(57)【要約】  有機光電子素子用化合物、これを含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置に関するものであって、化学式１で表される有機光電子素子用化合物を提供する。
2016505611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化学式１で表される有機光電子素子用化合物：
【化１】
2016505611.tif 000061
前記化学式１において、
Ａｒ１は置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、
Ｌ１〜Ｌ３は互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、
ｎ１〜ｎ３は互いに独立して、０〜３のうちのいずれか１つの整数であり、
Ａは下記の化学式Ａ−２であり、
Ｂは下記の化学式Ａ−２、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基である：
【化２】
2016505611.tif 000062
前記化学式Ａ−２において、
Ｘ１は−Ｏ−または−Ｓ−であり、
Ｒ３およびＲ４は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項２】
前記Ｂは下記の化学式Ａ−２である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項３】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−１である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
【化３】
2016505611.tif 000063
前記化学式Ｂ−１において、
Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項４】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−２である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
【化４】
2016505611.tif 000064
前記化学式Ｂ−２において、
Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項５】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−３である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
【化５】
2016505611.tif 000065
前記化学式Ｂ−３において、
Ｒ９〜Ｒ１２は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項６】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−４である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【化６】
2016505611.tif 000066
【請求項７】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−５である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
【化７】
2016505611.tif 000067
前記化学式Ｂ−５において、
Ｘ２は−Ｏ−、−Ｓ−またはＮＲ’であり、
Ｒ１３、Ｒ１４、およびＲ’は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項８】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−６である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
【化８】
2016505611.tif 000068
前記化学式Ｂ−６において、
Ｒ１５およびＲ１６は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【請求項９】
前記Ａｒ１は置換もしくは非置換のビフェニル基である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１０】
前記ＡおよびＢは前記化学式Ａ−２で表される置換基である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１１】
前記化学式Ａ−２において、前記Ｒ３およびＲ４は水素である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１２】
前記有機光電子素子用化合物は、７００以下の分子量を有するものである、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１３】
前記有機光電子素子用化合物は、６００以下の分子量を有するものである、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１４】
前記有機光電子素子は、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機感光体ドラム、および有機メモリ素子からなる群より選択されるいずれか１つである、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
【請求項１５】
陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に介在する少なくとも１層以上の有機薄膜層を含む有機発光素子において、
前記有機薄膜層のうちの少なくともいずれか１層は、前記請求項１に記載の有機光電子素子用化合物を含む有機発光素子。
【請求項１６】
前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されたいずれか１つである、請求項１５に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
前記有機光電子素子用化合物は、発光層内に含まれるものである、請求項１６に記載の有機発光素子。
【請求項１８】
前記有機光電子素子用化合物は、発光層内に燐光または蛍光ホスト材料として使用されるものである、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項１９】
請求項１５に記載の有機発光素子を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機光電子素子用化合物、これを含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機光電子素子とは、正孔または電子を用いた電極と有機物との間での電荷交流を必要とする素子を意味する。
【０００３】
有機光電子素子は、動作原理によって、下記のように大きく２種類に分けられる。第一は、外部の光源から素子に流入した光子によって有機物層で励起子が形成され、この励起子が電子と正孔に分離され、この電子と正孔がそれぞれ異なる電極に伝達されて電流源（電圧源）として使用される形態の電子素子である。第二は、２つ以上の電極に電圧または電流を加えて電極と界面をなす有機物半導体に正孔または電子を注入し、注入された電子と正孔によって動作する形態の電子素子である。
【０００４】
有機光電子素子の例としては、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機感光体ドラム、有機トランジスタなどがあり、これらはいずれも、素子の駆動のために、正孔の注入または輸送物質、電子の注入または輸送物質、または発光物質を必要とする。
【０００５】
特に、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、近年、フラットパネルディスプレイの需要増加に伴って注目されている。一般に、有機発光現象とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに転換させる現象をいう。
【０００６】
このような有機発光素子は、有機発光材料に電流を加えて電気エネルギーを光に転換させる素子であって、通常、陽極と陰極との間に機能性有機物層が挿入された構造からなる。ここで、有機物層は、有機発光素子の効率および安定性を高めるために、それぞれ異なる物質で構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなってもよい。
【０００７】
このような有機発光素子の構造において、２つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔、陰極からは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が会って再結合によってエネルギーの高い励起子を形成する。この時、形成された励起子が再び基底状態に移動しながら、特定の波長を有する光が発生する。
【０００８】
最近は、蛍光発光物質だけでなく、燐光発光物質も有機発光素子の発光物質として使用できることが知られており、このような燐光発光は、基底状態から励起状態に電子が遷移した後、系間交差によって、一重項励起子が三重項励起子に非発光遷移した後、三重項励起子が基底状態に遷移しながら発光するメカニズムで行われる。
【０００９】
このように、有機発光素子において、有機物層として使用される材料は、機能によって、発光材料と電荷輸送材料、例えば、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料などに分類できる。
【００１０】
また、発光材料は、発光色によって、青色、緑色、赤色発光材料と、より良い天然色を具現するために必要な黄色および樺色発光材料に区分される。
【００１１】
一方、発光材料として１つの物質のみを使用する場合、分子間相互作用によって最大発光波長が長波長に移動し、色純度の低下や発光減衰効果による素子効率低下といった問題が発生するため、色純度の増加ならびにエネルギー転移による発光効率および安定性の増加のために、発光材料としてホスト／ドーパント系を使用することができる。
【００１２】
有機発光素子が前述の優れた特徴を十分に発揮するためには、素子内の有機物層をなす物質、例えば、正孔注入物質、正孔輸送物質、発光物質、電子輸送物質、電子注入物質、発光材料のうち、ホストおよび／またはドーパントなどが安定かつ効率的な材料によって補助されることが先行されなければならず、まだ安定かつ効率的な有機発光素子用有機物層材料の開発が十分になされていない状態であり、したがって、新たな材料の開発が要求され続けている。このような材料開発の必要性は、前述した他の有機光電子素子においても同様である。
【００１３】
また、低分子有機発光素子は、真空蒸着法によって薄膜の形態で素子を製造するため、効率および寿命性能が良い一方、高分子有機発光素子は、インクジェット法またはスピンコート法を用いるため、初期投資費が少なく、大面積化に有利であるという利点がある。
【００１４】
低分子有機発光素子および高分子有機発光素子はいずれも、自発光、高速応答、広視野角、超薄型、高画質、耐久性、広い駆動温度範囲などの利点を有していて、次世代ディスプレイとして注目されている。特に、既存の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して、自発光型であって、暗い所や外部の光が入ってきても視認性が良く、バックライトを必要とせず、ＬＣＤの１／３水準に厚さおよび重量を低減することができる。
【００１５】
また、応答速度がＬＣＤに比べて１０００倍以上速いマイクロ秒単位であるため、残像のない完璧な動画を実現することができる。したがって、最近、本格的なマルチメディア時代に合わせて最適なディスプレイとして脚光を浴びることが期待され、このような利点を基に、１９８０年代後半に最初に開発して以来、効率８０倍、寿命１００倍以上に達する急激な技術発展を成し遂げてきており、最近は、４０インチの有機発光素子パネルが発表されるなど、大型化が急速に進んでいる。
【００１６】
大型化のためには、発光効率の増大および素子の寿命向上が伴わなければならない。このために、安定かつ効率的な有機発光素子用有機物層材料の開発が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
高効率、長寿命などの特性を有する有機光電子素子を提供することができる有機光電子素子用化合物を提供する。
【００１８】
前記有機光電子素子用化合物を含む有機発光素子および前記有機発光素子を含む表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一実施形態では、下記の化学式１で表される有機光電子素子用化合物を提供する。
【００２０】
【化１】
2016505611.tif 000003
【００２１】
前記化学式１において、Ａｒ１は置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、Ｌ１〜Ｌ３は互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、ｎ１〜ｎ３は互いに独立して、０〜３のうちのいずれか１つの整数であり、Ａは下記の化学式Ａ−２であり、Ｂは下記の化学式Ａ−２、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基である：
【００２２】
【化２】
2016505611.tif 000004
【００２３】
前記化学式Ａ−２において、Ｘ１は−Ｏ−または−Ｓ−であり、Ｒ３およびＲ４は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００２４】
前記Ｂは下記のＡ−２であってもよい。
【００２５】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−１であってもよい。
【００２６】
【化３】
2016505611.tif 000005
【００２７】
前記化学式Ｂ−１において、Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００２８】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−２であってもよい。
【００２９】
【化４】
2016505611.tif 000006
【００３０】
前記化学式Ｂ−２において、Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００３１】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−３であってもよい。
【００３２】
【化５】
2016505611.tif 000007
【００３３】
前記化学式Ｂ−３において、Ｒ９〜Ｒ１２は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００３４】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−４であってもよい。
【００３５】
【化６】
2016505611.tif 000008
【００３６】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−５であってもよい。
【００３７】
【化７】
2016505611.tif 000009
【００３８】
前記化学式Ｂ−５において、Ｘ２は−Ｏ−、−Ｓ−またはＮＲ’であり、Ｒ’、Ｒ１３およびＲ１４は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００３９】
前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−６であってもよい。
【００４０】
【化８】
2016505611.tif 000010
【００４１】
前記化学式Ｂ−６において、Ｒ１５およびＲ１６は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００４２】
前記Ａｒ１は置換もしくは非置換のビフェニル基であってもよい。
【００４３】
前記ＡおよびＢは前記化学式Ａ−２で表される置換基であってもよい。
【００４４】
前記化学式Ａ−２において、前記Ｒ３およびＲ４は水素であってもよい。
【００４５】
前記有機光電子素子用化合物は、７００以下の分子量を有することができる。
【００４６】
前記有機光電子素子用化合物は、６００以下の分子量を有することができる。
【００４７】
前記有機光電子素子は、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機感光体ドラム、および有機メモリ素子からなる群より選択されるいずれか１つであってもよい。
【００４８】
本発明の他の実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に介在する少なくとも１層以上の有機薄膜層を含む有機発光素子において、前記有機薄膜層のうちの少なくともいずれか１層は前記有機光電子素子用化合物を含む有機発光素子を提供する。
【００４９】
前記有機薄膜層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるいずれか１つであってもよい。
【００５０】
前記有機光電子素子用化合物は、発光層内に含まれてもよい。
【００５１】
前記有機光電子素子用化合物は、発光層内に燐光または蛍光ホスト材料として使用されてもよい。
【００５２】
本発明のさらに他の実施形態では、前記有機発光素子を含む表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００５３】
前記有機光電子素子用化合物を含む有機光電子素子は、優れた電気化学的および熱的安定性を有し、寿命特性に優れ、低い駆動電圧においても高い発光効率を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を用いて製造可能な有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を用いて製造可能な有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を用いて製造可能な有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を用いて製造可能な有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を用いて製造可能な有機発光素子に対する多様な実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５５】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、これは例として提示されるものであり、これによって本発明が制限されず、本発明は後述する請求範囲の範疇によってのみ定義される。
【００５６】
本明細書において、「置換」とは、別途の定義がない限り、置換基または化合物中の少なくとも１つの水素が、重水素、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０のアミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、Ｃ１〜Ｃ３０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０のシクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０のトリフルオロアルキル基、またはシアノ基で置換されたことを意味する。
【００５７】
また、前記置換されたハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、Ｃ１〜Ｃ３０のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０のシクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０のトリフルオロアルキル基、またはシアノ基のうちの隣接した２つの置換基が融合して環を形成してもよい。
【００５８】
本明細書において、「ヘテロ」とは、別途の定義がない限り、１つの官能基内にＮ、Ｏ、Ｓ、およびＰからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。
【００５９】
本明細書において、「これらの組み合わせ」とは、別途の定義がない限り、２以上の置換基が連結基に結合されていたり、２以上の置換基が縮合して結合されていることを意味する。
【００６０】
本明細書において、「アルキル基」とは、別途の定義がない限り、脂肪族炭化水素基を意味する。アルキル基は、いかなる二重結合や三重結合を含んでいない「飽和アルキル基」であってもよい。
【００６１】
アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基であってもよい。より具体的には、アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、またはＣ１〜Ｃ６のアルキル基であってもよい。例えば、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基は、アルキル鎖に１〜４個の炭素原子が含まれるものを意味し、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｔ−ブチルからなる群より選択されるものを示す。
【００６２】
前記アルキル基は、具体例を挙げると、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを意味する。
【００６３】
「アリール基」は、環状の置換基のすべての元素がｐ軌道を有しており、これらのｐ軌道が共役を形成している置換基を意味し、モノサイクリックまたは融合環ポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接した対を分け合う環）官能基を含む。
【００６４】
「ヘテロアリール基」は、アリール基内にＮ、Ｏ、Ｓ、およびＰからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。前記ヘテロアリール基が融合環の場合、それぞれの環ごとに前記ヘテロ原子を１〜３個含むことができる。
【００６５】
本明細書において、正孔特性とは、ＨＯＭＯ準位によって導電特性を有し、陽極で形成された正孔の発光層への注入および発光層での移動を容易にする特性を意味する。より具体的には、電子を押し出す特性とも類似する。
【００６６】
また、電子特性とは、ＬＵＭＯ準位によって導電特性を有し、陰極で形成された電子の発光層への注入および発光層での移動を容易にする特性を意味する。より具体的には、電子を吸引する特性とも類似する。
【００６７】
本発明の一実施形態によれば、下記の化学式１で表される有機光電子素子用化合物を提供することができる。
【００６８】
【化９】
2016505611.tif 000011
【００６９】
前記化学式１において、Ａｒ１は置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、またはこれらの組み合わせであり、Ｌ１〜Ｌ３は互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ６のアルキニレン基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリーレン基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリーレン基、またはこれらの組み合わせであり、ｎ１〜ｎ３は互いに独立して、０〜３のうちのいずれか１つの整数であり、Ａは下記の化学式Ａ−２であり、Ｂは下記の化学式Ａ−２、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基である。
【００７０】
【化１０】
2016505611.tif 000012
【００７１】
前記化学式Ａ−２において、Ｘ１は−Ｏ−または−Ｓ−であり、Ｒ１〜Ｒ４は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００７２】
前記化学式１で表される化合物は、インデノ構造を含む置換基を含むアミン基をコア構造として有することができる。このようなコア構造の場合、Ａｒ１の構造において正孔特性を示し得る置換基がアミン基コアと合わさることで、電子または正孔が容易に流れる構造を有することができる。また、インデノ構造の置換基は、非共有電子対を有する構造のため、電子または正孔の流れを良くし、分子量が小さく、蒸着用素材として適合する。一般に、蒸着用素材の場合、分子量が１０００を超えると、熱安定性の問題を誘発することがある。また、Ａｒ１に置換される構造の場合、電子（π結合が豊富である電子供与体）を豊富に有していることを特徴とし、アミンを介してインデノ構造の置換基はＡｒ１の電子を吸引する構造となっており、化合物内の電子の偏在化を防ぐことができ、結果的に、素子の高効率、長寿命を達成することができる。
【００７３】
また、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物は、コア部分と、コア部分に置換された置換基に多様なさらに他の置換基を導入することにより、多様なエネルギーバンドギャップを有する化合物になっていてもよい。
【００７４】
前記化合物の置換基に応じて適切なエネルギー準位を有する化合物を有機光電子素子に使用することにより、正孔伝達能力または電子伝達能力が高められ、効率および駆動電圧の面で優れた効果を有し、電気化学的および熱的安定性に優れ、有機光電子素子の駆動時の寿命特性を向上させることができる。
【００７５】
より具体的には、本発明の一実施形態において、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、および／または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のナフタセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のビフェニリル基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のクリセニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基、置換もしくは非置換のインデニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のピロリル基、置換もしくは非置換のピラゾリル基、置換もしくは非置換のイミダゾリル基、置換もしくは非置換のトリアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサゾリル基、置換もしくは非置換のチアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサジアゾリル基、置換もしくは非置換のチアジアゾリル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のピラジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは非置換のインドリル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のキナゾリニル基、置換もしくは非置換のキノキサリニル基、置換もしくは非置換のナフチリジニル基、置換もしくは非置換のベンズオキサジニル基、置換もしくは非置換のベンズチアジニル基、置換もしくは非置換のアクリジニル基、置換もしくは非置換のフェナジニル基、置換もしくは非置換のフェノチアジニル基、置換もしくは非置換のフェノキサジニル基、またはこれらの組み合わせであってもよいが、これらに制限されない。
【００７６】
また、前記Ｌ１〜Ｌ３を選択的に調節することで、化合物全体の共役長を決定することができ、これにより三重項エネルギーバンドギャップを調節することができる。これにより、有機光電子素子に必要とされる材料の特性を実現することができる。また、オルト、パラ、メタの結合位置の変更によっても、三重項エネルギーバンドギャップを調節することができる。
【００７７】
前記Ｌ１〜Ｌ３の具体例としては、置換もしくは非置換のフェニレン基、置換もしくは非置換のビフェニレン基、置換もしくは非置換のターフェニレン基、置換もしくは非置換のナフチレン基、置換もしくは非置換のアントラセニレン基、置換もしくは非置換のフェナントリレン基、置換もしくは非置換のピレニレン基、置換もしくは非置換のフルオレニレン基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基などである。
【００７８】
より具体的には、前記Ｌ１〜Ｌ３は互いに独立して、フェニレン基であってもよい。前記Ｌ１〜Ｌ３がフェニレン基の場合、前記フェニレン基を基準として両側のコア部分は、オルト、メタ、またはパラに結合されてもよい。
【００７９】
前記Ｂは下記の化学式Ａ−２であってもよい。前記化学式Ａ−２は、非共有電子対を有しているため、電子または正孔の流れを良くし、高効率の素子を得るのに有利である。また、一般に使用するジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンに比べて分子量が小さいため、蒸着素材として有利であり得る。そして、前記Ａｒ１に偏在された電子（π結合、電子供与基）を、前記化学式Ａ−２の置換体で化合物全体に均一に分布させることにより、高効率／長寿命の素子を得ることができる。より具体的には、前記有機光電子素子用化合物が２つのインデノ構造を含む場合、電子を均一に分布することができる。
【００８０】
より具体的には、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−１であってもよい。
【００８１】
【化１１】
2016505611.tif 000013
【００８２】
前記化学式Ｂ−１において、Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００８３】
この場合、化学式Ｂ−１のようなフルオレン基の場合、中央の炭素（Ｃ）が二重結合なしになされた構造のため、π結合が途切れる。このため、正孔を形成しやすくなり、アミン（Ｎ）を中心とするインデノ構造の置換体と調和をなすことができる。電子または正孔を良好に伝達するためには、正孔を形成しやすい置換体と、電子を形成しやすい置換体とがよく調和していなければならないが、前記フルオレン基が正孔を形成しやすい置換体である。また、フルオレンが含まれている化合物の場合、素子の高効率および駆動電圧の面で特性を改善することができる。
【００８４】
具体例を挙げると、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−２であってもよい。
【００８５】
【化１２】
2016505611.tif 000014
【００８６】
前記化学式Ｂ−２において、Ｒ５〜Ｒ８は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００８７】
前記化学式Ｂ−２で表される置換基は、合成が容易な位置で、コアのアミン窒素と結合することができる。
【００８８】
より具体的には、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−３であってもよい。
【００８９】
【化１３】
2016505611.tif 000015
【００９０】
前記化学式Ｂ−３において、Ｒ９〜Ｒ１２は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００９１】
前記化学式Ｂ−３のようなフェナントレン基が存在する場合、より低いＨＯＭＯ準位を達成することができる。また、前記フェナントレン（Ｂ−２）基は、フェニル基３個が折れているため、正孔を形成しやすい構造として知られている。そして、フルオレン（Ｂ−１）基に比べて熱安定性（フェニル基がすべて共鳴構造をなす）に優れている。
【００９２】
より具体的には、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−４であってもよい。
【００９３】
【化１４】
2016505611.tif 000016
【００９４】
より具体的には、フェナントレン（化学式Ｂ−２）基よりも低いＨＯＭＯ準位が必要な場合、トリフェニレン（化学式Ｂ−３）基を導入してこれを調節することができる。前記トリフェニレン基はフェニル基が３個集まっており、豊富な電子供与基を提供することができ、電子吸引基（例えば、インデノ置換体）と結合される場合、正孔を形成しやすい構造であり得る。そして、フルオレン基に比べて熱安定性（フェニル基のすべてが共鳴構造をなす）に優れている。
【００９５】
より具体的には、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−５であってもよい。
【００９６】
【化１５】
2016505611.tif 000017
【００９７】
前記化学式Ｂ−５において、Ｘ２は−Ｏ−、−Ｓ−またはＮＲ’であり、Ｒ’、Ｒ１３およびＲ１４は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【００９８】
正孔または電子輸送能力に優れる前記化学式Ｂ−５を使用した場合、高効率の素子を得ることができる。
【００９９】
より具体的には、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−６であってもよい。
【０１００】
【化１６】
2016505611.tif 000018
【０１０１】
前記化学式Ｂ−６において、Ｒ１５およびＲ１６は互いに独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアミン基、ニトロ基、カルボキシル基、フェロセニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０のアリール基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアシル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルオキシ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアシルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ２０のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ７〜Ｃ２０のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルファモイルアミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のスルホニル基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のアルキルチオール基、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ２０のアリールチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のヘテロシクロチオール基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ２０のウレイド基、置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ４０のシリル基、またはこれらの組み合わせである。
【０１０２】
前記化学式Ｂ−６のようなカルバゾール基の場合、アミン（Ｎ）を中心としてπ結合が途切れるため、正孔を形成するのに有利であり、非共有電子対を有しているため、正孔輸送能力にも優れている。また、前記化学式Ｂ−６のようなカルバゾール基は、正孔輸送能力が電子輸送能力に比べて非常に優れているため、素子への適用時、正孔輸送層や正孔輸送層の補助層または正孔特性を有するホストとして用いると、高効率低電圧素子を実現することができる。
【０１０３】
より具体的には、前記Ａｒ１は置換もしくは非置換のビフェニル基であってもよい。より具体的な例を挙げると、前記Ａｒ１は下記の化学式Ｂ−７またはＢ−８であってもよい。
【０１０４】
【化１７】
2016505611.tif 000019
【０１０５】
より単純な構造のＢ−７および／またはＢ−８の置換基は、熱的、電気的安定性に優れ、高寿命の素子を実現するのに適合する。
【０１０６】
具体例を挙げると、前記ＡおよびＢは前記化学式Ａ−２で表されてもよい。つまり、コアのアミン基に、化学式Ａ−２で表される置換基が同時に存在する場合、正孔または電子輸送に優れた化学式Ａ−２の存在によって、素子の駆動電圧が低くなり、効率を向上できる。また、前記化学式Ａ−２は分子構造が単純なため、熱的、電気的安定性に優れている。
【０１０７】
前記化学式Ａ−２において、前記Ｒ３およびＲ４は水素であってもよいし、これらに制限されない。
【０１０８】
前記有機光電子素子用化合物は、７００以下の分子量を有することができる。より具体的には６００以下の分子量を有することができる。この場合、素子の製造時に低い温度で蒸着が可能なので蒸着が容易であり、熱的安定性を向上できる。これにより、素子の安定性を改善できる。
【０１０９】
具体的な本発明の一実施形態の例示として下記の化合物などがある。ただし、これらに制限されるわけではない。
【０１１０】
【化１８−１】
2016505611.tif 000020
【０１１１】
【化１８−２】
2016505611.tif 000021
【０１１２】
【化１８−３】
2016505611.tif 000022
【０１１３】
【化１８−４】
2016505611.tif 000023
【０１１４】
【化１８−５】
2016505611.tif 000024
【０１１５】
【化１８−６】
2016505611.tif 000025
【０１１６】
【化１８−７】
2016505611.tif 000026
【０１１７】
【化１８−８】
2016505611.tif 000027
【０１１８】
【化１８−９】
2016505611.tif 000028
【０１１９】
【化１８−１０】
2016505611.tif 000029
【０１２０】
【化１８−１１】
2016505611.tif 000030
【０１２１】
【化１８−１２】
2016505611.tif 000031
【０１２２】
【化１８−１３】
2016505611.tif 000032
【０１２３】
【化１８−１４】
2016505611.tif 000033
【０１２４】
【化１８−１５】
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【０１２５】
【化１８−１６】
2016505611.tif 000035
【０１２６】
【化１８−１７】
2016505611.tif 000036
【０１２７】
【化１８−１８】
2016505611.tif 000037
【０１２８】
【化１８−１９】
2016505611.tif 000038
【０１２９】
【化１８−２０】
2016505611.tif 000039
【０１３０】
【化１８−２１】
2016505611.tif 000040
【０１３１】
本発明の他の実施形態では、陽極、陰極、および前記陽極と陰極との間に介在する１層以上の有機薄膜層を含み、前記有機薄膜層のうちの少なくともいずれか１層は前記有機光電子素子用化合物を含む有機光電子素子を提供する。
【０１３２】
前記有機光電子素子用化合物は、有機薄膜層に使用され、有機光電子素子の寿命特性、効率特性、電気化学的安定性および熱的安定性を向上させ、駆動電圧を低下させることができる。
【０１３３】
前記有機薄膜層は、具体的には、発光層であってもよい。
【０１３４】
前記有機光電子素子は、有機発光素子、有機光電素子、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機感光体ドラム、または有機メモリ素子であってもよい。
【０１３５】
より具体的には、前記有機光電子素子は、有機発光素子であってもよい。図１〜図５は、本発明の一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を含む有機発光素子の断面図である。
【０１３６】
図１〜図５を参照すれば、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００、２００、３００、４００および５００は、陽極１２０、陰極１１０、およびこれら陽極と陰極との間に介在した少なくとも１層の有機薄膜層１０５を含む構造を有する。
【０１３７】
前記陽極１２０は、陽極物質を含み、この陽極物質としては、通常、有機薄膜層への正孔注入が円滑となるよう、仕事関数の大きい物質であることが好ましい。陽極物質の具体例としては、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金が挙げられ、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物が挙げられ、ＺｎＯとＡｌ、またはＳｎＯ２とＳｂのような金属と酸化物との組み合わせが挙げられ、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン：ＰＥＤＴ）、ポリピロール、およびポリアニリンのような導電性高分子などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。より具体的には、前記陽極として、ＩＴＯを含む透明電極を使用することができる。
【０１３８】
前記陰極１１０は、陰極物質を含み、この陰極物質としては、通常、有機薄膜層への電子注入が容易となるよう、仕事関数の小さい物質であることが好ましい。陰極物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、セシウム、バリウムなどのような金属、またはこれらの合金が挙げられ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＯ２／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、およびＢａＦ２／Ｃａのような多層構造の物質などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。より具体的には、前記陰極として、アルミニウムなどのような金属電極を使用することができる。
【０１３９】
まず、図１を参照すれば、図１は、有機薄膜層１０５として、発光層１３０のみが存在する有機発光素子１００を示すもので、前記有機薄膜層１０５は、発光層１３０のみで存在してもよい。
【０１４０】
図２を参照すれば、図２は、有機薄膜層１０５として、電子輸送層を含む発光層２３０および正孔輸送層１４０が存在する２層型有機発光素子２００を示すもので、図２に示されているように、有機薄膜層１０５は、発光層２３０および正孔輸送層１４０を含む２層型であってもよい。この場合、発光層１３０は、電子輸送層の機能を果たし、正孔輸送層１４０は、ＩＴＯのような透明電極との接合性および正孔輸送性を向上させる機能を果たす。
【０１４１】
図３を参照すれば、図３は、有機薄膜層１０５として、電子輸送層１５０、発光層１３０、および正孔輸送層１４０が存在する３層型有機発光素子３００であって、前記有機薄膜層１０５において、発光層１３０は独立した形態となっており、電子輸送性や正孔輸送性に優れた膜（電子輸送層１５０および正孔輸送層１４０）を別途の層として積層した形態を示している。
【０１４２】
図４を参照すれば、図４は、有機薄膜層１０５として、電子注入層１６０、発光層１３０、正孔輸送層１４０、および正孔注入層１７０が存在する４層型有機発光素子４００であって、前記正孔注入層１７０は、陽極として使用されるＩＴＯとの接合性を向上させることができる。
【０１４３】
図５を参照すれば、図５は、有機薄膜層１０５として、電子注入層１６０、電子輸送層１５０、発光層１３０、正孔輸送層１４０、および正孔注入層１７０のようなそれぞれ異なる機能を果たす５つの層が存在する５層型有機発光素子５００を示しており、前記有機発光素子５００は、電子注入層１６０を別途形成しているので、低電圧化に効果的である。
【０１４４】
前記図１〜図５において、前記有機薄膜層１０５をなす電子輸送層１５０、電子注入層１６０、発光層１３０、２３０、正孔輸送層１４０、正孔注入層１７０、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるいずれか１つは、前記有機光電子素子用材料を含む。
【０１４５】
前記有機光電子素子用化合物は、前記発光層１３０、２３０に使用可能であり、この時、発光層内で緑色の燐光材料として使用可能である。
【０１４６】
より具体的には、前記有機光電子素子用化合物は、前記正孔輸送層に使用できる。また、図示していないが、正孔輸送層は、複数で存在してもよく、発光層に隣接した正孔輸送層を補助層としてみた時、前記有機光電子素子用化合物は、前記補助層に存在してもよい。
【０１４７】
上記で説明した有機発光素子は、基板に陽極を形成した後、真空蒸着法、スパッタリング、プラズマメッキおよびイオンメッキのような乾式成膜法；またはスピンコート法、浸漬法、流動コート法のような湿式成膜法などで有機薄膜層を形成した後、その上に陰極を形成して製造することができる。
【０１４８】
本発明のさらに他の実施形態では、前記有機光電子素子を含む表示装置を提供する。
【実施例】
【０１４９】
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記に記載の実施例は本発明を具体的に例示または説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されない。
【０１５０】
（有機光電子素子用化合物の製造）
合成例１：中間体Ｉ−１の製造
【０１５１】
【化１９】
2016505611.tif 000041
【０１５２】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−クロロベンゼン（５３．７ｇ、２８０．７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．５Ｌに溶解した後、これに、ベンゾフラン−２−ボロン酸（５０．０ｇ、３０８．７ｍｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１６．２ｇ、１４．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。水に飽和した炭酸カリウム（８２．７ｇ、５６１．４ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で４７時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物Ｉ−１（５０．８ｇ、７９％）を得た。
【０１５３】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１４Ｈ９ＣｌＯ：２２８．０３４２，ｆｏｕｎｄ：２２８．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，７４％；Ｈ，４％。
【０１５４】
合成例２：中間体Ｉ−２の製造
【０１５５】
【化２０】
2016505611.tif 000042
【０１５６】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−クロロベンゼン（４８．９ｇ、２５５．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．５Ｌに溶解した後、これに、ベンゾチオフェン−２−ボロン酸（５０．０ｇ、２８０．９ｍｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（８．８５ｇ、７．６６ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。水に飽和した炭酸カリウム（７５．２ｇ、５１０．６ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１７時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物Ｉ−２（６１．３ｇ、９８％）を得た。
【０１５７】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１４Ｈ９ＣｌＳ：２２４．０１１３，ｆｏｕｎｄ：２２４．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，６９％；Ｈ，４％。
【０１５８】
合成例３：中間体Ｉ−３の製造
【０１５９】
【化２１】
2016505611.tif 000043
【０１６０】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ニトロベンゼン（５０ｇ、２４７．５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．５Ｌに溶解した後、これに、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イルボロン酸（７０．７ｇ、２９７．０ｍｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（８．５８ｇ、７．４３ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。水に飽和した炭酸カリウム（７２．９ｇ、４９５．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２１時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物Ｉ−３（７８．１ｇ、８２％）を得た。
【０１６１】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２１Ｈ１７ＮＯ２：３１５．１２５９，ｆｏｕｎｄ：３１５．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８０％；Ｈ，５％。
【０１６２】
合成例４：中間体Ｉ−４の製造
【０１６３】
【化２２】
2016505611.tif 000044
【０１６４】
窒素雰囲気下、Ｉ−３（３０ｇ、９５．１ｍｍｏｌ）を ｄｍテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．３Ｌに溶解した後、メタノール０．３Ｌを加え、０℃に冷却した。これに、水素化ホウ素ナトリウム（３６．０ｇ、９５１ｍｍｏｌ）を入れた後、塩化スズ（ＩＩ）（９０．２ｇ、４７５．５ｍｍｏｌ）を加え、常温で２時間反応させた。反応完了後、反応液に水を加えて酢酸エチル（ＥＡ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、Ｉ−４（１４．９ｇ、５５％）を得た。
【０１６５】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２１Ｈ１９Ｎ：２８５．１５１７，ｆｏｕｎｄ：２８５．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８８％；Ｈ，７％。
【０１６６】
合成例５：中間体Ｉ−５の製造
【０１６７】
【化２３】
2016505611.tif 000045
【０１６８】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ニトロベンゼン（５０ｇ、２４７．５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．６Ｌに溶解した後、これに、ジベンゾフラン−４−イルボロン酸（６３．０ｇ、２９７．０ｍｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（８．５８ｇ、７．４３ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。水に飽和した炭酸カリウム（７２．９ｇ、４９５．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２４時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物Ｉ−５（５３．７ｇ、７５％）を得た。
【０１６９】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１８Ｈ１１ＮＯ３：２８９．０７３９，ｆｏｕｎｄ：２８９．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，７５％；Ｈ，４％。
【０１７０】
合成例６：中間体Ｉ−６の製造
【０１７１】
【化２４】
2016505611.tif 000046
【０１７２】
窒素雰囲気下、Ｉ−５（３０ｇ、１０３．７ｍｍｏｌ）をｄｍテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．３Ｌに溶かした後、メタノール０．３Ｌを加え、０℃に冷却した。これに、水素化ホウ素ナトリウム（３９．２ｇ、１，０３７ｍｍｏｌ）を加えた後、塩化スズ（ＩＩ）（９８．３ｇ、５１８．５ｍｍｏｌ）を加え、常温で３時間反応させた。反応完了後、反応液に水を加えて酢酸エチル（ＥＡ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、Ｉ−６（１４．０ｇ、５２％）を得た。
【０１７３】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１８Ｈ１３ＮＯ：２５９．０９９７，ｆｏｕｎｄ：２５９．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８３％；Ｈ，５％。
【０１７４】
合成例７：中間体Ｉ−７の製造
【０１７５】
【化２５】
2016505611.tif 000047
【０１７６】
窒素雰囲気下、カルバゾール（５０ｇ、２９９．０ｍｍｏｌ）をトルエン０．５Ｌに溶解した後、これに、１−ブロモ−４−ニトロベンゼン（６０．４ｇ、２９９．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（８．２４ｇ、８．９７ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（７．２６ｇ、３５．９ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３４．５ｇ、３５８．８ｍｍｏｌ）を順次加え、１３０℃で４６時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物Ｉ−７（７４．１ｇ、８６％）を得た。
【０１７７】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１８Ｈ１２Ｎ２Ｏ２：２８８．０８９９，ｆｏｕｎｄ：２８８．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，７５％；Ｈ，４％。
【０１７８】
合成例８：中間体Ｉ−８の製造
【０１７９】
【化２６】
2016505611.tif 000048
【０１８０】
窒素雰囲気下、Ｉ−７（３０ｇ、１０４．１ｍｍｏｌ）をｄｍテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）０．３Ｌに溶解した後、メタノール０．３Ｌを加え、０℃に冷却した。これに、水素化ホウ素ナトリウム（３９．４ｇ、１，０４１ｍｍｏｌ）を加えた後、塩化スズ（ＩＩ）（９８．７ｇ、５２０．５ｍｍｏｌ）を加え、常温で３時間反応させた。反応完了後、反応液に水を加えて酢酸エチル（ＥＡ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、Ｉ−６（１１．６ｇ、４３％）を得た。
【０１８１】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ１８Ｈ１４Ｎ２：２５８．１１５７，ｆｏｕｎｄ：２５８．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８４％；Ｈ，５％。
【０１８２】
実施例１：化合物２の製造
【０１８３】
【化２７】
2016505611.tif 000049
【０１８４】
窒素雰囲気下、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１５．５ｇ、７４．１ｍｍｏｌ）をトルエン０．３５Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−１（５０．８ｇ、２２２．２ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．０ｇ、２．２２ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１．８０ｇ、４．２３ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１５．７ｇ、１６２．９ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で３日間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１（３７．４ｇ、８５％）を得た。
【０１８５】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４３Ｈ３１ＮＯ２：５９３．２３５５，ｆｏｕｎｄ：５９３．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８７％；Ｈ，５％。
【０１８６】
実施例２：化合物３の製造
【０１８７】
【化２８】
2016505611.tif 000050
【０１８８】
窒素雰囲気下、９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１９．４ｇ、９２．９ｍｍｏｌ）をトルエン０．３５Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（５０ｇ、２０４．３ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．５５ｇ、２．７９ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．２６ｇ、１１．１ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１９．６ｇ、２０４．４ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で２５時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物３（５４．０ｇ、９３％）を得た。
【０１８９】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４３Ｈ３１ＮＳ２：６２５．１８９８，ｆｏｕｎｄ：６２５．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８３％；Ｈ，５％。
【０１９０】
実施例３：化合物４の製造
【０１９１】
【化２９】
2016505611.tif 000051
【０１９２】
窒素雰囲気下、中間体Ｉ−４（１０ｇ、３５．０ｍｍｏｌ）をトルエン０．１５Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（１８．９ｇ、７７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．９６ｇ、１．０５ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．８５ｇ、４．２ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（７．４１ｇ、７７．１ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で２２時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物５（２０．９ｇ、８５％）を得た。
【０１９３】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４９Ｈ３５ＮＳ２：７０１．２２１１，ｆｏｕｎｄ：７０１．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８４％；Ｈ，５％。
【０１９４】
実施例４：化合物１１０の製造
【０１９５】
【化３０】
2016505611.tif 000052
【０１９６】
窒素雰囲気下、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１０ｇ、２７．７ｍｍｏｌ）をトルエン０．１Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−１（１３．９ｇ、６０．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．７６ｇ、０．８３ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．６７ｇ、３．３２ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（５．８５ｇ、６０．９ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で１３時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１１０（１３．９ｇ、９１％）を得た。
【０１９７】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４１Ｈ３１ＮＯ：５５３．２４０６，ｆｏｕｎｄ：５５３．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８９％；Ｈ，６％。
【０１９８】
実施例５：化合物１２９の製造
【０１９９】
【化３１】
2016505611.tif 000053
【０２００】
窒素雰囲気下、４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アニリン（１０ｇ、２９．９ｍｍｏｌ）をトルエン０．１Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（１６．１ｇ、６５．８ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．８２ｇ、０．９０ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．７３ｇ、３．５９ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．３２ｇ、６５．８ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で１７時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１２９（１９．８ｇ、８８％）を得た。
【０２０１】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ５２Ｈ３４Ｎ２Ｓ２：７５０．２１６３，ｆｏｕｎｄ：７５０．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８３％；Ｈ，５％。
【０２０２】
実施例６：化合物１４１の製造
【０２０３】
【化３２】
2016505611.tif 000054
【０２０４】
窒素雰囲気下、フェナントレン−２−アミン（１０ｇ、５１．７ｍｍｏｌ）をトルエン０．１５Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（２７．９ｇ、１１３．８ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．４２ｇ、１．５５ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１．２６ｇ、６．２ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１０．９ｇ、１１３．８ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で２３時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１４１（３０．９ｇ、９８％）を得た。
【０２０５】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４２Ｈ２７ＮＳ２：６０９．１５８５，ｆｏｕｎｄ：６０９．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８３％；Ｈ，４％。
【０２０６】
実施例７：化合物１５０の製造
【０２０７】
【化３３】
2016505611.tif 000055
【０２０８】
窒素雰囲気下、トリフェニレン−２−アミン（１０ｇ、４１．１ｍｍｏｌ）をトルエン０．１６Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（２２．１ｇ、９０．４ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．１３ｇ、１．２３ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１．０ｇ、４．９３ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（８．６９ｇ、９０．４ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で２１時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１５０（２５．２ｇ、９３％）を得た。
【０２０９】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４６Ｈ２９ＮＳ２：６５９．１７４２，ｆｏｕｎｄ：６５９．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８４％；Ｈ，４％。
【０２１０】
実施例８：化合物１５３の製造
【０２１１】
【化３４】
2016505611.tif 000056
【０２１２】
窒素雰囲気下、ビフェニル−４−アミン（１０ｇ、５９．１ｍｍｏｌ）をトルエン０．１６Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（３１．８ｇ、１３０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．６２ｇ、１．７７ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１．４３ｇ、７．０９ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１２．５ｇ、１３０．０ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で１４時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１５３（３３．２ｇ、９６％）を得た。
【０２１３】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４０Ｈ２７ＮＳ２：５８５．１５８５，ｆｏｕｎｄ：５８５．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８２％；Ｈ，５％。
【０２１４】
実施例９：化合物１５９の製造
【０２１５】
【化３５】
2016505611.tif 000057
【０２１６】
窒素雰囲気下、中間体Ｉ−６（１０ｇ、３８．６ｍｍｏｌ）をトルエン０．１５Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（２０．８ｇ、８４．８ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．０６ｇ、１．１６ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．９４ｇ、４．６３ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（８．１５ｇ、８４．８ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で１６時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１５９（２２．２ｇ、９６％）を得た。
【０２１７】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４６Ｈ２９ＮＯＳ２：６７５．１６９１，ｆｏｕｎｄ：６７５．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８２％；Ｈ，４％。
【０２１８】
実施例１０：化合物１７１の製造
【０２１９】
【化３６】
2016505611.tif 000058
【０２２０】
窒素雰囲気下、中間体Ｉ−８（１０ｇ、３８．７ｍｍｏｌ）をトルエン０．１６Ｌに溶解した後、これに、中間体Ｉ−２（２０．８ｇ、８５．２ｍｍｏｌ）、トリス（ジフェニリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．０６ｇ、１．１６ｍｍｏｌ）、トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．９４ｇ、４．６４ｍｍｏｌ）、およびナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（８．１９ｇ、８５．２ｍｍｏｌ）を順次加え、１００℃で１８時間加熱還流した。反応完了後、反応液に水を加えてジクロロメタン（ＤＣＭ）で抽出し、無水ＭｇＳＯ４で水分を除去した後、ろ過し、減圧濃縮した。このように得られた残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで分離精製し、化合物１７１（２３．５ｇ、９０％）を得た。
【０２２１】
ＨＲＭＳ（７０ｅＶ，ＥＩ＋）：ｍ／ｚ  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４６Ｈ３０Ｎ２Ｓ２：６７４．１８５０，ｆｏｕｎｄ：６７４．Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：Ｃ，８２％；Ｈ，４％。
【０２２２】
（有機発光素子の製造）
実施例１１：有機発光素子の製造（ブルー共通層）
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が１５００Åの厚さで薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波で洗浄した。洗浄後、イソプロパノール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄し、乾燥後、プラズマ洗浄機に移して酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄し、真空蒸着機に基板を移した。このように用意されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いて、ＩＴＯ基板の上部に、４，４’−ビス（Ｎ−［４−｛Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）アミノ｝−フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）を真空蒸着し、６００Åの厚さの正孔注入層を形成した。次に、実施例１で製造された化合物２を用いて、真空蒸着で３００Åの厚さの正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層の上部に、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＮＤ）をホストとして用い、ドーパントとして２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（ＴＢＰｅ）を３重量％でドーピングし、真空蒸着で２５０Åの厚さの発光層を形成した。その後、前記発光層の上部にＡｌｑ３を真空蒸着し、２５０Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部に１０ÅのＬｉＦと１０００ÅのＡｌを順次に真空蒸着して陰極を形成することにより、有機発光素子を製造した。
【０２２３】
前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造となっており、具体的には、Ａｌ（１０００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌｑ３（２５０Å）／ＥＭＬ［ＡＮＤ：ＴＢＰｅ＝９７：３］（２５０Å）／ＨＴＬ（３００Å）／ＤＮＴＰＤ（６００Å）／ＩＴＯ（１５００Å）の構造で作製した。
【０２２４】
実施例１２
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例２を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２５】
実施例１３
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例３を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２６】
実施例１４
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例４を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２７】
実施例１５
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例５を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２８】
実施例１６
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例６を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２２９】
実施例１７
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例７を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２３０】
実施例１８
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例８を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２３１】
実施例１９
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例９を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２３２】
実施例２０
前記実施例１１において、実施例１の代わりに実施例１０を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２３３】
比較例１
前記実施例１１において、実施例１の代わりにＮＰＢを使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。前記ＮＰＢの構造は下記に記載されている。
【０２３４】
比較例２
前記実施例１１において、実施例１の代わりにＨＴ１を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。前記ＨＴ１の構造は下記に記載されている。
【０２３５】
比較例３
前記実施例１１において、実施例１の代わりにＨＴ２を使用した点を除いては、同様の方法で有機発光素子を製造した。前記ＨＴ２の構造は下記に記載されている。
【０２３６】
前記有機発光素子の作製に使用されたＤＮＴＰＤ、ＡＮＤ、ＴＢＰｅ、ＮＰＢ、ＨＴ１、およびＨＴ２の構造は下記の通りである。
【０２３７】
【化３７】
2016505611.tif 000059
【０２３８】
（有機発光素子の性能の測定）
前記実施例１１〜２０と比較例１〜３で製造されたそれぞれの有機発光素子に対して、電圧に応じた電流密度の変化、輝度変化および発光効率を測定した。具体的な測定方法は下記の通りであり、その結果は下記の表１に示した。
【０２３９】
（１）電圧の変化に応じた電流密度の変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００）を用いて単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で除して、結果を得た。
【０２４０】
（２）電圧の変化に応じた輝度変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ  Ｃｓ−１０００Ａ）を用いてその時の輝度を測定し、結果を得た。
【０２４１】
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて、同一の電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）の電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
【０２４２】
【表１】
2016505611.tif 000060
【０２４３】
前記表１の結果によれば、フルオレン置換基が含まれている実施例１１〜１４の場合、比較例１〜２と比較して、効率が大幅に向上することが分かる。比較例３の場合、フルオレン置換基を有しており、比較例のうち効率が最も高いことから、フルオレン置換基が効率を大幅に向上させることが分かる。実施例１１〜２０の場合、全体的に比較例１〜３と比較して、駆動電圧が低いことが分かる。このことから、インデノ置換基が駆動電圧を低下させることが類推できる。そして、最も単純な構造が使用された実施例１８の場合、半減寿命が最も高いことから、基本的な構造が素子の寿命にある程度寄与することが分かる。これを基に、優れた正孔注入および正孔伝達能力を有する低電圧、高効率、高輝度、長寿命の有機発光素子を作製することができた。
【０２４４】
本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造可能であり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態で実施可能であることを理解することができる。そのため、以上に述べた実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【０２４５】
１００：有機発光素子
１１０：陰極
１２０：陽極
１０５：有機薄膜層
１３０：発光層
１４０：正孔輸送層
１５０：電子輸送層
１６０：電子注入層
１７０：正孔注入層
２３０：発光層＋電子輸送層
【図１】
2016505611.tif 000069
【図２】
2016505611.tif 000070
【図３】
2016505611.tif 000071
【図４】
2016505611.tif 000072
【図５】
2016505611.tif 000073
【国際調査報告】
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2016505611.tif 000075
2016505611.tif 000076
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