(57)【要約】  本発明は導電性基板およびその製造方法に関する。本発明の一実施状態による導電性基板の製造方法は、ａ）導電膜を含む基板を準備するステップ、ｂ）前記導電膜を含む基板上の全面に金属層を形成するステップ、ｃ）前記金属層上に絶縁層パターンを形成するステップ、ｄ）前記絶縁層パターンをマスクとして用いて前記金属層をオーバーエッチングすることによって金属層パターンを形成するステップ、およびｅ）前記絶縁層パターンを再形成するステップを含む。
2016533004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）導電膜を含む基板を準備するステップ、
ｂ）前記導電膜を含む基板上の全面に金属層を形成するステップ、
ｃ）前記金属層上に絶縁層パターンを形成するステップ、
ｄ）前記絶縁層パターンをマスクとして用いて前記金属層をオーバーエッチングすることによって金属層パターンを形成するステップ、および
ｅ）前記絶縁層パターンを再形成するステップ
を含む導電性基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電膜がパターニングされた導電膜であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項３】
前記ａ）ステップが、基板上に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングするステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電膜が透明導電酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電酸化物が、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された１種以上を含む酸化物であることを特徴とする、請求項４に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項６】
前記ｂ）ステップが、前記基板とパターニングされた導電膜の全面に金属層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項２に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属層が、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、クロムまたはこれらの合金を含む単一膜または多層膜であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層パターンを形成する方法が、印刷法、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを用いた方法またはレーザ転写を利用することを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層パターンのテーパー角が０度超過９０度未満であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層のオーバーエッチング工程時、前記絶縁層パターンの縁部の下部にアンダーカットが形成されることを特徴とする、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１１】
前記パターニングされた導電膜の端部において、前記絶縁層パターンの少なくとも一部が前記基板と接するように形成されることを特徴とする、請求項２に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１２】
基板、
前記基板上に形成された導電性パターン、
前記導電性パターン上に形成された金属層パターン、および
前記金属層パターンを覆っている絶縁層パターン
を含む導電性基板。
【請求項１３】
前記導電性パターンが透明導電酸化物を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の導電性基板。
【請求項１４】
前記透明導電酸化物が、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された１種以上を含む酸化物であることを特徴とする、請求項１２に記載の導電性基板。
【請求項１５】
前記金属層パターンが、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、クロムまたはこれらの合金を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の導電性基板。
【請求項１６】
前記導電性パターンの端部において、前記絶縁層パターンの少なくとも一部が前記基板と接する構造であることを特徴とする、請求項１２に記載の導電性基板。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の導電性基板を含むディスプレイ装置。
【請求項１８】
請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の導電性基板を含む照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は２０１３年８月１６日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１３−００９７４１０号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
【０００２】
本発明は導電性基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来において、有機発光素子、有機太陽電池などのアノード電極は基本的にＩＴＯを主電極として用い、ＩＴＯの高抵抗による光効率の損失などを防ぐために金属からなる補助電極を主に用いることになる。
【０００４】
補助電極の形成方法は、基材上にＩＴＯを蒸着しパターニングし、ＩＴＯ上に金属を蒸着しパターニングした後、金属上に絶縁物質をコーティングしパターニングして形成する。しかし、このような方法は、パターニング工程が多数必要であり、そのために工程が複雑であり、設備投資費が増加するという点で合理的な方法ではない。
【０００５】
また、絶縁物質としてポリイミドが主に用いられているが、金属上に絶縁物質をコーティングして形成した絶縁層をパターニングするためにポリイミドは光吸収度が大きい特性を有する。しかし、光吸収度が大きい特性を有するポリイミドは透明性が不十分であるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の工程に比べて工程数が少なく、経済性が大幅に向上した、導電性基板の製造方法およびその方法によって製造された導電性基板を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施状態は、
ａ）導電膜を含む基板を準備するステップ、
ｂ）前記導電膜を含む基板上の全面に金属層を形成するステップ、
ｃ）前記金属層上に絶縁層パターンを形成するステップ、
ｄ）前記絶縁層パターンをマスクとして用いて前記金属層をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって金属層パターンを形成するステップ、および
ｅ）前記絶縁層パターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップ
を含む導電性基板の製造方法を提供する。
【０００８】
また、本発明の他の実施状態は、
基板、
前記基板上に形成された導電性パターン、
前記導電性パターン上に形成された金属層パターン、および
前記金属層パターンを覆っている絶縁層パターン
を含む導電性基板を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一実施状態によれば、導電性パターン上に備えられる金属層パターンを形成するための別途のフォトレジスト物質および剥離液を用いないため、それに伴って発生する費用の上昇および環境汚染の問題がなく、従来のフォトリソグラフィ工程に比べて工程が単純で経済性がある。また、導電性パターン上に備えられる金属層パターンの形成時に用いたマスクパターンを除去せず、そのパターンを再形成して金属層パターンを絶縁させるのに利用するため、前記絶縁層パターンによって絶縁されない金属層パターンが存在しなくなり、それによって異質物が残らないのでショートが発生しない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施状態による導電性基板の製造方法を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施状態による導電性基板を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明をより具体的に説明する。
【００１２】
本発明の一実施状態による導電性基板の製造方法は、ａ）導電膜を含む基板を準備するステップ、ｂ）前記導電膜を含む基板上の全面に金属層を形成するステップ、ｃ）前記金属層上に絶縁層パターンを形成するステップ、ｄ）前記絶縁層パターンをマスクとして用いて前記金属層をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって金属層パターンを形成するステップ、およびｅ）前記絶縁層パターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップを含む。
【００１３】
本発明の一実施状態による導電性基板の製造方法を図１に例示した。しかし、本発明の範囲が図１によって限定されるものではなく、追加のステップが追加されてもよい。
【００１４】
本発明の一実施状態において、ａ）ステップは導電膜を含む基板を準備するステップである。前記導電膜はパターニングされた導電膜であってもよい。また、ａ）ステップは、基板上に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングするステップを含むことができる。
【００１５】
前記基板の材料は本発明による導電性基板の製造方法を適用しようとする分野に応じて適切に選択することができ、好ましい例としてはガラス、無機材料基板、プラスチック基板、その他のフレキシブル基板などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
【００１６】
前記導電膜は透明導電酸化物を含むことができる。ここで、前記透明導電酸化物は、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）のうちから選択された１種以上を含む酸化物であってもよい。
【００１７】
前記導電膜を形成しパターニングする方法は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、電子−ビーム蒸着法（Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、レーザ分子ビーム蒸着法（Ｌａｓｅｒ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ、Ｌ−ＭＢＥ）、およびパルスレーザ蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）のうちから選択されたいずれか１つの物理気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）；熱化学気相蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）、光化学気相蒸着法（Ｌｉｇｈｔ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザ化学気相蒸着法（Ｌａｓｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、金属−有機化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、および水素化物気相蒸着法（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＨＶＰＥ）のうちから選択されたいずれか１つの化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）；原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）；フォトリソグラフィ法；レーザなどを利用することができる
【００１８】
本発明の一実施状態において、ｂ）ステップは前記導電膜を含む基板上の全面に金属層を形成するステップである。ｂ）ステップは、前記基板とパターニングされた導電膜の全面に金属層を形成するステップを含むことができる。
【００１９】
前記金属層は銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、クロムまたはこれらの合金を含む単一膜または多層膜が好ましいが、これらのみに限定されるものではない。
【００２０】
前記金属層の形成方法は特に限定されず、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、電子−ビーム蒸着法（Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、レーザ分子ビーム蒸着法（Ｌａｓｅｒ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ、Ｌ−ＭＢＥ）、およびパルスレーザ蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＬＤ）のうちから選択されたいずれか１つの物理気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）；熱化学気相蒸着法（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）、光化学気相蒸着法（Ｌｉｇｈｔ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザ化学気相蒸着法（Ｌａｓｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、金属−有機化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、および水素化物気相蒸着法（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＨＶＰＥ）のうちから選択されたいずれか１つの化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）；または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）を利用することができる。
【００２１】
本発明の一実施状態において、ｃ）ステップは前記金属層上に絶縁層パターンを形成するステップである。
【００２２】
前記絶縁層パターンを形成する方法は印刷法フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを用いた方法またはレーザ転写、例えば、熱転写イメージング（ｔｈｅｒｍａｌ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｉｍａｇｉｎｇ）を利用することができるが、これらのみに限定されるものではない。
【００２３】
特に、前記絶縁層パターンを形成する方法は印刷法が好ましく、前記印刷法は絶縁材料を含むペーストあるいはインクを導電膜が形成された基板上に目的とするパターン形態で転写した後に焼成する方式によって行われることができる。前記転写方法は特に限定されないが、凹版またはスクリーンなどパターン転写媒体にパターンを形成し、それを利用して所望のパターンを導電膜上に転写することができる。前記パターン転写媒体にパターン形態を形成する方法は当技術分野で周知の方法を利用することができる。
【００２４】
前記印刷法は特に限定されず、オフセット印刷、リバースオフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの印刷法を利用することができる。オフセット印刷は、パターンが彫られた凹版にペーストを満たした後、ブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）と呼ばれるシリコンゴムに１次転写をした後、前記ブランケットと導電膜が形成された基板を密着させて２次転写をする方式によって行われることができる。スクリーン印刷は、パターンがあるスクリーン上にペーストを位置させた後、スキージーを押して、空間が空いたスクリーンを通じて直接的に導電膜が形成された基板にペーストを位置させる方式によって行われることができる。グラビア印刷は、ロール上にパターンが彫られたブランケットを巻き、ペーストをパターン内に満たした後、導電膜が形成された基板に転写させる方式によって行われることができる。本発明においては、前記方式が各々単独で用いられてもよく、前記方式が複合的に用いられてもよい。また、その他の当業者に周知の印刷方式を利用してもよい。
【００２５】
グラビアオフセット印刷法またはリバースオフセット印刷法の場合、ブランケットが有する離型特性によって、インクあるいはペーストが、導電膜が形成された基板にほぼ大部分転写されるため、別途のブランケット洗浄工程が必要でない。前記凹版は基板を精密エッチングして製造することができる。前記凹版は金属板をエッチングして製造してもよく、または、高分子樹脂による光学的パターニングによって製造してもよい。
【００２６】
前記絶縁層パターンが形成された後、絶縁層パターンのテーパー角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）は０度超過９０度未満であることが好ましく、１０度以上７０度以下であることがより好ましい。ここで、テーパー角は絶縁層パターンの端部がその下部層、すなわち金属層の表面となす角度を意味する。前記テーパー角は、前記絶縁層パターンの末端地点から前記絶縁層パターンの上面が平滑になり始まる地点までの接線の平均傾きを有する直線とその下部層の表面がなす角度で測定されることができる。
【００２７】
前記絶縁層パターンのテーパー角が前記範囲である時、ｅ）ステップにおいて絶縁層パターンの再形成が容易となり、絶縁層パターンが金属層パターンを十分に覆うようにすることができる。
【００２８】
前記絶縁層パターンは、絶縁性だけでなく、金属層パターンの形成時に用いられるエッチング液に反応しない耐酸性および導電膜との十分な接着力を有する材料を用いて形成することが好ましい。特に、本発明の一実施状態は、ｅ）絶縁層パターンが金属層パターンを覆うように再形成するステップを含み、ｅ）ステップにおいて熱、溶媒、蒸気（溶媒の蒸気）またはプラズマで処理して絶縁層パターンを再形成する方法を使う場合、絶縁層材料として熱、溶媒、蒸気（溶媒の蒸気）、プラズマなどの処理によって流動性（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を示し、且つ、耐酸性を有する高分子材料を用いることが好ましく、架橋性を有する高分子材料を用いることがより好ましい。
【００２９】
前記絶縁層パターンの材料は漏れ電流１０−１アンペア以下の絶縁性を有することが好ましい。前記絶縁層パターンの材料の漏れ電流は１０−１６アンペア以上であってもよい。前記絶縁層パターンの材料は該方法で用いられる金属層のエッチング液に対して耐酸性を有することが好ましく、例えば、該金属層のエッチング液に対して浸漬またはスプレーの方法で接触時に１０分以上形態変化がないことが好ましい。また、前記絶縁層パターンの材料は、後述するｅ）ステップのための加工条件において流動性を有することが好ましい。
【００３０】
前記絶縁層パターンの材料としては、後述する絶縁層パターンの再形成条件において可塑性または硬化性を有する高分子材料を用いることが好ましい。本発明においては、前記絶縁層材料として、熱硬化性樹脂だけでなく、ＵＶ硬化性樹脂を用いることができる。ＵＶ硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂とは異なり、溶媒を用いなくてもよいため、溶媒蒸発による問題点がなく、安定した形態の微細なパターンの形成に有利である。具体的には、前記絶縁層パターンの材料の例としては、イミド系高分子、ビスフェノール系高分子、エポキシ系高分子、アクリル系高分子、エステル系高分子、ノボラック（Ｎｏｖｏｌａｃ）系高分子またはこれらの組み合わせを用いることができる。この中でもアクリル系、イミド系またはノボラック（Ｎｏｖｏｌａｃ）系樹脂が好ましい。また、前記絶縁層パターンの材料の例としては、イミド系単量体、ビスフェノール系単量体、エポキシ系単量体、アクリル系単量体およびエステル系単量体のうち２以上の組み合わせまたは共重合体、例えば、エポキシ化アクリル樹脂またはエポキシ系単量体とアクリル系単量体の共重合体を用いることができる。
【００３１】
前記絶縁層パターンを印刷法によって形成する場合、固形分の含量を調節するか、溶媒を適切に選択することによってプロセスマージンを増加させることができる。
【００３２】
前記絶縁層パターン形成用の印刷組成物の固形分の含量は、印刷法の種類や絶縁層パターンの厚さに応じて異なるように調節することができる。例えば、グラビア印刷法を使う場合、前記絶縁層パターン組成物の固形分の含量は７０〜８０重量％であることが好ましい。また、リバースオフセット印刷法を使って１００ｎｍ〜１０μｍ、より好ましくは５００ｎｍ〜２μｍの厚さを有する絶縁層パターンを形成する場合、前記絶縁層パターン組成物の固形分の含量は１０〜２５重量％であることが好ましい。しかし、本発明の範囲が前記例に限定されるものではなく、絶縁層パターン組成物の固形分の含量はその他の材料や工程条件に応じて当業者が調節することができる。
【００３３】
前記絶縁層パターン組成物に添加できる溶媒としては当技術分野で用いられる溶媒を用いることができ、１種単独または２種以上の混合溶媒を用いることができる。例えば、印刷法に用いられるブランケット材料、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に損傷（ｄａｍａｇｅ）を与えない溶媒であれば、特に限定されない。例えば、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、エタノール、プロピレンカーボネート、ブチルセロソルブ、ＤＭＡｃ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｍｉｄｅ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＭＩＢＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｉｓｏｂｕｔｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）などを用いることができる。
【００３４】
前記絶縁層パターン形成用の組成物は、接着促進剤（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）、界面活性剤などをさらに含むことができる。
【００３５】
また、前記絶縁層パターンが前記金属層パターンを十分に覆うようにするためには、前記絶縁層パターンの厚さは前記金属層パターンの厚さより厚いことが好ましいが、それに限定されるものではない。また、前記絶縁層パターンの幅は本発明の方法が適用される分野に応じて当業者が適切に選択することができ、特に限定されるものではない。例えば、前記絶縁層パターンの下部幅は、金属層パターンの上面と側面をいずれも覆うようにすることができる寸法を有することが好ましい。
【００３６】
本発明の一実施状態において、ｄ）ステップは、前記絶縁層パターンをマスクとして用いて前記金属層をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって金属層パターンを形成するステップである。
【００３７】
ｄ）ステップにおいて、前記金属層パターンの形成は、前記絶縁層パターンをマスクとして用いてエッチングすることによってなされる。
【００３８】
前記エッチング方式はエッチング液を用いる湿式エッチングまたはプラズマやレーザを用いる乾式エッチングであってもよいが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
前記湿式エッチングを用いる場合、エッチング液としては硝酸（ＨＮＯ３）溶液、リン酸／硝酸／酢酸の混合酸溶液、過酸化水素、過塩素酸、塩酸、フッ酸およびシュウ酸のうち１つまたは２つ以上またはその水溶液を用いることができる。必要な場合、所望の金属層をエッチングするための添加剤およびその他の元素を添加することもできる。しかし、前述した例に限定されるものではなく、一般的に該金属層のエッチング溶液と知られたものを用いてもよい。
【００４０】
ｄ）ステップにおいて、金属層をエッチングする時、オーバーエッチングを行うことによって、前記絶縁層パターンの縁部の下部にアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）が形成されることが好ましい。
【００４１】
前記「アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）」という用語は、基板上に第１層を形成し、その上に第２層を形成した後、第２層をマスクとして用いて第１層のみを選択的にエッチングする時、第１層の側面が過度にエッチングされて第２層の面積より第１層の面積が狭くなった形態を意味する。ここで、「第２層をマスクとして用いて」という用語は、第２層がエッチングによって変形されるか除去されることなくそのまま残るものを意味する。
【００４２】
一般的なエッチング工程では、第２層をマスクとして用いて第１層をエッチングする場合、第１層のパターンが第２層のパターンと同一形状に実現されることを目標とし、アンダーカットが発生することは避ける。
【００４３】
しかし、本発明では、絶縁層パターンの下部にアンダーカットが形成されるように導電膜をエッチングする場合、ｅ）ステップにおいて前記金属層パターンが前記絶縁層パターンによって十分に覆われるので好ましい。また、アンダーカットが形成されるように金属層をエッチングする場合、エッチングを十分に行うことができるため、金属層パターンが形成されない基板上には残留金属物質のような異質物がほぼ残らなくなり、最終製品でショートが発生するなどの問題が生じないという長所がある。
【００４４】
ｄ）ステップにおいてアンダーカットが発生する場合、絶縁層パターンの幅または長さは金属層パターンの幅または長さより長くなり、この時、絶縁層パターンの幅または長さと金属層パターンの幅または長さの差は金属層パターンの厚さより厚いことが好ましく、金属層パターンの厚さの２倍以上であることがより好ましい。この場合、絶縁層パターンの縁部が再形成によって下がって金属層パターンを十分に覆うことができるためである。
【００４５】
また、アンダーカットが発生する場合、金属層パターンのテーパー角は０度超過９０度未満であることが好ましく、０度超過４５度以下であることがより好ましく、０度超過３０度以下であることがさらに好ましい。ここで、テーパー角は金属層パターンの端部がその下部層、すなわち導電膜の表面となす角度を意味する。前記テーパー角は、前記金属層パターンの末端地点から前記金属層パターンの上面が平滑になり始まる地点までの接線の平均傾きを有する直線とその下部層の表面の間の角度で測定されることができる。金属層パターンのテーパー角が前記範囲である場合、絶縁層パターンの縁部が再形成されて金属層パターンを十分に覆うことができる。本発明においては、前記のような方法を利用することによって、従来技術とは異なり、金属層パターンのテーパー角が小さい金属層パターンを含む導電性基板を提供することができる。
【００４６】
ｄ）ステップにおいて、金属層パターンの形成のためのエッチング時間に応じて導電性パターンとそれを覆っている絶縁層パターンとの間に発生するボイド（ｖｏｉｄ）の厚さを調節することができる。前記エッチング時間が長くなるほど、その後のｅ）ステップにおいて絶縁層パターンが再形成される時、絶縁層パターンと金属層パターンとの間に形成されるボイドの厚さが厚くなりうる。前記ボイドが厚すぎる場合には、異物除去のための２次エッチングまたは洗浄時にボイド付近での絶縁層パターンの変性が生じうる。
【００４７】
本発明の一実施状態において、前記金属層パターンの形成のためのエッチング時間は、金属層パターンの形成時に用いられるエッチング液の種類や濃度、金属層の種類、エッチング温度などの条件に応じて異なる。例えば、前記エッチング時間はジャストエッチング時間（ｊｕｓｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ  ｔｉｍｅ）〜ジャストエッチング時間より２，０００％延びた時間、好ましくは、ジャストエッチング時間より１〜１，０００％延びた時間、より好ましくは、ジャストエッチング時間より１〜５００％延びた時間、さらに好ましくは、ジャストエッチング時間より５〜１００％延びた時間であることが好ましい。ここで、ジャストエッチング時間とは、マスクの形態と同一な形態にパターンをエッチングするのに必要となる時間を意味する。
【００４８】
前記金属層パターンの形成のためのエッチング温度も金属層パターンの形成に用いられるエッチング液の種類や濃度、金属層の種類、エッチング温度などの条件に応じて異なり、例えば、常温〜８０℃、好ましくは３０〜７０℃で行うことができる。
【００４９】
エッチング方式はディップエッチング方式またはスプレー方式などが可能であるが、均一なエッチングのためにはスプレー方式がより好ましい。
【００５０】
前記金属層が多層膜である場合、多層膜が同時にほぼ同一な速度でエッチングされるためのエッチング液を用いることが好ましい。
【００５１】
本発明の一実施状態において、ｅ）ステップは、前記絶縁層パターンを再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）するステップである。
【００５２】
本明細書において、「覆う（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」という用語は、絶縁層パターンの形態が変化しリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）して金属層パターンの側面と基板に密着して金属層パターンを外部と絶縁させることを意味する。また、本明細書において、「再形成（ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ）」という用語は、本明細書で定義される用語として、絶縁層パターンが流動性を示し形態が変化して下部にある金属層パターンを覆う現象を意味する。
【００５３】
ｅ）ステップにおいて、前記再形成は、例えば、熱、溶媒あるいはその蒸気（溶媒の蒸気）、プラズマ処理などによって絶縁層パターンに流動性を付与して変形を引き起こした後、熱またはプラズマの追加処理または溶媒の除去によって前記絶縁層パターンが硬化する化学的な現象を利用することができる。または、前記絶縁層パターンに圧力を加えて物理的に変形を引き起こすこともできる。
【００５４】
前記絶縁層パターンの再形成は熱または溶媒（または溶媒の蒸気）を用いることがより好ましく、この時、前述したように絶縁層材料として可塑性または硬化性高分子材料を用いることが好ましい。
【００５５】
熱を用いて絶縁層パターンを再形成する場合、熱を加えることによって絶縁層材料が流動性を示して、導電膜と絶縁層との間の空間に下がった後、熱をより加えれば、前記材料が硬化して流動性がなくなるようになる方法が好ましい。この時、加熱温度は絶縁層材料に応じて当業者が適切に選択することができる。前記加熱条件は、絶縁層パターンが所望の架橋度、例えば１０〜１００％、および所望の絶縁特性、例えば漏れ電流１０−１アンペア以下を有するように調節されることが好ましい。例えば、１２０〜３５０℃の温度で加熱して５〜６０℃／分で昇温するようにすることが好ましい。また、同一温度の熱処理または各々異なる温度での重複熱処理も可能である。具体的な例として、絶縁層パターン材料としてイミド系樹脂を用いる場合には、２５０〜３００℃の温度で熱処理することができる。また他の例として、絶縁層パターン材料としてノボラック系樹脂を用いる場合には、１２０〜１４０℃の温度で熱処理することができる。
【００５６】
また、溶媒または溶媒の蒸気を用いて絶縁層パターンを再形成する場合、絶縁層パターンに溶媒の蒸気（ｆｕｍｅ）雰囲気に露出させて（ｓｏｌｖｅｎｔ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）溶媒と絶縁層材料が反応すれば、絶縁層材料が流動性を示し、それによって絶縁層パターンが変形して基板と接触した後、溶媒が乾燥されるほどの一定温度で加熱して溶媒を除去すれば、前記絶縁層材料が硬化して流動性がなくなるようになる再形成方法が好ましい。この時、溶媒は絶縁層材料に応じて当業者が適切に選択することができ、絶縁層材料が溶解される溶媒群から選択されることが好ましい。例えば、絶縁層材料としてノボラック樹脂を用いる場合、溶媒としてＩＰＡを用いることができる。また、乾燥温度は選択された溶媒の沸点辺りが適切であり、常温〜３００℃の間が好ましいが、これに限定されるものではない。
【００５７】
また、本発明の一実施状態において、前記パターニングされた導電膜の端部において、前記絶縁層パターンの少なくとも一部は前記基板と接するように形成されることができる。すなわち、前記パターニングされた導電膜の端部において、前記パターニングされた導電膜の側面部を前記絶縁層パターンが覆う構造であってもよい。
【００５８】
本発明の一実施状態において、前記絶縁層パターンを形成するｃ）ステップ途中または以後には、ソフトベーク工程を行うことが好ましい。具体的には、前記ソフトベーク工程は、ｃ）ステップ途中金属層上に絶縁層パターンを形成した後、または、ｄ）ステップでの金属層パターンの形成前に行うことが好ましい。ソフトベークとは、前記絶縁層パターンとそれに隣接する層の間の接着力を付与すると同時に、絶縁層パターンを少なくとも一部硬化させることによってソフトベークステップまたはその後のステップにおいて絶縁層パターンの変形を防止し、その後に行われる絶縁層パターンの再形成ステップにおいて絶縁層パターンがリフローする形状を安定的に形成できるようにすることを意味する。ソフトベーク工程によって達成しようとする絶縁層パターンの硬化度は絶縁層パターンの材料やその後に行われる再形成条件に応じて当業者が決定することができ、例えば、硬化度は０〜１００％の範囲内であってもよい。
【００５９】
前記ソフトベーク工程の条件は、絶縁層パターンの材料、絶縁層パターンの厚さ、金属層パターンの形成に用いられるエッチング条件、例えば、エッチング液の種類、エッチング時間、エッチング温度などに応じて当業者が選択することができる。ソフトベーク温度が高すぎると、絶縁層パターンの架橋度が高すぎて変形、例えば、巻き上がる変形が生じうる。
【００６０】
１つの例として、ノボラック系高分子を用いて印刷法によって絶縁層パターンを形成する場合、前記ソフトベークは８０〜８５℃で２分間〜３分間行うことが好ましい。また１つの例として、アクリル系高分子を用いて絶縁層パターンを形成する場合、前記ソフトベークは１７０〜１９０℃で５分間〜１５分間行うことが好ましい。また他の１つの例として、絶縁層パターンを感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）高分子を用いて形成する場合、前記ソフトベークは１１０〜１５０℃で１分間〜１５分間行うことが好ましい。
【００６１】
前記ソフトベーク温度が低すぎる場合は、ソフトベークを行うのに伴った効果を得ることが難しく、前記ソフトベーク温度が高すぎる場合は、絶縁層パターンの縁部が持ち上げられる形状に変形して、前記絶縁層パターンが前記金属層パターンを覆うように（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）再形成されるのに良くない影響を与える。前記ソフトベーク時間は前述した材料または工程条件に応じて異なり、例えば、２分間〜３分間行うことができるが、それに限定されるものではない。
【００６２】
本発明の一実施状態は、ｅ）ステップでの絶縁層パターンの再形成後に洗浄ステップをさらに含むことができる。前記洗浄ステップにおいては、ｄ）ステップで用いたエッチング液を用いることができる。この洗浄ステップを行うことによって異物を除去することができる。
【００６３】
本発明の一実施状態による模式図を図１に例示した。しかし、本発明の範囲が図面によって限定されるものではなく、必要な場合には図１に示された工程のうち少なくとも１つを除いて行ってもよく、必要な場合には追加工程を行ってもよい。
【００６４】
また、本発明の一実施状態による導電性基板は、基板、前記基板上に形成された導電性パターン、前記導電性パターン上に形成された金属層パターン、および前記金属層パターンを覆っている絶縁層パターンを含む。
【００６５】
本発明の一実施状態による導電性基板において、前記基板、導電性パターン、金属層パターン、絶縁層パターンなどに関する内容は前述した通りであるので、それに関する具体的な説明は省略する。
【００６６】
また、本発明の一実施状態において、前記導電性パターンの端部において、前記絶縁層パターンの少なくとも一部は前記基板と接する構造であってもよい。すなわち、前記導電性パターンの端部において、前記導電性パターンの側面部を前記絶縁層パターンが覆う構造であってもよい。
【００６７】
本発明の一実施状態による導電性基板は電子素子、有機発光素子照明の電極として用いられることができるが、これらに限定されるものではない。前記電子素子の例としてはタッチスクリーン、ディスプレイ、半導体などを含む。
【００６８】
特に、本発明の一実施状態による導電性基板が有機発光素子照明に適用される場合は、前記導電性基板の導電性パターンは有機発光素子のアノード電極として用いられることができ、導電性基板の金属層パターンはアノード電極の補助電極として用いられることができる。
【００６９】
また、本発明の一実施状態は、前記導電性基板を含むディスプレイ装置を提供する。
【００７０】
なお、本発明の一実施状態は、前記導電性基板を含む照明装置を提供する。
【００７１】
本発明の一実施状態によれば、導電性パターン上に備えられる金属層パターンを形成するための別途のフォトレジスト物質および剥離液を用いないため、それに伴って発生する費用の上昇および環境汚染の問題がなく、従来のフォトリソグラフィ工程に比べて工程が単純で経済性がある。また、導電性パターン上に備えられる金属層パターンの形成時に用いたマスクパターンを除去せず、そのパターンを再形成して金属層パターンを絶縁させるのに利用するため、前記絶縁層パターンによって絶縁されない金属層パターンが存在しなくなり、それによって異質物が残らないのでショートが発生しない。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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