(57)【要約】  基板、例えばフォトレジストウエハーから有機および有機金属物質を除去するために有用である組成物が記載されている。無機基板に対しコーティングとして最小体積の組成物を塗布し、これにより充分な熱が加えられ、有機または有機金属物質が洗い流しにより完全に除去されることになる方法が提示されている。組成物および方法は、ポジ型およびネガ型のフォトレジスト、そして厳密にはネガ型ドライフィルムフォトレジストを電子デバイスから除去し、一部の場合においては完全に溶解させるために好適であることができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の、ジメチルスルホキシド以外の極性非プロトン性溶媒と；
ｂ）約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の少なくとも１つのアルカノールアミンと；
ｃ）約３ｗｔ．％未満の水酸化第４級アンモニウムと；
ｄ）水と、
を含む組成物。
【請求項２】
極性非プロトン性溶媒が、ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン；ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
極性非プロトン性溶媒が約５５ｗｔ．％〜約８０ｗｔ．％の量で存在する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
アルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノプロパン−１−オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールまたはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
アルカノールアミンがジメチルアミノエタノールを含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
アルカノールアミンが１０ｗｔ．％未満の量で存在する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
アルカノールアミンが５ｗｔ．％未満の量で存在する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
水酸化第４級アンモニウムが、水酸化テトラメチルアンモニウム；水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物；水酸化テトラブチルアンモニウム；水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム；テトラプロピルアンモニウム；水酸化ジメチルジプロピルアンモニウム；水酸化テトラエチルアンモニウム；水酸化ジメチルジエチルアンモニウムまたはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
水酸化第４級アンモニウムが２．５ｗｔ．％未満の量で存在する、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
さらに界面活性剤、金属腐食防止剤またはその両方を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
ａ）約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒と；
ｂ）約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第１のアルカノールアミンと；
ｃ）約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第２のアルカノールアミンと；
ｄ）水と；
を含む組成物。
【請求項１２】
極性非プロトン性溶媒が、ジメチルスルホキシド；ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン；ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物を含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
極性非プロトン性溶媒がジメチルスルホキシドを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
極性非プロトン性溶媒が、約３５ｗｔ．％〜約８５ｗｔ．％の量で存在する、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１５】
第１のアルカノールアミンおよび第２のアルカノールアミンが各々独立して、アミノエチルエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノプロパン−１−オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールまたはそれらの混合物を含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１６】
ａ）約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒と；
ｂ）約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％のアミンまたはアルカノールアミンと；
ｃ）約１ｐｐｍ〜約１０ｗｔ．％の腐食防止剤と；
を含む組成物。
【請求項１７】
極性非プロトン性溶媒が、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン；ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
アルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノプロパン−１−オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールまたはそれらの混合物を含む、請求項１６に記載の組成物。
アミンがジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルベンジルアミン、マロンアミドまたはそれらの混合物である、請求項２４に記載の組成物。
【請求項１９】
腐食防止剤が、芳香族ヒドロキシル化合物、アルキルカテコール、フェノール、ピロガロール；芳香族トリアゾール、カルボン酸、没食子酸エステル、有機物、エタノールアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ピリジンを含むカルボキシルの有機塩、キレート化合物、１つまたは複数のカルボン酸、１つまたは複数のジカルボン酸およびそれらの混合物を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
極性非プロトン性溶媒が、１−ホルミルピペリジンを含み、アミンまたはアルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミンを含み、腐食防止剤が、ドデカン二酸、ウンデカン二酸およびセバシン酸の混合物を含む、請求項１６に記載の組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、全体が参照により本明細書に援用されている２０１２年１１月２１日出願の「基板から物質を除去するための方法および組成物」という題の米国仮特許出願第６１／７２８，９０５号に対する優先権を主張するものである。
【０００２】
共同開発の陳述
本発明は、Ｅａｓｔｍａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．とＥＶ  Ｇｒｏｕｐ間の共同開発契約にしたがって創出されたものである。上述の共同開発契約は、請求対象の発明がなされた日付以前に発効されており、請求対象の発明は、共同開発契約の範囲内で着手された活動の結果としてなされたものである。
【背景技術】
【０００３】
例えばフォトレジストおよび有機系誘電体などを含めた電子デバイスの製造においては、さまざまなポリマーが使用されてよい。例えば、フォトレジストは、フォトリソグラフィー作業における半導体デバイスの製造全体を通して使用される可能性がある。フォトレジストは、フォトマスクを通して化学線に曝露されてよい。ポジ型レジストが使用される場合、曝露は、材料内で化学反応をひき起し、その結果、水性アルカリ中での溶解度が増大し、それを溶解させて現像剤で洗い流すことが可能になる。ネガ型レジストが使用される場合、曝露された領域内でポリマーの架橋が発生し、一方で未曝露領域は変化がないまま残される場合がある。未曝露領域は、好適な現像液の化学的性質による溶解および洗い流しを受ける場合がある。現像後、レジストマスクが後に残される場合がある。レジストマスクの設計および幾何形状は、レジストのポジまたはネガ型トーンに左右され得る。ポジ型トーンのレジストは、フォトマスクの設計に一致してよく、一方ネガ型トーンのレジストは、フォトマスクの設計と反対のパターンを提供してよい。
【０００４】
フォトレジストは、マイクロ電子デバイスのパッケージングおよび化合物半導体の製造を含めた多くの利用分野において広範に使用される。
【０００５】
ウエハーレベルのパッケージングにおいては、マイクロ電子デバイスの製造を完了しているものの個別のチップ状にダイスカットされていないウエハーに対して、直接はんだが適用される。フォトレジストは、ウエハー上のはんだの配置を画定するためのマスクとして使用される。はんだがウエハー上に被着された後、フォトレジストは、パッケージングプロセス内の次のステップが行われる前に除去されなければならない。典型的には、ウエハーレベルのパッケージングにおいて、フォトレジストは非常に厚く、１０μｍを上回り、１２０μｍもの厚みを有する場合もある。フォトレジストは、ポジ型またはネガ型であり得、液体またはドライフィルムのいずれかとして使用可能である。ウエハーレベルのパッケージングでは、厚いドライフィルムのネガ型フォトレジストの使用が一般的である。
【０００６】
厚いドライフィルムのネガ型フォトレジストの厚みおよび架橋性に起因して、はんだ被着後のこの材料の除去は困難である可能性がある。これらのプロセスフローに対する要件の結果として、典型的に一度に２５〜５０という多数のウエハーを同時に加工できかつ長いプロセス所要時間にもなお対応しながら工具の処理能力を増大させるように、浸漬清浄が発達した。このタイプの加工の成功により、パッケージングプロセス全体を通して厚いネガフィルムをうまく取込むことが可能になった。しかしながら、ウエハーフィーチャの寸法が縮小し続け、ウエハーあたりのプロセス数が増大するにつれて、ウエハーの価値は増大し続ける。こうして、プロセス故障に起因する不良な結果の危険性を最小限に抑える最良の方法が、各ウエハーを個別に加工することにあるとする時点が到来する。現行の浸漬技術は、優れた清浄特性、優れた相溶性および業界の実用的な処理能力および所有コスト目標を満たすと考えられるプロセス所要時間を有する除去溶液を提供していない。
【０００７】
化合物半導体の加工においては、ポジおよびネガのスピンオンフォトレジストが一般的に使用される。例えば、リフトオフプロセスのためには、フォトレジストが適用され、パターン化され、金属がパターンの上面全体にわたって被着され、フォトレジストが除去され、同時にその上面上の金属を除去する。その上、単一ウエハープロセス内でのフォトレジストの除去のためには、永久的なウエハー材料と相溶性あるより優れた剥離用組成物が必要とされる。
【０００８】
さらに、化合物半導体加工においては、表面上にフォトレジストをパターン化し、基板をパターン化されたレジストと共にプラズマを伴うチャンバ内へ入れることによって、基板表面上の一層の中にパターンが形成される。プラズマは、フォトレジストとの関係において開放表面を優先的にエッチングして、曝露された層内のフォトレジストと同じパターンを作り出すように選択され得る。プラズマ処理後、フォトレジストならびに多くの場合有機金属および／または金属有機の性質を有するポストエッチ残渣が表面上に残る。ウエハー表面上の永久的な材料との相溶性をなおも維持しながら、残留するフォトレジストと同時にポストエッチ残渣を除去することは、デバイス性能を保証する一助となると考えられる。
【発明の概要】
【０００９】
この概要は、例えば半導体ウエハーからフォトレジストを除去する場合などの、基板から物質を除去するための組成物の単純化された概念を紹介する目的で提供される。例示的組成物の追加の詳細は、以下の「発明を実施するための形態」の中でさらに記述される。本概要は、請求対象の主題の不可欠な特徴を識別することを意図されたものではなく、また請求対象の主題の範囲を決定する上で使用するように意図されたものでもない。
【００１０】
一実施形態によると、本開示は、基板から物質を除去するための組成物に関する。この組成物は、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の、ジメチルスルホキシド以外の極性非プロトン性溶媒と；約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の少なくとも１つのアルカノールアミンと；約３ｗｔ．％未満の水酸化第４級アンモニウムと；水とを含んでいてよい。
【００１１】
別の実施形態によると、本開示は、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒と；約１０ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第１のアルカノールアミンと；約１０ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第２のアルカノールアミンと；水とを含んでいてよい、基板から物質を除去するための組成物に関する。
【００１２】
さらに別の実施形態によると、本開示は、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒と；約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％のアミンまたはアルカノールアミンと；約１ｐｐｍ〜約１０ｗｔ．％の腐食防止剤とを含んでいてよい、基板から物質を除去するための組成物に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、例えば半導体ウエハーなどの無機基板から有機物質（例えばフォトレジスト）を除去するために有用な組成物について記述する。剥離用組成物は、現在の清浄技術が有するデメリットを克服し、ウエハーから厚いドライフィルムネガ型フォトレジストをうまく除去できるようにする。
【００１４】
本開示の剥離用溶液は、半導体ウエハー、ＲＦデバイス、ハードドライブ、メモリーデバイス、ＭＥＭＳ、太陽光発電、ディスプレイ、ＬＥＤ、ウエハーレベルパッケージング、はんだバンプ製造およびメモリーレジスタ製造を含めた（ただしこれに限定されない）さまざまなデバイスの製造において利用されてよい。開示されている剥離用溶液が同様に有用である場合がある他の利用分野としては、非限定的に、フォトレジスト（ＢＥＯＬ、ＦＥＯＬ）、ポストメタラクゼーション、ポストエッチ残渣、ポスト注入残渣、リフトオフ（制御型腐食）、不動態化層の再加工およびフォトレジスト再加工の除去が含まれる。
【００１５】
「剥離する」、「除去する」および「清浄する」という用語は、本明細書全体を通して互換的に使用される。同様にして、「剥離用組成物」、「剥離用溶液」および「清浄用組成物」という用語は、互換的に使用される。不定冠詞「ａ」および「ａｎ」は、単数および複数の両方を含むように意図されている。全ての範囲は包括的であり、このような数値的範囲が合計して１００％になるという制約があることが明らかである場合を除いて、いかなる順序ででも組合せ可能であり、各々の範囲は、その範囲内の全ての整数を含む。「重量百分率」または「ｗｔ％」という用語は、別段の指示の無いかぎり、組成物の総重量に基づく重量百分率を意味する。
【００１６】
一実施形態によると、本発明は、ジメチルスルホキシド以外の極性非プロトン性溶媒、アミンまたはアルカノールアミン、水酸化第４級アンモニウムおよび水を含む剥離用溶液に関する。任意には、剥離用溶液の残余は、水であり得る。金属腐食防止剤または界面活性剤などの添加剤も同様に含まれていてよい。一部の剥離用組成物はさらに、二次溶媒を含む。
【００１７】
極性非プロトン性溶媒は、ジメチルスルホキシド以外の極性非プロトン性溶媒であり、ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン、ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物であり得るが、これらに限定されない。一実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、剥離用組成物中に、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％；約３５ｗｔ．％〜約８５ｗｔ．％または約５５ｗｔ．％〜約８０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％、少なくとも６０ｗｔ．％、少なくとも７０ｗｔ．％または少なくとも８０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、９０ｗｔ．％以下、８０ｗｔ．％以下、７０ｗｔ．％以下、６０ｗｔ．％以下、５０ｗｔ．％以下、４０ｗｔ．％以下、３０ｗｔ．％以下、または２０ｗｔ．％以下の量で存在する。
【００１８】
一実施形態によると、アルカノールアミンは少なくとも２つの炭素原子、少なくとも１つのアミノ置換基および少なくとも１つのヒドロキシル置換基を有することができ、ここでアミノおよびヒドロキシル置換基は２つの異なる炭素原子に付いている。一実施形態によるとアルカノールアミンは、剥離用組成物中に約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％；約１５ｗｔ．％〜約６０ｗｔ．％または約２５ｗｔ．％〜約５５ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、２０ｗｔ．％未満または１０ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％未満の量で存在する。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、少なくとも１．０ｗｔ．％、少なくとも５ｗｔ．％、少なくとも１０ｗｔ．％、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％または少なくとも６０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、７０ｗｔ．％以下、６０ｗｔ．％以下、５０ｗｔ．％以下、４０ｗｔ．％以下、３０ｗｔ．％以下、２０ｗｔ．％以下、１０ｗｔ．％以下または５ｗｔ．％以下の量で存在する。
【００１９】
一実施形態によると、組成物は、式
【化１】
2016500159.tif 000002
（式中Ｒ’は水素、（Ｃ1〜Ｃ4）アルキルまたは（Ｃ1〜Ｃ4）アルキルアミノである）を有する１，２−アルカノールアミンを含む。
【００２０】
一実施形態によると、アルカノールアミンは、少なくとも２つの炭素原子を有し、異なる炭素原子上にアミノおよびヒドロキシル置換基を有する。好適なアルカノールアミンには、アミノエチルエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノプロパン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノプロパン−１−オール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−アミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−２−オール、２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オール、３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メチルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オール、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−アミノオクタン−４−オール、１−アミノプロパン−２，３−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−２−オールおよび２−（２−アミノエトキシ）エタノールおよびそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
【００２１】
別の実施形態によると、アミンは、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルベンジルアミン、マロンアミドおよびそれらの混合物を含む。
【００２２】
一実施形態によると、水酸化第４級アンモニウムは、（Ｃ1〜Ｃ8）アルキル、ベンジルおよびそれらの混合物を含む。一実施形態によると、水酸化第４級アンモニウムは、水酸化テトラメチルアンモニウム；水酸化テトラメチルアンモニウム五水和物；水酸化テトラブチルアンモニウム；水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム；テトラプロピルアンモニウム；水酸化ジメチルジプロピルアンモニウム；水酸化テトラエチルアンモニウム；水酸化ジメチルジエチルアンモニウムまたはそれらの混合物であり得るが、これらに限定されない。一実施形態によると、水酸化第４級アンモニウムは、剥離用組成物中に、約３．５ｗｔ．％未満、約２．５ｗｔ．％未満、または約２．０ｗｔ．％未満の量で存在する。
【００２３】
剥離用溶液の構成成分の一部は、水溶液として提供可能であることから、組成物は任意には少量の水を含むことができる。任意には、剥離用溶液の残余は水であり得る。代替的には、水は剥離用組成物中に、０ｗｔ．％超で約１５ｗｔ．％未満、約１０ｗｔ．％未満または約５ｗｔ．％未満の量で存在し得る。
【００２４】
一実施形態によると、組成物は、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒、約１０ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％のアルカノールアミン、約３ｗｔ．％未満の水酸化第４級アンモニウム、そして水を含んでいてよい。任意には、組成物の残余は水であり得る。
【００２５】
一実施形態によると、剥離用組成物は同様に、二次溶媒、界面活性剤、および／または腐食防止剤も含むことができる。さらに、二次溶媒が使用される場合、それは典型的に組成物の約２ｗｔ．％〜約３５ｗｔ．％を構成する。二次溶媒は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、イソプロピレングリコール、ジイソプロピレングリコール、ブチレングリコール、ジブチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールおよびトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１−メトキシ−２−ブタノール、２−メトキシ−１−ブタノール、２−メトキシ−２−メチル−２−ブタノール、ジオキサン、トリオキサン、１，１−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、クラウンエーテルなどを含んでいてよいがこれらに限定されない。
【００２６】
剥離用組成物は同様に、例えば約０．０１％〜約３％の範囲内のレベルで、任意の界面活性剤も含み得る。フッ素系界面活性剤の一例としては、ＤｕＰｏｎｔ  ＦＳＯ（ポリエチレングリコール（５０％）、エチレングリコール（２５％）、１，４−ジオキサン（＜０．１％）、水（２５％）を伴うフッ素化テロマーＢモノエーテル）がある。他の有用な界面活性剤としては、例えばパルミチン酸グリコール、ポリソルベート８０、ポリソルベート６０、ポリソルベート２０、ラウリル硫酸ナトリウム、ココグルコシド、ラウリル−７サルフェート（Ｌａｕｒｙｌ−７  Ｓｕｌｆａｔｅ）、ラウリルグルコースカルボン酸ナトリウム、ラウリルグルコシド、ココイルグルタミン酸二ナトリウム、ラウレス−７シトレート、ココアンホジ酢酸二ナトリウム、例えば商標名ＥＮＶＩＲＯＧＥＭ３６０として販売されているものを含めた非イオン双性界面活性剤、例えば商標名ＺＯＮＹＬ  ＦＳＯとして販売されているものを含めた非イオンフッ素系界面活性剤、例えば商標名ＣＡＰＳＴＯＮＥ  ＦＳ−１０として販売されているものを含めたイオンフッ素系界面活性剤、例えば商標名ＳＵＲＦＹＮＯＬ２５０２として販売されているものを含めたオキシランポリマー界面活性剤、そして商標名ＴＥＴＲＯＮＩＣ７０１として販売されているものを含めたポロキサミン界面活性剤およびそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。
【００２７】
組成物は同様に、１つ以上の腐食防止剤も任意に含むことができる。単一の腐食防止剤を使用しても、複数の腐食防止剤の組合せを使用してもよい。腐食防止剤は、約１ｐｐｍ〜約１０％の範囲内のレベルで含まれていてよい。
【００２８】
好適な腐食防止剤としては、ドデカン二酸、ウンデカン二酸、ケイ酸塩、例えばケイ酸エチルおよびケイ酸テトラメチルアンモニウム；芳香族ヒドロキシル化合物、例えばカテコールおよびレゾルシノール；アルキルカテコール、例えばメチルカテコール、エチルカテコールおよびｔ−ブチルカテコール、フェノールおよびピロガロール；芳香族トリアゾール、例えばベンゾトリアゾール；アルキルベンゾトリアゾール；カルボン酸、例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸、没食子酸および没食子酸エステル、例えば没食子酸メチルおよび没食子酸プロピル；上述のカルボキシル含有有機物含有化合物、塩基性物質、例えばエタノールアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミンおよびピリジン、例えば２−アミノピリジンなどの有機塩、およびキレート化合物、例えば１，２−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸およびヒドロキシエタンホスホン酸を含むリン酸系キレート化合物、カルボン酸系キレート化合物、例えばエチレンジアミンテトラ酢酸およびそのナトリウムおよびアンモニウム塩、ジヒドロキシエチルグリシンおよびニトリロトリ酢酸、アミン系キレート化合物、例えばビピリジン、テトラフェニルポルフィリンおよびフェナントロリン、およびオキシム系キレート化合物、例えばジメチルグリオキシムおよびジフェニルグリオキシムが含まれるが、これらに限定されない。
【００２９】
一部の実施形態によると、腐食防止剤には、ドデカン二酸、ウンデカン二酸およびセバシン酸の混合物が含まれる。
【００３０】
一部の実施形態によると、剥離用組成物は、組成物が固体の沈澱なくより高レベルのフォトレジストを除去できるようにする高い負荷能力を示す。負荷能力は、材料がウエハー上に再被着されるまたは残渣がウエハー上に残留するまでに剥離用溶液１リットル毎に除去可能なフォトレジストまたは二重層のｃｍ3数として定義される。例えば、再被着が発生するまたは残渣が水上に残留するまでに２０リットルの剥離用溶液が３００ｃｍ3のフォトレジストを除去できる場合、負荷能力は３００ｃｍ3／２０リットル＝１５ｃｍ3／リットルである。
【００３１】
別の実施形態によると、剥離用溶液は極性非プロトン性溶媒；第１のアルカノールアミンおよび第２のアルカノールアミンを含む。別の実施形態において、剥離用溶液は、極性非プロトン性溶媒と；少なくとも２つのアルカノールアミンとを含む。その上、この実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、ジメチルスルホキシド；ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン、ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物であり得るが、これらに限定されない。この実施形態によると、アルカノールアミンは以上で記述された通りであり得る。この実施形態によると、組成物は、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％の極性非プロトン性溶媒、約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第１のアルカノールアミン、および約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％の第２のアルカノールアミンそして水を含んでいてよい。任意には、剥離用溶液の残余は、水であり得る。剥離用組成物は同様に、上述の通り、二次溶媒、１つ以上の腐食防止剤および１つ以上の界面活性剤も含み得る。
【００３２】
本実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、剥離用組成物中に、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％；約３５ｗｔ．％〜約８５ｗｔ．％または約５５ｗｔ．％〜約８０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％、少なくとも６０ｗｔ．％、少なくとも７０ｗｔ．％または少なくとも８０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、９０ｗｔ．％以下、８０ｗｔ．％以下、７０ｗｔ．％以下、６０ｗｔ．％以下、５０ｗｔ．％以下、４０ｗｔ．％以下、３０ｗｔ．％以下、または２０ｗｔ．％以下の量で存在する。
【００３３】
この実施形態によるとアルカノールアミンの各々は、剥離用組成物中に約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％；約１５ｗｔ．％〜約６０ｗｔ．％または約２５ｗｔ．％〜約５５ｗｔ．％の量で存在する。代替的には、アルカノールアミンの各々は、２０ｗｔ．％未満または１０ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％の量で存在する。さらに代替的には、各アルカノールアミンは、少なくとも１ｗｔ．％、少なくとも５ｗｔ．％、少なくとも１０ｗｔ．％、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％または少なくとも６０ｗｔ．％の量で存在する。
【００３４】
さらに別の実施形態によると剥離用溶液は、極性非プロトン性溶媒、アミンまたはアルカノールアミンそして腐食防止剤を含む。その上、この実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、ジメチルスルホキシド；ジメチルホルムアミド；ジメチルアセトアミド；１−ホルミルピペリジン；ジメチルスルホン；ｎ−メチルピロリドン、ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物であり得るが、これらに限定されない。この実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、剥離用組成物中に、約２０ｗｔ．％〜約９０ｗｔ．％；約３５ｗｔ．％〜約８５ｗｔ．％または約５５ｗｔ．％〜約８０ｗｔ．％の量で存在してよい。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％、少なくとも６０ｗｔ．％、少なくとも７０ｗｔ．％または少なくとも８０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は、９０ｗｔ．％以下、８０ｗｔ．％以下、７０ｗｔ．％以下、６０ｗｔ．％以下、５０ｗｔ．％以下、４０ｗｔ．％以下、３０ｗｔ．％以下、または２０ｗｔ．％以下の量で存在する。
【００３５】
実施形態によると、アルカノールアミンまたはアミンは以上に列記した通りであってよく、剥離用組成物中に約１ｗｔ．％〜約７０ｗｔ．％；約１５ｗｔ．％〜約６０ｗｔ．％または約２５ｗｔ．％〜約５５ｗｔ．％の量で存在してよい。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、２０ｗｔ．％未満または１０ｗｔ．％未満、または５ｗｔ．％の量で存在してよい。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、少なくとも１ｗｔ．％、少なくとも５ｗｔ．％、少なくとも１０ｗｔ．％、少なくとも２０ｗｔ．％、少なくとも３０ｗｔ．％、少なくとも４０ｗｔ．％、少なくとも５０ｗｔ．％または少なくとも６０ｗｔ．％の量で存在する。他の実施形態によると、アルカノールアミンは、７０ｗｔ．％以下、６０ｗｔ．％以下、５０ｗｔ．％以下、４０ｗｔ．％以下、３０ｗｔ．％以下、２０ｗｔ．％以下、１０ｗｔ．％以下または５ｗｔ．％以下の量で存在する。
【００３６】
一部の実施形態によると、単一の腐食防止剤を使用しても、複数の腐食防止剤の組合せを使用してもよい。腐食防止剤は以上で列挙された通りであってよく、約１ｐｐｍ〜約１０ｗｔ．％、約１００ｐｐｍ〜約７ｗｔ．％；または約５００ｐｐｍ〜約５ｗｔ．％の範囲内のレベルで含まれていてよい。
【００３７】
一部の実施形態によると、極性非プロトン性溶媒は１−ホルミルピペリジンであり、アルカノールアミンはアミノエチルエタノールアミンであり、腐食防止剤は、ドデカン二酸、ウンデカン二酸およびセバシン酸の混合物である。
【００３８】
一部の実施形態によると、剥離用溶液は、例えば１−ホルミルピペリジンなどの極性非プロトン性溶媒、例えばアミノエチルエタノールアミンなどのアミンまたはアルカノールアミン、および例えばドデカン二酸、ウンデカン二酸およびセバシン酸の混合物などの腐食防止剤を含む。
【００３９】
本発明に係る剥離用溶液は、基板の浸漬が関与する方法または一度に一つだけ基板の表面をコーティングする（例えばフォトレジストが上に位置設定される基板の表面をコーティングする）単一ウエハー清浄プロセスを含めた多くの異なる方法を介して、多くの異なる基板からフォトレジストを除去するために使用可能である。基板を浸漬する場合、組成物を撹拌すると、フォトレジストの除去がさらに容易になる。撹拌は、機械的撹拌、循環または組成物を通した不活性ガスのバブリングによって行なうことができる。所望される量のフォトレジストが除去された時点で、基板は、剥離用溶液との接触から除去され、水またはアルコールで洗い流される。酸化を受ける構成要素を有する基板については、洗い流しは、好ましくは不活性雰囲気下で行なわれる。一部の実施形態によると、こうして剥離用溶液は、現在市販の製品に比べて改善されたフォトレジスト材料についての負荷能力を有し、所与の体積の剥離用溶液を用いてより多数の基板を加工することができる。
【００４０】
本開示中で提供されている剥離用溶液は、単一層または一定のタイプの２重層のレジスト中に存在するポリマーレジスト材料を除去するために使用可能である。例えば、２重層レジストは典型的に、第２のポリマー層によって被覆された第１の無機層を有するか、または２つのポリマー層を有することができる。以下で教示されている方法を使用すると、単一のポリマー層を有する標準的ウエハーからポリマーレジストの単一の層を有効に除去することができる。第１の無機層と第２のまたは外側のポリマー層で構成された２重層を有するウエハーから単一のポリマー層を除去するためにも、同じ方法を使用することができる。最終的に、２つのポリマー層で構成された２重層を有するウエハーから、２つのポリマー層を有効に除去することができる。１つ、２つまたはそれ以上のレジスト層を除去するために、新しい乾式剥離用溶液を使用することができる。
【００４１】
一部の実施形態によると、本発明に係る調合物は、以下で記述する清浄方法において利用可能である。例示的方法には、以下のものが含まれるが、これらに限定されない。最初に、厚いドライフィルムネガ型フォトレジストを伴うウエハーに、一定体積の調合された溶媒ベースの混合物がコーティングされ、ここでコーティングの厚みは、厚いドライフィルムネガ型フォトレジストの除去を可能にするのに充分な程度のものである。フォトレジストフィルムは、内側にはんだがメッキされているホールを伴ってパターン化される。はんだは、ＰｂとＳｎ、ＳｎとＡｇの合金または、はんだキャップを伴うＣｕピラーであってよい。調合物の体積は、ウエハーの上面上の流体コーティングの厚みが４ｍｍ未満となるか、あるいは厚み３．５ｍｍ未満または３ｍｍ未満または２．５ｍｍ未満あるいは２ｍｍ未満となることができるようなものである。代替的には、調合物の厚みは０．５ｍｍ超、１ｍｍ超または１．５ｍｍ超である。液体コーティングの厚みは、利用分野および除去すべきレジストまたは残渣に応じてより薄いかまたは厚いものであってよい。一実施形態において、フォトレジストを除去するのに充分である調合物の厚みは、調合物の厚みと除去対象のフォトレジストフィルムの厚みとの比率により規定され得る。厚いフォトレジストについては、この比率は６：１超、または８：１超、または９：１超、または１０：１超、または１５：１超、または１９：１超または２５：１超である。一部の実施形態においては、利用分野および除去すべきレジストまたは残渣に応じて、比率はさらに一層大きくなる場合がある。
【００４２】
一部の実施形態によると、ウエハーは、回転可能なチャックにより保持されてよい。チャックは、ウエハーの裏側が同じ材料、例えば空気または絶縁ポリマー、例えばＰＥＥＫまたはＰＴＦＥとほぼ完全に接触した状態となるようなものであってよい。ウエハーを調合物でコーティングした後で、調合物を加熱してよい。加熱は、液体表面に極く近接したところに熱源を配置することによる対流加熱、赤外線照射、熱源をウエハーの裏側に接触させるかまたは液体表面に直接接触させることによる伝導加熱、を含めた多数の方法によって行なってよい。調合物は、充分短かい時間内でフォトレジストフィルムを完全に除去することのできる温度まで加熱される。例えば、液体は、１００℃超、または１０５℃超、または１１０℃超、または１１５℃超、または１２０℃超の温度まで加熱されてよい。充分に短かい時間とは、液体に熱を加えるための時間として１０分未満、あるいは８分未満、または６分未満、または５分未満または４分未満または３分未満または２分未満であってよい。ここでもまた、加熱温度および時間は、利用分野および除去すべきレジストまたは残渣に応じてより長いものまたは短かいものであってよい。充分な時間加熱した後、熱源は除去される。次に、ウエハーを洗い流して、調合物、調合物中に溶解したフォトレジストおよび未溶解のフォトレジスト粒子をウエハーの表面から除去してよい。洗い流しには、ウエハーがスピン状態または静止状態にある間にウエハー上に溶媒または溶媒ベースの混合物を分配するステップ、ウエハーがスピン状態または静止状態にある間にウエハー上に水または水溶液を分配するステップを含めた多くのステップが含まれていてよい。これらの洗い流しステップが適用される順序は変動する場合があり、洗い流しステップは多数回反復されてよい。ウエハーが充分に洗い流された後、ウエハーはスピン乾燥によって乾燥されてよい。例えば、スピン乾燥の前後または最中にウエハーに対してイソプロパノールを適用して、完全な乾燥を促してもよい。このプロセスは、単一のウエハーからフォトレジストを除去するために使用される。プロセスは追加のウエハーのために反復されが、すべてのウエハー毎に新鮮な未使用の調合物が使用される。
【実施例】
【００４３】
上述した実施形態に係る剥離用組成物はさらに、非限定的に以下の実施例によりさらに例証され、これらの実施例中与えられた全ての百分率は、別段の規定のないかぎり重量百分率である。
【００４４】
実施例１
この実施例は、Ｓｎ／Ａｇはんだピラーを伴う３００ｍｍのウエハーからの厚み１２０μｍのＡｓａｈｉ  ＣＸＡ２４０ドライフィルムネガ型フォトレジストの除去に関する。剥離用組成物の組成は、５５ｗｔ％のモノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２４．５ｗｔ％のｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１０ｗｔ％のジメチルアミノエタノール（ＤＭＡＥ）、１０ｗｔ％の１−アミノ−２−プロパノール（ＭＩＰＡ）および０．５ｗｔ％のレゾルシノールであった。ウエハーを、ＥＶＧ−３０１ＲＳ単一ウエハーフォトレジスト剥離用工具上で加工した。ウエハーをチャック内に設置するが、ここでは、ウエハーの裏側の表面積の約９６％が空気と接触しており、チャックの外径は、ウエハーの外周まわりに液体閉じ込め障壁を形成する。ウエハー裏側の外側３ｍｍの半径部分は、チャックと接触状態にあった。ウエハーは、２２０ｍＬの剥離用組成物で被覆された。チャックの内側半径は、ウエハーの外側半径よりも約４ｍｍ大きい。剥離用組成物は、チャックの全内径を満たす。すなわち、剥離用組成物はウエハーの上部表面全体をコーティングし、ウエハーの全直径を超えて延在して、チャックの全内径を満たす。したがって、ウエハーの上面の剥離用組成物の厚みは、約２．９５ｍｍであった。次に、２５０℃に加熱した加熱器を液体表面の極く近位（約１ｍｍ）にもってくることにより、剥離用組成物を加熱した。このようにして、液体を対流加熱により加熱した。加熱中、加熱器と液体表面の間の離隔距離を変動させて、液体温度を目標温度に制御することにより、温度を維持した。この場合、剥離用組成物の目標温度は１０５℃であった。液体に熱を加えた合計時間は９．５分間であった。９．５分後に、加熱器を除去した。次に各ウエハーをスピンさせて、ウエハーの表面から液体を振り落とした。この振り落としステップを実施するために、ウエハーを２００ｒｐｍ／秒で１５０ｒｐｍまで加速し、その後１秒間遅延させた。１秒間の遅延の後、１０秒間５００ｒｐｍで回転させながら、ファンスプレーノズルを介して脱イオン水で各ウエハーを洗い流した。その後、ウエハーを、少量のＩＰＡで洗い流し、最終的に、２０秒間１５００ｒｐｍでウエハーをスピンさせることにより乾燥させた。このプロセスの後、フォトレジストはウエハーから除去された。結果は表１に要約されている。
【００４５】
【表１】
2016500159.tif 000003
【００４６】
実施例２
Ｓｎ／Ａｇ合金はんだを伴うウエハーから厚み８０μｍのＡｓａｈｉ  ＣＸ−８０４０ドライフィルムネガ型フォトレジストを除去するために、別の調合物を調べた。クーポンサイズのウエハー試料をホットプレート上で加工した。２．７ｍＬの体積をもつウェルを伴うホルダーの内部にクーポンを設置した。１．８ｍＬの調合物を使用してクーポンを被覆し、その結果クーポン上の調合物の厚みは約２ｍｍになった。ホルダーをホットプレート上に設置して、液体温度が約１０８℃に達するようにした。試料を３．５分間加熱した。加熱後、次にピンセットを用いてウェルからクーポンを除去し、ファンスプレーノズルを介して１０〜２０秒間４５ｐｓｉの加圧水で洗い流した。最後に、クーポンをＩＰＡで洗い流し、空気流で送風乾燥した。調合物の組成、加熱時間およびレジスト除去結果は、表２に要約されている。
【００４７】
【表２】
2016500159.tif 000004
【００４８】
実施例３
Ｓｎ／Ａｇはんだピラーを伴う３００ｍｍのウエハーから厚み１２０μｍのＡｓａｈｉ  ＣＸ−２４０ドライフィルムネガ型フォトレジストを除去するその有効性について、別の調合物を調べた。クーポンサイズのウエハー試料をホットプレート上で加工した。２．７ｍＬの体積をもつウェルを伴うホルダーの内部にクーポンを設置した。１．８ｍＬの調合物を使用してクーポンを被覆し、その結果クーポン上の調合物の厚みは約２ｍｍになった。ホルダーをホットプレート上に設置して、液体温度が約１１０℃に達するようにした。試料を加熱した。加熱後、次にピンセットを用いてウェルからクーポンを除去し、ファンスプレーノズルを介して１０〜２０秒間４５ｐｓｉの加圧水で洗い流した。最後に、クーポンをＩＰＡで洗い流し、空気流で送風乾燥した。調合物の組成、加熱時間およびレジスト除去結果は、表３に要約されている。
【００４９】
【表３】
2016500159.tif 000005
【００５０】
実施例４〜５
Ｓｎ／Ａｇ合金はんだを伴う３００ｍｍのウエハーから厚み８０μｍのＡｓａｈｉ  ＣＸ−８０４０ドライフィルムネガ型フォトレジストを除去するそれらの有効性について、さまざまな組成を有する調合物を調べた。クーポンサイズのウエハー試料をホットプレート上で加工した。２．７ｍＬの体積をもつウェルを伴うホルダーの内部にクーポンを設置した。１．８ｍＬの調合物を使用してクーポンを被覆し、その結果クーポン上の調合物の厚みは約２ｍｍになった。ホルダーをホットプレート上に設置して、液体温度が約１１５℃に達するようにした。試験対象の調合物に応じて異なる時間だけ、試料を加熱した。加熱後、次にピンセットを用いてウェルからクーポンを除去し、ファンスプレーノズルを介して１０〜２０秒間４５ｐｓｉの加圧水で洗い流した。最後に、クーポンをＩＰＡで洗い流し、空気流で送風乾燥した。調合物の組成、加熱時間およびレジスト除去結果は、表４に要約されている。
【００５１】
【表４】
2016500159.tif 000006
【００５２】
実施例６
この実施例は、ＣｕピラーおよびＳｎ／Ａｇはんだキャップを伴う３００ｍｍのウエハーからの、厚み５０μｍのＴＯＫ  ＣＲ４０００ポジ型スピンオンフォトレジストの除去に関する。剥離用組成物の組成は、５８．６ｗｔ％の１−ホルミルピペリジン、３９．４ｗｔ％のアミノエチルエタノールアミン、１．５ｗｔ％のＨ2Ｏおよび０．５ｗｔ％の腐食防止剤であり、ここで腐食防止剤は、商標名ＣＯＲＦＲＥＥ  Ｍ１として販売されていることができるドデカン二酸、ウンデカン二酸およびセバシン酸の混合物であった。ＥＶＧ−３０１  ＲＳ単一ウエハーフォトレジスト剥離設備上で、ウエハーを加工した。ウエハーをチャック内に設置し、ここで、ウエハーの表面の表面積の約９６％が空気と接触しており、チャックの外径は、ウエハーの外周のまわりに液体閉じ込め障壁を形成する。ウエハー裏側の外側３ｍｍの半径部分は、チャックと接触状態にあった。このチャックはリングチャックと呼ばれる。ウエハーは、７０ｍＬの剥離用組成物で被覆されていた。加工中、剥離用組成物は、ウエハー上のみにとどまり、チャックの全内径を満たさなかった。
【００５３】
したがって、ウエハーの上面の剥離用組成物の厚みは、約１ｍｍであった。剥離用組成物の厚みとレジストの厚みとの比率は２０：１であった。次に、２５０℃に加熱した加熱器を液体表面の極く近位（約１ｍｍ）にもってくることにより、剥離用組成物を加熱した。このようにして、液体を対流加熱により加熱した。加熱中、加熱器と液体表面の間の離隔距離を変動させて、液体温度を目標温度に制御することにより、温度を維持した。この場合、剥離用組成物の目標温度は１０５℃であった。液体に熱を加えた合計時間は４分間であった。４分後に、加熱器を除去した。その後、２０秒間５００ｒｐｍで回転させながら、同時にファンスプレーノズルを介して脱イオン水でウエハーを洗い流した。次に、ウエハーを、少量のＩＰＡで洗い流し、最終的に、２０秒間１５００ｒｐｍでウエハーをスピンさせることにより乾燥させた。このプロセスの後、フォトレジストはウエハーから除去された。
【００５４】
出願人の開示は、上述の具体的実施形態を基準にして提供されてきたが、当業者であれば本発明の精神および範囲から逸脱することなく、開示された実施形態内に修正および改変を加えることができる、ということが理解される。このような修正をおよび改変を全て、網羅されるべく意図されている。
【国際調査報告】
2016500159.tif 000007
2016500159.tif 000008
2016500159.tif 000009
2016500159.tif 000010
2016500159.tif 000011
2016500159.tif 000012