート６０に埋め込まれ基板サポート６０に負のバイアスを印加する電力源であってもよい。電力源は、任意の手段又は導体によって導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００又は基板サポート６０に電気的に接続されていてもよく、したがって、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００あるいは基板サポート６０は、適切に帯電されることができる。
【００４１】
[0047]  帯電デバイス１２０は、代替的には、光電効果を用いて導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００あるいは基板サポート６０を適切に帯電させるように、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００あるいは基板サポート６０上に放射ビームＢを向けてもよい。帯電デバイス１２０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００から電子を除去するようにあるいは基板サポート６０に電子を提供するように、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００あるいは基板サポート６０上に空気流を向けるエアシャワーであってもよい。そのようなエアシャワーは、電気的に絶縁されており、空気流を予めイオン化するイオナイザを含む。イオナイザはコロナイオナイザであってもよく、正又は負の平均電圧を有するＤＣ電圧パルスがコロナに印加され得る。よって、イオン化された空気流が、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を、又は基板サポート６０に負の電位を、積極的に印加し得る。こうして、物理的又は電気的接触なしに、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位が印加され得る。帯電デバイス１２０は、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加することのできる任意のデバイスであってもよい。
【００４２】
[0048]  図４から図７のシステムの各々において、帯電デバイス１２０はＤＣ電圧を印加し得る。ＤＣ電圧を印加することは、酸化物成長の連続的な抑制もしくは低減、又は酸化物の連続的な除去を可能にする。代替的には、帯電デバイス１２０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加される平均電圧が正であるならば、後述するようなピーク値を有する正方形、正弦、もしくは鋸歯状の電圧波形又は他の電圧波形を印加してもよい。非ＤＣ電圧を印加することは、基板サポート６０の酸化を駆動する電界又はグラウンドループを動的に相殺するのに特に有利であろう。非ＤＣ電圧は、そのような電界又はグラウンドループの逆数となるように選択され得る。
【００４３】
[0049]  帯電デバイス１２０は、（図４及び図５の実施形態におけるように）基板サポート６０の酸化を防止するか又は基板サポート６０の酸化の速度を低減させるために、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加する。図４及び図５の実施形態の各々においては、帯電デバイス１２０は、０．１Ｖから１０Ｖの範囲内、好適には１Ｖから５Ｖの範囲内の正の電圧を基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に連続的又は半連続的に印加するように、０Ｖから−１０Ｖの範囲内、好適には−０．１Ｖから−１．３Ｖの範囲内の負の電圧を基板サポート６０に連続的又は半連続的に印加し得る。帯電デバイス１２０は、代替的には、（５Ｖから１００Ｖの範囲内の正の電位を基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加するように）−１００Ｖまで、又は−５Ｖから−１００Ｖの範囲内の負の電圧を、基板サポート６０に、例えば３秒未満、又は０．１秒から３秒という短時間にわたって印加してもよい。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、電気接地に接続されてもよい。代替的には、その電圧範囲の正の電圧が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加され、基板サポート６０が接地に接続されてもよい。
【００４４】
[0050]  低い電圧を連続的に印加すること又は中程度の電圧を短時間印加することは、リソグラフィ装置の基板処理サイクル時又はインラインでの本発明の動作を可能にする。これは、低い電圧は、製造時のプロセスパラメータ又はセンサ測定に干渉しないからである。よって、本発明のシステムは、リソグラフィ装置の基板処理サイクルにあたり、基板処理サイクル時の酸化を防止又は低減するように動作し得る。基板サポート６０はリソグラフィ装置から取り外されなくてもよい。よって、リソグラフィ装置のスループットは、影響を受けないか、又は最小限にしか影響を受けない。基板Ｗのロード及びアンロード時に正の電位が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加されてもよく、したがってリソグラフィ装置の製造は、干渉されないか、又は最小限にしか干渉されない。
【００４５】
[0051]  帯電デバイス１２０は、（図６及び図７の実施形態におけるように）基板サポート６０から酸化物を除去するために、基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加してもよい。図６及び図７の実施形態の各々においては、帯電デバイス１２０は、３０Ｖから５０００Ｖの範囲内の正の電圧を基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加するように、３０Ｖから５０００Ｖの範囲内の正の電圧を導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加し得る。基板サポート６０は電気接地に接続されている。代替的には、その電圧範囲の負の電圧が基板サポート６０に印加され、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が接地に接続されてもよい。
【００４６】
[0052]  １０００Ｖから５０００Ｖの範囲内の高い電圧を基板サポート６０に印加することは、酸化物の除去を加速する。しかしながら、そのような高い電圧を印加することは、プロセスパラメータに干渉しないように又はセンサ測定に影響を及ぼさないように、好適にはオフラインで、つまりリソグラフィ装置の基板処理サイクルでないときに行われる。高い電圧は、リソグラフィ装置とは別個の独立型のシステムにおいて印加されてもよく、したがって基板サポート６０は、基板サポート６０から酸化物を除去するために電圧を印加する前に、リソグラフィ装置から取り外される。また、高い電圧は、基板サポート６０がリソグラフィ装置内にある間に、例えば処置具４００による基板サポート６０の通常の機械的洗浄の際に印加されてもよい。基板Ｗが基板サポート６０によって保持されていないときに、３０Ｖから５０００Ｖの範囲内の電圧、又は好適には３０Ｖから１００Ｖの範囲内の電圧が印加されてもよく、したがって、リソグラフィ装置の製造は干渉されない。これには、酸化物がインラインで基板サポート６０から除去され、基板サポート６０が取り外されたり置換されたりしなくてもよいのでリソグラフィ装置のダウンタイムが短縮されるという利点がある。例えば、基板Ｗのロード及びアンロード時、又はリソグラフィ処理を意図されていないダミー基板３００が基板サポート６０によって保持されているとき、又は機械的処置具４００による基板サポート６０の洗浄時には、より高い電圧が印加されてもよい。ダミー基板３００もしくは機械的処置具４００に３０Ｖから１０００Ｖの範囲内の電圧を、又は基板サポート６０に−３０から−１０００Ｖ、もしくは更に好適には３０Ｖから４５Ｖの電圧を印加することは、リソグラフィ装置内のセンサが干渉されないこと、及びセンサ及びリソグラフィ装置の他のコンポーネントへの損傷のリスクを低減することを保証する。
【００４７】
[0053]  リソグラフィ装置は、上述され図４から図７に概略的に示されたシステムを備えていてもよい。そのようなリソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴ及び基板サポート６０を有している。基板テーブルＷＴは基板サポート６０を保持する。帯電デバイス１２０は、周期的に動作するように、基板サポート６０のうち導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われる部分に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加し得る。帯電デバイス１２０は、例えば基板サポート６０上へ／からの基板Ｗのロード及び／又はアンロード時、あるいは基板サポート６０の洗浄時など、リソグラフィ装置の基板処理サイクルの間の１又は複数の特定の時刻にのみ動作してもよい。帯電デバイス１２０をそのような特定の時刻に動作させることは、リソグラフィ装置における基板Ｗのリソグラフィ処理が干渉されないか、又は最小限にしか干渉されないことを保証することができるので、これは有利である。
【００４８】
[0054]  帯電デバイス１２０は基板処理サイクルの間に複数回動作してもよく、動作する度に異なる電位を印加してもよい。帯電デバイス１２０は、基板Ｗがリソグラフィ装置によって処理されている間は動作しなくてもよい。帯電デバイス１２０は、１日に１回、又は１週間に１回、又は所定の（例えばユーザが選択した）期間に１回動作してもよい。帯電デバイス１２０は、基板Ｗの処理の頻度よりも少ない頻度で動作するように、又は基板処理サイクルの度には動作しないように、構成されていてもよい。これには、リソグラフィ装置のスループットが高いままである、又は最小限にしか影響を受けないという利点がある。
【００４９】
[0055]  帯電デバイス１２０は、例えばリソグラフィ装置が少なくとも２つの基板Ｗを処理した後など、リソグラフィ装置が基板のバッチを処理する間に１回、動作してもよい。帯電デバイス１２０は、リソグラフィ装置内に所定の基板が存在するときにのみ動作してもよい。これは、例えば導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００がリソグラフィ処理を意図されていないダミー基板３００として具現化され、所定の基板がそのダミー基板３００である場合に、有利である。帯電デバイス１２０は、図４から図７の実施形態のうちいずれかの導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が基板サポート６０と接触しているときにのみ動作してもよい。
【００５０】
[0056]  図４から図７のうちいずれかのシステムは、酸化を低減するため又は基板サポート６０から酸化物を除去するための方法において用いられ得る。そのような方法は、基板サポート６０の少なくとも一部が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われるように基板サポート６０を導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と接触させることを備える。基板サポート６０のうち導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われる部分に対して、正の電位が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加される。正の電位は帯電デバイス１２０によって印加されてもよい。導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が基板サポート６０に接触するように、基板サポート６０上にロードされてもよい。また、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００は、基板サポート６０からアンロードされてもよい。
【００５１】
[0057]  図４及び図５は、本発明によるシステムの２つの具体例を概略的に図示している。図４及び図５のシステムは、基板サポート６０上での酸化物成長を防止すること又は少なくともその速度を低減することを目的として用いられ得る。図４及び図５のシステムは、リソグラフィ装置内で用いられ得る。図４及び図５のシステムは、リソグラフィ装置の基板処理サイクルの際に、リソグラフィ装置においてインラインで用いられ得る。
【００５２】
[0058]  図４は、基板サポート６０を概略的に示す。基板Ｗ，１００は、基板サポート６０のバール２０の端子面によって保持される。図４のシステムにおいて、基板Ｗは導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である。基板Ｗ，１００は、基板サポート６０の上面を覆う。基板Ｗ，１００は、基板サポート６０のバール２０の端子面によって保持され、したがって基板Ｗ，１００は基板サポート６０のバール２０の端子面を覆う。ｅピン９１が、基板サポート６０の貫通孔８９を通って延び、基板Ｗ，１００と電気的に接触している。ｅピン９１は、各々が基板サポート６０の孔８９を通って突出する作動可能なピンの一例である。ｅピン９１は基板Ｗ，１００を電気接地に接続する。基板サポート６０には電力源が電気的に接続されている。電力源は、帯電デバイス１２０の一例である。リソグラフィ装置は図４のシステムを備えていてもよい。そのようなリソグラフィ装置は、図４の基板サポート６０を含む基板テーブルＷＴを有している。リソグラフィ装置の投影システムＰＳは、パターニングされた放射ビームＢを図４の基板Ｗ，１００上に投影し得る。図４のシステムを使用する方法は、パターニングされた放射ビームＢを、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である基板１００上に投影することを備えていてもよい。
【００５３】
[0059]  電力源は負の電圧を基板サポート６０に印加し、したがって、電力源は正の電位を基板サポート６０のうち基板Ｗ，１００によって覆われる部分に対して基板Ｗ，１００に印加する。電力源は、−０．１から−１０の範囲内、又は好適には−１Ｖから−５Ｖの範囲内の負の電圧を、基板サポート６０に連続的に印加し得る。代替的には、電力源は、−５Ｖから−１００Ｖの範囲内の負の電圧を、短時間、例えば３秒未満にわたって、基板サポート６０に印加してもよい。電力源は、電圧を、上記で概説したような手法及び電圧範囲内で印加してもよい。この電圧は、基板サポート６０上へ／からの基板Ｗ，１００のロード及び／又はアンロードの際に印加されてもよい。これは、投影ビームによる基板Ｗ，１００の露光及び露光時のセンサ測定が干渉されないことを保証する。好適には、リソグラフィ装置のロード及びアンロードデバイス（図示しない）が基板Ｗ，１００を基板サポート６０上にロードするとともに基板Ｗ，１００を基板サポート６０からアンロードする。
【００５４】
[0060]  図５は、基板サポート６０を概略的に示すもので、金属層２００が基板サポート６０の本体面２２に適用されており、本体面からは複数のバール２０が突出している。金属層２００は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である。金属層２００は、基板サポート６０の一部を覆うように、基板サポート６０のバール２０の間に設置されている。金属層２００は、基板サポート６０の上面のうちバール２０の間にある部分を覆っている。金属層２００は電力源に電気的に接続されている。電力源は、帯電デバイス１２０の一例である。基板サポート６０は電気接地に接続されている。リソグラフィ装置は図５のシステムを備えていてもよい。そのようなリソグラフィ装置は、図５の基板サポート６０を含む基板テーブルＷＴを有している。リソグラフィ装置は、図５の基板サポート６０のバール２０の端面上に基板Ｗをロード又はアンロードし得る。
【００５５】
[0061]  帯電デバイス１２０、例えば電力源は、基板サポート６０のうち金属層２００によって覆われる部分に対して金属層２００に正の電位を印加するように、正の電圧を金属層２００に印加する。金属層２００は、基板サポート６０のバール２０の端子面に対しても正の電位を有し得る。電力源は、図４の基板１００，Ｗとの関連で上述した値の正の電圧を金属層２００に印加してもよい。好適には、この電圧は、基板Ｗが図５のシステムを備えるリソグラフィ装置によって処理されないときに、印加される。電力源は、基板Ｗが基板サポート６０によって保持されていないときに動作してもよい。例えば、電力源は、基板サポート６０上へ／からの基板Ｗのロード及び／又はアンロード時、あるいは処置具４００による基板サポート６０の機械的洗浄時に、電圧を金属層２００に印加してもよい。これは、リソグラフィ装置の製造が干渉されないことを保証する。
【００５６】
[0062]  図６及び図７は、本発明によるシステムの更に２つの具体的な実施形態を概略的に図示している。図６及び図７のシステムは、基板サポート６０から酸化物を除去することを目的として用いられ得る。これは、基板サポート６０の酸化を駆動するメカニズムを逆にすることによって行われる。図６及び図７のシステムは、リソグラフィ装置内で用いられてもよいし、あるいはリソグラフィ装置から取り外された基板サポート６０から酸化物を除去するための独立型のシステムであってもよい。
【００５７】
[0063]  図６及び図７の基板サポート６０からの酸化物の除去を加速するために、基板サポート６０と導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００との間には電解質１４０が（故意に）提供されてもよい。電解質１４０は、基板サポート６０と導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００との間の空間を少なくとも部分的に充填してもよく、したがって電解質１４０は基板サポート６０と導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００との両方に接触する。電解質１４０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００によって覆われる空間に提供されてもよい。電解質１４０は、基板サポート６０の複数のバール２０の間の空間を充填してもよい。電解質１４０は基板サポート６０の上面を覆ってもよく、複数のバール２０はその上面から突出する。電解質１４０は、バール２０の端子面に存在するＳｉＣ粒子の間の空間を充填してもよく、これらのＳｉＣ粒子は導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と直接接触し得る。電解質１４０は液体又は気体であってもよい。電解質１４０は、水、水蒸気又は湿潤空気であってもよい。電解質１４０は、代替的には、ＨＦ又はＫＯＨ含有溶液であってもよい。そのような有害物質を電解質１４０として用いるときには、特に注意を払わなければならない。代替的な一実施形態においては、電解質１４０は、例えばシステム又はリソグラフィ装置を取り囲む湿潤空気の形で、システム内又はリソグラフィ装置内に自然に存在し得る。
【００５８】
[0064]  電解質１４０が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００上で凝縮するように、熱調節デバイス１８０が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を熱的に調節してもよい。例えば、熱調節デバイス１８０は、湿潤空気が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の表面上で凝縮して（電解質１４０を具現化する）水滴を形成するように、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を（恐らくは熱調節デバイス１８０を含む基板テーブルＷＴとの熱接触を通じて）冷却する冷却デバイスであってもよい。冷却デバイスはペルチェ素子であってもよい。冷却デバイスは、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を、露点温度又はそれを下回る温度まで冷却し得る。これらの水滴は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００と基板サポート６０との間の空間を少なくとも部分的に充填し得る。代替的又は追加的には、電解質供給デバイス１６０が電解質１４０を供給してもよい。電解質供給デバイス１６０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の間の空間を、電解質１４０で、少なくとも部分的に充填し得る。電解質供給デバイス１６０は、例えば、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に埋め込まれたスポンジ又は他の供給（supply）であってもよい。これには、電解質１４０が、リソグラフィ装置又は電解質が用いられる他の機械とは無関係に、システムによって提供され得るという利点がある。電解質供給デバイス１６０は、代替的には、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の外部にあってもよい。電解質供給デバイス１６０は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を基板サポート６０と接触させる前に、あるいは、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００が基板サポート６０と接触している間且つ帯電デバイス１２０が基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に正の電位を印加する前に、電解質１４０を供給してもよい。図６及び図７のシステムを使用する方法は、基板サポート６０と導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００との間の空間を電解質１４０で少なくとも部分的に充填すること、及び／又は、電解質１４０が導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００上で凝縮するように導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００を熱的に調節することを備えていてもよい。
【００５９】
[0065]  図６は、基板サポート６０を概略的に示す。基板サポート６０はダミー基板３００を保持する。ダミー基板３００は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である。ダミー基板３００は、好適には基板Ｗと同じ寸法を有しており、したがって基板サポート６０によって基板Ｗと同様に保持される。
もっとも、ダミー基板３００は、リソグラフィ装置によって処理されはしない。ダミー基板３００は、パターンの現像のためのフォトレジストを備えている場合も備えていない場合もある。ダミー基板３００は、図４の基板Ｗ，１００に関連して説明したように、基板サポート６０のバール２０の端子面と接触し、基板サポート６０の本体面２２を覆う。電解質１４０は、基板サポート６０とダミー基板３００との間の空間を部分的に充填する。電解質１４０は、ダミー基板３００の外部のスポンジ又は他の供給のような電解質供給デバイス１６０によって提供されてもよい。代替的には、電解質供給デバイス１６０は、ダミー基板３００に埋め込まれていてもよい（図示しない）。代替的又は追加的には、電解質１４０がダミー基板３００上で凝縮するように、熱調節デバイス１８０がダミー基板３００を熱的に調節するために提供されてもよい。熱調節デバイス１８０は、（図６に示されるように）ダミー基板３００の外部にあってもよいし、又はダミー基板３００に埋め込まれていてもよい。
【００６０】
[0066]  リソグラフィ装置は図６のシステムを備えていてもよい。そのようなリソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴと図６の基板サポート６０とを有している。基板Ｗの代わりにダミー基板３００が基板サポート６０上にロードされ得る。例えば、ダミー基板３００は、周期的に、例えば１日に１回又はリソグラフィ装置が基板Ｗのバッチ（例えば少なくとも２つの基板Ｗ）を処理する間に１回、基板サポート６０上にロードされてもよい。
【００６１】
[0067]  外部電力源又は埋込式バッテリが正の電圧又はバイアスをダミー基板３００に印加する。外部電力源及び埋込式バッテリは、帯電デバイス１２０の例である。基板サポート６０は電気的に接地されていてもよい。外部電力源又は他の帯電デバイス１２０は、ダミー基板３００が基板サポート６０によって保持されているときにのみ、電圧を印加し得る。外部電力源又は他の帯電デバイス１２０は、基板Ｗが基板サポート６０によって保持されているときには、電圧を印加しなくてもよい。外部電力源又は他の帯電デバイス１２０は、３０Ｖから５０００Ｖの範囲内の正の電圧をダミー基板３００に印加してもよく、又は上記で概説した電圧を印加してもよい。正の電圧は、基板サポート６０上の酸化物のすべて又は略すべて除去されるまで、印加されてもよい。正の電圧は、例えば５分から１８０分の持続時間にわたって、印加されてもよい。持続時間は、基板サポート６０の酸化の度合い、基板サポート６０から酸化物を除去するためにダミー基板３００がどの程度頻繁に用いられるか、基板サポート６０に印加される正の電圧、及びシステム内に存在する電解質１４０のタイプによって決まるであろう。
【００６２】
[0068]  図７は、本発明の更なる具体的な実施形態を概略的に図示している。図６のシステムと比較すると、ダミー基板３００の代わりに処置具４００が設けられている。処置具４００は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である。処置具４００は、基板サポート６０を機械的に洗浄するためのものであり得る。処置具４００は、従来の洗浄石（cleaning stone）であってもよい。洗浄石は、御影石又は他の洗浄石であってもよい。処置具４００による基板サポート６０の洗浄にあたり、処置具４００はバール２０の端子面上に支持される。つまり、処置具４００は、その自重によって基板サポート６０上に載置される。よって、処置具４００は基板サポート６０のバール２０のうち少なくともいくつかの端子面と接触する。したがって、処置具４００は、基板サポート６０の一部を覆う。
【００６３】
[0069]  処置具４００は、例えばシャフトの回転によって、基板サポート６０の表面に垂直な軸を中心として回転するように配置されてもよい。主に処置具４００の回転に起因するバール２０の端子面上での処置具４００の移動により、材料が除去される。基板サポート６０に対する処置具４００のｘ方向及びｙ方向の相対並進移動は、すべてのバール２０が洗浄可能となるように、基板サポート６０の上面全体が処置具４００の下で移動され得ることを意味する。よって、処置具４００は、基板サポート６０の異なる部分に異なる時刻に接触して覆うように、基板サポート６０の全面にわたって効果的に移動され得る。こうして処置具４００は基板サポート６０の略全面から酸化物を除去することができる。
【００６４】
[0070]  電解質１４０は、処置具４００と基板サポート６０との間の空間を部分的に充填し得る。電解質１４０は、図７に示されるように、処置具４００に埋め込まれた電解質供給デバイス１６０によって提供されてもよい。代替的又は追加的には、電解質１４０は、処置具４００に埋め込まれた熱調節デバイス１８０による熱的な調節の後、処置具４００上に凝縮し得る。代替的には、電解質供給デバイス１６０又は熱調節デバイス１８０は、図６のダミー基板３００に関連して説明したように、処置具４００の外部にあってもよい。外部電力源又は埋込式バッテリのような帯電デバイス１２０は、電気的に接地された基板サポート６０に対して処置具４００に正の電圧又はバイアスを印加する。代替的には、処置具４００は接地され、負の電圧又はバイアスが基板サポート６０に印加されてもよい。電圧の大きさ及び電圧が印加される持続時間は、図６のダミー基板３００に関連して説明したようなものであってもよい。帯電デバイス１２０は、処置具４００による基板サポート６０の機械的洗浄の際に電圧を印加してもよい。帯電デバイス１２０は、処置具４００が基板サポート６０全体を移動する間、連続的に正の電位を処置具４００に印加してもよい。代替的には、帯電デバイス１２０は正の電位を周期的に印加してもよく、したがって、処置具４００が新たな位置に移動されたときに正の電位が処置具４００に印加される。
【００６５】
[0071]  リソグラフィ装置は図７のシステムを備えていてもよい。そのようなリソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴ及び図７の基板サポート６０を有している。処置具４００はリソグラフィ装置の一部であってもよい。処置具４００は、リソグラフィ装置の基板サポート６０を洗浄するために、周期的に用いられ得る。基板サポート６０の洗浄は、例えば、基板サポート６０上に設置された基板Ｗの時刻又は数に基づく所定のスケジュールで実施されてもよい。洗浄は、周期的に及び／又は汚染の検出の結果として、基板サポート６０の直接測定によって、あるいは基板サポート６０にロードされた基板Ｗのレベル測定時に、行われてもよい。酸化物及び他の汚染物質の機械的及び電気化学的な除去の両方が可能になるので、処置具４００の洗浄効率は、図７のシステムを用いて高められる。図７のシステムを使用する方法は、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００の一例である処置具４００によって基板サポート６０を機械的に洗浄することを備えていてもよい。
【００６６】
[0072]  図４から図７を参照して具体的な実施形態を説明してきた。当業者には、これらの実施形態の特徴は、適切な場合には組み合わせられてもよいことが理解されるであろう。例えば、当業者には、帯電デバイス１２０が正の電位を基板サポート６０に対して導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００に印加する手法、正の電位が印加される時刻、及び正の電位の値は、本明細書の全体を通じて説明されるように実現され得ることが理解されるであろう。図４のシステムにおいて、基板Ｗ，１００は、ｅピン９１の代わりに液体閉じ込め構造１２によって接地されてもよい。基板サポート６０には、基板サポート６０に埋め込まれた電極によって、負のバイアスが印加されてもよい。また、基板サポート６０が接地に接続されてもよく、又はいずれのコンポーネントも接地されなくてもよく、正の電圧が、電力源によってｅピン９１もしくは液体閉じ込め構造１２を介して、又は放射ビームもしくは空気流によって、又は任意の他の手法で、基板Ｗ，１００に印加されてもよい。同様に、導電又は半導電要素１００，２００，３００，４００への正の電位は、図５から図７のシステムにおいて、そのような手法で印加されてもよい。
【００６７】
[0073]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６８】
[0074]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
【００６９】
[0075]  １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出されるときに、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【００７０】
[0076]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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