(57)【要約】  方法が、揮発性メモリと不揮発性メモリとを含む電子デバイスにおいて、動作モードからスリープモードへの遷移を開始することを含む。開始することに応答して、データが、揮発性メモリから不揮発性メモリにコピーされ、揮発性メモリの一部分が無効にされる。別の方法が、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリとを含む電子デバイスにおいて、低パフォーマンスモード条件が満たされていることを決定することを含む。読み取り専用データのメモリマッピングが、揮発性メモリから不揮発性メモリに更新される。第１のコピーを記憶する揮発性メモリの一部分が無効にされ、読み取り専用データのアクセスは、揮発性メモリの代わりに、不揮発性メモリに向けられる。
2016509283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を備える方法。
【請求項２】
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにコピーされる前記データは、データイメージを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データは、前記揮発性メモリデバイスからのデータ転送のために予約された前記不揮発性メモリデバイスの一部分にコピーされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記揮発性メモリデバイスの前記一部分への電力をオフにすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記揮発性メモリデバイスは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記揮発性メモリデバイスを無効にすることは、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスのリフレッシュを無効にすることを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＤＲＡＭは、２倍データレート（ＤＤＲ）シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）、またはこれらの任意の組み合わせを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記スリープモードから前記動作モードへの遷移に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーすることと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーする前の前記データに関連付けられるメモリマッピングは、前記データが前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスにコピーされた後も有効のままである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記揮発性メモリデバイスの特定の位置からコピーされたデータ要素は、前記揮発性メモリデバイスを有効にした後に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスの前記特定の位置にコピーされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記電子デバイスは、モバイル電話を備え、前記揮発性メモリデバイスは、マルチメディアデータに関連付けられ、前記モバイル電話は、モデムデータに関連付けられる第２の揮発性メモリデバイスを備え、前記第２の揮発性メモリデバイスは、前記スリープモード中に有効にされたままである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
前記第１のサイズ以上の第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするように構成されたデータ転送モジュールと、
を備える装置。
【請求項１４】
前記データ転送モジュールは、前記揮発性メモリデバイスと前記不揮発性メモリデバイスとに結合され、かつ前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成されたハードウェアを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記データ転送モジュールは、前記プロセッサに一体化されるか、前記プロセッサによって実行可能であるか、またはこれらの任意の組み合わせである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記データ転送モジュールは、前記プロセッサを介して前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサを介して前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーさせることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項１８】
第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするための手段と、
を備える装置。
【請求項１９】
電子デバイスにおいて低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることを決定することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む、
前記ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を備える方法。
【請求項２０】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記電子デバイスのバッテリの残りのバッテリ寿命がしきい値未満であることを決定することを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記ＬＰＭへの遷移を要求する入力を受信することを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーは、前記揮発性メモリデバイスの第１の物理アドレスにおいて記憶され、前記読み取り専用データの前記第２のコピーは、前記不揮発性メモリデバイスの第２の物理アドレスにおいて記憶され、
前記ＬＰＭ中に前記第２の物理アドレスを使用して前記読み取り専用データにアクセスすることをさらに備える、
請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＬＰＭ条件がもはや満たされていないという決定に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データの前記メモリマッピングを更新することと、
をさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データをコピーすることをさらに備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記不揮発性メモリデバイスは、直接実行（ＸＩＰ）動作をサポートするＮＯＲフラッシュメモリを備え、
前記ＬＰＭ中に、前記ＮＯＲフラッシュメモリから前記読み取り専用データの１つまたは複数の命令を実行することをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記メモリマッピングを更新する前に、割り込みを無効にすることと、前記メモリマッピングを更新した後に、割り込みを有効にすることとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてスレッドスケジューリングを中断することと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記スレッドスケジューリングを再開することとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてマルチスレッドモードからシングルスレッドモードへ切り替えることと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記シングルスレッドモードから前記マルチスレッドモードへ切り替えることとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいて変換索引バッファ（ＴＬＢ）の１つまたは複数のエントリを無効化することをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分のリフレッシュを無効にすることを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分をオフにすることを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３２】
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）において、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新し、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にし、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向ける、
ように構成されたプロセッサと、
を備える装置。
【請求項３３】
前記プロセッサは、ＬＰＭ条件が満たされているかどうかを決定するようにさらに構成される、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
前記揮発性メモリデバイスは、第２の読み取り専用データのコピーをさらに記憶し、前記第２の読み取り専用データは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、請求項３２に記載の装置。
【請求項３５】
前記揮発性メモリデバイスは、読み書きデータのコピーをさらに記憶し、前記読み書きデータは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、請求項３２に記載の装置。
【請求項３６】
前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、電子デバイスの特定のサブシステムに関連付けられ、前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、前記サブシステムに対応するイメージを生成するリンカによって別々にグループ化される、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む電子デバイスにおいて、低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項３８】
前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することを行わせる命令をさらに備える、請求項３７に記載のコンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項３９】
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段と、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段と、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段と、
を備える装置。
【請求項４０】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定するための手段をさらに備える、請求項３９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本開示は、一般に不揮発性メモリの使用を介して揮発性メモリの電力消費を低減させるシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]モバイル電話のようなポータブルコンピューティングデバイスがより小型になるにつれて、バッテリ寿命に対する半導体リーク電流の悪影響は増大しうる。例えば、半導体リーク電流は、モバイル電話のスリープフロア電流（sleep floor current）を増大させることができ、ここで、スリープフロア電流は、モバイル電話がスリープモード、および／またはアイドルモード、スタンバイモードなどのような何らかの他の省電力状態にある間にモバイル電話において流れる電流の最小量を表す。モバイル電話がアイドルスタンバイモードにある場合、モバイル電話は、９５％以上の時間、スリープモードにありうることが推定される。したがって、たとえ小量でさえスリープフロア電流を低減させることは、アイドルスタンバイバッテリ寿命における大きな増大をもたらしうる。
【０００３】
[0003]ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を利用するモバイル電話において、スリープフロア電流の大部分は、ＤＲＡＭの周期的なリフレッシュによるものでありうる。スリープフロア電流に対するメモリリフレッシュの寄与を低減させる１つの方法は、パーシャルアレイセルフリフレッシュ（ＰＡＳＲ）を使用することある。ＰＡＳＲでは、ＤＲＡＭの「上部」（または「下部」）半分のページにおけるデータが、ＤＲＡＭの「下部」（または「上部」）半分のページに移行される。ページ移行が完了した後、メモリの「下部」（または「上部」）半分は、スリープモード中にリフレッシュされることができるが、メモリの「上部」（または「下部」）半分は、リフレッシュされず、これは、使用されるメモリリフレッシュ電流の全体量を低減させることができる。しかしながら、ＰＡＳＲは、５０％より多くのＤＲＡＭがもともと利用されている場合、不都合になりうる。ＤＲＡＭの５０％より多くが利用されている場合、データを圧縮することなく、ＤＲＡＭの２分の１にすべてのデータを統合する（consolidate）ことは、可能でない場合があり、これは、時間がかかりうる。余分なデータは、削除されることができ、またはスリープモード中にＤＲＡＭのリフレッシュされない半分において劣化するままに放置されることができる。
【０００４】
[0004]ＰＡＳＲに伴うページ移行はまた、時間がかかり、バッテリ集中的（battery intensive）でありうる（例えば、ページ移行は、２５０ミリアンペア（ｍＡ）において１０〜４０秒かかりうる）。さらに、逆ページ移行が、使用中のメモリ割り当て管理（例えば、動作システムのメモリ割り当て管理ソフトウェア）に依存して、スリープモード外へ遷移するときに実行されうる。ページ移行はまた、ＤＲＡＭにおける空きページの位置が、ページ移行が始まった後までは、知られることができないので、インプリメントするのが困難でありうる。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]電力消費を低減させるための動的メモリ管理のシステムおよび方法が開示される。説明される技法、またはその部分は、電子デバイスのスリープモード中、電子デバイスの通常動作モード中、またはこれらの任意の組み合わせにおいて使用されうる。
【０００６】
[0006]例えば、第１の技法は、スリープフロア電流を低減させるために、電子デバイスにおいて不揮発性メモリを利用することを伴いうる。例示すると、揮発性メモリ（例えば、ＲＡＭ）に加えて、モバイル電話または他の電子デバイスは、ＮＯＲフラッシュ、ＮＡＮＤフラッシュ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ：embedded MultiMediaCard）などのような、不揮発性メモリを含みうる。不揮発性メモリの一部分は、揮発性メモリからのデータ転送のために予約または割り当てられうる。モバイル電話がスリープモードに遷移するとき、揮発性メモリからのデータは、不揮発性メモリの予約された部分へ、アドレスによる順序で転送されうる。スリープモード中、揮発性メモリは、オフにされることができ、これは、ＤＲＡＭセルフリフレッシュを回避することによって、スリープフロア電流を低減させる。スリープモードを抜け出すとき、データは、不揮発性メモリからアドレスによる順序で揮発性メモリにコピーし戻されうる。データが、アドレスによる順序で揮発性メモリへおよび揮発性メモリから転送されるので、スリープモードより前に使用されていたメモリマッピングは、スリープモードを抜け出した後も有効なままである。揮発性メモリと不揮発性メモリの間の転送メカニズムは、プロセッサ独立であることができ（例えば、ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）エンジン、ダイレクトバス接続などを使用する）、またはプロセッサを伴うことができる（例えば、各データ要素は、コピー中にプロセッサを通過することができる）。
【０００７】
[0007]別の例として、第２の技法は、通常（例えば、非スリープ）モード中にバッテリ寿命をモニタすることを伴いうる。バッテリ寿命がしきい値を下回るとき、電子デバイスは、低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）に入りうる。また、ユーザコマンドに応答して、ＬＰＭに入ることができる。ＬＰＭは、低減されたパフォーマンスにもかかわらず、ＬＰＭが連続したシステム動作を提供しうるという点において、スリープモードとは異なりうる。ＬＰＭ中、読み取り専用データは、揮発性メモリからの代わりに、不揮発性メモリからアクセスされうる。ＬＰＭに入る際に、読み取り専用データのためのメモリマッピングは、揮発性メモリにおける物理アドレスの代わりに、不揮発性メモリにおける物理アドレスを指し示すように変更されうる。例示すると、不揮発性メモリは、記憶されたコードを実行するための直接実行（ＸＩＰ：execute-in-place）動作を有効にするＮＯＲフラッシュメモリでありうる。ＬＰＭ中、読み取り専用データを記憶する揮発性メモリ部分のセルフリフレッシュは、読み取り専用データが代わりに不揮発性メモリからアクセスされているので、無効にされうる。代替として、その揮発性メモリ部分は、ＬＰＭ中に全体的に（altogether）オフにされうる。
【０００８】
[0008]特定の実施形態では、方法が、電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することを含む。電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを含む。この方法はまた、開始することに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることを含む。この方法は、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にすることをさらに含む。
【０００９】
[0009]別の特定の実施形態では、装置が、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを含む。この装置はまた、動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にするように構成されたプロセッサを含む。この装置は、開始することに応答して、およびスリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にする前に、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするように構成されたデータ転送モジュールをさらに含む。
【００１０】
[0010]別の特定の実施形態では、コンピュータ可読記憶デバイスが、命令を含み、この命令は、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することを行わせる。電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを含む。これら命令はまた、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、開始することに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることを行わせる。これら命令は、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にすることをさらに行わせる。
【００１１】
[0011]別の特定の実施形態では、装置が、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを含む。この装置はまた、動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にするように構成されたプロセッサを含む。この装置は、開始することに応答して、およびスリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にする前に、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするための手段をさらに含む。
【００１２】
[0012]別の特定の実施形態では、方法が、電子デバイスにおいて低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件（condition）が満たされていることを決定することを含む。電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む。この方法はまた、ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新することを含む。この方法は、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データに関するアクセス要求を向けること（directing）とをさらに含む。
【００１３】
[0013]別の特定の実施形態では、装置が、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む。この装置はまた、ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新するように構成されたプロセッサを含む。プロセッサは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスの一部分を無効にし、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるようにさらに構成される。
【００１４】
[0014]別の特定の実施形態では、コンピュータ可読記憶デバイスが、命令を含み、この命令は、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新することを行わせる。ＬＰＭ条件は、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む電子デバイスにおいて満たされる。これら命令は、プロセッサによって実行されると、プロセッサに、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることとをさらに行わせる。
【００１５】
[0015]別の特定の実施形態では、装置が、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む。この装置はまた、ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段を含む。この装置は、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段と、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段とをさらに含む。
【００１６】
[0016]開示された実施形態のうちの少なくとも１つによって提供される１つの特定の利点は、スリープモードへの遷移に応答して、揮発性メモリから不揮発性メモリにデータをコピーした後、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、スリープフロア電流を低減させる能力である。別の特定の利点は、揮発性メモリからの代わりに、不揮発性メモリからの読み取り専用データにアクセスすることによって、メモリリフレッシュ電流を低減させる能力である。本開示の他の態様、利点、および特徴が、下記のセクション：図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲、を含む本願全体のレビュー後に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、揮発性メモリから不揮発性メモリへのプロセッサ独立のデータ転送の後に、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、揮発性メモリの電力消費を低減させるように動作可能なシステムの特定の実施形態を例示する図である。
【図２】図２は、揮発性メモリから不揮発性メモリへのプロセッサ依存のデータ転送の後に、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、揮発性メモリの電力消費を低減させるように動作可能なシステムの特定の実施形態を例示する図である。
【図３】図３は、図１−図２のデータ転送動作の特定の実施形態を例示する図である。
【図４】図４は、読み取り専用データに関して、揮発性メモリの電力消費を低減させるように動作可能なシステムの特定の実施形態を例示する図である。
【図５】図５は、図１−図２のシステムにおける動作の方法の特定の実施形態を例示するフローチャートである。
【図６】図６は、図４のシステムにおける動作の方法の特定の実施形態を例示するフローチャートである。
【図７】図７は、不揮発性メモリの使用を介して、揮発性メモリの電力消費を低減させるように動作可能なコンポーネントを含む通信デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0024]図１は、揮発性メモリから不揮発性メモリへのプロセッサ独立のデータ転送の後に、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、揮発性メモリの電力消費を低減させるシステム１００の特定の実施形態を例示する図である。システム１００は、第１の揮発性メモリデバイス１０４に結合されたプロセッサ１０２を含むことができ、また、システム１００は、不揮発性メモリデバイス１０８を含むか、またはそれに結合されることができる。特定の実施形態では、図１のシステム１００は、モバイル電話、タブレットコンピューティングデバイス、ラップトップコンピューティングデバイスなどのような、電子デバイス内に含まれうる。
【００１９】
[0025]特定の実施形態では、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を含む。例えば、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、シングルランクまたはデュアルランクの２倍データレート（ＤＤＲ）シンクロナスＤＲＡＭデバイス（ここで「ＤＤＲ」とも呼ばれる）のような、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイスでありうる。第１の揮発性メモリデバイス１０４がＤＲＡＭを含む場合、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、システム１００が非アクティブまたはスリープモードにあるときでさえも、ＤＲＡＭに記憶されたデータをリフレッシュおよび維持するために電力（例えば、バッテリ電力）を消費しうる。しかしながら、ここにさらに説明されるように、第１の揮発性メモリデバイス１０４の電力消費は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８へデータを転送した後に、第１の揮発性メモリデバイス１０４またはその一部分を無効にすることを伴う技法を介して低減されうる。
【００２０】
[0026]不揮発性メモリデバイス１０８は、ディスクベースのメモリ、フラッシュメモリ、個体メモリ（solid state memory）、または何らかの他のタイプの不揮発性メモリを含みうる。例えば、不揮発性メモリデバイス１０８は、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。特定の実施形態では、不揮発性メモリデバイス１０８の部分１１０が、第１の揮発性メモリデバイス１０４からのような、システム１００における揮発性メモリからのデータ転送のために予約または割り振られうる。したがって、不揮発性メモリデバイス１０８の全容量未満が、汎用記憶（general storage）（例えば、アプリケーション／ユーザデータの記憶）のために利用可能である。しかしながら、不揮発性メモリ１０８が揮発性メモリデバイス１０４よりも実質的に大きくあることができるので、データ転送のために部分１１０を予約することは、パフォーマンスまたはユーザ体験に対して顕著な影響を及ぼさないことがある。
【００２１】
[0027]特定の実施形態では、予約された部分１１０のサイズは、第１の揮発性メモリデバイス１０４の容量または第１の揮発性メモリデバイス１０４の容量の小部分（fraction）に等しい。例えば、不揮発性メモリデバイス１０８は、１６ギガバイト（ＧＢ）のｅＭＭＣであることができ、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、５１２メガバイト（ＭＢ）のＤＤＲであることができる。したがって、一例として、ｅＭＭＣの５１２ＭＢまたは２５６ＭＢが、ＤＤＲからのデータの転送のために予約されうる。複数のＤＤＲが存在する場合、予約された部分１１０のサイズは、複数のＤＤＲのうちの１つの容量または容量の小部分、複数のＤＤＲのうちのすべてではないが１つより多くの容量または容量の小部分の合計、または複数のＤＤＲのうちのすべての容量または容量の小部分の合計に等しくなりうる。
【００２２】
[0028]図１に示されるように、第１の揮発性メモリデバイス１０４と不揮発性メモリデバイス１０８の間のデータ転送は、プロセッサ１０２と独立して（例えば、転送されたデータをプロセッサ１０２に送ることなく）実行されうる。例えば、データ転送モジュール１０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４と、不揮発性メモリデバイス１０８とに結合されうる。例示すると、データ転送モジュール１０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８に、およびその逆も同様に、データをコピーするように構成された、ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）エンジンまたはコントローラ、ダイレクトデータバス接続などのようなハードウェアを含みうる。
【００２３】
[0029]特定の実施形態では、プロセッサ１０２にデータを送ることなくデータを転送するためにデータ転送モジュール１０６を使用することは、データの低電力高速転送を有効にする。例えば、データ転送モジュール１０６は、プロセッサ１０２が電力崩壊（power-collapsed）している（例えば、スリープモードにある）間、一秒未満で５１２ ＭＢ ＤＤＲの全コンテンツ（または５１２ ＭＢ ＤＤＲのコンテンツの小部分）を転送しうる。一旦、第１の揮発性メモリデバイス１０４の全コンテンツまたはコンテンツの一部分が、不揮発性メモリデバイス１０８にコピーされると、第１の揮発性メモリデバイス１０４または第１の揮発性メモリデバイス１０４の一部分は、スリープモード中に無効にされうる。例えば、第１の揮発性メモリデバイス１０４または第１の揮発性メモリデバイス１０４の一部分を無効にすることは、第１の揮発性メモリデバイス１０４をオフにすることまたは第１の揮発性メモリデバイス１０４の対応する部分をオフにすること、第１の揮発性メモリデバイス１０４のリフレッシュを無効にすることまたは第１の揮発性メモリデバイス１０４の対応する部分のリフレッシュを無効にすること、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。システム１００がスリープモードから抜け出すとき、データ転送モジュール１０６は、不揮発性メモリデバイス１０８からもとの第１の揮発性メモリデバイス１０４にデータをコピーするために使用されうる。
【００２４】
[0030]特定の実施形態では、データは、アドレスによる順序で、第１の揮発性メモリデバイス１０４と不揮発性メモリデバイス１０８の間でコピーされる。ここで使用される場合、「アドレスによる順序で」データをコピーすることは、揮発性メモリデバイスからコピーされたデータの各要素が、揮発性メモリデバイスを無効にする前にそれがそこからコピーされた同じ位置において揮発性メモリデバイスに書き戻されることを意味する。例えば、第１の揮発性メモリデバイス１０４全体のデータイメージ（例えば、スナップショット）（例えば、５１２ＭＢデータイメージ）は、ＤＤＲの第１の揮発性メモリデバイス１０４全体が、アクティブなデータ（例えば、システム１００においてソフトウェアアプリケーションおよび／またはハードウェアコンポーネントによって使用されているデータ）を記憶していたか否かにかかわらず、不揮発性メモリデバイス１０８にコピーされうる。第１の揮発性メモリデバイス１０４全体のデータイメージを生成およびコピーすることは、データを圧縮すること、または不揮発性メモリデバイス１０８に対してアクティブなデータのみの位置を突き止め（locating）およびコピーすることよりもより速くなりうる。さらに、不揮発性メモリデバイス１０８のサイズは、第１の揮発性メモリデバイス１０４のサイズよりも著しく大きくなりうるので、第１の揮発性メモリデバイス１０４全体のスナップショットをコピーすることの記憶コストは、比較的小さく、ユーザにとって受け入れ可能でありうる。加えて、データは、アドレスによる順序で第１の揮発性メモリデバイス１０４へおよび第１の揮発性メモリデバイスから転送されるので、スリープモードの前に使用されていたメモリマッピング（例えば、仮想アドレスから物理アドレスへのマッピング）は、スリープモードを抜け出した後も有効なままでありうる。さらに、パーシャルアレイセルフリフレッシュ（ＰＡＳＲ）システムとは異なり、データ損失は、第１の揮発性メモリデバイス１０４が５０％より多く一杯になったときに回避されうる。
【００２５】
[0031]動作中、通常またはアクティブな動作モードからスリープモードへの遷移が開始されうる。例えば、プロセッサ１０２、または何らかの他のコンポーネント（例えば、電力コントローラ）は、ユーザ入力（例えば、ユーザが電子デバイスの電源またはスタンバイボタンを押下すること）に基づいて、または、イベントまたは割り込み（interrupt）（例えば、タイムアウト）に基づいて、スリープモードへの遷移を開始しうる。１２０において示されるように、スリープモードへの遷移の開始に応答して、データ転送モジュール１０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８にデータをコピーしうる。特定の実施形態では、プロセッサ１０２は、コピーをトリガーするために、データ転送モジュール１０６にメッセージを送る。
【００２６】
[0032]データがコピーされた後、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、無効にされうる。例えば、第１の揮発性メモリデバイス１０４への電力は、（例えば、イネーブル信号または電力信号をディアサートすることによって）オフにされることができ、および／または、第１の揮発性メモリデバイス１０４のリフレッシュは、（例えば、リフレッシュ信号をディアサートすること、または第１の揮発性メモリデバイス１０４に関連付けられるレジスタまたは他のメモリにおける構成値（configuration value）を設定することによって）停止されることができる。特定の実施形態では、プロセッサ１０２、または何らかの他のコンポーネント（例えば、電力コントローラ）は、第１の揮発性メモリデバイス１０４を無効にしうる。したがって、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、スリープモード中にＤＲＡＭデバイスをリフレッシュする既存のシステムと比べて、スリープモードにおいてより少ない電力を消費しうる。プロセッサ１０２および／または不揮発性メモリデバイス１０８のような、システム１００の他のコンポーネントもまた、スリープモード中に無効にされうる。１３０において示されるように、スリープモードからもとの通常またはアクティブな動作モードへ遷移することに応答して、第１の揮発性メモリデバイス１０４は有効にされ、不揮発性メモリデバイス１０８に記憶されたデータは、不揮発性メモリデバイス１０８から第１の揮発性メモリデバイス１０４にコピーし戻される。
【００２７】
[0033]特定の実施形態では、追加の揮発性メモリデバイスがまた、システム１００において存在しうる。例えば、第２の揮発性メモリデバイス１１２が、プロセッサ１０２に結合されうる。代替として、揮発性メモリデバイス１０４、１１２は、マルチランクＤＤＲの異なるランクでありうる。例えば、第１の揮発性メモリデバイス１０４は、１ＧＢ ＤＤＲの５１２ＭＢ下位ランクであることができ、第２の揮発性メモリデバイス１１２は、１ＧＢ ＤＤＲの５１２ＭＢ上位ランクであることができる。追加の不揮発性メモリデバイスおよび／またはプロセッサがまた、システム１００において存在しうる。したがって、ここに説明される様々なデバイスの数、構成、容量、およびタイプは、限定的ではなく、単に例示的であると考えられるべきである。複数の揮発性メモリデバイスが存在する（またはマルチランク揮発性メモリデバイスが存在する）場合、任意の数の揮発性メモリデバイス（またはランク）からのデータは、スリープモードの開始に応答して、不揮発性メモリデバイス１０８へ転送されうる。
【００２８】
[0034]例えば、モバイル電話が２つのＤＤＲ（またはデュアルランクＤＤＲ）を含む場合、一方のＤＤＲ（またはランク）は、マルチメディアアプリケーション／データ専用であることができ、他方のＤＤＲ（またはランク）は、モデムアプリケーション／データおよび他の「クリティカル（critical）」データ専用であることができる。その場合、マルチメディアＤＤＲ（またはランク）からのデータは、不揮発性メモリにコピーされることができ、マルチメディアＤＤＲ（またはランク）は、電力を保存するために、スリープモード中に無効にされることができる。しかしながら、モデムアプリケーション／データは、モデムＤＤＲ（またはランク）中に残り、モデムＤＤＲ（またはランク）は、スリープモード中にセルフリフレッシュを実行し続けうる。スリープモード中にモデムＤＤＲ（またはランク）中にモデムデータおよび他のクリティカルデータを維持することは、モバイル電話が、ページングサイクルのような、無線サイクルによりすばやく応答することを可能にしうる。いくつかの実施形態では、モバイル電話のスクリーンロック解除（unlock screen）のような、ある特定のアプリケーションまたはユーザインタフェース（ＵＩ）データは、モバイル電話がスリープモードを抜け出すときにユーザ入力に対して応答するように、モデムＤＤＲ（またはランク）中に維持されることができ、これは、ユーザ体験を改善することができる。
【００２９】
[0035]他のメモリ構成も、図１のシステム１００から利益を得ることができることが理解されるであろう。例えば、マルチメディアメモリの全コンテンツおよびモデムメモリの非クリティカル部分（例えば、下位ランク）は、ディスクに転送されることができ、一方、モデムメモリのクリティカル部分（例えば、上位ランク）は、スリープモードにおいてリフレッシュされ続けることができる。
【００３０】
[0036]特定の実施形態では、図１のシステム１００は、揮発性メモリに記憶されたある特定のデータの選択的な優先順位付けをサポートしうる。例えば、（例えば、アプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）、コンパイラ、リンカなどを介して）アプリケーション開発者または（例えば、グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）オプションを介して）ユーザは、（例えば、アプリケーションまたは動作システムによって要求される）ダイナミックメモリの割り当てまたは（例えば、アプリケーションまたは動作システムによって要求される）データのローディングが、スリープモード中に有効にされたままであるより高い優先順位の揮発性メモリにおいて行われるべきあるか、あるいはデータが不揮発性メモリへ転送された後、スリープモード中に無効にされるより低い優先順位の揮発性メモリにおいて行われるべきであるかを指定することが可能になりうる。
【００３１】
[0037]したがって、図１のシステム１００は、揮発性メモリから不揮発性メモリにデータをコピーすることおよびスリープモード中に、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、スリープフロア電流を低減させることができ、それによって、揮発性メモリに対する、電力を消費するセルフリフレッシュ動作を回避する。有利なことに、データ転送動作は、ＰＡＳＲに関連付けられるページ移行に比べて、より計算および電力集約的でないことがありうる。例えば、データ転送動作は、専用ハードウェア（例えば、データ転送モジュール１０６）を使用して実行されうる。さらに、図１のシステム１００は、電力低減とパフォーマンスとをバランスさせるために、ダイナミックメモリ管理を有効にしうる。例えば、１つのＤＤＲ（またはランク）からのよりクリティカルでないデータは、このＤＤＲ（またはランク）がスリープモード中に無効にされることができるように、不揮発性メモリにコピーされることができるが、よりクリティカルなデータは、スリープモード中／後の応答性およびパフォーマンスを改善するために、スリープモード中に別のＤＤＲ（またはランク）中に維持されることができる。
【００３２】
[0038]図２は、揮発性メモリから不揮発性メモリへのプロセッサ依存のデータ転送の後に、揮発性メモリまたはその一部分を無効にすることによって、揮発性メモリの電力消費を低減させるシステム２００の特定の実施形態を例示する図である。システム２００は、プロセッサ１０２、第１の揮発性メモリデバイス１０４、および第１の揮発性メモリデバイス１０４からのデータ転送のために予約された部分１１０を含む不揮発性メモリデバイス１０８を含みうる。
【００３３】
[0039]図２は、プロセッサ１０２内のデータ転送モジュール２０６を例示する。例えば、データ転送モジュール２０６は、プロセッサ１０２に一体化されたハードウェアおよび／またはプロセッサ１０２によって実行可能な命令を使用してインプリメントされうる。データ転送モジュール２０６は、プロセッサ１０２を介して、第１の揮発性メモリデバイス１０４と不揮発性メモリデバイス１０８の間でデータを転送するように構成されうる。
【００３４】
[0040]例えば、２２０において示されるように、スリープモードへの遷移の開始に応答して、データ転送モジュール２０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８の予約された部分１１０へのデータイメージ（例えば、スナップショット）のプロセッサ支援型の（例えば、ソフトウェアベースの）コピーを実行しうる。別の例として、２３０において示されるように、スリープモード外への遷移に応答して、データ転送モジュール２０６は、不揮発性メモリデバイス１０８の予約された部分から第１の揮発性メモリデバイス１０４へのデータイメージ（例えば、スナップショット）のプロセッサ支援型の（例えば、ソフトウェアベースの）コピーを実行しうる。
【００３５】
[0041]したがって、図２は、図１に例示されたものに対する代替のデータ転送メカニズムを例示する。図１のハードウェアベースのプロセッサ独立のメカニズムがより速くデータ転送を実行しうる一方で、図２のプロセッサ支援型の（例えば、ソフトウェアベースの）メカニズムは、製造のコストを増大させうる追加のハードウェア要素を導入することなく、既存の電子デバイスにおいてインプリメントされうる。
【００３６】
[0042]図３は、図１−図２のデータ転送動作の特定の実施形態を例示し、全般的に３００と指定される。図３は、ＲＡＭ ３１０およびディスク３２０を例示する。例えば、ＲＡＭ ３１０は、図１−図２の第１の揮発性メモリデバイス１０４または図１の第２の揮発性メモリデバイス１１２でありうる。ディスク３２０は、図１−図２の不揮発性メモリデバイス１０８でありうる。
【００３７】
[0043]図１−図２に関して説明されたように、ＲＡＭ ３１０とディスク３２０の間のデータ転送は、アドレスによる順序で実行されうる。データ転送の前に、メモリマッピング３３０は、使用中であることができ、ＲＡＭ ３１０は、Ａ−Ｆとラベル付けされた５つのファイル（例えば、データファイルまたはコードファイル）を記憶することができる。これらファイルの各々は、示されるように、１つまたは複数の部分（例えば、ページ）を含みうる。例えば、ファイルＡは、８つの部分を含むことができ、ファイルＢ−Ｆは、２つの部分をそれぞれ含むことができる。メモリマッピング３３０は、これらファイルの各々の開始アドレスを示しうる。例えば、示されるように、ファイルＡの開始アドレスは、０ｘ００００であることができ、ファイルＤの開始アドレスは、０ｘ００１Ｆであることができる。
【００３８】
[0044]スリープモードへの遷移の開始に応答して、ＲＡＭ ３１０のデータイメージ（例えば、スナップショット）は、ディスク３２０の予約された部分３２２にコピーされうる。図３に例示されるように、各ファイルの各部分は、ディスク上の対応する位置にコピーされることができ、ファイルの複数の部分の相対的な順序および配置は、維持される。スリープモード外への遷移に応答して、データイメージは、ＲＡＭ ３１０にコピーし戻されうる。したがって、スリープモードの前に使用されていたメモリマッピング３３０は、スリープモードを抜け出した後も有効のままでありうる。例えば、示されるように、ファイルＡの８つの部分３１２は、アドレス０ｘ０００７において位置し続けうる。
【００３９】
[0045]図３に示されるように、（例えば、圧縮および／または再配置なしに）アドレスによる順序でデータをコピーすることおよびメモリマッピングを保存することは、メモリ管理を単純化し、図１−図２のシステムに関連付けられる準備／クリーンアップ動作を低減させうることが理解されるであろう。
【００４０】
[0046]図４は、読み取り専用データに関して、揮発性メモリの電力消費を低減させるように動作可能なシステム４００の特定の実施形態を例示する図である。図１−図３が、電子デバイスがスリープモードにある間にスリープフロア電流を低減させる技法を例示する一方で、図４は、「通常」（例えば、アクティブな）動作モード中に適用されうる技法を例示する。システム４００は、揮発性メモリデバイス（例えば、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）４０２）および不揮発性メモリデバイス（例えば、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４）を含む。図４の実施形態では、ＳＤＲＡＭ ４０２は、４つのバンク（バンク０−３）を有する。バンクごとの電力制御は、ここでさらに説明されるように、独立でありうる。
【００４１】
[0047]動作中、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４に記憶されたデータの１つまたは複数のセグメントのコピーが、ＳＤＲＡＭ ４０２へロードされうる。例えば、特定のアプリケーションが実行中であるとき、このアプリケーションに関連付けられるデータは、より速いアクセスのためにＳＤＲＡＭ ４０２へロードされうる。一般に、電子デバイスに関連付けられるデータは、２つのカテゴリに分けられうる−読み取り専用（「ＲＯ」）データおよび読み書き（「ＲＷ」）データ。読み取り専用データは、修正可能ではなく（例えば、読み取り要求の対象となるが、書き込み要求の対象とはならない）、一方で、読み書きデータは、修正可能である（例えば、読み取り要求と書き込み要求の両方の対象となる）。電子デバイスにおける各アプリケーションおよびサブシステム（例えば、動作システムのサブシステム）は、読み取り専用データおよび読み書きデータを含むか、またはそれらに関連付けられうる。例えば、図４に示されるように、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４は、サブシステム０、サブシステム１、サブシステム２、サブシステム３、およびサブシステム４に関連付けられる読み取り専用データおよび読み書きデータを記憶しうる。ＮＯＲフラッシュメモリ４０４はまた、「クリティカル」読み取り専用データ（例えば、無線電話の場合は、モデム用の読み取り専用データ）を記憶しうる。
【００４２】
[0048]図４に示されるように、様々な読み取り専用および読み書きデータのコピーが、ＳＤＲＡＭ ４０２へロードされうる。例えば、サブシステム１の読み取り専用データの第１のコピー４１０およびサブシステム２の読み取り専用データの第１のコピー４１２が、ＳＤＲＡＭ ４０２に記憶されうる。サブシステム１の読み取り専用データの第２のコピー４２０およびサブシステム２の読み取り専用データの第２のコピー４２２は、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４に記憶されうる。データがＳＤＲＡＭ ４０２からアクセスされている場合、このデータのためのメモリマッピングは、ＳＤＲＡＭ ４０２を識別しうる。例えば、メモリマッピング４４０（例えば、メモリ管理ユニット（ＭＭＵ）テーブル）において示されるように、「クリティカル」読み取り専用データ４３０は、ＳＤＲＡＭのバンク３に位置する物理アドレスからアクセスされうる。
【００４３】
[0049]動作中、電子デバイスは、バッテリ寿命をモニタしうる。バッテリ寿命がしきい値（例えば、１０％）を下回るとき、電子デバイスは、低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）に入りうる。代替として、またはこれに加えて、ＬＰＭへの遷移を要求するユーザ入力またはユーザコマンドに応答して、ＬＰＭに入ることができる。ＬＰＭは、低減されたパフォーマンスにもかかわらず、ＬＰＭが連続したシステム動作を提供しうるという点において、スリープモードとは異なりうる。
【００４４】
[0050]ＬＰＭ条件（例えば、バッテリ寿命が１０％以下である）が満たされることに応答して、読み取り専用データのためのメモリマッピングは、ＳＤＲＡＭ ４０２からＮＯＲフラッシュメモリ４０４に更新されうる。例えば、メモリマッピング４４０において示されるように、サブシステム１の読み取り専用データおよびサブシステム２の読み取り専用データのためのマッピングは、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２の代わりに、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４における物理アドレスを指し示すように更新されうる。読み取り専用データを記憶するＳＤＲＡＭ ４０２の一部分は、無効にされることができ、ＬＰＭ中の読み取り専用データに関するアクセス要求（例えば、読み取り要求）は、ＳＤＲＡＭ ４０２への代わりに、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４へ向けられることができる。例えば、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２は、無効にされることができ、ＬＰＭ中、サブシステム１の読み取り専用データおよびサブシステム２の読み取り専用データを読み取るためのアクセス要求は、更新されたメモリマッピング４４０に従って、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４へ向けられることができる。
【００４５】
[0051]特定の実施形態では、ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２を無効にすることは、（例えば、イネーブル信号または電力信号をディアサートすることによって）ＬＰＭ中にバンク２をオフにすること、または（例えば、リフレッシュ信号をディアサートすること、またはレジスタにおける構成値を設定することによって）ＬＰＭ中にバンク２のリフレッシュを無効にすることを含みうる。ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２の一部分（または、ＳＤＲＡＭ ４０２全体）を無効にすることは、電力消費を低減させうることが理解されるであろう。読み書きデータおよび他の読み取り専用データ（例えば、「クリティカル」読み取り専用データ４３０）のコピーは、ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２からアクセスされ続けうる。
【００４６】
[0052]ＬＰＭ条件がもはや満たされていない（例えば、バッテリ寿命が１０％を超える）という決定に応答して、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２は、有効にされることができ、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２に記憶された読み取り専用データのためのメモリマッピング４４０は、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４の代わりに、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２を指し示すように更新されることができる。ＳＤＲＡＭ ４０２における読み取り専用データのコピーは、ＬＰＭ中に劣化したかもしれないので、読み取り専用データの新しいコピーは、メモリマッピング４４０を更新する前に、ＳＤＲＡＭ ４０２へロードされうる。
【００４７】
[0053]特定の実施形態では、図４に示されるように、システム４００における不揮発性メモリは、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４を含みうる。ＮＯＲフラッシュメモリ４０４は、記憶されたコードを実行するための直接実行（ＸＩＰ）動作を有効にしうる。したがって、読み取り専用コードに対応する命令は、ＳＤＲＡＭ ４０２を使用せずに、ＬＰＭ中にＮＯＲフラッシュメモリ４０４から実行されうる。
【００４８】
[0054]特定の実施形態では、（例えば、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４を指し示すようにメモリマッピング４４０を更新する前に）ＬＰＭに遷移するときに、（例えば、動作システムまたはコントローラによって）追加の動作が実行されうる。例えば、割り込みは、無効にされることができ、プロッセサにおけるスレッドスケジューリングは、中断されることができ、プロセッサは、マルチスレッドモードからシングルスレッドモードへ切り替えられることができ、および／または変換索引バッファ（ＴＬＢ）エントリは、無効化されることができる。追加の動作はまた、（例えば、ＳＤＲＡＭ ４０２を指し示すようにメモリマッピング４４０を更新した後に）ＬＰＭ外へ遷移するときに、（例えば、動作システムまたはコントローラによって）実行されうる。例えば、割り込みは、有効にされることができ、スレッドスケジューリングは、プロセッサにおいて再開されることができ、プロセッサは、シングルスレッドモードからマルチスレッドモードへ切り替えられることができる。
【００４９】
[0055]特定の実施形態では、ＬＰＭのインプリメンテーションをサポートするために、電子デバイスのサブシステム（例えば、モデムサブシステム、グラフィックスサブシステム、オーディオサブシステムなど）は、読み書きデータから読み取り専用データを分けうる（separate）。例えば、サブシステムに対応するイメージを作成するために使用されるリンカは、読み書きデータとは別々に読み取り専用データをグループ化しうる。
【００５０】
[0056]特定の実施形態では、ある特定の読み取り専用データは、ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２に存在し続け、ＳＤＲＡＭ ４０２からアクセスされ続けることができる。例えば、「クリティカル」読み取り専用データ４３０は、ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２からアクセスされ続けることができる。ＬＰＭ中にＳＤＲＡＭ ４０２においてアクセス可能な状態で「クリティカル」読み取り専用データ４３０を維持することは、システム４００が、より短い時間量で「クリティカル」読み取り専用データ４３０に関連付けられる動作を実行することを可能にしうる。例えば、「クリティカル」読み取り専用データ４３０がモデムデータを含む場合、図４のシステム４００は、ＬＰＭにある間、ページングサイクルにすばやく応答することが可能でありうる。したがって、図４のシステム４００は、ある特定の読み取り専用データの選択的な優先順位付けをサポートしうる。例えば、（例えば、アプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）、コンパイラ、リンカなどを介して）アプリケーション開発者または（例えば、グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）オプションを介して）ユーザは、特定の読み取り専用データがＬＰＭ中に揮発性メモリ（例えば、ＳＤＲＡＭ ４０２）からアクセスされ続けるべきかどうかを指定することが可能でありうる。
【００５１】
[0057]したがって、図４のシステム４００は、低電力状態（conditions）の間に、揮発性メモリの代わりに、不揮発性メモリからある特定の読み取り専用データにアクセスすることによって、非スリープ（例えば、アクティブな）動作モードにおける電力消費を低減しうる。読み取り専用データを記憶した揮発性メモリの少なくとも一部分は、無効にされることができ、それによって、揮発性メモリの一部分に対する、電力を消費するセルフリフレッシュ動作を回避する。
【００５２】
[0058]図５は、図１−図２のシステムにおいて実行されうる動作の方法５００の特定の実施形態を例示するフローチャートである。
【００５３】
[0059]方法５００は、５０２において、電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することを含む。電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを含みうる。例えば、図１または図２を参照すると、プロセッサ１０２は、第１の揮発性メモリデバイス１０４と不揮発性メモリデバイス１０８を含む電子デバイスにおいて、スリープモードへの遷移を開始しうる。
【００５４】
[0060]方法５００はまた、５０４において、開始することに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることを含む。例えば、図１を参照すると、データ転送モジュール１０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８へのデータのプロセッサ独立のコピーを実行しうる。別の例として、図２を参照すると、データ転送モジュール２０６は、第１の揮発性メモリデバイス１０４から不揮発性メモリデバイス１０８へのデータのプロセッサ支援型のコピーを実行しうる。特定の実施形態では、データは、図３に関して説明されたように、アドレスによる順序でコピーされうる。
【００５５】
[0061]方法５００は、５０６において、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にすることをさらに含む。例えば、図１または図２を参照すると、プロセッサ１０２は、第１の揮発性メモリデバイス１０４を無効にしうる。方法５００はまた、５０８において、スリープモードから動作モードへの遷移に応答して、揮発性メモリデバイスを有効にすることと、不揮発性メモリデバイスから揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることとを含む。例えば、図１を参照すると、データ転送モジュール１０６は、不揮発性メモリデバイス１０８から第１の揮発性メモリデバイス１０４へのデータのプロセッサ独立のコピーを実行しうる。別の例として、図２を参照すると、データ転送モジュール２０６は、不揮発性メモリデバイス１０８から第１の揮発性メモリデバイス１０４へのデータのプロセッサ支援型のコピーを実行しうる。
【００５６】
[0062]したがって、図５の方法５００は、それぞれ、揮発性メモリから不揮発性メモリにデータをコピーすること、およびスリープモード中に揮発性メモリのすべてまたは一部分を無効にすることによって、スリープフロア電流を低減させるために使用されることができ、それによって、揮発性メモリに対する、電力を消費するセルフリフレッシュ動作を回避または低減させる。
【００５７】
[0063]図６は、図４のシステムにおいて実行されうる動作の方法６００の特定の実施形態を例示するフローチャートである。
【００５８】
[0064]方法６００は、６０２において、通常モードで電子デバイスを動作することを含む。電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含みうる。例えば、図４において、ＳＤＲＡＭ ４０２は、サブシステム１の読み取り専用データの第１のコピー４１０を記憶し、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４は、サブシステム１の読み取り専用データの第２のコピー４２０を記憶する。
【００５９】
[0065]方法６００はまた、６０４において、ＬＰＭ条件が満たされているかどうかを決定することを含む。例えば、ＬＰＭ条件は、ユーザ入力に応答して、および／または、電子デバイスの残りのバッテリ寿命がしきい値（例えば、１０％）より下であるときに、満たされうる。ＬＰＭ条件が満たされない間、方法６００は、６０２に戻り、電子デバイスは、バッテリ寿命をモニタしながら通常モードで動作し続ける。
【００６０】
[0066]ＬＰＭ条件が満たされている場合、方法６００は、６０６において、割り込みを無効にすること、スレッドスケジューリングを中断すること、マルチスレッドからシングルスレッドモードへ切り替えること、および／またはＴＬＢエントリを無効化することをオプションとして含みうる。方法６００はまた、６０８において、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データのメモリマッピングを更新することを含む。例えば、図４のメモリマッピング４４０において、サブシステム１の読み取り専用データのためのマッピングは、０ｘ４０００（すなわち、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２におけるアドレス）から、０ｘＢＢＢＢ（すなわち、ＮＯＲフラッシュメモリ４０４におけるアドレス）に更新されうる。
【００６１】
[0067]方法６００は、６１０において、揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと（例えば、そのリフレッシュをオフにするまたは無効にすること）、６１２において、ＬＰＭで電子デバイスを動作することとをさらに含む。ＬＰＭで電子デバイスを動作することは、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることを含みうる。特定の実施形態では、不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリを含み、命令のＸＩＰ実行は、ＮＯＲフラッシュメモリから実行されうる。例示すると、ＮＯＲフラッシュメモリは、プロセッサのような（processor-like）メモリインタフェースを提供することおよびＮＯＲフラッシュメモリに記憶された個別ワードをアドレス指定することによって、ＸＩＰ実行をサポートしうる。例えば、図４を参照すると、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２は、無効にされることができ、サブシステム１の読み取り専用データの第２のコピー４２０は、更新されたメモリマッピング４４０に従って、ＬＰＭ中にアクセスされることができる。
【００６２】
[0068]ＬＰＭ中に、方法６００は、６１４において、ＬＰＭ条件が満たされ続けるかどうかを決定することを含む。ＬＰＭ条件が満たされている場合、方法６００は、６１２に戻り、電子デバイスは、ＬＰＭで動作し続ける。ＬＰＭ条件がもはや満たされていない（例えば、バッテリ寿命が１０％より大きいまたはユーザがＬＰＭを抜け出すように要求した）場合、方法６００は、６１６において、揮発性メモリデバイスの一部分を有効にすること、および、６１８において、不揮発性メモリデバイスから揮発性メモリデバイスに読み取り専用データをコピーすることを含む。例えば、図４において、ＳＤＲＡＭ ４０２のバンク２は、有効にされることができ、サブシステム１の読み取り専用データは、ＳＤＲＡＭ ４０２にコピーされることができる。
【００６３】
[0069]方法６００は、６２０において、割り込みを有効にすること、スレッドスケジューリングを再開すること、および／またはシングルスレッドからマルチスレッドモードへ切り替えることをオプションとして含みうる。方法６００は、６２２において、不揮発性メモリデバイスから揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新することをさらに含む。例えば、図４において、サブシステム１の読み取り専用データのメモリマッピングは、０ｘＢＢＢＢから、もとの０ｘ４０００に更新されうる。
【００６４】
[0070]したがって、図６の方法６００は、低電力状態の間に、揮発性メモリからの代わりに、不揮発性メモリから読み取り専用データにアクセスすることによって、電力消費を低減させるために使用されうる。読み取り専用データを記憶した揮発性メモリの少なくとも一部分は、無効にされることができ、それによって、揮発性メモリの一部分に対する、電力を消費するセルフリフレッシュ動作を回避する。
【００６５】
[0071]図１−図３および図５は、スリープモード技法を説明し、図４および図６は、通常モード技法を説明しているが、この構成は、説明を簡単にすることを目的としているにすぎないことに留意されたい。本開示によると、電子デバイス（例えば、モバイル電話）は、説明された技法のいずれかまたは両方のすべてまたは一部分をインプリメントしうる。例えば、図７を参照すると、両方の技法をインプリメントするように動作可能なコンポーネントを含む電子デバイス７００のブロック図が示される。特定の実施形態では、電子デバイス７００、またはそのコンポーネントは、モバイル電話、セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、コンピューティングデバイス、またはこれらの任意の組み合わせにおいて含まれうる。
【００６６】
[0072]電子デバイス７００は、（複数を含む）揮発性メモリデバイスと、（複数を含む）不揮発性メモリデバイスとに結合されたプロセッサ７１０を含む。例えば、（複数を含む）揮発性メモリデバイスは、マルチメディアＤＤＲ ７６２（例えば、図１−図２の第１の揮発性メモリデバイス１０４、図３のＲＡＭ ３１０、および／または図４のＳＤＲＡＭ ４０２）およびモデムＤＤＲ ７６４（例えば、図１の第２の揮発性メモリデバイス１１２、図３のＲＡＭ ３１０、および／または図４のＳＤＲＡＭ ４０２）を含みうる。（複数を含む）不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６（例えば、図１０２の不揮発性メモリデバイス１０８、図３のディスク３２０、および／または図４のＮＯＲフラッシュメモリ４０４）を含みうる。示されるように、マルチメディアＤＤＲ ７６２は、読み取り専用データの第１のコピー７８２を含むことができ、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６は、読み取り専用データの第２のコピー７８６を含むことができる。ＮＯＲフラッシュメモリ７６６はまた、マルチメディアＤＤＲ ７６２および／またはモデムＤＤＲ ７６４からのデータ転送のために予約された部分７８４を含みうる。２つの揮発性メモリデバイスおよび１つの不揮発性メモリデバイスが図７に示されているが、異なる数の（複数を含む）揮発性および／または不揮発性メモリデバイスを有する他の構成もまた使用されうることに留意されたい。
【００６７】
[0073]プロセッサ７１０は、電力制御モジュール７９２およびメモリマッピング７９６（例えば、図３のメモリマッピング３３０および／または図４のメモリマッピング４４０）を含みうる。特定の実施形態では、プロセッサ７１０は、データ転送モジュール７９４（例えば、プロセッサ支援型のデータ転送を実行するように構成された図２のデータ転送モジュール２０６）を含むまたはインプリメントしうる。代替として、またはこれに加えて、示されるように、データ転送モジュール７７０（例えば、プロセッサ独立のデータ転送を実行するように構成された図１のデータ転送モジュール１０６）は、マルチメディアＤＤＲ ７６２、モデムＤＤＲ ７６４、および／またはＮＯＲフラッシュメモリ７６６に結合されうる。
【００６８】
[0074]動作中、電子デバイス７００は、図５−図６の方法のような、ここに説明された様々な機能および方法を実行しうる。特定の実施形態では、このような機能は、ハードウェアを使用してインプリメントされうる。代替として、またはこれに加えて、このような機能は、有形の非一時的な媒体（例えば、マルチメディアＤＤＲ ７６２、モデムＤＤＲ ７６４、および／またはＮＯＲフラッシュメモリ７６６）に記憶されかつプロセッサ７１０によって実行可能である命令を使用してインプリメントされうる。例えば、このような機能は、モデムＤＤＲ ７６４に記憶されているように図７に例示される、命令７９９を使用してインプリメントされうる。
【００６９】
[0075]例えば、電力制御モジュール７９２は、電子デバイス７００においてスリープモードへの遷移を開始しうる。スリープモードを開始することに応答して、データ転送モジュール７７０またはデータ転送モジュール７９４は、マルチメディアＤＤＲ ７６２から、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６の予約された部分７８４にデータをコピーしうる。モデムＤＤＲ ７６４におけるデータ（例えば、「クリティカル」データ）は、コピーされないことがありうる。電力制御モジュール７９２は、マルチメディアＤＤＲ ７６２を無効にしうるとともに、モデムＤＤＲ ７６４を有効のままにしておく（leaving the modem DDR 764 enabled）。次いで、電力制御モジュール７９２は、スリープモード外への遷移を開始しうる。データは、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６の予約された部分７８４からマルチメディアＤＤＲ ７６２にコピーされうる。データは、メモリマッピング７９６が有効なままであるように、アドレスによる順序でＮＯＲフラッシュメモリ７６６におよびＮＯＲフラッシュメモリ７６６からコピーされうる。
【００７０】
[0076]別の例として、電力制御モジュール７９２は、ＬＰＭ条件を検出しうる。これに応答して、メモリマッピング７９６は、ＬＰＭ中のある特定の読み取り専用データに関するアクセス要求が、マルチメディアＤＤＲ ７６２に記憶された第１のコピー７８２への代わりに、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６に記憶された第２のコピー７８６へ向けられるように、更新されうる。マルチメディアＤＤＲ ７６２は、ＬＰＭ中に無効にされうる。電力制御モジュール７９２が、ＬＰＭ条件がもはや満たされていないことを検出した場合、読み取り専用データは、マルチメディアＤＤＲ ７６２にコピーされることができ、メモリマッピング７９６は、更新されることができる。
【００７１】
[0077]図７は、プロセッサ７１０とディスプレイ７２８とに結合されたディスプレイコントローラ７２６を含む。符号器／復号器（ＣＯＤＥＣ）７３４は、プロセッサ７１０に結合されうる。１つまたは複数のスピーカ７３６およびマイクロフォン７３８は、ＣＯＤＥＣ ７３４に結合されうる。図７はまた、無線コントローラ７４０が、（例えば、無線周波数（ＲＦ）インタフェースを介して）アンテナ７４２とプロセッサ７１０とに結合されうることを示す。
【００７２】
[0078]特定の実施形態では、プロセッサ７１０、ディスプレイコントローラ７２６、マルチメディアＤＤＲ ７６２、モデムＤＤＲ ７６４、ＮＯＲフラッシュメモリ７６６、ＣＯＤＥＣ ７３４、および無線コントローラ７４０は、システムインパッケージまたはシステムオンチップデバイス７２２中に含まれる。特定の実施形態では、入力デバイス７３０および電源７４４は、システムオンチップデバイス７２２に結合される。さらに、特定の実施形態では、図７に例示されるように、ディスプレイ７２８、入力デバイス７３０、（複数を含む）スピーカ７３６、（複数を含む）マイクロフォン７３８、アンテナ７４２、および電源７４４は、システムオンチップのデバイス７２２の外部にある。しかしながら、ディスプレイ７２８、入力デバイス７３０、スピーカ７３６、マイクロフォン７３８、アンテナ７４２、および電源７４４の各々は、インタフェースまたはコントローラのような、システムオンチップのデバイス７２２のコンポーネントに結合されうる。
【００７３】
[0079]説明された実施形態とともに、装置が、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイス、第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイス、およびプロセッサを含みうる。プロセッサは、動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、スリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にするように構成されうる。この装置はまた、開始することに応答して、およびスリープモード中に揮発性メモリデバイスを無効にする前に、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするための手段を含みうる。例えば、コピーするための手段は、図１のデータ転送モジュール１０６、図２のデータ転送モジュール２０６、図７のデータ転送モジュール７７０、図７のデータ転送モジュール７９４、データをコピーするように構成された１つまたは複数の他のデバイスまたはモジュール、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。
【００７４】
[0080]別の装置が、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含みうる。この装置は、ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、揮発性メモリデバイスから不揮発性メモリデバイスに読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段を含みうる。例えば、更新するための手段は、図１−図２のプロセッサ１０２、図７のプロセッサ７１０、メモリマッピングを更新するように構成された１つまたは複数の他のデバイスまたはモジュール（例えば、メモリコントローラ、メモリ管理ユニット（ＭＭＵ）など）、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。
【００７５】
[0081]この装置は、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段をさらに含みうる。例えば、無効にするための手段は、図７の電力制御モジュール７９２、揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成された１つまたは複数の他のデバイスまたはモジュール、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。
【００７６】
[0082]この装置は、揮発性メモリデバイスへの代わりに、不揮発性メモリデバイスへ読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段を含みうる。例えば、この向けるための手段は、図１−図２のプロセッサ１０２、図７のプロセッサ７１０、メモリアクセスを向けるように構成された１つまたは複数の他のデバイスまたはモジュール（例えば、メモリコントローラ、ＭＭＵなど）、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。
【００７７】
[0083]この装置はまた、ＬＰＭ条件が満たされていることを決定するための手段を含みうる。例えば、決定するための手段は、図７の電力制御モジュール７９２、ＬＰＭ条件が満たされているかどうかを決定するように構成された１つまたは複数の他のデバイスまたはモジュール、またはこれらの任意の組み合わせを含みうる。
【００７８】
[0084]当業者であれば、ここに開示された実施形態に関連して説明された様々な例示的な論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、または両方の組み合わせとしてインプリメントされうることをさらに理解するであろう。様々な例示的なコンポーネント、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップは、一般にそれらの機能の観点から上記に説明された。このような機能が、ハードウェアとしてインプリメントされるか、またはプロセッサ実行可能命令としてインプリメントされるかは、特定のアプリケーションおよびシステム全体に課せられる設計制約に依存する。当業者は、説明された機能を特定のアプリケーションごとに様々な方法でインプリメントしうるが、このようなインプリメンテーションの決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じるものと解釈されるべきではない。
【００７９】
[0085]ここに開示された実施形態に関連して説明された方法またはアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこれら２つの組み合わせにおいて、具現化されうる。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読み取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読み取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、または当該技術分野において周知であるその他任意の形態の非一時的な（non-transient）記憶媒体内に存在しうる。例示的な記憶媒体は、プロセッサがこの記憶媒体から情報を読み取り、また、この記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体は、プロセッサと一体化されうる。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在しうる。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に存在しうる。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に個別コンポーネントとして存在しうる。
【００８０】
[0086]開示された実施形態の以上の説明は、開示された実施形態を製造または使用することを当業者に可能にするように提供される。これらの実施形態への様々な修正は、当業者にとって容易に明らかとなり、ここで定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用されうる。したがって、本開示は、ここに示された実施形態に限定されるようには意図されず、以下の特許請求の範囲によって定義される原理および新規な特徴と一致する、可能な最も広い範囲を与えられることとなる。
【図１】
2016509283.tif 000003
【図２】
2016509283.tif 000004
【図３】
2016509283.tif 000005
【図４】
2016509283.tif 000006
【図５】
2016509283.tif 000007
【図６】
2016509283.tif 000008
【図７】
2016509283.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作モードからスリープモードへの遷移を電子デバイスにおいて開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を備える方法。
【請求項２】
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにコピーされる前記データは、データイメージを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データは、前記揮発性メモリデバイスからのデータ転送のために予約された前記不揮発性メモリデバイスの一部分にコピーされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記揮発性メモリデバイスの前記一部分への電力をオフにすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記揮発性メモリデバイスは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記揮発性メモリデバイスを無効にすることは、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスのリフレッシュを無効にすることを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＤＲＡＭは、２倍データレート（ＤＤＲ）シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）、またはこれらの任意の組み合わせを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記スリープモードから前記動作モードへの遷移に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーすることと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーする前の前記データに関連付けられるメモリマッピングは、前記データが前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスにコピーされた後も有効のままである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記揮発性メモリデバイスの特定の位置からコピーされたデータ要素は、前記揮発性メモリデバイスを有効にした後に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスの前記特定の位置にコピーされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記電子デバイスは、モバイル電話を備え、前記揮発性メモリデバイスは、マルチメディアデータに関連付けられ、前記モバイル電話は、モデムデータに関連付けられる第２の揮発性メモリデバイスを備え、前記第２の揮発性メモリデバイスは、前記スリープモード中に有効にされたままである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
前記第１のサイズ以上の第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするように構成されたデータ転送モジュールと、
を備える装置。
【請求項１４】
前記データ転送モジュールは、前記揮発性メモリデバイスと前記不揮発性メモリデバイスとに結合され、かつ前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成されたハードウェアを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記データ転送モジュールは、前記プロセッサに一体化されるか、前記プロセッサによって実行可能であるか、またはこれらの任意の組み合わせである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記データ転送モジュールは、前記プロセッサを介して前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサを介して前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーさせることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項１８】
第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするための手段と、
を備える装置。
【請求項１９】
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることを電子デバイスにおいて決定することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む、
前記ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を備える方法。
【請求項２０】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記電子デバイスのバッテリの残りのバッテリ寿命がしきい値未満であることを決定することを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記ＬＰＭへの遷移を要求する入力を受信することを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーは、前記揮発性メモリデバイスの第１の物理アドレスにおいて記憶され、前記読み取り専用データの前記第２のコピーは、前記不揮発性メモリデバイスの第２の物理アドレスにおいて記憶され、
前記ＬＰＭ中に前記第２の物理アドレスを使用して前記読み取り専用データにアクセスすることをさらに備える、
請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＬＰＭ条件がもはや満たされていないという決定に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データの前記メモリマッピングを更新することと、
をさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データをコピーすることをさらに備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記不揮発性メモリデバイスは、直接実行（ＸＩＰ）動作をサポートするＮＯＲフラッシュメモリを備え、
前記ＬＰＭ中に、前記ＮＯＲフラッシュメモリから前記読み取り専用データの１つまたは複数の命令を実行することをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記メモリマッピングを更新する前に、割り込みを無効にすることと、前記メモリマッピングを更新した後に、割り込みを有効にすることとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてスレッドスケジューリングを中断することと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記スレッドスケジューリングを再開することとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてマルチスレッドモードからシングルスレッドモードへ切り替えることと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記シングルスレッドモードから前記マルチスレッドモードへ切り替えることとをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいて変換索引バッファ（ＴＬＢ）の１つまたは複数のエントリを無効化することをさらに備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分のリフレッシュを無効にすることを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分をオフにすることを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項３２】
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）において、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新し、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にし、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向ける、
ように構成されたプロセッサと、
を備える装置。
【請求項３３】
前記プロセッサは、ＬＰＭ条件が満たされているかどうかを決定するようにさらに構成される、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
前記揮発性メモリデバイスは、第２の読み取り専用データのコピーをさらに記憶し、前記第２の読み取り専用データは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、請求項３２に記載の装置。
【請求項３５】
前記揮発性メモリデバイスは、読み書きデータのコピーをさらに記憶し、前記読み書きデータは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、請求項３２に記載の装置。
【請求項３６】
前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、電子デバイスの特定のサブシステムに関連付けられ、前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、前記サブシステムに対応するイメージを生成するリンカによって別々にグループ化される、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む電子デバイスにおいて、低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項３８】
前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することを行わせる命令をさらに備える、請求項３７に記載のコンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項３９】
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段と、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段と、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段と、
を備える装置。
【請求項４０】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定するための手段をさらに備える、請求項３９に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
[0086]開示された実施形態の以上の説明は、開示された実施形態を製造または使用することを当業者に可能にするように提供される。これらの実施形態への様々な修正は、当業者にとって容易に明らかとなり、ここで定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用されうる。したがって、本開示は、ここに示された実施形態に限定されるようには意図されず、以下の特許請求の範囲によって定義される原理および新規な特徴と一致する、可能な最も広い範囲を与えられることとなる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーすることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を備える方法。
［Ｃ２］  前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにコピーされる前記データは、データイメージを備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ３］  前記データは、前記揮発性メモリデバイスからのデータ転送のために予約された前記不揮発性メモリデバイスの一部分にコピーされる、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ４］  前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記揮発性メモリデバイスの前記一部分への電力をオフにすることを備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ５］  前記揮発性メモリデバイスは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ６］  前記揮発性メモリデバイスを無効にすることは、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスのリフレッシュを無効にすることを備える、Ｃ５に記載の方法。
［Ｃ７］  前記ＤＲＡＭは、２倍データレート（ＤＤＲ）シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を備える、Ｃ５に記載の方法。
［Ｃ８］  前記不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）、またはこれらの任意の組み合わせを備える、Ｃ５に記載の方法。
［Ｃ９］  前記スリープモードから前記動作モードへの遷移に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーすることと、
をさらに備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１０］  前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーする前の前記データに関連付けられるメモリマッピングは、前記データが前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスにコピーされた後も有効のままである、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１１］  前記揮発性メモリデバイスの特定の位置からコピーされたデータ要素は、前記揮発性メモリデバイスを有効にした後に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスの前記特定の位置にコピーされる、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１２］  前記電子デバイスは、モバイル電話を備え、前記揮発性メモリデバイスは、マルチメディアデータに関連付けられ、前記モバイル電話は、モデムデータに関連付けられる第２の揮発性メモリデバイスを備え、前記第２の揮発性メモリデバイスは、前記スリープモード中に有効にされたままである、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１３］  第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
前記第１のサイズ以上の第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするように構成されたデータ転送モジュールと、
を備える装置。
［Ｃ１４］  前記データ転送モジュールは、前記揮発性メモリデバイスと前記不揮発性メモリデバイスとに結合され、かつ前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサに前記データを送ることなく、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成されたハードウェアを備える、Ｃ１３に記載の装置。
［Ｃ１５］  前記データ転送モジュールは、前記プロセッサに一体化されるか、前記プロセッサによって実行可能であるか、またはこれらの任意の組み合わせである、Ｃ１３に記載の装置。
［Ｃ１６］  前記データ転送モジュールは、前記プロセッサを介して前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーし、前記プロセッサを介して前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーするように構成される、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ１７］  命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
電子デバイスにおいて動作モードからスリープモードへの遷移を開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーさせることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
［Ｃ１８］  第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスを前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにデータをコピーするための手段と、
を備える装置。
［Ｃ１９］  電子デバイスにおいて低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることを決定することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む、
前記ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を備える方法。
［Ｃ２０］  前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記電子デバイスのバッテリの残りのバッテリ寿命がしきい値未満であることを決定することを備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２１］  前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記ＬＰＭへの遷移を要求する入力を受信することを備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２２］  前記読み取り専用データの前記第１のコピーは、前記揮発性メモリデバイスの第１の物理アドレスにおいて記憶され、前記読み取り専用データの前記第２のコピーは、前記不揮発性メモリデバイスの第２の物理アドレスにおいて記憶され、
前記ＬＰＭ中に前記第２の物理アドレスを使用して前記読み取り専用データにアクセスすることをさらに備える、
Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２３］  前記ＬＰＭ条件がもはや満たされていないという決定に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データの前記メモリマッピングを更新することと、
をさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２４］  前記メモリマッピングを更新する前に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データをコピーすることをさらに備える、Ｃ２３に記載の方法。
［Ｃ２５］  前記不揮発性メモリデバイスは、直接実行（ＸＩＰ）動作をサポートするＮＯＲフラッシュメモリを備え、
前記ＬＰＭ中に、前記ＮＯＲフラッシュメモリから前記読み取り専用データの１つまたは複数の命令を実行することをさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２６］  前記メモリマッピングを更新する前に、割り込みを無効にすることと、前記メモリマッピングを更新した後に、割り込みを有効にすることとをさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２７］  前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてスレッドスケジューリングを中断することと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記スレッドスケジューリングを再開することとをさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２８］  前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてマルチスレッドモードからシングルスレッドモードへ切り替えることと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記シングルスレッドモードから前記マルチスレッドモードへ切り替えることとをさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２９］  前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいて変換索引バッファ（ＴＬＢ）の１つまたは複数のエントリを無効化することをさらに備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ３０］  前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分のリフレッシュを無効にすることを備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ３１］  前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分をオフにすることを備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ３２］  読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）において、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新し、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にし、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向ける、
ように構成されたプロセッサと、
を備える装置。
［Ｃ３３］  前記プロセッサは、ＬＰＭ条件が満たされているかどうかを決定するようにさらに構成される、Ｃ３２に記載の装置。
［Ｃ３４］  前記揮発性メモリデバイスは、第２の読み取り専用データのコピーをさらに記憶し、前記第２の読み取り専用データは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、Ｃ３２に記載の装置。
［Ｃ３５］  前記揮発性メモリデバイスは、読み書きデータのコピーをさらに記憶し、前記読み書きデータは、前記ＬＰＭ中に前記揮発性メモリデバイスにおいてアクセスされる、Ｃ３２に記載の装置。
［Ｃ３６］  前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、電子デバイスの特定のサブシステムに関連付けられ、前記読み取り専用データおよび前記読み書きデータは、前記サブシステムに対応するイメージを生成するリンカによって別々にグループ化される、Ｃ３５に記載の装置。
［Ｃ３７］  命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む電子デバイスにおいて、低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を行なわせる、コンピュータ可読記憶デバイス。
［Ｃ３８］  前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することを行わせる命令をさらに備える、Ｃ３７に記載のコンピュータ可読記憶デバイス。
［Ｃ３９］  読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段と、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段と、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段と、
を備える装置。
［Ｃ４０］  前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定するための手段をさらに備える、Ｃ３９に記載の装置。
【国際調査報告】
2016509283.tif 000010
2016509283.tif 000011
2016509283.tif 000012