(57)【要約】レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを自動的に変動させることによって試料の第１の部分を試験することと、この第１の部分から、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを手動でまたは自動的に決定することと、を含む、イオンイメージング方法が開示される。その試料の第２の部分が次いで、１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析される。
2016513797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンイメージング方法であって、
レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを自動的に変動させることによって試料の第１の部分を試験することと、
前記第１の部分から、前記レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを手動でまたは自動的に決定することと、次いで
前記試料の第２の部分を、前記１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析することと、を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第１の部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料の前記第１の部分を試験する前記ステップが、前記第１の部分にわたるピクセルの配列からデータを獲得することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
どのピクセルが前記最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度に対応するかを手動でまたは自動的に決定することを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度をもたらす、前記レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを手動でまたは自動的に決定することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上のパラメータを自動的に変動させる前記ステップが、１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上のパラメータを自動的に変動させる前記ステップが、１ピクセル当たりの前記レーザーエネルギーを自動的に変動させることを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
イオンイメージング方法であって、
試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を自動的に取得することと、
前記質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を、手動でまたは自動的に決定することと、
前記試料を、前記１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いてイオンイメージングすることと、を含む、前記方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のイオンイメージング方法を含む、質量分析の方法。
【請求項１０】
前記試料を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を用いてイオン化することを更に含む、請求項９に記載の質量分析の方法。
【請求項１１】
質量分析計であって、
レーザーまたは他のイオン化装置と、
（ｉ）前記レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを変動させることによって試料の第１の部分を試験し、
（ｉｉ）前記第１の部分から、前記レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを決定し、
（ｉｉｉ）次いで、前記試料の第２の部分を、前記１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析するように配置かつ適合された、制御システムと、を備える、前記質量分析計。
【請求項１２】
質量分析計であって、
（ｉ）試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を取得し、
（ｉｉ）前記質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を決定し、かつ
（ｉｉｉ）前記試料のイオンイメージングを、前記１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いて実施するように配置かつ適合された、制御システムを備える、前記質量分析計。
【請求項１３】
マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を更に含む、請求項１１または１２に記載の質量分析計。
【請求項１４】
イオンマッピングまたはイオンイメージング方法であって、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析し、前記試料の前記一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることと、
前記最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に決定することと、
前記試料を、前記決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングすることと、を含む、前記方法。
【請求項１５】
試料をイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された分析装置であって、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析かつ前記試料の前記一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を変動させるように配置かつ適合された装置と、
最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を決定するように配置かつ適合された装置と、
前記試料を、前記決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された装置と、を備える、前記分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１３年３月１５日出願の英国特許出願第１３０４７４７．４号及び２０１３年３月１５日出願の欧州特許出願第１３１５９５５９．７号の優先権及び利益を主張する。これらの出願の内容全体は、参照により本明細書に組み入れる。
【０００２】
本発明は、イオンイメージング方法、質量分析方法、及び質量分析計に関する。
【背景技術】
【０００３】
イオンイメージング実験のための生体組織切片は、マトリックス蒸着の厚さ及び結晶立体構造における大幅な可変性をしばしば伴い、調製するのに数時間を要する場合がある。したがって、生体組織（または他の表面）から分析物のイオン信号を生成するための最適なパラメータは、試料毎に大幅に変動し得る。マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）は、破壊性イオン化プロセスであり、よって、オペレータが、機器ソース中に負荷される各試料のために使用する最良のパラメータについて知っていることが重要である。現在のところ、最適なパラメータは、試行錯誤の末見出される。最適でない調整パラメータが使用された場合、ユーザは、試料を無駄にするだけではなく、試料の調製やデータの取得に費やされた時間も無駄になる。
【０００４】
ＭＡＬＤＩイオン化の重要な調整パラメータとしては、１ピクセル当たりのレーザーショットの数が挙げられる。
【０００５】
このシステムが１ピクセル当たり過度に多くのショットを取得するように設定された場合、試料／マトリックスは、あまりにも急速に溶け落ち、レーザーショットの大部分が関心の分析物信号に寄与せず、信号対雑音を低減して分析時間を増加させる。
【０００６】
１ショット当たりのレーザーエネルギーもまた、その最適値が通常狭い値範囲内にある極めて重要なものであり、試料に大きく依存する。最適値はまた、各ピクセルに対するレーザーショット数のパラメータにも関連する。したがって、調整パラメータはしばしば、非直交であり、このことが問題を大きくしている。
【０００７】
米国特許公開第２００７／０１４１７１９号（Ｂｕｉ）（特許文献１）は、質量スペクトル組織イメージング研究において走査回数を減少させるための方法を開示する。
【０００８】
米国特許公開第２００６／０１８６３３２号（Ｈａａｓｅ）（特許文献２）は、ＭＡＬＤＩ技術を用いて試料をイオン化するためのレーザーシステムを開示する。レーザービームの特性は、レンズアセンブリを機械的に調整することによって、またはビーム減衰器を用いることによって、変えることができる。
【０００９】
米国特許公開第２０１１／０２７２５７３号（Ｋｏｓｔｒｚｅｗａ）（特許文献３）は、ＭＡＬＤＩ飛行時間型質量スペクトルのための取得技術を開示する。
【００１０】
改善したイオンイメージング方法を提供することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許公開第２００７／０１４１７１９号
【特許文献２】米国特許公開第２００６／０１８６３３２号
【特許文献３】米国特許公開第２０１１／０２７２５７３号
【発明の概要】
【００１２】
本発明の態様に従い、ここでは、
レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを自動的に変動させることによって試料の第１の部分を試験することと、
第１の部分から、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを手動でまたは自動的に決定することと、次いで
試料の第２の部分を、１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析することと、を含む、イオンイメージング方法が提供される。
【００１３】
生体組織試料から分析イオン信号を最適化することを追及するイオンイメージングのＭＡＬＤＩ自動調整方法が、開示される。イオンイメージング前に、空間的データ配列が、好ましくは犠牲面積から取得され、機器のパラメータが、好ましくはピクセル毎に変更及び記録される。
【００１４】
犠牲面積から生成される疑似画像から、最高質のピクセルを生成するのに使用されたパラメータが次いで、好ましくは、残りの組織面積の後続の分析のために使用される。
【００１５】
好ましい実施形態は、イオンイメージングを実施する際の特定の組織切片のための最適な調整条件の生成の問題点を解決する。
【００１６】
米国特許公開第２００７／０１４１７１９号（Ｂｕｉ）（特許文献１）は、質量スペクトル組織イメージング研究において走査回数を減少させるための方法を開示する。米国特許公開第２００７／０１４１７１９号（Ｂｕｉ）（特許文献１）は、レーザーの動作パラメータを最適化することを追及することには関与しておらず、よって、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを自動的に変動させることによって試料の第１の部分を試験すること、あるいは第１の部分から、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを手動でまたは自動的に決定することを開示していない。
【００１７】
第１の部分は、好ましくは、試料の試験部分または犠牲領域を含む。
【００１８】
試料の第１の部分を試験するステップは、好ましくは、第１の部分にわたるピクセルの配列からデータを取得することを含む。
【００１９】
本方法は、好ましくは、どのピクセルが最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度に対応するかを手動でまたは自動的に決定することを更に含む。
【００２０】
本方法は、好ましくは、最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度をもたらす、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを手動でまたは自動的に決定することを更に含む。
【００２１】
１つ以上のパラメータを自動的に変動させるステップは、好ましくは、１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることを含む。
【００２２】
１つ以上のパラメータを自動的に変動させるステップは、好ましくは、１ピクセル当たりのレーザーエネルギーを自動的に変動させることを含む。
【００２３】
本発明の別の態様に従い、ここでは、
試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を自動的に取得することと、
質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を、手動でまたは自動的に決定することと、
試料を、１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いてイオンイメージングすることと、を含む方法が提供される。
【００２４】
本発明の別の態様に従い、ここでは、上述のイオンイメージング方法を含む、質量分析方法を提供する。
【００２５】
本方法は、好ましくは、試料を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を用いてイオン化することを更に含む。
【００２６】
本発明の別の態様に従い、ここでは、
レーザーまたは他のイオン化装置と、
（ｉ）レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上のパラメータを変動させることによって試料の第１の部分を試験し、
（ｉｉ）第１の部分から、レーザーまたは他のイオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを決定し、次いで
（ｉｉｉ）試料の第２の部分を、１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析するように配置かつ適合された、制御システムと、を備える、質量分析計が提供される。
【００２７】
本発明の別の態様に従い、ここでは、
（ｉ）試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を取得し、
（ｉｉ）質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を決定し、かつ
（ｉｉｉ）試料のイオンイメージングを、１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いて実施するように配置かつ適合された、制御システムを備える、質量分析計が提供される。
【００２８】
質量分析計は、好ましくは、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を更に含む。
【００２９】
本発明の別の態様に従い、ここでは、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析し、試料の一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることと、
最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に決定することと、
試料を、決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングすることと、を含む、イオンマッピングまたはイオンイメージング方法が提供される。
【００３０】
本発明の別の態様に従い、ここでは、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析し、かつ試料の一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を変動させるように配置かつ適合された装置と、
最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を決定するように配置かつ適合された装置と、
試料を、決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された装置と、を備える、試料をイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された分析装置が提供される。
【００３１】
実施形態に従い、質量分析計は、
（ａ）（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザー脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源、（ｘｉｘ）大気サンプリンググロー放電イオン化（「ＡＳＧＤＩ」）イオン源、（ｘｘ）グロー放電（「ＧＤ」）イオン源、（ｘｘｉ）インパクタイオン源、（ｘｘｉｉ）リアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源、（ｘｘｉｉｉ）レーザースプレーイオン化（「ＬＳＩ」）イオン源、（ｘｘｉｖ）ソニックスプレーイオン化（「ＳＳＩ」）イオン源、（ｘｘｖ）マトリックス支援入口イオン化（「ＭＡＩＩ」）イオン源、（ｘｘｖｉ）溶媒支援入口イオン化（「ＳＡＩＩ」）イオン源、（ｘｘｖｉｉ）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、及び（ｘｘｖｉｉｉ）レーザー切断エレクトロスプレーイオン化（「ＬＡＥＳＩ」）イオン源からなる群から選択されるイオン源、ならびに／あるいは
（ｂ）１つ以上の連続またはパルスイオン源、ならびに／あるいは
（ｃ）１つ以上のイオンガイド、ならびに／あるいは
（ｄ）１つ以上のイオン移動度分離器及び／または１つ以上の電場非対称イオン移動度計装置、ならびに／あるいは
（ｅ）１つ以上のイオントラップまたは１つ以上のイオントラップ領域、ならびに／あるいは
（ｆ）（ｉ）衝突誘発解離（「ＣＩＤ」）断片化装置、（ｉｉ）表面誘発解離（「ＳＩＤ」）断片化装置、（ｉｉｉ）電子移動解離（「ＥＴＤ」）断片化装置、（ｉｖ）電子捕獲解離（「ＥＣＤ」）断片化装置、（ｖ）電子衝突または衝撃解離断片化装置、（ｖｉ）光誘発解離（「ＰＩＤ」）断片化装置、（ｖｉｉ）レーザー誘発解離断片化装置、（ｖｉｉｉ）赤外線照射誘発解離装置、（ｉｘ）紫外線照射誘発解離装置、（ｘ）ノズルスキマーインターフェース断片化装置、（ｘｉ）インソース断片化装置、（ｘｉｉ）インソース衝突誘発解離断片化装置、（ｘｉｉｉ）熱源または温度源断片化装置、（ｘｉｖ）電場誘発断片化装置、（ｘｖ）磁場誘導断片化装置、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解断片化装置、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応断片化装置、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応断片化装置、（ｘｉｘ）イオン−原子反応断片化装置、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応断片化装置、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応断片化装置、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応断片化装置、（ｘｘｉｉｉ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−イオン反応装置、（ｘｘｉｖ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−分子反応装置、（ｘｘｖ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−原子反応装置、（ｘｘｖｉ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−準安定イオン反応装置、（ｘｘｖｉｉ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−準安定分子反応装置、（ｘｘｖｉｉｉ）付加物または生成物イオンを形成するようにイオンを反応させるためのイオン−準安定原子反応装置、及び（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（「ＥＩＤ」）断片化装置からなる群から選択される１つ以上の衝突、断片化、または反応セル、ならびに／あるいは
（ｇ）（ｉ）四重極型質量分析器、（ｉｉ）２Ｄまたは線形四重極型質量分析器、（ｉｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極型質量分析器、（ｉｖ）ペニングトラップ質量分析器、（ｖ）イオントラップ質量分析器、（ｖｉ）磁場型質量分析器、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（「ＩＣＲ」）質量分析器、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、（ｉｘ）４対数電位分布を有する静電界を生成するように配置される静電質量分析器、（ｘ）フーリエ変換静電質量分析器、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析器、（ｘｉｉ）飛行時間型質量分析器、（ｘｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析器、及び（ｘｉｖ）線形加速飛行時間型質量分析器からなる群から選択される質量分析器、ならびに／あるいは
（ｈ）１つ以上のエネルギー分析器または静電エネルギー分析器、ならびに／あるいは
（ｉ）１つ以上のイオン検出器、ならびに／あるいは
（ｊ）（ｉ）四重極型質量フィルタ、（ｉｉ）２Ｄまたは線形四重極型イオントラップ、（ｉｉｉ）ポールまたは３Ｄ四重極型イオントラップ、（ｉｖ）ペニングイオントラップ、（ｖ）イオントラップ、（ｖｉ）磁場型質量フィルタ、（ｖｉｉ）飛行時間型質量フィルタ、（ｖｉｉｉ）ウィーンフィルタからなる群から選択される１つ以上の質量フィルタ、ならびに／あるいは
（ｋ）イオンにパルスを発するための装置またはイオンゲート、ならびに／あるいは
（ｌ）実質的に連続的なイオンビームをパルスイオンビームに変換するための装置を更に備え得る。
【００３２】
質量分析計は、
（ｉ）Ｃトラップ、ならびに４対数電位分布を有する静電界を形成する外側の樽形電極及び同軸内側の紡錘形電極を備える質量分析器であって、第１の操作モードにおいてイオンがＣトラップへ透過させられ、次いで質量分析器内へ注入され、第２の操作モードにおいてイオンが、Ｃトラップへ透過させられ、次いで衝突セルまたは電子移動解離装置へ透過させられ、そこで少なくともいくつかのイオンが断片イオンに断片化され、断片イオンが次いで、Ｃトラップへ透過させられてから質量分析器内へ注入される、Ｃトラップ及び質量分析器、ならびに／または
（ｉｉ）使用中にイオンが透過させられる開口部を各々有する複数の電極を備える、積層リングイオンガイドであって、電極の間隔がイオン経路の長さに沿って増加し、イオンガイドの上流区画内の電極の開口部が、第１の直径を有し、イオンガイドの下流区画内の電極の開口部が、第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、ＡＣまたはＲＦ電圧の逆位相が、使用中に、順次の電極に印加される、積層リングイオン、のいずれかを更に備え得る。
【００３３】
実施形態に従い、質量分析計は、ＡＣまたはＲＦ電圧を電極に供給するように配置かつ適合された装置を更に備える。ＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）最大値−最小値：５０Ｖ未満、（ｉｉ）最大値−最小値：５０〜１００Ｖ、（ｉｉｉ）最大値−最小値：１００〜１５０Ｖ、（ｉｖ）最大値−最小値：１５０〜２００Ｖ、（ｖ）最大値−最小値：２００〜２５０Ｖ、（ｖｉ）最大値−最小値：２５０〜３００Ｖ、（ｖｉｉ）最大値−最小値：３００〜３５０Ｖ、（ｖｉｉｉ）最大値−最小値：３５０〜４００Ｖ、（ｉｘ）最大値−最小値：４００〜４５０Ｖ、（ｘ）最大値−最小値：４５０〜５００Ｖ、及び（ｘｉ）最大値−最小値：５００Ｖ超からなる群から選択される振幅を有する。
【００３４】
ＡＣまたはＲＦ電圧は、好ましくは、（ｉ）１００ｋＨｚ未満、（ｉｉ）１００〜２００ｋＨｚ、（ｉｉｉ）２００〜３００ｋＨｚ、（ｉｖ）３００〜４００ｋＨｚ、（ｖ）４００〜５００ｋＨｚ、（ｖｉ）０．５〜１．０ＭＨｚ、（ｖｉｉ）１．０〜１．５ＭＨｚ、（ｖｉｉｉ）１．５〜２．０ＭＨｚ、（ｉｘ）２．０〜２．５ＭＨｚ、（ｘ）２．５〜３．０ＭＨｚ、（ｘｉ）３．０〜３．５ＭＨｚ、（ｘｉｉ）３．５〜４．０ＭＨｚ、（ｘｉｉｉ）４．０〜４．５ＭＨｚ、（ｘｉｖ）４．５〜５．０ＭＨｚ、（ｘｖ）５．０〜５．５ＭＨｚ、（ｘｖｉ）５．５〜６．０ＭＨｚ、（ｘｖｉｉ）６．０〜６．５ＭＨｚ、（ｘｖｉｉｉ）６．５〜７．０ＭＨｚ、（ｘｉｘ）７．０〜７．５ＭＨｚ、（ｘｘ）７．５〜８．０ＭＨｚ、（ｘｘｉ）８．０〜８．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｉ）８．５〜９．０ＭＨｚ、（ｘｘｉｉｉ）９．０〜９．５ＭＨｚ、（ｘｘｉｖ）９．５〜１０．０ＭＨｚ、及び（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚ超からなる群から選択される周波数を有する。
【００３５】
質量分析計は、イオン源の上流のクロマトグラフィーまたは他の分離装置も備え得る。一実施形態に従い、クロマトグラフィー分離装置は、液体クロマトグラフィーまたはガスクロマトグラフィー装置を備える。別の実施形態に従い、分離装置は、（ｉ）キャピラリー電気泳動（「ＣＥ」）分離装置、（ｉｉ）キャピラリーエレクトロクロマトグラフィー（「ＣＥＣ」）分離装置、（ｉｉｉ）実質的に剛性のセラミックベースの多層マイクロ流体基板（「セラミックタイル」）分離装置、または（ｉｖ）超臨界流体クロマトグラフィー分離装置を備え得る。
【００３６】
イオンガイドは、好ましくは、（ｉ）０．０００１ミリバール未満、（ｉｉ）０．０００１〜０．００１ミリバール、（ｉｉｉ）０．００１〜０．０１ミリバール、（ｉｖ）０．０１〜０．１ミリバール、（ｖ）０．１〜１ミリバール、（ｖｉ）１〜１０ミリバール、（ｖｉｉ）１０〜１００ミリバール、（ｖｉｉｉ）１００〜１０００ミリバール、及び（ｉｘ）１０００ミリバール超からなる群から選択される圧力に維持される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
本発明の種々の実施形態が次に、ほんの一例として、添付の図面を参照して説明される。
【００３８】
【図１】標的プレート上に位置する試料を示し、小さい犠牲面積を強調しており、この小さい犠牲面積が、試料の残り部分に対して後続のイオンイメージング方法を実施するのに最適なレーザーショットの数及び１ピクセル当たりの最適なレーザーエネルギーを決定するために、本発明の好ましい実施形態に従い分析される。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明の好ましい実施形態が次に、図１を参照して説明される。
【００４０】
図１は、試料の標的プレート及びｘ−ｙ配列または平行移動段階において移動され得る小さい犠牲面積（主要関心領域に隣接）を示す。
【００４１】
４０ピクセル（８×５）の規則配列のデータを、犠牲または試験表面から取得した。配列のピクセルを、ｘ方向及びｙ方向に２ｍｍずつ分離した。図１に示される犠牲面積は、１．４ｍｍ×０．８ｍｍのサイズを有した。
【００４２】
好ましい方法に従い、レーザーのパラメータを、犠牲または試験表面のｘ軸及びｙ軸両方に対して変動させた。具体的には、１ピクセル当たりのレーザーショットの数を、ｘ軸に沿って変動させ、１レーザーショット当たりの強度またはエネルギーを、ｙ軸に沿って変動させた。
【００４３】
ｘ軸については、レーザーショットの数を、各座標に対して２０ショットずつ２０から１６０ショットに変動させた。ｙ軸については、１ショット当たりのレーザーエネルギーを、各座標に対して２０μＪずつ２０μＪから１００μＪに変動させた。
【００４４】
図１に示される疑似画像及び対応する表から、１００レーザーショットを用いてそれぞれ６０μＪで、最も強度な信号が観察されたことが理解され得る。これは、配列内のｘ＝０．８ｍｍ及びｙ＝０．４ｍｍにおいて生じた。
【００４５】
組織切片の残り部分にわたる残りの取得については、システムを、１ピクセル当たり１００ショットで、かつ１ショットまたは１ピクセル当たり６０μＪのレーザーエネルギーを用いて、データを取得するようにプログラムした。
【００４６】
他の実施形態に従い、好ましい手法は、他の、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）等のイオンイメージング技術及び脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）及びリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン化等の周囲イオンイメージング技術と共に使用され得る。
【００４７】
更なる実施形態は、他の直交及び非直交実験変数の最適化を伴う多次元配列を含む。
【００４８】
異なるピクセル質の精細度が、例えば、信号対雑音（「Ｓ／Ｎ」）比、イオン信号比、ＭＳ／ＭＳ  ＭＲＭ比等の最適パラメータを獲得するために使用されてもよい。
【００４９】
ＭＡＬＤＩ試料点からの一般的自動調整（非イオンイメージング式分析）もまた、企図される。
【００５０】
繰り返しの最適化が組織または試料にわたって実施され得る実施形態もまた、企図される。
【００５１】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明されるが、当業者は、添付の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱することなく、形態及び詳細の多様な変更が行われてもよいことを理解するであろう。
【図１】
2016513797.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンイメージング方法であって、
イオン化装置の１つ以上のパラメータを自動的に変動させることによって試料の第１の部分を試験することと、
前記第１の部分から、前記イオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを手動でまたは自動的に決定することと、次いで
前記試料の第２の部分を、前記１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析することと、を含み、
前記第１の部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、前記第２の部分が、前記試料の残りの部分を含む、前記方法。
【請求項２】
前記試料の前記第１の部分を試験する前記ステップが、前記第１の部分にわたるピクセルの配列からデータを取得することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
どのピクセルが前記最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度に対応するかを手動でまたは自動的に決定することを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記最大、最適、または好ましい関心のイオンの強度をもたらす、前記イオン化装置の１つ以上のパラメータを手動でまたは自動的に決定することを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記イオン化装置がレーザーを含み、前記１つ以上のパラメータを自動的に変動させる前記ステップが、１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記イオン化装置がレーザーを含み、前記１つ以上のパラメータを自動的に変動させる前記ステップが、１ピクセル当たりの前記レーザーエネルギーを自動的に変動させることを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
イオンイメージング方法であって、
試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を自動的に獲得することと、
前記質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を、手動でまたは自動的に決定することと、
前記試料を、前記１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いてイオンイメージングすることと、を含み、
試料の前記一部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、
前記試料をイオンイメージングすることが、前記試料の残りの部分をイオンイメージングすることを含む、前記方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のイオンイメージング方法を含む、質量分析の方法。
【請求項９】
前記試料を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を用いてイオン化することを更に含む、請求項８に記載の質量分析の方法。
【請求項１０】
質量分析計であって、
イオン化装置と、
（ｉ）前記イオン化装置の１つ以上のパラメータを変動させることによって試料の第１の部分を試験し、
（ｉｉ）前記第１の部分から、前記イオン化装置の１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを決定し、次いで
（ｉｉｉ）前記試料の第２の部分を、前記１つ以上の最適なまたは好ましいパラメータを用いて分析するように配置かつ適合された制御システムと、を備え、
前記第１の部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、前記第２の部分が、前記試料の残りの部分を含む、前記質量分析計。
【請求項１１】
質量分析計であって、
（ｉ）試料の一部分から質量スペクトルデータの配列を獲得し、
（ｉｉ）前記質量スペクトルデータの配列から１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を決定し、かつ
（ｉｉｉ）前記試料のイオンイメージングを、前記１つ以上の最適なまたは好ましい動作条件を用いて実施するように配置かつ適合された制御システムを備え、
試料の前記一部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、
前記試料をイオンイメージングすることが、前記試料の残りの部分をイオンイメージングすることを含む、前記質量分析計。
【請求項１２】
マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、二次イオン質量分析（「ＳＩＭＳ」）イオン源、脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、またはリアルタイム直接分析（「ＤＡＲＴ」）イオン源を更に含む、請求項１０または１１に記載の質量分析計。
【請求項１３】
イオンマッピングまたはイオンイメージング方法であって、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析し、前記試料の前記一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に変動させることと、
前記最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を自動的に決定することと、
前記試料を、前記決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングすることと、を含み、            
試料の前記一部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、
前記試料をイオンイメージングすることが、前記試料の残りの部分をイオンイメージングすることを含む、前記方法。
【請求項１４】
試料をイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された分析装置であって、
試料の一部分を、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）または他のレーザーイオン源を用いて分析かつ前記試料の前記一部分にわたるレーザーの強度及び／または１ピクセル当たりのレーザーショットの数を変動させるように配置かつ適合された装置と、
最適なもしくは好ましいレーザー強度及び／または最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を決定するように配置かつ適合された装置と、
前記試料を、前記決定された最適なもしくは好ましい強度及び／または前記最適なもしくは好ましい１ピクセル当たりのレーザーショットの数を用いてイオンマッピングまたはイオンイメージングするように配置かつ適合された装置と、を備え、
試料の前記一部分が、前記試料の試験部分または犠牲領域を含み、
前記試料をイオンイメージングすることが、前記試料の残りの部分をイオンイメージングすることを含む、前記分析装置。
【国際調査報告】
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