(57)【要約】半導体ターゲット（１０）を形成するための方法であって、この方法は、外端に沿った基板周面（２０）を規定している主基板面（１４）半導体基板（１２）を準備することを含んでいる。半導体基板（１２）は、更に前記主基板面上に配置され、構造体層周側面（３２）を有する構造体層（３０）とを有し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域（２２）を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面（２０）に対して内方に位置されている。この方法は、更に、前記半導体基板と構造体層との上に、導電体層（３８）を形成することを含み、この導電体層は、前記周囲基板領域（２２）の接触部分（２３）と電気的に接触するように、前記構造体層周側面（３２）を超えて延びている。【選択図】  図６
2016513372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ターゲット（１０）を形成するための方法であって、この方法は、
半導体基板（１２）を準備することを具備し、この半導体基板は、
半導体基板（１２）の外端に沿った基板周面（２０）を規定している主基板面（１４）と、
前記主基板面上に配置され、構造体層周側面（３２）を有する構造体層（３０）とを有し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域（２２）を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面（２０）に対して内方に位置されており、また、この方法は、
前記構造体層を含んで超えている半導体基板の上に、導電体層（３８）を形成することを具備し、この導電体層は、前記周囲基板領域（２２）の接触部分（２３）と電気的に接触するように、前記構造体層周側面（３２）を超えて延びている、方法。
【請求項２】
前記半導体基板（１２）は、前記主基板面（１４）と境をなし、前記基板周面（２０）を規定している基板側面（１８）を有し、また、
前記半導体基板と構造体層との上に、導電体層（３８）を形成することは、
前記基板側面の少なくとも一部との電気的接触を果たすように、基板側面（１８）に向かって前記導電体層（３８）を延ばすことを含んでいる、請求項１の方法。
【請求項３】
前記構造体層（３０）は、カバー層（３６）を有し、また、
前記半導体基板と構造体層との上に、導電体層（３８）を形成することは、
前記カバー層（３６）の上に、直接に導電体層（３８）を形成することを含んでいる、請求項１又は２の方法。
【請求項４】
前記導電体層（３８）は、導電体層（３８）を通って基板周面（２０）に向かう導電路を形成し、前記導電路によって、荷電ビーム処理の間に基板表面に受けられた正味の電荷は、半導体ターゲット（１０）の外の接触構造体（６０）を介して、離れた逃がし部に正味の電荷を逃がすために、半導体基板（１２）の外端に向かって横方向に運ばれ得る、請求項１乃至３のいずれか１の方法。
【請求項５】
外端に沿った基板周面（２０）を規定している主基板面（１４）を有する半導体基板（１２）と、
前記主基板面上に配置され、構造体層周側面（３２）を有する構造体層（３０）とを具備し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域（２２）を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面（２０）に対して内方に位置されている、半導体ターゲット（１０）であって、この半導体ターゲットは、
前記構造体層との上に形成された導電体層（３８）具備し、この導電体層は、前記周囲基板領域の接触部分（２３）と電気的に接触するように、前記構造体層周側面を超えて延びている、半導体ターゲット（１０）。
【請求項６】
前記半導体基板（１２）は、前記主基板面（１４）と境をなし、前記基板周面（２０）を規定している基板側面（１８）を有し、また、
前記導電体層（３８）は、前記基板側面の少なくとも一部との電気的接触を果たすように、基板側面（１８）に向かって延びている、請求項５の半導体ターゲット（１０）。
【請求項７】
前記半導体基板（１２）は、シリコンベース層（２４）と、前記シリコンベース層上に配設された絶縁基板層（２５）と、前記絶縁基板層上に配設されたSOI層（２６）とを有している請求項５又は６の半導体ターゲット（１０）。
【請求項８】
前記絶縁基板層（２５）は、前記シリコンベース層（２４）とSOI層（２６）との間の電気的接触をなすように設定された導電体材料を中に有している開口（２７）を備えている請求項７の半導体ターゲット（１０）。
【請求項９】
前記構造体層（３０）は、１もしくは複数の装置層（３４）を有している請求項５乃至８のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１０】
前記構造体層（３０）は、カバー層（３６）を有しており、また、前記導電体層（３８）は、前記カバー層（３６）の上面に直接に配置されている、請求項５乃至９のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１１】
レジスト層（４２）が、前記導電体層（３８）の上面に直接に配置されている請求項５乃至１０のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１２】
前記接触部分（２３）の厚さ（d2）は、前記導電体層（３８）の厚さ（d1）よりも大きく、好ましくは、１０５乃至１０６倍大きい請求項５乃至１１のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１３】
前記導電体層（３８）は、１０５Ω／sq.未満の電気シート抵抗を有している請求項５乃至１２のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１４】
前記導電体層（３８）は、導電体層（３８）を通って基板周面（２０）に向かう導電路を確立するように形成され、前記導電路によって、荷電ビーム処理の間に基板表面に受けられた正味の電荷は、半導体ターゲット（１０）の外の接触構造体（６０）を介して、離れた逃がし部に正味の電荷を逃がすために、半導体基板（１２）の外端に向かって横方向に運ばれ得る、請求項５乃至１３のいずれか１の半導体ターゲット（１０）。
【請求項１５】
荷電粒子ビーム（５４）を使用して半導体ターゲット（１０）を処理するためのリソグラフィシステム（５０）であって、このリソグラフィシステムは、
半導体ターゲットの主ターゲット面（４３）に向けて荷電粒子ビームを射出するための荷電粒子プロジェクター（５２）と、
処理の間半導体ターゲットを支持するためのターゲット支持領域（５８）を有するレセプター（５６）と、
前記ターゲット支持領域の周辺に設けられ、切断エッジ（６２）を有する接触構造体（６０）とを具備し、前記切断エッジは、半導体ターゲットの側面（１８）と係合するように設定されると共に、導電材料を有し、半導体ターゲットの側面と電気的な接触を確立するように設定されている、リソグラフィシステム。
【請求項１６】
前記半導体ターゲット（１０）は、請求項５ないし１４のいずれか１の半導体ターゲットである請求項１５のリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
荷電粒子リソグラフィ装置及び検査装置が、半導体装置の製造プロセスの代表的な工程として、半導体ターゲット（例えば、シリコンウエハ）上に所定のパターンを露光するために。使用されている。リソグラフィシステムステムにおいて、ウエハは、リソグラフィシステムステムのビーム発生カラム（例えば、電子・光学カラム）により発生された粒子ビーム（例えば、電子ビーム）により複数個所で通常露光されている。代表的には、ウエハは、ウエハテーブル上に位置付けられ、ウエハの露光は、ビーム発生カラムに対するウエハテーブルの制御された変位を伴っている。
【０００２】
国際特許出願WO2009/106560は、投影カラムの最後のレンズが、ターゲットと同じ電位（又は、少なくとも、所定の予定の範囲内で比較的小さい電位差のみの同様の電位に）に維持され、最終のレンズとターゲットとの間に、荷電粒子ビームの所望の軌道を乱すような強い電界が発生するのを防ぐようにしている荷電粒子リソグラフィを開示している。
【０００３】
ターゲットへの荷電粒子ビームの露光の間、ターゲットの少なくとも最上の層は、ターゲット上へ荷電粒子が当たることによって、電気的にチャージされるので、好ましくない。極部的に蓄積された電荷は、ターゲットと周囲の部品との間に、そして、特に、ターゲットの露光される表面に直接面している粒子ビーム発生器の底面に、好ましくない電界を発生させる。このような極所的な電界の乱れは、ターゲットでの達成可能なビーム収束度と同様に、荷電粒子ビームの投影方向を変えるので、好ましくない。
【０００４】
US 2006/0228897 A1は、ウエハを処理するための全複合工程技術の途中の工程として、プロセスチャンバー内で半導体ウエハを加熱処理するための方法を開示している。エネルギー伝達層がウエハの少なくとも一部に与えられ、この層は、例えば、エネルギー源から放射された熱エネルギーを吸収することにより、熱エネルギーを伝達するように機能する。前記エネルギー伝達層は、一時的に使用され、ウエハの複数の工程のプロセスでの続く工程にウエハをもたらすために、少なくとも充分に除去される。エネルギー伝達層は、金属、合金、他の導電材料により形成されることが、開示されている。US 2006/0228897 A1によれば、これら金属材料は、広範囲の、波長に対して、高い熱吸収係数を度々呈する。また、これら金属材料は、熱処理プロセスにとって有用であろう高い融点を有している。また、多くの金属は、放射線の一般に良い反射体であり、エネルギー伝達層中の熱エネルギー伝達に悪影響を与える。US 2006/0228897 A1は、電界の影響に対しては、説明しておらず、ウエハ上の電荷の望ましくない蓄積に対しての説明は、ない。
【０００５】
JP S6074616 Aには、基板上に形成された酸化膜を貫通することが可能な導電ピンが、開示されている。基板に蓄積された電荷は、この導電ピンを介して接地され得る。半導体ターゲットの荷電粒子露光の処理での、このようなピンの使用は、このピンが基板上の１もしくはそれ以上の層に傷を付けるので、望ましくない。また、JP S6074616 Aは、ばね力を用いて基板の導電側壁と接触するピンを開示している。このピンによって、前記側壁は、接地される。ターゲットの荷電粒子ビーム露光の間に、荷電粒子がターゲットに衝突することによって、半導体ターゲットの上層が電気的にチャージされるのを防ぐために、このピンがどのように使用されるのかは、明らかではない。
【０００６】
電子・光学カラムとターゲットとの間の利用可能なスペース制限されている荷電粒子システムにおいて、ターゲットへの電荷の好ましくない蓄積を規制するための有効な方法を実行する率直な解決策は、ない。
【発明の概要】
【０００７】
種々の部品のレイアウトが、ターゲットとプロセスシステムとの間の望ましくない電界の発生を防止又は減少させる助けとなるプロセスシステム及び半導体ターゲットを提供することが望まれている。
【０００８】
かくして、本願発明の一態様に係われば、外端に沿った基板周面を規定している主基板面を有する半導体基板と、前記主基板面上に配置され、構造体層周側面を有する構造体層とを具備し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面に対して内方に位置されている、半導体ターゲットであって、前記構造体層との上に形成された導電体層を更に具備し、この導電体層は、前記周囲基板領域の接触部分と電気的に接触するように、前記構造体層周側面を超えて延びている、半導体ターゲットが提供される。
【０００９】
上記構成により、ターゲットの前記導電体層を通り、基板周面に向かう導電路が確立される。この導電路によって、荷電ビーム処理の間に基板表面に受けられた正味の電荷は、半導体基板の外端に向かって横方向に運ばれ得る。このようなターゲット層の構成は、受けられた正味の電荷を前記導電路、基板端、及び接触構造体を介して有効に消失させるように、ターゲットの側面と係合する構造に設定された１又は複数の接触構造体を有している種々のリソグラフィシステム設備を形成可能にしている。このような電荷の消失のための構成は、ターゲットと荷電粒子ビーム発生カラムの隣接端との距離が比較的短く（例えば、１００マイクロメータのオーダ、又はさらに短い）、また、前記カラムとの相対的な移動の間の、接触構造体によるカラムの妨害が避けられているようなリソグラフィシステムでは、特に有用である。離れた逃がし部（例えば、地面）に向かってターゲットから離れた正味の電荷の迅速な横方向への消失により、ターゲットとリソグラフィシステムとの間の好ましくない電界の発生は、都合よく防げるか、少なくとも減じられる。
【００１０】
本願発明の第２の態様に係われば、また、上述された効果及び利益に従えば、半導体基板を準備することを具備し、この半導体基板は、半導体基板の外端に沿った基板周面を規定している主基板面と、前記主基板面上に配置され、構造体層周側面を有する構造体層とを有し、この構造体層周側面は、構造体層により覆われていない周囲基板領域を前記基板周面に沿って形成するように、前記基板周面に対して内方に位置されており、また、前記半導体基板と構造体層との上に、導電体層を形成することを具備し、この導電体層は、前記周囲基板領域の接触部分と電気的に接触するように、前記構造体層周側面を超えて延びている、半導体ターゲットを形成するための方法が提供される。
【００１１】
荷電粒子ビームによる露光のための、半導体ターゲットを形成する方法は、ターゲットに種々の層（例えば、絶縁体層、上述された導電体層、及びレジスト層）を形成するための工程を含んだ種々の製造工程を有している。更に、準備する方法は、ターゲットの導電体層と接触構造体が接続される電荷規定制御体との間に導電路を確立するように、リソグラフィシステムのターゲットのリセプター上にターゲットを位置づけるための工程と、ターゲットの側面に接触構造体の切断エッジを係合させる工程とを含んだ、実際の荷電粒子ビーム露光のためのターゲットの設定工程を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１ａ】図１aは、一実施の形態に係わる荷電粒子リソグラフィシステムを概略的に示している。
【図１ｂ】図１bは、一実施の形態に係わるリソグラフィシステムステムの接触構造体と電気的に接触している半導体ターゲットの斜視図を概略的に示している。
【図２】図２は、一実施の形態に係わるリソグラフィシステムステムの接触構造体と電気的に接触している半導体ターゲットの上面図を概略的に示している。
【図３】図３は、一実施の形態に係わる半導体ターゲットの側断面図を概略的に示している。
【図４】図４は、異なる実施の形態に係わる半導体ターゲットの側断面図を概略的に示している。
【図５】図５は、更に異なる実施の形態に係わる半導体ターゲットの側断面図を概略的に示している。
【図６】図６は、更に異なる実施の形態に係わる半導体ターゲットの側断面図を概略的に示している。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
複数の実施の形態が、対応する参照符号が対応する部材を示している添付の概略的な図を参照して、例としてのみで説明される。図は、説明する目的のためを意味し、請求項により規定されたような範囲又は保護の限定を意味するものではない。
【００１４】
以下に、図面を参照し、例のみとして与えられた所定の幾つかの実施の形態を説明する。ここでは、円筒座標が、半導体ターゲットの特別な実施の形態の特有の特性を説明するために使用されている。ほぼ円形のターゲットの中心を通るように規定された軸は、「軸方向」Ｚとして規定されている。「径方向」Ｒは、軸方向が表面の法線ベクトルに対する横断面に位置し、軸方向Ｚから径方向に離れる方向に対応している。「角方向」Φは、横断面で径方向の回転（微小）角度に沿うように向いている。ここで示されている好ましい向きと方向の限定とは、特別な実施の形態の幾何学的関係を単に説明するためであり、本願発明の一般的な概念に対する限定ではないことは、理解されるべきである。例えば、デカルト座標が、幾何学的特性を記載するためには円筒座標よりも好ましい矩形の半導体ターゲットを使用することが可能である。同様に、用語「上」、［下」、「横」等は、処理の間、半導体ターゲットの共通の水平のオリエンテーションに関してであるが、ターゲット及び／又はリソグラフィシステムステムのための異なるオリエンテーションを含んでいる、ターゲット処理方法の場合には、変更され得る。
【００１５】
図１aは、本願発明の一実施の形態に係わるリソグラフィシステムステム５０を概略的に示している。一般的に、このリソグラフィシステムステム５０は、１もしくは複数の荷電粒子ビーム５４を射出するように構成されている荷電粒子プロジェクター５２（例えば、荷電粒子ビーム射出カラム）を収容しているハウジング（図示されていない）を有している。粒子ビームは、半導体基板１２と構造体層３０とを有している半導体ターゲット１０方向へと射出される。半導体ターゲット１０の例は、図２乃至６を参照して後で説明される。
【００１６】
リソグラフィシステム５０は、ターゲット支持領域５８中に半導体ターゲット１０を支持するためのレセプター５６を有している。このレセプター５６は、例えば、ウエハテーブルは、処理の間、荷電粒子プロジェクター５２に対して半導体ターゲット１０の制御された移動を可能にしている移動可能なウエハステージ（図示されていない）により、代表的には移送される。前記ターゲット支持領域５８は、半導体基板１２の底面１６の所で半導体ターゲット１０を支持するように設定されている支持面を有している。この支持面は、半導体ターゲット１０のオリエンテーションを安定にして、半導体基板１２とターゲット支持領域５８との間に良好な熱接触を与えるように設定されている。この目的のために、複数の支持突起と中間の熱伝導流体とが、ターゲット支持領域５８に与えられ得る。
【００１７】
前記レセプター５６は、更に、半導体基板１２の側面１８と係合するように適応された鋭利なエッジ６２を備えたターゲット接触構造体６０を有している。この鋭利なエッジ６２は、例えば、切断エッジとして形成され得る。切断エッジ６２は、角方向Φに線形に延びている鋭利なエッジとして図１aに示されている。この結果、切断エッジ６２は、基板１２により規定された面内のラインに沿って、基板の側面１８と係合するように設定されている。前記切断エッジ６２は、例えば、切断エッジ６２が三角形又は五角形の１つの頂角に対応している、軸−径面（即ち、角方向Φに見られる）内に規定された三角形又は五角形の断面の本体を有し得る。異なる実施の形態では、前記切断エッジは、軸方向Ｚと角方向Φとにより規定された面内の任意のラインに沿って向けられ得る（例えば、垂直方向に向いたエッジ、角方向に向いたエッジ、又はこれら方向の線形の組合せ）。
【００１８】
前記鋭利なエッジ６２は、導電材料により形成され、半導体基板１２の側面１８と電気的な接触をするように設定されている。このエッジ６２は、基板側面１８に形成され得る酸化層（例えば、半導体材料の部分的な酸化の結果として）を極部的に貫通するように充分鋭くなっている。このような切断効果は、接触構造体６０と半導体基板１２との間の電気的な接触が、上記酸化層の可能な高電気抵抗によって不必要に妨げられないことを、確実にしている。好ましくは、切断エッジ６２は、ほぼ横方向（即ち、円形の基板の場合には径方向）に突出している。このような横方向への突出による効果は、切断エッジ６２が、半導体基板１２に支持（「直交」）又は下方への押圧の力を与えることを避ける助けをすることである。
【００１９】
好ましくは、前記接触構造体６０の上面６１は、前記荷電粒子プロジェクター５２の下面と衝突するのを避けるために、半導体ターゲット１０の上面４３（主ターゲット面）の下に位置されている。
【００２０】
図１aは、接触構造体６０と電位接地との間の電荷消失路６５のための実現化を示している（ここでは、電荷消失路６５の如何なる電気抵抗も無視されている）。かくして、基板側面１８との電気的接触は、処理している間の、半導体ターゲット１０の電気的接地を可能にしている。
【００２１】
実施の形態に係われば、前記接触構造体６０は、前記レセプター５６に機械的に固定され得、前記鋭利なエッジ６２とレセプター５６との間の導電路を有している。鋭利なエッジ６２とレセプター５６との間の電気抵抗は、基板１２とレセプター５６との間に導電路を与えるように、充分に低い。このような導電路は、処理の間にターゲット１０に受けられた正味の電荷をすぐに消失させ得る。
【００２２】
このシステム５０は、複数の接触構造体６０、例えば、２つの対向した側壁から半導体ターゲット１０を囲むように２つの接触構造体６０を有することが可能である。
【００２３】
更に他の実施の形態では、前記１又は複数の接触構造体６０は、ターゲット支持領域５８を囲んでいる他の構造体に装着可能である。
【００２４】
図１bは、本願発明に係わるリソグラフィシステム５０の接触構造体６０と電気的に接触している半導体ターゲット１０の斜視図を概略的に示している。この接触構造体６０は、接地部（図１aを見よ）と半導体ターゲット１０の側面１８との間の電気的接続を可能にしている。この側方の接続は、プロジェクター５２から射出される１または複数の荷電粒子ビーム５４により生じ、半導体ターゲット１０上のビーム入射領域から接触構造体６０へ向かう、そして更に接地部へ向かう電流のための導電路４１を形成している。
【００２５】
例えば、２００マイクロアンペアの又はこれ以下のオーダの全電流の荷電粒子ビーム５４を発生するように設定されたリソグラフィシステムにおいて、導電体層３８の電気シート抵抗は、好ましくは、１０７オーム未満（このシート抵抗の単位は、「Ohms per square}として又示される）、そして、多分１０５オーム未満であり、接触構造体６０の電気抵抗は、好ましくは、１４キロオーム未満である。
【００２６】
図２は、リソグラフィシステム（図示されていない）の接触構造体６０と電気的に接触している円形の半導体ターゲット１０の例の上面図である。この半導体ターゲット１０は、基板円周面２０を規定している側面１８を有する基板を備えている。構造体層３０が、基板の上面に設けられている。この構造体層は、基板よりも短い径の円周側面３２を有し、基板周面に対して内方に配置されている。この結果、構造体層３０により覆われていない、リング形状の周囲基板領域２２が、基板の周側面に沿って規定されている。
【００２７】
図３は、断面が軸方向Ｚと角方向Φとにより規定され、接触構造体６０が交差している半導体ターゲット１０の例の一部の断面図を概略的に示している。半導体ターゲット１０は、ドープされたシリコンにより形成され得る半導体基板１２を有し得る。このドープされたシリコンの代表的な最大抵抗は、１００ないし１０００オーム−センチメートルのオーダである。前記半導体基板１２は、主基板面１４（上基板面）と、この主基板面１４の反対側に位置された更なる基板面１６と、前記主基板面１４と更なる基板面１６とを接続している基板側面１８とを有している。基板側面１８は、基板円周面２０を規定している。基板側面１８の断面は、湾曲され径方向に向けられたＵ形状の線を描いている。異なる実施の形態では、Ｕ形状の断面は、多角形又は湾曲軌道、または、真っ直ぐな部分（好ましくは、傾斜された）と湾曲した相互接続部分とを有する中間の形態を描いても良い。
【００２８】
前記半導体基板１２は、代表的な基板厚さよりも桁違いに大きい横方向のディメンションを有する平らな構造をしている。前記主及び更なる（反対側の）基板面１４，１６は、代表的には、平行な面に沿って横方向に延びている。
【００２９】
構造体層３０が、主基板面１４の上面に設けられている。この構造体層は、例えば、１又は複数の導電体層、絶縁体層、及び／又は半導体層により形成され得る１又は幾つかの装置層３４により構成され得る。図２に示された実施の形態では、構造体層３０は、上面にカバー層３６が配設された１つの装置層３４を有している。このカバー層３６は、例えば、電気絶縁材料から実質的に形成され得る（例えば、１０１２Ωmを超えた高電気抵抗を有する材料により形成されている誘電体のカバー層３６）。前記導電体層３８は、カバー層３６の上面に配置されている。レジスト層４２が、導電体層３８の上面に設けられている。
【００３０】
前記構造体層３０（前記層３４，３６を有する）は、前段の処理工程及び／又は他の処理方法によって、半導体基板１２の上に堆積され得る。この構造体層３０は、例えば、事前の半導体リソグラフィプロセスによりウエハ上に形成された電気的な半導体チップで良い。構造体層３０は、基板円周面２０に対して内側に位置された構造体層周側面３２を有している。この結果、基板円周面２０の少なくとも一部に沿って構造体層３０によって覆われていない（即ち、最初に左側が露出されている）周囲基板領域２２が、規定されている。図３に示されている実施の形態では、構造体層周側面３２は、装置層３４の側方境界を形成している装置層周側３５の少なくとも一部と一致している。
【００３１】
例えば、ハードマスクを形成し得る導電体層３８は、構造体層３０の上面に形成されている。この導電体層３８は、構造体層３０の構造体層周側面３２を超えて延びており、接触部分２３に沿って周囲基板領域２２と電気的に接触している周囲導電体部４０を形成している。図３の実施の形態では、導電体層３８は、構造体層周側面３２を超えて周囲基板領域２２方向に延びており、半導体基板１２への電流３９が流れる導電路を形成している。この導電路に沿って電流３９が流れる。
【００３２】
荷電粒子による処理の結果として半導体ターゲット１０の１又は複数の上層の内部及び／又は表面に蓄積する正味の電荷は、導電体層３８を通り、周囲導電体部４０及び横方向の接触部分２３を介し、周囲基板領域２２を通って半導体基板１２に入る。
【００３３】
前記導電体層３８の電子導通特性に加えて、カバー層３６と導電体層３８との組み合わせにより、装置層３４中への電子の移送を最小にする（高エネルギー）と共に、材料と選択制エッチングとが役割を満たすレジスト層４２への露光パターンのエッチング遷移（etch transfer）を最小にするように、入射電子の後方散乱を最小にするように最適化され得る。  
前記接触部分２３により規定された幅d2は、周囲基板領域２２により規定された幅d3へと広げられ得る。代表的には、半導体基板１２の側面１８（即ち、基板円周面２０）は、多角形又は湾曲した断面プロフィールを有し得る。このプロフィールは、接触部分の幅d2の最大長さを規定している（これは、図６を参照して説明される実施の形態から明らかであるように、必ずしも必要ではない）。好ましくは、周囲基板領域の幅d3は、１乃至数ミリメートルのオーダであるけれども、より短い長さでも良い。対応して、接触部分の幅d2は、前記周囲基板領域の幅d3とほぼ同じ値で良い。
【００３４】
好ましくは、接触部分の幅d2は、前記導電体層３８の厚さd1よりも大きい。数１０ナノメータ（例えば、３０ナノメータ以下）のオーダの代表的な導電体層の厚さd1に対しては、d2とd1との比は、１０５乃至１０６のオーダが望ましい。
【００３５】
図４は、半導体基板１２'が、いわゆるシリコン−オンーインシュレータ−（SOI）ウエハにより形成されている半導体ターゲット１０'の実施の形態を示している。この実施の形態での主要な特徴は、図２を参照して説明された実施の形態と同じであり、以下に相違点のみ説明される。
【００３６】
前記半導体基板１２'は、シリコンベース層２４'と、このシリコンベース層２４'の上面に配置された絶縁基板層２５'と、この絶縁基板層２５'の上面に配置されたSOI層２６'と、を有している。前記絶縁基板層２５'には、開口２７'が形成されている。この開口２７'には、前記シリコンベース層２４'とSOI層２６'とを電気的に接触させるために、導電性に優れた材料が充填されている。前記絶縁基板層２５'は、例えば、誘電体酸化シリコン層により形成され得る。この誘電体酸化シリコン層には、前記ベース層２４'とSOI層２６'を形成しているドープされたシリコン材により中が占められた前記開口２７'が一部に形成されている。このベース層２４'とSOI層２６'との間の電気的な接続により、基板１２'と接触構造体６０'との間の電気的な接触が、鋭利なエッジ６２'をSOI層２６'ベース層２４'の側面部に係合させることにより、果たされ得る。
【００３７】
図５は、半導体基板１２'が、また、SOIウエハにより形成されている半導体ターゲット１０"の実施の形態を示している。この実施の形態での主要な特徴は、図４を参照して説明された実施の形態と同じであり、以下に相違点のみ説明される。
【００３８】
図５の実施の形態で、絶縁基板層２５'に開口は、形成されていない。この結果、シリコンベース層２４'とSOI層２６'とは、電気的に接触していない。更なる構成の相違がなく、接触構造体６０"の鋭利なエッジ６２"は、導電体層３８"と接触構造体６０"との間の電気的な接触を果たしている。
【００３９】
図６は、装置層３４'''の装置層周側３５'''を超えて横方向に延びている周囲カバー部３７'''を備えたカバー層３６'''（例えば、電気的な絶縁材料の層）を有する半導体ターゲット１０'''の実施の形態を示している。前記周囲カバー部３７'''は、構造体層周側面３２'''により横方向で区切られて、基板１２'''の接触部分２３'''を露出している。周囲カバー部３７'''は、装置層３４上と（まだ露出している）周囲基板領域２２'''との上へのカバー材料スビンコーティングを含んだ準備工程と、これに続いた、接触部分２３'''が露出されるように、カバー層３６'''の周囲からのカバー材料のエッジビード除去を含んだ準備工程とにより、例えば、形成され得る。上記実施の形態と同様に、これに続いて、カバー層３６'''と（露出された）接触部分２３'''上に導電体層３８'''を形成することによって、導電体層３８'''と半導体基板１２'''との間の電気的な接続がなされている。更なる準備工程で、レジスト層４２'''が、導電体層３８'''の上に形成されている。
【００４０】
再び、基板側面１８'''の径−軸断面は、湾曲し径方向に向けられたＵ形状を示している。図６に示された実施の形態では、導電体層３８'''は、周囲導電体部４０'''が、主基板面１４'''を超えて基板側面１８'''に向かうように、横方向に延びている。前記周囲導電体部４０'''は、基板１２'''との接触が、側方領域で、また果たされるように、基板側面１８'''を少なくとも部分的に覆っている。前記前記周囲カバー部３７'''と周囲導電体部４０'''との両方は、延長した半径方向に見られるように、主基板面１４'''に向かって下方に湾曲している円滑な表面形状を夫々規定している。
【００４１】
図６に示された接触構造体６０'''は、軸方向Ｚに直線状に延びた切断エッジ６２'''を有している。この結果、この切断エッジ６２'''は、ほぼ垂直ラインに沿って基板側面１８'''と係合するように、設定されている。
【００４２】
上記記載は、限定されない説明を意図している。本願発明の異なる及び等価の実施の形態は、記載された実施の形態の範囲から逸脱しないで、実施に対して考慮されかつ適用され得ることは、当業者にとって明らかであろう。例えば、種々の半導体ターゲットの実施の形態とリソグラフィいの実施の形態との形態は、これら形態に関連した対応する効果を奏する更なる実施の形態を構築するために組合せられ得る。
【００４３】
読みやすさのために、種々の実施の形態で類似の部材に対応した参照符号は、請求項では、基礎となる符号によりまとめて記載されている。しかし、このことは、請求項の部材が、基礎となる符号に対応した記載の態様に参照して構成されるだけを、示唆しているものではない。参照符号に対する種々の類似の表示（例えば、１０'、１０"、１０*）は、請求項では省略されているけれども、これらの適用が可能であることは、夫々の図の対比により明らかであろう。
【符号の説明】
【００４４】
１０…半導体ターゲット、１２…半導体基板、１４…主基板面（基板上面）、１６…反対の基板面（基板下面）、１８…基板側面、２０…基板周面、２２…周囲基板領域、２３…接触部分、２４…シリコンベース層、２５…絶縁基板層、２６…シリコン−オンーインシュレータ−（SOI）層、２７…開口（アパーチャ）、３０…構造体層、３２…構造体層周側面、３４…装置層、３５…装置層周側、３６…カバー層、３７…周囲カバー部、３８…導電体層、３９…電流、４０…周囲導電体部、４１…導電路、４２…レジスト層、４３…主ターゲット面（ターゲット上面）、５０…リソグラフィシステム、５２…荷電粒子プロジェクター、５４…荷電粒子ビーム、５６…レセプター、５８…ターゲット支持領域、６０…接触構造体、６１…上面、６２…切断エッジ、６５…電荷消失路、d1…導電体層の厚さ、d2…接触部分の厚さ、d3…周囲基板領域の厚さ、Ｚ…軸方向（垂直方向）、Ｒ…径方向（第１の横方向）、Φ…角方向（第２の横方向）。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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