(57)【要約】  Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ及びＭｇＯ又はこれら物質の前駆体を含む原材料成分の粉末を乾式混合し、かつこの粉末混合物を焼結してスパッタリングターゲットとすることによりＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ（ＺＡＭＯ）からなる結晶性材料を製造することは知られている。本発明の課題は、３Ｎ品質又はそれより良好な品質を有する高純度であり、Ａｌ2Ｏ3及びＭｇＯからなる単相を含まないか又は少量含むターゲットを提供することである。以上の目的のために、混合工程が液体中で原材料成分の粉末を混合することを含み、ここで、原材料の粉末の液体中の最高溶解度が２００ｍｇ／ｋｇ未満であり、混合工程において使用される液体が水を含み、ＭｇＣＯ3の粉末がＭｇＯの前駆体成分として使用されることが提案されている。得られるＺＡＭＯスパッタリングターゲットは、１質量％未満の量のＡｌ2Ｏ3又はＭｇＯのいずれかからなる単独成分の酸化物相を含む微細構造によって特徴付けられ、前記微細構造がジンカイト、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4）及びスピネル（ＭｇＡｌＯ4）の単相及び二相の領域を含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ及びＭｇＯ又はこれら物質の前駆体を含む原材料成分の粉末を混合する工程、及び
粉末混合物を焼結して、スパッタリングターゲットを得る工程
を含み、混合工程が液体中で原材料成分の粉末を混合することを含む、
ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲットを製造する方法において、
原材料の粉末の液体中の最高溶解度が２００ｍｇ／ｋｇ未満であり、前記液体が水を含み、ＭｇＣＯ3の粉末がＭｇＯの前駆体成分として使用される、製造方法。
【請求項２】
液体中の混合が湿式ミル工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
湿式ミル工程が、１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満の平均粒径（ｄ90値）を有するが、１μｍ超のｄ50値を有する原材料成分の微細粉末を生じることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
原材料の粉末が以下の組成範囲（質量％）：
Ａｌ2Ｏ3：０．５〜５、好ましくは２〜４、
ＭｇＯ：０．５〜１５、好ましくは３〜９（残部＝ＺｎＯ）
において提供されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
１質量％未満の量のＡｌ2Ｏ3又はＭｇＯのいずれかからなる単独成分の酸化物相を含む微細構造によって特徴付けられ、前記微細構造がジンカイト、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4）及びスピネル（ＭｇＡｌＯ4）の単相及び二相の領域を含むＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【請求項６】
組成（質量％）：ＺｎＯ  ９２／Ａｌ2Ｏ3  ３／ＭｇＯ  ５を特徴とする請求項５記載のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【請求項７】
ガーナイト相の領域が５μｍ未満の横寸法を有し、スピネル相の領域が１μｍ未満の横寸法を有することを特徴とする請求項５記載のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【請求項８】
微細構造が５０００Å未満、好ましくは２０００Å未満の平均クリスタリットサイズを有することを特徴とする請求項５から７のいずれか１項記載のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【請求項９】
電気抵抗が５０ｍＯｈｍ・ｃｍ未満、好ましくは３０ｍＯｈｍ・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項５から８のいずれか１項記載のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【請求項１０】
１００ｃｍ2超、好ましくは２００ｃｍ2超のタイルサイズを有するタイルの形で製造されていることを特徴とする請求項５から９のいずれか１項記載のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲットに関する。以下で、かかる材料はＺＡＭＯとも称される。
【０００２】
さらに、本発明は、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ及びＭｇＯ又はこれら物質の前駆体を含む原材料成分の粉末を混合する工程、及び、前記粉末混合物を焼結してスパッタリングターゲットを得る工程、を含み、前記混合工程が液体中で原材料成分の粉末を混合することを含む、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲットを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＥＰ  １８８７１００  Ｂ１は、ＺＡＭＯ材料及びその製造を説明する。この材料は、粉末冶金手段で単独酸化物を乾式混合することにより得られる。２の単独酸化物の混合物を１０００℃で予備か焼し、第３の酸化物のプレス成形体を最終的に添加し、引き続きターゲットを焼結することが提案されている。
【０００４】
かかる方法の主たる欠点は、不均一な酸化物分布及び所定量のＡｌ2Ｏ3及びＭｇＯの単独相である。ボールミル中の乾式混合はときには２回も利用され、そして、ミル化媒体に由来する著しい量の不純物を生じるものである。
【０００５】
そうして、３Ｎ品質又はそれより良好な品質を有する純粋なターゲットは不可能になり、そして、層特性、特に半透明性にとって深刻な結果を伴う。電気抵抗は、例えばＺＡＭＯ８８／１．５／１０．５原子％について、少なくとも３０ｍＯｈｍ・ｃｍ、例えば３５ｍＯｈｍ・ｃｍである。
【０００６】
水ベースのスラリー及び湿式ミルを介して小さい粒度を有するセラミックＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ（ＺＡＭＯ）を製造することによる代替方法は、ＭｇＯから溶解されるＭｇ2+イオンの溶解性のために、問題を生じる。これらＭｇ2+イオンは、個々の粒子を取り囲む電気二重層を脱安定化する。したがって、スラリーでは、単独酸化物粒子の良好な脱凝集を達成できない。
【０００７】
この問題は、ＥＰ  ２５１４８５１  Ａ１に開示されているＡｌ−Ｍｇ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のスパッタリングターゲットの製造方法によって回避できる。スパッタリングターゲットの調製は、エタノール中で酸化物出発粉末を＜０．４ミクロンの平均粒径とする湿式ミル、この粉末の乾燥、及び、グラファイト型中での真空下のホットプレスを含む。生じるスパッタリングターゲットは、６ｍＯｈｍ・ｃｍ、又は２Ｏｈｍ・ｃｍの電気抵抗を有する。Ｇａ2Ｏ3の割合は０．１質量％未満であるが、この低含有量はスパッタリングターゲットから透明フィルムを得るのに十分であり、前記フィルムは湿潤雰囲気中の加熱後にはその低い電気抵抗を維持する。
【０００８】
ＵＳ  ２００９／１０１４９３  Ａ１は、さらに酸化ガリウム及び／又は酸化アルミニウムを含んでもよいＭｇ−Ｚｎ酸化物のスパッタリングターゲットを開示する。Ｍｇ割合は２〜３０原子％であり、Ｇａ2Ｏ3／Ａｌ2Ｏ3割合は３．２〜６．５原子％である。ターゲット材料は、焼結プロセスにより調製される。出発粉末を極めて微細に粉砕し（＜１μｍ）、そして、バインダーと共に加工してグラニュールにし、次いでプレスして成形体に加工し、焼結する。生じるターゲット材料は、ＺｎＯ中のＡｌ／Ｇａ及びＭｇの完全な固溶体からなる。ＸＲＤダイアグラムでは、ＭｇＯ相もＭｇＡｌ2Ｏ4混合相も見出せない。ターゲット材料の電気抵抗は約１ｍＯｈｍ・ｃｍである。
【０００９】
ＵＳ  ２０１２／０１５３２３７  Ａ１は、ＺｎＯとＣａ含有化合物及びＭｇ含有化合物の形の追加成分を基礎とするバリスター組成物を説明し、前記化合物はバリスター材料の誘電率を低下させるのに適しているものである。Ｍｇ含有添加剤はＭｇＯ又はＭｇＣＯ3であることが言及されている。双方の化合物はＺｎＯ結晶マトリックス中に高い溶解性を示し、結果として、ＺｎＯを有する固溶体が得られる。
【００１０】
技術的課題
しかし、完全な脱凝集は、十分に分散した酸化物混合物にとってもＺＡＭＯの場合に要求されるミル工程においても前提条件である。このことは、均一な酸化物分布を保証するためである。
【００１１】
したがって、とりわけスパッタターゲットから均一な光学層を製造するためのよりいっそう厳しい要求を対処する場合に、非導電性単独酸化物の単独挿入を回避することによる、スムーズなスパッタ挙動が希求されている。アーキング、選択スパッタリング及び不均一スパッタ層を結果として生じ得るので、スパッタリングターゲットにおける単独酸化物の富化は不利である。
【００１２】
出発材料として微細ミルされた粉末を使用することは、時間及び費用を伴う集中的なミル工程を要求し、必然的に摩耗を生じ、そうして粉末に不純物を導入し得る。
【００１３】
したがって、本発明の課題は、３Ｎ品質又はそれより良好な品質を有する高純度であり、かつ、均一な光学層を製造するのに適し、高品質要求を満たすターゲットを提供することである。
【００１４】
さらに、本発明の課題は、スパッタリングターゲットの安価な製造に適している方法を提供することである。
【００１５】
発明の一般的説明
前述の方法から出発して、この課題は、液体中の原材料の粉末の最高溶解度が２００ｍｇ／ｋｇ未満であり、かつ、液体が水を含み、かつ、ＭｇＣＯ3の粉末がＭｇＯの前駆体成分として使用される本発明の方法によって解決されている。
【００１６】
前記方法によれば、成分の粉末の湿式混合が提案される。湿式混合法では、混合装置から放出される不純物がより少ないため、最終生成物の高純度が維持できる。液体に溶解されるいずれかの成分の荷電したイオンにより引き起こされる脱凝集に対する不利な作用を回避するために、原材料の粉末がその中で低い溶解性を有する液体が使用される。この観点において、低い溶解性とは、可能な限り低い、すなわち、ここでは、原材料の成分の溶解される固形物含有量が液体１ｋｇあたり２００ｍｇ未満である、成分の溶解度を意味する。
【００１７】
乾燥後に、スラリーの十分に混合した酸化物は、より短い拡散経路のために、焼結の間の単独酸化物の間の固溶体の形成を支持する。さらに、十分に分散した出発混合物によって、バルク中の単独元素又は酸化物の富化が回避される。
【００１８】
単独相の酸化物の最小限の量を含むターゲットが得られる。かかる単独相の酸化物は、ターゲットの均一性ひいてはスパッタリング均一性に不利に作用する。微細構造は、ＺｎＯ及び三元及び二元酸化物から実質的になる。Ａｌ2Ｏ3又はＭｇＯのいずれかからなる単独成分の酸化物相を含まないか、又は、かかる単独成分の酸化物相を１質量％未満の量で含む。
【００１９】
混合工程において使用される液体は水を含み、かつ、ＭｇＣＯ3粉末がＭｇＯのための前駆体成分として使用される。ＭｇＣＯ3は、ＭｇＯに比較して水中で低い溶解性を有する。１ｋｇの蒸留水中のＭｇＣＯ3の比最高溶解度は、２００ｍｇ未満である。
【００２０】
ＭｇＣＯ3は、ＭｇＯの前駆体材料である．焼結前のか焼工程において、ＭｇＣＯ3は酸化されて、ＭｇＯを生じる。
【００２１】
本方法の好ましい実施態様において、液体中の混合は、湿式ミル工程を含み、ここで湿式混合は、１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満の平均粒径（ｄ90値）を有するが、１μｍ超のｄ50値を有する原材料の成分の微細粉末を生じる。
【００２２】
小さい粒径のために、かかる粉末は大きい表面積を有し、その結果、粉末混合物の高い焼結活性が達成され、このことは、焼結活性がより低い粉末混合物の場合に比較してより低い焼結温度を必要とする。焼結温度が低いと、焼結の間の過剰な粒度成長を回避し、そして、ＭｇＯ又はＡｌ2Ｏ3からなる酸化物相領域の量を最小限にすることに役に立つ。それにもかかわらず、上述の先行技術と比較すると、かかる粉末の平均粒径は、極めて大きい（ｄ50値＞１μｍ）。したがって、コスト集約的及び不純物感受性のミル工程は最小限にできる。
【００２３】
本方法の好ましい実施態様において、原材料の粉末は、以下の組成範囲（質量％）において提供される：
Ａｌ2Ｏ3：０．５〜５、好ましくは２〜４、
ＭｇＯ：０．５〜１５、好ましくは３〜９（残部＝ＺｎＯ）。
【００２４】
ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯスパッタリングターゲットに関して、上述の課題は、ＺｎＯ及び二元及び三元の酸化物からなるが、１質量％未満の量でＡｌ2Ｏ3又はＭｇＯのいずれかからなる単独成分の酸化物相を含む微細構造を含み、前記微細構造がジンカイト、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4）及びスピネル（ＭｇＡｌＯ4）の単相及び二相の領域を含む本発明のスパッタリングターゲットにより解消される。
【００２５】
理想的な場合には、ターゲット材料の微細構造は完全にＺｎＯ及び二元又は三元酸化物からなり、各々がいくつかの元素の固溶体を形成する。実地では、Ｘ線回折の検出限度未満である場合であっても、所定の量のＭｇＯ又はＡｌ2Ｏ3が含まれていてよい。元素分析によって、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及び酸素の均一分布を生じる。
【００２６】
本発明のターゲットは、バルク材料中のＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯに属する元素の均一な分布を有する微細粒度構造を有する。
【００２７】
しかし、いくつかの結晶相が含まれている。一般に、例えば上述の先行技術では、かかる結晶性の二元又は三元相なしの固溶体が求められている。これとは対照的に、スパッタリングターゲットの微細構造は、ジンカイト、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4）及びスピネル（ＭｇＡｌＯ4）の単元相及び二元相の領域を含み、好ましくはガーナイト相の領域は５μｍ未満の横方向寸法を、そしてスピネル相の領域は１μｍ未満の横方向寸法を有する。横方向寸法は平均値である。
【００２８】
上述のジンカイト、ガーナイト（ＺｎＡｌＯ4）及びスピネル（ＭｇＡｌＯ4）の領域は、比較的粗い出発粒度を使用する結果であることが見出された。粗粒は、ミル化のために比較的少ない時間及びエネルギーを必要とし、そして、摩耗及び摩損により引き起こされる不純物を少なく含有する。意外なことに、多結晶構造が極めて良好に作用することが見出された。高価な固溶体結晶相を求める代わりに、より粗い粉末又はより短いミル化を用いる、遙かに安価な構造もまた成功することが示されている。
【００２９】
かかるターゲットは、上述の通り、本発明の方法により得られる。
【００３０】
スパッタリングターゲットの好ましい実施態様において、組成（質量％）：ＺｎＯ  ９２／Ａｌ2Ｏ3  ３／ＭｇＯ  ５を特徴とする。
【００３１】
検出限度未満の無視できる量の他に、この材料は、Ａｌ2Ｏ3かＭｇＯのいずれからなる単独成分の酸化物相を含まないが、微細構造はほとんどＺｎＯ及び二元又は三元酸化物からなり、各々はいくつかの元素の固溶体を形成する。
【００３２】
スパッタリングターゲットの別の好ましい実施態様において、微細構造は５０００Å未満、好ましくは２０００Å未満の平均クリスタリットサイズを有する。
【００３３】
クリスタリットサイズは、Ｘ線回折により測定される。スパッタリングターゲット中の小さいクリスタリットサイズは、特に原材料の湿式混合工程の結果である。微細粒度の微細構造は、スパッタリング均一性において良好な結果を生じる。
【００３４】
スパッタリングターゲットの好ましい実施態様において、ターゲットの電気抵抗は５０ｍＯｈｍ・ｃｍ未満、好ましくは３０ｍＯｈｍ・ｃｍ未満である。
【００３５】
スパッタリングターゲットの好ましい実施態様において、スパッタリングターゲットは１００ｃｍ2超、好ましくは２００ｃｍ2超のタイルサイズを有するタイルの形で製造されている。
【００３６】
このタイルサイズは、比較的大きいタイルサイズであり、本発明の方法を用いて達成可能である。したがって、ターゲット中の結合ギャップの数を減少できる。
【００３７】
好ましい実施態様
本発明は、以下に実施例及び図面を参照してより詳細に説明される。図面は以下のことを示す。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、湿式ミル工程の仕上げ後のスラリーの粒度分布を示す図である。
【図２】図２は、先行技術による乾式混合法、本発明の湿潤混合法のいずれかにより製造したＺＡＭＯ材料から形成されるスパッタターゲットカソード（ＰＫ５００）のマイクロアーキングを示す図である。
【図３】図３は、焼結後の本発明の方法によるＺＡＭＯ材料を示す横断面研磨の写真である（アグロメラート及び相を示す）。
【図４】図４は、焼結及び引き続く熱エッチング後の本発明の方法によるＺＡＭＯ材料を示す横断面研磨の写真である（粒度を示す）。
【図５】図５は、ジンカイト、ガーナイト及びスピネルからなる結晶相の発生を示す本発明の方法によるＺＡＭＯ材料のＸＲＤ図を示す。
【実施例】
【００３９】
実施例１
水中でＺｎＯ（８６質量％）、Ａｌ2Ｏ3（３質量％）及びＭｇＣＯ3（１１質量％）の混合物を調製した。Ｎａ+含有分散剤を添加して、スラリーを安定化させ、かつ、スラリーの固形物充填量を増加させ、これは５５質量％であった。
【００４０】
スラリーを、直径１ｍｍのＺｒＯ2ミルボールを用いる高エネルギーボールミルにより処理した。ミル化の間にスラリーに０．０２５ｋＷｈ／ｋｇのエネルギーを付与した。ミル化の後に、スラリーの粒径測定により１μｍ未満のｄ10値、４μｍ未満のｄ90値が示された（図１参照）。図１の図中の左側の縦軸は量Ｑを［％］で示す。右側の縦軸は合計Ｓ［％］を示し、ｘ軸は粒径ｄ［μｍ］を示す。
【００４１】
ミル化後にスラリーの粒径測定によって、１μｍ未満のｄ10値、そして４μｍ未満のｄ90値が示された。引き続き、バインダー（すなわち、ＰＶＡ）を添加し、材料を噴霧乾燥した。ＺＡＭＯのアグロメラート及びグラニュールを得た。このグラニュールは、２０μｍ（ｄ10値）及び６０μｍ（ｄ90値）の間の粒径を有する。
【００４２】
グラニュールを５０ＭＰａでプレス成形し、３８０×１５０ｍｍ2のタイルを達成した。材料を脱バインダーし、か焼した。か焼は７００℃までの範囲で５Ｋ／ｈの速度で慎重に加熱することにより行い、グリーン成形体を破壊するＣＯ2からの高い内部ガス圧を回避した。次に、か焼を周囲雰囲気で１４００℃までで実施した。
【００４３】
５．２ｇ／ｃｍ3の密度を達成した。元素Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及び酸素の元素分布は均一であり、ＺｎＯベースのマトリックス中に隔絶された（insulated）Ａｌ2Ｏ3及びＭｇＯの単一相はほとんど見出せなかった。この組成物は、１％のスピネル、４％のガーナイト及び９５％のジンカイトを含んだ。
【００４４】
この材料の図３の写真は、ガーナイト「Ｇ」及びスピネル「Ｓ」のアグロメラート及び相を示す。エッチング後に得られたこの材料の図４の写真は、微細構造の粒度を示す。
【００４５】
図５のＸＲＤ分析図では、測定した回折強度Ｉを回折角２θに対してプロットしている。この図は、微細構造は、−検出限度内で−完全にＺｎＯから、及び二元又は三元酸化物、すなわちガーナイト及びスピネルからなることを示している。ＺｎＯの他に、この図は、ＭｇＯ又はＡｌ2Ｏ3からなる単独成分の酸化物相を表す線を示さない。
【００４６】
比較例１
ＺｎＯ（９０質量％）＋ＭｇＯ（１０質量％）の第１の粉末及びＡｌ2Ｏ3（５０質量％）＋ＭｇＯ（５０質量％）の第２の粉末の混合物（粒径は実施例１に示したものを有する）を乾式混合し、１４００℃まで熱処理した。
【００４７】
この混合した粉末のＸ線分析は、ＭｇＯの結晶性単独成分相もＡｌ2Ｏ3の結晶性単独成分相も示さず、しかしスピネル及びジンカイト相だけを示した（ＭｇＯの固溶体あり）。形成された混合粉末を、新たにＺｎＯと混合して、最終組成物ＺｎＯ（９０質量％）、Ａｌ2Ｏ3（３質量％）及びＭｇＯ（６質量％）を生じ、この粉末混合物の水中スラリーを調製した。Ｎａ+含有分散剤を添加して、スラリーを安定化させ、かつ、スラリーの固形物充填量を増加させ、これは５５質量％であった。
【００４８】
湿式ミルを実施例１に記載の通りに適用した。次に、バインダー（すなわちＰＶＡ）を添加し、材料を噴霧乾燥した。２０μｍ（ｄ10値）と６０μｍ（ｄ90値）の間のサイズを有するＺＡＭＯのアグロメラート又はグラニュールが形成された。このグラニュールを５０ＭＰａでプレス成形し、３８０ｍｍ×１５０ｍｍのタイルを得た。
【００４９】
脱バインダーを６００℃までの１０Ｋ／ｈでの加熱により生じせしめ、周囲雰囲気での焼結を１４００℃までの加熱により生じせしめた。
【００５０】
比較例２
ＺｎＯ（９２質量％）、Ａｌ2Ｏ3（３質量％）及びＭｇＯ（５質量％）の乾燥混合物を管状混合機中で５時間均一化した。混合の間に並行したミル化を、直径１０ｍｍのＺｒＯ2ミルボールを前記混合容器へと添加して適用した。
【００５１】
このミル工程が粉末混合物中に３０００質量ｐｐｍのＺｒＯ2不純物を付加したことが見出された。
【００５２】
この混合物を篩い分けし、５０ＭＰａでプレス成形して１００×１００ｍｍ2のサイズにした。ハンドリング／プレスの間に壊れるので、より大きいタイルサイズに成形することは不可能であった。
【００５３】
この工程を１４５０℃までの周囲雰囲気で焼結により終結させた。
【００５４】
４．８ｇ／ｃｍ3の密度が達成された。元素Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及び酸素の分布が不均一であることが見出され、そして、ＺｎＯベースのマトリックス中の隔絶されたＡｌ2Ｏ3及びＭｇＯの単一相がなお見出された。さらに、焼結されたバルクは巨視的スケールで多孔性を含んでいた。
【００５５】
スパッタリングターゲットの品質及びスパッタリング挙動の評価
実施例１の成形タイル及び比較例１の成形タイルを機械加工し、研削し、裏当て（backing）銅プレートに結合した。本発明の湿式混合ルートにより得られた実施例１については、ターゲット当たり少ない結合ギャップを有する３００×１００ｍｍ2のサイズの大きいタイルを調製し、使用できた。
【００５６】
一方で、比較例１による乾式混合ルートにより得られたターゲット材料は７５×７５ｍｍ2のタイルサイズとなり、その結果、このターゲットは、著しく多い量の結合ギャップを有する複数セグメントからなっていた。
【００５７】
ターゲットをスパッタリングトレイル（sputtering trail）において試験した。最初に、ターゲットをアルゴン雰囲気においてランプアップした。次に、５ｓｃｃｍのわずかな酸素をプレスパッタリング工程に使用した。３０分間の間に、出力を５．５→７．０→１０Ｗ／ｃｍ2まで高めた。各出力レベルで、ガラスプレート（８０×３０ｍｍ2）をコーティングした。各々の異なる出力レベルでアーキングを試験し、この結果を図２の図に示す。図２の図のｙ軸には、１秒当たりのマイクロアークの発生が、出力Ｐ［Ｗ／ｃｍ2］に対してプロットされている。
【００５８】
本発明により調製したターゲット（タイプＩ）も原材料の乾式混合により調製したターゲット（タイプＩＩ）も、５０ｎｍ＊ｍ／分の範囲で類似のスパッタ率を示す。
【００５９】
しかし、乾式混合により調製したターゲット（タイプＩＩ）についてのみ、ハードアークが観察された。１０Ｗ／ｃｍ2で、１秒当たり約１のハードアークが観察された。
【００６０】
最高出力レベルでの３６時間のスパッタリング後に、タイプＩ及びタイプＩＩのターゲットの表面は、以下のように著しく異なって見えた。
タイプＩ：滑らかな表面が観察された。
タイプＩＩ：ピン及びダスト堆積を伴う、粗くふぞろいの表面が達成された。
【図１】
2016510363.tif 000002
【図２】
2016510363.tif 000003
【図３】
2016510363.tif 000004
【図４】
2016510363.tif 000005
【図５】
2016510363.tif 000006
【国際調査報告】
2016510363.tif 000007
2016510363.tif 000008