(57)【要約】  いくつかの新規な特徴は、プリント回路板（ＰＣＢ）と、一組のはんだボールと、ダイとを含む半導体デバイスを提供する第１の例に関する。ＰＣＢは第１の金属層を含む。一組のはんだボールはＰＣＢに結合される。ダイは、一組のはんだボールを介してＰＣＢに結合される。ダイは、第２の金属層および第３の金属層を含む。ＰＣＢの第１の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、ダイはパッシベーション層をさらに含む。パッシベーション層は、第２の金属層と第３の金属層との間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
2016510172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属層を備えたプリント回路板と、
前記プリント回路板に結合された一組のはんだボールと、
前記一組のはんだボールを介して前記プリント回路板に結合された、第２の金属層および第３の金属層を備えたダイと
を備える半導体デバイスであって、
前記プリント回路板の前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項２】
前記プリント回路板が第４の金属層をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記プリント回路板の前記第１の金属層および前記第４の金属層、前記一組のはんだボール、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイス内で前記インダクタとして動作するように構成される、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記プリント回路板の前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイスの前記インダクタのための巻線を提供するように構成され、前記巻線が、１回または複数回であるＮ回の巻数を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ダイがパッシベーション層をさらに含み、前記パッシベーション層が、前記第２の金属層と前記第３の金属層との間に配置される、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第２の金属層が、前記パッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第２の金属層がポストパッシベーション層である、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記プリント回路板の前記第１の金属層がトレースである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
第１の金属層を備えたプリント回路板と、
前記プリント回路板に結合された相互接続手段と、
相互接続手段を介して前記プリント回路板に結合された、第２の金属層および第３の金属層を備えたダイと
を備える半導体デバイスであって、
前記プリント回路板の前記第１の金属層、前記相互接続手段、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項１１】
前記プリント回路板が第４の金属層をさらに備える、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記プリント回路板の前記第１の金属層および前記第４の金属層、前記相互接続手段、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイス内の前記インダクタとして動作するように構成される、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記プリント回路板の前記第１の金属層、前記相互接続手段、前記ダイの前記第２の金属層および前記第３の金属層が、前記半導体デバイスの前記インダクタのための巻線を提供するように構成され、前記巻線が、１回または複数回であるＮ回の巻数を有する、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ダイがパッシベーション層をさらに含み、前記パッシベーション層が、前記第２の金属層と前記第３の金属層との間に配置される、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第２の金属層が、前記パッシベーション層と前記相互接続手段との間に配置される、請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第２の金属層がポストパッシベーション層である、請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記プリント回路板の前記第１の金属層がトレースである、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
第１の金属層を備えた第１のダイと、
前記第１のダイに結合された一組のはんだボールと、
前記一組のはんだボールを介して前記第１のダイに結合された、第２の金属層を備えた第２のダイと
を備える半導体デバイスであって、
前記第１のダイの前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のダイの前記第２の金属層が、前記半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項２０】
前記第１のダイが第３の金属層をさらに備え、前記第２のダイが第４の金属層をさらに備える、請求項１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１のダイの前記第１の金属層および前記第３の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のダイの前記第２の金属層および前記第４の金属層が、前記半導体デバイス内の前記インダクタとして動作するように構成される、請求項２０に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
前記第１のダイが第１のパッシベーション層をさらに含み、前記第２のダイが第２のパッシベーション層をさらに含む、請求項１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記第１の金属層が、前記第１のパッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置され、前記第２の金属層が、前記第２のパッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項２２に記載の半導体デバイス。
【請求項２４】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２５】
第１の金属層を備えた第１のダイと、
前記第１のダイに結合された相互接続手段と、
前記相互接続手段を介して前記第１のダイに結合された、第２の金属層を備えた第２のダイと
を備える半導体デバイスであって、
前記第１のダイの前記第１の金属層、前記相互接続手段、前記第２のダイの前記第２の金属層が、前記半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項２６】
前記第１のダイが第３の金属層をさらに備え、前記第２のダイが第４の金属層をさらに備える、請求項２５に記載の半導体デバイス。
【請求項２７】
前記第１のダイの前記第１の金属層および前記第３の金属層、前記相互接続手段、前記第２のダイの前記第２の金属層および前記第４の金属層が、前記半導体デバイス内の前記インダクタとして動作するように構成される、請求項２６に記載の半導体デバイス。
【請求項２８】
前記第１のダイが第１のパッシベーション層をさらに含み、前記第２のダイが第２のパッシベーション層をさらに含む、請求項２５に記載の半導体デバイス。
【請求項２９】
前記第１の金属層が、前記第１のパッシベーション層と前記相互接続手段との間に配置され、前記第２の金属層が、前記第２のパッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項２８に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項２５に記載の半導体デバイス。
【請求項３１】
第１の金属層を備えた第１のパッケージ基板と、
前記第１のパッケージ基板に結合された一組のはんだボールと、
前記一組のはんだボールを介して前記第１のパッケージ基板に結合された、第２の金属層を備えた第２のパッケージ基板と
を備える半導体デバイスであって、
前記第１のパッケージ基板の前記第１の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のパッケージ基板の前記第２の金属層が、前記半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項３２】
前記第１のパッケージ基板が第３の金属層をさらに備え、前記第２のパッケージ基板が第４の金属層をさらに備える、請求項３１に記載の半導体デバイス。
【請求項３３】
前記第１のパッケージ基板の前記第１の金属層および前記第３の金属層、前記一組のはんだボール、前記第２のパッケージ基板の前記第２の金属層および前記第４の金属層が、前記半導体デバイス内の前記インダクタとして動作するように構成される、請求項３２に記載の半導体デバイス。
【請求項３４】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項３１に記載の半導体デバイス。
【請求項３５】
第１の金属層を備えた第１のパッケージ基板と、
前記第１のパッケージ基板に結合された相互接続手段と、
前記相互接続手段を介して前記第１のパッケージ基板に結合された、第２の金属層を備えた第２のパッケージ基板と
を備える半導体デバイスであって、
前記第１のパッケージ基板の前記第１の金属層、前記相互接続手段、前記第２のパッケージ基板の前記第２の金属層が、前記半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される半導体デバイス。
【請求項３６】
前記第１のパッケージ基板が第３の金属層をさらに備え、前記第２のパッケージ基板が第４の金属層をさらに備える、請求項３５に記載の半導体デバイス。
【請求項３７】
前記第１のパッケージ基板の前記第１の金属層および前記第３の金属層、前記相互接続手段、前記第２のパッケージ基板の前記第２の金属層および前記第４の金属層が、前記半導体デバイス内の前記インダクタとして動作するように構成される、請求項３６に記載の半導体デバイス。
【請求項３８】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる、請求項３５に記載の半導体デバイス。
【請求項３９】
半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法であって、
第１の金属層および第２の金属層を備えたダイを提供するステップと、
一組のはんだボールを前記ダイに結合するステップと、
前記ダイを前記一組のはんだボールを介して、第３の金属層を備えたプリント回路板に結合するステップと
を含み、前記ダイを前記プリント回路板に結合することにより、前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記一組のはんだボールおよび前記第３の金属層によって画定される前記インダクタが前記半導体デバイス内に形成される方法。
【請求項４０】
前記プリント回路板が第４の金属層をさらに備える、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記インダクタが、前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記一組のはんだボール、前記第３の金属層および前記第４の金属層によって画定される、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記ダイがパッシベーション層をさらに含み、前記パッシベーション層が、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に配置される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
前記第１の金属層が、前記パッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込むステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】
半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法であって、
第１の金属層を備えた第１のダイを提供するステップと、
一組のはんだボールを前記第１のダイに結合するステップと、
前記第１のダイを前記一組のはんだボールを介して、第２の金属層を備えた第２のダイに結合するステップと
を含み、前記第１のダイを前記第２のダイに結合することにより、前記第１の金属層、前記一組のはんだボールおよび前記第２の金属層によって画定される前記インダクタが前記半導体デバイス内に形成される方法。
【請求項４６】
前記第１のダイが第３の金属層をさらに備える、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記インダクタが、前記第１の金属層、前記第３の金属層、前記一組のはんだボールおよび前記第２の金属層によって画定される、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記第１のダイがパッシベーション層をさらに含み、前記第１の金属層が、前記パッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】
前記半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込むステップをさらに含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項５０】
半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法であって、
第１の金属層を備えた第１のパッケージ基板を提供するステップと、
一組のはんだボールを前記第１のパッケージ基板に結合するステップと、
前記第１のパッケージ基板を前記一組のはんだボールを介して、第２の金属層を備えた第２のパッケージ基板に結合するステップと
を含み、前記第１のパッケージ基板を前記第２のパッケージ基板に結合することにより、前記第１の金属層、前記一組のはんだボールおよび前記第２の金属層によって画定される前記インダクタが前記半導体デバイス内に形成される方法。
【請求項５１】
前記第１のパッケージ基板が第３の金属層をさらに備える、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記インダクタが、前記第１の金属層、前記第３の金属層、前記一組のはんだボールおよび前記第２の金属層によって画定される、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記第１のパッケージ基板がパッシベーション層をさらに含み、前記第１の金属層が、前記パッシベーション層と前記一組のはんだボールとの間に配置される、請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
前記半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込むステップをさらに含む、請求項５０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、参照により本明細書に明確に組み込まれている、２０１３年３月１日に出願した、「Ｈｉｇｈ  Ｑｕａｌｉｔｙ  Ｆａｃｔｏｒ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ  Ｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ  ｉｎ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  （ＷＬＰ）」という名称の米国仮出願第６１／７７１７１７号の優先権を主張するものである。
【０００２】
様々な特徴は、ウェーハレベルパッケージング（ＷＬＰ，ｗａｆｅｒ  ｌｅｖｅｌ  ｐａｃｋａｇｉｎｇ）で実施される高Ｑ値インダクタに関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路（ＩＣ，ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ内に配置されるインダクタは、ＩＣパッケージ内の実装面積が限られているため、大電流をサポートするためのそれらの能力が限られている。詳細には、これらのインダクタは、ＩＣパッケージのパッケージング基板中に配置されるため、これらのインダクタのサイズは、ＩＣパッケージのパッケージング基板のサイズによって制限される。ＩＣパッケージのパッケージング基板中の空間が制限されている結果として、これらのインダクタは、通常、大きい抵抗および小さいＱ値を有している。図１は、インダクタを含んだ半導体デバイスを概念的に示したものである。詳細には、図１は、ダイ１００、パッケージング基板１０２、一組のはんだボール１０４、プリント回路板（ＰＣＢ，ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）１０６およびインダクタ１０８を示している。図１に示されているように、ダイ１００はパッケージング基板１０２に結合されている。パッケージング基板１０２は、一組のはんだボール１０４を介してＰＣＢ１０６に結合されている。インダクタ１０８は、ダイ１００の中に画定され、かつ、配置されている。
【０００４】
また、図１は、インダクタ１０８の近傍の領域ではいくつかのはんだボールが省略され／除去されていることを同じく示している。これは、はんだボールがインダクタの性能に影響を及ぼし／破壊することがあることによるものである。より詳細には、インダクタの近傍のはんだボールは、インダクタの磁束を破壊し、そのためにインダクタンスが小さくなり、また、インダクタのＱ値が小さくなることがあり、インダクタの近傍の領域のはんだボールが除去されるのはそのためである。しかしながらパッケージング基板とＰＣＢとの間のはんだボールを除去すると、パッケージング基板およびＰＣＢの構造上の安定性に影響を及ぼすことがある。したがって現在のＩＣ設計は、ダイおよびパッケージング基板をＰＣＢに結合する場合、使用するはんだボールの量を決定し、かつ、はんだボールを置く位置を決定する際に、はんだボールを除去することによる利点（たとえばより良好なインダクタンスおよびＱ値インダクタ）対はんだボールを除去することによる欠点（たとえばパッケージング基板／ＰＣＢ構造の安定性の欠如）を重み付けしなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって半導体デバイスのための改良型インダクタ設計が必要である。理想的には、そのようなインダクタは、半導体デバイスの構造上の安定性を犠牲にすることなく、より良好なインダクタンス性能、より小さい抵抗およびより良好なＱ値を有することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
様々な特徴は、ウェーハレベルパッケージング（ＷＬＰ）で実施される高Ｑ値インダクタに関する。
【０００７】
第１の例は、プリント回路板（ＰＣＢ）と、一組のはんだボールと、ダイとを含む半導体デバイスを提供する。ＰＣＢは第１の金属層を含む。一組のはんだボールはＰＣＢに結合される。ダイは、一組のはんだボールを介してＰＣＢに結合される。ダイは、第２の金属層および第３の金属層を含む。ＰＣＢの第１の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される。
【０００８】
一態様によれば、ＰＣＢは第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、ＰＣＢの第１の金属層および第４の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される。
【０００９】
一態様によれば、ＰＣＢの第１の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイスのインダクタのための巻線を提供するように構成される。巻線は、１回または複数回であるＮ回の巻数を有している。
【００１０】
一態様によれば、ダイはパッシベーション層をさらに含む。パッシベーション層は、第２の金属層と第３の金属層との間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層はポストパッシベーション層である。
【００１１】
一態様によれば、ＰＣＢの第１の金属層はトレースである。
【００１２】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００１３】
第２の例は、第１の金属層を備えたプリント回路板（ＰＣＢ）を含む半導体デバイスを提供する。半導体デバイスは、ＰＣＢに結合された相互接続手段と、相互接続手段を介してＰＣＢに結合されたダイとを含む。ダイは、第２の金属層および第３の金属層を含む。ＰＣＢの第１の金属層、相互接続手段、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００１４】
一態様によれば、ＰＣＢは第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、ＰＣＢの第１の金属層および第４の金属層、相互接続手段、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００１５】
一態様によれば、ＰＣＢの第１の金属層、相互接続手段、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイスのインダクタのための巻線を提供するように構成される。巻線は、１回または複数回であるＮ回の巻数を有している。
【００１６】
一態様によれば、ダイはパッシベーション層をさらに含む。パッシベーション層は、第２の金属層と第３の金属層との間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層は、パッシベーション層と相互接続手段との間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層はポストパッシベーション層である。
【００１７】
一態様によれば、ＰＣＢの第１の金属層はトレースである。
【００１８】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００１９】
第３の例は、第１の金属層を備えた第１のダイと、第１のダイに結合された一組のはんだボールと、一組のはんだボールを介して第１のダイに結合された第２のダイとを含む半導体デバイスを提供する。第２のダイは第２の金属層を含む。第１のダイの第１の金属層、一組のはんだボール、第２のダイの第２の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２０】
一態様によれば、第１のダイは第３の金属層をさらに含み、また、第２のダイは第４の金属層をさらに備える。いくつかの実施態様では、第１のダイの第１の金属層および第３の金属層、一組のはんだボール、第２のダイの第２の金属層および第４の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２１】
一態様によれば、第１のダイは第１のパッシベーション層をさらに含み、また、第２のダイは第２のパッシベーション層をさらに含む。いくつかの実施態様では、第１の金属層は、第１のパッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。第２の金属層は、第２のパッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
【００２２】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００２３】
第４の例は、第１の金属層を備えた第１のダイと、第１のダイに結合された相互接続手段と、相互接続手段を介して第１のダイに結合された第２のダイとを含む半導体デバイスを提供する。第２のダイは第２の金属層を含む。第１のダイの第１の金属層、相互接続手段、第２のダイの第２の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２４】
一態様によれば、第１のダイは第３の金属層をさらに含み、また、第２のダイは第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のダイの第１の金属層および第３の金属層、相互接続手段、第２のダイの第２の金属層および第４の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２５】
一態様によれば、第１のダイは第１のパッシベーション層をさらに含み、また、第２のダイは第２のパッシベーション層をさらに含む。いくつかの実施態様では、第１の金属層は、第１のパッシベーション層と相互接続手段との間に配置され、また、第２の金属層は、第２のパッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
【００２６】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００２７】
第５の例は、第１の金属層を備えた第１のパッケージ基板を含む半導体デバイスを提供する。また、半導体デバイスは、第１のパッケージ基板に結合された一組のはんだボールと、一組のはんだボールを介して第１のパッケージ基板に結合された第２のパッケージ基板とを同じく含む。第２のパッケージ基板は第２の金属層を含む。第１のパッケージ基板の第１の金属層、一組のはんだボール、第２のパッケージ基板の第２の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２８】
一態様によれば、第１のパッケージ基板は第３の金属層をさらに含み、また、第２のパッケージ基板は第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板の第１の金属層および第３の金属層、一組のはんだボール、第２のパッケージ基板の第２の金属層および第４の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００２９】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００３０】
第６の例は、第１の金属層を備えた第１のパッケージ基板と、第１のパッケージ基板に結合された相互接続手段と、相互接続手段を介して第１のパッケージ基板に結合された第２のパッケージ基板とを含む半導体デバイスを提供する。第２のパッケージ基板は第２の金属層を含む。第１のパッケージ基板の第１の金属層、相互接続手段、第２のパッケージ基板の第２の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００３１】
一態様によれば、第１のパッケージ基板は第３の金属層をさらに含み、また、第２のパッケージ基板は第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板の第１の金属層および第３の金属層、相互接続手段、第２のパッケージ基板の第２の金属層および第４の金属層は、半導体デバイス内のインダクタとして動作するように構成される。
【００３２】
一態様によれば、半導体デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込まれる。
【００３３】
第７の例は、半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法を提供する。方法は、第１の金属層および第２の金属層を含むダイを提供する。方法は、一組のはんだボールをダイに結合する。方法は、ダイを一組のはんだボールを介してプリント回路板（ＰＣＢ）に結合する。ＰＣＢは第３の金属層を含む。ダイをＰＣＢに結合することにより、半導体デバイス内にインダクタが形成される。インダクタは、第１の金属層、第２の金属層、一組のはんだボールおよび第３の金属層によって画定される。
【００３４】
一態様によれば、ＰＣＢは第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、インダクタは、第１の金属層、第２の金属層、一組のはんだボール、第３の金属層および第４の金属層によって画定される。
【００３５】
一態様によれば、ダイはパッシベーション層をさらに含む。パッシベーション層は、第１の金属層と第２の金属層との間に配置される。いくつかの実施態様では、第１の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
【００３６】
一態様によれば、方法は、半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つにさらに組み込む。
【００３７】
第８の例は、半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法を提供する。方法は、第１の金属層を含む第１のダイを提供する。方法は、一組のはんだボールを第１のダイに結合する。方法は、第１のダイを一組のはんだボールを介して第２のダイに結合する。第２のダイは第２の金属層を含む。第１のダイを第２のダイに結合することにより、半導体デバイス内にインダクタが形成される。インダクタは、第１の金属層、一組のはんだボールおよび第２の金属層によって画定される。
【００３８】
一態様によれば、第１のダイは第３の金属層をさらに備える。いくつかの実施態様では、インダクタは、第１の金属層、第３の金属層、一組のはんだボールおよび第２の金属層によって画定される。
【００３９】
一態様によれば、第１のダイはパッシベーション層をさらに含む。第１の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
【００４０】
一態様によれば、方法は、半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つにさらに組み込む。
【００４１】
第９の例は、半導体デバイス内にインダクタを提供するための方法を提供する。方法は、第１の金属層を含む第１のパッケージ基板を提供する。方法は、一組のはんだボールを第１のパッケージ基板に結合する。方法は、第１のパッケージ基板を一組のはんだボールを介して第２のパッケージ基板に結合する。第２のパッケージ基板は第２の金属層を含む。第１のパッケージ基板を第２のパッケージ基板に結合することにより、半導体デバイス内にインダクタが形成される。インダクタは、第１の金属層、一組のはんだボールおよび第２の金属層によって画定される。
【００４２】
一態様によれば、第１のパッケージ基板は第３の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、インダクタは、第１の金属層、第３の金属層、一組のはんだボールおよび第２の金属層によって画定される。
【００４３】
一態様によれば、第１のパッケージ基板はパッシベーション層をさらに含む。第１の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。
【００４４】
一態様によれば、方法は、半導体デバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイル電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータおよび／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも一つに組み込む。
【００４５】
様々な特徴、性質および利点は、図面に照らして行う以下の詳細な説明から明らかになるであろう。図において、同様の参照文字は、全体を通して対応的に識別している。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】ダイ中に統合された、知られているインダクタを示す図である。
【図２】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定されたインダクタを示す図である。
【図３】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定された、２回の巻数を有する概念的インダクタを示す図である。
【図４】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定された、３回の巻数を有する概念的インダクタを示す図である。
【図５】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定されたインダクタをある角度から見た図である。
【図６】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定されたインダクタの側面図である。
【図７】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定されたインダクタの底面図である。
【図８】ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に画定されたインダクタの上面図である。
【図９】インダクタを製造し／提供するための流れ図である。
【図１０】第１のダイと第２のダイとの間に画定されたインダクタを示す図である。
【図１１】パッケージ構造上のパッケージ中のインダクタを示す図である。
【図１２】インダクタを製造し／提供するための流れ図である。
【図１３】インダクタを製造し／提供するための流れ図である。
【図１４】任意の上記集積回路、ダイ、ダイパッケージおよび／または基板と統合することができる様々な電子デバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
本開示の様々な態様についての完全な理解を提供するために、以下の詳細な説明には特定の詳細が示されている。しかしながらこれらの態様は、これらの特定の詳細がなくても実践することができることは当業者には理解されよう。たとえば回路は、不必要な詳細でこれらの態様を曖昧にするのを回避するために、場合によってはブロック図で示されている。他の例証では、よく知られている回路、構造および技法は、本開示のこれらの態様を曖昧にしないために、場合によっては詳細には示されていない。
【００４８】
概説
いくつかの新規な特徴は、プリント回路板（ＰＣＢ）と、一組のはんだボールと、ダイとを含む半導体デバイスを提供する第１の例に関する。ＰＣＢは第１の金属層を含む。一組のはんだボールはＰＣＢに結合される。ダイは、一組のはんだボールを介してＰＣＢに結合される。ダイは、第２の金属層および第３の金属層を含む。ＰＣＢの第１の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、ＰＣＢは第４の金属層をさらに含む。いくつかの実施態様では、ＰＣＢの第１の金属層および第４の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイス内でインダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、ＰＣＢの第１の金属層、一組のはんだボール、ダイの第２の金属層および第３の金属層は、半導体デバイスのインダクタのための巻線を提供するように構成される。巻線は、１回または複数回であるＮ回の巻数を有している。いくつかの実施態様では、ダイはパッシベーション層をさらに含む。パッシベーション層は、第２の金属層と第３の金属層との間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層は、パッシベーション層と一組のはんだボールとの間に配置される。いくつかの実施態様では、第２の金属層はポストパッシベーション層である。
【００４９】
例示的ウェーハレベルインダクタ
図２は、半導体デバイスのための新規なインダクタを概念的に示したものである。詳細には、図２は、一組のはんだボール２０４を介してプリント回路板（ＰＣＢ）２０２に結合されるダイ２００を示している。いくつかの実施態様では、ダイ２００は、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。また、図２には、ダイ２００上の構成要素、ＰＣＢ２０２上の構成要素および少なくとも一つのはんだボール２０４によって画定されるインダクタ２０６が同じく概念的に示されている。いくつかの実施態様では、はんだボール２０４の代わりに、あるいははんだボール２０４とともに他の材料を使用することも可能である。たとえばいくつかの実施態様では、金属相互接続（たとえば銅）を使用することができる。図２に示されているように、ダイ２００は、第１のセットの金属層２１０、ビア２１２、パッシベーション層２１４、第１のポリイミド層２１６、第２の金属層２１８、第２のポリイミド層２２０およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ，ｕｎｄｅｒ  ｂｕｍｐ  ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）層２２２を含む。第１のセットの金属層２１０は、いくつかの実施態様では積み重ねられた金属層である。いくつかの実施態様では、第１のセットの金属層２１０中の金属層間に誘電体層を配置することができる。ビア２１２は、第１のセットの金属層２１０のうちの少なくとも一つの金属層を第２の金属層２１８に結合する。いくつかの実施態様では、第２の金属層２１８はポストパッシベーション層である。ポストパッシベーション層は、ポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ，ｐｏｓｔ  ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）層と呼ぶことも可能である。第２の金属層２１８は、いくつかの実施態様では銅層２１８であってもよい。ＵＢＭ層２２２は、第２の金属層２１８（たとえば銅層）に結合される。ＵＢＭ層２２２ははんだ２０４に結合される。いくつかの実施態様では、ポリイミド層（たとえば第１のポリイミド層２１６）は絶縁層であってもよい。
【００５０】
図２にさらに示されているように、ＰＣＢ２０２は、第１のＰＣＢ層２０２ａ（たとえばＰＣＢ  Ｌ１）、第２のＰＣＢ層２０２ｂ（たとえばＰＣＢ  Ｌ２）および第３のＰＣＢ層２０２ｃ（たとえばＰＣＢ  Ｌ３）を含む。ＰＣＢ層２００ａ〜ＰＣＢ層２００ｃのうちの一つまたは複数は、一つまたは複数のトレースを含むことができる。図２に示されているように、第１のＰＣＢ層２０２ａは、はんだボール２０４に結合されるトレース２２４を含む。
【００５１】
いくつかの実施態様では、インダクタ２０６は巻線を含むことができる。インダクタ２０６の巻線は、第１のセットの金属層２１０のうちの少なくとも一つの金属層、ビア２１２、第２の金属層２１８、はんだ２０４およびトレース２２４によって画定することができる。インダクタ２０６の巻線は、複数回の巻数（たとえば２回の巻数）を有することができる。いくつかの実施態様では、インダクタ２０６は、ＰＣＢ２０２の一つまたは複数のトレースおよびはんだボール２０４をてこ入れして、インダクタンス（Ｌ）がより良好で、抵抗がより小さく、かつ、Ｑ値がより良好なインダクタを提供する。より詳細には、トレースおよびはんだボールの高さ、ならびにＰＣＢとダイ２００の金属層（たとえば金属層２１０、金属層２１８）との間の磁束によって生成されるインダクタンスは、インダクタ２０６のインダクタンスを大きくするのを促進する。一例では、インダクタの一部としてはんだボールを統合しているインダクタは、所与の領域／空間（たとえばダイの領域、パッケージの領域、ＰＣＢの領域）に、はんだボールを含んでいないインダクタより多くの巻数を有することができる。より多くの巻数を有するインダクタは、巻数がより少ないインダクタより良好なインダクタンス（Ｌ）を有している。したがってはんだボールを含んだインダクタ、したがってより多くの巻数を有するように構成することができるインダクタは、はんだボールを含んでいないインダクタより良好なインダクタンス（Ｌ）を有することになる。はんだボールを含み／統合しているインダクタのこの技術的利点および他の技術的利点については以下で説明する。さらに、いくつかの実施態様では、はんだボール２０４は、インダクタ２０６のインダクタンスを大きくするのを促進するだけでなく、ダイ２００およびＰＣＢ２０２のための構造安定性の提供を同じく促進する。
【００５２】
図３〜図４は、いくつかの実施態様では、ダイ、はんだボールおよびプリント回路板（ＰＣＢ）からの構成要素によって画定されるインダクタを示したものである。図３には、２回の巻数を有する巻線を含んだインダクタ３００が示されている。いくつかの実施態様では、インダクタ３００の巻線は、第１の金属層３０２、第２の金属層３０４、一組のビア３０６、一組のはんだ３０８および一組のトレース３１０によって画定される。いくつかの実施態様では、はんだボール２０４の代わりに、あるいははんだボール２０４とともに他の材料を使用することも可能である。たとえばいくつかの実施態様では、金属相互接続（たとえば銅）および／または相互接続金属層を使用することができる。第１の金属層３０２は、ダイ（たとえばダイ２００）の積み重ねられた金属層（たとえば積み重ねられた金属層２１０）のうちの金属層であってもよい。第２の金属層３０４は、ダイの銅層（たとえば金属層２１８）であってもよい。第２の金属層３０４は、一組のビア３０６を介して第１の金属層３０２に結合される。また、第２の金属層３０４は、一組のはんだボール３０８に同じく結合される。いくつかの実施態様では、第２の金属層３０４は、一組のはんだボール３０８とダイのパッシベーション層（図示せず）との間に配置されている。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のトレース３１０は、いくつかの実施態様では、プリント回路板（ＰＣＢ）の第１の層の上の一つまたは複数のトレースであってもよい。
【００５３】
図４には、巻線を含んだ別のインダクタ４００が示されている。インダクタ４００は、インダクタ４００が３回の巻数を有する巻線を有している点を除き、図３のインダクタ３００と同様である。いくつかの実施態様では、インダクタ４００の巻線は、第１の金属層４０２、第２の金属層４０４、一組のビア（見えない）、一組のはんだ４０６、一組のトレース４０８によって画定される。第１の金属層４０２は、ダイ（たとえばダイ２００）の積み重ねられた金属層（たとえば積み重ねられた金属層２１０）のうちの金属層であってもよい。第２の金属層４０４は、ダイの銅層（たとえば金属層２１８）であってもよい。第２の金属層４０４は、一組のビア（見えない）を介して第１の金属層４０２に結合される。また、第２の金属層４０４は、一組のはんだボール４０６に同じく結合される。いくつかの実施態様では、第２の金属層４０４は、一組のはんだボール４０６とダイのパッシベーション層（図示せず）との間に配置される。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のトレース４０８は、いくつかの実施態様では、プリント回路板（ＰＣＢ）の第１の層の上の一つまたは複数のトレースであってもよい。
【００５４】
インダクタの一部としてはんだボールを含み／統合している上記例示的インダクタは、知られているインダクタ（たとえばはんだボールを統合していないインダクタ）に優るいくつかの技術的利点を提供する。たとえば上記例示的インダクタは、知られているインダクタより良好な性能／特性を提供する。インダクタの関連する特性のいくつかには、インダクタの実効インダクタンス、Ｑ値および／または結合の有効性がある。インダクタの有効性は、そのＱ値によって定義することができる。Ｑ値は、インダクタの有効性を定義するＱ値／値である。インダクタのＱ値は、インダクタのインダクタンスとインダクタの抵抗との間の比率として定義することができる（たとえばＱ＝Ｌ／Ｒ）。インダクタは、Ｑ値が大きいほど、無損失インダクタである理想インダクタの挙動に近づく。したがって一般的に言えば、より大きいＱ値は、より小さいＱ値より望ましい。いくつかの実施態様では、上記例示的インダクタは、より良好なインダクタンス（Ｌ）（たとえばより大きいインダクタンス）、より良好なＱ値（たとえばより大きいＱ値）およびより良好な抵抗（Ｒ）（たとえばより小さい抵抗）を有している。
【００５５】
いくつかの実施態様では、これらのより良好な特性は、所与の領域（たとえばダイの領域、パッケージの領域、ＰＣＢの領域）のインダクタの巻数／巻線数を増すことによって磁束を最大化し、したがって層間の結合を強くすることによって達成することができる。上で説明したように、インダクタの一部としてはんだボールを統合することにより、所与の領域／空間（たとえばダイの領域、パッケージの領域、ＰＣＢの領域）におけるインダクタの巻数をより多くすることができる。したがってはんだボールをインダクタに統合することによってインダクタンス（Ｌ）が大きくなり、延いてはインダクタのＱ値が大きくなる。
【００５６】
これらのインダクタがより良好な特性（たとえばより良好なインダクタンス）を有する別の理由は、それらがはんだボールの高さをてこ入れしてインダクタンスを大きくすることである。はんだボールを統合したインダクタを使用する利点の一つは、そのようなインダクタは、大電力用途のための大電流をサポートすることができることである。その上、サイズが比較的大きい（インダクタの一部であるダイの金属層と比較して）はんだボールはインダクタの抵抗を小さくし、延いてはインダクタのＱ値を効果的に大きくする。同様に、インダクタの一部であるＰＣＢ上のトレースは、通常、インダクタの一部であるダイ中の金属層より大きい。いくつかの実施態様では、ＰＣＢのこれらのトレース（インダクタの一部である）の幅は、ダイ上の金属相互接続／線（インダクタの一部である）の約２倍広い。これらのより幅が広いトレースは、より細い金属相互接続より小さい抵抗を有している。したがってこれらのより幅が広いトレースは、インダクタの総実効抵抗を小さくする。したがってインダクタの一部としてＰＣＢ上にトレースを統合しているインダクタは、すべてがダイ中に存在するインダクタより良好なＱ値を有している（抵抗がより小さいため）。
【００５７】
その上、はんだボールを使用し、かつ、維持することにより、半導体デバイスの構造的結合、安定性および／または剛性の提供／維持が促進され、また、それと同時に、はんだボール効果による磁束の劣化が最小化され、回避される。たとえばはんだボールを維持することにより、半導体デバイス（たとえばパッケージ）中の機械的応力の低減が促進される。
【００５８】
図５〜図８は、いくつかの実施態様における新規なインダクタの別の例を示したものである。図５には、ある角度を有する視点から見たインダクタ５００が示されている。図５に示されているように、インダクタ５００は、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４、一組のビア５０５、第３の金属層５０６、一組のはんだボール５０８（たとえば第１のはんだボール５０８ａ、第２のはんだボール５０８ｂ、第３のはんだボール５０８ｃ、第４のはんだボール５０８ｄ、第５のはんだボール５０８ｅ）、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４を含む。
【００５９】
いくつかの実施態様では、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４および第３の金属層５０６はダイの金属層である。たとえば第１の金属層、第２の金属層および第３の金属層５０２〜５０６は、図２のダイ２００の金属層のうちの一つであってもよい。詳細には、いくつかの実施態様では、第１の金属層および第２の金属層５０２〜５０４は、図２の金属層２１０に対応していてもよく、また、第３の金属層５０６は、図２の金属層２１８（たとえばポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ）層）に対応していてもよい。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のビア５０５は、いくつかの実施態様では、ダイ中のビアであってもよい。たとえば一組のビア５０５のうちの一つのビアは、図２のビア２１２に対応していてもよい。いくつかの実施態様では、一組のビア５０５は、インダクタンスの抵抗を小さくし、それによりインダクタのＱ値を大きくするように配置され、かつ、構成される。
【００６０】
一組のはんだボール５０８は、ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に相互接続経路／相互接続手段を提供する。しかしながら他の材料を使用して、ダイとＰＣＢとの間に相互接続経路／相互接続手段を提供することも可能である。
【００６１】
いくつかの実施態様では、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４は、プリント回路板（ＰＣＢ）中に配置される。たとえば第４の金属層５１０および第５の金属層５１４はＰＣＢの金属層であってもよい。一例では、第４の金属層は、いくつかの実施態様では、図２のＰＣＢ２０２の金属層２２４であってもよい。
【００６２】
図６には、図５のインダクタ５００の側面図が示されている。詳細には、図６には、ダイの金属層、はんだボールおよびプリント回路板の金属層によって画定されるインダクタの側面図が示されている。図６に示されているように、インダクタ５００は、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４、一組のビア５０５、第３の金属層５０６、一組のはんだボール５０８（たとえば第１のはんだボール５０８ａ、第２のはんだボール５０８ｂ、第３のはんだボール５０８ｃ）、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４を含む。
【００６３】
いくつかの実施態様では、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４および第３の金属層５０６はダイの金属層である。たとえば第１の金属層、第２の金属層および第３の金属層５０２〜５０６は、図２のダイ２００の金属層のうちの一つであってもよい。詳細には、いくつかの実施態様では、第１の金属層および第２の金属層５０２〜５０４は、図２の金属層２１０に対応していてもよく、また、第３の金属層５０６は、図２の金属層２１８（たとえばポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ）層）に対応していてもよい。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のビア５０５は、いくつかの実施態様ではダイ中のビアであってもよい。たとえば一組のビア５０５のうちの一つのビアは、図２のビア２１２に対応していてもよい。一組のはんだボール５０８は、ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に相互接続経路／相互接続手段を提供する。しかしながら他の材料を使用して、ダイとＰＣＢとの間に相互接続経路／相互接続手段を提供することも可能である。
【００６４】
いくつかの実施態様では、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４は、プリント回路板（ＰＣＢ）中に配置される。たとえば第４の金属層５１０および第５の金属層５１４はＰＣＢの金属層であってもよい。一例では、いくつかの実施態様では、第４の金属層は、図２のＰＣＢ２０２の金属層２２４であってもよい。
【００６５】
図７には、ダイの斜視図から、図５のインダクタ５００の図（たとえば底面図）が示されている。詳細には、図７には、ダイの金属層、はんだボールおよびプリント回路板の金属層によって画定されるインダクタの底面図が示されている。図７の図は、インダクタ、ダイおよび／またはＰＣＢの配置方法に応じて上面図であってもよいことに留意されたい。図７に示されているように、インダクタ５００は、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４、一組のビア５０５、第３の金属層５０６、一組のはんだボール５０８（たとえば第１のはんだボール５０８ａ、第２のはんだボール５０８ｂ、第３のはんだボール５０８ｃ）、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４を含む。
【００６６】
いくつかの実施態様では、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４および第３の金属層５０６はダイの金属層である。たとえば第１の金属層、第２の金属層および第３の金属層５０２〜５０６は、図２のダイ２００の金属層のうちの一つであってもよい。詳細には、いくつかの実施態様では、第１の金属層および第２の金属層５０２〜５０４は、図２の金属層２１０に対応していてもよく、また、第３の金属層５０６は、図２の金属層２１８（たとえばポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ）層）に対応していてもよい。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のビア５０５は、いくつかの実施態様ではダイ中のビアであってもよい。たとえば一組のビア５０５のうちの一つのビアは、図２のビア２１２に対応していてもよい。一組のはんだボール５０８は、ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に相互接続経路／相互接続手段を提供する。しかしながら他の材料を使用して、ダイとＰＣＢとの間に相互接続経路／相互接続手段を提供することも可能である。
【００６７】
いくつかの実施態様では、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４は、プリント回路板（ＰＣＢ）中に配置される。たとえば第４の金属層５１０および第５の金属層５１４はＰＣＢの金属層であってもよい。一例では、いくつかの実施態様では、第４の金属層は、図２のＰＣＢ２０２の金属層２２４であってもよい。
【００６８】
図８には、プリント回路板（ＰＣＢ）の斜視図から、図５のインダクタ５００の図（たとえば上面図）が示されている。詳細には、図８には、ダイの金属層、はんだボールおよびプリント回路板の金属層によって画定されるインダクタの上面図が示されている。図８の図は、インダクタ、ダイおよび／またはＰＣＢの配置方法に応じて底面図であってもよいことに留意されたい。図８に示されているように、インダクタ５００は、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４、一組のビア５０５、第３の金属層５０６、一組のはんだボール５０８（たとえば第１のはんだボール５０８ａ、第２のはんだボール５０８ｂ、第３のはんだボール５０８ｃ）、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４を含む。
【００６９】
いくつかの実施態様では、第１の金属層５０２、第２の金属層５０４および第３の金属層５０６はダイの金属層である。たとえば第１の金属層、第２の金属層および第３の金属層５０２〜５０６は、図２のダイ２００の金属層のうちの一つであってもよい。詳細には、いくつかの実施態様では、第１の金属層および第２の金属層５０２〜５０４は、図２の金属層２１０に対応していてもよく、また、第３の金属層５０６は、図２の金属層２１８（たとえばポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ）層）に対応していてもよい。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。一組のビア５０５は、いくつかの実施態様ではダイ中のビアであってもよい。たとえば一組のビア５０５のうちの一つのビアは、図２のビア２１２に対応していてもよい。一組のはんだボール５０８は、ダイとプリント回路板（ＰＣＢ）との間に相互接続経路／相互接続手段を提供する。しかしながら他の材料を使用して、ダイとＰＣＢとの間に相互接続経路／相互接続手段を提供することも可能である。
【００７０】
いくつかの実施態様では、第４の金属層５１０、ビア５１２および第５の金属層５１４は、プリント回路板（ＰＣＢ）中に配置される。たとえば第４の金属層５１０および第５の金属層５１４はＰＣＢの金属層であってもよい。一例では、いくつかの実施態様では、第４の金属層は、図２のＰＣＢ２０２の金属層２２４であってもよい。
【００７１】
図２〜図８は、ダイ上の構成要素、プリント回路板（ＰＣＢ）およびはんだボールによって画定されるインダクタの例を示したものである。図２〜図８に示されているように、これらのインダクタはパッケージング基板の使用を回避する。言い換えれば、これらのインダクタによればパッケージング基板がなくてもよい。パッケージング基板の使用を回避する利点は、より低コストであり（使用する材料がより少ないため）、かつ、サイズがより小さいことである。いくつかの実施態様では、インダクタは、第１のダイ上の構成要素、第２のダイおよびはんだボールによって画定することも可能である。これらの他のタイプのインダクタについては、以下でさらに説明する。
【００７２】
以上、様々な新規なインダクタ（たとえば２つのダイによって画定されるインダクタ、２つのパッケージ基板によって画定されるインダクタ）について説明したが、次に、そのようなインダクタを製造し／提供するための方法について説明する。
【００７３】
インダクタを製造し／提供するための例示的方法
図９は、インダクタを製造し／提供するための方法の流れ図を示したものである。いくつかの実施態様では、図９の方法は、図２〜図８で説明したインダクタを製造し／提供するために実施することができる。
【００７４】
図９に示されているように、方法は、（９０５で）第１の金属層および第２の金属層を含むダイを提供する。第２の金属はポストパッシベーション層であってもよい。ダイはパッシベーション層を含むことができる。パッシベーション層は誘電材料であってもよく、また、ダイの第１の金属層と第２の金属層（たとえばポストパッシベーション層）との間に配置することができる。また、ダイは、ダイの第２の金属層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を含むことも可能である。いくつかの実施態様では、ダイは、ウェーハレベルパッケージングを使用して製造される。方法は、（９１０で）一組のはんだボールをダイに結合する。いくつかの実施態様では、一組のはんだボールをダイに結合するステップは、はんだボールをダイのＵＢＭ層に結合するステップを含む。図２は、ダイのＵＢＭ層に結合されたはんだボールの例を示している。詳細には、図２は、ダイ２００のＵＢＭ２２２に結合されたはんだボール２０４を示している。
【００７５】
方法は、（９１５で）一組のはんだボールを含んだダイをプリント回路板（ＰＣＢ）にさらに結合する。ＰＣＢは第３の金属層を含む。いくつかの実施態様では、ＰＣＢは、追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）を含むことができる。ダイがＰＣＢに結合されると、ダイの第１の金属層および第２の金属層、一組のはんだボールおよびＰＣＢの第３の金属層は、インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、ＰＣＢの追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）は、ダイの第１の金属層および第２の金属層、一組のはんだボールおよびＰＣＢの第３の金属層とともに、インダクタとして動作するように構成することができる。
【００７６】
本開示で説明されているインダクタの別の利点は、特殊な追加製造プロセスを必要としないことである。
【００７７】
例示的インダクタ
図２〜図８は、新規なインダクタのいくつかの例を示したものである。しかしながらいくつかの実施態様は、異なる設計および構成を使用することも可能である。図１０〜図１１は、新規なインダクタの他の例を示したものである。
【００７８】
図１０には、集積回路（ＩＣ）デバイスのための新規なインダクタが概念的に示されている。詳細には、図１０には、一組のはんだボール１００４を介して第２のダイ１００２に結合される第１のダイ１０００が示されている。いくつかの実施態様では、第１のダイおよび／または第２のダイは、ウェーハレベルパッケージングダイ（たとえばウェーハレベルパッケージングプロセスを使用して製造されるダイ）である。また、図１０には、第１のダイ１０００上の構成要素、第２のダイ１００２上の構成要素および少なくとも一つのはんだボール１００４によって画定されるインダクタ１００６が同じく概念に示されている。図１０に示されているように、第１のダイ１０００は、第１のセットの金属層１０１０、ビア１０１２、パッシベーション層１０１４、第１のポリイミド層１０１６、第２の金属層１０１８、第２のポリイミド層１０２０およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１０２２を含む。第１のセットの金属層１０１０は、いくつかの実施態様では積み重ねられた金属層である。いくつかの実施態様では、第１のセットの金属層１０１０中の金属層間に誘電体層を配置することができる。ビア１０１２は、第１のセットの金属層１０１０のうちの少なくとも一つの金属層を第２の金属層１０１８に結合する。いくつかの実施態様では、第２の金属層１０１８はポストパッシベーション層である。ポストパッシベーション層は、ポストパッシベーション相互接続（ＰＰＩ）層と呼ぶことも可能である。第２の金属層１０１８は、いくつかの実施態様では銅層１０１８であってもよい。ＵＢＭ層１０２２は、第２の金属層１０１８（たとえば銅層）に結合される。ＵＢＭ層１０２２ははんだ１００４に結合される。
【００７９】
図１０にさらに示されているように、第２のダイ１００２は、第１のセットの金属層１０３０、ビア１０３２、パッシベーション層１０３４、第１のポリイミド層１０３６、第２の金属層１０３８、第２のポリイミド層１０４０およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１０４２を含む。第１のセットの金属層１０３０は、いくつかの実施態様では積み重ねられた金属層である。ビア１０３２は、第１のセットの金属層１０３０のうちの少なくとも一つの金属層を第２の金属層１０３８に結合する。第２の金属層１０３８は、いくつかの実施態様では銅層１０３８であってもよい。ＵＢＭ層１０４２は、第２の金属層１０３８（たとえば銅層）に結合される。ＵＢＭ層１０４２ははんだ１００４に結合される。
【００８０】
いくつかの実施態様では、インダクタ１００６は巻線を含むことができる。インダクタ１００６の巻線は、第１のセットの金属層１０１０のうちの少なくとも一つの金属層、ビア１０１２、第２の金属層１０１８、はんだ１００４、第２の金属層１０３８、ビア１０３２、および第１のセットの金属層１０３０のうちの少なくとも一つの金属層によって画定することができる。インダクタ１００６の巻線は、複数回の巻数（たとえば２回の巻数）を有することができる。
【００８１】
いくつかの実施態様では、ダイは、ダイパッケージ（パッケージング基板を含む）中に存在させることができる。ダイパッケージは、ウェーハレベルパッケージと呼ぶことも可能である。したがっていくつかの実施態様では、インダクタは、第１のダイパッケージの構成要素、第２のダイパッケージおよび一組のはんだボールによって画定することができる。
【００８２】
図１１には、新規なインダクタの別の例が示されている。詳細には、図１１には、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造の中に画定されたインダクタが示されている。図１１に示されているように、ＰｏＰ構造１１００は、第１のパッケージ基板１１０２、第１のダイ１１０４、第１のセットのはんだボール１１０６、第２のパッケージ基板１１０８、第２のダイ１１１０、第３のダイ１１１２、第２のセットのはんだボール１１１４を含む。いくつかの実施態様では、第１のダイ１１０４は論理ダイであってもよい。第２のダイおよび第３のダイ１１１０〜１１１２は、いくつかの実施態様では、積み重ねられたメモリダイであってもよい。
【００８３】
いくつかの実施態様では、ＰｏＰ構造１１００の第１のパッケージは、第１のパッケージ基板１１０２、第１のダイ１１０４および第１のセットのはんだボール１１０６を含むことができる。第１のダイ１１０４は、いくつかの実施態様では、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイであってもよい。いくつかの実施態様では、ＰｏＰ構造１１００の第２のパッケージは、第２のパッケージ基板１１０８、第２のダイ１１１０、第３のダイ１１１２および第２のセットのはんだボール１１１４を含むことができる。
【００８４】
いくつかの実施態様では、ＰｏＰ構造１１００中のインダクタ１１１６は、第２のセットのはんだボール１１１４（たとえばはんだボール１１１４ａ、はんだボール１１１４ｂ）、および第１のパッケージ基板１１０２および第２のパッケージ基板１１０８中の少なくとも一つの金属層によって画定することができる。詳細には、いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板１１０２の金属層１１１８、はんだボール１１１４ａ、はんだボール１１１４ｂおよび第２のパッケージ基板１１０８の金属層１１２０は、ＰｏＰ構造１１００の中でインダクタ１１１６として動作するように構成される。いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板１１０２は追加金属層を含むことができる。同様に、第２のパッケージ基板１１０８も追加金属層を含むことができる。いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板１１０２および／または第２のパッケージ基板１１０８の一つまたは複数の追加金属層は、インダクタ１１１６の一部であってもよい。つまり、いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板１１０２および／または第２のパッケージ基板１１０８の一つまたは複数の追加金属層は、インダクタ１１１６として動作するように構成することができる。たとえばいくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板１１０２の第１の金属層および第２の金属層、第２のパッケージ基板１１０８の第２の金属層および第３の金属層、およびはんだボール１１１４ａ〜１１１４ｂは、インダクタとして動作するように構成することができる。図１１では、はんだボール１１１４ａ〜１１１４ｂはインダクタ１１１６内に統合されている。しかしながらいくつかの実施態様では、他の相互接続手段をはんだボールの代わりに、あるいははんだボールとともに使用することも可能である。
【００８５】
以上、様々な新規なインダクタ（たとえば２つのダイによって画定されるインダクタ、２つのパッケージ基板によって画定されるインダクタ）について説明したが、次に、そのようなインダクタを製造し／提供するための方法について説明する。
【００８６】
インダクタを製造し／提供するための例示的方法
図１２は、２つのダイおよび一組のはんだボールによって画定されるインダクタを製造し／提供するための方法の流れ図を示したものである。いくつかの実施態様では、図１２の方法は、図１０で説明したインダクタを製造し／提供するために実施することができる。
【００８７】
図１２に示されているように、方法は、（１２０５で）第１の金属層を含む第１のダイを提供する。いくつかの実施態様では、第１のダイは、ウェーハレベルパッケージングを使用して製造される。いくつかの実施態様では、第１のダイは、追加金属層（たとえば第３の金属層）を含むことができる。その上、いくつかの実施態様では、第１のダイの金属層のうちの一つ（たとえば第１の金属層）は、ポストパッシベーション層であってもよい。第１のダイはパッシベーション層を含むことができる。パッシベーション層は誘電材料であってもよく、また、第１のダイの第１の金属層と別の金属層との間に配置することができる。また、第１のダイは、ダイの第１の金属層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を含むことも可能である。方法は、（１２１０で）一組のはんだボールを第１のダイに結合する。いくつかの実施態様では、一組のはんだボールを第１のダイに結合するステップは、はんだボールを第１のダイのＵＢＭ層に結合するステップを含む。図１０は、ダイのＵＢＭ層に結合されたはんだボールの例を示している。詳細には、図１０は、ダイ１０００のＵＢＭ１０２２に結合されたはんだボール１００４を示している。
【００８８】
方法は、（１２１５で）一組のはんだボールを含んだ第１のダイを第２のダイにさらに結合する。いくつかの実施態様では、第２のダイは、ウェーハレベルパッケージングを使用して製造される。第２のダイは第２の金属層を含む。いくつかの実施態様では、第２のダイは、追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）を含むことができる。第１のダイが第２のダイに結合されると、第１のダイの第１の金属層、一組のはんだボールおよび第２のダイの第２の金属層は、インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、第２のダイの追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）は、第１のダイの第１の金属層および第３の金属層、一組のはんだボールおよび第２のダイの第２の金属層とともに、インダクタとして動作するように構成することができる。
【００８９】
図１３は、２つのパッケージ基板および一組のはんだボールによって画定されるインダクタを製造し／提供するための方法の流れ図を示したものである。いくつかの実施態様では、図１３の方法は、図１１で説明したインダクタを製造し／提供するために実施することができる。
【００９０】
図１３に示されているように、方法は、（１３０５で）第１の金属層を含む第１のパッケージ基板を提供する。いくつかの実施態様では、第１のパッケージ基板は、追加金属層（たとえば第３の金属層）を含むことができる。パッケージ基板は、いくつかの実施態様では一つまたは複数のダイを含むことができる。方法は、（１３１０で）一組のはんだボールを第１のパッケージ基板に結合する。
【００９１】
方法は、（１３１５で）一組のはんだボールを含んだ第１のパッケージ基板を第２のパッケージ基板にさらに結合する。第２のパッケージ基板は第２の金属層を含む。いくつかの実施態様では、第２のパッケージ基板は、追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）を含むことができる。また、第２のパッケージ基板は、いくつかの実施態様では一つまたは複数のダイを含むことも可能である。第１のパッケージ基板が第２のパッケージ基板に結合されると、第１のパッケージ基板の第１の金属層、一組のはんだボールおよび第２のパッケージ基板の第２の金属層は、インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実施態様では、第２のパッケージ基板の追加金属層（たとえば第４の金属層、第５の金属層）は、第１のパッケージ基板の第１の金属層および第３の金属層、一組のはんだボールおよび第２のパッケージ基板の第２の金属層とともに、インダクタとして動作するように構成することができる。
【００９２】
例示的電子デバイス
図１４は、任意の上記集積回路、ダイまたはパッケージと統合することができる様々な電子デバイスを示したものである。たとえばモバイル電話１４０２、ラップトップコンピュータ１４０４および固定位置端末１４０６は、本明細書において説明されているように集積回路（ＩＣ）１４００を含むことができる。ＩＣ１４００は、たとえば本明細書において説明されている任意の集積回路、ダイまたはパッケージであってもよい。図１４に示されているデバイス１４０２、１４０４、１４０６は、単なる例示的なものにすぎない。また、他の電子デバイスも、それらに限定されないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、パーソナルデジタルアシスタントなどの携帯型データユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、計器読取り設備などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、またはデータあるいはコンピュータ命令を記憶し、あるいは検索する任意の他のデバイス、あるいはそれらの組合せを始めとするＩＣ１４００を特徴とすることができる。
【００９３】
図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０、図１１、図１２、図１３および／または図１４に示されている構成要素、ステップ、特徴および／または機能のうちの一つまたは複数は、配置し直すことが可能であり、および／または単一の構成要素、ステップ、特徴または機能に結合し、あるいは複数の構成要素、ステップまたは機能で具体化することができる。本発明から逸脱することなく、追加要素、構成要素、ステップおよび／または機能を加えることも可能である。
【００９４】
図に示されている構成要素、ステップ、特徴および／または機能のうちの一つまたは複数は、配置し直すことが可能であり、および／または単一の構成要素、ステップ、特徴または機能に結合し、あるいは複数の構成要素、ステップまたは機能で具体化することができる。本明細書において開示されている新規な特徴から逸脱することなく、追加要素、構成要素、ステップおよび／または機能を加えることも可能である。図に示されている装置、デバイスおよび／または構成要素は、図で説明した方法、特徴またはステップのうちの一つまたは複数を実施するように構成することができる。また、本明細書において説明されている新規なアルゴリズムは、ソフトウェアの中で効果的に実施し、および／またはハードウェアの中で効果的に具体化することができる。
【００９５】
「例示的」という語は、本明細書においては、「例、例証または実例として働く」ことを意味するべく使用されている。本明細書において「例示的」として説明されている任意の実施態様または態様は、必ずしも、本開示の他の態様よりも好ましいものとして、あるいは有利なものとして解釈してはならない。同様に、「態様」という用語は、説明されている特徴、利点または動作モードを含む、本開示のすべての態様を必要とするわけではない。「結合された」という用語は、本明細書においては、２つの対象の間の直接結合または間接結合を意味するべく使用されている。たとえば対象Ａが対象Ｂに物理的に接触し、また、対象Ｂが対象Ｃと接触している場合、対象Ａおよび対象Ｃは、それらが互いに物理的に直接接触していない場合であっても、互いに結合されている、と見なすことができる。「ダイパッケージ」という用語は、カプセル化またはパッケージ化された集積回路ウェーハを意味するべく使用されている。
【００９６】
また、実施形態は、フローチャート、流れ図、構造図またはブロック図として描かれているプロセスとして記述することができることに留意されたい。フローチャートは、逐次プロセスとしての操作を記述することができるが、操作のうちの多くは、並列つまり同時に実施することができる。さらに、操作の順序は並べ替えることができる。プロセスは、その操作が完了すると終了する。プロセスは、方法、機能、手順、サブルーチン、サブプログラム、等々に対応していてもよい。プロセスが機能に対応している場合、その終了は、呼出し機能または主機能へのその機能の戻りに対応する。
【００９７】
本明細書において開示されている実施形態に関連して説明されている様々な実例論理ブロック、モジュール、回路およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェアまたはそれらの組合せとして実施することができることは当業者にはさらに理解されよう。ハードウェアおよびソフトウェアのこの互換性を明確に説明するために、様々な実例構成要素、ブロック、モジュール、回路およびステップは、上では、概ねそれらの機能の点で説明されている。そのような機能がハードウェアとして実施されるか、あるいはソフトウェアとして実施されるかどうかは、総合システムに課される特定のアプリケーションおよび設計制約で決まる。
【００９８】
本明細書において説明されている本発明の様々な特徴は、本発明から逸脱することなく、異なるシステムの中で実施することができる。本開示の上記態様は単なる例にすぎず、本発明を制限するものとして解釈してはならないことに留意されたい。本開示の態様についての説明には、実例による説明的なものであり、特許請求の範囲を制限するものではないことが意図されている。したがって本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、また、当業者には多くの代替、変更態様および変形形態が明らかであろう。
【符号の説明】
【００９９】
１００、２００  ダイ
１０２  パッケージング基板
１０４、２０４、３０８、４０６、５０８、１００４  はんだボール（はんだ）
１０６、２０２  プリント回路板（ＰＣＢ）
１０８、２０６、３００、４００、５００、１００６、１１１６  インダクタ
２０２ａ  第１のＰＣＢ層
２０２ｂ  第２のＰＣＢ層
２０２ｃ  第３のＰＣＢ層
２１０、１０１０、１０３０  第１のセットの金属層（積み重ねられた金属層）
２１２、３０６、５０５、５１２、１０１２、１０３２  ビア
２１４、１０１４、１０３４  パッシベーション層
２１６、１０１６、１０３６  第１のポリイミド層
２１８、３０４、４０４、５０４、１０１８、１０３８  第２の金属層（銅層）
２２０、１０２０、１０４０  第２のポリイミド層
２２２、１０２２、１０４２  アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
２２４、３１０、４０８  トレース（金属層）
３０２、４０２、５０２  第１の金属層
５０６  第３の金属層
５０８ａ  第１のはんだボール
５０８ｂ  第２のはんだボール
５０８ｃ  第３のはんだボール
５０８ｄ  第４のはんだボール
５０８ｅ  第５のはんだボール
５１０  第４の金属層
５１４  第５の金属層
１０００、１１０４  第１のダイ
１００２、１１１０  第２のダイ
１１００  ＰｏＰ構造
１１０２  第１のパッケージ基板
１１０６  第１のセットのはんだボール
１１０８  第２のパッケージ基板
１１１２  第３のダイ
１１１４  第２のセットのはんだボール
１１１４ａ、１１１４ｂ  はんだボール
１１１８  第１のパッケージ基板１１０２の金属層
１１２０  第２のパッケージ基板１１０８の金属層
１４００  集積回路（ＩＣ）
１４０２  モバイル電話
１４０４  ラップトップコンピュータ
１４０６  固定位置端末
【図１】
2016510172.tif 000003
【図２】
2016510172.tif 000004
【図３】
2016510172.tif 000005
【図４】
2016510172.tif 000006
【図５】
2016510172.tif 000007
【図６】
2016510172.tif 000008
【図７】
2016510172.tif 000009
【図８】
2016510172.tif 000010
【図９】
2016510172.tif 000011
【図１０】
2016510172.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2016510172.tif 000014
【図１３】
2016510172.tif 000015
【図１４】
2016510172.tif 000016
【国際調査報告】
2016510172.tif 000017
2016510172.tif 000018
2016510172.tif 000019