(57)【要約】本発明は、アクティブマトリクスディスプレイの画素構造、及びその製造方法に関し、それらの目的は画素電極及び画素定義膜を形成するプロセスを単純化することであり、画素電極のパターニングを通して画素電極の縁部で形成される端子により生じる問題を解決する。本発明に係る画素構造は：ベース基板；複数の画素回路電極；絶縁層；及び複合層を含む。複数の画素回路電極は、ベース基板にマトリクスの形態で配列される。絶縁層は、複数の画素回路電極の外周を覆うために、ベース基板上に形成される。複合層は、複数の画素回路電極及び絶縁層の上部を覆うために、一体的に形成される。この場合、複合層は、絶縁層から露出された複数の画素回路電極にそれぞれ接続されるために形成された導電性の画素電極と、画素電極の外周にある非導電性の画素定義膜とを有する。【選択図】図３
2016508230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板；
前記ベース基板にマトリクスの形態で配列された複数の画素回路電極；
前記複数の画素回路電極の縁を覆うために、前記ベース基板に形成された絶縁層；及び
前記複数の画素回路電極及び前記絶縁層を覆うために、一体的に形成された複合層を含み、
前記複合層が、前記絶縁層に露出された前記複数の画素回路電極にそれぞれ接続された導電性の画素電極と、前記画素電極の周りに配置された非導電性の画素定義膜とを含む、アクティブマトリクスディスプレイの画素構造。
【請求項２】
前記複合層が、導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に基づいて形成され、
前記画素定義膜が、前記導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの電気抵抗の特性を変えることにより形成され、
前記画素電極が、その導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの残部から形成される、請求項１に記載のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造。
【請求項３】
前記画素電極及び前記画素定義膜が、同一平面に形成される、請求項２に記載のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造。
【請求項４】
ベース基板の上面に形成される複数の画素回路電極及び絶縁層を含む、前記ベース基板を供給する工程；並びに
前記複数の画素回路電極及び前記絶縁層を覆うために、一体型の複合層を形成する工程を含み、
前記複合層が、前記絶縁層により露出された前記複数の画素回路電極にそれぞれ接続された導電性の画素電極と、前記画素電極の周りに配置された非導電性の画素定義膜とを含む、アクティブマトリクスディスプレイの画素構造の製造方法。
【請求項５】
前記複合層を形成する工程が；
前記複数の画素回路電極及び前記絶縁層を覆うように構成された導電性ポリマー層を形成する工程；
前記導電性ポリマー層にフォトレジストフィルムを形成する工程；
前記導電性ポリマー層において前記画素定義膜となる部分の前記フォトレジストフィルムを取り除くことにより、開口を形成する工程；
前記開口により露出された前記導電性ポリマー層の部分の電気抵抗の特性を変えることによって、前記非導電性の画素定義膜を形成する工程；並びに
前記フォトレジストフィルムを取り除く工程を含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記非導電性の画素定義膜を形成する工程において、前記導電性ポリマー層において前記フォトレジストフィルムにより覆われた部分が、前記画素定義膜により前記画素電極として定義される、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記複合層が、導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に基づいて形成され、
前記画素定義膜が、前記導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの前記電気抵抗の特性を変えることにより形成され、
前記画素電極が、導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの残部から形成される、請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
前記画素電極及び前記画素定義膜が同一平面に形成される、請求項４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクスディスプレイに関する。より具体的には、本発明は、画素電極及び画素定義膜が単一の層に形成されるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造、並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクスディスプレイはマトリクスの形態で配列された複数の画素を含む表示装置であり、種々の用途に、幅広く使用されている。そのようなアクティブマトリクスディスプレイは、パネルを制御するための画素及び周辺回路を有するパネルを含む。
【０００３】
アクティブマトリクスディスプレイは、薄い厚み、軽量、及び低消費電力のような利点を有し、オーディオ／ビデオ（ＡＶ）機器、オフィスオートメーション機器などの表示装置として、幅広く使用されている。
【０００４】
アクティブマトリクスディスプレイは、アクティブマトリクス基板に形成された画素電極により発せられる光を用いて情報を表示する。例えば、アクティブマトリクスディスプレイのうちアクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）は、蛍光又は燐光体の有機薄膜に電流が流れると、有機薄膜において電子及び正孔が結合され、発光する原理を用いる自発光ディスプレイである。ここで、光の色は、発光層を形成する有機材料により変わり得る。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、パッシブマトリクス発光ダイオード（ＰＭＯＬＥＤ）と、パッシブマトリクス発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）とに分けられるだろう。全線が発光駆動される線駆動式である、ＰＭＯＬＥＤと比較すると、ＡＭＯＬＥＤは、それぞれの発光素子が駆動される個別駆動式であり。
【０００５】
図１に示すように、通常のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造２００は、画素定義膜１５０により定義される複数の画素電極１４０がベース基板１１０においてマトリクスの形態で配列される構造を有する。
【０００６】
通常のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造２００は、ベース基板１１０、複数の画素回路電極１２０、底部絶縁層１３０、複数の画素電極１４０、画素定義膜１５０、及びカソード層１７０を含み得る。複数の画素回路電極１２０はベース基板１１０においてマトリクスの形態で形成され得る。底部絶縁層１３０は、複数の画素回路電極１２０の間に形成され得る。画素回路電極１２０は、底部絶縁層１３０に形成されるコンタクトホール１３２を通して外部に露出され得る。複数の画素電極１４０ａは、底部絶縁層１３０において、マトリクスの形態で形成され、それぞれ複数の画素回路電極１２０に接続され得る。絶縁性の画素定義膜１５０は、複数の画素電極１４０の間に形成され得る。加えて、カソード層１７０は、複数の画素電極１４０及び画素定義膜１５０を覆うために形成され得る。
【０００７】
ここで、画素電極１４０及び画素定義膜１５０は、フォトリソグラフィプロセスによるパターニングによって独立に形成され得る。
【０００８】
すなわち、画素回路電極１２０を含む底部絶縁層１３０において画素電極１４０を形成するために電極層を形成した後、画素電極１４０は、フォトリソグラフィプロセスによるパターニングによって複数の画素回路電極１２０にそれぞれ接続されるように形成され得る。
【０００９】
次に、画素定義膜１５０を形成するための上部絶縁層は、画素電極１４０を含む底部絶縁層１３０を覆うように形成され得る。次いで、複数の画素電極１４０の縁を覆う画素定義膜１５０は、フォトリソグラフィプロセスによるパターニングによって形成され得る。
【００１０】
こうして、通常のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造２００は、画素電極１４０及び画素定義膜１５０を形成するための別々のフォトリソグラフィプロセスによる別々のパターニングプロセスを必要とする場合がある。このため、製造プロセスは複雑になる場合があり、歩留りは複雑なプロセスのために低下し得る。
【００１１】
画素電極１４０は、パターニングプロセスにより露出されたそれらの縁のステップ１４１を含み得る。有機絶縁層のような画素定義膜１５０は、画素電極１４０において形成されるカソード層１７０との短絡のような問題を解決するため、画素電極１４０のステップ１４１を覆うように形成されるが、それでも、画素電極１４０はその縁のステップ１４１を含み、画素電極１４０において形成されるカソード層１７０との短絡の問題を、なお有し得る。
【００１２】
画素電極１４０と、カソード層１７０との間のそのような短絡の問題を抑えるために、画素定義膜１５０は、画素電極１４０の縁と、画素定義膜１５０とにより形成される傾斜角度、それぞれのステップの高さなどを考慮して形成される必要がある。このように、画素電極１４０を定義するプロセスは、かなり高い技術を要求する場合がある。
【００１３】
加えて、画素定義膜１５０が吸湿性の有機材料のような絶縁材料から形成されるから、アクティブマトリクスディスプレイの信頼性は、画素定義膜１５０に含まれる水分に起因して低下する場合がある。
【００１４】
さらに、画素定義膜１５０が画素電極１４０より高く形成され得るから、画素電極１４０の効率は、画素電極１４０及び画素定義膜１５０が同じ高さで形成される場合と比べて低下する場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
よって、本発明は、画素電極及び画素定義膜を形成するプロセスを単純化することができるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造、並びにその製造方法を対象とする。
【００１６】
また、本発明は、画素電極の縁のステップの露出を根本的に防ぐことにより、歩留りを改善することができるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造、及びその製造方法を対象とする。
【００１７】
また、本発明は、画素定義膜として有機材料を用いることにより発生する水分に起因して、アクティブマトリクスディスプレイの信頼性が低下する問題を解決することができるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造、及びその製造方法を対象とする。
【００１８】
また、本発明は、画素定義膜及び画素定義膜を同じ高さで形成することによって、画素電極と画素定義膜との間の界面で生じるカソード層との短絡のような問題を解決することができるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造、並びにその製造方法を対象とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一態様によれば、ベース基板、複数の画素回路電極、絶縁層、及び複合層を含むアクティブマトリクスディスプレイの画素構造が提供される。複数の画素回路電極は、ベース基板にマトリクスの形態で配列される。絶縁層は、複数の画素回路電極の周辺を覆うために、ベース基板に形成される。複合層は、複数の画素回路電極及び絶縁層を覆うために、一体的に形成される。ここで、複合層は、絶縁層に露出される複数の画素回路電極にそれぞれ接続される導電性の画素電極と、画素電極の周りに配置される非導電性の画素定義膜とを含む。
【００２０】
いくつかの実施形態において、複合層は、導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に基づいて形成されてもよく、画素定義膜は、導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの電気抵抗の特性を変えることによって形成されてもよく、画素電極は、導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの残部から形成されてもよい。
【００２１】
他の実施形態において、画素電極及び画素定義膜は同一平面に形成されてもよい。
【００２２】
本発明の別の態様によれば、ベース基板の上面に形成される複数の画素回路電極、及び絶縁層を含むベース基板を供給する工程、並びに複数の画素回路電極及び絶縁層を覆うために一体型の複合層を形成する工程を含む、アクティブマトリクスディスプレイの画素構造の製造方法が提供される。複合層は、絶縁層により露出された複数の画素回路電極にそれぞれ接続された導電性の画素電極と、画素電極の周りに配置された非導電性の画素定義膜とを含む。
【００２３】
いくつかの実施形態において、複合層を形成する工程は、複数の画素回路電極及び絶縁層を覆うように構成された導電性ポリマー層を形成する工程、導電性ポリマー層にフォトレジストフィルムを形成する工程、導電性ポリマー層において画素定義膜となる部分のフォトレジストフィルムを取り除くことにより、開口を形成する工程、開口により露出された導電性ポリマー層の部分の電気抵抗の特性を変えることによって、非導電性の画素定義膜を形成する工程、フォトレジストフィルムを取り除く工程、並びに複合層にカソード層を形成する工程を含んでもよい。
【００２４】
他の実施形態において、非導電性の画素定義膜を形成する工程では、導電性ポリマー層においてフォトレジストフィルムにより覆われた部分が、画素定義膜により画素電極として定義されてもよい。
【００２５】
他の実施形態において、複合層は、導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）に基づいて形成されてもよく、画素定義膜は、導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの電気抵抗の特性を変えることにより形成されてもよく、画素電極は導電性のＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの残部から形成されてもよい。
【００２６】
他の実施形態において、画素電極及び画素定義膜は同一平面に形成されてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明実施形態によれば、追加のパターニングプロセスなく、画素電極及び画素定義膜が同時に形成される複合層を、画素回路電極を含む絶縁層に画素電極及び画素定義膜を形成するために、導電性ポリマー層を形成し、導電性ポリマー層において画素定義膜となる部分の電気抵抗の特性を、導電性から非導電性に変えることにより形成することができる。こうして、画素電極及び画素定義膜の形成プロセスを単純化することができる。
【００２８】
加えて、導電性ポリマー層において画素定義膜となる部分の電気抵抗の特性を導電性から非導電性に変えることにより、従来のパターニングプロセスに起因する画素電極の縁のステップの露出が根本的に妨げられるため、歩留りを改善できる。すなわち、導電性ポリマー層に基づいて形成される画素電極及び画素定義膜が一体として形成されるため、従来のパターニングプロセスに起因するステップが、画素電極の周辺に発生し得ず、従って、そのステップの露出に起因する問題を根本的に排除できる。
【００２９】
加えて、本発明の実施形態によれば、有機材料の代わりに、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が導電性の複合層として使用されるため、画素定義膜として従来の有機材料を用いることにより発生する水分に起因して、アクティブマトリクスディスプレイの信頼性が低下する問題を解決することができる。すなわち、有機材料の代わりにＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが導電性の複合層として使用されるため、水分に起因するその問題が抑制され、アクティブマトリクスディスプレイの信頼性を改善できる。
【００３０】
さらに、本発明の実施形態によれば、画素電極及び画素定義膜が導電性ポリマー層を用いる１つの層に一体として形成されるため、画素電極及び画素定義膜を同じ高さで配置でき、画素電極と画素定義膜との間の界面において生じる短絡の問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】通常の技術に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造を説明する断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造を示す断面図である。
【図３】図２のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造の製造方法に係るプロセスフローチャートである。
【図４】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【図５】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【図６】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【図７】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【図８】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【図９】図３の方法に係るプロセスを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の目的、特徴、及び利点は、添付の図面を併せて用いて、以下の実施形態の詳細な説明からより明瞭に理解されるだろう。以下の説明では、本発明の主旨を不必要に不明瞭にし得る関連する公知の機能又は要素の詳細な説明は省略する。
【００３３】
本願明細書及び請求項で使用される用語及び言葉は、一般的又は辞書的意味で解釈されるべきではなく、最適の方法において本発明を説明するために、発明者らが用語の概念を適切に定義できるという原則に基づいた本発明の精神と一致する意味及び概念として解釈されるべきである。それゆえ、本願明細書で説明する実施形態及び図面に示す構成は、本発明の最も好ましい実施形態に過ぎず、本発明の精神を完全に含むものでない。よって、本願の出願時に置き換えられる種々の等価物や改変があってもよいということを理解されたい。
【００３４】
以下において、添付の図面を参照して、種々の実施形態をより完全に説明する。
【００３５】
図２は、本発明の一実施形態によるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造を示す断面図である。
【００３６】
図２を参照すると、本発明の一実施形態によるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００は、ベース基板１０、複数の画素回路電極２０、絶縁層３０、及び複合層４０を含む。複合層４０は、複数の画素電極４１及び画素定義膜４３を含む。複数の画素回路電極２０は、ベース基板１０にマトリクスの形態で配列されてもよい。絶縁層３０は、複数の画素回路電極２０の縁を覆うためにベース基板１０に形成される。加えて、複合層４０は、複数の画素回路電極２０及び絶縁層３０を覆うために、一体的に形成される。ここで、複合層４０は、絶縁層３０により露出された複数の画素回路電極２０にそれぞれ接続された導電性の画素電極４１と、画素電極４１の周りに配置された非導電性の画素定義膜４３とを含む。本発明の実施形態によるアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００は、複合層４０に形成されたカソード層７０をさらに含んでもよい。
【００３７】
ベース基板１０としては、ガラス基板、プラスチック基板、又は金属基板を使用できる。ここで、ガラス基板は、酸化ケイ素、窒化ケイ素などから形成されてもよい。プラスチック基板は絶縁性の有機材料から形成されてもよい。例えば、プラスチック基板は、これらに限定されないが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＣＴＡ）、及びセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群から選択される有機材料から形成されてもよい。金属基板は、これらに限定されないが、炭素（Ｃ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金、及びコバール合金からなる群から選択される、少なくとも１種を含んでもよい。金属基板は金属箔であってもよい。ベース基板１０の柔軟性のために、プラスチック基板又は金属基板を使用できる。
【００３８】
複数の画素回路電極２０は、アクティブマトリクスディスプレイに使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。図２には示さないが、画素回路電極２０は、主に、アモルファスシリコン半導体材料又はポリシリコン半導体材料、酸化ケイ素絶縁層、及び金属電極から構成されてもよい。画素回路電極２０としては、有機材料を用いる有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）を使用できる。
【００３９】
絶縁層３０はベース基板１０及び複数の画素回路電極２０に形成されてもよく、画素回路電極２０を露出するためにコンタクトホール３２が形成されてもよい。コンタクトホール３２を通して、画素電極４１が画素回路電極２０に電気的に接続されてもよい。無機の絶縁材料又は有機の絶縁材料が絶縁層３０として使用されてもよい。ここで、絶縁層３０として使用される無機の絶縁材料は、ＳｉＯ２であってもよい。より具体的には、シロキサン、シラザン、及びケイ酸塩からなる群から選択される１種を含むスピンオンガラス（ＳＯＧ）、又は溶解法によって酸化ケイ素を形成することができるポリシラザンを含む、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）が使用されてもよい。絶縁層３０として使用される有機絶縁材料は、パリレン、エポキシ、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、又はシクロペンタン（ＣｙＰｅ）であってもよい。絶縁層３０の形成方法としては、インクジェット印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、又はスクリーン印刷のような溶解法を使用できる。コンタクトホール３２は、フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスにより形成されてもよい。
【００４０】
加えて、複合層４０は導電性ポリマーに基づいて形成され、複数の画素電極４１及び画素定義膜４３が、同一平面に、一体的に形成される。そのような複合層４０は、導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のような導電性ポリマーから形成される、導電性ポリマー層に基づいて形成されてもよい。導電性ポリマー層においては、画素定義膜４３を、導電性ポリマーの電気抵抗の特性を導電性から非導電性に変えることにより形成でき、複数の画素電極４１をその導電性ポリマーの残部から形成できる。
【００４１】
ここで、導電性ポリマーの電気抵抗の特性を導電性から非導電性に変える方法として、導電性ポリマーにおいて画素定義膜４３を形成する部分のみを、部分的にウェットエッチングし、又は部分的に紫外線で照射してもよい。
【００４２】
こうして、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００において、画素定義膜４３と画素電極４１とは、画素電極４１を形成するために構成された導電性ポリマー層を用いて一緒に形成できるため、有機絶縁材料を用いて画素定義膜４３を形成する従来のプロセスを省略できる。
【００４３】
加えて、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００においては、画素電極４１及び画素定義膜４３が同一平面に形成されるため、画素電極４１の効率を改善できる。
【００４４】
図２〜８を参照して、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００の製造方法を以下のとおり説明する。ここで、図３は、図２のアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００の製造方法に係るプロセスフローチャートである。加えて、図４〜９は、図３の製造方法に係るそれぞれのプロセスを示す断面図である。
【００４５】
まず、図４に示すように、複数の画素回路電極２０及び絶縁層３０が形成されるベース基板１０は、Ｓ８１において準備されてもよい。画素回路電極２０は、絶縁層３０のコンタクトホール３２を通して露出されてもよい。
【００４６】
次に、図５に示すように、導電性ポリマー層４０ａは、Ｓ８３で、画素回路電極２０及び絶縁層３０を覆うために形成されてもよい。ここで、導電性ポリマー層４０ａを形成するための導電性ポリマーとしては、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを使用できる。導電性ポリマー層４０ａの形成方法として、インクジェット印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、又はスクリーン印刷のような溶解法が使用されてもよい。
【００４７】
次に、図６に示すように、フォトレジストフィルム６０が、Ｓ８５で、導電性ポリマー層４０ａに形成されてもよい。
【００４８】
次に、図７に示すように、Ｓ８７において、開口６１は、画素定義膜４３が形成されるフォトレジストフィルム６０の一部に形成されてもよい。すなわち、フォトレジストフィルム６０上で露光及び現像プロセスを経て、画素定義膜４３が形成されるフォトレジストフィルム６０の部分を取り除くことにより、開口６１を形成できる。
【００４９】
次に、図８に示すように、Ｓ８９において、開口６１により露出された導電性ポリマー層の一部の電気抵抗の特性を変えることによって、非導電性の画素定義膜４３が形成されてもよい。ここで、開口６１によって露出された導電性ポリマーの部分の電気抵抗の特性を、導電性から非導電性に変えるためには、ウェットエッチングによる方法又は紫外光照射による方法を使用できる。すなわち、導電性ポリマーの電気的特性を変えることができる溶液に、ベース基板１０を浸漬することにより、フォトレジストフィルム６０の開口６１により露出された導電性ポリマー層の部分が、化学的に、非導電性に変化されてもよい。あるいは、フォトレジストフィルム６０の開口６１により露出された導電性ポリマー層の部分を、物理的及び化学的に変化させるために紫外光を照射してもよく、そして、その電気抵抗の特性を非導電性にしてもよい。
【００５０】
ここで、フォトレジストフィルム６０により覆われた導電性ポリマー層の部分は、導電性の特性を維持できる。開口６１により露出された導電性ポリマー層の部分が画素定義膜４３となるため、フォトレジストフィルム６０により覆われた導電性ポリマー層の部分を、画素定義膜４３により画素電極４１として定義できる。
【００５１】
こうして、本発明の実施形態によれば、画素電極４１及び画素定義膜４３を、導電性ポリマー層を用いて同一平面に形成できる。
【００５２】
次に、図９に示すように、Ｓ９１において、フォトレジストフィルムは、複数の画素電極４１及び画素定義膜４３を含む複合層４０から取り除かれる。
【００５３】
このようにして、画素電極４１及び画素定義膜４３は、フォトレジスト層による一度のフォトリソグラフィプロセスにおいて、導電性ポリマー層に同時に形成されてもよい。画素電極４１及び画素定義膜４３が、導電性ポリマーに基づいて一体的に形成されるため、画素電極４１と画素定義膜４３との間の界面を連続的に形成できる。こうして、画素電極４１の縁のステップの形成を、根本的に防ぐことができる。
【００５４】
加えて、図２に示すように、Ｓ９３において、カソード層７０が複合層４０に形成されて、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００が製造されてもよい。
【００５５】
画素電極４１及び画素定義膜４３を形成するための導電性ポリマー層４０ａが画素回路電極２０を含む絶縁層３０に形成された後、導電性ポリマー層４０ａにおいて画素定義膜４３となる部分の電気抵抗の特性を導電性から非導電性に変えるため、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクスディスプレイの画素構造１００は、追加のパターニングプロセス無く画素電極４１及び画素定義膜４３が同時に形成される複合層４０を含むことができる。こうして、画素電極４１及び画素定義膜４３を形成するプロセスを単純化できる。
【００５６】
加えて、導電性ポリマー層４０ａにおいて画素定義膜４３となる部分の電気抵抗の特性を、導電性から非導電性に変えることにより、従来のパターニングプロセスに起因する画素電極の縁のステップ露出が根本的に妨げられるため、歩留りを改善できる。すなわち、導電性ポリマー層４０ａに基づいて形成される画素電極４１及び画素定義膜４３が一体的に形成されるため、従来のパターニングプロセスに起因するステップが、画素電極４３の周辺に発生し得ず、従って、ステップの露出に起因する問題を根本的に排除できる。
【００５７】
加えて、本発明の実施形態によれば、有機材料の代わりにＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが、導電性の複合層４０として使用されるため、画素定義膜として従来の有機材料を用いることにより発生する水分に起因したアクティブマトリクスディスプレイの信頼性が低下する問題を解決することができる。すなわち、有機材料の代わりにＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが導電性の複合層４０として使用されるため、水分に起因するその問題が抑制され、アクティブマトリクスディスプレイの信頼性を改善できる。
【００５８】
さらに、本発明の実施形態によれば、画素電極４１及び画素定義膜４３が導電性ポリマー層４０ａを用いる１つの層に一体的に形成されるため、画素電極４１及び画素定義膜４３を同じ高さに形成でき、画素電極４１と画素定義膜４３との間の界面において生じる短絡の問題を解決できる。
【００５９】
少数の実施形態を説明してきたが、本発明の精神又は範囲から逸脱せずに、本発明の上述の例示的な実施形態に種々の改変がなされ得ることは、当業者には明らかだろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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