(57)【要約】  基板支持アセンブリは、セラミックス本体と、セラミックス本体の下面に接合された熱伝導性ベースを含む。基板支持アセンブリは、セラミックス本体の上面に金属接合され、バルク焼結セラミックス物品である保護層を更に含む。
2016503234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス本体と、
セラミックス本体の下面に接合された熱伝導性ベースと、
金属接合によってセラミックス本体の上面に接合され、バルク焼結セラミックス物品を含む保護層を含む静電チャック。
【請求項２】
保護層は、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９と、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２の固溶体とを含むセラミックス化合物である請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
金属接合が静電チャックの電極として機能し、セラミックス本体は、電極を含まない請求項１記載の静電チャック。
【請求項４】
１以上の加熱要素を含む熱伝導性ベースが、追加の金属接合によって、セラミックス本体の下面に接合されている請求項１記載の静電チャック。
【請求項５】
金属接合の厚さは、約５〜２０ミルであり、保護層の厚さは、約２００〜９００ミクロンである請求項１記載の静電チャック。
【請求項６】
金属接合が、
スズ又はインジウムのうちの少なくとも１つを含む第１金属層と、
スズ又はインジウムのうちの少なくとも１つを含む第２金属層と、
第１金属層と第２金属層の間の第３金属層であって、アルミニウムとニッケルの組み合わせ、又は銅とニッケルの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む第３金属層とを含む請求項１記載の静電チャック。
【請求項７】
熱伝導性ベースは、シリコーン接着剤によってセラミックス本体の下面に接合され、セラミックス本体は、１以上の加熱要素を含む請求項１記載の静電チャック。
【請求項８】
セラミックス本体の上面と保護層との間のガスケットを含み、ガスケットは、金属接合を保護するために上面の外周部にある請求項１記載の静電チャック。
【請求項９】
保護層はＹｘＡｌｙＯｚを含み、埋め込まれた電極を有する請求項１記載の静電チャック。
【請求項１０】
バルク焼結セラミックス本体を提供する工程と、
バルク焼結セラミックス本体の下面を熱伝導性ベースに接合する工程と、
常温金属接合プロセスによって、バルク焼結セラミックス本体の上面を、バルク焼結セラミックス物品を含む保護層に接合する工程を含む方法。
【請求項１１】
常温金属接合プロセスは、
バルク焼結セラミックス本体の上面を第１金属層でコーティングする工程と、
保護層の表面を第２金属層でコーティングする工程と、
保護層のコーティングされた面をセラミックス本体のコーティングされた上面に対してそれらの間に反応性箔を挟んで配置する工程と、
反応性箔を点火して、これによって第１金属層及び第２金属層の溶融に基づく金属接合を形成する工程を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第１金属層及び第２金属層はそれぞれ、スズ又はインジウムのうちの少なくとも１つを含み、反応性箔は、アルミニウムとニッケルの交互のナノスケール層を含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
金属接合をチャッキング電源に接続するためのものである密閉された電極接続に金属接合を結合し、これによって金属接合を静電チャック用電極として機能させる工程を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
バルク焼結セラミックス本体の上面をコーティングする工程は、
上面上にチタン層を形成する工程と、
チタン層上に第１金属層を形成する工程を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
セラミックス本体のコーティングされた上面上に保護層のコーティングされた下面を配置する前に、バルク焼結セラミックス本体のコーティングされた上面の外周部上にガスケットを配置する工程と、
ガスケットを圧縮する工程を含む請求項１０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明のいくつかの実施形態は、概して、基板支持アセンブリ（例えば、耐プラズマ保護層を有する静電チャック）に関する。他の実施形態は、反応性多層箔及び反応性多層箔の製造に関する。
【背景】
【０００２】
半導体産業では、デバイスは、ますます減少したサイズの構造体を生産する多くの製造プロセスによって製造される。いくつかの製造プロセス（例えば、プラズマエッチングプロセス及びプラズマ洗浄プロセス）は、基板をエッチング又は洗浄するためにプラズマの高速流に基板支持体（例えば、ウェハ処理時の基板支持体の縁部及びチャンバ洗浄時の基板支持体全体）を曝露させる。プラズマは、非常に腐食性がある可能性があり、処理チャンバや、プラズマに曝露される他の表面を腐食させる可能性がある。
【０００３】
また、従来の静電チャックは、金属冷却板にシリコーン接着されたセラミックスパックを含む。このような従来の静電チャック内のセラミックスパックは、埋め込み電極及び加熱要素を形成するために費用がかかる可能性がある多段階の製造プロセスによって製造される。
【０００４】
反応性多層箔（本明細書内では反応性箔と呼ぶ）を用いて、これによって基板間に金属接合を形成する。従来の反応性箔は、平坦で構造の無いシート内に製造される。従来の反応性箔は、典型的には、平坦で無い表面を有する基板を接合するのには適していない。また、従来の反応性箔が表面構造を有する基板を接合するのに使用される場合は、反応性箔は、（例えば、レーザドリル加工、化学エッチングなどによって）機械加工され、これによって反応性箔内に対応する構造を形成する。このような機械加工は、反応性箔に熱負荷を誘導し、反応性箔を発火させる可能性がある。更に、従来の反応性箔は、事前に設定されたサイズ（例えば、９インチの正方形）を有する。従来の反応性箔が、反応性箔よりも大きい基板を接合するために使用される場合、接合を実行するために、反応性箔の複数のシートが使用される。これは、一般的に、反応性箔シート間に漏れ経路（例えば、亀裂、溝、ラインなど）を導入し、得られた金属接合が真空密閉されない原因となる。
【概要】
【０００５】
一実施形態では、静電チャックは、セラミックス本体と、セラミックス本体の下面に接合された熱伝導性ベースを含む。セラミックス本体は、金属接合によって、又はシリコーン接着剤によって、熱伝導性ベースに接合することができる。静電チャックは、金属接合によってセラミックス本体の上面に接合された保護層を用いて製造され、保護層は、バルク焼結セラミックス物品を含む。
【０００６】
別の一実施形態では、反応性箔が製造される。１以上の表面構造を有するテンプレート（鋳型）が提供される。アルミニウムとニッケルの交互ナノスケール層が、反応性箔シートを形成するために、テンプレート上に堆積される。反応性箔シートは、テンプレートから除去される。得られた反応性箔シートは、１以上の表面構造に対応する１以上の箔構造を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明は、添付図面の図の中で、限定としてではなく、例として示され、同様の参照符号は同様の要素を示す。この開示における「一」又は「１つの」実施形態への異なる参照は、必ずしも同じ実施形態への参照ではなく、そのような参照は、少なくとも１つを意味することに留意すべきである。
【図１】処理チャンバの一実施形態の断面図を示す。
【図２】基板支持アセンブリの一実施形態の分解図を示す。
【図３】基板支持アセンブリの一実施形態の側面図を示す。
【図４】基板支持体の一実施形態の分解側面図を示す。
【図５】静電チャックを製造するためのプロセスの一実施形態を示す。
【図６】静電チャックを製造するためのプロセスの別の一実施形態を示す。
【図７】金属接合プロセスを実行するためのプロセスの一実施形態を示す。
【図８】予め形成された箔構造を有する反応性箔を製造するためのプロセスの一実施形態を示す。
【図９Ａ】表面構造を有するテンプレート上へのナノスケール金属層の堆積を示す。
【図９Ｂ】予め形成された箔構造を有する反応性箔シートを示す。
【図１０Ａ】非平面テンプレート上へのナノスケール金属層の堆積を示す。
【図１０Ｂ】非平面反応性箔シートを示す。
【図１１】連結式反応性箔シートを示す。
【実施形態の詳細な説明】
【０００８】
本発明の実施形態は、基板支持アセンブリのセラミックス本体の上に形成された保護層を有する基板支持アセンブリ（例えば、静電チャック）を提供する。保護層は、セラミックス本体の保護のために、プラズマ耐食性を提供することができる。保護層は、ナノ接合技術を使用してセラミックス本体に金属接合されたバルク焼結セラミックス物品（例えば、セラミックスウェハ）とすることができる。様々な接合材料（例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、及びこれらの合金）を反応性箔と共に使用することができる。
【０００９】
一実施形態では、セラミックス本体は、バルク焼結セラミックス本体（例えば、別のセラミックスウェハ）である。セラミックス本体がチャック電極を含まない場合、金属接合は、静電チャック用のチャック電極として機能することができる。セラミックス本体は、別の金属接合によって、熱伝導性ベースに更に金属接合することができる。熱伝導性ベースは、加熱要素、並びに加熱及び／又は冷却用の液体を流すことによって温度を調節するために使用することができるチャネルを含むことができる。熱伝導性ベースとセラミックス本体との間の金属接合は、良好な熱接触を提供し、熱伝導性ベースが、セラミックス本体、保護層、及び処理中に静電チャックによって保持される任意の基板を加熱して冷却することを可能にする。実施形態は、従来の静電チャックよりも４倍安く製造することができる静電チャックを提供する。更に、実施形態は、急速に温度を調整することができ、プラズマ耐性がある静電チャックを提供する。静電チャック及び支持される基板は、素早く加熱又は冷却することができ、いくつかの実施形態では、２℃／秒又はそれ以上の温度変化が可能である。これは、（例えば、ウェハが２０〜３０℃で処理され、次いで更なる処理のために８０〜９０℃まで急速に上昇されることができる）多段階プロセスで静電チャックが使用されることを可能にする。本明細書に記載される実施形態は、クーロン静電チャック用途及びジョンソン・レイベックチャック用途の両方に使用することができる。
【００１０】
別の一実施形態では、予め形成された表面構造を有する反応性箔が製造される。反応性箔は、表面構造を有するテンプレート上に、２つの反応性材料（例えば、アルミニウム及びニッケル）の交互のナノスケール層を堆積することによって製造することができる。テンプレートの表面構造は、反応性箔が接合するために使用される１以上の基板の表面構造に対応することができる。例えば、１以上の基板が、それらの中に孔を有する場合、テンプレートは、孔に対応する段差を有することができる。これらの段差によって、テンプレート上に形成された反応性箔は、基板内の孔に対応する予め形成された孔を有することができる。
【００１１】
図１は、内部に基板支持アセンブリ１４８が配置された半導体処理チャンバ１００の一実施形態の断面図である。基板支持アセンブリ１４８は、基板支持アセンブリ１４８のセラミックス本体に金属接合されたバルクセラミックスの保護層１３６を有する。金属接合は、金属の組み合わせ（例えば、インジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、及び１以上の追加の金属（金又は銀）の組み合わせ）を含むことができる。金属接合プロセスは、以下でより詳細に説明される。
【００１２】
保護層は、Ｙ２Ｏ３（イットリア又は酸化イットリウム）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、ＹＡｌＯ３（ＹＡＰ）、石英、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、サイアロン、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＯＮ（酸窒化アルミニウム）、酸化チタン（チタニア）、ＺｒＯ２（ジルコニア）、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＺｒＣ（炭化ジルコニウム）、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＣＮ（チタンカーボンナイトライド）、Ｙ２Ｏ３安定化ＺｒＯ２（ＹＳＺ）などのバルクセラミックス（例えば、セラミックスウェハ）とすることができる。保護層はまた、Ａｌ２Ｏ３のマトリックス中に分散されたＹ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体、又はＳｉＣ−Ｓｉ３Ｎ４固溶体などのセラミックス複合体とすることができる。保護層はまた、酸化イットリウム（イットリア及びＹ２Ｏ３として知られる）含有固溶体を含むセラミックス複合材料とすることができる。例えば、保護層は、化合物Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）と固溶体Ｙ２−ｘＺｒｘＯ３（Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体）で構成されるセラミックス複合体とすることができる。なお、純酸化イットリウム並びに酸化イットリウム含有固溶体は、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、又は他の酸化物のうちの１以上をドープすることができることに留意すべきである。また、純窒化アルミニウム、並びにＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、又は他の酸化物のうちの１以上をドープした窒化アルミニウムを使用できることにも留意すべきである。あるいはまた、保護層は、サファイア又はＭｇＡｌＯＮとすることができる。
【００１３】
保護層は、セラミックス粉末又はセラミックス粉末の混合物から製造された焼結セラミックス物品とすることができる。例えば、セラミックス複合材料は、Ｙ２Ｏ３粉末、ＺｒＯ２粉末、及びＡｌ２Ｏ３粉末の混合物から製造することができる。セラミックス複合材料は、５０〜７５モル％の範囲内のＹ２Ｏ３、１０〜３０モル％の範囲内ＺｒＯ２、及び１０〜３０モル％の範囲内のＡｌ２Ｏ３を含むことができる。一実施形態では、ＨＰＭセラミックス複合材料は、概して、７７％のＹ２Ｏ３、１５％のＺｒＯ２、及び８％のＡｌ２Ｏ３を含む。別の一実施形態では、セラミックス複合材料は、概して、６３％のＹ２Ｏ３、２３％のＺｒＯ２、及び１４％のＡｌ２Ｏ３を含む。更に別の一実施形態では、ＨＰＭセラミックス複合材料は、概して、５５％のＹ２Ｏ３、２０％のＺｒＯ２、及び２５％のＡｌ２Ｏ３を含む。相対的な割合は、モル比であってもよい。例えば、ＨＰＭセラミックス複合材料は、７７モル％のＹ２Ｏ３、１５モル％のＺｒＯ２、及び８モル％のＡｌ２Ｏ３を含んでもよい。これらのセラミックス粉末の他の配分もまた、セラミックス複合材料用に使用することができる。
【００１４】
処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、内部容積１０６を取り囲む蓋１０４を含む。チャンバ本体１０２は、アルミニウム、ステンレス鋼、又は他の適切な材料から製造することができる。チャンバ本体１０２は、一般的に、側壁１０８及び底部１１０を含む。外側ライナー１１６は、チャンバ本体１０２を保護するために、側壁１０８に隣接して配置することができる。外側ライナー１１６は、プラズマ又はハロゲン含有ガス耐性のある材料で製造及び／又はコーティングすることができる。一実施形態では、外側ライナー１１６は、酸化アルミニウムから製造される。別の一実施形態では、外側ライナー１１６は、イットリア、イットリウム合金、又はその酸化物から製造されるか、それでコーティングされる。
【００１５】
排気口１２６は、チャンバ本体１０２内に画定されることができ、内部容積１０６をポンプシステム１２８に結合することができる。ポンプシステム１２８は、排気して処理チャンバ１００の内部容積１０６の圧力を調整するために使用される１以上のポンプ及びスロットルバルブを含むことができる。
【００１６】
蓋１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上で支持されることができる。蓋１０４は、処理チャンバ１００の内部容積１０６にアクセス可能にするために開くことができ、閉じながら処理チャンバ１００に対して密閉を提供することができる。ガスパネル１５８は、処理チャンバ１００に結合され、これによって蓋１０４の一部であるガス分配アセンブリ１３０を通して内部容積１０６に処理ガス及び／又は洗浄ガスを供給することができる。処理ガスの例は、とりわけハロゲン含有ガス（例えば、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、Ｃｌ２及びＳｉＦ４）及び他のガス（例えば、Ｏ２又はＮ２Ｏ）を含み、処理チャンバ内で処理するために使用することができる。キャリアガスの例は、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、及び処理ガスに不活性な他のガス（例えば、非反応性ガス）を含む。ガス分配アセンブリ１３０は、ガス分配アセンブリ１３０の下流面上に複数の開口部１３２を有し、これによって基板１４４の表面にガス流を導くことができる。更に、ガス分配アセンブリ１３０は、ガスがセラミックスガスノズルを通して供給される中央孔を有することができる。ガス分配アセンブリ１３０は、セラミックス材料（例えば、炭化ケイ素、酸化イットリウムなど）によって製造及び／又はコーティングされ、これによってハロゲン含有化学物質に対する耐性を提供し、ガス分配アセンブリ１３０が腐食するのを防止することができる。
【００１７】
基板支持アセンブリ１４８は、ガス分配アセンブリ１３０の下方の処理チャンバ１００の内部容積１０６内に配置される。基板支持アセンブリ１４８は、処理中に基板１４４を保持する。内側ライナー１１８は、基板支持アセンブリ１４８の周縁部の上でコーティングされることができる。内側ライナー１１８は、ハロゲン含有ガスレジスト材料（例えば、外側ライナー１１６を参照して説明した材料）とすることができる。一実施形態では、内側ライナー１１８は、外側ライナー１１６と同じ材料から製造することができる。
【００１８】
一実施形態では、基板支持アセンブリ１４８は、台座１５２を支持する取付板１６２と、静電チャック１５０を含む。一実施形態では、静電チャック１５０は、金属接合又はシリコーン接着剤１３８によって静電パック１６６に接合された熱伝導性ベース１６４を更に含む。あるいはまた、図３を参照してより詳細に説明されるように、静電パック１６６の代わりに、簡単なセラミック本体を用いることができる。静電パック１６６の上面は、静電パック１６６に金属接合された保護層１３６によって覆われる。一実施形態では、保護層１３６は、静電パック１６６の上面上に配置される。別の一実施形態では、保護層１３６は、熱伝導性ベース１６４及び静電パック１６６の外周部及び側部周縁部を含む静電チャック１５０の全面の上に配置される。取付板１６２は、チャンバ本体１０２の底部１１０に結合され、ユーティリティ（例えば、流体、電力線、センサのリード線など）を熱伝導性ベース１６４及び静電パック１６６へルーティングするための通路を含む。
【００１９】
熱伝導性ベース１６４及び／又は静電パック１６６は、１以上のオプションの内蔵加熱素子１７６、内蔵熱絶縁体１７４及び／又は導管１６８、１７０を含み、これによって支持アセンブリ１４８の横方向の温度プロファイルを制御することができる。導管１６８、１７０は、導管１６８、１７０を通して温度調節流体を循環させる流体源１７２に流体結合することができる。内蔵絶縁体１７４を、一実施形態では、導管１６８、１７０の間に配置してもよい。ヒータ１７６は、ヒータ電源１７８によって調節される。導管１６８、１７０及びヒータ１７６は、熱伝導性ベース１６４の温度を制御するために使用し、これによって静電パック１６６及び被処理基板（例えば、ウェハ）を加熱及び／又は冷却することができる。静電パック１６６及び熱伝導性ベース１６４の温度は、コントローラ１９５を使用して監視することができる複数の温度センサ１９０、１９２を使用して監視することができる。
【００２０】
静電パック１６６及び／又は保護層は、複数のガス通路（例えば、溝、メサ、及びパック１６６及び／又は保護層の上面に形成することができる他の表面構造）を更に含むことができる。ガス通路は、パック１６６内に穿孔された孔を介して熱伝達（又は裏面）ガス（例えば、Ｈｅ）の供給源に流体結合されることが可能である。動作中、裏面ガスは、ガス通路内に制御された圧力で供給され、これによって静電パック１６６と基板１４４との間の熱伝達を向上させることができる。
【００２１】
一実施形態では、静電パック１６６は、チャック電源１８２によって制御された少なくとも１つのクランプ電極１８０を含む。代替の実施形態では、金属接合がクランプ電極として機能することができる。あるいはまた、保護層が埋め込まれたクランプ電極（チャッキング電極とも呼ばれる）を含むことができる。電極１８０（又はパック１６６又は保護層内に配置された他の電極）は、処理チャンバ１００内で処理ガス及び／又は他のガスから形成されたプラズマを維持するための整合回路１８８を介して１以上のＲＦ電源１８４、１８６に更に結合することができる。電源１８４、１８６は、一般的に、約５０ｋＨｚ〜約３ＧＨｚの周波数及び最大約１０，０００Ｗの電力を有するＲＦ信号を生成することができる。一実施形態では、ＲＦ信号が金属ベースに印加され、交流電流（ＡＣ）がヒータに印加され、直流電流（ＤＣ）がチャッキング電極に印加される。
【００２２】
図２は、基板支持アセンブリ１４８の一実施形態の分解図を示す。基板支持アセンブリ１４８は、静電チャック１５０及び台座１５２の分解図を示す。静電チャック１５０は、静電パック１６６又は他のセラミックス本体、並びに静電パック１６６又はセラミックス本体に取り付けられた熱伝導性ベース１６４を含む。静電パック１６６又は他のセラミックス本体は、上に位置する基板１４４の形状及び大きさに実質的に一致することができる環状の周縁部２２２を有する円盤状の形状を有する。一実施形態では、静電パック１６６又は他のセラミックス本体は、セラミックス材料から製造することができる。セラミックス材料の好適な例は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などを含む。一実施形態では、セラミックス本体は、ウェハの形状とすることができるバルク焼結セラミックスである。
【００２３】
静電パック１６６又はセラミックス本体の下に取り付けられた熱伝導性ベース１６４は、円盤状の本体部２２４と、本体部２２４から外側に延び、台座１５２上に位置する環状フランジ２２０とを有することができる。一実施形態では、熱伝導性ベース１６４は、金属（例えば、アルミニウム又はステンレス鋼）又は他の好適な材料から製造することができる。あるいはまた、熱伝導性ベース１６４は、セラミックス本体の熱膨張係数を一致させるためにセラミックスの複合材料（例えば、アルミニウム−ケイ素合金浸潤ＳｉＣ又はモリブデン）から製造することができる。熱伝導性ベース１６４は、良好な強度及び耐久性、並びに熱伝達特性を提供するべきである。保護層１３６の上面は、外側リング２１６、複数のメサ２１０、及びメサ間のチャネル２０８、２１２を有することができる。
【００２４】
図３は、静電チャック１５０の断面側面図を示す。図３を参照すると、熱伝導性ベース１６４は、第１金属接合３０４によってセラミックス本体３０２に結合される。セラミックス本体３０２は、バルク焼結セラミックス（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）など）とすることができる。セラミックス本体３０２は、例えば、薄いセラミックスウェハとして提供されることができる。一実施形態では、セラミックス本体は、約１ｍｍの厚さを有する。セラミックス本体３０２は、（例えば、セラミックス本体を貫通する孔を穿孔し、導電性材料を孔に充填することによって）内部に形成された電極接続３０６を有することができる。電極接続３０６は、クランプ電極として機能する金属接合をチャック電源及び／又はＲＦ電源に接続することができる。
【００２５】
第１金属接合３０４は、セラミックス本体３０２と熱伝導性ベース１６４との間の熱エネルギー交換を促進し、それらの間の熱膨張不整合を低減することができる。金属ベース１６４は、静電チャック１５０及び基板１４４を加熱又は冷却するように中に流体を流すことができる複数の導管（例えば、内側導管１６８及び外側導管１７０）を含むことができる。金属ベース１６４は、抵抗加熱要素とすることができる１以上の内蔵ヒータ１７６を更に含むことができる。
【００２６】
第１金属接合３０４は、熱伝導性ベース１６４をセラミックス本体３０２に機械的に接合する。一実施形態では、金属接合材料３０４は、スズ及び／又はインジウムを含む。あるいはまた、他の金属を用いてもよい。また、第１金属接合３０４は、（例えば、一実施形態では、約２〜４ミルの厚さを有する）アルミニウム及びニッケルの薄層を、他の金属の二層の間（例えば、スズの二層の間）に含むことができる。一実施形態では、薄層は、最初は、反応性材料（例えば、アルミニウム及びニッケル）の交互ナノスケール層から構成される反応性多層箔（本明細書では反応性箔と呼ぶ）である。常温金属接合プロセスの間、反応性箔は、活性化（例えば、点火）され、１５００℃超を生成する瞬間的に近い反応を作ることができる。これは、半田として作用する金属の上層及び下層が、熱伝導性ベース１６４をセラミックス本体３０２に接合するように溶融しリフローを引き起こすことができる。一実施形態では、反応性箔は、アメリカのインジウム社（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製のＮａｎｏＦｏｉｌ（商標名）である。
【００２７】
静電チャック１５０は、第２金属接合３０８によってセラミックス本体３０２に結合された保護層１３６を更に含む。保護層１３６は、例えば、薄いセラミックスウェハとして提供することができる。メサ（図示せず）は、保護層の表面上に形成することができ、保護層とセラミックス本体は、ヘリウムの流れのための孔と、リフトピン用の孔を含むことができる。このような孔は、保護層１３６がセラミックス本体に接合される前又は後に形成することができる。第２金属接合３０８は、第１金属接合３０４と実質的に同様であることができ、（例えば、発火性反応性箔を使用して）常温接合プロセスを用いて生成されてもよい。一実施形態では、反応性箔は、保護層及び／又はセラミックス本体の表面構造に対応する予め形成された箔構造を有する。例えば、反応性箔は、保護層内にヘリウム孔及びリフトピン孔に対応する予め形成された孔を有することができる。予め形成された箔構造を有する反応性箔は、図８Ａ〜１１を参照して以下により詳細に説明される。
【００２８】
一実施形態では、第１金属接合３０４及び第２金属接合３０８の両方が同時に形成される。例えば、全体の構造は、固定具の中で共にプレスされることができ、熱伝導性ベースとセラミックス本体との間の反応性箔は、保護層とセラミックス本体との間の反応性箔とほぼ同じ時間に活性化され、これによって両方の金属接合を並行して形成することができる。接合厚さは、約２５ミクロン〜５００ミクロン（例えば、一実施形態では、１５０〜２５０ミクロン）とすることができる。
【００２９】
保護層１３６の厚さは、所望の誘電特性（例えば、特定の絶縁破壊電圧）を提供するように選択することができる。一実施形態では、静電チャックが、クーロンモードで使用される場合、保護層は、約１５０〜５００ミクロン（例示的な一実施形態では、約２００〜３００ミクロン）の厚さを有する。静電チャックが、ジョンソン・レイベックモードで使用される場合、保護層は、約１ｍｍの厚さを有することができる。
【００３０】
前述したように、保護層１３６は、バルク焼結セラミックスである。一実施形態では、保護層は、プラズマ処理中に（基板とパックとの間の熱特性の不一致に起因する相対運動による）摩耗に抵抗する高い硬度を有する、上述のようなセラミックス複合材料である。一実施形態では、セラミックス複合材料は、約５ＧＰａ〜約１１ＧＰａの間のビッカース硬さ（５Ｋｇｆ）を提供する。一実施形態では、セラミックス複合材料は、約９〜１０ＧＰａのビッカース硬さを提供する。また、セラミックス複合材料は、一実施態様では、約４．９０ｇ／ｃｍ３の密度、約２１５ＭＰａの曲げ強度、約１．６ＭＰａ・ｍ１／２の破壊靱性、約１９０ＧＰａのヤング率、約８．５×１０−６／Ｋ（２０〜９００℃）の熱膨張率、約３．５Ｗ／ｍＫの熱伝導率、約１５．５の誘電率（２０℃、１３．５６ＭＨｚで測定）、約１１×１０−４の誘電正接（２０℃、１３．５６ＭＨｚ）、室温で１０１５Ω・ｃｍより大きい体積抵抗率を有することができる。
【００３１】
別の一実施形態では、保護層は、ＹＡＧである。別の一実施形態では、保護層は、サファイアである。更に別の一実施形態では、保護層は、イットリウム・アルミニウム酸化物（ＹｘＡｌｙＯｚ）である。
【００３２】
ガスケット３１０は、保護層１３６とセラミックス本体３０２との間の静電チャック１５０の周囲に配置されることができる。一実施形態では、ガスケット３１０は、フルオロポリマーの圧縮性Ｏリングである。別の一実施形態では、ガスケットは、ガスケットを形成するために、圧力下で硬化する液体ポリマーである。ガスケット３１０は、プラズマ又は腐食性ガスへの曝露から金属接合３０８を保護する保護シールを提供する。同様のガスケットは、第１金属接合３０４を包囲し、保護することができる。なお、ガスケット３１４の同様のタイプを使用して、これによって電極接続３０６を密封し、第１金属接合３０４から分離することができることにも留意すべきである。
【００３３】
石英リング１４６又は他の保護リングは、静電チャック１５０の部分を取り囲み、覆う。基板１４４は、静電パック１６６上に下降され、静電気力によって所定の位置に保持される。
【００３４】
静電チャック１５０が、クーロンチャック用に使用される場合、保護層（電極の上方の誘電体）の厚さは、約２００ミクロン〜約１ｍｍとすることができる。静電チャック１５０が、ジョンソン・レイベックチャック用に使用される場合、保護層の厚さは、約１ｍｍ〜約１．５ｍｍとすることができる。
【００３５】
図４は、静電チャック４００の一実施形態の断面側面図を示す。静電チャック４００は、金属接合４２０によって保護層４１５に金属接合され、シリコーン接着剤又は他の接着剤４９６によって金属板４５５に更に接合されたセラミックス本体４１０を有する。一実施形態では、セラミックス本体は、約３ｍｍの厚さを有する。セラミックス本体４１０は、１以上の加熱要素４１８を含むことができる。一実施形態では、セラミックス本体４１０は、内部に埋め込まれた電極を含む。（図示のような）別の一実施形態では、電極４８５は、保護層４１５内に埋め込まれることができる。更に別の一実施形態では、金属接合４２０は、電極として用いることができる。一実施形態では、電極４８５の上方にある保護層４１５の上部４９２は、２００ミクロンよりも大きい（例えば、一実施形態では、５ミルの）厚さを有する。保護層４１５の上部４９２の厚さは、所望の誘電特性（例えば、特定の絶縁破壊電圧）を提供するように選択することができる。
【００３６】
保護層４１５が配置され（いくつかの実施形態では、最終的な厚さに研削され）た後、メサ４１８が、保護層４１５の上面上に形成される。メサ４１８は、例えば、保護層４１５の表面をビードブラスト又は塩ブラストすることによって形成することができる。メサは、いくつかの実施形態では、高さが約３〜５０ミクロン（一実施形態では、約１０〜１５）であり、直径が約２００ミクロンとすることができる。
【００３７】
また、複数の孔４７５が、セラミックス本体４１０及び／又は保護層４１５を貫通して穿孔される。これらの孔４７５は、保護層４１５がセラミックスベース４１０に接合される前又は後に穿孔されることができ、保護層４１５内の孔は、セラミックス本体４１０及び／又はベース４５５の孔と整列することができる。一実施形態では、孔は、接合が実行された後に、保護層４１５、セラミックス本体４１０及びベース４５５を貫通して穿孔される。あるいはまた、孔を別々に穿孔し、その後、接合する前に位置合わせすることができる。孔は、セラミックス本体４１０と保護層４１５との間に金属接合４２０を形成するために使用される反応性箔内に予め形成された孔と整列することができる。一実施形態では、ガスケット４９０が、金属接合４２０の周囲に配置又は形成され、そこで孔４７５は、金属接合４２０と接触する。孔４７５の周囲に形成されたガスケットは、金属接合４２０が電極として使用されないいくつかの実装形態では省くことができる。一実施形態では、孔４７５は、約４〜７ミルの直径を有する。一実施形態では、孔は、レーザドリル加工によって形成される。孔４７５は、熱伝導性ガス（例えば、ヘリウム）をメサ４１８間の谷又は導管に送出することができる。ヘリウム（又は他の熱伝導性ガス）は、基板と静電チャック４００との間の熱伝達を促進することができる。基板支持体の最上部の上（例えば、保護層４１５の上）にメサ４１８を堆積させることも可能である。セラミックスプラグ（図示せず）が孔を埋めてもよい。セラミックスプラグは、多孔質であってもよく、ヘリウムの流れを許容することができる。しかしながら、セラミックスプラグは、流れたプラズマのアーク放電を防止することができる。
【００３８】
図５は、静電チャックを製造するためのプロセス５００の一実施形態を示す。プロセス５００のブロック５０５では、セラミックス本体が提供される。提供されるセラミックス本体は、セラミックスウェハとすることができる。セラミックスウェハは、（例えば、電極コネクタを形成するために）いくつかの処理を受けていてもよいが、加熱要素、冷却チャネル、及び埋め込み電極を欠いているかもしれない。
【００３９】
ブロック５１０では、セラミックス本体の下面は、第１金属接合を形成するために金属接合プロセスを実行することによって熱伝導性ベースに接合される。ブロック５１５では、バルク焼結セラミックス保護層は、第２金属接合を形成するために金属接合プロセスによってセラミックス本体の上面に接合される。保護層は、約７００ミクロンから約１〜２ミリメートルの厚さを有するセラミックスウェハとすることができる。金属接合プロセスは、図７を参照して説明される。一実施形態では、セラミックス本体の上面は、それを保護層に接合する前に平坦に研磨される。ブロック５２０では、第２金属接合が密閉された電極接続に結合される。この結合は、第２金属接合を形成する金属接合プロセスの結果として生じることができる。
【００４０】
ブロック５２５では、保護層の表面が所望の厚さまで研削される。保護層は、クランプ電極の上方の誘電体材料とすることができ、そのため所望の厚さは、特定の絶縁破壊電圧を提供する厚さ（例えば、一実施態様では、約２００〜３００ミクロン）とすることができる。
【００４１】
ブロック５３０では、メサが保護層の上面上に形成される。ブロック５３５では、孔が保護層及びセラミックス本体内に（例えば、レーザドリル加工によって）形成される。なお、ブロック５３０の操作は、（図示のように）保護層をセラミックス本体に接合した後に行ってもよいし、又はそのような接合の前に行ってもよいことに留意すべきである。その後、プラグを孔の中に形成することができる。代替的なの一実施形態では、セラミックス本体は、メサを形成した後、孔を形成した後、及び／又は保護層を接合した後に、ベースに接合されることができる。
【００４２】
図６は、静電チャックを製造するためのプロセスの別の一実施形態を示す。プロセス６００のブロック６０５では、セラミックス本体が提供される。提供されるセラミックス本体は、１以上の加熱要素を含むセラミックスパックとすることができる。セラミックスパックは、埋め込まれた電極を含んでいても、含んでいなくてもよい。
【００４３】
ブロック６１０では、セラミックス本体の下面は、熱伝導性ベースに接合される。接合は、一実施形態では、シリコーン接着とすることができる。別の一実施形態では、接合材料は、アクリル系化合物及びシリコーン系化合物のうちの少なくとも１つを有する熱伝導性ペースト又はテープとすることができる。更に別の一実施形態では、接合材料は、金属又はセラミックスフィラーを混合又は添加することができるアクリル系化合物及びシリコーン系化合物のうちの少なくとも１つを有する熱伝導性ペースト又はテープとすることができる。金属フィラーは、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉのうちの少なくとも１つ又はそれらの組み合わせとすることができ、セラミックスフィラーは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二ホウ化チタン（ＴｉＢ２）のうちの少なくとも１つ又はそれらの組み合わせとすることができる。
【００４４】
ブロック６１５では、バルク焼結セラミックス保護層が、金属接合を形成するために金属接合プロセスによってセラミックス本体の上面に接合される。金属接合プロセスは、図７を参照して説明される。
【００４５】
ブロック６２０では、保護層の表面が所望の厚さまで研削される。保護層は、クランプ電極の上方の誘電体材料とすることができ、そのため所望の厚さは、特定の絶縁破壊電圧を提供する厚さとすることができる。
【００４６】
ブロック６２５では、メサが保護層の上面上に形成される。ブロック６３０では、孔が保護層及びセラミックス本体内に（例えば、レーザドリル加工によって）形成される。代替的な一実施形態では、セラミックス本体は、メサを形成した後、孔を形成した後、又は保護層を接合した後に、ベースに接合されることができる。
【００４７】
図７は、金属接合プロセスを実行するための一実施形態を示す。ブロック７０５では、第１本体の表面は、第１金属層でコーティングされる。金属層は、スズ、インジウム、又は他の金属とすることができる。ブロック７１０では、第２本体の表面は、第２金属層でコーティングされる。第１本体及び第２本体は、例えば、保護層、セラミックス本体、又は熱伝導性ベースとすることができる。セラミックス本体（例えば、セラミックス本体又は保護層）に対して、金属層で表面をコーティングすることは、まず表面上にチタン層を形成することを含むことができる。チタンは、（例えば、セラミックス中の酸素分子と結合を形成することによって）セラミックスとの強固な結合をそれに形成させる特性を有する。その後、金属層を、チタンの上に形成してもよい。
【００４８】
金属層は、例えば、スズ又はインジウムとすることができる。スズが金属層に使用される場合、スズは２５０℃の溶融温度を有するため、静電チャックを用いて２５０度以下のプロセスを実行することができる。インジウムが金属層に使用される場合、インジウムは１５０℃の溶融温度を有するため、静電チャックを用いて１５０℃以下のプロセスを実行することができる。より高い温度のプロセスを実行する必要がある場合、より高い溶融温度を有する金属が金属層に対して使用されるべきである。チタン層と次の金属層は、蒸着、電気めっき、スパッタリング、又は他の金属の堆積又は成長技術によって形成することができる。あるいはまた、第１金属層は、第１本体に対して位置決めされた半田の第１シート（例えば、スズ又はインジウムのシート）とすることができ、第２金属層は、第２本体に対して位置決めされた半田の第２シートとすることができる。一実施形態では、第１金属層及び第２金属層は、それぞれ約１〜２０ミル（例えば、一実施形態では、２５〜１００ミクロン）の厚さである。
【００４９】
ブロック７１５では、ガスケットが第１本体又は第２本体のコーティング面の周縁部に当てられる。ガスケットは、腐食性ガス又はプラズマとの相互作用からコーティング面を保護する。一実施形態では、ガスケットは、圧縮可能なＯリングである。あるいはまた、ガスケットは、ガスケットを形成するために、圧力下で硬化する液体とすることができる。
【００５０】
ブロック７２０では、第１本体のコーティング面が、第２本体のコーティング面に対して、反応性箔を挟んで配置される。一実施形態では、反応性箔は、約５０〜１５０ミクロンの厚さである。ブロック７２５では、第２本体に対して第１本体を圧縮するために圧力が印加される。圧力は、一実施形態では、約５０ポンド毎平方インチ（ＰＳＩ）とすることができる。圧力が印加されている間、ブロック７３０では、反応性箔が活性化される。反応性箔は、局所的なエネルギーの小さなバーストを提供することによって（例えば、光学的、電気的又は熱エネルギー源を使用することによって）活性化することができる。反応性箔の点火は、第１及び第２の金属層を溶融し、それらを単一の金属接合にリフローさせる約１５００℃までの熱の突然の瞬間的な局部的なバーストを生成する化学反応を引き起こす。金属接合を正確に形成するためのこのナノ接合技術は、接合される本体を貫通しない局所的な熱を提供する。本体が加熱されないので、本体は、有害な影響を与えることなく（例えば、応力又は反りを誘発することなく）、熱膨張係数（ＣＴＥ）の著しい不整合を有してもよい。
【００５１】
図８は、予め形成された箔構造を有する反応性箔シートを製造するためのプロセス８００の一実施形態を示す。プロセス８００のブロック８０５では、表面構造を有するテンプレートが提供される。テンプレートは、一実施形態では、任意の剛性のある材料とすることができる。テンプレートは、１以上の表面構造を有する実質的に平坦な表面を有することができる。あるいはまた、テンプレートは、表面構造の有無にかかわらず、非平面の表面を有することができる。
【００５２】
表面構造は、テンプレートの表面内に正の段差（例えば、スタンドオフ）及び／又は負の段差（例えば、孔又はトレンチ）を含むことができる。段差は、段差を覆う堆積された反応性箔シートの第１部分が、テンプレートの残りの部分を覆う反応性箔シートの第２部分と不連続を引き起こすのに十分な高さ又は深さを有することができる。例えば、スタンドオフは、約１〜２５ｍｍの高さを有することができ、孔／トレンチは、約１〜２５ｍｍの深さを有することができる。特定の一実施形態では、段差は、約２〜１０ｍｍの高さ又は深さを有する。その代わりに、堆積された反応性箔は、非平面領域の形状を有してもよい。
【００５３】
表面構造はまた、非平面領域（例えば、バンプ、ディップ、カーブなど）を含むことができる。これらの表面構造は、堆積された反応性箔シートの任意の部分が、反応性箔シートの他の部分と不連続を引き起こさなくてもよい。
【００５４】
ブロック８１０では、少なくとも２つの反応性材料の交互ナノスケール層が、反応性箔シートを形成するためにテンプレート上に堆積される。一実施形態では、反応性材料は、テンプレートの上にスパッタリングされた金属である。反応性材料はまた、蒸着、電気めっき、又は他の金属の堆積又は成長技術によって形成することができる。２つの反応性材料の何千もの交互層を、テンプレート上に堆積させることができる。各層は、１ナノメートル〜数十ナノメートルのスケールの厚さを有することができる。一実施形態では、反応性箔は、反応性箔が含むナノスケール層の数に応じて、約１０〜５００ミクロンの厚さである。更なる一実施形態では、反応性箔は、約５０〜１５０ミクロンの厚さである。
【００５５】
一実施形態では、２つの反応性材料は、アルミニウム（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）であり、反応性箔は、Ａｌ／Ｎｉ層のスタックである。あるいはまた、２つの反応性材料は、アルミニウムとチタン（Ｔｉ）（Ａｌ／Ｔｉ層のスタックを生成する）、チタンとホウ素（Ｂ）（Ｔｉ／Ｂ層のスタックを生成する）、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｃｕ／Ｎｉ層のスタックを生成する）、又はチタンとアモルファスシリコン（Ｓｉ）（Ｔｉ／Ｓｉ層のスタックを生成する）とすることができる。反応性箔を形成するために、他の反応性材料を使用してもよい。
【００５６】
いくつかの表面構造に対して、表面構造の高さ又は深さは、堆積された反応性箔シートの一部が反応性箔シートの他の部分と不連続を引き起こす場合がある。多くの場合、この不連続が意図される。しかしながら、不連続が望まれない場合には、このような不連続性を解消するように、堆積源に対するテンプレートの角度を制御することができる。一実施形態では、堆積プロセス中に、テンプレートを回転させる、及び／又は堆積源に関連するテンプレートの角度が変更される。別の一実施形態では、異なる位置を有する複数の堆積源が使用される。堆積源の配置は、交互層の厚さのばらつきを最小限に抑えながら、非平面の表面及び／又は表面構造の範囲を最大化するように設定することができる。
【００５７】
ブロック８１５では、反応性箔シートをテンプレートから除去する。反応性箔シートは、テンプレートへの弱い機械的結合を有することができ、反応性箔が裂けることなくテンプレートから除去されることを可能にする。反応性箔シートは、テンプレートの表面構造に対応する箔構造を有することができる。例えば、反応性箔シートは、段差を有していたテンプレートの領域に対応して空隙を有することができる。また、反応性箔シートは、テンプレート内の三次元構造に対応して非平面（例えば、三次元）構造を有することができる。構造は、様々なサイズ及び形状を有することができる。予め形成された箔構造は、反応性箔が接合するように設計された１以上の基板の表面構造に対応することができる。したがって、形成された反応性箔は、生産価値がある場合がある。例えば、反応性箔は、表面構造を有する基板上の所定位置に設定され、表面構造に対応するように、反応性箔をまず機械加工することなく、金属接合を作成するためにエネルギーを与えることができる。
【００５８】
図９Ａは、表面構造を有するテンプレート９００上へのナノスケールの金属層の堆積を示す。テンプレート９００は、３つの表面構造９１０、９１５、９２２を有する実質的に平坦な表面９０５を有する。表面構造９１０及び９１５は、高さ９２０を有する段差である。高さ９２０は、構造９１０、９１５上に堆積されたナノスケール金属層９２５がテンプレートの表面９０５の残りの部分の上に堆積されたナノスケール金属層９２５と不連続を引き起こすのに十分高い。表面構造９２２は、非平面（例えば、三次元）構造である。構造９２２の上に堆積された金属層９２５は、テンプレートの表面９０５の残りの部分の上に堆積された金属層と連続している。
【００５９】
図９Ｂは、予め形成された箔構造９６０、９６５、９７０を有する反応性箔シート９５０を示す。反応性箔シート９５０は、図９Ａのテンプレート９００上に交互ナノスケール金属層を堆積することによって形成される。反応性箔シート９５０は、実質的に平面である。しかしながら、反応性箔シート９５０は、テンプレート９００の表面構造９２２の上に堆積によって生じた非平面構造９７０を含む。箔構造９６０及び９６５は、反応性箔シート９５０内の空隙であり、テンプレート９００の表面構造９１０、９２０に対応する。
【００６０】
図１０Ａは、非平坦な表面１００５を有するテンプレート１０００上へのナノスケール金属層の堆積を示す。テンプレート１０００は、図示されるような三次元形状を有することができ、又は他の任意の三次元形状を有することができる。図１０Ｂは、テンプレート１０００の三次元形状に一致する三次元形状を有する非平面の反応性箔シート１０５０を示す。この三次元形状は、反応性箔を互いに接合するために使用される２つの基板の三次元形状に対応することができる。したがって、反応性箔シート１０５０は、反応性箔シート１０５０の形状及び任意の構造を基板の形状及び構造と整列させる姿勢及び位置に基板のうちの一方の上に配置することができる。その後、第２基板は、反応性箔シートの上に配置することができ、反応性箔シートは発火させることができる。反応性箔シートは、それが接合する基板に一致した形状を有しているため、反応性箔シートは、変形したり、引き裂かれることはない。これは、そうでなければ非平面の表面を接合するために平坦な反応性箔シートを使用することを試みることによって引き起こされる可能性のある漏れ経路を最小化又は排除することができる。
【００６１】
本明細書に記載される予め形成された構造を有する反応性箔シートは、任意の２つの基板を接合するために使用することができる。反応性箔シートは、室温で迅速な接合が、真空とすることなく、表面構造を有する基板間で形成される用途に特に有用である可能性がある。例えば、反応性箔は、冷却ベースプレートにヘリウム孔を有する静電パックを接合するために使用することができる。本明細書に記載される反応性箔シートはまた、数千ものガス分配孔並びにガス分配孔の周囲に窪み及び／又はスタンドオフ（支柱）を有する可能性のあるシャワーヘッド上に保護層を接合するために使用することができる。反応性箔シートはまた、半導体デバイス、太陽電池デバイス、及びその他のデバイスを接合するために使用することができる。
【００６２】
図１１は、反応性箔シート１１０５、１１１０、１１１５、１１２０を連結して形成された連続反応性箔１１００を示す、反応性箔シート１１０５〜１１２０周囲は、反応性箔シート１１０５〜１１２０を連結可能にするテッセレーションパズル形状を有することができる。テッセレーションパズル形状は、テッセレーションパズル形状を有するテンプレートの周囲に段差を有するテンプレート上に交互のナノスケール金属層を堆積することによって形成することができる。したがって、上述のプロセス８００は、連結式反応性箔シートを作成するために使用することができる。これらの連結式反応性箔シートは、漏れ経路を導入することなく、金属接合プロセスを用いて任意のサイズの基板を接合可能にする。
【００６３】
前述の説明は、本発明のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、具体的なシステム、構成要素、方法等の例などの多数の具体的な詳細を説明している。しかしながら、本発明の少なくともいくつかの実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施することができることが当業者には明らかであろう。他の例では、周知の構成要素又は方法は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明しないか、単純なブロック図形式で提示されている。したがって、説明された具体的な詳細は、単なる例示である。特定の実装では、これらの例示的な詳細とは異なる場合があるが、依然として本発明の範囲内にあることが理解される。
【００６４】
本明細書全体を通して「１つの実施形態」又は「一実施形態」への参照は、その実施形態に関連して記載された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味している。したがって、本明細書を通じて様々な場所における「１つの実施形態では」又は「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指すものではない。また、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意味することを意図している。用語「約」又は「およそ」は、本明細書で使用される場合、これは、提示された公称値が±１０％以内で正確であることを意味することを意図している。
【００６５】
本明細書内の本方法の操作が、特定の順序で図示され説明されているが、特定の操作を逆の順序で行うように、又は特定の操作を少なくとも部分的に他の操作と同時に実行するように、各方法の操作の順序を変更することができる。別の一実施形態では、異なる操作の命令又は副操作は、断続的及び／又は交互の方法とすることができる。一実施形態では、複数の金属接合操作は、単一工程として実行される。
【００６６】
なお、上記の説明は例示であり、限定的ではないことを意図していることが理解されるべきである。上記の説明を読み理解することにより、多くの他の実施形態が当業者にとって明らかとなるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を、そのような特許請求の範囲が権利を与える等価物の全範囲と共に参照して決定されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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