(57)【要約】  本発明の実施例にタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置を開示する。該タッチ画素駆動回路は、画素電極（３）と、透過共用電極（１）と、反射共用電極（２）と、ゲートライン（Ｇ１）と、リセット信号ライン（Ｇ２）と、リセットコントロールライン（Ｇ３）と、読取コントロールライン（Ｇ４）と、両用データライン（Ｇ５）と、その第１の端が前記画素電極（３）に接続され、その第２の端が前記両用データライン（Ｇ５）に接続され、そのコントロール端が前記ゲートライン（Ｇ１）に接続された第１のスイッチングトランジスタ（Ｍ１）と、その第１の端が前記反射共用電極（２）に接続され、その第２の端が前記リセット信号ライン（Ｇ２）に接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールライン（Ｇ３）に接続された第２のスイッチングトランジスタ（Ｍ２）と、その第１の端が前記リセット信号ライン（Ｇ２）に接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極（２）に接続された増幅トランジスタ（Ｔ）と、その第１の端が前記増幅トランジスタ（Ｔ）の第２の端に接続され、その第２の端が前記両用データライン（Ｇ５）に接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールライン（Ｇ４）に接続された第３のスイッチングトランジスタ（Ｍ３）と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路であって、
画素電極、透過共用電極、反射共用電極、ゲートライン、リセット信号ライン、リセットコントロールライン、読取コントロールライン、及び両用データラインと、
その第１の端が前記画素電極に接続され、その第２の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記ゲートラインに接続された第１のスイッチングトランジスタと、
その第１の端が前記反射共用電極に接続され、その第２の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールラインに接続された第２のスイッチングトランジスタと、
その第１の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極に接続された増幅トランジスタと、
その第１の端が前記増幅トランジスタの第２の端に接続され、その第２の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールラインに接続された第３のスイッチングトランジスタと、
その両端がそれぞれ前記反射共用電極及びリセット信号ラインに接続された結合コンデンサと、を備え、
前記増幅トランジスタがＰ型トランジスタであることを特徴とする、タッチ画素駆動回路。
【請求項２】
前記第１のスイッチングトランジスタ、第２のスイッチングトランジスタ、増幅トランジスタ及び第３のスイッチングトランジスタが低温ポリシリコン技術によって製造されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチ画素駆動回路。
【請求項３】
前記画素電極が、前記透過共用電極及び反射共用電極と絶縁して相互に重なっていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のタッチ画素駆動回路。
【請求項４】
マトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、各前記画素ユニットが画素電極と、前記画素電極の下方に配置された透過共用電極及び反射共用電極とを備え、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板であって、
前記複数の画素ユニットが表示画素ユニットと、タッチ画素ユニットとを備え、
各前記タッチ画素ユニットが請求項１に記載のタッチ画素駆動回路を備えることを特徴とする、アレイ基板。
【請求項５】
前記タッチ画素は青色画素であることを特徴とする請求項４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
第１〜３の絶縁層を更に備え、
前記反射共用電極が前記第１の絶縁層に配置され、
前記反射共用電極に第２の絶縁層が配置され、
前記第２の絶縁層に前記透過共用電極が配置され、
前記透過共用電極に第３の絶縁層が配置され、
前記第３の絶縁層に前記画素電極が配置されたことを特徴とする、請求項４又は５に記載のアレイ基板。
【請求項７】
液晶表示装置であって、請求項４から６の何れか１項に記載のアレイ基板を備えることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載のタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法であって、
ゲートラインでオン信号を提供して第１のスイッチングトランジスタをオンにさせ、両用データラインで第１のスイッチングトランジスタによってデータ信号を画素電極に提供し、リセットコントロールラインでオン信号を提供して第２のスイッチングトランジスタをオンにさせ、リセット信号ラインで第２のスイッチングトランジスタによって共用電極電圧を反射共用電極に提供し、読取コントロールラインでオフ信号を提供して第３のスイッチングトランジスタをオフにさせる第１の段階と、
ゲートラインでオフ信号を提供して第１のスイッチングトランジスタをオフにさせ、リセットコントロールラインでオフ信号を提供して第２のスイッチングトランジスタをオフにさせ、読取コントロールラインでオン信号を提供して第３のスイッチングトランジスタをオンにさせ、反射共用電極で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極の電圧が低下して増幅トランジスタをオンにさせ、前記リセット信号ラインから提供された共用電極電圧を増幅トランジスタによってタッチ信号に拡大し、第３のスイッチングトランジスタによって両用データラインに提供する第２の段階とを備えることを特徴とする、タッチ画素駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例はタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチ表示技術の発展につれて、インセル型タッチ（ＩｎＣｅｌｌｔｏｕｃｈ）技術はますます幅広く応用されている。インセル型タッチ技術によれば、スクリーンをより軽薄に設計でき、タッチ素子を表示パネル内に統合することによってパネルそのものにタッチ機能を付与でき、タッチパネルと表示パネルとを貼り合わせて組み付ける必要がなくなった。しかし、従来のインセル型タッチ技術では、表示パネル内に、例えば駆動電極や誘導電極のようなタッチ素子を別途に配置する必要があって、製造工程が増えてしまい、コストが高くなった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の実施例に、駆動電極や誘導電極を別途に配置する必要がなく、製造工程を簡単化して、コストを低減することができるタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置が提供される。
【０００４】
本発明の１つの態様は、半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路であって、画素電極、透過共用電極、反射共用電極、ゲートライン、リセット信号ライン、リセットコントロールライン、読取コントロールライン、及び両用データラインと、その第１の端が前記画素電極に接続され、その第２の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記ゲートラインに接続された第１のスイッチングトランジスタと、その第１の端が前記反射共用電極に接続され、その第２の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールラインに接続された第２のスイッチングトランジスタと、その第１の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極に接続された増幅トランジスタと、その第１の端が前記増幅トランジスタの第２の端に接続され、その第２の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールラインに接続された第３のスイッチングトランジスタと、その両端が前記反射共用電極及びリセット信号ラインにそれぞれ接続された結合コンデンサとを備え、前記増幅トランジスタはＰ型トランジスタであるタッチ画素駆動回路を提供する。
【０００５】
該タッチ画素駆動回路において、例えば、前記第１のスイッチングトランジスタ、第２のスイッチングトランジスタ、増幅トランジスタ及び第３のスイッチングトランジスタは、低温ポリシリコン技術によって製造される。
【０００６】
該タッチ画素駆動回路において、例えば、前記画素電極は、前記透過共用電極及び反射共用電極と絶縁して相互に重なっている。
【０００７】
本発明のもう１つの方面は、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板であって、マトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、各前記画素ユニットは画素電極と、前記画素電極の下方に配置された透過共用電極及び反射共用電極を備え、前記複数の画素ユニットは表示画素ユニットと、タッチ画素ユニットとを備え、各前記タッチ画素ユニットは上述したタッチ画素駆動回路を備えるアレイ基板を提供する。
【０００８】
該アレイ基板において、例えば、前記タッチ画素は青色画素である。
【０００９】
該アレイ基板において、例えば、前記アレイ基板に第１の絶縁層が配置され、前記反射共用電極は前記第１の絶縁層に配置され、前記反射共用電極に第２の絶縁層が配置され、前記第２の絶縁層に前記透過共用電極が配置され、前記透過共用電極に第３の絶縁層が配置され、前記第３の絶縁層に前記画素電極が配置される。
【００１０】
本発明のもう１つの態様は、上述したアレイ基板を備える液晶表示装置を提供する。
【００１１】
本発明の更にもう１つの態様は、上述したタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法であって、ゲートラインでオン信号を提供して第１のスイッチングトランジスタをオンにさせ、両用データラインで第１のスイッチングトランジスタによってデータ信号を画素電極に提供し、リセットコントロールラインでオン信号を提供して第２のスイッチングトランジスタをオンにさせ、リセット信号ラインで第２のスイッチングトランジスタによって共用電極電圧を反射共用電極に提供し、読取コントロールラインでオフ信号を提供して第３のスイッチングトランジスタをオフにさせる第１の段階と、ゲートラインでオフ信号を提供して第１のスイッチングトランジスタをオフにさせ、リセットコントロールラインでオフ信号を提供して第２のスイッチングトランジスタをオフにさせ、読取コントロールラインでオン信号を提供して第３のスイッチングトランジスタをオンにさせ、反射共用電極で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極の電圧が低下して増幅トランジスタをオンにさせ、前記リセット信号ラインから提供された共用電極電圧を増幅トランジスタでタッチ信号に拡大し、第３のスイッチングトランジスタによって両用データラインに提供する第２の段階とを備えるタッチ画素駆動方法を提供する。
【００１２】
以下、本発明の実施例の技術案をさらに明確に説明するため、実施例の図面を簡単に説明する。明らかなように、以下の図面は本発明の一部の実施例に関するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例におけるタッチ画素構造の概略図である。
【図２】図１におけるタッチ画素が画素電極を備える場合の構造の概略図である。
【図３】図２におけるタッチ画素構造のＡ−Ａ’の断面の概略図である。
【図４】図１におけるタッチ画素駆動回路の概略図である。
【図５】図４におけるタッチ画素駆動回路の１つのフレーム時間内のタイミング図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明実施例の目的、技術案及びメリットをさらに明確にするように、図面を参照しながら、本発明実施例の技術案を明確かつ完全に説明する。下記の実施例は、当然ながら、本発明実施例の一部であり、全ての実施例ではない。本発明実施例に基づき、当業者が創造性のある労働をする必要がない前提で得られる全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に入る。
【００１５】
別途に定義しない限り、ここで使われる技術用語又は科学用語の意味は、本発明の分野で一般的技能を持っている人に理解される通常の意味である。本発明特許出願の明細書及び特許請求の範囲に記載の「第１」、「第２」及びそれに類似する言葉は順番、数量又は重要性を表すものではなく、異なる構成部分を区分しているだけである。同様に、「１つ」又は「１」などの類似する言葉も数量に対する制限ではなく、少なくとも１つが存在することを表すものである。「備える」又は「含む」及びそれに類似する言葉の意味は、「備えられる」又は「含まれる」の後ろに記載された素子又は部材が「備える」又は「含む」の前に挙げられた素子又は部材及びそれに同等するものを含める意味であり、その他の素子又は部材は排除されていない。「接続」又は「連結」及びそれに類似する言葉は、物理的又は機械的な接続に限定されるわけではなく、直接か間接かにもかかわらず、電気的な接続であってもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは相対的な位置関係を表す用語に過ぎず、説明対象の絶対位置が変化すると、相対的な位置関係も対応して変化する。
【００１６】
ＡＤＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｗｉｔｃｈ）技術は、同一平面内におけるスリット電極の縁部に生じる電界と、スリット電極と板状電極との間に生じる電界とによって多次元電界を形成し、液晶分子を回転可能にさせることにより、液晶の作動効率を向上させ、透過効果を向上する。半透過半反射表示技術は、各画素を反射領域と透過領域とに分けることにより、バックライトからの光を利用できるとともに、外界からの光を反射して表示することもできる。従って、光が弱い状態、光がない状態、外界の光が強い状態のいずれでもよい表示効果が得られる。
【００１７】
本発明の実施例はＡＤＳ技術及び半透過半反射表示技術に基づき、新たなタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【００１８】
図１及び図４に示すように、本発明の実施例において、半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路を提供する。タッチ画素駆動回路は、画素電極３（図１に示されていない）と、透過共用電極１と、反射共用電極２と、ゲートラインＧ１と、リセット信号ラインＧ２と、リセットコントロールラインＧ３と、読取コントロールラインＧ４と、両用データラインＧ５と、その第１の端が画素電極に接続され、その第２の端が両用データラインＧ５に接続され、そのコントロール端がゲートラインＧ１に接続された第１のスイッチングトランジスタＭ１と、その第１の端が反射共用電極２に接続され、その第２の端がリセット信号ラインＧ２に接続され、そのコントロール端がリセットコントロールラインＧ３に接続された第２のスイッチングトランジスタＭ２と、その第１の端がリセット信号ラインＧ２に接続され、そのコントロール端が反射共用電極２に接続された増幅トランジスタＴと、その第１の端が増幅トランジスタＴの第２の端に接続され、その第２の端が両用データラインＧ５に接続され、そのコントロール端が読取コントロールラインＧ４に接続された第３のスイッチングトランジスタＭ３と、その両端がそれぞれ反射共用電極２及びリセット信号ラインＧ２に接続された結合コンデンサＣ０とを備える。ここで、増幅トランジスタＴはＰ型トランジスタである。
【００１９】
例えば、図２及び図３に示すように、画素電極３はスリット電極であり、各画素において、透過共用電極１は透過領域の透明板状電極であり、透過共用電極１をインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅｓ，ＩＴＯ）によって製造することができ、反射共用電極２は反射領域の反射板状電極であり、反射共用電極２を金属によって製造することができる。増幅トランジスタＴは他のスイッチングトランジスタの製造工程と同じであってもよいが、スイッチングトランジスタのチャンネルの幅と長さの比の差異に応じて、増幅トランジスタＴに増幅の役割を果たせる。反射共用電極２は共用電極として利用されると共に、タッチ時の検知電極としても利用される。
【００２０】
以下はタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法により、タッチ画素駆動回路を更に説明する。図５に示すように、各タッチ画素の１つのフレームの駆動過程は下記第１の段階Ｔ１及び第２の段階Ｔ２を備えることができる。
【００２１】
第１の段階Ｔ１において、ゲートラインＧ１でオン信号を提供して第１のスイッチングトランジスタＭ１をオンにさせ、両用データラインＧ５で第１のスイッチングトランジスタＭ１によってデータ信号を画素電極３に提供し、リセットコントロールラインＧ３でオン信号を提供して第２のスイッチングトランジスタＭ２をオンにさせ、リセット信号ラインＧ２で第２のスイッチングトランジスタＭ２によって共用電極電圧を反射共用電極２に提供し、読取コントロールラインＧ４でオフ信号を提供して第３のスイッチングトランジスタＭ３をオフにさせ、透過共用電極１及び反射共用電極２は共用電極電圧であるので、透過共用電極１及び反射共用電極２と画素電極３との間に、液晶の偏向を制御して正常の表示を実現するための蓄積容量Ｃｓｔが形成される。
【００２２】
第２の段階Ｔ２において、ゲートラインＧ１でオフ信号を提供して第１のスイッチングトランジスタＭ１をオフにさせ、リセットコントロールラインＧ３でオフ信号を提供して第２のスイッチングトランジスタＭ２をオフにさせ、読取コントロールラインＧ４でオン信号を提供して第３のスイッチングトランジスタＭ３をオンにさせ、増幅トランジスタＴはＰ型トランジスタであり、低電圧でオンされるので、反射共用電極２で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極２の電圧は低下して増幅トランジスタＴをオンにさせ、リセット信号ラインＧ２から提供された共用電極電圧を増幅トランジスタＴによってタッチ信号に拡大し、第３のスイッチングトランジスタＭ３によって両用データラインＧ５に提供する。
【００２３】
第２の段階Ｔ２において、第１のスイッチングトランジスタＭ１がオフになって、画素電極３の電圧が保存されるので、タッチの操作がない場合、画素電極３と透過共用電極１及び反射共用電極２との間は、蓄積容量Ｃｓｔによって液晶の状態が維持され、これによって正常の表示が確保される。このとき、反射共用電極２は共用電極の電圧の提供に用いられる。タッチの操作がある場合、指でスクリーンの表面をタッチし、指と反射共用電極２との間に誘導容量が形成され、反射共用電極２の電圧が低下するため，反射共用電極２は検知電極として使用され、両用データラインＧ５は第２の段階Ｔ２で読取データラインとして使用される。どの列の両用データラインＧ５でタッチ信号が読取されたかにより、タッチの位置のＸ軸座標を判断でき、どの行の読取コントロールラインＧ４でオン信号が提供されたかにより、タッチの位置のＹ軸座標を判断でき、これによってタッチの位置を確定する。両用データラインＧ５の端末にアナログ・デジタル（Ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−Ｄｉｇｉｔａｌ，Ａ／Ｄ）コンバーターを更に配置することもでき、Ａ／Ｄコンバーターによってタッチ信号の変化を更に判断し、その位置における指によるタッチの有無を確定する。タッチ画素の１つのフレームの駆動時間が終わった後、次の１つのフレームに入って第１の段階Ｔ１及び第２の段階Ｔ２を繰り返す。
【００２４】
なお、第１のスイッチングトランジスタＭ１、第２のスイッチングトランジスタＭ２及び第３のスイッチングトランジスタＭ３はＮ型トランジスタ或いはＰ型トランジスタであってよい。Ｎ型トランジスタである場合、オン信号は高レベルであり、オフ信号は低レベルである。Ｐ型トランジスタである場合、オン信号は低レベルであり、オフ信号は高レベルである。第１のスイッチングトランジスタＭ１、第２のスイッチングトランジスタＭ２、増幅トランジスタＴ及び第３のスイッチングトランジスタＭ３は何れも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってよく、その制御端はゲート電極であり、Ｐ型トランジスタの第１の端はソース電極であり、第２の端はドレイン電極であり、Ｎ型トランジスタの第１の端はドレイン電極であり、第２の端はソース電極である。
【００２５】
本発明の実施例に提供されるタッチ画素駆動回路及びその方法は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
【００２６】
１つの実施例において、第１のスイッチングトランジスタＭ１、第２のスイッチングトランジスタＭ２、増幅トランジスタＴ及び第３のスイッチングトランジスタＭ３が低温ポリシリコン技術によって製造され、トランジスタの移動度が高くなるため、トランジスタをより小さく製造でき、開口率も向上されると共に、増幅トランジスタＴに高い降伏電圧を有させることができる。
【００２７】
本発明の実施例に提供されるタッチ画素駆動回路は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
【００２８】
本発明の実施例に、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板が提供され、アレイ基板はマトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、これらの画素電圧は例えば相互に交差するゲートラインＧ１と両用データラインＧ５とによって限定される。図３の断面図に示すように、各画素ユニットは画素電極３と、画素電極３の下方に配置された透過共用電極１及び反射共用電極２とを備える。複数の画素ユニットは、正常の表示に用いられる表示画素ユニットと、タッチの機能を実現するためのタッチ画素ユニットとを備え、即ち、いずれの画素ユニットにもタッチの機能を有させる必要がない。各タッチ画素ユニットはタッチ画素駆動回路を備える。
【００２９】
本発明の実施例に提供されるアレイ基板は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
【００３０】
例えば、画素ユニットを赤色画素Ｒと、緑色画素Ｇと、青色画素Ｂとに分けることができ、タッチ画素ユニットは青色画素Ｂであってよい。良い視角効果を達成するために、異なる色の画素の寸法は異なってもよく、青色画素Ｂの可視面積は通常緑色画素Ｇ及び赤色画素Ｒの可視面積よりも小さいので、青色画素Ｂに別途にタッチ素子を配置しても開口率が低下されない。
【００３１】
例えば、図３の断面図に示すように、アレイ基板の一例として、基板１０と、基板１０に配置された第１の絶縁層（ゲート電極絶縁層）１１と、第１の絶縁層１１に配置された反射共用電極２と、反射共用電極２に配置された第２の絶縁層（パッシベーション層）１３と、第２の絶縁層１３に配置された透過共用電極１と、透過共用電極１に配置された第３の絶縁層１５と、第３の絶縁層１５に配置された画素電極３と、を備え、画素電極３の上方に、例えばアレイ基板上における液晶層の厚さを調節するための第４の絶縁層１７が更に配置される。反射共用電極２の上方に、反射領域及び透過領域の光線が人の目に入るときの偏光方向が一致することを確保するための１／４波長板４を更に配置することができる。ガラスまたはプラスチックなどによって基板１０を製造することができる。画素電極３は薄膜トランジスタＭ１のソース電極及びドレイン電極のうちの一方に接続される。
【００３２】
なお、タッチ画素ユニットの数量及び位置は、具体的に要求されるタッチの解像度に応じて設置することができ、本実施例においてタッチ画素駆動回路の構造及び作動原理は上記実施例と同じであるため、ここで贅言しない。
【００３３】
本発明の実施例に提供されるアレイ基板は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
【００３４】
本発明の実施例に液晶表示装置が提供され、液晶表示装置は、対向基板と、アレイ基板とを備える。対向基板は例えばカラーフィルタ基板である。
【００３５】
本実施例におけるアレイ基板の構造及び作動原理は上記実施例と同じであるため、ここで贅言しない。
【００３６】
本発明の実施例に提供される液晶表示装置は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
【００３７】
以上は本発明の例示的な実施例のみであり、本発明の保護範囲を制限するものではない。本発明の保護範囲は請求項により確定される。
【符号の説明】
【００３８】
１  透過共用電極
２  反射鏡用電極
３  画素電極
４  １／４波長版
１０  基板
１１  第１の絶縁層
１３  第２の絶縁層
１５  第３の絶縁層
１７  第４の絶縁層
Ｇ１  ゲートライン
Ｇ２  リセット信号ライン
Ｇ３  リセットコントロールライン
Ｇ４  読取コントロールライン
Ｇ５  両用データライン
Ｍ１  第１のスイッチングトランジスタ
Ｍ２  第２のスイッチングトランジスタ
Ｍ３  第３のスイッチングトランジスタ
Ｔ  増幅トランジスタ
Ｃ０  結合コンデンサ
Ｃｓｔ  蓄積容量
Ｔ１  第１の段階
Ｔ２  第２の段階
Ｒ  赤色画素
Ｇ  緑色画素
Ｂ  青色画素
【図１】
2016528570.tif 000003
【図２】
2016528570.tif 000004
【図３】
2016528570.tif 000005
【図４】
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【図５】
2016528570.tif 000007
【国際調査報告】
2016528570.tif 000008
2016528570.tif 000009
2016528570.tif 000010
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