(57)【要約】  ターゲット位置に入る前に空間的に延在しているターゲット分布又は拡張ターゲットへと修正されているターゲット材料からのフィードバックで、極端紫外線光源からのパワーを強化する技術について説明する。空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックは非共振型の光学キャビティを提供する。なぜなら、フィードバックが生じる経路の往復の長さ及び方向などの幾何形状が経時変化することがある、又は、空間的に延在しているターゲット分布の形状が滑らかで十分な反射を提供しないことがあるからである。しかしながら、上述した幾何学的及び物理的制約を克服した場合、空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックが、共振型でコヒーレントな光学キャビティを提供することが可能になることがある。いかなる場合も、非発振器利得媒体から生成された自然放出光を使用して、フィードバックを発生させることができる。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット領域に向かってターゲット材料小滴の流れを放出するステップであって、前記流れ内の前記小滴がターゲット材料供給システムから前記ターゲット領域への軌跡に沿って進行する、流れを放出するステップと、
前記第１ターゲット材料小滴が前記ターゲット材料供給装置と前記ターゲット領域との間にある間に、第１光パルスを伝播方向に沿って前記第１ターゲット材料小滴に向かって誘導することによって、空間的に延在するターゲット分布を生成するステップであって、前記第１光パルスの前記第１ターゲット材料小滴への衝突により、前記伝播方向に面する面で前記第１ターゲット材料小滴の断面直径を増加させ、前記伝播方向に平行な方向に沿って前記第１ターゲット材料小滴の厚さを減少させる、空間的に延在するターゲット分布を生成するステップと、
光学系を位置決めし、前記ターゲット位置に交差するビーム経路を確立するステップと、
前記ビーム経路に利得媒体を結合するステップと、
前記空間的に延在するターゲット分布に交差する増幅光ビームを生成し、前記空間的に延在するターゲット分布からの前記利得媒体から放出された光子を散乱させることによって極端紫外線（ＥＵＶ）光を生成するプラズマを生成するステップであって、散乱した前記光子の少なくとも一部が、前記ビーム経路上に配置され、前記増幅光ビームを生成する、増幅光ビームを生成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記ＥＵＶ光が、前記ビーム経路に外部光子を提供せずに生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記流れが複数のターゲット材料小滴を含み、各々が前記軌跡に沿って相互から分離され、前記流れ内の複数の前記小滴から別個の空間的に延在するターゲット分布が生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１光パルスが１．０６μｍの波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記伝播方向を横断する前記面における前記空間的に延在するターゲット分布の断面直径が、前記第１ターゲット材料小滴の断面直径より３〜４倍大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１光パルスが前記第１ターゲット材料小滴に衝突した後の期間に、前記空間的に延在するターゲット分布が生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１光パルスが１０ｎｓの持続時間を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記増幅光ビームが、４００〜５００ｎｓのフット間持続時間を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記増幅光ビームが、１０．６μｍの波長を有する光を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記増幅光ビームが、前記第１光パルスの波長の約１０倍である波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記小滴の流れ内にある第１ターゲット材料小滴が、前記ターゲット材料供給システムと前記ターゲット領域との間にあることを感知するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記空間的に延在するターゲット分布が円板の形態である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記円板が溶融金属の円板を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記増幅光ビームが、前記空間的に延在するターゲット分布に交差して、コヒーレント放射線を全く生成せずに極端紫外線（ＥＵＶ）光を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記光学系が、前記ターゲット位置とは反対側の前記利得媒体の側に位置決めされ、光を反射して前記ビーム経路に戻す、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
極端紫外線光源であって、
ビーム経路に光を提供するように位置決めされた光学系と、
ターゲット供給システムから前記ビーム経路に交差するターゲット位置への軌跡に沿ってターゲット材料小滴の流れを生成するターゲット供給システムと、
前記ターゲット供給システムと前記ターゲット位置との間の位置で、前記ターゲット材料小滴の流れ内のターゲット材料小滴を照射するように位置決めされた光源であって、ターゲット材料小滴を物理的に変形させて、空間的に延在するターゲット分布にするのに十分なエネルギーの光を放出する光源と、
前記ターゲット位置と前記光学系との間の前記ビーム経路上に位置決めされた利得媒体と、
前記ターゲット位置に少なくとも部分的に一致するように位置決め可能な空間的に延在するターゲット分布であって、前記ビーム経路に沿って、空間的に延在するターゲット分布と前記光学系との間に光学キャビティを規定する空間的に延在するターゲット分布と、を備え、
前記空間的に延在するターゲット分布及び前記ターゲット材料小滴が、プラズマ状態でＥＵＶ光を放出する材料を含む、光源。
【請求項１７】
前記ターゲット材料がスズを含み、前記ターゲット材料小滴が溶融スズの小滴を含む、請求項１６に記載の光源。
【請求項１８】
前記空間的に延在するターゲット分布が、前記光学キャビティによって生成された増幅光ビームの伝播方向に垂直である面に断面直径を有し、前記空間的に延在するターゲット分布の前記断面直径が、前記ターゲット材料小滴の断面直径より３〜４倍大きい、請求項１６に記載の光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示される主題は、空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックで極端紫外線光源からのパワーを強化することに関する。
【背景技術】
【０００２】
極端紫外線（ＥＵＶ）光、例えば約５０ｎｍ以下の波長を有する電磁放射（軟ｘ線と呼ばれることもある）、及び、約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射は、基板、例えばシリコンウェーハ内に極めて小さいフィーチャを生成するフォトリソグラフィプロセスに使用することができる。
【０００３】
ＥＵＶ光を生成する方法には、プラズマ状態にＥＵＶ範囲に輝線がある元素、例えばキセノン、リチウム又はスズを有する物質を変換することが含まれるが、必ずしもそれに限定されない。１つのこのような方法では、プラズマは、多くの場合レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれ、例えば材料の小滴、流れ又はクラスタの形態のターゲット材料に、ドライブレーザと呼ぶことができる増幅光ビームを照射することによって生成することができる。このプロセスでは、プラズマは通常、密封容器、例えば真空チャンバ内で生成され、様々なタイプのメトロロジー機器を使用して監視される。
【発明の概要】
【０００４】
ある一般的な態様では、方法は、ターゲット領域に向かってターゲット材料小滴の流れを放出するステップであって、流れ内の小滴がターゲット材料供給システムからターゲット領域への軌跡に沿って進行する、放出するステップと、第１ターゲット材料小滴がターゲット材料供給装置とターゲット領域との間にある間に、第１光パルスを伝播方向に沿って第１小滴に向かって誘導することによって、空間的に延在しているターゲット分布を生成するステップであって、第１光パルスが第１ターゲット材料小滴に衝突することにより、伝播方向に面する面で第１ターゲット材料小滴の断面直径が増加して、伝播方向に平行な方向に沿って第１ターゲット材料小滴の厚さを減少させる、ターゲット分布を生成するステップと、ターゲット位置に交差するビーム経路を確立する光学系を位置決めするステップと、利得媒体をビーム経路に結合するステップと、空間的に延在しているターゲット分布からの利得媒体から放出した光子の散乱によって極端紫外線（ＥＵＶ）光を発生させるプラズマを生成するために、空間的に延在しているターゲット分布と交差する増幅光ビームを生成するステップであって、散乱光子の少なくとも一部がビーム経路に配置される、増幅光ビームを生成するステップと、を含む。
【０００５】
実施態様は、以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。例えば、ビーム経路に外部光子を提供せずにＥＵＶ光が生成されてもよい。
【０００６】
流れは、複数のターゲット材料小滴を含むことができ、各々は軌跡に沿って相互から分離され、かつ、流れは、流れ内の複数の小滴から、別個の空間的に延在しているターゲット分布が生成される。
【０００７】
第１光パルスは１．０６μｍの波長を有してもよい。伝播方向を横断する面において空間的に延在しているターゲット分布の断面直径は、第１ターゲット材料小滴の断面直径より３倍〜４倍大きくてもよい。
【０００８】
空間的に延在しているターゲット分布は、第１光パルスが第１ターゲット材料小滴に衝突した後の期間に生成されてもよい。
【０００９】
第１光パルスは１０ｎｓの持続時間を有してもよい。増幅光ビームは、４００〜５００ｎｓのフット間持続時間を有してもよい。
【００１０】
増幅光ビームは１０．６μｍの波長を有してもよい。増幅光ビームは、第１光パルスの波長の約１０倍である波長を有してもよい。
【００１１】
方法は、小滴の流れ内における第１ターゲット材料小滴がターゲット材料供給システムとターゲット領域との間にあることを感知するステップを含んでもよい。
【００１２】
空間的に延在しているターゲット分布は円板の形態であってもよい。円板は溶融金属の円板を含んでもよい。
【００１３】
増幅光ビームは、空間的に延在しているターゲット分布と相互作用して、いかなるコヒーレント放射線も生成せずに極端紫外線（ＥＵＶ）光を発生させてもよい。
【００１４】
光学系は、ターゲット位置とは反対側の利得媒体の側に位置決めされ、光を反射してビーム経路に戻されてもよい。
【００１５】
他の一般的な態様では、極端紫外線光源は、ビーム経路に光を提供するように位置決めされた光学系と、自身とターゲット位置との間でビーム経路に交差する軌跡に沿ってターゲット材料小滴の流れを生成するターゲット供給システムと、ターゲット供給システムとターゲット位置との間の位置で、ターゲット材料小滴の流れ内にあるターゲット材料小滴を照射するように位置決めされ、ターゲット材料小滴を物理的に変形して空間的に延在しているターゲット分布にするのに十分なエネルギーの光を放出する光源と、ターゲット位置と光学系との間のビーム経路に位置決めされた利得媒体と、ビーム経路に沿って、自身と光学系との間に光学キャビティを規定するために、ターゲット位置に少なくとも部分的に一致するように位置決め可能である空間的に延在しているターゲット分布と、を含む。空間的に延在しているターゲット分布及びターゲット材料小滴は、プラズマ状態でＥＵＶ光を放出する材料を含む。
【００１６】
実施態様は、以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。例えば、ターゲット材料はスズを含んでもよく、ターゲット材料小滴は溶融スズの小滴を含んでもよい。
【００１７】
空間的に延在しているターゲット分布は、光学キャビティによって生成された増幅光ビームの伝播方向に対して垂直である面に断面直径を有することができ、空間的に延在しているターゲット分布の断面直径は、ターゲット材料小滴の断面直径より３〜４倍大きくてもよい。
【００１８】
上述した技術のうちいずれかの実施態様は、空間的に延在しているターゲット分布からの光学的フィードバックを発生させる方法、プロセス、ターゲット、アセンブリ又はデバイス、既存のＥＵＶ光源を改装するキット又は組み立て済みシステム、又は装置を含むことができる。１つ以上の実施態様の詳細を添付の図面及び以下の説明に記載する。その他の特徴は、説明及び図面から、また請求の範囲から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源のブロック図である。
【図２】図１の光源に使用することができるドライブレーザシステムの例のブロック図である。
【図３】レーザ生成プラズマ極端紫外線（ＥＵＶ）光源、及びＥＵＶ光源に結合されたリソグラフィツールの上面図である。
【図４】別の例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源の４つの異なる時間における側面図を示す。
【図５】別の例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源の４つの異なる時間における側面図を示す。
【図６】別の例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源の４つの異なる時間における側面図を示す。
【図７】別の例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源の４つの異なる時間における側面図を示す。
【図８】増幅光ビームのプリパルス及びパルスの例示的な波形を示す。
【図９】空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックを使用してＥＵＶ光源のパワーを強化する例示的なプロセスの流れ図である。
【図１０】別の例示的なレーザ生成プラズマ極端紫外線光源を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
ターゲット位置を空間的に延在しているターゲット分布又は延在ターゲットに入れる前に修正してあるターゲット材料からのフィードバックで極端紫外線光源からのパワーを強化する技術について説明する。往復の長さ及び方向などのフィードバックが生じる経路の幾何形状を正しいタイミングで変化させることができるので、又は、空間的に延在しているターゲット分布の形状が十分に滑らかな反射を提供しないことがあるので、空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックは非共振型光学キャビティを提供する。。しかしながら、上述した幾何形状及び物理的制約が克服された場合は、空間的に延在しているターゲット分布からのフィードバックが共振型でコヒーレントな光学キャビティを提供することが可能になることがある。いかなる場合も、非発振器利得媒体から生成された自然放出光を使用して、フィードバックを生じさせることができる。
【００２１】
特に、ターゲット材料の小滴の形状は、それがターゲット位置へと進行すると、プリパルス光ビームで修正され、したがってターゲット位置に到達した場合の修正ターゲット材料の反射率は、ターゲット材料小滴の反射率よりはるかに大きい。これにより、ターゲット位置に交差するビーム経路に光を反射するように反射光学系を位置決めした場合は、光利得媒体から生成された光で反射率が高く空間的に延在しているターゲット分布を照射することによって、利得媒体を含むビーム経路のフィードバックを提供することが可能であり、したがって修正ターゲット材料及び光学系が発振用光学キャビティを形成する。
【００２２】
空間的に延在しているターゲット分布から反射することによって生成される発振用光学キャビティは、空間的に延在しているターゲット分布から反射した光が、別個の経路に沿って光を反射する散乱面を提供し、したがって反射光が往復後に元の位置（例えば反射光学系）に戻らないことがある場合に、フィードバックが非コヒーレントであるランダムレーザと見なすことができる。このようなキャビティには電磁界の空間的共振がないことがあり、したがってこのようなレーザのフィードバックは、エネルギー又は光子の一部を利得媒体に戻すのに使用される。このシナリオでは、光学キャビティの多くのモードが全体としての利得媒体と相互作用し、この場合のレーザ放出の統計的特性を近似することができる、又はスペクトルの狭い範囲の極めて明るい黒体の放出の特性と近いことがある。また、空間的干渉がなくてもよい。
【００２３】
ターゲット材料小滴は、ターゲット位置に向かって放出されるターゲット材料の流れの一部である。ターゲット位置はビーム経路及び光利得媒体の軸上にある。プリパルスの光ビームは、ターゲット位置に到達する前にターゲット材料小滴を照射して、空間的に延在しているターゲット分布を形成し、これは、平坦な形状又は円板形状のターゲットのように、修正した形状のターゲット材料である。ターゲット材料の修正した形状は、円板形状のターゲットと同様の特性を有することができる霧、断片の雲、又は半球状のターゲットとすることができる。いかなる場合も、ターゲット材料の修正した形状は、ターゲット位置の増幅光ビームに面する範囲又は表面積が大きくなる。元のターゲット材料小滴と比較して、空間的に延在しているターゲット分布は、直径が大きくなり、反射率が上昇する。空間的に延在しているターゲット分布は、ビーム経路に位置合わせされたターゲット位置に到達し、利得媒体内でフィードバックの発生を開始する。
【００２４】
空間的に延在しているターゲット分布から反射した光が、ビーム経路に沿って光を反射する非散乱面を提供し、したがって反射光の一部が各往復後に元の位置（例えば反射光学系で）に戻る場合、発振用光学キャビティは、何らかのコヒーレントフィードバックを有するレーザと見なすことができる。このようなキャビティには電磁界の空間的共振が存在することができ、したがってこのようなレーザのフィードバックは、より多くのエネルギー又は光子を利得媒体に戻すのに使用される。
【００２５】
レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極端紫外線（ＥＵＶ）光源内で、空間的に延在しているターゲット分布を使用することができる。空間的に延在しているターゲット分布は、プラズマ状態にある場合にＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む。ターゲット材料は、ターゲット物質及び非ターゲット粒子のような不純物を含むターゲット混合物とすることができる。ターゲット物質は、ＥＵＶ範囲に輝線を有するプラズマ状態に変換される物質である。ターゲット物質は、例えば液体又は溶融金属の小滴、液体流の一部、固体粒子又はクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、ターゲット材料の泡、又は液体流の一部に含まれる固体粒子とすることができる。ターゲット物質は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又はプラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲に輝線を有する任意の材料とすることができる。例えば、ターゲット物質は元素のスズとすることができ、これは純粋なスズ（Ｓｎ）として、スズ化合物、例えば、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４として、スズ合金、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせとして使用することができる。さらに、不純物がない状況では、ターゲット材料はターゲット物質のみを含む。以下の説明では、ターゲット材料が溶融金属でできたターゲット材料小滴である例を提供する。これらの例では、ターゲット材料はターゲット材料小滴と呼ばれる。しかしながら、ターゲット材料は他の形態をとることもできる。
【００２６】
図１を参照すると、技術が実施されている例示的なレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極端紫外線（ＥＵＶ）光源１００が、最初に背景技術として提供されている。
【００２７】
ＬＰＰ  ＥＵＶ光源１００は、ターゲット位置１０５にあるターゲット混合物１１４に、ビーム経路に沿ってターゲット混合物１１４に向かって進行する増幅光ビーム１１０を照射することによって形成される。照射サイトとも呼ばれるターゲット位置１０５は、真空チャンバ１３０の内部１０７にある。増幅光ビーム１１０がターゲット混合物１１４に当たると、ターゲット混合物１１４内のターゲット材料が、ＥＵＶ範囲に輝線がある元素を有するプラズマ状態に変換される。発生したプラズマは、ターゲット混合物１１４内のターゲット材料の組成に依存する特定の特徴を有する。これらの特徴には、プラズマによって生成されたＥＵＶ光の波長、及びプラズマから放出されたデブリのタイプ及び量などがある。
【００２８】
光源１００はまた、液体小滴、液体流、固体粒子又はクラスタ、液体小滴内に含まれる固体粒子、又は液体流に含まれる固体粒子の形態のターゲット混合物１１４を送出、制御及び誘導するターゲット材料デリバリシステム１２５も含む。ターゲット混合物１１４は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又はプラズマ状態に変換されるとＥＵＶ範囲に輝線を有する任意の材料のようなターゲット材料を含む。例えば、元素のスズは、純スズ（Ｓｎ）として、スズ化合物、例えば、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４として、スズ合金、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせとして使用することができる。ターゲット混合物１１４はまた、非ターゲット粒子のような不純物も含むことができる。したがって、不純物がない状況では、ターゲット混合物１１４はターゲット材料のみで構成される。ターゲット混合物１１４は、非ターゲット粒子などの不純物も含むことがある。ターゲット混合物１１４は、ターゲット材料デリバリシステム１２５によってチャンバ１３０の内部１０７に及びターゲット位置１０５に送出される。
【００２９】
光源１００は、レーザシステム１１５の１つ以上の利得媒体内の反転分布により、増幅光ビーム１１０を生成するドライブレーザシステム１１５を含む。光源１００は、レーザシステム１１５とターゲット位置１０５との間にビームデリバリシステムを含み、ビームデリバリシステムは、ビーム輸送システム１２０と、焦点アセンブリ１２２と、を含む。ビーム輸送システム１２０は、レーザシステム１１５から増幅光ビーム１１０を受け、必要に応じて増幅光ビーム１１０を操縦及び修正して、増幅光ビーム１１０を焦点アセンブリ１２２へと出力する。焦点アセンブリ１２２は、増幅光ビーム１１０を受け、ビーム１１０をターゲット位置１０５に集束させる。
【００３０】
ある実施態様では、レーザシステム１１５は、１つ以上の主パルスを、及び場合によっては１つ以上のプリパルスを提供するために、１つ以上の光増幅器、レーザ及び／又はランプを含むことができる。各光増幅器は、高い利得で所望の波長を光学的に増幅することができる利得媒体と、励起光源と、内部光学系と、を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有しても、有していなくてもよい。したがって、レーザシステム１１５は、レーザキャビティを形成する永久的なフィードバックデバイスがない場合でも、レーザ増幅器の利得媒体の反転分布により、増幅した光ビーム１１０を生成する。さらに、レーザシステム１１５は、レーザシステム１１５に十分なフィードバックを提供するレーザキャビティがある場合に、コヒーレントレーザビームである増幅光ビーム１１０を生成することができる。「増幅光ビーム」という用語は、単に増幅されているが、永久的な光学的フィードバックデバイスがなく、したがって必ずしもコヒーレントレーザ発振ではないレーザシステム１１５からの光、及び永久的光学フィードバックデバイスにより、（外部又は発振器の利得媒体内で）増幅され、同様にコヒーレントレーザ発振であるレーザシステム１１５からの光のうち１つ以上を包含する。
【００３１】
レーザシステム１１５内の光増幅器は、利得媒体として、ＣＯ２を含み、１０００以上の利得にて約９．１μｍ〜約１１μｍの間、特に約１０．６μｍの波長の光を増幅することができる充填ガスを含むことができる。ある例では、光増幅器は１０．５９μｍの波長の光を増幅する。レーザシステム１１５に使用するために適切な増幅器及びレーザは、パルス状レーザデバイス、例えばＤＣ又はＲＦ励起で例えば約９．３μｍ又は約１０．６μｍの放射線を生成し、比較的高い電力、例えば１０ｋＷ以上及び高いパルス繰り返し率、例えば５０ｋＨｚ以上で動作するパルス状ガス放電ＣＯ２レーザデバイスを含むことができる。レーザシステム１１５の光増幅器は、レーザシステム１１５を比較的高い電力で操作する場合に使用することができる水などの冷却システムも含むことができる。
【００３２】
図２は、例示的なドライブレーザシステム１８０のブロック図を示す。ドライブレーザシステム１８０は、光源１００内のドライブレーザシステム１１５として使用することができる。ドライブレーザシステム１８０は、３つの電力増幅器１８１、１８２及び１８３を含む。電力増幅器１８１、１８２及び１８３のいずれか、又は全部は、内部光学要素（図示せず）を含むことができる。電力増幅器１８１、１８２及び１８３はそれぞれ、外部電源又は光源でポンピングすると増幅が生じる利得媒体を含む。例えば、電力増幅器１８１、１８２、１８３はそれぞれ、利得媒体の各側に１対の電極を含み、外部電源を提供する。さらに、反射光学系１１２は、増幅器１８１、１８２、１８３の間に規定されたビーム経路に沿って配置される。
【００３３】
増幅器１８１、１８２、１８３の利得媒体内から自然放出される光子は、空間的に延在しているターゲット分布がターゲット位置内にある場合に、（以下で説明するように）空間的に延在しているターゲット分布により散乱することができ、これらの散乱光子の少なくとも一部は、それらが増幅器１８１、１８２、１８３のそれぞれを通して進行するビーム経路に配置される。このビーム経路については、次で説明する。
【００３４】
光１８４は、１対の湾曲ミラー１８６、１８６で反射することにより、電力増幅器１８１と電力増幅器との間を、電力増幅器１８１の結合窓１８５及び増幅器１８２の結合窓１８９を通して進行する。光１８４は空間フィルタ１８７も通過する。光１８４は、電力増幅器１８２で増幅され、別の結合窓１９０を通して電力増幅器１８２から出て光１９１として誘導される。光１９１は、折り返しミラー１９２で反射すると増幅器１８３と増幅器１８２との間を進行し、結合窓１９３を通して増幅器１８３に出入りする。増幅器１８３は光１９１を増幅し、増幅器１８３を出てビーム輸送システム１２０に向かう光１９１は、増幅光ビーム１９５として結合窓１９４を通って進行する。折り返しミラー１９６は、増幅したビーム１９５を上方向に（ページの外側に）、及びビーム輸送システム１２０へと誘導するように位置することができる。
【００３５】
空間フィルタ１８７は、例えば光１８４が通過する円形開口であり得るアパーチャ１９７を規定する。湾曲ミラー１８６及び１８８は、例えばそれぞれ約１．７ｍ及び２．３ｍの焦点距離を有するオフアクシス放物線ミラーであってもよい。空間フィルタ１８７は、アパーチャ１９７がドライブレーザシステム１８０の焦点と一致するように位置決めすることができる。図２の例は３つの電力増幅器を示す。しかしながら、異なる数の電力増幅器を使用することもできる。
【００３６】
再び図１を参照すると、光源１００は、増幅光ビーム１１０が通過して、ターゲット位置１０５に到達することができるようにするアパーチャ１４０を有するコレクタミラー１３５を含む。コレクタミラー１３５は、例えばターゲット位置１０５に１次焦点、中間位置１４５（中間焦点とも呼ばれる）に２次焦点を有する楕円面鏡とすることができ、ここでＥＵＶ光を光源１００から出力し、例えば集積回路ビーム位置決めシステムツール（図示せず）に入力することができる。光源１００はまた、コレクタミラー１３５からターゲット位置１０５に向かって先細になり、増幅光ビーム１１０がターゲット位置１０５に到達できるようにしながら、焦点アセンブリ１２２及び／又はビーム輸送システム１２０に入るプラズマ生成デブリの量を低減する開放式で中空の円錐形シュラウド１５０（例えばガスコーン）も含むことができる。そのために、シュラウド内に、ターゲット位置１０５へと誘導されたガス流を提供することができる。
【００３７】
光源１００は、小滴位置検出フィードバックシステム１５６、レーザ制御システム１５７及びビーム制御システム１５８に接続された主制御装置１５５も含むことができる。光源１００は、１つ以上のターゲット又は小滴撮像装置１６０を含むことができ、これは例えばターゲット位置１０５に対する小滴の位置を示す出力を提供し、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム１５６に提供して、これは例えば小滴の位置及び軌跡を計算することができ、そこから小滴位置の誤差を小滴毎に、又は平均で計算することができる。このように、小滴位置検出フィードバックシステム１５６は、小滴位置の誤差を入力として主制御装置１５５に提供する。したがって、主制御装置１５５は、レーザの位置、方向、及びタイミングの補正信号を、例えばレーザタイミング回路の制御に使用することができるレーザ制御システム１５７に、及び／又はビーム制御システム１５８に提供し、ビーム輸送システム１２０の増幅光ビームの位置及び整形を制御して、チャンバ１３０内のビーム焦点の位置及び／又は集光力を変化させることができる。
【００３８】
ターゲット材料デリバリシステム１２５は、ターゲット材料デリバリ制御システム１２６を含み、ターゲット材料デリバリ制御システム１２６は、例えば主制御装置１５５からの信号に応答して、ターゲット材料供給装置１２７から放出されたままの小滴の放出点を修正し、所望のターゲット位置１０５に到達する小滴の誤差を補正するように動作可能である。
【００３９】
また、光源１００は光源検出器１６５を含むことができ、光源検出器１６５は、パルスエネルギー、波長の関数としてのエネルギー分布、波長の特定の帯域内のエネルギー、波長の特定の帯域外のエネルギー、及びＥＵＶ強度及び／又は平均電力の角分布を含むが、それらに限定されない１つ以上のＥＵＶ光のパラメータを測定する。光源検出器１６５は、主制御装置１５５が使用するフィードバック信号を発生する。フィードバック信号は、レーザパルスのタイミング及び焦点などのパラメータの誤差を示して、ＥＵＶ光を効果的かつ効率的に生成するために適正な場所及び時間で小滴を適切に遮断することができる。
【００４０】
光源１００はまた、光源１００の様々な区間を位置合わせする、又はターゲット位置１０５への増幅光ビーム１１０の操縦を補助するために使用することができるガイドレーザ１７５も含むことができる。ガイドレーザ１７５に関して、光源１００は、焦点アセンブリ１２２内に配置されて、ガイドレーザ１７５及び増幅光ビーム１１０からの光の一部をサンプリングするメトロロジーシステム１２４を含む。他の実施態様では、メトロロジーシステム１２４はビーム輸送システム１２０内に配置される。メトロロジーシステム１２４は、光の部分集合をサンプリング又は再誘導する光学要素を含むことができ、このような光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム１１０のパワーに耐えることができる任意の材料から作成される。ビーム分析システムはメトロロジーシステム１２４及び主制御装置１５５から形成される。なぜなら、主制御装置１５５が、ガイドレーザ１７５からサンプリングした光を分析し、この情報を使用して、ビーム制御システム１５８を通して焦点アセンブリ１２２内のコンポーネントを調整するからである。
【００４１】
したがって、要約すると、光源１００は、レーザシステム１１５からビーム経路に自然放出される光子の少なくとも一部が、空間的に延在しているターゲット分布から、及び反射光学系１１２から反射して、ビーム経路に沿って利得媒体の利得帯域内の波長で、より多くの光を生成し、レーザシステム１１５にレーザ作用を提供する（十分な誘導放出がある）場合に、ビーム経路に沿って誘導される増幅光ビーム１１０を生成する。これにより、十分なエネルギーが空間的に延在しているターゲット分布内のターゲット材料に与えられ、それによってターゲット材料を、ＥＵＶ範囲の光を放出するプラズマへと変換する。増幅光ビーム１１０は、レーザシステム１１５の設計及び特性に基づいて決定された特定の波長（光源波長とも呼ばれる）で作用する。増幅光ビーム１１０の少なくとも一部が空間的に延在しているターゲット分布から反射してビーム経路内に戻り、レーザシステム１１５にフィードバックを提供する。
【００４２】
図３を参照すると、例示的な光学的撮像システム３００の上面図が示されている。光学的撮像システム３００は、ＥＵＶ光３０６をリソグラフィツール３１０に提供するＬＰＰ  ＥＵＶ光源３０５を含む。光源３０５は、図２Ａ及び図２Ｂの光源１００と同様である、及び／又はそのコンポーネントの一部又はすべてを含むことができる。
【００４３】
光源３０５は、ドライブレーザシステム３１５と、光学要素３２２と、プリパルス光源３２４と、集束アセンブリ３２６と、真空チャンバ３４０と、ＥＵＶ集光光学系３４６と、を含む。ＥＵＶ集光光学系３４６は、ターゲット位置３４２から射出されたＥＵＶ光をリソグラフィツール３１０へと誘導する。ＥＵＶ集光光学系３４６はコレクタミラー１３５（図１）でよく、ターゲット位置３４２は集光光学系３４６の焦点でもよい。
【００４４】
ドライブレーザシステム３１５は増幅光ビーム３１６を生成する。ドライブレーザシステム３１５は、例えば図２のドライブレーザシステム１８０でもよい。プリパルス光源３２４は放射パルス３１７を放出する。プリパルス光源３２４は、例えばＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザとすることができ、放射パルス３１７はＮｄ：ＹＡＧレーザからのパルスとすることができる。
【００４５】
光学要素３２２は、増幅光ビーム３１６、及びプリパルス光源３２４からの放射パルス３１７をチャンバ３４０へと誘導する。光学要素３２２は、増幅光ビーム３１６及び放射パルス３１７を同様の経路に沿って誘導し、増幅光ビーム３１６及び放射パルス３１７をチャンバ３４０に送出することができる任意の要素である。
【００４６】
増幅光ビーム３１６は、チャンバ３４０内のターゲット位置３４２へと誘導される。放射パルス３１７は位置３４１に誘導される。位置３４１はターゲット位置３４２から「−ｘ」方向に変位される。この方法で、放射パルス３１７は、ターゲット位置３４２に到達する前にターゲット位置３４２とは物理的に異なる位置にあるターゲット材料小滴を照射することができる「プリパルス」である。
【００４７】
図４は、ＥＵＶ光を生成する例示的な光源４００の側面図を示す。図４は、第１時間ｔ＝ｔ１における光源４００を示す。図５〜図７は、その後の時間ｔ＝ｔ２、ｔ＝ｔ３、及びｔ＝ｔ４における光源４００を示し、各時間は上述の時間より後である。図４〜図７は、ターゲット材料小滴４０５ｂが空間的に延在しているターゲット分布へと変形し、その後に利得媒体を含むビーム経路に沿ってより多くの光子を提供し、利得媒体の利得帯域における利得を増加させることを示す。
【００４８】
以下で説明するように、反射光学系４１２と空間的に延在しているターゲット分布との間に光学キャビティを形成することによって、光源４００は、ビーム経路４１０上の利得媒体４２０の利得帯域内の波長で増幅した光を生成する。空間的に延在しているターゲット分布を発生させるために、ターゲット材料小滴４０５ｂがターゲット材料供給装置４４７とターゲット位置４４２との間にある間に、ターゲット材料小滴４０５ｂに放射パルス４１７を照射する。形成された空間的に延在しているターゲット分布がターゲット位置４４２に到達すると、光学系４１２と空間的に延在しているターゲット分布との間に光学キャビティ（非共振型でもよい）が形成される。
【００４９】
図４を参照すると、光源４００は、光学系４１２と、光利得媒体４２０と、真空チャンバ４４０と、ＥＵＶ集光光学系４４６と、ターゲット材料供給装置４４７と、を含む。光源４００はまた、１つ以上の小滴撮像装置４６０と、小滴位置検出フィードバックシステム４５６と、を含むこともできる。ターゲット材料供給装置４４７は、ターゲット材料供給装置１２７（図１）と同様とすることができる。小滴撮像装置４６０及び小滴位置検出フィードバックシステム４５６は、小滴撮像装置１６０及び小滴位置検出フィードバックシステム１５６（図１）と同様とすることができる。位置検出フィードバックシステム４５６は、電子処理装置と、有形のコンピュータ可読媒体とを含むことができ、これは実行されると電子処理装置に、小滴撮像装置４６０からの情報に基づいてターゲット材料小滴の位置を判定させる命令を記憶している。
【００５０】
ｔ＝ｔ１（図４に図示）で、ターゲット材料供給装置４４７は、ターゲット材料小滴４０５ｂ及びターゲット材料小滴４０５ａを放出している。小滴４０５ａ及び４０５ｂは、ターゲット位置４４２に向かって「ｘ」方向に進行する。ターゲット位置４４２は、ＥＵＶ集光光学系４４６の焦点に対応するチャンバ４４０内の位置である。ターゲット位置４４２はまた、ビーム経路４１０に交差し、これは反射光学系４１２がそれに沿って光を誘導する経路である。ビーム経路４１０は、光利得媒体４２０、及び光利得媒体４２０の構成内にすることができるアパーチャ及び空間フィルタの構成によって規定される。光学系４１２は、例えば部分又は完全反射性のミラーとすることができる。
【００５１】
光源４００はまた光利得媒体４２０を含む。図４の例では、光利得媒体４００は複数の光増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃを含む。光増幅器４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃはそれぞれ、個々の利得媒体の各側に１対の電極を含み、外部電源を提供する。増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃは、図２に関して説明した増幅器１８１、１８２、及び１８３と同様とすることができる。光利得媒体４２０は、ビーム経路４１０に結合され、ビーム経路４１０を部分的に規定する。すなわち、光学系４１２から反射した光は、光利得媒体４２０に入り、光利得媒体４２０を通過することができる。増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃの利得媒体内から自然放出した光子は、利得媒体４２０を出て、ビーム経路４１０に沿って進行することができる。
【００５２】
光源４００はまた、小滴位置検出フィードバックシステム４５６に接続される１つ以上の小滴撮像装置４６０を含む。ターゲット材料小滴４０５ｂがターゲット位置４４２へと進行すると、撮像装置４６０は、小滴位置検出フィードバックシステム４５６が「ｘ」方向のターゲット材料小滴４０５ｂの位置を判定するのに使用するデータを測定する。
【００５３】
ターゲット材料小滴４０５ｂが、「−ｘ」方向にビーム経路４１０から距離「ｄ」にある位置に到達する直前に、放射パルス４１７がその位置に到達し、ターゲット材料小滴４０５ｂを照射する。距離「ｄ」は、照射されたターゲット材料小滴がターゲット位置４４２に到達する前に、その形状を適切に変化できるのに十分な大きさである。距離「ｄ」は、例えば約１００μｍと２００μｍの間、又は約１２０μｍとすることができる。
【００５４】
放射パルス４１７は、プリパルス光源３２４（図３Ａ）と同様の光源から発生させることができる。幾つかの実施態様では、放射パルス４１７は、１マイクロメートル（μｍ）の波長、１０ナノ秒（ｎｓ）の（最大半減時における全幅として測定される）パルス持続時間、及び１ｍＪ（ミリジュール）のエネルギーを有することができる。他の実施態様では、放射パルス４１７は１μｍの波長、（最大半減時における全幅又はＦＷＨＭメトリックを用いて測定した場合の）２ｎｓのパルス持続時間、及び０．５ｍＪのエネルギーを有することができる。さらに他の実施態様では、放射パルス４１７は１μｍの波長、１０ｎｓのＦＭＨＭパルス持続時間及び０．５ｍＪのエネルギーを有することができる。放射パルス４１７は、１〜１０μｍの波長、１０〜６０ｎｓのＦＷＨＭ持続時間及び１０〜５０ｍＪのエネルギーを有することができる。
【００５５】
図５を参照すると、時間ｔ＝ｔ２、すなわち、放射パルス４１７がターゲット材料小滴４０５ｂに当たった後の時間における光源４００が示されている。放射パルス４１７がターゲット材料小滴４０５ｂに衝突すると、ターゲット材料小滴４０５ｂが物理的に変形して、ターゲット材料を含む幾何分布５０５になる。幾何分布５０５は、例えば空隙が少ない、又は空隙がない溶融金属の領域とすることができる。幾何分布５０５は、ターゲット材料小滴４０５ｂと比較すると「ｘ」方向に細長い。幾何分布５０５は、ターゲット材料小滴４０５ｂより「ｚ」方向に薄くなることもある。幾何分布５０５は、ターゲット位置４４２へと進行すると、「ｘ」方向に拡張し続ける。
【００５６】
図６を参照すると、時間ｔ＝ｔ３にて幾何分布５０５は拡張して空間的に延在しているターゲット分布６０５になり、「−ｘ」方向にビーム経路４１０の直前の位置にある。円板形状ターゲット６０５は、実質的に電離せずにビーム経路軸４１０に到達する。すなわち、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、ビーム経路軸４１０に到達する前に予備形成されたと見なすことができる。
【００５７】
空間的に延在しているターゲット分布６０５は、経度方向の範囲６０６及び緯度方向の範囲６０７を有する。範囲６０６及び６０７は、ｔ＝ｔ１（ターゲット材料小滴４０５ｂに放射パルス４１７が当たったとき）とｔ＝ｔ３との間に経過した時間の量、さらに放射パルス４１７のパルス持続時間及びエネルギーによって決定される。範囲６０６は一般的に、経過時間の量が増加すると増大する。２０００ｎｓの経過時間の場合、範囲６０６は約８０〜３００μｍとすることができる。比較すると、ターゲット材料小滴４０５ａの同様の寸法は約２０〜４０μｍである。
【００５８】
図７を参照すると、時間ｔ＝ｔ４にて、ターゲット６０５はビーム経路４１０に交差し、ターゲット６０５と光学系４１２との間に光学キャビティ７０２（実線の両方向の矢印で表す）が形成される。ビーム経路上に自然に放出された光子は、空間的に延在しているターゲット分布６０５から及び反射光学系４１２から反射して、ビーム経路４１０に沿って利得媒体４２０の利得帯域内により多くの光を生成し、十分なフィードバックが提供された場合、連鎖における損失は、フィードバックからの蓄積によって克服され、利得媒体に保存されたエネルギーがすべて、誘導放出に変換され（て、増幅光ビームを生成す）る。空間的に延在しているターゲット分布６０２がターゲット位置４４２にあり、したがって、ビーム経路４１０と交差している間に、増幅光ビームが空間的に延在しているターゲット分布６０２を照射する。これにより、空間的に延在しているターゲット分布内のターゲット材料に十分なエネルギーが与えられ、それにより空間的に延在しているターゲット分布６０５を、ＥＵＶ範囲内の光を放出するプラズマに変換する。また、これは光子をターゲット位置に提供する別個のコヒーレント光源を使用せずに実行される。
【００５９】
さらに、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、空間的に延在しているターゲット分布６０５を形成する元となるターゲット材料小滴４０８ｂよりも大きい範囲６０６を有するので、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、より多くの光を反射して光増幅器４２０に戻す。それによって、光増幅器４２０の利得帯域内での光生成を向上させる。光学キャビティ７０２を形成するために空間的に延在しているターゲット分布６０５を使用して生成した光は、未修正ターゲット材料小滴を使用して発生させたような光より約２〜１０倍の光を発生させることができる。
【００６０】
さらに、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、光ビームが伝播する方向の方が小さい範囲６０５を有するので、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、ＥＵＶ光を放出するプラズマへの変換がさらに容易になる。範囲６０６が相対的に薄いことは、空間的に延在しているターゲット分布６０５が光ビームに対して提示するターゲット材料が多くなるということを意味する（薄い形状によって、入射光ビームが空間的に延在しているターゲット分布内のより多くのターゲット材料を照射することができる）。その結果、より多くの空間的に延在しているターゲット分布がプラズマに変換される。その結果、変換効率が上昇し、デブリが減少する。最後に、放射パルス４１７を使用して、ターゲット材料小滴４０５ｂの物理的形状を修正する技術により、範囲６０６が大きくなるので、使用する最初のターゲット材料小滴を小型化することができる。使用するターゲット材料小滴を小型化すると、光源４００の寿命を改良することができる。
【００６１】
図８は、ターゲット材料小滴を変形するのに使用されるパルス状放射線ビーム８０２、及び発振用光学キャビティを形成するのに変形した材料を使用して生成された光ビーム８０４の例を示す。パルス状放射線ビーム８０２は１μｍの波長、１０ｎｓのパルス持続時間及び１ｍＪのエネルギーを有する。光ビーム８０４は、（ベースライン沿いに、例えば、フット間で測定した）４００〜５００ｎｓの持続時間を有する。
【００６２】
図９は、増幅光ビームを生成する例示的なプロセス９００の流れ図である。プロセス９００は、ターゲット材料小滴を変形することができるパルス状放射線ビームを放出する任意のＥＵＶ光源で実行することができる。例示的なプロセス９００を、ＥＵＶ光源４００に関して説明する。
【００６３】
ターゲット材料小滴の流れをターゲット材料供給装置４４７から放出する（９１０）。ターゲット材料小滴の流れはターゲット材料小滴４０５ａ及び４０５ｂを含む。ターゲット材料小滴の流れは、ターゲット位置４４２に向かって放出され又は放射される。小滴位置フィードバックシステム４５６を使用して、小滴４０５ｂがターゲット材料供給装置４４７とターゲット位置４４２との間にあることを判定することができる（９２０）。ターゲット材料小滴４０５ｂがターゲット供給装置４４７とターゲット位置４４２との間にある例を図４に示す。ある実施態様では、ターゲット材料小滴４０５ｂがターゲット供給装置４４７とターゲット位置４４２との間にある場合、ターゲット材料小滴４０５ｂは「−ｘ」方向に約１２０μｍ変位している。
【００６４】
空間的に延在しているターゲット分布６０５を生成する（９３０）。小滴４０５ｂがターゲット供給装置４４７とターゲット位置４４２との間にある間に、放射パルス４１７をターゲット材料小滴４０５ｂへと誘導し、その結果の物理的に変形したターゲット材料小滴が拡張できるようにすると、空間的に延在しているターゲット分布６０５が生成される。図５に示すように、放射パルス４１７とターゲット材料小滴４０５ｂとの相互作用が小滴を変形して、幾何分布５０５にする。相互作用の後に有限の期間が経過し、幾何分布５０５は、ターゲット位置４４２へと移動する間に細長くなり、空間的に延在しているターゲット分布６０５を形成する。放射パルス４１７は、ターゲット位置４４２へ到達する前に、ターゲット材料小滴４０５ｂへと誘導される。この方法で、ターゲット６０５が予備形成され、ターゲット位置４４２に到達したときに実質的に電離されていない。
【００６５】
ターゲット材料小滴４０５ｂと比較した場合、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、接近中のパルス状放射線ビームに面する面の断面直径が大きくなる。接近中のパルス状放射線ビームに面する面は、ビームの伝播方向を横断する面とすることができる。他の例では、面は、パルス状放射線ビームの伝播方向に対して、伝播方向を横断していないが、それでも空間的に延在しているターゲット分布６０５が光を増幅器４２０へと反射することができる角度で傾斜させることができる。断面直径が大きくなると、空間的に延在しているターゲット分布６０５が、ターゲット材料小滴４０５ｂより多くの光を増幅器４２０へと反射することができる。
【００６６】
反射光学系４１２を、光の一部をビーム経路４１０上で反射させるように位置決めする（９４０）。ビーム経路４１０がターゲット位置４４２に交差する。したがって、空間的に延在しているターゲット分布６０５が空間的にビーム経路４１０に一致すると、空間的に延在しているターゲット分布６０５及び反射光学系が光学キャビティ７０２を形成し、これは非共振型とすることができる（図７）。増幅光ビームを、空間的に延在しているターゲット分布６０５と反射光学系４１２との間に生成する（９５０）。
【００６７】
プロセス９００を別のターゲット材料小滴で繰り返して、利得媒体４２０の利得又は増幅を改良することができる。第２光ビームを、第１光ビームの２０〜４０ｎｓ後に形成することができる。これにより、ターゲット材料小滴を放射パルスで照射することによって形成された空間的に延在しているターゲット分布と反射光学系４１２との間に光学キャビティを繰り返し形成することにより、光パルスの列を発生させることができる。
【００６８】
図１０は、別の例示的なＥＵＶ光源１０００を示す。ＥＵＶ光源１０００はＥＵＶ光源４００と同様であり、ＥＵＶ光源１０００は、ターゲット材料小滴４０５ｂに放射パルス４１７を照射することによって、ターゲット材料小滴４０５ｂを物理的に変形して空間的に延在しているターゲット分布６０５にする。しかしながら、光源１０００は外部レーザ光源１００２を含む。外部レーザ光源１００２は、増幅器４２０の利得帯域内の光子を光学路４１０に供給する。
【００６９】
利得媒体４２０の連鎖の他方端でのように、例えばその端部で回転ミラーの穴を通してなど、光源１００２からの光を入射できる幾つかの方法がある。この光は、最初に空間的に延在しているターゲット分布で反射し、次にレーザに戻ることができる。
【００７０】
空間的に延在しているターゲット分布６０５がターゲット位置４４２に到達する直前のＥＵＶ光源１０００が示されている。空間的に延在しているターゲット分布６０５がターゲット位置４４２に到達すると、（分布６０５からの反射により）光学路４１０に供給された追加の光子が、増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃからの自然放出によって放出された光子に追加される。レーザ光源１００２からの光子は、増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃの利得帯域と同じ波長とすることができる。増幅器４２０ａ、４２０ｂ、及び４２０ｃによって増幅された追加の光子が存在することで、空間的に延在しているターゲット分布６０５と反射光学系４１２との間に光を発生する補助とすることができる。例えば、レーザ光源１００２がない同様のＥＵＶ光源と比較すると、空間的に延在しているターゲット分布６０５からの反射光が少ない状態で光を発生することができる。
【００７１】
他の実施態様も請求の範囲に入る。例えば、空間的に延在しているターゲット分布６０５は、円板からわずかに変化した形状を有することができる。空間的に延在しているターゲット分布は、例えば１つ以上の平坦な側部及び／又は窪んだ面を有することができる。空間的に延在しているターゲット分布は、椀状の形状を有することができる。
【００７２】
図３に示す例では、ドライブレーザシステム３１５及びプリパルス光源３２４が別個の光源として示されている。しかしながら、他の実施態様では、放射パルス３１７（放射パルス４１７として使用することができる）及び増幅光ビーム３１６の両方をドライブレーザシステム３１５で発生させることが可能である。このような実施態様では、ドライブレーザシステム３１５は２つのＣＯ２シードレーザサブシステム及び１つの増幅器を含むことができる。シードレーザサブシステムの一方は、１０．２６μｍの波長を有する増幅光ビームを生成することができ、他方のシードレーザサブシステムは、１０．５９μｍの波長を有する増幅光ビームを生成することができる。これらの２つの波長は、ＣＯ２レーザの異なる線に由来することがある。２つのシードレーザサブシステムからの増幅光ビームは、両方とも同じ電力増幅器系統で増幅され、次に角度分散してチャンバ３４０内の異なる位置に到達する。一例では、１０．２６μｍの波長の増幅光ビームをプリパルス３１７として使用し、１０．５９μｍの波長の増幅光ビームを増幅光ビーム３１６として使用する。他の例では、異なる波長を発生することができるＣＯ２レーザの他のラインを使用して、２つの増幅光ビームを発生させることができる（一方は放射パルス３１７であり、他方は増幅光ビーム３１６である）。
【００７３】
増幅光ビーム３１６及び放射パルス３１７をチャンバ３４０へと誘導する光学要素３２２（図３）は、増幅光ビーム３１６及び放射パルス３１７を同様の経路に沿って誘導することができる任意の要素とすることができる。例えば、光学要素３２２は、増幅光ビーム３１６を受けて、チャンバ３４０に向かって反射するダイクロイックビームスプリッタとすることができる。ダイクロイックビームスプリッタは、放射パルス３１７を受け、パルスをチャンバ３４０へと伝達する。ダイクロイックビームスプリッタは、例えばダイヤモンドで作成することができる。
【００７４】
他の実施態様では、光学要素３２２は、アパーチャを規定するミラーである。この実施態様では、増幅光ビーム３１６は、ミラー表面で反射して、チャンバ３４０へと誘導され、放射パルスはアパーチャを通過して、チャンバ３４０へと伝播する。
【００７５】
さらに他の実施態様では、くさび形光学系（例えばプリズム）を使用して、主パルス３１６、プリパルス３１７、及びプリパルス３１８をその波長に従って異なる角度に分離することができる。くさび形光学系は、光学要素３２２に追加して使用することができる、又は光学要素３２２として使用することができる。くさび形光学系は、集束アセンブリ３２６の（「−ｚ」方向で）すぐ上流に位置決めすることができる。
【００７６】
さらに、パルス３１７及び３１８は他の方法でチャンバ３４０に送出することができる。例えば、パルス３１７は、光学要素３２２又は他の誘導要素を使用せずに、パルス３１７及び３１８をチャンバ３４０に送出する光ファイバ及び／又は集束アセンブリ３２６を通して進行することができる。これらの実施態様では、ファイバは放射パルス３１７及び３１８を、チャンバ３４０の壁に形成された開口を通してチャンバ３４０の内部へと直接搬送する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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