(57)【要約】  発光素子の反射バンク構造が記述される。反射バンク構造には、基板、基板上の絶縁層、並びに絶縁層のバンク開口部のアレイで、各バンク開口部に底面及び側壁が含まれるものを含み得る。反射層は絶縁層のバンク開口部のぞれぞれの側壁にわたっている。
2016503958.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射バンク構造であって、
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層のバンク開口部のアレイであって、各バンク開口部が底面及び側壁を含む、バンク開口部のアレイと、
前記絶縁層の前記バンク開口部のぞれぞれの前記側壁にわたる反射層と
を備える反射バンク構造。
【請求項２】
前記バンク開口部のそれぞれが１μｍ〜１００μｍの最大幅を有する、請求項１に記載の反射バンク構造。
【請求項３】
対応する前記バンク開口部のアレイにマウントされた、対応する垂直型発光ダイオード素子のアレイを更に備える、請求項１に記載の反射バンク構造。
【請求項４】
各垂直型発光ダイオード素子の上面が前記絶縁層の上面より上にある、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項５】
各垂直型発光ダイオード素子が上部導電性電極及び下部導電性電極を備える、請求項４に記載の反射バンク構造。
【請求項６】
各垂直型発光ダイオード素子が１μｍ〜１００μｍの最大幅を有する、請求項４に記載の反射バンク構造。
【請求項７】
前記垂直型発光ダイオード素子のアレイの側壁にわたる透明不活性化層を更に備え、前記バンク開口部のアレイを部分的に最小に埋める、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項８】
前記透明不活性化層が各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極を完全には覆わない、請求項７に記載の反射バンク構造。
【請求項９】
各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極の上方にあって、それに電気的に接触する透明な導電体層を更に備える、請求項８に記載の反射バンク構造。
【請求項１０】
前記反射層が前記バンク開口部のそれぞれの前記側壁を完全に覆う、請求項１に記載の反射バンク構造。
【請求項１１】
前記層が前記バンク開口部のそれぞれの前記底面を完全に覆う、請求項１０に記載の反射バンク構造。
【請求項１２】
前記反射層が前記絶縁層の上方及び前記絶縁層の前記バンク開口部のアレイ内の前記基板上に形成される連続的層である、請求項１１に記載の反射バンク構造。
【請求項１３】
前記反射層が前記バンク開口部のアレイに対応する反射バンク層のアレイを備えるパターン形成層で、各反射バンク層が対応するバンク開口部の前記側壁にわたる、請求項１に記載の反射バンク構造。
【請求項１４】
各反射バンク層が前記対応するバンク開口部の前記側壁を完全に覆う、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項１５】
各反射バンク層が前記対応するバンク開口部の前記底面を完全に覆う、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項１６】
各反射バンク層が前記対応するバンク開口部の前記底面を完全には覆わない、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項１７】
各反射バンク層が前記対応するバンク開口部の前記底面の中心を覆わない、請求項１６に記載の反射バンク構造。
【請求項１８】
各反射バンク層が、前記対応するバンク開口部の前記側壁に前記わたる側壁層及び前記対応するバンク開口部の前記底面上の分離したパッド層を含む、請求項１６に記載の反射バンク構造。
【請求項１９】
前記バンク開口部のそれぞれの前記側壁が第１及び第２の横方向に向かい合う側壁によって特徴付けられ、各反射バンク層が前記第１の横方向に向かい合う側壁にわたるが、前記第２の横方向に向かい合う側壁にわたっていない、請求項１６に記載の反射バンク構造。
【請求項２０】
前記絶縁層上に電線出力を更に備える、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項２１】
前記パターン形成層が、前記バンク開口部のアレイ内の前記反射バンク層のアレイ及び前記絶縁層上の前記電線出力を備える、請求項２０に記載の反射バンク構造。
【請求項２２】
対応する前記バンク開口部のアレイ内にマウントされた垂直型発光ダイオード素子のアレイと、
前記電線出力及び各垂直型発光ダイオード素子の上方にあって、それらに電気的に接触する透明な導電層とを更に備える、請求項２１に記載の反射バンク構造。
【請求項２３】
前記絶縁層にビア開口部を更に備える、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項２４】
前記ビア開口部の底面に電線出力を更に備える、請求項２３に記載の反射バンク構造。
【請求項２５】
対応する前記バンク開口部のアレイ内にマウントされた垂直型発光ダイオード素子のアレイと、
前記電線出力及び各垂直型発光ダイオード素子の上方にあって、それらと電気的に接触する透明な導電層とを更に備える、請求項２４に記載の反射バンク構造。
【請求項２６】
前記パターン形成層が、前記バンク開口部のアレイ内の前記反射バンク層のアレイ、及び前記ビア開口部内の分離した反射ビア層を備える、請求項２５に記載の反射バンク構造。
【請求項２７】
前記絶縁層上に電線出力のアレイを更に備える、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項２８】
前記パターン形成層が、前記バンク開口部のアレイ内の前記反射バンク層のアレイ及び前記絶縁層上の前記電線出力のアレイを備える、請求項２７に記載の反射バンク構造。
【請求項２９】
対応する前記バンク開口部のアレイ内にマウントされる垂直型発光ダイオード素子のアレイと、
透明な導電層のアレイであって、各透明な導電層が対応する電線出力及び対応する垂直型発光ダイオード素子の上方にあって、それらと電気的に接触する、透明な導電層のアレイと
を更に備える、請求項２８に記載の反射バンク構造。
【請求項３０】
前記絶縁層上にビア開口部のアレイを更に備える、請求項１３に記載の反射バンク構造。
【請求項３１】
対応する前記ビア開口部のアレイのそれぞれの底面に電線出力のアレイを更に備える、請求項３０に記載の反射バンク構造。
【請求項３２】
前記バンク開口部のアレイ内にマウントされた垂直型発光ダイオード素子のアレイと
透明な導電層のアレイであって、各透明な導電層が対応する電線出力及び対応する垂直型発光ダイオード素子の上方にあって、それらと電気的に接触する、透明な導電層のアレイとを更に備える、請求項３１に記載の反射バンク構造。
【請求項３３】
前記パターン形成層が、前記バンク開口部のアレイ内の前記反射バンク層のアレイ、及び前記ビア開口部のアレイ内の分離した反射ビア層のアレイを備える、請求項３２に記載の反射バンク構造。
【請求項３４】
前記基板がライティング基板である、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項３５】
前記基板がディスプレイ基板である、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項３６】
前記基板内に集積回路を更に備える、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項３７】
前記バンク開口部のアレイの前記底面と相互接続された、対応する集積回路のアレイを更に備える、請求項３６に記載の反射バンク構造。
【請求項３８】
前記開口部のアレイの前記底面に電線出力を更に備える、請求項３に記載の反射バンク構造。
【請求項３９】
前記開口部のアレイの前記底面に、対応する電線出力のアレイを更に備える、請求項３に記載の反射バンク構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、発光素子の反射バンク構造に関する。より詳細には、本出願の実施形態は発光ダイオード素子の反射バンク構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）素子には、ｐタイプ半導体層、ｎタイプ半導体層、及びｐタイプ半導体層とｎタイプ半導体層の間に１つ又はそれ以上の量子井戸層を含み得る。ＬＥＤ素子システムの発光効率は、量子井戸層の内部量子効率及びシステムからの光抽出効率に応じて異なる。
【０００３】
光抽出効率を向上させるための一実装は、発光方向の反対側の電極層に反射層を含めることである。例えば、トップエミッション構造の場合、下部電極に反射層を含み得、その反対も同様である。ＬＥＤ素子の側面からの発光は光抽出効率を低下させ得る。
【０００４】
水平型ＬＥＤチップからの光抽出効率を向上させるための一実装が米国特許第７，４８２，６９６号で記述されており、この中では、水平型ＬＥＤチップがキャビティの側壁上の一組の導電性反射フィルムと共に絶縁性サブマウントのキャビティ内に配置されている。水平型ＬＥＤチップの下部側表面上のｎ側電極は一方の導電性反射フィルム上のパッドにフリップチップ接合され、水平型ＬＥＤチップの下部側表面上のｐ側電極は他方の導電性反射フィルム上のパッドにフリップチップ接合される。このように、水平型ＬＥＤチップはサブマウント内にパッケージ化され、水平型ＬＥＤチップの側表面を通じた横方向の発光が反射され、パッケージの光抽出効率は増大する。
【０００５】
垂直型ＬＥＤチップからの光抽出効率を向上させるための一実装が米国特許第７，４８２，６９６号で記述されており、この中では、垂直型ＬＥＤ素子の発光表面が透明基板の狭小な配線上にマウントされている。透明樹脂が垂直型ＬＥＤ素子の上方及び周囲に形成され、反射フィルムが透明樹脂及び垂直型ＬＥＤ素子の上方に成膜され、光を発光面に向けている。
【発明の概要】
【０００６】
発光素子の反射バンク構造が記述される。一実施形態では、反射バンク構造は、基板、基板上に絶縁層、絶縁層のバンク開口部のアレイであって各バンク開口部に底面及び側壁を含むもの、並びに絶縁層のバンク開口部のそれぞれの側壁にわたる反射層を含んでいる。バンク開口部のそれぞれは、発光素子を受容するための幅又は高さを有し得る。一実施形態では、各発光素子は垂直型ＬＥＤ素子である。発光素子が１から１００μｍの最大幅又は長さを有する垂直型マイクロＬＥＤ素子などのマイクロ素子の場合、各バンク開口部は、対応するバンク開口部のアレイ内に垂直型マイクロＬＥＤ素子のアレイのマウントに対応するために、１から１００μｍ又はそれより少し大きい最大幅又は長さを有し得る。一実施形態では、各垂直型ＬＥＤ素子は絶縁層の上面より上に上面を有している。各垂直型ＬＥＤ素子は、上部導電性電極及び下部導電性電極を有し得る。
【０００７】
一実施形態では、垂直型ＬＥＤ素子のアレイの側壁にわたり、少なくとも部分的にバンク開口部のアレイを埋める透明不活性化層が形成される。例えば、透明不活性化層は垂直型ＬＥＤ素子のアレイ内の量子井戸構造にわたり、覆い得る。一実施形態では、透明不活性化層は各垂直型ＬＥＤ素子の上部導電性電極を完全には覆わない。このように、透明導電体層は、各垂直型ＬＥＤ素子に対して、存在する場合には、上部導電性電極の上方に、それと電気的に接触して形成され得る。
【０００８】
反射層は、本発明の実施形態に係る様々な構成を有し得る。例えば、反射層は、完全に又は部分的にのみ、バンク開口部のそれぞれの側壁にわたり得る。例えば、完全に、部分的にのみ、バンク開口部のそれぞれの底面を覆ったり、又は覆わなかったりし得る。一実施形態では、反射層は絶縁層及び絶縁のバンク開口部のアレイ内の基板の上方に形成される連続層で、側壁に完全にわたり、バンク開口部のそれぞれの底面を覆う。
【０００９】
反射層は更にパターン形成されてもよい。一実施形態では、反射層はバンク開口部のアレイに対応する反射バンク層のアレイを含むパターン形成層で、ここで、各反射バンク層は対応するバンク開口部の側壁にわたる。例えば、反射層は、完全に又は部分的にのみ、バンク開口部のそれぞれの側壁にわたり得る。例えば、完全に、部分的にのみ、バンク開口部のそれぞれの底面を覆ったり、又は覆わなかったりし得る。一実施形態では、各反射バンク層は対応するバンク開口部の底面の中心を覆わない。一実施形態では、各反射バンク層は対応するバンク開口部の側壁にわたる側壁層及び対応するバンク開口部の底面上の分離したパッド層を含んでいる。一実施形態では、バンク開口部のそれぞれの側壁は第１及び第２の横方向に向かい合う側壁によって特徴付けられ、各反射バンク層は第１の横方向に向かい合う側壁にわたるが、第２の横方向に向かい合う側壁にわたっていない。
【００１０】
本発明の実施形態は、ライティング又はディスプレイ基板などの様々な基板上に反射バンク構造を組み込むために活用され得る。いくつかの実施形態では、基板内に集積回路を組み込み得る。例えば、対応する集積回路のアレイはバンク開口部のアレイの底面と相互接続され得る。いくつかの実施形態では、電線出力又は電線出力のアレイがバンク開口部のアレイの底面と相互接続される。
【００１１】
一実施形態では、ビア開口部が絶縁層に形成される。ビア開口部の底面に電線出力が形成され得る。一実施形態では、ビア開口部が下にある基板の集積回路と接続される。一実施形態では、垂直型ＬＥＤ素子のアレイが対応するバンク開口部のアレイ内にマウントされ、透明導電体層が電線出力及び各垂直型ＬＥＤ素子の上方に、それらと電気的に接触して形成される。パターン形成反射層は、バンク開口部のアレイ内の反射バンク層のアレイ及びビア開口部内の分離した反射ビア層を更に含み得る。
【００１２】
一実施形態では、パターン形成反射層は、バンク開口部のアレイ内の反射バンク層のアレイ、及び絶縁層上の分離した反射電線出力を含んでいる。一実施形態では、垂直型ＬＥＤ素子のアレイが対応するバンク開口部のアレイ内にマウントされ、透明導電体層が電線出力及び各垂直型ＬＥＤ素子の上方に、それらと電気的に接触して形成される。
【００１３】
一実施形態では、絶縁層にビア開口部のアレイが形成される。電線出力のアレイが、対応するビア開口部のアレイのそれぞれの底面に形成され得る。一実施形態では、ビア開口部のアレイが下にある基板の集積回路のアレイに接続される。一実施形態では、垂直型ＬＥＤ素子のアレイが対応するバンク開口部のアレイ内にマウントされ、透明導電体層のアレイが形成され、各透明導電体層は対応する電線出力及び対応する垂直型ＬＥＤ素子の上方に、それらと電気的に接触して形成される。パターン形成反射層は更に、バンク開口部のアレイ内の反射バンク層のアレイ及びビア開口部のアレイ内の分離した反射ビア層のアレイを含み得る。
【００１４】
一実施形態では、パターン形成反射層は、バンク開口部のアレイ内に反射バンク層のアレイ及び絶縁層に反射電線出力の分離したアレイを含んでいる。一実施形態では、垂直型ＬＥＤ素子のアレイが対応するバンク開口部のアレイ内にマウントされ、透明導電体層のアレイが形成され、各透明導電体層は対応する電線出力及び対応する垂直型ＬＥＤ素子の上方に、それらと電気的に接触して形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板上に形成された絶縁層の側断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係る絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係る絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係る絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及び対応するビア開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係る絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及びビア開口部の側断面図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部の側断面図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及び対応するビア開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及びビア開口部の側断面図である。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及び対応するビア開口部のアレイの側断面図である。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方の絶縁層に形成されたバンク開口部のアレイ及びビア開口部の側断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの上方に形成された連続的反射層の側断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの上方に形成された反射バンク層のアレイの側断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係る反射バンク層のアレイ上に形成された接着層のアレイの側断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に係る側壁層及び分離したパッド層を含むバンク層のアレイの側断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの底面上に形成された接着層のアレイの側断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態に係る反射バンク層のアレイ及び対応する反射ビア層のアレイの側断面図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施形態に係る反射バンク層のアレイ及び反射ビア層の側断面図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの１つの横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層のアレイ、及び対応する反射ビア層のアレイの側断面図である。
【図３Ｉ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部の１つの横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層及び反射ビア層の側断面図である。
【図３Ｊ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの一方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層のアレイ、及びバンク開口部のアレイの他方の横方向に向かい合う側壁にわたる対応する反射ビア層のアレイの側断面図である。
【図３Ｋ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部の一方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層及びバンク開口部の他方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射ビア層の側断面図である。
【図３Ｌ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層のアレイ、対応する反射ビア層のアレイ、及びバンク開口部のアレイの底面上の対応する接着層のアレイの側断面図である。
【図３Ｍ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層のアレイ、反射ビア層、及びバンク開口部のアレイの底面上の接着層のアレイの側断面図である。
【図３Ｎ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部のアレイの一方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層のアレイ、バンク開口部のアレイの他方の横方向に向かい合う側壁にわたる対応する反射ビア層のアレイ、及びバンク開口部のアレイの底面上の対応する接着層のアレイの側断面図である。
【図３Ｏ】本発明の一実施形態に係るバンク開口部の一方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射バンク層、バンク開口部の他方の横方向に向かい合う側壁にわたる反射ビア層、及びバンク開口部の底面上の接着層の側断面図である。
【図３Ｐ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイの側断面図である。
【図３Ｑ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び対応する反射ビア層のアレイの側断面図である。
【図３Ｒ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び反射ビア層の側断面図である。
【図３Ｓ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び対応する反射ライン出力のアレイの側断面図である。
【図３Ｔ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイの側断面図である。
【図３Ｕ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び対応する反射ビア層のアレイの側断面図である。
【図３Ｖ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び反射ビア層の側断面図である。
【図３Ｗ】本発明の一実施形態に係る回路を含む基板の上方に形成された反射バンク層のアレイ及び対応する反射ライン出力のアレイの側断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に係る反射バンク構造のアレイ上に発光素子のアレイを転写する方法の側断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る上部発光システムのために反射バンク構造内にマウントされた垂直型マイクロＬＥＤのアレイの側断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る図５Ａの上面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係る上部及び下部発光システムのために反射バンク構造内にマウントされた垂直型マイクロＬＥＤのアレイの側断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態に係る図６Ａの上面図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ａに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ａに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図７Ａの上面図である。
【図７Ｄ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図７Ｅ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図７Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図７Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｂに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｂに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図８Ａの上面図である。
【図８Ｄ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ｅ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図８Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図９Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｄに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図９Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｄに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図９Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図９Ａの上面図である。
【図９Ｄ】本発明の一実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図９Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図９Ｅ】本発明の一実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図９Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｆに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｆに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１０Ａの上面図である。
【図１０Ｄ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成後の図１０Ａの上面図である。
【図１０Ｅ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１０Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１０Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｆに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｈ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｆに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｉ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｇに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１０Ｊ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｇに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｈに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｈに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１１Ａの上面図である。
【図１１Ｄ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成後の図１１Ａの上面図である。
【図１１Ｅ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１１Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１１Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触して図３Ｈに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｈ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触して図３Ｈに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｉ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触して図３Ｉに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１１Ｊ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触して図３Ｉに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｊに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｊに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１２Ａの上面図である。
【図１２Ｄ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成後の図１２Ａの上面図である。
【図１２Ｅ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１２Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１２Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｊに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｈ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｊに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｉ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｋに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１２Ｊ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｋに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｅに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｅに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｃ】本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１３Ａの上面図である。
【図１３Ｄ】本発明の一実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図１３Ａの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｅ】本発明の一実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図１３Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｆ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｌに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｇ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｌに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｈ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｍに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｉ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｍに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｊ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｎに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｋ】本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｎに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｌ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｏに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１３Ｍ】本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｏに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｐに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｐに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の一実施形態に係る図３Ｑに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の一実施形態に係る図３Ｒに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｅ】本発明の実施形態に係る図３Ｓに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｆ】本発明の実施形態に係る図３Ｓに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１４Ｇ】本発明の実施形態に係る図３Ｓに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態に係る図３Ｔに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施形態に係る図３Ｔに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の一実施形態に係る図３Ｕに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｄ】本発明の一実施形態に係る図３Ｖに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｅ】本発明の実施形態に係る図３Ｗに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｆ】本発明の実施形態に係る図３Ｗに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【図１５Ｇ】本発明の実施形態に係る図３Ｗに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態では、ＬＥＤ素子などの発光素子を受容するための反射バンク構造を記述する。例えば、反射バンク構造は、これらに限定されないが、ディスプレイ基板、ライティング基板、トランジスタ若しくは集積回路（ＩＣ）などの機能的デバイスを含む基板又は、金属再配線を含む基板などの受け基板上に形成され得る。本発明のいくつかの実施形態はｐ−ｎダイオードを備える垂直型マイクロＬＥＤ素子に特定的に関連して記述されるが、本発明の実施形態はそれだけに限定されず、特定の実施形態はフォトニック機能（ＬＥＤ、スーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）、レーザー）を行うように設計された他のデバイスにも適用可能であり得ることが認識されるべきである。
【００１７】
本明細書内で使用される「マイクロ」デバイス又は「マイクロ」ＬＥＤ構造体という言葉は、本発明の実施形態に係る特定のデバイス又は構造体の記述的大きさを指す場合がある。本明細書内で使用されるとき、「マイクロ」デバイス又は構造体という言葉は、１〜１００μｍの尺度を指すことが意図されている。しかしながら、本発明の実施形態は必ずしもこれに限定されず、これら実施形態の特定の態様はより大きな尺度又は場合によってはより小さな尺度に適用できる場合があることが理解されるべきである。一実施形態では、単一のマイクロＬＥＤ素子が最大寸法、例えば、１から１００μｍの長さ及び／又は幅を有する。
【００１８】
種々の実施形態において、図を参照して説明がなされている。しかしながら、特定の実施形態は、これらの具体的な詳細のうちの１つ以上を伴わずに、又はその他の既知の方法及び構成との組み合わせで実施することができる。以下の説明において、本発明の完全な理解を提供するために、具体的な構成、寸法、及び工程などの数多くの具体的な詳細が明らかにされている。他の例では、本発明を不必要にあいまいにしないために、半導体の周知の工程及び製造技術について特に詳細な説明を行っていない。本明細書を通じた「一実施形態（one embodiment）」への言及は、本実施形態と関連して述べる特定の機能、構造体、構成、又は特徴が、本発明に関する少なくとも一実施形態の中に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の種々の場所における語句「一実施形態（one embodiment）」の出現は必ずしも、本発明の同じ実施形態について言及するものではない。更に、特定の機構、構造、構成、又は特性は、１つ以上の実施形態の中で任意の好適な方法で組み合わせることができる。
【００１９】
本明細書で使用される用語「わたり（spanning）」、「〜の上方に（over）」、「〜への（to）」、「〜間の（between）、及び「〜上に（on）」は、他の層に対するある層の相対位置について言及する場合がある。ある層が別の層に「わたり」、「の上方に」若しくは「上に」あること、又は別の層「へと」接合することは、別の層と直接接触する、又は１つ以上の介在層を有することが想定される。層と層「との間」の１つの層は、両方の層と直接接触している場合もあれば、１つ以上の介在層を有する場合もある。
【００２０】
一態様において、本発明の実施形態は発光素子のアレイからの光抽出効率を向上させるための反射バンク構造を記述している。一実施形態では、反射バンク構造は、基板、絶縁層、各バンク開口部に底面及び側壁を含む絶縁層のバンク開口部のアレイ、並びに絶縁層のバンク開口部のそれぞれの側壁にわたる反射層を含んでいる。発光素子からの横方向の発光は、側壁からシステムの発光方向に反射され得る。したがって、本発明の実施形態に従って、横方向側の発光は発光効率に著しく貢献し得る。
【００２１】
別の態様において、本発明の実施形態は垂直型ＬＥＤ素子のアレイからの光抽出効率を向上させるための反射バンク構造を記述している。バンク開口部のアレイ内にマウントされた垂直型ＬＥＤ素子には、上部及び下部電極を含め得る。例えば、上部及び下部電極は、垂直型ＬＥＤ素子のｐ−ｎダイオード層との抵抗接点を提供するために焼きなましされ得る。加えて、上部及び下部電極は、透明、半透明、不透明であり得るか、反射層を含み得る。このように、反射バンク構造は垂直型ＬＥＤ素子の様々な形状を組み込み得るもので、垂直型ＬＥＤ素子からのシステムの発光方向の発光に限定されない。
【００２２】
別の態様において、本発明の実施形態は受け基板上で発光素子のアレイを受容するための反射バンク構造を記述している。一実施形態において、発光素子のアレイはキャリア基板から転写ヘッドのアレイによって受け基板に移され、これは静電気原理に従って動作され得る。特定の理論に限定せずに、本発明の実施形態は、反対の極性の電荷の引力を使用してマイクロデバイスをピックアップする静電グリッパの原理に従って動作する転写ヘッド及びヘッドのアレイを利用している。本発明の実施形態によれば、発光素子に対するグリップ圧力を発生させて発光素子をピックアップするために、転写ヘッドにはプルイン電圧が印加される。一実施形態では、１気圧より大きなグリップ圧力が発生される。例えば、各転写ヘッドは、２気圧以上、又は更には転写ヘッドの誘電破壊による短絡なしに２０気圧以上のグリップ圧力を発生し得る。いくつかの実施形態では、マイクロピックアップアレイの転写ヘッドは、発光素子のアレイのための受け基板上でのピッチと合致するピッチ（ｘ、ｙ及び／又は斜め方向）によって分離される。例えば、受け基板がディスプレイ基板の場合、転写ヘッドのピッチは画素又は部分画素アレイのピッチと合致し得る。表１では、解像度１９２０×１０８０ｐ及び２５６０×１６００の様々な光の三原色（ＲＧＢ）ディスプレイ向けの本発明の実施形態に係る例示的実装のリストを提供している。本発明の実施形態は、ＲＧＢカラーの仕組み又は解像度１９２０×１０８０ｐ又は２５６０×１６００に限定されず、ＲＧＢカラーの仕組みは例示的目的のみのためであることを認識すべきである。
【表１】
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【００２３】
上の例示的実施形態では、４０ＰＰＩ画素密度は５５インチ解像度１９２０×１０８０ｐのテレビに対応し得るもので、３２６及び４４０ＰＰＩ画素密度はレティナディスプレイを装備するハンドヘルドデバイスに対応し得る。本発明の実施形態に従うと、マイクロピックアップアレイのサイズに応じて、大量転写ツールのマイクロピックアップアレイには、何千、何百万、又は更に、何億もの転写ヘッドが含まれ得る。本発明の実施形態に従うと、転写ヘッドの１ｃｍ×１．１２ｃｍアレイには、２１１μｍ、６３４μｍピッチの８３７個の転写ヘッド、及び１９μｍ、５８μｍピッチの１０２，０００個の転写ヘッドを含み得る。
【００２４】
転写ヘッドのアレイによってピックアップされる発光素子の数は、転写ヘッドのピッチと一致する場合もあれば、しない場合もある。例えば、１９μｍのピッチで分離された転写ヘッドのアレイは、１９μｍのピッチで発光マイクロ素子のアレイをピックアップする。別の例では、１９μｍのピッチで分離された転写ヘッドのアレイは、約６．３３μｍのピッチで発光マイクロ素子のアレイをピックアップする。このように、転写ヘッドは、２つおきに発光マイクロ素子をピックアップして、反射バンク構造を含む受け基板に転写する。いくつかの実施形態に従うと、発光マイクロ素子のアレイの上面は絶縁層の上面より高くなっており、その理由は、転写ヘッドが、絶縁層のバンク開口部内に発光マイクロ素子を配置する間に受け基板上の絶縁層（又はいずれかの介在層）によって損傷されたり、当該絶縁層を損傷したりするのを防止するためである。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板上に形成された絶縁層の側面図である。基板１００は、これらに限定されないが、ディスプレイ基板、ライティング基板、トランジスタ若しくは集積回路（ＩＣ）などの機能デバイスを有する基板、又は金属再配線付き基板などの様々な基板とし得る。特定の適用に応じて、基板１００は、可視波長（例えば、３８０〜７５０ｎｍの波長）に対して不透明、透明、又は半透明とし得るもので、基板１００は硬質又はフレキシブルとし得る。例えば、基板１００は、ガラス、金属箔、誘電体で覆われた金属箔、又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族フッ素含有ポリアリレート（ＰＡＲ）、多環状オレフィン（ＰＣＯ）、及びポリイミド（ＰＩ）などのポリマーから形成され得る。
【００２６】
絶縁層１１０はラミネーション、スピンコーティング、ＣＶＤ、及びＰＶＤなどの様々な技術によって形成され得る。絶縁層１１０は可視波長に対して不透明、透明、又は半透明とし得る。絶縁層１１０は、これらに限定されないが、感光性アクリル、フォトレジスト、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、アクリレート、エポキシ、及びポリエステルなどの様々な物質から形成され得る。一実施形態では、絶縁層はブラックマトリックス材料などの不透明な物質から形成され得る。例示的絶縁ブラックマトリックス物質には、有機樹脂、ガラスペースト、並びに、黒色色素、ニッケル、アルミニウム、モリブデン、及びそれらの合金などの金属粒子、金属酸化物粒子（例えば、酸化クロム）、又は金属窒化物粒子（例えば、窒化クロム）を含む、樹脂若しくはペーストが含まれる。
【００２７】
図２Ａ〜２Ｊは、本発明の実施形態に係る可能な基板及びパターン形成絶縁層のいくつかの側断面図である。図２Ａ〜２Ｊで例示された特定の実施形態は例示的であり、限定的であることを意図していないことを認識していただきたい。その上、例示された実施形態は必ずしも互いを除外するものではなく、例示されたいくつかの実施形態は組み合わされ得る。
【００２８】
次に図２Ａを参照すると、一実施形態では、バンク開口部１１２のアレイはリソグラフィなどの好適な技術を用いて絶縁層１１０に形成される。例示されているように、バンク開口部１１２には、図面では横方向に向かい合っている側壁１１４Ａ、１１４Ｂ、及び底面１１６を含み得る。図２Ａに例示された実施形態では、バンク開口部１１２の底面１１６は基板１００の電線出力１０２を露出している。図２Ｂに例示された実施形態では、ビア１０４が電線出力１０２と底面１１６の間に伸びている。特定の適用に応じて、電線出力１０２とビア１０４は可視波長に対して不透明、透明、又は半透明とし得る。一実施形態では、電線出力１０２は、完成したシステムのアノード線又はカソード線などの接点又は接触線として機能する。電線出力の物質は、例えば銅など、低抵抗用にも選択され得る。
【００２９】
例示的透明な導電性物質には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）、カーボンナノチューブフィルム、又はポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、及びポリチオフェンなどの透明な導電性ポリマーが含まれる。一実施形態では、電線出力１０２は約５０ｎｍ〜１μｍの厚さのＩＴＯである。一実施形態では、電線出力１０２及びビア１０４には、銀、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タングステン、ＩＴＯ、及びＩＺＯなどのナノ粒子が含まれる。電線出力１０２及びビア１０４は更に、可視波長に対して反射性もあり得る。一実施形態では、電線出力１０２及びビア１０４は、アルミニウム、モリブデン、チタン、チタン−タングステン、銀、若しくは金、又はそれらの合金などの反射金属フィルムを備えている。
【００３０】
本発明の実施形態に係ると、以下の図面に関連して記述される絶縁層１１０の厚さ及び開口部１１２の幅は、開口部内にマウントされる発光素子の高さ、発光素子を転写する転写ヘッドの高さ、及び解像度に応じて異なり得る。ディスプレイ基板の特定の例では、解像度、画素密度、及び部分画素密度は開口部１１２の幅の主な要因となり得る。４０ＰＰＩ及び２１１μｍ部分画素ピッチである例示的な５５インチテレビの場合、幅は、周囲のバンク構造体を構成するために、数ミクロンから２００μｍの任意の箇所とし得る。３２６ＰＰＩ及び２６μｍ部分画素ピッチである例示的ディスプレイの場合、幅は、５μｍの幅の周囲のバンク構造体を構成するために、数ミクロンから１５μｍのいずれかの箇所とし得る。４４０ＰＰＩ及び２６μｍ部分画素ピッチである例示的ディスプレイの場合、幅は、５μｍの幅の周囲のバンク構造体を構成するために、数ミクロンから１７μｍのいずれかの箇所とし得る。バンク構造体の幅は、構造体が必要なプロセスをサポートし、必要なＰＰＩに対してスケーラブルである限り、いずれかの好適なサイズとし得る。
【００３１】
本発明の実施形態に係ると、絶縁層１１０の厚さは反射バンク構造が機能するために厚過ぎない。厚さは、発光素子の高さ及び所定の視野角によって決定され得る。例えば、絶縁層の側壁が基板１００と角度を成している箇所では、より浅い角度がシステムのより広い視野角と相関し得る。一実施形態では、絶縁層１１０の例示的厚さは１μｍから５０μｍの間である。
【００３２】
次に図２Ｃを参照すると、一実施形態において、基板１００を露出するために対応するビア開口部１１８のアレイが絶縁層１１０内に形成される。例えば、各ビア開口部１１８はバンク開口部１１２に対応し得る。図２Ｃに例示された実施形態では、各ビア開口部１１８は基板１００の第２の電線出力１０６を露出している。第２の電線出力１０６は電線出力１０２と同様に形成され得る。一実施形態では、電線出力１０６は、完成したシステムのアノード線又はカソード線などの接点又は接触線として機能する。図２Ｄに例示された一実施形態では、複数のバンク開口部１１２に対応するために、単一のビア開口部１１８が絶縁層１１０内に形成される。ビア開口部１１８は、下にある電線出力と電気的に接触するために、内部に導電性物質を成膜できる十分な幅を有し得る。
【００３３】
次に図２Ｅ〜２Ｊを参照すると、いくつかの実施形態において、基板は、マウントされる発光素子を制御するための回路１２０を含み得る。図２Ｅ〜２Ｇに例示された実施形態では、基板１００の集積回路（ＩＣ）１２０と接続するために、ビア開口部１１３が各バンク開口部１１２の底面１１６に形成される。例示された特定の実施形態では、対応するＩＣ  １２０のアレイはバンク開口部１１２のアレイの底面１１６と相互接続されている。図２Ｆに例示された実施形態では、基板１００を露出するために対応するビア開口部１１８のアレイが絶縁層１１０内に形成される。例えば、各ビア開口部１１８はバンク開口部１１２に対応し得る。図２Ｆに例示された実施形態では、各ビア開口部１１８は基板１００の第２の電線出力１０６を露出している。一実施形態では、電線出力１０６は、完成したシステムのアノード線又はカソード線などの接点又は接触線として機能する。一実施形態では、電線出力１０６は１つ又はそれ以上の集積回路１２０と接続される。図２Ｇに例示された一実施形態では、複数のバンク開口部１１２に対応するために、単一のビア開口部１１８が絶縁層１１０内に形成される。図２Ｅ〜２Ｆに例示されているように、電線出力１０６は更に、対応するＩＣ  １２０のアレイと相互接続され得る。
【００３４】
次に図２Ｈ〜２Ｊを参照すると、いくつかの実施形態において、バンク開口部１１２のアレイの底面１１６は、対応するＩＣ  １２０のアレイと相互接続された導電性接触パッド１２２のアレイ上にある。導電性接触パッド１２２は、上述の電線出力１０２、１０６と同じ物質から形成され得る。図２Ｉに例示された実施形態では、基板１００を露出するために対応するビア開口部１１８のアレイが絶縁層１１０内に形成される。例えば、各ビア開口部１１８はバンク開口部１１２に対応し得る。図２Ｉに例示された実施形態では、各ビア開口部１１８は基板１００の第２の電線出力１０６を露出している。電線出力１０６は完成したシステムのアノード線又はカソード線などの接点又は接触線として機能し得る。図２Ｊに例示された一実施形態では、複数のバンク開口部１１２に対応するために、単一のビア開口部１１８が絶縁層１１０内に形成される。図２Ｉ〜２Ｊに例示されているように、電線出力１０６は更に、対応するＩＣ  １２０のアレイと相互接続され得る。
【００３５】
図２Ｅ〜２Ｊの受け基板１００は、アクティブマトリクスＬＥＤ（ＡＭＬＥＤ）バックプレーンとし得る。例えば、各ＩＣ  １２０は、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、及び蓄積キャパシタを含む従来の２Ｔ１Ｃ（２つのトランジスタ、１つのコンデンサー）回路とし得る。２Ｔ１Ｃ回路は例示的であることを意味しており、本発明の実施形態に従う他のタイプの回路又は従来の２Ｔ１Ｃ回路の変更形態が想到されることを認識していただきたい。例えば、ドライバトランジスタ及び発光素子への電流分布、又は不安定さを補うために、より複雑な回路が使用され得る。
【００３６】
図３Ａ〜３Ｗは、本発明の実施形態に係る図２Ａ〜２Ｊに関連して前述された、いくつかの可能な基板上の反射層構成及びパターン形成絶縁層構成の側断面図である。図３Ａ〜３Ｗで例示された特定の実施形態は例示的であり、限定的であることを意図していないことを認識していただきたい。その上、例示された実施形態は必ずしも互いを除外するものではなく、例示されたいくつかの実施形態は組み合わされ得る。
【００３７】
図３Ａを参照すると、一実施形態において、連続的反射層１３０が絶縁層のバンク開口部１１２のアレイ内のパターン形成絶縁層１１０の上方及び基板１００上、並びに絶縁層のバンク開口部１１２のそれぞれの側壁１１４Ａ、１１４Ｂ及び底面１１６にわたり形成されている。反射層１３０は導電性があり得る。一実施形態では、反射層１３０はアノード又はカソード出力端子として機能する。
【００３８】
反射層１３０はいくつかの導電性及び反射物質から形成され得るもので、複数の層を含み得る。一実施形態では、反射導電層１１４は、アルミニウム、モリブデン、チタン、チタン−タングステン、銀、若しくは金、又はそれらの合金などの金属フィルムを備えている。反射層１３０には更に、必ずしも反射的ではない、アモルファスシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）、カーボンナノチューブフィルム、又はポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、及びポリチオフェンなどの透明な導電性ポリマー、などの導電性物質も含み得る。一実施形態では、反射層は導電性物質及び反射導電性物質のスタックが含まれる。一実施形態では、反射層は上部及び下部層、並びに反射介在層を含む３層スタックを含み、ここで、上部及び下部層の１つ又は両方が透明である。一実施形態では、反射層は導電性酸化物−反射金属−導電性酸化物の３層スタックを含んでいる。導電性酸化物層は透明であり得る。例えば、反射層１３０はＩＴＯ−銀−ＩＴＯ層スタックを含み得る。そのような構成では、上部及び下部ＩＴＯ層は反射金属（銀）層の拡散及び／又は酸化を防止し得る。一実施形態では、反射層にはＴｉ−Ａｌ−Ｔｉスタックが含まれる。一実施形態では、反射層にはＩＴＯ−Ｔｉ−ＩＴＯスタックが含まれる。一実施形態では、反射層には、ＩＴＯ−Ｔｉ−Ａｌ−Ｔｉ−ＩＴＯスタックが含まれる。一実施形態では、反射層は１μｍ以下の厚さである。反射層は、これに限定されないが、ＰＶＤなどの好適な技術を使用して成膜され得る。
【００３９】
更に図３Ａを参照すると、パターン形成の透明な絶縁層１４２が反射層１３０の上方に任意選択で形成される。パターン形成の透明な絶縁層は少なくとも部分的に、絶縁層１１０及びバンク開口部１１２の側壁１１４Ａ、１１４Ｂの反射層１３０を覆い得る。パターン形成の透明な絶縁層１４２はバンク開口部１１２のアレイの底面１１６の直ぐ上方の開口部１４４のアレイを含み得る。一実施形態では、パターン形成の透明な絶縁層１４２は、ラミネーション、スピンコーティング、ＣＶＤ、及びＰＶＤなどの好適な技術を用いてブランケット成膜により形成され、次にリソグラフィなどの好適な技術を用いてパターン形成される。透明な絶縁体１４２は、これらに限定されないが、ＳｉＯ2、ＳｉＮx、ＰＭＭＡ、ＢＣＢ、ポリイミド、アクリレート、エポキシ、及びポリエステルなどの様々な物質から形成され得る。例えば、パターン形成絶縁層１４２は０．５μｍの厚さとし得る。パターン形成の透明な絶縁層１４２は、完成したシステムの発光抽出を大幅に低下させないために側壁１１４Ａ、１１４Ｂ上の反射層１３０の上方に形成される箇所では透明又は半透明とし得る。パターン形成の透明な絶縁層１４２の厚さは更に光抽出効率を向上させ、更に反射バンク構造への発光素子のアレイの転写の間に転写ヘッドのアレイに妨害を与えないために制御され得る。図３Ａ〜３Ｗの次の説明では、例示された実施形態のそれぞれは任意選択のパターン形成の透明な絶縁層１４２を含み、それは、導電層間の短絡を防止するために、図７Ａ〜１５Ｄに例示されたシステムに関連して記述された上部導電性接触部の形成時に有用であり得る。次の説明でより明らかになるように、パターン形成の透明な絶縁層１４２は任意選択で、導電層を電気的に分離するための一方法を提示している。
【００４０】
次に図３Ｂを参照すると、一実施形態において、反射層１３０は、例えば、リソグラフィ又はフォトレジストリフトオフ技術を用いて、バンク開口部１１２のアレイに対応する反射バンク層１３２のアレイにパターン形成される。パターン形成の透明な絶縁層１４２は次に、反射バンク層１３２及びパターン形成絶縁層１１０のアレイの上方に形成され得る。図３Ｃに例示された実施形態では、垂直型マイクロＬＥＤなどのマイクロ発光素子の固定に役立つように、接着層１４０がバンク開口部１１２の底面１１６を覆う反射層１３０上に成膜され得る。例えば、接着層１４０は、インジウム、金、銀、モリブデン、スズ、アルミニウム、シリコン、若しくはそれらの合金、又は透明な導電性ポリマーなどの物質を含み得るもので、約０．１μｍから１μｍの厚さである。一実施形態では、接着層の厚さは接着層を可視波長に対して透明にするために制御される。図３Ｃは図３Ａ〜３Ｗの中で反射層１３０上に形成される接着層１４０の唯一の例示であるが、他の実施形態において、バンク開口部１１２内の発光素子の固定に役立てるために、パターン形成されるかどうかに関係なく、接着層１４０が他の反射層１３０のいずれかの上に形成され得ることを認識していただきたい。図３Ａ〜３Ｃで例示された実施形態では、反射層１３０又は反射バンク層１３２のアレイが、バンク開口部１１２のそれぞれの側壁１１４Ａ、１１４Ｂ及び底面１１６を完全に覆うものとしてそれぞれ例示されている。例えば、図３Ｂ〜３Ｃで例示された反射バンク層１３２の構成は、平らな底面を有する円錐形になり得る。
【００４１】
次に図３Ｄ〜３Ｅを参照すると、いくつかの実施形態において、反射バンク層１３２は側壁１１４Ａ、１１４Ｂにわたるが、バンク開口部１１２の底面１１６を完全には覆っていない。一実施形態では、反射バンク層１３２は側壁１１４Ａ、１１４Ｂを完全に覆うが、バンク開口部１１２の底面１１６を完全には覆っていない。図３Ｄに例示された実施形態では、反射バンク層１３２は対応するバンク開口部１１２の側壁１１４Ａ、１１４Ｂにわたる側壁層１３３、及び対応するバンク開口部１１２の底面１１６上の分離したパッド層１３４を含んでいる。このように、パッド層１３４は側壁層１３３と電気的に隔離されている。図３Ｅに例示された実施形態では、反射バンク層１３２は対応するバンク開口部１１２の側壁１１４Ａ、１１４Ｂにわたり、対応するバンク開口部１１２の底面１１６の中心を覆わない。図３Ｅに例示された実施形態では、以下で更に詳細に記述されるようにマイクロＬＥＤの固定に役立てるため、バンク開口部１１２の底面１１６上に、接着層１４０が成膜され得る。例えば、接着層１４０は、インジウム、金、銀、モリブデン、スズ、アルミニウム、シリコン、若しくはそれらの合金、又はそれらの透明な導電性ポリマーなどの物質を含み得るもので、約５０ｎｍから１μｍの厚さである。一実施形態では、接着層の厚さは接着層を可視波長に対して透明にするために制御される。図３Ｅに例示された実施形態では、接着層はバンク開口部１１２の側壁１１４Ａ、１１４Ｂにわたる反射バンク層１３２から電気的に隔離されている。
【００４２】
次に図３Ｆ〜３Ｏ、図３Ｑ〜３Ｒ、図３Ｕ〜３Ｖを参照すると、いくつかの実施形態において、反射層はパターン形成され、バンク開口部１１２のアレイ及び１つ又はそれ以上のビア開口部１１８を含むパターン形成絶縁層の上方に形成され得る。反射層の形成に続いて、透明な絶縁層１４２が任意選択でパターン形成反射層及びパターン形成絶縁層の上方に形成され得る。上述のとおり、パターン形成の透明な絶縁層１４２は、例えば、ブランケット成膜、及び、リソグラフィなどの好適な技術を用いるパターン形成によって形成され得る。例示された特定の実施形態では、パターン形成の透明な絶縁体１４２は、層１３２、１３８の上方及び間に形成されるものとして例示されている。しかし、パターン形成の透明な絶縁体１４２は、他のパターンも考えられ得る。例えば、いくつかの実施形態では、パターン形成の透明な絶縁体は、反射ビア層１３２と対応する反射バンク層１３２の間には形成されない。次に図３Ｆ、３Ｈ、３Ｊ、３Ｌ、３Ｎ、３Ｑ、３Ｕに例示された実施形態では、バンク開口部１１２のアレイ内に反射バンク層１３２のアレイ及びビア開口部１１８のアレイ内に反射ビア層１３８の対応する分離したアレイを形成するために、反射層がパターン形成される。例示された実施形態では、反射ビア層１３８のアレイはビア開口部１１８の側壁１１５及び底面１１７にわたる。本発明の実施形態に係ると、反射ビア層１３８は電線出力又は電線出力と接続されるものとして機能し得る。他の実施形態では、図３Ｓ、３Ｗに例示されているように、反射層は、電線出力１３９及び反射バンク層１３２を形成するために、バンク開口部のアレイを含むパターン形成絶縁層の上方に形成される。
【００４３】
図３Ｇ、３Ｉ、３Ｋ、３Ｍ、３Ｏ、３Ｒ、３Ｖに例示された実施形態では、バンク開口部１１２のアレイ内に反射バンク層１３２のアレイ及びビア開口部１１８内に反射ビア層１３８を形成するために、反射層がパターン形成される。例示された実施形態では、単一の反射ビア層１３８がビア開口部１１８の側壁１１５及び底面１１７にわたり、単一の反射層１３８が複数の反射バンク層１３２に対応している。本発明の実施形態に係ると、反射ビア層１３８は電線出力又は電線出力と接続されるものとして機能し得る。他の実施形態では、反射層は、電線出力１３９及び反射バンク層１３２を形成するために、バンク開口部のアレイを含むパターン形成絶縁層の上方に形成される。
【００４４】
次に図３Ｆ〜３Ｏ、図３Ｑ〜３Ｒ、図３Ｕ〜３Ｖに例示された実施形態では、すべてにビア開口部１１８の側壁１１５及び底面１１７にわたる反射ビア層１３８が含まれる。本発明の実施形態では、ビア開口部１１８と共に形成される反射ビア層１３８を必要としない。他の実施形態では、以下で更に詳細に記述されるように、ビア開口部１１８は、発光素子のアレイと上部接触するために使用される導電性物質を含む、別の導電性物質で埋められ得る。図３Ｓ、３Ｗに例示されたものなどの他の実施形態では、電線出力１３９は反射バンク層１３２と同じ物質から形成され得る。いくつかの実施形態では、反射ビア層１３８は電線出力として機能する。
【００４５】
再び図３Ｆ〜３Ｇに例示された実施形態を参照すると、反射バンク層１３２のアレイはバンク開口部１１２のそれぞれの側壁１１４Ａ、１１４Ｂ及び底面１１６を完全に覆う。図３Ｈ〜３Ｉに例示された実施形態では、反射バンク層１３２のアレイは第１の側壁１１４Ａにわたるが、横方向に向かい合う側壁１１４Ｂにはわたらない。図３Ｊ〜３Ｋ及び３Ｎ〜３Ｏに例示された実施形態では、反射ビア層１３８は、ビア開口部１１８の側壁１１５及び底面１１７にわたり、パターン形成絶縁層１１０の上面を横切り、隣接するバンク開口部１１２の側壁１１４Ｂに沿ってわたっている。
【００４６】
図３Ｌ〜３Ｍに例示された実施形態では、反射バンク層１３２のアレイは、バンク開口部１１２のそれぞれの、側壁１１４Ａ、１１４Ｂを覆うが、底面１１６の中心は覆わない。図３Ｌ〜３Ｏに例示された特定の実施形態では、発光素子のアレイの固定に役立てるために、接着層１４０のアレイがバンク開口部１１２の底面１１６に成膜される。
【００４７】
次に図３Ｐ〜３Ｗを参照すると、反射バンク層１３２のアレイが図２Ｅ〜２Ｊの基板の上方に形成され得る。図３Ｐ〜３Ｓに例示された実施形態では、反射バンク層１３２は更に、基板１００の集積回路（ＩＣ）１２０と接続するために、各バンク開口部１１２の底面１１６のビア開口部１１３内に形成される。図３Ｔ〜３Ｗに例示された実施形態では、反射バンク層１３２はＩＣ  １２０と相互接続される導電性接触パッド１２２上に形成される。
【００４８】
図４Ａ〜４Ｆは、本発明の一実施形態に係り、発光素子のアレイをピックアップして、キャリア基板から受け基板に転写する方法の側断面図である。図４Ａは、本発明の一実施形態に係り、基板２００によって支えられ、キャリア基板３００上で安定化された発光素子４００のアレイの上方に配置された発光素子転写ヘッド２０４のアレイの側断面図である。次に発光素子４００のアレイは、図４Ｂで例示されているように、転写ヘッド２０４のアレイと接触する。図示のように、発光素子４００のアレイのピッチは転写ヘッド２０４のアレイのピッチの整数倍であり得る。例示されている実施形態では、整数倍は３であるが、他の整数倍も可能である。一実施形態では、整数倍は更に１であり得、それによって発光素子４００のアレイのピッチは転写ヘッド２０４のアレイのピッチと一致する。例示されていない他の実施形態では、転写ヘッド２０４のアレイのピッチは、発光素子４００のアレイのピッチの整数倍である。電圧が転写ヘッド２０４のアレイに印加され、発光素子のアレイ上にグリップ圧力を作り出す。電圧は、ビア２０７を通して転写ヘッドのアレイと電気的に接続する転写ヘッドアセンブリ２０６内の動作回路から印加され得る。次に発光素子４００のアレイは、図４Ｃに例示されているように、転写ヘッド２０４のアレイと共にピックアップされ、図４Ｄに例示されているように、反射バンク構造を含む受け基板１００の上方に配置される。
【００４９】
次に、図４Ｅに例示されているように、発光素子４００のアレイは受け基板１００と接触するようにされる。図４Ｅに例示された特定の実施形態では、発光素子４００のアレイはバンク開口部１１２の底面１１６上で反射バンク層１３２と接触するようにされる。次に、図４Ｆに例示されているように、発光素子４００のアレイは受け基板１００上のバンク開口部１１２のアレイ内でリリースされる。
【００５０】
一実施形態では、発光素子のアレイのピックアップ前又は間に、発光素子４００のアレイをキャリア基板３００に接続する接着層で相転移を作り出すための操作が行われる。例えば、接着層は３５０℃未満、より詳細には２００℃未満の液相線温度を有し得る。一実施形態では、接着層はインジウム又はインジウム合金などの物質である。もし接着層の一部分が発光素子と共にピックアップされると、その後のプロセスで接着層の部分の相を制御する操作が追加され得る。例えば、転写ヘッドアセンブリ２０６、キャリア基板３００及び／又は受け基板１００内に配置された熱源から熱が接着層に印加され得る。
【００５１】
電圧を印加して発光素子のアレイに対してグリップ圧力を生じさせる操作は、様々な順番で実行され得る。例えば、発光素子のアレイを転写ヘッドのアレイに接触させる前、発光素子を転写ヘッドのアレイと接触させている過程で、又は発光素子を転写ヘッドのアレイに接触させた後に電圧は印加され得る。また、電圧は、接着層に相転移を生じさせる前に、その過程で、又はその後に印加し得る。
【００５２】
転写ヘッド２０４が双極電極を含む場合、交流電圧が各転写ヘッド２０４の電極の組に印加され得、それによって、マイナスの電圧が一方の電極に印加される特定の時間に、プラスの電圧が組の他方の電極に印加され、逆も同様になり、ピックアップ圧力を生じさせる。発光素子のアレイを転写ヘッド２０４からリリースすることは、電圧源のスイッチを切る、シリコン電極の対の間に掛かる電圧を下げる、ＡＣ電圧の波形を変化させる、及び電圧源を接地するなど、様々な方法で達成され得る。一実施形態では、発光素子のアレイのリリースは、グリップ圧力を生じさせる動作電圧の波形を変え、バンク構造体の接着層１４０又は反射層１３０を通して発光素子のアレイに保存される電荷を放電することによって達成される。
【００５３】
図４Ｅに戻って参照すると、いくつかの実施形態において、バンク開口部１１８のアレイ内にマウントされた垂直型マイクロＬＥＤ  ４００の高さは、絶縁層１１０の厚さより大きい。絶縁層１１０及びいずれかの介在層の上面より高い垂直型マイクロＬＥＤのアレイの上面を有すると、いずれかのアイドル転写ヘッドが、バンク開口部内への垂直型マイクロＬＥＤの配置の間に、受け基板上の絶縁層（又はいずれかの介在層）によって損傷を受ける、又はその絶縁層を損傷することを防止し得る。例えば、絶縁層１１０が２μｍの厚さの場合、各垂直型マイクロＬＥＤ  ４００は２μｍ以上の厚さである。例えば、絶縁層が３０μｍの厚さの場合、各垂直型マイクロＬＥＤ  ４００は３０μｍ以上の厚さである。一実施形態では、各転写ヘッド２０４の高さは、２から２０μｍまでの間であり得る。したがって、クリアランスのいくらかの量は転写ヘッド２０４の高さに基づいて提供され得るもので、垂直型マイクロＬＥＤのアレイの上面が絶縁層１１０及びいずれかの介在層の上面より高く上がることは必ずしもすべての実施形態で必要とされ得ない。
【００５４】
図５Ａ〜１５Ｇに関する次の説明では、本発明の実施形態に係り、図２Ａ〜２Ｊの基板及びパターン形成絶縁層構成のいくつかの可能な構成を含む発光素子のアレイを図３Ａ〜３Ｗの反射層構成と統合するための様々な側断面図及び上面図が提供される。図５Ａ〜１５Ｇで例示された特定の実施形態は例示的であり、限定的であることを意図していないことを認識していただきたい。その上、例示された実施形態は必ずしも互いを除外するものではなく、例示されたいくつかの実施形態は組み合わされ得る。
【００５５】
次に図５Ａを参照すると、一実施形態において、点線矢印線の方向で示されているように、発光素子のアレイが上部発光システムの反射バンク構造内にマウントされている。図５Ａに例示された特定の実施形態は、任意選択の透明な絶縁層なしの図３Ｂに関して前述された反射バンク構造に対応しているが、他のいくつかの反射バンク構造体も上部発光システムでは有用になることを理解していただきたい。図５Ｂは図５Ａの上面図で、図５Ａの側面図は図５ＢのＡ−Ａ線に沿って取得されたものである。例示されているように、反射バンク構造体１３２のアレイは、平らな底面及び発光素子４００を横方向に囲む側壁と共に円錐形のように形成され得る。本発明の実施形態はそのようなものに限定されないが、多角形、正方形、長方形、楕円形などの様々な構成も考えられ得る。再び図５Ａを参照すると、一実施形態に係る垂直型マイクロＬＥＤ  ４００素子の詳細な図が提供されている。例示されている特定の垂直型マイクロＬＥＤ素子４００は例示的なものであり、本発明の実施形態は限定されないことを認識していただきたい。例えば、本発明の実施形態は更に、これらに限定されないが、米国特許出願第１３／３７２，２２２号、米国特許出願第１３／４３６，２６０号、米国特許出願第１３／４５８，９３２号、及び米国特許出願第１３／６２５，８２５号のマイクロＬＥＤ素子などの他の素子に適用し得るもので、そのすべては参照によって本明細書に引用したものとする。本発明の実施形態は更に、フォトニック機能（ＬＥＤ、ＳＬＤ、レーザー）を行うため、そのような方法で設計された他のデバイスにも適用し得る。
【００５６】
例示されている特定の実施形態では、垂直型マイクロＬＥＤ素子４００はマイクロｐ−ｎダイオード４５０及び下部電極４２０を含んでいる。接着層（図示せず）が任意選択で下部電極４２０の下方に形成され得、マイクロｐ−ｎダイオード４５０と接着層の間に下部電極４２０がある。一実施形態では、垂直型マイクロＬＥＤ素子４００には更に、上部電極４７０が含まれる。一実施形態では、垂直型マイクロＬＥＤ素子４００は３０μｍ以下、又は更に５μｍ以下などの数ミクロンの厚さで、上部及び下部電極４７０、４２０はそれぞれ、０．１μｍから２μｍの厚さである。一実施形態では、各垂直型マイクロＬＥＤ素子４００の最大幅は１から１００μｍで、例えば、３０μｍ、１０μｍ、又は５μｍである。
【００５７】
上部電極４７０及び／又は下部電極４２０には、１つ又はそれ以上の層を含み得、金属、導電性酸化物、及び導電性ポリマーを含む様々な導電性の物質から形成され得る。上部及び下部電極４７０、４２０は、可視波長範囲（例えば、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）に対して透明若しくは半透明、又は不透明とし得る。上部及び下部電極４７０、４２０は任意選択で、銀層などの反射層を含み得る。
【００５８】
一実施形態において、マイクロｐ−ｎダイオード４５０は、上部ｎドープ層４１４、１つ以上の量子井戸層４１６、及び下部ｐドープ層４１８を含んでいる。一代替の実施形態では、上部ドープ層４１４はｐ型にドープされ、より低いドープ層４１８はｎ型にドープされている。マイクロｐ−ｎダイオードは、直立の側壁又はテーパ形状の側壁を有するように製造することができる。特定の実施形態において、マイクロｐ−ｎダイオード４５０は、外向きに（上部から底部へ）テーパ形状の側壁４５３を有している。特定の実施形態において、マイクロｐ−ｎダイオード４５０は、内向きに（上部から底部へ）テーパ形状の側壁を有している。
【００５９】
マイクロｐ−ｎダイオード及び下部電極はそれぞれ、上面、底面、及び側壁を有し得る。一実施形態において、マイクロｐ−ｎダイオード４５０の底面４５１は、マイクロｐ−ｎダイオードの上面４５２よりも広く、側壁４５３は上部から底部へと外向きにテーパ形状である。マイクロｐ−ｎダイオード４５０の上面は、ｐ−ｎダイオードの底面よりも広くてもよく、又はほぼ同じ幅であってもよい。一実施形態において、マイクロｐ−ｎダイオード４５０の底面４５１は、下部電極４２０の上面よりも広い。更に、マイクロｐ−ｎダイオードの底面は、下部電極４２０の上面とほぼ同じであってもよい。一実施形態では、マイクロｐ−ｎダイオードの上面が、上部電極４７０とほぼ同じ幅である。
【００６０】
図５Ａを引き続き参照すると、一実施形態において、側壁４５３はマイクロｐ−ｎダイオード４５０の底面４５１に対してアングルθ1を形成し、側壁１１４は基板１００の上面に対してアングルθ2を形成する。例示されているように、アングルθ1及びθ2は両方とも基板の上面に平行な平面に沿って形成される。一実施形態では、θ2がθ1より小さく、反対方向である。例えば、一実施形態において、アングルθ1は＋９０度と＋８５度の間で、θ2は−８５度と−３０度の間、更に具体的には、基板１００の上面に対して−４０度と−６０度の間である。例示された角度関係は例示的なもので、他の実施形態では、θ1はプラスの値ではなくむしろマイナスの値を有し得る（すなわち、内向きに先細形状の側壁）ことを認識していただきたい。
【００６１】
次に図６Ａを参照すると、一実施形態において、点線矢印線の方向で示されているように、発光素子のアレイが上部及び下部発光システムの反射バンク構造内にマウントされている。図６Ａに例示された特定の実施形態は、任意選択の透明な絶縁層なしの図３Ｅに関して前述された反射バンク構造に対応しているが、他のいくつかの反射バンク構造体も上部及び下部発光システムでは有用になることを理解していただきたい。図６Ｂは図５Ａの上面図で、図６Ａの側面図は図６ＢのＡ−Ａ線に沿って取得されたものである。例示された実施形態では、側壁１１４Ａ、１１４Ｂ上の反射バンク層１３２が発光素子４００を囲むリングを形成している。本発明の実施形態はそのようなものに限定されないが、多角形、正方形、長方形、楕円形などの様々な構成が考えられ得る。上部電極４７０又は下部電極４２０のいずれかに反射層を含めたり、発光素子４００の上方又は下方に反射層（反射導電性接触部層など）を含めたりなど、上部又は下部発光を増大するためにいくつかの変更が行われ得る。
【００６２】
次に図７Ａ〜７Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ａに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。例示されている特定の実施形態では、任意選択の透明な絶縁層１４２が存在していないが、他の実施形態では存在し得る。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。一実施形態では、発光素子は垂直型ＬＥＤ素子で、側壁不活性化層１５０が量子井戸構造体４１６を覆いわたっている。側壁不活性化層１５０は更に、上部導電性接触部層１６０から反射層１３０を電気的に絶縁するために、パターン形成絶縁層１１０の上部の連続的反射層１３０の上方に形成され得る。図７Ａに例示された実施形態では、パターン形成上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触する各発光素子４００の上方に形成される。図７Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、各発光素子４００の上方に、上部電極４７０と電気的に接触して形成される。
【００６３】
本発明の実施形態に係り、側壁不活性化層１５０は、完成したシステムの光抽出効率を大幅に低下させないため、可視波長に対して透明又は半透明とし得る。側壁不活性化層は、これらに限定されないが、エポキシ、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、及びポリエステルなどの様々な物質から形成され得る。一実施形態では、側壁不活性化層１５０は発光素子４００の周囲にインクジェットによって形成される。
【００６４】
次の説明の特定の適用に応じて、上部導電性接触部層１６０は可視波長に対して不透明、反射性、透明、又は半透明とし得る。例えば、トップエミッションシステムでは、上部導電性接触部は透明であり得、ボトムエミッションシステムの場合、上部導電性接触部は反射性であり得る。例示的透明な導電性物質には、アモルファスシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）、カーボンナノチューブフィルム、又はポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、及びポリチオフェンなどの透明な導電性ポリマーが含まれる。一実施形態では、上部導電性接触部層１６０は約５０ｎｍ〜１μｍの厚さのＩＴＯ−銀−ＩＴＯスタックである。一実施形態では、上部導電性接触部層１６０には、銀、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タングステン、ＩＴＯ、及びＩＺＯなどのナノ粒子が含まれる。特定の実施形態では、上部導電性接触部１６０はインクジェットで形成される。形成の他の方法には、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、スピンコーティングを含み得る。上部導電性接触部層１６０は更に、可視波長に対して反射性であり得る。一実施形態では、上部導電性接触部層１６０は、アルミニウム、モリブデン、チタン、チタン−タングステン、銀、若しくは金、又はそれらの合金などの反射金属フィルムを備えている。
【００６５】
図７Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部層１６０の形成より前の図７Ａの上面図である。図７Ｄ〜７Ｅは、本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ａの発光素子のアレイの側断面図である。図示されるように、上部不活性化層１７０は図７Ａの発光素子のアレイの上方に形成される。上部導電層１６０が透明な実施形態では、上部不活性化層１７０は更に、システムの光抽出効率を低下させないために、透明又は半透明であり得る。上部不活性化層１７０は、これらに限定されないが、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、及びポリエステルなどの様々な物質から形成され得、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、スピンコーティングを含む様々な方法によって形成され得る。図７Ｄ〜７Ｅに例示された実施形態は、図７Ｅの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図７Ｄの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射層１３０を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００６６】
図７Ｆ〜７Ｇは、本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図７Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。図７Ｆ〜７Ｇは、図７Ｇの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図７Ｆの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射層１３０を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００６７】
次に図８Ａ〜８Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイは、任意選択の透明な絶縁層１４２がある又はない図３Ｂに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図７Ａ〜７Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図８Ａに例示された実施形態では、パターン形成上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成される。図８Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成される。
【００６８】
図８Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部層１６０の形成より前の図８Ａの上面図である。図８Ｄ〜８Ｅは、本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ａの発光素子のアレイの側断面図である。別の実施形態では、図２Ｂの電線出力が組み込まれ得る。図示されるように、上部不活性化層１７０は図８Ａの発光素子のアレイの上方に形成される。図８Ｄ〜８Ｅに例示された実施形態は、図８Ｅの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図８Ｄの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００６９】
図８Ｆ〜８Ｇは、本発明の実施形態に係る図２Ａの電線出力と電気的に接触する図８Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。別の実施形態では、図２Ｂの電線出力が組み込まれ得る。図８Ｆ〜８Ｇは、図８Ｇの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図８Ｆの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００７０】
次に図９Ａ〜９Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ｄに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図７Ａ〜７Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図示されるように、パッド層１３４は側壁層１３３と電気的に隔離されている。図９Ａに例示された実施形態では、パターン形成上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０、及び反射側壁層１３３と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成される。図９Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０、及び反射側壁層１３３と電気的に接触して形成される。
【００７１】
図９Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部層１６０の形成より前の図９Ａの上面図である。図９Ｄ〜９Ｅは、本発明の実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図９Ａの発光素子のアレイの側断面図である。図示されるように、上部不活性化層１７０は図９Ａの発光素子のアレイの上方に形成される。図９Ｄ〜９Ｅに例示された実施形態は、図９Ｅの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図９Ｄの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００７２】
図１０Ａ〜１５Ｇのいずれかに関連して記述された以下の実施形態では、１つ又はそれ以上の反射ビア層１３８が記述され、例示され得る。本発明の実施形態に係ると、反射ビア層１３８は電線出力として機能し得るか、又は電線出力と接続し得る。反射ビア層１３８は更に、他の導電性の物質と置換され得る。他の実施形態では、図１４Ｆ〜１４Ｇ、１５Ｆ〜１５Ｇで例示されているように、ビアは絶縁層１１０で形成されず、反射ビア層１３８は電線出力１３９によって置換される。したがって、以下の実施形態のいずれかにおいて、反射ビア層１３８は電線出力として機能するか、電線出力と接続するか、他の導電性の物質と置換されるか、又は電線出力１３９と置換され得る。
【００７３】
次に図１０Ａ〜１０Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ｆに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図７Ａ〜７Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図１０Ａ〜１０Ｂで例示された実施形態では、パターン形成の上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触して各発光素子４００の上方に、及び、ビア開口部１１８内に、存在する場合、反射ビア層１３８と接触して形成される。図１０Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部層１６０の形成より前の図１０Ａ〜１０Ｂの上面図である。図１０Ｄは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部層１６０の形成後の図１０Ａ〜１０Ｂの上面図である。図示されるように、図１０Ａは図１０Ｃ〜１０Ｄの線Ａ−Ａに沿って取得された側面図で、図１０Ｂは図１０Ｃ〜１０Ｄの線Ｂ−Ｂに沿って取得された側面図である。
【００７４】
再び図１０Ｄを参照すると、上部導電性接触部層１６０には、発光素子４００及び反射バンク層１３２の上方に形成された部分１６０Ａ、ビア開口部１１８の上方に、存在する場合、反射ビア層１３８と接触して形成された部分１６０Ｃ、並びに部分１６０Ａと１６０Ｃの間に伸長するトレース部分１６０Ｂを含み得る。次に図１０Ｅ〜１０Ｆを参照すると、一実施形態において、発光素子４００のアレイの上部電極は、上部導電性接触部層１６０によって図２Ｃの電線出力１０６と電気的に接触している。図１０Ｄ〜１０Ｆに例示された実施形態は、図１０Ｆの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１０Ｅの実施形態は含まないという点で異なる。例示されている実施形態では、各上部導電性接触部層１６０は隣接する上部導電性接触部層から電気的に分離され、その結果、上部導電性接触部層１６０のアレイは発光素子４００のアレイに対応している。このようにして、上部導電性接触部層１６０の抵抗は長さ及び面積を最小限にすることによって低減化され得、電線出力１０２、１０６は上部導電性接触部層１６０より低い抵抗率の物質から形成され得る。例えば、上部導電層１６０は、インクジェットＰＥＤＯＴから形成され得、電線出力１０２、１０６はより低い抵抗率の銅から形成される。このようにして、上部導電性接触部層１６０は電線出力１０６より比較的短い距離にわたり得、その結果、信号線全体がより低い抵抗になる。例示された特定の実施形態では、パターン形成の透明な絶縁体１４２が、層１３２、１３８の上方及び間に形成されるものとして例示されている。しかし、パターン形成の透明な絶縁体層１４２は、他のパターンも考えられ得る。例えば、いくつかの実施形態では、パターン形成の透明な絶縁層１４２は反射ビア層１３２と対応する反射バンク層１３２の間には形成されない。その理由は、上部導電性接触部層１６０が反射ビア層１３２と電気的に接触するからである。そのような構成は、任意選択のパターン形成の透明な絶縁層１４２を例示する次の実施形態（例えば、１０Ｈ、１０Ｊ、１１Ｆ、１１Ｈ、１１Ｉ、１１Ｊ、１２Ｆ、１２Ｈ、１２Ｊ、１３Ｇ、１３Ｉ、１３Ｋ、１３Ｍ、１４Ｃ〜１４Ｇ、１５Ｃ〜１５Ｇ）のいずれかで採用され得る。
【００７５】
続く実施形態の多くは、上部導電性接触部層１６０が反射ビア層１３８と接触している状態で説明及び記載される。しかしながら、反射ビア層１３８は任意選択であることを認識していただきたい。反射ビア層１３８は非反射導電性物質と置換され得る。代替として、上部導電性接触部層１６０はビア開口部１１８内に形成され、電線出力１０６と接触し得る。
【００７６】
次に図１０Ｇ〜１０Ｈを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｃの電線出力１０６と接触して形成される。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１０Ｇ〜１０Ｈに例示された実施形態は、図１０Ｈの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１０Ｇの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００７７】
次に図１０Ｉ〜１０Ｊを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に形成され、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｄの電線出力１０６と接触している。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１０Ｉ〜１０Ｊに例示された実施形態は、図１０Ｊの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１０Ｉの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００７８】
次に図１１Ａ〜１１Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ｈに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。図１１Ａ〜１１Ｂに例示された実施形態は図１０Ａ〜１０Ｂのものと類似しているが、例外は、反射バンク層１３２がバンク開口部１１２の側壁を完全には覆っていない点である。図１１Ａで図示されるように、反射バンク層１３２は側壁１４４Ａ上に形成されるが、対応するビア開口部１１８に最近接の側壁１１４Ｂに沿っては形成されない。図１１Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１１Ａの上面図である。図１１Ｄは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成後の図１１Ａの上面図である。図示されるように、図１１Ａは図１１Ｃ〜１１Ｄの線Ａ−Ａに沿って取得された側面図で、図１１Ｂは図１１Ｃ〜１１Ｄの線Ｂ−Ｂに沿って取得された側面図である。
【００７９】
次に図１１Ｃ〜１１Ｄを参照すると、一実施形態において、反射バンク層１３２はバンク開口部の側壁を完全には覆わない。上部導電性接触部層１６０には、発光素子４００及び反射バンク層１３２の上方に形成された部分１６０Ａ、ビア開口部１１８の上方に、存在する場合、反射ビア層１３８と接触して形成される部分１６０Ｃ、並びに部分１６０Ａと１６０Ｃの間に伸長するトレース部分１６０Ｂを含み得る。例示されている実施形態では、反射バンク層１３２はビア開口部１１８に最近接のバンク開口部１１２の側壁上に形成されない。そのような一実施形態では、これによって、反射バンク層１３２と、ビア開口部１１８とバンク開口部１１２間にわたる上部導電性接触部層１６０との間の短絡の可能性を回避するためのパターン形成許容度を軽減化し得る。
【００８０】
図１１Ｅ〜１１Ｆは、本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１１Ａの発光素子のアレイの側断面図である。図１１Ｅ〜１１Ｆに例示された実施形態は、図１１Ｆの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１１Ｅの実施形態は含まないという点で異なる。例示されている実施形態では、各上部導電性接触部層１６０は隣接する上部導電性接触部層から電気的に分離され、その結果、上部導電性接触部層１６０のアレイは発光素子４００のアレイに対応している。このようにして、上部導電性接触部層１６０の抵抗は長さ及び面積を最小限にすることによって低減化され得、電線出力１０２、１０６は上部導電性接触部層１６０より低い抵抗率の物質から形成され得る。
【００８１】
次に図１１Ｇ〜１１Ｈを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に形成され、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｃの電線出力１０６と接触している。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１１Ｇ〜１１Ｈに例示された実施形態は、図１１Ｈの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１１Ｇの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００８２】
次に図１１Ｉ〜１１Ｊを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｄの電線出力１０６と接触して形成される。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１１Ｉ〜１１Ｊに例示された実施形態は、図１１Ｊの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１１Ｉの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００８３】
次に図１２Ａ〜１２Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ｊに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。図１２Ａ〜１２Ｂに例示された実施形態は１０Ａ〜１０Ｂのものと類似しているが、例外は、反射バンク層１３２はバンク開口部１１２の側壁を完全には覆っていないが、反射ビア層１３８はバンク開口部１１２の側壁を覆っている点である。図１１Ａで図示されるように、反射バンク層１３２は側壁１４４Ａ上に形成され、反射ビア層１３８は対応するビア開口部１１８に最近接の側壁１１４Ｂを覆う。図１２Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成より前の図１２Ａの上面図である。図１２Ｄは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層及び上部導電性接触部の形成後の図１２Ａの上面図である。図示されるように、図１２Ａは図１２Ｃ〜１２Ｄの線Ａ−Ａに沿って取得された側面図で、図１２Ｂは図１２Ｃ〜１２Ｄの線Ｂ−Ｂに沿って取得された側面図である。
【００８４】
次に図１２Ｃ〜１２Ｄを参照すると、一実施形態において、反射バンク層１３２はバンク開口部の側壁を完全には覆っていないが、反射ビア層１３８はバンク開口部１１２の側壁を覆っている。例示された実施形態では、反射バンク層１３２及び反射ビア層１３８は互いに電気的に隔離されている。上部導電性接触部層１６０には、発光素子４００の上方に形成された部分１６０Ａ、ビア開口部１１８の上方に、反射ビア層１３８と接触して形成される部分１６０Ｃ、並びに部分１６０Ａと１６０Ｃの間に伸長するトレース部分１６０Ｂを含み得る。例示されている実施形態では、反射ビア層１３８がビア開口部１１８に最近接のバンク開口部１１２の側壁上に形成される。一実施形態では、そのような構成は上部導電層の長さの低減化を可能にし得る。上部導電性層１６０はビア開口部１１８の上方で完全に伸長するように例示されているが、これが必須ではない場合もある。別の実施形態では、上部導電層１６０はパターン形成絶縁層１１０の上で反射ビア層１３８とのみ接触し得る。
【００８５】
図１２Ｅ〜１２Ｆは、本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触する図１２Ａの発光素子のアレイの側断面図である。図１２Ｅ〜１２Ｆに例示された実施形態は、図１２Ｆの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１２Ｅの実施形態は含まないという点で異なる。例示されている実施形態では、各上部導電性接触部層１６０は隣接する上部導電性接触部層から電気的に分離され、その結果、上部導電性接触部層１６０のアレイは発光素子４００のアレイに対応している。このようにして、上部導電性接触部層１６０の抵抗は長さ及び面積を最小限にすることによって低減化され得、電線出力１０２、１０６は上部導電性接触部層１６０より低い抵抗率の物質から形成され得る。
【００８６】
次に図１２Ｇ〜１２Ｈを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に形成され、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｃの電線出力１０６と接触している。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１２Ｇ〜１２Ｈに例示された実施形態は、図１２Ｈの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１２Ｇの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２及び反射ビア層１３８を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００８７】
次に図１２Ｉ〜１２Ｊを参照すると、一実施形態において、連続的上部導電性接触部層１６０が各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０、及び図２Ｄの電線出力１０６と接触して形成される。例示されているように、連続的上部導電性接触部層１６０は発光素子４００のアレイ及び単一の電線出力１０６と電気的導通している。図１２Ｉ〜１２Ｊに例示された実施形態は、図１２Ｊの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１２Ｉの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２及び反射ビア層１３８を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００８８】
次に図１３Ａ〜１３Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、発光素子のアレイが図３Ｅに関連して記述された反射バンク構造内にマウントされている。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図９Ａ〜９Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図示されるように、接着層１４０は反射バンク層１３２から電気的に隔離されている。図１３Ａに例示された実施形態では、パターン形成上部導電性接触部層１６０が、存在する場合、上部電極４７０、及び反射バンク層１３２と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成される。反射バンク層１３２との接触によって、反射バンク層１３２は構造体内を浮動しないようになる。別の実施形態では、上部導電性接触部層１６０は反射バンク層１３２と接触しないので、反射バンク層１３２は浮動している。図１３Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０、及び反射バンク層１３２と電気的に接触して形成される。代替として、反射バンク層１３２の浮動が許容され得る。
【００８９】
図１３Ｃは、本発明の一実施形態に係る側壁不活性化層１５０及び上部導電性接触部１６０の形成より前の図１３Ａの上面図である。図１３Ｄは、本発明の実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図１３Ａの発光素子のアレイの側断面図である。図示されるように、上部不活性化層１７０は図１３Ａの発光素子のアレイの上方に形成される。図１３Ｅは、本発明の実施形態に係る図２Ｂの電線出力と電気的に接触する図１３Ｂの発光素子のアレイの側断面図である。図示されるように、上部不活性化層１７０は図１３Ｂの発光素子のアレイの上方に形成される。
【００９０】
図１３Ｆ〜１３Ｇは、本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｌに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１３Ｆ〜１３Ｇに例示された実施形態は、図９Ｇの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図９Ｆの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００９１】
図１３Ｈ〜１３Ｉは、本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｍに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１３Ｈ〜１３Ｉに例示された実施形態は、図９Ｉの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図９Ｈの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００９２】
図１３Ｊ〜１３Ｋは、本発明の実施形態に係る図２Ｃの電線出力と電気的に接触し、図３Ｎに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１３Ｊ〜１３Ｋに例示された実施形態は、図９Ｋの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図９Ｊの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００９３】
図１３Ｌ〜１３Ｍは、本発明の実施形態に係る図２Ｄの電線出力と電気的に接触し、図３Ｏに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１３Ｌ〜１３Ｍに例示された実施形態は、図９Ｍの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図９Ｌの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。例示されていないが、他の実施形態では、図１３Ｅ〜１３Ｍに例示された上部接触層１６０は、以前に記述され例示されたように、パターン形成上部接触層１６０のアレイと置換され得る。
【００９４】
図１４Ａ〜１４Ｂは、本発明の実施形態に係る図３Ｐに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図８Ａ〜８Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図１４Ａ〜１４Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触して形成される。図１４Ａ〜１４Ｂに例示された実施形態は、図１４Ｂの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１４Ａの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【００９５】
図１４Ｃは、本発明の一実施形態に係る図３Ｑに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１４Ｃに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に存在している場合、アレイの反射ビア層１３８と接触して形成される。
【００９６】
図１４Ｄは、本発明の一実施形態に係る図３Ｒに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１４Ｄに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に存在している場合、単一の反射ビア層１３８と接触して形成される。
【００９７】
図１４Ｅ〜１４Ｇは、本発明の実施形態に係る図３Ｓに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１４Ｅに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が、発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に電線出力１３９のアレイと接触して形成される。図１４Ｆに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が、発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に、単一の電線出力１３９と接触して形成される。
【００９８】
図１４Ａ〜１４Ｆは連続的な上部導電性接触部層を含むものとして例示されているが、代替の実施形態では、前で記述され例示されたように、パターン形成の上部導電性接触部層１６０が、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成され得る。例えば、図１４Ｇについての一実施形態では、上部接触層１６０は、発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、電線出力１３９のアレイと接触して形成されたパターン形成の上部接触層１６０のアレイに置換される。その上、図１４Ｃ〜１４Ｇは透明な絶縁層１４２を含むものとして例示されているが、他の実施形態では、透明な絶縁層１４２は存在していない。
【００９９】
図１５Ａ〜１５Ｂは、本発明の実施形態に係る図３Ｔに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。例示されているように、発光素子４００のアレイの転写後、図８Ａ〜８Ｂに関連して述べられているものと同様に、側壁不活性化層１５０がバンク開口部１１２のアレイ内の発光素子４００の側壁を囲んで形成され得る。図１５Ａ〜１５Ｂに例示された実施形態では、連続的上部導電性接触部層１６０が、各発光素子４００の上方に、存在する場合、上部電極４７０と電気的に接触して形成される。図１５Ａ〜１５Ｂに例示された実施形態は、図１５Ｂの実施形態は透明な絶縁層１４２を含み、一方、図１５Ａの実施形態は含まないという点で異なる。図示されるように、透明な絶縁層１４２の包含は、上部導電性接触部１６０から反射バンク層１３２を電気的に隔離する点で役立ち得る。
【０１００】
図１５Ｃは、本発明の一実施形態に係る図３Ｕに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１５Ｃに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に存在している場合、アレイの反射ビア層１３８と接触して形成される。
【０１０１】
図１５Ｄは、本発明の一実施形態に係る図３Ｖに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１５Ｄに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に存在している場合、単一の反射ビア層１３８と接触して形成される。
【０１０２】
図１５Ｅ〜１５Ｇは、本発明の実施形態に係る図３Ｗに関して記述された反射バンク構造内にマウントされた発光素子のアレイの側断面図である。図１５Ｅに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に電線出力１３９のアレイと接触して形成される。図１５Ｆに例示された実施形態では、連続的な上部導電性接触部層１６０が発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、更に、単一の電線出力１３９と接触して形成される。
【０１０３】
図１５Ａ〜１５Ｆは連続的な上部導電性接触部層を含むものとして例示されているが、代替の実施形態では、前で記述され例示されたように、パターン形成の上部導電性接触部層１６０が、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触して各発光素子４００の上方に形成され得る。例えば、図１５Ｇについての一実施形態では、上部接触層１６０は、発光素子４００のアレイの上方に、存在している場合、上部電極４７０と電気的に接触し、電線出力１３９のアレイと接触して形成されたパターン形成の上部接触層１６０のアレイに置換される。その上、図１５Ｃ〜１５Ｇは透明な絶縁層１４２を含むものとして例示されているが、他の実施形態では、透明な絶縁層１４２は存在していない。
【０１０４】
本発明の種々の態様を利用する際、反射バンク構造内に発光素子のアレイをマウントするために、上記実施形態の組み合わせ又は変形形態が実施可能であることが当業者には明らかであろう。本発明を構造特徴及び／又は方法論に特定されるような言葉で論じてきたが、添付の特許請求の範囲内で定義される本発明は、記載した特定の機構又は行為に限定されるとは限らないと理解していただきたい。むしろ、記載の特定の機構及び行為は、本発明を例示する上で有用な、請求の発明の特に上手な実施であるとして理解されるべきである。
【図１】
2016503958.tif 000004
【図２Ａ】
2016503958.tif 000005
【図２Ｂ】
2016503958.tif 000006
【図２Ｃ】
2016503958.tif 000007
【図２Ｄ】
2016503958.tif 000008
【図２Ｅ】
2016503958.tif 000009
【図２Ｆ】
2016503958.tif 000010
【図２Ｇ】
2016503958.tif 000011
【図２Ｈ】
2016503958.tif 000012
【図２Ｉ】
2016503958.tif 000013
【図２Ｊ】
2016503958.tif 000014
【図３Ａ】
2016503958.tif 000015
【図３Ｂ】
2016503958.tif 000016
【図３Ｃ】
2016503958.tif 000017
【図３Ｄ】
2016503958.tif 000018
【図３Ｅ】
2016503958.tif 000019
【図３Ｆ】
2016503958.tif 000020
【図３Ｇ】
2016503958.tif 000021
【図３Ｈ】
2016503958.tif 000022
【図３Ｉ】
2016503958.tif 000023
【図３Ｊ】
2016503958.tif 000024
【図３Ｋ】
2016503958.tif 000025
【図３Ｌ】
2016503958.tif 000026
【図３Ｍ】
2016503958.tif 000027
【図３Ｎ】
2016503958.tif 000028
【図３Ｏ】
2016503958.tif 000029
【図３Ｐ】
2016503958.tif 000030
【図３Ｑ】
2016503958.tif 000031
【図３Ｒ】
2016503958.tif 000032
【図３Ｓ】
2016503958.tif 000033
【図３Ｔ】
2016503958.tif 000034
【図３Ｕ】
2016503958.tif 000035
【図３Ｖ】
2016503958.tif 000036
【図３Ｗ】
2016503958.tif 000037
【図４Ａ】
2016503958.tif 000038
【図４Ｂ】
2016503958.tif 000039
【図４Ｃ】
2016503958.tif 000040
【図４Ｄ】
2016503958.tif 000041
【図４Ｅ】
2016503958.tif 000042
【図４Ｆ】
2016503958.tif 000043
【図５Ａ】
2016503958.tif 000044
【図５Ｂ】
2016503958.tif 000045
【図６Ａ】
2016503958.tif 000046
【図６Ｂ】
2016503958.tif 000047
【図７Ａ】
2016503958.tif 000048
【図７Ｂ】
2016503958.tif 000049
【図７Ｃ】
2016503958.tif 000050
【図７Ｄ】
2016503958.tif 000051
【図７Ｅ】
2016503958.tif 000052
【図７Ｆ】
2016503958.tif 000053
【図７Ｇ】
2016503958.tif 000054
【図８Ａ】
2016503958.tif 000055
【図８Ｂ】
2016503958.tif 000056
【図８Ｃ】
2016503958.tif 000057
【図８Ｄ】
2016503958.tif 000058
【図８Ｅ】
2016503958.tif 000059
【図８Ｆ】
2016503958.tif 000060
【図８Ｇ】
2016503958.tif 000061
【図９Ａ】
2016503958.tif 000062
【図９Ｂ】
2016503958.tif 000063
【図９Ｃ】
2016503958.tif 000064
【図９Ｄ】
2016503958.tif 000065
【図９Ｅ】
2016503958.tif 000066
【図１０Ａ】
2016503958.tif 000067
【図１０Ｂ】
2016503958.tif 000068
【図１０Ｃ】
2016503958.tif 000069
【図１０Ｄ】
2016503958.tif 000070
【図１０Ｅ】
2016503958.tif 000071
【図１０Ｆ】
2016503958.tif 000072
【図１０Ｇ】
2016503958.tif 000073
【図１０Ｈ】
2016503958.tif 000074
【図１０Ｉ】
2016503958.tif 000075
【図１０Ｊ】
2016503958.tif 000076
【図１１Ａ】
2016503958.tif 000077
【図１１Ｂ】
2016503958.tif 000078
【図１１Ｃ】
2016503958.tif 000079
【図１１Ｄ】
2016503958.tif 000080
【図１１Ｅ】
2016503958.tif 000081
【図１１Ｆ】
2016503958.tif 000082
【図１１Ｇ】
2016503958.tif 000083
【図１１Ｈ】
2016503958.tif 000084
【図１１Ｉ】
2016503958.tif 000085
【図１１Ｊ】
2016503958.tif 000086
【図１２Ａ】
2016503958.tif 000087
【図１２Ｂ】
2016503958.tif 000088
【図１２Ｃ】
2016503958.tif 000089
【図１２Ｄ】
2016503958.tif 000090
【図１２Ｅ】
2016503958.tif 000091
【図１２Ｆ】
2016503958.tif 000092
【図１２Ｇ】
2016503958.tif 000093
【図１２Ｈ】
2016503958.tif 000094
【図１２Ｉ】
2016503958.tif 000095
【図１２Ｊ】
2016503958.tif 000096
【図１３Ａ】
2016503958.tif 000097
【図１３Ｂ】
2016503958.tif 000098
【図１３Ｃ】
2016503958.tif 000099
【図１３Ｄ】
2016503958.tif 000100
【図１３Ｅ】
2016503958.tif 000101
【図１３Ｆ】
2016503958.tif 000102
【図１３Ｇ】
2016503958.tif 000103
【図１３Ｈ】
2016503958.tif 000104
【図１３Ｉ】
2016503958.tif 000105
【図１３Ｊ】
2016503958.tif 000106
【図１３Ｋ】
2016503958.tif 000107
【図１３Ｌ】
2016503958.tif 000108
【図１３Ｍ】
2016503958.tif 000109
【図１４Ａ】
2016503958.tif 000110
【図１４Ｂ】
2016503958.tif 000111
【図１４Ｃ】
2016503958.tif 000112
【図１４Ｄ】
2016503958.tif 000113
【図１４Ｅ】
2016503958.tif 000114
【図１４Ｆ】
2016503958.tif 000115
【図１４Ｇ】
2016503958.tif 000116
【図１５Ａ】
2016503958.tif 000117
【図１５Ｂ】
2016503958.tif 000118
【図１５Ｃ】
2016503958.tif 000119
【図１５Ｄ】
2016503958.tif 000120
【図１５Ｅ】
2016503958.tif 000121
【図１５Ｆ】
2016503958.tif 000122
【図１５Ｇ】
2016503958.tif 000123
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月10日(2015.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードバンク構造であって、
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層のバンク開口部のアレイであって、各バンク開口部が底面及び側壁を含むアレイと、
前記バンク開口部のアレイ内にマウントされた、対応する垂直型発光ダイオード素子のアレイであって、各垂直型発光素子が、上部ｐ型ドープ又はｎ型ドープ層を含むマイクロｐ−ｎダイオード、下部ｐ型ドープ又はｎ型ドープ層、及び前記上部と下部のｐ型ドープ又はｎ型ドープ層の間に１つ又はそれ以上の量子井戸層を含む、対応する垂直型発光ダイオード素子のアレイと
を備える発光ダイオードバンク構造。
【請求項２】
各垂直型発光ダイオード素子が１μｍ〜１００μｍの最大幅を有し、前記マイクロｐ−ｎダイオードがＩＩ−ＶＩ物質又はＩＩＩ−Ｖ物質に基づく１つ又はそれ以上の層を含む、請求項１に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項３】
各垂直型発光ダイオード素子の上面が前記絶縁層の上面より上にある、請求項２に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項４】
各垂直型発光ダイオード素子が上部導電性電極及び下部導電性電極を備える、請求項２に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項５】
いずれの垂直型発光ダイオード素子も対応するバンク開口部の側壁に沿ってわたっていない、請求項４に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項６】
前記垂直型発光ダイオード素子のアレイの側壁にわたる透明不活性化層を更に備え、前記バンク開口部のアレイを部分的に最小に埋める、請求項２に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項７】
各垂直型発光ダイオード素子が上部導電性電極及び下部導電性電極を備え、
前記透明不活性化層が各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極を完全には覆わない、請求項６に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項８】
各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極の上方にあって、それに電気的に接触する透明な導電体層を更に備える、請求項７に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項９】
前記絶縁層の前記バンク開口部のそれぞれの前記側壁にわたる反射層を更に備え、前記反射層は前記バンク開口部のそれぞれの前記側壁を完全に覆う、請求項１に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１０】
前記反射層が前記バンク開口部のそれぞれの前記底面を完全に覆う、請求項９に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１１】
前記反射層が、前記絶縁層の上方及び前記絶縁層の前記バンク開口部のアレイ内の前記基板上に形成される連続的層である、請求項１０に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１２】
前記絶縁層の前記バンク開口部のぞれぞれの前記側壁にわたる反射層を更に備え、
前記反射層が前記バンク開口部のアレイに対応する反射バンク層のアレイを備えるパターン形成層で、前記反射バンク層のアレイの各反射バンク層が対応するバンク開口部の前記側壁にわたり、
各反射バンク層が前記対応するバンク開口部の前記底面を完全には覆わず、
前記バンク開口部のそれぞれの前記側壁は第１及び第２の横方向に向かい合う側壁によって特徴付けられ、各反射バンク層は前記第１の横方向に向かい合う側壁にわたるが、前記第２の横方向に向かい合う側壁にわたっていない、請求項１に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１３】
各垂直型発光ダイオード素子の前記下部導電性電極と相互接続される１つ又はそれ以上の集積回路と、
前記絶縁層上にあって、各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極と電気的に接触する電線出力と
を更に備える、請求項４に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１４】
前記電線出力及び各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極の上方にあって、それらと電気的に接触する、透明な導電体層を更に備える、請求項１３に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１５】
各垂直型発光ダイオード素子の前記下部導電性電極と相互接続される１つ又はそれ以上の集積回路と、
前記絶縁層のビア開口部と、
前記ビア開口部の底面にあって、各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極と電気的に接触する電線出力と
を更に備える、請求項４に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１６】
前記電線出力及び各垂直型発光ダイオード素子の前記上部導電性電極の上方にあって、それらと電気的に接触する透明な導電層を更に備える、請求項１５に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１７】
各垂直型発光ダイオード素子の前記下部導電性電極と相互接続される１つ又はそれ以上の集積回路と、
前記絶縁層上の電線出力のアレイであって、前記電線出力のアレイが前記垂直型発光ダイオード素子のアレイの前記上部導電性電極と電気的に接触する、電線出力のアレイと
を更に備える、請求項４に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１８】
透明な導電層のアレイを更に備え、各透明な導電層は対応する電線出力及び対応する垂直型発光ダイオード素子の上部導電性電極の上方にあって、それらと電気的に接触する、請求項１７に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項１９】
各垂直型発光ダイオード素子の前記下部導電性電極と相互接続される１つ又はそれ以上の集積回路と、
前記絶縁層のビア開口部のアレイと、
対応する前記ビア開口部のアレイのそれぞれの底面にある電線出力のアレイであって、前記電線出力のアレイが前記垂直型発光ダイオード素子のアレイの前記上部導電性電極と電気的に接触する、電線出力のアレイと
を更に備える、請求項４に記載の発光ダイオードバンク構造。
【請求項２０】
透明な導電層のアレイを更に備え、各透明な導電層が対応する電線出力及び対応する垂直型発光ダイオード素子の上部導電性電極の上方にあって、それらと電気的に接触する、請求項１９に記載の発光ダイオードバンク構造。
【国際調査報告】
2016503958.tif 000124
2016503958.tif 000125