(57)【要約】  本発明は有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法に関する。前記方法は、基板（410）に無機層（400）を形成するステップと、前記無機層に開孔（420）を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップと、前記無機層上に、2本の金属配線（402、404）がそれぞれ前記開孔の両辺に位置する金属層を形成するステップと、前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層（406）を形成するステップと、前記有機層上に酸化インジウムスズ層（408）を形成するステップと、を含む。本発明は前記無機層に前記開孔を形成する方式を通じて、前記金属配線の間に短絡が生じない状況を確保する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法であって、
基板に無機層を形成するステップと、
前記無機層に、上部が狭くて、下部が広い開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップと、
前記無機層上に、2本の金属配線がそれぞれ前記開孔の両辺に位置する金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に、少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項２】
前記無機層に前記開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップは、
前記無機層上にネガレジスト層を塗布するステップと、
前記開孔の位置に対応する光により照射されていない前記ネガレジスト層に対して、フォトマスクを用いて露光させるステップと、
前記ネガレジスト層を現像して、前記開孔の位置に対応する前記ネガレジスト層を除去するステップと、
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項３】
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップを行った後、前記無機層上の前記ネガレジスト層を剥離するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項４】
前記2本の金属配線をソースとすることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項５】
前記2本の金属配線をドレインとすることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項６】
前記2本の金属配線はウェットエッチング方法により形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項７】
有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法であって、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層に開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップと、
前記無機層上に、2本の金属配線がそれぞれ前記開孔の両辺に位置する金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線上に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項８】
前記無機層に前記開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップは、
前記無機層上にネガレジスト層を塗布するステップと、
前記開孔の位置に対応する光により照射されていない前記ネガレジスト層に対して、フォトマスクを用いて露光させるステップと、
前記ネガレジスト層を現像して、前記開孔の位置に対応する前記ネガレジスト層を除去するステップと、
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項９】
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップを行った後、
前記無機層上の前記ネガレジスト層を剥離するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項１０】
前記2本の金属配線をソースとすることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項１１】
前記2本の金属配線をドレインとすることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項１２】
前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆うことを特徴とする、請求項７に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【請求項１３】
前記2本の金属配線はウェットエッチング方法により形成されることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光ダイオードの表示デバイスの領域に関し、特に有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Organic  Light Emitting  Diode；OLED）表示デバイスは、自己発光、低消費電力及び視野角が広いという特徴を有するため、将来的に発展可能な潜在力を有する表示デバイスとしてみられている。
【０００３】
図1と図2に示すように、図1は従来技術の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける一部の部材の配置を示す平面図であり、図２は図１の線A―A'における断面図である。
【０００４】
前記有機発光ダイオードの表示デバイスを製造するプロセスは、先ず、基板（未図示）上に複数の薄膜トランジスターを製造してスイッチング素子とし、その後、有機発光ダイオードを製造して発光素子としている。
【０００５】
薄膜トランジスターと有機発光ダイオードを製造する主なステップは、まず、前記基板（未図示）上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成し、無機層100を形成し、その後、前記無機層100上に金属層を形成する。前記金属層は金属配線102、104を含んで、それぞれ独立した信号の伝送、即ち、異なる信号の伝送に用いられる。その後、前記金属配線102、104上に有機層106を形成してから、前記有機層106上に酸化インジウムスズ層（Indium  Tin  Oxide：ITO）108を形成する。前記酸化インジウムスズ層108は有機発光ダイオードの陽極とされて、その後、前記酸化インジウムスズ層108上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成するステップを含む。
【０００６】
前記有機発光ダイオードの表示デバイスの製造プロセスでは、前記酸化インジウムスズ層108を蒸着した後に前記酸化インジウムスズ層108に光抵抗層（未図示）を形成する。その後、前記有機層106の厚さが非常に厚いため、露光ステップを行うとき、前記酸化インジウムスズ層108の底部は前記有機層106の天井部により遮断されて光線が照射されず、前記有機層106に陰影効果が発生する。そのため、エッチングステップを行ってから前記光抵抗層（未図示）を除去する場合、図2に示すように、前記酸化インジウムスズ層108が残されて、図1に示すような金属配線102、104が短絡する恐れがある。
【０００７】
そのため、従来技術では酸化インジウムスズ層108の残留により、金属配線102、104が短絡する問題を解決する方法を提供する必要があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、従来技術における酸化インジウムスズ層の残留により金属配線が短絡する問題を解決するために、有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記問題を解決するため、本発明により提供される有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層に上部が狭くて下部が広い開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップと、
前記無機層上に、2本の金属配線がそれぞれ前記開孔の両辺に位置する金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線に有機層を形成して、少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆うステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、を含む。
【００１０】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記無機層に前記開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップは、
前記無機層上にネガレジスト層を塗布するステップと、
前記開孔の位置に対応する光により照射されていない前記ネガレジスト層に対して、フォトマスクを用いて露光させるステップと、
前記ネガレジスト層を現像して、前記開孔の位置に対応する前記ネガレジスト層を除去するステップと、
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップと、を含む。
【００１１】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップを行った後、前記無機層上のネガレジスト層を剥離するステップをさらに含む。
【００１２】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記2本の金属配線をソースとする。
【００１３】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記2本の金属配線をドレインとする。
【００１４】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法により形成されている。
【００１５】
前記問題を解決するために、本発明が提供する有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法は、
基板上に無機層を形成するステップと、
前記無機層に開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップと、
前記無機層上に、2本の金属配線がそれぞれ前記開孔の両辺に位置する金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記2本の金属配線に有機層を形成するステップと、
前記有機層上に酸化インジウムスズ層を形成するステップと、を含む。
【００１６】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法において、前記無機層に前記開孔を形成して、前記基板の一部分を露出させるステップは、
前記無機層上にネガレジスト層を塗布するステップと、
前記開孔の位置に対応する光により照射されていない前記ネガレジスト層に対して、フォトマスクを用いて露光させるステップと、
前記ネガレジスト層を現像して、前記開孔の位置に対応する前記ネガレジスト層を除去するステップと、
前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップと、を含む。
【００１７】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法では、前記開孔の位置に対応する前記無機層をエッチングして除去するステップを行った後、前記無機層上の前記ネガレジスト層を剥離するステップを更に含む。
【００１８】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法では、前記2本の金属配線をソースとする。
【００１９】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法では、前記2本の金属配線をドレインとする。
【００２０】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法では、前記有機層は少なくとも前記2本の金属配線の一部分を覆う。
【００２１】
本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法では、前記2本の金属配線はウェットエッチング方法により形成されている。
【００２２】
従来技術に比べて、本発明の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法は、前記無機層に前記開孔を形成させる方式により、前記金属配線の間に短絡が発生しない状況を確保することができる。
【００２３】
本発明の上記の技術内容を更に容易、かつ明確にさせるために、下記では好ましい実施例を用いて、図面と合わせて、詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図1は、従来技術の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける一部の部材の配置を示す平面図である。
【図２】図2は、図１の線A―A'における断面図である。
【図３】図3は、本発明の実施例の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法のフローチャート図である。
【図４】図4は、本発明の実施例における有機発光ダイオードの表示デバイスの一部の部材の配置を示す平面図である。
【図５】図5は、図４の線B−B'における断面図である。
【図６】図6は、図5のステップS306における具体的ステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では図面を用いて各実施例について説明し、それによって本発明は実施可能な特定の実施例を例示する。本発明により言及された方向の用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」などは、図面を参考するための方向である。そのため、使用された方向の用語は、本発明を説明及び理解するためであり、本発明を制限するものではない。
【００２６】
図3乃至図5に示すように、図3は本発明の実施例における有機発光ダイオードの表示デバイスにおける金属配線の短絡を防止する方法のフローチャート図である。図4は本発明の実施例の有機発光ダイオードの表示デバイスにおける一部の部材の配置を示す平面図であり、図5は図４の線B−B'における断面図である。
【００２７】
ステップS300：基板410を提供する。
ステップS302：前記基板410上にゲート層（未図示）と半導体層（未図示）を形成する。
【００２８】
ここで説明するべきことは、前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）の形成方式は、従来の技術と同様であり、本発明の主な技術でないため、図面に示していない。
【００２９】
ステップS304：前記基板410上に無機層400を形成する。ここで説明するべきことは、前記無機層400の前記基板410上に形成された領域は、前記ゲート層（未図示）と前記半導体層（未図示）の前記基板410上に形成された領域と異なる。
【００３０】
ステップS306：前記無機層400に開孔420を形成して、前記基板410の一部分を露出させる。
図6は、図5のステップS306における具体的ステップを示し、前記無機層400上にネガレジスト層を塗布するステップS3060を含む。
【００３１】
ステップS3062：前記開孔420の位置に対応する光により照射されていない前記ネガレジスト層に対して、フォトマスクを用いて露光させる。
【００３２】
ステップS3064：前記ネガレジスト層を現像して、前記開孔420の位置に対応する前記ネガレジスト層を除去する。
【００３３】
ステップS3066：前記開孔420の位置に対応する前記無機層400をエッチングして除去する。
ステップS3068：前記無機層400上の前記ネガレジスト層を剥離する。
【００３４】
ネガレジスト層を使用するため、前記開孔420は図5に示すように、上部が狭くて、下部が広い形状、即ち、きのこ状の構造になっている。
【００３５】
図3乃至図5に示すように、前記ステップS306を行ってからステップS308、前記無機層400上に金属層を形成する。前記金属層は少なくとも2本の金属配線402、404を含んで、ソースまたはドレインとし、それぞれ前記開孔420の両辺に位置して独立された信号の送信、すなわち、それぞれ異なる信号の伝送に用いられる。
【００３６】
前記2本の金属配線402、404は、例えば、ウェットエッチング（wet  etching）方法により形成されることに限定されるものではない。
ステップS310：前記金属層の金属配線402、404上に有機層406を形成する。前記有機層406は少なくとも前記金属配線402、404の一部分を覆う。前記有機層406と前記無機層400は絶縁層として使用され、平坦化の機能を有して、後続の有機発光ダイオードを製造する際の品質を向上する。
【００３７】
ステップS312：前記有機層406上に酸化インジウムスズ層（Indium  Tin  Oxide；ITO）408を形成し、前記酸化インジウムスズ層408は、有機発光ダイオードの陽極として用いられる。
【００３８】
ここで説明するべきことは、有機発光ダイオードの位置は前記基板410の発光領域（未図示）に形成され、図4と図5に示すように薄膜トランジスター領域であるため、前記酸化インジウムスズ層408（有機発光ダイオードの陽極とする）は、発光領域（未図示）のみに形成されればよく、図4と図5に示すように、薄膜トランジスター領域は、前記酸化インジウムスズ層408を不要とするため、薄膜トランジスター領域に位置する前記酸化インジウムスズ層408を除去する必要がある。従来技術では、前記有機層406の陰影効果により、薄膜トランジスター領域に位置する前記酸化インジウムスズ層408に対して露光、現像とエッチングステップを行った後、前記酸化インジウムスズ層408を完全に除去できないため、前記無機層400と前記有機層406の境界に前記酸化インジウムスズ層408（図2を参照）が残されて、前記金属配線402、404の間が短絡する恐れがある。本発明は前記無機層400に前記開孔420（ステップS306）を形成するため、前記酸化インジウムスズ層408を形成する（ステップS312）とき、前記酸化インジウムスズ層408は開孔420で遮断構造を形成し、即ち、図5に示す前記酸化インジウムスズ層408は連続的な回線ではないため、前記酸化インジウムスズ層408は完全にエッチングされず、前記無機層400と前記有機層406の境界に残されて（図2を参照）も、前記金属配線402、404の間に短絡を生じさせないように確保することができる。
【００３９】
ステップS314：順番に発光領域（未図示）の酸化インジウムスズ層上に発光層（未図示）と陰極（未図示）を形成して、有機発光ダイオードの製造に完成する。
【００４０】
ここで説明するべきことは、前記発光層（未図示）と前記陰極（未図示）の形成方式は、従来技術と同様で、かつ本発明の主な技術でないため、図面に示していない。
【００４１】
上述したように、本発明はすでに好ましい実施例を開示しているが、前記好ましい実施例は本発明を制限するものではなく、本領域の技術者が、本発明の精神と範囲内から離れない前提で、複数の修正と修飾を行うこととができる。そのため、本発明の保護範囲は特許請求の範囲を基準とする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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