(57)【要約】  光酸発生剤の酸発生を向上させる試剤、及び、かかる試剤を含む組成物が開示される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
試剤と、
前駆体と、
ポリマーと、を含む組成物であって、
前記試剤から中間体の発生が起こり、
前記中間体が、前記前駆体からの化学種を向上させ、
前記組成物が、前記試剤からの前記中間体の発生を阻害する構成成分を含まない組成物。
【請求項２】
試剤と、
前駆体と、
ポリマーと、を含む組成物であって、
前記試剤の水素原子を引き抜きながら前記試剤からの中間体の発生が起こり、
前記中間体が前記前駆体からの化学種を向上させ、
前記組成物が、水素原子が抜き取られる構成成分を含まない組成物。
【請求項３】
試剤と、
前駆体と、
ポリマーと、を含む組成物であって、
前記試剤の水素原子を引き抜くことによって前記試剤からの中間体の発生が起こり、
前記中間体が前記前駆体からの化学種を向上させ、
前記ポリマーが、水素原子が引き抜かれる置換基を含まない組成物。
【請求項４】
前記構成成分が、芳香族基と、前記芳香族基上のヒドロキシル基と、を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記置換基が、芳香族基と、前記芳香族基上のヒドロキシル基と、を含む請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
前記中間体がケチルラジカルであり、
前記化学種が酸である請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記中間体がケチルラジカルであり、
前記化学種が酸である請求項３に記載の組成物。
【請求項８】
試剤と、
前駆体と、
ポリマーと、を含む組成物であって、
前記試剤の水素原子を引き抜きながら前記試剤からの中間体の発生が起こり、
前記中間体が前記前駆体からの化学種を向上させ、
前記組成物が、芳香族基と、前記芳香族基上のヒドロキシ基と、前記芳香族基上の電子受容基と、を含む構成成分含む組成物。
【請求項９】
前記電子受容基が、ハロゲン基、少なくとも１つのハロゲン原子を含むアルキル基、ニトロ基、シアノ基及びニトロ基のうちの１つである請求項９に記載の組成物。
【請求項１０】
化学種と反応する反応性置換基を含むポリマー。
【請求項１１】
前記化学種を発生させるか、又は前記ポリマーを含む組成物が上に置かれる表面に対する接着性を改善する官能性置換基をさらに含み、
前記官能性置換基が化学種の発生を阻害しない請求項１０に記載のポリマー。
【請求項１２】
前記ポリマーが、化学種の発生を阻害する置換基を含まない請求項１０に記載のポリマー。
【請求項１３】
前記化学種を発生させる前駆体置換基、及び化学種の発生を向上させる試剤置換基のうちの少なくとも１つをさらに含む請求項１０に記載のポリマー。
【請求項１４】
前記化学種が酸であり、
前記試剤置換基が化学種の発生を向上させる請求項１３に記載のポリマー。
【請求項１５】
前記機能性置換基が、芳香族基と、ヒドロキシル基と、少なくとも１つの電子受容基と、を有する請求項１１に記載のポリマー。
【請求項１６】
前記機能性置換基がフェノキシ基である請求項１１に記載のポリマー。
【請求項１７】
フォトレジストを含む塗布膜を基材上に形成するように請求項１に記載の組成物を含むフォトレジストを含む材料を基材に塗布することと、
前記塗布膜の第２部分を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つに露光させずに、前記塗布膜の第１部分を前記第１電磁波及び前記第１粒子線のうちの少なくとも１つに露光させるような第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つへの前記塗布膜の第１露光と、
前記塗布膜の第２電磁波での第２露光と、を含む装置の製造方法。
【請求項１８】
第１部分を除去することと、
前記第１部分が上に存在した前記基材の第３部分をエッチングするように前記基材をエッチングすることと、をさらに含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１電磁波及び前記第１粒子線が、それぞれ、波長が２００ｎｍ以下である光、又は電子ビームである請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記塗布膜の前記第１露光を、波長が１５ｎｍ以下である光により行う請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記塗布膜の前記第２露光を、波長が３００ｎｍ以上である光により行う請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願に関係する相互参照
本出願の特許請求の範囲は、米国特許法３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）に基づいて２０１３年６月２７日に出願された米国仮出願第６１／９５７，２７０号の利益を主張するものであり、その内容がここに援用される。
【０００２】
本発明のいくつかの態様は、酸及び塩基等の化学種の発生を向上させる試剤の分野に関する。試剤から生成される即時は、光増感剤として機能し、また、化学種を向上させる。
【背景技術】
【０００３】
現在の高解像度のリソグラフィ工程は、化学増幅レジスト（ＣＡＲ）に基づき、１００ｎｍ未満の寸法のパターン形成に使用される。
【０００４】
１００ｎｍ未満の寸法をパターン形成する方法は、米国特許第７８５１２５２号明細書（２００９年２月１７日出願）に開示されており、引用することによりその全体の内容をここに援用するものとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７８５１２５２号明細書
【発明の概要】
【０００６】
酸等の化学種の発生を向上させる試剤及び組成物が本発明において開示される。典型的に、かかる試剤は前駆体からのブレンステッド酸又は塩基の生成を助ける。さらに、かかる試剤は、ルイス酸及び塩基の発生に適用し得る。典型的に、かかる試剤は、水素原子を引き抜くことによりケチルラジカル等の中間体を発生させる。したがって、ＡＧＥ、光酸発生剤、光酸発生剤から発生する酸により分解される置換基を含む樹脂を含むフォトレジスト等の組成物において、典型的なＡＧＥがその機能を十分に実現できるようにする目的で、組成物又は樹脂は、ＡＧＥからの水素原子の引き抜き反応と化合物の引き抜き反応との間の競争を避けるために、水素原子が容易に引き抜かれる化合物又は置換基を含まないことが好ましい。かかる化合物又は置換基の典型的な例は、下層又は基材に対する接着性を改良するために用いられる、又はフォトレジスト組成物におけるプロトン源として用いられるフェノール誘導体又はフェノール基である。あるいは、フッ素置換基及びトリフルオロメチル置換基等の電子受容基を有するフェノール誘導体又はフェノール基も好ましく、その理由は、かかる誘導体及び基のヒドロキシル基の水素原子は、水素原子として容易に引き抜かれないからである。かかるフェノール誘導体又はフェノール基とＡＧＥとが組成物又はポリマー中に共存すると、たとえ極紫外線（ＥＵＶ）光等の低強度の光又は粒子線が組成物又はポリマーの照射に使用されたとしても、組成物及びポリマーは、下層又は基材に対する接着性の改良、及び酸発生の向上に同時に寄与することができる。
【０００７】
本発明の１つの態様に関する組成物は、試剤と、前駆体と、ポリマーと、を含む。上記組成物に関し、上記試剤からの中間体の発生が起こり、上記中間体が上記前駆体から化学種を向上させ、上記組成物が、上記試剤からの中間体の発生を阻害する構成成分を含まないことが好ましい。
【０００８】
本発明の１つの態様に関する組成物は、試剤と、前駆体と、ポリマーと、を含む。上記組成物に関し、上記試剤の水素原子を引き抜きながら試剤からの中間体の発生が起こり、上記中間体が上記前駆体からの化学種を向上させ、上記組成物が、水素原子が引き抜かれる構成成分を含まないことが好ましい。
【０００９】
本発明の１つの態様に関する組成物は、試剤と、前駆体と、ポリマーと、を含む。上記組成物に関し、上記試剤の水素原子を引き抜きながら試剤からの中間体の発生が起こり、上記中間体が上記前駆体からの化学種を向上させ、上記組成物が、水素原子が引き抜かれる構成成分を含まないことが好ましい。
【００１０】
本発明の１つの態様に関する組成物は、試剤と、前駆体と、ポリマーと、を含む。かかる組成物に関し、上記試剤の水素原子を引き抜くことによって試剤からの中間体の発生が起こり、上記中間体が上記前駆体からの化学種を向上させ、上記ポリマーが、水素原子が引き抜かれる置換基を含まないことが好ましい。
【００１１】
上述の組成物のいずれか１つに関し、上記構成成分が、芳香族基と、芳香族基上のヒドロキシル基と、を含むことが好ましい。
【００１２】
上述の組成物のいずれか１つに関し、上記置換基が、芳香族基と、芳香族基上のヒドロキシル基と、を含むことが好ましい。
【００１３】
上述の組成物のいずれか１つに関し、上記中間体がケチルラジカルであり、上記化学種が酸であることが好ましい。
【００１４】
上述の組成物のいずれか１つに関し、上記中間体がケチルラジカルであり、上記化学種が酸であることが好ましい。
【００１５】
本発明の１つの態様に関する組成物は、試剤と、前駆体と、ポリマーと、を含む。上記組成物に関し、上記試剤の水素原子を引き抜きながら試剤からの中間体の発生が起こり、上記中間体が上記前駆体からの化学種を向上させ、上記組成物が、芳香族基と、芳香族基上のヒドロキシ基と、芳香族基上の電子受容基と、を含む構成成分を含むことが好ましい。
【００１６】
上記組成物に関し、上記電子受容基は、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基及びニトロ基、並びに少なくとも１つのハロゲン原子を含むアルキル基のうちの１つであることが好ましい。
【００１７】
本発明の１つの態様に関するポリマーは、化学種と反応する反応性置換基を含む。
【００１８】
上記ポリマーに関し、上記ポリマーが、化学種を発生させるか又はポリマーを含む組成物が上に配置される表面に対する接着性を改善する官能性置換基を含むことが好ましい。
【００１９】
上記官能性置換基に関し、機能性置換基が上記化学種の発生を阻害しないことが好ましい。
【００２０】
上記ポリマーに関し、上記ポリマーが、化学種の発生を阻害する置換基を含まないことが好ましい。
【００２１】
上記ポリマーに関し、上記ポリマーが、化学種を発生させる前駆体置換基、及び上記化学種の発生を向上させる試剤置換基のうちの少なくとも１つをさらに含むことが好ましい。
【００２２】
上記ポリマーに関し、上記化学種が酸であり、上記試剤置換基が化学種の発生を向上させることが好ましい。
【００２３】
上記ポリマーに関し、上記機能性置換基が、芳香族基と、ヒドロキシル基と、少なくとも１つの電子受容基と、を有することが好ましい。
【００２４】
上記ポリマーに関し、上記機能性置換基がフェノキシ基であることが好ましい。
【００２５】
本発明の１つの態様に関する装置の製造方法は、フォトレジストを含む塗布膜を基材上に形成するように請求項１に記載の組成物を含むフォトレジストを含む材料を基材に塗布することと、塗布膜の第２部分を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つに露光させずに、塗布膜の第１部分を第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つに露光させるような第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも１つへの塗布膜の第１露光と、塗布膜の第２電磁波での第２露光と、を含む。
【００２６】
上記方法に関し、上記方法が、第１部分を除去することと、第１部分が上に存在した基材の第３部分をエッチングするように基材をエッチングすることと、をさらに含むことが好ましい。
【００２７】
上記方法に関し、第１電磁波及び第１粒子線が、それぞれ、波長が２００ｎｍ以下である光、又は電子ビームであることが好ましい。
【００２８】
上記方法に関し、塗布膜の第１露光を、波長が１５ｎｍ以下である光により行うことが好ましい。
【００２９】
上記方法に関し、塗布膜の第２露光を、波長が３００ｎｍ以上である光により行うことが好ましい。
【００３０】
上記方法に関し、上記フォトレジストが中間体を発生し得る試剤を含み、上記中間体が前駆体からの化学種を向上させることが好ましい。
【００３１】
ケチルラジカルは還元性を有し、上記中間体は前駆体からの酸の生成を向上させる。言い換えれば、かかる試剤は、酸発生向上剤（ＡＧＥ）として機能する。上記中間体は、光増感剤として機能する生成物に変換される。かかる生成物の生成後、上記生成物の照射は、エネルギー若しくは電子を前駆体に移動する、又は、エネルギー若しくは電子を前駆体から受容することができる生成物の励起状態を生じる。典型的に、上記前駆体は、エネルギー若しくは電子を受容した後、又は、電子を供給した後に化学種を発生させる。いくつかのＡＧＥは前駆体への電子移動を向上させるために高い電子供与性に必要とされるため、かかるＡＧＥはアルコキシ基及びヒドロキシル基等の少なくとも１つの電子供与性基を芳香環上に有する。化学種と化合物の反応は、化合物の分解及び化学種の再生につながる。言い換えれば、たとえ１連の工程内で励起手段が変更されたとしても、かかる試剤は、化学的に増幅されて化学種の発生を向上させる。
【００３２】
かかるＡＧＥ試剤の典型的な例は、アリール基を含むアルコールである。例えば、試剤と、化学種を生成する前駆体と、化学種と反応する化合物と、を含む組成物は、フォトレジストとして、半導体装置及び電子光学装置等の電子装置の製造に適用され得る。例えば、第１ステップにおいて組成物の塗布膜を極紫外線（ＥＵＶ）光又は電子ビーム（ＥＢ）に露光させた後、塗布膜を、ＵＶ光及び可視光等のＥＵＶ光又はＥＢよりも強度が高い光に露光させることができる。上記組成物は、光酸発生剤（ＰＡＧ）と、ＰＡＧから生成する酸等の化学種との反応により分解するエステル基及びエーテル基等の保護基を含む樹脂と、が関与する化学増幅反応に適用され得る。
【００３３】
典型的なＡＧＥであるアリールアルコールの酸化反応は容易に起こり、対応するカルボニル化合物を生成する。かかるＡＧＥの長期安定性を得るために、ＡＧＥのヒドロキシル基は、ジアルコキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基及びエーテル基、及び三置換シリル基等の保護基により保護されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
図面において、本発明を実施するための現在考えられる最良の形態を示す。
【００３５】
【図１】図１は、ＡＧＥを含むフォトレジストを用いる集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
実験手順
【００３７】
開示は、以下の例示的な例を利用してさらに説明される。
【００３８】
実験手順
【００３９】
４−ヒドロピラニルアセトフェノンの合成
１０．０ｇの４−ヒドロキシアセトフェノン及び９．８９ｇの２Ｈ−ジヒドロピランを８０．０ｇの塩化メチレンに溶解する。０．７４ｇのピリジニウム・ｐ−トルエンスルホネートを、４−ヒドロキシアセトフェノン及び２Ｈ−ジヒドロピランを含む塩化メチレン溶液に加える。混合物を２５℃で３時間撹拌する。そして、１％水酸化ナトリウム水溶液を加えた後、混合物をさらに撹拌する。液体抽出により分離して有機相を集める。集めた有機相から溶媒を蒸発させて、１４．４ｇの４−ヒドロピラニルアセトフェノンを得る。
【００４０】
１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールの合成（実施例１）
【００４１】
５．０ｇの４−ヒドロピラニルアセトフェノン及び０．１０ｇの水酸化カリウムをエタノールに溶解する。１．０４ｇの水素化ホウ素ナトリウムを、４−ヒドロピラニルアセトフェノン及び水酸化カリウムを含むエタノール溶液に加える。混合物を２５℃で３時間撹拌する。そして、混合物中のアルカリを１０％塩酸水溶液で中和する。１００ｇの塩化メチレンを用いて液体抽出により分離して有機相を集める。有機相から溶媒を蒸発させて、４．５２ｇの１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールを得る。
【００４２】
【化１】
2016531953.tif 000002
【００４３】
樹脂Ａの合成
【００４４】
１．３ｇのｐ−ヒドロキシフェニルメタクリレート、４．４ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、４．４ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、及び５．２ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．３３ｇのブチルメルカプタン、０．８５ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、及び２６．１ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。ブチルメルカプタンは、ポリマー鎖長を調整する対応するラジカルに転換される。
【００４５】
調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた２０．０ｇのテトラヒドロフランに４時間で滴下する。調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。混合物を１６０ｇのヘキサン及び１８ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に（激しく撹拌しながら）滴下して共重合体を沈殿させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、続いて、７０ｇのヘキサンで２回洗浄する。それによって、８．０ｇの白粉の共重合体（樹脂Ａ）を得る。
【００４６】
【化２】
2016531953.tif 000003
樹脂Ｂの合成
【００４７】
１．６ｇのｐ−アセトキシフェニルメタクリレート、４．４ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、４．４ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、及び５．２ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．３３ｇのブチルメルカプタン、０．８５ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、及び２６．１ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた２０．０ｇのテトラヒドロフランに４時間で滴加する。調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。混合物を１６０ｇのヘキサン及び１８ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に（激しく撹拌しながら）滴下して共重合体を沈殿させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、続いて、７０ｇのヘキサンで２回洗浄する。それによって、８．２ｇの白粉の共重合体を得る。
【００４８】
【化３】
2016531953.tif 000004
樹脂Ｃの合成
【００４９】
１．４ｇの２，３，５，６−テトラフルオロ−４−ヒドロキシスチレン、４．４ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、４．４ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、及び５．２ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．３３ｇのブチルメルカプタン、０．８５ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、及び２６．１ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた２０．０ｇのテトラヒドロフランに４時間で滴加する。調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。混合物を１６０ｇのヘキサン及び１８ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に（激しく撹拌しながら）滴下して共重合体を沈殿させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、続いて、７０ｇのヘキサンで２回洗浄する。それによって、７．９ｇの白粉の共重合体を得る。
【００５０】
【化４】
2016531953.tif 000005
【００５１】
樹脂Ｄの合成
【００５２】
１．９ｇの２，６−ビス（トリフルオロメチル）−４−ヒドロキシスチレン、４．４ｇのα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、４．４ｇの２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート、及び５．２ｇの３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート、０．３３ｇのブチルメルカプタン、０．８５ｇのジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、及び２６．１ｇのテトラヒドロフランを含む溶液を調製する。調製した溶液を、フラスコに入れて撹拌及び沸騰させた２０．０ｇのテトラヒドロフランに４時間で加える。調製した溶液を加えた後、混合物を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。混合物を１６０ｇのヘキサン及び１８ｇのテトラヒドロフランを含む混合液体に（激しく撹拌しながら）滴下して共重合体を沈殿させる。共重合体を濾過により単離する。共重合体の精製を真空乾燥により行い、続いて、７０ｇのヘキサンで２回洗浄する。それによって、８．２ｇの白粉の共重合体を得る。
【００５３】
【化５】
2016531953.tif 000006
【００５４】
評価のためのサンプル（評価サンプル）調製
【００５５】
評価サンプル１は、３００ｍｇの樹脂Ａ、光酸発生剤として２４．９ｍｇのジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート（ＤＰＩ−ＰＦＢＳ）、及び指標として１５．０ｍｇのクマリン６を２０００ｍｇのシクロヘキサノンに溶解して調製する。
【００５６】
評価サンプル２〜５は、６．０ｍｇの１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノール、樹脂Ａ〜Ｄのうちの１つを３００ｍｇ、光酸発生剤として２４．９ｍｇのＤＰＩ−ＰＦＢＳ、及び指標として１５．０ｍｇのクマリン６を２０００ｍｇのシクロヘキサノンに溶解して調製する。サンプルの成分は以下の通り。
評価サンプル２：樹脂Ａ、ＤＰＩ−ＰＦＢＳ、実施例１及びシクロヘキサノン；
評価サンプル３：樹脂Ｂ、ＤＰＩ−ＰＦＢＳ、実施例１及びシクロヘキサノン；
評価サンプル４：樹脂Ｃ、ＤＰＩ−ＰＦＢＳ、実施例１及びシクロヘキサノン；及び
評価サンプル５：樹脂Ｄ、ＤＰＩ−ＰＦＢＳ、実施例１及びシクロヘキサノン。
【００５７】
酸発生効率の評価
【００５８】
評価サンプル１〜５のスピンコーティングによって４インチの水晶ウェハ上に評価サンプルの各塗布膜を形成する。各塗布膜に、電子ビームリソグラフィ装置により、０、１０、２０、３０及び４０μＣ／ｃｍ２の出力の量の電子ビームを照射する。電子ビームの露光に続いて、電子ビームの各量によって発生するプロトン化クマリン６の吸収バンドが観察される５３４ｎｍでの吸光度をプロットすることによって膜に対する効率を得る。
【００５９】
表１は、評価サンプル１〜５の相対酸発生効率を示す。表１では、評価サンプル１の酸発生効率が基準として用いられる。表１に示す評価サンプル１及び２の結果は、たとえ１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールを加えても、フェノキシラジカルがケチルラジカルよりもさらに安定であるため、酸発生効率が改善されないことを示す。したがって、ケチルラジカルは、樹脂を含むフェノキシ中の１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールから発生しない。それによって、１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールの添加の効果は、はっきりと観察されない。
【００６０】
一方、表１の評価サンプル３〜５の結果は、１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールから発生したケチルラジカルによる光酸発生剤の還元によって、酸発生効率が改善されることを示す。結果として、フェノキシ基の保護又はフェニル構造に結合した電子吸引基の付加は、フェノキシ基からの水素引き抜きを防ぐ効果がある。それによって、１−（４−テトラヒドロピラニルフェニル）エタノールは、酸発生向上剤（ＡＧＥ）として機能する。
【００６１】
【表１】
2016531953.tif 000007
【００６２】
結果に基づき、還元性を有する反応中間体は、酸発生効率を向上させるものと思われる。
【００６３】
実施例２、３、４及び５もＡＧＥとして用いられる。
【００６４】
【化６】
2016531953.tif 000008
【００６５】
ヒドロキシル基のａ水素原子を引き抜くことによって実施例２〜５から発生するケチルラジカルは還元性があり、酸化されて、対応するアルコールよりも長い波長を示す対応するケトンを生成する。したがって、ＡＧＥとして実施例２〜５を利用すると、半導体装置及び電子光学装置等の様々な装置に使用され得る多段階のリソグラフィ露光を実施できるようになる。典型的に、ＥＵＶ光又は電子ビームが第１リソグラフィ露光に使用された後、波長がＥＵＶ光よりも長い光が第２リソグラフィ露光に使用される。
【００６６】
評価サンプル３〜５のいずれか１つを含むフォトレジストは、集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程に適用され得る。
【００６７】
図１は、フォトレジストを用いる集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す。
【００６８】
シリコンウェハを準備する。シリコンウェハの表面を、酸素ガス存在下シリコンウェハを加熱することによって酸化する。
【００６９】
フォトレジストを、スピンコーティングによりＳｉウェハ表面に塗布し、塗布膜を形成する。塗布膜をプリベークする。
【００７０】
Ｓｉウェハのプリベーク後に、マスクを介したＥＵＶ光での塗布膜の照射を行う。塗布膜の脱保護反応は、光酸発生剤の光化学反応及びＡＧＥによる補助により発生する酸によって誘導される。
【００７１】
電子ビームがＥＵＶ光の代わりに使用され得る。
【００７２】
塗布膜のＥＵＶ照射後、波長が３００ｎｍ以上の光での塗布膜の照射が、マスクなしで行われる。
【００７３】
ＥＵＶ光、及び波長が３００ｎｍ以上の光で照射された塗布膜の現像をプリベークの後に実施する。
【００７４】
塗布膜及びシリコンウェハをプラズマで露光する。その後、残りの膜を除去する。
【００７５】
集積回路等の電子装置を図１に示される工程を用いて製造する。塗布膜の照射時間が短くなるので、光照射による装置の劣化は既存のフォトレジストと比べて抑制される。
【図１】
2016531953.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族基と、前記芳香族基上のヒドロキシ基と、前記芳香族基上の少なくとも１つの電子受容基と、を含む第１置換基と；化学種と反応する反応性置換基を含む第２置換基と；を含むポリマー。
【請求項２】
前記電子受容基が、ハロゲン基、少なくとも１つのハロゲン原子を含むアルキル基、ニトロ基、シアノ基及びニトロ基のうちの１つである請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
前記反応性置換基が、保護基を含む請求項１又は２に記載のポリマー。
【請求項４】
前記保護基が、エステル基又はエーテル基である請求項３に記載のポリマー。
【請求項５】
前記化学種を発生させるか、又は前記ポリマーを含む組成物が上に置かれる表面に対する接着性を改善する機能性置換基をさらに含み、
前記機能性置換基が前記化学種の発生を阻害しない請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項６】
前記ポリマーが、前記化学種の発生を阻害する置換基を含まない請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項７】
前記化学種を発生させる前駆体置換基、及び前記化学種の発生を向上させる試剤置換基のうちの少なくとも１つをさらに含む請求項１〜６のいずれか一項に記載のポリマー。
【請求項８】
前記化学種が酸であり、
前記試剤置換基が前記化学種の発生を向上させる請求項７に記載のポリマー。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のポリマーを含む組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ヒドロキシル基のα水素原子を引き抜くことによって実施例２〜５から発生するケチルラジカルは還元性があり、酸化されて、対応するアルコールよりも長い波長を示す対応するケトンを生成する。したがって、ＡＧＥとして実施例２〜５を利用すると、半導体装置及び電子光学装置等の様々な装置に使用され得る多段階のリソグラフィ露光を実施できるようになる。典型的に、ＥＵＶ光又は電子ビームが第１リソグラフィ露光に使用された後、波長がＥＵＶ光よりも長い光が第２リソグラフィ露光に使用される。
【国際調査報告】
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