(57)【要約】  本発明の実施形態は概して、基板上に形成された誘電体層の表面のポアを封止するための方法を提供する。一実施形態では、方法は、基板上に形成された誘電体層を、一般式ＣｘＨｙＯで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第１ポア封止剤に曝露することと、誘電体層上に第１封止層を形成するために、第１ポア封止剤の雰囲気中で、基板をＵＶ放射に曝露することとを含む。【選択図】図４
2016541120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、
基板上に形成された誘電体層を、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第１ポア封止剤に曝露することと、
前記誘電体層上に第１封止層を形成するために、前記第１ポア封止剤の雰囲気中で前記基板をＵＶ放射に曝露することとを含む、方法。
【請求項２】
更に、
前記基板上に形成された前記誘電体層を、前記第１ポア封止剤とは化学的に異なる第２ポア封止剤であって、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第２ポア封止剤に曝露することを含み、前記誘電体層を前記第２ポア封止剤に曝露することは、前記第１封止層の上に第２封止層を形成するために、ＵＶ放射への曝露下で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、
前記誘電体層を前記第２ポア封止剤に曝露する前に、ＵＶ放射への曝露下で、疎水性官能基を含有する触媒ガスを前記処理チャンバへ流すことを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ポア封止剤及び前記第２ポア封止剤は、炭酸ジアルキル類及び酢酸アルキル類から成る群から選択された前記化合物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記炭酸ジアルキル類は、炭酸ジメチル（Ｃ３Ｈ６Ｏ３）、炭酸ジエチル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ３）、又は炭酸ジプロピル（Ｃ７Ｈ１４Ｏ３）を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記酢酸アルキル類は、酢酸プロピル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ２）、酢酸ブチル（Ｃ６Ｈ１２Ｏ２）、メチルヘキサノエート（Ｃ７Ｈ１４Ｏ２）、メチルヘプタノエート（Ｃ８Ｈ１６Ｏ２）、メチルオクタノエート（Ｃ９Ｈ１８Ｏ２）、又はデカン酸メチル（Ｃ１１Ｈ２２Ｏ２）を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
処理チャンバの中で基板を処理するための方法であって、
一般式ＣｘＨｙＯｚで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第１ポア封止剤を、前記処理チャンバの中に位置付けられた透明なウインドウと透明なシャワーヘッドとの間に配置されている、前記処理チャンバの上部処理領域に流入させることと、
前記第１ポア封止剤を、前記上部処理領域から、前記透明なシャワーヘッド内に形成された一又は複数の通路を通じて、前記熱処理チャンバの中に配置された前記透明なシャワーヘッドと基板支持体との間に配置されている、下部処理領域へと流入させることと、
前記基板支持体上に配置された基板の上に形成された誘電体層を、前記第１ポア封止剤に曝露することと、
前記誘電体層上に第１封止層を形成するために、前記第１ポア封止剤の雰囲気中で、前記基板をＵＶ放射に曝露することとを含む、方法。
【請求項８】
更に、
第２ポア封止剤を、前記処理チャンバの前記上部処理領域に、及び、前記透明なシャワーヘッド内に形成された前記一又は複数の通路を通じて前記下部処理領域に、流入させることによって、前記第２ポア封止剤に、前記基板上に形成された前記誘電体層を曝露することを含み、
前記第２ポア封止剤は、前記第１ポア封止剤とは化学的に異なり、かつ、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、ｚは１から３までの範囲を有し、前記誘電体層を前記第２ポア封止剤に曝露することは、前記第１封止層の上に第２封止層を形成するために、ＵＶ放射への曝露下で実行される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１ポア封止剤及び前記第２ポア封止剤は、炭酸ジアルキル類及び酢酸アルキル類から成る群から選択された前記化合物を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭酸ジアルキル類は、炭酸ジメチル（Ｃ３Ｈ６Ｏ３）、炭酸ジエチル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ３）、又は炭酸ジプロピル（Ｃ７Ｈ１４Ｏ３）を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記酢酸アルキル類は、酢酸プロピル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ２）、酢酸ブチル（Ｃ６Ｈ１２Ｏ２）、メチルヘキサノエート（Ｃ７Ｈ１４Ｏ２）、メチルヘプタノエート（Ｃ８Ｈ１６Ｏ２）、メチルオクタノエート（Ｃ９Ｈ１８Ｏ２）、又はデカン酸メチル（Ｃ１１Ｈ２２Ｏ２）を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
第１ポア封止剤及び第２ポア封止剤を前記上部処理領域に流入させることは、更に、
前記第１ポア封止剤及び／又は前記第２ポア封止剤を、前記透明なウインドウの周囲を囲むよう構成されたガス分配リングから、前記透明なシャワーヘッド内に形成された一又は複数の通路へ、径方向に流すことを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、
基板上に形成された誘電体層を、第１ポア封止剤に曝露することと、
前記誘電体層を、前記第１ポア封止剤とは化学的に異なる第２ポア封止剤に曝露することとを含み、前記第１ポア封止剤及び前記第２ポア封止剤は、炭酸ジアルキル類及び酢酸アルキル類から成る群から選択された一化合物を含み、
前記誘電体層上に封止層を形成するために、前記第１ポア封止剤及び／又は前記第２ポア封止剤の雰囲気中で、前記基板をＵＶ放射に曝露することと、
前記誘電体層上に前記封止層を形成した後に、ＵＶ硬化ガスの雰囲気中で、前記封止層をＵＶ放射に曝露することとを含む、方法。
【請求項１４】
更に、
前記誘電体層を前記第２ポア封止剤に曝露する前に、親水性の低誘電率誘電体層表面を疎水性の低誘電率誘電体層表面に変換するために、ＵＶ放射への曝露下で、前記処理チャンバへ触媒ガスを流すことを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記炭酸ジアルキル類は、炭酸ジメチル（Ｃ３Ｈ６Ｏ３）、炭酸ジエチル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ３）、又は炭酸ジプロピル（Ｃ７Ｈ１４Ｏ３）を含み、前記酢酸アルキル類は、酢酸プロピル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ２）、酢酸ブチル（Ｃ６Ｈ１２Ｏ２）、メチルヘキサノエート（Ｃ７Ｈ１４Ｏ２）、メチルヘプタノエート（Ｃ８Ｈ１６Ｏ２）、メチルオクタノエート（Ｃ９Ｈ１８Ｏ２）、又はデカン酸メチル（Ｃ１１Ｈ２２Ｏ２）を含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は概して、ＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する、損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、誘電体層によって互いから絶縁される、複数の金属層を含む。デバイスは縮小という特徴を有することから、金属層間の、及び各層上の金属線間の距離が減少すると、キャパシタンスは増大する。この問題に対処するよう、金属線を分離する誘電体層を形成するために、相対的に低い誘電率を有する新たな絶縁材料が、二酸化ケイ素の代わりに使用されている。かかる低誘電率誘電体層を形成するために使用されうる例示的な材料の１つは、多孔性の炭素がドープされた酸化物（ＣＤＯ）である。金属線を分離するために、二酸化ケイ素の代わりにこの材料を使用することで、伝播遅延、クロストークノイズ、及び電力散逸がより少ないデバイスがもたらされうる。
【０００３】
多孔性の炭素がドープされた酸化物により、（例えば炭素の添加による）無極性共有結合の組込み、及び膜密度を減少させるための孔の導入を通じて、誘電率の低下が達成される。孔の導入、又は、Ｓｉ−ＣＨ３などの末端結合の組込みは、酸化物の堅牢なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ格子の連続性を破壊し、機械的にも化学的にも脆弱な、誘電率がより低い層をもたらす。機械的脆弱性により、多孔性の炭素がドープされた酸化物は、プロセス関連の損傷、並びに、プラズマ灰化、及び、バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）プロセスのようなワイヤ加工プロセスにおけるその他のプロセスにより引き起こされる汚染を、受けやすい。そのため、誘電率誘電体層の有効誘電率が上昇する。
【０００４】
従って、当該技術分野においては、低誘電率膜の誘電率の復元を可能にするように、プロセス関連の損傷を最小化し、かつ、更なる処理に先立って曝露されたポアを封止する、改良型の方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００５】
本書に記載の実施形態は概して、ＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する、損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のための方法に関する。一実施形態では、処理チャンバの中で基板上に形成された誘電体層の表面のポアを封止するための方法が、提供される。方法は、基板上に形成された誘電体層を、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第１ポア封止剤に曝露することと、誘電体層上に第１封止層を形成するために、第１ポア封止剤の雰囲気中で、基板をＵＶ放射に曝露することとを、含む。
【０００６】
別の実施形態では、処理チャンバの中で基板上に形成された誘電体層の表面のポアを封止するための方法が、提供される。方法は、第１ポア封止剤を、処理チャンバの中に位置付けられた透明なウインドウと透明なシャワーヘッドとの間に配置された、処理チャンバの上部処理領域へと流入させることと、第１ポア封止剤を、透明なシャワーヘッド内に形成された一又は複数の通路を通じて、熱処理チャンバの中に配置された透明なシャワーヘッドと基板支持体との間に配置された、下部処理領域へと流入させることと、基板上に形成された誘電体層を、第１ポア封止剤に曝露することと、誘電体層上に封止層を形成するために、第１ポア封止剤の雰囲気中で基板をＵＶ放射に曝露することとを、含む。
【０００７】
更に別の実施形態では、処理チャンバの中で基板上に形成された誘電体層の表面のポアを封止するための方法が、提供される。方法は、基板上に形成された誘電体層を、第１ポア封止剤に曝露することと、誘電体層を、第１ポア封止剤とは異なる第２ポア封止剤に曝露することとを含み、第１と第２のポア封止剤は、炭酸ジアルキル類及び酢酸アルキル類から成る群から選択された一化合物を含み、方法は、誘電体層上に封止層を形成するために、第１及び／又は第２のポア封止剤の雰囲気中で基板をＵＶ放射に曝露することを含む。
【０００８】
本発明の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約されている本発明のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの発明の典型的な実施形態のみを示しており、従って、発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】２つの処理領域の上方にそれぞれ配置された２つのＵＶバルブを備えたリッドアセンブリを有する、タンデム処理チャンバの部分断面図である。
【図２】リッドアセンブリがない状態の、処理チャンバのうちの１つの一部分の等角断面概略図である。
【図３】ガス流経路を示す、図２の処理チャンバの概略断面図である。
【図４】本発明の実施形態によるＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する、損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のための例示的なプロセスシーケンスである。
【００１０】
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用した。一実施形態で開示される要素は、具体的な記載がなくとも、他の実施形態でも有益に利用されうると想定されている。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本書に記載の実施形態は概して、ＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する、損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のための方法に関する。ポア封止プロセスにおいて、ガス状の、又は気化されたポア封止剤が、Ｈｅ又はＡｒのようなキャリアガスと共に処理チャンバに導入される。ＵＶランプが次いで、ポア封止剤を活性化させ、多孔性の低誘電率誘電体層上に薄層を形成するために使用される。薄層は、低誘電率誘電体層上の曝露されたポアを封止し、従って、低誘電率誘電体層の誘電率を低下させる。様々な実施形態において、ポア封止剤は、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される化合物を含有してよく、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する。本発明の様々な実施形態が、下記でより詳細に記述される。
【００１２】
例示的な処理チャンバ
図１は、本発明に有益となるように使用されうる、例示的なタンデム処理チャンバ１００の断面図を示している。処理チャンバ１００は、基板を処理するための、チャンバ本体内の２つの別個の、隣接する処理領域を提供する。処理チャンバ１００は、リッド１０２、ハウジング１０４、及び電源１０６を有する。ハウジング１０４の各々は、本体１６２の中に画定された２つの処理領域１６０の上方にそれぞれ配置された、２つのＵＶランプバルブ１２２の１つずつを覆う。処理領域１６０の各々は、処理領域１６０の中で基板１２６を支持するための、基板支持体１２４のような加熱式基板支持体を含む。ＵＶランプバルブ１２２は、ウインドウ１０８及びシャワーヘッド１１０を通じて各処理領域の中に配置された各基板上へと方向付けられる、ＵＶ光を発する。基板支持体１２４は、セラミック、又は、アルミニウムのような金属から作成されうる。基板支持体１２４は、本体１６２の底部を通って延在し、かつ、処理領域１６０内の基板支持体１２４をＵＶランプバルブ１２２に向かって、及びそれから遠ざけるように移動させるために、駆動システム１３０によって操作される、脚部１２８に連結しうる。駆動システム１３０はまた、基板照射の均一性を更に高めるために、硬化中に基板支持体１２４を回転させ、かつ／又は平行移動させうる。例示的なタンデム処理チャンバ１００は、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ  ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．から市販されているＰｒｏｄｕｃｅｒTM処理システムのような、処理システムに組み込まれうる。
【００１３】
ＵＶランプバルブ１２２は、発光ダイオードのアレイ、又は、マイクロ波アークランプ、高周波フィラメント（容量結合プラズマ）ランプ、及び誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ランプを含むがそれらだけに限定されるわけではない、任意の最新技術のＵＶ照射源を利用する、バルブのアレイでありうる。ＵＶ光は、硬化プロセス中にパルス変調されうる。基板照射の均一性を高めるための様々な概念は、入射光の波長分布を変動させるためにも使用されうるランプのアレイ、回転及び周期的な平行移動（スウィーピング）を含む基板とランプヘッドとの相対運動、及び、ランプリフレクタの形状及び／又は配置のリアルタイム変更、の使用を含む。ＵＶバルブは、紫外線の放射源であり、波長のスペクトル域が広範なＵＶ及び赤外線（ＩＲ）の放射を伝送しうる。
【００１４】
ＵＶランプバルブ１２２は、１７０ｎｍから４００ｎｍの広帯域の波長にわたる光を発しうる。ＵＶランプバルブ１２２の中での使用のために選択されたガスにより、発せられる波長が決まりうる。ＵＶランプバルブ１２２から発せられたＵＶ光は、リッド１０２の開孔内に配置された、ウインドウ１０８及びガス分配シャワーヘッド１１０を通過することで、処理領域１６０に進入する。ウインドウ１０８は、ＯＨを含まない合成石英ガラスで作成され、ひび割れることなく真空を維持するに十分な厚みを有しうる。ウインドウ１０８は、およそ１５０ｎｍを下限とするＵＶ光を通す、溶融シリカでありうる。シャワーヘッド１１０は、石英又はサファイアのような透明な材料で作成され、ウインドウ１０８と基板支持体１２４との間に位置付けられうる。リッド１０２は本体１６２を封止し、ウインドウ１０８はリッド１０２に封止されることから、処理領域１６０は、およそ１Ｔｏｒｒからおよそ６５０Ｔｏｒｒの圧力を維持することが可能な容積を提供する。処理ガスまたは洗浄ガスは、２つの入口通路１３２の１つずつを介して、処理領域１６０に進入しうる。処理ガス又は洗浄ガスは次いで、共通の出口ポート１３４を介して、処理領域１６０を出て行く。
【００１５】
ハウジング１０４の各々は、電源１０６に隣接する開孔１１５を含む。ハウジング１０４は、ダイクロイック膜でコーティングされたキャスト石英ライニング１３６によって画定された、放物線状内表面を含みうる。ダイクロイック膜は通常、高屈折率と低屈折率とを交互に有する多様な誘電体材料から成る、周期多層膜を構成する。従って、石英ライニング１３６は、赤外光を通し、ＵＶランプバルブ１２２から発せられたＵＶ光を反射しうる。石英ライニング１３６は、放物線状内表面を移動させること、及び、その形状を変化させることによって、プロセス又はタスクの各々に一層適合するよう順応しうる。
【００１６】
図２は、単独で、又はタンデム処理チャンバ１００の任意の処理領域の替わりに使用されうる、処理チャンバ２００のうちの１つの一部分の等角断面概略図を示している。図２に示すハードウェアの設計により、基板１２６の直上で、若しくはその上方で膜を処理するか、又は、反応を触媒するために光エネルギーが使用されるＵＶチャンバ、ランプ加熱チャンバ、或いは他のチャンバ内で処理される、基板１２６にわたって、特定のガス流プロファイル分布が可能になる。
【００１７】
ウインドウアセンブリは、処理チャンバ２００の中に位置付けられて、ＵＶ真空ウインドウ２１２のような第１ウインドウを保持する。ウインドウアセンブリは、本体１６２（図１）の一部分の上に直接的又は間接的に載置されてよく、かつ、ＵＶランプバルブ１２２からのＵＶ光が通過しうる真空ウインドウ２１２を支持する、真空ウインドウクランプ２１０を含む。真空ウインドウ２１２は概して、ＵＶランプバルブ１２２のようなＵＶ放射源と、基板支持体１２４との間に位置づけられる。石英又はサファイアのような様々な透明材料で形成されうるシャワーヘッド２１４は、処理領域１６０の中の、真空ウインドウ２１２と基板支持体１２４との間に位置付けられる。透明なシャワーヘッド２１４は、ＵＶ光が通過して基板１２６に到達しうる、第２ウインドウを形成する。透明なシャワーヘッドは、真空ウインドウ２１２と透明なシャワーヘッド２１４との間の上部処理領域２２０を画定し、更に、透明なシャワーヘッド２１４と、基板支持体１２４のような基板支持体との間の下部処理領域２２２を画定する。透明なシャワーヘッド２１４は、上部と下部の処理領域２２０、２２２の間に一又は複数の通路２１６も有する。通路２１６は、処理中に基板１２６上に光パターンができないようにＵＶ光を拡散するための、粗面化された内表面を有しうる。通路２１６のサイズ及び密度は、基板表面にわたり所望の流れ特性を実現するために、均一又は不均一でありうる。通路２１６は、基板１２６にわたって径方向範囲毎の流れが均一になる、均一な流れプロファイルか、或いは、ガス流が基板１２６の中心又はエッジに優先的に向かいうる、すなわち、ガス流が優先的な流れプロファイルを有しうるかの、いずれかの流れプロファイルを有しうる。
【００１８】
透明なシャワーヘッド２１４及び真空ウインドウ２１２の表側面及び／又は裏側面は、バンドパスフィルタを有するために、及び、所望の波長の通過を改善するか、又は基板の放射照度プロファイルを改善するために、コーティングされうる。例えば、所望の波長の通過効率を改善するために、透明なシャワーヘッド２１４及び真空ウインドウ２１２上に、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層が、堆積されうる。ＡＲＣ層は、真空ウインドウ２１２及び透明なシャワーヘッド２１４の下方に配置された基板の周縁部がその中心部よりも高いＵＶ放射照度を受容するように、反射コーティングの厚みが、径方向において、透明なシャワーヘッド２１４及び真空ウインドウ２１２のエッジでそれらの中心領域よりも相対的に厚くなる様態で、堆積されうる。ＡＲＣコーティングは、真空ウインドウ２１２及び透明なシャワーヘッド２１４の表面上に形成された、一又は複数の層を有する一複合層でありうる。反射コーティングの組成及び厚みは、ＵＶ放射の入射角、波長、及び／又は放射照度の強度に基づいて調整されうる。ＡＲＣ層のより詳細な説明／利点は更に、２０１１年１１月２１日にＢａｌｕｊａ氏等によって出願され、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願第１３／３０１，５５８号に記載されており、その出願全体が参照によって本願に組み込まれている。
【００１９】
酸化アルミニウムで作成されたガス分配リング２２４は、処理領域１６０の中の、ＵＶチャンバの側壁の近位に位置付けられる。ガス分配リング２２４は、単一部品でありうるか（図示せず）、又は、ガス入口リング２２３と、一又は複数のガス分配リング通路２２６を有する基部分配リング２２１とを含みうる。ガス分配リング２２４は、真空ウインドウ２１２の周囲を概して囲むよう構成される。ガス入口リング２２３は、基部分配リング２２１と連結されてよく、それらは共にガス分配リング内部チャネル２２８を画定しうる。ガス供給源２４２（図３）は、ガス入口リング２２３の表面に形成された一又は複数のガス入口（図示せず）に連結され、ガスはそれを通ってガス分配リング内部チャネル２２８に進入しうる。一又は複数のガス分配リング通路２２６は、ガス分配リング内部チャネル２２８を上部処理領域２２０に連結し、内部チャネル２２８と透明なシャワーヘッド２１４の上方の上部処理領域２２０との間にガス流経路を形成する。
【００２０】
ガス出口リング２３０は、ガス分配リング２２４の下に位置付けられ、少なくとも部分的に、処理領域１６０の中の、透明なシャワーヘッド２１４の下にありうる。ガス出口リング２３０は、透明なシャワーヘッド２１４の周囲を囲むよう構成されており、ガス出口リング内部チャネル２３４と下部処理領域２２２とを連結し、下部処理領域２２２とガス出口内部チャネル２３４との間にガス流経路を形成する、一又は複数のガス出口通路２３６を有する。ガス出口リング２３０の一又は複数のガス出口通路２３６は、少なくとも部分的に、透明なシャワーヘッド２１４の下に配置される。
【００２１】
図３は、ガス流経路を示す、図２の処理チャンバ２００の概略断面図である。矢印３０２が示すように、後述するポア封止剤のような処理ガス、及び／又は他の種類のガスが、真空ウインドウ２１２と透明なシャワーヘッド２１４との間の上部処理領域２２０に注入されてそこを均一に満たし、透明なシャワーヘッド２１４を通って、基板１２６が上に配置されうる基板支持体１２４を覆うように、透明なシャワーヘッド２１４から基板に向かって降下しうる。ガス流は上方から基板１２６を包み込み、同心円状に広がり、ガス出口通路２３６を通って下部処理領域２２２を出て行く。ガスは次いで、下部処理領域２２２から排出され、ガス出口リング内部チャネル２３４に進入し、ガス出口２３８からガス排気口２４０内へ、及びポンプ３１０へと出て行く。シャワーヘッド２１４内の通路２１６のパターンに応じて、ガス流プロファイルは、所望の均一又は不均一な分配を提供するよう、基板１２６にわたって制御されうる。処理チャンバ２００は更に、２０１１年９月２９日にＢａｌｕｊａ氏等によって出願され、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願第１３／２４８，６５６号に記載されており、その出願全体が参照によって本願に組み込まれる。
【００２２】
例示的なポア封止プロセス
図４は、本発明のいくつかの実施形態によるＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する、損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のための例示的なプロセス４００を示している。ＵＶ処理チャンバは、図１及び図２に示す処理チャンバ１００、２００のような、任意のＵＶベースチャンバでありうる。図４に示すステップのシーケンスは、一又は複数のステップが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく追加され、削除され、かつ／又は順序を改められうることから、本書に記載の本発明の範囲についての限定を意図していないことに、留意すべきである。
【００２３】
プロセス４００は、ステップ４０２で、処理チャンバ内で基板上に低誘電率誘電体層を堆積させることにより始まる。低誘電率誘電体層は、約３を下回るｋ値を有する、任意の従来型の、多孔性かつ低誘電率の、シリコンベースの誘電体材料でありうる。一実施形態では、低誘電率誘電体層は、炭素原子及び水素原子を含有する酸化ケイ素である、有機ケイ酸塩ガラス（「ＯＳＧ」、ＳｉＯＣＨなど）である。ＳｉＯＣＨは約２から３までのｋ値を有してよく、Ａｐｐｌｉｅｄ  ＭａｔｅｒｉａｌｓからＢｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩＴＭとして入手可能である。低誘電率誘電体層は、約０．５ｎｍから約２０ｎｍの範囲内の直径を有するマイクロポアを有しうる。低誘電率誘電体層は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、又は他の任意の好適な堆積技法によって堆積されうる。
【００２４】
ステップ４０４において、任意の好適なドライエッチング又は湿式エッチングのプロセスを使用して、低誘電率誘電体層にビア及び／又はトレンチなどのフィーチャを形成するために、基板は任意で、インシトゥ（その場）で、又は別個の処理チャンバ内で、処理されうる。基板上に残っている、エッチングプロセスによるいかなるマスキング材料及び／又は残留物も、灰化プロセス又は他の任意の好適な技法を使用して、インシトゥ（その場）で、又は専用の処理チャンバ内で、剥離／除去されうる。
【００２５】
ステップ４０６において、インシトゥ（その場）で、又は別個の処理チャンバ内で、基板にポア封止プロセスが行われる。一実施形態では、ポア封止プロセスは、図３に関して上述した様態でポア封止剤を処理チャンバに流入させることによって、図１及び図２に関して上述した処理チャンバのようなＵＶベース処理チャンバ内で、実行される。ポア封止プロセスは、先行のプロセスによる堆積された低誘電率誘電体層の損傷の少なくとも一部を回復させるか、又は補修するために使用される。ポア封止プロセスにおいて、基板は、ガス又は気化された液体蒸気の形態でありうるポア封止剤に曝露される。ポア封止剤は、Ｈｅ又はＡｒのようなキャリアガスと共に流されうる。いくつかの実施形態では、ポア封止剤は、シリコン非含有化合物でありうる。いくつかの実施形態では、ポア封止剤は一般式ＣｘＨｙＯｚで表される化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する。例示的なポア封止剤は、炭酸ジアルキル類及び酢酸アルキル類を含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。炭酸ジアルキル類の例は、下記の表１に示すように、炭酸ジメチル（Ｃ３Ｈ６Ｏ３）、炭酸ジエチル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ３）、又は炭酸ジプロピル（Ｃ７Ｈ１４Ｏ３）を含みうる。酢酸アルキル類の例は、下記の表２に示すように、酢酸プロピル（Ｃ５Ｈ１０Ｏ２）、酢酸ブチル（Ｃ６Ｈ１２Ｏ２）、メチルヘキサノエート（Ｃ７Ｈ１４Ｏ２）、メチルヘプタノエート（Ｃ８Ｈ１６Ｏ２）、メチルオクタノエート（Ｃ９Ｈ１８Ｏ２）、又はデカン酸メチル（Ｃ１１Ｈ２２Ｏ２）を含みうる。
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【００２６】
ポア封止プロセスは、（表１及び／又は表２に列挙されている）一又は複数のポア封止剤を、ＵＶ透過性ウインドウとＵＶ透過性ガス分配シャワーヘッドとの間、例えば図２及び図３に関して上述した真空ウインドウ２１２と透明なシャワーヘッド２１４との間の領域から、ＵＶ透過性ガス分配シャワーヘッドを通して、基板に向けて流すことによって、ＵＶベース処理チャンバ内で実行されうる。ポア封止プロセスは、ポア封止剤の前駆体中の化学結合の分離を支援するために、図１及び図２に示すＵＶランプバルブ１２２のようなＵＶユニットをオンにすることで実行される。ＵＶユニットは、ポア封止剤の処理チャンバへの流入中、又は流入後にオンにされうる。ポア封止プロセスが完了すると、ポア封止層又はポア封止積層が多孔性の低誘電率誘電体層上に形成されて、ポアを封止する。封止層又は封止積層は、約１０オングストロームから約５０オングストロームの厚みを有しうる。様々な例示的な実施形態が、以下で記述される。本書に記載のプロセス条件は３００ｍｍ直径の基板に基づくと、理解される。
【００２７】
いくつかの実施形態では、ポア封止プロセスは、表１に列挙されたポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流すことによって実行される。ポア封止プロセスの処理時間は、約１５秒から約９００秒であってよく、例えば約３６０秒でありうる。ポア封止プロセスにおいて、チャンバ圧力は、約５０ミリＴｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒまであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。基板は、約５０℃から約４００℃のある温度、例としては約２００℃から約３５０℃までの温度、例えば約３００度に、加熱されうる。ポア封止剤の流量は、約１００ｍｇｍから約２０００ｍｇｍまで、例えば約８００ｍｇｍであってよく、キャリアガスの流量は、約５００ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍまで、例えば約２０００ｓｃｃｍでありうる。電極間隔（すなわち、シャワーヘッド２１４と基板支持体１２４との間の距離）は、約４００ミルから約１４００ミルまで、例えば約９００ミルでありうる。ＵＶ電力は、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２まで、例えば約１２００Ｗ／ｃｍ２でありうる。ガス状の又は気化された炭酸ジアルキル類への低誘電率誘電体層の曝露により、炭酸ジアルキル類は、損傷を受けた低誘電率膜の表面と反応するだけでなく、炭酸ジアルキル類自体とも反応して、低誘電率膜の表面上にネットワーク状薄膜を形成する。ネットワーク状薄膜は、低誘電率誘電体層の封止層として作用し、かつ、多孔性の低誘電率誘電体層のポアを封止しうる。加えて、温度は高くなるほど、損傷を受けた低誘電率誘電体層からの脱湿を支援し、かつ、ポア封止反応の速度を改善することが見出された。温度が高くなることで、損傷を受けた層の中の架橋結合が改善されて、補修の安定性が向上するとも考えられる。
【００２８】
いくつかの実施形態では、ポア封止プロセスは、表２に列挙されたポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流すことによって実行される。ポア封止プロセスの処理時間は、約１５秒から約９００秒であってよく、例えば約３６０秒でありうる。ポア封止プロセスにおいて、チャンバ圧力は、約５０ミリＴｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒまであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。基板は、約５０℃から約４００℃のある温度、例としては約２００℃から約３５０℃までの温度、例えば約３００度に、加熱されうる。ポア封止剤の流量は、約１００ｍｇｍから約２０００ｍｇｍまで、例えば約８００ｍｇｍであってよく、キャリアガスの流量は、約５００ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍまで、例えば約２０００ｓｃｃｍでありうる。電極間隔（すなわち、シャワーヘッド２１４と基板支持体１２４との間の距離）は、約４００ミルから約１４００ミルまで、例えば約９００ミルでありうる。ＵＶ電力は、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２まで、例えば約１２００Ｗ／ｃｍ２でありうる。ガス状の又は気化された酢酸アルキル類への低誘電率誘電体層の曝露により、損傷を受けた低誘電率膜の表面上にアルキル長鎖の膜が形成されると考えられる。アルキル長鎖の膜は、低誘電率誘電体層の封止層として作用し、かつ、多孔性の低誘電率誘電体層のポアを封止しうる。
【００２９】
いくつかの実施形態では、ポア封止プロセスは、表１及び表２に列挙されたポア封止剤を使用する、二段階プロセスである。一態様では、ポア封止プロセスは、表１に列挙された一又は複数のポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流し（ステップ１）、それに続いて、表２に列挙された一又は複数のポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流す（ステップ２）ことによって、実行されうる。代替的には、ポア封止プロセスは、表２に列挙された一又は複数のポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流し（ステップ１）、それに続いて、表１に列挙された一又は複数のポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流す（ステップ２）ことによって、実行されうる。いずれの場合にも、ステップ１とステップ２のプロセス条件は、表１又は表２に列挙されたポア封止剤を流すことに関して上述した実施形態と同様でありうるか、又は同一でありうる。従って二段階プロセスは、低誘電率膜の表面上に、ネットワーク状の薄い封止膜とアルキル長鎖の封止膜とを含む一積層を形成する。封止積層の結果として、ポア封止の有効性が更に高められる。
【００３０】
低誘電率誘電体層の表面を再処理するために、膜の表面特性に応じて、移行ステップが、ステップ１とステップ２との間で任意で実行されうる。移行ステップは、表面処理プロセスを支援するために、ＵＶユニットがオンになっている状態でＵＶベース処理チャンバへ触媒ガスを流すことによって、実行されうる。触媒ガスは、アンモニアのようなルイス塩基アミンでありうる。移行ステップにより、表１又は表２に列挙されたポア封止剤のような後続の前駆体のための化学反応部位を提供し、それによって、低誘電率膜の表面上のネットワーク状薄膜又はアルキル長鎖の膜の形成を促進する、表面ヒドロキシル類が生成される。移行ステップは、疎水性の低誘電率誘電体層表面を、親水性の低誘電率誘電体層表面に変換することにも役立つ。これは、例示的なＳｉＣＯＨ低誘電率誘電体層が、パターンエッチングプロセス又はプラズマ灰化プロセスの後に、親水性官能基を伴う疎水性の低誘電率誘電体層表面を含有しうるからである。例示的な親水性官能基の１つは、プラズマ及び化学物質のエッチ／剥離により−ＣＨ３基がＳｉＣＯＨ低誘電率誘電体層から除去された後に形成される、水酸基（−ＯＨ基）である。親水性の低誘電率誘電体層表面を疎水性官能基を含有する触媒ガスに曝露することによって、親水性官能基は触媒ガスからの疎水性官能基に置換されることが可能であり、疎水性官能基が、多孔性ＳｉＣＯＨ低誘電率誘電体層のポアを満たしうる。疎水性の低誘電率誘電体層表面は、親水性の低誘電率誘電体層表面よりも湿気を保持しにくく、処理された低誘電率誘電体層の特性に、湿気が影響を与えることはない。従って、低誘電率誘電体層のｋ値は復元される（すなわち、減少する）。
【００３１】
移行ステップにおいて、触媒ガスの流量は、約５０ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍまで、例えば約５００ｓｃｃｍでありうる。ＵＶ電力は、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２まで、例えば約５００Ｗ／ｃｍ２でありうる。二段階ポア封止プロセスは、所望の厚みの積層が形成されるまで、ステップ１とステップ２との間に実行される移行ステップを伴って、又は伴わずに、反復されうる。従って、結果として得られる積層は、低誘電率膜の表面上に交互に形成された、ネットワーク状の薄い封止膜とアルキル長鎖の封止膜とを含む。一実施形態では、積層は、約１０オングストロームから約５０オングストロームの厚みを有しうる。
【００３２】
いくつかの実施形態では、ポア封止プロセスは、表１と表２の両方に列挙されたポア封止剤を使用する、一段階プロセスである。一態様では、ポア封止プロセスは、表１に列挙された一又は複数のポア封止剤、及び、それと同時に又は並行して、図２に列挙された一又は複数のポア封止剤を、ＵＶベース処理チャンバへ流すことによって、実行されうる。ポア封止プロセスの処理時間は、約１５秒から約９００秒であってよく、例えば約３６０秒でありうる。ポア封止プロセスにおいて、チャンバ圧力は、約５０ミリＴｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒまであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。基板は、約５０℃から約４００℃のある温度、例としては約２００℃から約３５０℃までの温度、例えば約３００度に、加熱されうる。表１に列挙されたポア封止剤の流量は、約１００ｍｇｍから約２０００ｍｇｍまで、例えば約８００ｍｇｍであってよく、表２に列挙されたポア封止剤の流量は、約１００ｍｇｍから約２０００ｍｇｍまで、例えば約８００ｍｇｍでありうる。キャリアガスの流量は、約５００ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍまで、例えば約２０００ｓｃｃｍでありうる。電極間隔（すなわち、シャワーヘッド２１４と基板支持体１２４との間の距離）は、約４００ミルから約１４００ミルまで、例えば約９００ミルでありうる。ＵＶ電力は、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２まで、例えば約１２００Ｗ／ｃｍ２でありうる。ポア封止プロセスは、低誘電率誘電体層上に薄い封止層を形成し、かつ、多孔性の低誘電率誘電体層のポアを封止する。
【００３３】
いくつかの実施形態では、ポア封止プロセスは、表１に列挙されたポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流し、それに続いてＵＶ硬化プロセスを行うことによって、実行されうる。代替的には、ポア封止プロセスは、表２に列挙されたポア封止剤をＵＶベース処理チャンバへ流し、それに続いてＵＶ硬化プロセスを行うことによって、実行されうる。ＵＶ硬化プロセスは、ポア封止剤を流さずに実行されてもよい。いずれの場合においても、ＵＶ硬化プロセスは、ポア封止剤中の炭酸ジアルキル化学物質と反応しなかった表面ヒドロキシル類を除去し、誘電率を低下させるために、ＵＶユニットからのＵＶエネルギーを使用する。ＵＶ硬化プロセスは、ＵＶ支援光化学気相堆積プロセスの後に表面疎水性を維持することにも役立つ。一態様では、ポア封止プロセスの処理時間は、約１５秒から約９００秒であってよく、例えば約３６０秒でありうる。ポア封止プロセスにおいて、チャンバ圧力は、約５０ミリＴｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒまであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。基板は、約５０℃から約４００℃のある温度、例としては約２００℃から約３５０℃までの温度、例えば約３００度に、加熱されうる。（表１又は表２のいずれも）ポア封止剤の流量は、約１００ｍｇｍから約２０００ｍｇｍまで、例えば約８００ｍｇｍであってよく、キャリアガスの流量は、約５００ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍまで、例えば約２０００ｓｃｃｍでありうる。電極間隔（すなわち、シャワーヘッド２１４と基板支持体１２４との間の距離）は、約４００ミルから約１４００ミルまで、例えば約９００ミルでありうる。ＵＶ電力は、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２まで、例えば約１２００Ｗ／ｃｍ２でありうる。
【００３４】
ＵＶ硬化プロセスにおいて、ＵＶ硬化温度は、１００℃から約８００℃、例えば約３００℃であってよく、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２のＵＶ電力を伴う。ＵＶ硬化時間は、約１５秒から約６００秒であってよく、例えば約１２０秒でありうる。ヘリウム及びアルゴンなどのＵＶ硬化ガスが、約０．５ｓｌｍから約３０ｓｌｍまでの流量で、ＵＶ透過性ガス分配シャワーヘッドを通って処理チャンバへ流れうる。チャンバ圧力は、約３Ｔｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒまでであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。
【００３５】
ステップ４０８において、基板は、ＵＶ透過性ガス分配シャワーヘッド及びＵＶ透過性ウインドウの上方に配置されたＵＶユニットからのＵＶエネルギーを使用して、ポア封止プロセスと同じ処理チャンバ（又は別個の処理チャンバ）内で、任意で硬化される。一実施形態では、ＵＶ硬化温度は、１００℃から約８００℃、例えば約３００℃であってよく、約１００Ｗ／ｃｍ２から約２０００Ｗ／ｃｍ２のＵＶ電力を伴う。ＵＶ硬化時間は、約１０秒から約６００秒であってよく、例えば約１２０秒でありうる。ヘリウム及びアルゴンなどのＵＶ硬化ガスが、約０．５ｓｌｍから約３０ｓｌｍまでの流量で、ＵＶ透過性ガス分配シャワーヘッドを通って処理チャンバへ流れうる。チャンバ圧力は、約３Ｔｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒであってよく、例えば約２０Ｔｏｒｒでありうる。
【００３６】
ポア封止プロセスがＵＶ硬化プロセスを包含するいくつかの実施形態では、ステップ４０６のポア封止プロセスとステップ４０８のＵＶ硬化とは、同時に実行されうる。そのような場合、ＵＶユニットはポア封止プロセスと同時にオン／オフされうる。いくつかの実施形態では、ステップ４０８のＵＶ硬化は、ステップ４０６のポア封止プロセスの前に実行されうる。いくつかの実施形態では、ステップ４０６のポア封止プロセスとステップ４０８のＵＶ硬化とは、交互に実行されうる。例えば、ＵＶ硬化が、表面／側壁から水をいくらか除去するために実行されうる。次いでポア封止プロセスが、多孔性の低誘電率誘電体層のポアを封止し、かつ、表面疎水性を回復させるために実行される。次いでＵＶ硬化が、低誘電率膜の損傷を更に回復させるために実行される。そのような場合、ポア封止プロセス及びＵＶ硬化は、それぞれ、約１５秒間から約６００秒間実行されうる。一実施例では、第１硬化プロセスは約６０秒であってよく、ポア封止プロセスは約３００秒であってよく、第２硬化プロセスは約６０秒でありうる。ポア封止剤流量、時間、ＵＶ電力、基板温度、ポア封止プロセス及びＵＶ硬化プロセスのチャンバ圧力は、用途、及び、材料組成（炭素消耗など）の変化、形態（密度又は空隙率）の変化、及び／又は、（例えば疎水性から親水性への）表面特性の変化のような膜特性に応じて、変動しうると想定される。ＵＶ硬化は、それが望まれるのであれば、ポア封止プロセスのための処理チャンバとは異なる別個の処理チャンバ内で実行されうる。
【００３７】
任意的なＵＶ硬化が完了すると、ステップ４１０において、基板が処理チャンバから除去され、チャンバ構成要素の曝露された表面から望ましくないいかなる堆積蓄積物又は残留物も除去するために、その処理チャンバの中で後続洗浄プロセスが実行される。チャンバ構成要素とは、プロセス中に一又は複数の表面がポア封止剤又は他の任意の処理ガスに曝露されうる処理チャンバの中に存在する、いかなる構成要素でもありうる。例えば、チャンバ構成要素は、真空ウインドウ２１２、透明なシャワーヘッド２１４、真空ウインドウクランプ２１０、ガス分配リング２２４、又はチャンバ壁等を含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。後続洗浄プロセスは、図３に関して上述した様態で酸素含有ガスを処理チャンバに流入させることによって、図１及び図２に関して上述した処理チャンバのようなＵＶベース処理チャンバ内で、実行されうる。酸素含有ガスは、オゾン（Ｏ３）ガス、酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、又はそれらの組み合わせを含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。一実施形態では、酸素含有ガスはオゾンガスを含む。そのような場合、後続洗浄プロセスは、オゾン変性の効果を改善するために、チャンバ構成要素がＵＶ放射に曝露されている状態で実行される。必要なオゾンの発生は、遠隔で行ってオゾンを処理チャンバへ運ぶか、オゾンを生成するためにＵＶ光で酸素を活性化することによってインシトゥ（その場）で生成されるか、又は、これら２つの方式を同時に実行することによって実現されうる。
【００３８】
後続洗浄プロセスにおいて、図１及び図２に示すＵＶランプバルブ１２２のようなＵＶユニットから放たれたＵＶ放射は、オゾンなどの酸素含有ガスを、分子状酸素と反応性酸素ラジカルに分解する。反応性酸素ラジカルは、チャンバ構成要素の曝露された表面上に形成された（ポア封止プロセスなどの先行プロセスから生じた）炭素ベースの残留物を酸化させ／それらと反応して、結果生成物として二酸化炭素と水を発生させ、それにより、チャンバ構成要素を洗浄する。これらの結果生成物、及び分解済残留物は次いで、ポンプによって、ガス排気口２４０内へ、及び、ポンプ３１０へ送られて、後続洗浄プロセスは完了する。
【００３９】
分離効率を改善するために、図２に示すヒータ２４８、２５０のような追加のヒータが使用されて、真空ウインドウクランプ２１０、ガス分配リング２２４、及び基板支持体１２４といった、処理チャンバ内の他の構成要素を加熱しうる。加えて、後続洗浄プロセスに先立つＵＶ硬化中にチャンバ構成要素がＵＶ放射に曝露され、加熱されていることから、チャンバ構成要素の温度は、オゾンがチャンバ構成要素に当たる時には、オゾンを実質的に分解できる、又はほぼそのような温度に維持される。従って、チャンバ構成要素の全体的な洗浄効率が高められる。
【００４０】
一実施形態では、オゾン（Ｏ３）ガスのような酸素含有ガスは、酸素ガス又は窒素ガスのような希釈ガスと組み合わされうる。そのような場合、酸化速度を増大させるために、オゾン／酸素混合物が水素ガスと組み合わされうる。水素ガスは、基本的に純粋な水素ガス、又は、例えば７％の水素を有するＨ２／Ｎ２のフォーミングガスでありうる。別の実施形態では、酸素含有ガスは、ヘリウムガスと組み合わされうる。ヘリウムガスは、透明なシャワーヘッド２１４の下部のようなチャンバ構成要素の加熱を支援し、それによって、チャンバ構成要素の洗浄効率を促進するための、熱伝達流体として使用されうる。
【００４１】
本発明の実施形態は、多孔性の低誘電率誘電体層上に封止層を形成するために、ＵＶ支援光化学気相堆積プロセスを使用する。封止層は、多孔性の低誘電率誘電体層の曝露されたポアを封止し、ひいては、パターンエッチングプロセス又はプラズマ灰化プロセスによって引き起こされたプロセス関連損傷を減少させる。その結果として、低誘電率膜の誘電率が復元される。特に、封止層を形成するために使用されるポア封止剤は、一般式ＣｘＨｙＯｚで表される化合物を含有し、シリコンを含有しない。そのため、ポア封止剤によるいかなる堆積蓄積物又は残留物も、チャンバ構成要素の曝露された表面から容易に除去されうる。従って、ＵＶ源の効率が高められる。
【００４２】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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