(57)【要約】本発明は、モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルの製造のための、基板上の薄膜のレーザーによる構造化の方法であって、以下のステップ、即ち、レーザー波長を有するレーザーを準備するステップと、第１の側と第２の側を有し、レーザー波長に対し透明な基板（１）を準備するステップであって、当該基板の第１の側には金属製の後部電極薄膜の（２）があり、金属製の後部電極薄膜（２）の上には薄膜ソーラーセルのための吸収薄膜（３）が配置されている、ステップと、レーザー光線（Ｌ）を基板に照射するステップと、基板（１）上でスクライブ線に沿ってレーザー光線（Ｌ）を動かすステップ、及び／又はスクライブ線に沿って基板（１）をレーザー光線（Ｌ）に対して動かすステップと、を含む方法に関する。本発明によると、レーザー光線（Ｌ）は、基板（１）の第２の側に照射され、基板（１）を通過して金属製の後部電極薄膜（２）に入射し、金属製の後部電極薄膜（２）の上に配置された吸収薄膜（３）がスクライブ線に沿って除去され、かつ基板の上にレーザーの影響を受けた金属製の後部電極薄膜（２）が残るよう、ナノ秒、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、又動かされる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルの製造のための、基板上の薄膜のレーザーによる構造化の方法であって、以下のステップ、即ち
レーザー波長を有するレーザーを準備するステップと、
第１の側と第２の側を有し、前記レーザー波長に対し透明な基板（１）を準備するステップであって、当該基板の前記第１の側には金属製の後部電極薄膜（２）があり、前記金属製の後部電極薄膜（２）の上には薄膜ソーラーセルのための吸収薄膜（３）が配置されている、ステップと、
レーザー光線（Ｌ）を前記基板に照射するステップと、
前記基板（１）上でスクライブ線に沿って前記レーザー光線（Ｌ）を動かすステップ、及び／又はスクライブ線に沿って前記基板（１）を前記レーザー光線（Ｌ）に対して動かすステップと、
を含み、
前記レーザー光線（Ｌ）は、前記基板（１）の前記第２の側に照射され、前記基板（１）を通過して前記金属製の後部電極薄膜（２）に入射し、前記金属製の後部電極薄膜（２）の上に配置された前記吸収薄膜（３）が前記スクライブ線に沿って除去され、かつ前記基板の上にレーザーの影響を受けた金属製の後部電極薄膜（２）が残るよう、ナノ秒、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、又動かされる、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記吸収薄膜（３）の上に前部電極構造（４）が配置され、前記スクライブ線の領域では前記吸収薄膜（３）がその上に存在する前記前部電極構造（４）とともに除去される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記スクライブ線に沿って前記レーザー光線（Ｌ）を動かす前記ステップの後に、及び／又は前記スクライブ線に沿って前記基板（１）を前記レーザ光線に対して動かす前記ステップの後に、構造化された前記吸収薄膜の上に前部電極構造（４）が付加され、続いて前記スクライブ線の横に配される更なるスクライブ線に沿って、前記レーザー光線（Ｌ）が前記基板（１）の前記第２の側に照射され、前記基板（１）を通過して前記金属製の後部電極薄膜（２）に入射し、前記金属製の後部電極薄膜（２）の上に配置された前記吸収薄膜（３）が前記前部電極構造（４）とともに前記更なるスクライブ線に沿って除去され、前記基板の上にレーザーの影響を受けた金属製の後部電極薄膜（２）が残るよう、ナノ秒、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、かつレーザー光線（Ｌ）と基板（１）の間の相対運動が実行される、方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記前部電極構造（４）が、前部電極薄膜（４０）として、又は上に格子状の金属製の電子収集構造（４１）を備えた前部電極薄膜（４０）として、形成される、方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記基板（１）がガラスによって形成される、方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記吸収薄膜（２）が三元又は四元の半導体によって形成される、方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記レーザー光線（Ｌ）の前記レーザー波長が、近赤外線又は可視光のスペクトル領域より選択される、方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７に記載のレーザーによる構造化の方法であって、前記スクライブ線沿いでは前記レーザーパルスの空間的重なりが１０〜５０％になることが保証されるよう、前記レーザー光線（Ｌ）及び／又は前記基板（１）が動かされる、方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８に記載のレーザーによる構造化の方法であって、パルス当たりのパルスエネルギーが、１〜１００μＪの範囲から、好ましくは１５〜３０μＪの範囲から選択される、方法。
【請求項１０】
基板構造において、モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルを用いた薄膜ソーラーモジュールの製造方法であって、以下のステップ、即ち、
ガラスよりなる基板（１）を準備するステップと、
前記基板（１）の上の金属製の後部電極薄膜を積層するステップと、
前記金属製の後部電極薄膜（２）のＰ１レーザー構造化段階を実行するステップと、
構造化された前記金属製の後部電極薄膜（２）の上に吸収薄膜（３）を積層するステップと、
前記吸収薄膜（３）のＰ２レーザー構造化段階を実行するステップと、
構造化された前記吸収薄膜（３）の上に前部電極薄膜（４０）を積層するステップと、
前記吸収薄膜（３）と前記前部電極薄膜（４０）のＰ３レーザー構造化段階を実行するステップと、
モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルを、前側封止要素（５）を用いて永続的耐候性を有するよう封止するステップと、
永続的耐候性を有する電気ソーラーモジュール接続装置（６）を前記基板（１）の上に取り付けるステップと、
を含み、
前記Ｐ２レーザー構造化段階及び／又は前記Ｐ３レーザー構造化段階が、請求項１乃至請求項９に記載のレーザーによる構造化の方法の１つにより実行される、
方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の製造方法であって、封止する前記ステップと接続装置を取り付ける前記ステップの前に、以下の更なるステップ、即ち、
前記基板にレーザー光線（Ｌ）を照射するステップと、
レーザー光線（Ｌ）と基板（１）の間の相対運動によって絶縁溝（Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４）の少なくとも１つを形成するために、前記基板（１）上の少なくとも１つのカット線（Schneidlinie）（Ｓ）に沿って前記レーザー光線（Ｌ）を動かし、かつ／又は前記レーザー光線（Ｌ）に対して前記基板（１）を動かすステップであって、前記基板（１）の前記第２の側に前記レーザー光線（Ｌ）が照射され、前記基板（１）を通過して前記金属製の後部電極薄膜（２）に入射し、前記金属製の後部電極薄膜（２）と一緒にその上に配置された前記吸収薄膜（３）とその上に配置された前記前部電極構造（４）とが前記カット線（Ｓ）に沿って前記基板（１）から除去されるよう、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、かつレーザー光線（Ｌ）と基板（１）の間の前記相対運動が実行されるステップと、
が実行される、
請求項１０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルの製造のための、基板上の薄膜のレーザーによる構造化の方法、及び薄膜ソーラーモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜ソーラーモジュールは通常、モノリシックに相互に直列接続された薄膜ソーラーセルを含む。基板構造において薄膜ソーラーセルのモノリシックな相互接続を形成するに当たっては、まずは基板上で後部電極薄膜の積層がなされる。基板は、例えば３ｍｍの厚さを有するガラス板と、金属、例えば数百ｎｍの膜厚を有するモリブデンなどよりなる後部電極薄膜により、形成することができる。この後部電極薄膜は、しばしばＰ１構造化とも称される第１の構造化段階において、複数の隣接し合う細片（Streifen）に区分される。これらの後部電極薄膜の細片の間には通常１ｍｍ未満の幅を有する細い溝が通っており、そこでは、個々の細片を電気的に互いに絶縁するために、後部電極薄膜がＰ１構造化段階によって取り除かれている。Ｐ１構造化段階は通常レーザーを使用してなされる。レーザー光線が後部電極薄膜に入射し、スクライブ線（Schrieblinie）に沿ってこれを蒸発させ、昇華させ、かつ／又は除去し、それによりいわゆるＰ１溝を形成する。
【０００３】
続いて、これらの構造化された後部電極薄膜の細片の上に吸収薄膜が積層され、当該吸収薄膜は構造化された細片とその間に存在するＰ１溝の上を全面にわたって広がる。この吸収薄膜は何枚かの部分膜より形成することができ、通常２μｍ以下の厚さである。その後、Ｐ２構造化段階と呼ばれる工程が続く。この工程では覆われたＰ１溝の近傍で、いわゆるＰ２溝に沿って後部電極薄膜に達するまで、吸収薄膜が除去される。
【０００４】
その後、Ｐ２溝で構造化された吸収薄膜の上を全面にわたり、透明な前側電極薄膜が積層される。
【０００５】
次にいわゆるＰ３構造化が続く。再度、覆われたＰ２溝の近傍で、かつ覆われたＰ２溝に平行して、いわゆるＰ３溝に沿って下に向かって後部電極薄膜に達するまで、吸収薄膜と前側電極薄膜の膜集合体が除去される。Ｐ３溝は可能な限りＰ２溝に近接しているが、Ｐ２溝とＰ３溝の間の最小間隔は、測定と位置決めの有限な精度によって制限される。
【０００６】
薄膜の積層、Ｐ１構造化、Ｐ２構造化及びＰ３構造化の一連の工程が終了すると、モノリシックに相互に直列接続された複数の薄膜ソーラーセルが得られ、薄膜ソーラーモジュールを形成する。Ｐ２溝とＰ３溝の間の隔たりを狭くすることが可能であればあるほど、相互接続された薄膜ソーラーセルの活性ゾーンとしての吸収薄膜の利用性は高まる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０５１５７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特に、金属、例えばモリブデンよりなる後部電極薄膜の場合は、Ｐ２構造化段階とＰ３構造化段階は、細い針を使って機械的に実行することができる。これらの針には摩耗が生じ、針の位置決めにおける機械的精度は１０分の数ｍｍの範囲で制限され、或いは精度を高めるために過大なコストが必要となる。更に、構造化に際して針を使用すると後部電極薄膜に悪影響を与え、ソーラーモジュールの効率が低下することがしばしば起こる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
国際公開第２０１２／０５１５７４号により薄膜ソーラーモジュールの製造方法が開示されているが、この文献においては、特にＰ２構造化とＰ３構造化がレーザーを利用して実行されている。この方法は以下のステップ、即ち、
レーザー波長を有するレーザーを準備するステップと、
第１の側と第２の側を有し、レーザー波長に対し透明な基板１を準備するステップであって、当該基板１の第１の側には金属製の後部電極薄膜があり、金属製の後部電極薄膜の上には薄膜ソーラーセルのための吸収薄膜が配置されている、ステップと、
レーザー光線を基板の第１の側に照射するステップと、
基板上でスクライブ線に沿ってレーザー光線を動かすステップ、及び／又はスクライブ線に沿って基板をレーザー光線に対して動かすステップと、
を含む。
この方法においては、レーザー光線によって除去された薄膜の粒子が構造内の溝に戻ってくる可能性は排除されていない。これらの粒子は、特にＰ３構造化の後、前部電極薄膜と後部電極薄膜の間に短絡を引き起こす可能性がある。
【００１０】
更にこの方法は、前部電極薄膜の上に例えば、数μｍの膜厚を有する電子収集ネット（Elektoronensammelnetz）の形で更なる膜が付加された場合に問題となる。前部電極薄膜と電子収集ネットは、一緒に前部電極構造を形成する。これらの導電性の構造は、通常１０μｍまでの範囲の膜厚を有する。この膜厚は、その下の薄膜集合体と比較すると顕著に大きい。外部からこの構造に衝突するレーザー光線は、膜で吸収され、その下にある薄膜集合体にはもはや作用しない。結果として、必要なＰ３構造化もここを貫通するように行うことはできない。
【００１１】
本発明は、モノリシックに接続された薄膜ソーラーセルの製造のための、前述の短所を克服できる、基板上の薄膜のレーザーによる構造化の改良方法の提供を目的としている。
【００１２】
本発明によると、レーザー光線は、基板の第２の側に照射され、基板を通過して金属製の後部電極薄膜に入射し、金属製の後部電極薄膜の上に配置された吸収薄膜がスクライブ線に沿って除去され、かつ基板の上にレーザーの影響を受けた金属製の後部電極薄膜が残るよう、ナノ秒、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、又動かされるとする。請求された時間範囲（beanspruchten Zeitbereich）とは、１フェムト秒より大きく、１０００ナノ秒より小さいという範囲であると理解される。
【００１３】
本発明は、レーザー光線に対して十分透明な基板を通過する、レーザー光線の後ろからの入射に際しては、基板とレーザーの間の相対運動と組み合わせてレーザー光線を調節するためのあるパラメータウィンドウが存在し、それによると金属製の後部電極薄膜は広い範囲にわたって不変であるが、後部電極薄膜の上の全ての薄膜が、何μｍもの厚さ（Schichtdicken von vielen Mikrometern）を有するにも拘らず、レーザー光線との相互作用によって除去されるという、驚くべき知見に基づいている。このことは、使用されるレーザー光線が、金属製の後部電極薄膜が透明とはならない波長を有しているという背景を考慮すると、驚くべきことである。決定しうるパラメータは、単位体積当たり、及び単位時間当たりに加えられる（pro Volumen- und Zeiteinheit depornierten）、レーザーエネルギーの時間的・空間的変動である。これは、波長、パルス幅、パルスエネルギー、パルス周波数、パルス直径、ビームプロファイルなどのパラメータや、レーザー光線と基板の間の相対運動に依存する。レーザー光線の影響を受けた残りの後部電極薄膜は、構造化溝の領域において、通常膜厚の１０％未満、好ましくは５％未満の範囲でしか、失っていない。レーザーの影響を受けた膜の特性は、ソーラーモジュールの効率の観点で言えばいかなる場合であっても、機械的なＰ２構造化又はＰ３構造化の後に残る後部電極薄膜の特性よりも、良好である。
【００１４】
方法の実行についてのこの知見は、適切に設定されたレーザー光線と、光線と基板の間の適切な相対運動の実行によって、Ｐ２構造化だけでなくＰ３構造化を実行することをも可能にする。ある工程パラメータウィンドウが存在し、それによると、生じる溝の内部に全く破片が存在しないか、存在してもごく少量であるように薄膜集合体から物質が除去される。このことは、薄膜集合体だけ（reines Dunnschichtpaket、uはウムラウト付き）が存在するのではなく、薄膜集合体の上に積層された数μｍ厚の部分的な薄膜が存在している場合でも当てはまる。
【００１５】
そのため好適には、方法の変形例は、吸収薄膜の上に前部電極構造が配置され、スクライブ線の領域において吸収薄膜がその上の前部電極構造とともに除去されるよう、構成される。この前部電極構造は１又は複数の、ドープされた／ドープされていない酸化亜鉛などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）よりなる薄膜を含み、例えば１μｍの厚さを有する。
【００１６】
更に、Ｐ２構造化だけでなくＰ３構造化も、後ろから入射するレーザー光線によって実行すると有益である。そのため好適には、方法は、以下のようにさらに構成される。即ち、スクライブ線に沿ってレーザー光線を動かすステップの後に、かつ／又はスクライブ線に沿って基板をレーザ光線に対して動かすステップの後に、構造化された吸収薄膜の上に前部電極構造が付加され、続いてスクライブ線の横に配される更なるスクライブ線に沿って、レーザー光線が基板の第２の側に照射され、基板を通過して金属製の後部電極薄膜に入射し、金属製の後部電極薄膜の上に配置された吸収薄膜が前部電極構造とともに更なるスクライブ線に沿って除去され、基板の上にレーザーの影響を受けた金属製の後部電極薄膜が残るよう、ナノ秒、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、かつレーザー光線と基板の間の相対運動が実行される。
【００１７】
前部電極薄膜として、又はその上に配置された格子状の金属製の電子収集構造を備えた前部電極薄膜として、前部電極構造が形成されている場合は、レーザーによる構造化の方法の好適な変形例が使用される。
【００１８】
好適には、レーザーによる構造化の方法は、上で記載した変形例の全てにつき、ガラスよりなる基板を用いて使用される。
【００１９】
三元又は四元の半導体、例えばＣＩＧＳ又はＣＩＳよりなる吸収薄膜には、好適にはレーザーによる構造化の方法が使用される。
【００２０】
上で記載したレーザーによる構造化の方法の変形例の全てにおいて、レーザー波長は近赤外線又は可視光線のスペクトル領域より選択される。可能なレーザー波長は、例えば５１５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０３０ｎｍ、１０４７ｎｍ、１０５３ｎｍ、１０６０ｎｍ、１０６４ｎｍ、１０８０ｎｍ及び１１５０ｎｍである。特に、レアアースをドープした固体レーザーがこれには好適である。可能なレーザー波長は、それゆえにその基本波と高調波である。
【００２１】
特に、好適には、スクライブ線沿いではレーザーパルスの空間的重なりが１０〜５０％になることが保証されるよう、レーザー光線及び／又は基板が動かされることにより、きれいなカット線（Schnittlinien）が実現される。
【００２２】
好適には、使用されるレーザーパルスのパルスエネルギーの更に好適な範囲として、パルス当たりのパルスエネルギーは１〜１００μＪの範囲から、好ましくは１５〜３０μＪの範囲から選択されるとする。
【００２３】
更に本発明は、基板構造においてモノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルを用いた薄膜ソーラーモジュールの製造方法に関し、当該方法は以下のステップ、即ち、
ガラス基板を準備するステップと、
ガラス基板の上の金属製の後部電極薄膜を積層するステップと、
金属製の後部電極薄膜のＰ１レーザー構造化段階を実行するステップと、
構造化された金属製の後部電極薄膜の上に吸収薄膜を積層するステップと、
吸収薄膜のＰ２レーザー構造化段階を実行するステップと、
構造化された吸収薄膜の上に前部電極薄膜を積層するステップと、
前部電極薄膜とともに吸収薄膜のＰ３レーザー構造化段階を実行するステップと、
モノリシックに相互接続された薄膜ソーラーセルを、前側封止要素を用いて永続的耐候性を有するよう封止するステップと、
永続的耐候性を有する電気ソーラーモジュール接続装置を基板の上に取り付けるステップと、
を含む。
【００２４】
本発明によると、上で記載したレーザーによる構造化の方法の変形例の１つによりＰ２レーザー構造化段階及び／又はＰ３レーザー構造化段階が、実行されるとする。
【００２５】
製造方法の好適な更なる実施形態においては、封止するステップと接続装置を取り付けるステップの前に、以下の更なるステップ、即ち、
基板にレーザー光線を照射するステップと、
レーザー光線と基板の間の相対運動によって絶縁溝の少なくとも１つを形成するために、基板上で少なくとも１つのカット線（Schneidlinie）に沿ってレーザー光線を動かし、かつ／又はレーザー光線に対して基板を動かすステップであって、基板の第２の側にレーザー光線が照射され、基板を通過して金属製の後部電極薄膜に入射し、金属製の後部電極薄膜と一緒にその上に配置された吸収薄膜とその上に配置された前部電極構造とがカット線に沿って基板から除去されるよう、ピコ秒、又はフェムト秒領域のレーザーパルスに設定され、かつレーザー光線と基板の間の相対運動が実行されるステップと、
が実行されるとする。
【００２６】
レーザーの上述のパラメータは、Ｐ２からＰ３までのレーザー構造化段階とは異なり、モリブデン薄膜がその上の全ての膜と一緒に除去されるように、設定されてもよい。これらの絶縁溝によって、同一の基板の上にサブソーラーモジュールが作られる。この方法によると、薄膜ソーラーモジュールのモノリシックな構造化の全体が、ただ１つのレーザー装置により可能となる。これにより、製造コストは従来技術に比べ顕著に低下する。
【００２７】
実施例は、下記の図面に基づきより詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１−９】図１から図９は、薄膜ソーラーモジュールの製造のための膜の積層、構造化及び封止の工程を、連続的に、かつ完全に模式化して表現したものであり、本発明に係る薄膜のレーザーによる構造化の方法が繰り返し使用されている。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１に示すようにガラス基板１が用意され、そして図２に示すように例えば１００〜２００ｎｍの厚さのモリブデン膜の形で後部電極薄膜が付着される。次に図３に示すように、レーザー光線Ｌを用いて後部電極薄膜の周期的な構造化が行われる。レーザー光線Ｌが光学系を用いて基板１に沿って動かされ、かつ／又は基板１が固定されたレーザー光線Ｌの下を動かされる。結果として、レーザー光線Ｌと基板１の間の相対運動によって、レーザー光線Ｌに従って後部電極薄膜の２のモリブデン薄膜内に画定した溝Ｐ１が生じる。続いて図４に模式的に示すように、これらの後部電極薄膜２の構造化された細片の上に吸収薄膜３が積層され、構造化された細片とその間にある溝Ｐ１の上に全面にわたって広げられる。この吸収薄膜３は数枚の部分膜、例えば、ＣｄＳ緩衝膜と組み合わされ通常２μｍ未満の厚さを有するＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）膜から形成することができる。
【００３０】
次に、図５に示すようにＰ２構造化段階と呼ばれる工程が続く。本工程では、覆われた溝Ｐ１の近傍で、溝Ｐ２に沿って、後部電極薄膜２に達するまで吸収薄膜３が除去される。この工程段階は、再びレーザー光線Ｌを利用して実行される。しかしＰ１構造化段階とは異なり、ここではレーザーは後ろから、まずはガラス基板を通過し後部電極薄膜に向かうように方向づけられる。後部電極薄膜２から衝撃波が誘起されてその衝撃波が後部電極薄膜２の上の吸収薄膜３を完全に除去するが、後部電極薄膜２自体へは実質的な損傷がないように、レーザーパラメータは適切に設定される。微視的には、後部電極薄膜２がレーザー光線Ｌから影響を受けたことが認識可能である。そのため、膜厚は通常幾らか減少するが、物質的損失は小さく、後部電極薄膜２の残存する金属薄膜はモノリシックに相互接続されたソーラーモジュールの機能のためには、完全に十分である。更にその特性は、機械的な方法で擦った後の後部電極薄膜２の表面に比べれば、良好である。
【００３１】
続いて、図６に示すように透明な前側電極薄膜４０が、溝Ｐ２によって構造化された吸収薄膜３の上に全面的に積層される。
【００３２】
前側電極構造４を完成するために、図７に示した段階において、透明な前側電極薄膜４０の上に電子収集構造４１が付加される。電子収集構造４１は、不透明で良好な導電性を有するネット構造（Netzstruktur）により構成され、ソーラーモジュールの光入射面の１％より大幅に小さい範囲を覆う。通常これらのネット構造は何μｍもの（vielen Mikrometern）の厚さを有する膜として実現される。
【００３３】
次に、図８に示すようにいわゆるＰ３構造化が続く。ここでも、覆われたＰ２溝の近傍で、かつ覆われたＰ２溝に平行して、吸収薄膜３と前側電極構造４の膜集合体がＰ３溝に沿って下に向かって後部電極薄膜２に達するまで、除去される。このＰ３構造化は、後ろからガラス基板１を通過して後部電極薄膜２に照射されるレーザー光線Ｌによって、図５に図示のＰ２構造化と同様に行われる。レーザーパラメータの設定と、基板１とレーザー光線Ｌの間の相対運動はここでも、モリブデンで形成された後部電極薄膜２の上の薄膜の全てと、何μｍもの厚さの膜が除去されるように決定される。その後、十分に厚く、かつその微細構造に適した後部電極薄膜２が残る。
【００３４】
最終段階では図９に示すように、一方の側では前側封止要素５が光入射側に付加される。この前側封止要素５は例えば、その下にＥＶＡ（Ethylenvinylacetat）の膜や十分な耐候性を有するポリマー膜を備えた、第２のガラス板によって形成することができる。これによって、モノリシックに相互接続された薄膜セルは、持続的な耐候性を備えた状態で封止される。他方の側では更に、直列に相互接続された薄膜セルの電気接続のためのソーラーモジュール接続装置６が、モジュールに搭載されている。ソーラーモジュール接続装置６から基板１を過ぎて薄膜セルにまで達する電気的接触は、図９には図示されていない。
【００３５】
１０６４ｎｍや５２２ｎｍ等のレーザー波長での上述のＰ２構造化又はＰ３構造化に適したレーザーパラメータは、ピコセカンド領域のパルス長、１０〜３５μＪの範囲のパルスエネルギーであって、相対運動は、２つの連続するパルスの空間的な重なりが１０〜５０％の範囲で実現されるよう設定される。
【符号の説明】
【００３６】
１  基板、２  後部電極薄膜、３  吸収薄膜、４  前部電極構造、４０  前部電極薄膜、４１  電子収集構造、５  前側封止要素、６  ソーラーモジュール接続装置、Ｐ１  後部電極薄膜の構造化溝、Ｐ２  吸収薄膜の構造化溝、Ｐ３  前部電極構造の構造化溝、Ｌ  レーザー光線。
【図１】
2016529724.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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2016529724.tif 000013
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