(57)【要約】表面イオン化源は、第１の端部、第２の端部、及び第１の端部から第２の端部へチューブを通って延在する内部ボアを有しているチューブを備える。チューブの第１の端部はガスのフローを受け入れるよう構成され、チューブの第２の端部は、分析物を支持するよう構成された表面上にガスのフローを向けるよう構成される。チューブの内部ボア内には放射線源が少なくとも実質的に配置される。放射線源は、ガスのフローが内部ボアを通過するときに、ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成される。イオンを含んでいるガスのフローは、分析物を少なくとも部分的にイオン化するために分析物の上に向けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部、第２の端部、及び前記第１の端部から前記第２の端部へチューブを通って延在する内部ボアを有しているチューブであって、前記第１の端部はガスのフローを受け入れるよう構成され、前記第２の端部は分析物を支持するよう動作可能な表面上に前記ガスのフローを向けるよう構成された、前記チューブと、
前記チューブの前記内部ボアの中に少なくとも実質的に配置された放射線源であって、前記放射線源は、前記ガスのフローが前記内部ボアを通過するときに、前記ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成され、前記イオンを含んでいる前記ガスのフローは、前記分析物を少なくとも部分的にイオン化するために前記分析物の上に向けられる、前記放射線源と、
を備える、表面イオン化源。
【請求項２】
前記放射線源は、前記チューブの前記内部ボアの表面上に配置される、高エネルギー粒子を放出するフィルムを含む、請求項１に記載の表面イオン化源。
【請求項３】
前記フィルムは概ねリング形状である、請求項２に記載の表面イオン化源。
【請求項４】
前記放射線源は、ニッケル−６３（Ｎｉ−６３）又はアメリシウム−２４１（Ａｍ−２４１）の少なくとも１つを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表面イオン化源。
【請求項５】
前記ガスのフローは乾燥空気のフローを含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表面イオン化源。
【請求項６】
前記ガスのフローを加熱するよう構成される加熱源をさらに備える、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表面イオン化源。
【請求項７】
前記ガスのフロー中の少なくとも一部のイオンの移動を制御するよう構成されたイオン搬送アセンブリをさらに備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表面イオン化源。
【請求項８】
前記ガスのフロー中へのドーパントの追加を容易にするよう構成されたポートをさらに備える、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表面イオン化源。
【請求項９】
チューブ及び放射線源を含む表面イオン化源であって、前記チューブは、第１の端部、第２の端部、及び前記第１の端部から前記第２の端部へ前記チューブを通って延在する内部ボアを有し、前記第１の端部はガスのフローを受け入れるよう構成され、前記第２の端部は分析物を支持するよう動作可能な表面上に前記ガスのフローを向けるよう構成され、前記放射線源は、前記チューブの前記内部ボア内に少なくとも実質的に配置され、前記放射線源は、前記ガスのフローが前記内部ボアを通過するときに、前記ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成され、前記イオンを含んでいる前記ガスのフローは、前記分析物をイオン化するために前記分析物の上に向けられる、前記チューブ及び前記放射線源を含む表面イオン化源と、
前記分析物の分析のために、イオン化した前記分析物の少なくとも一部を受け入れるよう構成されたスペクトロメトリー分析器と、
を備える、検出装置。
【請求項１０】
前記放射線源は、前記チューブの内部ボアの表面上に配置される、高エネルギー粒子を放出するフィルムを含む、請求項９に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記フィルムは概ねリング形状である、請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記放射線源は、ニッケル−６３（Ｎｉ−６３）又はアメリシウム−２４１（Ａｍ−２４１）の少なくとも１つを含む、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記ガスのフローは乾燥空気のフローを含む、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１４】
前記ガスのフローを加熱するよう構成された加熱源をさらに備える、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１５】
前記ガスのフロー中の少なくとも一部のイオンの移動を制御するよう構成されたイオン搬送アセンブリをさらに備える、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１６】
前記スペクトロメトリー分析器は、マス・スペクトロメーター又はイオン移動度スペクトロメーター（ＩＭＳ）の少なくとも１つを含む、請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１７】
前記ガスのフロー内へのドーパントの追加を容易にするよう構成されたポートをさらに備える、請求項９乃至１６のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１８】
ガスのフローを受け入れるステップと、
前記ガスのフローを放射線源の上に通過させるステップであって、前記放射線源は、前記ガスのフローが前記放射線源の上を通過するときに、前記ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成されたステップと、
前記イオンを含んでいる前記ガスのフローを、分析物を支持するよう構成された表面上に向けて、前記分析物を少なくとも部分的にイオン化するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
前記イオン化した分析物の少なくとも一部をスペクトロメトリー分析するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記放射線源は、ニッケル−６３（Ｎｉ−６３）又はアメリシウム−２４１（Ａｍ−２４１）の少なくとも１つを含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ガスのフローを加熱するステップをさらに含む、請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ガスのフローにドーパントを注入するステップをさらに含む、請求項１８乃至２１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０1３年１月３１日出願の、「SURFACE IONIZATION SOURCE」という名称の米国仮特許出願第61/759,030号の利益を主張し、この出願における開示全体は、参照によって本出願に組み入れられ、また、本出願は、２０1３年３月１５日出願の、「SURFACE IONIZATION SOURCE」という名称の米国仮特許出願第61/788,931号の利益を主張し、この出願における開示全体も、参照によって本出願に組み入れられる。
【背景技術】
【０００２】
表面から直接イオンを生成するための様々な技術が開発されている。これらの技術の例には、脱離エレクトロスプレーイオン化（ＤＥＳＩ）及びリアルタイム直接分析（ＤＡＲＴ）イオン源がある。しかし、このような表面イオン化技術はいずれもガスのフローに高電圧を印加することによってイオンを生成している。高電圧のイオン化技術を利用するには、適切な定格の配線、高電圧（ＨＶ）電源等を採用するイオン化源を用いる検出機器が必要である。さらに、大半の高電圧イオン源は、適切に機能させるために、消耗する液体又はガスの利用を必要とする。このような消耗品を利用することは、イオン源を、持ち運び可能検出装置のような、携帯装置で用いられる場合に不都合である。
【発明の概要】
【０００３】
イオンを生成するのに放射線を利用する表面イオン化源が説明される。実施形態において、表面イオン化源は、第１の端部、第２の端部、及び第１の端部から第２の端部へチューブを通って延在する内部ボアを有しているチューブを備える。チューブの第１の端部はガスのフローを受け入れるよう構成され、チューブの第２の端部は、分析物を支持するよう構成された表面上にガスのフローを向けるよう構成される。チューブの内部ボア内には、放射線源が少なくとも実質的に配置される。放射線源は、ガスのフローが内部ボアを通過するときに、ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成される。イオンを含んでいるガスのフローは、分析物を少なくとも部分的にイオン化するために分析物上に向けられる。実施形態において、表面イオン化源は、分析物の分析のために、イオン化した分析物の少なくとも一部を受け入れるよう構成されたスペクトロメトリー分析器のような分析機器を備える検出装置に用いられる。
【０００４】
本概要は、詳細な説明において以下にさらに説明される概念の抜粋を簡易形式で紹介するために提供される。本概要は、特許請求の範囲の主題の主要な特徴又は本質的な特徴を同一視することを意図したものでもないし、特許請求の範囲の主題の範囲を決定する助けとして用いられることを意図したものでもない。
【０００５】
詳細な説明は添付の図面を参照して説明される。明細書及び図面における異なる例での同一の参照番号の使用は同様の又は同一のアイテムを示す。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本開示の例示的な実施形態による表面イオン化源を示すブロック図である。
【図２】図１に示す表面イオン化源を用いる、本開示の例示的な実施形態による検出装置を示すブロック図である。
【図３】表面イオン化源のチューブに入るガスのフローを加熱するよう構成された加熱装置を有する表面イオン化源を備える、本開示の例示的な実施形態による検出装置を示すブロック図である。
【図４】表面イオン化源と、ガスのフロー内のイオンの少なくとも一部の移動を制御するよう構成されたイオン搬送アセンブリとを備える、本開示の例示的な実施形態による検出装置を示すブロック図である。
【図５】本開示の例示的な実施形態による分析物の分析に用いるイオンを、放射線源を用いて生成する方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１〜４は、本開示の実施形態による表面イオン化源１００を示している。図１に示すように、表面イオン化源１００は、第１の（入口）端部１０４及び第２の（出口）端部１０６を有するチューブ１０２を備えている。内部ボア１０８が、第１の端部１０４から第２の端部１０６までチューブを通って延在している。チューブ１０２の第１の端部１０４は、ガス１１２のフローを受け入れるよう構成された入口１１０を有し、ガス１１２のフローは内部ボア１０８を通って第２の端部１０６へ流れる。第２の端部１０６は、チューブ１０２からのガス１１２のフローを（例えば、分析物２０４を支持するよう構成された表面２０２（図２参照）上に）向けるよう構成された出口（ノズル）１１４を有する。実施形態において、チューブ１０２は、放射線（例えば、高エネルギーの（ベータ）粒子等）を遮断（例えば、反射、及び／又は吸収）し得る材料で製造することができる。このような材料の例には、限定されることはないが、鋼鉄、青銅、アルミニウム等のごとき金属や、プラスチック、合成物などがある。チューブ１０２は、内部に配置される放射線遮断ライナーを有する非放射線遮断材料で製造することもできると考えられる。
【０００８】
放射線源１１６が、チューブ１０２の内部ボア１０８内に配置されている。放射線源１１６は、ガス１１２のフローが放射線源１１６を通り過ぎて内部ボア１０８を通過するときに、ガス１１２のフロー内に反応性イオン１１８を形成するよう構成される。特に、反応性イオン１１８は、ガス１１２と、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を放出する放射線源１１６によって放出されるイオン化放射線との相互作用によって形成される。実施形態において、放射線源１１６は、チューブの内部ボア１０８の表面１２０上に配置された、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を放出するフィルム１１８を含む。フィルム１１８は、内部ボア１０８の直径に概ね等しい外形を有するリング形状とすることができる。放射線源は、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を含むイオン化放射線を放出する材料で製造される。必ずしも限定されることはないが、このような材料の例には、ニッケル−６３（Ｎｉ−６３）又はアメリシウム−２４１（Ａｍ−２４１）がある。
【０００９】
反応性イオン１１８を含むガス１１２（例えば、イオン化ガス１１２’）のフローは、分析物を少なくとも部分的にイオン化するために分析物上に向けられる。チューブ１０２の内部ボア１０８を通ってガス１１２のフローを供給するために利用されるガスは任意の適切なガスとすることができる。実施形態において、ガスは、容易に得られる空気又は乾燥空気を含む。しかし、窒素（Ｎ）、アルゴン（Ａｒ）等のような多様なガスを、ガス１１２のフローを供給するために利用されるガスとして用いることができると考えられる。
【００１０】
実施形態において、ガス１１２のフローは加熱することができる。例えば、図３及び４に示すように、表面イオン化源１００は、放射線源１１６によるイオン化の前に（例えば、上流で）ガス１１２のフローを加熱するために、チューブ１０２の入口１０４に連結される加熱源３０２を含むことができる。実施形態において、加熱源３０２は、入口１０４に連結されたヒーターブロックを備えることができる。具体例では、ヒーターブロックは、乾燥空気とすることのできるガス１１２のフローを１３０℃の温度に加熱するよう構成することができる。しかし、ガス１１２のフローは、加熱しなくてもよい（例えば、検出装置２００を作動させる環境の周囲温度程度としてもよい）。
【００１１】
実施形態において、1つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント１」１２２、「ドーパント２」１２４）を、ガス１１２のフローに加えることができる。例えば、１つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント１」１２２）は、イオン化の前に（例えば、放射線源１１６の上流で）ガス１１２のフローに加えて、（例えば、図２の表面２０２上の）関心のある分析物とともに検出可能なイオンを形成するよう反応する特定のイオンを生成することができる。実施形態において、1つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント１」１２２）は、セプタム等（不図示）のような適切なドーパント注入ポートを用いてチューブ１０２の入口１１０の上流のガス１１２のフローに注入することができる。他の実施形態では、ドーパントの直接のイオン化が不所望な種をもたらすことになる場合に、イオン化後に（例えば、放射線源１１６の下流のチューブ１０２に設けたポート１２６を経て）１つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント２」１２４）をガス１１２のフローに追加するのがよい。したがって、様々な実施形態において、ドーパントは、放射線源１１６の上流で、放射線源１１６の下流で、または放射線源１１６の上流と下流の両方で注入することができると考えられる。
【００１２】
実装では、表面イオン化源１００は、検出装置によって使用され、検出装置は、分析物の分析のためにイオン化した分析物の少なくとも一部を受け取るよう構成されたスペクトロメトリー分析機器を含む、手持ち携帯検出装置（例えば、携帯型爆発物検出器）、非携帯型検出装置（例えば、化学物質検出器）、又は固定の（実験室用の）検出装置等とすることができる。
【００１３】
図２〜４は、図１に示す表面イオン化源１００を利用する、本開示の例示的な実施形態による検出装置２００の例を示している。図示のように、検出装置２００は、分析物（例えば、分析すべき試料）２０４を支持する表面２０２、及び分析物２０４の分析のためにイオン化した分析物２０４の少なくとも一部を受け入れるよう構成された入口２０８を有するスペクトロメトリー分析器２０６を含む。実施形態において、表面２０２は、ガラス表面等のような非導電性の試料表面を含むのがよい。しかし、他の実施形態においては、表面２０２は、検出装置２００によって支えられる試料収集スワブを含むことができる。
【００１４】
スペクトロメトリー分析器２０６は、イオンの質量選択のためのイオントラップ型、四重極型、飛行時間型、磁場型、オービットラップ型、これらの組み合わせ等を含む多数のマス・スペクトロメトリー技術、及び／又はイオンの移動度選択のためのイオン移動度スペクトロメトリー（ＩＭＳ）、電界非対称イオン移動度スペクトロメトリー（ＦＡＩＭＳ）、進行波イオン移動度スペクトロメトリー（ＴＷＩＭＳ）、定在波ＩＭＳ、これらの組み合わせ等のようなイオン移動度スペクトロメトリー技術のうちいずれかを用いることができる。イオンは、用いられる選択（分離）技術にふさわしいスペクトロメトリー分析器２０６の検出器によって検出することができる。
【００１５】
表面イオン化源１００は、チューブ１０２の第２の端部１０６（出口（ノズル）１１４）が分析物２０４を含んでいる表面２０２の近くに来るように位置付けるのがよい。例えば、図示の、表面イオン化源１００（例えば、チューブ１０２）は、出口（ノズル）１１４を出るガス１１２のフローがスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８とは反対側にて、ある角度で表面２０２に当たるように位置付けられるのがよい。反応性イオン１１８を含んでいるガス１１２のフローは分析物の少なくとも一部をイオン化し、分析用のスペクトロメトリー分析器２０６に搬送される分析物のイオンを生成する。
【００１６】
図２に示すように、ガス１１２のフローによって、表面イオン化源１００から表面２０２への、又は検出装置２０６による分析のためのスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８へのイオンの搬送が容易になる。しかし、表面イオン化源１００から試料表面２０２、及び／又はスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８へのイオンの搬送は、適切に形成した流動場、電場、又はそれらの組み合わせによって強化することができる。さらに、成形流動場及び／又は電場を用いることによって、表面２０２からの陽イオン及び陰イオンの両方を発生させるのに同じイオン化源を用いることができる。図４において、検出装置２００は、ガス１１２のフロー内の少なくとも一部のイオンの動きを制御するよう構成された1つ以上のイオン搬送アセンブリ４０２，４０４を利用するとものとして図示されている。イオン搬送アセンブリ４０２，４０４は、表面イオン化源１００から試料表面２０２、及び／又はスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８へのイオンの搬送に適する流動場、電場、又はそれらの組み合わせを生成するよう構成される。
【００１７】
図５は、本開示の実施形態による分析物の分析に用いるために、放射線源からのイオン化放射線を用いてイオンを生成するための方法５００を示している。実施形態において、本方法５００は、図２，３，及び４に示される検出装置のような検出装置による、図１に示される表面イオン化源１００のような表面イオン化源を用いて実装することができる。
【００１８】
図示のように、ガスのフローを受け入れる（ブロック５０２）。例えば、本明細書で論じたように、ガスのフローは、表面イオン化源１００のチューブ１０２の第1の端部１０４に設けた入口１１０によって受け入れられ、内部ボア１０８を通ってチューブの第２の端部１０６へと流れる。チューブ１０２の内部ボア１０８を通ってガス１１２のフローを供給するのに用いられるガスは、任意の適切なガスとすることができる。実施形態において、ガスは、容易に入手できる空気又は乾燥空気を含む。しかし、窒素（Ｎ）、アルゴン（Ａｒ）等のような他の様々なガスを、ガス１１２のフローを供給するのに利用されるガスとして用いることができる。
【００１９】
実施形態において、ガスのフローは加熱するのがよい（ブロック５０４）。例えば、図３及び４に示すように、表面イオン化源１００は、放射線源１１６によるイオン化の前に（例えば、放射線源の上流で）ガス１１２のフローを加熱するためにチューブ１０２の入口１０４に連結された加熱源３０２を含むことができる。実施形態において、加熱源３０２は、入り口１０４に連結されるヒーターブロックを備えることができる。しかし、ガス１１２のフローは加熱しなくてもよい（例えば、検出装置２００を作動させる環境の周囲温度程度としてもよい）。
【００２０】
ドーパントを、ガスのフロー内に注入するのがよい（ブロック５０６）。例えば、１つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント１」１２２）は、イオン化の前に（例えば、放射線源１１６の上流で）ガス１１２のフローに加えて、（例えば、図２の表面２０２上の）関心のある分析物とともに検出可能なイオンを形成するよう反応する特定のイオンを生成することができる。実施形態において、ドーパント（例えば、「ドーパント１」１２２）は、セプタム等（不図示）のような適切なドーパント注入ポートを用いてチューブ１０２の入口１１０の上流のガス１１２のフローに注入することができる。
【００２１】
次に、ガスのフローを放射線源の上に通し、放射線源は、ガスのフロー内にイオンを形成するよう構成する（ブロック５０８）。図１に示すように、放射線源１１６は、表面イオン化源１００のチューブ１０２の内部ボア１０８内に配置する。放射線源１１６は、ガス１１２のフローが放射線源１１６を通り過ぎて内部ボア１０８を通過するときに、ガス１１２のフロー内に反応性イオン１１８を形成するよう構成される。特に、反応性イオン１１８は、ガス１１２と、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を放出する放射線源１１６によって放出される、イオン化放射線との相互作用によって形成される。実施形態において、放射線源１１６は、チューブの内部ボア１０８の表面１２０に配置された、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を放出するフィルム１１８を含む。フィルム１１８は、内部ボア１０８の直径に概ね等しい外径を有するリング形状とすることができる。放射線源は、高エネルギー粒子（例えば、ベータ粒子）を含むイオン化放射線を放出する材料で製造される。必ずしも限定されることはないが、このような材料の例には、ニッケル−６３（Ｎｉ−６３）又はアメリシウム−２４１（Ａｍ−２４１）がある。
【００２２】
次に、ドーパントをガスのフローに注入する（ブロック５１０）。例えば、ドーパントの直接のイオン化が不所望な種をもたらすことになる場合に、イオン化後に（例えば、放射線源１１６の下流のチューブ１０２に設けたポート１２６を経て）１つ以上のドーパント（例えば、「ドーパント２」１２４）を、ガス１１２のフローに追加するのがよい。したがって、様々な実施形態において、ドーパントは、放射線源１１６の上流で（ブロック５０６）、放射線源１１６の下流で（ブロック５１０）、または放射線源１１６の上流及び下流の両方で（ブロック５０６及びブロック５１０の両方）注入することができると考えられる。
【００２３】
イオンを含んでいるガスのフローは、分析物を少なくとも部分的にイオン化するために、分析物を支持するよう構成した表面上に向ける（ブロック５１２）。例えば、図２〜４に示すように、反応性イオン１１８を含んでいるガス１１２（例えば、イオン化ガス１１２’）のフローは、分析物を少なくとも部分的にイオン化するために分析物の上に向ける。実施形態において、表面２０２は、ガラス表面等のような非導電性の試料表面を含むことができる。しかし、他の実施形態において、表面２０２は、検出装置２００によって支えられる試料収集スワブを含むことができる。
【００２４】
上述したように、表面イオン化源１００は、チューブ１０２の第２の端部１０６（出口（ノズル）１１４）が分析物２０４を含んでいる表面２０２の近くに来るように位置付けるのがよい。例えば、図示のように、表面イオン化源１００（例えば、チューブ１０２）は、出口（ノズル）１１４を出るガス１１２のフローがスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８とは反対側にて、ある角度で表面２０２に当たるように位置付けるのがよい。反応性イオン１１８を含んでいるガス１１２のフローは分析物の少なくとも一部をイオン化し、分析用のスペクトロメトリー分析器２０６に搬送される分析物のイオンを生成する。
【００２５】
実施形態において、表面イオン化源からのイオンは、試料表面へ、及び／又はスペクトロメトリー分析器へ搬送することができ（ブロック５１４）、スペクトロメトリー分析は、イオン化した分析物の少なくとも一部について行うことができる（ブロック５１６）。図２に示す実施形態のような実施形態では、ガス１１２のフローによって、表面イオン化源１００から表面２０２への、及び／又は分析器２０６による分析用のスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８へのイオンの搬送が容易になる。図４に示す実施形態のような実施形態では、検出装置２００は、ガス１１２のフロー内の少なくとも一部のイオンの動きを制御するよう構成された1つ以上のイオン搬送アセンブリ４０２，４０４を利用するものとして図示されている。イオン搬送アセンブリ４０２，４０４は、表面イオン化源１００から試料表面２０２、及び／又はスペクトロメトリー分析器２０６の入口２０８へのイオンの搬送に適する流動場、電場、又はそれらの組み合わせを生成するよう構成される。
【００２６】
上述したように、スペクトロメトリー分析器２０６は、イオンの質量選択のためのイオントラップ型、四重極型、飛行時間型、磁場型、オービットラップ型、これらの組み合わせ等を含む多数のマス・スペクトロメトリー技術、及び／又はイオンの移動度選択のためのイオン移動度スペクトロメトリー（ＩＭＳ）、電界非対称イオン移動度スペクトロメトリー（ＦＡＩＭＳ）、進行波イオン移動度測定スペクトロメトリー（ＴＷＩＭＳ）、定在波ＩＭＳ、これらの組み合わせ等のような、イオン移動度スペクトロメトリー技術のうちいずれかを用いることができる。イオンは、用いられる選択（分離）技術にふさわしいスペクトロメトリー分析器２０６の検出器によって検出することができる。
【００２７】
発明の主題は、構造的特徴及び／又はプロセス動作に特有の専門用語で記載されているが、添付の請求項で規定される本発明は、必ずしも上記の特定の特徴又は動作に限定されることはないと理解されるだろう。むしろ、上記の特定の特徴及び動作は請求項の実施形態の例として開示されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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