(57)【要約】  発光デバイスの製造方法は、第一基板（２０１）及び第一基板（２０１）の上の複数の半導体積層ブロック（２０２、２３１−２３５）を提供するステップであって、複数の半導体積層ブロック（２０２、２３１−２３５）はそれぞれ第一極性半導体層（２０２ａ）、第一極性半導体層（２０２ａ）の上に位置する発光層（２０２ｂ）、発光層（２０２ｂ）の上に位置する第二極性半導体層（２０２ｃ）を含み、第一基板（２０１）の上にさらに隣接する２つの半導体積層ブロック（２０２、２３１−２３５）を仕切る仕切りチャンネルがあり、かつ仕切りチャンネルの幅が１０μｍ未満であるステップと、複数の半導体積層ブロック（２０２、２３１−２３５）の中の第一半導体積層ブロック（２３２、２３４）と第一基板（２０１）とを分離させ、かつ第二半導体積層ブロック（２３１、２３３）を第一基板（２０１）に残す第一分離ステップとを含む。
2016527714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスの製造方法であって、
第一基板及び前記第一基板の上の複数の半導体積層ブロックを提供するステップであって、前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ第一極性半導体層、前記第一極性半導体層の上に位置する発光層、及び前記発光層の上に位置する第二極性半導体層を含み、前記第一基板の上にさらに、隣接する２つの半導体積層ブロックを仕切る仕切りチャンネルがあり、かつ前記仕切りチャンネルの幅が１０μｍ未満である、ステップと、
前記複数の半導体積層ブロックの中の第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させ、かつ第二半導体積層ブロックを前記第一基板に残す第一分離ステップとを含む、発光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第一分離ステップは、さらに
第二基板を提供し、
前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させる第一接合ステップを実行し、及び
前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させることを含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板との界面にレーザ光を照射して、前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させる、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第二基板は第一穿孔電極をさらに含み、該第一穿孔電極は第一穿孔及びその中に充填された第一導電物質を有する、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第二基板はさらに第二穿孔電極を含み、
該第二穿孔電極は第二穿孔及びその中に充填された第二導電物質を有する、請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第一導電物質と前記第二導電物質とが同一材料である、請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第一接合ステップは、前記第一半導体積層ブロックを前記第一穿孔電極と前記第二穿孔電極の間に位置させるように、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを位置合わせて接合させることを含む、請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第一導電接続線と第二導電接続線を形成するステップであって、前記第一導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第一極性半導体層及び前記第一穿孔電極を電気的に接続させ、前記第二導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第二極性半導体層及び前記第二穿孔電極を電気的に接続させる、ステップと、
前記第二基板の上に、前記第一半導体積層ブロック、前記第一導電接続線及び前記第二導電接続線を被覆するように透明パッケージ材料を形成するステップとを含む、請求項７に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第一接合ステップは、前記第一半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを位置合わせて接合させることを含む、請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックを前記第二半導体積層ブロックの上に位置合わせて接合させる第二接合ステップを含む、請求項９に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上にそれぞれ導電酸化層を形成することを含む、請求項１０に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二基板の上、前記第二半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層に電気的に接続される電極を形成することを含む、請求項１０に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの少なくとも一つの上に金属層を形成することを含む、請求項１０に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第三基板を提供するステップを含み、
前記第三基板はさらに第一穿孔電極を含み、該第一穿孔電極は第一穿孔及びその中に充填された第一導電物質を有する、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記第三基板はさらに第二穿孔電極を含み、該第二穿孔電極は第二穿孔及びその中に充填された第二導電物質を有する、請求項１４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記第一導電物質と前記第二導電物質とが同一材料である、請求項１５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二基板又は第一基板と前記第三基板とを位置合わせて接合させ、かつ、前記第一穿孔電極と前記第二穿孔電極との間に位置するように前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックを前記第三基板に接合させる第二接合ステップと、
前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックと前記第二基板又は前記第一基板とを分離させるステップとを含む、請求項１５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第一導電接続線と第二導電接続線を形成するステップであって、前記第一導電接続線は前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックの中の前記第一極性半導体層及び前記第一穿孔電極を電気的に接続させ、前記第二導電接続線は前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックの中の前記第二極性半導体層及び前記第二穿孔電極を電気的に接続させる、ステップと、
前記第二基板又は前記第一基板の上に、前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロック、前記第一導電接続線及び前記第二導電接続線を被覆するように透明パッケージ材料を形成するステップとを含む、請求項１７に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックとを位置合わせて接合させる第二接合ステップを含む、請求項１４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの後、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを分離させるステップを含む、請求項１９に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第一半導体積層ブロックを前記第三基板に位置合わせて接合させる第三接合ステップと、
前記第二半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させるステップとを含む、請求項２０に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上にそれぞれ導電酸化層を形成するステップを含む、請求項２１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第三基板の上、前記第二半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層に電気的に接続される電極を形成するステップを含む、請求項２１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの後、前記第二半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させるステップを含む、請求項１９に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第二半導体積層ブロックを前記第三基板に位置合わせて接合させる第三接合ステップと、
前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを分離させるステップとを含む、請求項２４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上に導電酸化層を形成するステップを含む、請求項２５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２７】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第三基板の上、前記第一半導体積層ブロックの前記第二極性半導体層に電気的に接続される電極を形成するステップを含む、請求項２５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２８】
前記第一基板はさらに第三半導体積層ブロック及び第四半導体積層ブロックを含み、
前記第一接合ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させることを含み、
前記第一分離ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックを分離させ、かつ前記第四半導体積層ブロックを前記第一基板の上に残すことを含む、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項２９】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続させるように、前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップを含む、請求項２８に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３０】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
パターン化金属層を含む第四基板を提供するステップと、
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックが直列又は並列接続を構成するように、前記第四基板の前記パターン化金属層と前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項２９に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３１】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続するように、前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップを含む、請求項２８に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３２】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
パターン化金属層を含む第四基板を提供するステップと、
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックが直列又は並列接続を構成するように、前記第四基板の前記パターン化金属層と前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項３１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３３】
前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ上面形状を有し、かつ該上面形状が菱形、正方形、長方形、三角形又は円形を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光デバイス及びその製造方法に関する。特に、半導体積層の利用を拡大する発光デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、エネルギー消費が低く、操作寿命が長く、防震、体積が小さく、反応速度が速く、及び出力する光波長が安定的であるなどの特性を有するため、各種の照明用途に適用されている。図１が示すように、従来の発光ダイオードチップ製作方法は、基板１０１の上に発光積層（図示せず）を形成した後、切断チャンネル１０３ｖ、１０３ｈを形成して複数の発光ダイオードチップ１０２に切断する。しかし、従来の複数の発光ダイオードチップ１０２の分割にレーザ光切断を用いることが多く、レーザ光のビームサイズ（ｂｅａｍ  ｓｉｚｅ）に制限され、かつ切断時に副産物（ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ）が生成し易く、漏電を引き起こすことがあるため、設計上の切断チャンネル１０３ｖ、１０３ｈの幅Ｄを少なくとも２０μｍ以上にする必要がある。もしこの切断チャンネル１０３ｖ、１０３ｈの面積を省くことができれば、発光積層の面積を約２５％増加させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
以上の問題に鑑み、本発明は半導体積層の利用を拡大する発光デバイス及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明が開示する発光デバイスの製造方法は、第一基板及び前記第一基板の上の複数の半導体積層ブロックを提供するステップであって、前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ第一極性半導体層、前記第一極性半導体層の上に位置する発光層、前記発光層の上に位置する第二極性半導体層を含み、前記第一基板の上にさらに、隣接する２つの半導体積層ブロックを仕切る仕切りチャンネルがあり、かつ前記仕切りチャンネルの幅が１０μｍ未満であるステップと、前記複数の半導体積層ブロックの中の第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させ、かつ第二半導体積層ブロックを前記第一基板に残す第一分離ステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】従来の製作方法による発光ダイオードチップの基板を示す図である。
【図２Ａ】本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。
【図２Ｄ】本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。
【図２Ｅ】本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。
【図２Ｆ】本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例の中間ステップを示す図である。
【図３】本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例を示す図である（並列の場合）。
【図４】本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例を示す図である（並列の場合）。
【図５】本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例を示す図である（直列の場合）。
【図６Ａ】本発明の発光デバイスの製造方法の第二実施例を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の発光デバイスの製造方法の第二実施例を示す図である。
【図６Ｃ】本発明の発光デバイスの製造方法の第三実施例を示す図である。
【図６Ｄ】本発明の発光デバイスの製造方法の第三実施例を示す図である。
【図７Ａ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｆ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｇ】本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示す図である。
【図７Ｈ】本発明の発光デバイスの製造方法の第五実施例を示す図である。
【図７Ｉ】本発明の発光デバイスの製造方法の第五実施例を示す図である。
【図７Ｊ】本発明の発光デバイスの製造方法の第五実施例を示す図である。
【図７Ｋ】本発明の発光デバイスの製造方法の第五実施例を示す図である。
【符号の説明】
【０００６】
１０１    基板
１０２    発光ダイオードチップ
１０３ｖ、１０３ｈ    切断チャンネル
Ｄ    切断チャンネルの幅
２０１    第一基板
２０２    半導体積層
２０２ａ    第一極性半導体層
２０２ｂ    発光層
２０２ｃ    第二極性半導体層
２１１    第一犠牲層
２１２    仕切りチャンネル
２２１    第二基板
２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５    半導体積層ブロック
ｄ    仕切りチャンネルの幅
２３１ｅ１    第一電極
２３１ｅ２    第二電極
２４０    誘電層
２４１    レーザ光
３０１    第一基板
３０２    半導体積層
３３１、３３３    半導体積層ブロック
３３１ｅ１、３３３ｅ１及び３３５ｅ１    第一電極
３３１ｅ２、３３３ｅ２及び３３５ｅ２    第二電極
３４０    誘電層
３６１    デバイス基板
３６１ＴＥ１、３６１ＴＥ２    穿孔電極
３６１Ｅ１、３６１Ｅ２    パターン化金属層
３６１Ｓ１、３６１Ｓ２、３６１Ｓ３及び３６１Ｓ４    パターン化金属層
６０２    半導体積層
６０２ａ    第一極性半導体層
６０２ｂ    発光層
６０２ｃ    第二極性半導体層
６１１    第一犠牲層
６２１、６２１’    第二基板
６２１Ｔ１、６２１Ｔ１’    第一穿孔
６２１Ｔ２、６２１Ｔ２’    第二穿孔
６２２ＴＥ１、６２２ＴＥ１’    第一穿孔電極
６２２ＴＥ２、６２２ＴＥ２’    第二穿孔電極
６３１Ｅ１、６３１Ｅ１’    第一導電接続線
６３１Ｅ２、６３１Ｅ２’    第二導電接続線
６３２    半導体積層ブロック
６４０    絶縁層
６４１、６４１’    透明パッケージ材料
７０１    第一基板
７０２    半導体積層
７０２ａ    第一極性半導体層
７０２ｂ    発光層
７０２ｃ    第二極性半導体層
７１１    第一犠牲層
７２１    第二基板
７２１Ｔ    穿孔
７２１ＴＥ    第一穿孔電極
７２２ＥＥ及び７２２Ｅ    電極
７３１、７３２、７３３及び７３４    半導体積層ブロック
７９１、７９２    導電酸化層
７９３    反射金属層 
７９４    オーム接触金属層
７９５    絶縁層
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図２Ａないし２Ｅは本発明の発光デバイスの製造方法に用いる分離方法の実施例を示す図である。図３ないし図５は本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例を示す図であり、そのうち図３Ａないし３Ｆ及び図４は複数の半導体積層ブロックが並列に形成された発光デバイスを示し、図５は複数の半導体積層ブロックが直列に形成された発光デバイスを示している。
【０００８】
図２Ａにおいて、第一基板２０１の上に半導体積層２０２が形成され、この半導体積層２０２は第一極性半導体層２０２ａ、第一極性半導体層２０２ａの上に位置する発光層２０２ｂ、及び発光層２０２ｂの上に位置する第二極性半導体層２０２ｃを含む。第一極性半導体層２０２ａと第二極性半導体層２０２ｃとは極性が異なり、例えば、第一極性半導体層２０２ａはｎ型半導体層であり、第二極性半導体層２０２ｃはｐ型半導体層である。第一極性半導体層２０２ａ、発光層２０２ｂ及び第二極性半導体層２０２ｃは第ＩＩＩ−Ｖ族の材料によって形成され、例えば、アルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）系の材料又は窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）系の材料である。図２Ｂにおいてパターン化ステップが実施され、幅ｄの仕切りチャンネル２１２を形成して、半導体積層２０２を複数の半導体積層ブロック２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５にパターン化する。即ち、隣接する二つの半導体積層ブロックは仕切りチャンネル２１２によって仕切られている。なお、半導体積層２０２の利用面積を増やすために、仕切りチャンネルの幅ｄをなるべく縮小させ、例えば、２０μｍ未満であることが好ましく、１０μｍ未満であることがより好ましい。一実施例において、仕切りチャンネルの幅ｄが５μｍ未満である。前記パターン化とは、一般的にフォトレジストの被覆及び露光現像の後にエッチングを行う工程を意味する。しかし、パターン化方法はこれらに限らず、その他の方法、例えばレーザ光を用いて半導体積層２０２を直接に切断する実施例も含まれる。さらに、前記複数の半導体積層ブロックは、パターン化された後それぞれ上面形状を有し、かつこお上面形状は菱形、正方形、長方形、三角形又は円形であってもよい。注意すべきなのは、前記半導体積層２０２が第一基板２０１上に成長し、即ち、第一基板２０１が半導体積層の成長基板であってもよい。また、半導体積層２０２を別の成長基板に形成した後、移転技術により半導体積層を第一基板２０１上に移転させてもよい。この場合、半導体積層２０２と第一基板２０１との間に接着層（図示せず）を含んでもよい。移転技術は当業者に周知されているため、ここで省略する。また、別の実施例において、半導体積層２０２を別の成長基板に形成し、かつパターン化により前記複数の半導体積層ブロック２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５にした後、移転技術によりこれら半導体積層ブロック２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５を第一基板２０１上に移転させて、図２Ｂの形にしてもよい。この場合も同じく、半導体積層ブロック２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５と第一基板２０１との間に接着層（図示せず）を含んでもよい。次に、分離ステップを実行し易くするために、移動させようとする半導体積層ブロックの上に第一犠牲層２１１を形成する。本実施例において、移動させようとする半導体積層ブロックは半導体積層ブロック２３２及び２３４である。この第一犠牲層２１１を形成する時、まず、第一基板２０１の上に全体にわたって第一犠牲層２１１の材料を形成し、その後、黄色光及びエッチング工程を用いて、移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４の上の該第一犠牲層２１１を選択的に残してもよい。なお、当業者であれば、製造工程の順番として、先に移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４の位置の上に該第一犠牲層２１１を形成し、その後に黄色光及びエッチング工程により前記の半導体積層２０２を複数の半導体積層ブロック２３１、２３２、２３３、２３４及び２３５をパターン化するステップを完成させてもよいことを理解すべきである。第一犠牲層２１１の材料に導電材料又は非導電材料を用いることができる。導電材料は、例えば金属酸化物、金属又は合金である。なお、金属酸化物として例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）があり、金属として例えばアルミニウム、金、プラチナ、亜鉛、銀、ニッケル、ゲルマニウム、インジウム、スズ、チタン、鉛、銅、パラジウムがあり、合金として例えば前記金属の合金がある。非導電材料は、例えば高分子材料、酸化物又は窒化物（ＳｉＮｘ）である。なお、高分子材料として例えばＢＣＢ、Ｅｐｏｘｙなどの高分子材料があり、酸化物として例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）があり、窒化物として例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）がある。前記第一犠牲層２１１の材料の選択は、当業者が次の工程及び製品に導電が必要か否か及び光透過が必要か否かに基づいて選択することができる。図２Ｃにおいて分離ステップを実行し、該分離ステップは第二基板２２１を提供し、かつ第二基板２２１と第一犠牲層２１１を接合させることを含む。第二基板２２１は透明基板又は不透明基板であってもよい。透明基板として例えばガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＣＶＤダイヤモンドがあり、不透明基板としえ例えばケイ素（Ｓｉ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス基板がある。前記第二基板２２１の材料の選択は、当業者が次の工程及び製品に光透過が必要か否か、及び導電が必要か否かに基づいて選択することができる。そして、図２Ｄが示すように、半導体積層ブロック２３２及び２３４を第一基板２０１から分離させる。前記ステップを実行する時、半導体積層ブロック２３２及び２３４を第一基板２０１から分離し易くするため、移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４と第一基板２０１と界面にレーザ光２４１を照射してもよい。また、前記のように、半導体積層２０２を別の成長基板に形成した後、移転技術によって第一基板２０１上に移転させてもよい。この場合、半導体積層２０２を第一基板２０１に移転させる時、移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４の位置の上に、先に第一基板２０１との間の犠牲層（図示せず）を選択的に形成してもよい。この犠牲層として比較的に弱い材料、又は第一基板２０１との接合力が弱い材料を選択することにより、移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４を第一基板２０１から分離させる時に、移動させようとする半導体積層ブロック２３２及び２３４を第一基板２０１から分離し易くすることができる。
【０００９】
図２Ｅは、分離ステップを実施した後、半導体積層ブロック２３２及び２３４が第一基板２０１から分離され、第一基板２０１に半導体積層ブロック２３１、２３３及び２３５が保留されている場合を示している。注意すべきなのは、第二基板２２１及びその上の半導体積層ブロック２３２及び２３４、又は第一基板２０１及びその上の半導体積層ブロック２３１、２３３及び２３５は、両者のいずれも以下に述べる本発明の発光デバイスの製造方法の実施例に用いることができる。
【００１０】
図２Ｆを参照しながら、前記図２Ａないし２Ｅが示す分離方法の続きとして、第一基板２０１及びその上の半導体積層ブロック２３１、２３３及び２３５を例に、本発明の発光デバイスの製造方法の第一実施例を説明する。その製造方法においてさらに、半導体積層ブロック２３１及び２３３の上に、半導体積層ブロック２３１及び２３３の第一極性半導体層２０２ａに対応して電気的に接続される第一電極２３１ｅ１をそれぞれ形成し、かつ、半導体積層ブロック２３１及び２３３の上に、半導体積層ブロック２３１及び２３３の第二極性半導体層２０２ｃに対応して電気的に接続される第一電極２３１ｅ２をそれぞれ形成する。その形成方法として、まず、半導体積層ブロック２３１及び２３３などに対しエッチン処理を行って、各半導体積層ブロックの一部をその第一極性半導体層２０２ａまで露出させてもよい。その後、第一基板２０１の上に誘電層２４０を形成し、パターン化によって第一電極２３１ｅ１及び第二電極２３１ｅ２の位置を誘電層２４０において定義し、最後に前記複数の第一電極２３１ｅ１及び複数の第二電極２３１ｅ２を形成する。その形成方法として、例えば、金属蒸着また電気メッキにより、金属材料を誘電層２４０における第一電極２３１ｅ１及び第二電極２３１ｅ２の位置に充填させた後、化学研磨（ＣＭＰ）により、誘電層２４０上の余分な金属材料を除去する。
【００１１】
図３Ａないし３Ｃのデバイスは、構造及び材料などが図２Ｆのものと同一又は類似するため、これら同一又は類似するデバイスの最初の番号を「２」から「３」に変えたのみである。図３Ａが示すように、上に半導体積層３０２を有する第一基板３０１を提供する。図３Ｂが示すように、半導体積層３０２が前記分離方法を経て、第一基板３０１の上に半導体積層ブロック３３１、３３３及び３３５などの半導体積層ブロックが残される。ここでも注意すべきなのは、説明の便宜上、以下は半導体積層ブロック３３１及び３３３のみを中心に説明を行う。図３Ｃは前記図２Ｆと同じような結果を示しており、誘電層３４０及び複数の第一電極３３１ｅ１及び複数の第二電極３３１ｅ２が形成されている。
【００１２】
図３Ｄないし３Ｆは、本実施例のデバイス基板の製造方法を示している。該デバイス基板は前記図３Ｃの第一基板３０１と接合され、本実施例の最終結果である発光デバイスを形成する。図３Ｄが示すように、デバイス基板３６１を提供し、続いて図３Ｅが示すように、デバイス基板３６１において二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２を形成し、それぞれの穿孔電極が穿孔及びその中に充填された導電物質から構成される。この二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２は、外部電源の入力を本発明が開示した発光デバイスに提供する。図３Ｆが示すように、デバイス基板３６１の上にパターン化金属層３６１Ｅ１及び３６１Ｅ２を形成し、パターン化金属層３６１Ｅ１及び３６１Ｅ２は二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２にそれぞれ電気的に接続され、本実施例の複数の半導体積層ブロックの並列接続を構成する。別の実施例において、パターン化金属層３６１Ｅ１及び３６１Ｅ２と二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２は同じ導電物質によって構成され、即ち、パターン化金属層３６１Ｅ１及び３６１Ｅ２を形成する導電物質は、当時に二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２の穿孔に充填される。
【００１３】
図４は本実施例の複数の半導体積層ブロックが並列された発光デバイスの製造方法を示しており、図３Ｃ及び図３Ｆに続くものである。図４において、（ａ）は前記図３Ｃの第一基板３０１を示し、（ｂ）はそれを１８０度回転させた場合を示しており、（ｃ）は前記図３Ｆのデバイス基板３６１を示し、（ｄ）は（ｂ）の第一基板３０１と（ｃ）のデバイス基板３６１とを位置わせて接合させ、本実施例の最終結果である発光デバイスを形成した場合を示している。図４の（ｄ）の上の部分にはその一部を拡大した図が示されている。拡大部分が示すように、前記の位置合わせ接合により、パターン化金属層３６１Ｅ１と半導体積層ブロック３３１及び３３３の第一電極３３１ｅ１とが接合され、かつ金属層３６１Ｅ２と半導体積層ブロック３３１及び３３３の第二電極３３１ｅ２とが接合されるため、半導体積層ブロック３３１及び半導体積層ブロック３３３などの複数の半導体積層ブロックが並列接続を構成する。
【００１４】
図５は本実施例の複数の半導体積層ブロックが直列された発光デバイスの製造方法を示しており、同じく図３Ｃ及び図３Ｆに基づくものである。図５において、（ａ）は前記図３Ｃの第一基板３０１を示し、（ｂ）はそれを１８０度回転させた場合を示しており、（ｃ）はデバイス基板３６１を示し、その上にパターン化金属層３６１Ｓ１、３６１Ｓ２、３６１Ｓ３及び３６１Ｓ４があり、二つの穿孔電極３６１ＴＥ１及び３６１ＴＥ２はデバイス基板３６１の中に設けられ、かつそれぞれパターン化金属層３６１Ｓ１及び３６１Ｓ２の下方に位置し、外部電源の入力を本発明が開示した発光デバイスに提供する。最後に、図４の（ｄ）が示すように、（ｂ）の第一基板３０１と（ｃ）のデバイス基板３６１とを位置合わせて接合させ、本実施例の発光デバイスを形成する。（ｄ）の下方にはその一部を拡大した図が示されており、拡大部分が示すように、前記位置合わせ接合により、パターン化金属層３６１Ｓ１、３６１Ｓ２、３６１Ｓ３及び３６１Ｓ４と半導体積層ブロック３３１及び３３３などの複数の半導体積層ブロックの第一電極３３１ｅ１及び第二電極３３１ｅ２とが接合されるため、半導体積層ブロック３３１及び半導体積層ブロック３３３などの複数の半導体積層ブロックが直列接続を構成する。
【００１５】
前記第一実施例の説明は図２Ｆに基づき、図２Ｅの第一基板２０１とその上の半導体積層ブロック２３１及び２３３を例示したが、図２Ｅの記載で言及したように、第二基板２２１とその上の半導体積層ブロック２３２及び２３４を本発明の発光デバイスの製造方法の実施例に用いることもできる。従って、当業者は以上の説明に基づき、第二基板２２１とその上の半導体積層ブロック２３２及び２３４を用いて、前記第一実施例と同一又は類似する発光デバイスの製造を実施可能であり、その詳細を省略する。
【００１６】
図６Ａないし図６Ｄは本発明の発光デバイスの製造方法の第二及び第三実施例を示すものである。ここで、図６Ａ及び６Ｂの第二実施例は、図２Ｅの第二基板２２１を本実施例の発光デバイスのデバイス基板として用いた場合の製造方法を示しており、図６Ｃ及び図６Ｄの第三実施例は、発光デバイスのデバイス基板としてその他の基板を用いた時の製造方法を示している。
【００１７】
図６Ａに図２Ｅの第二基板２２１及びその上の半導体積層ブロック２３２を例示されているが、注意すべきなのは、図６Ａにおける図２Ｅと同一のデバイスについて、その最初の番号を「２」から「６」に変えたのみであり、デバイスの構造及び材料などは図２Ｅが示すものと同一また類似する。しかし、図２Ｅと異なるのは、本実施例が開示する第二基板６２１は第一穿孔電極６２２ＴＥ１及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２をさらに含み、かつ、第一穿孔電極６２２ＴＥ１は第二基板６２１が有する第一穿孔６２１Ｔ１及びその中に充填された第一導電物質によって構成され、第二穿孔電極６２２ＴＥ２は第二基板６２１が有する第二穿孔６２１Ｔ２及びその中に充填された第二導電物質によって構成されている。一実施例において、第一導電物質と第二導電物質は同一材料である。続いて、位置合わせ接続工程を行い、図６Ａの半導体積層ブロック６３２と第二基板６２１とを接合させ、半導体積層ブロック６３２を第二基板６２１の第一穿孔電極６２２ＴＥ１及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２との間に位置させる。そして、半導体積層ブロック６３２に対しエッチング工程を実施し、半導体積層ブロック６３２の一部をその第二極性半導体層６０２ｃまで露出させる。続いて、図６Ｂが示すように、半導体積層ブロック６３２の側壁に絶縁層６４０を形成し、後に形成される第一導電接続線６３１Ｅ１と半導体積層ブロック６３２との間を電気的に絶縁させる。そして、第一導電接続線６３１Ｅ１及び第二導電接続線６３１Ｅ２を形成し、第一導電接続線６３１Ｅ１は半導体積層ブロック６３２中の第一極性半導体層６０２ａ及び第一穿孔電極６２２ＴＥ１を電気的に接続させ、第二導電接続線６３１Ｅ２は半導体積層ブロック６３２中の第二極性半導体層６０２ｃ及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２を電気的に接続させる。最後に、第二基板６２１の上に、半導体積層ブロック６３２、第一導電接続線６３１Ｅ１及び第二導電接続線６３１Ｅ２を被覆するように透明パッケージ材料６４１を形成する。このように、本発明の第二実施例の発光デバイスを完成し、第一穿孔電極６２２ＴＥ１及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２は、外部電源の入力を本発明が開示した発光デバイスに提供する。
【００１８】
図６Ｃ及び図６Ｄは、発光デバイスのデバイス基板としてその他の基板を用いた時の製造方法を示している。図６Ｃは、第二基板２２１とその上の半導体積層ブロック２３２及び半導体積層ブロック２３４を例示している。本実施例では同時に複数の半導体積層ブロック、例えば半導体積層ブロック２３２及び半導体積層ブロック２３４を用いて複数の発光デバイスを形成する実施方法を例示しているため、図の中に二つの半導体積層ブロック２３２及び２３４が示されているが、実施時に単一の半導体積層ブロック２３２（又は半導体積層ブロック２３４）のみに対し実施してもよい。第二基板２２１の上に、前記分離ステップを経て第一基板２０１から分離された半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）が接合されている。本実施例において、発光デバイスのデバイス基板としてその他の基板を用いた場合の製造方法を例示しているため、第二基板２２１は機能的には仮の基板であり、実施方法はデバイス基板６２１’を提供することを含み、該デバイス基板６２１’は第一穿孔電極６２２ＴＥ１’及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２’を有する（注意すべきなのは、本実施例には、同時に複数の半導体積層ブロック、例えば半導体積層ブロック２３２及び半導体積層ブロック２３４を用いて複数の発光デバイスを形成する実施方法も含まれるため、図に中に二組の第一穿孔電極６２２ＴＥ１’及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２’が示されており、それぞれ半導体積層ブロック２３２及び半導体積層ブロック２３４に使用される）。ここで、第一穿孔電極６２２ＴＥ１’はデバイス基板６２１’が有する第一穿孔６２１Ｔ１’及びその中に充填された第一導電物質によって構成され、第二穿孔電極６２２ＴＥ２’はデバイス基板６２１’が有する第二穿孔６２１Ｔ２’及びその中に充填された第二導電物質によって構成されている。一実施例において、第一導電物質と第二導電物質が同一材料である。続いて、位置合わせ接合を実施し、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）とデバイス基板６２１’を接合させ、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）をデバイス基板６２１’の第一穿孔電極６２２ＴＥ１’及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２’の間に位置させる。そして、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）を第二基板２２１から分離させる。前記と同じく、このステップを実施する時に、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第一犠牲層２１１が分離を助けるために、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第一犠牲層２１１との界面にレーザ光を照射してもよい（図示せず）。
【００１９】
続いて、図６Ｄが示すように、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）に対しエッチング工程を実施し、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）の一部分をその第一極性半導体層２０２ａまで露出させる。そして、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）の側壁に絶縁層６４０を形成し、次に形成される第二導電接続線６３１Ｅ２’と半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）との間を電気的に絶縁させる。そして、第一導電接続線６３１Ｅ１’及び第二導電接続線６３１Ｅ２’を形成し、第一導電接続線６３１Ｅ１’は半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）中の第一極性半導体層２０２ａ及び第一穿孔電極６２２ＴＥ１’を電気的に接続させ、第二導電接続線６３１Ｅ２’は半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）中の第二極性半導体層２０２ｃ及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２’を電気的に接続させる。最後に、デバイス基板６２１’の上に、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）、第一導電接続線６３１Ｅ１’及び第二導電接続線６３１Ｅ２’を被覆するように透明パッケージ材料６４１’を形成する。このように、本発明の第三実施例の発光デバイスを完成させ、第一穿孔電極６２２ＴＥ１’及び第二穿孔電極６２２ＴＥ２’は外部電源の入力を本発明が開示した発光デバイスに提供する。実施方法が半導体積層ブロック２３２及び半導体積層ブロック２３４に対し同時に実施される場合、さらに、図面に示されたＬＬ’線にそって切断し、複数の発光デバイスを得る。
【００２０】
前記第二及び第三実施例の説明において、図２Ｅ中の第二基板２２１とその上の半導体積層ブロック２３２及び／又は半導体積層ブロック２３４を例示したが、図２Ｅで述べたように、第一基板２０１とその上の半導体積層ブロック２３１及び２３３を本発明の発光デバイスの製造方法の実施例に用いることもできる。従って、当業者であれば、前記説明に基づき、第一基板２０１とその上の半導体積層ブロック２３１及び２３３を用いて、前記第一実施例と同一又は類似する発光デバイスの製造を実施できる。その詳細を省略する。
【００２１】
図７Ａないし図７Ｇは本発明の発光デバイスの製造方法の第四実施例を示すものである。前記図２Ａないし２Ｅが示す分離方法に続き、本第四実施例において、図２Ｅ中の第二基板２２１とその上の半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）、第一基板２０１とその上の半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）を例示している。
【００２２】
なお、図７Ａにおける図２Ｅと同一のデバイスについて、その最初の番号を「２」から「７」に変えたのみであり、デバイスの構造及び材料などはすべて図２Ｅが示すものと同一又は類似する。図７Ａの第二基板７２１は第一穿孔電極７２１ＴＥをさらに含んでおり、この第一穿孔電極７２１ＴＥは第二基板７２１が有する第一穿孔７２１Ｔ及びその中に充填された第一導電物質によって構成されている。また、第二基板７２１と第一犠牲層７１１との接合は位置合わせ接合工程であり、半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）と第一穿孔電極７２１ＴＥを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させている。
【００２３】
従って、図７Ａが示すように、第二基板７２１上に、分離ステップを経て第一基板７０１から分離された半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）が接合されている。第一基板７０１上に、分離ステップを経て半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）が保留されている。続いて、図７Ｂが示すように、第二接合ステップを実施し、半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）を半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）の上に位置合わせて接合させる。注意すべきなのは、本実施例には同時に複数の発光デバイスを形成する実施方法も含まれるため、図の中に二組の半導体積層ブロックの接合、即ち半導体積層ブロック７３２と半導体積層ブロック７３１を一組として接合させ、半導体積層ブロック７３４と半導体積層ブロック７３３を一組として接合させている。しかし、前記組み合わせの中の任意の単一組のみに対し実施、又は同時に二組に対し実施してもようい（その後は切断により複数の発光デバイスを形成するが、ここで省略する）。
【００２４】
続いて、図７Ｃが示すように、半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）と第一基板７０１とを分離させる。図７Ｄは図７Ｃを１８０度回転させた場合を示す。なお、説明の便宜上、図７Ｄには図７Ｃの一組の半導体積層ブロック接合のみを示している。また、図７Ｅが示すように、前記第二接合ステップを実施する前に、半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）の上に導電酸化層７９１、半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）の上に導電酸化層７９２をそれぞれ選択的に形成してもよい。導電酸化層７９１又は導電酸化層７９２は、半導体積層ブロックとのオーム接触の提供及び／又は接合層として用いられ、導電酸化層は例えば酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。本実施例において、導電酸化層７９１及び導電酸化層７９２はいずれも接合層の機能を有し、導電酸化層７９１はさらに半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）とのオーム接触を提供する。また、半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）と半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）の少なくとも一つの上に選択的に金属層を形成し、この金属層が半導体積層ブロックとのオーム接触の提供及び／又は反射機能を提供することができる。図７Ｅが示すように、本実施例において、半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）の上に前記導電酸化層７９２を形成する前に、まず半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）の上にオーム接触金属層７９４及び反射金属層７９３を形成し、オーム接触金属層７９４は半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）とのオーム接触を提供し、例えばゲルマニウム金（ＧｅＡｕ）であり、反射金属層７９３は反射ミラーの機能を提供し、例えば銀（Ａｇ）である。また、オーム接触金属層７９４及び反射金属層７９３は金属又は合金であり、金属として例えばアルミニウム、金、ゲルマニウム、プラチナ、亜鉛、銀、ニッケル、ゲルマニウム、インジウム、スズ、チタン、鉛、銅、パラジウムを用いて、合金として例えば前記金属の合金を用いてもよい。図７Ｆは、前記導電酸化層７９１及び導電酸化層７９２を介して半導体積層ブロック７３１（及び／又は半導体積層ブロック７３３）と半導体積層ブロック７３２（及び／又は半導体積層ブロック７３４）を接合させ、かつ第一基板７０１を分離させた後１８０度回転させた場合を示している。同じく、説明の便宜上、図７Ｆにも図７Ｅの一組の半導体積層ブロック接合のみが示されている。
【００２５】
次に、本実施例について、図７Ｆに続く説明を行う（なお、その他の実施例においても図７Ｄに続き以下の工程を行ってよい）。図７Ｇが示すように、半導体積層ブロック７３１及び半導体積層ブロック７３２の側壁に絶縁層７９５を形成する。そして、第二基板７２１の上に電極７２２ＥＥ及び７２２Ｅを形成し、かつ半導体積層ブロック７３１の第一極性半導体層７０２ａと電気的に接続させる。前記絶縁層７９５は、電極７２２ＥＥ及び７２２Ｅと半導体積層ブロック７３１及び半導体積層ブロック７３２との間を電気絶縁させる。このように、本発明の第四実施例の発光デバイスを完成させ、該発光デバイスは半導体積層ブロック７３１及び半導体積層ブロック７３２を含むため、双接合面の発光デバイスであり、かつ電極７２２ＥＥ及び７２２Ｅ及び第一穿孔電極７２１ＴＥを用いて外部電源の入力を本発明が開示した発光デバイスに提供する。
【００２６】
図７Ｈないし図７Ｋは本発明の発光デバイスの製造方法の第五実施例を例示しており、該第五実施例は前記第四実施例の変化形である。本実施例において、前記図２Ａないし２Ｅが示した分離方法に続き、まず第二接合ステップを実施し、即ち、図７Ｈが示すように、まず図２Ｅ中の第二基板２２１上の半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第一基板２０１上の半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）とを位置合わせて接合させる。次に、図７Ｉが示すように、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第二基板２２１とを分離させる。そして、デバイス基板を半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）に接合させて、発光デバイスのデバイス基板とする。別の実施例において、第一基板２０１を取り除くことで、半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）と第一基板２０１を分離させ、かつデバイス基板を半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）に接合させてもよい。そして、以上のように、図７Ｊにおいて、発光デバイスのデバイス基板として第二基板７２１を提供し、この第二基板７２１は第一穿孔電極７２１ＴＥを有し、第一穿孔電極７２１ＴＥは第二基板７２１が有する第一穿孔７２１Ｔ及びその中に充填される第一導電物質によって構成される。続いて、第三接合ステップを実施し、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）を該第二基板７２１に位置合わせて接合させる。図７Ｊが示すように、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第二基板７２１の第一穿孔電極７２１ＴＥとを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させる。最後に、半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）と第一基板２０１を分離させて、かつ、図７Ｇで説明したように絶縁層７９５及び電極７２２ＥＥ及び７２２Ｅを形成し、図７Ｋが示すような発光デバイスを得る。注意すべきなのは、図７Ｈにおいて第二接合ステップの位置合わせ接合を行う前に、即ち、半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）の位置合わせ接合を行う前に、図７Ｅで説明したように、半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）と半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）の上にそれぞれ導電酸化層を選択的に形成し、かつ半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）と半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）の少なくとも一つの上に金属層を選択的に形成してもよい。これについて既に詳しく説明したため、ここで省略する。また、図７Ｉの説明で言及したように、別の実施例において、半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）と第一基板２０１を分離させ、第一基板２０１を取り除いた後、図７Ｊで実施した第三接合ステップに続き、半導体積層ブロック２３１（及び／又は半導体積層ブロック２３３）を第二基板７２１に位置合わせて接合させ、かつ半導体積層ブロック２３２（及び／又は半導体積層ブロック２３４）と第二基板２２１を分離させてもよい。
【００２７】
以上の異なる各実施例において、同一機能を有するデバイスは各実施例にそれぞれ異なる符号で示されているが、個別な実施例において特に説明がない限り、その物理的、化学的又は電気的特性が同一又は類似する関連特性であると見なすべきであり、各実施例での説明を省略する。
【００２８】
前記実施例は本発明の原理及び効果を説明するための例であり、本発明を限定するものではない。当業者であれば、本発明の技術原理及び精神に基づき、前記実施例に対し修正及び変更を施すことは可能である。従って、本発明の権利保護範囲は下記請求項の範囲の通りである。
【図１】
2016527714.tif 000003
【図２Ａ】
2016527714.tif 000004
【図２Ｂ】
2016527714.tif 000005
【図２Ｃ】
2016527714.tif 000006
【図２Ｄ】
2016527714.tif 000007
【図２Ｅ】
2016527714.tif 000008
【図２Ｆ】
2016527714.tif 000009
【図３Ａ】
2016527714.tif 000010
【図３Ｂ】
2016527714.tif 000011
【図３Ｃ】
2016527714.tif 000012
【図３Ｄ】
2016527714.tif 000013
【図３Ｅ】
2016527714.tif 000014
【図３Ｆ】
2016527714.tif 000015
【図４（ａ）】
2016527714.tif 000016
【図４（ｂ）】
2016527714.tif 000017
【図４（ｃ）】
2016527714.tif 000018
【図４（ｄ）】
2016527714.tif 000019
【図５（ａ）】
2016527714.tif 000020
【図５（ｂ）】
2016527714.tif 000021
【図５（ｃ）】
2016527714.tif 000022
【図５（ｄ）】
2016527714.tif 000023
【図６Ａ】
2016527714.tif 000024
【図６Ｂ】
2016527714.tif 000025
【図６Ｃ】
2016527714.tif 000026
【図６Ｄ】
2016527714.tif 000027
【図７Ａ】
2016527714.tif 000028
【図７Ｂ】
2016527714.tif 000029
【図７Ｃ】
2016527714.tif 000030
【図７Ｄ】
2016527714.tif 000031
【図７Ｅ】
2016527714.tif 000032
【図７Ｆ】
2016527714.tif 000033
【図７Ｇ】
2016527714.tif 000034
【図７Ｈ】
2016527714.tif 000035
【図７Ｉ】
2016527714.tif 000036
【図７Ｊ】
2016527714.tif 000037
【図７Ｋ】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月28日(2015.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスの製造方法であって、
第一基板及び前記第一基板の上の複数の半導体積層ブロックを提供するステップであって、前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ第一極性半導体層、前記第一極性半導体層の上に位置する発光層、及び前記発光層の上に位置する第二極性半導体層を含み、前記第一基板の上にさらに、隣接する２つの半導体積層ブロックを仕切る仕切りチャンネルがあり、かつ前記仕切りチャンネルの幅が１０μｍ未満である、ステップと、
前記複数の半導体積層ブロックの中の第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させ、かつ第二半導体積層ブロックを前記第一基板に残す第一分離ステップとを含む、発光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第一分離ステップは、さらに
第二基板を提供し、
前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させる第一接合ステップを実行し、及び
前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させることを含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第二基板は第一電極及び第二電極をさらに含む、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第一接合ステップは、前記第一半導体積層ブロックを前記第一電極と前記第二電極の間に位置させるように、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを位置合わせて接合させることを含む、請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第一導電接続線と第二導電接続線を形成するステップであって、前記第一導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第一極性半導体層及び前記第一電極を電気的に接続させ、前記第二導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第二極性半導体層及び前記第二電極を電気的に接続させる、ステップと、
前記第二基板の上に、前記第一半導体積層ブロック、前記第一導電接続線及び前記第二導電接続線を被覆するように透明パッケージ材料を形成するステップとを含む、請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第一基板はさらに第三半導体積層ブロック及び第四半導体積層ブロックを含み、
前記第一接合ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させることを含み、
前記第一分離ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックを分離させ、かつ前記第四半導体積層ブロックを前記第一基板の上に残すことを含む、請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続させるように、前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップを含む、請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
パターン化金属層を含む第三基板を提供するステップと、
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックが直列または並列接続を構成するように、前記第三基板の前記パターン化金属層と前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項７に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続するように、前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップと、
パターン化金属層を含む第三基板を提供するステップと、
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックが直列または並列接続を構成するように、前記第三基板の前記パターン化金属層と前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項６に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ穿孔及び前記穿孔の中に充填された導電物質を含む、請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【国際調査報告】
2016527714.tif 000039
2016527714.tif 000040
2016527714.tif 000041
2016527714.tif 000042