(57)【要約】  電子デバイスは、構造体を含む。本構造体は、第１のセットのガラス貫通ビア（ＴＧＶ）および第２のセットのＴＧＶを含む。第１のセットのＴＧＶは第１のビアを含み、第２のセットのＴＧＶは第２のビアを含む。第１のビアは、第２のビアとは異なる横断面形状を有する。
2016526284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備える構造体であって、前記第１のビアが前記第２のビアとは異なる横断面形状を有する、構造体
を備える、電子デバイス。
【請求項２】
前記第１のビアが、円形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２のビアが、非円形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記構造体がトロイダルインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の内部領域に対応し、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の外部領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記インダクタ構造体のＱ係数が、前記第２のセットのガラス貫通ビアの遮蔽能力に少なくとも部分的に基づく、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１のビアが円形の横断面形状を有し、前記第２のビアが非円形の横断面形状を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第２のビアが、前記第１のビアより大きい幅を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記構造体が、半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体の内部領域に対応し、そして、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体の外部領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記構造体が、Ｓ字型にされたインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記Ｓ字型にされたインダクタ構造体の第１の領域に対応し、そして、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記Ｓ字型にされたインダクタ構造体の第２の領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記第２のビアが、長円体の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記第２のビアが、楕円形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記第２のビアが、長方形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記第２のビアが、凹形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記ガラス貫通ビアが、少なくとも１つの半導体ダイに統合された、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記電子デバイスが統合される、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、ＰＤＡ、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスをさらに備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
ガラス基板の表面にガラス貫通ビアハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を形成するステップと、
前記空洞を介して前記ガラス基板の一部分をエッチングするステップと、
前記エッチングされた部分に導電材料を適用してガラス貫通ビアを形成するステップであって、前記ガラス貫通ビアは、第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備える構造体を備えるデバイスに統合され、前記第１のビアが前記第２のビアとは異なる横断面形状を有する、ステップと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記第２のビアが、非円形の横断面を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のビアが、円形の横断面を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記構造体がトロイダルインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが前記トロイダルインダクタ構造体の内部領域に対応し、そして、前記第２のセットのガラス貫通ビアが前記トロイダルインダクタ構造体の外部領域に対応する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のビアが、前記第１のビアよりも大きい幅を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のビアが、楕円形の横断面を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
パターニングするステップ、エッチングするステップ、および適用するステップが、プロセッサによって制御される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
非円形の横断面を有するデバイスを備える、電磁信号を遮蔽するための手段と、
金属配線を介して前記電磁信号を遮蔽するための手段に接続された、伝導チャネルを提供するための手段と
を備える、電子デバイス。
【請求項２４】
その中に前記デバイスが統合される、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、ＰＤＡ、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスをさらに備える、請求項２３に記載の電子デバイス。
【請求項２５】
ガラス基板の表面にガラス貫通ビアガラス貫通ビアハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を形成するステップと、
前記空洞を介して前記ガラス基板の一部分をエッチングするステップと、
前記エッチングされた部分に導電材料を適用して非円形の横断面を有するガラス貫通ビアを形成するステップであって、前記ガラス貫通ビアが、第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備える構造体を備えるデバイスに統合され、前記第１のビアが前記第２のビアとは異なる横断面形状を有する、ステップと
を含む動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２６】
前記ガラス貫通ビアが、トロイダルインダクタの外部領域に含まれる、請求項２５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２７】
パッケージ化された半導体デバイスが、
第１のビアが第２のビアとは異なる横断面形状を有する、前記第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと前記第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備える構造体
を備え、回路基板上の前記パッケージ化された半導体デバイスの物理的位置決め情報を備える設計情報を受信するステップと、
前記設計情報を変換してデータファイルを生成するステップと
を含む、方法。
【請求項２８】
前記ガラス貫通ビアが、前記パッケージ化された半導体デバイスの構成要素であるトロイダルインダクタに含まれる、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記データファイルがＧＥＲＢＥＲ形式を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記データファイルがＧＤＳＩＩ形式を有する、請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、参照によりその全内容が本明細書に明示的に組み込まれている、２０１３年５月６日に出願した、共同所有された米国特許出願第１３／８８７７８８号の優先権を主張するものである。
【０００２】
本開示は、概して、電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
技術の進歩は、より小型のより強力なコンピューティングデバイスをもたらした。たとえば、現在、小型で、軽量の、ユーザによって簡単に運ばれる、携帯用ワイヤレス電話、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ，ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）およびページングデバイスなどの、ワイヤレスコンピューティングデバイスを含む、様々な携帯用パーソナルコンピューティングデバイスが存在する。より具体的には、セルラ式携帯電話およびインターネットプロトコル（ＩＰ，ｉｎｔｅｒｎｅｔ  ｐｒｏｔｏｃｏｌ）電話など、携帯用ワイヤレス電話は、ワイヤレスネットワークを介して音声およびデータパケットを通信することができる。さらに、多数のそのようなワイヤレス電話は、そこに組み込まれた他のタイプのデバイスを含む。たとえば、ワイヤレス電話はまた、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、およびオーディオファイルプレーヤを含み得る。また、そのようなワイヤレス電話は、インターネットにアクセスするために使用することができる、ウェブブラウザアプリケーションなど、ソフトウェアアプリケーションを含む実行可能命令を処理することができる。そのようなものとして、これらのワイヤレス電話は、重要な計算能力を含み得る。
【０００４】
基板（たとえば、シリコン基板またはガラス基板）は、電子デバイス（たとえば、ワイヤレスデバイスまたはコンピューティングデバイス）で使用される半導体デバイスなどの半導体デバイスがその上に製造され得る基礎であることがある。シリコン基板は、通常は、半導体デバイス製造のために選択される。ガラス基板は、シリコン基板の代替物として使用され得る。ガラス基板は、シリコン基板よりも安価であることがある。また、無線周波数信号を伴う適用分野で、ガラス基板は、シリコン基板と比較して低減された信号減衰をもたらし得る。ガラス貫通ビア（ＴＧＶ，ｔｈｒｏｕｇｈ  ｇｌａｓｓ  ｖｉａ）は、３次元の積み重なったデバイスを形成するために、ガラス基板内で使用され得る。ＴＧＶは、通常は、円形の横断面形状を有する。正規の円形の横断面形状を有するＴＧＶが非直線のソレノイドインダクタで使用されるとき、散在するＴＧＶは電磁結合を可能にするので、そのインダクタは、近隣の電子デバイスによって生成される電磁信号からの干渉を受けやすい。同時に、そのインダクタは、最適ではない抵抗および低下した効率を有し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
円形のガラス貫通ビア（ＴＧＶ）を有するインダクタは、近隣の電磁信号（たとえば、磁場）からの干渉を受けやすいことがある。近隣の電磁信号からの干渉は、インダクタの効率を下げ得る。本明細書に記載されるシステムおよび方法は、有利には、近隣の電磁信号からの干渉を受けにくいインダクタを形成するために使用することができる。また、そのインダクタは、さらに高い効率（たとえば、より高い品質（Ｑ）係数）を有し得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
たとえば、インダクタ（たとえば、トロイダルインダクタ）は、ガラス基板を使用して形成され得る。そのインダクタは、内部領域および外部領域を有し得る。内部領域と外部領域との間のガラス基板の領域は、インダクタのコアに相当し得る。インダクタは、非対称ＴＧＶを含み得る。たとえば、内部領域は、円形の横断面を有する少なくとも１つのＴＧＶを含むことができ、外部領域は、非円形の（たとえば、長円体、長方形、楕円形、凹形などの）横断面を有する少なくとも１つのＴＧＶを含み得る。非円形の横断面を有するＴＧＶは、円形の横断面を有するＴＧＶより大きい幅を有し得る。非円形の横断面を有する各ＴＧＶは、円形の横断面を有するＴＧＶと比較して近隣の電子デバイスからより多くの電磁信号を遮蔽することができる。
【０００７】
トロイダルインダクタで、トロイダルインダクタによって生成される磁場は、そのトロイダルインダクタの横断面コア内に実質的に含まれ得る。その磁場は、トロイダルインダクタの効率（たとえば、Ｑ係数）に影響を及ぼす。その磁場が近隣の電磁信号によって影響を及ぼされるとき、トロイダルインダクタの効率は低減される（たとえば、より低いＱ係数）。外部領域で非円形の横断面を有するＴＧＶを使用することによって、外部領域での各々のＴＧＶの間の空間は、円形の横断面を有するＴＧＶと比較して、減らされる。その結果として、より少ない近隣の電磁信号が、トロイダルインダクタの外部領域を通過し得る。したがって、外部領域で非円形の横断面を有するＴＧＶを使用するトロイダルインダクタは、近隣の電磁信号の影響を受けにくくなり得る。
【０００８】
特定の一実施形態で、電子デバイスは、構造体を備える。その構造体は、第１のセットのガラス貫通ビア（ＴＧＶ）および第２のセットのＴＧＶを備える。第１のセットのＴＧＶは第１のビアを備え、そして、第２のセットのＴＧＶは第２のビアを備える。第１のビアは、第２のビアとは異なる横断面形状を有する。特定の一実施形態で、その構造体は、インダクタ構造体である。
【０００９】
特定の一実施形態で、ＴＧＶを作る方法は、ガラス基板の表面にガラス貫通ビア（ＴＧＶ）ハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を形成するステップを含む。本方法はまた、その空洞を介してガラス基板の一部分をエッチングするステップを含む。本方法はさらに、エッチングされた部分に導電材料を適用して非円形の横断面を有するＴＧＶを形成するステップを含む。そのＴＧＶは、構造体を備えるデバイスにおいて統合される。その構造体は、第１のセットのＴＧＶおよび第２のセットのＴＧＶを備える。第１のセットのＴＧＶは第１のビアを備え、そして、第２のセットのＴＧＶは第２のビアを備える。第１のビアは、第２のビアとは異なる横断面形状を有する。
【００１０】
開示される実施形態のうちの少なくとも１つによって実現される１つの特定の利点は、近隣の電磁信号からの干渉を減らしてインダクタの効率を上げる（たとえば、インダクタのＱ係数を増やす）ための能力である。開示される実施形態のうちの少なくとも１つによって実現される別の特定の利点は、トロイダルインダクタによって生成される磁束が、トロイダルインダクタ内に限定されて、近隣の電磁信号からの干渉を減らすことである。本開示の他の態様、利点、および特徴は、次の項、すなわち図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲を含む本願全体の検討後に明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】非円形の横断面を有するガラス貫通ビア（ＴＧＶ）を含む電子デバイスの特定の一実施形態を示す図である。
【図２】非円形の横断面を有するＴＧＶを含む電子デバイスの別の特定の実施形態を示す図である。
【図３】非円形の横断面を有するＴＧＶを製造するための方法の特定の一実施形態を示す流れ図である。
【図４】非円形の横断面を有するＴＧＶを製造するための方法の別の特定の実施形態を示す流れ図である。
【図５】非円形の横断面を有するＴＧＶを含む通信デバイスを示す図である。
【図６】非円形の横断面を有するＴＧＶを含む電子デバイスを製造するためのプロセスの特定の一実施形態を示すデータフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、非円形の横断面を有するガラス貫通ビア（ＴＧＶ）を含む電子デバイス１００の特定の一実施形態を示す。電子デバイス１００は、インダクタでもよい。電子デバイス１００は、ガラス基板１０２、第１のＴＧＶ１０４、第２のＴＧＶ１０６、および、第１のＴＧＶ１０４を第２のＴＧＶ１０６に接続する金属配線１０８を含み得る。電子デバイス１００は、非対称ＴＧＶを含み得る。電子デバイス１００のＴＧＶは、異なる横断面形状を有し得る。たとえば、第１のＴＧＶ１０４は円形の横断面１１０を有してもよく、そして、第２のＴＧＶ１０６は非円形の横断面１１４を有してもよい。第１のＴＧＶ１０４は、第２のＴＧＶ１０６とは異なる横断面形状を有し得る。
【００１３】
非円形の横断面１１４は、円形の横断面１１０よりも広い幅を有し得る。特定の一実施形態で、非円形の横断面１１４は、長円体の形状を有し得る。別の特定の実施形態で、非円形の横断面１１４は、長方形の形状を有し得る。別の特定の実施形態で、非円形の横断面１１４は、楕円形の形状を有し得る。別の特定の実施形態で、非円形の横断面１１４は、凹形の形状を有し得る。非円形の横断面１１４は、第２のＴＧＶ１０６の主軸１１２に垂直である。主軸１１２は、経度軸１１６に平行（および、図示するようにガラス基板１０２の表面に垂直）でもよい。非円形の横断面１１４は、円形の横断面１１０より大きい幅を有する。動作中、電流は、第１のＴＧＶ１０４と第２のＴＧＶ１０６の間を金属配線１０８を介して流れることができる。第２のＴＧＶ１０６がトロイダルインダクタの外部領域に置かれるとき、非円形の横断面１１４は、第２のＴＧＶ１０６が、第１のＴＧＶ１０４と比較して、近隣の電磁信号からのより多量の干渉（たとえば、磁場）を遮蔽することを可能にし得る。非円形の横断面を有するＴＧＶを含むトロイダルインダクタが、図２を参照して説明される。
【００１４】
図２は、非円形の横断面を有するＴＧＶを含む電子デバイス２００の別の特定の実施形態を示す図である。電子デバイス２００は、トロイダルインダクタである。電子デバイス２００は、ガラス基板２０２、第１のセットのＴＧＶ、第２のセットのＴＧＶ、および、第１のセットのＴＧＶを第２のセットのＴＧＶに接続する金属配線を含み得る。
【００１５】
電子デバイス２００は、非対称ＴＧＶを含み得る。たとえば、第１のセットのＴＧＶは、第１のＴＧＶ２０４および第２のＴＧＶ２０６を含み得る。第１のセットのＴＧＶは、電子デバイス２００の内部領域に対応し得る。トロイダルインダクタの内部領域内のＴＧＶのうちの２つのＴＧＶのみが示されるが、内部領域は多数のＴＧＶを含む（図２参照）。第２のセットのＴＧＶは、第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０を含み得る。第２のセットのＴＧＶは、電子デバイス２００の外部領域に対応し得る。トロイダルインダクタの外部領域内のＴＧＶのうちの２つのＴＧＶのみが示されるが、外部領域は多数のＴＧＶを含む（図２参照）。第１のＴＧＶ２０４は、第１の金属配線２１２を介して第３のＴＧＶ２０８に接続され得る。第３のＴＧＶ２０８は、第２の金属配線２１４を介して第２のＴＧＶ２０６に接続され得る。第２のＴＧＶ２０６は、第３の金属配線２１６を介して第４のＴＧＶ２１０に接続され得る。第１の金属配線２１２および第３の金属配線２１６は、ガラス基板２０２の上部表面に置かれ得る。第２の金属配線２１４は、ガラス基板２０２の底部表面に置かれ得る。
【００１６】
第１のＴＧＶ２０４および第２のＴＧＶ２０６は、各々、円形の横断面形状を有し得る。第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０は、各々、非円形の横断面形状を有し得る。動作中、電流は、金属配線を介して１つのＴＧＶから別のＴＧＶに流れることができる（たとえば、電流は、第１の金属配線２１２を介して第１のＴＧＶ２０４から第３のＴＧＶ２０８に流れることができる）。第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０の非円形の横断面は、第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０が第１のＴＧＶ２０４および第２のＴＧＶ２０６より大きい幅を有することを可能にする。第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０は、周囲の磁場からの遮蔽を実現することができる（図２の点線の矢印で示されるように）。磁場のそのような遮蔽は、電子デバイス２００のより高い効率と低減された抵抗とをもたらす。Ｑ係数は、エネルギーの貯蓄におけるインダクタの効率を示す。特定の一実施形態で、電子デバイス２００は、円形の横断面形状を有するＴＧＶを使用して実装されるトロイダルインダクタの６２．４の品質（Ｑ）係数と比較して２ＧＨｚで６６．３のＱ係数を有する。したがって、非円形の横断面を有するＴＧＶを含む電子デバイス２００は、さらに高いインダクタ効率を有する。
【００１７】
トロイダルインダクタ２００が図２に示されるが、他の構造体は非円形の横断面を有するＴＧＶ（たとえば、第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０）を含み得ることを理解されたい。たとえば、半分に曲げたソレノイドインダクタは、その半分に曲げたソレノイドインダクタの外部領域に非円形の横断面を有するＴＧＶを含むことができ、その半分に曲げたソレノイドインダクタの内部領域に円形の横断面を有するＴＧＶを含むことができる。別の例として、Ｓ字型にされたインダクタは、そのＳ字型にされたインダクタの外部領域（たとえば、曲がった領域）に非円形の横断面を有するＴＧＶを含むことができ、そのＳ字型にされたインダクタの内部領域（たとえば、真っすぐな領域）に円形の横断面を有するＴＧＶを含むことができる。
【００１８】
図３は、非円形の横断面を有するＴＧＶ（たとえば、図１のＴＧＶ１０６、図２のＴＧＶ２０８、またはＴＧＶ２１０）を製造するための方法３００の特定の一実施形態を示す流れ図である。方法３００は、３０２で、ガラス基板（たとえば、図１のガラス基板１０２または図２のガラス基板２０２）でマスクをパターニングするステップを含む。たとえば、ＴＧＶハードマスクは、ガラス基板上に置くことができる。ＴＧＶハードマスクは、フォトレジストマスクでもよい。ＴＧＶハードマスクは、ＴＧＶが製造されることになる開口部を形成するために、パターニングすることができる。方法３００はまた、３０４で、ＴＧＶ空洞をエッチングするステップを含む。たとえば、ウェットエッチングまたは気相エッチングが、非円形の横断面形状を有するＴＧＶ空洞を形成するために、開口部に適用され得る。たとえば、その非円形の横断面形状は、長円体の形状、楕円形の形状、長方形の形状、凹形の形状、または、改良された磁気遮蔽を実現するために有用な任意の他の形状でもよい。
【００１９】
方法３００はさらに、３０６でＴＧＶ空洞をパッシベーションするステップを含む。たとえば、パッシベーション層（たとえば、ＳｉＮまたはＳｉＣの層）は、側壁内に、およびＴＧＶ空洞の底部に置くことができる。方法３００はさらに、３０８で、ＴＧＶ空洞が完了したかどうか（たとえば、ＴＧＶ空洞がガラス基板を通して広がるかどうか）を判定するステップを含む。ＴＧＶ空洞が完了していないとき、方法３００はさらに、ＴＧＶ空洞の底部パッシベーションを取り除くステップを含む。たとえば、ＴＧＶ空洞の底部に置かれたパッシベーション層は、スパッタクリーニングプロセスを介して取り除くことができる。方法３００は、ＴＧＶ空洞をエッチングするステップ、ＴＧＶ空洞をパッシベーションするステップ、およびＴＧＶ空洞が完了するまでＴＧＶ空洞の底部パッシベーションを取り除くステップを繰り返すことができる。ＴＧＶ空洞が完了した（たとえば、ＴＧＶ空洞がガラス基板を通して広がった）後、方法３００はさらに、３１０で、ＴＧＶ空洞の壁に導電材料を適用して、非円形の横断面を有するＴＧＶ（たとえば、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、または第４のＴＧＶ２１０）を形成するステップを含む。たとえば、金属層が、ＴＧＶを形成するために、ＴＧＶ空洞の壁に適用され得る。それにより、方法３００は、非円形の横断面を有するＴＧＶの製造を可能にし得る。
【００２０】
非円形の横断面を有するＴＧＶの製造が完了した後、半導体デバイスの他の層または構成要素が、非円形の横断面を有するＴＧＶを使用し、実装され得る。たとえば、インダクタ（たとえば、図１の電子デバイス１００）が、非円形の横断面を有するＴＧＶを使用し、形成され得る。別の例として、トロイダルインダクタ（たとえば、図２の電子デバイス２００）が、非円形の横断面を有するＴＧＶを使用し、形成され得る。非円形の横断面を有するＴＧＶは、他のプロセスを使用して形成され得ることを理解されたい。たとえば、非円形の横断面を有するＴＧＶは、ガラス成形プロセス、レーザドリル法、および放電法を使用し、形成することができる。
【００２１】
図４は、非円形の横断面を有するＴＧＶを製造するための方法４００の別の特定の実施形態を示す流れ図である。方法４００は、４０２で、ガラス基板の表面にＴＧＶハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を形成するステップを含む。たとえば、ＴＧＶハードマスクは、ガラス基板上に置くことができ、そして、ＴＧＶハードマスクが、ＴＧＶが製造されることになる開口部を形成するために、パターニングされ得る。方法４００はまた、４０４で、その空洞を介してガラス基板の一部分をエッチングするステップを含む。たとえば、ウェットエッチングまたは気相エッチングが、非円形の横断面形状を有するＴＧＶ空洞を形成するために、開口部に適用され得る。方法４００はさらに、４０６で、エッチングされた部分に導電材料を適用して非円形の横断面を有するＴＧＶを形成するステップを含む。そのＴＧＶは、構造体を備えるデバイスに統合することができる。その構造体は、第１のセットのＴＧＶおよび第２のセットのＴＧＶを備える。第１のセットのＴＧＶは第１のビアを備え、そして、第２のセットのＴＧＶは第２のビアを備える。第１のビアは、第２のビアとは異なる横断面形状を有する。たとえば、金属層が、ＴＧＶを形成するために、ＴＧＶ空洞の壁に適用され得る。そのＴＧＶは、図１の電子デバイス１００に統合することができる。それにより、方法４００は、非円形の横断面を有するＴＧＶの製造を可能にし得る。
【００２２】
図５は、非円形の横断面を有するＴＧＶ５５２（たとえば、図１の第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、または第４のＴＧＶ２１０）を含むインダクタ５５０（たとえば、図１のデバイス１００または図２のトロイダルインダクタ２００）を含む通信デバイス５００を示す図である。図３〜図４に記載の方法、またはその特定の部分は、インダクタ５５０を製造するために使用され得る。
【００２３】
通信デバイス５００は、メモリ５３２に結合された、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ，ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）などのプロセッサ５１０を含む。メモリ５３２は、命令５４６を記憶する、非一時的有形のコンピュータ可読のおよび／またはプロセッサ可読の記憶デバイスでもよい。命令５４６は、１つまたは複数の機能を実行するためにプロセッサ５１０によって実行可能でもよい。
【００２４】
図５は、通信デバイス５００が、プロセッサ５１０におよびディスプレイデバイス５２８に結合されたディスプレイコントローラ５２６も含み得ることを示す。コーダ／デコーダ（ＣＯＤＥＣ，コーデック）５３４も、プロセッサ５１０に結合され得る。スピーカ５３６およびマイクロフォン５３８は、ＣＯＤＥＣ５３４に結合され得る。図５はまた、プロセッサ５１０に結合されたワイヤレスコントローラ５４０を示す。ワイヤレスコントローラ５４０は、送受信機５４８を介してアンテナ５４２と通信中である。送受信機５４８は、無線周波数（ＲＦ，ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）ステージ５５４に置くことができる。ワイヤレスコントローラ５４０、送受信機５４８、およびアンテナ５４２は、通信デバイス５００によってワイヤレス通信を可能にするワイヤレスインターフェースを表し得る。通信デバイス５００は、多数のワイヤレスインターフェースを含むことができ、異なるワイヤレスネットワークが、異なるネットワーキング技術またはネットワーキング技術の組合せ（たとえば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ、近距離無線通信、Ｗｉ‐Ｆｉ、セルラなど）をサポートするように構成される。
【００２５】
特定の一実施形態では、プロセッサ５１０、ディスプレイコントローラ５２６、メモリ５３２、ＣＯＤＥＣ５３４、ワイヤレスコントローラ５４０、および送受信機５４８は、システムインパッケージまたはシステムオンチップデバイス５２２に含まれる。特定の一実施形態では、入力デバイス５３０および電源５４４は、システムオンチップデバイス５２２に結合される。さらに、特定の一実施形態では、図５に示すように、ディスプレイデバイス５２８、入力デバイス５３０、スピーカ５３６、マイクロフォン５３８、アンテナ５４２、および電源５４４は、システムオンチップデバイス５２２の外部にある。しかし、ディスプレイデバイス５２８、入力デバイス５３０、スピーカ５３６、マイクロフォン５３８、アンテナ５４２、および電源５４４の各々は、インターフェースまたはコントローラなど、システムオンチップデバイス５２２の構成要素に結合され得る。
【００２６】
ＲＦステージ５５４は、例示的インダクタ５５０などの電子デバイス（たとえば、インダクタ）を使用し、少なくとも部分的に、実装され得る。インダクタ５５０は、非円形の横断面を有するＴＧＶ５５２を含み得る。たとえば、インダクタ５５０は、図１のデバイス１００、図２のトロイダルインダクタ２００、またはその任意の組合せでもよい。ＴＧＶ５５２は、図１の第２のＴＧＶ１０６、または複数のＴＧＶ（たとえば、図２のトロイダルインダクタの外部領域の複数のＴＧＶ）を表し得る。インダクタ５５０は、近隣の電磁信号からの干渉を減らすために、通信デバイス５００の回路（たとえば、１つまたは複数の構成要素内のインダクタ）で使用され得る。
【００２７】
記載された実施形態と併せて、装置は、電磁信号を遮蔽するための手段を含み得る。たとえば、電磁信号を遮蔽するための手段は、図１の第２のＴＧＶ１０６、図２の第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、図５のＴＧＶ５５２、図２のトロイダルインダクタ２００、図５のインダクタ５５０のＴＧＶ、電磁信号を遮蔽するように構成された１つまたは複数のデバイス、あるいはその任意の組合せを含み得る。電磁信号を遮蔽するための手段は、非円形の横断面を有するデバイスを備える。たとえば、その遮蔽するための手段は、非円形の横断面１１４を有する第２のＴＧＶ１０６、非円形の横断面形状を各々有する第３のＴＧＶ２０８および第４のＴＧＶ２１０、またはＴＧＶ５５２を含み得る。
【００２８】
本装置はまた、伝導チャネルを提供するための手段を含む。たとえば、伝導チャネルを提供するための手段は、図１の第１のＴＧＶ１０４、図２の第１のＴＧＶ２０４および第２のＴＧＶ２０６、インダクタ５５０の１つまたは複数の構成要素（たとえば、円形の横断面を有するＴＧＶ）、伝導チャネルを提供するように構成された１つまたは複数のデバイス、またはその任意の組合せを含み得る。伝導チャネルを提供するための手段は、金属配線を介して電磁信号を遮蔽するための手段に接続される。たとえば、金属配線１０８は、第１のＴＧＶ１０４を第２のＴＧＶ１０６に接続することができる。第１のＴＧＶ２０４は、第１の金属配線２１２を介して第３のＴＧＶ２０８に接続することができ、第３のＴＧＶ２０８は、第２の金属配線２１４を介して第２のＴＧＶ２０６に接続することができる。第２のＴＧＶ２０６は、第３の金属配線２１６を介して第４のＴＧＶ２１０に接続することができる。
【００２９】
前述の開示されたデバイスおよび機能性は、コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータファイル（たとえばＲＴＬ、ＧＤＳＩＩ、ＧＥＲＢＥＲなど）に設計および構成され得る。いくつかのまたはすべてのそのようなファイルは、そのようなファイルに基づいてデバイスを作る製造業者に提供され得る。結果としてできる製品は、次いで半導体ダイに切り分けられ、半導体チップにパッケージ化される、半導体ウェハを含む。それらのチップは、次いで、前述のデバイスで使用される。図６は、電子デバイス製造プロセス６００の特定の例示的一実施形態を示す。
【００３０】
物理デバイス情報６０２が、リサーチコンピュータ６０６などの製造プロセス６００で受け取られる。物理デバイス情報６０２は、図１の第２のＴＧＶ１０６、図２の第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはその任意の組合せを含むデバイスなどの半導体デバイスの少なくとも１つの物理特性を表す設計情報を含み得る。たとえば、物理デバイス情報６０２は、物理パラメータ、材料特性、および、リサーチコンピュータ６０６に結合されたユーザインターフェース６０４を介して入力される構造情報を含み得る。リサーチコンピュータ６０６は、メモリ６１０などのコンピュータ可読媒体に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ６０８を含む。メモリ６１０は、プロセッサ６０８に物理デバイス情報６０２をファイル形式に適合するように変換させ、ライブラリファイル６１２を生成させるために実行可能である、コンピュータ可読命令を記憶することができる。
【００３１】
特定の一実施形態では、ライブラリファイル６１２は、変換された設計情報を含む少なくとも１つのデータファイルを含む。たとえば、ライブラリファイル６１２は、電子設計自動化（ＥＤＡ，ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｓｉｇｎ  ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）ツール６２０と使用するために提供される、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含むデバイスを含む半導体デバイスのライブラリを含み得る。
【００３２】
ライブラリファイル６１２は、メモリ６１８に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ６１６を含む設計コンピュータ６１４にあるＥＤＡツール６２０と併せて使用され得る。ＥＤＡツール６２０は、設計コンピュータ６１４のユーザが、ライブラリファイル６１２の第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含む回路を設計することを可能にするために、メモリ６１８でプロセッサ実行可能命令として記憶され得る。たとえば、設計コンピュータ６１４のユーザは、設計コンピュータ６１４に結合されたユーザインターフェース６２４を介して回路設計情報６２２を入力することができる。回路設計情報６２２は、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含むデバイスなどの半導体デバイスの少なくとも１つの物理特性を表す設計情報を含み得る。説明のために、回路設計特性は、特定の回路の識別および回路設計中の他の要素との関係、位置情報、形状情報、相互接続情報、または、半導体デバイスの物理特性を表す他の情報を含み得る。
【００３３】
設計コンピュータ６１４は、ファイル形式に適合するように、回路設計情報６２２を含む設計情報を変換するように構成され得る。説明のために、ファイル構成は、グラフィックデータシステム（ＧＤＳＩＩ）ファイル形式など、平面の幾何学的図形を表すデータベースバイナリファイル形式、テキストラベル、および、階層的形式の回路レイアウトに関する他の情報を含み得る。設計コンピュータ６１４は、他の回路または情報に加えて、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを説明する情報を含むＧＤＳＩＩファイル６２６などの変換された設計情報を含むデータファイルを生成するように構成され得る。説明のために、データファイルは、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０を含む、そしてＳＯＣ内の追加の電子回路および構成要素も含む、システムオンチップ（ＳＯＣ，ｓｙｓｔｅｍ‐ｏｎ‐ｃｈｉｐ）に対応する情報を含み得る。
【００３４】
ＧＤＳＩＩファイル６２６は、ＧＤＳＩＩファイル６２６内の変換された情報に従って、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを製造するために、製造プロセス６２８で受け取られ得る。たとえば、デバイス製造プロセスは、代表的マスク６３２として示された、フォトリソグラフィ処理で使用されることになるマスクなど、１つまたは複数のマスクを形成するために、マスク製造業者６３０にＧＤＳＩＩファイル６２６を提供するステップを含み得る。マスク６３２は、テストされ得る、代表的ダイ６３６などのダイに分けられ得る、１つまたは複数のウェハ６３４を生成するために、製造プロセス中に使用され得る。ダイ６３６は、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含むデバイスを含む、回路を含む。
【００３５】
ダイ６３６は、ダイ６３６が代表的パッケージ６４０に組み込まれるパッケージ化プロセス６３８に提供され得る。たとえば、パッケージ６４０は、システムインパッケージ（ＳｉＰ）配列など、単一のダイ６３６または複数のダイを含み得る。パッケージ６４０は、電子素子技術連合評議会（Ｊｏｉｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｃｏｕｎｃｉｌ，ＪＥＤＥＣ）規格などの１つまたは複数の規格または仕様書に準拠するように構成することができる。
【００３６】
パッケージ６４０に関する情報は、コンピュータ６４６に記憶された構成要素ライブラリを介するなどして、様々な製品設計者に配信され得る。コンピュータ６４６は、メモリ６５０に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ６４８を含み得る。プリント回路基板（ＰＣＢ，ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）ツールは、ユーザインターフェース６４４を介してコンピュータ６４６のユーザから受け取られたＰＣＢ設計情報６４２を処理するために、メモリ６５０でプロセッサ実行可能命令として記憶され得る。ＰＣＢ設計情報６４２は、回路基板上のパッケージ化された半導体デバイス、第２のＴＧＶ１０６を含むパッケージ６４０に対応するパッケージ化された半導体デバイス、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せの物理位置情報を含み得る。
【００３７】
コンピュータ６４６は、回路基板上のパッケージ化された半導体デバイスの物理位置情報、ならびにトレースおよびビアなどの電気的接続のレイアウトを含むデータを有する、ＧＥＲＢＥＲファイル６５２など、データファイルを生成するために、ＰＣＢ設計情報６４２を変換するように構成することができ、パッケージ化された半導体デバイスは、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含む、パッケージ６４０に対応する。他の実施形態では、変換されたＰＣＢ設計情報によって生成されたデータファイルは、ＧＥＲＢＥＲ形式以外の形式を有し得る。
【００３８】
ＧＥＲＢＥＲファイル６５２は、基板アセンブリプロセス６５４で受け取ることができ、ＧＥＲＢＥＲファイル６５２内に記憶された設計情報に従って製造される代表的ＰＣＢ６５６などのＰＣＢを形成するために使用することができる。たとえば、ＧＥＲＢＥＲファイル６５２は、ＰＣＢ生産プロセスの様々なステップを実行するために、１つまたは複数の機械にアップロードされ得る。ＰＣＢ６５６は、代表的プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）６５８を形成するために、パッケージ６４０を含む電子構成要素を装着され得る。
【００３９】
ＰＣＡ６５８は、製品製造プロセス６６０で受け取られ、第１の代表的電子デバイス６６２および第２の代表的電子デバイス６６４などの１つまたは複数の電子デバイスに統合され得る。例示的、非限定的な一例として、第１の代表的電子デバイス６６２、第２の代表的電子デバイス６６４、またはその両方は、第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、または第４のＴＧＶ２１０が含まれるデバイスがそれに統合される、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータのグループから選択され得る。別の例示的、非限定的な例として、電子デバイス６６２および６６４のうちの１つまたは複数は、携帯電話などの遠隔ユニット、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ，ｐｅｒｓｏｎｌａ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）ユニット、パーソナルデータアシスタントなどの携帯用データユニット、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ，ｇｌｏｂａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、メータ読取り機器などの固定ロケーションデータユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは検索する任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せでもよい。図６は、本開示の教示による遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの図示されたユニットに限定されない。本開示の実施形態は、電子回路を含む任意のデバイスで、適切に使用され得る。
【００４０】
第２のＴＧＶ１０６、第３のＴＧＶ２０８、第４のＴＧＶ２１０、またはそれらの任意の組合せを含むデバイスは、例示的プロセス６００に記載のように、製造、処理され、電子デバイスに組み込まれ得る。図１〜図５に関して開示される実施形態の１つまたは複数の態様は、ライブラリファイル６１２、ＧＤＳＩＩファイル６２６、およびＧＥＲＢＥＲファイル６５２などの中で、様々な処理ステージで含むことができ、ならびにリサーチコンピュータ６０６のメモリ６１０、設計コンピュータ６１４のメモリ６１８、コンピュータ６４６のメモリ６５０、基板アセンブリプロセス６５４などの様々なステージで使用される１つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ（図示せず）のメモリで記憶することができ、また、マスク６３２、ダイ６３６、パッケージ６４０、ＰＣＡ６５８、プロトタイプ回路もしくはデバイス（図示せず）などの他の製品、またはそれらの任意の組合せなど、１つまたは複数の他の物理実施形態に組み込まれ得る。最終製品への物理デバイス設計の生産の様々な代表的ステージが図示されるが、他の実施形態では、より少数のステージが使用されることがあり、または、追加のステージが含まれることがある。同様に、プロセス６００は、単一の実体によって、またはプロセス６００の様々なステージを実行する１つまたは複数の実体によって、実行することができる。
【００４１】
開示される実施形態のうちの１つまたは複数が、携帯用音楽プレーヤ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルラ式携帯電話、コンピュータ、タブレット、携帯用デジタルビデオプレーヤ、または携帯用コンピュータを含む、システムまたは装置で実装され得る。加えて、そのシステムまたは装置は、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、セットトップボックス、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ，ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｉｄｅｏ  ｄｉｓｃ）プレーヤ、デスクトップコンピュータ、データまたはコンピュータ命令を記憶または検索する任意の他のデバイス、あるいはその組合せを含み得る。別の例示的、非限定的な例として、そのシステムまたは装置は、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）対応デバイスなどの遠隔ユニット、ナビゲーションデバイス、メータ読取り機器などの固定ロケーションデータユニット、または任意の他の電子デバイスを含み得る。図１〜図６のうちの１つまたは複数は、本開示の教示によるシステム、装置、および／または方法を示すが、本開示は、これらの図示されたシステム、装置、および／または方法に限定されない。本開示の実施形態は、回路を含む任意のデバイスで使用することができる。
【００４２】
「第１の」、「第２の」などの指示を使用した本明細書での要素の参照は、それらの要素の品質または順序を一般に限定しないことを、理解されたい。そうではなく、これらの指示は、２つ以上の要素、または要素の事例を区別する便宜的方法として、本明細書で使用され得る。したがって、第１のおよび第２の要素の参照は、２つのみの要素が使用され得ることまたは第１の要素が何らかの形で第２の要素に優先することを意味しない。また、別段の指示のない限り、１セットの要素は、１つまたは複数の要素を備え得る。
【００４３】
本明細書では、「決定」という用語は、多種多様なアクションを包含する。たとえば、「決定」は、計算、コンピューティング、処理、導出、調査、検索（たとえば、テーブル、データベースまたは別のデータ構造体の検索）、解明などを含み得る。また、「決定」は、受け取ること（たとえば、情報を受け取ること）、アクセス（たとえば、メモリ内のデータへのアクセス）などを含み得る。また、「決定」は、解決、選定、選択、規定などを含み得る。
【００４４】
本明細書では、項目のリストの「うちの少なくとも１つ」という表現は、単一のメンバを含む、それらの項目の任意の組合せを示す。一例として、「次のうちの少なくとも１つ：ａ、ｂ、またはｃ」は、ａ、ｂ、ｃ、ａ〜ｂ、ａ〜ｃ、ｂ〜ｃ、およびａ〜ｂ〜ｃを包含することが意図される。
【００４５】
様々な例示的構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能性に関して、概して前述された。そのような機能性がハードウェアまたはプロセッサ実行可能命令として実装されるかどうかは、具体的なアプリケーションおよびシステム全体に課される設計制約に応じて決まる。加えて、前述の方法の様々な動作（たとえば、図３〜図４に示された任意の動作）は、様々なハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素、回路、および／または、モジュールなどの動作を実行する能力を有する任意の適切な手段によって、実行され得る。技能工は、記載された機能性を各特定のアプリケーションのために様々な方法で実装することができるが、そのような実装の判断は、本開示の範囲の逸脱をもたらすものとして解釈されるべきではない。
【００４６】
本開示に関して記載の様々な例示的論理的ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ，ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ，ｆｉｅｌｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ，  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、離散的ゲートまたはトランジスタロジック、離散的ハードウェア構成要素（たとえば、電子ハードウェア）、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、あるいは本明細書に記載の機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せで実装または実行され得ることが、当業者にはさらに理解されよう。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサでもよいが、代替で、プロセッサは、任意の市販のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラまたは状態機械でもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連動する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成、として実装することができる。
【００４７】
１つまたは複数の態様で、記載された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組合せで実装され得る。ソフトウェアで実装される場合、その機能は、コンピュータ可読媒体で１つまたは複数の命令またはコードとして記憶することができる。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読記憶媒体と、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムデータの転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体とを含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスすることができる任意の使用可能な媒体でもよい。例として、限定ではなく、そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ，ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ，  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、プログラマブル読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ，  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、消去可能ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ，  ｅｒａｓａｂｌｅ  ＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ，  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｅｒａｓａｂｌｅ  ＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ，ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｓｃ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）、他の光ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置、磁気記憶デバイス、あるいは、命令またはデータの形でプログラムコードを記憶するために使用することができる、そしてコンピュータによってアクセスすることができる任意の他の媒体を含み得る。代替で、コンピュータ可読媒体（たとえば、記憶媒体）は、プロセッサに不可欠でもよい。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在し得る。そのＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に存在し得る。代替で、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内の離散的構成要素として存在し得る。
【００４８】
また、任意の接続が、コンピュータ可読媒体と適切に呼ばれる。たとえば、ソフトウェアが、ウェブサイト、サーバ、または他の遠隔ソースから、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ，ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  ｌｉｎｅ）、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術を使用し、送信される場合、そのとき、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。本明細書では、ディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ，ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）、およびフロッピディスクを含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、磁気的にデータを再生し、一方、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザで光学的にデータを再生する。したがって、いくつかの態様で、コンピュータ可読媒体は、非一時的コンピュータ可読媒体（たとえば、有形の媒体）を含み得る。前述の組合せもまた、コンピュータ可読媒体の範囲に含まれるべきである。
【００４９】
本明細書で開示される方法は、１つまたは複数のステップまたはアクションを含む。本方法のステップおよび／またはアクションは、特許請求の範囲を逸脱することなしに入れ替えることができる。言い換えれば、ステップまたはアクションの特定の順番が指定されない限り、特定のステップおよび／またはアクションの順番および／または使用は、本開示の範囲を逸脱することなしに修正することができる。
【００５０】
ある種の態様は、本明細書で提示される動作を実行するためのコンピュータプログラム製品を含み得る。たとえば、コンピュータプログラム製品は、命令がそこに記憶された（および／またはコード化された）コンピュータ可読記憶媒体を含むことができ、その命令は、本明細書に記載された動作を実行するために１つまたは複数のプロセッサによって実行可能である。コンピュータプログラム製品は、パッケージ化材料を含み得る。
【００５１】
さらに、本明細書に記載の方法および技法を実行するためのモジュールおよび／または他の適切な手段は、ダウンロードされ得るおよび／または適用可能なようにユーザ端末および／または基地局によって他の方法で取得され得ることを、理解されたい。別法として、本明細書に記載の様々な方法は、記憶手段（たとえば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、または、コンパクトディスク（ＣＤ）などの物理記憶媒体）を介して提供され得る。さらに、本明細書に記載の方法および技法を提供するための任意の他の適切な技法が、使用され得る。本開示の範囲は、前述の正確な構成および構成要素に限定されないことを、理解されたい。
【００５２】
開示される実施形態の前述の説明は、当業者が開示された実施形態を行うまたは使用することを可能にするために提供される。前述は、本開示の態様を対象とするが、本開示の他の態様は、その基本的範囲を逸脱することなしに考案可能であり、その範囲は、次の特許請求の範囲によって決定される。様々な修正、変更および変形が、本開示の範囲または本特許請求の範囲を逸脱することなしに本明細書に記載された実施形態の配列、動作、および詳細で行われ得る。したがって、本開示は、本明細書に記載された実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義されるものとしての原理および新しい機能に一致し得る最も広い範囲を与えられるものとする。
【符号の説明】
【００５３】
１００  電子デバイス
１０２  ガラス基板
１０４  第１のＴＧＶ
１０６  第２のＴＧＶ
１０８  金属配線
１１０  円形の横断面
１１２  主軸
１１４  非円形の横断面
１１６  経度軸
２００  電子デバイス
２０２  ガラス基板
２０４  第１のＴＧＶ
２０６  第２のＴＧＶ
２０８  第３のＴＧＶ
２１０  第４のＴＧＶ
２１２  第１の金属配線
２１４  第２の金属配線
２１６  第３の金属配線
３００  方法
４００  方法
５００  通信デバイス
５１０  プロセッサ
５２２  システムオンチップデバイス
５２６  ディスプレイコントローラ
５２８  ディスプレイデバイス
５３０  入力デバイス
５３２  メモリ
５３４  コーダ／デコーダ
５３６  スピーカ
５３８  マイクロフォン
５４０  ワイヤレスコントローラ
５４２  アンテナ
５４４  電源
５４６  命令
５４８  送受信機
５５０  インダクタ
５５２  ＴＧＶ
５５４  ＲＦステージ
６００  電子デバイス製造プロセス
６０２  物理デバイス情報
６０４  ユーザインターフェース
６０６  リサーチコンピュータ
６０８  プロセッサ
６１０  メモリ
６１２  ライブラリファイル
６１４  設計コンピュータ
６１６  プロセッサ
６１８  メモリ
６２０  電子設計自動化（ＥＤＡ）ツール
６２２  回路設計情報
６２４  ユーザインターフェース
６５２６  ＧＤＳＩＩファイル
６２８  製造プロセス
６３０  マスク製造業者
６３２  マスク
６３４  ウェハ
６３６  ダイ
６３８  パッケージ化プロセス
６４０  パッケージ
６４２  ＰＣＢ設計情報
６４４  ユーザインターフェース
６４６  コンピュータ
６４８  プロセッサ
６５０  メモリ
６５２  ＧＥＲＢＥＲファイル
６５４  基板アセンブリプロセス
６５６  ＰＣＢ
６５８  プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）
６６０  製品製造プロセス
６６２  第１の代表的電子デバイス
６６４  第２の代表的電子デバイス
【図１】
2016526284.tif 000003
【図２】
2016526284.tif 000004
【図３】
2016526284.tif 000005
【図４】
2016526284.tif 000006
【図５】
2016526284.tif 000007
【図６】
2016526284.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備えるインダクタ構造体であって、前記第１のセットのガラス貫通ビアおよび前記第２のセットのガラス貫通ビアが、ガラス基板の第１の表面の第１の金属の配線を前記第１の表面の反対側の前記ガラス基板の第２の表面の第２の金属の配線に結合させる、インダクタ構造体
を備える、電子デバイス。
【請求項２】
前記第１のビアが、円形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２のビアが、非円形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記インダクタ構造体がトロイダルインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の内部領域に対応し、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の外部領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記トロイダルインダクタ構造体のＱ係数が、前記第２のセットのガラス貫通ビアの遮蔽能力に少なくとも部分的に基づく、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１のビアが円形の横断面形状を有し、前記第２のビアが非円形の横断面形状を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第２のビアが、前記第１のビアより大きい幅を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記インダクタ構造体が、半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体の内部領域に対応し、そして、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記半分に曲げたソレノイドインダクタ構造体の外部領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記インダクタ構造体が、Ｓ字型にされたインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記Ｓ字型にされたインダクタ構造体の第１の領域に対応し、そして、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記Ｓ字型にされたインダクタ構造体の第２の領域に対応する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記第２のビアが、長円体の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記第２のビアが、楕円形の横断面、長方形の横断面、または凹形の横断面を有する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
ガラス基板をさらに備え、前記第１のセットのガラス貫通ビアおよび前記第２のセットのガラス貫通ビアが前記ガラス基板を介して形成され、
前記前記インダクタ構造体がさらに、
第１のセットの金属配線の第１の金属配線が第１の形状を有する、前記ガラス基板の第１の表面上の前記第１のセットの金属配線と、
第２のセットの金属配線の第２の金属配線が第２の形状を有する、前記ガラス基板の第２の表面上の前記第２のセットの金属配線と
を備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記第１のセットのガラス貫通ビアが第３のビアを備え、前記第１の金属配線が前記第１のビアおよび前記第２のビアを電気的に結合させ、前記第２の金属配線が前記第２のビアおよび前記第３のビアを電気的に結合させ、前記第１の金属配線の前記第１の形状と前記第２の金属配線の前記第２の形状とが同じ形状である、請求項１２に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記第１のセットのガラス貫通ビアおよび前記第２のセットのガラス貫通ビアが、少なくとも１つの半導体ダイに統合された、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記インダクタ構造体が、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、ＰＤＡ、固定ロケーションデータユニット、コンピュータ、またはその組合せに統合された、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
ガラス基板の表面にガラス貫通ビアハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を作成するステップと、
前記空洞を介して前記ガラス基板の一部分をエッチングするステップと、
前記エッチングされた部分に導電材料を適用してガラス貫通ビアを形成するステップであって、前記ガラス貫通ビアがインダクタ構造体に統合され、前記インダクタ構造体が、第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備え、前記第１のセットのガラス貫通ビアおよび前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記ガラス基板の第１の表面上の第１の金属の配線を前記第１の表面の反対側の前記ガラス基板の第２の表面上の第２の金属の配線に結合させる、ステップと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記ガラス貫通ビアが前記第２のセットのガラス貫通ビアに含まれ、前記第２のビアが、非円形の横断面を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のビアが、円形の横断面を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記インダクタ構造体がトロイダルインダクタ構造体であり、前記第１のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の内部領域に対応し、前記第２のセットのガラス貫通ビアが、前記トロイダルインダクタ構造体の外部領域に対応し、前記第１のセットのガラス貫通ビアの各ビアが、前記第２のセットのガラス貫通ビアの対応するビアに関して角度オフセットされた、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のセットのガラス貫通ビアが第１の数のビアを含み、前記第２のセットのガラス貫通ビアが第２の数のビアを含み、ビアの前記第１の数がビアの前記第２の数と同じである、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
ビアの前記第１の数が１１である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記パターニングするステップ、前記エッチングするステップ、および前記適用するステップが、プロセッサによって制御される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
電磁信号を遮蔽するための手段であって、前記電磁信号を遮蔽するための手段が、ガラス基板を通して広がり、前記電磁信号を遮蔽するための手段が、非円形の横断面を有する、前記電磁信号を遮蔽するための前記手段と、
伝導チャネルを提供するための手段であって、前記伝導チャネルを提供するための前記手段が前記ガラス基板を通して広がり、そして、前記伝導チャネルを提供するための前記手段および前記電磁信号を遮蔽するための前記手段が、ガラス基板の第１の表面の第１の金属の配線におよび前記第１の表面の反対側の前記ガラス基板の第２の表面の第２の金属の配線に結合された、手段と
を備える、電子デバイス。
【請求項２４】
前記遮蔽するための手段および前記提供するための手段が、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、ＰＤＡ、固定ロケーションデータユニット、コンピュータ、またはその組合せにおいて統合された、請求項２３に記載の電子デバイス。
【請求項２５】
ガラス基板の表面にガラス貫通ビアハードマスクをパターニングして非円形の横断面を有する空洞を作成するステップと、
前記空洞を介して前記ガラス基板の一部分をエッチングするステップと、
前記エッチングされた部分に導電材料を適用して非円形の横断面を有するガラス貫通ビアを形成するステップであって、前記ガラス貫通ビアがインダクタ構造体において統合され、前記インダクタ構造体が、第１のビアを備える第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える第２のセットのガラス貫通ビアとを備え、前記第１のセットのガラス貫通ビアおよび前記第２のセットのガラス貫通ビアが、ガラス基板の第１の表面の第１の金属の配線を前記第１の表面の反対側の前記ガラス基板の第２の表面の第２の金属の配線に結合させる、ステップと
を含む動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２６】
前記インダクタ構造体がトロイダルインダクタを備え、前記トロイダルインダクタが内部領域および外部領域を含み、前記内部領域が前記第１のセットのガラス貫通ビアを含み、前記外部領域が前記第２のセットのガラス貫通ビアを含み、前記第２のセットのガラス貫通ビアが前記ガラス貫通ビアを含み、前記内部領域と前記外部領域との間のガラス基板の領域が、前記トロイダルインダクタのコアに対応する、請求項２５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２７】
パッケージ化された半導体デバイスが、
第１のセットのガラス貫通ビアおよび第２のセットのガラス貫通ビアが、ガラス基板の第１の表面の第１の金属の配線を前記第１の表面の反対側の前記ガラス基板の第２の表面の第２の金属の配線に結合させる、第１のビアを備える前記第１のセットのガラス貫通ビアと第２のビアを備える前記第２のセットのガラス貫通ビアとを備えるインダクタ構造体
を備える、回路基板上の前記パッケージ化された半導体デバイスの物理位置決め情報を備える設計情報を受信するステップと、
前記設計情報を変換してデータファイルを生成するステップと
を含む、方法。
【請求項２８】
前記インダクタ構造体が、前記パッケージ化された半導体デバイスのトロイダルインダクタに対応する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記データファイルがＧＥＲＢＥＲ形式を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記データファイルがＧＤＳＩＩ形式を有する、請求項２７に記載の方法。
【国際調査報告】
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