(57)【要約】  放射線透過撮影用フラットパネル検出器並びに、与えられた順の層構造ａ）シンチレーターまたは光導電層、ｂ）画像化アレイ、ｃ）支持体、ｄ）２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を含んでなるＸ−線吸収層、をもつフラットパネル検出器の製法であって、そこでＸ−線吸収層が約６０ｋｅＶにおいてＡｍ241のガンマ光線放射に対して０．５を超える無次元の（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｌｅｓｓ）吸収指数を有することを特徴とし、そこで、ＡＥ（Ａｍ241 ６０ｋｅＶ）＝ｔ＊（ｋ1ｅ1＋ｋ2ｅ2＋ｋ3ｅ3＋…）であり、その式中、ＡＥ（Ａｍ241  ６０ｋｅＶ）が、Ａｍ241の約６０ｋｅＶのガンマ線放射に対するＸ−線吸収層の吸収指数を表わし、ｔがＸ−線吸収層の厚さを表わし、ｅ1、ｅ2、ｅ3、…がＸ−線吸収層中の元素の濃度を表わし、そしてｋ1、ｋ2、ｋ3、…が各元素の質量減衰係数を表わし、そして該化合物がシンチレーション燐である場合は、Ｘ−線吸収層と支持体の間に層が存在し、その層がその化合物の光放射の波長において１０％以下の光の透過率を有する、フラットパネル検出器の製法。【選択図】図１
2016540205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた順の層構造、
ａ）シンチレーターまたは光導電層（１）、
ｂ）単一の画像化アレイ（２）、
ｃ）支持体（３）
ｄ）２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を含んでなるＸ−線吸収層（４）、
を含んでなる放射線透過撮影用フラットパネル検出器であって、
そこで、Ｘ−線吸収層が約６０ｋｅＶにおいてＡｍ241のガンマ光線放射に対して０．５を超える無次元の（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｌｅｓｓ）吸収指数を有することを特徴とし、そこで
【数１】
2016540205.tif 000010
式中、ＡＥ（Ａｍ241  ６０ｋｅＶ）が、Ａｍ241の約６０ｋｅＶのガンマ線放射に対するＸ−線吸収層の吸収指数を表わし、ｔがＸ−線吸収層の厚さを表わし、ｅ1、ｅ2、ｅ3、…がＸ−線吸収層中の元素の濃度を表わし、そしてｋ1、ｋ2、ｋ3、…が各元素の質量減衰係数を表わし、そして該化合物がシンチレーション燐（ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｎｇ  ｐｈｏｓｐｈｏｒ）である場合は、Ｘ−線吸収層と支持体との間に層が存在し、その層がその化合物の光放射の波長に対して１０％以下の光の透過率を有する、
放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項２】
Ｘ−線吸収層（４）が、支持体（３）と下にある電子機器（５）との間に配置されている、請求項１に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項３】
化合物が、ＣｓＩ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ、ＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ4、ＢａＴｉＯ3、Ｇｄ2Ｏ3、ＢａＣｌ2、ＢａＦ2、ＢａＯ、Ｃｅ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＣｓＮＯ3、ＧｄＦ2、ＰｄＩ2、ＴｅＯ2、ＳｎＩ2、ＳｎＯ、ＢａＳＯ4、ＢａＣＯ3、ＢａＩ、ＢａＦＸ、ＲＦＸn、ＲＦyＯz、ＲＦy（ＳＯ4）z、ＲＦyＳz、ＲＦy（ＷＯ4）z、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌ、ＣｓＦ、ＣｓＮＯ3、Ｃｓ2ＳＯ4、ハロゲン化オスミウム、酸化オスミウム、硫化オスミウム、ハロゲン化レニウム、酸化レニウムおよび硫化レニウムまたはそれらの混合物よりなる群から選択され、そこで
−  ＸがＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩの群から選択されるハロゲンであり、そして
−  ＲＦがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択されるランタニドであり、そして
−  ｎ、ｙ、ｚが独立して１を超える整数である、
請求項１または２に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項４】
Ｘ−線吸収層が結合剤（ｂｉｎｄｅｒ）を含んでなる、前記請求項のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項５】
Ｘ−線吸収層中の結合剤の量が１０重量％以下である、請求項４に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項６】
化合物の光放射の波長に対して１０％以下の光の透過率を有する層が、染料または顔料を含んでなる、前記請求項のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項７】
化合物の光放射の波長に対して１０％以下の光の透過率を有する層が、光吸収性である、前記請求項のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項８】
化合物により放射される光に対して１０％以下の透過率を有する層が光反射粒子を含んでなる、前記請求項のいずれかに従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項９】
ａ）第１の支持体の１つの面上に画像化アレイ（２）を伴う支持体（３）を提供する工程、および
ｂ）画像化アレイ上にシンチレーション燐（１）を適用する工程、および
ｃ）画像化アレイの反対側の支持体の面上にＸ−線吸収層（４）を適用する工程、
を含んでなる、請求項１に規程された放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【請求項１０】
Ｘ−線吸収層がナイフコーティングまたはドクターブレードコーティングにより被覆される、請求項９に従う放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、診断用画像化、そしてより具体的には、検出器電子機器を防護し、そしてＸ−線源に対する対象の暴露期間中の後方散乱Ｘ−線の影響を減少または排除するＸ−線シールドをもつ放射線透過撮影用（ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）Ｘ−線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ−線の画像化は、患者または動物の医学的画像を捕促し、同時にまた荷物、包装物および他の小包のような密閉容器の中味を検査するための非侵襲的方法である。これらの画像を捕促するためにＸ−線ビームが物体を照射する。次にＸ−線が物体を通過する時に減衰される。減衰の程度は、対象の内部の組成および／または厚さのばらつきの結果として対象全体にばらつく。減衰されたＸ−線ビームは、減衰ビームを対象の内部構造の使用可能な影の画像に変えるようになっているＸ−線検出器上に衝突する。
【０００３】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）は益々、検査法期間中の、検体のまたは分析される患者の身体部分の画像を捕促するために使用されている。これらの検出器はＸ−線を直接（直接変換直接放射線透過撮影法−ＤＣＤＲ）または間接的方法（間接変換直接放射線透過撮影法−ＩＣＤＲ）で電荷に変換することができる。
【０００４】
直接変換直接放射線透過撮影法において、ＲＦＰＤはＸ−線を電荷に直接変える。Ｘ−線は非晶質セレン（ａ−Ｓｅ）のような光導電層と直接相互作用する。
【０００５】
間接変換直接放射線透過撮影法において、ＲＦＰＤは、Ｘ−線を光に変え、次にそれが非晶質ケイ素（ａ−Ｓｉ）の半導体層と相互反応し、そこで電荷が形成されるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムでドープ塗料を塗られたヨウ化セシウム）またはＧｄ2Ｏ2Ｓ（酸硫化ガドリニウム）のようなシンチレーション燐をもつ。
【０００６】
形成された電荷は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を含んでなる、切り替えアレイを介して集電される。トランジスターは、横列毎に、そして縦列毎に切り替えられて、検出器の信号を読み出す。電荷は電圧に変換され、それがデジタル数字に変換されて、コンピューターファイル内に保存され、それを使用して、ソフトコピーまたはハードコピーの画像を形成することができる。近年、相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサーがＸ−線の画像化において重要になりつつある。ＣＭＯＳに基づく検出器はすでに、乳房撮影法、歯科、蛍光透視、心臓学および血管造影の画像に使用されている。これらの検出器を使用する利点は、高い読み出し速度および低い電子ノイズである。
【０００７】
一般に、切り替えアレイとしてのＴＦＴおよび光ダイオード（ＩＣＤＲの場合）を含む画像化アレイは、ガラスの薄い支持体上にメッキされる。ガラス支持体上の、シンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーは、Ｘ−線源から来て、診断の対象により透過されるすべての一次光線は吸収しない。従って、このアセンブリーの下方に配置される電子機器は、特定の割合の一次Ｘ−線光線に暴露される。電子機器は十分に放射線抵抗性ではないので、この透過光線が損傷を誘発するかも知れない。更に、ガラス支持体上のシンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーにより吸収されないＸ−線は、ガラス支持体の下方の構造物中に吸収されることができる。これらの構造物中に吸収される一次光線は、等方向に放射され、従って検出器の画像化部分を暴露する二次光線を形成する。二次光線は「後方散乱光」と呼ばれ、検出器の画像部分を暴露し、それによりアーチファクト（ａｒｔｉｆａｃｔｓ）が再構築された画像中に導入される
可能性がある。アセンブリーの下方の空間は均等に充填されてはいないので、散乱光の量は位置により左右される。散乱光の一部はシンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーの方向に放射され、そして記録される信号に寄与することができる。この寄与は空間的に均等ではないので、この寄与は画像の曇りをもたらすかも知れず、従って、ダイナミックレンジを減少させると考えられる。それはまた、画像のアーチファクト（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を形成すると考えられる。
【０００８】
散乱光線による電子機器および画像アーチファクトへの損傷を回避するために、シンチレーターまたは光導電体および画像化アレイのアセンブリーの下方にＸ−線シールドを適用することができる。高い原子番号をもつ金属が、それらの高い密度およびＸ−線に対する高い固有の停止力のために、このようなＸ−線シールド中の材料として使用される。これらの例は、特許文献１、特許文献２、特許文献３に開示されたようなタンタルム、鉛またはタングステンからのシートまたはプレートである（特許文献１、２、３参照）。
【０００９】
しかし、高い原子番号をもつ金属はまた、高い密度をもつ。従って、これらの材料を基材にしたＸ−線シールドは高い重量をもつ。重量は特にＲＦＰＤの運搬性のためにＲＦＰＤの重要な特徴である。従って、あらゆる重量の減少が、医療スタッフのようなＲＦＰＤの使用者にとり有益である。
【００１０】
特許文献４は、Ｘ−線検出器の背面カバーのＸ−線の反射を減少するための放射線吸収材を含んでなる、放射線を吸収するＸ−線検出器パネル支持体を開示している（特許文献４参照）。鉛、硫酸バリウムおよびタングステンのような重原子を含む吸収材を、硬いパネル支持体上に化学蒸着法により膜としてメッキするか、または射出成形により、硬いパネル支持体を加工するために使用される土台材料とともに混合することができる。化学蒸着のための支持体並びに硬いパネル支持体を加工するための土台材料は、ＲＦＰＤにおける余分な重量の増加を表わす。更に、放射線吸収材を含んでなる検出器のパネル支持体は、検出器に対する固定化を確保するために、更に固定される必要がある。
【００１１】
特許文献５において、変換および検出ユニットを支持する支持体を含むＸ−線画像化検出器が開示されている（特許文献５参照）。その支持体は２２を超える原子番号をもつ一つ以上の元素を含む。検出アレイは支持体上に直接メッキされるので、支持体の適切な材料の種類はむしろ限定される。
【００１２】
特許文献６において、支持体、好適には、Ｐｂ、Ｂａ、ＴａもしくはＷにより形成される群から選択される一つの金属を含むガラス、を含んでなる画像化装置が開示されている（特許文献６参照）。該発明者等によると、このガラスの使用は、鉛基材の更なるＸ−線シールドを必要としないと考えられる。しかし、Ｐｂ、Ｂａ、ＴａもしくはＷにより形成される群からの十分量の金属を含むガラスは、画像化アレイのための支持体として通常使用されるガラスより高価である。
【００１３】
特許文献７は、それぞれ、異なる厚さをもつシンチレーターとしての２枚のシンチレーション燐層および、前記の２層の間に、Ｘ−線に透過性の支持体を含んでなる放射線透過撮影の画像化装置、すなわちＲＦＰＤを開示している（特許文献７参照）。支持体の反対側の面における更なる燐層の使用が、空間分解能を維持しながら、Ｘ−線吸収を改善する。開示された通りの更なる燐層の存在は、その下方に横たわる電子機器の損傷を防止し、後方散乱を防止するための、すべての一次Ｘ−線放射を吸収するには十分でない。このＲＦＰＤのデザインには、更なるＸ−線シールドがまだ、必要であると考えられる。
【００１４】
特許文献８において、二重スクリーンのデジタル放射線透過撮影装置が請求されている（特許文献８参照）。この装置はそれぞれ、Ｘ−線を捕促し、処理するためのシンチレーション燐層を含んでなる２枚の平らなパネルの検出器（前方パネルと後方パネル）よりな
る。後方パネル中のシンチレーション燐層は画像形成に貢献し、そして下方の電子機器を防護するためのＸ−線シールドとしての機能をもたない。この二重スクリーンのデジタルのフラットパネルはまだ、下方の電子機能を防護し、そして散乱放射による、画像アーチファクト（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を回避するためのＸ−線シールドを必要とする。
【００１５】
特許文献９は、少なくとも０．２５４ｍｍ当量の鉛のＸ−線吸収率をもち、そしてエプロン、甲状腺シールド、生殖腺シールド、手袋、等のような身体の放射線防護または減衰のために衣類または布類の上に適用しなければならない軽量の膜を開示している（特許文献９参照）。前記の膜は、高い原子量の金属またはそれらの関連化合物および／または合金を含んでなるポリマーラテックス混合物から得られる。適切な金属は、４５を超える原子番号をもつものである。ＲＦＰＤ中への、この軽量の膜の使用は言及されていない。軽量の膜は請求されているが、その膜の組成物中に使用される金属粒子はまだ、シールドの重量に高度に寄与する。
【００１６】
特許文献１０は、身体の放射線防護のために衣類または布類上に適用される放射線遮蔽組成物を開示している（特許文献１０参照）。該組成物はポリマー、好適にはエラストマーおよび、充填剤として組成物の少なくとも８０重量％の量の、高い原子番号をもつ一つの金属の均一に分散された粉末よりなった。装填物質（ｌｏａｄｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）は１８０℃未満の温度で、充填材（ｆｉｌｌｅｒ）と混合され、エラストマーと混練されて、工業的規模で衣類および布類に均一に適用することができる放射線遮蔽組成物をもたらす。しかし、金属の使用は、本発明のシールドの重量をかなり増加している。
【００１７】
特許文献１１は、高い放射線遮蔽能および優れた経済効率をもつ、鉛および他の有害成分を含まない放射線遮蔽シートを開示している（特許文献１１参照）。前記シートは遮蔽材を有機ポリマー物質中に充填することにより形成され、該遮蔽材は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）およびガドリニウム（Ｇｄ）よりなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物の粉末であり、そして該ポリマーは、ゴム、熱可塑性エラストマー、ポリマー樹脂または類似物のような物質である。放射線遮蔽シート中に充填される遮蔽材の容量は、シートの総容量に対して４０〜８０容量％である。ＲＦＰＤ中へのこのフィルムの使用は言及されていない。
【００１８】
以上の考察から、下方の電子機器を防護し、そして下方の構造物により形成される散乱放射線を吸収して画像化領域における画像のアーチファクトを回避するためのＸ−線シールドをもつが、しかし軽量、低コストをもち、経済効率的な方法で生産可能で、そして更なる生産工程において画像化アレイの支持体に固定される必要のないＲＦＰＤの需要が存在することは明白であるにちがいない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】欧州特許第１４７１３８４Ｂ１号明細書
【特許文献２】米国特許第２０１３／００３２７２４Ａ１号明細書
【特許文献３】米国特許第２０１２／００９７８５７Ａ１号明細書
【特許文献４】米国特許第７３１７１９０Ｂ２号明細書
【特許文献５】米国特許第５６５０６２６号明細書
【特許文献６】米国特許第５７７７３３５号明細書
【特許文献７】米国特許第７５６９８３２号明細書
【特許文献８】米国特許第２００８／０１１９６０Ａ１号明細書
【特許文献９】国際公開第２００５１０５５９３８号パンフレット
【特許文献１０】米国特許第６５４８５７０号明細書
【特許文献１１】国際公開第２００９／００７８８９１号パンフレット
【発明の概要】
【００２０】
発明の要約
従って、単一の画像化アレイをもつ放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ  ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）中のＸ−線シールドの高い重量の寄与に対する解決策を与え、そして同時に、経済効率のよい方法でＲＦＰＤを生産する解決策を与えることが、本発明の目的である。その目的は、請求項１に規定される放射線透過撮影用フラットパネル検出器により達成された。
【００２１】
請求項１に規定されるＲＦＰＤの更なる利点は、前記Ｘ−線シールドの厚さが、標準の厚さをもつ市販のシールド用金属シートの場合におけるような大規模工程の代わりに、連続的方法で、必要な程度のＸ−線シールド効果に調整することができる点である。注文通りの厚さをもつプレートを購入することができても、これらの金属プレートの価格は、特注生産のためにまだ非常に高価である。
【００２２】
他の態様に従うと、本発明は放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法を含む。その方法は、画像化アレイの支持体上、好適には画像化アレイの反対側の面上に、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもち、そして請求項１に規定された０．５を超える、６０ｋｅＶのＡｍ241源に対する無次元の吸収指数（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｅｘｐｏｎｅｎｔ）をもつ少なくとも一つの化合物を含むＸ−線吸収層を被覆またはメッキする工程を含む。
【００２３】
本発明の他の特徴物、要素、工程、特徴および利点は、本発明の好適な実施態様の以下の詳細な説明から、より明確になると考えられる。本発明の具体的な実施態様はまた、付属請求項中に規定されている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤおよびその下方の電子機器の断面図を表わし、図中、１はシンチレーターまたは光導電層であり、２は単一の画像化アレイであり、３は支持体であり、４はＸ−線吸収層であり、５は下方の電子機器である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施態様の説明
本発明は、シンチレーターまたは光導電層、支持体上の単一の画像化アレイ並びに、結像化アレイの支持体の１つの面上に被覆またはメッキされた、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を含んでなるＸ−線吸収層をもつＸ−線シールド、を含んでなる放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）に関する。Ｘ−線吸収層中の化合物がシンチレーション燐である場合は、前記化合物の光放射の波長に対して１０％以下の光の透過率を有する層が、Ｘ−線吸収層と支持体との間に存在する。
【００２６】
Ｘ−線吸収層
Ｘ−線シールドは、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもつ一つ以上の化合物、を含んでなる層の使用によってのみ、金属よりなるＸ−線
シールドと同様なＸ−線停止力をもつが、それよりかなり軽量を伴って製造することができることが発見された。これらの化合物は好適には、２０以上の原子番号をもつ金属の酸化物または、ハロゲン化物、オキシスルフィド、亜硫酸化物、炭酸化物のような塩である。本発明の範囲内に使用することができる、２０より高い原子番号をもつ適切な金属元素の例は、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ランタン（Ｌａ）、ルテチウム（Ｌｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、テルル（Ｔｅ）、イットリウム（Ｙ）および亜鉛（Ｚｎ）のような金属である。本発明の更なる利点は、これらの化合物が比較的安価であり、低毒性を特徴とする点である。
【００２７】
２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素をもつ好適な化合物の例は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）、フッ化臭化バリウム（ＢａＦＢｒ）、タングステン酸カルシウム（ＣａＷＯ4）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、塩化バリウム（ＢａＣｌ2）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化セリウム、硝酸セシウム（ＣｓＮＯ3）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ2）、ヨウ化パラジウム（ＰｄＩ2）、二酸化テルル（ＴｅＯ2）、ヨウ化錫、酸化錫、硫化バリウム、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）、ヨウ化バリウム、塩化セシウム（ＣｓＣｌ）、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、硫酸セシウム（Ｃｓ2ＳＯ4）、ハロゲン化オスミウム、酸化オスミウム、硫化オスミウム、ハロゲン化レニウム、酸化レニウム、硫化レニウム、ＢａＦＸ（式中、ＸはＣｌもしくはＩを表わす）、ＲＦＸn（式中、ＲＦはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ：から選択されるランタニドを表わしそしてＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ：から選択されるハロゲンを表わす）、ＲＦyＯz、ＲＦy（ＳＯ4）z、ＲＦyＳzおよび／またはＲＦy（ＷＯ4）z，［ここでｎ、ｙ、ｚは独立して１より大きい整数である］である。これらの化合物は比較的軽量のＸ−線シールドを製造することができ、それらの純粋な金属類似体より、それらの低い吸湿性のために処理し易い。もっとも好適な金属化合物はＧｄ2Ｏ2Ｓ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、ＣｓＩ、ＢａＦＢｒ、ＣａＷＯ4およびＢａＯ：である。
【００２８】
Ｘ−線吸収層のために使用することができる金属元素の範囲は、それらの多数がそれらの元素形態では安定ではないために、純粋な金属および／または合金の対応範囲よりずっと大きいことが本発明の他の利点である。例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属である。
【００２９】
２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物は、結合剤中に分散された粉末として、本発明のＸ−線吸収層中に使用することができる。Ｘ−線吸収層中の結合剤の量は、１重量％〜５０重量％、好適には１重量％〜２５重量％、より好適には１重量％〜１０重量％、もっとも好適には１重量％〜３重量％の範囲内でばらつくことができる。
【００３０】
適切な結合剤は例えば、有機ポリマーまたは無機結合成分である。適切な有機ポリマーの例は、ポリエチレングリコールアクリレート、アクリル酸、ブテン酸、プロペン酸、ウレタンアクリレート、ヘキサンジオール・ジアクリレート、コポリエステル・テトラアクリレート、メチル化メラミン、酢酸エチル、メチルメタクリレートである。無機結合成分も同様に使用することができる。適切な無機結合成分の例は、アルミナ、シリカもしくはアルミナのナノ粒子、リン酸アルミニウム、ほう酸ナトリウム、リン酸バリウム、リン酸、硝酸バリウムである。
【００３１】
好適な結合剤は、有機ポリマー、例えばセルロースアセテートブチレート、ポリアルキル（メト）アクリレート、ポリビニル−ｎ−ブチラール、ポリ（ビニルアセテート−コ−
ビニルクロリド）、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）、ポリ（ビニルクロリド−コ−ビニルアセテート−コ−ビニルアルコール）、ポリ（ブチルアクリレート）、ポリ（エチルアクリレート）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（ビニルブチラール）、トリメリット酸、ブテンジオン酸無水物、フタル酸無水物、ポリイソプレンおよび／またはそれらの混合物である。結合剤は好適には、ゴム状および／またはエラストマーポリマーのような、ポリブタジエンまたはポリイソプレンからの、飽和ゴムブロックをもつ一つ以上のスチレン−水素化ジエンブロックコポリマーを含んでなる。本発明に従うブロックコポリマー結合剤として使用することができる特に適切な熱可塑性ゴムは、ＫＲＡＴＯＮTM  Ｇゴムであり、ＫＲＡＴＯＮTMはＳＨＥＬＬからの商品名である。
【００３２】
Ｘ−線吸収層の被膜が硬化されることができる場合、結合剤は好適には、単官能性もしくは多官能性モノマー、オリゴマーまたはポリマーまたはそれらの組み合わせ物であることができる重合性化合物を含む。重合性化合物は一つ以上の重合性基、好適にはラジカル重合性基を含むことができる。当該技術分野で一般に知られた、あらゆる重合性モノもしくはオリゴ官能性モノマーまたはオリゴマーを使用することができる。好適な単官能性モノマーは、欧州特許第１６３７３２２Ａ号明細書の段落［００５４］〜［００５７］に記載されている。好適なオリゴ官能性モノマーまたはオリゴマーは欧州特許第１６３７３２２Ａ号明細書の段落［００５９］〜［００６４］に記載されている。特に好適な重合性化合物は、ウレタン（メト）アクリレートおよび１，６−ヘキサンジオールジアクリレートである。ウレタン（メト）アクリレートは１、２、３またはそれ以上の重合性基をもつことができるオリゴマーである。
【００３３】
Ｘ−線吸収層の被覆溶液の調製期間中に有機ポリマーである結合剤を溶解するために適切な溶媒は、アセトン、ヘキサン、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロパノール、メトキシプロパノール、イソブチルアセテート、エタノール、メタノール、メチレンクロリドおよび水であることができる。もっとも好適なものはトルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）およびメチルシクロヘキサンである。適切な無機結合成分を溶解するためには、主要な溶媒として水が好適である。硬化性被覆液の場合には、一つ以上の単官能性および／または二官能性モノマーおよび／またはオリゴマーを希釈剤として使用することができる。希釈剤として働く好適なモノマーおよび／またはオリゴマーは前記のウレタン（メト）アクリレートオリゴマーと混和性である。希釈剤として使用される一種もしくは複数のモノマーまたは一種もしくは複数のオリゴマーは好適には低粘度の一種もしくは複数のアクリレートモノマーである。
【００３４】
本発明のＸ−線吸収層はまた、更なる化合物、例えば、分散剤、可塑化剤、光反応開始剤、光硬化性モノマー、静電気防止剤、界面活性剤、安定剤、酸化剤、接着剤、ブロッキング剤および／またはエラストマー、を含むことができる。
【００３５】
本発明に使用することができる分散剤は、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の粒子の分離を改善し、そして更に被覆溶液中の沈降または凝集を防止するために結合剤に添加される、非界面活性ポリマーまたは、界面活性剤のような界面活性物質を含む。分散剤の適切な例は、ＳａｋｙｏからのＳｔａｎｎ  ＪＦ９５ＢおよびＤａｎｉｅｌ  Ｐｒｏｄｕｋｔｓ  ＣｏｍｐａｎｙからのＤｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  １９００である。Ｘ−線吸収層の被覆溶液に対する分散剤の添加は更に、層の均一性を改善する。
【００３６】
可塑化剤の適切な例はＢＡＳＦからのＰｌａｓｔｉｌｉｔTM  ３０６０、Ｓｏｌｕｔｉａ  ＥｕｒｏｐｅからのＳａｎｔｉｃｉｚｅｒTM  ２７８およびＢＡＳＦからのＰａｌａｔｉｎｏｌTM  Ｃである。Ｘ−線吸収層に対する可塑化剤の存在は柔軟な支持体との相溶性を改善する。
【００３７】
適切な光開始剤は例えば、Ｇ．Ｂｒａｄｌｅｙにより編纂され、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ
ａｎｄ  Ｓｏｎｓ  Ｌｔｄ  Ｌｏｎｄｏｎにより１９９８年に刊行されたＳｕｒｆａｃｅ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（表面コーティング技術）におけるＷｉｌｅｙ／ＳＩＴＡ  Ｓｅｒｉｅｓの第ＩＩＩ巻、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ等の「フリーラジカル、カチオン＆アニオン光重合のための光開始剤、第２版」、ページ２７６〜２９４に開示されている。適切な光開始剤の例は、ＤａｒｏｃｕｒｅTM  １１７３およびＲａｈｎからのＮｕｖｏｐｏｌTM  ＰＩ−３０００であることができる。適切な静電気防止剤の例はＡｃｒｉｓからのＣｙａｓｔａｔTM  ＳＮ５０およびＬａｎｇｅｒからのＬａｎｃｏTM  ＳＴＡＴ  Ｋ  １００Ｎであることができる。
【００３８】
適切な界面活性剤の例は、Ｄｏｗ  ＣｏｒｎｉｎｇTM  １９０およびＧａｆａｃ  ＲＭ７１０、ＲｏｄｉａからのＲｈｏｄａｆａｃTM  ＲＳ−７１０であることができる。適切な安定剤化合物の例は、ＩＣＩ  ＳｕｒｆａｃｔａｎｔｓからのＢｒｉｊTM  ７２およびＢａｅｒｌｏｃｈｅｒ  ＩｔａｌｉａからのＢａｒｏｓｔａｂTM  ＭＳであることができる。適切な酸化剤の例はＲｉｅｄｅｌ  Ｄｅ  Ｈａｅｎからの酸化鉛（ＩＶ）であることができる。適切な接着剤の例は、Ｃｒａｙ  ＶａｌｌｅｙからのＣｒａｙｎｏｒTM  ４３５およびＮｏｖｅｏｎからのＬａｎｃｏTM  ｗａｘ  ＴＦ１７８０であることができる。適切なブロッキング剤の一例はＢａｘｅｎｄｅｎからのＴｒｉｘｅｎｅTM  ＢＩ７９５１であることができる。適切なエラストマー化合物の一例はＳｃｈｒａｍｍからのＭｅｔａｌｉｎｅTMであることができる。
【００３９】
Ｘ−線吸収層の厚さ、金属元素の原子番号および、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素を有する化合物の濃度を選択して、ＲＦＰＤ中のＸ−線吸収または減衰の所望のレベルを達成することができる。このレベルの値は、「吸収指数」（ＡＥ）として表わされることができ、ＲＦＰＤの下方の電子機器を十分に防護し、そして獲得画像上への後方散乱Ｘ−線からの影響を限定するためには、０．５以上でなければならない。吸収指数は、Ｘ−線透過率の自然対数のマイナスに等しい物理パラメーターである。透過率はＸ−線のエネルギーとともに変動するので、吸収指数は標準の放射線源により放射されるＸ−線に対して、より好都合に表現される。好都合な基準はＡｍ241の５９．５７ｋｅＶ（以後６０ｋｅＶとする）のガンマ線放射である。この光源は医学の画像化に典型的に使用されるＸ−線エネルギーの中間領域内、２０〜１５０ｋｅＶにあり、実験のための単エネルギーＸ−線源として一般に使用されている。吸収指数は直接測定することができるか、または式１（ここでは６０ｋｅＶのガンマ線放射Ａｍ241源に対して表わされる）を使用して計算することができる：
【００４０】
【数１】
2016540205.tif 000003
【００４１】
式中、ＡＥ（Ａｍ241  ６０ｋｅＶ）は、Ａｍ241の約６０ｋｅＶのガンマ線放射に対する支持体の吸収指数を表わし、ｔは一次Ｘ−線ビームの伝達の主要な方向におけるＸ−線吸収層の厚さを表わし、ｅ1、ｅ2、ｅ3、…はＸ−線吸収層中の元素の濃度を表わし、そしてｋ1、ｋ2、ｋ3、…は与えられるエネルギーにおける各元素の質量減衰係数を表わす。式が説明するように、吸収指数は、Ａｍ241の約６０ｋｅＶのガンマ線発射におけるＸ−線吸収層中の各元素に対する質量減衰係数と、Ｘ−線吸収層中の各元素の各濃度との積の合計により掛けられた厚さのディメンションに等しい。吸収指数は無次元である（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｌｅｓｓ）。例えば、質量減衰係数がｃｍ2／モルで表わされる場合は、その濃度はモル／ｃｍ3で、そして厚さはセンチメーターで表わされなければならない。質量減衰係数は、‘Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｆｏｒ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ
ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（標準および技術の国立研究所）’（ｗｗｗ．ｎｉｓｔ．ｇｏｖ／ｐｍｌ／ｄａｔａ／ｘｒａｙｃｏｅｆ／）上に認めることができる。適用に応じて、Ｘ−線吸収層中の２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の被膜量は柔軟に調整することができ、医学用にＲＦＰＤを使用する場合は、この被膜量は好適には、少なくとも１００ｍｇ／ｃｍ2、より好適には少なくとも２００ｍｇ／ｃｍ2である。
【００４２】
Ｘ−線吸収層の厚さも同様に異なることができ、必要な遮蔽力および／またはＲＦＰＤのデザイン中にＸ−線シールドを取り入れるために利用可能な空間に左右される。本発明において、Ｘ−線吸収層の厚さは、少なくとも０．１ｍｍ、より好適には０．１〜２．０ｍｍの範囲内にあることができる。
【００４３】
光吸収または光反射層
２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および少なくとも一つの非金属元素を有する幾つかの化合物は、Ｘ−線吸収時に光を放射することができるシンチレーション燐である。この場合には、Ｘ−線吸収層中にこれらのシンチレーション燐により放射される光線が、支持体を通って画像化アレイに到達し、そして画像形成に貢献することができる。Ｘ−線吸収層内に存在するシンチレーション燐により放射される光線の、画像化アレイの支持体における散乱により、研究される対象の画像の質が不都合な影響を受ける。シンチレーション燐がＸ−線吸収層内に存在する場合には、光線反射または光線吸収層がＸ−線吸収層と画像化アレイとの間に、より好適には、Ｘ−線吸収層と画像化アレイの支持体との間に存在することができる。
【００４４】
画像に対する、Ｘ−線吸収層中へのシンチレーション燐による放射光のあらゆる寄与を回避するために、この光吸収または反射層を通るシンチレーション燐からの放射光の透過率は１０％以下、より好適には３％未満、もっとも好適には１％未満でなければならない。本発明に従うＸ−線吸収層における用語「シンチレーション燐」は、Ｘ−線吸収層上へのその光発射が画像化アレイに到達可能であり、検出器の画像形成に寄与することができる化合物と解釈しなければならない。
【００４５】
Ｘ−線吸収層中のシンチレーション燐により放射される光を反射するためには、白色層を使用することができる。ＴｉＯ2を含んでなる層は好適には、シンチレーション燐により放射される光の一つ以上の波長において、９０％以上の光を反射するために使用される。光反射層中のＴｉＯ2の固形分は好適には、２５〜５０（重量）％の範囲内にあり、そしてその厚さは好適には５〜４０μｍの範囲内にある。より好適には、ＴｉＯ2の固形分は層の総固形分の３３〜３８（重量）％であり、層の厚さは１３〜３０μｍの間である。層は好適には、画像化アレイに対する反対側の面上で画像化アレイの支持体上に、ドクターブレードコーターを使用して適用される。
【００４６】
本発明の他の好適な実施態様において、光を吸収するそれらの高い効率のために、Ｘ−線吸収層中のシンチレーション燐により放射される光を吸収するためには、黒色の層を使用することができる。シンチレーション燐による放射光の十分な吸収を得るためには、微細な炭素黒粉末（アイボリー黒、チタン黒、鉄黒）のような黒色粒子が適する。炭素黒の固形分は好適には３〜３０（重量）％の範囲内にあり、２〜３０μｍの層の厚さがシンチレーション燐による放射光の９０％以上を吸収すると考えられる。より好適には、炭素黒の固形分の範囲は、６〜１５（重量）％の範囲にあり、層の厚さは５〜１５μｍ間である。発明の他の実施態様において、特に、Ｘ−線吸収層中のシンチレーション燐による放射光の最大波長において吸収する有色顔料または染料を使用することができる。
【００４７】
シンチレーター
本発明に従う間接変換直接放射線透過撮影用のＲＦＰＤにおいて、シンチレーターは場合により支持体を含んでなり、そしてその上に、一つ以上のＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ2Ｏ３：Ｅｕ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＣａＷＯ4、ＣａＷＯ4：Ｔｂ、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ、ＢａＦＣＩ：Ｅｕ、ＢａＳＯ4：Ｅｕ、ＢａＳｒＳＯ4、ＢａＰｂＳＯ4、ＢａＡＩ12Ｏ19:Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、Ｚｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＬａＯＢｒ、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＬｕＴａ０4、ＨｆＯ2：Ｔｉ、ＨｆＧｅ０4：Ｔｉ、ＹＴａ０4、ＹＴａ０4：Ｇｄ、ＹＴａ０4：Ｎｂ、Ｙ2Ｏ３：Ｅｕ、ＹＢＯ3：Ｅｕ、ＹＢＯ3：Ｔｂまたは（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕまたはそれらの組み合わせ物のようなシンチレーション燐を提供される。結晶質のシンチレーション燐以外に、閃光発生ガラスまたは有機シンチレーターも使用することができる。
【００４８】
適当な条件下で蒸発される時にドープＣｓＩの層は支持体上に高い充填密度を伴う、針様の、密に充填された結晶体の形状に凝縮すると考えられる。このような柱状または針様シンチレーション燐は当該技術分野で知られている。例えば、ＡＬＮ  Ｓｔｅｖｅｌｓ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ＣｓＩ：Ｎａ  Ｌａｙｅｒｓ：Ｓｃｒｅｅｎｓ  ｆｏｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｘ−Ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ（蒸着ＣｓＩ：Ｎａ層：Ｘ−線画像化装置に適用のためのスクリーン），”
Ｐｈｉｌｉｐｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ２９：３５３−３６２（１９７４）；およびＴ．Ｊｉｎｇ  ｅｔ  ａｌ，“Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｏｌｕｍｎａｒ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｉｎ  ＣｓＩ  Ｌａｙｅｒ  ｂｙ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ（支持体のデザインによるＣｓＩ層中に高められた柱状構造）”，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．３９：１１９５−１１９８（１９９２）を参照されたい。より好適には、シンチレーション燐層はドープＣｓＩを含む。
【００４９】
異なるシンチレーション燐のブレンドも使用することができる。平均粒度は概括的に約０．５μｍ〜約４０μｍ間である。１μｍ〜約２０μｍ間の平均粒度は、配合の容易さ並びに速度、鮮明さおよびノイズのような最適化特性のために好適である。本発明の実施態様のためのシンチレーターは、シンチレーション燐粉末、例えばＧｄ2Ｏ2Ｓが、結合材の溶液と混合され、支持体上にブレードコーターにより被覆される従来の被覆法を使用して調製することができる。結合剤は、Ｘ−線に透過性で、刺激性で、そして光を放射する様々な知られた有機ポリマーから選択することができる。当該技術分野で一般に使用される結合剤は、ポリ（ビニルアルコール）のナトリウムｏ−スルホベンズアルデヒドアセタール、クロロスルホン化ポリ（エチレン）、高分子ビスフェノールのポリ（カーボネート）およびビスフェノールカーボネートとポリ（アルキレンオキシド）とを含んでなるコポリマーの混合物、水性エタノール可溶性ナイロン、ポリ（アルキルアクリレートとメタクリレート）並びにポリ（アクリル酸とメタクリル酸を含むアルキルアクリレートとメタクリレート）のコポリマー、ポリ（ビニルブチラール）、並びにポリ（ウレタン）エラストマー、を含む。使用することができる他の好適な結合剤は、Ｘ−線吸収層の項で前記に記載されている。結合剤に対するあらゆる従来の燐の比率を使用することができる。概括的に、結合剤に対して高い重量比率の燐が使用される時に、シンチレーション燐層がより薄いほど、より鮮明な画像が実現される。約７０：３０〜９９：１の範囲の重量比の燐対結合剤比率が好適である。
【００５０】
光導電層
本発明に従う直接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤにおいて、ＨｇＩ2、ＰｂＯ、ＰｂＩ2、ＴｌＢｒ、ＣｄＴｅおよびガドリニウム化合物のような他の光導電体を使用することができるが、光導電層は通常、非晶質セレンである。光導電層は優先的に蒸着により画像化アレイ上にメッキされるが、またあらゆる適切な被覆法を使用して被覆され
ることができる。
【００５１】
画像化アレイおよびその支持体
間接変換直接放射線透過撮影のために本発明に使用される単一の画像化アレイは、Ｘ−線を光に変換し、その後それが電荷に変換される幾つかの物理的構成部品を使用する間接的変換法に基づく。第１の構成部品はＸ−線を光（光子）に変換するシンチレーション燐である。光は更に、非晶質のケイ素の光ダイオード層の方向に誘導され、それが光を電子に変換し、そして電荷が形成される。電荷は集電されて、保存コンデンサーにより保存される。非晶質ケイ素に隣接する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイが電荷を読みだし、画像が形成される。適切な画像アレイの例は、米国特許第５２６２６４９号明細書中にそして、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｌ  ｇｕｉｄｅｌｉｎｅｓ  ｆｏｒ  ｐｕｒｃｈａｓｉｎｇ  ａｎｄ  ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ＰＡＣＳ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ（ＰＡＣＳ装置の購入および許容試験のための一般的指針）”，Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃｓ，２４，３１３−３３４により開示されている。好適には、米国特許第２０１３／００４８８６６号明細書の段落［９０−１２５］および米国特許第２０１３／２２１２３０号明細書の段落［５３−７１］と［８１−１０４］中に記載された通りの画像化アレイを使用することができる。
【００５２】
直接変換直接放射線透過撮影のために本発明に使用される画像化アレイは、電荷へのＸ−線光子の直接変換法に基づく。このアレイにおいては、光導電層の上部に配置された上部電極とＴＦＴ素子間に電場が形成される。Ｘ−線が光導電体に当たる時に電荷が形成され、電場がそれらをＴＦＴ素子の方向に移動させ、そこでそれらは集電され、保存コンデンサーにより保存される。適切な画像化アレイの例は、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｌ  ｇｕｉｄｅｌｉｎｅｓ  ｆｏｒ  ｐｕｒｃｈａｓｉｎｇ  ａｎｄ  ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ＰＡＣＳ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ（ＰＡＣＳ装置の購入および許容試験のための一般的市指針）”，Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃｓ，２４，３１３−３３４により開示されている。
【００５３】
直接および間接変換法双方に対して、電荷は読み出し電子機器により読み出されなければならない。形成され、保存された電荷が、列毎に読み出される読み出し電子機器の例は、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ．ＲＳＮＡ  Ｃａｔｅｇｏｒｉｃａｌ  Ｃｏｕｒｓｅ  ｉｎ  Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃ  Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ  Ｐｈｙｓｉｃｓ（診断放射線物理学におけるＲＳＮＡの分類コース）（ｐ．４９−６１）Ｏａｋ  Ｂｒｏｏｋ，Ｉｌｌにより開示されている。
【００５４】
本発明の画像化アレイの支持体は好適にはガラスである。しかし、プラスチック製品、金属フォイルでできた支持体上に加工された画像化アレイも使用することができる。画像化アレイは、ケイ素窒化物または、フルオロポリマー、ポリイミド、ポリアミド、ポリウレタンおよびエポキシ樹脂のようなポリマー基材の被膜層により、湿度および環境因子から防護されることができる。更に、Ｂ段階のビスベンゾシクロブテン基材の（ＢＣＢ）モノマーに基づくポリマーを使用することができる。あるいはまた、低誘電定数をもつ多孔質の無機誘電体も使用することができる。
【００５５】
下方の電子機器
Ｘ−線吸収層の下方に配置される下方の電子機器は、画像化アレイからの電気信号を処理しそして／または画像化アレイのドライバーを制御するための電子部品を備え、そして画像化アレイに電気的に接続している回路盤を含んでなる。
【００５６】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法
Ｘ−線シールドの製法
本発明のＸ−線シールドは、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および少なくとも一つの非金属元素を有する少なくとも一つの化合物を含んでなるＸ−線吸収層を、単一の画像化アレイを担持する支持体上に適用することにより得ることができる。Ｘ−線吸収層は好適には、画像化アレイの反対側の支持体の面上に適用される。支持体上へ層を適用するためのあらゆる知られた方法、例えば、物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学的蒸着（ＣＶＤ）、スパッタ堆積、ドクターブレードコーティング、スピン被覆、浸漬被覆、噴霧被覆、ナイフコーティング、スクリーン印刷および張り合わせ、が適当である可能性がある。もっとも好適な方法はドクターブレードコーティングおよびＰＶＤである。
【００５７】
層を適用する好適な方法の一つは、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物および結合剤を含んでなる、以後被覆溶液と呼ばれる溶液を単一の画像化アレイの支持体上に被覆することによる。好適な実施態様において、被覆溶液は最初に、結合剤を適当な溶媒中に溶解することにより調製される。この溶液に、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物が添加される。均一な被覆溶液を得るために、調製工程中に混合物の均一化工程または粉砕工程を含むことができる。２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物と混合する前に、分散剤を結合剤溶液に添加することができる。分散剤は、被覆溶液中の粒子の分離を改善し、被覆溶液中の成分の沈降または凝集を防止する。Ｘ−線吸収層の被覆溶液に対する分散剤の添加は更に、被覆溶液の表面張力を低下させ、そしてＸ−線吸収層の被膜の質を改善する。
【００５８】
本発明の他の実施態様において、重合性化合物である結合剤を、１種以上の単官能性および／または二官能性モノマーおよび／またはオリゴマーを含んでなる希釈剤中に溶解することができる。
【００５９】
撹拌または均一化後に、被覆溶液を好適には、被覆ナイフまたはドクターブレードを使用して支持体上に適用する。被覆ブレードと支持体間の距離を調整することにより。Ｘ−線吸収層の被覆後に、この層を、ＩＲ源、ＵＶ源、加熱金属ロールまたは加熱空気により乾燥することができる。光硬化性モノマーが被覆溶液中に使用される時は、被覆層は加熱によりまたはＵＶ源により硬化されることができる。
【００６０】
他の好適な実施態様において、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物を含んでなるＸ−線吸収層が、溶融物質の気相から真空中で調製される、ＰＶＤ法が使用される。固形の物質は熱抵抗性容器中で真空室に導入され、その後一種以上の化合物の融点以上の温度に加熱されることができる。溶融物質は蒸発して、画像化アレイの支持体上に凝集して、Ｘ−線吸収層を形成する。塩、ハロゲン化物、硫化物および硫酸化物のような金属化合物が、それらの低融点のためにＰＶＤ法に適する可能性がある。その場合Ｘ−線吸収層は、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する一種以上の化合物のメッキされた結晶膜であり、そして結合剤を含まない。Ｘ−線シールドとして働くＸ−線吸収層が、画像化アレイの支持体上に直接適用されることは、本発明の本方法の利点である。従って、Ｘ−線シールドが、生産において画像化アレイの支持体に固定されなければならない工程が回避される。
【００６１】
他の実施態様において、Ｘ−線吸収層は、Ｘ−線吸収層の適用の前に、画像化アレイの支持体上に直接適用または被覆されたあらゆる機能的層上に適用されることができる。機能的層の例は、光吸収層、反射層、付着改善層、防護層、等：である。特にＸ−線吸収層がシンチレーション燐を含んでなる時、Ｘ−線吸収層と支持体間に層が存在し、それはシンチレーション燐の光発生波長において１０％以下の光の透過率を有する。この光の吸収または光の反射層は、当該技術分野で知られた従来の被覆法を使用して画像化アレイの支持体上に被覆することができる。
【００６２】
間接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤの製法
本発明に従う間接変換直接放射線透過撮影用ＲＦＰＤは、上記に説明されている異なる構成部品を集成することにより製造される。好適な方法が次に説明される。
【００６３】
単一の画像化アレイの支持体上にＸ−線吸収層を適用後、シンチレーション燐および場合により支持体を含んでなるシンチレーターが画像化アレイ上に張り付けにより結合される。張り付けは接着剤またはホットメルトを使用して実施される。好適にはホットメルトが使用される。ホットメルトの適例はポリエチレン・ビニルアセテート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、スチレンブロックコポリマー、ポリカーボネート、フルオロポリマー、シリコーンゴム、ポリピロールである。もっとも好適なものは、より高温の抵抗性および安定性のために、ポリオレフィンおよびポリウレタンである。ホットメルトは好適には、２５μｍより薄い。ライニングをもつホットメルトが画像化アレイの表面上に配置される。次に、その支持体上の画像化アレイは、ホットメルトとともに、記載された温度においてオーブン中で加熱される。冷却後、ライニングを除去され、粘着剤をもたない面に溶融されたホットメルトを解放する。シンチレーション燐層をホットメルトの粘着性の面と接触させ、そして高温で高圧を適用することにより、シンチレーターを画像化アレイに接合する。画像化アレイの全領域にわたり良好な粘着を達成するために、０．６〜２０バールの範囲の圧力を適用しなければならず、そして１０〜１０００秒間、８０〜２２０℃の範囲の温度値が必要である。それにより、シンチレーター−画像化アレイ−支持体−Ｘ−線吸収層、の積層物が形成される。
【００６４】
本発明の一つの好適な実施態様において、この積層物は、画像化アレイからの電気信号の処理、または画像化アレイのドライバーの制御、を実施する下方の電子機器の上方に配置することができる。
【００６５】
発明の好適な実施態様において、シンチレーターのシンチレーション燐は被覆またはメッキ法により、単一の画像化アレイ上に直接適用される。この方法は、張り付けが必要でなく、そのため、ＲＦＰＤの生産工程中の少なくとも一工程を省くという利点を有する。画像化アレイ上へのシンチレーション燐の直接的適用の他の利点は、改善された画像の質である。
【００６６】
発明の他の実施態様において、Ｘ−線吸収層は、シンチレーターが前記の方法に従って画像化アレイに結合された後に、単一の画像化アレイを担持する支持体に適用される。
【００６７】
直接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤの製法
本発明に従う直接的変換直接放射線透過撮影のためのＦＰＤは、前記の異なる構成部品を集成することにより製造される。
【００６８】
好適な方法は以下の通りである：Ｘ−線シールド製造に対して前記のものと同様な方法に従って、画像化アレイを担持する支持体にＸ−線吸収層を適用後、光導電体、好適には非晶質セレンを画像化アレイ上にメッキする。メッキ法の例は、Ｆｉｓｃｈｂａｃｈ  ｅｔ  ａｌ．，‘Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｏｆ  ｉｎｄｉｒｅｃｔ  ＣｓＩ／ａ：Ｓｉ  ａｎｄ  ｄｉｒｅｃｔ  ａ：Ｓｅ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ（間接ＣｓＩ／ａ：Ｓｉおよび直接ａ：Ｓｅデジタルレントゲン撮影法の比較）’，Ａｃｔａ  Ｒａｄｉｏｌｏｇｉｃａ  ４４（２００３）６１６−６２１に開示されている。光導電層の上部の頭部電極が最後に提供される。
【実施例】
【００６９】
１．Ｘ−線吸収率の測定法
１．１．Ｘ線シールドのＸ−線吸収率測定
Ｘ−線吸収層、支持体および画像化アレイの組み合わせ物は以後Ｘ−線シールドと呼ばれる。Ｘ−線シールドのＸ−線吸収率は３０ｃｃ容量のセルをもつＴｒｉａｄ線量計と一緒にＰｈｉｌｉｐｓ  Ｏｐｔｉｍｕｓ  ８０装置を使用して測定された。Ｘ−線シールドは画像化アレイをＸ−線源の方向に向けて配置された。測定セルはＸ−線吸収層のすぐ後方に、Ｘ−線源から１．５ｍの距離に配置された。すべての試験は標準線Ｘ−線ビーム特性（ＩＥＣ標準６１２６７，１st  Ｅｄ．（１９９４）中に定義された通りのＲＱＡ５  Ｘ−線ビーム特性）：ＲＱＡ５（２１ｍｍ  Ａｌ，７３ｋＶ）に対して実施された。
【００７０】
１．２．ＲＦＰＤのＸ−線吸収率の測定
ＲＦＰＤは、画像化アレイの反対側にＸ−線吸収層をもつその支持体と一緒に、画像化アレイの正面側上にＧｄ2Ｏ2ＳまたはＣｓＩのシンチレーション燐を適用することにより製造された。ＲＦＰＤを５００μｍの厚さをもつ、アルミニウムでできた社内製のフレーム内に配置された。ＲＦＰＤのＸ−線吸収率を、３０ｃｃ容量のセルをもつＴｒｉａｄ線量計と一緒にＰｈｉｌｉｐｓ  Ｏｐｔｉｍｕｓ  ８０装置を使用して測定した。ＲＦＰＤを、Ｘ−線源の方向に向けたシンチレーターとともに配置した。測定セルをＸ−線吸収層のすぐ後方に、Ｘ−線源から１．５ｍの距離に配置した。各ＲＦＰＤに対するデータを複数回、収集し、平均値を標準偏差と一緒に計算した。
【００７１】
すべての試験は標準放射線Ｘ−線ビーム特性（ＩＥＣ標準６１２６７，１st  Ｅｄ．（１９９４）中に定義された通りのＲＱＡ  Ｘ−線ビーム特性）：ＲＱＡ５（２１ｍｍ  Ａｌ，７３ｋＶ）およびＲＱＡ９（４０ｍｍ  Ａｌ，１１７ｋＶ）に対して実施された。
【００７２】
２．材料
以下の実施例中に使用された大部分の材料は、別記されない限り、ＡＬＤＲＩＣＨ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  Ｃｏ．（ベルギー）、ＡＣＲＯＳ（ベルギー）およびＢＡＳＦ（ベルギー）のような標準の製造元から容易に入手可能であった。すべての材料は別記されない限り、更に精製せずに使用された。
・  ガドリニウム・オキシスルフィド（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）もしくはＧＯＳ：（ＣＡＳ  １２３３９−０７−０）粉末はＮｉｃｈｉａから得た、平均粒度：３．３μｍ。
・  ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：Ｒｏｃｋｗｏｏｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍからの（ＣＡＳ  ７７８９−１７−５）、９９．９９９％。
・  ＴｈＩ：Ｒｏｃｋｗｏｏｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍからのヨウ化タリウム（ＣＡＳ  ６２１４０−２１−０）。
・  Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  ９１００（Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  Ｗ−２２）：アニオン界面活性剤／脂肪酸エステル分散剤（Ｄａｎｉｅｌ  Ｐｒｏｄｕｋｔｓ  Ｃｏｍｐａｎｙから）。
・  ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１Ｘ（新規名＝ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１  ＧＴ）：Ｓｈｅｌｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓからの、３０％のポリスチレン含量をもつ、スチレンおよびエチレン／ブチレンに基づく、透明な直線状の三ブロック  コポリマー。
・  画像化アレイ：０．７ｍｍの厚さおよび１８ｃｍ×２４ｃｍの大きさをもつ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  ＬｏｔｕｓTM  Ｇｌａｓｓ支持体上のＴＦＴ（米国特許第２０１３／００４８８６６号明細書、段落［９０−１２５］および米国特許第２０１３／２２１２３０号明細書、段落［５３−７１］と［８１−１０４］）に従う）。
・  ０．５ｍｍの厚さをもつアルミニウムはＡｌａｎｏｄから得られた。
・  ＴｉＯ2  Ｒ９００：ＤｕＰｏｎｔからのＴｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）  Ｒ−９００二酸化チタン。
・  Ｆｉｌｔｅｒ  ＡＵ０９Ｅ１１ＮＧ：３Ｍから、２０μｍの孔径をもつ。
・  ＣＡＢ  ３８１−２：ＭＥＫのＥａｓｔｍａｎからの、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ−３８１−２）の２０（重量）％溶液。１６００ｒｐｍで８時間撹拌し、撹
拌後Ｆｉｌｔｅｒ  ＡＵ０９Ｅ１１ＮＧを使用して瀘取することにより調製された。
・  Ｂａｙｓｉｌｏｎｅ：ＢａｙｅｒからのＢａｙｓｉｌｏｎｅ  Ｐａｉｎｔ添加剤ＭＡ。
・  Ｅｂｅｃｒｙｌ：Ｅｂｅｃｒｙｌ  １２９０の２０（重量）％溶液、ＭＥＫのＡｌｌｎｅｘからの八官能性脂肪酸ウレタンアクリレートオリゴマー、１６００ｒｐｍで８時間撹拌し、撹拌後Ｆｉｌｔｅｒ  ＡＵ０９Ｅ１１ＮＧを使用して瀘取することにより調製された。
・  Ｃａｒｂｏｎ  ｂｌａｃｋ：Ｄｅｇｕｓｓａからの炭素黒ＦＷ２００。
【００７３】
３．Ｘ−線シールドの調製
３．１．Ｘ−線吸収層の被覆のための溶液の調製
４．５ｇの結合剤（ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１Ｘ）を、１８ｇの、トルエンとＭＥＫの溶媒混合物（比率７５：２５（重量））に溶解し、１９００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で１５分間撹拌した。その後２００ｇの量のＧＯＳを添加し、混合物を１９００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で更に３０分間撹拌した。得られたＧＯＳ：結合剤の比率は９７．８：２．２（重量）である。
【００７４】
３．２．光反射層のための溶液の調製
０．２ｇのＣＡＢ  ３８１−２を水平撹拌器ビードミル中で１ｇのＴｉＯ2 Ｒ９００、０．００１ｇのＢａｙｓｉｌｏｎｅおよび２．６ｇのＭＥＫと混合した。最後にＥｂｅｃｒｙｌを添加して、１：１（重量）のＣＡＢ  ３８１−２：Ｅｂｅｃｒｙｌ比率を達成した。溶液をＦｉｌｔｅｒ  ＡＵ０９Ｅ１１ＮＧを使用して瀘取した。ＴｉＯ2 Ｒ９００の固形分は３５（重量）％である。
【００７５】
３．３．光吸収層のための溶液の調製
パールミル（パール：ＹＴＺ  ０．８ｍｍ粒径）中で、０．０９４ｇの、§３．２で得られた通りのＭＥＫ中のＣＡＢ  ３８１−２の２０（重量）％溶液を、０．１２６ｇのＣａｒｂｏｎ  ｂｌａｃｋ（炭素黒）、０．００１ｇのＢａｙｓｉｌｏｎｅ、０．０９４ｇのＥｂｅｃｒｙｌおよび３．６８６ｇのＭＥＫと、少なくとも３０分間混合した。得られた炭素黒の固形分は７．９（重量）％である。
【００７６】
３．４．ＧＯＳを使用するＸ−線シールドＳＤ−０１〜ＳＤ−０４（ＩＮＶ）の調製
最初に光反射層を被覆した。§３．２中で得られた通りの被覆溶液を、画像化アレイの反対側の面上で、画像化アレイのガラス支持体上に１．４ｃｍ／秒の被覆速度でドクターブレードを使用して被覆した。２９μｍの乾燥した層の厚さを得るための、湿った層の厚さは２５０μｍであった。光反射層の乾燥は少なくとも１５分間、室温で実施された。シンチレーション燐のＧＯＳにより放出される光の波長に対応する波長５５０ｎｍにおいて透過率を測定した。５５０ｎｍにおける透過値は５．２％にのぼる。
【００７７】
次に、§３．１．で得られた通りの被覆溶液を、前以て被覆された光反射層上に４ｍ／分の被覆速度でドクターブレードを使用して被覆した。被覆ブレードと支持体間の距離を調整することにより、１００〜４５０μｍにばらつく、異なる乾燥層の厚さを得た。その後、Ｘ−線吸収層を室温で３０分間乾燥した。揮発性溶媒をできるだけ除去するために、被覆したＸ−線シールドを乾燥オーブン中で、３０分間６０℃で、再度２０〜３０分間９０℃で乾燥した。各層を乾燥後に、Ｘ−線吸収層の全厚さを、湿った層の厚さおよび／または相互の上部に被覆された層の数を調整することにより制御した。湿った層の厚さは２２０μｍ〜１５００μｍ間の値をもつ。
【００７８】
被覆後に、Ｘ−線シールドを伴う各画像化アレイを秤量し、Ｘ−線吸収層中の、２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の被膜量
を式２を適用することにより得た。結果は表１に報告されている。
【００７９】
【数２】
2016540205.tif 000004
【００８０】
式中：
ＷFは画像化アレイ＋支持体＋Ｘ−線吸収層の重量であり、
ＷSは画像化アレイ＋支持体の重量であり、
ＡSは支持体の表面積であり、
Ｐ％はＸ−線吸収層中の２０以上の原子番号をもつ一つの金属元素および一つ以上の非金属元素を有する化合物の重量％の量である。
【００８１】
３．５．ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むＸ−線シールドＳＤ−０５（ＩＮＶ）の調製
ＳＤ−０５を、画像化アレイの支持体上に、ＣｓＩの物理的蒸着により調製した。４４０ｇのＣｓＩを真空メッキ室内の容器中に入れた。室内の圧力は５．１０-5ｍｂａｒに低下させた。次に容器を６８０℃の温度に加熱し、ＣｓＩを画像化アレイに反対側のガラス支持体上にメッキした。得られたＣｓＩ層は実質的な閃光発生効果を示さず、従って燐シンチレーターとして考慮することはできない。実際、画像化アレイが研究された対象の画像に寄与するのに十分に感光性でない波長領域にある４００ｎｍ未満では、非常に低い光の発光を認めただけである。得られたＣｓＩのＸ−線吸収層はシンチレーション燐を含まず、従って、画像化アレイの支持体と、ＣｓＩを含んでなるＸ−線吸収層間には、光吸収または光反射層は存在しなかった。容器と支持体間の距離は２０ｃｍであった。蒸発期間中、支持体は１２ｒ．ｐ．ｍ．で回転され、１４０℃の高温に維持された。蒸発工程期間中、室内にアルゴンガスが導入された。工程期間は１６０分であった。メッキ後、その支持体およびＸ−線シールドを伴う画像化アレイを秤量し、Ｐ％が１００である、式２を適用することにより被膜量を得た。結果は表１に報告されている。
【００８２】
３．６．モリブデンＸ−線シールド（ＣＯＭＰ）
モリブデン（Ｍｏ）のプレートを土台にしたＸ−線シールドを、市場で販売されているＲＦＰＤの一つから得た。モリブデンプレートの厚さは０．３ｍｍであった。モリブデンプレートは支持体を含まなかった。プレートの組成は９９．８５（重量）％のＭｏおよび０．０５％（重量）未満のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｎｉ、ＣｕおよびＢｉであった。
【００８３】
このＭｏプレートの被膜量を、ＷFがプレートの重量であり、Ｐ％が１００であり、そしてＷｓが０であることを考慮にいれて、式２に基づいて計算した。Ｍｏプレートの計算された被膜量の結果は表１に報告されている。
【００８４】
【表１】
2016540205.tif 000005
【００８５】
３．７．分散剤を使用する、または使用しないＸ−線シールドの調製
Ｘ−線吸収層の被覆溶液中に分散剤を含んで、または含まないで調製されたＧＯＳＸ−線シールド間の相異を示すために、ＧＯＳに基づいた２種のＸ−線シールドを§３．１．に記載の方法に従って調製した。シールドＳＤ−０１は被覆溶液中に分散剤を含まずに調製され、ＳＤ−０２は被覆溶液に分散剤を添加されて調製され：０．５ｇの分散剤（Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  ９１００）を、７５：２５（重量）の比率をもつ、１１．２１ｇの、トルエンおよびメチル−エチル−ケトン（ＭＥＫ）溶媒混合物中に溶解し、§３．１で調製されたように結合剤溶液と混合された。更なる調製工程は§３．１〜§３．４に記載のものと同様である。ＧＯＳの被膜量は双方のＸ−線シールドに対して１７２ｍｇ／ｃｍ2に等しかった。双方のシールドのＸ−線吸収率は§１．１に従って決定された。結果は表２に示される。
【００８６】
【表２】
2016540205.tif 000006
【００８７】
表２に示されるように、被覆溶液中に存在する分散剤を伴って調製されたＸ−線シールドは、分散剤を伴わずに調製されたＸ−線シールドと匹敵する重量およびＸ−線吸収率に対して、より均一なＸ−線吸収層を有した。分散剤の存在は、それが更に表面張力を低下
し、μｍサイズの粒子の浮遊を防止するために、シールドの調製工程に対して好都合である。
【００８８】
４．画像化アレイの支持体に結合された本発明のＸ−線シールドおよび対照ＭｏシールドのＸ−線吸収率
発明のＸ−線シールドのＳＤ−０３、ＳＤ−０５および対照シールドのＳＤ−０６のＸ−線吸収率を§１．１に従って測定した。対照Ｘ−線シールドＳＤ−０６は、画像化アレイの反対側の面で画像化アレイの支持体にＭｏプレートを接触させることにより得られた。結果は表３に示される。
【００８９】
【表３】
2016540205.tif 000007
【００９０】
発明のＸ−線シールドのＸ−線吸収率は対照Ｘ−線シールドのＸ−線吸収率より低いが、発明のシールドの重量は対照Ｘ−線シールドよりもかなり低い。実際、Ｘ−線シールドＳＤ−０５に等しい、医学用画像化に典型的に使用されるＸ−線エネルギーの中間領域におけるＸ−線エネルギーに対する吸収指数をもつためには、Ｍｏプレートの厚さは１７０μｍであり、従ってＳＤ−０５よりかなり高い重量をもつにちがいない。残念なことには１７０μｍの厚さをもつＭｏプレートは入手可能でなく、従って実施例中に含むことができなかった。発明のＸ−線シールドのＸ−線吸収層中の２種の好適な化合物の比較は、Ｘ−線吸収能において有意差を示さなかった。
【実施例１】
【００９１】
５．１．異なるＸ−線シールドを含むＲＦＰＤの調製
間接変換直接放射線透過撮影のためのＲＦＰＤｓを、シンチレーターを§３に記載されたＸ−線シールドと接触させることにより調製した。シンチレーション燐層と画像化アレイ間に良好なオプティカルコンタクトを確保するために、シンチレーション燐を画像化アレイ上に直接メッキまたは被覆した。使用されるシンチレーション燐はＧＯＳまたは針状のドープＣｓＩである。シンチレーション燐層を含んでなるＧＯＳは以下の通りに調製された：０．５ｇの分散剤（Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＡｙｄTM  ９１００）を１１．２１ｇの、７５：２５（ｗ／ｗ）の比率をもつトルエンおよびメチル−エチル−ケトン（ＭＥＫ）溶媒混合物中に溶解し、§３．１．において調製されたような結合剤溶液と混合した。得られた被覆溶液を、１１５ｍｇ／ｃｍ2の被膜量を伴って§３．４．と同様な方法で画像化アレイ上に被覆した。針状のドープＣｓＩを調製し、更なる１（重量）％のタリウムドーパントとともに§３．５．に記載のものと同様な方法で画像化アレイ上に１２０ｍｇ／ｃｍ2の被膜量でメッキした。タリウムによるドーピングは蒸着工程中にＣｓＩにＴｈＩを添加することにより得られた。対照のＲＦＰＤのＤＲＧＯＳ−０６は前記の通りに調製されたが、画像化アレイを担持する支持体上のＸ−線吸収層は、画像化アレイの反対側の面で画像化アレイの支持体に接触されたＭｏプレートにより置き換えられている。得られたＲＦＰＤは表４に要約されている。
【００９２】
【表４】
2016540205.tif 000008
【００９３】
５．１．発明および対照ＲＦＰＤのＸ−線吸収率
発明のＲＦＰＤ（ＤＲＧＯＳ−０３およびＤＲＧＯＳ−０４）並びに対照ＲＦＰＤ（ＤＲＧＯＳ−０６）のＸ−線吸収率を以下のＸ−線ビームの特性および負荷：ＲＱＡ５−６．３ｍＡｓおよびＲＱＡ９−３ｍＡｓを伴って§１．２に従って測定した。測定値の結果は表５に提供されている。
【００９４】
【表５】
2016540205.tif 000009
【００９５】
本発明のＲＦＰＤｓ（ＤＲＧＯＳ−０３およびＤＲＧＯＳ−０４）は、対照ＲＦＰＤ（ＤＲＧＯＳ−０６）に比較して、Ｘ−線ビームの特性ＲＱＡ５（６．３ｍＡｓ）に対してより低い吸収率を示した。Ｘ−線ビームの特性ＲＱＡ９（３ｍＡｓ）については、本発明のＲＦＰＤｓ（ＤＲＧＯＳ−０３およびＤＲＧＯＳ−０４）は、対照ＭｏＸ−線シールドをもつＲＦＰＤに匹敵するＸ−線吸収を示した。本発明のＲＦＰＤは更なる利点として、対照ＲＦＰＤより低い重量をもつ。本発明のＲＦＰＤはまた、画像化アレイの支持体とＸ−線吸収層間の固定または張り付け工程が必要とされないために、対照ＲＦＰＤよりも、経済効率的方法で生産されることができる。
【図１】
2016540205.tif 000011
【国際調査報告】
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