(57)【要約】  プロセスチャンバで使用されるシャッターディスクが本明細書で提供される。一部の実施形態では、プロセスチャンバで使用されるシャッターディスクは、外周部を有する本体と、本体の上面であって、実質的に水平の平面を有する中心部、ならびにそれぞれが頂部部分、および外周部に向かって頂部部分から放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面を有する、中心部の外側に放射状に配置された少なくとも１つの角度付けされた構造を含む、上面と、本体の底面とを含むことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周部を有する本体と、
前記本体の上面であって、
実質的に水平の平面を有する中心部、ならびに
それぞれが頂部部分、および前記外周部に向かって前記頂部部分から放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面を有する、前記中心部の外側に放射状に配置された少なくとも１つの角度付けされた構造を含む、上面と、
前記本体の底面と、
を備える、プロセスチャンバで使用するためのシャッターディスク。
【請求項２】
前記角度付けされた表面の前記下向きの角度が約１５度〜約６０度である、請求項１に記載のシャッターディスク。
【請求項３】
前記少なくとも１つの角度付けされた構造が複数の角度付けされた構造を含む、請求項１に記載のシャッターディスク。
【請求項４】
前記複数の角度付けされた構造のそれぞれが、実質的に水平の平面によって放射状に分離されている、請求項３に記載のシャッターディスク。
【請求項５】
それぞれが前記複数の角度付けされた構造の少なくとも２つを横切って延在する、複数の半径方向支持体隆起部、
を備える、請求項３に記載のシャッターディスク。
【請求項６】
前記複数の半径方向支持体隆起部が、最も外側の角度付けされた構造の前記頂部部分から放射状に内向きに延在する第１の組の半径方向支持体隆起部と、前記上面の前記中心部の外径から放射状に外向きに延在する第２の組の半径方向支持体隆起部とを含む、請求項５に記載のシャッターディスク。
【請求項７】
前記底面を前記外周部に接続する２段のステップをさらに備える、請求項１から６までのいずれか１項に記載のシャッターディスク。
【請求項８】
前記２段のステップが、外側ステップおよび内側ステップをさらに備え、
前記外側ステップが前記内側ステップよりも前記本体内へとさらに上方に延在する、請求項７に記載のシャッターディスク。
【請求項９】
前記本体が、前記２段のステップの内側に放射状に配置された前記底面に形成された切抜き部分を含む、請求項７に記載のシャッターディスク。
【請求項１０】
前記角度付けされた構造が環状の角度付けされた構造である、請求項１から６までのいずれか１項に記載のシャッターディスク。
【請求項１１】
前記シャッターディスクの前記本体が中実であり、前記基板支持体上に配置されたときに、実質的に基板支持体をカバーするように構成される、請求項１から６までのいずれか１項に記載のシャッターディスク。
【請求項１２】
前記シャッターディスクが、プロセスチャンバプロセス中に、プロセスチャンバ、またはプロセスチャンバ内に配置されたプロセスキットの壁に堆積するターゲット材料から作製される、請求項１から６までのいずれか１項に記載のシャッターディスク。
【請求項１３】
前記シャッターディスクが、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンおよび金属複合材から構成される群から選択されたターゲット材料から作製される、請求項１から６までのいずれか１項に記載のシャッターディスク。
【請求項１４】
内部容量を画成するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置されたプロセスキットと、
基板を支持するために前記チャンバ本体内部に配置された基板支持体と、
ターゲット材料から作成されたシャッターディスクであって、
外周部を有する本体、ならびに
前記本体の上面であり、少なくとも１つの実質的に水平の平面、ならびにそれぞれが頂部部分、および前記頂部部分から前記外周部に向かって放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面を有する少なくとも１つの角度付けされた構造を含む、上面
を備える、シャッターディスクと、
を備える、プロセスチャンバ。
【請求項１５】
前記角度付けされた表面のそれぞれの前記下向きの角度が前記プロセスチャンバまたは前記プロセスキットの少なくとも１つの側壁上への前記シャッターディスクの前記ターゲット材料の均一な堆積を促進するように構成される、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に基板処理チャンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体デバイスの形成は、管理された処理環境で基板（たとえば、半導体ウエハ）を処理することができる１つまたは複数のプロセスチャンバで通常行われる。プロセスの均一性を維持し、最適な性能を保証するために、様々な調節作業が定期的に行われる。たとえば、１つのそうした調節作業は、ペースト化プロセスであり、堆積した材料がプロセスチャンバ表面から剥落して、次のプロセス中に基板を汚染するのを防ぐためにプロセスチャンバ表面に堆積した材料に対してカバーリングが施される。
上記のペースト化プロセスでは、シャッターディスクは、基板支持体上にいかなる材料も堆積させないようにするために、プロセスチャンバ内に配置された基板支持体の上にある搬送ロボットによって所定の位置に置かれることがある。ペースト化プロセス中に、シャッターディスク上のターゲット材料がシャッターディスクから除去され、プロセスキット上にペーストされ、剥落を防ぐことができる。
しかしながら、発明者は、従来のペースト化プロセス中に、所望のチャンバ表面上に不均一な堆積があることに気付いた。ペースト層の不均一性は、基板上の粒子の問題をもたらす。
したがって、ペーストの均一性を改善することができるシャッターディスクの実施形態が本明細書で提供される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
プロセスチャンバで使用されるシャッターディスクが本明細書で提供される。一部の実施形態では、プロセスチャンバで使用されるシャッターディスクは、外周部を有する本体と、本体の上面であって、実質的に水平の平面を有する中心部、ならびにそれぞれが頂部部分、および外周部に向かって頂部部分から放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面を有する、中心部の外側に放射状に配置された少なくとも１つの角度付けされた構造を含む、上面と、本体の底面とを含むことができる。
一部の実施形態では、プロセスチャンバは、内部容量を画成するチャンバ本体と、チャンバ本体内に配置されたプロセスキットと、基板を支持するためにチャンバ本体内部に配置された基板支持体と、ターゲット材料から作製されたシャッターディスクと、基板支持体との間でシャッターディスクを搬送するためにチャンバ本体に移動可能に結合された搬送ロボットと、を含むことができる。一部の実施形態では、シャッターディスクは、本体の上面であって、少なくとも１つの実質的に水平の平面、ならびにそれぞれが頂部部分、および頂部部分から外周部に向かって放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面を有する少なくとも１つの角度付けされた構造を含む、上面を含むことができる。
本発明の他の実施形態および変形形態について以下でより詳細に説明する。
簡潔に上で要約され、以下でより詳細に論じられる本発明の実施形態は、添付された図面に示される本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付された図面は、単に本発明の典型的な実施形態を示し、したがって、本発明の範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本発明が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためであることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】本発明の一部の実施形態による例示的なシャッターディスクの上面図である。
【図２】本発明の一部の実施形態による、例示的なシャッターディスクの部分断面図である。
【図３】本発明の一部の実施形態による、例示的なシャッターディスクの等角図である。
【図４】本発明の一部の実施形態に関連して使用に適した例示的なプロセスチャンバの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
理解を容易にするために、可能な場合は、同一の参照数字を使用して各図に共通の同一の要素を指定した。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化される場合がある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる詳述なしに他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが考えられる。
本発明の実施形態は、一般に、たとえば、半導体製造プロセスチャンバなどの基板プロセスチャンバで使用されるシャッターディスク、およびそのようなシャッターディスクを組み込む基板プロセスチャンバに関する。一部の実施形態では、本発明の装置は、プロセスチャンバの調節および洗浄作業において使用するためのシャッターディスクを含む。本発明の装置は、プロセスキットまたはプロセスチャンバの壁にシャッターディスクターゲット材料をより均一性よくペーストするシャッターディスクを有利に提供することができる。
【０００６】
図１は、本発明の一部の実施形態による、例示的なシャッターディスク１００の上面図である。図２は、本発明の一部の実施形態による、図１の例示的なシャッターディスクの側部断面図である。本発明を最も良く理解するために、読者は、図１および図２を同時に参照されたい。加えて、本明細書では、第１のおよび第２の、上部および底部などの関係語は、１つのエンティティまたは行為を別のエンティティまたは行為から識別するために単独で使用されることがあり、必ずしも、そのようなエンティティ間もしくは行為間のいかなる実際のそのような関係または順番をも必要とせずあるいは意味しない。さらに、ディスクとして本明細書に記載されるが、シャッターディスクおよびその構成要素は、特定のプロセスチャンバ内部で使用するのに必要とされるような任意の適切な形状寸法を有することができる。
【０００７】
例示的なシャッターディスク１００は、外径１１８および中心軸１０４を有する本体１０２を全体的に備える。一部の実施形態では、シャッターディスクは、中実のディスクであり、基板支持体上に配置されたときに、基板支持体を実質的にカバーするように構成される。シャッターディスク１００は、プロセスチャンバプロセス、たとえば、ペースト化プロセスまたは他の前清浄プロセス中などに、プロセスチャンバ、またはプロセスチャンバ内に配置されたプロセスキットの壁に堆積するターゲット材料から作製される。使用されるターゲット材料は、任意の適切なペースト材料、たとえば、剪断応力および脆性を低減させるのに役立つ比較的低いヤング率を有するが、比較的高いスパッタリング速度を有する延性材料を含むことができる。そのような材料の例には、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、銅、銀、金、金属複合材などが含まれる。
【０００８】
シャッターディスク１００の本体１０２の上面は、実質的に水平の平面を有する中心部１０６を含むことができる。一部の実施形態では、中心部１０６は、図１に示すように円形であってもよいが、任意の適切な形状寸法が使用され得る。また、シャッターディスク１００の本体１０２の上面は、中心部１０６の外側に放射状に配置された、１つもしくは複数の角度付けされた構造１０８、または「フィン」を含むことができる。本体１０２の上面からの中心部１０６の高さは、約０．０３インチ（０．７６２ｍｍ）〜約０．３インチ（７．６２ｍｍ）であってもよい。
図２に示すように、１つまたは複数の角度付けされた構造のそれぞれは、頂部部分２１０、および頂部部分２１０から外周部１１８に向かって放射状に外方向に下向きの角度で配置された角度付けされた表面２２０を有する。角度付けされた構造１０８の頂部部分２１０は、ペーストおよび他のプラズマプロセスが行われる間のアーク発生を防止するために、丸くされてもよい。角度付けされた表面２２０の下向きの角度２７０は、約１５度〜約６０度である。１つまたは複数の角度付けされた構造のそれぞれは、角度付けされた表面２２０に対向する裏側（図示せず）を含む。
【０００９】
一部の実施形態では、１つまたは複数の角度付けされた構造１０８は、（図４に関して以下でより詳細に説明されるように）プロセスチャンバならびに／またはプロセスキットの側壁およびコーナにターゲットペースト材料を一様に堆積させるのに十分な複数の角度付けされた構造１０８（たとえば、フィン）を含む。一部の実施形態では、複数の角度付けされた構造１０８のそれぞれは、実質的に水平の平面２２４によって放射状に分離される。２つの隣接するフィンの頂部部分２１０間の距離２５２は、約０．１インチ（２．５４ｍｍ）〜約１．０インチ（２５．４ｍｍ）であってもよい。それぞれの角度付けされた構造１０８と実質的に水平の平面２２４との間のコーナ２１２は、鋭いコーナで起こる可能性があるアークの発生を防ぐために丸くされる。シャッターディスク１００の上面からのそれぞれの角度付けされた構造１０８の高さ２５０は、約０．０６インチ（１．５２４ｍｍ）〜約０．３インチ（７．６２ｍｍ）であってもよい。
【００１０】
一部の実施形態では、１つまたは複数の角度付けされた構造１０８は、シャッターディスク１００の中心軸１０４から異なる半径方向の距離に配置された環状構造であってもよい。一部の実施形態では、複数の半径方向支持体隆起部１１０が、本体１０２の上面に配置され、高出力および／または高温処理中にシャッターディスク１００が湾曲する／捩れるのを実質的に防ぐための構造的強度を提供する。複数の支持体隆起部１１０は、シャッターディスク１００の中心軸１０４から放射状に外向きに延在することができ、互いに等距離の所に間隔を置いて配置されてもよい。一部の実施形態では、複数の隆起部１１０の少なくとも一部は、シャッターディスク１００の中心部１０６から一直線におよび放射状に外向きに延在してもよく、ならびに／または複数の隆起部１１０の少なくとも一部は、シャッターディスク１００の最も外側の角度付けされた構造１０８の頂部部分２１０から一直線におよび放射状に内向きに延在してもよい。
【００１１】
一部の実施形態では、シャッターディスク１００の底部は、底面をシャッターディスク１００の外径１１８に接続する２段のステップを含むことができる。２段のステップは、外側ステップ１１２、および内側ステップ１１４を含むことができ、外側ステップが内側ステップよりも本体内へとさらに上方に延在する。外側ステップ１１２は、積層公差、エッジでの材料堆積、および隣接する支持構造へのシャッターディスクの結合可能性を回避するのに役立つ場合がある。たとえば、複数の構成要素が一緒に組み立てられ、またはお互いの上に位置する、たとえばシャッターディスク１００が基板支持体上に位置する場合、各構成要素の寸法公差は、各設計の最大値の加算となる。平坦度が重要な状況では、積層公差を回避するまたは最小化するように構成要素を設計することが重要である。そのため、外側ステップ１１２は、積層公差を回避するのに役立つ場合がある。一部の実施形態では、内側ステップ１１４は、シャッターディスクキャリアなどの支持構造上でシャッターディスクのセンタリングを容易にするために使用されることがある。一部の実施形態では、外側ステップ１１２は、本体１０２の底面から約０．０５インチ（１．２７ｍｍ）〜約０．１インチ（２．５４ｍｍ）だけ本体１０２内へと上方に延在する深さ２５４を有することができる。外側ステップ１１２は、外径１１８から約０．１インチ（２．５４ｍｍ）〜約０．５インチ（１２．７ｍｍ）に配置されてもよい（長さ２６６として示す）。一部の実施形態では、内側ステップ１１４は、本体１０２の底面から約０．０５インチ（１．２７ｍｍ）〜約０．１インチ（２．５４ｍｍ）だけ本体１０２内へと上方に延在する深さ２５８を有することができる。内側ステップ１１４は、外側ステップ１１２から約０．５インチ（１２．７ｍｍ）〜約１．０インチ（２５．４ｍｍ）に配置されてもよい（長さ２６０として示す）。
【００１２】
一部の実施形態では、シャッターディスク１００の本体１０２は、ステップフィーチャ１１６で底面に形成され、２段のステップの内側に放射状に配置された切抜き部分２１４も含むことができる。切抜き部分２１４は、材料の使用量および重量を低減させるために使用されてもよい。一部の実施形態では、切抜き部分２１４は、本体１０２の底面から最大約０．１インチ（２．５４ｍｍ）まで本体１０２内へと上方に延在する深さ２６４を有することができる。ステップフィーチャ１１６は、２段のステップの開始部分（すなわち内側ステップ１１４）から約０．１インチ（２．５４ｍｍ）〜約４．５インチ（１１４．３ｍｍ）に配置されてもよい（長さ２６２として示される）。
【００１３】
図３は、本体１０２、角度付けされた構造１０８、中心部１０６および支持体隆起部１１０を示すシャッターディスク１００の等角図を示す。
たとえば、シャッターディスク１００は、プロセスチャンバの前清浄プロセス中に、プロセスチャンバ、またはプロセスチャンバ内に配置されたプロセスキットの壁に堆積するターゲット材料から作製されてもよい。典型的には、シャッターディスク１００およびそのすべてのフィーチャは、フィーチャ間のいかなる相対的変形をも防ぐために同じターゲット材料で構成される。一部の実施形態では、シャッターディスクは、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンおよび金属複合材から構成される群から選択されたターゲット材料から作製されてもよい。シャッターディスク１００は、シャッターディスク１００の上に堆積することがある材料のさらなる重量による変形に耐えるのに十分な機械的剛性を有する任意の適切な材料から構築されてもよい。また、一部の実施形態では、材料は、シャッターディスク１００が搬送ロボットによって容易に操作することできるように軽量であってもよい。シャッターディスク１００は、所望の形状を形成するのに適した任意の方法、たとえば、鋳造、ダイキャスト、スプレー鋳造、スプレー堆積、機械加工などによって作製されてもよい。一部の実施形態では、シャッターディスク１００およびそのすべてのフィーチャは、ひと塊の材料から機械加工される。一部の実施形態では、シャッターディスク１００は、堆積／基板のエッチングのためにプロセスチャンバ内で使用される同一材料で構成される。
【００１４】
図４は、本発明の一部の実施形態に関連して使用するための例示的なプロセスチャンバ４００の概略図である。一部の実施形態では、プロセスチャンバ４００は、マルチチャンバ処理システム（たとえば、クラスタツールまたはインラインツール）を形成するように組み合わされた複数のチャンバの１つであってもよい。あるいは、プロセスチャンバ４００は、スタンドアロンのプロセスチャンバであってもよい。一部の実施形態では、プロセスチャンバ４００は、堆積チャンバたとえば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバであってもよい。あるいは、プロセスチャンバ４００は、シャッターディスク１００がチャンバ洗浄および／またはエージングプロセス中に使用されることがある任意の適切なプロセスチャンバであってもよい。
【００１５】
プロセスチャンバ４００は、チャンバ本体４０２、および排気可能なプロセス容積４０６を画成するリッドアセンブリ４０４を含む。チャンバ本体４０２は、一般に１つまたは複数の側壁４０８および底壁４１０を含む。１つまたは複数の側壁４０８は、単一の円形の側壁、または非円形の構成を有するプロセスチャンバ内の複数の側壁であってもよい。他の実施形態では、プロセスチャンバ４００の外側に位置するシャッターガレージ（図示せず）は、シャッターディスク１００を保管し、シャッターディスク１００をプロセスチャンバ４００の開口部４１２を通ってプロセスチャンバ４００内へと移動させることができる。
チャンバ本体４０２のリッドアセンブリ４０４は、環状シールド４１８を全体的に支持する。リッドアセンブリ４０４は、全体的にターゲットおよびマグネトロン（図示せず）を備える。
【００１６】
上で論じたように、シャッターディスク１００は、基板処理のためにチャンバを調節する前清浄または同様のプロセス中にチャンバ壁に堆積する材料を提供する。シャッターディスク１００上の角度付けされた構造１０８は、処理中に、シャッターディスク１００が被膜される、または作製されるターゲット材料の均一な消費を促進する。シールド４１８および基板支持体４２６は、電源４２８によって互いに対してバイアスされる。不活性ガス、たとえば、アルゴンは、ガス源（図示せず）からプロセス容積４０６に供給される。プラズマは、このガスからシャッターディスク１００とシールド４１８との間に形成される。プラズマ内部のイオンは、シャッターディスク１００の方へ加速され、このイオンによって材料がシャッターディスク１００から除去される。除去されたターゲット材料は、チャンバ壁４０４、４０８、４１０、シールド壁４１８およびプロセスキット４３２の方へ引きつけられ、それらの上に材料の膜を堆積させる。
【００１７】
基板支持体４２６は、チャンバ本体４０２内に全体的に配置され、シャッターディスク１００を支持する。シャッターディスク１００が下部のキャリア部材４３０上に配置されたときに、２つの部分からなるシャッターディスクアセンブリを形成するように下部のキャリア部材４３０を使用することができる。シャッターディスク１００および下部のキャリア部材４３０は、下部のキャリア部材４３０およびシャッターディスク１００がそれぞれに対して移動することができ、たとえば、構成要素が独立して熱膨張および収縮できるように、互いに移動可能に配置され、または結合される。一部の実施形態では、シャッターディスク１００は、下部のキャリア部材４３０上に単に置かれてもよい。
【００１８】
下部のキャリア部材４３０は、シャッターディスク１００を支持する。実施形態では、下部のキャリア部材４３０の底面およびシャッターディスク１００の底面は、基板支持体４２６に接触する、および基板支持体４２６によって支持される実質的な平面を画成する。他の実施形態では、下部のキャリア部材４３０のみが、ＲＦ結合を制御する／変化させるために使用され得る基板支持体４２６に接触する。
一部の実施形態では、キャリア部材４３０はリングでなくてもよく、全底面に沿ってシャッターディスク１００を支持してもよい。たとえば、一部の実施形態では、下部のキャリア部材４３０は、シャッターディスク１００と同様の、中央開口部のない中実のディスク（図示せず）であってもよい。
【００１９】
下部のキャリア部材４３０は、下部のキャリア部材４３０の熱変形を最小にするために熱的に安定した材料を含むことができる。たとえば、下部のキャリア部材４３０は、セラミック、炭化ケイ素被覆黒鉛、中実の炭化ケイ素、中実の焼結炭化ケイ素、Ｂｒｉｄｇｅｓｔｏｎｅから入手可能なＰＵＲＥＢＥＴＡ（登録商標）などの金属を含まない焼結助剤によって作製された中実の焼結炭化ケイ素などのうちの少なくとも１つを含むことができる。一部の実施形態では、下部のキャリア部材４３０は、約５．６Ｅ−６ｍ／ｍ  Ｋ〜約２２．２Ｅ−６ｍ／ｍ  Ｋの熱膨張率を有する材料を含んでもよい。一部の実施形態では、下部のキャリア部材４３０は、熱伝導性材料を含んでもよい。一部の実施形態では、下部のキャリア部材４３０は、電気的に絶縁性の材料を含んでもよい。上記の実施形態のいずれかにおいて、下部のキャリア部材４３０は、シャッターディスク１００、および使用中にシャッターディスク１００の上に堆積することがある材料のさらなる重量による変形に実質的に耐えるのに十分な機械的剛性を有する適切な材料から構築されてもよい。また、一部の実施形態では、材料は、シャッターディスクアセンブリ（すなわち、シャッターディスク１００および下部のキャリア部材４３０）が、搬送ロボットによって容易に操作することができるように軽量であってもよい。一部の実施形態では、互いに接触する下部のキャリア部材４３０および／またはシャッターディスク１００の１つまたは複数の表面は、下部のキャリア部材４３０とシャッターディスク１００との間の熱変形による移動のしやすさを促進するように、仕上げられてもよい。
【００２０】
一部の実施形態では、シャッターディスクアセンブリ（すなわち、シャッターディスク１００および下部のキャリア部材４３０）は、約６〜約１２インチ（１５２．４〜３０４．８ｍｍ）、たとえば、約６、８、または１１．８５インチ（１５２．４、２０３．２または３０１ｍｍ）の外径を有する。一部の実施形態では、シャッターディスクの頂部部分２１０から下部の支持キャリア４３０の底面までの厚さは、約０．１〜約０．２５インチ（２．５４〜６．３５ｍｍ）、たとえば、約０．１５インチ（３．８１ｍｍ）であってもよい。
【００２１】
基板支持体の構成およびサイズに応じて他のサイズが使用されてもよい。一部の実施形態では、シャッターディスクアセンブリは、＋／−５０ｍｍの公差で処理されることになる基板の直径と等しい外径を有する。直径の点から論じられ、ディスクと呼ばれるが、シャッターディスクアセンブリおよびシャッターディスク１００は、丸い形状には限定されず、本明細書に開示されるようなプロセスチャンバでの使用に適した任意の形状を有することができる。直径の点から論じられたが、用語「リング」または「ディスク」は、シャッターディスクアセンブリおよびその構成要素を説明するために使用されることがあり、シャッターディスクアセンブリおよびこれらの構成要素の形状は、円形である必要はなく、限定されないが、矩形、多角形、楕円形など含む任意の形状の周辺部および／または開口部を有してもよいことが考えられる。
【００２２】
上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本的な範囲から逸脱せずに考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
2016509131.tif 000003
【図２】
2016509131.tif 000004
【図３】
2016509131.tif 000005
【図４】
2016509131.tif 000006
【国際調査報告】
2016509131.tif 000007
2016509131.tif 000008