(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つの芳香族環が結合した二重または三重結合を有する有機化合物を発光体化合物として含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。本発明は、前記デバイスの考えられる使用法にも関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの電極と、
以下の式（１）または（２）：
【化１】
2016505216.tif 000043
の少なくとも１つの化合物を含む、前記電極間にある少なくとも１つの発光層とを含むエレクトロルミネッセンスデバイスであって、
使用される記号は以下の意味を有するエレクトロルミネッセンスデバイス：
Ａｒ1は、５または６個の環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環（これは１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）、または１０〜１２個の環原子を有する、二環縮合芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、互いに独立に、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ａｒ2、Ｎ（Ｒ5）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ5）3、Ｂ（ＯＲ5）2、Ｐ（Ｒ5）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ5、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ5によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮによって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）、または２つ以上のこれらの基の組み合わせであり；ここで、さらに、２つ以上のラジカルＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、互いに単環または多環系を形成していてもよく、これは１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよく；ここでＲ1は二価基Ｗであってもよく、これは式（１）のＡｒ1に結合しており、Ｒ2がＡｒ2に相当する場合、Ｒ3は二価基Ｗであってもよく、これはＡｒ2に結合しており、
Ａｒ2は、Ａｒ1と同じ意味を有し、
Ｗは、同一または異なって、出現する毎に、式（１）または（２）の二重または三重結合とＡｒ1またはＡｒ2との間の非芳香族架橋であり、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐおよび／または少なくとも１つの基Ｃ（Ｒ7）2を含有し、
Ｒ5は、同一または異なって、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＯＨ、Ｎ（Ｒ7）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ7）3、Ｂ（ＯＲ7）2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）2、Ｐ（Ｒ7）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ7、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ7Ｃ＝ＣＲ7、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ7）2、Ｇｅ（Ｒ7）2、Ｓｎ（Ｒ7）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ7、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ7、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ7によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮによって置きかえられていてもよい）、または６〜１８個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくは５〜１８個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよい）、または２つ以上のこれらの基の組み合わせであり、２つ以上の隣接するラジカルＲ7またはＲ8は、ここで互いに単環または多環脂肪族環系を形成していてもよく、
Ｒ6は、Ｒ5と同じ意味を有するが、Ｈには相当し得ず、
Ｒ7は、同一または異なって、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、６〜１８個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくは５〜１８個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系（ここで、さらに、１つ以上のＨ原子はＦによって置きかえられていてもよい）であり、２つ以上の置換基Ｒ7はここで互いに単環または多環脂肪族環系を形成していてもよく、
Ｒ8は、Ｒ7と同じ意味を有するが、Ｈには相当し得ず、
ただし、式（１）または（２）の化合物は、π電子の数が１８個を超える全共役構造を含有しない。
【請求項２】
Ａｒ1またはＡｒ2が、互いに独立に、出現する毎に、以下の式（３）または（４）の化合物：
【化２】
2016505216.tif 000044
であり、ここでＡｒ1またはＡｒ2は、前記式（３）または（４）の前記化合物の任意の所望の位置で前記式（１）または（２）の前記二重結合または三重結合に結合し得；
ここで使用される記号は以下の意味を有し、
Ｑは、出現する毎に、同一または異なって、Ｘ＝Ｘ、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＳｅであり；
Ｘは、出現する毎に、同一または異なって、ＣＲ5またはＮであり；
Ｒ5は、請求項１で定義されるのと同じ意味を有する
ことを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項３】
Ｒ1は、Ｈ、ＦまたはＡｒ1に結合している基Ｗに相当することを特徴とする、請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項４】
Ｒ2は、Ａｒ2、もしくは前記アルキル単位中でラジカルＲ6によって置換されているアリールアルキル基に相当するか、またはＲ2は、Ｒ3と共に二価単位−ＣＨ2−（Ｃ（Ｒ7）2）h−ＣＨ2−を形成し、ここで、ｈは１、２または３に相当し、Ｒ7は、請求項１で定義されるのと同じ定義を有することを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項５】
Ｒ3は、Ｈ、Ｆ、もしくはＡｒ2に結合している基Ｗに相当するか、またはＲ2は、Ｒ3と共に二価単位−ＣＨ2−（Ｃ（Ｒ7）2）h−ＣＨ2−を形成し、ここで、ｈは１、２または３に相当し、Ｒ7は請求項１で定義されるのと同じ定義を有することを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項６】
Ｒ4は、Ａｒ2に相当することを特徴とする、請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項７】
前記式（１）または（２）の前記化合物が、以下の式からの化合物であり：
【化３】
2016505216.tif 000045
式中、使用される記号は先行する請求項における意味と同じ意味を有する
ことを特徴とする、請求項１〜６の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項８】
Ａｒ1および／またはＡｒ2は、フェニル基であり、これはラジカルＲ6によって置換されていてもよいことを特徴とする、請求項１〜７の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項９】
Ｒ6は、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜２０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基、または６〜１０個の芳香族環原子を有する芳香族環系に相当し、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよいことを特徴とする、請求項１〜８の１つ以上に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１０】
Ｒ8は、Ｆ、または１〜１０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜１０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基に相当することを特徴とする、請求項１〜９の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１１】
前記式（１）または（２）の前記化合物を紫外線発光化合物として用いることを特徴とする、請求項１〜１０の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１２】
前記デバイスが前記電極間に１つ以上のさらなる層を含むことを特徴とする、請求項１〜１１の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１３】
前記さらなる層が、以下のもの：
（ａ）３．６ｅＶ以上のバンドギャップを有する励起子ブロッキング材料を含む励起子ブロッキング層、
（ｂ）−２．２ｅＶを超えるＬＵＭＯを有する電子ブロッキング材料を含む電子ブロッキング層、および
（ｃ）−６．０ｅＶ未満のＨＯＭＯを有する正孔ブロッキング材料を含む正孔ブロッキング層
からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１２に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１４】
前記デバイスが、２８０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲の波長を有する放射腺を発することを特徴とする、請求項１〜１３の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１５】
前記デバイスが、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）および有機発光電気化学トランジスタからなる群からのデバイスであることを特徴とする、請求項１〜１４の何れか１項に記載のエレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１６】
先行する請求項の１項で定義される前記式（１）もしくは（２）の前記化合物の少なくとも１つと、発光体、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料（ＥＴＭ）、電子注入材料（ＥＩＭ）、正孔輸送材料（ＨＴＭ）、正孔注入材料（ＨＩＭ）、電子ブロッキング材料（ＥＢＭ）、正孔ブロックキング材料（ＨＢＭ）および励起子ブロッキング材料（ＥｘＢＭ）の群から選択される少なくとも１つの有機材料または有機半導体とを含む、組成物。
【請求項１７】
請求項１６に記載の組成物および少なくとも１つの溶媒を含む、配合物。
【請求項１８】
光治療のための医学で使用するための、請求項１〜１５および１７の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項１９】
請求項１〜１５の何れか１項に記載のデバイスを使用した光治療による皮膚の治療方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの芳香族環が結合した二重または三重結合を有する有機化合物を発光体化合物として含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびそれらの考えられる使用法に関する。
【０００２】
有機半導体を機能性材料として用いる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、米国特許第４，５３９，５０７号、米国特許第５，１５１，６２９号、欧州特許第０６７６４６１号、および国際公開第ＷＯ９８／２７１３６号に記載されている。ここで採用される発光材料は、蛍光性発光体に加えて、リン光を呈する有機金属錯体が増えつつある（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。ＯＬＥＤは、表示画面および照明用途における非常に有望な技術を代表する。この目的のために、スペクトルの可視領域の光、すなわち典型的には赤、緑および青の光を発するＯＬＥＤが必要である。
【０００３】
さらに、より短い波長を有する光または放射線を必要とする多くの用途がある。したがって、例えば、生命科学および医学の分野では、２８０〜４００ｎｍの範囲の波長が、いわゆる「細胞画像化」またはバイオセンサーに必要である。さらに、エレクトロニクス産業では、３００〜４００ｎｍの波長がいわゆる「固体照明」に必要とされ、３００〜３６５ｎｍは例えばポリマーおよび印刷インクの硬化に必要とされる。医療または化粧品部門における光治療用途も非常に重要である。多くの望ましくない皮膚変化および皮膚疾患は、光治療によって治療できる。この目的では、紫外（ＵＶ）線領域の波長が多くの場合必要とされる。その例は乾癬患者の皮膚の治療であり、その目的においては３１１ｎｍの波長の紫外線を発する放射線源が典型的には採用される。
【０００４】
水銀、重水素、エキシマーおよびキセノンランプは、典型的な従来の紫外放射線源である。しかし、それらは嵩張り、一部のものは、汚染を引き起こす可能性があり健康上のリスクをもたらす可能性がある、毒性材料を含有する。したがって、従来のランプは、安全性、使いやすさ、ハンドリング性および携帯性に関して欠点があり、これは結果として、考えられる用途が限られることにつながる。加えて、ＵＶ−ＬＥＤも市販されている。しかし、これらのＬＥＤの大部分は研究段階にあるか、３６５ｎｍを上回る波長を有する放射線しか発しないか、または非常に高価であるかのいずれかである。加えて、ＬＥＤは、それらが点発光体であり、これは比較的厚く堅固なデバイスを必要とするという欠点を有する。別の放射線源または光源のクラスは、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（例えばＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ（有機発光電気化学セル））である。他の光源および放射線源とは対照的に、これらは面発光体である。さらに、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、可撓性装置、例えば、ディスプレイ、照明デバイスおよび照射デバイスなどの製造を可能にする。これらのデバイスは、それらの効率および単純で省スペースな構造によって、多くの用途にも特に適している。
【０００５】
しかし、紫外領域の放射線を発する有機エレクトロルミネッセンスデバイスについては、今までほとんど知られていない。大部分の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光は、通常は３５０ｎｍを上回る波長に限られる。加えて、これらのデバイスの性能データは非常に劣る。
【０００６】
Ｃｈａｏらは、３６０ｎｍを上回るエレクトロルミネッセンス発光波長を有するフルオレンポリマーに基づくＵＶ−ＯＬＥＤについて報告している（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７［８］、９９２〜９９６．２００５．）；
Ｗｏｎｇらは、３６０ｎｍ以上のエレクトロルミネッセンス発光波長を有するスピロビフルオレンポリマーに基づくＵＶ−ＯＬＥＤについて報告している（Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．７［２３］、５１３１〜５１３４．２００５）；
Ｚｈｏｕらは、３５０ｎｍのエレクトロルミネッセンス発光波長を有するフルオレンおよびテトラフェニルシラン誘導体に基づく発光ポリマーを含むＵＶ−ＯＬＥＤについて報告している（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２００７、４０（９）、３０１５〜３０２０）；
Ｓｈｉｎａｒらは、３５０ｎｍのエレクトロルミネッセンス発光波長を有する発光体としてＢｕ−ＰＢＤを使用したＵＶ−ＯＬＥＤについて報告している（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２００７、２５４（３）、７４９〜７５６）；
Ｂｕｒｒｏｗｓは４，４’−ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ビフェニルを発光体として含むＯＬＥＤについて報告している（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２００６、８８（１８）、１８３５０３）。このデバイスは３３７ｎｍで発光する。
【０００７】
Ｓｈａｒｍａらは、３５７ｎｍで発光するＵＶ−ＯＬＥＤについて報告している（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２００６、８８（１４）、１４３５１１〜１４３５１３）。使用される発光体は、ポリシランに基づく。
【０００８】
上記の理由のために、紫外領域、特に短波長ＵＶ−Ａ領域（３１５〜３８０ｎｍ）およびＵＶ−Ｂ領域（２８０〜３１５ｎｍ）の放射線を発する有機エレクトロルミネッセンスデバイスを開発することが望ましい。適切な有機発光体材料の提供およびこれらの発光体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの提供が特に課題である。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、紫外領域の発光を示す最良の物理特性を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスの提供によって、先行技術の前記欠点を克服することである。
【００１０】
驚くべきことに、下記により詳細に説明される特定の化合物が、これらの目的を実現し、予期しないほど優れた特性を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスをもたらすことが分かった。したがって、本発明は、このタイプの化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【００１１】
一態様において、本発明は、少なくとも２つの電極と、電極間にある少なくとも１つの発光層（発光体層または発光層）とを含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。発光層は、以下の式（１）または（２）：
【化１】
2016505216.tif 000002
【００１２】
の少なくとも１つの化合物を含み、使用される記号は以下の意味を有する：
Ａｒ1は、５または６個の環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環（これは１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）、または１０〜１２個の環原子を有する、二環縮合芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）であり；
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、互いに独立に、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ａｒ2、Ｎ（Ｒ5）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ5）3、Ｂ（ＯＲ5）2、Ｐ（Ｒ5）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ5、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ5によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮによって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する、アリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ6によって置換されていてもよい）、または２つ以上のこれらの基の組み合わせであり；ここで、さらに、２つ以上のラジカルＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、互いに単環または多環系を形成していてもよく、これは１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよく；ここでＲ1は二価基Ｗであってもよく、これは式（１）のＡｒ1に結合しており、Ｒ2がＡｒ2に相当する場合、Ｒ3は二価基Ｗであってもよく、これはＡｒ2に結合しており：
Ａｒ2は、Ａｒ1と同じ意味を有し；
Ｗは、同一または異なって、出現する毎に、式（１）または（２）の二重または三重結合とＡｒ1またはＡｒ2との間の非芳香族架橋であり、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐおよび／または少なくとも１つの基Ｃ（Ｒ7）2を含有し；
Ｒ5は、同一または異なって、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＯＨ、Ｎ（Ｒ7）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ7）3、Ｂ（ＯＲ7）2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）2、Ｐ（Ｒ7）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ7、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ7Ｃ＝ＣＲ7、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ7）2、Ｇｅ（Ｒ7）2、Ｓｎ（Ｒ7）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ7、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ7、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ7によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮによって置きかえられていてもよい）、または６〜１８個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくは５〜１８個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系（これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよい）、または２つ以上のこれらの基の組み合わせであり；２つ以上の隣接するラジカルＲ7またはＲ8は、ここで互いに単環または多環脂肪族環系を形成していてもよく；
Ｒ6は、Ｒ5と同じ意味を有するが、Ｈには相当し得ず；
Ｒ7は、同一または異なって、出現する毎に、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜４０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または６〜１８個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくは５〜１８個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系（ここで、さらに、１つ以上のＨ原子はＦによって置きかえられていてもよい）であり；ここで２つ以上の置換基Ｒ7はここで互いに単環または多環脂肪族環系を形成していてもよく；
Ｒ8は、Ｒ7と同じ意味を有するが、Ｈには相当し得ず；
ただし、式（１）または（２）の化合物は、π電子の数が１８個を超える全共役構造を含有せず、好ましくは１４個以下のπ電子、さらにより好ましくは１２個以下のπ電子とする。
【００１３】
本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスのさらに好ましい態様において、Ａｒ1またはＡｒ2は、互いに独立に、出現する毎に、以下の式（３）または（４）の化合物：
【化２】
2016505216.tif 000003
【００１４】
であり、ここでＡｒ1またはＡｒ2は、式（３）または（４）の化合物の任意の所望の化学的に可能な位置で式（１）または（２）の二重結合または三重結合に結合し得；
ここで使用される記号は以下の意味を有する：
Ｑは、出現する毎に、同一または異なって、Ｘ＝Ｘ、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＳｅであり；
Ｘは、出現する毎に、同一または異なって、ＣＲ5またはＮであり；
Ｒ5は、上記で定義されるのと同じ意味を有する。
【００１５】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスにおけるＲ1は、Ｈ、ＦまたはＡｒ1に結合している基Ｗに相当する。
【００１６】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスにおけるＲ2は、Ａｒ2、アルキル単位中でラジカルＲ6によって置換されているアリールアルキル基に相当するか、またはＲ3と共に二価単位−ＣＨ2−（Ｃ（Ｒ7）2）h−ＣＨ2−を形成し、ここでｈは１、２または３、好ましくは２に相当する。ここでラジカルＲ7の１つのみがＨに相当しないことが好ましく、これは好ましくは、１〜１０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜１０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基である。
【００１７】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスにおけるＲ3は、Ｈ、Ｆ、Ａｒ2に結合している基Ｗに相当するか、または、Ｒ2と共に二価単位−ＣＨ2−（Ｃ（Ｒ7）2）h−ＣＨ2−を形成し、ここでｈは１、２または３、好ましくは２に相当する。ここでラジカルＲ7の１つのみがＨに相当しないことが好ましく、これは好ましくは、１〜１０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜１０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基である。
【００１８】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスにおけるＲ4は、Ａｒ2に相当する。
【００１９】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスにおける式（１）または（２）の化合物は、以下の式：
【化３】
2016505216.tif 000004
【００２０】
による化合物であり、ここで使用される記号は上記と同じ意味を有する。
【００２１】
本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスのさらに好ましい態様において、Ａｒ1および／またはＡｒ2はフェニル基であり、これはラジカルＲ6によって置換されていてもよい。
【００２２】
本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスのさらに好ましい態様において、Ｒ6は、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜２０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基、または６〜１０個の芳香族環原子を有する芳香族環系に相当し、これらのそれぞれは１つ以上のラジカルＲ8によって置換されていてもよい。
【００２３】
本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスのさらに好ましい態様において、Ｒ8は、Ｆ、または１〜１０個のＣ原子を有する、直鎖状アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜１０個のＣ原子を有する、分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基に相当する。
【００２４】
本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスのさらに好ましい態様において、Ｗは基−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＮＲ7）−または−（Ｃ（Ｒ7）2）−であり、ここでＲ7は好ましくはＨであり、基Ｗは特に好ましくは−（ＣＨ2）2−である。
【００２５】
式（３）の化合物は、好ましくは式（６）〜（２０）を有する以下の化合物の１つであり、ここで式（１）または（２）の二重または三重結合への結合は、任意の所望の化学的に可能な位置で行われ得る。
【化４】
2016505216.tif 000005
【００２６】
式（４）の化合物は、好ましくは式（６）〜（２０）を有する２つの化合物の化学的に考えうる縮合から生じる化合物であり、ここで式（１）または（２）の二重または三重結合への結合は任意の所望の化学的に可能な位置で行われ得る。
【００２７】
一般式（１）または（２）の化合物は、好ましくは以下の化合物のうちの１つである：
【化５−１】
2016505216.tif 000006
【化５−２】
2016505216.tif 000007
【化５−３】
2016505216.tif 000008
【化５−４】
2016505216.tif 000009
【化５−５】
2016505216.tif 000010
【化５−６】
2016505216.tif 000011
【化５−７】
2016505216.tif 000012
【化５−８】
2016505216.tif 000013
【化５−９】
2016505216.tif 000014
【化５−１０】
2016505216.tif 000015
【００２８】
ここで、これらの化合物の１つ以上のＨ原子は、ラジカルＲ1によって置きかえられていてもよく、ラジカルＲ1は上記で定義されるが、この場合はＨとは異なる。
【００２９】
式（１）または（２）の化合物は、好ましくは１、２、３または４つのラジカルＲ1を含有するが、好ましくは１または２つのラジカルＲ1を含有し、これはＨとは異なる。
【００３０】
式（１）または（２）の化合物は、特に好ましくは以下の化合物から選択される：
【化６−１】
2016505216.tif 000016
【化６−２】
2016505216.tif 000017
【００３１】
式（１）または（２）の化合物は好ましくは蛍光性発光体化合物であり、すなわち化合物は電子励起一重項状態からの放射線を発する。しかし、化合物が電子励起された三重項状態からの放射線を発するリン光性化合物であることも考えられる。式（１）または（２）の化合物は好ましくは紫外線発光化合物として採用され、すなわち本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスは、好ましくは紫外線発光デバイスである。
【００３２】
さらに好ましい態様において、式（１）または（２）の化合物は、高い振動子強度、好ましくは０．１を超える、より好ましくは０．２を超える、最も好ましくは０．５を超える振動子強度を有する発光体化合物である。
【００３３】
振動子強度ｆは、ここでは、２つの特定の量子状態の間における遷移のカップリングの強度を特徴づける量を意味すると解釈される（例えばＰ．Ｗ．ＡｔｋｉｎｓおよびＲ．Ｓ．Ｆｒｉｅｄｍａｎ、Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ、Ｏｘｆｏｒｄ  Ｕｎｉｖ．Ｐｒｅｓｓ、第３版）。ここでは、ｆは分子の基底状態と励起状態の間のカップリングの強度を特徴づける。振動子強度は光学的または電気励起の効率の指標を与える。しかし、異なる決定方法は振動子強度についても異なる値をもたらす。振動子強度の有意義な比較は、同じ方法を使用して値が決定されている場合にのみ可能である。本明細書において使用される方法を、例において説明する。
【００３４】
一態様において、本発明によるデバイスの発光層は、式（１）または（２）の発光体および少なくとも１つのホスト材料を含む。ここではホスト材料は、バンドギャップ（＝価電子帯（ＬＵＭＯ−最低空軌道）と伝導帯（ＨＯＭＯ−最高被占軌道）の間の間隔）がより大きいかまたは励起電子状態がより高い。したがって、ホスト材料はＳ1またはＴ1準位がより高く、好ましくは、ホスト材料のＳ1準位は発光体のＳ1準位よりも高い。ここでＳ1は、第１の電子励起された一重項準位である。Ｔ1は第１の電子励起された三重項準位である。
【００３５】
上記の材料は、発光層における発光体として採用できる。しかし、式（１）または（２）の材料は、ホスト材料としても採用できる。式（１）または（２）のホスト化合物に、任意の所望のタイプの少なくとも１つのドーパント（発光体）、または式（１）もしくは（２）の少なくとも１つの発光体のいずれかをドープすることができる。したがって本発明は、発光層が式（１）または（２）の少なくとも１つの化合物を発光層におけるホスト材料として含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンスデバイスにも関する。
【００３６】
したがって本発明は、発光層が式（１）または（２）の少なくとも１つの化合物をホスト材料として含み、式（１）または（２）の少なくとも１つの化合物を発光層における発光体として含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンスデバイスにも関する。
【００３７】
本発明のさらなる態様において、ポリスチレンまたはポリスチレンの誘導体をホスト材料として使用することが特に好ましい。
【００３８】
さらなる態様において、発光層は少なくとも１つのさらなる紫外発光体および／または少なくとも１つのさらなるホスト材料を含む。
【００３９】
発光体またはホストのいずれかとして発光層に適した材料を、例として、対応する参考文献と共に以下の表にまとめる。
【化７−１】
2016505216.tif 000018
【化７−２】
2016505216.tif 000019
【化７−３】
2016505216.tif 000020
【化７−４】
2016505216.tif 000021
【化７−５】
2016505216.tif 000022
【００４０】
発光層における式（１）または（２）の化合物の量は、発光層のすべての構成成分の総重量を基準として、好ましくは１〜６０重量％、より好ましくは５〜５０重量％、さらにより好ましくは１５〜４５重量％の範囲である。
【００４１】
発光層におけるホスト材料の量は、発光層のすべての構成成分の総重量を基準として、好ましくは４０〜９９重量％、より好ましくは５０〜９５重量％、さらにより好ましくは５５〜８５重量％の範囲である。
【００４２】
本発明によるデバイスの性能データは、様々な方法でさらに改善できる。
【００４３】
既に述べたように、通常は少なくとも１つのホスト材料が、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光層において発光体（１つ以上）の他に使用される。しかし、本発明によるデバイスにおいていわゆる混合ホストを使用すると、特に良好な結果を得ることができる。
【００４４】
さらに好ましい態様において、混合ホストが本発明によるデバイスの発光層において使用される。これはデバイスの放射線強度を大幅に増加させ、動作電圧を大幅に低下させることを可能にする。混合ホストとは、ホストが少なくとも２つの異なる化合物からなることを意味する。当業者は、先行技術で既知の多様なホスト化合物に容易に頼ることができる。
【００４５】
さらなる態様において、さらなる層が発光層と２つの電極の１つとの間に導入される。
【００４６】
少なくとも１つのブロッキング層が発光層と電極の１つとの間で使用されると有利である。これは特に、動作電圧を低下させ絶対放射線強度を増加させことを可能にする。適切なブロッキング層は、励起子、電子または正孔をブロックすることができる。
【００４７】
したがって本発明は、さらなる層が、３．４ｅＶ以上、好ましくは３．６ｅＶ以上、非常に好ましくは３．８ｅＶ以上、非常に特に好ましくは４．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する励起子ブロッキング材料（ブロッキング材料）を含むことを特徴とする、ここで開示されるような、発光層と２つの電極の１つとの間にさらなる層を好ましくは含むデバイスにも関する。
【００４８】
本発明は、さらなる層が、−５．９ｅＶ未満、好ましくは−６．０ｅＶ未満、非常に好ましくは−６．２ｅＶ未満、非常に特に好ましくは−６．３ｅＶ未満のＨＯＭＯを有する正孔ブロッキング材料（バリア材料）を含むことを特徴とする、ここで開示されるような、発光層と２つの電極の１つとの間にさらなる層を含むデバイスにも関する。
【００４９】
本発明は、さらなる層が、−２．２ｅＶを超える、好ましくは−２．１ｅＶを超えるＬＵＭＯを有する電子ブロッキング材料（ブロッキング材料）を含むことを特徴とする、ここで開示されるような、発光層と２つの電極の１つとの間にさらなる層を好ましくは含むデバイスにも関する。
【００５０】
非常に好ましい態様において、本発明によるデバイスは、励起子とさらに正孔の両方をブロックするブロッキング層を含む。
【００５１】
さらに非常に好ましい態様において、本発明によるデバイスは、励起子とさらに電子の両方をブロックするブロッキング層を含む。
【００５２】
非常に好ましい態様において、ブロッキング層は、少なくとも２つ以上の架橋性基を含有する１つ以上の化合物（以降、前駆体）を架橋させることにより形成される。少なくとも２つ以上の架橋性基をさらに含有する、式（１）または（２）の化合物の前駆体により形成されるブロッキング層が特に好ましい。
【００５３】
架橋性基は、熱、放射線、またはその両方の助けを借りて架橋反応を引き起こす架橋剤を含有する基である。放射線源は電子線または紫外線であってもよい。好ましい紫外放射線源は、２００〜４００ｎｍの波長の放射線、非常に好ましくは３００〜４００ｎｍの放射線を発する。紫外線に適した放射線源は、例えば、水銀ＵＶ蛍光ランプ、ＵＶ  ＬＥＤ、およびＵＶレーザーダイオードである。
【００５４】
適切な架橋性基は、例えば、アクリラート基（例えばＳｃｈｅｌｅｒら、Ｉｎ  Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．２５４、２０３〜２０９（２００７））、ビニルまたはスチレン基（例えば国際公開第２００６／０４３０８７号）、およびオキセタン基（例えばＭｕｅｌｌｅｒら、Ｉｎ  Ｎａｔｕｒｅ  ４２１、８２９〜８３３（２００３））である。
【００５５】
好ましい態様において、ブロッキング層のための前駆体化合物は、一般式（２０５）の化合物である。
【化８】
2016505216.tif 000023
【００５６】
式中、Ａｒ4およびＡｒ5はそれぞれ、互いに独立に、芳香族またはヘテロ芳香族の５員環または６員環を表し、好ましくは上記で定義される式（３）の環を表し、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ、互いに独立に、架橋性基であり、これは好ましくは以下の式（２０６）〜（２２９）から選択される：
【化９−１】
2016505216.tif 000024
【化９−２】
2016505216.tif 000025
【化９−３】
2016505216.tif 000026
【００５７】
式中、
ラジカルＲ11、Ｒ12およびＲ13は、出現する毎に、同一または異なって、Ｈ、１〜６個のＣ原子を有する直鎖状または分枝アルキル基であり、
式（２１８）〜（２２９）におけるＡｒ10は、５もしくは６個の環原子を有する単環または多環の芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、これは１つ以上のラジカルＲによって置換されていてもよく、ここでＲは、出現する毎に、同一または異なって、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族炭化水素基、６〜２０個の芳香族環原子を有する芳香族炭化水素基、または５〜２０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族炭化水素基であり、ここでさらに、１つ以上のＨ原子はＦによって置きかえられていてもよく；ここで２つ以上の置換基Ｒは、単環または多環の脂肪族または芳香族環系を互いに形成してもよく；
ｓは０〜８の整数であり；
ｔは１〜８の整数であり；
破線の結合は、式（２０５）における単環または多環の芳香族またはヘテロ芳香族環系Ａｒ4またはＡｒ5の１つへの架橋性基の結合を表す。
【００５８】
式（２１７）のグループにおいて、２本の破線は、式（２０５）の化合物におけるＡｒ4および／またはＡｒ5がオルト位でエチレン基の２個の炭素原子に結合して４員環を形成することを意味する。同様に、式（２２９）の基のＡｒ10は、エチレン基の２個の炭素原子にオルト位で結合して４員環を形成する。
【００５９】
上記で示した態様によるブロッキング層の好ましい前駆体化合物の例は、以下の構造の化合物である。
【化１０−１】
2016505216.tif 000027
【化１０−２】
2016505216.tif 000028
【００６０】
前記前駆体化合物の調製方法は、先行技術（例えば国際公開第２０１０／１３３２７８号および米国特許第７８０７０６８号）から当業者に周知である。
【００６１】
さらに好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスは、２８０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲の波長を有する放射線を発する。
【００６２】
エレクトロルミネッセンスデバイスは任意のエレクトロルミネッセンスデバイスであってもよい。当業者は、当業者に既知の多数のデバイスからここで容易に選択することができる。エレクトロルミネッセンスデバイスは、好ましくは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ、ＬＥＣまたはＬＥＥＣ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）および有機発光電気化学トランジスタである。非常に好ましい態様において、本発明はＯＬＥＤまたはＰＬＥＤに関する。さらに非常に好ましい態様において、本発明はＯＬＥＣに関する。
【００６３】
エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソード、アノード、および少なくとも１つの発光層を含む。これらの層とは別に、さらなる層、例えば各場合において、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロッキング層、および／または電荷発生層も含んでいてもよい。例えば励起子をブロックする機能を有する中間層を、同様に２つの発光層の間に導入してもよい。しかし、これらの層のそれぞれは必ずしも存在する必要はないことに注意するべきである。エレクトロルミネッセンスデバイスは、１つの発光層を含んでいてもよく、または複数の発光層を含んでいてもよく、１つの発光層を含むのが好ましい。
【００６４】
好ましい態様において、本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスは正孔注入層を含み、これは緩衝層とも呼ばれる。正孔注入層の仕事関数は５．０ｅＶを上回り、好ましくは５．４ｅＶを上回り、非常に好ましくは５．８ｅＶを上回り、非常に特に好ましくは６．０ｅＶを上回る。さらなる態様において、正孔注入層は、導電性の共役ポリマー、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびポリピロールならびにそれらの誘導体を含む。そのようなポリマーは、場合によっては市販もされており、例えばＨｅｒａｅｕｓ  Ｐｒｅｃｉｏｕｓ  Ｍｅｔａｌｓ  ＧｍｂＨ  ＆  Ｃｏ．ＫＧ社のＣＬＥＶＩＯＳ（商標）Ｐ  ＶＰ  ＡＩ  ４０８３、ＣＬＥＶＩＯＳ（商標）ＨＩＬ  １．３、およびＣＬＥＶＩＯＳ（商標）ＨＩＬ  １．３Ｎなどである。
【００６５】
式（１）または（２）の化合物は、ポリマーの側鎖に組み込まれていてもよい。ポリマーの側鎖への化合物の組み込みは様々な利点を有し、これを以下に示す。
【００６６】
１）ポリマーは、有機溶媒中の改善された溶解性、ひいては改善された加工性も有する。
【００６７】
２）ポリマーは、改善された層形成特性を有する。
【００６８】
３）ポリマーは、小分子と比較してより高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する。
【００６９】
４）ポリマーは、より広いプロセスウィンドウおよび改善された性能データを有する。
【００７０】
本発明は、式（１）もしくは（２）の化合物のうち少なくとも１つと、発光体、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料（ＥＴＭ）、電子注入材料（ＥＩＭ）、正孔輸送材料（ＨＴＭ）、正孔注入材料（ＨＩＭ）、電子ブロッキング材料（ＥＢＭ）、正孔ブロッキング材料（ＨＢＭ）、励起子ブロッキング材料（ＥｘＢＭ）の群から選択される、少なくとも１つの有機機能性材料または有機半導体とを含む組成物にも関する。ここで発光体は、蛍光性発光体とリン光性発光体の両方であってもよい。当業者はここで、前記機能を有する多様な既知の有機機能性材料から容易に選択することができる。様々な有機機能性材料の定義および例は、例えば、国際公開第２０１１／０１５２６５号の開示内容から得ることができる。
【００７１】
本発明の目的のために、本発明による組成物は好ましくは、発光体としての式（１）もしくは（２）の少なくとも１つの化合物の他に、少なくとも１つのホスト材料を有機機能性材料として含む。組成物は非常に好ましくは、発光体としての式（１）または（２）の少なくとも１つの化合物の他に、２つのホスト材料を含む。組成物は非常に特に好ましくは、発光体としての式（１）または（２）のちょうど１つの化合物、および２つのホスト材料を含む。組成物はさらに、非常に特に好ましくは、発光体としての式（１）または（２）のちょうど１つの化合物、およびちょうど１つのホスト材料を含む。
【００７２】
組成物中の発光体（複数可）の濃度は好ましくは１〜６０重量％、好ましくは５〜５０重量％、最も好ましくは１５〜４５重量％である。ホストまたはホストもしくはホスト材料の総濃度は好ましくは４０〜９９重量％、好ましくは５０〜９５重量％、最も好ましくは５５〜８５重量％である。
【００７３】
本発明によるデバイスは、様々な方法により製造できる。エレクトロルミネッセンスデバイスの１つ以上の層は、昇華法によって付着させることができ、ここでは材料を気相堆積により真空昇華ユニット中で１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6未満ｍｂａｒの初期圧力で付着させる。しかし、初期圧力をさらに低くする、例えば１０-7ｍｂａｒ未満にすることも可能である。
【００７４】
エレクトロルミネッセンスデバイスの１つ以上の層を付着させるための好ましい方法は、ＯＶＰＤ法（有機気相堆積）またはキャリアガス昇華を利用する方法であり、ここでは材料を１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で付着させる。この方法の特別なケースはＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、ここではノズルを通して材料を直接付着させ、構造化させる（例えばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【００７５】
エレクトロルミネッセンスデバイスの１つ以上の層は、溶液から、例えばスピンコーティングなどにより、または任意の所望の印刷法、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）、インクジェット印刷もしくはノズル印刷などによって、付着させることもできる。例えば適切な置換により得られる可溶性化合物が、この目的のために必要である。これらの方法は、オリゴマー、デンドリマーおよびポリマーを含む層の付着にも適している。
【００７６】
同様に、例えば、１つ以上の層を溶液から付着し、１つ以上の他の層を真空気相堆積により付着させる、複合法が可能である。
【００７７】
したがって本発明は、昇華法によっておよび／または溶液からの方法によって本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスを製造する方法にも関する。
【００７８】
本発明はさらに、本発明による組成物および１つ以上の溶媒を含む配合物に関する。
【００７９】
適切で好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、キシレン、メチルベンゾアート、ジメチルアニソール、トリメチルベンゼン、テトラリン、ベラトロール、テトラヒドロフラン、クロロベンゼンまたはジクロロベンゼン、およびそれらの混合物である。
【００８０】
青色光および／または紫外線を発するエレクトロルミネッセンスデバイスは多目的に使用できる。非常に短い波長を有する光または放射線を必要とし、そのため本発明によるデバイスの応用分野を代表する用途は、例えば、生命科学および医学（例えば細胞画像化）の分野またはバイオセンサーの分野で見出される。本発明によるデバイスは、エレクトロニクス産業、固体照明、ならびにポリマーおよび印刷インクの硬化においてさらに使用される。したがって本発明は、前記分野における本発明によるエレクトロルミネッセンスデバイスの使用にも関する。
【００８１】
本発明によるデバイスは、ヒトおよび／または動物の光線療法（光治療）にも採用できる。したがって本発明はさらに、光治療による疾患の治療、予防法および診断のための、本発明によるデバイスの使用に関する。本発明はなおさらに、光治療による美容状態の治療および予防のための、本発明によるデバイスの使用に関する。
【００８２】
光治療または光線療法は、医学および／または美容の多くの分野で使用される。したがって本発明によるデバイスは、あらゆる疾患の療法および／または予防および／または診断において、ならびに／または当業者が光治療の使用を考える美容用途において採用できる。照射の他に、光治療という用語は、光力学療法（ＰＤＴ）ならびに保存、消毒および滅菌も一般に含む。光治療または光線療法によって処置することができるのはヒトまたは動物だけでなく、任意の他の種類の生物または非生物材料もそうである。これらとしては、例えば、菌類、細菌、微生物、ウイルス、真核生物、原核生物、食品、飲料、水、飲料水、刃物類、医療用器具および装置、ならびに他のデバイスが挙げられる。
【００８３】
光治療という用語は、光線療法と他の種類の療法、例えば活性化合物による治療などとの任意の種類の組み合わせも含む。多くの光線治療は、対象物、例えば、ヒトおよび動物の皮膚、創傷、粘膜、目、髪、爪、爪床、歯肉および舌などの外部に照射するまたは処置する目的を有する。加えて、本発明による処置または照射は、例えば、内臓（心臓、肺など）または血管または乳房を治療するために、対象物の内部で行うこともできる。
【００８４】
本発明に従った治療および／または美容の応用分野は、好ましくは、皮膚疾患、および皮膚関連の疾患または変化または状態、例えば、乾癬、皮膚老化、皮膚のしわ、皮膚の若返り、毛穴の拡大、セルライト、油っぽい／脂っぽい皮膚、毛包炎、日光角化症、前癌性日光角化症、皮膚損傷、日焼けで傷んだ皮膚および日焼けによるストレスを受けた皮膚、目尻のしわ、皮膚潰瘍、座瘡、酒さ性座瘡、座瘡による瘢痕、アクネ菌、脂っぽい／油っぽい脂腺およびそれらの周囲組織の光変調、黄疸、新生児の黄疸、白斑、皮膚癌、皮膚腫瘍、クリグラー・ナジャー、皮膚炎、アトピー性皮膚炎、糖尿病性皮膚潰瘍、ならびに皮膚の脱感作などの群から選択される。
【００８５】
本発明の目的において、乾癬、座瘡、セルライト、皮膚のしわ、皮膚老化、黄疸および白斑の治療および／または予防が特に好ましい。
【００８６】
本発明に従った、デバイスのさらなる応用分野は、炎症性疾患、リウマチ性関節炎、疼痛治療、創傷の治療、神経性の疾患および状態、浮腫、パジェット病、原発腫瘍および転移腫瘍、コラーゲンの結合組織病または変化、哺乳類の組織における線維芽細胞および線維芽細胞から生じる細胞レベル、網膜の照射、新生血管および肥大性の疾患、アレルギー反応、呼吸器の照射、発汗、眼新生血管疾患、ウイルス感染、特に疣贅および性器疣贅の治療における単純ヘルペスまたはＨＰＶ（ヒトパピローマウイルス）により引き起こされる感染の群から選択される。
【００８７】
本発明の目的において、リウマチ性関節炎、ウイルス感染および疼痛の治療および／または予防が特に好ましい。
【００８８】
本発明に従った、デバイスのさらなる応用分野は、冬季の鬱病、睡眠病、気分を改善するための照射、疼痛、特に例えば緊張または関節痛により引き起こされる筋肉痛の低減、関節硬直の除去、および歯のホワイトニング（漂白）から選択される。
【００８９】
本発明に従った、デバイスのさらなる応用分野は、消毒の群から選択される。デバイスは、消毒、滅菌または保存の目的で、任意の種類の対象物（非生物材料）または対象（生物材料、例えばヒトおよび動物など）の処置に使用できる。これには、例えば、創傷の消毒、細菌の低減、外科用器具または他の物品の消毒、食品、液体、特に水、飲料水および他の飲料の消毒または保存、粘膜および歯肉および歯の消毒が含まれる。ここでは消毒は、望ましくない効果がある生きた微生物病原体、例えば細菌および病原菌を減少させることを意味すると解釈される。
【００９０】
本発明によるデバイスは、特に、スペクトルの紫外および青色領域で発光する。正確な波長は、それぞれの用途に応じて当業者により容易に長波長側へ調整することができる。
【００９１】
本発明の特に好ましい態様において、デバイスは光治療の目的で採用される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）または有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）である。ＯＬＥＤとＯＬＥＣの両方が、単層または多層構造を含む任意の所望の断面（例えば円形、楕円形、多角形、正方形）を有する平面状または繊維様構造を有していてもよい。これらのＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤは、さらなる機械、接着および／または電子素子（例えば、バッテリー、ならびに／または照射時間、強度および波長の調整のための制御ユニット）を含む他のデバイス内に設置してもよい。本発明によるＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤを含むこれらのデバイスは、好ましくは、石膏、パッド、テープ、包帯、袖、毛布、フード、寝袋、繊維製品およびステントを含む群から選択される。
【００９２】
前記治療および／または美容目的のための前記デバイスの使用は、先行技術と比較して特に有利であり、なぜなら、本発明によるデバイスの助けを借りてＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを使用して、実質的に任意の場所で任意の時間に高エネルギーの青色領域および／またはより低い照射強度の紫外領域での均質な照射が可能であるからである。入院患者として、外来患者として、および／または患者自身によって、すなわち医療または美容の専門家による導入および／または指導なしに、照射を行うことができる。したがって、例えば、石膏を衣服の下に身につけることができ、その結果、労働時間中、余暇時間中または睡眠の間にも照射が可能である。複雑な入院患者／外来患者の治療は、多くの場合、回避するかまたはその頻度を減らすことができる。本発明によるデバイスは、再使用されるかまたは使い捨て物品であることを意図していてもよく、使い捨て物品は１回、２回以上の使用後に廃棄できる。
【００９３】
先行技術を超えるさらなる利点は、例えば、熱の発生が低いことおよび感情的側面である。すなわち、黄疸のために治療される新生児は典型的には、両親との物理的接触なしに保育器の中で目隠しをされて照射を受けなければならず、これは両親および新生児にとって精神的ストレスの状況を表す。本発明によるＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを含む本発明による毛布の助けを借りて、精神的ストレスを大幅に低減することができる。加えて、従来の照射装置と比較して本発明によるデバイスの熱生成が少ないため、より良好な子供の温度制御が可能である。
【００９４】
したがって本発明は、特に、光治療の医学に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【００９５】
本発明は、光治療による皮膚の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【００９６】
本発明は、光治療による乾癬の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【００９７】
本発明は、光治療による黄疸の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【００９８】
本発明は、光治療による新生児の黄疸の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【００９９】
本発明は、光治療による座瘡の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【０１００】
本発明は、光治療による炎症の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【０１０１】
本発明は、光治療によるアトピー性湿疹の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【０１０２】
本発明は、光治療による皮膚老化の治療に使用するための本発明によるデバイスにも関する。
【０１０３】
本発明はさらに、美容分野における光治療のための本発明によるデバイスの使用に関する。
【０１０４】
特に、本発明は、皮膚のしわの形成および皮膚老化を光治療により低減するおよび／または光治療により防止するための本発明によるデバイスの使用に関する。
【０１０５】
本発明は、本発明によるデバイスを使用した光治療による皮膚の治療方法にも関する。
【０１０６】
本発明の目的において、直鎖状もしくは分枝もしくは環状アルキル基または脂肪族炭化水素ラジカルは、好ましくはそれぞれ１または３〜４０個のＣ原子、より好ましくはそれぞれ１または３〜２０個のＣ原子、さらにより好ましくはそれぞれ１または３〜１０個のＣ原子、最も好ましくはそれぞれ１または３〜６個のＣ原子を有する、アルキル、アルケニル、アルキニル基を意味すると解釈される。環状アルキル基は、単環、二環または多環アルキル基であってもよい。個々の−ＣＨ−または−ＣＨ2基は、Ｎ、ＮＨ、ＯまたはＳによって置きかえられていてもよい。アルキル基の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔ−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチル、２−エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルのラジカルである。
【０１０７】
アルコキシ基またはチオアルキル基は、酸素原子または硫黄原子を介して結合している、上記で定義されるアルキル基を意味すると解釈される。好ましいアルコキシ基は、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｓ−ペントキシ、２−メチルブトキシ、ｎ−ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、ｎ−ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシおよび２，２，２−トリフルオロエトキシである。好ましいチオアルキル基は、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、ｉ−プロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、ｉ−ブチルチオ、ｓ−ブチルチオ、ｔ−ブチルチオ、ｎ−ペンチルチオ、ｓ−ペンチルチオ、ｎ−ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ｎ−ヘプチルチオ、シクロヘプチルチオ、ｎ−オクチルチオ、シクロオクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、２，２，２−トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオ、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオである。
【０１０８】
一般に、本発明によるアルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基または脂肪族炭化水素ラジカルは、直鎖状、分枝または環状であってもよく、ここで１つ以上の隣接しないＣＨ2基は、Ｒ5Ｃ＝ＣＲ5、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ5）2、Ｇｅ（Ｒ5）2、Ｓｎ（Ｒ5）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ5、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ5）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ5、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ5によって置きかえられていてもよく；さらに、１つ以上のＨ原子はまた、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2、好ましくはＦ、ＣｌまたはＣＮ、さらに好ましくはＦまたはＣＮ、特に好ましくはＣＮによって置きかえられていてもよい。
【０１０９】
単環または多環の脂肪族環系は、ＣＨ2単位のみからなる環系であってもよいが、ＣＨ2基のうち１つ以上がＯ、ＳまたはＮＨによって置きかえられていてもよい。
【０１１０】
用語「アリールオキシ」、「アリールアルコキシ」、「ヘテロアリールオキシ」または「アリールアルキル」に関連した、用語「アリール」または「ヘテロアリール」は、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素ラジカルを意味すると解釈され、これは単環または多環であってもよく、好ましくは６または５〜６０個、より好ましくは６〜２０個、最も好ましくは５または６個の芳香族環原子を含有する。単位が芳香族単位である場合、好ましくは６〜２０個、より好ましくは６〜１０個、最も好ましくは６個の炭素原子を環原子として含有する。単位がヘテロ芳香族単位である場合、環原子のうち少なくとも１つがヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族またはヘテロ芳香族単位はここでは、単純な芳香族環、すなわちベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、例えば、ピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、または縮合アリールまたはヘテロアリール基、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン、ベンゾチオフェン、ベンゾフランおよびインドールなどのいずれかを意味すると解釈される。
【０１１１】
芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素ラジカルの本発明による例はしたがって：ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペリレン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールである。
【０１１２】
用語「アリールアルキル」に関連した、用語「アルキル」は、アリール基に結合している上記で定義されるアルキル基を意味すると解釈される。
【０１１３】
用語「アリールオキシ」、「アリールアルコキシ」または「ヘテロアリールオキシ」は、酸素原子を介して結合している基「アリール」、「アリールアルキル」または「ヘテロアリール」を意味すると解釈される。
【０１１４】
６〜１８個の環原子、好ましくは６〜１５個の環原子、さらにより好ましくは６〜１０個の環原子を有する芳香族環系は、芳香族ヘテロ原子を含有しない系を意味すると解釈される。この系は必ずしも芳香族基を含有するものだけでなく、さらに、複数の芳香族基が短い非芳香族単位（＜１０％のＨ以外の原子、好ましくは＜５％のＨ以外の原子）、例えばｓｐ3混成のＣ、Ｏ、Ｎなどで中断されていてもよいものも意味すると解釈される。これらの芳香族環系は単環または多環であってもよく、すなわち、それらは１つの環（例えばフェニル）または２つ以上の環を有していてもよく、これは縮合している（例えばナフチル）かまたは共有結合している（例えばビフェニル）かまたは縮合した環と結合した環の組み合わせを含有していてもよい。
【０１１５】
好ましい芳香族環系は、例えば、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ジヒドロフェナントリル、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、テトラセン、フルオレンおよびインドールである。
【０１１６】
本発明の意味におけるヘテロ芳香族環系は好ましくは、５〜１８個の環原子、好ましくは５〜１４個、特に好ましくは５〜１０個の環原子を有するヘテロ芳香族環系を意味すると解釈される。ヘテロ芳香族環系は、Ｎ、ＯおよびＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する（残りの原子は炭素である）。ヘテロ芳香族環系は、加えて、必ずしも芳香族またはヘテロ芳香族基のみを含有するのではなく、さらに複数の芳香族またはヘテロ芳香族基が短い非芳香族単位（＜１０％のＨ以外の原子、好ましくは＜５％のＨ以外の原子）、例えばｓｐ3混成のＣ、Ｏ、Ｎなどで中断されていてもよい系を意味すると解釈されることを意図している。これらのヘテロ芳香族環系は単環または多環であってもよく、すなわちそれらは１つの環（例えばピリジル）または２つ以上の環を有していてもよく、これは縮合しているもしくは共有結合しているか、または縮合した環と結合した環の組み合わせを含有していてもよい。
【０１１７】
好ましいヘテロ芳香族環系は、例えば、５員環、例えば、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、テトラゾール、フラン、チオフェン、セレノフェン、オキサゾール、イソキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾールなど、６員環、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジンなど、または縮合基、例えば、インドール、イソインドール、インドリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、プリン、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、ベンゾキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、キノリン、イソキノリン、プテリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、ベンゾイソキノリン、アクリジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾピリダジン、ベンゾピリミジン、キノクサリン、フェナジン、ナフチリ
ジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントリジン、フェナントロリン、チエノ［２，３ｂ］チオフェン、チエノ［３，２ｂ］チオフェン、ジチエノチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾチアジアゾチオフェン、またはこれらの基の組み合わせである。イミダゾール、ベンゾイミダゾールおよびピリジンが特に好ましい。
【０１１８】
本発明によるデバイス、組成物、および配合物は、先行技術を超える以下の驚くべき利点によって特徴づけられる：
１．本発明によるデバイスは、ＵＶ−ＡおよびＵＶ−Ｂ領域で発光する。
【０１１９】
２．好ましい発光に必要な発光体化合物が容易に入手できる。
【０１２０】
３．混合ホストの使用は、動作電圧を低下させ照射強度を増加させる。
【０１２１】
４．ブロッキング層の使用は、動作電圧を大幅に低下させ照射強度を増加させる。
【０１２２】
５．本発明によるデバイスは、容易に溶液から処理できる。
【０１２３】
これらの上記の利点は、他の電子特性における障害を伴わない。
【０１２４】
本発明に記載される態様の変形は本発明の範囲内に入ることに注意すべきである。本発明で開示される各特徴は、明確に排除されない限り、同じ、等価のまたは同様の目的に役立つ別の特徴によって置きかえることができる。したがって、本発明で開示される各特徴は、別段の指定がない限り、一般的な系列の例として、または等価のもしくは同様の特徴として見なされるべきである。
【０１２５】
本発明のあらゆる特徴は、特定の特徴および／または工程が互いに排他的でない限り、互いにいかようにも組み合わせることができる。このことは特に、本発明の好ましい特徴に適用される。同じように、必須でない組み合わせの特徴は別々に（組み合わせではなく）使用できる。
【０１２６】
特徴の多くは、特に本発明の好ましい態様の特徴の多くは、単に本発明の態様の一部としてではなく、それ自体が発明性のあるものと見なされるべきであることにさらに注意すべきである。現時点で主張される各発明に加えてまたはその代替として、これらの特徴に独立して保護が付与されてもよい。
【０１２７】
本発明と共に開示される技術的行為に関する教示を抜き出し、他の例と組み合わせることができる。
【０１２８】
本発明を以下の例および図１〜４によってさらに詳細に説明するが、それらによって本発明を制限しようとするものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】図１は、発光体Ｅ１を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図２】図２は、発光体Ｅ２を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図３】図３は、発光体Ｅ３を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図４】図４は、発光体Ｅ４を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図５】図５は、発光体Ｅ６を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図６】図６は、発光体Ｅ７を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図７】図７は、発光体Ｅ８を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図８】図８は、発光体Ｅ９を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図９】図９は、発光体Ｅ１０を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図１０】図１０は、発光体Ｅ１１を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図１１】図１１は、発光体Ｅ１２を含む本発明によるデバイスのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）およびフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）を示す。
【図１２】図１２は、発光体Ｅ１３を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図１３】図１３は、発光体Ｅ１４を含む本発明によるデバイスのフォトルミネッセンススペクトルを示す。
【図１４】図１４は、発光体Ｅ２〜Ｅ４を含む本発明によるデバイスのリン光ルミネッセンススペクトルを一緒にしたものを示す。
【０１３０】
［例］
例１
材料
【化１１−１】
2016505216.tif 000029
【化１１−２】
2016505216.tif 000030
【０１３１】
Ｅ１〜Ｅ１０は、式（１）の化合物である。Ｅ１１〜Ｅ１４は、式（２）の化合物である。Ｒｅｆ１（ポリ（２−ビニルナフタレン））およびＲｅｆ２（ポリ（１−ビニルナフタレン））は、参照化合物であり、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈより購入できる。表１は、化合物およびそれらの調製に関するＣＡＳ番号および他の参考文献を示す。
【０１３２】
加えて、分子量Ｍｗが２００キロダルトンであるＦｌｕｋａ社のポリスチレン（ＰＳ）をホストとして使用する。
【表１】
2016505216.tif 000031
【０１３３】
化合物Ｅ５の合成
ａ）２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）エタノールの合成
【化１２】
2016505216.tif 000032
【０１３４】
２，３−ジフルオロトルエン（２５６．２４６ｇ、２ｍｏｌ；ＣＡＳ３８２８−４９−７）を、窒素下で−７０℃まで冷却する。−６５℃〜−７０℃の一定温度で、１３７５ｍｌ（２．１９ｍｏｌ）のブチルリチウム（ｎ−ヘキサン中の１５％溶液）を滴下して加え、さらに３０分後、液化エチレンオキシド（８８．１ｇ、２ｍｏｌ）を一度に加える。反応物を低温で３０分撹拌する。次いで三フッ化ホウ素／ジエチルエーテル錯体（２５１．２０４ｍｌ、２ｍｏｌ）を一定温度で滴下してゆっくり加える。反応物を時間をかけて室温に加温し、氷水上に注ぎ、塩酸を使用して酸性化し、ＭｔＢエーテルで抽出する。実質的に無色の油をシリカゲルに通してろ過し（ヘキサン／ＭｔＢ  ３：２）、蒸発乾固させる（４０６ｇ、純度７８％、収率９２％、実質的に無色の油）。
【０１３５】
ｂ）  ２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）酢酸の合成
【化１３】
2016505216.tif 000033
【０１３６】
２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）エタノール（１０ｇ、５８．０８ｍｍｏｌ）をアセトン１５０ｍｌ）、９５〜９７％硫酸（４ｍｌ、７２ｍｍｏｌ）に溶解させ、セライト（１５ｇ）を加える。氷冷しながら、３０℃のＪｏｎｅｓ試薬（２５．２８ｍｌ）を滴下して加える。反応混合物を室温に戻し、吸引ろ過する。蒸発乾固させたろ液を水およびＭｔＢエーテルと共に撹拌し、弱アルカリ性のＮａＨＣＯ３水溶液で抽出する。残渣を１４６ｍｌのヘプタンから再結晶させる（４．５ｇ、褐色結晶、収率５０％）。
【０１３７】
ｃ）（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）アセチルクロリドの合成
【化１４】
2016505216.tif 000034
【０１３８】
ジクロロメタン（２７５ｍｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１ｍｌ）中に溶解させた２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）酢酸（１１５．４ｇ、６２０ｍｍｏｌ）を３０℃まで加温し、塩化チオニル（７１．３ｍｌ、９８２．８ｍｍｏｌ）を加える。ガスの発生が完了するまで反応物を４０℃でさらに撹拌する。反応物を蒸留乾燥させる（１１７．２ｇの紫色油、収率９２％）。
【０１３９】
ｄ）２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−１−（２，３−ジフルオロフェニル）エタンの合成
【化１５】
2016505216.tif 000035
【０１４０】
（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）アセチルクロリド（１１４．５７３ｇ、５６０ｍｍｏｌ）を窒素下でシクロヘキサン（４００ｍｌ）中に溶解させる。１００ｍｌのシクロヘキサン中に溶解させた（２，３−ジフルオロフェニル）トリメチルシラン（１０５．５０３ｇ、５６０ｍｍｏｌ）を滴下して加える。アルミニウムクロリド（８２．１５７ｇ、６１６ｍｍｏｌ）を一度に導入する。反応が完了したら、反応混合物を２Ｌの氷水上に注ぎ、テトラヒドロフラン（５００ｍｌ）およびＭｔＢエーテル（５００ｍｌ）の混合物で抽出する。残渣を８００ｍｌのエタノールから再結晶させる（１０４．５ｇ、無色結晶、収率６５％）。
【０１４１】
ｅ）  ２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−１−（２，３−ジフルオロフェニル）プロペノンの合成
【化１６】
2016505216.tif 000036
【０１４２】
２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−１−（２，３−ジフルオロフェニル）エタン（４．９４ｇ、１７．５ｍｍｏｌ）を最初にＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノメタン（２５ｍｌ）中に導入する。冷却しながら無水酢酸（２５ｍｌ、２６４．５ｍｍｏｌ）を滴下して加える。反応が完了したら、反応混合物を氷水上に注ぎ、ＭｔＢエーテルで抽出し、有機相をＮａＨＣＯ3水溶液で洗浄し、蒸発乾固させる（４．９ｇ、収率９１％）。
【０１４３】
ｆ）  ２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−６，７−ジフルオロインダン−１−オンの合成
【化１７】
2016505216.tif 000037
【０１４４】
トリフルオロメタンスルホン酸（５０ｍｌ、５７０ｍｍｏｌ）を最初にＮ2下で導入し、約２℃まで冷却し、２５ｍｌのジクロロメタン中に溶解させた２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−１−（２，３−ジフルオロフェニル）プロペノン（２６．８ｇ、８２．７ｍｍｏｌ）を、１０℃以下で氷冷しながら滴下して加える。混合物を室温で２時間撹拌する。反応混合物を氷水およびＭｔＢエーテルの混合物上にゆっくりと注ぎ、有機相を飽和ＮａＨＣＯ3溶液と共に振とうする。残渣をクロマトグラフ処理する（トルエン、ＳｉＯ2）（１１．８ｇの黄色結晶、収率４６％）。
【０１４５】
ｇ）  チオケタールの合成
【化１８】
2016505216.tif 000038
【０１４６】
２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−６，７−ジフルオロインダン−１−オン（２９．８ｇ、１０１ｍｍｏｌ）および１，２−エタンジチオール（１７ｍｌ、２０２ｍｍｏｌ）を最初に窒素下で３００ｍｌのジクロロメタン中に導入し、１０℃まで冷却する。三フッ化ホウ素／エチルエーテル錯体（７２．５ｍｌ）を一定温度で滴下して加える。反応混合物を５〜１０℃で１時間撹拌し、その後室温まで加温する。反応混合物を慎重に１０％ＮａＨＣＯ3水溶液（１１００ｍｌ）中へ注ぎ、さらに１時間撹拌する。有機相を蒸発乾固させる。粗生成物を１２００ｍｌのヘプタンから再結晶させ、５℃で吸引ろ過する（３２．１ｇの無色結晶、収率８５％）。
【０１４７】
ｈ）  ２−（２，３−ジフルオロ−４−メチルフェニル）−３，４，５−トリフルオロ−１Ｈ−インデンの合成
【化１９】
2016505216.tif 000039
【０１４８】
テフロン（登録商標）装置中で、Ｎ−ヨードスクシンイミド（９．２８１ｇ、４１．２５ｍｍｏｌ）を６０ｍｌのジクロロメタン中に懸濁させ、懸濁液を−７０℃まで冷却し、ピリジン中のフッ化水素６５％溶液（１０．７３１ｍｌ、３９８ｍｍｏｌ）を比較的急速に−３５℃未満で加える。混合物を−７０℃まで再び冷却し、２０ｍｌのジクロロメタン中のチオケタールの溶液（３．７１５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を−６５℃未満で滴下して加える。混合物を低温でさらに４時間撹拌し、その後室温まで加温する。反応混合物を６００ｍｌの１ＮＮａＯＨおよび２０ｍｌの３９％ＮａＨＳＯ3溶液の低温の混合物中へ注ぎ、ジクロロメタンで抽出し、抽出物を１５０ｍｌの２Ｎ  ＨＣｌと共に振とうし、有機相を乾燥および蒸発させる。粗生成物を高温のヘプタン中へ取り出し、短いシリカゲルのフリットを通してろ過する。無色のろ液をロータリーエバポレーターで蒸発させ、残渣（３１０ｍｇの無色結晶）を３０ｍｌのエタノールから再結晶させる（２３７ｍｇの無色結晶、収率７％）。
【０１４９】
化合物Ｅ１０の合成
【化２０】
2016505216.tif 000040
【０１５０】
酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．０２５当量）、トリエチルアミン（４０ｍｍｏｌ）およびトリ−Ｏ−トリルホスフィン（４ｍｍｏｌ）を、１５０ｍｌのアセトニトリル中の２０ｍｍｏｌ（３．４８ｇ）の１−エテニル−４−ペンチルベンゼンおよび２０ｍｍｏｌ（６．０６ｇ）の１−ブロモ−２−フルオロ−４−（オクチルオキシ）ベンゼンの溶液に加え、１２時間沸騰環流させる。反応混合物をろ過し蒸発させる。シリカゲルを通して残渣をろ過し（ヘプタン／酢酸エチル）、蒸発させる（７．１２ｇ、１８ｍｍｏｌ、収率９０％）。
【０１５１】
例２
量子化学計算
有機化合物のＨＯＭＯ（最高被占軌道）およびＬＵＭＯ（最低空軌道）位ならびに三重項／一重項準位および振動子強度は、量子化学計算によって決定される。この目的のために、「Ｇａｕｓｓｉａｎ０３Ｗ」プログラムパッケージ（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．）を使用する。金属を含まない有機材料を計算するために、最初に半経験的な「Ｇｒｏｕｎｄ  Ｓｔａｔｅ／Ｓｅｍｉ−ｅｍｐｉｒｉｃａｌ／Ｄｅｆａｕｌｔ  Ｓｐｉｎ／ＡＭ１」法（Ｃｈａｒｇｅ  ０／Ｓｐｉｎ  Ｓｉｎｇｌｅｔ）により構造最適化を行う。その後、最適化した構造に基づきエネルギー計算を行う。この中で、「６〜３１Ｇ（ｄ）」ベースセット（Ｃｈａｒｇｅ  ０／Ｓｐｉｎ  Ｓｉｎｇｌｅｔ）を用いた「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／Ｄｅｆａｕｌｔ  Ｓｐｉｎ／Ｂ３ＰＷ９１」法を使用する。最も重要な結果は、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ準位、三重項および一重項（Ｓ1）励起状態のエネルギー、ならびに振動子強度（ｆ）である。第１の励起状態（Ｓ1およびＴ1）はここで最も重要である。Ｓ1は第１の励起一重項準位を表し、Ｔ1は第１の  励起三重項準位を表す。エネルギー計算はハートリー単位でのＨＯＭＯ  ＨＥｈまたはＬＵＭＯ  ＬＥｈを与える。エレクトロンボルト（ｅＶ）でのＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ値はそれらから以下のように決定され、ここでこれらの関係はサイクリックボルタンメトリー測定（ＣＶ）を基準にした較正に基づく：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
本出願の目的において、これらの値は、材料のＨＯＭＯ準位またはＬＵＭＯ準位のエネルギー位置と見なされることになる。例として、−０．２１６３４ハートリーのＨＯＭＯおよび−０．０３５２１ハートリーのＬＵＭＯが化合物Ｅ１（表１も参照）の計算から得られ、これは較正ＨＯＭＯの−６．１４ｅＶ、較正ＬＵＭＯの−２．１４ｅＶである。
【０１５２】
ここで説明したような量子化学計算は、前記目的のために非常に首尾よく使用できることが当業者に知られている。計算は実験的に測定されるデータと非常に良く相関する結果をもたらす。
【表２】
2016505216.tif 000041
【０１５３】
例３
溶液および組成
表３にまとめた通りの溶液を、以下のように調製する：最初に、ホストおよび発光体の混合物を１０ｍｌのトルエン中に溶解させ、溶液が透明になるまで撹拌する。疎水性のＰＴＦＥ  ５．０μｍフィルターであるＭｉｌｌｉｐｏｒｅ  Ｍｉｌｌｅｘ  ＬＳを使用して溶液をろ過する。
【表３】
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【０１５４】
ＯＬＥＤの発光層を被覆するために溶液を使用する。対応する固体組成物は溶液から溶媒を蒸発させることにより得ることができる。これはさらなる配合物の調製のために使用できる。
【０１５５】
例４
ＯＬＥＤの製造
ＯＬＥＤ−Ｒｅｆ１、ＯＬＥＤ−Ｒｅｆ２、ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ５は、以下の構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ／ＥＭＬ／カソードを有し、ここでＥＭＬは発光層を表し、ＩＴＯはアノード（インジウムスズ酸化物）を表す。
【０１５６】
ＯＬＥＤを、表２にまとめた通りの対応する溶液を使用して、以下の手順に従って製造する：
１）８０ｎｍのＰＥＤＯＴ（Ｃｌｅｖｉｏｓ（商標）Ｐ  ＶＰ  ＡＩ  ４０８３）をＩＴＯ被覆ガラス基質上にスピンコーティングにより被覆させる；１８０℃で１０分加熱することにより乾燥させる。
【０１５７】
２）表２による溶液の１つをスピンコーティングすることにより８０ｎｍの発光層を被覆させる。
【０１５８】
３）ＯＬＥＤ  Ｒｅｆ１およびＯＬＥｄ  Ｒｅｆ２については１８０℃で１０分；ＯＬＥＤ１−１４については５０℃で３０分、次いで真空内で３０分加熱することにより、デバイスを乾燥させる。
【０１５９】
４）Ｂａ／Ａｌカソード（３ｎｍ／１５０ｎｍ）を気相堆積する。
【０１６０】
５）デバイスをカプセル化する。
【０１６１】
例５
ＯＬＥＤの特性決定
最初に、このようにして得られるＯＬＥＤの発光層（ＥＭＬ）のフォトルミネッセンススペクトル（ＰＬ）、およびその後エレクトロルミネッセンススペクトル（ＥＬ）を測定するが、これはＥＬスペクトルが機能しているエレクトロルミネッセンスデバイスの最も重要な指標を与えるためである。
【０１６２】
Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ  ＵＢＳ２０００によりＥＬスペクトルを測定する。
【０１６３】
ＯＬＥＤ１〜４のＥＬスペクトルを図１〜４にまとめる。ＯＬＥＤ５は弱いＥＬスペクトルを示すが、３６７ｎｍおよび３８８ｎｍに明確なピークがある。発光体としてＲｅｆ１およびＲｅｆ２を含むＯＬＥＤについては、電圧を４０Ｖまで上昇させてもＥＬスペクトルは測定できない。しかし、本発明による発光体Ｅ１〜Ｅ５を含むＯＬＥＤは、２８０〜３８０ｎｍで有意な割合を有する明瞭なＥＬスペクトルを示す。
【０１６４】
石英上でＥ６〜Ｅ１０のＰＬスペクトルを、ＰＳ：Ｅｘ（層全体を基準として３０重量％）の８０ｎｍの層において測定し、図５〜９に示す。すべてのこれらの配置は紫外領域で放射線を発する。
【０１６５】
ＯＬＥＤ１１〜１２のＥＬスペクトルを図１０および１１にまとめる。しかし、本発明による発光体Ｅ１１およびＥ１２を含むＯＬＥＤは、２８０〜３８０ｎｍで有意な割合を有する明瞭なＥＬスペクトルを示す。
【０１６６】
Ｅ１３を発光体として含むＯＬＥＤ１３はＥＬスペクトルを記録できなかった。Ｅ１３のＰＬスペクトルを図１２に示す。
【０１６７】
示される単純な層構造を有しポリスチレンをホストとして含むＯＬＥＤにおいて、本発明による発光体がＵＶ領域で発光することは実際に非常に驚くべきことである。当業者が、本発明に基づき、発明性を伴わずにさらなる最適化を行うことができることは明らかである。
【０１６８】
石英上でＥ１１〜Ｅ１４のＰＬスペクトルを、ＰＳ：Ｅｘ（層を基準として３０重量％）の８０ｎｍの層において測定した。Ｅ１４については、ＰＬスペクトルのみを測定し、これを図１３に示す。本発明によるデバイスはすべて、紫外領域で放射線を発する。８０ｎｍの薄層におけるＥ１２〜１４の絶対ＰＬ強度を、同じ条件下で、すなわち同じ励起波長、同じギャップ幅、同じ積分時間で測定した。比較を図１４に示す。Ｅ１３は非常に弱いＰＬのみを示し、これは表１の振動子強度ｆと一致する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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