(57)【要約】  本開示の実施形態は、第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第１のダイ及び第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第２のダイを含む集積回路（ＩＣ）パッケージに向けられる。第１のダイは、第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有し得る。ＩＣパッケージはまた、第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、第１の封止層の第１の側部と第２の側部との間に電気信号を送るように構成される、複数の電気ルーティング機能部を含み得る。第２の側部は第１の側部と反対側に配置され得る。第２のダイは、ボンディングワイヤによって少なくとも複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合され得る第２の複数のダイレベル相互接続構造を有し得る。
2016535462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第１のダイであって、前記第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第１のダイ；
前記第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、前記第１の封止層の前記第１の側部と前記第１の側部と反対側に配置される前記第１の封止層の第２の側部との間に電気信号を送るように構成される、複数の電気ルーティング機能部；及び
前記第１の封止層の前記第２の側部に配置され、第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第２のダイであって、前記第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を有し、前記第２の複数の相互接続構造は、ボンディングワイヤによって少なくとも前記複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合される、第２のダイ；を有する、
集積回路（ＩＣ）パッケージ。
【請求項２】
前記第１の封止層の前記第１の側部に配置される１又は複数の再分配層（ＲＤＬ）をさらに有し、前記１又は複数のＲＤＬは前記第１のダイと電気的に結合され、前記１又は複数のＲＤＬは前記複数の電気ルーティング機能部を介して前記第２のダイと電気的に結合される、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
前記１又は複数のＲＤＬに配置される複数のパッケージレベル相互接続構造をさらに有する、
請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
前記１又は複数のＲＤＬに配置され、前記１又は複数のＲＤＬと電気的に結合される第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第３のダイをさらに有する、
請求項２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
前記１又は複数のＲＤＬに配置される複数のパッケージレベル相互接続構造をさらに有し、前記第３のダイ及び前記第３の複数のダイレベル相互接続構造の結合した厚さが、前記第３のダイの前記複数のパッケージレベル相互接続構造と同じ面への配置を可能にするように、前記複数のパッケージレベル相互接続構造の個別の前記パッケージレベル相互接続構造の厚さより小さい、
請求項４に記載のＩＣパッケージ。
【請求項６】
前記複数の電気ルーティング機能部の前記サブセットは第１のサブセットであり、前記ＩＣパッケージは：
前記第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、前記複数の電気ルーティング機能部の第２のサブセットと、ボンディングワイヤによって、電気的に結合される第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第３のダイをさらに有し、前記第３のダイ及び前記第２のダイは、スペーサを介して互いに結合される、
請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項７】
前記複数の電気ルーティング機能部はビアバーを有する、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＩＣパッケージ。
【請求項８】
前記ＩＣパッケージは、埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージである、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＩＣパッケージ。
【請求項９】
集積回路（ＩＣ）パッケージを形成する方法であって：
第１のダイ及び少なくとも部分的に埋め込まれそこに埋め込まれる複数の電気ルーティング機能部を有する第１の封止層を提供するステップであって、前記第１のダイは、前記第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有し、前記複数の電気ルーティング機能部は、前記第１の封止層の前記第１の側部を前記第１の封止層の第２の側部と電気的に結合し、前記第１の封止層の前記第１の側部は、前記第１の封止層の前記第２の側部の反対側に配置される、ステップ；
第２のダイを前記第１の封止層の前記第２の側部と結合するステップであって、前記第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を含む、ステップ；
前記第２の複数のダイレベル相互接続構造をボンディングワイヤによって少なくとも前記複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合するステップ；並びに
前記第２のダイ及び前記ワイヤボンディング構成の上に第２の封止層を、少なくとも前記第２のダイの一部及び前記ワイヤボンディング構成を前記第２の封止層の中に封止するように、形成するステップ；を含む、
方法。
【請求項１０】
前記第１の封止層を提供するステップは：
前記第１のダイをキャリアと結合するステップ；
前記複数の電気ルーティング機能部を前記キャリアと結合するステップ；並びに
封止材料を前記第１のダイ及び前記複数の電気ルーティング機能部の上に前記第１の封止層を形成するように堆積させるステップ；を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の封止層を提供するステップは：
前記第１のダイをキャリアと結合するステップ；
封止材料を前記第１のダイの上に前記第１の封止層を形成するように堆積させるステップ；及び
前記複数の電気ルーティング機能部を前記封止材料の中に形成するステップ；を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
１又は複数の再分配層（ＲＤＬ）を前記第１の封止層の前記第１の側部に形成するステップをさらに含み、前記１又は複数のＲＤＬは前記第１のダイと電気的に結合され、前記１又は複数のＲＤＬは前記複数の電気ルーティング機能部によって前記第２のダイと電気的に結合される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
複数のパッケージレベル相互接続構造を前記１又は複数のＲＤＬに形成するステップをさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第３のダイを前記１又は複数のＲＤＬに前記第３のダイに配置される第３の複数のダイレベル相互接続構造を介して電気的に結合するステップをさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
複数のパッケージレベル相互接続構造を前記１又は複数のＲＤＬに形成するステップをさらに含み、前記第３のダイ及び前記第３の複数のダイレベル相互接続構造の結合した厚さが、前記第３のダイの前記複数のパッケージレベル相互接続構造と同じ面への配置を可能にするように、前記複数のパッケージレベル相互接続構造の個別の前記パッケージレベル相互接続構造の厚さより小さい、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の電気ルーティング機能部の前記サブセットは第１のサブセットであり、前記ボンディングワイヤは、第１のボンディングワイヤであり、前記ＩＣパッケージはさらに：
第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する第３のダイを前記第２のダイの表面にスペーサを介して物理的に結合するステップ；及び
前記第３の複数のダイレベル相互接続構造を前記複数の電気ルーティング機能部の第２のサブセットと第２のボンディングワイヤによって電気的に結合するステップ；を有し、
前記第２の封止層は前記第３のダイを封止するように形成される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の電気ルーティング機能部はビアバーを有する、
請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＩＣパッケージは、埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージである、
請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
集積回路（ＩＣ）パッケージであって：
第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第１のダイであって、前記第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第１のダイ；
前記第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、前記第１の封止層の前記第１の側部と前記第１の側部と反対側に配置される前記第１の封止層の第２の側部との間に電気信号を送るように構成される、複数の電気ルーティング機能部；
前記第１の封止層の前記第２の側部に配置され、第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第２のダイであって、前記第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を有し、前記第２の複数の相互接続構造は、ボンディングワイヤによって少なくとも前記複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合される、第２のダイ；及び
前記第１の封止層の前記第１の側部に配置され、前記複数の電気ルーティング機能部を介して前記第２の複数のダイレベル相互接続構造と及び前記第１の複数のダイレベル相互接続構造と電気的に結合される、複数のパッケージレベル相互接続構造；を含む、
ＩＣパッケージ；並びに
その中に配置される複数の電気ルーティング機能部及びその上に配置される複数のパッドを有する回路基板であって、前記複数のパッドは前記複数のパッケージレベル相互接続構造と電気的に結合される、回路基板；を有する、
ＩＣアセンブリ。
【請求項２０】
前記ＩＣパッケージは、プロセッサを含む、
請求項１９に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２１】
前記回路基板と結合される、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、オーディオコーデック、ビデオコーデック、パワーアンプ、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンタ、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、又はカメラの１又は複数をさらに有する、
請求項２０に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２２】
前記ＩＣアセンブリは、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメント制御ユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレイヤ、又はデジタルビデオレコーダの一部である、
請求項１９乃至２１のいずれか１項に記載のＩＣアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は概して、集積回路の分野、より具体的には、ワイヤボンディングされたマルチダイスタックを有する集積回路パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
プロセッサのような、ダイの入力／出力密度は、絶えず増大している一方、ダイの寸法は縮小している。マルチダイパッケージのダイの間のより短い相互接続距離を提供すること及びマルチダイパッケージの小さいフォームファクタを維持することは、望ましいが、技術のこれらの進歩に照らして挑戦的であり得る。
【０００３】
本明細書で提供される背景技術の記載は、本開示の背景を概して提示することを目的とする。ここに別に示されない限り、このセクションに記載される題材は、本出願の請求項に対する先行技術ではなく、またこのセクションに含まれることによっては先行技術であるとは認められない。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
実施形態は、添付図面と併せて以下の詳細な説明によって容易に理解されるであろう。この説明を容易にするために、同様の参照番号は、同様の構造的部材を示す。実施形態は、例示のために示されるもので、添付図面の図への限定のためではない。そうでないことが明確に示されない限り、これらの図は正確な縮尺ではない。
【図１】ワイヤボンディングされたマルチダイスタックを有する集積回路パッケージを含む例示の集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す。
【図２】本開示の幾つかの実施形態による集積回路パッケージ作製プロセスの説明のためのフロー図である。
【図３】本開示の幾つかの実施形態による、図２に記載された集積回路パッケージ作製プロセスのステージを示す選択された工程の説明のための断面側面図を描く。
【図４】本開示の幾つかの実施形態による、図２に記載された集積回路パッケージ作製プロセスのステージを示す選択された工程の説明のための断面側面図を描く。
【図５】本開示の様々な実施形態による、パッケージレベル相互接続構造を有する例示の集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す。
【図６】本開示の様々な実施形態による、パッケージレベル相互接続構造及び再分配層（ＲＤＬ）に配置された第３のダイを有する例示の集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す。
【図７】本開示の様々な実施形態による、積み重ねられ且つワイヤボンディングされた追加的なダイを有する例示の集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す。
【図８】本開示の幾つかの実施形態による、集積回路パッケージを含むコンピューティングデバイスを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
本開示の実施形態は、ワイヤボンディングされたマルチダイスタックを有する集積回路（ＩＣ）パッケージ構成を記載する。以下の記載では、例示的な実施形態の様々な態様が、当業者によって一般的に用いられる用語を使用して、彼らの仕事の内容を他の当業者に伝えるために、記載される。しかし、当業者には、本開示の実施形態が記載された態様の幾つかのみを用いて実施され得ることが明らかであろう。説明のために、具体的な数字、材料及び構造が、例示的な実施形態の完全な理解を提供するために述べられる。しかし、本開示の実施形態は具体的な詳細なしに実施され得ることが当業者には明らかであろう。他の例では、良く知られた特徴は、例示的な実施形態を分りにくくしないために省略又は簡略化される。
【０００６】
以下の詳細な記載では、この一部を形成する添付の図面が参照され、同様の番号は全体に渡って同様の部分を示し、本開示の主題が実施され得る例示的な実施形態として示される。他の実施形態が用いられ得ること及び構造的又は論理的な変更が本開示の範囲から逸脱することなしに成され得ることが理解されるべきである。したがって、以下の詳細な記載は、限定する意味で解釈されるべきではなく、実施形態の範囲は、添付の請求項及びそれらの均等物によって定められる。
【０００７】
本開示の意図に関して、「Ａ及び／又はＢ」という句は、（Ａ）、（Ｂ）又は（ＡとＢ）を意味する。本開示の意図に関して、「Ａ、Ｂ、及び／又はＣ」という句は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡとＢ）、（ＡとＣ）、（ＢとＣ）、又は（ＡとＢとＣ）を意味する。
【０００８】
記載は、「上部／底部（ｔｏｐ／ｂｏｔｔｏｍ）」、「内／外（ｉｎ／ｏｕｔ）」、「上／下（ｏｖｅｒ／ｕｎｄｅｒ）」等のような、視点に基づく記載を使用し得る。このような記載は、単に議論を容易にするために使用するものであり、ここに記載した実施形態の応用を任意の特定の向きに限定することを意図するものではない。
【０００９】
記載は、句「実施形態」又は「いくつかの実施形態」を使用する場合があり、これらはそれぞれ、同じ又は異なる実施形態の１又は複数を参照し得る。さらに、用語「有する（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」等は、本開示の実施形態に対して使用されるとき、同義である。
【００１０】
その派生語とともに、用語「〜と結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ  ｗｉｔｈ）」が本明細書で使用され得る。「結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ）」は、次の１又は複数を意味し得る。「結合される」は、二つ以上の要素が直接物理的又は電気的に接触していることを意味し得る。しかし、「結合される」は、２つ以上の要素が互いに間接的に接触しているが、依然として互いに協働する又は相互作用することも意味し、１又は複数の他の要素が、互いに結合されていると言われている要素の間に結合又は接続されることを意味し得る。
【００１１】
様々な実施形態において、句「第２の機能部に形成された、第２の機能部に配置された、或いは第２の機能部の上に配置された、第１の機能部」は、第１の機能部が、第２の機能部に形成された、第２の機能部に配置された、或いは第２の機能部の上に配置され、且つ少なくとも第１の機能部の一部が、少なくとも第２の機能部の一部と直接接触（例えば、直接の物理的及び／又は電気的接触）又は間接接触（例えば、第１の機能部と第２の機能部との間に１又は複数の他の機能部を有する）し得ることを意味し得る。
【００１２】
本明細書で使用されるとき、用語「モジュール」は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電子回路、システムオンチップ（ＳｏＣ）、１又は複数のソフトウェア又はファームウェアを実行するプロセッサ（共用、専用、又はグループ）及び／又はメモリ（共用、専用、又はグループ）、組合せ論理回路、並びに／又は記載された機能を提供する他の適切なコンポーネントの一部である、又は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電子回路、システムオンチップ（ＳｏＣ）、１又は複数のソフトウェア又はファームウェアを実行するプロセッサ（共用、専用、又はグループ）及び／又はメモリ（共用、専用、又はグループ）、組合せ論理回路、並びに／又は記載された機能を提供する他の適切なコンポーネントを含むことを示す。
【００１３】
図１は、本開示の実施形態による、回路基板１１６と電気的且つ物理的に結合された集積回路（ＩＣ）パッケージ１０２を含む例示の集積回路（ＩＣ）アセンブリの断面側面図を概略的に示す実施形態では、ＩＣパッケージ１０２は、１又は複数のダイ（例えば、第１のダイ１０６）を含み得る。第１のダイ１０６は、第１の封止層１０４に少なくとも部分的に埋め込まれ得る。第１のダイ１０６は、第１の封止層１０４の第１の側部に配置され得る複数のダイレベル相互接続構造（例えば、ダイレベル相互接続構造１０８）を含み得る。
【００１４】
ＩＣパッケージ１０２はまた、第１の封止層１０４に少なくとも部分的に埋め込まれる複数の電気ルーティング機能部（例えば、電気ルーティング機能部１１０）を含み得る。複数の電気ルーティング機能部は、見ることができるように、第１の封止層１０４の第２の側部と第２の側部の反対側に配置される第１の誘電層１０４の第１の側部との間で電気信号を送るように構成され得る。幾つかの実施形態では、電気ルーティング機能部は、描かれるように、電気絶縁材料（例えば電気絶縁材料１１８）の中に形成されたビアバー（ｖｉａ  ｂａｒ）であり得る。このような電気絶縁材料は、シリコン、セラミック、ポリマ、又は任意の他の適切な材料を含み得るとともに、（例えば、シリカ充填剤、又は他の適切な充填剤を用いて）充填されることができる又は充填されないことができる。
【００１５】
ＩＣパッケージ１０２はさらに、第１の封止層１０４の第２の側部の上に配置され且つ少なくとも第２の封止層１２０に部分的に埋め込まれた第２のダイ１２２を含み得る。第２のダイ１２２はまた、第２の複数のダイレベル相互接続構造（例えば、ダイレベル相互接続構造１２４）を有し得る。第２の複数のダイレベル相互接続構造は、ボンディングワイヤ（例えば、ボンディングワイヤ１２６）を通して電気ルーティング機能部と電気的に結合され得る。
【００１６】
幾つかの実施形態では、ＩＣパッケージ１０２は、再分配層１１２を有し得る。再分配層１１２は、ダイ１０６及びダイ１２２を、電気ルーティング機能部を通じて、１又は複数のパッケージレベル相互接続構造（例えば、はんだボール１１４）と電気的に結合するように構成され得る。パッケージレベル相互接続構造は、ＩＣパッケージ１０２を回路基板１１６と電気的且つ物理的に結合するように構成され得る。ＩＣパッケージ１０２は、エラストマ構成又は任意の他の適切な構成を含む様々な適切な構成にしたがって、回路基板１１６と結合され得る。本明細書では、はんだボール１１４として描かれているが、パッケージレベル相互接続構造は、柱（ｐｉｌｌａｒ）、又は、ＩＣパッケージ１０２を回路基板１１６と回路基板１１６に配置された１又は複数のパッド（例えば、パッド１２８）を介して電気的に結合し得るはんだボール１１４の代わりの、若しくは同はんだボール１１４に加えたほかの適切な構造を含み得る。ＩＣパッケージ１０２は、半導体材料から作られるディスクリートチップを意味し得るとともに、幾つかの実施形態では、プロセッサ、メモリ、若しくはＡＳＩＣを含み得る、又はプロセッサ、メモリ、若しくはＡＳＩＣの一部であり得る。幾つかの実施形態では、ＩＣパッケージ１０２は、埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージであり得る。
【００１７】
回路基板１１６は、ＩＣパッケージ１０２に又はＩＣパッケージ１０２から電気信号を伝えるように構成される電気ルーティング機能部を含み得る。電気ルーティング機能部は、例えば、回路基板の１又は複数の表面に配置された配線及び／又は、例えば、トレンチ、ビア又はそこを通って電気信号を伝える他の相互接続構造のような内部ルーティング機能部を含み得る。
【００１８】
回路基板１１６は、エポキシ積層板のような電気絶縁材料から構成されるプリント回路基板（ＰＣＢ）であり得る。例えば、回路基板１１６は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、難燃性４（ＦＲ−４）のようなフェノール綿の紙材、ＦＲ−１、ＣＥＭ−１又はＣＥＭ−３のようなコットン紙及びエポキシ材料、又はエポキシ樹脂プリプレグ材料を使用して一緒に積層されるガラス織布材料のような材料から構成される電気絶縁層を含み得る。回路基板１１６は、他の実施形態では他の適切な材料から構成され得る。幾つかの実施形態では、回路基板１１６は、マザーボード（例えば、図８のマザーボード８０２）であり得る。
【００１９】
図２は、本開示の様々な実施形態による例示の集積回路（ＩＣ）パッケージ（例えば、図１のＩＣパッケージ１０２）のための例示の集積回路（ＩＣ）パッケージ作製プロセス２００である。図３−４は、例示の実施形態による、ＩＣパッケージ作製プロセス２００における選択されたステージを示す選択された工程の断面側面図を提供する。結果として、図２−４は、互いに併せて説明される。この説明を補助するために、図２で実行される工程は、図３及び４において工程から工程に移動する矢印を参照される。加えて、全ての参照番号は、これらの図を過度に複雑にしないようにするために、図３及び４に描かれる各工程に描かれていない。
【００２０】
ＩＣ作製プロセス２００は、ブロック２０２で始まることができ、第１のダイ３０２のアクティブ側がキャリア３０６と結合され得る。これは、キャリア３０６に配置されたテープ又は接着剤の使用を通じて達成され得る。描かれるように、ダイ３０２のアクティブ側は、そこに配置された複数のダイレベル相互接続構造（例えば、ダイレベル相互接続構造３０４）を有し得る。幾つかの実施形態では、複数の電気ルーティング機能部３１２ａ−３１２ｂ（以後集合的に電気ルーティング機能部３２１と称される）もまた、キャリア３０６と結合され得る。このような実施形態では、複数の電気ルーティング機能部は、描かれるように、電気絶縁材料３１０ａ及び３１０ｂに形成されたビアで作られる、ビアバーであり得る。この電気絶縁材料は、限定されるものではないが、シリコン、セラミック、ポリマ、ガラス等を含む、任意の適切な材料を含み得る。電気ルーティング機能部は、幾つかの実施形態では、電気ルーティング機能部３１２ａ−ｄの両端に配置された複数のボンドパッド３１４ａ−ｈを有し得る。幾つかの実施形態では、少なくともボンドパッド３１４ａ−ｄは、そこに配置されるワイヤボンディング可能な表面仕上を有し得る。このようなワイヤボンディング可能な表面仕上は、ニッケル、金、又は任意の他の適切な材料若しくは材料の組み合わせを含み得る。他の実施形態では、電気ルーティング機能部は、ブロック２０４を参照して以下に論じられる、第１の封止層３１６の形成後の別の手順として形成され得る。電気ルーティング機能部は、任意の電気導電材料（例えば、銅）を含み得る。
【００２１】
ブロック２０４において、封止材料が、第１の封止層３１６を形成するように堆積され得る。幾つかの実施形態では、このような封止材料は、モールドコンパウンド（例えば、エポキシ樹脂）であり得る。このような実施形態では、第１の封止層３１６は、例えば、圧縮成形プロセスを通じて、形成され得る。描かれるように、第１の封止層３１６は、少なくとも第１のダイ３０２の一部及び電気ルーティング機能部を封止し得る。
【００２２】
幾つかの実施形態では、第１の封止層３１６はまた、ボンドパッド３１４ａ−ｄを封止し得る。幾つかの実施形態では、ブロック２０６において、ボンドパッド３１４ａ−ｄの上に形成された可能性のある任意の封止材料が、取り除かれることができ、空隙３１８ａ−ｄをもたらす。これは、穴あけ（レーザ穴あけ）、グラインディング、エッチング等によって達成され得る。レーザ穴あけを利用する幾つかの実施形態では、レーザ穴あけは、ボンドパッド３１４ａ−ｄに適用されたワイヤボンディング可能な表面仕上を劣化又は破壊し得る。このような実施形態では、表面仕上（例えば、ニッケル、金、又は任意の他の適切な表面仕上）は、レーザ穴あけ後に適用され得る。このような表面仕上は、例えば、無電解めっき法を通じて、適用され得る。
【００２３】
ブロック２０８において、キャリア３０６が、第１の封止層３１６から分離され得る。幾つかの実施形態では、上述の手順は、以下に記載される手順から切り離して実行され得る。このような実施形態では、手順は、上述のプロセスを通じて製造されるのと同様のＩＣパッケージアセンブリを提供することによって開始し得る。このような実施形態では、パッシベーション層が、ボンドパッド３１４ａ−ｈ及び第１のダイ３０２の複数のダイレベル相互接続部のような、任意の露出金属特徴部の酸化又は汚染を防ぐために、ＩＣパッケージアセンブリの上に堆積され得る。このようなパッシベーション層は、例えば、積層、印刷、又はスピンコートされ得る。このようなパッシベーション層が適用されている場合、空隙が、以下に記載される手順のために、（例えば、フォトリソグラフィープロセスを通じて）パッシベーション層に形成され得る。
【００２４】
ブロック２１０において、誘電層３２０が形成され得る。このような誘電層は、幾つかの実施形態では、ブロック２０８を参照して上述されたパッシベーション層であり得る。加えて、再分配層（ＲＤＬ）３２２が誘電層３２０の上に形成され得る。ＲＤＬ３２２は、ダイレベル相互接続部（例えば、ダイレベル相互接続部３０４）及び電気ルーティング機能部３１２から信号発生（ｓｉｇｎａｌ  ｂｒｅａｋｏｕｔ）を提供し得る。ここでは１つのＲＤＬとして描かれているが、追加的なＲＤＬ、及び対応する誘電層が、結果として生じるＩＣパッケージが満たすことを必要とし得る用途及び設計に応じて、形成され得ることが、理解されるであろう。ブロック２１２において、図４に移動すると、はんだストップ層３２４が、形成され且つパターン形成され得る。このようなはんだストップ層は、例えば、フォトリソグラフィープロセスを通じて、形成され得る。
【００２５】
ブロック２１４において、見ることが出来るように、第２のダイ３２６の後側は、ＲＤＬ３２２の反対側の第１の封止層３１６の第２の側部と結合され得る。これは、例えば、テープ又は接着剤（例えば、接着剤３２８）の使用を通じて、達成され得る。幾つかの実施形態では、第２のダイ３２６は、そこに配置される複数のダイレベル相互接続部３３０ａ−３３０ｄを有し得る。ここで使用されるとき、ダイの後側は、そこに配置されるダイレベル相互接続部を有さないダイの側部である。
【００２６】
ブロック２１６において、第２のダイ３２６のダイレベル相互接続部３３０ａ−３３０ｄは、ワイヤ３３２ａ−３３２ｄを介して、それぞれ、電気ルーティング機能部３１２とワイヤボンディングされ得る。電気ルーティング機能部３１２は、第２のダイ３２６とＲＤＬとの間に電気信号を伝え得る。ワイヤ３３２ａ−ｄは、限定されるものではないが、アルミニウム、銅、銀、金等を含む、任意の適切な材料を含むことができ、また（例えば、被覆された）多層ワイヤであることもできる。このようなワイヤボンドは、任意の従来のワイヤボンディングプロセスを通じて形成され得る。幾つかの実施形態では、１又は複数の追加的なダイが、第２のダイ３２６の上部に積み重ねられ得る。このような実施形態では、スペーサが、ワイヤ（例えば、ワイヤ３３２ａ−ｄ）の抜け出しを可能にするために、それぞれのダイと前のダイとの間に置かれ得る。このような実施形態は、以下に、図７を参照してさらに詳細に論じられる。ブロック２１８において、追加的な封止材料が、第２の封止層３３４を形成し且つワイヤボンディング構成を保護するために、第２のダイ３２６及びワイヤ３３２ａ−ｄの上に堆積され得る。図５−７は、上述の手順から形成され得るＩＣパッケージの様々な実施形態を描く。
【００２７】
図５は、本開示の様々な実施形態による、パッケージレベル相互接続構造を有する例示の集積回路（ＩＣ）パッケージ５００の断面側面図を概略的に示す。描かれるように、図５は、その出発点として、図２−４を参照して上述されたプロセスを通じて製造されたＩＣパッケージアセンブリを取り得る。しかし、図５では、パッケージレベル相互接続部（例えば、はんだボール５０２）は、ＲＤＬ上に配置され得る。ここでははんだボールとして描かれているが、パッケージレベル相互接続構造は、ピラー、又は、はんだボールの代わりの、若しくははんだボールに追加の他の適切な構造を含み得る。これらのパッケージレベル相互接続構造は、ＩＣパッケージ５００を回路基板（例えば、図１の回路基板１１６）と電気的に結合するように構成され得る。
【００２８】
図６は、本開示の様々な実施形態による、パッケージレベル相互接続構造（例えば、はんだボール６０６）及びそこに結合される第３のダイ６０２を有する例示の集積回路（ＩＣ）パッケージ６００の断面側面図を概略的に示す。描かれるように、図６は、その出発点として、図２−４を参照して上述されたプロセスを通じて製造されたＩＣパッケージアセンブリを取り得る。しかし、図６では、パッケージレベル相互接続部（例えば、はんだボール６０６）は、ＲＤＬ上に配置されている。加えて、第３のダイ６０２は、相互接続構造６０４によってＩＣパッケージアセンブリと結合されている。ここでははんだボールとして描かれているが、パッケージレベル相互接続構造は、ピラー、又は、はんだボールの代わりの、若しくははんだボールに追加の他の適切な構造を含み得る。これらのパッケージレベル相互接続構造は、ＩＣパッケージ６００を回路基板（例えば、図１の回路基板１１６）と電気的に結合するように構成され得る。見ることが出来るように、第３のダイ６０２及び相互接続構造６０４の結合した厚さは、個別のパッケージレベル相互接続構造の厚さより小さい。これは、第３のダイ６０２が、複数のパッケージレベル相互接続構造と同じ面に位置することを可能にし得る。
【００２９】
図７は、ダイ３２６の上部に積み重ねられた追加的なダイ７０２を有する例示の集積回路（ＩＣ）パッケージ７００の断面側面図を概略的に示す。描かれるように、ＩＣパッケージ７００は、第１のダイ７０２及び第１の封止層７１６に少なくとも部分的に埋め込まれる複数の電気ルーティング機能部（例えば、電気ルーティング機能部７１２）を含み得る。第１の封止層７１６は、例えば、モールドコンパウンドであり得る。幾つかの実施形態では、複数の電気ルーティング機能部は、描かれるように、電気絶縁材料７１０ａ及び７１０ｂに形成されたビアバーであり得る。この電気絶縁材料は、限定されるものではないが、シリコン、セラミック、ポリマ等を含む、任意の適切な材料を含み得る。電気ルーティング機能部は、幾つかの実施形態では、個々の電気ルーティング機能部の両端に配置された複数のボンドパッド（例えば、ボンドパッド７１４）を有し得る。幾つかの実施形態では、上部ボンドパッド（例えば、ボンドパッド７１４）は、その上に配置されるワイヤボンディング可能な表面仕上を有し得る。このようなワイヤボンディング可能な表面仕上は、ニッケル、金、又は任意の他の適切な材料若しくは材料の組み合わせを含み得る。電気ルーティング機能部は、任意の電気導電材料（例えば、銅）を含み得る。
【００３０】
ＩＣパッケージ７００はまた、再分配層（ＲＤＬ）７２２を含み得る。ＲＤＬは、誘電層３２０の上に形成され得るとともに、ダイレベル相互接続部（例えば、ダイレベル相互接続部７０４）及び電気ルーティング機能部（電気ルーティング機能部７１２）から信号発生を提供し得る。ここでは１つのＲＤＬとして描かれているが、追加的なＲＤＬ、及び対応する誘電層が、結果として生じるＩＣパッケージが満たすことを必要とし得る用途及び設計に応じて、形成され得ることが、理解されるであろう。はんだストップ層７２４がＲＤＬの上に配置され得るとともに、複数のパッケージレベル相互接続部（例えば、パッケージレベル相互接続部７４４）がはんだストップ層７２４の開口部に配置され得る。
【００３１】
ＩＣパッケージ７００はまた、第１の封止層７１６の側部と結合され得る第２のダイ７２６を含み得る。これは、例えば、テープ又は接着剤（例えば、接着剤７２８）の使用を通じて、達成され得る。実施形態では、第２のダイ７２６は、そこに配置される複数のダイレベル相互接続部（例えば、ダイレベル相互接続部７３０）を有し得る。第２のダイ７２６のダイレベル相互接続部３３０ａ−３３０ｄは、描かれるように、ワイヤ７３２ａ−７３２ｄを経由して、複数のボンドパッドの対応するサブセットを介して電気ルーティング機能部の第１のサブセットとワイヤボンディングされ得る。電気ルーティング機能部は、第２のダイ７２６とＲＤＬ７２２との間に電気信号を伝え得る。ワイヤ７３２ａ−ｄは、限定されるものではないが、アルミニウム、銅、銀、金等を含む、任意の適切な材料を含み得る。このようなワイヤボンドは、任意の従来のワイヤボンディングプロセスを通じて形成され得る。幾つかの実施形態では、１又は複数の追加的なダイ（例えば、第３のダイ７３６）が、第２のダイ７２６の上部に積み重ねられ得る。このような実施形態では、スペーサ（例えば、スペーサ７４０）が、下のダイからのワイヤ（例えば、ワイヤ７３２ａ−ｄ）の抜け出しを可能にするために、隣接するダイの間に置かれ得る。実施形態では、第３のダイ７３６は、そこに配置された複数のダイレベル相互接続部（例えば、ダイレベル相互接続部７４２）を有し得る。第３のダイ７３６のダイレベル相互接続部は、描かれるように、ワイヤ７３８ａ−７３８ｄを経由して、複数のボンドパッドの対応する第２のサブセットを介して電気ルーティング機能部の第２のサブセットとワイヤボンディングされ得る。第２のダイ７２６、第３のダイ７３６並びにワイヤ７３２ａ−ｄ及び７３８ａ−ｄは全て、第２の封止層７３４に埋め込まれ得る。幾つかの実施形態では、第４のダイが、図６のダイ６０２のものと同様の構成でＲＤＬ７２２と結合され得る。
【００３２】
本開示の実施形態は、要望通りに構成するために、任意の適切なハードウェア及び／又はソフトウェアを使用してシステムに実装され得る。図８は、図１−７によって描かれたような、本明細書に記載されたＩＣパッケージを含むコンピューティングデバイスを概略的に示す。コンピューティングデバイス８００は、マザーボード８０２のようなボードを収容し得る。マザーボード８０２は、限定されるものではないが、プロセッサ８０４及び少なくとも１つの通信チップ８０６を含む、幾つかのコンポーネントを含み得る。プロセッサ８０４は、マザーボード８０２に物理的に且つ電気的に結合され得る。幾つかの実施では、少なくとも１つの通信チップ８０６もまた、マザーボード８０２に物理的に且つ電気的に結合され得る。さらなる実施では、通信チップ８０６は、プロセッサ８０４の一部であり得る。
【００３３】
その用途に応じて、コンピューティングデバイス８００は、マザーボード８０２に物理的に且つ電気的に結合されてもされなくてもよい他のコンポーネントを含み得る。これらの他のコンポーネントは、限定されるものではないが、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、グラフィックスプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、オーディオコーデック、ビデオコーデック、パワーアンプ、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンタ、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、カメラ、及びマスストレージデバイス（ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）等）を含み得る。
【００３４】
通信チップ（複数の場合もある）８０６は、コンピューティングデバイス８００への及びコンピューティングデバイス８００からのデータの転送のための無線通信を可能にし得る。用語「無線」及びその派生語は、非固体媒体を通る変調された電磁放射の使用によってデータを通信することができる回路、デバイス、システム、方法、技法、通信チャネル等を記述するために使用され得る。幾つかの実施形態では、関連付けられたデバイスがいかなるワイヤも含まない場合があるが、この用語は、関連付けられたデバイスがいかなるワイヤも含まないことを意味するものではない。通信チップ８０６は、限定されるものではないが、Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリ）、ＩＥＥＥ８０２．１６標準規格（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１６−２００５修正版）、任意の修正、更新、及び／又は改訂に沿ったロングタームエボリューション（ＬＴＥ）プロジェクト（例えば、アドバンストＬＴＥプロジェクト、ウルトラモバイルブロードバンド（ＵＭＢ）プロジェクト（“３ＧＰＰ２”とも呼ばれる）等）を含む電気電子技術者協会（ＩＥＥＥ）標準規格を含む、幾つかの無線標準規格又は無線プロトコルのいずれかを実装し得る。ＩＥＥＥ８０２．１６互換ＢＷＡネットワークは、一般に、ＷｉＭＡＸネットワークと呼ばれ、Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｃｃｅｓｓを表す頭字語であり、これは、ＩＥＥＥ８０２．１６標準規格の適合性及び相互運用性試験に合格した製品の証明マークである。通信チップ８０６は、移動通信用グローバルシステム（ＧＳＭ（登録商標））、汎用パケット無線サービス（ＧＰＲＳ）、ユニバーサル移動体通信システム（ＵＭＴＳ）、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、発展型ＨＳＰＡ（Ｅ−ＨＳＰＡ）、又はＬＴＥネットワークに従って動作し得る。通信チップ８０６は、ＧＳＭエボリューション用エンハンストデータ（ＥＤＧＥ）、ＧＳＭ  ＥＤＧＥ無線アクセスネットワーク（ＧＥＲＡＮ）、ユニバーサル地上無線アクセスネットワーク（ＵＴＲＡＮ）、又は発展型ＵＴＲＡＮ（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）に従って動作し得る。通信チップ８０６は、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、デジタル強化コードレス電気通信（ＤＥＣＴ）、エボリューションデータオプティマイズド（ＥＶ−ＤＯ）、それらの派生物、及び３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定される任意の他の無線プロトコルに従って動作し得る。通信チップ８０６は、他の実施形態では、他の無線プロトコルに従って動作し得る。
【００３５】
コンピューティングデバイス８００は、複数の通信チップ８０６を含み得る。例えば、第１の通信チップ８０６は、Ｗｉ−Ｆｉ及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）のような短距離無線通信に専用化されることができ、第２の通信チップ８０６は、ＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ、Ｅｖ−ＤＯ等のようなの長距離無線通信に専用化されることができる。
【００３６】
コンピューティングデバイス８００のプロセッサ８０４は、ＩＣアセンブリに組み込まれるＩＣパッケージ（例えば、図１のＩＣパッケージ１０２）であり得る。例えば、図１の回路基板１１６はマザーボード８０２であることができ、プロセッサ８０４は、本明細書に記載されるようなＩＣパッケージ１０２のダイであることができる。プロセッサ８０４及びマザーボード８０２は、本明細書に記載されるように、パッケージレベル相互接続部を使用して一緒に結合され得る。用語「プロセッサ」は、レジスタ及び／又はメモリからの電子データを、この電子データをレジスタ及び／又はメモリに格納され得る他の電子データに変換するために処理する任意のデバイス又はデバイスの部分を示し得る。
【００３７】
通信チップ８０６は、パッケージ基板を含み得るＩＣアセンブリに組み込まれるＩＣパッケージ（例えば、ＩＣパッケージ１０２）であり得る。更なる実施では、コンピューティングデバイス８００内に収容される他のコンポーネント（例えば、メモリデバイス又は他の集積回路デバイス）は、ＩＣアセンブリに組み込まれるＩＣパッケージ（例えば、ＩＣパッケージ１０２）であり得る。
【００３８】
様々な実施では、コンピューティングデバイス８００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメント制御ユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレイヤ、又はデジタルビデオレコーダであり得る。更なる実施では、コンピューティングデバイス８００は、データを処理する任意の他の電子デバイスであり得る。
【００３９】
例
様々な実施形態によれば、本開示は、いくつかの例を記載する。例１は、第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第１のダイであって、第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第１のダイ；第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、第１の封止層の第１の側部と第１の側部と反対側に配置される第１の封止層の第２の側部との間に電気信号を送るように構成される、複数の電気ルーティング機能部；及び第１の封止層の第２の側部に配置され、第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第２のダイであって、第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を有し、第２の複数の相互接続構造は、ボンディングワイヤによって少なくとも複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合される、第２のダイ；を有する、集積回路（ＩＣ）パッケージを含み得る。
【００４０】
例２は、例１の主題を含んでもよく、さらに：第１の封止層の第１の側部に配置される１又は複数の再分配層（ＲＤＬ）を有し、１又は複数のＲＤＬは第１のダイと電気的に結合され、１又は複数のＲＤＬは複数の電気ルーティング機能部を介して第２のダイと電気的に結合される。
【００４１】
例３は、例２の主題を含んでもよく、さらに：１又は複数のＲＤＬに配置される複数のパッケージレベル相互接続構造を有する。
【００４２】
例４は、例２の主題を含んでもよく、さらに、１又は複数のＲＤＬに配置され、１又は複数のＲＤＬと電気的に結合される第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第３のダイを有する。
【００４３】
例５は、例４の主題を含んでもよく、さらに、１又は複数のＲＤＬに配置される複数のパッケージレベル相互接続構造を有し、第３のダイ及び第３の複数のダイレベル相互接続構造の結合した厚さは、第３のダイの複数のパッケージレベル相互接続構造と同じ面への配置を可能にするように、複数のパッケージレベル相互接続構造の個別のパッケージレベル相互接続構造の厚さより小さい。
【００４４】
例６は、例１の主題を含んでもよく、複数の電気ルーティング機能部のサブセットは第１のサブセットであり、ＩＣパッケージはさらに：少なくとも部分的に第２の封止層に埋め込まれ、ボンディングワイヤによって、複数の電気ルーティング機能部の第２のサブセットと電気的に結合される第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第３のダイ、を有し、第３のダイ及び第２のダイは、スペーサを介して互いに結合される。
【００４５】
例７は、例１−６のいずれか１つの主題を含んでもよく、複数の電気ルーティング機能部はビアバーを有する。
【００４６】
例８は、例１−６のいずれか１つの主題を含んでもよく、ＩＣパッケージは、埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージである。
【００４７】
例９は、集積回路（ＩＣ）パッケージを形成する方法であって：第１のダイ及び少なくとも部分的に埋め込まれそこに埋め込まれる複数の電気ルーティング機能部を有する第１の封止層を提供するステップであって、第１のダイは、第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有し、複数の電気ルーティング機能部は、第１の封止層の第１の側部を第１の封止層の第２の側部と電気的に結合し、第１の封止層の第１の側部は、第１の封止層の第２の側部の反対側に配置される、ステップ；第２のダイを第１の封止層の第２の側部と結合するステップであって、第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を含む、ステップ；第２の複数のダイレベル相互接続構造をボンディングワイヤによって少なくとも複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合するステップ；並びに第２のダイ及びワイヤボンディング構成の上に第２の封止層を、少なくとも第２のダイの一部及びワイヤボンディング構成を第２の封止層の中に封止するように、形成するステップ；を含む、方法を含み得る。
【００４８】
例１０は、例９の主題を含んでもよく、第１の封止層を提供するステップは：第１のダイをキャリアと結合するステップ；複数の電気ルーティング機能部をキャリアと結合するステップ；並びに封止材料を第１のダイ及び複数の電気ルーティング機能部の上に第１の封止層を形成するように堆積させるステップ；を含む。
【００４９】
例１１は、例９の主題を含んでもよく、第１の封止層を提供するステップは：第１のダイをキャリアと結合するステップ；封止材料を第１のダイの上に第１の封止層を形成するように堆積させるステップ；及び封止材料の中に複数の電気ルーティング機能部を形成するステップ；を含む。
【００５０】
例１２は、例９の主題を含んでもよく、さらに、
１又は複数の再分配層（ＲＤＬ）を第１の封止層の第１の側部に形成するステップを含み、１又は複数のＲＤＬは第１のダイと電気的に結合され、１又は複数のＲＤＬは複数の電気ルーティング機能部によって第２のダイと電気的に結合される。
【００５１】
例１３は、例１２の主題を含んでもよく、さらに：複数のパッケージレベル相互接続構造を１又は複数のＲＤＬに形成するステップを含む。
【００５２】
例１４は、例１２の主題を含んでもよく、さらに：第３のダイを１又は複数のＲＤＬに第３のダイに配置される第３の複数のダイレベル相互接続構造を介して電気的に結合するステップを含む。
【００５３】
例１５は、例１４の主題を含んでもよく、さらに：複数のパッケージレベル相互接続構造を１又は複数のＲＤＬに形成するステップを含み、第３のダイ及び第３の複数のダイレベル相互接続構造の結合した厚さが、第３のダイの複数のパッケージレベル相互接続構造と同じ面への配置を可能にするように、複数のパッケージレベル相互接続構造の個別のパッケージレベル相互接続構造の厚さより小さい。
【００５４】
例１６は、例９の主題を含んでもよく、複数の電気ルーティング機能部のサブセットは第１のサブセットであり、ボンディングワイヤは、第１のボンディングワイヤであり、ＩＣパッケージはさらに：第３の複数のダイレベル相互接続構造を有する第３のダイを第２のダイの表面にスペーサを介して物理的に結合するステップ；及び第３の複数のダイレベル相互接続構造を複数の電気ルーティング機能部の第２のサブセットと第２のボンディングワイヤによって電気的に結合するステップ；を有し、第２の封止層が第３のダイを封止するように形成される。
【００５５】
例１７は、例９−１６のいずれか１つの主題を含んでもよく、複数の電気ルーティング機能部はビアバーを有する。
【００５６】
例１８は、例９−１６のいずれか１つの主題を含んでもよく、ＩＣパッケージは、埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージである。
【００５７】
例１９は、集積回路（ＩＣ）パッケージであって：第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第１のダイであって、第１の封止層の第１の側部に配置される第１の複数のダイレベル相互接続構造を有する、第１のダイ；第１の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれ、第１の封止層の第１の側部と第１の側部と反対側に配置される第１の封止層の第２の側部との間に電気信号を送るように構成される、複数の電気ルーティング機能部；第１の封止層の第２の側部に配置され、第２の封止層に少なくとも部分的に埋め込まれる第２のダイであって、第２のダイは、第２の複数のダイレベル相互接続構造を有し、第２の複数の相互接続構造は、ボンディングワイヤによって少なくとも複数の電気ルーティング機能部のサブセットと電気的に結合される、第２のダイ；及び第１の封止層の第１の側部に配置され、複数の電気ルーティング機能部を介して第２の複数のダイレベル相互接続構造と及び第１の複数のダイレベル相互接続構造と電気的に結合される、複数のパッケージレベル相互接続構造；を含む、ＩＣパッケージ；並びに、その中に配置される複数の電気ルーティング機能部及びその上に配置される複数のパッドを有する回路基板であって、複数のパッドは複数のパッケージレベル相互接続構造と電気的に結合される、回路基板；を有する、ＩＣアセンブリを含み得る。
【００５８】
例２０は、例１９の主題を含んでもよく、ＩＣパッケージは、プロセッサを含む。
【００５９】
例２１は、例２０の主題を含んでもよく、回路基板と結合される、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、オーディオコーデック、ビデオコーデック、パワーアンプ、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンタ、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、又はカメラの１又は複数をさらに有し得る。
【００６０】
例２２は、例１９−２１のいずれか１つの主題を含んでもよく、ＩＣアセンブリは、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメント制御ユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレイヤ、又はデジタルビデオレコーダの一部である。
【００６１】
様々な実施形態は、（例えば、「及び」は「及び／又は」であり得る）接続的な形で（及び）上に記載される実施形態の代替（又は）実施形態を含む上述の実施形態の任意の好適な組み合わせを含み得る。さらに、幾つかの実施形態は、実行されると、上述の実施形態のいずれか動作をもたらす、そこに記憶される、命令を有する１つ又は複数の製品（例えば、非一時的なコンピュータ可読媒体）を含み得る。その上、幾つかの実施形態は、上述の実施形態の様々な動作を実行する任意の適切な手段を有する装置又はシステムを含み得る。
【００６２】
要約書に記載されたものを含めて、図示した実施の上記説明は、網羅的であることを意図するものでもなければ、本開示の実施形態を開示された厳密な形態に限定することを意図するものでもない。具体的な実施及び例が例示の目的で本明細書において説明されているが、当業者が認識するように、様々な均等の変更が本開示の範囲内において可能である。
【００６３】
これらの変更は、上記詳細な説明を考慮して、本開示の実施形態に対して行われ得る。以下の請求項において用いられる用語は、本開示の様々な実施形態を、本明細書及び請求項において開示した具体的な実施に限定するものと解釈されるべきではない。むしろ、その範囲は、もっぱら以下の請求項によって決定されるべきであり、請求項は、クレーム解釈の確立されたドクトリンに従って解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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