(57)【要約】  本開示の例示的態様による装置は、特に、基板と、基板上の少なくとも１つの半導体光検知器と、基板上の光導波路とを含む。光導波路は、少なくとも１つの光検知器、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは基板の表面上の１つもしくは複数の隆起部へ光を導くように構成されている。１つもしくは複数のバイアまたは隆起部は、光導波路の外部から少なくとも１つの半導体光検知器の方へ表面に沿って伝搬する光を少なくとも部分的に遮断するように構成されている。
2016540242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の少なくとも１つの半導体光検知器と、
前記少なくとも１つの光検知器に光を導くように構成された、前記基板上の光導波路と、
前記光導波路の外部から前記少なくとも１つの半導体光検知器の方へ前記基板の表面に沿って伝搬する光を少なくとも部分的に遮断するように構成され、前記少なくとも１つの半導体光検知器を水平方向に取り囲む、前記基板の前記表面における１つもしくは複数のバイアまたは前記表面上の１つもしくは複数の隆起部と
を備える、装置。
【請求項２】
前記検知器の近傍における前記基板の表面上の光吸収性材料または光反射性材料を含み、前記光吸収性材料が、前記光導波路の外部から前記少なくとも１つの半導体光検知器の方へ前記表面に沿って伝搬する光の少なくとも一部を、吸収または反射するように構成されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板の表面における前記１つもしくは複数のバイアまたは前記基板の前記表面上の１つもしくは複数の隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含み、
前記複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、および／またはＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記光導波路に隣接して配置された前記１つまたは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、前記光導波路の前記隣接するセグメントを横切るような向きにされている、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記１つまたは複数のバイアまたは隆起部の前記セグメントが、前記光導波路の隣接するセグメントに対して斜めの向きにされている、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上の少なくとも１つの半導体光検知器と、
前記基板上の光導波路と、
前記少なくとも１つの半導体光検知器を水平方向に取り囲み、前記基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは前記基板の前記表面上の１つもしくは複数の隆起部と
を含む装置を作動させる方法であって、
前記光導波路を使用して、前記少なくとも１つの検知器に光を導くステップと、
前記光導波路の外部から前記少なくとも１つの半導体光検知器の方へ前記表面に沿って伝搬する光を、遮断用の前記１つもしくは複数のバイアまたは隆起部を使用して、少なくとも部分的に遮断するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記装置が、
前記少なくとも１つの半導体光検知器の近傍における前記基板の表面上に、光吸収性材料または光反射性材料を含み、
前記方法が、前記光導波路の外部から前記少なくとも１つの半導体光検知器の方へ前記表面に沿って伝搬する光の少なくとも一部を、前記光吸収性材料を使用して、吸収または反射するステップを含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の表面における前記１つもしくは複数のバイアまたは前記基板の前記表面上の前記１つもしくは複数の隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含み、
前記複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、および／またはＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記光導波路に隣接して配置された前記１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、前記光導波路の前記隣接するセグメントを横切るような向きにされている、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、前記光導波路の隣接するセグメントに対して斜めの向きにされている、
請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
この段落は、本発明のより良い理解を促進するのに役立ち得る態様を紹介する。したがって、この段落の記述は、この観点から読まれるべきであり、従来技術に存在するもの、または従来技術に存在しないものに関する自認として理解されるべきではない。
【０００２】
パワーモニタまたは光検知器は、様々な状況において有用である。たとえば、多くの光学部品は、入力光パワーを監視するオンチップ・パワーモニタを含む。そのような部品の１つはコヒーレント受信器を含む。典型的には、コヒーレント受信器が動作するには、２つの光信号が必要とされる。それらの光信号のうちの一方は、データ搬送信号と称され、他方は、局部発振器信号と称され得る。局部発振器信号のパワーは、典型的には、データ搬送信号のパワーよりも著しく高くなり得る。
【発明の概要】
【０００３】
本開示の例示的態様による装置は、特に、基板と、基板上の少なくとも１つの半導体光検知器と、基板上の光導波路とを含む。光導波路は、少なくとも１つの光検知器に光を導くように構成されており、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは基板の表面上の１つもしくは複数の隆起部は、光導波路の外部から少なくとも１つの半導体光検知器の方へ表面に沿って伝搬する光を少なくとも部分的に遮断するように構成されている。
【０００４】
前述の段落の装置のさらなる非限定的な実施形態では、検知器の近傍における基板の表面上の光吸収性材料または光反射性材料が、光導波路の外部から少なくとも１つの半導体光検知器の方へ表面に沿って伝搬する光の少なくとも一部を吸収または反射するように構成されている。
【０００５】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは基板の表面上の１つもしくは複数の隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含み、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、および／またはＬバンドのうちの１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する。
【０００６】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは１つもしくは複数の隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、およびＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する複数のバイアを含む。
【０００７】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、光導波路に隣接して配置された１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、光導波路の隣接するセグメントを横切るような向きにされている。
【０００８】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、およびＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する複数の隆起部を含む。
【０００９】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、光導波路の隣接セグメントに対して斜めの向きにされている。
【００１０】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、光検知器が、基板の表面上に少なくとも部分的に位置している。
【００１１】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光検知器を実質的に取り囲む。
【００１２】
前述の段落のいずれかの装置のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含む。
【００１３】
本開示の別の例示的態様による、装置を作動させる方法は、特に、基板と、基板上の少なくとも１つの半導体光検知器と、基板上の光導波路と、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは基板の表面上の１つもしくは複数の隆起部とを含む。光は、光導波路を使用して、少なくとも１つの検知器へ導かれる。光導波路の外部から少なくとも１つの半導体光検知器の方へ表面に沿って伝搬する光は、遮断用の１つもしくは複数のバイアまたは隆起部を使用して、少なくとも部分的に遮断される。
【００１４】
前述の段落の方法のさらなる非限定的な実施形態では、本装置は、少なくとも１つの半導体光検知器の近傍における基板の表面上に、光吸収性材料または光反射性材料を含み、本方法は、光導波路の外部から少なくとも１つの半導体光検知器の方へ表面に沿って伝搬する光の少なくとも一部を、光吸収性材料を用いて、吸収または反射するステップを含む。
【００１５】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは基板の表面上の１つもしくは複数の隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含み、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、および／またはＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する。
【００１６】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、基板の表面における１つもしくは複数のバイアまたは１つもしくは複数の隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、およびＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する複数のバイアを含む。
【００１７】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、光導波路に隣接して配置された１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、光導波路の隣接するセグメントを横切るような向きにされている。
【００１８】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光通信のＳバンド、Ｃバンド、およびＬバンドのうち１つまたは複数の光のためのブラッグ反射器を形成する複数の隆起部を含む。
【００１９】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部のセグメントが、光導波路の隣接するセグメントに対して斜めの向きにされている。
【００２０】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、光検知器が、基板の表面上に少なくとも部分的に位置している。
【００２１】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、光検知器を実質的に取り囲む。
【００２２】
前述の段落のいずれかの方法のさらなる非限定的な実施形態では、１つもしくは複数のバイアまたは隆起部が、複数のバイアまたは複数の隆起部を含む。
【００２３】
当業者には、以下の詳細な説明から、少なくとも１つの開示された例示的実施形態の様々な特徴および利点が明らかになるであろう。詳細な説明を伴う図面は、以下のように概説され得る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】光検知器の例示的実施形態を示す概略図である。
【図２】例示的バイアのプロファイルを示す、図１のライン２−２に沿って得られた断面図である。
【図３】別の例示的バイアのプロファイルの断面図である。
【図４】別の例示的バイアのプロファイルの断面図である。
【図５】別の例示的光検知器の構成を示す概略図である。
【図６】別の例示的光検知器の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１は、光検知器２０の選択された部分を概略的に示す。いくつかの実施形態では、光検知器デバイス２０は、光集積回路などの光学部品の一部分である。そのような実施形態の光検知器２０は、たとえば入力信号のパワーを監視するのに役立ち得る。
【００２６】
「光」という用語は、この説明では、可視波長または赤外線波長における電磁放射を指すために用いられる。たとえば、光は、光通信のＣバンド、Ｌバンドおよび／またはＳバンドの波長を有し得る。
【００２７】
光検知器２０は、基板２２を含み、基板２２は、図示の例ではシリコンを含む。他の実施形態は、様々な基板材料を含む。少なくとも１つの光検知器２４が、基板２２上に支持されている。光検知器２４は、可視光、紫外光および／または赤外光を感知することができる様々な既知の光検知器（たとえばダイオードまたはトランジスタ）のうちの１つでよい。光検知器２４は、光検知器２４上に入射する光の指標をもたらす。たとえば、光検知器２４は、検知器２４上に入射する光のパワーの指標をもたらし得る。
【００２８】
基板２２上のチャネル２６は、光を光検知器２４の方へ屈折率導波を行う（index-guide）ように構成された光導波路である。チャネル２６は、チャネル２６への入口３０と、光検知器２４の近くの出口３４とを含む。チャネル２６は、光がチャネル２６の前後軸３６に沿って伝搬するように導く。
【００２９】
チャネル２６が、光を、光検知器２４の方へ伝搬するように導き得る一方で、散乱光などの他の光は、チャネル２６の導波方向に対して平行または横向きであり得る少なくとも１つの他の軌道に沿って光検知器２４に近づき得る。たとえば、より大きいパワーの局部発振器入力信号を含む光集積回路の実施形態では、局部発振器が著しい量の散乱光を生成し得る。チャネル２６が、光信号を、光検知器２４によって検知されるように、チャネル２６に沿って導く一方で、光検知器２４の近傍には、局部発振器からの散乱光などの他の光が存在する可能性がある。
【００３０】
図１および図２から理解され得るように、デバイス２０は、少なくとも１つの面に沿った少なくとも１つの表面変化を含み、光はこの面に沿って検知器２４に近づき得る。この例では、表面変化は、基板における少なくとも１つのバイア４０を含む。図示の例は複数のバイア４０を含む。１つまたは複数のバイア４０が、光検知器２４を含んでいる基板２２上の領域を水平方向に取り囲む。１つまたは複数のバイア４０は、光検知器２４に達する散乱光または迷光の量または強度を低減するように位置している。バイア４０は、チャネル２６の外部から基板２２の表面に沿って光検知器２４に近づく光線を少なくとも部分的に遮断するように配置されている。１つまたは複数のバイア４０が、バイア４０と基板２２の間の境界面に沿って伝搬する光を偏向または反射する。そのような光の偏向または反射は、基板材料（たとえば、シリコン）と、１つまたは複数のバイア４０の中の空気、真空または何らかの他の光学的に透過性の光学材料との間の屈折率差のために生じるものである。
【００３１】
１つまたは複数のバイア４０は、チャネル２６に隣接して、チャネル２６の方向を少なくとも部分的に横切るように配列されている。すなわち、チャネル２６に隣接した、バイア４０の方向は、チャネル２６の軸３６を少なくとも部分的に横切る長さｌを有する。たとえば、バイアの隣接する部分は、チャネル２６に対して垂直であってもよい。図示の例における各バイアの深さｄは、一般には、チャネル２６の軸３６に対して垂直である。典型的には、１つまたは複数のバイア４０は、チャネル２６内の光と実質的に干渉しないように基板２２上に位置している。たとえば、１つまたは複数のバイア４０は、典型的には、チャネル２６と交差せず、間隙によってチャネル２６から分離されてもよい。そのような間隙は、たとえば、チャネル２６によって導かれる光が１つまたは複数のバイア２６によって著しく反射かまたは散乱されることのないように十分に大きくなり得る。
【００３２】
図２に示される１つまたは複数のバイア４０は、たとえば、およそ長方形の断面プロファイルを有する。そのような実施形態では、各バイアが、側壁４２と端壁４４とを含む。バイア４０の外縁（すなわち、基板２２の表面）から端壁４４までの距離は、この例の深さｄに対応する。他の実施形態では、１つまたは複数のバイア４０の断面形状は、たとえば、湾曲した形状、半円形、台形などであり得る。
【００３３】
図３は、バイア４０の単純に接続されたものではない断面プロファイルの一例を示す。このプロファイルに関して、側壁４２は、チャネル２６における伝搬方向に対して斜角で配列される１つまたは複数のセグメント４２ａおよび４２ｂを有する。そのような斜めの向きにされた１つまたは複数の側壁４２は、バイア４０内で光を偏向もしくは反射させ、または光検知器２４から遠ざかるように光を偏向もしくは反射させ得る。
【００３４】
図４は、少なくとも部分的に丸められたバイア４０の断面プロファイルの例示的実施形態を示す。
【００３５】
１つもしくは複数のバイア４０のうち少なくとも１つ、または、それらの何らかの組合せが、基板上の光検知器２４をほぼ水平方向に取り囲む場合、１つまたは複数のバイア４０は、検出器２４から離れたおよそすべての方向から光検知器２４に近づく迷光または散乱光の一部分を反射することになる。図示の実施形態では、光検知器２４のそれぞれの側面に少なくとも１つのバイアのセグメントが配置されている。
【００３６】
図示のように光検知器２４の１つまたは複数の側面に沿って一連のバイア４０を含むと、当初は光検知器２４の方へ伝搬している迷光または散乱光の減衰が増加し得る。そのような一連のバイア４０の反射面が、その反射面における光の有効波長の１／４の奇数倍の間隔を置いて配置されていると、バイア４０の別々のものによる光の反射が、強め合うように加算されて、光検知器２４におけるそのような迷光または散乱光の強度をさらに減衰させ得る。光学受信器などの通信機器における使用の場合には、有効波長は、光通信Ｃバンドおよび／またはＬバンドの波長であり得る。
【００３７】
図示のバイア４０は、光検知器２４のまわりで長方形または多角形のパターンを水平方向に形成する直線状のセグメントを含んでいるが、他の実施形態では他の形状または外形が用いられ得る。
【００３８】
いくつかの実施形態は、バイア４０の組合せを含み得る。そのような組合せでは、異なるバイア４０のうちのいくつかが異なる断面プロファイルを有してもよい。そのような組合せでは、バイア４０の別々のものが、光検知器２４のまわりで、たとえば円と正方形といった異なる水平方向のパターンを形成し得る。
【００３９】
基板２２において、１つまたは複数のバイア４０が、マスク制御された１回または複数回のウェット・エッチングおよび／またはドライ・エッチングなど従来の技術を用いて形成されてよい。当業者なら、この説明に基づいて、不必要な実験をすることなく、適切なバイアを製作することができるであろう。
【００４０】
１つまたは複数のバイア４０により、光検知器２４上に入射する散乱光または迷光の量が低減され、光導波路２６に沿って意図的に導かれる光の正確な指標をもたらす、光検知器２４の能力が向上され得る。検知される迷光が低減または解消されると、光検知器２４の出力測定信号における系統的ノイズおよび／またはランダム・ノイズの量が低減され得る。したがって、デバイス２０は、１つまたは複数のバイア４０に類似のバイアを伴わない構成と比較して、対象の光に対して、より高感度となり得る。
【００４１】
図示のデバイス２０は、光検知器２４の近傍における、基板２２の少なくとも１つの領域上に光吸収性材料および／または光反射性材料５０を含み得る。図示の例では、吸収性材料５０が、光検知器２４を全体的に取り囲むようにバイア４０の両側に位置している。いくつかの例では、吸収性材料５０は、バイア４０の内部に提供される。吸収性材料５０は、光検知器２４が位置している面に沿って動いている光を吸収するように構成され得る。たとえば、光反射性材料５０が有し得るバンドギャップは、散乱光および／もしくは迷光の波長の光による電荷キャリアの励起を可能にし、かつ、そのような光のエネルギーをたとえばフォノンといった他の励起に部分的に変換するに足りるほど小さいか、またはそのように構成されている。例示の光吸収性材料および／または光反射性材料は、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、金属、または、これらの例の２つ以上の組合せを含み得る。金属の特徴の１つには、光検知器２４から離れる迷光または散乱光を反射するように配置され得、また、反射するような向きにされた表面を有し得、したがって、光反射性材料として機能するということがある。
【００４２】
バイア４０と光吸収性材料および／または光反射性材料５０とを組み合わせると、光検知器２４からの電気測定信号の信号対雑音比が増加し得る。したがって、光集積回路の実施形態では、１つもしくは複数のバイア４０ならびに／または光吸収性材料および／もしくは光反射性の材料５０が、たとえば、何もなければコヒーレント光受信器内の高出力の局部光発振器から光検知器２４上に入射するはずの光といった迷光または散乱光の量を低減するので、光検知器２４は、測定される光信号のパワーに対してより高い実効感度を有し得る。
【００４３】
図１は、光導波路２６の外部から光検知器２４に近づく迷光６０を概略的に示す。迷光６０を表す破線の太さが、迷光の強度を概略的に示す。図の左側の方には、光検知器２４の方へ向かう軌道６２に沿って導かれる最初の強度の迷光が示されている。光６０が、光吸収性材料および／または光反射性材料５０の第１の部分を通過した後、そのような光の強度は、６４で示されるように低下する。なぜならば、光吸収性材料および／または光反射性材料５０が、前記光の一部を吸収または反射したためである。
【００４４】
（図面上で）光検知器２４の左側の１つまたは複数のバイア４０も、そのような迷光６０の少なくとも一部を部分的に偏向または反射させ得、このことによって、そのような光６０の強度がさらに低下する結果となることがあり、この光は、光検知器２４に近づき続け得る。たとえば、そのような迷光または散乱光の波長に近い光の波長のためのブラッグ反射器を形成するために、１つまたは複数のバイア４０が、基板の表面に沿って比較的間隔を置いて配置されてもよい。一例として、バイア４０の隣接したバイア間の間隔は、約（Ｎ＋１／２）λであってもよく、ここで、λは、迷光が基板の表面に沿って伝搬するとき、または基板の表面に沿って、かつ、基板の表面の上を伝搬するときの迷光の有効波長である（たとえば、そのような光の波長±１０％または±２０％と等しい）。ここで、有効波長は、光通信のＣバンド、ＬバンドもしくはＳバンドにおける光の波長、および／または、光検知器４０を含むコヒーレント光受信器の局部光発振器によって放射される光の有効波長であり得る。６６における、より細い光の破線は、光検知器２４に向かう軌跡を引き続き辿る光の強度に対して１つまたは複数のバイア４０が有し得る影響を示す。
【００４５】
この例では、光吸収性材料および／または光反射性の材料５０の別の領域が、バイア４０と光検知器２４の間に配置され得る。次いで、６６における迷光または散乱光は、材料５０によって吸収または反射されるので、強度がさらに低下し得る。この例では、基本的に光６０のすべてが、光検知器２４に達するのを妨げられ得る。光吸収性材料および／または光反射性材料５０と、１つまたは複数のバイア４０（たとえば、光学的ブラッグ反射器として構成されたもの）とを組み合わせた効果が、光検知器２４における光ノイズのソースを除去するかまたは実質的に低減させ得、それによって、光導波路２６から光検知器２４上に入射する光の強度の正確な指標をもたらす光検知器２４の能力が向上する。
【００４６】
図５が示す別の例示的実施形態では、光導波路２６が横切るエリアにおいて基板２２上に位置している１つまたは複数のバイア４０の部分の長さに対して、光導波路２６が斜角をなすような向きにされている。この例における１つまたは複数のバイア４０の深さは、バイア４０の断面プロファイルのいくつかの構成については、光導波路の軸３６に対してほぼ垂直となり、他の構成については、光導波路の軸３６に対して垂直とならなくてもよい。１つまたは複数のバイア４０に対して斜角をなす光導波路２６のこの例示的な向きは、図１の下部からなど、光導波路２６に沿った方向に対応する方向から迷光または散乱光が近づくとき、光検知器２４に達する前記迷光または散乱光の強度をさらに低下させることにより、光検知器の感度をさらに増加させ得る。迷光または散乱光の実質的な部分が光検知器２４に向かう途中で交差しなければならない防壁または障壁を確立するように配置されたチャネル長さのうち少なくとも一部を含んでいる光導波路２６の他の構成も可能である。光導波路２６の長さのうち少なくとも一部は、チャネル２６の外部からのそのような迷光または散乱光の大部分が光検知器２４に向かって辿る方向を横切るように位置してよい。たとえば、光導波路２４は、コヒーレント光受信器の光学的チップ上に配置された光検知器２４と局部光発振器との間の直線を横切るように（すなわち、そこからの散乱光または迷光を遮断し、かつ減衰させるように）配置されたセグメントを有し得る。
【００４７】
図示の光導波路２６の各々は真っすぐでよいが、他の実施形態に含まれ得る光導波路２６は、チャネル２６の長手方向に沿って１つもしくは複数の曲り部または角度を含み得る。たとえば、光導波路２６は、湾曲した構成、蛇行した構成またはジグザグの構成を有し得る。
【００４８】
図１および図５のデバイス２０は、基板２２の表面に１つまたは複数のバイア４０の配列を含み得るが、他の実施形態は、図６に概略的に示されるような、基板２２の表面上の隆起部７０などの表面変化を含み得る。いくつかの例では、隆起部７０は、隆起部の少なくとも一部分の上に吸収性材料５０を含む。隆起部７０は、検知器２４に達する散乱光を減少または除去するように、様々なパターンに配置されてもよい。
【００４９】
たとえば、いくつかの実施形態は、（たとえば、光検知器２４および光導波路２６に対して）図１および図５のバイア４０とほぼ同一の相対的配置を有するそのような隆起部７０のパターンを含み得る。一例として、そのような隆起部７０は、基板２２の表面に沿っておよそブラッグ反射器を形成するように配置されてもよい。そのような隆起部ベースのブラッグ反射器は、光通信の波長（たとえば、光通信のＣバンド、Ｓバンド、および／またはＬバンドの波長）で、通常はブラッグ反射器上に入射する光を実質的に反射するように構成されてもよい。たとえば、そのような隆起部７０の隣接した隆起部間の間隔は（Ｎ＋１／２）λでよく、ここで、λは、基板の表面に沿って伝搬するときまたは隣接して伝搬するときの遠隔通信のＣバンド、Ｌバンド、および／またはＳバンドにおける光の有効波長であり、Ｎは任意の整数である。たとえば、隆起部の間隔は、たとえば、基板２２上の局部光発振器といった局部光発振器またはコヒーレント光受信器の光の有効波長に、たとえば、約１／２、３／２、５／２、または７／２、たとえば、±１０％または２０％を乗じたものでもよい。
【００５０】
様々な特徴および態様が、１つまたは複数の特定の実施形態に関連して上記で説明されてきたが、それらの特徴および態様は、対応する実施形態に必ずしも限定されるわけではない。開示された特徴および態様は、上記で具体的に言及されたものとは異なる手法で組み合わされてもよい。言い換えれば、１つの実施形態の任意の特徴は、別の実施形態とともに含まれてもよく、または別の実施形態の特徴と置換されてもよい。
【００５１】
先行する説明は、本質的に、限定するものではなく例示である。少なくとも１つの開示された具体例のバリエーションおよび変形例は、開示された具体例によってもたらされる技術に対する貢献の本質から必ずしも逸脱することなく、当業者には明らかになり得る。法的な保護の範囲は、以下の特許請求の範囲を検討することによってのみ決定され得るものである。
【図１】
2016540242.tif 000003
【図２】
2016540242.tif 000004
【図３】
2016540242.tif 000005
【図４】
2016540242.tif 000006
【図５】
2016540242.tif 000007
【図６】
2016540242.tif 000008
【国際調査報告】
2016540242.tif 000009
2016540242.tif 000010