(57)【要約】  本発明は、ＴＣＯ層と称される導電性透明酸化物に基づく層を含む電極と、窒化ケイ素に基づき厚さｅ1が少なくとも５ｎｍである第一のバリア層と、酸化ケイ素に基づき厚さｅ2が少なくとも３０ｎｍである第二のバリア層とをこの順序で有する多層（３）を含み、厚さｅ1がｅ2以下であり及び／又はｅ1が８０ｎｍ未満であって、第一及び第二のバリア層の累積厚さｅbが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満である、液晶グレージングユニット（１００）のための導電性支持体に関する。
2016505862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット（１００）のための導電性支持体であり、
・透明導電性酸化物に基づき、ＴＣＯ膜と称される膜を含む電極、及び
・厚さｅ1が少なくとも５ｎｍである、窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜、
のこの順序の薄膜の多層（３）を含む主面（１１）を有する第１の透明基材（１）を含む導電性支持体であって、
前記多層が、前記第一のバリア膜より上に、厚さｅ2が少なくとも３０ｎｍである酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜を含むこと、前記厚さｅ1がｅ2以下であり及び／又はｅ1が８０ｎｍよりも小さいこと、そして
前記第一及び第二のバリア膜の累積厚さｅbが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であること
を特徴とする、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット（１００）のための導電性支持体。
【請求項２】
ｅ2が３０〜１００ｎｍの範囲内にあり、ｅbが好ましくは１２０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性支持体。
【請求項３】
ｅ2が３５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあり、ｅ1が１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１又は２に記載の導電性支持体。
【請求項４】
前記多層（３）が、前記第一及び第二のバリア膜の間に、追加バリア膜と称されるバリア膜を含み、この追加バリア膜は酸化亜鉛スズに基づいており、少なくとも５ｎｍであって５０ｎｍ未満の厚さｅ5'を有することを特徴とする、請求項１から３の一項に記載の導電性支持体。
【請求項５】
前記第二のバリア膜が最後のバリア膜であること、又は前記多層（３）が、前記第二のバリア膜の上に、上層バリア膜と称される別のバリア膜を含み、この上層バリア膜は窒化ケイ素に基づいており、少なくとも５ｎｍであって５０ｎｍ未満の厚さｅ’3を有することを特徴とする、請求項１から４の一項に記載の導電性支持体。
【請求項６】
前記多層（３）が、前記ＩＴＯ膜と前記第一のバリア膜との間に、下層バリア膜と称される別のバリア膜を含み、この下層バリア膜は酸化ケイ素に基づいており、少なくとも５ｎｍであって５０ｎｍ未満の厚さｅ’4を有することを特徴とする、請求項１から５の一項に記載の導電性支持体。
【請求項７】
前記多層（３）が、前記ＴＣＯ膜と前記第一のバリア膜との間に、
・少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満の厚さｅ3を有する、窒化ケイ素に基づく第三のバリア膜、及び
・少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満の厚さｅ4を有する、酸化ケイ素に基づく第四のバリア膜、
をこの順序で含み、そして任意選択的に前記多層は、前記ＴＣＯ膜と前記第三のバリア膜との間に、厚さが少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満である窒化ケイ素に基づくバリア膜／厚さが少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満である酸化ケイ素に基づくバリア膜の連続したものを少なくとも１つ含み、この連続したものは任意選択的に少なくとも１回繰り返されることを特徴とする、請求項１から６の一項に記載の導電性支持体。
【請求項８】
前記多層（３）が、前記主面（１１）の上、前記ＴＣＯ膜の下に、
・厚さｅyが５〜５０ｎｍであり、好ましくは前記主面の直接上の、窒化ケイ素に基づく第一の下層膜、及び
・厚さｅzが１０〜５０ｎｍである、酸化ケイ素に基づく第二の下層膜、
をこの順序で含むことを特徴とする、請求項１から７の一項に記載の導電性支持体。
【請求項９】
ｅyが１０ｎｍと３５ｎｍの間、ｅzが２０ｎｍと５０ｎｍの間、ｅ1が１０ｎｍと４０ｎｍの間、及びｅ2が４０ｎｍと７０ｎｍの間であることを特徴とする、請求項８に記載の導電性支持体。
【請求項１０】
前記多層（３）が、前記第一の下層膜と前記第二の下層膜との間に、平滑化膜と称される膜を含み、この平滑化膜は混合亜鉛スズ酸化物に基づいており、少なくとも５ｎｍであって５０ｎｍ未満の厚さｅf'を有することを特徴とする、請求項８又は９に記載の導電性支持体。
【請求項１１】
ポリマー中に分散した液晶を含む層を、好ましくは前記第二のバリア膜の直接上に又は保護膜と称されるものの上に、含むことを特徴とする、請求項１〜１０の一項に記載の導電性支持体。
【請求項１２】
前記基材（１）が、任意選択的に薄く着色されていてよい無機ガラスのシートであることを特徴とする、請求項１から１１の一項に記載の導電性支持体。
【請求項１３】
透明導電性酸化物に基づく前記膜が、好ましくはアルミニウム及び／又はガリウムをドープされた、酸化亜鉛に基づく膜、好ましくはフッ素及び／又はアンチモンをドープされた、酸化スズに基づく膜、酸化インジウムスズに基づく膜、酸化亜鉛スズに基づく膜、及び酸化インジウム亜鉛スズに基づく膜から選択されることを特徴とする、請求項１から１２の一項に記載の導電性支持体。
【請求項１４】
透明導電性酸化物に基づく前記膜が酸化インジウムスズに基づく膜であることを特徴とする、請求項１から１３の一項に記載の導電性支持体。
【請求項１５】
・請求項１から１４の一項に記載の導電性支持体、
・前記支持体上の、ポリマー中にドロップレットでもって分散した液晶を含む層（５）、及び
・少なくとも１つの他の電極を有し前記液晶層と接触する別の多層（４）を備えた別の基材（２）を含む、好ましくは請求項１から１４の一項に記載のものである、第二の導電性支持体、
を含む、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニット（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流電界の印加によって透明状態と非透明状態とが可逆的に交互に交替する液晶層を備えた、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットのための電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
特性の一部を適切な電力供給下にて改変可能であるグレージングユニット、より詳細には電磁放射線の特定の波長での、特に可視及び／又は赤外波長での、透過率、吸収率及び反射率、又はさらには光散乱特性さえも、改変可能であるグレージングユニットが知られている。
【０００３】
電気制御可能な液晶含有グレージングユニットは、建築分野及び自動車分野の両方においてどこででも、任意の時点でグレージングユニットを通して見えるのを防ぐ必要があるいずれの場合にも用いることができる。
【０００４】
従来から用いられている電極は、混合インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から作製される。電極間距離よりも大きいか又はそれと等しい大きさの導電性不純物によって発生する短絡を防止するために、米国特許第５８０８７１５号明細書に記載のように、ＩＴＯ膜の各々にＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4などの誘電体から作られたフィルムをコーティングする場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の１つの目的は、光学的及び電気的特性に悪影響を及ぼすことのない、より信頼性が高く頑丈な液晶含有複合グレージングユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的のために、本発明は第一に、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットのための導電性支持体であって、この支持体は、薄膜の多層であって、
・透明導電性酸化物に基づき（好ましくはスズとインジウムに基づき）、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内にある厚さｅ0を有する、ＴＣＯ膜と称される（主面の直接上の、又は例えば金属酸化物若しくは窒化物から作られる薄い下層膜上の）膜を含む電極、
・少なくとも５ｎｍの厚さｅ1を有し、未ドープであるか、又は所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜であって、好ましくは窒化ケイ素から本質的になり、所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜（ＳｉＮx、好ましくはＳｉ3Ｎ4に基づく）、及び
・第一のバリア膜上（好ましくは直接上）の、厚さｅ2が少なくとも３０ｎｍであり、好ましくは少なくとも４５ｎｍ又は場合により５０ｎｍであり、さらに一層好ましくは８０ｎｍ以下である、酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜であって、好ましくは酸化ケイ素（シリカ）から本質的になり、未ドープであるか、又は所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜（ＳｉＯx、好ましくはＳｉＯ2に基づく）、
のこの順序の薄膜の多層を含む主面を有する第一の透明基材（無機又は有機ガラス製）を含み、
厚さｅ1はｅ2よりも小さいか、及び／又はｅ1は８０ｎｍよりも小さく、
第一及び第二のバリア膜の累積厚さｅbは５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より一層好ましくは１２０ｎｍ以下である、
液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットのための導電性支持体を提供する。
【０００７】
本発明において、「バリア膜」との表現は、短絡に対するバリアを提供する膜を意味するものと理解される。
【０００８】
出願人は、以下のようないくつかの短絡の原因を特定した。
・既知のように、電極間距離よりも大きいか又はそれと等しい大きさの導電性不純物、例えば、ガラスを取り扱うための機械からの破片に由来する金属粒子（Ａｌ、ステンレス鋼など）、ガラスの不純物（スズの液滴など）、又はさらにはポリマー／液晶混合物中の不純物。
・それだけでなく、発生源が同じであり、不定形状である場合に特に有害な、大きさが電極間距離よりも小さい導電性不純物。
・高い誘電率を有する非導電性の欠陥。この場合、液晶が非常に高い電界にさらされることになるのが理由である。
・ＴＣＯ膜の大きな粗さ（スパイクなど生じさせる）。
【０００９】
本発明による少なくとも２つのバリア膜の使用により、これらの複数の短絡源に対して先行技術のすべての単層よりも効果的な保護がなされるが、その理由は、
・バリア膜の材料、並びにｅ1、ｅ2、及びｅbの最小値が適切に選択されるから、そして、
・誘電体界面の数が増加し、それによって、ＴＣＯ上の膜全体を貫通し短絡を生じさせかねない欠陥（孔、粒界、ピンホールなど）の数が減少するから、
である。
【００１０】
これら２つのバリア膜は、低誘電率（一般に１０よりも低い）、高絶縁破壊電圧（一般に４ＭＶ／ｃｍよりも高い）、及び「自己回復修復性」絶縁破壊モードを有する。
【００１１】
光学的調節に関する理由のために、（ＳｉＯxの）第二のバリア膜は、第一のバリア膜よりも低い屈折率（可視光において）を有するように選択される。
【００１２】
厚さｅb及びｅ1はまた、好ましくは、被着条件を簡素化し確実に良好な機械的強度を得る目的で制限される。対照的に、第二の膜の最小厚さの方を大きくすることにより、短絡が観察される頻度が大いに低減されることから、多層をより効果的とする効果が得られる。
【００１３】
有利には、光学的な理由により、（ＳｉＯxの）第二のバリア膜は最後の膜、特に最後のバリア膜であるのが好ましく、又は最後のバリア膜は第二のバリア膜と離れていて、１．４と１．７の間、場合により１．４と１．５５の間の屈折率を有する。
【００１４】
本出願において、「連続する膜」、若しくは「連続膜」と記載される場合、又はさらには１つの膜が別の膜の上若しくは下に位置すると記載される場合、常に、膜を透明基材上に次々と被着させる電極を製造するためのプロセスを引き合いに出している。したがって、第一の膜は基材に最も近い膜であり、「それに続く」膜はすべて、第一の膜の「上」及びその後に被着した膜の「下」に位置する膜である。
【００１５】
「膜」との用語は、本発明においては、特に断りのない限り、単一の材料から作られた膜（単層）及び各々が異なる材料から作られた複数の膜（多層）の両方を指すために用いられる。
【００１６】
本発明において、特に断りのない限り、「厚さ」との用語は幾何学的厚さを意味するものと理解される。
【００１７】
本発明において、（１若しくは複数の）所定の金属元素の酸化物に基づく（あるいは、窒化物に基づく）膜、の形式の言いまわしにおける「に基づく」との表現、及び金属酸化物に基づく（あるいは、金属窒化物に基づく）膜、の形式の言いまわしにおける「に基づく」との表現は、１若しくは複数の金属元素の重量による割合が少なくとも金属の総重量の５０％であり、好ましくは金属の総重量の７０％であることを意味するものと理解される。
【００１８】
本発明によれば、特に断りのない限り、膜（酸化物又は窒化物）がドープされたと記載される場合、「ドープされた」との用語は、好ましくは、金属ドーパントが膜中の金属の総重量の１０％よりも少ない量で、さらにより好ましくは、膜中の金属の総重量の６％よりも少ない、又は場合により５％よりも少ない量で存在することを意味するものと理解される。
【００１９】
本発明において、（１若しくは複数の）所定の金属元素の酸化物（若しくは窒化物）及び任意選択的な明示された金属ドーパントから「本質的になる」膜では、その他の金属元素（前記の元素及びドーパント以外の）の重量による割合は、好ましくは金属の総重量の１０％よりも少なく、さらにより一層好ましくは５％以下である。言い換えると、前記金属元素及び金属ドーパントの重量による割合は、好ましくは金属の総重量の９０％よりも高く、さらにより一層好ましくは金属の総重量の９５％以上である。
【００２０】
さらに、「金属」との用語、並びに「金属元素」及び「金属ドーパント」との表現は、ケイ素及びホウ素、そしてさらに、周期律表のすべての金属元素（アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、ポスト遷移金属）を包含する。
【００２１】
当然、本発明によれば、所定の材料から「本質的になる」膜は、膜の所望される特性を著しく改変しないことを条件に、他の元素（不純物など）を含んでもよい。
【００２２】
本発明によれば、膜がある材料から「作られる」（またはある材料製である）と記述される場合、「作られる」（製である）との用語は「本質的になる」との表現と同義であると理解される。
【００２３】
本発明によれば、「薄膜」との表現は、３００ｎｍよりも小さい（幾何学的）厚さを有する膜を意味するものと理解される。
【００２４】
膜、特にバリア膜は、好ましくはマグネトロンスパッタリングによって得られる。
【００２５】
特定の式は、膜の実際の化学量論及び膜がドープされているかどうかを予断するものではない。特に、窒化ケイ素及び／又は酸化ケイ素は、例えばアルミニウムを、ドープされてもよい。
【００２６】
酸化物及び窒化物は、化学量論的である必要はなく（化学量論的であってもよいが）、したがって式中において使用する指数「ｘ」は、当然すべての膜に対して同じである必要はない。
【００２７】
窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜の場合、窒化ケイ素は、窒素が化学量論的であっても、窒素が準化学量論的であっても、さらには窒素が超化学量論的であってもよい。窒化ケイ素はドープされてよいこと、及び化学量論的である必要がないことが理解される。
【００２８】
例として、窒化ケイ素には、特にスパッタリング法を用いる被着をより容易とする目的で、アルミニウム及び／又は別の（若しくは２種以上のその他の）金属ドーパントをドープしてもよい。
【００２９】
第一のバリア膜は、少なくとも１．９、好ましくは１．９と２．１の間の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する。窒化ケイ素は、膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量の酸素を含有してもよい（酸窒化ケイ素）。
【００３０】
酸化ケイ素に基づく第二のバリア膜は、有利には、酸化ケイ素（すなわちシリカ）から本質的になる膜である。第二の膜は、ドープされてよいこと、及び化学量論的である必要がないことが理解される。例として、第二の膜には、特にスパッタリング法を用いる被着をより容易とする目的で、アルミニウム及び／又は別の（若しくは２種以上のその他の）金属ドーパントをドープしてもよい。第二のバリア膜は、１．４と１．７の間の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する。
【００３１】
化学気相成長（ＣＶＤ）の場合、特にＴＣＯもＣＶＤで被着する場合、シリカにホウ素又はリン原子をドープしてもよく、それによってその被着が加速される。
【００３２】
第二のバリア膜は、さらに、膜の屈折率を上述の範囲内に維持するのに充分に少ない量の炭素又は場合により窒素原子をドープされてもよい。例えばＣＶＤで被着した、酸炭化ケイ素膜は、一般に１．６５の屈折率を有する。シリカ膜は一般に、１．４８の屈折率を有する。
【００３３】
しかし、第二の膜は窒化されないことが好ましく、最低限でも反応性Ｎ2／Ｏ2雰囲気中で被着させることが好ましい。
【００３４】
第二のバリア膜は、多層の最後の膜でよく、したがって液晶層と接触する膜でよい。別の選択肢として、少なくとも１つの他の薄膜が、バリア機能性を持つこの第二の膜上に、及び／又はバリア機能性を持たない最後の薄膜上に位置してもよい。
【００３５】
したがって、（機械的などの）保護のために、１５ｎｍより小さい、１０ｎｍより小さい、又は場合により５ｎｍ以下の厚さを有し、例えば酸化チタンに基づく、又は場合により酸化チタンから本質的になる最後の膜を、好ましくは、第二のバリア膜上に、又は場合により第二のバリア膜上に直接配置された別のバリア膜上に配置してもよく、この最後の膜の主たる機能は機械的な保護であり、それにはバリア効果はない。
【００３６】
例えば、誘電率が少なくとも１０であるか、又は絶縁破壊電圧が４ＭＶ／ｃｍ未満であるか、又は膜が「破壊的な」絶縁破壊モードを有する場合、例としてＴｉＯ2などのような場合、膜はバリア効果を持たない。例として、ジルコニアＺｒＯ2及び酸化タンタルＴａ2Ｏ5を挙げることもできる。以下では、この薄膜を保護膜と称する。
【００３７】
好ましくは、
・バリア膜の総厚さｅtotは２００ｎｍ未満、１８０ｎｍ以下、あるいは場合により１２０ｎｍ以下であり、且つ、
・ＩＴＯ上の膜の厚さの合計ｅ’は２００ｎｍ未満、１８０ｎｍ以下、あるいは場合により１２０ｎｍ以下である。
【００３８】
有利には、短絡に対する最適なバリアのためには、
・ｅ2は３０〜１００ｎｍ、より好ましくは３５〜８０ｎｍ、場合により４０〜７０ｎｍの範囲内にあり、
・ｅbは好ましくは１２０ｎｍ以下であり、好ましくはｅ1は１０〜５０ｎｍ、より好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲内にあり、且つ、
・第二のバリア膜は好ましくは最後のバリア膜であるか、又は場合により最後から２番目のバリア膜である。
【００３９】
第一の簡便で効果的な好ましい実施形態では、ｅ2は３５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあり、ｅ1は１０〜５０ｎｍの範囲内にある。
【００４０】
好ましくは、この第一の実施形態では、
・第二のバリア膜は好ましくは最後のバリア膜であるか、又は場合により最後から２番目のバリア膜であり、
・窒化ケイ素に基づく第一のバリア膜がＩＴＯに基づく膜上に被着されてそれと接触し、且つ、
・好ましくは、第二のバリア膜が、その役割として、第一のバリア膜上に被着されてそれと接触する。
【００４１】
したがって、多層は、ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮx／ＳｉＯx（／保護膜）の厳格な順序を有し、１０〜４０ｎｍのｅ1と４０〜７０ｎｍのｅ2を有するのが好ましい。
【００４２】
また一方、第二の有利な実施形態では、多層は、追加バリア膜と称されるバリア膜を含み、この追加バリア膜は、酸化物及びスズから本質的になる（未ドープの又は所望に応じてドープされた）混合亜鉛スズ酸化物（ＳｎxＺｎyＯ、以下ではＳｎＺｎＯと表示）に基づき、そして少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満、さらにより一層好ましくは１０〜３０ｎｍである厚さｅ5'を有し、この追加バリア膜は、光学的調節の目的で、第一及び第二のバリア膜の間に配置され、好ましくは第一及び第二のバリア膜と接触している。この追加バリア膜は、少なくとも１．９、好ましくは１．９と２．１の間の屈折率を有する。
【００４３】
このＳｎＺｎＯの薄膜を挿入することで、短絡の空間的な広がりを制限しやすくなる。具体的には、ＩＴＯ上でＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｎＺｎＯの厚い（２００ｎｍ）膜を用いた予備試験の過程において、
・ＳｉＯ2の厚い膜は効果的であったが、１ｃｍ未満、多くの場合最大で数ｍｍにわたって広がる（少数の）短絡を引き起こすこと、
・ＳｎＺｎＯ膜は、同じ厚さのＳｉＯ2の膜と比較して効果が１／７であり、短絡が頻繁に観察されたものの、それらの大きさは非常に限定的であり、数ｍｍよりも小さいこと、及び
・Ｓｉ3Ｎ4は、少なくともＳｉＯ2と同程度に効果的であったが、直径が数ｃｍの短絡をいくつか引き起こすこと、
が観察された。
【００４４】
したがって、このことにより、発生する傾向のあるまれな短絡をより許容可能（より目に見えにくい）とすることができる。
【００４５】
第一のバリア膜は、光学的特性の理由から、ＩＴＯ膜上に直接位置するのが好ましい。したがって、多層は、ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮx／（ＳｎＺｎＯ）／ＳｉＯx（／保護膜）の厳格な順序を有するのが好ましい。
【００４６】
ＳｎＺｎＯバリア膜において、Ｓｎ＋Ｚｎの重量による累積パーセントは、好ましくは、金属の総重量の少なくとも８５％、より好ましくは９０％又は場合により９５％である。Ｓｎ原子の数のＺｎ原子の数に対する比は、好ましくは２０：８０と８０：２０の間であり、特に３０：７０と７０：３０の間である。
【００４７】
ＳｎＺｎＯバリア膜には、例えばＳｂ又はＩｎをドープしてもよい。それは好ましくはインジウムを含有しない。
【００４８】
１つの実施形態では、多層は、第二のバリア膜上に、上層バリア膜と称される別のバリア膜を含むことができ、この上層バリア膜は窒化ケイ素に基づいており、少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満、好ましくは１５ｎｍ〜３５ｎｍである厚さｅ’3を有する。第二のバリア膜は最後から２番目のバリア膜であるのが好ましい。
【００４９】
この別の上層バリア膜は、１．９と２．１の間の屈折率（５５０ｎｍにて）を有する。窒化ケイ素は、膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量の酸素を含有してもよい（酸窒化ケイ素）。好ましくは、それは第一のバリア膜と同一である。
【００５０】
したがって、多層は、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／ＳｉＯx／ＳｉＮx（／保護膜）、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯxＳｉＮx（／保護膜）、あるいは、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／［ＳｉＮx／ＳｉＯx］n／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx／ＳｉＮx（／保護膜）（ここでのｎは１以上）、
の厳格な順序を有することが好ましい。
【００５１】
１つの実施形態では、多層は、ＴＣＯ膜と第一のバリア膜との間に、下層バリア膜と称される別のバリア膜を含むことができ、この下層バリア膜は酸化ケイ素に基づいており、そして少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満、好ましくは１５ｎｍ〜３５ｎｍの厚さｅ’4を有する。
【００５２】
したがって、多層は、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＯx／ＳｉＮ×／ＳｉＯx（／保護膜）、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＯx／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx（／保護膜）、あるいは、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／［ＳｉＮx／ＳｉＯx］n／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx（／保護膜）（ここでのｎは１以上）、
の厳格な順序を有することが好ましい。
【００５３】
１つの実施形態では、多層は、ＴＣＯ膜と第一のバリア膜との間に、
・少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満の厚さｅ3を有し、所望により、好ましくはアルミニウムを、ドープされた窒化ケイ素に基づく第三のバリア膜であって、所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、窒化ケイ素から本質的になるのが好ましい、第三のバリア膜（ＳｉＮx、好ましくはＳｉ3Ｎ4に基づく）、及び、
・少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満の厚さｅ4を有する、酸化ケイ素に基づく第四のバリア膜であって、未ドープであるか、若しくは所望により、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、酸化ケイ素又はシリカから本質的になる第四のバリア膜（ＳｉＯx、好ましくはＳｉＯ2に基づく）、
をこの順序で含む。
【００５４】
当然、第三のバリア膜は第一のバリア膜と同一の材料から作製される（同じターゲットから、同じ被着条件下で作製される）ことが好ましい。当然、第四のバリア膜は第二のバリア膜と同一の材料から作製される（同じターゲットから、同じ被着条件下で作製される）ことが好ましい。
【００５５】
第三のバリア膜は、少なくとも１．９、好ましくは１．９と２．１の間の屈折率を有する。第一の膜と同様に、窒化ケイ素は、膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量の酸素を含有してもよい（酸窒化ケイ素）。
【００５６】
第四のバリア膜は、１．４と１．７の間の屈折率を有する。シリカはドープされてもよいこと、及びそれが化学量論的である必要がないことが理解される。例として、スパッタリング法を用いての被着をより容易とする目的で、シリカにアルミニウム原子又はその他の原子をドープすることができる。第二の膜と同様に、第四の膜にはさらに、膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量で炭素原子、又は場合により窒素原子をドープしてもよい。しかし、第四の膜は窒化されないことが好ましく、最低限でも反応性Ｎ2／Ｏ2雰囲気中で被着されることが好ましい。化学気相成長（ＣＶＤ）の場合において、特にＴＣＯを（及び第二のバリア膜も）やはりＣＶＤで被着させるときには、シリカにホウ素又はリン原子をドープして、その被着を加速してもよい。
【００５７】
界面の数を増加させることにより、バリア効果が高められ、そして好ましくは、
・ｅ3は１０〜５０ｎｍ、好ましくは１５〜３０ｎｍの範囲内にあり、且つ、
・ｅ4は１０〜５０ｎｍ、好ましくは１５〜３０ｎｍの範囲内にあり、
所望に応じてｅ3＜ｅ4であって、第二のバリア膜は好ましくは最後のバリア膜であり、あるいは場合により最後の膜である。
【００５８】
光学的特性の理由から、第三のバリア膜はＴＣＯ膜の直接上に位置するのが好ましい。したがって、多層は、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／ＳｉＯx／ＳｉＮ×／ＳｉＯx（／保護膜）、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／ＳｉＯx／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx（／保護膜）、 あるいは、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／ＳｎxＺｎyＯ／ＳｉＯx／ＳｉＮx／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx（／保護膜）、
の厳格な順序を有することが好ましい。
【００５９】
所望に応じて、多層は、ＴＣＯ膜と第三のバリア膜との間に、少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満、好ましくは１５〜３０ｎｍの厚さを有する窒化ケイ素に基づくバリア膜／少なくとも５ｎｍであり５０ｎｍ未満（好ましくは１５〜３０ｎｍ）の厚さを有する酸化ケイ素に基づくバリア膜の連続したものを、少なくとも１つ含む。
【００６０】
したがって、多層は、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／［ＳｉＮx／ＳｉＯx］n／ＳｉＮ×／ＳｉＯx（／保護膜）、あるいは、
・ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／［ＳｉＮx／ＳｉＯx］n／ＳｉＮx／（ＳｎＺｎＯ）／ＳｉＯx（／保護膜）、
の厳格な順序（ｎは１以上）を有することが好ましい。
【００６１】
中性化膜の多層を、基材とＴＣＯ膜との間に配置してもよい。そのような膜（少なくとも２つの膜）により、グレージングユニットの反射の外観、特に反射の色を、調節することが可能となる。導電性支持体を液晶層で覆うと（且つまたそれを別の同一の導電性支持体に取り付けると）、紫−ピンク／赤色（より大きい正の値のａ*）よりも、ａ*，ｂ*色座標が０に近い、ａ*，ｂ*色座標が負である、又はａ*座標が負でｂ*座標が僅かに正であることを特徴とする中性色、すなわち僅かに青みがかった／緑の色が得られることが好ましい。
【００６２】
切り換えグレージングユニットのために中性の反射の色を得るためには、ａ*及びｂ*は（−８，＋８）の間にあることが好ましく、なおより好ましくは（−５，＋５）の間にある。
【００６３】
好ましい実施形態では、多層は、主面の上、ＴＣＯ膜の下に、
・所望に応じてドープされ、好ましくはアルミニウムをドープされた、窒化ケイ素に基づく第一の下層膜であって、５〜５０ｎｍ、又は好ましくは１０ｎｍ〜３５ｎｍの厚さｅyを有し、好ましくは主面と（直接）接触しており、そして好ましくは、所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされた、窒化ケイ素から本質的になる、第一の下層膜（ＳｉＮx、好ましくはＳｉ3Ｎ4に基づく）、及び、
・１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さｅzを有し、好ましくは酸化ケイ素から本質的になる、酸化ケイ素に基づく第二の下層膜であって、未ドープであるか、又は所望に応じて、好ましくはアルミニウムを、ドープされ、そして好ましくはＴＣＯ膜と接触している、第二の下層膜（ＳｉＯx、好ましくはＳｉＯ2に基づく）、
をこの順序で含む。
【００６４】
最良の調節は、１０ｎｍと３５ｎｍの間のｅy、２０ｎｍと５０ｎｍの間のｅz、１０ｎｍと４０ｎｍの間のｅ1で、且つｅ2が４０ｎｍと７０ｎｍの間である場合に、得られる。
【００６５】
窒化ケイ素の第一の下層膜（窒化ケイ素から作られる）については、窒化ケイ素は、窒素が化学量論的であっても、窒素が準化学量論的であっても、あるいは場合により窒素が超化学量論的であってもよい。例として、窒化ケイ素には、スパッタリング法を使用する被着をより容易とする目的で、アルミニウム又はその他のドーパントをドープしてもよい。第一の下層膜は、少なくとも１．９、好ましくは１．９と２．１の間の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する。窒化ケイ素は、第一の下層膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量の酸素を含有してもよい（酸窒化ケイ素）。
【００６６】
酸化ケイ素に基づく第二の下層膜は、有利には、酸化ケイ素（言い換えるとシリカ）から本質的になる膜である。シリカはドープされてもよいこと、及び化学量論的である必要がないことが理解される。例として、シリカには、スパッタリング法を使用する被着をより容易とする目的で、アルミニウム又はその他のドーパントをドープしてもよい。第二の下層膜には、さらに、第二の下層膜の屈折率が上述の範囲内に維持されるのに充分に少ない量の炭素原子、あるいは窒素原子を、ドープしてもよい。しかし、この第二の下層膜は、窒化されないことが好ましく、そして最低限でも反応性Ｎ2／Ｏ2雰囲気中で被着させることが好ましい。第二の下層膜は、１．４と１．７の間の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する。
【００６７】
化学気相成長（ＣＶＤ）の場合において、特にＴＣＯもＣＶＤで被着させるときには、第二の下層膜にホウ素又はリン原子をドープしてもよく、それによってその被着が加速される。酸化ケイ素に基づく第二の下層膜は、ＴＣＯの下の最後の膜でよい。別の選択肢として、少なくとも１つのその他の薄膜をこの第二の膜上に被着させてもよい。
【００６８】
好ましくは、多層のためには、同じ材料からすべてが作製される酸化ケイ素膜、及び同じ材料からすべてが作製される窒化ケイ素膜が選択される。
【００６９】
平滑化膜と称される膜を第一及び第二の下層膜の間の中間に配置してもよく、この平滑化膜は混合亜鉛スズ酸化物に基づくものであり、少なくとも５ｎｍであって５０ｎｍ未満、好ましくは１０〜３０ｎｍの厚さｅf'を有し、この平滑化膜の（主な）機能は、そのアモルファスの性質により、平滑化することである。厚さｅyとｅzは変わらずにそのままである。
【００７０】
ＳｎＺｎＯの平滑化膜において、Ｓｎ＋Ｚｎの重量による累積パーセントは、金属の総重量の少なくとも８５％、好ましくは９０％、又は場合により９５％である。Ｓｎ原子の数のＺｎ原子の数に対する比は、好ましくは、２０：８０と８０：２０の間であり、特に３０：７０と７０：３０の間である。ＳｎＺｎＯの平滑化膜には、例えばＳｂ又はＩｎをドープしてもよい。それは好ましくはインジウムを含有しない。
【００７１】
短絡からの効果的な保護と反射の中間色（すなわち僅かに緑色若しくは青色の薄い着色）を組み合わせた１つの実施形態では、多層は、
・厚さｅyが５〜５０ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍであり、主面の直接上にあるのが好ましい、窒化ケイ素に基づく第一の下層膜、
・厚さｅzが１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜５０ｎｍであり、所望に応じて第一の下層膜の直接上にある、酸化ケイ素に基づく第二の下層膜、
・第二の下層膜の直接上にあるのが好ましい、ＴＣＯ膜
・ＴＣＯ膜の直接上にあり、ｅ1が１０〜４０ｎｍの範囲内にある第一のバリア膜、及び、
・ｅ2が３５ｎｍ〜８０ｎｍ、好ましくは４０〜７０ｎｍの範囲内にあり、第一のバリア膜の直接上にあるのが好ましい、最後のバリア膜である第二のバリア膜、
を含む。
【００７２】
当然、上述の種々の好ましい実施形態を一緒に組み合わせてもよい。本書が不必要に長くならないように、すべての可能な組み合わせを本書中に明確に記載してはない。ガラス（好ましくは無機ガラス）上に直接位置する特に好ましい多層のいくつかの例（バリア膜及び下層膜の任意選択的なドーピングについての詳細は除く）を以下に示す：
・ＳｉＮ×／ＳｉＯx／ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／（ＳｎＺｎＯ）／ＳｉＯx、
・ＳｉＮ×／ＳｉＯx／ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／ＳｎＺｎＯ／ＳｉＯx／（ＴｉＯxタイプの保護膜）、又は、
・ＳｉＮ×／（ＳｎＺｎＯ）／ＳｉＯx／ＴＣＯ（好ましくはＩＴＯ）／ＳｉＮ×／（ＳｎＺｎＯ）／ＳｉＯx／（ＴｉＯxタイプの保護膜）。
【００７３】
上述のように、本発明による各バリア膜は、窒化ケイ素に基づくか又は酸化ケイ素に基づくかに関わらず、アルミニウムをドープされてもよい。アルミニウムドープ窒化ケイ素中のアルミニウムの重量割合は、好ましくは、金属の総重量の、あるいはケイ素とアルミニウムを合わせた重量の、２０％以下、又は１５％以下、又は場合により１０％以下である。アルミニウムドープ酸化ケイ素中のアルミニウムの重量割合は、好ましくは、金属の総重量の、あるいはケイ素とアルミニウムを合わせた重量の、２０％以下、又は１５％以下、又は場合により１０％以下である。
【００７４】
基材は、平坦であっても、又は湾曲していてもよく、さらに、剛性、可撓性、又は半可撓性であってもよい。
【００７５】
その主面は、長方形、正方形、又はさらにその他の任意の形状（円形、楕円形、多角形など）であってもよい。この基材は大型でよく、例えば、０．０２ｍ2超の面積、又は場合により０．５ｍ2超若しくは１ｍ2超の面積であってもよい。
【００７６】
透明基材は、好ましくは、視感透過率ＴLが７０％以上、好ましくは８０％以上、又は場合により９０％以上であることができる。基材は、好ましくは透明且つ無色である。基材は、無機又は有機ガラスから作られた、グレージングペインであることができ、好ましくは透明且つ無色である。
【００７７】
その場合、それは透明又は超透明無機ガラスであることができる。透明ガラスは、一般に重量基準で約０．０５〜０．２％の酸化鉄含有量を有するのに対し、超透明ガラスは、一般に約０．００５〜０．０３％の酸化鉄を含有する。
【００７８】
しかし、基材は、特に無機ガラス製の場合、着色されていてもよく、例えば青色、緑色、灰色、又は青銅色を有することができる。
【００７９】
具体的には、例えば着色された又は色をつけた透明基材は、例えば基材の外側面の側（電極のある面の反対側）にある手段が明るく照らされているという状況において、好ましくは１０％以上、より好ましくは４０％以上の視感透過率ＴLを有することができる。
【００８０】
無機ガラス基材は、好ましくは、ソーダ石灰シリカガラス基材であるが、ホウケイ酸ガラス又はアルミノホウケイ酸ガラス製であってもよい。無機ガラス基材は一般的に、０．５ｍｍ〜１９ｍｍ、好ましくは０．７〜９ｍｍ、特に２〜８ｍｍ、又は場合により４〜６ｍｍの範囲内の厚さを有する。状況に応じて、多層グレージングユニットのその他のガラス板にも同じことが当てはまる。
【００８１】
無機ガラス基材は、好ましくはフロートガラス基材であり、すなわち、融解したスズの浴（「フロート」浴）上に融解ガラスを流し込むものである方法によって得ることができる。この場合、多層は、基材の「スズ」側又は「雰囲気」側のいずれに被着させてもよい。「雰囲気側」及び「スズ側」との用語は、それぞれ、フロート浴の雰囲気と接触していた基材の面、及び融解スズと接触していた基材の面を意味するものと理解される。スズ側は、ガラス構造中に拡散した少量の表層スズを含有する。
【００８２】
好ましくは、本発明により多層を備えた基材は熱強化されない。
【００８３】
基材は、プラスチック製であってもよい。基材は、特に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリイミド、フルオロポリマー、例えばエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレンクロロトリフルオロエチレン（ＥＣＴＦＥ）、及びフッ素化エチレン−プロピレンコポリマー（ＦＥＰ）など、に基づくフィルムであることができる。
【００８４】
別の実施形態として、それは、剛性又は可撓性基材と結合するための積層中間層であってもよい。このポリマー積層中間層は、特に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、熱可塑性ウレタン、ポリウレタン（ＰＵ）、アイオノマー、ポリオレフィン系接着剤、熱可塑性シリコーン、又は熱硬化性（エポキシ若しくはＰＵ）あるいはＵＶ硬化性（エポキシ、アクリル樹脂）である多成分若しくは単一成分樹脂に基づく、フィルムであることができる。
【００８５】
次の構造、すなわち、無機ガラス／熱可塑性積層中間層／導電性支持体（好ましくはＰＥＴ基材／多層）／液晶層、の構造を想定することができる。
【００８６】
導電性支持体（基材／多層）の、特に無色（薄い着色）の場合の、ＴLは、好ましくは少なくとも７０％以上、より好ましくは８０％以上である。
【００８７】
本発明による導電性支持体は、好ましくは、いくつかの工程を含む方法を用いて得られる。多層の膜は、例えば一般的に３．２×６ｍ2の大型（無機）ガラスシートの形態を取る基材上に被着され、又はフロートプロセスの過程における若しくはその直後のガラスリボンの上に直接被着され、基材はその後グレージングユニットの最終サイズに切断される。端面を平滑化した後、続いて液晶を含む切り替え可能なグレージングユニットを、以下で説明するように製造する。
【００８８】
多層の種々の膜は、任意のタイプの薄膜被着法を用いて基材上に被着させることができる。これは、例えば、（液体又は固体）熱分解法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、特にプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法及び任意選択的に大気圧プラズマ化学気相成長（ＡＰＰＥＣＶＤ）法、蒸着、あるいはゾル−ゲル法でよい。
【００８９】
好ましくは、多層の膜、少なくともバリア膜は、スパッタリングによって、特にマグネトロンスパッタリングによって得られる。この方法では、被着させるべき化学元素を含むターゲットの近くの高真空下にてプラズマを発生させる。プラズマの活性種がターゲットに衝撃を与えることにより前記元素を放出させ、それを基材上に被着させて所望の薄膜を形成する。この方法は、膜がターゲットから放出された元素とプラズマ中に含有されるガスとの化学反応によって得られる物質からなる場合、「反応性」プロセスと称される。この方法の主たる利点は、種々のターゲット下にて基材を連続して移動させることにより、一般的には１つの同じ装置内で、非常に複雑な多層膜を所定のラインで被着させることが可能であることにある。
【００９０】
ＴＣＯ膜の厚さは、好ましくは、（「固有」）シート抵抗が１５０Ω／□以下、好ましくは１２０Ω／□以下となるように調整される。
【００９１】
ＴＣＯ膜には、ＴＣＯ膜の全般的形状が角を有するようなものであるか又は丸味のあるようなものであるかに関わらず、リード線、好ましくは金属のリード線（銀、銅などに基づく）を介して、好ましくは間隔を空けてＴＣＯ膜の向かい合う２つの端部上にそれらに沿って位置する少なくとも２つの（金属）ストリップの形態を取るリード線を介して、電力が供給される。
【００９２】
透明導電性酸化物膜は、好ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜である。その他の膜を用いてもよく、それらとしては、
・酸化インジウム亜鉛（「ＩＺＯ」と称される）若しくは酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）に基づく薄膜、
・ドープされた酸化亜鉛、好ましくはガリウム若しくはアルミニウムをドープされた酸化亜鉛（ＧＺＯ若しくはＡＺＯ）に基づく、ニオブをドープした酸化チタンに基づく、スズ酸カドミウム若しくはスズ酸亜鉛に基づく薄膜、又は
・フッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2：Ｆ）に基づく、アンチモンをドープした酸化スズに基づく薄膜、
が挙げられる。
【００９３】
アルミニウムドープの酸化亜鉛の場合、ドープレベル（すなわち総重量に対する酸化アルミニウム重量の比率）は好ましくは３％未満である。ガリウムの場合、ドープレベルはそれより高くてもよく、一般には５〜６％の範囲内にある。
【００９４】
ＩＴＯの場合、Ｓｎの原子百分率は５〜７０％、特に１０〜６０％の範囲内にあるのが好ましい。
【００９５】
フッ素ドープの酸化スズに基づく膜の場合、フッ素の原子百分率は、好ましくは最大で５％であり、一般的には１〜２％である。
【００９６】
ＩＴＯが特に好ましく、あるいはＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ若しくはＩＧＺＯも好ましい。スパッタリング法、特にマグネトロンスパッタリング法を用いて容易に被着されるこれらの膜は、ＣＶＤによって被着されるものよりも平滑であるという点で注目すべきである。
【００９７】
とは言え、フッ素ドープの酸化スズの利点の１つは、化学気相成長（ＣＶＤ）によって容易に被着することができ、フロート法を用いた板ガラス生産ラインで実施できることである。１つの実施形態では、多層の膜は、フロートガラス板の生産ラインで直接、化学気相成長によって得られる。被着は、ノズルを通して前駆体から高温のガラスリボン上へスパッタリングすることによって行われる。種々の膜を、ランインのいろいろな箇所で、すなわちフロートチャンバー内で、フロートチャンバーと徐冷炉との間で、又は徐冷炉中で、被着することができる。前駆体は、一般的に、有機金属分子、又はハロゲン化物タイプの分子である。
【００９８】
例として、フッ素ドープの酸化スズの場合、四塩化スズ、三塩化モノブチルスズ（ＭＢＴＣ）、トリフルオロ酢酸又はフッ化水素酸を挙げることができる。酸化ケイ素は、シラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、又はヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を用い、所望に応じてリン酸トリエチルなどの促進剤を用いて、得ることができる。
【００９９】
透明導電性酸化物膜の屈折率は、１．７〜２．５の範囲内にある。
【０１００】
本発明はまた、ミクロンサイズの厚さを有する液晶層を持つ本発明による導電性支持体にも関する。
【０１０１】
ＮＣＡＰ（ネマチック湾曲配向相）、ＰＤＬＣ（ポリマー分散型液晶）、ＣＬＣ（コレステリック液晶）、及びＮＰＤ−ＬＣＤ（不均一ポリマー分散型液晶ディスプレイ）の用語で知られるすべての液晶系を用いることができる。
【０１０２】
例えば、欧州特許出願公開第２２５６５４５号明細書に詳細に説明されているように、多安定性液晶、特に双安定性スメクチック液晶を用いてもよく、これらの結晶は、パルス形態の交流電界の印加の下で切り替わり、切り替わった状態を新たなパルスの印加まで維持する。
【０１０３】
例えば、少量の架橋ポリマーを含有するコレステリック液晶に基づくゲル、例として国際公開第９２／１９６９５号に記載のものなど、を用いることも可能である。したがって、より広い意味では、ＰＳＣＴ（ポリマー安定化コレステリック組織）系を選択してもよい。
【０１０４】
最後に、本発明は、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットであり、
・上述したような導電性支持体、
・前記支持体上の、ポリマー中に（マイクロ）ドロップレットでもって分散された液晶を含む層であり、一般に交流（正弦波、パルス化など）電界の印加によって透明状態と半透明状態の間で可逆的に交互に切り替わり、厚さが５〜６０μｍ、好ましくは８μｍであり４０μｍよりも小さく、すなわち５μｍと４０μｍの間の厚さであり、（透明）スペーサーを含有している液晶層、及び、
・少なくとも１つの他の電極を含む別の多層を備えた別の基材を含み、当該多層が液晶層と接触している、好ましくは上述したもののような、別の導電性支持体、
を含むグレージングユニットであって、（第一の）支持体の基材及び第二の支持体の他方の基材が、有機物であるのが好ましいシールにより、向かい合う面の縁部で一緒に保持されている、液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットに関する。
【０１０５】
以下の構造、すなわち、
・無機ガラス基材を有する本発明による（第一の）導電性支持体／液晶層／他の透明多層／他の無機ガラス支持体、及び、
・ガラス／中間層／ＰＥＴ基材／本発明による多層／液晶層／他の透明多層／他のＰＥＴ支持体／中間層／無機ガラス、
の構造も考えることができる。
【０１０６】
当然、液晶は、グレージングユニットの実質的に全領域（縁部を除く）にわたって、又は（少なくとも）１つの制限されたゾーンにわたって、若しくは所望に応じて複数のゾーンにわたって、延在することができる。
【０１０７】
上述したような液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットは、車両又は建築物におけるグレージングユニットとして用いることができる。
【０１０８】
本発明による液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットは、特に、
・建築物における（２つの部屋の間、又はスペースの）内部パーティション、又は陸上、航空又は海上輸送手段における（タクシーにおける、２つの区画間の）内部パーティションとして、
・ガラス付きドアとして、窓、天井として、又はタイル張り（床若しくは天井用の）として、
・車両のバックミラーとして、陸上、航空又は海上輸送手段の側面窓又は屋根として、
・プロジェクタースクリーンとして、あるいは、
・店先の窓、又はショーウインドー、特にカウンターウインドーとして、
用いることができる。
【０１０９】
当然、本発明によるグレージングユニットは、パーティションの全体若しくは一部を形成してもよく、又は他の任意の種類の窓（採光窓など）を形成してもよい。
【０１１０】
液晶層の厚さを１５μｍ未満に（したがって封入活性物質の量を）減少させることにより、材料コストを削減することが可能になる。
【０１１１】
さらに、スペーサーは、透明プラスチック材料から作製されるのが好ましい。スペーサーは、液晶層の厚さを（おおよそ）決定する。例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）から作製されたスペーサーが好ましい。
【０１１２】
スペーサーは、好ましくは、液晶層（のポリマーマトリックス）の光学指数に（実質的に）等しい光学指数を有する材料から作られる。例えば、スペーサーは、ビーズの形態を取る。
【０１１３】
グレージングユニットの製造に関しては、国際公開第２０１２／０２８８２３号を参照することができ、それには、
・エポキシシールにより内面の縁部で一緒に保持された第一及び第二の平坦なフロートガラス板、
・第一及び第二のガラス板の内面上の、電源に接続された透明導電性ＩＴＯ膜の形態を取る第一及び第二の電極、及び、
・第一及び第二の電極の間の、例えばＭｅｒｃｋ社からＭＤＡ−００−３５０６の呼称で販売されている化合物の４−（（４−エチル−２，６−ジフルオロフェニル）−エチニル）−４’−プロピルビフェニル又は２−フルオロ−４，４’−ビス（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ビフェニルなどの液晶を、ポリマー中のマイクロドロップレットでもって分散して含有し、且つ透明スペーサーを含有しているＰＤＬＣ（ポリマー分散型液晶）層であって、交流電界の印加によって透明状態と半透明状態との間で可逆的に交互に切り替わるＰＤＬＣ層、
を含む液晶含有複合グレージングユニットが開示されている。
【０１１４】
液晶被膜は、滴下充填法と称されるものを用いて作製される。
【０１１５】
接着シールを形成する材料は、液晶フィルムを未重合のマトリックスと共に被着する前か又は被着後に、ガラス板の端部に沿って直接、未重合の形のビードとして同様に適用される。
【０１１６】
次に、圧延操作、又は変更形態としてプレス操作、を行う。
【０１１７】
次いで、シール及びマトリックスの材料を重合させる。
【０１１８】
本発明のその他の詳細及び特徴は、添付の図面に関連して行う以下の詳しい説明から明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】本発明による導電性支持体を備えた液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０１２０】
図１に示した例としての実施形態は、本発明による切り替え可能な液晶含有グレージングユニットの設計を示している。
【０１２１】
外面３１、４１を有し、且つ酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から作られた電極を有する薄膜多層３、４が、２枚のフロートガラス（あるいは別の実施形態として、ＰＥＴなどのプラスチック）シート１、１’の内面１１、２１上に被着されている。
【０１２２】
より正確に言えば、この多層は、短絡に対するバリアとして作用する少なくとも２つの薄膜を含み、これらの膜は以下で説明するようにＩＴＯ膜上に被着されている。
【０１２３】
好ましくは、以下で詳細に説明するように、切り替え可能なグレージングユニットの色が中性であることを保証するために、多層はＩＴＯ膜の下に少なくとも２つの薄い誘電体下層膜を含む。
【０１２４】
液晶層５が、多層３と４の間に位置している。より正確に言えば、液晶層５は、例えばＰＤＬＣ層であり、ポリマーマトリックス中に分散したマイクロドロップレットの形態の液晶を含有している。層５はまた、球状の透明ポリマースペーサーも含有している。層５は、例えば２０μｍの厚さであり、一般には５〜６０μｍの厚さでよい。
【０１２５】
例えばＭｅｒｃｋ社からＭＤＡ−００−３５０６の呼称で販売されている化合物の４−（（４−エチル−２，６−ジフルオロフェニル）−エチニル）−４’−プロピルビフェニル又は２−フルオロ−４，４’−ビス（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ビフェニルなどの液晶を用いることができる。
【０１２６】
液晶層５の端部は、電極を有するガラスシート１、１’の両方をしっかりと恒久的に接合する働きをする硬化ポリマーから作製された接着シール７によって取り囲まれている。
【０１２７】
「オフ」の状態、すなわち電圧の印加前では、この液晶含有グレージングユニット１００は半透明であり、すなわち光を透過させるが透明ではない。２つの電極間に正弦波電圧を印加すると、層５は透明状態へと、すなわち視界がもはや遮られない状態へと移行する。
【０１２８】
当然、用途によっては、別の選択肢として、電気制御可能グレージングユニットが「オン」状態において着色されることが所望されることもある。これを実施するためには、１若しくは複数の基材を着色するか、又は着色したエレメント、例えば着色したプラスチックフィルム若しくは着色したカウンターガラス板を、無機ガラス基材のうちの１つと積層するか（ＰＶＢ、ＥＶＡなどにより）、又は着色した中間層を追加する。
【実施例】
【０１２９】
例Ｅｘ１では、ＩＴＯ（６０ｎｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（１５ｎｍ）／ＳｉＯ2（６０ｎｍ）の多層を、ソーダ石灰シリカガラス（ＳＧＧＦ社から入手のＰｌａｎｉｌｕｘガラス、あるいはＤｉａｍａｎｔガラス）の４ｍｍ厚のサンプル上に作製した。
【０１３０】
例Ｅｘ２では、Ｓｉ3Ｎ4（１５ｎｍ）／ＳｉＯ2（３０ｎｍ）／ＩＴＯ（６０ｎｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（３５ｎｍ）／ＳｉＯ2（４８ｎｍ）の多層を、ソーダ石灰シリカガラス（ＳＧＧＦ社から入手のＰｌａｎｉｌｕｘガラス）の４ｍｍ厚のサンプル上に作製した。
【０１３１】
例Ｅｘ３では、ＳｉＯ2（４０ｎｍ）／ＩＴＯ（１２０ｎｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（１５ｎｍ）／ＳｉＯ2（６０ｎｍ）の多層を、ソーダ石灰シリカガラス（ＳＧＧＦ社から入手のＰｌａｎｉｌｕｘガラス）の４ｍｍ厚のサンプル上に作製した。
【０１３２】
例Ｅｘ４では、Ｓｉ3Ｎ4（１５ｎｍ）／ＳｉＯ2（４０ｎｍ）／ＩＴＯ（１２０ｎｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（１５ｎｍ）／ＳｉＯ2（６０ｎｍ）の多層を、ソーダ石灰シリカガラス（ＳＧＧＦ製から入手のＰｌａｎｉｌｕｘガラス）の４ｍｍ厚のサンプル上に作製した。
【０１３３】
例Ｅｘ５では、Ｓｉ3Ｎ4（２５ｎｍ）／ＳｉＯ2（４０ｎｍ）／ＩＴＯ（６０ｎｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（３５ｎｍ）／ＳｉＯ2（６０ｎｍ）の多層を、ソーダ石灰シリカガラス（ＳＧＧＦ製から入手のＰｌａｎｉｌｕｘガラス）の４ｍｍ厚のサンプル上に作製した。
【０１３４】
より正確に言えば、窒化ケイ素膜とシリカ膜はアルミニウムを含有していた。
【０１３５】
これら膜は、スパッタリング（マグネトロンスパッタリング）によって被着した。各膜の被着条件は以下の通りとした。
・Ｓｉ3Ｎ4：Ａｌに基づく膜は、アルゴン／窒素雰囲気中でケイ素及びアルミニウムターゲットを用いた反応性スパッタリングによって被着した。
・ＳｉＯ2：Ａｌに基づく膜は、アルゴン／酸素雰囲気中でケイ素及びアルミニウムターゲットを用いた反応性スパッタリングによって被着した。
・ＩＴＯに基づく膜は、変更実施形態としてアルゴン／酸素雰囲気中で、セラミックターゲットを用いて被着した。
【０１３６】
被着条件を、以下の表１に整理して示す。
【０１３７】
【表１】
2016505862.tif 000003
【０１３８】
導電性支持体Ｅｘ１〜Ｅｘ４のＴL及びシート抵抗を以下の表２に示す。
【０１３９】
【表２】
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【０１４０】
指示された電圧で切り替え後に１ｍ2の液晶含有グレージングユニットで短絡が発生していないものの割合である短絡率Ｒｃｃを、例Ｅｘ１〜Ｅｘ４の液晶媒介可変散乱特性を有するグレージングユニットについて測定した。
【０１４１】
行った一連の試験において、Ｒｃｃは３０Ｖにおいてほぼ１００％及び９０Ｖにおいて７０％超であり、それに対し、ＩＴＯ膜でコーティングしたガラスサンプルでは４０％及び０％、６０ｎｍ厚のＳｉＯ2膜を適用した場合には７０％及び０％であった。
【０１４２】
ＴL及びその他の光学的特性も、オン状態の液晶含有グレージングユニット（ＬＣグレージングすなわちＬＣＧ）について測定し、測定値を以下の表３に整理して示す。
【０１４３】
【表３】
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【０１４４】
Ｅｘ１とＥｘ２のＬＣグレージングユニットは、反射光が中性色を示し、ａ*及びｂ*は−８と＋８の間であった。
【０１４５】
Ｅｘ４のＬＣグレージングユニットは灰青色（中性色だが、明るい色）であり、Ｅｘ１のＬＣグレージングユニットは緑色であった。
【０１４６】
別の実施形態として、酸化雰囲気中で金属亜鉛／スズターゲットから作製した酸化亜鉛スズ製の２０ｎｍ厚の第三のバリア膜を、第一及び第二のバリア膜の中間に配置する。被着条件を以下の表４に示す。
【０１４７】
【表４】
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【０１４８】
（別の選択肢としての、又は累加的な）変形実施形態として、酸化雰囲気中で金属ターゲットから作製した酸化チタン製の５ｎｍ厚の保護膜を、第二のバリア膜の上に追加する。この膜は、機械的特性を改善する効果を有する。被着条件の詳細を以下の表５に示す。
【０１４９】
【表５】
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【０１５０】
好ましくはスパッタリングによって被着される別のＴＣＯを、上で用いたのと同じバリア膜及び好ましくは中性化膜とともに、用いることもできよう。
【０１５１】
光学的理由により、最後のバリア膜は酸化ケイ素に基づくものであり、そしてそれが第二のバリア膜であることが好ましい。
【図１】
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【国際調査報告】
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