(57)【要約】  本発明はバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ装置を提供する。前記バックライト駆動回路は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバー（３０）を駆動することに用いられ、前記バックライト駆動回路（１）は、電源モジュール（１０）、スイッチモジュール（１２）及び検出モジュール（１４）を含む。電源モジュール（１０）は、電源電圧を提供することに用いられる。検出モジュール（１４）は電源モジュール（１０）の電源電圧の正端（Ｖ＋）が発光ダイオードライトバー（３０）の負端（ＬＥＤ−）に電気的に接続されたことを検出すると、スイッチモジュール（１２）は、電源モジュール（１０）の出力した電源電圧の正端（Ｖ＋）を発光ダイオードライトバー（３０）の負端（ＬＥＤ−）に電気的に接続し、且つ電源モジュール（１０）の出力した電源電圧の負端（Ｖ−）を発光ダイオードライトバー（３０）の正端（ＬＥＤ＋）に電気的に接続する。当該回路及び装置は、発光ダイオードライトバー（３０）の極性を検出できることにより、発光ダイオードライトバー（３０）の正常動作を維持する。
2016532277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックライト駆動回路であって、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、前記バックライト駆動回路は、
電源電圧を提供するための電源モジュールと、
前記電源モジュールに電気的に接続されているスイッチモジュールと、
前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、前記電源モジュールの出力する電源電圧の大きさを調整するための制御モジュールと、
前記スイッチモジュールに電気的に接続され、且つ前記電源電圧の正端を検出するための第１比較器を含む検出モジュールと、を含み、
前記検出モジュールの第１比較器は前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する、ことを特徴とするバックライト駆動回路。
【請求項２】
前記制御モジュールは集積回路である、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライト駆動回路。
【請求項３】
前記電源モジュールは、
電源と、
コイルと、
ダイオードと、を含み、
前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されており、前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されており、前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられており、前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライト駆動回路。
【請求項４】
前記検出モジュールは、前記電源電圧の負端を検出するための第２比較器を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライト駆動回路。
【請求項５】
前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含み、前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含み、前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられており、前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる、ことを特徴とする請求項４に記載のバックライト駆動回路。
【請求項６】
バックライト駆動回路であって、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、前記バックライト駆動回路は、
電源電圧を提供するための電源モジュールと、
前記電源モジュールに電気的に接続されているスイッチモジュールと、
前記スイッチモジュールに電気的に接続されている検出モジュールと、を含み、
前記検出モジュールは前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する、ことを特徴とするバックライト駆動回路。
【請求項７】
前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、且つ前記電源モジュールの出力する電源電圧の大きさを調整するための制御モジュールが更に含まれている、ことを特徴とする請求項６に記載のバックライト駆動回路。
【請求項８】
前記制御モジュールは集積回路である、ことを特徴とする請求項７に記載のバックライト駆動回路。
【請求項９】
前記電源モジュールは、
電源と、
コイルと、
ダイオードと、を含み、
前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されており、前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されており、前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられており、前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる、ことを特徴とする請求項６に記載のバックライト駆動回路。
【請求項１０】
前記検出モジュールは、
前記電源電圧の正端を検出するための第１比較器と、
前記電源電圧の負端を検出するための第２比較器を含む、ことを特徴とする請求項６に記載のバックライト駆動回路。
【請求項１１】
前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含み、前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含み、前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられており、前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる、ことを特徴とする請求項１０に記載のバックライト駆動回路。
【請求項１２】
液晶ディスプレイ装置であって、バックライト駆動回路を含み、前記バックライト駆動回路は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、且つ、
電源電圧を提供するための電源モジュールと、
前記電源モジュールに電気的に接続されているスイッチモジュールと、
前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、前記電源モジュールの出力する電源電圧の大きさを調整するための制御モジュールと、
前記スイッチモジュールに電気的に接続され、且つ前記電源電圧の正端を検出するための第１比較器を含む検出モジュールと、を含み、
前記検出モジュールの第１比較器は前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する、ことを特徴とする液晶ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記制御モジュールは集積回路である、ことを特徴とする請求項１２に記載の液晶ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記電源モジュールは、
電源と、
コイルと、
ダイオードと、を含み、
前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されており、前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されており、前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられており、前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる、ことを特徴とする請求項１２に記載の液晶ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記検出モジュールは、前記電源電圧の負端を検出するための第２比較器を更に含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の液晶ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含み、前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含み、前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられており、前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる、ことを特徴とする請求項１５に記載の液晶ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は駆動回路に関し、特にバックライト駆動回路及び前記バックライト駆動回路を有する液晶ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置は、主に液晶パネル及びバックライトモジュールを含む。バックライトモジュールは、液晶パネルが映像を表示するときに必要な光線を提供することに用いられる。従来のバックライトモジュールは、主に発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）を発光源とする。前記発光源には、バックライト駆動回路により必要な駆動電流が提供される。
【０００３】
従来の発光源は、幾つかの発光ダイオードを含む。液晶パネルの厚さに対する要求が比較的狭いため、これらの発光ダイオードは幾つかの並列接続された発光ダイオードライトバーに分類される。各発光ダイオードライトバーは、１つのコネクターを介してバックライト駆動回路に電気的に接続され、より具体的には、各発光ダイオードライトバーの正端は、前記コネクターを介してバックライト駆動回路の出力電圧の正端に電気的に接続され、各発光ダイオードライトバーの負端はバックライト駆動回路の出力電圧の負端に電気的に接続される必要がある。
【０００４】
発光ダイオードライトバーの正端が前記コネクターを介してバックライト駆動回路の出力電圧の負端に電気的に接続され、且つ発光ダイオードライトバーの負端がバックライト駆動回路の出力電圧の正端に電気的に接続されるたき、即ち、発光ダイオードライトバーの両端が逆方向の高出力電圧に電気的に接続されたとき、発光ダイオードライトバーの発光ダイオードはブレークダウンし破損される。
【０００５】
従って、従来技術における発光ダイオードライトバーの正端及び負端が逆方向の出力電圧に電気的に接続されることによる発光ダイオードライトバーの発光ダイオードの破損問題に対して解決方法を提出する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、発光ダイオードライトバーの正端及び負端が逆方向の出力電圧に電気的に接続されるとき、依然として発光ダイオードライトバーの正常動作を維持できるバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるバックライト駆動回路は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、前記バックライト駆動回路は、電源モジュール、スイッチモジュール、制御モジュール及び検出モジュールを含む。前記電源モジュールは、電源電圧を提供することに用いられる。前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールに電気的に接続されている。前記制御モジュールは、前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、前記電源モジュールの出力する電源電圧を調整することに用いられる。前記検出モジュールは、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、且つ前記電源電圧の正端を検出するための第１比較器を含む。前記検出モジュールの第１比較器は前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する。
【０００８】
本発明のバックライト駆動回路において、前記制御モジュールは集積回路である。
【０００９】
本発明のバックライト駆動回路において、前記電源モジュールは、電源、コイル及びダイオードを含む。前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されている。前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されている。前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられる。前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる。
【００１０】
本発明のバックライト駆動回路において、前記検出モジュールは、前記電源電圧の負端を検出するための第２比較器を更に含む。
【００１１】
本発明のバックライト駆動回路において、前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含む。前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含む。前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。
【００１２】
上述の問題を解決するために、本発明によるバックライト駆動回路は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、前記バックライト駆動回路は、電源モジュール、スイッチモジュール及び検出モジュールを含む。前記電源モジュールは、電源電圧を提供することに用いられる。前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールに電気的に接続されている。前記検出モジュールは、前記スイッチモジュールに電気的に接続されている。前記検出モジュールは前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する。
【００１３】
本発明のバックライト駆動回路は、前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、前記電源モジュールの出力する電源電圧の大きさを調整するための制御モジュールを更に含む。
【００１４】
本発明のバックライト駆動回路において、前記制御モジュールは集積回路である。
【００１５】
本発明のバックライト駆動回路において、前記電源モジュールは、電源、コイル及びダイオードを含む。前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されている。前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されている。前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられる。前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる。
【００１６】
本発明のバックライト駆動回路において、前記検出モジュールは、第１比較器及び一第２比較器を含む。前記第１比較器は、前記電源電圧の正端を検出することに用いられる。前記第２比較器は、前記電源電圧の負端を検出するために用いられる。
【００１７】
本発明のバックライト駆動回路において、前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含む。前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含む。前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。
【００１８】
本発明は、バックライト駆動回路を含む液晶ディスプレイ装置を更に提供する。前記バックライト駆動回路は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバーを駆動することに用いられ、且つ電源モジュール、スイッチモジュール、制御モジュール及び検出モジュールを含む。前記電源モジュールは、電源電圧を提供することに用いられる。前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールに電気的に接続されている。前記制御モジュールは、前記電源モジュール、前記スイッチモジュール及び前記発光ダイオードライトバーに電気的に接続され、前記電源モジュールの出力する電源電圧を調整することに用いられる。前記検出モジュールは、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、且つ前記電源電圧の正端を検出するための第１比較器を含む。前記検出モジュールの第１比較器は前記電源モジュールの電源電圧の正端が前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュールは、前記電源モジュールの出力した電源電圧の正端を前記発光ダイオードライトバーの負端に電気的に接続し、且つ前記電源モジュールの出力した電源電圧の負端を前記発光ダイオードライトバーの正端に電気的に接続する。
【００１９】
本発明の液晶ディスプレイ装置において、前記制御モジュールは集積回路である。
【００２０】
本発明の液晶ディスプレイ装置において、前記電源モジュールは、電源、コイル及びダイオードを含む。前記コイルの第１端は、前記電源に電気的に接続されている。前記コイルの第２端は、前記ダイオードの陽極に電気的に接続されている。前記コイルは、前記電源の電圧を前記発光ダイオードライトバーに適した電源電圧に変換することに用いられる。前記ダイオードの陰極は、前記スイッチモジュールに電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる。
【００２１】
本発明の液晶ディスプレイ装置において、前記検出モジュールは、前記電源電圧の負端を検出するための第２比較器を更に含む。
【００２２】
本発明の液晶ディスプレイ装置において、前記検出モジュールは第３比較器及び第４比較器を更に含む。前記スイッチモジュールは、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタを含む。前記第３比較器は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。前記第４比較器は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタの導通と非導通を制御することに用いられる。
【発明の効果】
【００２３】
従来技術に比べて、本発明のバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ装置は、発光ダイオードライトバーの極性を検出できる。発光ダイオードライトバーの極性と電源電圧の極性とが誤って接続されたとき、電源電圧の極性を自動調整でき、発光ダイオードライトバーの正常動作を維持する。
【００２４】
本発明の上記内容を更に分かり易くするために、以下において実施例を挙げ、図面と併せて詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の実施例に係るバックライト駆動回路のブロック図である。
【図２】図２は、図１のバックライト駆動回路及び発光ダイオードライトバーの詳細な回路図である。
【図３】図３は、発光ダイオードライトバーの逆接続の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下の各実施例の説明は、添付の図面を参照しながら、本発明の実施可能な特定の実施例を例示するものである。
【００２７】
図１を参照する。図１は、本発明の実施例に係るバックライト駆動回路１のブロック図である。
【００２８】
前記バックライト駆動回路１は、少なくとも１つの発光ダイオードライトバー３０を駆動することに用いられる。前記バックライト駆動回路１は、電源モジュール１０、スイッチモジュール１２、検出モジュール１４及び制御モジュール１６を含む。
【００２９】
前記発光ダイオードライトバー３０は、幾つかの直列に接続されている発光ダイオードＬＥＤ及びコネクター３００を含み、これらの直列に接続されている発光ダイオードＬＥＤは正端ＬＥＤ＋及び負端ＬＥＤ−を含む。前記発光ダイオードライトバー３０の正端ＬＥＤ＋及び負端ＬＥＤ−は、前記コネクター３００の両端に電気的に接続されている。各発光ダイオードＬＥＤは陽極及び陰極を有する。
【００３０】
前記電源モジュール１０は、電源電圧を提供して、前記スイッチモジュール１２により前記発光ダイオードライトバー３０を駆動することに用いられる。前記電源電圧は、正端Ｖ＋及び負端Ｖ−を含む。前記電源モジュール１０は前記制御モジュール１６に電力を提供することに更に用いられる。
【００３１】
前記スイッチモジュール１２は、前記電源モジュール１０に電気的に接続されている。前記検出モジュール１４は、前記スイッチモジュール１２に電気的に接続されている。前記制御モジュール１６は、前記電源モジュール１０、前記スイッチモジュール１２及び前記発光ダイオードライトバー３０に電気的に接続されている。
【００３２】
前記検出モジュール１４は前記電源モジュール１０の電源電圧の正端Ｖ＋が前記発光ダイオードライトバー３０の負端ＬＥＤ−に電気的に接続されたことを検出すると、前記スイッチモジュール１２は、前記電源モジュール１０の出力した電源電圧の正端Ｖ＋を前記発光ダイオードライトバー３０の負端ＬＥＤ−に電気的に接続し、且つ前記電源モジュール１０の出力した電源電圧の負端Ｖ−を前記発光ダイオードライトバー３０の正端ＬＥＤ＋に電気的に接続する。
【００３３】
図１及び図２を同時に参照する。図２は、図１のバックライト駆動回路１及び発光ダイオードライトバー３０の詳細な回路図である。
【００３４】
前記電源モジュール１０は、電源１００、コイルＬ１及びダイオードＤ１を含む。前記コイルＬ１の第１端は、前記電源１００に電気的に接続されている。前記コイルＬ１の第２端は、前記ダイオードＤ１の陽極に電気的に接続されている。前記コイルＬ１は、前記電源１００の電圧を前記発光ダイオードライトバー３０及び前記制御モジュール１６に適した電源電圧に変換することに用いられる。前記ダイオードＤ１の陰極は、前記スイッチモジュール１２に電気的に接続され、逆方向の電流を防止することに用いられる。
【００３５】
なお、前記コイルＬ１は、オプションの（ｏｐｔｉｏｎａｌ）素子である。前記電源１００が前記発光ダイオードライトバー３０及び前記制御モジュール１６に適した電源電圧を提供できるとき、前記コイルＬ１は省略してもよい。
【００３６】
前記スイッチモジュール１２は、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ（Ｎ−Ｍｅｎｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、Ｎ−ＭＯＳ）Ｑ１、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４を含む。
【００３７】
前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１は、ゲート電極Ｇ１、ドレイン電極Ｄ１及びソース電極Ｓ１を含む。前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１のドレイン電極Ｄ１及びソース電極Ｓ１はそれぞれ、前記電源電圧の正端Ｖ＋及び前記コネクター３００の正端に電気的に接続されている。
【００３８】
前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２は、ゲート電極Ｇ２、ドレイン電極Ｄ２及びソース電極Ｓ２を含む。前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２のドレイン電極Ｄ２及びソース電極Ｓ２はそれぞれ、前記電源電圧の負端Ｖ−及び前記コネクター３００の負端に電気的に接続されている。
【００３９】
前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３は、ゲート電極Ｇ３、ドレイン電極Ｄ３及びソース電極Ｓ３を含む。前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３のドレイン電極Ｄ３及びソース電極Ｓ３はそれぞれ、前記電源電圧の正端Ｖ＋及び前記コネクター３００の負端に電気的に接続されている。
【００４０】
前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４は、ゲート電極Ｇ４、ドレイン電極Ｄ４及びソース電極Ｓ４を含む。前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４のドレイン電極Ｄ４及びソース電極Ｓ４はそれぞれ、前記電源電圧の負端Ｖ−及び前記コネクター３００の正端に電気的に接続されている。
【００４１】
前記検出モジュール１４は、第１比較器ＣＰ１、第２比較器ＣＰ２、第３比較器ＣＰ３、第４比較器ＣＰ４、第１抵抗Ｒ１及び第２抵抗Ｒ２を含む。
【００４２】
前記第１比較器ＣＰ１は、非反転入力端子＋、反転入力端子−及び出力端子Ｏ１を含む。前記第１比較器ＣＰ１の非反転入力端子＋及び反転入力端子−はそれぞれ、前記コネクター３００の正端＋及び電圧源＋５Ｖ（ｖｏｌｔａｇｅ）に電気的に接続されている。前記第１比較器ＣＰ１は、前記電源電圧の正端Ｖ＋を検出することに用いられる。
【００４３】
前記第２比較器ＣＰ２は、非反転入力端子＋、反転入力端子−及び出力端子Ｏ２を含む。前記第２比較器ＣＰ２の非反転入力端子＋及び反転入力端子−はそれぞれ、前記コネクター３００の負端＋及び電圧源＋１Ｖに電気的に接続されている。前記第２比較器ＣＰ２は、前記電源電圧の負端Ｖ−を検出することに用いられる。
【００４４】
前記第３比較器ＣＰ３は、非反転入力端子＋、反転入力端子−及び出力端子Ｏ３を含む。前記第３比較器ＣＰ３の非反転入力端子＋は、前記第１比較器ＣＰ１の出力端子Ｏ１及び前記第２比較器ＣＰ２の出力端子Ｏ２に電気的に接続されている。前記第３比較器ＣＰ３の反転入力端子−は、電圧源＋３Ｖに電気的に接続されている。前記第３比較器ＣＰ３は、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２の導通と非導通を制御することに用いられる。
【００４５】
前記第４比較器ＣＰ４は、非反転入力端子＋、反転入力端子−及び出力端子Ｏ４を含む。前記第３比較器ＣＰ４の非反転入力端子＋は、前記第３比較器ＣＰ３の出力端子Ｏ３、及び前記第１抵抗Ｒ１と前記第２抵抗との間に電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４の反転入力端子−は、電圧源＋５Ｖに電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４の出力端子は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３のゲート電極Ｇ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４のゲート電極Ｇ４に電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４の導通と非導通を制御することに用いられる。前記第１抵抗Ｒ１の第１端は、電圧源＋１０Ｖに電気的に接続されている。前記第１抵抗Ｒ１の第２端は、第２抵抗の第１端に電気的に接続されている。前記第２抵抗Ｒ２の第２端は、アース端子ＧＮＤに電気的に接続されている。
【００４６】
前記バックライト駆動回路１が作動し始めると、前記第１抵抗Ｒ１及び前記第２抵抗Ｒ２の抵抗値を適切に設計することによって、前記第２抵抗Ｒ２の両端の電圧が前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２を導通させ、且つ前記第４比較器ＣＰ４の出力端子Ｏ４をローレベルにさせる。前記第４比較器ＣＰ４の出力端子Ｏ４がローレベルである場合、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４は非導通となる。前記比較器ＣＰ１は、電源電圧の正端Ｖ＋を検出し且つハイレベルを出力する。前記比較器ＣＰ２は、電源電圧の負端Ｖ−を検出する。前記発光ダイオードライトバー３０が順接続され、即ち、前記発光ダイオードライトバー３０の正端ＬＥＤ＋が前記電源電圧の正端Ｖ＋に電気的に接続され、且つ前記発光ダイオードライトバー３０の負端ＬＥＤ−が前記電源電圧の負端Ｖ−に電気的に接続されるとき、前記電源電圧の負端Ｖ−は一定の数値を有し、前記比較器２の出力はハイレベルであり、前記比較器３の出力はハイレベルであり、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２の導通を維持する。
【００４７】
前記発光ダイオードライトバー３０は図３に示すように逆接続され、即ち、前記発光ダイオードライトバー３０の正端ＬＥＤ＋が前記電源電圧の負端Ｖ−に電気的に接続され、且つ前記発光ダイオードライトバー３０の負端ＬＥＤ−が前記電源電圧の正端Ｖ＋に電気的に接続されると、前記発光ダイオードライトバー３０は導通できず、前記電源電圧の負端Ｖ−は０であり、前記第２比較器ＣＰ２の出力はローレベルであり、前記第３比較器ＣＰ３の非反転入力端子＋の電圧は反転入力端子−の電圧より小さく、前記第３比較器ＣＰ３の出力はローレベルであり、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１及び前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２は導通せず、前記第４比較器ＣＰ４の出力はハイレベルであり、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタは導通している。前記電源電圧の正端Ｖ＋は代わりに、前記コネクター３００の負端−に電気的に接続され、前記電源電圧の負端Ｖ−は代わりに、前記コネクター３００の正端＋に電気的に接続され、前記第１比較器ＣＰ１の出力はローレベルであり、前記第２比較器ＣＰ２の出力はハイレベルであり、これにより前記第３比較器ＣＰ３の出力はローレベルとなり、前記第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１と前記第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２との非導通を維持し、前記発光ダイオードライトバー３０は依然として正常に作動する。
【００４８】
前記制御モジュール１６は、前記電源モジュール１０の出力する電源電圧の大きさを調整するための集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）であってもよい。
【００４９】
図２の実施例は、１つの発光ダイオードライトバー３０を含む。他の実施例では、発光ダイオードライトバー３０の数は限定されない。
【００５０】
別の実施例において、第１〜第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ１〜Ｑ４は、Ｐ型金属−酸化物−半導体トランジスタによって代替されてもよい。
【００５１】
さらに、本発明は液晶ディスプレイ装置を更に提供する。前記液晶ディスプレイ装置は、上述のバックライト駆動回路１を含む。
【００５２】
本発明のバックライト駆動回路及び液晶ディスプレイ装置は、発光ダイオードライトバーの極性を検出できる。発光ダイオードライトバーの極性と電源電圧の極性とが誤って接続されたとき、電源電圧の極性を自動調整でき、発光ダイオードライトバーの正常動作を維持する。
【００５３】
以上により、本発明では好適な実施例を前述の通り開示したが、上述の好適な実施例は本発明を限定するものでなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様な変更や修正を加えることができる。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求で指定された範囲を基準とする。
【図１】
2016532277.tif 000003
【図２】
2016532277.tif 000004
【図３】
2016532277.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
前記スイッチモジュール１２は、第１Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタ（Ｎ−Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、Ｎ−ＭＯＳ）Ｑ１、第２Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ２、第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
前記第４比較器ＣＰ４は、非反転入力端子＋、反転入力端子−及び出力端子Ｏ４を含む。前記第４比較器ＣＰ４の反転入力端子−は、前記第３比較器ＣＰ３の出力端子Ｏ３、及び前記第１抵抗Ｒ１と前記第２抵抗との間に電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４の非反転入力端子＋は、電圧源＋５Ｖに電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４の出力端子は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３のゲート電極Ｇ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４のゲート電極Ｇ４に電気的に接続されている。前記第４比較器ＣＰ４は、前記第３Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ３及び前記第４Ｎ型金属−酸化物−半導体トランジスタＱ４の導通と非導通を制御することに用いられる。前記第１抵抗Ｒ１の第１端は、電圧源＋１０Ｖに電気的に接続されている。前記第１抵抗Ｒ１の第２端は、第２抵抗の第１端に電気的に接続されている。前記第２抵抗Ｒ２の第２端は、アース端子ＧＮＤに電気的に接続されている。
【国際調査報告】
2016532277.tif 000006
2016532277.tif 000007
2016532277.tif 000008
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