(57)【要約】  規則的に配置された複数のリソグラフィフィーチャを形成する方法であって、基板上の複数のトレンチ内に、第１ブロックおよび第２ブロックを有する自己組織化可能なブロック共重合体を提供することであって、各トレンチは、対向する側壁と底面とを含み、側壁間は所定の幅を有し、第１トレンチは、第２トレンチよりも大きい幅を有する、提供することと、自己組織化可能なブロック共重合体を、各トレンチ内で、第１ブロックの第１ドメインと、第２ブロックの第２ドメインとを交互に含む秩序化層へと自己組織化させることであって、第１トレンチおよび第２トレンチは、それぞれのドメインを同数ずつ有する、自己組織化させることと、第１ドメインを選択的に除去して、各トレンチに沿って第２ドメインを有する規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの列を形成することと、を含み、第１トレンチ内のフィーチャのピッチは、第２トレンチ内のフィーチャのピッチよりも大きい、方法。【選択図】  ２Ａ
2016513368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
規則的な間隔で配置された複数のリソグラフィフィーチャを形成する方法であって、
基板上の複数のトレンチ内に、第１ブロックおよび第２ブロックを有する自己組織化可能なブロック共重合体を提供することであって、各トレンチは、対向する側壁と底面とを含み、前記側壁の間には所定の幅を有し、第１トレンチは、第２トレンチよりも大きい幅を有する、提供することと、
前記自己組織化可能なブロック共重合体を、各トレンチ内で、前記第１ブロックの第１ドメインと、前記第２ブロックの第２ドメインとを交互に含む秩序化層へと自己組織化させることであって、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは、それぞれのドメインを同数ずつ有する、自己組織化させることと、
前記第１ドメインを選択的に除去して、各トレンチに沿って、規則的な間隔で配置された１列以上の前記第２ドメインから成るリソグラフィフィーチャを形成することと、を含み、
前記第１トレンチ内の前記フィーチャの前記ピッチは、前記第２トレンチ内の前記フィーチャの前記ピッチよりも大きい、
方法。
【請求項２】
前記複数のトレンチは、４つ以上のトレンチを含み、第３トレンチおよび第４トレンチは、それぞれのドメインを同数ずつ有し、前記第２トレンチおよび前記第３トレンチは、それぞれのドメインを異なる数ずつ有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３トレンチは、前記第４トレンチよりも大きい幅を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１列以上の規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャは、ＦＥＴのチャネルを形成するために使用される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＦＥＴは、フィン型ＦＥＴである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記リソグラフィフィーチャは、１０ｎｍ以上のピッチを有する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記リソグラフィフィーチャは、４０ｎｍ以下のピッチを有する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記側壁は、フォトリソグラフィを使用して形成される、請求項１〜７のいずれかに、記載の方法。
【請求項９】
前記側壁は、２０ｎｍ〜１５０ｎｍの高さを有するように寸法調整される、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記トレンチは、約２００ｎｍ以下の幅を有する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記側壁は、前記ブロックの１つに対してより高い化学親和力を有する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記自己組織化可能なブロック共重合体は、円柱アレイ状に配置された前記第１ブロックの複数の第１の非連続的なドメインと、前記第１の非連続的なドメイン間に、前記第２ブロックの第２の連続的なドメインと、を交互に含む円柱状の秩序化層を形成するように適合され、前記ドメインは、前記基板に対して実質的に平行に、かつ前記側壁に対して実質的に平行に配向される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記自己組織化可能なブロック共重合体は、ラメラ状の秩序化層を形成するように適合され、前記第１ドメインはラメラであり、同様にラメラである前記第２ドメインと交互に形成され、前記第１ドメインおよび前記第２ドメインの前記ラメラの平面は、前記基板に対して実質的に垂直に、かつ前記側壁に対して実質的に平行に配向される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記ドメインのうちの１つは、エッチングにより選択的に除去される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記ドメインの１つは、光劣化（photo-degradation）または光分裂（photo-cleavage）によって選択的に除去される、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記トレンチは、レジスト内に形成される、請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の方法を使用して形成されるフィン型ＦＥＴ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
[0001]  本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１３年２月１４日に出願の米国仮特許出願第６１／７６４，８８１号の利益を主張する。
【０００２】
[0002]  本発明は、基板上に設けられたトレンチ内のブロック共重合体の自己組織化を利用して、この基板上に規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャを形成する方法に関する。この方法は、電界効果トランジスタの１つ以上のトランジスタ導電チャネルを形成するのに有用であり得る。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  デバイス製造用のリソグラフィにおいて、所与の基板領域上のフィーチャの密度を高めるために、リソグラフィパターン中のフィーチャのサイズを小さくするという継続的な要望がある。ナノスケールのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）を有するより小さいフィーチャのパターンによって、デバイス構造または回路構造の密度を高めることができ、電子デバイスおよび他のデバイスの小型化および製造コストの面で改善が見込めるようになる。投影フォトリソグラフィでは、より小さいフィーチャを追求することで、液浸リソグラフィおよび極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィといった技術の発展につながってきた。
【０００４】
[0004]  代替手段としてのいわゆるインプリントリソグラフィは、パターンを基板上に転写するために「スタンプ」（インプリントテンプレートと呼ばれることが多い）の使用を伴う。インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、例えば、放射源の発光波長または投影システムの開口数によって制限されないことである。その代わりに、解像度は、インプリントテンプレート上のパターン密度により主に制限される。
【０００５】
[0005]  投影フォトリソグラフィおよびインプリントリソグラフィの両者にとって、例えばインプリントテンプレートまたは他の基板の表面に高解像度パターニングを提供することが望ましい。ブロック共重合体（ＢＣＰ）の自己組織化の利用は、従来のリソグラフィ方法によって得ることができる寸法よりも小さい寸法へとフィーチャの解像度を上げる潜在的な方法として、または、インプリントテンプレートを作製するための電子ビームリソグラフィに代わるものとして、検討されてきた。
【０００６】
[0006]  自己組織化可能なＢＣＰは、ナノファブリケーションに有用な化合物である。これは、自己組織化可能なＢＣＰは、所定の温度（秩序無秩序転移温度（Ｔｏ／ｄ））よりも低い温度で冷却されると、秩序無秩序転移が起こり、これにより異なる化学的性質を有する共重合体ブロックの相分離が生じ、数十ナノメートルの寸法または１０ナノメートル未満の寸法を有する、化学的に異なる複数の秩序化ドメインを形成することができるためである。ドメインのサイズおよび形状は、共重合体の異なるブロックタイプの分子量および組成を操作することにより制御することができる。ドメイン間のインターフェースは、およそ１〜５ｎｍ程度のライン幅粗さを有し、共重合体のブロックの化学的組成を変更することにより、操作され得る。
【０００７】
[0007]  自己組織化テンプレートとしてＢＣＰの薄膜を使用することが実現可能であることは、ＣｈａｉｋｉｎおよびＲｅｇｉｓｔｅｒ他、Ｓｃｉｅｎｃｅ２７６、１４０１（１９９７年）により実証されている。２０ｎｍの寸法の点および穴の密集アレイが、ポリ（スチレン‐ブロック‐イソプレン）の薄膜から、窒化シリコン基板上に転写された。
【０００８】
[0008]  ＢＣＰは複数の異なるブロックを含み、各ブロックは典型的に１つ以上の同種の単量体を含み、これらのブロックが高分子鎖に沿って並んで配置されている。各ブロックは、それぞれのタイプの単量体を多数含み得る。したがって、例えばＡ−Ｂ型ＢＣＰは、複数のＡタイプ単量体をＡブロック（または各Ａブロック）内に有し、複数のＢタイプ単量体をＢブロック（または各Ｂブロック）内に有し得る。好適なＢＣＰの例は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）単量体のブロック（疎水性ブロック）と、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）単量体のブロック（親水性ブロック）とが共有結合した重合体である。疎水性／親水性の異なるブロックを有する他のＢＣＰもまた有用であり得る。例えば、（Ａ−Ｂ−Ｃ）ＢＣＰなどのトリブロック共重合体が有用であり、交互または周期的なＢＣＰ（例えば［−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−］ｎまたは［−Ａ−Ｂ−Ｃ−Ａ−Ｂ−Ｃ−］ｍ（ここで、ｎおよびｍは整数である））であってもよい。ブロックは、互いに共有結合で直線状または分岐状（例えば、星形構成または分岐状構成）に接続され得る。
【０００９】
[0009]  ＢＣＰは、ブロックの体積分率、各ブロックタイプ内の重合度（すなわち、それぞれのブロック内のそれぞれのタイプの単量体の数）、任意選択としての溶媒の使用、および表面相互作用に応じて、自己組織化により多くの異なる相を形成することができる。薄膜に適用すると、幾何学的な制限により、形成される相を限定し得る追加の境界条件を引き起こすことがある。一般に、球相（例えば、立方相）、円柱相（例えば、正方相または六方相）、およびラメラ相（すなわち、立方相、六方相、またはラメラ空間充填対称を有する自己組織化相）が実際に自己組織化されたＢＣＰの薄膜内に観察される。
【００１０】
[0010]  観察される相タイプは、異なる重合体ブロックの相対的な分子体積分率に依存し得る。例えば、８０：２０の分子体積比では、体積が大きい方のブロックの連続的なドメイン内に、体積が小さいブロックの非連続的な球状ドメインが配列された立方相が生じることになる。体積比が７０：３０に減少すると、体積が小さい方のブロックの非連続的な円柱状ドメインを有する、円柱相が形成されることになる。５０：５０の比では、ラメラ相が形成される。３０：７０の比では、逆円柱相が形成され、２０：８０の比では、逆立方相が形成され得る。
【００１１】
[0011]  自己組織化可能な重合体として使用するのに好適なＢＣＰとしては、ポリ（スチレン‐ブロック‐メチルメタクリレート）（poly(styrene-b-methylmethacrylate)、ポリ（スチレン‐ブロック‐２−ビニルピリジン）（poly(styrene-b-2-vinylpyridone）、ポリ（スチレン‐ブロック‐ブタジエン）（poly(styrene-b-butadiene)）、ポリ（スチレン‐ブロック‐フェロセニルジメチルシラン）（poly(styrene-b-ferrocenyldimethylsilane）、ポリ（スチレン‐ブロック‐エチレンオキシド）（poly(styrene-b-ethyleneoxide）、ポリ（エチレンオキシド‐ブロック‐イソプレン）（poly(ethyleneoxide-b-isoprene)）が含まれるが、これらに限定されない。記号「ｂ」は、「ブロック」を表している。これらは、ジブロック共重合体の例であるが、自己組織化には、トリブロック、テトラブロック、または他のマルチブロック共重合体も採用し得ることは明らかであろう。
【００１２】
[0012]  （ＢＣＰなどの）重合体の自己組織化を基板表面上に案内または誘導するために使用される方法の１つとして、グラフォエピタキシが知られている。この方法は、レジストから構築された１つ以上のフィーチャ（あるいは、レジストから基板表面上に転写された１つ以上のフィーチャ、もしくは基板表面上に堆積されたフィルムスタック上に転写された１つ以上のフィーチャ）を使用して、基板上のトポロジ的プレパターニングによって案内されるＢＣＰの自己組織化を伴う。プレパターニングを使用して、囲い（enclosure）、または、基板底面およびレジストの側壁（例えば、対向する一対の側壁）（または、膜内に形成された側壁もしくは基板内に形成された側璧）を含む「トレンチ」を形成する。
【００１３】
[0013]  典型的に、グラフォエピタキシテンプレートのフィーチャの高さは、秩序化対象のＢＣＰ層の厚さとほぼ同程度であり、例えば、約２０ｎｍ〜約１５０ｎｍであり得る。
【００１４】
[0014]  ラメラ状に自己組織化されたＢＣＰは、トレンチ内に異なる重合体ブロックドメインの隣接するラインを有する、リソグラフィフィーチャの平行線形パターンを形成することができる。例えば、ＢＣＰが高分子鎖内にＡブロックおよびＢブロックを有するジブロック共重合体である場合、ＢＣＰは、各トレンチ内で、規則的な間隔で配置されたＡブロックの第１ドメインと、Ｂブロックの第２ドメインとを交互に含む秩序化層へと自己組織化し得る。
【００１５】
[0015]  同様に、円柱状に自己組織化されたＢＣＰは、非連続的な円柱状の第１ドメインから成る規則的な間隔で配置された平行線と、それらの平行線を囲む連続的な第２ドメインとを含むリソグラフィフィーチャの秩序化パターンを形成することができる。例えば、ＢＣＰが高分子鎖内にＡブロックおよびＢブロックを有するジブロック共重合体である場合、Ａブロックは、トレンチ全体にわたり規則的に配置され、かつ連続的なＢブロックのドメインに囲まれた非連続的な円柱状のドメインへと組織化し得る。
【００１６】
[0016]  したがって、グラフォエピタキシを使用すると、ＢＣＰパターンが側壁間の間隔を交互の共重合体パターンのドメインに細分化するように、ラメラ相または円柱相の自己秩序化を案内することができる。
【００１７】
[0017]  ナノファブリケーションにおいてＢＣＰ自己組織化の利用を実行するためのプロセスでは、基板に対する自己組織化パターンの所望配向を誘発させるために、基板は、グラフォエピタキシテンプレートの一部として、中立配向制御層により改質され得る。自己組織化可能な重合体層で使用される一部のＢＣＰでは、ブロックの１つと基板表面との間に、配向を引き起こし得るような選択的な相互作用が存在し得る。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）−ブロック−ＰＭＭＡ  ＢＣＰでは、ＰＭＭＡブロックは、酸化表面を選択的に濡らし（つまり、酸化表面に対して高い化学親和力を有し）、これを利用して、表面の平面に対して実質的に平行に配向されるように自己組織化されたパターンを誘発させることができる。例えば、表面上に中立配向層を堆積させて、基板表面を両ブロックに対して中立にすることにより、実質的に垂直配向が誘発され得る。言い換えると、垂直配向層は、各ブロックに対して等しい化学親和力を有するため、両ブロックは、表面において等しく垂直配向層を濡らす。「垂直配向」とは、各ブロックのドメインが、基板表面上に並んで位置決めされ、異なるブロックの隣接したドメイン間の界面領域が表面の平面に対して実質的に垂直になっている状態を意味する。
【００１８】
[0018]  ＡブロックおよびＢブロックを有するジブロック共重合体を整列させるためのグラフォエピタキシテンプレートにおいて、Ａが親水性、Ｂが疎水性の性質を有する場合、グラフォエピタキシパターンは、疎水性のレジスト側壁フィーチャと、この疎水性レジストフィーチャ間の中立配向底面とを含み得る。Ｂドメインは、疎水性レジストフィーチャに沿って選択的に組織化し、いくつかのＡブロックとＢブロックとの交互ドメインが、グラフォエピタキシテンプレートの固定レジストフィーチャ間にある中立配向領域上に整列される。
【００１９】
[0019]  中立配向層は、例えば、ヒドロキシル末端基もしくは他の反応性末端基の反応により基板に共有結合して基板表面を酸化させるランダム共重合体ブラシを使用して、作られ得る。中立配向層を形成するための他の構成では、架橋性のランダム共重合体または適切なシラン（つまり、（トリ）クロロシランもしくは（トリ）メトキシシラン（シリルとしても知られる）末端基などの置換された反応性シランを有する分子）を使用して、基板表面と自己組織化可能な重合体の層との間の中間層として作用させることにより、表面を中立にすることができる。このようなシラン系の中立配向層は、通常単層として存在する一方、架橋性重合体は、通常は単層として存在せず、かつ、典型的に約４０ｎｍ以下、または約２０ｎｍ以下の層厚さを有し得る。
【００２０】
[0020]  自己組織化可能なＢＣＰの薄膜は、上述したようなグラフォエピタキシテンプレートを有する基板上に堆積され得る。自己組織化可能な重合体を堆積するための好適な方法としては、スピンコーティングがあり、このプロセスは、輪郭がはっきりした均一な自己組織化可能な重合体の薄膜を提供することができる。堆積された自己組織化可能な重合体膜の好適な層厚さは、約１０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【００２１】
[0021]  ＢＣＰ膜の堆積の後、この膜が依然として無秩序であったり、部分的にしか秩序化されていなかったりする場合があり、自己組織化を促進および／または完成させるためには１つ以上の追加工程が必要になる場合がある。例えば、自己組織化可能な重合体が、溶媒中の溶液として堆積される場合、自己組織化の前に例えば蒸発などにより溶媒が除去される。
【００２２】
[0022]  ＢＣＰの自己組織化は、多数の小さいコンポーネント（ＢＣＰ）の組織化により、より大きく複雑な構造（自己組織化されたパターン内のナノメートルサイズのフィーチャ（本明細書では「ドメイン」と呼ぶ））を形成するプロセスである。重合体の自己組織化を制御する物理特性から、自然と欠陥が発生する。自己組織化は、Ａ−Ｂ型のＢＣＰのＡ／Ａ、Ｂ／Ｂ、およびＡ／Ｂ（またはＢ／Ａ）のブロック対間の相互作用の差（つまり、互いの化学親和力の差）によって推進され、相分離の推進力は、検討中の系に対するフローリー・ハギンス理論によって説明される。グラフォエピタキシを利用することで、欠陥形成を大きく減少することができる。
【００２３】
[0023]  自己組織化にかけられる重合体について、自己組織化可能な重合体は、秩序無秩序温度Ｔｏ／ｄを示すことになる。Ｔｏ／ｄは、示差走査熱量計（ＤＳＣ）など、重合体の秩序／無秩序状態を評価するための任意の好適な技術によって測定することができる。層形成がこの温度未満で行われると、分子の自己組織化が引き起こされる。Ｔｏ／ｄよりも高い温度では、層内の近接するＡ−Ａブロック対間およびＢ−Ｂブロック対間の良好な相互作用から生じるエンタルピの影響を上回る無秩序Ａ／Ｂドメインからのエントロピの影響により、無秩序層が形成されることになる。自己組織化可能な重合体は、ガラス転移温度Ｔｇも示すことがあり、このガラス転移温度Ｔｇより低い温度では、重合体は効果的に不動化され、ガラス転移温度Ｔｇより高い温度では、共重合体分子は、近接する共重合体分子に対し、引き続き層内で再配向し得る。ガラス転移温度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により好適に測定される。
【００２４】
[0024]  上述したような秩序化の際に形成される欠陥は、アニーリングによって部分的に除去することができる。ディスクリネーション（例えば、ディレクタの配向に欠陥がある場合など、回転対称が損なわれる線欠陥）は、他方の記号の他の欠陥またはディスクリネーションと対にすることにより、消滅され得る。自己組織化可能な重合体の鎖内移動度（chain mobility）は、欠陥の移動および消滅を特定するための要因になり得るため、アニーリングは鎖内移動度が高い一方、自己組織化された秩序化パターンが失われない温度で実行され得る。これは、重合体の秩序無秩序温度Ｔｏ／ｄよりも数℃高いまたは数℃低い範囲の温度を意味する。
【００２５】
[0025]  異なる化学種を有するドメイン（異なるブロックタイプを有するドメイン）の秩序化パターンを有する、ＢＣＰなどの自己組織化された重合体の層を提供するためには、秩序化および欠陥消滅を単一のアニーリングプロセスに組み合わせてもよく、あるいは、複数のプロセスを使用してもよい。
【００２６】
[0026]  デバイス設計またはトポロジなどのパターンを、自己組織化された重合体層から、この自己組織化された重合体層が堆積された基板内へと転写するためには、通常、いわゆるブレイクスルーエッチングにより第１ドメインタイプを除去して、基板表面上に第２ドメインタイプのパターンを提供し、第２ドメインタイプのフィーチャ間には基板が露出したまま残される。平行な円柱相ドメインを有するパターンは、ドライエッチング技術またはリアクティブイオンエッチング技術を使用してエッチングすることができる。ラメラ相ドメインを有するパターンには、平行な円柱相ドメインのエッチングに適した方法に加えて、あるいはその代わりに、ウェットエッチング技術を利用することができる。
【００２７】
[0027]  ブレイクスルーエッチングに続き、パターンは、第２ドメインタイプによってレジストされたエッチング手段を使用するいわゆる転写エッチングによって転写され、基板表面内のうち、基板が露出していた部分に凹所が形成される。
【発明の概要】
【００２８】
[0028]  リソグラフィフィーチャ間の間隔は、ピッチとして知られ、リソグラフィフィーチャの１つの繰り返し単位の幅（つまり、フィーチャの幅と、フィーチャとフィーチャの間の間隔）として定義される。ＢＣＰを使用した自己組織化プロセスを使用して、特に小さいピッチ、典型的には３０〜５０ｎｍ未満のピッチを有するリソグラフィフィーチャを生成することができる。
【００２９】
[0029]  例えば、１つの処理工程を使用して、セットごとに異なるピッチのフィーチャを有する複数セットのリソグラフィフィーチャを構築することができれば有用である。既存の方法は、複数の処理工程を伴う（「ピッチ分割」および「マルチパターニング分裂」などの方法はいずれも複数の処理工程を伴う）。
【００３０】
[0030]  本発明の一実施形態の目的は、例えば、本明細書に記載する１つ以上の問題点または本技術に関連する他の１つ以上の問題点を除去または緩和することである。
【００３１】
[0031]  一実施形態では、規則的な間隔で配置された複数のリソグラフィフィーチャを形成する方法が提供され、この方法は、
基板上に複数のトレンチを提供することであって、各トレンチは、対向する側壁と底面とを含み、側壁間は所定の幅を有し、第１トレンチは、第２トレンチよりも大きい幅を有する、提供することと、
複数のトレンチ内に、第１ブロックおよび第２ブロックを有する自己組織化可能なブロック共重合体を提供することと、
自己組織化可能なブロック共重合体を、各トレンチ内で、第１ブロックの第１ドメインと、第２ブロックの第２ドメインとを交互に含む秩序化層へと自己組織化させることであって、第１トレンチおよび第２トレンチは、それぞれのドメインを同数ずつ有する、自己組織化させることと、
第１ドメインを選択的に除去して、各トレンチに沿って第２ドメインから成る規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの列を形成することと、を含み、
第１トレンチ内のフィーチャのピッチは、第２トレンチ内のフィーチャのピッチよりも大きい。
【００３２】
[0032]  基板は、幅の異なる複数のトレンチを有し得る。所与のトレンチ幅に対して、ブロック共重合体（ＢＣＰ）の所定数のドメインが形成され得る。ここで、異なるタイプのＢＣＰは、選択的に特定数のドメインを採用する。大まかに言うと、大きいトレンチは、小さいトレンチに比べ、多数のドメインを有する秩序化層の形成を引き起こすことになる。したがって、（所与のＢＣＰについて）ドメイン数は、トレンチのサイズと直線関係を有すると言うことができる。
【００３３】
[0033]  予想に反して、ドメイン数とトレンチサイズとの直線関係に加えて、トレンチ幅の比較的小さな増加（形成されるドメイン数が増加するほどは大きくない増加）は、より大きなピッチのドメインを形成させる（つまり、ピッチが伸張する）ことが判明した。トレンチ幅がさらに増加し、形成されるドメイン数を増加させるに足る大きさになると、その時点で各ドメインのピッチは、伸張前の状態に戻る、つまり、ピッチは、追加のドメインを収容するべく、小さくなる。したがって、トレンチ幅を適切に選択することにより、各トレンチ内に、所定数のドメインとドメインピッチとを有する自己組織化されたＢＣＰの秩序化層を生成することが可能である。さらに、ピッチの異なるドメインを有する秩序化層は、単一タイプのＢＣＰを使用して生成され得るため、一工程で、複数のトレンチのリソグラフィフィーチャを有する基板を生成することができ、この際、別々のトレンチ内にあるリソグラフィフィーチャは、それぞれ別々のピッチを有する。さらに、トレンチ幅の検討とＢＣＰの選択を適切に行うことにより、特定ピッチを有する所定数のリソグラフィフィーチャを有するトレンチを一貫して生成することができる。
【００３４】
[0034]  以下の特徴は、必要に応じて、本発明の各態様に適用することができる。好適な場合には、例えば請求の範囲に記載されるように、以下の特徴の組み合わせを採用してもよい。本発明は、デバイスリソグラフィに特に好適に使用される。例えば、本発明は、デバイスの形成に直接使用される基板のパターニングに使用されてもよく、あるいは、（その後デバイスの形成に使用され得る）インプリントリソグラフィに使用するためのインプリントテンプレートのパターニングに使用されてもよい。
【００３５】
[0035]  ４つ以上のトレンチが設けられてもよく、第３トレンチおよび第４トレンチは、それぞれのドメインを同数ずつ有し、第２トレンチおよび第３トレンチは、それぞれのドメインを異なる数ずつ有する。
【００３６】
[0036]  第３トレンチは、第４トレンチよりも大きい幅を有し得る。
【００３７】
[0037]  リソグラフィフィーチャは、約２０ｎｍ以上のピッチを有してもよく、約１０ｎｍ以上のピッチを有してもよい。リソグラフィフィーチャは、約４０ｎｍ以下のピッチを有し得る。
【００３８】
[0038]  基板は、半導体基板であってよく、基板を形成する複数の層を含み得る。例えば、基板の最外層は、ＡＲＣ（反射防止コーティング）層であり得る。
【００３９】
[0039]  基板の最外層は、ＢＣＰのドメインに対して中立であり得る。中立であるということは、最外層がＢＣＰのドメインタイプのそれぞれに対して同様の化学親和力を有することを意味する。中立配向層は、例えば、ランダム共重合体ブラシを使用して作ることができる。あるいは、基板の最上または最外表面層として配向制御層を提供して、基板に対する自己組織パターンの所望の配向を誘発させるようにしてもよい。
【００４０】
[0040]  対向する側壁を含むトレンチは、例えば、ＵＶ、ＥＵＶ、またはＤＵＶ（深紫外線）などの化学線を使用したフォトリソグラフィによって形成され得る。トレンチは、例えば、レジスト内に形成され得る。例えば、トレンチは、（例えば、レジストから基板上への転写後の）基板表面上に形成されてもよい。例えば、トレンチは、（例えば、レジストから膜スタック上への転写後の）膜スタック内に形成され得る。
【００４１】
[0041]  トレンチの高さは、秩序化対象のＢＣＰ層の厚さと同程度であり得る。トレンチの高さは、例えば、約２０ｎｍ〜約１５０ｎｍ（例えば、約１００ｎｍ）であり得る。トレンチは、約２００ｎｍ以下の幅を有し得る。
【００４２】
[0042]  自己組織化を誘導し、欠陥を減少するためには、側壁は、組織化の際に、側壁に対してより高い化学親和力を有するブロックがこの側壁に沿って組織化するように、ＢＣＰのブロックの１つに対してより高い化学親和力を有し得る。化学親和力は、疎水性または親水性の側壁フィーチャを利用して、与えられ得る。
【００４３】
[0043]  自己組織化可能なＢＣＰ層は、ＢＣＰの溶液をスピンコートし、その後溶媒を除去することによって、トレンチ内に提供することができる。
【００４４】
[0044]  自己組織化可能なＢＣＰは、ＢＣＰのＴｏ／ｄよりも低い温度に温度を下げることにより、自己組織化が促され、トレンチ内に自己組織化されたＢＣＰの秩序化層を与えることができる。
【００４５】
[0045]  ＢＣＰは、スロット内に並んで自己組織化された第１ブロックの１つ以上の第１ドメインと、第２ブロックの１つ以上の第２ドメインと、を交互に含む列を含む秩序化層を形成するように適合され得る。この方法は、第１ブロックの非連続的な円柱アレイ状の第１ドメインと、第１ドメイン間に配置された第２ブロックの連続的な第２ドメインとを、交互に有し、これらドメインが基板に対して実質的に平行で、かつ側壁に対して実質的に平行になるように配向されている秩序化層を形成するように適合された自己組織化可能なＢＣＰを伴い得る。別の好適な構成では、ＢＣＰは、ラメラ状の秩序化層であって、ラメラ状の第１ドメインと、同様にラメラ状の第２ドメインとが交互に配置され、第１および第２ドメインのラメラは、それぞれの平面が基板に対して実質的に垂直で、かつ側壁に対して実質的に平行になるように配向されている秩序化層を形成するように適合されてもよい。円柱アレイは、ラメラ相よりも広い範囲のピッチをカバーすることができる。
【００４６】
[0046]  ドメインの１つを選択的に除去することは、例えばエッチングによって実現することができる。この場合、自己組織化されたＢＣＰの秩序化層は、基板上のトレンチに沿って規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの列をエッチングするためのレジスト層として機能する。選択的なエッチングは、エッチング耐性の異なる重合体を利用し、１つ以上の重合体ドメインを選択的にエッチングすることが可能なエッチング剤を選択することにより、実現することができる。選択的な除去は、例えば、共重合体のブロック間の連結剤の選択的な光劣化または光分裂と、その後に続く１つのブロックの安定化とによって実現することができる。
【００４７】
[0047]  本発明の一実施形態は、リソグラフィ方法に関する。この方法は、例えば、電子デバイスもしくは集積回路などのデバイスの製造向け、または、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオード等の製造といった他の用途向けのプロセスにおいて使用され得る。本発明の一実施形態は、集積回路、磁気記憶装置用のビットパターン媒体および／または離散トラック媒体の作製に使用するために表面上に規則的なナノ構造を作り出すために使用される。
【００４８】
[0048]  本発明の一実施形態は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の作製に有用であり、特に、フィン型ＦＥＴの作製に有用である。フィン型ＦＥＴは、（フィンに似ており、トランジスタソースとドレインとの間の通路を画定する）高さのある薄い１つ以上の導電チャネルが、電圧印加によりチャネル導電率を変調することが可能なゲートによって覆われている特定タイプのＦＥＴである。フィン型ＦＥＴチャネルは、チャネルのピッチがトランジスタの導電チャネルに電子を流すために必要なゲート電圧（閾耐電圧ＶＴＨとして知られる電圧）に影響するため、一定のピッチを有するべきである。低ピッチ、低閾値電圧のフィン型ＦＥＴは、高速／低電力用途において有用であり、高ピッチ、高閾値電圧のフィン型ＦＥＴは、電子の漏洩が少ないことが望ましい用途において有用である。通常は、単一のデバイスが、高閾値電圧のフィン型ＦＥＴと低閾値電圧フィン型ＦＥＴとの両方を備えている。
【００４９】
[0049]  本明細書に記載される方法で生成され得る規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャは、フィン型ＦＥＴ用の導電チャネルとして使用するのに適している。上述したように、この方法は、同一基板上に、ピッチの異なるリソグラフィフィーチャを有する複数のトレンチを生成することが可能である。この方法をフィン型ＦＥＴの構築に適用すると、単一基板上に、１つのフィン型ＦＥＴと、別のフィン型ＦＥＴとでチャネルピッチを異ならせた複数のフィン型ＦＥＴを形成することが可能になる。異なるピッチを有するチャネルは、単一の工程で製造され得る。したがって、トレンチ幅を適切に選択することにより、本明細書に記載された方法は、低閾値電圧を有する（つまり、高速／低電力用途を実行することが可能な）いくつかのフィン型ＦＥＴと、高閾値電圧を有する（つまり、少ない電子漏洩を要する用途に利用可能な）他のフィン型ＦＥＴとを含む複数のフィン型ＦＥＴを有するデバイスの構築に有用である。
【００５０】
[0050]  自己組織化可能なＢＣＰは、上述したようなＢＣＰであってよく、第１重合体ブロックおよび第２重合体ブロックと呼ばれ、第１ドメインタイプおよび第２ドメインタイプへと区分される異なるブロックタイプを有する秩序化重合体層へと自己組織化が可能な少なくとも２つの異なるブロックタイプを含む。ＢＣＰは、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、および／またはマルチブロック共重合体を含み得る。自己組織化可能なＢＣＰにおいては、交互ＢＣＰまたは周期的ＢＣＰも使用することができる。
【００５１】
[0051]  本明細書において「化学親和力」とは、２つの異なる化学種が結合する傾向を意味する。例えば、親水性の性質を有する化学種は、水に対する化学親和力が高い一方、疎水性の化合物は、水に対する化学親和力は低いが、アルケンに対する化学親和力は高い。極性を有する化学種は、他の極性を有する化合物および水に対して高い化学親和力を有する一方、無極性、非極性または疎水性の化合物は、水および極性の化学種に対して低い化学親和力を有するが、アルケンなどの他の非極性化学種に対しては高い化学親和力を示し得る。化学親和力は、二つの化学種間の界面に関連した自由エネルギーに関係している。つまり、界面自由エネルギーが高い場合、この２つの化学種は、互いに対して低い化学親和力を有する一方、界面自由エネルギーが低い場合、二つの化学種は互いに対して高い化学親和力を有する。化学親和力は、「濡れ性」の観点から表すこともでき、液体と固体表面が互いに対して高い化学親和力を有する場合、液体はこの固体表面を濡らす一方、互いに対する化学親和力が低い場合は、液体は固体表面を濡らさない。表面間の化学親和力は、例えば、多様な液体を使用した接触角測定により、測定することができるため、ある液体に対して、１つの表面が別の表面と同じ接触角を有する場合は、これら２つの表面はこの液体に対して実質的に同一の化学親和力を有すると言うことができる。２つの表面間で接触角が異なる場合は、より小さな接触角を有する表面の方が、より大きな接触角を有する表面よりも、液体に対する化学親和力が高い。
【００５２】
[0052]  本明細書において「化学種」とは、分子、低重合体、重合体、などの化合物を意味するか、あるいは、両親媒性の分子（つまり、それぞれ異なる化学親和力を有する少なくとも２つの相互接続部分を有する分子）の場合は、「化学種」は、そのような分子の異なる部分を意味する場合もある。例えば、ジブロック共重合体の場合、このブロック共重合体を構成する２つの異なる重合体ブロックは、それぞれ異なる化学親和力を有する２つの異なる化学種とみなされる。
【００５３】
[0053]  本明細書を通して、「〜を含む、備える（“comprising”または“comprises”）」という用語は、指定された構成要素を含んでいることを意味するが、他のものの存在を排除することは意図していない。「〜から実質的に成る（“consisting essentially of”または“consists essentially of”）」という用語は、指定された構成要素を含んでいることを意味するが、不純物として存在する材料、該構成要素を提供するために使用されるプロセスの結果として存在する不可避材料、および、本発明の技術的効果を達成する以外の目的で追加される構成要素以外の構成要素を除外することを意味する。通常、一組の構成要素から実質的に成る組成物は、５重量％未満、典型的には３重量％未満、より典型的には１重量％未満の指定されない構成要素を含むことになる。「〜から成る（“consist of”または“consisting of”）」という用語は、指定された構成要素を含んでいることを意味するが、他の構成要素の意図的な追加は除外することを意味する。
【００５４】
[0054]  文脈上適切な場合には、「〜含む、備える」という用語は、「〜から成る」、「〜から実質的に成る」の意味も包含するように解釈されることもある。
【００５５】
[0055]  本明細書において、フィーチャの厚さに言及する場合、その厚さは、基板表面に実質的に垂直で、かつフィーチャの質量中心を通過する軸に沿って、適切な手段により適宜測定される。厚さは、適宜、干渉法などの技術を使用して測定されてもよく、エッチング速度の知識を利用して推定されてもよい。
【００５６】
[0056]  本明細書において、「層」に言及する場合、層と呼ばれるものには、実質的に均一な厚さを有するものとして解釈されることになる。「実質的に均一な厚さ」とは、その厚さが、層全体にわたり平均値の１０％以上、望ましくは５％以上のばらつきがないことを意味する。
【００５７】
[0057]  本明細書において、「基板」という用語は、基板表面上に存在し得る、または基板表面を形成し得る、１つ上の平坦化層または反射防止コーティング層などといった、基板の一部を形成する、または基板上に設けられているあらゆる表面層を含むこと、あるいは本明細書内で具体的に言及された他の１つ上の層を含み得ることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
[0058]  本発明の具体的な実施形態を、添付の図面を参照して以下に説明する。
【００５９】
【図１】[0059]  図１Ａ〜１Ｃは、グラフォエピタキシによって基板上に誘導されたＡ−Ｂブロック共重合体の自己組織化と、１つのドメインの選択的なエッチングにより規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの形成を概略的に示す。
【図２】[0060]  図２Ａ〜２Ｃは、本発明の一実施形態に従い、トレンチ幅を大きくすることによって達成可能なドメインピッチの増加を概略的に示す。
【図３】[0061]  図３Ａ〜３Ｃは、グラフォエピタキシによって基板上に誘導されたＡ−Ｂブロック共重合体の自己組織化と、トレンチ幅を大きくすることによって達成可能なドメインピッチの増加と、１つのドメインの選択的なエッチングにより規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの形成と、を概略的に示す。
【図４】[0062]  図４は、本発明の一実施形態に従って生成されたフィン型ＦＥＴを概略的に示す。
【図５】[0063]  図５は、ピッチの異なるリソグラフィフィーチャが設けられた幅の異なる複数のトレンチを有するデバイスの概略図である。
【図６】[0064]  図６は、トレンチ幅と、本発明の一実施形態において生成されたフィーチャの列数およびピッチとの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
[0065]  以下に説明および例示される実施形態は、例示を目的とし、限定的な性質のものではないと捉えられるべきであり、当然ながら、好ましい実施形態のみが図示および／または説明されており、特許請求の範囲において定義される発明の範囲内に含まれるすべての変形および改良は、保護されることが要求される。
【００６１】
[0066]  図１Ａは、１つ以上の側壁３と底面４とによって画定されたトレンチ２が形成されている基板１を示す。図１Ｂにおいて、親水性のＡブロック（網掛け有り）と疎水性のＢブロック（網掛け無し）とを有する自己組織化可能なＡ−Ｂブロック共重合体がトレンチ内に堆積され、ＢＣＰの堆積中に個々にミクロ分離した周期的なドメインへと分離されたラメラ相として堆積されたＡドメインとＢドメインとの交互ストライプを有する層５が形成される。図１Ｃでは、Ａタイプのドメインが選択的除去により除去され、規則的な間隔で配置された所定数の列のリソグラフィフィーチャ６としてＢタイプのドメインが残されている。
【００６２】
[0067]  選択的な除去は、例えば、化学エッチングにより実現することができる。これは、Ａブロックが相対的にエッチングされやすく、Ｂブロックが相対的にエッチングに耐性を有するといった、相対的なエッチングの受けやすさを利用して実現することができる。選択的な除去は、例えば、共重合体のブロック間の連結剤の選択的な光劣化または光分裂と、その後に続く１つのブロックの安定化とによって実現されてもよい。一実施形態では、緊密な間隔で小さいサイズのフィーチャを提供するための自己組織化されたＢＣＰを使用して、基板上に、基板に沿って並んで位置決めされる、リソグラフィフィーチャの規則的な間隔で配置された列を形成することができる。
【００６３】
[0068]  （図示されない）一実施形態では、エッチング（または他の除去プロセスは）は、基板１内にエッチングを施し得る。これに続き、Ｂタイプのドメインが除去されて、規則的な間隔で配置された数列のリソグラフィフィーチャが基板内に形成される。
【００６４】
[0069]  図示された実施形態の変形例では、トレンチの１つ以上の側壁は、ＢＣＰのブロックのうちの１つに対してより高い化学親和力を有する。例えば、疎水性の性質を持つＡブロックと親水性の性質を持つＢブロックとを有するジブロック共重合体を整列させるためのトレンチは、疎水性のレジスト側壁フィーチャと、この側壁間の中立配向底面とを含み得る。Ａドメインは、選択的に疎水性レジストフィーチャに沿ってし、ＡブロックとＢブロックとのいくつかの交互ドメインが、トレンチのレジストフィーチャ間にある中立配向底面上に整列する。
【００６５】
[0070]  図２Ａは、規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャの列が自己組織化されたＢＣＰを使用して位置決めされている基板１を示す。トレンチ２内には、３列のリソグラフィフィーチャが形成されており、各フィーチャは、Ｘで示される特定のピッチを有する。上述したように、ピッチは、左端の２つのフィーチャの中心に引かれた点線によって図中に示されているように、リソグラフィフィーチャの繰り返し単位の１つの幅として定義される。図２Ｂにおいて、トレンチの幅がわずかに広げられ、形成されたフィーチャの列数は同一であるが、各フィーチャのピッチ（Ｙで示されている）が図２Ａのフィーチャのピッチよりも大きくなっている。図２Ｃでは、トレンチの幅はさらに広げられ、形成されたフィーチャの列数が２列から４列に増加した一方で、各フィーチャのピッチ（Ｚで示されている）は図２Ａのピッチと同程度の値まで小さくなっている（つまり、ＺはＸにほぼ等しい）。
【００６６】
[0071]  図３は、図１と同様の態様で、規則的に配置されたリソグラフィフィーチャ６の列が自己組織化されたＢＣＰを使用して位置決めされている基板１を示す。図３では、図１のラメラ状のドメインの代わりに、円柱状のドメインが形成される。Ａブロック（網掛け有り）とＢブロック（網掛け無し）を有する自己組織化可能なＡ−Ｂブロック共重合体は、トレンチ内に堆積されて、層５を形成する。図３Ｂに示されるように、トレンチの幅はわずかに広げられ、形成されたフィーチャの列数は同一であるが、各フィーチャのピッチが図３Ａのフィーチャのピッチよりも大きくなっている（図２のラメラ状ドメインと同様）。図３Ｃでは、図３ＢのＢタイプドメインが選択的なエッチングにより除去されており、所定数の規則的な間隔で配置されたリソグラフィフィーチャ６の列としてＡタイプドメインが残されている。Ｂドメインのうち、Ａドメインの直下に位置する小さい部分は、エッチン後も残存する。
【００６７】
[0072]  図４は、図１〜図３において説明された態様で生成されたリソグラフィフィーチャを使用してフィン型ＦＥＴ７を構築した方法の特定の適用を示している。フィン型ＦＥＴは、ゲート９に覆われた複数の導電チャネル８（フィンと呼ばれる）を備える。本実施形態において、リソグラフィフィーチャ（図１中の符号６）は、フィン型ＦＥＴ導電チャネルとして直接使用されており、そのチャネル上にゲート９を配置して、フィン型ＦＥＴが構築されている。
【００６８】
[0073]  図４は３つのフィンを有するフィン型ＦＥＴを示しているが、本発明の実施形態を使用し、それ以外の数のフィン（例えば、２つのフィン、４つのフィン、５つのフィン、６つ以上のフィンなど）を有するフィン型ＦＥＴを作り出してもよい。フィンの数を問わず、隣接するフィン間の間隔は、（図２および３を参照して上述した態様で）フィンが形成されるトレンチの幅を適切に選ぶことにより、選択することができる。フィンは、例えば、約２０ｎｍ以上のピッチを有してもよく、例えば約１０ｎｍ以上のピッチを有しても良い。フィンは、例えば、約４０ｎｍ以下のピッチを有し得る。
【００６９】
[0074]  図５は、（（ａ）、（ｂ）および（ｃ）で表される）フィン型ＦＥＴの複数の領域が、本明細書に記載の方法を使用して単一のデバイス（例えば、集積回路）上に生成され得ることを例証するデバイスレイアウトの概略図である。フィン型ＦＥＴの各領域は、特定の閾値電圧または他の特性を有するフィン型ＦＥＴを含み得る。したがって、例えば、領域（ａ）および（ｂ）は、いずれも３つのフィンを有するフィン型ＦＥＴを含み得るが、フィン間隔が異なる。したがって、領域（ａ）内のフィン型ＦＥＴの閾値電圧は、領域（ｂ）内のフィン型ＦＥＴの閾値電圧とは異なる場合がある。領域（ｃ）は、例えば、４つのフィンを有するフィン型ＦＥＴを含み得る。フィンの数は、トランジスタ駆動電流（イオン）の強さに影響し、ひいては、トランジスタスイッチング周波数などのスイッチング特性に影響する。領域（ｃ）内のフィン型ＦＥＴのフィン間の間隔は、例えば、領域（ａ）内のフィン間の間隔と同一でもよく、または領域（ｂ）内のフィン間の間隔と同一でもよく、または他の間隔であってもよい。
【００７０】
[0075]  図５に示されるデバイスは、単一の処理工程を使用して形成される（つまり、デバイスレイアウトを得るために複数の連続パターンを投影する必要はない）。本発明の一実施形態は、概して、基板の単一リソグラフィ処理を使用して、異なる間隔（または異なるピッチ）を有する複数のリソグラフィフィーチャの作製を可能にする。本発明の一実施形態は、（例えば、図２および図３に概略的に示されるような）リソグラフィフィーチャの間隔（またはピッチ）の微調整を可能にする。
【００７１】
[0076]  図５および関連の記載は、一例に過ぎない。異なる数のフィン型ＦＥＴ領域を有する集積回路を本発明の実施形態を使用して作成してもよい。フィン型ＦＥＴは、存在する領域によって、フィンの間隔が異なることもあれば、かつ／または、フィンの数が異なることもある。さらに、各領域において、（フィン間の間隔を使用して閾値電圧を変化させるのと同じ態様で）ゲート間の間隔を変化させることによって閾値電圧を調節することができる。
【００７２】
［実施例］
[0077]  トレンチ幅を大きくすることによる、列ピッチおよび列数への作用を評価するために、幅の異なる所定数のトレンチが実験的に形成された。
【００７３】
[0078]  シリコンウェーハは、露光に先立って、反射防止コーティング（層厚さ９３ｎｍ）、続いて、レジスト（層厚さ１００ｎｍ）で被覆された。１００℃、６０秒間のポストベークの後、レジストがネガ型現像により現像され、ウェーハ上にトレンチのパターンを作り出した。ウェーハは、その後、１９０℃、１０分間の追加ベークにかけられた。ネガ型現像は、ＢＣＰのアニーリング温度とＢＣＰが溶解される溶媒の両方に対して良好な耐性を有するレジストパターンを作り出すために使用された。現像工程の後、ポリスチレン−ブロック−メチルメタクリレート（ＰＳＰＭＭＡ）ＢＣＰ（Ｐ２７８４−ＳＭＭＡ、３７．０−ブロック−１６．８、多分散性指数１．０７）（レジストフィーチャの外側の層厚さは４０ｎｍである）がトルエン溶液（ＢＣＰ濃度は０．５〜２．５ｗｔ％）からスピンコーティングにより塗布され、塗布された層は９０℃で２分間乾燥された。ウェーハは、窒素雰囲気下で、約２００℃の炉で３０分間アニーリングされた。ＢＣＰのアニーリングの後、ウェーハは、リアクティブイオンエッチングツールにより４０秒間エッチングされ、ＰＭＭＡ相を完全に除去した。基板に対して実質的に垂直に、規則的な間隔で配置された円柱相リソグラフィフィーチャの列がトレンチ内に形成された。各ケースにおいて、列ピッチおよび列数は、標準自動化計測用（standard automated metrology）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して測定された。結果を図６に示す。
【００７４】
[0079]  図６は、トレンチ幅をわずかに広げることにより、ある点まで列ピッチが大きくなる（伸張する）ことを示している。トレンチ幅をさらに広げ、形成されるドメイン数が増加するほど大きくなると、その時点で、各ドメインのピッチは、ほぼ伸張前の状態に戻る（つまり、追加分のドメインを収容できる程度にピッチが小さくなる）。例えば、図６からは、およそ５０〜７０ｎｍの幅を有するトレンチは、２列のフィーチャを有する秩序化層を選択的に形成し、これらのフィーチャのピッチは、およそ２２ｎｍ〜２７ｎｍの範囲にわたる（ピッチの大きさとトレンチ幅の大きさは比例している）ことが読み取れる。しかし、およそ７０ｎｍ〜９０ｎｍの幅を有するトレンチは、３列のフィーチャを有する秩序化層を選択的に形成し、これらのフィーチャのピッチは、およそ２３〜２８ｎｍの範囲にわたる。
【００７５】
[0080]  なお、リソグラフィフィーチャは、基板に対して実質的に垂直に形成されたが、基板に対して実質的に垂直なフィーチャについては同様の挙動が観察されることが予測される。
【００７６】
[0081]  上記の実施例では、トレンチはレジスト内に形成されるが、トレンチは、任意の好適な材料内に形成することができる。例えば、トレンチは、（レジストから基板上への転写後の）基板内に形成され得る。あるいは、トレンチは、基板表面上に堆積された膜スタック内に形成されてもよい。
【００７７】
[0082]  本発明の態様は、任意の便利な形態で実施できることを理解されたい。例えば、本発明の一実施形態は、有形のキャリア媒体（例えば、ディスク）または無形のキャリア媒体（例えば、通信信号）であり得る適切なキャリア媒体に保持され得る１つ以上の適切なコンピュータプログラムによって実施され得る。本発明の一態様は、本発明の一実施形態を実施するように構成されたコンピュータプログラムを実行させるプログラム可能なコンピュータの形態を具体的にとり得る好適な装置を使用して実施することができる。
【図１Ａ】
2016513368.tif 000003
【図１Ｂ】
2016513368.tif 000004
【図１Ｃ】
2016513368.tif 000005
【図２Ａ】
2016513368.tif 000006
【図２Ｂ】
2016513368.tif 000007
【図２Ｃ】
2016513368.tif 000008
【図３Ａ】
2016513368.tif 000009
【図３Ｂ】
2016513368.tif 000010
【図３Ｃ】
2016513368.tif 000011
【図４】
2016513368.tif 000012
【図５】
2016513368.tif 000013
【図６】
2016513368.tif 000014
【国際調査報告】
2016513368.tif 000015
2016513368.tif 000016
2016513368.tif 000017