(57)【要約】ターゲットポンプを保護する装置及び方法であって、該ターゲットポンプ（１０）の吸入口には吸入マニホールド（２０）が提供され、該ターゲットポンプの排出口には排出マニホールド（３０）が提供される。前記ターゲットポンプが動作していない間に、ＡＬＤ法で前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部は順次自己飽和表面反応に曝される。本発明のある技術的効果は、コンフォーマル保護コーティングによってポンプ内部を保護することである。このポンプ内部は組立ポンプの内部でもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 
前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 
前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（sequential self-saturating surface reaction）に曝すことと；
を含む方法が提供される。
【請求項２】
前記吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着し、前記排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記排出マニホールドに装着された真空ポンプによって、前記ターゲットポンプ内部から反応残留物及びパージガスを吸い出すことを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
他の加熱手段を用いずに前記ターゲットポンプを動作させ続けることによって、要求されるプロセス温度を与えることを含む、請求項１から３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記吸入マニホールドは１つ又は複数のインフィードライン及び該インフィードラインの制御要素備え、該制御要素はコンピュータ実装された制御システムによって制御される、請求項１から４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
１列に配置されたターゲットポンプを通じて流路を形成し、該流路を用いて、前記ターゲットポンプの内部の保護を同時に行うことを含む、請求項１から５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
前記列における前段のポンプの排出マニホールドを後段のポンプのポンプ吸入口に装着することによって、前記流路を形成することを含む、請求項６に記載の方法。 
【請求項８】
常温から摂氏１５０度までの温度範囲で前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すことを含む、請求項１から７の何れかに記載の方法。
【請求項９】
前記ターゲットポンプは真空ポンプである、請求項１から８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 
前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 
前記ターゲットポンプが動作していない間に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（self-saturating surface reaction）に曝すことと；
を含む、方法。
【請求項１１】
ターゲットポンプの内部を保護する装置であって、 
ターゲットポンプに装着されるように設計された吸入マニホールドと；
ターゲットポンプに装着されるように設計された排出マニホールドと
を備え、使用されるとき、請求項１から１０の何れかに記載の方法を実行する、装置。
【請求項１２】
前記装置は使用されるとき、前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すように構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記吸入マニホールドは、前駆体蒸気及びパージガスのインフィードライン、及び該インフィードラインの制御要素を備える、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記排出マニホールドは真空ポンプを備える、請求項１１から１３の何れかに記載の装置。 
【請求項１５】
前記吸入マニホールドはターゲットポンプ固有の装着部品を備え、該装着部品は該吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着するように構成される、請求項１１から１４の何れかに記載の装置。
【請求項１６】
移動型である、請求項１１から１５の何れかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して原子層堆積（ALD：Atomic Layer Deposition）に関し、より具体的にはALDによる保護コーティングの形成に関する。
【発明の背景】
【０００２】
原子層エピタキシー（ALE：Atomic Layer Epitaxy）法は、1970年代初頭にツオモ・サントラ（Tuomo Suntola）博士によって発明された。この方法は、原子層堆積法（ＡＬＤ）という別名で総称され、今日ではＡＬＥに代わり、こちらが使われている。ＡＬＤは、少なくとも２種類の反応性前駆体種を少なくとも１つの基板に順次導入することに基づく、特殊な化学的堆積法である。
【０００３】
ＡＬＤによって成長した薄膜は緻密でピンホールがなく、かつ均一の厚さを有する。例えば、ＴＭＡとしても知られるトリメチルアルミニウム(CH3)3Alと水から、熱ＡＬＤにより酸化アルミニウムを成長させた実験において、基板ウェーハ上の不均一性はわずか1%程度であった。
【０００４】
ALD技術が有望視されている分野の一つは、面に保護コーティングを形成することである。
【摘要】
【０００５】
本発明の第１の例示的態様によれば、次の方法、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（sequential self-saturating surface reaction）に曝すことを含む方法が提供される。
【０００６】
この（ＡＬＤによる）順次自己飽和表面反応は、ポンプ内部に所望の保護コーティングを生成する。したがって、ターゲットポンプ内部は、ターゲットポンプ内で反応ガスに曝される全ての面が最終的にコーティングされるように、ＡＬＤを用いてコーティングすることができる。ターゲットポンプは全コーティング過程の間動作し続けていてもよい。
【０００７】
特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着し、前記排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することを含む。
【０００８】
特定の例示的実施形態では、前記反応ガス及び不活性パージガスは、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に流入する。特定の例示的実施形態では、前記反応ガス及びパージガスは、前記排出マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部から排出する。
【０００９】
ターゲットポンプ内部は、ＡＬＤ反応用の反応室として用いられてもよい。ＡＬＤ反応に望ましいプロセス温度は、単にターゲットポンプを動作させ続けることによって得られてもよく、追加的な加熱が不要でもよい。したがって、特定の例示的実施形態では、前記方法は、他の加熱手段を用いずに前記ターゲットポンプを動作させ続けることによって、要求されるプロセス温度を与えることを含む。
【００１０】
特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドはＡＬＤリアクタインフィード装置を備える。特定の例示的実施形態では、前記インフィード装置は、１つ（又は複数）のインフィードラインと、少なくとも必要とされる前駆体及び不活性ガスの制御要素と、それらの制御システムを備える。こうした制御要素には１つ（又は複数）のバルブ、１つ（又は複数）のマスフローコントローラ等がある。
【００１１】
制御システムは、例えばラップトップコンピュータ等のソフトウェアによって実装されてもよい。したがって、特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは１つ又は複数のインフィードライン及び該インフィードラインの制御要素備え、該制御要素はコンピュータ実装された制御システムによって制御される。適切に交換可能な前駆体源及び不活性ガス源が前記インフィード装置に取り付けられてもよい。
【００１２】
特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは真空ポンプを備える。特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記排出マニホールドに装着された真空ポンプによって、前記ターゲットポンプ内部から反応残留物及びパージガスを吸い出すことを含む。真空ポンプは、次に掲げる効果の１つ又は複数をもたらすことができる：ターゲットポンプ排出口を通じてターゲットポンプ内部から反応残留物を吸い出すように構成できる；ターゲットポンプ内部を真空に引くために使用できる。
【００１３】
特定の例示的実施形態では、ターゲットポンプは真空ポンプである。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は、常温から摂氏１５０度までの温度範囲で行われる。すなわち、ＡＬＤプロセス温度がこの温度範囲にある。特定の例示的実施形態では、ＡＬＤプロセス温度は摂氏１２０度から１５０度の範囲である。特定の例示的実施形態では、プロセス温度は、前記ターゲットポンプ自体を動作させることによって達成される。特定の例示的実施形態では、前述の代わりに別個のヒーターによって、ＡＬＤ過程前及び／又は過程中に前記ターゲットポンプが加熱される。あるいは、追加的に加熱される。
【００１４】
特定の例示的実施形態では、前述のようにターゲットポンプの種類が真空ポンプである。他の実施形態では別の種類でもよい。さらに他の実施形態では、ポンプという用語がコンプレッサも含むよう広義に解釈され、その内部も本願が開示する方法によってコーティングされる。
【００１５】
特定の例示的実施形態では、前記方法は、１列に配置されたターゲットポンプを通じて流路を形成し、該流路を用いて、前記ターゲットポンプの内部の保護を同時に行うことを含む。特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記列における前段のポンプの排出マニホールドを後段のポンプのポンプ吸入口に装着することによって、前記流路を形成することを含む。 
【００１６】
本発明の第２の例示的態様によれば、次の装置、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する装置であって、 ターゲットポンプに装着されるように設計された吸入マニホールドと； ターゲットポンプに装着されるように設計された排出マニホールドとを備え、前記装置は使用されるとき、第１の例示的態様又は第３の例示的態様の方法を実行する装置が提供される。
【００１７】
その結果、前記装置が使用されるとき、特定の例示的実施形態では、前記装置は、（前記ターゲットポンプが動作継続中又は動作しない間に）前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すことを含む方法が提供される。
【００１８】
特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは、前駆体蒸気及びパージガスのインフィードライン、及び該インフィードラインの制御要素を備える。
【００１９】
特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは真空ポンプを備える。
【００２０】
特定の例示的実施形態では、前記装置は移動型である。前記吸入マニホールドと前記排出マニホールドを備える保護装置は、ユーザの要求に合わせて移動させられるように、移動型であってもよい。特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドと前記排出マニホールドは、ターゲットポンプ内部の保護方法で協働するように設計されたそれぞれ別個のデバイスである。特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは、前記ターゲットポンプ吸入口に装着するためのターゲットポンプ固有の装着部品を備える。したがって、特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドはターゲットポンプ固有の装着部品を備え、該装着部品は該吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着するように構成される。特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは、前記ターゲットポンプ排出口に装着するためのターゲットポンプ固有の装着部品を備える。
【００２１】
本発明の第３の例示的態様によれば、次の方法、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 前記ターゲットポンプが動作しない間に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（sequential self-saturating surface reaction）に曝すことを含む方法が提供される。
【００２２】
前記ターゲットポンプが動作しない状態とは、該ターゲットポンプが「オフ」状態であることを意味する。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は常温で行われる。特定の他の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は高温（即ち、常温よりも高い温度）で行われる。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は、常温から摂氏１５０度までの温度範囲で行われる。特定の例示的実施形態では、前記ターゲットポンプはヒーターによって、ＡＬＤ過程前及び／又は過程中に加熱される。第１の態様に関連して記述された実施形態及びその組合せは第３の態様に対しても適用され、その逆もあり得る。
【００２３】
本発明の様々な態様及び実施形態を示したが、これらは発明の範囲を限定するために提示されたものではない。前述の実施形態は、本発明の実施にあたり使用され得る特定の態様やステップを説明するために用いられたにすぎない。いくつかの実施形態は、本発明の特定の例示的側面を使ってのみ説明されるかもしれない。いくつかの実施形態は他の実施形態にも適用可能であることが理解されるべきである。該実施形態は適宜組み合わせ可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
本発明を、単なる例示として、かつ添付図面を参照して以下に説明する。 
【図１】ある例示的実施形態に従う装置とその使用法の概略図である。
【図２】ある例示的実施形態に従う方法を示す。
【詳細説明】
【００２５】
以下の記述において、原子層堆積（ＡＬＤ）技術は一例として用いられる。ＡＬＤ成長メカニズムの基本は当業者の知るところである。本特許出願の導入部にて説明されたように、ＡＬＤは、少なくとも２種類の反応性前駆体種を少なくとも１つの基板に順次導入することに基づく、特殊な化学的堆積法である。反応室内で、時間的に分離した複数の前駆体パルスに基板を曝す。それによって、順次自己飽和表面反応（sequential self-saturating surface reaction）により、材料が基板表面に堆積する。本出願の記述において、ＡＬＤという用語は、全ての適用可能はＡＬＤベース技術や、例えばＭＬＤ（分子層堆積）技術のような等価又は密接に関連したあらゆる技術を含むものとする。
【００２６】
基本的なＡＬＤ堆積サイクルは４つの逐次的工程、すなわち、パルスＡ、パージＡ、パルスＢ、及びパージＢ、から構成される。パルスＡは第１の前駆体蒸気から構成され、パルスＢは別の前駆体蒸気から構成される。パージＡおよびパージＢでは、反応空間からガス状の反応副産物や残留反応物分子をパージ（除去）するために、不活性ガスと真空ポンプが用いられる。堆積シーケンスは少なくとも１回の堆積サイクルにより構成される。所望の厚さの薄膜またはコーティングが生成されるまで堆積サイクルが繰り返されるように、堆積シーケンスが組まれる。堆積サイクルは、さらに複雑にすることもできる。例えば、堆積サイクルは、パージステップによって区切られた３回以上の反応物蒸気パルスを含むことができる。これらの堆積サイクルは全て、論理演算装置またはマイクロプロセッサによって制御される、時間的な堆積シーケンスを形成するものである。
【００２７】
以下で記述するような特定の例示的実施形態において、ポンプ（以下、ターゲットポンプと呼ぶ）の内部を保護コーティングで保護する方法及び装置が提供される。ターゲットポンプ自体は反応室を形成する。そこでは独立した基板は無いがターゲットポンプ内部の面が基板を形成する（ここで基板とは、処理が実行される材料を意味する）。こうした内面の全てがＡＬＤ処理によってコーティング可能である。こうしたＡＬＤ処理では、前駆体蒸気が吸入マニホールドを通じてターゲットポンプ内部に順次吸入される。そして反応残留物は、排出マニホールドを通じてターゲットポンプ内部から排出される。ターゲットポンプは堆積過程の間動作し続けている。ターゲットポンプ内でのＡＬＤ反応に望ましいプロセス温度は、単にターゲットポンプを動作させ続けることによって得られることもある。別の実施形態では、ターゲットポンプはオフにされている。全ての実施形態において、ターゲットポンプはヒーターによって、ＡＬＤ過程前及び／又は過程中に加熱することもできる。
【００２８】
図１は、ある特定の例示的実施形態における方法及び関連する装置を示す。ターゲットポンプ１０の内部を保護するために使用される装置は、吸入マニホールド２０と排出マニホールド３０を備える。この装置は移動型装置でもよい。移動型装置は、必要に応じて保護されるポンプの近くに移動させてもよく利便性がある。
【００２９】
吸入マニホールド２０は、ターゲットポンプ吸入口１１に装着されるように構成される。図１は、第１の装着部２４によってターゲットポンプ吸入口１１に装着された吸入マニホールド２０を示している。第１の装着部２４はターゲットポンプ固有の部分でもよい。排出マニホールド３０は、ターゲットポンプ排出口１４に装着されるように構成される。図１は、第２の装着部３１によってターゲットポンプ排出口１４に装着された排出マニホールド３０を示している。第２の装着部３１はターゲットポンプ固有の部分でもよい。
【００３０】
吸入マニホールド２０はＡＬＤリアクタインフィード装置７０を備える。インフィード装置７０は、必要とされるインフィードラインとそれらの制御要素を備える。図１の第１の装着部２４には、第１の前駆体インフィードライン４１、第２の前駆体インフィードライン４２、及びパージガスインフィードライン４３が装着される。第１の前駆体インフィードライン４１、第２の前駆体インフィードライン４２、及びパージガスインフィードライン４３の元には、それぞれ第１の前駆体源２１、第２の前駆体源２２、及びパージ／不活性ガス源２３がある。
【００３１】
インフィードライン制御要素には、流量制御要素及びタイミング制御要素が含まれる。第１の前駆体インフィードライン４１における第１の前駆体インフィードバルブ６１及びマスフローコントローラ５１は、第１の前駆体パルスのタイミングと流量を制御する。これに準じて、第２の前駆体インフィードライン４２における第２の前駆体インフィードバルブ６２及びマスフローコントローラ５２は、第２の前駆体パルスのタイミングと流量を制御する。同様に、パージガスインフィードバルブ６３及びマスフローコントローラ５３は、パージガスのタイミングと流量を制御する。
【００３２】
図１の実施形態において、インフィード装置７０の動作は制御システムによって制御される。図１は、インフィード装置７０と制御システム７１の間に制御接続７２を示している。制御システム７１は、例えばラップトップコンピュータ等のソフトウェアによって実装されてもよい。
【００３３】
特定の例示的実施形態では、ターゲットポンプ内のＡＬＤ過程が真空中で行われる。排出マニホールド３０は、真空ポンプ３３を備えてもよい。特定の例示的実施形態では、真空ポンプ３３が排出ライン３２の末端に配置され、排出ライン３２がターゲットポンプ排出口１４に装着される。真空ポンプ３３は、（制御システム７１と真空ポンプ３３の間にある）追加の電機接続７３を介して制御システム７１によって制御することも可能である。ターゲットポンプの種類により、真空ポンプ３３はターゲットポンプ１０の内部全体又はその一部を真空に引く。ターゲットポンプ１０には様々な圧力領域が含まれ得る。図１では、容積１２・１３がこうした領域を描いている。矢印１５はターゲットポンプ１０内での流れの向きを表わし、その向きはターゲットポンプ吸入口１１からターゲットポンプ内部（該当する場合は容積１２から１３）を通ってターゲットポンプ排出口１４へ向かっている。ターゲットポンプ１０も真空ポンプである場合、図１の容積１２は真空圧領域と見做され、容積１３はターゲットポンプ１０内の大気圧領域と見做されてもよい。ターゲット（真空）ポンプ１０が動作中のとき、容積１２は真空状態になっている。この際、排出ライン側の真空ポンプ３３は容積１３を真空に引くために使用される。
【００３４】
さらに図１を参照すると、他の実施形態では吸入マニホールドと排出マニホールド１が異なって配置されてもよい点に留意すべきである。インフィードラインの少なくとも一部は、別々のインフィードラインではなく共通になっていてもよい。バルブの種類も種々のものが存在し得る。流量制御要素の配置も変更することができる。例えば、二方バルブの代わりに、インフィードライン経路の変更を即座に反映する三方バルブが使用されてもよい。前駆体源とパージガスを接続することで、これらの選択が実装と所望のコーティングに応じて行われる。ターゲットポンプは追加ヒーター１６によって加熱することもできる。ヒーターの動作は、接続を介して制御システム７１によって制御可能でもよい。
【００３５】
適用可能なポンプ材料は、例えばスチールやアルミニウム等の金属でもよいが、こうした材料に限定されるものではない。適用可能なコーティングには、例えば酸化アルミニウムや酸化チタン、酸化タンタル等の金属酸化物や炭化タングステン、及びこれらの組合せがある。ただし、こうした材料に限定されるものではない。適用可能なＡＬＤプロセス温度は、特定の例示的実施形態では常温から摂氏１５０度であるが、他の温度範囲も適用可能である。特定の例示的実施形態ではターゲットポンプの種類が真空ポンプであるが、他の実施形態では別の種類でもよい。さらに他の実施形態では、ポンプという用語がコンプレッサも含むよう広義に解釈され、その内部も本願が開示する方法によってコーティングされる。
【００３６】
図２は、図１で開示された事項に従う方法のステップを示す。まず、装置を保護する移動型ポンプが、保護されるターゲットポンプ１０の側まで運ばれる。あるいは、ターゲットポンプ１０が装置を保護する移動型又は据置型ポンプの何れかの側まで移動される。吸入マニホールド２０はターゲットポンプ吸入口１１に装着され（ステップ８１）、排出マニホールド３０はターゲットポンプ排出口１４に装着される（ステップ８２）。ターゲットポンプ１０は任意でオンにされてもよい（ステップ８３）。ターゲットポンプ内部は前駆体蒸気の順次導入に曝され、ＡＬＤに従ってパージ過程で分離される。反応残留物及びパージガスは真空ポンプ３３に吸い出される（ステップ８４）。堆積過程では、コンフォーマル保護コーティングが得られる。ポンプがオフにされ（ステップ８５）、吸入マニホールド２０はターゲットポンプ吸入口１１から取り外され（ステップ８６）、排出マニホールド３０はターゲットポンプ排出口１４から取り外される（ステップ８７）。
【００３７】
さらなる例示的実施形態では、複数のポンプがポンプ連鎖を形成し、その複数のポンプの内部を保護するものが存在する。こうした実施形態では、前述の実施形態で示したものと同様に、吸入マニホールドが第１のターゲットポンプの吸入口に装着される。第１の排出マニホールドの一方の端部は第１のターゲットポンプの排出口に装着され、同じ排出マニホールドの反対側の端部は第２のターゲットポンプの吸入口に装着される。第２の排出マニホールドの一方の端部は第２のターゲットポンプの排出口に装着され、同じ排出マニホールドの反対側の端部は第３のターゲットポンプの吸入口に装着される。以下、同様にして順次装着される。この構成により、連鎖を成す複数のポンプは１つのＡＬＤ過程で同時に保護することができる。ガスは吸入マニホールドを通って第１のターゲットポンプの内部に流入し、前段のポンプの排出マニホールドを通って後段のターゲットポンプの内部に流入する。こうして、ポンプ連鎖の最終端に配置された真空ポンプに到達するまで続く。その結果、１列に配置されたターゲットポンプを通過する流路が形成され、この流路を用いることで、ターゲットポンプ内部の保護も同時に行われる。これら複数のターゲットポンプはそれ自体が真空ポンプであってもよく、他の適用可能なポンプであってもよい。
【００３８】
本件において開示される１つ又は複数の実施例の技術的効果のあるものを以下に示す。ただし、これらの効果は特許請求の範囲および解釈を制限するものではない。ある技術的効果は、コンフォーマル保護コーティングによってポンプ内部を保護することである。別の技術的効果は、既製（組立）ポンプをそのシーリング面を含めて保護することである。こうした保護が組立前に各ポンプ部品に対して別々に行われた場合、組立中に部品が傷付き易いという脆弱性を生じさせることになる。また別の技術的効果は、堆積過程中にターゲットポンプを動作し続けることによって、ターゲットポンプ内部を加熱するためにターゲットポンプそのものを使用することである。
【００３９】
前述した機能又は方法ステップの一部が異なる順番で実行されてもよいし、同時に実行されてもよいことに留意されたい。さらに、前述の機能又は方法ステップの１つ又は複数が任意選択できたり、統合されたりしてもよい。
【００４０】
以上の説明により、本発明の特定の実装および実施形態の非限定例を用いて、発明者によって現在考案されている、本発明を実施するための最良の形態の完全かつ有益な説明を提供した。しかしながら、当業者には明らかであるように、上述の実施形態の詳細は本発明を限定するものではなく、本発明の特徴から逸脱することなく同等の手段を用いて、他の実施形態に実装することができる。
【００４１】
さらに、以上に開示した本発明の実施形態の特徴は、対応する他の特徴を用いることなく用いられてもよい。然るに、以上の説明は、本発明の原理を説明するための例に過ぎず、それを限定するものではないと捉えるべきである。よって、本発明の範囲は添付の特許請求のみによって制限されるものである。
【図１】
2016520717.tif 000003
【図２】
2016520717.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 
前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 
前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（sequential self-saturating surface reaction）に曝すことと；
を含む方法。
【請求項２】
前記吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着し、前記排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記排出マニホールドに装着された真空ポンプによって、前記ターゲットポンプ内部から反応残留物及びパージガスを吸い出すことを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
他の加熱手段を用いずに前記ターゲットポンプを動作させ続けることによって、要求されるプロセス温度を与えることを含む、請求項１から３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記吸入マニホールドは１つ又は複数のインフィードライン及び該インフィードラインの制御要素備え、該制御要素はコンピュータ実装された制御システムによって制御される、請求項１から４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
１列に配置されたターゲットポンプを通じて流路を形成し、該流路を用いて、前記ターゲットポンプの内部の保護を同時に行うことを含む、請求項１から５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
前記列における前段のポンプの排出マニホールドを後段のポンプのポンプ吸入口に装着することによって、前記流路を形成することを含む、請求項６に記載の方法。 
【請求項８】
常温から摂氏１５０度までの温度範囲で前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すことを含む、請求項１から７の何れかに記載の方法。
【請求項９】
前記ターゲットポンプは真空ポンプである、請求項１から８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 
前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと； 
前記ターゲットポンプが動作していない間に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応（self-saturating surface reaction）に曝すことと；
を含む、方法。
【請求項１１】
ターゲットポンプの内部を保護する装置であって、 
ターゲットポンプに装着されるように設計された吸入マニホールドと；
ターゲットポンプに装着されるように設計された排出マニホールドと
を備え、使用されるとき、請求項１から１０の何れかに記載の方法を実行する、装置。
【請求項１２】
前記装置は使用されるとき、前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すように構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記吸入マニホールドは、前駆体蒸気及びパージガスのインフィードライン、及び該インフィードラインの制御要素を備える、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記排出マニホールドは真空ポンプを備える、請求項１１から１３の何れかに記載の装置。 
【請求項１５】
前記吸入マニホールドはターゲットポンプ固有の装着部品を備え、該装着部品は該吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着するように構成される、請求項１１から１４の何れかに記載の装置。
【請求項１６】
移動型である、請求項１１から１５の何れかに記載の装置。
【国際調査報告】
2016520717.tif 000005
2016520717.tif 000006
2016520717.tif 000007