(57)【要約】  本発明では、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ用の基板と、金属酸化物半導体電界効果トランジスタとを開示する。前記基板は、ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）と、前記ドリフト領域（１０）上に配置された、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）と、前記第１の層上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（２０）と、ｐ＋型注入により形成された接続部（４１）とを有し、前記第１の層（２０）は前記接続部（４１）に電気的にコンタクトしており、かつ、前記第１の層（２０）は横方向では、当該接続部（４１）とトレンチとの間に配置されており、前記トレンチは、前記ドリフト領域と、前記第１の層（２０）と、前記第２の層（３０）とに形成されている。前記基板は、前記ｐ＋型注入の注入深さ（Ｐ）が少なくとも、前記トレンチの深さに等しいことを特徴とする。このように深いｐ＋型注入により、電界がゲート酸化物を迂回するので、当該ｐ＋型注入は、ゲート酸化物に電界が作用することがなくなるように、隣接するトレンチ同士を離隔することができる。
2016521461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）と、
前記ドリフト領域（１０）上に配置された、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）と、
前記第１の層（２０）上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）と、
ｐ＋型注入により形成された接続部（４１，４２，４３）と
を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ用の基板であって、
前記第１の層（２０）は前記接続部（４１，４２，４３）に電気的にコンタクトしており、かつ、前記第１の層（２０）は横方向では、当該接続部（４１，４２，４３）とトレンチとの間に配置されており、
前記トレンチは、前記第１の層（２０）と、前記第２の層（３０）と、前記ドリフト領域（１０）とに形成されている基板において、
前記ｐ＋型注入の注入深さ（Ｐ）は、少なくとも、前記トレンチの深さと等しい
ことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第１の層（２０）内に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内にゲート電極（５０）が配置されている、
請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記ゲート電極（５０）は、少なくとも前記トレンチ（９０）の底部を覆う酸化物層（５５）上に形成されている、
請求項２記載の基板。
【請求項４】
前記接続部（４１，４２，４３）は、前記第１の層（２０）内と前記ドリフト領域内とに形成されている、
請求項１から３までのいずれか１項記載の基板。
【請求項５】
前記接続部（４１，４３）は、前記第２の層（３０）内にも形成されている、
請求項４記載の基板。
【請求項６】
前記接続部（４２）は、前記第１の層（２０）のうち前記第２の層（３０）に覆われていない領域に形成されており、
凹部が生じるように、前記第２の層（３０）は当該領域において一部除去されている、
請求項４記載の基板。
【請求項７】
前記注入深さは、前記トレンチの深さより数百ｎｍ深い、
請求項１から６までのいずれか１項記載の基板。
【請求項８】
ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）と、
前記ドリフト領域（１０）上に配置された、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）と、
前記第１の層（２０）上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）と、
前記第１の層（２０）に電気的にコンタクトする、ｐ＋型注入により形成された接続部（４１，４２，４３）と
を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタであって、
前記第１の層（２０）と前記第２の層（３０）と前記ドリフト領域（１０）とにトレンチが形成されており、
前記第１の層（２０）が横方向では前記トレンチと前記接続部（４１，４２，４３）との間に位置し、当該第１の層（２０）に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内に酸化物層が配置されており、当該酸化物層上にゲート電極（５０）が配置されている、金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおいて、
前記ｐ＋型注入の注入深さは、少なくとも、前記トレンチの深さに等しい
ことを特徴とする金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。
【請求項９】
ａ．ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）を設けるステップと、
ｂ．前記ドリフト領域（１０）上に、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）を配置し、当該第１の層（２０）上に、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）を配置するステップと、
ｃ．前記第１の層（２０）が接続部（４１，４２，４３）に電気的にコンタクトするように、ｐ＋型注入によって当該接続部（４１，４２，４３）を形成するステップと、
ｄ．前記第１の層（２０）と前記第２の層（３０）と前記ドリフト領域（１０）とにトレンチを形成するステップと、
ｅ．前記第１の層（２０）が横方向では前記トレンチと前記接続部（４１，４２，４３）との間に位置し、当該第１の層（２０）に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内にゲート酸化物を形成し、当該トレンチ内にゲート電極（５０）を配置するステップと
を有する、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１０１，１０２，１０３）の製造方法において、
前記ｐ＋型注入の注入深さを、少なくとも、前記トレンチの深さと等しくする
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有する電力用スイッチを備えていることを特徴とする自動車。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタと、金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法とに関する。
【０００２】
従来技術
炭化シリコン層を含む基板が、標準的な部品にますます使用されてきている。たとえば阻止できる最大電圧が１．２ｋＶを上回るパワー半導体は、炭化シリコン層を含む基板を用いて、トレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（Trench-MOSFET）として実現される。このようなパワー半導体はたとえば、電気自動車、すなわちたとえばリチウムイオン電池型のバッテリー等のバッテリーを備えた自動車や、太陽電池設備に用いられる。マイクロメカニカルシステムも、炭化シリコン層を含む基板を用いて実現することができる。マイクロメカニカルシステムの場合には、基板はさらに、二酸化シリコン層、硝酸ケイ素層、または、シリコン層に炭化シリコン層を成膜したものを含むことができる。
【０００３】
トレンチＭＯＳＦＥＴを実現するためには、たとえば、炭化シリコン層が六方晶結晶構造を有しかつｎ型ドープされている基板（ｎ型ドープ４Ｈ‐ＳｉＣ基板）が用いられる。その炭化シリコン層と、低濃度ｎ型ドープされたエピタキシャル炭化シリコンドリフト領域（ｎ型ドリフト領域）との間に、ｎ型ドープされたエピタキシャル炭化シリコンバッファ層が配置されている。
【０００４】
従来技術のトレンチＭＯＳＦＥＴ１００の上述の構成を、図１に示す。ｎ型ドープされた４Ｈ‐ＳｉＣ基板１０上に、高濃度ｐ型ドープ炭化シリコン層（ｐ−型層）２０が配置されている。この高濃度ｐ型ドープ炭化シリコン層（ｐ−型層）２０は、エピタキシャル成長または注入によって作製することができる。ｐ−型層２０の一部分に、高濃度ｎ型ドープ炭化シリコン層（ｎ＋型ソース）３０が配置されている。この高濃度ｎ型ドープ炭化シリコン層（ｎ＋型ソース）３０もエピタキシャル成長または注入によって作製することができ、ソース端子として機能する。その際には、４Ｈ‐ＳｉＣ基板１０の裏面がドレイン端子として機能する。ｎ＋型ソース３０の隣には、ｐ−型層２０内部まで注入を行うことによりｐ＋型端子（ｐ＋型プラグ）４０が形成されており、これにより、ｐ＋型プラグ４０の上面がｎ＋型ソース３０の上面と繋がり、このｐ＋型プラグ４０がチャネル電位を規定するように機能することができる。ｐ−型層２０およびｎ＋型ソース３０は、１つの開口部によってパターニングされている。この開口部は、ｎ型ドリフト領域１０をパターニングするためのトレンチの上方に位置する。この開口部の断面の幅は一定である。トレンチも、底部分を除いて一定の幅を有する。底部分においてだけは、トレンチの幅は上記パターニングに起因して細くなっているので、このトレンチの断面の形状はポット形になっている。したがって、トレンチの断面は凸形である。
【０００５】
トレンチには、パターニングに応じてゲート酸化物を被膜することができる。これに代えて択一的に、またはこれと併用して、トレンチの底部に高濃度ドープされた注入部（６０）を設けることも可能である。その後、トレンチ内にゲート電極５０を成膜する。このようにすると、ｐ−型層２０内に縦方向チャネル領域が形成される。このことにより、並列接続される複数のトランジスタの実装密度を、チャネル領域が横方向であるトランジスタよりも高密度化することができる。
【０００６】
使用時には、パターニングに起因して生じた、トレンチの側壁から当該トレンチの底部までの上述の移行部分により、この領域において非常に高い電界強度が生じ、この電界強度は、逆方向時に酸化物層が電気的に降伏する降伏閾値を上回り、これによって素子が損傷してしまう。
【０００７】
発明の開示
本発明では、請求項１に記載の、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ用の基板と、請求項２に記載の当該基板の製造方法とを開示する。本発明ではさらに、請求項８に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタと、請求項９に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ製造方法とを開示する。最後に本発明では、請求項１０に記載の自動車も開示する。
【０００８】
本発明にて開示する基板は、
ｎ型ドープされたエピタキシャルドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に配置された、ｐ−型ドープされた第１のエピタキシャル層と、
前記第１の層上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層と、
ｐ＋型注入により形成された接続部と
を有し、
前記第１の層は前記接続部に電気的にコンタクトし、横方向では当該接続部とトレンチとの間に配置されており、
前記トレンチは、前記第１の層と、前記第２の層と、前記ドリフト領域との間に形成されている。前記基板は、前記ｐ＋型注入の注入深さが少なくとも、前記トレンチの深さに等しいことを特徴とする。
【０００９】
このように深いｐ＋型注入により、電界がゲート酸化物を迂回するので、当該ｐ＋型注入は、ゲート酸化物に電界が作用することがなくなるように、隣接するトレンチ同士を離隔することができる。さらに、ボディダイオードを純粋なｐｎ接合ダイオードとすることもできる。
【００１０】
上述の基板を金属酸化物半導体電界効果トランジスタとして用いるためには、一実施形態では、前記第１の層内に縦方向チャネル領域が形成されるように、前記トレンチ内にゲート電極を配置することができる。
【００１１】
その際にはゲート電極は、前記トレンチの少なくとも底部を覆う酸化物層上に形成することができる。このようにして、前記縦方向チャネル領域とゲート端子との間に電流が流れるのを防止することができる。
【００１２】
前記接続部は、前記第１の層とドリフト領域とに形成することができる。とりわけ前記接続部は、第１の層とドリフト領域とにのみ形成することができ、第１の層のうち、当該第１の層が第２の層により覆われていない領域に形成される。その際には第２の層はこの領域において、凹部を形成するように一部除去されている。このようにすると、接続部の総厚が薄くなり、注入深さがより浅い注入装置を用いることができる。
【００１３】
また、前記接続部を更に第２の層にも形成することが可能である。このことにより、従来技術の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ用に設計された部品との両立性を実現することができる。
【００１４】
注入深さは、トレンチの深さより１００ｎｍまたは数百ｎｍ深くすることができる。このようにすると、ゲート酸化物の特に良好な遮蔽を実現できる。
【００１５】
本発明にて開示している金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、ｎ型ドープされたエピタキシャルドリフト領域と、当該ドリフト領域上に配置された、ｐ−型ドープされた第１のエピタキシャル層と、当該第１の層上に配置された第２の高濃度ｎ型ドープ層とを含む。さらに、ｐ＋型注入により形成された接続部も備えられており、当該接続部には前記第１の層が電気的コンタクトしている。前記第１の層と、前記第２の層と、前記ドリフト領域とにトレンチが形成されており、第１の層が横方向ではトレンチと接続部との間に配置されて、第１の層内に縦方向チャネル領域を形成できるように、このトレンチ内に酸化物層が配置され、その上にゲート電極が配置されている。前記金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、ｐ＋型注入の注入深さが少なくとも、トレンチの深さと等しいことを特徴とする。
【００１６】
このように深いｐ＋型注入により、電界がゲート酸化物を迂回するので、当該ｐ＋型注入は、ゲート酸化物に電界が作用することがなくなるように、隣接するトレンチ同士を離隔することができる。さらに、ボディダイオードを純粋なｐｎ接合ダイオードとすることもできる。
【００１７】
本発明にて開示している金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法は、
ｎ型ドープされたエピタキシャルドリフト領域を設けるステップと、
前記ドリフト領域上に、ｐ−型ドープされた第１のエピタキシャル層を配置し、当該第１の層上に、高濃度ｎ型ドープされた第２の層を配置するステップと、
前記第１の層が接続部と電気的にコンタクトするように、ｐ＋型注入によって当該接続部を形成するステップと
を含む。
他のステップとして、
前記第１の層と、前記第２の層と、前記ドリフト領域とにトレンチを形成するステップ、および、
前記第１の層が横方向では前記トレンチと前記接続部との間に位置し、当該第１の層に縦方向チャネル領域を形成できるように、当該トレンチ内にゲート酸化物を形成し、当該トレンチ内にゲート電極を配置するステップ
がある。
前記製造方法は、前記ｐ＋型注入の注入深さを少なくとも、前記トレンチの深さに等しくすることを特徴とする。
【００１８】
本発明の自動車は、本発明の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを含む電力用スイッチを備えている。
【００１９】
本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されており、これについて本明細書にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来技術のトレンチＭＯＳＦＥＴを示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴを示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴを示す図である。
【００２１】
図面と、下記の記載とに基づいて、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２２】
本発明の種々の対象において用いられるような、トレンチの深さに少なくとも等しい大きさのｐ＋型注入部を実現できる態様は、種々存在する。
【００２３】
図２，３および４に、本発明のトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１，１０２，１０３の実施例を示す。このトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１，１０２，１０３はたとえば、自動車の電力用スイッチにおいて用いることができる。
【００２４】
本発明の本実施形態のトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１，１０２，１０３に用いられる材料例は、六方晶結晶構造のｎ型ドープ炭化シリコン層（４Ｈ‐ＳｉＣ基板）および低濃度ｎ型ドープされたエピタキシャル炭化シリコンドリフト領域（ｎ型ドリフト領域）１０であり、これらの間にｎ型ドープされた炭化シリコンバッファ層が介挿されている。これをベースとして、その上に、高濃度ｐ型ドープされたエピタキシャル炭化シリコン層（ｐ−型層）２０が設けられている。次の層として、高濃度ｎ型ドープされた炭化シリコン層（ｎ＋型ソース）３０をエピタキシャル成長または注入によって作製する。このｎ型ドープ炭化シリコン層３０は、ソース端子として機能する。４Ｈ‐ＳｉＣ基板１０の裏面は、ドレイン端子として機能する。
【００２５】
基板の横方向領域において、少なくとも第１の層２０とドリフト領域１０とに、ｐ＋型注入によって接続部４１，４２が形成されており、この接続部４１，４２は第１の層２０と電気的にコンタクトしている。基板の他の横方向領域に、トレンチが形成されている。前記横方向領域と前記他の横方向領域との間に、（ｐ−型層）２０およびｎ＋型ソース３０が位置している。少なくともトレンチの底部にゲート酸化物５５が成膜されており、このゲート酸化物５５上に、たとえば多結晶シリコンから成るゲート電極５０が配置されている。前記ｐ＋型注入の注入深さＰは、少なくとも前記トレンチの深さと等しい。
【００２６】
さらに、トレンチの側壁にもゲート酸化物５５を成膜することが可能である。
【００２７】
図２は、本発明の第１の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１を示す図である。同図では接続部４１は、ドリフト領域１０内と第１の層２０内と第２の層３０内とに注入することによって作製されている。よって、前記接続部４１の上面は横方向に、ｎ＋型ソース３０の上面と繋がっている。
【００２８】
図３は、本発明の第２の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１を示す図である。同図では、接続部４２はドリフト領域１０内と第１の層２０内とにのみ注入されることによって作製されている。第２の層３０と第１の層２０の一部とが、この注入前に除去されている。よって、接続部４２の上面はｎ＋型ソース３０の上面より低位置にあり、かつ、ｐ−型層２０の上面よりも低位置にある。
【００２９】
図４は、本発明の第３の実施例のトレンチＭＯＳＦＥＴ１０１を示す図である。同図でも接続部４３は、ドリフト領域１０内と第１の層２０内と第２の層３０内とに注入することによって作製されている。よって、接続部４３の上面は第１の実施例と同様、横方向ではｎ＋型ソース３０の上面に繋がっている。第３の実施例ではさらに、少なくともトレンチの底部においてゲート酸化物５５の厚さが増大している。
【００３０】
ｎ型ドープされた六方晶結晶構造の炭化シリコン層（４Ｈ−ＳｉＣ基板）と低濃度ｎ型ドープされたエピタキシャル炭化シリコンドリフト領域（ｎ型ドリフト領域）１０との間にｎ型ドープされた炭化シリコンバッファ層を介挿したものを備えた上記の初期材料例は、特に、本発明の製造方法の実施例において使用することができる。まず最初に、この初期材料をベースとして、その上に、高濃度ｐ型ドープされた炭化シリコン層（ｐ−型層）２０がエピタキシャル成長または注入によって作製されている。次の層として、高濃度ｎ型ドープされた炭化シリコン層（ｎ＋型ソース）３０をエピタキシャル成長または注入によって作製する。このｎ型ドープ炭化シリコン層３０は、ソース端子として機能する。４Ｈ‐ＳｉＣ基板１０の裏面は、ドレイン端子として機能する。
【００３１】
オプションとして、前記横方向領域においてｎ＋型ソース３０を完全に除去し、かつ、ｐ−型層２０を一部除去する。その後、この横方向領域においてｐ＋型注入によって接続部を形成する。ここで使用される注入装置は、当該接続部がｐ−型層２０を完全に貫通してドリフト領域１０内部まで達するほど深い注入深さで注入を実現することができる。注入欠陥を完全に治癒するため、および／または、注入物質を活性化するため、高温処理を行うことができる。
【００３２】
ここで、前記他の横方向領域においてトレンチを形成する。こうするためにはたとえば、マスク材料を堆積し、トレンチの幅に応じて当該マスク材料をパターニングし、パターニングした当該マスク材料を用いて前記トレンチをエッチング形成する。その際にはこのトレンチは、ｎ＋型ソース３０とｐ−型層２０とを貫通してドリフト領域１０内にまで達するように形成される。このエッチング深さは、トレンチがドリフト領域１０内に進入する距離が最大でも接続部４３と等しくなるように選択される。有利には、接続部４３がドリフト領域１０内に侵入する深さはトレンチより深く、たとえば、トレンチより１００ｎｍまたは数百ｎｍ深い。
【００３３】
トレンチ形状を適合調整するため、上記のトレンチ形成は更に高温処理工程を含むことができる。
【００３４】
次に、ゲート酸化物５５をトレンチ内に堆積させる。これに代えて択一的に、またはこれと併用して、ガス雰囲気中に置くことにより熱酸化を行うことができる。このガス雰囲気はたとえば、一酸化窒素および／または一酸化二窒素を含有するガス雰囲気等である。オプションとして、トレンチの底部領域においてゲート酸化物５５の厚さを増大することができる。
【００３５】
次に、このゲート酸化物５５上にゲート電極５０を配置する。このゲート電極５０はたとえば、多結晶シリコンから成る。ゲート電極５０を更にパターニングすることも可能である。
【００３６】
上述のようにして製造されたトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、電動自動車または太陽電池設備用のパワー半導体部品において使用することができる。
【図１】
2016521461.tif 000003
【図２】
2016521461.tif 000004
【図３】
2016521461.tif 000005
【図４】
2016521461.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月16日(2015.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）と、
前記ドリフト領域（１０）上に配置された、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）と、
前記第１の層（２０）上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）と、
ｐ＋型注入により形成された接続部（４１，４２，４３）と
を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ用の基板であって、
前記第１の層（２０）は前記接続部（４１，４２，４３）に電気的にコンタクトしており、かつ、前記第１の層（２０）は横方向では、当該接続部（４１，４２，４３）とトレンチとの間に配置されており、
前記トレンチは、前記第１の層（２０）と、前記第２の層（３０）と、前記ドリフト領域（１０）とに形成されており、
前記ｐ＋型注入の注入深さ（Ｐ）は、前記トレンチの深さと等しい又は前記トレンチの深さより深く、
前記接続部（４１，４２，４３）は、前記第１の層（２０）内と前記ドリフト領域内とに形成されており、
前記接続部（４２）は、前記第１の層（２０）のうち前記第２の層（３０）に覆われていない領域に形成されている、基板において、
凹部が生じるように、前記第１の層（２０）は当該領域において一部除去されていることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記第１の層（２０）内に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内にゲート電極（５０）が配置されている、
請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記ゲート電極（５０）は、少なくとも前記トレンチ（９０）の底部を覆う酸化物層（５５）上に形成されている、
請求項２記載の基板。
【請求項４】
ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）と、
前記ドリフト領域（１０）上に配置された、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）と、
前記第１の層（２０）上に配置された、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）と、
前記第１の層（２０）に電気的にコンタクトする、ｐ＋型注入により形成された接続部（４１，４２，４３）と
を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタであって、
前記第１の層（２０）と前記第２の層（３０）と前記ドリフト領域（１０）とにトレンチが形成されており、
前記第１の層（２０）が横方向では前記トレンチと前記接続部（４１，４２，４３）との間に位置し、当該第１の層（２０）に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内に酸化物層が配置されており、当該酸化物層上にゲート電極（５０）が配置されており、
前記ｐ＋型注入の注入深さは、前記トレンチの深さに等しい又は前記トレンチの深さより深く、
前記接続部（４１，４２，４３）は、前記第１の層（２０）内と前記ドリフト領域内とに形成されており、
前記接続部（４２）は、前記第１の層（２０）のうち前記第２の層（３０）に覆われていない領域に形成されている、金属酸化物半導体電界効果トランジスタにおいて、
凹部が生じるように、前記第１の層（２０）は当該領域において一部除去されている
ことを特徴とする金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。
【請求項５】
ａ．ｎ型ドープされたエピタキシャルのドリフト領域（１０）を設けるステップと、
ｂ．前記ドリフト領域（１０）上に、ｐ−型ドープされたエピタキシャルの第１の層（２０）を配置し、当該第１の層（２０）上に、高濃度ｎ型ドープされた第２の層（３０）を配置するステップと、
ｃ．前記第１の層（２０）が接続部（４１，４２，４３）に電気的にコンタクトするように、前記第１の層（２０）内と前記ドリフト領域内とにｐ＋型注入によって当該接続部（４１，４２，４３）を、当該第１の層（２０）のうち前記第２の層（３０）に覆われていない領域に形成するステップと、
ｄ．前記第１の層（２０）と前記第２の層（３０）と前記ドリフト領域（１０）とにトレンチを形成するステップと、
ｅ．前記第１の層（２０）が横方向では前記トレンチと前記接続部（４１，４２，４３）との間に位置し、当該第１の層（２０）に縦方向のチャネル領域（２５）が形成されるように、前記トレンチ内にゲート酸化物を形成し、当該トレンチ内にゲート電極（５０）を配置するステップと
を有する、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１０１，１０２，１０３）の製造方法であって、
前記ｐ＋型注入の注入深さを、前記トレンチの深さと等しく又は前記トレンチの深さより深くする製造方法において、
凹部が生じるように、前記第１の層（２０）を前記領域において一部除去する
ことを特徴とする製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを有する電力用スイッチを備えていることを特徴とする自動車。
【国際調査報告】
2016521461.tif 000007
2016521461.tif 000008
2016521461.tif 000009
2016521461.tif 000010
2016521461.tif 000011
2016521461.tif 000012