(57)【要約】本発明は層、特に光学層の製造のためのスパッタリングターゲットに関する。本発明はまた、層、特に光学層と、スパッタリングターゲットの製造装置とに関する。さらに、本発明はスパッタリングターゲットの製造方法に関する。本発明の範囲は、スパッタリングターゲットが少なくとも１種の金属酸化物をさらに含み、または少なくとも２種の金属酸化物の少なくとも１つの組み合わせをさらに含み、または合金形態もしくは混合物の形態の少なくとも１種の金属酸化物の組み合わせをさらに含み、それによって金属酸化物成分を有するスパッタリングターゲットがＳｉおよびＡｌの元素もしくはそれらの合金を用いて、ならびに少なくとも１種の金属酸化物もしくはそれの組み合わせを用いて生成されることを含む。好ましくは、スパッタリングターゲット中の金属酸化物は、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５の群からの金属酸化物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
層、特に光学層を製造するための、ＳｉおよびＡｌの元素もしくはＳｉ−Ａｌ合金を含むスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットが少なくとも１種の金属酸化物をさらに含み、または少なくとも２種の金属酸化物の少なくとも１つの組み合わせをさらに含み、または合金形態もしくは混合物の形態の少なくとも１種の金属酸化物の組み合わせをさらに含み、それによって金属酸化物成分を有するスパッタリングターゲットが前記ＳｉおよびＡｌの元素もしくはそれらの合金を用いて、ならびに前記少なくとも１種の金属酸化物もしくはそれの組み合わせを用いて生成されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記スパッタリングターゲット中の前記金属酸化物が、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５の群からの金属酸化物であることを特徴とする、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記金属酸化物がＺｒＯ２およびＹ２Ｏ３の群からの組み合わせであることを特徴とする、請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記アルミニウムの含有量が１〜３５ａｔ％、好ましくは５〜３０ａｔ％、特に好ましくは１０〜２０ａｔ％または５〜１０ａｔ％の範囲であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記金属酸化物の含有量が１０〜５０ｍｏｌ％、好ましくは１０〜２０ｍｏｌ％または２０〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
前記酸化物の合金ＺｒＯ２：Ｙ２Ｏ３が、前記酸化物の合金中に４〜８ｍｏｌ％の範囲のＹ２Ｏ３成分を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
層、特に光学層を製造するための、Ｓｉの元素もしくはＳｉ合金を含むスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットが少なくとも１種の金属酸化物をさらに含み、または少なくとも２種の金属酸化物の少なくとも１つの組み合わせをさらに含み、または合金形態もしくは混合物の形態の少なくとも１種の金属酸化物の組み合わせをさらに含み、それによって金属酸化物成分を有するスパッタリングターゲットが前記Ｓｉの元素もしくはそれの合金を用いて、ならびに前記少なくとも１種の金属酸化物もしくはそれの組み合わせを用いて生成されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】
前記スパッタリングターゲット中の前記金属酸化物が、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５の群からの金属酸化物であることを特徴とする、請求項７に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項９】
前記金属酸化物が、ＺｒＯ２およびＹ２Ｏ３の群からの組み合わせであることを特徴とする、請求項７または８に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１０】
前記金属酸化物の含有量が、１０〜５０ｍｏｌ％、好ましくは１０〜２０ｍｏｌ％または２０〜４０ｍｏｌ％の範囲であることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１１】
前記酸化物の合金ＺｒＯ２：Ｙ２Ｏ３が、前記酸化物の合金中に４〜８ｍｏｌ％の範囲のＹ２Ｏ３成分を有することを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて製造される層、特に光学層。
【請求項１３】
装置が請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの適切な製造手段を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置を用いた請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１５】
プラズマ溶射方法が製造方法として用いられ、粉末混合物がＳｉおよびＡｌの元素もしくはＳｉおよびＡｌでできた合金、ならびに少なくとも１種の金属酸化物を含み、またはＳｉの元素もしくはＳｉでできた合金、ならびに少なくとも１種の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法、または請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１６】
長さが０．１ｍ〜１０ｍ、好ましくは約３ｍ〜約４ｍ、層の厚さが２〜２０ｍｍ、好ましくは５〜１５ｍｍのターゲット、好ましくは管状ターゲットを、スパッタリングターゲットの製造のためにプラズマ溶射技術を用いて製造し、ここでＳｉ粉末とＡｌ粉末と金属酸化物粉末を、またはＳｉ粉末と金属酸化物粉末を、好ましくはそれぞれをＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末の形態で前記プラズマ溶射技術のための粉末として用い、溶射粉末が、
Ｓｉ−Ａｌ金属酸化物のスパッタリングターゲットの製造には
平均粒径が６０〜９０μｍ、好ましくは７５μｍを有するＳｉ粉末；
平均粒径が４５〜７５μｍ、好ましくは６０μｍを有するＡｌ粉末；および
平均粒径が１５〜４５μｍ、好ましくは３０μｍを有する金属酸化物粉末、好ましくはＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末；
または
Ｓｉ金属酸化物のスパッタリングターゲットの製造には
平均粒径が６０〜９０μｍ、好ましくは７５μｍを有するＳｉ粉末；
平均粒径が１５〜４５μｍ、好ましくは３０μｍを有する金属酸化物粉末、好ましくはＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末；
さらにガス混合物、好ましくはアルゴンと水素の混合物を、プラズマ溶射プロセスの間のプラズマガスとして用いる
特性を含むことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は層、特に光学層の製造のためのスパッタリングターゲットに関する。本発明はまた、層、特に光学層と、スパッタリングターゲットの製造装置とに関する。さらに、本発明はスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
耐擦傷性カバー層の製造に用いられるＺｒターゲットが特許文献１により公知である。特許文献１の明細書はＺｒＯ２保護カバー層を含む層システムを記載している。
【０００３】
特に安定した層の製造のためのジルコニウム含有ターゲットが特許文献２により公知である。特許文献２はＺｒＳｉＯｘＮｙ層（ＺｒＳｉＯｘＮｙ＝ＺｒＳｉ−酸素−窒素化合物）、すなわちＺｒＳｉ酸窒化物層を含む赤外反射シングルＡｇ層システムを記載している。この層システムは、酸素および窒素含有雰囲気で、ＺｒＳｉターゲットをスパッタすることによって製造される。この層を備えた層システムは、耐用年数および耐久性が向上している特徴がある。
【０００４】
熱分解層の耐機械性および耐化学性を含むＴｉＯ２：ＺｒＯ２層を有する層システムが特許文献３により公知である。
【０００５】
あるターゲットが特許文献４により公知である。そのターゲットを用いて製造された層は、カバー層としてＺｒＳｉＯｘＮｙ層、中間層としてＮｂＺｒＯｘ層を有する紫外線遮断層システムである。これらの層はＳｉＺｒターゲットおよびＮｂＺｒターゲットを用いたスパッタリング技術によって製造することができる。
【０００６】
ＮｂＺｒターゲットは特許文献５により公知であり、その層は赤外反射ダブルＡｇ層システムを含む。ＮｂＺｒ層はＮｂＺｒターゲットを用いて製造され、その層システムは耐用年数および耐久性が向上している特徴がある。
【０００７】
さらに、Ａｌ、Ｓｉ、ＺｒＳｉの元素から成るターゲットは特許文献６により公知である。これに関連して、ＺｒはＺｒＳｉ化合物の形態で用いられる。
【０００８】
上述の先行技術および対応するスパッタリングターゲットは、ＳｉＺｒベースのシステムの製造に用いられる粉末、例えばＺｒまたはＺｒＳｉ粉末は、粉末の発熱性金属の性質から発火可能性および燃焼危険性を伴う点で不利である。さらに、対応する粉末の製造は資源を消費し高価である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／０２１２３１２（Ａ１）号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／００３６９８６（Ａ１）号明細書
【特許文献３】国際公開第２０１１／１１０５８４（Ａ１）号
【特許文献４】米国特許出願公開第２００６／０１５９９３３（Ａ１）号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００４／０２５８９２６（Ａ１）号明細書
【特許文献６】日本国特許第０５１５４９５０号（Ｂ２）明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明の目的はとりわけ、取扱いが容易で安全でシンプルなスパッタリングターゲットを開発することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、ＳｉおよびＡｌの元素もしくはＳｉ−Ａｌ合金を含むスパッタリングターゲットに関して達成され、そのスパッタリングターゲットは少なくとも１種の金属酸化物をさらに含み、または少なくとも２種の金属酸化物の少なくとも１つの組み合わせをさらに含み、または合金形態もしくは混合物の形態の少なくとも１種の金属酸化物の組み合わせをさらに含み、金属酸化物成分（ｆｒａｃｔｉｏｎ）を有するスパッタリングターゲットが、ＳｉおよびＡｌの元素もしくはそれらの合金を用いて、ならびに少なくとも１種の金属酸化物もしくはそれの組み合わせを用いて生成される。
【００１２】
本発明の目的はさらに、Ｓｉの元素もしくはＳｉの合金を含むスパッタリングターゲットに関して達成され、そのスパッタリングターゲットは少なくとも１種の金属酸化物をさらに含み、または少なくとも２種の金属酸化物の少なくとも１つの組み合わせをさらに含み、または合金形態もしくは混合物の形態の少なくとも１種の金属酸化物の組み合わせをさらに含み、金属酸化物成分を有するスパッタリングターゲットが、Ｓｉの元素もしくはそれの合金を用いて、ならびに少なくとも１種の金属酸化物もしくはそれの組み合わせを用いて生成される。
【００１３】
金属酸化物、特にＺｒＯ２は市販されていてかなり入手しやすく、取扱いが容易なため、Ｚｒ担体成分としての金属酸化物、特にＺｒＯ２の使用は、Ｓｉ−Ｚｒ化合物または純粋な非酸化Ｚｒ粉末の使用より安価であることが、上述の金属酸化物の使用の利点である。さらに、金属酸化物の形態の、例えばＺｒＯ２の酸化物粉末の発火可能性および燃焼危険性は低減され、あるいは通常防がれさえする。そして最後に、ターゲット中の少なくとも１種の金属酸化物成分を用いることによって、先行技術により公知のスパッタ層と比較して機械的強度および耐化学性の向上がもたらされる。さらに、機械的および化学的に安定した光学層が、それぞれの合金化元素として酸化Ｚｒおよび／または酸化Ｚｒ化合物を用いて製造することができる。
【００１４】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットの有利な実施形態において、スパッタリングターゲット中の金属酸化物は、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５の群からの金属酸化物である。したがって、本発明によるスパッタリングターゲット中で複数の金属酸化物を組み合わせることが可能であり、例えばＺｒＯ２金属酸化物とＴｉＯ２成分である。
【００１５】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、金属酸化物はＺｒＯ２およびＹ２Ｏ３の群からの組み合わせである。
【００１６】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、アルミニウムの含有量は１〜３５ａｔ％、好ましくは５〜３０ａｔ％、特に好ましくは１０〜２０ａｔ％または５〜１０ａｔ％の範囲である。
【００１７】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、金属酸化物の含有量は１０〜５０ｍｏｌ％、好ましくは１０〜２０ｍｏｌ％または２０〜４０ｍｏｌ％の範囲である。
【００１８】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、酸化物の合金ＺｒＯ２：Ｙ２Ｏ３が、酸化物の合金中に４〜８ｍｏｌ％の範囲のＹ２Ｏ３成分を有する。
【００１９】
Ｓｉ成分を有するスパッタリングターゲットの有利な実施形態において、スパッタリングターゲット中の金属酸化物が、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５の群からの金属酸化物である。したがって、本発明によるスパッタリングターゲット中で複数の金属酸化物を組み合わせることが可能であり、例えばＺｒＯ２金属酸化物とＴｉＯ２成分である。
【００２０】
Ｓｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、金属酸化物は、ＺｒＯ２およびＹ２Ｏ３の群からの組み合わせである。
【００２１】
Ｓｉ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、金属酸化物の含有量は１０〜５０ｍｏｌ％、好ましくは１０〜２０ｍｏｌ％または２０〜４０ｍｏｌ％の範囲である。
【００２２】
Ｓｉ成分を有するスパッタリングターゲットのさらなる有利な実施形態において、酸化物の合金ＺｒＯ２：Ｙ２Ｏ３が、酸化物の合金中に４〜８ｍｏｌ％の範囲のＹ２Ｏ３成分を有する。
【００２３】
さらに本発明は、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて製造される層、特に光学層に関する。
【００２４】
さらに本発明は、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの適切な製造手段を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造装置に関する。
【００２５】
本発明はまた、請求項１３に記載の装置を用いた請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【００２６】
さらに本発明は、プラズマ溶射方法が製造方法として用いられ、粉末混合物が、
ＳｉおよびＡｌの元素もしくはＳｉおよびＡｌでできた合金、
ならびに少なくとも１種の金属酸化物を含み、または
Ｓｉの元素もしくはＳｉでできた合金、
ならびに少なくとも１種の金属酸化物を含む
ことを特徴とする、請求項１４に記載の製造方法、または請求項１〜１１のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
【００２７】
プラズマ溶射技術を用いて、長さが０．１ｍ〜１０ｍ、好ましくは約３ｍ〜約４ｍ、層の厚さが２〜２０ｍｍ、好ましくは５〜１５ｍｍのスパッタリングターゲットを製造することによって、スパッタリングターゲット、好ましくは管状ターゲットを製造することが好ましく、ここでＳｉ粉末とＡｌ粉末と金属酸化物粉末を、またはＳｉ粉末と金属酸化物粉末を、好ましくはそれぞれをＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末の形態でプラズマ溶射技術のための粉末として用い、この溶射粉末は、
Ｓｉ−Ａｌ金属酸化物のスパッタリングターゲットの製造には
平均粒径が６０〜９０μｍ、好ましくは７５μｍを有するＳｉ粉末；
平均粒径が４５〜７５μｍ、好ましくは６０μｍを有するＡｌ粉末；および
平均粒径が１５〜４５μｍ、好ましくは３０μｍを有する金属酸化物粉末、好ましくはＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末；
または
Ｓｉ金属酸化物のスパッタリングターゲットの製造には
平均粒径が６０〜９０μｍ、好ましくは７５μｍを有するＳｉ粉末；
平均粒径が１５〜４５μｍ、好ましくは３０μｍを有する金属酸化物粉末、好ましくはＺｒＯ２成分を有する金属酸化物粉末；
さらにガス混合物、好ましくはアルゴンと水素の混合物を、プラズマ溶射プロセスの間に用いる特性を含む。
【００２８】
スパッタリング挙動を評価するために、本発明によるスパッタリングターゲットを非パルス状またはパルス状ＤＣ（直流）運転でスパッタし、スパッタリング挙動を例えばＳｉＡｌが１０ｗｔ％含まれるターゲットのような標準的なターゲットの挙動と比較する。これに関連した比較の主要ポイントはターゲットのアーク放電挙動の発生である。
【００２９】
ＤＣ運転に代わる方法として、適用可能な場合、ＭＦ（中波）運転またはＲＦ（高周波）運転で本発明によるターゲットをスパッタでき、比較することが可能である。
【００３０】
本発明によれば、３種の粉末成分、すなわちＳｉ、Ａｌ、およびＺｒＯ２、またはＹ２Ｏ３安定化ＺｒＯ２で製造されたＳｉＡｌＺｒＯ２ターゲットを使用することが特に好ましい。
【００３１】
プラズマ溶射による特に好ましいターゲットの製造の過程で、少なくともＳｉ、Ａｌ、およびＺｒＯ２の相を含むターゲット材料が生成される。このようにして製造されたターゲット材料は、電気絶縁性および非導電性ジルコニウムＺｒＯ２の使用にもかかわらずＤＣプロセスにおいて良好なスパッタリング能力を示す。このターゲットのアーク放電挙動はＳｉＡｌまたはＳｉ成分の形態の基準成分を含む基準ターゲットのアーク放電挙動と同等である。
【００３２】
スパッタリングターゲットの製造、またはＤＣスパッタリング挙動、またはアーク放電挙動に関する上述の説明は、ＺｒＯ２成分を有さない金属酸化物成分を有するＳｉターゲットまたはＳｉ−Ａｌターゲットにも適用でき、移転可能である。あるいはそれぞれがＺｒＯ２成分を有さない金属酸化物成分を有するＳｉターゲットまたはＳｉ−Ａｌターゲットが使用される場合、上述の説明は、ＭＦ運転またはＲＦ運転によるスパッタリングに移転することができる。
【００３３】
あるいは、ａｔ％（原子％）、ｍｏｌ％（モル％）、およびｗｔ％（重量％）の単位で表した上述の記載は、製造法によって一般的な変動を含むと解釈されるものとする。
【００３４】
本発明によるＳｉ成分またはＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットは、管状ターゲットまたは平面状ターゲットの形態で提供され得る。
【００３５】
ＺｒＯ２金属酸化物成分とともにＳｉ成分およびＡｌ成分を有するスパッタリングターゲットの特に好ましい実施形態において、ＺｒＯ２をより大きな割合で使用することが特に好ましい。
【００３６】
あるいは、本発明によるスパッタリングターゲットに用いられるＺｒＯ２はイットリウム安定化ＺｒＯ２である。本発明によれば、本発明によるターゲット中で非安定化ＺｒＯ２を用いることが好ましい。
【００３７】
本発明による、特に請求項１または７に記載の対応するスパッタリングターゲットは、そのスパッタリングターゲットの対応する合金の特性に影響を及ぼさない不可避不純物を含む可能性がある。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
特に良く適していると証明された、いくつかの例示的な実施形態を以下に記載する。
【００３９】
最初に、本発明によるスパッタリングターゲットの好ましい合金を表形式で記載し、スパッタリング挙動も下記の表中に記録している。
【００４０】
【表１】
2016539246.tif 000002
【００４１】
３種のスパッタリングターゲットの製造を以下に例示のために記載し、０．５ｍの寸法が実験ターゲットである。
【００４２】
長さが０．５ｍのＳｉＡｌ５ＺｒＯ２が３５ｗｔ％含まれるターゲット（実験６）を、Ｓｉ粉末、Ａｌ粉末、およびＺｒＯ２粉末成分を用いてプラズマ溶射技術によって管状ターゲットの形態に製造する。以下の特性、すなわちＳｉ粉末の平均粒径が３５μｍ、Ａｌ粉末の平均粒径が６０μｍ、およびＺｒＯ２粉末の平均粒径が３０μｍを有する溶射粉末を、プラズマ溶射の過程で使用する。
【００４３】
これに関連して、ＳｉＡｌ５ＺｒＯ２が３５ｗｔ％含まれるターゲットの製造のために、プラズマ溶射プロセスを、プラズマガスとしてアルゴンと水素の混合物を用いて、例えば本発明による装置で実施する。
【００４４】
あるいは、上述の粒径で、割合は異なる粉末を用いて、プラズマ溶射技術による上述の記載に従って、ＳｉＡｌ５ＺｒＯ２が５０ｗｔ％含まれる管状ターゲット（実験８）を製造することが可能である。
【００４５】
ＤＣプロセスにおいて上述の両方のターゲットをスパッタすることが可能である。
【００４６】
上述の２つのターゲットは、例えばＳｉＡｌが１０ｗｔ％含まれるターゲットのような標準的なターゲットと同じ挙動を示す。同様に、その２つのターゲットのそれぞれは、例えばＳｉＡｌが１０ｗｔ％含まれる標準的なターゲットのような基準ターゲットと比較して、スパッタリングプロセスにおいて同様に低いアーク放電率を有する。
【００４７】
あるいは、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法および装置は、Ｓｉ粉末、Ａｌ粉末、およびＹ２Ｏ３：ＺｒＯ２粉末成分を用いたプラズマ溶射技術によって、長さ０．５ｍのＳｉＡｌ５Ｙ：ＺｒＯ２が３５ｗｔ％含まれるターゲット（実験１６）を製造可能である。これに関連して、ＺｒＯ２粉末はイットリウム安定化である。
【００４８】
本発明に従って製造された、イットリウム安定化ＺｒＯ２成分を３５ｗｔ％有するこのスパッタリングターゲットは、ＳｉＡｌが１０ｗｔ％含まれるターゲットのような基準ターゲットと比較して、同じＤＣスパッタリング挙動およびアーク放電率挙動を示す。
【００４９】
あるいは、本発明によれば、上述の例示的な実施形態をＭＦ運転またはＲＦ運転でスパッタでき、比較することが可能である。
【００５０】
あるいは、長さ０．５ｍの実験ターゲットを、長さ約３ｍ〜約４ｍのターゲット、好ましくは管状ターゲットの形態に製造しスパッタすることが可能である。よって、表中のスパッタリングターゲットは例えば約４ｍの長さを有することが可能である。
【００５１】
本発明によれば、スパッタリングターゲットを用いてＤＣ法で光学層をスパッタすることが可能である。
【国際調査報告】
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2016539246.tif 000004
2016539246.tif 000005
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