(57)【要約】ガラスシートの静電放電特性を向上させる方法は、ガラスシートの少なくとも一方の面を処理溶液で処理し、平均表面粗さを増加させるステップと、処理溶液を除去するステップとを含む。ガラスシートの処理された少なくとも一方の面の平均表面粗さは、約０．３ｎｍから約１００ｎｍになり得る。処理前のガラスシートと処理後のガラスシートとの間の電圧の減少の割合は、約１．５％から約４０％になり得る。ガラスシートであって、約０．３ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している第１の面と、約０．１ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している第２の面とを備えている。ガラスシートの長さは少なくとも約１００ｍｍでもよく、厚さは約１．０ｍｍ未満でもよい。
2016522144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスシートの静電放電特性を向上させる方法において、
前記ガラスシートの少なくとも一方の面を処理溶液で、２０℃から１００℃の温度で、かつ０．５分から９０分の間処理するステップであって、該処理が前記ガラスシートの前記少なくとも一方の面の平均表面粗さを増加させるステップ、および、
前記処理溶液を除去するステップ、
を有してなり、前記ガラスシートの処理された前記少なくとも一方の面の、前記処理の後の前記平均表面粗さが、０．３ｎｍから１００ｎｍであり、かつ前記処理の前の前記ガラスシートと前記処理の後の前記ガラスシートとの間の電圧の減少の割合が、接触剥離後に測定して約１．５％から約４０％であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ガラスシートが、アルカリアルミノケイ酸塩、アルカリ・ホウアルミノケイ酸塩、アルカリ土類アルミノケイ酸塩、アルカリ土類ホウアルミノケイ酸塩、またはその組合せ、を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記処理溶液が、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌおよびＨＦの混合物、酸性フッ化アンモニウム、フッ化アンモニウム、および、ＮａＦおよびＨ3ＰＯ4の混合物、から成る群から選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記処理溶液が、モル濃度が０．１５モル／Ｌから０．３５モル／ＬまでのＨＣｌを含むことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記処理溶液が、モル濃度が１×１０-3モル／Ｌから１モル／ＬまでのＨＦを含むことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記処理するステップの前の前記ガラスシートの前記平均表面粗さが、約０．１ｎｍから約０．３ｎｍであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記ガラスシートの第１の面が、前記処理溶液で処理され、かつ前記処理の後に約０．３ｎｍから約１００ｎｍの前記平均表面粗さを有し、さらに、
前記ガラスシートの第２の面は、前記処理溶液で処理されず、かつ約０．１ｎｍから約０．３ｎｍの前記平均表面粗さを有していることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
ガラスシートであって、
約０．３ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している、第１の面、および、
約０．１ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している、第２の面、
を備え、
前記ガラスシートの長さが少なくとも約１００ｍｍであり、かつ、
前記ガラスシートの厚さが約１．０ｍｍ未満であることを特徴とするガラスシート。
【請求項９】
前記ガラスシートが、アルカリアルミノケイ酸塩、アルカリ・ホウアルミノケイ酸塩、アルカリ土類アルミノケイ酸塩、アルカリ土類ホウアルミノケイ酸塩、またはその組合せ、を含むことを特徴とする請求項８記載のガラスシート。
【請求項１０】
前記ガラスシートの前記第１の面が、約０．４ｎｍから約１０ｎｍの前記平均表面粗さを有し、かつ前記ガラスシートの前記第２の面が、約０．１ｎｍから約０．３ｎｍの前記平均表面粗さを有していることを特徴とする請求項８記載のガラスシート。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、その内容が引用されその全体が参照することにより本書に組み込まれる、２０１３年４月３０日に出願された米国仮特許出願第６１／８１７５１８号の優先権の利益を米国特許法第１１９条の下で主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本明細書は、一般にガラス表面の表面処理に関し、より具体的には、ガラスシートのａ面の性能属性を妥協せずにガラスシートのｂ面を戦略的にテクスチャリングする方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）−液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板に使用され得るフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）ガラスは、２つの面から構成され得る。第１の面はＴＦＴが形成される機能面とすることができ（ａ面）、第２の面は非機能的な背面とすることができる（ｂ面）。ＴＦＴ構造の形成は、広いエリアに亘って堆積される場合、表面の不整合に敏感になり得るため、以前はＦＰＤガラスのａ面に注目が集まっていた。ＦＰＤガラスのｂ面は、例えばプラスチック、ゴム、またはセラミックなどの様々な材料に接触し得、従ってｂ面表面の表面品質および均一性は、ａ面表面ほど高いものである必要はない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、処理の際のＦＰＤガラスとこれらの種々の他の材料との接触は、摩擦帯電を生じさせることがある。例えば２つの異種材料は、その固有の仕事関数値の差、またはそのフェルミエネルギーレベルに基づく電荷を移動させる能力に起因して、接触剥離により帯電される。表面に蓄積される電荷が多ければ多いほど、表面の電圧が高くなる。さらに、２つの帯電した表面が剥がれると、その分離距離が増すにつれて静電容量が減少し、これがさらに高い表面の電圧をもたらし得る。ガラスの接触剥離は、ＴＦＴ−ＬＣＤ製造では避けられないものである。こういった高い電圧は、ＦＰＤガラスのａ面の表面に堆積されたＴＦＴ構造を損傷し得る。
【０００５】
従って、ガラス表面の合計の電荷蓄積を減少させることが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、ガラスシートの静電放電特性を向上させる方法が開示され、この方法は、ガラスシートの少なくとも一方の面を処理溶液で処理し、平均表面粗さを増加させるステップと、この処理溶液を除去するステップとを有してなる。ガラスシートの処理された少なくとも一方の面の平均表面粗さは、約０．３ｎｍから約１００ｎｍになり得る。処理前のガラスシートと処理後のガラスシートとの間の電圧の減少の割合は、約１．５％から約４０％になり得る。
【０００７】
他の実施形態において、約０．３ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している第１の面と、約０．１ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有している第２の面とを備えている、ガラスシートが提供される。ガラスシートの長さは少なくとも約１００ｍｍでもよく、厚さは約１．０ｍｍ未満でもよい。
【０００８】
他の実施形態においてガラスシートは、２×２μｍの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）走査に対して、約０．２ｎｍあるいはさらには約０．１５ｎｍの表面粗さを有する面と、約０．３ｎｍから約１．３ｎｍの表面粗さを有する別の面とを含み得る。いくつかの実施形態によれば、ＡＦＭ測定により判定されるＲａまたはＲｑとして、０．２ｎｍが定義され得る。ＲａおよびＲｑは方程式（１）および（２）で表すことができる。
【０００９】
【数１】
2016522144.tif 000003
【００１０】
【数２】
2016522144.tif 000004
【００１１】
ここで、ｎは測定が行われる点の数、ｚは各点での高さ、さらにバーｚはライン走査の各点で集められた高さの平均である。Ｒａは「平均」表面粗さに指定されることが多く、一方Ｒｑは「二乗平均平方根」（ＲＭＳ）表面粗さと呼ばれることが多い。ガラスシートの長さは約１００ｍｍ超でもよく、ガラスシートの厚さは約１ｍｍ未満でもよい。
【００１２】
本開示のさらなる特徴および利点は以下の詳細な説明の中に明記され、ある程度は、その説明から当業者には容易に明らかになるであろうし、あるいは、以下の詳細な説明、請求項、並びに添付の図面を含め、本書において説明される実施形態を実施することにより認識されるであろう。
【００１３】
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、種々の実施形態を説明したものであること、そして請求される主題の本質および特徴を理解するための概要または構成を提供するよう意図されているものであることを理解されたい。添付の図面は、種々の実施形態のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれかつその一部を構成する。図面は本書で説明される種々の実施形態を示し、そしてその説明とともに、請求される主題の原理および動作の説明に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施の形態のフュージョンドロー法を示した概略図
【図２】実施形態による１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートでガラスタイプと処理プロセスとに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図３】図２に示したデータに対する電圧の減少の割合を示したグラフ
【図４】実施形態による１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートでガラスタイプと処理プロセスとに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図５】図４に示したデータに対する電圧の減少の割合を示したグラフ
【図６】実施形態による平均表面粗さをガラスタイプと処理プロセスとに対してプロットしたグラフ
【図７】実施形態による１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートで平均表面粗さに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図８】実施形態による１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートで平均表面粗さに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図９】実施形態による７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートでガラスタイプと処理プロセスとに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図１０】図９に示したデータに対する電圧の減少の割合を示したグラフ
【図１１】実施形態による７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するガラスシートでガラスタイプと処理プロセスとに対してプロットした、接触剥離後に測定された電圧のグラフ
【図１２】図１１に示したデータに対する電圧の減少の割合を示したグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本書で開示される方法により処理されるガラスシートは、任意の適切な方法により形成されたものとすることができる。実施形態においてガラスシートは、フュージョンドロープロセスにより形成され得る。フュージョンドロープロセスは、オーバーフロープロセスとも称されるダウンドロープロセスである。フュージョンドロープロセスでは、ガラスを形成する溶融物が耐火トラフ内へと流れ入り、次いで制御された形でトラフの両側から溢れ出る。このプロセスの利点は、これから成形される板ガラスの表面が、いかなる耐火性材料または他の成形用設備とも接触しないことである。さらに、フュージョンドロープロセスは非常に平坦かつ均一な厚さのガラスのシートを生み出す。結果として、ディスプレイ用途のための平滑で平坦かつ均一なガラスのシートを得るために、２次的な処理を必要とすることはない。フュージョンドロープロセスでは、プロセスで使用されるガラスが液相温度で比較的高い粘度を有することが必要である。フュージョンドロープロセスを、図１を参照して以下でさらに説明する。類似のフュージョンドロープロセスが、米国特許第３，３３８，６９６号明細書および同第３，６８２，６０９号明細書に記載されており、その全体が参照することにより本書に組み込まれる。
【００１６】
例として図１を参照すると、溶融ガラスからガラスシート材料を形成するための例示的なガラス製造装置１００が概略的に描かれており、ここではフュージョンドロー装置を用いて溶融ガラスをガラスシートに成形する。ガラス製造装置１００は、溶解槽１０１、清澄槽１０３、混合槽１０４、送出槽１０８、およびフュージョンドロー装置（ＦＤＭ）１２０を備えている。ガラスバッチ材料が、矢印１０２で示されているように溶解槽１０１内へと導入される。バッチ材料は溶解されて溶融ガラス１０６を形成する。清澄槽１０３は、溶解槽１０１から溶融ガラス１０６を受け入れる高温の処理エリアを有し、ここで溶融ガラス１０６から泡が除去される。清澄槽１０３は接続管１０５によって混合槽１０４に流動的に連結されている。すなわち、清澄槽１０３から混合槽１０４へと流れる溶融ガラスは、接続管１０５を通って流れる。混合槽１０４はさらに、混合槽１０４から送出槽１０８へと流れる溶融ガラスが接続管１０７を通って流れるよう、接続管１０７によって送出槽１０８に流動的に連結されている。
【００１７】
送出槽１０８は溶融ガラス１０６を、下降管１０９を通じてＦＤＭ１２０内へと供給する。ＦＤＭ１２０は、注入口１１０と、成形槽１１１と、少なくとも１つの延伸アセンブリ１５０とが中に位置付けられた、エンクロージャ１２２を備えている。図１に示されているように、下降管１０９からの溶融ガラス１０６は、成形槽１１１につながる注入口１１０内へと流れる。成形槽１１１は、溶融ガラス１０６を受け入れる開口１１２を含み、溶融ガラス１０６はトラフ１１３内へと流れた後に溢れ出て、２つの合流側面１１４ａおよび１１４ｂを流れ落ちてからこの２つの側面が結合する底部で共に融合する。次いで延伸アセンブリ１５０がこの溶融ガラス１０６に接触して下流方向１５１に延伸し、連続したガラスシート１４８が成形される。その後、連続したガラスシート１４８は個別のガラスシートに分割され得る。
【００１８】
本書では表面処理方法を、フュージョンドロープロセスによって成形されたガラスシートと併せて使用されるものとして説明しているが、この表面処理方法は、ガラスバッチ材料を溶解して溶融ガラスを形成し、この溶融ガラスを次いでガラスシートに成形する他のプロセスから成形されたガラスシートで用いることができることを理解されたい。例として限定するものではないが、本書で説明される牽引ロールも、アップドロープロセス、スロットドロープロセス、および他の類似するプロセスと併せて利用され得る。
【００１９】
フュージョンドロープロセスで作製されたガラスシートの寸法は、特に制限されるものではなく、本書で説明される処理方法は任意の寸法を有するガラスシートに適用され得る。しかしながら、いくつかの実施形態において、処理されるガラスシートの長さは約１００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには約２００ｍｍを超えるものでもよい。いくつかの実施形態において、処理されるガラスの長さは約３００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには約４００ｍｍを超えるものでもよい。他の実施形態において、ガラスシートの長さは５００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには６００ｍｍを超えるものでもよい。さらなる実施形態において、ガラスシートの長さは７００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには８００ｍｍを超えるものでもよい。さらなる実施形態において、ガラスシートの長さは約９００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには約１０００ｍｍを超えるものでもよい。同様に、処理されるガラスシートの幅は約１００ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには約２００ｍｍを超えるものでもよい。いくつかの実施形態において、処理されるガラスの幅は約２５０ｍｍを超えるものでもよく、またはさらには約３００ｍｍを超えるものでもよい。処理されるガラスシートの厚さは、特に制限されるものではなく、本書で開示されるガラスシートを処理する方法は、薄型ガラスシートで使用され得る。実施形態において、処理されるガラスシートの厚さは約１．０ｍｍ以下でもよく、またはさらには約０．７ｍｍ以下でもよい。いくつかの実施形態において、処理されるガラスシートの厚さは約０．５ｍｍ以下でもよく、またはさらには約０．４ｍｍ以下でもよい。他の実施形態において、処理されるガラスシートの厚さは約０．３ｍｍ以下でもよく、またはさらには０．１ｍｍ以下でもよい。
【００２０】
処理されるガラスシートの組成は、特に制限されるものではなく、本書で開示される処理は任意のガラス組成に適用され得る。いくつかの実施形態において、処理されるガラスは、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ・ホウアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ土類アルミノケイ酸塩ガラス、またはアルカリ土類ホウアルミノケイ酸塩ガラスでもよい。本書では、文脈が明らかに他に指示していなければ、「アルカリ」という用語はアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓ）を称し、また「アルカリ土類」はアルカリ土類金属（例えば、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａ）を称する。
【００２１】
いくつかの実施形態において、ガラスシートのａ面は、概して約０．１ｎｍから約１００ｎｍの平均表面粗さを有し得る。例えばいくつかの実施形態において、ａ面の表面は、約０．１ｎｍから約１００ｎｍ、約０．１６ｎｍから約０．２７ｎｍ、約０．２０ｎｍから約０．２７ｎｍ、あるいはさらには約０．２２ｎｍから約０．２５ｎｍの平均表面粗さを有し得る。いくつかの実施形態において、ガラスシートのａ面の平均表面粗さは、人間の目によって知覚可能なガラスシートの視覚的特性に影響を及ぼさないようなものとすることができる。
【００２２】
上で簡単に述べたように、本開示に従って処理されるガラスシートは、ａ面とｂ面とを含み得る。ガラスシートのｂ面表面は、製造および続くハンドリングの際に機械的接触を受ける可能性があるため、ｂ面表面の品質要件はａ面表面の品質要件ほど厳しいものではなくてもよく、これによりｂ面のテクスチャリングの概念をより柔軟に実行に移すことが可能になる。ガラスシートのｂ面の変更での主な懸案事項は、人間の目で認識できない欠陥である。例えば約１００μｍを超えるｂ面上の欠陥は許容できないであろう。実施形態において、ガラスシートの約１５０μｍを超えるｂ面上の欠陥は許容できないであろう。
【００２３】
本書で説明される方法において使用されるガラスシートは、最初は本書で上述した成形プロセスを用いて得られる。成形されたままの状態（すなわち、いかなる追加の表面処理なども伴わない）では、ガラスシートは特定の用途で必要とされる厚さ寸法を有していない可能性がある。ガラスシートの望ましい厚さおよび／または厚さ均一性は、パネル薄化技術を使用して達成することができる。パネル薄化技術は、ａ面表面の品質を低下させることなくｂ面からガラス基板の厚さを減少させる、化学的または機械的な方法を含み得る。機械的薄化は、平坦化するプロセスのため、様々なｂ面表面の特徴、欠陥、および汚染物質を抑制することができる。化学的薄化は、凹みおよび窪みなどの特徴を広げ得る。ガラスのｂ面表面の化学的性質は、特に薄化プロセスの使用を制限しない。従って上で論じたような厚さは、必要であれば、薄化プロセスを使用することによって達成することができる。
【００２４】
いくつかの実施形態によれば、その意図されている用途に適した寸法と組成とを有するガラスシートが得られた後、酸溶液、塩基溶液、中性溶液、またはその混合物を含む、処理溶液を用いて、ガラスシートの少なくとも一方の面にテクスチャリングしてもよい。実施形態において開示される溶液でガラスシートにテクスチャリングすると、ガラスシートの静電放電（ＥＳＤ）性能が向上する。処理溶液への露出は、許容できるｂ面の公差限界の範囲内で、さらにガラス表面の化学的性質を変化させたり、またガラスシートの表面を変形させたりすることができる。
【００２５】
いくつかの実施形態によれば、ガラスシートを任意の適切な洗浄剤で洗浄して、粒子状物質および他の表面の汚染物質を、処理溶液での処理の前または後に除去してもよい。いくつかの実施形態において、洗浄剤は（横浜油脂工業製の）セミクリーンＫＧでもよいし、あるいは他の類似する洗浄剤でもよい。他の実施形態において洗浄剤は、他の洗剤、酸、塩基、過酸化物、またはその混合物を含み得る。洗剤は、界面活性剤、酸、塩基、およびキレート剤などを混合したものでもよい。いくつかの他の実施形態において清浄剤は、例えば、単一塩基、または過酸化物を含む塩基、単一酸、または過酸化物を含む酸など、本質的に非常に単純なものでもよい。ガラスシートを洗浄する継続時間および方法は、特に限定されるものではなく、吹付け、ディッピング、またはガラスシートの製造で使用される洗浄プロセスなど、任意の適切な方法とすることができる。
【００２６】
ガラスシートを処理溶液で処理して、ガラスシートのＥＳＤ性能を変更することができる。いくつかの実施形態において、処理溶液は塩酸（ＨＣｌ）でもよい。ＨＣｌのモル濃度は約０．１５Ｍから約０．３５Ｍでもよく、あるいはさらには約０．２Ｍから約０．３Ｍでもよい。他の実施形態において、ＨＣｌのモル濃度は約０．２５Ｍでもよい。いくつかの実施形態において、処理溶液は硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と水との混合物でもよい。いくつかの実施形態において、硫酸：水の混合物は１：４混合物でもよく、あるいはさらには１：３混合物でもよい。他の実施形態において、硫酸と水との混合物は１：２混合物でもよい。いくつかの実施形態において、処理溶液はフッ化ナトリウム（ＮａＦ）とリン酸（Ｈ3ＰＯ4）との希釈混合物でもよい。ＮａＦとＨ3ＰＯ4との例示的な混合物は、０．２ＭのＮａＦおよび１ＭのＨ3ＰＯ4の混合物でもよく、これを水で希釈して４：５混合物にしてもよい。さらに他の実施形態において、処理溶液はＨＣｌとフッ化水素酸（ＨＦ）の混合物でもよい。これらの実施形態において、ＨＣｌのモル濃度は約０．１５Ｍから約０．３５Ｍでもよく、あるいはさらには約０．２Ｍから約０．３Ｍでもよい。ＨＦはＨＣｌに、約１×１０-3Ｍ（Ｍ＝モル／Ｌ）から約１Ｍの濃度で加えてもよく、あるいはさらには約２×１０-3Ｍから約１×１０-4Ｍの濃度で加えてもよい。いくつかの実施形態では、２．５×１０-3ＭのＨＦをＨＣｌに加えてもよい。他の適切な酸として、ＨＮＯ3、酸性フッ化アンモニウム、フッ化アンモニウム、ＨＦ：ＮＨ4Ｆ混合物、ＨＦ：ＮＨ4ＨＦ混合物、あるいは他のものが挙げられる。処理溶液の他の配合も考えられ得ることを理解されたい。
【００２７】
ガラスシートを、例えば、ディップコーティング、ローラコーティング、またはスプレーコーティングなどの、任意の既知の方法によって処理溶液に露出することができる。ガラスシートを処理溶液内でディップコーティングする実施形態では、ガラスシートのａ面を覆うようにマスクを置いて、ガラスシートのａ面がテクスチャリングされるのを防いでもよい。マスク材料は特に限定されるものではなく、ガラスシートに付着することができ、かつガラスシートを処理溶液の影響から保護することができる、任意の材料を含み得る。マスク材料はさらに、処理プロセスが完了した後にガラスシートから容易に取り外されるべきである。例示的なマスクとして保護フィルム（Ｖｉｓｑｕｅｅｎまたはカプトン（Kapton））が挙げられ、これらの膜が残留物を残した場合、続く洗浄プロセスで洗い流すことができる。他の適切なマスク材料としては、フォトレジスト、ワックス、または他の除去可能なコーティングが挙げられる。
【００２８】
処理の継続時間は特に限定されるものではなく、所望のテクスチャリングを達成するのに必要な時間の間、処理は行われるべきである。いくつかの実施形態において、処理の継続時間は約０．５分から約９０分でもよく、あるいはさらには約１分から約６０分でもよく、または約５分から約３０分でもよい。いくつかの実施形態において、処理の継続時間は約１０分から約２０分でもよい。他の実施形態において、処理時間は０．５分未満でもよく、あるいはさらには０．２５分未満でもよい。さらに他の実施形態において、処理時間は０．１分未満でもよい。
【００２９】
処理が行われる温度は、ガラスシートの組成と処理溶液の組成次第で変化し得る。いくつかの実施形態において、処理が行われる温度は約２０℃から約１００℃でもよく、あるいはさらには約４０℃から約９０℃でもよい。他の実施形態において、処理が行われる温度は約４０℃から約８０℃でもよく、あるいはさらには約５０℃から約７０℃でもよい。
【００３０】
いくつかの実施形態では、処理が終わった後、処理溶液は任意の適切な方法によってガラスシートから除去され得る。例えばいくつかの実施形態では、上で論じたように、処理されたガラスシートを洗浄することによって処理溶液を除去してもよい。他の実施形態では、処理溶液を、加熱、蒸発、または任意の他の適切な手段によって除去してもよい。さらに他の実施形態において、処理溶液は、例えば強制空気、ローラ、またはブレードなどによって物理的に除去され得る。当然のことながら、処理溶液は、本開示の範囲から逸脱しない任意の方法または装置で除去され得る。
【００３１】
ガラスシートの平均表面粗さが、処理プロセスの前および後に測定され得る。平均表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定することができる。粗さは、上で定義されたＲａまたはＲｑの標準値を用いて測定される。いくつかの実施形態において、処理プロセス前のガラスシートの平均表面粗さは約０．１ｎｍから約１００ｎｍ、約０．１ｎｍから約０．３ｎｍ、あるいはさらには約０．１５ｎｍから約０．２５ｎｍである。いくつかの実施形態において、処理プロセス前の平均表面粗さは約０．２ｎｍから約０．２３ｎｍである。いくつかの実施形態では、平均表面粗さを、処理プロセスによって増加させることができる。従って、平均表面粗さを処理プロセス後に測定して、平均表面粗さの増加を処理プロセスの結果として判定してもよい。いくつかの実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．３ｎｍから約１００ｎｍ、あるいはさらには約０．３から約７５ｎｍとなり得る。他の実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．３ｎｍから約５０ｎｍ、あるいはさらには約０．３ｎｍから約２５ｎｍとなり得る。さらに他の実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．３ｎｍから約１５ｎｍ、あるいはさらには約０．４ｎｍから約１０ｎｍとなり得る。さらに他の実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．４ｎｍから約５ｎｍ、あるいはさらには約０．５ｎｍから約１．３ｎｍとなり得る。さらに他の実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．５ｎｍから約１．１５ｎｍとなり得る。他の実施形態において、処理プロセスに露出した後のガラスシートの平均表面粗さは約０．５ｎｍから約１．０ｎｍ、あるいはさらには約０．７ｎｍから約０．９ｎｍとなり得る。処理プロセスによって生じた平均表面粗さの増加は、限定するものではないが、ガラスシートの組成、処理溶液の組成、処理プロセスの継続時間、および／または処理プロセスの温度を含む、様々な条件に影響され得る。上の各パラメータを処理プロセスにおいて変更して、処理プロセス後に所望の平均表面粗さの増加を得ることができることを理解されたい。
【００３２】
いくつかの実施形態によれば、ガラスシートの平均表面粗さと静電放電（ＥＳＤ）特性との間で相関を得ることができる。特に、ガラスシートの平均表面粗さが増加すると、そのデバイスのＥＳＤ特性が向上し得る。ガラスシートのＥＳＤ特性は、ガラスシートの処理された面で電圧を測定することによって判定することができる。上で論じたように、ガラスシートの一方の面の表面は、ガラスシートのＥＳＤ特性に悪影響を及ぼす電荷を蓄積し得る。シートに亘る電圧は、蓄積電荷の目安になる。従って、ガラスシートの処理された面の電圧がゼロに近づくにつれて、ガラスシートのＥＳＤ特性は概して向上する。いかなる特定の理論にも拘束されるものではないが、ガラスシートの処理された面の平均表面粗さを増加させることによって、ガラスシートの処理された面と、異なる材料から作製された構成要素との間の接触が減少すると一般に考えられる。従って、ガラスシートの処理された面の粗さを増加させることによって、摩擦帯電は減少または最小にされ得る。本書で説明される実施形態の処理によって付与されるガラス表面の最終的な組成は、摩擦帯電機構においても役割を果たし得る。
【００３３】
いくつかの実施形態によれば、以下の実施例において示されるように、接触剥離後のガラスシートの測定電圧は、例えばガラスシートの組成、ガラスシートのサイズ、処理溶液の組成、およびその組合せ次第で変化し得る。しかしながら実施形態によれば、ガラスシートの一方の面の表面粗さが増加すると電圧の減少は実現される。この電圧の減少は、接触剥離後かつ処理前に電圧を測定し、さらに接触剥離後かつ処理後に電圧を測定することによってパーセンテージで計算され得る。いくつかの実施形態において、電圧の減少の割合は約１．５％から約４０％、あるいはさらには約２．０％から約３５％となり得る。他の実施形態において、接触剥離後の電圧の減少の割合は約３．０％から約３０％、あるいはさらには約４．０％から約２５％となり得る。さらに他の実施形態において、接触剥離後の電圧の減少の割合は約５．０％から約２０％、あるいはさらには約７．０％から約１５％となり得る。いくつかの他の実施形態において、接触剥離後の電圧の減少の割合は約１２％、あるいはさらには約１０％となり得る。
【００３４】
実施形態において、処理された面の粗さの増加およびガラスシートの電圧の増加は、ガラスの組成、ガラスのサイズ、処理溶液の組成、処理プロセスの継続時間、および処理プロセスが行われる温度次第で変化し得るが、平均表面粗さの増加は、本書で論じられる各処理溶液を用いて各ガラス組成で達成され得る。それにより、ガラスシートのＥＳＤ特性は向上され得る。
【実施例】
【００３５】
本開示は以下の例によってさらに明らかになるであろう。
【００３６】
実施例１
コーニング社製のアルミノケイ酸塩ガラスであるガラスタイプＩを、その保護用のＶｉｓｑｕｅｅｎフィルムから剥がし、標準的な洗浄プロセスを用いて４％のセミクリーンＫＧ（横浜油脂工業製）洗浄剤で洗浄した。ガラスを次いで、以下の表１に記載されているように、種々の時間および温度で種々の酸に浸した。各ガラスシートの厚さは０．５ｍｍであった。
【００３７】
【表１】
2016522144.tif 000005
【００３８】
１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートを、Harada Corporation製の市販のリフト試験機（lift tester）で試験し、さらに１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートを、このサイズのガラスシートを支持するよう変更した類似のリフト試験機で試験した。表１で特定した酸に露出した後、表面を再び４％のセミクリーンＫＧで洗浄プロセスを用いて洗浄した。接触剥離後の電圧を、クラス１００クリーンルーム内において相対湿度１２％で測定した。ガラスタイプ毎に３つのサンプルを、各サンプルで３回リフトを実施することによって結果を得る。使用した試験装置に関わりなく、同じ傾向が測定された。表面の組成（ＸＰＳ）および平均表面粗さを、試験後のガラスシートで判定した。接触剥離後の測定電圧と平均表面粗さとの間に線形関数が存在することが判定された。平均では、接触剥離後の測定電圧は、ガラスタイプで異なっていた。接触剥離後に測定された電圧間の差は、ガラスシートのサイズが大きいと、より大きいものであった。これは、より大きいガラスシートで、多数の真空ポートが使用されることによるものと考えられる。真空ポートで最初に接触すると、１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍと７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍの両方のガラスシートで摩擦帯電が生じる。７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍのシートは、真空ポート間で水平方向に前後にさらに強く引かれ、これによりさらなる摩擦帯電と電圧信号の増大が生じ、ガラスタイプ間でより大きな差をもたらした。
【００３９】
実施例２
ここで図２〜６を参照し、４つのガラスタイプを、本書で説明した処理プロセスを用いて処理した。４つの異なるガラス組成、すなわち上述のガラスタイプＩ、ガラスタイプＩＩ、ガラスタイプＩＩＩ、およびガラスタイプＩＶを試験した。４つのガラスタイプは類似した組成を有し、概してアルミノケイ酸塩ガラスのカテゴリーに入る。種々の処理溶液を使用して、表１に示したように処理済みのガラスシートを準備したが、上述したように４つの異なるガラス組成を使用した。処理プロセスが完了した後、ガラスシートの平均表面粗さと接触剥離後の電圧とを以下のように試験した。
【００４０】
１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートを、接地された３０４ＳＳチャックを備えたリフト試験機で試験した。−３９ｋＰａの真空を生成し、絶縁のべスペル（Vespel）ピン（半径５ｍｍ）を使用した。この試験はさらに、リフトピンの速度１０ｍｍ／秒および単一の真空ポートを使用した。ガラスのタイプ毎に３つのサンプルで実施し、ランダムな順序で実行した。サンプル毎に３つのリフトサイクルを実施した。リフトサイクル間で電離を用いて、ピン高さ８０ｍｍで値を報告した。リフトピンが動いている間に、ガラスでプローブ追跡を用いた。
【００４１】
１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートを、Harada Corporationから市販されているリフト試験機によって、絶縁黒色の陽極酸化されたアルミニウムチャックを用いて試験した。−９０ｋＰａの真空を生成し、絶縁のＰＯＭピン(半径２．５ｍｍ）を使用した。この試験はさらに、リフトピンの速度２７ｍｍ／秒と、単一供給により供給されるダブルチャネルの真空ポートを使用した。ガラスタイプ毎に３つのサンプルを試験し、ランダムな順序で実行した。サンプル毎に３つのリフトサイクルを実施し、リフトサイクル間で電離を用いた。ピン高さ２９ｍｍで値を報告した。リフトピンが動いている間に、プローブでガラスをなぞることは行わなかった。
【００４２】
サンプルを４％のセミクリーンＫＧを用いて洗浄プロセスで清浄にし、１時間の間クリーンルーム内で調整してから相対湿度約１２％で試験を実行した。使用されたチャックとピンは、試験の１時間前に、ＨＥＰＡ吸引してＤＩクリーンルーム用ワイパーで拭いた。ガラスタイプＩＩの１つのサンプルを使用し、試験開始時に清浄なチャックとピンを面ｂに、次いで面ａに接触させ、面毎に６回繰り返した。
【００４３】
試験の結果を図２〜６に示す。図２に異なる１０の結果が示されている。２−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、２−２は処理前のガラスタイプＩを示し、２−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との希釈混合物で処理した後のガラスタイプＩを示し、２−４はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、２−５はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、２−６はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示し、２−７は処理前のガラスタイプＩＩを示し、２−８はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、２−９は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして２−１０はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図２のグラフは、１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートで接触剥離後に測定された電圧をガラスタイプに対してプロットしたものであり、いずれのタイプの処理でもガラスの各タイプで電圧が０に近づくことを示している。
【００４４】
図３は、図２の電圧データを電圧の減少の割合で示したものである。電圧の減少の割合は、以下の方程式によって計算される。
【００４５】
【数３】
2016522144.tif 000006
【００４６】
ここで、Ｖｏはガラスシートの接触剥離後かつ処理前に測定された平均電圧であり、Ｖはガラスシートの接触剥離後かつ処理後に測定された平均電圧である。図３に異なる１０の結果が示されている。３−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、３−２は処理前のガラスタイプＩを示し、３−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との希釈混合物で処理した後のガラスタイプＩを示し、３−４はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、３−５はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、３−６はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示し、３−７は処理前のガラスタイプＩＩを示し、３−８はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、３−９は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして３−１０はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図３のグラフは、各処理が行われた後に各ガラスタイプで測定された電圧が、減少していることを示している。
【００４７】
図４に異なる１０の結果が示されている。４−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、４−２は処理前のガラスタイプＩを示し、４−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との希釈混合物で処理した後のガラスタイプＩを示し、４−４はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、４−５はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、４−６はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示し、４−７は処理前のガラスタイプＩＩを示し、４−８はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、４−９は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして４−１０はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図４のグラフは、１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートで接触剥離後に測定された電圧をガラスタイプに対してプロットしたものであり、いずれのタイプの処理でもガラスの各タイプで電圧がゼロに近づくことを示している。
【００４８】
図５は、図４の電圧データを電圧の減少の割合で示したものである。電圧の減少の割合は方程式（３）を用いて計算される。図５に異なる１０の結果が示されている。５−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、５−２は処理前のガラスタイプＩを示し、５−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との希釈混合物で処理した後のガラスタイプＩを示し、５−４はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、５−５はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、５−６はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示し、５−７は処理前のガラスタイプＩＩを示し、５−８はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、５−９は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして５−１０はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図５のグラフは、各処理が行われた後に各ガラスタイプで測定された電圧が、減少していることを示している。
【００４９】
図６に異なる１０の結果が示されている。６−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、６−２は処理前のガラスタイプＩを示し、６−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との希釈混合物で処理した後のガラスタイプＩを示し、６−４はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、６−５はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、６−６はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示し、６−７は処理前のガラスタイプＩＩを示し、６−８はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、６−９は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして６−１０はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図６のグラフは、平均表面粗さをガラスタイプに対してプロットしたものであり、ガラスの各タイプで処理プロセスが平均表面粗さの増加を生み出したことを示している。
【００５０】
図２〜６は、この例で実施される各タイプの処理が、平均表面粗さの増加を実現し、かつ電圧をゼロに近付けることを示している。しかしながら図２〜６は、種々の処理が様々なタイプのガラスで特にうまく機能することも示している。
【００５１】
ここで図７を参照すると、このグラフは、図２および６に示したようなガラスタイプＩでの、平均表面粗さと接触剥離後に測定された電圧との比較を示したものである。特に図７は、１８０ｍｍ×２３０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートでの、接触剥離後に測定された電圧対平均表面粗さのグラフを示している。図７の丸は処理前のガラスタイプＩを示し、図７の四角はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物を希釈したもので処理した後のガラスタイプＩを示し、図７の菱形はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、図７の三角はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、そして図７の矢印はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示す。図７から分かるように、平均表面粗さが増加すると、接触剥離後に測定された電圧は増加し（すなわち０に近づき）、それにより平均表面粗さと電圧との間の相関を立証する。図７の線は、プロットに対する線形回帰分析を示している。
【００５２】
ここで図８を参照すると、このグラフは、図４および６に示したガラスタイプＩでの、平均表面粗さと接触剥離後に測定された電圧との比較を示したものである。図８は、１２７ｍｍ×１２７ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートでの、接触剥離後の電圧対平均表面粗さのグラフを示している。図８の丸は処理前のガラスタイプＩを示し、図８の四角はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物を希釈したもので処理した後のガラスタイプＩを示し、図８の菱形はＨ2ＳＯ4で処理した後のガラスタイプＩを示し、図８の三角はＨＣｌで処理した後のガラスタイプＩを示し、そして図８の矢印はＨＣｌおよびＨＦで処理した後のガラスタイプＩを示す。図８から分かるように、平均表面粗さが増加すると、接触剥離後に測定された電圧は増加し（すなわち０に近づき）、それにより平均表面粗さと電圧との間の相関を立証する。図８の線は、プロットに対する線形回帰分析を示している。
【００５３】
実施例３
実施例３では、上の実施例で論じた方法を用いてガラスタイプＩＩおよびガラスタイプＩＩＩで試験を実施した。７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートで、このガラスシートのサイズを支持するよう変更されたチャックを備えた市販のリフト試験機を、接地された３０４ＳＳチャックを用いて使用した。−３９ｋＰａの真空を生成し、絶縁のべスペルピン（半径５ｍｍ）を使用した。リフトピンの速度は１０ｍｍ／秒であり、装置は２０の真空ポートを備えたものであった。ガラスのタイプ毎に３つのサンプルを抽出し、ランダムな順序で実行した。サンプル毎に６つのリフトサイクルを実施し、リフトサイクル間で電離を用いた。ピン高さ８０ｍｍで値を報告した。リフトピンが動いている間に、プローブでガラスをなぞった。サンプルを標準的な洗浄プロセスを用いて４％のセミクリーンＫＧで清浄にし、１時間の間クリーンルーム内で調整してから相対湿度約１２％で試験を実行した。チャックとピンは、試験の１時間前に、ＨＥＰＡ吸引してＤＩクリーンルーム用ワイパーで拭いた。ガラスタイプＩＩの１つのサンプルを使用し、試験開始時に清浄なチャックとピンを面ｂに、次いで面ａに接触させ、面毎に６回繰り返した。
【００５４】
ここで、試験の結果を示している図９を参照する。図９において、９−１は処理前のガラスタイプＩＩを示し、９−２はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、９−３は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして９−４はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図９は、接触剥離後に測定された電圧対ガラスタイプを示し、処理によって電圧が増加した（すなわち０に近づく）ことを示唆している。
【００５５】
図１０は、図９の電圧データを電圧の減少の割合で示したものである。電圧の減少の割合は方程式（３）を用いて計算される。図１０において、１０−１は処理前のガラスタイプＩＩを示し、１０−２はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、１０−３は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして１０−４はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図１０のグラフは、各処理が行われた後に各ガラスタイプで測定された電圧が、減少していることを示している。
【００５６】
実施例４
実施例４では、上の実施例で論じた方法を用いて、ガラスタイプＩＶ、ガラスタイプＩＩ、およびガラスタイプＶで試験を実施した。７３０ｍｍ×９２０ｍｍ×０．５ｍｍのガラスシートで、このガラスシートのサイズを支持するよう変更されたチャックを備えた市販のリフト試験機を使用した。チャックは接地された３０４ＳＳであった。−３９ｋＰａの真空を生成し、絶縁のべスペルピン（半径５ｍｍ）を使用した。リフトピンの速度は１０ｍｍ／秒であり、装置は２０の真空ポートを備えたものであった。ガラスのタイプ毎に３つのサンプルを試験し、ランダムな順序で実行した。サンプル毎に３つのリフトサイクルを実施し、リフトサイクル間で電離を用いた。ピン高さ８０ｍｍで値を報告した。
【００５７】
ここで、試験の結果を示している図１１を参照する。図１１において、１１−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、１１−２は処理前のガラスタイプＩＩを示し、１１−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、１１−４は処理前のガラスタイプＶを示し、そして１１−５はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＶを示す。図１１は、接触剥離後に測定された電圧対ガラスタイプを示し、処理によって電圧が増加した（すなわち０に近づく）ことを示唆している。
【００５８】
図１２は、図１１の電圧データを電圧の減少の割合で示したものである。電圧の減少の割合は方程式（３）を用いて計算される。図１２において、１２−１は処理前のガラスタイプＩＩを示し、１２−２はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、１２−３は処理前のガラスタイプＩＩＩを示し、そして１２−４はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩＩを示す。図１２のグラフは、各処理が行われた後に各ガラスタイプで測定された電圧が、減少していることを示している。
【００５９】
請求される主題の精神および範囲から逸脱することなく、本書において説明された実施形態の種々の改変および変形が作製可能であることは当業者には明らかであろう。従って、本書において説明された種々の実施形態の改変および変形が、添付の請求項およびその同等物の範囲内であるならば、本明細書はこのような改変および変形を含むと意図されている。
【符号の説明】
【００６０】
１００    ガラス製造装置
１２０    フュージョンドロー装置（ＦＤＭ）
１４８    ガラスシート
【図１】
2016522144.tif 000007
【図２】
2016522144.tif 000008
【図３】
2016522144.tif 000009
【図４】
2016522144.tif 000010
【図５】
2016522144.tif 000011
【図６】
2016522144.tif 000012
【図７】
2016522144.tif 000013
【図８】
2016522144.tif 000014
【図９】
2016522144.tif 000015
【図１０】
2016522144.tif 000016
【図１１】
2016522144.tif 000017
【図１２】
2016522144.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月31日(2016.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１２は、図１１の電圧データを電圧の減少の割合で示したものである。電圧の減少の割合は方程式（３）を用いて計算される。図１２において、１２−１は処理前のガラスタイプＩＶを示し、１２−２は処理前のガラスタイプＩＩを示し、１２−３はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＩＩを示し、１２−４は処理前のガラスタイプＶを示し、そして１２−５はＮａＦとＨ3ＰＯ4との混合物で処理した後のガラスタイプＶを示す。図１２のグラフは、各処理が行われた後に各ガラスタイプで測定された電圧が、減少していることを示している。
【国際調査報告】
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2016522144.tif 000020