(57)【要約】テクネチウム９９ｍとモリブデン９９の含有量に関して溶出物をアッセイするためのシステムは、溶出物を受容するように構成されるウェルを含む、内側イオン化チャンバと、内側イオン化チャンバと同心円状の外側イオン化チャンバと、内側イオン化チャンバと外側イオン化チャンバとの間に位置付けられる減衰材料とを含む。コンピューティングデバイスは、内側イオン化チャンバで測定された第１の電流に基づいて、溶出物のテクネチウム９９ｍの含有量を判定し、外側イオン化チャンバで測定された少なくとも第２の電流に基づいて、溶出物のモリブデン９９の含有量を判定するように構成される。
2016510891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするためのシステムであって、
前記溶出物を受容するように構成されるウェルを含む、内側イオン化チャンバと、
前記内側イオン化チャンバの同心の外側イオン化チャンバと、
前記内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料と、
コンピューティングデバイスであって、
前記内側イオン化チャンバ内で測定された第１の電流に基づいて、前記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定することと、
少なくとも、前記外側イオン化チャンバ内で測定された第２の電流に基づいて、前記溶出物のモリブデン９９含有量を判定することと、
を行うように構成される、コンピューティングデバイスと、
を備える、システム。
【請求項２】
前記外側イオン化チャンバは、高圧キセノンガスチャンバである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記減衰材料は、タングステンおよび鉛のうちの少なくとも１つから作製される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムは、前記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量を同時に判定するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記コンピューティングデバイスに通信可能に結合され、前記内側イオン化チャンバ内の第１の電流を測定するように構成される、第１の電流測定デバイスと、
前記コンピューティングデバイスに結合され、前記外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するように構成される、第２の電流測定デバイスと、
をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１および第２の電流測定デバイスは、源測定ユニット（ＳＭＵ）である、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記コンピューティングデバイスはさらに、
テクネチウム９９ｍの減弱から３２２．４１ｋｅＶエネルギーに起因する前記判定されたモリブデン９９含有量の部分を計算することと、
前記計算された部分を前記判定されたモリブデン９９含有量から減算し、補正されたモリブデン９９含有量を生成することと
を行うように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記内側および外側イオン化チャンバは、環状である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするための方法であって、
前記溶出物を内側イオン化チャンバのウェル内に設置するステップと、
前記内側イオン化チャンバ内の第１の電流を測定するステップと、
外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するステップであって、前記外側イオン化チャンバは、前記内側イオン化チャンバと同心であって、減衰材料によって、前記内側イオン化チャンバから分離される、ステップと、
コンピューティングデバイスを使用して、前記第１の測定された電流から、前記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定するステップと、
前記コンピューティングデバイスを使用して、少なくとも前記第２の測定された電流から前記溶出物のモリブデン９９含有量を判定するステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するステップは、高圧キセノンガスチャンバ内の第２の電流を測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記コンピューティングデバイスを使用して、前記溶出物中のテクネチウム９９ｍとモリブデン９９の比率を計算するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶出物の前記テクネチウム９９ｍ含有量および前記モリブデン９９含有量は、同時に判定された、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
第１の電流を測定するステップは、第１の源測定ユニットを使用して、前記第１の電流を測定するステップを含み、第２の電流を測定するステップは、第２の源測定ユニットを使用して、前記第２の電流を測定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンピューティングデバイスを使用して、テクネチウム９９ｍの減弱から３２２．４１ｋｅＶエネルギーに起因する前記判定されたモリブデン９９含有量の部分を計算するステップと、
前記コンピューティングデバイスを使用して、前記計算された部分を前記判定されたモリブデン９９含有量から減算し、補正されたモリブデン９９含有量を生成するステップと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
溶出物中の複数の放射性同位体を検出するための放射線検出デバイスであって、
前記溶出物を受容するウェルを含む内側イオン化チャンバであって、第１の電流が、前記溶出物中に存在する第１の放射性同位体に応答して、前記内側イオン化チャンバ内に発生される、内側イオン化チャンバと、
前記内側イオン化チャンバと同心である外側イオン化チャンバであって、第２の電流が、前記溶出物中に存在する第２の放射性同位体に応答して、前記外側イオン化チャンバ内に発生される、外側イオン化チャンバと、
前記内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料と、
を備える、放射線検出デバイス。
【請求項１６】
前記第１の放射性同位体は、テクネチウム９９ｍであって、前記第２の放射性同位体は、モリブデン９９である、請求項１５に記載の放射線検出デバイス。
【請求項１７】
前記外側イオン化チャンバは、高圧キセノンガスチャンバである、請求項１５に記載の放射線検出デバイス。
【請求項１８】
前記減衰材料は、タングステンおよび鉛のうちの少なくとも１つから作製される、請求項１５に記載の放射線検出デバイス。
【請求項１９】
前記減衰材料は、厚さ約０．２５インチを有する、請求項１５に記載の放射線検出デバイス。
【請求項２０】
前記内側および外側イオン化チャンバは、環状である、請求項１５に記載の放射線検出デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の分野は、概して、溶出物の放射性含有量を検出することに関し、より具体的には、テクネチウムおよびモリブデンに関して溶出物をアッセイすることに関する。
【背景技術】
【０００２】
テクネチウム９９ｍ（９９ｍＴｃ）は、一般に、診断医療目的のために使用される、放射性同位体であって、テクネチウム発生器およびモリブデン９９（９９Ｍｏ）を使用して産生される。テクネチウム発生器によって産生される溶出物は、テクネチウム９９ｍだけではなく、また、汚染物質である、小量のモリブデン９９も含む。故に、テクネチウム発生器からの溶出物は、モリブデン９９含有量に関して試験（すなわち、アッセイ）される。例えば、米国薬局方協会（ＵＳＰ）は、テクネチウム発生器からの溶出物が試験されるべきであって、投与される用量あたりテクネチウム９９ｍ数ミリキュリーにつき０．１５マイクロキュリーを超えるモリブデン９９を含有するべきではないことを要求している。
【０００３】
従来のアッセイ方法は、第１の放射測定アッセイデバイスを使用して、テクネチウム９９ｍアッセイを行うステップと、続いて、溶出物を異なる場所に移送し、第２の放射測定アッセイデバイスを使用して、別個のモリブデン９９アッセイを行うステップとを要求する。さらに、従来のアッセイ方法では、技術者は、単一チャネル分析器を使用して、溶出物を測定し、手動で、測定されたデータをスプレッドシートに入力する。また、溶出物を移送する技術者は、プロセスの間、溶出物に暴露される。故に、テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９に関して溶出物をアッセイするための公知の方法は、時間がかかり、非効率的であって、技術者を放射性用量に暴露する。
【０００４】
本背景の項は、以下に説明および／または請求される本開示の種々の側面に関連し得る、技術分野の種々の側面を読者に導入することが意図される。本議論は、読者に背景情報を提供し、本開示の種々の側面のより深い理解を促進するのに役立つと考えられる。故に、これらの記載は、先行技術の許容としてではなく、この観点において熟読されたいことを理解されたい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一側面では、テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするためのシステムは、溶出物を受容するように構成されるウェルを含む、内側イオン化チャンバと、内側イオン化チャンバの同心の外側イオン化チャンバと、内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料とを含む。コンピューティングデバイスは、内側イオン化チャンバ内で測定された第１の電流に基づいて、溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定し、少なくとも、外側イオン化チャンバ内で測定された第２の電流に基づいて、溶出物のモリブデン９９含有量を判定するように構成される。
【０００６】
別の側面では、テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするための方法は、溶出物を内側イオン化チャンバのウェル内に設置するステップと、内側イオン化チャンバ内の第１の電流を測定するステップと、外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するステップであって、外側イオン化チャンバは、内側イオン化チャンバと同心であって、減衰材料によって、内側イオン化チャンバから分離される、ステップとを含む。本方法はさらに、コンピューティングデバイスを使用して、第１の測定された電流から、溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定するステップと、コンピューティングデバイスを使用して、少なくとも、第２の測定された電流から溶出物のモリブデン９９含有量を判定するステップとを含む。
【０００７】
さらに別の側面では、溶出物中の複数の放射性同位体を検出するための放射線検出デバイスは、溶出物を受容するウェルを含む内側イオン化チャンバであって、第１の電流が、溶出物中に存在する第１の放射性同位体に応答して、内側イオン化チャンバ内に発生される、内側イオン化チャンバを含む。放射線検出デバイスはさらに、内側イオン化チャンバと同心である外側イオン化チャンバであって、第２の電流が、溶出物中に存在する第２の放射性同位体に応答して、外側イオン化チャンバ内に発生される、外側イオン化チャンバと、内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料とを含む。
【０００８】
種々の精緻化が、前述の側面に関連して記載の特徴に存在する。さらなる特徴もまた、前述の側面に同様に組み込まれてもよい。これらの精緻化および付加的特徴は、個々に、または任意の組み合わせにおいて、存在してもよい。例えば、図示される実施形態のいずれかに関連して後述される、種々の特徴は、単独で、または任意の組み合わせにおいて、前述の側面のいずれかに組み込まれてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、溶出物をアッセイするための一実施形態のシステムの概略図である。
【図２】図２は、図１に示されるシステムと併用され得る、放射線検出デバイスの斜視部分切断図である。
【図３】図３は、図１に示されるシステムと併用され得る、コンピューティングデバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１を参照すると、溶出物をアッセイするためのシステムは、概して、１００として示される。図２は、図１に示されるシステムと併用され得る、放射線検出デバイス１０２の斜視部分的切断図である。システム１００は、第１の内側イオン化チャンバ１０４と、第２の外側イオン化チャンバ１０６とを有する、放射線検出デバイス１０２を含む。第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６は両方とも、環状であって、相互に同心である。第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６はそれぞれ、以下により詳細に説明されるように、溶出物の放射性含有量の検出を促進するためのガスを含有する。
【００１１】
第１のイオン化チャンバ１０４は、第１のウェル１０８を含み、第２のイオン化チャンバは、第２のウェル１１０を含む。さらに、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６は、第１のイオン化チャンバ１０４が第２のウェル１１０内に位置付けられるように、相互に同心である。減衰材料１１２は、第１のイオン化チャンバ１０４と第２のイオン化チャンバ１０６との間の第２のウェル１１０内に位置付けられる。減衰材料１１２は、溶出物から放出される低エネルギーガンマ線を濾過し、例えば、鉛またはタングステンであってもよい。本実施形態では、減衰材料１１２は、厚さ約０．２５インチを有する。代替として、減衰材料１１２は、本明細書に説明されるように、低エネルギーガンマ線を濾過するための任意の好適な寸法を有してもよい。
【００１２】
溶出物をアッセイするために、溶出物をその中に貯蔵するためのバイアル１１４または他の容器が、第１のウェル１０８の中に挿入される。バイアル１１４は、例えば、２０ミリリットル（ｍｌ）バイアルであってもよい。本実施形態では、溶出物は、テクネチウム発生器（図示せず）を使用して産生される。例えば、溶出物は、２０ｍｌ真空化バイアルを使用して、テクネチウム発生器カラムを１０ミリリットル（ｍｌ）の生理食塩水で溶出することによって産生されてもよい。故に、溶出物は、テクネチウム９９ｍと、比較的に少量のモリブデン９９とを含む。本実施形態では、第１のイオン化チャンバ１０４は、溶出物のテクネチウム９９ｍ（９９ｍＴｃ）含有量の検出を促進し、第２のイオン化チャンバ１０６は、溶出物のモリブデン９９（９９Ｍｏ）含有量の検出を促進する。溶出物をアッセイ後、溶出物は、放射性廃棄物システム（図示せず）を使用して、廃棄されてもよい。
【００１３】
より具体的には、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６はそれぞれ、ガスと、正電極と、負電極とを含有する。第１のイオン化チャンバ１０４は、外側電極１２０および内側電極１２２を含み、第２のイオン化チャンバ１０６は、外側電極１２４および内側電極１２６を含む。第１および第２のイオン化チャンバ１０４、１０６のそれぞれ内には、ある電極は、正電極として動作し、ある電極は、負電極として動作する。具体的には、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６のそれぞれ内において、電圧が、正および負電極間に印加され、ガス内に電場をもたらす。例えば、負電極に関して、数百ボルトの電圧が、正電極に印加されてもよい。本実施形態では、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６内の正および負電極間の電圧差は、放射線検出デバイス内に位置付けられるリチウムイオンバッテリ１３１を使用して印加される。他の電源もまた、使用されてもよい。溶出物から放出される放射線は、ガスをイオン化し、発生されたイオンは、電場に応答して移動し、その結果、個別のイオン化チャンバ内に電流を発生させる。放射線の量は、イオン化の量、ひいては、電流の量に対応する。故に、第１のイオン化チャンバ１０４内の第１の電流および第２のイオン化チャンバ１０６内の第２の電流を検出することによって、溶出物の放射性含有量が、判定されることができる。
【００１４】
本実施形態では、第１のイオン化チャンバ１０４は、アルゴン等のガスを含む。第１のウェル１０８内に位置付けられるバイアル１１４を用いて、溶出物中のテクネチウム９９ｍからの放射線は、第１のイオン化チャンバ１０４中のガスをイオン化し、第１のイオン化チャンバ１０４内に第１の電流を発生させる。第１のイオン化チャンバ１０４に通信可能に結合される第１の電流測定デバイス１３０は、第１の電流を測定する。本実施形態では、第１の電流測定デバイス１３０は、源測定ユニット（ＳＭＵ）である。ＳＭＵは、例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ（Ｒ）Ｓｕｂ−Ｆｅｍｐｔｏａｍｐ  Ｒｅｍｏｔｅ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅｔｅｒであってもよい（Ｋｅｉｔｈｌｅｙは、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，  Ｉｎｃ．（Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，  Ｏｈｉｏ）の登録商標である）。代替として、第１の電流測定デバイス１３０は、第１のイオン化チャンバ１０４内の第１の電流を測定可能な任意のデバイスであってもよい。
【００１５】
第１のイオン化チャンバ１０４は、第２のイオン化チャンバ１０６より低い感度を有する。故に、第１のイオン化チャンバ１０４は、高レベルのモリブデン９９を検出し得るが、より低いレベルのモリブデン９９は、第１のイオン化チャンバ１０４によって検出されない場合がある。モリブデン９９含有量が、第１のイオン化チャンバ１０４によって検出される場合でも、任意の検出された量は、実質的に、検出されたテクネチウム９９ｍの量に対してわずかである。
【００１６】
前述のように、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６は、低エネルギーガンマ線を濾過する、減衰材料１１２によって分離される。故に、テクネチウム９９ｍから放出されるガンマ線の大部分（すなわち、１４２．６３キロ電子電子（ｋｅＶ）放出および１４０．５１ｋｅＶ放出）は、第１のイオン化チャンバ１０４に到達するが、減衰材料１１２によって遮断され、第２のイオン化チャンバ１０６に到達しない。しかしながら、十分に高エネルギーを有するため、テクネチウム９９ｍからの３２２．４１ｋｅＶ放出は、第２のイオン化チャンバ１０６に到達する。
【００１７】
第２のイオン化チャンバ１０６は、本実施形態では、高圧キセノンガスチャンバである。第２のイオン化チャンバ１０６内のキセノンガスの使用は、溶出物中のモリブデン９９から放出される放射線に対する感度の増加を促進する。故に、第１のウェル１０８内に位置付けられるバイアル１１４を用いて、溶出物中のモリブデン９９からの放射線は、第２のイオン化チャンバ１０６内のガスをイオン化し、第２のイオン化チャンバ１０６内に第２の電流を発生させる。感度増加のため、第２のイオン化チャンバ１０６はまた、テクネチウム９９ｍからの３２２．４１ｋｅＶ放出にも敏感である。したがって、第２のイオン化チャンバ１０６内で発生される第２の電流の一部は、３２２．４１ｋｅＶ放出に起因し、モリブデン９９からの放出には起因しない。これは、以下により詳細に説明されるように、判定されたモリブデン９９含有量を補正することによって考慮されることができる。
【００１８】
第２のイオン化チャンバ１０６に通信可能に結合される第２の電流測定デバイス１３２は、第２の電流を測定する。本実施形態では、第２の電流測定デバイス１３２は、源測定ユニット（ＳＭＵ）である。ＳＭＵは、例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ（Ｒ）Ｓｕｂ−Ｆｅｍｐｔｏａｍｐ  Ｒｅｍｏｔｅ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅｔｅｒであってもよい（Ｋｅｉｔｈｌｅｙは、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，  Ｉｎｃ．（Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，  Ｏｈｉｏ）の登録商標である）。代替として、第２の電流測定デバイス１３２は、第２のイオン化チャンバ１０６内の第２の電流を測定可能な任意のデバイスであってもよい。
【００１９】
本実施形態では、コンピューティングデバイス１５０は、第１および第２の電流測定デバイス１３０および１３２に通信可能に結合される。コンピューティングデバイス１５０は、それぞれ、第１および第２の電流測定デバイス１３０および１３２から第１の電流測定および第２の電流測定を受信する。
【００２０】
放射線検出デバイス１０２は、本実施形態では、一対の吊上げ用アイボルト１６０を含む。放射線検出デバイス１０２は、比較的に重い（例えば、６０ポンドを上回る）場合があるため、吊上げ用アイボルト１６０は、放射線検出デバイス１０２を持ち上げ、移送するのを補助する。放射線検出デバイス１０２はまた、上部放射線遮蔽部材１７０と、底部放射線遮蔽部材１７２とを含む。上部および底部放射線遮蔽部材１７０および１７２は、任意の好適な放射線遮蔽材料（例えば、タングステン、鉛等）から作製されてもよい。
【００２１】
図３は、コンピューティングデバイス１５０のブロック図である。コンピューティングデバイス１５０は、少なくとも１つのメモリデバイス３１０と、命令を実行するためのメモリデバイス３１０に結合される、プロセッサ３１５とを含む。本実施形態では、実行可能命令は、メモリデバイス３１０内に記憶され、コンピューティングデバイス１５０は、プロセッサ３１５をプログラミングすることによって、本明細書に説明される１つまたはそれを上回る動作を行う。例えば、プロセッサ３１５は、１つまたはそれを上回る実行可能命令として動作をエンコードすることによって、かつ実行可能命令をメモリデバイス３１０内に提供することによって、プログラムされてもよい。
【００２２】
プロセッサ３１５は、１つまたはそれを上回る処理ユニット（例えば、マルチコア構成において）を含んでもよい。さらに、プロセッサ３１５は、メインプロセッサが単一チップ上に二次プロセッサとともに存在する、１つまたはそれを上回る異種プロセッサシステムを使用して実装されてもよい。別の例証的実施例として、プロセッサ３１５は、同一タイプの複数のプロセッサを含有する、対称マルチプロセッサシステムであってもよい。さらに、プロセッサ３１５は、１つまたはそれを上回るシステムおよびマイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、プログラマブル論理コントローラ（ＰＬＣ）、縮小命令セット回路（ＲＩＳＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、および本明細書に説明される機能を実行可能な任意の他の回路を含む、任意の好適なプログラマブル回路を使用して実装されてもよい。本実施形態では、プロセッサ３１５は、本明細書に説明されるように、それぞれ、第１および第２の電流測定から溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量を判定する。プロセッサ３１５はまた、第１および第２の電流測定デバイス１３０および１３２の動作を制御してもよい。
【００２３】
メモリデバイス３１０は、実行可能命令および／または他のデータ等の情報が、記憶され、読み出されることを可能にする、１つまたはそれを上回るデバイスである。メモリデバイス３１０は、限定ではないが、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、固体ディスク、および／またはハードディスク等、１つまたはそれを上回るコンピュータ可読媒体を含んでもよい。メモリデバイス３１０は、限定ではないが、アプリケーションソースコード、アプリケーションオブジェクトコード、着目ソースコード部分、着目オブジェクトコード部分、構成データ、実行イベント、および／または任意の他のタイプのデータを記憶するように構成されてもよい。
【００２４】
本実施形態では、コンピューティングデバイス１５０は、プロセッサ３１５に結合される、提示インターフェース３２０を含む。提示インターフェース３２０は、アプリケーションソースコードおよび／または実行イベント等の情報を技術者等のユーザ３２５に提示する。例えば、提示インターフェース３２０は、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、および／または「電子インク」ディスプレイ等のディスプレイデバイスに結合され得る、ディスプレイアダプタ（図示せず）を含んでもよい。提示インターフェース３２０は、１つまたはそれを上回るディスプレイデバイスを含んでもよい。本実施形態では、提示インターフェース３２０は、溶出物の判定されたテクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量を表示する。
【００２５】
コンピューティングデバイス１５０は、本実施形態では、ユーザ入力インターフェース３３５を含む。ユーザ入力インターフェース３３５は、プロセッサ３１５に結合され、入力をユーザ３２５から受信する。ユーザ入力インターフェース３３５は、例えば、キーボード、ポインティングデバイス、マウス、スタイラス、タッチセンサ式パネル（例えば、タッチパッドまたはタッチスクリーン）、ジャイロスコープ、加速度計、位置検出器、および／またはオーディオユーザ入力インターフェースを含んでもよい。タッチスクリーン等の単一構成要素は、提示インターフェース３２０およびユーザ入力インターフェース３３５の両方のディスプレイデバイスとして機能し得る。本実施形態では、コンピューティングデバイス１５０はさらに、プロセッサ３１５に結合される通信インターフェース３４０を含む。通信インターフェース３４０は、第１および第２の電流測定デバイス１３０および１３２等、１つまたはそれを上回る遠隔デバイスと通信する。
【００２６】
本実施形態では、コンピューティングデバイス１５０（より具体的には、プロセッサ３１５）は、第１の電流測定を第１の電流測定デバイス１３０から受信する。変換係数（例えば、メモリデバイス３１０内に記憶されている）を使用して、プロセッサ３１５は、第１の電流測定を対応するテクネチウム９９ｍ含有量に変換する。本実施形態では、テクネチウム９９ｍ含有量は、ミリキュリー（ｍＣｉ）で計算される。代替として、テクネチウム９９ｍ含有量は、任意の好適な単位で計算される。
【００２７】
コンピューティングデバイス１５０（より具体的には、プロセッサ３１５）はまた、第２の電流測定を第２の電流測定デバイス１３０から受信する。変換係数（例えば、メモリデバイス３１０内に記憶されている）を使用して、プロセッサ３１５は、第２の電流測定を対応するモリブデン９９含有量に変換する。本実施形態では、モリブデン９９含有量は、マイクロキュリー（μＣｉ）で計算される。代替として、モリブデン９９含有量は、任意の好適な単位で計算されてもよい。テクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量を計算するための変換係数は、例えば、システム１００のための較正プロセスの間、得られ得る。
【００２８】
プロセッサ３１５はまた、溶出物の判定されたテクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関連する他の値を計算および／または表示してもよい。例えば、プロセッサ３１５は、溶出物を産生するために使用されるテクネチウム発生器のための発生器収率を計算してもよく、またはモリブデン９９含有量とテクネチウム９９ｍ含有量の比率を計算してもよい。さらに、プロセッサ３１５によって計算される任意の値が、メモリデバイス３１０内に記憶されてもよく、および／または提示インターフェース３２０上に表示されてもよい。
【００２９】
前述のように、判定されたモリブデン９９含有量は、テクネチウム９９ｍからの３２２．４１ｋｅＶ放出を考慮することによって補正されることができる。より具体的には、システム１００の較正の間、補正係数が、３２２．４１ｋｅＶ放出に起因するテクネチウム９９ｍ含有量のパーセンテージを表すように判定され得る。着目すべきは、３２２．４１ｋｅＶ放出に起因するテクネチウム９９ｍ含有量のパーセンテージは、アッセイ値の範囲にわたって線形である。故に、いったん補正係数が判定されると、全アッセイ値に適用されることができる。
【００３０】
補正係数を使用して、判定されたモリブデン９９含有量が、補正されることができる。例えば、補正係数が、０．００１４９７５であると判定され（較正から）、検出されたテクネチウム９９ｍ含有量が、２３５７ｍＣｉである場合、３２２．４１ｋｅＶ放出に起因する、検出されたテクネチウム９９ｍ含有量の部分は、３．５３μＣｉ（すなわち、２３５７ｍＣｉ×０．００１４９７５＝３．５３μＣｉ）である。故に、３２２．４１ｋｅＶ放出が、第１および第２のイオン化チャンバ１０４および１０６の両方で検出されると仮定すると、実施例では、判定されたモリブデン９９含有量の３．５３μＣｉは、３２２．４１ｋｅＶ放出に起因する。検出されたモリブデン９９含有量からその部分を減算することによって、補正されたモリブデン９９含有量が、計算される。実施例では、検出されたモリブデン９９含有量が、７．２μＣｉである場合、補正されたモリブデン９９含有量は、３．６７μＣｉ（すなわち、７．２μＣｉ−３．５３μＣｉ＝３．６７μＣｉ）である。本実施形態では、プロセッサ３１５は、判定されたモリブデン９９含有量の補正と関連付けられた計算を行う。さらに、補正されたモリブデン９９含有量は、判定されたモリブデン９９含有量の代わりに、またはそれに加え、提示インターフェース３２０上に表示されてもよい。
【００３１】
同心イオン化チャンバ１０４および１０６を使用して、システム１００は、テクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量に関して溶出物を同時にアッセイ可能であって、テクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量に関するアッセイが連続して行われる方法から、溶出物をアッセイするために要求される時間を有意に短縮する。さらに、コンピューティングデバイス１５０を使用して、システム１００は、自動的に、溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量に関連するデータを収集および処理する。放射線検出デバイス１０２は、テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９の両方の含有量の検出を促進するため、本システムは、技術者による溶出物の取扱およびそれに対する暴露を低減させる。さらに、放射線検出デバイス１０２は、いくつかの公知の放射線検出デバイスと異なり、減衰材料１１２を含むため、デバイス１０２は、外部鉛遮蔽を要求しない。しかしながら、放射線検出デバイス１０２は、第２のイオン化チャンバ１０６を外部の背景放射線から保護するための内蔵遮蔽を含んでもよい。
【００３２】
溶出物をアッセイするためのシステムの例示的実施形態は、詳細に前述されている。本システムは、本明細書に説明される具体的実施形態に限定されず、むしろ、本システムの構成要素は、本明細書に説明される他の構成要素から独立して、かつ別個に、使用されてもよい。例えば、本明細書に説明される放射線検出デバイスはまた、他のシステムおよび方法と組み合わせて使用されてもよく、本明細書に説明されるようなシステムのみとの実践に限定されない。
【００３３】
本開示またはその実施形態の要素を導入する際、冠詞「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」、および「ｓａｉｄ」は、要素のうちの１つまたはそれを上回るものが存在することを意味することが意図される。用語「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（備える）」、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」、「ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ（含有する）」、および「ｈａｖｉｎｇ（有する）」は、列挙された要素を含有することが意図され、かつそれ以外の付加的要素も存在し得ることを意味する。特定の配向を示す用語（例えば、「上部」、「底部」、「側面」等）の使用は、説明の便宜上のものであって、説明される項目の任意の特定の配向を要求しない。
【００３４】
種々の変更が、本開示の範囲から逸脱することなく、前述の構造および方法に行われ得るため、前述の説明に含有され、付随の図面に示される、全ての事項は、例証であって、限定的意味で解釈されないものとすることが意図される。
【図１】
2016510891.tif 000003
【図２】
2016510891.tif 000004
【図３】
2016510891.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アッセイシステムであって、
ハウジングと、
前記ハウジング内のウェルと、
前記ハウジング内にあり、かつ第１のガスを含む第１のイオン化チャンバと、
前記ハウジング内にあり、かつ第２のガスを含む第２のイオン化チャンバと、
前記第１のイオン化チャンバと前記第２のイオン化チャンバとの間に位置付けられた減衰材料であって、前記第１のイオン化チャンバ、前記減衰材料、および前記第２のイオン化チャンバは、溶出物が前記ウェル内に位置付けられ、第１の放射線および第２の放射線を放出したときに、
１）前記第１の放射線が、前記第１のイオン化チャンバに到達するが、前記減衰材料によって前記第２のイオン化チャンバに到達することを遮断され、
２）前記第２の放射線が、前記減衰材料を通過し、前記第２のイオン化チャンバに到達する
ように、互いに対して位置付けられている、減衰材料と、
コンピューティングデバイスであって、
１）前記第１のイオン化チャンバに関連付けられた第１の電流に基づいて、第１の放射性同位体含有量を決定することと、
２）前記第２のイオン化チャンバに関連付けられた第２の電流に少なくとも基づいて、第２の放射性同位体含有量を決定することと
を行うように構成されている、コンピューティングデバイスと
を含む、アッセイシステム。
【請求項２】
前記ウェル内に配置された容器をさらに含み、前記容器は、溶出物を含む、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項３】
前記第１の放射性同位体は、前記溶出物内のテクネチウム９９ｍを含み、前記第２の放射性同位体は、前記溶出物内のモリブデン９９を含む、請求項２に記載のアッセイシステム。
【請求項４】
前記第１のイオン化チャンバおよび前記第２のイオン化チャンバの各々は、環状である、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項５】
前記第１のイオン化チャンバは、前記第２のイオン化チャンバの内側に配置されている、請求項４に記載のアッセイシステム。
【請求項６】
前記第２のイオン化チャンバは、前記第１のイオン化チャンバと同心である、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項７】
前記第１のイオン化チャンバは、前記第２のイオン化チャンバの内側に配置されている、請求項６に記載のアッセイシステム。
【請求項８】
前記第１のイオン化チャンバ内の前記第１のガスは、アルゴンであり、前記第２のイオン化チャンバ内の前記第２のガスは、キセノンである、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項９】
前記減衰材料は、ガンマ線を濾過する、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１０】
前記第１のイオン化チャンバおよび前記第２のイオン化チャンバの各々は、正電極および負電極を含む、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１１】
前記第１のイオン化チャンバに通信可能に結合された第１の電流測定デバイスと、
前記第２のイオン化チャンバに通信可能に結合された第２の電流測定デバイスと
をさらに含む、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１２】
前記コンピューティングデバイスは、前記第１の電流測定デバイスおよび前記第２の電流測定デバイスの各々から電流測定を受信する、請求項１１に記載のアッセイシステム。
【請求項１３】
前記ウェル内に位置付けられた溶出物の前記第１の放射性同位体含有量および前記第２の放射性同位体含有量は、前記アッセイシステムによって同時に決定される、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１４】
前記コンピューティングデバイスは、前記第１の電流を前記第１の放射性同位体含有量に変換するための第１の変換係数と、前記第２の電流を最初の第２の放射性同位体含有量に変換するための第２の変換係数とを含む、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１５】
前記コンピューティングデバイスは、第１の補正係数をさらに含み、前記第１の補正係数は、前記第１の電流および前記第２の電流の各々に反映される第１の放射性同位体の放出を補償する、請求項１４に記載のアッセイシステム。
【請求項１６】
前記コンピューティングデバイスは、第１の補正係数をさらに含み、前記第１の補正係数は、前記第１の電流および前記第２の電流の各々に反映される第１の放射性同位体の放出を補償する、請求項１に記載のアッセイシステム。
【請求項１７】
前記コンピューティングデバイスは、前記第２の電流から最初の第２の放射性同位体含有量を決定し、前記コンピューティングデバイスは、前記最初の第２の放射性同位体含有量および前記第１の補正係数の各々から前記第２の放射性同位体含有量を決定する、請求項１６に記載のアッセイシステム。
【請求項１８】
前記コンピューティングデバイスは、前記第２の電流から最初の第２の放射性同位体含有量を決定し、前記コンピューティングデバイスは、
前記第１の補正係数によって前記最初の第２の放射性同位体含有量を乗算して、補正値を生じ、その後、前記最初の第２の放射性同位体含有量から前記補正値を減算することにより、前記第２の放射性同位体含有量を決定する、請求項１６に記載のアッセイシステム。
【請求項１９】
第１の放射性同位体および第２の放射性同位体に対して溶出物をアッセイするための方法であって、
第１のイオン化チャンバにおける第１の電流を測定することであって、前記第１の電流は、溶出物によって放出された第１の放射線および前記第１のイオン化チャンバ内の第１のガスを用いて生成される、ことと、
前記第１の放射線が第２のイオン化チャンバに到達することを遮断することであって、前記遮断することは、前記第１のイオン化チャンバと前記第２のイオン化チャンバとの間に配置された減衰材料を用いることを含む、ことと、
前記減衰材料を通過させることにより、前記溶出物からの第２の放射線が、前記第２のイオン化チャンバに到達することを可能にすることと、
前記第２のイオン化チャンバにおける第２の電流を測定することであって、前記第２の電流は、前記溶出物によって放出された第２の放射線および前記第２のイオン化チャンバ内の第２のガスを用いて生成される、ことと、
前記第１の電流を用いて前記溶出物における第１の放射性同位体含有量を決定することと、
前記第２の電流を用いて前記溶出物における第２の放射性同位体含有量を決定することと
を含む、方法。
【請求項２０】
前記第１のイオン化チャンバ内に第１の電流を生成することと、
前記第２のイオン化チャンバ内に第２の電流を生成することと、
前記第１の放射線を用いて前記第１のイオン化チャンバにおける前記第１のガスをイオン化することと、
前記第２の放射線を用いて前記第２のイオン化チャンバにおける前記第２のガスをイオン化することと、
前記第１の電場に応答して、前記第１のイオン化チャンバ内のイオン化された第１のガスを移動させ、前記第１の電流を生成することと、
前記第２の電場に応答して、前記第２のイオン化チャンバ内のイオン化された第２のガスを移動させ、前記第２の電流を生成することと
をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
種々の精緻化が、前述の側面に関連して記載の特徴に存在する。さらなる特徴もまた、前述の側面に同様に組み込まれてもよい。これらの精緻化および付加的特徴は、個々に、または任意の組み合わせにおいて、存在してもよい。例えば、図示される実施形態のいずれかに関連して後述される、種々の特徴は、単独で、または任意の組み合わせにおいて、前述の側面のいずれかに組み込まれてもよい。
本明細書は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするためのシステムであって、
上記溶出物を受容するように構成されるウェルを含む、内側イオン化チャンバと、
上記内側イオン化チャンバの同心の外側イオン化チャンバと、
上記内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料と、
コンピューティングデバイスであって、
上記内側イオン化チャンバ内で測定された第１の電流に基づいて、上記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定することと、
少なくとも、上記外側イオン化チャンバ内で測定された第２の電流に基づいて、上記溶出物のモリブデン９９含有量を判定することと、
を行うように構成される、コンピューティングデバイスと、
を備える、システム。
（項目２）
上記外側イオン化チャンバは、高圧キセノンガスチャンバである、項目１に記載のシステム。
（項目３）
上記減衰材料は、タングステンおよび鉛のうちの少なくとも１つから作製される、項目１に記載のシステム。
（項目４）
上記システムは、上記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量およびモリブデン９９含有量を同時に判定するように構成される、項目１に記載のシステム。
（項目５）
上記コンピューティングデバイスに通信可能に結合され、上記内側イオン化チャンバ内の第１の電流を測定するように構成される、第１の電流測定デバイスと、
上記コンピューティングデバイスに結合され、上記外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するように構成される、第２の電流測定デバイスと、
をさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目６）
上記第１および第２の電流測定デバイスは、源測定ユニット（ＳＭＵ）である、項目５に記載のシステム。
（項目７）
上記コンピューティングデバイスはさらに、
テクネチウム９９ｍの減弱から３２２．４１ｋｅＶエネルギーに起因する上記判定されたモリブデン９９含有量の部分を計算することと、
上記計算された部分を上記判定されたモリブデン９９含有量から減算し、補正されたモリブデン９９含有量を生成することと
を行うように構成される、項目１に記載のシステム。
（項目８）
上記内側および外側イオン化チャンバは、環状である、項目１に記載のシステム。
（項目９）
テクネチウム９９ｍおよびモリブデン９９含有量に関して溶出物をアッセイするための方法であって、
上記溶出物を内側イオン化チャンバのウェル内に設置するステップと、
上記内側イオン化チャンバ内の第１の電流を測定するステップと、
外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するステップであって、上記外側イオン化チャンバは、上記内側イオン化チャンバと同心であって、減衰材料によって、上記内側イオン化チャンバから分離される、ステップと、
コンピューティングデバイスを使用して、上記第１の測定された電流から、上記溶出物のテクネチウム９９ｍ含有量を判定するステップと、
上記コンピューティングデバイスを使用して、少なくとも上記第２の測定された電流から上記溶出物のモリブデン９９含有量を判定するステップと、
を含む、方法。
（項目１０）
外側イオン化チャンバ内の第２の電流を測定するステップは、高圧キセノンガスチャンバ内の第２の電流を測定するステップを含む、項目９に記載の方法。
（項目１１）
上記コンピューティングデバイスを使用して、上記溶出物中のテクネチウム９９ｍとモリブデン９９の比率を計算するステップをさらに含む、項目９に記載の方法。
（項目１２）
上記溶出物の上記テクネチウム９９ｍ含有量および上記モリブデン９９含有量は、同時に判定された、項目９に記載の方法。
（項目１３）
第１の電流を測定するステップは、第１の源測定ユニットを使用して、上記第１の電流を測定するステップを含み、第２の電流を測定するステップは、第２の源測定ユニットを使用して、上記第２の電流を測定するステップを含む、項目９に記載の方法。
（項目１４）
上記コンピューティングデバイスを使用して、テクネチウム９９ｍの減弱から３２２．４１ｋｅＶエネルギーに起因する上記判定されたモリブデン９９含有量の部分を計算するステップと、
上記コンピューティングデバイスを使用して、上記計算された部分を上記判定されたモリブデン９９含有量から減算し、補正されたモリブデン９９含有量を生成するステップと、
をさらに含む、項目９に記載の方法。
（項目１５）
溶出物中の複数の放射性同位体を検出するための放射線検出デバイスであって、
上記溶出物を受容するウェルを含む内側イオン化チャンバであって、第１の電流が、上記溶出物中に存在する第１の放射性同位体に応答して、上記内側イオン化チャンバ内に発生される、内側イオン化チャンバと、
上記内側イオン化チャンバと同心である外側イオン化チャンバであって、第２の電流が、上記溶出物中に存在する第２の放射性同位体に応答して、上記外側イオン化チャンバ内に発生される、外側イオン化チャンバと、
上記内側および外側イオン化チャンバ間に位置付けられる、減衰材料と、
を備える、放射線検出デバイス。
（項目１６）
上記第１の放射性同位体は、テクネチウム９９ｍであって、上記第２の放射性同位体は、モリブデン９９である、項目１５に記載の放射線検出デバイス。
（項目１７）
上記外側イオン化チャンバは、高圧キセノンガスチャンバである、項目１５に記載の放射線検出デバイス。
（項目１８）
上記減衰材料は、タングステンおよび鉛のうちの少なくとも１つから作製される、項目１５に記載の放射線検出デバイス。
（項目１９）
上記減衰材料は、厚さ約０．２５インチを有する、項目１５に記載の放射線検出デバイス。
（項目２０）
上記内側および外側イオン化チャンバは、環状である、項目１５に記載の放射線検出デバイス。
【国際調査報告】
2016510891.tif 000006
2016510891.tif 000007
2016510891.tif 000008