(57)【要約】  本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、一態様において、第一の電極および第二の電極、ならびに第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層を含む。電流注入ゲートは、第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する。いくつかの実施形態において、電流注入ゲートは半導体層を含み、半導体層は、第一の電極および第二の電極に印加される交流電圧周波数に応じて、第一の電極または第二の電極から半導体層を通る注入電流フローを制限する電子構造の半導体層である。
2016532246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極および第二の電極、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に位置する発光層、ならびに
前記第一の電極と前記発光層との間、または前記第二の電極と前記発光層との間に位置する電流注入ゲート
を含むエレクトロルミネッセンス素子であって、
前記電流注入ゲートは半導体層を含み、該半導体層は、前記第一の電極および第二の電極に印加される交流電圧周波数に応じて、前記第一の電極または第二の電極から該半導体層を通る注入電流フローを制限する電子構造の半導体層である、
エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記第一の電極、前記第二の電極、またはこれらの両方は、放射線透過性である、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記発光層は、一重項エミッタ相を含む有機発光層である、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記一重項エミッタ相は、共役ポリマーもしくはオリゴマー、低分子、またはそれらの混合物を、一つまたは複数含む、請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記有機発光層は、三重項エミッタ相をさらに含む、請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記三重項エミッタ相は、リン光性遷移金属錯体を含む、請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記三重項エミッタ相は、前記一重項エミッタ相中に分散している、請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記有機発光層は、前記一重項エミッタ相および前記三重項エミッタ相の誘電体ホストを含む、請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記有機発光層は、ナノ粒子相をさらに含む、請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記ナノ粒子相は、カーボンナノ粒子、無機ナノ粒子、またはそれらの混合物を含む、請求項９に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記発光層は無機発光層である、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記無機発光層は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料で形成される、請求項１１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
前記ゲートの前記半導体層を通る注入電流フローは、印加される交流電圧の周波数の増大に伴い減少する、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記半導体層は、共役ポリマーマトリクス中に分散する無機粒子を含むコンポジット層である、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記半導体層は、真性半導体で形成される、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
前記真性半導体は無機半導体である、請求項１５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記真性半導体は有機半導体である、請求項１５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記半導体層は、少なくとも２ｅＶのバンドギャップを有する材料で形成される、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
さらに、電子ドーパント層を前記有機発光層の第一面上に、正孔ドーパント層を前記有機発光層の反対側の第二面上に含む、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
少なくとも１００ ｌｍＷ−１の効率を有する、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
第一の電極および第二の電極、前記第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層、ならびに前記第一の電極と前記発光層との間、または前記第二の電極と前記発光層との間に位置する電流注入ゲートを含み、前記電流注入ゲートは半導体層を含む、エレクトロルミネッセンス素子を用意する工程、
前記第一の電極および第二の電極に、交流電圧を印加する工程、
交流電圧周波数に応じて、前記第一の電極または前記第二の電極から前記ゲートの前記半導体層を通る注入電流フローを制限する工程、ならびに
正孔および電子を前記発光層内で放射再結合させる工程
を含む、光発生方法。
【請求項２２】
前記半導体層を通る注入電流フローは、印加される交流電圧の周波数の増大に伴い減少する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記エレクトロルミネッセンス素子は、電子ドーパント層を前記発光層の第一面上に、正孔ドーパント層を前記発光層の反対の第二面上に、さらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記発光層内で放射再結合する正孔および電子は、前記正孔ドーパント層および電子ドーパント層によって生成される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
第一の電極および第二の電極、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に位置する有機発光層、
前記有機発光層の第一面上の電子ドーパント層、および前記有機発光層の反対の第二面上の正孔ドーパント層、ならびに
前記電子ドーパント層および前記有機発光層により形成される界面を架橋するナノ粒子相
を含むエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
前記ナノ粒子相は、前記正孔ドーパント層および前記有機発光層により形成される界面を架橋する、請求項２４に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願に係る事項）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）の規定に基づき、２０１３年９月２７日に出願された米国仮特許出願第６１／８８３，７１０号に基づく優先権を主張し、その全体を参照により本明細書に援用する。
【０００２】
本発明は、発光素子、とりわけ交流電圧周波数に関連する特性を示す発光素子に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光素子（ＯＬＥＤ）を含む有機薄膜エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、通常、定電圧または直流（ＤＣ）電源を利用して作動する。電荷担体である正孔および電子は、それぞれ高仕事関数および低仕事関数の金属電極から直接注入される。直流注入構造にはいくつかの欠点がある。例えば、直流注入は、再結合領域における電荷蓄積、および多量の漏れ電流を招く可能性があり、顕著な励起子のクエンチをもたらす。励起子のクエンチにより、生じる輝度は低く、直列効率のロールオフが生じる。さらに、ＤＣ駆動構造は電力変換器を必要とし、寸法のばらつきに対する素子の感受性が増大するため、暴走電流欠陥の原因となる。より重要なことに、効果的な電荷注入を達成するためには、アノードに高仕事関数の金属が必要であり、カソードに低仕事関数の金属が必要である。そのような要件は、ＤＣ素子に用いる適切な電極材料を著しく制限する。また、低仕事関数の金属は空気中および水中で不安定であり、その結果ＤＣ素子の製造における煩雑性が増大する。
【発明の概要】
【０００４】
本明細書は、いくつかの実施形態において、従来の素子に対し利点を提供するエレクトロルミネッセンス素子を記載する。例えば、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、交流電流（ＡＣ）で駆動することができ、印加するバイアスの頻回な反転により電荷蓄積を軽減する。さらに、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、直流を注入せずに放射再結合を提供することができ、その結果、高および低仕事関数の金属への電極の依存を克服する。
【０００５】
つまり、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、一態様において、第一の電極および第二の電極、ならびに第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層を含む。電流注入ゲートは、第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する。いくつかの実施形態において、電流注入ゲートは半導体層を含み、半導体層は、第一の電極および第二の電極に印加される交流電圧周波数に応じて、第一の電極または第二の電極から半導体層を通る注入電流フローを制限する電子構造の半導体層である。
【０００６】
他の態様において、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、第一の電極および第二の電極、ならびに第一の電極と第二の電極との間に位置する有機発光層を含む。電子ドーパント層は有機発光層の第一面上に位置し、正孔ドーパント層は有機発光層の反対面上に位置し、ナノ粒子相は、電子ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋する。もしくはナノ粒子相は、正孔ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋することができる。さらにナノ粒子相は、電子ドーパント層および有機発光層で形成される界面、および正孔ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋することができる。
【０００７】
本明細書は、光発生方法も記載する。光発生方法は、第一の電極および第二の電極、第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層、ならびに第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する電流注入ゲートを含む、エレクトロルミネッセンス素子を用意する工程を含む。交流電圧は第一および第二の電極へ印加され、第一の電極または第二の電極から注入される電流の発光層への流入は、ゲートにより交流電圧周波数に応じて制限され、正孔および電子は発光層内で放射結合する。
【０００８】
これらおよびその他の実施形態は、下記の詳細な説明においてさらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本明細書に記載される一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の断面図を示す図である。
【図２】図２は、本明細書に記載される一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の断面図を示す図である。
【図３】図３は、本明細書に記載されるいくつかの実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の、ＡＣ電圧周波数に対する輝度を示す図である。
【図４】図４は、本明細書に記載されるいくつかの実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の、設定電圧周波数におけるＡＣ電圧に対する、ＡＣ電流および輝度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（詳細な説明）
下記の詳細な説明、実施例および図面を参照することより、本明細書に記載される実施形態を、より容易に理解することができる。しかし、本明細書に記載される要素、装置および方法は、詳細な説明で示される特定の実施形態、実施例および図面に限定されない。それらの実施形態は、本発明の原理の単なる例示であると理解すべきである。本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、多数の変更および適応が、当業者に容易に明らかとなる。
【００１１】
単独でまたは組み合わせて本明細書で使用される「アルキル」という用語は、直鎖または分岐鎖の、１から２０個の炭素原子を有する飽和炭化水素基を意味する。いくつかの実施形態において、例えば、アルキルはＣ８〜１２アルキルである。
【００１２】
単独でまたは組み合わせて本明細書で使用される「アルケニル」という用語は、直鎖または分岐鎖の、２から２０個の炭素原子、および少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を含有する炭化水素基を意味する。いくつかの実施形態において、例えば、アルケニルはＣ８〜１２アルケニルを含む。
【００１３】
単独でまたは組み合わせて本明細書で使用される「アリール」という用語は、芳香族環系基を意味する。アリールはまた、部分的に水素化された炭素環系の誘導体も含むよう意図される。
【００１４】
単独でまたは組み合わせて本明細書で使用される「ヘテロアリール」という用語は、窒素、酸素または硫黄ヘテロ原子から選択される一つまたは複数のヘテロ原子を含有する、例えば５から７個の原子で構成される芳香族環基、または、例えば７から１８個の原子で構成される芳香族環系基を意味し、ここで許容されるヘテロ芳香族の置換基は、Ｎ−オキシドならびに硫黄モノオキシドおよび硫黄ジオキシドであり、例えばフラニル、チエニル、チオフェニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、イソチアゾリル、ピリジニル、ピリダジニル、ピラジニル、ピリミジニル、キノリニル、イソキノリニル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、およびインダゾリルなどである。ヘテロアリールはまた、部分的に水素化されたヘテロ環系の誘導体も含むよう意図される。
【００１５】
Ｉ．  エレクトロルミネッセンス素子
本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、一態様において、第一の電極および第二の電極、ならびに第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層を含む。電流注入ゲートは、第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する。いくつかの実施形態において、電流注入ゲートは半導体層を含み、半導体層は、第一の電極および第二の電極に印加される交流電圧周波数に応じて、第一の電極または第二の電極から半導体層を通る注入電流フローを制限する電子構造の半導体層である。
【００１６】
いくつかの実施形態において、第一の電極と第二の電極との間には複数の発光層が位置する。例えば、いくつかの実施形態において、第一の電極と第二の電極との間には、各々が本明細書のセクションＩＢ（１）（ｉ）〜（ｉｖ）およびＩＢ（２）から選択される構造を有する、複数の発光層が位置する。発光層は様々な発光プロファイルを有することができ、組み合わせた際に、望ましい発光プロファイル特性をエレクトロルミネッセンス素子から得ることができる。さらに、電子ドーパント層は発光層の第一面上に位置することができ、正孔ドーパント層は発光層の反対面上に位置することができる。
【００１７】
図１は、本明細書に記載される一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の断面図を示す。図１に示すエレクトロルミネッセンス素子（１０）は、第一の電極（１１）および第二の電極（１２）、ならびに第一の電極（１１）と第二の電極（１２）との間に位置する発光層（１３）を含む。電子ドーパント層（１４）は発光層（１３）の第一面上に位置し、正孔ドーパント層（１５）は発光層（１３）の反対面上に位置する。本明細書でさらに説明されるように、電子および／または正孔ドーパント層は、いくつかの実施形態において、発光層へ直接混合することができ、その結果、電子ドナーおよび／または正孔ドナー材料の、個別の層に関する要件が不要となる。電流注入ゲート（１６）は、第一の電極（１１）と発光層（１３）との間に位置する。電流注入ゲート（１６）は、第一の電極（１１）および第二の電極（１２）に印加される交流電圧周波数（１８）に応じて、第一の電極（１１）から半導体層（１７）を通る注入電流フローを制限する電子構造の、半導体材料の層（１７）を含むことができる。別の実施形態において、電流注入ゲート（１６）は、第二の電極（１２）と発光層（１３）との間に位置することができる。
【００１８】
次にエレクトロルミネッセンス素子の具体的な構成要素を記載する。
【００１９】
Ａ．  第一および第二の電極
第一の電極および第二の電極は、本発明の目的に矛盾しない、任意の材料から製造することができる。上述のように、第一の電極および第二の電極に用いる材料は、従来のＤＣ駆動素子に必要な、高および低仕事関数の金属に限定されない。第一の電極および第二の電極は、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、銀、白金、パラジウムもしくは他の遷移金属またはそれらの合金などの、金属で形成することができる。金属または合金で構成される場合、第一の電極および／または第二の電極は反射性とすることができ、そうでない場合は放射線不透過性とすることができる。しかし、いくつかの実施形態において、金属電極は、放射線が透過可能な厚さとすることができる。
【００２０】
もしくは、第一の電極および／または第二の電極は、放射線透過性の一つまたは複数の材料で構成することができる。放射線透過性材料は、実質的な干渉または減衰を伴うことなく、本明細書に記載される発光層から生じる電磁放射線を通すことができる。適切な放射線透過性材料は、一つまたは複数の放射線透過性の導電性酸化物を含むことができる。放射線透過性の導電性酸化物は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウム錫酸化物（ＧＩＴＯ）、アルミニウム錫酸化物（ＡＴＯ）、および亜鉛インジウム錫酸化物（ＺＩＴＯ）の一つまたは複数を含むことができる。いくつかの実施形態において、放射線透過性の、第一および／または第二の電極は、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）およびその化学類縁物質、または３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）といった放射線透過性ポリマー材料で形成される。さらに、放射線透過性の、第一の電極および／または第二の電極は、少なくとも部分的に可視電磁放射線を通すことができる厚さを有するカーボンナノチューブ層で形成することができる。さらなる放射線透過性材料は、ポリマー相中に分散するナノ粒子相を含むことができる。
【００２１】
第一の電極および第二の電極は、同一または異なる構造を示すことができる。例えば、第一の電極は放射線不透過性で、第二の電極は放射線透過性とすることができる。さらに、いくつかの実施形態において、第一の電極および第二の電極の両方を、放射線透過性または放射線不透過性とすることができる。そのような実施形態において、第一の電極および第二の電極は、同一の材料または異なる材料から製造することができる。また、第一の電極および第二の電極は、本発明の目的に矛盾しない、任意の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、第一の電極および第二の電極は、１０ｎｍから１００μｍの範囲の厚さを有する。また、フッ化リチウム（ＬｉＦ）または酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）の層が、発光層と第一の電極および／または第二の電極との間に位置することができる。例えば、ＬｉＦまたはＬｉ２Ｏの層は、電子ドーパント層と電極との間に位置することができる。
【００２２】
Ｂ．  発光層
本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の発光層は、多様な構造を示すことができる。例えば、発光層は、有機発光層または無機発光層とすることができる。
【００２３】
（１）  有機発光層
エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、下記に示す種々の発光有機材料で形成することができる。
【００２４】
（ｉ）有機発光層は、いくつかの実施形態において、共役ポリマー相またはオリゴマー相を含む。有機層の発光ポリマー相またはオリゴマー相は、一つまたは複数の共役ポリマーまたはオリゴマーを含む。発光ポリマー相またはオリゴマー相は、例えば、共役ポリマーまたはオリゴマーのブレンドを含むことができる。いくつかの実施形態において、共役ポリマーまたはオリゴマーのブレンドは、ポリマーまたはオリゴマーの共重合体を含む。
【００２５】
発光ポリマー相またはオリゴマー相での使用に適する、共役ポリマーまたはオリゴマーは、繰り返し単位Ａ、Ｂ、およびＣ：
【化１】
2016532246.tif 000003
からなる群から選択される、少なくとも二つの繰り返し単位を含むことができ、ここで
【化２】
2016532246.tif 000004
は、ポリマー鎖またはオリゴマー鎖内の結合点を表し、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮＲ５からなる群から選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、水素、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ８〜１２アルキルおよびＣ８〜１２アルケニルからなる群から独立に選択され、Ｒ３およびＲ４は、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立に選択され、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９で表されるアルキルおよびアルケニル、ならびにＲ３およびＲ４で表されるアリールおよびヘテロアリールは、−アルキル、−アルケニル、−アリール、−ヘテロアリール、−アルキル−アリール、−アルキル−ヘテロアリール、−アルケニル−アリール、および−アルケニル−ヘテロアリールからなる群から選択される置換基によって、任意で、一回または複数回、独立に置換される。
【００２６】
いくつかの実施形態において、Ｒ３およびＲ４は、ピリジル、ピラニル、ピリジニル、ビピリジニル、フェニルピリジニル、チエニル、フラニル、セレノフェニル、フルオレニル、カルバゾリル、ピロリル、キノリニル、イソキノリニル、プリニル、オキサゾリル、およびイソオキサゾリル、ならびにそれらのオリゴマーからなる群から独立に選択される。
【００２７】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位Ａは：
【化３−１】
2016532246.tif 000005
【化３−２】
2016532246.tif 000006
【化３−３】
2016532246.tif 000007
【化３−４】
2016532246.tif 000008
からなる群から選択され、ここでＲ５は上記で規定される。
【００２８】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位Ｂは：
【化４−１】
2016532246.tif 000009
【化４−２】
2016532246.tif 000010
【化４−３】
2016532246.tif 000011
【化４−４】
2016532246.tif 000012
【化４−５】
2016532246.tif 000013
【化４−６】
2016532246.tif 000014
からなる群から選択される。
【００２９】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位Ｃは：
【化５】
2016532246.tif 000015
からなる群から選択される。
【００３０】
さらに、その全体を参照により本明細書に援用する「Synthesis and Electroluminescence Properties of Polyfluorene Derivatives for Light-Emitting Diodes」、Proceedings of the 2010 5th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems、２１〜２５頁で、Aimsenらが教示するように、繰り返し単位Ａ、ＢおよびＣの、選択およびモル比を用いて、共役ポリマーまたはオリゴマーの発光プロファイルを選択することができる。例えば、いくつかの実施形態において、繰り返し単位は、白色光発光を生じるように選択される。あるいは、緑色または青緑色発光を生じるように、繰り返し単位を選択することができる。
【００３１】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の、繰り返し単位ＡおよびＢを含む共役ポリマーまたはオリゴマーは、式（Ｉ）：
【化６】
2016532246.tif 000016
の共役ポリマーまたはオリゴマーとすることができ、ここでＸ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。本明細書に記載されるように、式（Ｉ）の共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位、ＡおよびＢは、交互共重合体、ブロック共重合体、統計共重合体、またはランダム共重合体を生じるように配列することができる。いくつかの実施形態において、式（Ｉ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約１，０００から約１，０００，０００の範囲の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。式（Ｉ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約５００から約５００，０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有することができる。
【００３２】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される式（Ｉ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化７−１】
2016532246.tif 000017
【化７−２】
2016532246.tif 000018
からなる群から選択され、ここでＸ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６およびＲ７は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００３３】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される式（Ｉ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化８−１】
2016532246.tif 000019
【化８−２】
2016532246.tif 000020
【化８−３】
2016532246.tif 000021
【化８−４】
2016532246.tif 000022
【化８−５】
2016532246.tif 000023
【化８−６】
2016532246.tif 000024
【化８−７】
2016532246.tif 000025
【化８−８】
2016532246.tif 000026
【化８−９】
2016532246.tif 000027
【化８−１０】
2016532246.tif 000028
【化８−１１】
2016532246.tif 000029
【化８−１２】
2016532246.tif 000030
【化８−１３】
2016532246.tif 000031
【化８−１４】
2016532246.tif 000032
【化８−１５】
2016532246.tif 000033
【化８−１６】
2016532246.tif 000034
【化８−１７】
2016532246.tif 000035
からなる群から選択され、ここでＲ５は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００３４】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の、繰り返し単位ＡおよびＣを含む共役ポリマーまたはオリゴマーは、式（ＩＩ）：
【化９】
2016532246.tif 000036
の共役ポリマーまたはオリゴマーとすることができ、ここでＸ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８およびＲ９は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。本明細書に記載されるように、式（ＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位、ＡおよびＣは、交互共重合体、ブロック共重合体、統計共重合体、またはランダム共重合体を生じるように配列することができる。
【００３５】
いくつかの実施形態において、式（ＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約１，０００から約１，０００，０００の範囲の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。式（ＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約５００から約５００，０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有することができる。
【００３６】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される式（ＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化１０−１】
2016532246.tif 000037
【化１０−２】
2016532246.tif 000038
【化１０−３】
2016532246.tif 000039
【化１０−４】
2016532246.tif 000040
からなる群から選択され、ここでＲ５は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００３７】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の、繰り返し単位ＢおよびＣを含む共役ポリマーまたはオリゴマーは、式（ＩＩＩ）：
【化１１】
2016532246.tif 000041
の共役ポリマーまたはオリゴマーとすることができ、ここでＲ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。本明細に記載されるように、式（ＩＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位ＢおよびＣは、交互共重合体、ブロック共重合体、統計共重合体、またはランダム共重合体を生じるように配列することができる。
【００３８】
式（ＩＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約１，０００から約１，０００，０００の範囲の重量平均分子量（Ｍｗ）を有することができる。いくつかの実施形態において、式（ＩＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約５００から約５００，０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有する。
【００３９】
本明細書に記載される式（ＩＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化１２−１】
2016532246.tif 000042
【化１２−２】
2016532246.tif 000043
からなる群から選択され、ここでＲ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は上記で規定され、ｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００４０】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される式（ＩＩＩ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化１３−１】
2016532246.tif 000044
【化１３−２】
2016532246.tif 000045
【化１３−３】
2016532246.tif 000046
【化１３−４】
2016532246.tif 000047
【化１３−５】
2016532246.tif 000048
からなる群から選択され、ここでｘおよびｙは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００４１】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の、繰り返し単位Ａ、ＢおよびＣを含む共役ポリマーまたはオリゴマーは、式（ＩＶ）：
【化１４】
2016532246.tif 000049
の共役ポリマーまたはオリゴマーとすることができ、ここでＸ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は上記で規定され、ｘ、ｙおよびｚは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。本明細書に記載されるように、式（ＩＶ）の共役ポリマーまたはオリゴマーの繰り返し単位、Ａ、ＢおよびＣは、交互共重合体、ブロック共重合体、統計共重合体、またはランダム共重合体を生じるように配列することができる。
【００４２】
いくつかの実施形態において、式（ＩＶ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約１，０００から約１，０００，０００の範囲の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。式（ＩＶ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは、約５００から約５００，０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有することができる。
【００４３】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される式（ＩＶ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化１５−１】
2016532246.tif 000050
【化１５−２】
2016532246.tif 000051
からなる群から選択され、ここでＸ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は上記で規定され、ｘ、ｙおよびｚは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００４４】
例えば、本明細書に記載される式（ＩＶ）の共役ポリマーまたはオリゴマーは：
【化１６−１】
2016532246.tif 000052
【化１６−２】
2016532246.tif 000053
【化１６−３】
2016532246.tif 000054
【化１６−４】
2016532246.tif 000055
【化１６−５】
2016532246.tif 000056
【化１６−６】
2016532246.tif 000057
【化１６−７】
2016532246.tif 000058
【化１６−８】
2016532246.tif 000059
【化１６−９】
2016532246.tif 000060
【化１６−１０】
2016532246.tif 000061
【化１６−１１】
2016532246.tif 000062
【化１６−１２】
2016532246.tif 000063
【化１６−１３】
2016532246.tif 000064
【化１６−１４】
2016532246.tif 000065
【化１６−１５】
2016532246.tif 000066
【化１６−１６】
2016532246.tif 000067
【化１６−１７】
2016532246.tif 000068
からなる群から選択することができ、ここでＲ５は上記で規定され、ｘ、ｙおよびｚは独立に１から１０，０００の範囲の整数である。
【００４５】
本明細書に記載される、発光ポリマー相またはオリゴマー相の、繰り返し単位Ａ、ＢおよびＣからなる群から選択される繰り返し単位を少なくとも２つ含む共役ポリマーまたはオリゴマーは、当技術分野で知られる方法を用いて合成することができる。例えば、いくつかの実施形態において、そのような共役ポリマーまたはオリゴマーは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いて得ることができる。本明細書に記載される、繰り返し単位Ａ、ＢおよびＣからなる群から選択される繰り返し単位を少なくとも２つ含む、共役ポリマーおよび／またはオリゴマーに関するさらなる情報は、その全体を参照により本明細書に援用する、特許協力条約国際出願公開ＷＯ２０１２／００９３４４（ＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０４３６９０、２０１１年７月１２日出願）に提供される。
【００４６】
さらに、発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリフルオレン、ポリフルオレン共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含むことができる。いくつかの実施形態において、ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ［（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ａｌｔ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，８−ジイル）］、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ドデシルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ（９，９−ｎ−ジヘキシル−２，７−フルオレン−ａｌｔ−９−フェニル−３，６−カルバゾール）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−（２，５−ジメチル−１，４−フェニレン）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（９−エチルカルバゾール−２，７−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（アントラセン−９，１０−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−ビチオフェン］、ポリ［９，９−ビス−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジイル］、ポリ（（９，９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン））（例えば９０：１０または９５：５のモル比）、ポリ（９，９−ジ−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレニル−２，７−ビニレン）、ポリ［（９，９−ジ−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン）］（例えば９０：１０または９５：５のモル比）、およびそれらの混合物からなる群から選択される。
【００４７】
また、本明細書に記載される有機発光層の共役ポリマー相またはオリゴマー相は、式（Ｖ）：
【化１７】
2016532246.tif 000069
の構造単位を含むポリマーまたはオリゴマーを含むことができ、ここで
【化１８】
2016532246.tif 000070
は、ポリマーまたはオリゴマー鎖内の結合点を表し、Ｒ１６およびＲ１７は、水素、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ８〜１２アルキル、およびＣ８〜１２アルケニルからなる群から独立に選択され、ここでＲ１６およびＲ１７で表される、アルキルおよびアルケニルは、−アルキル、−アルケニル、−アリール、−ヘテロアリール、−アルキル−アリール、−アルキル−ヘテロアリール、−アルケニル−アリール、および−アルケニル−ヘテロアリールからなる群から選択される置換基によって、任意で、一回または複数回、独立に置換される。
【００４８】
さらに、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の共役ポリマー相またはオリゴマー相は、ポリ（フェニルビニレン）、ポリ（フェニルビニレン）共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含むことができる。いくつかの実施形態において、共役ポリマー相またはオリゴマー相は、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン）（６０：４０）、ポリ（１−メトキシ−４−（Ｏ−ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｒｅｄ  １））−２，５−フェニレンビニレン、ポリ（２，５−ビス（１，４，７，１０−テトラオキサウンデシル）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチル−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ｃｏ−（２，５−ジオクトキシ−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｏ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｐ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン］、ポリ［１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン］−ｃｏ−［１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン］（３０：７０）、ポリ［２，５−ビスオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２，５−ビス（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−（２’，５’−ビス（２”−エチルヘキシルオキシ）フェニル）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［５−メトキシ−２−（３−スルホプロポキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［トリス（２，５−ビス（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（１，３−フェニレンビニレン）］、ポリ｛［２−［２’，５’−ビス（２”−エチルヘキシルオキシ）フェニル］−１，４−フェニレンビニレン］−ｃｏ−［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］｝、およびそれらの混合物からなる群から選択される種を含む。
【００４９】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリ（ナフタレンビニレン）、ポリ（ナフタレンビニレン）共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含むことができる。いくつかの実施形態において、発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、シアノ−ポリ（フェニレンビニレン）、シアノ−ポリ（フェニレンビニレン）共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含む。いくつかの実施形態において、発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリ（フルオレニレンエチニレン）、ポリ（フルオレニレンエチニレン）共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含む。いくつかの実施形態において、発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリ（フェニレンエチニレン）、ポリ（フェニレンエチニレン）共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含む。いくつかの実施形態において、発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリチオフェン、ポリチオフェン共重合体および／またはそれらの誘導体のうちの一種または複数種を含む。
【００５０】
発光ポリマー相またはオリゴマー相の共役ポリマーまたはオリゴマーは、ポリ（２，５−ジ（３，７−ジメチルオクチルオキシ）シアノテレフタリリデン）、ポリ（２，５−ジ（ヘキシルオキシ）シアノテレフタリリデン）、ポリ（５−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−メトキシ−シアノテレフタリリデン）、ポリ（５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−２−メトキシ−シアノテレフタリリデン）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）、ポリ（９，９−ジドデシルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）、ポリ［９，９−ジ（２’−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−イレンエチニレン］、ポリ［９，９−ジ（３’，７’−ジメチルオクチル）フルオレン−２，７−イレンエチニレン］、ポリ（２，５−ジシクロヘキシルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジドデシルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジオクチルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジ（２’−エチルヘキシル）−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジ（３’，７’−ジメチルオクチル）フェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−デシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−ドデシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ｄｉｙｌ−ｃｏ−３−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）、ポリ［（２，５−ジデシルオキシ−１，４−フェニレン）−ａｌｔ−（２，５−チエニレン）］、ポリ（２，６−ナフタレンビニレン）、ポリ（ｐ−キシレンテトラヒドロチオフェニウムクロリド）、ポリ（２，５ピリジン）、ポリ（３，５ピリジン）、ポリ（２，５−ビス（３−スルホナトプロポキシ）−１，４−フェニレン、二ナトリウム塩−ａｌｔ−１，４−フェニレン）、ポリ［（２，５−ビス（２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウムブロミド）エトキシ）−１，４−フェニレン）−ａｌｔ−１，４−フェニレン］、ポリ［５−メトキシ−２−（３−スルホプロポキシ）−１，４−フェニレンビニレン］カリウム塩、ポリ｛［２，５−ビス（２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エトキシ）−１，４−フェニレン］−ａｌｔ−１，４−フェニレン｝およびそれらの混合物からなる群から選択される種を含むことができる。
【００５１】
（ｉｉ）本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の有機発光層は、非共役発光ポリマーもしくはオリゴマー、蛍光低分子、またはそれらの混合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、発光有機層は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を含む。適切な蛍光低分子は、金属キレート種、蛍光色素、共役デンドリマー、またはそれらの混合物もしくは組み合わせを含むことができる。いくつかの実施形態において、蛍光低分子は、一つまたは複数のペリレン、ルブレン、キナクリドンならびにそれらの混合物、組み合わせおよび／または誘導体である。蛍光低分子は、いくつかの実施形態において、アントラセンもしくは関連化合物、またはクマリンを含む。いくつかの実施形態において、蛍光低分子は、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を含む。
【００５２】
（ｉｉｉ）本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の有機発光層は、上記セクションＩＢ（１）（ｉ）〜（ｉｉ）に記載される発光相に加えてナノ粒子相を含むことができる。いくつかの実施形態において、ナノ粒子相は有機発光層全体に分散する。例えば、いくつかの実施形態において、ナノ粒子相は、有機発光層全体に実質的に均一に分散する。他の実施形態において、ナノ粒子相は有機発光層中に不均一に分布する。ナノ粒子相のナノ粒子は、ポリマー、オリゴマー、低分子、またはそれらの組み合わせを含む有機発光層の発光種に直接接することができる。例えば、いくつかの実施形態において、ナノ粒子相のナノ粒子は、いかなる第二のポリマーもしくはオリゴマーまたは分散剤によっても、被覆されず、および／または有機発光層中に分散されない。
【００５３】
いくつかの実施形態において、ナノ粒子は、表Iから選択される量で、有機発光層中に存在する。
【００５４】
【表１】
2016532246.tif 000071
【００５５】
いくつかの実施形態において、ナノ粒子は、浸透閾値よりも少ない量で、有機発光層中に存在する。
【００５６】
ナノ粒子相は、本発明の目的に矛盾しない、任意のナノ粒子を含むことができる。いくつかの実施形態において、ナノ粒子相のナノ粒子は、フラーレン、カーボンナノチューブ、炭素量子ドット、グラフェン粒子、またはそれらの混合物を例とする（それだけに限らない）、炭素ナノ粒子を含む。ナノ粒子相での使用に適するフラーレンは、一実施形態において、１−（３−メトキシカルボニル）プロピル−１−フェニル（６，６）Ｃ６１（ＰＣＢＭ）、高次フラーレン（Ｃ７０以上）、およびエンドメタロフラーレン（その構造中に配置される金属原子を少なくとも一つ有するフラーレン）を含むことができる。ナノ粒子相に使用するカーボンナノチューブは、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）、多層ナノチューブ（ＭＷＮＴ）、切断ナノチューブ、窒素および／もしくはホウ素ドープカーボンナノチューブ、またはそれらの混合物を含むことができる。
【００５７】
無機ナノ粒子もまた、ナノ粒子相での使用に適している。例えば、ナノ粒子相は、金ナノ粒子、銀ナノ粒子、銅ナノ粒子、ニッケルナノ粒子、および／または他の遷移金属ナノ粒子といった金属ナノ粒子を含むことができる。無機ナノ粒子は、ＩＩＢ−ＶＩＡ族ナノ粒子、ＩＩＩＡ−ＶＡ族ナノ粒子、ＩＶＡ−ＶＩＡ族ナノ粒子、またはそれらの混合物といった無機半導体ナノ粒子を含むことができる。本明細書で記載される周期表の族は、ＣＡＳの記号に従って識別する。半導体ナノ粒子は、いくつかの実施形態において、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、およびそれらの混合物からなる群から選択される。無機ナノ粒子は、ワイヤ状、球状、およびドット状を例とする様々な形状を示すことができる。また、いくつかの実施形態において、ナノ粒子相のナノ粒子は蛍光性である。蛍光ナノ粒子の存在は、発光有機層の発光プロファイルの調整を補助することができる。本発明の目的に矛盾しない、任意の蛍光ナノ粒子を使用し得る。いくつかの実施形態において、蛍光ナノ粒子は、本明細書に記載される量子ドットを含む。
【００５８】
有機発光層は、セクションＩＢ（１）（ｉ）〜（ｉｉ）の一重項発光種に加えて、さらに三重項エミッタ相を含む。いくつかの実施形態において、有機発光層は、一つまたは複数のセクションＩＢ（１）（ｉ）〜（ｉｉ）の一重項発光種、ナノ粒子相、および三重項エミッタ相を含む。三重項エミッタ相は、本発明の目的に矛盾しない、任意のリン光性化合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、リン光性化合物は、有機金属錯体を例とする遷移金属−リガンド錯体を含む。遷移金属錯体は、イリジウムまたは白金金属中心を含むことができる。リン光性遷移金属錯体は、いくつかの実施形態において、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］、または白金オクタエチルポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）である。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、表IIから選択されるリン光性遷移金属錯体を、一つまたは複数含む。
【００５９】
【表２】
2016532246.tif 000072
【００６０】
いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相の遷移金属錯体は、有機発光層の一つまたは複数の種と共に、エネルギー／電荷移動に関与するよう作動する。例えば、三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体は、例えば共鳴エネルギー移動を通して、有機発光層の発光ポリマーまたはオリゴマー種からエネルギーを受け取るよう作動することができる。共鳴エネルギー移動の例として、Ｆｏｅｒｓｔｅｒエネルギー移動、および／またはＤｅｘｔｅｒエネルギー移動を挙げることができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体は、一重項エミッタポリマーまたはオリゴマー種から三重項励起状態を受け取るよう作動し、受け取った三重項励起状態の基底状態への放射緩和がそれに続く。さらに、いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体は、一重項エミッタポリマー相またはオリゴマー相から一重項励起状態を受け取るようにも作動し、受け取った一重項励起状態の基底状態への放射緩和がそれに続く。いくつかの実施形態において、受け取った一重項励起状態の緩和は、リン光性経路を通して起こる。
【００６１】
三重項エミッタ相は、エルビウム、イッテルビウム、ジスプロシウムもしくはホルミウムといったランタノイドおよび／またはアクチノイド系列元素（希土類エミッタ）；遷移金属といった金属；金属酸化物；金属硫化物；またはそれらの組み合わせを、一つまたは複数含むことができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｚｎ、およびＹ２Ｏ３：Ｔｉなどのドープされた酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含む。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｇａ、もしくはＺｎＳ：Ｇｄなどのドープされた硫化亜鉛、またはそれらの混合物を含む。別の実施形態において、三重項エミッタ相は、ＣａＳ：Ｅｒ、ＣａＳ：Ｔｂ、ＣａＳ：Ｅｕなどのドープされた硫化カルシウム、またはそれらの混合物を含む。さらなる実施形態において、三重項エミッタ相は、ＺｎＯ：Ｅｕなどのドープされた酸化亜鉛を含む。一実施形態において、三重項エミッタ相は、ＳｒＳ：Ｃａ、ＳｒＳ：Ｍｎ、ＳｒＳ：Ｃｕなどのドープされた硫化ストロンチウム、またはそれらの混合物を含む。三重項エミッタ相は、本明細書に記載される、リン光性遷移金属錯体およびその他の三重項発光種の、任意の混合物を含むことができる。
【００６２】
本発明の目的に矛盾しない任意の方法によって、三重項エミッタ相を有機発光層に組み込むことができる。例えば、いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、発光ポリマー相またはオリゴマー相全体に分散する。三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体の一つまたは複数は、一つまたは複数の発光共役ポリマーまたはオリゴマーと混合することができ、遷移金属錯体を当該共役ポリマーまたはオリゴマー全体に分散させる。
【００６３】
三重項エミッタ相は、本発明の目的に矛盾しない任意の量で、発光有機層中に存在することができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、表IIIから選択される量で、発光コンポジット有機層中に存在する。
【００６４】
【表３】
2016532246.tif 000073
【００６５】
いくつかの実施形態において、発光ポリマーまたはオリゴマーといった、有機層の発光種は、誘電体ホスト材料中に配置される。ナノ粒子相および／または三重項エミッタ相を、誘電体ホスト中に配置することもできる。誘電体ホストは、放射線透過性とすることができ、または有機層の発光種と重ならない吸収プロファイルを示すことができる。
【００６６】
発光ポリマー相またはオリゴマー相、ナノ粒子相、および任意で三重項エミッタ相に用いる、誘電体ホスト材料は、いくつかの実施形態において、誘電体ポリマー材料を含む。誘電体ポリマーホストの使用により、有機発光層の厚さの増大が実現可能となり、効率またはその他のパフォーマンス特性を犠牲とすることなく、素子処理において利益をもたらす。驚くべきことに、いくつかの実施形態において、誘電体ポリマーホストの使用により、追加の発光ポリマー相またはオリゴマー相、および／またはナノ粒子相を併用することなく、適切な発光特性を有する、より厚い有機発光層の形成が可能となる。
【００６７】
適切な誘電体ホストは、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリメタクリル酸（ＰＭＡ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、またはそれらの混合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、誘電体ホストは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、またはポリエチレン、ポリプロピレン、もしくはそれらの混合物といったポリオレフィンを含む。また、誘電体ホストは、ペルフルオロシクロブチル（ＰＦＣＢ）ポリマー、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、もしくはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を例とするフルオロポリマー、またはそれらの混合物を含むことができる。
【００６８】
誘電体ポリマーホストは、本発明の目的に矛盾しない、任意の望ましい量で、有機発光層中に存在することができる。いくつかの実施形態において、誘電体ポリマーホストは、少なくとも約５０重量パーセント、または少なくとも約７０重量パーセントの量で存在する。誘電体ポリマーホストは、いくつかの実施形態において、約３０重量パーセントから約８０重量パーセント、または約４０重量パーセントから約７５重量パーセントの範囲の量で存在する。
【００６９】
いくつかの実施形態において、有機発光層における誘電体ポリマーホストの、発光ポリマー相またはオリゴマー相に対する比は、約１：５から約５：１まで変動する。いくつかの実施形態において、有機発光層における誘電体ポリマーホストの、発光ポリマー相またはオリゴマー相に対する比は、約１：４から約４：１まで、約１：３から約３：１まで、または約１：２から約２：１まで変動する。さらに、有機発光層における誘電体ポリマーホストの、発光ポリマー相またはオリゴマー相に対する比は、約１：１から約４：１まで変動することができる。
【００７０】
有機発光層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の望ましい厚さを有することができる。例えば、発光コンポジット有機層は、約１０ｎｍから約１００μｍの範囲の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、有機発光層は、表IVから選択される厚さを有する。
【００７１】
【表４】
2016532246.tif 000074
【００７２】
（ｉｖ）本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の有機発光層は、いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相および三重項エミッタ相を含む。一重項エミッタ相は、本明細書のセクションＩＢ（１）（ｉ）に示す、共役ポリマーまたはオリゴマーを含むことができる。例えば、一重項エミッタ相は、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ［（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ａｌｔ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，８−ジイル）］、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ドデシルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）、ポリ（９，９−ｎ−ジヘキシル−２，７−フルオレン−ａｌｔ−９−フェニル−３，６−カルバゾール）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−（２，５−ジメチル−１，４−フェニレン）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（９−エチルカルバゾール−２，７−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（アントラセン−９，１０−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−ビチオフェン］、ポリ［９，９−ビス−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジイル］、ポリ（（９，９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン））（例えば、９０：１０または９５：５のモル比）、ポリ（９，９−ジ−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）、ポリ（９，９−ジ−ｎ−ヘキシルフルオレニル−２，７−ビニレン）、ポリ［（９，９−ジ−（２−エチルヘキシル）−９Ｈ−フルオレン−２，７−ビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン）］（例えば、９０：１０または９５：５のモル比）およびそれらの混合物からなる群から選択される共役ポリマーを、一つまたは複数含むことができる。
【００７３】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の一重項エミッタ相は、式（Ｖ）：
【化１９】
2016532246.tif 000075
の構造単位を含む、ポリマーまたはオリゴマーを含み、ここで
【化２０】
2016532246.tif 000076
は、ポリマーまたはオリゴマー鎖内の結合点を表し、Ｒ１６およびＲ１７は、水素、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ２〜２０アルケニル、Ｃ８〜１２アルキル、およびＣ８〜１２アルケニルからなる群から独立に選択され、ここでＲ１６およびＲ１７で表されるアルキルおよびアルケニルは、−アルキル、−アルケニル、−アリール、−ヘテロアリール、−アルキル−アリール、−アルキル−ヘテロアリール、−アルケニル−アリール、および−アルケニル−ヘテロアリールからなる群から選択される置換基によって、任意で、一回または複数回、独立に置換される。
【００７４】
一重項エミッタ相は、ポリ（フェニルビニレン）、ポリ（フェニルビニレン）共重合体、および／またはそれらの誘導体を、一つまたは複数含むことができる。いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ（１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン）−ｃｏ−（１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン）（６０：４０）、ポリ（１−メトキシ−４−（Ｏ−ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｒｅｄ  １））−２，５−フェニレンビニレン、ポリ（２，５−ビス（１，４，７，１０−テトラオキサウンデシル）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジオクチル−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｍ−フェニレンビニレン）−ｃｏ−（２，５−ジオクトキシ−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｏ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［（ｐ−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）］、ポリ［１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン］、ポリ［１−メトキシ−４−（３−プロピルオキシ−ヘプタイソブチル−ＰＳＳ）−２，５−フェニレンビニレン］−ｃｏ−［１−メトキシ−４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２，５−フェニレンビニレン］（３０：７０）、ポリ［２，５−ビスオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２，５−ビス（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−（２’，５’−ビス（２”−エチルヘキシルオキシ）フェニル）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３’，７’−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［５−メトキシ−２−（３−スルホプロポキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［トリス（２，５−ビス（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）−ａｌｔ−（１，３−フェニレンビニレン）］、ポリ｛［２−［２’，５’−ビス（２”−エチルヘキシルオキシ）フェニル］−１，４−フェニレンビニレン］−ｃｏ−［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］｝およびそれらの混合物からなる群から選択される共役ポリマーを含む。
【００７５】
さらに、いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、ポリ（ナフタレンビニレン）、ポリ（ナフタレンビニレン）共重合体、および／またはそれらの誘導体を、一つまたは複数含む。一重項エミッタ相は、シアノ−ポリ（フェニレンビニレン）、シアノ−ポリ（フェニレンビニレン）共重合体、および／またはそれらの誘導体を、一つまたは複数含むことができる。いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、ポリ（フルオレニレンエチニレン）、ポリ（フルオレニレンエチニレン）共重合体、および／またはそれらの誘導体のうち一種または複数種を含む。一重項エミッタ相は、ポリ（フェニレンエチニレン）、ポリ（フェニレンエチニレン）共重合体、および／またはそれらの誘導体を、一つまたは複数含むことができる。いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、ポリチオフェン、ポリチオフェン共重合体、および／またはそれらの誘導体を、一つまたは複数含む。
【００７６】
発光コンポジット有機層の一重項エミッタ相は、いくつかの実施形態において、ポリ（２，５−ジ（３，７−ジメチルオクチルオキシ）シアノテレフタリリデン）、ポリ（２，５−ジ（ヘキシルオキシ）シアノテレフタリリデン）、ポリ（５−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−メトキシ−シアノテレフタリリデン）、ポリ（５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−２−メトキシ−シアノテレフタリリデン）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）、ポリ（９，９−ジドデシルフルオレニル−２，７−イレンエチニレン）、ポリ［９，９−ジ（２’−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−イレンエチニレン］、ポリ［９，９−ジ（３’，７’−ジメチルオクチル）フルオレン−２，７−イレンエチニレン］、ポリ（２，５−ジシクロヘキシルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジドデシルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジオクチルフェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジ（２’−エチルヘキシル）−１，４−エチニレン）、ポリ（２，５−ジ（３’，７’−ジメチルオクチル）フェニレン−１，４−エチニレン）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−デシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−ドデシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ジイル）（位置ランダムまたは位置規則的）、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ｄｉｙｌ−ｃｏ−３−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）、ポリ［（２，５−ジデシルオキシ−１，４−フェニレン）−ａｌｔ−（２，５−チエニレン）］、ポリ（２，６−ナフタレンビニレン）、ポリ（ｐ−キシレンテトラヒドロチオフェニウムクロリド）、ポリ（２，５ピリジン）、ポリ（３，５ピリジン）、ポリ（２，５−ビス（３−スルホナトプロポキシ）−１，４−フェニレン、二ナトリウム塩−ａｌｔ−１，４−フェニレン）、ポリ［（２，５−ビス（２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウムブロミド）エトキシ）−１，４−フェニレン）−ａｌｔ−１，４−フェニレン］、ポリ［５−メトキシ−２−（３−スルホプロポキシ）−１，４−フェニレンビニレン］カリウム塩、ポリ｛［２，５−ビス（２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エトキシ）−１，４−フェニレン］−ａｌｔ−１，４−フェニレン｝およびそれらの混合物からなる群から選択される共役ポリマーを含む。
【００７７】
さらに、いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、その全体を参照により本明細書に援用する、２０１１年７月１２日に出願された特許協力条約出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０４３６９０に記載されている、共役ポリマーまたはオリゴマーを含む。
【００７８】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載される、磁界誘起高分子エレクトロルミネッセンス（ＦＩＰＥＬ）の発光コンポジット有機層の一重項エミッタ相は、非共役発光ポリマーもしくはオリゴマー、蛍光低分子、またはそれらの混合物を含む。一重項エミッタ相に用いる適切な非共役ポリマーは、本明細書のセクションＩＣ（ｉｉ）に挙げられる、任意の非共役ポリマーを含むことができる。いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を含む。
【００７９】
本明細書に記載される有機発光層の一重項エミッタ相は、一つまたは複数の蛍光低分子を含むことができる。適切な蛍光低分子は、金属キレート種、蛍光色素、共役デンドリマー、またはそれらの混合物を含むことができる。蛍光低分子は、いくつかの実施形態において、アントラセンもしくは関連化合物、またはクマリンを含む。いくつかの実施形態において、蛍光低分子は、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を含む。
【００８０】
さらに、いくつかの実施形態において、一重項エミッタ相は、一つまたは複数の共役ポリマーまたはオリゴマー、および一つまたは複数の蛍光低分子を含むことができる。共役ポリマーまたはオリゴマーは、本発明の目的に矛盾しない任意の方法によって、発光コンポジット有機層中で蛍光低分子と組み合わせることができる。例えば、いくつかの実施形態において、一つまたは複数の蛍光低分子は、一つまたは複数の共役ポリマーまたはオリゴマーと混合され、一重項エミッタ相を形成する。いくつかの実施形態において、ポリマー、オリゴマー、および／または低分子の一重項エミッタを複数組み合わせることで、本明細書に記載されるコンポジット有機層の、発光性有機相の放射特性の調整が可能になる。
【００８１】
本明細書に記載されるように、有機発光層は三重項エミッタ相も含む。三重項エミッタ相は、本発明の目的に矛盾しない任意のリン光性化合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、上記セクションＩＢ（１）（ｉｉｉ）に記載される任意の三重項化学種を含むことができる。
【００８２】
三重項エミッタ相は、本発明の目的に矛盾しない任意の方法によって、本明細書に記載される有機発光層の一重項エミッタ相と組み合わせることができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、一重項エミッタ相全体に分散する。例えば、三重項エミッタ相の一つまたは複数のリン光性遷移金属錯体は、一重項エミッタ相の一つまたは複数の共役ポリマーまたはオリゴマーと混合することができ、当該共役ポリマーまたはオリゴマー全体に遷移金属錯体を分散させる。
【００８３】
三重項エミッタ相は、本発明の目的に矛盾しない任意の望ましい量で、有機発光層中に存在することができる。いくつかの実施形態において、三重項エミッタ相は、上記表IIIに従う量で、有機発光層中に存在する。
【００８４】
いくつかの実施形態において、有機発光層は、さらに有機発光層中に配置されるナノ粒子相を含む。いくつかの実施形態において、ナノ粒子相は、一重項エミッタ相中に配置される。他の実施形態において、ナノ粒子相は、三重項エミッタ相中に配置される。さらに、一重項エミッタ相および三重項エミッタ相の両方に、一つまたは複数のナノ粒子相を配置することができる。さらに、ナノ粒子相は、本明細書のセクションＩに記載される任意のナノ粒子相を含むことができる。いくつかの実施形態において、ナノ粒子相は、本明細書の表Iと整合する量で、有機発光層中に存在する。
【００８５】
また、いくつかの実施形態において、ナノ粒子相のナノ粒子は、三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体と会合する。いくつかの実施形態において、ナノ粒子相のナノ粒子は、三重項エミッタ相の遷移金属錯体と結合する。いくつかの実施形態において、ナノ粒子は、ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ相互作用、静電相互作用、水素結合、イオン結合、および共有結合のうちの一つまたは複数によって、三重項エミッタ相のリン光性遷移金属錯体と結合する。例えば、一実施形態において、リン光性遷移金属錯体はイリジウムまたは白金複合体を含み、ナノ粒子はカーボンナノチューブを含む。いくつかの実施形態において、側壁ハロゲン化（sidewall halogenation）、水素化、付加環化（Ｐｒａｔｏ反応など）、および／またはラジカル付加反応によって、一つまたは複数の共有結合を、リン光性遷移金属錯体とナノ粒子との間に形成することができる。リン光性金属錯体とナノ粒子との間の会合は、いくつかの実施形態において、エレクトロマイグレーションを低減もしくは回避、および／または、一重項エミッタ相と三重項エミッタ相との間などの、コンポジット有機層の二成分間のエネルギー移動効率を最大化することができる。
【００８６】
いくつかの実施形態において、有機発光層の、一重項エミッタ相、三重項エミッタ相、および／またはナノ粒子相は、本明細書のセクションＩＢ（１）（ｉｉｉ）に示す誘電体ホスト材料中に配置される。さらに、一重項エミッタ相、三重項エミッタ相、および任意でナノ粒子相で形成される、有機発光層は、上記表IVに示す厚さを有することができる。
【００８７】
（２）  無機発光層
本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子の発光層は、種々の発光無機材料で形成することができる。本明細書に記載される無機発光層は、一つまたは複数の副層群で形成され、副層群は、ｎ型の副層とヘテロ接合を形成する、ｐ型の副層を含む。いくつかの実施形態において、無機発光層は、単一副層群で形成される。もしくは、無機発光層は、複数の副層群で形成される。いくつかの実施形態において、副層群は垂直積層構造に配置され、無機発光層を形成する。
【００８８】
ｐ型の副層は、ｐドープＩＩ−ＶＩ族半導体材料、ｐドープＩＩＩ−Ｖ族半導体材料、ｐドープＩＶ族半導体材料、もしくはｐドープＩＩ−ＩＶ族半導体材料、またはそれらの混合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、半導体合金を含む。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、ｐ型の、三元または四元半導体材料を含む。例えば、ｐ型の副層は、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＮといった、ｐドープＩＩＩ−Ｖ族三元系を含むことができる。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓＰ、またはＡｌＩｎＧａＡｓといった、ｐドープＩＩＩ−Ｖ族四元系を含む。ｐ型の副層は、ＣｕＩｎＧａＳｅといった、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族系を含むこともできる。
【００８９】
ｐドープＩＶ族半導体材料は、ホウ素、アルミニウム、またはガリウムを例とする（それだけに限らない）、周期表におけるＩＩＩＡ族の一つまたは複数の元素から選択される、アクセプター原子（ｐドーパント）を含むことができる。いくつかの実施形態において、ｐドープＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、周期表におけるＩＩＡ、ＩＩＢおよびＩＶＡ族の一つまたは複数の元素から選択される、アクセプター原子を含む。例えば、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料のｐドーパントは、ベリリウム、マグネシウム、亜鉛、カドミウム、ケイ素、またはゲルマニウムを含むことができる。さらに、ｐドープＩＩ−ＶＩ族半導体材料は、遷移金属元素または希土類金属元素の一つまたは複数から選択される、アクセプター原子を含むことができる。
【００９０】
ｐ型の副層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の望ましいレベルのｐドーパントを含むことができる。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、少なくとも約１０１６原子／ｃｍ３のドーピングレベルを有する。ｐ型の副層は、いくつかの実施形態において、約１０１６原子／ｃｍ３から約１０１８原子／ｃｍ３の範囲のドーピングレベルを有する。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、約１０１８原子／ｃｍ３よりも高いドーピングレベルを有する。さらに、ｐ型の副層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、５０ｎｍから２μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態において、ｐ型の副層は、１００ｎｍから１μｍ、または１００ｎｍから７５０ｎｍの厚さを有する。
【００９１】
ｎ型の副層は、ｎドープＩＩＢ−ＶＩＡ族（ＩＩ−ＶＩ族）半導体材料、ｎドープＩＩＩＡ−ＶＡ族（ＩＩＩ−Ｖ族）半導体材料、ｎドープＩＶＡ族（ＩＶ族）半導体材料、もしくはｎドープＩＩ−ＩＶ族半導体材料、またはそれらの組み合わせを含むことができる。いくつかの実施形態において、ｎ型の副層は、半導体合金を含む。例えば、ｎ型の副層は、ｎ型の、三元または四元半導体材料を含むことができる。ｎ型の副層は、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＮといった、ｎドープＩＩＩ−Ｖ族三元系を含むことができる。また、ｎ型の副層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓＰ、またはＡｌＩｎＧａＡｓといった、ｎドープＩＩＩ−Ｖ族四元系を含むことができる。ｎ型の副層は、いくつかの実施形態において、ＣｕＩｎＧａＳｅといった、ｎ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族系を含む。
【００９２】
ｎドープＩＶ族半導体材料は、アンチモン、ヒ素、またはリンを例とする（それだけに限らない）、周期表におけるＶＡ族の一つまたは複数の元素から選択される、ドナー原子（ｎドーパント）を含むことができる。ｎドープＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、周期表におけるＩＶＡおよびＶＩＡ族の一つまたは複数の元素から選択される、ドナー原子を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態において、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料のｎドーパントは、硫黄、セレン、テルル、ケイ素、またはゲルマニウムを含む。
【００９３】
ｎ型アセンブリ層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の望ましいレベルのｎドーパントを含むことができる。いくつかの実施形態において、ｎ型の層は、少なくとも約１０１６原子／ｃｍ３のドーピングレベルを有する。ｎ型の層は、いくつかの実施形態において、約１０１６原子／ｃｍ３から約１０１８原子／ｃｍ３の範囲のドーピングレベルを有する。いくつかの実施形態において、ｎ型の層は、約１０１８原子／ｃｍ３よりも高いドーピングレベルを有する。ｎ型アセンブリがｎ型の層を多数含む実施形態において、ｎ型の層は、同一または実質的に同一のドーパントレベルを示すことができる。
【００９４】
ｎ型の副層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、ｎ型の副層は、５０ｎｍから２μｍの厚さを有する。いくつかの実施形態において、ｎ型の副層は、１００ｎｍから５００ｎｍ、または１００ｎｍから２５０ｎｍの厚さを有する。
【００９５】
放射再結合事象は、副層群の隣接するｎ型とｐ型の副層によって形成されるｐ−ｎ接合に近接して起こり得る。いくつかの実施形態において、副層群は、ｐ型の副層とｎ型の副層との間に位置する、一つまたは複数の活性層をさらに含み、その結果ｎ型およびｐ型の副層と接合を形成する。発光活性層は、いくつかの実施形態において、結合するｐ型およびｎ型の副層と共に単一量子井戸構造を含む。いくつかの実施形態において、発光層は、多重量子井戸構造を含む。正孔と電子の放射再結合は、発光活性層の長さに沿って、実質的に均一に発生することができる。いくつかの実施形態において、正孔と電子の放射再結合は、発光活性層の長さに沿って不均一に発生する。
【００９６】
発光活性層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の半導体材料を含むことができる。発光活性層は、いくつかの実施形態において、ＩＶ族半導体材料、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料、またはＩＩ−ＶＩ族半導体材料を含む。発光活性層の組成的特性は、隣接するｐ型の副層およびｎ型の副層の組成的特性を基準として選択することができる。いくつかの実施形態において、発光活性層はアンドープまたは真性半導体であり、ｐ型の副層とｎ型の副層との間に配置した場合、ｐ−ｉ−ｎ構造となる。発光活性層は、いくつかの実施形態において、容易にｎドープまたはｐドープされる。例えば、いくつかの実施形態において、発光活性層は、隣接するｐ型の副層よりも低いｐドーパントレベルを示す。また、発光活性層は、隣接するｎ型の副層よりも低いｎドーパントレベルを示すことができる。
【００９７】
Ｃ．  電流注入ゲート
本明細書に記載されるように、エレクトロルミネッセンス素子は、第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する電流注入ゲートを含む。いくつかの実施形態において、電流注入ゲートは半導体層を含み、半導体層は、第一の電極および第二の電極に印加される交流電圧周波数に応じて、第一の電極または第二の電極から半導体層を通る注入電流フローを制限する電子構造の半導体層である。例えば、第一の電極または第二の電極から半導体層を通る注入電流フローは、印加される交流電圧の周波数の増大に伴い減少し得る。もしくは、第一の電極または第二の電極からの電流は、いくつかの実施形態において、印加される交流電圧の周波数の増大に伴い増大する。
【００９８】
この、第一の電極または第二の電極からの注入電流に対しこの周波数依存制限を示す半導体材料は、エレクトロルミネッセンス素子構造における電流注入ゲートとして機能することができる。適切なゲート半導体材料は、無機半導体および有機半導体を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態において、無機ゲート半導体は、酸化チタンを例とする遷移金属酸化物を含む。いくつかの実施形態において、無機ゲート半導体は、表Vおよび表VIから選択される。
【００９９】
【表５−１】
2016532246.tif 000077
【表５−２】
2016532246.tif 000078
【表５−３】
2016532246.tif 000079
【０１００】
【表６】
2016532246.tif 000080
【０１０１】
さらに、有機ゲート半導体は、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、またはルブレンといった、アセンおよび／またはアセン誘導体を例とする低分子半導体を含むことができる。いくつかの実施形態において、低分子ゲート半導体は表VIIから選択される。
【０１０２】
【表７】
2016532246.tif 000081
【０１０３】
また、有機ゲート半導体は、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリ（９，９−ジ−オクチルフルオレン−ａｌｔ−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］［ＭＥＨ−ＰＰＶ］、Ｐ３ＨＴ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、またはそれらの混合物を例とする共役ポリマー材料を、一つまたは複数含むことができる。いくつかの実施形態において、ゲート半導体は、表VIIIに挙げるカーボンナノ粒子などの、カーボンナノ粒子で形成される。
【０１０４】
【表８】
2016532246.tif 000082
【０１０５】
ゲート半導体は、真性またはドープされたものであり得る。さらに、適切な無機および／または有機ゲート半導体は、少なくとも２ｅＶ、または少なくとも３ｅＶのバンドギャップを示すことができる。いくつかの実施形態において、ゲート半導体材料は、２から４ｅＶ、または２．５から３．５ｅＶのバンドギャップを有する。
【０１０６】
電流注入ゲートの半導体層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、ゲート半導体層は、表IXから選択される厚さを有する。
【０１０７】
【表９】
2016532246.tif 000083
【０１０８】
さらなる実施形態において、周波数依存性を有する電流注入ゲートは、有機および無機成分で形成されるコンポジットであり得る。例えば、電流注入ゲートコンポジットは、ポリマーマトリクス中に分散する無機粒子を含むことができる。いくつかの実施形態において、一つまたは複数のセラミック粒子（例えば、金属炭化物、金属酸化物、金属炭窒化物、金属窒化物、金属酸窒化物、および／または金属酸炭窒化物）を、共役または半導体性ポリマーマトリクス中に分散させ、第一または第二の電極からの注入電流に対し周波数依存制限を示す電流注入ゲートを得ることができる。電流注入ゲートコンポジットは、最大で約９０ｗｔ％までの無機粒子を、残余量のポリマーマトリクスと共に用いることができる。いくつかの実施形態において、電流注入ゲートは、１５から７５ｗｔ％の無機粒子を、残余量のポリマーマトリクスと共に含む。電流注入ゲートコンポジットに用いる、適切な無機粒子および共役ポリマーは、このセクションＣに記載される。複合体電流注入ゲートに用いる無機粒子は、本発明の目的に矛盾しない、任意の平均粒子径を有することができる。例えば、いくつかの実施形態において、無機粒子は、１μｍ未満の平均径を有するナノ粒子である。いくつかの実施形態において、無機粒子は、１０μｍから５００μｍの平均径を有する。あるいは、無機粒子は、１μｍよりも大きい平均径を有することができる。電流注入ゲートコンポジットは、いくつかの実施形態において、表IXから選択される厚さを有する。
【０１０９】
Ｄ．電子および正孔ドーパント層
本明細書に記載されるように、エレクトロルミネッセンス素子は、さらに、電子ドーパント層を発光有機層の第一面上に、および正孔ドーパント層を発光有機層の反対面上に含むことができる。もしくは、電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層を形成する材料は、発光層中へ混合することができる。例えば、いくつかの実施形態において、電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層の、半導体ポリマーまたは低分子は、有機発光層中へ混合される。
【０１１０】
電子および正孔ドーパント層は、任意の半導体ポリマーおよび／または共役低分子で形成することができる。例えば、いくつかの実施形態において、電子および正孔ドーパント層は、表Xから選択される。
【０１１１】
【表１０】
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【０１１２】
発光層中へ混合しない場合、電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層は、本発明の目的に矛盾しない、任意の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、電子ドーパント層、または正孔ドーパント層は、１０ｎｍから１００ｎｍの厚さを有する。さらに、電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層は、１０ｎｍ未満、または１００ｎｍを超える厚さを有することができる。
【０１１３】
さらに、有機発光層のナノ粒子は、いくつかの実施形態において、電子ドーパント層と有機発光層との間に形成される界面を架橋する。同様に、有機発光層のナノ粒子は、正孔ドーパント層と有機発光層との間に形成される界面を架橋することができる。
【０１１４】
電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層は、いくつかの実施形態において、発光層における放射再結合の電荷担体を提供することができる。例えば、電流注入ゲートの働きによって、第一の電極または第二の電極から発光層への電流の注入が制限または防止されている場合、正孔ドーパント層および／または電子ドーパント層は、発光層において放射再結合に必須の担体を提供することができる。いかなる理論によっても拘束されないが、分極電流は、半導体ゲート層を通る注入電流フローの制限または防止を誘導する周波数を有する、印加交流電圧の下、正孔ドーパント層および／または電子ドーパント層において、担体を生成することができると考えられる。従って、電極からの直流の注入、または正孔ドーパント層および／または電子ドーパント層における担体形成により、印加される交流電圧の周波数に依存して、発光素子は作動することができる。このような二重機能作動は、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子が、広範囲の交流電圧周波数に渡って、高効率で、明るい発光を提供することを可能にし、その結果、ＡＣ電圧動作周波数に対する制限を防ぐ。
【０１１５】
本明細書に記載される構造を有するエレクトロルミネッセンス素子は、いくつかの実施形態において、表XIの出力効率、電流効率、および輝度値を示す。さらに、表XIに挙げられている出力効率および電流効率ならびに輝度値は、いくつかの実施形態において、光抽出を増進するため発光素子に従来適応される光アウトカップリング構造を使用することなく、達成することができる。
【０１１６】
【表１１】
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【０１１７】
また、本明細書に記載される構造を有するエレクトロルミネッセンス素子は、２０００〜５０００Ｋといった、任意の望ましい色温度（２０００〜８０００Ｋ）を有するエレクトロルミネッセンス発光を示すように、調整することができる。さらに、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも８０または８５の演色評価数（ＣＲＩ）を示すことができる。
【０１１８】
他の態様において、本明細書に記載されるエレクトロルミネッセンス素子は、第一の電極および第二の電極、ならびに第一の電極および第二の電極の間に位置する有機発光層を含む。電子ドーパント層は有機発光層の第一面上に位置し、正孔ドーパント層は有機発光層の反対面上に位置し、ナノ粒子相は、電子ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋する。もしくは、ナノ粒子相は、正孔ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋することができる。さらに、ナノ粒子相は、電子ドーパント層および有機発光層で形成される界面、および正孔ドーパント層および有機発光層で形成される界面を架橋することができる。
【０１１９】
図２は、エレクトロルミネッセンス素子の断面図を示し、ここでナノ粒子は、電子および正孔ドーパント層と有機発光層で形成される界面を架橋する。図２に示されるように、エレクトロルミネッセンス素子（２０）は、第一の電極（２１）および第二の電極（２２）、ならびに第一の電極（２１）および第二の電極（２２）の間に位置する有機発光層（２３）を含む。電子ドーパント層（２４）は有機発光層（２３）の第一面上に位置し、正孔ドーパント層（２５）は有機発光層（２３）の反対面上に位置する。第一のナノ粒子相（２６）は、電子ドーパント層（２４）と有機発光層（２３）との間に形成される界面（２７）を架橋する。第二のナノ粒子相（２８）は、正孔ドーパント層（２５）と有機発光層（２３）との間に形成される界面（２９）を架橋する。第一のナノ粒子相（２６）および第二のナノ粒子相（２８）は、同一のナノ粒子を含むことができる。もしくは、第一のナノ粒子相（２６）および第二のナノ粒子相（２８）は、異なるナノ粒子で形成することができる。例えば、第一のナノ粒子相（２６）のナノ粒子は電子ドーパント層（２４）の化学的特性を基準として選択することができ、第二のナノ粒子相（２８）のナノ粒子は正孔ドーパント層（２５）の化学的特性を基準として選択することができる。
【０１２０】
さらに、いくつかの実施形態において、電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層は、有機発光層中に混合される。
【０１２１】
第一の電極および第二の電極、有機発光層、ナノ粒子相、電子ドーパント層、ならびに正孔ドーパント層を例とするエレクトロルミネッセンス素子の成分は、上記セクションＩに記載される、任意の組成パラメータおよび／または特性を有することができる。例えば、エレクトロルミネッセンス素子の成分は、表XIIに従って選択することができる。
【０１２２】
【表１２】
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【０１２３】
さらに、ナノ粒子相が有機発光層と電子ドーパント層および／または正孔ドーパント層との間に形成される界面を架橋する構造を有するエレクトロルミネッセンス素子は、交流電圧源に接続した場合、本明細書の表XIに挙げる出力および電流効率、ならびに輝度値を有することができる。
【０１２４】
ＩＩ．光生成方法
他の態様において、光生成方法が本明細書に記載される。光生成方法は、第一の電極および第二の電極、第一の電極と第二の電極との間に位置する発光層、ならびに第一の電極と発光層との間、または第二の電極と発光層との間に位置する電流注入ゲートを含むエレクトロルミネッセンス素子を用意する工程を含む。交流電圧は、第一の電極および第二の電極に印加され、第一の電極または第二の電極から注入される電流は、ゲートによって、交流電圧周波数に応じて、発光層への流入が制限され、正孔および電子は、発光層内で放射結合する。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される、方法およびエレクトロルミネッセンス素子に使用する交流電圧周波数は、表XIIIから選択される。
【０１２５】
【表１３】
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【０１２６】
光生成方法での使用に適切なエレクトロルミネッセンス素子は、図１に示すエレクトロルミネッセンス素子を例とする、本明細書のセクションＩに記載される任意の構造および／または特性を有することができる。さらに、いくつかの実施形態において、本明細書に記載される光生成方法によって、セクションＩの表XIに挙げる出力および電流効率ならびに輝度値が得られる。
【０１２７】
本明細書のセクションＩに記載されるように、発光層内で放射再結合する電荷担体は、ゲート半導体層を通る電流フローの制限を支配する、印加される交流電圧の周波数に依存して、第一の電極および／もしくは第二の電極から、または正孔ドーパント層および／もしくは電子ドーパント層内で生じ得る。例えば、いくつかの実施形態において、ゲート半導体層を通る注入電流フローは、印加交流電圧の周波数の増大に伴い減少する。
【０１２８】
これらおよびその他の実施形態は、非限定的な以下の実施例によって、さらに示される。
【実施例】
【０１２９】
実施例１−エレクトロルミネッセンス素子
第一のエレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ１）を、以下のように製造した。各素子に対し、ＩＴＯガラス基板を調製した。ＩＴＯガラス基板は、一部が厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化物）層で被覆された、厚さ０．７ｍｍのソーダ石灰ガラスの正方形基板（２５．４ｍｍ×２５．４ｍｍ）で構成されていた。ガラス基板の２５．４ｍｍ×１５．９ｍｍの部分を、ＩＴＯ層で被覆した。被覆されなかった、基板の「ガラス」部分を、表面粗さ＜５ｎｍＲａまで研磨した。被覆された、基板の「ＩＴＯ」部分を、表面粗さ＜３ｎｍＲａまで研磨した。ＩＴＯ部分の有する抵抗率は、１０オーム／スクウェア未満であった。ＩＴＯガラス基板の有する、５５５ｎｍにおける透過率は、９５％よりも高かった。
【０１３０】
次に、ＩＴＯガラス基板を下記のように洗浄した。高純度（＞９９．９９％）Ｎ２ガス流を、ＣＧＡ５８０レギュレータを備えるタンクから基板上に吹き付けた。次いで、基板をポリプロピレン基板キャリアに設置した。基板と基板キャリアをガラス皿に設置した。ガラス皿を超音波洗浄器（Ｂｒａｎｓｏｎ  ３５１０）に設置した。次いで、ガラス皿にアセトンを加え、基板を覆った。次いで、１５分間以上超音波洗浄を行った。次いで、皿中のアセトン溶媒をメタノールに置き換え、さらに１５分間以上超音波洗浄を行った。次いで、皿中のメタノール溶媒をＩＰＡ（イソプロピルアルコール、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）用）に置き換え、さらに１５分間以上超音波洗浄を行った。次いで、基板を皿から取り除き、３０ｐｓｉ以上の圧力の高純度（＞９９．９９％）Ｎ２ガス流を用いて、基板を乾燥させた。次いで、乾燥させた基板を、基板の機能面を上にして、ＵＶ−オゾン洗浄器（ＵＶＯＣＳ  Ｉｎｃ．、Ｔ１６Ｘ１６／ＯＥＳモデル）に平らに設置し、６０分間以上洗浄した。
【０１３１】
イソプロピルアルコールとの混合物から、ＴｉＯ２製のゲート半導体層を、１０００ｒｐｍでＩＴＯ表面上にスピンコートした。ＴｉＯ２ゲートの有する厚さは、約２０ｎｍであった。乾燥ＴｉＯ２ゲート層上に、ポリ−ＴＰＤ：Ｆ４ＴＣＮＱ混合物から作られた正孔ドーパント層を、厚さ約４０ｎｍまでスピンコートした。次に、ＰＶＫのクロロベンゼン溶液（１０ｍｇ／ｍｌ）から、有機発光層をＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ正孔ドーパント層上にスピンコートした。ＰＶＫの溶液は、堆積した有機発光層中に８ｗｔ％のＩｒ（ｐｐｙ）３を供給する量のＩｒ（ｐｐｙ）３も含有していた。ＰＶＫ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３から作られた有機発光層の有する厚さは、約１５０ｎｍであった。有機発光層上に、ＴＰＢｉから作られた電子ドーパント層を、厚さ約４０ｎｍまでスピンコートした。ＴＰＢｉ層上に、金属の第二の電極を堆積させた。ＬｉＦ（最大で厚さ０．５ｎｍまで）およびＡｌ（厚さ１１０〜１３０ｎｍ）を逐次蒸着するため、エレクトロルミネッセンス素子を真空蒸着装置に設置した。５Ｅ−５から５Ｅ−６ｔｏｒｒの圧力で、ＬｉＦ（＞９９．９９９％）を０．０２ｎｍ／ｓで蒸着した。アルミニウム（＞９９．９９９％）を５Ｅ−５から５Ｅ−６ｔｏｒｒの圧力で、０．４から０．７ｎｍ／ｓで蒸着した。
【０１３２】
ＴｉＯ２ゲート層を４０００ｒｐｍでスピンコートしたことを唯一の相違点として、ＥＬ１に用いた手順に従って、第二のエレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ２）を製造した。さらに、ＴｉＯ２ゲート層をスピンコートしなかったことを唯一の相違点として、ＥＬ１に用いた手順に従って、第三のエレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ３）を製造した。その代りに、ドロップキャストによって、ＴｉＯ２ゲート層を堆積させた。
【０１３３】
周波数を変化させた交流電圧（ＶＡＣ）を、各エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ１〜ＥＬ３）に印加した。図３は、ＥＬ１〜ＥＬ３の、ＶＡＣ周波数に対する輝度を示す。図３に示されるように、ＥＬ１〜ＥＬ３は、それぞれ、低い周波数（＜５０Ｈｚ）および高い周波数（３０〜５０ｋＨｚ）で高い輝度を示した。さらに、ＴｉＯ２半導体層のゲート機能を実証するため、５０Ｈｚおよび４０ｋＨｚのＶＡＣを印加して、ＥＬ１〜ＥＬ３を作動させ、ＡＣ電流フローを測定した。図４に示されるように、ＡＣ電流は低周波数（５０Ｈｚ）で大きく、電極から注入された電流からＥＬ１〜ＥＬ３は発光している。しかし、高周波数（４０ｋＨｚ）では、ＴｉＯ２ゲートを通る注入電流フローは制限され、ＡＣ電流は１桁小さい。この様式においては、正孔（ｐ−ＴＰＤ：Ｆ４ＴＣＮＱ）および／または電子（ＴＰＢｉ）ドーパント層内で、有機発光層における放射再結合の担体を生成することができる。
【０１３４】
本発明の様々な目的の実現に、本発明の様々な実施形態を記載した。これらの実施形態は、単なる本発明の原理の例示であると理解されるべきである。本発明の多数の改良および適応が、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、当業者には容易に明らかとなる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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