(57)【要約】  本開示によれば、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法が提供される。処理チャンバを洗浄するための方法は、犠牲箔を処理チャンバの中へガイドすること、処理チャンバ内で第１のポンプ処理を開始すること、処理チャンバ内に犠牲箔が提供されている間に、処理チャンバをプラズマ洗浄すること、処理チャンバ内で第２のポンプ処理を開始すること、及び犠牲箔を処理チャンバの外へガイドすることを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内の真空を壊すことなしに、フレキシブル基板処理装置（１００）の前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）を洗浄するための方法（１０００、１００１）であって、前記方法（１０００、１００１）は、
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の中へ犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）をガイドすること（１０１０）、
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内で第１のポンプ処理を開始すること（１０２０）、
前記処理チャンバ（１０２Ｂ、１０２Ｃ）内に前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）が提供されている間に、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）をプラズマ洗浄すること（１０３０）、
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内で第２のポンプ処理を開始すること（１０４０）、及び
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）から外へ前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）をガイドすること（１０５０）を含む、方法（１０００、１００１）。
【請求項２】
前記第１のポンプ処理は、第１のポンプ及びパージ処理が提供されるようにパージすることを更に含み、及び／又は前記第２のポンプ処理は、第２のポンプ及びパージ処理が提供されるようにパージすることを更に含む、請求項１に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項３】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の中へ前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）をガイドすること（１０１０）は、同時に、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）から外へフレキシブル基板（１０６）をガイドすることを含む、請求項１又は２に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項４】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）から外へ前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）をガイドすること（１０５０）は、同時に、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の中へフレキシブル基板（１０６）をガイドすることを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項５】
前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）は、金属合金、特に、ステンレススチールから成る、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項６】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）をプラズマ洗浄すること（１０３０）は、フッ素化洗浄ガスを用いて、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）をプラズマ洗浄することを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項７】
前記フレキシブル基板処理装置（１００）の前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内の処理ドラム（１１０）を冷却することを更に含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項８】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内で前記第１のポンプ及びパージ処理を開始すること（１０２０）、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）をプラズマ洗浄すること（１０３０）、並びに前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内で前記第２のポンプ及びパージ処理を開始すること（１０４０）は、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の中へフレキシブル基板をガイドする前に、複数回繰り返される、請求項２から７のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項９】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の中へ前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）をガイドした（１０１０）後で、且つ前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）内で前記第１のポンプ処理を開始する（１０２０）前に、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）を密封することを更に含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項１０】
前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）を密封した後で、前記処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）の外側の前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）の後セクション（２２３）に新しいフレキシブル基板（１０６）を取り付けることを更に含む、請求項９に記載の方法（１０００、１００１）。
【請求項１１】
フレキシブル基板（１０６）を処理するための装置内で使用される、前記フレキシブル基板（１０６）を備えたロール（７６４）であって、前記フレキシブル基板（１０６）は、前記フレキシブル基板（１０６）に取り付けられた犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）を含む、ロール（７６４）。
【請求項１２】
前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）が、前記フレキシブル基板（１０６）の前端部（２１１）及び／又は後端部（２２２）に取り付けられ、随意に、前記フレキシブル基板（１０６）が、前記フレキシブル基板（１０６）に取り付けられ前記フレキシブル基板（１０６）を複数のセクションへ分離させる、複数の犠牲箔セグメント（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）を含む、請求項１１に記載のロール（７６４）。
【請求項１３】
前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）は、金属合金、特に、ステンレススチールから成る、請求項１１又は１２に記載のロール（７６４）。
【請求項１４】
前記犠牲箔（１０７、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ）の幅が、前記フレキシブル基板（１０６）の幅と等しい、請求項１１から１３のいずれか一項に記載のロール（７６４）。
【請求項１５】
処理チャンバ（１０２Ｂ／Ｃ）、ギャップスルース（１４０）、及び請求項１から８のいずれか一項に記載の方法（１０００、１００１）を実行するためのコントローラを備える、フレキシブル基板（１０６）を処理するための装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、薄膜処理装置に関し、特に、その清浄方法に関し、更に、ロールトゥロール（Ｒ２Ｒ）システムの清浄方法に関する。本発明の実施形態は、特に、Ｒ２Ｒ化学気相堆積（ＣＶＤ）システムのプラズマ洗浄処理チャンバのための装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチックのフィルム又は箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及び他の業界において大きな需要がある。処理は、金属、半導体材料、及び誘電体材料などの望ましい材料を用いてフレキシブル基板を被覆すること、エッチングすること、及び望ましいアプリケーションのために基板上で行われる他の処理動作から成り得る。この作業を実施するシステムは、一般に、基板を搬送する処理システムに結合された処理ドラム、例えば、円筒形ローラを含み、この処理ドラム上で基板の少なくとも一部分が処理される。ロールトゥロール被覆システムは、それ故、高いスループットシステムを提供する。
【０００３】
典型的には、化学蒸着プロセス又は熱蒸着プロセスなどの被覆プロセスは、材料の薄い層をフレキシブル基板上に堆積させるために利用され得る。しかしながら、ロールトゥロール堆積システムは、ディスプレイ産業及び光電池（ＰＶ）産業においてもまた需要の大きな増加を経験している。例えば、タッチパネル要素、フレキシブルディスプレイ、及びフレキシブルＰＶモジュールは、特に低い製造費用を伴って、ロールトゥロール塗工機において適切な層を堆積させる需要の増加をもたらす。しかしながら、そのようなデバイスは、典型的には、幾つかの層を有し、それらは、典型的には、ＣＶＤプロセス及び特にまたＰＥＣＶＤプロセスを用いて製造される。
【０００４】
例えば、装備のその後の使用において混合ガスからの種々の残留物が同じ処理領域内に堆積する、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤ源を有する堆積装置は、二次汚染効果を避け、長い期間の処理安定性を保証するために、徹底的な洗浄手段を必要とする。一般的には、この目的のために、処理チャンバが手動で開かれ洗浄され、増加されたマシンダウンタイム（ｍａｃｈｉｎｅ  ｄｏｗｎｔｉｍｅ）をもたらし得る。
【０００５】
何年かの時を経て、ディスプレイデバイス内の層は、異なる機能を提供する各々の層を有する複数の層へと進化してきた。複数の基板上に複数の層を堆積させることは、複数の処理チャンバを必要とし得、それらの全ては、高い製造品質を維持するために清浄に保たれることが必要である。概して、それに含まれる洗浄手順は、基板のスループットを低減させ得る。それ故、効果的な洗浄方法、並びにＯＬＥＤ構造、半導体構造、及び基板のスループットが最大化されることを保証するための他の現代的なより洗練されたデバイスなどの、フレキシブル基板を処理するための装置のための技術が必要である。
【発明の概要】
【０００６】
上述したことに基づいて、フレキシブル基板を処理するための装置、及び装置の処理チャンバを洗浄するための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明白となる。
【０００７】
一側面では、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法が提供される。方法は、犠牲箔を処理チャンバの中へガイドすること、処理チャンバ内で第１のポンプ処理を開始すること、犠牲箔が処理チャンバ内に提供されている間に、処理チャンバをプラズマ洗浄すること、処理チャンバ内で第２のポンプ処理を開始すること、及び犠牲箔を処理チャンバの外へガイドすることを含む。
【０００８】
別の一側面では、フレキシブル基板を処理するための装置内で使用されるフレキシブル基板を含むロールが提供される。フレキシブル基板は、そこに取り付けられた犠牲箔を含む。
【０００９】
更に別の一側面では、フレキシブル基板を処理するための装置が提供される。本明細書で開示される実施形態による、処理チャンバ、ギャップスルース（ｇａｐ  ｓｌｕｉｃｅ）、及び処理チャンバ内の真空を壊すことなしに処理チャンバを洗浄するための方法を実行するコントローラを含む、装置が提供される。
【００１０】
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本明細書で説明される実施形態による、薄膜を堆積させ又は被覆するためのロールトゥロール堆積装置の概略図を示す。
【図２】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板の概略図を示す。
【図３】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板の概略図を示す。
【図４】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板の概略図を示す。
【図５】本明細書で説明される実施形態による、ロールの概略斜視図を示す。
【図６】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法のフローチャートを示す。
【図７】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ここで、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その１以上の例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関しての相違のみが説明される。本開示の説明として各例が与えられるが、本発明を限定するつもりはない。更に、一実施形態の一部として図示又は説明された特徴を、他の実施形態で、又は他の実施形態と共に使用して、また更なる実施形態を得ることが可能である。本説明は、かかる修正及び改変を含むことが意図されている。
【００１３】
ここで、本明細書で説明される実施形態において用いられるようなフレキシブル基板またはウェブは、典型的には、可撓性という特徴を有することができることに留意されたい。用語「ウェブ」は、用語「ストリップ」、又は用語「フレキシブル基板」の同意語として使用され得る。例えば、本明細書の実施形態で説明されるウェブは、箔又は別のフレキシブル基板であり得る。
【００１４】
本明細書で使用されるように、用語「ギャップスルース」は、典型的には、フレキシブル基板を処理するための装置のチャンバを、密封、例えば、密閉密封（ｈｅｒｍｅｔｉｃａｌｌｙ  ｓｅａｌ）するために使用され得るチャネル又はロックを表すことを意図するものである。
【００１５】
本明細書で使用されるように、用語「犠牲箔」は、典型的には、フレキシブル基板の材料と異なる材料から作られた箔を表すことを意図するものである。例えば、箔は、例えば、ステンレススチールなどの金属合金から成り得る。本明細書の実施形態によれば、犠牲箔は、例えば、１０μｍから２００μｍまで、特に、５０μｍから１２５μｍまでの厚さを有し得る。
【００１６】
本明細書で説明される実施形態は、概して、特に、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法に関する。典型的には、そのような洗浄手順は、例えば、フレキシブル基板の後セクション、前セクション、又は中間セクションに予め取り付けられ得る犠牲箔を採用する。例えば、犠牲箔は、フレキシブル基板をロールに連結し得る。更なる実施形態では、２以上の犠牲箔が、フレキシブル基板を、犠牲箔によって相互連結された複数の区別されたセクションに分離し得る。本明細書の実施形態によれば、犠牲箔及びフレキシブル基板は、同じ長手方向平面内に配置され得る。特に、犠牲箔がフレキシブル基板に連結される場合に、犠牲箔の前端部及び／又は後端部は、フレキシブル基板の前端部及び／又は後端部に隣接する。
【００１７】
本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板上に薄膜を堆積させるために使用され得る、典型的なフレキシブル基板処理装置が、図１で例示的に示される。そこで示される処理装置１００は、概して、真空チャンバ１０２を含む。真空チャンバは、第１のチャンバ部分１０２Ａ、第２のチャンバ部分１０２Ｂ、及び第３のチャンバ部分１０２Ｃを有する。第１のチャンバ部分１０２Ａは、巻取り／巻戻しチャンバとして構成され、フレキシブル基板の交換のためにチャンバの残りの部分から分離され得、それによって、残りのチャンバ部分１０２Ｂ／Ｃが、フレキシブル基板を除去するためにガス通気される必要がなく、新しい基板が挿入された後で排出（ｅｖａｃｕａｔｅ）される必要がない。それ故、装置のダウンタイムは低減され得る。したがって、増加されたスループットという全体の目的が達成され得る。第２のチャンバ部分１０２Ｂ及び第３のチャンバ部分１０２Ｃは、本明細書中で、集合的に「処理チャンバ」と呼ばれ得ることに注意せよ。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によれば、第２及び第３のチャンバ部分は、１つの単一のチャンバとしてもまた提供され得る。
【００１８】
図１に関して、基板は、例えば、巻戻しのために使用されるシャフトを有する第１のロール７６４上に提供される。基板は、例えば、巻取りのために使用されるシャフトを有する第２のロール７６４’上で巻き取られる。しかしながら、基板は、シャフトが、巻戻しの代わりに巻取りのために使用され、巻取りの代わりに巻戻しのために使用され得るように、逆方向においてもまた、装置１００を通してガイドされ得ることが理解される。したがって、処理されるべきフレキシブル基板を支持するための巻戻しシャフト、及びその上に処理された薄膜を有するフレキシブル基板を支持する巻取りシャフトは、第１のチャンバ部分１０２Ａ内に提供される。フレキシブル基板１０６は、例えば、巻取りシャフトを有する第１のロール７６４上に提供される。
【００１９】
本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板は、少なくとも１つの犠牲箔１０７（図２を見よ）を含み得る。犠牲箔は、フレキシブル基板の前端部、後端部、又はそれらの間のどこかに取り付けられ得、フレキシブル基板を少なくとも２つの区別されたセクションへ分離する。犠牲箔は、処理チャンバの洗浄のための方法の間に取り付けられ得、又はロールに予め取り付けられ得る。概して、前セクションは、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバの中へ先ず入るフレキシブル基板及び／又は犠牲箔のセクションとして規定され得る。図２〜図４は、犠牲箔１０７を含むフレキシブル基板１０６の様々な実施形態を示す。矢印１０９は、概して、フレキシブル基板及び／又は犠牲箔が、フレキシブル基板処理装置の中へ入る移動方向を示している。本明細書の実施形態によれば、犠牲箔は、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法の間に、フレキシブル基板の前端部及び／又は後端部に取り付けられ得る。犠牲箔は、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法の間に、フレキシブル基板の区別されたセクションの間にもまた取り付けられ得る。犠牲箔がフレキシブル基板の区別されたセクションの間に取り付けられる場合に、フレキシブル基板は、犠牲箔を介して互いに連結された少なくとも２つの区別されたセクションに分離され得る。概して、本明細書の実施形態によれば、一旦、犠牲箔がフレキシブル基板に取り付けられると、犠牲箔及びフレキシブル基板は、同じ長手方向平面内で交互に配置される。
【００２０】
例えば、図２では、フレキシブル基板１０６は、犠牲箔１０７を含み得る。犠牲箔１０７の前セクション２１０は、フレキシブル基板１０６の後セクション２２２に予め取り付けられ得る。更に、犠牲箔の後セクション２２３は、（図で示されていない）ロールに予め取り付けられ得る。
【００２１】
図３は、本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板１０６に予め取り付けられた２つの犠牲箔１０７ａ、１０７ｂを示している。第１の犠牲箔１０７ａの後セクション２２３は、フレキシブル基板１０６の前セクション２２１に予め取り付けられ得、第２の犠牲箔１０７ｂの前セクション２１０は、フレキシブル基板１０６の後セクション２２２に予め取り付けられ得る。概して、第１の犠牲箔１０７ａの前セクション２１１は、別のフレキシブル基板の後セクションに連結され得る。フレキシブル基板の始まり及び終わりにおいて犠牲箔を有することは、例えば、犠牲箔のない通常のロールを１回おきに使用することを可能にする。
【００２２】
本明細書で説明される更なる実施形態によれば、フレキシブル基板１０６は、複数の犠牲箔１０７を含み得る。例えば、図４は、フレキシブル基板を３つの区別されたセクションに分割する３つの犠牲箔１０７を含むフレキシブル基板１０６を示している。犠牲箔１０７ａ、１０７ｂ、及び１０７ｃは、フレキシブル基板１０６の間に予め取り付けられ得る。犠牲箔１０７ａ、１０７ｂ、及び１０７ｃは、フレキシブル基板を、同じ長さを有し得る区別されたセクションへ分離する。本明細書で説明される実施形態では、前述された区別されたセクションは、異なる長さであり得る。本明細書で説明される任意の特定の実施形態に限定することなく、フレキシブル基板は、前端部、後端部、又は平坦な（巻かれていない）フレキシブル基板の長手方向の軸に沿ったどこかに取り付けられた、２以上、３以上、４以上、５以上、６以上、又は７以上の犠牲箔を含み得、フレキシブル基板を離散したセクションへ分割する。例えば、各々の離散したセクションは、３０ｍから１０００ｍまで、特に、５０ｍから５００ｍまでの長さのいずれかであり得る。
【００２３】
図５は、フレキシブル基板処理装置内で使用されるための例示的なロール７６４を示している。ロール７６４は、フレキシブル基板１０６、及び１つ、２つ、３つ、４つ、５つ、又はそれ以上の犠牲箔１０７を含み得る。
【００２４】
概して、本明細書で説明される実施形態は、例示的に上述されたフレキシブル基板処理装置に関し、特に、そのような装置の処理チャンバを洗浄するための方法及び装置に関する。例えば、図６は、本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法１０００を示し、方法１０００は、概して、処理チャンバの中へ犠牲箔をガイドすること（１０１０を見よ）、処理チャンバ内で第１のポンプ及び／又はパージ処理を開始すること（１０２０を見よ）、処理チャンバをプラズマ洗浄すること（１０３０を見よ）、処理チャンバ内で第２のポンプ及び／又はパージ処理を開始すること（１０４０を見よ）、並びに処理チャンバの中へフレキシブル基板をガイドすること（１０５０を見よ）を含むとして説明され得る。順序は、特に、ポンプ及びパージ処理に関して、犠牲箔がプラズマ洗浄の間に処理チャンバ内に提供される限り、任意であり得る。本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法は、フレキシブル基板の前端部及び／又は後端部に犠牲箔を取り付けることを含み得る。更に、方法は、フレキシブル基板の少なくとも２つの区別されたセクションの間に犠牲箔を取り付けることを含み得る。本明細書の実施形態によれば、犠牲箔及びフレキシブル基板又はフレキシブル基板の区別されたセクションは、直列で、すなわち長手方向に交互に配置され得る。
【００２５】
今度は図１に戻ると、図１は、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によるものであり、処理されるべきフレキシブル基板は、間紙７０６と共にロール７６４上に提供され得る。間紙は、ロール７６４上のフレキシブル基板の１つの層とフレキシブル基板の隣接する層との直接的な接触が除外され得るように、フレキシブル基板の隣接する層の間に提供され得る。典型的な実施形態によれば、基板は、１つ、２つ、又はそれ以上のローラ１０４を介して、ロール７６４から（本明細書中で、以後、処理ドラムとしてもまた呼ばれる）被覆ドラムへガイドされ、被覆ドラムから、例えば、基板がその処理の後で巻き取られる巻取りシャフトを有する第２のロール７６４’へガイドされる。処理の後で、更なる間紙が、間紙ロール７６６’からフレキシブル基板１０６の層の間に提供され得、フレキシブル基板１０６はロール７６４’上で巻き取られる。
【００２６】
本明細書で説明される実施形態によれば、第１のチャンバ部分を第２のチャンバ部分から分離するための少なくとも１つのギャップスルース１４０が、分離壁７０１に提供される。図１で示されるように、典型的には、２つのギャップスルースが提供される。１以上のギャップスルースは、フレキシブル基板がそこを移動して通り得、ギャップスルースが真空密封を提供するために開いたり閉じたりし得るように、構成される。典型的な実施形態によれば、ギャップスルースは、基板及び／又は犠牲箔をガイドするためのローラ、例えば、１０度以上の角度によって基板及び／又は犠牲箔の移動を再方向付けするためのローラを含む。更に、ギャップスルースのローラに対抗して圧され得る膨張式（ｉｎｆｌａｔａｂｌｅ）の密封が提供される。ギャップスルースは、密封材を膨張させることによって閉じられ、第１のチャンバ部分１０２Ａ及び第２のチャンバ部分１０２Ｂは、真空による緊密な方式で互いから分離される。それ故、第１のチャンバ部分１０２Ａは、第２のチャンバ部分１０２Ｂが技術的真空の下に維持され得る間に、ガス通気され得る。
【００２７】
本明細書で説明される実施形態によれば、ギャップスルースは、例えば、単数又は複数の処理領域を巻取り領域から密封するために、開けたり閉じたりすることができる。典型的には、開けること及び閉じることは、ギャップスルース内に提供される基板又は犠牲箔を伴ってもまた行われ得る。したがって、本明細書で説明されるギャップスルースは、それぞれ、ロードロック（ｌｏａｄ  ｒｏｃｋ）としてもまた理解され得、又はロードロックと呼ばれ得る。それ故、両方の用語は、本開示によれば交換可能である。
【００２８】
更なる代替的な実施態様によれば、ギャップスルースは、ローラなしでもまた提供され得る。膨張式の密封材は、平らな密封表面に対抗して基板を圧すことができる。更に、ギャップスルースを選択的に開けたり閉めたりするための他の手段もまた利用され得、開けたり閉じたりすること、すなわち、開いた基板経路及び真空密封を有することは、基板が挿入されている間に行われ得る。基板及び／又は犠牲箔が挿入されている間に真空密封を閉じるためのギャップスルースは、特に、基板の容易な交換を可能にし、新しいロールからの基板が、以前のロールからの基板及び／又は犠牲箔に取り付けられ得、フレキシブル基板は、チャンバ部分１０２Ｂ及び１０２Ｃが、装置を通して、そこに取り付けられた新しい基板を伴った以前の基板を引くことによって排出される間に、システムを介して巻き取られることができる。
【００２９】
図１で更に示されるように、壁７０１及び／又はギャップスルース１４０の間の距離によって規定される軸は、第１のチャンバ部分１０２Ａと第２のチャンバ部分１０２Ｂとの間の真空分離を提供することができ、垂直又は水平方向に対して傾けることができる。典型的には、傾きの角度は、垂直に対して２０度から７０度までであり得る。傾きの角度は、傾きがない類似の構成要素の水平的な配置と比較して、被覆ドラムが下向きに配置されるように、選ばれ得る。壁及び／又はギャップスルースの間で規定される軸の傾きは、その軸４３１、例えば、（図１で示されていない）プラズマ電極の対称軸が、被覆ドラム１１０の回転軸１１１と同じ高さであるか又はそれより下であるように、付加的な処理ステーション又は堆積源６３０が提供されることを可能にする。図１で示されるように、４つの堆積源６３０が、被覆ドラム１１０の回転軸１１１の高さにおいて又はそれ未満の高さにおいて提供される。上述されたように、生成された粒子が基板上に剥離したり脱落したりすることは低減され得、又は除外することができる。５番目の処理ステーションは、図１でエッチングステーション４３０として示され、例えば、被覆ドラム１１０の回転軸１１１の上方に提供され得る。しかしながら、エッチングステーション４３０は、チャンバ部分１０２Ｃの凸面壁部分の他の位置のいずれかにおいてもまた提供され得る。同様に、１以上の加熱ステーションが、被覆ドラム１１０の曲面に沿って提供され得る。
【００３０】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る更なる実施形態によれば、随意に、基板上の分量を順応させるための基板処理及び／又は１以上のイオン化ユニット４９２の結果を評価するための光学式測定ユニット４９４もまた提供され得る。
【００３１】
本明細書で説明される実施形態によれば、被覆ドラムの第１の部分、すなわち、回転軸に垂直な被覆ドラムの断面の領域が、第２のチャンバ部分１０２Ｂ内に提供され、被覆ドラムの残りの部分、すなわち、回転軸に垂直な被覆ドラムの断面の領域が、第３のチャンバ部分１０２Ｃ内に提供される。図１の点線によって見られ得るように、典型的には、第１の部分が、残りの部分よりも大きく、すなわち、軸１１１が第２のチャンバ部分１０２Ｂ内に提供される。軸１１１を第２のチャンバ部分内に提供することは、一酸化コバルトもまた提供する装置のより容易な、それ故、費用効率に優れた設計を提供する。例えば、被覆ドラムの第１の部分と被覆ドラムの残りの部分との比率は、１．１：１以上であり得る。更に、機械的な観点から、システムの安定性を著しく悪化させることなしに、第２から第３の部分への境界をわずかに超えて、軸が第３のチャンバ部分１０２Ｃへ向かって移動され得る。したがって、比率は、０．８：１以上でもまたあり得る。
【００３２】
本明細書で説明される実施形態によれば、第３のチャンバ部分１０２Ｃは、凸形状の壁部分を有し得る。本明細書の実施形態によれば、凸は、複数の表面の凸形状を提供するために、壁部分に曲面を有するか又は互いに隣接する複数の平面を有するかのいずれかであると理解されるべきである。典型的な実施形態によれば、共に凸形状を形成する複数の平面は、以下に説明される真空フランジ接続が、より製造することが容易である平面において提供され得るという利点を有する。より容易な製造は、再び、装備の費用を低減させる。
【００３３】
図１は、複数の真空処理領域に対応する複数の処理ステーションを示す。本明細書で説明される実施形態によれば、少なくとも２つの処理ステーションが提供され、少なくとも２つの処理ステーションは、第３のチャンバ部分１０２Ｃに真空接続を提供するためのフランジ部分１２５を含む。典型的には、第３のチャンバ部分は、凸形状の壁部分及びそれに実質的に平行な少なくとも２つの開口部を有し、例えば、少なくとも２つの開口部は、凸形状の壁部分の範囲内又は凸形状の壁部分から延伸する突出部内に提供され、すなわち、凸形状の壁部分の延伸は、被覆ドラムの軸に関して実質的に半径方向外向きに突出する。少なくとも２つの処理ステーションは、第３のチャンバ部分の少なくとも２つの開口部内に受け入れられるように構成される。本明細書の実施形態によれば、フランジ部分１２５は、第３のチャンバ部分の凸形状の壁部分との真空による緊密な接続を提供し、又は凸形状の壁部分から延伸する突出部との真空による緊密な接続を提供する。
【００３４】
したがって、処理ステーションは、第３のチャンバ部分１０２Ｃの凸形状の壁部分の外側から挿入され得る。挿入に際して、真空フランジが連結され得、真空領域が第３のチャンバ部分内に提供される。典型的な実施形態によれば、処理ステーションは、被覆ドラム１１０の軸に対して実質的に半径方向に沿って、開口部内に挿入され得る。
【００３５】
上述されたように、処理ステーションの一部分は、それ故、真空内に提供され、すなわち、第３のチャンバ部分内及び／又はフランジに対して内側に提供される。処理ステーションの別の部分は、真空チャンバ１０２内で真空が提供される領域の外側に提供される。このことは、処理ステーションの容易な交換、及び冷却流体、ガス、電力などの消費媒体の供給を可能にする。ある実施態様によれば、少なくとも整合回路（ｍａｔｃｈ  ｃｉｒｃｕｉｔ）６８０に対する処理ステーションの接続は、第３の処理チャンバ１０２Ｃの外側に提供され、上述の領域の外側の別の部分を形成し得る。更に、第３のチャンバ部分の壁部分内の開口部又は凸形状の壁部分から延伸する突出部内の開口部は、典型的には、所定の形状及びサイズを有するように形作られる。標準化された開口部に適合するように構成されたフランジを有する種々の処理ステーションが交換可能であり、種々の処理領域で利用されるように、標準化された開口部が存在する。これは、より容易な保守、及び装置１００の増加した利用の柔軟性をもたらす。再び、低減されたダウンタイム（より容易な保守）に照らして、且つ柔軟な利用に照らして、一酸化コバルトが低減され得る。後者は、所有者が同じ処理装置１００において異なる製品の製造の間でスイッチすることができるように、異なる製品が１つの装置で製造され得るという事実をもたらす。
【００３６】
更なる実施形態によれば、被覆ドラム１１０の外側曲面とフランジ又はチャンバの凸形状との距離は、１０ｍｍから５００ｍｍまでであり得る。本明細書の実施形態によれば、距離は、被覆ドラム表面から内側壁又はフランジ部分までの寸法を言及し、それはチャンバ１０２の真空領域の境界を区切る。上述の凸形状及び寸法を提供することは、第３のチャンバ部分１０２Ｃ内の低減されたチャンバ容積を可能にする。第３の部分内の低減されたチャンバ容積は、より容易なガス分離及びより容易な処理区域の排出（ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ）を可能にする。例えば、第２のチャンバ部分は、排出可能な領域の容積を有し、第３のチャンバ部分は、更なる排出可能な領域の更なる容積を有し、更なる容積に対する容積の比率は、少なくとも２：１であり、３：１から６：１などである。  
【００３７】
更なる実施態様によれば、第３のチャンバ部分内の領域は、固体材料で満たされておらず、材料のブロックで満たされ得、排出されるべき領域を低減させる。例えば、第２のチャンバ部分は、排出可能な領域の容積を有し、第３のチャンバ部分は、更なる排出可能な領域の更なる容積を有し、更なる容積に対する容積の比率は、容積低減ブロックによって少なくとも７：１まで増加される。
【００３８】
上述のように、図１は、堆積装置１００を示す。堆積装置１００は、チャンバ１０２を含み、チャンバ１０２は、典型的には、真空がチャンバ内で生成され得るように提供され得る。本明細書の実施形態によれば、様々な真空処理技術及び特に真空堆積技術が使用され得、基板を処理し又は基板上に薄膜を堆積させる。図１で示されるように、本明細書で言及されるように、装置１００は、ロールトゥロール堆積装置であり、ガイドされ処理されているフレキシブル基板１０６を支持する。フレキシブル基板１０６は、図１で矢印１０８によって示されるように、チャンバ部分１０２Ａからチャンバ部分１０２Ｂまでガイドされ、更に、そこに処理ステーションを有するチャンバ部分１０２Ｃまでガイドされる。フレキシブル基板は、ローラ１０４によって、処理及び／又は堆積の間に基板を支持するように構成された被覆ドラム１１０に誘導される。被覆ドラム１１０から、基板１０６は、更なるローラ１０４までガイドされ、それぞれ、チャンバ部分１０２Ｂ及び１０２Ａの中へガイドされる。
【００３９】
図１で描かれる実施形態は、４つの堆積ステーション及び１つのエッチングステーションなどの、５つの処理ステーションを含む。堆積源は、処理領域内に提供され、そこで、被覆ドラムによって支持されている基板は、それぞれの領域内で処理される。更に、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る更なる実施形態によれば、５つ以上の処理ステーション、例えば、堆積ステーションが提供され得ることが理解されるべきである。例えば、６つ、７つ、それ以上、８つ、１０個、又は１２個の処理ステーション、例えば、堆積ステーションが提供され得る。処理領域は、ガス分離ユニットによって、隣接する処理領域又は更なる領域から分離される。
【００４０】
本明細書で説明される実施形態によれば、処理ステーション及び／又はそれらのガス分離ユニットは、被覆ドラム１１０からの距離を調節するために変動する位置を有するように構成される。すなわち、処理ステーション及び／又はガス分離ユニットは、被覆ドラムに対して半径方向に移動することができる。ガス分離ユニットは、典型的には、壁を含み、壁は、１つの処理領域内のガスが、近隣の処理領域などの近隣の領域に入ることを妨げる。ガス分離ユニットの要素は、ガス分離ユニットと基板１０６又は被覆ドラムとの間に、それぞれ、スリットを提供する。本明細書の実施形態によれば、要素はスリットの長さを規定し、要素の半径方向位置は、ガス分離ユニットと基板１０６との間のスリットの幅を規定する。
【００４１】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る更なる実施形態によれば、装置１００は、更に、フレキシブル基板を加熱するための予め加熱するユニット１９４を含み得る。本明細書の実施形態によれば、基板の処理に先立って基板を加熱するための輻射加熱器、電子ビーム加熱器、又は任意の他の要素が提供され得る。更に、付加的に又は代替的に、前処理プラズマ源１９２、例えば、ＲＦプラズマ源が、基板が第３のチャンバ部分１０２Ｃに入る前に、基板をプラズマで処理するために提供され得る。例えば、プラズマを用いた前処理は、基板表面の表面改質を提供し、そこに膜堆積された塗膜接着剤の強度を高めることができ、又は別の方式で基質形態を改良し、基板表面の処理を改良することができる。
【００４２】
本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための上述した方法は、オンデマンドで開始され得る数多くの付加的な動作及び／又は処理を含み得る。例えば、図７は、以下に説明され得るフレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための方法１００１を示している。
【００４３】
概して、フレキシブル基板処理プログラムが、開始され得る１００３。フレキシブル基板は、典型的には、処理チャンバの洗浄条件が決定される１００７まで、装置の処理チャンバ内の処理サイクルの間に処理され得る１００５。例えば、検出装置（例えば、センサ）は、処理チャンバが、例えば、時間内に除去されなければ処理チャンバ内で生じる処理と干渉し得る、処理チャンバの内側の汚染物の過剰な蓄積のために、洗浄されることが必要であるという信号を送り得る。処理チャンバの洗浄は、例えば、所定量の時間の後で又は所定の長さのフレキシブル基板が処理された後でもまた、予め設定され得る。更に、処理チャンバの洗浄は、フレキシブル基板の新しいロールをフレキシブル基板処理装置の中へ及び／又はから積み込み及び／又は積み出しすることを含む、積み込み及び／又は積み出しの手順の部分として開始され得る。更に、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によれば、プラズマモニターが、洗浄サイクルに対する必要性を決定し得る。
【００４４】
更なる実施形態によれば、洗浄に対する必要性、パージ手順及び／又はポンプ手順の状態、並びに洗浄手順の状態がモニターされ得る。例えば、モニタリング装置は、例えば、整合回路の後の、電極電圧、電極電流、及び堆積源でのプラズマインピーダンスを測定する装置であり得る。付加的に又は代替的に、堆積源の処理領域の中へのガス流及び堆積源の処理領域から外へのガス流もまた、モニターされ得る。例えば、それぞれの導管における圧力及び／又は混合ガスさえもが解析され得る。電極電圧、電極電流、及び洗浄の間に動作され得る堆積源において測定されるプラズマインピーダンスを測定するモニタリング装置などのモニタリング装置は、プラズマ状態を決定するために利用され得、それは、例えば、堆積プラズマであるが、洗浄プラズマでもあり得る。
【００４５】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によれば、モニタリング装置は、ＣＶＤプロセスモニターであり得る。例えば、モニタリング装置は、電圧、電流、フェーズ、高調波、インピーダンス、又はアルゴリズムを使用することによって、プラズマ密度、堆積源のプラズマ密度、すなわち、洗浄の間にもまた利用され得る堆積源のプラズマ密度、から成るグループからの少なくとも１つを測定することができる。したがって、非侵襲的プラズマ特性化法が、インピーダンスセンサ測定によって提供され得る。種々の実施形態によれば、インピーダンスセンサは、プリマッチ（ｐｒｅ‐ｍａｔｃｈ）センサ又はポストマッチ（ｐｏｓｔ‐ｍａｔｃｈ）センサのいずれかとして、すなわち、整合回路に対して又は整合回路の後で使用され得る。本明細書の実施形態によれば、モニタリングセンサのポストマッチの設置は、電極のＲＦ電圧及び実際のプラズマインピーダンスについての直接的な情報を提供する。典型的には、洗浄の前又は洗浄の間に、プラズマの電子「指紋」（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  “ｆｉｎｇｅｒｐｒｉｎｔ”）が提供され得る。フェーズ角度及び／又は高調信号増幅における差異が、処理条件、例えば、処理ドリフトの開始における微妙な変化を示し得る。したがって、特に、堆積源に電力供給するシステム内の高調波の測定によって、電力供給された電極表面におけるイオン束の入射についての間接的な情報、それ故、プラズマ密度についての間接的な情報が提供され得る。
【００４６】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、幾つかの実施形態によれば、処理ステーションは、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）源を含み得る。プラズマ助長堆積源は、２ＭＨｚから９０ＭＨｚまでの周波数、例えば、４０．６８ＭＨｚの周波数で動作され得、統合されたインピーダンスセンサは、リアルタイムのインライン処理モニタリング及びそれぞれの処理パラメータの制御を提供し、例えば、ガス分離ユニットのスリットの幅及び／又は堆積源の電極の基板からの距離を提供し得る。
【００４７】
一旦、洗浄条件が検出され、又は閾値（例えば、予め設定された時間量）が到達されると、犠牲箔が処理チャンバ１０１０の中へガイドされ得る。例えば、これは、フレキシブル基板のロールが使い尽くされて、それの後セクションが、犠牲箔に連結され、今度は、犠牲箔がロールに連結され得、犠牲箔を処理チャンバの中へ引っ張る場合に生じ得る。典型的には、犠牲箔は、ギャップスルース（すなわち、ロードロック）を介して処理チャンバに入り得、処理チャンバ内で処理されていたフレキシブル基板の一部分を置き代え得る。処理されたフレキシブル基板は、処理チャンバを出て行き得、犠牲箔が処理チャンバに入る。
【００４８】
本明細書で説明される実施形態によれば、処理チャンバは、犠牲箔が処理チャンバの中へ入る前に、フレキシブル基板の処理を止め得る。しかしながら、犠牲箔は、ステンレススチールなどの非常に反応し難い材料で被覆され得、又は非常に反応し難い材料から成り得るので、処理チャンバが犠牲箔の入場（ｅｎｔｒｙ）の際にフレキシブル基板の処理を止めることは必ずししも常には必要とされない。
【００４９】
概して、犠牲箔は、犠牲箔が処理チャンバ内の被覆ドラムの表面を覆い保護し得るように、フレキシブル基板と同じ幅を有し得る。典型的には、犠牲箔は、犠牲箔が少なくとも処理チャンバへの入場のその点から、処理チャンバからの退場（ｅｘｉｔ）のその点まで延伸する長さであり得る。しかしながら犠牲箔の長さ及び幅は、フレキシブル基板処理装置の寸法に応じて変化し得る。
【００５０】
本明細書で説明される実施形態では、一旦、犠牲箔が処理チャンバの中へガイドされてしまったら、犠牲箔の前セクション及び後セクションが処理チャンバの外側まで延伸するように、犠牲箔の寸法が決められ得る。それ故、犠牲箔の後端部からのセクションは、処理チャンバの中へのその入場の点から、処理チャンバの外側（例えば、巻戻しチャンバ内）へ向かって延伸し得、犠牲箔の前端部からのセクションは、処理チャンバからのその退場の点から、処理チャンバの外側（例えば、巻取りチャンバ内）へ向かって延伸し得る。本明細書の実施形態によれば、巻戻し及び巻取りチャンバは、概して、本明細書中で以後、巻取りチャンバと呼ばれる単一のチャンバとして提供され得る。
【００５１】
典型的には、フレキシブル基板及び／又は犠牲箔の処理チャンバの中への及びからの入場及び退場の点は、少なくとも１つのギャップスルース又はロックを含み得、それは、処理チャンバを密封するために閉じられ得る。概して、犠牲箔を処理チャンバの中へガイドした後で、（例えば、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤプロセスを含む）フレキシブル基板の処理手順は終了し、少なくとも１つのギャップスルース又はロックは、処理チャンバを密封、例えば、密閉密封するために閉じられ得る。
【００５２】
第１のポンプ及び／又はパージ手順１０２０は、処理チャンバから残された処理ガスを除去するために開始され得る。概して、ポンプは、先ず、処理チャンバから処理ガス、例えば、高度に反応し易い処理ガスを排出するために起動される。その後、アルゴン及び窒素などのパージガスが、処理チャンバの中へ導入され得、パージプロセスを促進する。パージガスは、その後、処理チャンバからポンプで出され得る。ポンプは、通常、処理チャンバの内部に中間的な真空又は高度の真空を生成する。例えば、処理チャンバの内部の真空は、１０−１ミリバールから１０−７ミリバールまでのいずれかであり得、特に、１０−２ミリバールから１０−６ミリバールまでであり得、例えば、１０−３ミリバールなどであり得る。ある実施形態によれば、ガス又は固体材料などの幾つかの処理残留物は、望ましくない化学反応を避けるために、洗浄ステップの前に除去される必要があり得る。これは、典型的には、ポンプ及びパージプロセスによって行われる。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によれば、ポンプ及びパージプロセスは、本明細書で説明されるように、複数のサイクル、例えば、１０−２ミリバール以下へのポンプダウンのサイクル、例えば、アルゴン又は窒素などの不活性ガスを用いたパージのサイクル、１０ミリバールから２０ミリバールぐらいまで圧力を上げるサイクルなどの、少なくとも２つ又は少なくとも３つのサイクルを含み得る。しかしながら、ある実施形態では、洗浄のために処理装置を準備するために、ポンプのみ又はパージのみで十分であり得る。
【００５３】
典型的には、ポンプ及び／又はパージの手順１０２０は、５分から３０分までのいずれかの時間だけ継続し得、例えば、それは２０分などである。更に、手順は、複数の連続的なポンプ及びパージサイクルを含み得、それは、例えば、各々５分継続する３つのサイクルである。本明細書の実施形態によれば、（例えば、センサの形態である）検出機構は、処理ガスを処理チャンバから除去するために、連続的なポンプ及び／又はパージサイクルが必要であるか否かを検出し得る１００７。検出機構は、パージ及び／又は洗浄プロセスを自動的に開始し得る。
【００５４】
概して、高度の発熱反応を含み得る被覆手順の後に、フレキシブル基板処理装置の被覆ドラムを冷却することが望ましいだろう。例えば、被覆ドラムを冷却することは、第１のポンプ及び／又はパージ手順の後及び／又は間に、随意のステップで生じ得る。
【００５５】
本明細書で説明される実施形態によれば、処理チャンバ内の表面から不純物及び汚染物を除去し得る、プラズマ洗浄（例えば、プラズマエッチング）手順１０３０が開始され得る。典型的には、プラズマ洗浄手順は、第１のポンプ及び／又はパージ手順の後に開始される。プラズマ洗浄は、ＲＦ電圧を適用することによって開始され得、ＲＦ電圧は、例えば、処理チャンバの中へ導入されたフッ素化ガスを部分的に及び／又は完全にイオン化する。本明細書で説明される実施形態では、処理チャンバは、プラズマ洗浄手順の間において低い圧力に維持される。例えば、処理チャンバは、１０−１ミリバールから１０−４ミリバールまでのいずれか、例えば、１０−２ミリバールなどの圧力に維持される。
【００５６】
典型的には、ＲＦエネルギーの強度は、例えば、処理チャンバ内の汚染物除去の速度を制御するために調整可能である。概して、高いプラズマ密度を生成するために十分なＲＦエネルギーが適用され得、高いプラズマ密度は、高い比率の汚染物除去を保証し得る。更に、高いプラズマ密度は、汚染物の下層が３次元で交差結合（ｃｒｏｓｓ‐ｌｉｎｋ）することを避け得、安定的であるが除去されない新しい構造を生成する。それ故、本明細書で説明される実施形態では、センサ及びコントローラが、プラズマ密度をモニターし調整するために採用され得る。
【００５７】
本明細書で説明される実施形態によれば、プラズマ洗浄手順の間に、被覆ドラムが典型的には静止し得る。犠牲箔は、概して、被覆ドラムを覆い、被覆ドラムの表面を洗浄プラズマから保護する。洗浄プラズマと反応し得、洗浄プラズマによって損傷を受け得るフレキシブル基板とは反対に、本明細書で説明される実施形態による犠牲箔は、洗浄プラズマに関して不活性であり得、それ故、他の洗浄手順内で再使用され得る。これは、無駄にされる材料（基板）の量を低減させ、一酸化コバルトを大幅に低減させ得る。更に、ドラムが、基板の損傷された部分を介して洗浄プラズマに晒されないように、基板を損傷するリスクが低減され又は避けられる。
【００５８】
本明細書で説明される実施形態によれば、プラズマ洗浄手順は、汚染の程度及び処理チャンバのサイズに応じて、継続時間内に変更され得る。例えば、プラズマ洗浄手順は、２分から２５分まで続き得、特に、５分から２０分まで続き得、例えば、１５分続き得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る幾つかの実施形態によれば、洗浄プロセスのための時間は、堆積プロセスのための時間の約１０％から１５％までであり得る。本明細書の実施形態では、プラズマ洗浄手順は、処理チャンバから洗浄ガスを除去する１以上のポンプ及び／又はパージサイクル１０４０が挿入された一連のプラズマ洗浄サイクルをもまた含み得る。明瞭さのために、これらのポンプ及び／又はパージサイクルは、本明細書中で以後、第２のポンプ及び／又はパージ手順と呼ばれる。
【００５９】
本明細書で説明される実施形態では、検出機構は、汚染物が未だ処理チャンバ内に残っているか否かを検出し得１００７、別のポンプ及び／又はパージ手順１０４０、及び／又は別のポンプ／又はパージ手順１０４０によって後続される更なるプラズマ洗浄手順１０３０を開始し得る。検出機構は、全ての汚染物、洗浄及び／又は処理ガスが処理チャンバから除去されてしまうまで、複数回そのような洗浄手順を開始し得る。
【００６０】
本明細書で説明される実施形態によれば、処理チャンバが許容されるレベル又は所定のレベルまで洗浄されてしまい、第２のポンプ及び／又はパージ手順１０４０が終了してしまった後に、処理されるべき新しいフレキシブル基板が、処理チャンバの中へガイドされ得る１０５０。その後、フレキシブル基板処理プログラム１００３が開始され得、処理チャンバの別の洗浄条件が検出される１００７まで、フレキシブル基板が装置の処理チャンバ内で処理される１００５。
【００６１】
概して、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバを洗浄するための上述した方法は、以下の変形例及び随意の手順のいずれかを含み得る。
【００６２】
第１のポンプ及び／又はパージ手順１０２０及び第２のポンプ及び／又はパージ手順１０４０の間、並びに第１のポンプ及び／又はパージ手順１０２０と第２のポンプ及び／又はパージ手順１０４０との間において、新しいフレキシブル基板及び新しいフレキシブル基板に予め取り付けられた新しい犠牲箔を含む新しいロールが、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、フレキシブル基板処理装置の巻取りチャンバの中へ積み込まれ得る。
【００６３】
新しいフレキシブル基板の前端部は、処理チャンバの外側の犠牲箔の後セクションに取り付けられ得る。この目的に対して、フレキシブル基板処理装置は、フレキシブル基板の前端部及び／又は後端部において犠牲箔が別のフレキシブル基板に連結され又は接合されることを可能にする、接合装置を含み得る。
【００６４】
より詳細に説明すると、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバ内で処理されているフレキシブル基板に予め取り付けられた犠牲箔は、フレキシブル基板を介して処理チャンバの中へガイドされ及び／又は引っ張られ得る。フレキシブル基板及びフレキシブル基板に予め取り付けられた犠牲箔は、入場点（すなわち、処理チャンバの中への入場点、例えば、ギャップスルース又はロック）を介して、処理チャンバに入り得る。典型的には、処理チャンバの中へ犠牲箔をガイドし及び／又は引っ張るのと同時に、処理されたフレキシブル基板が、退場点（すなわち、処理チャンバからの退場点、例えば、ギャップスルース又はロック）を介して、処理チャンバから出て行き得る。
【００６５】
概して、本明細書で説明される実施形態によれば、処理チャンバの中へガイドされ及び／又は引っ張られる犠牲箔は、少なくとも、処理チャンバの中への入場点から、処理チャンバからの退場点まで延伸し得る。更なる実施形態では、犠牲箔の前セクション若しくは後セクション又は前セクション及び後セクションの両方は、処理チャンバの外側の退場及び／又は入場点を超えて延伸し得る。例えば、犠牲箔及び／又はフレキシブル基板は、５ｃｍから５００ｃｍまでのいずれか、特に、２０ｃｍから１６０ｃｍまでのいずれかの長さにおいて、処理チャンバの外側で延伸し得る。
【００６６】
一旦、犠牲箔が処理チャンバの内側にガイドされ及び／又は引っ張られると、その退場及び／又は入場点（例えば、ギャップスルース）は、処理チャンバを密閉密封するために閉じられ得る。その後、犠牲箔は、フレキシブル基板処理装置から巻取りロール及び／又は巻戻しロールを除去するために、処理チャンバの外側で切断され得る。巻取り及び巻戻しロールは、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、犠牲箔の切断された後端部に後続して連結され得る、新しい巻取り及び／又は巻戻しロールによって交換され得る。
【００６７】
フレキシブル基板の新しいロールを巻戻し（又は巻取り）チャンバの中へ積み込み、（例えば、接合によって）新しいフレキシブル基板又はその予め取り付けられた犠牲箔を上述のように犠牲箔の後セクションに連結した後で、巻戻しチャンバ内でポンプ手順が開始され得、処理チャンバ内のものと類似する低圧力状態を生成する。これは、一旦、処理チャンバの入場及び退場点が開かれると、処理チャンバと巻戻しチャンバとの間のガス交換がほとんど又は全くないことを保証する。本明細書の実施形態によれば、外装環境からのガスによって処理チャンバが汚染される危険性は低減される。
【００６８】
本明細書の他の実施形態では、汚染物が処理チャンバの中へ入ることをより効果的に妨げるように、巻戻しチャンバに対して、より高い圧力（過度の圧力）に処理チャンバを維持することが望ましいだろう。逆もまた真なりであり、本明細書の更なる実施形態では、処理ガスが処理チャンバから漏れ出る危険性を最小化することが望ましいだろう。それ故、巻戻しチャンバは、処理チャンバよりも高い圧力（過度の圧力）に維持され得る。
【００６９】
概して、一旦、プラズマ洗浄、（フレキシブル基板がある場合及びない場合のそれぞれの）新しいロールの積み込み／積み出し、並びにポンプ及び／又はパージプロセスが、終了すると、入場及び退場点（例えば、ギャップスルース）は、新しいフレキシブル基板が処理チャンバの中へガイドされ得るように開かれ得る。概して、同時に、犠牲箔が、同じ入場点を介して又は分離された退場点を介して、処理チャンバから外へガイドされ得る。それ故、処理チャンバは、フレキシブル基板及び／又は犠牲箔が処理チャンバの中へ入るためのロードロックを含み得、フレキシブル基板及び／又は犠牲箔が処理チャンバから出るためのアンロードロックを含み得る。一旦、ロック又はギャップスルースが開かれてしまうと、被覆手順などのプロセスランが開始され得る。
【００７０】
本明細書の更なる実施形態では、フレキシブル基板、及びフレキシブル基板の間に配置されフレキシブル基板を２つ以上の区別されたセクションに分離する犠牲箔を含むロールは、以下の理由で有利であり得る。
【００７１】
フレキシブル基板の処理の間に、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバが汚染されるか、又は、例えば、モニタリング装置が、その期間の後に、処理チャンバ内に許容できないレベルの汚染物が蓄積され得るところの期間を推定し得ることが、起こり得る。そこで、その中の真空を壊すことなしに処理チャンバを洗浄するための方法は、許容できないレベルの汚染物が蓄積される前に、及び／又は処理チャンバの汚染が検出されたときに開始され得る。
【００７２】
本明細書で説明される実施形態によれば、処理チャンバに最も近いフレキシブル基板の犠牲箔セクションは、処理チャンバ内の真空を壊すことなしに、プラズマ洗浄手順を開始する前に、フレキシブル基板によって処理チャンバの中へガイドされ及び／又は引っ張られ得る。概して、洗浄手順は、上述の図６及び図７に関して説明された手順のいずれかを含み得る。
【００７３】
それ故、犠牲箔によってフレキシブル基板を少なくとも２つの区別されたセクションへ分離することは、フレキシブル基板を積み出すこと、及び処理チャンバを手動で洗浄することが避けられるので、処理チャンバの洗浄を容易にし得る。結論として、フレキシブル基板処理装置のダウンタイムは最小化され得、それは、一酸化コバルトを低減し得、フレキシブル基板処理装置のスループットを増加させ得る。
【００７４】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の追加の実施形態を考案することができ、本開示の範囲は添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
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【図２】
2016527398.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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