(57)【要約】【課題】  本発明の、平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器は、基板と、平面伝送線路のセグメントと、導波管の一部分とを含む。基板は、上から下に積層され、絶縁材料によって絶縁された、複数の導電層を含む。平面伝送線路のセグメントは、複数の導電層のうち、最上層の導電層に配置されている。導波管の一部分は、その一端が、複数の導電層のうち、最下層の導電層に配置されている。基板は、導電パッチと、導電拡散板とを含む。導電パッチは、最上層の導電層に配置されており、セグメントの一端に接続されている。導電拡散板は、最下層の導電層において、導電パッチの下方に配置されている。導電拡散板は、波型形状を有する。
2016503245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面伝送線路および導波管の間に接続する広帯域変換器であって、
上下に積層され、かつ、絶縁材料で分離された複数の導電層を含む基板と、
前記複数の導電層のうち最上層の導電層に配置された前記平面伝送線路のセグメントと、
前記複数の導電層のうち最下層の導電層に一端が配置された前記導波管の一部分と
を具備し、
前記基板は、
前記最上層の導電層に配置されて前記セグメントの一端に接続された導電パッチと、
前記最上層の導電層に配置されて前記セグメントおよび導電パッチの集合を囲う最上層のグランドプレーンと、
前記最上層の導電層に配置されて、かつ、前記最上層のグランドプレーンと、前記セグメントおよび前記導電パッチの前記集合との間に配置された絶縁スリットと、
前記最下層の導電層に配置されて、かつ、前記導電パッチの下方に配置された導電拡散板と、
前記最下層の導電層に配置されて前記導電拡散板を囲う最下層グランドプレーンと、
前記最下層の導電層に配置されて、かつ、前記導電拡散板および前記最下層グランドプレーンの間に配置された分離スリットと、
前記基板を前記積層の方向に前記最上層の導電層から前記最下層の導電層まで貫通し、かつ、前記導電パッチ、前記セグメント、前記絶縁スリット、前記導電拡散板および前記分離スリットを囲うように配置されて、かつ、前記最上層のグランドプレーンおよび前記最下層のグランドプレーンに接続された複数のグランドヴィアと
を具備し、
前記導電拡散板は、
波型形状
を有し、
前記分離スリットは、前記導波管の前記一端の開口の内側に配置されており、
前記セグメントの他端は、前記広帯域変換器の第１端子であって、
前記導波管の一部分の他端は、前記広帯域変換器の第２端子である
広帯域変換器。
【請求項２】
請求項１に記載の広帯域変換器において、
前記複数の導電層は、
前記最上層の導電層および前記最下層の導電層の間に配置された中間層の導電層
をさらに具備し、
前記基板は、
前記中間層の導電層に配置された他の導電拡散板と、
前記中間層の導電層に配置されて前記他の導電拡散板を囲う中間層のグランドプレーンと、
前記中間層の導電層に配置されて、かつ、前記他の導電拡散板および前記中間層のグランドプレーンの間に配置された他の分離スリットと、
前記中間層の導電層に配置されて前記結合開口を囲い、かつ、前記複数のグランドヴィアに接続された中間層のグランドプレーンと
をさらに具備する
広帯域変換器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の広帯域変換器において、
前記複数の導電層は、
前記最上層の導電層および前記最下層の導電層の間に配置された他の中間層の導電層
をさらに具備し、
前記基板は、
前記分離スリットと同じ外周サイズを有し、前記他の中間層の導電層に配置されて、かつ、前記分離スリット及び前記導電拡散板の集合の上方に配置された結合開口と、
前記他の中間層の導電層に配置されて前記結合開口を囲い、かつ、前記複数のグランドヴィアに接続されている他の中間層のグランドプレーンと
をさらに具備する
広帯域変換器。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
同じ長さを有する複数の矩形の凸部
を具備する
広帯域変換器。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか一項に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
複数の台形の凸部
を具備する
広帯域変換器。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか一項に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
異なる長さを有する複数の矩形の凸部
を具備する
広帯域変換器。
【請求項７】
請求項１〜３の何れか一項に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、円形の形状を有し、
前記導電拡散板は、円形の包絡線形状を有する
広帯域変換器。
【請求項８】
請求項２または３に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
複数の矩形の凸部
を具備し、
前記他の導電拡散板は、矩形の形状を有する
広帯域変換器。
【請求項９】
請求項２または３に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
複数の矩形の凸部
を具備し、
前記他の導電拡散板は、矩形の形状を有し、凸部が矩形の波型形状を具備する
広帯域変換器。
【請求項１０】
請求項２または３に記載の広帯域変換器において、
前記導波管の一部分は、矩形の形状を有し、
前記導電拡散板は、矩形の包絡線形状を有し、
前記波型形状は、
同じ長さを有する複数の矩形の凸部
を具備し、
前記他の導電拡散板は、矩形の形状を有し、凸部が同じ長さで異なる幅の矩形の波型形状を具備する
広帯域変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波回路およびアンテナの間の広帯域変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
車載用レーダーシステムを含む種々の実際的なアプリケーションによるマイクロ波（ミリメートル波）モジュールにおいて、マイクロ波回路素子およびアンテナの間に、電磁波の透過率を低反射損失かつ低挿入損失で提供することは、重大な問題である。適切な変換器の構成は、システムのエネルギー消費を改善することが出来る。
【０００３】
米国特許第５８６７０７３号明細書、米国特許第６１２７９０１号明細書、米国特許公開２００８／０１２９４０８号公報および米国特許公開２０１２／００５０１２５号公報の発明では、平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の種々の構成が提案されている。
【０００４】
しかしながら、製造工程の公差問題を克服し、かつ、安価なマイクロ波（ミリメートル波）モジュールを提供するためには、広い周波数帯域で動作する変換器の開発が不可欠である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５８６７０７３号明細書
【特許文献２】米国特許第６１２７９０１号明細書
【特許文献３】米国特許公開２００８／０１２９４０８号公報
【特許文献４】米国特許公開２０１２／００５０１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的の一つは、多層基板の内部に配置された、導波管および平面伝送線路の間の広帯域変換器を形成することにある。
【０００７】
ここで、そのような変換器は、平面伝送線路に接続された導電パッチの下に開口を形成し、開口の内側かつ導電パッチの下方に配置された特定の拡散板を形成することで得られる。この特定の拡散板の特徴的な点は、一辺の端部に設けられて広帯域変換器に広帯域動作をもたらす波型形状にある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに示した広帯域変換器の、断面線１Ｂ−１Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ａに示した広帯域変換器の、断面線１Ｃ−１Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ２、１Ｌ３および１Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、図１Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ５による水平方向の断面図であって、波形板の特徴的な詳細を示す符号を記載したものである。
【図２】図２は、変換器の反射損失における、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。
【図３】図３は、変換器の挿入損失における、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。
【図４】図４は、変換器のエネルギーバランスにおける、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示した広帯域変換器の、断面線２Ｂ−２Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ａに示した広帯域変換器の、断面線２Ｃ−２Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ａに示した広帯域変換器の、導電層２Ｌ２および２Ｌ３による水平方向の断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、図５Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示した広帯域変換器の、断面線３Ｂ−３Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ａに示した広帯域変換器の、断面線３Ｃ−３Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ２および３Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ３による水平方向の断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図６Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示した広帯域変換器の、断面線４Ｂ−４Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ａに示した広帯域変換器の、断面線４Ｃ−４Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図７Ａに示した広帯域変換器の、導電層４Ｌ２、４Ｌ３および４Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、図７Ａに示した広帯域変換器の、導電層４Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、図７Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示した広帯域変換器の、断面線５Ｂ−５Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８Ａに示した広帯域変換器の、断面線５Ｃ−５Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、図８Ａに示した広帯域変換器の、導電層５Ｌ２、５Ｌ３および５Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、図８Ａに示した広帯域変換器の、導電層５Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図８Ｆ】図８Ｆは、図８Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示した広帯域変換器の、断面線６Ｂ−６Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ａに示した広帯域変換器の、断面線６Ｃ−６Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ２および６Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ３による水平方向の断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、図９Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、断面線７Ｂ−７Ｂによる垂直方向の断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、断面線７Ｃ−７Ｃによる垂直方向の断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ２および７Ｌ４による水平方向の断面図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ３による水平方向の断面図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ５による水平方向の断面図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、図１０Ａに示した広帯域変換器の下面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以降、添付図面を参照して、本発明による種々の、多層基板の内部に設けられた平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器について、詳細に説明する。ただし、この説明が、付記した請求項を狭めるものとして見做されてはならないことをご理解されたい。
【００１０】
（１つの実施形態）
図１Ａは、本発明の一実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図１Ａは、導電パッチ１０１と、絶縁スリット１０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５のセグメントと、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とを示している。図１Ａは、２本の断面線１Ｂ−１Ｂおよび１Ｃ−１Ｃをさらに示している。
【００１１】
図１Ｂは、図１Ａに示した広帯域変換器の、断面線１Ｂ−１Ｂによる垂直方向の断面図である。図１Ｂは、導電パッチ１０１と、絶縁スリット１０２と、複数の層状導電体１０６と、複数の結合開口１０７と、導電拡散板１０８と、分離スリット１０９と、基板材料１１０と、導波管１１１の一部分とを示している。図１Ｂは、５枚の導電層１Ｌ１、１Ｌ２、１Ｌ３、１Ｌ４および１Ｌ５をさらに示している。
【００１２】
図１Ｃは、図１Ａに示した広帯域変換器の、断面線１Ｃ−１Ｃによる垂直方向の断面図である。図１Ｃは、導電パッチ１０１と、絶縁スリット１０２と、広域変換器の複数のグランドヴィア１０３のうちの１つと、平面伝送線路１０５のセグメントと、複数の層状導電体１０６と、複数の結合開口１０７と、導電拡散板１０８と、分離スリット１０９と、基板材料１１０と、導波管１１１の一部分とを示している。図１Ｃは、５枚の導電層１Ｌ１、１Ｌ２、１Ｌ３、１Ｌ４および１Ｌ５をさらに示している。
【００１３】
図１Ｄは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ２、１Ｌ３および１Ｌ４による水平方向の断面図である。図１Ｄは、複数の層状導電体１０６の１枚と、複数の結合開口１０７の１つと、広域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とを示している。
【００１４】
図１Ｅは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ５による水平方向の断面図である。図１Ｅは、複数の層状導電体１０６の１枚と、波型形状１１２を有する導電拡散板１０８と、分離スリット１０９と、広域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とを示している。
【００１５】
図１Ｆは、図１Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図１Ｆは、複数の層状導電体１０６のうち最下層のものと、導波管１１１の一部分とを示している。
【００１６】
図１Ｇは、図１Ａに示した広帯域変換器の、導電層１Ｌ５による水平方向の断面図であって、波形板の特徴的な詳細を示す符号を記載したものである。図１Ｇは、導電拡散板１０８における種々のサイズ、すなわち、波型形状のピッチｔ、凸部の幅ｗおよび凹部の深さｄとを示している。
【００１７】
図１Ａ〜図１Ｇに示した本実施形態において、平面伝送線路１０５および導波管１１１の間の広帯域変換器は、導電パッチ１０１と、絶縁スリット１０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４と、平面伝送線路１０５のセグメントと、複数の層状導電体１０６と、複数の結合開口１０７と、波型形状１１２を有する導電拡散板１０８と、分離スリット１０９と、基板材料１１０と、導波管１１１の一部分とを含む。
【００１８】
本実施形態では、広帯域変換器は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５の中で積層された複数の層状導電体１０６と、複数の層状導電体１０６の間に充填された基板材料１１０とを含む基板の中に形成されている。言い換えれば、広帯域変換器を形成する基板の中で、複数の層状導電体１０６のそれぞれは、基板材料１１０によって絶縁されている。基板材料１１０は、絶縁材料であって、より好ましくは誘電体材料である。
【００１９】
本実施形態において、複数の層状導電体１０６の数量は５であり、複数の結合開口１０７の数量は３であり、複数の層状導電体１０６のそれぞれは、あくまでも一例として、包絡線が矩形となる形状を有している。これらの数値や、基板材料１１０としての充填誘電体材料や、その他の基板パラメータなどは、違っても良いし、アプリケーションに応じて定義されても良い。
【００２０】
図１Ａに示した、第１の導電層１Ｌ１の層状導電体１０６は、基板の上面に配置されており、第１の、または、最上層の層状導電体１０６と呼ばれる。第１の導電層１Ｌ１は、さらに、導電パッチ１０１と、絶縁スリット１０２と、平面伝送線路１０５のセグメントとを含んでいる。伝送線路１０５のセグメントの一端は、導電パッチ１０１に接続されている。絶縁スリット１０２は、導電パッチ１０１と、伝送線路１０５のセグメントとの集合の周囲に、これらを層状導電体１０６から分離するために配置されている。
【００２１】
図１Ｄに示した、第２の導電層１Ｌ２の層状導電体１０６は、第２の、または、中間層の層状導電体１０６と呼ばれる。第２の層状導電体１０６は、結合開口１０７と呼ばれる、形状が矩形で、基板材料１１０で充填された穴を有している。
【００２２】
第３および第４の導電層１Ｌ３および１Ｌ４における２枚の層状導電体１０６は、図１Ｄに示したように、第２の層状導電体１０６と同じ形状を有しており、それぞれ、第３および第４の層状導電体１０６または中間層の層状導電体１０６と呼ばれる。
【００２３】
図１Ｅおよび図１Ｇに示した、第５の導電層１Ｌ５の層状導電体１０６は、第５の、または、最下層の層状導電体１０６と呼ばれる。第５の導電層１Ｌ５は、さらに、導電拡散板１０８と、分離スリット１０９とを含む。分離スリット１０９は、導電拡散板１０８の周囲に配置されており、これを第５の層状導電体１０６から分離する。言い換えれば、第５の層状導電体１０６は、分離スリット１０９と呼ばれる、形状が矩形で、基板材料１１０で充填された穴を有しており、導電拡散板１０８はこの穴の中に配置されている。
【００２４】
導電拡散板１０８は、包絡線が矩形となり、かつ、櫛形の形状を有している。言い換えれば、導電拡散板１０８は、矩形の凸部および矩形の凹部を有する波型形状１１２と、矩形の凸部のそれぞれの一端が接続している側部とを含んでいる。
【００２５】
矩形の形状を有する導波管１１１の一部分は、その一端が基板の下面、すなわち、第５の層状導電体１０６の下面に接続されている。
【００２６】
広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とのそれぞれは、層状導電体１０６の積層方向に基板を貫通して配置されている。
言い換えれば、導電層１Ｌ１〜１Ｌ５の層状導電体１０６のそれぞれ、基板材料１１０とは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３および平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４によって貫通されている。
【００２７】
広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とのそれぞれは、導電層１Ｌ１〜１Ｌ５において、層状導電体１０６に接続された導電側壁を有している。言い換えれば、いずれの層状導電体１０６も、他の任意の層状導電体１０６に、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とのそれぞれを介して、電気的に接続されている。
【００２８】
平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４の第１群は、平面伝送線路１０５のセグメントの片側と、絶縁スリット１０２とに沿って配置されている。平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４の第２群は、平面伝送線路１０５のセグメントの反対側と、絶縁スリット１０２とに沿って配置されている。広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３は、結合開口１０７の外周および分離スリット１０９に沿って配置されている。
【００２９】
言い換えれば、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３と、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４とは、絶縁スリット１０２と、結合開口１０７と、分離スリット１０９とを囲っている。
【００３０】
第２の導電層１Ｌ２、第３の導電層１Ｌ３および第４の導電層１Ｌ４の結合開口１０７と、分離スリット１０９とは、同じ外周サイズを有しており、それぞれが重なり合っている。導電パッチ１０１は、３つの結合開口１０７と、導電拡散板１０８との上方に配置されている。導波管１１１の一部分は、導電拡散板１０８の下方に配置されている。導電拡散板１０８と、分離スリット１０９とは、最下層の導電層１Ｌ５において、導波管１１１の一部分の開口部の内側に配置されている。
【００３１】
本実施形態では、平面伝送線路１０５のセグメントの一端が導電パッチ１０１に接続されている一方で、平面伝送線路セグメント１０５のセグメントの他端は第１端子として機能する。また、導波管１１１の一部分の一端が、第５導電層１Ｌ５において、導電拡散板１０８の下で、基板の下面に接続されている一方で、導波管１１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４は、平面伝送線路１０５の電気的特性を改善するように配置されている。広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３および平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に接続されている５枚の層状導電体１０６は、それぞれ、５つの導電層１Ｌ１〜１Ｌ５のグランドプレーンとして用いられる。
【００３２】
この広帯域変換器の際立った点は、図１Ｅに示したように、導電拡散板１０８の一辺の、矩形の凸部および凹部を用いて形成された特別な波型形状１１２にある。この波型形状１１２により、変換器の広帯域動作が提供される。広帯域変換器のこの特性は、導電拡散板１０８を通過する波の電界の偏光に対する凸部の方向に起因している。図１Ｅに示した導電拡散板１０８の構造において、電界ベクトルはその波型形状の凸部に平行な方向を向いている。この場合、波型形状１１２は波に対して誘導効果を提供する。このことは、その周波数帯域を広げる変換器の動作範囲から不要な共振を除去することに繋がる。
【００３３】
この電磁気的特性は、１次元の誘導グリッド（電界ベクトルは拡散板の凸部に対して平行）に起因するものとしてほぼ説明され、そのインダクタンスＬｇ，ｉｎｄは概ね次のように定義される。
【数１】
2016503245.tif 000003
ここで、ｊは虚数であり（ｊ２＝−１）、Ｚｓは基板材料１１０の特性インピーダンスであり、ｔおよびｗは、それぞれ、波型形状１１２の凸部のピッチおよび幅である。
【００３４】
この追加インダクタンスにより、不要な共振はより低い周波数にシフトし、広帯域変換器の帯域内性能は向上する。このことは、以下のように説明出来る。不要な共振の周波数ｆｒｅｓｏｎａｎｔは、次の数式によって定義される。
【数２】
2016503245.tif 000004
ここで、ＬｒｅｓｏｎａｎｔおよびＣｒｅｓｏｎａｎｔは、それぞれ、不要な共振の原因となる構造体のインダクタンスおよび容量である。
【００３５】
式（１）で定義される、この構造体の追加インダクタンスを導入することは、不要共振の周波数をより低い周波数にシフトし、その様子は次の数式によって辿ることが出来る。
【数３】
2016503245.tif 000005
【００３６】
この効果により、適宜な波型形状を選ぶことで、不要な共振を、広帯域動作を提供する変換器が動作する周波数帯域から、より低い周波数に移動させることが出来る。
【００３７】
拡散板の構造に波型形状を設ける利点を証明するために、特徴的な変換器の電気的特性のシミュレーションを、最も広く用いられ、かつ、正確な数値計算の１つである有限差分時間領域（ＦＤＴＤ）法によって行った。
【００３８】
シミュレーションで用いた、提案する広帯域変換器の構造は、図１Ａ〜図１Ｆに示したものと同様である。この構造体の特徴的なサイズは、以下のとおりである。５層の導電層基板の厚さは０．３６３ｍｍである。最上層および最下層の層状導電体１０６の厚さは０．０２２ｍｍである。中間層の層状導電体１０６のそれぞれの厚さは０．０１３ｍｍである。導電パッチ１０１の幅および長さは、それぞれ、０．２８ｍｍおよび０．８５ｍｍである。最上層の導電層１Ｌ１において、導電パッチ１０１と、グランドプレーンとしての層状導電体１０６との間の、絶縁スリット１０２の幅は、０．６ｍｍである。中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４における結合開口１０７と、最下層の導電層１Ｌ５における分離スリット１０９とにおいて、幅および長さは、それぞれ、０．５ｍｍおよび２．５４ｍｍである。最下層の導電層１Ｌ５に配置された導電拡散板１０８の幅および長さは、それぞれ、０．３ｍｍおよび２．３４ｍｍである。
【００３９】
図１Ｇに示したように、波型形状１１２のサイズは、以下のとおりである。波型形状のピッチｔ＝０．２ｍｍ、凸部の幅ｗ＝０．１ｍｍ、そして凹部の深さｄ＝０．１８ｍｍ。
【００４０】
シミュレーションにおいて、５枚の層状導電体１０６は銅で形成されて、基板材料１１０によって絶縁されている。この基板材料１１０は、比誘電率が３．５であり、誘電損失が０．０６であり、比透磁率が１であり、磁気損失が０である。
【００４１】
図２は、変換器の反射損失における、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。図３は、変換器の挿入損失における、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。図４は、変換器のエネルギーバランスにおける、拡散板の波型形状による効果を示すグラフである。
【００４２】
図２および図３は、上述したシミュレーションによる広帯域変換器の反射損失（｜Ｓ１１｜パラメータ）および挿入損失（｜Ｓ２１｜パラメータ）を示している。さらに、図４は、Ｐ＝｜Ｓ１１｜２＋｜Ｓ２１｜２で定義されるエネルギーバランスＰを示している。
【００４３】
図２、図３および図４のそれぞれにおいて、実線で描かれた第１のグラフは、図１Ｅに示した波型形状１１２を有する導電拡散板１０８を用いた場合を示しており、破線で描かれた第２のグラフは、波型形状１１２を有する導電拡散板１０８の代わりに、導電拡散板１０８と同じ外周サイズおよび矩形の形状を有し、波型形状を有さない平坦な拡散板を用いた場合を示している。
【００４４】
図２〜図４から読み取れるとおり、平坦な拡散板を用いた変換器の場合、動作帯域である６９ＧＨｚから８２ＧＨｚまでの範囲内の、約７２．７ＧＨｚの周波数において不要な共振が発生する。しかしながら、導電拡散板１０８に波型形状１１２を使用することで、この不要な共振が動作帯域から除去される。
【００４５】
このように、導波管および平面伝送線路の間で用いられる変換器の導電拡散板１０８の波型形状１１２は、変換器の性能の向上（図２および図３を参照）に繋がるだけでなく、図４から分かるように、変換器からの迷放射線の削減にも繋がる。
【００４６】
（他の実施形態）
図５Ａは、本発明の他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図５Ａは、導電パッチ２０１と、絶縁スリット２０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア２０３の１つと、平面伝送線路２０５の複数のグランドヴィア２０４と、平面伝送線路２０５のセグメントと、最上層の層状導電体２０６と、２本の断面線２Ｂ−２Ｂおよび２Ｃ−２Ｃとを示している。
【００４７】
図５Ｂは、図５Ａに示した広帯域変換器の、断面線２Ｂ−２Ｂによる垂直方向の断面図である。図５Ｂは、最上層の導電層２Ｌ１と、中間層の導電層２Ｌ２と、最下層の導電層２Ｌ３と、導電パッチ２０１と、絶縁スリット２０２と、複数の層状導電体２０６と、２枚の導電拡散板２０８と、２つの分離スリット２０９と、基板材料２１０と、導波管２１１の一部分とを示している。
【００４８】
図５Ｃは、図５Ａに示した広帯域変換器の、断面線２Ｂ−２Ｂによる垂直方向の断面図である。図５Ｃは、最上層の導電層２Ｌ１と、中間層の導電層２Ｌ２と、最下層の導電層２Ｌ３と、導電パッチ２０１と、絶縁スリット２０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア２０３と、平面伝送線路のセグメントと、複数の層状導電体２０６と、２枚の導電拡散板２０８と、２つの分離スリット２０９と、基板材料２１０と、導波管２１１の一部分とを示している。
【００４９】
図５Ｄは、図５Ａに示した広帯域変換器の、導電層２Ｌ２および２Ｌ３による水平方向の断面図である。図５Ｄは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア２０３と、平面伝送線路２０５の複数のグランドヴィア２０４と、複数の中間層の層状導電体２０６と、導電拡散板２０８の１枚と、分離スリット２０９の１つと、導電拡散板２０８の波型形状２１２とを示している。
【００５０】
図５Ｅは、図５Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図５Ｅは、最下層の層状導電体２０６と、導波管２１１の一部分とを示している。
【００５１】
図５Ａ〜図５Ｅは、平面伝送線路２０５および導波管２１１の間の広帯域変換器の他の実施形態を示している。本実施形態では、広帯域変換器は、基板材料２１０によって絶縁された３枚の導電層２Ｌ１、２Ｌ２および２Ｌ３を有する基板の中に形成されている。
【００５２】
図５Ａ〜図５Ｅに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層２Ｌ１〜２Ｌ３は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層２Ｌ１は、最上層の導電層１Ｌ１に対応する。最下層の導電層２Ｌ３は、最下層の導電層１Ｌ５に対応する。中間層の導電層２Ｌ２は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４の１枚に対応する。導電パッチ２０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット２０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア２０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路２０５の複数のグランドヴィア２０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路２０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体２０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体２０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の層状導電体２０６は、中間層の層状導電体１０６の１枚に対応する。最下層の導電層２Ｌ３の導電拡散板２０８は、導電拡散板１０８に対応する。最下層の導電層２Ｌ３の分離スリット２０９は、最下層の導電層１Ｌ５の分離スリット１０９に対応する。基板材料２１０は、基板材料１１０に対応する。導波管２１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。最下層の導電層２Ｌ３の導電拡散板２０８の波型形状２１２は、導電拡散板１０８の波型形状１１２に対応する。
【００５３】
図１Ａ〜図１Ｇに示した広帯域変換器が、波型形状１１２を有する導電拡散板１０８と、１つの分離スリット１０９とを最下層の導電層１Ｌ５に含んでいる一方で、本実施形態による広帯域変換器は、波型形状２１２を有する２枚の導電拡散板２０８と、２つの分離スリット２０９とを、最下層の導電層２Ｌ３および中間層の導電層２Ｌ２に含んでいる。言い換えれば、中間層の導電層２Ｌ２と、最下層の導電層２Ｌ３とは、両方とも、最下層の導電層１Ｌ５と同じ構成を有している。
【００５４】
本実施形態において、広帯域変換器は、平面伝送線路２０５のセグメントの一端に接続された導電パッチ２０１と、導電パッチ２０１および２Ｌ１層の導電プレーン２０６に設けられた他の導電体の間に配置された絶縁スリット２０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア２０３と、導電層２Ｌ２および２Ｌ３に配置された拡散板２０８と、導電層２Ｌ２および２Ｌ３の他の導電体から拡散板２０８を分離する分離スリット２０９とを用いて形成されている。本実施形態では、平面伝送線路２０５のセグメントの他端が、第１端子として機能する。また、導波管２１１の一部分の一端は拡散板２０８の下方に配置されており、導波管２１１の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路２０５のセグメントの電気的特性を向上するために、複数のグランドヴィア２０４は、平面伝送線路２０５のセグメントに沿って配置されている。
【００５５】
このように、本実施形態では、２つの異なる導電層において導電パッチの直下に配置された２枚の導電拡散板２０８が、広帯域変換器の帯域幅を制御するために用いられている。図５Ｄに示したように、２枚の導電拡散板２０８は両方とも波型形状２１２を端部に有している。
【００５６】
（さらに他の実施形態）
図６Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図６Ａは、導電パッチ３０１と、絶縁スリット３０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３と、平面伝送線路３０５のセグメントと、平面伝送線路３０５の複数のグランドヴィア３０４と、最上層の層状導電体３０６と、２本の断面線３Ｂ−３Ｂおよび３Ｃ−３Ｃとを示している。
【００５７】
図６Ｂは、図６Ａに示した広帯域変換器の、断面線３Ｂ−３Ｂによる垂直方向の断面図である。図６Ｂは、最上層の導電層３Ｌ１と、中間層の導電層３Ｌ２〜３Ｌ４と、最下層の導電層３Ｌ５と、導電パッチ３０１と、絶縁スリット３０２と、最上層の層状導電体３０６と、３枚の中間層の層状導電体３０６と、最下層の層状導電体３０６と、２つの結合開口３０７と、２枚の導電拡散板３０８と、２つの分離スリット３０９と、基板材料３１０と、導波管３１１の一部分とを示している。
【００５８】
図６Ｃは、図６Ａに示した広帯域変換器の、断面線３Ｃ−３Ｃによる垂直方向の断面図である。図６Ｃは、最上層の導電層３Ｌ１と、中間層の導電層３Ｌ２〜３Ｌ４と、最下層の導電層３Ｌ５と、導電パッチ３０１と、絶縁スリット３０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３の１つと、平面伝送線路３０５のセグメントと、最上層の層状導電体３０６と、３枚の中間層の層状導電体３０６と、最下層の層状導電体３０６と、２つの結合開口３０７と、２枚の導電拡散板３０８と、２つの分離スリット３０９と、基板材料３１０と、導波管３１１の一部分とを示している。
【００５９】
図６Ｄは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ２および３Ｌ４による水平方向の断面図である。図６Ｄは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３と、平面伝送線路３０５の複数のグランドヴィア３０４と、中間層の層状導電体３０６の１つと、結合開口３０７の１つとを示している。
【００６０】
図６Ｅは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ３による水平方向の断面図である。図６Ｅは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３と、平面伝送線路３０５の複数のグランドヴィア３０４と、中間層の層状導電体３０６の１つと、導電拡散板３０８の１枚と、分離スリット３０９の１つとを示している。
【００６１】
図６Ｆは、図６Ａに示した広帯域変換器の、導電層３Ｌ５による水平方向の断面図である。図６Ｆは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３と、平面伝送線路３０５の複数のグランドヴィア３０４と、最下層の層状導電体３０６と、導電拡散板３０８の別の１枚と、分離スリット３０９の別の１つと、波型形状３１２とを示している。
【００６２】
図６Ｇは、図６Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図６Ｇは、最下層の層状導電体３０６と、導波管３１１の一部分とを示している。
【００６３】
図６Ａ〜図６Ｇは、平面伝送線路３０５および導波管３１１の間の広帯域変換器の、さらに他の実施形態を示している。本実施形態では、材料３１０によって絶縁された５枚の導電層３Ｌ１、３Ｌ２、３Ｌ３、３Ｌ４および３Ｌ５を含む基板の中に、広帯域変換器が形成されている。
【００６４】
図６Ａ〜図６Ｇに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層３Ｌ１〜３Ｌ５は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層３Ｌ１は、最上層の１Ｌ１に対応する。最下層の導電層３Ｌ５は、最下層の１Ｌ５に対応する。中間層の導電層３Ｌ２および３Ｌ４は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４に対応する。導電パッチ３０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット３０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路３０５の複数のグランドヴィア３０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路３０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体３０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体３０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の導電層３Ｌ２および３Ｌ４における中間層の層状導電体３０６は、中間層の層状導電体１０６に対応する。最下層の導電層３Ｌ５における導電拡散板３０８は、導電拡散板１０８に対応する。最下層の導電層３Ｌ５における分離スリット３０９は、最下層の導電層１Ｌ５における分離スリット１０９に対応する。基板材料３１０は、基板材料１１０に対応する。導波管３１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。最下層の導電層３Ｌ５における導電拡散板３０８の波型形状３１２は、導電拡散板１０８の波型形状１１２に対応する。
【００６５】
図１Ａ〜図１Ｇに示した広帯域変換器が、波型形状１１２を有する１枚の導電拡散板１０８と、１つの分離スリット１０９とを、最下層の導電層１Ｌ５に含む一方で、本実施形態による広帯域変換器は、最下層の導電層３Ｌ５および中間層の導電層３Ｌ３に、２つの導電拡散板３０８と、２つの分離スリット３０９とを含む。言い換えれば、中間層の導電層１Ｌ３における結合開口１０７が、中間層の導電層３Ｌ３における導電拡散板３０８および分離スリット３０９の集合で置き換えられている。
【００６６】
本実施形態では、広帯域変換器は、平面伝送線路３０５のセグメントの一端に接続された導電パッチ３０１と、導電パッチ３０１および平面伝送線路３０５のセグメントの集合ならびに最上層の導電層３Ｌ１に配置されたその他の導電体の間に配置された絶縁スリット３０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア３０３と、中間層の導電層３Ｌ２および３Ｌ４において導電パッチ３０１の下方に配置された結合開口３０７と、導電層３Ｌ３および３Ｌ５に配置された導電拡散板３０８と、導電拡散板３０８を導電層３Ｌ３および３Ｌ５の他の導電体から分離する分離スリット３０９とを用いて形成されている。
【００６７】
本実施形態では、平面伝送線路３０５のセグメントの他端が第１端子として機能する。また、導波管３１１の一部分の一端は導電拡散板３０８の下方に配置されており、導波管３１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路３０５のセグメントの電気的特性を向上するために、複数のグランドヴィア３０４が平面伝送線路３０５のセグメントに沿って配置されている。
【００６８】
本実施形態の広帯域変換器では、異なる２種類の導電拡散板３０８が用いられている。中間層の導電層３Ｌ３に配置された第１の導電拡散板３０８において、その全ての端部が平坦である一方で、最下層の導電層３Ｌ５に配置された第２の導電拡散板３０８は、１辺の端部において特定の波型形状３１２を有している。
【００６９】
（さらに他の実施形態）
図７Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図７Ａは、導電パッチ４０１と、絶縁スリット４０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３と、平面伝送線路４０５のセグメントと、平面伝送線路４０５の複数のグランドヴィア４０４と、２本の断面線４Ｂ−４Ｂおよび４Ｃ−４Ｃとを示している。
【００７０】
図７Ｂは、図７Ａに示した広帯域変換器の、断面線４Ｂ−４Ｂによる垂直方向の断面図である。図７Ｂは、最上層の導電層４Ｌ１と、３枚の中間層の導電層４Ｌ２〜４Ｌ４と、最下層の導電層４Ｌ５と、導電パッチ４０１と、絶縁スリット４０２と、最上層の層状導電体４０６と、３枚の中間層の層状導電体４０６と、最下層の層状導電体４０６と、複数の結合開口４０７と、導電拡散板４０８と、分離スリット４０９と、基板材料４１０と、導波管４１１の一部分とを示している。
【００７１】
図７Ｃは、図７Ａに示した広帯域変換器の、断面線４Ｃ−４Ｃによる垂直方向の断面図である。図７Ｃは、最上層の導電層４Ｌ１と、３枚の中間層の導電層４Ｌ２〜４Ｌ４と、最下層の導電層４Ｌ５と、導電パッチ４０１と、絶縁スリット４０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３の１つと、平面伝送線路４０５のセグメントと、最上層の層状導電体４０６と、３枚の中間層の層状導電体４０６と、最下層の層状導電体４０６と、複数の結合開口４０７と、導電拡散板４０８と、分離スリット４０９と、基板材料４１０と、導波管４１１の一部分とを示している。
【００７２】
図７Ｄは、図７Ａに示した広帯域変換器の、導電層４Ｌ２、４Ｌ３および４Ｌ４による水平方向の断面図である。図７Ｄは、複数の中間層の層状導電体４０６の１枚と、複数の結合開口４０７の１つと、広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３と、平面伝送線路４０５の複数のグランドヴィア４０４とを示している。
【００７３】
図７Ｅは、図７Ａに示した広帯域変換器の、導電層４Ｌ５による水平方向の断面図である。図７Ｅは、複数の中間層の層状導電体４０６の１枚と、波型形状４１２を有する導電拡散板４０８と、分離スリット４０９と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３と、平面伝送線路４０５の複数のグランドヴィア４０４とを示している。
【００７４】
図７Ｆは、図７Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図７Ｆは、最下層の層状導電体４０６と、導波管４１１の一部分とを示している。
【００７５】
図７Ａ〜図７Ｆは、平面伝送線路４０５と、導波管４１１との間の広帯域変換器の、さらに他の実施形態を示している。本実施形態では、基板材料４１０によって絶縁された５枚の導電層４Ｌ１、４Ｌ２、４Ｌ３、４Ｌ４および４Ｌ５を含む基板の中に、広帯域変換器が形成されている。
【００７６】
図７Ａ〜図７Ｆに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層４Ｌ１〜４Ｌ５は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層４Ｌ１は、最上層の１Ｌ１に対応する。最下層の導電層４Ｌ５は、最下層の導電層１Ｌ５に対応する。中間層の導電層４Ｌ２〜４Ｌ４は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４に対応する。導電パッチ４０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット４０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路４０５の複数のグランドヴィア４０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路４０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体４０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体４０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の層状導電体４０６は、中間層の層状導電体１０６に対応する。分離スリット４０９は、分離スリット１０９に対応する。基板材料４１０は、基板材料１１０に対応する。導波管４１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。
【００７７】
導電拡散板１０８の波型形状１１２が矩形の凸部および凹部を有している一方で、本実施形態の広帯域変換器では、導電拡散板４０８の波型形状４１２が、形状が台形または平行四辺形である凸部と、形状が台形である凹部とを有している。言い換えれば、凸部が矩形かつ凹部が矩形の波型形状１１２を有する導電拡散板１０８が、形状が台形または平行四辺形である凸部と、形状が台形である凹部とを有する波型形状４１２の導電拡散板４０８に置き換えられている。
【００７８】
本実施形態において、広帯域変換器は、平面伝送線路４０５のセグメントの一端に接続された導電パッチ４０１と、導電パッチ４０１および導電層４Ｌ１に配置された他の導電体の間に配置された絶縁スリット４０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア４０３と、中間層の導電層４Ｌ２、４Ｌ３および４Ｌ４において導電パッチ４０１の下方に配置された結合開口４０７と、最下層の導電層４Ｌ５に配置された導電拡散板４０８と、導電拡散板４０８を最下層の導電層４Ｌ５の他の導電体から分離する分離スリット４０９とを用いて形成されている。
【００７９】
本実施形態において、平面伝送線路４０５のセグメントの他端は、第１端子として機能する。また、導波管４１１の一部分の一端は導電拡散板４０８の下方に配置されており、導波管４１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路４０５のセグメントの電気的特性を向上するために、複数のグランドヴィア４０４が平面伝送線路４０５のセグメントに沿って配置されている。
【００８０】
本実施形態による広帯域変換器では、導電拡散板４０８において特徴的な波型形状４１２が用いられている。この波型形状４１２では、凸部の実効長を延ばすために、形状が台形である凹部が用いられている。
【００８１】
（さらに他の実施形態）
図８Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図８Ａは、導電パッチ５０１と、絶縁スリット５０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３と、平面伝送線路５０５のセグメントと、平面伝送線路５０５の複数のグランドヴィア５０４と、２本の断面線５Ｂ−５Ｂおよび５Ｃ−５Ｃとを示している。
【００８２】
図８Ｂは、図８Ａに示した広帯域変換器の、断面線５Ｂ−５Ｂによる垂直方向の断面図である。図８Ｂは、最上層の導電層５Ｌ１と、３枚の中間層の導電層５Ｌ２〜５Ｌ４と、最下層の導電層５Ｌ５と、導電パッチ５０１と、絶縁スリット５０２と、最上層の層状導電体５０６と、３枚の中間層の層状導電体５０６と、最下層の層状導電体５０６と、複数の結合開口５０７と、導電拡散板５０８と、分離スリット５０９と、基板材料５１０と、導波管５１１の一部分とを示している。
【００８３】
図８Ｃは、図８Ａに示した広帯域変換器の、断面線５Ｃ−５Ｃによる垂直方向の断面図である。図８Ｃは、最上層の導電層５Ｌ１と、３枚の中間層の導電層５Ｌ２〜５Ｌ４と、最下層の導電層５Ｌ５と、導電パッチ５０１と、絶縁スリット５０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３の１つと、平面伝送線路５０５のセグメントと、最上層の層状導電体５０６と、３枚の中間層の層状導電体５０６と、最下層の層状導電体５０６と、複数の結合開口５０７と、導電拡散板５０８と、分離スリット５０９と、基板材料５１０と、導波管５１１の一部分とを示している。
【００８４】
図８Ｄは、図８Ａに示した広帯域変換器の、導電層５Ｌ２、５Ｌ３および５Ｌ４による水平方向の断面図である。図８Ｄは、複数の中間層の層状導電体５０６の１枚と、複数の結合開口５０７の１つと、広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３と、平面伝送線路５０５の複数のグランドヴィア５０４とを示している。
【００８５】
図８Ｅは、図８Ａに示した広帯域変換器の、導電層５Ｌ５による水平方向の断面図である。図８Ｅは、複数の層状導電体５０６の１枚と、波型形状５１２を有する導電拡散板５０８と、分離スリット５０９と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３と、平面伝送線路５０５の複数のグランドヴィア５０４とを示している。
【００８６】
図８Ｆは、図８Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図８Ｆは、最下層の層状導電体５０６と、導波管５１１の一部分とを示している。
【００８７】
図８Ａ〜図８Ｆは、平面伝送線路５０５と、導波管５１１との間の広帯域変換器の、さらに他の実施形態を示している。本実施形態では、広帯域変換器は基板材料５１０によって絶縁された５枚の導電層５Ｌ１、５Ｌ２、５Ｌ３、５Ｌ４および５Ｌ５を含む基板の中に形成されている。
【００８８】
図８Ａ〜図８Ｆに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層５Ｌ１〜５Ｌ５は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層５Ｌ１は、最上層の導電層１Ｌ１に対応する。最下層の導電層５Ｌ５は、最下層の導電層１Ｌ５に対応する。中間層の導電層５Ｌ２〜５Ｌ４は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４に対応する。導電パッチ５０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット５０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路５０５の複数のグランドヴィア５０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路５０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体５０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体５０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の層状導電体５０６は、中間層の層状導電体１０６に対応する。分離スリット５０９は、分離スリット１０９に対応する。基板材料５１０は、基板材料１１０に対応する。導波管５１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。
【００８９】
導電拡散板１０８の波型形状１１２が、同じ長さの凸部と、同じ深さの凹部とを有している一方で、本実施形態の広帯域変換器の導電拡散板５０８の波型形状５１２は、異なる長さの凸部と、異なる深さの凹部とを有している。言い換えれば、矩形の凸部と、矩形の凹部とを持つ波型形状１１２を有する導電拡散板１０８は、異なる長さの凸部および凹部を持つ波型形状５１２を有する導電拡散板５０８に置き換えられている。図８Ｅに示した場合では、凸部の長さおよび凹部の深さが、凸部および凹部が配置されている端部のうち、中央の領域においてはより大きく、周辺の領域においてはより小さい。
【００９０】
本実施形態において、広帯域変換器は、平面伝送線路のセグメント５０５の一端に接続された導電パッチ５０１と、導電パッチ５０１および最上層の導電層５Ｌ１に配置された他の導電体の間に配置された絶縁スリット５０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア５０３と、中間層の導電層５Ｌ２、５Ｌ３および５Ｌ４の、導電パッチ５０１の下方に配置された結合開口５０７と、最下層の導電層５Ｌ５の導電拡散板５０８と、導電拡散板５０８を最下層の導電層５Ｌ５の他の導電体から分離する分離スリット５０９とを用いて形成されている。本実施形態では、平面伝送線路５０５のセグメントの他端が第１端子として機能する。また、導波管５１１の一部分の一端は導電拡散板５０８の下方に配置されており、導波管５１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路５０５の電気的特性を向上するために、複数のグランドヴィア５０４が平面伝送線路５０５のセグメントに沿って配置されている。
【００９１】
この広帯域変換器において、特徴的な波型形状５１２は導電拡散板５０８に配置されている。この波型形状５１２において、変換器の広帯域動作を制御するために、凸部は異なる長さを有し、凹部は異なる深さを有する。
【００９２】
（さらに他の実施形態）
図９Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図９Ａは、導電パッチ６０１と、絶縁スリット６０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３と、平面伝送線路６０５のセグメントと、平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４と、最上層の層状導電体６０６と、２本の断面線６Ｂ−６Ｂおよび６Ｃ−６Ｃとを示している。
【００９３】
図９Ｂは、図９Ａに示した広帯域変換器の、断面線６Ｂ−６Ｂによる垂直方向の断面図である。図９Ｂは、最上層の導電層６Ｌ１と、中間層の導電層６Ｌ２〜６Ｌ４と、最下層の導電層６Ｌ５と、導電パッチ６０１と、絶縁スリット６０２と、最上層の層状導電体６０６と、３枚の中間層の層状導電体６０６と、最下層の層状導電体６０６と、２つの結合開口６０７と、２枚の導電拡散板６０８と、２つの分離スリット６０９と、基板材料６１０と、導波管６１１の一部分とを示している。
【００９４】
図９Ｃは、図９Ａに示した広帯域変換器の、断面線６Ｃ−６Ｃによる垂直方向の断面図である。図９Ｃは、最上層の導電層６Ｌ１と、中間層の導電層６Ｌ２〜６Ｌ４と、最下層の導電層６Ｌ５と、導電パッチ６０１と、絶縁スリット６０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３の１つと、平面伝送線路６０５のセグメントと、最上層の層状導電体６０６と、３枚の中間層の層状導電体６０６と、最下層の層状導電体６０６と、２つの結合開口６０７と、２枚の導電拡散板６０８と、２つの分離スリット６０９と、基板材料６１０と、導波管６１１の一部分とを示している。
【００９５】
図９Ｄは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ２および６Ｌ４による水平方向の断面図である。図９Ｄは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３と、平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４と、中間層の層状導電体６０６の１枚と、結合開口６０７の１つとを示している。
【００９６】
図９Ｅは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ３による水平方向の断面図である。図９Ｅは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３と、平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４と、中間層の導電層６Ｌ３の中間層の層状導電体６０６と、導電拡散板６０８の一方と、分離スリット６０９の一方とを示している。
【００９７】
図９Ｆは、図９Ａに示した広帯域変換器の、導電層６Ｌ５による水平方向の断面図である。図９Ｆは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３と、平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４と、最下層の層状導電体６０６と、導電拡散板６０８の他方と、分離スリット６０９の他方と、波型形状６１２とを示している。
【００９８】
図９Ｇは、図９Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図９Ｇは、最下層の層状導電体６０６と、導波管６１１の一部分とを示している。
【００９９】
図９Ａ〜図９Ｇは、平面伝送線路６０５と、導波管６１１との間の広帯域変換器のさらに他の実施形態を示している。本実施形態において、広帯域変換器は、基板材料６１０で絶縁された５枚の導電層６Ｌ１、６Ｌ２、６Ｌ３、６Ｌ４および６Ｌ５を有する基板の中に形成されている。
【０１００】
図９Ａ〜図９Ｇに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層６Ｌ１〜６Ｌ５は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層６Ｌ１は、最上層の導電層１Ｌ１に対応する。最下層の導電層６Ｌ５は、最下層の導電層１Ｌ５に対応する。中間層の導電層６Ｌ２および６Ｌ４は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４に対応する。導電パッチ６０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット６０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路６０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体６０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体６０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の導電層６Ｌ２および６Ｌ４における中間層の層状導電体６０６は、中間層の層状導電体１０６に対応する。最下層の導電層６Ｌ５における導電拡散板６０８は、導電拡散板１０８に対応する。最下層の導電層６Ｌ５における分離スリット６０９は、最下層の導電層１Ｌ５における分離スリット１０９に対応する。基板材料６１０は、基板材料１１０に対応する。導波管６１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。最下層の導電層６Ｌ５における導電拡散板６０８の波型形状６１２は、導電拡散板１０８の波型形状１１２に対応する。
【０１０１】
図１Ａ〜図１Ｇに示した広帯域変換器が、波型形状１１２を有する１枚の導電拡散板１０８と、１つの分離スリット１０９とを、最下層の導電層１Ｌ５に含む一方で、本実施形態の広帯域変換器は、２枚の導電拡散板６０８と、２つの分離スリット６０９とを、最下層の導電層６Ｌ５と、中間層の導電層６Ｌ３とに含んでいる。言い換えれば、中間層の導電層１Ｌ３における結合開口１０７は、中間層の導電層６Ｌ３における、導電拡散板６０８と、分離スリット６０９との集合に置き換えられている。
【０１０２】
本実施形態において、広帯域変換器は、平面伝送線路６０５のセグメントの一端に接続された導電パッチ６０１と、導電パッチ６０１および最上層の導電層６Ｌ１における他の導電体の間に設けられた絶縁スリット６０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア６０３と、中間層の導電層６Ｌ２および６Ｌ４において導電パッチ６０１の下に設けられた結合開口６０７と、導電層６Ｌ３および６Ｌ５に配置された導電拡散板６０８と、導電拡散板６０８を中間層の導電層６Ｌ３および最下層の導電層６Ｌ５の他の導電体から分離する分離スリット６０９とを用いて形成されている。本実施形態において、平面伝送線路６０５のセグメントの他端は、第１端子として機能する。また、導波管６１１の一部分の一端は最下層の導電層６Ｌ５の導電拡散板６０８の下方に配置されており、導波管６１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路６０５の電気的特性を向上するために、平面伝送線路６０５の複数のグランドヴィア６０４が平面伝送線路６０５のセグメントに沿って配置されている。
【０１０３】
本実施形態の広帯域変換器において、２種類の異なる波型形状６１２が２枚の導電拡散板６０８にそれぞれ用いられている。中間層の導電層６Ｌ３に配置された第１の導電拡散板６０８では、波型形状６１２が、導電拡散板６０８の１辺に沿って、両端部において形成されており、その一方で、最下層の導電層６Ｌ５に配置された第２の導電拡散板６０８では、１辺の全域が波型になっている。言い換えれば、中間層の導電層６Ｌ３の結合開口６０７は、中間層の導電層６Ｌ３における第１の導電拡散板６０８および第１の分離スリット６０９の集合で置き換えられている。
【０１０４】
第１の導電拡散板６０８の形状は、中央部分がより幅広い凸部を有していることを除いて、第２の導電拡散板６０８の形状と同様であると言える。
【０１０５】
（さらに他の実施形態）
なお、導電パッチと、結合開口と、拡散板と、導電パッチの周囲に配置されたグランドヴィアとは、その形状が運用に応じて異なっていたり、定義されたりしていても構わない。
【０１０６】
図１０Ａは、本発明のさらに他の実施形態による平面伝送線路および導波管の間の広帯域変換器の上面図である。図１０Ａは、導電パッチ７０１と、絶縁スリット７０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３と、平面伝送線路７０５のセグメントと、平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４と、最上層の層状導電体７０６と、２本の断面線７Ｂ−７Ｂおよび７Ｃ−７Ｃとを示している。
【０１０７】
図１０Ｂは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、断面線７Ｂ−７Ｂによる垂直方向の断面図である。図１０Ｂは、最上層の導電層７Ｌ１と、中間層の導電層７Ｌ２〜７Ｌ４と、最下層の導電層７Ｌ５と、導電パッチ７０１と、絶縁スリット７０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３のうちの２つと、最上層の層状導電体７０６と、３枚の中間層の層状導電体７０６と、最下層の層状導電体７０６と、２つの結合開口７０７と、２枚の導電拡散板７０８と、２つの分離スリット７０９と、基板材料７１０と、導波管７１１の一部分とを示している。
【０１０８】
図１０Ｃは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、断面線７Ｃ−７Ｃによる垂直方向の断面図である。図１０Ｃは、最上層の導電層７Ｌ１と、中間層の導電層７Ｌ２〜７Ｌ４と、最下層の導電層７Ｌ５と、導電パッチ７０１と、絶縁スリット７０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３の１つと、平面伝送線路７０５のセグメントと、最上層の層状導電体７０６と、３枚の中間層の層状導電体７０６と、最下層の層状導電体７０６と、２つの結合開口７０７と、２つの導電拡散板７０８と、２つの分離スリット７０９と、基板材料７１０と、導波管７１１の一部分とを示している。
【０１０９】
図１０Ｄは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ２および７Ｌ４による水平方向の断面図である。図１０Ｄは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３と、平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４と、中間層の層状導電体７０６の１枚と、結合開口７０７の１つとを示している。
【０１１０】
図１０Ｅは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ３による水平方向の断面図である。図１０Ｅは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３と、平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４と、中間層の層状導電体７０６の１枚と、導電拡散板７０８の一方と、分離スリット７０９の一方とを示している。
【０１１１】
図１０Ｆは、図１０Ａに示した広帯域変換器の、導電層７Ｌ５による水平方向の断面図である。図１０Ｆは、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３と、平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４と、最下層の層状導電体７０６と、導電拡散板７０８の他方と、分離スリット７０９の他方と、波型形状７１２とを示している。
【０１１２】
図１０Ｇは、図１０Ａに示した広帯域変換器の下面図である。図１０Ｇは、最下層の層状導電体７０６と、導波管７１１の一部分とを示している。
【０１１３】
図１０Ａ〜図１０Ｇは、平面伝送線路７０５と、導波管１１１との間の広帯域変換器の、さらに他の実施形態を示している。本実施形態において、広帯域変換器は、基板材料７１０によって絶縁された５枚の導電層７Ｌ１、７Ｌ２、７Ｌ３、７Ｌ４および７Ｌ５を有する基板の中に形成されている。
【０１１４】
図１０Ａ〜図１０Ｇに示した各構成要素は、図１Ａ〜図１Ｇに示したいずれかの構成要素に、その機能的能力で対応する。すなわち、複数の導電層７Ｌ１〜７Ｌ５は、複数の導電層１Ｌ１〜１Ｌ５に対応する。最上層の導電層７Ｌ１は、最上層の導電層１Ｌ１に対応する。最下層の導電層７Ｌ５は、最下層の導電層１Ｌ５に対応する。中間層の導電層７Ｌ２〜７Ｌ４は、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４に対応する。導電パッチ７０１は、導電パッチ１０１に対応する。絶縁スリット７０２は、絶縁スリット１０２に対応する。広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３は、広帯域変換器の複数のグランドヴィア１０３に対応する。平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４は、平面伝送線路１０５の複数のグランドヴィア１０４に対応する。平面伝送線路７０５のセグメントは、平面伝送線路１０５のセグメントに対応する。最上層の層状導電体７０６は、最上層の層状導電体１０６に対応する。最下層の層状導電体７０６は、最下層の層状導電体１０６に対応する。中間層の導電層７Ｌ２および７Ｌ４の中間層の層状導電体７０６は、中間層の層状導電体１０６に対応する。最下層の導電層７Ｌ５の導電拡散板７０８は、導電拡散板１０８に対応する。最下層の導電層７Ｌ５の分離スリット７０９は、最下層の導電層１Ｌ５の分離スリット１０９に対応する。基板材料７１０は、基板材料１１０に対応する。導波管７１１の一部分は、導波管１１１の一部分に対応する。最下層の導電層７Ｌ５の導電拡散板７０８の波型形状７１２は、導電拡散板１０８の波型形状１１２に対応する。
【０１１５】
図１Ａ〜図１Ｇに示した広帯域変換器が、矩形の導電パッチ１０１と、波型形状１１２を有する１枚の導電拡散板１０８と、最下層の導電層１Ｌ５の１つの矩形の分離スリット１０９と、中間層の導電層１Ｌ２〜１Ｌ４の３枚の矩形の結合開口１０７とを含んでいる一方で、本実施形態の広帯域変換器は、円形の導電パッチ７０１と、２枚の円形の導電拡散板７０８と、最下層の導電層７Ｌ５および中間層の導電層７Ｌ３の２つの円形の分離スリット７０９と、中間層の導電層７Ｌ２および７Ｌ４の２つの円形の結合開口とを含んでいる。また、図１Ａ〜図１Ｇに示した広帯域変換器が、矩形の導波管１１１の一部分を含んでいる一方で、本実施形態による広帯域変換器は、円形の導波管７１１の一部分を含んでいる。
【０１１６】
言い換えれば、矩形の導電パッチ１０１と、平面伝送線路１０５のセグメントと、絶縁スリット１０２との集合は、円形の導電パッチ７０１と、平面伝送線路７０５のセグメントと、絶縁スリット７０２との集合に置き換えられている。中間層の導電層１Ｌ３の矩形の結合開口１０７は、中間層の導電層７Ｌ３の、波型形状を持たない円形の導電拡散板７０８と、円形の分離スリット７０９との集合に置き換えられている。最下層の導電層１Ｌ５の、矩形の導電拡散板１０８と、矩形の分離スリット１０９との集合は、波型形状７１２を有する円形の導電拡散板７０８の集合に置き換えられている。中間層の導電層１Ｌ２および１Ｌ４の矩形の結合開口１０７は、中間層の導電層７Ｌ２および７Ｌ４の円形の結合開口７１７に置き換えられている。矩形の導波管１１１の一部分は、円形の導波管７１１の一部分に置き換えられている。
【０１１７】
最下層の導電層７Ｌ５における円形の導電拡散板７０８の波型形状７１２は、そのいずれもが半径方向に配置された凸部および凹部を有している。波型形状７１２の凸部および凹部は、凸状の底辺を有する台形の形状を有している。言い換えれば、波型形状７１２の凸部および凹部の幅は、円形の拡散板７０８の、外周領域においてはより広く、中心領域においてはより狭い。波型形状７１２の凸部は同じ長さを有しており、波型形状７１２の凹部は同じ深さを有している。
【０１１８】
本実施形態において、広帯域変換器は、平面伝送線路７０５のセグメントの一端に接続された導電パッチ７０１と、導電パッチ７０１および平面伝送線路７０５のセグメントの集合ならびに最上層の導電層７Ｌ１に配置された他の導電体の間に配置された絶縁スリット７０２と、広帯域変換器の複数のグランドヴィア７０３と、層７Ｌ２および７Ｌ４において導電パッチ７０１の下方に配置された２つの結合開口７０７と、導電層７Ｌ３および７Ｌ５に配置された２つの導電拡散板７０８と、導電拡散板７０８を中間層の導電層７Ｌ３および最下層の導電層７Ｌ５に配置された他の導電体から分離する２つの分離スリット７０９とを用いて形成されている。本実施形態では、平面伝送線路７０５のセグメントの他端が第１端子として機能する。また、導波管７１１の一部分の一端は導電拡散板７０８の下方に配置されており、導波管７１１の一部分の他端は広帯域変換器の第２端子として機能する。平面伝送線路７０５の電気的特性を向上するために、平面伝送線路７０５の複数のグランドヴィア７０４が平面伝送線路７０５のセグメントに沿って配置されている。
【０１１９】
本実施形態による広帯域変換器では、異なる２種類の拡散板７０８が用いられている。中間層の導電層７Ｌ３に配置された導電拡散板７０８は平坦であり、すなわち、エッジにおいて波型形状を有しておらず、その一方で、最下層の導電層７Ｌ５に配置された導電拡散板７０８は、特徴的な波型形状７１２を持つ１つのエッジを有している。図１０Ａ、図１０Ｄ、図１０Ｅおよび図１０Ｆから読み取れるように、本実施形態では、円形の導電パッチ７０１と、円形の結合開口７０７と、円形の導電拡散板７０８とが、前述の実施形態で示した矩形のそれらとは異なり、広帯域変換器の第２ポートを円形の導波管に接続するために用いられている。
【０１２０】
本発明をいくつかの実施形態に関連して説明したが、これらの実施形態が限定ではなく例示を目的としていることを理解されたい。当業者がこの明細書を読めば、同等の構成要素や技術との種々の変更や置き換えが容易に行えることは明らかであるが、そのような変更や置き換えが、請求項に定義されたように、本発明の真の範囲および精神に含まれることは明らかである。
【図１Ａ】
2016503245.tif 000006
【図１Ｂ】
2016503245.tif 000007
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
2016503245.tif 000012
【図２】
2016503245.tif 000013
【図３】
2016503245.tif 000014
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2016503245.tif 000017
【図５Ｃ】
2016503245.tif 000018
【図５Ｄ】
2016503245.tif 000019
【図５Ｅ】
2016503245.tif 000020
【図６Ａ】
2016503245.tif 000021
【図６Ｂ】
2016503245.tif 000022
【図６Ｃ】
2016503245.tif 000023
【図６Ｄ】
2016503245.tif 000024
【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
2016503245.tif 000026
【図６Ｇ】
2016503245.tif 000027
【図７Ａ】
2016503245.tif 000028
【図７Ｂ】
2016503245.tif 000029
【図７Ｃ】
2016503245.tif 000030
【図７Ｄ】
2016503245.tif 000031
【図７Ｅ】
2016503245.tif 000032
【図７Ｆ】
2016503245.tif 000033
【図８Ａ】
2016503245.tif 000034
【図８Ｂ】
2016503245.tif 000035
【図８Ｃ】
2016503245.tif 000036
【図８Ｄ】
2016503245.tif 000037
【図８Ｅ】
2016503245.tif 000038
【図８Ｆ】
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【図９Ａ】
2016503245.tif 000040
【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【国際調査報告】
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