(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む浸炭処理用ガスの製造方法であって、天然ガスを第１ヒータで加熱してから、脱硫器に通し第１管路に送る第１工程と、酸素ガスを第２ヒータで加熱し第２管路に送る第２工程と、上記第１工程を経たガスと上記第２工程を経たガスとを混合し、その混合ガスを改質器に通すことにより、一酸化炭素ガスと水素ガスとを含むガスを生成する第３工程と、この第３工程により得られた上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記生成したガスを、第３管路および冷却器に、この順で通した後、気液分離器で気液分離し、その気液分離された後の液体を排水管路から外部に排水し、上記気液分離された後の気体を圧縮機吸込ホルダに通してから、その気体を圧縮機により圧縮する第４工程と、この第４工程により圧縮された上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記気体を、第４管路に通してから圧力スイング吸着装置に通すことにより、それら一酸化炭素ガスと水素ガスの濃度を高める第５工程とを備え、上記一酸化炭素ガスの濃度が３０〜６０モル％の範囲内の浸炭処理用ガスを得ることを特徴とする浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項２】
上記第１工程が、上記第１ヒータによる天然ガスの加熱に先立って、その天然ガスに水素ガスを混合し、その混合ガスを上記第１ヒータで加熱してから、上記脱硫器に通し上記第１管路に送る工程である請求項１記載の浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項３】
上記第２工程が、上記第２ヒータによる酸素ガスの加熱に先立って、その酸素ガスに二酸化炭素ガスを混合し、その混合ガスを上記第２ヒータで加熱し上記第２管路に送る工程である請求項２記載の浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項４】
上記第５工程が、上記圧力スイング吸着装置により濃度が高められた一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む上記気体に、窒素ガスを混合する工程である請求項２または３記載の浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項５】
上記第５工程により得られた、一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む上記気体に、さらに一酸化炭素ガスを混合する工程を備えている請求項２または３記載の浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項６】
上記浸炭処理用ガスにおける一酸化炭素ガスと水素ガスとの濃度比を、１：１に設定する請求項１〜５のいずれか一項に記載の浸炭処理用ガス製造方法。
【請求項７】
上記請求項１記載の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、天然ガスを加熱する第１ヒータと、その加熱した天然ガスを脱硫する脱硫器と、この脱硫器で脱硫された天然ガスを通す第１管路と、酸素ガスを加熱する第２ヒータと、この第２ヒータで加熱された酸素ガスを通し、上記第１管路に連結する第２管路と、上記脱硫器で脱硫され上記第１管路を通って送られた天然ガスと上記第２ヒータで加熱され上記第２管路を通って送られた酸素ガスとの混合ガスから一酸化炭素ガスと水素ガスとを含むガスを生成する改質器と、この改質器で生成された上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記生成ガスを通す第３管路と、この第３管路を通って送られた上記生成ガスを通す冷却器と、この冷却器を通ってその一部が液化した上記生成ガスを気液分離する気液分離器と、その気液分離された後の液体を上記気液分離器の外部に排水する排水管路と、上記気液分離された後の上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む気体を通す圧縮機吸込ホルダと、この圧縮機吸込ホルダを通った上記気体を圧縮する圧縮機と、この圧縮機で圧縮された上記気体を通す第４管路と、この第４管路を通って送られた上記気体を通す圧力スイング吸着装置とを備えていることを特徴とする浸炭処理用ガス製造設備。
【請求項８】
上記請求項２記載の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、上記第１ヒータの上流に、上記天然ガスの管路に水素ガスの管路が連結した連結管路を備え、その連結管路が上記第１ヒータに接続されている請求項７記載の浸炭処理用ガス製造設備。
【請求項９】
上記請求項３記載の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、上記第２ヒータの上流に、上記酸素ガスの管路に二酸化炭素ガスの管路が連結した連結管路を備え、その連結管路が上記第２ヒータに接続されている請求項８記載の浸炭処理用ガス製造設備。
【請求項１０】
上記請求項４記載の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、上記圧力スイング吸着装置の下流の、一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む上記気体の管路に、液体窒素タンクが接続されている請求項８または９記載の浸炭処理用ガス製造設備。
【請求項１１】
上記請求項５記載の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、上記圧力スイング吸着装置の下流の、一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む上記気体の管路に、一酸化炭素ガス容器が接続されている請求項８または９記載の浸炭処理用ガス製造設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鋼製部材に対する浸炭方法に用いる浸炭処理用ガスの製造方法およびそれに用いる浸炭処理用ガス製造設備に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
鋼製部材の表面硬化方法の一つとして、ＲＸガス（浸炭処理用ガス）を用いた浸炭方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この浸炭方法におけるＲＸガス供給装置は、少量の酸素が含まれた窒素ガスを供給する窒素発生装置と、炭化水素ガスを供給する炭化水素供給装置と、所定の供給量に調整された窒素ガスと炭化水素ガスとが導入されて１次処理される低温反応槽と、１次処理ガスと所定の供給量に調整された炭化水素ガスとが導入されて混合される２次混合器とを有している。そして、その２次混合器でＲＸガスがつくられる。ここで、上記炭化水素供給装置としては、所定の容積を有する高圧容器に充填された液化高純度炭化水素を、気化して所望の供給圧に調整されて供給できる装置が用いられる。上記炭化水素の具体例としては、メタン，エタン，プロパン，ブタン等のパラフィン系の炭化水素があげられる。そして、ＲＸガスの原料には、上記のように、メタン（天然ガス）等が使用されることから、ＲＸガスの組成は、一酸化炭素ガス（ＣＯ）：２０〜２５モル％、水素ガス（Ｈ2 ）：３０〜４０モル％、残りが窒素ガス（Ｎ2 ）となっている。
【０００３】
ところで、上記ＲＸガスを用いた浸炭方法は、ガス浸炭法であり、真空浸炭法に比べ、浸炭速度が遅く、単位時間当たりの処理個数が少ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−３２１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガス浸炭法を用いた浸炭方法は、先に述べたように、浸炭速度が遅いことから、生産性向上のため、浸炭速度の向上が求められている。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、浸炭速度を速めることができる浸炭方法に用いる浸炭処理用ガスの製造方法およびそれに用いる浸炭処理用ガス製造設備の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明は、少なくとも一酸化炭素ガスと水素ガスとを含む浸炭処理用ガスの製造方法であって、天然ガスを第１ヒータで加熱してから、脱硫器に通し第１管路に送る第１工程と、酸素ガスを第２ヒータで加熱し第２管路に送る第２工程と、上記第１工程を経たガスと上記第２工程を経たガスとを混合し、その混合ガスを改質器に通すことにより、一酸化炭素ガスと水素ガスとを含むガスを生成する第３工程と、この第３工程により得られた上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記生成したガスを、第３管路および冷却器に、この順で通した後、気液分離器で気液分離し、その気液分離された後の液体を排水管路から外部に排水し、上記気液分離された後の気体を圧縮機吸込ホルダに通してから、その気体を圧縮機により圧縮する第４工程と、この第４工程により圧縮された上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記気体を、第４管路に通してから圧力スイング吸着装置に通すことにより、それら一酸化炭素ガスと水素ガスの濃度を高める第５工程とを備え、上記一酸化炭素ガスの濃度が３０〜６０モル％の範囲内の浸炭処理用ガスを得る浸炭処理用ガス製造方法を第１の要旨とする。
【０００８】
また、本発明は、上記第１の要旨の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備であって、天然ガスを加熱する第１ヒータと、その加熱した天然ガスを脱硫する脱硫器と、この脱硫器で脱硫された天然ガスを通す第１管路と、酸素ガスを加熱する第２ヒータと、この第２ヒータで加熱された酸素ガスを通し、上記第１管路に連結する第２管路と、上記脱硫器で脱硫され上記第１管路を通って送られた天然ガスと上記第２ヒータで加熱され上記第２管路を通って送られた酸素ガスとの混合ガスから一酸化炭素ガスと水素ガスとを含むガスを生成する改質器と、この改質器で生成された上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む上記生成ガスを通す第３管路と、この第３管路を通って送られた上記生成ガスを通す冷却器と、この冷却器を通ってその一部が液化した上記生成ガスを気液分離する気液分離器と、その気液分離された後の液体を上記気液分離器の外部に排水する排水管路と、上記気液分離された後の上記一酸化炭素ガスと上記水素ガスとを含む気体を通す圧縮機吸込ホルダと、この圧縮機吸込ホルダを通った上記気体を圧縮する圧縮機と、この圧縮機で圧縮された上記気体を通す第４管路と、この第４管路を通って送られた上記気体を通す圧力スイング吸着装置とを備えている浸炭処理用ガス製造設備を第２の要旨とする。
【０００９】
本発明者は、浸炭速度を速くすべく、浸炭処理用ガスの組成について、研究を重ねた。その過程で、一酸化炭素ガスの濃度が高くなるにつれて浸炭速度が速くなることを突き止めた。また、水素ガスの濃度が浸炭速度に影響を及ぼし、水素ガスの濃度をある程度まで高くすると浸炭速度が速くなるが、それよりも高くすると逆に浸炭速度が遅くなることも突き止めた。そして、さらに研究を重ねた結果、一酸化炭素ガスの濃度を、従来よりも高く３０〜６０モル％の範囲内に設定すると、それに伴い、水素ガスも適度（３５〜５５モル％）に存在するようになり、浸炭速度が向上することを見出し、本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の浸炭処理用ガス製造方法は、上記第１〜第５工程を備えているため、得られる浸炭処理用ガスにおける一酸化炭素ガスの濃度を、３０〜６０モル％の比較的高濃度の範囲内に設定することができる。そのような浸炭処理用ガスを用いた浸炭方法は、従来の浸炭方法よりも一酸化炭素ガスの濃度が高く、浸炭速度を速くすることができる。
【００１１】
上記浸炭処理用ガスにおける一酸化炭素ガスと水素ガスとの濃度比を、１：１に設定する場合には、一酸化炭素ガスと水素ガスの濃度がより適正化され、浸炭速度をより速めることができる。
【００１２】
なお、上記「１：１」は、ガスの濃度比であるため、正確な「１：１」だけではなく、±５％の誤差の範囲〔「（０．９５〜１．０５）：１」または「１：（０．９５〜１．０５）」〕も含む意味である。
【００１３】
また、本発明の浸炭処理用ガス製造設備は、上記圧力スイング吸着装置等の構成を備えているため、一酸化炭素ガスの濃度が３０〜６０モル％の比較的高濃度の範囲内に設定された浸炭処理用ガスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備の第１の実施の形態を模式的に示す構成図である。
【図２】浸炭処理用ガス製造設備の第２の実施の形態を模式的に示す構成図である。
【図３】浸炭処理用ガス製造設備の第３の実施の形態を模式的に示す構成図である。
【図４】浸炭処理用ガス製造設備の第４の実施の形態を模式的に示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００１６】
図１は、本発明の浸炭処理用ガス製造方法に用いる浸炭処理用ガス製造設備の第１の実施の形態を示す構成図である。この実施の形態では、その浸炭処理用ガス製造設備は、得られる浸炭処理用ガスが、一酸化炭素ガスの濃度も水素ガスの濃度も略５０モル％となるようにするものである。
【００１７】
すなわち、上記浸炭処理用ガス製造設備は、天然ガス（多量のメタンガスと少量のエタンガス，プロパンガス，硫黄等からなる）を第１ヒータ１で加熱してから、脱硫器２に通し、第１管路Ａに送るようになっている。そして、酸素ガスを第２ヒータ３で加熱し第２管路Ｂに送るようになっている。この第２管路Ｂは、第１管路Ａと連結され、上記天然ガスと上記酸素ガスとが混合した状態になる。ついで、その混合ガスを改質器４に通し、高濃度の一酸化炭素ガスと水素ガスとを生成させ、第３管路Ｃに通すようになっている。このとき、同時に、二酸化炭素ガスおよび水蒸気も生成される。つづいて、それらを冷却器５に通した後、気液分離器６で気液分離し、気液分離された後の液体を排水管路Ｇから外部に排水し、気体を圧縮機吸込ホルダ７に通してから圧縮機８で圧縮し、第４管路Ｄに通すようになっている。その後、その圧縮機８で圧縮された気体を、圧力スイング吸着装置９に通し、上記一酸化炭素ガスと水素ガスの濃度を、いずれも略５０モル％に高め、管路Ｅを経由し、ＲＸガスとして、図示していない従来公知の浸炭炉に供給するようになっている。そして、圧力スイング吸着装置９に吸着させた二酸化炭素ガスを、真空ポンプ１０を利用して脱着させ、フレアスタック１３で焼却するようになっている。なお、図において、符号Ｖは弁を示す。
【００１８】
ここで、上記圧力スイング吸着装置９で得られた略５０モル％の一酸化炭素ガスと水素ガスとが、先に述べたように、浸炭処理用ガスとして浸炭炉で用いられる。このような浸炭処理用ガスを用いることにより、浸炭速度を速めることができる。
【００１９】
図２は、上記浸炭処理用ガス製造設備の第２の実施の形態を示す構成図である。この実施の形態の浸炭処理用ガス製造設備は、上記第１の実施の形態（図１参照）において、水素ガスの管路と二酸化炭素ガスの管路を追加している。すなわち、天然ガスの管路に水素ガスの管路を連結し、天然ガスと水素ガスとを混合した後、第１ヒータ１で加熱してから、脱硫器２に通し、第１管路Ａに送るようになっている。そして、酸素ガスの管路に二酸化炭素ガスの管路を連結し、酸素ガスと二酸化炭素ガスとを混合してから第２ヒータ３で加熱し第２管路Ｂに送るようになっている。この第２管路Ｂでは、上記天然ガスを含む混合ガスと、上記酸素ガスを含む混合ガスとが混合した状態になる。また、この実施の形態の浸炭処理用ガス製造設備は、上記第１の実施の形態（図１参照）において、真空ポンプ１０とフレアスタック１３との間に分岐する管路Ｆを追加している。すなわち、圧力スイング吸着装置９に吸着させた二酸化炭素ガスを、真空ポンプ１０を利用して脱着させ、その大部分を管路Ｆに送り、圧縮機吸込ホルダ１１に通してから圧縮機１２で圧縮し、原料の一部として再利用し、残部をフレアスタック１３で焼却するようになっている。
【００２０】
図３は、上記浸炭処理用ガス製造設備の第３の実施の形態を示す構成図である。この実施の形態の浸炭処理用ガス製造設備は、上記第２の実施の形態（図２参照）において、液体窒素タンク２０を追加し、その液体窒素を気化させた窒素ガスを、上記圧力スイング吸着装置９で得られた略５０モル％の一酸化炭素ガスと水素ガスとの混合ガスに混合するようにしたものである。それ以外の部分は、上記第２の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００２１】
この実施の形態では、上記液体窒素タンク２０からの窒素ガスを混合することにより、浸炭処理用ガスの一酸化炭素ガスの濃度を、処理対象物に応じて、上記略５０モル％から薄めるように調整することができる。なお、一酸化炭素ガスの濃度の下限値は３０モル％である。このような浸炭処理用ガスを用いることにより、浸炭対象品の材質や厚み等に応じて一酸化炭素ガスの濃度を調節し、最適な浸炭を行うことができる。
【００２２】
図４は、上記浸炭処理用ガス製造設備の第４の実施の形態を示す構成図である。この実施の形態の浸炭処理用ガス製造設備は、図２に示す浸炭処理用ガス製造設備に、一酸化炭素ガス容器３１を追加し、その一酸化炭素ガスを、図２に示す浸炭処理用ガス製造設備で得られたＲＸガスに混合し、一酸化炭素ガスの高濃度化を可能にしたものである。なお、参考形態として、従来のＲＸガス製造設備３０に、上記と同様に、一酸化炭素ガス容器３１を追加し、その一酸化炭素ガスを、従来のＲＸガス（一酸化炭素ガス：２０〜２５モル％）に混合し、一酸化炭素ガスを高濃度化してもよい。
【００２３】
この実施の形態では、上記一酸化炭素ガスを混合することにより、先に述べたように、ＲＸガスにおける一酸化炭素ガスの濃度を高めて改質ＲＸガスとし、浸炭対象品の材質や厚み等に応じて、３０〜６０モル％の範囲内で調整することができる。このような浸炭処理用ガスを用いることにより、浸炭速度を速めることができる。また、図２に示す浸炭処理用ガス製造設備で得られたＲＸガスが濃度不足だったり、浸炭対象品が変わってより高濃度のものが求められる場合等に、迅速に対応することができるようになる。
【００２４】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【００２５】
〔実施例１〜３および比較例１，２〕
日本工業規格（ＪＩＳ）で規定されるＳＵＳ３１６（Ｃｒ含有１８重量％，Ｎｉ含有１２重量％，Ｍｏ含有２．５重量％，残部Ｆｅ）の２．５ｍｍ厚板片を準備し、それを浸炭炉に入れ、４５０℃まで加熱し、下記の表１に示す組成のＲＸガスを用いて浸炭処理した。その浸炭処理は、表面硬度が８７０〜８９０Ｈｖ、浸炭層の深さが２０μｍになるように行った。そして、その浸炭処理に要した時間を測定した。その結果を下記の表１に示した。
【００２６】
【表１】
0006234711.tif 000002
【００２７】
上記の結果から、ＲＸガスの一酸化炭素ガスの濃度が３０〜６０モル％である実施例１〜３は、一酸化炭素ガスの濃度が２５モル％と低い比較例１と比較して、浸炭速度が速いことがわかる。なかでも、一酸化炭素ガスの濃度も水素ガスの濃度も５０モル％である実施例２が最も速いことがわかる。また、比較例２のように、一酸化炭素ガスの濃度を６５モル％と高くし過ぎても、水素ガスの濃度が３５モル％と低くなるため、浸炭速度が遅くなることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、浸炭速度を速めることに利用することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１  第１ヒータ
３  第２ヒータ
４  改質器
９  圧力スイング吸着装置
【図１】
0006234711.tif 000003
【図２】
0006234711.tif 000004
【図３】
0006234711.tif 000005
【図４】
0006234711.tif 000006