(57)【要約】  本発明は、ウェハ（１１）を露光するために前記ウェハ（１１）の表面に関連してマスク（１０）を位置付けるための装置に関する。前記装置は、（ｉ）前記マスク（１０）および前記ウェハ（１１）を互いに対して保持しかつ移動させることができる第１の位置決定手段（２０）と、（ｉｉ）少なくとも１つの視野（１４）に沿ってマスク（１０）およびウェハ（１１）の表面の少なくとも１つの像を生成し、それによって前記マスク（１０）および前記ウェハ（１１）を位置付けるための基準点（１２、１３）を前記視野（１４）内に同時に像形成することができる像形成手段（２０、２２、２３、３０）と、（ｉｉｉ）像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビーム（１５、２８）を使用して前記視野（１４）内のウェハ（１１）の表面とマスク（１０）との間の距離測定値を生成することができる少なくとも１つの光学距離センサ（２６）と、を含む。本発明は、前記装置において実施される方法、および機器にも関する。
2016539375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ（１１）を露光するために前記ウェハ（１１）の表面に対してマスク（１０）を位置付けるための装置であって、前記マスク（１０）および前記ウェハ（１１）を互いに関連して保持しかつ移動させるのに適した第１の位置決定手段（２０）を備える装置において、
少なくとも１つの視野（１４）に従って前記ウェハ（１１）の表面および前記マスク（１０）の少なくとも１つの像を生成し、それによって前記マスク（１０）の位置決めマーク（１２）および前記ウェハ（１１）の位置決めマーク（１３）を前記視野（１４）内に同時に像形成するのに適した像形成手段（２０、２２、２３、３０）と、
前記視野（１４）内に測定スポット（１５）を形成するために前記像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビーム（２８）を用いて前記視野（１４）内の前記ウェハ（１１）の表面と前記マスク（１０）との間の距離測定値を生成するのに適した少なくとも１つの光学距離センサ（２６）と、
をさらに備えることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記視野（１４）を前記ウェハ（１１）の表面に対して移動させるのに適した第２の位置決定手段をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
３つの視野（１４）に従って少なくとも３つの像を同時に生成するのに適した像形成手段を備える、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも３つの光学距離センサ（２６）を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
共焦点センサ、
クロマティック共焦点センサ、
低コヒーレンス干渉計、
反射率計、および
レーザ干渉計
のうちの少なくとも１つの光学距離センサ（２６）を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
レジスト層の厚みの測定値、および
前記レジスト層の下方に存在するエッチングされるべき層の反射率の測定値
の少なくとも一方を生成するのにも適している少なくとも１つの距離センサ（２６）を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置を備える、ウェハ露光用の機器。
【請求項８】
ウェハ（１１）を露光するために前記ウェハ（１１）の表面に対してマスク（１０）を位置付ける方法であって、前記マスク（１０）および前記ウェハ（１１）を互いに関連して保持しかつ移動させるのに適した第１の位置決定手段（２０）を利用する方法において、
少なくとも１つの視野（１４）に従って前記ウェハ（１１）の表面および前記マスク（１０）の少なくとも１つの像を得て、前記マスク（１０）の位置決めマーク（１２）および前記ウェハ（１１）の位置決めマーク（１３）を前記視野（１４）内に同時に像形成するようにするステップと、
少なくとも１つの光学距離センサ（２６）と、前記視野（１４）内に測定スポット（１５）を形成するために前記像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビーム（２８）とを用いて、前記視野（１４）内の前記ウェハ（１１）の表面と前記マスク（１０）との間の少なくとも１つの距離測定値を得るステップと、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項９】
少なくとも１つの視野（１４）内で、
前記マスク（１０）の位置決めマーク（１２）および前記ウェハ（１１）の位置決めマーク（１３）を重ね合わせ、
予め定義した値に合致する、前記ウェハ（１０）の表面と前記マスク（１１）との間の距離測定値を得る
ように前記マスク（１０）および／または前記ウェハ（１１）を相対移動させるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
３つの視野（１４）に従って少なくとも３つの像を同時に得るステップを含む、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光学距離センサ（２６）を用いて、
前記ウェハ（１１）上に存在するレジスト層の厚みの値、および
前記光学距離センサ（２６）によって取得された信号からの、前記レジスト層の下方に存在するエッチングされるべき層の反射率の値
の少なくとも一方を測定するステップをさらに含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に接触／近接モードフォトリソグラフィにおいて、ウェハまたは基板の露光動作を行うためにウェハの表面に対してフォトリソグラフィマスクを位置付けるための装置（ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【０００２】
本発明は、この種の装置を備える機器（ａｐｐｌｉａｎｃｅ）、およびこの装置またはこの機器において実施される方法にも関する。
【０００３】
本発明の分野は、より詳細には、ただし非限定的に、フォトリソグラフィにおけるステッパおよび露光システム（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｓｙｓｔｅｍｓ）の分野である。
【背景技術】
【０００４】
フォトリソグラフィ技法は、ウェハに処理を施す露光のための動作を必要とする。
【０００５】
処理を施されるべきウェハは、「レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）」層と呼ばれる感光層で覆われた、エッチングされるべき層を備える。透明部分および不透明部分を有するマスクが、ウェハの表面の上方に配置される。次いで、ウェハの表面は、マスクを通して一般に紫外線（ＵＶ）波長域内の光で照射または露光される。マスクの透明部分では、光はウェハに達し、感光層の特性を変化させる。化学的処理ステップ後、プロセスに従って露光領域内または保護領域内に位置するレジスト層（ポジ型樹脂またはネガ型樹脂）の各部分は、エッチングされるべき層の覆いのない部分の選択的エッチングを可能にするために除去される。
【０００６】
これらの動作は、プロセス中に何度も繰り返され得る。したがって、マスクは、露光光線の光路が、一般に既存の構造を備えるウェハまたは基板全体にわたって直交しかつ等しくなるように、ウェハの表面に対して非常に正確に位置付けられなければならない。
【０００７】
Ｘ−Ｙ平面（ウェハの平面に平行）内の位置付けは、一般に、マスク上に存在するパターン（レチクル、十字など）をウェハの表面上に既にエッチングされたパターンに重ね合わせることによって行われる。マスクは、この位置合わせを、接触により感光性樹脂層に影響を及ぼさずに実施することができる距離を置いて位置付けられなければならない。
【０００８】
次いで、マスクはまた、ウェハの表面に対して一定で非常に正確な距離Ｚを置いて位置付けられなければならず、これは、ウェハの全表面にわたって行われなければならない。これにより、マスクを通過する光の回折を制御することが可能になる。実際、この回折は、ウェハ上にマスクのパターンを再現できるようにする確度および分解能を直接決定する。この距離Ｚを制御することは、回折効果を精密に制限しかつエッチングの空間分解能を最大限にするために短波長域（紫外線または遠紫外線または極紫外線ＥＵＶ）が利用される場合、さらに重要である。
【０００９】
マスクはウェハと接触してはならない。マスクは一般に、２０マイクロメートル程度以下の距離Ｚを置いて位置付けられる。
【００１０】
既知の接触／近接露光システムでは、マスクの位置付けは、校正された直径を有する、セラミック材料で製作されたマイクロビーズまたはシリンダを用いて行われ、マイクロビーズまたはシリンダはシムとして機能する。これらのマイクロビーズまたはシムは可動要素に固着されて可動要素をマスクとウェハとの間に挿入することが可能になり、その後でアセンブリは押圧される。
【００１１】
この技法にはいくつかの欠点がある。すなわち、
この技法は複雑なシステムにつながる、
機械的接触は接触面を劣化させる可能性がある、
接触面はＸ−Ｙ位置付けが行われるまでスペーサの両側に圧着されてはならないため、マスクの位置付けをＸ−Ｙ平面内でかつ距離Ｚにわたって制御するのが複雑である、
厚み制御の確度は常に十分ではない、
距離Ｚを、回折を制限するのには望ましい一定限度未満に低減することは不可能である。
【００１２】
本発明の主題は、従来技術の欠点を解決することができる、露光されるべきウェハに対してマスクを位置付けるための装置および方法を提案することである。
【００１３】
本発明の別の主題は、ウェハの表面との機械的接触なしに位置付けを可能にする、露光されるべきウェハまたは基板に対してマスクを位置付けるための装置および方法を提案することである。
【００１４】
最終的に、本発明の主題は、ウェハから非常に短い距離を置いてマスクを正確に位置付けることができる、露光されるべきウェハまたは基板に対してマスクを位置付けるための装置および方法を提案することである。
【発明の概要】
【００１５】
この目的は、ウェハを露光するために前記ウェハの表面に対してマスクを位置付けるための装置であって、前記マスクおよび前記ウェハを互いに関連して保持しかつ移動させるのに適した第１の位置決定手段を備える装置で達成され、この装置は、
少なくとも１つの視野に従ってマスクおよびウェハの表面の少なくとも１つの像を生成し、それによってマスクの位置決めマークおよびウェハの位置決めマークを前記視野内に同時に像形成するのに適した像形成手段（ｉｍａｇｉｎｇ  ｍｅａｎｓ）と、
像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビームを用いて前記視野内のウェハの表面とマスクとの間の距離測定値を生成するのに適した少なくとも１つの光学距離センサと、
をさらに備えることを特徴としている。
【００１６】
諸実施形態によれば、本発明による装置は、視野をウェハの表面に対して移動させるのに適した第２の位置決定手段をさらに備えることができる。
【００１７】
諸実施形態によれば、本発明による装置は、３つの視野に従って少なくとも３つの像を同時に生成するのに適した像形成手段を備えることができる。
【００１８】
この装置は少なくとも３つの光学距離センサを備えることができる。
【００１９】
諸実施形態によれば、本発明による装置は、
共焦点センサ、
クロマティック共焦点センサ、
低コヒーレンス干渉計（時間、スペクトル、周波数走査）、
反射率計、および
レーザ干渉計
のうちの１つの少なくとも１つの光学距離センサを備えることができる。
【００２０】
諸実施形態によれば、本発明による装置は、
レジスト層の厚みの測定値、および
レジスト層の下方に存在するエッチングされるべき層の反射率の測定値
の少なくとも一方を生成するのにも適している少なくとも１つの距離センサを備えることができる。
【００２１】
別の態様によれば、ウェハの表面に対してマスクを位置付けるための本発明による装置を備える、ウェハ露光用の機器が提案される。
【００２２】
別の態様によれば、ウェハを露光するためにウェハの表面に対してマスクを位置付ける方法であって、前記マスクおよび前記ウェハを互いに関連して保持しかつ移動させるのに適した第１の位置決定手段を利用する方法が提案され、前記方法は、
少なくとも１つの視野に従ってマスクおよびウェハの表面の少なくとも１つの像を得て、前記マスクの位置決めマークおよび前記ウェハの位置決めマークを前記視野内に同時に像形成するようにするステップと、
少なくとも１つの光学距離センサと、像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビームとを用いて、前記視野内のウェハの表面とマスクとの間の少なくとも１つの距離測定値を得るステップと、
を含む。
【００２３】
本発明による方法は、
少なくとも１つの視野内で、
マスクの位置決めマークおよびウェハの位置決めマークを重ね合わせ、
予め定義した値に合致する、ウェハの表面とマスクとの間の距離測定値を得る
ようにマスクおよび／またはウェハを相対移動させるステップをさらに含むことができる。
【００２４】
諸実施形態によれば、本発明による方法は、３つの視野に従って少なくとも３つの像を同時に得るステップを含むことができる。
【００２５】
本発明による方法は、
光学距離センサを用いて、
ウェハ上に存在するレジスト層の厚みの値、および
前記光学距離センサによって取得された信号からの、レジスト層の下方に存在するエッチングされるべき層の反射率の値
の少なくとも一方を測定するステップをさらに含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
本発明の他の利点および特徴は、決して限定されるものではない実施態様および実施形態の詳細な説明を読むことから、および下記の添付図面から明らかになるであろう。
【図１】ウェハに対してマスクを位置付けることの困難さを示す図であり、図１（ａ）は正面図であり、図１（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明による装置の一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に説明される諸実施形態は決して限定されるものではないことが理解される。後述される特徴の選択肢だけを記載されている他の特徴から切り離して含む本発明の変形形態は、特に、この選択肢の特徴が従来技術に対して技術的優位性を与えるまたは本発明を差別化するのに十分である場合に想像することができる。この選択肢は、好ましくは構造細部を用いずに機能できる、あるいは構造細部の一部分だけを用いて、この部分だけで従来技術に対して技術的優位性を与えるまたは本発明を差別化するのに十分である場合に機能できる少なくとも１つの特徴を含む。
【００２８】
特に、記載されているすべての変形形態およびすべての実施形態は、組み合わせることに対する技術的な異議がなければ、互いに組み合わせることができる。
【００２９】
上図において、複数の図に共通の要素は同じ参照番号を有する。
【００３０】
図１を参照すると、本発明は、特にフォトリソグラフィに使用され、通常は「ステッパ」と呼ばれる露光システムに利用されるためのものである。
【００３１】
この種のシステムは、感光性材料で覆われたウェハ１１を固定することができるウェハ支持部またはウェハチャックを備える。
【００３２】
このシステムは、ウェハ１１の向かい側にマスク１０を配置することができるマスク支持部も備える。このマスク１０は、不透明材料（一般にクロム）で作られたパターンが堆積されている透明板（一般に石英で製作される）を備える。したがって、マスク１０は透明領域および不透明領域を備える。
【００３３】
マスク１０がウェハ１１に対して正しく位置付けられると、アセンブリは紫外線光によって露光される。したがって、マスクの透明領域内に現れる感光性材料だけが影響を受ける。これにより、ウェハ１１上に、特に電子構成要素または光学構成要素を構成する働きをするパターンをエッチングすることが可能になる。
【００３４】
ウェハの処理が多くの連続的な露光動作およびエッチング動作を含むことができる限りにおいて、ウェハ１１の表面上に既に存在するパターンに対してマスク１０を正しく位置付けることが非常に重要である。
【００３５】
先に説明したように、この位置付けは、ウェハの平面（Ｘ−Ｙ）内で、並進および回転で行われなければならない。この目的のために、マスクは特定のパターンまたは十字線１２を備え、このパターンまたは十字線１２は、ウェハ１１上に既にエッチングされている他の十字線１３と位置合わせされなければならない。
【００３６】
分解能を最適化するために、マスク１０およびウェハ１１はまた、適切に平行でありかつ設定値による距離で隔てられるように、マスク１０およびウェハ１１の垂線（Ｚ）に沿って互いに対して正確に位置付けられなければならない。
【００３７】
本発明により、これらの位置合わせを正確に、同時に、かつ非接触で行うことが可能になる。
【００３８】
図２を参照すると、本発明による装置は像形成手段を備える。
【００３９】
これらの像形成手段により、視野１４に従ってマスク１０およびウェハ１１を（マスク１０の透明部分を通して）像形成することが可能になる。
【００４０】
像形成手段は光源２０およびコリメーション手段（レンズなど）を備え、光源２０およびコリメーション手段により、視野１４を照らすために光ビーム２１を生成することが可能になる。光源２０は、例えば、可視波長域の光を発するハロゲンランプを備えることができる。
【００４１】
像形成手段はマトリックスアレイ検出器２３を有するカメラ２２も備え、マトリックスアレイ検出器２３は例えばＣＣＤタイプとすることができる。像形成手段は光学的手段（レンズなど）も備え、光学的手段により、マスク１０およびウェハ１１によって反射または後方散乱された光２４からマトリックスアレイ検出器２３上に視野１４の像を形成することが可能になる。
【００４２】
像形成手段は、光および像形成の光学軸２９がマスク１０およびウェハ１１の平面に対して実質的に垂直になるように配置される。したがって、像形成は反射または後方散乱によって行われる。
【００４３】
本発明による装置は光学距離センサ２６も備える。
【００４４】
このセンサは測定ビーム２８を生成し、測定ビーム２８は、コリメータ２５によって光学像形成系に挿入される。この測定ビームは、視野１４内に測定スポット１５を形成するために像形成手段の遠位対物レンズ３０を通過する。したがって、これにより、マスク１０とウェハ１１との間の距離、より正確にはマスク１０およびウェハ１１の対向面間の距離を測定することが可能になる。これは点測定である、すなわち、少なくとも視野１４のすぐ近くの一点でまたは領域１５内で実施される。
【００４５】
異なるビーム（測定、像形成など）は、当業者によく知られている技法に従って、セパレータキューブやビームスプリッタなどの要素によって光学系内で結合および／または分離される。
【００４６】
距離センサ２６は、低コヒーレンス干渉法をベースとした測定技法をスペクトル領域内で利用している。広域スペクトル光源からの光は光ファイバ２７を通してコリメータ２５に導かれる。距離センサ２６を起点とするこの光のマスク１０およびウェハ１１の表面上での反射光は、コリメータ２５自体によって集められ、スペクトロメータ内で解析される。したがって、凹凸状のスペクトルが得られ、マスク１０およびウェハ１１の面上での反射光が同位相である光波長は最大限に対応する。このスペクトルの解析により、マスク１０とウェハ１１との間の距離を正確に推定することが可能になる。
【００４７】
本発明による装置は第１の位置決定手段２０も備え、第１の位置決定手段２０により、ウェハ１１およびマスク１０を互いに関連して保持しかつ移動させることが可能になる。これらの位置決定手段は、並進要素、回転要素、傾斜要素などの任意の適当な機械系を備えることができる。
【００４８】
本発明のよる装置は第２の位置決定手段（図示せず）も備え、第２の位置決定手段により、視野１４をマスク１０およびウェハ１１の表面全体にわたって移動させることが可能になる。
【００４９】
これらの第２の位置決定手段は並進ステージを備え、並進ステージは、視野１４をマスク１０およびウェハ１１の表面上の任意の位置に位置付けることができるように、像形成手段全体をマスクのＸ−Ｙ平面内で移動させることを可能にする。
【００５０】
変形実施形態によれば、マスク１０とウェハ１１との間の距離を測定するために任意のタイプの適切な光学距離センサを利用することができる。具体的には以下のセンサが挙げられる。
チューナブルレーザ光源および順次実施されるスペクトル解析を用いて、低コヒーレンス周波数走査干渉計技法を利用するセンサ、
特にマスク１０の表面上での反射光から生じる信号とウェハ１１の表面上での反射光から生じる信号との間の光学遅延を再現するための遅延線を用いて、低時間コヒーレンス干渉計技法を利用するセンサ、
測定範囲内の位置が、色収差を導入する分散光学要素（例えば、コリメータ２５のレベル）によって波長でコード化される、共焦点クロマティックセンサ。したがって、（マスク１０およびウェハ１１の）インタフェースの位置は、反射信号のスペクトル解析から推定することができる。
インタフェースの位置が、測定ビーム１５の合焦点の深さ（Ｚ）で走査する間に反射される光の強度最大の検出から決定される、共焦点センサ、
レーザ干渉計技法をベースとするセンサ。
【００５１】
変形実施形態によれば、本発明による装置は第３の位置決定手段を備えることができ、第３の位置決定手段により、距離センサの測定点１５の位置を像形成手段の視野１４内で移動させることが可能になる。これらの第３の位置決定手段は、例えば、測定コリメータ２５を移動させるための手段を備えることができる。
【００５２】
変形実施形態によれば、第１および第２の位置決定手段は、同じ要素によって実施される、または共通の要素を備えることができる。
【００５３】
変形実施形態によれば、第２の位置決定手段は、視野１４をマスク１０およびウェハ１１の表面全体にわたって移動させることを可能にするものであり、光学像形成手段内に挿入される可動要素（反射鏡など）によって実施される、またはこの可動要素を備えることができる。
【００５４】
変形実施形態によれば、本発明による装置は、図２に示されているような複数の光学像形成系と、マスク１０の表面上のこれらの光学像形成系のそれぞれの視野を独立して位置付けるための第２の位置決定手段と、を備えることができる。
【００５５】
特に、本発明による装置は３つの光学像形成系を備えることができ、これにより、３つの位置におけるウェハ１１およびマスク１０の相対位置を同時に調整することが可能になり、したがって全自由度を同時に網羅することが可能になる。
【００５６】
諸実施形態によれば、本発明による装置は、異なる位置に置かれた複数の視野１４を同一の像形成系で順次像形成することを可能にする光スイッチング手段（可動鏡など）を備えることができる。
【００５７】
マスク１０およびウェハ１１を本発明による装置で位置合わせすることは下記ステップを含む。
マスク１０、ウェハ１１および視野１４は、ウェハ１１の基準マーク１３に対応させて置かれるべきマスク１０の基準マーク１２、あるいは、ウェハ１１の基準マーク１３に重ね合わされるべきマスク１０の基準マーク１２が同じ視野１４内に見えるように位置付けられる。
ウェハ１１およびマスク１０は、マスクの基準マーク１２およびウェハの基準マーク１３を対応させて置くように、Ｘ−Ｙ平面内で互いに対して移動させる。
視野１４の位置および／または視野１４内の測定ビームの位置１５は、測定ビームがマスク１０の透明部分を通過するように調整される。
ウェハ１１とマスク１０との間の軸線Ｚに沿った距離は、ウェハ１１をマスク１０に対して移動させることによって測定され、その距離の設定値に調整される。
これらの測定および位置決め動作は、マスク１０の表面上の複数の位置で（順次または同時に）、複数の基準マーク１２に対して行われる。実際、これらの測定および位置決め動作は、ウェハ１１およびマスク１０が適切に平行でありかつ所望の距離で隔てられるように、マスク１０に対するウェハ１１のＸ−Ｙ平面内での回転を調整するためには少なくとも２つの位置で、ウェハ１１とマスク１０との間の距離を調整するためには３つの位置で行う必要がある。したがって、これらの測定および位置決め動作は、マスク１０の表面の３つの位置で、または冗長測定値を得るために４つの位置で行われることが好ましい。
【００５８】
したがって、本発明の特に有利な態様によれば、ウェハおよびマスクは、ウェハおよびマスクの表面と機械的に接触する要素なしに、数ミクロンまたは数十ミクロンの距離を置いて互いに非常に近接して配置することができる。
【００５９】
変形実施形態によれば、利用される距離センサのうちの少なくとも１つは、感光層、すなわちレジスト層の厚みの測定を行うのに適していてもよい。
【００６０】
したがって、マスク１０とウェハ１１との間の距離、より正確にはマスク１０とウェハ１１上に存在するレジスト層の上面との間の距離、およびエッチングされるべき層の上方に存在するレジスト層の厚みを測定することが可能である。
【００６１】
このまたはこれらの距離センサは、レジスト層の下方のウェハ１１上に存在するエッチングされるべき層の表面の反射率の測定を行うのに適していてもよい。
【００６２】
この利用方法は、特に前述した距離センサ（共焦点センサ、クロマティック共焦点センサ、時間、スペクトル、周波数走査の低コヒーレンス干渉計、反射率計、レーザ干渉計など）を含むすべての適当なタイプの距離センサで実施することができる。センサは、簡単にいうと、当業者によく知られている多層測定を行うのに適した構成で、レジスト層に透通するのに適した測定波長域を用いて（例えば近赤外線で）利用されなければならない。
【００６３】
反射率測定値は、反射測定信号の強度から得ることができる。
【００６４】
レジスト層の厚みの測定値およびエッチングされるべき層の反射率の測定値は、露光ステップ中に加えられるべきエネルギー（露光時間および／または電力）を調整できるようにするために必要な情報である。
【００６５】
したがって、好適には、本発明は、露光に不可欠な１組のパラメータ（マスク−ウェハ間の距離、レジスト層の厚み、およびエッチングされるべき層の反射率）を単一システムで測定し調整することを可能にする。
【００６６】
加えて、マスク１０とエッチングされるべき表面との間の距離（レジスト層の厚みを含む）を決定し、それによって、レジスト層の厚みを考慮しながらウェハ１１の表面とマスク１０との間の距離を調整することが可能である。
【００６７】
一変形形態によれば、本発明による装置は、レジスト層の厚みおよび／またはエッチングされるべき層の反射率を測定するために、光学距離センサ２６とは別の少なくとも１つの第２のセンサを備えることができる。
【００６８】
この第２のセンサは、像形成手段を少なくとも部分的に通過する測定ビームも備えることができる。第２のセンサは、像形成系の視野１４内で測定を行うように配置することができる。
【００６９】
もちろん、本発明は今説明したばかりの例に限定されるものではなく、これらの例には本発明の範囲を超えることなく多くの調整を行うことができる。
【図１（ａ）】
2016539375.tif 000003
【図１（ｂ）】
2016539375.tif 000004
【図２】
2016539375.tif 000005
【国際調査報告】
2016539375.tif 000006
2016539375.tif 000007
2016539375.tif 000008
2016539375.tif 000009