(57)【要約】  本発明は、有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法を提供する。該方法は、基板（４１０）上に無機層を形成するステップと、前記無機層上に2本の金属配線（４０２、４０４）を含む金属層を形成するステップと、前記金属層の前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層（４０６）を形成するステップと、前記有機層上に酸化インジウムスズ層（４０８）を形成するステップと、フォトレジスト層を塗布するステップと、フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域Ｃを有し、前記光透過領域Ｃ内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。本発明は金属配線の間がショートするという状況の発生を回避することができる。
2016527692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法であって、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記フォトマスクの前記光透過領域の幅は前記フォトマスクの解像度であり、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項２】
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項３】
前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項４】
前記光非透過性材料の幅は１〜2ミクロンである、ことを特徴とする請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項５】
前記2本の金属配線をソースとする、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項６】
前記2本の金属配線をドレインとする、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項７】
前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項８】
前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項９】
有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを防止する方法であって、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む、ことを特徴とする有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１０】
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を除去するステップを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１１】
前記光非透光性材料の幅は2ミクロンより小さい、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１２】
前記光非透過性材料の幅は１〜2ミクロンである、ことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１３】
前記2本の金属配線をソースとする、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１４】
前記2本の金属配線をドレインとする、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１５】
前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【請求項１６】
前記2本の金属配線をウェットエッチング方法によって形成する、ことを特徴とする請求項９に記載の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光ダイオード表示装置の領域に関し、特に有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Organic  Light Emitting  Diode；OLED）表示装置は自発光、低消費電力及び広視野角という特徴を有しており、そのため将来成長する可能性が大きい表示装置として考えられている。
【０００３】
図1及び図2を参照すると、図1は従来技術における有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図であり、図2は図１における線分AA'に沿った断面図である。
【０００４】
前記有機発光ダイオード表示装置を製造するプロセスは、先ず、基板（未図示）上に複数の薄膜トランジスターを製造してスイッチング素子とし、次に、有機発光ダイオードを製造して発光素子とするというものである。
【０００５】
薄膜トランジスターと有機発光ダイオードを製造する主なステップは以下を含む。先ず、前記基板（未図示）の上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成し、次に無機層100を形成し、さらに前記無機層100上に金属層を形成する。前記金属層は金属配線102、104を含んでおり、それぞれ独立信号を伝送し、すなわち異なる信号の伝送に用いられる。続いて、前記金属配線102、104上に有機層106を形成し、次に前記有機層106上に酸化インジウムスズ層（Indium  Tin  Oxide；ITO）108を形成する。前記酸化インジウムスズ層108は、有機発光ダイオードの陽極とされる。続いて、前記酸化インジウムスズ層108上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成する。
【０００６】
しかし、前記有機発光ダイオード表示装置の製造プロセスにおいて、前記酸化インジウムスズ層108を堆積させ、且つ前記酸化インジウムスズ層108においてフォトレジスト層（未図示）を形成するが、前記有機層106の厚さが大きすぎるため、露光ステップを実施する際に、前記酸化インジウムスズ層108の底部は前記有機層106の頂部によって遮られて光線が届かない、すなわち前記有機層106にシャドー効果が発生するため、エッチングステップを実施し、さらに前記フォトレジスト層（未図示）を除去した後、図2に示すように、前記酸化インジウムスズ層108が残留し、それによって図1に示す金属配線102、104のショートを引き起こす。
【０００７】
したがって、従来技術において酸化インジウムスズ層108が残留することによって、金属配線102、104がショートするという問題に対する解決方法を提供する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避するための方法を提供することであって、それは従来技術において酸化インジウムスズ層が残留することによって、金属配線のショートが引き起こされるという問題を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明が提供する有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記フォトマスクの前記光透過領域の幅は前記フォトマスクの解像度であり、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、
前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
【００１０】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む。
【００１１】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい。
【００１２】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は１〜２ミクロンである。
【００１３】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はソースとされる。
【００１４】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属の配線はドレインとされる。
【００１５】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う。
【００１６】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成される。
【００１７】
上記問題を解決するため、本発明が提供する有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層上に2本の金属配線を含む金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、
フォトレジスト層を塗布するステップと、
フォトマスクによって前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトマスクに対応する前記2本の金属配線の間は光透過領域を有し、前記光透過領域内に光非透過性材料を配置し、前記光非透過性材料の幅を前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭くするステップと、前記フォトレジスト層に対して現像を行うステップと、
エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の一部分を除去するステップと、を含む。
【００１８】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、エッチングによって前記酸化インジウムスズ層と前記有機層の前記一部分を除去するステップを行った後、前記フォトレジスト層の余剰部分を剥離するステップを含む。
【００１９】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は2ミクロンより小さい。
【００２０】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記光非透過性材料の幅は１〜２ミクロンである。
【００２１】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はソースとされる。
【００２２】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はドレインとされる。
【００２３】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う。
【００２４】
本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法では、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法によって形成される。
【発明の効果】
【００２５】
従来技術と比較して、本発明の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法は、光非透過性材料を配置し、しかも前記光非透過性材料の幅は前記フォトマスクの前記光透過領域の幅より狭いので、エッチングステップを行う際に、前記有機層の厚さを低減させることができ、そのため前記酸化インジウムスズ層は完全にエッチングされて残留しなくなり、それによって前記2本の金属配線がショートするという状況の発生を回避することができる。
【００２６】
本発明の上記内容をより分かり易くするために、以下に実施例を挙げ、且つ図面と組み合わせて詳細な説明を行う。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図1は、従来技術における有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図である。
【図２】図2は、図１における線分AA'に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法のフローチャートである。
【図４】図4は、本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図である。
【図５】図５は、図4に本発明の方法を適用した平面図である。
【図６】図6は、図５における線分BB'に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下の各実施例に対する説明では図を参考にしており、それによって本発明の実施可能な特定の実施例を例示する。本発明で言及している方向に関する用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、及び「側面」等は、図を参考するための方向を示すものである。したがって、使用されている方向に関する用語は、本発明に対する理解と説明のために用いられているものであり、本発明を制限するものではない。
【００２９】
図3〜図6を参照すると、図3は、本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法のフローチャートであり、図4は本発明の実施例の有機発光ダイオード表示装置の一部素子のレイアウトの平面図であり、図5は図4に本発明の方法を適用した平面図であり、図6は図５における線分BB'に沿った断面図である。
【００３０】
ステップS300では、基板410を提供する。
ステップS302では、前記基板410上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成する。
【００３１】
なお、前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）の形成方式は従来技術と同じであり、且つ本発明の重点ではないので、図示していない。
【００３２】
ステップS304では、前記基板410上に無機層400を形成する。なお、前記無機層400が前記基板410上に形成する領域と前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）が前記基板410上に形成する領域は異なる。
【００３３】
ステップS306では、前記無機層400上に金属層を形成し、前記金属層は少なくとも2本の金属配線402、404を含み、該金属配線402、404はソース又はドレインとして、それぞれ独立信号を伝送し、すなわちそれぞれ異なる信号の伝送に用いられている。
【００３４】
前記2本の金属配線402、404は、例えば、ウェットエッチング（wet  etching）方法を用いて形成されてもよいが、これに制限されない。
【００３５】
ステップS308では、前記金属層の金属配線402、404上に有機層406を形成する。前記有機層406は少なくとも前記金属配線402、404の一部分を覆う。前記有機層406と前記無機層400は絶縁層として使用されており、それは平坦化機能を有し、それによって後続の有機発光ダイオードを製造する際の品質を高める。
【００３６】
ステップS310では、前記有機層406上に酸化インジウムスズ層（Indium  Tin  Oxide；ITO）408を形成し，前記酸化インジウムスズ層408は有機発光ダイオードの陽極とされる。
【００３７】
なお、有機発光ダイオードの位置は前記基板410の発光領域（未図示）に形成されるが、図4及び図5には薄膜トランジスター領域を示しており、そのため、前記酸化インジウムスズ層408（有機発光ダイオードの陽極とされる）は発光領域（未図示）のみに形成する必要があるが、図4及び図5に示されている薄膜トランジスター領域は前記酸化インジウムスズ層408を必要としないので、薄膜トランジスター領域に位置する前記酸化インジウムスズ層408を必ず除去しなければならない。
【００３８】
ステップS310では、フォトレジスト層（未図示）を塗布する。
ステップS312では、フォトマスク（未図示）によって前記フォトレジスト層（未図示）に対して露光を行い、前記フォトマスク（未図示）に対応する前記金属配線402、404の両者の間は光透過領域Cを有し、前記光透過領域C内には光非透過性材料420が配置され、前記光非透過性材料420の幅W1は前記フォトマスクの前記光透過領域Cの幅W2より狭く、前記光透過領域Cの幅W2は、前記フォトマスク（未図示）の解像度、すなわち露光機の解像度である。前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420は前記無機層400の一部分と前記有機層の一部分に対応する。
【００３９】
Canon社の露光機を例にすると、その解像度は2.5ミクロン（micrometer；μm）であるので，前記光非透過性材料420の幅W1は0より大きく、かつ２ミクロンより小さく設計しなければならないが、検証の結果によると、前記光非透過性材料420の幅W1は１〜2ミクロンであることが好ましい。
【００４０】
ステップS314では、前記フォトレジスト層（未図示）に対して現像を行う。
ステップS316では、エッチングを行って前記酸化インジウムスズ層408及び前記有機層406の一部分を除去する。前記光非透過性材料420の幅W1は前記光透過領域Cの幅W2より狭いので、エッチングステップを経た後に、前記有機層406に対応する前記光透過領域Cと前記光非透過性材料420の両者の間の領域は除去されており、その除去された部分は図６に示されている点線領域であり、前記有機層406に対応する前記光非透過性材料420の領域は除去されることはない。
【００４１】
図6に示すように、前記有機層406と前記無機層400の境界部分の厚さが減少するので（即ち点線領域が除去される）、前記有機層406のシャドー効果を消去することができ、前記酸化インジウムスズ層408は光が届かないことで、完全に除去できないことはなく、前記無機層400と前記有機層406の境界部分に前記酸化インジウムスズ層408が残留せず、したがって、図4の前記金属配線402、404の間がショートするという状況の発生を回避できる。
【００４２】
ステップS318では、前記フォトレジスト層の余剰部分を除去する。
ステップS320では、順次発光領域（未図示）の酸化インジウムスズ層上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成して、有機発光ダイオードの製造を完了する。
【００４３】
なお、前記発光層（未図示）及び前記陰極（未図示）の形成方法と従来技術は同じであり且つ本発明の重点ではないので、図示していない。
【００４４】
本発明は光非透過性材料420を配置し、しかも前記光非透過性材料420の幅W1は前記フォトマスクの前記光透過領域Cの幅W2より狭いので（ステップS314）、前記酸化インジウムスズ層408及び前記有機層406の一部をエッチングして除去する際に（ステップS320）、図6に示すように前記有機層406の厚さを減少することができ、したがって、前記酸化インジウムスズ層408は完全にエッチングされて残留することがなく、それによって図4に示す前記金属配線402、404の間がショートするという状況の発生を回避できる。
【００４５】
以上説明したように、本発明は既に実施例を上述のように挙げているが、上述の実施例は本発明を限定するためのものではなく、当業者は本発明の精神と範囲を逸脱しない前提で、様々な修正及び変更を行うことができるので、本発明の保護範囲は特許請求の範囲に記載された範囲を基準とする。
【図１】
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【図２】
2016527692.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2016527692.tif 000009
2016527692.tif 000010
2016527692.tif 000011
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