(57)【要約】  プリント回路基板（２０）を設計するための設計支援システムであって、レイアウトデータと、前記プリント回路基板（２０）のノイズソースデータと、計算結果とを格納するためのデータベース（１１０）と、ノイズソースデータと、ノイズソース（２１，２０５）の周辺のローカルエリア（３０）のローカルレイアウトデータとをデータベースから読み出すためのデータ読出しユニット（１２０）と、電流バイパス装置（２０６）を該ローカルエリアに導入するためのバイパス装置導入ユニット（１２４）と、電流バイパス装置（２０６）がない場合と電流バイパス装置（２０６）がある場合にノイズソース（２１，２０５）から該プリント回路基板の仮定した無限電源面（２１０）に注入された放射に有効な前進波パワーを推定するため及びそれらの比を計算するための計算ユニット（１３０）とを備える、設計支援システム。
2016521873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器を設計するための設計支援システムであって、  
レイアウトデータ、前記電気機器のモデルのノイズソースデータ及び計算結果を格納するものであり、前記電気機器のモデルが仮定の複数の無限電源面を含む、データベースと、
前記ノイズソースデータと、前記モデルのノイズソース周辺のローカルエリアのローカルレイアウトデータとを前記データベースから読み出すためのデータ読出しユニットと、
前記ローカルエリアに電流バイパス装置を導入するためのバイパス装置導入ユニットと、
前記電流バイパス装置がない場合とある場合における、前記モデルの前記ノイズソースから前記無限電源面の間に注入され仮定の該無限電源面間を伝搬する単一波の電圧及び電流を代数的に加算することによって得られる等価波に対応する、放射に有効な前進波のパワーを推定し、かつそれらのパワー比を推定するための計算ユニット、
を備える設計支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の設計支援システムであって、
前記計算ユニットは、円筒高調波を用いて、前記無限電源面に注入された前記放射に有効な前進波のパワーを推定する、設計支援システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記放射に有効な前進波のパワーを評価するために、前記放射に有効な前進波の電圧が、前記ノイズソースの領域を囲む複数の箇所で評価される、設計支援システム。
【請求項４】
請求項３に記載の設計支援システムであって、
前記放射に有効な前進波のパワー（Ｐ）は、下記の等式（５）に示すように、前記ノイズソースを囲む閉じたライン（Ｃ）に沿った前進波の電圧の２乗（｜ＶＴ｜２）の積分（Ｗ）を用いて概算される、設計支援システム。
【数１】
2016521873.tif 000009
【請求項５】
請求項３に記載の設計支援システムであって、
前記電流バイパス装置がある場合の予想される遠距離電磁界（ＥＷ）と前記電流バイパス装置がない場合の遠距離電磁界（ＥＷ／Ｏ）との比を計算するために、前記電流バイパス装置がある場合（ＰＷ）と前記電流バイパス装置がない場合（ＰＷ／Ｏ）の前記放射に有効な前進波のパワー比の概算は、下記の等式（６）に示すように、前記ノイズソースを囲む閉じたライン（Ｃ）に沿って、コンデンサがある場合の２乗された放射に有効な前進波の電圧（ＷＷ）とコンデンサがない場合の２乗された放射に有効な前進波の電圧（ＷＷ／Ｏ）とを積分することによって得ることができる、設計支援システム。
【数２】
2016521873.tif 000010
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記バイパス装置導入ユニットは、前記電流バイパス装置の構成を自動的に導入する、設計支援システム。
【請求項７】
請求項１に記載の設計支援システムであって、
前記電気機器はプリント回路基板であり、
前記ノイズソースは、ノイズソースのデバイスとしてＬＳＩを含み、かつ
設計すべき前記プリント回路基板が複数のノイズソースのデバイスを有する場合、前記モデルは、前記ノイズソースのデバイスの各々に対して準備される、設計支援システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
さらに、グラフィカルユーザインタフェースを備えたモニタ装置を備え、
前記バイパス装置導入ユニットは、ユーザによる前記電流バイパス装置の位置及び値の選択を受け入れるために、前記モニタ装置上に、前記面間の底面と上面との間の前記放射に有効な前進波の電圧の１つの周波数について、水平方向分布をプロットする、
設計支援システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムであって、
前記計算ユニットは、円筒高調波を用いて、前記無限電源面に注入された前記放射に有効な前進波のパワーを推定する、設計支援システム。
【請求項１０】
電気機器を設計するための、コンピュータによって実行される設計支援方法であって、
仮定の複数の無限電源面を含む、前記電気機器のモデルを生成し、
前記モデルのローカルレイアウトデータ及びノイズソースデータを読み出し、
前記ノイズソースから前記無限電源面に注入され、仮定の前記無限電源面の間を伝搬する単一波の電圧及び電流を代数的に加算することによって得られる等価波に対応する前記放射に有効な前進波のパワーを推定し、
電流バイパス装置の導入後に、前記ノイズソースから前記無限電源面に注入された前記放射に有効な前進波のパワーを推定し、
前記放射に有効な前進波のパワー比を計算して、放射界に対する前記電流バイパス装置の影響を推定する、
設計支援方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記放射に有効な前進波のパワーの推定のために、円筒高調波が用いられる、設計支援方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
さらに、
前記電流バイパス装置の構成を自動的に選択し、
前記比が十分であるか否かを自動的に判断する、
設計支援方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、
前記電気機器はプリント回路基板であり、
前記電流バイパス装置の位置の選択を単純化するために、前記面間の底面と上面との間の前記放射に有効な前進波の電圧の、１つの周波数における水平方向分布が、ディスプレイ上にプロットされる、
設計支援方法。
【請求項１４】
コードのセットを含むコンピュータプログラムを備えたコンピュータ可読媒体であって、前記プログラムは、コンピュータに対して以下の動作を実行させる、
仮定の複数の無限電源面を含む、前記電気機器のモデルを生成し、
前記モデルのローカルレイアウトデータ及びノイズソースデータを読み出し、
前記ノイズソースから前記無限電源面に注入され、仮定された前記無限電源面の間を伝搬する単一波の電圧及び電流を代数的に加算することによって得られる等価波に対応する、放射に有効な前進波のパワーを推定し、
電流バイパス装置の導入後に、前記ノイズソースから前記無限電源面に注入された前記放射に有効な前進波のパワーを推定し、
前記パワーを計算して、放射界に対する前記電流バイパス装置の影響を推定する、
コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気機器の設計を支援するシステム及び方法に係り、特に、低電磁気放射を伴うプリント回路基板の設計を支援するためのシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板（ＰＣＢ）の電源ノイズは、高周波電磁障害（ＥＭＩ）の原因であり、主に、集積回路（ICs）を集積した大規模集積回路（ＬＳＩ）（ＬＳＩ−ＩＣs、略してＬＳＩs）の同時スイッチングによって生成される。図３は、２つの面（誘電体２２内の電源面２３及び接地面２４）と、ＬＳＩ２１と、ビア２５と、バイパスコンデンサ２６とを有するＰＣＢ２０の例の長手方向断面図である。同時スイッチングノイズ（ＳＳＮ）は、電磁（ＥＭ）ノイズ波２７として電源面（２３，２４）間に伝搬し、その大部分は、基板縁部（２８）で反射し反射波２９として戻り、図３に示すような基板レイアウトに依存する共振を生じる。
【０００３】
電源ノイズを低減するために、多くの場合、バイパスコンデンサがよく用いられる。少なくとも２つの接地面を有する多層ＰＣＢにおいて、接地ビアは、放射を低減するためのより有効な方法とすることができる。同様に、ストリップライン又はマイクロストリップ技術における開放スタブが用いられる場合もある。本発明においては、上記のような電源面と接地面との間又は複数の接地面間の電流のためのバイパスとして作用するデバイスは、上記の例だけではないが、電流バイパス装置と呼ばれている。
【０００４】
放射を評価するための最新技術では、電源面の縁部に沿って電圧を評価し、この縁部電圧を等価な磁流に置換し、この等価磁流からその放射界を計算する。この方法の一つの問題は、ＰＣＢ面に接続されている全ての素子を含む該ＰＣＢ面の全体のシミュレーションが必要なことである。ＰＣＢシミュレーション技術は近年非常に重要な進展を遂げてきているが、それでも依然としてかなりの計算時間を要し、そのレイアウトが設計段階で変更される場合には計算を繰り返さなければならない。第２の問題は、ＬＳＩや他の素子のモデルは常に入手可能ではなく、その計算精度が損なわれる点である。
【０００５】
電子装置からの放射を評価するためのシステム及び方法に関連する幾つかの特許、例えば、米国特許第６，５９８，２０８Ｂ２、が存在する。
【０００６】
等価磁流を用いてＰＣＢの縁部からの放射を評価する技術に関連する幾つかの非特許文献、例えば、非特許文献１及び非特許文献２が存在する。放射は、基板共振の影響を受けるため、これらの方法は、全体の面のレイアウトと、これらの面に接続された全ての素子とに関する知識が必要である。
非特許文献１：Ｍ．Ｌｅｏｎｅ：“Ｔｈｅ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｏｆ ａ ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ ｐｏｗｅｒ−ｂｕｓ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｔ ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｃａｖｉｔｙ−ｍｏｄｅ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ，”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，ｖｏｌ．４５，ｎｏ．３，ｐｐ．４８６−４９２，Ａｕｇ．２００３．
非特許文献２：Ｘ．Ｄｕａｎ，Ｒ．Ｒｉｍｏｌｏ−Ｄｏｎａｄｉｏ，Ｈ．−Ｄ．Ｂｕｒｎｓ，ａｎｄ Ｃ．Ｓｃｈｕｓｔｅｒ；“Ａ Ｃｏｍｂｉｎｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｆａｓｔ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ，Ｇｒｏｕｎｄ Ｎｏｉｓｅ，ａｎｄ Ｒａｄｉａｔｅｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄｓ，”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，ｖｏｌ．５２，ｎｏ．２，ｐｐ．４８７−４９５，Ｍａｙ ２０１０．
【０００７】
幾つかの特許、例えば、米国特許第６，５７１，１８４Ｂ２、同第６，５９８，２０８Ｂ２、同第６，７８９，２４１Ｂ２及び同第６，８５０，８７８Ｂ２は、電流バイパス装置、特に、バイパス（デカップリングと呼ばれる場合もある）コンデンサの配置を支援するための方法をカバーしている。
【０００８】
米国特許第７，１４９，６６６Ｂ２は、無限基板のシミュレーションを用いる、多層パッケージング内のビア間の相互作用をモデル化するための方法をカバーしている。
【０００９】
非特許文献３は、ビアポート電流を計算し、多層ＰＣＢ用のビアポートの定義を含む多層ＰＣＢのための解析技術を利用できる方法をカバーしている。ここで特に興味深いのは、この方法が、ビアポートの対をなす平面におけるマルチポートモデルを計算し、垂直方向に沿ってこれらを結合し多層基板モデルを得ることにある。非特許文献３では、この方法は、対をなす各平面間で周知の円筒波展開を用いて、有限基板及び無限基板の両方に適用される。
非特許文献３：Ｅｒ−Ｐｉｎｇ Ｌｉ：“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ ３Ｄ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ，”Ｗｉｌｅｙ，ｐｐ．２８１−２９６ ａｎｄ ３０５−３１６，２０１２．
【発明の概要】
【００１０】
米国特許第６，５９８，２０８Ｂ２に記載されている方法は、様々な放射メカニズムに注目しているが、ＰＣＢ縁部からの放射には注目していない。
非特許文献１及び非特許文献２に記載されている、放射を計算するための方法は、有限基板のみを用いるため、縁部の影響を考慮している。
米国特許第６，５７１，１８４Ｂ２、同第６，５９８，２０８Ｂ２、同第６，７８９，２４１Ｂ２及び同第６，８５０，８７８Ｂ２に記載されている方法は、パワーインテグリティ（ＰＩ）又はシグナルインテグリティ（ＳＩ）に注目しているが、ＰＣＢ縁部からの放射には注目していない。さらに、これらの特許は、基板共振を含む自己インピーダンス及び伝達インピーダンスを計算するため、レイアウト全面及びこれらの面に接続されている全ての素子に関する情報を必要とする。
米国特許第７，１４９，６６６Ｂ２に記載されている方法は、無限基板を用いるシミュレーションを用いて、多層パッケージング内のビア間の相互作用をモデル化する方法をカバーしている。しかし、米国特許第７，１４９，６６６に記載されている方法は、ＰＩ及びＳＩ志向である。
非特許文献３に記載されている方法は、無限基板のケースではあるが、ＰＣＢ縁部からの放射を計算しないケースも含んでいる。非特許文献３に記載の方法は、非特許文献１及び非特許文献２と同様の、有限サイズの基板からの放射を計算するのに適用してもよいが、ＰＣＢの全体を考慮しなければならないため、かなりの計算時間を必要とする。
【００１１】
そのため、低電磁気放射の電気機器の設計を支援するシステム及び方法を、単純化した計算により提供することが望ましい。
【００１２】
本発明の一つの態様は、電気機器の縁部からの反射波を考慮することなく、電気機器と仮想無限平面とから成るモデルを用いて、全ての計算及び評価が実行される、ということである。
【００１３】
別の態様は、該モデルのローカルエリア内のノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）に非常に近いビア及びデバイスのみ、ということである。その最大距離は、ＬＳＩ寸法程度（典型的には、数十ミリメートル）である。
【００１４】
別の態様は、その放射計算方法が仮定の無限電源面間に伝搬する信号波の電圧及び電流を代数的に加算することによって得られる等価波に対応する、「等価な放射有効前進波」又はより単純に「放射に有効な前進波」と呼ばれる新たな概念を用いるということである。
【００１５】
別の態様は、放射に対する電流バイパス装置の影響が、電流バイパス装置がある場合と無い場合の、無限平面に注入される放射に有効な波のパワーの比に基づいて、略推定されるということである。
【００１６】
別の態様は、電流バイパス装置の位置及び値の選択を自動化できるということである。それがユーザによって実行される場合、底部平面と上部平面との間の電圧の水平方向分布のプロットによって、容易にできる。本発明は、ユーザが、ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）に近い所定のＰＣＢレイアウトについて、ＰＣＢ縁部からの電磁放射を低減するための電流バイパス装置の適当な構成を選択するのを助ける。
【００１７】
本発明の最も大きな効果は、その縁部からの低電磁放射を伴う、ＰＣＢ等の電気機器の設計が大幅に単純化されるということである。
【００１８】
本アプローチの一つの利点は、ノイズソースのデバイスの周りのローカル領域内のローカルシミュレーションのみが必要であり、これにより、計算時間と、レイアウト及び殆どの素子に関する情報の必要性が低減することである。また、その計算時間の低減が、結果として、最適化アルゴリズムを用いて電流バイパス装置の構成を自動的に選択できるようにする可能性もある。
【００１９】
本シミュレーションのローカル性の別の好ましい結果は、その処理手順を全体の設計が完了する前に適用することができ、設計時間全体をさらに低減できるということである。
【００２０】
別の利点は、その評価が２つの波のパワーの比に基づいており、その波の振幅の絶対値は必要ないということである。このことはソースのモデル化という問題を単純化する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】は、本発明の全ての実施例に対応する、電気機器のバイパス装置構成を設計するためのフローチャートである。
【図２】は、本発明による、電気機器の設計を支援するための設計支援システムの１つの実施例を示す図である。
【図３】は、２つの平面を有する、ＰＣＢの１つの例の長手方向断面図であり、同時スイッチングノイズが電磁波として電源面間を伝搬すること、それが殆ど縁部によって反射されること、及びその一部が放射されることを示している。
【図４Ａ】は、図３に対応する、無限であると仮定される２つの平面を用いた、シミュレーションのためのＰＣＢモデルの長手方向断面図である。
【図４Ｂ】は、本発明による、図４ＡのＰＣＢモデルのノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）に非常に近いローカルエリアを示す図である。
【図５】は、１つのバイパスコンデンサが既にノイズソースのビア近くに追加されている、ローカルエリアを示す図である。
【図６】は、本発明による、前進波単純化が機能する理由を説明するための、同じ寸法の２つの平面を備える矩形状のＰＣＢの平面図である。
【図７】は、本発明による、ローカルエリア内の関心のある領域を包囲するラインに沿った電圧観測点を示す図である。
【図８】は、例１における、５つの電力ビアと１つのコンデンサを有するノイズソースのＬＳＩのローカルレイアウトを示す図である。
【図９】は、例１における、５つの電力ビアと４つのコンデンサを有するノイズソースのＬＳＩのローカルレイアウトを示す別の図である。
【図１０】は、本発明の例１における前進波の場合の予測される遠距離電磁界比を示す図である。
【図１１】は、関連した技術によるＰＣＢ全体のモデルを使用した、市販のツールによる、例１の遠距離電磁界比を示す図である。
【図１２Ａ】は、設計すべき２つ以上の平面を備える、ＰＣＢの第２の例の長手方向断面図である。
【図１２Ｂ】は、本発明による、図１２Ａに対応する、無限であると仮定された平面を用いたシミュレーションのための、第１のＰＣＢモデルの長手方向断面図である。
【図１２Ｃ】は、本発明による、図１２Ａに対応する、無限であると仮定された平面を用いたシミュレーションのための、第２のＰＣＢモデルの長手方向断面図である。
【図１３】は、前記第２の例のＰＣＢに対応するが、無限基板の電磁場分布と同様の電磁場分布を生成する一組の完全に吸収する境界を有する、別のＰＣＢの長手方向断面図である。
【図１４】は、前記第２の例による５つの電力ビアと３１個の接地ビアとを備えた底面と上部面との間の電圧の水平方向マッピングを示す図である。
【図１５】は、５つの接地ビアと、５つの電力ビアと、１０個のバイパスコンデンサが、ノイズソースの近くに追加された後の、図１４と同様のマッピングを示す図である。
【図１６】は、前記第２の例による、市販のツールと前進波を用いた予測される遠距離電磁界比を示す図である。
【図１７Ａ】は、本発明による、１つのＬＳＩ電力ピン用のソースインピーダンスを有する、１ポートノイズソースモデルの概略図である。
【図１７Ｂ】は、本発明による、複数のＬＳＩ電力ピン用のマルチポートソースインピーダンスを有する。マルチポートノイズソースモデルの概略図である。
【図１７Ｃ】は、複数のビアポートを示すための、図１３の大規模回路におけるＰＣＢの部分図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
構成の概略
【００２３】
本発明は、この明細書に記載されている処理手順を実施するコンピュータプログラムを含むコンピュータ可読媒体を含む。
この発明における「ノイズソースのデバイス」という用語は、少なくとも１つのノイズソース要素を含む、ＬＳＩ等の電子デバイスを示すのに用いられている。
この発明における「１つのノイズソース要素」という用語は、１つの電力ビア、１つの接地ビア等、１つのビアに接続された等価回路要素を平面間のノイズソースとして示すのに用いられている。
この発明における「前進波」という用語は、仮定した無限電源面間で、ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）領域から外部へ伝搬する、即ち縁部又は他の不連続部から考慮する領域の外部への何らかの反射を伴うことなく伝搬する、電磁波を示すのに用いられている。
【００２４】
本発明において、本発明者等は、ノイズソース（ノイズソースのデバイス及びノイズソース要素）の前進波に対する影響に基づくそれらのノイズソースの周辺の領域におけるローカルシミュレーションによって、放射中のノイズソースに非常に近い電流バイパス装置の影響を推測することを提案する。
【００２５】
図１を参照すると、処理手順は、素子とその情報を含む設計すべきＰＣＢのローカルレイアウトデータ及びノイズソース（ノイズソースのデバイス及びノイズソース要素）のデータを読み出すことによって始まる（第１のステップＳ１）。
シミュレーションのための電気機器モデル、例えば、ＰＣＢモデルがコンピュータを用いて予め生成されており、それがデータベースに格納されている。このモデルは、基板縁部の代わりに、仮定された無限電源面に対応する完全吸収境界を有している。
図４Ａは、シミュレーションのためのＰＣＢモデル２００の長手方向断面図であり、図３のＰＣＢ２０のレイアウトに対応する誘電体２０２内の２つの平面（ノイズソースに接続された接地面２０４及び電源面２０３）を備えているが、基板縁部２８の代わりに一組の完全吸収境界２１０を有している。すなわち、ＰＣＢモデル２００は、電磁場分布を生成する無限平面を仮定した完全吸収境界２１０を有するローカルエリア３０を備えている。ローカルエリア３０内のローカルレイアウトデータは、各素子及びノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）２１に関する情報を含んでいる。
図４Ｂは、本発明による、基板縁部２８の代わりに無限電源面を仮定する完全吸収境界を有しているモデル２００の、ローカルエリア３０の平面図である。ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）２１内には、（ビア２０５を介してノイズソースに接続された）１つのノイズソース要素がある。読みだされるローカルレイアウトデータは、電力ビア及び接地ビアと、ノイズソースＬＳＩ２１に非常に近い該ＰＣＢのモデルのローカルエリア内において、電源面及び接地面（２０３，２０４）に接続された素子を含む。
【００２６】
ノイズソース（２１，２０５）から該モデルの無限電源面２１０に注入される放射に有効な前進波のパワー２０７は、第２のステップ（Ｓ２）において推定される。このコンデンサ無しの場合の前進波パワー（ＰＷ／Ｏ）を、リファレンスとして用いることにする。
放射に有効な前進波２０７のパワーを略推定するために、その２乗された電圧の閉曲線積分Ｗを、ローカルノイズソースエリアを囲むラインに沿って求めることができる。この２乗電圧をそのモードインピーダンスで割って、そのパワー密度を得ることは、後に、その絶対値ではなく、そのパワー比を用いるため、この近似においては厳密には必要ではない。
有効な前進波パワーの推定は、仮定した無限平面を用いて実行される。即ち、モデル２００のローカルエリア３０内の放射に有効な前進波パワー２０７の全ての推定は、図４Ａに示されているように、即ち図３に示す反射波２９を考慮することなく、完全吸収境界２１０（無限平面）を用いて行われる。
この段階での上面と底面の平面間の、放射に有効な前進波の電圧の任意の２次元マッピングは、グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）を備えたモニタ装置上に視覚化することを可能にし、例えば図１４に示すように、ノイズの放射される方向が示される。
【００２７】
電流バイパス装置の構成は、次の第３のステップ（Ｓ３）で選択される。図５において、ローカルエリア３０内のノイズソース要素（ビア２０５）の近くに、１つのバイパスコンデンサ２０６がある。
その選択は、幾つかの最適化アルゴリズムに基づく場合には自動にすることができ、又はユーザによって実行される。通常実際のＰＣＢに存在する空間的制限を考慮して、多くのケースでユーザによる選択が行なれることが容易になっており、また、少数の繰り返しサイクルで、推定された放射のかなりの低減を得ることができる。具体的には、この電流バイパス装置の位置をユーザが選択しなければならない場合、上記２次元マッピングが非常に有用である。一般的には、このバイパス装置を可能な限りノイズソース要素の近くに置く方が良い。
【００２８】
次のステップ（Ｓ４）では、電流バイパス装置の影響を含む、等価な放射有効前進波パワー（Ｐｗ）２０７が、例えばバイパスコンデンサ２０６を用いて推定される。
次に、この放射に有効な前進波パワーとリファレンスの放射に有効な前進波パワーとの比（ＰＷ）／（ＰＷ／Ｏ）が、次のステップ（Ｓ５）で計算される。
このアプローチの利点は、ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）の周辺の領域内におけるローカルシミュレーションのみが必要であり、このようにして計算時間及びそのレイアウトと殆どの素子に関する情報の必要性が低減される点である。
【００２９】
その低減が十分であるか否かの判断は、第６のステップ（Ｓ６）で分かる。その低減が十分である場合はこの処理手順を完了する。そうでない場合には、電流バイパス装置の新たな構成をユーザによって又は自動的に選択しなければならない（Ｓ３）。しかし多くの場合、ユーザ自身が、追加する電流バイパス装置のコストと、直前の電流バイパス装置の選択による低減の傾向とを含む幾つかの要因に基づいて、各サイクルにおいてこの低減が十分であるか否かを判断するのが、より便利である。
【００３０】
図６に、前進波の単純化が機能する理由が図示されている。この図は、同じ寸法の２つの平面（１つは電源面、１つは接地面）を備える矩形状のＰＣＢ６０の平面図を示す。ＰＣＢ６０内には、１つのノイズソース要素（ビア）と１つの電流バイパス装置（この例ではバイパスコンデンサ）とが存在している。このノイズソース要素は、時刻ｔ１にこの電流バイパス装置に到達する、両平面間の円筒状の電磁波を生成する。この電流バイパス装置が非常に低いインピーダンスを有していると仮定すると、このノイズソース要素は、入射波に対してほぼ逆の電圧（１８０度の位相差）を有する第２の円筒波を生成する。ＰＣＢ６０の縁部（２８Ｎ，２８Ｅ，２８Ｓ及び２８Ｗ）に達する前の、時刻ｔ２＝ｔ１＋Δｔにおける２つの前方波が図６に示されている。この図の点線６１で示されている方向に沿って、入射波と誘発波とが同じ伝搬方向及び速度成分を有している場合、上記電圧は小さい。しかし、他の方向、例えば点線６２で示す方向においては、ノイズソース要素と電流バイパス装置との間の距離間隔及び波長に依存する位相差がある。
このことは、一般に上記電圧はゼロではなく、特に高周波においては、この誘発波は幾つかの周波数及び幾つかの方向において、入射した波をさらに増強する可能性があることを意味する。それらの波がＰＣＢ６０の縁部（２８Ｎ，２８Ｅ，２８Ｓ及び２８Ｗ）に到達する度に放射が発生するが、これらの波の殆どは反射して戻り（図３を参照）、縁部に沿った電圧及び放射を含む全体の電圧分布に影響を与える共振を生じる。
追加的な電流バイパス装置を付加することにより、複合した方法で、特に高周波において、その共振分布を変化させ、通常、かなりの周波数域における放射を低減させる。しかし、他の幾つかの周波数では放射が増加する。そのバランスは、このバイパス装置及びそれらの位置がどれだけうまく選択されているかだけではなく、品質係数に関連する平行平面共振の振幅にも依存している。
【００３１】
特定の状況下では、この電流バイパス装置の影響は基板共振よりも優勢であり、そのため、前進雑音波が低減される場合、全体の雑音も同様に低減されることが予想される。これは例えば第１の平行平面共振よりもはるかに高い周波数の場合であり、この場合、その平面共振の品質係数は比較的小さい。第１の平面共振より下の周波数では、他の有利な状況を呈する可能性があるが、それらは確認すべきである。
【００３２】
放射に有効な前進波のパワーを判断するために、例えば、図７に示すように、ローカルエリア７０内の（ノイズソースのデバイス２１の周りの）関心領域を囲むラインに沿った多くの箇所において電圧が判断される。この場合、ラインは円形である。この電圧のための観測点７１は円形である必要はなく、また、それらの数及びノイズソース要素からの距離は、何らかのアルゴリズムによって一定ではないが、それらは、この電圧の角度変動をほぼ捉えることができるように選択しなければならない。観測点７１における電圧及び電流から、放射に有効な前進波のパワー全体を推定することができる。また、パワー比の正確な概算は、電圧のみを用いることによっても得ることができる。
【００３３】
これらの概念をより明確にするために、１つの簡単な例を図８、図９、図１０及び図１１に示す。例１は、約２５０ｍｍの大きさの２つの十分な平面（１つの電源面及び１つの接地面）を有する１つのＰＣＢを備えている。ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）は、このノイズソース要素に接続された５つの電力ビアを有し、バイパスコンデンサの異なる組合せ、具体的には図８及び図９に示すように、１つ、２つ又は４つのバイパスコンデンサがテストされる。図８によれば、ＰＣＢ８０の関心領域（２１）内には、５つのノイズソースビア１〜５と、１つのバイパスコンデンサがある。図９によれば、ＰＣＢ８２の関心領域（２１）内には、５つのノイズソースビア１〜５と４つのバイパスコンデンサがある。
本発明に従って、前進波のみが用いられる場合、（図８及び図９に示すような１つ、２つ又は４つの）いずれかのコンデンサ構成の場合の予想される遠距離電磁界比は図１０のようになる。この場合、１つのコンデンサを利用することにより、予想される遠距離電磁界比の低減は、必要なターゲット周波数帯域内で十分であり、その結果、この処理手順を終了することができる。
一方、ＰＣＢ全体のモデルを用いて３メートルの距離での放射を市販のツールによって推定した場合の、（図８及び図９に示すような１つ、２つ又は４つの）いずれかのコンデンサ構成の場合の最大遠距離電磁界と、コンデンサがない場合の最大遠距離電磁界との比を図１１に示す。
図１０と図１１を比較することにより、前進波を用いた場合には、基板共振による振動の全ては表示されないが、バイパスコンデンサの優れた効果が良く表わされていることを観測できる。
【００３４】
次に、第２の例として、図１２Ａに示すような２つ以上の平面のＰＣＢが設計される別のケースについて説明する。図１２Ａは、設計される多層ＰＣＢ４０の例の長手方向断面図である。ＰＣＢ４０には、２つのノイズソースのデバイスと、第１のノイズソースのＬＳＩ  ２１−１と、第２のノイズソースのＬＳＩ  ２１−２とが設けられている。
図１２Ｂは、図１２Ａの多層ＰＣＢ４０の第１のノイズソースのＬＳＩ  ２１−１に対応するシミュレーションのための１つのモデル４００の長手方向断面図である。図１２Ｂに図示されているように、モデル４００は、誘電体４０２内の電源面及び接地面（４０３，４０４）と、無限基板を仮定した電磁場分布を生成する完全吸収境界４１０とを含む。多層ＰＣＢ４０のノイズソースのＬＳＩ  ２１−１の周辺のローカルエリア３０の領域内においては、放射に有効な前進波のパワー４０７を推定するローカルシミュレーションのみが必要とされる。
図１２Ｃは、図１２Ａの多層ＰＣＢ４０の第２のノイズソースのＬＳＩ  ２１−２に対応するシミュレーションのための別のモデル４２０の長手方向断面図である。
モデル４００及び４２０の各々に対して、ノイズソースのデバイスに対する電流バイパス装置の影響の推定は、別々に実行される。
図１３は、図１２ＡのＰＣＢに対応しているが、無限基板と同様の電磁場分布を生成する完全吸収境界４１０を有している、ＰＣＢの長手方向断面図である。図１２Ａの第１のノイズソースのＬＳＩ  ２１−１の必要なシミュレーション領域は、本発明に従って、図１３のシミュレーション領域まで縮小されている。
第２の例に関連して、より現実的な例を図１４、図１５に示す。
この場合、第４の層上に、７つの接地面と１つの電源面とを備える複雑な積層物について考察する。リファレンスレイアウトは、ノイズソースのＬＳＩの下に、３１個の接地ビアと、５つの電力ビアとを有している。図１４は、ユーザにとって、大きな雑音放射（放射に有効な前進波）を伴う方向を推定するために重要である、出力ユニットのモニタ上にプロットされた、底面と上部接地面との間の前進波の電圧のマッピングを示す。
図１５は、５つの接地ビア及び１０個のバイパスコンデンサが、ローカルエリア内のノイズソースのＬＳＩの近くに追加された後の、同じマッピングを示す。
図１６には、放射に有効な前進波のパワーにより推定された遠距離電磁界の比がプロットされている。図１６の推定された遠距離電磁界の比によれば、放射低減がはっきりと分かり、定量的に評価されている。同じ図面に、基板全体を解析する市販のソフトウェアを用いて得られた結果もプロットされているが、その類似性が顕著である。  本発明はＰＣＢだけではなくＰＣＢを含む電気機器にも適用可能である。上記のＰＣＢモデルと同様に、他の電気機器の場合も同様に、予めコンピュータを用いて、ＰＣＢシミュレーションモデルを生成して、そのモデルをデータベースに格納することが必要である。この場合も同様に、そのシミュレーションモデルはノイズソースの周辺のローカルエリアに限定され、そして、無限電源面を仮定している完全吸収境界がＰＣＢ縁部の代わりに用いられる。
実施例１
【００３５】
主要な実施例が図１に記載されているが、電流バイパス装置の位置の選択と、電力低減が十分であるか否かの判断は、ユーザによってなされる。
図２は、本発明による電気機器の設計を支援するための設計支援システム１００の１つの実施例を示すための図である。システム１００として、図１に記載されている方法を実施するために、コンピュータを用いることができる。
システム１００は、
レイアウトデータと、仮定された無限電源面を有するプリント回路基板のシミュレーションモデルのノイズソース（ノイズソースのデバイス及びノイズソース要素）データと、計算結果とを格納するためのデータベース１１０と、
データ、例えばＰＣＢモデルの素子を含むレイアウトデータ、ノイズソース、バイパス装置に関する情報、及び関数、パラメータ等のローカルシミュレーションのために必要なデータをデータベース１１０に入力するための入力ユニット１２０と、
電流バイパス装置がない場合とある場合における、ノイズソースからそのモデルの仮定された無限電源面に注入される放射に有効な前進波のパワーを各々推定し、それらの比を計算するための計算ユニット１３０と、
この計算結果をプロット及び保存するための出力ユニット１４０と、
を備えている。
システム１００のためのコンピュータシステムは、データベース１１０、入力ユニット１２０及び出力ユニット１４０に結合された、プロセッサ及びメモリ１５０を計算ユニット１３０として含んでいる。コンピュータ可読媒体１６０は、実行すべきコードのセットを含むコンピュータプログラムを格納している。そのプロセッサは、コンピュータ可読媒体１６０から又はその入力ユニットから受け取った、プリント回路基板を設計するための命令を実行するように構成されている。命令を実行するために、必要なデータはデータベース１１０から読み出される。コンピュータ可読媒体１６０は、さまざまな種類のメモリを含んでいてもよい。そのプロセッサを用いてその方法を実行することによって得られた結果は、出力ユニット１４０に転送される。この出力装置は、モニタ、プリンタ、又は、他の何らかの出力装置とすることができる。グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）を備えた１つのモニタ装置は、その入力ユニット及び出力ユニットに用いることができる。
【００３６】
図１において、処理手順の第１のステップ（Ｓ１）において読み出されるモデルのローカルレイアウトは、積層平面と、ノイズソースのデバイス（ＬＳＩ）に非常に近い電力ビア及び接地ビアレのイアウトと、このノイズソースのデバイスに非常に近い電源面及び接地面に接続された素子、典型的にはバイパス（又は、デカップリング）コンデンサである、とを備えている。
関心のある領域（ノイズソースのＬＳＩ又はノイズソース要素の周辺）の寸法に関しては、明確なルールは存在していないが、ＢＧＡパッケージを含む多くの場合、そのパッケージ自体よりも大きな領域を用いる必要はない。所要の領域は、高周波において、より小さいことが予想される。そのサイズを推定するための１つのヒューリスティックな方法は、最初に非常に小さなものでスタートして、その後、推定された放射に関する影響を検討することによって、そのサイズを増していくことである。
本発明において、本発明者等は、電流バイパス装置の前進波に対する影響に基づいて、放射時のノイズソースのＬＳＩに非常に近いモデルのローカルエリア３０内の電流バイパス装置の影響を推定することを提案している。このアプローチの利点は、ノイズソースのＬＳＩの周辺の領域内でのローカルシミュレーションのみが必要であり、このようにして計算時間及びレイアウトと殆どの素子に関する情報の必要性とが低減される点である。
【００３７】
関連するソースデータは、基本的には、１ポートのノイズソース要素のための図１７Ａのノイズソースモデル２０５０と、マルチポートのノイズソース要素のための図１７Ｂのノイズソースモデル２０５１とを備える。これらのノイズソースモデル２０５０，２０５１は、ＬＳＩに近い第１の平面が接地面である場合、そのことはＰＣＢの設計では一般的であるが、ＬＳＩ側の電力ビアに接続される。そのＬＳＩの下の第１の平面を電源面とした場合、ノイズソースモデルはその接地ビアに接続しなければならない。
例えば、図１７Ｃにおいて、ＰＣＢ２００の接地面２０４には、ノイズソースのＬＳＩ２１の周辺に、３つのビアポート２５０，２５１及び２５２がある。これら３つのビアポートの場合、３つのノイズソースモデル２０５０又は１つのノイズソースモデル２０５１を用いることができる。
このノイズソースの線形挙動を前提とすると、殆どの一般的なケースは、マルチポートインピーダンスを伴う周波数依存の複雑な電流源で構成されている。実際には、そのような複雑なモデルは多くの場合利用可能ではなく、その設計は単純化されたモデルを用いて実施することができる。本発明の最も単純なモデルは、各電力ビアに対してインピーダンスを何ら伴わない（すなわち、無限インピーダンス行列又はゼロアドミタンス行列の）、単体の実際の電流源である。
【００３８】
図１の第２のステップ（Ｓ２）における放射に有効な前進波パワーＰの計算は、ソースインピーダンス行列を要しない理想的なノイズソース電流ＩＳのベクトルのみを有し、半径ρの円に沿って連続的に分布されるように想定された複数の観測点を有する２つの平面のケースとして、より単純に提示することができる。この場合、円筒座標（ρ，φ）の１つの観測点における電圧は、Ｖ（ρ，φ）＝ＺφＳＩＳと書き表すことができ、ここでＺφＳは電流の転置ベクトルＩＳＴと同じ次元の行列であり、無限平面の場合のソース電流と観測電圧との間の伝達インピーダンスを表す。これは円筒展開における最低次を用いて得られた最も単純な概算であり、円筒高調波に関して都合よく表すことができることは、当業者には周知である。
円筒高調波を用いると、観測位置Ｊ（ρ，φ）における電流密度を表すことも可能である。その電流密度及び電圧から、その円に直交する方向に伝搬する複雑な電力密度を計算することができ、また、その周囲に沿ってその電力密度の実数部を積分することにより、前進波パワーの合計Ｐを得ることができる。
しかし、ステップ（Ｓ５）における、放射に有効な前進波パワーを用いて遠距離電磁界の比を推定するという目的のために、前進波パワーの合計Ｐは、その周囲に沿った２乗電圧の積分Ｗによって概算することができる。したがって、多くの場合、次の等式（１）のように、その周囲に沿った２乗電圧の積分Ｗを計算することで十分である。
【００３９】
【数１】
2016521873.tif 000003
遠距離電磁界の比（ＰＷ）／（ＰＷ／Ｏ）の正確な概算は、コンデンサを伴う２乗電圧（ＷＷ）とコンデンサを伴わない２乗電圧（ＷＷ／Ｏ）を直接積分することによって得ることができる。
【００４０】
ソースインピーダンスと、ＰＣＢの２つ以上の平面とを有する一般的なケースも、原理的に同様である。
重要な点は、放射に有効な前進波の電圧のパワー即ちその観測位置における底面と上面との間の前進波の電圧の合計ＶＴ（ρ，φ）を推定することにあり、縁部からの遠距離電磁界放射が、縁部電圧の合計に依存するためである。これは、単純に、平面間の前進波の電圧Ｖｉ（ρ，φ）の総和、即ちＶＴ（ρ，φ）＝ΣＶｉ（ρ，φ）として得ることができる。その観測位置における平面内電圧Ｖｉ（ρ，φ）の計算は、全てのビアポートが分かっている限り、上記と同様に円筒高調波を用いて実施することができる。ビアポート電流を計算できる１つの方法は、多層ＰＣＢの場合のビアポートの定義を含む、非特許文献３に記載されている多層ＰＣＢのための解析手法を利用することである。要約すると、まずＰＣＢのアドミタンス行列が非特許文献３に従って計算され、次に、ＬＳＩ−ＰＣＢの界面におけるポート電圧及び電流が計算され、次いで、ある種の後退代入を用いてＰＣＢ内部ビアポート電流が計算され、そして最後に、ポートビア電流から、観測位置における平面内電圧Ｖｉ（ρ，φ）と放射に有効な前進波の電圧ＶＴ（ρ，φ）とを計算することができる。
【００４１】
図１に記載されている処理手順における次のステップ（Ｓ３）は、電流バイパス装置の構成の選択である。
この実施形態において、この選択も、底面と上面との間の放射に有効な前進波の電圧,ＶＴ（ρ，φ）,の分布の２次元マッピングの助けを借りて、ユーザによりなされる。
【００４２】
新たな電流バイパス装置の構成の放射に有効な前進波パワーＰは、次のステップ（Ｓ４）で推定される。上記のシンプルな例においては、理想的なノイズソース電流ＩＳのみを有する２平面基板を用いて、バイパスコンデンサがその電源面と接地面との間に追加されていると仮定すると、それらの放射に対する影響は、以下の方法で、その前進波に基づいて推定することができる。ソースポート電圧ＶＳ、コンデンサポート電圧ＶＣ及び観測点電圧Ｖ（ρ，φ）は、下記の等式（２）に示すように、円筒高調波を用いて表すことができる要素を有するインピーダンス行列の手段によって、それぞれ、ソース及びコンデンサポート電流ＩＳ及びＩＣから計算することができる。
【００４３】
【数２】
2016521873.tif 000004
各コンデンサの位置におけるＰＣＢポート電圧ＶＣ及びポート電流ＩＣは、マイクロストリップ無給電素子を含む一般化コンデンサインピーダンス行列ＺＣによって関連付けられており、すなわち、ＶＣ＝−ＺＣＩＣであり、ここでマイナス記号はポート電流の方向に依存される。したがって、観測位置における電圧は次の等式（３）によって得ることができる。
【００４４】
【数３】
2016521873.tif 000005
前述同様に、ステップ（Ｓ５）において、コンデンサがある場合とコンデンサが無い場合の全体のパワーの比を計算するためには、その推定が、２つの波力（ＰＷ）及び（ＰＷ／Ｏ）の比に基づいているため、波力Ｐの絶対値は必要でない。さらに、前進波パワーＰは、その周辺に沿った２乗電圧の積分Ｗによって概算することができる。多くの場合、コンデンサを用いた場合の予測される遠距離電磁界（ＥＷ）と、コンデンサがない場合の遠距離電磁界（ＥＷ／Ｏ）との比の適切な概算は、次の等式（４）に示すように、コンデンサを用いた場合の２乗電圧（ＷＷ）と、コンデンサがない場合の２乗電圧（ＷＷ／Ｏ）を直接積分することによって得ることができる。
【００４５】
【数４】
2016521873.tif 000006
ソースインピーダンス及び２つ以上の平面を有する一般的な場合の処理手順は、２つ以上の平面が存在する場合の第２のステップ（Ｓ２）の場合に上述したのと全く同じ処理手順である。唯一の違いは、追加の電流バイパス装置によって生じるレイアウトの変化である。電流バイパス装置がない場合とある場合の、放射に有効な前進波パワー（Ｐ）の比は、ここでもまた、次の等式（５）及び（６）で計算できるノイズソースを囲む閉じたライン（Ｃ）に沿った前進波の電圧の２乗（｜ＶＴ｜２）の積分（Ｗ）の比を用いて、概算することができる。
【００４６】
【数５】
2016521873.tif 000007
【００４７】
【数６】
2016521873.tif 000008
【００４８】
図１の処理手順における次のステップ（Ｓ６）は、その低減が十分であるか否かの判断である。この主要実施形態において、この判断は、ユーザすなわち、現在の構成を受け入れることができる又は電流バイパス装置の新たな構成を選択することができる人によって行われる。
実施例２
【００４９】
第２の実施例によれば、図１の第２のステップ及び第４のステップ（Ｓ２及びＳ４）において、その観測位置における放射に有効な前進波の電圧は、非特許文献３に記載されている方法とは異なる方法で計算される。代替的な手法は、例えば、異なるビアモデル又はＹ行列の代わりにＡＢＣＤ行列又は伝送（Ｔ−）行列等の単一の平面のペアをカスケード接続するための異なるアルゴリズムを用いることができる。外部境界に対して吸収境界状態が用いられ、このようにして無限平面の状態をシミュレーションする限り、完全に異なる数値的手法、例えばモーメント法（ＭｏＭ）、又は、有限要素法（ＦＥＭ）、時間又は周波数領域での有限差分法（ＦＤＭ）、有限積分法（ＦＩＭ）なども用いることもできる。
実施例３
【００５０】
第３の実施例によれば、図１の第６のステップ（Ｓ６）において、その低減が十分であるか否かの判断と、第３のステップ（Ｓ３）における電流バイパス装置の新たな構成の選択とが、最適化手法を用いて自動的に実行される。例えば、遺伝的アルゴリズムをその新たな構成の選択に用いることができる。その判断は、その最適化を始める前にユーザが選択できる低減目標に基づいて実行できる。代替的には、その最適化は、その最適化を始める前にユーザによって選択された制約空間内で最少放射に有効な前進波パワーに達するように意図することができる。その放射に有効な前進波パワーは、第１及び第２の実施形態に記載されている方法で推定することができる。
【図１】
2016521873.tif 000011
【図２】
2016521873.tif 000012
【図３】
2016521873.tif 000013
【図４Ａ】
2016521873.tif 000014
【図４Ｂ】
2016521873.tif 000015
【図５】
2016521873.tif 000016
【図６】
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【図７】
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【図８】
2016521873.tif 000019
【図９】
2016521873.tif 000020
【図１０】
2016521873.tif 000021
【図１１】
2016521873.tif 000022
【図１２Ａ】
2016521873.tif 000023
【図１２Ｂ】
2016521873.tif 000024
【図１２Ｃ】
2016521873.tif 000025
【図１３】
2016521873.tif 000026
【図１４】
2016521873.tif 000027
【図１５】
2016521873.tif 000028
【図１６】
2016521873.tif 000029
【図１７Ａ】
2016521873.tif 000030
【図１７Ｂ】
2016521873.tif 000031
【図１７Ｃ】
2016521873.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月30日(2015.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
主要な実施例が図１に記載されているが、電流バイパス装置の位置の選択と、電力低減が十分であるか否かの判断は、ユーザによってなされる。
図２は、本発明による電気機器の設計を支援するための設計支援システム１００の１つの実施例を示すための図である。システム１００として、図１に記載されている方法を実施するために、コンピュータを用いることができる。
システム１００は、
レイアウトデータと、仮定された無限電源面を有するプリント回路基板のシミュレーションモデルのノイズソース（ノイズソースのデバイス及びノイズソース要素）データと、計算結果とを格納するためのデータベース１１０と、
データ、例えばＰＣＢモデルの素子を含むレイアウトデータ、ノイズソース、バイパス装置に関する情報、及び関数、パラメータ等のローカルシミュレーションのために必要なデータをデータベース１１０に入力するための入力ユニット１２２及びバイパス装置導入ユニット１２４と、
電流バイパス装置がない場合とある場合における、ノイズソースからそのモデルの仮定された無限電源面に注入される放射に有効な前進波のパワーを各々推定し、それらの比を計算するための計算ユニット１３０と、
この計算結果をプロット及び保存するための出力ユニット１４０と、
を備えている。
システム１００のためのコンピュータシステムは、データベース１１０、データ読出しユニット１２０及び出力ユニット１４０に結合された、プロセッサ及びメモリ１５０を計算ユニット１３０として含んでいる。コンピュータ可読媒体１６０は、実行すべきコードのセットを含むコンピュータプログラムを格納している。そのプロセッサは、コンピュータ可読媒体１６０から又はその入力ユニットから受け取った、プリント回路基板を設計するための命令を実行するように構成されている。命令を実行するために、必要なデータはデータベース１１０から読み出される。コンピュータ可読媒体１６０は、さまざまな種類のメモリを含んでいてもよい。そのプロセッサを用いてその方法を実行することによって得られた結果は、出力ユニット１４０に転送される。この出力装置は、モニタ、プリンタ、又は、他の何らかの出力装置とすることができる。グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）を備えた１つのモニタ装置は、その入力ユニット及び出力ユニットに用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2016521873.tif 000033
【国際調査報告】
2016521873.tif 000034
2016521873.tif 000035
2016521873.tif 000036