(57)【要約】  オプトエレクトロニクス部品はハウジング本体を備え、その上面にキャビティが形成される。さらに、ハウジング本体の上面にチャネルが形成され、当該チャネルはキャビティから離れるように、ハウジング本体の上面の外縁に向かって延伸する。
2016533641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング本体（２００）を有し、
前記ハウジング本体（２００）の上面（２０１）にキャビティ（２１０）が形成され、
前記キャビティ（２１０）から前記ハウジング本体（２００）の前記上面（２０１）の外縁（２０２）まで延伸するチャネル（２２０）が、前記ハウジング本体（２００）の前記上面（２０１）に形成されている、オプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項２】
前記キャビティ（２１０）の底部領域（２１１）にオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００）が設けられている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項３】
前記キャビティ（２１０）及び前記チャネル（２２０）内に封止材料（４００）が設けられている、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項４】
前記封止材料（４００）はシリコーンを含む、請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項５】
前記封止材料（４００）は埋め込み型波長変換粒子を含む、請求項３又は４に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項６】
前記封止材料（４００）は前記ハウジング本体（２００）の前記上面（２０１）の上に延伸し、前記上面（２０１）上に層（４２０）を形成している、請求項３〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項７】
前記層（４２０）の前記ハウジング本体（２００）の上に設けられている部分の厚さ（４２１）が１００μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満である、請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項８】
前記オプトエレクトロニクス部品（６００）は、前記キャビティ（２１０）の上に設けられている光学レンズ（４３０）を備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項９】
前記光学レンズ（４３０）が前記封止材料（４００）と一体的に形成される、請求項８及び請求項３〜７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（６００）。
【請求項１０】
オプトエレクトロニクス部品（６００）の製造方法であって、
複数のハウジング本体（２００）の平面パネル（１００）を、各ハウジング本体（２００）が前記パネル（１００）の上面（１０１）に開口するキャビティ（２１０）を有し、複数の隣接するハウジング本体（２００）の前記キャビティ（２１０）が前記パネル（１００）の前記上面（１０１）に開口するチャネル（２２０）によって接続されるように、設けるステップと、
前記ハウジング本体（２００）の前記キャビティ（２１０）内に封止材料を設けるステップと、
前記パネル（１００）を分割するステップと、を含む、方法。
【請求項１１】
前記封止材料（４００）を設けるステップの前に、
ハウジング本体（２００）の前記キャビティ（２１０）の底部領域（２１１）上にオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００）を設けることをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記封止材料（４００）は、前記封止材料（４００）を設けるステップの間に前記チャネル（２２０）を少なくとも部分的に流れる、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記封止材料（４００）が前記キャビティ（２１０）内での圧縮成形によって設けられる、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記平面パネル（１００）を設けるステップは、前記パネル（１００）を射出成形によって形成するステップを含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記パネル（１００）を分割するステップは、前記チャネル（２２０）に対して垂直に配向される分離面（１１０）に沿って行われる、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特許請求項１に係るオプトエレクトロニクス部品、及び特許請求項１０に係るオプトエレクトロニクス部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス半導体チップ、例えば発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）がハウジングのキャビティに設けられるオプトエレクトロニクス部品は、従来より知られている。キャビティは封止材料で充填されており、その中にオプトエレクトロニクス半導体チップが埋め込まれる。このようなオプトエレクトロニクス部品の製造中に、複数のハウジングを有する途切れのないパネルのキャビティが、同時に封止材料で充填される。封止は、例えば、圧縮成形によって行われる。封止材料は、この場合、キャビティの縁部を越えて、パネルのハウジング間に分配される。そのため、同様に封止材料で充填される十分な空間が、ハウジングのキャビティの縁部を越えて設けられなければならない。このオプトエレクトロニクス部品のハウジングを越えて残る封止材料の部分が材料費を上昇させ、効率を低下させ、オプトエレクトロニクス部品の分割をより難しくする。
【発明の概要】
【０００３】
本発明の目的は、オプトエレクトロニクス部品を提供することである。この目的は、請求項１の特徴を有するオプトエレクトロニクス部品によって実現される。本発明の別の目的は、オプトエレクトロニクス部品の製造方法を提供することである。この目的は、請求項１０の特徴を有する方法によって実現される。従属項にはさまざまな改良点が記載されている。
【０００４】
オプトエレクトロニクス部品はハウジング本体を備え、その上面にキャビティが形成される。さらに、ハウジング本体の上面に、キャビティからハウジング本体の上面の外縁まで延伸するチャネルが形成される。有利に、このオプトエレクトロニクス部品のハウジング本体のキャビティは、オプトエレクトロニクス部品の製造中に、チャネルを介して封止材料で充填されてもよい。
【０００５】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップはキャビティの底部領域に設けられる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、例えば、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）であってもよい。オプトエレクトロニクス部品のハウジングのキャビティは、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される電磁放射に対するリフレクタを形成して、この放射を視準してもよい。ハウジングのキャビティの底部領域上にオプトエレクトロニクス半導体チップを設けることで、有利にオプトエレクトロニクス半導体チップを外的機械的影響による損傷から保護する。
【０００６】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、封止材料をキャビティ及びチャネル内に設ける。これにより、有利に、封止材料がオプトエレクトロニクス部品の製造中にチャネルを介してキャビティに進入することができ、オプトエレクトロニクス部品の製造を特に簡単にすることができる。キャビティに設ける封止材料は、キャビティ内に設けて封止材料内に埋め込まれるオプトエレクトロニクス半導体チップに対する追加の保護として有利に使用してもよい。
【０００７】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、封止材料はシリコーンを備える。このようにして、封止材料は有利に経済的に取得可能であり、その処理も簡単である。さらに、封止材料はこのようにして、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される電磁放射を光学的に実質的に透過させるように構成されてもよい。
【０００８】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、封止材料は埋め込み型波長変換粒子を備える。封止材料に埋め込まれる波長変換粒子は、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される電磁放射の波長を変換するために設けられてもよい。そのため、波長変換粒子は、第１の波長を有する電磁放射を吸収し、続いて、第２の、典型的にはより長い波長を有する電磁放射を放出するように構成されてもよい。波長変換粒子は、例えば、有機又は無機の発光材料を備えてもよい。波長変換粒子はまた、量子ドットを備えてもよい。
【０００９】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、封止材料はハウジング本体の上面の上に延伸し、そこに層を形成する。有利に、その層は同様に、オプトエレクトロニクス部品の製造中に、封止材料でのキャビティの充填に貢献することができる。
【００１０】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、上記層の、ハウジング本体の上に設けられる部分の厚さは、１００μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満である。有利に、このような薄い厚さの層では、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される電磁放射のわずか少量のみしか失われない。さらに、このような薄い層を形成するためには、ごくわずかな量の封止材料しか必要とされない。
【００１１】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、オプトエレクトロニクス部品は、キャビティの上に設けられる光学レンズを備える。光学レンズは、例えば、集光レンズ又は発散レンズとして構成されてもよい。光学レンズは、有利に、オプトエレクトロニクス部品によって放出される光ビームの成形に用いられてもよい。
【００１２】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、レンズを封止材料と一体的に形成する。このようにして、レンズは有利に、特に簡単且つ経済的に製造されることができる。特に、レンズを、オプトエレクトロニクス部品のハウジング本体のキャビティを封止材料で充填するのと同時に形成することができる。
【００１３】
オプトエレクトロニクス部品の製造方法は、複数のハウジング本体の平面パネルを、各ハウジング本体がパネルの上面に開口するキャビティを有し、隣接するハウジング本体のキャビティがパネルの上面に開口するチャネルによって接続されるように設けることと、ハウジング本体のキャビティ内に封止材料を設けることと、パネルを分割することと、の工程を有する。有利に、この方法は、オプトエレクトロニクス部品毎の製造コストを低下させられるように、複数のオプトエレクトロニクス部品を並行して製造することができる。ハウジング本体のキャビティに封止材料を設けている間、封止材料を有利に、チャネルを介してハウジング本体のキャビティに進入させてもよい。封止材料を分配するための、パネルの上に設けられる空間は、方法が有利に封止材料の消費を最小限に抑えるように関連付けられるように、特に小さくなるように構成されることができる。さらに、本方法によって得られるオプトエレクトロニクス部品では、結果的に、薄い封止材料の層のみがハウジング本体の上面の上に形成され、この層による明るさの損失は小さくなる。
【００１４】
本方法の一実施形態では、方法は、封止材料を設ける前に行われる、ハウジング本体のキャビティの底部領域上にオプトエレクトロニクス半導体チップを設けることをさらに備える。有利に、ハウジング本体のキャビティ内のオプトエレクトロニクス半導体チップは、オプトエレクトロニクス半導体チップを外的機械的影響による後続の損傷から保護するために、封止材料内に埋め込まれる。
【００１５】
本方法の一実施形態では、封止材料は、封止材料を設けている間に少なくとも部分的にチャネルを流れる。このようにして、封止材料は有利に、複数のハウジング本体のキャビティに簡単な方法で進入することができ、全てのキャビティの信頼できる充填を確実とすることができる。
【００１６】
本方法の一実施形態では、封止材料は、キャビティ内での圧縮成形によって設けられる。これによって、有利に、方法が経済的に行われるのを可能とする。
【００１７】
本方法の一実施形態では、平面パネルを設けることは、射出成形よってパネルを形成することを備える。これによって、有利に、複数のハウジング本体の平面パネルを経済的に製造することができる。
【００１８】
本方法の一実施形態では、パネルの分割は、チャネルに対して垂直に配向される分離面に沿って行われる。このようにして、パネルの分割中に封止材料の短い断面のみを分割することが必要となり、これによって分割が簡単な一段階の処理で行われることができるようになる。
【００１９】
上述される本発明の特性、特徴及び利点は、それらが実現される方法と併せて、以下の図面と関連してより詳細に説明され、図式的に表された例示的な実施形態の記載と関連付けることで、明確及び包括的に理解することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、複数のハウジング本体のパネルの平面図である。
【図２】図２は、パネルを通る断面を示す。
【図３】図３は、オプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図４】図４は、オプトエレクトロニクス部品を通る断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、ハウジング本体２００のパネル１００の概略平面図を示す。図２は、パネル１００の概略断面側面図を示す。
【００２２】
パネル１００は複数のハウジング本体２００を備える。ハウジング本体２００はパネル１００において規則的に設けられ、互いに接続されている。図面に示す例では、パネル１００は、３×５で配列されたハウジング本体２００を備える。しかしながら、パネル１００はまた、実質的により大きい数のハウジング本体２００を備えることができる。
【００２３】
ハウジング本体２００は、図面では概略的にのみ示されるリードフレーム３００の上面３０１に設けられる。リードフレーム３００は導電性材料、例えば金属を備える。リードフレーム３００は、上面３０１、及び上面３０１の反対側の下面３０２を有する実質的に平らな面として構成されている。横方向では、リードフレーム３００は、上面３０１と下面３０２との間に形成される、リードフレーム３００を横方向に互いに絶縁された部分に細分化する、開口部を有する構造を有してもよい。
【００２４】
パネル１００の接続されているハウジング本体２００は、電気絶縁性材料、例えばプラスチック材料を備える。ハウジング本体２００は、例えば、エポキシドを備えてもよい。ハウジング本体２００は、例えば、リードフレーム３００の上面３０１に射出成形によって形成されてもよい。
【００２５】
パネル１００の接続されているハウジング本体２００は、リードフレーム３００の上面３０１とは反対側の上面２０１を備える。パネル１００の、接続されている複数のハウジング本体２００の上面２０１は、共にパネル１００の上面２０１を形成する。
【００２６】
パネル１００の各ハウジング本体２００は、ハウジング本体２００それぞれの上面２０１に開口するキャビティ２１０を有する。キャビティ２１０は、ハウジング本体２００の上面２０１からハウジング本体２００内に、リードフレーム３００の上面３０１まで延伸する。リードフレーム３００の上面３０１は、したがって、キャビティ２１０の底部領域２１１を形成する。パネル１００の横方向では、キャビティ２１０は、例えば長方形、又は、図示するように、円盤状の断面を有してもよい。キャビティ２１０の底部領域２１１と、対応するハウジング本体２００の上面２０１と、の間を延伸するキャビティ２１０の壁は、図示するように、垂直に配向されてもよい。しかしながら、キャビティ２１０は、例えば、底部領域２１１から上面２０１に向かってその幅が広がってもよい。
【００２７】
パネル１００の隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０は、チャネル２２０によって互いに接続される。チャネル２２０はハウジング本体２００の上面２０１からハウジング本体２００内に延伸するが、リードフレーム３００の上面３０１には到達しないことが好ましい。チャネル２２０の底部領域は、パネル１００の接続されているハウジング本体２００の材料によって形成されるのが好ましい。チャネル２２０は、隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０間にて、最も短い経路で直線状に延伸するのが好ましい。１つのキャビティ２１０から次のキャビティ２１０に向かう長手延伸方向とは垂直に、各チャネル２２０は、キャビティ２１０の横の直径よりも好ましくはずっと小さい幅を有する。
【００２８】
図１及び図２に示される例では、パネル１００のハウジング本体２００は、行及び列の規則的な長方形の配列で設けられている。この場合におけるチャネル２２０は、互いに隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０間で行方向にも列方向にも延伸する。このようにして、パネル１００の外縁に設けられるハウジング本体２００を除くパネル１００の各ハウジング本体２００について、キャビティ２１０は４つの隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０に、４つのチャネル２２０を介して接続される。しかしながら、チャネル２２０をいくつか省き、チャネル２２０を列方向又は行方向のみに設けることも可能である。同様に、角で隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０を互いに接続する追加の斜め方向のチャネル２２０を設けることも可能である。同様に、パネル１００のハウジング本体２００を長方形の配列以外の配列で構成することも可能である。この場合においても、ハウジング本体２００のキャビティ２１０は、チャネル２２０を介して互いに接続される。
【００２９】
ハウジング本体２００のキャビティ２１０及びチャネル２２０は、ハウジング本体２００のパネル１００の製造中に既に形成されていることが好ましい。これは、例えば、ハウジング本体２００のパネル１００の製造中に好適な型を用いた射出成形によって行われてもよい。
【００３０】
オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、各ハウジング本体２００のキャビティ２１０の底部領域２１１にそれぞれ設けられる。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、例えば、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）であってもよい。各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、上面５０１、及び上面５０１の反対側の下面５０２を有する。各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、電磁放射、例えば可視光を生成し、且つそれをその上面５０１で放出するように構成される。各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、ハウジング本体２００のキャビティ２１０の底部領域２１１上に、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の下面５０２がキャビティ２１０の底部領域２１１と対向するように設けられる。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の下面５０２は、例えば、導電性接続媒体、例えばはんだ又は導電性接着剤によって、リードフレーム３００の一部分の上面３０１に接続されてもよい。
【００３１】
各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、上面５０１に第１の電気的接続パッドが形成される。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の第２の電気的接続パッドは、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の下面５０２上に形成されてもよい。各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００では、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００に電磁放射を放出させるように、第１の電気的接続パッドと第２の電気的接続パッドとの間で電圧をオプトエレクトロニクス半導体チップ５００に印加してもよい。各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００では、上面５０１に形成された第１の電気的接続パッドは、リードフレーム３００の一部分にボンディングワイヤ５１０で導電的に接続される。この場合におけるボンディングワイヤ５１０は、対応するハウジング本体２００のキャビティ２１０内にて完全に延伸するのが好ましい。下面５０２に設けられた第２の電気的接続パッドは、各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００において、リードフレーム３００の一部分と導電的に、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００とリードフレーム３００の上面３０１との間の導電性接続媒体によって、接続されてもよい。
【００３２】
パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０におけるオプトエレクトロニクス半導体チップ５００の配置は、パネル１００のハウジング本体２００を形成した後に行われるのが好ましい。ボンディングワイヤ５１０の取り付けはその後に行われる。
【００３３】
パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０は、封止材料４００で充填される。チャネル２２０もまた、封止材料４００で充填される。パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０内に設けられるオプトエレクトロニクス半導体チップ５００、及びオプトエレクトロニクス半導体チップ５００に接続されたボンディングワイヤ５１０は、封止材料４００内に埋め込まれる。このようにして、封止材料４００は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００及びボンディングワイヤ５１０を、外的機械的影響による損傷、並びに塵及び水分の侵入から保護する。
【００３４】
封止材料４００は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００によって放出される電磁放射を実質的に光学的に透過させる材料を備える。例えば、封止材料４００はシリコーンを備えてもよい。封止材料４００は、さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００によって放出された電磁放射の波長を変換することを目的とする埋め込み型波長変換粒子を備えてもよい。そのため、封止材料４００に埋め込まれる波長変換粒子は、第１の波長を有する電磁放射を吸収して、続いて、第２の、典型的にはより長い波長を有する電磁放射を放出するように構成されてもよい。このようにして、封止材料４００に埋め込まれる波長変換粒子は、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００によって生成される青色光を白光に変換するように構成されてもよい。封止材料４００に埋め込まれる埋め込み型波長変換粒子は、例えば、有機発光材料又は無機発光材料を備えてもよい。波長変換粒子はまた、量子ドットを備えてもよい。
【００３５】
封止材料４００は、パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０を完全に充填するのが好ましい。各キャビティ２１０では、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００及びボンディングワイヤ５１０が埋め込まれる、封止材料４００の嵩部（volume section）４１０が設けられる。
【００３６】
それに加え、封止材料４００はまた、パネル１００のハウジング本体２００の上面２０１上にも延伸する。パネル１００のハウジング本体２００の上面２０１上に設けられる封止材料４００の一部が、カバー層４２０を形成する。したがって、カバー層４２０は、パネル１００の隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０に設けられる封止材料４００の嵩部４１０を接続する。それに加え、隣接するハウジング本体２００のキャビティ２１０に設けられる封止材料４００の嵩部４１０は、チャネル２２０に設けられる封止材料４００の部分によって互いに接続される。
【００３７】
パネル１００のハウジング本体２００の上面２０１の上方に設けられる、封止材料４００のカバー層４２０は、ハウジング本体２００の上面２０１に垂直な方向での厚さ４２１を有する。好ましくは、カバー層４２０の厚さ４２１は１００μｍ未満である。特に好ましくは、カバー層４２０の厚さ４２１は５０μｍ未満である。
【００３８】
光学レンズ４３０が、パネル１００の各ハウジング本体２００のキャビティ２１０の上に設けられる。光学レンズ４３０は、封止材料４００のカバー層４２０の上方に設けられ、好ましくは封止材料４００からなる。光学レンズ４３０は、封止材料４００をパネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０内に導入する間に形成されてもよい。光学レンズ４３０は好ましくは集光レンズとして構成されるが、発散レンズ又は異なる様態で構成されてもよい。光学レンズ４３０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００によって放出される電磁放射のビーム成形のために用いられてもよい。例えば、光学レンズ４３０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００によって放出される電磁放射の視準のために用いられてもよい。
【００３９】
封止材料４００の、パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０への導入は、例えば、圧縮成形によって行われてもよい。この場合、封止材料４００は、パネル１００の個々のハウジング本体２００のキャビティ２１０間のチャネル２２０を介して分配されてもよい。この場合では、封止材料４００はチャネル２２０を流れる。より低い度合で、封止材料４００はまた、パネル１００のハウジング本体２００の上面２０１の上のカバー層４２０を介して分配されてもよい。チャネル２２０によって、確実にパネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０が封止材料４００によって完全に充填される。
【００４０】
パネル１００のハウジング本体２００のキャビティ２１０が封止材料４００で充填された後に、ハウジング本体２００は、パネル１００を分割することで互いに分離されてもよい。そのために、パネル１００は分離面１１０に沿って分離される。分離面１１０は、ハウジング本体２００間を延伸する。図１及び図２に示すハウジング本体２００の長方形の構成では、分離面１１０はハウジング本体２００の行及び列間を延伸する。分離面１１０は、パネル１００のハウジング本体２００のチャネル２２０を通る。この場合、チャネル２２０は、１つのキャビティ２１０から隣接するキャビティ２１０への長手方向に対して直交する分離面１１０によって切断される。
【００４１】
パネル１００の分割は、例えば、ソーイングプロセスによって行われてもよい。この場合、ソーによる切り込みは、実質的にパネル１００のハウジング本体２００の材料を通って、且つ、細長いチャネル２２０の領域及びカバー層４２０の領域のみにおいて封止材料４００を通って延伸する。これによって、ハウジング本体２００の材料と封止材料４００のものとの間の硬さの違いを無視することができ、分離面１１０に沿ったパネル１００の分割を一段階のソーイングプロセスで行うことができる。この可能性は、封止材料４００の、ハウジング本体２００の上面２０１の上に設けられるカバー層４２０の薄い厚み４２１によって特に強固にされる。しかしながら、パネル１００の分割は、例えば、封止材料４００のカバー層４２０が１つの段階で分割され、パネル１００のハウジング本体２００が更なる段階で分割される、二段階のソーイングプロセスによって行われてもよい。
【００４２】
図３は、分割されたパネル１００の一部から形成される、オプトエレクトロニクス部品６００の概略平面図を示す。図４は、オプトエレクトロニクス部品６００の概略断面側面図を示す。オプトエレクトロニクス部品６００は、パネル１００のハウジング本体２００、リードフレーム３００の一部分、並びにハウジング本体２００のキャビティ２１０及びハウジング本体２００のチャネル２２０内に設けられる封止材料４００によって形成される、ハウジング６１０を有する。ハウジング６１０は、ハウジング本体２００のキャビティ２１０内に設けられる、オプトエレクトロニクス部品６００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５００を囲む。
【００４３】
オプトエレクトロニクス部品６００のハウジング６１０の、ハウジング本体２００の上面２０１は、パネル１００を分離面１１０に沿って分割することで形成される外縁２０２を有する。オプトエレクトロニクス部品６００のハウジング６１０の、ハウジング本体２００のチャネル２２０は、ハウジング本体２００のキャビティ２１０からハウジング本体２００の外縁２０２に延伸する。
【００４４】
オプトエレクトロニクス部品６００は、例えば、表面実装のためのＳＭＤ部品として扱われ得る。例えば、オプトエレクトロニクス部品６００は、リフローソルダリングによる取り付けを目的としてもよい。そのため、オプトエレクトロニクス部品６００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５００の２つの電気接触パッドに導電的に接触される、２つのはんだ接触パッドが、オプトエレクトロニクス部品６００のハウジング６１０のリードフレーム３００の下面３０２に形成されてもよい。
【００４５】
また、パネル１００に設けられるハウジング本体２００をセラミック材料から形成することもできる。この場合、リードフレーム３００は省いてもよい。パネル１００の各ハウジング本体２００は、この場合、対応するハウジング本体２００のキャビティ２１０の底部領域２１１と、対応するハウジング本体２００の上面２０１とは反対側のハウジング本体２００の下面との間を延伸する、埋め込み型導電性ビアを有してもよい。この場合、チャネル２２０はハウジング本体２００の基板における凹部（indentations）として構成されてもよく、例えば、レーザによって、又は多層セラミックを用いて、導入されてもよい。このようにして形成されたハウジング本体２００のパネル１００では、残りの構造及び更なる処理は、図１〜図４を参照して記載されるものと対応する。
【００４６】
本発明は、好適且つ例示的な実施形態を参照して詳細に図示及び記載している。それでもなお、本発明は開示された例に限定されない。むしろ、本発明の保護範囲を逸脱することなく、当業者であれば他の変更をもこれより想定し得るであろう。
【００４７】
この特許出願は、本明細書中にその開示内容が参照によって援用される、ドイツ特許出願第１０２０１３２２０９６０．６号の優先権を主張する。
【符号の説明】
【００４８】
１００  パネル
１０１  上面
１１０  分離面
２００  ハウジング本体
２０１  上面
２０２  外縁
２１０  キャビティ
２１１  底部領域
２２０  チャネル
３００  リードフレーム
３０１  上面
３０２  下面
４００  封止材料
４１０  嵩部
４２０  カバー層
４２１  厚さ
４３０  光学レンズ
５００  オプトエレクトロニクス半導体チップ
５０１  上面
５０２  下面
５１０  ボンディングワイヤ
６００  オプトエレクトロニクス部品
６１０  ハウジング
【図１】
2016533641.tif 000003
【図２】
2016533641.tif 000004
【図３】
2016533641.tif 000005
【図４】
2016533641.tif 000006
【国際調査報告】
2016533641.tif 000007
2016533641.tif 000008
2016533641.tif 000009
2016533641.tif 000010
2016533641.tif 000011
2016533641.tif 000012