(57)【要約】  高速ＥＵＶを使用するための方法は、チャンバをエッチングするのに有害であり得る添加剤を有するレジストを含む。方法は、反転材料及び／又は反転技術を使用するステップ、並びに拡散律速エッチバックと、パターン作成及び転写のためのスリミングステップとを含む。高速ＥＵＶレジストを有する基板は、リソグラフィパターンかされ、パターン化レジストマスクに現像される。画像逆転材料は、その後、前記パターン化レジストマスクの上にオーバーコートされ、それにより画像反転材料は、前記パターン化レジストマスクを充填し、且つ覆う。前記画像反転材料の上部は、除去され、それにより前記パターン化レジストマスクの最上面は、露出される。前記パターン化レジストマスクは、除去され、それにより画像反転材料は残り、パターン化画像反転材料マスクを生じる。残存するレジスト材料は、酸拡散を使用するスリミングプロセス、及び引き続く現像を介して除去される。
2016539361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をパターニングするための方法であって、当該方法は、
放射線感受性層を有する基板を受け取るステップであって、前記放射線感受性層は、極端紫外線リソグラフィに曝露されるとき、約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む、ステップと；
極端紫外線リソグラフィプロセスを介して前記放射線感受性層に転写されたパターンを現像することにより、前記基板の上にパターン化レジストマスクを作成するステップであって、放射線感受性層に転写されたパターンを現像することによって、極端紫外線リソグラフィプロセスは、前記基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線の露出を含み、前記極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍの波長を有する、ステップと；
画像反転材料で前記パターン化レジストマスクをオーバーコートするステップであって、それにより前記画像反転材料は、前記パターン化レジストマスクを充填し、且つ、覆う、ステップと；
前記画像反転材料の上部を除去するステップであって、それにより前記パターン化レジストマスクの最上面が露出される、ステップと；
前記パターン化レジストマスクを除去するステップであって、それにより前記画像反転材料は残り、パターン化画像反転材料マスクを生じる、ステップと；
前記パターン化画像反転材料マスクをスリミングするステップであって、それにより前記パターン化画像反転材料マスクの初期寸法が減少し、且つ、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料が除去される、ステップと；
を含む、方法。
【請求項２】
前記放射線感受性層は、前記基板の表面積の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線で、前記放射線感受性層の溶解度を変更可能にする添加剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記添加剤は、酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムからなる群から選択されたナノ粒子の懸濁液を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターン化レジストマスクは、標準偏差約３ｎｍ以下を有する、約４ｎｍ未満のエッジラフネス値で特徴づけられ、且つ、
前記レジストマスクは、約４０ｎｍ未満の限界寸法（ＣＤ）で特徴づけられる、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記画像反転材料の上部を除去するステップは、ウェットエッチングプロセスを使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチングプロセスを使用するステップは、：
酸で前記画像反転材料をコーティングするステップと；
前記酸をベークするステップであって、それにより前記酸は、前記画像反転材料の上部に拡散し、且つ、前記画像反転材料の上部の溶解度を変化させる、ステップと；
前記画像反転材料を現像するステップであって、それにより前記画像反転材料の上部は除去される、ステップと；
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記画像反転材料の上部をエッチングするステップは、ドライエッチングプロセスを使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パターン化画像反転材料マスクをスリミングするステップは、ウェットエッチングプロセスを使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェットエッチングプロセスを使用するステップは、：
酸で前記画像反転材料をコーティングするステップと；
前記酸をベークするステップであって、それにより前記酸は、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面に拡散し、且つ、前記パターン化画像反転材料マスクの前記露出面の溶解度を変化させる、ステップと；
前記パターン化画像反転材料マスクを現像するステップであって、それにより前記パターン化画像反転材料マスクの前記露出面は、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料を除去するのに十分な深さまで除去される、ステップと；
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
パターン化下地層を生じるドライエッチングプロセスを介して、下地層に前記パターン化画像反転材料マスクにより定義されるパターンを転写するステップと；
前記パターン化画像反転材料マスクを除去するステップと；
側壁画像転写プロセスを実行するステップであって、前記側壁画像転写プロセスのためのマンドレルとして、前記パターン化下地層を使用する、ステップと；
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記側壁画像転写プロセスを実行するステップは、：
前記パターン化下地層にコンフォーマル膜を適用するステップと；
前記コンフォーマル膜を部分的にエッチングするステップであって、それにより前記パターン化下地層の二重のパターンが、前記コンフォーマル膜により作成される、ステップと；
前記パターン化下地層を除去するステップと；
前記コンフォーマル膜の下にあるマスク層に、前記二重のパターンを転写するステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板をパターニングするための方法であって、当該方法は、
放射線感受性層を有する基板を受け取るステップであって、前記放射線感受性層は、極端紫外線リソグラフィに曝露されるとき、約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む、ステップと；
極端紫外線リソグラフィプロセスを介して前記放射線感受性層に転写されたパターンを現像することにより、前記基板の上にパターン化レジストマスクを作成するステップであって、放射線感受性層に転写されたパターンを現像することによって、極端紫外線リソグラフィプロセスは、前記基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線の露出を含み、前記極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍの波長を有する、ステップと；
画像反転材料で前記パターン化レジストマスクをオーバーコートするステップであって、それにより前記画像反転材料は、前記パターン化レジストマスクを充填し、且つ、覆う、ステップと；
前記画像反転材料の上部を除去するステップであって、それにより前記パターン化レジストマスクの最上面が露出される、ステップと；
前記パターン化レジストマスクを除去するステップであって、それにより前記画像反転材料は残り、パターン化画像反転材料マスクを生じる、ステップと；
を含む、方法。
【請求項１３】
前記放射線感受性層は、前記基板の表面積の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線で、前記放射線感受性層の溶解度を変更可能にする添加剤を含み、
前記パターン化レジストマスクは、標準偏差約３ｎｍ未満を有する、約４ｎｍ未満のエッジラフネス値で特徴づけられ、且つ、
前記パターン化レジストマスクは、約４０ｎｍ未満の限界寸法（ＣＤ）で特徴づけられる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記添加剤は、酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムからなる群から選択されたナノ粒子の懸濁液を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記画像反転材料の上部を除去するステップは、ウェットエッチングプロセスを使用するステップを含み、
前記ウェットエッチングプロセスは、前記画像反転材料の上部に酸を拡散させるステップであって、前記酸は、前記画像反転材料の上部の溶解度を変化させる、ステップを含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
側壁画像転写プロセスを実行するステップであって、前記側壁画像転写プロセスのためのマンドレルとして、前記パターン化画像反転材料マスクを使用する、ステップと；
前記側壁画像転写プロセスを実行するステップの前に、前記パターン化画像反転材料マスクをスリミングするステップであって、それにより前記パターン化画像反転材料マスクの初期寸法が減少し、且つ、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料が除去される、ステップと；
をさらに含む、請求項１２に記載の方法であって、
前記パターン化画像反転材料マスクをスリミングするステップは、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面に酸を拡散させるステップであって、それにより拡散した酸は、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面の溶解度を変化させる、ステップを含む、方法。
【請求項１７】
基板をパターニングするための方法であって、当該方法は、
放射線感受性層を有する基板を受け取るステップであって、前記放射線感受性層は、極端紫外線リソグラフィに曝露されるとき、約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む、ステップと；
極端紫外線リソグラフィプロセスを介して前記放射線感受性層に転写されたパターンを現像することにより、前記基板の上にパターン化レジストマスクを作成するステップであって、放射線感受性層に転写されたパターンを現像することによって、極端紫外線リソグラフィプロセスは、前記基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線の露出を含み、前記極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍの波長を有する、ステップと；
ウェットエッチングプロセスを使用して、前記パターン化レジストマスクをスリミングするステップであって、前記ウェットエッチングプロセスは、前記パターン化レジストマスクの露出面に酸を拡散させるステップを含み、それにより拡散酸は、前記パターン化レジストマスクの露出面の溶解度を変化させ、スリミングするステップは、前記パターン化レジストマスクの露出面の初期エッジラフネス値と比べて、前記パターン化レジストマスクのエッジラフネス値を改善する、ステップと；
側壁画像転写プロセスのためのマンドレルとして前記パターン化レジストマスクを使用して、側壁画像転写プロセスを実行するステップであって、前記側壁画像転写プロセスは、ドライエッチングプロセスを介して下地層に前記パターン化レジストマスクの二重のパターンを転写する、ステップと；
を含む、方法。
【請求項１８】
前記放射線感受性層は、前記基板の表面積の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線で、前記放射線感受性層の溶解度を変更可能にする添加剤を含み、
前記パターン化レジストマスクは、約４ｎｍ未満の初期エッジラフネス値で特徴づけられ、且つ、
前記パターン化レジストマスクは、約４０ｎｍ未満の限界寸法（ＣＤ）で特徴づけられる、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記添加剤は、酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムからなる群から選択されたナノ粒子の懸濁液を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記パターン化レジストマスクをスリミングするステップは、
前記酸で前記パターン化レジストマスクをコーティングするステップと；
前記酸をベークするステップであって、それにより前記酸は、前記パターン化レジストマスクの露出面に拡散する、ステップと；
前記パターン化レジストマスクを現像するステップであって、それにより前記パターン化レジストマスクの露出面は除去される、ステップと；
を含む、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれている、２０１３年１１月９日に出願された米国仮特許出願第６１／９０２，２２３（発明の名称「ＥＵＶリソグラフィを、加速するためのポスト処理メソッドを使用する方法」）の利益を主張する。本出願はまた、その全体が参照により本明細書に組み込まれる２０１３年１１月８日に出願された米国仮特許出願第６１／９０１，７６８（発明の名称「化学研磨及び平坦化のための方法」と題する）の利益を主張する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
本発明は、基板上に薄膜や様々な層をパターニングすることに関する。このようなパターニングは、フォトリソグラフィのパターニングスキーム内の半導体デバイスを製造するためのパターニングを含む。
【０００３】
（フォトリソグラフィなどの）材料の処理方法においては、パターン化層の作成は、基板の上面に、フォトレジスト（レジスト）などの放射線感受性材料の薄層の塗布を含む。この放射線感受性材料は、エッチングプロセスなどにより、基板上の下地層にパターンを転写するために使用することができるパターン化(patterned)マスクに変換される。放射線感受性材料のパターニングは、一般に、スキャナ又はステッパツールなどの、例えば、フォトリソグラフィーシステムを使用して、放射線感受性材料上にレチクル（及び関連する光学系）を介して放射線源による曝露(exposure)を含む。この暴露は、その後、現像(developing)溶媒を使用して、（ポジ型フォトレジストの場合として）放射線感受性材料の照射領域、又は（ネガ型レジストの場合として）非照射領域の除去が続くことができるこのマスク層は複数の(multiple)サブ層を含むことができる。
【０００４】
極端紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィは、各種レジスト膜をパターニングするのにＥＵＶ放射を使用するように設計された新しい技術である。このパターニングは、集積回路を製造するために使用されるような微細加工プロセスの一部とすることができる。ＥＵＶ放射は、１２４ｎｍ（低い方へ(down)）〜１０ｎｍ周辺の光スパニング(spanning)波長を含むことができる。ここで(with)ＥＵＶフォトリソグラフィは、１０〜２０ｎｍの波長を使用しようとする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
概要
従来の極端紫外線（ＥＵＶ）レジスト膜は、比較的遅い現像(development)時間を有する傾向がある。例えば、このようなレジストは、ＥＵＶ露光(exposure)の７０ミリジュール（ｍＪ）以上を必要とし得、これは(which)、重要かつ費用のかかる課題である。従って、高速ＥＵＶレジスト、即ち、有意に短い現像時間を有するレジストは、ＥＵＶリソグラフィのために有益である。一つの特定の高速レジストが、開発された(developed)。この高速レジストは、露光時間や必要なエネルギーを低減するために、ハフニウムのナノ粒子を使用するが、この高速レジストを使用することは問題がある。例えば、一つの問題は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）である。別の問題は、（酸化ハフニウムを含む）特定のナノ粒子は、エッチングチャンバ内部で有害であり、且つ、プラズマ処理チャンバ内部でこのような材料を有する基材を配置しないようにすることが望ましいことである。従って、粗さの問題を克服すること、及び／又はチャンバをエッチングしにくい(unfriendly)粒子は、微細加工プロセスで使用するための高速ＥＵＶレジストを可能にするために有用であり得る。
【０００６】
一般的に半導体産業は、ＥＵＶリソグラフィとＥＵＶツールとを機能させることに重大な関心を持っている。半導体ロードマップの成功は、ＥＵＶツールの成功にかかっている。ＥＵＶ現像(development)のスピードは、ＥＵＶ線量(dose)にある程度関係がある。
【０００７】
高速レジストは、おおよそ１０倍にＥＵＶの投与量を減少させる能力を持っている。高速レジストの一例が、コーネル大学、Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈｅｒ  Ｏｂｅｒ「無機ナノ粒子のフォトレジストの現状」０２／１２／１２、ニューヨーク州イサカによって開発され、International  EUV  initiative、ｈｔｔｐ：／／ｉｅｕｖｉ．ｏｒｇ／ＴＷＧ／Ｒｅｓｉｓｔ／２０１２／０２１２１２／８−Ｏｂｅｒ−ＳＥＭＡＴＥＣＨ＿ＴＷＧ＿２０１２＿ｆｉｎａｌ．ｐｄｆに公開された。その内容は、その全体を参照により本書に含まれる。この特定のレジストは、当該レジストを現像する前に、ＥＵＶの放射線量(dosage)を減少させるためにハフニウムナノ粒子を使用する。このハフニウム酸化物ナノ粒子レジストに起因する１つの課題(challenge)は、関連する問題のため、それを使用する許容可能な方法がないことである。一つの問題は、これらの粒子は、エッチングチャンバ内部で非常に有害であることである。エッチングチャンバからこれらの粒子を締め出すことが強く望まれる。別の問題は、ラインエッジラフネスの忠実度(fidelity)は、所望の仕様を満たしていないということである。
【０００８】
従って、１つのＥＵＶリソグラフィ課題は、エッチングチャンバに有害又は好ましくない、添加剤又はナノ粒子を有していてもよい高速レジストを使用することである。高速レジストを使用することに起因するその他の課題は、それらが許容できない粗さと解像度を提供することである。本書における技術は、チャンバをエッチングしにくい(unfriendly)かもしれない高速ＥＵＶレジストを使用するための新規な方法を含む。テクニックは、反転材料及び／又は反転テクニック、並びに拡散律速エッチバック及びスリミング(slimming) テクニックを使用することを含む。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
例えば、本明細書における実施形態は、基板をパターニングするための方法を含む。このような方法は、放射線感受性層を有する基板を受け取ることを含むことができる。極端紫外線リソグラフィに曝露されたときに約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む放射線感受性層。次に、パターン化レジストマスクは、極端紫外線リソグラフィプロセスを介して放射線感受性層に転写されたパターンを現像することにより、基板上に作成することができる。極端紫外線リソグラフィ工程は、基板の平方センチメートル当たりの約１０ｍＪ未満の極端紫外線の曝露を含む。極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍの波長を有しています。画像反転材料は、その後パターン化レジストマスク上にオーバーコートされ、それにより、画像反転材料は、パターン化レジストマスクを充填し、且つ、覆う。画像反転材料の上部(upper  portion)は除去され、それにより、パターン化レジストマスクの最上面(top  surfaces)が露出する。パターン化レジストマスクを、また除去し、それにより、画像反転材料は残り、パターン化画像反転材料マスクを生じる。パターン化画像反転材料マスクは、その後スリミングされ、それにより、パターン化画像反転材料マスクの初期寸法は減少し、且つ、パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた、残存レジスト材料は除去される。
【００１０】
その他の実施形態は、パターン化下地層を生じるドライエッチングプロセスを介して、下地層に前記パターン化画像反転材料マスクにより定義されるパターンを転写するステップを含む。前記パターン化画像反転材料マスクは、前記側壁画像転写プロセスのためのマンドレルとして、前記パターン化下地層を使用する、側壁画像転写プロセスステップを実行するため、その後除去され得る。
【００１１】
もちろん、本明細書に記載のように、異なる手順の説明の順序は、明確にするために提示された。一般に、これらのステップは、任意の適切な順序で行うことができる。また、異なる特徴、技術、構成の各々は、本明細書本開示の別の場所で議論されてもよいが、概念のそれぞれは、互いに独立して又は互いに組み合わせて、実行できることが意図される。従って、本発明は多くの異なる方法で具体化し、表示することができる。
【００１２】
この要約セクションでは、全ての実施形態及び／又は本開示又は特許請求された発明の漸増(incrementally)新規な態様を指定していないことに注意されたい。その代わりに、この要約は、異なる実施形態と従来技術に比べて新規性の異なる実施形態及び対応点についての予備的な議論を提供する。さらなる詳細及び／又は本発明及び実施形態の可能な観点については、以下にさらに説明するように、本開示の詳細な説明のセクション及び対応する図面を参照されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明の様々な実施形態のより完全な理解及び付随する利点の多くは、添付図面と併せて考慮される以下の詳細な説明を参照して容易に明らかになるであろう。図面は、必ずしも縮尺ではなく、その代わり、特徴、原則及び概念を説明することに重点が置かれる。図１〜１５は、基板をパターニングするための処理シーケンスを示す基板の部分の概略断面図である。
【００１４】
【図１】基板の部分の概略断面図である。
【図２】基板の部分の概略断面図である。
【図３】基板の部分の概略断面図である。
【図４】基板の部分の概略断面図である。
【図５】基板の部分の概略断面図である。
【図６】基板の部分の概略断面図である。
【図７】基板の部分の概略断面図である。
【図８】基板の部分の概略断面図である。
【図９】基板の部分の概略断面図である。
【図１０】基板の部分の概略断面図である。
【図１１】基板の部分の概略断面図である。
【図１２】基板の部分の概略断面図である。
【図１３】基板の部分の概略断面図である。
【図１４】基板の部分の概略断面図である。
【図１５】基板の部分の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
詳細な説明
本書における技術は、チャンバをエッチングする非友好的であってもよい添加物や材料を持つレジスト高速ＥＵＶを使用するための新規な方法を含む。テクニックは、反転材料及び／又は反転テクニック、並びに拡散律速エッチバック及びスリミング(slimming) テクニックを使用することを含む。このようなテクニックは、様々な高速レジストの使用を可能にする。本明細書の技術に関して、非限定的な例として、ＥＵＶレジストが、下にある(underlying)反射防止コーティング（ＡＲＣ）層及び下の方の(beneath)層をパターニングするため、並びに１以上の二重パターニングプロセスを実行するため、使用することができる。
【００１６】
実施形態は、基板をパターニングするための方法を含む。図１を参照すると、図１は、概略断面図は、基板の部分の一例を示す。放射線感受性層１２０は、一つ以上の下位レベル(underlying  levels)を有する基板上に堆積される。コータ／デベロッパツール又はトラックツールは、放射線感受性層１２０を堆積させるために使用することができる。放射線感受性層１２０は、高速レジストであり得る。その場合(in  that)、放射線感受性層１２０は、与えられた基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線に曝露後、完全には現像することができる。従来、リソグラフィ被爆線量(exposure  dosages)は、平方センチメートル当たりの投入エネルギーに換算して与えられる。従って、放射線感受性層１２０は、従来のフォトレジストよりも５〜１０倍速い現像速度を有することができる。高速レジストの一例は、酸化ハフニウムを含有するフォトレジスト（ナノ粒子を包埋又は懸濁含有するレジスト）である。放射線感受性層１２０は、比較的速い現像速度を提供するように選択／構築され得るが、添加されたナノ粒子は、エッチングチャンバ内でエッチングンするのに安全なプロダクト組成物を提供しても、しなくてもよい。換言すれば、エッチングの際、放射線感受性層１２０は、従来の半導体エッチングチャンバに損傷を及ぼす粒子を放出することができる。放射線感受性層１２０に関する(with)別の課題は、与えられた半導体製品の設計のために指定された粗さに比べて得られる粗さの程度が粗すぎるという点で、許容可能なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を提供しないことである。
【００１７】
下にある(underlying)放射線感受性層１２０は、様々な材料及び厚さの複数の(multiple)層とすることができる。本明細書の実施形態の説明の便宜上、実施例は、基板１０５上の３層スタックに主に焦点を当てる。放射線感受性層１２０より下に位置する転写層１１５は、次に(in  turn)マスク層１１０（ターゲット層）の上に配置され、パターンは、最終的にその中に転写することができる。
【００１８】
ＥＵＶフォトリソグラフィのイメージング技術を使用すると、パターン（フォトリソグラフィパターン）は、放射線感受性層１２０に転写することができる。イメージングを、例えば３２ｎｍの設定ポイントにおいて実行すると、イメージングのために使用されたエネルギーは、およそ６．６ｍＪ／ｃｍ２であり得、３．８ｎｍ周辺のライン幅ラフネス（ＬＷＲ）値が得られる。これは、もっぱら設定ポイントの一例であることに留意されたい。別に一例において、興味の対照が、（１６ｎｍの具体的限界寸法を有する）１６ｎｍのノードを有することであるならば、従来のＥＵＶレジストは、１ｃｍ２当たりの放射線３０〜６０ｍＪを必要とし得る。従って、放射線感受性層１２０は、現像速度の有意な増加をもたらすことができる。
【００１９】
放射線感受性層１２０は、膜として適用することができる。このような膜は、コータ／デベロッパツール又はトラックツールにおいて、スピンコーティングなどの従来の技術により塗布し、その後、ベークし（baked）、ＥＵＶリソグラフィツールに転写することができる。その後、基板は、熱処理システムに戻り、且つ、曝露後(post-exposure)ベークを受け取ることができる。その後(after  which)、曝露した放射線感受性層は現像され得、それにより、可溶性部分が、溶解され、且つ、除去され（曝露もしくは未曝露部分は、レジストがポジ型もしくはネガ型であるかに依存する）、図２に示すように、放射線感受性層１２０から現像されたパターン化レジストマスク１２１をもたらす。図２は、この実施例の断面図における２つのプラグ又はラインとしてパターン化レジストマスク１２１を表す。
【００２０】
従来のレジスト及びその他のＥＵＶレジストと比較して、放射線感受性層１２０に起因する(with)１つの違いは、放射線感受性層１２０は、（例えば、ハフニウム酸化物のような）ナノ粒子及び／又はその他の成分を含むことができることである。これらのナノ粒子の溶解度は、ナノ粒子が、拡散特性又は拡散のための性質を有するようにすることができる。これらのナノ粒子は、フォトレジスト内に懸濁され、その後、このフォトレジストは、従来通りに分配され(dispensed)、処理され、曝露され、且つ、スピンキャストすることができる。従って、放射線感受性層１２０は、従来のツール上で処理された膜であり得る。それでもやはり、高速レジストそれ自体は、従来は使用されていない。
【００２１】
パターン化放射線感受性層１２１を作成するために、潜像パターンを現像した後、マスクとして放射線感受性層１２０を使用して、エッチングチャンバ内の下地層をエッチングすることが望ましくないかもしれない。なぜなら、放射線感受性層１２０は、エッチングチャンバを汚染する粒子を放出し得るためである。有害又は潜在的に有害な粒子を有する高速レジストの使用を可能にするため、本書におけるテクニックは、１以上の反転ステップを実行することを含む。例えば、画像反転オーバーコートを、基板スタックに適用することができる。このようなテクニックは、コータ／デベロッパツールを使用して実行することができる。図３を参照すると、画像反転材料１２５のオーバーコートは、パターン化レジストマスク１２１の上に適用される。画像反転材料１２５は、溶解度変化のためのポテンシャルを有し得、それにより、画像反転材料１２５の上部は、可溶性になるように、その溶解度をシフト、もしくは変化させてよい。このオーバーコートプロセスは、エッチバック、又はストップ及び充填、その後、エッチバックステップを含むことができる。いくつかの用途の場合、ウェットエッチング又はドライエッチングプロセスが続いて使用されているかどうかに依存し得る、いくつかの残存溶解度を有する現像バック(develop-back)を選択することに利点と欠点がある。いずれの数の反転剤は、画像反転材料１２５、例えば残存現像バック性能(capability)を有するポリマー、のために使用することができる。代替の実施形態において、酸化物膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）、又はドライエッチングを使用するエッチバックに続いて、使用することができる。
【００２２】
画像反転材料は、固有の溶解度ポテンシャルを有し、従来のフォトレジストと同様に挙動するように選択することができる。それにより、画像反転材料がウェットスリミングに応答することができる。代替の実施形態は、レジストのように動作しない材料を使用することができ、且つ、これらの実施形態において、等方性エッチングは、パターン化レジストマスクを明らかにするため、画像反転材料をスリム化する、及び／又はエッチバックするために、行うことができる。従って、光酸拡散によってその溶解度をシフトする能力を有する反転材料を選択することに応答して、ウェットスリミングを使用することができる。光酸に対して感受性でない反転材料（ＳｉＡＲＣ反転又は現像可能ＳｉＡＲＣ材）を使用することに応じて、その後、ドライエッチングの一形態、制御可能なエッチング深さを有する原子層エッチング又はその他のエッチングテクニック、を使用することができる。
【００２３】
画像反転材料１２５は、パターン化レジストマスク１２１の一部をオーバーコート、過剰充填(overfill)、又はそうでなければ、部分的に覆うことができる。このため、エッチバックプロセスは、パターン化レジストマスク１２１を明らかにするために使用することができる。本書におけるテクニックにより、基板は、このエッチバックプロセスのためのコータ／デベロッパシステム内に残ることができる。一実施形態において、画像反転材料１２５の拡散律速酸トリミングを行うことができる。ケミカルトリムオーバーコートは、適用した酸が、（酸もしくは溶解度が変化する作用剤が適用される）最上面から、下向きに(down)、膜内へ拡散し、且つ膜の溶解度を変化させる、一例である。このような溶解度の変化は、特定の現像剤(developer)、溶媒、現像剤のグループに対応し得る。画像反転材料１２５の上部の溶解度におけるこの変化の後、基板は、この上部を溶解及び除去するため、コータ／デベロッパにより再び処理され得る。このプロセスは、ウェットエッチングプロセスの一タイプと見なされる。エッチングチャンバを使用する実施形態において、エッチングチャンバ内で放射線感受性層１２１から粒子が放出されること、それによりエッチングチャンバを汚染すること、を避けるため、不完全なエッチングを行うことができる。コータ／デベロッパシステム内でエッチバックを行う場合には、ウェットエッチングを、例えば溶解シフトのためのトップダウン拡散と共に、実行することができる。
【００２４】
本明細書に開示されるような一つのテクニックは、トップダウン酸トリムバックのための酸で、スタックをコート（もしくはオーバーコート）することである。トップダウン酸トリムバックは、最上部(top)における酸作用剤で基板スタックをコーティングすることを含む。その後、スタックはベークされ、それにより、酸は膜内へ下方に拡散し、つまり、画像反転材料１２５の上部内に拡散する。その結果は、トップダウン溶解度プロファイル変化を受け取る画像反転材料１２５である。現在可溶性である画像反転材料１２５の上部については(with)、膜を洗浄、且つ、現像することができ、それにより、画像反転材料１２５の上部が除去される。図４は、トップダウン酸トリムバックから得られる一例を示す。放射線感受性層１２０からの材料は、現在露出される、又は曝露されることを説明するため、パターン化レジストマスク１２１は、画像反転材料１２５より上方に突出することができることに留意されたい。いくつかのパラメータは、酸拡散の量又は深さを制御するように調整することができる。例えば、ベーク時間、オーバーコートの濃度、光酸の分子量、ベーク温度、添加された酸を駆動するための追加のオーバーコート曝露、酸性基の種類、など。
【００２５】
トップダウントリムバックの後、画像反転材料１２５は、ベークにより固定(set)又は凍結(frozen)することができる。換言すれば、熱処理は、さらに溶解度シフトを持つ材料の能力を除去することができる。その後、パターン化レジストマスク１２１を除去することができる。図５は、このような除去後に得られるスタック積層体を示す。放射線感受性層を除去して、その結果は、パターン化像反転材料マスク１２６である。高速レジストを削除することは有益である。なぜなら、後続の処理中、エッチングチャンバ内の汚染を防止するため、基板スタックから有害な（又は潜在的に有害な）ナノ粒子を除去することが望ましいためである。ナノ粒子のすべてが、トップダウントリムバックステップにより除去／溶解されるわけではないことに留意されたい。なぜなら、ナノ粒子の一部は、パターン化画像反転材料マスク１２６により定義される画像反転材料１２５の表面に埋め込まれることになるためである。いくつかのナノ粒子は、拡散態様を有し、且つ、隣接する材料に移動してよく、又はそうでなければ、インタフェース領域において絡まる。領域１２７は、ナノ粒子がパターン化画像反転材料マスク１２６の側壁内に埋め込まれたようになってしまった場所、本質的には、反転剤が放射線感受性材料と相互作用した(interfaced  with)場所を示す。
【００２６】
拡散律速(diffusion-limited)スリミングプロセスは、今度は、これら残存ナノ粒子を除去するために使用することができる。これはウエットスリミングプロセスであり得、ナノ粒子が潜在的な汚染物質である場合は特に有益である。一実施形態において、光酸が再びスタックに適用され、且つ、パターン化画像反転材料マスク１２６の最上面を貫通して(through)、及び側壁を貫通して、下方にベークする。このステップは、拡散律速スリミングを提供するために実行され、即ち、後続の材料除去は、光酸（又は他の作用剤(agent)）が可溶性にした、又は溶解度を変更した部分に制限されるであろう。従って、酸適用及び拡散の後、スタックは、この新たに可溶性の部分を除去するために現像することができる。パターン化レジストマスク１２１を除去した後のいずれのベーキングステップは保留されてよく、それにより、画像反転材料が、残存粒子を除去するための可溶性をシフトさせるポテンシャルを維持することに留意されたい。このウェットスリミングプロセスのより詳細な説明は、２０１３年１１月８日に出願された「化学研磨及び平坦化のための方法」と題する米国仮出願シリアル番号６１／９０１７６８において見られる。
【００２７】
図６において、図５と比べて薄型化(slimmed  down)したフィーチャを有するパターン化画像反転材料１２６が示される。このようなトリムバックはまた、パターン化画像反転材料マスク１２６に平滑化(smoothing)を提供でき、特定のＬＷＲをもたらし、且つ、ドライエッチング／プラズマエッチングチャンバ内の汚染を引き起こす可能性のある全ての有害なナノ粒子（例えばＨｆナノ粒子）をストリッピング除去した。よって、本明細書に開示されているように、拡散律速スリムバックは、複数のアプリケーションを有することができる。
例えば、高速レジストパターンを露出する(reveal)ため、並びに反転剤内で残存ナノ粒子を除去するため、反転剤オーバーコートを完全に(through)エッチングすることにより、拡散律速スリムバックは、ＣＭＰの代替として、並びに平滑化／スリミングのの代替として使用することができる。このように図６は、より小さく、且つ、すべての汚染物質が除去され、後続のパターン転写のための準備ができたＬＷＲを有する、パターンを示す。いくつかのナノ粒子は、フォト材料内で拡散の濃度勾配を停止しない可能性があることに留意されたい。なぜならば、ナノ粒子のマトリックス内に保護基を変更する光酸が埋め込まれたままである限り、まだ画像を作成できるため、且つ、あたかもこれらがそこになかったかのように、ナノ粒子を完全に(through)現像する現像剤を有するためである。
【００２８】
今度は図７を参照すると、パターン化画像反転材料１２６は、下にある転写層１１５のような１つ以上の下地層へ転写することができる。この時点で、基板スタックは、有害な粒子による汚染の危険性なしに、プラズマエッチングチャンバ内でエッチングすることができる。別の利点は、許容可能なライン幅ラフネス及び／又はパターンのラインエッジラフネスを有することである。従来のＥＵＶレジスト（高速ではないレジスト）では、この段階までに、多くの場合、３２ｎｍＣＤセットポイント以下には許容できないＬＷＲが存在する。
【００２９】
図８において、画像反転材料を除去することができ、側壁画像転写（ＳＩＴ）プロセスなどの追加の製造ステップを続行するため、マンドレル１１５を残す。最初のマンドレルＬＷＲは、おそらく最も重要である。マンドレルが粗い場合には、スペーサは、１つの平滑側面と１つの粗い側面を有しながら、作成され得る。本明細書におけるテクニックは、しかしながら、２つの平滑側面を有するスペーサをもたらすことができる。従って、本明細書に開示されたウェットスリミング／平滑化は、ＥＵＶ処理による画像の問題に対処するために使用することができる。従来、ＬＷＲ問題に起因して、高速ＥＵＶレジストは回避されてきた。本明細書のテクニックは、しかしながら、これらのプロセスフローによりＬＷＲの課題を軽減し、且つ、ＳＩＴ処理により解像度を軽減する。これらのプロセスステップの一つ以上は、ＥＵＶを成功できるようにし、そうでなければ、高速レジスト及びＥＵＶリソグラフィは、典型的には、下流の処理との互換性がない。
【００３０】
ＳＩＴ処理を継続し、且つ図９を参照すると、自己整合ダブルパターニング（ＳＡＤＰ）を続行するため、例えば原子層堆積を介して、コンフォーマル(conformal)膜１３０をマンドレル１１５上に塗布することができる。図１０において、コンフォーマル膜１３０は、エッチバックされて、スペーサ１３１を生成する。例えば、異方性エッチングが実行され、それにより、エッチング除去されるのを回避するため、材料が十分に厚い側壁の配置において、マンドレルのの最上部の上及びマスク層１１０の最上部の上の透明な材料が期待される。図１１において、スペーサ１３１を残して、マンドレル１１５は除去された。これは、本質的には図８からのパターンを二重にする(doubles)。図１２において、この２重パターンは、マスク層１１０に転写される。図１３において、(例えばエッチング又はアッシング又はウェット洗浄により)スペーサを除去することができ、所望の解像度、平滑性及び限界寸法を有する、パターン化されたマスクもしくはハードマスクをもたらす。ハードマスクの代わりに、永続的な構造がこの転写から得ることができる。いずれの数の後続の製造ステップを継続することができる。例えば、図１４及び図１５は、めっきダマシン(damascene)プロセスを実行することができること、ＣＭＰ及び洗浄、及び／又はマスク層１１０のその他の指定された使用が続くことを示す。
【００３１】
これらのいくつかのテクニックは、半導体製造用ＥＵＶのレジストの使用を可能にするのに役立つ。不十分なＬＷＲ、不十分な解像度、及び／又は汚染物質含有量のため、現在、高速レジストは商業的製造に使用されていない。本明細書における方法は、しかしながら、ＥＵＶリソグラフィ及び高速レジストの使用を可能にする。これらのプロセスは、スリミング剤と反転フローを一緒に使用することによりＬＷＲを扱う。これは、高速レジストのプラズマ／ドライエッチングの必要をなくすが、同時に(while)でいずれの有害なナノ粒子を除去する。換言すれば、ＬＷＲの問題は、エッチング選択性／汚染の問題と同様に対処される。拡散律速エッチバック及び逆転フロープロセスに加えて、側壁画像転写（ＳＩＴ）プロセスは、解像度の問題に対処し、ＣＤの仕様を満たすように追加することができる。いくつかの実施形態において、反転フローは、特に有害な高速レジストを用いた場合には、拡散律速エッチバックと結合することができる。特定の有害な高速レジストは、画像反転及び残留物質を除去した後、十分な解像度を提供することができる。解像度が十分でない場合、ＳＩＴスキームは、サブプロセスとして添加することができる。その他の実施形態において、特に、高速レジストが、許容可能なＬＷＲを提供するが、依然としてより高い解像度を必要とする場合、反転フローをＳＩＴプロセス（スリミング／エッチバックステップを除く）と結合することができる。その他の実施形態において、特に、有害粒子を含まない高速レジストを使用する場合、反転フローをスキップすることができる。このような実施形態において、ＥＵＶ画像転写及び現像後、処理フローは、粗さに対処するための拡散律速エッチバック、及びその後、解像度を修正するためのＳＩＴを含むことができる。
【００３２】
本明細書における実施形態は、基板をパターニングするための追加の複数の方法(methods)を含む。追加の一方法は、複数のステップを含むことができる。放射線感受性層を有する基板が受け取られ、又は設けられる。この放射線感受性層はまた、当該方法の一部として基板に適用することができる。放射線感受性層は、極端紫外線リソグラフィに曝露されたときに約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む。パターン化レジストマスクは、極端紫外線リソグラフィプロセスを介して放射線感受性層に転写されたパターンを現像することによって、基板の上にコートされる。極端紫外線リソグラフィプロセスは、基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線への露出を含む。極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍ、及び好ましくは約１０〜２０ｎｍの波長を有する。このエネルギー量により、放射線感受性層は十分に現像され得る。換言すれば、高速レジストが使用される。本明細書で使用されるような高速レジストは、約１０ｍＪ未満のＥＵＶ放射線で完全に現像され、約４０ｎｍ未満の解像度、及び３ｎｍ（又は、ラインもしくは幅のラフネスについて標準偏差３ｎｍ）未満のラフネスを提供することができるレジストを意味する。パターン化レジストマスクは、画像反転材料でオーバーコートされ、それにより、画像反転材料は、パターン化レジストマスクを充填、且つ、少なくとも部分的に覆う。典型的には、画像反転材料は、スピンオンされ、又はそうでなければ堆積し、且つ、このプロセス中にパターン化レジストマスクは本質的に覆われている。パターン化レジストマスクを覆うことは典型的であるが、必要ではない。反転材料は、パターン化レジストマスクの側壁の間に充填することができ、実際にパターン化レジストマスクの最上部を覆うことないが、そのような充填テクニックは、一般的に困難である。次に、画像反転材料の上部は除去することができ、それによりパターン化レジストマスクの最上面は曝露されている（露出され(revealed)、又は覆われていない（uncovered））。パターン化レジストマスクは、その後、画像反転材料が残るような(方法で)
除去され、パターン化画像反転材料マスクを生ずる。換言すれば、画像反転材料により定義されるパターン化したもの(the  patterned)は、第２の材料を使用して変転された。パターン化画像反転材料マスクは、その後、スリミングされ得、それにより、パターン化画像反転材料マスクの初期寸法は減少し、パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料が除去される。
【００３３】
放射線感受性層(高速レジスト)は、基板の表面積の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線で、放射線感受性層の溶解度を変更可能にする添加剤を含むことができる。例えば、添加剤は、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、等のナノ粒子の懸濁液を含むことができる。パターン化レジストマスクは、標準偏差約３ｎｍ以下を有する、約４ｎｍ未満のエッジラフネス値で特徴づけることができる。レジストマスクはまた、約４０ｎｍ未満の限界寸法（ＣＤ）で特徴づけることができる。
【００３４】
画像反転材料の上部を削除するステップは、ウェットエッチングプロセスを使用することを含むことができる。ウェットエッチングプロセスは、酸で画像反転材料をコーティングするステップと、その後、前記酸をベークするステップであって、それにより、前記酸が、画像反転材料の上部に拡散し、且つ、画像反転材料の上部の溶解度を変更する、ステップと、その後、画像反転材料を現像するステップであって、それにより、画像反転材料の上部が除去されるステップと、を含むことができる。酸拡散は、既定の厚さに制限することができ、前記厚さ(which)は、様々なファクタ、例えば酸の量、酸のタイプ、ベーク時間、圧力、等により制御することができる。代替の実施形態において、画像反転材料の上部をエッチングするステップは、ドライエッチングプロセスを使用することを含む。
【００３５】
パターン化画像反転材料マスクをスリミングするステップは、ウェットエッチングプロセスを使用することを含むことができる。例えば、パターン化画像反転材料マスクは、酸でコーティングされている。コーティングされた基板は、その後、ベークされ、それにより、酸は、パターン化が像反転材料マスクの露出面に拡散し、且つ、パターン化画像反転材料マスクの露出面の溶解度を変化させる。パターン化画像反転材料マスクは現像され、それにより、パターン化画像反転材料マスクの露出面は、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料を除去するのに十分な深さまで除去される。すべての汚染物質が除去されたことを確実にするため、このプロセスは、１回以上繰り返すことができることに留意されたい。
【００３６】
追加の実施形態において、パターン化画像反転材料マスクによって定義されたパターンは、パターン化下地層を生じるドライエッチングプロセスを経て、下地層に転写される。パターン化画像反転材料マスクは除去され、その後、側壁画像転写プロセスは、側壁像転写プロセスのためのマンドレルとしてパターン化下地層を使用して実行することができる。特定の高速レジスト及びＥＵＶリソグラフィ・プロセスが、指定された解像度を満たすことができない場合、これは有利である。側壁画像転写プロセスは、パターン化下地層にコンフォーマル膜を適用するステップことを含む。パターン化下地層は、除去され、その後、二重のパターンが、前記コンフォーマル膜の下にあるマスク層に転写される。
【００３７】
使用された高速レジストのタイプに基づき、様々なステップを含むか、除外することができるいくつかの代替実施形態があることに留意されたい。別の一実施形態において、基板をパターニングするための方法は、放射線感受性層を有する基板を受け取るステップを含む。放射線感受性層は、極端紫外線リソグラフィに曝露されるとき、約４０ｎｍ未満のリソグラフィ解像度を提供する材料特性を有するレジスト組成物を含む。極端紫外線リソグラフィプロセスを介して前記放射線感受性層に転写されたパターンを現像することにより、前記基板の上にパターン化レジストマスクが作成される。極端紫外線リソグラフィプロセスは、前記基板の平方センチメートル当たり、約１０ｍＪ未満の極端紫外線の露出を含み、前記極端紫外線は、約１０ｎｍ〜１２４ｎｍの波長を有する。前記レジストマスクは、画像反転材料でオーバーコートされ、それにより、前記画像反転材料は、前記パターン化レジストマスクを充填し、且つ、覆う。前記画像反転材料の上部が除去され、それにより、前記パターン化レジストマスクの上面が露出され、又は、覆われていない。前記パターン化レジストマスクは除去され、それにより、前記画像反転材料は残り、パターン化画像反転材料マスクを生じる。側壁像転写プロセスは、前記側壁像転写プロセスのためのマンドレルとしてパターン化画像反転材料マスクを使用して実行される。場合によって(optionally)、側壁像転写プロセスを実行するステップの前に、前記パターン化画像反転材料マスクをスリミングすることができ、それにより前記パターン化画像反転材料マスクの初期寸法が減少し、且つ、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面内に埋め込まれた残存するレジスト材料が除去される。このステップは、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面に酸を拡散させるステップであって、それにより拡散した酸は、前記パターン化画像反転材料マスクの露出面の溶解度を変化させる、ステップを含むことができる。
【００３８】
別の一実施形態において、反転ステップはスキップされ、且つ、パターン化レジストマスクは、ウェットエッチングプロセスを使用してスリミングされる。ウェットエッチングプロセスは、前記パターン化レジストマスクの露出面に酸を拡散させるステップを含み、それにより拡散酸は、前記パターン化レジストマスクの露出面の溶解度を変化させる。このスリミングするステップは、前記パターン化レジストマスクの露出面の初期エッジラフネスと比べて、前記パターン化レジストマスクのエッジラフネスを改善する。その後、側壁画像転写プロセスのためのマンドレルとして前記パターン化レジストマスクを使用して、側壁画像転写プロセスを実行することができ、前記側壁画像転写プロセスは、ドライエッチングプロセスを介して下地層に前記パターン化レジストマスクの二重のパターンを転写する。
【００３９】
前述の説明では、具体的な詳細、例えば、処理システムの特定のジオメトリ、本書で使用される様々なコンポーネント及びプロセスの説明、が記載されている。しかしながら、本書におけるテクニックは、これらの具体的詳細から離れるその他の実施形態において実施されてもよいこと、そのような詳細は、説明目的であって、制限するためのものではないことが理解されるべきである。本明細書に開示された実施形態は、添付の図面を参照して説明してきた。同様に、説明の目的のために、特定の数、材料、及び構成は、完全な理解を提供するために記載されている。それにもかかわらず、実施形態は、そのような特定の詳細なしに実施されてもよい。実質的に同一の機能構成を有する構成要素には、類似の符号が付され、そのためいずれの重複する説明は省略してもよい。
【００４０】
種々のテクニックは、様々な実施形態の理解を助けるために、複数の別個の動作として記載されている。説明の順序は、これらの操作が必ずしも順序に依存していることを意味すると解釈されるべきではない。実際、これらの動作は、提示の順序で実行する必要はない。説明した動作は、上記実施形態とは異なる順序で実行されてもよい。様々な追加の動作が実行されてもよい、及び／又は記載された動作は、さらなる実施形態では省略されてもよい。
【００４１】
一般に、本書で使用される「基板」又は「ターゲット基板」は、本発明に従って処理される物体(object)を意味する。基板は、デバイスの、特に半導体もしくはその他の電子デバイスの、いずれの材料部分もしくは構造を含んでよく、且つ、例えば、半導体ウエハのようなベース基板、レチクル、ベース基板の上の、もしくはの上にある層、例えば薄膜、であってよい。従って、基板は、いずれの特定のベース構造、下にある層もしくは上にある層、パターン化もしくは非パターン化に限定されないが、むしろ、いずれのこのような層もしくはベース構造、及び層及び／もしくはベース構造のいずれの組合せ、を含むことが意図される。説明は、基板の特定のタイプを参照することができるが、これは例示目的のためだけである。
【００４２】
当業者はまた、依然として本発明の同じ目的を達成しながら、上述したテクニックの操作に対してなされた多くのバリエーションが存在し得ることを理解するであろう。このようなバリエーションは、本開示の範囲に含まれることが意図される。このように、本発明の実施形態の上記の説明は、限定することを意図するものではない。むしろ、本発明の実施形態に対するいずれの制限は、以下の特許請求の範囲に示される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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