(57)【要約】  プラズマ装置（１６０）を備えた真空チャンバ（１）とプロセスチャンバ（１１０）と基板収容装置（１３５）とを備え、プロセスチャンバは相互に相対的に垂直方向に運動可能な上部セクション（１０５ａ）と下部セクション（１０５ｂ）とを有する、基板を真空処理する装置において、上部セクションの側壁（１０６ａ）と下部セクションの側壁（１０６ｂ）との間に、プロセスチャンバの内部領域（１４０）から上部セクションの外側の真空チャンバの内部領域（１ａ）まで通じる下方流路（１０５ｃ）が設けられ、上部セクションの上縁領域（１０７）と真空チャンバの内部領域の上部の封止部材（１０９）との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側の内部領域まで通じる上方流路（１９０）が設けられ、上部セクションは、垂直方向で、上方流路が開放される下部位置と上方流路が閉鎖される上部位置とへ運動可能である。
2016515766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１３０）を真空処理する装置であって、
プラズマ装置（１６０）を備えた真空チャンバ（１）と、
プロセスチャンバ（１１０）と、
前記プロセスチャンバ（１１０）内で前記プラズマ装置の下方に配置される、基板（１３０）の収容装置（１３５）と
を備え、
前記プロセスチャンバ（１１０）は、側壁（１０６ａ）を含む上部セクション（１０５ａ）と側壁（１０６ｂ）を含む下部セクション（１０５ｂ）とを有しており、
前記上部セクション（１０５ａ）と前記下部セクション（１０５ｂ）とは相互に相対的に垂直方向に運動可能である、装置において、
前記上部セクション（１０５ａ）の前記側壁（１０６ａ）と前記下部セクション（１０５ｂ）の前記側壁（１０６ｂ）との間に、前記プロセスチャンバ（１１０）の内部領域（１４０）から前記上部セクション（１０５ａ）の外側に配置された前記真空チャンバ（１）の内部領域（１ａ）まで通じる下方流路（１０５ｂ）が設けられており、
前記上部セクション（１０５ａ）の上縁領域（１０７）と前記真空チャンバ（１）の前記内部領域（１ａ）の上部に配置された封止部材（１０９）との間に、前記プロセスチャンバ（１１０）の内部領域（１４０）から前記上部セクション（１０５ａ）の外側に配置された前記真空チャンバ（１）の内部領域（１ａ）まで通じる上方流路（１９０）が設けられており、
前記上部セクション（１０５ａ）は、垂直方向で、前記上方流路（１９０）が開放される下部位置へ運動可能であり、
前記上部セクション（１０５ａ）は、垂直方向で、前記上方流路（１９０）が閉鎖される上部位置へ運動可能である、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記上部セクション（１０５ａ）の前記側壁（１０６ａ）は上方円筒リングとして、前記下部セクション（１０５ｂ）の前記側壁（１０６ｂ）は下方円筒リングとして、構成されている、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記収容装置（１３５）は前記真空チャンバ（１）に対して相対的に運動可能である、
請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記収容装置（１３５）は基板搬入出装置（１１６）の上方の上部位置で基板（１３０）をローディング可能である、
請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記収容装置（１３５）は、前記プロセスチャンバ（１１０）内の中間底部領域を形成する底部プレート（１３６）を有する、
請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記上部セクション（１０５ａ）の前記側壁（１０６ａ）及び／又は前記下部セクション（１０５ｂ）の前記側壁（１０６ｂ）は、少なくとも部分的に導電性材料から製造されている、
請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記上部セクション（１０５ａ）は、前記真空チャンバ（１）に対して電気的に絶縁されている、
請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記下部セクション（１０５ｂ）は、前記真空チャンバ（１）に対して電気的に絶縁されている、
請求項６又は７記載の装置。
【請求項９】
前記上部セクション（１０５ａ）は、前記真空チャンバ（１）に電気的に接続されている、
請求項６又は８記載の装置。
【請求項１０】
前記下部セクション（１０５ｂ）は、前記真空チャンバ（１）に電気的に接続されている、
請求項６又は７又は９記載の装置。
【請求項１１】
前記収容装置（１３５）は、前記真空チャンバ（１）又は前記上部セクション（１０５ａ）又は前記下部セクション（１０５ｂ）に対して電気的に絶縁されている、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記下部セクション（１０５ｂ）は、前記下部セクション（１０５ｂ）の前記側壁（１０６ｂ）に接続された底部を有している、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記基板搬入出装置（１１６）は、前記基板（１３０）を準備するための準備領域（２０５ａ）を含む搬入出室（２０５）を有しており、
前記基板（１３０）を搬送するための搬送路（２０６）が、前記準備領域（２０５ａ）から前記収容装置（１３５）へ、また、前記収容装置（１３５）から前記準備領域（２０５ａ）へ延在している、
請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
前記準備領域（１０５）と前記収容装置（１３５）との間での前記搬送路（２０６）に沿った搬送のために、前記準備領域（２０５）と前記収容装置（１３５）との間で旋回軸（２５１）を中心として旋回可能な旋回プレート（２５０）が設けられている、
請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記旋回プレート（２５０）は、前記基板（１３０）の載置手段（２３５）を備えた載置構造体を含む、
請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記収容装置（１３５）は、基板収容部材（２６５）を有しており、
前記旋回プレート（２５０）は、前記載置構造体の領域に、前記基板収容部材（２６５）に対応しかつ前記基板収容部材（２６５）の領域での運動の妨害なしに前記旋回プレート（２５０）を旋回可能にする少なくとも１つの切欠部（２５２）を有する、
請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記基板収容部材（２６５）は、前記基板（１３０）を受け取ってさらに引き渡すため、上方へ移動できるように構成されている、
請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記収容装置（１３５）は、主回転軸（２６０）を有するコーティングロータとして構成されている、
請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
プラズマ源（１６０）が、スパッタカソード又は電子ビーム気化器又はプラズマポリマライゼーション源として構成されている、
請求項１から１８までのいずれか１項記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、独立請求項の上位概念記載の基板の真空処理装置に関する。
【０００２】
従来の真空コーティング装置では、プラズマによる本来の真空コーティングが行われるプロセス空間に遮閉部が固定的に取り付けられており、この遮閉部によって、真空チャンバの寄生コーティングを回避するための遮閉が行われる。ただし、固定的に取り付けられた遮閉部は、プロセスチャンバへのアクセス性を損なうことがある。
【０００３】
文献：米国特許出願第２０１１／００８９０２３号明細書から、チャンバと、基板載置台と、チャンバ内にプラズマを形成する電極と、電極と基板載置台との間のプラズマ空間を包囲する遮蔽装置とを含むプラズマ処理装置が公知である。当該遮蔽装置は、それぞれ内側部分及び外側部分を１つずつ有する主部と分離部とを含む。ここで、外側部分はそれぞれガス導入装置として構成されている。主部の内側部分と分離部の内側部分とは、互いに接触しないように成形されている。
【０００４】
文献：米国特許第７３１８８６９号明細書からは、さらに、集積回路をコーティングするプロセスチャンバのための、可変のガス導入量を有するコーティング装置が公知である。可動の遮閉部が架台を包囲しており、この遮閉部は、直線状の経路に沿って種々の位置を取る際に、チャンバ内に可変の開口が形成される構造を有する。可動の遮閉部は、第１の流路を形成する第１のアパーチャ領域と、第２の流路を形成する第２のアパーチャ領域とを含む。各流路は可変の導入量を有する。上方の流路は遮閉部の内面とプロセスチャンバのカバーの外面とによって形成され、下方の流路は、シェーディングリングと遮閉部の下部及びこれに付随するシェーディングリングホルダとによって形成される。遮閉部とシェーディングリングとの相対位置を変化させることにより、プロセスチャンバのガス導入量を変調できる。遮閉部は、架台に対して相対的に、ローディングフェーズでは上方の位置を取り、加工処理フェーズでは中央の位置を取る。洗浄フェーズでは、遮閉部とシェーディングリングホルダとがともに下方の位置を取り、シェーディングリングが格納部に静止する。
【０００５】
独国特許出願第１１２００６００３２９４号明細書からは、プロセスチャンバと真空装置の電子ビームキャノンとを分離するための、真空装置用の阻止弁が公知である。ここではさらに、向かい合う側壁に設けられた開部を有するバルブケーシングと、この開部を開閉するためのバルブボディとが設けられている。弁が開放されると、プロセスチャンバの側面の開部を介して、円筒形の可動遮閉部材がバルブケーシング内へ移動する。その間、遮閉部材は前後に自由に移動可能である。可動遮閉部材の内側とバルブケーシングの内側とは雰囲気の点で相互に分離可能である。
【０００６】
また、文献：米国特許第６７３０１７４号明細書からは、上方アダプタ装置と、この上方アダプタ装置の上端に固定された少なくとも１つの遮閉ユニットと、カバーと、絶縁装置とを含む、半導体処理装置用の取り外し可能な遮蔽装置が公知である。ここで、上方アダプタ装置と少なくとも１つの遮閉ユニットとカバーと絶縁装置とは、一体のユニットとして同時に取り外すことができる。
【０００７】
本発明の課題は、基板を真空処理する装置において、プロセスチャンバ内で行われる加工処理プロセスに対して真空チャンバを遮閉し、真空チャンバの寄生コーティングを回避すること、また同時に、プロセスチャンバ内への良好なアクセス性を達成し、プロセスチャンバの内部領域に対するポンピングパワーを形成できるようにすることである。
【０００８】
この課題は、本発明にしたがって、独立請求項に記載された特徴により解決される。
【０００９】
本発明の、基板を真空処理する装置は、真空チャンバとプロセスチャンバとプラズマ装置とプロセスチャンバ内でプラズマ装置の下方に配置される基板収容装置とを備えている。ここで、本発明の装置は、
・プロセスチャンバは、側壁を含む上部セクションと側壁を含む下部セクションとを有しており、
・上部セクションと下部セクションとは相互に相対的に運動可能であり、
・上部セクションの側壁と下部セクションの側壁との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側に配置された真空チャンバの内部領域まで通じる下方流路が設けられており、
・上部セクションの上縁領域と真空チャンバの内部領域の上部に配置された封止部材との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側に配置された真空チャンバの内部領域まで通じる上方流路が設けられており、
・上部セクションは、真空チャンバに対して相対的に、上方流路が開放される下部位置へ運動可能であり、
・上部セクションは、真空チャンバに対して相対的に、上方流路が閉鎖される上部位置へ運動可能である、
ことを特徴とする。
【００１０】
プロセスチャンバの上部セクションにより、ポンピング及び基板搬入出のためのプロセスチャンバ内部へのアクセス性を損なうことなく、真空チャンバの内部を遮閉して、真空処理中の寄生コーティングを防止することができる。
【００１１】
上部セクションの側壁と下部セクションの側壁との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側に配置された真空チャンバの内部領域まで通じる下方流路が設けられることにより、この下方流路が特に簡単な構造で実現される。また、上部セクションの上縁領域と真空チャンバの内部領域の上部に配置された封止部材との間に、プロセスチャンバの内部領域から上部セクションの外側に配置された真空チャンバの内部領域まで通じる上方流路が設けられることにより、この上方流路も同様に特に簡単な構造で実現される。さらに有利には、上部セクションが真空チャンバに対して相対的に下部位置へ運動する場合、上方流路が開放される。同様に有利には、上部セクションが真空チャンバに対して相対的に上部位置へ運動する場合、上方流路が閉鎖される。ここで、上部セクションが真空チャンバに対して相対的に上部位置にある場合、プロセスチャンバが上部セクション及び下部セクションの外側に配置された真空チャンバの内部領域に対して光学的に密閉されるので有利である。これにより、真空チャンバの内部領域の寄生コーティングが確実に防止され、同時に、下方の流路を介して、プロセスチャンバにプロセスガスを供給できる。
【００１２】
基板は特には眼鏡レンズガラスその他であってよく、バッチとして真空チャンバへ搬入され、真空処理された後に再び搬出される。
【００１３】
有利な一実施形態によれば、下部セクションは、真空チャンバの底部領域の凹部に挿入されるか又ははめ込まれるはめ込み要素として構成される。
【００１４】
本発明の一実施形態によれば、下部セクションは真空チャンバの底部の凹部によって形成される。ただし、この手法では、材料は節約できるが、真空チャンバの当該領域でのコーティングの発生を甘受しなければならない。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、上部セクションの側壁は上方円筒リングとして構成される。これにより、上方流路と下方流路とを構造的にきわめて簡単に実現できる。
【００１６】
特に、上方円筒リングは、下部セクションの内径よりも幾分小さな外径を有する。この場合、上部セクションの側壁と下部セクションの側壁との重なり部が生じ、上部セクションの側壁の一部と下部セクションの側壁の一部との間に空隙が形成される。このとき、下方流路は、上部セクションの側壁と下部セクションの側壁との間に形成される空隙を通って延在する。下方流路の導入量は空隙の空間によって定められる。有利には、上部セクションが上部位置を取るときさらに重なり部が生じる。この場合、上方流路は閉鎖され、下方流路が開放される。
【００１７】
さらに、下部セクションの側壁は下方円筒リングとして構成される。
【００１８】
別の実施形態によれば、上方円筒リングは、下方円筒リングの外径よりも幾分大きな内径を有する。
【００１９】
別の実施形態によれば、収容装置は、プロセスチャンバ内で、真空チャンバに対して相対的に運動可能である。これにより、流路の導入量を変更することなく、基板からプラズマ装置までの距離を変更して、導入量とは別個に、基板真空処理のパラメータ、例えば基板表面でのプラズマイオンエネルギを制御できる。
【００２０】
本発明の別の実施形態によれば、収容装置は基板搬入出装置の上方の上部位置で基板をローディング可能である。この場合、上部セクションが下部位置へ移動される。
【００２１】
本発明の別の実施形態によれば、収容装置は、プロセスチャンバ内の中間底部領域を形成する底部プレートを有する。これにより、チャンバの大きさが可変となる。このようにすれば、場合によって上降装置に設けられる、収容装置を運動させるための要素が、寄生コーティングから保護される。
【００２２】
本発明の別の実施形態によれば、上部セクションの側壁及び／又は下部セクションの側壁は、少なくとも部分的に導電性材料から製造される。これらの側壁はアノードもしくは部分アノードとして機能する。
【００２３】
本発明の別の実施形態によれば、上部セクションは真空チャンバに対して電気的に絶縁される。これにより、プロセスチャンバ内でのポテンシャル比を調整するためのさらなる自由度が得られる。
【００２４】
本発明の別の実施形態によれば、下部セクションが真空チャンバに対して電気的に絶縁される。これにより、プロセスチャンバ内でのポテンシャル比を調整するためのさらなる自由度が得られる。
【００２５】
本発明の別の実施形態によれば、上部セクションは真空チャンバに電気的に接続される。これにより、プロセスチャンバ内でのポテンシャル比を調整するためのさらなる自由度が得られる。
【００２６】
本発明の別の実施形態によれば、下部セクションが真空チャンバに電気的に接続される。これにより、プロセスチャンバ内でのポテンシャル比を調整するためのさらなる自由度が得られる。
【００２７】
本発明の別の実施形態によれば、収容装置は、少なくともその底部プレートが導電性材料から形成され、かつ、真空チャンバ又は上部セクション又は下部セクションに対して電気的に絶縁される。これにより、プロセスチャンバ内でのポテンシャル比を調整するためのさらなる自由度が得られる。別の実施形態によれば、底部プレートが、導電性材料から形成され、かつ、真空チャンバ又は上部セクション又は下部セクションに電気的に接続される。
【００２８】
本発明の別の実施形態によれば、下部セクションは、当該下部セクションの側壁に接続された底部を有する。有利には、下部セクションは、全体として、真空チャンバの底部の凹部にはめ込まれ、取り出し可能である。
【００２９】
本発明の別の実施形態によれば、基板搬入出装置は、基板を準備するための準備領域を含む搬入出室を有する。ここで、基板を搬送するための搬送路が、準備領域から収容装置へ、また、収容装置から準備領域へ延在している。これにより、搬入部が開放されていれば、搬送を障害なしに行うことができる。
【００３０】
本発明の別の実施形態によれば、準備領域と収容装置との間での搬送路に沿った搬送のために、準備領域と収容装置との間で旋回軸を中心として旋回可能な旋回プレートが設けられる。これにより、構造的に簡単に良好な空間利用を達成できる。
【００３１】
本発明の別の実施形態によれば、旋回プレートは、基板に対する載置手段を備えた載置構造体を含む。これにより、基板を搬送中に確実にガイドできる。
【００３２】
本発明の別の実施形態によれば、収容装置は基板収容部材を有しており、旋回プレートは、載置構造体の領域に、基板収容部材に対応しかつ基板収容部材の領域での運動の妨害なしに旋回プレートを旋回可能にする少なくとも１つの切欠部を有する。当該少なくとも１つの切欠部により、基板を旋回プレートの載置構造体の上に載せたまま、直接に収容装置の領域において位置決めすることができる。
【００３３】
本発明の別の実施形態によれば、基板収容部材は、基板を受け取ってさらに引き渡すため、上方へ移動できるように構成される。このようにすれば、プラズマ処理中、基板収容装置によって基板を確実にピックアップできる。
【００３４】
本発明の別の実施形態によれば、収容装置は、主回転軸を有するコーティングロータとして構成される。これにより、コーティングの均質性が高まる。
【００３５】
本発明の別の実施形態によれば、プラズマ源は、スパッタカソード又は電子ビーム気化器又はプラズマポリマライゼーション源として構成される。
【００３６】
本発明のさらなる利点を図に即して説明する。図には本発明の実施形態を示してある。明細書、特許請求の範囲及び図に含まれる種々の特徴は特定の組み合わせによって示されているが、当業者は、これらの特徴を、目的に合わせて、単独でもしくは有意に組み合わせて本発明の対象とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の、上部セクション及び下部セクションを含むプロセスチャンバを備えた装置を示す概略図である。
【図２】プロセスチャンバの下部セクションのない図１の装置を示す簡単化された概略図である。
【図３】本発明の、基板の準備装置を備えた装置の概略図である。
【図４】図３の装置の水平断面を示す概略図である。
【００３８】
図１，図２には、本発明の真空チャンバ１を備えた装置が示されている。真空チャンバ１は、基板搬入出装置１１６と、真空チャンバ１の、相応の開部を有する上方カバー１０８上に配置されたプラズマ装置とを含む。この実施形態ではカソード装置１６０として構成されるプラズマ装置は、特に、スパッタターゲット１６５を含む。なお、他の方式で構成されるプラズマ装置も本発明に含まれうることは自明である。
【００３９】
図２に示されているように、基板搬入出装置１１６は、特に、真空チャンバ１のチャンバ壁１０１に設けられた搬入出口１１５を含む。さらに、チャンバ壁１０１にはポンピング口１０２も設けられている。なお、真空チャンバ１の排気もしくは換気もしくは作動にとって有効であるならば、チャンバ壁１０１に別の開口を設けてもよい。
【００４０】
真空チャンバ１の内部領域１ａにはプロセスチャンバ１１０が設けられており、このプロセスチャンバ１１０は、側壁１０６ａを含む上部セクション１０５ａと、側壁１０６ｂを含む下部セクション１０５ｂとを含む。プロセスチャンバ１１０の上側には、スパッタターゲット１６５とターゲットホルダ１６５ａとが存在している。側壁１０６ａ，１０６ｂは少なくとも部分的に導電性材料、例えば特殊鋼から製造されている。側壁１０６ａ，１０６ｂは円筒リング状に構成されている。下部セクション１０５ｂは、真空チャンバ１の底部領域１２０の凹部１５２に固定配置されており、側壁１０６ｂに接する底部１９５を有する。
【００４１】
プロセスチャンバ１１０は、基板ホルダ１５０に支承される基板１３０の真空処理を行うことのできる内部領域１４０を有する。ここでの真空処理は、好ましくは、スパッタリングプラズマによる基板１３０の表面コーティングである。なお、他の真空処理、特にプロセスチャンバ１１０内の前処理又は洗浄プロセスも行われうることは自明である。
【００４２】
プロセスチャンバ１１０の内部領域１４０には、基板収容装置１３５が配置されている。収容装置１３５の上方に配置されるカソード装置１６０によって、例えば、基板１３０のコーティングが行われる。収容装置１３５は底部プレート１３６を含み、この底部プレート１３６の縁部は、側壁１０６ｂに対して小さな距離を有し、プロセスチャンバ内に中間底部領域を形成している。このように、側壁１０６ａ，１０６ｂと底部プレート１３６とにより、プロセスチャンバの内部にプロセス空間が形成される。
【００４３】
収容装置１３５は、真空導入部を介して上降装置１８５に接続されている。この真空導入部により、プロセスチャンバ１１０内部での収容装置１３５の垂直方向の運動が実現可能となる。
【００４４】
上部セクション１０５ａは、真空チャンバ１に対して相対的に上方に位置するとき、真空チャンバの上部の封止部材１０９を押圧する上方縁部１０７を有する。封止部材１０９は、例えば、上方カバー１０８の開部に取り付けられたリング状封止部材であり、その形状は上方縁部１０７に適合する。上方縁部１０７と封止部材１０９との間に延在する上方流路１９０は、上方縁部１０７が封止部材１０９を押圧する場合には、閉鎖される。
【００４５】
上部セクション１０５ａは、真空チャンバ１に対して相対的に、上方流路１９０が開放されている下部位置へ運動することができる。図２に示されているように、搬入出口１１５を介し、例えば基板のローディングに際して、内部領域１４０への良好なアクセス性が得られるよう、上方縁部１０７を位置決めできる。
【００４６】
上部セクション１０５ａは真空導入部を介して上降装置１２５に接続されており、この上降装置１２５は取り付け部材１２６によって例えば真空チャンバ１の底部領域の下側に固定されている。上降装置１２５により、上部セクション１０５ａは垂直方向に運動可能である。上部セクション１０５ａの下方位置では、ポンピング口１０２によって、プロセスチャンバ１１０の特に簡単な吐出排気又は換気が可能である。
【００４７】
上部セクション１０５ａ及び／又は下部セクション１０５ｂは、真空チャンバ１に対して電気的に絶縁される。また、上部セクション１０５ａ及び／又は下部セクション１０５ｂは真空チャンバに電気的に接続可能である。上部セクション１０５ａ及び／又は下部セクション１０５ｂは、さらに、真空チャンバ１に対する設定電位又は浮動電位へ置かれる。特に、上方の側壁１０６ａ及び／又は下方の側壁１０６ｂは真空チャンバ１に対して電気的に絶縁される。さらに、上方の側壁１０６ａ及び／又は下方の側壁１０６ｂは真空チャンバ１に電気的に接続可能である。また、収容装置１３５又は底部プレート１３６は、真空チャンバ１、上部セクション１０５ａ、及び／又は、下部セクション１０５ｂに対して電気的に絶縁される。さらに、収容装置１３５又は底部プレート１３６は、真空チャンバ１、上部セクション１０５ａ、及び／又は、下部セクション１０５ｂに電気的に接続可能である。なお、収容装置１３５又は底部プレート１３６は、真空チャンバ１に対して設定電位又は浮動電位に置かれる。
【００４８】
真空処理中、好ましくは、上部セクション１０５ａが上方位置へ移動されることにより、真空チャンバ１の内部領域１ａは寄生コーティングを受けない。
【００４９】
図３，図４の概略図には、搬入出室２０５を含む搬入出装置１１６を備える本発明の装置の実施形態が示されている。搬入出室２０５には、基板１３０を準備するための準備領域２０５ａが配置されている。矢印で示されている搬送路２０６は、準備領域２０５ａから収容装置１３５へ、また、収容装置１３５から準備領域２０５ａへ通じている。搬送路２０６は搬入出装置１１６の入出口を通って通じている。
【００５０】
図４には、旋回軸２９５ａを中心として運動可能なカバー絞り２９５が示されている。カバー絞り２９５はカバー１０８の開部１０８ａに適合されているので、真空チャンバの内部領域１ａをプラズマ装置１６０に対して遮閉できる。これにより、有利には、例えば開部１０８ａが閉鎖されている場合、スパッタカソードの調整を行うことができる。
【００５１】
図３，図４には、搬送手段として、搬送路２０６に沿って旋回軸２５１を中心として旋回可能な旋回プレート２５０が示されている。旋回プレート２５０は、準備位置へ移動される際に、搬入出装置１１６が旋回プレート２５０によって損傷無く開閉されるように、搬入出室２０５内で、搬入出装置１１６に対して相対的に配置される。
【００５２】
旋回プレート２５０は、基板１３０に対する載置手段２３５を備えた載置構造体を有しており、この載置構造体によって基板１３０を載置構造体に解離可能に固定できる。旋回プレート２５０は、載置構造体の領域に少なくとも１つの切欠部２５２を有する。図４では、こうした切欠部が３つ設けられており、これらの切欠部によって旋回プレートのカム形状が実現されている。切欠部２５２は、収容装置１３５へ向かう旋回運動の際には、旋回プレート２５０の旋回方向へ延在する。
【００５３】
収容装置１３５は、その底部プレート１３６に対して相対的に形成された茸状の基板収容部材２６５を有する。切欠部２５２により、旋回プレート２５０を基板収容部材２６５の領域へ旋回させ、基板収容部材２６５のシャフト２６５ａを切欠部２５２に配置することができる。収容装置１３５へのローディング又は収容装置１３５からのアンローディングのために旋回プレートが基板収容部材２６５の領域へ旋回される場合、シャフト２６５ａに加え、切欠部２５２に対応するフィンガ状部材２５２ａが設けられる。
【００５４】
収容装置１３５に基板をローディングする際、搬入出装置１１６の搬入出扉が、回転部２７５を介して搬入出装置に結合された上降装置２８０によって開放される。旋回プレート２５０は、旋回軸２５１を中心とした旋回運動によって、準備領域２０５ａから真空チャンバ１の内部領域１ａへ、すなわち、基板１３０をともなったフィンガ状部材２５２ａが基板収容部材２６５の領域に存在する箇所へ運動される。基板収容部材２６５はこの時点では相対的に低い位置にあるので、基板は基板収容部材の下面側に存在する。続いて、基板収容部材２６５は、基板１３０の下側をピックアップできるようになるまで上方へ運動される。基板１３０はここでは載置手段２３５によって解離される。ついで、旋回プレート２５０が再び準備領域２０５ａに戻される。基板収容部材２６５は、旋回プレート２５０が収容装置１３５の領域から除去された後、特に、シャフト２６５ａを運動可能にする底部プレート１３６の開部が基板収容部材２６５によって閉鎖されるまで、下方へ運動する。収容装置１３５は主回転軸２６０を有するコーティングロータとして構成される。さらに、基板収容部材２６５は、遊星歯車２７０に対応づけられ、主回転軸２６０を中心として回転する間、局所的な回転軸を中心とした回転運動を行うことができる。
【００５５】
装置群、特にプラズマ装置１６０、及び、図示されていないポンプやセンサなどの要素を含めた可動要素は、制御装置によって開制御及び／又は閉ループ制御される。なお、上部セクション１０５ａ及び／又は下部セクション１０５ｂ並びに収容装置１３５もしくはその要素の電位を調整するために、相応の電圧源が設けられることは自明である。
【符号の説明】
【００５６】
１  真空チャンバ、  １ａ  真空チャンバの内部領域、  １０１  チャンバ壁、  １０２  ポンピング口、  １０５ａ  上部セクション、  １０５ｂ  下部セクション、  １０５ｃ  下方流路、  １０６ａ  上部セクションの側壁、  １０６ｂ  下部セクションの側壁、  １０７  上縁領域、  １０８  上部カバー、  １０８ａ  カバーの開部、  １０９  封止部材、  １１０  プロセスチャンバ、  １１１  プロセスチャンバの側壁、  １１５  搬入出口、  １１６  搬入出装置、  １２０  真空チャンバの底部領域、  １２５  上部セクションに対する上降装置、  １２６  取り付け部材、  １３０，２３０  基板、  １３５  基板収容装置、  １３６  底部プレート、  １４０  プロセスチャンバの内部領域（プロセス空間）、  １５０  基板ホルダ、  １５２  凹部、  １６０  カソード装置、  １６５  スパッタターゲット、  １６５ａ  ターゲットホルダ、  １８５  収容装置に対する上降装置、  １９０  上方流路、  １９５  底部、  ２０５  搬出室の準備領域／載置領域、  ２０５ａ  搬入室の準備領域／載置領域、  ２０６  搬送路、  ２３５，２５０  基板載置手段（旋回プレート）、  ２５１，２９５ａ  旋回軸、  ２５２  切欠部、  ２５２ａ  フィンガ状部材、  ２５５  取り付け開部、  ２６０  主回転軸、  ２６４  基板収容部材、  ２６５ａ  シャフト、  ２７０  遊星歯車、  ２７５  回転伝動部、  ２８０  上降円筒、  ２８５  上降装置、  ２９５  カバー絞り
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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