(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層と、
前記半導体層上に形成されたＳｉＣ層と、
前記ＳｉＣ層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成されたシード層であり、ダイヤモンド粒子を含むシード層と、
前記シード層上に形成されたダイヤモンド層と、
を有するウエハ。
【請求項２】
前記ＳｉＣ層は立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項１に記載のウエハ。
【請求項３】
ウエハを形成する方法であって、
シリコン基板上にＳｉＣ層を形成し、
前記ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、
前記シリコン基板を除去して前記ＳｉＣ層の表面を露出させ、
露出された前記ＳｉＣ層の前記表面上に中間層を形成し、
前記中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、
前記シード層上にダイヤモンド層を成長させる、
ことを有する方法。
【請求項４】
前記ＳｉＣ層は立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記シード層を形成する工程は、前記ダイヤモンド粒子を前記中間層に付着させることを含み、前記ダイヤモンド粒子は、前記ダイヤモンド層を成長させるためのシード粒子として作用する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
ウエハを形成する方法であって、
シリコン基板上にＳｉＣ層を形成し、
前記ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、
前記シリコン基板及び前記ＳｉＣ層を除去して前記半導体層の表面を露出させ、
露出された前記半導体層の前記表面上に中間層を形成し、
前記中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、
前記シード層上にダイヤモンド層を成長させる、
ことを有する方法。
【請求項７】
前記ＳｉＣ層は立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記シード層を形成する工程は、前記ダイヤモンド粒子を前記中間層に付着させることを含み、前記ダイヤモンド粒子は、前記ダイヤモンド層を成長させるためのシード粒子として作用する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成されたシード層であり、ダイヤモンド粒子を含むシード層と、
前記シード層上に形成されたダイヤモンド層と、
前記ダイヤモンド層上に形成されたＳｉＣ層と、
前記ＳｉＣ層上に形成された、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層と、
を有するウエハ。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ層は立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項９に記載のウエハ。
【請求項１１】
ウエハを形成する方法であって、
シリコン基板上に中間層を形成し、
前記中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、
前記シード層上にダイヤモンド層を成長させ、
前記ダイヤモンド層上にＳｉＣ層を形成し、
前記ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、
前記シリコン基板、前記シード層及び前記中間層を除去する、
ことを有する方法。
【請求項１２】
前記ＳｉＣ層は立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン基板、前記シード層及び前記中間層を除去する工程に先立って、前記半導体層に１つ以上の電子部品を形成する、ことを更に有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ダイヤモンド層は配向結晶構造を持つ、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
ウエハを形成する方法であって、
シリコン基板上に第１のＳｉＣ層を形成し、
前記第１のＳｉＣ層の表面を炭化し、
炭化した前記第１のＳｉＣ層の前記表面上にダイヤモンド層を成長させ、
前記ダイヤモンド層上に第２のＳｉＣ層を形成し、
前記第２のＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、
前記シリコン基板及び前記第１のＳｉＣ層を除去する、
ことを有する方法。
【請求項１６】
前記第１のＳｉＣ層及び前記第２のＳｉＣ層のうちの少なくとも一方が立方晶系炭化ケイ素を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
当該方法は更に、前記第２のＳｉＣ層を形成する工程に先立って、前記ダイヤモンド層の表面を研磨することを有し、前記第２のＳｉＣ層は、研磨された前記ダイヤモンド層の前記表面上に形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記シリコン基板及び前記第１のＳｉＣ層を除去する工程に先立って、前記半導体層に１つ以上の電子部品を形成する、ことを更に有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記ダイヤモンド層は配向結晶構造を持つ、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに関し、より具体的には、ダイヤモンド層とＩＩＩ族窒化物半導体材料を含む半導体層とを有するウエハ、及び該ウエハを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）又はＡｌＧａＮ又はＡｌＮは、それを例えば高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの無線周波数（ＲＦ）デバイスに高度に適したものにする電気的及び物理的な特性を持つ。一般に、ＲＦデバイスは、動作中に大量の熱エネルギーを生成し、デバイス故障を回避するためにデバイスから熱エネルギーを取り出すための機構を必要とする。ダイヤモンドは、良好な熱伝導率を有することが知られているとともに、その上にＡｌＧａＮ／ＧａＮ層が形成される基板用の材料として使用されることができる。
【０００３】
ダイヤモンド層上にＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ層を形成するための１つの従来アプローチは、シリコン基板上に直にＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ層を堆積させ、シリコン基板を除去し、そして、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ層上にダイヤモンド層を形成するものである。このアプローチは、その低い製造コストに関して魅力的である。また、シリコンの材料特性は、低い表面ラフネスを有する大きいシリコンウエハを生産することを可能にし、それがひいては、大きいＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴウエハを生産することを可能にする。加えて、シリコン基板は、従来のウエハ処理技術によって比較的容易に除去されることができる。しかしながら、ＡｌＧａＮ／ＧａＮとシリコンとの間の大きい格子不整合のために、シリコン基板上に直に高品質ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層を成長させることには依然として難しさが存在する。従って、高められた材料特性を持つダイヤモンド層及びＡｌＧａＮ／ＧａＮ層を有するウエハを製造するための方法が望まれる。
【発明の概要】
【０００４】
実施形態において、ウエハは、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層と、該半導体層上に形成されたＳｉＣ層と、ＳｉＣ層上に形成された中間層と、中間層上に形成され、ダイヤモンド粒子を含むシード層と、シード層上に形成されたダイヤモンド層とを含む。
【０００５】
実施形態において、ウエハを形成する方法は、シリコン基板上にＳｉＣ層を形成し、ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、シリコン基板を除去してＳｉＣ層の表面を露出させ、露出されたＳｉＣ層の表面上に中間層を形成し、中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、シード層上にダイヤモンド層を成長させることを含む。
【０００６】
実施形態において、ウエハは、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層と、該半導体層上に形成された中間層と、中間層上に形成され、ダイヤモンド粒子を含むシード層と、シード層上に形成されたダイヤモンド層とを含む。
【０００７】
実施形態において、ウエハを形成する方法は、シリコン基板上にＳｉＣ層を形成し、ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、シリコン基板及びＳｉＣ層を除去し、ＳｉＣ層上に中間層を形成し、中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、シード層上にダイヤモンド層を成長させることを含む。
【０００８】
実施形態において、ウエハは、配向結晶構造を持つダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に形成されたＳｉＣ層と、ＳｉＣ層上に形成された、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層とを含む。
【０００９】
実施形態において、ウエハを形成する方法は、シリコン基板上に中間層を形成し、中間層上に、ダイヤモンド粒子を含むシード層を形成し、シード層上にダイヤモンド層を成長させ、ダイヤモンド層上にＳｉＣ層を形成し、ＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、シリコン基板、シード層及び中間層を除去することを含む。
【００１０】
実施形態において、ウエハを形成する方法は、シリコン基板上に第１のＳｉＣ層を形成し、第１のＳｉＣ層の表面を炭化し、炭化した第１のＳｉＣ層の表面上にダイヤモンド層を成長させ、ダイヤモンド層上に第２のＳｉＣ層を形成し、第２のＳｉＣ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物を含む半導体層を形成し、シリコン基板及び第１のＳｉＣ層を除去することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明の実施形態が参照され、その例が添付の図面に示される。これらの図は、限定するものではなく、例示的なものである。本発明は概してこれらの実施形態の文脈で説明されるが、理解されるべきことには、本発明の範囲をこれら特定の実施形態に限定する意図はない。
【図１】図１−図３は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図２】図１−図３は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図３】図１−図３は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図４】図１−図３のウエハを製造する例示プロセスのフローチャートを示している。
【図５】図５−図７は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図６】図５−図７は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図７】図５−図７は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図８】図５−図７のウエハを製造する例示プロセスのフローチャートを示している。
【図９】図９−図１１は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１０】図９−図１１は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１１】図９−図１１は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１２】図９−図１１のウエハを製造する例示プロセスのフローチャートを示している。
【図１３】図１３−図１５は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１４】図１３−図１５は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１５】図１３−図１５は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。
【図１６】図１３−図１５のウエハを製造する例示プロセスのフローチャートを示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の記載においては、説明の目的で、本開示の理解を提供するために具体的詳細事項が記述される。しかしながら、当業者に明らかになることには、本開示はこれら詳細事項を用いずに実施されてもよい。また、当業者が認識することには、以下に記述される本開示の実施形態は、例えばプロセス、装置、システム、デバイス、又は有形なコンピュータ読み取り可能媒体上での方法など、多様に実施され得る。
【００１３】
当業者が認識することには、（１）特定の工程はオプションとして実行されることがあり、（２）工程はここに記述される特定の順序に限られないことがあり、（３）特定の工程は、同時に行われることを含め、異なる順序で実行されることがある。
【００１４】
図に示される要素／コンポーネントは、本開示の例示的な実施形態を図示するものであり、本開示を不明瞭にすることがないことを意図したものである。本明細書における“一実施形態”、“好適実施形態”、“ある実施形態”又は“実施形態”への言及は、その実施形態に関して記載される特定の機構、構造、特性又は機能が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれており、そして、２つ以上の実施形態に含まれることもあることを意味する。本明細書の様々な箇所に“一実施形態において”、“ある実施形態において”、又は“実施形態において”という言い回しが現れることは、必ずしも全てが同じ１つ以上の実施形態に言及しているわけではない。用語“含む”、“含んでいる”、“有する”、及び“有している”は、オープンな用語であると理解されるべきであり、それに続く列挙は例であって、列挙するアイテムに限定する意図はない。ここで使用される見出しは、単に構成上の目的でのものであり、明細書又は請求項の範囲を限定するために使用されるべきでない。また、本明細書の様々な箇所での特定の用語の使用は、例示のためであり、限定するものとして解釈されるべきでない。
【００１５】
図１−図３は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。図示のように、ウエハ１００はシリコン基板１０２を含むことができ、シリコン基板１０２上にＳｉＣ層１０４及びＩＩＩ族窒化物層１０６が形成され得る。
【００１６】
実施形態において、ＳｉＣ層１０４は、立方晶系炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）を含み得るとともに、例えば低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）技術などの従来からのウエハ処理技術によって、シリコン基板１０２上に形成され得る。実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層１０６は、例えば六方晶系ＡｌＧａＮ／ＧａＮ又は立方晶系ＡｌＧａＮ／ＧａＮなどのＧａＮ化合物を各々が含む１つ以上の層を含み得る。簡潔さの目的で、以下の節では、ＩＩＩ族窒化物層は、各々がＩＩＩ族窒化物化合物を含む１つ以上の層をまとめて指すとし得る。実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層１０６は、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）技術などの従来からのウエハ処理技術によって、ＳｉＣ層１０４上に形成され得る。
【００１７】
実施形態において、ウエハ１００のＩＩＩ族窒化物層１０６に、例えばトランジスタなどの様々な電子部品が、従来からのウエハ処理技術によって形成され得る。ＩＩＩ族窒化物化合物（又は略してＩＩＩ族窒化物）とＳｉＣとの間の格子不整合は、ＩＩＩ族窒化物とＳｉとの間の格子不整合よりも小さい。従って、ＩＩＩ族窒化物層１０６とシリコン基板１０２との間にＳｉＣ層１０４が配置されない場合と比較して、ＳｉＣ層１０４上のＩＩＩ族窒化物層１０６は、電子部品のための改善された材料特性を有する。
【００１８】
実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層１０６を処理した後に、シリコン基板１０２が、例えばグラインド／ラッピングと研磨などの従来からのウエハ処理技術によって除去されて、ウエハ１０７が形成され得る。そして、図３に示すように、ウエハ１０７が裏返され、ＳｉＣ層１０４上に順次に、中間層１０８、シード層１１０、及びダイヤモンド層１１２が形成され得る。
【００１９】
ＳｉＣ層１０４に直にダイヤモンド層１１２が取り付けられる場合、ダイヤモンド層１１２の形成中に、ダイヤモンド層１１２とＳｉＣ層１０４との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致がＳｉＣ層１０４上に応力を生成してしまい得る。実施形態においては、ＣＴＥの不一致による応力を軽減するように、中間層１０８の材料及び厚さが選定され得る。実施形態において、中間層１０８は、例えばポリＳｉ又はＳｉＯ又はＳｉＮなどの誘電体材料で形成され得る。
【００２０】
実施形態において、シード層１１０を形成するために、層１０６、１０４、及び１０８を含むウエハを、ダイヤモンドナノ粒子（ダイヤモンドシード粒子）の水性懸濁液に浸漬させて、中間層１０８の頂面が水性懸濁液と直に接触するようにし得る。ダイヤモンド粒子が中間層１０８の表面に吸着されてシード層１１０を形成し得る。懸濁液に晒す時間及びダイヤモンド粒子の濃度に応じて、シード層１１０内の粒子の密度が決定され得る。ダイヤモンド粒子は、ＳｉＣ層１０４に対してよりも中間層１０８に対してよく付着し得るので、中間層１０８がシード層１１０の粒子数密度を高め得る。
【００２１】
実施形態において、中間層１０８は、シード層１１０及びダイヤモンド層１１２を形成するプロセス中に熱ダメージからＳｉＣ層１０４及びＩＩＩ族窒化物層１０６を保護し得る。さらに、中間層１０８は、ＳｉＣ層１０４をダイヤモンド層１１２から電気的に絶縁し得る。実施形態において、ダイヤモンド層１１２は、他の好適技術も使用され得るものの、化学気相成長（ＣＶＤ）技術によって形成され得る。実施形態において、ダイヤモンド層１１２は多結晶構造を持ち得る。
【００２２】
実施形態において、ＩＩＩ族窒化物ウエハ１１３は、ダイシングされて様々な電気デバイスに使用され得る。ウエハ１１３のＩＩＩ族窒化物１０６内に形成された電子部品が電気デバイスの動作中に熱エネルギーを生成し、その熱エネルギーが、ＳｉＣ層１０４、中間層１０８、及びシード層１１０を介してダイヤモンド層１１２に伝達され得る。ＳｉＣはダイヤモンドよりも低い熱伝導率を持つので、ＳｉＣ層１０４が過度に厚い場合、ＩＩＩ族窒化物層１０６からダイヤモンド層１１２への熱流が減少され得る。実施形態において、ＳｉＣ層１０４の厚さは、ＳｉＣ層１０４がなおもＳｉ基板１０２とＩＩＩ族窒化物層１０６との間の格子不整合を緩和するのに十分な厚みでありながら、ダイヤモンド層１１２への熱流が増強されるように最小化され得る。
【００２３】
図４は、図１−図３のウエハを製造する例示的な一プロセスのフローチャート４００を示している。工程４０２及び４０４にて、それぞれ、シリコン基板上にＳｉＣ層が形成され、ＳｉＣ層上にＩＩＩ族窒化物層が形成され得る。ＳｉＣとＩＩＩ族窒化物との間の格子不整合は、ＳｉとＩＩＩ族窒化物との間の格子不整合よりも小さいので、ＳｉＣ層はＩＩＩ族窒化物層の材料特性を向上させ得る。工程４０６にて、Ｓｉ基板が除去され得る。次いで、工程４０８にて、ＳｉＣ層上に順次に、中間層、シード層及びダイヤモンド層が形成され得る。オプションで、工程４１０にて、ＩＩＩ族窒化物層に例えばトランジスタなどの電気部品が形成され得るように、従来からのウエハ処理技術によって、ＩＩＩ族窒化物ウエハがデバイス処理され得る。
【００２４】
図５−図７は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。図５に示すように、ウエハ５００は、図１のウエハ１００と同様の構造を有し得る。また、ＳｉＣ層５０４及びＩＩＩ族窒化物層５０６は、それぞれ、ＳｉＣ層１０４及びＩＩＩ族窒化物層１０６と同様の材料で形成されて同様の機能を有し得る。次いで、ウエハ５００からＳｉ基板５０２及びＳｉＣ層５０４が除去されて、ウエハ５０３が形成され得る。次いで、ウエハ５０３のＩＩＩ族窒化物層５０６上に、中間層５０８、シード層５１０及びダイヤモンド層５１２が形成され得る。
【００２５】
実施形態において、中間層５０８、シード層５１０及びダイヤモンド層５１２は、ウエハ１１３内のそれらの対応部分と同様の技術によって形成されて同様の構造を有し得る。ウエハ５０５は、ウエハ５００からＳｉＣ層５０４が完全に除去されるという相違を持って、ウエハ１１３と同様とし得る。実施形態において、ＳｉＣ層５０４は、例えば化学エッチング、ドライエッチング、ラッピング（機械研削）又は化学機械研磨（ＣＭＰ）などの従来からの技術によって除去され得る。
【００２６】
ウエハ５０５は如何なるＳｉＣ層も含んでいないので、ウエハ５１３内の中間層５０８及びシード層５１０がウエハ１１３内のそれらの対応部分と同じ組成及び厚さを持つと仮定して、ＩＩＩ族窒化物５０６からダイヤモンド層５１２への熱流量は、ＩＩＩ族窒化物層１０６からダイヤモンド層１１２への熱流量よりも大きくなり得る。実施形態において、ウエハ５０５のＩＩＩ族窒化物層５０６に、例えばトランジスタなどの様々な電気部品が形成され得る。
【００２７】
図８は、図５−図７のウエハを製造する例示的な一プロセスのフローチャート８００を示している。工程８０２及び８０４にて、それぞれ、シリコン基板上にＳｉＣ層が形成され、ＳｉＣ層上にＩＩＩ族窒化物層が形成される。ＳｉＣとＩＩＩ族窒化物との間の格子不整合は、シリコンとＩＩＩ族窒化物との間の格子不整合よりも小さいので、ＳｉＣ層はＧａＮ層の材料特性を向上させ得る。工程８０６にて、シリコン基板及びＳｉＣ層が除去され得る。次いで、工程８０８にて、ＩＩＩ族窒化物層上に順次に、中間層、シード層及びダイヤモンド層が形成され得る。オプションで、工程８１０にて、従来からのウエハ処理技術によってＩＩＩ族窒化物ウエハがデバイス処理されることができ、それにより、ＩＩＩ族窒化物層に例えばトランジスタなどの電気部品が形成される。
【００２８】
図９−図１１は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。図示のように、ウエハ９００はシリコン基板９０２を含むことができ、シリコン基板９０２上に順次に、中間層９０４、シード層９０６及びダイヤモンド層９０８が形成され得る。
【００２９】
実施形態において、中間層９０４は、例えばポリＳｉ又はＳｉＮ又はＳｉＯなどの誘電体材料で形成され得る。実施形態において、シード層９０６を形成するために、層９０２及び９０４を含む層のスタックを、ダイヤモンドナノ粒子（ダイヤモンドシード粒子）の水性懸濁液に浸漬させて、中間層９０４の頂面が水性懸濁液と直に接触するようにし得る。ダイヤモンド粒子が中間層９０４の表面に吸着されてシード層９０６を形成し得る。懸濁液に晒す時間及びダイヤモンド粒子の濃度に応じて、シード層９０６内の粒子の密度が決定され得る。ダイヤモンド粒子は、Ｓｉ基板９０２に対してよりも中間層９０４に対してよく付着し得るので、中間層９０４がシード層９０６の粒子数密度を高め得る。
【００３０】
実施形態において、ダイヤモンド層９０８は、他の好適技術も使用され得るものの、化学気相成長（ＣＶＤ）技術によって形成され得る。実施形態において、シード層９０６内のダイヤモンドシード粒子が、ダイヤモンド層９０８の成長のためのシードとして作用し得る。実施形態において、Ｓｉ基板９０２の結晶構造がダイヤモンド層９０８に転写され、それ故に、ダイヤモンド層９０８は配向された結晶構造（配向結晶構造）を持ち得る。
【００３１】
実施形態において、ウエハ９００内のダイヤモンド層９０８の頂面が、ミラー状のエピ準備面を生成するため及び頂面の欠陥を除去するために研磨され得る。実施形態において、頂面を研磨するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）技術又は機械的ラッピングが使用され得る。次いで、図１０に示すように、研磨されたダイヤモンド層９０８のエピ準備頂面上にＳｉＣ層９１０が形成され、そして、ＳｉＣ層９１０上にＩＩＩ族窒化物層９１２が形成され得る。実施形態において、ＳｉＣ層９１０は立方晶系炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）を含み得る。
【００３２】
ＩＩＩ族窒化物とＳｉＣとの間の格子不整合は、ＩＩＩ族窒化物とダイヤモンドとの間の格子不整合よりも小さい。従って、ＩＩＩ族窒化物層９１２とダイヤモンド層９０８との間にＳｉＣ層９１０が配置されない場合と比較して、ＳｉＣ層９１０上のＩＩＩ族窒化物９１２は向上された材料特性を持つ。
【００３３】
実施形態において、ＳｉＣ層９１０は、例えば低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）技術などの従来からのウエハ処理技術によって、ダイヤモンド層９０８上に堆積され得る。実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層９１２は、例えばＭＯＣＶＤ技術などの従来からのウエハ処理技術によって形成され得る。
【００３４】
実施形態において、ウエハ９０９のＩＩＩ族窒化物層９１２に、例えばトランジスタなどの電子部品が、従来からのウエハ処理技術によって形成され得る。電子部品を形成したら、ウエハ９０９から、Ｓｉ基板９０２、中間層９０４、及びシード層９０６が除去され得る。図１１は、ダイヤモンド層９０８、ＳｉＣ層９１０及びＩＩＩ族窒化物層９１２の３つの層を含むウエハ９１３を示している。実施形態において、ウエハ９１３は、ダイシングされて様々な電気デバイスに使用され得る。ＩＩＩ族窒化物９１２内に形成された電子部品が電気デバイスの動作中に熱エネルギーを生成し、その熱エネルギーが、ＳｉＣ層９１０を介してダイヤモンド層９０８に伝達され得る。ＳｉＣはダイヤモンドよりも低い熱伝導率を持つので、ＳｉＣ層９１０が過度に厚い場合、ＩＩＩ族窒化物層９１２からダイヤモンド層９０８への熱流が減少され得る。実施形態において、ＳｉＣ層９１０の厚さは、ＳｉＣ層９１０がなおもＩＩＩ族窒化物層９１２の材料特性を高めるのに十分な厚みでありながら、ダイヤモンド層９０８への熱流が増強されるように最小化され得る。
【００３５】
図１２は、図９−図１１のウエハを製造する例示的な一プロセスのフローチャート１２００を示している。工程１２０２にて、Ｓｉ基板上に、中間層、シード層及びダイヤモンド層が形成され得る。次いで、工程１２０４にて、頂面の欠陥を除去するため及びミラー状のエピ準備面を生成するために、ダイヤモンド層の頂面が研磨され得る。工程１２０６にて、研磨されたダイヤモンド層のエピ準備面上にＳｉＣ層が形成され、該ＳｉＣ層上にＩＩＩ族窒化物層が形成され得る。オプションで、工程１２０８にて、ＩＩＩ族窒化物層に電子部品を形成するために、従来からのウエハ処理技術によってＩＩＩ族窒化物層がデバイス処理され得る。次いで、工程１２１０にて、Ｓｉ基板、中間層、及びシード層が除去され得る。
【００３６】
図１３−図１５は、本開示の実施形態に従った、ダイヤモンド層及びＩＩＩ族窒化物層を含むウエハを形成する例示的な一プロセスを示している。図１３に示すように、Ｓｉ基板１３０２上にＳｉＣ層１３０４が形成され得る。実施形態において、ＳｉＣ層１３０４は、立方晶系炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）を含み得るとともに、例えば低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）などの従来からのウエハ処理技術によって、シリコン基板１３０２上に形成され得る。次いで、ＳｉＣ層１３０４の頂面が、例えばＣ２Ｈ４又はＣ３Ｈ８又はＣ２Ｈ２などの炭素含有ガスの使用によって炭化され得る。実施形態において、ウエハ１３００が熱化学気相成長リアクタ（図１３に図示せず）内に配置され、そして、ＳｉＣ層１３０４の頂面が、例えばＣ２Ｈ４又はＣ３Ｈ８又はＣ２Ｈ２などの炭素含有ガスに晒されることで、ＳｉＣ層１３０４の頂面が炭化させられ得る。
【００３７】
炭化プロセス中に、ＳｉＣ層１３０４の頂面に炭素原子が付着し得る。実施形態において、炭素原子をシード粒子として使用して、ＳｉＣ層１３０４上にダイヤモンド層１３０６が堆積され得る。実施形態において、ダイヤモンド層１３０６は、他の好適技術も使用され得るものの、化学気相成長（ＣＶＤ）技術によって形成され得る。ダイヤモンド層１３０６は配向結晶構造を持ち得る。
【００３８】
実施形態において、ダイヤモンド層１３０６の頂面が、ミラー状のエピ準備面を生成するため及び頂面の欠陥を除去するために研磨され得る。実施形態において、頂面を研磨するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）技術又は機械的ラッピングが使用され得る。
【００３９】
実施形態において、ダイヤモンド層１３０６上に順次に、ＳｉＣ層１３０８及びＩＩＩ族窒化物層１３１０が堆積されて、ウエハ１３０５を形成し得る。実施形態において、ＳｉＣ層１３０８は、立方晶系炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）を含み得るとともに、例えば低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）技術などの従来からのウエハ処理技術によって形成され得る。実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層１３１０は、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）などの従来からのウエハ処理技術によって、ＳｉＣ層１３０８上に形成され得る。
【００４０】
ＩＩＩ族窒化物とＳｉＣとの間の格子不整合は、ＩＩＩ族窒化物とダイヤモンドとの間の格子不整合よりも小さい。従って、ＩＩＩ族窒化物層１３１０とダイヤモンド層１３０６との間にＳｉＣ層１３０８が配置されない場合と比較して、ＳｉＣ層１３０８上のＩＩＩ族窒化物１３１０は向上された材料特性を持つ。
【００４１】
実施形態において、ウエハ１３０５のＩＩＩ族窒化物層１３１０が、例えばトランジスタなどの様々な電気部品を形成するように、従来からのウエハ処理技術を用いてデバイス処理され得る。実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層１３１０に電気部品を形成したら、Ｓｉ基板１３０２及びＳｉＣ層１３０４が、例えば化学エッチング、ドライエッチング、ラッピング（機械研削）又は化学機械研磨（ＣＭＰ）などの従来からの技術によって除去され得る。ダイヤモンド層１３０６と、ＳｉＣ層１３０８と、ＩＩＩ族窒化物層１３１０とを含むものであるウエハ１３０９が、ダイシングされて、例えば高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの様々な電気デバイスに使用され得る。デバイスの動作中、ＩＩＩ族窒化物層１３１０によって生成された熱エネルギーがダイヤモンド層１３０６に伝達され得ることで、熱エネルギーに起因するデバイスの不具合を回避し得る。
【００４２】
ＳｉＣはダイヤモンドよりも低い熱伝導率を持つので、ＳｉＣ層１３０８が過度に厚い場合、ＩＩＩ族窒化物層１３１０からダイヤモンド層１３０６への熱流が減少され得る。実施形態において、ＳｉＣ層１３０８の厚さは、ＳｉＣ層１３０８がなおもＩＩＩ族窒化物層１３１０の材料特性を高めるのに十分な厚みでありながら、ダイヤモンド層１３０６への熱流が増強されるように最小化され得る。
【００４３】
図１６は、図１３−図１５のウエハを製造する例示的な一プロセスのフローチャート１６００を示している。工程１６０２にて、Ｓｉ基板上に第１のＳｉＣ層が形成され得る。次いで、工程１６０４にて、第１のＳｉＣ層の頂面が、例えばＣ２Ｈ４又はＣ３Ｈ８又はＣ２Ｈ２などの炭素含有ガスによって炭化されて、第１のＳｉＣ層の頂面に炭素原子を付着させ得る。工程１６０６にて、これら炭素原子を、ダイヤモンド層を成長させるためのシード粒子として用いて、第１のＳｉＣ層上にダイヤモンド層が形成され得る。工程１６０８にて、ダイヤモンド層の頂面が、ミラー状のエピ準備面を生成するため及び頂面の欠陥を除去するために研磨され得る。
【００４４】
工程１６１０にて、研磨されたダイヤモンド表面上に第２のＳｉＣ層が形成され、該第２のＳｉＣ層上にＩＩＩ族窒化物層が形成され得る。実施形態において、工程１６１２にて、ＩＩＩ族窒化物層に例えばトランジスタなどの様々な電気部品を形成するために、ＩＩＩ族窒化物層がデバイス処理され得る。工程１６１４にて、Ｓｉ基板及び第１のＳｉＣ層が除去され得る。
【００４５】
本発明は様々な修正及び代替形態を受け入れることができるが、その特定の例を図面に示して、ここで詳細に説明してきた。しかしながら、理解されるべきことには、本発明は、開示された特定の形態に限定されるものではなく、それとは反対に、本発明は、添付の請求項に入る全ての変形、均等、及び代替に及ぶものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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