(57)【要約】  本出願は、上面に溝部または突出部を有する基板、および前記基板の溝部または突出部の上面と、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を含み、前記基板の溝部または突出部の上面に備えられた導電膜と前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は互いに電気的に断絶している導電性パターン積層体、その製造方法および前記積層体を含む電子装置を提供する。
2016519836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に溝部または突出部を有する基板、および
前記基板の溝部または突出部の上面と、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を含み、
前記基板の溝部または突出部の上面に備えられた導電膜と前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は互いに電気的に断絶している導電性パターン積層体。
【請求項２】
前記溝部の深さまたは前記突出部の高さは前記導電膜の厚さより大きい、請求項１に記載の導電性パターン積層体。
【請求項３】
前記溝部の深さまたは前記突出部の高さは０．１〜３０μｍである、請求項１または２に記載の導電性パターン積層体。
【請求項４】
前記溝部または突出部のうち少なくとも一部のテーパー角は６０度以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項５】
前記溝部は深さが互いに異なる２以上の溝部を含み、
前記突出部は高さが互いに異なる２以上の突出部を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項６】
前記溝部または前記突出部は、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を互いに電気的に断絶した２以上のパターンに分離する形態として備えられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項７】
前記基板は樹脂基板である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項８】
前記樹脂基板はＵＶ硬化型樹脂基板である、請求項７に記載の導電性パターン積層体。
【請求項９】
前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は前記溝部または前記突出部によって互いに電気的に断絶した２以上のパターンを含み、
前記２以上のパターンのうち少なくとも一部は電圧印加部にまで延びた形態を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１０】
前記基板の縁部はデコレーション部であり、前記デコレーション部によって囲まれた中心部分は有効画面部である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１１】
前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は前記溝部または前記突出部によって互いに電気的に断絶した２以上のパターンを含み、
前記２以上のパターンのうち少なくとも一部は、前記有効画面部に備えられた有効画面領域と、前記デコレーション部に備えられ、前記有効画面領域を電圧印加部と電気的に連結するルータ領域とを含む、請求項１０に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１２】
前記デコレーション部に備えられた導電膜のルータ領域上に追加の導電層が備えられる、請求項１１に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１３】
前記追加の導電層は前記導電膜より電気導電性が高い、請求項１２に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１４】
前記追加の導電層は金属層である、請求項１２または１３に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１５】
前記溝部の深さまたは前記突出部の高さは前記導電膜の高さと前記追加の導電層の高さの合計より大きい、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１６】
前記導電膜は前記基板の上面の全体領域に備えられる、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１７】
前記基板の上面のデコレーション部のうち前記ルータ領域が備えられた部分を除いた部分では、前記溝部または突出部によって前記溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜が電圧印加部と電気的に断絶している、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１８】
前記デコレーション部に備えられた導電膜の上面の全体領域上にデコレーション層が備えられる、請求項１７に記載の導電性パターン積層体。
【請求項１９】
前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記導電膜の厚さと前記デコレーション層の厚さの合計より大きい、請求項１８に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２０】
前記導電膜のルータ領域と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられる、請求項１８または１９に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２１】
前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記導電膜の厚さ、前記追加の導電層の厚さおよび前記デコレーション層の厚さの合計より大きい、請求項２０に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２２】
前記追加の導電層は金属層である、請求項２０または２１に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２３】
前記デコレーション層は前記金属層の暗色化層である、請求項２２に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２４】
前記デコレーション部に備えられた導電膜と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられる、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２５】
前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記導電膜の厚さ、前記追加の導電層の厚さおよび前記デコレーション層の厚さの合計より大きい、請求項２４に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２６】
前記追加の導電層は金属層である、請求項２５に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２７】
前記デコレーション層は前記金属層の暗色化層である、請求項２６に記載の導電性パターン積層体。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体を１個以上含む電子装置。
【請求項２９】
請求項１〜２７のいずれか１項に記載の導電性パターン積層体を１個以上含むタッチスクリーン。
【請求項３０】
溝部または突出部を含む基板を準備するステップ、および
前記基板の上面の全体領域に前記溝部の深さまたは突出部の高さより小さい厚さで導電膜を形成するステップ
を含む導電性パターン積層体の製造方法。
【請求項３１】
前記導電膜が形成された基板の縁部を除いた部分を保護膜で保護するステップ、および前記縁部に追加の導電層を形成するステップをさらに含む、請求項３０に記載の導電性パターン積層体の製造方法。
【請求項３２】
前記追加の導電層上にデコレーション層を形成するステップをさらに含む、請求項３１に記載の導電性パターン積層体の製造方法。
【請求項３３】
前記保護膜を除去するステップをさらに含む、請求項３２に記載の導電性パターン積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は２０１３年３月２２日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１３−００３１１７８号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
【０００２】
本出願は導電性パターン積層体およびそれを含む電子装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的に、ディスプレイ装置とはＴＶやコンピュータ用モニターなどを通称する言葉であり、画像を形成するディスプレイ素子およびディスプレイ素子を支持するケースを含む。
【０００４】
一方、ディスプレイ装置と関連し、ＩＰＴＶの普及が加速化するにつれ、リモコンなど別途の入力装置なしで人の手が直接入力装置となるタッチ機能に対する必要性が益々大きくなっている。また、特定ポイントの認識だけでなく、筆記が可能なマルチタッチ（ｍｕｌｔｉ−ｔｏｕｃｈ）機能も求められている。
【０００５】
前記のような機能をするタッチスクリーンは信号の検出方式に応じて次のように分類することができる。
【０００６】
すなわち、直流電圧を印加した状態で圧力によって押された位置を電流または電圧値の変化によって検知する抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）と、交流電圧を印加した状態で容量結合（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を利用した静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）と、磁界を印加した状態で選択された位置を電圧の変化として検知する電磁誘導方式（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｔｙｐｅ）などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１０−０００７６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本出願は導電性パターン積層体およびそれを含む電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願の一実施状態は、
上面に溝部または突出部を有する基板、および
前記基板の溝部または突出部の上面と、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を含み、
前記基板の溝部または突出部の上面に備えられた導電膜と前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は互いに電気的に断絶している導電性パターン積層体を提供する。
【００１０】
本出願のまた１つの実施状態は、前記基板の縁部がデコレーション部であり、前記デコレーション部によって囲まれた中心部分が有効画面部であるとする時、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は前記溝部または前記突出部によって互いに電気的に断絶した２以上のパターンを含み、２以上のパターンのうち少なくとも一部は、前記有効画面部に備えられた有効画面領域と、前記デコレーション部に備えられ、前記有効画面領域を電圧印加部と電気的に連結するルータ領域とを含む導電性パターン積層体を提供する。
【００１１】
本出願のまた１つの実施状態は、前記デコレーション部に備えられた導電膜のルータ領域上に追加の導電層が備えられた導電性パターン積層体を提供する。
【００１２】
本出願のまた１つの実施状態は、前記基板の上面のデコレーション部のうち前記ルータ領域が備えられた部分を除いた部分では、前記溝部または突出部によって前記溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜が電圧印加部と電気的に断絶した導電性パターン積層体を提供する。
【００１３】
本出願のまた１つの実施状態は、前記導電膜のルータ領域と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられた導電性パターン積層体を提供する。
【００１４】
本出願のまた１つの実施状態は、前記デコレーション部に備えられた導電膜と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられた導電性パターン積層体を提供する。
【００１５】
本出願のまた１つの実施状態は、前記デコレーション層のうち前記導電膜のルータ領域の上面と、溝部または突出部によって電圧印加部と電気的に断絶した導電膜の上面に備えられた部分は、微細な断線幅で断線させた微細パターンとして備えられた導電性パターン積層体を提供する。前記微細パターンとして備えられた領域はダミーパターンをさらに含んでもよい。
【００１６】
本出願のまた１つの実施状態は、前述した導電性パターン積層体を１つ以上含む電子装置を提供する。
【００１７】
本出願のまた１つの実施状態は、
溝部または突出部を含む基板を準備するステップ、および
前記基板の上面の全体領域に前記溝部の深さまたは突出部の高さより小さい厚さで導電膜を形成するステップを含む導電性パターン積層体の製造方法を提供する。
【００１８】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記導電膜が形成された基板の縁部を除いた部分を保護膜で保護するステップ、および前記縁部に追加の導電層を形成するステップをさらに含んでもよい。
【００１９】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記追加の導電層上にデコレーション層を形成するステップをさらに含んでもよい。
【００２０】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記保護膜を除去するステップをさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本出願の実施状態によれば、基板上の溝部や突出部による基板表面上の高さの差を利用して電気的に断絶した導電性パターンを形成することができる。具体的には、本出願の実施状態によれば、導電膜の一部を除去する必要なく、基板上面の全体領域に導電膜を形成することだけで導電性パターンを形成することができるため、工程が非常に容易であるだけでなく、経済的にも大きな効果がある。
【００２２】
また、基板上面の全体面積上に導電膜を形成するため、ルータ部の形成時にアラインは必要ではない。また、パターンの形成時にエッチング液やレジスト除去工程でパターンの表面が荒くなったりパターンの一部が失われて、この場合にヘイズが高くなるが、本出願の実施状態によれば、パターンの形成時にエッチング液やレジスト除去工程を含まないので優れた光学的特性を提供することができる。また、表面上の微細な高さの差があるだけであって、材料がパターンではなく全体面積に塗布されるので視覚的にパターンが眼に掛かる心配がない。
【００２３】
また、本出願によれば、従来のＩＴＯセンサに求められるインデックスマッチング層（Ｉｎｄｅｘ  ｍａｔｃｈｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を別途に備えないと同時に、ルータ部のような配線部の形成時に別途のアラインが必要でなくなり、それによって画面部と配線部を同時に形成できるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本出願の一実施状態による導電性パターン積層体の断面模式図を示すものである。
【図２】本出願の一実施状態による導電性パターン積層体の断面模式図を示すものである。
【図３】本出願の一実施状態による導電性パターン積層体の導電膜のパターン形態を例示したものである。
【図４】本出願の一実施状態により導電性パターン積層体を製造する工程模式図を示すものである。
【図５】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図６】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図７】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図８】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図９】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図１０】本出願の一実施状態として、溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【図１１】比較例１による溝部または突出部を含むパターンの形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本出願について詳細に説明する。
従来のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に基づいた静電容量式タッチパネルの場合は、ＩＴＯ画面部のパターニング工程および配線部の工程を別途に行うと同時に、湿式エッチング（Ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を通じてパターンを形成することによって、パターンの隠蔽性が低下して追加のインデックスマッチング層（Ｉｎｄｅｘ  Ｍａｔｃｈｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）を通じてそれを補うのが一般的であるといえる。このような工程の複雑性および追加のインデックスマッチング層（Ｉｎｄｅｘ  Ｍａｔｃｈｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）の具備は、ＩＴＯフィルム自体の原材料費の上昇と共に工程による収率減少の原因となり、最終的に配線部と画面部のアライン（Ａｌｉｇｎ）工程が必要となることによって、寸法安定性の確保のための単位シート（Ｓｈｅｅｔ）工程の導入またはロールフィルム（Ｒｏｌｌ  Ｆｉｌｍ）幅の制限、セル（Ｃｅｌｌ）間の間隔の制約（配置制約）などの問題点が発生する。
【００２６】
そこで、本出願では、従来のフォト工程またはインプリンティング（Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程を通じてパターンを形成した後、ＩＴＯ蒸着工程のようなドライ（Ｄｒｙ）工程を行うことによって、インプリンティング（Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）工程時に発生した段差を利用して電気的な回路を形成しようとした。それにより、追加の配線部のパターニング（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）工程なしに一括的な電気的回路の実現が可能であり、全面にＩＴＯが蒸着された状態でセンサ（Ｓｅｎｓｏｒ）が構成されるので、従来のようなインデックスマッチング層（Ｉｎｄｅｘ  Ｍａｔｃｈｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）のような別途の層を必要としないという長所を有している。また、本出願では、従来の工程に比べて工程の難易性が大幅に減少することによって収率面で高いという長所を有している。
【００２７】
本出願の一実施状態による導電性パターン積層体は、上面に溝部または突出部を有する基板、および前記基板の溝部または突出部の上面と、前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を含み、前記基板の溝部または突出部の上面に備えられた導電膜と前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜は互いに電気的に断絶していることを特徴とする。
【００２８】
言い換えれば、従来は導電性パターンを形成するために、基板上の全面に導電膜を形成した後に一部パターンを除去する方式を利用するか、特定パターンの形態で印刷をする方式を利用していたが、本出願の前記実施状態によれば、基板上の全面に導電膜を形成することだけで、追加のパターンを除去したり、パターン形態の印刷方式を利用したりする必要なく導電性パターンを形成することができる。
【００２９】
具体的に、本出願の前記実施状態によれば、導電膜の下部に位置する基板の表面の高さを異なるようにすることによって、基板表面上の段差によって導電膜が特定のパターン形態で電気的に断絶される。言い換えれば、基板上に溝部を形成するか、突出部を形成することによって、溝部や突出部によって電気的に断絶した導電性パターンを得ることができる。
【００３０】
本出願において、溝部や突出部によって導電膜をパターン化するために、前記溝部の深さまたは前記突出部の高さは前記導電膜の厚さより大きいように調節することができる。前記実施状態において、前記溝部はいずれも同一の深さを有してもよいが、前記溝部は深さが互いに異なる２以上の溝部を含んでもよい。同様に、前記突出部はいずれも同一の高さを有してもよいが、前記突出部は高さが互いに異なる２以上の突出部を含んでもよい。また、溝部や突出部によって導電膜をパターン化するために、前記溝部または突出部のテーパー角を適切な値に調節することができる。
【００３１】
本出願において、前記導電膜の幅、厚さなどはその用途に合わせて当業者が適切に選択することができる。より具体的に、前記導電膜の厚さは０．１〜１００ｎｍであってもよく、１〜５０ｎｍであってもよいが、これらのみに限定されるものではない。
【００３２】
また、前記溝部の幅または深さ、前記突出部の幅または高さなどもその用途に合わせて当業者が適切に選択することができる。より具体的に、前記溝部の深さまたは突出部の高さは０．１〜３０μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。前記溝部の深さまたは突出部の高さが０．１μｍ未満の場合は、その後の導電膜または金属層を形成する工程で溝部または突出部に所望しない導電膜または金属層の連結が発生して電気的なショート（ｓｈｏｒｔ）が発生する可能性がある。また、前記溝部の深さまたは突出部の高さが３０μｍ超過の場合は、その後のＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ）の貼り合わせ工程時、前記ＯＣＡの厚さが一般的に５０〜１００μｍであるため、溝部または突出部が十分にカバーされず、気泡などがトラップ（ｔｒａｐ）されてパターンが認知される可能性がある。
【００３３】
特に、前記溝部または突出部の幅、高さなどは溝部または突出部のテーパー角を考慮して選択することができる。本出願において、前記溝部または突出部のテーパー角は６０度以上であってもよく、８０度以上であってもよいが、これらのみに限定されるものではない。例えば、前記テーパー角が６０度以上として９０度に近いか、逆テーパー角を形成する場合に、導電性物質の蒸着工程時に溝部または突出部において導電膜の断絶誘発に有利である。また、前記テーパー角が６０度以上であるか、逆テーパー角を形成する領域が一部領域、すなわち、前記溝部または突出部を含むパターンの断面を基準にパターン段差部の一部領域にのみ存在する場合は本出願による効果を達成することができる。また、前記テーパー角が６０度以上であるか、逆テーパー角を形成する領域における、溝部の深さまたは突出部の高さは前記導電膜の厚さより大きいことが好ましく、例えば、０．２μｍ以上であってもよいが、これのみに限定されるものではない。
【００３４】
前記溝部または前記突出部は前記基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた導電膜を互いに電気的に断絶した２以上のパターンに分離する形態として備えられる。
【００３５】
図１は、溝部によって導電膜を互いに電気的に断絶した２以上のパターンに分離した例を示すものである。
【００３６】
前記実施状態において、前記基板は樹脂基板であってもよい。特に限定されるものではないが、前記樹脂基板はＵＶ硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いて製造される。一例として、溝部または突出部を有する樹脂基板はインプリンティング方法を利用して製造される。より具体的に、前記樹脂基板はマスタを製造した後に直接使用することもでき、ソフトモールドで複製して使用することもできる。
【００３７】
前記熱硬化性樹脂は、ゾル−ゲル反応が可能なアルコキシシラン反応物、ウレタン反応基化合物、尿素反応基化合物、エステル化反応物などからなる群から選択された１種以上を含むことができる。前記熱硬化性樹脂は、フッ素系化合物のようなその他の添加剤をさらに含むことができる。
【００３８】
前記アルコキシシラン反応物とは、アルコキシシラン、フッ素系アルコキシシラン、シラン系有機置換体などを水、触媒条件下でゾル−ゲル反応によって加水分解、縮合反応を行わせて製造した反応性オリゴマーをいう。この時、前記反応性オリゴマーの重量平均分子量は、ＧＰＣでポリスチレンを標準物質として測定した時、１，０００〜２００，０００であってもよい。このように製造されたアルコキシシラン反応物は、コーティング後、常温以上の温度条件下で縮合反応を行って架橋構造の網を形成する。
【００３９】
前記アルコキシシランはテトラアルコキシシラン系またはトリアルコキシシラン系を用いることができ、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびグリシドキシプロピルトリエトキシシランからなる群から選択された１つまたは２つ以上の物質を用いることができるが、これらの例だけに限定されるものではない。
【００４０】
前記フッ素系アルコキシシランはトリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランおよびヘプタデカフルオロデシルトリイソプロポキシシランからなる群から選択された１つまたは２つ以上の物質を用いることができるが、これらの例だけに限定されるものではない。
【００４１】
前記シラン系有機置換体はアルコキシシランと化学的結合をすることができ、高屈折材料との相溶性および反応性のある化合物であれば特に制限されることなく用いることができる。前記シラン系有機置換体はビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ペントキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ジフェニルエトキシビニルシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ジビニルジ（β−メトキシエトキシ）シラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジビニルジ（イソプロポキシ）シラン、ジビニルジ−ｎ−ペントキシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシランおよびγ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシランからなる群から選択された１つまたは２つ以上の物質を用いることができるが、これらの例だけに限定されるものではない。
【００４２】
前記アルコキシシラン反応物はゾル−ゲル反応を通じて製造することができる。前記ゾル−ゲル反応は本発明が属する技術分野で通常的に用いられる方法を利用することができる。前記ゾル−ゲル反応は、アルコキシシラン、フッ素系アルコキシシラン、シラン系有機置換体、触媒、水および有機溶媒を含む組成を反応温度２０〜１５０℃で１〜１００時間反応させて行うことができる。
【００４３】
前記ゾル−ゲル反応に用いられる触媒は、ゾル−ゲル反応時間を制御するために必要な成分である。前記触媒は、硝酸、塩酸、硫酸および酢酸のような酸を用いることができ、ジルコニウム、インジウムのような塩と共に塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩、および酢酸塩の形態のものを用いることができる。
【００４４】
前記ゾル−ゲル反応に用いられる水は、加水分解反応と縮合反応のために必要な成分である。
【００４５】
前記ゾル−ゲル反応に用いられる有機溶媒は加水縮合物の分子量を適切に調節するための成分である。前記有機溶媒は、アルコール類、セロソルブ類、ケトン類またはこれらの中から選択された２つ以上の混合溶媒であることが好ましい。
【００４６】
一方、前記ウレタン反応基化合物は、アルコールとイソシアネート化合物を金属触媒下で反応させて製造される。２つ以上の官能基を含む多官能アルコールと多官能イソシアネートおよび金属触媒を混合したコーティング液を基材に塗布した後、常温以上の温度におけば、ウレタン反応基を有する網構造を形成することができる。
【００４７】
前記多官能アルコールの例としては１Ｈ，１Ｈ，４Ｈ，４Ｈ−ペルフルオロ−１，４−ブタンジオール、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ，５Ｈ−ペルフルオロ−１，５−ペンタンジオール、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−ペルフルオロ−１，６−ヘキサンジオール、１Ｈ，１Ｈ，８Ｈ，８Ｈ−ペルフルオロ−１，８−オクタンジオール、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ，９Ｈ−ペルフルオロ−１，９−ノナンジオール、１Ｈ，１Ｈ，１０Ｈ，１０Ｈ−ペルフルオロ−１，１０−デカンジオール、１Ｈ，１Ｈ，１２Ｈ，１２Ｈ−ペルフルオロ−１，１２−ドデカンジオール、フッ素化トリエチレングリコール、フッ素化テトラエチレングリコールなどが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
【００４８】
前記ウレタン反応基化合物の製造時に用いられるイソシアネート成分としては脂肪族イソシアネート、脂環族イソシアネート、芳香族イソシアネート、複素環族イソシアネートが挙げられる。具体的には、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，３，３−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、４，４'−ジシクロヘキサンジイソシアネートなどのようなジイソシアネートまたは３官能以上のイソシアネート、例えば、ＤＩＣ社製のＤＮ９５０、ＤＮ９８０（商品名）などを用いることができる。
【００４９】
前記ウレタン反応基化合物の製造時に触媒が用いられることができ、触媒としてはルイス酸またはルイス塩基を用いることができる。触媒の具体的な例としてはオクチル酸錫、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫メルカプチド、ジブチル錫ジマレート、ジメチル錫ヒドロキシドおよびトリエチルアミンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
前記尿素反応基化合物はアミンとイソシアネート類の反応により製造される。イソシアネート類は前記ウレタン反応基化合物の製造時に使用できる成分と同一の成分が用いられることができ、アミン類はペルフルオロ類の２官能以上のアミン類の使用が可能である。必要に応じて触媒が用いられてもよく、触媒としてはルイス酸またはルイス塩基を用いることができる。触媒の具体的な例としてはオクチル酸錫、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫メルカプチド、ジブチル錫ジマレート、ジメチル錫ヒドロキシドおよびトリエチルアミンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５１】
前記エステル化反応物は酸とアルコールが脱水、縮合反応を経て得られるものであり、前記エステル化反応物もコーティング液中に配合すれば架橋構造の膜を形成することができる。前記酸としてはフッ素を含む２官能以上の酸を用いることが好ましく、フッ素を含む２官能以上の酸の例としてはペルフルオロコハク酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｓｕｃｉｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオログルタル酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｇｌｕｔａｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオロアジピン酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｄｉｐｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオロスベリン酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｓｕｂｅｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオロアゼライン酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｚｅｌａｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオロセバシン酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｓｅｂａｃｉｃ  ａｃｉｄ）、ペルフルオロラウリン酸（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｌａｕｒｉｃ  ａｃｉｄ）などが挙げられる。前記アルコールとしては多官能アルコールを用いることが好ましく、多官能アルコールの例としては１，４−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２，４−ペンタンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、２，４−ヘプタンジオール、ペンタエリスリトールおよびトリメチロールプロパンなどが挙げられる。前記エステル化反応には硫酸などの酸触媒や、テトラブトキシチタンなどのアルコキシチタンなどが用いられる。しかし、必ずしもこれらに限定されるものではない。
【００５２】
前記ＵＶ硬化性樹脂は当技術分野で周知のフォトレジスト用材料を用いることができ、ノボラック樹脂などを用いることができる。
【００５３】
また、前記ＵＶ硬化性樹脂はアクリレート系樹脂、ウレタンアクリレート系樹脂などを用いることができる。より具体的にはアクリレートモノマー、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレートオリゴマー、エステルアクリレートオリゴマーなどが挙げられ、その具体的な例としてはジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンダエリスリトールトリ／テトラアクリレート、トリメチレンプロパントリアクリレート、エチレングリコールジアクリレートなどが挙げられるが、これらの例だけに限定されるものではない。前記アクリレート系樹脂としてフッ素系アクリレートを用いることもできる。
【００５４】
前記ＵＶ硬化性樹脂は光開始剤および有機溶媒を共に用いることができる。
【００５５】
前記光開始剤は紫外線に分解可能な化合物を用いることが好ましく、その例としては１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシジメチルアセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、またはベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテルなどが挙げられるが、これらの例だけに限定されるものではない。
【００５６】
前記有機溶媒はアルコール類、アセテート類、ケトン類、または芳香族溶媒などが好ましく、具体的にはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、２−イソプロポキシエタノール、メチルアセテート、エチルアセテート、ブチルアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、またはベンゼンなどを用いることができる。
【００５７】
また、前記ＵＶ硬化性樹脂は、その用途に応じ、界面活性剤、微粒子などをさらに含むことができる。
【００５８】
本出願において、必要に応じ、前記基板の上面および／または下面に追加の支持基板が備えられることができる。前記支持基板は当技術分野で周知の材料を用いることができ、より具体的にはガラス基板、プラスチック基板などが用いられる。
【００５９】
本出願の一実施状態によれば、前記基板は透明な基板であってもよく、前記導電膜は透明な導電膜であってもよい。
【００６０】
前記透明な導電膜は透明導電酸化物を含むことができる。前記透明導電酸化物はインジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セリウム（Ｃｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびランタン（Ｌａ）の中から選択された少なくとも１つの酸化物であってもよい。
【００６１】
一実施状態によれば、前記透明基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた透明導電膜は前記溝部または前記突出部によって互いに電気的に断絶した２以上のパターンを含み、２以上のパターンのうち少なくとも一部は電圧印加部にまで延びた形態を有することができる。
【００６２】
また１つの実施状態によれば、前記透明基板の縁部はデコレーション部であり、前記デコレーション部によって囲まれた中心部分は有効画面部であるとする時、前記透明基板の上面のうち溝部または突出部が存在しない部分に備えられた透明導電膜は前記溝部または前記突出部によって互いに電気的に断絶した２以上のパターンを含み、２以上のパターンのうち少なくとも一部は、前記有効画面部に備えられた有効画面領域と、前記デコレーション部に備えられ、前記有効画面領域を電圧印加部と電気的に連結するルータ領域とを含むことができる。
【００６３】
図３に本出願の一実施状態による導電性パターン積層体の導電膜のパターン形態を例示した。
【００６４】
本出願のまた１つの実施状態によれば、前記デコレーション部に備えられた透明導電膜のルータ領域上に追加の導電層が備えられることができる。追加の導電層によってシート抵抗を下げることができる。前記追加の導電層は前記透明導電膜より電気導電性の高い材料から形成されることができる。例えば、前記追加の導電層は金属層であってもよい。金属の中でも導電性の高いものが有利に用いられる。
【００６５】
前述した実施状態において、追加の導電層の材料としては金、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金を含む単一膜または多層膜が用いられることができるが、これらのみに限定されるものではない。ここで、前記追加の導電層の厚さは特に限定されるものではないが、０．０１〜１０μｍであってもよく、０．０１〜１μｍであってもよく、このような範囲を持つものが導電膜の伝導度および形成工程の経済性の側面で好ましい。
【００６６】
図２にデコレーション部に追加の導電層が形成された例を図示した。
【００６７】
この時、溝部または突出部による電気的な断絶が維持されるために、前記溝または前記突出部の高さは前記透明導電膜の高さと前記追加の導電層の高さの合計より大きいように調節されることができる。
【００６８】
前記実施状態によれば、前記透明導電膜は前記透明基板の上面の全体領域に備えられることができる。
【００６９】
前記透明基板の上面のデコレーション部のうち前記ルータ領域が備えられた部分を除いた部分では、前記溝部または突出部によって前記溝部または突出部が存在しない部分に備えられた透明導電膜が電圧印加部と電気的に断絶した構造を有することができる。
【００７０】
本出願のまた１つの実施状態によれば、前記デコレーション部に備えられた透明導電膜の上面の全体領域上にデコレーション層が備えられる。
【００７１】
この時、前記溝部または突出部による電気的な断絶を維持するために、前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記透明導電膜の厚さと前記デコレーション層の厚さの合計より大きいように調節されることができる。
【００７２】
前記透明導電膜のルータ領域と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられることができる。追加の導電層の役割は前述した通りである。
【００７３】
この時、前記溝部または突出部による電気的な断絶を維持するために、前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記透明導電膜の厚さ、前記追加の導電層の厚さおよび前記デコレーション層の厚さの合計より大きいように調節されることができる。
【００７４】
前記追加の導電層は金属層であってもよい。この場合、前記デコレーション層は前記金属層の暗色化層で構成することができる。
【００７５】
ルータ領域だけでなく、前記デコレーション部の全体に備えられた透明導電膜と前記デコレーション層との間、または前記デコレーション層の上面には追加の導電層が備えられることができる。追加導電層のパターンを別途に製作する必要なく、有効画面部だけ保護層を保護し、残り部分の全体に導電層を形成することができるので、工程上有利である。
【００７６】
同様に、前記溝部または突出部による電気的な断絶を維持するために、前記溝部の深さまたは突出部の高さは前記透明導電膜の厚さ、前記追加の導電層の厚さおよび前記デコレーション層の厚さの合計より大きいように調節されることができる。
【００７７】
前記追加の導電層は金属層であってもよい。この場合、前記デコレーション層は前記金属層の暗色化層で構成することができる。
【００７８】
本出願の一実施状態によれば、前記デコレーション層のうち前記透明導電膜のルータ領域の上面と、溝部または突出部によって電圧印加部と電気的に断絶した透明導電膜の上面に備えられた部分は、微細な断線幅で断線させた微細パターンとして備えられることができる。前記微細パターンとして備えられた領域はダミーパターンをさらに含むことができる。
【００７９】
本出願のまた１つの実施状態は、前述した導電性パターン積層体を１つ以上含む電子装置を提供する。本出願の一実施状態によれば、前記電子装置はタッチスクリーン、有機発光素子、有機発光素子照明などであってもよい。前記タッチスクリーンは前述した導電性パターン積層体を１個だけ含んでもよいが、必要に応じて２個以上が同じ方向にまたは反対方向に積層された形態を含んでもよい。この時、必要に応じて絶縁層または光学接着剤層が用いられることもできる。前記電子装置はデコレーション一体型のタッチパネルであってもよい。また、前記ルータ領域上に備えられた金属層はその構造、形態などを変形してアンテナの役割を行うこともできる。
【００８０】
また、前記有機発光素子または有機発光素子照明は、前述した導電性パターン積層体を透明電極として含むことができる。
【００８１】
本出願のまた１つの実施状態は、前述した導電性パターン積層体を製造する方法を提供する。
【００８２】
具体的に、前記方法は、溝部または突出部を含む基板を準備するステップ、および前記基板の上面の全体領域に前記溝部の深さまたは突出部の高さより小さい厚さで導電膜を形成するステップを含む。
【００８３】
前記溝部または突出部を含む基板を準備するステップは、基板上に樹脂層を形成するステップ、およびソフトモールド（ｓｏｆｔ  ｍｏｌｄ）とインプリンティング法を利用して前記樹脂層に溝部または突出部を形成するステップによって行われることができる。前記ソフトモールドは当技術分野で周知のものを用いることができる。特に、ネガティブタイプのフォトレジストを用いた高段差パターン形成方法を利用することができる。また、乾式または湿式エッチング工程を利用してガラスマスターモールドを製造し、前記マスターモールドを用いてソフトモールドを製造することもできる。
【００８４】
前記樹脂層は熱硬化性樹脂またはＵＶ硬化性樹脂を含むことができる。
【００８５】
デコレーション部分に追加の導電層を形成するために、前記方法は、前記導電膜が形成された基板の縁部を除いた部分を保護膜で保護するステップ、および前記縁部に追加の導電層を形成するステップをさらに含むことができる。ここで、保護膜はシャドウマスクであってもよく、保護フィルムやフォトレジストが用いられてもよい。次に、前記追加の導電層上にデコレーション層を形成するステップをさらに含むことができる。最後に、前記保護膜を除去するステップをさらに含むことができる。
【００８６】
本出願において、デコレーション層は視覚的に審美感を与えるものであれば、色、形態、厚さなどは特に限定されない。しかし、前述したように、追加の導電層として金属層を形成する場合、前記デコレーション層を暗色化層で形成することができる。
【００８７】
暗色化層は、これが可視になる一面に点光源から出てきた光を照射して得た反射型回折イメージの反射型回折強度が、金属層がＡｌからなり、暗色化層を含まないことを除いて同一の構成を有するタッチスクリーンに比べて６０％以上減少したものであってもよい。ここで、前記反射型回折強度が、前記金属層がＡｌからなり、暗色化層を含まないことを除いて同一の構成を有するタッチスクリーンに比べて６０％以上減少したものであってもよく、７０％以上減少したものであってもよく、８０％以上減少したものであってもよい。例えば、６０〜７０％減少したものであってもよく、７０〜８０％減少したものであってもよく、８０〜８５％減少したものであってもよい。
【００８８】
本出願において、前記暗色化層が可視になる一面に周辺光（Ａｍｂｉｅｎｔ  ｌｉｇｈｔ）を仮定した全反射率測定装置を用いて測定した全反射率（ｔｏｔａｌ  ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）が、前記金属層がＡｌからなり、暗色化層を含まないことを除いて同一の構成を有するタッチスクリーンに比べて２０％以上減少したものであってもよい。ここで、前記全反射率が、前記金属層がＡｌからなり、暗色化層を含まないことを除いて同一の構成を有するタッチスクリーンに比べて２０％以上減少したものであってもよく、２５％以上減少したものであってもよく、３０％以上減少したものであってもよい。例えば、２５〜５０％減少したものであってもよい。
【００８９】
本出願において、前記暗色化層は前記金属層上の全面に備えられることによって前記金属層の高い反射率による視認性を減少させることができる。この時、前記暗色化層は、金属層のような高い反射率を持つ層と結合する時、特定の厚さ条件下で相殺的干渉および自体的な吸光性を有するため、暗色化層によって反射される光と暗色化層を経て金属層によって反射される光の量を互いに類似するように合わせると同時に、特定の厚さ条件で２つの光間の相互相殺的干渉を誘導することによって金属層による反射率を下げる効果を示す。
【００９０】
この時、本出願による暗色化層が見える面から測定した、暗色化層と金属層とからなるパターン領域の色範囲は、ＣＩＥ  ＬＡＢ色座標を基準に、Ｌ値は２０以下、Ａ値は−１０〜１０、Ｂ値は−７０〜７０であってもよく、Ｌ値は１０以下、Ａ値は−５〜５、Ｂ値は０〜３５であってもよく、Ｌ値は５以下、Ａ値は−２〜２、Ｂ値は０〜１５であってもよい。
【００９１】
また、本出願による暗色化層が見える面から測定した、暗色化層と金属層とからなる領域の全反射率は、外部光５５０ｎｍを基準とする時、１７％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよい。
【００９２】
ここで、全反射率（ｔｏｔａｌ  ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）とは、拡散反射率（ｄｉｆｆｕｓｅ  ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）および鏡面反射率（ｓｐｅｃｕｌａｒ  ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）を全て考慮した反射率を意味する。前記全反射率は、反射率を測定しようとする面の反対面をブラックペースト（Ｂｌａｃｋ  ｐａｓｔｅ）またはテープ（ｔａｐｅ）などを用いて反射率を０に作った後、測定しようとする面の反射率だけを測定して観察した値であり、この時に入ってくる光源は周辺光（ａｍｂｉｅｎｔ  ｌｉｇｈｔ）条件と最も類似する拡散（ｄｉｆｆｕｓｅ）光源を導入した。また、この時、反射率を測定する測定位置は積分球の半円の垂直線から約７度傾いた位置を基本とした。
【００９３】
前記暗色化層は接着層または粘着層を介在せず、前記追加の導電層上に備えられる。接着層または粘着層は耐久性や光学物性に影響を及ぼす。
【００９４】
前記暗色化層の厚さは、前述した物理的性質である相殺的干渉特性と吸収係数特性を持つのであれば、光の波長をλとし、暗色化層の屈折率をｎと定義する時、λ／（４×ｎ）＝Ｎ（ここで、Ｎは奇数）の厚さ条件を満たせば、いかなる厚さでもよい。１０ｎｍ〜４００ｎｍの間から選択することが好ましいが、用いる材料および製造工程に応じて好ましい厚さは異なり、本出願の範囲が前記数値範囲によって限定されるものではない。
【００９５】
前記暗色化層は単一層からなってもよく、２層以上の複数層からなってもよい。
【００９６】
前記暗色化層は無彩色系列の色に近いことが好ましい。但し、必ずしも無彩色である必要はなく、色を有していても低い反射率を有する場合であれば導入可能である。この時、無彩色系列の色とは、物体の表面に入射する光が選択吸収されず、各成分の波長に対して均一に反射吸収される時に現れる色を意味する。本出願において、前記暗色化層は、可視光領域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において全反射率を測定した時、各波長帯別の全反射率の標準偏差が５０％以内の材料を用いることができる。
【００９７】
前記暗色化層の材料としては、吸光性材料であって、好ましくは、全面層を形成した時、前述した物理的特性を有する金属、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物からなる材料であれば、特に制限されることなく用いることができる。
【００９８】
例えば、前記暗色化層は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒなどを用いて、当業者が設定した蒸着条件などによって、酸化物膜、窒化物膜、酸化物−窒化物膜、炭化物膜、金属膜またはこれらの組み合わせであってもよい。
【００９９】
具体的な例として、前記暗色化層はＮｉおよびＭｏを同時に含むことができる。前記暗色化層はＮｉ  ５０〜９８原子％およびＭｏ  ２〜５０原子％を含むことができ、その他の金属、例えば、Ｆｅ、Ｔａ、Ｔｉなどの原子を０．０１〜１０原子％をさらに含むことができる。ここで、前記暗色化層は、必要な場合、窒素０．０１〜３０原子％または酸素および炭素４原子％以下をさらに含むこともできる。
【０１００】
また１つの具体的な例として、前記暗色化層はＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２およびＳｉＮｘ（ｘは１以上の整数）から選択された誘電性物質およびＦｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇの中から選択された金属を含むことができ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇの中から選択された２元素以上の金属の合金をさらに含むことができる。前記誘電性物質は、外部光が入射する方向から遠くなるほど漸次的に減少するように分布し、前記金属および合金の成分はその逆に分布していることが好ましい。この時、前記誘電性物質の含量は２０〜５０重量％、前記金属の含量は５０〜８０重量％であることが好ましい。前記暗色化層が合金をさらに含む場合、前記暗色化層は、誘電性物質１０〜３０重量％、金属５０〜８０重量％および合金５〜４０重量％を含むことが好ましい。
【０１０１】
また１つの具体的な例として、前記暗色化層は、ニッケルとバナジウムの合金、ニッケルとバナジウムの酸化物、窒化物または酸窒化物のうちいずれか１つ以上を含む薄膜からなってもよい。この時、バナジウムは２６〜５２原子％で含まれることが好ましく、ニッケルに対するバナジウムの原子比は２６／７４〜５２／４８であることが好ましい。
【０１０２】
また１つの具体的な例として、前記暗色化層は２以上の元素を有し、１つの元素組成比率が、外光が入射する方向に応じて１００オングストローム当たり最大約２０％ずつ増加する遷移層を含むことができる。この時、１つの元素はクロム、タングステン、タンタル、チタン、鉄、ニッケルまたはモリブデンのような金属元素であってもよく、金属元素以外の元素は酸素、窒素または炭素であってもよい。
【０１０３】
また１つの具体的な例として、前記暗色化層は第１酸化クロム層、金属層、第２酸化クロム層およびクロムミラーを含むことができ、この時、クロムの代わりにタングステン、バナジウム、鉄、クロム、モリブデンおよびニオビウムの中から選択された金属を含むことができる。前記金属層は１０〜３０ｎｍの厚さ、前記第１酸化クロム層は３５〜４１ｎｍの厚さ、前記第２酸化クロム層は３７〜４２ｎｍの厚さを有してもよい。
【０１０４】
また具体的な１つの例として、前記暗色化層としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）層、クロム酸化物（Ｃｒ２Ｏ３）層およびクロム（Ｃｒ）層の積層構造を用いることができる。ここで、前記アルミナ層は反射特性の改善および光拡散防止特性を有し、前記クロム酸化物層は鏡面反射率を減少させてコントラスト特性を向上させることができる。
【０１０５】
本出願において、前記暗色化層は使用者が前記導電性パターン積層体を視覚的に認知する面側に備えられることができる。言い換えれば、前記暗色化層は金属層の上面に備えられてもよく、前記導電性パターン積層体内で前記導電膜と金属層との間に備えられてもよい。
【０１０６】
本出願において、前記導電性パターン積層体は、基板と導電性パターンとの間にアンダーコーティング層をさらに含んでもよく、含まなくてもよい。
【０１０７】
従来の一般的な導電性パターン積層体は、基板上に透明なアンダーコーティング（ｕｎｄｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）層を湿式コーティング（ｗｅｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）や真空スパッタリング法で形成した後、ＩＴＯのような透明導電層をスパッタ方式で形成した。一方、最近の静電容量方式のタッチパネルの使用が増加するにつれ、低抵抗の実現と導電性パターンの視認性の改善が求められている。
【０１０８】
低抵抗の実現のためには導電性パターンの厚さが厚くならなければならないが、導電性パターンの厚さが厚くなれば透過度が落ちるという問題が発生する。また、導電性パターンの厚さが厚くなれば、導電性パターンとアンダーコーティング層との間の屈折率差によって視認性の問題がより深刻化する。その結果、抵抗値を下げるためにＩＴＯ層が一定厚さに厚くなるものであり、このような層間の屈折率差を最小化するためのものがインデックスマッチングである。インデックスマッチングのためには、屈折率差を相殺できるように、導電性パターンと基板との間に屈折率が異なる色々なアンダーコーティング層を形成することができる。
【０１０９】
すなわち、本出願による導電性パターン積層体は、その用途、特性などに適するように追加のアンダーコーティング層を含むことができる。
【０１１０】
前記アンダーコーティング層は、高屈折アンダーコーティング層および低屈折アンダーコーティング層のうち１種類以上を含むことができる。前記高屈折アンダーコーティング層および低屈折アンダーコーティング層は各々独立して無機物、有機物または無機物と有機物の混合物など様々な材料によって形成される。前記無機物としてはＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＮａＦ、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＬａＦ３、ＣｅＦ３などが用いられる。前記有機物としてはメラミン樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物などが用いられる。
【０１１１】
前記高屈折アンダーコーティング層は、コーティング後に熱硬化または紫外線硬化などの方法によって架橋可能な樹脂が用いられることもできる。前記低屈折アンダーコーティング層は、架橋反応が可能なフッ素樹脂、熱硬化シリカゾルおよびスパッタリングによるシリカコーティング膜などが用いられる。
【０１１２】
前記高屈折アンダーコーティング層は１〜２１μｍの厚さ範囲内でコーティングされる。前記高屈折アンダーコーティング層は屈折率が１．５５〜１．７０であってもよい。
【０１１３】
前記低屈折アンダーコーティング層は、屈折率が１．３０〜１．４６、厚さが０．０１〜０．０５μｍに形成される。
【０１１４】
本出願の一実施状態によれば、前記導電膜は不透明な導電膜であってもよい。
【０１１５】
本出願のまた１つの実施状態は、前述した不透明な導電膜を含む導電性パターン積層体を１つ以上含む電子装置を提供する。前記電子装置は、有機薄膜トランジスタ、有機発光素子、有機太陽電池、有機レーザ、電磁波遮蔽膜、キャパシタ、メモリ素子などを含む。
【０１１６】
本出願のまた１つの実施状態は、溝部または突出部を含む基板を準備するステップ、および前記基板の上面の全体領域に前記溝部の深さまたは突出部の高さより小さい厚さで導電膜を形成するステップを含む、導電性パターン積層体の製造方法を提供する。前記導電性パターン積層体の製造方法において、前記溝部、突出部、基板、導電膜などに関する説明は前述したものと同様であるのでそれに関する具体的な説明は省略する。
【０１１７】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記導電膜が形成された基板の縁部を除いた部分を保護膜で保護するステップ、および前記縁部に追加の導電層を形成するステップをさらに含むことができる。
【０１１８】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記追加の導電層上にデコレーション層を形成するステップをさらに含むことができる。
【０１１９】
前記導電性パターン積層体の製造方法は、前記保護膜を除去するステップをさらに含むことができる。
【０１２０】
本出願の一実施状態によって導電性パターン積層体を製造する工程模式図を下記図４に示す。
【０１２１】
以下、本出願の理解を助けるために好ましい実施例を提示する。但し、下記の実施例は本出願を例示するためのものであり、これらによって本出願の範囲が限定されるものではない。
【０１２２】
＜実施例１＞
ノボラック樹脂ベースのフォトレジストをガラス基板上に約１０μｍの厚さでスピンコーティングした後、ｉ−ｌｉｎｅ  ｓｔｅｐｐｅｒを利用して露光し、溝部または突出部を含むパターンを形成した。前記溝部または突出部を含むパターンの形態を下記図５〜９に示す。下記図５〜９のように、前記溝部または突出部を含むパターンのテーパー角が約９０度であるため、溝部または突出部を含むパターン上に導電性物質を蒸着する場合に、前記溝部または突出部を含むパターンによって導電膜の断絶を形成することができる。
【０１２３】
＜実施例２＞
ＳＵ−８フォトレジストをガラス基板上に約６．５μｍの厚さでスピンコーティングした後、レーザ（Ｌａｓｅｒ）露光を通じて溝部または突出部を含むパターンを形成した。その結果、図１０のように、ガラス面と空気面にテーパー角が存在するが、溝部または突出部パターンの中間にテーパー角が垂直な区間が存在することが分かる。
【０１２４】
それにより、前記溝部または突出部を含むパターン上に導電性物質を蒸着する場合に、前記溝部または突出部を含むパターンによって導電膜の断絶を形成することができる。
【０１２５】
＜比較例１＞
湿式エッチング（エッチング深さ１〜３μｍ）されたＧｌａｓｓ  Ｍａｓｔｅｒ  Ｍｏｌｄを用いて１次複製ソフトモールド（Ｓｏｆｔ  Ｍｏｌｄ）および１次モールドを複製した２次複製ソフトモールド（Ｓｏｆｔ  Ｍｏｌｄ）を製作した後、金属蒸着を行った結果、ガラス（Ｇｌａｓｓ）の等方性湿式エッチングに起因したパターン段差部の円形テーパー角によって期待していた金属層の断絶が発生せずに連結された。その結果を図１１に示す。
【符号の説明】
【０１２６】
１０  ・・・支持基板
２０  ・・・樹脂基板
３０  ・・・導電膜
４０  ・・・金属層
５０  ・・・ソフトモールド（ｓｏｆｔ  ｍｏｌｄ）
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図１０】
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【図１１】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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