(57)【要約】  構造体の表面上にフッ化炭素ポリマーを形成する方法が提供される。供給ガスは、供給ガスを分解して、フッ化炭素ポリマーが形成される構造体表面の付近にある、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）を含む反応種を生成するのに十分な温度を有する多孔質加熱部材を通すように導かれ、構造体表面は、多孔質加熱部材の温度未満の温度に維持され、構造体表面上で、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）の蒸着と重合を誘発する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体の表面上にフッ化炭素ポリマーを形成する方法であって、
・供給ガスを、前記供給ガスを分解して、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）を含み、かつ（ＣＦ２）ｎの重合を選択的に促進する反応種を生成するのに十分な温度を有する多孔質加熱部材に通すように導く工程であって、前記反応種が、前記フッ化炭素ポリマーが形成される構造体表面の付近にある工程と、
・前記構造体表面を、前記多孔質加熱部材の温度未満の温度に維持し、前記構造体表面上で、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）の蒸着及び重合を誘発する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記供給ガスがヘキサフルオロプロピレンオキシドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多孔質加熱部材が、直径約０．０１〜約１０００マイクロメートルの孔を有する材料を含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記多孔質加熱部材が、セラミックス、金属、合金、金属間化合物、及びこれらの材料の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記多孔質加熱部材が、炭化ケイ素、アルミニウム、ニオビウム、ニッケルクロム、フェロクロム、グラファイト、及びステンレス鋼からなる群から選択される材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記多孔質加熱部材の温度が約１５０℃を超え、かつ前記構造体表面の温度を維持する工程が、前記構造体表面を約１５０℃未満の温度に維持する工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記多孔質加熱部材が模様状に配列される孔を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質加熱部材がランダムに配列される孔を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記構造体がかみそりの刃を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記構造体が、外科用縫合針、メス、光ファイバー、レンズ、及び電子伝導体からなる群から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記供給ガスが、ＣＦ３ＣＦ（Ｏ）ＣＦ２（ＨＦＰＯ）、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ８、ＣＦ３Ｈ、ＣＦ２Ｈ２、ＣＦ２Ｎ２、ＣＦ３ＣＯＣＦ３、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦ２Ｃｌ、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦＣｌ２、ＣＦ３ＣＯＯＨ、ＣＦ２Ｂｒ２、ＣＦ２ＨＢｒ、ＣＦ２ＨＣｌ、ＣＦ２Ｃｌ２、ＣＦ２ＦＣｌ；Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ４Ｈ２、Ｃ３Ｆ２Ｃｌ４、Ｃ２Ｆ３Ｃｌ３、Ｃ３Ｆ４Ｃｌ２；（ＣＦ３）３ＰＦ２、（ＣＦ３）２ＰＦ３、（ＣＦ３）ＰＦ４；（ＣＦ３）３Ｐ、（ＣＦ３）２Ｐ−Ｐ（ＣＦ３）２、並びに、（ＣＦ３）２ＰＸ、及びＣＦ３ＰＸ２（ここでＸはＦ、Ｃｌ、又はＨである）からなる群から選択される、請求項１及び３〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の表面上にフッ化炭素ポリマーを形成する方法、より詳細には、多孔質加熱部材を用いる構造体の表面上にフッ化炭素ポリマーを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バルクのポリテトラフルオロエチレンは、例えば、ＰＴＦＥ、（ＣＦ２）ｎ、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）としても知られ、刃の縁部に適用されて、切断力を低減させ、剃毛性能を向上する。ＰＴＦＥをかみそりの刃に適用する方法の１つは、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）の懸濁微粒子を、スプレーガンから刃の縁部上に噴霧することである。その後、刃の縁部を焼結してＴｅｆｌｏｎ（商標）を融解し、刃の縁部に広げて付着させる。
【０００３】
化学蒸着（ＣＶＤ）は、構造体の表面上にＰＴＦＥフィルムをもたらすのに用いられる別の方法である。ＣＶＤプロセスでは、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）を、ガス種から出発する真空システム中で重合する。ガス種を、ＰＴＦＥ鎖を作るのに必要な反応種であるＣＦ２に分解するのに使用される、多くの手法がある。これらの手法として、高周波プラズマ及びマイクロ波プラズマ、電子サイクロトロン共鳴、レーザーＣＶＤ及び熱ＣＶＤが挙げられる。熱ＣＶＤは、加熱したワイヤ、又は、比較的ワイヤ間の間隔が広い加熱したワイヤアレイを用いる。熱ＣＶＤプロセス中、ガス種は加熱したワイヤと接触し、ガス種を反応種に分解する。続いて、基材の表面上で反応種が重合する。反応種の量により、基材の表面上に蒸着する固形ポリマーの量が決まる。ガス種と加熱したワイヤとの間の衝突の回数により、基材の表面上の反応種の蒸着速度が決まる。加熱したワイヤの表面積が比較的小さいことによって、基材の表面上の反応種の蒸着速度が制限される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＶＤプロセス中の、基材の表面上の反応種の蒸着速度の改良が必要である。
【０００５】
ＣＶＤプロセス中の、ガス種に接触する加熱要素の表面積の増加が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、構造体の表面上にフッ化炭素ポリマーを形成する方法を目的とする。この方法は、供給ガスを、この供給ガスを分解して、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）を含み、かつＣＦ２の重合を選択的に促進する反応種を生成するのに十分な温度を有する多孔質加熱部材に通すように導く工程であって、反応種が、フッ化炭素ポリマーが形成される構造体表面の付近にある工程と、構造体表面を、多孔質加熱部材の温度未満の温度に維持して、構造体表面上で、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）の蒸着及び重合を誘発する工程と、を含む。
【０００７】
供給ガスは、ヘキサフルオロプロペンオキシド（ＨＦＰＯ、ＣＦ３ＣＦ（Ｏ）ＣＦ２）、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ８、ＣＦ３Ｈ、ＣＦ２Ｈ２、ＣＦ２Ｎ２、ＣＦ３ＣＯＣＦ３、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦ２Ｃｌ、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦＣｌ２、ＣＦ３ＣＯＯＨ、ＣＦ２Ｂｒ２、ＣＦ２ＨＢｒ、ＣＦ２ＨＣｌ、ＣＦ２Ｃｌ２、及びＣＦ２ＦＣｌ；Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ４Ｈ２、Ｃ３Ｆ２Ｃｌ４、Ｃ２Ｆ３Ｃｌ３、Ｃ３Ｆ４Ｃｌ２；（ＣＦ３）３ＰＦ２、（ＣＦ３）２ＰＦ３、（ＣＦ３）ＰＦ４；（ＣＦ３）３Ｐ、（ＣＦ３）２Ｐ−Ｐ（ＣＦ３）２、並びに、ＸがＦ、Ｃｌ、又はＨである（ＣＦ３）２ＰＸ、及びＣＦ３ＰＸ２からなる群から選択されてよく、ＨＦＰＯが好ましい。
【０００８】
多孔質加熱部材は、直径約０．０１〜約１０００マイクロメートルの孔を有する材料からなり得る。多孔質加熱部材は、セラミックス、金属、合金、及び金属間化合物の群から選択される材料からなり得る。多孔質加熱部材は、炭化ケイ素、ニオビウム、フェロクロム、グラファイト、ニッケルクロム、及びステンレス鋼の群から選択される材料からなり得る。多孔質加熱部材の温度は約１５０℃を超え、かつ、構造体表面の温度を維持する工程は、構造体表面を約１５０℃未満の温度に維持する工程を含む。
【０００９】
多孔質加熱部材の孔は、模様状に配列されてよい。多孔質加熱部材の孔は、ランダムに配列されてよい。
【００１０】
多孔質加熱部材は、導電性のセラミックス及び金属の場合、多孔質加熱部材の材料に電流を流すことによって、金属の場合、誘導加熱によって、又は、外部熱源を用いて加熱源の高温を維持することによって、加熱されてよい。外部熱源を使用すると、十分な熱コンダクタンスを要し、金属多孔質材料が最も適している。
【００１１】
構造体は、かみそりの刃、外科用縫合針及びメス、光ファイバー、レンズ、並びに電子伝導体からなり得る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本明細書は、本発明とみなされる主題を特定して指摘し明確に請求する特許請求の範囲をもって結論とするが、本発明は、添付の図面と関連させた次の説明から更によく理解されると考えられる。
【図１】本発明によって提供される蒸着プロセスの実行に好適な真空チャンバ装置の概略図である。
【図２】本発明の多孔質加熱部材の模式図である。
【図３】本発明の別の多孔質加熱部材の模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明によって提供されるポリマー薄膜蒸着プロセスは、蒸着されたフィルムの化学組成の制御を可能にし、バルクＰＴＦＥと同様の化学量論及び材料特性を有するフッ化炭素ポリマー薄膜を生成する。本発明のプロセスから得られる薄膜は、バルクＰＴＦＥの材料特性と通常は一致しないこれまでの薄膜よりも、改善された材料特性を有する。
【００１４】
本発明に従うと、ＰＴＦＥ様薄膜でコーティングされる構造体は、化学蒸着（ＣＶＤ）条件下で、ｎ＝１又は２のラジカルである（ＣＦ２）ｎに曝露される。図１に模式的に図示されるような蒸着システムを、蒸着プロセスの実行に利用できる。当業者に認識されるように、他の従来の蒸着システムを別の方法として利用できる。例示の蒸着システム１０は、鋼製の気密真空チャンバ１２と、ポンプ１４と、供給ガス源１６と、多孔質加熱部材１８と、構造体ホルダー２０と、を備える。
【００１５】
好ましくは、流速制御装置２２を備え、供給ガス源１６からチャンバ１２へのガスの流れを制御可能にする。好ましくは、構造体ホルダー２０は、例えば、冷却コイル３１及び温度制御装置３２に接続される冷却ループ３０を備える冷却システムによって冷却され、ユーザーは、例えば水冷によって所望の表面温度に設定、維持できる。
【００１６】
ポンプ１４は、チャンバを排気して、所望の圧力にするために提供される。チャンバの圧力は、例えば圧力計３６によって監視される。ユーザーが蒸着プロセスの進捗を監視できる分析ポート３８を提供するのも好ましい。センサ４０を備え、多孔質加熱部材１８の温度を監視してもよい。質量分析計４２を備え、チャンバ１２内の粒子の質量を監視してもよい。
【００１７】
多孔質加熱部材１８は、供給ガス源１６から投入された供給ガス流に対して、投入された供給ガス流を、多孔質加熱部材１８に通すように導くような位置で提供され、これによってガスが熱分解されて、反応性蒸着種を生成する。加熱部材１８を、例えば抵抗加熱によって、１５０℃を超える温度まで加熱できる。この場合、ＤＣ又はＡＣ電源を提供し、多孔質加熱部材１８に加熱電圧を印加してよい。図２は、多孔質加熱部材１８を電源に接続するための電気的接続５０を有する多孔質加熱部材１８を示す。図３は、別の多孔質加熱部材１８を示す。この設計では、中心多孔質コア５４は、加熱素子５６で囲まれている。この場合、加熱部材１８として、金属などの十分な伝導性を有する材料の使用が好ましい。
【００１８】
多孔質加熱部材１８は、好ましくは直径約０．０１〜約１０００マイクロメートル、より好ましくは直径約１〜約５０マイクロメートルの孔を有する材料を含む。多孔質加熱部材１８は、セラミックス、金属、合金、金属間化合物、及びこれらの材料の組み合わせからなる群から選択される材料からなり得る。多孔質加熱部材１８は、炭化ケイ素、アルミニウム、ニオビウム、フェロクロム、ニッケルクロム、グラファイト、及びステンレス鋼からなる群から選択される材料からなり得る。
【００１９】
本発明の蒸着プロセスは、複雑な三次元形状を含む幅広い構造体に適用可能な、可撓性かつ適合性のあるフッ化炭素コーティングを生成する。平面基材、例えば従来の微細加工ウェハ基材、又はその他平面構造体も、単独又はバッチで処理できる。コーティング可能な基材の例として、ワイヤ、神経プローブ、医用デバイス、かみそりの刃、外科用縫合針、メス、光ファイバー、レンズ及び電子伝導体が挙げられる。
【００２０】
単一基材プロセスでは、基材２９は、ホルダー２０上に保持される。複数基材プロセスでは、複数の基材２９をホルダー２０上に保持してよい。
【００２１】
本発明によって提供されるフッ化炭素ポリマー薄膜の蒸着は、薄い円筒形構造体などの円筒形物体上でも実行できる。例えば、集積回路の相互接続線、ペースメーカや他の医用デバイスのリード線、及び概して、ＰＴＦＥ様コーティングが所望される任意のワイヤ状構造体は、本発明によって提供される蒸着プロセスによってコーティングできる。例えば、ステンレス鋼若しくは銅の単より線、又はペースメーカのリード線で使用されるツイスト充填ワイヤなどのツイストグループワイヤに、本プロセスは適応できる。
【００２２】
当業者に認識されるように、様々なその他支持構造体を利用して、蒸着プロセス中に円筒形構造体を収容できる。例えば、長い連続長のワイヤのコーティングの場合、引取り及び巻取りスプールを設け、連続コーティング運転を可能にできる。ここでスプールは、好ましくは、連続速度又はその他所望の制御スキームにおいて、所望されるコーティング厚さに対応する選択された間隔でワイヤ長を蒸着プラズマを通して引き取るように制御することが可能である。
【００２３】
円筒形以外の形状を有し、幅広い空間配置を有する構造体にも、本発明の蒸着プロセスは適応できる。例えば、カテーテル挿入部、神経プローブ、チューブ類、シャフト構造体、及び複数の表面を有するその他三次元構造体に適応できる。
【００２４】
ポリマーチューブ以外の任意のチューブ構造体が、本発明によって提供されるプロセスによってコーティングできる。本発明によって提供される蒸着プロセスは、薄肉チューブ、例えば、約０．１９８ｍｍ〜６．４ｍｍ（約１／１２８インチ〜１／４インチ）の肉厚を有するチューブへの蒸着に特に適している。
【００２５】
当業者に認識されるように、支持構造体を利用して、チャンバ内にコーティングされる特定の物体を収容できる。加えて、コーティングされる物体及びその支持構造体の再配置は、例えば、蒸着プロセス中の手動再配置によって可能とすることができ、又は上述の回転ワイヤホルダーリングと同様に、支持構造体と一体の機構として設計に盛り込むことができる。工業用蒸着プロセスにおいて通常利用されているような基材及び物体の再配置法は、蒸着均一性を改善するために本発明においても同様に利用できる。
【００２６】
供給ガスが多孔質加熱部材１８を通過すると、供給ガスが分解して、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）を含む反応種を生成し、ＣＦ２重合を選択的に促進する。反応種は、フッ化炭素ポリマーが形成される構造体表面２９付近にある。構造体表面２９は、多孔質加熱部材１８の温度未満の温度に維持され、構造体表面２９上で、（ＣＦ２）ｎラジカル（ここで、ｎ＝１又は２である）の蒸着と重合を誘発する。構造体表面２９の温度は、冷却された構造体ホルダー２０によって維持される。
【００２７】
ここでプロセス条件に戻ると、いかなる化学蒸着（ＣＶＤ）環境において、多くの複雑な物理的現象と相互作用が起こることがよく知られている。例えば、ガス分子のチャンバ内滞留時間、ガス密度／チャンバ圧、並びにプロセスガス流速、供給ガス組成、及びチャンバ反応器形状の全てが、ＣＶＤプロセス中に起こる化学反応に直接影響する。更に、コーティングされる構造体の表面形状、並びに構造体の化学組成、及び構造体の温度の全てが、ＣＶＤプロセスの特性に影響する。したがって当業者に認識されるように、広い範囲にわたって様々なプロセスパラメータを調節して、任意の一連の蒸着プロセス条件を実現する。好ましくは、蒸着プロセスが、特定の構造体形状、組成、及び用途に対して最適化されるように、様々なパラメータを制御する。
【００２８】
どんなプロセスパラメータが選択されても、蒸着プロセスに先立って初期接着促進工程を利用し、特定の構造体上への蒸着種の接着を増強し、促進できる。例えば、接着促進剤を、平面基材にスピンコートでき、又は複雑な形状の物体に噴霧できる。別の方法としては、フッ化炭素ポリマーフィルムの蒸着プロセスの直前に、蒸着チャンバ内で接着促進剤をその場で蒸着できる。好適な接着促進剤の例としては、当業者に認識されるように、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロオクチルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロアルキルトリエトキシシラン、ペルフルオロオクチルトリクロロシラン（perfluorooctyltriclorosilane）、全種類のビニルシラン、並びにその他接着促進剤が挙げられる。構造体のプラズマエッチング又はプラズマ化学処理も、表面の前処理に使用できる。
【００２９】
連続的なプラズマエッチングプロセス、剥離プロセス、及び蒸着プロセスの結果、ＣＦＸ種が分布されるが、ＣＦ２基のみがＰＴＦＥ様フィルムの生成に所望されることがわかっている。本発明のプロセスは、主にＣＦ２種であるガス生成能を可能とし、それによって、得られるフィルムにおける他の成分の割合を減少する。本発明の蒸着プロセスで使用される供給ガスも、ＣＦ２反応種を最大限にするように選択される。特に、供給ガスは、プラズマガス相の分解生成物が主にＣＦ２であるように選択される。蒸着供給ガスとして使用されるモノマーの例として、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ８、ＣＦ３Ｈ、ＣＦ２Ｈ２、ＣＦ２Ｎ２（ジフルオロジアジリン（difluordiaxirine））、ＣＦ３ＣＯＣＦ３、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦ２Ｃｌ、ＣＦ２ＣｌＣＯＣＦＣｌ２、ＣＦ３ＣＯＯＨ、ジフルオロハロメタン、例えばＣＦ２Ｂｒ２、ＣＦ２ＨＢｒ、ＣＦ２ＨＣｌ、ＣＦ２Ｃｌ２、及びＣＦ２ＦＣｌ；ジフルオロシクロプロパン、例えばＣ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ４Ｈ２、Ｃ３Ｆ２Ｃｌ４、Ｃ２Ｆ３Ｃｌ３、及びＣ３Ｆ４Ｃｌ２；トリフルオロメチルフルオロホスファン、例えば（ＣＦ３）３ＰＦ２、（ＣＦ３）２ＰＦ３、及び（ＣＦ３）ＰＦ４；又はトリフルオロメチルホスフィノ化合物、例えば（ＣＦ３）３Ｐ、（ＣＦ３）２Ｐ−Ｐ（ＣＦ３）２、並びに、（ＣＦ３）２ＰＸ、及びＣＦ３ＰＸ２（ここで、ＸはＦ、Ｃｌ、又はＨである）が挙げられる。その他のモノマーも利用できる。
【００３０】
好ましいモノマーの１つは、ヘキサフルオロプロピレンオキシド（ＣＦ３ＣＦ（Ｏ）ＣＦ２、又はＨＦＰＯ）である。ＨＦＰＯは、求核剤によって容易に開環反応を可能にする、高度に歪んだエポキシド環を特徴とする。本発明のＣＶＤ条件下でＨＦＰＯを用いて蒸着されたフィルムは、ＣＦ２の割合が高く、酸素混入がわずかであるか見られない、ポリマーフィルムになることがわかっている。
【００３１】
供給ガスの構成成分の選択には、好ましくは、蒸着されるフィルム内に供給ガスから混入され得る任意のわずかな不純物を考慮することも必要である。例えば、供給ガスモノマーとしてのＨＦＰＯは、蒸着されたフィルム内に微量酸素の混入をもたらし得る。したがって、蒸着されたフィルム微量酸素が許容されない場合、ＨＦＰＯ以外の供給ガスモノマーが好ましい。当業者に認識されるように、供給ガスモノマーの選択には、好ましくは同様に他のプロセスパラメータを考慮しなくてはならない。
【００３２】
モノマー供給ガスの流速は、約１ｓｃｃｍ〜２００ｓｃｃｍの範囲であり、モノマーＨＦＰＯには流速約３０ｓｃｃｍが好ましい。窒素又はアルゴンなどの不活性ガスをモノマー供給ガスに添加することができるが、好ましくは、モノマーＨＦＰＯに不活性ガスは含まれない。
【００３３】
真空蒸着チャンバの圧力は、蒸着プロセス中、約０．１Ｐａ〜７ｋＰａ（約１ミリトル〜５０トル）の圧力に設定することができ、約０．１ｋＰａ（１トル）の圧力が好ましい。圧力変化によって、ＣＦＸ反応種濃度を大きく変化し得る。圧力が上昇すると、ＣＦＸ反応種濃度（ＣＦ２濃度を含む）の上昇をもたらすことがわかっており、ＰＴＦＥ様フィルムの生成に望ましい。反応種濃度の上昇は、同様に蒸着速度の上昇をもたらす。
【００３４】
フィルムが蒸着されている構造体は、蒸着中、約−４０℃〜＋２００℃の温度に維持され、好ましくは、温度は約２５℃未満に維持される。フィルム蒸着中維持される温度は、蒸着プロセスによって生成されるフィルムの最終熱安定性を決定するのに重要な因子であり得る。一部の用途では、比較的高い構造体温度で蒸着されたフィルムは、比較的熱に抵抗性があり得る。これは、例えば、微細加工プロセスにおいて層間誘電材料として利用されるフィルムにとって重要な特性であり、かかるフィルムは、好ましくは、蒸着後の金属化プロセスに伴う熱処理に耐えることができる。
【００３５】
加熱部材１８及び基材２９は、好ましくは、例えば、約０．５ｃｍ〜約３０ｃｍ離間される。本明細書に記載される例示のプロセスでは、間隔は、好ましくは約５ｃｍである。
【００３６】
本発明によって提供される蒸着プロセスでは、熱蒸着後工程を蒸着チャンバ内のその場で実行できる。例えば、空気中、又は窒素若しくは他の不活性ガス中の蒸着後焼きなまし／焼結を、例えば、フィルム応力緩和、ダングリングボンドの不活性化、又は熱安定性向上のために使用してよい。かかる焼きなましは、約５０℃〜４００℃の温度で実行できる。
【００３７】
本発明に従って蒸着されたフッ化炭素ポリマー薄膜は、蒸着される三次元構造体、例えばワイヤの機械的曲げに耐える十分な可撓性を呈する、平滑で適合性のあるコーティングとして特徴づけられる。このフィルムは、バルクＰＴＦＥによく似た材料特性を呈することによって、これまでは最適ではない結果をもたらしていた、幅広い薄膜用途を可能にする。
【００３８】
特に、本発明によって提供されるフィルムのフッ素対炭素比（Ｆ／Ｃ比）は、好ましくは約１．１〜２．２であり、このフッ素に富む組成によって、周知のバルクＰＴＦＥ特性の多くがもたらされる。本発明によって提供されるフィルムのＣＦ２の割合は、約５０％を超え、好ましくは約６０％を超える。また、本発明によって提供されるフィルムのダングリングボンド密度は非常に低く、好ましくは約１０１８／ｃｍ３である。フィルムは、約３５％未満、好ましくは約１８％未満である低ポリマー架橋密度も特徴とする。この結果、可撓性が増加し、次にフィルム応力の緩和をもたらして、フィルムが、物理的取り扱い及び生物環境などの環境への曝露に耐えられるようにする。本発明によって提供されるフィルムは、約１．４〜１．９５の誘電率も特徴とする。これは、バルクＰＴＦＥの誘電特性の複製を試みた従来のフィルムのものよりずっと低い。
【００３９】
本明細書に開示した寸法及び値は、記載された正確な数値に厳密に限定されるものと理解されるべきではない。むしろ、特に断らないかぎり、そのような寸法のそれぞれは、記載された値及びその値の周辺の機能的に同等の範囲の両方を意味するものとする。例えば、「４０ｍｍ」として開示される寸法は、「約４０ｍｍ」を意味することを意図する。
【００４０】
「発明を実施するための最良の形態」で引用する全ての文献は、関連部分において本明細書に参照により組み込まれるが、いずれの文献の引用も、それが本発明に関する先行技術であることを容認するものとして解釈されるべきではない。本明細書中の用語の任意の意味又は定義が、参照により組み込まれた文献中の同一用語の任意の意味又は定義と相反する限りにおいては、本明細書においてその用語に与えられた意味又は定義を適用する。
【００４１】
本発明の特定の実施形態が例示され記載されてきたが、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく他の様々な変更及び修正を実施できることが、当業者には自明であろう。したがって、本発明の範囲内にあるそのような全ての変更及び修正を添付の特許請求の範囲で扱うものとする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2016509127.tif 000005
【国際調査報告】
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2016509127.tif 000007
2016509127.tif 000008