(57)【要約】  プラズマ反応器は、イオン化可能ガス源（２５）および加熱装置（８０）に接続可能な反応チャンバ（２３）を備え、前記反応器（１０）は、金属片の加熱（Ａ）、洗浄（Ｌ）および／または表面処理（Ｓ）、冷却（Ｒ）、抜去（Ｄ）、および装填（Ｃ）の段階を受ける。設備は、各々が同じイオン化可能ガス源（２５）、同じ真空源（６０）、同じ電気エネルギー源（５０）、および同じ加熱装置（８０）に選択的かつ交互に接続される、少なくとも２つの反応器（１０）を備え、加熱装置（８０）は、その各々においてそれぞれの反応器を側方および上方に包囲する動作可能位置の間で変位可能であり、その一方でこれは金属片（１）の加熱段階（Ａ）および洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）にある。
2016536455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応器による金属片の処理のための設備であって、
支持体（３０）と、電気エネルギー源（５０）に接続可能なアノードカソードシステム（４０）と、イオン化可能ガス源（２５）に接続可能な入口（２１）と、真空源（６０）に接続可能なガス充填排出のための出口（２２）と、反応チャンバ（２３）を加熱するための加熱装置（８０）と、が設けられた反応チャンバを内部に画定する金属筐体（２０）を備えるタイプのプラズマ反応器による金属片の処理のための設備において、前記反応器（１０）は、金属片（１）の加熱段階（Ａ）、洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）、冷却段階（Ｒ）、抜去段階（Ｄ）、および装填段階（Ｃ）を受け、設備は少なくとも２つの反応器を備え、少なくとも２つの反応器は同じイオン化可能ガス源（２５）に接続されたその入口（２１）と、同じ真空源（６０）に接続されたその出口（２２）と、同じ電気エネルギー源（５０）に接続されたそのアノードカソードシステム（４０）と、を各々が選択的かつ交互に有し、加熱装置（８０）は動作可能位置の間で変位可能であり、その各々においてこれは設備のそれぞれの反応器（１０）を側方および上方に包囲し、その間前記反応器（１０）は金属片（１）の加熱段階（Ａ）および洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）にあることを特徴とする、設備。
【請求項２】
Ｎを１以上の整数とし、設備の反応器（１０）の数をＮ＋１で定義して、設備のいずれか別の反応器（１０）がその冷却段階（Ｒ）、排出段階（Ｄ）、および装填段階（Ｃ）を完了するのにかかる時間のＮ倍に対応する時間にわたって、加熱装置（８０）は、それぞれの第一反応器（１０）を包囲する動作可能位置に保持されることを特徴とする、請求項１に記載の設備。
【請求項３】
設備の別の反応器（１０）がその冷却段階（Ｒ）、抜去段階（Ｄ）、および装填段階（Ｃ）を完了するのにかかる合計時間よりも長く、前記合計の２倍よりも短い時間にわたって、加熱段階（Ａ）および洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）の間、加熱装置（８０）はそれぞれの第一反応器（１０）を包囲する動作可能位置に保持され、動作可能位置にある時間と前記合計との差は、第一反応器（１０）がその洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）を終了する前に前記別の反応器（１０）がその装填段階（Ｃ）を終了する反応器待機時間（ＴＥＲ）を定義することを特徴とする、請求項１に記載の設備。
【請求項４】
設備の別の反応器（１０）がその冷却段階（Ｒ）、抜去段階（Ｄ）、および装填段階（Ｃ）を完了するのにかかる合計時間よりも短く、前記合計時間の半分よりも長い時間にわたって、加熱段階（Ａ）および洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）の間、加熱装置（８０）はそれぞれの第一反応器（１０）を包囲する動作可能位置に保持され、動作可能位置にある時間と前記合計との差は、第一反応器（１０）の装填段階（Ｃ）の終了を待つ間、加熱装置（８０）およびイオン化可能ガス源（２５）、真空源（６０）、および電気エネルギー源５０が動作不能のままでいる加熱器待機時間（ＴＥＡ）を定義することを特徴とする、請求項１に記載の設備。
【請求項５】
反応器（１０）の各々は、それぞれの導管（２６）および共通導管（２８）によってイオン化可能ガス源（２５）に接続可能なその入口（２１）であって、導管（２６）の各々には制御弁（２７）が設けられている、入口（２１）と、それぞれのダクト（６１）および共通ダクト（６３）によって真空源（６０）に接続可能なその出口（２２）であって、ダクト（６１）の各々には遮断弁（６２）が設けられている、出口（２２）と、設備の反応器（１０）の各々に選択的かつ交互に電力供給するために、スイッチシステム（７０）によって電気エネルギー源（５０）に選択的に接続可能なそのアノードカソードシステム（４０）と、を有することを特徴とする、請求項２から４のいずれか一項に記載の設備。
【請求項６】
スイッチシステム（７０）は、洗浄段階（Ｌ）および表面処理段階（Ｓ）のうちの１つから前記作業の他方が同じ反応器（１０）の中で実行されるように変更された時に、各反応器（１０）のアノードカソードシステム（４０）のアノードとカソードとの間の極性反転を提供することを特徴とする、請求項５に記載の設備。
【請求項７】
制御弁（２７）および遮断弁（６２）の両方ならびにスイッチシステム（７０）に動作可能に関連付けられ、その選択的動作を制御する、制御パネル（Ｐ）をさらに備えることを特徴とする、請求項６に記載の設備。
【請求項８】
加熱装置（８０）は、これを側方および上方に包囲して、その中に加熱装置（８０）が収容および固定される加熱チャンバ（８２）を画定する、外殻（８１）を備え、加熱装置（８０）は、それぞれの反応器（１０）の周りに位置する動作可能な下降位置と、それぞれの反応器（１０）から上方に変位可能な上昇位置との間で選択的に垂直に変位可能であり、加熱装置（８０）は、新しい動作可能な下降位置へ垂直に変位させられるように、上昇位置から、設備のいずれか別の反応器（１０）の上に垂直整列する位置までさらに変位可能であり、そこで前記別の反応器（１０）を包囲することを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の設備。
【請求項９】
２つの反応器（１０）の間に位置する１対のレール（９２）上で変位可能な構造フレームの形態の車（９０）によって画定される昇降および並進手段（ＥＴ）をさらに備え、前記車（９０）は、加熱装置（８０）が中に実装された昇降装置（９１）を運ぶことを特徴とする、請求項８に記載の設備。
【請求項１０】
反応器（１０）内の洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）が終了した時、前記反応器（１０）に選択的に適用される冷却装置（１００）をさらに備えることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の設備。
【請求項１１】
各反応器（１０）に１つの冷却装置（１００）を備え、各冷却装置（１００）は、下方に開放して上方に閉鎖し、排出システム（１２０）に接続される排出導管（１０２）が設けられ、それぞれの冷却装置（１００）の排出導管（１０２）のうちの１つに各々結合される吸引ダクト（１２１）が設けられた、管状筐体（１０１）を備え、前記吸引ダクト（１２１）は、それぞれの排出弁（１２２）によって共通排出装置（１２５）に接続されており、前記排出弁（１２２）は制御パネル（Ｐ）に動作可能に関連付けられていることを特徴とする、請求項１０に記載の設備。
【請求項１２】
各冷却装置（１００）は、１対のレール（１１１）上で摺動することが可能な可動フレーム（１１０）上に実装され、それぞれの反応器（１０）から離れた動作不能位置と前記反応器（１０）を側方および上方に包囲する動作可能位置との間で各冷却装置（１００）の変位を提供することを特徴とする、請求項１０に記載の設備。
【請求項１３】
請求項１で定義されるタイプのプラズマ反応器による金属片の処理のプロセスであって、
第一反応器（１０）内への金属片（１）の装填段階（Ｃ）を実行するステップと、
第一反応器（１０）の周りに選択的に配置された加熱装置（８０）による加熱段階（Ａ）を第一反応器（１０）に受けさせるステップであって、その一方でその反応チャンバ（２３）は、動作可能時間（ＴＯ）の間に、金属片（１）の洗浄段階（Ｌ）および表面処理段階（Ｓ）のうちの少なくとも１つを実行するために、同時にイオン化ガス源（２５）によって提供されるイオン化ガスの装填を供給され、真空源（６０）によるガス装填の排出および電気エネルギー源（５０）によって提供される放電を受ける、ステップと、
第一反応器（１０）から離れる方へ加熱装置（８０）を変位させ、その後新しい金属片（１）の装填段階（Ｃ）をすでに受けた別の反応器（１０）の上にこれを位置決めするステップであって、加熱装置（８０）によって前記別の反応器（１０）に加熱段階（Ａ）を受けさせ、その一方でその反応チャンバは同時にイオン化ガス源（２５）によって提供されたイオン化ガスの装填を供給されて、真空源（６０）によるガス装填の排出および電気エネルギー源（５０）によって提供される放電を受ける、ステップと、
動作不能時間（ＴＩ）の間に冷却（Ｒ）、抜去（Ｄ）、および装填（Ｃ）の段階を第一反応器（１０）に受けさせ、別の反応器（１０）内の洗浄段階（Ｌ）および／または表面処理段階（Ｓ）を終了した後に、加熱装置（８０）を再び受けるために前記第一反応器（１０）を準備するステップと、
を備えることを特徴とする、プロセス。
【請求項１４】
金属片（１）の新しいバッチがすでに装填された反応器（１０）を包囲するために加熱装置（８０）を変位させる前に、各前記反応器（１０）の動作可能時間（ＴＯ）がその動作不能時間よりも短いときに、前記反応器（１０）から離れた位置まで前記加熱装置（８０）を変位させる追加ステップを含むことを特徴とする、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
各反応器（１０）の冷却段階（Ｒ）において、これは動作可能位置にあるときに冷却装置（１００）によって側方および上方に包囲され、動作不能位置にあるときに冷却装置（１００）はそれぞれの反応器（１０）から離間していることを特徴とする、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
金属片（１）の洗浄段階（Ｌ）は、
金属片（１）をすでに支持している支持体（３０）を接地されたアノードに接続し、アノードカソードシステム（４０）のカソードを電気エネルギー源（５０）の負電位に接続するステップと、
反応チャンバ（２３）に供給されるイオン化可能ガス充填で支持体（３０）および金属片（１）を包囲するステップと、
反応器（１０）の外側から反応チャンバ（２３）の内部を、反応チャンバ（２３）の中で処理されている金属片（１）から解離される汚染物質の蒸発温度まで加熱するステップと、
アノードカソードシステム（４０）のカソードに、金属片（１）および支持体（３０）を包囲する、高運動エネルギーを有するイオンの気体プラズマの形成を生じるための放電、ならびに汚染物質の分子解離を提供するための金属片（１）における電子の衝撃を、適用するステップと、
反応チャンバ（２３）の内部から、ガス装填の、および気体状態で保持された汚染物質の排出を提供するステップと、
反応器（１０）に、冷却段階（Ｒ）を、その後金属片（１）の抜去段階（Ｄ）を受けさせるステップと、
を備えることを特徴とする、請求項１３から１５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１７】
表面処理段階（Ｓ）は、洗浄段階（Ｌ）に続いて、冷却段階（Ｒ）の前に、同じ反応器（１０）の中で実行され、
やはり反応器（１０）の外側から、新しい加熱段階（Ａ）で、その反応チャンバ（２３）の内部を所望の表面処理に必要な温度で維持するステップと、
支持体（３０）が金属片（１）を有するカソードを画定するように、アノードカソードシステム（４０）の通電極性を反転させるステップと、
反応チャンバ（２３）に供給される新しいイオン化可能ガス充填で支持体（３０）および金属片（１）を包囲するステップと、
金属片（１）および支持体（３０）を包囲する、イオンの気体プラズマの形成を提供するための放電、および金属片（１）におけるイオン衝撃を、カソードに適用するステップと、
反応チャンバ（２３）の内部から新しいガス装填の排出を提供するステップと、
反応器（１０）に、前記冷却段階（Ｒ）を、その後処理済み金属片（１）の抜去段階（Ｄ）を受けさせるステップと、
を追加ステップとして備えることを特徴とする、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
金属片（１）の表面処理段階（Ｓ）は、
金属片（１）がすでに装填された支持体（３０）をアノードカソードシステム（４０）のカソードに接続し、アノードを電気エネルギー源（５０）の負電位に接続するステップと、
支持体（３０）および金属片（１）を、反応チャンバ（２３）に供給されるイオン化可能ガス充填で包囲するステップと、
加熱段階（Ａ）の間、反応チャンバ（２３）の内部を反応器（１０）の外側から加熱し、所望の表面処理に必要な温度に加熱された状態でこれを維持するステップと、
金属片（１）および支持体（３０）を包囲する、イオンの気体プラズマの形成を提供するための放電、および金属片（１）におけるイオン衝撃を、カソードに適用するステップと、
反応チャンバ（２３）の内部からガス装填の排出を提供するステップと、
反応器（１０）が、表面処理段階（Ｓ）を受ける片の新しいバッチの装填段階（Ｃ）を受けるように、反応器（１０）に、冷却段階（Ｒ）を、その後処理済み金属片（１）の抜去段階（Ｄ）を受けさせるステップと、
を備えることを特徴とする、請求項１３から１６のいずれか一項に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属片、特に粉末冶金から得られる多孔性金属片の処理を可能にするための設備およびプロセスに関し、前記処理は、金属片の表面上または細孔内に存在する油およびその他の有機および無機汚染物質の解離および除去による洗浄段階、および任意選択的に、前記金属片の表面を熱化学的に処理する段階を備え、これらの作業は、プラズマ反応環境で、および好ましくは同じ反応器の内部で、行われる。
【背景技術】
【０００２】
多くの場合、粉末冶金によって製造された片は、焼結中に生じる寸法ばらつきのため、焼結ステップの後に較正される必要がある。工作機械の摩擦および摩耗を低減するため、ならびに較正マトリクスからの片の抽出を容易にするために、較正において潤滑油が使用される。潤滑油は同様に、焼結片およびその他の製造技術によって製造される片を保存するためにも通常使用される。たとえば、冷却油もまた金属片を加工するために使用される。
【０００３】
摩耗耐性、腐食耐性、および疲労耐性など、完成片の特性を改善することを目指して、窒化、セメンテーション、浸炭窒化などの表面熱化学処理が、しばしば使用される。これらの熱化学処理を行うために、片の表面上および細孔内の油の存在は、特に熱化学処理がプラズマを介して行われるとき、悪影響を及ぼす。
【０００４】
プラズマ窒化の間、片の細孔内および表面上に保持された油は、放電の不安定性、反応器の汚染、（たとえば窒化物によって）形成される表層の不十分な形成、および不十分な洗浄による処理を受けた材料の炭素による汚染をもたらす。このため、油は表面硬化の熱化学処理の前に完全に除去されなければならない。
【０００５】
いくつかの周知の処理方法において、表面を洗浄して熱化学的に処理する作業は異なる機器内の２つの個別のステップにおいて実行されるが、これは通常２０時間に及ぶ非常に長い処理時間を要するので、低生産性および高コストにつながる。
【０００６】
金属片からの油およびその他の有機および無機汚染物質の完全な除去を得ること、ならびに同じ熱サイクル内で前記片のその後の表面熱化学処理の段階を簡素化および短縮することを目的として、同じ出願人のブラジル特許出願第ＰＩ−０１０５５９３−３号の対象の表面洗浄のプロセスおよび処理が提案されており、これによれば、洗浄される片はプラズマ反応器の中に配置されてそのアノードに接続され、前記反応器のカソードは負電位に接続される。片は、放電によって発生するイオン化ガス、いわゆるプラズマによって包囲される。電子は、反応器アノードに接続された片の上で電子衝撃を誘発する。カソードに対する高速イオンおよび中性原子の衝突によりプラズマによって発生した熱は通常、各洗浄段階において対象とする反応に触媒作用を及ぼすのにより適したプラズマパラメータの相応の変化を必要とすることなく、分子解離した油の蒸発を提供するが、プラズマによって発生した熱は多くの場合、洗浄片に対して後続の表面処理を実行するために必要とされる処理温度を維持するのに十分ではなく、このため反応器の外側で抵抗加熱を提供する必要がある。さらに、後続の表面処理段階において必要とされる温度レベルを提供するための放電の強度の設定は、反応環境中に電気アークを生じて、片の表面損傷および片の表面上の炭素付着による汚染を引き起こし、さらなる熱化学処理を悪化させる可能性がある。
【０００７】
上記より、プラズマを発生するための放電のパラメータとは無関係に、反応器の中で、所望の表面処理に応じた均一で均等に上昇する温度を実現できるようにする解決策を記載する、やはり同じ出願人の特許出願第ＰＩ０８０３７７４−４号の対象のプロセスおよびプラズマ反応器が提案されており、これはいずれの場合も、反応環境中で電気アークの形成をもたらすことなく、目標の反応に触媒作用するのにより適している。
【０００８】
特許出願第ＰＩ０８０３７７４−４号において提案されたプロセスおよび反応器は、片の洗浄および後続の表面処理の作業が同じ反応器内で実行されることを可能にし、その温度は好ましくは抵抗性の外部加熱によって制御されて、気体プラズマによる分子解離ならびに解離した汚染物質の蒸発および排出による洗浄を可能にし、プラズマ反応器の内部は、前記汚染物質の凝縮温度よりも高い温度に維持される。
【０００９】
しかしながら、洗浄作業および表面処理作業の両方における反応器の加熱および動作段階は、片を装填および抜去する段階、ならびに片を除去または抜去するために反応器を冷却する段階の総期間よりも、通常はかなり短い期間を呈する。洗浄段階の後に表面処理段階を実行するときでさえ、加熱、洗浄、および表面処理の総期間は、反応器およびその反応チャンバ用の加速冷却システムの補助なしで実行された場合には、主に冷却時間のため、装填、抜去、および冷却段階の総期間よりもまだ短いことになる。加速冷却システムを使用するとき、洗浄および表面処理の段階のうちの少なくとも１つを含む、加熱および動作の合計時間とほぼ等しい装填、抜去、および冷却の合計時間が得られるだろう。
【００１０】
このため、加熱装置、ならびにイオン化ガス供給、真空発生、およびイオン化システムは、片の装填および抜去段階の総持続時間に加えて、反応器の漸進的な冷却の持続時間の間、動作不能のままである。すでに事前に冷却および抜去された、反応器の新規装填が完了した時に、加熱装置は反応器の内部を加熱するために再起動されてこれを所望の温度条件で維持し、その一方で、洗浄および表面処理の作業のうちの少なくとも１つを実行するために、イオン化ガス供給、真空発生、およびイオン化システムも起動する。
【００１１】
したがって、各反応器のための加熱装置の使用は：反応器の総加熱および動作時間の一部；反応器の総加熱および動作時間にほぼ等しい時間；または前記総加熱および動作時間の複数倍に対応する時間にわたって、加熱装置およびイオン化ガス供給、真空発生、およびイオン化システムを動作不能のままにするという不都合を呈する。
【００１２】
片の装填および抜去ならびに反応器の冷却の時間で表される生産性の損失に加えて、起動していない時間の間、加熱装置は停止されて冷却したままであり、反応器の冷却およびその中への片の新規装填を待ち、その後反応器の新たな加熱段階を開始するために再び起動される。上述のように、反応器の停止時間は、洗浄、表面処理、または両方の作業を連続して実行するために、反応器の加熱および動作の合計時間よりも幾分短いか、ほぼ等しいか、またはこれよりも長くてもよい。
【００１３】
加熱装置が動作不能のままでいる時間の間、イオン化ガス供給のため、真空発生のため、およびイオン化のためのシステムはまた動作不能のままであり、金属片の洗浄および／または表面処理の作業を実行するために、設備に投じた高コストにもかかわらず、生産的と見なされることを何も実行しないことが、観察される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】ブラジル国特許出願公開第ＰＩ０１０５５９３−３号明細書
【特許文献２】ブラジル国特許出願公開第ＰＩ０８０３７７４−４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
反応器の完全な動作サイクルの間の、加熱装置およびイオン化ガス供給、真空発生、およびイオン化システムの停止時間に起因する生産性の制限に関する上述の不都合の結果として、本発明の目的は、反応環境中での電気アークの形成をもたらすことなく、ならびに加熱装置およびイオン化ガス供給、真空発生、およびイオン化システムが反応器の完全な動作サイクルの間停止したままでいる時間をさらに減少または省略しながら、プラズマ発生パラメータの完全に独立したやり方で生成および制御される温度の下で、気体プラズマによる金属片の処理のための設備およびプロセスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
これらおよびその他の目的は、支持体と、電気エネルギー源に接続可能なアノードカソードシステムと、イオン化可能ガス源に接続可能な入口と、真空源に接続可能なガス充填排出のための出口と、反応チャンバを加熱するための加熱装置と、が設けられた反応チャンバを内部に画定する金属筐体を備えるタイプのプラズマ反応器による金属片の処理のための設備によって達成され、前記反応器は、金属片の加熱、洗浄および／または表面処理、冷却、抜去、および装填の段階を受ける。
【００１７】
設備は少なくとも２つの反応器を備え、少なくとも２つの反応器は同じイオン化可能ガス源に接続されたその入口と、同じ真空源に接続されたその出口と、同じ電気エネルギー源に接続されたそのアノードカソードシステムと、を各々が選択的かつ交互に有し、加熱装置は動作可能位置の間で変位可能であり、その各々においてこれは設備のそれぞれの反応器を側方および上方に包囲し、その間これは、金属片の加熱および洗浄および／または表面処理の段階のままである。
【００１８】
本発明の対象のプロセスは、設備用に上記で画定されたようなプラズマ反応器を使用し、第一反応器内に金属片を装填する段階を実行するステップと、第一反応器の周りに選択的に配置された加熱装置による加熱段階を第一反応器に受けさせるステップであって、その一方でその反応チャンバは、動作時間内に、金属片の洗浄および表面処理の作業のうちの少なくとも１つを実行するために、同時にイオン化ガス源によって供給されたイオン化ガスの装填を供給されて、真空源によるガス装填の排出および電気エネルギー源によって提供される放電を受ける、ステップと、第一反応器から離れる方へ加熱装置を変位させ、新しい金属片の装填の段階をすでに受けた別の反応器の上に前記加熱装置を位置決めするステップであって、加熱装置によって前記別の反応器に加熱段階を受けさせ、その一方でその反応チャンバは同時にイオン化ガス源によって供給されたイオン化ガスの装填を供給されて、真空源によるガス装填の排出および電気エネルギー源によって提供される放電を受ける、ステップと、動作不能時間内に冷却、抜去、および装填の段階を第一反応器に受けさせ、別の反応器内の洗浄および／または表面処理の作業を終了した後に、加熱装置を再び受けるために前記第一反応器を準備するステップと、を備える。
【００１９】
冷却システムは、反応器の抜去および装填時間に加えて、反応器の供給および動作の合計時間の少なくとも約半分、または同じ値、または複数倍に対応する総持続時間を達成する冷却時間を提供して、少なくとも第一反応器が冷却、抜去、および装填の段階のうちの少なくとも１つにある間に、加熱装置およびイオン化ガス供給のため、真空発生のため、およびイオン化のためのシステムが少なくとも１つの別の反応器に適用されることを可能にするように、設計されてもよい。
【００２０】
本発明は、本発明の一実施形態の例示によって示される以下の添付図面を参照して、記載される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】処理される金属片を支持する支持フレームをその内部に各々担持する、２つの反応器を示す、本発明の設備の可能な構成の、概略的なフロー図である。
【図２】加熱装置の停止時間が、起動したままで反応器を加熱する時間の断片を表す条件下で、単一の加熱装置によって選択的かつ交互に加熱される２つの反応器の各動作サイクルの異なる段階の間の時間関係を示すグラフである。
【図３】加熱装置の停止時間が、起動したままで反応器を加熱する時間に等しい条件下で、単一の加熱装置によって選択的かつ交互に加熱される２つの反応器の各動作サイクルの異なる段階の間の時間関係を示すグラフである。
【図４】加熱装置の停止時間が、起動したままで反応器を加熱する時間の複数倍である条件下で、単一の加熱装置によって選択的かつ交互に加熱される２つの反応器の各動作サイクルの異なる段階の間の時間関係を示すグラフである。
【図５】本発明により構築され、２つの反応器、１つの加熱装置、およびその熱風出口が吸引ダクトによって共通排出装置に接続された２つの冷却装置を使用する設備の、ある程度概略的な上面斜視図である。
【図６】その入口末端がそれぞれの反応器の上に位置している、吸引ダクトのための固定構造を簡略的にさらに示す、図５の設備の側面概略図である。
【図７】図６に示される設備の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
上述のように、および添付図面に示されるように、本発明は、イオン化可能ガス充填の入口２１およびガス充填排出の出口２２を有する金属ケーシング２０を各々が備える、少なくとも２つのプラズマ反応器１０を使用して金属片１を処理するためのプロセスおよび設備に関し、前記金属ケーシング２０は、通常その中に金属片１用の支持体３０が配置される反応チャンバ２３を内部に画定する。
【００２３】
各反応器１０の金属ケーシング２０は好ましくは耐熱鋼（たとえばステンレス鋼ＡＩＳＩ３１０または３０９）で、および支持体３０は耐熱鋼（たとえばステンレス鋼ＡＩＳＩ３１０または３０９）で形成されるが、しかし適切なプロセス温度に応じて別のタイプの材料が使用されることも可能である。
【００２４】
各反応器１０の金属ケーシング２０は、たとえば円筒形状では周囲円形壁を備える壁伸長部２０ａおよび上端壁２０ｂを有する円筒形など、角柱形状を呈する。
【００２５】
各金属ケーシング２０は、反応器１０と動作可能に関連付けられた構成部品がその中に適切に実装され、本開示を通じて記載される、基部構造Ｂ上に取り外し可能に密封および鍵をかける（ｌｏｃｋｅｄ  ｏｎ）ために、下方に開放していてもよい。
【００２６】
各反応器１０の反応チャンバ２３の中には、好ましくは単一であって反応器１０の外部にある電気エネルギー源５０と選択的に接続可能なアノードカソードシステム４０がさらに設けられており、反応チャンバ２３の入口２１は、やはり好ましくは単一のイオン化可能ガス源２５と選択的に接続可能であり、やはり反応器１０の外部に配置されて、設備の反応器１０の各々と交互に動作可能に関連付けられてもよい、真空源６０に密閉結合された出口２２である。
【００２７】
図示される実施形態において、設備は２つの反応器１０のみを有しており、各々が床または単一設備プラットフォームに直接固定されたそれぞれの基部構造Ｂ上に組み立てられている。
【００２８】
何らかの修理または保守を必要な時に反応器１０のうちの１つをその上に受けるために、たとえば２つの反応器１０の間に配置された、追加基部構造（図示せず）が設けられてもよい。
【００２９】
前記構成において、２つの反応器１０の各々は、導管２６によってイオン化可能ガス源２５に、およびそれぞれのダクト６１によって真空源６０にそれぞれ接続可能な、その反応チャンバ２３の入口２１および出口２２を有する。
【００３０】
導管２６の各々には、共通導管２８によって制御弁２７に供給するイオン化可能ガス源２５から、その動作時に反応器１０の各々へのイオン化可能ガスの選択的供給を可能にするための制御弁２７、通常は電磁弁が、設けられる。イオン化可能ガス源２５は、プロセスに必要なガスを収容する一続きのボトル（図示せず）によって画定されてもよい。
【００３１】
同様に、ダクト６１の各々には、通常は電磁駆動の遮断弁６２が設けられており、２つの遮断弁６２は、共通ダクト６３によって真空源６０と流体連通するよう維持されている。
【００３２】
反応器１０の各々のアノードカソードシステム４０は、支持体３０に電気的に結合された同じ電極４１、およびアノードカソードシステム４０の別の電極４１に結合された導電性要素４２を有する。
【００３３】
アノードカソードシステム４０は、前記システムのアノードおよびカソードによって画定された、その電極４１を有する。洗浄作業の間、アノードを画定する電極４１は支持体３０に結合されており、前記電極４１は接地されており、その一方で、カソードを画定する別の電極４１は、油および汚染物質の解離を伴う洗浄作業中にアノードに接続される必要がある金属片１が、後続のプラズマ熱化学表面処理段階のためにカソードに接続されるようなやり方で、アノードとカソードとの間の極性を反転させられるスイッチシステムによって、電気エネルギー源５０に電気的に結合されている。
【００３４】
スイッチシステム７０は、洗浄Ｌおよび表面処理Ｓの作業のうちの１つから、前記作業の他方が同じ反応器１０の内部で実行されるように変更された時に、アノードとカソードとの間の極性反転を提供するのみならず、それぞれの導電体５１、５２によって、それぞれの反応チャンバ２３の内部で必要なイオン化放電も提供するように、設計されている。
【００３５】
設備の各反応器１０は、たとえば金属ケーシング２０から反応チャンバ２３の内部への熱放射を生じるなど、反応器１０および反応チャンバ２３の内部を加熱するために、反応器１０の外側に、つまりその金属ケーシング２０の外側に実装された加熱装置８０によって、側方および上方に選択的に包囲されるように構築されている。
【００３６】
加熱装置８０は、それを側方および上方に包囲して、通常は適切な断熱手段（たとえば、アルミネートおよびシリケート繊維）によって被覆された炭素鋼で形成される、外殻８１を備える。外殻８１は、加熱装置８０を収容および取り付けし、設備の反応器１０の一方および他方の周りに選択的に配置される、加熱チャンバ８２を画定する。
【００３７】
加熱装置８０は、加熱装置８０が設備の反応器１０の一方または他方の周りに配置されているときに、加熱チャンバ８２の中で、たとえば金属ケーシング２０と熱的接触させられる少なくとも１つの抵抗器８３によってなど、異なるやり方で構築されてもよい。
【００３８】
加熱装置８０は、反応器１０から離れた動作不能位置と、設備の反応器１０のうちの１つを側方および上方に包囲する動作可能位置との間で、変位可能である。
【００３９】
その動作位置の間の加熱装置８０の変位は、一般的に貨物用の異なる昇降および並進手段によって、実行されてもよい。しかしながら、効率的で生産性の高い設備への関心を考慮すると、昇降および並進手段ＥＴは、単純な構造で安全に動作するものであり、特に加熱装置８０に必要とされる変位を実行するように設計されていることが、好都合である。
【００４０】
図示される構造において、昇降および並進手段ＥＴは、図１に示されるように、それぞれの反応器１０（図示せず）の周りに配置されている動作可能な下降位置と、設備の反応器１０の上端が位置するレベルから上方に変位した上昇位置との間で、加熱装置８０が垂直に変位させられるように、２つの反応器１０の間に位置して、加熱装置８０がその中に実装された昇降装置９１を運ぶ、１対のレール９２の上で変位可能な構造フレームの形態の車９０によって、画定される。上昇位置において、加熱装置８０は、車９０とともに、洗浄および表面処理作業を実行するための加熱段階の間、反応器１０のいずれかの上に垂直整列して配置され、その後これを包囲するために下降させられるように、変位させられてもよい。
【００４１】
車９０の変位および昇降装置９１の垂直変位は、その動作を異なるレベルで自動化させることが可能な、通常は制御パネルＰによって電力供給および命令される、周知の作動手段（図示せず）の手動または自動駆動によって実行されてもよい。制御パネルＰは、設備の動作命令指示が前記装置に送信されて設備の所望の動作を可能にすることができるように、制御弁２７および遮断弁６２に、そしてスイッチシステム７０に、および車９０および昇降装置９１の駆動手段に、動作可能に結合されている。
【００４２】
このため、単一の加熱装置８０、単一のイオン化可能ガス源２５、単一の真空源６０、および単一の電気エネルギー源５０は、反応器１０が加熱されて洗浄および／または表面処理段階で動作している状態にあるときに、反応器１０の周りに加熱装置８０を配置することによって、熱損失および生産性の損失を最小化しながら、特に連続的に、または短い停止時間で使用されてもよく、その一方で、もしあれば別の１つまたは複数の反応器１０は、すでに処理済みの片の冷却または抜去の段階、あるいはまた処理される片の新しいバッチを装填する段階にある。
【００４３】
単一の加熱装置８０がいずれかの反応器１０の周りで交互に動作するために、設備の反応器１０は、すでに上述されて図１に示されたように、流体および電気エネルギー伝達用のマニホールドによって、イオン化可能ガス源２５に、真空源６０に、および電気エネルギー源５０に、交互に選択的に接続される。
【００４４】
本発明によって提案される設備を用いると、金属片の処理のプロセスは、反応器１０の加熱段階Ａおよび洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓの合計時間と、反応器１０の冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階の合計時間との間の異なる関係性を示す、図２、図３、および図４に概略的に示される以下の例示的ステップによって、生産性を増加させて実行されてもよい。
【００４５】
第一反応器１０を用いる動作の初めに、これはこの第一反応器１０の上に位置する加熱装置８０による装填段階Ｃを受ける。第一反応器１０の装填段階Ｃが終了すると、加熱装置８０は、第一反応器１０を包囲してその加熱段階Ａを開始するために、昇降装置９１によって下方に変位させられ、その一方でその反応チャンバ２３は、イオン化可能ガス源２５によって提供されてそれぞれの制御弁２７によって向きづけされる、イオン化ガスの装填が供給される。
【００４６】
反応チャンバ２３の温度が加熱装置８０によって洗浄および表面処理作業のうちの少なくとも１つに必要とされる値まで上昇させられると、制御パネルＰは、電気エネルギー源５０から、反応チャンバ２３の中の放電の発生を可能にして、ガスのイオン化およびプラズマの形成を引き起こす。洗浄および表面処理作業の間、第一反応器１０の反応チャンバ２３は、その内部から、ガス装填および気体状態の汚染物質の排出を受ける。
【００４７】
洗浄および／または表面処理作業を終了すると、真空源６０、イオン化可能ガス源２５、および電気エネルギー源５０は、制御パネルＰからの命令によって第一反応器１０から切り離され、加熱装置８０は昇降装置９１によって上昇させられ、この上昇状態において、すでに装填段階Ｃを受けた設備の別の反応器１０の周りに位置するように変位させられ、その一方で第一反応器１０は、後に抜去段階Ｄおよび金属片１の新しいバッチの装填段階Ｃを受けるために、その冷却段階Ｒを開始する。
【００４８】
図２に示されるように、動作時間ＴＯ（加熱段階Ａと、洗浄Ｌおよび表面処理Ｓ段階のうちの少なくとも１つとの合計時間）が動作不能時間ＴＩ（冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階の合計時間）よりも長く、動作不能時間ＴＩの２倍よりも短いとき、別の反応器１０の洗浄Ｌおよび／または表面処理Ｓの動作が完了した時に、第一反応器１０はまだ冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階のうちの１つ以上を終了していないことになる。このため加熱装置８０は、設備の別の反応器１０がその冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階を完了するのにかかる合計時間よりも長く、しかし前記合計時間の２倍よりも短い時間にわたって、加熱段階Ａおよび洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓの間にそれぞれの第一反応器１０を包囲する、動作可能位置に保持されており、動作可能状態における時間と前記合計の差は、第一反応器１０がその洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓを終了する前の、前記別の反応器１０がその装填段階Ｃを終了する反応器待機時間ＴＥＲを定義する。
【００４９】
このような場合、反応器待機時間ＴＥＲにわたってすでに第一反応器１０が装填および待機している状態で、別の反応器１０内の洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓの間に加熱装置８０はまだ使用されており、加熱装置８０および残りの機器の清浄は別の反応器１０と共有される。
【００５０】
図２の状態で別の反応器１０の使用は２つの反応器１０の現実的に連続的な使用を許容しないものの、別の反応器１０の提供により、加熱装置８０の熱エネルギー損失を減少させながら、真空源６０、イオン化ガス源２５、および電気エネルギー源５０によって画定される、加熱装置８０および共有機器の集中的な使用、ならびに生産性のより大きいかまたは小さい向上を可能にする。使用される機器の特性およびそれによって実行される作業に応じた、動作可能時間ＴＯと動作不能時間ＴＩとの間の関係は、生産性の向上のあり得る恩恵に関連して、比較的短い反応器待機時間をもたらすだろう。
【００５１】
動作可能時間ＴＯが動作不能時間ＴＩと同等またはほぼ等しいとき、２つの反応器１０の使用により、加熱装置８０および共有機器は反応器１０の中で動作できるようになり、その一方で別の反応器１０は、図３に示されるように、冷却、抜去、および装填される。この場合、２つの反応器１０、加熱装置８０、および共有機器に適用される待機時間は実質的にない。
【００５２】
しかしながら、図４に示されるように、洗浄段階Ｌおよび表面処理段階Ｓのうちの１つのみによって、あるいは両方の段階によって定義される動作時間ＴＯは、反応器１０の加熱速度、反応時間、および低い冷却速度、および／または抜去Ｄおよび装填Ｃの段階の結果として、動作不能時間ＴＩよりも短いということが起こり得る。
【００５３】
反応時間は実行される作業の特性およびタイプ（洗浄および／または表面処理および片のタイプおよび量）に応じて変動する可能性があることを考慮して、設備から要求される動作のこれらタイプの各々において、冷却時間および加熱速度の調整があってもよい。
【００５４】
図４に示される状況において、反応器１０の洗浄Ｌおよび／または表面処理段階Ｓの作業が完了した時に、第一反応器１０は冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階のうちの１つ以上をまだ完了していないことになる。この場合、加熱装置８０および共有機器は、別の反応器１０から取り外されることになるが、しかし第一反応器１０が加熱装置８０を受けて設備の共有機器と動作可能に関連付けられるために片の新規装填によって準備されない間は、第一反応器１０内で使用されてはならない。このため、加熱装置８０および共有機器は、第一反応器１０内の装填の最後まで、使用されるように加熱器待機時間ＴＥＡにわたって待機しなければならない。
【００５５】
このような場合、加熱装置および共有機器の両方の動作能力に関連して、特定のエネルギー損失および生産性の損失も生じる。
【００５６】
加熱器待機時間ＴＥＡの持続時間に応じて、別の追加反応器１０（たとえば、第三反応器）を使用して、図２の例示的状態においてすでに記載されたように、待機時間が加熱器待機時間ＴＥＡから反応器待機時間ＴＥＲに変換されるようにすることが、有利になるかもしれない。
【００５７】
動作可能時間ＴＯは動作不能時間ＴＩの半分に対応することがさらに起こるかも知れず、この場合、加熱装置８０を含む単一セットの共有機器を有する３つの反応器１０の使用により、反応器待機時間ＴＥＲおよび加熱器待機時間ＴＥＡを実質的にゼロまで短縮できるようにする。
【００５８】
これにより、反応器待機時間ＴＥＲおよび加熱器待機時間ＴＥＡを伴わず、またＮを１以上の整数として動作可能時間ＴＯのＮ倍に等しい反応器の動作不能時間ＴＩを提供するように設計された機器を用いて、設備全体の集中的な使用を得るために、Ｎ＋１個の反応器１０が提供されるべきである。
【００５９】
設備内で制御されることが可能な時間パラメータのうちの１つは、冷却段階Ｒの時間である。図示される構造において、冷却時間は、前記反応器１０内の洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓが終了した時に設備の反応器１０に選択的に適用される、冷却装置１００の動作によって定義される。本発明において提案される冷却装置１００の比較的低いコストにより、各反応器１０に１つの冷却装置１００が使用される。
【００６０】
各冷却装置１００は、金属製で全体的に円筒形の、上方に開放して下方に閉鎖し、排出システム１２０に接続される排出導管１０２が設けられ、それぞれの冷却装置１００の排出導管１０２のうちの１つに各々結合される吸引ダクト１２１が設けられた、管状筐体１０１を備え、前記吸引ダクト１２１は、それぞれの排出弁１２２（図１参照）によって通常はファンの形態の共有排出装置１２５に接続されており、これは排出弁１２２のうちの１つの開放および他方の閉鎖によって選択的かつ交互に、冷却装置１００の内部を通じて上向きの気流を発生することができる。
【００６１】
通常は電磁性の排出弁１２２は、設備の構成要素の代替的な動作条件に応じて、制御パネルＰから手動または自動で駆動されてもよい。
【００６２】
各管状筐体１０１は、それぞれの反応器１０から離れた動作不能位置と前記反応器１０を側方および上方に包囲する動作可能位置との間で各冷却装置１００を変位させるために、１対のレール１１１上で摺動するために可動フレーム１１０内に実装される。
【００６３】
図示される実施形態において、冷却装置１００の各々は、２つの反応器１０の外側でそれぞれの反応器１０に対応するレベルに維持され、これらに対して同じ配列で配置されている。各冷却装置１００は、冷却段階Ｒの間にそれぞれの反応器１０を側方および上方に包囲するために、反応器１０の方向へ冷却装置１００が水平変位した時に管状筐体１０１の開放を可能にするために垂直に関節接続された１対の円筒形側方壁部を備える、その管状筐体１０１を有する。
【００６４】
しかしながら、動作不能位置と動作可能位置との間の各冷却装置１００の変位が異なるやり方で実行されてもよいことは理解されるべきであり、設備の反応器１０の各々に対して交互に動作させるために単一の冷却装置１００を使用することもまた、可能である。
【００６５】
図５において、動作不能位置と動作可能位置との間の各冷却装置１００の変位を可能にするために、いずれの冷却装置１００もそれぞれの吸引ダクト１２１を通じて共有排出装置１２５に常時接続されたままである。別のやり方では、図６および図７において、吸引ダクト１２１は、それぞれの反応器１０を包囲する動作可能位置に変位させられたときにのみ、各冷却装置１００のそれぞれの排出導管１０２と嵌合するために、反応器１０と垂直に整列して配置される。
【００６６】
本明細書に記載された限りの発明は、以下に述べられるステップによって、金属片１の洗浄Ｌおよび表面処理Ｓの段階のうちの少なくとも１つを含む、処理プロセスに関する。
【００６７】
設備の動作は、第一反応器１０の中への金属片１の装填段階Ｃを実行することによって始まってもよく、これはその後、第一反応器１０の周りに選択的に配置された加熱装置８０による加熱段階Ａを受け、その一方でその反応チャンバ２３は同時にイオン化ガス源２５によって供給されるイオン化ガスの装填が供給されて、洗浄Ｌおよび表面処理Ｓの段階のうちの少なくとも１つを動作可能時間ＴＯ内で実行するために、真空源６０によるガス装填の排出、ならびに電気エネルギー源５０によって提供される放電を受ける。
【００６８】
洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓが終了した時に、加熱装置８０は第一反応器１０から離れる方へ変位させられ、その後、すでに新しい金属片１の装填段階Ｃを受けた別の反応器１０の上に配置され、前記別の反応器１０に、加熱装置８０による加熱段階Ａを受けさせ、その一方でその反応チャンバ２３は同時に、イオン化ガス源２５によって供給されるイオン化ガスの装填が供給され、真空源６０によるガス装填の排出、ならびに電気エネルギー源５０によって提供される放電を受ける。
【００６９】
第一反応器１０の洗浄Ｌおよび／または表面処理Ｓの段階が完了した時に、これは動作不能時間ＴＩの間に冷却Ｒ、抜去Ｄ、および装填Ｃの段階を受けてもよく、別の反応器１０内の洗浄段階Ｌおよび／または表面処理段階Ｓの終了後に、前記第一反応器１０がもう一度加熱装置８０を受ける準備をする。
【００７０】
先に記載されたように、本プロセスはまた好ましくは、金属片１の新規装填がすでに装填された反応器１０を包囲するために前記加熱装置８０を変位させる前に、各反応器１０の動作可能時間ＴＯがその動作不能時間ＴＩよりも短いときに、反応器１０から離間した位置まで加熱装置８０を変位させる追加ステップを使用する。
【００７１】
プロセスによれば、各反応器１０の冷却段階Ｒにおいて、これは動作可能位置にあるときに冷却装置１００によって側方および上方に包囲される。動作不能位置では、冷却装置１００は、それぞれの反応器１０から離間している。
【００７２】
上記の開示からわかるように、本設備およびプロセスは、金属片の洗浄作業のみを実行するため、プラズマ処理を要する金属片の異なる熱処理を実行するため、ならびに洗浄作業の終了までにその中に収容された金属片を冷却してそこから取り出す必要性を伴わずに、洗浄作業に続いて同じ反応器内で熱化学処理を実行するために、適用されてもよい。
【００７３】
金属片の洗浄のみにおいて動作するとき、プロセスは、
ａ）金属片１を支持する支持体３０を接地されたアノードに接続し、アノードカソードシステム４０のカソードを電気エネルギー源５０の負電位に接続するステップと、
ｂ）反応器１０の反応チャンバ２３に供給されるイオン化可能ガス充填で支持体３０および金属片１を包囲するステップと、
ｃ）加熱段階Ａの間に、反応器１０の外側から反応チャンバ２３の内部を、反応チャンバ２３の中で処理されている金属片１から解離される汚染物質の蒸発温度まで加熱するステップと、
ｄ）片の洗浄段階Ｌの間、アノードカソードシステム４０のカソードに、金属片１および支持体３０を包囲する、高運動エネルギーを有するイオンの気体プラズマの形成を生じるための放電、ならびに汚染物質の分子解離を提供するための金属片１における電子の衝撃を、適用するステップと、
ｅ）反応チャンバ２３の内部から、ガス装填の、および気体状態で保持された汚染物質の排出を提供するステップと、
ｆ）反応器１０が、洗浄段階Ｌを受ける片の新しいバッチの装填段階Ｃを受けるように、反応器１０に、冷却段階Ｒを、その後きれいな金属片１の抜去段階Ｄを受けさせるステップと、
を備える。
【００７４】
その一方で、金属片１の表面処理段階Ｓのみにおいて動作するとき、プロセスは、
ａ）金属片１がすでに装填された支持体３０をアノードカソードシステム４０のカソードに接続し、アノードを電気エネルギー源５０の負電位に接続するステップと、
ｂ）支持体３０および金属片１を、反応チャンバに供給されるイオン化可能ガス充填で包囲するステップと、
ｃ）加熱段階Ａの間、反応チャンバ２３の内部を反応器１０の外側から加熱し、所望の熱化学表面処理に必要な温度に加熱された状態でこれを維持するステップと、
ｄ）金属片１および支持体３０を包囲する、イオンの気体プラズマの形成を提供するための放電、および金属片１におけるイオン衝撃を、カソードに適用するステップと、
ｅ）反応チャンバ２３の内部からガス装填の排出を提供するステップと、
ｆ）反応器１０が、表面処理段階Ｓを受ける片の新しいバッチの装填段階Ｃを受けるように、反応器１０に、冷却段階Ｒを、そして引き続き処理済み金属片１の抜去段階Ｄを受けさせるステップと、
を備える。
【００７５】
すでに述べられたように、設備およびプロセスは、反応器から金属片を取り出す必要性を伴わずに、つまりこれが冷却、きれいな片の抜去、および同じかまたは別の反応器へのきれいな片の装填の段階を受ける必要性を伴わずに、金属片の表面処理作業が前記片の洗浄作業に続いて実行されることを、可能にする。
【００７６】
このような場合、表面処理段階Ｓは洗浄段階Ｌに続いて実行され、洗浄段階の終了までに冷却段階Ｒを受けない同じ反応器１０内で、金属片１の表面処理段階Ｓの追加ステップを備え、前記追加ステップは、
ｆ）やはり反応器の外側から、および新しい加熱段階Ａにおいて、その反応チャンバ２３の内部を所望の熱化学表面処理に必要な温度で維持するステップと、
ｇ）金属片１を有する支持体３０がカソードを画定するように、アノードカソードシステム４０の通電極性を反転させるステップと、
ｈ）反応チャンバ２３に供給される新しいイオン化可能ガス充填で支持体３０および金属片１を包囲するステップと、
ｉ）金属片１および支持体３０を包囲する、イオンの気体プラズマの形成を提供するための放電、および金属片１におけるイオン衝撃を、カソードに適用するステップと、
ｊ）反応チャンバ２３の内部からガス装填の排出を提供するステップと、
ｋ）反応器１０が、洗浄段階Ｌおよび表面処理段階Ｓを受ける片の新しいバッチの装填段階Ｃを受けるように、反応器１０に、冷却段階Ｒを、その後処理済み金属片１の抜去段階Ｄを受けさせるステップと、
を備える。
【００７７】
本明細書に添付の請求項で定義される構造的概念から逸脱することなく、構成要素の形状および配置において変更がなされてもよいことは、理解されるべきである。
【図１】
2016536455.tif 000003
【図２】
2016536455.tif 000004
【図３】
2016536455.tif 000005
【図４】
2016536455.tif 000006
【図５】
2016536455.tif 000007
【図６】
2016536455.tif 000008
【図７】
2016536455.tif 000009
【国際調査報告】
2016536455.tif 000010
2016536455.tif 000011
2016536455.tif 000012