(57)【要約】【課題】ガラスの厚みを著しく減少させ、現在の電子製品に対する軽量、薄肉、およびコンパクトの要望に応えることのできる液体ガラスの応用を提供する。【解決手段】液体ガラスで、導体ピンを有する基板、配線が埋設されている基板およびガラスフィルムをそれぞれ製造する液体ガラスの応用であって、液体ガラスの取り扱い上における様々な便利な特性により、製作コストを大幅に削減することができるだけでなく、従来のガラス構成の制限を突破し、かつガラスの厚みを著しく減少させ、現在の電子製品の軽量、薄肉、およびコンパクトの要望に応えることのできる液体ガラスの応用である。【選択図】図１Ｊ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアボードに複数の導体ピンを形成するステップと、
前記複数の導体ピンの上端に上面が揃って前記複数の導体ピンを囲むように、前記キャリアボードに液体ガラス層を敷設するステップと、
５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、
紫外線を照射するステップと、
前記キャリアボードを除去するステップと、
を含む基板の製造方法。
【請求項２】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
加熱時間は３〜５５分である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記液体ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の導体ピンは、電気メッキまたはデポジションにより形成される請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数の導体ピンを形成するステップは、
複数のレジスト層開口を有するレジスト層を前記キャリアボードに形成するステップと、
前記レジスト層開口のそれぞれに前記導体ピンを形成するステップと、
前記レジスト層を除去するステップと、
を含む請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体ピンの側壁と前記導体ピン周縁のキャリアボードがなす角度は８５°〜９０°である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
厚さ２〜２５μｍのガラス基材と、
前記ガラス基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、
を含む基板。
【請求項９】
前記導体ピンの側壁とガラス基材の表面がなす角度は８５°〜９５°である請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
厚さ２〜１００μｍのポリイミド基材と、
前記ポリイミド基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、
を含む基板。
【請求項１１】
前記導体ピンの側壁とポリイミド基材の表面がなす角度は８５°〜９５°である請求項１０に記載の基板。
【請求項１２】
前記ポリイミド基材の厚さは２〜２５μｍである請求項１０に記載の基板。
【請求項１３】
少なくとも一つの配線層と、液体ガラス層の敷設、５０℃〜１００℃の範囲での加熱および紫外線の照射を順に行うことにより形成される一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造をキャリアボードに形成するステップと、
前記キャリアボードを除去するステップと、
を含む、配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１４】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１５】
加熱時間は、３〜５５分であり、前記ガラス層の厚みにより決定される請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１６】
各前記ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１７】
少なくとも一つの配線層と、一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造を含み、各前記ガラス層の厚さは２〜２５μｍである、配線が埋設されている基板。
【請求項１８】
キャリアフィルムに液体ガラス層を敷設するステップと、
５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、
前記液体ガラス層の表面に凹凸パターンを圧印して紫外線を照射するステップと、
前記キャリアフィルムを除去するステップと、
を含む、ガラスフィルムの製造方法。
【請求項１９】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【請求項２０】
加熱時間は、３〜５５分であり、前記液体ガラス層の厚みにより決定される請求項１８に記載の液体ガラスフィルムの製造方法。
【請求項２１】
前記液体ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【請求項２２】
ローラにより前記圧印が行われる請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【請求項２３】
一面に規則または不規則な凹凸パターンを有し、厚さが２〜２５μｍのガラス板と、を含むガラスフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスの応用に関し、特に液体ガラスの応用に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスは、技術が進歩するにつれて、より多くの電子製品に応用されるようになってきている。
【０００３】
しかしながら、従来の半導体製造プロセスにおいて、誘電層や絶縁層に半導体材料しか用いられず、また、従来、高価な設備を用いて高度な真空や高温雰囲気にて半導体材料を形成することが多く、しかも多くの半導体材料は透光性が悪いので、実際に応用する場合には多くの制限がある。
【０００４】
それに対し、半導体基板の替わりにガラス基板を用いる改善方法はあるが、ガラス基板は、その上に穴や溝、スルーホールを形成することはやや難しく、また自然環境に悪影響を及ぼし（例えば、毒性の高いフッ化水素酸が用いられる）、さらに形状にも多くの制限がある。
【０００５】
したがって、上記従来技術の種々の問題を解決して、高温プロセスを用いる必要がなく、高価な設備を用いる必要もない、透光性がよくて応用範囲が広いガラス材料の有効な応用が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術の問題を鑑み、本発明は、ガラスの厚みを著しく減少させ、現在の電子製品に対する軽量、薄肉、およびコンパクトの要望に応えることのできる液体ガラスの応用を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、キャリアボードに複数の導体ピンを形成するステップと、前記複数の導体ピンの上端に上面が揃って前記複数の導体ピンを囲むように、前記キャリアボードに液体ガラス層を敷設するステップと、５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、紫外線を照射するステップと、前記キャリアボードを除去するステップと、を含む基板の製造方法を提供する。
【０００８】
本発明は、厚さ２〜２５μｍのガラス基材と、前記ガラス基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、を含む基板を提供する。
【０００９】
本発明は、厚さ２〜１００μｍのポリイミド基材と、前記ポリイミド基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、を含む基板を提供する。
【００１０】
本発明は、少なくとも一つの配線層と、液体ガラス層の敷設、５０℃〜１００℃の範囲での加熱および紫外線の照射を順に行うことにより形成される一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造をキャリアボードに形成するステップと、前記キャリアボードを除去するステップと、を含む、配線が埋設されている基板の製造方法を提供する。
【００１１】
本発明は、少なくとも一つの配線層と、一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造を含み、各前記ガラス層の厚さは２〜２５μｍである、配線が埋設されている基板を提供する。
【００１２】
本発明は、キャリアフィルムに液体ガラス層を敷設するステップと、５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、前記液体ガラス層の表面に凹凸パターンを圧印して紫外線を照射するステップと、前記キャリアフィルムを除去するステップと、を含む、ガラスフィルムの製造方法を提供する。
【００１３】
本発明は、一面に規則または不規則な凹凸パターンを有し、厚さ２〜２５μｍのガラス板と、を含むガラスフィルムを提供する。
【発明の効果】
【００１４】
上記によれば、本発明は、感光性の液体ガラスを応用するので、取り扱う工程が簡単で、取り扱う温度が低く、取り扱う環境が一般の大気雰囲気であってよく、高価な設備を必要することはない。また、感光性の液体ガラスは透光性がよく、成形上に形状の制限が比較的に少ないので、コストの大幅の削減および応用の場面の拡大を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｂ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｃ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｄ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｅ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｆ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｇ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｈ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｉ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図１Ｊ】本発明に係る基板およびその製造方法の断面図である。
【図２Ａ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図２Ｂ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図２Ｃ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図３Ａ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図３Ｂ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図３Ｃ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【図３Ｄ】本発明に係る、配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、特定の具体的な実施例により本発明を説明する。この分野における技術の熟練者であれば、本明細書の開示内容により本発明のメリットおよび効果を容易に理解し得る。
【００１７】
なお、本明細書に添付の図面に示されている構造や、スケール、サイズなどは、単にこの分野における技術の熟練者が容易に理解できるために、本明細書の開示内容に合わせたものであり、本発明の実施を制限するものではないので、技術上における実質的な意味を有せず、本発明が奏する効果及び達成する目的に影響しない限り、いかなる構造上の修飾、スケール関係の変更またはサイズの調整をすることができ、これらも本発明に開示されている技術的内容の範囲に含まれるものとする。また、本明細書に記載されている“上”や、“上端”、“揃う”、“側”、“周縁”、“凹凸”、“一つの”などは、単に説明上の便宜に用いられる用語であり、本発明の実施できる範囲を限定するものではなく、技術的内容を実質的に変更していない限り、その相対関係の変更および調整も本発明の範囲に含まれるものとみなされる。
【００１８】
＜第一の実施例＞
図１Ａ〜１Ｊは、本発明に係る基板およびその製造方法を示す断面図である。
【００１９】
図１Ａのように、キャリアボード１０上に金属箔１１を形成する。
【００２０】
図１Ｂのように、前記金属箔１１上に、複数の第一のレジスト層開口１２０を有する第一のレジスト層１２を形成する。
【００２１】
図１Ｃのように、電気メッキまたはデポジション（例えば、スパッタリング、蒸着、金属ペースト…など）により、各前記第一のレジスト層開口１２０に導体ピン１３を形成する。前記導体ピン１３の側壁と前記導体ピン１３の周縁のキャリアボード１０（または金属箔１１）とは、８５°〜９０°の角度をなしており、すなわち、導体ピン１３の側壁は極めて良好な垂直度を有する。
【００２２】
図１Ｄのように、前記第一のレジスト層１２を除去する。
【００２３】
図１Ｅのように、前記金属箔１１上に、それらの導体ピン１３を囲むように液体ガラス層１４を敷設する。前記液体ガラス層１４の厚さは２〜２５μｍであり、前記液体ガラス１４の上面はそれらの導体ピン１３の上端に揃っている。そして、５０℃〜１００℃の範囲で加熱を行い、加熱温度は７０℃〜９５℃が好ましく、８５℃がより好ましい。加熱時間は３〜５５分である。その後、紫外線を照射して、ガラス基材１４’になるように前記液体ガラス層１４を硬化させる。
【００２４】
図１Ｆのように、前記ガラス基材１４’の上面および導体ピン１３の上端に導電層１５を形成する。
【００２５】
図１Ｇのように、導電層１５上に複数の第二のレジスト層開口１６０を有する第二のレジスト層１６を形成する。
【００２６】
図１Ｈのように、各前記第二のレジスト層開口１６０に前記導体ピン１３と電気的に接続する第一の配線層１７を形成する。
【００２７】
図１Ｉのように、前記第二のレジスト層１６およびそれに覆われている導電層１５を除去する。
【００２８】
図１Ｊのように、前記キャリアボード１０を除去し、前記導体ピン１３と電気的に接続する第二の配線層１１’になるように前記金属箔１１をパターン化する。
【００２９】
本実施例における金属箔１１、第一のレジスト層１２、導電層１５および第二のレジスト層１６は、必要に応じて設置されるものであり、必須部材ではないことに注意すべきである。
【００３０】
本発明は、厚さ２〜２５μｍのガラス基材１４’と、前記ガラス基材１４’の両面を貫通する複数の導体ピン１３とを含む基板をさらに提供する。
【００３１】
前記基板において、前記導体ピン１３の側壁とガラス基材１４’の表面がなす角度は８５°〜９５°である。
【００３２】
本実施例における基板はインターポーザであってもよく、本実施例におけるガラス基材１４’の替わりに、厚さ２〜１００μｍ、より好ましくは２〜２５μｍのポリイミド基材を用いてもよいことに注意すべきである。前記ポリイミド基材の特徴は、前記ガラス基材１４’と同じであるので、ここで割愛する。
【００３３】
＜第二の実施例＞
図２Ａ〜２Ｃは、本発明に係る配線が埋設されている基板およびその製造方法の断面図である。
【００３４】
図２Ａのように、キャリアボード２０が提供される。
【００３５】
図２Ｂのように、キャリアボード２０上に配線ビルドアップ構造２１を形成する。前記配線ビルドアップ構造２１は少なくとも一つの配線層２１１と、一つのガラス層２１２とが交互に積層されて構成され、前記ガラス層２１２は、液体ガラス層の敷設、５０℃〜１００℃の範囲での加熱および紫外線の照射を順に行うことにより形成され、加熱温度は７０℃〜９５℃が好ましく、８５℃はより好ましい。加熱時間は３〜５５分であり、前記ガラス層２１２の厚みにより決められ、各前記ガラス層２１２の厚さは２〜２５μｍである。
【００３６】
図２Ｃのように、前記キャリアボード２０を除去する。
【００３７】
本発明は、少なくとも一つの配線層２１１と、一つのガラス層２１２とが交互に積層されて構成され、各前記ガラス層２１２の厚さは２〜２５μｍである配線ビルドアップ構造２１を含む、配線が埋設されている基板をさらに提供する。
【００３８】
本実施例における配線が埋設されている基板はコアボードであってもよく、従来のシリコンインターポーザの替わりに、直接にコアボードに配線を配置してもよいことに注意すべきである。
【００３９】
＜第三の実施例＞
図３Ａ〜３Ｄは、本発明に係るガラスフィルム及びその製造方法を示す断面図である。
【００４０】
図３Ａのように、キャリアフィルム３０上に液体ガラス層３１を敷設し、５０℃〜１００℃の範囲で加熱する。加熱温度は７０℃〜９５℃が好ましく、８５℃がより好ましい。加熱時間は３〜５５分であり、前記液体ガラス層３１の厚みにより決められ、前記液体ガラス層３１の厚さは２〜２５μｍである。
【００４１】
図３Ｂ〜３Ｃのように、ローラ３２により前記液体ガラス層３１の表面に不規則または規則な凹凸パターン３１１を圧印して前記キャリアフィルム３０を介して紫外線で前記液体ガラス層３１を照射して、ガラス板３１’になるように前記液体ガラス層３１を硬化させる。
【００４２】
図３Ｄのように、前記キャリアフィルム３０を除去する。
【００４３】
本発明は、一面に不規則または規則名凹凸パターン３１１を有し、厚さ２〜２５μｍであるガラス板３１’を含むガラスフィルムをさらに提供する。
【００４４】
最終のキャリアフィルムの除去を容易に行うように、前記キャリアフィルムに予め剥離層を形成してから、前記液体ガラスを敷設するのが好ましく、また、本実施例のガラスフィルムは、スクリーンプロテクター、スクリーンの眩光防止、およびディスプレーの光源の集光や散乱に適用できることに注意すべきである。
【００４５】
上記のように、従来の技術と比べて、本発明は感光性の液体ガラスを応用するので、取り扱う工程が簡易で、取り扱う温度が低く、取り扱う環境が一般の大気雰囲気であってよく、高価な設備を必要することはなく、しかも透光性がよいため、有効にコストを削減することができる。また、感光性の液体ガラスは、成形が便利で、形状上の制限が殆どないので、垂直度の高い貫通孔や極めて薄い厚さを達成でき、応用の場面は広い。
【００４６】
上記実施例は単に本発明の原理および効果を例示的に説明するものであり、本発明を限定するものではない。この分野における技術の熟練者であれば、本発明の精神および意旨から逸脱しない範囲において、前記実施例を変更することができる。したがって、本発明の範囲は、請求の範囲に記載されるものである。
【符号の説明】
【００４７】
１０，２０  キャリアボード、１１  金属箔、１１’  第二の配線層、１２  第一のレジスト層、１２０  第一のレジスト層開口、１３  導体ピン、１４，３１  液体ガラス層、１４’  ガラス基材、１５  導電層、１６  第二のレジスト層、１６０  第二のレジスト層開口、１７  第一の配線層、２１  配線ビルドアップ構造、２１１  配線層、２１２  ガラス層、３０  キャリアフィルム、３１’  ガラス板、３２  ローラ、３１１  凹凸パターン。
【図１Ａ】
2016532304.tif 000003
【図１Ｂ】
2016532304.tif 000004
【図１Ｃ】
2016532304.tif 000005
【図１Ｄ】
2016532304.tif 000006
【図１Ｅ】
2016532304.tif 000007
【図１Ｆ】
2016532304.tif 000008
【図１Ｇ】
2016532304.tif 000009
【図１Ｈ】
2016532304.tif 000010
【図１Ｉ】
2016532304.tif 000011
【図１Ｊ】
2016532304.tif 000012
【図２Ａ】
2016532304.tif 000013
【図２Ｂ】
2016532304.tif 000014
【図２Ｃ】
2016532304.tif 000015
【図３Ａ】
2016532304.tif 000016
【図３Ｂ】
2016532304.tif 000017
【図３Ｃ】
2016532304.tif 000018
【図３Ｄ】
2016532304.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月3日(2016.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアボードに金属ピンである複数の導体ピンを形成するステップと、
前記複数の導体ピンの上端に上面が揃って前記複数の導体ピンを囲むように、前記キャリアボードに液体ガラス層を敷設するステップと、
５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、
紫外線を照射し、前記液体ガラスを硬化させるステップと、
前記キャリアボードを除去するステップと、
を含む基板の製造方法。
【請求項２】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
加熱時間は３〜５５分である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記液体ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の導体ピンは、電気メッキまたはデポジションにより形成される請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数の導体ピンを形成するステップは、
複数のレジスト層開口を有するレジスト層を前記キャリアボードに形成するステップと、
前記レジスト層開口のそれぞれに前記導体ピンを形成するステップと、
前記レジスト層を除去するステップと、
を含む請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体ピンの側壁と前記導体ピン周縁のキャリアボードがなす角度は８５°〜９０°である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
厚さ２〜２５μｍのガラス基材と、
金属ピンであって前記ガラス基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、
を含む基板。
【請求項９】
前記導体ピンの側壁とガラス基材の表面がなす角度は８５°〜９５°である請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
厚さ２〜１００μｍのポリイミド基材と、
前記ポリイミド基材の両面を貫通する複数の導体ピンと、
を含み、
前記ポリイミド基材の両面は前記複数の導体ピンの端面に揃っている基板。
【請求項１１】
前記導体ピンの側壁とポリイミド基材の表面がなす角度は８５°〜９５°である請求項１０に記載の基板。
【請求項１２】
前記ポリイミド基材の厚さは２〜２５μｍである請求項１０に記載の基板。
【請求項１３】
少なくとも一つの配線層と、液体ガラス層の敷設、５０℃〜１００℃の範囲での加熱および紫外線の照射を順に行うことにより形成される一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造をキャリアボードに形成するステップと、
前記キャリアボードを除去するステップと、
を含む、配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１４】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１５】
加熱時間は、３〜５５分であり、前記ガラス層の厚みにより決定される請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１６】
各前記ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１３に記載の配線が埋設されている基板の製造方法。
【請求項１７】
少なくとも一つの配線層と、一つのガラス層とが交互に積層されて構成される配線ビルドアップ構造を含み、各前記ガラス層の厚さは２〜２５μｍである、配線が埋設されている基板。
【請求項１８】
キャリアフィルムに液体ガラス層を敷設するステップと、
５０℃〜１００℃の範囲で加熱するステップと、
前記液体ガラス層の表面に凹凸パターンを圧印して紫外線を照射するステップと、
前記キャリアフィルムを除去するステップと、
を含む、ガラスフィルムの製造方法。
【請求項１９】
好ましい加熱温度は７０℃〜９５℃である請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【請求項２０】
加熱時間は、３〜５５分であり、前記液体ガラス層の厚みにより決定される請求項１８に記載の液体ガラスフィルムの製造方法。
【請求項２１】
前記液体ガラス層の厚さは２〜２５μｍである請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【請求項２２】
ローラにより前記圧印が行われる請求項１８に記載のガラスフィルムの製造方法。
【国際調査報告】
2016532304.tif 000020
2016532304.tif 000021
2016532304.tif 000022
2016532304.tif 000023