(57)【要約】ＥＵＶ放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポートが開示される。基板サポートは、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板テーブルを支持するためのサポートブロックと、基板テーブルの周りに配置されたカバープレートとを備える。カバープレートの上面及び基板テーブル上に取り付けられた基板の上面全てが実質的に同じ高さである。少なくとも１つのセンサユニットが基板サポート上に配置され、その上面もカバープレート及び基板の上面と同じ高さである。このような基板サポートを含むＥＵＶリソグラフィ装置も開示される。【選択図】図６ａ
2016507763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポートであって、前記基板サポートは、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するように構成されたサポートブロックと、
少なくとも１つのセンサユニットと、
前記基板テーブル及び前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、前記基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える基板サポート。
【請求項２】
前記カバープレートの上面、前記少なくとも１つのセンサユニットの上面及び前記基板テーブル上に取り付けられたときの基板の上面全てが、実質的に同じ高さである、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項３】
前記少なくとも１つのセンサユニットの１つ以上は前記サポートブロックによって支持される、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項４】
前記少なくとも１つのセンサユニットの１つ以上は前記カバープレート内に取り付けられる、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項５】
前記カバープレートは、その上面に、前記基板テーブル及び前記少なくとも１つのセンサユニットのために開口を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項６】
前記カバープレートは、前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに隆起した又は段付きの外形を有するリムを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項７】
前記少なくとも１つのセンサユニットは、ポジショニングセンサユニット、アライメントセンサユニット、較正センサユニット、温度センサユニット、圧力センサユニット、熱流束センサユニット及び／又は汚染センサユニットのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項８】
前記カバープレートは、前記サポートブロックとは別個であり、かつ前記サポートブロックによって支持される、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項９】
前記カバープレート及び前記サポートブロックは単一の一体ユニットを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１０】
前記カバープレートは調節要素を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１１】
前記調節要素は、熱交換流体を運ぶための１つ以上の導管を含む、請求項１０に記載の基板サポート。
【請求項１２】
前記カバープレートは、前記カバープレートの真上の領域と前記カバープレート内又は前記カバープレートの下の１つ以上の導管との間のガス流を確立するように構成されたデバイスを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１３】
前記ガス流は、バッファの機能を果たすように、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ又は前記カバープレートと前記少なくとも１つのセンサユニットとの間のギャップを通ってガスを送るように動作可能である、請求項１２に記載の基板サポート。
【請求項１４】
前記ガス流は、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ及び／又は前記カバープレートと前記少なくとも１つのセンサユニットとの間のギャップを通って、前記カバープレートの真上の領域から前記１つ以上の導管内にガスを抽出するように動作可能である、請求項１２に記載の基板サポート。
【請求項１５】
前記カバープレートの上面は表面マイクロ構造を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１６】
前記表面マイクロ構造は溝付き面を含む、請求項１５に記載の基板サポート。
【請求項１７】
前記カバープレートの上面は１つ以上のマクロサイズの構造物を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１８】
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素をさらに備える、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項１９】
前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを少なくとも部分的に閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、請求項１８に記載の基板サポート。
【請求項２０】
前記冷却要素はシリコンディスクを含む、請求項１８に記載の基板サポート。
【請求項２１】
局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された前記基板上に与えるように動作可能である１つ以上のスイッチング可能な加熱源を備える、請求項１８に記載の基板サポート。
【請求項２２】
前記加熱源は、前記加熱源によって放出された放射が前記冷却要素を透過するように前記冷却要素の上方に配置される、請求項２１に記載の基板サポート。
【請求項２３】
前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な発光ダイオードデバイスを含む、請求項２１に記載の基板サポート。
【請求項２４】
前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な微小電子機械（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項２１に記載の基板サポート。
【請求項２５】
前記加熱源は薄膜ヒータを含む、請求項２１に記載の基板サポート。
【請求項２６】
前記加熱源は、前記ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームが前記基板上に投影されていない期間中に前記基板の一部を局所的に加熱するように動作可能である、請求項２１に記載の基板サポート。
【請求項２７】
ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポート構成であって、前記基板サポート構成は、
基板を保持するように構築された基板サポートと、
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された前記基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素と、
局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された前記基板上に与えるように動作可能である１つ以上のスイッチング可能な加熱源と、を備える基板サポート構成。
【請求項２８】
前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項２９】
前記冷却要素はシリコンディスクを含む、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項３０】
前記加熱源は、前記加熱源によって放出された放射が前記冷却要素を透過するように前記冷却要素の上方に配置される、請求項２９に記載の基板サポート構成。
【請求項３１】
前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な発光ダイオードデバイスを含む、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項３２】
前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な微小電子機械（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項３３】
前記加熱源は薄膜ヒータを含む、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項３４】
前記加熱源は、前記ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームが前記基板上に投影されていない期間中に前記基板の一部を局所的に加熱するように動作可能である、請求項２７に記載の基板サポート構成。
【請求項３５】
基板サポートと、
チャンバ内の光学システムと、
前記チャンバに入る汚染物質を制限するためのガスロック機構と、を備える装置であって、
前記基板サポートは、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するように構成されたサポートブロックと、
少なくとも１つのセンサユニットと、
前記基板テーブル及び前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、前記基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える、装置。
【請求項３６】
前記装置はリソグラフィ装置であり、
前記チャンバ内の前記光学システムは投影チャンバ内の投影システムであり、
前記投影システムはＥＵＶ放射ビームを前記基板サポートによって支持された前記基板のターゲット部分上に投影するように構成され、
前記ガスロック機構は、前記投影チャンバからの前記ＥＵＶ放射ビームを透過させる一方、前記投影チャンバに入る汚染物質を制限するように構成される、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記ガスロック機構は、
第１端部及び第２端部を含む中空体であって、実質的に前記ＥＵＶ放射ビームの経路の周りに前記第１端部から前記第２端部まで延在する、中空体と、
前記体と連通しかつ前記体内にガス流を生成するように構成されたガス流ユニットであって、前記ガス流は前記投影チャンバに入る汚染物質を制限し、ガスはＥＵＶ放射の少なくとも一部を実質的に透過させる、ガス流ユニットと、を備える、請求項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３８】
前記ガスロック機構は膜などのフィルタ要素を含み、前記カバープレートは、前記フィルタ要素が展開されていないときに前記フィルタ要素を格納するための少なくとも１つの閉鎖空間を含む、請求項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３９】
前記閉鎖空間は、前記ガスロック機構に前記フィルタ要素を展開させるための延在可能なピンを含む、請求項３８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４０】
前記カバープレートは複数のフィルタ要素の閉鎖空間を含む、請求項３８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４１】
前記カバープレートは、前記カバープレートが前記ガスロック機構の真下にあるように前記サポートが位置決めされているときに前記ガスロック機構から放出されるガスに対する流れ抵抗を、前記サポートが同じ位置にあるときにカバープレートなしで発生する流れ抵抗と比較して増加させる、請求項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４２】
前記ガスロック機構から放出されるガスに対する前記流れ抵抗は、前記基板サポートの周縁から離れて、前記基板サポートの上面にわたって実質的に一定である、請求項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４３】
ＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された放射源と、
前記放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、をさらに備える、請求項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１２年１２月１７日に出願した米国仮出願第６１／７３８，３４４号及び２０１３年９月４日に出願した米国仮出願第６１/８７３，８０６号の優先権を主張し、その全体が参照によって本願に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置のための基板サポートに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣや他のデバイス及び／又は構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイス及び／又は構造を製造できるようにするためのより一層重要な要因になりつつある。
【０００５】
[0005]  パターン印刷の限界の理論推定値を、式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって得ることができる。
【数１】
2016507763.tif 000003
上の式では、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法、露光波長λを短縮することによって、開口数ＮＡを増加させることによって、あるいはｋ１の値を低下させることによって達成することができる、と言える。
【０００６】
[0006]  露光波長を短縮するため、従って、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍ未満の波長、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといったような５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射を使用することができることがさらに提案されている。そのような放射を極端紫外線又は軟Ｘ線放射と呼ぶ。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が挙げられる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを提供するために燃料を励起するレーザと、プラズマを収容する放射源と、を含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子あるいはＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れなどといった燃料にレーザビームを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これは、放射コレクタを用いて集光される。放射コレクタは、放射を受けて放射をビームに合焦させるミラー法線入射放射コレクタであってよい。ソースコレクタ装置は、プラズマを支持するために真空環境を提供するように配置された閉鎖構造又はチャンバを含んでよい。そのような放射システムを、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶ。
【０００８】
[0008]  投影光学系を含むチャンバとウェーハテーブル及びサポートを含む環境とは、ウェーハテーブル環境からの汚染物質が投影光学チャンバに入ることを防止するガスロック機構によって隔てることができる。ガス流は、ガスロック機構から下のウェーハステージ上に放出され、ウェーハステージに熱負荷を誘導する。この熱負荷は、ウェーハステージにわたって常に一定ではないことがあり、ウェーハステージの位置によって変化し得る。例えば、熱負荷は、ガスロック機構がセンサ（例えば、透過イメージセンサＴＩＳプレート）の上方にあるときは高くなり得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  ウェーハステージの要素、例えばセンサ及び／又はウェーハ自体に対する、ガスロック機構から放出されるガスから結果として生じる熱負荷を減少させることが望ましい。
【００１０】
[0010]  第１実施形態は、ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポートを提供する。この基板サポートは、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板テーブルを支持するためのサポートブロックと、少なくとも１つのセンサユニットと、基板テーブル及び（１つ以上の）センサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、カバープレートの上面、（１つ以上の）センサユニットの上面及び基板テーブル上に取り付けられたときの基板の上面全てが実質的に同じ高さであるように配置される、カバープレートと、を備える。本明細書中のＥＵＶ範囲とは、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を意味する。
【００１１】
[0011]  別の実施形態は、第１態様の基板サポートと、投影チャンバ内の投影システムであって、ＥＵＶ放射ビームを基板サポートによって支持された基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、投影チャンバからのＥＵＶ放射ビームを透過させる一方、投影チャンバに入る汚染物質を制限するためのガスロック機構と、を備えるリソグラフィ装置を提供する。
【００１２】
[0012]  別の実施形態は、基板サポートと、チャンバ内の光学システムと、チャンバに入る汚染物質を制限するためのガスロック機構と、備える装置であって、基板サポートは、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板テーブルを支持するように構成されたサポートブロックと、少なくとも１つのセンサユニットと、基板テーブル及び少なくとも１つのセンサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える装置を提供する。
【００１３】
[0013]  本明細書中のリソグラフィ装置は、例えば、メトロロジ／インスペクションに使用されるものを含むリソグラフィプロセスに使用される任意の装置である。
【００１４】
[0014]  本発明のさらなる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  本明細書に組み込まれかつ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。
【図１】[0016]  本発明のある実施形態による反射型投影光学系を有するリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0017]  図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[0018]  図２に示す放射源構成とは別の放射源構成を概略的に示す。
【図４ａ】[0019]  公知の基板サポート構成の一例を示す。
【図４ｂ】[0020]  図４ａの基板サポート構成とともにガス流を示す。
【図５ａ】[0021]  本発明のある実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図５ｂ】[0021]  本発明のある実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図６ａ】[0022]  本発明のさらなる実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図６ｂ】[0022]  本発明のさらなる実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図７ａ】[0023]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図７ｂ】[0023]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図７ｃ】[0023]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図８ａ】[0024]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図８ｂ】[0024]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図８ｃ】[0024]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図９ａ】[0025]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【図９ｂ】[0025]  本発明のさらなる別の実施形態に係る基板サポート構成を示す。
【００１６】
[0026]  本発明の特徴及び利点は、これらの図面と併せて以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同じ参照記号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面において、同じ参照番号は、基本的に、同一の、機能的に同様な、及び／又は構造的に同様な要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0027]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される（１つ以上の）実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１８】
[0028]  説明される（１つ以上の）実施形態、及び明細書中の「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、説明される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。
【００１９】
[0029]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、１以上のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶又は送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、又は電気、光、音、若しくはその他の形態の伝搬信号などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。
【００２０】
[0030]  このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。
【００２１】
[0031]  図１は、本発明のある実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射型投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００２２】
[0032]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２３】
[0033]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００２４】
[0034]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２５】
[0035]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２６】
[0036]  投影システムは、照明システムのように、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型又は他の種類の光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントを包含することができる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射に対して真空を用いることが望ましいことがある。従って、真空環境を、真空壁及び真空ポンプを用いてビームパス全体に提供することができる。
【００２７】
[0037]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００２８】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。 
【００２９】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム又はスズなどの少なくとも１つの要素を有するプラズマ状態に材料を変換することが挙げられるが、必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ぶことが多い所要のプラズマは、所要の発光要素を有する材料の小滴、流れ又は群などの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためにレーザ（図１に図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、ソースコレクタモジュールに配置された放射コレクタを用いて収集された出力放射、例えばＥＵＶ放射、を放出する。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用された場合、レーザ及びソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【００３０】
[0040]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００３１】
[0041]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野及び瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００３２】
[0042]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。 
【００３３】
[0043]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。 
【００３４】
[0044]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３５】
[0045]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
【００３６】
[0046]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３７】
[0047]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３８】
[0048]  図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で維持できるように構築及び配置される。システムＩＬ及びＰＳも同様に、独自の真空環境内に収容される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２は、レーザ生成ＬＰＰプラズマ源によって形成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、ＥＵＶ放射ビーム２０が仮想光源点に合焦されるようにそのＥＵＶ放射ビーム２０をプラズマ２から供給することである。仮想光源点を一般的に中間焦点（ＩＦ）と呼び、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内のアパーチャ２２１に又はその近くに配置されるように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２のイメージである。
【００３９】
[0049]  放射は、中間焦点ＩＦにおけるアパーチャ２２１から照明システムＩＬ（この例では、ファセット視野ミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含む）を横切る。これらのデバイスは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布並びにパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置された、いわゆる「フライアイ」イルミネータを構成する。サポート構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８及び３０を介してウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するために、放射パルスが基板テーブルＷＴに生成され、マスクテーブルＭＴは同期動作２６６，２６８を行ってパターニングデバイスＭＡ上のパターンを照明スリットを介してスキャンする。
【００４０】
[0050]  それぞれのシステムＩＬ及びＰＳは、閉鎖構造２２０に類似している閉鎖構造によって画定された独自の真空又はほぼ真空環境内に配置される。通常、示されているものよりも多くの要素が照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーが存在してもよい。例えば、図２に示す照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に存在する反射要素より１〜６個多くの反射要素が存在してもよい。
【００４１】
[0051]  ソースコレクタモジュールＳＯについてより詳細に考察すると、レーザ２２３を含むレーザエネルギー源は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギー２２４を堆積させるように配置され、それによって数十ｅＶの電子温度を有する高電離プラズマ２を生成する。より高いエネルギーのＥＵＶ放射を、例えばＴｂ及びＧｄなどの他の燃料材料によって生成することもできる。これらのイオンの逆励起及び再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射コレクタ３によって集光されてアパーチャ２２１に合焦される。プラズマ２及びアパーチャ２２１は、それぞれ、コレクタＣＯの第１焦点及び第２焦点に配置される。
【００４２】
[0052]  図２に示すコレクタ３は単一の曲面ミラーであるが、コレクタは他の形態であってもよい。例えば、コレクタは、２つの放射集光面を有するシュワルツシルドコレクタであってもよい。ある実施形態では、コレクタは、互いに入れ子化された複数の実質的に円筒形のリフレクタを含むかすめ入射コレクタであってもよい。かすめ入射コレクタは、ＤＰＰ源での使用に適し得る。
【００４３】
[0053]  例えば液体スズである燃料を供給するために、小滴ジェネレータ２２６が閉鎖空間２２０内に配置され、高周波数の小滴の流れ２２８をプラズマ２の所望の箇所に向かって発射するように配置される。動作中、レーザエネルギー２２４は、放射の衝撃を与えて各燃料小滴をプラズマ２に変換するために小滴ジェネレータ２２６の動作と同期して供給される。小滴が供給される周波数は、数キロヘルツ、例えば５０ｋＨｚであってよい。変換効率を上げるためにレーザエネルギー２２４を少なくとも以下の２つのパルスで供給することができる。限られたエネルギーを有するプレパルスは、燃料材料を小さな雲へと気化させるために、小滴がプラズマ配置に到達する前にその小滴に供給される。その後、レーザエネルギー２２４のメインパルスは、所望の配置の雲に供給されてプラズマ２を生成する。プレパルス及びメインパルスは、同じレーザ源又は異なるレーザ源から供給されてよい。トラップ２３０が閉鎖構造２２０の反対側に設けられ、何らかの理由によってプラズマに変換されない燃料を捕獲する。
【００４４】
[0054]  別の構成（図示せず）では、ＥＵＶ放射は、放電の部分電離プラズマを光軸上に（例えば、ピンチ効果を介して）崩壊させることによって生成することができる。この放射源を放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と呼ぶことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気あるいは他のあらゆる適切なガス又は蒸気の分圧は、ＥＵＶ放射放出プラズマを生成するために使用することができる。
【００４５】
[0055]  図３は、図２に示す構成の代わりに使用することができる別のＬＰＰ源構成を示している。主な違いは、メインパルスレーザビームが、集光されたＥＵＶ放射が通常メインレーザパルスを受けた方向に放出される放射であるように中間焦点ＩＦの方向から燃料小滴上に誘導されることである。図３は、少なくとも１つの光学素子（例えば、レンズ又は折り畳みミラー）３３を介してプラズマ生成部位３２に供給されるメインパルスビーム３１を放出するメインレーザ３０を示している。ＥＵＶ放射３４は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源で使用されるコレクタなどの斜入射型コレクタ３５によって集光される。１つ以上の固定フォイルトラップ及び／又は回転フォイルトラップを含み得るデブリトラップ３６並びにプレパルスレーザビーム３８を放出するように動作可能なプレパルスレーザ３７も示されている。
【００４６】
[0056]  当業者には明らかなように、基準軸Ｘ、Ｙ及びＺを定義して装置の形状及び挙動と、その様々なコンポーネントと、放射ビーム２０、２１、２６とを測定し、記述することができる。装置の各部分では、Ｘ、Ｙ及びＺ軸の局所基準フレームを定義することができる。Ｚ軸はシステム内の所定の地点で光軸Ｏの方向と概ね一致し、パターニングデバイス（レチクル）ＭＡの平面とほぼ垂直かつ基板Ｗの平面と垂直である。ソースコレクタモジュールでは、Ｘ軸は燃料流２２８の方向と概ね一致する一方、Ｙ軸は図２で示すように紙面から突き出る向きに直交する。他方、レチクルＭＡを保持するサポート構造ＭＴの付近では、Ｘ軸は、Ｙ軸に整列したスキャン方向とほぼ交差する。便宜上、図２の概略図の領域では、マークが示すように、Ｘ軸も紙面から突き出る。これらの記号は当技術分野での慣例であり、本明細書中では便宜のために採用される。原則的に、装置及びその挙動を記述する任意の基準フレームを選択することができる。
【００４７】
[0057]  ここでは図示していないが、ソースコレクタモジュール及びリソグラフィ装置全体の動作に不可欠である多数の追加の構成要素が一般的な装置には存在する。これらは、閉鎖された真空内の汚染の影響を減少又は緩和させるための構成、例えば、燃料材料の堆積物がコレクタ３及び他の光学系の性能を損傷又は損なうことを防止するための構成を含む。存在しているが詳細に説明していない他のフィーチャとは、リソグラフィ装置の様々な構成要素及びサブシステムの制御に関与する全てのセンサ、コントローラ及びアクチュエータである。
【００４８】
[0058]  レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源又は放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源を用いる場合、汚染は、高速イオン及び／又は中性粒子（例えば、Ｓｎ（スズ））などのデブリの形態で生成され得る。そのようなデブリは、コレクタ３の（１つ以上の）反射面上に形成され、それによってコレクタが反射性を失ってコレクタの効率を低下させ得る。デブリによる汚染は、時間とともにリソグラフィ装置の他の反射部品（例えば、ミラー２２、２４、２８、３０又はパターニングデバイスＭＡ）の反射性も失わせ得る。リソグラフィ装置のスループットは、露光されている基板に入射するＥＵＶ放射の強度に依存する。リソグラフィ装置のコレクタ又は他の反射面にデブリが形成されることにより生じるあらゆる反射性の低下は、リソグラフィ装置のスループットを減少させ得る。
【００４９】
[0059]  動的ガスロック（ＤＧＬ）などのガスロック機構は、投影光学（ＰＯ）チャンバ環境（図２の投影システムＰＳのための光学系を含むチャンバである）とウェーハステージ（ＷＳ）環境との間の共有の開口部であり、その開口部以外は離れている。後にＤＧＬと呼ばれるガスロック機構は、第１端部及び第２端部を含む中空体を有してよく、この中空体は、実質的にＥＵＶ放射ビームの経路の周りを第１端部から第２端部まで延在する。中空体は、その体内にガス流を生成するように構成されたガス流ユニットと連通していてよい。そのようなガス流ユニットを用いてガス流を中空体に提供することができ、ガス流は、第１端部及び第２端部の両方を介して、すなわち、ＰＯチャンバ環境及びＷＳ環境の両方に向かって中空体から出る。結果として、中空体の中のガスは、ＰＯチャンバ環境とＷＳ環境との間のガス型バリアを提供する。
【００５０】
[0060]  投影システムは、原子レベルで制御される表面平坦性を有する反射型光学系（例えば、ミラー）から成ってよい。そのような光学系は、投影光学系チャンバに入って光学系の表面を汚染する分子によって損傷を受けやすいことがある。従って、ＰＯチャンバ及びウェーハステージ環境の両方は動作中に非常に高い真空レベル（例えば、２〜１５Ｐａの範囲内）の下にあり得るが、投影光学系ＰＯチャンバは、ウェーハステージからの汚染物質（例えば、レジストからのガス放出）が投影光学系チャンバに入ることを防ぐためにウェーハステージ環境より高い圧力で維持されてもよい。あるいは、汚染物質は、ガスをＤＧＬに注入することによってウェーハステージ環境に入ることを防ぐことができる。ＤＧＬで用いられるガスは、汚染物質に対して実質的に低い拡散係数を有する一方、投影ビーム（例えば、ＥＵＶ）の放射を実質的に吸収しないように構成されるべきである。ＤＧＬで使用され得るガスの例としては、水素、アルゴン、クリプトン及びヘリウムが挙げられる。
【００５１】
[0061]  ＤＧＬは、ウェーハ（及びウェーハテーブル‐クランプと呼ばれることが多い）及び透過像センサ（ＴＩＳ）プレートなどのあらゆる隣接するセンササポート／プレートの両方に、２つのうちどちらがＤＧＬ開口部の下に位置決めされているかに応じて熱負荷を生成する。ＴＩＳプレートは、リソグラフィシステムの投影レンズシステムＰＳ及びマスクＭＡの位置に対するウェーハの正確な位置決めのために使用される、透過像検知システムで用いる１つ以上のセンサ及びマーカを含むセンサユニットである。この熱負荷の根本的原因は、表面上へのガスの衝撃、すなわち、上記のＷＳ環境に向かうガス流ユニットのガス流である。このガスによって生成される絶対的な熱負荷は、ウェーハ又はＴＩＳプレートに衝突するガスの流速及び温度のそれぞれによって決まる。この流速は、投影光学系側に向かう流れ（通常、上昇流）とウェーハステージ側に向かう流れ（通常、下降流）との間のＤＧＬ流の分布によって決まる。
【００５２】
[0062]  図１のポジショナＰＷ及びウェーハテーブルＷＴ構成は、サポートブロックによって支持されたウェーハテーブルを含んでよく、サポートブロック及びウェーハテーブルを移動させるためにサポートブロックの下にアクチュエータがある。ある実施形態では、サポートブロックは、一般的にミラーブロックと呼ばれる、位置感知のためにレーザビームを反射させる反射コーティングを有するガラスのブロックを含んでよい。「ｆ係数」は、ＤＧＬからウェーハステージまでの流速対ＤＧＬに送り込まれる流速の比率である。このｆ係数、従って、投影光学系側とウェーハステージ側との間の流れの分布は、下降（ＷＳ側）流が受ける流れ抵抗によって決まり、結果的にサポートブロック位置によって決まる。
【００５３】
[0063]  図４ａから分かるように、ＴＩＳプレート４３０及びウェーハ／ウェーハクランプは、サポートブロック表面から突出する。このことが好ましい理由はいくつかある。このような設計は、より低い流れ抵抗へ、従って、より高いＤＧＬからの下方へのガス流速へと繋がり、結果的により良い汚染の拒絶へと繋がる。モジュール（センサ、配線及び配管）へのアクセス及び使用も容易である。しかしながら、ＴＩＳプレート及びウェーハ／ウェーハクランプの両方がサポートブロック表面から突出するため、かつＴＩＳプレートはウェーハテーブルより小さいため、下方に向かうＤＧＬ流は、ＴＩＳがＤＧＬの下に位置決めされているときの方が、ウェーハがＤＧＬの下に位置決めされているときよりもかなり大きくなる。なぜなら、ＤＧＬがＴＩＳプレートの上方にあるときに流れが受ける流れ抵抗がより小さいからである。これによってもたらされる結果は、アライメント及びロット補正を妨げるＴＩＳプレートに対する大きい熱負荷である。
【００５４】
[0064]  図４ａ及び図４ｂはこの点について示している。図４ａは、公知のＥＵＶウェーハステージ構成の一例を示している。この構成は、サポートブロック（又はサポートブロック）４２０上に取り付けられたウェーハテーブル４１０上にウェーハ４００を含む。サポートブロック４２０上には、ＴＩＳプレート４３０も示されている。説明のためにここではＴＩＳセンサプレートを示しているが、本明細書中の概念は、いかなる特定のセンサのタイプにも限定されておらず、一方又は両方のＴＩＳプレート４３０の代わりに別のセンサユニットを用いる構成を含んでもよい。従って、そのようなセンサユニットは、サポートブロック４２０に結合され、さらにサポートブロックに組み込まれてもよい。
【００５５】
[0065]  図４ｂは、図４ａの構成を（ＡＡを通る断面図で）示しており、ＤＧＬ４４０はウェーハ４００の上の第１位置（実線）にあり、ＤＧＬ４４０’はＴＩＳプレート４３０の上の第２位置（破線）にある。矢印４４５は、ＤＧＬがウェーハ４００の上に配置されているときのＤＧＬからの下向き（ＷＳ側へ）の流れを表す。矢印４４５’は、ＤＧＬがＴＩＳプレート４３０の上に配置されているときのＤＧＬからの下向き（ＷＳ側へ）の流れを表す。流れパターン４４５は流れパターン４４５’と異なることが分かる。これにより、ＤＧＬ４４０がウェーハ４００の上にあるときの方がＴＩＳプレート４３０の上にあるときと比べてより大きい流れ抵抗をもたらす。
【００５６】
[0066]  ウェーハエッジがＤＧＬの下に位置決めされているときにも同様の状況が生じる。ウェーハエッジでの流れ抵抗は、ウェーハの中心と比べて減少し、それによって熱負荷を増加させる。実際には、ウェーハステージへの質量流、従ってウェーハに対する熱負荷は、「ダイ」に依存しており、露光中の動的な不均一熱負荷へと繋がる。
【００５７】
[0067]  図５ａ及び図５ｂは、上記の問題の対処を試みるチャック構成を示している。そのような構成は、図１のポジショナＰＷ及びサポート構造ＷＴで表されている。この構成は、サポートブロック４２０上にカバープレート４５０を加えたチャック構成を示している。カバープレート４５０は、ウェーハテーブル４１０及びＴＩＳプレート４３０用の開口部を含む。カバープレート４５０の上面は、サポートブロックアセンブリの上面を平坦するために、ＴＩＳプレート４３０及びウェーハ４００と同じ高さであってよい。カバープレート４５０は、サポートブロック４２０とは別個に形成され、サポートブロック４２０によって支持される。図５ｂに示す矢印は、一般的なＤＧＬ４４０のガス流を示している。従って、本明細書中のプレート４５０用の「カバー」という用語は、ウェーハステージ要素（存在する場合、センサ、ウェーハ）を囲うなどのためにウェーハステージの一部を覆うことを意味する。
【００５８】
[0068]  カバープレート４５０の追加は、ＴＩＳがＤＧＬ４００の下にあるときかつウェーハ（中心又は端）がＤＧＬ４００の下にあるときに発生する流れ抵抗を均一にするのに役立つ。この均一化は、図４ｂの構成と比較して、ＴＩＳプレート４３０がＤＧＬ４４０の下にあるときに発生する流れ抵抗を増加させることによって行われ、サポートブロックアセンブリの上面全体にわたってより均一なｆ係数となる。結果的に、ＴＩＳでの流れは減少し、ＴＩＳプレート４３０に対してより小さい熱負荷の影響をもたらし、アライメント精度の改善という結果となる（従って、オーバーレイに役立つ）。
【００５９】
[0069]  カバープレートは、ＤＧＬ４４０のガス流がサポートブロック４２０の上面、並びにＤＧＬ４４０がウェーハ４００からＴＩＳプレート４３０に移動されたときにウェーハテーブル４１０及びＴＩＳプレート４３０の側壁に直接衝突することも防止する。このことは様々な動的なエッジの影響を防ぎかつこれらのエッジに向かう熱伝達を減少させるのに役立つ。
【００６０】
[0070]  より安定的な下降流は、投影光学チャンバに向かうより安定的な流れももたらし、これは投影光学チャンバの温度を安定化させて汚染を減少させることができる（流れの変化が起きると汚染物質が表面から解放される）。さらに、流れはより一層予測できるようになり、改善された設計へと繋がる。
【００６１】
[0071]  平坦なカバープレートを追加することに加えて、カバープレートの上面にさらなる構造物を追加することも可能である。そのような構造物は、例えば熱的適応係数の観点から、流れに影響を与えるために表面マイクロ構造（粗さ）を含んでよい。これらのマイクロ構造は、あらゆる数の異なる形状又は寸法を有してよい。そのような表面マイクロ構造は、１つの特定の例では溝付き面を含んでよい。一例では、構造物の高さは、マイクロメートルの大きさ程度であってもよい。別の例では、その高さは、ガス分子の平均自由工程、すなわち、数ｍｍまでであってもよい。あるいは、高さは他のあらゆる適切な寸法であってもよい。図６ａは、そのような表面外形を有するカバープレート４５０’を用いるチャック構成を示している。
【００６２】
[0072]  例えば、高さステップ又は外形を有するリムなどのマクロ構造物をＴＩＳ（又は他のあらゆるセンサ）の周りに加え、ＤＧＬがＴＩＳの上方にある間、ｆ係数をさらに減少させることも可能である。ＤＧＬがＴＩＳの上方にあるときはレジスト汚染は該当しないのでこれは可能であり、結果的にｆ係数は問題なく減少させることができる。これはＤＧＬが任意のセンサの上方にある場合に当てはまり、従って、あらゆるセンサがそのようなリムから効果を得る。図６ｂは、リム４５５が各ＴＩＳプレート４３０の周りにあるチャック構成を示している。
【００６３】
[0073]  カバープレートの採用は、さらなる機能性の機会を与える。図７ａ〜図７ｃは、そのようなさらなる機能性が提供された３つの例を示している。
【００６４】
[0074]  図７ａは、さらなるセンサ４６０がカバープレート４５０内に含まれた例を示している。そのようなセンサは、較正センサ、温度センサ、圧力センサ、熱流束センサ及び／又は汚染センサ（「スニファ」）を含んでよい。これらのセンサは、一例として挙げているだけであり、この列挙は包括的ではないことを理解されたい。
【００６５】
[0075]  図７ｂは、カバープレート４５０が熱制御を提供するように配置された調節要素、例えば、１つ以上の調節導管４７０を含む一例を示している。そのような調節導管は、熱パイプ又は冷却パイプを含んでよい。あるいは、又はそれに加えて、カバープレート４５０は、局部温度を調整するために局部ヒータ又は（ペルチェ）クーラを含んでよい。
【００６６】
[0076]  図７ｃは、カバープレート４５０がガス抽出を提供する一例を示している。カバープレートは、ガスを抽出するためのガス抽出チャネル４７５を含む（矢印は抽出中のガス方向を示す）。ガスは、（ガス放出及びＷＳの両方からの）汚染物質及び（ウェーハテーブルからの）粒子を除去するようにプレート内で抽出されてよい。ガスは、熱を除去し、かつカバープレート４５０とウェーハ４００との間のあらゆる温度差を減少させるために抽出されてもよい。ガスを抽出する別の理由としては、ガス流を所望の方向に調節することもあり得る。
【００６７】
[0077]  ガス抽出の代替として、チャネル４７５を有する同じカバープレートを用いて送り込むこともできる（すなわち、矢印は反対であってもよい）。低い圧力によりウェーハテーブル環境から抽出することが困難であるため、これは実施するのがより簡単となり得る。このように送り込むことは、サポートブロックアセンブリ表面内の（例えば、カバープレート４５０とＴＩＳプレート４３０／ウェーハ４００との間の）ギャップを緩衝することができる。
【００６８】
[0078]  計画的なガス流が、カバープレート４５０を介して、例えばＴＩＳプレート４３０の周り又は他のところに、ウェーハを露光していないときにＤＧＬ４００からの下降流の熱的効果を軽減するために提供されてよい。
【００６９】
[0079]  ＤＵＶ（深紫外線）又は他の帯域外放射（ＥＵＶ以外の放射）を除去するために、ウェーハ位置において、ＤＧＩアセンブリ上にＤＵＶ及び／又は帯域外放射を除去するためのフィルタ要素、例えばフィルタ膜を組み込むことが提案されている。そのような膜は非常に薄く、機械における通気動作（すなわち、装置を大気圧にさせるために空気又は他のタイプのガスを機械に送り込む動作）によって潜在的に損傷を受け得る。この問題を克服するために、取り外し可能な膜が提案されている。取り外し可能な膜を組み込むために、膜及び膜ホルダのための保管場所を提供する必要がある。
【００７０】
[0080]  図８ａは、そのような取り外し可能なフィルタ膜（ホルダ付き）４８５がＤＧＬ４４０に配置されかつフィルタ膜４８５のための保管閉鎖空間４８０がカバープレート４５０内にある、サポートブロックアセンブリ構成を示している。膜４８５を閉鎖空間４８０の中に格納することは、通気状態でのウェーハステージ動作中に膜４８５を遮蔽し、従って、通気及び他の処理動作中及び膜４８５がホルダにクランプされているときはその膜４８５を保護する。図８ｂは、閉鎖空間４８０内に格納されている膜４８５の詳細を示している。
【００７１】
[0081]  ホルダ内に格納された後、膜及びホルダ４８５を、例えば（電）磁石によって通常動作中にＤＧＬ４４０に取り付けることができる。膜及びホルダ４８５は、ウェーハのロード／アンロードのために一部のウェーハテーブルに使用されるものに類似する「ｅピン」構造を用いてＤＧＬに取り付けてもよい。ｅピン又はｅピン構造は、本明細書中、オブジェクトの、例えばオブジェクトテーブルへの及びオブジェクトテーブルからのロード／アンロード動作のためのリフティング構造を示すために用いられる。そのようなリフティング構造は、アンロード中にウェーハテーブル又はオブジェクトテーブルの上面から選択的に延在することができるピンなどの１つ以上の細長い要素を含んでよく、それによってウェーハ又はオブジェクトを持ち上げ、他の時はウェーハテーブルの上面と同一平面上又はそれより低くなるように引き戻す。
【００７２】
[0082]  図８ｃは、ｅピン４９０を用いて膜４８５をＤＧＩ４４０に取り付ける具体例を示している。この例では、３つのｅピンが設けられている（別の数も可能である）。ｅピン４９０は、膜ホルダの外周と適合したリング（「ｅリング」）内に含まれる。ｅピン４９０は、膜４８５をＤＧＬ４４０に向かって押すように延在し、それによって、膜４８５が（例えば、ＤＧＬ又は膜ホルダの一方が１つ以上の（電）磁石を含んでＤＧＩ又は膜ホルダの他方を引き寄せるように磁気的に）展開される。
【００７３】
[0083]  不具合が生じた場合に予備の膜４８５が利用可能であるようにカバープレート内に余分の（例えば、２つ以上の）閉鎖空間４８０を任意選択として有することが想定され、従って物理的な置き換えは次の処理動作まで延期することができる。
【００７４】
[0084]  上記の実施形態ではカバープレートがそのカバープレートを支持するサポートブロックとは別のものとして示しているが、当然のことながら、カバープレート及びサポートブロックは、単一の一体ユニットであってもよい。
【００７５】
[0085]  さらに、ＤＧＬからの下降流の熱的効果がウェーハステージに対する熱負荷の主な要素の１つであるが、ウェーハステージ全体に沿ってより良い熱均一性を達成するために他の熱負荷要素のバランスをとることが望ましい場合がある。
【００７６】
[0086]  図９ａ及び図９ｂは、上記で示したＥＵＶウェーハステージ構成のさらなる実施形態を示している。これらの図面は、ウェーハ４００の上方に冷却ディスク９００などの冷却要素を示している。冷却ディスク９００は、ペルチェクーラ９１０及び熱パイプ９２０によって低い温度で維持される（冷却ディスク９００の冷却を別の手段で行うこともできる）。局部加熱を提供するための高速スイッチングのアクティブ加熱デバイスも示している。図９ａで示す具体例では、加熱デバイスは放射９４０を放出するＬＥＤ源９３０を含むが、十分な高速スイッチングであるという条件で他のデバイスを用いることもできる。例えば、代わりにＭＥＭＳデバイスを用いてもよい。図９ｂは、高速スイッチングの薄膜ヒータ９５０を用いる別の加熱構成を示している。薄膜ヒータ９５０と冷却ディスク９００との間には絶縁材料９６０がある。
【００７７】
[0087]  ウェーハは熱負荷を受けてウェーハ変形をもたらす。これらの熱負荷はウェーハにわたって均一ではなく、連続する領域が高い熱負荷と低い熱負荷とを交互に受けることが示されている。この影響は、スキャンパターン及び熱負荷のスイッチオンオフによって大きく左右される。結果は、異なる測定オーバーレイ図の間で交互するウェーハ上の領域の特徴的な「チェスボード」パターンとなる。例えば、約＋２ｎｍの測定オーバーレイを表示する領域が、約−２ｎｍの測定オーバーレイを表示する領域と交互することが見られる。
【００７８】
[0088]  図９ａ及び図９ｂの構成は、ウェーハステージを介してウェーハ温度を調節する代わりにウェーハ温度を直接調節することによってウェーハ変形を減少させる。冷却ディスク９００は、低温（例えば、１０℃未満、可能であれば５℃未満）で維持されているウェーハ４００の上方に配置される。結果的に、冷却ディスク９００は、ウェーハに対して（一定の）負の熱負荷を与える。この負の熱負荷は、ウェーハ４００から離れて冷却ディスク９００に向かう熱流をもたらし、エネルギーをウェーハ４００から除去する。一熱伝達機構は、ＤＧＬガス流から引き起こされる冷却ディスクとウェーハ表面との間のガス媒体を介する対流である。別の熱伝達機構は放射である。後者に関して、冷却ディスク９００の放射率を考慮する必要がある。冷却ディスク９００に高放射率コーティングを設けることは熱伝達を増加させ、よって負の熱負荷の大きさも増加させる。しかしながら、これは、ウェーハの放射率は異なる露光層によって異なり得るため、ディスクの温度を適応させるために温度センサが必要であることを意味する。あるいは、低放射率コーティングが冷却ディスク９００上に使用されてもよい。これによって、構成がウェーハ層の様々な放射率に対して耐性を有するようにできる。
【００７９】
[0089]  冷却ディスク９００は、「第１ウェーハ効果」の防止に役立つ。このような効果は、停止後の第１測定露光サイクル及び後続の測定露光サイクル中に受け得る異なる熱的条件からもたらされる。第１サイクルの後の各測定露光サイクルに対して、前のサイクルからの余熱が、第１サイクル中に受けるものと比較して異なるようにウェーハ温度を影響し得る。これは、３×ｔが露光と露光との間の時間より大きいときに発生することがあり、熱時定数ｔは、システムのステップ応答がその最終（漸近）値の１−１／ｅ〜６３．２％に達するまでの時間を表す。これは第１層と他の層との間に異なるクランプ動作の可能性があり、オーバーレイペナルティをもたらすことを意味する。冷却ディスクは、テーブル上の正味エネルギーを減少させ、これはクランプ内の積極的な冷却（冷却媒体流から流動誘起振動をもたらし得る）あるいはクランプ内のアクティブ制御セグメントの必要性さえも省く。
【００８０】
[0090]  しかしながら、負の熱負荷の一定の（ＤＣ）動作及びＥＵＶ露光負荷のスイッチング動作は、冷却ディスク９００を単独で用いたときにチェスボードパターンが残ることを意味する。この問題は、ＬＥＤスイッチング可能な加熱源９３０，９５０によって対処される。これは、露光熱負荷が低いか又はオフであるときにウェーハにアクティブな高速スイッチングの直接加熱を提供する。ウェーハの直接加熱を提供する代わりに、ＬＥＤスイッチング熱源は、冷却ディスク９００の局部加熱を提供するように構成されてもよい。この追加の正の熱負荷を補償するために、冷却ディスク９００は、アクティブ加熱を用いない場合に必要とされるときと比較してより大きい負の負荷を与える必要がある。これは、（例えば）ディスク９００領域を増大させることによって、ディスク９００を低温で維持することによって又はＤＧＬガス流（従って、ディスク９００とウェーハ４００との間のガス圧）を増加させることによって行うことができる。薄膜加熱源９５０の例では、この負の熱負荷は、絶縁９６０の（比較的小さい）影響を補償するために、ＬＥＤ加熱源９３０の例より大きくなり得る。スイッチング可能な熱負荷は、対応効果のためにカバープレートに適用することもできる。
【００８１】
[0091]  ＬＥＤ加熱デバイス９３０によって放出される波長は、光がウェーハに吸収されるように選択される必要がある。ＬＥＤ加熱デバイス９３０は、図９ａでは冷却ディスク９００の上方に示されている。この例では、冷却ディスク９００は、放射９４０の通過を可能にしながら熱パイプ９２０にディスク表面を熱的接続するように十分に導通する薄いシリコンディクスを含む。代替として、放射ビームは、異なる角度から、例えば側面から提供されてもよい。別の代替としては、チャック上の放射源から放出されて投影光学ボックス上に配置されたミラーから反射する放射であってもよい。
【００８２】
[0092]  冷却ディスク９００の実施形態は、（図７ｂに示すように）カバープレート４５０の冷却のための調節導管４７０を有するカバープレート４５０と組み合わせた実施により効果を得る。ウェーハの上方の冷却ディスク９００とサポートブロック４２０におけるカバープレート４５０との温度差は、カバープレート４５０から冷却ディスク９００への熱流を導入する。カバープレート４５０が冷却されていない場合は、カバープレート４５０はその温度を徐々に適応させる。これは、放射を介して又はカバープレート４５０の膨張によってサポートブロック４２０に潜在的にストレスを引き起こし得る。
【００８３】
[0093]  他の実施形態では、冷却ディスク９００及びアクティブ熱源９３０はカバープレート４５０なしで提供される。
【００８４】
[0094]  本明細書中に開示された概念はＬＰＰ源と組み合わせて明確に記載されているが、ＤＰＰ源など他のタイプの源にも適用できる。本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８５】
[0095]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００８６】
[0096]  本発明の様々な実施形態は、以下の項目によって定義することもできる。
１．ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポートであって、前記基板サポートは、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するためのサポートブロックと、
少なくとも１つのセンサユニットと、
前記基板テーブル及び（１以上の）前記センサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、前記基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える基板サポート。
２．前記カバープレートの上面、（１以上の）前記センサユニットの上面及び前記基板テーブル上に取り付けられたときの基板の上面全てが実質的に同じ高さであるように構成される、条項１に記載の基板サポート。
３．前記少なくとも１つのセンサユニットの１以上は、前記サポートブロックによって支持される、条項１又は２に記載の基板サポート。
４．前記少なくとも１つのセンサユニットの１以上は、前記カバープレート内に取り付けられる、条項１又は２に記載の基板サポート。
５．前記カバープレートは、その上面に、前記基板テーブル及び（１以上の）前記センサユニットのために開口を含む、条項１〜４のいずれか１項に記載の基板サポート。
６．前記カバープレートは、（１以上の）前記センサユニットの周りに隆起した又は段付きの外形を有するリムを含む、条項１〜５のいずれか１項に記載の基板サポート。
７．（１以上の）前記センサユニットは、ポジショニングセンサユニット、アライメントセンサユニット、較正センサユニット、温度センサユニット、圧力センサユニット、熱流束センサユニット及び／又は汚染センサユニットのうちの１以上を含む、条項１〜６のいずれか１項に記載の基板サポート。
８．前記カバープレートは、前記サポートブロックとは別個であり、かつ前記サポートブロックによって支持される、条項１〜７のいずれか１項に記載の基板サポート。
９．前記カバープレート及び前記サポートブロックは、単一の一体ユニットを含む、条項１〜７のいずれか１項に記載の基板サポート。
１０．前記カバープレートは調節要素を含む、条項１〜９のいずれか１項に記載の基板サポート。
１１．前記調節要素は、熱交換流体を運ぶための１以上の導管を含む、条項１０に記載の基板サポート。
１２．前記カバープレートは、前記カバープレートの真上の領域と前記カバープレート内又は前記カバープレートの下の１以上の導管との間のガス流を確立する手段を含む、条項１〜１１のいずれか１項に記載の基板サポート。
１３．前記ガス流は、バッファの機能を果たすように、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ及び／又は前記カバープレートと（１以上の）任意のセンサユニットとの間のギャップを通ってガスを送るように動作可能である、条項１２に記載の基板サポート。
１４．前記ガス流は、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ及び／又は前記カバープレートと（１以上の）任意のセンサユニットとの間のギャップを通って、前記カバープレートの真上の領域から前記１以上の導管内にガスを抽出するように動作可能である、条項１２に記載の基板サポート。
１５．前記カバープレートの上面は表面マイクロ構造を含む、条項１〜１４のいずれか１項に記載の基板サポート。
１６．前記表面マイクロ構造は溝付き面を含む、条項１５に記載の基板サポート。
１７．前記カバープレートの上面は、１以上のマクロサイズの構造物を含む、条項１〜１６のいずれか１項に記載の基板サポート。
１８．条項１〜１７のいずれか１項に記載の基板サポートと、
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素とを備える、基板サポート構成。
１９．前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを少なくとも部分的に閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、条項１８に記載の基板サポート構成。
２０．前記冷却要素はシリコンディスクを含む、条項１８又は１９に記載の基板サポート構成。
２１．局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された基板上に与えるように動作可能である１以上のスイッチング可能な加熱源を備える、条項１８，１９又は２０に記載の基板サポート構成。
２２．前記加熱源は、前記加熱源によって放出された放射が前記冷却要素を透過するように前記冷却要素の上方に配置される、条項２１に記載の基板サポート構成。
２３．前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な発光ダイオードデバイスを含む、条項２１又は２２に記載の基板サポート構成。
２４．前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な微小電子機械（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、条項２１又は２２に記載の基板サポート構成。
２５．前記加熱源は薄膜ヒータを含む、条項２１に記載の基板サポート構成。
２６．前記加熱源は、前記ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームが前記基板上に投影されていない期間中に前記基板の一部を局所的に加熱するように動作可能である、条項２１〜２５のいずれか１項に記載の基板サポート構成。
２７．ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポート構成であって、前記基板サポート構成は、
基板を保持するように構築された基板サポートと、
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素と、
局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された基板上に与えるように動作可能である１以上のスイッチング可能な加熱源と、を備える基板サポート構成。
２８．前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、条項２７に記載の基板サポート構成。
２９．前記冷却要素はシリコンディスクを含む、条項２７又は２８に記載の基板サポート構成。
３０．前記加熱源は、前記加熱源によって放出された放射が前記冷却要素を透過するように前記冷却要素の上方に配置される、条項２９に記載の基板サポート構成。
３１．前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な発光ダイオードデバイスを含む、条項２７〜３０のいずれか１項に記載の基板サポート構成。
３２．前記加熱源は、前記基板を局所的に加熱するためにビームを放出するように動作可能な微小電子機械（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、条項２７〜３０のいずれか１項に記載の基板サポート構成。
３３．前記加熱源は薄膜ヒータを含む、条項２７，２８又は２９に記載の基板サポート構成。
３４．前記加熱源は、前記ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームが前記基板上に投影されていない期間中に前記基板の一部を局所的に加熱するように動作可能である、条項２７〜３３のいずれか１項に記載の基板サポート構成。
３５．条項１〜１７のいずれか１項に記載の基板サポート又は条項１８〜３４のいずれか１項に記載の基板サポート構成と、
投影チャンバ内の投影システムであって、ＥＵＶ放射ビームを前記基板サポートによって支持された基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影チャンバからの前記ＥＵＶ放射ビームを透過させる一方、前記投影チャンバに入る汚染物質を制限するためのガスロック機構と、を備えるリソグラフィ装置。
３６．前記ガスロック機構は、
第１端部及び第２端部を含む中空体であって、実質的に前記ＥＵＶ放射ビームの経路の周りに前記第１端部から前記第２端部まで延在する、中空体と、
前記体と連通しかつ前記体内にガス流を生成するように構成されたガス流ユニットであって、前記ガス流は前記投影チャンバに入る汚染物質を制限し、ガスはＥＵＶ放射の少なくとも一部を実質的に透過させる、ガス流ユニットと、を備える、条項３５に記載のリソグラフィ装置。
３７．前記ガスロック機構はフィルタ要素を含み、前記カバープレートは、前記フィルタ要素が展開されていないときに前記フィルタ要素を格納するための少なくとも１つの閉鎖空間を含む、条項３５又は３６に記載のリソグラフィ装置。
３８．前記閉鎖空間は、前記ガスロック機構に前記フィルタ要素を展開させるための延在可能なピンを含む、条項３７に記載のリソグラフィ装置。
３９．前記カバープレートは、複数のフィルタ要素の閉鎖空間を含む、条項３７又は３８に記載のリソグラフィ装置。
４０．前記カバープレートは、前記カバープレートが前記ガスロック機構の真下にあるように前記サポートが位置決めされているときに前記ガスロック機構から放出されるガスに対する流れ抵抗を、前記サポートが同じ位置にあるときにカバープレートなしで発生する流れ抵抗と比較して増加させる、条項３５〜３９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
４１．前記ガスロック機構から放出されるガスに対する前記流れ抵抗は、前記基板サポートの周縁から離れて、前記基板サポートの上面にわたって実質的に一定である、条項３５〜４０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
４２．ＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された放射源と、
前記放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、をさらに備える、条項３５〜４１のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【００８７】
[0097]  本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2016507763.tif 000004
【図２】
2016507763.tif 000005
【図３】
2016507763.tif 000006
【図４ａ】
2016507763.tif 000007
【図４ｂ】
2016507763.tif 000008
【図５ａ】
2016507763.tif 000009
【図５ｂ】
2016507763.tif 000010
【図６ａ】
2016507763.tif 000011
【図６ｂ】
2016507763.tif 000012
【図７ａ】
2016507763.tif 000013
【図７ｂ】
2016507763.tif 000014
【図７ｃ】
2016507763.tif 000015
【図８ａ】
2016507763.tif 000016
【図８ｂ】
2016507763.tif 000017
【図８ｃ】
2016507763.tif 000018
【図９ａ】
2016507763.tif 000019
【図９ｂ】
2016507763.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月30日(2015.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポートであって、前記基板サポートは、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するサポートブロックと、
少なくとも１つのセンサユニットと、
前記基板テーブル及び前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、前記基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える基板サポート。
【請求項２】
前記カバープレートは、前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに隆起した又は段付きの外形を有するリムを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項３】
前記カバープレートは調節要素を含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項４】
前記調節要素は、熱交換流体を運ぶ１つ以上の導管を含む、請求項３に記載の基板サポート。
【請求項５】
前記カバープレートは、前記カバープレートの真上の領域と前記カバープレート内又は前記カバープレートの下の１つ以上の導管との間のガス流を確立するデバイスを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項６】
前記ガス流は、バッファの機能を果たすように、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ又は前記カバープレートと前記少なくとも１つのセンサユニットとの間のギャップを通ってガスを送るように動作可能である、請求項５に記載の基板サポート。
【請求項７】
前記ガス流は、前記カバープレートと前記基板テーブル上に取り付けられた前記基板との間のギャップ及び／又は前記カバープレートと前記少なくとも１つのセンサユニットとの間のギャップを通って、前記カバープレートの真上の領域から前記１つ以上の導管内にガスを抽出するように動作可能である、請求項５に記載の基板サポート。
【請求項８】
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素をさらに備える、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項９】
前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを少なくとも部分的に閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、請求項８に記載の基板サポート。
【請求項１０】
局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された前記基板上に与えるように動作可能である１つ以上のスイッチング可能な加熱源を備える、請求項８に記載の基板サポート。
【請求項１１】
前記加熱源は、前記ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームが前記基板上に投影されていない期間中に前記基板の一部を局所的に加熱するように動作可能である、請求項１０に記載の基板サポート。
【請求項１２】
ＥＵＶ範囲内又はそれより小さい波長を有する放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するタイプの装置のための基板サポート構成であって、前記基板サポート構成は、
基板を保持する基板サポートと、
前記基板サポートの上方に配置され、かつ前記基板サポートによって支持された前記基板上に直接的な負の熱負荷を与えるように動作可能な冷却要素と、
局所的かつスイッチング可能な熱負荷を前記基板サポートによって支持された前記基板上に与えるように動作可能である１つ以上のスイッチング可能な加熱源と、を備える基板サポート構成。
【請求項１３】
前記冷却要素は、前記冷却要素と基板表面との間のガスを閉じ込めるように配置され、前記ガスは、前記基板から前記冷却要素への熱伝達のための媒体としての機能を果たす、請求項１２に記載の基板サポート構成。
【請求項１４】
基板サポートと、
チャンバ内の光学システムと、
前記チャンバに入る汚染物質を制限するためのガスロック機構と、を備える装置であって、
前記基板サポートは、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板テーブルを支持するサポートブロックと、
少なくとも１つのセンサユニットと、
前記基板テーブル及び前記少なくとも１つのセンサユニットの周りに配置されたカバープレートであって、前記基板テーブルに対するガス流に対して増加した抵抗をもたらすように配置及び構成されたカバープレートと、を備える、装置。
【請求項１５】
前記ガスロック機構は膜などのフィルタ要素を含み、前記カバープレートは、前記フィルタ要素が展開されていないときに前記フィルタ要素を格納するための少なくとも１つの閉鎖空間を含む、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【国際調査報告】
2016507763.tif 000021
2016507763.tif 000022
2016507763.tif 000023
2016507763.tif 000024
2016507763.tif 000025
2016507763.tif 000026