(57)【要約】  電子デバイスを加工する方法は、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有するキャリア（１０）に結合された薄いガラス板（２０）を有する物品（２）を取得するステップを含む。物品は、薄いガラス板の上に第１のデバイス（４０）を形成するために、第１の加工サイクルを受け（Ｐ１）、第１の加工サイクルの後、キャリアは第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より小さい第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する。薄いガラス板はキャリアから取り外される（Ｐ２）。その後、キャリアは、第２のデバイス（５０）をその上に形成するために、第２の加工サイクルを受け（Ｐ４）、第２の加工サイクルの間に使用される最高加工温度は第１の加工サイクルの間に使用される最高加工温度と同じではない。キャリアの上に第２のデバイスを形成する代わりに、第２の薄板（２２０）をキャリアに結合し、その上で第３のデバイス（６０）を加工することができる。
2016514286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを加工する方法において、
第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有するキャリアに結合された薄いガラス板を備える物品を取得するステップと、
前記薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために、前記物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、前記第１の加工サイクルの後に、前記キャリアが前記第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値以下である第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
前記キャリアから前記薄いガラス板を取り外すステップと、
前記キャリアの上に第２のデバイスを形成するために、前記キャリアに第２の加工サイクルを受けさせるステップと、
を有してなることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記キャリアは、前記第２の加工サイクルの前に化学的に強化され、さらに前記第２のデバイスは、防眩性、耐指紋性、防汚性、または抗菌性の膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電子デバイスを加工する方法において、
第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有するキャリアに結合された第１の薄いガラス板を備える第１の物品を取得するステップと、
前記第１の薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために、前記第１の物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、前記第１の加工サイクルの後に、前記キャリアが前記第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値以下である第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
前記キャリアから前記第１の薄いガラス板を取り外すステップと、
第２の物品を形成するために、前記キャリアを第２の薄いガラス板に結合するステップと、
前記第２の薄いガラス板の上に第２のデバイスを形成するために、前記第２の物品に第２の加工サイクルを受けさせるステップであって、第前記第２の加工サイクルの後に前記キャリアのＱＣＯＬＥＤ圧縮値が５％以下減少する、ステップと、
を有してなることを特徴とする、方法。
【請求項４】
電子デバイスを加工する方法において、
キャリアに結合された、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する第１の薄いガラス板と、前記第１の薄いガラス板におよび前記キャリアに結合された第２の薄いガラス板と、を備える第１の物品を取得するステップと、
前記第２の薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために前記第１の物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、前記第１の加工サイクルの後に、前記第１の薄いガラス板が前記第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より小さい第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
第２の物品を形成するために、前記第１の物品から前記第２の薄いガラス板を取り外すステップと、
前記第１の薄いガラス板の上に第２のデバイスを形成するために、前記第２の物品に第２の加工サイクルを受けさせるステップと、
を有してなることを特徴とする、方法。
【請求項５】
前記キャリアは完全焼鈍されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の薄いガラス板は、前記第１の薄いガラス板が位置しているのと同様に前記キャリアの同じ側に位置していることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の加工サイクルの間に使用される最高加工温度は、前記第１の加工サイクルの間に使用される最高加工温度より低いことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の加工サイクルは、４５０℃超から７００℃以下の範囲内の最高温度を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の加工サイクル最高温度は、前記第１の加工サイクルにおける最高温度より高いことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイスを加工する方法。
【請求項１０】
前記薄いガラス板が加工の間に位置している側と反対の前記キャリアの側に保護層を提供するステップをさらに備えることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、その内容が依拠され、その全体において参照により本明細書に援用される、２０１３年３月１４日出願の米国仮特許出願第６１／７８１，８７２号明細書に対する米国法典第３５編第１１９条の下の優先権の利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は電子デバイスを加工する方法を対象とし、特に、薄板およびキャリアを使用して電子デバイスを加工する方法を対象とする。
【背景技術】
【０００３】
フレキシブル基板は、ロール・ツー・ロール加工を使用する、より安いデバイスの将来性、および、より薄く、より軽く、より柔軟で丈夫なディスプレイを作る可能性を提供する。しかしながら、高品質ディスプレイのロール・ツー・ロール加工のために必要とされる技術、装置、および工程はまだ完全に開発されていない。パネルメーカーは、大きなガラス板を加工するためのツールセットに既に大量に投資してきたので、キャリアにフレキシブル基板をラミネートすることおよびシート・ツー・シート工程によってディスプレイデバイスを作ることは、より薄く、より軽く、より柔軟なディスプレイの価値命題を開発するためのより短期的な解決策を提供する。加工の間にフレキシブル基板に十分な剛性を提供するようにそれはキャリアによって支持されるので、電子デバイスはフレキシブル基板上に作られる。望ましい電子デバイスがフレキシブル基板上に作り出された後、フレキシブル基板（全部、または一部）はキャリアから取り外される。
【０００４】
キャリアは通常、高価な場合もある、ディスプレイ等級のガラス基板である。フレキシブル基板をキャリアに接合するいくつかの方法は、フレキシブル基板がキャリアから剥離された後キャリアが原形を保つことを可能にする。例えば、各々２０１２年１２月１３日に出願された、特許文献１、特許文献２、および特許文献３（本明細書で以下「１２月１３日出願」と呼ぶ）を参照されたい。フレキシブル基板をキャリアに接合する他の方法は、フレキシブル基板とキャリアとの間に恒久的な接合の領域を提供する。例えば、２０１３年２月７日出願の特許文献４（本明細書で以下「２月７日出願」と呼ぶ）を参照されたい。いずれの場合においても、加工コストを減少させるようにキャリアを再利用可能とすることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国仮特許出願第６１／７３６８８７号明細書
【特許文献２】米国仮特許出願第６１／７３６８６２号明細書
【特許文献３】米国仮特許出願第６１／７３６８７１号明細書
【特許文献４】ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ１３／２５０３５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子デバイス、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、は複数のステップで基板上に製作される。近年、基板上のデバイス間の間隔またはピッチはますます小さくなっており、１つのステップで適用される材料とその後のステップで適用される材料との間のますます厳しい位置合わせ公差を必要としている。そのような厳しい位置合わせ要求に合致して電子デバイスを作り出す能力は、工程を通して、次から次へと同様にふるまう、すなわち各々の基板がデバイス製造工程の開始から終了まで同様の寸法変化を受けるようになる、基板を有することの必要性を伴う。
【０００７】
より具体的には、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイおよび液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）テレビジョンパネル用のカラーフィルタ（ＣＦ）は、平面ガラス基板上に製作される。非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴおよびＣＦ製作工程は、前者に対して約３５０℃まで、および後者に対して約２５０℃までの温度で、複数の熱サイクルを必要とする。これらの温度で、ディスプレイガラス基板は、実際的な処理時間で（溶融成形ガラスに対して）最大４ｐｐｍ程度の圧縮を受ける。いずれの工程のディスプレイガラス基板の典型的な圧縮の大きさも通常は問題でないように、ＣＦおよびＴＦＴ基板の製作者は、それらの露光倍率を少なくとも最大１０ｐｐｍまで補償することができる。しかしながら、圧縮がガラス基板内で不均一であるかまたはピースごとに変動する場合、露光補償は、連続した熱サイクルに置かれた機構の適正な位置合わせを提供するのに不十分となる場合がある。総ピッチ誤差は、ＣＦまたはＴＦＴ基板内の機構の不良位置合わせ、またはＣＦプレートに対するＴＦＴの不良位置合わせの結果として誤作動するＬＣＤパネルに割り当てられた用語である。典型的な総ピッチ誤差割当量はＴＦＴおよびＣＦに対してそれぞれ４マイクロメートルおよび６マイクロメートルである。ディスプレイ市場におけるいくつかの新しいトレンドは、より厳しい総ピッチ仕様および圧縮による総ピッチ誤差のリスク増加をもたらしている：
・  より厳しい総ピッチ仕様を促進する要因は、
ｏ  製品差別化のためのパネル解像度の増加、
ｏ  より高いパネル透過のための開口率の増加、および
ｏ  製品ミックス柔軟性のためのより小さなアプリケーションのより大きなサイズの基板への移行、
を含む。
・  圧縮による総ピッチ誤差のリスク増加を促進する要因は、
ｏ  より高い製造スループットのための、工程ステップ間のピッチ測定および補償レシピ調整の減少、
ｏ  薄い軽量パネルのための基板厚さの減少、
ｏ  大きなサイズ（＞４０インチ（１０１．６ｃｍ））のディスプレイのコスト減少のための世代サイズの増加、
を含む。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者は、ガラスキャリアが同じ工程でキャリアとして再利用されるとき、ガラスキャリアが圧縮する（または少なくとも部分的に熱の影響によって収縮する）ことを見出した。そして、ガラスキャリアが同じ時間−温度サイクルを通過する度に、前回サイクルを通ったときより幾分少ない程度にではあるが、それはさらに圧縮する。さらに、キャリアの圧縮は、物品（キャリアおよびフレキシブルガラス基板の組合せ）の全体的な統合された圧縮と同様に、キャリアに結合されたフレキシブルガラスの圧縮に影響を及ぼす。そのため、その後のフレキシブルガラス基板のためにキャリアを再利用しようと試みるとき、１つの物品は、物品のキャリアが工程を通過してきた時間の間の相違によって、別の物品と異なる圧縮を不必要に受ける。
【０００９】
同じデバイス製造工程を通過する異なる物品間の寸法変化におけるこのような相違は、露光補償工程を、よく見積っても非常に難しくし、おそらく実行不可能とするので、望ましくない。それでも、デバイス製造工程を通って１回使用した後のキャリアを単に廃棄、または処分することは、非常にコストがかかる。したがって、発明者は、キャリアが同じ工程におけるキャリアとして以外の方法で有利に再利用可能であることを見出した。その代わりに、キャリアはそれ自体で、電子デバイスをその上で作ることができる基板として使用することができる。いくつかの事例では、１つの工程におけるキャリアの圧縮は、有利には、キャリアは許容できない寸法変化を受けたので別な方法では使用可能でなかったより高い温度の工程で、キャリアを基板として使用可能にできる。他の事例では、１つの工程におけるキャリアの圧縮は、有利には、キャリアが非常に少ない寸法変化を受けることになるより低い温度工程で、電子デバイスがその上に形成される基板として、キャリアを使用可能にできる。あるいは、そこに結合されたフレキシブルガラス基板上に電子デバイスを形成するための第１の工程を通過した後、キャリアは、その上に異なる電子デバイスが（第１の工程と比較して）より低い温度工程で作られることになる第２のフレキシブルガラス基板のためのキャリアとして使用することができる。さらにまだ、いくつかの事例では、先行する工程を通過することが有利には次の基板を次の工程を受けるのにより適しているようにできる、その後の工程を通して電子デバイスが順番に各々の基板上に形成される、複数のガラス基板を搬送するために、キャリアを使用することができる。
【００１０】
さらなる特徴および利点は、以下の詳細な説明に記載され、一部は当業者には説明から容易に明らかで、または明細書および添付の図面に例示されるようにさまざまな実施態様を実践することにより認知されるであろう。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方は、さまざまな実施態様の単なる例示であり、特許請求の範囲に記載された本発明の性質および特徴を理解するための外観または枠組みを提供することを意図していることは理解されるべきである。
【００１１】
添付の図面は、本発明の原理のさらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれその一部を構成する。図面は１つまたは複数の実施形態を示し、記述とともに、例として、本発明の原理と動作を説明するのに役立つ。本明細書および図面で開示されたさまざまな特徴は、ありとあらゆる組合せで使用することができることは理解されるべきである。非限定的な例として、さまざまな特徴は、以下の実施態様に記載されるように、互いに組み合わせることができる。
【００１２】
第１の実施態様によれば、
第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有するキャリアに結合された薄いガラス板を備える物品を取得するステップと、
薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために、前記物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、第１の加工サイクルの後に、キャリアが第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値以下である第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
キャリアから薄いガラス板を取り外すステップと、
キャリアの上に第２のデバイスを形成するために、キャリアに第２の加工サイクルを受けさせるステップと、
を有してなる、電子デバイスを加工する方法が提供される。
【００１３】
第２の実施態様によれば、キャリアは第２の加工サイクルの前に化学的に強化され、さらに、第２のデバイスは防眩性、耐指紋性、防汚性、または抗菌性の膜を含む、第１の実施態様に記載の方法が提供される。
【００１４】
第３の実施態様によれば、
第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有するキャリアに結合された第１の薄いガラス板を備える第１の物品を取得するステップと、
第１の薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために、第１の物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、第１の加工サイクルの後に、キャリアが第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値以下である第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
キャリアから第１の薄いガラス板を取り外すステップと、
第２の物品を形成するために、キャリアを第２の薄いガラス板に結合するステップと、
第２の薄いガラス板の上に第２のデバイスを形成するために、第２の物品に第２の加工サイクルを受けさせるステップであって、第２の加工サイクルの後にキャリアのＱＣＯＬＥＤ圧縮値が５％以下減少する、ステップと、
を有してなる、電子デバイスを加工する方法が提供される。
【００１５】
第４の実施態様によれば、
キャリアに結合された、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する第１の薄いガラス板と、第１の薄いガラス板におよびキャリアに結合された第２の薄いガラス板と、を備える第１の物品を取得するステップと、
第２の薄いガラス板の上に第１のデバイスを形成するために、前記第１の物品に第１の加工サイクルを受けさせるステップであって、第１の加工サイクルの後に、第１の薄いガラス板が第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より小さい第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する、ステップと、
第２の物品を形成するために、第１の物品から第２の薄いガラス板を取り外すステップと、
第１の薄いガラス板の上に第２のデバイスを形成するために、第２の物品に第２の加工サイクルを受けさせるステップと、
を有してなる、電子デバイスを加工する方法が提供される。
【００１６】
第５の実施態様によれば、キャリアは完全焼鈍される、実施態様４に記載の方法が提供される。
【００１７】
第６の実施態様によれば、キャリアは第１または第２の薄いガラス板に結合される前に完全焼鈍される、実施態様４に記載の方法が提供される。
【００１８】
第７の実施態様によれば、第２の薄いガラス板は、第１の薄いガラス板が位置しているのと同様にキャリアの同じ側に位置している、実施態様４に記載の方法が提供される。
【００１９】
第８の実施態様によれば、第２の加工サイクルの間に使用される最高加工温度は、第１の加工サイクルの間に使用される最高加工温度より低い、実施態様１〜７のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００２０】
第９の実施態様によれば、第１の加工サイクルは、４５０℃超から７００℃以下の範囲内の最高温度を含む、実施態様１〜８のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００２１】
第１０の実施態様によれば、第２の加工サイクルは４５０℃以下の最高温度を含む、実施態様９に記載の方法が提供される。
【００２２】
第１１の実施態様によれば、第１のデバイスは多結晶半導体デバイス、微結晶半導体デバイス、低温多結晶シリコンデバイス、または結晶性酸化物ＴＦＴデバイスである、実施態様９または実施態様１０に記載の方法が提供される。
【００２３】
第１２の実施態様によれば、第１の加工サイクルは、２５０℃超から４５０℃以下の範囲内の最高温度を含む、実施態様１〜８のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００２４】
第１３の実施態様によれば、第２の加工サイクルは２５０℃以下の最高温度を含む、実施態様１２に記載の方法が提供される。
【００２５】
第１４の実施態様によれば、第１のデバイスは非晶質半導体デバイス、非晶質酸化物ＴＦＴデバイス、または非晶質シリコンＬＣＤである、実施態様１２または実施態様１３に記載の方法が提供される。
【００２６】
第１５の実施態様によれば、第２のデバイスはタッチセンサ、透明導電体膜、またはカラーフィルタである、実施態様１３または１４に記載の方法が提供される。
【００２７】
第１６の実施態様によれば、第２の加工サイクル最高温度は、第１の加工サイクルにおける最高温度より高い、実施態様１〜７のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００２８】
第１７の実施態様によれば、第１の加工サイクルは、２５０℃超から４５０℃以下の範囲内の最高温度を含む、実施態様１〜７または１６のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００２９】
第１８の実施態様によれば、第１のデバイスは非晶質半導体デバイス、非晶質酸化物ＴＦＴ、または非晶質シリコンＬＣＤデバイスである、実施態様１７に記載の方法が提供される。
【００３０】
第１９の実施態様によれば、第２の加工サイクル最高温度は、４５０℃超から７００℃以下の範囲内である、実施態様１６〜１８のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３１】
第２０の実施態様によれば、第２のデバイスは多結晶半導体デバイス、微結晶半導体デバイス、低温多結晶シリコンデバイス、または結晶性酸化物ＴＦＴデバイスである、実施態様１９に記載の方法が提供される。
【００３２】
第２１の実施態様によれば、キャリアは２００マイクロメートル以上の厚さを有する、実施態様１〜２０のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３３】
第２２の実施態様によれば、薄いガラス板は３００マイクロメートル以下の厚さを有する、実施態様１〜２１のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３４】
第２３の実施態様によれば、薄いガラス板が加工の間に位置している側と反対のキャリアの側に保護層を提供するステップをさらに備える、実施態様１〜２２のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３５】
第２４の実施態様によれば、保護層はハードコート層および薄いガラス板の１つである、実施態様２３に記載の方法が提供される。
【００３６】
第２５の実施態様によれば、キャリアはガラスである、実施態様１〜２４のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３７】
第２６の実施態様によれば、キャリアは０．１平方メートル以上の面積を有する、実施態様１〜２５のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【００３８】
第２７の実施態様によれば、薄いガラス板は０．１平方メートル以上の面積を有する、実施態様１〜２６のいずれか１つに記載の方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】キャリアに結合された薄いガラス板を有する物品の１つの実施形態の側面図である。
【図２】図１に示された物品の分解組立図である。
【図３】ＱＣＯＬＥＤ圧縮試験の時間−温度グラフである。
【図４】図３のＱＣＯＬＥＤ圧縮試験における測定のための、けがき線およびノード位置の概略図である。
【図５】概略的な工程フローである。
【図６】キャリアに結合された薄いガラス板を有する物品の第２の実施形態の側面図である。
【図７】キャリアに結合された薄いガラス板を有する物品の第３の実施形態の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下の詳細な説明では、限定ではなく説明の目的のために、特定の細部を開示する実施例の実施形態が本発明のさまざまな原理の完全な理解を提供するために記載される。しかしながら、本発明は、本明細書に開示された特定の細部から逸脱する他の実施形態において実践され得ることは、本開示の利益を有してきた当業者には明らかであろう。さらに、本発明のさまざまな原理の説明を不明瞭にしないように、よく知られているデバイス、方法および材料の説明は省略される場合がある。最後に、適用可能なところはどこでも、同様の符号は同様の要素を意味する。
【００４１】
範囲は本明細書で、「約」１つの特定の値から、および／または「約」別の特定の値までとして表現することができる。このような範囲が表現されるとき、別の実施形態は、１つの特定の値からおよび／または他の特定の値までを含む。同様に、先行詞「約」の使用によって、値が近似値として表現されるとき、特定の値は別の実施形態を形成することは理解されよう。範囲の各々の終端は、他の終端との関係においても、および他の終端と無関係にも、ともに重要であることはさらに理解されよう。
【００４２】
本明細書で使用される方向を示す用語−例えば上、下、右、左、前、後ろ、一番上、一番下−は、描かれている図を基準にしてのみなされ、絶対的な方位を意味することを意図しない。
【００４３】
別段明記しない限り、本明細書に記載のいかなる方法も、そのステップが特定の順序で行われることを必要とすると解釈されるように意図するものでは決してない。したがって、方法の特許請求の範囲が実際にそのステップが従うべき順序を列挙しない、または別な方法で具体的に特許請求の範囲または説明の中でステップが特定の順序に限定されるべきであると述べられていない場合、いかなる点でも、順序が推測されるように意図するものでは決してない。これは、ステップの配列または動作フローに関する論理の問題、文法的な組織または句読点に由来する明白な意味、明細書に記載された実施形態の数またはタイプを含む、解釈のための任意の可能な非明示の基礎に当てはまる。
【００４４】
本明細書で使用する、名詞は、特に文脈が明確に規定しない場合は、複数の指示対象を含む。そのため、特に文脈の明確な指示がない場合は、例えば、「構成要素（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）」への言及は、２つ以上のそのような構成要素を有する実施態様を含む。
【００４５】
図１および図２に示すように、ガラス物品２は厚さ８を有し、厚さ１８を有するキャリア１０、厚さ２８を有する薄板２０（すなわち、例えば１０〜５０マイクロメートル、５０〜１００マイクロメートル、１００〜１５０マイクロメートル、１５０〜３００マイクロメートル、３００、２５０、２００、１９０、１８０、１７０、１６０、１５０、１４０、１３０、１２０、１１０、１００、９０、８０、７０、６０、５０、４０、３０、２０、または１０マイクロメートルを含むがそれに限定されない、３００マイクロメートル以下の厚さを有する薄板）、および厚さ３８を有するカップリング剤３０を含む。薄板２０自体は３００マイクロメートル以下であるが、ガラス物品２は、より厚い板（すなわち、例えば、０．４ミリメートル、０．５ミリメートル、０．６ミリメートル、０．７ミリメートル、０．８ミリメートル、０．９ミリメートル、または１．０ミリメートルなどの、０．４ミリメートル以上程度の厚さの板）のために設計された装置の中で薄板２０の加工を可能にするように設計される。すなわち、厚さ１８、２８、および３８の合計である厚さ８は、１つの装置−例えば、電子デバイス構成要素を基板シート上に配置するように設計された装置−がそれを加工するように設計された、より厚い板の厚さに相当するように設計される。例えば、加工装置が７００マイクロメートルの板用に設計され、薄板が３００マイクロメートルの厚さ２８を有した場合、厚さ３８は無視することができると想定し、厚さ１８は４００マイクロメートルとして選択されることになる。すなわち、カップリング剤３０は一定の縮尺で示されず、代わりに、単に例示のために大いに誇張されている。さらに、図２で、カップリング剤は断面図に示される。実際には、カップリング剤は、薄板２０とキャリア１０との間の恒久的な接合を防止するように、少なくとも２つの間の重なりの中央領域に、および好ましくは薄板２０とキャリア１０との間の重なりの領域全体に、接合面１４の上をおおって配置されることになる。通常、厚さ３８は、例えば０．１から２．０、または最大１０ナノメートルまでなど、ナノメートル程度であり、いくつかの事例では最大１００ナノメートルまでとなる場合がある。厚さ３８はエリプソメータによって測定することができる。さらに、カップリング剤の存在は、例えば飛行時間型二次イオン質量分析法などの表面化学分析によって検出することができる。したがって、厚さ３８の物品の厚さ８への寄与はごくわずかであり、厚さ２８を有する所定の薄板２０を加工するのに適したキャリア１０の厚さ１８を決定するための計算において無視することができる。しかしながら、カップリング剤３０が任意の有意な厚さ３８を有する限りにおいて、そのようなものは、薄板２０の所定の厚さ２８、およびそのために加工装置が設計された所定の厚さに対するキャリア１０の厚さ１８を決定する際に考慮され得る。
【００４６】
キャリア１０は第１の表面１２、接合面１４、外周１６、および厚さ１８を有する。さらに、キャリア１０は、例えば、ガラスを含む任意の適当な材料であってもよい。キャリアはガラスである必要はなく、代わりにセラミック、またはガラスセラミックとすることができる。ガラスで作られている場合、キャリア１０は、アルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、ソーダ石灰ケイ酸塩を含む任意の適当な組成物とすることができ、その最終用途に応じてアルカリ含有または無アルカリのいずれかとすることができる。厚さ１８は、約０．２から３ミリメートル、またはそれ超から、例えば０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．６５、０．７、１．０、２．０、もしくは３ミリメートル、またはそれ超からすることができ、厚さ２８、および上記のようにそのようなものが無視できないときは厚さ３８に依存する。さらに、キャリア１０は、図に示されるように１つの層で作られていても、互いに接合された（複数の薄板を含む）複数の層で作られていてもよい。さらに、キャリアはウェーハサイズまたは超から、例えば、第２世代、第３世代、第４世代、第５世代、第８世代または超からすることができる（例えば、１００ミリメートル×１００ミリメートルから３メートル×３メートルまでまたはそれより大きい板サイズ）。
【００４７】
薄板２０は第１の表面２２、接合面２４、外周２６、および厚さ２８を有する。外周１６および２６は任意の適当な形状であってもよく、互いに同じであってもよく、または互いに異なっていてもよい。さらに、薄板２０は、例えば、ガラス、セラミック、またはガラスセラミックを含む任意の適当な材料であってもよい。ガラスで作られている場合、薄板２０は、アルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、ソーダ石灰ケイ酸塩を含む任意の適当な組成物とすることができ、その最終用途に応じてアルカリ含有または無アルカリのいずれかとすることができる。薄板の熱膨張率は、高温での加工の間に物品の歪みを防止するために、キャリアの熱膨張率と比較的精密に一致させることができる。上記のように、薄板２０の厚さ２８は３００マイクロメートル以下である。さらに、薄板はウェーハサイズまたは超から、例えば、第２世代、第３世代、第４世代、第５世代、第８世代または超からすることができる（例えば、１００ミリメートル×１００ミリメートルから３メートル×３メートルまでまたはそれより大きい板サイズ）。
【００４８】
カップリング剤３０は、それらが一緒に工程を通過することができるように薄板２０をキャリア１０と結合する。カップリング剤３０は、薄板２０とキャリア１０との間に固体層として示されているが、そのようである必要はない。例えば、層３０は０．１から２ナノメートル程度の厚さであってもよく、接合面１４のすべてを完全に覆わない場合がある。例えば、被覆率は、１００％以下、１％から１００％まで、１０％から１００％まで、２０％から９０％まで、または５０％から９０％までとすることができる。他の実施形態では、層３０は、厚さ最大１０ナノメートルまでとすることができ、または他の実施形態では、厚さ最大１００ナノメートルまでとさえすることができる。カップリング剤３０は、それがキャリア１０および薄板２０のどちらか一方と接触しない場合でも、キャリア１０と薄板２０との間に配置されると考えられる。いずれにしても、カップリング剤３０の重要な実施態様は、キャリア１０および薄板２０が薄板２０上への電子デバイス加工のために互いに結合されることを可能にすること、電子デバイス加工の後薄板２０がキャリア１０から取り外されることを可能にすること、および薄板２０の取り外しの後または薄板２０の取り外しとともにキャリアから除去可能であることである。接合前の接合面１４、２４の処理と同様、カップリング剤３０の材料および厚さは、１２月１３日出願に記載されたようにキャリア１０と薄板２０との間の接合強度（付着エネルギー）を制御するために使用することができる。あるいは、カップリング剤３０は、２月７日出願に記載されたように、フレキシブル基板とキャリアとの間に恒久的な接合の領域を提供するために使用することができる。この後者の場合、カップリング剤を薄板２０とキャリア１０との間に恒久的な接合を作り出すように使用するとき、それは、薄板２０とキャリア１０との間の重なり領域の外周の周りのみに使用することができる。そのため、外周部分は、別々の薄板２０およびキャリア１０を提供するために取り除くことができる。キャリア１０は初期のキャリア１０よりいくぶん小さいことになるが、そのようなものはいくつかの用途に適する場合があり、実際、キャリア１０は、薄板２０の取り外し後に、より小さい基板サイズにさいの目に切断することができる。例えば、電子デバイスは、第８世代サイズを有する物品の薄板の上に加工することができる。それから、薄板２０およびその上のデバイスの取り外し後に、第８世代サイズのキャリアは、以下に説明するようなその後の使用のために恒久的な接合の領域を取り除き複数のより小さい第２世代サイズの小片にさいの目に切断することができる。
【００４９】
圧縮およびＱＣＯＬＥＤ圧縮値／試験
上記のように、キャリアが時間−温度サイクルを通過するとき、それは圧縮、または収縮するようになる。実際的な問題として、ガラスの歪点が、遭遇する工程温度よりずっと大きい（例えば、約２００〜３００℃より大きい）場合、圧縮は最小である。圧縮の程度は、ガラスの事前の熱履歴、および、同様に、形成される電子デバイスのタイプに依存する、時間−温度サイクルのタイプに依存することになる。例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）加工ラインは高温加工を含み得る−ここで、高温加工は、２５０℃より高い温度での加工であって、作られるデバイスのタイプに依存して変動する場合があり、例えば、（例えば、非晶質シリコンまたは非晶質酸化物ＴＦＴ（例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ））バックプレーン加工を含む）非晶質半導体加工におけるように最高約４５０℃までの温度を含み、（例えば、結晶性酸化物ＴＦＴ加工を含む）結晶性半導体加工におけるように最高約５００〜５５０℃まで、または低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）工程を含む多結晶もしくは微結晶半導体加工において典型的なように最高約６００〜６５０℃までの温度を含む。ここで、ＬＴＰＳ工程に関連した「低温」は、およそ７５０℃で起こり得る固相結晶化と比較して低い。典型的なａＳｉ  ＴＦＴ製作は最高３２０℃までの加工を必要とする。４００℃での焼鈍は酸化物ＴＦＴ工程で使用されるが、６００℃を超える結晶化およびドーパント活性化ステップはＬＴＰＳ加工で使用される。スペクトルの他方の端で、例えば、２５０℃以下の、より低温での加工は、例えばＩＴＯなどの透明導電体の成膜を含む、例えば、カラーフィルタデバイス、またはタッチセンサデバイスを形成するために使用することができる。
【００５０】
キャリア、薄板、または物品を含む、このような加工を受ける１枚のガラスの安定性は、図３および図４を参照して説明するＱＣＯＬＥＤ試験によって測定することができる。一般に、ＱＣＯＬＥＤ圧縮値が低いほど、１枚のガラスは特定の工程でより圧縮しないことになる。
【００５１】
ＱＣＯＬＥＤ熱サイクルは、多結晶シリコンベースのＡＭＯＬＥＤ用途のために意図されたガラスの圧縮における相違を区別するように設計されるが、別の基板と比較した１つの基板の相対的な熱安定性を決定するために同様に役立つ。ＱＣＯＬＥＤサイクルでの典型的な多結晶シリコン基板ガラスの圧縮は２５ｐｐｍより大きい。ゲージノイズは約１ｐｐｍであるから、ＱＣＯＬＥＤサイクルは、別な方法では典型的な多段階多結晶シリコン製造熱サイクルを使用して識別するのは難しいであろう性能における小さな相違を区別するのに有効である。
【００５２】
ＱＣＯＬＥＤ圧縮の測定は、２５４×２５４ミリメートルの小片の試験サンプルを使用して、以下の方法で行うことができる。
【００５３】
基本的な圧縮測定手順は次の通りである。
１．水平および垂直両方向に２０ミリメートルのピッチでサンプル全体にわたって１１本の線５２０を刻みつける、図４を参照のこと、
２．ゲージ上の基準マークに対する７２個の参照ノード５３０（板の各エッジ上の２つの最も外側のけがき線に関連した交点に位置している、図４を参照のこと）の初期位置を決定するために「最初の観察」を行う、
３．サンプルが図３に示される熱プロファイルに従って箱型炉で熱処理される、サンプルの熱処理を行う。最初に、炉は５９０℃より少し高く予熱される。サンプルはそれから炉の正面の小さなスリットを通して炉に突っ込まれる（図３のグラフのポイント５００を参照のこと）。３０分後サンプルは炉から周囲の空気中に急冷される（図３のグラフのポイント５１０を参照のこと）。サンプルがピーク温度５９０℃に位置する総時間は約１８分である。
４．７２個の参照ノードの位置を再度測定する、そして
５．すべてのノードの初期位置に対する変位を平均することにより、圧縮を決定する。
【００５４】
ステップ４における参照ノードの再測定に関して、より具体的には、サンプルが熱処理された後、ノードの位置は、ノードのＸ方向における変位ｄｘ、およびＹ方向における変位ｄｙを決定するために測定される。各方向に対する圧縮値は、位置の関数としての変位の線形回帰の勾配である：
【００５５】
【数１】
2016514286.tif 000003
【００５６】
【数２】
2016514286.tif 000004
【００５７】
式中、ｉは測定ノードを識別する添字であり、ｘおよびｙは各ノードの座標を指定し、ｄｙおよびｄｘは、初期測定値に対する各ノードの方向特定変位である。上式中の値１３２はｘおよびｙ両方の平均値である。Ｘ方向圧縮およびＹ方向圧縮は圧縮値を取得するために平均される。
【００５８】
一般に、ＱＣＯＬＥＤ圧縮の大きさは、特定のガラス材料の焼鈍点の上昇とともに連続的に減少する。したがって、それに結合された薄板上に電子デバイスを形成するための工程を通過するキャリアとして、ガラス材料を熱処理することは、ガラス材料のＱＣＯＬＥＤ値を減少させることができ、それによってその後の工程でガラス材料はより高い焼鈍点のガラスのようにふるまうようになる。
【００５９】
キャリアを再利用するための工程
キャリア１０を再利用する１つの方法を図５に関連して説明する。（１）におけるように、物品２が工程Ｐ１に入る前に、それはカップリング剤３０によってキャリア１０に結合された薄板２０を含む。図５〜図７全体で、便宜上、カップリング剤は厚さを持たないように示されているが、再び、それは一定の縮尺で描かれていない。この段階で、物品全体は、その構成要素の各部分、キャリア１０、および薄板２０がそうであるように、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する。それらの化学組成およびそれらを製作するために使用された熱工程に依存して、厚板（またはキャリア１０）圧縮は２０ｐｐｍから１５０ｐｐｍの範囲とすることができる一方、薄板圧縮は５０ｐｐｍから２５０ｐｐｍの範囲とすることができる。
【００６０】
物品２はそれから、矢印で図式的に表されるように、薄板２０上に第１のデバイス４０を形成するために、その結果が（２）に示される工程Ｐ１を受ける。工程Ｐ１は、さまざまな時間−温度サイクルを有するさまざまなステップ、および最高温度を含み得る。
【００６１】
工程Ｐ１は、デバイス４０が非晶質酸化物ＴＦＴ、非晶質ＩＧＺＯデバイス、または例えばＯＬＥＤもしくはＬＣＤディスプレイパネルなどの、ディスプレイデバイスの非晶質シリコンバックプレーンの部分であるとき、２５０℃より高く４５０℃以下の温度における物品の加工を含み得る。
【００６２】
あるいは、工程Ｐ１は、低温多結晶シリコン工程、すなわち、およそ７５０℃の温度を含む固相結晶化と比較して低い温度、とすることができる。このように、低温多結晶シリコン工程は実際に４５０℃より高く７００℃以下の範囲の加工温度を含む。この工程は、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）、高速熱アニール（ＲＴＡ）、または低温多結晶シリコンデバイス、もしくは結晶性酸化物ＴＦＴデバイスを形成するための他のステップを含み得る。これらのタイプのデバイスは、手持ち式のフラットパネルディスプレイデバイスで使用できる。
【００６３】
物品２は、Ｐ１の工程処理を終了した後、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より小さい第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有することになる。再び、これは物品２の構成要素の各部分について同様にあてはまり、すなわち、キャリア１０および薄板２０は各々、それらのそれぞれの第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より低い第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有することになる。物品２はそれから、矢印で図式的に示されるように、その上にデバイス４０を有する薄板２０（全体として、またはその一部）をキャリア１０から分離するように工程Ｐ２を受ける。工程Ｐ２の結果は（３）に示される。図に示されるように、分離の間に、カップリング剤３０はキャリア１０に留まるように設計することができ、あるいは、カップリング剤３０は薄板２０に留まるように設計することができる。いずれにしても、工程Ｐ２は、キャリアの接合面１４を損傷することなく薄板２０をキャリア１０から取り外すことが可能な工程である。
【００６４】
薄板２０の分離後にカップリング剤３０がキャリア１０に留まる場合、キャリア１０は次に、カップリング剤３０をキャリア１０から除去するための工程Ｐ３を通過する。工程Ｐ３の結果は（４）に示される。カップリング剤３０の材料に応じて、それは、例えば、洗浄、加熱、プラズマ洗浄、標準洗浄（ＳＣ１またはＳＣ２）、ＲＣＡ洗浄、および／またはピラニア洗浄によってキャリア１０から除去される。
【００６５】
カップリング剤３０が−必要に応じて工程Ｐ２または工程Ｐ３のいずれかによって−除去された後に、キャリア１０はそれで、さらなる加工のために準備ができている。いくつかの事例では、キャリア１０は、矢印で図式的に示されるように、工程Ｐ４によって第２のデバイス５０がその上に形成される基板として使用することができる。キャリア１０の接合面１４上に第２のデバイス５０が形成される、工程Ｐ４の結果は（５）に示される。
【００６６】
工程Ｐ４は、工程Ｐ１の間に使用されるもの以外の温度範囲を有する工程であってもよい。
【００６７】
工程Ｐ４における最高加工温度は工程Ｐ１におけるものより低くてもよい。例えば、上記のように、工程Ｐ１が２５０℃より高く４５０℃以下の範囲内の最高加工温度を含むとき、工程Ｐ４はより低い最高加工温度範囲、すなわち、第２のデバイス５０が例えばインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電体を含むカラーフィルタまたはタッチセンサであるときのように、２５０℃以下、を有することができる。この場合、工程Ｐ１に起因するキャリア１０のＱＣＯＬＥＤ圧縮値における減少は、５％以下の圧縮変化は実質的ではない工程Ｐ４の間に、どんな実質的な追加の圧縮も受けることなく、より低い温度でデバイス５０を形成するのに適した基板１０を形成することになる。
【００６８】
あるいは、工程Ｐ４における最高加工温度はＰ１におけるものより高くてもよい。例えば、上記のように、工程Ｐ１が２５０℃より高く４５０℃以下の範囲内の最高加工温度を含むとき、工程Ｐ４はより高い最高加工温度範囲、すなわち、第２のデバイス５０が手持ち式のＦＰＤに適した低温多結晶シリコンデバイス、または結晶性酸化物ＴＦＴデバイスであるときのように、４５０℃より高く７００℃以下、を有することができる。この場合、工程Ｐ１に起因するキャリア１０のＱＣＯＬＥＤ圧縮値における減少は、工程Ｐ４の間にどんな実質的な追加の圧縮も受けることなくより高い温度でデバイス５０を形成するのに適した基板１０を形成することになる。すなわち、工程Ｐ１は、キャリア１０をより高温での加工に適するように「焼鈍」することになる。
【００６９】
１つの実施形態で、キャリアは化学的に強化可能なガラスから作ることができ、工程Ｐ４の前にキャリアが化学的に強化される。工程４におけるデバイスは、それで、防眩性、耐指紋性、防汚性、または抗菌性の膜のうちの任意の１つまたは複数とすることができる。
【００７０】
キャリア１０を第２の電子デバイス５０のための基板として使用する代わりに、それは再び、第２の薄板２０を有する第２の物品１０２におけるキャリア１０として使用することができる。この場合、工程Ｐ４を通過する代わりに、キャリアは、カップリング剤３０によってキャリアに第２の薄板２２０を結合するように、工程Ｐ５を通過することができる。いくつかの事例では、カップリング剤３０は工程Ｐ２の後キャリア１０上に残されてもよく、したがって、除去工程Ｐ３が必要でない場合がある。あるいは、（３）のようなカップリング剤３０は工程Ｐ３を介して除去し、第２の薄板２２０をキャリア１０に結合するように工程Ｐ５で新しいカップリング剤３０を使用してもよい。第２の物品１０２がカップリング剤３０によってキャリア１０に結合された第２の薄板２２０を含む、工程Ｐ５の結果は（６）に示される。
【００７１】
第２の物品１０２は次に、第２の薄板２２０上に第３のデバイス６０を形成するために、工程Ｐ６を通過することができる。工程Ｐ６の結果は（７）に示される。電子デバイスがキャリア１０上の代わりに第２の薄板２２０上に形成されることを除き、工程Ｐ６の詳細は、工程Ｐ４に関して上述したものと同様とすることができる。工程Ｐ６の後、第２の薄板２２０は、工程Ｐ２に関連して上述したものと同様の方法でキャリアから取り外される。そこから、キャリア１０の接合面上に電子デバイス５０を形成する工程Ｐ３およびＰ４に関して上記で説明したような方法で、キャリア１０は再び再利用することができる。あるいは、キャリア１０の事前の加工が、工程Ｐ６の温度に関して「完全焼鈍」されるようなＱＣＯＬＥＤ圧縮値をキャリアに提供する場合（すなわち、それは５％以下の圧縮における変化を受けることになる）、キャリア１０は、その上に第３のデバイス６０を形成するために第２の薄板２２０を繰返し搬送するために、何度も繰り返し使用することができる。しかしながら、この場合の工程Ｐ６を通してのキャリア１０の繰り返し使用は、加工装置内でのスクラッチなどにより光学的透明度や機械的強度の点でキャリア１０の劣化につながる可能性がある。したがって、キャリア１０を再利用できる回数には実際的な制限があり、そのため、一定の事例において、単に、上述の工程Ｐ４などにより、その上に電子デバイス５０が形成される基板としてキャリア１０を再利用することは、より有利となる場合がある。
【００７２】
代替の物品構成
物品の第２の実施形態を図６に関連して説明する。本実施形態では、残りの要素は第１の実施形態に関連して説明されたものと同様であり、実施形態全体で同様の符号は同様の要素を意味するという了解の下で、主として図１、図２、および図５の第１の実施形態からの相違を説明する。
【００７３】
本実施形態で、物品２０２は、第１のカップリング剤１３０によってキャリア１０に結合された第１の薄板１２０を有するキャリア１０を含む。今度は、第１の薄板１２０は、第２のカップリング剤２３０によってそれに結合された第２の薄板２２０を有し、第２の薄板２２０は、第３のカップリング剤３３０によってそれに結合された第３の薄板３２０を有する。各カップリング剤１３０、２３０、および３３０は、カップリング剤３０に関連して上述されたものと同じとすることができる。さらに、各カップリング剤１３０、２３０、３３０は、状況に応じて、同じ材料としてもよいし、異なった材料としてもよい。物品２０２の厚さはその構成要素の厚さの合計となる。
【００７４】
最初に組み立てられるとき、物品２０２は、その構成要素の各部分、すなわちキャリア１０、第１の薄板１２０、第２の薄板２２０、および第３の薄板３２０と同様に、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を含むことになる。物品２０２は、第３の薄板３２０、第２の薄板２２０、および第１の薄板１２０の上に続いて電子デバイスを形成するために加工することができる。１つの薄板上で電子デバイスを加工した後、薄板は、下にある次の薄板の表面の利用を可能にするように、工程Ｐ１およびＰ２が上記で説明されたのと同様の方法で、物品２０２から剥がすことができ、それにより物品は、（再び、その構成要素の各部分、キャリア１０、第１の薄板１２０、および第２の薄板２２０と同様に）、工程Ｐ１の後に、第１のＱＣＯＬＥＤ圧縮値より小さい第２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有することができる。１つの薄板の剥離の後、次の薄板の表面は、そこから任意のカップリング剤を除去するための工程を受けることができる。このように、電子デバイスは、事前の工程に起因するＱＣＯＬＥＤ圧縮値を有する物品を加工するように設計された装置の中でその後の工程が遂行される限り、物品２０２の連続した薄板上に続いて形成することができる。このように電子デバイスを加工する際に、キャリア１０およびそれに結合された任意の残りの薄板のＱＣＯＬＥＤ値における過度の変化を回避するように連続した工程がますます低い温度で起こるとき有利である。別の有利な実施形態で、物品２０２が連続した加工を受けるとき物品２０２のＱＣＯＬＥＤ圧縮値における変化を減少させるように、キャリア１０は、それに薄板１２０、２２０、３２０を結合する前に「完全焼鈍」することができ、それによって電子デバイスを各連続した薄板３２０、２２０、１２０上に確実に作ることができる。例えば、低温多結晶シリコンデバイスは、第３の薄板３２０上で加工することができ、それから、非晶質酸化物ＴＦＴデバイス（または非晶質ＩＧＺＯデバイス、または非晶質シリコンＬＣＤバックプレーンデバイス）は、第２の薄板２２０上で加工することができ、そして最後に、タッチセンサまたはカラーフィルタデバイスは、第１の薄板１２０上に形成することができる。
【００７５】
３つの薄板１２０、２２０、３２０がキャリア１０に結合されているように示されるが、例えば、２、４、５、６、７、８、９、１０などの任意の適当な数の薄板を使用することができる。
【００７６】
代替の物品構成
物品の第３の実施形態を図７に関連して説明する。本実施形態では、残りの要素は第１および第２の実施形態に関連して説明されたものと同様であり、実施形態全体で同様の符号は同様の要素を意味するという了解の下で、主として第１および第２の実施形態からの相違を説明する。
【００７７】
物品３０２は、カップリング剤３０によってキャリア１０に結合された薄板２０を含む。さらに、キャリア１０は、薄板２０が結合されている側と反対のキャリアの側に保護層４２０を含む。物品３０２の厚さ３０８は、その構成要素の部分の厚さの合計である。保護層４２０は、カップリング剤３０によってキャリアに結合された追加の薄板としてもよいし、例えば、ハードコート層、透明導電体の層、またはＩＴＯとしてもよい。保護層４２０の目的は、電子デバイスが薄板２０の第１の表面上で加工されているとき、（例えばスクラッチ、または他の損傷などから）キャリア１０の第１の表面１２を保護することである。保護層４２０は、必要に応じて、例えばキャリアがその上に電子デバイスが形成される基板として使用される場合、取り外されてもよい。保護層４２０が薄板２０の材料と同様の特性を有する同様の材料の薄板であるときのように、いくつかの事例では、保護層４２０としての薄板の使用は物品３０２の歪みを最小化することができる。
【００７８】
第３の実施形態に関連して開示された保護層４２０は、同様の様式で第１および第２の実施形態で使用することができることに留意すべきである。
【００７９】
本発明の上述の実施形態、特に任意の「好ましい」実施形態は、単に本発明のさまざまな原理の明確な理解のために記載された、実装の単なる可能な実施例にすぎないことが強調されるべきである。多くの変形および修正は、本発明の精神およびさまざまな原理から実質的に逸脱することなく、上述の本発明の実施形態になされ得る。すべてのそのような修正および変形は、本開示および本発明の適用範囲内で本明細書に含まれ、以下の特許請求の範囲によって保護されることを意図している。
【図１】
2016514286.tif 000005
【図２】
2016514286.tif 000006
【図３】
2016514286.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016514286.tif 000011
【国際調査報告】
2016514286.tif 000012
2016514286.tif 000013