(57)【要約】  熱処理装置及び熱処理システムが開示される。本発明による熱処理システムは、本体が相対的に低価である金属材で形成されるので、コストが節減される効果がある。そして、チャンバを形成する内部本体が金属材で形成されるので、内部本体が破損される恐れがなく、内部本体を取り囲む形態で外部本体が設けられるので、チャンバガスの外部への漏れが防止される効果がある。そして、チャンバを形成する内部本体の内部に第１ヒーターが設けられて基板を加熱するので、チャンバの温度に比べて、内部本体の温度が相対的に低い。これにより、高温でガスによる内部本体の腐蝕が防止される効果がある。また、内部本体の内部に第１ヒーターが設けられて基板を加熱するので、加熱性能が向上する効果がある。そして、内部本体の外面には、内部本体を加熱するための第２ヒーター、及び内部本体を冷却させるための冷却管が設けられるので、内部本体の内面へのガスの凝着を防止すると共に、内部本体の高温でのガスによる腐蝕をさらに防止することができる効果がある。そして、基板は、ボートに複数個積載保管され、複数のボートがチャンバにローディングされるので、一回に多数の基板を処理することができる。したがって、生産性が向上する効果がある。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板がそれぞれ積載保管された複数のボートがローディングされる空間であるチャンバが形成され、前面には出入口が形成された本体と、
前記本体の前後方向及び左右方向に摺動自在に設けられて、前記出入口を開閉するドアと、
前記本体の内部に設けられて、前記基板を加熱する第１ヒーターと、
を含むことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記本体は、金属材で形成され、前記チャンバが形成された内部本体と、前記内部本体を取り囲む外部本体と、を含み、
前記出入口は、前記内部本体の前面に形成された内部出入口と、前記内部出入口と対向するように前記外部本体の前面に形成された外部出入口と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記内部本体は、内部函体、前記内部函体の外面に接触結合された外部函体、及び前記外部函体の外面に形成された複数の支持リブを有し、
前記内部函体は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル合金、チタン合金、またはＳｉ−ＤＬＣのうちから選択された何れか１つで形成され、
前記外部函体及び前記支持リブは、ステンレススチール（ＳＵＳ）またはスチールのうちから選択された何れか１つで形成されたことを特徴とする請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第１ヒーターは、板状に形成されて、前記内部函体の内部側面、前後面及び上下面に設けられたことを特徴とする請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記内部函体と前記第１ヒーターとの間には、断熱材が介在されたことを特徴とする請求項４に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記外部函体の外面には、前記内部本体を加熱する第２ヒーターが設けられ、
前記第２ヒーターの外面には、複数の冷却管が設けられ、
前記第２ヒーターと前記冷却管との間には、断熱板が介在されたことを特徴とする請求項５に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記内部本体の内部には、均一な気流を形成するためのファンが設けられたことを特徴とする請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記内部本体には、前記ファンによって強制に流れる気流が、前記基板側に供給されるように案内する遮断フレームが形成されたことを特徴とする請求項７に記載の熱処理装置。
【請求項９】
複数の基板がそれぞれ積載保管された複数のボートがローディングされる空間であるチャンバが形成され、前面には出入口が形成された本体、前記本体の前後方向及び左右方向に摺動自在に設けられて、前記出入口を開閉するドア、前記本体の内部に設けられて、前記基板を加熱する第１ヒーターを有する熱処理装置と、
前記ドアを前記本体の前後方向及び左右方向にスライディングさせる第１移送装置と、
前記ボートを移送させて、前記チャンバにローディングするか、前記チャンバからアンローディングする第２移送装置と、
前記熱処理装置の一側に設けられ、前記第２移送装置から前記ボートを伝達されて、熱処理された前記基板を冷却させる冷却装置と、
を含むことを特徴とする熱処理システム。
【請求項１０】
前記本体は、金属材で形成され、前記チャンバが形成された内部本体と、前記内部本体を取り囲む外部本体と、を含み、
前記出入口は、前記内部本体の前面に形成された内部出入口と、前記内部出入口と対向するように前記外部本体の前面に形成された外部出入口と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の熱処理システム。
【請求項１１】
前記内部本体は、内部函体、前記内部函体の外面に接触結合された外部函体、及び前記外部函体の外面に形成された複数の支持リブを有し、
前記内部函体は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル合金、チタン合金、またはＳｉ−ＤＬＣのうちから選択された何れか１つで形成され、
前記外部函体及び前記支持リブは、ステンレススチール（ＳＵＳ）またはスチールのうちから選択された何れか１つで形成されたことを特徴とする請求項１０に記載の熱処理システム。
【請求項１２】
前記第１ヒーターは、板状に形成されて、前記内部函体の内部側面、前後面及び上下面に設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の熱処理システム。
【請求項１３】
前記内部函体と前記第１ヒーターとの間には、断熱材が介在されたことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理システム。
【請求項１４】
前記外部函体の外面には、前記内部本体を加熱する第２ヒーターが設けられ、
前記第２ヒーターの外面には、複数の冷却管が設けられ、
前記第２ヒーターと前記冷却管との間には、断熱板が介在されたことを特徴とする請求項１３に記載の熱処理システム。
【請求項１５】
前記内部本体の内部には、均一な気流を形成するためのファンが設けられたことを特徴とする請求項１０に記載の熱処理システム。
【請求項１６】
前記内部本体には、前記ファンによって強制に流れる気流が、前記基板側に供給されるように案内する遮断フレームが形成されたことを特徴とする請求項１５に記載の熱処理システム。
【請求項１７】
前記第２移送装置は、前記本体の左右方向と平行に設けられた案内レールと、
前記案内レールに設けられて、前記案内レールに沿って移動し、前記ボートが搭載支持される支持フレームと、を含み、
前記ボートが搭載された前記支持フレームの部位は、前記本体の前後方向に伸縮されることを特徴とする請求項９に記載の熱処理システム。
【請求項１８】
前記ボートが搭載された前記支持フレームの部位は、内側フレーム、前記内側フレームを取り囲む形態で設けられて、前記内側フレームを出入りする中間フレーム、前記中間フレームを取り囲む形態で設けられて、前記中間フレームを出入りする外側フレームを含むことを特徴とする請求項１７に記載の熱処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セレン化工程でＣＩＧＳ層を形成するための熱処理装置及びそれを備えた熱処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、枯渇している化石燃料に対する依存度を減らすために、枯渇の恐れがなく、かつ環境に優しい太陽エネルギーを活用する太陽電池（Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌ）に関する研究開発が活発に進行しつつある。
【０００３】
このような研究開発の一環として、太陽光の吸収率が高く、太陽光または放射線に対する劣化現象が少なく、薄膜化が可能であり、製作上、材料費を節減することができるＣＩＧＳ｛Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２｝層が形成された薄膜型太陽電池が開発された。
【０００４】
薄膜型太陽電池は、ガラスなどの基板、基板上に形成された金属層からなる（＋）極である電極層、電極層上に形成され、光を吸収するｐ型のＣＩＧＳ層、ＣＩＧＳ層上に形成されたｎ型のバッファ層、及びバッファ層上に形成された（−）極である透明電極層を含む多層積層構造である。
【０００５】
これにより、受光部である透明電極層を通じて太陽光が入射されれば、ｐ−ｎ接合付近では、ほぼ１．０４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する、励起された一対の電子及び正孔が生成される。そして、励起された電子と正孔は、拡散によってｐ−ｎ接合部に到逹し、接合部の内部電界によって電子がｎ領域に、正孔がｐ領域に集合して分離される。
【０００６】
そうすると、ｎ領域はマイナスに帯電され、ｐ領域はプラスに帯電され、各領域に形成された電極間には、電位差が生じる。そして、電位差を起電力にして各電極の間を導線で連結すれば、光電流が得られる。
【０００７】
薄膜型太陽電池のＣＩＧＳ層を形成する方法は、基板に形成された電極層上に銅、インジウム、ガリウムの元素を適正比率で真空スパッタリングして、前駆体膜を形成する前駆体膜形成工程と、このように蒸着された前駆体膜にセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）ガスを流しながら、基板に温度を加えるセレン化（ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ）工程と、を経る。このような一連の工程によって、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及びセレン（Ｓｅ）元素が適正組成比を有するＣＩＧＳ｛Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２｝層を形成させうる。
【０００８】
このようなセレン化工程は、前駆体膜が形成された基板を密閉されたチャンバにローディングさせ、チャンバを不活性ガスで置換した後、チャンバに処理ガスであるセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を導入した後、チャンバを一定温度に昇温させて一定時間保持することによって、セレン化されたＣＩＧＳ層を形成する工程である。
【０００９】
ＣＩＧＳ層を形成するための従来の熱処理装置は、クォーツやセラミックで大面積の基板を処理するためのチャンバを製造する時、コスト高となる短所があった。
【００１０】
そして、クォーツまたはセラミックで形成された本体は、破損されうるので、本体の破損によってガスが外部に漏れる恐れがあった。また、単一の本体内部にチャンバが形成されるので、チャンバに投入されたガスがさらに外部に漏れる恐れがあった。
【００１１】
そして、基板を加熱するヒーターが本体の外部に設けられるので、加熱性能が低下するという短所があった。
【００１２】
そして、複数の基板が積載保管された１つのボートのみチャンバにローディングされて処理されるので、生産性が低下するという短所があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解消するために案出されたものであって、本発明の目的は、コストを節減することができる熱処理装置及び熱処理システムを提供するところにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、ガスの漏れを防止することができる熱処理装置及び熱処理システムを提供するところにある。
【００１５】
本発明のさらに他の目的は、加熱性能及び生産性を向上させうる熱処理装置及び熱処理システムを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を果たすための本発明による熱処理装置は、複数の基板がそれぞれ積載保管された複数のボートがローディングされる空間であるチャンバが形成され、前面には出入口が形成された本体と、前記本体の前後方向及び左右方向に摺動自在に設けられて、前記出入口を開閉するドアと、前記本体の内部に設けられて、前記基板を加熱する第１ヒーターと、を含む。
【００１７】
また、前記目的を果たすための本発明による熱処理システムは、複数の基板がそれぞれ積載保管された複数のボートがローディングされる空間であるチャンバが形成され、前面には出入口が形成された本体、前記本体の前後方向及び左右方向に摺動自在に設けられて、前記出入口を開閉するドア、前記本体の内部に設けられて、前記基板を加熱する第１ヒーターを有する熱処理装置と、前記ドアを前記本体の前後方向及び左右方向にスライディングさせる第１移送装置と、前記ボートを移送させて、前記チャンバにローディングするか、前記チャンバからアンローディングする第２移送装置と、前記熱処理装置の一側に設けられ、前記第２移送装置から前記ボートを伝達されて、熱処理された前記基板を冷却させる冷却装置と、を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による熱処理装置及び熱処理システムは、本体が相対的に低価である金属材で形成されるので、コストが節減される。
【００１９】
そして、チャンバを形成する内部本体が金属材で形成されるので、破損される恐れがなく、内部本体を取り囲む形態で外部本体が設けられるので、チャンバガスの外部への漏れが防止される。
【００２０】
そして、チャンバを形成する内部本体の内部に第１ヒーターが設けられて基板を加熱するので、チャンバの温度に比べて、内部本体の温度が相対的に低い。これにより、高温でガスによる内部本体の腐蝕が防止される。また、内部本体の内部に第１ヒーターが設けられて基板を加熱するので、加熱性能が向上する。
【００２１】
そして、内部本体の外面には、内部本体を加熱するための第２ヒーター、及び内部本体を冷却させるための冷却管が設けられるので、内部本体の内面へのガスの凝着を防止すると共に、内部本体の高温でのガスによる腐蝕をさらに防止することができる。
【００２２】
そして、基板は、ボートに複数個積載保管され、複数のボートがチャンバにローディングされるので、一回に多数の基板を処理することができる。したがって、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による熱処理装置の斜視図である。
【図２】図１に示された熱処理装置の一部切開分解斜視図である。
【図３】図２に示された内部本体の側断面図である。
【図４】図３の“Ａ”部の拡大図である。
【図５】本発明の一実施形態による熱処理システムの斜視図である。
【図６】図５に示された第１移送装置の拡大分解斜視図である。
【図７】図５に示された第２移送装置の拡大斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
後述する本発明についての詳細な説明は、本発明が実施される特定の実施形態を例示して、図示した添付図面を参照する。これら実施形態は、当業者が本発明を十分に実施可能なように詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないということを理解しなければならない。例えば、これに記載されている特定の形状、特定の構造、及び特性は、一実施形態と関連して、本発明の精神及び範囲を外れず、他の実施形態として具現可能である。また、それぞれの開示された実施形態内の個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を外れず、変更されうるということを理解しなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味ではなく、本発明の範囲は、適切に説明されるならば、その請求項が主張するものと均等なあらゆる範囲と共に、添付の請求項によってのみ限定される。図面に示された実施形態の長さ、面積、厚さ及び形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態による熱処理装置を詳しく説明する。
【００２６】
本発明の一実施形態による熱処理装置を説明するに当って、ＣＩＧＳ｛Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２｝層形成装置を例にあげて説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態による熱処理装置の斜視図であり、図２は、図１に示された熱処理装置の一部切開分解斜視図であり、図３は、図２に示された内部本体の側断面図であり、図４は、図３の“Ａ”部の拡大図である。
【００２８】
本実施形態による熱処理装置１００は、外観を形成する本体１１０を含む。本体１１０の内部には、ガラスなどの基板５０（図５参照）がローディングされて処理される空間であるチャンバ１１０ａが形成され、前面には、基板５０が出入りする出入口１１０ｂが形成される。
【００２９】
本体１１０は、内部にチャンバ１１０ａが形成された内部本体１１１と、該内部本体１１１を取り囲む外部本体１１５と、を含み、出入口１１０ｂは、内部本体１１１の前面に形成された内部出入口１１０ｂａと、該内部出入口１１０ｂａと対向するように外部本体１１５の前面に形成された外部出入口１１０ｂｂと、を含む。
【００３０】
本体１１０は、金属材で形成される。これにより、多量の基板５０を一回にローディングして処理することができる大容量で容易に製作し、本体１１０が破損されないので、ガスの漏れが防止され、相対的に安いので、コストが節減される。
【００３１】
さらに具体的に説明すれば、内部本体１１１は、内部函体１１２、内部函体１１２の外面に接触結合された外部函体１１３、及び外部函体１１３の外面に形成された複数の剛性補強用支持リブ１１４を有する。そして、内部函体１１２は、耐腐蝕性を有したアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル合金、チタン合金、またはＳｉ−ＤＬＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｄｉａｍｏｎｄｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）のうちから選択された何れか１つで形成され、外部函体１１３は、ステンレススチール（ＳＵＳ）またはスチール（Ｓｔｅｅｌ）で形成されうる。支持リブ１１４も、ステンレススチール（ＳＵＳ）またはスチールで形成されることが望ましい。
【００３２】
外部本体１１５は、ステンレススチール（ＳＵＳ）またはスチールで形成されうる。
【００３３】
外部本体１１５の前面には、本体１１０の前後方向及び左右方向に摺動自在に設けられて、外部出入口１１０ｂｂを開閉するドア１２０が設けられる。ドア１２０によって外部出入口１１０ｂｂが閉鎖されれば、チャンバ１１０ａが密閉され、開放されれば、チャンバ１１０ａが開放されることは当然である。ドア１２０によって外部出入口１１０ｂｂが完全にシーリングされるように、ドア１２０と外部本体１１５の前面との間には、シーリング部材（図示せず）が介在されうる。
【００３４】
内部本体１１１の内部には、基板５０を加熱する第１ヒーター１３０が設けられることもある。さらに具体的に説明すれば、第１ヒーター１３０は、板状に形成されて、内部本体１１１の内部側面、前後面及び上下面にそれぞれ設けられる。
【００３５】
例えば、５００℃で基板５０を加熱すると仮定する。ところで、基板５０を加熱するための第１ヒーター１３０が内部本体１１１の外部に設けられているならば、内部本体１１１を５００℃以上に加熱して初めて、チャンバ１１０ａの温度が５００℃になり、金属からなる内部本体１１１は、所定以上の温度では腐蝕性工程ガスによって腐蝕される。
【００３６】
それを防止するために、本実施形態による熱処理装置１００は、第１ヒーター１３０が内部本体１１１の内部に設けられてチャンバ１１０ａを直接加熱する。すなわち、基板５０の加熱に必要な温度でチャンバ１１０ａを加熱すれば良いので、内部本体１１１が基板５０の加熱に必要な温度以上に加熱されない。したがって、内部本体１１１の高温でのガスによる腐蝕が相対的に防止される。
【００３７】
この際、内部函体１１２と第１ヒーター１３０との間に断熱材１３５を介在して、内部本体１１１が、チャンバ１１０ａの熱によって温度が上昇することを防止することもできる。
【００３８】
本実施形態による熱処理装置１００は、内部本体１１１の内部にチャンバ１１０ａが形成され、内部本体１１１を取り囲む形態で外部本体１１５が設けられるので、チャンバ１１０ａに流入されたガスの外部への漏れが防止される。そして、第１ヒーター１３０が、内部本体１１１の内部に設けられて基板５０を加熱するので、加熱性能が向上する。
【００３９】
内部本体１１１の外面、さらに具体的に説明すれば、支持リブ１１４と支持リブ１１４の間の外部函体１１３の外面には、第２ヒーター１４１が設けられることもある。第２ヒーター１４１は、内部本体１１１を加熱して内部本体１１１が所定以下の温度に下降することを防止する。すなわち、内部本体１１１が所定以下の温度に下降すれば、内部本体１１１の内部函体１１２の内面に工程ガスが凝着されうる。それを防止するために、第２ヒーター１４１は、内部本体１１１を加熱する。
【００４０】
そして、第２ヒーター１４１の外面には、冷却管１４４が設けられる。冷却管１４４は、内部本体１１１を冷却させて、内部本体１１１の高温でのガスによる腐蝕を防止する。第２ヒーター１４１と冷却管１４４との間には、断熱板１４７が介在されうる。
【００４１】
基板５０は、複数個がボート５００に積載保管され、複数のボート５００がチャンバ１１０ａにローディングされる。すなわち、基板５０は、ボート５００に積載保管された状態でチャンバ１１０ａにローディングされて処理される。
【００４２】
内部本体１１１の内面には、ファン１５１が設けられることもある。ファン１５１は、各基板５０に均一な気流を供給させる。そして、ファン１５１によって強制に流れる気流が基板５０側に供給されるように、ファン１５１を取り囲む形態で遮断フレーム１５５が内部本体１１１に支持設置されうる。
【００４３】
本実施形態による熱処理装置１００が使われた熱処理システムを、図５ないし図７を参照して説明する。図５は、本発明の一実施形態による熱処理システムの斜視図であり、図６は、図５に示された第１移送装置の拡大斜視図であり、図７は、図５に示された第２移送装置の拡大斜視図である。
【００４４】
本実施形態による熱処理システムは、熱処理装置１００、第１移送装置２００、第２移送装置３００及び冷却装置４００を含む。
【００４５】
第１移送装置２００は、熱処理装置１００の本体１１０の前面一側に設けられて、ドア１２０を本体１１０の前後方向及び左右方向にスライディングさせる。第１移送装置２００は、支持フレーム２１０、モータ（図示せず）及びシリンダー（図示せず）などを含みうる。
【００４６】
第２移送装置３００は、本体１１０の前方側に設けられて、基板５０が積載保管されたボート５００を移送させて、チャンバ１１０ａ（図２参照）にローディングするか、チャンバ１１０ａからアンローディングする。第２移送装置３００は、本体１１０の左右方向と平行に設けられた案内レール３１０（図７参照）、案内レール３１０に設けられて、案内レール３１０に沿って移動し、ボート５００が搭載支持される支持フレーム３２０を含みうる。
【００４７】
この際、ボート５００が搭載された支持フレーム３２０の部位は、本体１１０の前後方向に伸縮されながら、ボート５００をチャンバ１１０ａにローディングするか、チャンバ１１０ａからアンローディングすることができる。
【００４８】
ボート５００が搭載された支持フレーム３２０には、内側フレーム３２１、内側フレーム３２１を取り囲む中間フレーム３２３、中間フレーム３２３を取り囲む外側フレーム３２５が設けられており、中間フレーム３２３が内側フレーム３２１の外側に突出し、外側フレーム３２５が中間フレーム３２３の外側に突出しながら伸びる。
【００４９】
そして、中間フレーム３２３が内側フレーム３２１の内側に挿入され、外側フレーム３２５が中間フレーム３２３の内側に挿入されながら収縮される。すなわち、中間フレーム３２３は、モータ（図示せず）またはシリンダー（図示せず）などによって内側フレーム３２１を出入りし、外側フレーム３２５は、モータ（図示せず）またはシリンダー（図示せず）などによって中間フレーム３２３を出入りするので、ボート５００が搭載された支持フレーム３２０の部位は伸縮される。
【００５０】
ボート５００を移送する第２移送装置３００は、本出願人が出願した韓国特許出願１０−２０１２−００５３９７０号または韓国特許出願１０−２０１２−００５３９７１号に開示された“ボート移送装置”に代替されうる。
【００５１】
ボート５００は、複数個がチャンバ１１０ａにローディングされる。すなわち、複数の基板５０がそれぞれ積載保管された複数のボート５００がチャンバ１１０ａにローディングされて処理されるので、一回に多数の基板５０を処理することができる。
【００５２】
冷却装置４００は、本体１１０の前面一側に設けられて、処理された基板５０が積載保管されたボート５００を第２移送装置３００から伝達されて基板５０を冷却させる。冷却装置４００は、公知の冷却装置を使うことができる。
【００５３】
電極層と適正元素比率で形成された銅、インジウム、ガリウムからなる前駆体膜が形成された基板５０をボート５００に支持させた後、ボート５００をチャンバ１１０ａにローディングした後、チャンバ１１０ａを密閉させる。このような状態で、チャンバ１１０ａに窒素ガスを流入した後、セレン化ガス（Ｈ２Ｓｅ）を注入して、所定温度でＣＩＧＳ層を形成し、ＣＩＧＳ層を形成した後には、さらに他の所定温度で硫化ガス（Ｈ２Ｓ）を注入して、基板５０に形成されたＣＩＧＳ層を処理する。
【００５４】
本発明は、前述したように、望ましい実施形態を例をあげて図示して説明したが、前記実施形態に限定されず、本発明の精神を外れない範囲内で当業者によって多様な変形と変更とが可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付の特許請求の範囲内に属するものと認めなければならない。
【図１】
2016535459.tif 000003
【図２】
2016535459.tif 000004
【図３】
2016535459.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016535459.tif 000007
【図６】
2016535459.tif 000008
【図７】
2016535459.tif 000009
【国際調査報告】
2016535459.tif 000010
2016535459.tif 000011
2016535459.tif 000012
2016535459.tif 000013