(57)【要約】反り（bow）、歪み（warp）、ＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ）、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）、及びＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ  Ｒａｎｇｅ）に対する優れた仕様を有する炭化ケイ素ウェハを製造する方法。結果として生じるＳｉＣウェハはＳｉＣのエピタキシャル堆積に適する鏡面状の表面を有する。ウェハの反り、歪み、ＴＴＶ、ＬＴＶ、及びＳＦＱＲに対する仕様は、エピタキシ層を追加した後、維持される。
2016501809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面とエピタキシャル堆積の状態にされた表面とを有する研磨された炭化ケイ素ウェハを含み、前記研磨された炭化ケイ素ウェハが、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ  Ｒａｎｇｅ）を有する、基板。
【請求項２】
前記表面がＲｑ＜１５オングストロームのｒｍｓ粗さを有する、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記基板が０．１〜５μｍの範囲内のＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を有する、請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記基板が０．１〜３５μｍの歪みを更に有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板。
【請求項５】
裏面及び表面を含み、前記表面がその上で成長するＳｉＣのエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル層を有する基板が、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜１．８μｍのＬＴＶ及び０．０１〜０．４５μｍのＳＦＱＲを呈する、単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項６】
前記エピタキシャル層を有する基板が、０．１〜６μｍのＴＴＶ及び０．１〜４０μｍの歪みを更に同時に呈する、請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記表面の二乗平均平方根粗さ値Ｒｑが、２．０×２．０μｍのサイトサイズで測定されると、２ｎｍ未満である、請求項５又は６に記載の基板。
【請求項８】
前記基板が、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ、０．１〜３５μｍの歪み、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ、及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを同時に呈する、請求項５〜７のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項９】
単結晶炭化ケイ素ウェハを製造する方法であって、
（ｉ）単結晶シリコンのインゴットを複数のウェハにスライスする工程と、
（ｉｉ）工程（ｉ）の前記ウェハのそれぞれの外周縁部を面取りする工程と、
（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）の前記ウェハのそれぞれの表面及び裏面から鋸損傷除去を実行する工程と、
（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）のそれぞれのウェハの両面を同時に研磨する工程と、を含み、
それによって１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを有するウェハを製造する、方法。
【請求項１０】
工程（ｉ）において、それぞれのウェハが１０μｍ未満のＴＴＶ及び３５μｍ未満の歪みに同時に適合する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
それによって、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ、０．１〜３５μｍの歪み、及び０．１〜１．５μｍのＬＴＶを有するウェハを製造する、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記鋸損傷除去工程が、前記ウェハの直径より直径が少なくとも３倍大きい表面を有するラッピングツールを用いて行われる、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
基板スライスが、前記ウェハの前記直径より少なくとも３倍大きいテーブル直径を有する、両面ラッピング機でラッピングされる、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
スライスする工程の後、前記基板を単一のウェハ、ダイヤモンド砥石を用いて一度に一面に加工する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記研磨工程が、前記ウェハの直径より直径が少なくとも３倍大きい表面を有する研磨ツールを用いて行われる、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨工程が前記ウェハをステンレス鋼製キャリアに置くことにより行われる、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨工程が、前記鋸損傷除去工程で除去されたＳｉＣの２５％を除去するように行われる、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面に化学強化型機械研磨を適用する工程を更に含む、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記化学強化型機械研磨を適用する工程が、前記ウェハの直径より３倍より大きい直径をもつ研磨機を用いて行われる、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
１３００℃超の温度にて水素及び／又は塩素ガスを含有するガス混合物を用いて、ＣＶＤチャンバで前記ウェハの前記表面をエッチングする工程を更に含む、請求項９〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
化学強化型機械研磨及び／又は高温気相エッチングで前記表面を処理し、その後、前記表面にＳｉＣのエピタキシャル層を堆積させる工程を更に含む、請求項９〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記鋸損傷除去工程がそれぞれのウェハから６０〜８５μｍのＳｉＣ材料を除去するように行われ、前記研磨工程が前記鋸損傷除去工程中に除去されたＳｉＣ材料の量の４分の１を除去するように行われる、請求項９〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、共に標題が「ＦＬＡＴ  ＳｉＣ  ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」である、２０１２年１０月２６日に出願された米国特許仮出願第６１／７１９，３１０号、２０１３年８月６日に出願された米国特許出願第１３／９５９，８９６号の利益及び優先権を主張するものであり、これらの開示内容の全体を参照により本明細書に援用する。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、半導体ウェハの製造に関し、より具体的には、炭化ケイ素で作られる半導体ウェハに関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体チップ産業では、その成功の多くはシリコンの本来の性質のおかげである。これらの性質としては、自然酸化物（ＳｉＯ２）を成長させる容易さ、その自然酸化物の優れた絶縁特性、並びにシリコンウェハ及びシリコンウェハでのデバイスの製造の相対的容易さが挙げられる。例えば、シリコン及びその自然酸化物はウェットプラズマエッチングプロセス又はドライプラズマエッチングプロセスのいずれかを用いて容易にエッチングされる。結果として、多くのプロセスは、高純度（９９．９９９９９９９％の純度）、単結晶、及び比較的大きい（３００ｍｍ、４５０ｍｍに向けて準備が現在進行中）シリコンウェハの製造のため、開発されてきた。シリコンウェハは、コンピューティング及びパワーエレクトロニクス用のチップの製造に用いる主材料である。
【０００４】
例えば、サファイア、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）及びＳｉＣ（炭化ケイ素）などの他の材料は、検出器、発光素子及びパワーデバイスなどの半導体デバイスの製造に有用な性質を呈するが、現在まで主流の製造において、これらの採用は、これらの製造での困難さにより、妨げられてきた。一般に、標準のシリコンプロセスは、これらの他の半導体材料で作業する際、実施できない。例えば、チョクラルスキー成長法を用いて、純粋な単結晶シリコンを容易に成長させることができるのに対して、かかる成長方法をＳｉＣを成長させるのに使用できない。その代わりに、高温昇華法を使用しなければならない。同様に、ＳｉＣを容易にエッチングすることができないので、標準のシリコンウェハ化（wafering）技法は、ＳｉＣをウェハ化するのに容易に使用できない。
【０００５】
一方、高温／高電圧半導体エレクトロニクスはＳｉＣの本来の性質から利益を得ることができる。例えば、ＳｉＣは超高速、高電圧ショットキーダイオード、高電力スイッチング用のＭＯＳＦＥＴｓ及び高温サイリスタ、並びにハイパワーＬＥＤｓに有用である。したがって、ＳｉＣの利用可能性を増大させることにより、このような半導体デバイスの開発に寄与することができる。例えば、１００ｍｍのＳｉＣウェハの現在の生産は標準の３００ｍｍのシリコンウェハよりはるかに遅れている。
【０００６】
また、単結晶炭化ケイ素では、トランジスタ及びダイオードにおける複雑なドーピングプロファイルを拡散により確実に形成することができない。複雑な幾何学的ドーピング構成を、ステッパベースのフォトリソグラフィ法を用いて形成したマイクロメートル／サブマイクロメートルの幾何学的形状のマスクを介したイオン注入を用いて達成しなければならない。半導体内に目標とするドーパント混入に必要な注入を実現するため、フォトリソグラフィプロセスにおいて、特にデバイスの幾何学的サイズが増加するにつれて、平坦な基板を使用しなければならない。
【０００７】
一般的に、半導体基板は、平坦度及び粗さについて評価される際、いくつかの指標により特徴付けられる。これらの指標としては、反り（bow）、歪み（warp）、ＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ、又はＧｌｏｂａｌ  Ｂａｃｋｓｉｄｅ  Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ  Ｒｅａｄｉｎｇ−ＧＢＩＲ）、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ、又はＳｉｔｅ  Ｂａｃｋｓｕｒｆａｃｅ−ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ  Ｉｄｅａｌ  Ｐｌａｎｅ／Ｒａｎｇｅ−ＳＢＩＲ）、及びＳＦＱＲ（サイト平坦度品質要求−Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ  Ｒａｎｇｅ）が挙げられる（定義及び計算については、例えば、ＳＥＭＩ  Ｍ１−１１０３、ＡＳＴＭ  Ｆ６５７、ＡＳＴＭ  Ｆ１３９０、ＡＳＴＭ  Ｆ１５３０を参照）。
【０００８】
平坦であることに加えて、基板は滑らかで、表面上に機械的損傷のないものでなければならない。この要求は、結晶性薄膜を成長させるのに使用する化学気相成長エピタキシプロセス中に基板が置かれるデバイス製造プロセスの一部として、必須である。薄膜が成長するにつれて、この薄膜は基板の表面上に生じる結晶構造を複製する。結果として、基板表面の過度な粗さ及び機械的損傷により、膜質の劣化をもたらすであろう。
【０００９】
平坦で滑らかな基板を生産する最も一般的な方法は、次第に高水準の平坦度及び低い粗さを達成する、連続する一連の材料の切断工程を伴う。それぞれの研磨工程は徐々により小さい研磨粒子を使用して、表面粗さを目標まで低減する。戦略的に選ぶ機械的特性をもつ研磨パッドを選択して、基板の最終的なうねりに影響を与える「平坦化長さ（planarization length）」を制御し、局所的平坦度の目標を達成する。
【００１０】
例えば、シリコン基板の処理中、ウェハは、スライスされ、その後、ラッピングプロセス又は研削プロセスで処理され、基板のそれぞれの面を平行にして、グローバル平坦度を達成する。しかし、これらのプロセスにより、基板の表面に多くの機械的損傷ができ、基板の反り又は歪みが増大することがある。この損傷を取り除くため、シリコンウェハは通常、表面損傷をエッチングするのに用いる化学溶液中に浸漬される。このプロセスは、一般的に鋸損傷（saw damage）除去と呼ばれ、基板表面をかなり波状にすることがあり、後続の平坦化プロセスを適用しなければならない。次に、基板を目標とする厚さ範囲にするため、ストック除去（stock removal）として知られる一連の処置を適用する。シリコン処理では、ストック除去は、基板の厚さを目標厚さ近くまで効率的に低減し、うねりを減らすのに用いられる化学機械研磨プロセスを使用する１つ又はいくつかの研磨工程を含む。次にウェハは、必要な平坦度及び粗さの仕様を達成するため、より微細な研磨用の化学機械研磨プロセス、平坦化長さの長い研磨パッド及び小さい除去ターゲットで更に研磨される。多くの工程が存在するが、ラッピング／研削から完了までのプロセス所要時間はわずか数時間であり、それは、ＣＶＤ（化学気相成長）エピタキシ層を基板に付着する後であっても、リソグラフィー目標を満たすのに必要な平坦度及び粗さの性能を有するシリコンウェハを納入することができる。
【００１１】
いくつかの刊行物には、グローバル及び局所的平坦度の両方の制御を達成するためのシリコンウェハを研磨する方法が記載されている。シリコンウェハ用のこれらの方法のうち最も一般的な方法は、一連のスライス、縁部の面取り、ラッピング又は研削、エッチング、研磨であり、そしてこの研磨工程は単面若しくは両面研磨（又は連続して用いる両方のタイプ）である。両面研磨は米国特許第３６９１６９４号に記載されている。米国特許第６５８３０５０号には、両面研磨を用いて、シリコンウェハの平坦度の制御を達成するのに使用する方法が詳述されている。
【００１２】
しかしながら、硬質材料及び化学的耐性材料などのその性質のために、単結晶ＳｉＣ用の切断、研削及び研磨方法では、基板の主要な成形のためのダイヤモンド及び金属炭化物の研磨剤を使用することが必要となる。ＳｉＣの化学的性質はこのようなので、全体の切断関連の表面損傷を除去するために、基板をエッチングするのは実用的ではない。シリコンウェハを研磨するとき、化学機械研磨方法を使用し、材料の除去が非常に効率的となるのは、この研磨の化学的作用により、同時にこのウェハを酸化物エッチングしたり、すり減らしたりすることができるからである。ＳｉＣに化学的増強型機械研磨を用いることは、化学反応速度が非常に遅く、プロセスに関連するコストが非常に高価になるため、実用的ではない。
【００１３】
ＳｉＣを処理するのに必要なダイヤモンドの研磨剤は、シリコン基板を研磨するのに用いる標準的な研磨剤と比べ、非常に高価である。ＳｉＣを研磨する時間は、ダイヤモンドの研磨剤を用いてもかなり長い（ＳｉＣに対する材料除去速度は、該当するシリコン基板プロセスより５〜２０倍遅い）。実際には、ＳｉＣはシリコンウェハを切断及び研磨するのに用いる研磨材料である。非効率な除去速度及び高価な研磨剤により、特に平坦なウェハを生産する従来の手順をＳｉＣに適用する場合には、ＳｉＣを研磨するプロセスは極めて高価になる。
【００１４】
ＳｉＣ半導体デバイスを採択するための商業的及び経済的な要件を満たすために、ＳｉＣ基板を研磨する革新的な方法を開発しなければならない。最小限の研磨剤の使用及び最小限の中間工程でＳｉＣ基板を切断及び研磨する効率的な方法を実現しなければならない。研磨プロセス所要時間は大量生産のために実用的でなければならない。この研磨手順における全体的な性能はまた、シリコン研磨に用いるもののようなバルク化学的エッチング手順によって通常得られることになるウェハ表面の結晶品質利益（滑らかで損傷のない）を達成しなければならない。最終的に研磨された基板はエピタキシプロセスに好適でなければならず、エピタキシ層を有する最終の基板は、電気デバイスの製造に必要なフォトリソグラフィ工程に関連する平坦度要求を満たさなければならない。
【００１５】
米国特許第８４３６３６６号には、エピタキシ及びデバイスの製造中にウェハのグローバル平坦度を制御することになるＳｉＣウェハを準備する方法が記述されている。この方法は、平坦度を調整するために両面研削に続いてＳｉＣウェハをスライスすることと、粗さを低減するためにダイヤモンドスラリーで両面ラッピングすることと、粗さを更に低減するためにダイヤモンドスラリーで両面機械研磨することと、単面化学機械研磨することからなる。この方法はウェハの反り及び歪みを制御することを目標とする一連の工程を示しているが、キーエレメントとして両面処理を言及するだけで、ウェハの平坦度パラメータ又は最終のウェハ形状へのそれぞれの工程の影響に影響を与える工程間の相互作用について詳述していない。この方法は、局所的平坦度指標又は局所的平坦度／厚さの指標により結果として生じる性能を制御する手段を開示していない。多くの異なる材料除去工程を含めることにより、結果として、製造コストが高くなるであろう。この研磨されたウェハは、半導体デバイスを製造する工程中に発生し得るウェハの望ましくない曲げを補填すべきオフセットである平坦度性能を有するように設計される。
【００１６】
本発明の予期せぬ結果は、炭化ケイ素ウェハを簡単な方法を用いて良好なグローバル及び局所的平坦度並びに厚さで研磨することができることである。この方法はグローバル及び局所的平坦度を低い値に設定し、厚さを設定するためのラッピング又は一連の両面研削工程と、粗さを許容値まで低減するための両面研磨工程とを必要とする。本発明の重要な特徴は、局所的及びグローバル平坦度の両方を同時に制御し、維持するために大径のラッピング装置及び研磨装置を使用することである。ウェハのエッチングは平坦度又は厚さの制御を達成する必要はなく、機械的損傷を除去するためにエッチングを使用する必要もない。本発明の研磨されたウェハにおいて達成されるグローバル平坦度及び局所的平坦度の両性能を、ＲＭＳ粗さを小さい値まで低減するのに用いる化学機械研磨工程の後で、あるいは、気相エッチングを行い、ＳｉＣエピタキシ膜層を研磨されたウェハの表面に付着した後、維持することができる。研磨されたウェハの製造手順の結果、最終のエピタキシウェハは、広い活性領域をもつ半導体デバイスを製造するためのより優れた有用性をもたらす、好ましいグローバル及び局所的平坦度の性能を有する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１７】
次の本発明の概要は、本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を提供するために含まれる。この発明の概要は、本発明の広範な概要ではないため、本発明の鍵となる要素若しくは重要な要素を具体的に特定したり、又は本発明の範囲を詳細に記述したりする意図のものではない。この発明の概要の唯一の目的は、以下に提示するより詳細な説明に対する導入部として、簡潔な形式にて本発明のいくつかの概念を提示することである。
【００１８】
様々な実施形態は機械的損傷のない表面を得るために効率的にＳｉＣウェハを研磨するための方法、及びエピタキシャル層を付着させて同時に平坦度に関して優れた性能を発揮する方法を提供する。いかなる理論にも束縛されるものではないが、いくつかの開示した方法はＳｉＣに使用する研磨剤による研磨損傷の伝播が特異な挙動を伴うという発見に基いている。異なる研磨剤、中間プロセス目標及び直径がより大きいラップ／研磨テーブルを有するバッチ処理装置に関わるＳｉＣウェハの研磨方法の戦略的統合は、パワー半導体産業内で製品を販売するのに好適なプロセス所要時間及び品質目標を満たすコスト効率のよいプロセスとなることが分かってきた。
【００１９】
ＳｉＣに大面積（＞０．７５ｃｍ２）のパワー半導体デバイスを製造するため、基板はエピタキシャル層を付着した後、局所的及びグローバル水準の両方において平坦でなければならないのは、ＣＶＤエピタキシは研磨された基板に対して厚さ偏差又は平坦度を劣化させる場合があるためである。研磨された基板の平坦度は、いくつかの製造工程（スライス／ラッピング又は研削／研磨）における複雑な相互作用に依存する。相互依存する工程を賢明に選択することによって、相乗効果を得て、適切に選択した研磨装置及び研磨剤を用いて重要な平坦度目標及び粗さ目標を達成することができることも分かってきた。
【００２０】
本発明の態様によれば、単結晶ＳｉＣウェハを製造するための方法が提供され、前記方法が、（ｉ）単結晶ＳｉＣのインゴットを複数のウェハにスライスする工程であって、それぞれのウェハが同時に１０μｍ未満のＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ）及び３５μｍ未満の歪みに適合するようにする工程と、（ｉｉ）工程（ｉ）のウェハのそれぞれの外周縁部を面取りする工程と、（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）の前記ウェハのそれぞれの前記表面及び裏面をラッピングする工程と、（ｉｖ）それぞれの工程（ｉｉｉ）からのウェハのそれぞれを両面研磨する工程と、を含み、それによって、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ、０．１〜３５μｍの歪み、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）、及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ  Ｒａｎｇｅ）を有するウェハを製造する。米国特許第８４３６３６６号は研磨されたウェハ又はエピタキシャル層をもつ研磨されたウェハのいずれかに対してグローバル及び局所的厚さ偏差並びに平坦度を低い値に設定するプロセスを開示していない。
【００２１】
他の態様によれば、裏面とエピタキシャル堆積の状態にされた表面とを有する研磨されたＳｉＣウェハが設けられ、表面がＲｑ＜１５オングストロームのｒｍｓ粗さを有する。両面研磨プロセスの特徴のため、この裏面は同様のＲＭＳ粗さ値を有する。更に、このウェハは１平方センチメートルのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ及び０．１〜１．５μｍのＬＴＶを有する。また、このウェハは１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜３５μｍの歪み及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを呈する。研磨されたウェハがそれの表面上のＳｉＣ層のエピタキシャル堆積に用いられるとき、このウェハは良好なグローバル及び局所的平坦度並びに厚さ性能を保持する。
【００２２】
１つの態様では、本明細書において提供されるのは、裏面とエピタキシャル堆積の状態にされた表面とを有する研磨された炭化ケイ素ウェハを含み、研磨された炭化ケイ素ウェハが、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして０．１〜１．５μｍのＬＴＶ及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを有する、基板である。
【００２３】
この態様の一実施形態では、前記表面がＲｑ＜１５オングストロームのｒｍｓ粗さを有する。
【００２４】
この態様の別の実施形態では、前記基板が０．１〜５μｍの範囲内のＴＴＶを有する。
【００２５】
この態様の別の実施形態では、前記基板が０．１〜３５μｍの歪みを更に有する。
【００２６】
別の態様では、本明細書において提供されるのは、裏面及び表面を有し、前記表面がその上で成長するＳｉＣのエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル層を有する基板が、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜１．８μｍのＬＴＶ及び０．０１〜０．４５μｍのＳＦＱＲを呈する、単結晶炭化ケイ素基板である。
【００２７】
この態様の一実施形態では、前記エピタキシャル層を有する基板が、０．１〜６μｍのＴＴＶ及び０．１〜４０μｍの歪みを更に同時に呈する。
【００２８】
この態様の別の実施形態では、前記表面の二乗平均平方根粗さ値Ｒｑが、２．０×２．０μｍのサイトサイズで測定されると、２ｎｍ未満である。
【００２９】
この態様の別の実施形態では、前記基板が、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ、０．１〜３５μｍの歪み、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ、及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを同時に呈する。
【００３０】
別の形態では、本明細書において提供されるのは、単結晶炭化ケイ素ウェハを製造する方法であって、（ｉ）単結晶シリコンのインゴットを複数のウェハにスライスする工程と、（ｉｉ）工程（ｉ）の前記ウェハのそれぞれの外周縁部を面取りする工程と、（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）の前記ウェハのそれぞれの表面及び裏面から鋸損傷除去を実行する工程と、（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）のそれぞれのウェハの両面を同時に研磨する工程と、を含み、それによって１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜１．５μｍのＬＴＶ及び０．０１〜０．３μｍのＳＦＱＲを有するウェハを製造する、方法である。
【００３１】
この態様の一実施形態では、工程（ｉ）において、それぞれのウェハが１０μｍ未満のＴＴＶ及び３５μｍ未満の歪みに同時に適合する。
【００３２】
この態様の別の実施形態では、それによって、１平方ｃｍのサイトサイズを基準にして、０．１〜５μｍのＴＴＶ、０．１〜３５μｍの歪み、及び０．１〜１．５μｍのＬＴＶを有するウェハを製造する。
【００３３】
この態様の別の実施形態では、前記鋸損傷除去工程が、前記ウェハの直径より直径が少なくとも３倍大きい表面を有するラッピングツールを用いて行われる。
【００３４】
この態様の別の実施形態では、前記基板スライスが、前記ウェハの前記直径より少なくとも３倍大きいテーブル直径を有する、両面ラッピング機でラッピングされる。
【００３５】
この態様の別の実施形態では、スライスする工程の後、基板を単一のウェハ、ダイヤモンド砥石を用いて一度に一面に加工する。
【００３６】
この態様の別の実施形態では、前記研磨工程が、前記ウェハの直径より直径が少なくとも３倍大きい表面を有する研磨ツールを用いて行われる。
【００３７】
この態様の別の実施形態では、前記研磨工程が前記ウェハをステンレス鋼製キャリアに置くことにより行われる。
【００３８】
この態様の別の実施形態では、前記研磨工程が、前記鋸損傷除去工程で除去されたＳｉＣの２５％を除去するように行われる。
【００３９】
この態様の別の実施形態では、前記方法が前記表面に化学強化型機械研磨を適用する工程を更に含む。
【００４０】
この態様の別の実施形態では、前記化学強化型機械研磨を適用する工程が、前記ウェハの直径の３倍より大きい直径をもつ研磨機を用いて行われる。
【００４１】
この態様の別の実施形態では、前記方法が１３００℃超の温度の水素及び／又は塩素ガスを含有するガス混合物を用いて、ＣＶＤチャンバで前記ウェハの前記表面をエッチングする工程を更に含む。
【００４２】
この態様の別の実施形態では、前記方法が化学強化型機械研磨及び／又は高温気相エッチングで前記表面を処理し、その後、前記表面にＳｉＣのエピタキシャル層を堆積させる工程を更に含む。
【００４３】
この態様の別の実施形態では、前記鋸損傷除去工程がそれぞれのウェハから６０〜８５μｍのＳｉＣ材料を除去するように行われ、前記研磨工程が前記鋸損傷除去工程中に除去されたＳｉＣ材料の量の４分の１を除去するように行われる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
本明細書に組み込まれ、かつその一部を構成する添付の図面は、本発明の実施形態を例示するものであり、説明と共になって、本発明の原理を説明し、例示する役割を果たすものである。これらの図面は、図表的に例示的な実施形態の主要な特徴を示すことを意図したものである。これらの図面は、実際の実施形態の全ての特徴を示すことを意図したものではなく、示された要素の相対的な寸法を示すことを意図したものでもない。また、これらの図面は、一定の縮尺ではない。
【００４５】
図面においては、同様の参照符号は、明細書における同様の特徴を指す。
【図１】本発明の実施形態によるＳｉＣウェハを製造する方法の一般的な工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
本発明は、本明細書に記載される特定の方法論、手順などに限定されるものではないため、様々であってもよいことが理解されるべきである。本明細書で使用する専門用語は、具体的な実施形態を説明する目的のためだけのものであり、特許請求の範囲のみによって定義される本発明の範囲を限定する意図はない。
【００４７】
本明細書及び特許請求の範囲で使用されるとき、文脈による明白な別段の指示がない限り、単数形には複数形への言及が含まれ、また、その逆も同様である。動作例、又は別段に指示されている場合以外のときは、本明細書で使用される量を表現する全ての数字は、全ての場合において、用語「約」によって修飾されていると理解されるべきである。
【００４８】
指定される全ての出版物は、例えば、本明細書と関係して使用され得るかかる出版物に記載されている方法論を、説明し、かつ開示する目的で、参照により本明細書に、明示的に組み込まれる。これらの出版物は、それらの開示が本出願の出願日に先行していたという理由のみによって、提供されている。この点に関する何ものも、先行発明としての効力によって、又は任意の他の理由のために、本願の発明者らが、かかる開示に先行する資格がないということの承認として解釈されるべきではない。これらの文書の内容に関する日付又は表現に関する全ての言及は、本願出願人にとって利用可能である情報に基づくものであり、これらの文書の日付又は内容の正確性に関して一切承認するものではない。
【００４９】
特に定義されない限り、本明細書で用いる技術的及び科学的な用語は、全て、本発明が属する技術分野における当業者にとって共通に理解されるものと同じ意味を有する。本発明の実践又は試験において、任意の既知の方法、装置、及び材料が使用される場合があるが、その際の、方法、装置、及び材料は、本明細書に記載される。
【００５０】
いくつかの選択された定義
特に言及しない限り、又は文脈から暗示されない限り、次の用語及び表現は、以下に提供する意味を含む。特に明白に言及しない限り、又は文脈から明らかでない限り、以下の用語及び表現は、用語又は表現に対して、それが関係する技術分野で獲得された意味を除外しない。本発明の範囲は特許請求の範囲によってのみ限定されるため、これらの定義は、本明細書に記載される態様の特定の実施形態の説明を補助するために提供され、特許請求の範囲に記載された本発明を限定する意図はない。更に、文脈により別段に必要とされない限り、単数形の用語は複数形を含み、複数形の用語は単数形を含むものとする。
【００５１】
本明細書で使用するとき、用語「含む（comprising）」又は「含む（comprises）」は、本発明にとって不可欠である、構成物、方法、及びこれらの１つ又は複数の各要素について言及するために使用され、不可欠なものであろうとなかろうと、不特定の要素を含む（備える）余地を残している。
【００５２】
本明細書で使用するとき、用語「から本質的になる」は、所与の実施形態に対して必要となる要素を指している。この用語は、本発明の実施形態の１つ又は複数の基本的な、かつ新規な、又は機能的な特徴に大きな影響を与えない付加的な要素の存在を許容するものである。
【００５３】
用語「からなる」は、本明細書に記載した、組成、方法、及びそのそれぞれの構成要素を指し、実施形態の説明において言及されない任意の要素を除外するものである。
【００５４】
操作の実施例以外、又は特に示される場合を除いて、本明細書に用いられる量を表現する全ての数値は用語「約」により修飾されるものと理解されるべきである。用語「約」は、パーセンテージと結合して使用される場合、±１％を意味することができる。
【００５５】
単数形の用語「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」には、文脈により明白に別段の指示がない限り、複数形の指示対象を含む。同様に、単語「又は」は、文脈により明白に別段の指示がない限り、「及び」を含むことが意図されている。それ故、例えば、「方法（the method）」に対する言及は、本明細書に記載する種類、及び／又は本開示などを読むことで当業者にとって明らかとなる種類の、１つ以上の方法及び／又は工程を含む。
【００５６】
本明細書に記載するものに類似した又は同等の方法又は材料を、本開示の実践又は試験において使用することができるが、好適な方法及び材料を以下に記載する。用語「含む（comprises）」は「含む（includes）」を意味する。略語「例えば（e.g.）」は、ラテン語の例えば（exempli gratia）に由来し、本明細書では非限定的な例を示すために用いられる。それ故、略語「ｅ．ｇ．」は、用語「例えば」と同義である。
【００５７】
未だ示していない範囲にまで、本明細書に開示する他の実施形態のいずれかにおいて示される特徴を組み合わせるために、本明細書に記載又は例示する様々な実施形態のうちの任意のものを更に変更することができることが、当業者には理解されるであろう。
【００５８】
次の実施例は、本発明の実施形態及び態様の一部を例示するものである。当業者にとっては、本発明の趣旨又は範囲を変更することなく、様々な変更、付加、置換などを行うことができ、そのような変更及び変形は、次の特許請求の範囲で定義されるような本発明の範囲内に包含されることが明らかとなるであろう。次の実施例は、本発明をどのような形であれ限定しない。
【００５９】
以下は、本発明の実施形態による製造方法の実施例を提供し、これはフォトリソグラフィ・ベースのデバイス製造に好適な基板をもたらす。様々な方法は、反り（bow）、歪み（warp）、ＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ）、ＬＴＶ（Ｌｏｃａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）、及びＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｓｉｄｅ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ  Ｒａｎｇｅ）に関する要求される仕様を有する基板を提供する。
【００６０】
ＳｉＣウェハを生産するための実施形態は、本明細書で概説され、図１に示される一般的なプロセスに従う。工程１００では、ＳｉＣインゴットを取得する。ＳｉＣインゴットは、通常、昇華プロセスを用いて成長させる。一般的な所望の形状、例えば、円形又は正方形の断面を有するシリンダーを得るため、このインゴットの縁を切り落とすことができる（図示せず）。工程１０５では、このインゴットを薄いウェハにスライスする。次に、工程１１０では、それぞれのウェハの外周縁部を面取りする。知られているように、インゴットのスライシングにより、カットウェハに表面及びサブ表面の損傷が生じる。本実施例においては、ある一定の厚さ、例えば、５０〜１００マイクロメートルをウェハの両面のワーキング（working）から除去するため、ラッピング又は研削プロセスが工程１１５で使用され、それによって、スライシング損傷を除去し、一工程でウェハを平坦化する。このラッピングの後、工程１２０において両面研磨プロセスが続く。研磨後、工程１２５においてウェハはエピタキシャル成長のための準備が整うが、任意に、工程１２５のエピタキシャル成長前に、工程１３０において、エピタキシャル成長に使用する表面を、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて更に平滑化することができる。
【００６１】
次に実施例をより具体的に説明する。前述のとおりに、本実施例はＳｉＣ結晶をスライスすることから開始する。ＳｉＣはシリコンよりはるかに硬い（ＳｉＣはモース硬度スケールで９．５であるのに対し、Ｓｉは７である）ので、ＳｉＣインゴットのスライシングには、標準のシリコンスライシング方法を変更する必要がある。例えば、シリコンインゴットをスライスするのに一般的に用いられるＳｉＣスラリーは、ＳｉＣインゴットをスライスするのに使用できない。その代わりとして、ダイヤモンドスラリーを使用しなければならない（ダイヤモンドはモース硬度スケールで１０である）。ダイヤモンドスラリーが必要ないように、固定の研磨用ダイヤモンドワイヤーもまた検討されてきた。しかしながら、この特定の実施例においては、スライシングはマルチワイヤーソー（multi-wire saw）及びダイヤモンドスラリーを用いて行われ、１０μｍ未満のＴＴＶ及び３５μｍ未満の歪みに同時に適合するスライスを納入するように構成される。スライス速度、研磨剤のサイズ及び流量のスライシングパラメータは、一般にスライスの表面のスライスマークの形成を最小限にするように調整される。具体的には、ＴＴＶが１０μｍを超えると、後のプロセス工程でこの値を訂正するのは、望ましくない出費につながることが分かっている。したがって、スライシングパラメータはスライシングプロセス中にＴＴＶ＜１０μｍを与えるように調整される。
【００６２】
次に、ウェハの縁部を面取りする。これは、ラッピング中のウェハの周縁での欠損又は亀裂を避けるためにラッピング前に完了する。シリコンウェハの面取りは、例えば、米国特許公開第２００９／０３２４８９６号に開示されているが、本発明においては、面取りは台形溝形状をもつダイヤモンド砥石（ＳｉＣの硬度を考慮するため）を用いて行われる。
【００６３】
鋸損傷の除去はラッピング又は研削によって行われる。従来のラッピング機は、例えば、米国特許第４，５８２，５６１号に開示されている。現在のサイズのＳｉＣウェハ（７６〜１５０ｍｍ）に対してラッピング及び研磨を適切な使用することは分かっているが、２０インチ（約５００ｍｍ）超の直径を有するラッピング及び研磨装置が必要とされている。つまり、ラッピング及び研磨工具の表面は、グローバル及び局所的ウェハ厚さ並びに平坦度の両方を制御するため、ＳｉＣウェハの直径の少なくとも３倍でなければならない。
【００６４】
上述したように、スライシングは波状表面になる場合があるので、ラッピングは鋸損傷の除去に有用である（本明細書ではラッピングはウェハを平坦にし、表面を平行にするために使用される）。一実施例において、直径が約５００ミリメートル（２０インチ）超の両面ダイヤモンド研磨剤ラップ機は、スライスされたウェハの両面の材料を同時に除去するために使用される。この工程における平均ダイヤモンド粒径の範囲は４〜１２μｍである。あるいは、ダイヤモンド砥石は、それぞれの面に連続して当てられ、スライスされたウェハのそれぞれの面の材料を除去する。この砥石に使用される典型的なダイヤモンド研磨剤のサイズは、典型的に５００〜２０００メッシュ（約２５〜５μｍ）である。典型的な正味の除去対象は、いずれかの方法を用いてウェハの両面から６０〜８５μｍである。両面からの除去量は一般に等しく、約３０〜４５μｍがそれぞれの表面から除去される。除去される量は、スライシングプロセスにおける表面損傷及びスライシングマークを排除しなければならず、典型的に１時間未満で達成され得る。処理されたウェハのＴＴＶ及び歪みは、入ってくる次のスライス値より小さくしなければならない。
【００６５】
ストック研磨プロセス工程がこの鋸損傷除去工程に続く。両面のダイヤモンドスラリー研磨プロセスは、約５００ミリメートル（２０インチ）超の直径の機械上で行われ、ラッピングされた／研磨されたウェハの両面から機械的表面損傷材料を除去し、その厚さはほぼ目標値まで低減される。ダイヤモンドスラリーは標準のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製のキャリアを腐食するので、ウェハはステンレス鋼製キャリアに置かれる。ストック研磨工程は一工程で行ってもよいし、又は除去効率を最大化し、所望の最終表面粗さを達成するため、異なる平均粒径分布を有するスラリーでいくつかの工程に分離してもよい。除去される材料の典型的な量は、ラッピング工程での量の約２５％である。プロセス時間は、典型的には使用する研磨剤の粒径に応じて２〜４時間となる。最後の研磨工程を０．４５〜０．５５μｍの範囲にある中間の粒径をもつダイヤモンドスラリーを用いて行うときに、最も良い結果が得られ、鏡面状の表面をもたらす。
【００６６】
この統合したプロセスは鏡面状の表面を有する研磨されたウェハを提供することが分かってきた。上述の実施例により得られたウェハは、全ての仕様を満たす。つまり、前エピタキシウェハ面及び反対のウェハ面の両方の二乗平均平方根（ｒｍｓ）粗さＲｑ  １０〜１５Ａ、ＴＴＶ＜５μｍ、ＬＴＶ＜１．５μｍ、ＳＦＱＲ＜０．３μｍ、全てはサイトサイズ（site size）１×１ｃｍ２に対するものである。このウェハはエピタキシにおいて使用することができ、仮に前エピタキシである場合、残存機械的サブ表面損傷を全体的に除去するため、気相高温表面エッチング工程がＣＶＤ成長前に適用され、通常、これは０．５〜２．０ｎｍのエッチングに相当する。例えば、このエッチングを、１３００℃超の温度でガスを含有する水素及び又はハロゲンを含有するガス混合物を用いて、行うことができる。
【００６７】
あるいは、エピタキシの対象となるウェハの面を、更に、化学強化型機械研磨プロセス（化学的酸化）を用いて研磨することができ、これは、例えば、ウェハ表面を侵食するように、ウェハ表面を酸化する溶液中のアルミナ研磨剤又はシリカ研磨剤であってもよい。１μｍ未満を除去し、サブ表面損傷をほぼ排除する。発明された方法の実施形態に従って、ウェハに関連した平坦度指標はこの工程後は本質的に変化せず（＋／−１０％未満）、粗さ値Ｒｑは化学機械研磨を用いて研磨された面で０．５ｎｍ未満である。
【００６８】
次にＳｉＣエピタキシをウェハ上に堆積する。化学気相成長法によるＳｉＣ成長に関する当該技術分野において当業者に既知のあらゆる標準技術を適用することができる。エピタキシャル堆積を、温度均一性、圧力及び流量を用いてＣＶＤツールで調整することができるので、ウェハのＴＴＶ及びＬＴＶは本質的に不変（＋／−２０％未満）のままである。最終のウェハは、初めの研磨されたウェハの平坦度により、エピタキシ表面への集群段階が制限されるか、又はその段階がないように呈する。
【実施例】
【００６９】
（実施例１）
上述の、図１に示すプロセスフローを、製造された、直径が７５ｍｍ及び１００ｍｍの４Ｈ−ＳｉＣウェハに対して使用した。ウェハは０．０１５〜０．０２８Ω・ｃｍの抵抗率の範囲を呈した。工程１００−１０５−１１０では、ＳｉＣインゴットを直円柱体に機械加工した。円筒形インゴットをプラスチックのビーム上に取り付け、マルチワイヤーソーの中に置いた。インゴットを、ワイヤーとインゴットの周縁に向けられたダイヤモンドスラリーのフローを用いて切断した。ビームをソーから取り除き、溶液の中に置き、ビームからスライスを分離した。スライスを洗浄し、カセット内に置いた。ウェハを自動縁部研削システムに搬送し、そこで、ダイヤモンド砥石を用いて台形縁部プロファイルを形成した。このプロセスはＳＥＭＩ規格Ｍ５５のガイドラインに従う。
【００７０】
工程１１５では、示されたとおり、鋸損傷の除去がラッピング又は研削を用いて行われた。ラッピングは、直径＞１００センチメートル（４０インチ）をもつラッピング機を用いてウェハの両面に同時に行われた。ウェハをラッピングテーブル上に位置するいくつかのステンレス鋼製キャリア内に置いた。このテーブルは鉄で作られ、キャリアをラッピングプレート間で回転しながら、ダイヤモンド粒子を含有するスラリーをテーブル表面に向けた。独自の試みにおいて、研削を単一のウェハプロセスを用いて行い、ラッピングの代わりに結合されたダイヤモンド砥石を用いて連続してウェハのそれぞれの面を研削した。ウェハから材料を除去した後、どちらにしてもウェハを洗浄し、すすいだ。
【００７１】
工程１２０（研磨）は、直径＞１００センチメートル（４０インチ）をもつ研磨機を用いて、ウェハの両面に同時に行われた。ウレタンの研磨パッドは研磨テーブルの頂部プレート及び底部プレートをカバーした。ウェハを研磨テーブルに位置するいくつかのステンレス鋼製キャリア内に置いた。キャリアを研磨プレート間で回転しながら、ダイヤモンド粒子を含有する研磨スラリーを研磨プロセス中にテーブル表面に向けた。ウェハから材料を除去した後、ウェハを洗浄し、すすいだ。
【００７２】
工程１３０（ＣＭＰ研磨）を用いて処理されたサンプルについては、ウェハを、直径が５００ミリメートル（２０インチ）超の単面研磨システムにおける３つの研磨ヘッドのうち１つに接続されたプラスチック製キャリアから、いくつかの形成されたポケットのうち１つの中に置いた。それぞれの研磨ヘッドはウェハの直径に応じていくつかのウェハを保持することができる。ウレタン布を研磨テーブル上に置いた。研磨ヘッドをテーブルまで低下させ、テーブルを回転し、テーブルを回転しながら、酸化物研磨粒子をもつ研磨スラリーをテーブルに向けた。
【００７３】
工程１２５（エピタキシ）を用いて処理されたサンプルについては、ＳｉＣのＣＶＤ膜を、バッチ式ＣＶＤシステムを用いて研磨されたウェハに堆積した。ウェハをグラファイトサセプタに置き、真空チャンバの中に置いた。チャンバを真空まで排気し、ＲＦ誘導加熱を用いてサセプタを１５００℃超の温度まで加熱した。まず、水素及び塩化水素を含有する混合ガスをチャンバに供給し、ウェハの表面をエッチングした。システムを排気し、プロセス圧力まで水素で充填した。窒素、シリコン及び炭素ガスの混合物をチャンバに導入し、膜を形成した。最終の膜厚は１０μｍで、膜ドーピングは３〜６×１０１６／ｃｍ３の範囲である。
【００７４】
ＳｉＣ基板ウェハの試験はＭＴＩ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＡｕｔｏＳｃａｎ  ２００測定システムを用いて行われた。これは、ＡＳＴＭ／ＳＥＭＩ規格（ＴＴＶ  ＡＳＴＭ／ＳＥＭＩ  Ｆ５３３、反り  ＡＳＴＭ／ＳＥＭＩ  Ｆ５３４、歪み  ＡＳＴＭ／ＳＥＭＩ  Ｆ１３９０及び平坦度ＡＳＴＭ／ＳＥＭＩ  Ｆ１５３０−０２）と整合する計算を用いた静電容量ベースのウェハ形状試験である。ＳＢＩＲ及びＳＦＱＲ測定におけるサイトサイズ１×１ｃｍであった。粗さは、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社の原子間力顕微鏡を用いてタッピングモードで評価した。ウェハの中央部における２×２マイクロメートルのサイトを評価した。米国特許第８４３６３６６号はＴＴＶを測定するために同一の測定プロトコルを使用してしないことに留意されたい。米国特許第８４３６３６６号での数字は裏面基準の、すなわちチャックされた測定を示すのに対して、この作業に示すＴＴＶ測定はフローティング基板を基準とする。結果として本発明と米国特許第８４３６３６６号との間でＴＴＶ値を比較するのは直接的ではない。
【００７５】
表１は直径が７６ｍｍの研磨されたＳｉＣウェハについての平坦度の測定を列記する。このウェハについては、ラッピングにより鋸損傷の除去が行われ、研磨は化学機械研磨工程を介して施された。
【００７６】
【表１】
2016501809.tif 000003
【００７７】
表２は直径が１００ｍｍの研磨されたＳｉＣウェハについての平坦度の測定を鉄器する。このウェハについては、鋸損傷の除去は研削により行われ、研磨はストック研磨工程を介して施された。
【００７８】
【表２】
2016501809.tif 000004
【００７９】
表３は１０μｍのエピタキシャル膜を有する直径が７６ｍｍのＳｉＣウェハについての平坦度の測定を列記する。このウェハについては、鋸損傷の除去は研削により行われ、研磨はストック研磨工程を介して施された。
【００８０】
【表３】
2016501809.tif 000005
【００８１】
表４は１０μｍエピタキシャル膜を有する直径が１００ｍｍのＳｉＣウェハについての平坦度の測定を列記する。このウェハについては、鋸損傷の除去は研削により行われ、研磨はストック研磨工程を介して施された。
【００８２】
【表４】
2016501809.tif 000006
【００８３】
本明細書に記載した工程及び技術は、いずれかの特定の装置に本来的に関連するものではなく、構成要素の任意の好適な組み合わせによって実装されてもよいことが理解されるべきである。更に、本明細書に記載の教示に従って、汎用の様々な種類の装置を使用してもよい。本発明を、具体的な実施例と関連させて説明したが、これらの実施例は、あらゆる点で、制限的なものではなく、例示的なものであることを意図している。当業者は、多くの異なる組み合わせが本発明を実施するのに好適となるであろうことを、理解するであろう。
【００８４】
更に、本明細書の検討及び本明細書に開示した発明の実践から、本発明の他の実装が、当業者にとっては明らかとなるであろう。上述した実施形態の様々な態様、及び／又は構成は、単独で又は任意の組み合わせで使用されてもよい。本明細書及び各実施例は例示的なものとしてのみ解釈され、本発明の真の範囲及び趣旨は、次の特許請求の範囲によって示されることが意図されている。
【図１】
2016501809.tif 000007
【国際調査報告】
2016501809.tif 000008
2016501809.tif 000009