(57)【要約】光学コンポーネントが、光学素子（２７）の変位に対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コンポーネント（１３；１４）であって、
ａ．少なくとも１つの光学素子（２７）と、
ｂ．該少なくとも１つの光学素子（２７）を変位させる少なくとも１つのアクチュエータデバイス（５０）と、
ｃ．前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響及び／又は前記位置決めの動的外乱を低減する少なくとも１つの手段と
を備えた光学コンポーネント。
【請求項２】
請求項１に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段は、前記少なくとも１つの光学素子（２７）にバイアス電位（ＶＢｉａｓ）を目標通りに印加し且つ／又は前記少なくとも１つのアクチュエータデバイス（５０）にバイアス電圧を目標通りに印加する制御デバイス（６７）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項３】
請求項２に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記制御デバイス（６７）は、前記少なくとも１つの光学素子（２７）に印加すべき前記バイアス電位（ＶＢｉａｓ）を決定するためのルックアップテーブルを有することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記制御デバイス（６７）は、少なくとも１つのセンサ（７０）を有する閉ループ制御デバイスとして具現されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段は、少なくとも１つの遮蔽要素（９１）を含むことを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項６】
請求項５に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの遮蔽要素（９１）は、格子（９２）及び／又はマスク（９３）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの遮蔽要素（９１）は、該少なくとも１つの遮蔽要素に電位を目標通りに印加する制御デバイス（９６）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項８】
少なくとも１つの光学素子（２７）を位置決めする方法であって、
ａ．請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（１３；１４）を準備するステップと、
ｂ．前記少なくとも１つの光学素子（２７）及び／又は少なくとも１つのアクチュエータデバイス（５０）及び／又は少なくとも１つの遮蔽要素（９１）に電位を印加するステップと
を含む方法。
【請求項９】
投影露光装置（１）の照明光学ユニット（４）であって、請求項１〜７のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（１３；１４）を備えた照明光学ユニット。
【請求項１０】
照明系（２）であって、
ａ．請求項９に記載の照明光学ユニット（４）と、
ｂ．放射源（３）と
を備えた照明系。
【請求項１１】
投影露光装置（１）であって、請求項９に記載の照明光学ユニット（４）を備えた投影露光装置。
【請求項１２】
微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法であって、
感光材料からなる層を少なくとも部分的に施したウェーハを準備するステップと、
結像対象構造を有するレチクル（３０）を準備するステップと、
請求項１１に記載の投影露光装置（１）を準備するステップと、
前記投影露光装置（１）を用いて、前記レチクル（３０）の少なくとも一部を前記ウェーハの前記層の領域に投影するステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学コンポーネントに関する。本発明はさらに、少なくとも１つの光学素子を位置決めする方法に関する。さらに、本発明は、投影露光装置の照明光学ユニット及び照明系、並びに上記照明光学ユニットを備えた投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法に関する。
【０００２】
独国特許出願第１０  ２０１３  ２０９  ４４２．６号及び独国特許出願第１０  ２０１３  ２１８  ７４８．３号の内容を参照により本明細書に援用する。
【背景技術】
【０００３】
例えば、特許文献１は、投影露光装置のファセットミラーであって、複数の個別に変位可能な個別ミラーを有するファセットミラーを開示している。投影露光装置の光学的品質を確保するために、変位可能な個別ミラーを非常に正確に位置決めする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／１００８５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、光学コンポーネントを改良するという目的に基づく。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、請求項１の特徴によって達成される。本発明の核心は、少なくとも１つの光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段を光学コンポーネントに設けることにある。光学コンポーネントは、特に、照明放射によって放出された電荷の影響を低減する少なくとも１つの手段を備える。
【０００７】
特に、結果として少なくとも１つの光学素子の安定性が改善される。これが、少なくとも１つの光学素子のより正確な位置決めにつながる。
【０００８】
本発明によれば、高エネルギー光子が、光学素子に接離する電荷移動をもたらすことができ、当該電荷移動は、電気機械的に作動可能に変位可能な素子の場合、その機械的励起をもたらし得ることが認識されている。換言すれば、光学素子は、照明放射の衝突によって機械的に励起及び／又は外乱を受け（disturbed）得る。
【０００９】
変位可能な光学素子は、特にミラー、特にマイクロミラー、すなわち１ｍｍ未満の辺長を有するミラーであり得る。ミラー又はマイクロミラーは、特にマルチミラー機構（マルチミラーアレイ、ＭＭＡ）の一部であり得る。ＭＭＡは、このタイプのミラーを１，０００個よりも多く、特に１０，０００個よりも多く、特に１００，０００個よりも多く備え得る。特に、ＶＵＶ放射又はＥＵＶ放射を反射するミラーが関与し得る。
【００１０】
光学コンポーネントは、特に、投影露光装置の照明光学ユニットのファセットミラー、特に視野ファセットミラーであり得る。ＶＵＶ又はＥＵＶ投影露光装置の照明光学ユニットの場合、光学コンポーネントは、減圧チャンバ内に配置されることが好ましい。投影露光装置の動作中、上記チャンバは、５０Ｐａ未満、特に２０Ｐａ未満、特に１０Ｐａ未満、特に５Ｐａ未満の圧力まで特に排気され得る。この場合、上記圧力は、チャンバ内の水素分圧を特に示す。
【００１１】
放射源からの高エネルギー光子、特にＥＵＶ光子は、プラズマ、特に水素プラズマの発生をもたらし得る。他のイオン化機構、例えば外部光電効果、特にＶＵＶ光子も同様に可能である。放射誘起自由電荷キャリアは、ミラーに蓄積してその機械的外乱をもたらし得る。
【００１２】
本発明の一態様では、少なくとも１つの光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段が、少なくとも１つの光学素子にバイアス電位を目標通りに印加する制御デバイスを備えるようにする。換言すれば、バイアス電位が光学素子に印加されて光学素子が上記電位になる。
【００１３】
これは、光学素子への放射伝達（radiation transfer）、特にプラズマ誘起電荷移動を低減する、特に最小化する、特になくすことを可能にする。バイアス電位は、特に、ミラーを通って流失する電流を低減する、特に最小化する、特になくすよう選択され得る。
【００１４】
バイアス電位は、固定的に事前規定され得る。バイアス電位は、制御可能、特に動的に制御可能、特に閉ループによって制御可能でもあり得る。
【００１５】
代替的又は付加的に、バイアス電圧をアクチュエータデバイスに目標通りに印加する制御デバイスを、少なくとも１つの光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する手段として設けることもできる。
【００１６】
本発明によれば、バイアス電圧をアクチュエータデバイスに印加することによって、光学素子の実効弾性定数を変更可能であることが認識されている。
【００１７】
本発明の一態様によれば、制御デバイスは、少なくとも１つの光学素子に印加すべきバイアス電位を決定するためのルックアップテーブルを備える。結果として制御デバイスの複雑性が単純化される。ルックアップテーブルを用いたバイアス電位の決定は、特に、複雑でない費用効果的な制御を可能にする。制御デバイスに、投影露光装置の種々の動作モードに関する複数のルックアップテーブルを設けることも可能である。例として、いずれの場合も、専用ルックアップテーブルを種々の放射源に設けることができる。ルックアップテーブルは、放射源の種々の動作モードで印加すべきバイアス電位の種々の値をそれぞれが有し得る。この場合、ルックアップテーブルは、特に、放射源の種々のパルス周波数、パルス持続時間、及び強度を有することができ、減圧可能なチャンバの種々の状態、特にその圧力、特にチャンバ内の種々のガス及びガス組成の分圧も有することができる。
【００１８】
ルックアップテーブルは、オフラインで決定され得る。ルックアップテーブルは、特に実験的に決定され得る。ルックアップテーブルは、モデルを用いて決定することもできる。特定の有利な一実施形態において、投影露光装置の動作中にルックアップテーブルを較正できるように制御デバイスを設計するようにすることもできる。
【００１９】
本発明の一態様では、制御デバイスが、少なくとも１つのセンサを備えるようにする、すなわち少なくとも１つのセンサを有する閉ループ制御デバイスとして具現されるようにする。
【００２０】
特に、ミラーを通って流失する電流を、センサによって検出することができる。センサを用いて、特に、閉ループ制御によって動的に制御可能なバイアス電位を決定することが可能である。結果として素子の安定性がさらに改善される。特に、センサを用いてバイアス電位の効果を監視し、且つ投影露光装置の動作中に印加すべきバイアス電位の正確な値を較正することが可能である。
【００２１】
本発明の一態様によれば、少なくとも１つの光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段が、補償電位を少なくとも１つの光学素子及び／又は少なくとも１つのアクチュエータデバイスに印加する少なくとも１つの制御デバイスを備えるようにすることができる。補償電位は、特にバイアス電位の一部として光学素子に直接印加することができる。これは特に、放射の影響の特に直接的で遮られない（unfiltered）動的補償を可能にする。その代替形態として又はそれに加えて、補償電位をアクチュエータデバイスに印加することもできる。この場合、アクチュエータデバイスの電気的特性及びその作動特性を、補償電位の決定時に考慮すべきである。
【００２２】
光学素子に直接印加される補償電位は、特にバイアス電位の時間依存部分であり得る。本発明の一態様によれば、光学素子及び／又はアクチュエータデバイスに作用する制御デバイスは、作用対象の光学素子における放射誘起電荷オフセットを検出するセンサデバイスを備える。光学素子の電気的等価回路の時定数が、光学素子の電気的外乱の固有時間スケールよりも大幅に短い場合、光学素子から流失する電流は実質的に抵抗性であり、すなわち外乱と協調する。この場合、電荷オフセットは、対応する補償電位の印加によって補償することができる。好ましくは、電荷オフセットを検出するセンサデバイスは、放射源のパルス周波数よりも大きなサンプリング周波数（サンプリングレート）を有する。センサデバイスのサンプリング周波数は、特に、放射源のパルス周波数の少なくとも２倍の大きさ、特に少なくとも５倍の大きさ、特に少なくとも１０倍の大きさである。したがって、補償電位は、実質的に無視できる程度の遅延を伴って発生させて光学素子に印加することができる。
【００２３】
本発明のさらに別の態様によれば、少なくとも１つの光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段は、少なくとも１つの遮蔽要素を備える。
【００２４】
遮蔽要素は、光学素子の上流のビーム経路に配置されることが好ましい。換言すれば、遮蔽要素は、放射源と光学素子との間の領域でビーム経路に配置される。遮蔽要素は、特に静電遮蔽に役立つ。遮蔽要素は、電気力学的遮蔽ももたらす。遮蔽要素は、特に格子及び／又はマスク、特に金属シートを含む。
【００２５】
遮蔽要素は、導電性材料からなることが好ましい。遮蔽要素は、特に金属からなり得る。光学素子の領域では、遮蔽要素は放射に対して実質的に透過性である。遮蔽要素は、特に光学素子を遮るとしても無視できる程度でしかないように設計及び／又は配置される。遮蔽要素は、特に格子として設計される。この場合、格子寸法は、光学素子の寸法に適合される。格子ウェブは、特に隣接するマイクロミラー間の距離に適合される。格子ウェブは、特に隣接するマイクロミラー間の距離よりも小さな厚さを有する。格子ウェブの厚さは、光学コンポーネントの隣接するミラー間の距離の、特に最大でも半分の大きさ、特に最大でも０．２倍の大きさ、特に最大でも０．１倍の大きさである。
【００２６】
隣接する格子ウェブ間の距離は、特にミラーの寸法に対応し、当然ながら、隣接するミラー間の距離を考慮すべきである。
【００２７】
格子は、専ら平行な格子バーを有する単純な格子であり得る。交差格子バー、特に相互に対して垂直な向きの格子バーを有する格子も含むことができる。格子構造は、特にマイクロミラーの配置に適合され得る。特に、格子構造が個々のマイクロミラー間の空間の配置に正確に対応することが可能である。
【００２８】
光軸の方向の投影図において光学コンポーネントの光学素子全体の外側にある領域では、遮蔽要素を平面状に、すなわち閉鎖状に具現することができる。遮蔽要素は、上記領域で特にマスクとして、特に遮蔽板として具現することができる。
【００２９】
本発明の一態様によれば、少なくとも１つの遮蔽要素は、電位を当該少なくとも１つの遮蔽要素に印加する制御デバイスを備える。結果として、遮蔽要素による、特に格子による遮蔽をさらに改善することができる。
【００３０】
遮蔽要素は、特に光学素子から光学素子の辺長又は直径に少なくとも等しい距離に配置される。
【００３１】
遮蔽要素は、光学コンポーネントの残りの部分から、特に光学素子及び／又はアクチュエータデバイスから電気的に絶縁されることが好ましい。
【００３２】
本発明のさらに別の目的は、光学素子を位置決めする方法を改良することである。
【００３３】
この目的は、請求項８の特徴によって達成される。本方法は、特に、変位可能な光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減する方法である。本発明による方法は、特に、変位可能な光学素子の位置決めの安定性及び精度を改善する。
【００３４】
基本的な利点は、光学コンポーネントの上記説明から明らかである。変位可能な光学素子の位置決めに対する放射の影響を低減するために、特に、バイアス電位又は補償電位を少なくとも１つの光学素子及び／又は少なくとも１つのアクチュエータデバイス及び／又は少なくとも１つの遮蔽要素に印加するようにする。これは、定電位又は時間依存電位であり得る。電位は、特に放射源のダイナミックレンジに、特にそのパルス周波数に適合させることができる。
【００３５】
本発明のさらに他の目的は、投影露光装置の照明光学ユニット及び照明系と、このタイプの照明光学ユニットを備えた投影露光装置を改良することである。
【００３６】
これらの目的は、請求項９〜１１の特徴によって達成される。
【００３７】
利点は、光学コンポーネントの上記利点から明らかである。
【００３８】
本発明による光学コンポーネントの利点は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の使用放射を発生させるＥＵＶ放射源と、２００ｎｍ未満の範囲の使用放射を有するＶＵＶ放射源とを備えた照明系を用いれば特に明確になる。
【００３９】
本発明のさらに別の目的は、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法を改良することである。
【００４０】
この目的は、請求項１２の特徴によって達成される。
【００４１】
利点は、上述したものから明らかである。
【００４２】
本発明のさらなる詳細及び利点は、図面を参照した例示的な実施形態の説明から明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】照明光学ユニット及び投影光学ユニットを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置を子午断面で概略的に示す。
【図２】図１に示す照明光学ユニットのファセットミラーの１つの実施形態の２つの相互に隣接した個別ミラーを側断面図で概略的に示し、図２の左側に示す個別ミラーを非傾斜中立位置で示し、図２の右側に示す個別ミラーをアクチュエータが傾斜させた位置で示す。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに従った断面を示し、線ＩＩ−ＩＩは図２の断面の方向を示す。
【図４】図２に示す個別ミラーの概略図を、接触構造を強調して示す。
【図５】図２に示す個別ミラーの概略図を示し、バイアス電位を個別ミラーに印加する制御デバイスを概略的に示す。
【図６】印加すべきバイアス電位を最適化する方法の概略図を示す。
【図７】印加すべき動的バイアス電位のオフライン決定の方法の概略図を示す。
【図８】バイアス電位を印加する方法の概略図を示す。
【図９】バイアス電位のリアルタイム適合の方法の概略図を示す。
【図１０】遮蔽要素を備えたファセットミラーの図を示す。
【図１１】図１０に示すファセットミラーの平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
図１は、マイクロリソグラフィ投影露光装置１を子午断面で概略的に示す。投影露光装置１の照明系２は、放射源３のほかに、物体平面６の物体視野５を露光する照明光学ユニット４を有する。物体視野５は、例えば１３／１のｘ／ｙアスペクト比で矩形状又は円弧状に作られ得る。この場合、物体視野５に配置された反射レチクル（図１には図示せず）が露光され、上記レチクルは、微細構造又はナノ構造半導体コンポーネントの製造のために投影露光装置１によって投影される構造を有する。投影光学ユニット７は、物体視野５を像平面９の像視野８に結像する役割を果たす。レチクル上の構造は、像平面９の像視野８の領域に配置されたウェーハの感光層に結像されるが、上記ウェーハは図示されていない。
【００４５】
レチクルホルダ（図示せず）によって保持されたレチクルと、ウェーハホルダ（図示せず）によって保持されたウェーハとは、投影露光装置１の動作中にｙ方向に同期走査される。投影光学ユニット７の結像スケールに応じて、レチクルをウェーハに対して逆方向に走査することも可能である。
【００４６】
放射源３は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の使用放射を放出するＥＵＶ放射源である。これは、プラズマ源、例えばＧＤＰＰ源（ガス放電生成プラズマ）又はＬＰＰ源（レーザ生成プラズマ）を含み得る。他のＥＵＶ放射源、例えばシンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものも可能である。
【００４７】
特に２００ｎｍ未満の波長を有する放射を発生させるＶＵＶ放射源を含むこともできる。
【００４８】
放射源３から出るＥＵＶ放射１０は、コレクタ１１によって集光される。対応のコレクタは、例えば欧州特許第１  ２２５  ４８１号明細書から既知である。コレクタ１１の下流で、ＥＵＶ放射１０は、中間焦点面１２を伝播した後に視野ファセットミラー１３に当たる。視野ファセットミラー１３は、物体平面６に対して光学的に共役である照明光学ユニット４の平面に配置される。
【００４９】
ＥＵＶ放射１０は、以下において使用放射、照明光、又は結像光とも称する。使用放射は、特に２００ｎｍ未満の波長を有するＶＵＶ放射でもあり得る。
【００５０】
視野ファセットミラー１３の下流で、ＥＵＶ放射１０は瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学ユニット７の入射瞳平面に、又はそれに対して光学的に共役な平面にある。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、以下でさらにより詳細に説明する複数の個別ミラーから構成される。この場合、個別ミラーへの視野ファセットミラー１３の細分は、単独で物体視野５の全体を照明する視野ファセットのそれぞれが、個別ミラー１つずつによって表されるようなものであり得る。代替的に、視野ファセットの少なくとも一部又は全部を複数のこのような個別ミラーによって構成することが可能である。同じことが、視野ファセットにそれぞれ割り当てられた瞳ファセットミラー１４の瞳ファセットの構成にも対応して当てはまり、瞳ファセットは、いずれの場合も単一の個別ミラー又は複数のこのような個別ミラーによって形成され得る。
【００５１】
ＥＵＶ放射１０は、２つのファセットミラー１３、１４に２５°以下の入射角で当たる。したがって、ＥＵＶ放射１０は、垂直入射動作の範囲で２つのファセットミラーに照射される。斜入射での照射も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の瞳平面を構成するか又は投影光学ユニット７の瞳平面に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射１０のビーム経路の順に示すミラー１６、１７、及び１８を有する伝達光学ユニット１５の形態の結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットは、相互に重畳して物体視野５に結像される。伝達光学ユニット１５の最終ミラー１８は、斜入射用ミラー（「斜入射ミラー」）である。伝達光学ユニット１５は、瞳ファセットミラー１４と共に、視野ファセットミラー１３からのＥＵＶ放射１０を物体視野５へ伝達する後続光学ユニットとも称する。照明光１０は、複数の照明チャネルによって放射源３から物体視野５へ誘導される。上記照明チャネルのそれぞれに、視野ファセットミラー１３の視野ファセット及びその下流に配置された瞳ファセットミラー１４の瞳ファセットが割り当てられる。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個別ミラーは、アクチュエータシステムによって傾斜可能とすることができ、その結果として、視野ファセットへの瞳ファセットの割り当ての変化と、それに従って変化した照明チャネルの構成とが達成され得る。これにより、物体視野５にわたる照明光１０の照明角度の分布が異なる種々の照明設定が得られる。
【００５２】
位置関係の説明を容易にするために、特にグローバル直交ｘｙｚ座標系を以下で用いる。ｘ軸は、図１において図平面に対して垂直に観察者の方へ延びる。ｙ軸は、図１において右側へ延びる。ｚ軸は、図１において上方へ延びる。
【００５３】
視野ファセットミラー１３の個別ミラーの対応する傾斜と、瞳ファセットミラー１４の個別ミラーヘの視野ファセットミラー１３の上記個別ミラーの割り当ての対応する変化とによって、種々の照明設定が達成され得る。視野ファセットミラー１３の個別ミラーの傾斜に応じて、必要であれば、物体視野５への視野ファセットミラー１３の視野ファセットの結像が再度確保されるような傾斜によって、上記個別ファセットミラーに新たに割り当てられた瞳ファセットミラー１４の個別ミラーが追跡される。
【００５４】
マルチミラー又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態の視野ファセットミラー１３は、使用放射１０、すなわちＥＵＶ放射ビームを誘導する光学アセンブリを形成する。視野ファセットミラー１３は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として具現される。これは、行列状の配列で配置された複数の個別ミラー２７を有する。個別ミラー２７は、以下でも説明するように、アクチュエータシステムによって傾斜可能であるように設計される。概して、視野ファセットミラー１３は、約１００，０００個の個別ミラー２７を有する。個別ミラー２７のサイズに応じて、視野ファセットミラー１３は、例えば１，０００個、５，０００個、７，０００個、又は数十万個の個別ミラー２７、特に少なくとも１００，０００個の個別ミラー２７、特に少なくとも３００，０００個の個別ミラー２７、特に少なくとも５００，０００個の個別ミラー２７を有することもできる。
【００５５】
スペクトルフィルタを、視野ファセットミラー１３の下流に、すなわち放射源３と視野ファセットミラー１３との間に配置することができ、上記スペクトルフィルタは、使用放射１０を放射源３の放射のうち投影露光に使用不可能な他の波長成分から分離する。スペクトルフィルタは図示されていない。
【００５６】
８４０Ｗのパワー及び６．５ｋＷ／ｍ２のパワー密度を有する使用放射１０が、視野ファセットミラー１３に照射される。概して、他のパワー及びパワー密度も可能である。パワー密度は、少なくとも５００Ｗ／ｍ２、特に少なくとも１ｋＷ／ｍ２、特に少なくとも５ｋＷ／ｍ２、特に少なくとも１０ｋＷ／ｍ２、特に少なくとも６０ｋＷ／ｍ２である。
【００５７】
ファセットミラー１３の個別ミラーアレイの全体は、直径５００ｍｍであり、個別ミラー２７が密集した設計である。個別ミラー２７は、視野ファセットがいずれの場合も１つのミラー素子のみによって実現される限り、倍率は別として、物体視野５の形態を表す。ファセットミラー１３は、それぞれが視野ファセットを表すと共にｙ方向に約５ｍｍ及びｘ方向に１００ｍｍの寸法を有する５００個の個別ミラー２７から形成され得る。１つの個別ミラー２７による各視野ファセットの実現の代替として、視野ファセットのそれぞれを、より小さな個別ミラー２７の群によって近似させることができる。ｙ方向に５ｍｍ及びｘ方向に１００ｍｍの寸法を有する視野ファセットを構成できるのは、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有する個別ミラー２７の１×２０アレイから、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する個別ミラー２７の１０×２００アレイまでである。個別ミラー２７による完全な視野ファセットアレイの面積被覆率は、少なくとも７０％、特に少なくとも８０％、特に少なくとも９０％であり得る。
【００５８】
使用光１０は、ファセットミラー１３の個別ミラー２７から瞳ファセットミラー１４へ反射される。瞳ファセットミラー１４は、約２，０００個の静的瞳ファセットを有する。瞳ファセットは、相互に並んだ複数の同心リング状に配置され、最も内側のリングの瞳ファセットが扇形に構成され、それに直接隣接するリングの瞳ファセットが円環扇形（ring-sector-shaped）に構成される。瞳ファセットミラー１４の四分円において、瞳ファセットは、リングのそれぞれで相互に並んで存在し得る。瞳ファセットは、いずれの場合も単純に接続されて具現され得る。これから逸脱した瞳ファセットの配置も同様に可能である。瞳ファセットも、複数の個別ミラー２７から形成することができる。
【００５９】
使用光１０は、瞳ファセットから物体平面６に配置された反射レチクル３０へ反射される。後述するように、投影光学ユニット７がそれに続く。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個別ミラー２７は、使用放射１０の波長での反射率を最適化するための多層コーティングを有する。多層コーティングの温度は、投影露光装置１の動作中に４２５Ｋを超えるべきではない。
【００６０】
個別ミラーの構成を、図２及び図３を参照して例として説明する。個別ミラー２７の構成及びその変位性のさらなる詳細については、国際公開第２０１０／０４９０７６号を参照されたい。当該文献は、その全範囲内で本明細書にその一部として援用される。
【００６１】
照明光学ユニット４の個別ミラー２７は、減圧可能チャンバ３２に収容され、その境界壁３３を図２に示す。チャンバ３２は、流体ライン２６を介して真空ポンプ３１と連通し、流体ライン２６に遮断弁２８が収容される。
【００６２】
減圧可能チャンバ３２内の作動圧力は数Ｐａ（Ｈ２分圧）である。水素分圧は、特に最高５０Ｐａ、特に最高２０Ｐａ、特に最高１０Ｐａ、特に最高５Ｐａである。他の分圧は全て、明確に１×１０−７ｍｂａｒ未満である。チャンバ３２は、特に高真空又は超高真空に排気され得る。
【００６３】
複数の個別ミラー２７を有するミラーは、減圧可能チャンバ３２と共に、ＥＵＶ放射１０のビームを誘導する光学コンポーネントの一部である。個別ミラー２７は、ファセットミラー１３、１４の一方の一部であり得る。
【００６４】
個別ミラー２７のそれぞれが、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法又は５ｍｍ×５ｍｍ以上の寸法を有する衝突可能な（impingable）反射面３４を有し得る。反射面３４は、個別ミラー２７のミラー本体３５の一部である。ミラー本体３５は、多層コーティングを有する。個別ミラー２７又はその反射面３４は、他の寸法を有することもできる。これらは、特に２次元領域が傾斜可能であるタイルとして具現される。これらは、特に三角形、四辺形、特に正方形、又は多角形として具現される。それらの辺長は、特に、最大１０ｍｍ、特に最大５ｍｍ、特に最大３ｍｍ、特に最大１ｍｍ、特に最大０．５ｍｍ、特に最大０．３ｍｍ、特に最大０．１、の寸法を有する。したがって、特にマイクロミラーが含まれ得る。マイクロミラーは、特にマイクロメートル範囲の寸法を有するミラーを意味すると理解されたい。
【００６５】
個別ミラー２７の反射面３４は、相互に補い合って視野ファセットミラー１３の全ミラー反射面を形成する。これに対応して、反射面３４は、相互に補い合って瞳ファセットミラー１４の全ミラー反射面も形成し得る。
【００６６】
個別ミラー２７の担持構造３６又は基板が、熱伝導部３７を介してミラー本体３５に機械的に接続される（図２参照）。熱伝導部３７の一部は、ミラー本体３５を担持構造３６に対して傾斜させることを可能にする屈曲体３８である。屈曲体３８は、ミラー本体３５が規定の傾斜自由度で、例えば約１つ又は約２つの傾斜軸に関して傾斜することを可能にするフレクシャとして具現され得る。屈曲体３８は、担持構造３６に固定された外側保持リング３９を有する。さらに、屈曲体３８は、保持リング３９に関節式に接続された内側保持体４０を有する。当該保持体は、反射面３４の中央の下に配置される。スペーサ４１が、中央保持体４０とミラー本体３５との間に配置される。
【００６７】
担持構造３６は、能動冷却流体を通す冷却チャネルを有する。担持構造３６、特にそのサーマルバジェットのさらなる詳細については、国際公開第２０１０／０４９０７６号を再度参照されたい。屈曲体３８の代替的な実施形態は、特に国際公開第２０１０／０４９０７６号から既知である。
【００６８】
保持体４０のうちスペーサ４１に面しない側には、より小さな外径でスペーサ４１に続くアクチュエータピン４３が上記保持体に取り付けられる。
【００６９】
担持構造３６は、アクチュエータピン４３を囲むスリーブとして構成される。担持構造３６は、例えば、図２に示す個別ミラー２７のタイプの個別ミラー２７のアレイ全体を配置したシリコンウェーハであり得る。
【００７０】
個別ミラー２７は、複数の電磁的に、特に静電的に動作するアクチュエータを有するアクチュエータデバイス５０によってそれぞれが変位可能、すなわち位置決め可能である。アクチュエータは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）としてバッチプロセスで製造され得る。詳細については、国際公開第２０１０／０４９０７６号を再度参照されたい。
【００７１】
ミラー本体３５上の反射面３４の面積の和は、視野ファセットミラー１３の全反射表面積が占める全表面積の０．５倍よりも大きい。この場合、全表面積は、反射面３４の面積と反射面３４間の空間が占める面積との和として定義される。一方では、ミラー本体の反射面の面積の和の、上記全表面積に対する比は、集積密度とも称する。この集積密度は、０．６よりも大きく、特に０．７よりも大きく、特に０．８よりも大きく、特に０．９よりも大きくすることもできる。
【００７２】
微細構造及び／又はナノ構造コンポーネント、特に半導体コンポーネント、例えばマイクロチップをリソグラフィで製造するために、投影露光装置１を用いて、レチクル３０の少なくとも一部がウェーハ上の感光層の領域に結像される。スキャナ又はステッパとしての投影露光装置１の実施形態に応じて、レチクル３０及びウェーハを、スキャナ動作でｙ方向に連続して、又はステッパ動作で段階的に、時間的に動機して移動させる。
【００７３】
図２に示す光学コンポーネントは、高真空又は超高真空で動作させることが好ましい。この場合、プラズマ４５、特に水素プラズマが、個別ミラー２７の上流、特に反射面３４を有するミラー本体３５の上流の領域で形成され得る。プラズマ４５は、特に使用放射１０の高エネルギー光子によって発生させることができる。したがって、プラズマ４５の特性は、特に放射源３の特性、特にその動作モード、特にそのパルス周波数及び／又はパルス持続時間及び／又は強度と、チャンバ３２内の雰囲気とに応じて変わる。
【００７４】
３つの電極６２、６３、６４が、担持構造３６のスリーブに組み込まれ、これらの電極は、相互に電気的に絶縁されて、いずれの場合もアクチュエータピン４３の中心５９の周りで円周方向に１２０°に満たない程度（approximately just less than 120°）に延びるように配置される。電極６２〜６４は、電極ピンとして具現されるアクチュエータピン４３に対する対向電極を構成する。電極６２、６３、６４は、アクチュエータデバイス５０の一部である。
【００７５】
アクチュエータピン４３は、中空円筒として具現され得る。アクチュエータデバイス５０のさらに別の実施形態では、３つの電極６２〜６４の代わりに２つ、４つ、又はそれ以上の数の電極もあり得る。電極６２〜６４は、アクチュエータピン４３上の対応電極６２’〜６４’とそれぞれ相互作用し得る。
【００７６】
図２の右側では、個別ミラー２７を、対向電極６４がアクチュエータピン４３の負電位Ｖ−に対して正電位Ｖ＋で接続される傾斜位置で示す。この電位差Ｖ＋／Ｖ−により、アクチュエータピン４３の自由端を対向電極６４へ引き寄せる力ＦＥが生じ、これが個別ミラー２７の対応の傾斜につながる。この場合、弾性懸架が個別ミラー２７の柔軟な制御された傾斜をもたらす。さらに、この弾性懸架は、弾性懸架の平面内の並進運動に対する個別ミラー２７の高い剛性をもたらし、これは高い面内剛性とも称する。この高い剛性は、アクチュエータピン４３の、すなわち電極ピンの電極６２〜６４へ向かう方向の望ましくない並進運動を完全に又はほぼ抑制する。アクチュエータピン４３の、したがってミラー本体３５の可能傾斜角範囲の望ましくない減少が、このようにして回避される。
【００７７】
アクチュエータピン４３の関連電極６２’〜６４’の電位に関する対向電極６２〜６４の相対電位の選択に応じて、個別ミラー２７を所定の傾斜角で傾斜させることができる。この場合、３つの対向電極６２〜６４の１つへ正確に向かうアクチュエータピン４３の傾きに対応する傾斜角だけでなく、対向電極６２〜６４の所定の電位の組み合わせに応じて、任意の他の傾斜角の向きが可能である。
【００７８】
光学コンポーネントを製造する方法、アクチュエータデバイス５０及びアクチュエータデバイス５０を駆動する関連の電子回路、並びに当該電子回路の、特に対応の制御デバイスの構造的詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号を再度参照されたい。アクチュエータデバイス５０用の制御デバイスは、図２には概略的に示すにすぎない１つ又は複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）６０に特に組み込まれる。アクチュエータデバイス５０、特に電極６２〜６４及び６２’〜６４’用の接点構造の、特に電気接続６５の例示的な図は、図４に再現されている。これは、接点構造が絶縁層６６によって担持構造３６から電気的に絶縁されていることも概略的に示す。
【００７９】
マルチミラーアレイ（ＭＭＡ）として具現されたファセットミラー１３、１４のさらなる詳細を以下で説明する。
【００８０】
マルチミラー装置（ＭＭＡ）は、特にリソグラフィ法ステップ、例えばエッチング、蒸着、ボンディング、又は成形等を用いた一連の微小電気機械構造化ステップ（ＭＥＭＳ）によって製造される。これは、加工後に相互に結合された複数の個別ウェーハから特に製造される。
【００８１】
マイクロミラーとして具現された個別ミラー２７は、微細な曲げ構造に懸架される。曲げ構造は、薄型シリコンウェーハから又は金属膜等から切り抜かれるか又はエッチング除去され得る。曲げ構造は、特に２次元で、すなわち膜状に、又は梁型又はカルダン型に具現され得る。
【００８２】
アクチュエータは、静電的又は電気機械的であることが好ましい。しかしながら、その代替形態も同様に可能である。
【００８３】
個別ミラー２７は、任意の半径方向に少なくとも８０ｍｒａｄ、特に少なくとも１００ｍｒａｄ枢動させることができる。
【００８４】
マルチミラーアレイ（ＭＭＡ）の個別ミラー２７の数は、１個〜１，０００，０００個の範囲である。原理上、それよりも多くの数とすることもできる。原理上、要件に応じて自由に数を選択できる。ファセットミラー１３、１４の個別ミラー２７の総数は、特に数百万個になり得る。
【００８５】
電気接続、特に回路は、以下のように製造することができる。水平に延びる電気接続、すなわちウェーハ表面と平行な方向に延びる電気接続が、薄い金属層として個別ウェーハの表面に施され得る。この目的で印刷又は蒸着が行われ得る。鉛直方向の電気接続、すなわちウェーハ、例えば担持構造３６を貫通して延びる接続は、チャネルをエッチングし且つ／又はチャネルを開いて金属を充填することによって、例えばいわゆるシリコンめっき貫通孔として作製され得る。この目的でもＭＥＭＳ法を行うことができる。
【００８６】
アクチュエータデバイス５０の制御用の、特に閉ループ制御用の電子制御デバイス６７が、光学コンポーネントの裏側、すなわち個別ミラー２７の反射面３４に対してその反対側に配置される。制御デバイス６７は、特にすでに述べたＡＳＩＣ６０を備える。制御デバイス６７は、電気接続６５を介して個別ミラー２７それぞれの又はアクチュエータデバイス５０の電極６２〜６４、６２’〜６４’に導電接続される。制御デバイス６７は、埋め込み式に、特に微細に具現された集積回路（ＩＣ）として、又は別個の外部コンポーネントとして具現され得る。マルチミラーアレイ間の、特にアクチュエータデバイス５０と制御デバイス６７との間の電気接続の形成の仕方の詳細については、国際公開第２０１０／０４９０７６号を再度参照されたい。
【００８７】
光学コンポーネントは、特に減圧したチャンバ３２で作動される。チャンバ３２内の残留ガスは、投影露光装置１の動作中、特に照明系２の動作中に最高５０Ｐａ、特に最高３０Ｐａ、特に最高１０Ｐａ、好ましくは最高５Ｐａの分圧を有する。ガスは、特に水素、ヘリウム、又はアルゴンであり得る。原理上、他のガスも可能である。
【００８８】
アクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’の表面は、荷電プラズマ４５から遮蔽すべきである。これは、第１に、プラズマ４５とアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’との間に配置されたミラー本体３５によって達成される。さらに、図５に概略的に示すように、特定の遮蔽要素が、ミラー本体３５とアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’との間の領域に配置され得る。この機能も同様に、保持要素４０の対応の実施形態によって果たされ得る。遮蔽要素６８は、膜状、網状、又は格子状に具現することができる。網状又は格子状の実施形態の場合、自由幅は最大１０μｍである。個別ミラー２７を相互距離ｄｍが１０μｍ未満、特に５μｍ未満であるように配置することも可能である。この場合、原理上、ミラー本体３５とアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’との間の遮蔽要素６８を省くことが可能である。
【００８９】
さらに、迷光がアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’の表面に入射しないことを確実にする措置を取ることができることが好ましい。電子制御デバイス６７は、アクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’を有するアクチュエータデバイス５０を制御するのに特に役立つ。電子制御デバイス６７は、開ループ制御デバイス又は閉ループ制御デバイスとして具現され得る。閉ループ制御デバイスの場合、電子制御デバイス６７は、局所及び／又は外部監視システム、すなわちセンサデバイスを備え、これによって個別ミラー２７のそれぞれの変位状態、特に傾斜を監視することができる。
【００９０】
さらに、いわゆるバイアス電位ＶＢｉａｓが、制御デバイス６７によってミラー本体３５自体に印加され得る。この目的で必要な供給リード線は、担持構造３６及び屈曲体３８に組み込むことができる。バイアス電位ＶＢｉａｓは、特に−１０Ｖ〜＋１０Ｖの範囲の定電位であり得る。バイアス電位ＶＢｉａｓは、特に数ｍＶ以上の精度で設定できる。電圧源６９、特に制御可能な電圧源６９が、バイアス電位ＶＢｉａｓを個別ミラー２７のミラー本体３５に印加するために設けられる。電圧源６９は、放射源３のパルス周波数の逆数よりも短い時定数、特に応答時間を有する。
【００９１】
個別ミラー２７のミラー本体３５に電位を印加することによって、プラズマ４５からの電荷がミラー本体３５に移動するのを防止することが可能である。プラズマ４５からミラー本体３５への電荷移動は、当該ミラー本体へのバイアス電位ＶＢｉａｓの印加によって少なくとも低減することができる。特に、プラズマ４５から個別ミラー２７のミラー本体３５への電荷移動が最小化されるようにバイアス電位ＶＢｉａｓの正確な値を選択及び設定することが可能である。バイアス電位ＶＢｉａｓは、ミラー表面から周囲への電荷の損失を補償するようにも働くことができ、上記損失は、光電効果に起因して生じるものである。この目的で、バイアス電位ＶＢｉａｓを、動作条件に、特に放射源３の動作条件、特にそのパルス持続時間、パルス周波数、及び強度と、チャンバ３２内の雰囲気とに適合させることができる。制御デバイス６７は、この目的でルックアップテーブルを有することが有利である。バイアス電位ＶＢｉａｓを設定する方法は、さらにより詳細に後述する。
【００９２】
図５に示す実施形態によれば、さらに、センサデバイス７０が設けられ、プラズマ４５から個別ミラー２７を通って流失する電流をこれによって検出可能である。電流は、プラズマ４５からミラー本体３５への電荷移動によって発生するミラー電位であるＶＭｉｒｒｏｒ、及びミラー２７と制御デバイス６７又は接地との間の内部電気抵抗に応じて変わる。プラズマ４５からミラー２７を通る電流の流れは、電圧源６９を介して制御デバイス６７によってミラー２７に印加すべきバイアス電圧ＶＢｉａｓを適切に設定することによって、低減する、特に最小化する、特になくすことができる。
【００９３】
センサデバイス７０は、ナノアンペア範囲の分解能で、照明系２の動作中に生じるいかなるミラー電位ＶＭｉｒｒｏｒでもミラー２７を通ってそれぞれ流失する電流を検出できるように設計されることが好ましい。
【００９４】
センサシステムを単純化するために、複数の個別ミラー２７を単一のセンサデバイス７０と共に設けることも可能である。この場合、センサデバイス７０は、ミラー２７を通って流失する電流の平均値又は和又は個々の値を検出できる。センサデバイス７０は、例えば、２個、３個、４個、６個、９個、又はそれ以上の数の個別ミラー２７に接続され得る。
【００９５】
センサデバイス７０による電流測定は、特に既知の抵抗における電圧降下を用いて行うことができる。抵抗は、特にＭＭＡ構造に組み込むことができる。抵抗は、例えば回路接続を有する抵抗膜として具現され得る。抵抗は、ミラー２７のコーティングのできる限り近くに、特に上記コーティングに組み込むことができることが好ましい。さらなる加工のために、電圧降下を読み出して電流値に変換することができる。
【００９６】
センサデバイス７０は、電気的インタフェース７１にデータ転送式に接続され得る。電気的インタフェース７１に関しては、これは第１に制御デバイス６７に、第２に外部開ループ又は閉ループ制御デバイス７２にデータ転送式に接続され得る。外部制御デバイス７２は、ソフトウェアコンポーネント又はハードウェアコンポーネントを備え得る。
【００９７】
個別ミラー２７に印加すべきバイアス電位ＶＢｉａｓは、実験的に決定することができる。これは、特にオフラインで、特に照明系２の始動前に決定され得る。特に、この目的でルックアップテーブルが作成され得る。このようなルックアップテーブルを作成する方法を、図６に概略的に示す。最初に、準備ステップ（providing step）７３において、照明系２を準備する。照明系２を、特に動作に備えた状態にする。この目的で、例として、チャンバ３２を真空ポンプ３１によって少なくとも部分的に排気する。作動ステップ７４において、続いてアクチュエータデバイス５０の目標通りの起動によって個別ミラー２７を所望の位置にする、すなわち位置決めする。その後、反復測定法７５において、最初に、印加ステップ７６でバイアス電位ＶＢｉａｓを個別ミラー２７に印加し、補償ステップ７７でアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’に印加すべき電圧を適合させ、起動ステップ７８で放射源３を起動し、測定ステップ７９で個別ミラー２７を流れる電流を測定する。
【００９８】
補償ステップ７７は、印加ステップ７６においてバイアス電圧ＶＢｉａｓを個別ミラー２７に印加した後に、作動ステップ７４において設定された上記個別ミラーの位置決めを再確定するために作動電圧を適合させるよう働く。個別ミラー２７へのバイアス電圧ＶＢｉａｓの印加には、概してこのような補償が必要である。
【００９９】
測定法７５は、バイアス電圧ＶＢｉａｓの値毎に繰り返される。原理上、測定法７５は、個別ミラー２７の位置決め毎に繰り返すこともできる。さらに、測定法７５は、放射源３の動作モード毎に繰り返すことができる。
【０１００】
最適化ステップ８０において、個別ミラー２７に印加すべきバイアス電位の各条件に対する最適値ＶＢｉａｓ＊を続いて決定する。最適化ステップ８０は、補間ステップを含み得る。
【０１０１】
本発明によれば、最適化バイアス電位ＶＢｉａｓ＊は、例えば放射源３のパルス周波数に応じて変わることが分かった。最適化バイアス電位ＶＢｉａｓ＊は、特に放射源３の周波数の増加に伴い増加する。最適化バイアス電位ＶＢｉａｓ＊は、１０ｍＶ以上の精度で決定される。本発明によれば、プラズマ４５によって生じる外乱、すなわち個別ミラー２７の位置決めに対する放射の影響は、１０μｒａｄ未満の傾斜まで低減され得ることが分かった。
【０１０２】
最適化バイアス電圧ＶＢｉａｓ＊を決定する上述の較正法は、全自動で行われ得ることが好ましい。これは、特に所定の時点で独立して実行され得る。これは、特に一定の間隔で実行され得る。特に、最適化バイアス電圧ＶＢｉａｓ＊を、放射源３の、特にその強度の低速の長期変化に適合させることが可能である。有利には、較正法に必要なデバイス、特に電子デバイスがＭＭＡに組み込まれ、特に埋め込まれる。最適化バイアス電位ＶＢｉａｓ＊は、特に−１０Ｖ〜＋１０Ｖの範囲、特に−５Ｖ〜＋５Ｖの範囲にある。
【０１０３】
バイアス電位ＶＢｉａｓを個別ミラー２７に印加することによって、個別ミラー２７又はそのアクチュエータデバイス５０とその周囲、特にプラズマ４５との間の相互作用を低減する、特に最小化する、特になくすことが可能である。放射源３の起動の動的側面に対処するために、動的制御、特に時間依存的制御を提供することもできる。これは、放射源３がパルス状に作動される場合に有利である。バイアス電位ＶＢｉａｓの、又は概して個別ミラー２７の位置決めに対する放射の影響を低減する手段の動的制御が有利なのは、特にミラー２７又はアクチュエータデバイス５０の周囲の電気的特性が可変である場合、特に上記特性が放射源３の動作中に特にその２つのパルス間で変わる場合である。放射源３のスイッチオン後又は比較的長い休止後でも、動的、特に過渡的効果が生じ得る。例として、プラズマ４５の時間変化も、２つのウェーハの露光間の間隔に生じ得る。プラズマ４５のこのような時間変化を考慮に入れることができるように、個別ミラー２７を経て流失する電流をセンサデバイス７０によって測定し、且つ測定された電流から時間依存的補償電位ＶＢｉａｓ（ｔ）＝ＶＣｏｍｐを決定するようにすることができ、当該電位が個別ミラー２７に印加されると、個別ミラーを通って流失する電流が低減され、特に最小化され、特になくなる。
【０１０４】
測定された電流が、個別ミラー２７とその周囲との間の電気的相互作用のダイナミックレンジをできる限りよく再現するように、ミラー２７及びセンサデバイス７０は、対応する等価回路の固有時定数が電気的外乱の固有時間よりも大幅に短いように具現される。個別ミラー２７又はＭＭＡの透過回路の時定数は、特に１００ミリ秒未満、特に３０ミリ秒未満、特に１０ミリ秒未満、特に３ミリ秒未満、特に１ミリ秒未満、特に０．３ミリ秒未満、特に０．１ミリ秒未満、特に１０−５秒未満、特に１０−６秒未満である。
【０１０５】
図７に概略的に示すように、補償電位ＶＣｏｍｐは、オフラインで決定され得る。この場合、特に各個別ミラー２７を、図７に概略的に示すフローチャートに従って較正することができる。較正の目的で、特に、照明系２を準備して動作条件にする準備ステップ７３を再度設ける。例として、チャンバ３２を真空ポンプ３１によって再度排気することができる。その後、作動ステップ７４において再度、個別ミラー２７を変位させる、すなわち当該個別ミラーを位置決めする、すなわちアクチュエータデバイス５０の起動によって個別ミラー２７を所望の位置にするようにする。続いて、起動ステップ７８において放射源３を起動する。これに続いて、補償電位ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）を決定する。決定は、測定ステップ７９及び計算ステップ８１を含む。測定ステップ７９において、個別ミラー２７を通って流失する電流の時間プロファイルを測定することができる。計算ステップ８１において、これらの測定データから所望の補償電圧ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）の時間プロファイルを求める。後続の記憶ステップ８２において、関数ＶＢｉａｓ（ｔ）を自由形態で又はパラメータ化して記憶する。
【０１０６】
ＶＣｏｍｐは、周期関数であり得る。これは、特に放射源３と同じ周期性を有し得る。これは、より大きな周波数成分も有し得る。これは、特に放射源３のスイッチオン直後の間隔に関して過渡的成分も有し得る。これは、放射源３が定常状態に達するまでの持続時間を考慮に入れる遷移領域も有し得る。原理上、関数ＶＢｉａｓ（ｔ）は、放射源３の起動の全持続時間に関して計算することもできる。
【０１０７】
照明系の動作中の補正のために、補償電圧ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）を個別ミラー２７に印加するようにする。印加すべき補償電位に必要とされる時間依存性は、電子デバイス、例えば関数発生器、増幅器、インバータを用いて発生させることができる。デバイスは、デジタルであってもアナログであってもよい。外部電子開ループ又は閉ループ制御デバイス、又は内部電子開ループ又は閉ループデバイス、すなわちＭＭＡに組み込まれるものを、補償電位ＶＣｏｍｐの発生用及び／又は補償電位ＶＣｏｍｐの個別ミラー２７への印加用に設けることができる。
【０１０８】
図８に概略的に示すように、補償電位ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）の関数は、ストレージデバイス８３から関数発生器８４へ送られる。関数発生器８４は、同期化ユニットによって放射源３と同期される。同期化ユニット８５は、特に放射源３によってトリガされ得る。関数発生器８４が発生させた信号は、電圧増幅器８６へ送られる。電圧増幅器８６は、個別ミラー２７に導電接続される。特に、電気接続６５がこの目的で設けられる。
【０１０９】
有利な一実施形態において、制御デバイス６７は、ミラー２７を通る電流を検出すると共に補償電位ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）をリアルタイムで計算し発生させるのに十分高速である。この実施形態では、補償電位は、放射源３のパルス周波数よりも大きなクロックレートで計算される。補償電位ＶＣｏｍｐを計算するためのクロックレートは、放射源３のパルス周波数の特に少なくとも２倍の大きさ、特に少なくとも５倍の大きさ、特に少なくとも１０倍の大きさ、特に少なくとも２０倍の大きさ、特に少なくとも５０倍の大きさである。
【０１１０】
リアルタイム補正の方法の一部を、図９に概略的に示す。この場合、測定ステップ７９において、ミラー２７を通る電流を閉ループ制御ユニットによって測定する。測定値は、続いてアナログ信号８７として現れる。アナログ信号８７は、アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）８８へ転送され、続いてデジタルリアルタイムサンプル８９として現れる。計算ステップ８１において、必要な補償電位ＶＣｏｍｐ＝ＶＢｉａｓ（ｔ）を上記サンプル８９から決定することができる。決定は、特にソフトウェアベースで行うことができる。このようにして決定された補正値は、デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）９０へ転送される。デジタル−アナログ変換器９０は、リアルタイムでアナログ信号ＶＢｉａｓ（ｔ）を発生させ、当該信号を電圧増幅器８６へ転送し、そこから信号がさらにミラー２７へ転送される。
【０１１１】
それに加えて、アクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’に印加されるアクチュエータ電圧を適合させることができる。これは、特に補償電位ＶＣｏｍｐの平均値がゼロに等しくない場合に有利であり得る。アクチュエータ電圧は、ミラー２７とアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’の間の電圧差がミラー２７への印加による影響を受けるのではなく、経時的に一定のままであるよう適合され得る。
【０１１２】
個別ミラー２７の位置決めに対する放射の影響を低減する手段のさらに別の実施形態を、図１０及び図１１を参照して以下で説明する。
【０１１３】
複数の個別ミラー２７を備えたマルチミラーアレイ（ＭＭＡ）の基本構成は、図２に示す例示的な実施形態に対応し、その説明をここで参照する。
【０１１４】
図１０に示す実施形態の場合、本発明による光学コンポーネントの具体例としての役割を果たすファセットミラー１３は、遮蔽要素９１を備える。遮蔽要素９１は、格子を備える。格子９２は、金属シート９３の形態のマスクによって縁辺を囲まれ得る。格子９２は、個別ミラー２７及びその下の電子回路、特にＡＳＩＣ６０を静電的に遮蔽するのに役立つ。
【０１１５】
格子９２は、導電性材料からなる。格子２９を囲む金属シート９３も、導電性材料からなる。
【０１１６】
格子９２は、個別ミラー２７の実施形態及び相互に対するその配置に幾何学的に適合される。個々の格子ウェブは、個別ミラー２７の辺長ｌに２つの隣接する個別ミラー２７間の距離ｄｍを足して格子ウェブの厚さｄｇを引いたものに相当する幅ｗを有するメッシュを特に形成する。
【０１１７】
格子９２は、個別ミラー２７から一定距離に配置される。格子９２は、放射源３と、特にプラズマ４５と個別ミラー２７との間の領域に特に配置される。格子９２は、個別ミラー２７の上流の距離ｈに配置される。この場合、以下が当てはまる：ｈ≧ｌ＋ｄｍ。格子９２の個別ミラー２７に対する配置は、特に、その像がミラー１３上の光軸の方向の標準投影図の場合に個別ミラー２７間の領域に入射するようなものである（図１１参照）。格子ウェブの厚さｄｇは、特に２つの隣接する個別ミラー２７間の距離ｄｍよりも小さい。特に以下が当てはまる：ｄｇ≦０．５ｄｍ、特にｄｇ≦０．３ｄｍ、特にｄｇ≦０．２ｄｍ、特にｄｇ≦０．１ｄｍ、特にｄｇ≦０．０５ｄｍ、特にｄｇ≦０．０３ｄｍ、特にｄｇ≦０．０２ｄｍ、特にｄｇ≦０．０１ｄｍ。
【０１１８】
格子９２は、個別ミラー２７を有するマルチミラーアレイ（ＭＭＡ）に対してスペーサ９４によって保持される。スペーサ９４は、２つの隣接する個別ミラー２７間の距離ｄｍよりも小さな直径ｄａを有する。特に以下が当てはまる：ｄａ≦０．５ｄｍ。
【０１１９】
スペーサ９４は、担持構造３６に通される。スペーサ９４は、担持構造３６に、特に貫通開口に通される。スペーサ９４は、特に担持構造３６の残りの部分から電気的に絶縁される。
【０１２０】
スペーサ９４は、個別ミラー２７間の領域で担持構造３６に嵌められる。スペーサ９４は、個別ミラー２７の変位、特に傾斜に影響を及ぼさないよう設計及び配置される。
【０１２１】
格子９２は、特に放射源３からの使用放射１０が個別ミラー２７への衝突時に遮られることのないよう設計される。
【０１２２】
さらに、格子９２は、特に使用放射１０に対するその回折効果が無視できる程度であるよう設計される。
【０１２３】
スペーサ９４の少なくとも１つは、コンタクトピン９４＊として具現される。これは導電性材料からなる。コンタクトピン９４＊は、電圧源９５に導電接続される。電圧源９５に関しては、これは制御デバイス９６によって制御可能である。
【０１２４】
コンタクトピン９４＊を介して、遮蔽電位（electrical shielding potential）ＶＧｒａｔｉｎｇを格子９２に印加することができる。格子９２に印加される遮蔽電位の値は、制御デバイス９６によって制御可能である。これは、特に−１００Ｖ〜＋１００Ｖの範囲にある。これは、比較的低い、すなわち−１０Ｖよりも負側であることが好ましい。
【０１２５】
良好な結果を確保するために、遮蔽電圧の以下の値が好ましい。厚さｄｇが２０μｍで距離ｄｍが１００μｍ未満とすると、６００μｍの辺長ｌを有する個別ミラー２７では−１０Ｖよりも負側の遮蔽電圧。厚さｄｇが２０μｍで距離ｄｍが１００μｍ未満とすると、１ｍｍの辺長ｌを有する個別ミラー２７では−３０Ｖよりも負側の遮蔽電圧。１ｍｍ未満の辺長ｌを有する個別ミラーと、ｄｇが１００μｍ未満の格子９２では、最大−１００Ｖの負電位が効果的な遮蔽をもたらした。
【０１２６】
格子９２に印加すべき遮蔽電位ＶＧｒａｔｉｎｇは、照明系２の動作前に規定され得る。これは、実験的に決定することもできる。これは、特に照明系２の動作中に決定及び設定することができる。
【０１２７】
遮蔽要素９１を用いて、個別ミラー２７の位置決めの乱れにつながり得るプラズマ４５からの自由電子又はイオンが、個別ミラー２７及び／又はアクチュエータデバイス５０へ渡るのを防止することが可能である。
【０１２８】
図１０では、格子９２がメッシュ構造を有する２次元格子として具現されているが、全ての格子ウェブが相互に平行に延びる１次元格子として格子９２を具現することも可能である。
【０１２９】
図１０に示す実施形態における格子９２は、担持構造３６に接続されているが、マルチミラーアレイから独立した別個のデバイスとして具現することもできる。格子９２は、特に別個のデバイスとして、ミラー１３の上流のビーム経路に調整可能に配置することができる。
【０１３０】
個別ミラー２７の位置決めに対する放射の影響を低減するさらに別の手段は、アクチュエータデバイス５０、特にアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’にバイアス電圧を印加することにある。
【０１３１】
好ましくは、いずれの場合も２つ、３つ、又はそれ以上の数のアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’が、異なる動作をし得るよう配置及び／又は制御デバイス６７に接続される。バイアス電圧は、個別ミラー２７の位置決めに対するバイアス電圧の効果がいずれの場合も相互に補償し合うように、アクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’の少なくとも２つに対応して印加される。
【０１３２】
本発明によれば、バイアス電圧の印加によって、励起可能な機械システムの意味での、特に励起可能な振動子の意味での個別ミラー２７の実効弾性定数を減らすことが可能であることが認識されている。同様に、バイアス電圧の印加によって、個別ミラー２７の共振周波数を減らすことが可能である。換言すれば、バイアス電圧の印加は、個別ミラー２７の減衰の改善につながる。
【０１３３】
特に、印加されたバイアス電圧は一定であり得る。その振幅は、特に、個別ミラー２７を枢動させるために与えられる最大作動電圧に少なくとも等しい。
【０１３４】
バイアス電圧をアクチュエータ電極６２〜６４、６２’〜６４’に印加する目的で、制御デバイス６７は、別個の電圧源を有し得る。これは、ＤＣ電圧源であり得る。
【０１３５】
個別ミラー２７の位置決めに対する放射の影響を低減する異なる手段を、相互に組み合わせることもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月19日(2016.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コンポーネント（１３；１４）であって、
ａ．少なくとも１つの光学素子（２７）と、
ｂ．該少なくとも１つの光学素子（２７）を変位させる少なくとも1つのアクチュエータデバイス（５０）と、
ｃ．前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響及び／又は前記位置決めの動的外乱を低減する少なくとも１つの手段と、を備え、
ｄ．前記手段の動的制御が行われる、
光学コンポーネント。
【請求項２】
請求項１に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段は、前記少なくとも１つの光学素子（２７）にバイアス電位（ＶＢｉａｓ）を目標通りに印加し且つ／又は前記少なくとも１つのアクチュエータデバイス（５０）にバイアス電圧を目標通りに印加する制御デバイス（６７）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項３】
請求項２に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記制御デバイス（６７）は、前記少なくとも１つの光学素子（２７）に印加すべき前記バイアス電位（ＶＢｉａｓ）を決定するためのルックアップテーブルを有することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記制御デバイス（６７）は、少なくとも１つのセンサ（７０）を有する閉ループ制御デバイスとして具現されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの光学素子（２７）の位置決めに対する放射の影響を低減する少なくとも１つの手段は、少なくとも１つの遮蔽要素（９１）を含むことを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項６】
請求項５に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの遮蔽要素（９１）は、格子（９２）及び／又はマスク（９３）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の光学コンポーネント（１３；１４）において、前記少なくとも１つの遮蔽要素（９１）は、該少なくとも１つの遮蔽要素に電位を目標通りに印加する制御デバイス（９６）を備えることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項８】
少なくとも１つの光学素子（２７）を位置決めする方法であって、
ａ．請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（１３；１４）を準備するステップと、
ｂ．前記少なくとも１つの光学素子（２７）及び／又は少なくとも１つのアクチュエータデバイス（５０）及び／又は少なくとも１つの遮蔽要素（９１）に電位を印加するステップと、を含み、
ｃ．前記電位は時間依存性である、
方法。
【請求項９】
投影露光装置（１）の照明光学ユニット（４）であって、請求項１〜７のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（１３；１４）を備えた照明光学ユニット。
【請求項１０】
照明系（２）であって、
ａ．請求項９に記載の照明光学ユニット（４）と、
ｂ．放射源（３）と
を備えた照明系。
【請求項１１】
投影露光装置（１）であって、請求項９に記載の照明光学ユニット（４）を備えた投影露光装置。
【請求項１２】
微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法であって、
感光材料からなる層を少なくとも部分的に施したウェーハを準備するステップと、
結像対象構造を有するレチクル（３０）を準備するステップと、
請求項１１に記載の投影露光装置（１）を準備するステップと、
前記投影露光装置（１）を用いて、前記レチクル（３０）の少なくとも一部を前記ウェーハの前記層の領域に投影するステップと
を含む方法。
【国際調査報告】
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