(57)【要約】  例えば、ビルドアップと集積された磁石の磁場を、該磁場内で動作するように構成されたターゲット装置に制限するために、高い比透磁率を有する磁場遮蔽材料がビルドアップパッケージに組み込まれる。実施形態において、第１のデバイスがビルドアップに物理的に結合される。実施形態において、第１のデバイスによって占有される領域に、又は第１のデバイスを除く領域に、の何れかに磁場を制限するように、磁場遮蔽材料が、ビルドアップと接触して且つ第１のデバイスに近接して配設される。磁場遮蔽材料は、ＭＥＭＳデバイスの暴露を抑制することなく例えばＩＣなどの他のデバイスの暴露を抑制するために、やはりビルドアップ内の永久磁石の近くでビルドアップ内に配設されてもよい。
2016538148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を含んだパッケージビルドアップと、
前記ビルドアップに物理的に結合され、且つ前記導電材料層のうちの少なくとも１つに電気的に結合された第１のデバイスと、
前記ビルドアップと接触し且つ前記第１のデバイスに近接して配置された、前記ビルドアップ内の磁場を制限する磁場遮蔽材料と、
を有する装置。
【請求項２】
前記第１のデバイスは微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであり、且つ
前記遮蔽材料は、前記ＭＥＭＳデバイスによって占有された前記ビルドアップの領域の外側の磁場を制限する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
当該装置は更に、
前記ビルドアップに物理的に結合された永久磁石と、
前記磁場遮蔽材料の前記磁石と同じ側に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと
を有し、
前記第１のデバイスは、集積回路又は第２のＭＥＭＳデバイスである、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
当該装置は更に、
前記ビルドアップに物理的に結合された永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面に面して配置された底部側磁場遮蔽材料、又は
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側磁場遮蔽材料であり、当該頂部側磁場遮蔽材料と前記磁石との間に前記解放された部材を置いて、前記磁石の第２の面に面して配置された頂部側磁場遮蔽材料、又は
前記磁石の第３の面に面して配置され、且つ前記ビルドアップの底面又は頂面に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料、
のうちの少なくとも１つを有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
当該装置は更に、
前記ビルドアップの第１の誘電材料層に物理的に埋め込まれた永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面と前記第１の誘電材料層との間に配置された底部側磁場遮蔽材料と、
前記磁石の側壁と前記第１の誘電材料層との間に配置された側方磁場遮蔽材料であり、前記底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料と
を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
当該装置は更に、
前記ビルドアップの第１の誘電材料層に物理的に埋め込まれた永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面と前記第１の誘電材料層との間に配置された底部側磁場遮蔽材料と、
前記磁石の第２の面と前記第１の誘電材料層との間に配置された側方磁場遮蔽材料であり、前記底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在し、且つ前記解放された部材に近接した前記磁石の第３の面の一部を包み込む側方磁場遮蔽材料と
を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
当該装置は更に、
前記ビルドアップの第１の誘電材料層に物理的に埋め込まれた永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料であり、前記第１の誘電材料層が、前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面と当該底部側磁場遮蔽材料との間に配置された、底部側磁場遮蔽材料と、
前記底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料であり、前記第１の誘電材料層が、当該側方磁場遮蔽材料と前記磁石の側壁との間に配置された、側方磁場遮蔽材料と
を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項８】
当該装置は更に、
前記ビルドアップの第１の誘電材料層に物理的に埋め込まれた永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記磁石よりも大きい前記ビルドアップの領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料であり、前記第１の誘電材料層が、前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面と当該底部側磁場遮蔽材料との間の領域に存在しない、底部側磁場遮蔽材料と、
前記磁石の側壁に隣接し、且つ前記底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に前記第１の誘電材料層の中を延在した側方磁場遮蔽材料であり、前記第１の誘電材料層が、当該側方磁場遮蔽材料と前記磁石の前記側壁との間に配置された、側方磁場遮蔽材料と
を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
当該装置は更に、
前記ビルドアップの第１の誘電材料層に物理的に埋め込まれた永久磁石と、
前記ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと、
を有し、且つ
前記磁場遮蔽材料は、
前記磁石よりも大きい前記ビルドアップの領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料層であり、前記第１の誘電材料層が、前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面と当該底部側磁場遮蔽材料層との間の領域に存在しない、底部側磁場遮蔽材料層と、
前記磁石とは反対側の前記解放された部材の面の上方で前記ビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側遮蔽材料層と、
磁場遮蔽材料で充填された複数の積層されたビアであり、当該複数の積層されたビアは、前記磁石の側壁に隣接し、且つ少なくとも前記第１の誘電材料層と前記第１の誘電材料層の上に配置された第２の誘電材料との中を延在し、前記第１の誘電材料層が、当該複数の積層されたビアと前記磁石の前記側壁との間に配置された、複数の積層されたビアと
を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
プロセッサと、
電池と、
前記プロセッサ及び前記電池に結合された、請求項１乃至９の何れかに記載の装置と、
を有するモバイル装置。
【請求項１１】
パッケージビルドアップを形成する方法であって、
複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を構築することと、
永久磁石を前記ビルドアップと集積することと、
前記磁石によって占有された前記ビルドアップの領域の外側で前記磁石の磁場を制限するよう、磁場遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することと、
を有する方法。
【請求項１２】
前記磁石及び前記遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
前記磁石の１つ以上の面を前記遮蔽材料内に覆うことと、
遮蔽された前記磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、
前記磁石の１つ以上の遮蔽された面の周りに第１の誘電材料を形成することと、
前記犠牲キャリアを除去することと
を有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁石及び前記遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
前記磁石の側壁及び底面を前記遮蔽材料内に覆うことと、
遮蔽された前記磁石を、犠牲キャリアに、前記磁石の頂面が該キャリアに面するようにして取り付けることと、
前記磁石の１つ以上の遮蔽された面の周りに第１の誘電材料を形成することと、
前記犠牲キャリアを除去することと
を有し、
当該方法は更に、前記第１の誘電材料の上方に配置される前記ビルドアップの層の中に、且つ前記磁石の前記頂面の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記磁石及び前記遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
前記磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、
前記磁石の１つ以上の面に面するように、磁場遮蔽ガードリングを前記犠牲キャリアに取り付けることと、
前記ガードリング及び前記磁石の１つ以上の面の周りに第１の誘電材料を形成することと、
前記犠牲キャリアを除去することと
を有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記磁石及び前記遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
前記磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、
前記磁石の１つ以上の面に面するように、磁場遮蔽ガードリングを前記犠牲キャリアに取り付けることと、
前記ガードリング及び前記磁石の１つ以上の面の周りに第１の誘電材料を形成することと、
前記犠牲キャリアを除去することと
を有し、
当該方法は更に、前記ガードリングの内側に配置された前記第１の誘電材料の領域の上方に配置される前記ビルドアップの層の中に、且つ前記磁石の頂面の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記磁石及び前記磁場遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
基板の上に底部側遮蔽材料層を形成することと、
前記底部側遮蔽材料層の上に前記磁石を取り付けることと、
前記磁石及び前記底部側遮蔽材料層を覆って第１の誘電材料層をラミネートすることと、
前記第１の誘電材料層を貫いて開口をパターニングして、前記底部側遮蔽材料層の一部を露出させることと、
前記開口内に磁気遮蔽材料を堆積することと
を有し、
当該方法は更に、前記第１の誘電材料層の領域の上方に配置される前記ビルドアップの層の中に、且つ前記磁石の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記磁石及び前記磁場遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、
基板の上に底部側遮蔽材料層を形成することと、
前記底部側遮蔽材料層の上に前記磁石を取り付けることと、
前記磁石及び前記底部側遮蔽材料層を覆って第１の誘電材料層をラミネートすることと、
前記第１の誘電材料層を貫いて複数の第１の開口をパターニングして、前記底部側遮蔽材料層の領域を露出させることであり、該複数の第１の開口は、前記磁石を取り囲むビアのアレイを形成することと、
前記第１の開口内に第１の磁気遮蔽材料を堆積することと、
前記第１の誘電材料層を覆って第２の誘電材料層をラミネートすることと、
前記第２の誘電材料層を貫いて複数の第２の開口をパターニングして、前記第１の磁気遮蔽材料の領域を露出させることであり、該複数の第２の開口は、前記複数の第１の開口の上に縦方向に積み重ねられることと、
前記第２の開口内に第２の磁気遮蔽材料を堆積することと
を有し、
当該方法は更に、前記ビルドアップの層の中に且つ前記磁石の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記永久磁石を集積することは更に、磁極を前記ビルドアップのｚ厚さ方向に平行に向けて、第１の誘電材料層の中に永久磁石を埋め込むことを有し、前記磁石は４００μｍよりも小さいｚ厚さを有し、
前記磁場遮蔽材料を集積することは更に、前記第１の誘電材料層と接触させて、５００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
当該方法は更に、
前記磁石から横方向に離間した前記ビルドアップの領域内にＩＣチップを集積することと、
前記磁石の上方に配置される前記ビルドアップの領域内にＭＥＭＳデバイスを集積することと
を有し、
前記磁石を集積することは更に、磁極を前記ＭＥＭＳデバイスの方に向けて、前記ビルドアップの領域内に永久磁石を埋め込むことを有し、且つ
前記磁場遮蔽材料を集積することは更に、前記ビルドアップと接触させて、５００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する、
請求項１１乃至１７の何れかに記載の方法。
【請求項２０】
前記磁場遮蔽材料を集積することは更に、前記ビルドアップと接触させて、２５０００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する、請求項１１乃至１７の何れかに記載の方法。
【請求項２１】
複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を含んだパッケージビルドアップと、
前記ビルドアップに物理的に結合された永久磁石と、
前記ビルドアップと接触して配置された磁場遮蔽材料と、
前記磁場遮蔽材料の前記磁石と同じ側に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスと
を有し、
前記磁場遮蔽材料は、
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ前記解放された部材とは反対側の前記磁石の第１の面に面して配置された底部側磁場遮蔽材料、又は
前記ビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側磁場遮蔽材料であり、当該頂部側磁場遮蔽材料と前記磁石との間に前記解放された部材を置いて、前記磁石の第２の面に面して配置された頂部側磁場遮蔽材料、
のうちの少なくとも１つを有する、
装置。
【請求項２２】
当該装置は更に、５００よりも高い比透磁率を持つ材料で充填された複数のビアを有する側方磁場シールドを有し、該ビアは、前記磁石の側壁に隣接し、且つ前記ビルドアップの少なくとも一部を貫いて延在している、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
当該装置は更に、５００よりも高い比透磁率を持つ材料で充填された複数の積層されたビアを有する側方磁場シールドを有し、該積層されたビアは、前記磁石の側壁に隣接し、且つ前記ビルドアップを完全に貫いて延在している、請求項２１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、マイクロエレクトロニクスデバイスのパッケージングにおける磁場遮蔽に関し、より具体的には、ビルドアップパッケージングにおける磁場遮蔽に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロニクスデバイスは典型的に、例えば印刷回路基板などの他のデバイスへの接続を可能にするパッケージに収容される。マイクロエレクトロニクスパッケージング技術は、デバイスのダイ又はチップ（例えば、マイクロプロセッサ）を基板又はその他のキャリアに機械的且つ電気的に取り付ける方法を含め、改良されて向上され続けている。バンプレスビルドアップレイヤ（Bumpless  Build-Up  Layer；ＢＢＵＬ）技術は、１つのパッケージングアーキテクチャである。その利点の中でもとりわけ、ＢＢＵＬは、伝統的なダイアセンブリプロセスの必要性を排除し、第１階層はんだボール相互接続（例えば、フリップチップ相互接続）を排除し、ダイ−基板間の熱膨張係数（ＣＴＥ）不整合によるチップ内のｌｏｗ−ｋ層間誘電体への応力を低減し、そして、改善された入力／出力（Ｉ／Ｏ）性能及び電力送達性能のために、パッケージコア及びフリップチップインターコネクトの排除を介してパッケージインダクタンスを低減する。
【０００３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、典型的に、集積回路（ＩＣ）製造で一般的に採用されている微細製造技術を用いて、共通基板上に機械的及び電気的な要素を集積するマイクロ又はナノのスケールのデバイスである。機械的要素は、基板上でリソグラフィプロセスを用いてデバイスを選択的にパターニングすることで製造される。しばしば、更なる層が基板に追加され、ＭＥＭＳデバイスが設計した構成になるまで微細加工される。例示的なＭＥＭＳデバイスは、アクチュエータ、センサ、スイッチ、加速度計、ジャイロスコープなどを含む。
【０００４】
本発明者による従来ワークは、ＢＢＵＬパッケージングアーキテクチャ内にＭＥＭＳデバイスを製造あるいはその他の方法で埋め込む多数のアーキテクチャ及び技術を含んでおり、それらの一部は１つの手法又は別の手法で誘導結合されている。誘導結合されるＭＥＭＳデバイスでは機械的変位と電気回路との間での駆動及び／又は検知変換が、少なくとも部分的に、磁（Ｂ）場を介して達成される。誘導結合されるＭＥＭＳデバイスはまた、ＭＥＭＳデバイス感度の改善のために磁力線を集中させるようにＭＥＭＳデバイスの機械的部材の近傍に配置される永久磁石の存在を参照して、“磁気ＭＥＭＳ”としても知られている。
【０００５】
しかしながら、特に、複数デバイスが同じパッケージビルドアップ内に埋め込まれるとき、例えば磁気ＭＥＭＳデバイスなどの１つのデバイスが頼りにする磁場が、別のデバイスに悪影響を及ぼすことがある。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
ここに記載される題材は、添付の図面において、限定としてではなく例として示される。説明の単純さ及び明瞭さのため、図面に示される要素は必ずしも縮尺を揃えて描かれてはいない。例えば、一部の要素の寸法が、他の要素に対して誇張されることがある。また、図面の中で対応あるいは類似する要素を指し示すために、参照符号が繰り返されている。図面は以下の図を含む。
【図１Ａ】一実施形態に従った、デバイスパッケージ内に磁場遮蔽を集積する方法を例示するブロック図である。
【図１Ｂ】一実施形態に従った、磁気ＭＥＭＳデバイスと少なくとも１つのその他のデバイスとの双方を含んだデバイスパッケージ内に磁場遮蔽を集積する方法を例示するブロック図である。
【図２】例示的な実施形態に従った、ビルドアップパッケージ内に磁場遮蔽を集積する方法を例示するフロー図である。
【図３Ａ】パッケージングされた永久磁石の断面領域の磁場強度を例示している。
【図３Ｂ】第１の磁場遮蔽アーキテクチャについて、図３Ａに描かれたパッケージングされた永久磁石の断面領域の磁場強度を例示している。
【図３Ｃ】第２の磁場遮蔽アーキテクチャについて、図３Ａに描かれたパッケージングされた永久磁石の断面領域の磁場強度を例示している。
【図４Ａ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｂ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｃ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｄ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｅ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｆ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｇ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｈ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｉ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図４Ｊ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造の断面図を例示している。
【図５Ａ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｂ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｃ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｄ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｅ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｆ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｇ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｈ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｉ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図５Ｊ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ａ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｂ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｃ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｄ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｅ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｆ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｇ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｈ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｉ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｊ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｋ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図６Ｌ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ａ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｂ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｃ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｄ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｅ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｆ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｇ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｈ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｉ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｊ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｋ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図７Ｌ】一実施形態に従ってパッケージングビルドアップ方法が実行されるときの、磁場遮蔽を備えたパッケージングビルドアップ構造を例示する図である。
【図８】一実施形態に従って構成された、遮蔽された磁気ＭＥＭＳデバイスを使用する例示的なシステムを示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に従った、遮蔽された磁気ＭＥＭＳデバイスを使用するシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
同封の図面を参照して１つ以上の実施形態を記述する。具体的な構成及び配置が描かれて詳細に説明されるが、理解されるべきことには、これは単に例示目的で行われる。当業者が認識するように、開示の精神及び範囲を逸脱することなく、その他の構成及び配置も可能である。当業者に明らかなように、ここに記載される技術及び／又は構成は、ここに詳細に記載されるもの以外の多様なシステム及び用途で使用され得る。
【０００８】
以下の詳細な説明では、ここでの一部を形成して例示的な実施形態を示すものである添付図面を参照する。また、理解されるように、他の実施形態が使用されてもよく、特許請求に係る事項の範囲を逸脱することなく、構造的及び／又は論理的な変更が為され得る。これまた留意すべきことには、例えば、上へ、下へ、頂部、及び底部などといった指示及び参照は、単に図面中の図の説明を容易にするために使用されることがある。例えば“上部”及び“下部”、“上”及び“下”などの用語は、図示されたＸ−Ｚ座標に対する参照として理解され得るものであり、例えば“隣接する”などの用語は、Ｘ，Ｙ座標に対する参照、又は非Ｚ座標に対する参照として理解され得る。故に、以下の詳細な説明は、限定的な意味でとられるべきでなく、特許請求に係る事項の範囲は、添付の請求項とその均等範囲によってのみ定められる。
【０００９】
以下の説明においては、数多くの詳細が説明されるが、当業者に明らかなように、本発明は、これら具体的詳細なしでも実施され得る。一部の例において、周知の方法及びモジュールは、本発明を不明瞭にすることがないよう、詳細にではなくブロック図の形態で示される。本明細書の全体を通しての“一実施形態”又は“１つの実施形態”への言及は、その実施形態に関連して記述される特定の特徴、構造、機能又は特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。故に、本明細書を通して様々な箇所で“一実施形態において”又は“１つの実施形態において”なる言い回しが現れることは、必ずしも本発明の同一の実施形態に言及しているわけではない。また、それらの特定の特徴、構造、機能又は特性は、１つ以上の実施形態において好適に組み合わされ得る。例えば、第１及び第２の実施形態に関連付けられた特定の特徴、構造、機能又は特性が互いに排他的なものではない場合には、第１の実施形態が第２の実施形態と組み合わされ得る。
【００１０】
本発明の記述及び添付の請求項で使用されるとき、単数形の“ａ”、“ａｎ”及び“ｔｈｅ”は、文脈が別のことを明瞭に述べていない限り、複数形も同様に含むことを意図している。また、理解されるように、用語“及び／又は”は、ここで使用されるとき、関連して列挙されるアイテムのうちの１つ以上の任意かつ全ての取り得る組み合わせをも表し、それらを包含する。
【００１１】
本明細書の全体で使用されるとき、及び請求項で使用されるとき、“のうちの少なくとも１つ”又は“のうちの１つ以上”なる用語によって結び付けられたアイテムの列挙は、列挙されたアイテムの如何なる組み合わせをも意味し得る。例えば、“Ａ、Ｂ又はＣのうちの少なくとも１つ”という言い回しは、Ａ；Ｂ；Ｃ；Ａ及びＢ；Ａ及びＣ；Ｂ及びＣ；又は、Ａ、Ｂ及びＣを意味し得る。
【００１２】
用語“結合される”及び“接続される”は、ここでは、これらの派生語とともに、構成要素間の機能的又は構造的な関係を記述するために使用され得る。理解されるべきことには、これらの用語は、互いに対する同義語としては意図されていない。むしろ、特定の実施形態において、“接続される”は、２つ以上の要素が互いに直接的に物理的、光学的、あるいは電気的に接触していることを指し示すために使用されることがある。“結合される”は、２つ以上の要素が互いに直接的又は間接的（その他の介在要素をそれらの間に有して）の何れかで物理的、光学的、電気的あるいは電磁気的に接触していること、及び／又はそれら２つ以上の要素が互いに協働あるいは相互作用する（例えば、原因と結果の関係においてのように）ことを指し示すために使用されることがある。
【００１３】
ここで使用される用語“上方”、“下方”、“間”、及び“上”は、１つのコンポーネント又は材料層の他のコンポーネント又は層に対する相対的な位置を、そのような物理的関係が特筆すべき場合に表すものである。例えば、材料層の文脈において、他の層の上方又は下方に配置された１つの層は、この他の層と直に接触していてもよいし、１つ以上の介在層を有していてもよい。また、２つの層の間に配置された１つの層は、これら２つの層と直に接触していてもよいし、１つ以上の介在層を有していてもよい。対照的に、第２の層“上”の第１の層は、この第２の層と直に接触する。同様の区別が、コンポーネントのアセンブリの文脈でも為される。
【００１４】
更に詳細に後述するように、ＢＢＵＬプロセスにインテグレートされ得る磁気遮蔽アーキテクチャ及び技術の実施形態がここに記載される。例示的な実施形態において、磁気ＭＥＭＳデバイスを製造するために更に使用されるＢＢＵＬプロセスに、磁気遮蔽がインテグレートされる。このような磁気遮蔽は、Ｂ場をＭＥＭＳパッケージ内に有利に閉じ込め又は制限し、ＭＥＭＳパッケージの外側の磁場を有意に低減し得る。更に有利には、ＭＥＭＳデバイスが位置付けられるパッケージの部分のみの中にＢ場を閉じ込め又は制限する。
【００１５】
図１Ａは、一実施形態に従った、デバイスパッケージ内に磁場遮蔽を集積する方法１０１を例示するブロック図である。方法１０１においては、処理１０５にてパッケージビルドアップが形成される。この中の別のところで更に説明するように、パッケージビルドアップは、ビルドアップを形成するパターニングされた導電材料及び絶縁材料の複数の交互層を含む。１つ以上のデバイスが、該デバイスの１つ以上の電極をビルドアップのパターニングされた導電材料のうちの少なくとも１つに電気的に結合させて、ビルドアップに物理的に取り付けられている。パッケージビルドアップ技術は、取り付けられたデバイスとビルドアップとの間の電気接続がバンプ又はボール（例えば、はんだなど）を用いないので、バンプレス（すなわち、ＢＢＵＬ）である。パッケージ及びデバイスを２つの個別物体として結び付けるのではなく、（例えば、電気めっきなどによる）ビルドアップの導電材料層のパターン形成中に、デバイスの上に直接的に、デバイスから延在する電気接続が構築され得る。
【００１６】
処理１１０にて、パッケージビルドアップに磁石が集積される。例示的な実施形態において、この磁石は永久磁石である。パッケージビルドアップの寸法を、パッケージングされる所与のデバイスよりも大きくすることで、いっそう強い磁場を持ついっそう大きい磁石を利用して、パッケージレベルでデバイスと集積される電磁気デバイスの性能を、チップレベルの磁気デバイスアーキテクチャに対して向上させ得る。
【００１７】
処理１１０でパッケージビルドアップと集積された磁石の磁場を制限するため、処理１１５にて、磁場遮蔽がパッケージビルドアップと集積される。実施形態において、磁場遮蔽は、少なくとも５００、有利には少なくとも４０００、より有利には少なくとも１００００、そして非常に有利には２０００より大きい比透磁率（μ／μ０）を持つ１つ以上の材料を含む。例示的な材料は、それぞれおよそ８０００及び３００００の比透磁率を持つものであるパーマロイ及びミューメタルを含む。参考として、空気及び銅はどちらもおよそ１の比透磁率を持つ。パーマロイ及びミューメタル以外の高い透磁率の材料が使用されてもよく、遮蔽材料は、例えば、選択された遮蔽材料の比透磁率、磁場の強度、並びに潜在的被害者の近接性及び感度に依存する設計厚さを有し得る。ここに記載される例示的実施形態において、パーマロイ又はミューメタルの厚さは、数ミクロンから２−４ミル（ｍｉｌ）の範囲内、又はそれより大きい。
【００１８】
処理１１５で集積される磁場遮蔽材料は、磁場をパッケージビルドアップ内に制限するよう、磁石に近接して配置される。遮蔽材料は、例えば磁石と作動デバイスとによって占有されるビルドアップの領域に磁場を閉じ込め、あるいはそうではなく、如何なる隣接デバイス（パッケージビルドアップの内部、又はパッケージビルドアップの外部）も、さもなければ被るであろうものよりも実質的に小さい磁場のみに曝されるようにして、磁石によって占有されるビルドアップの領域を超えるところで磁石の磁場を制限する。実施形態において、磁場遮蔽は、磁石の下方に配置される底部側磁場遮蔽材料、及び／又は磁石の上方に配置される頂部側遮蔽材料、及び／又は磁石の隣に配置される側方磁場遮蔽材料、のうちの少なくとも１つを含む。
【００１９】
図３Ａ−３Ｃは、特定のビルドアップパッケージ内に存在する様々な寸法及び材料に基づいてフィールドソルバを用いてシミュレーションした、パッケージングされた永久磁石の断面領域内のモデル化した磁場強度を例示している。図３Ａにおいて、パッケージ表面３０５が磁石３１０を取り囲んでいる。この例では、磁石３１０は、極をｚ次元に実質的に平行に向けてｚ次元においておよそ２００μｍであり、パッケージ表面３０５は、ｚ次元において互いからおよそ４００μｍだけ離れている。このような寸法では、高透磁率の磁気遮蔽材料がないと、パッケージビルドアップのｚ次元境界の外側のかなりの場（例えば、等高線３１５）と、パッケージビルドアップのその他の領域内のｘ次元で側方のかなりの場（例えば、等高線３１６）との双方が見出される。
【００２０】
図３Ｂは、磁気遮蔽が底部側磁場遮蔽材料及び頂部側遮蔽材料の双方を含む一実施形態のシミュレーションを例示している。図示のように、底部側遮蔽材料３２１は、パッケージビルドアップの或る領域にわたって延在するとともに、磁石３１０の第１の面に面して配置される。頂部側遮蔽材料３２２は同様に、パッケージビルドアップの或る領域にわたって延在するとともに、磁石３１０の第２の面に面して配置される。図示のように、パッケージ表面３０５の外側での磁場強度が、図３Ａに示された基準の場に対して、また、パッケージビルドアップ内で側方に延在する磁場に対して、有意に低減されている。図３Ｃは、磁石３１０の第３の面に面して配置された側方磁場遮蔽材料３２４を磁気遮蔽が更に含む一実施形態のシミュレーションを例示している。図示のように、側方磁場遮蔽材料３２４の外側の側方の磁場強度が、図３Ａ及び３Ｂにおける場に対して低減されている。側方磁場遮蔽材料３２４は、例えば、磁石３１０及び磁場を利用するターゲットデバイスよりもさほど大きくない領域を占有するパッケージビルドアップの部分のみに、磁場を閉じ込めるために使用され得る。
【００２１】
図１Ｂは、磁石を備えるＭＥＭＳデバイスと磁気遮蔽との双方を集積する方法１０２を例示している。方法１０２は、ＭＥＭＳデバイスが磁気遮蔽と有利に集積されるという方法１０１の例示的な一実施形態であるが、方法１０１の他の実施形態は、ＭＥＭＳデバイスの更なる集積なしで、磁石と磁気遮蔽（又は、単に磁気遮蔽のみ）をビルドアップパッケージ内に集積し得る。そのような一実施形態は、例えば、インダクタ又はその他の電磁気デバイスがビルドアップパッケージと集積される場合に実施され得る。
【００２２】
方法１０２は、処理１０５にて、パッケージビルドアップの形成を含む。処理１０８にて、第１のデバイスがパッケージビルドアップと集積される。第１のデバイスは、磁場に対して感度を有し得る。例示的なデバイスは、以下に限られないが、任意のＩＣ（例えば、マイクロプロセッサ、メモリチップなど）、フォトニックデバイス（例えば、ＥＡＭ、ＭＯＥＭＳなど）、電磁気デバイス（例えば、バックブースト電源など）、又はＭＥＭＳデバイス（例えば、電磁結合又は容量結合された解放された部材を備える）を含む。処理１１１にて、磁石と、磁石の場に依存する、あるいは磁石の場によってその他の恩恵を受けるＭＥＭＳデバイスとが、パッケージビルドアップ上の第１のデバイスと集積される。このＭＥＭＳデバイスは、パッケージ内の唯一のそのようなデバイスであってもよいし、複数のそのようなデバイスのうちの１つであってもよい。交互にされた、ビルドアップ内の誘電材料層によって隔てられた導電層が、これら１つ以上のＭＥＭＳデバイスのためのスペース（面積及び容積）を提供する。このような面積又は容積を、ここでは空所として参照する。実施形態において、このような空所の一部が、ビルドアップ内に埋め込まれたＭＥＭＳデバイスを含めることによって利用される。代表的なＭＥＭＳデバイスは、センサ及びアクチュエータを含む。例には、以下に限られないが、共振器、スイッチ、加速度計、ジャイロスコープ、バイオセンサ、及びフォトニックデバイスなどが含まれる。ＭＥＭＳデバイスが磁気的に結合される特定の実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは、ＭＥＭＳデバイス動作中に磁場の存在下で静的及び／又は動的な機械的デフレクション（振れ）を自由に被る解放された部材（解放部材）を含む。
【００２３】
方法１０２は、処理１１６にて、ＭＥＭＳデバイスの磁場暴露を抑制することなく第１のデバイスの磁場暴露を抑制する磁気遮蔽の形成で完了する。特定の実施形態において、ＭＥＭＳデバイスの解放部材は、底部側と頂部側との磁場遮蔽材料の間（例えば、図３Ｂの材料３２１と３２２との間）に配置される。解放部材は更に、側方磁場遮蔽材料に隣接して（例えば、図３Ｃの側方遮蔽材料３２４の境界の中に）配置されてもよい。そのような実施形態において、遮蔽による磁場閉じ込めは、様々な遮蔽材料の内側の磁場強度を増大させ、それにより、局所的な磁場強度又は磁場均一性を高めることによって、このような閉じ込めを欠くパッケージへと集積されたシステムよりも高い感度をＭＥＭＳデバイスに与え得る。従って、磁気遮蔽の実施形態は、パッケージングされた磁石の場に曝されることから第１のデバイスを保護することに関してだけではなく、磁石と結合するように構成してパッケージングされた磁気デバイスの性能改善のためにも有利となり得る。
【００２４】
実施形態において、磁石が、ビルドアップパッケージの中に製造されたＭＥＭＳデバイスと、縦方向に集積される。特定のそのような実施形態において、第１（すなわち、底部側）の磁場遮蔽材料は、ビルドアップの或る領域にわたって延在するとともに、ＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つの解放部材とは反対側の磁石の片面に面して配置される（すなわち、磁石はＭＥＭＳデバイスと底部遮蔽との間のｚ位置にある）。更なる実施形態において、解放されたＭＥＭＳ部材は、やはりビルドアップの或る領域にわたって延在する第２（すなわち、頂部側）の遮蔽材料と磁石との間のｚ位置に配置される（すなわち、頂部側遮蔽材料は、第１の面とは反対の磁石の第２の面に面して配置される）。
【００２５】
図２は、デバイスパッケージビルドアップに磁場遮蔽がインテグレートされる実施形態を更に例示するフロー図である。図２の文脈にて記述される方法２０１の実施形態のうちの１つ以上は、図１Ｂの実行に使用され得る。方法２０１は、磁場遮蔽がビルドアップキャスティング用の金型にインテグレートされる実施形態を含んでいる。図４Ａ−４Ｊは更に、磁場遮蔽が磁石と集積され、遮蔽された磁石がパッケージ金型に組み込まれる１つのそのような実施形態を例示している。図５Ａ−５Ｊ及び図６Ａ−６Ｋは更に、その他の磁場遮蔽成形の実施形態を例示している。方法２０１はまた、磁場遮蔽が、例えば図７Ａ−７Ｌに更に例示されるように、１つ以上のラミネートされるビルドアップ層内に集積される実施形態を含んでいる。これらの実施形態の各々は特定の構造及び技術を示しているが、言及しておくことには、これらの実施形態は、それらそれぞれの属性が排他的でない場合に組み合わされてもよい。例えば、パッケージビルドアップの一部を成形するために使用される遮蔽された磁石が、ラミネートされるビルドアップ材料に集積される遮蔽材料と組み合わされてもよい。また、図４Ａ−４Ｊ、５Ａ−５Ｊ、６Ａ−６Ｋ、及ぶ７Ａ−７Ｌは、縦方向に集積される磁気ＭＥＭＳの実施形態に従った磁場遮蔽を備えるビルドアップ構造の図を示しているが、言及しておくことには、そのように記述される様々な遮蔽技術及び構造は、磁石から大きい横方向間隔を持つＭＥＭＳデバイス、並びにＭＥＭＳデバイスを有しない実施形態に容易に適応され得る。
【００２６】
図２を参照するに、第１の遮蔽方法は、処理２１０にて、磁石に遮蔽材料（例えば、高透磁率フォイル）を適用することで開始する。図４Ａに更に例示されるように、磁石は、極がｚ次元に平行に向けられた永久磁石４０９であってもよいし、極がｘ次元に平行に向けられた永久磁石４０９であってもよいし、これらの磁石４０９及び４０９の向きの中間の何らかの向きの極を持つ永久磁石であってもよい。磁石はほぼ、どのような寸法を有していてもよいが、例示的な実施形態では、磁石４０９（又は磁石４０９）のｚ高さ（厚さ）は１００μｍと５００μｍとの間であり、そして有利には、３００μｍ未満である。１つのそのような実施形態において、磁石４０９は、０．５−１ｍｍの半径の円筒形である。他の例示的な一実施形態において、磁石４０９は、１−２ｍｍの辺の長さの長方形である。他の実施形態において、極がｚ次元に平行に向けられた磁石が長方形であり、極がｘ次元に平行な磁石が円筒形である。
【００２７】
図４Ｂは更に、遮蔽材料４１２の中への磁石４０９の部分的な包み込みを例示している。遮蔽材料４１２は、上述のように高い比透磁率を有し、例えば、商業的に入手可能な数多くの標準フォイル厚さのうちの１つを持った、上述の具体的な材料のうちの何れかとし得る。遮蔽材料４１２は、磁石の磁石４０９の１つの面を除く全ての面を覆ってもよいし、磁石の２つ以上の面を露出させたままにしてもよいし、及び／又は磁石の全ての面各々の一部を覆ってもよい。図４Ｂは、２つの例示的な実施形態を示している。第１の実施形態では、遮蔽材料４１２は、横方向の磁石側壁表面４１３Ｂ及び１つの更なる表面４１３Ａのみを覆って配設される。他の一実施形態において、遮蔽材料４１２は、第１の磁石表面４１４Ａを完全に覆い、横方向の側壁表面４１４Ｂを完全に覆い、そして、残りの磁石表面４１４Ｃを部分的に覆う。この実施形態において、遮蔽材料４１２を設けることは、磁石４０９の横方向寸法Ｄ１よりも小さい直径Ｄ２を持つ方向性のある開口を形成する。この開口は、例えばＭＥＭＳデバイスに向けてなど、パッケージ内の特定の領域に向けられることができ、さらに、パッケージのその他の領域からのフリンジ磁場を制限し得る。他の実施形態（図示せず）において、遮蔽開口の中心点は、ＭＥＭＳデバイスの中心からオフセットされてもよい。
【００２８】
図２を参照するに、処理２１５にて、遮蔽された磁石がキャリアに取り付けられる。このような処理には、例えば、ピックアンドプレース機が使用され得る。図４Ｃに更に示す例示的な実施形態において、磁石４０９が、接着フォイル又は接着フィルム４２５によってキャリア４２０に貼り付けられる。例示的な実施形態において、キャリア４２０は犠牲的なものであり（すなわち、ビルドアップパッケージの部分として保持されない）、露出された（頂部）磁石表面４１４Ｃがキャリア４２０に面するように磁石を貼り付けられる。図４Ｃに更に示すように、磁石４０９から横方向に離間したキャリア４２０の領域に、デバイス４１１も取り付けられる。デバイス４１１は、以下に限られないが例えばＩＣなど、ビルドアップパッケージ技術に適した如何なるデバイスであってもよい。
【００２９】
図４Ｄに示す例示的な実施形態において、磁石４０９を覆い且つデバイス４１１を覆って、誘電材料４３０が成形される。誘電材料４３０は、例えば、固まっていない状態で導入された後にビルドアップキャスティングへと乾燥／硬化され得る。数多くの好適な誘電材料が存在し、実施形態はこの点で限定されない。図４Ｄに示すように、この成形プロセスは、様々なｚ高さの磁石４０９及びデバイス４１１を受け入れる。磁石４０９が２００μｍ未満の厚さを有し、且つ遮蔽材料４１２が６ミル未満の厚さを有する一実施形態において、デバイス４１１はシリコンダイ又は複数のそのようなダイのスタックであり、各ダイがおよそ２００マイクロメートル（μｍ）を超える厚さを有する。他の一例において、デバイス４１１は、例えば５０μｍから１５０μｍなど、１５０μｍ未満の厚さを有する。その他の厚さも可能である。図示のように、遮蔽材料４１２は、ビルドアップの或る領域にわたって延在し且つ磁石４０９の第１の面（表面４１３Ａ）と誘電材料４３０との間に配置された底部側磁場遮蔽材料を伴う。遮蔽材料４１２は更に、底部側遮蔽材料に対して平行でない（例えば、実質的に直交する）方向に延在し且つ磁石４０９の側壁（表面４１３Ｂ）と誘電材料４３０との間に配置された側方磁場遮蔽材料を伴う。磁石４０９の面積よりも小さい頂部側開口を遮蔽材料４１２が形成する実施形態では、側方遮蔽材料が磁石４０９の第３の面（頂面）の周囲に回り込む。例示的な実施形態において、誘電材料４３０は遮蔽材料４１２と直に接触し、磁石４０９は、遮蔽材料４１２のみによって誘電材料４３０から離隔される。図４Ｅに示すように磁石４０９及びデバイス４１１を誘電材料４３０に埋め込んだ状態で、キャリア４２０及び接着フィルム４２５が除去され、不完全に遮蔽された磁石頂面４１３Ｃとデバイス４１１上のコンタクトパッドとが露出される。
【００３０】
再び図２を参照するに、処理２２０にて、更なるビルドアップ層が形成され、処理２２５にて、それらのビルドアップ層内にＭＥＭＳデバイスが形成され得る。図４Ｆに例示するように、例えば、磁石頂面４１４Ｃ及びデバイス４１１を覆って（例えば、直に接触して）誘電体層４４１が導入される。１つの好適な誘電材料は、例えばドライフィルムラミネートとして導入されるＡＢＦ材料である。図４Ｇは、誘電材料層４４１を貫くビア内に形成された導電体を更に描いている。機械式、レーザ又はその他の穴開けプロセスがビアを形成し得る。図４Ｇの導電材料は、パッケージビルドアップの第１階層導電材料として、パターン形成された導電性ＭＥＭＳ部材４５０と、ＭＥＭＳバリア４５５と、デバイスパッドインターコネクト４６０とを含んでいる。ビア内の導電材料及びパターン形成された導電配線は、無電解シード層めっきと、それに続くドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）パターニング及びめっきを用いて形成され得る。その後、ＤＦＲが剥離され、続いて、フラッシュエッチングによって無電解シード層が除去される。ＭＥＭＳ部材４５０は、導電性のアンカー（図４Ｇに表される平面の外にあるとして図示せず）を含み得る。ＭＥＭＳ部材４５０は、磁石４０９の磁場の存在下で好適な挙動を有するビーム、コイル、又はその他の構造とし得る。
【００３１】
誘電体ラミネート及び導電体めっきプロセスが繰り返されて、ビルドアップの複数の交互の誘電材料層及び導電材料層が形成され得る。図４Ｈは、第１の導電階層の上の第２階層導電材料として形成された、更なるパターン形成された導電配線を更に示している。更なる導電階層のＭＥＭＳバリア４５５及びデバイスパッドインターコネクト４６０が、例えばＡＢＦフィルムなどの更なる誘電材料層４４１内に形成される。
【００３２】
一実施形態によれば、磁石の上方に置かれたビルドアップの領域の容積又は３次元空間の中に、空所が指定される。理解されるように、ビルドアップパッケージの形成においては、パッケージ内の所定の位置に導電配線及びビアが位置付けられる。そのような位置は予め定められているので、空所を設計することができる。図４Ｉは、ＭＥＭＳ部材４５０の上方に開口４７５を有するようにパターニングされた例えばドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）とし得るマスク４７０の導入及びパターニングの後の、図４Ｈの構造を示している。図４Ｉはまた、ＭＥＭＳ部材４５０の周りの（１つ以上の）誘電体層４４１の除去を示しており、それにより、部材４５０が、１つ以上のアンカー箇所を除く全ての周囲材料から解放される。部材４５０は、その後、ｚ次元、ｘ次元、又はｙ次元のうちの少なくとも１つにおいて、自由に変位を経験する。この誘電材料が除去され得る１つの手法は、プラズマエッチング（例えば、酸素アッシング）によるものである。解放エッチングストップ層、又は誘電体層４３０と４４１との間の組成差が、解放エッチングの縦方向深さを設定する異なるエッチング特性を生じさせ得るとともに、解放エッチングの横方向の閉じ込めが、例えばＭＥＭＳバリア４５５などのパターン形成された導電材料層によって範囲内に収められ得る。図４Ｉに更に示すように、ＭＥＭＳ部材４５０は、磁場遮蔽開口の上方／範囲内に置かれるように縦方向にアライメントされる。
【００３３】
図２を参照するに、磁石に磁場遮蔽を適用することに加えて、処理２３０にて、ラミネート層内に遮蔽を設けることができ、且つ／或いは、処理２３５にて、“頂部側”磁気遮蔽でＭＥＭＳデバイスに蓋（キャップ）をすることができる。少なくとも底部側遮蔽が存在しており、処理２３０及び２３５は、図２に破線ボックスで示されるように、オプション的なものである。処理２３０で形成されるラミネート層内の遮蔽は、例えば図３Ｃの文脈で上述したように磁力線を更に制限することになる。これについては、他の例示的な実施形態の文脈にて後述する。処理２３５で形成される頂部側遮蔽は、例えば図３Ｂの文脈にて上述したように、頂部側遮蔽を超えるところで磁力線を制約あるいは制限することになる。図４Ｊに示す例示的な実施形態において、マスク４７０が除去されるとともに、磁石４０９の磁気遮蔽材料４１２とは反対側で、ＭＥＭＳ部材４５０の上方に頂部側磁気シールド４８５が配設されている。頂部側シールド４８５は、パッケージビルドアップのパターン形成された導電材料層に取り付けられ得る。図示した実施形態において、頂部側シールド４８５は、ＭＥＭＳバリア４５５の頂面に取り付けられている。頂部側シールド４８５は、遮蔽材料４１２に関して上述した高透磁率材料のうちの何れかの、ドライラミネートフィルム（フォイル）又は切り取り片とすることができ、あるいは、高透磁率材料の層を含んだ複合的なスタックであってもよい。そのようなスタックは、従来からのピックアンドプレース装置／技術を用いて取り付けられ得る。接合材４８０（例えば、接着剤、はんだ、又はこれらに類するもの）が、パターン形成された導電層の表面に遮蔽材料４８５を貼り付け得る。そして、方法２０１のこの第１の例示的実施形態は、処理２４０（図２）にて、磁気的に遮蔽されたパッケージビルドアップが、従来からのビルドアップパッケージング技術に従って完成されて終了する。
【００３４】
戻って図２を参照するに、第２の磁場遮蔽成形の実施形態においては、処理２５５にて、遮蔽材料が、磁石とは独立の構造へとプリフォームされる。そして、処理２６０にて、この遮蔽構造及び磁石が金型の別々の部分を形成する。図５Ａ及び５Ｂに示す例示的な実施形態において、磁石４０９の横方向の側壁に従った横方向寸法を持つガードリング５１２へと、遮蔽構造が形成される。例えば、磁石は或る辺上で１．５ｍｍであり、ガードリング５１２の内径は、磁石４０９を受け入れるために、或る辺上で１．５ｍｍよりも大きい。例示的な実施形態において、ガードリング５１２は閉じた構造であり、磁石４０９の側壁を取り囲む連続した周縁を形成する。先述のような磁石４０９への遮蔽の直接的な適用とは異なり、ガードリング５１２は、磁石４０９のビルドアップ設置範囲（フットプリント）と重なり合わない。ガードリング５１２は、横方向での望ましい磁場閉じ込めを提供するように、且つ／或いは、例えばピックアンドプレース技術を用いた実装を可能にするのに適した構造的固さを提供するように、且つ／或いは、成形プロセスにその他で適合するように、十分なｚ高さを有し得る。例示的な実施形態において、ガードリング５１２は、例えば３００−５００μｍなど、磁石４０９のｚ厚さよりも大きいｚ厚さを有する。ガードリング５１２は、例えば上述の範囲内の比透磁率を有するといった、高い比透磁率を有するシート製品からスタンピング（打ち抜き）され得る。ガードリング５１２は、一様な材料（例えば、ミューメタル）を有していてもよいし、高い比透磁率の１つ以上の層を有するラミネート又は複合構造であってもよい。
【００３５】
図５Ｃに示すように、この場合も、図４Ｃの文脈にて上述したのと実質的に同様に、例えば接着層４２５を用いて、磁石４０９及びデバイス４１１がキャリア４２０に取り付けられる。さらに、例えば、磁石４０９及びデバイス４１１をマウントするのに使用されるのと同じピックアンドプレース技術を用いて、ガードリング５１２が同様にキャリア４２０に取り付けられる。
【００３６】
図５Ｃの構造は、次いで、金型の少なくとも一部として機能し、その上に誘電材料４３０が形成され（例えば、ディスペンスされて硬化されるなど）、磁石４０９、デバイス４１１、及びガードリング５１２を誘電材料４３０に埋め込むようにする。図示の例示的な実施形態においては、ガードリング５１２と磁石４０９の側壁との間に幾らかの誘電材料４３０を配して、磁石の３つの側が誘電材料４３０に埋め込まれている。誘電材料４３０は更に、ガードリング５１２とデバイス４１１との間に配される。従って、磁石４０９から横方向に延びる磁力線が、デバイス４１１によって占有されるビルドアップ領域内で有意に低減されることになる。
【００３７】
図５Ｄに更に示すように、誘電体４３０を覆って磁気遮蔽材料５１４が配設される。ガードリング５１２が誘電体４３０に完全には埋め込まれない例示的な実施形態では、遮蔽材料５１４がガードリング５１２と直に接触し得る。誘電材料４３０は、しかしながら、磁石と磁場遮蔽材料５１４との間に配設される。遮蔽材料５１４は、如何なる望ましい厚さであってもよく、有利な一実施形態において、遮蔽材料５１４は、ミューメタル又は好適な高透磁率を持つ他の材料をスパッタリングすることによって形成される。その他の堆積技術（例えば、無電解めっき、ラミネーションなど）も使用され得る。図５Ｅに示すように、キャリア４２０（及び接着剤４２５）が除去され、そして、遮蔽材料５１４が底部側遮蔽材料となるようにビルドアップが反転され、磁石４０９の頂面及びデバイス４１１のパッドが露出される。
【００３８】
戻って図２を参照するに、この場合も、処理２２０にて、更なるビルドアップ層が形成され、処理２２５にて、それらのビルドアップ層内にＭＥＭＳデバイスが形成され得る。図５Ｆに例示するように、例えば、磁石頂面４１４Ｃ及びデバイス４１１を覆って（例えば、直に接触して）、また、ガードリング５１２を覆って、誘電体層４４１が導入される。１つの好適な誘電材料は、例えば図４Ｆの文脈にて先述したようにドライフィルムラミネートとして導入されるＡＢＦ材料である。図５Ｇは、誘電材料層４４１を貫くビア内に形成された導電体を更に描いている。この場合も、図５Ｇの導電材料は、パッケージビルドアップの第１階層導電材料として、パターン形成された導電性ＭＥＭＳ部材４５０と、ＭＥＭＳバリア４５５と、デバイスパッドインターコネクト４６０とを含んでいる。誘電体ラミネート及び導電体めっきプロセスが繰り返されて、ビルドアップの複数の交互の誘電材料層及び導電材料層が形成され得る。図５Ｈは、第１の導電階層の上の第２階層導電材料として形成された、更なるパターン形成された導電配線を更に示している。
【００３９】
図５Ｉは、マスク４７０の導入及びパターニングの後の、図５Ｈの構造を示している。図５Ｉはまた、ＭＥＭＳ部材４５０の周りの（１つ以上の）誘電体層４４１の除去を示しており、それにより、部材４５０が、１つ以上のアンカー箇所を除く全ての周囲材料から解放される。部材４５０は、故に、ｚ次元、ｘ次元、又はｙ次元のうちの少なくとも１つにおいて、自由に変位を経験する。
【００４０】
図５Ｊに示すように、マスク４７０が除去されるとともに、磁石４０９の底部磁気遮蔽材料５１４とは反対側で、ＭＥＭＳ部材４５０の上方に頂部側磁気シールド４８５が配設される。頂部側シールド４８５は、例えばはんだによって、パッケージビルドアップのパターン形成された導電材料層に取り付けられ得る。頂部側シールド４８５は、図４Ｊの文脈にて先述した材料のうちの何れかとし得る。そして、方法２０１のこの第２の例示的実施形態は、処理２４０（図２）にて、磁気的に遮蔽されたパッケージビルドアップが、例えばビルドアップの上にはんだマスク又は頂部層を付加するなどの従来からの技術に従って完成されて終了する。
【００４１】
戻って図２を参照するに、第３の磁場遮蔽成形の実施形態においては、処理２６５にて、スペーサ及び磁石が金型に組み込まれ、そして、誘電体キャスティングにおける空所を形成すべくスペーサが除去される。次いで、処理２７０にて、スペーサを置き換えるように空所内に遮蔽材料が堆積される。従って、スペーサは、ビルドアップ内に組み込まれる遮蔽材料の少なくとも一部の幾何学形状を画成するために使用される製造マンドレル（型）として機能する。上述の第２の成形実施形態と同様に、マンドレル及び磁石が処理２６５で金型の別々の部分を形成し、結果として得られる遮蔽は磁石と独立である。
【００４２】
一般に、マンドレルは、好適な構造へとプリフォームされ、例えば、シート製品からスタンピングされ得る。マンドレルは、例えば、溶解によって、あるいは物理的な抜き取りによって、ビルドアップ誘電材料から選択的に除去可能な材料であるべきである。図６Ａ及び６Ｂに示す例示的な実施形態において、マンドレル６１２は、磁石４０９の横方向の側壁に従った横方向寸法を持つ。例えば、磁石が或る辺上で１．５ｍｍである場合、マンドレル６１２の内径は、磁石４０９を受け入れるために、或る辺上で１．５ｍｍよりも大きい。図６Ｂに示すように、マンドレル６１２は閉じた構造ではなく、それに代えて、マンドレル６１２の除去を受けて磁石４０９とビルドアップとの間の連続を完全に失うことがないよう、開口部６１３を含んでいる。マンドレル６１２は、横方向での望ましい磁場閉じ込めに適した空所を提供するように、且つ／或いは、例えばピックアンドプレース技術を用いた実装を可能にするのに適した構造的固さを持つように、且つ／或いは、成形プロセス後のマンドレルの除去に適合するように、十分なｚ高さを有し得る。例示的な実施形態において、マンドレル６１２は、例えば３００−５００μｍ又はそれ以上など、磁石４０９のｚ厚さよりも大きいｚ厚さを有する。
【００４３】
図６Ｃに示すように、この場合も、図４Ｃの文脈にて上述したのと実質的に同様に、例えば接着層４２５を用いて、磁石４０９及びデバイス４１１がキャリア４２０に取り付けられる。さらに、例えば、磁石４０９及びデバイス４１１をマウントするのに使用されるのと同じピックアンドプレース技術を用いて、マンドレル６１２が同様にキャリア４２０に取り付けられる。
【００４４】
図６Ｃの構造は、次いで、金型の少なくとも一部として機能し、磁石４０９、デバイス４１１、及びマンドレル６１２を埋め込むように誘電材料４３０が形成される（例えば、ディスペンスされて硬化されるなど）。図６Ｄに示す例示的な実施形態においては、マンドレル６１２と磁石４０９の側壁との間に幾らかの誘電材料４３０を配して、磁石４０９の３つの側が誘電材料４３０に埋め込まれている。誘電材料４３０は更に、マンドレル６１２とデバイス４１１との間に配される。マンドレル６１２の少なくとも一部が、誘電材料４３０の適用後に露出されたままであり、図６Ｅに例示するその除去を容易にする。
【００４５】
図６Ｅにて、誘電体４３０を覆って磁気遮蔽材料５１４が配設される。磁石と磁場遮蔽材料５１４との間に誘電材料４３０が配設されている。遮蔽材料５１４は、如何なる望ましい厚さであってもよく、有利な一実施形態において、遮蔽材料５１４は、スパッタ堆積される。その他の堆積技術（例えば、無電解めっき、ラミネーションなど）も使用され得る。遮蔽材料５１４は、ミューメタル又は好適な高透磁率を持つ他の材料とし得る。図６Ｆに示すように、キャリア４２０（及び接着剤４２５）が除去され、そして、遮蔽材料５１４が底部側遮蔽材料となるようにビルドアップが反転され、磁石４０９の頂面及びデバイス４１１のパッドが露出される。
【００４６】
図６Ｅに示すように、マンドレル６１２の除去は、誘電材料４３０の厚さ全体を貫いて延在する空所４７５を形成する。除去プロセスに応じて、空所４７５は、マンドレル除去を指し示す側壁を有し得る。例えば、マンドレル６１２の側壁は、抜き取りを容易にするように正傾斜されてもよい。従って、空所４７５の側壁は、図６Ｅに破線４７６によって例示するように、誘電体４３０の頂面及び／又は底面、及び／又は磁石４０９の面に対して直交しないことがある。
【００４７】
誘電体４３０を覆って配設される磁気遮蔽材料５１４は、マンドレル６１２の除去の前又は後に形成され得る。図６Ｇは、遮蔽材料５１４がマンドレル６１２の除去前に形成される一実施形態を更に例示している。マスク４７０が、マンドレル除去後に形成され、且つ空所４７５をオープンにするようにパターニングされ、次いで、空所４７５が、好適な高透磁率の遮蔽材料６６１（例えば、上述のもののうちの何れか）で少なくとも部分的に充填される（例えば、ライニング（裏打ち）される）。遮蔽材料６６１は、底部側遮蔽材料５１４と同じ組成であってもよいし、異なる組成であってもよい。遮蔽材料６６１が遮蔽材料５１４と同じ材料であり得る場合であっても、これら２つの膜のミクロ構造はその製造プロセスを指し示し得る。例えば、異方性のグレイン配向が、遮蔽材料６６１における横（ラテラル）側壁成長（例えば柱状粒子が側壁から延びていく）を指し示すバイヤス（布目線）又はテクスチャを示し得る一方で、遮蔽材料５１４におけるテクスチャは、縦（バーティカル）成長（例えば、柱状粒子が誘電体４３０の頂面から延びていく）を指し示す。故に、遮蔽材料６６１にわたる傾斜（例えば、側壁４７６に従う）に加えて、ミクロ構造が、実線で図６Ｇに輪郭描写した境界面とは一線を画し得る。遮蔽材料６６１の堆積に続いて、マスク４７０が剥離されて、磁石４０９及びデバイス４１１の頂面が再び露出される。
【００４８】
他の例では、遮蔽材料６６１は遮蔽材料５１４と同時に堆積される（例えば、図６Ｅに描いた状態で堆積される）。この実施形態では、マスク４７０は必要なく、ビア充填をビルドアップの反対側から起こして、図６Ｅ及び６Ｇに描いた２つの堆積処理が結合される。このような堆積は、キャリア４２０が除去される前又は後に実行され得る。
【００４９】
戻って図２を参照するに、側方及び底部側の双方の磁気遮蔽を適所に置いて、この場合も、処理２２０にて、更なるビルドアップ層が形成され、処理２２５にて、それらのビルドアップ層内にＭＥＭＳデバイスが形成され得る。図６Ｈに例示するように、例えば、磁石頂面４１４Ｃ及びデバイス４１１を覆って（例えば、直に接触して）、また、磁気シールド６６１を覆って、誘電体層４４１が導入される。１つの好適な誘電材料は、例えば図４Ｆの文脈にて先述したようにドライフィルムラミネートとして導入されるＡＢＦ材料である。図６Ｉは、誘電材料層４４１を貫くビア内に形成された導電体を更に描いている。この場合も、図６Ｉの導電材料は、パッケージビルドアップの第１階層導電材料として、パターン形成された導電性ＭＥＭＳ部材４５０と、ＭＥＭＳバリア４５５と、デバイスパッドインターコネクト４６０とを含んでいる。誘電体ラミネート及び導電体めっきプロセスが繰り返されて、ビルドアップの複数の交互の誘電材料層及び導電材料層が形成され得る。図６Ｊは、第１の導電階層の上の第２階層導電材料として形成された、更なるパターン形成された導電配線を更に示している。
【００５０】
図６Ｋは、マスク４７０の導入及びパターニングの後の、図６Ｊの構造を示している。図６Ｋはまた、ＭＥＭＳ部材４５０の周りの（１つ以上の）誘電体層４４１の除去を示しており、それにより、部材４５０が、１つ以上のアンカー箇所を除く全ての周囲材料から解放される。部材４５０は、その後、ｚ次元、ｘ次元、又はｙ次元のうちの少なくとも１つにおいて、自由に変位を経験する。
【００５１】
図６Ｌに示すように、マスク４７０が除去されるとともに、磁石４０９の底部磁気遮蔽材料５１４とは反対側で、ＭＥＭＳ部材４５０の上方に頂部側磁気シールド４８５が配設される。頂部側シールド４８５は、例えばはんだによって、パッケージビルドアップのパターン形成された導電材料層に取り付けられ得る。頂部側シールド４８５は、図４Ｊの文脈にて先述した材料のうちの何れかとし得る。そして、方法２０１のこの第３の例示的実施形態は、処理２４０（図２）にて、磁気的に遮蔽されたパッケージビルドアップが、例えばビルドアップの上にはんだマスク又は頂部層を付加するなどの従来からの技術に従って完成されて終了する。
【００５２】
戻って図２を参照するに、他の一実施形態においては、ビルドアップラミネートに磁場遮蔽がインテグレートされる。このような一実施形態は、成形されるビルドアップ材料にインテグレートされる他の遮蔽を排してもよいし、そのような遮蔽材料に加えて使用されてもよい。図２に示すように、処理２８５にて、基板に遮蔽材料が適用され、処理２９０にて、遮蔽された基板に磁石が取り付けられる。この適用は、基板全体上で全域的であってもよいし、基板の特定の領域のみに選択的に遮蔽材料が設けられてもよい。図７Ａは、基板７２０上に置かれた例示的な底部側磁気遮蔽材料７１４を更に描いている。遮蔽材料７１４は、以下に限られないが例えばミューメタル、パーマロイ、又は上述の範囲内の比透磁率を持つ他の材料などの、好適な高透磁率を有する如何なる材料であってもよい。基板７２０は、ビルドアップキャリアとして好適な如何なるパッケージング基板ともすることができ、且つ／或いは、基板７２０は、１つ以上の有機誘電体ラミネート（例えば、ＡＢＦ）とし得る。遮蔽材料７１４は、以下に限られないが例えばスパッタ又はドライフィルムラミネーションなどの、多様な技術によって基板７２０上に堆積され得る。そして、遮蔽された基板の上に、例えば接着剤４０６を用いて、磁石４０９及びデバイス４１１が取り付けられる。
【００５３】
図７Ｂは、感光性誘電体（絶縁体）層７４１のラミネーションを例示している。誘電体層７４１は、何らかの従来からの感光性（有機）誘電体層とし得る。磁石４０９が底部側磁場遮蔽材料７１４に取り付けられた後に誘電体層７４１がラミネートされるので、磁石４０９は、遮蔽材料７１４によって覆われるビルドアップの領域の一部を占有するのみである。また、誘電材料７４１は、磁石４０９の側壁に隣接して存在するが、磁石４０９と磁場遮蔽材料７１４との間の領域には不在である。
【００５４】
図７Ｃに示すように、例えば、特定の誘電絶縁体に適した従来からのマスク、露光、現像プロセスを用いて、感光性誘電体層７４１がパターニングされる。誘電体層７４１のパターニングは、１つ以上の空所４７５を形成する。空所４７５は、図６Ｅの文脈にて説明したものと同様に、磁石４０９を取り囲む連続的な周縁であってもよいし、又は遮蔽材料７１４を露出させるように誘電体層７４１の厚さを各々が通り抜ける複数の個別のビア構造のうちの１つであってもよい。
【００５５】
図７Ｄに示すように、パターニングされた誘電体層７４１を覆ってマスク７４０が形成され、マスク７４０の上及び空所４７５の中に遮蔽材料層７６２が形成される。空所４７５は、側方遮蔽材料７６１で少なくとも部分的に充填される。遮蔽材料７６１、７６２は、底部側遮蔽材料７１４と同じ組成を有していてもよいし、異なる組成を有していてもよい。遮蔽材料７６１は、高い比透磁率の如何なる材料（例えば、ミューメタルなど）ともし得る。
【００５６】
再び図２を参照するに、側方及び底部側の双方の磁気遮蔽を適所に置いて、この場合も、処理２２０にて、更なるビルドアップ層が形成され、処理２２５にて、それらのビルドアップ層内にＭＥＭＳデバイスが形成され得る。図７Ｅに例示するように、例えば、磁石頂面４１４Ｃの上方、デバイス４１１の上方、及び磁気シールド７６１の上方に、誘電体層４４１が導入される。例示的な実施形態において、誘電体層７４１は、磁石４０９及びデバイス４４１を覆って配設されたラミネートであるので、磁気シールド７６１は、磁石４０９及びデバイス４１１のｚ高さよりも大きいｚ高さを持ち、あるいは、磁石４０９及びデバイス４１１が相異なるｚ高さを持つ場合、これら２つのコンポーネントを平坦にするために充填材が存在してもよい。しかしながら、有利な実施形態においては、磁石４０９及びデバイス４１１は略同じｚ高さ（厚さ）を持つ。誘電体層４４１は、例えば図４Ｆの文脈にて先述したようにドライフィルムラミネートとして導入されるＡＢＦ材料とし得る。図７Ｆは、誘電材料層４４１を貫くビア内に形成された導電体を更に描いている。この場合も、図７Ｆの導電材料は、パッケージビルドアップの第１階層導電材料として、パターン形成された導電性ＭＥＭＳ部材４５０と、ＭＥＭＳバリア４５５と、デバイスパッドインターコネクト４６０とを含んでいる。誘電体ラミネート及び導電体めっきプロセスが、図７Ｇ及び７Ｈに例示するように繰り返されて、ビルドアップの複数の交互の誘電材料層及び導電材料層が形成され得る。図７Ｈは、マスク４７０の導入及びパターニングの後の、第１の導電階層の上の第２階層導電材料として形成された、更なるパターン形成された導電配線を更に示している。
【００５７】
図７Ｉは、ＭＥＭＳ部材４５０の周りの（１つ以上の）誘電体層４４１の除去の後の図７Ｈの構造を示しており、部材４５０が、１つ以上のアンカー箇所を除く全ての周囲材料から解放されている。
【００５８】
図７Ｊに示すように、マスク４７０が除去されるとともに、磁石４０９の底部磁気遮蔽材料７１４とは反対側で、ＭＥＭＳ部材４５０の上方に頂部側磁気シールド４８５が配設される。頂部側シールド４８５は、例えばはんだによって、パッケージビルドアップのパターン形成された導電材料層に取り付けられ得る。頂部側シールド４８５は、図４Ｊの文脈にて先述した材料のうちの何れかとし得る。そして、方法２０１のこの例示的実施形態は、処理２４０（図２）にて、磁気的に遮蔽されたパッケージビルドアップが、例えばビルドアップの上にはんだマスク又は頂部層を付加するなどの従来からの技術に従って完成されて終了する。
【００５９】
とりわけ、１つのビア階層のみが磁場遮蔽材料７６１で充填されているが、そのように記述されたプロセスが、順次の誘電体ラミネーションの各々で繰り返されて、例えば、ビルドアップのｚ厚さ全体を貫く磁気遮蔽材料で充填された積層されたビアを形成してもよい。そのようなスタック磁気遮蔽ビアが、図７Ｋに例示されている。このような遮蔽アーキテクチャにおいて、磁場遮蔽材料７６１は、望まれる場合に、底部遮蔽材料７１４から頂部側シールド４８５まで延在してもよい。順次の誘電体層ラミネーションの各々で、１つのパターニング及び体積が電気インターコネクトを形成し、もう１つのパターニング及び堆積が磁場遮蔽構造を形成して、二度のパターニング及び二度の堆積が実行される。図７Ｌは、磁場遮蔽材料７６１で充填された貫通ビアが磁石４０９の周縁に沿ってアレイ化された一実施形態の平面図を例示している。積層されたビアの実施形態では、電気ルーティングが遮蔽における何らかの途切れを通り抜け、例えば、図７Ｌにおいて、電気ルーティング７７０は、磁石４０９の上方に配置されたＭＥＭＳデバイス７７５と電気的に結合されるために磁気遮蔽を通り抜けるように、ビア群のうちの隣接し合うビアの間を延在している。
【００６０】
図８は、一実施形態に従った、例示的なエンドユーザ装置８００の例示図である。装置８００は、パッケージビルドアップ内に１つ以上の磁石及び磁場遮蔽構造を含み得る。例えば、一実施形態において、磁気的に結合されたＭＥＭＳデバイス、磁石、及び磁気遮蔽が、装置８００内に含められる。装置８００はモバイル装置とし得るが、装置８００はこの文脈に限定されない。例えば、装置８００は、ラップトップコンピュータ、ウルトララップトップコンピュータ、タブレット、タッチパッド、ポータブルコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、パームトップコンピュータ、携帯電話、スマート装置（例えば、スマートフォン、スマートタブレット又はモバイルテレビジョン）、モバイルインターネット装置（ＭＩＤ）、メッセージング装置、及びデータ通信装置などに組み込まれてもよい。装置８００はまた、基盤装置であってもよい。例えば、装置８００は、大判のテレビジョン、セットトップボックス、デスクトップコンピュータ、又はその他の家庭用若しくは商業用のネットワーク装置に組み込まれてもよい。図８に示すように、装置８００は、筐体８０２、ディスプレイ８０４、入力／出力（Ｉ／Ｏ）装置８０６、及びアンテナ８０８を含み得る。装置８００はまた、ナビゲーション機構８１２を含み得る。ディスプレイ８０４は、モバイル通信装置に適した情報を表示する如何なる好適な表示ユニットをも含み得る。Ｉ／Ｏ装置８０６は、モバイル通信装置に情報を入力するための如何なる好適なＩ／Ｏ装置をも含み得る。Ｉ／Ｏ装置８０６の例は、英数字キーボード、数字キーパッド、タッチパッド、入力キー、ボタン、スイッチ、マイク、スピーカ、音声認識装置及びソフトウェア、等々を含み得る。
【００６１】
図９は、本発明の一実施形態に従った、遮蔽された磁気ＭＥＭＳデバイスを使用するシステム９００のブロック図である。例示的な一実施形態において、システム９００は、装置８００のコンポーネント又はチップセットとして筐体８０２の中に配置される。システム９００はまた、タブレットコンピュータであってもよい。システム９００は、例えばネットワーク装置などのモバイル装置であってもよい。システム９００はまた、デスクトップコンピュータであってもよい。システム９００はまた、自動車に統合されてもよい。システム９００は、テレビジョンに統合されてもよい。システム９００は、ＤＶＤプレーヤに統合されてもよい。システム９００は、デジタルビデオカメラに統合されてもよい。この例示的な実施形態において、システム９００は、システム９００の様々なコンポーネントを電気的に結合するシステムバス９２０を含んだコンピュータシステムである。システムバス９２０は、様々な実施形態に従って、単一のバス、又は複数のバスの組み合わせである。システム９００は、集積回路９１０に電力を供給する電圧源９３０を含んでいる。一部の実施形態において、電圧源９３０は、システムバス９２０を介して集積回路９１０に電流を供給する。集積回路９１０は、システムバス９２０に電気的に結合され、また、実施形態に従った回路又は複数回路の組み合わせを含んでいる。一実施形態において、集積回路９１０はプロセッサ９１２を含んでいる。ここで使用されるとき、プロセッサ９１２は、以下に限られないが、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィックプロセッサ、グラフィック機能を備えたＳｏＣプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、ＲＦ機能を備えたＳｏＣプロセッサなどの等価でない実施形態などの、如何なる種類のデバイスともし得る。集積回路９１０に含められることができるその他の種類の回路は、例えば携帯電話、スマートフォン、ポケットベル、ポータブルコンピュータ、送受信兼用無線器、及びその他の電子システムなどの等価でないワイヤレス装置で使用される、例えば通信回路９１４などの特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）である。一実施形態において、プロセッサ９１０は、例えばスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などのオンダイ（on-die）メモリ９１６を含む。一実施形態において、プロセッサ９１０は、例えば混載（embedded）ダイナミックランダムアクセスメモリ（ｅＤＲＡＭ）などの、混載オンダイメモリ９１６を含む。一実施形態において、集積回路９１０は、第２の集積回路９１１で補完される。一実施形態において、第２の集積回路９１１は、グラフィックプロセッサ若しくは無線周波数集積回路、又はこれらの双方としてである。一実施形態において、解放された部材９０６を含んだ少なくとも１つのＭＥＭＳデバイス９０５が、集積回路９１０、９１１に結合される。一実施形態において、ＭＥＭＳデバイス９０５は、例えばタブレット又はスマートフォン用の加速度計などのセンサである。一実施形態において、ＭＥＭＳデバイス９０５及び電圧源９３０のうちの少なくとも一方は、永久磁石９０７によって提供される磁場に少なくとも部分的に基づいて動作可能である。磁石９０７は更に、詳細に上述���た実施形態のうちの１つ以上などのビルドアップ適合遮蔽構造に従った１つの磁場遮蔽によって遮蔽される。
【００６２】
一実施形態において、システム９００はアンテナ素子９８２を含む。アンテナ素子９８２の使用により、例えばテレビジョンなどのリモート装置が、無線リンクを介して遠隔操作され得る。例えば、無線リンクを介して動作するスマートフォン上のアプリケーションが、例えばＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）技術などによって、最大で約３０メートル離れて、テレビジョンに命令をブロードキャストする。一実施形態において、リモート装置は、衛星利用測位システムを含んでおり、アンテナ素子はそのための受信器として構成される。一実施形態において、システム９００はまた外部メモリ９４０を含み、外部メモリ９４０は、例えば、ＲＡＭ形態のメインメモリ９４２、１つ以上のハードドライブ９４４、及び／又は、例えばディスケット、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル光ディスク（ＤＶＤ）、フラッシュメモリドライブ、及び技術的に知られたその他の有形媒体などのリムーバブルメディア９４６を取り扱う１つ以上のドライブなど、その具体的な用途に適した１つ以上のメモリ要素を含み得る。一実施形態において、外部メモリ９４０は、開示した実施形態に従った磁気遮蔽を備えたビルドアップを含む装置の上に積み重ねられたＰＯＰパッケージの部分である。
【００６３】
一実施形態において、電子システム９００はまた、表示装置９５０、及びオーディオ出力９６０を含む。一実施形態において、電子システム９００は、キーボード、マウス、タッチパッド、キーパッド、トラックボール、ゲームコントローラ、マイク、音声認識装置、又は電子システム９００に情報を入力するその他の入力装置とし得る例えばコントローラ９７０などの入力装置を含む。一実施形態において、入力装置９７０は、カメラを含む。一実施形態において、入力装置９７０はデジタル録音装置を含む、一実施形態において、入力装置９７０はカメラとデジタル録音装置とを含む。
【００６４】
ここで説明された特定の機構は、様々な実装を参照して記載されているが、本明細書は限定的な意味で解釈されるようには意図されていない。従って、ここに記載された実装並びに本開示が関係する技術の当業者に明らかなその他の実装の様々な変更は、本開示の精神及び範囲の中にあると考えられるものである。
【００６５】
以下の例は、特定の例示的な実施形態に関係する。
【００６６】
一実施形態において、装置は、複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を含んだパッケージビルドアップを含む。第１のデバイスが、ビルドアップに物理的に結合され、且つ導電材料層のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。ビルドアップ内の磁場を制限するよう、磁場遮蔽材料が、ビルドアップと接触して、且つ第１のデバイスに近接して配置される。
【００６７】
更なる一実施形態において、第１のデバイスは微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであり、且つ遮蔽材料は、ＭＥＭＳデバイスによって占有されたビルドアップの領域の外側の磁場を制限する。
【００６８】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップに物理的に結合される。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、磁石と同じ磁場遮蔽材料の側に配置された１つ以上の解放された部材を有し、第１のデバイスは、集積回路又は第２のＭＥＭＳデバイスである。
【００６９】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップに物理的に結合される。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は：ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ解放された部材とは反対側の磁石の第１の面に面して配置された底部側磁場遮蔽材料；又はビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側磁場遮蔽材料であり、当該頂部側磁場遮蔽材料と磁石との間に解放された部材を置いて、磁石の第２の面に面して配置された頂部側磁場遮蔽材料；又は磁石の第３の面に面して配置され、且つビルドアップの底面又は頂面に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料；のうちの少なくとも１つを有する。
【００７０】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップの第１の誘電体層に物理的に埋め込まれる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は：ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ解放された部材とは反対側の磁石の第１の面と第１の誘電材料層との間に配置された底部側磁場遮蔽材料と；磁石の側壁と第１の誘電材料層との間に配置された側方磁場遮蔽材料であり、底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料と；を有する。
【００７１】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップの第１の誘電体層に物理的に埋め込まれる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は：ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ解放された部材とは反対側の磁石の第１の面と第１の誘電材料層との間に配置された底部側磁場遮蔽材料と；磁石の第２の面と第１の誘電材料層との間に配置された側方磁場遮蔽材料であり、底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在し、且つ解放された部材に近接した磁石の第３の面の一部を包み込む側方磁場遮蔽材料と；を有する。
【００７２】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップの第１の誘電体層に物理的に埋め込まれる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は：ビルドアップの或る領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料であり、第１の誘電材料層が、解放された部材とは反対側の磁石の第１の面と当該底部側磁場遮蔽材料との間に配置された、底部側磁場遮蔽材料と；底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に延在した側方磁場遮蔽材料であり、第１の誘電材料層が、当該側方磁場遮蔽材料と磁石の側壁との間に配置された、側方磁場遮蔽材料と；を有する。
【００７３】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップの第１の誘電体層に物理的に埋め込まれる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は：磁石よりも大きいビルドアップの領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料であり、第１の誘電材料層が、解放された部材とは反対側の磁石の第１の面と当該底部側磁場遮蔽材料との間の領域に存在しない、底部側磁場遮蔽材料と；磁石の側壁に隣接し、且つ底部側磁場遮蔽材料に対して平行でない方向に第１の誘電材料層の中を延在した側方磁場遮蔽材料であり、第１の誘電材料層が、当該側方磁場遮蔽材料と磁石の側壁との間に配置された、側方磁場遮蔽材料と；を有する。
【００７４】
更なる一実施形態において、永久磁石が、ビルドアップの第１の誘電体層に物理的に埋め込まれる。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、ビルドアップ内の空所に配置された１つ以上の解放された部材を有する。磁場遮蔽材料は、磁石よりも大きいビルドアップの領域にわたって延在した底部側磁場遮蔽材料層を有し、第１の誘電材料層は、解放された部材とは反対側の磁石の第１の面と底部側磁場遮蔽材料層との間の領域に存在しない。磁場遮蔽材料は更に、磁石とは反対側の解放された部材の面の上方でビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側遮蔽材料層を有する。磁場遮蔽材料は更に、磁場遮蔽材料で充填された複数の積層されたビアを有する。積層されたビアは、磁石の側壁に隣接し、且つ少なくとも第１の誘電材料層と、第１の誘電材料層の上に配置された第２の誘電材料との中を延在する。第１の誘電材料層が、複数の積層されたビアと磁石の側壁との間に配置される。
【００７５】
一実施形態において、装置がプロセッサと電池とを含み、上に列挙した装置の実施形態の何れかが、プロセッサ及び電池に結合される。
【００７６】
一実施形態において、パッケージビルドアップを形成する方法は、複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を構築することを含む。永久磁石がビルドアップと集積される。更に、磁場遮蔽材料が、磁石によって占有されたビルドアップの領域の外側で磁石の磁場を制限するよう、ビルドアップと集積される。
【００７７】
更なる一実施形態において、磁石及び遮蔽材料をビルドアップと集積することは更に、磁石の１つ以上の面を遮蔽材料内に覆うことと、遮蔽された磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、磁石の１つ以上の遮蔽された面の周りに第１の誘電材料を形成することと、犠牲キャリアを除去することとを有する。
【００７８】
更なる一実施形態において、磁石及び遮蔽材料をビルドアップと集積することは更に、磁石の側壁及び底面を遮蔽材料内に覆うことと、遮蔽された磁石を、犠牲キャリアに、磁石の頂面がキャリアに面するようにして取り付けることと、磁石の１つ以上の遮蔽された面の周りに第１の誘電材料を形成することと、犠牲キャリアを除去することとを有する。この方法は更に、第１の誘電材料の上方に配置されるビルドアップの層の中に、且つ磁石の頂面の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する。
【００７９】
更なる一実施形態において、磁石及び遮蔽材料を前記ビルドアップと集積することは更に、磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、磁石の１つ以上の面に面するように、磁場遮蔽ガードリングを犠牲キャリアに取り付けることと、ガードリング及び磁石の１つ以上の面の周りに第１の誘電材料を形成することと、犠牲キャリアを除去することとを有する。
【００８０】
更なる一実施形態において、磁石及び遮蔽材料をビルドアップと集積することは更に、磁石を犠牲キャリアに取り付けることと、磁石の１つ以上の面に面するように、磁場遮蔽ガードリングを犠牲キャリアに取り付けることと、ガードリング及び磁石の１つ以上の面の周りに第１の誘電材料を形成することと、犠牲キャリアを除去することとを有する。この方法は更に、ガードリングの内側に配置された第１の誘電材料の領域の上方に配置されるビルドアップの層の中に、且つ磁石の頂面の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する。
【００８１】
更なる一実施形態において、磁石及び磁場遮蔽材料をビルドアップと集積することは更に、基板の上に底部側遮蔽材料層を形成することと、底部側遮蔽材料層の上に磁石を取り付けることと、磁石及び底部側遮蔽材料層を覆って第１の誘電材料層をラミネートすることと、第１の誘電材料層を貫いて開口をパターニングして、底部側遮蔽材料層の一部を露出させることと、開口内に磁気遮蔽材料を堆積することとを有する。この方法は更に、第１の誘電材料層の領域の上方に配置されるビルドアップの層の中に、且つ磁石の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する。
【００８２】
更なる一実施形態において、磁石及び磁場遮蔽材料をビルドアップと集積することは更に、基板の上に底部側遮蔽材料層を形成することと、底部側遮蔽材料層の上に磁石を取り付けることと、磁石及び底部側遮蔽材料層を覆って第１の誘電材料層をラミネートすることと、第１の誘電材料層を貫いて複数の第１の開口をパターニングして、底部側遮蔽材料層の領域を露出させることであり、該複数の第１の開口は、磁石を取り囲むビアのアレイを形成することと、第１の開口内に第１の磁気遮蔽材料を堆積することと、前記第１の誘電材料層を覆って第２の誘電材料層をラミネートすることと、第２の誘電材料層を貫いて複数の第２の開口をパターニングして、第１の磁気遮蔽材料の領域を露出させることであり、該複数の第２の開口は、複数の第１の開口の上に縦方向に積み重ねられることと、第２の開口内に第２の磁気遮蔽材料を堆積することとを有する。この方法は更に、ビルドアップの層の中に且つ磁石の上方に、ＭＥＭＳデバイスを形成することを有する。
【００８３】
更なる一実施形態において、永久磁石を集積することは更に、磁極をビルドアップのｚ厚さ方向に平行に向けて、第１の誘電材料層の中に永久磁石を埋め込むことを有する。磁石は４００μｍよりも小さいｚ厚さを有する。この更なる一実施形態において、磁場遮蔽材料を集積することは更に、第１の誘電材料層と接触させて、５００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する。
【００８４】
更なる一実施形態において、上述の方法の実施形態の何れかが更に、磁石から横方向に離間したビルドアップの領域内にＩＣチップを集積することを含む。この更なる一実施形態において、磁石の上方に配置されるビルドアップの領域内にＭＥＭＳデバイスが集積される。この更なる一実施形態において、磁石を集積することは更に、磁極をＭＥＭＳデバイスの方に向けて、ビルドアップの領域内に永久磁石を埋め込むことを有する。この更なる一実施形態において、磁場遮蔽材料を集積することは更に、ビルドアップと接触させて、５００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する。
【００８５】
更なる一実施形態において、上に列挙した方法の実施形態の何れかに関し、磁場遮蔽材料を集積することは更に、ビルドアップと接触させて、２５０００よりも高い比透磁率を持つ材料を配設することを有する。
【００８６】
一実施形態において、装置は、複数の交互のパターン形成された導電材料層及び絶縁材料層を含んだパッケージビルドアップを含む。この装置は更に、ビルドアップに物理的に結合された永久磁石を含む。この装置は更に、ビルドアップと接触して配置された磁場遮蔽材料を含む。この装置は更に、磁石と同じ磁場遮蔽材料の側に配置された１つ以上の解放された部材を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む。この実施形態において、磁場遮蔽材料は、ビルドアップの或る領域にわたって延在し、且つ解放された部材とは反対側の磁石の第１の面に面して配置された底部側磁場遮蔽材料、又はビルドアップの或る領域にわたって延在した頂部側磁場遮蔽材料であり、当該頂部側磁場遮蔽材料と磁石との間に解放された部材を置いて、磁石の第２の面に面して配置された頂部側磁場遮蔽材料、のうちの少なくとも１つを有する。
【００８７】
更なる一実施形態において、この装置は更に、５００よりも高い比透磁率を持つ材料で充填された複数のビアを有する側方磁場シールドを含み、該ビアは、磁石の側壁に隣接し、且つビルドアップの少なくとも一部を貫いて延在する。
【００８８】
更なる一実施形態において、この装置は更に、５００よりも高い比透磁率を持つ材料で充填された複数の積層されたビアを有する側方磁場シールドを含み、該積層されたビアは、磁石の側壁に隣接し、且つビルドアップを完全に貫いて延在する。
【００８９】
認識されるように、本発明は、記載された通りの実施形態に限定されず、添付の請求項の範囲を逸脱することなく変更及び改変して実施されることができる。例えば、上述の実施形態は、複数の特徴の特定の組み合わせを含んでいることがある。しかしながら、上述の実施形態はその点で限定されず、様々な実装において、上述の実施形態は、それらの特徴のうちの一部のみを受けること、それらの特徴を異なる順序で受けること、異なる組み合わせでそれらの特徴を受けること、及び／又は例示的に列挙されたものではない更なる特徴を受けることを含み得る。本発明の範囲は、故に、添付の請求項を参照して、請求項に与えられるのと均等な範囲全体とともに決定されるべきである。
【図１Ａ】
2016538148.tif 000003
【図１Ｂ】
2016538148.tif 000004
【図２】
2016538148.tif 000005
【図３Ａ】
2016538148.tif 000006
【図３Ｂ】
2016538148.tif 000007
【図３Ｃ】
2016538148.tif 000008
【図４Ａ−４Ｃ】
2016538148.tif 000009
【図４Ｄ−４Ｅ】
2016538148.tif 000010
【図４Ｆ】
2016538148.tif 000011
【図４Ｇ】
2016538148.tif 000012
【図４Ｈ】
2016538148.tif 000013
【図４Ｉ】
2016538148.tif 000014
【図４Ｊ】
2016538148.tif 000015
【図５Ａ】
2016538148.tif 000016
【図５Ｂ】
2016538148.tif 000017
【図５Ｃ】
2016538148.tif 000018
【図５Ｄ−５Ｅ】
2016538148.tif 000019
【図５Ｆ】
2016538148.tif 000020
【図５Ｇ】
2016538148.tif 000021
【図５Ｈ】
2016538148.tif 000022
【図５Ｉ】
2016538148.tif 000023
【図５Ｊ】
2016538148.tif 000024
【図６Ａ】
2016538148.tif 000025
【図６Ｂ】
2016538148.tif 000026
【図６Ｃ】
2016538148.tif 000027
【図６Ｄ】
2016538148.tif 000028
【図６Ｅ−６Ｆ】
2016538148.tif 000029
【図６Ｇ】
2016538148.tif 000030
【図６Ｈ】
2016538148.tif 000031
【図６Ｉ】
2016538148.tif 000032
【図６Ｊ】
2016538148.tif 000033
【図６Ｋ】
2016538148.tif 000034
【図６Ｌ】
2016538148.tif 000035
【図７Ａ】
2016538148.tif 000036
【図７Ｂ】
2016538148.tif 000037
【図７Ｃ】
2016538148.tif 000038
【図７Ｄ】
2016538148.tif 000039
【図７Ｅ】
2016538148.tif 000040
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
2016538148.tif 000042
【図７Ｈ】
2016538148.tif 000043
【図７Ｉ】
2016538148.tif 000044
【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図８】
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【図９】
2016538148.tif 000049
【国際調査報告】
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