(57)【要約】【解決手段】フォトダイオード（２）と、発光ダイオード（３）と、プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）とを備える電気ユニット（１）が提供される。電気光学ユニットは、第１（１２）、第２（１３）、および第３（１４）の制御端子をさらに有し、フォトダイオード（２）およびプログラマブル抵抗素子（４）は、第１（１２）および第３（１４）の制御端子の間で直列で連結され、発光ダイオード（３）およびプログラマブル抵抗素子（４）は、第２（１３）および第３（１４）の制御端子の間で連結される。発光ダイオードの１つの電極（２ａ／２ｃ）、フォトダイオードの１つの電極（３ａ）、およびプログラマブル抵抗性メモリ素子の端子（４ａ）は、共通してノード（５）で接続される。第１の極性のリセット電圧を第１の端子（１２）に印加することによって、プログラマブル抵抗性メモリ素子を導電状態／非導電状態にリセットした後、リセット電圧とは反対の極性のプログラミング電圧が前記第１の制御端子（１２）に印加される。その結果、プログラマブル抵抗性メモリ素子がプログラミング電圧に応答して非導電状態／導電状態に変化する程度は、フォトダイオード（２）にも受け取られる放射強度に依存する。それに加えて、それらの第１（１２）、第２（１３）、および第３（１４）の制御端子がそれぞれの第１、第２、および第３の共通の制御線に連結された、複数の電気光学ユニット（１）を備える電気光学デバイスが提供される。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極（２ａ、２ｃ、３ａ、３ｃ）と第１および第２の端子（４ａ、４ｂ）を有するプログラマブル抵抗性メモリ素子（４）とをそれぞれ有するフォトダイオード（２）および発光ダイオード（３）を備え、第１、第２、および第３の制御端子（１２、１３、１４）をさらに有し、前記フォトダイオード（２）および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が前記第１の制御端子（１２）と前記第３の制御端子（１４）との間で直列で連結され、前記発光ダイオード（３）および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が前記第２の制御端子（１３）と前記第３の制御端子（１４）との間で直列で連結される電気光学ユニット（１）であって、前記電気光学ユニットが、前記フォトダイオード（２）の前記第１および第２の電極の一方、前記発光ダイオード（３）の前記第１および第２の電極の一方、および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）の前記第１および第２の端子の一方が共通して接続される共通のノード（５）を含み、前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が、前記プログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子間で第１の電圧を印加することによって、導電状態でプログラム可能であり、前記プログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子間で第２の電圧を印加することによって、非導電状態でプログラム可能である電気光学ユニット（１）。
【請求項２】
前記フォトダイオード（２）が、前記第１の制御端子（１２）から前記第３の制御端子（１４）までの経路において、前記第２の制御端子（１３）から前記第３の制御端子（１４）までの経路における前記発光ダイオードと同じ方向で配置される請求項１に記載の電気光学ユニット（１）。
【請求項３】
前記フォトダイオード（２）が、前記第１の制御端子（１２）から前記第３の制御端子（１４）までの経路において、前記第２の制御端子（１３）から前記第３の制御端子（１４）までの経路における前記発光ダイオードと反対方向で配置される請求項１に記載の電気光学ユニット（１）。
【請求項４】
前記電気光学ユニットが、それぞれの共通の第１の制御線（２２）、第２の制御線（２３）、および第３の制御線（２４）にそれぞれ連結された、第１の制御端子（１２）、第２の制御端子（１３）、および第３の制御端子（１４）を有する請求項１に記載の複数の電気光学ユニットを有する電気光学デバイス。
【請求項５】
前記電気光学ユニットが、それぞれの共通の第１の制御線（２２）、第２の制御線（２３）、および第３の制御線（２４）にそれぞれ連結された、第１の制御端子（１２）、第２の制御端子（１３）、および第３の制御端子（１４）を有する請求項２に記載の複数の電気光学ユニットを有する電気光学デバイス。
【請求項６】
前記電気光学ユニットが、それぞれの共通の第１の制御線（２２）、第２の制御線（２３）、および第３の制御線（２４）にそれぞれ連結された、第１の制御端子（１２）、第２の制御端子（１３）、および第３の制御端子（１４）を有する請求項３に記載の複数の電気光学ユニットを有する電気光学デバイス。
【請求項７】
相互に異なる感度タイプの電気光学ユニット（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）を備える請求項４に記載の電気光学デバイス。
【請求項８】
前記第１の制御線（２２）と前記第３の制御線（２４）との間で、前記電気光学デバイスにおける前記電気光学ユニットの前記フォトダイオード（２）の順方向バイアス状態に対応する極性を有する、および／または、前記第２の制御線（２３）と前記第３の制御線（２４）との間で、前記電気光学デバイスにおける前記電気光学ユニットの前記発光ダイオード（３）の順方向バイアス状態に対応する極性を有するリセット電圧（Ｖ１）を印加するステップと、
続いて、前記第１の制御線（２２）と前記第３の制御線との間で、前記リセット電圧と反対の極性を有するプログラム電圧（Ｖ２）を印加し、前記複数の電気光学ユニットに放射パターンを適用するステップであって、前記プログラム電圧の印加および前記放射パターンの適用が時間的に少なくとも部分的に重なり合うステップを含む請求項５に記載の前記電気光学デバイスを動作させる方法。
【請求項９】
前記第１の制御線（２２）と前記第３の制御線（２４）との間で、前記フォトダイオード（２）の順方向バイアス状態に対応する極性を有するリセット電圧（Ｖ４）を印加するステップと、
続いて、前記第１の制御線（２２）と前記第３の制御線（２４）との間で、前記リセット電圧とは反対の極性を有するプログラム電圧（Ｖ５）を印加し、前記複数の電気光学ユニットに放射パターンを適用するステップであって、前記プログラム電圧（Ｖ４）の印加および前記放射パターンの適用が時間的に少なくとも部分的に重なり合うステップを含む請求項６に記載の前記電気光学デバイスを動作させる方法。
【請求項１０】
前記第２の制御線（２３）と前記第３の制御線（２４）との間で、前記発光ダイオード（２）の順方向バイアス状態に対応する極性と、前記リセット電圧（Ｖ１）および前記プログラム電圧（Ｖ２）よりも小さい大きさとを有するディスプレイ電圧（Ｖ３、Ｖ６）を印加するステップをさらに含む請求項８または９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学ユニットに関する。
【０００２】
本発明はさらに、電気光学デバイスに関する。
【０００３】
本発明はさらにまた、電気光学デバイスを動作させる方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
デジタル情報表示デバイスは、一般的に、表示素子を含むマトリクスと、行および列アドレッシング機構とを備える。特定の表示素子は、それに対応する列および行を活性化することによって、アドレッシングすることができる。マトリクス表示は、パッシブまたはアクティブアドレッシングを使用してもよい。後者の場合、１つ以上のトランジスタまたは他のスイッチング素子が各ピクセルに対して設けられる。パッシブアドレッシングは比較的小さいディスプレイの場合に可能である。比較的多数のピクセルを有する、より大きいディスプレイは、高解像度であること、および／または物理的サイズが大きいことにより、アクティブアドレッシングを要する。これには多数の構成要素を要し、そのため、ディスプレイが高価になり、製造が困難になる。
【０００５】
米国特許公開２００３／０２０１９５６は、複数の表示セルを備えるディスプレイを開示していることに留意されたい。表示セルの少なくとも１つは、フォトダイオードなどの光センサと、光センサに連結された表示素子（例えば、ＬＥＤ）と、光センサに連結されたメモリとを備える。一実施形態では、メモリはエネルギー蓄積素子とスイッチセレクタとを備える。スイッチは、ゲート、ソース、およびドレインを有し、ゲートがスイッチセレクタであり、ドレインがスイッチ入力であり、ソースがスイッチ出力である、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）として提供されてもよい。別の実施形態では、メモリは状態機械である。ディスプレイは光学的にアドレッシング可能である。これには、アドレッシング可能な各表示セルをディスプレイ内へと配線するための制御信号を要しないという利点がある。光学的にアドレッシング可能なディスプレイは、ピクセル毎に要する構成要素が少ないままで、大型サイズおよび／または高解像度へと簡単に拡大することができる。
【０００６】
さらに、米国特許公開２０１０／００１３４４７２は、マルチビットのプログラマブル抵抗素子を有し、プログラムセレクタとしてダイオードを使用するマルチビットのプログラマブル抵抗セルに関する方法およびシステムを開示していることに留意されたい。マルチビットのプログラマブル抵抗素子のプログラミングは、初期のプログラム電圧（または電流）および持続時間を有するプログラムパルスを印加することによって開始することができる。読取り検証サイクルがそれに続いて、所望の抵抗レベルに達したかを判断することができる。所望の抵抗レベルに達していない場合、追加のプログラムパルスを印加することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の１つの目的は、単純化された内部構造を有する情報を表示することができるデバイスを提供することである。
【０００８】
本発明のさらなる目的は、かかるデバイスで使用される電気光学ユニットを提供することである。
【０００９】
本発明のさらなる別の目的は、デバイスを動作させる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、第１および第２の電極と第１および第２の端子を有するプログラマブル抵抗性メモリ素子とをそれぞれ有するフォトダイオードおよび発光ダイオードを備え、第１、第２、および第３の制御端子をさらに有し、フォトダイオードおよびプログラマブル抵抗性メモリ素子が第１の制御端子と第３の制御端子との間で直列に連結され、発光ダイオードおよびプログラマブル抵抗性メモリ素子が第２の制御端子と第３の制御端子との間で直列に連結される電気光学ユニットが提供される。電気光学ユニットは、フォトダイオードの前記第１および第２の電極の一方、発光ダイオードの前記第１および第２の電極の一方、およびプログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子の一方が共通して接続される共通のノードを含む。プログラマブル抵抗性メモリ素子は、プログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子間で第１の電圧を印加することによって、導電状態でプログラム可能であり、プログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子間で第２の電圧を印加することによって、非導電状態でプログラム可能である。
【００１１】
第１の態様による電気光学ユニットは、電磁放射によってプログラムすることができる画素を提供する。さらに、電気光学ユニットに入力を提供するための追加の内部ノードが回避されるという点で、内部構造が単純化される。
【００１２】
第１の態様による電気光学ユニットの第１の実施形態では、フォトダイオードは、第１の制御端子から第３の制御端子までの経路において、発光ダイオードが第２の制御端子から第３の制御端子までの経路において配置されるのと同じ方向で配置される。「同じ方向で」という表現は、フォトダイオードのアノードおよびカソードが、第１の制御端子から第３の制御端子までの経路において、第２の制御端子から第３の制御端子までの経路における発光ダイオードのアノードおよびカソードと同じ順序で配置されることを意味する。この実施形態は、「負」の表示効果を提供するのに使用することができる。すなわち、光がある状態でプログラムされた電気光学ユニットは、動作の表示モードにおいて暗い見かけを有し、光がない状態でプログラムされた電気光学ユニットは表示モードにおいて明るい見かけを有する。プログラミングのプロセスについては、本明細書の続きでより詳細に記載する。
【００１３】
あるいは、第２の実施形態では、フォトダイオードは、第１の制御端子から第３の制御端子までの経路において、第２の制御端子から第３の制御端子までの経路における発光ダイオードの配置とは反対向きで配置される。この実施形態は、「正」の表示効果を提供するのに使用することができる。すなわち、光がある状態でプログラムされた電気光学ユニットは、動作の表示モードにおいて明るい見かけを有し、光がない状態でプログラムされた電気光学ユニットは、表示モードにおいて暗い見かけを有する。
【００１４】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様の電気光学ユニットの第１または第２の実施形態による複数の電気光学ユニットを有する電気光学デバイスが提供される。その際、電気光学ユニットは、それらの第１の制御端子、それらの第２の制御端子、およびそれらの第３の制御端子を有し、それらが、それぞれの共通の第１の制御線、第２の制御線、および第３の制御線にそれぞれ連結される。本発明による電気光学デバイスでは、電気光学ユニットが大きくない構成のものであって各ピクセルの高価で脆弱な制御素子を回避できるだけでなく、それに加えて、必要な外部制御線が３つのみである。一般的に、１つの電気光学デバイスは、第１の実施形態の電気光学ユニットまたは第２の実施形態の電気光学ユニットのどちらかを備える。しかしながら、特別な用途の場合、電気光学デバイスの実施形態は両方の実施形態の電気光学ユニットを備えてもよい。
【００１５】
第２の態様による電気光学デバイスの一実施形態は、同じ感度の電気光学ユニットを備える。このことは、同じタイプおよび強度の放射を用いた電気光学ユニットのプログラミングが、表示様式における電気光学ユニットの挙動に対する影響を実質的に有することを意味する。
【００１６】
第２の態様による電気光学デバイスの別の実施形態は、相互に異なる感度を有する、すなわち相互に異なる感度タイプのものである電気光学ユニットを備える。これは、例えば、そのプログラマブル抵抗性メモリ素子の状態を変更するのに要する放射量に関して相互に異なる閾値を有する電気光学ユニットを提供することによって、ある範囲の輝度レベルの表示を可能にするのに使用することができる。相互に異なる感度を有する電気光学ユニットのそれぞれの部分集合を互いに近接して密集させて、プログラミング位相の間により明るいまたは暗い明るさでクラスタ群を照射することによって、制御可能な明るさを有する単一のピクセルに見えるようにしてもよい。それに加えて、または別の方法として、電気光学ユニットは放射波長に対して相互に異なる感度を有してもよい。このことは、電気光学ユニットが、相互に異なる波長範囲で電磁放射を与えることができる、対応する発光ダイオードも有するという条件で、カラー画像を与えるのに使用されてもよい。一実施形態では、電気光学ユニットは、入ってくる放射が出ていく放射と同じようにしてフィルタ処理されるように、それぞれの色フィルタ素子を有する。このようにして、電気光学ユニットに対して異なるフォトダイオードおよび発光ダイオードを使用する必要なしに、色再現が可能になる。
【００１７】
電気光学ユニットが第１の実施形態または第２の実施形態のどちらによるものかに応じて、電気光学ユニットをプログラムするのに、すなわち電気光学ユニットの配置に照明パターンを格納するために、異なる動作方法を使用することができる。
【００１８】
第１の実施形態による電気光学ユニットを備える電気光学デバイスは、後に続くリセット段階およびプログラム段階によってプログラムすることができる。
【００１９】
リセット段階では、第１の制御線と第３の制御線との間でリセット電圧が印加される。その際、リセット電圧は、電気光学デバイスにおける電気光学ユニットのフォトダイオードの順方向バイアス状態に対応する極性を有する。「リセット」という表現は、ここでは、電気光学デバイスのすべての電気光学ユニットが同じ状態にされることを意味する。この場合、電気光学ユニットそれぞれのプログラマブル抵抗性メモリ素子は、リセット電圧を印加した結果として導電状態にされる。この実施形態では、リセット電圧が第２の制御線と第３の制御線との間で印加され、リセット電圧が電気光学デバイスにおける電気光学ユニットの発光ダイオードの順方向バイアス状態に対応する極性を有する場合と、同じ効果が達成される。また、同じ極性の、例えば同じ大きさの電圧が、第１および第３の端子の間と、第２および第３の端子の間とで同時に印加されてもよい。リセット段階に続けて適用されるプログラム段階では、プログラム電圧が第１の制御線と第３の制御線との間で印加される。この段階では、好ましくは、電圧は第２および第３の端子の間で同時に印加され、または第２の端子における電圧は、接地レベルで、すなわち第３の端子と同じレベルで維持される。プログラム電圧はリセット電圧とは反対の極性を有する。また、放射パターンが複数の電気光学ユニットに適用される。プログラム電圧の印加および放射パターンの適用は、メモリユニットの状態の変化を達成するため、時間的には少なくとも部分的に重なり合うべきである。プログラム段階は特定の期間にわたって継続してもよく、多数のプログラム段階が適用されてもよい。第１の例によれば、電気光学デバイスは、ライトペンで書くことができるメモ帳または電子ボードである。ライトペンを電気光学デバイスの表面の上で動かすと、照明された電気光学ユニットは共通のリセット状態からプログラムド状態へと変化する。画像を暗号化するため、またはライトペンを用いた描画のような特殊効果のため、複数のプログラム段階がいわゆる多重露出に使用されてもよい。
【００２０】
第２の実施形態による電気光学ユニットを備える電気光学デバイスは、以下の後に続くリセット段階およびプログラム段階によってプログラムすることができる。最初に、リセット電圧が第１の制御線と第３の制御線との間で印加され、リセット電圧は、フォトダイオードの順方向バイアス状態に対応する極性を有する。任意に、同じ極性および同じオーダーの電圧が、第２および第３の制御線の間で印加されてもよい。また、この実施形態では、電気光学デバイスのすべての電気光学ユニットは同じ状態にセットされ、すなわちすべてのプログラマブル抵抗性メモリ素子が非導電状態を呈する。後に続くプログラム段階では、プログラム電圧が第１の制御線と第３の制御線との間で印加される。その際、プログラム電圧はリセット電圧とは反対の極性を有し、放射パターンは複数の電気光学ユニットに適用される。この段階では、好ましくは、電圧は第２および第３の端子の間で同時に印加され、または第２の端子における電圧は、接地レベルで、すなわち第３の端子と同じレベルで維持される。プログラム電圧の印加および放射パターンの適用は、時間的に少なくとも部分的に重なり合う。
【００２１】
プログラマブル抵抗性メモリ素子に格納された放射パターンは、ディスプレイ電圧を第２の制御線と第３の制御線との間で印加することによって、使用される実施形態に応じて正または負の向きで再現することができる。その際、ディスプレイ電圧は、発光ダイオードの順方向バイアス状態に対応する極性と、リセット電圧およびプログラム電圧よりも小さい大きさとを有する。ディスプレイ位相の間、メモリ素子にわたる電圧はそのプログラミング電圧よりも低いべきである。最も高い電圧降下は、オフ状態にプログラムされたメモリ素子にわたって生じる。ディスプレイ電圧はプログラミング電圧よりも低いべきである。しかしながら、発光ダイオードにわたる電圧降下は、発光ダイオードを活性化するのに十分に高くなければならない。これは、発光ダイオードの面積Ａｌｅおよび発光ダイオード層の厚さＤｌｅ、ならびにプログラマブルメモリの面積Ａｍｅｍおよびその活性層の厚さＤｍｅｍを適切に選択することによって、最良に達成することができる。好ましくは、数量（Ａｌｅ／Ａｍｅｍ）（Ｄｍｅｍ／Ｄｌｅ）は０．１〜０．５の範囲である。最も好ましくは、この数量は０．２〜０．３５の範囲である。
【００２２】
これらおよび他の態様について、図面を参照してさらに詳細に記載する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】本発明の第１の態様による電気光学ユニットの第１の実施形態を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の態様による電気光学ユニットの第２の実施形態を示す図である。
【図１Ｃ】本発明の第１の態様による電気光学ユニットの第３の実施形態を示す図である。
【図２】本発明の第２の態様による電気光学デバイスの一実施形態を示す概略図である。
【図３Ａ】本発明の第２の態様による電気光学デバイスの他の実施形態を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の第２の態様による電気光学デバイスの他の実施形態を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の第２の態様による電気光学デバイスの他の実施形態を示す図である。
【図４Ａ】本発明の第２の態様による電気光学デバイスにおける複数の電気光学ユニットの実際の実装を示す概略図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＢ−Ｂによる断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態による電気光学デバイスを動作させる第３の態様による方法を示す図であり、時間の関数として電気光学デバイスの制御線に印加される電圧を示す。
【図５Ｂ】図５Ａに示した方法のリセット段階を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ａに示した方法のプログラム段階を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ａに示した方法のディスプレイ段階を示す図である。
【図６Ａ】第２の実施形態による電気光学デバイスを動作させる第３の態様による方法を示す図であり、時間の関数として電気光学デバイスの制御線に印加される電圧を示す。
【図６Ｂ】図６Ａに示した方法のリセット段階を示す図である。
【図６Ｃ】図６Ａに示した方法のプログラム段階を示す図である。
【図６Ｄ】図６Ａに示した方法のディスプレイ段階を示す図である。
【図７Ａ】図７Ｂに示されるようなモジュールを用いて得られる様々な測定結果を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａおよび図７Ｃ、７Ｄの測定結果の測定対象となるモジュールを示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに示されるようなモジュールを用いて得られる様々な測定結果を示す図である。
【図７Ｄ】図７Ｂに示されるようなモジュールを用いて得られる様々な測定結果を示す図である。
【図８】本発明による電気光学ユニットを用いて得られる測定結果を示す図である。
【図９Ａ】電気光学デバイスのさらなる実施形態を示す図である。
【図９Ｂ】電気光学デバイスのさらなる実施形態を示す図である。
【図９Ｃ】電気光学デバイスの適用可能例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
別段の指示がない限り、様々な図面における同様の参照符号は同様の要素を示す。
【００２５】
別段の定義がない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術用語および科学用語を含む）は、明細書および図面の文脈で読まれるものとして、本発明が属する分野の当業者が一般に理解するのと同じ意味を有する。さらに、一般に使用される辞書で定義されているものなどの用語は、関連分野の文脈におけるそれらの意味と合致する意味を有するものとして解釈すべきであり、本明細書において明示的に定義されない限り、理想化されるかまたは過度に形式的な意味で解釈されないものとすることが理解されるであろう。いくつかの例では、本発明のシステムおよび方法の説明が不明瞭にならないように、周知のデバイスおよび方法の詳細な説明が省略されることがある。特定の実施形態について記載するのに使用される専門用語は、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で使用するとき、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈によってそうではないものと明示されない限り、複数形も含むものとする。「および／または」という用語は、関連する列挙された項目の１つ以上のあらゆる組み合わせを含む。さらに、「備える」および／または「備えている」という用語は、規定された特徴が存在することを指定するが、１つ以上の他の特徴の存在または追加を除外するものではないことが理解されるであろう。本明細書で言及するすべての出版物、特許出願、特許、および他の参照文献は、それらの全体を参照することによって組み込まれる。矛盾がある場合、定義を含めて本明細書が基準になるものとする。
【００２６】
本明細書で使用するとき、「基板」という用語は、層堆積の場合に処理が行われる表面を備える物体として、材料科学におけるその通常の意味を有する。一般的な半導体製造プロセスでは、基板はシリコンウェハであってもよい。フレキシブルエレクトロニクスの生産では、基板は一般的に箔を備える。「箔」という用語は、１つ以上の材料層を備えるシートを指す。好ましくは、箔は可撓性なので、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）またはロールツーシート（Ｒ２Ｓ）製造プロセスで使用することができる。かかる目的のため、箔は、その本質的な機能性、例えば電子的機能性を失うことなく、５０ｃｍ以下、例えば１２ｃｍの曲率半径で巻き上げるかまたは屈曲させることができる場合に、可撓性と見なされてもよい。別の方法として、またはそれと併せて、箔は、５００Ｐａ・ｍ３未満の曲げ剛性を有する場合に、可撓性と見なされてもよい。
【００２７】
以下、本発明について、本発明の実施形態が示される添付図面を参照してさらに十分に記載する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で具体化されてもよく、本明細書で説明する実施形態に限定されるものとして解釈すべきでない。より正確に言えば、本開示が完全かつ徹底的になり、本発明の範囲を当業者に十分に伝達するように、これらの実施形態が提供される。例示的な実施形態の記載は、本明細書全体の一部と見なされるべき添付図面と関連して読まれることが意図される。図面中、システム、構成要素、層、および領域のサイズおよび相対サイズは、明瞭にするために誇張されることがある。実施形態は、場合によっては理想化された本発明の実施形態および中間構造を概略的に例証するものの断面図を参照して記載する。
【００２８】
本明細書において、相対語およびそれらの派生語は、考察に基づいて記載されるかまたは図面に示されるような配向を指すものと解釈されるべきである。これらの相対語は記載の便宜のためのものであり、特に別の記述がない限り、システムが特定の配向で構築または操作されることを要しない。さらに、ある要素もしくは層が別の要素もしくは層「の上にある」かまたはそれに「連結される」ものと称される場合、それが他の要素もしくは層の直上にあるか、または他の要素もしくは層に連結されることが可能であり、あるいは介在する要素もしくは層が存在してもよいことが理解されるであろう。対照的に、ある要素が別の要素もしくは層「の直上にある」か、それに「接続される」か、またはそれに「直接連結される」ものと称される場合、介在する要素もしくは層は存在しない。さらに、方法の特定のステップが別のステップの後に続くものと称される場合、前記他のステップの直後であるか、あるいはその特定のステップを実施する前に１つ以上の中間ステップが実施されてもよいことが理解されるであろう。
【００２９】
図１Ａは、フォトダイオード２と、発光ダイオード３と、プログラマブル抵抗性メモリ素子４とを備える電気光学ユニット１を示す。フォトダイオード２は、第１の電極を形成するカソード２ｃと、第２の電極を形成するアノード２ａとを有する。同様に、発光ダイオード３は、第１の電極を形成するカソード３ｃと、第２の電極を形成するアノード３ａとを有する。フォトダイオード２、および端子４ａ、４ｂを有するプログラマブル抵抗性メモリ素子４は、第１の制御端子１２と第３の制御端子１４との間で直列で相互に連結される。また、発光ダイオード３およびプログラマブル抵抗性メモリ素子４は、第２の制御端子１３と第３の制御端子１４との間で直列で相互に連結される。第１の制御端子１２から第３の制御端子１４までの経路には、フォトダイオード２が、第２の制御端子１３から第３の制御端子１４までの経路における発光ダイオードと同じ方向で配置される。フォトダイオード２のアノード２ａ、発光ダイオード３のアノード３ａ、およびプログラマブル抵抗性メモリ素子４の端子４ａは、ノード５で共通して接続される。
【００３０】
図１Ｂは、第１の制御端子１２から第３の制御端子１４までの経路において、フォトダイオード２が、第２の制御端子１３から第３の制御端子１４までの経路における発光ダイオードとは反対向きで配置されているという点で、図１Ａの実施形態と異なる代替実施形態を示す。
【００３１】
図１Ｃは、電気光学ユニットが、カソード８ｃがノード５に接続され、アノード８ａが第４の制御端子１８に連結されている、追加の発光ダイオード８を有するという点で、図１Ａの実施形態とは異なる別の代替実施形態を示す。第１の制御端子１２から第３の制御端子１４までの経路において、フォトダイオード２は、第４の制御端子１８から第３の制御端子１４までの経路における発光ダイオード８とは反対向きで配置される。
【００３２】
図２は、本発明の第２の態様による電気光学デバイス１００の一実施形態を概略的に示す。図に示される電気光学デバイスは、図１Ａに示されるような複数の電気光学ユニットを備え、それらの第１の制御端子１２、それらの第２の制御端子１３、およびそれらの第３の制御端子１４が、それぞれの共通の第１の制御線２２、第２の制御線２３、および第３の制御線２４にそれぞれ連結される。電気光学システムのいくつかの電気光学デバイスを組み合わせ、各電気光学デバイスがそれ自体の制御線の組を有するものと見なしてもよい。図１Ａによる電気光学ユニットの代わりに、電気光学デバイスは、図１Ｂによる電気光学ユニット、またはさらには両方のタイプの電気光学ユニットを備えてもよい。あるいは、電気光学システムは、図１Ａに示されるタイプの電気光学ユニットを備えた１つ以上の電気光学デバイスと、図１Ｂおよび／または１Ｃに示されるタイプの電気光学ユニットを備えた１つ以上の電気光学デバイスとを備えてもよい。図２に示される実施形態では、電気光学ユニットは長方形のグリッド状に配置される。しかしながら、六角形または不規則なグリッドなど、他の構成が使用されてもよい。
【００３３】
図３Ａは、先と同様に複数の電気光学ユニット１を有する電気光学デバイス１００を示す。電気光学ユニットは、図１Ａ、１Ｂ、２に示されるような、それらの第１の制御端子１２、それらの第２の制御端子１３、およびそれらの第３の制御端子１４を有し、それらはそれぞれの共通の第１の制御線２２、第２の制御線２３、および第３の制御線２４にそれぞれ連結される。図示される実施形態では、ユニット１はすべて、それらの第１の端子１２を左側に、それらの第２の端子１３を右側に有する。
【００３４】
図３Ｂは、電気光学デバイス１００の代替実施形態を示し、それらの第１の制御端子１２を左側に、それらの第２の制御端子１３を右側に有するセルの列は、それらの第１の制御端子１２を右側に、それらの第２の制御端子１３を左側に有するセルの列と交互になっている。この場合、垂直導体の数を低減することができる。
【００３５】
図３Ｃは、先と同様に、電気光学デバイス１００の代替実施形態を示す。その際、電気光学デバイスは、相互に異なる感度タイプの電気光学ユニットを備える。この例では、電気光学デバイスは、１、２、３、および４の光度単位の感度を有する、４タイプのユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄを備える。このようにして、グレートーン０、１、２、３、および４を再現することが可能である。異なるタイプの数は４に限定されず、任意の数であり得ることが明白となるであろう。相互に異なる感度タイプの電気光学ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄは、クラスタ１０の形でグループ化される。この実施形態では、電気光学ユニットは、光度に対して相互に異なる感度を有するという点で、相互に異なる感度タイプのものである。あるいは、相互に異なる色感度を備えたフォトダイオードを有するという点で、互いに異なる電気光学ユニットが使用されてもよい。一般的に、各電気光学ユニットの発光素子は、フォトダイオードの色感度に対応する色を光に与える。
【００３６】
あるいは、電気光学ユニット１の形態で配置される相互に異なるフィルタ素子の色フィルタ素子を有する色マスクを備えた、電気光学デバイスを提供することが可能である。その場合、入ってくる放射は出ていく放射と同じフィルタ素子によってフィルタ処理される。
【００３７】
電気光学ユニットの発光素子を、そのフォトダイオードが感度をもつ波長範囲に対応する波長範囲の放射を放出するように構成することは必須ではない。一実施形態では、本発明による電気光学デバイスの電気光学ユニットは、Ｘ線放射に対する感度をもつフォトダイオード、および可視範囲の放射を放出するように構成された発光素子を備える。
【００３８】
この実施形態は金属部品の検査に適している。その際、電気光学デバイスは金属部品の一面に接して置かれ、Ｘ線源は反対側の面に置かれる。金属部品のいかなる欠陥も、Ｘ線放射の拡散によって目に見えるようになり、それに伴って、画像中の可視パターンとして電気光学デバイスによって提供される。
【００３９】
図４Ａは、１つが破線の四角によって具体的に示されている、複数のかかる電気光学ユニット１を有する電気光学デバイスの上面図を示す。図４Ｂは、電気光学ユニットの別の１つを通る断面を示す。ユニット１は、好ましくは可撓性の箔である基板６上に設けられる。可撓性の箔は、例えばポリマー製であり、例えば、１０〜１０００ミクロンの範囲、例えば２５〜５００ミクロンの範囲、例えば１２５ミクロンの厚さを有するＰＥＴまたはＰＥＮである。
【００４０】
例えばＡｕ、Ａｇ、ＩＴＯ、Ｍｏ、ＭｏＯｘの第１の金属層４ｂは、プログラマブル抵抗性メモリ素子４の第１の電極を形成する。プログラマブル抵抗性メモリ素子４は、副層のスタックとして構成されてもよい、機能層４ｆ（明瞭にするため、図４Ａには図示されない）をさらに含む。図示される実施形態では、層４ｆは、相分離されたＶＤＦ−ＴｒＦＥ：ＯＳＣのブレンドとして形成され、ＯＳＣは、例えばＦ８ＢＴ、ＰＦＯ、ＰＴＡＡ、ＰＣＢＭ、Ｐ３ＨＴの１つであってもよい。例えばＡｇである次の金属層は、プログラマブル抵抗性メモリ素子４の第２の電極４ａを形成する。次の金属層は、光起電力ダイオード２のアノード２ａとして、また発光素子３のアノード３ａとしての役割も果たす。この金属層は副層のスタックで構成されてもよい。光起電力ダイオード２は、副層のスタックまたは１つを超える材料のブレンドとして構成されてもよい機能層２ｆ（明瞭にするため、図４Ａには図示されない）と、例えばＡｇによるカソード２ｃとをさらに含む。特に、機能層２ｆは、例えばＣ６０／ＳｕｂＰｃを含む蒸着スタックの形態で提供される。機能層２ｆはまた、例えばＰ３ＨＴ／ＰＣＢＭを含む、乾燥中に共堆積させ相分離した、ｐ型およびｎ型有機材料のブレンドの形態で提供されてもよい。同様に、発光素子３は、副層のスタックまたは１つを超える材料のブレンドとして構成されてもよい機能層３ｆ（やはり、明瞭にするため、図４Ａには図示されない）と、例えばＡｇによるカソード３ｃとをさらに含む。また、機能層３ｆは、好ましくは、有機発光ダイオードに適しているものとして知られるような材料を使用して、蒸着層として提供される。
【００４１】
図５Ａ〜５Ｄは、図１Ａによる電気光学ユニット１を備えた電気光学デバイスを動作させる方法を概略的に示す。その際、図５Ａは、時間の関数として、電気光学ユニット１の制御端子に印加される電圧の値を示す。図５Ｂ〜Ｄはさらに、電気光学デバイスの単一のユニットに関する方法のステップを示しており、図５Ｂは方法の第１のステップを示し、図５Ｃは方法の第２のステップを示し、図５Ｄは方法の第３のステップを示す。方法の第１のステップでは、リセット電圧Ｖ１が第１の制御端子１２と第３の制御端子１４との間で印加される。リセット電圧Ｖ１は、フォトダイオード２の導電状態に対応する極性を有する。フォトダイオードがその導電状態にあるので、第１の電圧Ｖ１の実体部分は、プログラマブル抵抗性メモリ素子４にわたる電圧降下Ｖｒｅｓとして生じる。この電圧降下Ｖｒｅｓによって、電気光学ユニット１それぞれのプログラマブル抵抗性メモリ素子が導電状態を呈する。交互に、または同時に、発光ダイオード３の導電状態に対応する極性を有するリセット電圧Ｖ１が、第２の制御端子１３と第３の制御端子１４との間で印加されて、プログラマブル抵抗性メモリ素子がその導電状態を呈してもよい。
【００４２】
後続のステップで、図５Ｃに示されるように、プログラム電圧Ｖ２が第１の制御端子１２と第３の制御端子１４との間で印加される。プログラム電圧Ｖ２は第１の電圧とは反対の極性を有する。この状態では、フォトダイオード２の導電性はフォトダイオード２が受け取る放射の強度に大きく依存する。したがって、この状態では、プログラマブル抵抗性メモリ素子４にわたる電圧降下Ｖｐｒは、第１の状態とは反対の極性と、光起電力ダイオードが比較的高強度の放射を受け取る場合は比較的大きい大きさと、を有する。これには、プログラマブル抵抗性メモリ素子４の導電性の状態が導電状態から非導電状態へと変化するという効果がある。光起電力ダイオード２が比較的低強度の放射を受け取る場合、プログラマブル抵抗性メモリ素子４にわたる電圧降下は比較的低く、プログラマブル抵抗性メモリ素子４はその導電状態のままである。図５Ｄは第３のステップを示す。その際、ディスプレイ電圧Ｖ３は、第２の制御端子１３と第３の制御端子１４の間で印加される。ディスプレイ電圧Ｖ３は、リセット電圧Ｖ１に対応する極性を有し、リセット電圧Ｖ１およびプログラム電圧Ｖ２よりも小さい大きさを有する。この動作モードでは、発光素子の光放出は、プログラマブル抵抗性メモリ素子４の導電性の状態に依存する。
【００４３】
図５Ａに概略的に示されるように、電気光学素子は２回以上プログラムされてもよい。このようにして、暗号化の目的で、または特殊効果を得るために、複数の画像を互いの上に重畳することができる。この例では、電気光学デバイスは、約２０〜２５Ｖ、例えば２２Ｖのリセット電圧Ｖ１を印加することによってリセットされる。リセット電圧は、リセット電圧の正確な値に応じて、例えば１マイクロ秒から１秒の持続時間に相当する時間間隔ｔ０ｂ〜ｔ０ｅの間印加される。続いて、第１のプログラミングステップは、第１のプログラミングステップにおけるプログラミング電圧の正確な値に応じて、例えば、１マイクロ秒から１秒の持続時間に相当する時間間隔ｔ１ｂ〜ｔ１ｅの間、−２５Ｖ〜−２０Ｖの範囲のプログラミング電圧−Ｖ２を供給することによって適用される。第１の照明または照射パターンは、この時間間隔ｔ１ｂ〜ｔ１ｅの少なくとも一部分の間適用される。照明または照射パターンはまた、この時間間隔外で適用されてもよいが、プログラミング電圧がない状態では、効果は達成されない。続いて、第２のプログラミングステップは、第２のプログラミングステップにおけるプログラミング電圧の正確な値に応じて、１マイクロ秒から１秒の持続時間に相当する時間間隔ｔ２ｂ〜ｔ２ｅの間、プログラミング電圧−Ｖ２を供給することによって適用される。第２の照明または照射パターンは、この時間間隔ｔ２ｂ〜ｔ２ｅの少なくとも一部分の間適用される。その結果、２つの照明または照射パターンの効果が重畳される。後者の段階では、時間ｔ３ｂにおいて、例えば１０〜１５Ｖの範囲、例えば１２Ｖのディスプレイ電圧Ｖ３を印加することによって、プログラムされた画像が表示される。
【００４４】
図６Ａ〜６Ｄは、図１Ｂによる電気光学ユニット１を備えた電気光学デバイスを動作させる方法を概略的に示す。その際、図６Ａは、時間の関数として、電気光学ユニット１の制御端子に印加される電圧の値を示す。図６Ｂ〜Ｄはさらに、電気光学デバイスの単一のユニットに関する方法のステップを示し、図６Ｂは、リセット電圧Ｖ４が第１の制御線２２と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第１のステップを示し、図６Ｃは、プログラム電圧Ｖ５が第１の制御線２２と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第２のステップを示し、図６Ｄは、ディスプレイ電圧が第２の制御線２３と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第３のステップを示す。図６Ａ〜６Ｄに示される方法は、この場合、ディスプレイ電圧Ｖ６の極性はプログラム電圧Ｖ５の極性に対応するが、図５Ａ〜５Ｄに示される例では、ディスプレイ電圧Ｖ３の極性はリセット電圧Ｖ１の極性に対応するという点で、図５Ａ〜５Ｄの方法とは異なる。
【００４５】
図５Ａ〜Ｄおよび図６Ａ〜Ｄに示される両方の例では、プログラミングおよびリセット位相の間、追加電圧が第２の制御線２３と第３の制御線２４との間で印加されてもよい。実際の目的のため、この追加電圧は、リセット位相の間は、第１の制御線２２と第３の制御線２４との間で印加される電圧に等しく、プログラミング位相の間は、ＧＮＤ電圧に等しい。しかしながら、これは厳密に必須ではない。
【００４６】
図７Ａは、次の表による、図７Ｂに示されるようなメモリ素子／ＯＬＥＤタンデムの様々なノード対間における印加電圧Ｖの関数としての電流Ｉを示す。
【００４７】
【表１】
2016538583.tif 000003
測定値ＭＯ１、ＭＯ２は、同じノード対に、異なる電圧範囲で適用される。これらの測定値から、メモリ素子の挙動は、例えば、測定値ＭＯ３の発光素子（ＯＬＥＤ）と直列接続されて駆動されたときの結果であり得る、電圧範囲の変化による影響を実質的に受けないことを観察することができる。
【００４８】
添え字ｃ、ｎはそれぞれ、メモリ素子が導電モードまたは非導電モードのどちらであるかを示す。
【００４９】
次に、続いて−１９〜＋２１．５Ｖのプログラミング電圧をノードＮ１、Ｎ３間で印加することによって、プログラマブルメモリ素子がプログラムされる。プログラミング後、プログラムされた状態に応じて、ＯＬＥＤが発光しているかまたはしていない間の５０秒間、バイアスは＋８Ｖであった。この測定値は、プログラムされた状態が双安定であることを示す。
【００５０】
図７Ｃおよび７Ｄは、この例では層のスタックとしてＰＥＤＯＴ／ＳｕｂＰｃ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｇを含む、有機（蒸着）光検出器の電流電圧特性を示す。図７Ｃは、暗状態（ｄ）および検出器が照明されている（ＡＭ１．５Ｇ照明）状態（ｉ）の両方に関して、Ｖ単位の電圧の関数としてＡ／ｃｍ２単位の電流密度を示す。照明された状態で測定した電流密度は、暗状態下におけるよりも約５桁大きいことが分かる。１．５ＡＭの照明下では、逆電流および順電流密度はほぼ等しい。図７Ｄは、Ｗ／ｃｍ２単位での入射光強度の関数として、２つの異なる面積（１ｍｍおよび２００ミクロンのピクセルピッチ）を有するダイオードのＡ／ｃｍ２単位での電流密度を示す。
【００５１】
図８は、時間の関数として、図１に示されるようなユニット１の第２の制御端子１３から第３の制御端子１４までの、メモリ素子４にわたる電圧ＶＭＥＭ（Ｖ）および電流１（Ａ）の測定値を示す。８Ｖのディスプレイ電圧がこれらの制御端子間で印加される。時間ｔが０秒のとき、電気光学ユニット１のプログラマブル抵抗性メモリ素子４はその導電状態にプログラムされる。この状態では、メモリ素子４にわたる電圧降下は約５．７Ｖであり、発光ダイオード３にわたる残りの電圧は約２．３Ｖであり、これはその照明状態にある発光素子３を通る約５マイクロアンペアの電流に相当する。７５秒後、電気光学ユニット１のプログラマブル抵抗性メモリ素子４はその非導電状態でプログラムされる。このプログラミングの後、メモリ素子にわたる電圧降下は約６〜６．５Ｖであり、発光素子３にわたる残りの電圧降下は１．５〜２Ｖの範囲である。ここで、第２の制御端子１３から第３の制御端子１４の間の電流は約５ナノアンペアであり、先行する時間間隔よりも３桁低く、発光素子３はオフにされる。時間１２５秒においてプログラマブルメモリ素子４をその導電状態で再びプログラムし、時間１８０秒においてメモリ素子をそのオフ状態で再びプログラムすることによって、シーケンスが繰り返された。
【００５２】
図９Ａおよび９Ｂは、本発明の電気光学デバイスのさらなる実施形態を示す。その際、図９Ａはデバイスを断面で示し、図９Ｂは図９ＡのＩＸＢによる上面図を示す。図９Ｃは可能な適用例を示す。図９Ａ、９Ｂの電気光学デバイスの実施形態は、透明基板６上で空間を有して分配された複数の電気光学ユニット１を備える。電気光学ユニット１と透明基板６との間の空間により、電磁放射Ｒｉ、例えば可視電磁放射が、電気光学デバイスがその上に配置される反射部分７ａおよび非反射部分７ｂを有する表面７（デバイスの一部を形成しない）にアクセスすることが可能になる。電気光学デバイスのプログラミング位相では、電気光学ユニット１はそれぞれ、表面が反射する電磁放射Ｒｆの量にしたがってプログラムされる。その結果、表面の画像を電気光学デバイスのディスプレイ位相で再現することができる。好ましくは、透明基板は可撓性材料のものなので、電気光学デバイス１００を湾曲面に対して適用することができる。これは、例えば、電気光学デバイスが本の湾曲面に対して適用される図９Ｃに示されている。他の実施形態では、基板６は伸縮性材料で作られ、電気光学ユニット１の制御端子に接続される制御線２２、２３、および２４も伸縮性である。これは、伸縮性の導電性材料で作られるという点で実現されてもよいが、別の方法として、またはそれに加えて、蛇行パターンで提供されるという点で実現されてもよい。適用例に応じて、伸縮性の挙動は弾性であってもよく、デバイスを伸長するのに使用された力が存在しなくなると、電気光学デバイス１００がその元の形状を取り戻すことが可能になる。あるいは、電気光学デバイス１００は、適用された力によって得られるその形状を（部分的に）維持してもよい。
【図１Ａ】
2016538583.tif 000004
【図１Ｂ】
2016538583.tif 000005
【図１Ｃ】
2016538583.tif 000006
【図２】
2016538583.tif 000007
【図３Ａ】
2016538583.tif 000008
【図３Ｂ】
2016538583.tif 000009
【図３Ｃ】
2016538583.tif 000010
【図４Ａ】
2016538583.tif 000011
【図４Ｂ】
2016538583.tif 000012
【図５Ａ】
2016538583.tif 000013
【図５Ｂ】
2016538583.tif 000014
【図５Ｃ】
2016538583.tif 000015
【図５Ｄ】
2016538583.tif 000016
【図６Ａ】
2016538583.tif 000017
【図６Ｂ】
2016538583.tif 000018
【図６Ｃ】
2016538583.tif 000019
【図６Ｄ】
2016538583.tif 000020
【図７Ａ】
2016538583.tif 000021
【図７Ｂ】
2016538583.tif 000022
【図７Ｃ】
2016538583.tif 000023
【図７Ｄ】
2016538583.tif 000024
【図８】
2016538583.tif 000025
【図９Ａ】
2016538583.tif 000026
【図９Ｂ】
2016538583.tif 000027
【図９Ｃ】
2016538583.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月21日(2016.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、第１および第２の電極と第１および第２の端子を有するプログラマブル抵抗性メモリ素子とをそれぞれ有するフォトダイオードおよび発光ダイオードを備え、第１、第２、および第３の制御端子をさらに有し、フォトダイオードおよびプログラマブル抵抗性メモリ素子が第１の制御端子と第３の制御端子との間で直列に連結され、発光ダイオードおよびプログラマブル抵抗性メモリ素子が第２の制御端子と第３の制御端子との間で直列に連結される電気光学ユニットが提供される。電気光学ユニットは、フォトダイオードの前記第１および第２の電極の一方、発光ダイオードの前記第１および第２の電極の一方、およびプログラマブル抵抗性メモリ素子の前記第１および第２の端子の一方が共通して接続される共通のノードを含む。プログラマブル抵抗性メモリ素子は、電気光学ユニットの前記第１および第２の制御端子間で第１の電圧を印加することによって、導電状態でプログラム可能であり、電気光学ユニットの前記第１および第２の制御端子間で第２の電圧を印加することによって、非導電状態でプログラム可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図６Ａ〜６Ｄは、図１Ｂによる電気光学ユニット１を備えた電気光学デバイスを動作させる方法を概略的に示す。その際、図６Ａは、時間の関数として、電気光学ユニット１の制御端子に印加される電圧の値を示す。図６Ｂ〜Ｄはさらに、電気光学デバイスの単一のユニットに関する方法のステップを示し、図６Ｂは、リセット電圧−Ｖ４が第１の制御線２２と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第１のステップを示し、図６Ｃは、プログラム電圧＋Ｖ５が第１の制御線２２と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第２のステップを示し、図６Ｄは、ディスプレイ電圧＋６Ｖが第２の制御線２３と第３の制御線２４との間で印加される、方法の第３のステップを示す。図６Ａ〜６Ｄに示される方法は、この場合、ディスプレイ電圧Ｖ６の極性はプログラム電圧Ｖ５の極性に対応するが、図５Ａ〜５Ｄに示される例では、ディスプレイ電圧Ｖ３の極性はリセット電圧Ｖ１の極性に対応するという点で、図５Ａ〜５Ｄの方法とは異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１および第２の電極（２ａ、２ｃ、３ａ、３ｃ）と第１および第２の端子（４ａ、４ｂ）を有するプログラマブル抵抗性メモリ素子（４）とをそれぞれ有するフォトダイオード（２）および発光ダイオード（３）を備え、第１、第２、および第３の制御端子（１２、１３、１４）をさらに有し、前記フォトダイオード（２）および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が前記第１の制御端子（１２）と前記第３の制御端子（１４）との間で直列で連結され、前記発光ダイオード（３）および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が前記第２の制御端子（１３）と前記第３の制御端子（１４）との間で直列で連結される電気光学ユニット（１）であって、前記電気光学ユニットが、前記フォトダイオード（２）の前記第１および第２の電極の一方、前記発光ダイオード（３）の前記第１および第２の電極の一方、および前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）の前記第１および第２の端子の一方が共通して接続される共通のノード（５）を含み、前記プログラマブル抵抗性メモリ素子（４）が、前記電気光学ユニットの前記第１および第２の制御端子間で第１の電圧を印加することによって、導電状態でプログラム可能であり、前記電気光学ユニットの前記第１および第２の制御端子間で第２の電圧を印加することによって、非導電状態でプログラム可能である電気光学ユニット（１）。
【国際調査報告】
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