(57)【要約】  実施例は、中央領域の貫通孔を取り囲んで配置される第１部分、前記第１部分上に配置されたスケール（ｓｃａｌｅ）、及び前記第１部分の縁部から外側に延びて配置される第２部分を含む熱遮蔽体を提供する。【選択図】図３Ａ
2016530206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央領域の貫通孔を取り囲んで配置される第１部分と、
前記第１部分上に配置されたスケール（ｓｃａｌｅ）と、
前記第１部分の縁部から外側に延びて配置される第２部分とを含む、熱遮蔽体。
【請求項２】
前記スケールは、前記第１部分の底面に配置される、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項３】
前記スケールは、前記第１部分の内周面に配置される、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項４】
前記スケールは、前記第１部分の少なくとも２つの互いに異なる高さを有する領域のそれぞれに配置された、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項５】
前記スケールは、前記第１部分の互いに異なる水平領域のそれぞれに配置される、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項６】
前記互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに１ｃｍ〜５ｃｍ離隔した、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項７】
前記第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに連結されたライン状である、請求項５に記載の熱遮蔽体。
【請求項８】
前記第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに分離されたドット（ｄｏｔ）状である、請求項５に記載の熱遮蔽体。
【請求項９】
前記互いに異なる水平領域は、前記貫通孔を挟んで互いに対向して配置される、請求項５に記載の熱遮蔽体。
【請求項１０】
前記スケールは、前記第１部分に彫り込みで形成された、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項１１】
前記彫り込みで形成されたスケールは、前記第１部分から１ｃｍ〜３ｃｍの深さを有する、請求項１０に記載の熱遮蔽体。
【請求項１２】
前記スケールは、前記第１部分に浮き彫りで形成された、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項１３】
前記浮き彫りで形成されたスケールは、前記第１部分から１ｃｍ〜３ｃｍ突出した、請求項１２に記載の熱遮蔽体。
【請求項１４】
前記第２部分は、前記第１部分に対して予め設定された角度で傾斜した、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項１５】
チャンバと、
前記チャンバの内部に備えられ、シリコンが溶融液が収容されるるつぼと、
前記チャンバの内部に備えられ、前記シリコンを加熱するための加熱部と、
前記シリコンから成長する単結晶インゴットに向かう前記加熱部の熱を遮蔽するために、前記るつぼの上方に位置する請求項１乃至１４のいずれかに記載の熱遮蔽体とを含む、シリコン単結晶インゴットの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は、シリコン単結晶インゴットの製造装置及びそれに使用される熱遮蔽体に係り、より詳細には、シリコン単結晶インゴットの製造装置内でシリコン溶融液の高さを正確に測定しようとするものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的なシリコンウエハは、単結晶（Ｉｎｇｏｔ）を作るための単結晶成長工程と、単結晶を切削（Ｓｌｉｃｉｎｇ）して薄い円板状のウエハを得る切削工程と、前記切削によってウエハに残存する機械的加工による損傷（Ｄａｍａｇｅ）を除去するラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）工程と、ウエハを鏡面化する研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程と、研磨されたウエハを鏡面化し、ウエハに付着された研磨剤や異物を除去する洗浄工程とを含んでなる。
【０００３】
上述した工程のうちシリコン単結晶を成長させる工程は、高純度シリコン溶融液を装入した成長炉を高温で加熱して原料を溶融した後、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  Ｍｅｔｈｏｄ、以下、‘ＣＺ’という）などで成長させることができ、本特許で扱おうとする方法は、種子結晶がシリコン溶融液の上部に位置して単結晶を成長させるＣＺ法に適用することができる。
【０００４】
ＣＺ法でシリコン単結晶を成長させる場合、るつぼの内部にポリシリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）を注入した後、溶融し、るつぼを加熱するために、るつぼの外壁と底面を取り囲む抵抗加熱ヒーターを配置し、発生する輻射熱を用いる。
【０００５】
このとき、シリコン溶融液から単結晶の成長状態とシリコン溶融液の高さを確認する必要があり、肉眼で観察する場合、シリコン溶融液の正確な高さを把握しにくい。
【０００６】
これを改善するために、別途の装置を使用してシリコン溶融液の高さを測定することもあるが、シリコン単結晶インゴットの軌道運動による干渉が発生して、シリコン溶融液の高さを正しく測定できないことがある。
【０００７】
日本特許出願第２００６−０５０２９９号では、鏡のような反射板を用いてシリコン溶融液の高さを測定するが、装置内部で酸化物が発生して鏡などに蒸着されてしまい、測定エラーやセンサの故障が発生することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
実施例は、シリコン単結晶インゴットの製造装置内で、シリコン溶融液の高さを正確に測定しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施例は、中央領域の貫通孔を取り囲んで配置される第１部分；前記第１部分上に配置されたスケール（ｓｃａｌｅ）；及び前記第１部分の縁部から外側に延びて配置される第２部分を含む熱遮蔽体を提供する。
【００１０】
スケールは、前記第１部分の底面に配置されてもよい。
【００１１】
スケールは、前記第１部分の内周面に配置されてもよい。
【００１２】
スケールは、前記第１部分の少なくとも２つの互いに異なる高さを有する領域のそれぞれに配置されてもよい。
【００１３】
スケールは、前記第１部分の互いに異なる水平領域のそれぞれに配置されてもよい。
【００１４】
第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに連結されたライン状であってもよい。
【００１５】
第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに分離されたドット（ｄｏｔ）状であってもよい。
【００１６】
互いに異なる水平領域は、前記貫通孔を挟んで互いに対向して配置されてもよい。
【００１７】
スケールは、前記第１部分に彫り込みで形成されてもよい。
【００１８】
スケールは、前記第１部分に浮き彫りで形成されてもよい。
【００１９】
前記第２部分は、前記第１部分に対して予め設定された角度で傾斜していてもよい。
【００２０】
他の実施例は、チャンバ；前記チャンバの内部に備えられ、シリコン溶融液が収容されるるつぼ；前記チャンバの内部に備えられ、前記るつぼを加熱するための加熱部；及び前記シリコンから成長する単結晶インゴットに向かう前記加熱部の熱を遮蔽するために、前記るつぼの上方に位置する上述した熱遮蔽体を含む、シリコン単結晶インゴットの製造装置を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
実施例に係る熱遮蔽体及びそれを含むシリコン単結晶インゴット製造装置は、インゴットの成長時にインゴットが軌跡運動をしたり、酸化物が熱遮蔽体などの表面に蒸着されても、シリコン溶融液の表面の高さを、熱遮蔽体から反射された反射像を通じて把握することができ、それぞれ熱遮蔽体の内周面の互いに異なる領域にスケールが形成されることによって、観測者の位置が変わっても反射像を精密に観測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】シリコン単結晶インゴットの成長装置の一実施例を示す図である。
【図２Ａ】図１の熱遮蔽体の一実施例を示す図である。
【図２Ｂ】図１の熱遮蔽体の一実施例を示す図である。
【図２Ｃ】図１の熱遮蔽体の一実施例を示す図である。
【図２Ｄ】図１の熱遮蔽体の一実施例を示す図である。
【図３Ａ】図１の熱遮蔽体の他の実施例を示す図である。
【図３Ｂ】図１の熱遮蔽体の他の実施例を示す図である。
【図３Ｃ】図１の熱遮蔽体の他の実施例を示す図である。
【図４Ａ】熱遮蔽体のスケールの一実施例を示す図である。
【図４Ｂ】熱遮蔽体のスケールの一実施例を示す図である。
【図４Ｃ】熱遮蔽体のスケールの一実施例を示す図である。
【図４Ｄ】熱遮蔽体のスケールの一実施例を示す図である。
【図５】成長するシリコン単結晶インゴット及び熱遮蔽体のスケールを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を、添付の図面を参照して説明する。
【００２４】
本発明に係る実施例の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ  ｏｒ  ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）又は下（下部）は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）」又は「下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【００２５】
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。
【００２６】
図１は、シリコン単結晶インゴットの成長装置の一実施例を示した図である。
【００２７】
実施例のシリコン単結晶インゴットの成長装置１００は、内部に、シリコン（Ｓｉ）溶融液からシリコン単結晶インゴット１４を成長させるための空間が形成されるチャンバ１０と、前記シリコン溶融液を収容するためのるつぼ２０，２２と、前記るつぼ２０，２２を加熱するための加熱部４０と、前記るつぼ２０の上方に位置し、シリコン溶融液からの熱を遮断する熱遮蔽体２００と、前記シリコン単結晶インゴット１４の成長のためのシード（図示せず）を固定するためのシードチャック１８と、るつぼ２０，２２を回転及び上下移動させる回転軸３０とを含んでなる。
【００２８】
チャンバ１０は、シリコン溶融液（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｍｅｌｔ）からシリコン単結晶インゴット（Ｉｎｇｏｔ）を形成させるための所定の工程が行われる空間を提供する。るつぼは、シリコン溶融液を収容できるようにチャンバ１０の内部に備えることができる。水冷管は、タングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）などの材質からなってもよいが、これに限定されるものではない。
【００２９】
るつぼは、前記シリコン溶融液と直接接触する石英るつぼ２０、及び前記石英るつぼ２０の外面を取り囲んで前記石英るつぼ２０を支持する黒鉛るつぼ２２からなることができる。
【００３０】
チャンバ１０の内側に、加熱部４０の熱が放出されないように輻射断熱材を備えることができる。本実施例では、るつぼ２０，２２の上部の熱遮蔽体２００のみが示されているが、るつぼ２０，２２の側面と下部にそれぞれ断熱材が配置されてもよい。
【００３１】
加熱部４０は、るつぼ２０，２２内に積載された様々な形状のシリコン原料を溶融してシリコン溶融液を作ることができる。
【００３２】
加熱部４０は、るつぼ２０，２２の側面と底面を取り囲んで配置された複数個のヒーターユニットを含んでなることができる。すなわち、加熱部４０は、るつぼ２０，２２の側面と底面において前記るつぼ２０，２２を取り囲むヒーターユニットが複数配置された形状であってもよい。
【００３３】
るつぼ２０，２２の底面の中央には支持台３０が配置されることによってるつぼ２０，２２を支持することができる。るつぼ２０，２２の上部のシード（図示せず）からシリコン溶融液（Ｓｉ）が一部凝固してシリコン単結晶インゴット１４が成長する。
【００３４】
図２Ａ乃至図２Ｄは、図１の熱遮蔽体の一実施例を示した図である。
【００３５】
図２Ａは、熱遮蔽体２００ａの斜視図を示し、図２Ｂは、熱遮蔽体２００ａの側断面図を示し、図２Ｃは、熱遮蔽体２００ａの背面図を示している。熱遮蔽体２００ａは、カーボン、タングステン及びモリブデンから構成することができる。
【００３６】
熱遮蔽体２００ａは、中央領域の貫通孔（ｈｏｌｅ）を取り囲んで配置される第１部分２２０、及び第１部分２２０の縁部から外側に延びて配置される第２部分２３０を含んでなる。
【００３７】
第２部分２３０は、第１部分２２０に対して予め設定された角度で傾斜して配置されてもよい。図２Ｂに示されたように、第２部分２３０は、点線で表示された水平面から予め設定された角度（θ、６０°〜１２０°）の範囲に配置されてもよい。
【００３８】
スケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、第１部分２２０の底面の３つの互いに異なる領域に配置され、スケールｈ1，ｈ2，ｈ3からの光の反射によってシリコン溶融液の表面に形成されるスケールイメージの形状を見てシリコン溶融液の高さを判断するためには、少なくとも２つ以上の互いに異なる領域のそれぞれに配置されなければならない。ここで、‘底面’は、シリコン溶融液と対向して配置される第１部分２２０の領域を意味する。
【００３９】
上述したシリコン単結晶インゴットの製造装置において、観察者が互いに異なる位置でもシリコン溶融液の高さを測定するために、スケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、上述した第１部分２２０の底面で２箇所以上のそれぞれに配置され得、特に、第１部分２２０の底面の互いに分離された水平領域に配置され得る。
【００４０】
本実施例において、３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃに互いに高さが異なる３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3が配置されており、３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、互いに分離されてドット（ｄｏｔ）状であってもよい。他の実施例によれば、３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、互いに連結されたライン状であってもよい。
【００４１】
図２Ｄで、熱遮蔽体２００ａがシリコン溶融液上に配置された形状を示しており、熱遮蔽体２００ａの第１部分２２０の底面に図示されたスケール（図示せず）から反射された光がシリコン溶融液の表面に入射して、スケールイメージ（ｓｃａｌｅ  ｉｍａｇｅ）がシリコン溶融液の表面の一部の領域に形成された状態が示されている。反射を通じてシリコン溶融液の表面に形成されるスケールイメージの位置を見て、シリコン溶融液の高さを把握することができる。
【００４２】
図３Ａ乃至図３Ｃは、図１の熱遮蔽体の他の実施例を示した図である。
【００４３】
図３Ａは、熱遮蔽体２００ｂの斜視図を示し、図３Ｂは、熱遮蔽体２００ｂの側断面図を示している。
【００４４】
本実施例に係る熱遮蔽体２００ｂは、図２Ａ乃至図２Ｄに示された実施例とほぼ同様であるが、第１部分２２５がシリコン溶融液の表面に対して垂直に配置されず、スケールが第１部分２２５の内周面に配置され得る点が異なる。
【００４５】
熱遮蔽体２００ｂは、中央領域の貫通孔（ｈｏｌｅ）を取り囲んで配置される第１部分２２５、及び第１部分２２５の縁部から外側に延びて配置される第２部分２３５を含んでなる。第１部分２２５及び第２部分２３５は、るつぼの方向から熱が放出されないようにしてホットゾーン（ｈｏｔ  ｚｏｎｅ）として作用することができ、第２部分２３５は、第１部分２２５に対して、上述した実施例のように６０°〜１２０°だけ傾斜して配置されてもよい。
【００４６】
スケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、第１部分２２５の内側面の３つの互いに異なる領域に配置される。スケールｈ1，ｈ2，ｈ3からの光の反射を通じてシリコン溶融液の表面に形成されるスケールイメージの形状を見てシリコン溶融液の高さを判断するためには、スケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、少なくとも２つ以上の互いに異なる領域のそれぞれに配置されなければならない。
【００４７】
上述したシリコン単結晶インゴットの製造装置において、観察者が互いに異なる位置でもシリコン溶融液の高さを測定するために、スケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、上述した第１部分２２５の内側面で互いに異なる高さを有する２箇所以上のそれぞれに配置され得、特に、第１部分２２５の内側面の互いに分離された水平領域に配置され得る。
【００４８】
本実施例において、３つの互いに水平に配置された領域Ａ’，Ｂ’，Ｃ’のそれぞれで互いに異なる高さに３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3が配置されており、３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、互いに連結されたライン状である。他の実施例によれば、３つのスケールｈ1，ｈ2，ｈ3は、互いに分離されてドット（ｄｏｔ）状であってもよい。
【００４９】
図３Ｃで、熱遮蔽体２００ｂがシリコン溶融液上に配置された形状を示しており、熱遮蔽体２００ｂの第１部分２２５の内周面に図示されたスケールから反射された光がシリコン溶融液の表面に入射して、スケールイメージがシリコン溶融液の表面の一部の領域に形成された状態が示されている。反射を通じてシリコン溶融液の表面に形成されるスケールイメージの位置を見て、シリコン溶融液の高さを把握することができる。
【００５０】
図４Ａ乃至図４Ｄは、熱遮蔽体のスケールの一実施例を示した図である。
【００５１】
図４Ａに示された実施例において、スケールａ，ｂ，ｃは、第１部分２２０の内周面が陥没して彫り込みで形成されており、スケールａ，ｂ，ｃの断面は、それぞれ四角形ａと三角形ｂと半円形ｃであってもよい。図４Ａでは、第１部分２２０の内周面に互いに異なる形状のスケールａ，ｂ，ｃが配置されているが、第１部分には同じ形状のスケールが形成されてもよい。
【００５２】
図４Ａでは、各スケールａ，ｂ，ｃの形状が互いに異なるが、図４Ｂのように同じ形状のスケールａが配置されてもよく、スケールａの形状は、四角形以外に三角形又は半円形であってもよい。
【００５３】
図４Ｃに示された実施例において、スケールａ’，ｂ’，ｃ’は、第１部分２２０に浮き彫りで形成されている。具体的に、第１部分２２０の内周面の互いに異なる高さにグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）が形成されており、３つのスケールａ’，ｂ’，ｃ’がそれぞれのグルーブ内に挿入されて配置されている。
【００５４】
図４Ｃでは、スケールａ’，ｂ’，ｃ’が第１部分２２０のグルーブに挿入されるが、図４Ｄに示したように、スケールａ”，ｂ”，ｃ”が第１部分２２０と一体をなして形成されてもよく、このとき、各スケールａ”，ｂ”，ｃ”の高さｈは、図４Ｃに示されたスケールａ’，ｂ’，ｃ’の厚さｔと同一であってもよい。
【００５５】
図４Ａで彫り込み状に形成されたスケールの深さｄと、図４Ｃで浮き彫り状に形成されたスケールの厚さｔは、観測者がシリコン溶融液の反射形状を見て高さを測定することができれば十分である。このような深さｄと厚さｔは、それぞれ１ｃｍ〜３ｃｍであってもよく、深さｄと厚さｔが小さすぎると、観測者が識別しにくく、大きすぎると、シリコン溶融液の高さを正確に区別しにくいことがある。
【００５６】
そして、スケールａ，ｂ，ｃ間の距離ｗは、５ｃｍ〜１０ｃｍであってもよく、上述した距離ｗが小さすぎると、観測者がそれぞれのスケールａ，ｂ，ｄを区分して判別しにくく、上述した距離ｗが大きすぎると、シリコン溶融液の反射形状からシリコン溶融液の高さを区別しにくいことがある。図４Ａで、各スケールａ，ｂ，ｃ間のピッチｐは、上述した距離ｗよりも大きくてもよい。
【００５７】
図５は、成長するシリコン単結晶インゴットと熱遮蔽体のスケールイメージを示した図である。
【００５８】
図５で、シリコン単結晶インゴット（Ｉｎｇｏｔ）が成長するにつれて、シリコン溶融液の表面が低くなり、第１部分２２０に形成されたスケールのイメージが反射されてシリコン溶融液の表面に入射することによって、スケールイメージを観測者が観測することができる。このとき、観測者に観察されるスケールイメージは、互いに対向する２つの領域Ｄ，Ｅにそれぞれ形成され得る。
【００５９】
したがって、シリコン単結晶インゴットの成長時にインゴットが軌跡運動をしたり、酸化物が熱遮蔽体などの表面に蒸着されたりしても、シリコン溶融液の表面の高さを、熱遮蔽体から反射された反射像を通じて把握することができる。そして、それぞれ熱遮蔽体の内周面の互いに異なる領域にスケールが形成されることによって、観測者の位置が変わっても反射像を観測することができる。
【００６０】
以上のように、実施例は、たとえ限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から様々な修正及び変形が可能である。
【００６１】
したがって、本発明の範囲は、説明された実施例に限定されて決められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
実施例に係る熱遮蔽体及びそれを含むシリコン単結晶インゴット製造装置は、シリコンウエハの製造工程に使用可能である。
【図１】
2016530206.tif 000003
【図２Ａ】
2016530206.tif 000004
【図２Ｂ】
2016530206.tif 000005
【図２Ｃ】
2016530206.tif 000006
【図２Ｄ】
2016530206.tif 000007
【図３Ａ】
2016530206.tif 000008
【図３Ｂ】
2016530206.tif 000009
【図３Ｃ】
2016530206.tif 000010
【図４Ａ】
2016530206.tif 000011
【図４Ｂ】
2016530206.tif 000012
【図４Ｃ】
2016530206.tif 000013
【図４Ｄ】
2016530206.tif 000014
【図５】
2016530206.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央領域の貫通孔を取り囲んで配置される第１部分と、
前記第１部分上に配置されたスケール（ｓｃａｌｅ）と、
前記第１部分の縁部から外側に延びて配置される第２部分とを含む、熱遮蔽体。
【請求項２】
前記スケールは、前記第１部分の底面に配置される、請求項１に記載の熱遮蔽体。
【請求項３】
前記スケールは、前記第１部分の内周面に配置される、請求項１又は２に記載の熱遮蔽体。
【請求項４】
前記スケールは、前記第１部分の少なくとも２つの互いに異なる高さを有する領域のそれぞれに配置された、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項５】
前記スケールは、前記第１部分の互いに異なる水平領域のそれぞれに配置される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項６】
前記互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに１ｃｍ〜５ｃｍ離隔した、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項７】
前記第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに連結されたライン状である、請求項５又は６に記載の熱遮蔽体。
【請求項８】
前記第１部分の互いに異なる水平領域に配置されるスケールは、互いに分離されたドット（ｄｏｔ）状である、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項９】
前記互いに異なる水平領域は、前記貫通孔を挟んで互いに対向して配置される、請求項５乃至８のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項１０】
前記スケールは、前記第１部分に彫り込みで形成された、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項１１】
前記彫り込みで形成されたスケールは、前記第１部分から１ｃｍ〜３ｃｍの深さを有する、請求項１０に記載の熱遮蔽体。
【請求項１２】
前記スケールは、前記第１部分に浮き彫りで形成された、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項１３】
前記浮き彫りで形成されたスケールは、前記第１部分から１ｃｍ〜３ｃｍ突出した、請求項１２に記載の熱遮蔽体。
【請求項１４】
前記第２部分は、前記第１部分に対して予め設定された角度で傾斜した、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の熱遮蔽体。
【請求項１５】
チャンバと、
前記チャンバの内部に備えられ、シリコン溶融液が収容されるるつぼと、
前記チャンバの内部に備えられ、前記るつぼを加熱するための加熱部と、
前記シリコンから成長する単結晶インゴットに向かう前記加熱部の熱を遮蔽するために、前記るつぼの上方に位置する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の熱遮蔽体とを含む、シリコン単結晶インゴットの製造装置。
【国際調査報告】
2016530206.tif 000016
2016530206.tif 000017
2016530206.tif 000018
2016530206.tif 000019