(57)【要約】  本発明は、基板を製造する方法、基板を備えた金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、基板を備えた微小電気機械システム、及び自動車に関する。この場合、基板は炭化ケイ素層（１０）を含む。金属酸化物半導体電界効果トランジスタ又は微小電気機械システム用の基板を製造する方法は、（ａ）パターニングされた第１のマスク層（６０）を使用して前記基板に暫定的なトレンチをドライエッチングし、この際、前記パターニングされた第１のマスク層の残留部（６０´）が残るように前記ドライエッチングを行うステップと、（ｂ）前記暫定的なトレンチの少なくとも壁に第２のマスク層（６５）を被着するステップと、（ｃ）前記第１のマスク層の前記残留部（６０´）と前記第２のマスク層（６５）とを使用してドライエッチングして、これにより段部（８０）を内部に有するトレンチ（９０）を形成するステップと、を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１００）又は微小電気機械システム用の、炭化ケイ素層（１０）を含む基板を製造する方法であって、
（ａ）パターニングされた第１のマスク層（６０）を使用して前記基板に暫定的なトレンチをドライエッチングし、この際、前記パターニングされた第１のマスク層（６０）の残留部（６０´）が残るように前記ドライエッチングを行うステップと、
（ｂ）少なくとも、前記暫定的なトレンチの壁に、第２のマスク層（６５）を被着するステップと、
（ｃ）前記第１のマスク層の前記残留部（６０´）と前記第２のマスク層（６５）とを使用してドライエッチングして、これにより段部（８０）を内部に有するトレンチ（９０）を形成するステップと、を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）は、
前記第２のマスク層（６５）を共形被着し、この際に、前記第２のマスク層の一部（６５´）を前記暫定的なトレンチの壁に被着し、前記第２のマスク層の別の部分を前記暫定的なトレンチの底面上に被着し、さらに別の部分を前記パターニングされた第１のマスク層の前記残留部（６０´）上に被着するステップと、
前記別の部分と、前記さらに別の部分とをドライエッチングにより除去するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
当該方法は、ステップ（ａ）の後かつステップ（ｂ）の前に、前記暫定的なトレンチの底面にイオンを注入するステップを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ａ）は、
前記第１のマスク層（６０）を共形被着するステップと、
パターニングされたフォトレジスト（７０）を前記第１のマスク層（６０）上に被着するステップと、
前記パターニングされたフォトレジスト（７０）を使用してプラズマエッチングにより前記第１のマスク層（６０）をパターニングするステップと、を含む、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記炭化ケイ素層（１０）は六方晶結晶構造を有していて、前記炭化ケイ素層（１０）上には適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（２０）が配置されており、前記適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（２０）の少なくとも一部の上に、ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層（３０）が配置されており、ステップ（ａ）では、前記第１のマスク層（６０）を前記ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層（３０）上に共形被着し、ステップ（ａ）でのエッチングにより、前記適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（２０）と前記ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層（３０）とに切欠も形成し、前記切欠は、前記暫定的なトレンチ上に配置されており、横断面は前記暫定的なトレンチの幅に相当する同じ幅を有している、請求項４記載の方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法により製造された基板。
【請求項７】
請求項５記載の方法で製造された基板を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１００）であって、前記トレンチ（９０）には前記段部（８０）のところまで誘電体が充填されており、ゲート電極（５０）は多結晶ケイ素を含み、少なくとも部分的に前記トレンチ（９０）内の前記誘電体の上に配置され、かつ部分的に前記切欠内に、前記適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（２０）内に鉛直のチャネル領域（２５）が生じるように配置されている、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１００）。
【請求項８】
前記誘電体は、前記段部（８０）の上側のトレンチ壁も覆っている、請求項７記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（１００）。
【請求項９】
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法によって製造された基板を備えた微小電気機械システムであって、前記基板はさらに、その上に前記炭化ケイ素層が堆積される二酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、又はケイ素層を含み、前記段部（８０）の上側の前記トレンチ（９０）の一部は完全に炭化ケイ素層内に形成されている、微小電気機械システム。
【請求項１０】
請求項７又は８記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスタを含むパワースイッチを備えた自動車。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を製造する方法、並びに基板、並びに基板を備えた金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、並びに基板を備えた微小電気機械システム、並びに自動車に関する。
【０００２】
背景技術
炭化ケイ素（シリコンカーバイド）層を含む基板は、標準的な構成部品のためにますます使用されるようになっている。例えば、１．２ｋＶを越える電圧まで遮断するパワー半導体は、このような基板を使用してトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（トレンチＭＯＳＦＥＴ）として実現される。このようなパワー半導体は、例えば、電気自動車、即ち、バッテリ、例えばリチウムイオン電池を主体としたバッテリを備えた自動車、又は光起電力装置で使用される。微小電気機械システムもこのような基板により実現することができる。微小電気機械システム用にはこの基板にはさらに、二酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、又はケイ素層を有することができ、これらの層の上に炭化ケイ素層が堆積されている。
【０００３】
トレンチＭＯＳＦＥＴを形成するために例えば、その炭化ケイ素層が六方晶結晶構造を有し、ｎ型ドープされた基板（単結晶のｎ型ドープされた４Ｈ−ＳｉＣ−基板）が使用される。ｎ型ドープされた炭化ケイ素緩衝層は、炭化ケイ素層とｎ型に低ドープされた炭化ケイ素ドリフト区域（ｎ型ドリフト区域）との間に配置されている。
【０００４】
従来技術によるこのようなトレンチＭＯＳＦＥＴ１００の形成が図１に示されている。ｎ型ドープされた４Ｈ−ＳｉＣ−基板１０の上には、適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（ｐ-層）２０が配置されていて、この層２０はエピタキシャル成長させることができる、又は注入することができる。ｐ-層２０の一部の上に、ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層（ｎ+ソース）３０が配置され、この層３０はエピタキシャル成長させることができる、又は注入することができ、ソース端子として使用される。この場合、４Ｈ−ＳｉＣ−基板１０の裏面はドレイン端子として使用される。ｎ+ソース３０のほかにｐ+端子（ｐ+プラグ）４０がｐ-層２０まで注入されるので、ｐ+プラグ４０の表面はｎ+ソース３０の表面に接続し、ｐ+プラグ４０はチャネル電位の定義として用いることができる。ｐ-層２０とｎ+ソース３０とはそれぞれ切欠によってパターニングされている。この切欠は、ｎ型ドリフト区域１０をパターニングするトレンチ上に配置されている。これらの切欠の横断面は同じ一定の幅を有している。トレンチも、底面領域を除いて同じ幅を有している。底面領域のみにおいて、トレンチの幅はパターニングにより減少しているので、トレンチの横断面はポット状の形状を有している。即ちトレンチの横断面は凹状である。
【０００５】
トレンチにはパターニング後、ゲート酸化膜を被覆することができる。選択的に、又は付加的に、トレンチの底面で高ドープの注入を行うことができる。次いでポリシリコンゲート５０がトレンチ内に堆積される。これによりｐ-層２０内に鉛直なチャネル領域２５が生じる。これにより、横方向のチャネル領域を有したトランジスタの場合よりも、並列接続されたトランジスタのパッケージ密度を高くすることができる。
【０００６】
トレンチの側壁からトレンチの底面へのパターニングに基づく移行部により、使用時に、この領域において極めて高い電界強さが生じる場合があり、これは酸化膜が遮断時に電気的に破壊され、構成部品は損傷される破壊閾値を超えるものである。
【０００７】
発明の開示
本発明によれば、請求項１記載の、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ又は微小電気機械システム用の基板を製造する方法が提供される。この場合、基板は炭化ケイ素層を含んでいる。この方法は、この方法が、（ａ）パターニングされた第１のマスク層を使用して前記基板に暫定的なトレンチをドライエッチングし、この際、前記パターニングされた第１のマスク層の残留部が残るように前記ドライエッチングを行うステップと、（ｂ）前記暫定的なトレンチの少なくとも壁に第２のマスク層を被着するステップと、（ｃ）前記第１のマスク層の前記残留部と前記第２のマスク層とを使用してドライエッチングして、これにより段部を内部に有するトレンチを形成するステップと、を有することを特徴としている。
【０００８】
これにより、段部を備えたトレンチを自動調整式に容易に製造することができる。
【０００９】
一態様では、ステップ（ｂ）は、前記第２のマスク層を共形被着し、この際に、前記第２のマスク層の一部を前記暫定的なトレンチの壁に被着し、前記第２のマスク層の別の部分を前記暫定的なトレンチの底面上に被着し、さらに別の部分を前記パターニングされた第１のマスク層の前記残留部上に被着するステップと、前記別の部分と、前記さらに別の部分とをドライエッチングにより除去するステップと、を含んでいて良い。
【００１０】
暫定的なトレンチの壁上にあるマスク層の部分は、さらなるエッチングの間にトレンチの段部を保護する。
【００１１】
当該方法はさらに、ステップ（ａ）の後かつステップ（ｂ）の前に、前記暫定的なトレンチの底面にイオンを注入するステップを有していて良い。
【００１２】
これにより、段部の下側にドーピングされた領域を容易に形成することができる。これにより破壊保護はさらに改善される。
【００１３】
ステップ（ａ）は、前記第１のマスク層を共形被着するステップと、パターニングされたフォトレジストを前記第１のマスク層上に被着するステップと、前記フォトレジストを使用してプラズマエッチングにより前記第１のマスク層をパターニングするステップと、を含んでいて良い。
【００１４】
パターニングされた第１のマスク層は極めて簡単に製造することができる。
【００１５】
炭化ケイ素層は六方晶結晶構造を有していて良く、前記炭化ケイ素層上には適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層が配置されており、前記適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層の少なくとも一部の上に、ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層が配置されている。この場合、ステップ（ａ）では、前記第１のマスク層を前記ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層上に共形被着し、ステップ（ａ）でのエッチングにより、前記適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層と前記ｎ型に高ドープされた炭化ケイ素層とに切欠も形成し、前記切欠は、前記暫定的なトレンチの上に配置されており、横断面は前記暫定的なトレンチの幅に相当する同じ幅を有している。
【００１６】
このような基板は特に、破断保護された金属酸化物半導体電界効果トランジスタに適している。このような金属酸化物半導体電界効果トランジスタでは、前記トレンチには前記段部のところまで誘電体が充填されている。さらに、ゲート電極は、少なくとも部分的に前記トレンチ内の前記誘電体の上に配置され、かつ部分的に前記切欠内に配置されていて、ゲート電極は多結晶ケイ素を含み、前記のように配置することにより、適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層内に鉛直のチャネル領域が生じている。
【００１７】
これにより、十分な厚さの誘電体が形成され、これにより、金属酸化物半導体電界効果トランジスタで生じる電界強さは、破壊閾値未満に維持される。
【００１８】
金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一態様では、前記誘電体は、前記段部の上側のトレンチ壁も覆っていて良い。
【００１９】
これにより形成される金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、破壊に対してさらに良好に保護されている。
【００２０】
本発明によればさらに、請求項９により微小電気機械システムが提供される。この場合、この微小電気機械システムは、本発明による方法により製造された基板を含んでいる。この基板はさらに、その上に炭化ケイ素層が堆積される、二酸化ケイ素層、又は窒化ケイ素層、又はケイ素層を含んでいる。段部上側のトレンチの部分は完全に炭化ケイ素層内に形成されている。
【００２１】
本発明によればさらに、請求項１０により自動車が提供される。この自動車には、本発明により提供される金属酸化物半導体電界効果トランジスタを含むパワースイッチが設けられている。
【００２２】
最後に、本発明によれば、本発明により提供された方法により製造された基板が提供される。
【００２３】
本発明の有利な別の構成は従属請求項に記載されていて、詳細な説明で説明されている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来技術によるトレンチＭＯＳＦＥＴを示す図である。
【図２】基板に段状に減幅するトレンチを製造するための、基板の最初のパターンの例を示した図である。
【図３】基板の中間的なパターンの例を示した図である。
【図４】基板の別の中間的なパターンの例を示した図である。
【図５】基板のさらに別の中間的なパターンの例を示した図である。
【図６】基板の最終パターンの例を示した図である。
【００２５】
発明の実施態様
本発明の様々な態様において使用される、段部を有したトレンチは様々な形式で製造することができる。
【００２６】
図２、図３、図４には、基板の段状に減幅するトレンチの製造前及び製造中における基板のパターンの例が示されている。
【００２７】
このようなトレンチの一例の製造法のための出発材料の例としては、ｎ型ドープされた六方晶結晶構造を有する炭化ケイ素層（４Ｈ−ＳｉＣ−基板）と、ｎ型低ドープされたエピタキシャル炭化ケイ素ドリフト区域（ｎドリフト区域）１０であり、これらの間にｎ型低ドープされた炭化ケイ素緩衝層が配置されている。その上には、適度にｐ型ドープされた炭化ケイ素層（ｐ-層）２０がエピタキシャル成長により、又は注入により形成される。その上には、ｎ型高ドープされた炭化ケイ素層（ｎ+ソース）３０がエピタキシャル成長、又は注入により形成される。このｎ型ドープされた炭化ケイ素層３０はソース端子として使用される。４Ｈ−ＳｉＣ−基板１０の裏面はドレイン端子として使用される。
【００２８】
図２、図３、図４、図５に示されたトレンチ９０は、１つの段部を備えた段状の横断面を有している。即ち、トレンチ９０の幅は、下方に向かって一度減少しているので、段部よりも上のトレンチの上方領域は減幅していない幅Ｂ１を有していて、段部よりも下のトレンチの下方領域は減幅している幅Ｂ２を有している。
【００２９】
これを実現するためには例えば、第１のステップで、第１のマスク層６０、例えば二酸化ケイ素を被着する。次いで例えば第２のステップで、第１のマスク層６０上にフォトレジスト７０を堆積させ、フォトリソグラフィによって、減幅していない幅Ｂ１に応じてフォトレジスト７０の構造を形成する。次いで第１のマスク層６０を、パターニングされたフォトレジストによって、減幅していない幅Ｂ１に応じてパターニングする。その結果生じたパターンが図２に示されている。
【００３０】
次いで、パターニングされたフォトレジストと、マスクとしてのパターニングされた第１のマスク層６０とを使用してパターンをエッチングする。これにより減幅していない幅Ｂ１を有した暫定的なトレンチが生じる。この場合、パターニングされたフォトレジスト７０は完全に除去されるが、パターニングされた第１のマスク層６０は部分的にしか除去されないので、パターニングされた第１のマスク層６０の残留部６０´が残っている。これに対して選択的に、基板エッチングの前に、フォトレジストの乾式除去または湿式除去を行うことができる。次いで、基板エッチングは、もっぱらパターニングされた第１のマスク層６０をマスクとして使用して行われ、この場合も、パターニングされた第１のマスク層６０の残留部６０´が残る。その結果生じたパターンは、例えば図３に示されている。
【００３１】
次いで、第２のマスク層６５が、第１のマスク層６０の残留部６０´の上面に、かつ暫定的なトレンチの底面及び壁の上に同形で形成される。結果として生じたパターンの例は図４に示されている。
【００３２】
さらなるエッチングが行われる。この場合、まず、第１のマスク層の残留部６０´の上面並びに暫定的なトレンチの底面の上にある第２のマスク層６５が除去される。第２のマスク層の、トレンチの壁に配置された部分６５´は残っている。その結果生じたパターンの例は図５に示されている。
【００３３】
第１のマスク層の残留部６０´の上面上の並びに暫定的なトレンチの底面上の第２のマスク層６５を除去した後、さらなるエッチングにより、暫定的なトレンチの底面は減幅している幅Ｂ２のところでさらに深くされる。この場合、Ｂ２はＢ１よりも小さい。第２のマスク層の部分６５´は上方から徐々に除去される。同様に、第１のマスク層６０の残留部６０´も徐々に除去される。トレンチの全深さが所望のものに達するとエッチングは終了する。残留部６０´及び又は部分６５´の材料がまだ残っている場合にはさらに、湿式化学的に又は乾式化学的に除去することができる。その結果生じたパターンは例えば図６に示されている。
【００３４】
減幅していない幅Ｂ１と減幅している幅Ｂ２とは、利用したリソグラフィに応じたものである。ステッパーリソグラフィによれば、トレンチの減幅した部分には例えば５００ナノメートルの最小トレンチ幅を形成することができ、減幅していない部分は例えば８００ナノメートルの幅を有することができる。段部８０からｎ+ソース３０の表面までの間隔は、例えば０．５〜３マイクロメートルであってよく、段部８０からトレンチ９０の減幅した部分の底面までの間隔は約０．２〜２マイクロメートルであって良い。
【００３５】
今や、トレンチにはまず誘電体を堆積させることができ、この誘電体は例えばトレンチ９０の減幅した部分を段部８０まで埋めることができる。付加的に誘電体は、段部８０の上側のトレンチの壁を薄膜で覆うことができる。最初のエッチング後、フォトレジストを除去する前に、基板のより深くに配置することができるイオン注入を行うこともできる。
【００３６】
最後に、多結晶ケイ素から成るゲート電極５０を段部上側のトレンチ内に配置することができ、これによりｐ-層２０内に垂直のチャネル領域２５が形成される。
【００３７】
図２、図３、図４、図５、図６を用いて説明した、炭化ケイ素層に段状のトレンチ横断面を製造する方法は、微小電気機械システムの製造にも適用可能である。微小電気機械システムでは、堆積された炭化ケイ素層が使用され、この炭化ケイ素層内側で、少なくとも１つの横断面段状の部分を有したトレンチが形成される。炭化ケイ素層を、二酸化ケイ素層、又は窒化ケイ素層、又はケイ素層の上に堆積させることもできる。この場合、減幅していない幅を有するトレンチの部分を完全に炭化ケイ素層内に形成し、減幅した幅を有するトレンチの部分を完全にその上に炭化ケイ素層が堆積されている層内に形成することができる。特に、その上に炭化ケイ素層が堆積されている層から炭化ケイ素層への移行部を有する段部は一致している。減幅した幅を有するトレンチの部分は、その上に炭化ケイ素層が堆積されている層を完全に貫通しても良い。微小電気機械システムのためには、減幅していない幅と減幅した幅との比は、１〜１０マイクロメートルの減幅した幅を有していると考えて１００：１である。段部から炭化ケイ素層の表面までの間隔は、例えば１〜１０マイクロメートルであって、段部から、トレンチの減径された部分の底面までの、もしくはその上に炭化ケイ素層が堆積されている層の底面までの間隔も１〜１０マイクロメートルであって良い。
【００３８】
第１及び第２のマスク層の材料としては例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、又は炭化ケイ素が考えられ、この場合、第１のマスク層と第２のマスク層とは同じ材料および異なる材料を有することができ、金属も一方又は両方のマスク層の材料として考えられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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