【事件の表示】
　特許第３３４３２４６号「補正の再使用による合理的なＩＣマスク・レイアウトの光学的プロセス補正」の請求項１ないし２７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３３４３２４６号の請求項１ないし９に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３３４３２４６号の請求項１ないし２７に係る発明についての出願は、平成１２年３月３日（優先権主張１９９９年４月３０日、米国）に特許出願され、平成１４年８月２３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人北村二郎から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年４月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項
ａ．訂正前の請求項１「【請求項１】　それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定するステップと；第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定される場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用するステップとから構成され；各領域に対する前記ＯＰＣは、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して決定されるものであり、かつ、前記モデル・ベース・シミュレーションの各々は、モデル・ベース・シミュレーションが実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含むことを特徴とするＩＣマスク・レイアウトにＯＰＣを実行するための方法。」を、「【請求項１】　それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定するステップと；補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定するステップ；第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用するステップとから構成され；各領域に対する前記ＯＰＣは、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して決定されるものであり、かつ、前記モデル・ベース・シミュレーションの各々は、モデル・ベース・シミュレーションが実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含み、
　前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、少なくとも１つのタグ識別子を用いて各領域の幾何学的形状を選択的にタグ付けするステップをさらに含み、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付けることを特徴とするＩＣマスク・レイアウトにＯＰＣを実行するための方法。」と訂正する。
ｂ．訂正前の請求項２〜７を削除する。
ｃ．訂正前の請求項８を請求項２とする。
ｄ．訂正前の請求項９を請求項３とする。
ｅ．訂正前の請求項１０「【請求項１０】　コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備え、それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し；また、第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用し；さらに、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して各領域に対するＯＰＣを決定し；かつ、モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合、前記モデル・ベース・シミュレーションが実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を包含することを特徴とするＩＣマスク・レイアウトにＯＰＣを実行する装置。」を、「【請求項４】　コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備え、それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し；補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定し；また、第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用し；さらに、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して各領域に対する前記ＯＰＣを決定し；かつ、モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合、前記モデル・ベース・シミュレーションが、前記モデル・ベース・シミュレーンョンが実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を包含し、
　前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる、少なくとも１つのタグ識別子を用いた各領域の幾何学的形状を選択的タグ付けをさらに可能にし、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付けることを特徴とするＩＣマスク・レイアウトにＯＰＣを実行する装置。」と訂正する。
ｆ．訂正前の請求項１１〜１６を削除する。
ｇ．訂正前の請求項１７を請求項５とする。
ｈ．訂正前の請求項１８を請求項６とする。
ｉ．訂正前の請求項１９「【請求項１９】　複数のプログラム命令が格納された記憶媒体と、
それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し、第２の領域が、ＯＰＣの目的に対して、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを前記第２の領域に対して再使用し、また、モデル・ベース・シミュレーションを用いて、各領域に対するＯＰＣを反復して決定し、かつ、各領域に対して、前記モデル・ベース・シミュレーションを実行する領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含むモデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する、前記記憶媒体に結合されたプロセッサとを備えるコンピュータ・システム。」を、「【請求項７】　複数のプログラム命令が格納された記憶媒体と、
　それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し、補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定し、第２の領域が、ＯＰＣの目的に対して、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを前記第２の領域に対して再使用し、また、モデル・ベース・シミュレーションを用いて、各領域に対するＯＰＣを反復して決定し、かつ、各領域に対して、前記モデル・ベース・シミュレーションを実行する領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含むモデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する、前記記憶媒体に結合されたプロセッサとを備え、
　前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、前記プロセッサが、少なくとも１つのタグ識別子を用いて各領域の幾何学的形状を選択的にタグ付けするためのプログラム命令をさらに実行し、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付けるコンピュータ・システム。」と訂正する。
ｊ．訂正前の請求項２０〜２５を削除する。
ｋ．訂正前の請求項２６を請求項８とする。
ｌ．訂正前の請求項２７を請求項９とする。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、訂正前の請求項１に対して、訂正前の請求項２及び３の構成を限定し、さらにタグ識別子に関して限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。タグ識別子については、特許明細書【００１３】段落に記載されていたものである。
　また、訂正事項ａは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　訂正事項ｅについて
　上記訂正事項ｅは、訂正前の請求項１０に対して、訂正前の請求項１１及び１２の構成を限定し、さらにタグ識別子に関して限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。タグ識別子については、特許明細書【００１３】段落に記載されていたものである。
　また、訂正事項ｅは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　訂正事項ｉについて
　上記訂正事項ｉは、訂正前の請求項１９に対して、訂正前の請求項２０及び２１の構成を限定し、さらにタグ識別子に関して限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。タグ識別子については、特許明細書【００１３】段落に記載されていたものである。
　また、訂正事項ｉは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　また訂正事項ｂ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、ｈ、ｊ、ｋ及びｌについては、明りようでない記載の釈明に相当するものである。また、これらの訂正事項ｂ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、ｈ、ｊ、ｋ及びｌは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１ないし請求項９に係る発明（以下、「本件第１発明ないし本件第９発明」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものである。　
　
（２）当審が平成１５年９月３０日に通知した取消の理由において引用した引用刊行物１（甲第１号証）：特開平９−３１９０６７号公報の記載
　刊行物１の請求項６には、
「【請求項６】　ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
被補正パターンの外接矩形、または被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトのいずれかをパターンマッチング領域と設定するステップと、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求めるステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトと前記求められた補正パターンとを前記補正テーブルに追加登録するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出すステップと、
前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正するステップとを具備することを特徴とする光近接効果補正方法。」
と記載されている。
　刊行物１の【０００３】及び【０００４】段落には、
「【０００３】
　光近接効果の原因としては、光学的要因（隣合ったパターン間の透過光の干渉）、レジストプロセス（ベーク温度・時間，現像時間他）、基板の反射や凹凸、エッチングの影響等があげられる。このように、光学的要因以外の要因も含まれてはいるが、光近接効果と称されている。パターンの微細化に伴い許容寸法誤差の絶対値が小さくなると、このような光近接効果の影響で許容寸法誤差を越えてしまう場合がある。光近接効果によってパターン忠実度が劣化する間題を防ぐ方法としては、マスクに予め劣化を見込んだ補正を加える方法が主流である。以降、このような処理を光近接効果補正(Optical　Proximity　Correction)と称する。
【０００４】
　光近接効果補正の方法を報告した従来例は数多く存在するが、大きく分けて、予め求めておいた補正ルールに基づき補正を行ういわゆるルールベース手法と、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるシミュレーションベース手法がある。これら２つの手法に関して代表的な従来例を以下に示す。」
と記載されている。
　刊行物１の【００４３】段落には、
「【００４３】　シミュレーションベース補正法に関して、IEEETrans.ElectronDevices,Vol.38,no.12,p2599−(1991)に記載された第８の従来例では、リソグラフィーモデルに光学像を用いている。具体的には、マスクパターンを入力図形として光学像シミュレーションを行い、所望パターンからの光学像のずれ量を計算し、ずれ量分マスクパターンのエッジをずれとは反対方向に移動（補正）する。上記の操作を繰り返し行うことにより、光学像を所望パターンに近づけていく。」
と記載されている。
　刊行物１の【００４６】及び【００４７】段落には、
「【００４６】分割補正処理に関し、図５２を参照して説明する。図５２において、Ｐ0は設計パターンを、Ｐ1は補正パターンを、Ａは被補正領域を、Ａ′は被補正領域周辺の分割領域を、ａは補正完了領域を、Ａｕは未補正領域を示している。設計パターンＰ0を分割して得た被補正領域の一つをＡとし、仮にこの領域Ａ内のみを光近接効果被計算領域かつ被補正領域としたとする。すると、隣接する分割領域Ａ′内に含まれるパターンからの光近接効果を全く無視してしまうため、このようにして得た補正処理後の分割領域ａを結合して補正完了マスクパターンを作成しても、不適切な補正が施される結果となってしまう。特に、この不適切な補正はＡの境界付近のパターンで顕著であることが予想される。
【００４７】このような不適切な補正を防ぐために、前記文献SPIEvol.2197のp348には、被補正領域の周囲にバッファ領域を付加する手法が提案されている。この手法の概略を図５３に示す。即ち、設計パターンＰ0から分割して切り出した被補正領域Ａの周囲に、被補正領域に光近接効果が及ぶ範囲をバッファ領域Ｂとして付加し、被補正領域にバッファ領域を加えた範囲を光近接効果被計算領域Ｃとする方法である。補正値を得るために要する計算は光近接効果被計算領域で行い、本計算結果に基づき得られた補正解のうち、被補正領域についての補正解を補正マスクパターンＰ1へ戻し、次の被補正領域の計算へと進む。図５３において、ＢはＡのバッファ領域であり、Ｃは近接効果被計算領域であり、ｃは補正完了近接効果被計算領域であり、ｂはｃのバッファ領域部分であり、ａは被補正領域の補正解である。」
と記載されている。
　刊行物１の【０１５３】段落には、「【０１５３】　補正テーブル（テーブル６）に載っていなかった場合（ステップＳ１０５，ＮＯ）、パターンマッチングゾーンが光近接効果補正される（ステップＳ１０６）。光近接効果補正の手段としてはシミュレーションベース補正が挙げられる。パターンマッチングゾーンが光近接効果補正された後、パターンマッチングゾーンと被補正図形の補正後図形とが対応づけて補正テーブル６に追加され（ステップＳ１０７）、以降の補正に用いられる。」
と記載されている。
　
（３）刊行物１に記載された発明の認定
　ＬＳＩパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、
被補正パターンの外接矩形、または被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトのいずれかをパターンマッチング領域と設定するステップと、
前記設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求めるステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトと前記求められた補正パターンとを前記補正テーブルに追加登録するステップと、
前記パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出すステップと、
前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正するステップとを具備することを特徴とする光近接効果補正方法の発明が記載されている。
　
（４）対比・判断
（４）．１　本件第１発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　刊行物１に記載された「ＬＳＩパターン形成工程」、「パターンマッチング領域」及び「光近接効果補正」は、本件第１発明の「ＩＣマスクレイアウト」、「エアリアル・サブセットである領域」及び「ＯＰＣ」に相当する。
　また、刊行物１に記載された発明の「設定されたパターンマッチング領域のレイアウトを索引とし、パターンマッチング領域と、このパターンマッチング領域に含まれる被補正パターンの補正パターンとを記憶するための補正テーブルを参照するステップ」は、本件第１発明の「補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定するステップ」に相当する。
　さらに、刊行物１に記載された発明の「パターンマッチング領域のレイアウトが前記補正テーブルに記憶されている場合、対応する補正パターンを読み出すステップと、前記求められた補正パターン、または前記読み出されたパターンのいずれかに従って前記設計パターンを補正するステップ」は、本件第１発明の「第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用するステップ」に相当する。
　また、上記（３）で認定した刊行物１に記載された発明の「被補正パターンを光近接効果の及ぶ距離分リサイズしたレイアウトをパターンマッチング領域と設定する」は、本件第１発明の「各領域に対する前記ＯＰＣ」は、「実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含」むことに相当する。
　
　そうすると、本件第１発明と刊行物１記載の発明は、「それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定するステップと；補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定するステップ；第２の領域が、ＯＰＣの目的において、第１の領域と等価であるとみなされる場合、前記第１の領域に対して決定されたＯＰＣを、前記第２の領域に対して再使用するステップとから構成され；実行されている領域から拡大距離内にある、隣接する領域の幾何学的形状を含むことを特徴とするＩＣマスク・レイアウトにＯＰＣを実行するための方法。」において一致する。
　
　相違点
　本件第１発明が、「各領域に対する前記ＯＰＣは、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して決定される」ものであるのに対し、刊行物１記載の発明は、パターンマッチング領域のレイアウトが補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求めるとし、ＯＰＣは、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用する記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　また、本件第１発明が、「前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、少なくとも１つのタグ識別子を用いて各領域の幾何学的形状を選択的にタグ付けするステップをさらに含み、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付ける」ものであるのに対し、刊行物１には、この記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　相違点１について検討する。
　刊行物１に記載された発明では、「補正テーブル（テーブル６）に載っていなかった場合（ステップＳ１０５，ＮＯ）、パターンマッチングゾーンが光近接効果補正される（ステップＳ１０６）。光近接効果補正の手段としてはシミュレーションベース補正が挙げられる。」（【０１５３】段落）と記載されているから、刊行物１記載の発明の、「パターンマッチング領域のレイアウトが補正テーブルに記憶されていない場合、前記パターンマッチング領域を光近接効果補正して被補正パターンの補正パターンを求める」際には、シミュレーションベース補正が用いられていると認められ、また、刊行物１には、シミュレーションベース補正について、「リソグラフィーモデルに光学像を用いている。具体的には、マスクパターンを入力図形として光学像シミュレーションを行い、所望パターンからの光学像のずれ量を計算し、ずれ量分マスクパターンのエッジをずれとは反対方向に移動（補正）する。上記の操作を繰り返し行う」（【００４３】段落）と記載されていること及び刊行物１記載のシミュレーションベース補正は、その機能からして本件第１発明のモデル・ベース・シミュレーションに相当することを考慮すると、刊行物１の記載に基づいて「各領域に対するＯＰＣは、モデル・ベース・シミュレーションを反復使用して決定される」ことは当業者が容易に想到できたものと認められるから、相違点１は、特段意義ある相違ではない。
　
　相違点２について検討する。
　当該技術分野において、光近接補正のためにマスクにおける特定の形状の情報に対して特定のインデックスを与え、当該特定のインデックスを用いてマスク内の同一形状を検出することは周知手段（例えば、特開平９−１２８４２１号公報及び特開平１０−１４９３７８号公報等参照）である。
　上記マスクにおける特定の形状の情報に対して特定のインデックスを与えることは、幾何学的形状を特性化し、少なくとも１つのタグ識別子を与えることに相当する。
　また、当該技術分野におけるマスクは、通常、矩形の図形からなる集合であり、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に当該矩形の辺が並んだものであることから、前記光近接補正のためにマスクにおける特定の形状の情報に対して特定のインデックスを与えることは、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメントからなる辺フラグメントを特徴付けるタグ識別子を与えることに実質的に相当する。
　そうすると、相違点２は、周知手段を単に付加することにより、当業者が容易に想到できた事項にすぎない。
　
　また、上記相違点に基づく効果も、当業者が予測し得た程度のものにすぎない。
　してみると、本件第１発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．２　本件第２発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第２発明は、本件第１発明に「前記モデル・ベース・シミュレーションが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションを含む」との事項を付加した発明であるが、当該付加事項は、刊行物１【０００３】に記載されるように周知手段にすぎないから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第２発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．３　本件第３発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第３発明は、本件第２発明に「前記レジスト・モデル・ベース・シミュレーションの各々が可変しきい値レジスト・モデルを使用する」との事項を付加した発明であるが、当該付加事項は、周知手段（「可変しきい値レジスト・モデルでの光学近接効果補正の実験結果」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　Ｘ　第３０５１巻　４５８〜４６８頁　１９９７年６月　及び「近接効果補正の数学ＣＡＤ」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　ＩＸ　第２７２６巻　２０８〜２２２頁　１９９６年６月等参照）にすぎないから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第３発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．４　本件第４発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第４発明は、本件第１発明に、「コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備え」るとの事項を付加しかつ本件第１発明である方法の発明を実行する装置とした発明であるが、シミュレーションを実行する際に、コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備えることは周知手段であり、当該周知手段を付加することは当業者が容易に想到できたことすぎず、また、本件第１発明の方法の発明を装置の発明とした点についても、単にカテゴリーを変えたものにすぎないから、本件第４発明は、本件第１発明について判断した（４）．１と同様に、本件第４発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．５　本件第５発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第５発明は、本件第４発明に「前記モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合に、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションの包含を可能にする」との事項を付加した発明であるが、モデル・ベース・シミュレーションが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションについては、刊行物１【０００３】に記載されるように周知手段にすぎず、シミュレーションを行う際、コンピュータを用いることも周知手段であるから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第５発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．６　本件第６発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第６発明は、本件第５発明に「モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合に、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる、可変しきい値レジスト・モデルの使用を可能にする」との事項を付加した発明であるが、可変しきい値レジスト・モデルについては、周知手段（「可変しきい値レジスト・モデルでの光学近接効果補正の実験結果」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　Ｘ　第３０５１巻　４５８〜４６８頁　１９９７年６月　及び「近接効果補正の数学ＣＡＤ」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　ＩＸ　第２７２６巻　２０８〜２２２頁　１９９６年６月等参照）にすぎず、シミュレーションを行う際、コンピュータを用いることも周知手段であるから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第６発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．７　本件第７発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第７発明は、本件第１発明に、「複数のプログラム命令が格納された記憶媒体」及び「プログラム命令を実行する、前記記憶媒体に結合されたプロセッサ」との事項を付加しかつ本件第１発明である方法の発明を実行するコンピュータシステムとした発明であるが、シミュレーションを実行する際に、コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備えることは周知手段であり、当該周知手段を付加することは当業者が容易に想到できたことすぎず、また、本件第１発明の方法の発明をコンピュータシステムの発明とした点についても、単にカテゴリーを変えたものにすぎないから、本件第７発明は、本件第１発明について判断した（４）．１と同様に、本件第７発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．８　本件第８発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第８発明は、本件第７発明に「前記プロセッサが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する」との事項を付加した発明であるが、モデル・ベース・シミュレーションが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションについては、刊行物１【０００３】に記載されるように周知手段にすぎず、シミュレーションを行う際、コンピュータを用い、プログラム命令を実行することも周知手段であるから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第８発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（４）．９　本件第９発明と刊行物１に記載された発明の対比・判断
　本件第９発明は、本件第８発明に「前記プロセッサが、可変しきい値レジスト・モデルの使用して前記レジスト・モデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する」との事項を付加した発明であるが、可変しきい値レジスト・モデルについては、周知手段（「可変しきい値レジスト・モデルでの光学近接効果補正の実験結果」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　Ｘ　第３０５１巻　４５８〜４６８頁　１９９７年６月　及び「近接効果補正の数学ＣＡＤ」　ＳＰＩＥ：光学／レーザ・マイクロリソグラフィに関するシンポジウム議事録　ＩＸ　第２７２６巻　２０８〜２２２頁　１９９６年６月等参照）にすぎず、シミュレーションを行う際、コンピュータを用いプログラム命令を実行することも周知手段であるから、本件第１発明に対する上記（４）．１に記載した判断と同様に、本件第９発明は、刊行物１に記載された発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１ないし９に係る発明についての特許は、特許法第１１３条第２項に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１７年３月１６日（２００５．３．１６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
補正の再使用による合理的なＩＣマスク・レイアウトの光学的プロセス補正
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定するステップと；
補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定するステップ；
み、
　
前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、少なくとも１つのタグ識別子を用いて各領域の幾何学的形状を選択的にタグ付けするステップをさらに含み、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付ける
　【請求項２】前記モデル・ベース・シミュレーションが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションを含む、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】前記レジスト・モデル・ベース・シミュレーションの各々が可変しきい値レジスト・モデルを使用する、請求項
２
　【請求項４】コンピュータ・システムをプログラムするためのプログラム命令が記録された記録可能媒体を備え、それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し；
補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定し；
前記モデル・ベース・シミュレーションが、
し、
　
前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる、少なくとも１つのタグ識別子を用いた各領域の幾何学的形状を選択的タグ付けをさらに可能にし、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付ける
　【請求項５】前記モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合に、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションの包含を可能にする、請求項
４
　【請求項６】レジスト・モデル・ベース・シミュレーションを実行する場合に、前記プログラム命令が、前記コンピュータ・システムによる可変しきい値レジスト・モデルの使用を可能にする、請求項
５
　【請求項７】複数のプログラム命令が格納された記憶媒体と、
　それぞれＩＣマスク・レイアウトのエアリアル・サブセットである領域に対して、領域毎にＩＣマスクを逐次レイアウトするためのＯＰＣを決定し、
補正の適用に先立って、ＯＰＣの目的のために、各領域が既に補正済みの領域のいずれか１つと等価であるかどうかを決定し、
え、
　
前記幾何学的形状を特性化し、前記等価性決定の有効な実行を容易にするために、前記プロセッサが、少なくとも１つのタグ識別子を用いて各領域の幾何学的形状を選択的にタグ付けするためのプログラム命令をさらに実行し、前記少なくとも１つのタグ識別子は、垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントに隣接している辺フラグメントおよび凹角辺フラグメントからなる群から選択される辺フラグメントを特徴付ける
　【請求項８】前記プロセッサが、レジスト・モデル・ベース・シミュレーションおよび光学モデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する、請求項
７
　【請求項９】前記プロセッサが、可変しきい値レジスト・モデルの使用して前記レジスト・モデル・ベース・シミュレーションを実行するためのプログラム命令を実行する、請求項
８
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
（発明の背景）
　１．発明の分野
　本発明は、集積回路（ＩＣ）設計の分野に関する。より詳細には、本発明は、ＩＣマスク・レイアウトに対する光学的予備補償（ｐｒｅ−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ）とプロセス予備補償の適用に関する。
　【０００２】
　２．背景情報
　長年にわたって、ＩＣ設計がますます複雑さを増してきており、ＩＣ設計者は、ますますＩＣ設計において、設計者を支援する電子設計自動化（ＥＤＡ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）ツールに依存するようになった。これらのツールは、システム設計、配置、配線パス選定からレイアウト確認にいたる設計プロセス全体にわたる。
　【０００３】
　１ミクロン未満のＩＣの場合、線幅の「臨界寸法」が、光源の波長より小さくなるため、設計者は、所望の１ミクロン未満のＩＣイメージを達成するために、ＩＣマスク・レイアウトの様々な幾何形状の辺に対して必要な予備補償（または補正（ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）とも称する）を行うために、ＥＤＡツールにますます依存するようになっている。（本願明細書において使用する用語マスクは、レチクルをも含むものとする。）これらの補正を自動的に行うための様々な技術は、光学的近接効果補正（ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）または光学及びプロセス補正（ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と一般に称する。後者の場合、プロセス歪みならびに光学的歪みに対して予備補償が行われる。光学的歪みだけに対するものであろうと、あるいは双方の歪みに対するものであろうと、以下では、すべての予備補償をＯＰＣと総称する。
　【０００４】
　一般的にいって、ＯＰＣ技術は、ルール・ベースの技術またはモデル・ベースの技術として分類することができる。ルール・ベースの技術では、ある予め指定された条件が検出された場合、たとえばある幾学的形状が、他の形状の存在下で、ある臨界距離内で使用されるときに所定の補正が行われる。モデル・ベースの技術では、様々なモデル、たとえば光学的モデルを使用して、コンピュータ・シミュレーションによって補正が算出される。したがって、一般的にいって、ルール・ベースの技術は、正確さでは劣るものの、計算を多用しないといえる。他方、モデル・ベースの技術はより正確であるが、計算をより多用する。さらに、ある大規模ＩＣでは、モデル・ベースの技術の中には、非常に強力な計算システムを必要とするため、非実用的になるものもある。したがって、複雑なＩＣの設計者は、しばしば正確さと計算効率の、この難しい選択に直面する。
　【０００５】
　したがって、所望の改善された正確さを維持しつつ、計算負荷がより軽い、より合理的なモデル・ベースのＯＰＣ技術が求められている。
　【０００６】
（発明の概要）
　ＥＤＡツールは、ＩＣマスク・レイアウトに対して光学的および／またはプロセス予備補償を合理的な方法で実行するＯＰＣモジュールを備え、第２の領域がＯＰＣの目的で第１の領域と等価であると判定されたとき、第１の領域に対して決定された補正を第２の領域で再使用する。ＯＰＣモジュールは、ＩＣマスク・レイアウトに対して領域毎に補正を実行し、補正は、モデル・ベースのシミュレーションを反復使用して決定される。そのシミュレーションは一実施態様においては、レジスト・モデル・ベースのシミュレーションならびに光学的モデル・ベースのシミュレーションを含む。
　【０００７】
　本発明を、添付の図面に示す限定的ではなく例示的な実施形態を使用して説明する。図面中同じ参照番号は同様の要素を示すものとする。
　【０００８】
（発明の詳細な説明）
　以下の説明において、本発明の様々な態様について説明し、本発明の安全な理解を与えるために様々な詳細を記載する。ただし、本発明が、本発明の一部のみまたはすべての態様で実施できること、および本発明が、具体的な詳細事項なしで実施できることは、当業者にとって明らかであろう。他の場合では、周知の特徴については、本発明をあいまいにしないために、省略または簡略に示す。
　【０００９】
　説明の一部は、他の当業者に自分の仕事の内容を伝達するために当業者が一般に使用している用語、たとえば、マスク・レイアウト、幾何形状、モデル・ベースのシミュレーション等を使用して示す。また、説明の一部は決定する、生成する、等の用語を使用して、コンピュータ・システムによって実行されるオペレーションの形で示す。当業者にはよく理解できるように、これらのオペレーションおよび操作を受ける量は、デジタル・システムの電気／光学的構成部品を介して、格納され、転送され、組み合わされる、あるいはその他の形で操作を受けることのできる、電気的、磁気的、または光学的な信号の形をとる。またデジタル・システムという用語は、汎用ならびに専用のデータ処理機械、システムなどを含み、それらは独立型、補助型、または埋め込み型であってよい。
　【００１０】
　様々なオペレーションは、本発明を理解するために最も役立つ方式で順番に実行される多数の離散ステップとして記載する。しかし、説明の順序は、これらのオペレーションが、必ず提示された順序で実行される、さらには順序依存であることを示唆するものと解釈すべきではない。最後に、フレーズ「一実施形態において」という表現を繰り返し使用するが、それは、同じでもよいが、必ずしも同一の実施形態を表すものではない。
　【００１１】
　図１を参照すると、いくつかの実施形態による本発明の概要を示すブロック図が示されている。本発明の教示を組み込んだ、ＯＰＣモジュール１００が示してあるが、それは、領域毎にＩＣマスク・レイアウト１０２に対するＯＰＣの自動実行により補正済みＩＣマスク・レイアウト１０４を生成することを含んでいる。具体的には、第２の領域が、ＯＰＣの目的で第１の領域と等価であるとみなされる場合に、ＯＰＣモジュール１００は、第１の領域に対して決定された補正を第２の領域で再使用する。その結果、ＩＣマスク・レイアウト１０４を生成するために、ＩＣマスク・レイアウト１０２に対してＯＰＣを実行するのに必要とされる計算の量は、大幅に減少する。
　【００１２】
　例示の実施形態において、ＯＰＣモジュール１００は、図示するように、互いに動作可能に結合されている、いくつかのプリプロセッサ１０８、等価性アナライザ１０９、シミュレータ１１０、補正ポストプロセッサ１１２、および補正データベース１１４を含む。プリプロセッサ１０８は、具体的にはフラグメンテーション・プリプロセッサ１０８ａおよびタグ付けプリプロセッサ１０８ｂを含む。プリプロセッサ１０８は、適切な補正を決定する目的で、後で解析するための記述的データを準備するために、ＩＣマスク・レイアウト１０２のフォーマル記述をまとめて前処理する。とりわけ、プリプロセッサ１０８は、本発明の合理的な手法に従って後続の解析が効率的に実行できるように、記述的データをまとめて準備し、それによって１つの領域に対して決定された補正が、別のＯＰＣ等価領域に、効率的に再使用できるようになる。等価性アナライザ１０９は、２つの領域が、ＯＰＣの目的で、「等価か」どうか領域毎に判定するために、パターン認識解析を実行する。等価である場合、アナライザ１０９は、さらに以前に決定された補正をその領域に再使用されるようにし、コストのかかる再計算の反復を避ける。シミュレータ１１０は、特定の「ユニークな」領域に対して適切な補正を決定するために、各「ユニークな」領域ごとにモデル・ベースの解析を実行する。補正ポストプロセッサ１１２は、各領域ごとに決定された補正を行う。各「ユニークな」領域ごとに、シミュレーションおよび補正プロセスは、補正済みマスク・レイアウトが十分に予備補償され、所定の許容範囲レベル内の所望のイメージをもたらすとみなされるまで、所望の結果１０６を参照しながら、繰り返し複数回実行される。補正データベース１１４は、２つの領域が比較され、それらがＯＰＣの目的で等価であるかどうか判定できるようにするのに必要なデータを格納する。さらに、補正データベース１１４は、１つの領域に対して決定された補正が、後者の領域がＯＰＣの目的で前者の領域と等価であると判定されるとき、他の領域に再使用できるようにするのに必要なデータを格納する。
　【００１３】
　引き続き図１を参照すると、図示の実施形態では、ＩＣマスク・レイアウト１０２は、多角形とパス、より具体的には、とりわけ多角形の頂点およびパスからなるＧＤＳ　ＩＩフォーマットで記述される。フラグメンテーション・プリプロセッサ１０８ａは、解析の目的で、幾何形状の各辺をとり、追加の「頂点」を挿入して、その辺をさらに多数の辺セグメントまたはフラグメントに分解し、それによって、適切な補正を決定するために実行される、後続の解析の解像度を改善する（図２参照）。当業者ならわかるように、このように追加の頂点を挿入し、辺を多数の辺フラグメントに分解すると、後続のシミュレーション解析の計算コストが相当増大する結果を招く。後でより詳細に述べるように、正確さを改善するためのこの計算コストの大幅な増大を避けるために、等価性アナライザ１０９は、有利には、高価な計算が各ＯＰＣ「ユニークな」領域ごとに１回だけ実行され、ＯＰＣから見て等価な領域に対しては決定された補正を再使用する。タグ付けプリプロセッサ１０８ｂは、アナライザ１０９による等価性解析が効率的実行が容易になるように、タグ識別子を使用して、ＩＣマスク・レイアウト１０２の各領域の幾何的形状を特徴付ける。タグ識別子の例は、辺フラグメントを垂直辺フラグメント、水平辺フラグメント、線端辺フラグメントと隣接している辺フラグメント、凹角辺フラグメント等として特徴付ける識別子である。タグ付けは、「辺フラグメント・タグ付けを使用したサブミクロンＩＣ設計用の改良された方法および装置（Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ　Ｆｏｒ　Ｓｕｂ−ｍｉｃｒｏｎ　ＩＣ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｕｓｉｎｇ　Ｅｄｇｅ　Ｆｒａｇｍｅｎｔ　Ｔａｇｇｉｎｇ）」との名称で、本出願と同時に出願された同時係属出願、第　　　　　　　号の主題であり、これを参照により完全に本明細書に組み込む。
　【００１４】
　図示の実施形態において、等価性アナライザ１０９は「ウィンドウ化領域」毎に、効率的に等価性解析を実行する。ウィンドウ化領域は、元の領域を囲み、それを含んでいる。ウィンドウ化領域は、ＯＰＣ解析のために含めるべき直かに隣接した領域の包囲リングによって、元の領域の周辺を拡大してゆく方法によって形成される。包囲リングの大きさは、ウィンドウ寸法（ｄｗ）によって決められる。この包囲領域内に配置されている幾何形状は、ＯＰＣ解析の点から見て重要であると見なされる（図３ａ〜３ｂ参照）。代替実施形態においては、異なる拡大方向に対して、異なるｄｗを使用することができる。アナライザ１０９は、タグ付けプリプロセッサ１０８ｂにより辺フラグメントに対してタグ付けされたタグ識別子を使用して、ウィンドウ化領域の幾何形状を以前に補正されたウィンドウ化領域の（補正前の状態における）幾何形状と比較する。一実施形態においては、２つの領域が、すべての外観、すなわち、幾何形状の数、寸法、および相対配置において同一である場合にのみ、２つのウィンドウ化領域は等価であるとみなされる。他の実施形態においては、２つのウィンドウ化領域が、同じ数の幾何形状を有し、幾何形状の寸法および相対配置が、すべて所定の許容範囲レベル内にある場合に、２つのウィンドウ化領域は等価であるとみなされる。また他の実施形態においては、等価性を判定するために、他の基準を代わりに使用することもできる。シミュレータ１１０は、レジスト・モデルならびに光学的モデルの双方を用いて、ＩＣマスク・レイアウト１０２のウィンドウ化ユニークな領域に対してシミュレーション解析を実行する。一実施形態においては、使用するレジスト・モデルは、可変閾値レジスト（ＶＴＲ）モデルである。
　【００１５】
　最後に、補正データベース１１４は、ＩＣマスク・レイアウトの各ウィンドウ化ＯＰＣのユニークな領域、およびこれらの各ウィンドウ化ＯＰＣのユニークな領域の補正状態の記述データを格納するために使用される（図４参照）。代替実施形態においては、これらの各ウィンドウ化ＯＰＣのユニークな領域の補正状態の代わりに、ウィンドウ化ＯＰＣのユニークな領域のそれぞれに加えられる補正（マスク摂動（ｍａｓｋ　ｐｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎ）とも称する）を格納する。さらに他の実施形態においては、補正すなわちマスク摂動、ならびにウィンドウ化ＯＰＣのユニークな領域の補正状態が格納される。
　【００１６】
　補正データベース１１４を使用して必要なデータを格納すること、およびシミュレーションによってある領域に対して決定された補正を以前の領域とＯＰＣ等価であるとみなされる他の領域に再使用することを除いては、プリプロセッサ１０８（タグ付けプリプロセッサ１０８ｂを除く）、シミュレータ１１０、および補正ポストプロセッサ１１２（等価性アナライザ１０９を除く）は、カッブ（Ｃｏｂｂ）等、「大領域位相シフト・マスク設計（Ｌａｒｇｅ　ａｒｅａ　ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ　ｍａｓｋ　ｄｅｓｉｇｎ）」、ＳＰＩＥ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ報文集、第２１９７巻、３４８〜３６０ページ、１９９４；カッブ等、「低複雑性高速マスク設計（Ｆａｓｔ　ｌｏｗ　ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ　ｍａｓｋ　ｄｅｓｉｇｎ）」、ＳＰＩＥ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ報文集、第２４４０巻、３１３〜３２７ページ、１９９５；カッブ等「ＯＰＣのための高速疎架空イメージ算出（Ｆａｓｔ　ｓｐａｒｓｅ　ａｅｒｉａｌ　ｉｍａｇｅ　ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ＯＰＣ）」、ＢＡＣＵＳ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ報文集、第２６２１巻、５３４〜５４５ページ、１９９５；カッブ等、「近接補正に対する数学的およびＣＡＤフレームワーク」、ＳＰＩＥ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ報文集、第２７２６巻、３４８〜３６０ページ、１９９６；および、カッブ等、「可変閾値レジスト・モデルを有する光学近接補正上の実験的な結果（Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　Ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎｓ　ｗｉｔｈ　Ｖａｒｉａｂｌｅ　Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　Ｒｅｓｉｓｔ　Ｍｏｄｅｌ）」、ＳＰＩＥ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ報文集、第３０５１巻、４５８〜４６８ページ、１９９７に詳細に記述されている。これらの論文をここに参照により完全に組み込むものとする。
　【００１７】
　次に図５を参照すると、一実施形態による上記のＯＰＣモジュールの動作流れを示すフローチャートを示す。（括弧内の参照番号は、図１の要素を参照している）。図のように、５０２において、フラグメンテーション・プリプロセッサ（１０８ａ）は、辺をフラグメント化し、タグ付けプリプロセッサ（１０８ｂ）は、ＩＣマスク・レイアウト（１０２）の辺フラグメントをタグ付けする。５０４で、等価性アナライザ（１０９）は解析のためＩＣマスク・レイアウトのウィンドウ化領域を選択する。解析の順序は、重要ではない。一実施形態では系統的であり、別の実施形態では任意である。５０６で、アナライザ（１０９）は、ウィンドウ化領域が、以前に補正されたウィンドウ化領域と等価かどうか判定する。例示の実施形態では、アナライザ（１０９）は補正データベース（１１４）から、以前に補正されたウィンドウ化領域の補正前の状態の記述的データを検索する。等価性解析は、タグ付けプリプロセッサ（１０９）によって適用されたタグ識別子を使用して、効率的に実行される。
　【００１８】
　ウィンドウ化領域が、以前に補正された領域とＯＰＣ等価であると判定された場合、処理は５０８に進み、そこで、アナライザ（１０９）は、その領域で以前に決定されていた補正が再使用されるようにして、タイムリーなシミュレーションを再度実行する必要性を回避する。一実施形態では、アナライザ（１０９）は、以前に補正された領域の補正された状態が検索され、補正データベース（１１４）から出力されるようにする。さらに別の実施形態では、アナライザ（１０９）は、以前に決定された補正またはマスク摂動が、補正ポストプロセッサ（１１２）によって補正データベース（１１４）から検索され、ＩＣマスク・レイアウト（１０２）に適用されるようにする。
　【００１９】
　一方、ウィンドウ化領域が、ＯＰＣから見て、以前に補正された領域のいずれとも等価でないと判定された場合、処理は５１０で続行され、シミュレータ（１１０）は、補正ポストプロセッサ（１１２）と協働して、行うべき補正を繰り返し判定する。判定を行い、決定された補正を適用すると、５１４で、シミュレータ（１１０）および補正ポストプロセッサ（１１２）は、決定された補正が、他のＯＰＣ等価なウィンドウ化領域で後で再使用されるのに必要なデータを保管する。シミュレータ（１１０）および／または補正ポストプロセッサ（１１２）は、補正データベース（１１４）に、ウィンドウ化領域の補正前の状態の記述的データを保管する。加えて、一実施形態では、補正ポストプロセッサ（１１２）はウィンドウ化領域の補正された状態を保管する。別の一実施形態では、補正ポストプロセッサ（１１２）は、代わりに適用すべき補正を保管する。さらに他の実施形態では、補正ポストプロセッサ（１１２）は、その両方を保管する。
　【００２０】
　オペレーション５０８または５１４から、処理は５１６に進み、そこで、アナライザ（１０９）はすべての領域が処理されたかどうかを判定する。アナライザ（１０９）はオペレーション５０４からオペレーション５１４まで、選択的にシミュレータ（１１０）および補正ポストプロセッサ（１１２）を必要な回数だけ起動し、ＩＣマスク・レイアウト（１０２）のすべての領域が処理されかつ補正されるまで、処理を反復する。
　【００２１】
　次に図６は、一実施形態による本発明のＯＰＣモジュールを組み込んだＥＤＡツールを示す。図のように、ＥＤＡツール・セット６００は、図１〜５を参照して上述した本発明の教示を組み込んだＯＰＣモジュール６０２を含む。加えて、ＥＤＡツール・セット６００は他のツール・モジュール６０４を含む。これらの他のツール・モジュール６０２の例には、論理合成モジュール、フェーズ割当てモジュール、レイアウト確認モジュールなどが含まれるが、それだけに限定されない。
　【００２２】
　図７は、本発明を実施するために使用するのに適したコンピュータ・システムの一実施形態を示す。図のように、コンピュータ・システム７００は、システム・バス７０６を介して互いに結合されているプロセッサ７０２とメモリ７０４を含む。システム・バス７０６には、ハード・ディスク、フロッピー（登録商標）・ディスク等の不揮発性の大容量記憶装置７０８、キーボード、ディスプレイ等の入出力装置７１０、およびモデル、ＬＡＮインターフェース等の通信インターフェース７１２が結合される。これらの要素はそれぞれ、その技術分野で知られている通常の機能を実行する。とりわけ、システム・メモリ７０４および不揮発性大容量記憶装置７０８は、本発明の上記の教示を実施する、プログラム命令の作業用コピーおよび永続的コピーを格納するのに使用される。システム・メモリ７０４および不揮発性大容量記憶装置７０６は、ＩＣ設計を格納するのにも使用することができる。本発明を実施するためのプログラム命令の永続的コピーは、配布用のソース／媒体７１４、および任意選択で、通信インターフェース７１２を使用して、工場においてまたは現場において不揮発性大容量記憶装置７０８にロードすることができる。配布媒体７１４の例には、テープ、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の記録可能媒体が含まれる。一実施形態では、プログラム命令は、図６のＥＤＡツール６００を実施する、プログラム命令の集まりの一部分である。要素７０２〜７１４の構成は、よく知られており、したがって、これ以上説明しない。
　【００２３】
　一般に、当業者なら、本発明が記述した実施形態に限定されていないことを理解するであろう。そうではなく、本発明は添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲に含まれる変更形態および改変形態で実施することができる。したがって以上の記述は、本発明を限定するものではなく、例示するものであると見なすべきである。
　【００２４】
　以上、補正の再使用によりＩＣマスク・レイアウトに対する光学的プロセス補正を実行する合理的な手法を記述した。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　一実施形態による本発明の概要を示す図である。
　【図２】
　ＩＣマスク・レイアウトの幾何形状の辺をフラグメント化する概念を示す図である。
　【図３】
　ＯＰＣ解析のためのウィンドウ化領域の概念を示す図（ａ）と、ＯＰＣ解析のためのウィンドウ化領域の概念を示す図（ｂ）である。
　【図４】
　さらに一実施形態による補正データベースを示す図である。
　【図５】
　一実施形態によるＯＰＣモジュールのオペレーション上の流れを示す図である。
　【図６】
　一実施形態による、本発明のＯＰＣモジュールを組み込んだ、例示的なＥＤＡツールを示す図である。
　【図７】
　図６のＥＤＡツールを実施するプログラム命令でプログラムされるのに適したコンピュータ・システムの例を示す図である。