(57)【要約】  誘電体バリア放電（ＤＢＤ）による表面処理方法は  −  少なくとも２つの電極（１０、１２）と少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）が配置された反応室（２）内に基板を供給または送出する動作であって、少なくとも１つの誘電体障壁（１６）がこれら少なくとも２つの電極（１０、１２）とこの少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）との間に配置される、動作と、  −  前記電極（１０、１２）のそれぞれと直列なインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）を切り替える動作であって、前記インダクタ（Ｌ１、Ｌ２）は、同一電流が２つの電極（１０、１２）内に循環する際に２つのインダクタの生成磁束が零となるような方法で共通磁心上に巻かれる、動作と、  −  少なくとも２つの電極（１０、１２）と少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）との間にプラズマの生成を引き起こすような値の高周波電圧を生成する動作と、  −  混合物であってその組成がプラズマと接触すると分解して基板（４）の表面と反応することができる物質を生成する混合物を反応室内へ供給する動作とを含む。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  少なくとも２つの電極（１０、１２）と少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）が配置された反応室（２）内に基板を供給または送出する動作であって、少なくとも１つの誘電体障壁（１６）がこれら少なくとも２つの電極（１０、１２）とこの少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）との間に配置される、動作と、
−  前記少なくとも２つの電極（１０、１２）と前記少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）との間にプラズマの生成を引き起こすような値の高周波電圧を生成する動作と、
−  混合物であってその組成が前記プラズマと接触すると分解して前記基板（４）の表面と反応することができる物質を生成する混合物を前記反応室内へ供給する動作とを含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）による表面処理方法において、前記方法は、さらに、
−  前記電極（１０、１２）のそれぞれと直列にインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）を接続する動作であって、前記インダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の値は、前記プラズマが単一電極下で点火する場合、前記電極と直列な前記インダクタ内に循環する電流が他の前記インダクタ内の磁束を引き起こし、この第２のインダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極の端子における電圧の増加を引き起こし、その点火を促進するような値であり、
前記インダクタは、同一電流が前記２つの電極（１０、１２）内に循環する際に前記２つのインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の生成磁束が零となるように、共通磁心上に巻かれる、動作を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
共通磁心上に巻かれた前記電極（１０、１２）のそれぞれと直列な前記インダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の巻回が逆転されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応室内へ供給された前記反応混合物は、通路（２０）開口を介し、前記２つの電極（１０、１２）を分離する空間（２２）内に供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマは、前記基板（２）のそれぞれの側の表面処理を達成するために前記少なくとも２つの電極（１０、１２）と前記少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）間の前記基板（４）の両側に生成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板（４）の両側で異なる表面処理を達成するために、異なる組成の反応混合物（１８、１９）が前記基板（４）の両側の前記反応室（２）内に供給されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記２つの電極（１０、１２）に対向する２つの対向電極（１３、１５）が並置されることと、前記反応混合物（１９）は、前記反応室開口内への通路（２６）を介し、前記２つの対向電極（１３、１５）を分離する前記空間（２８）上へ供給されることとを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
−  電圧と生成電流との間の位相シフトを低減するために前記電圧を生成する設備自体のインダクタと並列に配置された調整可能インダクタ（Ｌ）を作動する動作と、
−  有効電力／無効電力比を上げるために、前記生成回路により供給される電圧および／もしくは周波数ならびに／または前記方法の開始時もしくは経過中に前記インダクタ（Ｌ）の調整可能値を適合化する動作とをさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
−  前記電圧が前記放電を維持する値より高いままである時間を延長する高調波の生成を刺激するために、前記生成回路により供給される電圧および／もしくは周波数および／もしくは前記インダクタ（Ｌ）の前記調整可能値を適応化する動作
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
３次と５次の高調波が本質的に刺激されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
−  前記室内に蔓延する空気を大気圧より低い圧力にする動作
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記室（２）は開いており、前記基板（４）の入口ゾーンと出口ゾーンを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板（４）は絶縁性であり、それ自体は前記誘電体障壁（１６）の少なくとも１つを形成することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
室と、
前記室内に基板（４）を挿入する移送手段および支持手段と、
少なくとも２つの電極（１０、１２）と少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）へ接続された高電圧高周波電源であって、前記少なくとも２つの電極（１０、１２）と前記少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）は前記基板（２）の前記移送手段および前記支持手段の両側に配置された、高電圧高周波電源と、
前記少なくとも２つの電極（１０、１２）と前記少なくとも１つの対向電極（１３、１４、１５）間に配置された少なくとも１つの誘電体障壁と、
前記電源を調整および制御する手段と、
反応物質を前記室内へ供給する手段と、
背景物質を抽出する手段と、を含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）による前記基板（４）の表面処理設備であって、
前記基板（４）の前記表面処理のためのプラズマを生成することに適する表面処理設備において、
インダクタは前記電極のそれぞれと直列に切り替えられ、
前記インダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の値は、前記プラズマが単一電極下で点火する場合に、前記電極と直列なインダクタ内に循環する電流が他の前記インダクタ内の磁束を引き起こし、この第２のインダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極の端子における電圧の増加を引き起こし、その点火を促進するような値であり、
前記インダクタは、同一電流が前記２つの電極内に循環する際に前記２つのインダクタの生成磁束が零となるように、共通磁心上に巻かれることを特徴とする表面処理設備。
【請求項１４】
前記プラズマは、処理がこの基板（２）の面のそれぞれに同時に行われる方法で前記基板の両側に配置された２つの別々のゾーン内に、生成されることを特徴とする請求項１３に記載の表面処理設備。
【請求項１５】
２つの室（２ａ、２ｂ）と、
前記室内に基板（４）を挿入する移送手段および支持手段と、
第１の室内の少なくとも２つの電極（１０ａ、１２ａ）および少なくとも１つの対向電極（１３ａ、１５ａ）と、第２の室内の少なくとも２つの電極（１０ｂ、１２ｂ）および少なくとも１つの対向電極（１３ｂ、１５ｂ）とに接続される単一の高電圧高周波電源であって、前記少なくとも４つの電極（１０、１２）と前記少なくとも２つの対向電極（１３、１５）は前記基板（２）の前記移送手段および前記支持手段の両側に配置される、単一の高電圧高周波電源と、
前記少なくとも４つの電極（１０、１２）と前記少なくとも２つの対向電極（１３、１５）との間に配置された少なくとも１つの誘電体障壁と、
前記電源を調整および制御する手段と、
反応物質を前記室内へ供給する手段と、
背景物質を抽出する手段と、を含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）による前記基板（４）の表面処理設備であって、
前記設備は、各室内に前記基板（４）の前記表面処理のためのプラズマを生成することに適する、表面処理設備において、
室毎に別々に、一次インダクタが前記電極と直列に切り替えられ、前記一次インダクタ（Ｌ１、Ｌ２およびＬ３、Ｌ４）の値は、前記プラズマが単一電極下で点火する場合に、この電極と直列な前記一次インダクタ内に循環する電流が他の前記一次インダクタ内の磁束を引き起こし、この他の一次インダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極の端子における電圧の増加を引き起こし、その点火を促進するような値であり、
前記一次インダクタは、同一電流が前記２つの電極内に循環する際に、前記２つの一次インダクタの生成磁束が零となるように、共通磁心上に巻かれることを特徴とし、さらに、
二次インダクタが前記一次インダクタと直列に切り替えられ、
前記追加の二次インダクタ（Ｌ５、Ｌ６）の値は、前記第１の室と直列な前記第１の二次インダクタ内に循環する電流が前記他の二次インダクタ内の磁束を引き起こし、この他の二次インダクタの端子における生成電圧が前記２つの室間の電圧を平衡に保つことを保証するような値であり、
前記二次インダクタは、同一電流が前記２つの室内に循環する際に前記２つの二次インダクタの生成磁束が零となるように、共通磁心上に巻かれることを特徴とする表面処理設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面処理のための誘電体バリア放電（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｂａｒｒｉｅｒ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）方法に関する。特に、本発明は、表面処理が基板の両側に配置された少なくとも２つの電極と少なくとも１つの対向電極とにより行われる場合の点火装置に関わる。
【０００２】
本発明はまた、この点火装置を備えた設備に関する。
【背景技術】
【０００３】
誘電体バリア放電により基板上に層を蒸着する方法が欧州特許第２１４５９７８号明細書から知られている。上述の方法は特に、電極と対向電極が配置された反応室内の基板の挿入または通過を含む。誘電体障壁がこれら電極と対向電極間に配置される。プラズマの生成を引き起こす高周波電圧が電極と対向電極間に生成される。プラズマと接触すると基板の表面と反応するガス状組成が反応室内へ供給される。電圧発生設備のインダクタと並列に配置された調整可能インダクタ（Ｌ）が、電圧と生成電流間の位相シフトを低減するとともにプラズマ中の電流の通過時間を増加させるために作動される。
【０００４】
上記方法の効率を増加するために、並置された２つの電極を使用し、電流をこれらの電極から対応対向電極へ通し、これにより反応混合物の導入が、２つの電極を分離する空間に起きることが既に考案された。このような方法では、事実上避けられない電極と対向電極の幾何学形状のわずかな不完全性の結果または温度差の解決策としては、プラズマが単一電極下で点火することが望ましい。したがって、点火後の電極の端子における生成電圧はパッシェンの法則（Ｐａｓｃｈｅｎ’ｓ  ｌａｗ）による放電の値で安定する。この電圧は放電開始電圧の値より低いので、第２の電極の点火をもはや許容しない。その結果、注入された反応生成物は５０％まで失われ、層の成長速度は同様に減速される。完全な電極を形成することといかなる温度差も補正することは不可能であるので、両電極を点火できるための解決策は、系を提供する変圧器を分割して電極対毎に変圧器を設けることである。この解決策は、変圧器の分割が高価であるので経済的視点から当然有利ではない。
【０００５】
国際公開第９９／０４４１１号パンフレットに記載された別の解決策は各電極と直列に接続されるバラストインダクタを使用することである。しかし、２つの電極の点火後の動作中に、このアセンブリは反応炉の電源の電圧を上げることを伴う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、表面処理を行うために並置された少なくとも２つの電極を使用するＤＢＤ方法において古典的に発生する点火問題を解決することである。
【０００７】
本発明の別の目的はこのような方法の効率と効果を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
−  少なくとも２つの電極と少なくとも１つの対向電極が配置された反応室内に基板を供給または送出する動作であって、少なくとも１つの誘電体障壁がこれら少なくとも２つの電極とこの少なくとも１つの対向電極との間に配置される、動作と、
−  これらの少なくとも２つの電極とこの少なくとも１つの対向電極との間にプラズマの生成を引き起こすような値の高周波電圧を生成する動作と、
−  混合物であってその組成がプラズマと接触すると分解して基板の表面と反応することができる物質を生成する混合物を反応室内へ供給する動作と、
−  上記電極のそれぞれと直列にインダクタを接続する動作であって、インダクタの値は、プラズマが単一電極下で点火する場合、この電極と直列のインダクタ内に循環する電流が他のインダクタ内の磁束を引き起こすような値であり、かつ、この第２のインダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極の端子における電圧の増加を引き起こし、その点火を促進するような値であり、インダクタは同一電流が２つの電極内に循環する際に２つのインダクタの生成磁束が零となるように共通磁心上に巻かれる、動作とを含む誘電体バリア放電による表面処理方法に関する。
【０００９】
本発明の方法は「工程」よりも「動作」という意味で定義される、すなわち、動作の連続性は必ずしも上に概説された順序で発生しない、ということに注意されたい。
【００１０】
「表面処理」は、基板の表面上の１つまたは複数の層を作製、洗浄、被覆、または蒸着するための任意の動作を意味するものと本明細書では理解される。
【００１１】
したがって、少なくとも２つの電極上で直列に接続されるのに好適な点火装置であって、同一電流が２つの電極内に循環する際に２つのインダクタにより生成される磁束が互いに相殺するような巻回を有する共通磁心上に巻かれた２つのインダクタを含む点火装置が定義される。
【００１２】
本点火装置では、電極のそれぞれと直列に配置されたインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の値は、プラズマが単一電極下で点火する際に、この電極と直列なインダクタ内に循環する電流が他のインダクタ内の磁束を引き起こし、かつこの第２のインダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極および対応する対向電極により形成されたキャパシタの端子における電圧の増加を引き起こすように計算される。
【００１３】
２つの電極が点火されると、電流同士は釣り合っており、電極と直列に組み立てられたインダクタ内に引き起こされる磁束は、２つの電極にわたって循環する電流が本質的に同一であるので、互いに相殺し、これらのインダクタのインピーダンスが相殺される。この特徴は極めて重要である。アセンブリが起動されると電極の電源を増強する必要が無い、または可能な補正用コイル（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒ  ｃｏｉｌ）に対しいかなる補正も開始する必要が無いからである。
【００１４】
この原理はまた、二対の電極が使用される場合には必要な変更を加えて同様な方法で適用される。
【００１５】
インダクタの値の選択は、いくつかの機能、特に電極と対向電極間の電流に依存し、この電流自体は周波数と電極の幾何学形状とに依存する。有利には、電極の１つにおける好適な点火から生じる電圧変動（ｄＶ）が、未点火のままの電極の電流との差電流（ｄＩ）を引き起こせば、各インダクタの値（ｌ）は、ｄＶ＝ω．ｌ．ｄＩからｌ＝ｄＶ／ω．ｄＩとなる。ここでω＝２πｆ、およびｆはＨＦ供給源の周波数である。
【００１６】
有利な実施形態によると、共通磁心上に巻かれた電極のそれぞれと直列なインダクタの巻回が逆転される。
【００１７】
有利な実施形態によると、反応混合物は、反応室開口中への通路を介し、２つの電極を分離する空間内に供給される。
【００１８】
有利な実施形態によると、プラズマは２つの電極と対向電極間の基板の両側で生成され、反応室内へ供給される反応混合物は基板の両側で供給される。このような方法は、表面処理が基板のそれぞれの側で達成できるようにする。
【００１９】
有利な実施形態によると、プラズマは、２つの電極と対向電極間の基板の両側で生成され、様々な組成の反応混合物は基板の両側の反応室内へ供給される。このような方法は、基板のそれぞれの側で様々な表面処理を達成できるようにする。
【００２０】
有利な実施形態によると、基板の両側の反応室内へ供給された混合物は機械的障壁により２つの別々のゾーン内に閉じ込められる。基板自体はこれらの機械的障壁の一部であり得る。
【００２１】
有利な実施形態によると、反応室開口中への通路を介し反応混合物を２つの対向電極を分離する空間上へ供給するために、２つの電極に対向する２つの対向電極が並置される。
【００２２】
好適な実施形態によると、本方法は追加的に、
−  ＨＦ源により供給される電圧と電流間の位相シフトを低減するために、電圧を生成する設備自体のインダクタと並列に配置された調整可能インダクタを作動する動作と、
−  最適反応特性を得るために、生成回路により供給される電圧および／もしくは周波数ならびに／または本方法の開始時もしくは経過中にインダクタの調整可能値を適合化する動作とを含む。
【００２３】
この変形形態の利点は、回路内へのインダクタの導入が、設備の力率を改善し、したがってその効率を著しく増加することである。この変形形態の別の利点はまた、本方法が蒸着層の特性を改善する一方で、高い蒸着速度を得るために十分な活性エネルギーを生成できるようにすることである。
【００２４】
好適な実施形態によると、生成回路により供給される電圧および／または周波数および／またはインダクタの値は、各半周期にわたって時間（その間、電圧はアークを維持する値より高いままである）を延長する高調波の生成を刺激するために変調され、その結果プラズマの生成時間が拡大される。３次と５次の高調波が好適には刺激される。この実施形態の利点は、消費電力量が等しいとして、本方法の効果が大幅に改善されるということである。
【００２５】
有利な実施形態によると、本方法は追加的に、最適反応特性を得るために電極の位置を変化させる動作を含む。これにより、電気回路の特性を変化させることができ、したがって電流の構成に影響を与え得る。
【００２６】
特定の実施形態によると、本方法は追加的に、室内に蔓延する空気を大気圧より低くてよい所定の圧力にする動作を含む。
【００２７】
有利には、基板は絶縁性であり、それ自体は少なくとも２つの電極間に配置される誘電体障壁の１つを形成する。
【００２８】
さらに、基板が導電性であれば、それ自体が電極の１つを形成し得る。
【００２９】
混合物は、反応性ガスまたはパウダの好適には噴霧により液体の形態で反応室内へ供給される。
【００３０】
本発明はまた、室と、基板を室内へ挿入するための移送手段および支持手段とを含む基板上で誘電体バリア放電により表面処理するための設備に関する。高電圧高周波電源が、基板の両側に配置された二対の電極へ接続され、少なくとも１つの誘電体障壁が少なくとも２つの電極間に配置される。電源を調整および制御する手段が提供され、反応物質を室内へ供給する手段と背景ガスを抽出する手段が提供される。この設備では、インダクタは各一対の電極と直列に配置され、これらのインダクタの値は上に説明したように第２の対の電極の点火を引き起こすように計算される。
【００３１】
好適な実施形態によると、調整可能インダクタが供給回路と並列に配置される。この調整可能インダクタの特性は、電極間に生成された電圧と高電圧源により供給された合計電流間の位相シフトが変調されるようにする。この設備では、電源を調整する手段とインダクタを制御する手段は、有利には、各半周期にわたって時間を延長する高調波の生成を可能にするために結合され、電極間の電圧の値は放電を維持する電圧より高い値に保持される。
【００３２】
有利な実施形態によると、室はその両端で開いており、表面処理方法が一貫生産用設備に組み込まれるようにしている。例えば、室は、有利にはフロートガラス生産ラインのアニール徐冷釜に組み込まれ得、基板の支持手段は少なくとも１つのローラを含む。
【００３３】
有利な実施形態によると、室はその両端で開いており、表面処理方法により一貫生産用設備に組み込まれ得る。この文脈では、室は、有利にはフロートガラス生産ラインに組み込まれ得、基板の支持手段は錫槽を含む。
【００３４】
別の好適な実施形態によると、室は閉じられており、本発明の方法により不連続表面処理動作に組み込まれ得る。室は例えば“マグネトロンスパッタリング”処理ラインに配置され得る。
【００３５】
有利には、プラズマは、基板の両側に配置された２つの別々のゾーン内において、層がこの基板の面のそれぞれへ同時に蒸着される方法で生成され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
これらの態様だけでなく本発明の他の態様については、図面の添付図面を参照し、本発明の特定の実施形態の詳細説明で明らかにされる。
【００３７】
【図１】基板上に層を蒸着する設備の概略正面図である。
【図２】基板の両面上に層を蒸着する設備の概略正面図である。
【図３】基板の２つの面の一方または基板の両面上の蒸着の場合のプラズマ形成前の設備の等価回路図である。
【図４】基板の２つの面の一方または基板の両面上の蒸着の場合の２つの電極の一方の電極下のプラズマの点火後の設備の等価回路図である。
【図５】基板の２つの面の一方または基板の両面上の蒸着の場合の両電極下のプラズマの点火後の設備の等価回路図である。
【図６】本発明の別の実施形態による基板の２つの面の一方または基板の両面上の蒸着の場合の両電極下のプラズマの点火後の設備の等価回路図である。
【図７】基板上に層を蒸着する設備の概略正面図である。
【００３８】
図面は原寸に比例して描かれていない。一般的に、同様な要素は図面において同様な参照符号により表される。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
図１に、ガラス基板上に層を蒸着する連続工程のために設計された開放室２を示す。ガラス基板４は入口６を通して挿入され、次に、出口８を通して再び出る前にこの蒸着室２内を通る。高周波高電圧が２つの電極１０、１２と対向電極１４との間に印加される。誘電体障壁１６が２つの電極１０、１２と対向電極１４との間に配置される。２つの電極１０、１２と対向電極１４との間の電位差がプラズマの生成を引き起こす。反応混合物１８が蒸着室２内へ供給される。基板４が連続的に通過する複数の電極を使用することで、電極の全表面積を増加させる。１つの電極と１つの対向電極だけを使用する方法と比較し、これは、蒸着の厚さを増加させる、またはそうでなければ、同一の蒸着厚さを可能にし、室内の基板の通過速度を増加させる。実際には、対向電極１４に対向する２つの電極１０、１２を使用する場合、反応混合物１８は、蒸着室２開口内への通路２０を介し、２つの電極１０、１２を分離する空間２２内に供給されることが理想的である。これは、蒸着ゾーン２４内の反応性イオン１８の理想的かつ急速な分散を可能にする。矢印２３はガラス基板４の通路の方向を示す。
【００４０】
図２は、ガラス基板４の両面上に蒸着を同時に行うことも可能であることを示す。このような方法では、先のアセンブリの対向電極１４は２つの対向電極１３、１５で形成された２重対向電極（ｄｏｕｂｌｅ  ｃｏｕｎｔｅｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）により置換され、誘電体障壁１６は２つの誘電体障壁１６ａと１６ｂにより形成された２重誘電体障壁により置換される。反応性ガス１８、１９の導入は、この場合、基板４開口の両側に形成された蒸着反応室２内の通路２０、２６を通じて、２つの電極と２つの対向電極をそれぞれ分離する空間２２、２８上に発生する。
【００４１】
電極と対向電極との間に印加される電圧は、好適には１０００〜２００，０００Ｖピーク・トゥ・ピーク、より好適には５，０００〜１００，０００Ｖピーク・トゥ・ピーク、さらに好適には１０，０００〜４０，０００Ｖピーク・トゥ・ピークの範囲内にある。周波数は、好適には１０ＫＨｚ〜１，０００ＫＨｚ、より好適には２０ＫＨｚ〜４００ＫＨｚ、さらに好適には５０ＫＨｚ〜２００ＫＨｚの範囲内にある。
【００４２】
図１と図２の電極と対向電極または対向電極群は円筒状電極として描かれたが、代わりに平坦でもよい。
【００４３】
上に説明したように、図１と図２で説明された方法において２つの電極１０、１２を使用することは、以下のことから生じる点火問題を引き起こす。２つの電極が同時に点火されなければ、第１の電極の点火後、未点火のままの電極と対向電極または対向電極群１３、１４、１５との間に印加される電圧は、この第２の電極を点火するのにはもはや十分ではない。この問題を解決するために、共通磁心上に巻かれた２つの同一コイルを含む装置が考案された。コイルのそれぞれは電極１０、１２の１つと直列に接続され、共通磁心のまわりの２個のコイルの巻回は、両電極が点火されると直ちに互いに相殺する２つの磁束を得るために行われる。この特徴は、アセンブリが起動すると直ちに電極の電源を増強する必要が無いまたは可能な補正コイルに対しいかなる補正も開始する必要が無いので、非常に有利である。
【００４４】
本点火装置では、電極のそれぞれと直列に配置されたインダクタ（Ｌ１、Ｌ２）の値は、プラズマが単一電極下で点火する際に、この電極と直列なインダクタ内に循環する電流が他のインダクタ内の磁束を引き起こし、この第２のインダクタの端子における生成電圧が、未点火のままの電極および対応する対向電極により形成されたキャパシタの端子における電圧の増加を引き起こすように計算される。
【００４５】
２つの電極下のプラズマの点火を促進するための装置を備えた起動前の設備の非常に単純化した等価回路図を図３に示す。高周波（ＨＦ）高電圧が電極と対向電極または対向電極群間に印加される。室内の放電用設備は、本質的に並列および直列キャパシタ、すなわちＣｐ（寄生抵抗Ｒｐに並列な寄生容量）、Ｃｄ  ｅｑ１、Ｃｄ  ｅｑ２（誘電体または誘電体群の容量）およびＣｇ  ｅｑ１、Ｃｇ  ｅｑ２（ガスまたはガス群の容量）を追加することとなる。Ｌ１とＬ２は、両電極下のプラズマの点火を促進する装置のインダクタに対応する。
【００４６】
図４は、プラズマが単一電極下で生成される場合の同じ図を示す。この場合、Ｃｇ  ｅｑ２は第１の電極下のプラズマの抵抗を表す抵抗Ｒｇ  ｅｑ２によりシャントされる。
【００４７】
図５は、再び同じ図を示すが、今回は、プラズマがまた、Ｌ１とＬ２により形成される点火装置の作用下の第２の電極下で生成される場合を示す。この場合、Ｃｇ  ｅｑ１は第２の電極下のプラズマの抵抗を表す抵抗Ｒｇ  ｅｑ１によりシャントされる。
【００４８】
放電が無いと（すなわち電極と対向電極または対向電極群との間の印加される電圧が放電開始電圧より低い限り）、Ｒｇ  ｅｑ１とＲｇ  ｅｑ２の値は極めて高い。このことは、なぜ、放電が無い場合のシステムをモデル化する回路内にこれらの抵抗を考慮する必要が無く、電源により供給される全電流が実際には完全に容量性であるかを説明する。放電の経過中、抵抗性電流Ｉｇ１とＩｇ２が各電極下に現われる。これは基板上で行われた蒸着の電気的信号である。
【００４９】
図６は、電圧を生成する設備自体のインダクタと並列に配置された調整可能インダクタ（Ｌ）が作動される本発明による表面処理設備のルーチン動作の等価回路図を示す。調整可能インダクタ（Ｌ）の値はＨＦ源により供給された電圧と電流間の位相シフトを低減するために選択される。回路内へのこのインダクタの挿入は、設備の力率を改善し、したがってその効率を著しく増加させる。本発明は上に示され説明された例に限定されないということが当業者には明らかとなる。本発明は、新規な特性のそれぞれとその組み合わせとを含む。参照符号の存在は限定的なものであると考えてはならない。用語「含む」の使用は、上記の要素以外の要素の存在を決して排除してはならない。要素を導入するための不定冠詞の使用は、複数のこれらの要素の存在を排除しない。本発明は、純粋に例示的価値のものであって、限定的と考えてはならない特定の実施形態に関して説明された。
【００５０】
図７は、ガラス基板４上に層を蒸着する連続工程のために設計された２つの室２ａ、２ｂを含む本発明による基板の表面処理のための別の設備を示す。このような設備は、例えば異なる性質の２層により基板を連続的に被覆する可能性、または最初に基板を処理し、次に、その上に被覆を蒸着、またはより厚い被覆により基板を被覆する可能性を提供し得る。図７の実施形態では、上述のような基板の表面処理のための設備が次のように２倍になる。（ｉ）室２ａと、電極１０ａ、１２ａのそれぞれと直列に切り替えられる一次インダクタＬ１、Ｌ２とを含む第１のサブ設備と、（ｉｉ）室２ｂと、電極１０ｂ、１２ｂのそれぞれと直列に切り替えられる一次インダクタＬ３、Ｌ４とを含む第２のサブ設備。対向電極は１３ａ、１５ａと１３ｂ、１５ｂで示されている。これらの２つのサブ設備は単一ＶＨＦまたはＨＦ源を備え、二次インダクタＬ５とＬ６は両方の室２ａと２ｂ内の電流を平衡に保つようにする（表現「電流を平衡に保つ」により、我々は両方の室の入口、すなわち、一次インダクタの入口においてほぼ同一電流を有することを意味する）。上述されたＬ１、Ｌ２とＬ３、Ｌ４は、電流を平衡に保ち、それぞれの室内の一対の電極下のプラズマの点火を促進するようにする。この実施形態は、それぞれが二対の電極を有するが単一ＨＦ源を備える２つのサブ設備の点火を解決するために二対の電極を有する設備の上述のような２重インダクタシステムを含む装置もまた適用し得るということを示す。
【００５１】
図７の例では、
−  誘電体障壁としてガラス基板を使用し、したがっていかなる他の誘電体障壁も電極と対向電極間に含まれず、
−  電極と対向電極を「平坦な」電極として描くことを選択した。
【００５２】
このような設備が基板を被覆するために使用されると、被覆はガラス基板４の下面に形成されることになる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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