(57)【要約】垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造は絶縁コアを含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料は絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する。強誘電性ゲート誘電体材料は遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する。導電性ゲート材料は、強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する。遷移金属ジカルコゲナイド材料は、導電性ゲート材料の内部に高さ方向に延び、導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる。導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する。さらなる実施形態が開示される。【選択図】図１
2016529717.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造であって、
絶縁コアと、
前記絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する遷移金属ジカルコゲナイド材料と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する強誘電性ゲート誘電体材料と、
前記強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する導電性ゲート材料であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に延び、かつ前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる、導電性ゲート材料と、
ａ）前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とする構造。
【請求項２】
前記絶縁コア、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料、前記強誘電性ゲート誘電体材料は、水平方向断面において円形である其々の外周を各々有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが４モノレイヤー以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが２モノレイヤー以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の構造。
【請求項５】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ＭｏＳ２、ＷＳ２、ＩｎＳ２、ＭｏＳｅ２、ＷＳｅ２、ＩｎＳｅ２のうちの少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項６】
前記側壁に直接接触する前記導電性接点の材料は、金属元素、金属元素の合金、および／または導電性金属化合物である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項７】
前記側壁に直接接触する前記導電性接点の材料は、導電性を有するようにドープされた半導電性材料である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項８】
前記強誘電性ゲート誘電体材料は、１ナノメートルから３０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項９】
前記強誘電性ゲート誘電体材料は、２ナノメートルから１０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項８に記載の構造。
【請求項１０】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが２モノレイヤー以下であり、前記強誘電性ゲート誘電体材料は、２ナノメートルから１０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１１】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１２】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記導電性接点が横方向に直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に最も近接する前記端面のうちの一つに直接接触しない、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１３】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記導電性接点が横方向に直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に最も近接する前記端面のうちの一つに直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１４】
前記導電性接点が直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の側壁表面面積は、前記導電性接点が直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の端部壁表面面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１３に記載の構造。
【請求項１５】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１６】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触し、前記垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する別の導電性接点を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１７】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記最外部端面に直接接触せず、前記別の導電性接点は前記最内部端面に直接接触しない、
ことを特徴とする請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点および前記別の導電性接点のうちの少なくとも一つは、其々前記高さ方向の最外部端面または前記高さ方向の最内部端面に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の構造。
【請求項１９】
前記導電性接点は、前記高さ方向の最外部端面に直接接触し、前記別の導電性接点は、前記高さ方向の最内部端面に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の構造。
【請求項２０】
一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造であって、
一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの横方向の間に絶縁材料を含み、
前記一対のトランジスタは、
前記絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上で、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部の強誘電性ゲート誘電体膜と、
前記強誘電性ゲート誘電体膜の各々の横方向の外部の導電性ゲート材料であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド膜は、前記二つの側面の各々の上の前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に延び、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる、導電性ゲート材料と、
ａ）前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とする構造。
【請求項２１】
前記絶縁材料は誘電体である、
ことを特徴とする請求項２０に記載の構造。
【請求項２２】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触し、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の前記横方向の外部側壁に直接接触する別の導電性接点を含む、
ことを特徴とする請求項２０に記載の構造。
【請求項２３】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリングであって、
絶縁コアと、
前記絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する遷移金属ジカルコゲナイド材料と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する強誘電性ゲート誘電体材料と、
誘電体材料と、前記強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する導電性ゲート材料との交互の層であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料および前記強誘電性材料は、前記層を通って前記絶縁コアに沿って高さ方向に延び、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ａ）前記導電性ゲート材料層の高さ方向の外部およびｂ）前記導電性ゲート材料層の高さ方向の内部のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる、交互の層と、
ａ）前記導電性ゲート材料の前記外部層またはｂ）前記導電性ゲート材料の前記内部層を超えて高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とするストリング。
【請求項２４】
前記垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリングのアレイを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載のストリング。
【請求項２５】
前記垂直方向ストリングはＮＡＮＤストリングである、
ことを特徴とする請求項２３に記載のストリング。
【請求項２６】
前記高さ方向の外部の層は前記誘電体材料を含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載のストリング。
【請求項２７】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、前記誘電体材料の層の高さ方向の外部を超えて高さ方向に延びる、
ことを特徴とする請求項２６に記載のストリング。
【請求項２８】
前記高さ方向の内部の層は前記誘電体材料を含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載のストリング。
【請求項２９】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、前記誘電体材料層の前記高さ方向の内部を超えて高さ方向に延びる、
ことを特徴とする請求項２８に記載のストリング。
【請求項３０】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリングであって、
横方向に対向する誘電体材料と、横方向に対向する導電性ゲート材料との交互の層であって、前記層のうちの個々の層における前記横方向に対向する導電性ゲート材料は、前記層内の横方向に対向する垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対のうちの一つの其々のゲートを含む、交互の層と、
前記其々の対の前記トランジスタの間において前記層を横方向に通って延びる絶縁材料と、
前記絶縁材料と、前記横方向に対向する導電性ゲート材料との間の前記絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上の前記層を通って延び、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
ａ）前記横方向に対向する導電性ゲート材料層の高さ方向の外部とｂ）前記横方向に対向する導電性ゲート材料層の高さ方向の内部とのうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる前記遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド膜と、前記横方向に対向する導電性ゲート材料との間の前記個々の遷移金属ジカルコゲナイド膜の二つの対向する横方向側面の各々の上の前記層を通って延びる強誘電性ゲート誘電体膜と、
ａ）前記対向する導電性ゲート材料の前記外部層を超えて高さ方向に存在する前記対向する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々、またはｂ）前記対向する導電性ゲート材料の前記内部層を超えて高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とするストリング。
【請求項３１】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する前記垂直方向ストリングのアレイを含む、
ことを特徴とする請求項３０に記載のストリング。
【請求項３２】
前記垂直方向ストリングの横方向に直接隣接する少なくとも幾つかは、前記層の個々の層における前記導電性ゲート材料の共通の水平方向に延びる線を共有する、
ことを特徴とする請求項３１に記載のストリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示された実施形態は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造、一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造、強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリング、および垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリは一種の集積回路であり、データを記憶するためにコンピュータシステムで使用される。メモリは、個々のメモリセルの一つ以上のメモリアレイで作製され得る。メモリセルは、デジット線（ビット線、データ線、センス線またはデータ／センス線とも称され得る）とアクセス線（ワード線とも称され得る）とを使用して書き込まれるか、読み出されてもよい。デジット線は、アレイの列に沿って導電性を有するようにメモリセルを相互接続し、アクセス線は、アレイの行に沿って導電性を有するようにメモリセルを相互接続する可能性がある。各メモリセルは、デジット線とアクセス線との組み合わせを介して一意的にアドレス指定されてもよい。
【０００３】
メモリセルは、揮発性であってもよいし、不揮発性であってもよい。不揮発性メモリセルは、コンピュータがオフにされる時を含む多くの例において、長期間データを記憶することができる。不揮発性メモリは、データを消失するため、毎秒数回など多くの例において、リフレッシュ／再書き込みを必要とする。それとは関係なく、メモリセルは、少なくとも二つの異なる選択可能な状態にメモリを維持するか、記憶するように構成される。二進法においては、状態は、“０”か“１”かのいずれかと考えられる。他の記数法においては、少なくとも幾つかの個々のメモリセルは、３つ以上のレベルの情報または３つ以上の状態の情報を記憶するように構成されてもよい。
【０００４】
電界効果トランジスタは、メモリセル内で使用され得る一種の電子コンポーネントである。これらのトランジスタは、その間に半導電性チャネル領域を有する、一対の導電性ソース／ドレイン領域を含む。導電性ゲートは、チャネル領域に隣接し、薄いゲート誘電体によってチャネル領域から分離される。ゲートに適切な電圧を印加することによって、チャネル領域を通って、ソース／ドレイン領域のうちの一方から他方へと電流を流すことを可能とする。電圧がゲートから除去されると、電流はチャネル領域を通ってほとんど流れなくなる。電界効果トランジスタは、ゲート構造の一部として例えば、可逆的にプログラム可能な電荷蓄積領域などの追加構造も含んでもよい。例えば、バイポーラトランジスタなどの電界効果トランジスタ以外のトランジスタが、メモリセル内で追加的または代替的に使用されることがある。トランジスタは、多くの種類のメモリで使用され得る。さらに、トランジスタは、メモリ以外のアレイで使用され、形成されてもよい。
【０００５】
或る種のトランジスタは、強誘電性電界効果トランジスタ（ＦｅＦＥＴ）であり、ゲート誘電体が強誘電性である。プログラミングゲート電圧を印加することによって整列する強誘電性の分極は、選択された動作ゲート電圧に対して、ソースとドレインとの間の半導電性チャネルの導電性を改変する。適切な正のプログラミング電圧は、半導電性チャネルに沿って分極を方向づける。この強誘電性の分極によって、チャンルにより近接した正のシート電荷と、ゲートにより近接した負のシート電荷とを生じる。ｐ型半導体を考えると、この強誘電性電荷を補償するために、界面における電子の蓄積が生じる。低い抵抗のチャネルは、このようにして生成される。他方の安定状態へと分極を切り替えるとき、負のシート電荷がチャネルにより近く、ゲート誘電体に近い半導電性チャネル内の電子が欠乏するように、強誘電性分極が整列される。これは、高抵抗につながる。強誘電性分極状態によって引き起こされる高コンダクタンスおよび低コンダクタンスの選択は、プログラミングゲート電圧の除去後に（少なくともある期間は）そのまま残る。チャネルの状態は、強誘電性分極を乱さない小さいドレイン電圧を印加することによって読み出すことができる。
【０００６】
しかしながら、ＦｅＦＥＴは、制御不能に脱分極する可能性があり、したがって、プログラム状態を失う可能性がある。さらに、強誘電性誘電体材料と、チャネルとの間にある典型的に薄い酸化膜の間に非常に高い電界が存在し、それによって動作中の信頼性の問題を引き起こす。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図である。
【図２】図１の直線２−２を通る断面図である。
【図３】図１の直線３−３を通る断面図である。
【図４】図１の直線４−４を通る断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図であり、図１によって示された基板断片の代替である。
【図６】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図であり、図１によって示された基板断片の代替である。
【図７】図６の直線７−７を通る断面図である。
【図８】図６の直線８−８を通る断面図である。
【図９】図６の直線９−９を通る断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図である。
【図１１】図１０の直線１１−１１を通る断面図である。
【図１２】図１０の直線１２−１２を通る断面図である。
【図１３】図１０の直線１３−１３を通る断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図であり、図１０によって示された基板断片の代替である。
【図１５】図１４の直線１５−１５を通る断面図である。
【図１６】図１４の直線１６−１６を通る断面図である。
【図１７】図１４の直線１７−１７を通る断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態による基板断片の概略断面図であり、図１５によって示された基板断片の代替である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
まず、図１−図４を参照して、例示的実施形態の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造が記述される。本文書においては、水平方向とは、基板が作製中に処理される主面にほぼ沿った方向のことを称し、垂直方向とは、水平方向にほぼ直交する方向である。さらに、本明細書で用いられるように“垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ）”および“水平方向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）”は、三次元空間における基板の方向とは無関係に、互いに対してほぼ垂直な方向である。さらに、“高さ方向（ｅｌｅｖａｔｉｏｎａｌ）”および“高さ方向に（ｅｌｅｖａｔｉｎａｌｌｙ）”とは、回路が作製されたベース基板に対して垂直な方向を称する。
【０００９】
例示的な基板断片１０は、垂直方向電界効果トランジスタ構造１４（図１）を含み、その上に形成された種々の材料を有する誘電体材料１２を含む。例示的な誘電体材料１２は、ドープされた二酸化シリコン、ドープされていない二酸化シリコンおよび／または窒化シリコンである。集積回路の部分的に作製された他のコンポーネントまたは完全に作製された他のコンポーネントは、材料１２の一部として形成されてもよいし、材料１２の内部に高さ方向にあってもよく、本明細書に開示された発明に特に関連するものではない。
【００１０】
本明細書に記述された材料および／または構造のうちの任意のものは、均一であってもよいし、不均一であってもよく、それとは関係なく、これらが存在する任意の材料上で連続的であってもよいし、不連続であってもよい。本明細書で用いられるように、“異なる組成（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）”とは、例えば、このような材料が均一ではない場合に、化学的および／または物理的に異なるように、互いに直接接触し得る二つの前述の材料のうちの一部のみを必要とする。二つの前述の材料が互いに直接接触しない場合、“異なる組成（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ  ｃｏｍｐｏｓｔｉｔｉｏｎ）”は、このような材料が均一ではない場合に化学的および／または物理的に異なるように、互いに最も近い二つの前述の材料の一部のみを必要とする。本文書においては、材料または構造は、互いに対して前述の材料または構造の少なくともいくらかの触れ合う接触が存在するときに、材料または構造は、別の材料または構造に“直接接触して（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ａｇａｉｎｓｔ）”いる。対照的に、“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”がつかない“上（ｏｖｅｒ）”“上（ｏｎ）”“接触（ａｇａｉｎｓｔ）”は、（複数の）中間材料または（複数の）中間構造によって、互いに前述の材料または構造との物理的接触がない場合の構造と同様に、“直接接触する（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ａｇａｉｎｓｔ）”状態も包含する。さらに、特に指定されない限りは、各材料は、あらゆる適切な技術または開発中に技術を使用して形成されてもよく、原子層堆積、化学蒸着、物理蒸着、エピタキシャル成長、拡散ドーピングおよびイオン注入がその例である。
【００１１】
基板断片１０は、半導体基板を含んでもよい。本文書の文脈においては、“半導体基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）”または“半導電性基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）”という語は、半導電性ウェーハ（単独もしくは他の材料をその上に含むアセンブリのいずれか）および半導電性材料層（単独もしくは他の材料をその上に含むアセンブリのいずれか）を含むがそのいずれにも限定はされない半導電性材料を含む任意の構造を意味するように定義される。“基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）”という語は、上述された半導電性基板を含むがそれには限定されない任意の支持構造のことを称する。
【００１２】
トランジスタ構造１４は、絶縁コア１６（即ち電気的絶縁）を含む。絶縁コア１６の材料は、例えば、材料１２の組成に関して上述された材料のうちの任意の材料を含む、誘電体であってもよい。絶縁コア１６の材料は、半導電性または導電性であってもよく、例えば、例えば、接地または幾つかの他の電位に維持することで、トランジスタ構造１４上および／またはトランジスタ構造１４下（図示されない）の回路コンポーネントに対して電気的絶縁機能を提供することがある。
【００１３】
遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、絶縁コア１６を包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁の厚さを有する。一実施形態においては、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、横方向の壁厚さが４モノレイヤー以下であり、一実施形態においては、横方向の壁厚さが２モノレイヤー以下である。例示的材料は、ＭｏＳ２、ＷＳ２、ＩｎＳ２、ＭｏＳｅ２、ＷＳｅ２およびＩｎＳｅ２のうちの一つ以上を含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、高さ方向の最外端面１７と高さ方向の最内端面１９とを有するものと考えられ得る。
【００１４】
強誘電性ゲート誘電体材料２０は、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８を包囲する。一実施形態においては、強誘電性ゲート誘電体材料２０は、１ナノメートルから３０ナノメートルの横方向の壁厚さを有し、一実施形態においては、２ナノメートルから１０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する。例示的材料は、ＨｆｘＳｉｙＯｚとＨｆｘＺｒｙＯｚとを含む。
【００１５】
絶縁コア１６、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８、強誘電性ゲート誘電体材料２０は、水平断面が円形の外周を其々有するものとして各々図示される。他の形状が使用されてもよい。
【００１６】
導電性ゲート材料２４は、強誘電性ゲート誘電体材料２０を包囲する。例は、一つ以上の金属元素、二つ以上の金属元素の合金、導電性金属化合物および導電性を有するようにドープされた半導電性材料を含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、導電性ゲート材料２４の内部および外部に高さ方向に延びる。一実施形態においては、強誘電性ゲート誘電体材料２０は、導電性ゲート材料２４の内部および外部に高さ方向に延びる。誘電体材料２６は、導電性ゲート材料２４の上および下に高さ方向に存在し得る。例は、材料１２の組成物に関して上述された材料のうちの任意の材料を含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、導電性ゲート材料２４の内部に高さ方向に存在する横方向外部側壁２７と、導電性ゲート材料２４の外部に高さ方向に存在する横方向外部側壁２９とを有すると考えられてもよい。
【００１７】
導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する。図１、図３および図４は、このような導電性接点２８と、別のこのような導電性接点３０とを示す。導電性接点２８は、ゲート材料２４の内部に高さ方向に存在する材料１８の横方向の外部側壁２７に直接接触する。導電性接点３０は、ゲート材料２４の外部に高さ方向に存在する材料１８の横方向の外部側壁２９に直接接触する。導電性接点の導電性材料は、遷移金属ジカルコゲナイド材料の組成とは異なる組成である。理想的実施形態においては、側壁２７／２９に直接接触する導電性接点の材料は、金属元素、二つ以上の金属元素の合金および／または導電性金属化合物である。あまり理想的ではない実施形態においては、側壁に直接接触する導電性接点の材料は、導電性を有するようにドープされた半導電性材料である。導電性接点２８および／または３０は、他の回路コンポーネント（図示せず）と（複数の）導電性接点を接続するための導線の一部（図１−図４には図示せず）に延びるか、または導線の一部を含んでもよい。追加的または代替的に、一例として、導電性接点２８または３０は、このような複数のトランジスタの行および列にわたってソース／ドレインを相互接続する導電性板状構造（図示せず）と接続してもよい。それとは関係なく、ソース／ドレインは、其々、トランジスタ構造１４の導電性ゲート材料２４の上および／または下にある材料１８の一部であってもよい。
【００１８】
図１は、導電性接点が横方向に直接接触する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に最も近接する端面１７、１９のうちの一方に個々の導電性接点が直接接触しない例示的一実施形態を示す。或いは、導電性接点の一方またはその双方が最も近接する端面に直接接触することがある。例えば、図５は、別の実施形態の基板断片１１を示し、ここで、導電性接点２８も、端面１９に直接接触し、導電性接点３０も、端面１７に直接接触する。上述された実施形態と類似の参照番号が適切な場合に用いられることがあり、幾つかの構造的差異は、異なる参照番号で示される。図５は、導電性接点２８と３０の双方が其々の端面と直接接触する一実施形態を示すが、この接点のうちの一方のみが、そのように直接接触し、その場合には、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８の側壁に双方の接点が直接接触しやすい。一実施形態においては、導電性接点が直接接触する遷移金属ジカルコゲナイド材料の側壁表面面積は、導電性接点が直接接触する遷移金属ジカルコゲナイド材料の端壁表面面積よりも大きい。図５は、このような例示的一実施形態を示す。図５は、導電性接点２８および３０が其々導線３２および３４の一部を含む例示的一実施形態も示す。
【００１９】
次に、図６−図９と、基板断片１０ｃとを参照して、代替的実施形態の構造が記述され、基板断片１０ｃは、横方向に対向する垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ１４ａ、１４ｂの対を含む。上述された実施形態と類似の参照番号が適切な場合に用いられ、幾つかの構造的差異は添え字“ａ”“ｂ”および“ｃ”または異なる参照番号で示される。絶縁材料１６は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ１４ａおよび１４ｂの対の間に横方向に存在する。トランジスタの対は、絶縁材料１６の二つの対向する横方向側面３６の各々の上に、遷移金属ジカルコゲナイド膜１８を含み、絶縁材料１６の二つの対向する横方向側面３６の各々は、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを有する。強誘電性ゲート誘電体膜２０は、各遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の外部に横方向に存在する。導電性ゲート材料２４は、各強誘電性ゲート誘電体膜２０の外部に横方向に存在する。遷移金属ジカルコゲナイド膜１８は、二つの側面３６の各々の上の導電性ゲート材料２４の内部および外部に高さ方向に延びる。
【００２０】
導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の内部で高さ方向に存在するか、またはｂ）導電性ゲート材料の外部で高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する。図６および図８は、導電性ゲート材料２４の外部に高さ方向に存在する各遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の横方向の外部側壁２９に直接接触する二つの導電性接点３０ａ、３０ｂを示す。図６および図９も、導電性ゲート材料２４の内部に高さ方向に存在する各遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の横方向の外部側壁２７に個々に直接接触する二つの導電性接点２８ａ、２８ｂを示す。導電性接点２８ａおよび２８ｂは、このような接点が互いに電気的に直接結合する場合には、単一の導電性接点またはユニットとしての導電性接点と考えられてもよく、または、互いに電気的に直接結合されない場合には二つの別個の接点として考えられてもよい。同様のことが導電性接点３０ａおよび３０ｂにも当てはまる。それとは関係なく、基板１０および１１内の導電性接点２８および３０に関して記述された任意の特性は、図６−図９の実施形態で使用されてもよい。
【００２１】
本発明の実施形態は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリングを含み、続いて、図１０−図１３を参照して記述される。上述された実施形態と類似の参照番号が適切な場合に使用され、幾つかの構造的差異は、添え字“ｄ”または異なる参照番号で示される。図１０−図１３は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ４２（例えば、ストリング毎に３つのみが図示される）の垂直方向ストリング４０（例えば、６つのみが図示される）のアレイを含む基板断片１０ｄを示す。ストリング毎に４つ以上のトランジスタが同様に含まれる可能性があり、所与のアレイ内に７つ以上のストリングが存在する（即ち、サブアレイを含む）こともある。さらに、垂直方向ストリング４０は、図示された横並び配置以外の配置で整列することがある。一例として、隣接する行および／または列における幾つかの垂直方向ストリング４０または全ての垂直方向ストリング４０は、対角線方向に互い違いにされてもよい（図示せず）。議論は、単一の垂直方向ストリング４０に関連する構造を参照して進める。垂直方向電界効果トランジスタ４２の垂直方向ストリング４０は、絶縁コア１６を含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は絶縁コア１６を包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを有する。強誘電性ゲート誘電体材料２０は、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８を包囲する。
【００２２】
誘電体材料４６および導電性ゲート材料２４の交互の層４４は、強誘電性ゲート誘電体材料２０を包囲する。例示的な誘電体２６は、材料１２の組成に関連して上述された材料のうちの任意の材料を含む。層４４は、任意の選択された厚さであってもよいし、異なる厚さであってもよい。遷移金属ジカルコゲナイド材料１８および強誘電性ゲート誘電体材料２０は、層４４を通って絶縁コア１６に沿って高さ方向に延びる。遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ａ）導電性ゲート材料層の外部に高さ方向（例えば、材料２４を含む最上部層４４）およびｂ）導電性ゲート材料層の内部に高さ方向（例えば、材料２４を含む最下部層４４）のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる。図１０−図１３は、高さ方向の外部導電性ゲート材料層４４および高さ方向の内部導電性ゲート材料層４４のうちの各々を超えて高さ方向に延びる例示的一実施形態の遷移金属ジカルコゲナイド材料１８を示す。それとは関係なく、一実施形態においては、高さ方向の外部層は、誘電体材料（例えば、材料４６を含む最上部層４４）を含み、このような一実施形態においては、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、例えば図示されるように、高さ方向の外部誘電体材料層４４を超えて高さ方向に延びてもよい。一実施形態においては、高さ方向の内部層は、誘電体材料（例えば、材料４６を含む最下部層４４）を含み、このような一実施形態においては、遷移金属ジカルコゲナイド材料１８は、例えば図示されるように、高さ方向の内部誘電体材料層４４を超えて高さ方向に延びてもよい。
【００２３】
導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の外部層、またはｂ）導電性ゲート材料の内部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する。図１０および図１２は、外部導電性ゲート材料層４４を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料１８の横方向の外部側壁２９に直接接触する導電性接点３０を示す。図１０および図１３は、内部導電性ゲート材料層４４を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料１８の横方向の外部側壁２７に直接接触する別の導電性接点２８も示す。図１−図５の実施形態を参照して上述された特性のうちの任意の特性が使用されてもよい。一実施形態においては、垂直方向ストリング４０は、例えば、例示としてのみ、米国特許番号７，８９８，８５０に開示された構造に類似するＮＡＮＤストリングとして構成されてもよい。
【００２４】
図１０−図１３は、行および列に配置された例示的垂直方向ストリング４０を示し、導電性ゲート材料２４は、個々の層４４内にアクセス線またはワード線４８を含み、示された図面内で適切な誘電体材料３３によって互いに電気的に分離される。例は、材料１２の組成を参照して上述された材料のうちの任意の材料を含む。導電性接点２８または導電性接点３０は、センス／ビット線の集合（図示せず）と接続することがある。導電性接点２８または導電性接点３０のうちの他方は、複数のこのようなトランジスタの行および列にわたってソース／ドレインを相互接続する線の異なる集合（図示せず）または板状構造（図示せず）と接続することがある。それとは関係なく、ソース／ドレインは、ストリング４０内の最上部トランジスタ構造４２または最下部トランジスタ構造４２の導電性ゲート材料２４の上および下にある材料１８の其々の部分であってもよい。それとは関係なく、任意の線は任意の適切な方法で配列されてもよい。単なる一例として、センス線（図示せず）がアクセス線と垂直に方向づけられ、接点２８および３０の列または行と接続する線（図示せず）が互いに対して平行に、かつセンス線と平行に走ってもよい。
【００２５】
続いて、図１４―図１７および基板断片１０ｅを参照して垂直方向強誘電性電界効果トランジスタのストリングのさらなる例示的実施形態が記述される。上述された実施形態と類似の参照番号が適切な場合に使用され、幾つかの構造的差異は、添え字“ｅ”“ｒ”および“ｓ”または異なる参照番号で示される。図１４は、横方向に対向する誘電体材料４６ｒおよび４６ｓと、横方向に対向する導電性ゲート材料２４ｒおよび２４ｓの交互の層４４ｅを示す。個々の層４４ｅにおける横方向に対向する導電性ゲート材料２４ｒおよび２４ｓは、その個々の層４４ｅにおける横方向に対向する垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ１４ｒおよび１４ｓの対のうちの一つの其々のゲートを含む。絶縁材料１６は、トランジスタの其々の対のトランジスタ４２ｒおよび４２ｓの横方向の間の層４４ｅを通って延びる。遷移金属ジカルコゲナイド膜１８は、絶縁材料１６と、横方向に対向する導電性ゲート材料２４ｒおよび２４ｓとの間の絶縁材料１６の二つの対向する横方向側面３６の各々の上の層４４ｅを通って延びる。遷移金属ジカルコゲナイド膜１８は、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する。
【００２６】
遷移金属ジカルコゲナイド膜１８は、ａ）横方向に対向する導電性ゲート材料層（例えば、ゲート材料２４ｒ、２４ｓを含む最上部層４４ｅ）の高さ方向の外部、およびｂ）横方向に対向する導電性ゲート材料層（例えば、導電性ゲート材料２４ｒ、２４ｓを含む最下部層４４ｅ）の高さ方向の内部のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる。強誘電性ゲート誘電体膜２０は、遷移金属ジカルコゲナイド膜１８と横方向に対向する導電性ゲート材料２４ｒ、２４ｓとの間の個々の遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の二つの対向する横方向側面３５の各々の上の層４４ｅを通って延びる。
【００２７】
導電性接点は、ａ）対向する導電性ゲート材料の外部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々、またはｂ）対向する導電性ゲート材料の内部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する。図１４および図１６は、対向する導電性ゲート材料２４ｒおよび２４ｓの外部層４４ｅを超えて高さ方向に存在する各遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の横方向の外部側壁２９に直接接触する導電性接点３０ｒ、３０ｓを示す。図１４および図１７は、対向する導電性ゲート材料２４ｒおよび２４ｓの内部層を超えて高さ方向に存在する各遷移金属ジカルコゲナイド膜１８の横方向の外部側壁２７に直接接触する導電性接点２８ｒ、２８ｓを示す。図６−図９の実施形態を参照して上述された特性のうちの任意の特性は、図１４−図１７の実施形態で使用されてもよい。誘電体材料７５は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ４２ｒ、４２ｓの横方向に対向する対の水平方向に隣接する垂直方向ストリング４０ｅから、遷移金属ジカルコゲナイド膜１８を分離するために、層４４ｅを通って延びるように示される。誘電体材料７５は、材料２０および／もしくは２４ｒ、２４ｓ（図示せず）に延びてもよいし、および／または材料２０および／もしくは２４ｒ、２４ｓ（図示せず）を通って延びてもよい。例示的誘電体７５は、材料１２の組成に関して上述された材料のうちの任意の材料を含む。
【００２８】
図１４−図１７は、例示的一実施形態を示し、誘電体材料３３は、異なるストリング４０ｅの直接隣接する導電性ゲート材料２４ｒと２４ｓとの間にある。図１８は、別の例示的一実施形態の基板断片１０ｆ（図１５の断面に対応する）を示し、少なくとも幾つかの直接横方向に隣接する垂直方向ストリング４０ｆは、個々の層で導電性ゲート材料２４ｆの共通の水平に延びる線を共有し、それによっておそらくは水平方向密度を増加させる。上述された実施形態と類似の参照番号が適切な場合に使用され、幾つかの構造的差異は、添え字“ｆ”で示される。対向する導電性ゲート材料（図示せず）の外部層または内部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の側壁に直接接触する導電性接点を横方向に分離し、かつ電気的に絶縁するために、誘電体分離（図示せず）が提供されてもよい。
【００２９】
垂直方向ＦｅＦＥＴ内のチャネルとして、１モノレイヤーから７モノレイヤーの厚さである垂直方向遷移金属ジカルコゲナイド材料または遷移金属ジカルコゲナイド膜の使用は、強誘電性誘電体の脱分極傾向を減少させ、および／または強誘電性誘電体とチャネルとの間に存在し得る反対方向の高い電界を低減することがある。
【００３０】
［結論］
幾つかの実施形態においては、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造は、絶縁コアを含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料は絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する。強誘電性ゲート誘電体材料は、遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する。導電性ゲート材料は、強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する。遷移金属ジカルコゲナイド材料は、導電性ゲート材料の内部に高さ方向に、および導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる。導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する。
【００３１】
幾つかの実施形態においては、一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造は、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対の間に横方向に絶縁材料を含む。トランジスタの対は、絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上の遷移金属ジカルコゲナイド膜を含み、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する。強誘電性ゲート誘電体膜は、遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の外部に横方向に存在する。導電性ゲート材料は、各強誘電性ゲート誘電体膜の外部に横方向に存在する。遷移金属ジカルコゲナイド膜は、二つの側面の各々の上に、導電性ゲート材料の内部に高さ方向に、および導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる。導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する。
【００３２】
幾つかの実施形態においては、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリングは絶縁コアを含む。遷移金属ジカルコゲナイド材料は、絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する。強誘電性ゲート誘電体材料は、遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する。誘電体材料および導電性ゲート材料の交互の層は、強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する。遷移金属ジカルコゲナイド材料および強誘電性材料は、層を通る絶縁コアに沿って高さ方向に延びる。遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ａ）導電性ゲート材料層の高さ方向の外部およびｂ）導電性ゲート材料層の高さ方向の内部のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる。導電性接点は、ａ）導電性ゲート材料の外部層またはｂ）導電性ゲート材料の内部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する。
【００３３】
幾つかの実施形態においては、垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの横方向に対向する対の垂直方向ストリングは、横方向に対向する誘電体材料および横方向に対向する導電性ゲート材料の交互の層を含む。個々の層における横方向に対向する導電性ゲート材料は、その層内に横方向に対向する垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対のうちの一つの其々のゲートを含む。絶縁材料は、其々の対のトランジスタの間において層を横方向に通って延びる。遷移金属ジカルコゲナイド膜は、絶縁材料と横方向に対抗する導電性ゲート材料との間の絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上の層を通って延びる。遷移金属ジカルコゲナイド膜は、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向厚さを個々に有する。遷移金属ジカルコゲナイド膜は、ａ）横方向に対抗する導電性ゲート材料層の高さ方向の外部およびｂ）横方向に対抗する導電性ゲート材料層の高さ方向の内部のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる。強誘電性ゲート誘電体膜は、遷移金属ジカルコゲナイド膜と横方向に対抗する導電性ゲート材料との間の個々の遷移金属ジカルコゲナイド膜の二つの対向する横方向側面の各々の上の層を通って延びる。導電性接点は、ａ）対向する導電性ゲート材料の外部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々、またはｂ）対向する導電性ゲート材料の内部層を超えて高さ方向に存在する遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する。
【００３４】
法律に従って、本明細書に開示された本発明の主題は、構造的特徴および方法的特徴に関して多かれ少なかれ言語で具体的に記述された。しかしながら、図示され記述された具体的特徴に請求項が限定されることはないことを理解されたい。なぜなら、本明細書に開示された手段は例示的実施形態を含むからである。請求項は、文字通り全範囲を与えられるべきであり、均等物の教義に従って適切に解釈されるべきである。
【図１】
2016529717.tif 000003
【図２】
2016529717.tif 000004
【図３】
2016529717.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2016529717.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2016529717.tif 000013
【図１２】
2016529717.tif 000014
【図１３】
2016529717.tif 000015
【図１４】
2016529717.tif 000016
【図１５】
2016529717.tif 000017
【図１６】
2016529717.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造であって、
絶縁コアと、
前記絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する遷移金属ジカルコゲナイド材料と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する強誘電性ゲート誘電体材料と、
前記強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する導電性ゲート材料であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に延び、かつ前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる、導電性ゲート材料と、
ａ）前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とする構造。
【請求項２】
前記絶縁コア、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料、前記強誘電性ゲート誘電体材料は、水平方向断面において円形である其々の外周を各々有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが４モノレイヤー以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが２モノレイヤー以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の構造。
【請求項５】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ＭｏＳ２、ＷＳ２、ＩｎＳ２、ＭｏＳｅ２、ＷＳｅ２、ＩｎＳｅ２のうちの少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項６】
前記側壁に直接接触する前記導電性接点の材料は、金属元素、金属元素の合金、および／または導電性金属化合物である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項７】
前記側壁に直接接触する前記導電性接点の材料は、導電性を有するようにドープされた半導電性材料である、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項８】
前記強誘電性ゲート誘電体材料は、１ナノメートルから３０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項９】
前記強誘電性ゲート誘電体材料は、２ナノメートルから１０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項８に記載の構造。
【請求項１０】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、横方向の壁厚さが２モノレイヤー以下であり、前記強誘電性ゲート誘電体材料は、２ナノメートルから１０ナノメートルの横方向の壁厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１１】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１２】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記導電性接点が横方向に直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に最も近接する前記端面のうちの一つに直接接触しない、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１３】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記導電性接点が横方向に直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に最も近接する前記端面のうちの一つに直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１４】
前記導電性接点が直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の側壁表面面積は、前記導電性接点が直接接触する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の端部壁表面面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１３に記載の構造。
【請求項１５】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１６】
前記導電性接点は、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触し、前記垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造は、前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の前記横方向の外部側壁に直接接触する別の導電性接点を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項１７】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点は、前記最外部端面に直接接触せず、前記別の導電性接点は前記最内部端面に直接接触しない、
ことを特徴とする請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、高さ方向の最外部端面と、高さ方向の最内部端面とを有し、前記導電性接点および前記別の導電性接点のうちの少なくとも一つは、其々前記高さ方向の最外部端面または前記高さ方向の最内部端面に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の構造。
【請求項１９】
前記導電性接点は、前記高さ方向の最外部端面に直接接触し、前記別の導電性接点は、前記高さ方向の最内部端面に直接接触する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の構造。
【請求項２０】
一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造であって、
一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの横方向の間に絶縁材料を含み、
前記一対のトランジスタは、
前記絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上で、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部の強誘電性ゲート誘電体膜と、
前記強誘電性ゲート誘電体膜の各々の横方向の外部の導電性ゲート材料であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド膜は、前記二つの側面の各々の上の前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に延び、前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に延びる、導電性ゲート材料と、
ａ）前記導電性ゲート材料の内部に高さ方向に存在するか、またはｂ）前記導電性ゲート材料の外部に高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とする構造。
【請求項２１】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリングであって、
絶縁コアと、
前記絶縁コアを包囲し、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の壁厚さを有する遷移金属ジカルコゲナイド材料と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド材料を包囲する強誘電性ゲート誘電体材料と、
誘電体材料と、前記強誘電性ゲート誘電体材料を包囲する導電性ゲート材料との交互の層であって、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料および前記強誘電性材料は、前記層を通って前記絶縁コアに沿って高さ方向に延び、前記遷移金属ジカルコゲナイド材料は、ａ）前記導電性ゲート材料層の高さ方向の外部およびｂ）前記導電性ゲート材料層の高さ方向の内部のうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる、交互の層と、
ａ）前記導電性ゲート材料の前記外部の層またはｂ）前記導電性ゲート材料の前記内部の層を超えて高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド材料の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とするストリング。
【請求項２２】
垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリングであって、
横方向に対向する誘電体材料と、横方向に対向する導電性ゲート材料との交互の層であって、前記層のうちの個々の層における前記横方向に対向する導電性ゲート材料は、前記層内の横方向に対向する垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対のうちの一つの其々のゲートを含む、交互の層と、
前記其々の対の前記トランジスタの間において前記層を横方向に通って延びる絶縁材料と、
前記絶縁材料と、前記横方向に対向する導電性ゲート材料との間の前記絶縁材料の二つの対向する横方向側面の各々の上の前記層を通って延び、１モノレイヤーから７モノレイヤーの横方向の厚さを個々に有する遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
ａ）前記横方向に対向する導電性ゲート材料層の高さ方向の外部とｂ）前記横方向に対向する導電性ゲート材料層の高さ方向の内部とのうちの少なくとも一つを超えて高さ方向に延びる前記遷移金属ジカルコゲナイド膜と、
前記遷移金属ジカルコゲナイド膜と、前記横方向に対向する導電性ゲート材料との間の前記個々の遷移金属ジカルコゲナイド膜の二つの対向する横方向側面の各々の上の前記層を通って延びる強誘電性ゲート誘電体膜と、
ａ）前記対向する導電性ゲート材料の前記外部層を超えて高さ方向に存在する前記対向する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々、またはｂ）前記対向する導電性ゲート材料の前記内部層を超えて高さ方向に存在する前記遷移金属ジカルコゲナイド膜の各々の横方向の外部側壁に直接接触する導電性接点と、
を含む、
ことを特徴とするストリング。
【国際調査報告】
2016529717.tif 000021
2016529717.tif 000022