(57)【要約】  基板１１０と、該基板１１０上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極２１０と、前記基板１１０上に、前記第１のセンサ電極２１０と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極２２０と、前記複数個の第１のセンサ電極２１０のうち互いに隣接する第１のセンサ電極２１０を前記第１方向に連結する第１のブリッジ２３０と、前記複数個の第１のセンサ電極２１０、前記複数個の第２のセンサ電極２２０および前記第１のブリッジ２３０が形成された基板１１０上に形成される絶縁層３００と、前記絶縁層３００を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極２２０のうち互いに隣接する第２のセンサ電極２２０を前記第２方向に連結する第２のブリッジ２４０と、を含み、前記第１のブリッジ２３０および前記第２のブリッジ２４０は、互いに交差するタッチパネル１００を提供する。【選択図】図３
2016506574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、
前記基板上に、前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、
前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、
該絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、を含み、
前記第１のブリッジおよび前記第２のブリッジは、互いに交差するタッチパネル。
【請求項２】
前記絶縁層は、少なくとも一つ以上の低屈折層および高屈折層を含む、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項５】
基板と、
該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、
前記基板上に、前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、
前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、
該絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、
前記複数個のセンサ電極および前記ブリッジが配置された基板上に配置される反射防止層と、を含むタッチパネル。
【請求項６】
前記反射防止層は、
フィルム基材と、
該フィルム基材上に配置される低屈折層と、
該低屈折層上に配置される高屈折層と、を含む、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記低屈折層および高屈折層は、交互に繰り返されて設けられる、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記低屈折層および高屈折層は、２回ないし５回交互に繰り返されて設けられる、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記低屈折層の屈折率は１．３以上１．５未満である、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記高屈折層の屈折率は１．５以上２．５以下である、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
基板上に複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジを形成する段階と、
前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記第２のセンサ電極を覆う絶縁層を貫通して前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを満たしつつ、前記絶縁層上に第２のブリッジ層を形成する段階と、
前記第２のブリッジ層をパターニングして第２のブリッジを形成する段階と、を含む、タッチパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層を形成する段階は、
低屈折層を形成する段階と、
高屈折層を形成する段階と、を含む、請求項１３に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、それぞれ２回ないし５回実施される、請求項１３に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、スピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のうち、いずれかの工程を利用して形成される、請求項１３に記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルおよびその製造方法に関するものであって、特に反射防止層を含むタッチパネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ゲーム機、学習補助装置およびカメラなどの電子装置に備えられた表示パネルの表面を手やペンを用いて押すことによって、２次元の座標データを入力する装置である。このようなタッチパネルは、操作が容易で、各種ディスプレイ装置に幅広く応用されることができるという点で広く用いられている。
【０００３】
一般に、タッチパネルは、光透過性フィルムまたはガラス素材の基板上にマトリックスの形態に備えられたセンサ電極と、該センサ電極を連結するブリッジ電極と、前記ブリッジ電極との間に備えられる絶縁層とを含んで形成される。
【０００４】
前記タッチパネルは、各種ディスプレイ装置の表面に直接付着させて用いられることができる。このようなタッチパネルが付着しているディスプレイ装置を見る場合、外光による反射のために視認性が低下するおそれがある。
【０００５】
前記のような外光による反射を防止し、視認性を改善するために、タッチパネル上部の基材表面に数十〜数百ナノメートルサイズの粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する凹凸を形成し、外光による拡散反射（ｄｉｆｆｕｓｅ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）を防止するＡＧコーティング（Ａｎｔｉ−Ｇｌａｒｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式が提案されたが、ヘイズ（Ｈａｚｅ）が大きくなり、鮮明度が劣るという短所がある。
【０００６】
これに対して最近では、屈折率が互いに異なる二層以上の薄膜を形成し、外光による直接反射（ｓｐｅｃｕｌａｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）を防止するＡＲコーティング（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式が提案された。
【０００７】
前記ＡＲコーティングは、高屈折率層および低屈折率層を交互に積層するコーティング方法であって、入射される外光は、前記積層された各薄膜の境界面で消滅の干渉を引き起こす。前記積層される薄膜間の屈折率の差が大きいほど、また積層される薄膜の数が増加するほど反射率が低下することがある。しかしながら、実際にタッチパネル上にＡＲ層を具現する場合において、前記ＡＲ層を無限に厚くすることはできず、一定の厚さ以下に形成しなければならないという制約がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これに対して本発明は、反射防止層または反射防止機能を有する層を含むタッチパネルおよびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一例によるタッチパネルは、基板と、該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、前記基板上に前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、を含み、前記第１のブリッジおよび前記第２のブリッジは、互いに交差する。
【００１０】
本発明の一例によるタッチパネルにおいて、前記絶縁層は、少なくとも一つ以上の低屈折層および高屈折層を含む。
【００１１】
本発明の一例によるタッチパネルにおいて、前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む。
【００１２】
本発明の一例によるタッチパネルにおいて、前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む。
【００１３】
本発明の他の一例によるタッチパネルは、基板と、該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、前記基板上に、前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、該絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、前記複数個のセンサ電極および前記ブリッジが配置された基板上に配置される反射防止層と、を含む。
【００１４】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記反射防止層は、フィルム基材と、該フィルム基材上に配置される低屈折層と、該低屈折層上に配置される高屈折層と、を含む。
【００１５】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記低屈折層と高屈折層は、交互に繰り返されて設けられる。
【００１６】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記低屈折層と高屈折層は、２回ないし５回、交互に繰り返されて設けられる。
【００１７】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記低屈折層の屈折率は１．３以上１．５未満である。
【００１８】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記高屈折層の屈折率は１．５以上２．５以下である。
【００１９】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む。
【００２０】
本発明の他の一例によるタッチパネルにおいて、前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む。
【００２１】
本発明の一例によるタッチパネルの製造方法は、基板上に複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジを形成する段階と、前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、前記第２のセンサ電極を覆う絶縁層を貫通して前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と、前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを満たしつつ前記絶縁層上に第２のブリッジ層を形成する段階と、前記第２のブリッジ層をパターニングして第２のブリッジを形成する段階と、を含む。
【００２２】
前記絶縁層を形成する段階は、低屈折層を形成する段階と、高屈折層を形成する段階と、を含む。
【００２３】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、それぞれ２回ないし５回実施される。
【００２４】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、スピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のうち、いずれかの工程を利用して形成される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一例によるタッチパネルは、絶縁機能および反射防止機能をする絶縁層を介して外光による反射を防止し、視認性を改善させることができる。
【００２６】
また、本発明の他の一例による反射防止層を含むタッチパネルは、外光による反射を防止し、視認性を改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一例によるタッチパネルの概略的な平面図。
【図２】図１に示すタッチパネルの一部（Ａ）を拡大した図。
【図３】図２におけるＩ−ＩＩに沿って切断した断面図。
【図４】本発明の他の一例によるタッチパネルの概略的な平面図。
【図５】図４に示すタッチパネルの概略的な断面図。
【図６ａ】本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図。
【図６ｂ】本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図。
【図６ｃ】本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図。
【図６ｄ】本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図。
【図６ｅ】本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付された図面を参照して本発明を詳しく説明する。
【００２９】
本発明は、様々な変更が可能であり、様々な形態で実施することができるところ、特定の実施例のみ図面に例示し、本文ではこれを中心に説明する。しかしながら、本発明の範囲は前記特定の実施例に限定されるものではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物は、本発明の範囲に含まれるものとして理解されるべきである。
【００３０】
本明細書において、ある部分が他の部分と連結されているとしたとき、これは直接連結されている場合だけでなく、その中間に他の素子を間に置いて電気的に連結されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むとしたとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００３１】
本明細書においては、第１、第２、第３などの用語は、多様な構成要素を説明するために用いることができるが、これらの構成要素は、前記用語により限定されるものではない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で用いられる。たとえば、本発明の権利範囲から外れることなく、第１の構成要素が第２のまたは第３の構成要素などと命名されることができ、同様に第２のまたは第３の構成要素も相互に命名されうる。
【００３２】
本発明を明確に説明するため、説明と関係のない部分については省略し、明細書全体を通じて同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付ける。
【００３３】
図１は、本発明の一例によるタッチパネルの概略的な平面図であり、図２は図１に示すタッチパネルの一部（Ａ）を拡大した図である。また、図３は図２のＩ−ＩＩに沿って切断した断面図である。
【００３４】
図１において説明の便宜上、図面の左から右に向かう方向を第１方向と定め、図面の上から下に向かう方向を第２方向と定める。前記第１方向および前記第２方向は、例示的なもので、図１に示す方向に限定されないのはもちろんである。
【００３５】
図１ないし図３を参照すると、本発明の一例によるタッチパネル１００は、基板１１０と、前記基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極２１０と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極２２０と、前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジ２３０と、前記複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層３００と、前記絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジ２４０と、を含むことができる。
【００３６】
また、前記タッチパネル１００のベゼル部には、前記第１のセンサ電極２１０および第２のセンサ電極２２０と連結される配線回路（図示せず）などが位置することができる。
【００３７】
前記基板１１０は、高分子フィルム、プラスチック、または有機材料のいずれかを利用して形成することができる。以下は前記基板１１０として、透明な素材の高分子フィルムを利用する場合を例に挙げて説明する。前記透明な素材の高分子フィルムとしては、ＰＥＴを利用することができる。
【００３８】
前記第１のセンサ電極２１０および第２のセンサ電極２２０は、指またはタッチペンなどのような入力装置が接触されたかどうかを判断する役割を果たす。
【００３９】
図１において、前記第１のセンサ電極２１０および第２のセンサ電極２２０は、菱形形状を有することが示されているが、必ずしも菱形に限定されるものではなく、三角形、正方形、長方形および円のように多様な形態で形成することができる。
【００４０】
前記第１のセンサ電極２１０および第２のセンサ電極２２０の個数およびサイズは、前記タッチパネル１００の解像度と、前記タッチパネル１００が取り付けられるディスプレイの種類およびサイズに応じて変更することができる。
【００４１】
前記第１のブリッジ２３０は、前記複数個の第１のセンサ電極２１０を互いに連結させる役割を果たし、前記第２のブリッジ２４０は、前記複数個の第２のセンサ電極２２０を互いに連結させる役割を果たす。
【００４２】
前記第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０は、前記絶縁層３００を間に置いて互いに交差する。
【００４３】
前記第１のセンサ電極２１０、第２のセンサ電極２２０、第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０は、金属または導電性を有する透明材料で形成されることができる。このような導電性を有する透明材料として透明導電性酸化物（ＴＣＯ；Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。
【００４４】
このような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）としては、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを用いることができる。これらは単独で、または互いに組み合わせて用いることができる。
【００４５】
前記第１のセンサ電極２１０、第２のセンサ電極２２０、第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０は、同じ材料で形成されることもでき、別の材料で形成されることもできる。製造時の利便性を考慮すると、前記第１のセンサ電極２１０、第２のセンサ電極２２０、第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０は、同じ材料で形成されることが好ましい。
【００４６】
前記第１のセンサ電極２１０、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジ２３０が形成された基板１１０上に絶縁層３００が形成されることができる。
【００４７】
前記絶縁層３００は、少なくとも一つ以上の低屈折層３１０および高屈折層３２０からなる多層構造で形成されることができる。前記絶縁層３００は、前記低屈折層３１０および高屈折層３２０が交互に繰り返されて形成されることができる。
【００４８】
図３においては、前記絶縁層３００が低屈折層３１１、高屈折層３２１、低屈折層３１２および高屈折層３２２の順に積層された構造として示されたが、これに限定されるものではなく、前記低屈折層３１０および高屈折層３２０は、２回ないし５回交互に積層することができる。
【００４９】
前記低屈折層３１０は、屈折率１．３以上１．５未満の有機物または無機物を含んで形成することができる。前記低屈折層３１０は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２などを使用して形成することができる。
【００５０】
前記高屈折層３２０は、屈折率１．５以上２．５以下の有機物または無機物を含んで形成することができる。前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸなどを用いることができる。
【００５１】
前記のように低屈折層３１０および高屈折層３２０が交互に繰り返されて積層された前記絶縁層３００は、前記第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０を電気的に絶縁させる機能と同時に反射防止機能をすることができる。
【００５２】
前記絶縁層３００に外光が入射される場合、前記積層された各薄膜の境界面から入射された外光が反射されずに透過または吸収されることができる。前記絶縁層３００に積層される薄膜間の屈折率の差が大きいほど、また積層される薄膜の個数が増加するほど外光反射率が低下する。
【００５３】
図４は、本発明の他の一例によるタッチパネルの概略的な平面図であり、図５は、図４に示すタッチパネルの概略的な断面図である。以下で、本発明の一例によるタッチパネルに関する説明と重複する内容は省略する。
【００５４】
図４および図５を参照すると、本発明の他の一例によるタッチパネル１００は、基板１１０、前記基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極２１０と、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極２２０と、前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジ２３０と、前記複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層３００と、前記絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジ２４０と、前記複数個のセンサ電極２１０、２２０およびブリッジ２３０、２４０が配置された基板上に配置される反射防止層４００と、を含むことができる。
【００５５】
前記反射防止層４００は、フィルム基材４３０と、前記フィルム基材４３０上に配置される低屈折層４１０と、該低屈折層上に配置される高屈折層４２０とからなる多層構造により形成されることができる。前記反射防止層４００は、前記低屈折層４１０と高屈折層４２０とが交互に繰り返されて形成されることができる。
【００５６】
図５において、前記反射防止層４００は、前記フィルム基材４３０上に低屈折層４１１、高屈折層４２１、低屈折層４１２および高屈折層４２２の順に積層された構造で図示されたが、これに限定されるものでなく、前記低屈折層４１０および高屈折層４２０は、２回ないし５回交互に積層されることができる。
【００５７】
前記反射防止層４００に外光が入射される場合、前記積層された各薄膜の境界面から入射された外光が反射されずに透過または吸収されることができる。前記入射される光量に比し透過または吸収される光量は、前記反射防止層４００に積層される薄膜間の屈折率との差が大きいほど、また積層される高屈折−低屈折薄膜の個数が増加するほど増加する。したがって、前記の積層された高屈折−低屈折薄膜の個数が増加するほど外光反射率が低くなり視認性が改善されることができる。
【００５８】
また、前記第１のセンサ電極２１０、第２のセンサ電極２２０、第１のブリッジ２３０および第２のブリッジ２４０などの材料として用いることができるＩＴＯ（ｎ＝２．０）は、一般に高屈折率を有する材料であるため、前記反射防止層４００の低屈折層４１１と１つの高屈折−低屈折層をなし、反射防止機能を向上させることができる。
【００５９】
前記フィルム基材４３０は、透明な素材の絶縁膜を用いて形成されることができる。前記フィルム基材４３０は、公知の透明なプラスチックフィルムの中から適宜選択して利用することができる。このようなプラスチックフィルムとしては、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリイミドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルムとアクリル樹脂フィルムなどがある。
【００６０】
前記フィルム基材４３０は、透明または半透明、または着色していても構わない。また、前記フィルム基材４３０の厚さは、特に制限はないが、一般に３０ないし２００μｍの厚さの範囲を有する。また、前記フィルム基材４３０上に形成される層との密着性を向上させるために、前記フィルム基材４３０の一面または両面に酸化法や凹凸化法などによる表面処理を施すことができる。前記酸化法としては、コロナ放電処理、プラズマ処理、クロム酸処理、火炎処理、熱風処理および紫外線照射処理などを挙げることができ、前記凹凸化法としては、サンドブラスト法や溶剤処理法などが挙げられる。
【００６１】
前記フィルム基材４３０の背面には、粘着剤層４４０が備えられてもよい。前記粘着剤層４４０を構成する粘着剤は、光学用途に適した粘着剤が用いられることができ、このような粘着剤としては、ウレタン系粘着剤およびシリコーン系粘着剤を用いることができる。前記粘着剤層の厚さは、１０ないし６０μｍの範囲の値を有することができる。
【００６２】
前記低屈折層４１０は、屈折率１．３以上１．５未満の有機物または無機物を含んで形成することができる。前記低屈折層４１０は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２などを使用して形成することができる。
【００６３】
前記高屈折層４２０は、屈折率１．５以上２．５以下の有機物または無機物を含んで形成することができる。前記高屈折層４２０は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸなどを用いることができる。
【００６４】
前記低屈折層４１０および高屈折層４２０は、前記フィルム基材４３０上にスピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のいずれかの工程を利用して形成することができる。
【００６５】
前記反射防止層４００に外光が入射された場合、前記積層された各薄膜の境界面から入射された外光が反射されずに透過または吸収されることができる。前記反射防止層４００に積層される薄膜間の屈折率の差が大きいほど、また積層された薄膜の個数が増加するほど外光反射率が低下する。
【００６６】
図６ａないし図６ｅは、本発明の一例によるタッチパネルの製造方法を説明するための図である。
【００６７】
本発明の一例によるタッチパネルの製造方法は、（ａ）基板上に複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジをパターニングする段階と、（ｂ）前記第１のセンサ電極、第２のセンサ電極と、第１のブリッジがパターニングされた基板上に絶縁層を形成する段階と、（ｃ）前記第２のセンサ電極を覆う絶縁層を貫通して前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と、（ｄ）前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを満たしつつ、前記絶縁層上に第２のブリッジ層を形成する段階と、（ｅ）前記第２のブリッジ層をパターニングして第２のブリッジを形成する段階と、を含む。
【００６８】
図６ａを参照すると、基板１１０上に第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジ２３０を形成する。
【００６９】
前記基板１１０上に第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジ２３０形成用材料を塗布した後、パターニングして前記基板１１０上に第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジ２３０を形成することができる。
【００７０】
前記第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジは、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いて形成することができる。これらの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどを用いることができる。
【００７１】
前記第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０および第１のブリッジ２３０形成用材料を塗布する方法としては、スピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のいずれかの工程を利用することができる。
【００７２】
図６ｂを参照すると、前記第１のセンサ電極（図示せず）、第２のセンサ電極２２０と第１のブリッジ２３０が形成された基板１１０上に絶縁層３００が形成される。
【００７３】
前記絶縁層３００を形成する段階は、低屈折層３１０を形成する段階および高屈折層３２０を形成する段階を含む。
【００７４】
前記低屈折層３１０を形成する段階および高屈折層３２０を形成する段階は、それぞれ２回ないし５回繰り返し実施することができる。
【００７５】
前記低屈折層３１０は、ＭｇＦＸ、ＳｉＯＸ、ＮａＦおよびＣａＦＸのうち、少なくとも一つを用いて形成することができ、前記高屈折層３２０は、ＣｅＦＸ、Ａｌ２ＯＸ、ＺｒＯＸ、ＴｉＯＸおよびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを用いて形成されることができる。
【００７６】
前記低屈折層３１０および高屈折層３２０は、スピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のいずれかの工程を利用して形成することができる。
【００７７】
図６ｃを参照すると、前記絶縁層３００を貫通して前記第２のセンサ電極２２０の一部を露出させるビアホールを形成する。
【００７８】
前記ビアホールは、前記複数個の第２のセンサ電極２２０を前記第２のブリッジ２４０に電気的に連結するためのものである。前記ビアホールは、前記第２のセンサ電極２２０の上部に配置される絶縁層３００を貫通して形成することができる。
【００７９】
図６ｄおよび図６ｅを参照すると、前記絶縁層３００上に第２のブリッジ層を形成する。前記第２のセンサ電極２２０の一部を露出させるビアホールを満たしつつ、前記絶縁層３００上に第２のブリッジ層を形成した後、前記第２のブリッジ層をパターニングして第２のブリッジ２４０を形成する。
【００８０】
以上で説明したタッチパネルの実施例は、例示的なものに過ぎず、本発明の保護範囲は、本発明の技術分野の通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形および均等例を含むことができる。
【符号の説明】
【００８１】
１００  タッチパネル、
１１０  基板、
２１０  第１のセンサ電極、
２２０  第２のセンサ電極、
２３０  第１のブリッジ、
２４０  第２のブリッジ、
３００  絶縁層、
３１０  低屈折層（３１１、３１２）、
３２０  高屈折層（３２１、３２２）、
４００  反射防止層、
４１０  絶縁層（４１１、４１２）、
４２０  高屈折層（４２１、４２２）、
４３０  フィルム基材。
【図１】
2016506574.tif 000003
【図２】
2016506574.tif 000004
【図３】
2016506574.tif 000005
【図４】
2016506574.tif 000006
【図５】
2016506574.tif 000007
【図６ａ】
2016506574.tif 000008
【図６ｂ】
2016506574.tif 000009
【図６ｃ】
2016506574.tif 000010
【図６ｄ】
2016506574.tif 000011
【図６ｅ】
2016506574.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、
前記基板上に、前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、
前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、
該絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、を含み、
前記第１のブリッジおよび前記第２のブリッジは、互いに交差するタッチパネル。
【請求項２】
前記絶縁層は、少なくとも一つ以上の低屈折層および高屈折層を含む、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む、請求項２または請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
基板と、
該基板上に第１方向に沿って並んで配置される複数個の第１のセンサ電極と、
前記基板上に、前記第１のセンサ電極と離隔され、前記第１方向と直交する第２方向に沿って並んで配置される複数個の第２のセンサ電極と、
前記複数個の第１のセンサ電極のうち、互いに隣接する第１のセンサ電極を前記第１方向に連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第１のセンサ電極、前記複数個の第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に形成される絶縁層と、
該絶縁層を貫通するビアホールを介して、前記複数個の第２のセンサ電極のうち、互いに隣接する第２のセンサ電極を前記第２方向に連結する第２のブリッジと、
前記複数個のセンサ電極および前記ブリッジが配置された基板上に配置される反射防止層と、を含むタッチパネル。
【請求項６】
前記反射防止層は、
フィルム基材と、
該フィルム基材上に配置される低屈折層と、
該低屈折層上に配置される高屈折層と、を含む、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記低屈折層および高屈折層は、交互に繰り返されて設けられる、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記低屈折層および高屈折層は、２回ないし５回交互に繰り返されて設けられる、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記低屈折層の屈折率は１．３以上１．５未満である、請求項６〜８のいずれか一項に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記高屈折層の屈折率は１．５以上２．５以下である、請求項６〜９のいずれか一項に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記低屈折層は、ＭｇＦ２、ＮａＦおよびＣａＦ２のうち、少なくとも一つを含む、請求項６〜１０のいずれか一項に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記高屈折層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２およびＮｂ２ＯＸのうち、少なくとも一つを含む、請求項６〜１１のいずれか一項に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
基板上に複数個の第１のセンサ電極、第２のセンサ電極および第１のブリッジを形成する段階と、
前記第１のセンサ電極、前記第２のセンサ電極および前記第１のブリッジが形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記第２のセンサ電極を覆う絶縁層を貫通して前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記第２のセンサ電極の一部を露出させるビアホールを満たしつつ、前記絶縁層上に第２のブリッジ層を形成する段階と、
前記第２のブリッジ層をパターニングして第２のブリッジを形成する段階と、を含む、タッチパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層を形成する段階は、
低屈折層を形成する段階と、
高屈折層を形成する段階と、を含む、請求項１３に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、それぞれ２回ないし５回実施される、請求項１４に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記低屈折層を形成する段階および前記高屈折層を形成する段階は、スピンコーティング工程、印刷工程、スパッタリング工程、化学気相蒸着工程、原子層積層工程および真空蒸着工程のうち、いずれかの工程を利用して形成される、請求項１４または請求項１５に記載のタッチパネルの製造方法。
【国際調査報告】
2016506574.tif 000013
2016506574.tif 000014
2016506574.tif 000015
2016506574.tif 000016