(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設置され、走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するために用いられる第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記第1金属層及び活性層を隔離するために用いられる第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するために用いられる前記活性層と、
前記活性層上に設けられ、データ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するために用いられる第2金属層と、
前記第1絶縁層と前記第2金属層との間に設けられ、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられるバリア層と、
を含む前記アレイ基板において、
前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンであり、
前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影は、前記バリア層の前記ベース基板上への投影と一致する、ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる、請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記バリア層は、無機材料または有機絶縁材料である、請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項４】
アレイ基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設置され、走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するために用いられる第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記第1金属層及び活性層を隔離するために用いられる第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するために用いられる前記活性層と、
前記活性層上に設けられ、データ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するために用いられる第2金属層と、
前記第1絶縁層と前記第2金属層との間に設けられ、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられるバリア層と、
を含み、
前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影が、前記バリア層の前記ベース基板上への投影と一致する、ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項５】
前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる、請求項4に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである、請求項4に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記バリア層は無機材料または有機絶縁材料である，請求項4に記載のアレイ基板。
【請求項８】
アレイ基板の製造方法であって、
ベース基板上に第1金属層を堆積し、かつパターニングプロセスにより走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するステップと、
前記第１金属層上に第1絶縁層を堆積するステップと、
前記第１絶縁層上に活性層を堆積し、かつパターニングプロセスにより前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するステップと、
前記活性層上に第2金属層を堆積し、かつパターニングプロセスによりデータ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するステップと、
前記第１絶縁層と前記第2金属層との間にバリア層を形成することより、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるステップと、
を含み、
前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影領域は、前記バリア層の前記ベース基板上への投影領域と一致する、アレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる、請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである、請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記バリア層は無機材料又は有機絶縁材料である、請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶ディスプレイの製造分野に関し、特にアレイ基板及びアレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されているフラットパネルディスプレイであり、様々な電子機器に、例えば携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント（PDA）、デジタルカメラ、コンピュータ又はノートパソコンなどに、高解像度を有するカラースクリーンを提供することができる。
【０００３】
液晶表示パネルは液晶ディスプレイの最も主要な構成部品であり、第1基板、第2基板、両者の間に設置された液晶層を含む。ここで、第1基板はアレイ基板であり、図1を参照して説明する。図1は従来の液晶表示パネルのアレイ基板の平面構造概略図であり、以下を含む：第1金属層、第1絶縁層、活性層、第2金属層及び画素電極層。第1金属層は走査線102及び薄膜トランジスタ103のゲート1033を形成するために用いられる。第1絶縁層（図示せず）は、第1金属層上に設置され、第1金属層及び活性層を隔離するために用いられる。活性層は、第1絶縁層上に設けられ、薄膜トランジスタ103の導電チャネル1034を形成するために用いられる。第2金属層は、活性層上に設けられ、データ線101、薄膜トランジスタ103のソース1031及び薄膜トランジスタ103のドレイン1032を形成するために用いられる。画素電極層は、第2金属層上に設けられ、画素電極104を形成するために用いられ、貫通孔により薄膜トランジスタ103のドレイン1032に接続される。
【０００４】
しかしながら、第1金属層と第2金属層との間の距離が短く、第1金属層と第2金属層とが重なる領域105に寄生容量が形成されやすく、それにより画素の充電率が低下し、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質に悪影響を及ぼす。
【０００５】
したがって、従来の技術に存在する問題を解決するためのアレイ基板及びアレイ基板の製造方法を提供する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、アレイ基板及びアレイ基板の製造方法を提供することにより、従来のアレイ基板では第1金属層と第2金属層との間の距離が短いことに起因して、第1金属層と第2金属層とが重なる領域に寄生容量が形成されやすく、それにより画素の充電率が低下され、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質に悪影響が及ぼされる、という技術的課題を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明はアレイ基板を提供し、該アレイ基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設置され、走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するために用いられる第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記第1金属層及び活性層を隔離するために用いられる第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するために用いられる前記活性層と、
前記活性層に設けられ、データ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するために用いられる第2金属層と、
前記第1絶縁層と前記第2金属層との間に設けられ、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられるバリア層と、を含み、
前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影が、前記バリア層の前記ベース基板上への投影内に位置し、
前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである。
【０００８】
本発明のアレイ基板において、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影は、前記バリア層の前記ベース基板上への投影と重なる。
【０００９】
本発明のアレイ基板において、前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる。
【００１０】
本発明のアレイ基板において、前記バリア層は、無機材料または有機絶縁材料である。
【００１１】
本発明はさらに以下のアレイ基板を提供し、該アレイ基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設置され、走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するために用いられる第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記第1金属層及び活性層を隔離するために用いられる第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するために用いられる前記活性層と、
前記活性層に設けられ、データ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するために用いられる第2金属層と、
前記第1絶縁層と前記第2金属層との間に設けられ、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられるバリア層と、を含む。
【００１２】
本発明のアレイ基板において、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影が前記バリア層の前記ベース基板上への投影内に位置する。
【００１３】
本発明のアレイ基板において、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影が前記バリア層の前記ベース基板上への投影と重なる。
【００１４】
本発明のアレイ基板において、前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる。
【００１５】
本発明のアレイ基板において、前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである。
【００１６】
本発明のアレイ基板において、前記バリア層は、無機材料または有機絶縁材料である。
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明はさらに以下のアレイ基板の製造方法を提供し、該アレイ基板の製造方法は、
ベース基板上に第1金属層を堆積し、かつパターニングプロセスにより走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成するステップと、
前記第１金属層上に第1絶縁層を堆積するステップと、
前記第１絶縁層上に活性層を堆積し、かつパターニングプロセスにより前記薄膜トランジスタの導電チャネルを形成するステップと、
前記活性層上に第2金属層を堆積し、かつパターニングプロセスによりデータ線、前記薄膜トランジスタのソース及び前記薄膜トランジスタのドレインを形成するステップと、
前記第１絶縁層と前記第2金属層との間にバリア層を形成することより、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域において、前記第1金属層と前記第2金属層との間の距離を増加させ、前記第1金属層と前記第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるステップと、を含む。
【００１８】
本発明のアレイ基板の製造方法において、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影は、前記バリア層の前記ベース基板上で投影内に位置する。
【００１９】
本発明のアレイ基板の製造方法において、前記第1金属層と前記第2金属層とが重なる領域の前記ベース基板上への投影領域は、前記バリア層の前記ベース基板上への投影領域と重なる。
【００２０】
本発明のアレイ基板の製造方法において、前記ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板上への投影が前記第1領域と重なり、前記バリア層の前記ベース基板上への投影が前記第2領域と重なる。
【００２１】
本発明のアレイ基板の製造方法において、前記バリア層の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである。
【００２２】
本発明のアレイ基板の製造方法において、前記バリア層は無機材料又は有機絶縁材料である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のアレイ基板及びアレイ基板の製造方法はバリア層を設けることにより、第1金属層と第2金属層とが重なる領域において、第1金属層と第2金属層との間の距離を増加させ、第1金属層と第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、それにより画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることができる。
【００２４】
本発明の上記内容をより分かりやすくするために、以下に好ましい実施例を挙げ、かつ添付図に合わせて、以下のように詳細に説明する。
【００２５】
以下に図面を参照しながら、本発明の具体的な実施形態を詳細に説明することにより、本発明の技術的解決手段及びその有益な効果を明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来の液晶表示パネルのアレイ基板の平面構造概略図である。
【図２】本発明のアレイ基板の第1好ましい実施例の構造概略図である。
【図３】本発明のアレイ基板の第2好ましい実施例の構造概略図である。
【図４】本発明のアレイ基板の製造方法のプロセスフロー概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の採用する技術的手段及びその効果をさらに説明するために、以下に本発明の好ましい実施例及びその図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中、同一の構成部分には同一の符号を付している。なお、本発明の目的は、第1金属層と第2金属層との間にバリア層を設けることにより、第1金属層と第2金属層とが重なる領域において、第1金属層と第2金属層との間の距離を増加させ、第1金属層と第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることにある。言うまでもなく、説明された実施例は本発明の一の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的な労力を要さずに想到し得る他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
【００２８】
図2は本発明のアレイ基板の第1好ましい実施例の構造概略図である。図2に示すように、本発明の好ましい実施例のアレイ基板は、ベース基板201、第1金属層202、第1絶縁層203、活性層204、第2金属層205、及びバリア層206を含む。
【００２９】
第1金属層202はベース基板201上に設置され、走査線2081及び薄膜トランジスタ207のゲート2071を形成するために用いられる。第1絶縁層203は、第1金属層202上に設置され、第1金属層202及び活性層204を隔離するために用いられる。活性層204は、第1絶縁層203上に設置され、薄膜トランジスタ207の導電チャネル2072を形成するために用いられる。第2金属層205は、活性層204上に設けられ、データ線2082、薄膜トランジスタ207のソース2073及び薄膜トランジスタ207のドレイン2074を形成するために用いられる。バリア層206は、第1絶縁層203と第2金属層205との間に設けられ、第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域208において、第1金属層202と第2金属層205との間の距離を増加させ、それにより第1金属層202と第2金属層205との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられる。
【００３０】
好ましくは、該アレイ基板上のバリア層206の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである。該アレイ基板上のバリア層206は無機材料又は有機絶縁材料である。
【００３１】
さらに、該アレイ基板上の第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域208のベース基板201上への投影は、バリア層206のベース基板201上への投影内に位置する。
【００３２】
好ましくは、該アレイ基板上の第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域208のベース基板201上への投影は、バリア層206のベース基板201上への投影と重なる。
【００３３】
したがって、本発明の好ましい実施例のアレイ基板はバリア層206を設けることにより、第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域208において、第1金属層202と第2金属層205との間の距離を増加させ、第1金属層202と第2金属層205との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、それにより画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることができる。
【００３４】
図3は本発明のアレイ基板の第2好ましい実施例の構造概略図である。図3に示すように、本発明の好ましい実施例のアレイ基板は、ベース基板301、第1金属層302、第1絶縁層303、活性層304、第2金属層305、及びバリア層306を含む。
【００３５】
第1金属層302はベース基板301上に設置され、走査線3081及び薄膜トランジスタ307のゲート3071を形成するために用いられる。第1絶縁層303は、第1金属層302上に設置され、第1金属層302及び活性層304を隔離するために用いられる。活性層304は、第1絶縁層303上に設けられ、薄膜トランジスタ307の導電チャネル3072を形成するために用いられる。第2金属層305は、活性層304上に設けられ、データ線3082、薄膜トランジスタ307のソース3073及び薄膜トランジスタ307のドレイン3074を形成するために用いられる。バリア層306は、第1金属層302と第2金属層305との間に設けられ、第1金属層302と第2金属層305とが重なる領域308において、第1金属層302と第2金属層305との間の距離を増加させ、それにより第1金属層302と第2金属層305との間に形成される寄生容量の容量値を低下させるために用いられる。
【００３６】
好ましくは、該アレイ基板上のバリア層306の厚さは3ミクロン〜5ミクロンである。該アレイ基板上のバリア層306は無機材料又は有機絶縁材料である。
【００３７】
さらに、該アレイ基板上の第1金属層302と第2金属層305とが重なる領域308のベース基板上への投影はバリア層306のベース基板301上への投影内に位置する。
【００３８】
好ましくは、ベース基板301は第1領域及び第2領域を含み、薄膜トランジスタ307のベース基板301上への投影は第1領域と重なり、バリア層306のベース基板302上への投影は第2領域と重なる。
【００３９】
したがって、本発明の好ましい実施例のアレイ基板は、バリア層を設けることにより、第1金属層302と第2金属層305とが重なる領域308において、第1金属層302と第2金属層305との間の距離を増加させ、第1金属層302と第2金属層305との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、それにより画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることができる。
【００４０】
図4に示すように、図4は本発明のアレイ基板の製造方法のプロセスフロー概略図である。本発明の実施例はさらに上記アレイ基板の製造方法を提供し、以下のステップを含む：
ステップS401：ベース基板上に第1金属層を堆積し、かつパターニングプロセスにより走査線及び薄膜トランジスタのゲートを形成する。
ステップS402：第1金属層上に第1絶縁層を堆積する。
ステップS403：第1絶縁層上に活性層を堆積し、かつパターニングプロセスにより薄膜トランジスタの導電チャネルを形成する。
ステップS404：前記活性層上に第2金属層を堆積し、かつパターニングプロセスによりデータ線、薄膜トランジスタのソース及び薄膜トランジスタのドレインを形成する。
ステップS405：前記第1絶縁層と前記第2金属層との間にバリア層を形成し、第1金属層と第2金属層とが重なる領域の距離を増加させ、第1金属層と第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させる。
【００４１】
好ましくは、第1金属層と第2金属層とが重なる領域のベース基板上への投影はバリア層のベース基板上への投影内に位置する。
【００４２】
好ましくは、第1金属層と第2金属層とが重なる領域のベース基板上への投影領域はバリア層のベース基板上への投影領域と重なる。
【００４３】
好ましくは、ベース基板は第1領域及び第2領域を含み、薄膜トランジスタのベース基板上への投影は第1領域と重なり、バリア層の前記ベース基板上への投影は第2領域と重なる。
【００４４】
本発明の好ましい実施例のアレイ基板の製造方法は、バリア層を設けることにより、第1金属層と第2金属層とが重なる領域において、第1金属層と第2金属層との間の距離を増加させ、第1金属層と第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、それにより画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることができる。
【００４５】
本発明のアレイ基板及びアレイ基板の製造方法は、バリア層を設けることにより、第1金属層と第2金属層とが重なる領域において、第1金属層と第2金属層との間の距離を増加させ、第1金属層と第2金属層との間に形成される寄生容量の容量値を低下させ、それにより画素の充電率を向上させ、さらに液晶ディスプレイの表示効果及び品質を向上させることができる。
【００４６】
要するに、本発明の好ましい実施例は以上のように開示されているが、上記好ましい実施例は本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想及び技術的範囲から逸脱せずに様々な変更及び修正を行うことができるため、本発明の保護範囲は特許請求の範囲に基づくものである。
【符号の説明】
【００４７】
201  ベース基板
202  第1金属層
203  第1絶縁層
204  活性層
205  第2金属層
206  バリア層
207  薄膜トランジスタ
208  第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域
2071  ゲート
2072  導電チャネル
2073  ソース
2074  ドレイン
2081  走査線
2082  データ線
301  ベース基板
302  第1金属層
303  第1絶縁層
304  活性層
305  第2金属層
306  バリア層
307  薄膜トランジスタ
308  第1金属層202と第2金属層205とが重なる領域
3071  ゲート
3072  導電チャネル
3073  ソース
3074  ドレイン
3081  走査線
3082  データ線
【図１】
0006828175.tif 000002
【図２】
0006828175.tif 000003
【図３】
0006828175.tif 000004
【図４】
0006828175.tif 000005