(57)【要約】 【課題】自発光型コントラストデバイスのアレイを備えるプログラマブルパターニングデバイスを含み得る装置を提供する。【解決手段】露光装置は、基板（１７）を保持するように構築された基板ホルダと、電磁放射を放出する複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備えるモジュレータであって、所望のパターンに従って変調された放射の複数のビームにターゲット部分である露光領域を露光するように構成されたモジュレータと、変調されたビーム（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３）をターゲット部分（Ａ１４、Ａ２４、Ａ３４）上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受ける光学素子のアレイを備える投影システムと、を備え、投影システムは、露光領域の露光中、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬに対して光学素子のアレイを移動させるように構成され、移動は回転を含み、および／または、移動はビームを変位させる。【選択図】図１０
2016541009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダと、
電磁放射を放出する複数の放射源を備えるモジュレータであって、所望のパターンに従って変調された前記放射の複数のビームにターゲット部分を露光する、モジュレータと、
前記変調されたビームを前記ターゲット部分上に投影し、かつ前記複数のビームを受ける光学素子のアレイを備える投影システムと、
前記ターゲット部分の露光中、前記複数の放射源に対して前記光学素子のアレイを移動させるアクチュエータと、を備え、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
露光装置。
【請求項２】
複数のビームを提供する複数の放射源を有するプログラマブルパターニングデバイスと、
前記複数の放射源から前記放射ビームを受け、かつ前記ビームをターゲット部分および基板に向けて投影する光学素子を有する可動フレームであって、前記光学素子は屈折光学素子である、可動フレームと、備え、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
露光装置。
【請求項３】
前記基板は、放射感応性基板であり、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
使用中、前記複数の放射源から前記基板への光路に位置するドナー構造であって、前記ドナー構造から前記基板上に移動可能であり、かつ前記ビームが衝突するドナー材料層を支持する、ドナー構造をさらに備える、請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記基板は、粒子を含む層を備え、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影させて前記層の少なくとも一部を焼結する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項６】
前記移動は回転を含み、および／または、前記移動は前記ビームを変位させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記光学素子のアレイは、前記複数の放射源に対して回転する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
各光学素子は、前記複数の放射源から前記ターゲット部分への、前記複数の前記ビームの前記２次元アレイのビームパスに沿って配置された少なくとも２つのレンズを備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記光学素子のアレイは、２次元アレイに配置される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の放射源は、２次元アレイに配置される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数の放射源は、複数のマイクロＬＥＤを備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
基板を保持する基板ホルダと、
放射のビームを提供するＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬと、
使用中、前記ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから前記基板への光路に位置するドナー構造であって、前記ドナー構造から前記基板上に移動可能であり、かつ前記ビームが衝突するドナー材料層を支持し、前記ビームは周波数逓倍されない、ドナー構造と、
前記ビームを前記ドナー材料層上に投影する投影システムと、を備える、
露光装置。
【請求項１４】
前記ドナー材料は、金属である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記ドナー構造は、前記ドナー材料層を移動または変位させる、請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
所望のパターンに従って変調された複数のビームに前記ターゲット部分を露光するモジュレータであって、前記複数のビームを提供する複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、モジュレータをさらに備える、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
所望のパターンに従って変調された複数のビームを提供する複数の放射源と、
前記複数のビームを受ける光学素子のアレイと、
前記複数のビームの提供中、前記ビームに対して前記光学素子のアレイを移動させるアクチュエータと、を備え、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
プログラマブルパターニングデバイス。
【請求項１８】
前記光学素子のアレイは、２次元アレイである、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
パルス信号を前記複数の放射源に提供して前記複数の放射源を変調するコントローラをさらに備える、請求項１７または１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記移動は回転を含み、および／または、前記移動は前記ビームを変位させる、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記複数の放射源は、複数のマイクロＬＥＤを備える、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２３】
所望のパターンに従って変調された放射の複数のビームを、前記放射を提供する複数の放射源を用いて提供することと、
前記複数のビームを受ける光学素子のアレイを用いて、前記複数のビームをターゲット部分上に投影することと、
前記投影中、前記ビームに対して前記光学素子のアレイを移動させることと、を含み、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
デバイス製造方法。
【請求項２４】
パターンに従って変調された複数のビームを提供する複数の放射源を変調することと、
前記複数の放射源から前記放射ビームを受ける光学素子を有するフレームを移動させることと、
前記光学素子からターゲット部分および基板に向けて前記ビームを投影することであって、前記光学素子は屈折光学素子であることと、を含み、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
デバイス製造方法。
【請求項２５】
前記基板は、放射感応性基板であり、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影する、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数の放射源から前記基板への光路に位置するドナー構造であって、前記ドナー構造から前記基板上に移動可能であり、かつ前記ビームが衝突するドナー材料層を支持する、ドナー構造をさらに備える、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記基板は、粒子を含む層を備え、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影させて前記層の少なくとも一部を焼結する、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記移動は回転を含み、および／または、前記移動は前記ビームを変位させる、請求項２３〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記光学素子のアレイは、前記ビームに対して回転する、請求項２３〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
各光学素子は、前記複数の放射源から前記ターゲット部分への、前記複数の前記ビームの前記２次元アレイのビームパスに沿って配置された少なくとも２つのレンズを備える、請求項２３〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記複数の放射源は、２次元アレイに配置される、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、請求項２３〜３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供することと、
前記ビームを材料のドナー層のターゲット部分上に投影することであって、前記ドナー層は前記ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから基板への光路に位置するドナー構造によって支持され、前記ビームは周波数逓倍されないことと、
前記ビームが衝突する前記ドナー層からの前記材料を、前記ドナー構造から前記基板上に移動させることと、を含む、
デバイス製造方法。
【請求項３４】
ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供することと、
前記ビームを材料の粒子を含む層のターゲット部分上に投影することであって、前記層は基板上に位置し、前記ビームは前記粒子を焼結して前記基板上にパターンの一部を形成することと、を含む、
デバイス製造方法。
【請求項３５】
前記ドナー構造を使用して、前記ドナー層を移動または変位させることをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記材料は、金属である、請求項３３〜３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
所望のパターンに従って、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬによって提供された複数の放射のビームを変調することと、
前記変調されたビームを前記ターゲット部分上に投影することと、をさらに含む、
請求項３３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
基板を保持する基板ホルダと、
電磁放射を放出する複数の放射源を備えるモジュレータであって、所望のパターンに従って変調された前記放射の複数のビームにターゲット部分を露光し、前記放射源は２，０００ミクロン以下のピッチで配置される、モジュレータと、
前記変調されたビームを前記ターゲット部分上に投影し、かつ前記複数のビームを受ける光学素子のアレイを備える投影システムと、
前記ターゲット部分の露光中、前記複数の放射源に対して前記光学素子のアレイを移動させるアクチュエータと、を備える、
露光装置。
【請求項３９】
複数のビームを提供する複数の放射源を有するプログラマブルパターニングデバイスであって、前記放射源は２，０００ミクロン以下のピッチで配置される、パターニングデバイスと、
前記複数の放射源から前記放射ビームを受け、かつ前記ビームをターゲット部分および基板に向けて投影する光学素子を有する可動フレームと、を備える、
露光装置。
【請求項４０】
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、単一の光学素子で結像される、請求項３８または３９に記載の装置。
【請求項４１】
前記複数の放射源は、２次元アレイに配置される、請求項３８〜４０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項４２】
前記複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、請求項３８〜４１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項４３】
前記複数の放射源は、複数のマイクロＬＥＤを備える、請求項３８〜４１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項４４】
フラットパネルディスプレイの製造における前記請求項に記載の発明の１つ以上の使用。
【請求項４５】
集積回路の製造における前記請求項に記載の発明の１つ以上の使用。
【請求項４６】
前記請求項に記載の発明のいずれかを使用して製造されたフラットパネルディスプレイ。
【請求項４７】
前記請求項に記載の発明のいずれかを使用して製造された集積回路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願の相互参照]
[0001]  本出願は、２０１３年１０月２５日に出願された米国仮出願第６１／８９５，８６５号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置または露光装置、パターニングデバイス、およびリソグラフィ方法または製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置または露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部の上に付与する機械である。リソグラフィ装置または露光装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイ、および微細なフィーチャを有する他のデバイスまたは構造の製造に用いることができる。従来のリソグラフィ装置または露光装置において、ＩＣ、フラットパネルディスプレイ、または他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、例えば、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって、基板（例えば、シリコンウェーハまたはガラスプレート）（の一部）の上に転写することができる。
【０００４】
[0004]  パターニングデバイスは、回路パターンの代わりに、カラーフィルタパターンまたはドットマトリクスなどの他のパターンを生成するために用いることができる。従来のマスクの代わりに、パターニングデバイスは、回路または他の適用可能なパターンを生成する個別制御可能素子のアレイを備えるパターニングアレイを備え得る。マスクを使用する従来のシステムと比較して、そのような「マスクレス」システムの利点は、迅速かつ低コストでパターンを提供および／または変更することができることである。
【０００５】
[0005]  このように、マスクレスシステムは、プログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイス）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターン付きビームを形成するように（例えば、電子的に、または光学的に）プログラムされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自発光型コントラストデバイスアレイ、シャッタ素子／マトリクスなどが含まれる。プログラマブルパターニングデバイスは、電気光学デフレクタから形成されてもよく、この電気光学デフレクタは、基板上に投影された放射のスポットを移動させる、または放射ビームを基板から放射ビームアブソーバ等に断続的に誘導するように構成される。そのような構成において、放射ビームは連続的であり得る。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  一実施形態において、基板を保持するように構築された基板ホルダと、電磁放射を放出する複数の放射源を備えるモジュレータであって、所望のパターンに従って変調された放射の複数のビームにターゲット部分を露光するように構成されたモジュレータと、変調されたビームをターゲット部分上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受ける光学素子のアレイを備える投影システムと、ターゲット部分の露光中、複数の放射源に対して光学素子のアレイを移動させるように構成されたアクチュエータと、を備え、複数のビームの２次元アレイが、複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、露光装置が提供される。
【０００７】
[0007]  一実施形態において、複数のビームを提供する複数の放射源を有するプログラマブルパターニングデバイスと、複数の放射源から放射ビームを受け、かつビームをターゲット部分および基板に向けて投影する光学素子を有する可動フレームであって、光学素子は屈折光学素子である、可動フレームと、備え、複数のビームの２次元アレイが、複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、露光装置が提供される。
【０００８】
[0008]  一実施形態において、所望のパターンに従って変調された複数のビームを提供する複数の放射源と、複数のビームを受ける光学素子のアレイと、複数のビームの提供中、ビームに対して光学素子のアレイを移動させるように構成されたアクチュエータと、を備え、複数のビームの２次元アレイが、複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、プログラマブルパターニングデバイスが提供される。
【０００９】
[0009]  一実施形態において、所望のパターンに従って変調された放射の複数のビームを、放射を提供する複数の放射源を用いて提供することと、複数のビームを受ける光学素子のアレイを用いて、複数のビームをターゲット部分上に投影することと、投影中、ビームに対して光学素子のアレイを移動させることと、を含み、複数のビームの２次元アレイが、複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、デバイス製造方法が提供される。
【００１０】
[0010]  一実施形態において、パターンに従って変調された複数のビームを提供する複数の放射源を変調することと、複数の放射源から放射ビームを受ける光学素子を有するフレームを移動させることと、光学素子からターゲット部分および基板に向けてビームを投影することであって、光学素子は屈折光学素子であることと、を含み、複数のビームの２次元アレイが、複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、デバイス製造方法が提供される。
【００１１】
[0011]  一実施形態において、複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える。
【００１２】
[0012]  一実施形態において、基板を保持するように構築された基板ホルダと、放射のビームを提供するＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬと、使用中、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから基板への光路に位置するドナー構造であって、ドナー構造から基板上に移動可能であり、かつビームが衝突するドナー材料層を支持するように構成され、ビームは周波数逓倍されない、ドナー構造と、ビームをドナー材料層上に投影するように構成された投影システムと、を備える、露光装置が提供される。
【００１３】
[0013]  一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供することと、ビームを材料のドナー層のターゲット部分上に投影することであって、ドナー層はＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから基板への光路に位置するドナー構造によって支持され、ビームは周波数逓倍されないことと、ビームが衝突するドナー層からの材料を、ドナー構造から基板上に移動させることと、を含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１４】
[0014]  一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供することと、ビームを材料の粒子を含む層のターゲット部分上に投影することであって、層は基板上に位置し、ビームは粒子を焼結して基板上にパターンの一部を形成することと、を含む、デバイス製造方法が提供される。
【００１５】
[0015]  一実施形態において、基板を保持するように構築された基板ホルダと、電磁放射を放出する複数の放射源を備えるモジュレータであって、所望のパターンに従って変調された放射の複数のビームにターゲット部分を露光するように構成され、放射源は２，０００ミクロン以下のピッチで配置される、モジュレータと、変調されたビームをターゲット部分上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受ける光学素子のアレイを備える投影システムと、ターゲット部分の露光中、複数の放射源に対して光学素子のアレイを移動させるように構成されたアクチュエータと、を備える、露光装置が提供される。
【００１６】
[0016]  一実施形態において、複数のビームを提供する複数の放射源を有するプログラマブルパターニングデバイスであって、放射源は２，０００ミクロン以下のピッチで配置される、パターニングデバイスと、複数の放射源から放射ビームを受け、かつビームをターゲット部分および基板に向けて投影する光学素子を有する可動フレームと、を備える、露光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１８】
【図１】[0018]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置または露光装置の一部を示す。
【図２】[0019]  本発明の一実施形態に係る図１の装置の一部の上面図である。
【図３】[0020]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置または露光装置の一部の高度に概略的な斜視図である。
【図４】[0021]  本発明の一実施形態に係る図３の装置によるターゲット部分上への投影の概略上面図である。
【図５】[0022]  本発明の一実施形態の一部の断面を示す。
【図６】[0023]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置または露光装置の一部の高度に概略的な斜視図である。
【図７】[0024]  ＶＥＣＳＥＬのアレイを備える放射源を示す。
【図８】[0025]  ＶＥＣＳＥＬを備える放射源と周波数逓倍デバイスとの組合せを示す。
【図９】[0026]  例示的なＶＥＣＳＥＬ構成を示す。
【図１０】[0027]  本発明の一実施形態に係る図６、図７、または図８の装置によるターゲット部分上への投影の概略上面図である。
【図１１】[0028]  本発明の一実施形態の一部の断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0029]  本発明の一実施形態は、例えば、自発光型コントラストデバイスのアレイを備えるプログラマブルパターニングデバイスを含み得る装置に関係する。そのような装置に関するさらなる情報は、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２０１０／０３２２２４Ａ２号、米国特許出願公開第ＵＳ２０１１−０１８８０１６号、米国特許出願第ＵＳ６１／４７３，６３６号、米国特許出願公開第ＵＳ６１／５２４，１９０号、米国特許出願公開第ＵＳ６１／６５４，５７５号、および米国特許出願公開第ＵＳ６１／６６８，９２４号に記載されており、これらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。ただし、本発明の一実施形態は、例えば上述のものを含むあらゆる形態のプログラマブルパターニングデバイスで使用され得る。
【００２０】
[0030]  図１は、リソグラフィ装置または露光装置の一部の側断面を概略的に示している。この実施形態において、装置は、以下にさらに述べるとおりＸ−Ｙ平面で実質的に固定された個別制御可能素子を有するが、必ずしもこのようにする必要はない。装置１は、基板を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決めデバイス３と、を備える。基板は、レジストコートされた基板であり得る。一実施形態において、基板はウェーハである。一実施形態において、基板は多角形の（例えば、矩形の）基板である。一実施形態において、基板はガラスプレートである。一実施形態において、基板はプラスチック基板である。一実施形態において、基板はフォイルである。一実施形態において、装置は、ロールトゥロール(roll-to-roll)製造に好適である。
【００２１】
[0031]  装置１は、複数のビームを放出するように構成された複数の個別制御可能自発光型コントラストデバイス４をさらに備える。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、放射放出ダイオード、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、高分子ＬＥＤ（ＰＬＥＤ）、レーザダイオード（例えば、固体レーザダイオード）、マイクロＬＥＤ（通常、１００ミクロン未満の直径を有するＬＥＤ。例えば、ＵＳ７５９８１４９、ＷＯ２０１３−０９３４６４、ＷＯ２０１３−０１１７９４４を参照されたい。これら３つすべては全体が参照により本明細書に組み込まれる）、垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）、または垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。一実施形態において、個別制御可能素子４の各々は、青紫色レーザダイオード（例えば、三洋の型番ＤＬ−３１４６−１５１）である。そのようなダイオードは、三洋、日亜、オスラム、およびナイトライドなどの企業から供給することができる。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、例えば、１２４ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲、例えば、約１９３ｎｍ、約３６５ｎｍ、約４０５ｎｍ、または約８００ｎｍの波長を有するＵＶ放射を放出する。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、０．５〜２００ｍＷの範囲から選択された出力パワーを提供することができる。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４（むき出しのダイ）のサイズは、１００〜８００マイクロメートルの範囲から選択される。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、０．５〜２００μｍ２の範囲から選択された発光面積を有する。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、５〜４４度の範囲から選択された発散角を有する。一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４は、約６．４×１０８Ｗ／（ｍ２・ｓｒ）以上の合計の輝度を提供する構成（例えば、発光面積、発散角、出力パワーなど）を有する。
【００２２】
[0032]  自発光型コントラストデバイス４は、フレーム５上に配置され、Ｙ方向および／またはＸ方向に沿って延在し得る。１つのフレーム５が示されているが、装置は、図２に示すように複数のフレーム５を有し得る。フレーム５上にさらに配置されているのはレンズ１２である。フレーム５、従って自発光型コントラストデバイス４およびレンズ１２は、Ｘ−Ｙ平面において実質的に固定されている。フレーム５、自発光型コントラストデバイス４、およびレンズ１２は、アクチュエータ７によってＺ方向に移動し得る。その代わりに、または、それに加えて、レンズ１２は、この特定のレンズに関連するアクチュエータによってＺ方向に移動し得る。任意選択的に、各レンズ１２は、アクチュエータを備え得る。
【００２３】
[0033]  自発光型コントラストデバイス４は、ビームを放出するように構成されてよく、投影システム１２、１４、および１８は、例えばレジストベースの露光処理においてビームを例えば基板のターゲット部分上に投影するように構成されてよい。自発光型コントラストデバイス４および投影システムは、光学コラムを形成する。図２に示すように、装置１は、複数の光学コラムを備え得る（４つの光学コラムが図２に示されているが、それより多いまたは少ない光学コラムが設けられ得る）。装置１は、基板に対して光学コラムまたはその一部を移動させるアクチュエータ（例えば、モータ１１）を備え得る。フレーム８の上にはフィールドレンズ１４および結像レンズ１８が配置されており、フレーム８は、アクチュエータによって回転可能であり得る。フィールドレンズ１４および結像レンズ１８の組み合わせによって、可動光学系９が形成される。使用中、フレーム８は、例えば図２の矢印が示す方向にそれ自体の軸１０を中心として回転する。フレーム８は、アクチュエータ、例えば、モータ１１を使用して軸１０を中心として回転する。さらに、フレーム８は、可動光学系９が基板テーブル２に対して変位し得るように、モータ７によってＺ方向に移動し得る。
【００２４】
[0034]  アパーチャを内部に有するアパーチャ構造１３が、レンズ１２の上方で、レンズ１２と自発光型コントラストデバイス４との間に位置し得る。アパーチャ構造１３は、レンズ１２、関連する自発光型コントラストデバイス４、および／または隣接するレンズ１２／自発光型コントラストデバイス４の回折効果を制限することができる。
【００２５】
[0035]  図示の装置は、フレーム８を回転させると同時に光学コラムの下方で基板テーブル２上の基板を移動させることによって使用され得る。自発光型コントラストデバイス４は、レンズ１２、１４、および１８が互いに実質的に位置合わせされている場合に、これらのレンズを介してビームを放出することができる。レンズ１４および１８を移動させることによって、ビームの像が、例えば基板のターゲット部分をスキャンする。例えば基板テーブル２上の基板を光学コラムの下方で同時に移動させることによって、自発光型コントラストデバイス４の像にさらされるターゲット部分も移動している。コントローラの制御下で、高速で自発光型コントラストデバイス４の「オン」および「オフ」を切り換えること（例えば、「オフ」の場合に出力がない、または閾値未満の出力を有し、「オン」の場合に閾値を超える出力を有すること）、光学コラムまたはその一部の回転を制御すること、自発光型コントラストデバイス４の強度を制御すること、および例えば基板の速度を制御することによって、所望のパターンを基板上の例えばレジスト層に結像することができる。
【００２６】
[0036]  図２は、自発光型コントラストデバイス４を有する図１の装置の概略上面図である。図１に示す装置１と同様に、装置１は、基板１７を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決めデバイス３と、自発光型コントラストデバイス４と例えば基板１７との間のアライメントを決定し、かつ自発光型コントラストデバイス４の投影に対して例えば基板１７が水平であるかどうかを決定するアライメント／レベルセンサ１９と、を備える。図示のとおり、基板１７は矩形の形状を有するが、それに加えて、または、その代わりに、円形の基板が処理されてもよい。
【００２７】
[0037]  自発光型コントラストデバイス４は、フレーム１５上に配置される。自発光型コントラストデバイス４は、放射放出ダイオード、例えば、レーザダイオード、青紫色レーザダイオード等であり得る。図２に示すように、自発光型コントラストデバイス４は、Ｘ−Ｙ平面に延在するアレイ２１に配置され得る。
【００２８】
[0038]  アレイ２１は、細長い線であり得る。一実施形態において、アレイ２１は、自発光型コントラストデバイス４の１次元アレイであり得る。一実施形態において、アレイ２１は、自発光型コントラストデバイス４の２次元アレイであり得る。
【００２９】
[0039]  矢印が示す方向に回転し得る回転フレーム８が設けられ得る。回転フレームには、自発光型コントラストデバイス４の各々の像を提供するレンズ１４、１８（図１に示す）が設けられ得る。装置には、基板に対してフレーム８およびレンズ１４、１８を備える光学コラムを回転させるアクチュエータが設けられ得る。
【００３０】
[0040]  図３は、外周部にレンズ１４、１８が設けられた回転フレーム８の高度に概略的な斜視図である。複数のビーム、この例では１０個のビームがこれらのレンズの１つの上に入射し、例えば基板テーブル２によって保持された基板１７のターゲット部分上に投影される。一実施形態において、ビームは直線に配置される。回転可能フレームは、アクチュエータ（図示せず）によって軸１０を中心として回転可能である。回転可能フレーム８の回転の結果として、図４を参照してより詳細に説明するように、ビームは連続するレンズ１４、１８（フィールドレンズ１４および結像レンズ１８）に入射することになり、連続するレンズの各々に入射し、偏向して、ターゲット部分の一部に沿って進むことになる。一実施形態において、各ビームは、各放射源、すなわち、自発光型コントラストデバイス、例えばレーザダイオード（図３に示されていない）によって生成される。図３に示す構成において、ビーム間の距離を低減させるために、セグメントミラー３０によってビームは偏向され、集められて、それによってより多数のビームが同一のレンズを介して投影されることが可能になり、かつ以下に述べる解像度要件が達成される。
【００３１】
[0041]  回転可能フレームが回転すると、ビームは連続するレンズに入射し、レンズがビームによって照射されるたびに、レンズの表面上でビームが入射する場所が移動する。ビームは、ビームがレンズに入射する場所によってビームが異なるように（例えば、異なる偏向で）投影されるので、（ターゲット部分に到達する際に）ビームは後続のレンズが通過するたびにスキャン動作を行うことになる。この原理を、図４を参照してさらに説明する。
【００３２】
[0042]  図４は、図３の光学コラムの回転可能フレーム８の一部によるターゲット部分への投影の高度に概略的な上面図である。第１ビームセットをＢ１と表記し、第２ビームセットをＢ２と表記し、第３ビームセットをＢ３と表記する。各ビームセットは、回転可能フレーム８の各レンズセット１４、１８を介して投影される。回転可能フレーム８が回転すると、ビームＢ１はスキャン動作において例えば基板１７のターゲット部分上に投影され、それによって領域Ａ１４をスキャンする。同様に、ビームＢ２は領域Ａ２４をスキャンし、ビームＢ３は領域Ａ３４をスキャンする。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム８の回転と同時に、基板１７および基板テーブルは、方向Ｄ（図２に示すようなＸ軸に沿ってよい）に移動し、それによって領域Ａ１４、Ａ２４、Ａ３４のビームのスキャン方向に実質的に垂直に移動する。第２アクチュエータによる方向Ｄの移動（例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動）の結果として、回転可能フレーム８の連続するレンズによって投影される際に連続するスキャンのビームが投影されて互いに実質的に隣接し、結果として、各連続するスキャンのビームＢ１に対する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４（図４に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３および現在スキャンされている領域Ａ１４）と、ビームＢ２に対する領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４（図４に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３および現在スキャンされている領域Ａ２４）と、ビームＢ３に対する領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４（図４に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３および現在スキャンされている領域Ａ３４）が実質的に隣接する。それによって、回転可能フレーム８が回転する間に、例えば基板表面の領域Ａ１、Ａ２、およびＡ３は、方向Ｄの基板の移動の範囲に含まれ得る。
【００３３】
[0043]  このように、個別アドレス可能素子（例えば、レーザダイオード）および移動するレンズのこのようなシステムレイアウトによって、レンズの移動および基板のスキャンが行われながら基板にパターンが形成される。個別アドレス可能素子（例えば、レーザダイオード）の出力を変調することによって、基板上にパターンが生成される。図４から分かるように、投影スキームによって、移動のつなぎ合わせが可能になる。すなわち、単一の可動レンズを使用する際に、レンズの単一の移動（例えば、フレーム８の回転）中、各領域Ａ１１、Ａ１２を露光する。さらに、投影スキームによって、個別アドレス可能素子のつなぎ合わせが可能になる。すなわち、各領域Ａ１１について、複数の個別アドレス可能素子（例えば、レーザダイオード）のビームがターゲット部分に衝突する。さらに、投影スキームによって、照明のつなぎ合わせが可能になる。すなわち、スリット方向において、各領域Ａ１１、Ａ１２等を、異なる個別アドレス可能素子（例えば、レーザダイオード）のビームおよび同一のレンズで露光する。さらに、投影スキームによって、レンズのつなぎ合わせが可能になる。すなわち、スキャン方向において、各領域を、同一の個別アドレス可能素子（例えば、レーザダイオード）のビームおよび異なるレンズで露光する。さらに、投影スキームによって、光学コラムのつなぎ合わせが可能になる。すなわち、ターゲット部分（例えば、基板）の幅を、複数の隣接する光学コラムによって露光する。
【００３４】
[0044]  同一のレンズを介して複数のビームを投影することによって、基板全体を（回転可能フレーム８の同一の回転速度で）より短い時間フレームで処理することが可能になる。レンズの通過ごとに、複数のビームが例えば基板のターゲット部分を、各レンズを介してスキャンし、それによって連続するスキャンに関して方向Ｄの変位を増加させることが可能になるからである。別の観点から見ると、所与の処理時間について、複数のビームが同一のレンズを介して基板に向けて投影されると、回転可能フレームの回転速度は低下する場合があり、それによって、高い回転速度に起因する回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱れ等の影響が低減する可能性がある。一実施形態において、図４に示すように、ビームはレンズ１４、１８の回転の接線の角度で配置される。一実施形態において、ビームは、各ビームが重なる、または隣接するビームのスキャン経路に接するように配置される。
【００３５】
[0045]  複数のビームを同一のレンズによって一度に投影する態様のさらなる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差（位置決め、光学投影など）に起因して、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４（および／または領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４および／または領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４）の位置は、互いに対してある程度の位置決めの誤差が現れる場合がある。したがって、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４の間のある程度の重なりが求められ得る。例えば１つのビームの１０％が重なりである場合、同一のレンズを介する一度の単一ビームの場合、処理速度は、１０％低下するであろう。５つ以上のビームが一度に同一のレンズを介して投影される場合に、同じく１０％の重なり（同様に上記１つのビームの例を参照）が５つ以上の投影線ごとに対して提供され、したがって重なりの合計は約５分の１以上の２％以下に低下し、それによって全体的な処理速度に対する影響の著しい低下が得られる。同様に、少なくとも１０個のビームを投影することによって、重なりの合計は約１０分の１に低下し得る。こうして、基板の処理時間に対する公差の影響は、複数のビームが同一のレンズによって一度に投影されるという特徴によって低減し得る。それに加えて、または、その代わりに、複数のビームが同一のレンズによって一度に投影されるとすると処理に対する影響は低いため、より多い重なり（ひいてはより大きい公差幅）が可能となり得る。
【００３６】
[0046]  同一のレンズを介して一度に複数のビームを投影することの代わりに、または、そのことに加えて、インタレース技術を使用することができるが、より厳密なレンズ間の整合が求められ得る。このように、レンズの１つを介して一度に基板に向かって投影された少なくとも２つのビームは、相互間隔を有し、装置は、第２アクチュエータを動作させて基板を光学コラムに対して移動させて、次の投影のビームが間隔に投影されるように配置され得る。
【００３７】
[0047]  方向Ｄにおいてグループ内の連続するビーム間の距離を低減させ（それによって、例えば方向Ｄのより高い解像度を達成する）ために、方向Ｄに関してビームは互いに斜めに配置され得る。間隔は、セグメントミラー３０を光路に設けることによってさらに低減されてよく、各セグメントは、ビームのそれぞれを反射し、セグメントは、ミラーに入射するビームとビームとの間の間隔に関して、ミラーが反射したビームとビームとの間の間隔を低減させるように配置される。そのような効果は、複数の光学ファイバによって達成されてもよく、ビームの各々はファイバのそれぞれに入射し、ファイバは、光路に沿って、光学ファイバの上流のビーム間の間隔に関して、光学ファイバの下流のビーム間の間隔を低減させるように配置される。
【００３８】
[0048]  さらに、そのような効果は、ビームのそれぞれを受ける複数の入力を有する集積光導波路回路を使用して達成され得る。集積光導波路回路は、光路に沿って、集積光導波路回路の上流のビーム間の間隔に関して、集積光導波路回路の下流のビーム間の間隔を低減させるように配置される。
【００３９】
[0049]  ターゲット部分上に投影された像の焦点を制御するためのシステムが設けられ得る。この構成を設けることで、上述の構成において、ある光学コラムの一部またはすべてによって投影された像の焦点を調整し得る。
【００４０】
[0050]  一実施形態において、投影システムは、少なくとも１つの放射ビームを、デバイスが形成されるべき基板１７の上方の、材料層から形成された基板上に投影して、レーザ誘起材料移動により材料（例えば、金属）の小滴を局所的に堆積させる。このように、付加的製造プロセスが実現され得る。
【００４１】
[0051]  図５を参照すると、レーザ誘起材料移動の物理的なメカニズムが示されている。一実施形態において、放射ビーム２００は、材料２０２のプラズマブレークダウン未満の強度で実質的に透明な材料２０２（例えば、ガラス）を介して集束する。表面熱吸収が、材料２０２に重なるドナー材料層２０４（例えば、金属膜）から形成された基板上で発生する。熱吸収によって、ドナー材料２０４の溶融が引き起こされる。さらに、加熱によって順方向の誘起圧力勾配が引き起こされ、ドナー材料層２０４からの、ひいては、ドナー構造（例えば、プレート）２０８からのドナー材料小滴２０６の順方向の加速につながる。このように、ドナー材料小滴２０６はドナー材料層２０４から放出され、デバイスが形成される基板１７に向かって基板１７上に（重力を利用して、または利用せずに）移動する。ビーム２００をドナー構造２０８上の適切な位置に向けることによって、ドナー材料パターンを基板１７上に堆積することができる。一実施形態において、ビームをドナー材料層２０４上に集束させる。このように、本明細書におけるターゲット部分への言及は、ドナー構造２０８上のターゲット部分への言及であり得る。また、基板１７への関連する言及は、ドナー構造２０８への言及であり得る。一実施形態において、ドナー材料構造は、ドナー材料層１０４を移動または変位させるように構成される。
【００４２】
[0052]  一実施形態において、１つ以上の短パルスを使用してドナー材料の移動が行われる。一実施形態において、パルスは、溶融材料の準１次元の順方向の加熱および質量移動を得る長さの数ピコ秒またはフェムト秒であり得る。そのような短パルスによって、容易に、材料層２０４に熱流がほとんどまたは全く存在しない、ひいてはドナー構造２０８に対する熱負荷がほとんどまたは全く存在しない状態になる。短パルスによって、材料の高速溶融および順方向加速が可能になる（例えば、金属などの気化した材料は、飛散する堆積物につながる順方向性を失うであろう）。短パルスによって、加熱温度の上方であるものの気化温度未満まで材料を加熱することが可能になる。例えば、アルミニウムについて、摂氏約９００〜１，０００度という温度が望ましい。
【００４３】
[0053]  一実施形態において、レーザパルスを使用することで、所与の量の材料（例えば、金属）が、１００〜１，０００ｎｍの小滴の形態でドナー構造２０８から基板１７まで移動する。一実施形態において、ドナー構造は、実質的に金属を備える、または金属からなる。一実施形態において、金属はアルミニウムである。一実施形態において、金属層２０４は、膜の形態をとる。一実施形態において、膜は別のボディまたは層に取り付けられる。上述のとおり、物体または層はガラスであり得る。
【００４４】
[0054]  一実施形態において、自発光型コントラストデバイス４の各々は、垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）、または垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、エミッタが形成される基板の表面に実質的に垂直な放射を放出する比較的小型の半導体レーザである。これを、基板の面において放射を放出するレーザダイオードと比較する。ジオメトリの結果として、レーザダイオードがウェーハから切り抜かれてパッケージに個別に搭載されることになる。対照的に、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、小さいピッチ（例えば、２，０００ミクロン未満、１，５００ミクロン未満、１，０００ミクロン未満、９００ミクロン未満、８００ミクロン未満、７００ミクロン未満、５００ミクロン未満、３００ミクロン未満、１５０ミクロン未満、１００ミクロン未満、２〜５０ミクロン、１０〜１００ミクロン、５０〜３００ミクロン、７５〜５００ミクロン、１００〜７００ミクロン、約４００ミクロン、または約１００ミクロン）で個別アドレス可能アレイに形成することができる。このように、光学系の縮小率を、例えば５００倍から２０倍〜１００倍の間まで低減することができ、公差の問題が小さくなる。発光面積はより大きい（例えば、直径１０〜１５ミクロン）ので、ビームの向きはレーザダイオードの場合より安定し得る。こうして、ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬは、照明光学系の複雑度を低減させることができる小さいピッチでのアレイ製造という利益を有する。ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬによって、優れたスペクトル純度、高出力、および良好なビームの質を得ることができる。
【００４５】
[0055]  一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、約８００ｎｍの放射、例えば、７７２ｎｍ、７７４ｎｍ、または８１０ｎｍの放射を出力し得る。現在、そのようなＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、主にＧａＡｓから形成されるものとして利用可能であり、約７００〜１，１５０ｎｍの範囲から選択された波長を有する放射を放出する。レーザ誘起材料移動または粒子焼結（以下に述べる）を用いる追加的製造プロセスについて、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、約７００〜１５００ｎｍの放射から選択された波長の未処理の出力放射を、ドナー構造２０８に供給するように動作し得る。こうして、追加的製造プロセスに関して、必要に応じて高露光ドーズを供給することができる。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、約４００ｎｍの放射、例えば、４０５ｎｍの放射を出力し得る。現在、そのようなＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、主にＧａＮから形成されるものとして利用可能である。
【００４６】
[0056]  しかし、ターゲット部分に供給された放射は、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬによって出力された放射と異なり得る。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ放射は、約４００ｎｍ、約２４８ｎｍ、約１９３ｎｍ、約１５７ｎｍ、または約１２８ｎｍに変換される。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの放射出力は、例えば、約４００ｎｍ、約２４８ｎｍ、約１９３ｎｍ、約１５７ｎｍ、または約１２８ｎｍまで周波数逓倍化される。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、約８１０ｎｍで放出するように構成され、出力は、４０５ｎｍまで周波数２倍化される。一実施形態において、放射出力は、周波数３倍化または周波数４倍化される。一実施形態において、放射は、周波数２倍化の２つのステージを用いて周波数４倍化される。一実施形態において、周波数逓倍化は、ビームを周波数逓倍化（例えば、２倍化）結晶に通過させることによって行われる。一実施形態において、周波数逓倍は、ＢＢＯ（β−ＢａＢ２Ｏ４）、周期的分極反転ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ）、および／またはＫＢＢＦ（ＫＢｅ２ＢＯ３Ｆ２）非線形光学系を用いて行われる。一実施形態において、周波数４倍化は、第１ステージのＢＢＯまたはＰＰＬＮおよび第２ステージのＫＢＢＦを用いて行われる。一実施形態において、変換効率は、約１％であり得る。一実施形態において、周波数２倍化の２つのステージを用いる周波数４倍化に関して、第１ステージは、約２０％の変換効率を有し、第２ステージは、約５％の変換効率を有し得る。一実施形態において、周波数２倍化は、共振器内で行われ得る。例えば、周波数２倍化の第１ステージは、ＢＢＯまたはＰＰＬＮを用いる共振器内周波数２倍化であり得る。周波数逓倍を利用することは、さまざまな波長での動作の根拠となり、将来的なユーザの解像度要求を可能にする。周波数変換の非線形性質は、レーザエミッタが閾値発射状態を超えて維持される場合にバックグラウンド放射を効果的に低減させ得る。周波数変換効率は、より高い入力パワーに対する周波数と比較して、より低い入力パワーに対してより低くなる。こうして、望ましい出力波長のバックグラウンド放射の相対レベルが、変換プロセスによって低下することになる。
【００４７】
[0057]  一実施形態において、ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬは、１００ｍＷより高いビームを供給し得る。一実施形態において、ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬは、１００ｍＷ〜１，０００ｍＷの範囲から選択されたパワーを有するビームを供給し得る。ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬの出力が周波数逓倍化される場合、ＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬは、１〜２０ｍＷ（例えば、周波数２倍化されたＧａＡｓのＶＥＣＳＥＬ）のビームを供給し得る。こうして、そのような場合、約１０個のＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬが、単一のレーザダイオードに取って代わり得る（例えば、レーザダイオードは、単一のエミッタから最大２５０ｍＷで放射することができる）。一実施形態において、最大２０ｍＪ／ｃｍ２（例えば、１〜２０ｍＪ／ｃｍ２）のドーズが、各ＶＣＳＥＬまたはＶＥＣＳＥＬによってターゲット部分レベルで提供され得る。このドーズレベルは、必要とされるドーズより高くてよい。そのようなドーズレベルは、レジストをベースとしたプロセスにおける増幅されないレジストの使用を可能にし、これによってラインエッジ粗さが低減し、および／または、処理後の要件が緩和され得る。一実施形態において、ビームは、ターゲット部分レベルで４μＷの出力を有して、例えば最大２０ｍＪ／ｃｍ２の露光ドーズを提供し得る。
【００４８】
[0058]  一実施形態において、ビーム強度は、「パルス」動作をＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬのアレイに対して実施することと、波長２倍化およびコリメーションを行った後にビーム強度をさらに増加させる１０倍ビームリデューサの使用とによって達成され得る。
【００４９】
[0059]  可能性のある改良は、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬをモードロックして短いピコ秒のパルスを生成することであり得る。一実施形態において、アクティブモードロッキングを用いて１００ＭＨｚの露光周波数と同期したパルスを生成することができる。
【００５０】
[0060]  追加的製造プロセスに関して、レジストをベースとした露光プロセスと比較して、約２０倍を超えるパワーが求められ得る。同様に、追加的製造プロセスについて各ピクセルでの休止時間は約１マイクロ秒である一方、レジストをベースとした露光プロセスは、各ピクセルで約５ｎｓの休止時間を有し得る。
【００５１】
[0061]  より長い休止時間は、バーストモードでドーズを提供することによって模倣することができ、単一のスポットにドーズを提供する複数（例えば、１０個）のＶＣＳＥＬおよびＶＥＣＳＥＬは、少なくとも１マイクロ秒にわたって均等に分散されたジョブを行う。光学コラムの一部が約１００ｍ／ｓで移動（例えば、回転）し得るので、スポットは、少なくとも１００ミクロンの長さにわたって分散する。
【００５２】
[0062]  一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬのアレイが提供され得る。複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、複数のビームを放出する。例えば、アレイは、単一の基板（例えば、ＧａＡｓウェーハ）上に提供され得る。一実施形態において、アレイは２次元である。一実施形態において、アレイは、例えば１０×１０のアレイに１００個のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備えてよく、従って１００個のビームを放出する。他の数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬが使用されてもよい。一実施形態において、複数の光学コラムについて、コラムごとのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬのアレイが存在し得る。一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、非水平に配置され、例えば、ＸまたはＹ方向に放出する（例えば図６を参照）。一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、水平に配置され、すなわち、Ｚ方向に放出する（例えば図７および図８を参照）。
【００５３】
[0063]  ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、上方のエミッタであり、したがって例えば、単一の基板上にまとめてコンパクトに搭載することができる。ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、ビームのテレセントリックな投影を容易にすることができる。比較すると、レーザダイオードは、エッジエミッタであり、かつ通常、個別にパッケージされる。したがって、レーザダイオードは、通常、例えば１ｃｍの距離で搭載される。したがって、ターゲット部分に向かって有意な縮小が存在して、レーザダイオードの放射のスポットとスポットが十分に互いに（例えば、約４ミクロンのピッチで）近接する。そのようなレーザダイオードの間隔および／または縮小は、テレセントリック性のエラーに起因するラインエッジ粗さおよび／または焦点深度の問題を発生させ得る。
【００５４】
[0064]  さらに、各レーザダイオードは複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ（例えば、約１０個のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ）に取って代わり得るので、冗長性が発生する。例えば、１０個のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの１つが誤動作する、または適正に動作しない場合、９つのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬが依然として所望の放射パワーおよび輝度に近い、またはそれらと同一の放射パワーおよび輝度を提供する。レーザダイオードを使用する場合、ターゲット部分上の各位置は、単一のレーザダイオードによって露光され得る。
【００５５】
[0065]  一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、定常状態で動作能力の一部で動作して、冗長性を可能にし得る。例えば、１０個のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、定常状態の間、能力のおよそ８０％で動作することができ、それらのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの１つ以上が誤動作し、または適正に動作しない場合、残りのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、定常状態において高い割合で（例えば、能力の８８％）で動作して、所望の放射パワーおよび輝度に近い、またはそれらと同一の放射パワーおよび輝度を提供し得る。
【００５６】
[0066]  一実施形態において、自発光型コントラストデバイスは、必要な数より多い個別アドレス可能素子１０２を備えて、別の個別制御可能素子１０２が誤動作する、または適正に動作しない場合に、「冗長な」個別制御可能素子１０２が使用されることを可能にする。それに加えて、または、その代わりに、個別アドレス可能素子の第１セットを特定の周期に対して使用することができ、そして、第１セットが冷却する間に第２セットを別の周期に対して使用することができるので、冗長な個別アドレス可能素子は、個別アドレス可能素子に対する熱負荷を制御する利点を有し得る。
【００５７】
[0067]  図３の構成と同様に、図６は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４を用いる光学コラムの（レンズ１４、１８を外周部に備えた）回転フレーム８の高度に概略的な斜視図である。複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４からの複数のビームがレンズの１つに入射し、例えば、基板テーブル２によって保持された基板１７またはドナー構造２０８のターゲット部分上に投影される。一実施形態において、ビームは、複数の行または列を備えるアレイに配置され、各行または列は直線上に複数のビームを有する（例えば図１０を参照。一方、図６は、そのような２次元ビームアレイを示しており、ビームは2次元ビーム構成が図６では見えないほど互いに近接している。２次元構成については図１０を参照）。したがって、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４は、複数の行または列に同様に配置されてよく、図１０に示すように、各行または列は直線上に（例えば、単一の基板上に配置された）複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを有する。一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４は、ビーム構成とは異なるように配置されてよく、光学素子（例えば、本明細書に記載のミラー３０）は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４の出力の空間構成をターゲット部分におけるビームの空間構成に変換し得る。例えば、図６において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４はＸ−Ｙ平面で放出するように描かれ、ビームは偏向してＺ方向に進む。しかし、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ４は、図６に示すものとは異なる向きに配置されてよく（例えば、図７および図８を参照）、ビームは全く変更しなくてよい、または異なる角度で偏向してよい。さらに、５つのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの３つの行が図６に示されているが、行および列の数は異なり得る（例えば、１０行および１０列のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ）。
【００５８】
[0068]  回転可能フレームは、アクチュエータ（図示せず）によって軸１０を中心として回転可能である。回転可能フレーム８の回転の結果として、図１０を参照して以下により詳細に説明するとおり、ビームは連続するレンズ１４、１８（フィールドレンズ１４および結像レンズ１８）に入射し、各連続するレンズに入射し、偏向し、それによってターゲット部分の表面の一部に沿って進行する。一実施形態において、各ビームは、各放射源、すなわち自発光型コントラストデバイス、例えば、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ（図６には具体的に示されていない）によって生成される。図６に示す構成において、ビームは、ビーム間の距離を低減させるために、セグメントミラー３０によって偏向し、まとまり、それによって、多数のビームが同一のレンズを通って投影され、かつ解像度要件を達成することが可能になる。
【００５９】
[0069]  回転可能フレームが回転すると、ビームは連続するレンズに入射し、レンズがビームによって照射されるたびに、レンズの表面上でビームが入射する場所が移動する。ビームは、ビームのレンズに対する入射の場所によって（例えば異なる偏向で）異なるように投影されるので、ビームは（例えば基板に到達する際に）、後続のレンズが通過するたびにスキャン動作を行うことになる。この原理を、図１０を参照してさらに説明する。
【００６０】
[0070]  図７は、複数８０のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ８１が放射源として用いられる実施形態を示している。上述のとおり、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、対応する複数のレーザダイオードよりかなり小さいピッチで直接に放射を放出するように構成することができる。結果として、その後の光学縮小が低減し得る。一実施形態において、放射ビーム当たりの出力パワーを増加させるために、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬのグループをまとめて用いて１つの出力放射ビーム８２の放射に寄与し得る。例えば、２つのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの出力は、１つの出力放射ビーム８２に合成され得る。光学システム７６を設けて、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの放射７８を各グループから単一の出力放射ビーム８２に変換する。こうして、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬのアレイが複数のビームを提供するだけでなく、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの出力が合成されて複数のビームのそれぞれの単一の放射ビームを形成し得る。これによって、さらなる冗長性がもたらされ得る。例えば、各単一のビームが複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬに関連付けられるので、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの１つの誤動作または動作不良の際に、他のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、所望の放射パワーおよび輝度に近いパワーおよび輝度を提供することができる。上述と同様に、このシナリオのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの出力は、定常状態での一部の動作能力で動作して、冗長性を可能にし得る。すなわち、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの１つ以上の誤動作または動作不良の際に、残りのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬはより高い能力で動作して適切な出力および輝度を可能にし得る。
【００６１】
[0071]  次に、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから直接の、または光学システム７６からの放射ビーム８２の出力は、可動レンズシステム６８に供給され、この可動レンズシステム６８は、所望のピッチのビームを、例えば基板テーブル２上のレンズシステム６８の下方で移動しているターゲット上に投影するように構成される。図１〜図６に示すタイプの実施形態に適用される場合、可動レンズシステムは、レンズ１４および１８を備え得る。
【００６２】
[0072]  一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ８０からの出力放射ビーム８２は、４５０ｎｍ以下の波長を有する。このように、そのような実施形態において、周波数逓倍デバイスは、リソグラフィに好適な放射を生成するために必要とされない場合がある。一実施形態において、そのような機能は、ＧａＮベースのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを用いて達成される。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、約４０５ｎｍの波長を有する放射を出力するように構成される。
【００６３】
[0073]  一実施形態において、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ８０からの出力放射ビーム８２は、７００〜１，１５０ｎｍの波長を有する。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓベースのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬである。一実施形態において、ビーム８２は、例えば、各ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬユニットまたはＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬユニットのグループに組み込まれた周波数逓倍デバイスによって低波長に変換され得る。
【００６４】
[0074]  図８は、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ８１が、約４０５ｎｍの波長を有する放射をターゲット部分に提供するようにシステムにおいて構成される実施形態を示している。そのような実施形態の例において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ８１は、例えば約８１０ｎｍの波長を有する放射９２を放出するように構成される。図示の実施形態において、周波数逓倍デバイス６４およびフィルタ７４を用いて、リソグラフィに好適な波長を有する複数の放射ビーム８２を提供する。このタイプの例示的な実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、７００ｎｍ〜１，５００ｎｍの範囲で、例えば、８１０ｎｍで放射を放出するように構成される。一実施形態において、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓベースのＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬである。そして、周波数逓倍デバイス６４およびフィルタ７４から出力された放射ビーム８２は、レンズシステム６８の下方で移動している例えば基板テーブル２上のターゲット上に所望のピッチのビームを投影するように構成された可動レンズシステム６８に対して提供される。図１〜図６に示すタイプの実施形態に適用される場合、可動レンズシステムは、レンズ１４および１８を備え得る。
【００６５】
[0075]  図９は、組み込まれた周波数逓倍デバイス１０２を備える（Princeton Optronicsによって製造された）例示的なＶＥＣＳＥＬユニットを示している。この例において、周波数逓倍デバイスは、ＰＰＬＮ（周期的分極反転ニオブ酸リチウム）の変換結晶を備える。ＶＥＣＳＥＬは、反射防止誘電体コーティング１０６を有する低ドープＧａＡｓ基板１０４を備える。領域１０８は、部分反射のｎ型分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）上に成長した量子井戸の積層を備える。高反射のｐ型ＤＢＲミラーが構造に対して追加されて、内部光共振器を形成する。任意選択的に熱シンクに接続される熱スプレッダ１１０を設けて熱を除去する。放射１１２は、デバイスの基板側から出力される（底部放出）。光学素子１１４（例えば、レンズまたはマイクロレンズアレイ）は、放出された放射をＰＰＬＮ結晶に集束させる。この例において、外部共振器が、ガラスミラー１１６および部分反射誘電体コーティング１１８によって形成されて、レーザ処理のフィードバックを提供する。長さ１０ｍｍの周期的分極ＰＰＬＮ結晶が、第２高調波発生結晶として用いられる。周期的分極処理は、基本波９８０ｎｍの波長と第２高調波４９０ｎｍの波長との間の位相整合を維持し、長い変換領域を提供する。内部共振器パワーを向上させるために、誘電体コーティング１１８は、基本波の波長で高い反射性を有し、第２高調波の波長で部分的な透過性を有する。
【００６６】
[0076]  一実施形態において、複数８０のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬは、個別アドレス可能アレイに設けられる。一実施形態において、個別のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ間の平均隔離距離は、１，０００ミクロン以下である。一実施形態において、平均隔離距離は、３００〜５００ミクロンである。
【００６７】
[0077]  図４と同様に、図１０は、図６、図７、または図８の光学コラムのフレーム８または光学システム６８の一部によるターゲット部分上への投影の高度に概略的な上面図である。ビームの第１セットをＢ１と表記し、ビームの第２セットをＢ２と表記し、ビームの第３セットをＢ３と表記する。図４のビームと異なり、ビームのセットＢ１、Ｂ２、Ｂ３は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬからのビームの２次元アレイを備える。すなわち、図４に示すようなビームの単一のラインではなく、ビームの２次元アレイが存在する。５つのビームの３つの行が図１０に示されているが、行および列の数は異なり得る（例えば、１０行および１０列のビーム）。
【００６８】
[0078]  図４のように、ビームの各セットが回転可能フレーム８のそれぞれのレンズセット１４，１８を介して投影される。回転可能フレーム８が回転すると、ビームＢ１はスキャン動作において例えば基板１７のターゲット部分上に投影され、それによって領域Ａ１４をスキャンする。同様に、ビームＢ２は領域Ａ２４をスキャンし、ビームＢ３は領域Ａ３４をスキャンする。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム８の回転と同時に、基板１７および基板テーブルは、方向Ｄ（図２に示すようなＸ軸に沿ってよい）に移動し、それによって領域Ａ１４、Ａ２４、Ａ３４のビームのスキャン方向に実質的に垂直に移動する。第２アクチュエータによる方向Ｄの移動（例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動）の結果として、回転可能フレーム８の連続するレンズによって投影される際に連続するスキャンのビームが投影されて互いに実質的に隣接し、結果として、各連続するスキャンのビームＢ１に対する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４（図１０に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３および現在スキャンされている領域Ａ１４）と、ビームＢ２に対する領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４（図１０に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３および現在スキャンされている領域Ａ２４）と、ビームＢ３に対する領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４（図１０に示すように、すでにスキャンされている領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３および現在スキャンされている領域Ａ３４）が実質的に隣接する。それによって、回転可能フレーム８が回転する間に、基板表面の領域Ａ１、Ａ２、およびＡ３は、方向Ｄの基板の移動の範囲に含まれ得る。同一のレンズを介して複数のビームを投影することによって、基板全体を（回転可能フレーム８の同一の回転速度で）より短い時間フレームで処理することが可能になる。レンズの通過ごとに、複数のビームが例えば基板のターゲット部分を、各レンズを介してスキャンし、それによって連続するスキャンに関して方向Ｄの変位を増加させることが可能になるからである。一実施形態において、ビームは、各ビームが重なる、または隣接するビームのスキャン経路に接するように配置される。一実施形態において、各領域Ａ１１、Ａ１２等は、約１２ｍｍの幅Ｗ１および約６ミクロン（例えば、６．４ミクロン）のスリット高さＳ１を有する。
【００６９】
[0079]  同一のレンズを介して一度に複数のビームを投影することの代わりに、または、そのことに加えて、インタレース技術を使用することができるが、より厳密なレンズ間の整合が求められ得る。このように、レンズの１つを介して一度にターゲット部分上に投影された少なくとも２つのビームは、相互間隔を有し、装置は、第２アクチュエータを動作させて基板を光学コラムに対して移動させて、次の投影のビームが間隔に投影されるように配置され得る。
【００７０】
[0080]  方向Ｄにおいてグループ内の連続するビーム間の距離を低減させ（それによって、例えば方向Ｄのより高い解像度を達成する）ために、方向Ｄに関してビームは互いに斜めに配置され得る。図１０に示すように、ビームスポットのアレイの各行または列のビームスポットは、互いに対して斜めに配置され得る。
【００７１】
[0081]  間隔は、例えば、図６に示すようなセグメントミラー３０を光路に設けることによって低減されてよく、各セグメントは、ビームのそれぞれを反射し、セグメントは、ミラーに入射するビームとビームとの間の間隔に関して、ミラーが反射したビームとビームとの間の間隔を低減させるように配置される。そのような効果は、複数の光学ファイバによって達成されてもよく、ビームの各々はファイバのそれぞれに入射し、ファイバは、光路に沿って、光学ファイバの上流のビーム間の間隔に関して、光学ファイバの下流のビーム間の間隔を低減させるように配置される。
【００７２】
[0082]  さらに、そのような効果は、ビームのそれぞれを受ける複数の入力を有する集積光導波路回路を使用して達成され得る。集積光導波路回路は、光路に沿って、集積光導波路回路の上流のビーム間の間隔に関して、集積光導波路回路の下流のビーム間の間隔を低減させるように配置される。
【００７３】
[0083]  本明細書に記載の実施形態では、個別アドレス可能素子（例えば、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬ）を制御するコントローラが提供される。例えば、個別アドレス可能素子が放射放出デバイスである例では、コントローラは、個別アドレス可能素子をＯＮまたはＯＦＦにする時を制御し、個別アドレス可能素子の高周波変調を可能にし得る。コントローラは、個別アドレス可能素子の１つ以上によって放出される放射の出力を制御し得る。コントローラは、個別アドレス可能素子の１つ以上によって放出される放射の強度を変調し得る。コントローラは、個別アドレス可能素子のアレイのすべてまたは一部の強度の均一性を制御／調整し得る。コントローラは、個別アドレス可能素子の放射出力を調整して結像エラー、例えば、エタンデュおよび光学収差（例えば、コマ収差、非点収差など）を補正し得る。
【００７４】
[0084]  図１１は、粒子の焼結を含む追加的製造プロセスの一実施形態を示している。図１１を参照すると、一実施形態において、１つ以上のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬからの１つ以上の放射ビーム２００が、基板１７（例えば、ガラスまたはシリコン基板）に塗布された粒子２１２を含む層上に集束する。ビーム２００は、局所的な熱源として機能して、層（すなわち、粒子）の選択的な局所溶融／焼結を誘起し、それによって、冷却の際、パターンの一部２１０を形成する。一実施形態において、ビーム２００および／または基板１７は、互いに対して移動して、層２１２の１つ以上の部分の選択的焼結を介して所望のパターンを形成する。一実施形態において、層の１つ以上の部分の実質的に完全な焼結が行われ得る。あるいは、一実施形態において、層（すなわち、粒子）の１つ以上の部分は部分的に焼結される。そのような場合、層の焼結されない部分が除去されるときに層の１つ以上の部分は、基板に付着し、「流出」しない。第２ステップ（例えば、炉での残存層の焼成、または残存層のパターン非形成ビームへの全面露光）で、層の部分的に焼結された１つ以上の部分を、例えば実質的に完全に焼結するように、さらに焼結する。
【００７５】
[0085]  一実施形態において、粒子は、金属、例えば、銀などの導電金属である。一実施形態において、粒子は、１〜９００ナノメートルのサイズ（例えば、直径）の範囲から、または１〜５０ナノメートルのサイズの範囲から選択される。一実施形態において、粒子は、溶媒中に懸濁させてよく、この混合物を基板２上に塗布する（例えば、スピンコートする）。次に、溶媒を蒸発させて、粒子を含む膜２１２を残す。任意選択的に、ビーム２００を強化する、および／または層２１２の材料の流出を制限するように、膜２１４（例えば、ＰＤＭＳ）が層２１２上に塗布され得る。一実施形態において、可動フレーム８または可動レンズシステム６８を用いてビームを付与する。上述のとおり、一実施形態において、１つ以上のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬの未処理の出力は、層２１２に付与され得る。ビーム処理が完了すると、層２１２の残存する溶融されていない部分は、例えば溶媒の塗布によって除去されて、ビーム処理された（金属）パターンが残り得る。このように、本明細書におけるターゲット部分に対する言及は、層２１２上のターゲット部分に対する言及であり得る。
【００７６】
[0086]  一実施形態において、可動フレーム８または可動レンズシステム６８は、図５および／または図１１の実施形態に対して使用されない。
【００７７】
[0087]  デバイス製造方法に従って、デバイス、例えば、ディスプレイ、集積回路、または他のアイテムが、パターンが投影された基板から製造され得る。
【００７８】
[0088]  装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってよい。また、装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイス／モジュレータと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００７９】
[0089]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置または露光装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置または露光装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８０】
[0090]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、回折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００８１】
[0091]  一実施形態は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光学ディスク）の形態であってもよい。
【００８２】
[0092]  さらに、特定の実施形態および例を説明してきたが、本発明は具体的に開示された実施形態を超えて代替的な実施形態および／または本発明の使用法ならびにその明らかな変更形態および等価物に適用されることは当業者には明らかであろう。さらに、多数の変形形態を図示し詳述してきたが、本開示に基づいて本発明の範囲に収まる他の変更形態が、当業者には容易に明らかであろう。例えば、各実施形態の具体的な特徴および態様の様々な組合せまたは副次的な組合せも可能であり、本発明の範囲内である。したがって、本発明の多様な形態を形成するために、開示された実施形態の様々な特徴および態様を互いに組み合わせる、または交換できることを理解されたい。
【００８３】
[0093]  このように、様々な実施形態について上に説明してきたが、上記実施形態は例示に過ぎず、限定的なものではないことを理解されたい。本発明の精神と範囲から逸脱することなく、本発明の形態および内容を様々に変更できることは当業者には明らかであろう。したがって、本発明の広さおよび範囲は、上記のいかなる例示的な実施形態によっても限定されず、以下の請求の範囲とそれらの等価物によってのみ定義されるものである。
【００８４】
[0094]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2016541009.tif 000003
【図２】
2016541009.tif 000004
【図３】
2016541009.tif 000005
【図４】
2016541009.tif 000006
【図５】
2016541009.tif 000007
【図６】
2016541009.tif 000008
【図７】
2016541009.tif 000009
【図８】
2016541009.tif 000010
【図９】
2016541009.tif 000011
【図１０】
2016541009.tif 000012
【図１１】
2016541009.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月30日(2016.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のビームを提供する複数の放射源を有するプログラマブルパターニングデバイスと、
前記複数の放射源から前記放射ビームを受け、かつ、前記ビームをターゲット部分および基板に向けて投影する光学素子を有する可動フレームであって、前記光学素子は、屈折光学素子である、可動フレームと、備え、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
露光装置。
【請求項２】
前記基板は、放射感応性基板であり、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
使用中、前記複数の放射源から前記基板への光路に位置するドナー構造であって、前記ドナー構造から前記基板上に移動可能であり、かつ前記ビームが衝突するドナー材料層を支持する、ドナー構造をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板は、粒子を含む層を備え、
前記光学素子は、前記ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影させて前記層の少なくとも一部を焼結する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記移動は回転を含み、および／または、前記移動は前記ビームを変位させる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
各光学素子は、前記複数の放射源から前記ターゲット部分への、前記複数の前記ビームの前記２次元アレイのビームパスに沿って配置された少なくとも２つのレンズを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記光学素子のアレイは、２次元アレイに配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記複数の放射源は、２次元アレイに配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の放射源は、複数のＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の放射源は、複数のマイクロＬＥＤを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
パターンに従って変調された複数のビームを提供する複数の放射源を変調することと、
前記複数の放射源から前記放射ビームを受ける光学素子を有するフレームを移動させることと、
前記光学素子からターゲット部分および基板に向けて前記ビームを投影することであって、前記光学素子は屈折光学素子であることと、を含み、
前記複数の前記ビームの２次元アレイが、前記複数の光学素子の単一の光学素子で結像される、
デバイス製造方法。
【請求項１２】
前記移動は回転を含み、および／または、前記移動は前記ビームを変位させる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学素子のアレイは、前記ビームに対して回転する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の放射源は、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供し、
前記ビームを投影するステップは、前記ビームを材料のドナー層の前記ターゲット部分上に投影することであって、前記ドナー層は前記ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬから前記基板への光路に位置するドナー構造によって支持され、前記ビームは周波数逓倍されないことを含み、
前記ビームが衝突する前記ドナー層からの前記材料を、前記ドナー構造から前記基板上に移動させることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の放射源は、ＶＥＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬを使用して放射のビームを提供し、
前記ビームを投影するステップは、前記ビームを材料の粒子を含む層の前記ターゲット部分上に投影することであって、前記層は前記基板上に位置し、前記ビームは前記粒子を焼結して前記基板上にパターンの一部を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【国際調査報告】
2016541009.tif 000014
2016541009.tif 000015
2016541009.tif 000016