(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を加熱することにより蒸気を生成する非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットであって、
前記液体を保持するウィックと、
前記ウィックが取り付けられるウィックサポートと、
前記ウィック及び前記ウィックサポートにより形成されたウィックアセンブリが収容される収容空間、及び前記ウィックが接触するヒータ素子を有するヒータと、
前記ヒータ及び前記ウィックアセンブリの組立体の前記ヒータ素子の側に組み付けられるホルダと、
前記ヒータ素子に対する前記ウィックの非接触位置で前記ウィックアセンブリを前記収容空間に収容可能であり、且つ、前記収容空間に収容した前記ウィックアセンブリを前記ヒータ素子に対する前記ウィックの接触位置に移動させて位置決めする位置決め機構と
を備える、非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項２】
前記位置決め機構は、前記ウィックアセンブリを前記非接触位置から前記接触位置に弾性力により移動させる弾性部を有する、請求項１に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項３】
前記位置決め機構は、前記弾性部をその弾性力に抗して変形させることにより前記ウィックを前記非接触位置に位置付けながら前記ウィックアセンブリを前記収容空間に収容する一方、前記弾性部の変形を解放することにより前記ウィックを前記接触位置に位置決めする、請求項２に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項４】
前記位置決め機構は、前記弾性部の変形を解放したとき、前記接触位置を超える前記ウィックアセンブリの移動を規制するストッパを有する、請求項３に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項５】
前記位置決め機構は、前記弾性部の変形の解放を当該弾性部が前記ヒータに接触することによる摩擦力を伴って行う、請求項４に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項６】
前記位置決め機構は、前記弾性部の変形を解放したときに前記ウィックアセンブリを前記ヒータの軸線方向に移動させるガイドを有する、請求項４又は５に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項７】
前記ヒータは、その側壁に前記ウィックアセンブリの収容口を有する、請求項２から６の何れか一項に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項８】
前記ホルダは、前記ウィックを覆う領域において前記ウィックに対向して位置付けられる、請求項１から７の何れか一項に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項９】
前記ヒータは、
前記ヒータ素子の両端が固着される一対の電極と、
前記一対の電極が立設されるヒータベースと
を有し、
前記位置決め機構は、前記組立体が前記ヒータベースの側から取り付けられるトップキャップを有し、前記トップキャップに対する前記組立体の取り付けに伴い、前記収容空間において前記ウィックアセンブリを前記非接触位置から前記接触位置に移動させる、請求項１に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１０】
前記トップキャップは、
前記ヒータベースが固定されるキャップベースと、
前記キャップベースから立設され、前記トップキャップに前記組立体を取り付けることにより、前記ウィックサポートの底部に当接する複数の支持突起と
を有する、請求項９に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１１】
前記位置決め機構は、前記ウィックサポートの前記底部を前記ヒータベースに当接或いは近接させることにより、前記ウィックを前記非接触位置に位置付けながら前記ウィックアセンブリを前記収容空間に前記ヒータの径方向から収容する一方、前記キャップベースへの前記ヒータベースの固定と、前記ウィックサポートへの前記支持突起の当接とによって、前記収容空間において前記ウィックアセンブリを前記ヒータの軸線方向にて前記ヒータベースから離間する向きに移動させ、前記ウィックを前記接触位置に位置決めする、請求項１０に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１２】
前記キャップベースは、前記ヒータベースが嵌め込まれる嵌合孔を有し、
前記ヒータベースは、その外周縁に、前記嵌合孔の開口縁に係止されることにより、前記キャップベースに前記ヒータベースを固定する第１係止爪を有する、
請求項１１に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１３】
前記ウィックサポートは、その対向する側壁に、前記電極が当接されるガイド溝をそれぞれ有する、請求項１２に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１４】
前記一対の電極は、これらの側壁の幅方向の両側を折り起こした一対の折曲部をそれぞれ有し、
前記一対の折曲部は、それぞれの一端が、前記嵌合孔への前記ヒータベースの嵌め込みに伴い前記キャップベースの側壁の端面に当接する、請求項１３に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１５】
前記ホルダは、前記ヒータの前記ヒータ素子の側に組み付けるに際し、前記ウィックサポートに取り付けられ、前記ウィックサポートへの取り付けに伴い前記ウィックとの間に前記蒸気の通気空間を形成するホルダベースと、前記ホルダベースから立設され、前記ウィックサポートへの取り付けに伴い、前記ガイド溝において、前記一対の電極の側壁にそれぞれ当接される係合突起とを有する、請求項１４に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１６】
前記一対の電極は、前記側壁を外側に切り起こした第２係止爪をそれぞれ有し、
前記第２係止爪は、前記係合突起に係止される、請求項１５に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１７】
前記ウィックサポートの対向する側壁をそれぞれ径方向に拡径した拡径部と、
前記ホルダの対向する側壁をそれぞれ前記ホルダの軸線方向に突出して形成した突出部と
を有し、
前記組立体への前記ホルダの取り付けに伴い前記拡径部に前記突出部が当接される、請求項１６に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット。
【請求項１８】
液体を加熱することにより蒸気を生成する非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法であって、
前記蒸気生成ユニットは、
前記液体を保持するウィックと、
前記ウィックが取り付けられるウィックサポートと、
前記ウィック及び前記ウィックサポートにより形成されたウィックアセンブリが収容されるとともに、前記ウィックが接触するヒータ素子を有するヒータと、
前記ヒータ及び前記ウィックアセンブリの組立体の前記ヒータ素子の側に組み付けられるホルダと
を備え、
前記ヒータを供給するヒータ供給工程と、
前記ウィックアセンブリを形成し、前記ヒータ素子に対する前記ウィックの非接触位置で前記ウィックアセンブリを前記ヒータの収容空間に収容するウィックアセンブリ供給工程と、
前記非接触位置で前記収容空間に収容した前記ウィックアセンブリを前記ヒータ素子に対する前記ウィックの接触位置に移動させて位置決めするウィックアセンブリ位置決め工程と、
前記ウィックアセンブリが位置決めされた前記ヒータに前記ホルダを組み付けるホルダ供給工程と
を含む、非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項１９】
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記ウィックアセンブリを前記非接触位置から前記接触位置に弾性部の弾性力により移動させる、請求項１８に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２０】
前記ウィックアセンブリ供給工程は、前記弾性部をその弾性力に抗して変形させることにより前記ウィックを前記非接触位置に位置付けながら前記ウィックアセンブリを前記収容空間に収容し、
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記弾性部の変形を解放することにより前記ウィックを前記接触位置に位置決めする、請求項１９に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２１】
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記弾性部の変形を解放したとき、前記接触位置を超える前記ウィックアセンブリの移動を規制する、請求項２０に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２２】
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記弾性部の変形の解放を当該弾性部が前記ヒータに接触することによる摩擦力を伴って行う、請求項２１に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２３】
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記弾性部の変形を解放したときに前記ウィックアセンブリを前記ヒータの軸線方向に移動させる、請求項２１又は２２に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２４】
前記ウィックアセンブリ供給工程は、前記ヒータの径方向から前記ウィックアセンブリを収容する、請求項１８から２３の何れか一項に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２５】
前記ホルダ供給工程は、前記ホルダを前記ウィックを覆う領域において前記ウィックに対向して位置付ける、請求項１８から２４の何れか一項に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２６】
前記ヒータは、
前記ヒータ素子の両端が固着される一対の電極と、
前記一対の電極が立設されるヒータベースと
を有し、
前記蒸気生成ユニットは、前記組立体が前記ヒータベースの側から取り付けられるトップキャップをさらに有し、
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記トップキャップに対する前記組立体の取り付けに伴い、前記収容空間において前記ウィックアセンブリを前記非接触位置から前記接触位置に移動させる、請求項１８に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【請求項２７】
前記トップキャップは、
前記ヒータベースが固定されるキャップベースと、
前記キャップベースから立設され、前記ウィックサポートの底部に当接する複数の支持突起と
を有し、
前記ウィックアセンブリ供給工程は、前記ウィックサポートの前記底部を前記ヒータベースに当接或いは近接させることにより、前記ウィックを前記非接触位置に位置付けながら前記ウィックアセンブリを前記収容空間に前記ヒータの径方向から収容し、
前記ウィックアセンブリ位置決め工程は、前記トップキャップに前記ヒータを取り付けることにより、前記キャップベースへの前記ヒータベースの固定と、前記ウィックサポートへの前記支持突起の当接とによって、前記収容空間において前記ウィックアセンブリを前記ヒータの軸線方向にて前記ヒータベースから離間させる向きに移動させ、前記ウィックを前記接触位置に位置決めする、請求項２６に記載の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、材料の燃焼をすることなく香味を吸引するための非燃焼型香味吸引器が知られている。このような吸引器は、例えば電子たばこや加熱式たばこと呼ばれているものであって、液体を加熱することにより蒸気を生成する蒸気生成ユニット（Ｖａｐｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｕｎｉｔ）を備えている。蒸気生成ユニットで生成された蒸気は、吸引器内を通過する際に冷却されてエアロゾルとなり、このエアロゾルが香味源を通過した後に吸引される。【０００３】
特許文献１には、エアロゾル送達装置用のカートリッジや喫煙具用のカートリッジを組み立てるための方法が開示されている。このカートリッジが備えるアトマイザたる蒸気生成ユニットは、液体を加熱して蒸気を生成するためのヒータを有し、このヒータは、棒状の液体輸送要素たるウィック（液保持部材）と、ウィックの長手方向に沿って延びるワイヤたるヒータ素子とを含む。ヒータ素子は、棒状のウィックにコイル状に巻回されたヒータ素子でウィックに保持された液体を加熱することにより蒸気を生成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１６−５１１００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において、棒状のウィックにコイル状のヒータ素子を巻回する作業は自動化が困難であり、たとえ自動化できたとしても複雑な動作を行う装置を要するため、ヒータ及び蒸気生成ユニットの生産性の悪化を招くおそれがある。また、特許文献１は、ヒータを含む蒸気生成ユニットの製造方法については格別な配慮がなされていない。【０００６】
また、特許文献１においては、棒状のウィックにコイル状のヒータ素子を巻回する作業のスペースを確保するために、ヒータ素子に対するウィックの接触がヒータベースから軸線方向に離れた箇所とならざるを得ないため、ヒータ及び蒸気生成ユニットのコンパクト化を図るのは困難である。従って、非燃焼型香味吸引器に要求される蒸気生成ユニットの性能を確保しつつ、蒸気生成ユニットのさらなるコンパクト化を図りながら、その信頼性及び生産性を向上するには依然として課題が残されている。【０００７】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、蒸気生成ユニットのコンパクト化を図りながら、その信頼性及び生産性を向上することができる、非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットは、液体を加熱することにより蒸気を生成する非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットであって、液体を保持するウィックと、ウィックが取り付けられるウィックサポートと、ウィック及びウィックサポートにより形成されたウィックアセンブリが収容される収容空間、及びウィックが接触するヒータ素子を有するヒータと、ヒータ及びウィックアセンブリの組立体のヒータ素子の側に組み付けられるホルダと、ヒータ素子に対するウィックの非接触位置でウィックアセンブリを収容空間に収容可能であり、且つ、収容空間に収容したウィックアセンブリをヒータ素子に対するウィックの接触位置に移動させて位置決めする位置決め機構とを備える。【０００９】
また、本発明の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法は、液体を加熱することにより蒸気を生成する非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニットの製造方法であって、蒸気生成ユニットは、液体を保持するウィックと、ウィックが取り付けられるウィックサポートと、ウィック及びウィックサポートにより形成されたウィックアセンブリが収容されるとともに、ウィックが接触するヒータ素子を有するヒータと、ヒータ及びウィックアセンブリの組立体のヒータ素子の側に組み付けられるホルダとを備え、ヒータを供給するヒータ供給工程と、ウィックアセンブリを形成し、ヒータ素子に対するウィックの非接触位置でウィックアセンブリをヒータの収容空間に収容するウィックアセンブリ供給工程と、非接触位置で収容空間に収容したウィックアセンブリをヒータ素子に対するウィックの接触位置に移動させて位置決めするウィックアセンブリ位置決め工程と、ウィックアセンブリが位置決めされたヒータにホルダを組み付けるホルダ供給工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット及びその製造方法によれば、蒸気生成ユニットのコンパクト化を図りながら、その信頼性及び生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る蒸気生成ユニットを備えた非燃焼型香味吸引器をユニット毎に分解した側面図である。
【図２】図１の非燃焼型香味吸引器の各ユニットの機能を説明する図である。
【図３】図２の蒸気生成ユニットがタンクに接続された状態を示す斜視図である。
【図４】図３の分解斜視図である。
【図５】図４の蒸気生成ユニットの製造工程を示すブロック図である。
【図６】図５のヒータ供給工程の説明図である。
【図７】図５のウィックアセンブリ供給工程のうち、ウィックアセンブリ形成プロセスまでの説明図である。
【図８Ａ】図５のウィックアセンブリ収容プロセスにおいて、一対のプッシャが互いに近づくときの斜視図である。
【図８Ｂ】図５のウィックアセンブリ収容プロセスにおいて、一対のプッシャの爪部がウィックサポートの一対の脚部を互いに近接するように変形させるときの斜視図である。
【図９Ａ】図５のウィックアセンブリ位置決め工程において、一対の脚部がヒータベースの軸線方向に沿った垂直姿勢になるときの断面図である。
【図９Ｂ】図５のウィックアセンブリ位置決め工程において、一対の脚部の端部が拡開するときの断面図である。
【図９Ｃ】図５のウィックアセンブリ位置決め工程において、ウィックの露出面にヒータ素子が接触されたときの斜視図である。
【図１０】図５のウィックアセンブリ位置検査工程の説明図である。
【図１１】図５のホルダ組付プロセスの説明図である。
【図１２】組立完了した蒸気生成ユニットの縦断面図である。
【図１３】図１２の蒸気生成ユニットをその周方向に９０度回転させたときの縦断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係るウィックアセンブリ形成プロセスの説明図である。
【図１５】図１４に続くウィックアセンブリ収容プロセスの説明図である。
【図１６】図１５に続くウィックアセンブリ収容プロセスの説明図である。
【図１７】図１６に続くウィックアセンブリ収容プロセスの説明図である。
【図１８】図１７に続くウィックアセンブリ位置決め工程の説明図である。
【図１９】本発明の第３実施形態に係る蒸気生成ユニットがタンクに接続された状態を示す斜視図である。
【図２０】図１９の分解斜視図である。
【図２１】図２０の蒸気生成ユニットの製造工程を示すブロック図である。
【図２２】図２１のヒータ供給工程で形成されたヒータの斜視図である。
【図２３】図２１の素子固着プロセスの説明図である。
【図２４】図２３の変形例に係るヒータの一部断面図である。
【図２５】図２１のウィックアセンブリ形成プロセスの説明図である。
【図２６】図２１のウィックアセンブリ収容プロセスの説明図である。
【図２７】図２６のヒータアセンブリの縦断面図である。
【図２８】図２１のトップキャップ供給工程の説明図である。
【図２９】図２８のキャップアセンブリの縦断面図である。
【図３０】図２９のキャップアセンブリをその周方向に９０度回転させたときの縦断面図である。
【図３１】図２０のホルダの斜視図である。
【図３２】図２１のホルダ組付プロセスの説明図である。
【図３３】組立完了した蒸気生成ユニットの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の各実施形態に係る非燃焼型香味吸引器用の蒸気生成ユニット１（Ｖａｐｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｕｎｉｔ、以下、省略してＶＧＵとも称する）及びその製造方法について図面を参照して説明する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るＶＧＵ１を備えた非燃焼型香味吸引器２（以下、単に吸引器とも称する）をユニット毎に分解した側面図を示し、図２は、吸引器２の各ユニットの機能の説明図を示す。
【００１４】
吸引器２は、その軸線方向に、カプセルユニット３、アトマイザユニット４、及びバッテリユニット５を接続して形成されている。カプセルユニット３には香味源６が配置され、アトマイザユニット４には、ＶＧＵ１と、エアロゾル形成材料を含む液体を貯蔵するタンク７とが配置されている。バッテリユニット５は、アトマイザユニット４との接続によりＶＧＵ１に電力を供給する。
【００１５】
ＶＧＵ１には、図２に破線矢印で示すように、タンク７内の液体が導液される。ＶＧＵ１は、導液された液体を加熱することにより蒸気を生成し、この蒸気が後述する流路９を通過する際に冷却されてエアロゾルが生成される。タンク７に貯蔵される液体には、エアロゾル形成材料として、グリセリン又はプロピレングリコールなどが含まれる。
【００１６】
香味源６は、刻みたばこ、たばこ原料を粒状やシート状に成形した成形体、たばこ以外の植物、その他の香料などの少なくとも何れか１つであって、カプセルユニット３に漏出不能に収容される。なお、タンク７の液体にニコチンが含まれる場合もあり得る。また、カプセルユニット３は、香味源６を含まない場合もあり、この場合には、カプセルユニット３は単なる吸口部材（例えばマウスピース）として使用される。
【００１７】
ＶＧＵ１には、アトマイザユニット４に外気を導入する通気孔８が少なくとも１つ形成されている。ユーザーがカプセルユニット３の吸口端３ａを吸引すると、図２に実線矢印で示すように、例えば２つの通気孔８からアトマイザユニット４内に外気が導入される。
【００１８】
アトマイザユニット４のタンク７内の中央部には、タンク７に貯蔵される液体と区画された流路９が形成されている。ＶＧＵ１で生成された蒸気は、各通気孔８から導入された外気とともに流路９を通過する際に冷却されてエアロゾルとなり、このエアロゾルはカプセルユニット３の香味源６を通過してユーザーの口に導かれる。ユーザーは、香味源６を通過したエアロゾルを吸引することにより香味源６の成分を摂取することができる。
【００１９】
図３は、タンク７に接続されたＶＧＵ１の斜視図を示す。ＶＧＵ１は、タンク７に挿嵌されて組み付けられるホルダ１０と、ホルダ１０が挿嵌して組み付けられるとともにバッテリユニット５に電気的に接続されるヒータ１１とを備えている。タンク７内の液体は、図３に示すようにＶＧＵ１がタンク７に接続された状態において、流路９以外の空間に封液される。
【００２０】
図４は、図３のＶＧＵ１の分解斜視図を示す。ＶＧＵ１は、ホルダ１０に組み付けられるウィックアセンブリ１２をさらに備える。なお、以下において、図４においてＶＧＵ１の各構成部品を繋ぐ一点鎖線を各構成部品の軸線方向、或いは、各構成部品の高さ方向と定義し、この軸線方向と直交する方向を各構成部品の径方向と定義する。さらに、キャップ状の構成部品については、一点鎖線の周りを囲む方向を構成部品の周方向ということがある。
【００２１】
ウィックアセンブリ１２は、タンク７の液体を保持するウィック１３、ウィック１３が取り付けられるウィックサポート１４から構成されている。タンク７は、例えば樹脂製であって有底筒状をなし、タンク７の外周縁を形成する周壁７ａ、タンク７内の中央部に流路９を区画する管部７ｂ、カプセルユニット３に接続される底部７ｃ、ホルダ１０が接続される開口部７ｄを有している。
【００２２】
開口部７ｄの側に開口する管部７ｂの一端は、ホルダ１０の後述する導気口１０ｃに接続するための接続部７ｅとして使用される。管部７ｂの他端は、底部７ｃを貫通してカプセルユニット３の側に開口し、カプセルユニット３に接続するための接続部７ｆとして使用される。
【００２３】
ヒータ１１は、例えば１本のワイヤであるヒータ素子１５、バッテリユニット５からの給電によりヒータ素子１５を発熱させる一対の電極１６、一対の電極１６が固定されるヒータベース１７から構成されている。ヒータベース１７は、例えば樹脂製であって、バッテリユニット５に接続されるとともにヒータ素子１５に対向して位置付けられる接続部１７ａ、接続部１７ａから立設された側壁１７ｂ、側壁１７ｂの周方向における切れ目として形成されたウィックアセンブリ１２の収容口１７ｃを有している。
【００２４】
一対の電極１６は、接続部１７ａから側壁１７ｂの高さ方向における端面から突出するまで延在し、突出した一対の電極１６の端部にヒータ素子１５の両端が固着されている。ヒータ素子１５は、本実施形態の場合、接続部１７ａから離間する方向に凸となる湾曲形状を有する。
【００２５】
ヒータ素子１５と接続部１７ａとの間で側壁１７ｂにより囲まれた空間は、ウィックアセンブリ１２の収容空間１７ｄとして使用される。ウィックアセンブリ１２は、ヒータベース１７の径方向から収容口１７ｃを介して挿入され、収容空間１７ｄに収容される。ホルダ１０は、例えば樹脂製であって有底筒状をなし、ホルダ１０ひいてはＶＧＵ１の外周縁を形成する周壁１０ａ、タンク７に接続される接続部１０ｂを有している。接続部１０ｂは、ウィック１３を覆う領域においてウィック１３に対向して位置付けられる。
【００２６】
ウィックサポート１４は、例えば樹脂製であって、湾曲板状のサポート部１４ａ、サポート部１４ａの両端から延在する末広がりの湾曲板状をなす一対の脚部（弾性部）１４ｂを有する。サポート部１４ａは、ウィックアセンブリ１２をヒータベース１７の収容空間１７ｄに収容したときに接続部１７ａから離間する方向に凸となるヒータ素子１５に沿った湾曲形状を有する。
【００２７】
一対の脚部１４ｂは、サポート部１４ａを支点として互いに接近する方向に湾曲して変形可能な可撓性を有している。一対の脚部１４ｂには、ウィック１３を固定するための突起１４ｃがそれぞれ設けられている。ウィック１３は、成形が可能な可撓性と液保持が可能な浸潤性とを備えた液保持部材であって、例えばグラスファイバーやコットンなどを含む繊維材から形成され、ウィックサポート１４への取り付け前は矩形板形状をなしている。
【００２８】
ウィック１３の長手方向中央には、組み立てが完了したＶＧＵ１においてヒータ素子１５に対して接触される接触部１３ａが形成され、ウィックアセンブリ１２のサポート部１４ａに接触部１３ａが位置付けられる。ウィック１３の長手方向両端には、突起１４ｃが係止可能な係止孔１３ｂがそれぞれ開口されている。
【００２９】
接触部１３ａをサポート部１４ａに沿うように湾曲成形し、一対の係止孔１３ｂを対応する突起１４ｃにそれぞれ係止することにより、ウィック１３がウィックサポート１４に固定され、ウィックアセンブリ１２が形成される。
以下、図５のＶＧＵ１の製造工程を示すブロック図と、以降の各図とを参照して、ＶＧＵ１の製造工程について説明する。
【００３０】
＜ヒータ供給工程＞
図６は、ヒータ供給工程の説明図を示す。
（素子成形プロセス）
ヒータ１１を製造するために、ワイヤコイル２０からワイヤ２１を引き出してカットし、図示しない成形ガイドを押し付けるなどすることにより湾曲状のヒータ素子１５を成形する。
【００３１】
素子成形プロセスは、他の成形手段を用いても良い。例えば、金型により打ち抜くことによる成形、金型付きの２つ以上の円形ローラー部材間にヒータ素子１５を通過させるダイロールによる成形、或いは、フォトエッチング法による成形などにより、湾曲状のヒータ素子１５を成形しても良い。
【００３２】
（素子固着プロセス）
湾曲したヒータ素子１５をヒータベース１７の接続部１７ａと離間する方向に凸となる姿勢で供給し、ヒータ素子１５の両端を一対の電極１６にそれぞれ接触させて抵抗溶接により固着する。なお、電極１６に対するヒータ素子１５の固着手段は、固着強度の信頼性ならびに固着個所の電気抵抗が極めて小さくできるのであれば、レーザー溶接、超音波溶接、或いは接着などであっても良く、また、カシメやはんだ付けにより固着しても良い。
【００３３】
（ヒータ検査プロセス）
一対の電極１６に固着されたヒータ素子１５のプロファイルを検査する。具体的には、カメラによる画像認識などによって、ヒータ素子１５の曲率半径が許容範囲に収まるか否かを検査する。なお、プロファイルの検査は、カメラによる画像認識の他、レーザースキャニング、Ｘ線検査などの種々の検査手段が適用可能であり、以降で説明する他の検査についても同様である。
【００３４】
（ヒータ配置プロセス）
検査を経たヒータ１１をＶＧＵ１の製造ライン２２に配置する。なお、ヒータ１１は、ＶＧＵ１の製造工程の一環として製造しても良いし、ＶＧＵ１の製造工程とは別個に製造して製造ライン２２に供給しても良い。
【００３５】
以降の説明にかかわらず、ＶＧＵ１の他の構成部品、すなわち、ホルダ１０、ウィックアセンブリ１２、ウィック１３、ウィックサポート１４についても同様である。また、ＶＧＵ１の構成部品を製造ライン２２に沿って搬送し、到達した各工程のセクションで都度供給して組付を行っても良いし、製造ライン２２に配置された構成部品に対し、各工程を行う機構、装置が移動して動作することにより組付を行っても良い。
【００３６】
＜ヒータ位置検査工程＞
製造ライン２２に供給されたヒータ１１の位置が適正か否かを検査する。具体的には、製造ライン２２に対するヒータ１１の位置ずれがないか、向きが適正か否かを検査する。ヒータ１１の位置に異常がある場合には、以降の各工程に不具合が生じるおそれがあるため、ヒータ１１の位置修正、或いは、このヒータ１１を不適合品として製造ライン２２から排除するなどの処理が行われる。
【００３７】
＜ウィックアセンブリ供給工程＞
図７は、ウィックアセンブリ供給工程のうち、ウィックアセンブリ形成プロセスまでの説明図を示す。
[ウィック供給]
（ウィック材カットプロセス）
ウィック１３の材料となるシート状又はロール状のウィック材２３を例えば矩形平板状にカットして平坦なウィック１３を形成し、この平坦なウィック１３に一対の係止孔１３ｂを形成する。
【００３８】
このプロセスに用いるカット手段は、金型による打ち抜きであっても良いし、ローラー部材間にウィック材２３を通過させ、ダイロールにより平坦なウィック１３を切り出しても良い。また、レーザーカッター、或いはウォーターカッター等により平坦なウィック１３を切り出しても良い。
【００３９】
（ウィック検査プロセス）
平坦なウィック１３のプロファイルを検査する。具体的には、ウィック１３の外形、寸法、肉厚、表面状態など検査する。不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理が行われる。
【００４０】
［サポート供給］
（サポート検査プロセス）
製造したウィックサポート１４のプロファイルを検査する。具体的には、ウィックサポート１４の外形、寸法、内部構造などを検査する。特に、ウィックサポート１４がヒータ１１のヒータベース１７に組み付け可能な寸法となっているか否かなどを検査する。不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理が行われる。
【００４１】
（サポート配置プロセス）
ウィックサポート１４にウィック１３が取り付け可能なように、製造ライン２２又は別ラインにウィックサポート１４を配置する。
【００４２】
（ウィックアセンブリ形成プロセス）
図７に示すようにウィック１３を湾曲成形し、ウィックサポート１４のサポート部１４ａにウィック１３の接触部１３ａを位置付け、一対の突起１４ｃにそれぞれ係止孔１３ｂを係合させる。これにより、ウィックサポート１４にウィック１３が取り付けられ、ウィックアセンブリ１２が形成される。なお、ウィック１３の湾曲成形及びウィックサポート１４への取付は、図示しない成形取付装置により行うことが可能である。
【００４３】
（ウィックアセンブリ検査プロセス）
形成されたウィックアセンブリ１２を上方からカメラなどにより撮像して接触部１３ａの露出面１３ｃの状態の画像認識を行い、露出面１３ｃに段差や穴等の欠陥がないか否かを検査する。なお、この検査は、他の検査手段を用いても良く、例えばウィック１３の通気抵抗を測定することにより、露出面１３ｃに形成された孔、凹みや、繊維材の密度差などの有無、或いは露出面１３ｃの位置を検査することが可能である。
【００４４】
また、露出面１３ｃを側方からＸ線などで検査することによって、露出面１３ｃの曲率半径が許容範囲に収まるか否かを検査しても良い。この許容範囲は、ヒータ素子１５の曲率半径において許容される誤差や、ＶＧＵ１の組み付けにおいて許容される誤差などを考慮して設定される。
【００４５】
露出面１３ｃの検査は、露出面１３ｃの曲率半径の中心を基準としたときの所定角度に亘る露出面１３ｃの円弧ライン長の所定範囲で行っても良い。この検査範囲は、ＶＧＵ１の組み付け完了後にヒータ素子１５の発熱領域が接触する予定の領域を少なくとも含む。また、露出面１３ｃの曲率半径の中心からウィックサポート１４の脚部１４ｂの端までの高さが適切であるか否かを検査しても良い。ウィックサポート１４に対する露出面１３ｃの位置が適切であることは、完成したＶＧＵ１の組み付け誤差に影響するためである。
【００４６】
以上のような各検査によって、ウィック１３のプロファイルを検査することにより、完成したＶＧＵ１において、露出面１３ｃからの液体の漏出を阻止するとともに、ヒータ素子１５の発熱領域の全域を露出面１３ｃに適切な押圧力で確実に接触させることができる。これにより、ヒータ素子１５をウィック１３で過度に押圧することによるヒータ素子１５の断線を阻止可能である。また、ヒータ素子１５へのウィック１３の非接触箇所の存在に基づくヒータ素子１５の過熱による断線を阻止可能である。従って、ウィック１３に浸潤する液体をヒータ素子１５によって効率的に且つ確実に揮発させることが可能となる。
【００４７】
（ウィックアセンブリ収容プロセス）
図８Ａ及び図８Ｂは、ウィックアセンブリ収容プロセスの説明図を示す。本プロセスを行う組付ユニット２４は、互いに離接可能な一対のプッシャ２５を備えている。一対のプッシャ２５の長手方向先端にはそれぞれ爪部２５ａが形成されている。図８Ａに示すように、一対のプッシャ２５が互いに近づく矢印方向に移動する。
【００４８】
そして、図８Ｂに示すように、それぞれの爪部２５ａがウィックサポート１４の一対の脚部１４ｂを互いに近接する方向に押して湾曲変形させることにより、一対の脚部１４ｂの間の幅が狭くなる。一対の脚部１４ｂの間の幅が狭まることにより、ウィックアセンブリ１２を収容口１７ｃから挿入可能となり、収容空間１７ｄにウィックアセンブリ１２が配置される。この際、ウィック１３はヒータ素子１５に接触されない。一対のプッシャ２５は、収容空間１７ｄにウィックアセンブリ１２が収容された後に収容口１７ｃから退避させられる。
【００４９】
図８Ｂに示すように、ヒータベース１７の接続部１７ａの収容口１７ｃの近傍には、一対の突起状のストッパ１７ｅが設けられている。一対のストッパ１７ｅは、ウィックアセンブリ１２が収容空間１７ｄに収容された後、ホルダ１０の装着前において収容口１７ｃからウィックアセンブリ１２が脱落することを防止する。
【００５０】
＜ウィックアセンブリ位置決め工程＞
図９Ａ〜図９Ｃは、ウィックアセンブリ位置決め工程の説明図を示す。一対のプッシャ２５により一対の脚部１４ｂを互いに接近する方向に湾曲変形させると、図９Ａに示すように、一対の脚部１４ｂは、末広がりの傾斜姿勢からヒータベース１７の高さ方向に沿った垂直姿勢になる。この状態でウィックアセンブリ１２が収容空間１７ｄに収容されるが、ウィック１３の露出面１３ｃはヒータ素子１５と離間している。
【００５１】
ヒータベース１７の接続部１７ａには、垂直姿勢となった一対の脚部１４ｂの端部の径方向両側に、接続部１７ａから側壁１７ｂの内周面に至るまで傾斜した一対のガイド１７ｆが突設されている。一対のプッシャ２５を退避させると、一対の脚部１４ｂの湾曲変形を伴う拘束が解放される。これにより、図９Ｂに示すように、一対の脚部１４ｂの端部は、一対のガイド１７ｆに接触しながら、ウィックサポート１４の自然状態、或いは自然状態に近い状態まで拡開する。
【００５２】
一対の脚部１４ｂの端部は、図９Ｂに示すように、傾斜したガイド１７ｆと側壁１７ｂとの境界に位置する平坦な係止部１７ｇに位置付けられて停止する。これにより、ウィックアセンブリ１２は、収容空間１７ｄにおいて、ヒータ素子１５に対してウィック１３が所望の接触位置で接触するまで、ヒータベース１７の軸線方向（高さ方向）に沿ってヒータ素子１５に向けて上昇移動したことになる。
【００５３】
図９Ｃに示すように、ウィックアセンブリ１２の上昇移動により、ウィック１３の接触部１３ａがヒータ素子１５に対して所定の押圧力で押圧された結果、露出面１３ｃにはヒータ素子１５が接触される。図９Ａ、図９Ｂに示すように、ウィックサポート１４のサポート部１４ａの露出面１３ｃ側とは反対側の下面に、突条部１４ｃ２が形成されている。
【００５４】
突条部１４ｃ２はヒータベース１７の軸線方向に延在するとともに、ヒータベース１７の径方向に突出している。一方、ヒータベース１７の側壁１７ｂの内周面には、ヒータベース１７の軸線方向にガイド溝（ガイド）１７ｇ２が形成されている。収容空間１７ｄにウィックアセンブリ１２を収容すると、ガイド溝１７ｇ２に突条部１４ｃ２が位置付けられる。これにより、ウィックアセンブリ１２は、ガイド溝１７ｇ２に沿って、傾くことなく軸線方向に沿って上昇移動可能となる。
【００５５】
このように、ＶＧＵ１は、ヒータ素子１５に対するウィック１３の非接触位置でウィックアセンブリ１２をヒータ１１に収容可能であり、且つ、ヒータ１１に収容したウィックアセンブリ１２をヒータ素子１５に対するウィック１３の接触位置に移動させて位置決めする位置決め機構を備えている。
【００５６】
具体的には、ウィックサポート１４は、ウィック１３の接触部１３ａが位置付けられるサポート部１４ａと、ウィックアセンブリ１２をヒータ素子１５に対するウィック１３の非接触位置から接触位置に弾性力により移動させる一対の脚部１４ｂとを有する。位置決め機構は、収容口１７ｃ、収容空間１７ｄ、一対の脚部１４ｂ、一対のガイド１７ｆ、係止部１７ｇ、突条部１４ｃ２、ガイド溝１７ｇ２などから構成されることとなる。
【００５７】
より具体的には、位置決め機構は、一対の脚部１４ｂをその弾性力に抗して変形させることによりウィック１３をヒータ素子１５に対する非接触位置に位置付けながらウィックアセンブリ１２を収容空間１７ｄに収容する。そして、一対の脚部１４ｂの変形を解放することによりウィック１３をヒータ素子１５に対する接触位置に位置決めする。つまり、位置決め機構は、一対の脚部１４ｂの変形を解放して元の形状に復元するときの弾性力を利用している。
【００５８】
さらに、ガイド１７ｆの係止部１７ｇに、一対の脚部１４ｂの端部が位置付けられて停止する。さらに、一対の脚部１４ｂの変形の解放は、一対の脚部１４ｂがヒータベース１７のガイド１７ｆに接触することによる摩擦力を伴って行われる。さらに、一対の脚部１４ｂの変形を解放したとき、ガイド溝１７ｇ２がウィックアセンブリ１２をヒータベース１７の側壁１７ｂに沿う軸線方向に案内する。
【００５９】
＜ウィックアセンブリ位置検査工程＞
図１０は、ウィックアセンブリ位置検査工程の説明図を示す。この工程では、ヒータ１１に対するウィックアセンブリ１２の位置が適正か否かを検査する。具体的には、図１０に示すように、ウィック１３の露出面１３ｃを上方からカメラなどにより撮像して露出面１３ｃの状態の画像認識を行い、ヒータ素子１５へのウィック１３の接触状況を検査し、不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理を行う。
【００６０】
これにより、前述したウィックアセンブリ位置決め工程においてヒータ素子１５の発熱領域が全域に亘って露出面１３ｃに接触しているか否かを確認可能である。露出面１３ｃに対するヒータ素子１５の非接触箇所が発生していなければ、ヒータ素子１５の過熱による断線が阻止され、また、ウィック１３に浸潤する液体をヒータ素子１５によって揮発させることができる。
【００６１】
＜ホルダ供給工程＞
（ホルダ検査プロセス）
このプロセスでは、ホルダ１０のプロファイルを検査する。具体的には、ホルダ１０の外形、寸法、内部構造などを検査する。特に、ウィックアセンブリ１２を収容したヒータ１１にホルダ１０の周壁１０ａの外径が組み付け可能な寸法となっているか否かなどが検査され、不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理を行う。
【００６２】
（ホルダ組付プロセス）
図１１は、ホルダ組付プロセスの説明図を示す。ホルダ１０の接続部１０ｂには、タンク７の接続部７ｅが接続される管状の導気口１０ｃが軸線方向に突設されている。ウィック１３に浸潤する液体がヒータ素子１５によって揮発されると、その蒸気は導気口１０ｃを通って流路９に流入する。
【００６３】
また、接続部１０ｂには、導気口１０ｃを挟む両側にそれぞれ導液口１０ｄが開口されている。タンク７内の液体は、ホルダ１０に形成された２つの導液口１０ｄを通ってウィック１３に導液される。そして、ウィックアセンブリ１２を収容したヒータ１１には、ホルダ１０が被せられて固着され、ヒータ１１がホルダ１０に収容され、換言すると、ヒータ１１のヒータ素子１５の側にホルダ１０が組み付けられることにより、ＶＧＵ１の製造が完了する。ヒータ１１に対するホルダ１０の固着手段は、かしめ、はんだ付け、レーザー溶接、超音波溶接、或いは接着などで行われる。
【００６４】
＜組付検査工程＞
図１２及び図１３は、ＶＧＵ１の組付検査工程の説明図を示す。この工程では、製造が完了したＶＧＵ１の組付状態が適正か否かを検査する。図１２は、ＶＧＵ１の縦断面図を示す。ホルダ１０の接続部１０ｂには、接続部１０ｂの内方に向けて凹んだ湾曲面１０ｅが形成されている。湾曲面１０ｅは、ＶＧＵ１の組付状態において、ウィック１３の露出面１３ｃと対向し、ウィック１３の露出面１３ｃに沿った形状である。このため、湾曲面１０ｅは、露出面１３ｃと適切な押し付け圧力をもって当接する。
【００６５】
また、ホルダ１０の周壁１０ａと湾曲面１０ｅとの境目には、段差部１０ｆが形成され、ヒータベース１７の接続部１７ａと側壁１７ｂとの境目には段差部１７ｉが形成されている。ＶＧＵ１の組付状態において、ホルダ１０の周壁１０ａの端部は段差部１７ｉに当接するが、ヒータベース１７の側壁１７ｂの端部と段差部１０ｆとは当接せず、若干の隙間を有して離間している。
【００６６】
図１３は、図１２からＶＧＵ１の周方向に９０度回転させた状態のＶＧＵ１の縦断面図を示す。ＶＧＵ１の組付状態において、ウィックサポート１４の突条部１４ｃ２と段差部１０ｆとは当接せず、若干の隙間を有して離間している。図１２及び図１３の当接状態及び離間状態を形成することにより、露出面１３ｃに対するヒータ素子１５の接触状態と、露出面１３ｃと湾曲面１０ｅとの当接状態とがＶＧＵ１の組付後において維持される。
【００６７】
そして、本工程では、ＶＧＵ１を側方からＸ線などで検査することによって、図１２及び図１３に示したような画像を取得し、露出面１３ｃに対するヒータ素子１５の接触不良の有無を検出する。非接触箇所や過度な接触状態の存在は、ヒータ素子１５の断線を招くおそれがあるため、このような不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理を行う。
【００６８】
また、完成したＶＧＵ１の高さにより露出面１３ｃに対するヒータ素子１５の接触不良の有無を検査することも可能である。このような検査手法の採用は、ＶＧＵ１の各構成部品の個別のプロファイルが前述した各検査に適合しているという前提のもと、露出面１３ｃに対するヒータ素子１５の接触状態がＶＧＵ１の組み付け誤差に起因する可能性が高いことに基づいている。この検査によれば、ヒータ１１がホルダ１０に収まり切らずにＶＧＵ１は正規の高さよりも大きな高さをなすことで不適合の有無を判定可能である。
【００６９】
また、ウィック１３に液体を導液してウィック１３を湿潤状態にし、一対の電極１６に定格電圧を印加したとき、ヒータ素子１５を流れる電流値の異常が検出されれば、ヒータ素子１５とウィック１３との接触不良を検出することができる。また、完成したＶＧＵ１の一対の電極１６に電気抵抗測定器を接続し、ＶＧＵ１の電気抵抗を検査しても良い。電気抵抗が基準範囲内に入っていなければ、ヒータ素子１５とウィック１３との接触不良を検出することができる。
【００７０】
以上のように、本実施形態のＶＧＵ１及びその製造方法によれば、最初に供給したヒータ１１に向けて径方向からウィックアセンブリ１２を供給し、その後にホルダ１０を軸線方向から供給して組み付ける。これにより、ＶＧＵ１の製造工程を容易に自動化することができるため、吸引器２に要求されるＶＧＵ１の性能を確保しながら、ＶＧＵ１の信頼性及び生産性を向上することができる。
【００７１】
特に、本実施形態のＶＧＵ１及びその製造方法は、前述した位置決め機構によるウィックアセンブリ位置決め工程を行うことにより、ウィック１３をヒータ素子１５に対する非接触位置に位置付けながらウィックアセンブリ１２を収容空間１７ｄに収容した後、ウィック１３をヒータ素子１５に対する接触位置に位置決めする。これにより、ヒータ１１に対するウィックアセンブリ１２の組み付けと、ヒータ素子１５に対するウィック１３の接触とを分離して行うことができる。
【００７２】
従って、ヒータ素子１５に対しウィック１３を適切に接触させたＶＧＵ１をホルダ１０、ヒータ１１、ウィックアセンブリ１２の３つの構成部品で自動製造することが可能である。従って、ＶＧＵ１の信頼性及び生産性を向上することができる。また、本実施形態の位置決め機構は、一対の脚部１４ｂの変形を解放して元の形状に復元するときの弾性力を利用している。従って、簡素な機構によってＶＧＵ１を組み立てることができるため、ＶＧＵ１の生産性をさらに向上することができる。
【００７３】
また、一対の脚部１４ｂの端部は、係止部１７ｇに対して引っ掛かるような形で係止され、このようなストッパ機能により、ウィックアセンブリ１２の過度な上昇によってウィック１３が押し付けられてヒータ素子１５が断線するようなことはない。従って、ＶＧＵ１の信頼性をさらに向上することができる。
【００７４】
また、一対の脚部１４ｂの変形の解放は、一対の脚部１４ｂがヒータベース１７のガイド１７ｆに接触することによる摩擦力を伴って行われる。これにより、一対の脚部１４ｂの変形解放は比較的ゆっくり行われるとともに、ウィックアセンブリ１２の急激な上昇移動が抑制され、ウィック１３がヒータ素子１５に接触、押圧されるときの衝撃が大幅に緩和される。従って、ウィック１３が押し付けられることによるヒータ素子１５の断線のおそれが低減され、ＶＧＵ１の信頼性をさらに向上することができる。
【００７５】
また、一対の脚部１４ｂの変形を解放したとき、突条部１４ｃが位置付けられるガイド溝１７ｇ２によって、ウィックアセンブリ１２がヒータベース１７の側壁１７ｂに沿う軸線方向に案内される。これにより、ウィックアセンブリ１２が正規の姿勢で位置決めされるため、ウィック１３がヒータ素子１５に片当たりすることが防止される。従って、ヒータ素子１５に対するウィック１３の非接触は発生せず、ＶＧＵ１の信頼性をさらに向上することができる。
【００７６】
また、ヒータベース１７には、その側壁１７ｂに収容空間１７ｄに連なる収容口１７ｃが形成されている。これにより、ヒータ１１の一対の電極１６に干渉しないヒータ１１のヒータベース１７の径方向から、ウィックアセンブリ１２を収容空間１７ｄに収容して組み付けることができる。
【００７７】
例えば、ヒータベース１７の接続部１７ａにウィックアセンブリ１２の収容口がある場合、接続部１７ａのバッテリユニット５の側の面に配置された電極１６を回避するべく、接続部１７ａを径方向に大きくしなければならない。しかし、本実施形態の場合、ヒータベース１７の側壁１７ｂに収容口１７ｃがあるため、電極１６を回避しながら、ヒータベース１７をその径方向に容易にコンパクト化することができ、ＶＧＵ１のさらなるコンパクト化を図ることができる。
【００７８】
また、湾曲面１０ｅは、ＶＧＵ１の組付状態において、露出面１３ｃを覆う領域において露出面１３ｃと対向して位置付けられるため、ウィック１３に浸潤した液体がＶＧＵ１の外部に漏れるおそれが低減される。従って、ＶＧＵ１の信頼性をさらに向上することができる。
【００７９】
＜第２実施形態＞
以下、図１４から図１８を参照して、第２実施形態に係るＶＧＵ１及びその製造方法について説明する。なお、主として第１実施形態と異なる構成について説明し、第１実施形態と同様の構成については、図面に同符号を付すか、或いは、説明自体を省略することがある。
【００８０】
図１４は、本実施形態の場合のウィックアセンブリ形成プロセスの説明図を示す。ウィック１３は、第１実施形態の場合と同様の工程により、ウィック１３に図１４の場合は二対の係止孔１３ｂを形成し、湾曲成形してウィックサポート１４のサポート部１４ａにウィック１３の接触部１３ａを位置付け、図１４の場合は二対の突起１４ｃにそれぞれ係止孔１３ｂを係合させる。これにより、ウィックサポート１４にウィック１３が取り付けられ、ウィックアセンブリ１２が形成される。
【００８１】
ここで、本実施形態のウィックサポート１４は、第１実施形態の一対の脚部１４ｂの代わりに、一対の板部材１４ｄをサポート部１４ａの中央部に向けて屈曲して形成した板バネ（弾性部）１４ｅを備えている。また、サポート部１４ａと板バネ１４ｅとの間には一対の側壁１４ｆが形成され、二対の突起１４ｃは一対の側壁１４ｆにそれぞれ形成されている。
【００８２】
そして、一対の側壁１４ｆには、二対の突起１４ｃと板バネ１４ｅとの間に径方向に突出した突条部１４ｇが側壁１４ｆの幅方向にそれぞれ延在する。突条部１４ｇにウィック１３が当接することにより、ウィックサポート１４に対するウィック１３の位置決めがより確実に行われる。
【００８３】
図１５から図１７は、本実施形態の場合のウィックアセンブリ収容プロセスの説明図を示す。図１５に示すように、本実施形態の場合の本プロセスを行うための組付ユニット３０は、そのベース３１に、ヒータ１１を収容して固定するための固定部３２が設けられている。また、ベース３１には、固定部３２に至る一対の側壁３３が立設され、一対の側壁３３からはこれらの間に向かって位置決め壁３４が対向するように突設している。ウィックアセンブリ１２は、図１５に示すように、板バネ１４ｅが折り畳まれた状態でヒータ１１に供給される。
【００８４】
また、本実施形態のヒータ１１は、ヒータベース１７の側壁１７ｂの内周面に、ヒータベース１７の径方向に互いに対向する一対の突条部１７ｈが形成されている。一対の突条部１７ｈは、第１実施形態の場合の係止部１７ｇと同様に、板バネ１４ｅの変形を解放したとき、ヒータ素子１５に対するウィック１３の所望の接触位置を超えるウィックアセンブリ１２の移動を規制するストッパとして機能する。また、板バネ１４ｅの変形を解放したとき、ヒータベース１７の側壁１７ｂに沿ってウィックアセンブリ１２が傾くことなくヒータベース１７の軸線方向に沿って上昇移動するため、側壁１７ｂはガイドとして機能する。
【００８５】
図１６は、組付ユニット３０の固定部３２にヒータ１１をセットし、ウィックアセンブリ１２をヒータ１１に向けて供給している状態を示す。ウィックアセンブリ１２は、一対の側壁３３の間をスライドさせ、固定部３２に固定したヒータ１１の収容口１７ｃからヒータ１１に収容される。このとき、板バネ１４ｅは、ベース３１と一対の位置決め壁３４との間で折り畳まれて変形した状態である。
【００８６】
図１７は、組付ユニット３０においてヒータ１１にウィックアセンブリ１２が到達した状態を示す。この状態においては、一対の位置決め壁３４により板バネ１４ｅが折り畳まれたままであるため、ウィック１３の露出面１３ｃはヒータ素子１５に接触していない。
【００８７】
図１８は、図１７の状態から組付ユニット３０をヒータ１１から退避させた状態を示す。この状態では、板バネ１４ｅの折り畳み変形が解放され、板バネ１４ｅの弾性力によりウィックアセンブリ１２がヒータ素子に向けて上昇移動し、露出面１３ｃがヒータ素子１５に接触される。板バネ１４ｅの折り畳み変形の解放は、ヒータ１１の一対の突条部１７ｈにより規制されるため、ウィックアセンブリ１２が過度に上昇してヒータ素子１５が断線することはない。
【００８８】
以上のように、本実施形態のＶＧＵ１及びその製造方法によれば、第１実施形態の場合と同様に、ＶＧＵ１の製造工程を自動化可能であり、吸引器２に要求されるＶＧＵ１の性能を確保しながら、ＶＧＵ１のコンパクト化を図りつつ、その信頼性及び生産性を向上することができる。
【００８９】
なお、一対の側壁３３の端部において、ベース３１と一対の位置決め壁３４との間の距離を大きく確保し、当該距離を収容口１７ｃに近づくにつれて徐々に小さくしても良い。これにより、板バネ１４ｅは、事前に折り畳まなくとも、ウィックアセンブリ１２を一対の側壁３３の間にスライドさせる過程で折り畳まれ、収容口１７ｃからヒータ１１に収容される。これにより、板バネ１４ｅの事前の折り畳みを行わなくとも良いため、ＶＧＵ１の生産性がさらに向上する。
【００９０】
＜第３実施形態＞
以下、図１９から図３３を参照して、第３実施形態に係るＶＧＵ１及びその製造方法について説明する。なお、主として第１及び第２実施形態と異なる構成について説明し、第１及び第２実施形態と同様の構成については、図面に同符号を付すか、或いは、説明自体を省略することがある。
【００９１】
図１９は、タンク７に接続された本実施形態のＶＧＵ１の斜視図で示す。また、図２０は、図１９のＶＧＵ１の分解斜視図を示す。このＶＧＵ１は、第１及び第２実施形態の場合と異なり、ヒータベース１７には新たな構成部品としてトップキャップ４０が組み付けられる。
【００９２】
ＶＧＵ１は、後述する製造工程を経ることにより各構成部品を仮組み付けし、仮組み付けの状態のＶＧＵ１をタンク７に挿入したうえで、トップキャップ４０をタンク７の開口部７ｄに嵌合等により接続する。これにより、ＶＧＵ１は、タンク７と一体に接続され、本組み付けされた状態となる。
【００９３】
トップキャップ４０は、例えば樹脂製であってキャップ状をなし、ヒータベース１７が固定されるキャップベース４１を備えている。キャップベース４１の外周部からは、例えば２つの支持突起４２が立設されている。キャップベース４１の径方向中央部には、ヒータベース１７が嵌め込み固定される嵌合孔４３が形成されている。
【００９４】
ヒータ１１は、ヒータ素子１５の両端が固着される一対の電極１６と、一対の電極１６が立設されるヒータベース１７とを備えている。ヒータベース１７は、矩形板状の接続部１７ａを有するが、第１及び第２実施形態で示した側壁１７ｂを有していない。つまり、一対の電極１６は接続部１７ａから側壁１７ｂの支持なく単独で立設されている。ウィックアセンブリ１２の収容口１７ｃは、一対の電極１６間に形成される。ウィックアセンブリ１２の収容空間１７ｄは、ヒータ素子１５と接続部１７ａとの間で一対の電極１６により囲まれた空間である。
【００９５】
個々の電極１６には、その側壁１６ｂの幅方向の両側を折り起こした一対の折曲部４５が形成されている。折曲部４５は、軸線方向の両端側が拡幅した形状をなす。また、個々の電極１６の側壁１６ｂの幅方向中央には、径方向外側に切り起こした第２係止爪４６が形成されている。
【００９６】
ウィックサポート１４は、直方体状の外縁を有し、その対向する側壁１４ｈに、それぞれ凹条のガイド溝４７が軸線方向に沿って形成されている。また、ウィックサポート１４の別の対向する側壁１４ｉには、それぞれ側壁１４ｉを径方向に拡径した拡径部４８が形成されている。
【００９７】
ホルダ１０は、キャップ状をなし、円板状のホルダベース４９と、ホルダベース４９の対向する側壁、つまり周壁部分からホルダ１０の軸線方向に立設された２つの係合突起５０と、ホルダベースの別の対向する側壁、つまり周壁部分から軸線方向に立設された２つの突出部５１とを備える。ホルダ１０は、ヒータ１１のヒータ素子１５の側に組み付けられ、この際の取付け対象はヒータ１１である。
以下、図２１のブロック図と、以降の各図とを参照して、本実施形態に係るＶＧＵ１の製造工程について、主として第１及び第２実施形態と異なる特徴を説明する。
【００９８】
＜ヒータ供給工程＞
図２２は、ヒータ供給工程で形成されたヒータ１１の斜視図を示し、図２３は、素子固着プロセスの説明図であって、図２２の領域Ａを拡大した縦断面図を示す。素子固着プロセスでは、溶接ヘッド５３を矢印で示す方向に降下し、電極１６の端面１６ａに押し付けることによりヒータ素子１５を端面１６ａに溶着し、その後、余分なヒータ素子をカットする。
【００９９】
ヒータ素子１５を端面１６ａに溶接ヘッド５３によって溶着することにより、ヒータ素子１５の屈曲部１５ａが形成される。屈曲部１５ａは、電極１６の端面１６ａと側壁１６ｂとの境界となる角部の近傍に位置付けられる。これにより、ヒータ素子１５は、電極１６の側壁１６ｂに沿って立ち上がるように延設されるため、ウィックアセンブリ位置決め工程において、一対の電極１６間に位置するヒータ素子１５の全域をウィック１３の露出面１３ｃに沿って隙間なく接触させることができる。従って、ヒータ素子１５の過熱による断線を確実に防止することができ、ヒータ１１の信頼性を高めることができる。
【０１００】
図２４は、図２３の変形例に係るヒータ１１の一部断面図を示す。図２４の場合には、ヒータ素子１５の外側両端を電極１６の側壁１６ｂに溶着する。この場合であっても、屈曲部１５ａは電極１６の端面１６ａと側壁１６ｂとの境界となる角部の近傍に位置付けられ、ヒータ素子１５は側壁１６ｂに沿って立ち上がるように延設されるため、ウィック１３とヒータ素子１５との隙間をなくすことができ、ヒータ素子１５の過熱による断線を確実に防止することができる。
【０１０１】
（ウィックアセンブリ形成プロセス）
図２５は、ウィックアセンブリ形成プロセスの説明図を示す。本実施形態の場合には、矩形平板状にカットしたウィック１３をウィックサポート１４のサポート部１４ａに載置する。これにより、ウィックサポート１４にウィック１３が湾曲した形状で取り付けられ、ウィックアセンブリ１２が形成される。
【０１０２】
（ウィックアセンブリ収容プロセス）
図２６は、ウィックアセンブリ収容プロセスの説明図を示す。本実施形態の場合にも、第１及び第２実施形態の場合と同様に、図示しない組付ユニットを用い、一対の電極１６間に形成されたヒータ１１の収容口１７ｃ、つまりヒータ１１の径方向から、ウィックアセンブリ１２がヒータ１１の収容空間１７ｄに挿入されて配置され、ヒータ１１及びウィックアセンブリ１２からなるヒータアセンブリ（組立体）５４が形成される。
【０１０３】
この際、ウィックサポート１４の底部５５がヒータベース１７の接続部１７ａに当接或いは近接され、また、ウィックサポート１４の対向する側壁１４ｈのガイド溝４７に電極１６が嵌め込まれて当接される。これにより、収容空間１７ｄにおけるウィックアセンブリ１２の径方向の移動が規制されるとともに、ウィックアセンブリ１２がガイド溝４７に沿って軸線方向にずれることなく移動可能となる。
【０１０４】
図２７は、ヒータ１１及びウィックアセンブリ１２のヒータアセンブリ５４の縦断面図を示す。ウィックアセンブリ収容プロセスにより収容空間１７ｄに収容されたウィックアセンブリ１２は、ヒータベース１７の接続部１７ａに載置され、ウィック１３の接触部１３ａの露出面１３ｃはヒータ素子１５と離間している。すなわち、第１及び第２実施形態の場合と同様に、ウィックアセンブリ１２は、ウィック１３をヒータ素子１５に対する非接触位置に位置付けながら、ヒータ１１の径方向から収容空間１７ｄに収容される。
【０１０５】
＜トップキャップ供給工程＞
図２８は、トップキャップ供給工程の説明図を示す。
（トップキャップ検査プロセス）
このプロセスでは、トップキャップ４０のプロファイルを検査する。具体的には、トップキャップ４０の外形、寸法、内部構造などを検査する。
【０１０６】
特に、トップキャップ４０にヒータアセンブリ５４を組み付けたとき、キャップベース４１の嵌合孔４３はヒータベース１７が嵌合可能な位置及び寸法となっているか否か、或いは、トップキャップ４０の２つの支持突起４２は、ウィックアセンブリ１２のウィックサポート１４の底部５５に当接可能な位置及び寸法となっているか否かなどが検査され、不適合品は製造ライン２２から排除するなどの処理を行う。
【０１０７】
（トップキャップ配置プロセス）
検査を経たトップキャップ４０をＶＧＵ１の製造ライン２２に配置する。図２８に示すように、製造ライン２２に配置したトップキャップ４０の例えば上からヒータアセンブリ５４を取り付ける。
【０１０８】
具体的には、図示しない取付装置により、ヒータ１１の例えば電極１６の一対の側壁１６ｂを把持しながら、ヒータアセンブリ５４の全体をトップキャップ４０に近づく方向に下降させることによりトップキャップ４０の配置が行われる。なお、キャップベース４１の嵌合孔４３を通してヒータベース１７を把持しながらヒータアセンブリ５４を下降させても良い。
【０１０９】
（ウィックアセンブリ位置決めプロセス）
トップキャップ４０は本実施形態のＶＧＵ１の位置決め機構を構成しており、トップキャップ４０に対してヒータアセンブリ５４をヒータベース１７の側から組み付けることにより、キャップベース４１の嵌合孔４３にヒータベース１７が嵌合される。
【０１１０】
さらに、トップキャップ４０に対してヒータアセンブリ５４を取り付けることにより、キャップベース４１から立設された２つの支持突起４２がウィックサポート１４の底部５５に当接する。これにより、収容空間１７ｄにおいて、ヒータアセンブリ５４のうちのウィックアセンブリ１２のみが矢印方向にリフトアップされる。このリフトアップは、ウィックサポート１４のガイド溝４７に当接する電極１６に沿って行われるため、リフトアップに際しウィックサポート１４が軸線方向から大きくずれることはない。
【０１１１】
ウィックアセンブリ１２のリフトアップに伴い、ウィックアセンブリ１２がヒータ素子１５に対するウィック１３の接触位置に移動して位置決めされる。これにより、ヒータ素子１５の全域に亘ってウィック１３の露出面１３ｃが接触し、トップキャップ４０及びヒータアセンブリ５４からなるキャップアセンブリ５６が形成される。
【０１１２】
図２９は、キャップアセンブリ５６の縦断面図であり、図３０は、図２９のキャップアセンブリ５６をその周方向に９０度回転させたときの縦断面図である。図２９及び図３０にも示すように、本実施形態のＶＧＵ１の位置決め機構は、トップキャップ４０に対するヒータアセンブリ５４の取り付けに伴い、収容空間１７ｄにおいてウィックアセンブリ１２をヒータ１１の軸線方向にてヒータベース１７から離間する向きにリフトアップさせて移動させ、ウィック１３をヒータ素子１５に対する接触位置に位置決めする。
【０１１３】
ここで、図３０に示すように、ヒータベース１７の接続部１７ａには、その外周縁の対向辺に、例えば２つずつの第１係止爪４４が形成されている。キャップベース４１の嵌合孔４３にヒータベース１７が嵌合される際、ヒータベース１７の４つの第１係止爪４４が嵌合孔４３の開口縁に係止される。第１係止爪４４は、嵌合孔４３に対してヒータベース１７の抜け止めとして機能する。
【０１１４】
すなわち、前述したリフトアップによる位置決めは、キャップベース４１へのヒータベース１７の固定、換言すると嵌合孔４３及び第１係止爪４４によるキャップベース４１へのヒータベース１７の係止と、ウィックサポート１４の底部５５への支持突起４２の当接とが収容空間１７ｄにおいて行われることにより可能となる。
【０１１５】
さらに、個々の電極１６に形成された一対の折曲部４５は、嵌合孔４３へのヒータベース１７の嵌合に伴い、それぞれの下端が、キャップベース４１の側壁５７の上端面５７ａに当接する。嵌合孔４３に対するヒータベース１７の嵌合状態に誤差が生じた場合、ヒータ素子１５が正規の位置よりも下方に位置付けられるおそれがある。このような場合であっても、一対の折曲部４５は、ヒータ１１が過度に下方に落ち込んで固定されることを防止するストッパとして機能する。このストッパ機能により、ウィック１３に対するヒータ素子１５の接触状態に不具合が生じることはない。
【０１１６】
＜ホルダ供給工程＞
図３１は、ホルダ１０の斜視図である。ＶＧＵ１においてホルダベース４９のウィックサポート１４の側の平坦な端面４９ｂにはウィック１３を保持するためのホルダ面４９ａが形成されている。ホルダ面４９ａには、径方向に亘って凹部５８が形成され、凹部５８の両端から係合突起５０が立設されている。係合突起５０の周方向両側には、ホルダベース４９に連なる拡幅部５９が形成されている。
【０１１７】
ホルダ面４９ａは、凹部５８の径方向両側に位置するグレーで着色した複数の部分的な面であって、これらの面全体としてはウィック１３の露出面１３ｃに沿った湾曲形状に形成される。ホルダ１０をウィックサポート１４に取り付けたとき、凹部５８はウィック１３から揮発した蒸気が導気口１０ｃに至る前に通気される通気空間を形成する。
【０１１８】
（ホルダ組付プロセス）
図３２は、ホルダ組付プロセスの説明図を示す。このプロセスにおいては、ウィックアセンブリ位置決めプロセスを経たキャップアセンブリ５６に、係合突起５０の突設方向からホルダ１０が被さるようにして組み付けられる。この組み付けは、キャップアセンブリ５６の周方向において、一対の電極１６の第２係止爪４６がそれぞれ係合突起５０に当接する位置にて行われる。
【０１１９】
さらに、この組み付けにより、ホルダ１０の突出部５１とウィックサポート１４の拡径部４８とが離間した状態で、ホルダ１０のホルダベース４９の端面４９ｂとウィックサポート１４の側壁１４ｉの端面６０とが当接される。これにより、ホルダ１０は、ウィックサポート１４に対し落ち込むことなく位置決めされ、ホルダ面４９ａによりウィック１３が過剰に押圧されることが防止される。
【０１２０】
図３３は、ホルダ組付プロセスを経て組立完了したＶＧＵ１の縦断面図を示す。ホルダ組付プロセスにおいては、さらに、係合突起５０の径方向内側の面に電極１６の側壁１６ｂに形成された第２係止爪４６が自身の弾性によって径方向外側に突っ張るようにして接触し、その際に生じる摩擦力によってホルダ１０が固定される。これにより、キャップアセンブリ５６に対するホルダ１０の抜け止め機能を実現することができる。
【０１２１】
このようにしてキャップアセンブリ５６に対してホルダ１０が位置決め固定されることにより、凹部５８とウィック１３との間に蒸気の通気空間を確保しつつ、ウィックアセンブリ位置決めプロセスにおいて行ったヒータ素子１５とウィック１３との適切な接触状態が維持される。最後に、組付検査工程を行い、ＶＧＵ１の製造が完了する。
【０１２２】
以上のように、本実施形態のＶＧＵ１及びその製造方法によれば、第１及び第２実施形態の場合と同様に、ＶＧＵ１の製造工程を自動化可能であり、吸引器２に要求されるＶＧＵ１の性能を確保しながら、ＶＧＵ１のコンパクト化を図りつつ、その信頼性及び生産性を向上することができる。
【０１２３】
以上で本発明の実施形態についての説明を終えるが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更ができるものである。
例えば、上記実施形態で説明したＶＧＵ１の各検査の工程及びプロセスは、説明した内容に拘わらず、カメラによる画像認識、レーザースキャニング、Ｘ線検査、圧力検査、流量検査、赤外線検査、紫外線検査、色検査などの種々の検査手段が適用可能である。
【０１２４】
また、ＶＧＵ１は、種々の非燃焼型香味吸引器に適用可能であり、前述した吸引器２への適用に厳密に限定されるものではない。
また、ＶＧＵ１の各構成部品１０、１１、１２、１３、１４、４０の形状や構成も前述した内容に厳密に限定されるものではない。
【０１２５】
また、ヒータ素子１５に対するウィック１３の非接触位置でウィックアセンブリ１２を収容空間１７ｄに収容可能であり、且つ、収容空間１７ｄに収容したウィックアセンブリ１２をヒータ素子１５に対するウィック１３の接触位置に移動させて位置決めできるのであれば、位置決め機構は種々の変更が可能である。
【０１２６】
具体的には、第１及び第２実施形態の場合、ウィックサポート１４に形成される脚部１４ｂや板バネ１４ｅの代わりに、ウィックアセンブリ１２を収容空間１７ｄに収容した後に押し上げる他の弾性部を設けても良い。また、ウィックサポート１４ではなく、ヒータベース１７に弾性部を設けても良い。また、弾性部は、ウィックサポート１４とは別部材として、例えばスプリングを収容空間１７ｄに挿入して組み付けても良い。
【０１２７】
また、第１実施形態では、一対の脚部１４ｂの変形の解放は摩擦力を伴って行われ、これにより、ウィックアセンブリ１２の上昇移動の速度を低減し、ウィック１３がヒータ素子１５に接触、押圧されるときの衝撃を緩和する。しかし、これに限らず、図示しないカウンター部を一対の脚部１４ｂに接触させ、当該カウンター部を例えばスプリングの弾性力や、エアーやオイルの粘性力により一対の脚部１４ｂの変形解放を徐々に行わせるようにし、ウィックアセンブリ１２の上昇速度を抑制しても良い。
【０１２８】
また、第１及び第２実施形態の場合、前述したＶＧＵ１の製造方法においては、最初に供給したヒータ１１に向けて径方向からウィックアセンブリ１２を供給し、その後にホルダ１０を軸線方向から供給して組み付ける。しかし、これに限らず、前述した弾性部材を別部材として設ける場合、当該弾性部材、各構成部品１０、１１、１２の何れか１組以上を事前に組み付けてアセンブリ化し、このアセンブリ部品を基準となる構成部品、或いは既にアセンブリ化したアセンブリ部品に適宜供給し、ＶＧＵ１を製造することも可能である。
【０１２９】
また、前述したＶＧＵ１は、タンク７内の中央部に流路９を形成した、いわばセンターフロー方式のタンク７から液体が供給される。しかし、タンク７の周壁７ａ側に流路９を形成したサイドフロー方式のタンク７から液体供給することも可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１    蒸気生成ユニット
２    非燃焼型香味吸引器
１０    ホルダ
１１    ヒータ
１２    ウィックアセンブリ
１３    ウィック（液保持部材）
１４    ウィックサポート
１４ｂ    脚部（弾性部）
１４ｅ    板バネ（弾性部）
１４ｈ    側壁
１４ｉ    側壁
１５    ヒータ素子
１６    電極
１６ｂ    側壁
１７    ヒータベース
１７ｂ    側壁（ガイド）
１７ｃ    収容口
１７ｄ    収容空間
１７ｇ    係止部（ストッパ）
１７ｇ２    ガイド溝（ガイド）
１７ｈ    突条部（ストッパ）
４０    トップキャップ
４１    キャップベース
４２    支持突起
４３    嵌合孔
４４    第１係止爪
４７    ガイド溝
４５    折曲部
４６    第２係止爪
４８    拡径部
４９    ホルダベース
５０    係合突起
５１    突出部
５４    ヒータアセンブリ（組立体）
５５    ウィックサポートの底部
５７    キャップベースの側壁
５７ａ    端面
【図１】
0006858318.tif 000002
【図２】
0006858318.tif 000003
【図３】
0006858318.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006858318.tif 000006
【図６】
0006858318.tif 000007
【図７】
0006858318.tif 000008
【図８Ａ】
0006858318.tif 000009
【図８Ｂ】
0006858318.tif 000010
【図９Ａ】
0006858318.tif 000011
【図９Ｂ】
0006858318.tif 000012
【図９Ｃ】
0006858318.tif 000013
【図１０】
0006858318.tif 000014
【図１１】
0006858318.tif 000015
【図１２】
0006858318.tif 000016
【図１３】
0006858318.tif 000017
【図１４】
0006858318.tif 000018
【図１５】
0006858318.tif 000019
【図１６】
0006858318.tif 000020
【図１７】
0006858318.tif 000021
【図１８】
0006858318.tif 000022
【図１９】
0006858318.tif 000023
【図２０】
0006858318.tif 000024
【図２１】
0006858318.tif 000025
【図２２】
0006858318.tif 000026
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
0006858318.tif 000031
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
0006858318.tif 000034
【図３１】
0006858318.tif 000035
【図３２】
0006858318.tif 000036
【図３３】
0006858318.tif 000037