(57)【要約】  本明細書で説明される実施形態は、非接触データ通信に関する。非接触データ通信のための関連するシステムおよび方法が本明細書で開示される。たとえば、基板と、基板上に配置された１対のダイポールコイルと、ダイポールコイルの対に電気的に結合された駆動回路とを含む、磁界ベースの非接触送信機が開示される。第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機にデータを送信するために、駆動回路は、ＭＴＪ受信機と同一面内に磁界（ＨＩＸ）を生成するよう、ダイポールコイルの対を駆動するように構成される。データは、磁界を使用して、磁界ベースの非接触送信機からＭＴＪ受信機に送信され得る。
2016540393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
前記基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対と、
ダイポールコイルの前記対に電気的に結合された、第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動するように構成された、駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２】
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動する、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３】
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項４】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、請求項３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で駆動せず、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動しないようにさらに構成される、請求項４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項６】
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対と、
ダイポールコイルの前記第２の対に電気的に結合された、前記第２の基板上に配置された第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動するように構成された、第２の駆動回路とをさらに備える、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項７】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項８】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記基板上で平面を定義するように配置され、ダイポールコイルの前記第２の対は、前記平面上でダイポールコイルの前記対に実質的に直交して配置される、請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項９】
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記第１の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界が前記第２の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１０】
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記第１の論理入力の論理状態が論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の論理状態が前記論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１１】
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項１０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１２】
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で、駆動しないようにさらに構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で、駆動しないようにさらに構成される、
請求項１１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１３】
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１４】
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、請求項１３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１５】
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第１の方向で生成されるように、および、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第２の方向で生成されるように、前記基板上に配置される、請求項１４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１６】
前記第１の方向は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の軸に沿い、前記第２の方向も、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記軸に沿い、前記第２の方向は、前記軸に沿って前記第１の方向と実質的に反対である、請求項１５に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１７】
前記第１のダイポールコイルは、前記第１の磁界が第１の中心軸に沿って配向されるように、前記第１の中心軸の回りに巻かれ、
前記第２のダイポールコイルは、前記第２の磁界が第２の中心軸に沿って配向されるように、前記第２の中心軸の回りに巻かれる、
請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１８】
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と交差するように位置決めされる、
請求項１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１９】
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と実質的に直交するように位置決めされる、
請求項１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２０】
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界および前記第２の磁界が最高点を有する磁力線を生成するように配置され、ここにおいて、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界は、前記第２の基板上に配置される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２１】
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２２】
前記磁界ベースの非接触送信機は、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２３】
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）に組み込まれる、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２４】
第１の磁界および第２の磁界を生成するための手段と、
基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１の磁界が前記第１の磁界と実質的に反対になるように、前記第１の磁界と前記第２の磁界とを駆動するための手段と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２５】
データを送信する面内非接触方法であって、
基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対を提供することと、
第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動することと、
を備える、データを送信する面内非接触方法。
【請求項２６】
論理状態を有する論理入力を受信することをさらに備え、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の前記磁界内で駆動することは、前記論理入力の前記論理状態に従って前記磁界を前記ＭＴＪ受信機と同一面内で向けることをさらに備える、請求項２５に記載の面内非接触方法。
【請求項２７】
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対を提供することと、
他の基板上に配置された他の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動することと、
をさらに備える、請求項２５に記載の面内非接触方法。
【請求項２８】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、請求項２７に記載の面内非接触方法。
【請求項２９】
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
第１のダイポールコイルと、
第２のダイポールコイルと、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルおよび前記第２のダイポールコイルは、対せき磁気双極子の対を作るために互いに対して相対的に配置され、
前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとに動作可能に関連付けられた駆動回路であって、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って、対せき磁気双極子の前記対の磁気極性をセットすることと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３０】
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が前記第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が前記第２のダイポールコイルを有する基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
を行うように構成されることによって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、請求項２９に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３１】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動しないようにさらに構成される、請求項３０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３２】
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
基板と、
前記基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記自由層は、前記自由層の第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、を備える、
ＭＴＪと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３３】
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成される、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３４】
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第１の論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第２の論理値を有するように、前記論理出力を生成するように構成される、請求項３３に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３５】
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が、前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第３の方向で配向されるように切替可能になるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第３の論理値を有するように前記論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成される、請求項３４に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３６】
前記基板と同一面内に配置された、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、
を備える第２のＭＴＪと、
前記第２のＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された第２の感知回路と、
をさらに備える、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３７】
前記第４の磁化容易軸は、前記第２の磁化容易軸に実質的に直交する、請求項３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３８】
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するように構成される
請求項３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３９】
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がある論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第１の論理出力を生成するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が論理値を有し、前記第２の抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第２の論理出力を生成するように構成される、
請求項３８に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４０】
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第５の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記第２の自由層は、前記第３の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために、第４の磁化が前記第４の磁化容易軸に実質的に沿った第６の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するようにさらに構成される、
請求項３９に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４１】
前記磁界ベースの非接触受信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４２】
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４３】
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４４】
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義するための手段と、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸に沿った第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸に沿った第２の方向で配向されることとの間で切替可能であるように、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の前記第２の磁化容易軸を定義するための手段と、
前記抵抗を感知するための手段と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４５】
データを受信する面内非接触方法であって、
基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、を含む、
提供することと、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されるように、前記自由層の前記第２の磁化を配向することと、
前記第２の磁化が、第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されるように、前記第２の磁化を配向することと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することと
を備える、データを受信する面内非接触方法。
【請求項４６】
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することは、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することを備える、請求項４５に記載の面内非接触方法。
【請求項４７】
前記基板と同一面内に配置され、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
を備える、提供することと、
前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知することと
をさらに備える、請求項４５に記載の面内非接触方法。
【請求項４８】
非接触通信デバイスであって、
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の対を作るように構成されたコイルの対と、ここにおいて、コイルの前記対は、対せき磁気双極子の前記対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように前記ＭＴＪに対して相対的に配置され、
駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記対を作るためにコイルの前記対を駆動することと、
前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪ内で同一面内で調整することと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える非接触通信デバイス。
【請求項４９】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪと同一面内で調整するように構成される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５０】
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性をセットすることと、
を行うようにさらに構成される、請求項４９に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５１】
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が第２のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する前記基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する前記基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
によって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、請求項５０に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５２】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５３】
前記ＭＴＪは、
参照層と、
自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対が前記自由層と同一面内で前記磁界を生成するように配置される、
を備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５４】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５５】
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するためにダイポールコイルの前記対を駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと、
を行うように構成される、請求項５４に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５６】
前記自由層は、前記駆動回路が前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して前記自由層の第２の磁化が切替可能であるように構成される、請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５７】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記磁界は、前記第２の磁化容易軸に沿って生成される、
請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５８】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で、前記第１の磁化容易軸に沿って固定された第２の磁化を有する第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記自由層は、第３の磁化を有し、前記自由層は、前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して、前記自由層が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第１の方向に配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第２の方向に配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５９】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６０】
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路をさらに備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６１】
第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の第２の対を作るように構成されたコイルの第２の対と、ここにおいて、コイルの前記第２の対は、対せき磁気双極子の前記第２の対が前記第２のＭＴＪと同一面内で第２の磁界を生成するように前記第２のＭＴＪに対して相対的に配置され、
第２の駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記第２の対を作るためにコイルの前記第２の対を駆動することと、
前記第２の磁界の磁界配向を前記第２のＭＴＪと同一面内で調整することと、
を行うように構成された第２の駆動回路と、
をさらに備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６２】
対せき磁気双極子の前記対によって生成される前記磁界は、対せき磁気双極子の前記第２の対によって生成される前記第２の磁界に実質的に直交する、請求項６１に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６３】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪおよび前記第２のＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記ＭＴＪは、
参照層と、
前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対によって作られる前記磁界が第１の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備え、
前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層と、
前記第１の自由層の前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２のＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記第２の対によって作られる前記第２の磁界が前記第２の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備える
請求項６１に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６４】
請求項４８に記載の非接触通信デバイスは、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される。
【請求項６５】
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６６】
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６７】
非接触通信デバイスであって、
対せき磁気双極子の対が磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作るための手段と、
前記磁界の磁界配向を調整するための手段と、
を備える、非接触通信デバイス。
【請求項６８】
非接触データ通信の方法であって、
基板と同一面内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することと、
対せき磁気双極子の対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作ることと、
前記磁界の磁界配向を調整することと、
を備える、非接触データ通信の方法。
【請求項６９】
前記磁界の前記磁界配向を調整することとは、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることを備える、請求項６８に記載の非接触データ通信の方法。
【請求項７０】
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと
をさらに備える、請求項６９に記載の非接触データ通信の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
[0001]本願は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれている、２０１３年９月２５日に出願した米国特許出願第１４／０３６５２６号、名称「CONTACTLESS DATA COMMUNICATION USING IN-PLANE MAGNETIC FIELDS, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS」の優先権を主張するものである。
【０００２】
[0002]本開示の技術は、一般に、非接触データ通信のためのシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]特に携帯電話機およびタブレットなどのポータブル電子デバイスは、内部回路の間のデータ通信を必要とする。たとえば、ポータブル電子デバイスは、ポータブル電子デバイス内のアプリケーションプロセッサとディスプレイとの間でデータを転送するデータ通信コンポーネントを含む場合がある。これらのデータ通信コンポーネントが、所望の電力消費レベルでアプリケーションプロセッサとディスプレイとの間で高いデータ転送レートを提供することが、望ましい可能性がある。さらに、これらのデータ通信コンポーネントは、ポータブル電子デバイス内の空間を消費するので、データ通信コンポーネントがコンパクトなフォームファクタを有することも、望ましい可能性がある。さらに、ポータブル電子デバイスを製造し、および／または組み立てるのに必要なコストとリードタイムとを低下させることが、望ましい可能性がある。
【０００４】
[0004]ワイヤライン（wireline）コネクタは、アプリケーションプロセッサとディスプレイとの間のデータ交換をサポートするのにポータブル電子デバイス内で使用されるデータ通信コンポーネントの１つのタイプである。図１に、ポータブル電子デバイス１６のアプリケーションプロセッサ１２とディスプレイ１４との間でデータを転送するように構成されたワイヤラインコネクタ１０の例を示す。図１に示されているように、アプリケーションプロセッサ１２は、アプリケーションプロセッサ基板１８上に設けられる。ワイヤラインコネクタ１０は、アプリケーションプロセッサ１２に結合され、アプリケーションプロセッサ基板１８上に取り付けられた通信ソケット２０を含む。さらに、ディスプレイ１４およびディスプレイコントローラ２２が、ディスプレイ基板２４上に設けられる。ディスプレイコントローラ２２は、データを転送し、および／またはディスプレイ１４の動作のためのデータによって示される指示を実施するために、ディスプレイ１４に動作可能に関連付けられる。したがって、ディスプレイ基板２４は、ディスプレイコントローラ２２がデータを受信できるようにするために、ディスプレイコントローラ２２に結合された通信ソケット２６を含む。ワイヤラインコネクタ１０は、データが通信ソケット２０と通信ソケット２６との間で、したがって、最終的にはアプリケーションプロセッサ１２とディスプレイコントローラ２２とディスプレイ１４との間で通信されることを可能にする。図１では、ワイヤラインコネクタ１０は、通信ソケット２０と通信ソケット２６とに結合されるオスの両端を有するＦ−ＰＣＢコネクタである。ワイヤラインコネクタ１０は、ポータブル電子デバイス１６内でのデータの効率的な表示のために、高いデータ転送レートを容易にしなければならない。しかし、ワイヤラインコネクタ１０は、相対的に大きく、ポータブル電子デバイス１６内の空間のうちのかなりの量を消費する可能性がある。より具体的には、ワイヤラインコネクタ１０は、ポータブル電子デバイス１６のサイズに関して相対的に大きいコンポーネントである。ワイヤラインコネクタ１０は、手作業での組立をも必要とし、これによって、製造コストと組立リードタイムとを増やす可能性がある。
【０００５】
[0005]最近、デバイス空間を節約し、製造コストを下げ、組立リードタイムを改善するために、様々な非接触接続技法が開発されてきた。これらの非接触接続技法は、無線周波数（ＲＦ）ワイヤレス接続技法と、ベースバンドワイヤレス接続技法とを含む。
【０００６】
[0006]これに関して、図２に、ポータブル電子デバイス１６のアプリケーションプロセッサ１２とディスプレイ１４との間でデータをワイヤレスに転送するのに図１のポータブル電子デバイス１６で利用され得るワイヤレスコネクタ２８（ワイヤラインコネクタ１０ではなく）の一例を示す。図２では、ワイヤレスコネクタ２８は、ＲＦワイヤレス接続技法またはベースバンドワイヤレス接続技法などのワイヤレス接続技法を使用する。ＲＦワイヤレス接続技法は、多くのＲＦワイヤレス接続技法が、近距離場電磁伝搬ではなく遠距離場電磁伝搬を使用して動作するので、通常はベースバンドワイヤレス接続技法より長い通信範囲を必要とする。ＲＦワイヤレス接続技法は、ベースバンドワイヤレス接続技法より多くの電力を消費し、より低いデータ転送レート能力を有する可能性もある。ＲＦワイヤレス接続技法で使用される高周波搬送波信号は、電力増幅デバイス内で高いレートの電力消費を引き起こす可能性がある。さらに、ＲＦワイヤレス接続技法は、雑音とひずみとの影響をより受けやすく、これによってより低いレートのデータ転送をもたらす可能性がある。その代わりに、図２のワイヤレスコネクタ２８は、たとえばギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）転送レートが可能である場合がある、ベースバンドワイヤレス接続技法を実施することができる。しかし、従来のベースバンドワイヤレスチップ間通信は、相対的に高い電力消費、低いデータレート、および非常に制限された通信範囲という欠点をまねく、誘導結合および／または伝送路結合などの技法を使用する。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]本明細書で開示される実施形態は、面内磁界（in-plane magnetic fields）を使用する非接触データ通信に関する。たとえば、面内磁界強度（誘導結合技法の場合のような強度変化のレートではなく）が、データを表すのに使用され得、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）が、磁界強度感知に使用され得る（誘導結合非接触通信技法における磁界強度の変化レートを感知するための誘導コイルの使用ではなく）。面内磁界を使用する非接触データ通信のための関連するシステムおよび方法が、本明細書で開示される。本明細書で開示されるある種の実施形態では、基板と、基板上に配置された１対のダイポールコイルと、ダイポールコイルの対に電気的に結合された駆動回路とを含む面内磁界ベースの非接触送信機が開示される。第２の基板上に配置されたＭＴＪ受信機にデータを送信するために、磁界ベースの非接触送信機の駆動回路は、ダイポールコイルの対のうちの第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、第２のダイポールコイルを第２の磁界内でまたは第１の磁界と実質的に反対に駆動するように構成される。したがって、第１の磁界および第２の磁界は、ＭＴＪ受信機と同一面内に磁界を生成する。第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、第２のダイポールコイルを第２の磁界内で駆動することによって、データが、ダウンストリーム回路による処理のために磁界ベースの非接触送信機からＭＴＪ受信機に送信され得る。磁界ベースの非接触送信機によって送信される磁界は、ＭＴＪ受信機に対して同一面内にあるので、送信機は、指向性データ多重化と振幅データ多重化とを用いて、より高いデータレートを提供することができ、電力を節約するためにベースバンドで通信することもできる。さらに、ＭＴＪ受信機と同一面内で磁界を生成することによって、磁界ベースの非接触送信機は、高められた通信範囲を有するだけではなく、ＭＴＪ受信機とともに相対的にコンパクトな配置で配置されることも可能である。
【０００８】
[0008]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触送信機が開示される。この面内磁界ベースの非接触送信機は、第１の磁界および第２の磁界を生成するための手段を含む。さらに、この面内磁界ベースの非接触送信機は、第２の磁界が第１の磁界と実質的に反対になるようにするために、第１の磁界と第２の磁界とを駆動するための手段を含む。したがって、磁界が、基板上に配置されたＭＴＪ受信機と同一面内に生成される。
【０００９】
[0009]別の実施形態では、データを送信する同一面内非接触方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、１対のダイポールコイルが提供される。ダイポールコイルの対は、基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを含む。さらに、第２の基板上に配置されたＭＴＪ受信機と同一面内に磁界を生成するために、第１のダイポールコイルは、第１の磁界内で駆動され、第２のダイポールコイルは、第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動される。
【００１０】
[0010]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触送信機が開示される。例示的な面内磁界ベースの非接触送信機は、第１のダイポールコイルと、第２のダイポールコイルと、駆動回路とを含む。第１のダイポールコイルおよび第２のダイポールコイルは、１対の対せき磁気双極子（antipodal magnetic dipoles）を作るために互いに対して相対的に配置される。駆動回路は、第１のダイポールコイルと第２のダイポールコイルとに動作可能に関連する。より具体的には、駆動回路は、対せき磁気双極子の対を生成するために第１のダイポールコイルと第２のダイポールコイルとを駆動するように構成される。さらに、駆動回路は、論理状態を有する論理入力を受信し、論理入力の論理状態に従って、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットする。
【００１１】
[0011]非接触データ通信を介してデータを受信するために、磁界ベースの非接触受信機（たとえば、ＭＴＪ受信機）の実施形態も、本明細書で開示される。一実施形態では、面内磁界ベースの非接触受信機は、基板と、基板と同一面内に配置されたＭＴＪと、感知回路とを含む。ＭＴＪは、参照層（reference layer）と自由層（free layer）とを含む。ＭＴＪの参照層は、参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸（first easy axis）に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する。ＭＴＪの自由層は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する。自由層の第２の磁化容易軸は、参照層の第１の磁化容易軸に実質的に直交するので、自由層を切り替えるのに使用される電力を減らすことができる。したがって、ＭＴＪのこの配置は、ＭＴＪに高い磁界感度を与え、したがって、送信中により少ない電力が使用されることを可能にすることができる。より具体的には、自由層は、第２の磁化容易軸に対する相対的な第１の方向と第２の方向への配向間で切替可能である第２の磁化を有する。ＭＴＪの抵抗は、自由層の磁化（印加される面内磁界に伴って変化する）と参照層の磁化（固定されている）との間の磁界配向アライメントに関係する。より具体的には、自由層の第２の磁化が、第１の方向に配向されるときに、ＭＴＪの抵抗は、第１の抵抗状態で提供される。ＭＴＪの抵抗は、自由層の第２の磁化が第２の方向で配向されるときに、第２の抵抗状態で提供される。磁界ベースの非接触受信機の感知回路は、ＭＴＪの抵抗を感知するように構成される。したがって、データは、ＭＴＪの抵抗が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかに基づいて表され得る。
【００１２】
[0012]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触受信機が開示される。例示的な面内磁界ベースの非接触受信機は、第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義するための手段を含む。さらに、この面内磁界ベースの非接触受信機は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義するための手段を含む。したがって、第２の磁化は、第２の磁化容易軸を定義するための手段によって提供される。第２の磁化は、第１の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されることとの間で切替可能である。面内磁界ベースの非接触受信機は、抵抗を感知するための手段をさらに含む。
【００１３】
[0013]別の実施形態では、データを受信する同一面内非接触方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、基板と同一面内に配置され、抵抗を有するＭＴＪが、提供される。ＭＴＪは、参照層と自由層とを含む。ＭＴＪの参照層は、参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する。自由層は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する。データを受信するために、自由層の第２の磁化は、自由層の第２の磁化が、第１の抵抗状態でＭＴＪの抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されるように、または第２の抵抗状態でＭＴＪの抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されるように、配向される。ＭＴＪの抵抗は、受信されるデータを提供するために感知される。
【００１４】
[0014]非接触データ通信を提供するために、例示的な磁界ベースの非接触送信機と例示的な磁界ベースの非接触受信機とを含む非接触通信デバイスの実施形態も、本明細書で開示される。一実施形態では、非接触通信デバイスは、ＭＴＪと、対せき磁気双極子の対を作るように構成されたコイルの対と、駆動回路とを有する。コイルの対は、磁気双極子の対せき対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するようにＭＴＪに対して相対的に配置される。駆動回路は、対せき磁気双極子の対を作るためにコイルの対を駆動するように構成される。非接触の形でデータを通信するために、駆動回路は、磁界の磁界配向をＭＴＪ内で同一面内で調整するようにさらに構成される。インダクタ結合通信技法および他の非接触通信技法と比較して、この非接触通信デバイスは、エッジ変調（edge modulation）を提供する必要がなく、より少ない電力を消費することができ、より雑音の影響を受けないものでもありえる。
【００１５】
[0015]別の実施形態では、別の非接触通信デバイスが開示される。この非接触通信デバイスは、対せき磁気双極子の対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の対を作るための手段を含む。データを通信するために、この非接触通信デバイスは、磁界の磁界配向を調整するための手段をも含む。
【００１６】
[0016]さらに別の実施形態では、非接触データ通信の方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、ＭＴＪが、基板と同一面内に配置される。対せき磁気双極子の対が、対せき磁気双極子の対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように作られる。データを通信するために、生成された同一面内磁界の磁界配向が、調整される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】[0017]ポータブル電子デバイス内で使用される、関連技術からの例示的なワイヤラインコネクタを示す図。
【図２】[0018]図１に示されたポータブル電子デバイス内で使用される、関連技術からの非接触データコネクタを示す図。
【図３】[0019]非接触データ通信を提供するために例示的な磁界ベースの非接触送信機と例示的な磁界ベースの非接触受信機とを含む例示的な非接触通信デバイスを示すシステム図。
【図４】[0020]図３に示された非接触通信デバイスを使用して非接触データ通信を提供する例示的なプロセスを示す流れ図。
【図５】[0021]磁界ベースの非接触受信機内に面内磁界を生成するために磁界ベースの非接触送信機が設けられる例示的な配置での、図３に示された非接触通信デバイスを示す例示的な横断面図。
【図６】[0022]基板上に形成された図３に示された磁界ベースの非接触送信機を示す上面図。
【図７】[0023]図６に示された磁界ベースの非接触送信機内で提供され得る例示的な駆動回路の一実施形態を示す図。
【図８】[0024]基板上に形成された図３に示された磁界ベースの非接触受信機を示す上面図。
【図９】[0025]磁気トンネル接合（ＭＴＪ）が、図８に示された磁界ベースの非接触受信機内で使用される、自由層と参照層と他の関連する層とを含む例示的なＭＴＪ素子を示す横断面図。
【図１０】[0026]図８に示された磁界ベースの非接触受信機内で使用され得る感知回路の一実施形態を示す図。
【図１１】[0027]情報を送信するために面内磁界が実質的に直交方向で生成される、磁界ベースの非接触受信機（図示せず）内で面内磁界を生成するように配置された２対のダイポールコイルを有する別の例示的な磁界ベースの非接触送信機を示す上面図。
【図１２】[0028]一方の面内磁界が実質的に直交する方向の一方で生成され、他方の面内磁界が実質的に直交する方向の他方で生成されるようにするために、磁界ベースの非接触受信機が２つのＭＴＪを配置される、非接触通信デバイスを提供するために図１１に示された情報を受信するための磁界ベースの非接触送信機とともに利用され得る別の例示的な磁界ベースの非接触受信機を示す上面図。
【図１３】[0029]各送信機セルが、マルチビット情報シンボルを並列に送信するために図１１のダイポールコイルの対と同様に配置された２対のダイポールコイルを有する、複数の送信機セルを伴うさらに別の例示的な磁界ベースの非接触送信機を示す図。
【図１４】[0030]各受信機セルが、マルチビット情報シンボルを並列に受信するために図１３のＭＴＪと同様に配置された２つのＭＴＪを有する、非接触通信デバイスを提供するために図１３に示された磁界ベースの非接触送信機とともに利用され得、複数の受信機セルを有することができる、別の例示的な磁界ベースの非接触受信機を示す図。
【図１５】[0031]本開示に従って配置され、ポータブル電子デバイス内でアプリケーションプロセッサとディスプレイとの間で非接触の形でデータを転送するためにポータブル電子デバイス内で使用される、例示的な非接触通信デバイスを示す図。
【図１６】[0032]例示的なプロセッサベースのシステムと、そのプロセッサベースのシステム内でコンポーネントへの非接触通信に使用され得る、本明細書で開示される実施形態のいずれかに従う非接触通信デバイスとを含む、図１５に示されたポータブル電子デバイスを示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0033]これから図面を参照して、本開示の複数の例示的実施形態が説明される。「例示的な」という単語は、本明細書では「例、事例、または例示の役割を果たすこと」を意味するために用いられる。「例示的な」として本明細書で説明される任意の実施形態は、必ずしも、他の実施形態よりも好ましいまたは有利であるとみなされない。
【００１９】
[0034]本明細書で説明される実施形態は、面内磁界を使用する非接触データ通信に関する。たとえば、面内磁界強度（誘導結合技法の場合のような強度変化のレートではなく）が、データを表すのに使用され得、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）が、磁界強度感知に使用され得る（誘導結合非接触通信技法における磁界強度の変化レートを感知するための誘導コイルの使用ではなく）。面内磁界を使用する非接触データ通信のための関連するシステムおよび方法が、本明細書で開示される。本明細書で開示されるある種の実施形態では、基板と、基板上に配置された１対のダイポールコイルと、ダイポールコイルの対に電気的に結合された駆動回路とを含む面内磁界ベースの非接触送信機が、開示される。第２の基板上に配置されたＭＴＪ受信機にデータを送信するために、磁界ベースの非接触送信機の駆動回路は、１対のダイポールコイル内の第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、第２のダイポールコイルを第２の磁界内でまたは第１の磁界と実質的に反対に駆動するように構成される。したがって、第１の磁界および第２の磁界は、ＭＴＪ受信機と同一面内に磁界を生成する。第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、第２のダイポールコイルを第２の磁界内で駆動することによって、データが、ダウンストリーム回路による処理のために磁界ベースの非接触送信機からＭＴＪ受信機に送信され得る。磁界ベースの非接触送信機によって送信される磁界は、ＭＴＪ受信機に対して同一面内にあるので、送信機は、指向性データ多重化と振幅データ多重化とを用いて、より高いデータレートを提供することができ、電力を節約するためにベースバンドで通信することもできる。さらに、ＭＴＪ受信機と同一面内で磁界を生成することによって、磁界ベースの非接触送信機は、高められた通信範囲を有するだけではなく、ＭＴＪ受信機とともに相対的にコンパクトな配置で配置されることも可能である。
【００２０】
[0035]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触送信機が開示される。この面内磁界ベースの非接触送信機は、第１の磁界および第２の磁界を生成するための手段を含む。さらに、この面内磁界ベースの非接触送信機は、第２の磁界が第１の磁界と実質的に反対になるようにするために、第１の磁界と第２の磁界とを駆動するための手段を含む。したがって、磁界が、基板上に配置されたＭＴＪ受信機と同一面内に生成される。
【００２１】
[0036]別の実施形態では、データを送信する同一面内非接触方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、１対のダイポールコイルが提供される。ダイポールコイルの対は、基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを含む。さらに、第２の基板上に配置されたＭＴＪ受信機と同一面内に磁界を生成するために、第１のダイポールコイルは、第１の磁界内で駆動され、第２のダイポールコイルは、第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動される。
【００２２】
[0037]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触送信機が開示される。例示的な面内磁界ベースの非接触送信機は、第１のダイポールコイルと、第２のダイポールコイルと、駆動回路とを含む。第１のダイポールコイルおよび第２のダイポールコイルは、１対の対せき磁気双極子を作るために互いに対して相対的に配置される。駆動回路は、第１のダイポールコイルと第２のダイポールコイルとに動作可能に関連する。より具体的には、駆動回路は、対せき磁気双極子の対を生成するために第１のダイポールコイルと第２のダイポールコイルとを駆動するように構成される。さらに、駆動回路は、論理状態を有する論理入力を受信し、論理入力の論理状態に従って、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットする。
【００２３】
[0038]非接触データ通信を介してデータを受信するために、磁界ベースの非接触受信機（たとえば、ＭＴＪ受信機）の実施形態も、本明細書で開示される。一実施形態では、この面内磁界ベースの非接触受信機は、基板と、基板と同一面内に配置されたＭＴＪと、感知回路とを含む。ＭＴＪは、参照層と自由層とを有する。ＭＴＪの参照層は、参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する。ＭＴＪの自由層は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する。自由層の第２の磁化容易軸は、参照層の第１の磁化容易軸に実質的に直交するので、自由層を切り替えるのに使用される電力を減らすことができる。したがって、ＭＴＪのこの配置は、ＭＴＪに高い磁界感度を与え、したがって、送信中により少ない電力が使用されることを可能にすることができる。より具体的には、自由層は、第２の磁化容易軸に対する第１の方向と第２の方向への配向間で切替可能な第２の磁化を有する。ＭＴＪの抵抗は、自由層の磁化（印加される面内磁界に伴って変化する）と参照層の磁化（固定されている）との間の磁界配向アライメントに関係する。より具体的には、自由層の第２の磁化が、第１の方向に配向されるときに、ＭＴＪの抵抗は、第１の抵抗状態で提供される。ＭＴＪの抵抗は、自由層の第２の磁化が第２の方向に配向されるときに、第２の抵抗状態で提供される。磁界ベースの非接触受信機の感知回路は、ＭＴＪの抵抗を感知するように構成される。したがって、データは、ＭＴＪの抵抗が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかに基づいて表され得る。
【００２４】
[0039]別の実施形態では、別の面内磁界ベースの非接触受信機が開示される。例示的な面内磁界ベースの非接触受信機は、第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義するための手段を含む。さらに、面内磁界ベースの非接触受信機は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義するための手段を含む。したがって、第２の磁化は、第２の磁化容易軸を定義するための手段によって提供される。第２の磁化は、第１の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されることとの間で切替可能である。この面内磁界ベースの非接触受信機は、抵抗を感知するための手段をさらに含む。
【００２５】
[0040]別の実施形態では、データを受信する同一面内非接触方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、基板と同一面内に配置され、抵抗を有するＭＴＪが、提供される。ＭＴＪは、参照層と自由層とを含む。ＭＴＪの参照層は、参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する。自由層は、第１の磁化容易軸に実質的に直交する、基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する。データを受信するために、自由層の第２の磁化は、第２の磁化が第１の抵抗状態でＭＴＪの抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向され、または第２の抵抗状態でＭＴＪの抵抗を提供するために第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されるように、配向される。ＭＴＪの抵抗が、受信されるデータを提供するために感知される。
【００２６】
[0041]非接触データ通信を提供するために、例示的な磁界ベースの非接触送信機と例示的な磁界ベースの非接触受信機とを含む非接触通信デバイスの実施形態も、本明細書で開示される。一実施形態では、この非接触通信デバイスは、ＭＴＪと、対せき磁気双極子の対を作るように構成されたコイルの対と、駆動回路とを有する。コイルの対は、磁気双極子の対せき対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するようにＭＴＪに対して相対的に配置される。駆動回路は、対せき磁気双極子の対を作るためにコイルの対を駆動するように構成される。非接触の形でデータを通信するために、駆動回路は、磁界の磁界配向をＭＴＪ内で同一面内で調整するようにさらに構成される。インダクタ結合通信技法および他の非接触通信技法と比較して、この非接触通信デバイスは、エッジ変調を提供する必要がなく、消費電力がより少ないものであり得、そしてまた、より雑音の影響を受けないものでもありえる。
【００２７】
[0042]別の実施形態では、別の非接触通信デバイスが開示される。この非接触通信デバイスは、対せき磁気双極子の対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の対を作るための手段を含む。データを通信するために、この非接触通信デバイスは、磁界の磁界配向を調整するための手段をも含む。
【００２８】
[0043]さらに別の実施形態では、非接触データ通信の方法が開示される。例示的実施形態を実施するために、ＭＴＪが、基板と同一面内に配置される。対せき磁気双極子の対が、対せき磁気双極子の対がＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、作られる。データを通信するために、生成された面内磁界の磁界配向が、調整される。
【００２９】
[0044]これに関して、図３は、例示的な面内非接触通信デバイス３０のシステム図である。この実施形態の非接触通信デバイス３０は、非接触データ通信を提供するために、面内磁界ベースの非接触送信機３２と面内磁界ベースの非接触受信機３４とを含む。図３の磁界ベースの非接触送信機３２は、ダイポールコイルの対（全体的には要素「３６」、具体的には要素３６Ａ、３６Ｂと呼ばれる）と駆動回路３８とを含む。磁界ベースの非接触受信機３４は、ＭＴＪ４０と感知回路４２とを含む。磁界ベースの非接触受信機３４が、受信を提供するのにＭＴＪ４０を使用するので、磁界ベースの非接触受信機３４は、ＭＴＪ受信機である。図３の磁界ベースの非接触送信機３２が、まず下で説明される。図３の磁界ベースの非接触受信機３４は、その後で説明される。下でさらに詳細に説明されるように、磁界ＨＩＸが、ダイポールコイル３６Ａ、３６Ｂの対とともに磁界ベースの非接触送信機３２によって磁界ベースの非接触受信機３４と同一面内に生成される。論理入力（たとえば、ビット信号）の異なる論理状態を送信するために、磁界ベースの非接触受信機３４と同一面内の磁界ＨＩＸの方向が、切り替えられ得る。これは、磁界ベースの非接触受信機３４によって提供されるＭＴＪ４０の抵抗の変化をもたらす。ＭＴＪ４０の抵抗は、感知され得、したがって、論理入力の論理状態が、磁界ベースの非接触受信機３４によって決定され、ダウンストリーム回路に送信され得る。
【００３０】
[0045]これに関して、図３に示された磁界ベースの非接触送信機３２は、基板４４上で提供される。より具体的には、ダイポールコイルの対３６は、基板４４上に配置され、ダイポールコイル３６Ａは、ダイポールコイル３６Ｂと対にされる。ダイポールコイル３６Ａをダイポールコイル３６Ｂと対にするために、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂは、対せき磁気双極子の対を作るために、基板４４上で互いに対して相対的に配置される。より具体的には、ダイポールコイル３６Ａは、対せき磁気双極子の対のうちの一方を生成し、ダイポールコイル３６Ｂは、対せき磁気双極子の対のうちの他方を生成し、対せき磁気双極子の対は、反対方向に配向される。この実施形態では、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂは、それぞれ、同一平面（すなわち、表面４６によって定義される平面）に沿って形成されるようにするために基板４４の表面４６に配置されるが、変位された軸に沿ってその平面（すなわち、表面４６）に垂直に巻かれる。ダイポールコイルの対３６は、同一の電流ループＣＬの一部になるようにするために、互いに接続もされる。たとえば、ダイポールコイル３６Ａによって形成される最も外側の巻線５０の外部端４８は、ダイポールコイル３６Ｂによって形成される最も外側の巻線５４の外部端５２に接続される。
【００３１】
[0046]駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａとダイポールコイル３６Ｂとに動作可能に関連し、対せき磁気双極子の対を作るためにダイポールコイル３６Ａとダイポールコイル３６Ｂとを駆動するように構成される。この実施形態では、駆動回路３８は、ダイポールコイルの対３６に電気的に結合され、ダイポールコイル３６Ａを磁界ＨＡ内で、ダイポールコイル３６Ｂを磁界ＨＡと実質的に反対の磁界ＨＢ内で駆動するように構成される。より具体的には、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａによって形成される最も内側の巻線５８に接続された接続端５６と、ダイポールコイル３６Ｂによって形成される最も内側の巻線６２に接続された接続端６０とに結合される。駆動回路３８は、接続端５６、６０にまたがる電圧を生成し、ダイポールコイルの対３６にまたがる電流ＩＸを作るように構成される。外部端４８が、最も外側の巻線５０に接続されるので、接続端５６は、最も内側の巻線５８に接続され、接続端６０は、最も内側の巻線６２に接続され、電流ＩＸは、ダイポールコイルの対３６を回る実質的に反対の回転方向に伝搬する。したがって、磁界ＨＡは、ダイポールコイル３６Ｂによって生成される磁界ＨＢと実質的に反対になるように、ダイポールコイル３６Ａによって生成される。このように、ダイポールコイルの対３６は、対せき磁気双極子の対を生成するように構成され、ここで、ダイポールコイル３６のうちの一方は、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル３６のうちの他方は、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成する。したがって、対せき磁気双極子の対は、垂直にも水平にも対せき磁気双極子の対の間にある中間領域で磁界ＨＩＸを生成する。
【００３２】
[0047]磁界ＨＢが、磁界ＨＡと完全に反対になり得る（そうである必要はないが）ことに留意されたい。磁界ＨＢが磁界ＨＡと実質的に反対であるかどうかは、特定の通信応用例の性能パラメータに従って決定されるべきである。
【００３３】
[0048]駆動回路３８は、図３では、電流ＩＸが接続端５６から接続端６０へと伝搬するように電流ＩＸを生成する様子が図示されている。より具体的には、接続端５６から接続端６０までに生成される電圧の電圧極性は、正である。したがって、図３では、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂは、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対が構成される。このように、磁界ＨＡは、図３に示されたページから出る方向に向けられるが、磁界ＨＢは、図３に示されたページに入る方向に向けられる。しかし、駆動回路３８は、電流ＩＸが接続端５６と接続端６０とのどちらから他方にも伝搬できるように、電流ＩＸの電流の向きを切り替えるように構成され、したがって、駆動回路３８は、対せき磁気双極子の対のそれぞれの磁気極性を切り替えるように構成される。
【００３４】
[0049]より具体的には、駆動回路３８は、接続端５６から接続端６０までに生成される電圧の電圧極性を切り替え、これによって電流ＩＸの電流の向きを切り替え、これによって最終的に対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を切り替えるように構成される。たとえば、駆動回路３８は、接続端５６から接続端６０までに生成される電圧の電圧極性を、負になるように切り替えることができる。したがって、このケースでは、電流ＩＸは、接続端６０から接続端５６へ伝搬することになる。その結果、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するようなものになる。したがって、磁界ＨＡは、図３に示されたページに入る方向に向けられるが、磁界ＨＢは、図３に示されたページから出る方向に向けられることになる。したがって、電流ＩＸの電流の向きが駆動回路３８によって切り替えられるときには、磁界ＨＡ、ＨＢは、互いに対して実質的に反対のままになるが、対せき配置で作られることになる。
【００３５】
[0050]引き続き図３を参照すると、したがって、磁界ＨＡ、ＨＢから生成される対せき磁気双極子の対は、磁界ベースの非接触送信機３２を使用して非接触の形でデータを通信するのに使用され得る。磁界ベースの非接触送信機３２のダイポールコイルの対３６は、ダイポールコイルの対３６が基板４４の積層された層によって定義される平面と実質的に平行なので、基板４４と同一面内に配置される。この実施形態では、ダイポールコイルの対３６は、基板４４の表面４６上の最上部金属層によって形成され、したがって、表面４６と実質的に平行に配置される。下でさらに詳細に説明されるように、磁界ＨＡ、ＨＢは、磁界ベースの非接触受信機３４と同一面内で磁界ＨＩＸを生成する。
【００３６】
[0051]対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性（したがって磁界ＨＩＸの向き）を切り替えることによって、データが、磁界ベースの非接触送信機３２によって磁界ベースの非接触受信機３４に通信され得る。たとえば、あるビットのある論理状態は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方が基板４４から外を向くようにこれを提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方が基板４４の中を向くようにこれを提供するときに表され得、対せきビット値（たとえば、論理「１」のビット値を有するビット状態）を有する論理状態は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方が基板４４の中を向くようにこれを提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方が基板４４から外を向くようにこれを提供するときに表され得る。対せき磁気双極子の対は、下でさらに詳細に説明されるように、情報シンボルの論理状態を表すのにも使用され得る。
【００３７】
[0052]駆動回路３８は、磁界ＨＡの生成のためにダイポールコイル３６Ａを駆動し、磁界ＨＡと実質的に反対の磁界ＨＢの生成のためにダイポールコイル３６Ｂを駆動するように構成される。集合的に、磁界ＨＡおよび磁界ＨＢは、別の基板６４上に配置された磁界ベースの非接触受信機３４と同一面内に磁界ＨＩＸを生成する。上で説明したように、磁界ベースの非接触受信機３４は、ＭＴＪ４０を含み、したがって、ＭＴＪ受信機である。図３が、システム図であり、磁界ベースの非接触送信機３２と磁界ベースの非接触受信機３４との間のトポロジ的配置を具体的に示すことが意図されていないことに留意されたい。しかし、磁界ＨＡおよび磁界ＨＡと実質的に反対の磁界ＨＢが、磁界ベースの非接触受信機３４と同一面内に磁界ＨＩＸを生成するように、磁界ベースの非接触送信機３２と磁界ベースの非接触受信機３４との間および／または基板４４と基板６４との間で、任意の適切なトポロジ的配置が、利用され得る。
【００３８】
[0053]磁界ベースの非接触受信機３４に関するさらなる詳細が、これから提供される。磁界ベースの非接触送信機３２のダイポールコイルの対３６によって生成された磁界ＨＩＸは、磁界ＨＩＸが実質的にＭＴＪ４０の層によって定義される平面に平行なので、磁界ベースの非接触受信機３４のＭＴＪ４０と同一面内にある。したがって、磁界ＨＩＸは、実質的に磁界ベースの非接触受信機３４内の層と平行に向けられる。
【００３９】
[0054]ＭＴＪ４０は、強磁性材料を有し、１つまたは複数のトンネリング障壁を定義する、任意のタイプの素子とされ得る。強磁性材料のうちの少なくとも１つの磁化は、調整され得る。図３に示されたＭＴＪ４０は、ＭＴＪ４０の層（強磁性材料の層を含む）が基板６４の層によって定義される平面と平行なので、基板６４と同一面内に配置される。より具体的には、ＭＴＪ４０は、基板６４と同一面内に配置され、参照層６６と自由層６８とを含む。この実施形態では、ＭＴＪ４０は、基板６４の層から形成されることによって、基板６４と同一面内に提供される。したがって、参照層６６および自由層６８（と、おそらくはＭＴＪ４０のすべての他の層）は、基板６４の層として含まれる。
【００４０】
[0055]磁界ベースの非接触送信機３２から磁界ベースの非接触受信機３４にデータを通信するために、磁界ベースの非接触送信機３２の駆動回路３８は、対せき磁気双極子の対が磁界ベースの非接触受信機３４のＭＴＪ４０の自由層６８と同一面内に磁界ＨＩＸを生成するように、対せき磁気双極子の対を作るためにダイポールコイルの対３６を駆動するように構成される。より具体的には、基板６４は、基板６４の自由層６８および参照層６６などの層が、表面７０と平行または実質的に平行になるようにするために積み重ねられる表面７０を有する。表面７０に垂直な方向７２が、図３に示されており、ここで、「〜の上」および「〜の下」などの基板６４内のトポロジ的関係を記述する用語は、方向７２に関して言及される。基板６４は、方向７２がそれらの面に対しても垂直になる平面（たとえば、参照層６６）を定義する。磁界ＨＩＸなどの界は、磁界が方向７２に垂直である基板６４によって定義される平面のうちの１つの上で方向７２に実質的に直交するときに、基板６４と同一面内にある。具体的には、磁界ＨＩＸは、磁界ＨＩＸが自由層６８によって定義される平面内で方向７２に実質的に直交するときに、自由層６８と同一面内にあり、ここで、方向７２は、自由層６８によって定義される平面に垂直である。この実施形態では、磁界ＨＩＸは、自由層６８と同一面内で、基板６４のＸ軸と呼ばれるべきものに平行に作られる。磁界ＨＩＸなどの磁界は、同一面内にあるべき方向７２に対して完全に直交である必要がない。そうではなく、磁界（ＨＩＸなど）が方向７２に実質的に直交するかどうかは、磁界ベースの非接触受信機３４を使用する応用例に関する性能パラメータおよび同様のものに基づくべきである。
【００４１】
[0056]もう一度図３を参照すると、ＭＴＪ４０は、基板６４上に配置された層によって形成される。この実施形態では、参照層６６は、方向７２に関して自由層６８の下に形成される。図３に示されたＭＴＪ４０は、スピン注入（ＳＴＴ）ＭＴＪ４０である。したがって、ＭＴＪ４０は、第１の抵抗状態と第２の抵抗状態との間で切替可能な抵抗を有する。参照層６６は、磁性層として提供され、自由層６８も、磁性層として提供される。これらの磁性層は、それぞれ、１つまたは複数の強磁性材料から作られる。電気接点７４が、参照層６６を感知回路４２に結合するために、参照層６６に接続される。同様に、電気接点７６が、自由層６８を感知回路４２に結合するために、自由層６８に接続される。トンネリング障壁が、参照層６６と自由層６８との間で定義される。この実施形態では、誘電層（図示せず）が、トンネリング障壁を定義するために参照層６６と自由層６８との間に設けられる。
【００４２】
[0057]参照層６６は、磁界配向を有する磁化ＭＲを有する。同様に、自由層６８は、磁界ＨＩＸと、磁界ＨＩＸが論理「１」または論理「０」のどちらを送信するために生成されるのかとに依存する磁界配向を有する磁化ＭＦを有する。この実施形態のＭＴＪ４０は、ＳＴＴ  ＭＴＪなので、自由層６８は、磁化ＭＦの磁界配向が調整可能である自由磁性層である。たとえば、自由層６８は、磁化ＭＦの磁界配向が第１の方向Ｄ１から第２の方向Ｄ２へ、および第２の方向Ｄ２から第１の方向Ｄ１へとに調整可能になるように構成される。参照層６６に関して、参照層６６は、磁化ＭＲの磁界配向が参照方向ＤＲに固定されるように構成される。その結果、ＭＴＪ４０は、第１の磁界配向アライメント状態と第２の磁界配向アライメント状態との間で切替可能である。
【００４３】
[0058]第１の磁界配向アライメント状態では、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向は、第１の方向Ｄ１で提供される。したがって、自由層６８の磁化ＭＦおよび参照層６６の磁化ＭＲは、磁化ＭＲが参照方向ＤＲで固定され、磁化ＭＦが第１の方向Ｄ１で提供されるので、互いに関して１つの磁界配向アライメントを有する。したがって、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第１の磁界配向アライメント状態であるときに、第１の抵抗状態で提供される。たとえば、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第１の磁界配向アライメント状態であるときに、抵抗Ｒ１とほぼ等しいものとなり得る。
【００４４】
[0059]第２の磁界配向アライメント状態では、磁化ＭＦの磁界配向は、磁界ＨＩＸによって回転される。より具体的には、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向は、第１の方向Ｄ１から離れて回転された第２の方向Ｄ２で提供される。したがって、自由層６８の磁化ＭＦおよび参照層６６の磁化ＭＲは、磁化ＭＲが、参照方向ＤＲで固定され、磁化ＭＦが第２の方向Ｄ２で提供されるので、互いに関して別の磁界配向アライメントを有する。第２の磁界配向アライメント状態での磁界配向アライメントは、第１の磁界配向アライメント状態での磁界配向アライメントに対して対せき的である。したがって、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第２の磁界配向アライメント状態であるときに、第２の抵抗状態で提供される。たとえば、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第２の磁界配向アライメント状態であるときには、抵抗Ｒ２とほぼ等しいものとなり得る。
【００４５】
[0060]図３の磁界ベースの非接触送信機３２と磁界ベースの非接触受信機３４との間の面内磁界非接触通信が、これから議論される。図３を参照すると、磁界ベースの非接触受信機３４のＭＴＪ４０は、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向状態が、磁界ＨＩＸの磁界配向によってセットされるように構成される。したがって、磁界ベースの非接触送信機３２の駆動回路３８は、ＭＴＪ４０と同一面内で磁界ＨＩＸの磁界配向を調整するように構成される。より具体的には、磁界ベースの非接触送信機３２の駆動回路３８は、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性に従って自由層６８内で同一面内で磁界ＨＩＸの磁界配向をセットするように構成される。したがって、自由層６８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように提供するように、ダイポールコイル３６Ａの磁界ＨＡおよびダイポールコイル３６Ｂの磁界ＨＢが作られるようにするために、駆動回路３８がダイポールコイルの対３６を駆動するときに、第１の磁界配向アライメント状態でＭＴＪ４０を提供するために、磁界ＨＩＸに応答する。この場合に、磁界ＨＩＸの磁界配向は、上を指し、これは、自由層６８の磁気異方性と一緒に、磁化ＭＦが第１の方向Ｄ１になるように自由層６８の磁化ＭＦを回転させ、ＭＴＪ４０の抵抗は、第１の抵抗状態（すなわち、抵抗Ｒ１とほぼ等しい）で提供される。
【００４６】
[0061]同様に、自由層６８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように提供するように、ダイポールコイル３６Ａの磁界ＨＡおよびダイポールコイル３６Ｂの磁界ＨＢが作られるようにするために、駆動回路３８がダイポールコイルの対３６を駆動するときに、第２の磁界配向アライメント状態のＭＴＪ４０を提供するために、磁界ＨＩＸに応答する。この場合に、磁界ＨＩＸの磁界配向は、下を指し、これは、自由層６８の磁気異方性と一緒に、磁化ＭＦが第２の方向Ｄ２になるように自由層６８の磁化ＭＦを回転させ、ＭＴＪ４０の抵抗は、第２の抵抗状態（すなわち、抵抗Ｒ２とほぼ等しい）で提供される。このように、磁界ベースの非接触送信機３２の駆動回路３８は、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を切り替えることによって、磁界ベースの非接触受信機３４の自由層６８内で同一面内で磁界ＨＩＸの磁界配向を調整するように構成される。
【００４７】
[0062]引き続き図３を参照すると、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗を感知するように構成される。したがって、感知回路４２は、ＭＴＪ４０が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかを検出するように動作可能である。ＭＴＪ４０が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかを検出することによって、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の磁性配向アライメントが、第１の磁性配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）または第２の磁性配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）のどちらであるのかを感知するようにさらに構成される。第１の磁性配向アライメント状態（したがって、第１の抵抗状態）および第２の磁性配向アライメント状態（したがって、第２の抵抗状態）は、異なる論理状態を表すのに使用され得るので、感知回路４２は、磁界ベースの非接触送信機３２から磁界ベースの非接触受信機３４に非接触で通信されるデータを検出するように構成される。
【００４８】
[0063]ここで図３と図４とを参照すると、図４は、面内磁界非接触通信を使用する、磁界ベースの非接触送信機３２と磁界ベースの非接触受信機３４との間の非接触データ通信のための例示的なプロセスを示す。これに関して、非接触の形でデータを通信するために、磁界ベースの非接触送信機３２は、対せき磁気双極子の対がＭＴＪ４０と同一面内で磁界ＨＩＸを生成するように、対せき磁気双極子の対を作る（図４のブロック１）。上で説明したように、磁界ベースの非接触送信機３２の駆動回路３８は、ダイポールコイルの対３６上で電流ＩＸを生成することによって対せき磁気双極子の対を作るためにダイポールコイルの対３６を駆動するように構成される。したがって、駆動回路３８は、磁界ＨＡを作るためにダイポールコイル３６Ａを駆動し、磁界ＨＡと実質的に反対の磁界ＨＢを作るためにダイポールコイル３６Ｂを駆動する。
【００４９】
[0064]データを通信するために、その後、図３の磁界ベースの非接触送信機３２は、ＭＴＪ４０内で同一面内で磁界ＨＩＸの磁界配向を調整する（図４のブロック２）。上で説明したように、磁界ＨＩＸの磁界配向は、ＭＴＪ４０内で自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向をセットする。このように、ＭＴＪ４０は、第１の磁界配向アライメント状態（したがって、第１の抵抗状態）または第２の磁界配向アライメント状態（したがって、第２の抵抗状態）のいずれかで提供される。その後、感知回路４２は、ＭＴＪ４０が第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）または第２の抵抗状態（したがって、第２の磁界配向アライメント状態）のどちらであるのかを検出するように動作可能である。第１の磁界配向アライメント状態（したがって、第１の抵抗状態）および第２の磁界配向アライメント状態（したがって、第２の抵抗状態）は、異なる論理状態を表すのに使用され得るので、感知回路４２は、磁界ベースの非接触送信機３２から磁界ベースの非接触受信機３４に非接触で通信されるデータを検出するように構成される。
【００５０】
[0065]図５は、磁界ベースの非接触受信機３４内に面内磁界ＨＩＸを生成するために磁界ベースの非接触送信機３２が設けられる配置での、図３に示された非接触通信デバイス３０の例示的な横断面図である。図５の横断面図は、磁界ベースの非接触受信機３４のＸ軸（図３に示されている）に関して直交に描かれている。面内磁界ＨＩＸがＭＴＪ４０の自由層６８と同一面内で生成されるようにするために磁界ベースの非接触送信機３２を配置するために、基板６４は、基板６４の表面７０が基板４４の表面４６に面するように、基板４４に対して相対的に配置される。したがって、表面７０に垂直な方向７２は、基板４４の表面４６に向かって指す。この実施形態では、基板４４内でダイポールコイルの対３６によって定義される平面は、方向７２に垂直な基板６４内の自由層６８によって定義される平面に実質的に平行である。ダイポールコイル３６Ａは、中心軸ＣＡの回りに巻かれ、ダイポールコイル３６Ｂは、中心軸ＣＢの回りに巻かれる。中心軸ＣＡおよび中心軸ＣＢは、基板４４から面外に延び、ダイポールコイルの対３６によって定義される平面に実質的に直交する。図５に示された中心軸ＣＡおよび中心軸ＣＢは、基板６４の表面７０にも実質的に直交する。
【００５１】
[0066]上で説明されるように、駆動回路３８は、磁界ＨＡを作るためにダイポールコイル３６Ａを、磁界ＨＡと実質的に反対の磁界ＨＢを作るためにダイポールコイル３６Ｂを駆動し、集合的に、基板６４上に配置されたＭＴＪ４０の自由層６８と同一面内で磁界ＨＩＸを生成するように構成される。その結果、これは、対せき磁気双極子の対を作り出し、ダイポールコイルの対３６の磁界ＨＡ、ＨＢを含む、磁力線ＭＦＬＸを生成する。基板６４は、自由層６８がダイポールコイルの対３６の中心軸ＣＡと中心軸ＣＢとの間で水平に位置決めされるように、基板４４に関して位置決めされる。基板６４は、磁力線ＭＦＬＸの最高点が自由層６８内で提供されるように、垂直にも位置決めされる。このように、磁力線ＭＦＬＸは、自由層６８と同一面内で磁界ＨＩＸを生成する。この例では、ダイポールコイルの対３６は、中心軸ＣＡおよび中心軸ＣＢが交差し、基板６４のＸ軸（図３に示されている）に実質的に直交するように位置決めされる。
【００５２】
[0067]磁力線ＭＦＬＸの回転方向が、ダイポールコイルの対３６によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性によって決定されることに留意されたい。駆動回路３８が、磁界ＨＡが中心軸ＣＡに沿ってＭＴＪ４０を有する基板６４に向かう向きに向けられるように磁界ＨＡを作るためにダイポールコイル３６Ａを駆動し、磁界ＨＢが中心軸ＣＢに沿ってＭＴＪ４０を有する基板６４から離れる向きに向けられるように磁界ＨＢを作るためにダイポールコイル３６Ｂを駆動するときに、磁界ＨＩＸは、Ｘ軸に沿って正の方向で自由層６８と同一面内に生成される。自由層６８は、磁化ＭＦの磁界配向が磁界ＨＩＸに向かって整列されるように磁界ＨＩＸに応答する。したがって、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように提供するように、駆動回路３８が対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするときに、磁界ＨＩＸの磁界配向をＸ軸に沿って正の方向にセットするように構成される。その結果、磁化ＭＦの磁界配向は、第１の方向Ｄ１にセットされ、これは、この場合には、Ｘ軸の正の方向に向かって整列される。したがって、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第１の磁界配向アライメント状態であるので、第１の抵抗状態で提供される。図５では、参照層６６の磁化ＭＲが、このページから出て延びる方向ＤＲの磁界配向を有することに留意されたい。
【００５３】
[0068]引き続き図５を参照すると、駆動回路３８が、磁界ＨＡが中心軸ＣＡに沿ってＭＴＪ４０を有する基板６４から離れる向きに向けられるように、磁界ＨＡを作るためにダイポールコイル３６Ａを駆動し、磁界ＨＢが中心軸ＣＢに沿ってＭＴＪ４０を有する基板６４に向かう向きに向けられるように、磁界ＨＢを作るためにダイポールコイル３６Ｂを駆動するときには、磁界ＨＩＸは、Ｘ軸に沿って負の方向で自由層６８と同一面内に生成される。上で説明されるように、自由層６８は、磁化ＭＦの磁界配向が磁界ＨＩＸに向かって整列されるように磁界ＨＩＸに応答する。したがって、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように提供し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように提供するように、駆動回路３８が、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするときに、Ｘ軸に沿って負の方向で磁界ＨＩＸの磁界配向をセットするように構成される。その結果、磁化ＭＦの磁界配向は、第２の方向Ｄ２でセットされ、これは、この場合にはＸ軸に沿って負の方向を向く。したがって、ＭＴＪ４０の抵抗は、ＭＴＪ４０が第２の磁界配向アライメント状態なので、第２の抵抗状態で提供される。図５によって提供される図では、磁力線ＭＦＬＸの回転方向が、磁界ＨＩＸがＸ軸に沿って正の方向であるときには時計回りであり、磁界ＨＩＸがＸ軸に沿って負の方向であるときには反時計回りであることに留意されたい。
【００５４】
[0069]ＭＴＪ４０に関して、自由層６８は、基板６４の表面７０にあるように形成される。方向７２に関して、参照層６６は、基板６４の内部で提供される。誘電体層７８が、基板６４の内部でＭＴＪ４０のトンネル障壁を提供するために自由層６８と参照層６６との間に形成される。電気接点７４が、参照層６６に結合され、感知回路４２に接続される。感知回路４２は、電気接点７４と電気接点７６とにまたがって電圧を印加することによって、ＭＴＪ４０にまたがる感知電流ＩＳを生成するように構成される。電子が、誘電体層７８を通過することを妨げられるので、感知電流ＩＳ（図８に示されている）は、誘電体層７８にまたがる電子の量子力学的トンネル効果によって引き起こされるトンネル電流である。参照層６６の磁化ＭＲと整列するスピン（上向きスピンまたは下向きスピンのいずれか）を有する電子だけが、自由層６８から参照層６６へ、より高い確率で量子力学的にトンネリングし得る。その一方で、実質的に反対のスピン（下向きスピンまたは上向きスピンのいずれか）を有する電子は、参照層６６から自由層６８に戻って、より高い確率で量子力学的に反射し得る。したがって、感知電流ＩＳは、実際には２つの電流すなわち、上向きスピンの電子の電流と下向きスピンの電子の電流とから構成される。ＭＴＪ４０は、電子が自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向を回転するために要求される障壁エネルギーを有する。
【００５５】
[0070]この実施形態では、感知回路４２は、一定の電流の大きさを有する感知電流ＩＳを生成する。通常、ＭＴＪ４０は、感知電流ＩＳの電流レベルが臨界スイッチング電流の大きさに達するときに、第１の抵抗状態から第２の抵抗状態に切り替わる。しかし、この実施形態では、磁界ＨＩＸが、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向に実質的に直交する磁界配向で同一面内で作られる。磁界ＨＩＸの磁界配向が、磁界ＨＩＸの磁界配向がＸ軸に沿った正の方向または負の方向のどちらに向けられるのかにかかわりなく、実質的に直交することに留意されたい。このように、ＭＴＪ４０のＴＭＲは、磁界ＨＩＸの磁界配向がＸ軸に沿った正の方向と負の方向との間で切り替えられるとき、１００％もの大きさだけ変更され得る。
【００５６】
[0071]したがって、ＭＴＪ４０は、磁界ＨＩＸの磁界配向がＸ軸に沿った正の方向と負の方向との間で切り替えられることに応答して、第１の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）と第２の磁界配向アライメント状態（第２の抵抗状態に対応する）との間で切り替えられる。さらに、この配置は、障壁エネルギーを大幅に下げ、これによって、磁界ＨＩＸの強度要件を下げ、したがって送信に必要なエネルギーの量を下げることができる。これは、電流ＩＳの電流レベルを相対的に小さくすることと、ＭＴＪ４０が第１の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）と第２の磁界配向アライメント状態（第２の抵抗状態に対応する）との間で切り替えられることとを可能にする。したがって、非接触通信デバイス３０は、従来技術の他の非接触通信システムと比較して、相対的に低い電力レベルで動作することができる。
【００５７】
[0072]図６は、図３および図５に示された、基板４４上に形成された磁界ベースの非接触送信機３２の上面図である。データを表す論理状態を有する論理入力８０に関する磁界ベースの非接触送信機３２の動作。上で説明されるように、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂは、それぞれ、基板４４の表面４６上に配置される。したがって、ダイポールコイルの対３６によって定義される平面は、この例では表面４６である。したがって、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂは、上で説明されるように、対せき磁気双極子の対を作るために互いに対して相対的に配置される。さらに、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂは、ダイポールコイル３６Ａの中心軸ＣＡおよびダイポールコイル３６Ｂの中心軸ＣＢが、ＭＴＪ４０（図３に図示）のＸ軸と交差し、これに実質的に直交するように、基板４４の表面４６上で位置決めされる。ＭＴＪ４０は、ダイポールコイル３６Ａとダイポールコイル３６Ｂとの間になるように、Ｘ軸に沿って位置決めされる。このように、ダイポールコイルの対３６は、対せき磁気双極子の対が自由層６８（図５に図示）内でＭＴＪ４０と同一面内で磁界ＨＩＸ（図５に図示）を生成するように、ＭＴＪ４０に対して相対的に配置される。
【００５８】
[0073]上で説明されるように、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂに動作可能に関連し、対せき磁気双極子の対を生成するためにダイポールコイル３６Ａおよびダイポールコイル３６Ｂを駆動するように構成される。図６では、駆動回路３８は、論理入力８０を受信するようにさらに構成される。論理入力８０は、１つまたは複数の論理信号を含むことができる。論理入力８０によって表される論理状態は、データを符号化するのに使用される任意のタイプの論理状態となり得る。たとえば、論理状態は、１つまたは複数のビット状態、シンボル、および／または同様のものであり得る。駆動回路３８は、論理入力８０によって提供される論理状態の送信を調整するために、クロック信号ＣＬＫを受信することができる。駆動回路３８は、クロック信号ＣＬＫが、駆動回路３８が論理入力８０にとってオペーク（opaque）であるときおよび駆動回路３８が論理入力８０にとってトランスペアレント（transparent）であるときに刻時（times）するように構成される。
【００５９】
[0074]駆動回路３８は、論理入力８０の論理状態に従ってダイポールコイルの対３６によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。たとえば、論理入力８０は、単一ビット信号であり得、論理状態は、ビット信号のビット状態であり得る（すなわち、論理「１」または「０」のいずれかのビット値を有することができる）。上で言及されるように、駆動回路３８は、接続端５６から接続端６０への電圧を生成することによって、ダイポールコイルの対３６に沿った電流ＩＸを生成するように構成される。駆動回路３８は、接続端５６から接続端６０への電圧の電圧極性をセットすることによって、ダイポールコイルの対３６によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットする。これは、接続端５６から接続端６０への電圧の電圧極性が、電流ＩＸの電流の向きを決定するからである。したがって、論理入力８０の論理状態（この例では、ビット状態）は、電圧の電圧極性に対応し、したがって、電流ＩＸの電流の向きに対応する。駆動回路３８がトランスペアレントであるときには、駆動回路３８は、電圧極性（したがって、電流ＩＸの電流の向き）がビット状態に従ってセットされるように、論理入力８０のビット状態に応答する。
【００６０】
[0075]たとえば、論理「１」のビット値を有するビット状態は、接続端５６から接続端６０への電圧の電圧極性が正であることと、電流ＩＸの電流の向きが接続端５６から接続端６０への向きであることとに対応することができる。その一方で、論理「０」のビット値を有するビット状態は、接続端５６から接続端６０への電圧の電圧極性が負であることと、電流ＩＸの電流の向きが接続端６０から接続端５６への向きであることとに対応することができる。駆動回路３８がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、駆動回路３８は、電圧極性が正であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端５６から接続端６０への向きである電圧を生成するように構成され得る。したがって、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の磁気極性をセットするように構成される。さらに、駆動回路３８がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「０」のビット値を有することに応答して、駆動回路３８は、電圧極性が負であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端６０から接続端５６への向きである電圧を生成するように構成され得る。したがって、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の磁気極性をセットするように構成される。
【００６１】
[0076]図６に示された磁界ベースの非接触送信機３２は、ダイポールコイルの対３６と駆動回路３８の両方が基板４４上に配置されるように提供される。たとえば、基板４４は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内の半導体基板であり得る。したがって、ダイポールコイルの対３６および駆動回路３８は、それぞれ、ＩＣパッケージのフロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ：front end of line）において形成され得る。基板４４が半導体基板であるときに、基板４４は、ウェハから形成される基板本体および／または適切な半導体材料のドーピングされた層を有することができる。たとえば、半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、および／または同様のものであり得る。半導体層をドーピングするのに利用され得る通常のドーパントは、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、シリコン（Ｓｉ）、テルル（Ｔｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）、および／または同様のものである。さらに、金属層が、端子、トレース、接触パッド、コイル、接続、受動インピーダンス要素、能動半導体コンポーネント、および／または同様のものを提供するために、基板本体の上、中、または下に形成され得る。また、任意のタイプの適切な半導体技術が、基板４４のトポロジを提供するのに使用され得る。たとえば、半導体技術は、Complementary Metal-On-Oxide Semiconductor（ＣＭＯＳ）技術、BiComplementary Metal-On-Oxide Semiconductor（ＢｉＣＭＯＳ）技術、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）技術、および／または同様のものであり得る。
【００６２】
[0077]代替案では、ダイポールコイルの対３６および駆動回路３８は、別々の基板上に形成され得る。たとえば、ダイポールコイルの対３６および駆動回路３８は、それでも、同一のＩＣパッケージ内で提供され得る。しかし、駆動回路３８は、ＩＣパッケージのＦＥＯＬにおいて形成され得、ダイポールコイルの対は、ＩＣパッケージのバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ：back end of line）において形成され得る。したがって、駆動回路３８は、ＩＣパッケージのＦＥＯＬにおいて半導体基板上に形成され得、ダイポールコイルの対３６は、ＩＣパッケージのＢＥＯＬにおいて絶縁基板内に形成され得る。別の実施形態では、ダイポールコイルの対３６および駆動回路３８は、それぞれ、異なるＩＣパッケージ内に形成され得る。さらに別の実施形態では、駆動回路３８は、ＩＣパッケージ内で提供され得、ダイポールコイルの対３６は、プリント回路基板上に形成され得る。さらに別の実施形態では、駆動回路３８は、電子パッケージのラミネート上に取り付けられるＩＣパッケージ内で提供され得る。この場合に、ダイポールコイルの対３６は、電子パッケージのラミネート上で形成され得、電子パッケージは、プリント回路基板に取り付けられ得る。
【００６３】
[0078]図７は、図６に示された磁界ベースの非接触送信機３２内で提供され得る駆動回路３８の一実施形態を示す。この実施形態では、駆動回路３８は、制御回路８２と切替回路８４とを含む。切替回路８４は、接続端５６と接続端６０とに結合され、接続端５６から接続端６０までの電圧ＶＩを生成するように構成され、したがって、電流ＩＸを生成するように構成される。切替回路８４は、電圧ＶＩの電圧極性が切替可能になるように、したがって電流ＩＸの電流の向きが切替可能になるようにさらに構成される。
【００６４】
[0079]図７に示されているように、制御回路８２は、この例では上で説明される単一ビット信号である論理入力８０を受信し、クロック信号ＣＬＫを受信するように構成される。制御回路８２がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、制御回路８２は、切替回路８４が、電圧極性が正であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端５６から接続端６０への向きである電圧ＶＩを生成するように、切替回路８４を制御するように構成される。制御回路８２がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「０」のビット値を有することに応答して、制御回路８２は、切替回路８４が、電圧極性が負であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端６０から接続端５６への向きである電圧ＶＩを生成するように、切替回路８４を制御するように構成される。
【００６５】
[0080]この実施形態では、切替回路８４は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｐ１とＮ１とＰ２とＮ２とを含む。ＦＥＴ  Ｐ１は、制御回路８２に結合されたゲートＧＰ１と、供給電圧ＶＳを受信するように結合されたソースＳＰ１と、接続端５６に結合されたドレインＤＰ１とを含むＰチャネルＦＥＴである。ＦＥＴ  Ｎ１は、制御回路８２に結合されたゲートＧＮ１と、グラウンドに結合されたソースＳＮ１と、接続端６０に結合されたドレインＤＮ１とを含むＮチャネルＦＥＴである。ＦＥＴ  Ｐ２は、制御回路８２に結合されたゲートＧＰ２と、供給電圧ＶＳを受信するように結合されたソースＳＰ２と、接続端６０に結合されたドレインＤＰ２とを含むＰチャネルＦＥＴである。ＦＥＴ  Ｎ２は、制御回路８２に結合されたゲートＧＮ２と、グラウンドに結合されたソースＳＮ２と、接続端５６に結合されたドレインＤＮ２とを含むＮチャネルＦＥＴである。
【００６６】
[0081]制御回路８２がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、制御回路８２は、ＦＥＴ  Ｐ１とＮ１とがターンオンされ、ＦＥＴ  Ｐ２とＮ２とがターンオフされるように切替回路８４を制御するように構成される。より具体的には、制御回路は、ゲートＧＰ１とゲートＧＮ２とにロー（low）電圧をセットし、ゲートＧＰ２とゲートＧＮ１とにハイ（high）電圧をセットする。その結果として、切替回路８４は、電圧極性が正であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端５６から接続端６０への向きである電圧ＶＩを生成する。制御回路８２がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「０」のビット値を有することに応答して、制御回路８２は、ＦＥＴ  Ｐ２とＮ２とがターンオンされ、ＦＥＴ  Ｐ１とＮ１とがターンオフされるように切替回路８４を制御するように構成される。より具体的には、制御回路は、ゲートＧＰ１とゲートＧＮ２とにハイ電圧をセットし、ゲートＧＰ２とゲートＧＮ１とにロー電圧をセットする。その結果として、切替回路８４は、電圧極性が負であり、電流ＩＸの電流の向きが接続端６０から接続端５６への向きである電圧ＶＩを生成する。
【００６７】
[0082]これに関して、図８は、基板６４上に形成された、図３と図５とに示された磁界ベースの非接触受信機３４の上面図である。これに関して、図８は、感知回路４２によって生成された論理出力８６に関するＭＴＪ４０の追加の詳細と磁界ベースの非接触受信機３４の動作とを説明する。ＭＴＪ４０は、エネルギー効率のよい配置を有する。より具体的には、ＭＴＪ４０の参照層６６は、参照層６６の磁化ＭＲが磁化容易軸（easy axis）ＥＡＲに沿って配向されるように、基板と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲを定義する。ＭＴＪ４０の自由層６８は、磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）を定義する。自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦは、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交するので、自由層６８の磁化ＭＦを回転するのに必要な電力が、減らされ得る。より具体的には、磁界ベースの非接触送信機３２からの面内磁界ＨＩＸの下で、自由層６８は、磁化容易軸ＥＡＦの回りで第１の方向Ｄ１に配向されることと第２の方向Ｄ２に配向されることとの間で切替可能な磁化ＭＦを有する。磁化ＭＦが、第１の方向Ｄ１に配向されるときに、ＭＴＪ４０の抵抗は、第１の抵抗状態で提供される。ＭＴＪ４０の抵抗は、磁化ＥＡＦが第２の方向Ｄ２に配向されるときに、第２の抵抗状態で提供される。したがって、データは、ＭＴＪ４０の抵抗によって表され得る。さらに、ＭＴＪ４０の障壁エネルギーは、磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する磁化容易軸ＥＡＦを提供することによって減らされ得、これによって、磁化ＭＦを第１の方向Ｄ１と第２の方向Ｄ２との間で切り替えるのに必要な電力の量が減らされる。磁界ベースの非接触受信機３４の感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗を感知するように構成される。したがって、データは、ＭＴＪ４０の抵抗が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかに基づいて表され得る。
【００６８】
[0083]上で説明されるように、ＭＴＪ４０は、基板６４と同一面内に配置され、第１の抵抗状態から第２の抵抗状態に切替可能な抵抗を有する。磁界ＨＩＸは、同一面内で作られ、磁界配向は、自由層６８の磁化ＭＦの配向に実質的に直交する。参照層６６および自由層６８は、それぞれ、磁気的に異方性である強磁性材料から形成される。磁気的に異方性である強磁性材料は、磁化容易軸と磁化困難軸とを有する。強磁性材料の磁化容易軸は、強磁性材料内で磁化に関して最もエネルギー的に好ましい方向を定義する。強磁性材料の磁化困難軸は、強磁性材料内で磁化に関するエネルギー的最大値を有する方向を定義する。
【００６９】
[0084]この実施形態では、参照層６６は、基板６４上に配置された結晶磁気異方性結晶（magnetocrystalline anisotropic crystal）から形成される。したがって、参照層６６は、参照層６６の磁化ＭＲが磁化容易軸ＥＡＲに沿って配向されるように、基板６４と同一面内に磁化容易軸ＥＡＲを定義する。参照層６６は、参照層６６の磁化ＭＲが磁化容易軸ＥＡＲにほぼ沿った参照方向ＤＲに固定されるように構成される。この実施形態では、参照層６６は、楕円形であり、磁化容易軸ＥＡＲは、参照層６６の主軸に沿って提供される。したがって、参照層６６は、磁化容易軸ＥＡＲが参照層６６と基板６４とに対して同一面内で提供されるように構成される。参照層６６は、参照層６６の短軸に沿って磁化困難軸を定義することもする。したがって、参照層６６は、磁化困難軸が磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する、参照層６６と基板６４とに対して同一面内になるように、さらに構成される。
【００７０】
[0085]この実施形態では、自由層６８も、基板６４上に配置された結晶磁気異方性結晶から形成される。磁界ＨＩＸを用いて抵抗を第１の抵抗状態から第２の抵抗状態に切り替えるために、自由層６８は、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する、自由層６８と基板６４とに対して同一面内である磁化容易軸ＥＡＦを定義する。この例では、磁化容易軸ＥＡＦは、図３と図５と図６とに関して上で説明されるＸ軸を定義する。自由層６８は、ＭＴＪ４０の抵抗を第１の抵抗状態で提供するために磁化容易軸ＥＡＦの回りで第１の方向Ｄ１に配向されることとＭＴＪ４０の抵抗を第２の抵抗状態で提供するために磁化容易軸ＥＡＦの回りで第２の方向Ｄ２に配向されることとの間で自由層６８の磁化ＭＦが切替可能になるように構成される。
【００７１】
[0086]この実施形態では、自由層６８も、楕円形であり、磁化容易軸ＥＡＦは、自由層６８の主軸として提供される。したがって、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲおよび自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦは、互いに実質的に直交する。自由層６８は、自由層６８の短軸に沿った磁化困難軸を定義する。したがって、自由層６８は、自由層６８の磁化困難軸が磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交する、自由層６８の磁化困難軸が自由層６８と基板６４とに対して同一面内になるように構成される。さらに、参照層６６の磁化困難軸は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに平行になるように提供される。さらに、自由層６８の磁化困難軸は、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに平行になるように提供される。この実施形態では、参照層６６の短半径は、自由層６８の長半径とほぼ等しい。ＭＴＪ４０は、自由層６８と参照層６６の両方が、基板６４の同一の面外軸に沿って実質的にセンタリングされるように形成される。
【００７２】
[0087]図８に示されたＭＴＪ４０の配置を考慮すると、ＭＴＪ４０の磁気トンネリング導電率は、磁界ＨＩＸの磁界配向が磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）に沿った正の方向と負の方向との間で切り替えられるときに、１００％もの大きさだけ変更され得る。磁界ＨＩＸを自由層６８に印加する際に、ＳＴＴ効果は、磁界ＨＩＸの磁界配向が参照方向ＤＲに実質的に平行であることと参照方向ＤＲに対せき的である（すなわち、−ＤＲ）こととの間で切り替えられるときに自由層６８のスピン価電子帯（spin valence band）を調整するために、基板６４から自由層６８への正孔バンド（hole band）および／またはスピン流の注入をもたらす。したがって、磁界ＨＩＸの磁界配向は、磁界ＨＩＸの磁界配向が参照方向ＤＲに実質的に平行であるとき、および磁界ＨＩＸの磁界配向が参照方向ＤＲに対せき的である（すなわち、−ＤＲ）であるときには、磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）に実質的に直交する。
【００７３】
[0088]この実施形態では、磁界ＨＩＸがないときに、第３の方向Ｄ３で自由層６８によって提供される磁化ＭＦの磁界配向が、磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）に実質的に平行であり、自由層６８の磁化困難軸に実質的に直交するように、自由層６８の磁化ＭＦが、バイアスを与えられることに留意されたい。したがって、第３の方向Ｄ３は、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する。その結果、ＭＴＪ４０は、第３の磁界配向アライメント状態で提供され、ＭＴＪ４０の抵抗は、駆動回路３８（図３に図示）が、磁界ＨＩＸが生成されないように対せき磁気双極子の対を作るためにダイポールコイルの対３６（図３に図示）を駆動しないときに、第３の抵抗状態にある。したがって、対せき磁気双極子の対および磁界ＨＩＸが提供されないときに、ＭＴＪ４０は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに沿った第３の方向Ｄ３の磁化ＭＦの磁界配向と参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに沿った参照方向ＤＲの参照層６６の磁化ＭＲの磁界配向とを有する第３の磁界配向アライメント状態にある。
【００７４】
[0089]第３の方向Ｄ３は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに沿い、したがって、自由層６８の磁化に関する最小エネルギー方向のうちの１つである。したがって、ＭＴＪ４０の自由層６８の磁化ＭＦを回転するのに必要な磁界ＨＩＸからのトルクは、ＭＴＪ４０が第３の磁界配向アライメント状態で提供されるときに、最大である。ＭＴＪ４０の抵抗は、第１の抵抗状態のＭＴＪ４０の抵抗より大きく、第２の抵抗状態のＭＴＪ４０の抵抗より小さい、第３の抵抗状態での抵抗Ｒ３とほぼ等しい。自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦの回りで自由層６８によって提供される磁化ＭＦの磁界配向を切り替えるために、駆動回路３８は、それに従って磁界ＨＩＸを生成する。
【００７５】
[0090]互いに実質的に直交する磁化容易軸ＥＡＦと磁化容易軸ＥＡＲとならびに自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交する磁界ＨＩＸの磁界配向を提供することによって、磁界ＨＩＸは、自由層６８のスピン価電子帯を調整するために基板６４から自由層６８に正孔バンドおよび／またはスピン流を注入するＳＴＴ効果をもたらす。磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交する面内磁界ＨＩＸの存在下で、自由層６８のエネルギー面は、ゆがめられる。したがって、より少ない電力が動作のために必要であるＭＴＪ４０は、実施され得、これは、感知回路４２と磁界ベースの非接触送信機３２（図６に図示）との電力消費をも下げる。さらに、第３の抵抗状態でＭＴＪ４０の抵抗を提供するために、駆動回路３８は、単純に磁界ＨＩＸを生成しない。
【００７６】
[0091]図８に示されているように、感知回路４２は、磁界ベースの非接触送信機３２（図６に図示）から磁界ベースの非接触受信機３４（図３に図示）へ非接触で通信されるデータを検出するように構成される。より具体的には、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗を感知するように構成される。ＭＴＪ４０が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかを検出することによって、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の磁界配向アライメントが第１の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）または第２の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）のどちらであるのかを感知するようにさらに構成される。
【００７７】
[0092]図８では、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗に基づいて論理状態を表す論理出力８６を送信するようにさらに構成される。論理出力８６は、１つまたは複数の論理信号を含むことができる。論理出力８６によって表される論理状態は、データを符号化するのに使用される任意のタイプの論理状態とされ得る。たとえば、論理状態は、１つまたは複数のビット状態、シンボル、および／または同様のものとされ得る。この実施形態では、感知回路４２は、論理出力８６での論理状態の送信を調整するためにクロック信号ＣＬＫを受信する。感知回路４２は、クロック信号ＣＬＫが、感知回路４２がＭＴＪ４０の抵抗にとってオペークであるときおよび感知回路４２がＭＴＪ４０の抵抗にとってトランスペアレントであるときに刻時するように構成される。
【００７８】
[0093]感知回路４２がトランスペアレントであるときには、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗に従って、したがってＭＴＪ４０の磁界配向アライメントに従って、論理出力８６の論理状態をセットするように構成される。したがって、論理出力８６の論理状態は、駆動回路３８（図６に図示）によって受信される論理入力８０（図６に図示）の論理状態に対応する。しかし、論理出力８６の論理状態は、論理出力８６の論理状態がクロック信号ＣＬＫのクロックサイクルの異なる部分内またはクロック信号ＣＬＫの異なるクロックサイクル内で提供され得るので、論理入力８０の論理状態に関して遅延され得る。代替案では、異なる独立のクロック信号またはクロック信号ＣＬＫに基づく異なるクロック信号が、感知回路４２とともに使用され得る。
【００７９】
[0094]この実施形態では、論理出力８６は、単一ビット信号であり、論理状態は、ビット信号のビット状態（すなわち、論理「１」または論理「０」のいずれかのビット値を有する）とされ得る。上で言及されるように、駆動回路３８（図６に図示）は、論理入力８０（図６に図示）のビット状態に従って対せき磁気双極子の対の磁気極性を生成するように構成される。したがって、磁界ＨＩＸの磁界配向は、論理入力８０のビット状態に従って作られる。ＭＴＪ４０は、ＭＴＪ４０の抵抗（したがって、磁界配向アライメント）が、磁界ＨＩＸの磁界配向に従って、ＭＴＪ４０の第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）と第２の抵抗状態（したがって、第２の磁界配向アライメント状態）との間で切り替えられるようにするために構成される。感知回路４２がトランスペアレントであるとき、感知回路４２は、電圧極性（したがって、電流ＩＳの電流の向き）がビット状態に従ってセットされるように、論理入力８０のビット状態に応答する。したがって、ＭＴＪ４０の抵抗およびＭＴＪ４０の磁界配向アライメントは、図６に示された論理入力８０のビット状態を表す。
【００８０】
[0095]図６に関して上で説明される例を継続すると、駆動回路３８（図６に図示）がトランスペアレントである間に、論理入力８０のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、駆動回路３８（図６に図示）は、ダイポールコイル３６Ａ（図６に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂ（図６に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の磁気極性をセットするように構成される。その結果、図８に示された磁界ＨＩＸは、磁界ＨＩＸの磁界配向が、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交する、方向ＤＲに実質的に平行になるように、自由層６８内で生成される。磁気異方性と、磁界ベースの非接触送信機３２（図６に図示）から印加される磁界ＨＩＸとの結果として、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦの回りで上に回転された第１の方向Ｄ１で提供される。その結果、ＭＴＪ４０の抵抗は、第１の抵抗状態にセットされ、ＭＴＪ４０の磁界配向アライメントは、第１の磁界配向アライメント状態で提供される。磁界ＨＩＸの磁界配向が、自由層６８の磁化ＭＦを第１の方向Ｄ１にセットするので、ＭＴＪ４０の抵抗の第１の抵抗状態および第１の磁界配向アライメント状態は、論理「０」のビット値を有するビット状態に対応する。感知回路４２がトランスペアレントである間に、抵抗が第１の抵抗状態であることとＭＴＪ４０が第１の磁界配向アライメント状態であることとに応答して、感知回路４２は、論理出力８６のビット状態が論理「０」のビット値を有するように論理出力８６を生成するように構成される。
【００８１】
[0096]駆動回路３８（図６に図示）がトランスペアレントである間に、論理入力８０（図６に図示）のビット状態が論理「１」のビット値をすることに応答して、駆動回路３８は、ダイポールコイル３６Ａ（図６に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル３６Ｂ（図６に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。その結果、図８に示された磁界ＨＩＸは、磁界ＨＩＸの磁界配向が磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直行し、方向ＤＲに対せき的になるようにセットされるように、自由層６８内で生成される。磁気異方性および印加された磁界ＨＩＸの結果として、自由層６８の磁化ＭＦの磁界配向は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦの回りで下に回転されることによって、方向Ｄ１で提供される。その結果、ＭＴＪ４０の抵抗は、第２の抵抗状態でセットされ、ＭＴＪ４０の磁界配向アライメントは、第２の磁界配向アライメント状態で提供される。磁界ＨＩＸの磁界配向が、方向ＤＲに対して対せき的なので、抵抗の第２の抵抗状態およびＭＴＪ４０の第２の磁界配向アライメント状態は、論理「１」のビット状態に対応する。感知回路４２がトランスペアレントである間に、抵抗が第２の抵抗状態であり、ＭＴＪ４０が第２の磁界配向アライメント状態であることに応答して、感知回路４２は、論理出力８６のビット状態が論理「１」のビット値を有するように論理出力８６を生成するように構成される。このように、磁界ベースの非接触送信機３２（図６に図示）からのデータは、磁界ベースの非接触受信機３４に転送され、感知回路４２からダウンストリームの回路によって使用され得る。下でさらに詳細に説明されるように、感知回路４２のいくつかの実施形態は、抵抗が第３の抵抗状態であるときと、ＭＴＪ４０の磁界配向アライメントが第３の磁界配向アライメント状態であるときとを感知するようにさらに動作可能とされ得る。
【００８２】
[0097]図８に示された磁界ベースの非接触受信機３４は、感知回路４２とＭＴＪ４０の両方が基板６４上に配置されるように提供される。たとえば、基板６４は、磁界ベースの非接触送信機３２（図６に図示）のＩＣパッケージと同一または異なるＩＣパッケージであり得るＩＣパッケージ内の半導体基板とされ得る。感知回路４２およびＭＴＪ４０は、それぞれ、ＩＣパッケージのＦＥＯＬにおいて形成され得る。基板６４が半導体基板であるときに、基板６４は、ウェハから形成される基板本体および／または適切な半導体材料のドーピングされた層を有する。半導体材料は、磁界ベースの非接触送信機３２に関して上で説明される半導体材料のいずれとすることもできる。さらに、金属層が、端子、トレース、接触パッド、コイル、接続、受動インピーダンス要素、能動半導体コンポーネント、および／または同様のものを提供するために、基板本体の上、中、または下に形成され得る。また、磁界ベースの非接触送信機３２に関して上で説明された半導体技術のいずれをも含む、任意のタイプの適切な半導体技術が、基板６４のトポロジを提供するのに使用され得る。代替案では、感知回路４２およびＭＴＪ４０が、別々の基板上に形成され得る。この場合に、感知回路４２およびＭＴＪ４０は、それぞれ、プリント回路基板上で結合される異なるＩＣパッケージ内で形成され得る。
【００８３】
[0098]図９は、図３および図５に示された磁界ベースの非接触受信機３４内のＭＴＪ４０の一実施形態の横断面図を示す。この横断面図は、ＭＴＪ４０を提供するのに利用され得る様々な層の積み重ねを示す。図９に示されたＭＴＪ４０は、参照層６６と、自由層６８と、自由層６８と参照層６６との間のトンネル障壁を提供する誘電体層７８とを含む。やはり、相対的なトポロジ項は、図５に関して上で説明された方向７２に関して参照されるべきである。図９のＭＴＪ４０の横断面は、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）に沿ってとられたものである。電気接点７６が、感知回路４２（図８に図示）に結合され、自由層６８およびその上で金属層から形成される。参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲ（図示せず）は、磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交し、同一面内にあり、ここで、参照層６６によって提供される磁化ＭＲの参照方向ＤＲは、このページから出る向きである。
【００８４】
[0099]この実施形態では、ＭＴＪ４０は、バリア層８８とピン止め層９０と反強磁性層９２とをさらに備える。電気接点７４は、感知回路４２に結合され、反強磁性層９２上およびその下に形成される。バリア層８８、ピン止め層９０、および反強磁性層９２は、参照層６６によって提供される磁化ＭＲの参照方向ＤＲが固定され、磁化容易軸ＥＡＲ（図示せず）に沿って提供されるようにするために、磁気的に固定されたコンポーネントを提供するために提供される。バリア層８８は、参照層６６上およびその下に形成され、ピン止め層９０は、バリア層８８上およびその下に形成される。このように、バリア層８８は、ピン止め層９０と参照層６６との間に設けられる。ＭＴＪ４０は、参照層６６の磁化ＭＲが参照方向ＤＲに固定されるようにするために、ピン止め層９０にまたがってピン止め電流ＩＰを生成するように構成される。より具体的には、ピン止め電流ＩＰは、方向ＤＰに固定された磁化ＭＰをピン止め層９０に与える磁界配向を有する磁界を提供する。バリア層が、ピン止め層９０と参照層６６との間にあるので、ピン止め電流ＩＰは、ピン止め層９０と同一面内で参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲ（図示せず）に平行に生成される。しかし、方向ＤＰは、参照方向ＤＲと実質的に反対である。したがって、ピン止め電流ＩＰによって生成される磁界は、参照方向ＤＲの磁化ＭＲをさらに提供する。ＦＥＴ  Ｍ１が、ピン止め電流ＩＰを生成するためにＭＴＪ４０内に提供され得る。反強磁性層９２は、ピン止め層９０の磁化ＭＰを保護するのを助ける。一実施形態では、永久強磁性磁石（図示せず）が、自由層６８の磁化ＭＦを第３の方向Ｄ３に偏らせるのに使用され得る。
【００８５】
[00100]図１０は、図８に示された磁界ベースの非接触受信機３４内で使用され得る感知回路４２の一実施形態を示す。この実施形態では、感知回路４２は、ＦＥＴ  ＰＳと、電流源９４と、センスアンプＳＡとを含む。ＦＥＴ  ＰＳは、クロック信号ＣＬＫを受信するように結合されたゲートＧＳと、供給電圧ＶＳを受信するように結合されたソースＳＳと、電流源９４に結合されたドレインＤＳとを含むＰチャネルＦＥＴである。電流源９４は、感知電流ＩＳを生成するように構成される。しかし、電流源９４は、ＦＥＴ  ＰＳのドレインＤＳに結合されるので、ＦＥＴ  ＰＳは、電流源９４をアクティブ化し、非アクティブ化するように構成される。より具体的には、電流源９４は、ＦＥＴ  ＰＳがターンオンされ、感知回路４２がトランスペアレントであるときに、感知電流ＩＳを生成するためにアクティブ化される。電流源９４は、ＦＥＴ  ＰＳがターンオフされ、感知回路４２がオペークであるときに、感知電流ＩＳを生成しないようにするために非アクティブ化される。ＦＥＴ  ＰＳのゲートＧＳは、クロック信号ＣＬＫに結合されるので、感知回路４２は、クロック信号ＣＬＫに従って、オペークとトランスペアレントとの間で切り替えられる。
【００８６】
[00101]感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するために、センスアンプＳＡは、電気接点７６から電気接点７４までの感知電圧ＶＳＯを感知するように構成される。感知電圧ＶＳＯは、感知電流ＩＳによって生成される。この実施形態では、センスアンプＳＡは、第１の入力端子９６と、第２の入力端子９８と、出力端子１００とを有する。たとえば、センスアンプＳＡは、第１の入力端子９６が非反転入力端子であり、第２の入力端子９８が反転端子である演算増幅機として提供され得る。論理出力８６は、センスアンプＳＡによって、出力端子１００から生成される。電気接点７６から電気接点７４までの感知電圧ＶＳＯを感知するために、電流源９４と第１の入力端子９６の両方が、電気接点７６に結合され、電気接点７６は、上で説明されるように、自由層６８（図８に図示）に結合される。電気接点７４は、感知電流ＩＳにグラウンドへの経路を提供するために、参照層６６（図８に図示）に結合される。センスアンプＳＡの第２の入力端子９８は、基準電圧ＶＲＥＦを受信するように結合される。
【００８７】
[00102]この実施形態では、ＭＴＪ４０の抵抗が、第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）において、第２の抵抗状態（したがって、第２の磁界配向アライメント状態）におけるよりも低いと仮定する。したがって、抵抗が抵抗Ｒ１にほぼ等しいときには、抵抗は、抵抗が抵抗Ｒ２にほぼ等しいときよりも低い。感知回路４２がトランスペアレントである間に、ＭＴＪ４０の抵抗が第１の抵抗状態である（磁界配向アライメントが第１の磁界配向アライメントである）ことに応答して、感知電流ＩＳは、感知電圧ＶＳＯが第１の入力端子９６で第１の電圧レベルを有することをもたらす。感知電圧ＶＳＯの第１の電圧レベルは、基準電圧ＶＲＥＦの基準電圧レベルより高くなるように提供される。その結果、この例ではビット信号である論理出力８６は、論理「０」のビット値を有するビット状態を有するように生成される。この例では、論理出力８６は、基準電圧ＶＲＥＦの基準電圧レベルより低い電圧レベルを有することによって、論理「０」のビット値を有するビット状態を有する。したがって、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。
【００８８】
[00103]感知回路４２がトランスペアレントである間に、ＭＴＪ４０の抵抗が第２の抵抗状態である（磁界配向アライメントが第２の磁界配向アライメント状態である）ことに応答して、感知電流ＩＳは、感知電圧ＶＳＯが第１の入力端子９６で第２の電圧レベルを有することをもたらす。感知電圧ＶＳＯの第２の電圧レベルは、基準電圧ＶＲＥＦの基準電圧レベルより高くなるように提供される。その結果、この例ではビット信号である論理出力８６は、論理「１」のビット値を有するビット状態を有するように生成される。この例では、論理出力８６は、基準電圧ＶＲＥＦの基準電圧レベルより高い電圧レベルを有することによって、論理「１」のビット値を有するビット状態を有する。したがって、感知回路４２は、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとに従ってセットされた論理状態（この例では、ビット状態）を有する論理出力８６を生成することによって、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。
【００８９】
[00104]したがって、図６と図８とをもう一度参照すると、上で説明される磁界ベースの非接触送信機３２および磁界ベースの非接触受信機３４の例示的な動作は、通信サイクル中に、磁界ベースの非接触送信機３２から磁界ベースの非接触受信機３４へ１ビットの状態を通信することを可能にする。しかし、複数のビットを有する論理状態を同時に通信することが望ましい場合がある。たとえば、複数のビット状態を表すビットシンボルを同時に送信することが望ましい場合がある。
【００９０】
[00105]図１１は、基板４４上に形成された別の例示的な面内磁界ベースの非接触送信機１０２の上面図である。磁界ベースの非接触送信機１０２は、複数ビット状態を表すビットシンボルを送信するために操作され得る。この実施形態では、磁界ベースの非接触送信機１０２は、上で説明される磁界ベースの非接触送信機３２に関して上で説明されるものと同一の形で動作する、駆動回路３８とダイポールコイルの対３６とを含む。しかし、この実施形態では、磁界ベースの非接触送信機１０２は、ダイポールコイルの別の対（全体的に要素１０４、具体的には要素１０４Ａ、１０４Ｂと称する）と別の駆動回路１０６とをさらに含む。ダイポールコイルの対１０４は、やはり基板４４上で同一面内に配置され、ダイポールコイルの対３６と同一平面内ともされ得る。したがって、この実施形態では、ダイポールコイルの対１０４は、基板４４の表面４６上にも配置される。
【００９１】
[00106]しかし、ダイポールコイルの対１０４は、基板４４と同一面内にも配置されるが、ダイポールコイル１０４のアライメントは、ダイポールコイルの対３６のアライメントに実質的に直交する。上で説明されるように、ダイポールコイル３６Ａは、中心軸ＣＡの回りに巻かれ、ダイポールコイル３６Ｂは、中心軸ＣＢの回りに巻かれる。ダイポールコイル３６Ａとダイポールコイル３６Ｂとの間の、ダイポールコイルの対３６とダイポールコイルの対１０４とによって定義される平面（すなわち、この例では表面４６）内にある中心線ＬＸが、図１１に示されている。ダイポールコイル１０４Ａは、中心軸ＣＣの回りに巻かれ、ダイポールコイル１０４Ｂは、中心軸ＣＤの回りに巻かれ、中心軸ＣＤは、変位され、平面（すなわち、表面４６）に垂直である。ダイポールコイル１０４Ａとダイポールコイル１０４Ｂとの間の、ダイポールコイルの対３６とダイポールコイルの対１０４とによって定義される平面（すなわち、この例では表面４６）内にある中心線ＬＹも、図１１に示されている。図１１に示されているように、中心線ＬＹおよび中心線ＬＸは、実質的に直交する。その結果、ダイポールコイル１０４のアライメントは、ダイポールコイルの対３６とダイポールコイルの対１０４とによって定義される平面内で、ダイポールコイルの対３６のアライメントに実質的に直交する。
【００９２】
[00107]ダイポールコイル１０４Ａは、ダイポールコイル１０４Ｂと対にされる。ダイポールコイル１０４Ａをダイポールコイル１０４Ｂと対にするために、ダイポールコイル１０４Ａおよびダイポールコイル１０４Ｂは、対せき磁気双極子の別の対を作るために基板４４上で互いに対して相対的に配置される。この実施形態では、ダイポールコイルの対３６およびダイポールコイルの対１０４は、ダイポールコイルの対１０４によって作られる対せき磁気双極子の対が、ダイポールコイルの対３６によって作られる対せき磁気双極子の対に実質的に直交するように、基板４４上で配置される。その結果、ダイポールコイル１０４によって作られる対せき磁気双極子の対は、ダイポールコイルの対３６によって生成される磁界ＨＩＸの磁界配向と同一面内であるが実質的にこれに直交する磁界配向を有する磁界ＨＩＹを生成する。したがって、磁界ＨＩＹの磁界配向は、下でさらに詳細に説明されるように、Ｙ軸に沿ってセットされる。
【００９３】
[00108]ダイポールコイル１０４Ａおよびダイポールコイル１０４Ｂは、同一の電流ループの一部になるように、互いに接続される。たとえば、ダイポールコイル１０４Ａによって形成される最も外側の巻線１１０の外部端１０８は、ダイポールコイル１０４Ｂによって形成される最も外側の巻線１１４の外部端１１２に接続される。駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４Ａとダイポールコイル１０４Ｂとに動作可能に関連し、対せき磁気双極子の対を作るためにダイポールコイル１０４Ａとダイポールコイル１０４Ｂとを駆動するように構成される。この実施形態では、駆動回路１０６は、ダイポールコイルの対１０４に電気的に結合され、磁界ＨＣでダイポールコイル１０４Ａを、磁界ＨＣと実質的に反対の磁界ＨＤでダイポールコイル１０４Ｂを駆動するように構成される。より具体的には、駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４Ａによって形成される最も内側の巻線１１８に接続される接続端１１６と、ダイポールコイル１０４Ｂによって形成される最も内側の巻線１２２に接続される接続端１２０とに結合される。駆動回路１０６は、接続端１１６と接続端１２０とにまたがる電圧を生成し、ダイポールコイルの対３６にまたがる電流ＩＹを作るように構成される。外部端１０８が、外部端１１２に接続されるので、接続端１１６は、最も内側の巻線１１８に接続され、接続端１２０は、最も内側の巻線１２２に接続され、電流ＩＹは、ダイポールコイルの対１０４の周りで実質的に反対の回転方向に伝搬する。したがって、磁界ＨＣは、ダイポールコイル３６Ｂによって生成される磁界ＨＤと実質的に反対になるように、ダイポールコイル３６Ａによって生成される。このように、ダイポールコイルの対１０４は、対せき磁気双極子の対を生成するように構成され、ここで、ダイポールコイル１０４のうちの一方は、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル１０４のうちの他方は、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成する。
【００９４】
[00109]駆動回路１０６は、図１１では、電流ＩＹが接続端１１６から接続端１２０へと伝搬するように電流ＩＹを生成する様子が示されている。より具体的には、接続端１１６から接続端１２０へと生成される電圧の電圧極性は、正である。したがって、図１１では、ダイポールコイル１０４によって作られる対せき磁気双極子の対の磁気極性は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するようになっている。この場合に、磁界ＨＣは、図１１に示された中心軸ＣＣに沿ってこのページから出る向きにされ、磁界ＨＤは、図１１に示された中心軸ＣＤに沿ってこのページに入る向きにされる。磁界ＨＩＹは、同一面内でＹ軸に直交する、参照方向ＤＲ’に実質的に平行に生成される。
【００９５】
[00110]しかし、駆動回路１０６は、電流ＩＹが接続端１１６から接続端１２０へまたは接続端１２０から接続端１１６へのいずれかで伝搬できるように電流ＩＹの電流の向きを切り替えるように構成され、したがって、駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を切り替えるように構成される。より具体的には、駆動回路１０６は、接続端１１６から接続端１２０までに生成される電圧の電圧極性を切り替え、これによって電流ＩＹの電流の向きを切り替え、これによって、最終的にダイポールコイル１０４によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を切り替えるように構成される。たとえば、駆動回路１０６は、接続端１１６から接続端１２０までに生成される電圧の電圧極性を負に切り替えることができる。したがって、この場合に、電流ＩＹは、接続端１２０から接続端１１６へ伝搬することになる。その結果、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するようなものになる。したがって、磁界ＨＣは、図１１に示された中心軸ＣＣに沿ってこのページに入る向きにされ、磁界ＨＤは、図１１に示された中心軸ＣＤに沿ってこのページから出る向きにされる。磁界ＨＩＹは、同一面内でＹ軸に実質的に直交する、参照方向ＤＲ’に対せき的に生成される。したがって、磁界ＨＣおよび磁界ＨＤは、電流ＩＹの電流の向きが駆動回路１０６によって切り替えられるときに、互いに実質的に反対のままであるが、対せき配置で作られることになる。
【００９６】
[00111]ダイポールコイルの対３６によって作られ、磁界ＨＡと磁界ＨＢとから生成される対せき磁気双極子の対と同様に、ダイポールコイルの対１０４によって作られ、磁界ＨＣと磁界ＨＤとから生成される対せき磁気双極子の対も、したがって、磁界ベースの非接触送信機１０２を使用して非接触の形でデータを通信するのに使用され得る。たとえば、１ビットの論理状態（たとえば、論理「０」のビット値を有するビット状態）は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するときに表され得、そのビットの対せき論理状態（たとえば、論理「１」のビット値を有するビット状態）は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するときに表され得る。対せき磁気双極子の対は、下でさらに詳細に説明されるように、ビットシンボルの論理状態を表すのにも使用され得る。
【００９７】
[00112]駆動回路３８は、論理入力８０とクロック信号ＣＬＫとを受信するように構成され、上で説明される磁界ベースの非接触送信機３２に関して上で説明されるように動作するように構成される。駆動回路１０６は、類似する形で動作するが、異なる論理入力１２４を受信するように構成される。論理入力１２４は、論理状態を表す。論理入力１２４は、１つまたは複数の論理信号を含むことができ、論理入力１２４によって表される論理状態は、データを符号化するのに使用される任意のタイプの論理状態とされ得る。たとえば、論理状態は、１つまたは複数のビット状態、シンボル、および／または同様のものとされ得る。駆動回路１０６は、論理入力１２４によって提供される論理状態の送信を調整するためにクロック信号ＣＬＫを受信することができる。駆動回路１０６は、クロック信号ＣＬＫが、駆動回路１０６が論理入力１２４に対してオペークであるときおよび駆動回路１０６が論理入力１２４に対してトランスペアレントであるときに刻時するように構成される。この実施形態では、駆動回路１０６および駆動回路３８は、同期式の形で動作するように構成される。その代わりにおよび／またはそれに加えて、駆動回路１０６および駆動回路３８は、非同期におよび／または独立に操作され得る。
【００９８】
[00113]下でさらに詳細に説明されるように、非接触通信デバイスは、図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２と、ＭＴＪ受信機とされ得る別の磁界ベースの非接触受信機とを使用して提供され得る。一実施形態では、磁界ベースの非接触受信機は、上で説明される磁界ベースの非接触受信機３４に関して上で説明されるＭＴＪ４０と感知回路４２とを含むことができる。したがって、ダイポールコイルの対３６は、上で説明されるように、この他の磁界ベースの非接触受信機内で磁界ＨＩＹ（図３と図５と図８とに図示）を作るようにも構成される。しかし、下でさらに詳細に説明されるように、この他の磁界ベースの非接触受信機は、ダイポールコイルの対１０４との非接触データ通信を提供するために、別のＭＴＪと別の感知回路とを含むことができる。
【００９９】
[00114]たとえば、駆動回路１０６は、別の基板（図３に示された基板６４など）上に配置された他の磁界ベースの非接触受信機と同一面内で磁界ＨＩＹを生成するために、磁界ＨＣを作るためにダイポールコイル１０４Ａを、磁界ＨＣと実質的に反対の磁界ＨＤを作るためにダイポールコイル１０４Ｂを、駆動するように構成される。磁界ＨＩＸと同様に、磁界ＨＩＹは、他の磁界ベースの非接触受信機と同一面内にある。しかし、磁界ＨＩＹは、磁界ＨＩＸに実質的に直交する。磁界ベースの非接触送信機１０２は、ダイポールコイルの対１０４のアライメントおよびダイポールコイルの対３６のアライメントが、上で説明されるように互いに関して実質的に直交するので、ダイポールコイルの対１０４によって作られる面内磁界ＨＩＹが、面内磁界ＨＩＸと同一面内で実質的にこれに直交して生成されるように配置される。
【０１００】
[00115]一実施形態では、駆動回路１０６は、別のＭＴＪ（すなわち、ＭＴＪ４０とは異なるＭＴＪ）の自由層と同一面内で磁界ＨＩＹを生成するために、磁界ＨＣを作るためにダイポールコイル１０４Ａを、磁界ＨＣと実質的に反対の磁界ＨＤを作るためにダイポールコイル１０４Ｂを、駆動するように構成される。具体的には、磁界ＨＩＹは、下でさらに詳細に説明されるように、他の磁界ベースの非接触受信機のＹ軸に実質的に直交して生成される。その結果、ダイポールコイルの対１０４は、対せき磁気双極子の対を作り、ダイポールコイルの対１０４の磁界ＨＣと磁界ＨＤとを含む磁力線ＭＦＬＹを生成する。磁力線ＭＦＬＹの回転方向が、ダイポールコイルの対１０４によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性によって決定されることに留意されたい。したがって、駆動回路１０６は、参照方向ＤＲ’であるか参照方向ＤＲ’に対せき的（すなわち、−ＤＲ’）である２つの対せき方向のうちの１つに磁界ＨＩＹの磁界方向をセットするように構成される。
【０１０１】
[00116]駆動回路１０６は、論理入力１２４の論理状態に従って、ダイポールコイルの対１０４によって作られた対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を切り替え、磁界ＨＩＹの磁界配向をセットするように構成される。たとえば、論理入力１２４は、単一ビット信号とされ得、論理状態は、ビット信号のビット状態（すなわち、論理「０」または論理「１」のビット値を有する）とされ得る。上で言及されるように、駆動回路１０６は、接続端１１６から接続端１２０へと電圧を生成することによって、ダイポールコイルの対１０４に沿って電流ＩＹを生成するように構成される。駆動回路１０６は、接続端１１６から接続端１２０への電圧の電圧極性をセットすることによって、ダイポールコイルの対１０４によって作られる対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットする。これは、接続端１１６から接続端１２０への電圧の電圧極性が、電流ＩＹの電流の向きを決定するからである。したがって、論理入力の論理状態（この例では、ビット状態）は、電圧の電圧極性に、したがって電流ＩＹの電流の向きに対応する。駆動回路１０６がトランスペアレントであるときには、駆動回路１０６は、電圧極性（と、したがって電流ＩＹの電流の向きと）がビット状態に従ってセットされるように、論理入力１２４のビット状態に応答する。
【０１０２】
[00117]たとえば、ある論理値を有するビットの論理状態（たとえば、論理「０」のビット値を有するビット状態）は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対の一方を、これが基板４４から外を向くように提供し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対の他方を、これが基板４４の中を向くように提供するときに、表され得る。対せき論理値を有するビットの論理状態（たとえば、論理「１」のビット値を有するビット状態）は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対の一方を、これが基板４４の中を向くように提供し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対の他方を、これが基板４４から外を向くように提供するときに、表され得る。したがって、論理「０」のビット値を有するビット状態は、接続端１１６から接続端１２０への電圧の電圧極性が正であることと、電流ＩＹの電流の向きが接続端１１６から接続端１２０への向きであることとに対応することができる。その一方で、論理「１」の対せきビット値を有するビット状態は、接続端１１６から接続端１２０への電圧の電圧極性が負であることと、電流ＩＹの電流の向きが接続端１２０から接続端１１６への向きであることとに対応することができる。
【０１０３】
[00118]駆動回路１０６がトランスペアレントである間に、論理入力１２４のビット状態が論理「０」のビット値を有することに応答して、駆動回路１０６は、電圧極性が正であり、電流ＩＹの電流の向きが接続端１１６から接続端１２０への向きである電圧を生成するように構成され得る。したがって、駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。その結果、磁界ＨＣは、中心軸ＣＣに沿って基板４４から出て生成され、磁界ＨＤは、中心軸ＣＤに沿って基板４４に入って生成される。したがって、磁界ＨＩＹは、Ｙ軸に実質的に直交する方向ＤＲ’に磁界配向を有して生成される。さらに、駆動回路１０６がトランスペアレントである間に、論理入力１２４のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、駆動回路１０６は、電圧極性が負であり、電流ＩＹの電流の向きが接続端１２０から接続端１１６への向きである電圧を生成するように構成され得る。したがって、駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４Ａが、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂが、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。その結果、磁界ＨＣは、中心軸ＣＣに沿って基板４４に入って生成され、磁界ＨＤは、中心軸ＣＤに沿って基板４４から出て生成される。したがって、磁界ＨＩＹは、Ｙ軸に実質的に直交する方向ＤＲ’に対せき的な磁界配向を有して生成される。したがって、磁界ＨＣと磁界ＨＤとを生成するダイポールコイルの対１０４によって作られた対せき磁気双極子の対を使用することによって、磁界ベースの非接触送信機１０２は、非接触の形でデータを通信するのに使用され得る。対せき磁気双極子の対は、下でさらに詳細に説明されるように、ビットシンボルの論理状態を表すのにも使用され得る。
【０１０４】
[00119]ここで図１１と図１２とを参照すると、図１２は、非接触通信デバイスを提供するために図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２とともに利用され得る例示的な面内磁界ベースの非接触受信機１２６の上面図である。磁界ベースの非接触受信機１２６は、基板６４上に形成される。図１２に示されているように、磁界ベースの非接触受信機１２６は、ビットシンボルを受信するために、面内磁界ＨＩＸが、実質的に直交する方向のうちの一方で生成され、他の面内磁界ＨＩＹが、他方の実質的に直交する方向で生成されるようにするために配置された２つのＭＴＪを有する。この実施形態では、磁界ベースの非接触受信機１２６は、磁界ベースの非接触受信機３４に関して上で説明されるＭＴＪ４０と感知回路４２とを有する。ＭＴＪ４０および感知回路４２は、ダイポールコイルの対３６と駆動回路３８とからデータを受信するために、上で説明されたものと同一の形で動作する。したがって、感知回路４２は、論理出力８６を生成する。しかし、磁界ベースの非接触受信機１２６は、ＭＴＪ１２８と感知回路１３０とをさらに含む。
【０１０５】
[00120]ＭＴＪ１２８は、基板６４と同一面内に配置され、基板６４上のＭＴＪ１２８のアライメントがＭＴＪ４０のアライメントに実質的に直交することを除いて、ＭＴＪ４０と同一である。さらに、ダイポールコイルの対１０４（図１１に図示）は、ＭＴＪ１２８と同一面内で、ダイポールコイルの対３６（図１１に図示）の対の対せき磁気双極子の対によって作られる磁界ＨＩＸに実質的に直交する磁界ＨＩＹを作るために、対せき磁気双極子の対を作るように構成される。
【０１０６】
[00121]したがって、ＭＴＪ１２８は、トンネリング障壁によって分離された参照層６６’と自由層６８’とを含む。ＭＴＪ１２８の参照層６６’は、参照層６６’が、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦ（すなわち、Ｘ軸）に平行な磁化容易軸ＥＡＲ’を有することを除いて、ＭＴＪ４０の参照層６６と同一である。したがって、参照層６６’の磁化ＭＲ’は、磁化容易軸ＥＡＲに沿って方向ＤＲに固定される参照層６６の磁界配向に実質的に直交する磁化容易軸ＥＡＲ’に沿って方向ＤＲ‘に固定される磁界配向を有する。したがって、参照層６６’の磁化困難軸は、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに平行で、参照層６６の磁化困難軸に実質的に直交する。
【０１０７】
[00122]ＭＴＪ１２８の自由層６８’は、自由層６８’が、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦに実質的に直交する、参照層６６の磁化容易軸ＥＡＲに平行である磁化容易軸ＥＡＦ’を有することを除いて、ＭＴＪ４０の自由層６８と同一である。したがって、自由層６８の磁化容易軸ＥＡＦは、磁界ベースの非接触受信機１２６のＸ軸を定義するが、自由層６８’の磁化容易軸ＥＡＦ’は、磁界ベースの非接触受信機１２６のＹ軸を定義する。自由層６８の磁化ＭＦと同様に、自由層６８’の磁化ＭＦ’は、磁界ＨＩＹに応答して磁化容易軸ＥＡＦ’（すなわち、Ｙ軸）に沿って提供され、ここで、磁界ＨＩＹは、自由層６８’と同一面内で生成され、磁化容易軸ＥＡＦ’に沿った磁界配向を有する。したがって、磁化ＭＦ’は、磁界ＨＩＹが生成されるときに方向ＤＲ’に固定される参照層６６’の磁界配向に実質的に直交する。磁界ＨＩＹが生成されるときに、自由層６８’の磁化困難軸は、磁化容易軸ＥＡＦと平行で、ＭＴＪ４０の磁化容易軸ＥＡＲに実質的に直交する。
【０１０８】
[00123]上で言及されるように、ＭＴＪ１２８は、ＭＴＪ１２８およびＭＴＪ４０が互いに関して実質的に直交するアライメントを有することを除いて、ＭＴＪ４０と同一である。より具体的には、自由層６８’は、磁化容易軸ＥＡＦ’の回りで第４の方向Ｄ４に配向されることと第５の方向Ｄ５に配向されることとの間で切替可能である磁化ＭＦ’を有する。したがって、ＭＴＪ４０と同様に、ＭＴＪ１２８は、第１の抵抗状態と第２の抵抗状態との間で切替可能な抵抗を有し、第１の磁界配向アライメント状態と第２の磁界配向アライメント状態との間で切替可能な磁界配向アライメントを有する。磁化ＭＦ’が、磁化容易軸ＥＡＦ’に沿って第４の方向Ｄ４に配向されるときに、ＭＴＪ１２８の抵抗は、第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）で提供され、抵抗Ｒ１とほぼ等しい。したがって、自由層６８’は、磁界ＨＩＹが磁化容易軸ＥＡＦ’に直交する参照方向ＤＲ’に実質的に平行な磁界配向を有することに応答して、磁化ＭＦ’の磁界配向を磁化容易軸ＥＡＦ’の回りで第４の方向Ｄ４にセットするように構成される。この例では、第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）は、論理「０」のビット値を有するビット状態に対応する。磁化ＭＦ’が磁化容易軸ＥＡＦ’に沿って第５の方向Ｄ５に配向されるときに、ＭＴＪ１２８の抵抗は、第２の抵抗状態（したがって、第２の磁界配向アライメント状態）で提供され、抵抗Ｒ２とほぼ等しい。したがって、自由層６８は、磁界ＨＩＹが磁化容易軸ＥＡＦ’（すなわち、Ｙ軸）に直交もする参照方向ＤＲ’に対せき的な磁界配向を有することに応答して、磁化ＭＦ’の磁界配向を磁化容易軸ＥＡＦ’の回りで第５の方向Ｄ５にセットするように構成される。この例では、第２の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）は、論理「１」のビット値を有するビット状態に対応する。
【０１０９】
[00124]ＭＴＪ４０の自由層６８と同様に、ＭＴＪ１２８は、磁界ＨＩＹが生成されないときに、磁化ＭＦ’が自由層６８’の磁化容易軸ＥＡＦ’に沿って第６の方向Ｄ６に配向されるように、磁化ＭＦ’を提供するように構成されることに留意されたい。この実施形態では、第６の方向Ｄ６は、磁化ＭＲ’の参照方向ＤＲ’と磁化容易軸ＥＡＲ’とに実質的に直交する。したがって、ＭＴＪ１２８の抵抗は、磁界ＨＩＹが生成されないときに、抵抗Ｒ３とほぼ等しい第３の抵抗状態にセットされる。さらに、ＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントは、磁界ＨＩＹが生成されないときに、第３の磁界配向アライメント状態で提供される。
【０１１０】
[00125]図１２に示されているように、感知回路１３０は、磁界ベースの非接触送信機１０２（図１１に図示）から磁界ベースの非接触受信機１２６に非接触で通信されるデータを検出するように構成される。この実施形態では、感知回路４２およびＭＴＪ４０は、磁界ベースの非接触受信機３４に関して上で説明されたものと同一の形で動作するように構成される。さらに、ＭＴＪ１２８および感知回路１３０は、ＭＴＪ１２８および感知回路１３０が、ダイポールコイルの対３６と駆動回路３８とではなくダイポールコイルの対１０４と駆動回路１０６とを用いて動作することを除いて、感知回路４２およびＭＴＪ４０と同様に動作する。
【０１１１】
[00126]したがって、感知回路１３０は、ＭＴＪ１２８の抵抗を感知するように構成される。ＭＴＪ１２８が第１の抵抗状態または第２の抵抗状態のどちらであるのかを検出することによって、感知回路１３０は、ＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントが第１の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）または第２の磁界配向アライメント状態（第１の抵抗状態に対応する）のどちらであるのかを感知するようにさらに構成される。
【０１１２】
[00127]図１２では、感知回路１３０は、ＭＴＪ１２８の抵抗に基づいて、論理状態を表す論理出力１３２を送信するようにさらに構成される。論理出力１３２は、１つまたは複数の論理信号を含むことができる。論理出力１３２によって表される論理状態は、データを符号化するのに使用される任意のタイプの論理状態とすることができる。たとえば、論理状態は、１つまたは複数のビット状態、シンボル、および／または同様のものとされ得る。この実施形態では、感知回路１３０は、論理出力１３２内の論理状態の送信を調整するためにクロック信号ＣＬＫを受信する。感知回路１３０は、クロック信号ＣＬＫが、感知回路１３０がＭＴＪ１２８の抵抗に対してオペークであるときおよび感知回路１３０がＭＴＪ１２８の抵抗に対してトランスペアレントであるときに刻時するように構成される。
【０１１３】
[00128]感知回路１３０がトランスペアレントであるときに、感知回路１３０は、ＭＴＪ１２８の抵抗に従って、したがってＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントに従って、論理出力１３２の論理状態をセットするように構成される。したがって、論理出力１３２の論理状態は、駆動回路１０６（図１１に図示）によって受信される論理入力１２４（図１１に図示）の論理状態に対応する。しかし、論理出力１３２の論理状態は、論理出力１３２の論理状態がクロック信号ＣＬＫのクロックサイクルの異なる部分または異なるクロックサイクルにおいて提供され得るので、論理入力１２４の論理状態に関して遅延される可能性がある。代替案では、異なる独立のクロック信号またはクロック信号ＣＬＫに基づく異なるクロック信号が、感知回路１３０とともに使用され得る。
【０１１４】
[00129]この実施形態では、論理出力１３２は、単一ビット信号であり、論理状態は、ビット信号のビット状態（すなわち、論理「１」または論理「０」のいずれかのビット値を有する）とされ得る。上で言及されるように、駆動回路１０６（図１１に図示）は、論理入力１２４（図１１に図示）のビット状態に従って対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性を生成するように構成される。したがって、磁界ＨＩＹの磁界配向は、論理入力１２４のビット状態に従って作られる。ＭＴＪ１２８は、ＭＴＪ１２８の抵抗（したがって、磁界配向アライメント）が、磁界ＨＩＹの磁界配向に従って、ＭＴＪ１２８の第１の抵抗状態（したがって、第１の磁界配向アライメント状態）と第２の抵抗状態（したがって、第２の磁界配向アライメント状態）との間で切り替えられるように構成される。感知回路１３０がトランスペアレントであるときに、感知回路１３０は、電圧極性（したがって、電流ＩＹの電流の向き）がビット状態に従ってセットされるように、論理入力１２４のビット状態に応答する。したがって、ＭＴＪ１２８の抵抗およびＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントは、図１１に示された論理入力１２４のビット状態を表す。
【０１１５】
[00130]図１１に関して上の例を継続すると、駆動回路１０６（図１１に図示）がトランスペアレントである間に、論理入力１２４のビット状態が論理「０」のビット値を有することに応答して、駆動回路１０６（図１１に図示）は、ダイポールコイル１０４Ａ（図１１に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４から外を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂ（図１１に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４の中を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。その結果、図１２に示された磁界ＨＩＹは、磁界ＨＩＹの磁界配向が参照方向ＤＲ’に実質的に平行にセットされるように、自由層６８’内で生成される。これに応答して、自由層６８’の磁化ＭＦ’の磁界配向は、自由層６８’の磁化容易軸ＥＡＦ’の回りで第４の方向Ｄ４で提供される（すなわち、Ｙ軸に関する負の回転）。その結果、ＭＴＪ１２８の抵抗は、第１の抵抗状態にセットされ、ＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントは、第１の磁界配向アライメント状態で提供される。したがって、参照方向ＤＲ’に実質的に平行な磁界ＨＩＹの磁界配向、抵抗の第１の抵抗状態、およびＭＴＪ１２８の第１の磁界配向アライメント状態は、論理「０」のビット値を有するビット状態に対応する。感知回路１３０がトランスペアレントである間に、抵抗が第１の抵抗状態であり、ＭＴＪ１２８が第１の磁界配向アライメント状態であることに応答して、感知回路１３０は、論理出力１３２のビット状態が論理「０」のビット値を有するように論理出力１３２を生成するように構成される。
【０１１６】
[00131]駆動回路１０６（図１１に図示）がトランスペアレントである間に、論理入力１２４（図１１に図示）のビット状態が論理「１」のビット値を有することに応答して、駆動回路１０６は、ダイポールコイル１０４Ａ（図１１に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの一方を、これが基板４４の中を向くように生成し、ダイポールコイル１０４Ｂ（図１１に図示）が、対せき磁気双極子の対のうちの他方を、これが基板４４から外を向くように生成するように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成される。その結果、図１１に示された磁界ＨＩＹは、磁界ＨＩＹの磁界配向が、自由層６８’の磁化容易軸ＥＡＦ’に沿って参照方向ＤＲ’に対せき的（すなわち、−ＤＲ）にセットされる（すなわち、Ｙ軸に関する正の回転）ように、自由層６８’内で生成される。これに応答して、自由層６８’の磁化ＭＦ’の磁界配向は、自由層６８’の第５の方向Ｄ５で提供される。その結果、ＭＴＪ１２８の抵抗は、第２の抵抗状態にセットされ、ＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントは、第２の磁界配向アライメント状態で提供される。磁界ＨＩＹの磁界配向は、方向ＤＲ’に対せき的に提供される。これに応答して、自由層６８’の磁化ＭＦ’の磁界配向は、第５の方向Ｄ５で提供される。さらに、ＭＴＪ１２８は、第２の抵抗状態と第２の磁界配向アライメント状態とにセットされる。したがって、第５の方向Ｄ５、第２の抵抗状態、および第２の磁界配向アライメント状態は、論理「１」のビット値を有するビット状態に対応する。
【０１１７】
[00132]感知回路１３０がトランスペアレントである間に、抵抗が第２の抵抗状態であり、ＭＴＪ１２８が第２の磁界配向アライメント状態であることに応答して、感知回路１３０は、論理出力１３２のビット状態が論理「１」のビット値を有するように論理出力１３２を生成するように構成される。このように、磁界ベースの非接触送信機１０２（図１１に図示）からのデータが、磁界ベースの非接触受信機３４に転送され、感知回路１３０からダウンストリームの回路によって使用され得る。下でさらに詳細に説明されるように、感知回路１３０のいくつかの実施形態は、抵抗が第３の抵抗状態であるときと、ＭＴＪ１２８の磁界配向アライメントが第３の磁界配向アライメント状態であるときとを感知するようにさらに動作可能とされ得る。
【０１１８】
[00133]ここで図１１と図１２とを参照すると、磁界ベースの非接触送信機１０２および磁界ベースの非接触受信機１２６の説明が、データを転送するための非接触通信デバイスとして提供され得る。上で説明される例示的動作を考慮すると、２ビットのデータが、同時に通信され得る。一実施形態では、磁界ベースの非接触送信機１０２は、この例では論理入力８０と論理入力１２４とを含む２ビット論理入力である論理入力１３４を受信するように動作可能である。さらに、磁界ベースの非接触受信機１２６は、この例では論理出力８６と論理出力１３２とを含む２ビット論理出力である論理出力１３６を送信するように構成され得る。したがって、論理入力１３４の論理状態は、ビットシンボル（すなわち、２ビットシンボル）である。したがって、磁界ベースの非接触送信機１０２は、ダイポールコイルの対３６とダイポールコイルの対１０４とを使用してビットシンボルを送信するように構成され、磁界ベースの非接触受信機１２６は、ＭＴＪ４０とＭＴＪ１２８とを使用してビットシンボルを受信するように構成される。その結果、論理出力１３６の論理状態も、ビットシンボル（すなわち、２ビットシンボル）である。
【０１１９】
[00134]下の表１は、論理入力１３４のビットシンボルに基づき、上で説明されるダイポールコイルの対３６と、駆動回路３８と、ダイポールコイルの対１０４と、駆動回路１０６との例示的構成に従う、磁界ベースの非接触送信機１０２の動作の一実施形態を説明する。  
【表１】
2016540393.tif 000003
【０１２０】
[00135]下の表２は、上で説明されるＭＴＪ４０と、感知回路４２と、ＭＴＪ１２８と、感知回路１３０との例示的構成に従う、磁界ベースの非接触受信機１２６の動作の一実施形態と論理出力１３６の結果の論理状態とを説明する。  
【表２】
2016540393.tif 000004
【０１２１】
[00136]磁界ベースの非接触送信機１０２の代替実施形態では、磁界ベースの非接触送信機１０２は、論理入力１３４を受信し、論理入力１３４に基づいて論理入力８０と論理入力１２４とを生成するように構成された復号機（図示せず）を含むことができる。たとえば、論理入力１３４は、３以上のビットを有することができ、したがって、論理入力１３４の論理状態は、複数ビットシンボルとされ得る。一例では、論理入力１３４は、３ビット信号を含み、したがって、論理入力１３４の論理状態は、３ビットシンボルである。復号機は、「＋１」、「０」、または「−１」の論理値を有する論理状態を有する論理入力８０を生成するように構成され得る。したがって、駆動回路３８は、磁界ＨＩＸの磁界配向が、論理値のうちの１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力８０の論理状態に応答して参照方向ＤＲに実質的に平行になり、磁界ＨＩＸの磁界配向が、論理値のうちの別の１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力８０の論理状態に応答して参照方向ＤＲに対せき的（すなわち、−ＤＲ）になり、磁界ＨＩＸが、論理値のうちの少なくとも１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力８０の論理状態に応答して生成されなくなるように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成され得る。さらに、駆動回路１０６は、磁界ＨＩＹの磁界配向が、論理値のうちの１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力１２４の論理状態に応答して参照方向ＤＲ’に実質的に平行になり、磁界ＨＩＹの磁界配向が、論理値のうちの別の１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力１２４の論理状態に応答して参照方向ＤＲ’に対せき的（すなわち、−ＤＲ）になり、磁界ＨＩＹが、論理値のうちの少なくとも１つ（すなわち、「＋１」、「０」、または「−１」）を有する論理入力１２４の論理状態に応答して生成されなくなるように、対せき磁気双極子の対の各々の磁気極性をセットするように構成され得る。
【０１２２】
[00137]下の表３は、論理入力１３４のビットシンボルに基づき、例示的な代替構成に従う、磁界ベースの非接触送信機１０２の動作の一実施形態を説明する。表３は、論理入力１３４のビットシンボルを与えられて論理入力８０の論理状態と論理入力１２４の論理状態とを説明するので、表３は、復号機の例示的動作をも説明する。  
【表３】
2016540393.tif 000005
【０１２３】
[00138]上で説明される磁界ベースの非接触送信機１０２の代替実施形態とともに動作するために、磁界ベースの非接触受信機１２６の代替実施形態が、提供され得る。感知回路４２は、それでも、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。感知回路１３０も、それでも、ＭＴＪ４０の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。しかし、上で説明されるように、磁界ＨＩＸは、論理入力８０の論理状態のうちの最後の１つについて生成されない。したがって、感知回路４２は、論理入力８０の論理状態が論理値のうちの１つを有することに応答して、第１の抵抗状態である抵抗（したがって、第１の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を、論理入力８０の論理状態が論理値のうちの別の１つを有することに応答して、第２の抵抗状態である抵抗（したがって、第２の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を、論理入力８０の論理状態が論理値のうちの最後の１つを有することに応答して、第３の抵抗状態である抵抗（したがって、第３の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を有するＭＴＪ４０を感知する。感知回路４２は、論理状態が、抵抗（と磁界配向アライメントと）に従ってセットされるように、論理出力８６を生成するように構成される。したがって、感知回路４２は、論理状態が、ＭＴＪ４０の抵抗（したがって、磁界配向アライメント）に従って「＋１」、「０」、または「−１」の論理値を有するように、論理出力８６を生成するように構成され得る。
【０１２４】
[00139]磁界ベースの非接触受信機１２６の代替実施形態では、感知回路１３０は、それでも、ＭＴＪ１２８の抵抗と磁界配向アライメントとを感知するように構成される。しかし、上で説明されるように、磁界ＨＩＹは、論理値のうちの最後の１つを有する論理入力１２４の論理状態に応答して、生成されない。したがって、感知回路１３０は、論理入力１２４の論理状態が論理値のうちの１つを有することに応答して第１の抵抗状態である抵抗（したがって、第１の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を、論理入力１２４の論理状態が論理値のうちの別の１つを有することに応答して第２の抵抗状態である抵抗（したがって、第２の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を、論理入力１２４の論理状態が論理値のうちの最後の１つを有することに応答して第３の抵抗状態である抵抗（したがって、第３の磁界配向アライメント状態である磁界配向アライメント）を有するＭＴＪ１２８を感知する。感知回路１３０は、論理状態が抵抗（と、磁界配向アライメントと）に従ってセットされるように論理出力１３２を生成するように構成される。この実施形態では、感知回路１３０は、論理状態が、抵抗（と、磁界配向アライメントと）に従って「＋１」、「０」、または「−１」の論理値を有するように論理出力１３２を生成するように構成される。
【０１２５】
[00140]一実施形態では、磁界ベースの非接触受信機１２６は、論理出力８６と論理出力１３２とを受信し、論理出力８６の論理状態と論理出力１３２の論理状態とに基づく論理状態を有する論理出力１３６を生成するように構成された符号機（図示せず）を含むことができる。たとえば、符号機は、論理出力８６と論理出力１３２とから、３ビット信号として論理出力１３６を生成するように構成され得る。したがって、論理出力１３６の論理状態は、３ビットシンボルである。
【０１２６】
[00141]下の表４は、ＭＴＪ４０と、感知回路４２と、ＭＴＪ１２８と、感知回路１３０との代替構成による、磁界ベースの非接触受信機１２６の動作の一実施形態と論理出力１３６の結果の論理状態とを説明する。表４は、論理出力８６の論理状態と論理出力１３２の論理状態とを与えられて論理出力１３６のビットシンボルを説明するので、表４は、符号機の例示的動作をも説明する。  
【表４】
2016540393.tif 000006
【０１２７】
[00142]図１３は、基板４４と同一面内に配置された複数の送信機セル１０２（１）、１０２（２）、１０２（３）、１０２（４）を有する別の例示的な面内磁界ベースの非接触送信機１３８を示す。送信機セル１０２（１）、１０２（２）、１０２（３）、１０２（４）の各々は、上で説明される磁界ベースの非接触送信機１０２と同一である。したがって、送信機セル１０２（１）は、駆動回路３８（１）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素３６（１）、具体的には要素３６Ａ（１）、要素３６Ｂ（１）と称する）を有し、送信機セル１０２（２）は、駆動回路３８（２）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素３６（２）、具体的には要素３６Ａ（２）、要素３６Ｂ（２）と称する）を有し、送信機セル１０２（３）は、駆動回路３８（３）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素３６（３）、具体的には要素３６Ａ（３）、要素３６Ｂ（３）と称する）を有し、送信機セル１０２（４）は、駆動回路３８（４）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素３６（４）、具体的には要素３６Ａ（４）、要素３６Ｂ（４）と称する）を有する。ダイポールコイルの対３６（１）、３６（２）、３６（３）、３６（４）の各々は、上で説明されるダイポールコイルの対３６と同一である。同様に、駆動回路３８（１）、３８（２）、３８（３）、３８（４）の各々は、上で説明される駆動回路３８と同一である。
【０１２８】
[00143]さらに、送信機セル１０２（１）は、駆動回路１０６（１）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素１０４（１）、具体的には要素１０４Ａ（１）、要素１０４Ｂ（１）と称する）を有し、送信機セル１０２（２）は、駆動回路１０６（２）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素１０４（２）、具体的には要素１０４Ａ（２）、要素１０４Ｂ（２）と称する）を有し、送信機セル１０２（３）は、駆動回路１０６（３）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素１０４（３）、具体的には要素１０４Ａ（３）、要素１０４Ｂ（３）と称する）を有し、送信機セル１０２（４）は、駆動回路１０６（４）に動作可能に関連するダイポールコイルの対（包括的には要素１０４（４）、具体的には要素１０４Ａ（４）、要素１０４Ｂ（４）と称する）を有する。ダイポールコイルの対１０４（１）、１０４（２）、１０４（３）、１０４（４）の各々は、上で説明されるダイポールコイルの対１０４と同一である。同様に、駆動回路１０６（１）、１０６（２）、１０６（３）、１０６（４）の各々は、上で説明される駆動回路１０６と同一である。この実施形態では、例示的な磁界ベースの非接触送信機１３８は、複数の送信機セル１０２（１）、１０２（２）、１０２（３）、１０２（４）の各々から同時に異なるビットシンボルを送信するように構成される。
【０１２９】
[00144]図１４は、非接触通信デバイスを提供するために、図１３に示された磁界ベースの非接触送信機１３８とともに利用され得る、基板６４上に配置された別の例示的な面内磁界ベースの非接触受信機１４０を示す。磁界ベースの非接触受信機１４０は、基板６４と同一面内に配置された複数の受信機セル１２６（１）、１２６（２）、１２６（３）、１２６（４）を有する。受信機セル１２６（１）、１２６（２）、１２６（３）、１２６（４）の各々は、上で説明される磁界ベースの非接触受信機１２６と同一である。
【０１３０】
[00145]受信機セル１２６（１）は、図１２に示された磁界ベースの非接触受信機１２６および図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２に関して上で説明されたものと同一の形で、送信機セル１０２（１）からデータを受信するように構成される。したがって、受信機セル１２６（１）は、ＭＴＪ４０（１）と、感知回路４２（１）と、ＭＴＪ１２８（１）と、感知回路１３０（１）とを有する。ＭＴＪ４０（１）は、参照層６６（１）と自由層６８（１）とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（１）と自由層６８（１）との間に定義される。ＭＴＪ４０（１）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（１）は、参照層６６（１）の磁化ＭＲ（１）が磁化容易軸ＥＡＲ（１）に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（１）を定義する。自由層６８（１）は、磁化容易軸ＥＡＲ（１）に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（１）を定義する。感知回路４２（１）は、ＭＴＪ４０（１）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ４０（１）は、ＭＴＪ４０と同一であり、感知回路４２（１）は、図１１に示された感知回路４２と同一である。さらに、ＭＴＪ１２８（１）は、参照層６６（１）’と自由層６８（１）’とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（１）’と自由層６８（１）’との間に定義される。ＭＴＪ１２８（１）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（１）’は、参照層６６（１）’の磁化ＭＲ（１）’が磁化容易軸ＥＡＲ（１）’に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（１）’を定義する。自由層６８（１）’は、磁化容易軸ＥＡＲ（１）’に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（１）’を定義する。ＭＴＪ１２８（１）内の自由層６８（１）’の磁化容易軸ＥＡＦ（１）’は、ＭＴＪ４０（１）内の自由層６８（１）の磁化容易軸ＥＡＦ（１）にも実質的に直交する。感知回路１３０（１）は、ＭＴＪ１２８（１）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ１２８（１）は、ＭＴＪ１２８と同一であり、感知回路１３０（１）は、図１２に示された感知回路１３０と同一である。
【０１３１】
[00146]受信機セル１２６（２）は、図１２に示された磁界ベースの非接触受信機１２６および図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２に関して上で説明されたものと同一の形で、送信機セル１０２（２）からデータを受信するように構成される。したがって、受信機セル１２６（２）は、ＭＴＪ４０（２）と、感知回路４２（２）と、ＭＴＪ１２８（２）と、感知回路１３０（２）とを有する。ＭＴＪ４０（２）は、参照層６６（２）と自由層６８（２）とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（２）と自由層６８（２）との間に定義される。ＭＴＪ４０（２）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（２）は、参照層６６（２）の磁化ＭＲ（２）が磁化容易軸ＥＡＲ（２）に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（２）を定義する。自由層６８（２）は、磁化容易軸ＥＡＲ（２）に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（２）を定義する。感知回路４２（２）は、ＭＴＪ４０（２）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ４０（２）は、ＭＴＪ４０と同一であり、感知回路４２（２）は、図１１に示された感知回路４２と同一である。さらに、ＭＴＪ１２８（２）は、参照層６６（２）’と自由層６８（２）’とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（２）’と自由層６８（２）’との間に定義される。ＭＴＪ１２８（２）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（２）’は、参照層６６（２）’の磁化ＭＲ（２）’が磁化容易軸ＥＡＲ（２）’に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（２）’を定義する。自由層６８（２）’は、磁化容易軸ＥＡＲ（２）’に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（２）’を定義する。ＭＴＪ１２８（２）内の自由層６８（２）’の磁化容易軸ＥＡＦ（２）’は、ＭＴＪ４０（２）内の自由層６８（２）の磁化容易軸ＥＡＦ（２）にも実質的に直交する。感知回路１３０（２）は、ＭＴＪ１２８（２）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ１２８（２）は、ＭＴＪ１２８と同一であり、感知回路１３０（２）は、図１２に示された感知回路１３０と同一である。
【０１３２】
[00147]受信機セル１２６（３）は、図１２に示された磁界ベースの非接触受信機１２６および図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２に関して上で説明されたものと同一の形で、送信機セル１０２（３）からデータを受信するように構成される。したがって、受信機セル１２６（３）は、ＭＴＪ４０（３）と、感知回路４２（３）と、ＭＴＪ１２８（３）と、感知回路１３０（３）とを有する。ＭＴＪ４０（３）は、参照層６６（３）と自由層６８（３）とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（３）と自由層６８（３）との間に定義される。ＭＴＪ４０（３）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（３）は、参照層６６（３）の磁化ＭＲ（３）が磁化容易軸ＥＡＲ（３）に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（３）を定義する。自由層６８（３）は、磁化容易軸ＥＡＲ（３）に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（３）を定義する。感知回路４２（３）は、ＭＴＪ４０（３）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ４０（３）は、ＭＴＪ４０と同一であり、感知回路４２（３）は、図１１に示された感知回路４２と同一である。さらに、ＭＴＪ１２８（３）は、参照層６６（３）’と自由層６８（３）’とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（３）’と自由層６８（３）’との間に定義される。ＭＴＪ１２８（３）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（３）’は、参照層６６（３）’の磁化ＭＲ（３）’が磁化容易軸ＥＡＲ（３）’に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（３）’を定義する。自由層６８（３）’は、磁化容易軸ＥＡＲ（３）’に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（３）’を定義する。ＭＴＪ１２８（３）内の自由層６８（３）’の磁化容易軸ＥＡＦ（３）’は、ＭＴＪ４０（３）内の自由層６８（３）の磁化容易軸ＥＡＦ（３）にも実質的に直交する。感知回路１３０（３）は、ＭＴＪ１２８（３）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ１２８（３）は、ＭＴＪ１２８と同一であり、感知回路１３０（３）は、図１２に示された感知回路１３０と同一である。
【０１３３】
[00148]受信機セル１２６（４）は、図１２に示された磁界ベースの非接触受信機１２６および図１１に示された磁界ベースの非接触送信機１０２に関して上で説明されたものと同一の形で、送信機セル１０２（４）からデータを受信するように構成される。したがって、受信機セル１２６（４）は、ＭＴＪ４０（４）と、感知回路４２（４）と、ＭＴＪ１２８（４）と、感知回路１３０（４）とを有する。ＭＴＪ４０（４）は、参照層６６（４）と自由層６８（４）とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（４）と自由層６８（４）との間に定義される。ＭＴＪ４０（４）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（４）は、参照層６６（４）の磁化ＭＲ（４）が磁化容易軸ＥＡＲ（４）に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（４）を定義する。自由層６８（４）は、磁化容易軸ＥＡＲ（４）に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（４）を定義する。感知回路４２（４）は、ＭＴＪ４０（４）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ４０（４）は、ＭＴＪ４０と同一であり、感知回路４２（４）は、図１１に示された感知回路４２と同一である。さらに、ＭＴＪ１２８（４）は、参照層６６（４）’と自由層６８（４）’とを有し、トンネリング障壁が、参照層６６（４）’と自由層６８（４）’との間に定義される。ＭＴＪ１２８（４）は、基板６４と同一面内に配置される。さらに、参照層６６（４）’は、参照層６６（４）’の磁化ＭＲ（４）’が磁化容易軸ＥＡＲ（４）’に沿って配向されるように、基板６４と同一面内で磁化容易軸ＥＡＲ（４）’を定義する。自由層６８（４）’は、磁化容易軸ＥＡＲ（４）’に実質的に直交する、基板６４と同一面内の磁化容易軸ＥＡＦ（４）’を定義する。ＭＴＪ１２８（４）内の自由層６８（４）’の磁化容易軸ＥＡＦ（４）’は、ＭＴＪ４０（４）内の自由層６８（４）の磁化容易軸ＥＡＦ（４）にも実質的に直交する。感知回路１３０（４）は、ＭＴＪ１２８（４）の抵抗を感知するように構成される。したがって、ＭＴＪ１２８（４）は、ＭＴＪ１２８と同一であり、感知回路１３０（４）は、図１２に示された感知回路１３０と同一である。
【０１３４】
[00149]図１５は、本開示に従って配置された非接触通信デバイス１４２の一実施形態を示す。非接触通信デバイス１４２は、ポータブル電子デバイス１４４内でアプリケーションプロセッサ１４６とディスプレイ１４８との間で非接触の形でデータを転送するためにポータブル電子デバイス１４４内で使用される。ポータブル電子デバイス１４４は、各々がプリント回路基板とされ得るアプリケーション基板１５０とディスプレイ基板１５２とを含む。アプリケーションプロセッサ１４６は、アプリケーション基板１５０上で提供される。非接触通信デバイス１４２は、アプリケーション基板１５０上で提供されるＩＣパッケージ１５４をも含む。ＩＣパッケージ１５４は、アプリケーション基板１５０によってアプリケーションプロセッサ１４６に結合される。この実施形態では、ＩＣパッケージ１５４は、基板４４を含み、磁界ベースの非接触送信機１３８を有する。磁界ベースの非接触送信機１３８は、上で説明されるように、アプリケーションプロセッサ１４６によって提供されるデータを非接触の形で通信するように構成される。
【０１３５】
[00150]ディスプレイ１４８は、ディスプレイコントローラ１５６と一緒にディスプレイ基板１５２上で提供される。非接触通信デバイス１４２は、ディスプレイ基板１５２上で提供されるＩＣパッケージ１５８をも含む。ＩＣパッケージ１５８は、ディスプレイ基板１５２によってディスプレイコントローラ１５６に結合される。この実施形態では、ＩＣパッケージ１５８は、基板６４を含み、図１４に示された磁界ベースの非接触受信機１４０を有する。磁界ベースの非接触受信機１４０は、上で説明されるように、磁界ベースの非接触送信機１３８から非接触の形でデータを受信するように構成される。その後、データは、磁界ベースの非接触受信機１４０によって、ディスプレイ基板１５２を介してディスプレイコントローラ１５６に送信される。このように、アプリケーションプロセッサ１４６は、非接触通信デバイス１４２を使用してディスプレイ１４８にデータを通信するように構成される。
【０１３６】
[00151]図１６は、例示的なプロセッサベースのシステムと、そのプロセッサベースのシステム内でコンポーネントへの非接触通信に使用され得る、本明細書で開示される実施形態のいずれかに従う非接触通信デバイスとを含む、図１５に示されたポータブル電子デバイス１４４のブロック図である。この実施形態では、図１５に示されたポータブル電子デバイス１４４は、対応する非接触通信デバイス１４２を含む。非接触データ通信は、本明細書で開示される実施形態に従って提供され得、非接触通信デバイス（非接触通信デバイス１４２など）、磁界ベースの非接触受信機（磁界ベースの非接触受信機１４０など）、および／または磁界ベースの非接触送信機（磁界ベースの非接触送信機１３８など）の任意の実施形態が、プロセッサベースのデバイス内で提供されまたはこれに組み込まれ得る。例は、限定なしに、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤを含む。
【０１３７】
[00152]これに関して、図１６は、図１５に示された非接触通信デバイス１４２を使用するポータブル電子デバイス１４４である、プロセッサベースのシステムの例を示す。この例では、ポータブル電子デバイス１４４は、それぞれがアプリケーションプロセッサ１４６などの１つまたは複数のプロセッサ１６２を含む１つまたは複数の中央処理装置（ＣＰＵ）１６０を含む。ＣＰＵ１６０は、マスタデバイス１６４とされ得る。ＣＰＵ１６０は、一時的に記憶されたデータへのすばやいアクセスのためにプロセッサ１６２に結合されたキャッシュメモリ１６６を有することができる。ＣＰＵ１６０は、システムバス１６８に結合され、ポータブル電子デバイス１４４内に含まれるマスタデバイスとスレーブデバイスとを相互結合することができる。システムバス１６８は、バス相互接続とされ得る。周知のように、ＣＰＵ１６０は、システムバス１６８を介してアドレス情報と、制御情報と、データ情報とを交換することによって、これらの他のデバイスと通信する。たとえば、ＣＰＵ１６０は、スレーブデバイスの例としてメモリコントローラ１７２にバストランザクション要求を通信することができる。図１６には示されていないが、複数のシステムバス１６８が、設けられ得、各システムバス１６８は、異なるファブリックを構成する。他のマスタデバイスおよびスレーブデバイスが、システムバス１６８に接続され得る。図１６に示されているように、これらのデバイスは、例として、メモリシステム１７４、１つまたは複数の入力デバイス１７６、１つまたは複数の出力デバイス１７８、１つまたは複数のネットワークインターフェースデバイス１８０、およびディスプレイコントローラ１５６を含むことができる。入力デバイス１７６は、入力キー、スイッチ、音声プロセッサなどを含むがこれに限定されない、任意のタイプの入力デバイスを含むことができる。出力デバイス１７８は、限定はしないが、オーディオ、ビデオ、他の視覚的インジケータなどを含む、任意のタイプの出力デバイスを含むことができる。ネットワークインターフェースデバイス１８０は、ネットワーク１８２との間でのデータの交換を可能にするように構成された任意のデバイスとされ得る。ネットワーク１８２は、有線ネットワークまたはワイヤレスネットワーク、プライベートネットワークまたは公衆ネットワーク、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、およびインターネットを含むがこれに限定されない、任意のタイプのネットワークとされ得る。ネットワークインターフェースデバイス１８０は、所望の任意のタイプの通信プロトコルをサポートするように構成され得る。メモリシステム１７４は、１つまたは複数のメモリユニット１８４（０〜Ｎ）を含むことができる。アービタ１８６は、システムバス１６８と、たとえばメモリシステム１７４内で提供されるメモリユニット１８４（０〜Ｎ）など、システムバス１６８に結合されたマスタデバイスおよびスレーブデバイスとの間に提供され得る。
【０１３８】
[00153]この実施形態では、ＣＰＵ１６０は、１つまたは複数のディスプレイ１４８に送られる情報を制御するのに非接触通信デバイス１４２を使用して、ディスプレイコントローラ１５６にアクセスするように構成される。この実施形態では、ＣＰＵ１６０は、非接触通信デバイス１４２の磁界ベースの非接触送信機１３８に結合され得る。したがって、磁界ベースの非接触送信機１３８は、ＣＰＵ１６０から非接触の形で磁界ベースの非接触受信機１４０に情報を送信する。ディスプレイコントローラ１５６は、磁界ベースの非接触受信機１４０から情報を受信するように構成される。ディスプレイコントローラ１５６は、表示されるべき情報をディスプレイ１４８に適切なフォーマットに処理する１つまたは複数のビデオプロセッサ１８８を介して、表示されるべき情報をディスプレイ１４８に送る。ディスプレイ１４８は、陰極線管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、その他を含むがこれに限定されない、任意のタイプのディスプレイを含むことができる。
【０１３９】
[00154]ＣＰＵ１６０およびディスプレイコントローラ１５６は、非接触通信デバイス１４２を介してアービタ１８６へのメモリアクセス要求を行うために、マスタデバイスとして働くことができる。ＣＰＵ１６０およびディスプレイコントローラ１５６内の異なるスレッドが、アービタ１８６への要求を行うことができる。ＣＰＵ１６０およびディスプレイコントローラ１５６は、トランザクション要求の一部としてアービタ１８６にＭＩＤを提供することができる。
【０１４０】
[00155]本明細書で開示される実施形態に関連して説明された様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムは、電子ハードウェア、メモリまたは別のコンピュータ可読媒体に記憶され、プロセッサまたは他の処理デバイスによって実行される命令、または両方の組合せとして実施され得ることを当業者はさらに了解する。本明細書で説明されるアービタ、マスタデバイス、およびスレーブデバイスは、例として、任意の回路、ハードウェアコンポーネント、集積回路（ＩＣ）、またはＩＣチップで使用される。本明細書で開示されるメモリは、任意のタイプおよびサイズのメモリとされ得、任意のタイプの所望の情報を記憶するように構成され得る。この互換性を明確に示すために、様々な例示的なコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップは、上では全般的にその機能性に関して説明された。そのような機能性がどのように実装されるのかは、特定の適用例、設計選択、および／または全体的なシステムに課せられる設計制約に依存する。当業者は、各特定の適応例のために説明された機能を様々な形で実施することができるが、そのような実施決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されてはならない。
【０１４１】
[00156]本明細書で開示される実施形態に関連して説明された様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートもしくはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、または本明細書で説明される機能を実行するように設計されたその任意の組合せを用いて実施されまたは実行され得る。プロセッサは、マイクロプロセッサとされ得るが、代替案では、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械とされ得る。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアに関連する１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成としても実施され得る。
【０１４２】
[00157]本明細書で開示される実施形態は、ハードウェアで、およびハードウェア内に記憶され、たとえばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的プログラム可能ＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野で既知の任意の他の形のコンピュータ可読媒体内に存在することができる命令で、実施され得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。代替案では、記憶媒体は、プロセッサに一体とされ得る。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在することができる。ＡＳＩＣは、リモートステーション内に存在することができる。代替案では、プロセッサおよび記憶媒体は、リモートステーション、基地局、またはサーバ内のディスクリートコンポーネントとして存在することができる。
【０１４３】
[00158]本明細書の例示的な実施形態のいずれかにおいて説明される動作ステップは、例と説明とを提供するために記載されたものであることにも留意されたい。説明される動作は、図示されたシーケンス以外の多数の異なるシーケンスで実行され得る。さらに、単一の動作ステップで説明される動作は、実際には、多くの異なるステップで実行され得る。加えて、例示的な実施形態において議論された１つまたは複数の動作ステップは、組み合わされ得る。フローチャート図に示された動作ステップは、当業者には容易に明らかになるように、多数の異なる修正を受け得ることを理解されたい。当業者は、情報および信号が、様々な異なる技術と技法とのいずれを使用しても表され得ることをも理解する。たとえば、上記の説明全体を通して参照され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界もしくは磁気粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表され得る。
【０１４４】
[00159]本開示の以上の説明は、当業者が本開示を製作しまたは使用することを可能にするために提供される。本開示に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかになり、本明細書で定義される包括的な原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明される例と設計とに限定されることが意図されているのではなく、本明細書で開示される原理および新規の特徴と矛盾しない最も広い範囲が与えられるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
前記基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対と、
ダイポールコイルの前記対に電気的に結合された、第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動するように構成された、駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２】
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動する、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３】
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項４】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、請求項３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で駆動せず、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動しないようにさらに構成される、請求項４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項６】
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対と、
ダイポールコイルの前記第２の対に電気的に結合された、前記第２の基板上に配置された第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動するように構成された、第２の駆動回路とをさらに備える、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項７】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項８】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記基板上で平面を定義するように配置され、ダイポールコイルの前記第２の対は、前記平面上でダイポールコイルの前記対に実質的に直交して配置される、請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項９】
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記第１の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界が前記第２の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１０】
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記第１の論理入力の論理状態が論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の論理状態が前記論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１１】
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
請求項１０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１２】
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で、駆動しないようにさらに構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で、駆動しないようにさらに構成される、
請求項１１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１３】
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１４】
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、請求項１３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１５】
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第１の方向で生成されるように、および、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第２の方向で生成されるように、前記基板上に配置される、請求項１４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１６】
前記第１の方向は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の軸に沿い、前記第２の方向も、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記軸に沿い、前記第２の方向は、前記軸に沿って前記第１の方向と実質的に反対である、請求項１５に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１７】
前記第１のダイポールコイルは、前記第１の磁界が第１の中心軸に沿って配向されるように、前記第１の中心軸の回りに巻かれ、
前記第２のダイポールコイルは、前記第２の磁界が第２の中心軸に沿って配向されるように、前記第２の中心軸の回りに巻かれる、
請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１８】
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と交差するように位置決めされる、
請求項１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項１９】
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と実質的に直交するように位置決めされる、
請求項１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２０】
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界および前記第２の磁界が最高点を有する磁力線を生成するように配置され、ここにおいて、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界は、前記第２の基板上に配置される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２１】
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２２】
前記磁界ベースの非接触送信機は、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２３】
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）に組み込まれる、請求項１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２４】
第１の磁界および第２の磁界を生成するための手段と、
基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第２の磁界が前記第１の磁界と実質的に反対になるように、前記第１の磁界と前記第２の磁界とを駆動するための手段と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項２５】
データを送信する面内非接触方法であって、
基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対を提供することと、
第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動することと、
を備える、データを送信する面内非接触方法。
【請求項２６】
論理状態を有する論理入力を受信することをさらに備え、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の前記磁界内で駆動することは、前記論理入力の前記論理状態に従って前記磁界を前記ＭＴＪ受信機と同一面内で向けることをさらに備える、請求項２５に記載の面内非接触方法。
【請求項２７】
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対を提供することと、
他の基板上に配置された他の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動することと、
をさらに備える、請求項２５に記載の面内非接触方法。
【請求項２８】
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、請求項２７に記載の面内非接触方法。
【請求項２９】
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
第１のダイポールコイルと、
第２のダイポールコイルと、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルおよび前記第２のダイポールコイルは、対せき磁気双極子の対を作るために互いに対して相対的に配置され、
前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとに動作可能に関連付けられた駆動回路であって、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って、対せき磁気双極子の前記対の磁気極性をセットすることと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３０】
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が前記第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が前記第２のダイポールコイルを有する基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
を行うように構成されることによって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、請求項２９に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３１】
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動しないようにさらに構成される、請求項３０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
【請求項３２】
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
基板と、
前記基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記自由層は、前記自由層の第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、を備える、
ＭＴＪと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３３】
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成される、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３４】
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第１の論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第２の論理値を有するように、前記論理出力を生成するように構成される、請求項３３に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３５】
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が、前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第３の方向で配向されるように切替可能になるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第３の論理値を有するように前記論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成される、請求項３４に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３６】
前記基板と同一面内に配置された、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、
を備える第２のＭＴＪと、
前記第２のＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された第２の感知回路と、
をさらに備える、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３７】
前記第４の磁化容易軸は、前記第２の磁化容易軸に実質的に直交する、請求項３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３８】
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するように構成される
請求項３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項３９】
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がある論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第１の論理出力を生成するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が論理値を有し、前記第２の抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第２の論理出力を生成するように構成される、
請求項３８に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４０】
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第５の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記第２の自由層は、前記第３の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために、第４の磁化が前記第４の磁化容易軸に実質的に沿った第６の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するようにさらに構成される、
請求項３９に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４１】
前記磁界ベースの非接触受信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４２】
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４３】
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、請求項３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４４】
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義するための手段と、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸に沿った第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸に沿った第２の方向で配向されることとの間で切替可能であるように、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の前記第２の磁化容易軸を定義するための手段と、
前記抵抗を感知するための手段と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
【請求項４５】
データを受信する面内非接触方法であって、
基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、を含む、
提供することと、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されるように、前記自由層の前記第２の磁化を配向することと、
前記第２の磁化が、第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されるように、前記第２の磁化を配向することと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することと
を備える、データを受信する面内非接触方法。
【請求項４６】
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することは、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することを備える、請求項４５に記載の面内非接触方法。
【請求項４７】
前記基板と同一面内に配置され、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
を備える、提供することと、
前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知することと
をさらに備える、請求項４５に記載の面内非接触方法。
【請求項４８】
非接触通信デバイスであって、
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の対を作るように構成されたコイルの対と、ここにおいて、コイルの前記対は、対せき磁気双極子の前記対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように前記ＭＴＪに対して相対的に配置され、
駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記対を作るためにコイルの前記対を駆動することと、
前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪ内で同一面内で調整することと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える非接触通信デバイス。
【請求項４９】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪと同一面内で調整するように構成される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５０】
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性をセットすることと、
を行うようにさらに構成される、請求項４９に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５１】
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が第２のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する前記基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する前記基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
によって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、請求項５０に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５２】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５３】
前記ＭＴＪは、
参照層と、
自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対が前記自由層と同一面内で前記磁界を生成するように配置される、
を備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５４】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５５】
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するためにダイポールコイルの前記対を駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと、
を行うように構成される、請求項５４に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５６】
前記自由層は、前記駆動回路が前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して前記自由層の第２の磁化が切替可能であるように構成される、請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５７】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記磁界は、前記第２の磁化容易軸に沿って生成される、
請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５８】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で、前記第１の磁化容易軸に沿って固定された第２の磁化を有する第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記自由層は、第３の磁化を有し、前記自由層は、前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して、前記自由層が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第１の方向に配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第２の方向に配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
請求項５３に記載の非接触通信デバイス。
【請求項５９】
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６０】
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路をさらに備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６１】
第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の第２の対を作るように構成されたコイルの第２の対と、ここにおいて、コイルの前記第２の対は、対せき磁気双極子の前記第２の対が前記第２のＭＴＪと同一面内で第２の磁界を生成するように前記第２のＭＴＪに対して相対的に配置され、
第２の駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記第２の対を作るためにコイルの前記第２の対を駆動することと、
前記第２の磁界の磁界配向を前記第２のＭＴＪと同一面内で調整することと、
を行うように構成された第２の駆動回路と、
をさらに備える、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６２】
対せき磁気双極子の前記対によって生成される前記磁界は、対せき磁気双極子の前記第２の対によって生成される前記第２の磁界に実質的に直交する、請求項６１に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６３】
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪおよび前記第２のＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記ＭＴＪは、
参照層と、
前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対によって作られる前記磁界が第１の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備え、
前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層と、
前記第１の自由層の前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２のＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記第２の対によって作られる前記第２の磁界が前記第２の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備える
請求項６１に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６４】
請求項４８に記載の非接触通信デバイスは、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される。
【請求項６５】
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６６】
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、請求項４８に記載の非接触通信デバイス。
【請求項６７】
非接触通信デバイスであって、
対せき磁気双極子の対が磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作るための手段と、
前記磁界の磁界配向を調整するための手段と、
を備える、非接触通信デバイス。
【請求項６８】
非接触データ通信の方法であって、
基板と同一面内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することと、
対せき磁気双極子の対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作ることと、
前記磁界の磁界配向を調整することと、
を備える、非接触データ通信の方法。
【請求項６９】
前記磁界の前記磁界配向を調整することとは、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることを備える、請求項６８に記載の非接触データ通信の方法。
【請求項７０】
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと
をさらに備える、請求項６９に記載の非接触データ通信の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
[00159]本開示の以上の説明は、当業者が本開示を製作しまたは使用することを可能にするために提供される。本開示に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかになり、本明細書で定義される包括的な原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明される例と設計とに限定されることが意図されているのではなく、本明細書で開示される原理および新規の特徴と矛盾しない最も広い範囲が与えられるものである。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
前記基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対と、
ダイポールコイルの前記対に電気的に結合された、第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動するように構成された、駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２］
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動する、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ３］
前記駆動回路は、論理入力を受信するように構成され、前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ４］
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、上記Ｃ３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ５］
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で駆動せず、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動しないようにさらに構成される、上記Ｃ４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ６］
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対と、
ダイポールコイルの前記第２の対に電気的に結合された、前記第２の基板上に配置された第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動するように構成された、第２の駆動回路とをさらに備える、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ７］
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、上記Ｃ６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ８］
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記基板上で平面を定義するように配置され、ダイポールコイルの前記第２の対は、前記平面上でダイポールコイルの前記対に実質的に直交して配置される、上記Ｃ６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ９］
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が前記第１の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界が前記第２の論理入力の論理状態に従って向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
上記Ｃ６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１０］
前記駆動回路は、第１の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記駆動回路は、前記第１の論理入力の論理状態が論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、第２の論理入力を受信するようにさらに構成され、前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の論理状態が前記論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
上記Ｃ６に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１１］
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態が別の論理値を有することに応答して、前記第３の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第４の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で駆動するように構成される、
上記Ｃ１０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１２］
前記駆動回路は、前記第１の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で、駆動しないようにさらに構成され、
前記第２の駆動回路は、前記第２の論理入力の前記論理状態がさらに別の論理値を有することに応答して、前記第３のダイポールコイルを前記第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第４の磁界内で、駆動しないようにさらに構成される、
上記Ｃ１１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１３］
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するように構成される、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１４］
前記駆動回路は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられるように、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第２の磁界内で駆動するようにさらに構成される、上記Ｃ１３に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１５］
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第１の方向で生成されるように、および、前記第１の磁界が前記第２の基板から離れる向きに向けられ、前記第２の磁界が前記第２の基板に向かう向きに向けられることの結果として、前記磁界が同一面内で第２の方向で生成されるように、前記基板上に配置される、上記Ｃ１４に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１６］
前記第１の方向は、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の軸に沿い、前記第２の方向も、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記軸に沿い、前記第２の方向は、前記軸に沿って前記第１の方向と実質的に反対である、上記Ｃ１５に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１７］
前記第１のダイポールコイルは、前記第１の磁界が第１の中心軸に沿って配向されるように、前記第１の中心軸の回りに巻かれ、
前記第２のダイポールコイルは、前記第２の磁界が第２の中心軸に沿って配向されるように、前記第２の中心軸の回りに巻かれる、
上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１８］
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と交差するように位置決めされる、
上記Ｃ１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ１９］
前記磁界は、前記第２の基板上の前記ＭＴＪ受信機と同一面内で他の軸に沿って生成され、
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の中心軸および前記第２の中心軸が前記他の軸と実質的に直交するように位置決めされる、
上記Ｃ１７に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２０］
ダイポールコイルの前記対は、前記第１の磁界および前記第２の磁界が最高点を有する磁力線を生成するように配置され、ここにおいて、前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界は、前記第２の基板上に配置される、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２１］
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２２］
前記磁界ベースの非接触送信機は、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２３］
前記磁界ベースの非接触送信機は、集積回路（ＩＣ）に組み込まれる、上記Ｃ１に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２４］
第１の磁界および第２の磁界を生成するための手段と、
基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１の磁界が前記第１の磁界と実質的に反対になるように、前記第１の磁界と前記第２の磁界とを駆動するための手段と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ２５］
データを送信する面内非接触方法であって、
基板上に配置され、第２のダイポールコイルと対にされた第１のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの対を提供することと、
第２の基板上に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に磁界を生成するために、前記第１のダイポールコイルを第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の磁界内で駆動することと、
を備える、データを送信する面内非接触方法。
［Ｃ２６］
論理状態を有する論理入力を受信することをさらに備え、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルを前記第１の磁界内で、前記第２のダイポールコイルを前記第１の磁界と実質的に反対の第２の前記磁界内で駆動することは、前記論理入力の前記論理状態に従って前記磁界を前記ＭＴＪ受信機と同一面内で向けることをさらに備える、上記Ｃ２５に記載の面内非接触方法。
［Ｃ２７］
前記基板上に配置され、第４のダイポールコイルと対にされた第３のダイポールコイルを備える、ダイポールコイルの第２の対を提供することと、
他の基板上に配置された他の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）受信機と同一面内に第２の磁界を生成するために、前記第３のダイポールコイルを第３の磁界内で、前記第４のダイポールコイルを前記第３の磁界と実質的に反対の第４の磁界内で駆動することと、
をさらに備える、上記Ｃ２５に記載の面内非接触方法。
［Ｃ２８］
ダイポールコイルの前記対およびダイポールコイルの前記第２の対は、前記第２の基板上に配置された前記ＭＴＪ受信機と同一面内の前記磁界が、前記第２の基板上に配置された前記第２のＭＴＪ受信機と同一面内の前記第２の磁界に実質的に直交するように配置される、上記Ｃ２７に記載の面内非接触方法。
［Ｃ２９］
面内磁界ベースの非接触送信機であって、
基板と、
第１のダイポールコイルと、
第２のダイポールコイルと、ここにおいて、前記第１のダイポールコイルおよび前記第２のダイポールコイルは、対せき磁気双極子の対を作るために互いに対して相対的に配置され、
前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとに動作可能に関連付けられた駆動回路であって、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って、対せき磁気双極子の前記対の磁気極性をセットすることと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える、面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ３０］
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が前記第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が前記第２のダイポールコイルを有する基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
を行うように構成されることによって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、上記Ｃ２９に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ３１］
前記駆動回路は、前記論理入力の前記論理状態が第３の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対を生成するために前記第１のダイポールコイルと前記第２のダイポールコイルとを駆動しないようにさらに構成される、上記Ｃ３０に記載の面内磁界ベースの非接触送信機。
［Ｃ３２］
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
基板と、
前記基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記自由層は、前記自由層の第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、を備える、
ＭＴＪと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３３］
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成される、上記Ｃ３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３４］
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第１の論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第２の論理値を有するように、前記論理出力を生成するように構成される、上記Ｃ３３に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３５］
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が、前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第３の方向で配向されるように切替可能になるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記論理状態が第３の論理値を有するように前記論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成される、上記Ｃ３４に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３６］
前記基板と同一面内に配置された、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能になるように構成される、
を備える第２のＭＴＪと、
前記第２のＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された第２の感知回路と、
をさらに備える、上記Ｃ３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３７］
前記第４の磁化容易軸は、前記第２の磁化容易軸に実質的に直交する、上記Ｃ３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３８］
前記感知回路は、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗に従ってセットされた論理状態を有する第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するように構成される
上記Ｃ３６に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ３９］
前記感知回路は、前記抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がある論理値を有し、前記抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第１の論理出力を生成するように構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第１の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が論理値を有し、前記第２の抵抗が前記第２の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態が別の論理値を有するように、前記第２の論理出力を生成するように構成される、
上記Ｃ３８に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４０］
前記自由層は、第３の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために、前記第２の磁化が前記第２の磁化容易軸に実質的に沿った第５の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記第２の自由層は、前記第３の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために、第４の磁化が前記第４の磁化容易軸に実質的に沿った第６の方向で配向されるように切替可能であるようにさらに構成され、
前記感知回路は、前記抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第１の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第１の論理出力を生成することによって、前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するようにさらに構成され、
前記第２の感知回路は、前記第２の抵抗が前記第３の抵抗状態であることに応答して前記第２の論理出力の前記論理状態がさらに別の論理値を有するように前記第２の論理出力を生成することによって、前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知するようにさらに構成される、
上記Ｃ３９に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４１］
前記磁界ベースの非接触受信機は、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される、上記Ｃ３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４２］
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、上記Ｃ３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４３］
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、上記Ｃ３２に記載の面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４４］
面内磁界ベースの非接触受信機であって、
第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義するための手段と、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で抵抗を提供するために第２の磁化容易軸に沿った第１の方向で配向されることと第２の抵抗状態で抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸に沿った第２の方向で配向されることとの間で切替可能であるように、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の前記第２の磁化容易軸を定義するための手段と、
前記抵抗を感知するための手段と
を備える、面内磁界ベースの非接触受信機。
［Ｃ４５］
データを受信する面内非接触方法であって、
基板と同一面内に配置された、抵抗を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記ＭＴＪは、
参照層の第１の磁化が第１の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第１の磁化容易軸を定義する前記参照層と、
前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する自由層と、を含む、
提供することと、
第２の磁化が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第１の方向で配向されるように、前記自由層の前記第２の磁化を配向することと、
前記第２の磁化が、第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの前記抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りの第２の方向で配向されるように、前記第２の磁化を配向することと、
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することと
を備える、データを受信する面内非接触方法。
［Ｃ４６］
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知することは、前記抵抗に従ってセットされた論理状態を有する論理出力を生成することを備える、上記Ｃ４５に記載の面内非接触方法。
［Ｃ４７］
前記基板と同一面内に配置され、第２の抵抗を有する第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することであって、前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層の第３の磁化が第３の磁化容易軸に沿って配向されるように、前記基板と同一面内で前記第３の磁化容易軸を定義する前記第２の参照層と、
前記第３の磁化容易軸に実質的に直交する、前記基板と同一面内の第４の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２の自由層は、前記第２の自由層の第４の磁化が、前記第１の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第３の方向で配向されることと前記第２の抵抗状態で前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を提供するために前記第４の磁化容易軸の回りの第４の方向で配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
を備える、提供することと、
前記第２のＭＴＪの前記第２の抵抗を感知することと
をさらに備える、上記Ｃ４５に記載の面内非接触方法。
［Ｃ４８］
非接触通信デバイスであって、
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の対を作るように構成されたコイルの対と、ここにおいて、コイルの前記対は、対せき磁気双極子の前記対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように前記ＭＴＪに対して相対的に配置され、
駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記対を作るためにコイルの前記対を駆動することと、
前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪ内で同一面内で調整することと、
を行うように構成された駆動回路と、
を備える非接触通信デバイス。
［Ｃ４９］
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記磁界の磁界配向を前記ＭＴＪと同一面内で調整するように構成される、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５０］
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性をセットすることと、
を行うようにさらに構成される、上記Ｃ４９に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５１］
前記駆動回路は、
前記論理入力の前記論理状態が第１の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの一方が第１のダイポールコイルを有する基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの他方が第２のダイポールコイルを有する基板４４の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
前記論理入力の前記論理状態が第２の論理値を有することに応答して、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方が前記第２のダイポールコイルを有する前記基板から外を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記一方を提供し、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方が前記第１のダイポールコイルを有する前記基板の中を向くように、対せき磁気双極子の前記対のうちの前記他方を提供することと、
によって、前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットするように構成される、上記Ｃ５０に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５２］
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置される、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５３］
前記ＭＴＪは、
参照層と、
自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対が前記自由層と同一面内で前記磁界を生成するように配置される、
を備える、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５４］
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、上記Ｃ５３に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５５］
前記駆動回路は、
論理状態を有する論理入力を受信することと、
対せき磁気双極子の前記対を生成するためにダイポールコイルの前記対を駆動することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと、
を行うように構成される、上記Ｃ５４に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５６］
前記自由層は、前記駆動回路が前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して前記自由層の第２の磁化が切替可能であるように構成される、上記Ｃ５３に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５７］
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記磁界は、前記第２の磁化容易軸に沿って生成される、
上記Ｃ５３に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５８］
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記参照層は、前記第２の基板と同一面内で、前記第１の磁化容易軸に沿って固定された第２の磁化を有する第１の磁化容易軸を定義し、
前記自由層は、前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義し、前記自由層は、第３の磁化を有し、前記自由層は、前記磁界の前記磁界配向を調整することに応答して、前記自由層が、第１の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第１の方向に配向されることと第２の抵抗状態で前記ＭＴＪの抵抗を提供するために前記第２の磁化容易軸の回りで第２の方向に配向されることとの間で切替可能であるように構成される、
上記Ｃ５３に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ５９］
前記駆動回路は、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることによって、前記自由層と同一面内で前記磁界の前記磁界配向を調整するように構成される、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６０］
前記ＭＴＪの前記抵抗を感知するように構成された感知回路をさらに備える、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６１］
第２の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
対せき磁気双極子の第２の対を作るように構成されたコイルの第２の対と、ここにおいて、コイルの前記第２の対は、対せき磁気双極子の前記第２の対が前記第２のＭＴＪと同一面内で第２の磁界を生成するように前記第２のＭＴＪに対して相対的に配置され、
第２の駆動回路であって、
対せき磁気双極子の前記第２の対を作るためにコイルの前記第２の対を駆動することと、
前記第２の磁界の磁界配向を前記第２のＭＴＪと同一面内で調整することと、
を行うように構成された第２の駆動回路と、
をさらに備える、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６２］
対せき磁気双極子の前記対によって生成される前記磁界は、対せき磁気双極子の前記第２の対によって生成される前記第２の磁界に実質的に直交する、上記Ｃ６１に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６３］
第２の基板をさらに備え、前記ＭＴＪおよび前記第２のＭＴＪは、前記第２の基板と同一面内に配置され、
前記ＭＴＪは、
参照層と、
前記第２の基板と同一面内で第１の磁化容易軸を定義する自由層と、ここにおいて、前記ＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記対によって作られる前記磁界が第１の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備え、
前記第２のＭＴＪは、
第２の参照層と、
前記第１の自由層の前記第１の磁化容易軸に実質的に直交する、前記第２の基板と同一面内の第２の磁化容易軸を定義する第２の自由層と、ここにおいて、前記第２のＭＴＪは、対せき磁気双極子の前記第２の対によって作られる前記第２の磁界が前記第２の自由層と同一面内で生成されるように配置される
を備える
上記Ｃ６１に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６４］
上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイスは、集積回路（ＩＣ）パッケージ内で提供される。
［Ｃ６５］
セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話機、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナー、無線機、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６６］
集積回路（ＩＣ）に組み込まれた、上記Ｃ４８に記載の非接触通信デバイス。
［Ｃ６７］
非接触通信デバイスであって、
対せき磁気双極子の対が磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作るための手段と、
前記磁界の磁界配向を調整するための手段と、
を備える、非接触通信デバイス。
［Ｃ６８］
非接触データ通信の方法であって、
基板と同一面内に配置された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することと、
対せき磁気双極子の対が前記ＭＴＪと同一面内で磁界を生成するように、対せき磁気双極子の前記対を作ることと、
前記磁界の磁界配向を調整することと、
を備える、非接触データ通信の方法。
［Ｃ６９］
前記磁界の前記磁界配向を調整することとは、対せき磁気双極子の前記対の各々の磁気極性を切り替えることを備える、上記Ｃ６８に記載の非接触データ通信の方法。
［Ｃ７０］
論理状態を有する論理入力を受信することと、
前記論理入力の前記論理状態に従って対せき磁気双極子の前記対の各々の前記磁気極性をセットすることと
をさらに備える、上記Ｃ６９に記載の非接触データ通信の方法。
【国際調査報告】
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