(57)【要約】  放射を生成する目的で設けられた活性領域（２０）を有する半導体積層体（２００）と；活性領域に平行な放射出射エリア（１０）と；半導体部品を取り付けるために設けられ、かつ、放射出射エリアに対して傾斜しているかまたは面直であり、かつ、外側からの電気的接触のための少なくとも１つの接触エリア（５１）においてアクセス可能な実装側方エリア（１１）と；半導体チップ上の諸所において一体的に成形され、少なくとも一部の領域において実装側方エリアを形成する成形体（４）と；成形体上に配置され、半導体チップを少なくとも１つの接触エリアに電気接続する接触トラック（５５）と、を備えるオプトエレクトロニクス半導体部品（１）が特定される。さらに、半導体部品の製造方法が特定される。
2016515762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、
−  放射を生成する目的で設けられた活性領域（２０）を備える半導体積層体（２００）を有する半導体チップ（２）と；
−  前記活性領域に平行な放射出射面（１０）と；
−  前記半導体部品を固定するために設けられ、かつ、前記放射出射面に対して傾斜しているかまたは面直であり、かつ、外側からの電気的接触のための少なくとも１つの接触エリア（５１）にアクセス可能な個所である実装側面（１１）と；
−  前記半導体チップ上に、部分的に成形され、かつ、少なくとも一部の領域において前記実装側面を形成する成形体（４）と；
−  前記成形体上に配置され、かつ、前記半導体チップを前記少なくとも１つの接触エリアに電気接続する接触トラック（５５）と；
を備える、オプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項２】
前記半導体部品は、前記放射出射面の平面視において少なくとも１つの切欠き部（４１）を有する長方形の基本形状であり、前記少なくとも１つの接触エリアは、前記少なくとも１つの切欠き部内に配置される、請求項１に記載の半導体部品。
【請求項３】
前記少なくとも１つの切欠き部は、前記長方形の基本形状の角部に配置され、さらなる切欠き部（４２）は、さらなる角部に形成され、前記実装側面は、前記角部と前記さらなる角部との間に延び、前記半導体部品のさらなる接触エリア（５２）は、前記さらなる角部に配置される、請求項１または２に記載の半導体部品。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記半導体積層体が配置されるキャリア（２９）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項５】
前記成形体は、前記キャリアの前記半導体積層体とは反対側の後面（２９２）を少なくとも一部の領域において被覆する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項６】
前記キャリアと前記成形体とは、前記半導体部品の少なくとも１つの側面（１２）において面一に終端する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項７】
前記成形体は、前記キャリアの前記側面のすべてに隣接する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記キャリアの前記半導体積層体に対向する前面上に２つの接触部（２３，２４）を有し、前記接触部は、それぞれ、接触トラック（５５）を介して接触エリア（５１，５２）に接続され、前記接触トラックは、前記成形体の共通の主面上に延びる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項９】
前記半導体チップは、前記キャリアの前記半導体積層体に対向する前記前面上と、前記キャリアの前記半導体積層体とは反対側の前記後面上とに、それぞれ、接触部を有し、前記接触部は、それぞれ、接触トラックを介して接触エリアに接続し、前記接触トラックは、前記成形体の対向する主面上に延びる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１０】
前記成形体は、前記半導体チップにおいて生成された前記放射を反射するように設計されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項１１】
ａ）  放射を生成する目的で設けられた活性領域（２０）を備える半導体積層体（２００）をそれぞれが有する複数の半導体チップ（２）を設けるステップと；
ｂ）  成形体集合体（４０）を形成するための成形化合物で前記複数の半導体チップを局所的に封止するステップと；
ｃ）  前記半導体チップの電気的接触のために前記成形体集合体上に構造化されたコーティング（５）を形成するステップと；
ｄ）  半導体チップと、前記コーティングによって形成された少なくとも１つの接触エリア（５１）とをそれぞれが有する複数の半導体部品に、前記成形体集合体を個片化するステップであって、前記個片化された成形体の個片化中に形成される側面（１２）が前記半導体部品の実装側面（１１）を形成し、前記実装側面において、外側からの電気的接触のための前記少なくとも１つの接触エリアにアクセス可能である、個片化ステップと；
を含む、半導体チップ（１）の製造方法。
【請求項１２】
前記成形体集合体は、それぞれ、ステップｃ）前に、隣接する半導体チップ間に少なくとも１つの凹部（４８）を有し、前記少なくとも１つの凹部には、前記コーティングが設けられる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ステップｄ）における前記個片化ステップは、前記凹部を通して行なわれる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップａ）は、複数の連続的半導体チップをそれぞれが備える複数の半導体チップ集合体（３）を設けるステップを含み、前記複数の半導体チップ集合体は、ステップｂ）後に個片化される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の半導体チップ集合体は、ステップｄ）前に個片化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の半導体チップ集合体を個片化する目的で、半導体チップ集合体の隣接する半導体チップ間にトレンチ（３５）が形成され、前記トレンチには、少なくとも一部の領域において反射性材料（３６）が設けられ、
ステップｄ）における前記成形体集合体の個片化ステップは、前記トレンチに沿って行なわれる、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の半導体チップ集合体は、前記成形体集合体の個片化プロセス中に個片化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の半導体チップは、ステップａ）時に個々の半導体チップとして設けられ、前記複数の半導体チップは、ステップｂ）時に側面のすべてにおいて少なくとも局所的に封止される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
ステップｂ）前に、前記半導体チップには、前記半導体チップの放射出射面とは反対側の前記半導体チップの前記側面および／または後面に少なくとも一部の領域において反射層が設けられる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体部品が製造される、請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、オプトエレクトロニクス半導体部品およびオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤによって背面から照明を当てる液晶ディスプレイは、移動無線装置等の手持ちサイズの電子装置において使用されることが多い。かかる装置の構造上の深さを小さくすることは、従来の設計では容易に達成されることができない、ＬＥＤの構造上の高さについての要請を生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
構造上の高さが低い点で優れており、かつ、同時に電子装置の用途にとって十分な光束を提供するオプトエレクトロニクス半導体部品を特定することが目的の１つである。さらに、かかるオプトエレクトロニクス半導体部品を容易にかつ高い費用効率で製造可能な方法を特定することを意図する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
かかる目的は、特に、独立特許請求項に係るオプトエレクトロニクス半導体部品および方法のそれぞれによって達成される。従属特許請求項は、さらなる構成、および好適な点に関する。
【０００５】
少なくとも一実施形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体部品は、放射を生成する目的で設けられた活性領域を備える半導体積層体を有する半導体チップを有する。活性領域は、特に、可視、紫外線、または赤外線のスペクトル域の放射を生成する目的で設けられる。半導体積層体は、例えば、第１の導電型の第１の半導体層と、第１の導電型とは異なる第２の導電型の第２の半導体層とを有する。活性領域は、第１の半導体層と第２の半導体層との間に配置される。半導体チップの電気的接触のために、半導体チップは、有利なことに、第１の接触部および第２の接触部を有する。特に、第１の接触部は、第１の半導体層の電気的接触のために設けられ、第２の接触部は、第２の半導体層の電気的接触のために設けられる。これらの接触部は、それぞれ、第１の半導体層のおよび第２の半導体層の部分領域として形成されることができるか、または、金属層等の第１のおよび第２の半導体層に電気接続される追加層として形成されることができる。
【０００６】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体部品の放射出射面は、活性領域に平行、すなわち、活性領域の主延在面に平行である。特に、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、正確に１つの放射出射面を有する。一例として、放射出射面は、平面状に形成される。かかる文脈において「平面状」とは、放射出射面に屈曲が存在しないことを特に意味する。しかしながら、例えば、光取出し効率を向上させるために、平面状の放射出射面に構造化部（例えば、粗面化部）を設けることができる。
【０００７】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体部品は、当該半導体部品を固定するために設けられ、かつ、放射出射面に対して傾斜しているかまたは面直な実装側面を有する。特に、放射出射面は、実装側面に対して面直または略面直である。略面直とは、最大でも１０°の面直方向に対する偏差を意味するものと理解されたい。半導体部品の外側からの電気的接触のための接触エリアは、実装側面においてアクセス可能である。それにより、本オプトエレクトロニクス半導体部品を接続キャリア上に取り付ける場合（この場合、実装側面は接続キャリアに面する）、接触エリアと接続キャリアとの外側からの電気的接触が行われることができる。半導体部品は、特に、表面実装部品（表面実装装置（Surface Mounted Device；ＳＭＤ））として具現化される。
【０００８】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体部品は、半導体チップ上に部分的に成形される成形体を有する。特に、成形体は、少なくとも一部の領域において実装側面を形成する。成形体は、半導体部品のすべての側面を、特に、少なくとも一部の領域において形成する。疑義がある場合、側面は、半導体部品の、放射出射面に対して傾斜しているかまたは面直な外面であると理解されたい。換言すれば、側面、特に実装側面は、放射出射面とは反対側の後面と、当該後面とは反対側に位置する成形体の前面との間に延びる。成形体が半導体チップ上に成形される箇所では、成形体は、特に、半導体チップに直接隣接する。有利なことに、半導体部品の放射出射面には、成形体が存在しない。成形体は、特に活性領域において生成された放射に対して非透過性であるように設計される。しかしながら、成形体を、放射のために透明または少なくとも半透明に設計することもできる。
【０００９】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体部品は、接触トラックを有する。接触トラックは、半導体チップを少なくとも１つの接触エリアに電気接続する。接触トラックは、特に、成形体の前面または成形体の後面等の成形体上に配置される。
【００１０】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態では、半導体部品は、放射を生成する目的で設けられた活性領域を備える半導体積層体を有する半導体チップを有する。上記半導体部品は、活性領域に平行な放射出射面をさらに有する。さらに、上記半導体部品は、半導体部品を固定するために設けられ、かつ、放射出射面に対して傾斜しているかまたは面直な実装側面を備える。この実装側面では、外側からの電気的接触のための少なくとも１つの接触エリアにアクセス可能である。半導体部品は、半導体チップ上に部分的に成形され、かつ、少なくとも一部の領域において実装側面を形成する成形体をさらに有する。接触トラックは、成形体上に配置され、この接触トラックは、半導体チップを少なくとも１つの接触エリアに電気接続する。
【００１１】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体部品は、放射出射面の平面視において、少なくとも１つの切欠き部（indentation）を有する長方形の基本形状を有する。特に、少なくとも１つの接触エリアは、少なくとも１つの切欠き部内に配置される。少なくとも１つの切欠き部は、特に、実装側面からアクセス可能である。切欠き部は、例えば、実質的に円の一部の形状を有する。かかる切欠き部は、単純な方法で製造可能である。しかしながら、原理的には、異なる基本形状を切欠き部に用いることもできる。少なくとも１つの切欠き部は、例えば、長方形の基本形状の角部に形成されることができる。長方形の基本形状の平面視において直線的な領域には、特に、接触エリアの材料が存在しない。
【００１２】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、成形体は、さらなる切欠き部を有する。有利なことに、このさらなる切欠き部内にさらなる接触エリアが形成され、接触エリアとさらなる接触エリアとの間に印加される外側からの電圧の結果、電荷キャリアが両側の面から半導体チップの活性領域内に注入され、活性領域内で再結合し、放射が出射される。
【００１３】
一例として、さらなる切欠き部は、長方形の基本形状のさらなる角部に形成され、特に、上記角部とさらなる角部との間に実装側面が延びる。このように、半導体部品の外側からの電気的接触のための２つの接触部は、２つの角部の領域において利用可能である。また、長方形の基本形状には３つ以上の角部、特にすべての角部に切欠き部があってもよい。一例として、成形体は、実装側面とは反対側の側面上に上面切欠き部を有する。この上面切欠き部には、特に導電性のコーティングを設けてもよい。コーティングは、上面切欠き部の領域内において少なくとも１つの接触トラックから電気的に絶縁されることもできる。したがって、この場合、上面切欠き部のコーティングは、電気的接触には使用されない。そのため、実装は、実装側面上でのみ可能であり、それにより、面の混同を排除することができる。しかしながら、上面切欠き部の少なくとも１つ、特に２つの切欠き部を半導体チップに電気接続することも考えられる。その結果、特に、実装側面とは反対側の側面上で表面実装することも可能である。
【００１４】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、半導体積層体が配置されるキャリアを有する。したがって、キャリアは、半導体チップの一部である。半導体チップは、製造段階で、特に半導体チップが個片化によってウェハ集合体から取り出される以前でさえ既に、キャリアを有する。
【００１５】
構成上の１つの変形形態では、キャリアは、例えば、半導体積層体の半導体層のエピタキシャル成膜のための成長基板である。
【００１６】
構成上の代替的な変形形態では、キャリアは、成長基板とは別である。成長基板は、全面積に亘ってまたは少なくとも一部の領域において除去または薄層化されることができる。キャリアは、半導体積層体の機械的安定化のために使用され、その結果、成長基板は、機械的安定化目的にはもはや必要とされない。成長基板が除去される半導体チップは、薄膜半導体チップとも呼ばれる。かかる半導体チップは、ランベルト出射特性（Lambertian emission characteristic）を有する面発光体を、良好な近似性で構成する。一例として、半導体積層体は、接続層によってキャリアに固定される。一例として、接着層またははんだ層が接続層として適している。
【００１７】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、成形体は、キャリアの半導体積層体とは反対側の後面を、完全にまたは少なくとも一部の領域において被覆する。したがって、半導体チップは、放射出射面とは反対側の後面上において少なくとも部分的に成形体の材料で被覆される。
【００１８】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、キャリアと成形体とは、半導体部品の少なくとも１つの側面（例えば、実装側面）において面一に終端する。特に、キャリアと成形体とは、半導体部品の２つの対向する側面において面一に終端する。このように、キャリアと成形体とは共に、半導体部品の少なくとも１つの側面を形成する。したがって、キャリアの露出箇所では、半導体チップは、成形体内に埋設されていない。半導体部品の製造中に、半導体部品の側面は、個片化ステップで形成可能である。この個片化ステップでは、成形体とキャリアとは、共通のステップにおいて切断される。
【００１９】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、成形体は、キャリアのすべての側面に隣接する。特に、成形体は、実装側面、および、実装側面とは反対側の側面においてキャリアに隣接する。したがって、この場合、半導体チップは、すべての側面に沿って、少なくとも一部の領域においてまたは完全に成形体内に埋設される。
【００２０】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、キャリアの半導体積層体に対向する前面上に２つの接触部を有する。各接触部は、特に、それぞれ、接触トラックを介して半導体部品の接触エリアに接続する。接触トラックは、例えば、成形体の共通の主面上に延びる。成形体の前面および後面を主面と呼ぶ。特に、接触トラックは、成形体の前面上に延びる。接触部は、キャリア上の半導体積層体に対して横方向に形成されることができる。この場合、キャリアとは反対側の半導体積層体の放射出射面には、まったく接続材料が存在しない。これにより、活性領域において生成された放射を遮蔽するリスクを減少させることができる。代替として、接触部のうちの１つまたは両方の接触部を半導体積層体上に配置してもよい。
【００２１】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、キャリアの半導体積層体に対向する前面上と、キャリアの半導体積層体とは反対側の後面上とに、それぞれ、接触部を有する。接触部は、それぞれ、接触トラックを介して接触エリアに接続し、接触トラックは、成形体の対向する主面上に延びる。一例として、成形体は後面において接続開口部を有し、この接続開口部内で、キャリアの後面は、接触トラックを用いた電気接続のためにアクセス可能である。
【００２２】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、成形体は、半導体チップにおいて生成された放射を反射するように設計される。好ましくは、活性領域において生成された放射のピーク波長の反射性は、少なくとも６０％であり、好ましくは、少なくとも８０％である。したがって、成形体方向に出射された放射は、反射されて半導体チップ内に戻され、次いで、放射出射面を通して半導体部品から出射されることができる。
【００２３】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、半導体チップの周囲の少なくとも一部の領域（例えば、半導体チップの周囲全体）に沿って延びるくぼみ部（depression）を有する。一例として、くぼみ部は、キャリア内に延在する。
【００２４】
特に、成形体は、くぼみ部内に少なくとも一部の領域において延在する。これにより、半導体チップと成形体とを容易な方法で確実に固定して接続することができ、半導体チップと成形体との接続の機械的安定性を向上させることができる。
【００２５】
少なくとも一実施形態によれば、半導体部品の製造方法は、放射を生成する目的で設けられた活性領域を備える半導体積層体をそれぞれが有する複数の半導体チップを設けるステップを含む。
【００２６】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、成形体集合体を形成するための成形材料で半導体チップを局所的に封止するステップを含む。封止は、成形法等によって行なわれることができ、用語「成形法」は、成形化合物を設ける方法を意味し、特に、射出成形法、トランスファー成形法、および圧縮成形法を包含する。
【００２７】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、半導体チップの電気的接触のために成形体集合体上に、特に、導電性のコーティングを形成するステップを含む。コーティングは、半導体チップの電気的接触のために構造化されて形成される（すなわち、全面積に亘って形成されるのではない）。コーティングは、蒸着法またはスパッタリング等によって、形成されることができる。後のステップにおいて、電気めっき法または無電解めっき法等によって、特に、導電性を向上させる目的で導電性のコーティングの厚さを増加させることができる。
【００２８】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、成形体集合体を、半導体チップと、コーティングによって形成される少なくとも１つの接触エリアとをそれぞれが有する複数の半導体部品に個片化するステップを含み、個片化された成形体の個片化中に形成される側面は、半導体部品の実装側面を形成し、この実装側面において、外側からの電気的接触のための少なくとも１つの接触エリアにアクセス可能である。個片化は、特に、コーティングが形成された後にのみ行なわれ、その結果、半導体部品の個片化中に形成される側面には、コーティングの材料が存在しない。個片化は、例えば、ソーイング等の機械的方法によって、または、レーザ分離等のコヒーレント放射によって行なうことができる。
【００２９】
半導体部品を製造するための本方法の少なくとも一実施形態では、放射を生成する目的で設けられた活性領域を備える半導体積層体をそれぞれが有する複数の半導体チップが設けられる。半導体チップは、成形体集合体を形成するための成形化合物で局所的に封止される。半導体チップを電気接続するために、成形体集合体上にコーティングが形成される。成形体集合体は、複数の半導体部品に個片化され、半導体部品は、それぞれ、半導体チップおよび少なくとも１つの接触エリアを有し、個片化された成形体の個片化中に形成される側面が半導体部品の実装側面を形成している。この実装側面において、外側からの電気的接触のためにコーティングによって形成された少なくとも１つの接触エリアにアクセス可能である。
【００３０】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、コーティング形成プロセス前の成形体集合体は、それぞれ、隣接する半導体チップ間に少なくとも１つの凹部（recess）を有し、この少なくとも１つの凹部にコーティングが設けられる。凹部は、成形体集合体を完全に貫通するかまたは単に局所的に通って延在可能である。成形体集合体は、成形体集合体が既に凹部を有するように形成可能である。代替として、凹部は、成形体集合体形成プロセス後およびコーティングを設けるプロセス前に、例えば、穿孔法等によって機械的に、またはコヒーレント放射によって材料を除去することにより成形体集合体内に導入されることができる。
【００３１】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、成形体集合体の個片化プロセスは、凹部を通して行なわれる。特に、個片化は、個片化された半導体部品が少なくとも１つの切欠き部を有する長方形の基本形状を有するように行なわれる。特に、半導体部品は、長方形の基本形状の各角部に切欠き部を有することができる。この場合、個片化の切目の幅は、個片化の切目の横断方向の凹部の大きさよりも小さい。
【００３２】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップを設けるプロセスは、複数の連続的な半導体チップをそれぞれが備える複数の半導体チップ集合体を設けるステップを含む。半導体チップ集合体は、特に、共通の連続的キャリアを有する。したがって、後の半導体チップが得られるウェハは、半導体チップ集合体をそれぞれが形成するセグメントであって、個片化されていない複数の半導体チップを備えるセグメントに個片化される。半導体チップ集合体は、成形化合物で封止するプロセスの後にのみ個片化される。換言すれば、半導体チップ集合体を半導体チップに個片化するプロセスは、成形体集合体を半導体部品に個片化するステップの過程においてのみ行なわれる。
【００３３】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップ集合体は、成形体集合体の個片化プロセス前に個片化される。したがって、成形体集合体を個片化するとき、半導体チップ集合体は、既に半導体チップに個片化されている。
【００３４】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップ集合体を個片化するために、半導体チップ集合体の隣接する半導体チップ間にトレンチを形成する。特に、成形体集合体を個片化する後続のプロセスがトレンチに沿って行なわれる。トレンチは、面直方向において、特に、半導体チップ集合体を完全に貫通して延在可能であるが、成形体集合体の全体は貫通せずに延在する。かかるトレンチには、特に、少なくとも一部の領域において、反射性材料が設けられる。反射性材料は、蒸着もしくはスパッタリング等の堆積法、または成形法等によって実現可能である。トレンチを形成するとき、隣接する半導体チップの複数の半導体積層体は、メサトレンチ等のトレンチ状凹部等によって、少なくとも一部の領域において既に互いに分離されていてもよい。一例として、第１の半導体層、第２の半導体層、活性領域のうちの少なくとも１層または複数層、特に、これら全層が切断される。トレンチは、特に、トレンチ状凹部に沿う。
【００３５】
少なくとも一実施形態によれば、本半導体チップ集合体は、成形体集合体の個片化プロセス間に個片化される。したがって、半導体チップ集合体の個片化プロセスは、成形体集合体の個片化プロセスと同時に行なわれる。この場合、半導体チップの一部および成形体の一部は、それぞれ、半導体部品の個片化中に形成される側面を形成する。半導体チップおよび成形体は、それぞれ、個片化中に形成される側面において面一に終端する。
【００３６】
本方法の少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは、個々の半導体チップとして提供される。成形化合物による封止プロセス中に、半導体チップは、すべての側面において、少なくとも局所的に封止される。封止プロセス前に、半導体チップには、半導体チップの放射出射面とは反対側の半導体チップの側面および／または後面に少なくとも一部の領域において、反射層を設けることができる。
【００３７】
既述の本方法は、さらに上記の半導体部品の製造に特に適している。したがって、本半導体部品に関連して述べた特徴は、本方法にも使用可能であり、その逆も同様である。
【００３８】
既述の本方法では、実装側面と、さらにまた、半導体部品の実装側面とは反対側の側面とが個片化ステップ中に形成される。したがって、半導体部品の高さ、すなわち、実装面に対して面直方向の大きさは、個片化ステップ中に平行な分離線間の距離によって決定され、それにより、また、特に小さい値をとることができる。特に、半導体部品の高さは、５００μｍ未満とすることができる。特に、半導体部品の高さは、１００μｍ〜４００μｍ（両端値を含む）、特に好ましくは１５０μｍ〜３００μｍ（両端値を含む）、例えば２００μｍ〜２５０μｍ（両端値を含む）である。その結果、作動中に十分な光束を得ることができる特に小型の半導体部品を提供することができる。
【００３９】
成形体は、複数の半導体部品に対応する広い面積に亘って共通の個片化ステップで形成されることができる。この場合、特に、個々の成形体は、半導体チップが成形体内に既に配置された後でのみ形成される。したがって、予め製造されたハウジング内に半導体チップを配置し、電気接続する必要がない。むしろ、ハウジングを形成する成形体は、半導体チップを内部に埋設する成形体集合体の個片化によってのみ形成される。
【００４０】
図面と関連付けて以下に説明した例示的実施形態からさらなる構成および好適な点が明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】オプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な一実施形態を示す概略斜視図である。
【図１Ｂ】オプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な一実施形態を示す概略断面図である。
【図１Ｃ】半導体チップの例示的な一実施形態を示す概略平面図である。
【図１Ｄ】半導体部品を備えるバックライトモジュールの例示的な一実施形態を示す概略側面図である。
【図２Ａ】半導体部品の第２の例示的実施形態を示す概略側面図である。
【図２Ｂ】半導体部品の第２の例示的実施形態を示す概略断面図である。
【図３Ａ】半導体部品の第３の例示的実施形態を示す斜視図である。
【図３Ｂ】半導体部品の第３の例示的実施形態の図３Ａでは不図示の後面の一変形形態を示す図である。
【図３Ｃ】半導体部品の第３の例示的実施形態の図３Ａでは不図示の後面の一変形形態を示す図である。
【図３Ｄ】半導体部品の第３の例示的実施形態を示す断面図である。
【図３Ｅ】半導体部品の第３の例示的実施形態を示す、図３Ｄから抜粋した一部分を拡大した詳細図である。
【図３Ｆ】さらなる例示的実施形態を示す概略断面図である。
【図３Ｇ】さらなる例示的実施形態を示す概略断面図である。
【図４Ａ】斜視図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】斜視図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４Ｃ】断面図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４Ｄ】斜視図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４Ｅ】斜視図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４Ｆ】斜視図で概略的に示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図５Ａ】半導体部品の製造方法の中間ステップの例示的な一実施形態を示す概略断面図である。
【図５Ｂ】半導体部品の製造方法の中間ステップの例示的な一実施形態を示す概略断面図である。
【図５Ｃ】半導体部品の製造方法の中間ステップの例示的な一実施形態を示す概略断面図である。
【図６Ａ】斜視図で示す中間ステップに基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】側面図で示す完成した半導体部品に基づく半導体部品の製造方法の例示的な一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
同一の要素、同一種類の要素、または同様に働く要素には、図中で同じ参照符号を付す。
【００４３】
各図は、概略図であり、したがって、必ずしも一定の縮尺ではない。むしろ、比較的小さい要素、および、特に層の厚さは、説明のために誇張して図示され得る。
【００４４】
半導体部品１の第１の例示的実施形態が、図１Ａに斜視図で示される。図１Ｂに示される断面図は、図１ＡのＡＡ’線に沿っているが、個々の要素は、図１Ａおよび図１Ｂのよりよい図示を可能にするために、互いに異なるサイズ関係で描かれている。
【００４５】
半導体部品１は、放射を生成する目的で設けられ、かつ、半導体積層体２００を備える半導体チップ２を有する。半導体チップ２の表面は、半導体部品の放射出射面１０を形成する。成形体４は、半導体チップ２上に成形される。成形体は、成形体の放射出射面とは反対側の後面４６と成形体の前面４５との間で、放射出射面に対して面直に延在する。成形体の側面１２は、後面と前面との間に延びる。側面の１つは、実装側面１１として形成される。成形体は、ポリマー材料を含むことができるか、または、ポリマー材料から形成可能である。一例として、ポリマー材料は、エポキシド、シリコーン、ＰＰＡ、またはポリエステルを含むことができる。ポリマー材料は、特に、無機粒子で充填されることができる。無機粒子は、例えば、ガラス、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、またはＺｒＯを含むことができるか、または、これらの材料からなることができる。
【００４６】
接触トラック５５は、成形体４の前面４５上に形成され、各接触トラック５５は、それぞれ、半導体チップ２の第１の接触部２３および第２の接触部２４に電気的に接触する。接触トラック５５を介して、第１の接触部２３は、接触エリア５１に電気的に接触し、第２の接触部２４は、さらなる接触エリア５２に電気的に接触する。各接触エリアは、半導体部品１の外側からの電気的接触によって、実装側面１１からアクセス可能である。
【００４７】
実装側面１１と、半導体部品の実装側面とは反対側の側面１２とにおいて、半導体チップ２と成形体４とは、互いに面一に終端する。それにより、成形体と半導体チップとは、それぞれ、局所的に半導体部品の側面を形成する。
【００４８】
図示の例示的実施形態では、半導体チップ２は、成形体の前面４５からアクセス可能な２つの接触部を有する。半導体チップ２は、放射を生成する目的で設けられた活性領域２０を備え、この活性領域は、ｐ型導電性の第１の半導体層２１とｎ型導電性の第２の半導体層２２との間に配置される。しかしながら、第１の半導体層および第２の半導体層の導電型は反対にすることもできる。
【００４９】
半導体チップの半導体積層体２００は、接着層またははんだ層等の接続層２８によって、キャリア２９の前面２９１に固定される。半導体チップは、半導体積層体のエピタキシャル成膜のための成長基板が除去された（したがって、完成部品中にはもはや存在しない）薄膜半導体チップとして具現化される。接触部２３，２４は、それぞれ、半導体積層体２００に対して横方向、特に対向する両側に配置される。したがって、半導体積層体２００の放射出射面には、活性領域において生成される放射を遮蔽し得る接触部が存在しない。第１の半導体層２１は、第１の接続層２５を介して第１の接触部２３に電気接続される。第１の接続層は、特に、活性領域において生成される放射のためのミラー層として具現化される。一例として、第１の接続層は、銀、アルミニウム、パラジウム、ロジウム、またはこれら金属の少なくとも１つを備える金属合金を含む。上述の材料は、可視および紫外線のスペクトル域における、高い反射性の点で優れている。しかしながら、異なる材料を使用することもできる。例えば、金は、赤色および赤外線のスペクトル域内において適している。
【００５０】
半導体積層体内に複数の凹部２７が形成され、この凹部は、第１の半導体層２１と活性領域２０を貫通し、第２の半導体層２２内まで延在する。凹部内で、第２の半導体層は、第２の接続層２６に電気接続される。短絡を回避するために、凹部内の第１の半導体層および活性領域は、絶縁層２７１で被覆される。絶縁層はまた、第１の接続層を第２の接続層から絶縁する。第１の接続層２５と第２の接続層２６とは、局所的に、放射出射面１０の平面視において互いに重なっており、半導体積層体２００とキャリア２９との間に配置されている。
【００５１】
キャリア２９の半導体積層体とは反対側の後面２９２は、成形体４で完全に被覆される。キャリアの後面は、半導体チップ２の後面を形成する。半導体部品１の放射出射面１０の平面視において、成形体は、長方形の基本形状を有する。成形体は、角部に切欠き部４１を有し、さらなる角部にさらなる切欠き部４２を有しており、実装側面１１は、切欠き部４１とさらなる切欠き部４２との間に延びる。接触エリア５１は、切欠き部４１内に形成され、さらなる接触エリア５２は、さらなる切欠き部４２内に形成される。上面切欠き部４３は、実装側面とは反対側の側面１２上に形成される。これら上面切欠き部の側面には、切欠き部４１およびさらなる切欠き部４２の側面と同様、導電性のコーティングが設けられるが、このコーティングは、切欠き部またはさらなる切欠き部とは異なり、半導体部品１の電気的接触のためには使用されない。
【００５２】
半導体チップ２は、面発光体を良好に近似的に構成し、その結果、活性領域２０において生成された放射のほぼ全部が放射出射面１０を通って出射される。したがって、成形体４は、活性領域において生成された放射に対して非透過性であるように、特に、かかる放射を吸収するように設計されることもできる。出射された放射の出力をより広範囲にわたって増大するために、成形体４は、放射を反射するように設計されることができる。一例として、成形体の材料には、酸化チタン等の白色顔料等の反射性を向上させる粒子を混合してもよい。代替として、反射性材料でのコーティングを使用することができる。この点は、図５Ａ〜図５Ｃと関連してより詳細に説明される。半導体部品の製造中、側面１２、特に、実装側面１１は、集合体を半導体部品に個片化する間に形成される。したがって、側面は、ソーイングの形跡またはレーザ分離法の形跡等の個片化の形跡を有することができる。
【００５３】
図１Ｃは、半導体チップの例示的な一実施形態を、放射出射面の概略平面図で示す。半導体チップの長さｌを、例えば、約１ｍｍとすることができ、幅ｂを約２００μｍとすることができる。完成部品においては、個片化ステップにおける材料の除去は別にして、幅ｂは、半導体部品の高さ（すなわち、半導体部品の、実装側面１１に対して面直方向の大きさ）に対応する。
【００５４】
図１Ｃの例示的実施形態では、放射を発生させるために利用可能な面積は、その大部分が第１の接続層２５の面積に対応しており、約０．０９ｍｍ２であってもよい。その結果、約１５ルーメンの光束を実現することができる。半導体部品の用途に応じて、半導体チップの長さと幅とを、広い範囲で変更可能である。最小限の構造的高さと十分な放射出力とを有するために、半導体チップの幅は、好ましくは、１５０μｍ〜３００μｍ（両端値を含む）、特に好ましくは、２００μｍ〜２５０μｍ（両端値を含む）である。
【００５５】
凹部２７の数は、特に、半導体チップの長さｌと第２の半導体層２２の横電導度に応じて変更することができる。特に、一つのみの凹部２７で十分であり得る。
【００５６】
放射変換材料（明示的には図示せず）を半導体チップ２上に形成することができる。放射変換材料は、半導体チップ、特に活性領域において生成された第１の放射を少なくとも部分的に第２の放射に変換するために設けられ、その結果、半導体部品は、全体的として混合放射（例えば、人の目に白色に見える混合放射）を出射する。放射変換材料は、製造中、特に半導体部品に個片化するプロセス前に、半導体部品２に形成可能である。
【００５７】
上述の半導体部品１を備えるモジュール６を、図１Ｄに概略側面図で示す。半導体部品１は、プリント回路基板（例えば、ＦＲ４プリント回路基板）等の接続キャリア６２に配置され、実装側面１１は、接続キャリア６２に対向する。したがって、放射出射面１０を通って面直に出射される放射は、接続キャリア６２に平行である。接触エリア５１とさらなる接触エリア５２とは、それぞれ、はんだ６５によって第１の接続キャリアエリア６２１と第２の接続キャリアエリア６２２とに電気接続する。はんだは、切欠き部４１とさらなる切欠き部４２とを局所的に充填する。半導体部品１と接続キャリア６２との間に生じ得る間隙は、アンダーフィル６６で充填可能である。その結果、機械的安定性と半導体部品１の放熱性を向上させることができる。
【００５８】
既述の半導体部品は、放射の光導波路内への横方向の結合に特に適している。モジュールは、特に、液晶ディスプレイ（明示的には図示せず）のバックライトモジュールとして設計可能である。
【００５９】
図２Ａおよび図２Ｂに示した第２の例示的実施形態は、図１Ａ〜図１Ｄと関連して説明した第１の例示的実施形態に実質的に一致する。第１の例示的実施形態とは異なり、半導体チップは、薄膜半導体チップとして具現化されず、むしろ、成長基板をキャリア２９とする、半導体チップとして具現化される。一例として、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体材料に基づく半導体積層体の場合、サファイアまたはシリコンカーバイドが成長基板として適している。横方向の放射取り出しを避けるために、半導体チップは、放射出射面１０に対して面直方向に延びる側面と、放射出射面とは反対側の後面とにおいて、成形体４内に埋設される。かかる例示的実施形態の場合、有利なことに、成形体は、高い反射性、好ましくは、半導体チップ２において生成された放射の少なくとも８０％の反射性を有する。一例として、酸化チタン等の顔料が充填された、シリコーン等のポリマー材料が、成形体に適している。反射性成形体の代替または追加として、半導体チップの側面に反射性材料を設けることができる。この点は、図５Ａ〜図５Ｃと関連してより詳細に説明される。
【００６０】
図３Ｂおよび図３Ｃの変形形態を有する図３Ａ〜図３Ｄに示す第３の例示的実施形態は、図１Ａ〜図１Ｄに基づき説明した第１の例示的実施形態に実質的に一致する。第１の例示的実施形態と異なり、半導体チップは、半導体チップが前面の第１の接触部２３と後面の第２の接触部２４（図３Ｄ）とを有する薄膜半導体チップとして具現化される。したがって、半導体積層体２００の電気的接触は、キャリア２９を通して行なわれる。この場合、キャリアは、有利なことに、導電性を有するように設計される。一例として、キャリアは、ドープされたシリコンまたはゲルマニウムまたは金属等の半導体材料を含む。半導体積層体２００とキャリアとの間に配置された第２の接続層２６は、活性領域２０において生成された放射のためのミラー層として設計される。特に、図１Ｂと関連して述べたような第１の接続層の材料が、第２の接続層に適している。第１の半導体層２１を電気接続するための第１の接続層は、必要ではないが、追加的に設けることができる。したがって、用語「第２の接続層」は、第１の接続層が設けられているか否かに関わらず、第２の半導体層に電気接続される接続層を意味する。
【００６１】
図示の例示的実施形態では、１つのみの接触トラック５５が、成形体の前面４５上に形成される。接続開口部４７が成形体４内に形成されており、この接続開口部は、成形体の後面４６から半導体チップ２まで延在し、その結果、第２の接触部に、電気的接触のためにアクセス可能である。さらなる接触エリア５２は、後面４６上に延びる接触トラック５５を介して第２の接触部２４に電気接続される。
【００６２】
接続開口部４７を形成するために、成形体４の材料を、製造中にレーザ放射等によって除去することができる。代替として、成形体の製造中に既に、フォイルアシストトランスファー成形法（Foil Assisted Transfer Molding；ＦＡＭ）等によって、キャリアの後面を空けたままにしておくことができる。接続開口部４７は、例えば、銅のような金属等の充填材料４７０で完全にまたは部分的に充填可能である（図３Ｄ）。その結果、作動時に生じる熱損失を、改善された方法で半導体チップ２から放散可能である。代替として、接触トラック５５の材料は、第２の接触部２４に直接隣接することができる。接触トラック５５は、図３Ｂに示すように、実装側面１１から離間して延びているか、または、図３Ｃに示すように、少なくとも局所的に実装側面１１まで延在することができる。その結果、半導体部品が固定される接続キャリアへの放熱性を向上させることができる。
【００６３】
改善された図示ができるように、図３Ｂおよび図３Ｃに、さらなる接触エリア５２が形成される部分領域７を、ねじ曲げて斜視図で表現しており、その結果、さらなる接触エリア５２を、この場合、見ることができる。
【００６４】
可能な一構成の断面図を図３Ｅに詳細に示す。半導体チップ２は、半導体積層体２００の側面３３を被覆する絶縁層３０を有する。成形体４は、絶縁層に直接隣接する。第２の接続層２６の断面積は、半導体積層体２００の断面積より小さく、第２の接続層は、横方向において側面３３まで延在しない。この点に関して、第２の接続層２６の周囲に延びる領域３１が生じる。かかる領域は絶縁層で充填され、その結果、絶縁層は、第２の接続層を、周囲全体に沿って封止する。放射出射面１０は、光取出し効率を高めるために粗面化部３２を有する。
【００６５】
図３Ｆに示す例示的実施形態の場合、半導体チップ２は、図３Ｄと図３Ｅとに関連して説明したように、薄膜半導体チップとして具現化される。図３Ｅに示す例示的実施形態と異なり、半導体チップの両接触部は、図１Ｂと関連して説明したように、前面上に配置される。第３の接触トラックが、成形体の前面４５上に延びる。したがって、半導体チップの後面を露出する接続開口部は、必要ではない。第１の半導体積層体２１の表面の一領域が半導体チップ２の第１の接触部２３を形成している。接触トラック５５は、第１の半導体層の当該領域に直接隣接する。接続層２８の一領域が半導体チップの第２の接触部２４を形成している。接触トラック５５は、接続層２８の当該領域に直接隣接する。しかしながら、各接触部は、それぞれ、上記の図と関連して説明したように、金属層等の追加要素として具現化されることもできる。
【００６６】
さらに、図３Ｅと異なり、半導体積層体２００の側面３３には、成形体４の材料が存在しない。したがって、放射は、半導体積層体から横方向に出射されることもできる。接触トラック５５は、側面３３に亘って第１の半導体層２１の絶縁層３０上に延びる。
【００６７】
しかしながら、派生形態として、半導体積層体２００の側面は、一部の領域においてまたは完全に、成形体４で被覆されることもできる。
【００６８】
図３Ｇに図示する例示的実施形態は、図３Ｆと関連して説明した例示的実施形態に実質的に一致する。図３Ｆの例示的実施形態と異なり、半導体チップ２は、くぼみ部３９を有する。くぼみ部は、半導体チップの周囲の少なくとも一部の領域（例えば、半導体チップの周囲全体）に沿って延びる。図示の例示的実施形態では、くぼみ部は、キャリア内に延在する。したがって、くぼみ部３９の高さにおいて、平面視における半導体チップ２の断面積は、キャリアの残りの領域の断面積よりも小さい。絶縁層３０は、くぼみ部の領域内に配置される。このように、キャリア２９と接触トラック５５との信頼性のある電気的絶縁は、単純化される。さらに、成形体は、くぼみ部内まで、少なくとも一部の領域において延在する。これにより、半導体チップ２と成形体とは、確実に固定されて接続される。その結果、半導体チップ２と成形体４との接続の機械的安定性が向上する。
【００６９】
製造方法の例示的な一実施形態は、図４Ａ〜図４Ｆを参照して説明されており、この方法は、一例として、図１Ａおよび図１Ｂと関連して説明したように具現化した半導体部品の製造に関する。この目的のために、複数の半導体チップ集合体３が設けられる。図４では、一例として、未だ個片化されていない６つの連続的な半導体チップを備える１つの半導体チップ集合体が示される。半導体チップの半導体積層体２００は、トレンチ状凹部３４によって、既に互いに分離されている。トレンチ状凹部は、それぞれ、メサトレンチを形成する。しかしながら、複数の半導体積層体は、依然として１つの連続的キャリア２９上に位置している。複数のかかる半導体チップ集合体３は、互いに離間させて相互に並べて（例えばマトリクス状に）配置される。図４Ｂおよび図４Ｄは、いずれも、図示を単純化するために、２つの半導体チップ集合体３を有する一領域のみを示す。マトリクス状の配置を明示するより広範囲の抜粋図が図４Ｅに示される。かかる半導体チップ集合体の配置は、既に個片化された半導体チップの配置と比べて単純化されている。
【００７０】
図４Ｂに示すように、半導体チップ集合体３は、半導体チップ２の放射出射面１０には成形化合物が存在しないままになるように、成形化合物で封止される。図４Ｃは、図４Ｂに示す製造段階の、遠近法で描かれた、ＣＣ’線に沿う断面図を示す。成形体集合体４０が成形化合物によって形成され、この成形体集合体から半導体部品の個々の成形体が、後の個片化ステップにおいて形成される。
【００７１】
図４Ｄに示すように、複数の凹部４８が、それぞれ、成形体集合体４０内に、異なる半導体チップ集合体３同士の隣接する半導体チップ間に形成される。凹部は、図示のように、成形体集合体を完全に貫通して延在することができる。しかしながら、派生形態として、凹部４８を止まり穴として形成することも考えられる。凹部の配置は、半導体チップ集合体を配置する間に変位公差（deviation tolerance）によって（例えば、画像を記録し、レーザプロセス等の凹部を形成するプロセスに、評価した画像情報を送ることによって）補正されることができる。
【００７２】
次いで、成形体集合体上にコーティング５を形成する。半導体チップ２に電気的に接触する接触トラック５５が、コーティング５によって形成される。さらに、コーティングは、凹部４８の内面も被覆する。したがって、接触トラック５５は、半導体チップの接触部をコーティングされた凹部４８に接続する。接触トラックを形成するために、保護レジストを設け、構造化することができる。成形体集合体の露出箇所は、蒸着またはスパッタリング等によって、シード層で被覆されることができる。次いで、接触トラックが十分大きな通電容量を有するように、シード層を、電気分解等によって化学的に増大することができる。
【００７３】
次いで、図４Ｅおよび図４Ｆに示すように、成形体集合体は、互いに平行な第１の分離線４９１と、第１の分離線に対して面直な第２の分離線４９２とに沿って、ソーイングまたはレーザ分離等によって個片化される。第１の分離線の個片化方向は、１つの半導体チップ集合体３の隣接する半導体チップの半導体積層体２００間のメサトレンチに沿う。成形体集合体の材料と半導体チップ集合体のキャリア２９との両方が、この個片化ステップにおいて切断される。これにより、半導体部品の側面１２、特に、実装側面１１が形成される。この側面１２において、個片化の結果として形成される成形体４と半導体チップ２とは、互いに面一に終端する。さらに、この第１の個片化ステップは、凹部４８が切断されるように行なわれる。その際、各成形体の実装側面１１では、切欠き部４１およびさらなる切欠き部４２が形成され、これら切欠き部において、接触エリア５１およびさらなる接触エリア５２に、それぞれ、外側からの電気的接触のためにアクセス可能である。
【００７４】
第１の個片化方向に対して面直に、第２の個片化方向に沿う個片化を行なう。この個片化は、同様に、凹部４８を通して行なわれる。その結果、成形体４は、切欠き部が各角部に配置されている長方形の基本形状になる。しかしながら、派生形態として、第２の個片化方向を、凹部の横で実施することもできる。この場合、切欠き部は、成形体の角部には配置されない。
【００７５】
このように、複数の半導体チップ集合体を通る第１の個片化ステップと、隣接する半導体チップ集合体間を通る第２の個片化ステップとが行なわれる。この場合、「第１のおよび第２の個片化方向」および「第１のおよび第２の個片化ステップ」という呼称は、個片化ステップが行われる順序を意味しない。
【００７６】
成形体４の側面１２、特に、実装側面１１は、成形体集合体の個片化プロセス中にのみ、したがって、また、コーティングが設けられた後にのみ形成される。したがって、側面には、コーティング５の材料が存在しない。完成した半導体部品１は、実装側面において、切欠き部４１，４２内に存在するコーティングを介して電気的接触が可能である。
【００７７】
既述の例示的実施形態の派生形態として、半導体チップ集合体を、成形体集合体の個片化プロセスの上流工程の方法ステップにおいて個片化することもできる。この個片化は、概略断面図の抜粋に基づく図５Ａ〜図５Ｃに示される。この目的のために、成形体集合体４０が形成された後、１つの半導体チップ集合体の隣接する半導体チップ間にトレンチ３５を形成することができる。トレンチは、隣接する半導体積層体２００間のトレンチ状凹部３４に沿って延びる。派生形態として、トレンチ３５の形成プロセス中にのみ、半導体積層体２００を互いに分離することも考えられる。トレンチ３５は、活性領域の主延在面に対して面直に、半導体チップ集合体３を完全に貫通して延在し、その結果、半導体チップは個片化される。しかしながら、トレンチは、成形体集合体の材料内で終端し、その結果、個々の半導体チップは、依然として成形体集合体によって結合される。次いで、トレンチに、反射性材料３６を設けることができる。その結果、半導体チップの側面は露出していない。次いで、半導体チップ集合体は、トレンチに沿って個片化される。分離トレンチ４９の幅は、先に形成されているトレンチの幅より小さい。その結果、トレンチ内に設けられた反射性材料３６は、個片化ステップ後も、半導体チップの側面、特に、各キャリア２９の側面を被覆する。一例として、銀等の金属層の蒸着または成形法等のコーティング法が反射性材料を設けるのに適している。上流工程の半導体チップ集合体３の個片化を用いることで、半導体チップの側面を、成形体集合体の個片化中に形成される側面１２において、反射性材料で被覆することもできる。その結果、かかる側面を通る放射の望まない取出しを回避することができる。この変形形態は、特に、放射の大部分がキャリアの側面を通って出射され得る半導体チップ、例えば、キャリアとして成長基板の一部を有する半導体チップの場合に適している。他の方法ステップは、図４Ａ〜図４Ｆと関連して説明したように行なうことができる。
【００７８】
図６Ａおよび図６Ｂを参照して示す例示的実施形態の場合、先の例示的実施形態と異なり、半導体チップは、既に個片化されて設けられ、図４Ｂと関連して説明したように、成形化合物で少なくとも一部の領域において封止される。かかる変形形態では、半導体チップ２の半導体積層体２００が形成されるエピタキシャルウェハのエリアは、上述の例示的実施形態と比べてより良好に利用されることができる。この場合、成形化合物は、半導体チップのすべての側面上に成形されることができる。半導体チップは、封止される前に、封止されるべき面において、金属等の反射性材料で既に被覆されていることができる（図５Ｂ参照）。これは、半導体チップを拡張フォイルフレーム（expanded foil frame）上で個片化した後に、金属蒸着等によって行なわれることができる。その結果、半導体チップの個片化中に形成される側面に、金属蒸着を行なうためにアクセス可能である。この場合、反射性の低い材料を成形体に使用することもでき、それにより、半導体部品の光出力のロスを生じることはない。
【００７９】
構造的高さが特に低い点で優れ、かつ、同時に、薄い光導波路内でさえ最適な光の結合を可能にする半導体部品が、既述の本方法を用いて、単純にかつ高い費用効率で製造可能である。
【００８０】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１３１０３２２６．５号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【００８１】
本発明は、例示的実施形態に基づく記載によって制限されない。むしろ、新規な特徴すべて、または特徴の任意の組合せすべて、特に請求項に特定された特徴の組合せすべてが、それら自体、請求項または例示的実施形態に明示的に特定されていないとしても、本発明は、新規な特徴すべて、または特徴の任意の組合せすべて、特に請求項に特定された特徴の組合せすべてを含む。
【図１Ａ】
2016515762.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、
−  放射を生成する目的で設けられた活性領域（２０）を備える半導体積層体（２００）を有する半導体チップ（２）と；
−  前記活性領域に平行な放射出射面（１０）と；
−  前記半導体部品を固定するために設けられ、かつ、前記放射出射面に対して傾斜しているかまたは面直であり、かつ、外側からの電気的接触のための少なくとも１つの接触エリア（５１）にアクセス可能な個所である実装側面（１１）と；
−  前記半導体チップ上に、部分的に成形され、かつ、少なくとも一部の領域において前記実装側面を形成する成形体（４）と；
−  前記成形体上に配置され、かつ、前記半導体チップを前記少なくとも１つの接触エリアに電気接続する接触トラック（５５）と；
を備え、
前記半導体チップは、前記半導体積層体が配置されるキャリア（２９）を有し、
前記成形体は、前記キャリアの前記半導体積層体とは反対側の後面（２９２）を少なくとも一部の領域において被覆する、
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項２】
前記半導体部品は、前記放射出射面の平面視において少なくとも１つの切欠き部（４１）を有する長方形の基本形状であり、前記少なくとも１つの接触エリアは、前記少なくとも１つの切欠き部内に配置される、請求項１に記載の半導体部品。
【請求項３】
前記少なくとも１つの切欠き部は、前記長方形の基本形状の角部に配置され、さらなる切欠き部（４２）は、さらなる角部に形成され、前記実装側面は、前記角部と前記さらなる角部との間に延び、前記半導体部品のさらなる接触エリア（５２）は、前記さらなる角部に配置される、請求項２に記載の半導体部品。
【請求項４】
前記キャリアと前記成形体とは、前記半導体部品の少なくとも１つの側面（１２）において面一に終端する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項５】
前記成形体は、前記キャリアの前記側面のすべてに隣接する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項６】
前記半導体チップは、前記キャリアの前記半導体積層体に対向する前面上に２つの接触部（２３，２４）を有し、前記接触部は、それぞれ、接触トラック（５５）を介して接触エリア（５１，５２）に接続され、前記接触トラックは、前記成形体の共通の主面上に延びる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項７】
前記半導体チップは、前記キャリアの前記半導体積層体に対向する前面上と、前記キャリアの前記半導体積層体とは反対側の前記後面上とに、それぞれ、接触部を有し、前記接触部は、それぞれ、接触トラックを介して接触エリアに接続し、前記接触トラックは、前記成形体の対向する主面上に延びる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項８】
前記成形体は、前記半導体チップにおいて生成された前記放射を反射するように設計されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体部品。
【請求項９】
ａ）  放射を生成する目的で設けられた活性領域（２０）を備える半導体積層体（２００）をそれぞれが有する複数の半導体チップ（２）を設けるステップと；
ｂ）  成形体集合体（４０）を形成するための成形化合物で前記複数の半導体チップを局所的に封止するステップと；
ｃ）  前記半導体チップの電気的接触のために前記成形体集合体上に構造化されたコーティング（５）を形成するステップと；
ｄ）  半導体チップと、前記コーティングによって形成された少なくとも１つの接触エリア（５１）とをそれぞれが有する複数の半導体部品に、前記成形体集合体を個片化するステップであって、前記個片化された成形体の個片化中に形成される側面（１２）が前記半導体部品の実装側面（１１）を形成し、前記実装側面において、外側からの電気的接触のための前記少なくとも１つの接触エリアにアクセス可能である、個片化ステップと；
を含み、
前記半導体チップは、前記半導体積層体が配置されるキャリア（２９）を有し、
前記成形体は、前記キャリアの前記半導体積層体とは反対側の後面（２９２）を少なくとも一部の領域において被覆する、
半導体チップ（１）の製造方法。
【請求項１０】
前記成形体集合体は、それぞれ、ステップｃ）前に、隣接する半導体チップ間に少なくとも１つの凹部（４８）を有し、前記少なくとも１つの凹部には、前記コーティングが設けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ステップｄ）における前記個片化ステップは、前記凹部を通して行なわれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ステップａ）は、複数の連続的半導体チップをそれぞれが備える複数の半導体チップ集合体（３）を設けるステップを含み、前記複数の半導体チップ集合体は、ステップｂ）後に個片化される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の半導体チップ集合体は、ステップｄ）前に個片化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の半導体チップ集合体を個片化する目的で、半導体チップ集合体の隣接する半導体チップ間にトレンチ（３５）が形成され、前記トレンチには、少なくとも一部の領域において反射性材料（３６）が設けられ、
ステップｄ）における前記成形体集合体の個片化ステップは、前記トレンチに沿って行なわれる、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の半導体チップ集合体は、前記成形体集合体の個片化プロセス中に個片化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の半導体チップは、ステップａ）時に個々の半導体チップとして設けられ、前記複数の半導体チップは、ステップｂ）時に側面のすべてにおいて少なくとも局所的に封止される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ステップｂ）前に、前記半導体チップには、前記半導体チップの放射出射面とは反対側の前記半導体チップの前記側面および／または後面に少なくとも一部の領域において反射層が設けられる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体部品が製造される、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【国際調査報告】
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