(57)【要約】  半導体デバイスを製造する方法は、反応器内にIII-N半導体層を形成すること、及び、炭化水素前駆体を反応器内に注入し、これによりIII-N半導体層を炭素ドープしてIII-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることを含み得る。半導体デバイスは、基板、及びこの基板上の炭素ドープされた絶縁性又は半絶縁性を有するIII-N半導体層を含み得る。III-N半導体層中の炭素ドープ濃度は、5×1018cm-3よりも大きく、また、III-N半導体層中の転位密度は、2×109cm-2未満である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器内の基板上にIII-N半導体層を形成することと、
前記III-N半導体層の形成中に、炭化水素前駆体を前記反応器の中に注入し、これにより前記III-N半導体層を炭素ドープして前記III-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることと、を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記炭化水素前駆体を注入することが、化学式(CxHy)を有する炭化水素前駆体を注入することを含み、ここでx及びyが1以上の整数である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記基板上に前記III-N半導体層を形成することが、前記III-N半導体層を、シリコン基板を覆うIII-N核形成層を覆うIII-Nバッファ層として形成することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記III-Nバッファ層を覆ってIII-Nチャネル層を形成し、且つ前記III-Nチャネル層を覆ってIII-Nバリア層を形成し、これにより、前記チャネル層と前記バリア層との間の接合面に隣接する二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルを形成することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記III-N半導体層をIII-Nバッファ層として形成することが、複数の成長条件下で前記III-Nバッファ層を形成することを含み、且つ、前記III-Nチャネル層を形成することが、同じ又は実質的に同じ成長条件下で前記III-Nチャネル層を形成することを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の成長条件が、表面温度及び反応器圧力を含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の成長条件が、第V族前駆体の流量に対する第III族前駆体の流量の比率をさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記バリア層がAlGaNを備え、前記チャネル層がドープされていない又は非意図的にドープされた(UID)GaNを備え、前記バッファ層がAlGaN若しくはGaN又はその両方を備える、請求項4に記載の方法。
【請求項９】
前記基板上に前記III-N半導体層を形成することが、前記III-N半導体層を金属有機化学気相蒸着法(MOCVD)によって形成することを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記III-N半導体層を形成することが、第III族前駆体を前記反応器の中に第III族前駆体のモル流量で注入することを含み、且つ、前記炭化水素前駆体を前記反応器の中に注入することが、前記炭化水素前駆体を前記反応器の中に炭化水素前駆体のモル流量で注入することを含み、前記炭化水素前駆体のモル流量が、前記第III族前駆体のモル流量の少なくとも0.02倍である、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記III-N半導体層を形成することが、第III族前駆体を前記反応器の中に第III族前駆体のモル流量で注入することを含み、且つ、前記炭化水素前駆体を前記反応器の中に注入することが、前記炭化水素前駆体を前記反応器の中に炭化水素前駆体のモル流量で注入することを含み、前記炭化水素前駆体のモル流量が、前記第III族前駆体のモル流量よりも大きい、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記炭化水素前駆体が、プロパン若しくはメタン又はその両方を備える、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
ゲート端子、ドレイン端子、及びソース端子を前記半導体デバイスに追加し、これによりIII-N高電子移動度トランジスタ(HEMT)を形成することをさらに含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
アノード端子及びカソード端子を前記半導体デバイスに追加し、これによりIII-Nダイオードを形成することをさらに含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記III-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることが、前記III-N半導体層に少なくとも1×107オーム-cmの抵抗率を持たせることを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記III-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることが、前記III-N半導体層に少なくとも1×105オーム-cmの抵抗率を持たせることを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記III-N半導体層を炭素ドープする結果として、前記III-N半導体層が1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有する、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上の炭素ドープされた絶縁性又は半絶縁性を有するIII-N半導体層と、を備え、前記III-N半導体層中の炭素ドープ濃度が5×1018cm-3よりも大きく且つ前記III-N半導体層中の転位密度が2×109cm-2未満である、半導体デバイス。
【請求項１９】
前記III-N半導体層が前記基板から遠位の第1の側面及び前記第1の側面と前記基板との間の第2の側面を有し、前記III-N半導体層中の前記転位密度が前記III-N半導体層の前記第1の側面に隣接する転位密度である、請求項18に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記基板が異質の基板である、請求項19に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記III-N半導体層がIII-N核形成層を覆うIII-Nバッファ層を備え、前記基板がシリコン基板である、請求項19に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
前記III-Nバッファ層を覆うIII-Nチャネル層及び前記III-Nチャネル層を覆うIII-Nバリア層をさらに備え、これにより、前記チャネル層と前記バリア層との間の接合面に隣接する二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルを形成している、請求項21に記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記バリア層がAlGaNを備え、前記チャネル層がドープされていない又は非意図的にドープされた(UID)GaNを備え、前記バッファ層がAlGaN若しくはGaN又はその両方を備える、請求項22に記載の半導体デバイス。
【請求項２４】
ゲート端子、ドレイン端子、及びソース端子をさらに備え、III-N高電子移動度トランジスタ(HEMT)である、請求項18から23のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項２５】
アノード端子及びカソード端子をさらに備え、III-Nダイオードである、請求項18から23のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項２６】
前記III-N半導体層中の前記炭素ドープ濃度が5×1021cm-3未満である、請求項18から23のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項２７】
反応器内の基板上に第1のIII-N半導体層を形成することと、
前記第1のIII-N半導体層の形成中に、炭化水素前駆体を前記反応器の中に注入し、これにより前記第1のIII-N半導体層を炭素ドープして前記第1のIII-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることと、
前記第1のIII-N半導体層上に第2のIII-N材料層を形成することと、を含み、
前記第2のIII-N材料層が前記第1のIII-N材料層よりも実質的に低い炭素濃度を有する、半導体材料構造物を形成する方法。
【請求項２８】
前記基板が異質の基板である、請求項27に記載の方法。
【請求項２９】
前記第2のIII-N材料層の前記基板とは反対側の表面が、5特徴部/cm2未満の巨視的特徴部の密度を有し、前記巨視的特徴部の各々が、100ナノメートルよりも大きい平均高さを有する、請求項28に記載の方法。
【請求項３０】
前記炭化水素前駆体が、前記第1のIII-N材料層の形成中に前記反応器の中に注入されるが、前記第2のIII-N材料層の形成中には前記反応器の中に注入されない、請求項27から29のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
前記炭化水素前駆体がプロパンを備える、請求項30に記載の方法。
【請求項３２】
前記第2のIII-N材料層が前記第1のIII-N材料層よりも薄い、請求項30に記載の方法。
【請求項３３】
異質の基板上の第1のIII-N半導体層と、
前記第1のIII-N半導体層よりも薄い、第1のIII-N材料構造物の前記異質の基板とは反対側の側面上の第2のIII-N半導体層と、を備え、
前記第1のIII-N半導体層が層全体にわたって1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有し、
前記第2のIII-N半導体層全体にわたる炭素濃度が、前記第1のIII-N半導体層全体にわたる前記炭素濃度未満であり、
前記第2のIII-N材料層の前記基板とは反対側の表面が5特徴部/cm2未満の巨視的特徴部の密度を有し、前記巨視的特徴部の各々が100ナノメートルよりも大きい平均高さを有する、材料構造物。
【請求項３４】
前記第2のIII-N半導体層がIII-Nバリア層及びIII-Nチャネル層を備え、前記III-Nチャネル層と前記III-Nバリア層との間の接合面に二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルが隣接している、請求項33に記載の材料構造物。
【請求項３５】
前記第1のIII-N半導体層と前記第2のIII-N半導体層とを組み合わせた厚さが6ミクロン未満である、請求項33又は34に記載の材料構造物。
【請求項３６】
異質の基板上の第1のIII-N半導体層と、
前記第1のIII-N半導体層よりも薄い、第1のIII-N材料構造物の前記異質の基板とは反対側の側面上の第2のIII-N半導体層と、を備え、
前記第1のIII-N半導体層が1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有する絶縁性又は半絶縁性を有する層であり、
前記第2のIII-N半導体層の炭素濃度が前記第1のIII-N半導体層の前記炭素濃度未満であり、
前記第2のIII-N半導体層の前記異質の基板とは反対側の表面における転位密度が2×109cm-2未満である、材料構造物。
【請求項３７】
前記第1のIII-N半導体層と前記第2のIII-N半導体層とを組み合わせた厚さが6ミクロン未満である、請求項36に記載の材料構造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に半導体デバイスを製造することに関し、特に、炭素ドープ半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーエレクトロニクスの用途で使用される多くのトランジスタは、シリコン(Si)半導体材料を用いて製造されてきた。電力用途用の一般的なトランジスタデバイスは、Siクールモス(CoolMOS)、SiパワーMOSFET、及びSi絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
Siパワーデバイスは、高価ではないが、相対的に低いスイッチング速度及び高いレベルの電気的ノイズを含め、いくつかの欠点による困難を有する。より近年では、シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスが、それらの優れた特性のために検討されている。窒化ガリウム(GaN)系デバイスなどの第III族窒化物すなわちIII-Nの半導体デバイスが今や、大きな電流を担持し、高圧をサポートし、非常に低いオン抵抗及び高速のスイッチング時間を提供するための魅力的な候補として登場しつつある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一つの態様では、半導体デバイスを製造する方法は、反応器内にIII-N半導体層を形成すること、及び、III-N半導体層の形成中に、炭化水素前駆体を反応器内に注入し、これによりIII-N半導体層を炭素ドープしてIII-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることを含み得る。
【０００５】
第2の態様では、半導体デバイスは、基板、及びこの基板上の炭素ドープされた絶縁性又は半絶縁性を有するIII-N半導体層を含み得る。III-N半導体層中の炭素ドープ濃度は、1×1018、5×1018、又は1×1019cm-3よりも大きく、また、III-N半導体層中の転位密度は、2×109cm-2未満である。
【０００６】
第3の態様では、半導体材料構造物を形成する方法は、反応器内の基板上に第1のIII-N半導体層を形成することと、及び、第1のIII-N半導体層の形成中に、反応器の中に炭化水素前駆体を注入し、これにより第1のIII-N半導体層を炭素ドープして第1のIII-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることを含み得る。この方法は、第1のIII-N材料層上に第2のIII-N材料層を形成することをさらに含むことができ、この場合、第2のIII-N材料層は、第1のIII-N材料層よりも実質的に低い炭素濃度を有する。
【０００７】
第4の態様では、材料構造物は、異質(foreign)の基板上の第1のIII-N半導体層、及び第1のIII-N材料構造物のこの異質の基板とは反対側の側面上の第2のIII-N半導体層を含むことができ、第2のIII-N半導体層は、第1のIII-N半導体層よりも薄い。第1のIII-N半導体層は、層全体にわたって、1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有することができ、また、第2のIII-N半導体層全体にわたる炭素濃度は、第1のIII-N半導体層全体にわたる炭素濃度未満とすることができる。さらに、第2のIII-N材料層の基板とは反対側の表面は、5特徴部/cm2未満の巨視的特徴部(macroscopic features)の密度(density)を有することができ、この場合、巨視的特徴部の各々は、100ナノメートルよりも大きい平均高さを有する。
【０００８】
第5の態様では、材料構造物は、異質の基板上の第1のIII-N半導体層、及び第1のIII-N材料構造物のこの異質の基板とは反対側の側面上の第2のIII-N半導体層を含むことができ、第2のIII-N半導体層は、第1のIII-N半導体層よりも薄い。第1のIII-N半導体層は、1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有する絶縁性又は半絶縁性を有する層とすることができる。第2のIII-N半導体層の炭素濃度は、第1のIII-N半導体層の炭素濃度未満とすることができ、また、第2のIII-N半導体層の異質の基板とは反対側の表面における転位密度は、2×109cm-2未満とすることができる。
【０００９】
本明細書に記載される方法及びデバイスは、以下の特徴のうちの一つ以上を各々含むことができる。炭化水素前駆体を注入することは、化学式(CxHy)を有する炭化水素前駆体を注入することを含むことができ、ここでx及びyは1以上の整数である。基板上にIII-N半導体層を形成することは、III-N半導体層を、シリコン基板を覆うIII-N核形成層を覆うIII-Nバッファ層として形成することを含み得る。方法は、III-Nバッファ層を覆ってIII-Nチャネル層を形成し、且つIII-Nチャネル層を覆ってIII-Nバリア層を形成し、これにより、チャネル層とバリア層との間の接合面に隣接する二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルを形成することを含み得る。III-N半導体層をIII-Nバッファ層として形成することは、複数の成長条件下でIII-Nバッファ層を形成することを含むことができ、且つ、III-Nチャネル層を形成することは、同じ又は実質的に同じ成長条件下でIII-Nチャネル層を形成することを含み得る。複数の成長条件は、表面温度及び反応器圧力を含み得る。複数の成長条件は、第V族前駆体の流量に対する第III族前駆体の流量の比率をさらに含み得る。基板上にIII-N半導体層を形成することは、III-N半導体層を金属有機化学気相蒸着法(MOCVD)によって形成することを含み得る。バリア層はAlGaNを備えることができ、チャネル層はドープされていない又は非意図的に(意図せずに)ドープされた(unintentionally doped)(UID)GaNを備えることができ、バッファ層はAlGaN若しくはGaN又はその両方を備えることができる。
【００１０】
III-N半導体層を形成することは、第III族前駆体を反応器の中に第III族前駆体のモル流量で注入することを含むことができ、また、炭化水素前駆体を反応器の中に注入することは、炭化水素前駆体を反応器の中に炭化水素前駆体のモル流量で注入することを含むことができ、この場合、炭化水素前駆体のモル流量は、第III族前駆体のモル流量の少なくとも0.02倍である。III-N半導体層を形成することは、第III族前駆体を反応器の中に第III族前駆体のモル流量で注入することを含むことができ、また、炭化水素前駆体を反応器の中に注入することは、炭化水素前駆体を反応器の中に炭化水素前駆体のモル流量で注入することを含むことができ、この場合、炭化水素前駆体のモル流量は、第III族前駆体のモル流量よりも大きい。炭化水素前駆体は、プロパン若しくはメタン又はその両方を備え得る。方法は、ゲート端子、ドレイン端子、及びソース端子を半導体デバイスに追加し、これによりIII-N高電子移動度トランジスタ(HEMT)を形成することをさらに含み得る。方法は、アノード端子及びカソード端子を半導体デバイスに追加し、これによりIII-Nダイオードを形成することをさらに含み得る。III-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることは、III-N半導体層に少なくとも1×105又は1×107オーム-cmの抵抗率を持たせることを含み得る。III-N半導体層を炭素ドープする結果として、III-N半導体層は、1×1018cm-3よりも大きい炭素濃度を有し得る。炭化水素前駆体は、第1のIII-N材料層の形成中に反応器の中に注入され得るが、第2のIII-N材料層の形成中には注入され得ない。
【００１１】
III-N半導体層は、基板から遠位の第1の側面、及び第1の側面と基板との間の第2の側面を有することができ、この場合、III-N半導体層中の転位密度は、III-N半導体層の第1の側面に隣接する転位密度である。III-N半導体層は、III-N核形成層を覆うIII-Nバッファ層を備えることができ、この場合、基板はシリコン基板である。デバイスは、III-Nバッファ層を覆うIII-Nチャネル層、及びIII-Nチャネル層を覆うIII-Nバリア層をさらに備えることができ、これにより、チャネル層とバリア層との間の接合面に隣接する二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルを形成する。バリア層はAlGaNを備えることができ、チャネル層はドープされていない又は非意図的にドープされた(UID)GaNを備えることができ、バッファ層はAlGaN若しくはGaN又はその両方を備えることができる。基板は異質の基板とすることができる。デバイスは、ゲート端子、ドレイン端子、及びソース端子をさらに備えることができ、この場合、半導体デバイスはIII-N高電子移動度トランジスタ(HEMT)である。デバイスは、アノード端子及びカソード端子をさらに備えることができ、この場合、半導体デバイスはIII-Nダイオードである。III-N半導体層中の炭素ドープ濃度は、5×1021cm-3未満とすることができる。
【００１２】
第2のIII-N材料層の基板とは反対側の表面は、5特徴部/cm2未満の巨視的特徴部の密度を有することができ、この場合、巨視的特徴部の各々は、100ナノメートルよりも大きい平均高さを有する。第1のIII-N半導体層と第2のIII-N半導体層とを組み合わせた厚さは、6ミクロン未満、たとえば5ミクロン未満、4ミクロン未満、又は3ミクロン未満とすることができる。第2のIII-N材料層は、第1のIII-N材料層よりも薄くすることができる。
【００１３】
本明細書に記載される主題の特定の実施形態は、以下の利点のうちの一つ以上を実現するように実施され得る。絶縁性又は半絶縁性を有する炭素ドープされたIII-N層が、広い範囲の濃度(1e16〜1e22cm-3)からの炭素ドープのレベルで形成することができ、従来技術と比較して層の一つ以上の成長パラメータに対する制約が少ない。絶縁性又は半絶縁性を有する層は、低い転位密度で形成することができ、異質の基板、たとえばSi又はSiC基板上に、平滑な表面が成長され得る。有機金属化学気相蒸着(MOCVD)中に非ハロゲン系前駆体(たとえば炭化水素前駆体)を注入することにより、有機金属前駆体とのハロゲンを含有する分子の相互作用を低減又は排除することができ、これにより、炭素ドープされたAlGaNのMOCVD成長中にCX4(X=ハロゲン)前駆体が合金組成(すなわちAlGaN中のGaに対するAlの比率)に影響を及ぼすことを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】例示のIII-N半導体デバイスの断面図である。
【図１Ｂ】例示のIII-N半導体デバイスの断面図である。
【図２】炭素ドープ層を含むIII-N半導体デバイスを製造するための、例示の方法のフロー図である。
【図３】炭素ドープされている少なくとも一つの層を有するIII-N半導体デバイスを製造するための、システムのブロック図である。
【図４】例示のIII-N半導体材料構造物の断面図である。
【図５Ａ】III-N材料構造物の表面上に形成された巨視的特徴部を断面視した概略図である。
【図５Ｂ】III-N材料構造物の表面上に形成された巨視的特徴部を平面視した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
様々な図面における類似の参照符号は、類似の要素を示している。
【００１６】
図1Aは、例示の第III族窒化物(すなわちIII-N)半導体デバイス100の断面図である。たとえば、デバイスは、図1Bに例示されるように、ソース端子114、ドレイン端子116、及びゲート端子118をデバイスに追加することによって、トランジスタ、たとえばIII-N高電子移動度トランジスタ(HEMT)とすることができる。別の例では、デバイスは、アノード端子及びカソード端子をデバイスに追加することによって、ダイオードとすることができる(図示せず)。
【００１７】
デバイスは、基板102を含む。基板は、たとえば、シリコン、SiC、窒化アルミニウム(AlN)、GaN、サファイア(Al2O3)、又はIII-N材料の成長に好適な任意の他の成長基板とすることができる。大きな本来的な基板(すなわちIII-N材料で形成された基板)は、一般的には利用不可能であり且つ非常に高価となる傾向があるため、デバイスは、典型的には、シリコン、シリコンカーバイド、又はサファイアなどの異質の基板(すなわちIII-N材料ではない材料で形成された基板)上に形成される。デバイスは、基板上に核形成層104を含む。核形成層は、III-N核形成層とすることができ、また、たとえばAlNを含むことができる。
【００１８】
デバイスは、バッファ層106を含む。バッファ層は、III-Nバッファ層とすることができ、また、CドープされたAlGaN若しくはGaN又はその両方を含むことができる。バッファ層は、たとえば一部の層はより高いAlの濃度を有する基板により近く且つ一部の層はより低いAlの濃度を有する基板からより遠い状態で、いくつかの異なる層を含むことができる。バッファ層は、バッファ層を炭素ドープすることによって、絶縁性又は半絶縁性とすることができる。このことは、たとえば表面下の漏れ電流又は早期の降伏を防止するために有用で有り得る。
【００１９】
デバイスは、III-Nチャネル層108及びIII-Nバリア層110をさらに含み、この場合、チャネル層及びバリア層の組成は、チャネル層とバリア層との間の接合面に隣接する二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルを誘起するように選択される。たとえば、チャネル層は、ドープされてない又は非意図的にドープされた(UID)GaNを含むことができ、バリア層はAlGaNを含むことができる。
【００２０】
第III族窒化物すなわちIII-Nの材料、層、デバイス、及び構造物の用語は、化学量論組成式BwAlxInyGazNによる複合半導体材料から成る材料、デバイス、又は構造物を指す場合があり、ここでw+x+y+zは約1であり、w、x、y、及びzは各々がゼロ以上且つ1以下である。第III族窒化物すなわちIII-Nのデバイスでは、導電性チャネルは、III-N材料層内に部分的に又は完全に含まれ得る。
【００２１】
デバイスの層は、反応器内での分子線エピタキシ法(MBE)又は有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)、或いは他の技法によって形成され得る。窒素前駆体としてNH3を用いてMOCVDによって形成されたIII-N層において、炭素ドープを達成するための一つの方法は、有機金属前駆体(たとえばTMGa若しくはTMAl又はその両方)からの炭素が層内に取り込まれるように、層の成長条件を調整することである。たとえば、炭素の取り込みに有利であるいくつかの成長条件は、以下、すなわち、低い反応器圧力、低いNH3の分圧、低い蒸着温度、及び高い成長速度を含む。
【００２２】
これらの成長条件が、特定の用途に関して層を絶縁性又は半絶縁性とするのに十分なレベルで炭素ドープに関して実施されるとき、成長条件は、層の他の特徴、たとえば層の貫通転位密度及び表面粗さに関する較正に関して制限される。たとえば、異質の(すなわちIII-Nではない)基板、たとえばシリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、又はサファイア(Al2O3)上に形成された層を考慮されたい。
【００２３】
そのような層は、より低い反応器圧力、より低いNH3の分圧、より低い蒸着温度、及びより高い成長速度のうちの一つ以上を含む成長条件下で形成され得るが、これらの成長条件は結果として、層中のより高い転位密度及びより高いレベルの点欠陥ももたらし得る。これらの方法を使用して、炭素ドープレベルを約5×1018cm-3よりも大きい(及びいくつかの場合には8×1017cm-3よりも大きい)レベルに高めることにより、結果的に追加として、表面粗化若しくは程度の良くない表面形態又はその両方がもたらされ得る。
【００２４】
層において炭素ドープを達成するための別の方法は、層の成長中に、炭化水素前駆体を反応器の中に注入することである。炭化水素前駆体は、化学組成(CxHy)の分子を含み、ここでx及びyは1以上の整数である。炭化水素の例は、プロパン(C3H8)、メタン(CH4)、及びC2H2を含む。
【００２５】
炭素ドープを達成するこの方法は、結果として、1×1018、5×1018、1×1019、又は3×1019cm-3を超える炭素ドープを有し、一方で同時に、2×109cm-2未満の、たとえば約1×109cm-2未満又は約8×108cm-2未満の転位密度を有する層をもたらし得る。III-N半導体層中の炭素ドープ濃度は、1×1019cm-3から5×1021cm-3の間、又は1×1018cm-3から5×1021cm-3の間とすることができる。いくつかの実装形態では、核形成層は20〜50nmの間の厚さであり、バッファ層は1〜10ミクロンの間の厚さ(たとえば約5ミクロン)であり、チャネル層は約200〜1000nmの厚さ(典型的には約400nm)であり、バリア層は10〜40nmの間の厚さ(たとえば約25nm)である。
【００２６】
図2は、炭素ドープ層を含むIII-N半導体デバイスを製造するための、例示の方法200のフロー図である。例示を目的として、方法が図1の例示のデバイス100を参照して記載されるが、この方法は、他のデバイスを製造するために及び他の装置における他の種類の層を炭素ドープするために使用され得る。
【００２７】
核形成層が、シリコン基板上に形成される(202)。たとえば、シリコン基板は、MOCVD反応器などの反応器の中に設置され得、また、核形成層は反応器内で、たとえばAlNの層として蒸着され得る。
【００２８】
バッファ層が、核形成層上に形成される(204)。たとえば、バッファ層は、たとえばAlGaN若しくはGaN又はその両方の層として蒸着され得る。いくつかの実装形態では、バッファ層は、二つ以上の層を備える。AlGaNの複数の層が、連続する各層においてAlの量を減らして蒸着される。最終的には、一つ以上のGaNの層が蒸着され得る。
【００２９】
バッファ層が形成される間、炭化水素前駆体が反応器の中に注入される(206)。たとえば、炭化水素前駆体は、第III族の及び/又は第V族の前駆体を反応器の中に注入する間に、同時に又は交互に反応器の中に注入され得る。
【００３０】
チャネル層が、バッファ層上に形成される(208)。たとえば、チャネル層は、たとえばドープされてない又は非意図的にドープされた(UID)GaNの層として蒸着され得る。いくつかの実装形態では、チャネル層は、バッファ層と同じ又は実質的に同じ成長条件下で形成される。バッファ層がGaNの最上位の層を含む場合、チャネル層は、反応器内で、炭化水素前駆体の注入を止めてGaNの蒸着を続けることによって、いずれの他の成長条件も変えることなく蒸着され得る。すなわち、反応器圧力及び/若しくは温度、並びに/又は反応器に入る総ガスモル流量、並びに/又は第V族前駆体のモル流量の第III族前駆体のモル流量に対する比率は、チャネル層に関して及びチャネル層に直接隣接するバッファ層の一部分に関して同じとすることができ、炭化水素前駆体が、チャネル層に直接隣接するバッファ層の一部分の成長中に反応器の中に注入されるが、チャネル層の成長中には注入されない。
【００３１】
バリア層が、チャネル層上に形成される(210)。たとえば、バリア層は、たとえばAlGaNの層として蒸着され得る。二次元電子ガス(2DEG)活性チャネルが、チャネル層とバリア層との間の接合面に隣接して誘起される。バリア層は、チャネル層よりも大きいバンドギャップ(bandgap)を有することができ、そしてこのことは少なくとも部分的に、チャネル層における2DEGの誘起を引き起こし得る。トランジスタを形成するために、ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子が、次いでIII-N材料層構造物上に形成される(212)。代替として、ダイオードを形成するために、アノード端子及びカソード端子が、次いでIII-N材料層構造物上に形成される(図示せず)。
【００３２】
図3は、炭素ドープされている少なくとも一つの層を有するIII-N半導体デバイスを製造するための、システム300のブロック図である。システムは、たとえば、図2の方法を実行して図1A及び図1Bのデバイスを製造するために使用され得る。
【００３３】
システムは、反応器302、たとえばMOCVD反応器を含む。基板304が反応器の中に設置され、III-N層306が基板上に形成される。反応器制御システム308が、一つ以上の成長条件を調整することによって、層306の形成を制御する。反応器制御システムは、キャリアガス316(たとえばH2若しくはN2又はその両方などの不活性キャリアガス)、第V族前駆体ガス318(たとえばNH3)、第III族前駆体ガス320(たとえばTMGa若しくはTMAl又はその両方)、並びに炭化水素前駆体ガス322(たとえばC3H8、CH4、及びC2H2のうちの一つ以上)を含む、一つ以上の材料の反応器の中への注入を制御することができる。
【００３４】
反応器制御システムは、たとえば、操作者からの入力を受け、たとえば反応器及びガス用の貯蔵モジュールに出力制御信号を提供する、一つ以上のコンピュータのシステムとして実装され得る。反応器制御システムは、たとえば、(たとえば反応器内の圧力を制御するための)圧力制御モジュール310、(たとえば形成中の層の表面温度を制御するための)蒸着温度制御モジュール312、成長速度モジュール314、及び他のモジュールを含み得る。成長速度モジュール314は、反応器圧力、表面温度、並びに様々な前駆体及びキャリアガスの流量などの、成長速度に影響を与える変数を制御することによって、成長速度を間接的に制御してもよい。
【００３５】
いくつかの実装形態では、反応器制御システムは、第III族前駆体を反応器の中に第III族前駆体のモル流量で注入することによって、及び炭化水素前駆体を反応器の中に炭化水素前駆体のモル流量で注入することによって、III-N半導体層を形成するように構成される。層中の炭素ドープの量は、炭化水素前駆体のモル比と第III族前駆体のモル流量との間の比率を変化させることによって、少なくとも部分的に制御され得る。
【００３６】
III-N材料のMOCVD成長中のIII-N材料の炭素ドープのためのいくつかの炭化水素前駆体、特にプロパン(C3H8)に関して、ドーパントの取り込み効率が、III-N材料のMOCVD成長中に典型的に導入される他のドーパントの取り込み効率よりも、はるかに低いことが見出されている。たとえば、シリコンなどのドーパントに関して、この場合、シリコン前駆体としてシラン又はジシランが使用され、このとき、シリコン前駆体のモル流量の第III族前駆体のモル流量に対する比率は約1/1000であるが(及びいくつかの場合にはさらに低い)、III-N材料中のシリコンドープレベルは、III-N材料中のドーパントの飽和限度にほぼ等しく、これは約1×1021cm-3であり得る。第III族前駆体のモル流量に対してシリコン前駆体のモル流量をより高い値に増やすことによっては、層中の電気的に活性なシリコンの濃度は実質的に高まらず、典型的には、結果として得られるIII-N層の構造的な品質がより劣るものとなり、たとえば、より高い転位密度及び点欠陥密度並びに程度の良くない表面形態に至る結果となる。しかしながら、炭素前駆体としてプロパンを使用するMOCVD成長中のIII-N材料の炭素ドープに関して、プロパン前駆体の存在しない状態で、低い炭素ドープレベル(たとえば1×1017cm-3未満)に対応する反応器の条件下で成長が実行されるとき、第III族前駆体のモル流量の約1/1000のモル流量でプロパンを追加することによっては、III-N材料中の炭素ドープは実質的に増加せず、典型的には、依然として1×1017cm-3よりも小さい炭素ドープレベルをもたらす。
【００３７】
いくつかのシステムでは、また特にプロパン(C3H8)が炭化水素前駆体として利用されるときには、層中の炭素ドープレベルを約1×1017から1×1019cm-3の間又は1×1017cm-3を上回るものとするために、第III族前駆体のモル流量の約又は少なくとも0.02倍である炭化水素前駆体のモル流量が必要とされる可能性がある。いくつかのシステムでは、炭化水素前駆体のモル流量が第III族前駆体のモル流量の約又は少なくとも0.2倍であるとき、層中の炭素ドープレベルは、約1×1018cm-3又は1×1018cm-3超、或いは約1×1018から1×1020cm-3の間とすることができる。いくつかのシステムでは、炭化水素前駆体のモル流量が第III族前駆体のモル流量よりも実質的に、たとえば第III族前駆体のモル流量よりも2倍、又は20倍、又は200倍、又は2000倍、又は20,000倍大きいとき、層中の炭素ドープレベルは、約1×1018又は1×1019又は1×1020cm-3、或いは1×1018又は1×1019又は1×1020cm-3超とすることができる。プロパン前駆体を用いて形成された炭素ドープ層の抵抗率は、約1e18cm-3以上の炭素ドープレベルに対して1×105オーム-cmよりも大きく、又は約1×1019cm-3以上の炭素ドープレベルに対して1×107オーム-cmよりも大きく、又は約1×1020cm-3以上の炭素ドープレベルに対して1×108オーム-cmよりも大きくすることができる。
【００３８】
いくつかの実装形態では、反応器制御システムは、1077Cの表面温度及び200ミリバールの圧力で、少なくとも一つの層(たとえばUID GaNチャネル層)を形成するように構成される。反応器制御システムは、窒素前駆体、たとえばアンモニア(NH3)を0.54モル/分の流量で反応器の中に流し、トリメチルガリウム(TMGa)を0.65ミリモル/分の流量で反応器の中に流し、反応器に入る総ガス流を毎分80リットル又は約80リットルに制御する。反応器制御システムは、キャリアガス流を増やして又は減らして他の流れの増加又は減少を補償することによって、総ガス流を実質的に一定の流量に維持することができる。この結果、この層において約5×1016cm-3以下の炭素ドープがもたらされる。
【００３９】
反応器制御システムは、炭化水素前駆体を反応器の中に流すことによって、同じ又は実質的に同じ成長条件下で炭素ドープ層を形成することができる。たとえば、炭素ドープ層に関して、表面温度が1077Cに維持され、圧力が200ミリバールに維持され、アンモニアの流量が0.54モル/分に維持され、TMGaの流量が0.65ミリモル/分に維持され、反応器に入る総ガス流の流量が毎分約80リットルに維持される場合、炭化水素前駆体を反応器の中に流すことによって、1×1018cm-3よりも大きい、5×1018cm-3よりも大きい、1×1019cm-3よりも大きい、又は1×1020cm-3よりも大きい炭素ドープレベルを達成することができる。同時に、炭素ドープされたIII-N層がシリコンなどの異質の基板上に形成される場合、炭素ドープされたIII-N層の上側部分(すなわち、炭素ドープされたIII-N層の基板から最も遠い表面に隣接する部分)の転位密度は、構造物中のIII-N層の合計厚さが6ミクロン未満、5ミクロン未満、4ミクロン未満、又は3ミクロン未満である場合であっても、2×109cm-2よりも小さい、及び典型的にはさらに1×109cm-2よりも小さいレベルに維持され得る。
【００４０】
比較すると、炭化水素前駆体が炭素ドープ層の成長中に反応器の中に流されない場合は、反応器制御システムは、指定された程度まで炭素ドープ層が絶縁性となるようにするのに十分な炭素を取り込むように、成長パラメータのうちの一つ以上又は全てを調整することができる。たとえば、反応器制御システムは、圧力を50ミリバールに低減し、温度を1020Cに低減し、NH3の流量を0.045モル/分に低減し、総ガス流を毎分約80リットルに維持し、第III族前駆体ガスの流れを維持することができる。
【００４１】
成長条件に対するこれらの調整の結果、最大約5×1018cm-3の炭素ドープがもたらされる。これらの条件下で層を成長させたときの層の上側表面での転位密度は、2×109cm-2より大きい場合があり、典型的には5×109から6×109cm-2の間である。反応器の条件をさらに調整してこれらの層中の炭素濃度をさらに増加させることにより、材料構造物の表面形態の実質的な劣化を引き起こす可能性があり、また典型的には結果としてさらに高い転位密度ももたらす。
【００４２】
ここで、図4を参照すると、多くのIII-N半導体デバイスにおいて、デバイスの活性部分は、III-N材料構造物420の基板402から最も遠い層418内に含まれる。たとえば、図1A及び図1Bのトランジスタ構造を参照すると、デバイスチャネル112は、チャネル層108内に含まれる(したがって、図1A及び図1Bのチャネル層108及びバリア層110は、図4の追加の層418に対応する)。そのようなデバイスでは、追加の層418中の欠陥及び/又はトラップが結果的に最小限となる条件下で追加の層418を形成する間、基板402及び/又は核形成層404及び/又はバッファ層406を、追加の層418から電気的に分離することが、多くの場合好ましい。既述したように、このことは、核形成層404及び/又はバッファ層406の成長中に、炭化水素前駆体を反応器の中に注入し、これによりこれらの層を炭素でドープしてこれらを絶縁性又は半絶縁性にし、一方で、追加の層418の一部又は全部を、実質的により低い炭素のレベルを有するドープされていない(又は非意図的にドープされた)層として成長させることによって、達成され得る。多くの場合、バッファ層406の厚さは追加の層418の厚さよりも大きく、この結果、III-N材料構造物の厚さの少なくとも半分が、実質的な炭素ドープを有することになる。そのような構造により、追加の層418の表面における転位密度を低減するとともに、核形成層及び/又はバッファ層の炭素ドープが他の方法によって達成される場合と比較して、III-N材料構造物420の上側表面を実質的により平滑にする結果をもたらし得る。これらの改善された特徴により、結果としてデバイス性能の改善及びより高い歩留まりがもたらされる。
【００４３】
たとえば、炭素ドープが、炭素ドープ層の成長中の反応器圧力及び温度の低減などの、既述した他の方法によって達成されるとき、異質の基板(たとえばシリコン基板)上に成長させた結果的なIII-N膜は、表面上に大きな巨視的特徴部を有することが見出されている。これらの特徴部は、それらの間にかなりの量の空間的分離を有する傾向がある一方、これらの特徴部上に直接形成されたデバイスは、動作不能であるか、又はウェハ上の他のデバイスよりも実質的に性能が劣るかのいずれかである。
【００４４】
そのような特徴部のより高い密度を結果的にもたらす条件下で成長させたIII-N材料構造物520の表面上に形成された、巨視的特徴部500の概略図が、図5A及び図5Bに示される。図5Aは特徴部500の断面図であり、図5Bは特徴部500の平面図(頂面図)である。図5Bの平面図に見られるように、特徴部500は、六角形の形状を有することができる。特徴部の平均直径502は、典型的には20ミクロンよりも大きく、より具体的には約20〜500ミクロンの範囲内であり、また、特徴部の平均高さ504は、典型的には100ナノメートルよりも大きく、たとえば約200〜500ナノメートルである。比較してみると、これらの巨視的特徴部を含まないウェハの領域において、表面高さの平均偏差は、典型的には20ナノメートルよりもはるかに小さい。
【００４５】
ここで、再び図4を参照すると、核形成層404及び/又はバッファ層406が、1×1018cm-3よりも大きい炭素ドープ濃度を有するとき、これは炭素ドープが、反応器の条件を調整すること、たとえば表面温度及び反応器圧力を低くしてIII-N層中により高い濃度の炭素を取り込むことによって達成される場合であるが、III-N材料構造物420の表面が、8特徴部/cm2よりも大きい巨視的特徴部500の密度を有することが見出されている。他方、層404及び/又は層406の成長中にプロパンなどの炭化水素前駆体を注入することよって炭素ドープが達成されるとき、巨視的特徴部500の密度は5特徴部/cm2未満となるようにすることができ、典型的には2特徴部/cm2未満である。
【００４６】
いくつかの実装形態が記載されてきた。それでもやはり、本明細書に記載された技法及びデバイスの精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正が行われ得ることが、理解されるであろう。たとえば、本明細書に記載された炭素ドープされたIII-N層を形成するための工程は、絶縁性又は半絶縁性を有する層を必要とする他のデバイス、たとえば光電池、レーザ、及びLEDの製造において使用され得る。したがって、他の実装形態が、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。
【図１Ａ】
2016521450.tif 000003
【図１Ｂ】
2016521450.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2016521450.tif 000008
【図５Ｂ】
2016521450.tif 000009
【国際調査報告】
2016521450.tif 000010
2016521450.tif 000011