(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップであって、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力する、ステップ
を備え、
前記磁界が、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または前記端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、
前記磁石がストリップ磁石であり、前記保護ケースが、前記端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記ストリップ磁石が前記端末もしくは前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置され、または前記ストリップ磁石が前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置される、
端末制御方法。
【請求項２】
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行する前記ステップが、以下のステップ：
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、または
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを備え、
前記第1の信号が、強度が第1の磁界強度以上の磁界が前記第1のホール効果センサの第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第2の信号が、強度が第2の磁界強度以上の磁界が前記第2のホール効果センサの第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第3の信号が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界が前記第1のホール効果センサの第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第4の信号が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界が前記第2のホール効果センサの第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第5の信号が、強度が前記第1の磁界強度未満の磁界が前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第6の信号が、強度が前記第2の磁界強度未満の磁界が前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号である、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項2または3に記載の方法。
【請求項５】
対象動作を実行する前記ステップの前に、前記方法が、前記保護ケースによって送信された動作命令を受信するステップであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、前記端末に送信され、前記対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される命令である、ステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記端末が閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
を備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力し、
前記磁界が、前記端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または前記端末の前記保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが、前記保護ケース内に配置され、
前記保護ケースが、前記端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記フリッププレート上に配置され、前記磁石が前記端末もしくは前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置され、または前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記ベースプレート上に配置され、前記磁石が前記フリッププレート上に配置される、
端末制御方法。
【請求項９】
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信する前記ステップが、以下のステップ：
前記保護ケースにより、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、前記第1の動作指示命令が、前記第1の信号および前記第2の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
前記保護ケースにより、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、前記第2の動作指示命令が、前記第3の信号および前記第4の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ、ならびに
前記保護ケースにより、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、前記第3の動作指示命令が、前記第5の信号および前記第6の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを備え、
前記第1の信号が、強度が第1の磁界強度以上の磁界が前記第1のホール効果センサの第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第2の信号が、強度が第2の磁界強度以上の磁界が前記第2のホール効果センサの第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第3の信号が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界が前記第1のホール効果センサの第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第4の信号が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界が前記第2のホール効果センサの第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第5の信号が、強度が前記第1の磁界強度未満の磁界が前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第6の信号が、強度が前記第2の磁界強度未満の磁界が前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号である、
請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記ホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項9または10に記載の方法。
【請求項１２】
前記磁石がストリップ磁石であり、前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記保護ケースが閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項8から12のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化を検出するように構成された検出ユニットと、
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するように構成された処理ユニットと
を備える、端末であって、
前記第1のホール効果センサおよび前記第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力し、
前記磁界が、前記端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または前記端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、
前記端末が、前記保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するように構成された受信ユニットであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の前記変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の前記変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、前記端末に送信され、前記対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される命令である、受信ユニットをさらに備える
前記磁石がストリップ磁石であり、前記保護ケースが、前記端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記ストリップ磁石が前記端末もしくは前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置され、または前記ストリップ磁石が前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置される、
端末。
【請求項１５】
前記処理ユニットが、具体的に、以下のステップ：
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
前記第1の信号が、強度が第1の磁界強度以上の磁界が前記第1のホール効果センサの第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第2の信号が、強度が第2の磁界強度以上の磁界が前記第2のホール効果センサの第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第3の信号が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界が前記第1のホール効果センサの第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第4の信号が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界が前記第2のホール効果センサの第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第5の信号が、強度が前記第1の磁界強度未満の磁界が前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第6の信号が、強度が前記第2の磁界強度未満の磁界が前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号である、
請求項14に記載の端末。
【請求項１６】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項15に記載の端末。
【請求項１７】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記ホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項15に記載の端末。
【請求項１８】
前記端末が、前記保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するように構成された受信ユニットであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の前記変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の前記変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、前記端末に送信され、前記対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される命令である、受信ユニットをさらに備える請求項14に記載の端末。
【請求項１９】
前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記端末が閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項14に記載の端末。
【請求項２０】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項14から19のいずれか一項に記載の端末。
【請求項２１】
第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を検出するように構成された検出ユニットと、
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するように構成された送信ユニットであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、送信ユニットと
を備える、保護ケースであって、
前記第1のホール効果センサおよび前記第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力し、
前記磁界が、前記端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または前記端末の前記保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが、前記保護ケース内に配置され、
前記保護ケースが、前記端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記フリッププレート上に配置され、前記磁石が前記端末もしくは前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置され、または前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記ベースプレート上に配置され、前記磁石が前記フリッププレート上に配置される、
保護ケース。
【請求項２２】
前記送信ユニットが、具体的に、以下のステップ：
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、前記第1の動作指示命令が、前記第1の信号および前記第2の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、前記第2の動作指示命令が、前記第3の信号および前記第4の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ、ならびに
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、前記第3の動作指示命令が、前記第5の信号および前記第6の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
前記第1の信号が、強度が第1の磁界強度以上の磁界が前記第1のホール効果センサの第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第2の信号が、強度が第2の磁界強度以上の磁界が前記第2のホール効果センサの第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第3の信号が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界が前記第1のホール効果センサの第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第4の信号が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界が前記第2のホール効果センサの第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第5の信号が、強度が前記第1の磁界強度未満の磁界が前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第6の信号が、強度が前記第2の磁界強度未満の磁界が前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号である、
請求項21に記載の保護ケース。
【請求項２３】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項21に記載の保護ケース。
【請求項２４】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記ホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項22に記載の保護ケース。
【請求項２５】
前記磁石がストリップ磁石であり、前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記保護ケースが閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項21に記載の保護ケース。
【請求項２６】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項21から25のいずれか一項に記載の保護ケース。
【請求項２７】
プロセッサおよびメモリを備える端末であって、前記プロセッサが前記メモリに接続され、前記プロセッサが前記メモリ内のプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップであって、前記第1のホール効果センサおよび前記第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力する、ステップを実行するように構成され、
前記磁界が、前記端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または前記端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、
前記磁石がストリップ磁石であり、前記保護ケースが、前記端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備え、
前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記ストリップ磁石が前記端末もしくは前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置され、または前記ストリップ磁石が前記保護ケースの前記フリッププレート上に配置され、前記第1のホール効果センサおよび前記第2のホール効果センサが前記保護ケースの前記ベースプレート上に配置される、
端末。
【請求項２８】
前記プロセッサが、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行することが、具体的に、以下のステップ：
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
前記第1のホール効果センサの前記出力信号が第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを備え、
前記第1の信号が、強度が第1の磁界強度以上の磁界が前記第1のホール効果センサの第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第2の信号が、強度が第2の磁界強度以上の磁界が前記第2のホール効果センサの第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第3の信号が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界が前記第1のホール効果センサの第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第4の信号が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界が前記第2のホール効果センサの第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
前記第5の信号が、強度が前記第1の磁界強度未満の磁界が前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、前記第6の信号が、強度が前記第2の磁界強度未満の磁界が前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過するときに、前記第2のホール効果センサによって出力される電気信号である、
請求項27に記載の端末。
【請求項２９】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項28に記載の端末。
【請求項３０】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記ホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項28または29に記載の端末。
【請求項３１】
前記プロセッサが通信モジュールを備え、
前記対象動作を実行する前に、前記プロセッサが、前記通信モジュールを使用して、前記保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するようにさらに構成され、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、前記端末に送信され、前記対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される命令である、請求項27に記載の端末。
【請求項３２】
前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記端末が閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項27に記載の端末。
【請求項３３】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項27から32のいずれか一項に記載の端末。
【請求項３４】
端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびに前記ベースプレートと前記フリッププレートを連結するフリップシャフトを備える保護ケースであって、前記保護ケースの状態が前記フリップシャフトを使用して変わる可能性があり、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサが前記フリッププレート上に配置され、磁石が前記端末もしくは前記ベースプレート上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサが前記ベースプレート上に配置され、前記磁石が前記フリッププレート上に配置され、
前記第1のホール効果センサおよび前記第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力し、
前記保護ケースが、前記保護ケースの状態変化に応答して、前記第1のホール効果センサの出力信号の変化および前記第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて、対象動作を実行するように前記端末に指示するように構成される、
保護ケース。
【請求項３５】
前記保護ケースがフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、前記磁石によって発生する磁界が、第1の表面から前記第1のホール効果センサの作用面を通過し、前記第1のホール効果センサが第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、前記磁石によって発生する磁界が、前記第1の表面から前記第2のホール効果センサの作用面を通過し、前記第2のホール効果センサが第2の信号を出力し、
前記保護ケースがフリップバック状態にあるとき、強度が前記第1の磁界強度以上であり、前記磁石によって発生する前記磁界が、前記第2の表面から前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過し、前記第1のホール効果センサが第3の信号を出力し、強度が前記第2の磁界強度以上であり、前記磁石によって発生する前記磁界が、前記第2の表面から前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過し、前記第2のホール効果センサが第4の信号を出力し、
前記保護ケースが展開状態にあるとき、強度が前記第1の磁界強度未満であり、前記磁石によって発生する磁界が、前記第1のホール効果センサの前記作用面を通過し、前記第1のホール効果センサが第5の信号を出力し、強度が前記第2の磁界強度未満であり、前記磁石によって発生する磁界が、前記第2のホール効果センサの前記作用面を通過し、前記第2のホール効果センサが第6の信号を出力する、
請求項34に記載の保護ケース。
【請求項３６】
前記第1のホール効果センサの前記第1の表面および前記第1のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第1のホール効果センサの前記第1の表面と前記第1のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記第2のホール効果センサの前記第1の表面および前記第2のホール効果センサの前記第2の表面が、前記第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、前記第2のホール効果センサの前記第1の表面と前記第2のホール効果センサの前記第2の表面の両方が、前記ホール効果センサの前記作用面と平行である、
請求項35に記載の保護ケース。
【請求項３７】
前記磁石がストリップ磁石であり、前記第1のホール効果センサの前記作用面が前記第2のホール効果センサの前記作用面と平行であり、
前記保護ケースが閉じた状態にあるとき、前記磁石のN極と前記磁石のS極との間の接続線が、前記第1のホール効果センサの前記作用面と平行であり、前記第1のホール効果センサまたは前記第2のホール効果センサと、前記第1のホール効果センサの前記作用面が位置する面への前記ストリップ磁石の投影との間の距離が、第1の距離しきい値より大きく、
前記第1の距離しきい値は、前記第1のホール効果センサが前記第1の信号および前記第3の信号を出力できるときの、前記端末が位置する面への前記磁石の投影と前記第1のホール効果センサとの間の最小距離である、
請求項34から36のいずれか一項に記載の保護ケース。
【請求項３８】
前記保護ケースが、プロセッサ、メモリ、および通信モジュールをさらに備え、前記プロセッサが、前記メモリ、前記第1のホール効果センサ、前記第2のホール効果センサ、および前記通信モジュールに接続され、前記プロセッサが、前記メモリに記憶されたプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
前記通信モジュールを使用して、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に動作指示命令を送信するステップであって、前記動作指示命令が、前記第1のホール効果センサの前記出力信号の前記変化および前記第2のホール効果センサの前記出力信号の前記変化に基づいて前記保護ケースによって生成され、前記対象動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
を実行するように構成される、請求項34から37のいずれか一項に記載の保護ケース。
【請求項３９】
前記通信モジュールを使用して、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に動作指示命令を送信する前記ステップが、以下のステップ：
前記通信モジュールを使用して、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が前記第1の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が前記第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、前記第1の動作指示命令が、前記第1の信号および前記第2の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ、
前記通信モジュールを使用して、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が前記第3の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が前記第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、前記第2の動作指示命令が、前記第3の信号および前記第4の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ、ならびに
前記通信モジュールを使用して、前記第1のホール効果センサの前記出力信号が前記第5の信号に変化し、前記第2のホール効果センサの前記出力信号が前記第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、前記端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、前記第3の動作指示命令が、前記第5の信号および前記第6の信号に基づいて前記保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように前記端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを備える、請求項38に記載の保護ケース。
【請求項４０】
前記第1の動作が画面オフ動作を備え、前記第2の動作が無動作を備え、前記第3の動作が画面起動動作を備える、請求項39に記載の保護ケース。
【請求項４１】
前記磁石が第1の磁石および第2の磁石を備え、前記第1の磁石が、強度が前記第1の磁界強度以上の前記磁界を発生させ、前記第2の磁石が、強度が前記第2の磁界強度以上の前記磁界を発生させる、請求項34から40のいずれか一項に記載の保護ケース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端末技術の分野に関し、詳細には、端末制御方法、保護ケース、および端末に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネット技術およびコンピュータ技術の急速な発展に伴い、スマートフォンおよびタブレットコンピュータなどの様々な端末が人々の生活の中で不可欠な通信、娯楽、および生活の道具になり、携帯電話のケースなどの端末の保護ケースも、防滴機能、傷防止機能、および他の機能を備えているので、端末に広く適用されている。現在、端末の保護ケースは、端末を保護する機能に加えて、画面ロック機能などの別の補助機能を有する。端末は保護ケースを使用して制御される。たとえば、ユーザが端末の保護ケースを閉じると、端末の画面がロックされ、またはユーザが保護ケースを開けると、端末の画面が画面ロック状態から目覚め、それにより、端末の電力消費が減少し、ユーザの操作が容易になり、作業効率が向上する。
【０００３】
端末は、以下の原則に従って、既存の保護ケースを使用して制御される：ユーザが保護ケースを閉じると、端末内のホール効果センサがケース内の磁石によって発生する磁界の変化を検知し、端末が画面ロック動作を実行し、またはユーザが保護ケースを開けると、端末内のホール効果センサがケース内の磁石によって発生する磁界の変化を検知し、端末が画面起動動作を実行する。しかしながら、従来の端末制御方法を使用して探索された位置は最適な位置ではなく、したがって、端末制御は反応がない可能性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本出願の目的は、端末制御方法、保護ケース、および端末を提供して、端末制御感度を向上させることである。
【０００５】
第1の態様によれば、本発明の一実施形態は、
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップであって、第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力する、ステップ
を含む、端末制御方法を提供し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界である。
【０００６】
本発明のこの実施形態では、端末制御システムは2つのホール効果センサを含み、磁石の位置は、2つのホール効果センサが端末に対する制御を実施するための応答要件を満たす必要があり、端末の応答条件を満たす磁石の位置は、端末制御感度を向上させるためにより良い位置である。
【０００７】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップは、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを含み、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【０００８】
本発明の一実施形態では、第1の動作は画面オフ動作を含み、第2の動作は無動作を含み、第3の動作は画面起動動作を含む。
【０００９】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００１０】
本発明のこの実施形態では、第1の信号および第3の信号が反対の極性を有し、第2の信号および第4の信号が反対の極性を有するように、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの位置が設定され、それにより、端末の誤動作が回避され、ユーザ体験が向上する。
【００１１】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケース内に配置され、対象動作を実行するステップの前に、方法は、保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するステップであって、動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である、ステップをさらに含む。
【００１２】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケースのフリッププレート上に配置され、ストリップ磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、またはストリップ磁石は保護ケースのフリッププレート上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置される。
【００１３】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、端末は、第1の筐体、第2の筐体、および第1の筐体と第2の筐体を連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは第1の筐体内に配置され、ストリップ磁石は第2の筐体内に配置される。
【００１４】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００１５】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００１６】
第2の態様によれば、本発明の一実施形態は、
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップであって、動作指示命令が、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
を含む、端末制御方法をさらに提供し、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは、保護ケース内に配置される。
【００１７】
本発明のこの実施形態では、端末制御システムは2つのホール効果センサを含み、磁石の位置は、2つのホール効果センサが端末に対する制御を実施するための応答要件を満たす必要がある。このようにして、端末制御はより正確になる。
【００１８】
本発明の一実施形態では、保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップは、以下のステップ：
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、第1の動作指示命令が、第1の信号および第2の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、第2の動作指示命令が、第3の信号および第4の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ、ならびに
保護ケースにより、第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、第3の動作指示命令が、第5の信号および第6の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを含み、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【００１９】
本発明の一実施形態では、第1の動作は画面オフ動作を含み、第2の動作は無動作を含み、第3の動作は画面起動動作を含む。
【００２０】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００２１】
本発明のこの実施形態では、第1の信号および第3の信号が反対の極性を有し、第2の信号および第4の信号が反対の極性を有するように、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの位置が設定され、それにより、端末の誤動作が回避され、ユーザ体験が向上する。
【００２２】
本発明の一実施形態では、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはフリッププレート上に配置され、磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはベースプレート上に配置され、磁石はフリッププレート上に配置される。
【００２３】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００２４】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００２５】
第3の態様によれば、本発明の一実施形態は、
第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化を検出するように構成された検出ユニットと、
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するように構成された処理ユニットと
を含む、端末を提供し、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界である。
【００２６】
本発明の一実施形態では、処理ユニットは、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【００２７】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００２８】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケース内に配置され、
端末は、保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するように構成された受信ユニットであって、動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である、受信ユニットをさらに含む。
【００２９】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケースのフリッププレート上に配置され、ストリップ磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、またはストリップ磁石は保護ケースのフリッププレート上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置される。
【００３０】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、端末は、第1の筐体、第2の筐体、および第1の筐体と第2の筐体を連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは第1の筐体内に配置され、ストリップ磁石は第2の筐体内に配置される。
【００３１】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００３２】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００３３】
第4の態様によれば、本発明の一実施形態は、
第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を検出するように構成された検出ユニットと、
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するように構成された送信ユニットであって、動作指示命令が、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される、送信ユニットと
を含む、保護ケースをさらに提供し、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは、保護ケース内に配置される。
【００３４】
本発明の一実施形態では、送信ユニットは、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、第1の動作指示命令が、第1の信号および第2の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、第2の動作指示命令が、第3の信号および第4の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、第3の動作指示命令が、第5の信号および第6の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【００３５】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００３６】
本発明の一実施形態では、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはフリッププレート上に配置され、磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはベースプレート上に配置され、磁石はフリッププレート上に配置される。
【００３７】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００３８】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００３９】
第5の態様によれば、本発明の一実施形態は、プロセッサおよびメモリを含む端末をさらに提供し、プロセッサはメモリに接続され、プロセッサはメモリ内のプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップであって、第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサが、磁界を検知することによって信号を出力する、ステップ
を実行するように構成され、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界である。
【００４０】
本発明の一実施形態では、プロセッサが、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行することは、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを含み、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【００４１】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００４２】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケース内に配置され、プロセッサは通信モジュールを含み、対象動作を実行する前に、プロセッサは、通信モジュールを使用して、保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するようにさらに構成され、動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である。
【００４３】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケースのフリッププレート上に配置され、ストリップ磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、またはストリップ磁石は保護ケースのフリッププレート上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置される。
【００４４】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、端末は、第1の筐体、第2の筐体、および第1の筐体と第2の筐体を連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは第1の筐体内に配置され、ストリップ磁石は第2の筐体内に配置される。
【００４５】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００４６】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００４７】
第6の態様によれば、本発明の一実施形態は、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含む保護ケースをさらに提供し、保護ケースの状態はフリップシャフトを使用して変わる可能性があり、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはフリッププレート上に配置され、磁石は端末もしくはベースプレート上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはベースプレートもしくは端末上に配置され、磁石はフリッププレート上に配置され、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
保護ケースは、保護ケースの状態変化に応答して、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて、対象動作を実行するように端末に指示するように構成される。
【００４８】
本発明の一実施形態では、保護ケースがフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第2の信号を出力し、
保護ケースがフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第4の信号を出力し、
保護ケースが展開状態にあるとき、強度が第1の磁界強度未満であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第5の信号を出力し、強度が第2の磁界強度未満であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第6の信号を出力する。
【００４９】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【００５０】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【００５１】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサが保護ケース内に配置されているとき、保護ケースは、プロセッサ、メモリ、および通信モジュールをさらに含み、プロセッサは、メモリ、第1のホール効果センサ、第2のホール効果センサ、および通信モジュールに接続され、プロセッサは、メモリに記憶されたプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップであって、動作指示命令が、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
を実行するように構成される。
【００５２】
本発明の一実施形態では、通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップは、以下のステップ：
通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、第1の動作指示命令が、第1の信号および第2の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ、
通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、第2の動作指示命令が、第3の信号および第4の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ、ならびに
通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、第3の動作指示命令が、第5の信号および第6の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを含む。
【００５３】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【００５４】
第7の態様によれば、本発明の一実施形態は、第1の態様に記載された端末によって使用されるコンピュータソフトウェア命令を記憶するように構成されたコンピュータ記憶媒体を提供し、命令が端末によって実行されると、端末は第一の態様による方法を実行する。
【００５５】
第8の態様によれば、本発明の一実施形態は、第2の態様に記載された保護ケースによって使用されるコンピュータソフトウェア命令を記憶するように構成されたコンピュータ記憶媒体を提供し、命令が保護ケースによって実行されると、端末は第2の態様による方法を実行する。
【００５６】
第9の態様によれば、本発明の一実施形態はコンピュータプログラムを提供し、プログラムはコンピュータソフトウェア命令を含み、命令が端末によって実行されると、端末は第1の態様による方法を実行する。
【００５７】
第10の態様によれば、本発明の一実施形態はコンピュータプログラムを提供し、プログラムはコンピュータソフトウェア命令を含み、命令が保護ケースによって実行されると、保護ケースは第2の態様による方法を実行する。
【００５８】
本発明の実施形態または従来技術における技術的解決策をより明確に記載するために、以下で、実施形態または従来技術を記載するために必要とされる添付図面を簡単に記載する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による、ホール効果センサの動作原理の例示的な概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による、端末制御システムのシステムフレームワーク図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による、閉じた状態の保護ケースの断面概略図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による、半分閉じた状態の保護ケースの断面概略図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による、裏返し状態の保護ケースの断面概略図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態による、半分裏返し状態の保護ケースの断面概略図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態による、展開状態の保護ケースの断面概略図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の例示的な概略図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の例示的な概略図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の第1の例示的な概略図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の第2の例示的な概略図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の第1の例示的な概略図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の第2の例示的な概略図である。
【図６】本発明の一実施形態による、2つの磁石と2つのホール効果センサとの間の位置関係の第1の例示的な概略図である。
【図７】本発明の一実施形態による、2つの磁石と2つのホール効果センサとの間の位置関係の第2の例示的な概略図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による、保護ケースが閉じた状態にあるときの端末制御システムの第1の構造の断面概略図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態による、保護ケースが裏返し状態にあるときの端末制御システムの第2の構造の断面概略図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態による、保護ケースが閉じた状態にあるときの端末制御システムの第3の構造の断面概略図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態による、保護ケースが裏返し状態にあるときの端末制御システムの第4の構造の断面概略図である。
【図１０】本発明の一実施形態による、第1の端末の概略構造図である。
【図１１】本発明の一実施形態による、第2の端末の概略構造図である。
【図１２】本発明の一実施形態による、第3の端末の概略構造図である。
【図１３】本発明の一実施形態による、保護ケースの概略構造図である。
【図１４】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末の概略構造図である。
【図１５】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末の構造フレームワーク図である。
【図１６Ａ】本発明の一実施形態による、閉じた状態の裏返し可能端末の断面概略図である。
【図１６Ｂ】本発明の一実施形態による、半分閉じた状態の裏返し可能端末の断面概略図である。
【図１６Ｃ】本発明の一実施形態による、裏返し状態の裏返し可能端末の断面概略図である。
【図１６Ｄ】本発明の一実施形態による、半分裏返し状態の裏返し可能端末の断面概略図である。
【図１６Ｅ】本発明の一実施形態による、展開状態の裏返し可能端末の断面概略図である。
【図１７Ａ】本発明の一実施形態による、閉じた状態の裏返し可能端末の第1の構造の断面概略図である。
【図１７Ｂ】本発明の一実施形態による、裏返し状態の裏返し可能端末の第1の構造の断面概略図である。
【図１８Ａ】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が閉じた状態にあるときの裏返し可能端末の第2の構造の断面概略図である。
【図１８Ｂ】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が裏返し状態にあるときの裏返し可能端末の第2の構造の断面概略図である。
【図１９Ａ】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が閉じた状態にあるときの裏返し可能端末の第3の構造の断面概略図である。
【図１９Ｂ】本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が裏返し状態にあるときの裏返し可能端末の第3の構造の断面概略図である。
【図２０】本発明の一実施形態による、端末制御方法の概略フローチャートである。
【図２１】本発明の一実施形態による、別の端末制御方法の概略フローチャートである。
【図２２】本発明の一実施形態による、第4の端末の概略構造図である。
【図２３】本発明の一実施形態による、別の保護ケースの概略構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
以下で、本発明の実施形態における添付図面を参照して、本発明の実施形態における技術的解決策を明確かつ完全に記載する。
【００６１】
図1を参照すると、図1は、本発明の一実施形態による、ホール効果センサの動作原理の例示的な概略図である。図1に示されたように、ホール効果センサ101は、半導体材料から作られた半導体ウェハを含み、ホール効果センサの作用面は、磁界を検知するためのホール効果センサの面、すなわち、半導体ウェハが位置する面である。ホール効果センサ101が動作するとき、半導体ウェハに電流が印加され、ウェハの垂直方向に磁界が印加された場合、ウェハは電流および磁界に対して垂直の方向に電位差を有する。たとえば、磁界がホール効果センサの第1の表面（上面）1011からホール効果センサ101を通過すると、ホール効果センサの第1の出力端102は低レベル信号を出力し、第2の出力端103は高レベル信号を出力し、これに対して、磁界がホール効果センサの第2の表面（下面）1012からホール効果センサを通過すると、ホール効果センサの第1の出力端102は高レベル信号を出力し、第2の出力端103は低レベル信号を出力する。磁界を発生させる磁石とホール効果センサとの間の相対的な位置関係は、第1の出力端102および第2の出力端103の異なる出力を使用することによって特定されてもよい。
【００６２】
図1では、ホール効果センサの動作原理を記載するために、一例として2つの電圧信号出力端を含むホール効果センサが使用されている。本発明のこの実施形態では、代替として、ホール効果センサは、1つの出力端、3つの出力端などを含んでもよい。各出力端の出力信号は電圧信号であっても電流信号であってもよく、これは本発明では限定されない。磁界がホール効果センサの作用面を通過すると、ホール効果センサの出力端は電圧または電流の形態の電気信号を出力する。磁界が異なる方向からホール効果センサの作用面を通過すると、異なる電気信号が出力される。異なる電気信号は、端末に対する制御を実施するために、異なる動作を実行するように端末のプロセッサに指示するために使用される。
【００６３】
図2を参照すると、図2は、本発明の一実施形態による、端末制御システムのシステムフレームワーク図である。本発明における端末制御方法の一実施形態は、端末制御システムの構造フレームワーク図に基づいて実施されてもよい。図2に示された端末制御システムは、端末21および保護ケース22を含んでもよい。図2は、保護ケース22が動作状態にあるとき（言い換えれば、端末21が保護ケース22内に配置されているとき）の端末制御システムにおける保護ケース22および端末21の位置の概略図である。保護ケース22は、端末21を固定するために使用されるベースプレート221およびフリッププレート222、ならびにベースプレート221とフリッププレート222を連結するフリップシャフト223を含む。場合によっては、ベースプレート221、フリッププレート222、およびフリップシャフト223は一体化されてもよい。第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはベースプレート221もしくは端末21上に配置され、磁石はフリッププレート222上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはフリッププレート222上に配置され、磁石はベースプレート221もしくは端末21上に配置される。
【００６４】
保護ケース22の状態は、フリップアップ状態、展開状態、およびフリップバック状態を含んでもよい。
【００６５】
保護ケース22のフリップアップ状態は、保護ケース22の閉じた状態および保護ケース22の半分閉じた状態を含むことを理解されたい。
【００６６】
保護ケース22の閉じた状態は、保護ケース22のフリッププレート222がベースプレート221に固定された端末21を覆っている状態であり、フリッププレート222が位置する面は、ベースプレート221が位置する面と並行である。図3Aを参照すると、図3Aは、本発明の一実施形態による、閉じた状態の保護ケースの断面概略図である。保護ケース22が作動すると、閉じた状態の保護ケース22のフリッププレート222がベースプレート221に固定された端末21を覆う。
【００６７】
保護ケース22の半分閉じた状態は、保護ケース22のフリッププレート222と、ベースプレート221から離れている、ベースプレート221に固定された端末21の面との間に第1の挟角が形成された状態であり、第1の挟角は第1の角度しきい値よりも小さい。第1の角度しきい値は、磁石によって発生した磁界が第1の信号を出力するように第1のホール効果センサをトリガし、第2の信号を出力するように第2のホール効果センサをトリガすることができるときの最大挟角である。図3Bを参照すると、図3Bは、本発明の一実施形態による、半分閉じた状態の保護ケースの断面概略図である。保護ケース22が作動すると、半分閉じた状態の保護ケース22のフリッププレート222と、端末21が固定されたベースプレート221との間に第1の挟角301が形成される。
【００６８】
保護ケース22のフリップバック状態は、保護ケース22の裏返し状態および保護ケース22の半分裏返し状態を含むことを理解されたい。
【００６９】
保護ケース22の裏返し状態は、保護ケース22のフリッププレート222がベースプレート221の下に位置し、フリッププレート222が位置する面がベースプレート221が位置する面と平行である状態である。図3Cを参照すると、図3Cは、本発明の一実施形態による、裏返し状態の保護ケースの断面概略図である。保護ケース22が作動すると、裏返し状態の保護ケース22のフリッププレート222は、端末21が固定されたベースプレート221に背を向ける。
【００７０】
保護ケース22の半分裏返し状態は、保護ケース22のフリッププレート222と、ベースプレート221に固定された端末21から離れている、ベースプレート221の面との間に第2の挟角225が形成された状態であり、第2の挟角は第2の角度しきい値よりも小さい。本発明の一実施形態では、第2の角度しきい値は、第1のホール効果センサが第3の信号を出力するようにトリガでき、第2のホール効果センサが第4の信号を出力するようにトリガできるときの最大挟角である。図3Dを参照すると、図3Dは、本発明の一実施形態による、半分裏返し状態の保護ケースの断面概略図である。保護ケース22が作動すると、半分裏返し状態の保護ケース22のフリッププレート222は端末21が固定されたベースプレート221に背を向け、したがって第2の挟角302が形成される。
【００７１】
保護ケース22は展開状態をさらに含んでもよいことを理解されたい。図3Eを参照すると、図3Eは、本発明の一実施形態による、展開状態の保護ケースの断面概略図である。この場合、保護ケース22のフリッププレート222と、ベースプレート221から離れている、ベースプレート221に固定された端末21の面との間に第3の挟角303が形成され、第3の挟角303は第1の角度しきい値よりも大きい。本発明の一実施形態では、第3の挟角303は第1の角度しきい値よりも大きく、360°と第2の挟角との間の差よりも小さい。
【００７２】
保護ケース22がフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第2の信号を出力する。
【００７３】
保護ケース22がフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第4の信号を出力する。
【００７４】
保護ケース22が展開状態にあるとき、強度が第1の磁界強度未満であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第1の表面または第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第5の信号を出力し、強度が第2の磁界強度未満であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサの第1の表面または第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサは第6の信号を出力する。保護ケース22が展開状態にあるとき、第1のホール効果センサに作用する磁界の強度は、第1の磁界強度よ未満であり、0であってもよく、第2のホール効果センサに作用する磁界の強度は、第2の磁界強度未満であり、0であってもよいことを理解されたい。
【００７５】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの同じ表面であってもよく、表面は第1のホール効果センサの作用面と平行である第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの同じ表面であってもよく、表面は第2のホール効果センサの作用面と平行である
【００７６】
この場合、第1の信号は第3の信号と同じであり、第1の信号は第5の信号とは異なり、第2の信号は第4の信号と同じであり、第2の信号は第6の信号とは異なる。
【００７７】
この場合、磁石とホール効果センサとの間の相対的な位置関係は以下の通りであってもよい：保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と垂直である。
【００７８】
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態からフリップアップ状態またはフリップバック状態に変化したことを示す。この場合、端末21は画面オフ動作などの第1の動作を実行することができる。
【００７９】
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態に変化したことを示す。この場合、端末21は画面起動動作などの第3の動作を実行することができる。
【００８０】
保護ケース製造業者は、端末内のホール効果センサの数、ホール効果センサの位置、または端末によって使用される端末制御方法を知らなくてもよいことを理解されたい。単一のホール効果センサが使用される場合、磁石とホール効果センサの相対位置に対する制限は比較的低く、ホール効果センサが応答できる位置は、磁石および端末の応答状態を使用することによって探索され得るが、探査された位置は最適な位置ではない。その結果、端末に対する保護ケースの制御は反応がない可能性があり、したがって、端末のユーザは、端末が保護ケースを検知する能力が不十分であると誤って考える。端末制御システムが2つのホール効果センサを含むとき、磁石の位置は、2つのホール効果センサが端末に対する制御を実施するための応答要件を満たす必要がある。したがって、端末制御機能を実施するために、磁石とホール効果センサの相対位置に対する制限は比較的高い。加えて、端末に対する保護ケースの制御の感度を改善するために、端末制御機能を実施する保護ケース内の磁石の位置はより良い位置であり得る。
【００８１】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。この場合、第1の信号と第3の信号は反対の極性を有し、第1の信号と第3の信号の両方は第5の信号とは異なり、第2の信号と第4の信号は反対の極性を有し、第2の信号と第4の信号の両方は第6の信号とは異なる。したがって、端末の誤動作が回避され、ユーザ体験が向上する。
【００８２】
この場合、磁石とホール効果センサとの間の相対的な位置関係は以下の通りであってもよい：保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と平行である。
【００８３】
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態からフリップアップ状態に変化したことを示す。この場合、端末21は第1の動作を実行することができる。
【００８４】
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態からフリップバック状態に変化したことを示す。この場合、端末21は第2の動作を実行することができる。
【００８５】
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号から第6の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22がフリップアップ状態から展開状態に変化したことを示す。この場合、端末21は第3の動作を実行することができる。
【００８６】
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号から第6の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22がフリップバック状態から展開状態に変化したことを示す。この場合、端末21は第4の動作を実行することができる。
【００８７】
第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサは少なくとも1つの出力端を含んでもよく、出力端の出力信号は電気信号であり、電気信号は電圧信号であっても電流信号であってもよい。
【００８８】
場合によっては、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサの各々は、2つの出力端、たとえば、図1に示された第1の出力端および第2の出力端を含み、出力信号は電圧信号である。保護ケース22がフリップアップ状態にあるときの第1の出力端の出力電気信号の極性は、保護ケース22がフリップバック状態にあるときの第1の出力端の出力電気信号の極性と反対である。同様に、保護ケース22がフリップアップ状態にあるときの第2の出力端の出力電気信号の極性は、保護ケース22がフリップバック状態にあるときの第2の出力端の出力電気信号の極性と反対である。
【００８９】
たとえば、第1の信号は、第1のホール効果センサの第1の出力端が高レベル信号を出力し、第1のホール効果センサの第2の出力端が低レベル信号を出力することを意味する場合があり、第2の信号は、第2のホール効果センサの第1の出力端が低レベル信号を出力し、第2のホール効果センサの第2の出力端が高レベル信号を出力することを意味する場合があり、第3の信号は、第1のホール効果センサの第1の出力端が低レベル信号を出力し、第1のホール効果センサの第2の出力端が高レベル信号を出力することを意味する場合があり、第4の信号は、第2のホール効果センサの第1の出力端が高レベル信号を出力し、第2のホール効果センサの第2の出力端が低レベル信号を出力することを意味する場合があり、第5の信号は、第1のホール効果センサの第1の出力端と第2の出力端の両方が高レベル信号または低レベル信号を出力することを意味する場合があり、第6の信号は、第2のホール効果センサの第1の出力端と第2の出力端の両方が高レベル信号または低レベル信号を出力することを意味する場合がある。
【００９０】
保護ケース22が閉じた状態にあるときに第1のホール効果センサの作用面を通過する磁界の方向は、保護ケース22が裏返し状態にあるときの第1のホール効果センサの作用面を通過する磁界の方向とは異なることが理解されたい。したがって、第1のホール効果センサは2つの状態で異なる電気信号を出力し、同様に、第2のホール効果センサは2つの状態で異なる電気信号を出力する。このようにして、従来技術における以下の問題を回避することができる：保護ケース22が閉じた状態および裏返し状態にあるときにホール効果センサの作用面を通過する磁界の方向は同じであり、したがって、ホール効果センサは同じ電気信号を出力し、端末21は、保護ケース22が閉じた状態にあるか裏返し状態にあるかにかかわらず画面ロック動作を実行し、保護ケース22が裏返し状態にあるときの端末21の誤動作が引き起こされる。
【００９１】
本発明のこの実施形態では、磁石はストリップ磁石であってもよく、設定を介して、保護ケース22が閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と平行であってもよい。したがって、保護ケース22が閉じた状態にあるときと裏返し状態にあるときでは、ホール効果センサの作用面を通過する磁界の方向は異なる。このようにして、端末21の誤動作が回避され、保護ケースの閉じた状態と裏返し状態を互いに区別することができ、それにより、端末21に対する正確な制御が実施され、ユーザ体験が向上する。
【００９２】
端末21には、モバイルコンピュータ、タブレットコンピュータ、携帯電話、携帯情報端末（Personal Digital Assistant、PDA）、メディアプレーヤなどが含まれてもよいが、それらに限定されないことに留意されたい。
【００９３】
端末制御システムが1つのホール効果センサを含むとき、ホール効果センサおよび磁石の位置は、保護ケースが閉じた状態にあるときにホール効果センサの作用面が磁石のN極とS極との間の接続線と平行になるように設定されてもよく、それにより、ホール効果センサおよび磁石のための従来の保護ケースの位置設定方式によって引き起こされる端末の誤動作が回避される。具体的には、従来の保護ケースが閉じた状態にあるとき、ホール効果センサの作用面は磁石のN極とS極との間の接続線と垂直であり、従来の保護ケースが閉じた状態にあるときと裏返し状態にあるときでは、端末によって検出されるホール効果センサの出力信号は同じであってもよく、端末は、保護ケースが前方スナップフィット動作を実行する（具体的には、保護ケースのフリッププレートが保護ケースのベースプレート上の端末を覆う）ときと、後方スナップフィット動作を実行する（具体的には、保護ケースのフリッププレートが保護ケースのベースプレートの背面まで回転する）ときに、画面ロック動作などの同じ動作を実行するようにトリガされ、保護ケースが後方スナップフィット動作をするときに端末の誤動作が引き起こされる。本発明のこの実施形態では、設定を介して、少なくとも1つのホール効果センサの作用面は磁石のN極とS極との間の接続線と平行であり、その結果、2つのホール効果センサの各々によって出力される信号は、保護ケースが閉じた状態にあるときと裏返し状態にあるときでは一致せず、保護ケースの前方スナップフィット動作と後方スナップフィット動作が識別され、それによってユーザ体験が向上する。
【００９４】
しかしながら、保護ケース製造業者は、端末内のホール効果センサの位置または端末によって使用される端末制御方法を知らなくてもよく、ホール効果センサの位置は、磁石および端末の応答状態を使用することによって探索されてもよい。従来の保護ケースが端末用に構成されているとき、端末は依然として従来の方式で保護ケースの前方スナップフィット動作および後方スナップフィット動作に応答する。その結果、端末は保護ケースの前方スナップフィット動作および後方スナップフィット動作に応じて同じ動作を実行し、ユーザは端末が故障していると誤って考える。
【００９５】
本発明の実施形態では、2つのホール効果センサが配置され、保護ケース製造業者が端末によって使用される端末制御方法を知らないとき、ホール効果センサの位置は磁石を使用して探索することがほとんどできない。この場合、保護ケース製造業者は、端末に適合する保護ケースを生成することがより困難になる可能性があり、その結果、適合しない保護ケースが端末に適用されることが防止され、端末は、磁石設定方式が第1のホール効果センサと第2のホール効果センサの両方に対する端末の出力要件を満たすときのみ応答する。この場合、磁石設定方式は端末管理方法に適合することができ、磁石設定方式で製造された保護ケースは端末管理方法に適合することができる。加えて、適合する保護ケースが構成されている端末は、端末の誤動作を回避し、端末に対する正確な制御を実施し、ユーザ体験を向上させるために、保護ケースの前方スナップフィット動作と後方スナップフィット動作を識別することができる。
【００９６】
本発明の一実施形態では、第1の動作は、画面ロック動作、スリープ動作、および画面オフ動作のうちの少なくとも1つを含んでもよく、第2の動作は無動作であってもよく、第3の動作は画面起動動作であってもよい。本発明のこの実施形態では、以下のことを実現することができる：端末が保護ケースの前方スナップフィット動作を検出したときにスリープ動作を実行し、端末が保護ケースを開ける動作を検出したときに画面起動動作を実行し、端末が保護ケースの後方スナップフィット動作を検出したときは動作を実行しなくてもよい。代替として、第1の動作、第2の動作、および第3の動作は他の動作であってもよく、これは本発明では限定されないことに留意されたい。
【００９７】
ホール効果センサおよび磁石の位置は以下の方式で設定されてもよい。
【００９８】
ホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式：磁石がフリッププレート222上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサが端末21上に配置される。
【００９９】
ホール効果センサおよび磁石向けの第2の設定方式：磁石がフリッププレート222上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサがベースプレート221上に配置される。
【０１００】
ホール効果センサおよび磁石向けの第3の設定方式：磁石がフリッププレート222上に配置され、第1のホール効果センサがベースプレート221上に配置され、第2のホール効果センサが端末21上に配置される。
【０１０１】
ホール効果センサおよび磁石向けの第4の設定方式：第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサがフリッププレート222上に配置され、磁石が端末21上に配置される。
【０１０２】
ホール効果センサおよび磁石向けの第5の設定方式：第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサがフリッププレート222上に配置され、磁石がベースプレート221上に配置される。
【０１０３】
場合によっては、磁石は1つであってもよく、保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石は第1のホール効果センサと第2のホール効果センサとの間に配置され、または磁石は第1の磁石および第2の磁石を含む2つであってもよく、第1の磁石は主に第1のホール効果センサに作用し、第2の磁石は主に第2のホール効果センサに作用する。
【０１０４】
第1のホール効果センサと第2のホール効果センサとの間の距離は10mm〜50mmであってもよく、磁石の長さは5mm〜40mmであってもよいことに留意されたい。たとえば、第1のホール効果センサと第2のホール効果センサとの間の距離は20mmであってもよく、磁石の長さは10mmである。
【０１０５】
以下で、一例としてホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式を使用することにより、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係を記載する。
【０１０６】
本発明の一実施形態では、保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面および／または第2のホール効果センサの作用面と垂直であり得る。
【０１０７】
図4Aおよび図4Bを参照すると、図4Aは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の例示的な概略図であり、図4Bは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の例示的な概略図である。図4Aおよび図4Bは、保護ケース42が閉じた状態にあるときの端末制御システムの断面図である。
【０１０８】
図4Aに示されたように、磁石43は保護ケース42のフリッププレート422内に配置され、磁石43のN極とS極との間の接続線は、フリッププレート422が位置する面と垂直であり得、第1のホール効果センサ44の作用面と第2のホール効果センサ45の作用面の両方は、端末41が位置する面と平行であり得る。
【０１０９】
図4Bに示されたように、磁石は第1の磁石431および第2の磁石432を含み、第1の磁石431のN極とS極との間の接続線および第2の磁石432のN極とS極との間の接続線の両方は、フリッププレート422が位置する面と垂直であり得、第1のホール効果センサ44の作用面と第2のホール効果センサ45の作用面の両方は、端末41が位置する面と垂直であり得る。
【０１１０】
本発明の一実施形態では、保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面および／または第2のホール効果センサの作用面と平行であり得る。
【０１１１】
場合によっては、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、フリッププレートが位置する面と平行であってもよい。保護ケースが閉じた状態にあるとき、フリッププレートが位置する面は、ベースプレートが位置する面および端末が位置する面と平行であり、第1のホール効果の作用面および第2のホール効果センサの作用面は、フリッププレートが位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサと端末が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサと端末が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第2の距離しきい値よりも大きい。第1の距離しきい値は、ホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力できるときの、端末が位置する面への磁石の投影と第1のホール効果センサとの間の最小距離である。第2の距離しきい値は、ホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力できるときの、端末が位置する面への磁石の投影と第2のホール効果センサとの間の最小距離である。第1の距離しきい値または第2の距離しきい値は、通常、0より大きい。第1の距離しきい値または第2の距離しきい値は、磁石の磁界強度の分布およびホール効果センサのパラメータ、たとえば、材料のホール係数、材料の厚さ、および電流の強度に関連する。場合によっては、第1の距離しきい値または第2の距離しきい値により、保護ケースが閉じた状態または裏返し状態にあるときに、ホール効果センサの作用面を通過する磁界の強度の値は、0．8mT〜3．4mT以上であり得る。
【０１１２】
図4Cおよび図4Dを参照すると、図4Cは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の第1の例示的な概略図であり、図4Dは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第1の位置関係の第2の例示的な概略図である。図4Cは保護ケース42が閉じた状態にあるときの端末制御システムの断面図であり、図4Dは保護ケース42が閉じた状態にあるときの端末制御システムの上面図である。磁石43はフリッププレート422上に配置され、磁石43のN極と磁石43のS極との間の接続線は、フリッププレート422が位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサ44および第2のホール効果センサ45は端末41上に配置され、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方は、ベースプレート421が位置する面と平行である。第1のホール効果センサとフリッププレート422が位置する面への磁石の投影との間の距離d1は、第1の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサとフリッププレート422が位置する面への磁石の投影との間の距離d2は、第2の距離しきい値よりも大きい。
【０１１３】
場合によっては、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、フリッププレートが位置する面と垂直であってもよい。保護ケースが閉じた状態にあるとき、フリッププレートが位置する面は、ベースプレートが位置する面および端末が位置する面と平行である。第1のホール効果センサの作用面および第2のホール効果センサの作用面は、フリッププレートが位置する面と垂直であり得る。第1のホール効果センサと端末が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第3の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサと端末が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第4の距離しきい値よりも大きい。第3の距離しきい値は、ホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力できるときの、端末が位置する面への磁石の投影と第1のホール効果センサとの間の最小距離である。第4の距離しきい値は、ホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力できるときの、端末が位置する面への磁石の投影と第2のホール効果センサとの間の最小距離である。第3の距離しきい値または第4の距離しきい値は、通常、0より大きい。第3の距離しきい値または第4の距離しきい値は、磁石の磁界強度の分布およびホール効果センサのパラメータ、たとえば、材料のホール係数、材料の厚さ、および電流の強度に関連する。場合によっては、第3の距離しきい値または第4の距離しきい値により、保護ケースが閉じた状態または裏返し状態にあるときに、ホール効果センサの作用面を通過する磁界の強度の値は、0．8mT〜3．4mT以上であり得る。
【０１１４】
図5Aおよび図5Bを参照すると、図5Aは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の第1の例示的な概略図であり、図5Bは、本発明の一実施形態による、磁石とホール効果センサとの間の第2の位置関係の第2の例示的な概略図である。図5Aは保護ケース52が閉じた状態にあるときの断面図であり、図5Bは保護ケース52が閉じた状態にあるときの上面図である。磁石53はフリッププレート522上に配置され、磁石53のN極と磁石53のS極との間の接続線は、フリッププレート522が位置する面と垂直であり得る。第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは端末51内に配置され、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方は、ベースプレート521が位置する面と垂直である。第1のホール効果センサと端末51が位置する面への磁石の投影との間の距離d3は、第3の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサと端末51が位置する面への磁石の投影との間の距離d4は、第4の距離しきい値よりも大きい。
【０１１５】
第1のホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力することができ、第2のホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力することができるとき、第1のホール効果センサの作用面および／もしくは第2のホール効果センサの作用面と端末が位置する面との間に角度が形成されてもよく、かつ／または磁石のN極と磁石のS極との間の接続線とフリッププレートが位置する面との間に角度が形成され、その結果、保護ケースが閉じた状態にあるとき、第1のホール効果センサの作用面および／または第2のホール効果センサの作用面と磁石のN極と磁石のS極の間の接続線との間に角度が形成されることに留意されたい。
【０１１６】
たとえば、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係は、図4Bに示された磁石43、第1のホール効果センサ401、および第2のホール効果センサ402の間の相対的な位置関係であってもよく、本発明では限定されない。
【０１１７】
他の例として、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係は、図5Bに示された磁石53、第1のホール効果センサ501、および第2のホール効果センサ502の間の相対的な位置関係であってもよく、本発明では限定されない。
【０１１８】
本発明の一実施形態では、端末または保護ケースは複数の磁石をさらに含んでもよく、複数の磁石は、一緒にまたは別々に、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサに作用する。図6を参照すると、図6は、本発明の一実施形態による、2つの磁石と2つのホール効果センサとの間の位置関係の第1の例示的な概略図である。
【０１１９】
図6では、図4Aに基づいて1つの磁石が追加されている。第1の磁石63および第2の磁石66はフリッププレート622内に配置され、第1の磁石63のN極と第1の磁石63のS極との間の接続線、および第2の磁石66のN極と第2の磁石66のS極との間の接続線は、フリッププレート622が位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサ64および第2のホール効果センサ65は端末61内に配置され、第1のホール効果センサ64の作用面と第2のホール効果センサ65の作用面の両方は、ベースプレート621が位置する面と平行である。第1の磁石63は主に第1のホール効果センサ64に作用し、第2の磁石66は主に第2のホール効果センサ65に作用する。第1のホール効果センサとフリッププレート622が位置する面への第1の磁石63の投影との間の距離d1は、第1の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサ66とフリッププレート622が位置する面への第2の磁石66の投影との間の距離d2は、第2の距離しきい値よりも大きい。
【０１２０】
図7を参照すると、図7は、本発明の一実施形態による、2つの磁石と2つのホール効果センサとの間の位置関係の第2の例示的な概略図である。図7では、図5Aに基づいて1つの磁石が追加されている。第1の磁石73のN極と第1の磁石73のS極との間の接続線は、フリッププレート722が位置する面と垂直であり得、第2の磁石76のN極と第2の磁石76のS極との間の接続線は、フリッププレート722が位置する面と垂直であり得る。保護ケース72が閉じた状態にあるとき、フリッププレート722が位置する面は、ベースプレート721が位置する面および端末71が位置する面と平行である。
【０１２１】
第1の磁石73および第2の磁石76はフリッププレート722内に配置され、第1の磁石73のN極と第1の磁石73のS極との間の接続線と、第2の磁石76のN極と第2の磁石76のS極との間の接続線の両方は、フリッププレート722が位置する面と垂直であり得る。第1のホール効果センサ74および第2のホール効果センサ75は端末71内に配置され、第1のホール効果センサ74の作用面と第2のホール効果センサ75の作用面の両方は、ベースプレート721が位置する面と垂直である。第1の磁石73は主に第1のホール効果センサ74に作用し、第2の磁石76は主に第2のホール効果センサ75に作用する。第1のホール効果センサ74とフリッププレート722が位置する面への第1の磁石73の投影との間の距離d3は、第3の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサ75とフリッププレート722が位置する面への第2の磁石76の投影との間の距離d4は、第4の距離しきい値よりも大きい。第3の距離しきい値または第4の距離しきい値の説明については、上記の実施形態における関連説明を参照されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０１２２】
第1の距離しきい値または第2の距離しきい値の説明については、上記の実施形態における関連説明を参照することに留意されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０１２３】
第1のホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力することができ、第2のホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力することができるとき、第1の磁石、第2の磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係は別の形態を有してもよいことにさらに留意されたい。たとえば、保護ケースが閉じた状態にあるとき、第1のホール効果センサの作用面と、第1の磁石のN極とS極との間の接続線との間に角度が形成され、かつ／または第2のホール効果センサの作用面と、第2の磁石のN極とS極との間の接続線との間に角度が形成される。
【０１２４】
ホール効果センサおよび磁石向けの任意の他の設定方式において、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係については、図4C、図4D、図5A、図5B、図6、および図7における相対的な位置関係についての任意の設定方式を参照されたく、詳細は本発明では再び記載されないことにさらに留意されたい。
【０１２５】
以下で、ホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式において図4Cに示された、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係を一例として使用することにより、端末制御方法の原理を記載する。
【０１２６】
図8Aおよび図8Bを参照すると、図8Aは、本発明の一実施形態による、保護ケースが閉じた状態にあるときの端末制御システムの第1の構造の断面概略図であり、図8Bは、本発明の一実施形態による、保護ケースが裏返し状態にあるときの端末制御システムの第2の構造の断面概略図である。
【０１２７】
保護ケース42がフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石43によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ44の上面から第1のホール効果センサ44の作用面を通過し、第1のホール効果センサ44内でN極の割込みが発生し、第1のホール効果センサ44は高レベル信号などの第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石43によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ45の上面から第2のホール効果センサ45の作用面を通過し、第2のホール効果センサ45内でS極の割込みが発生し、第2のホール効果センサ45は低レベル信号などの第2の信号を出力する。
【０１２８】
保護ケース42がフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石43によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ44の第2の表面から第1のホール効果センサ44の作用面を通過し、第1のホール効果センサ44は第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石43によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ45の第2の表面から第2のホール効果センサ45の作用面を通過し、第2のホール効果センサ45は第4の信号を出力する。
【０１２９】
第1のホール効果センサ44の出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサ45の出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース42が展開状態からフリップアップ状態に変化したことを示す。この場合、端末41は第1の動作を実行することができる。
【０１３０】
第1のホール効果センサ44の出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサ45の出力信号が第4の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース42が展開状態からフリップバック状態に変化したことを示す。この場合、端末41は第2の動作を実行することができる。
【０１３１】
以下で、ホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式において図6に示された、第1の磁石、第2の磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係を一例として使用することにより、端末制御方法の原理を記載する。
【０１３２】
図9Aおよび図9Bを参照すると、図9Aは、本発明の一実施形態による、保護ケースが閉じた状態にあるときの端末制御システムの第3の構造の断面概略図であり、図9Bは、本発明の一実施形態による、保護ケースが裏返し状態にあるときの端末制御システムの第4の構造の断面概略図である。
【０１３３】
保護ケース62がフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、第1の磁石63によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ64の上面から第1のホール効果センサ64の作用面を通過し、第1のホール効果センサ64内でN極の割込みが発生し、第1のホール効果センサ64は高レベル信号などの第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、第2の磁石66によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ65の上面から第2のホール効果センサ65の作用面を通過し、第2のホール効果センサ65内でN極の割込みが発生し、第2のホール効果センサ65は高レベル信号などの第2の信号を出力する。
【０１３４】
保護ケース62がフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、第1の磁石63によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ64の第2の表面から第1のホール効果センサ64の作用面を通過し、第1のホール効果センサ64は第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、第2の磁石66によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ65の第2の表面から第2のホール効果センサ65の作用面を通過し、第2のホール効果センサ65は第4の信号を出力する。
【０１３５】
第1のホール効果センサ64の出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサ65の出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース62が展開状態からフリップアップ状態に変化したことを示す。この場合、端末61は第1の動作を実行することができる。
【０１３６】
第1のホール効果センサ64の出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサ65の出力信号が第4の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース62が展開状態からフリップバック状態に変化したことを示す。この場合、端末61は第2の動作を実行することができる。
【０１３７】
以下で、本発明の一実施形態における端末を記載する。
【０１３８】
端末はプロセッサおよびメモリを含んでもよい。図10を参照すると、図10は、本発明の一実施形態による第1の端末の概略構造図である。プロセッサ1010は、バス1030を使用してメモリ1020に接続される。メモリ1020はデータおよびプログラムコードを記憶するように構成され、プロセッサ1010はメモリ1020に記憶されたデータおよびプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップ
を実行するように構成される。
【０１３９】
場合によっては、プロセッサが、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行することは、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを含む。
【０１４０】
ホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式について、図11を参照すると、図11は、本発明の一実施形態による第2の端末の概略構造図である。端末は、第1のホール効果センサ1040および第2のホール効果センサ1050をさらに含み、プロセッサ1010は、バス1030を使用して第1のホール効果センサ1040および第2のホール効果センサ1050に接続される。
【０１４１】
ホール効果センサおよび磁石向けの第2、第3、第4、または第5の設定方式の場合、端末は、図10の端末のプロセッサ1010およびメモリ1020に加えて通信モジュールを含む。図12を参照すると、図12は、本発明の一実施形態による第3の端末の概略構造図である。プロセッサ1010は、バス1030を使用して通信モジュール1060に接続される。通信モジュール1060は、通信ピアエンド（たとえば、保護ケース）への通信接続を確立して、通信ピアエンドとの情報交換を実施するように構成される。ホール効果センサおよび磁石向けの第3の設定方式の場合、端末は第2のセンサをさらに含む。
【０１４２】
プロセッサ1010は、保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するようにさらに構成され、動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である。
【０１４３】
動作指示命令は、第1の動作指示命令、第2の動作指示命令、第3の動作指示命令などのうちの少なくとも1つを含んでもよいことを理解されたい。第1の動作指示指示は、第1の信号および第2の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用され、第2の動作指示指示は、第3の信号および第4の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用され、第3の動作指示指示は、第5の信号および第6の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用さる。
【０１４４】
保護ケースの構造、第1の信号、第2の信号、第3の信号、第4の信号、第1のホール効果センサ、第2のホール効果センサ、および磁石の間の相対的な位置関係の説明については、上記の実施形態における関連説明を参照されたい。詳細は本発明では再び記載されない。ホール効果センサおよび磁石向けの各設定方式に対応して、端末は磁石をさらに含んでもよい。
【０１４５】
メモリ1020は、コンピュータプログラムおよびモジュールを記憶するように構成されてもよく、メモリ1020は高速ランダムアクセスメモリを含んでもよく、少なくとも1つの磁気ディスクストレージデバイス、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリ、または別の揮発性半導体ストレージデバイスを含んでもよい。それに対応して、メモリ1020は、プロセッサ1010にアクセスを提供するためにメモリコントローラをさらに含んでもよい。
【０１４６】
通信モジュール1060は通信チャネルを確立するように構成され、その結果、端末は、通信チャネルを使用して通信ピアエンドに接続され、通信チャネルを使用して通信ピアエンドとデータを交換する。通信モジュール1060は、ブルートゥース（登録商標）（Bluetooth（登録商標））モジュール、NFC（Near Field Communication）モジュール、WiFi（Wireless−Fidelity）モジュールなどを含んでもよい。
【０１４７】
プロセッサ1010は、端末の制御センタであり、様々なインターフェースおよび回線を使用して端末全体のすべての部分に接続され、端末に対する全体的な監視を実行するために、メモリ1020に記憶されたコンピュータプログラムおよび／またはモジュールを起動または実行すること、ならびにメモリ1020に記憶されたデータを呼び出すことにより、端末の様々な機能およびデータ処理を実行する。場合によっては、プロセッサ1010は1つまたは複数の処理コアを含んでもよい。好ましくは、アプリケーションプロセッサおよびモデムプロセッサがプロセッサ1010に統合されてもよい。アプリケーションプロセッサは、主にオペレーティングシステム、ユーザインターフェース、アプリケーションプログラムなどを処理し、モデムプロセッサは、主にワイヤレス通信を処理する。モデムプロセッサは、代替として、プロセッサ1010に統合されなくてもよいことを理解されたい。
【０１４８】
ホール効果センサおよび磁石向けの設定方式に基づいて、端末は磁石をさらに含んでもよいことを理解されたい。場合によっては、磁石は、第1の磁石および第2の磁石などの複数のストリップ磁石を含んでもよい。
【０１４９】
本発明のこの実施形態における各命令の実施については、方法実施形態における関連説明を参照し、詳細は本発明では再び記載されないことに留意されたい。
【０１５０】
以下で、本発明の一実施形態における保護ケースを記載する。
【０１５１】
ホール効果センサおよび磁石向けの第1の設定方式の場合、保護ケースは端末に適合する保護ケースであり、端末と連携して端末制御方法を実行する。保護ケースの構成については、図4A、図4B、図4C、図5A、または図7に示された保護ケースを参照されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０１５２】
ホール効果センサおよび磁石向けの第2、第3、第4、または第5の設定方式について、図13を参照すると、図13は、本発明の一実施形態による保護ケースの概略構造図である。保護ケースは、プロセッサ1310、メモリ1320、第1のホール効果センサ1330、第2のホール効果センサ1340、および通信モジュール1350を含んでもよい。プロセッサ1310は、バス1360を使用して、メモリ1320、第1のホール効果センサ1330、第2のホール効果センサ1340、および通信モジュール1350に接続される。
【０１５３】
プロセッサ1310は、メモリに記憶されたデータおよびプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
通信モジュールを使用して、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するステップであって、動作指示命令が、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
を実行するように構成される。
【０１５４】
動作指示命令は、第1の動作指示命令、第2の動作指示命令、第3の動作指示命令などのうちの少なくとも1つを含んでもよいことを理解されたい。
【０１５５】
保護ケースの構造、第1の信号、第2の信号、第3の信号、第4の信号、第1のホール効果センサ、第2のホール効果センサ、および磁石の間の相対的な位置関係、第1の動作指示命令、第2の動作指示命令、第3の動作指示命令などの説明については、上記の実施形態における関連説明を参照されたい。詳細は本発明では再び記載されない。ホール効果センサおよび磁石向けの各設定方式に対応して、保護ケースは磁石をさらに含んでもよい。
【０１５６】
メモリ1320は、コンピュータプログラムおよびモジュールを記憶するように構成されてもよく、メモリ1320は高速ランダムアクセスメモリを含んでもよく、少なくとも1つの磁気ディスクストレージデバイス、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリ、または別の揮発性半導体ストレージデバイスを含んでもよい。それに対応して、メモリ1320は、プロセッサ1310にアクセスを提供するためにメモリコントローラをさらに含んでもよい。
【０１５７】
通信モジュール1350は通信チャネルを確立するように構成され、その結果、保護ケースは、通信チャネルを使用して通信ピアエンドに接続され、通信チャネルを使用して通信ピアエンドとデータを交換する。通信モジュール1350は、ブルートゥース（登録商標）（Bluetooth（登録商標））モジュール、NFC（Near Field Communication）モジュール、WiFi（Wireless−Fidelity）モジュールなどを含んでもよい。
【０１５８】
プロセッサ1310は、保護ケースの制御センタであり、様々なインターフェースおよび回線を使用して保護ケース全体のすべての部分に接続され、保護ケースに対する全体的な監視を実行するために、メモリ1320に記憶されたコンピュータプログラムおよび／またはモジュールを起動または実行すること、ならびにメモリ1320に記憶されたデータを呼び出すことにより、保護ケースの様々な機能およびデータ処理を実行する。場合によっては、プロセッサ1310は1つまたは複数の処理コアを含んでもよい。好ましくは、アプリケーションプロセッサおよびモデムプロセッサがプロセッサ1310に統合されてもよい。アプリケーションプロセッサは、主にオペレーティングシステム、ユーザインターフェース、アプリケーションプログラムなどを処理し、モデムプロセッサは、主にワイヤレス通信を処理する。モデムプロセッサは、代替として、プロセッサ1310に統合されなくてもよいことを理解されたい。
【０１５９】
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは、保護ケースにとって必須のユニットではないことに留意されたい。ホール効果センサおよび磁石向けの第3の設定方式の場合、保護ケースは第2のホール効果センサ1340を含まなくてもよい。ホール効果センサおよび磁石向けの設定方式に対基づいて、保護ケースは磁石をさらに含んでもよい。場合によっては、磁石は、第1の磁石および第2の磁石などの複数のストリップ磁石を含んでもよい。
【０１６０】
本発明のこの実施形態における各命令の実施については、方法実施形態における関連説明を参照し、詳細は本発明では再び記載されないことにさらに留意されたい。
【０１６１】
以下で、本発明の一実施形態において提供される別の端末を記載する。
【０１６２】
本発明のこの実施形態では、端末は裏返し可能端末であってもよい。図14および図15を参照すると、図14は、本発明の一実施形態による裏返し可能端末の概略構造図であり、図15は、本発明の一実施形態による裏返し可能端末の構造フレームワーク図である。本発明の実施形態において提供される端末制御方法も、裏返し可能端末に基づいて実施されてもよい。
【０１６３】
裏返し可能端末は、第1の筐体141、第2の筐体142、および第1の筐体141と第2の筐体142を連結するフリップシャフト143を含む。磁石144は第1の筐体141内に配置され、第1のホール効果センサ145および第2のホール効果センサ146は第2の筐体142内に配置される。制御装置147は第1の筐体141または第2の筐体142内に配置され、制御装置147はプロセッサ1471およびメモリ1472を含む。プロセッサ1471は、バス1473を使用して、第1のホール効果センサ145および第2のホール効果センサ146に接続される。
【０１６４】
保護ケースのフリップアップ状態と同様に、裏返し可能端末のフリップアップ状態は、裏返し可能端末の閉じた状態および裏返し可能端末の半分閉じた状態を含むことを理解されたい。裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、第1の筐体141の第1の表面が第2の筐体に貼り付くと想定され得る。
【０１６５】
図16Aを参照すると、図16Aは、本発明の一実施形態による、閉じた状態の裏返し可能端末の断面概略図である。裏返し可能端末の閉じた状態は、裏返し可能端末の第1の筐体141の第1の表面1411が第2の筐体142に貼り付く状態である。
【０１６６】
図16Bを参照すると、図16Bは、本発明の一実施形態による、半分閉じた状態の裏返し可能端末の断面概略図である。裏返し可能端末の半分閉じた状態は、裏返し可能端末の第1の筐体141の第1の表面1411と第2の筐体142が位置する面との間に第4の挟角1601が形成される状態であり、第4の挟角は第4の角度しきい値よりも小さい。第4の角度しきい値は、第1のホール効果センサが第1の信号を出力するようにトリガでき、第2のホール効果センサ146が第2の信号を出力するようにトリガできるときの最大挟角である。
【０１６７】
裏返し可能端末のフリップバック状態は、裏返し可能端末の裏返し状態および裏返し可能端末の半分裏返し状態を含むことを理解されたい。第1の筐体141の第1の表面1411および第1の筐体141の第2の表面1412は、互いに向かい合って配置された2つの表面である。
【０１６８】
図16Cを参照すると、図16Cは、本発明の一実施形態による、裏返し状態の裏返し可能端末の断面概略図である。裏返し可能端末の裏返し状態は、裏返し可能端末の第1の筐体141の第2の表面1412が第2の筐体142に貼り付く状態である。
【０１６９】
図16Dを参照すると、図16Dは、本発明の一実施形態による、半分裏返し状態の裏返し可能端末の断面概略図である。裏返し可能端末の半分裏返し状態は、裏返し可能端末の第1の筐体141の第2の表面1412と第2の筐体142が位置する面との間に第5の挟角1602が形成される状態であり、第5の挟角は第5の角度しきい値よりも小さい。場合によっては、第5の角度しきい値は、第1のホール効果センサ145が第3の信号を出力するようにトリガでき、第2のホール効果センサ146が第4の信号を出力するようにトリガできるときの最大挟角である。
【０１７０】
裏返し可能端末は、展開状態をさらに含むことを理解されたい。図16Eを参照すると、図16Eは、本発明の一実施形態による、展開状態の裏返し可能端末の断面概略図である。この場合、裏返し可能端末の第1の筐体141の第1の表面1411と第2の筐体142が位置する面との間に第6の挟角1603が形成され、第6の挟角1603は第4の角度しきい値よりも大きい。本発明の一実施形態では、第6の挟角1603は第4の角度しきい値よりも大きく、360°と第5の挟角との間の差よりも小さい。
【０１７１】
裏返し可能端末がフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石144によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサは第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石144によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ146の第1の表面から第2のホール効果センサ146の作用面を通過し、第2のホール効果センサ146は第2の信号を出力する。
【０１７２】
裏返し可能端末がフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石144によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサ145は第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石144によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ146の第2の表面から第2のホール効果センサ146の作用面を通過し、第2のホール効果センサ146は第4の信号を出力する。
【０１７３】
保護ケースが展開状態にあるとき、強度が第1の磁界強度未満であり、磁石144によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ145の第1の表面または第2の表面から第1のホール効果センサ145の作用面を通過し、第1のホール効果センサ145は第5の信号を出力し、強度が第2の磁界強度未満であり、磁石144によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ146の第1の表面または第2の表面から第2のホール効果センサ146の作用面を通過し、第2のホール効果センサ146は第6の信号を出力する。保護ケースが展開状態にあるとき、第1のホール効果センサ145に作用する磁界の強度は、第1の磁界強度未満であり、0であってもよく、第2のホール効果センサ146に作用する磁界の強度は、第2の磁界強度未満であり、0であってもよいことを理解されたい。
【０１７４】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの同じ表面であってもよく、表面は第1のホール効果センサの作用面と平行である第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの同じ表面であってもよく、表面は第2のホール効果センサの作用面と平行であるこの場合、第1の信号は第3の信号と同じであり、第1の信号は第5の信号とは異なり、第2の信号は第4の信号と同じであり、第2の信号は第6の信号とは異なる。
【０１７５】
この場合、磁石とホール効果センサとの間の相対的な位置関係は以下の通りであってもよい：保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と垂直である。
【０１７６】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサ145の第1の表面および第1のホール効果センサ145の第2の表面は、第1のホール効果センサ145の2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサ145の第1の表面と第1のホール効果センサ145の第2の表面の両方は、第1のホール効果センサ145の作用面と平行であり、第2のホール効果センサ146の第1の表面および第2のホール効果センサ146の第2の表面は、第2のホール効果センサ146の2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサ146の第1の表面と第2のホール効果センサ146の第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【０１７７】
この場合、磁石とホール効果センサとの間の相対的な位置関係は以下の通りであってもよい：保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と平行である。
【０１７８】
上記の実施形態では、端末の状態は、第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を使用して識別されてもよい。端末は、端末の識別された状態変化に基づいて様々な動作を実行することができる。
【０１７９】
本発明のこの実施形態では、プロセッサ1471は、バス1473を使用して、メモリ1472、第1のホール効果センサ145、および第2のホール効果センサ146に接続される。プロセッサ1471は、メモリ1472に記憶されたデータおよびプログラムコードを呼び出して、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップ
を実行するように構成される。
【０１８０】
場合によっては、プロセッサが、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行することは、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを含む。
【０１８１】
場合によっては、第1のホール効果センサ145の出力信号が第1の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサ146の出力信号が第2の信号から第6の信号に変化したことが検出されると、それは、裏返し可能端末がフリップアップ状態から展開状態に変化したことを示す。この場合、プロセッサ1471は第3の動作をさらに実行することができる。
【０１８２】
場合によっては、第1のホール効果センサ145の出力信号が第3の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサ146の出力信号が第4の信号から第6の信号に変化したことが検出されると、それは、裏返し可能端末がフリップバック状態から展開状態に変化したことを示す。この場合、プロセッサ1471は第4の動作をさらに実行することができる。
【０１８３】
本発明の一実施形態では、磁石144はストリップ磁石であってもよい。裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、磁石144のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサ145の作用面と第2のホール効果センサ146の作用面の両方と平行であり得、その結果、裏返し可能端末が閉じた状態にあるときと裏返し状態にあるときでは、ホール効果センサを通過する磁界の方向が異なり、それにより、裏返し可能端末の誤動作が回避される。
【０１８４】
裏返し可能端末には、裏返し可能モバイルコンピュータ、裏返し可能タブレットコンピュータ、裏返し可能携帯電話、裏返し可能携帯情報端末（Personal Digital Assistant、PDA）、裏返し可能メディアプレーヤなどが含まれてもよいが、それらに限定されないことに留意されたい。
【０１８５】
裏返し可能端末は、通信モジュール、入力装置、出力装置などをさらに含んでもよいことにさらに留意されたい。通信モジュールは、裏返し可能端末用の通信ピアエンドへの通信接続を確立するように構成され、入力装置は情報入力を実施するように構成される。入力装置は、入力されたデジタル情報または文字情報を受け取り、キーボード、マウス、ジョイスティック、光学装置、またはトラックボールの、ユーザ設定および機能制御に関連する信号入力を生成するように構成されてもよい。出力装置は、ユーザによって入力された情報またはユーザに提供される情報、および裏返し可能端末の様々なグラフィカルユーザインターフェース（たとえば、本発明の実施形態に記載される移動軌跡表示インターフェース）を表示するように構成されてもよい。これらのグラフィカルユーザインターフェースは、グラフィック、テキスト、アイコン、ビデオ、およびそれらの任意の組合せを含んでもよい。
【０１８６】
たとえば、裏返し可能端末にはノートブックコンピュータが含まれてもよく、第1の筐体141にはスクリーンが含まれてもよく、第2の筐体142にはノートブックコンピュータのホストが含まれてもよい。
【０１８７】
たとえば、裏返し可能端末は折り畳み式スクリーンを含んでもよい。折り畳み式スクリーンは、連結された第1のスクリーンおよび第2のスクリーンを含み、第1のスクリーンは裏返し可能端末の第1の筐体141内に配置されてもよく、第2のスクリーンは裏返し可能端末の第2の筐体142内に配置されてもよい。
【０１８８】
以下で、裏返し可能端末内の磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係、ならびに端末制御方法の原理を記載する。
【０１８９】
本発明の一実施形態では、裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面および／または第2のホール効果センサの作用面と垂直であり得る。裏返し可能端末の端末制御原理は、図4Aまたは図4Bに示された端末制御システムの端末制御原理と同様であり、詳細は本発明では再び記載されない。
【０１９０】
本発明の一実施形態では、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1の筐体が位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサの作用面および第2のホール効果センサの作用面は、第2の筐体が位置する面と平行であり得る。裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、第1の筐体141が位置する面は第2の筐体が位置する面と平行であり、第1のホール効果センサと第2の筐体が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第5の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサと第2の筐体が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第6の距離しきい値よりも大きい。第5の距離しきい値は、ホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力できるときの、第2の筐体が位置する面への磁石の投影と第1のホール効果センサとの間の最小距離である。第6の距離しきい値は、ホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力できるときの、第2の筐体が位置する面への磁石の投影と第2のホール効果センサとの間の最小距離である。第5の距離しきい値または第6の距離しきい値は、通常、0より大きい。第5の距離しきい値または第6の距離しきい値は、磁石の磁界強度の分布、およびホール効果センサのパラメータ、たとえば、材料のホール係数、材料の厚さ、および電流の強度に関連する。場合によっては、第5の距離しきい値または第6の距離しきい値により、裏返し可能端末が閉じた状態または裏返し状態にあるときに、ホール効果センサの作用面を通過する磁界の強度の値は、0．8mT〜3．4mT以上であり得る。
【０１９１】
図17Aおよび図17Bを参照すると、図17Aは、本発明の一実施形態による、閉じた状態の裏返し可能端末の第1の構造の断面概略図であり、図17Bは、本発明の一実施形態による、裏返し状態の裏返し可能端末の第1の構造の断面概略図である。裏返し可能端末は、第1の筐体171、第2の筐体172、および第1の筐体171と第2の筐体172を連結するフリップシャフト173を含む。磁石174は第1の筐体171上に配置され、磁石174のN極と磁石174のS極との間の接続線は、第1の筐体171が位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサ175および第2のホール効果センサ176は裏返し可能端末内に配置され、第1のホール効果センサ175の作用面と第2のホール効果センサ176の作用面の両方は、ベースプレート221が位置する面と平行である。第1のホール効果センサ175と第2の筐体172が位置する面への磁石の投影との間の距離d5は、第5の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサ176と第2の筐体172が位置する面への磁石の投影との間の距離d6は、第6の距離しきい値よりも大きい。
【０１９２】
本発明の一実施形態では、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1の筐体が位置する面と垂直であり得る。第1のホール効果センサの作用面および第2のホール効果センサの作用面は、第1の筐体が位置する面と垂直であり得る。裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、第1の筐体が位置する面は、第2の筐体が位置する面と平行である。第1のホール効果センサと第2の筐体が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第7の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサと第2の筐体が位置する面への磁石の投影との間の距離は、第8の距離しきい値よりも大きい。第7の距離しきい値は、ホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力できるときの、裏返し可能端末が位置する面への磁石の投影と第1のホール効果センサとの間の最小距離である。第8の距離しきい値は、ホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力できるときの、第2の筐体が位置する面への磁石の投影と第2のホール効果センサとの間の最小距離である。第7の距離しきい値または第8の距離しきい値は、通常、0より大きい。第7の距離しきい値または第8の距離しきい値は、磁石の磁界強度の分布、およびホール効果センサのパラメータ、たとえば、材料のホール係数、材料の厚さ、および電流の強度に関連する。場合によっては、第7の距離しきい値または第8の距離しきい値により、裏返し可能端末が閉じた状態または裏返し状態にあるときに、ホール効果センサの作用面を通過する磁界の強度の値は、0．8mT〜3．4mT以上であり得る。
【０１９３】
図18Aおよび図18Bを参照すると、図18Aは、本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が閉じた状態にあるときの裏返し可能端末の第2の構造の断面概略図であり、図18Bは、本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が裏返し状態にあるときの裏返し可能端末の第2の構造の断面概略図である。裏返し可能端末は、第1の筐体181、第2の筐体182、および第1の筐体181と第2の筐体182を連結するフリップシャフト183を含む。磁石184は第1の筐体181上に配置され、磁石184のN極と磁石184のS極との間の接続線は、第1の筐体181が位置する面と垂直であり得る。第1のホール効果センサ185および第2のホール効果センサ186は第2の筐体182内に配置され、第1のホール効果センサ185の作用面と第2のホール効果センサ186の作用面の両方は、第2の筐体182が位置する面と垂直である。第1のホール効果センサ185と第2の筐体182が位置する面への磁石の投影との間の距離d7は、第7の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサ186と第2の筐体182が位置する面への磁石の投影との間の距離d8は、第8の距離しきい値よりも大きい。
【０１９４】
裏返し可能端末がフリップアップ状態にあるとき、図17Aまたは図18Aに示されたように、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第1の表面（図17Aの第1のホール効果センサ175の上面および図18Aの第1のホール効果センサ185の右面）から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサ内でN極の割込みが発生し、第1のホール効果センサは高レベル信号などの第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサの第1の表面（図17Aの第2のホール効果センサ176の下面および図18Aの第2のホール効果センサ186の左面）から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサ内でS極の割込みが発生し、第2のホール効果センサは低レベル信号などの第2の信号を出力する。
【０１９５】
裏返し可能端末がフリップバック状態にあるとき、図17Bまたは図18Bに示されたように、強度が第1の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサの第2の表面（図17Aの第1のホール効果センサ175の下面および図18Aの第1のホール効果センサ185の左面）から第1のホール効果センサの作用面を通過し、第1のホール効果センサ内でS極の割込みが発生し、第1のホール効果センサは低レベル信号などの第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ146の第2の表面（図17Aの第2のホール効果センサ176の上面および図18Aの第2のホール効果センサ186の右面）から第2のホール効果センサの作用面を通過し、第2のホール効果センサ内でN極の割込みが発生し、第2のホール効果センサは高レベル信号などの第4の信号を出力する。
【０１９６】
第1のホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力することができ、第2のホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力することができるとき、第1のホール効果センサの作用面および／もしくは第2のホール効果センサの作用面と第2の筐体が位置する面との間に角度が形成されてもよく、かつ／または磁石のN極と磁石のS極との間の接続線と第1の筐体が位置する面との間に角度が形成され、その結果、裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、第1のホール効果センサの作用面および／または第2のホール効果センサの作用面と磁石のN極と磁石のS極の間の接続線との間に角度が形成されることに留意されたい。
【０１９７】
本発明の一実施形態では、裏返し可能端末は、第1の磁石および第2の磁石などの複数の磁石を含んでもよい。第1の磁石は主に第1のホール効果センサに作用し、第2の磁石は主に第2のホール効果センサに作用する。図19Aおよび図19Bを参照すると、図19Aは、本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が閉じた状態にあるときの裏返し可能端末の第3の構造の断面概略図であり、図19Bは、本発明の一実施形態による、裏返し可能端末が裏返し状態にあるときの裏返し可能端末の第3の構造の断面概略図である。裏返し可能端末は、第1の筐体191、第2の筐体192、および第1の筐体191と第2の筐体192を連結するフリップシャフト193を含む。第1の磁石1941および第2の磁石1942は第1の筐体191内に配置され、第1の磁石1941のN極と第1の磁石1941のS極との間の接続線と、第2の磁石1942のN極と第2の磁石1942のS極との間の接続線の両方は、第2の筐体192が位置する面と平行であり得る。第1のホール効果センサ195および第2のホール効果センサ196は第2の筐体192内に配置され、第1のホール効果センサ195の作用面と第2のホール効果センサ196の作用面の両方は、第2の筐体192が位置する面と平行である。第1のホール効果センサ195と第2の筐体192が位置する面への第1の磁石1941の投影との間の距離d5は、第5の距離しきい値よりも大きく、第2のホール効果センサ196と第2の筐体192が位置する面への第2の磁石1942の投影との間の距離d6は、第6の距離しきい値よりも大きい。第5の距離しきい値または第6の距離しきい値の説明については、上記の実施形態における関連説明を参照されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０１９８】
裏返し可能端末がフリップアップ状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、第1の磁石1941によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ195の第1の表面（上面）から第1のホール効果センサ195の作用面を通過し、第1のホール効果センサ195内でN極の割込みが発生し、第1のホール効果センサ195は高レベル信号などの第1の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、第2の磁石1942によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ196の第1の表面（下面）から第2のホール効果センサ196の作用面を通過し、第1のホール効果センサ195内でS極の割込みが発生し、第2のホール効果センサ196は低レベル信号などの第2の信号を出力する。
【０１９９】
裏返し可能端末がフリップバック状態にあるとき、強度が第1の磁界強度以上であり、第1の磁石によって発生する磁界は、第1のホール効果センサ195の第2の表面（下面）から第1のホール効果センサ195の作用面を通過し、第1のホール効果センサ195内でS極の割込みが発生し、第1のホール効果センサ195は低レベル信号などの第3の信号を出力し、強度が第2の磁界強度以上であり、第2の磁石によって発生する磁界は、第2のホール効果センサ196の第2の表面（上面）から第2のホール効果センサ196の作用面を通過し、第2のホール効果センサ196内でN極の割込みが発生し、第2のホール効果センサ196は高レベル信号などの第4の信号を出力する。
【０２００】
第1の磁石のN極と第1の磁石のS極との間の接続線と、第2の磁石のN極と第2の磁石のS極との間の接続線の両方は、第1の筐体が位置する面と垂直であり得、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方は、第2の筐体が位置する面と垂直である。
【０２０１】
第1のホール効果センサが第1の信号および第3の信号を出力することができ、第2のホール効果センサが第2の信号および第4の信号を出力することができるとき、第1のホール効果センサの作用面および／もしくは第2のホール効果センサの作用面と第2の筐体が位置する面との間に角度が形成されてもよく、かつ／または第1の磁石のN極と第1の磁石のS極との間の接続線および／もしくは第1の磁石のN極と第1の磁石のS極との間の接続線と第1の筐体が位置する面との間に角度が形成され、その結果、裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、第1のホール効果センサの作用面と第1の磁石のN極と第1の磁石のS極との間の接続線との間に角度が形成され、かつ／または第2のホール効果センサの作用面と第2の磁石のN極と第2の磁石のS極との間の接続線との間に角度が形成されることにさらに留意されたい。
【０２０２】
図20を参照すると、図20は、本発明の一実施形態による、端末制御方法の概略フローチャートである。端末制御方法は、図1に示された端末制御システムに基づいて実施されてもよく、図14に示された裏返し可能端末のみに基づいて実施されてもよい。端末制御方法は、端末により、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップを含んでもよい。
【０２０３】
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界である。
【０２０４】
端末は、端末制御システム内の端末であってもよく、裏返し可能端末であってもよい。
【０２０５】
具体的には、第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するステップの実装形態は、以下のステップのうちの少なくとも1つを含む。
【０２０６】
ステップS201：第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行する。
【０２０７】
ステップS202：第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行する。
【０２０８】
ステップS203：第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行する。
【０２０９】
第1の信号、第2の信号、第3の信号、第4の信号、第5の信号、第6の信号、磁石の相対位置、第1のホール効果センサ、第2のホール効果センサなどの説明については、上記の実施形態における関連説明を参照することに留意されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０２１０】
本発明の一実施形態では、保護ケースまたは裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と垂直である。この場合、端末は保護ケースのフリップアップ状態またはフリップバック状態を識別することができず、裏返し可能端末は裏返し可能端末のフリップアップ状態またはフリップバック状態を識別することができない。
【０２１１】
この場合、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態からフリップアップ状態に変化したことを示す。この場合、端末21は画面オフ動作などの第1の動作を実行することができる。
【０２１２】
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケース22が展開状態に変化したことを示す。この場合、端末21は画面起動動作などの第2の動作を実行することができる。
【０２１３】
本発明の一実施形態では、保護ケースまたは裏返し可能端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極とS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と第2のホール効果センサの作用面の両方と平行である。第1の信号と第3の信号は反対の極性を有し、第1の信号と第3の信号の両方は第5の信号とは異なり、第2の信号と第4の信号は反対の極性を有し、第2の信号と第4の信号の両方は第6の信号とは異なる。
【０２１４】
この場合、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケースまたは裏返し可能端末の状態がフリップアップ状態に変化したことを示す。この場合、端末または裏返し可能端末は第1の動作を実行することができる。第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケースまたは裏返し可能端末の状態がフリップバック状態に変化したことを示す。この場合、端末または裏返し可能端末は第2の動作を実行することができる。
【０２１５】
この場合、端末は保護ケースのフリップアップ状態もしくはフリップバック状態を識別することができ、または裏返し可能端末は裏返し可能端末のフリップアップ状態もしくはフリップバック状態を識別することができる。
【０２１６】
場合によっては、ステップS203の実装形態は、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号から第6の信号変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップを含んでもよい。
【０２１７】
場合によっては、ステップS203の実装形態は、第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号から第6の信号に変化したことが検出されると、それは、保護ケースまたは裏返し可能端末がフリップバック状態から展開状態に変化したことを示すことをさらに含んでもよい。この場合、端末または裏返し可能端末は第4の動作を実行することができる。
【０２１８】
ステップS201、ステップS202、およびステップS203は、任意の順序で実行されてもよいことを理解されたい。
【０２１９】
裏返し可能端末の場合、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサはすべて裏返し可能端末内に配置され、裏返し可能端末は、第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果の出力信号を検出し、端末は、出力信号の変化状態に基づいて、対応する動作を実行するように制御される。
【０２２０】
保護ケースおよび端末を含む端末制御システムの場合、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサ向けの位置設定方式は、ホール効果センサおよび磁石の第1〜第5の設定方式のうちのいずれか1つを含んでもよい。ホール効果センサおよび磁石向けの任意の他の設定方式では、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの間の相対的な位置関係については、図4A、図4B、図4C、図4D、図5A、図5B、図6、および図7における相対的な位置関係についての任意の設定方式を参照されたく、詳細は本発明では再び記載されない。
【０２２１】
第1のホール効果センサおよび／または第2のホール効果センサが端末上に配置されると、端末は、第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果の出力信号を検出し、端末は、出力信号の変化状態に基づいて、対応する動作を実行するように制御される。
【０２２２】
第1のホール効果センサおよび／または第2のホール効果センサが保護ケース内に配置されると、保護ケースは、第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を検出する。端末は、保護ケースによって検出された、第1のホール効果センサおよび／または第2のホール効果センサの信号の変化状態を取得するように、保護ケースと情報を交換する必要がある。
【０２２３】
具体的には、保護ケースは、端末に動作指示指示を送信することができる。動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である。端末は、操作指示指示を受信し、動作指示指示に従って対象動作を実行する。
【０２２４】
動作指示命令は、上記の実施形態における第1の動作指示命令、第2の動作指示命令、第3の動作指示命令などを含んでもよいが、それらに限定されず、それに対応して、対象動作は、第1の動作、第2の動作、第3の動作などを含むが、それらに限定されないことを理解されたい。各動作命令の説明については、上記の実施形態における関連説明を参照されたく、詳細は本発明では再び記載されない。
【０２２５】
たとえば、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケース内に配置される。図21を参照すると、図21は、本発明の一実施形態による、別の端末制御方法の概略フローチャートである。端末制御方法は以下のステップを含む。
【０２２６】
ステップS211：保護ケースが第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を検出する。
【０２２７】
ステップS212：第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースが端末に第1の動作指示命令を送信する。
【０２２８】
第1の動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの信号が第2の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用される。
【０２２９】
ステップS213：端末が第1の動作指示命令を受信する。
【０２３０】
ステップS214：端末が第1の動作指示命令に従って第1の動作を実行する。
【０２３１】
場合によっては、第1の動作指示命令はまた、第1の信号および第2の信号を含んでもよい。端末は、第1の信号および第2の信号に基づいて、保護ケースの状態がフリップアップ状態に変化したことを識別して、第1の動作を実行することができる。
【０２３２】
ステップS215：第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースが端末に第1の動作指示命令を送信する。
【０２３３】
第2の動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの信号が第4の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用される。
【０２３４】
ステップS216：端末が第2の動作指示命令を受信する。
【０２３５】
ステップS217：端末が第2の動作指示命令に従って第2の動作を実行する。
【０２３６】
場合によっては、第2の動作指示命令はまた、第3の信号および第4の信号を含んでもよい。端末は、第3の信号および第4の信号に基づいて、保護ケースの状態がフリップバック状態に変化したことを識別して、第2の動作を実行することができる。
【０２３７】
本発明の一実施形態では、保護ケースは、第1のホール効果センサの検出された信号および第2のホール効果センサの検出された信号をリアルタイムで端末に送信し、端末は、第1のホール効果センサの受信された出力信号および第2のホール効果センサの受信された出力信号に基づいて、保護ケースの状態変化を検出する。第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化すると、端末は、保護ケースの状態がフリップアップ状態に変化したことを検出し、第1の動作を実行する。第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化すると、端末は、保護ケースの状態がフリップバック状態に変化したことを検出し、第2の動作を実行する。
【０２３８】
ステップS212およびステップS215は任意の順序で実行されてもよいことに留意されたい。
【０２３９】
本発明の一実施形態では、方法は、
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースにより、端末に第3の動作指示命令を送信するステップと、
端末により、第3の動作指示命令を受信するステップと、
端末により、第3の動作指示命令に従って第3の動作を実行するステップと
をさらに含む。
【０２４０】
第3の動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの信号が第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される。
【０２４１】
場合によっては、第3の動作指示命令はまた、第5の信号および第6の信号を含んでもよい。端末は、第5の信号および第6の信号に基づいて、保護ケースの状態が展開状態に変化したことを識別して、第3の動作を実行することができる。
【０２４２】
本発明の一実施形態では、方法は、
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号から第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースにより、端末に第3の動作指示命令を送信するステップと、
端末により、第3の動作指示命令を受信するステップと、
端末により、第3の動作指示命令に従って第3の動作を実行するステップと
をさらに含む。
【０２４３】
第3の動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号から第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される。
【０２４４】
場合によっては、第3の動作指示命令はまた、第1の信号、第2の信号、第5の信号、および第6の信号を含んでもよい。端末は、第1の信号、第2の信号、第5の信号、および第6の信号に基づいて、保護ケースの状態がフリップアップ状態から展開状態に変化したことを識別して、第3の動作を実行することができる。
【０２４５】
本発明の一実施形態では、方法は、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号から第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースにより、端末に第4の動作指示命令を送信するステップと、
端末により、第4の動作指示命令を受信するステップと、
端末により、第4の動作指示命令に従って第4の動作を実行するステップと
をさらに含む。
【０２４６】
第4の動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号から第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号から第6の信号に変化したことを保護ケースが検出すると、保護ケースによって生成され、第4の動作を実行するように端末に指示するために使用される。
【０２４７】
場合によっては、第4の動作指示命令はまた、第3の信号、第4の信号、第5の信号、および第6の信号を含んでもよい。端末は、第3の信号、第4の信号、第5の信号、および第6の信号に基づいて、保護ケースの状態がフリップバック状態から展開状態に変化したことを識別して、第4の動作を実行することができる。
【０２４８】
ホール効果センサの作用面、各信号、第1の磁界強度、第2の磁界強度、フリップアップ状態、フリップバック状態、展開状態などについては、上記の実施形態における関連説明を参照することに留意されたい。詳細は本発明では再び記載されない。
【０２４９】
本出願の方法実施形態では、第1の動作、第2の動作、第3の動作、および第4の動作は同じであっても異なっていてもよく、これは本発明では限定されないことにさらに留意されたい。
【０２５０】
場合によっては、端末はスクリーンを含んでもよい。第1の動作は画面オフ動作であってもよいし、第2の動作は画面起動動作もしくは無動作であってもよく、または第1の動作が画面ロック動作であってもよいし、第2の動作は、ロック解除動作、ロック解除インターフェースに入る動作、無動作などであってもよく、または第1の動作は、指定されたアプリケーションを閉じる動作であってもよいし、第2の動作は、指定されたアプリケーションを開く動作であってもよく、たとえば、第1の動作はFacebookを終了する動作であり、第2の動作はFacebookにログインする動作であり、または第1の動作は電源オフ動作であってもよいし、第2の動作は電源オン動作であってもよく、または着呼があったとき、第1の動作は現在の着呼に対して電話を切る動作であってもよいし、第2の動作は現在の着呼に応答する動作であってもよく、または現在の表示インターフェースがビデオアプリケーションの表示インターフェースであるとき、第1の動作は現在表示中のビデオを中断する動作であってもよいし、第2の動作は現在表示中のビデオを再生する動作であってもよい。あるいは、第1の動作および第2の動作は他の動作であってもよく、これは本発明では限定されない。
【０２５１】
場合によっては、ユーザは端末上で第3の動作または第4の動作に対して固有の動作を設定する。たとえば、第3の動作は、画面起動動作、ロック解除動作、ロック解除インターフェースに入る動作、指定されたアプリケーションを開く動作、または画面の明るさを増やす動作であり、第4の動作は、画面オフ動作、画面ロック動作、指定されたアプリケーションを閉じる動作、または画面の明るさを減らす動作である。あるいは、第3の動作または第4動作は別の動作であってもよく、これは本発明では限定されない。
【０２５２】
本発明のこの実施形態では、第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことが検出されると、端末は第1の動作を実行し、または第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことが検出されると、端末は第2の動作を実行する。端末は、磁石の位置が2つのホール効果センサのための応答要件を満たすときのみ制御され得る。このようにして、端末制御はより正確になる。
【０２５３】
加えて、本発明のこの実施形態では、第1の信号および第3の信号が反対の極性を有し、第2の信号および第4の信号が反対の極性を有するように、磁石、第1のホール効果センサ、および第2のホール効果センサの位置が設定され、それにより、端末の誤動作が回避され、ユーザ体験が向上する。
【０２５４】
図22を参照すると、図22は、本発明の一実施形態による第4の端末の概略構造図である。端末は、
第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化を検出するように構成された検出ユニット2210と、
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して対象動作を実行するように構成された処理ユニット2220と
を含んでもよく、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界である。
【０２５５】
本発明の一実施形態では、処理ユニット2220は、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して第1の動作を実行するステップ、
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して第2の動作を実行するステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して第3の動作を実行するステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【０２５６】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【０２５７】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケース内に配置され、
端末は、保護ケースによって送信された動作指示命令を受信するように構成された受信ユニットであって、動作指示命令は、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、端末に送信され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される命令である、受信ユニットをさらに含む。
【０２５８】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは保護ケースのフリッププレート上に配置され、ストリップ磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、またはストリップ磁石は保護ケースのフリッププレート上に配置され、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置される。
【０２５９】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、端末は、第1の筐体、第2の筐体、および第1の筐体と第2の筐体を連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは第1の筐体内に配置され、ストリップ磁石は第2の筐体内に配置される。
【０２６０】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
端末が閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【０２６１】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【０２６２】
図23を参照すると、図23は、本発明の一実施形態による、別の保護ケースの概略構造図である。保護ケースは、
第1のホール効果センサの出力信号および第2のホール効果センサの出力信号を検出するように構成された検出ユニット2310と、
第1のホール効果センサの出力信号が変化し、第2のホール効果センサの出力信号が変化したことを検出する動作に応答して、端末に動作指示命令を送信するように構成された送信ユニット2320であって、動作指示命令が、第1のホール効果センサの出力信号の変化および第2のホール効果センサの出力信号の変化に基づいて保護ケースによって生成され、対象動作を実行するように端末に指示するために使用される、送信ユニット2320と
を含み、
第1のホール効果センサおよび第1のホール効果センサは、磁界を検知することによって信号を出力し、
磁界は、端末に内蔵された磁石によって発生する磁界、または端末の保護ケースに内蔵された磁石によって発生する磁界であり、第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサは、保護ケース内に配置される。
【０２６３】
本発明の一実施形態では、送信ユニット2320は、具体的に、以下のステップ：
第1のホール効果センサの出力信号が第1の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第2の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第1の動作指示命令を送信するステップであって、第1の動作指示命令が、第1の信号および第2の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第1の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
第1のホール効果センサの出力信号が第3の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第4の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第2の動作指示命令を送信するステップであって、第2の動作指示命令が、第3の信号および第4の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第2の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ、および
第1のホール効果センサの出力信号が第5の信号に変化し、第2のホール効果センサの出力信号が第6の信号に変化したことを検出する動作に応答して、端末に第3の動作指示命令を送信するステップであって、第3の動作指示命令が、第5の信号および第6の信号に基づいて保護ケースによって生成され、第3の動作を実行するように端末に指示するために使用される、ステップ
のうちの少なくとも1つを実行するように構成され、
第1の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第1の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第2の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第1の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第3の信号は、強度が第1の磁界強度以上の磁界が第1のホール効果センサの第2の表面から第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第4の信号は、強度が第2の磁界強度以上の磁界が第2のホール効果センサの第2の表面から第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号であり、
第5の信号は、強度が第1の磁界強度未満の磁界が第1のホール効果センサの作用面を通過するときに、第1のホール効果センサによって出力される電気信号であり、第6の信号は、強度が第2の磁界強度未満の磁界が第2のホール効果センサの作用面を通過するときに、第2のホール効果センサによって出力される電気信号である。
【０２６４】
本発明の一実施形態では、第1のホール効果センサの第1の表面および第1のホール効果センサの第2の表面は、第1のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第1のホール効果センサの第1の表面と第1のホール効果センサの第2の表面の両方は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、
第2のホール効果センサの第1の表面および第2のホール効果センサの第2の表面は、第2のホール効果センサの2つの向かい合う表面であり、第2のホール効果センサの第1の表面と第2のホール効果センサの第2の表面の両方は、ホール効果センサの作用面と平行である。
【０２６５】
本発明の一実施形態では、保護ケースは、端末を固定するために使用されるベースプレートおよびフリッププレート、ならびにベースプレートとフリッププレートを連結するフリップシャフトを含み、
第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはフリッププレート上に配置され、磁石は端末もしくは保護ケースのベースプレート上に配置され、または第1のホール効果センサおよび第2のホール効果センサはベースプレート上に配置され、磁石はフリッププレート上に配置される。
【０２６６】
本発明の一実施形態では、磁石はストリップ磁石であり、第1のホール効果センサの作用面は第2のホール効果センサの作用面と平行であり、
保護ケースが閉じた状態にあるとき、磁石のN極と磁石のS極との間の接続線は、第1のホール効果センサの作用面と平行であり、第1のホール効果センサまたは第2のホール効果センサと、第1のホール効果センサの作用面が位置する面へのストリップ磁石の投影との間の距離は、第1の距離しきい値より大きい。
【０２６７】
本発明の一実施形態では、磁石は第1の磁石および第2の磁石を含み、第1の磁石は、強度が第1の磁界強度以上の磁界を発生させ、第2の磁石は、強度が第2の磁界強度以上の磁界を発生させる。
【０２６８】
本発明の実施形態において使用される技術用語は、具体的な実施形態を記載するために使用されるにすぎず、本発明を限定するものではない。本明細書では、単数形「1つ」、「これ」、および「その」は、明確に文脈において他に規定されていない限り、複数形を含むものである。さらに、本明細書で使用される「含む」および／または「含んでいる」という用語は、特徴、全体、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を指すが、1つまたは複数の他の特徴、全体、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在または追加を排除しない。
【０２６９】
添付の特許請求の範囲では、すべての装置またはステップおよび機能要素の対応する構造、材料、動作、および（もしあれば）等価な形態は、他の明示的に必要な要素を参照して機能を実行するために使用されるあらゆる構造、材料、または動作を含むものである。本発明の説明は、実施形態および説明の目的のために与えられるが、網羅的であるか、または本発明を開示された形態に限定するものではない。
【符号の説明】
【０２７０】
21  端末
22  保護ケース
41  端末
42  保護ケース
43  磁石
44  第1のホール効果センサ
45  第2のホール効果センサ
51  端末
52  保護ケース
53  磁石
61  端末
62  保護ケース
63  第1の磁石
64  第1のホール効果センサ
65  第2のホール効果センサ
66  第2の磁石
71  端末
72  保護ケース
73  第1の磁石
74  第1のホール効果センサ
75  第2のホール効果センサ
76  第2の磁石
101  ホール効果センサ
102  第1の出力端
103  第2の出力端
104  プロセッサ
141  第1の筐体
142  第2の筐体
143  フリップシャフト
144  磁石
145  第1のホール効果センサ
146  第2のホール効果センサ
147  制御装置
171  第1の筐体
172  第2の筐体
173  フリップシャフト
174  磁石
175  第1のホール効果センサ
176  第2のホール効果センサ
181  第1の筐体
182  第2の筐体
183  フリップシャフト
184  磁石
185  第1のホール効果センサ
186  第2のホール効果センサ
191  第1の筐体
192  第2の筐体
193  フリップシャフト
195  第1のホール効果センサ
196  第2のホール効果センサ
221  ベースプレート
222  フリッププレート
223  フリップシャフト
301  第1の挟角
302  第2の挟角
303  第3の挟角
401  第1のホール効果センサ
402  第2のホール効果センサ
421  ベースプレート
422  フリッププレート
431  第1の磁石
432  第2の磁石
501  第1のホール効果センサ
502  第2のホール効果センサ
521  ベースプレート
522  フリッププレート
621  ベースプレート
622  フリッププレート
721  ベースプレート
722  フリッププレート
1010  プロセッサ
1011  第1の表面（上面）
1012  第2の表面（下面）
1020  メモリ
1030  バス
1040  第1のホール効果センサ
1050  第2のホール効果センサ
1060  通信モジュール
1310  プロセッサ
1320  メモリ
1330  第1のホール効果センサ
1340  第2のホール効果センサ
1350  通信モジュール
1360  バス
1411  第1の表面
1412  第2の表面
1471  プロセッサ
1472  メモリ
1473  バス
1601  第4の挟角
1602  第5の挟角
1603  第6の挟角
1941  第1の磁石
1942  第2の磁石
2210  検出ユニット
2220  処理ユニット
2310  検出ユニット
2320  送信ユニット
【図１】
0006858255.tif 000002
【図２】
0006858255.tif 000003
【図３Ａ】
0006858255.tif 000004
【図３Ｂ】
0006858255.tif 000005
【図３Ｃ】
0006858255.tif 000006
【図３Ｄ】
0006858255.tif 000007
【図３Ｅ】
0006858255.tif 000008
【図４Ａ】
0006858255.tif 000009
【図４Ｂ】
0006858255.tif 000010
【図４Ｃ】
0006858255.tif 000011
【図４Ｄ】
0006858255.tif 000012
【図５Ａ】
0006858255.tif 000013
【図５Ｂ】
0006858255.tif 000014
【図６】
0006858255.tif 000015
【図７】
0006858255.tif 000016
【図８Ａ】
0006858255.tif 000017
【図８Ｂ】
0006858255.tif 000018
【図９Ａ】
0006858255.tif 000019
【図９Ｂ】
0006858255.tif 000020
【図１０】
0006858255.tif 000021
【図１１】
0006858255.tif 000022
【図１２】
0006858255.tif 000023
【図１３】
0006858255.tif 000024
【図１４】
0006858255.tif 000025
【図１５】
0006858255.tif 000026
【図１６Ａ】
0006858255.tif 000027
【図１６Ｂ】
0006858255.tif 000028
【図１６Ｃ】
0006858255.tif 000029
【図１６Ｄ】
0006858255.tif 000030
【図１６Ｅ】
0006858255.tif 000031
【図１７Ａ】
0006858255.tif 000032
【図１７Ｂ】
0006858255.tif 000033
【図１８Ａ】
0006858255.tif 000034
【図１８Ｂ】
0006858255.tif 000035
【図１９Ａ】
0006858255.tif 000036
【図１９Ｂ】
0006858255.tif 000037
【図２０】
0006858255.tif 000038
【図２１】
0006858255.tif 000039
【図２２】
0006858255.tif 000040
【図２３】
0006858255.tif 000041