(57)【要約】  本発明の一実施形態によると，基板処理装置は基板を加工する工程が行われる工程チャンバーと，前記基板に含まれた汚染物質を除去するパージチャンバーと，前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーが側面に連結され，前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーの間で前記工程が完了された前記基板を前記パージチャンバーに移送する基板ハンドラーを具備するトランスファチャンバーと，を含み，前記パージチャンバーは，内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含む。【選択図】図２
2016502753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加工する工程が行われる工程チャンバーと，
前記基板に含まれた汚染物質を除去するパージチャンバーと，
前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーが側面に連結され，前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーの間で前記工程が完了された前記基板を前記パージチャンバーに移送する基板ハンドラーを具備するトランスファチャンバーと，を含み，
前記パージチャンバーは，
内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，
前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，
前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，
前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記パージチャンバーは，
前記ガス供給ポートが連結されたチャンバーの側壁に設置され，前記ガス供給ポートを介して供給された前記ガスを拡散する一つ以上の拡散板をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板ホルダは，
前記基板の形状に対応する開口及び前記開口と連通して前記通路側に位置する開放部，そして前記開口の周縁に沿って形成された装着溝を有し上下に積層される一つ以上のローディングプレートと，
前記ローディングプレートの上部に離隔設置され，前記内部空間を上下に区画するホルダ蓋と，を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板ホルダは，
前記基板の上部に設置される上部フレームと，
前記基板の下部に設置される下部フレームと，
前記上部フレームと前記下部フレームを連結し，前記基板の縁部分が収容される複数の支持スロットが長さ方向に沿って形成された一つ以上の支持ロッドと，を具備することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記パージチャンバーは，
前記ガス供給ポートが連結されたチャンバーの側壁に設置され，前記内部空間のガスを排出する一つ以上のバッフルを更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ガスの流動方向は，前記基板の出入方向と垂直であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記パージチャンバーは，外部から供給された冷媒が循環する冷媒流路を更に有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，
前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，
前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，
前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含み，
前記基板ホルダは，
前記基板の形状に対応する開口及び前記開口と連通して前記通路側に位置する開放部，そして前記開口の周縁に沿って形成された装着溝を有し上下に積層される一つ以上のローディングプレートと，
前記ローディングプレートの上部に離隔設置され，前記内部空間を上下に区画するホルダ蓋と，を含むことを特徴とするパージチャンバー。
【請求項１０】
内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，
前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，
前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，
前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含み，
前記基板ホルダは，
前記基板の上部に設置される上部フレームと，
前記基板の下部に設置される下部フレームと，
前記上部フレームと前記下部フレームを連結し，前記基板が縁部分が収容される複数の支持スロットを有する一つ以上の支持ロッドと，を具備することを特徴とするパージチャンバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及びパージチャンバーに関するものであり，より詳しくは，所定の加工処理された基板の上に存在する汚染物質を，トランスファチャンバーの一側に設置されたパージチャンバーを利用して除去する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に，半導体装置の製造では基板として使用されるシリコーン基板に対して蒸着，フォトリソグラフィ，エッチング，イオン注入，研磨，洗浄などの単位工程を繰り返し行って目的とする電気的特性を有する回路パターンを形成する。特に，基板を蒸着するＳｉＨ2Ｃｌ2（ＤＣＳ：ジクロロシラン）工程の場合，反応式１のような化学反応が行われる。
（ＳｉＨ2Ｃｌ2＋２Ｎ2Ｏ→ＳｉＯ2＋２Ｎ↑＋２ＨＣｌ）・・・［反応式１］
【０００３】
反応式１のように，ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）と窒素酸化物（２Ｎ2Ｏ）の蒸着工程が行われた基板は，シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が形成される。一方，基板の表面に吸着されていた塩酸（ＨＣｌ）が，設備前方端部モジュールに移送されると，設備前方端部モジュール内部の湿気と反応して塩酸が発生し，この塩酸が，設備前方端部モジュール内部の金属を腐食する問題が発生する。特に，基板を各一枚単位で洗浄する枚葉式工程の場合，配置式工程より迅速に工程が完了されることで，基板から発生する腐食性ガス（ＨＣｌ）の残存量が増加し周辺部品及び装置が腐食する問題が深刻である。
【０００４】
特に，蒸着工程が完了された基板Ｗのヒュームが除去されないまま多数の基板を収納するための収納容器に移動される場合，収納容器内部の他の基板に転移されて基板の不良及び汚染を起こす恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は，工程が完了した基板を，パージチャンバーに移送してヒューム除去することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は，工程が完了後，基板から発生するヒュームを除去して周辺装置が腐食することを防止することにある。
【０００７】
本発明の更に他の目的は，後述する詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は基板を加工する工程が行われる工程チャンバーと，前記基板に含まれた汚染物質を除去するパージチャンバーと，前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーが側面に連結され，前記工程チャンバー及び前記パージチャンバーの間で前記工程が完了された前記基板を前記パージチャンバーに移送する基板ハンドラーを具備するトランスファチャンバーと，を含み，前記パージチャンバーは，内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含む。
【０００９】
前記パージチャンバーは前記ガス供給ポートが連結された前記チャンバーの側壁に設置され，前記ガス供給ポートを介して供給された前記ガスを拡散する一つ以上の拡散板を更に含む。
【００１０】
前記基板ホルダは，前記基板の形状に対応する開口及び前記開口と連通して前記通路側に位置する開放部，そして前記開口の周縁に沿って形成された装着溝を有し上下に積層される一つ以上のローディングプレートと，前記ローディングプレートの上部に離隔設置され，前記内部空間を上下に区画するホルダ蓋と，を含む。
【００１１】
前記基板ホルダは，前記基板の上部に設置される上部フレームと，前記基板の下部に設置される下部フレームと，前記上部フレームと前記下部フレームを連結し，前記基板の縁部分が収容される複数の支持スロットが長さ方向に沿って形成された一つ以上の支持ロッドを具備する。
【００１２】
前記パージチャンバーは，前記ガス供給ポートが連結された前記チャンバーの側壁に設置されて内部空間のガスを排出する一つ以上のバッフルを更に含む。
【００１３】
前記ガスの流動方向は前記基板の出入方向と垂直である。
【００１４】
前記ガスは不活性ガスである。
【００１５】
前記パージチャンバーは冷媒が循環する冷媒供給通路を更に有する。
【００１６】
本発明の一実施形態によると，内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含み，前記基板ホルダは，前記基板の形状に対応する開口及び前記開口と連通して前記通路側に位置する開放部，そして前記開口の周縁に沿って形成された装着溝を有し上下に積層される一つ以上のローディングプレートと，前記ローディングプレートの上部に離隔設置され，前記内部空間を上下に区画するホルダ蓋と，を含む。
【００１７】
本発明の一実施形態によると，内部空間及び前記内部空間に前記基板が出入する通路を有するチャンバーと，前記チャンバーの内部に設置され，前記基板が置かれる基板ホルダと，前記通路を基準に一側面に設置されて前記内部空間に向かってガスを供給するガス供給ポートと，前記ガス供給ポートの反対側に設置されて前記内部空間の前記ガスを排出する排気ポートと，を含み，前記基板ホルダは，前記基板の上部に設置される上部フレームと，前記基板の下部に設置される下部フレームと，前記上部フレームと前記下部フレームを連結し，前記基板が縁部分が収容される複数の支持面を有する一つ以上の支持ロッドと，を具備する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施形態によると，工程が完了した基板を，別途のパージチャンバーに移送して基板に残留するヒュームを除去することで，周辺装置の腐食を防止することができ，基板が大気に露出されても人体に無害である。また，工程が完了した基板のヒュームを除去することができるため，ヒュームによる基板の不良を防止して製品の歩留りを向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】パージチャンバーが設置される位置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態によるパージチャンバーを概略的に示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による基板ホルダを示す図である。
【図４】図３に示す基板ホルダが設置された，パージチャンバーのガス流動の流れを示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態による基板ホルダを示す図である。
【図６】図５に示す基板ホルダが設置された，パージチャンバーのガス流動の流れを示す背面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下，本発明の好ましい実施形態を添付した図１乃至図４を参照して，より詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形に変更してもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限定されると解釈してはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に，本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
【００２１】
図１は，パージチャンバーが設置される位置を示す図である。図１に示すように，基板に対する工程が行われる基板製造設備は基板Ｗの処理工程が行われるそれぞれの工程チャンバー１１０及び工程チャンバー１１０から基板Ｗを引き出し引き入れる設備前方端部モジュール（Equipment Front End Module：EFEM）２００を含む。基板処理装置１００はパージチャンバー１，多数の工程チャンバー１１０，トランスファチャンバー１７０及びトランスファチャンバー１７０に設置されて工程チャンバー１１０とパージチャンバー１との間で基板Ｗを移送する基板ハンドラー１２０を含む。トランスファチャンバー１７０とパージチャンバー１及び工程チャンバー１１０の間には真空ゲートバルブ（図示せず）が設置され，真空ゲートバルブを開閉して基板Ｗをトランスファチャンバー１７０からパージチャンバー１又は工程チャンバー１１０に移送する。
【００２２】
それぞれの工程チャンバー１１０はそれぞれ基板Ｗが供給されて半導体製造工程，例えばエッチング（etching），洗浄（cleaning），アッシング（ashing）などのような工程を行って基板Ｗを加工する。トランスファチャンバー１７０は上側から見ると略多角形状を有し，トランスファチャンバー１７０はパージチャンバー１と，それぞれの工程チャンバー１１０及びロードロックチャンバー１５０と連結される。トランスファチャンバー１７０内には基板ハンドラー１２０が設置され，基板ハンドラーはパージチャンバー１及びそれぞれの工程チャンバー１１０に基板Ｗをローディングするかパージチャンバー１及び工程チャンバー１１０から基板Ｗをアンローディングする。また，基板ハンドラー１２０はパージチャンバー１及びそれぞれの工程チャンバー１１０，そしてロードロックチャンバー１５０の間に基板Ｗを移送する。
【００２３】
ロードロックチャンバー１５０はトランスファチャンバー１７０と設備前方端部モジュール２００との間に設置される。ロードロックチャンバー１５０はパージチャンバー１及び工程チャンバー１１０に流入される基板Ｗが一時的に留まるローディングチャンバー（図示せず）とパージチャンバー１及び工程チャンバー１１０から半導体工程が完了されて引き出された基板Ｗが一時的に留まるアンローディングチャンバー（図示せず）を含む。この際，ロードロックチャンバー１５０の内部は真空及び大気圧に転換可能であり，トランスファチャンバー１７０，パージチャンバー１及び工程チャンバー１１０は真空に維持される。よって，ロードロックチャンバー１５０は外部の汚染物質がパージチャンバー１と工程チャンバー１１０及びトランスファチャンバー１７０に流入されることを防止する。
【００２４】
設備前方端部モジュール２００は複数個の収納容器２１０，複数個のロードポート２２０及びフレーム５，そして第２移送ユニット２３０を含む。収納容器２１０は多数の基板Ｗが収納可能であり，収納容器２１０は加工されていない基板Ｗを工程ユニット１００に提供し，工程ユニット１００によって加工された基板Ｗを更に収容する。収納容器２１０はロードポート２２０に装着され，ロードポート２２０はフレーム５の前方に設置されて収納容器２１０を支持する。
【００２５】
フレーム５はロードポート２２０とロードロックチャンバー１５０との間に設置され，フレームの内部には第２移送ユニット２３０が設置される。第２移送ユニット２３０は，ロードポート２２０に装着された収納容器２１０と，トランスファチャンバー１７０との間に基板Ｗを移送する。第２移送ユニット２３０は，収納容器２１０から基板Ｗを引き出してトランスファチャンバー１７０に基板Ｗを提供し，パージチャンバー１及び工程チャンバー１１０から加工された基板Ｗを提供されて収納容器２１０に移送する。
【００２６】
基板を加工するジクロロシラン（ＤＣＳ）工程の場合，反応式１のような化学反応が行われる。
（ＳｉＨ2Ｃｌ2＋２Ｎ2Ｏ→ＳｉＯ2＋２Ｎ↑＋２ＨＣｌ）・・・［反応式１］
【００２７】
反応式１でのように，ジクロロシラン工程が行われた基板Ｗはシリコン酸化膜が形成される。一方，基板Ｗの表面に吸着されていた塩酸（ＨＣｌ）が設備前方端部モジュール２００に移送されると，設備前方端部モジュール２００内部の湿気と反応して塩酸が発生し，この塩酸が設備前方端部モジュール２００内部の金属を腐食する問題が発生する。特に，基板Ｗを各一枚単位で洗浄する枚葉式工程の場合には，配置式工程より迅速に工程が完了されることによって，基板Ｗから発生する腐食性ガス（ＨＣｌ）の残存量が増加して周辺部品及び装置が腐食する問題が深刻となる。
【００２８】
また，蒸着工程が完了された基板Ｗのヒュームが，除去されないまま多数の基板Ｗを収納するための収納容器２１０に移動される場合，収納容器２１０内部の他の基板Ｗに転移されて汚染を起こす恐れがある。このような問題点を解決するために，本発明は，パージチャンバー１をトランスファチャンバー１７０の一側に設置して基板Ｗの汚染源であるヒューム及び腐食性ガスを除去する。パージチャンバー１について続く図面と共に説明する。
【００２９】
図２は，本発明の一実施形態によるパージチャンバーを概略的に示す図である。上述したように，パージチャンバー１はトランスファチャンバー１７０の一側に連結され，真空ゲートバルブの開閉によって基板Ｗが出入する通路（図示せず）が形成される。工程チャンバー１１０で加工が完了された基板Ｗは基板ハンドラー１６０によってパージチャンバー１０に移送される。加工工程を経た基板Ｗは，腐食性ヒュームが残存するため周辺装置を腐食する現象が発生する。よって，工程が完了された基板Ｗを直ちにパージチャンバー１に移送して，腐食性ヒュームを除去することで周辺装置の腐食を防止し，大気中にヒュームが露出されることを防止する。
【００３０】
図２に示すように，チャンバー１０は上部が開放された形状を有し，チャンバー蓋２０はチャンバー１０の上部に設置されて内部空間１５を形成する。内部空間１５には基板ホルダ３０が設置され，通路を介して出入した基板Ｗは基板ホルダ３０の上にローディングされる。基板Ｗが出入する通路を基準に，一側面にはガス供給ポート４０が設置される。ガス供給管ポート４０にはガス供給口４５が形成され，ガス供給口４５はガス供給管４６と連結されてガス供給貯蔵タンク４８からガスを供給される。ガス供給管４６の上にはバルブ４７が設置されてガス供給を制御することができ，ガスはガス供給口４５を介して内部空間１５に向かって供給される。ガスはアルゴンガス（Ａｒ）を含む不活性ガスであってもよい。
【００３１】
パージチャンバー１はチャンバー１０の壁に沿って内部に形成された冷媒流路１２を有する。冷媒流路１２に沿って冷媒が流れ，冷媒としては冷却水又は冷却気体を使用する。よって，冷媒流路１２を介して冷媒を供給することでパージチャンバー１の内部を冷却する。冷媒は，冷媒供給タンク（図示せず）から連結された冷媒供給管（図示せず）を介して冷媒流路１２に供給され，冷媒は冷媒流路に沿って循環する。また，チャンバー１０を循環して暖められた冷媒は，冷媒供給管に沿ってチラー（chiller）（図示せず）に流入されて再冷却される。
【００３２】
また，ガス供給ポート４０が連結されたチャンバー１０の側壁には複数個の拡散板が設置される。図２に示すように，第１乃至第３拡散板６０，６４，６７にはそれぞれ複数個の拡散孔６１，６５，６８が形成され，ガス供給口４５を介して供給されたガスを内部空間１５に向かって順次に拡散して供給する。第１乃至第３拡散板６０，６４，６７は一定間隔に配置され，ガス供給口４５を介して供給されたガスを内部空間１５に向かって均一に拡散して供給する。
【００３３】
ガス供給ポート４０の反対側には，ガス供給ポート４０を介して供給されたガスを排出する排気ポート５０が設置される。排気ポート５０は排気管４６と連結され，排気管４６に連結された排気ポンプ４８によって内部空間１５のガスを強制排出する。排気ポート５０の上には複数個の排出孔７５を有するバッフル７０が設置され，排出孔７５を介して内部空間１５のガス流動を一定に維持し，内部空間１５のガスを外部に排出する。通路を基準に，両側面にそれぞれガス供給ポート４０と排気ポート５０が設置される。すなわち，ガスは基板Ｗの出入方向と垂直に流動する。また，バッフル７０は排気ポート５０の上に複数個具備される。
【００３４】
上述したように，チャンバー１０の内部容器１５には，基板ホルダ３０が設置される。工程が完了された基板Ｗは，トランスファチャンバー１７０の基板ハンドラー１６０を介してパージチャンバー１の内部空間１５に案内される。内部空間１５に案内された基板Ｗは基板ホルダ３０にローディングされ，ローディングが完了されれば真空ゲートバルブ（図示せず）によって遮断される。真空ゲートバルブが閉まればガス供給口４５を介してガスが流入され，流入されたガスは基板Ｗに残留するヒュームと共に排気ポートに排出される。
【００３５】
また，基板Ｗに含まれた腐食性ヒュームはチャンバー１０の内壁を腐食するため，チャンバーの内壁を保護するためにカバー２５が設置される。カバー２５は，石英又はセラミック素材であってもよい。それだけでなく基板Ｗを支持する基板ホルダ３０の材質も石英又はセラミック素材で製造されてもよい。以下続く図面と共に基板ホルダ３０及び基板ホルダ３０の装着効果について説明する。
【００３６】
図３は，本発明の一実施形態による基板ホルダを示す図であり，図４は，図３に示す基板ホルダが設置されたパージチャンバーのガス流動の流れを示す図である。図３に示すように，ローディングプレート３５は基板Ｗの形状に対応する開口３４を有する。また，基板Ｗが出入する通路側に開放部３２が形成されて開口３４と連通する形状を有する。ローディングプレート３５は開口３４の周縁に沿って装着溝３６が形成され，内部空間１５に案内された基板Ｗは装着溝３６に当接して支持される。ローディングプレート３５は，一つ以上上下に積層設置されてもよく，好ましくは，３つのローディングプレート３５が配置されて３つの基板Ｗを収容する。
【００３７】
最上部に設置されたローディングプレート３５の上部にはホルダ蓋３８が設けられる。すなわち，図４に示すように，ホルダ蓋３８は内部空間１５を上下に区画し，拡散板６０，６４，６７を介して流入されたガスは，ホルダ蓋３８によってガス流動空間を最小化し，流入されたガスの殆どは基板Ｗに供給されて基板Ｗに含まれたヒュームを十分に除去する。
【００３８】
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが，それとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
【００３９】
発明を実施するための形態
以下，本発明の好ましい実施形態を添付した図５乃至図６を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形に変更してもよく，本発明の範囲が後述する実施形態によって限定されて解釈してはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
【００４０】
図５は，本発明の他の実施形態による基板ホルダを示す図であり，図６は，図５に示す基板ホルダが設置されたパージチャンバーのガス流動の流れを示す背面図である。図５に示すように，基板ホルダ３０は上部フレーム８０と下部フレーム８３を含むボートタイプ（boat-type）の形状である。上部フレーム８０は，基板Ｗの上部に設置され，下部フレーム８３は，基板Ｗの下部に設置される。上部及び下部フレーム８０，８３は，それぞれ基板Ｗに対応する形状である円形である。
【００４１】
支持ロッド８５は，上部フレーム８０と下部フレームを連結し，複数の支持スロット８７を有する。工程が完了された基板Ｗは，内部空間１５に案内され，支持ロッド８５に形成された支持スロット８７に装着される。支持スロット８７は，支持ロッド８５の長さ方向に沿って複数個形成され，好ましくは３つの支持スロット８７が形成されて３つの基板Ｗを収容する。
【００４２】
図６に示すように，パージチャンバー１の内部空間１５にボートタイプの基板ホルダ３０を設置することで，基板Ｗと基板ホルダ３０との間の接触面積を最小化することができる。よって，基板Ｗの大部分の面積にガスを供給することができるため基板Ｗに含まれた腐食性ヒュームを殆ど除去することができる。図示していないが，ボートタイプの基板ホルダ３０に，図３を介して説明したチャンバー蓋８３を具備することで，内部空間１５を区画して拡散板６０，６４，６７を介して流入されたガスの最大量を基板Ｗに供給することができる。
【００４３】
すなわち，本発明はトランスファチャンバー１７０の一側にパージチャンバー１を連結して固定チャンバー１１０から工程が完了された基板Ｗを直ちにパージチャンバー１に移送し，腐食性ヒュームを除去することで，他の周辺装置が基板Ｗに含まれたヒュームと接触しない。よって，周辺部品及び装置の腐食を防止して生産性及び経済性を確保することができる。それだけでなく，本発明の基板ホルダ３０を利用して基板Ｗのヒュームを殆ど除去することでヒュームによる加工済みの基板の不良を防止し，製品の歩留りを向上することができる。
【００４４】
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが，それとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限られない。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は，多様な形態の半導体製造設備及びその製造方法に応用される。
【図１】
2016502753.tif 000003
【図２】
2016502753.tif 000004
【図３】
2016502753.tif 000005
【図４】
2016502753.tif 000006
【図５】
2016502753.tif 000007
【図６】
2016502753.tif 000008
【国際調査報告】
2016502753.tif 000009
2016502753.tif 000010
2016502753.tif 000011
2016502753.tif 000012