(57)【要約】  １つの基板上にデバイスパターン，このデバイスパターンと接続されたコンタクト面，このコンタクト面上に戴置された金属の柱状パターン，およびこのデバイスパターンを包囲する金属の枠パターンを備えたＭＥＭＳデバイスが提示される。硬化されたレジスト層は、基板，枠パターン，およびレジスト層の間に１つの空洞が封止されるように、枠パターンおよび柱状パターン上に戴置される。このレジスト層上またはこのレジスト層上に戴置されたの１つの担体層上に、１つのパターニングされたメタライジング部が設けられ、このメタライジング部は、少なくともこのデバイスの外側コンタクト部を含み、かつこのデバイスの金属パターンとも、またデバイスパターンの近コンタクト面とも電気的に導通して接続されている。【選択図】  図７Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスであって、
１つの活性表面を備え、当該活性表面上に電子デバイスパターン（複数）（ＢＥＳ）および当該電子デバイスパターンとの電気的コンタクトのためのコンタクト面（複数）（ＫＦ）が配設されている基板（ＳＵ）と、
前記コンタクト面上に立っており、かつ前記デバイスパターンより突出している金属の柱状パターン（複数）（ＰＳ）と、
前記基板の前記活性表面上に配設されており、かつ前記デバイスパターンを前記柱状パターンと共に包囲する金属の枠パターン（ＲＳ）と、
硬化されたレジスト層（ＲＬ）であって、前記枠パターン（ＲＳ）および前記柱状パターン（ＰＳ）が、基板と，枠パターンと，レジスト層との間に１つの空洞（ＣＶ）が封止されるように、当該枠パターン（ＲＳ）および前記柱状パターン上に戴置され、前記金属パターン（ＰＳ，ＲＳ）の少なくとも一部が、柱状パターン（ＰＳ）および枠パターン（ＲＳ）から選択されて、前記基板に向いていない側の前記金属パターンの表面が前記レジスト層によって覆われないように、前記レジスト層の中に深く貫入されているレジスト層と、
前記基板に向いていない側の前記レジスト層の表面または前記レジスト層の上に配設された担体層上に配設されている１つのパターニングされたメタライジング部（ＭＳ）であって、前記パターニングされたメタライジング部が、少なくとも、前記ＭＥＭＳデバイスのコンタクトのためのパターニングされた外部コンタクト部（ＡＫ）を形成し、かつ前記レジスト層によっておおわれていない金属パターンと電気的に導通して接続されているメタライジング部と、
を備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
１つの担体層（ＴＳ）が前記レジスト層（ＲＬ）の上に配設されており、
前記パターニングされた外部コンタクト部（ＡＫ）が、前記担体層の表面上に配設されており、
前記担体層を貫通する貫通接続部（複数）が設けられ、当該貫通接続部は前記外部コンタクト部を前記金属パターンと接続している、
ことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
１つの気密層が、前記活性表面の反対側にある前記基板の裏面を、前記担体層（ＴＳ）に対して密封することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
前記基板（ＳＵ）は１つの圧電ウェーハであり、
前記デバイスパターン（ＢＥＳ）は１つのインターデジタル変換器を含み、
前記担体層は１つのガラスシートであり、
前記気密層は１つの金属層である、
ことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
ＭＥＭＳデバイスをウェーハレベルでカプセル化する方法であって、
１つのウェーハの１つの活性表面上に電子デバイスパターン（複数）、および当該電子デバイスパターンに接続されたコンタクト面（複数）が生成され、
前記コンタクト面上に立っている柱状パターン（複数）と、前記デバイスパターンを包囲する１つの枠パターンとを含む金属パターンを前記活性表面上に生成し、
前記金属パターンの表面が１つのグラインディング処理またはフライス加工処理で平坦化され、
１つのレジスト層を用いて１つの担体層が前記金属パターン上に戴置され、
前記レジスト層が硬化される、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記金属パターン（ＰＳ，ＲＳ）の一部の上に、前記平坦化の後で、１つの別の金属層（ＡＭ）が取り付けられ、
前記担体層（ＴＳ）が前記レジスト層（ＲＬ）でコーティングされ、前記別の金属層（ＡＭ）が取り付けられた前記金属パターンの一部が前記担体層の表面にコンタクトするまで前記レジスト層を貫通するように、前記担体層が前記金属パターン上に戴置される、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の方法において、
前記担体層を通って貫通する盲穴（複数）が生成され、当該盲穴の中に少なくとも前記金属パターンの一部の表面が露出され、
１つのパターニングされたコンタクトパターンが、前記ウェーハに向いていない側の前記担体層の表面上に、当該パターニングされたコンタクトパターンが前記盲穴の中に露出された金属パターンと電気的に導通して接続されるように、取り付けられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項５または６に記載の方法において、
前記レジスト層は、前記担体層上に全面的に取り付けられ、
前記金属パターンの少なくとも一部が前記担体層の表面とコンタクトするまで前記レジスト層を貫通するように、前記担体層が前記金属パターン上に戴置され、
前記レジスト層の硬化の後に、レジスト層とウェーハとの間で前記枠パターンで包囲された空洞に前記デバイスパターンが封止されるように、前記担体層が前記レジスト層から除去され、
１つのパターニングされたコンタクトパターンが、前記レジスト層を貫通して、露出した前記金属パターンと電気的に導通して接続されるように、前記ウェーハに向いていない側の前記レジスト層の表面上に取り付けられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項５に記載の方法において、
選択的に前記金属パターンの表面上に、１つのレジスト層が取り付けられ、かつ前記ウェーハが当該レジストを用いて前記担体層上に接着され、
前記担体層を通って貫通する前記盲穴が生成され、当該盲穴の中に前記金属パターンの表面が露出され、
１つのパターニングされたコンタクトパターンが、前記ウェーハに向いていない側の前記担体層の表面上に、当該パターニングされたコンタクトパターンが前記盲穴の中に露出された金属パターンと電気的に導通して接続されるように、取り付けられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項に記載の方法において、
前記デバイスパターンを担持するウェーハの表面において、それぞれ個別のデバイスに付随する１つのデバイスパターンを有する複数のデバイス領域が１つの溝パターンによって互いに分離されるように、前記レジスト層および前記担体層との結合の前に、当該溝パターンが生成されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記ウェーハは、前記担体層との結合後、および前記レジスト層の硬化後、その裏面から、前記溝パターンが裏面から露出するまで、かつ前記個別のデバイスの基板が互いに分離されるまで、シニングされることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記ウェーハは、その裏面から１つの気密層を用いて、前記担体層または前記レジスト層に対して密封され、
前記気密層は、スパッタリング，金属インクのナノジェットおよび／または電解めっきまたは無電解めっきによる金属堆積によって生成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
前記気密層の取り付けの前に、前記ウェーハの裏面から、当該ウェーハで露出された溝パターンを通ってエッチングによって、金属パターンと前記担体層との接着に利用されていない領域（複数）で、前記レジスト層が取り除かれることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項５乃至１３のいずれか１項に記載の方法において、
ＵＶ光に対して透明な１つの担体層が用いられ、
前記レジスト層の前記硬化は、当該担体層を通るＵＶ照射を用いて行われることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の方法において、
担体層として金属ライニングが設けられた１つのプラスチックシートが用いられ、
前記コンタクトパターンの生成のために前記金属ライニングがパターニングされ、
前記金属ライニングのパターニングの前または後に、前記盲穴が開放されて、前記金属パターンが前記金属ライニングと電気的に導通して接続される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項５乃至１５のいずれか１項に記載の方法において、最後に前記デバイスは個々に分離され、ここで個々の前記デバイスの間の前記担体層および／または前記レジスト層が切断されることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳデバイスおよびＭＥＭＳデバイスのカプセル化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
気密に封止されたハウジングを有する電子デバイスおよびその製造は、たとえば特許文献１に示されている。カプセル化するための方法は、ウェーハレベルで実施することができる。このためデバイスウェーハ上で、まず多数の電子デバイスのデバイスパターンが同時に生成される。このウェーハ上で各々のデバイスのデバイスパターンの周りには、このデバイスパターンを包囲する金属枠が生成される。ここでこの金属枠上には、少なくとも１つの金属層を含むカバーシートが戴置され、この金属枠にはんだ付けされて固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ドイツ国特許出願公開公報第１０２００８０２５２０２Ａ号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、ＭＥＭＳデバイスおよびＭＥＭＳデバイス（複数）のカプセル化の方法を提供することであり、このＭＥＭＳデバイス単純化された構造を備え、容易に製造することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、請求項１に記載の特徴を有するＭＥＭＳデバイスによって解決される。本発明の有利な構成およびこのＭＥＭＳデバイスのカプセル化の方法はさらなる請求項に示される。
【０００６】
このＭＥＭＳデバイスは、１つの活性な表面を有する基板を備え、この活性表面上に電子デバイスパターン（複数）およびこれらのデバイスパターンの電気的コンタクトのためのコンタクト面が配設されている。追加的に、この基板の活性表面上に、柱状パターン（複数）の形態の金属パターン（複数）および枠パターンが配設されている。これらの金属の柱状パターンは上記のコンタクト面上に立っており、上記のデバイスパターンを越えて突出している。上記の金属の枠パターンは、上記の基板の表面上のデバイスパターンを包囲している。
【０００７】
上記のデバイスパターン（複数）は、上記の柱状パターンの一部と共に、上記の枠パターンおよび柱状パターンの上に戴置されている硬化されたレジスト層とで形成されて封止されている空洞に配設されている。ここでこのレジスト層はＵＶ硬化されていてよく、または熱的硬化されていてよい。ここで上記の金属パターンの少なくとも一部、すなわち上記の柱状パターンおよび枠パターンの少なくとも一部は、上記の基板に向いていない上記の金属パターンの表面が上記のレジスト層の外側に向いた表面と接続するように、このレジスト層を貫通している。この基板に向いていないレジスト層の表面の上側または、このレジスト層の上に直に配設されたもう１つのパターン形成層（Praegeschicht）にはパターニングされたメタライジング部が設けられている。このようにして少なくともこのＭＥＭＳデバイスの接続のための接続面が形成されている。したがって上記のパターニングされたメタライジング部は、上記のレジスト層を貫通する柱状パターンと電気的に導通して接続しており、これによってデバイスパターンとも接続している。
【０００８】
上記のＭＥＭＳデバイスは容易に製造することができる。用いられる材料のおかげでこのＭＥＭＳデバイスは安価でもある。
【０００９】
上記の空洞の封止は、硬化されたレジスト層によって行われ、はんだによっては行われず、したがってこの空洞のシーリングには、はんだを融解するのに必要な高い温度は要求されない。ＵＶ硬化するレジストの使用の際の極めて小さな熱的負荷が達成される。とりわけＭＥＭＳデバイスは熱機械的に生成されるストレスに対してそのデバイス特性の変化によって敏感に反応するので、低いプロセス温度で製造されたデバイスは高い製造信頼性で製造可能である。この製造方法は少ない不良品を生成し、これによってさらにこのデバイスのコストを低減する。
【００１０】
ＭＥＭＳデバイスは機械的に壊れやすいデバイスパターン（複数）を備えており、これらは安定した稼働のために、本発明が提供するような空洞ハウジングを必要とする。これらのデバイスパターンは、可動部分を備え、その動作は振動であってもよい。好ましくは気密な空洞ハウジングを必要とするＭＥＭＳデバイスの種類は、音響波で動作するデバイスである。これは音響表面波で動作するＳＡＷデバイス（ＳＡＷ＝surface acoustic wave）であってよい。またこのＭＥＭＳデバイスは、ＦＢＡＲ共鳴器（ＦＢＡＲ＝thin film acoustic resonator）またはＦＢＡＲフィルタとして形成されていてもよく、そのデバイスパターンは音響体積波で動作する共鳴器を含む。また種々のセンサをＭＥＭＳデバイスの形態で形成することができる。
【００１１】
１つの実施形態においては、上記のレジスト層の上に１つの担体層が配設される。この担体層の上記の基板には向いていない側の表面上には、次に外部コンタクト部（複数）を有するパターニングされたメタライジング部が配設される。この担体層を貫通して貫通接続部（複数）が設けられ、これらは上記の外部コンタクト部を上記の金属パターンと接続している。ここで個々の柱状パターンへの電気的に導通した接続部がすべての柱状パターンに、あるいは任意で上記の枠パターンにも設けられていてよい。
【００１２】
１つの簡単な第１の実施例においては、上記の硬化されたレジスト層は、単体で上記の空洞ハウジングのカバー層として用いられる。もう１つの実施形態によれば、その上に配設された担体層と共に、この硬化されたレジスト層は結合層およびシーリング層として用いられる。この空洞ハウジングあるいはその蓋部の機械的強度は、この担体層のみによって保証され得る。したがってこれに対応してこのレジスト層は薄く実装されてもよい。しかしながらこのレジスト層は適宜厚く実装されてもよく、その機械的強度は、適合した寸法および互いに調整されたレジスト層と担体層との組み合わせによって保証することもできる。
【００１３】
ＭＥＭＳデバイスの１つの実施例においては、このデバイスの活性表面に対向している上記の基板の裏面上に、このデバイスを上記の担体層に対してシーリングする１つの気密層が配設されている。このため好ましくはこの気密層は無機層を含み、たとえば厚い酸化層または窒化層または特に金属層を含む。
【００１４】
上記の担体層が気密であり、ガス，湿気，または液体を含むものに対する透過性がないかあるいは僅かであり、気密なハウジングが得られる。これらのガス，湿気，または液体を含むものは上記のデバイスパターンを脅かすあるいは腐食する可能性があり、あるいはこれらはこのＭＥＭＳデバイスの稼働を妨げる可能性がある。
【００１５】
さらにもう１つの可能性は、上記の担体層の裏面をもう１つの気密層でシーリングすることであり、たとえば上記のコンタクトパターンの上に配設されたパターニングされたパッシベーション層で封止することである。このパッシベーション層には上記の外部コンタクト部が露出している。
【００１６】
１つの実施形態においては、上記の基板は圧電体ウェーハであり、上記のデバイスパターンは、インターデジタル変換器を含む。好ましくは上記の担体層はガラスシートとして形成されている。これに合わせて、上記の気密層は、金属層として形成されていてよい。
【００１７】
以上のように形成されたＭＥＭＳデバイスは、１つのＳＡＷデバイスを備え、このＳＡＷデバイスは、担体層としてのガラスシートを有し、結合層としてのレジスト層を有して製造することができる。気密層としての金属層を用いて、一方では侵食性の外部環境に対する気密性と、他方では電磁放射に対するシールドが得られ、こうしてこのデバイスパターンの外界との電磁相互作用が防がれる。
【００１８】
ウェーハの１つの活性な表面上に電子デバイスパターン（複数）、およびこれらに接続されたコンタクト面（複数）が生成されるＭＥＭＳデバイスが製造される。さらに、この活性表面上に、金属パターン（複数）が生成され、これらは上記のコンタクト面上にある柱状パターン（複数）および１つのデバイスパターンを包囲する枠パターンを備え、ここでこの枠パターンも同様に上記のウェーハの活性表面上に取り付けられている。さらなるステップにおいて、これらの金属パターンの表面が、適合した処理を用いて、たとえばグラインディングまたはフライス加工によって平坦化される。
【００１９】
続いて、ＵＶ硬化されるレジスト層を利用して１つの担体層がこれらの金属パターン上に取り付けられ、これらの金属パターンにしっかりと結合され、ここでこのレジスト層はＵＶ光を用いて硬化される。ＵＶ硬化されるレジスト層を利用したこの担体層の接着によって、本発明によるＭＥＭＳデバイスのための空洞ハウジングの容易な製造方法が提供され、この製造方法はウェーハレベルで実施することができる。
【００２０】
このＵＶ照射は、室温で行うことができ、この際デバイスの強い加熱を確実に防ぐことができる。こうしてこのデバイスおよびそのカプセル化の全ての製造ステップは、実質的に外部環境温度で実施することができ、これよりこの際に異なって膨張するハウジング部分間での熱的ストレスが発生すること無しに、このハウジングを封止することができる。ストレスの無いハウジングは、このハウジングによってしっかりと結合されたデバイスをストレス無しの状態とすることを保証する。このようなデバイスは、一方では損傷を蒙ることが少なく、また他方ではその熱機械的特性および最終的にはこの機械的張力に伴う電気的特性の変化もない。
【００２１】
１つの実施形態においては、上記の金属パターン（複数）の一部の上に、平坦化の後にもう１つの金属層が取り付けられる。この後再び平坦化ステップが実施されてよい。結果として、基板の表面の上に２つの異なる高さを有する金属パターン（複数）が得られる。それぞれの金属層の金属パターンの上側端部はそれぞれ１つのレベル面（Ebene）内にある。
【００２２】
上記の担体層は、好ましくは全面的にレジスト層でコーティングされ、次にこれらの上に金属パターンが取り付けられ、この金属パターンの、上記のもう１つの金属層でコーティングされた部分は、これが担体層の表面とコンタクトするまでレジスト層を貫通している。ここでこのレジスト層の厚さは、他の金属層の高さより大きく設定されている。これは、全部の金属パターンの表面がこのレジスト層の中に埋設されていることを保証し、ここでこの金属パターンの第２の金属層が設けられた部分のみが担体層まで達している。
【００２３】
この実施形態は、異なる高さで形成された金属パターンのために、コンタクト処理において大きな高さを有するパターンのみを容易にコンタクトさせるという利点を有する。
【００２４】
もう１つの実施形態においては、上記の担体層に盲穴（複数）が生成され、これらの盲穴は、この担体層を貫通しており、これらの盲穴において、少なくとも上記の第２の金属層で厚くされた金属パターンの表面が露出されている。全ての金属パターンが同じ高さを備えている場合、これらの盲穴の中に露出される金属パターンは自由に選択することができる。
【００２５】
ここでこの担体層の、基板／ウェーハに向いていない側の表面上に、パターニングされたコンタクトパターンが、上記の盲穴の中に露出された金属パターンと電気的に接続されるように取り付けられる。このため、これらの盲穴の中に導電性のコンタクト層を生成／堆積するいずれかの取付処理が選択される。しかしながら、これらの盲穴は、まず導電性材料によって充填され、続いてコンタクト層またはコンタクトパターンの取り付け処理を選択することも可能である。このコンタクト層またはコンタクトパターンの取り付け処理は平坦な表面上で行うことができる。
【００２６】
このコンタクトパターンは、直接パターニングされて生成されてもよく、またはまず全面的にコンタクト層が取り付けられ、これに続いてパターニングされてもよい。
【００２７】
このコンタクトパターンは、配線パターンであってもよく、この配線パターンでは、盲穴に露出された、異なる金属パターン間の電気的に導通する接続部が生成される。しかしながら、これらの盲穴の上に直に配設された外部コンタクト部、具体的には、対応する金属パターンと電気的に導通するコンタクトとなっている、はんだ付け可能な金属面を備えたコンタクトパターンも可能である。全ての実施形態において、上記の基板は、これらの金属パターンとコンタクトパターンとの間の電気的な絶縁中間層として用いられる。さらにこの担体層は、充分な気密性を有する１つの材料からなってよい。
【００２８】
１つの実施形態においては、上記のＵＶ硬化されるレジスト層は上記の担体層上に全面的に取り付けられている。続いてこの担体層は、上記の金属パターン上に、少なくともこの金属パターンの一部が、この担体層の表面とコンタクトするまでこのレジスト層を貫通する。金属パターン全体が同じ高さを有している場合、全ての金属パターンは、これらが担体層の表面とコンタクトするまでこのレジスト層の中に入り込む。
【００２９】
続いてこのレジスト層は、ＵＶ照射によって硬化される。レジスト層が硬化した後に、担体層はこのレジスト層から除去される。空洞はそのままであり、この空洞には上記の枠パターンによって包囲されたデバイスパターンが、レジスト層とウェーハとの間に封止されている。
【００３０】
次のステップで、パターニングされたコンタクトパターンは、このコンタクトパターンがこのレジスト層を貫通して露出している金属パターンと電気的に導通して接続されるように、ウェーハに向いていない側のレジスト層の表面上に取り付けられる。
【００３１】
この実施形態は、コンタクトのために盲穴を全く必要としないが、これは金属族パターンの表面がレジスト層上に露出しているからである。金属パターンとレジスト層の外側に向いた表面との間に残っている残層の厚さを除去するため、均一に層除去するステップが適宜実施されてよい。このため、たとえば、レジストのエッチングに適した短時間のプラズマ処理が実施されてよい。
たとえば酸素プラズマが用いられてよい。
【００３２】
もう１つの実施形態においては、全面的なレジスト層は全く用いられない。むしろレジスト層は、上記の金属パターンの表面上に選択的に塗布される。このようにしてレジスト層が設けられた金属パターン上に、続いて１つの担体層が接着され、ここでこのレジスト層は、接着剤として利用される。
【００３３】
このレジスト層は、接着には適しているが、空洞のシーリングには適していないので、担体層はこの構造体上に残っている。このため次のステップにおいては、ここでも盲穴が生成され、この中に上記の金属パターンの表面が露出している。続いて１つのパターニングされたコンタクトパターンが、盲穴の中に露出している金属パターンとのこのコンタクトパターンの電気的導通したコンタクトが生成されるように、ウェーハ側に向いていない担体層の表面上に取り付けられる。
【００３４】
この実施形態においては、上記の盲穴の生成の際に、横方向の許容誤差を守ることによって、この盲穴のパターン幅が上記の金属パターンのパターン幅より小さくなり、こうして担体層とウェーハとの間に封止された空洞が開放され得ないことを確実にすることができる。
【００３５】
これらの盲穴のエッチング深さを制御する方法を用いれば、異なる高さの金属パターンを有する上述の変形実施例をより大きな横方向の許容誤差で実施することができる。しかしながらこの場合、ここでもレジスト層とウェーハとの間の空洞が開放されることを避けるために、これらの盲穴の深さが、上記のレジスト層の層厚を越えないように注意しなければならない。
【００３６】
この最後に説明した方法変形実施例は、盲穴の生成の際に高いパターニング精度を必要とするが、しかしながらこの方法が盲穴の深さに関して容易に制御可能であるという利点を有する。これは上記の金属パターンの表面が停止部（Anschlag）あるいはエッチストップ部（Aetzstopp）として機能し得るからである。
【００３７】
全ての方法変形実施例においては、ウェーハの活性な表面において、レジスト層および担体層との結合の前に、それによって複数のデバイス領域が互いに分離されるように溝パターンが生成されてよい。それぞれのデバイス領域において、それぞれのデバイスに付随するデバイスパターンが配設されている。続いてレジスト層および担体層が取り付けられ、このレジスト層は硬化される。
【００３８】
続いてこの処理ステップの後の任意のステップで、このウェーハは、この溝パターンが露出するまで裏側からシニング（geduennt）されてよい。これによってそれぞれのデバイス領域が、他のデバイス領域から完全に分離された１つの基板部分を備えることになる。
【００３９】
個々の基板への分離の他に、このウェーハのシニングは、デバイスの全厚が低減され、この際レジスト層と担体層との結合が保証され、したがってこのデバイスはなお機械的に堅固であり、このため損傷に対してもまた変形に対しても強い、という利点を有する。このウェーハのシニング（Duennen）は、好ましくは機械的方法によって実施され、たとえばグラインディング処理またはフライス加工処理によって行われる。
【００４０】
もう１つの方法変形実施例においては、ウェーハあるいは分離された個々の基板は、裏面から気密層を用いて、担体層に対してまたはレジスト層に対してシーリングされる。このためこの気密層は、少なくともこのウェーハの裏面上に取り付けられ、かつ担体層または露出したレジスト層上に取り付けられる。
【００４１】
１つの方法変形実施例においては、気密層の異方性堆積がエッジ被覆ももたらし、こうしてこの気密層は、全てのデバイスの裏面および側面を覆う。
【００４２】
１つの方法変形実施例においては、気密層は、既存のハウジングの気密性が強化されなければならない部位に取り付けられてよい。これは具体的には、枠パターンおよび担体層に対するレジスト層の表面およびその他の露出した界面である。この場合、気密層の生成のために、正確な場所にパターニングされた気密層が生成され得る方法が用いられる。この方法の実施には、具体的にはナノジェットが適しており、ここで好ましくは金属インクが印刷／ジェット印刷（aufgejettet）される。しかしながら、この気密層を他の方法で印刷またはスパッタリングすることも可能である。この取り付けられたパターンまたは全面的に取り付けられた層は、任意に後で電解めっきまたは無電解めっきによっても強化することができる。これらの気密層の異なる製造方法は、組み合わされてもよい。
【００４３】
この気密層によるより良好な気密性シーリングは、レジスト層の露出した表面が事前に広く除去されて場合に達成される。これは上記の溝パターンがウェーハのシニングによって露出された後に行うことができる。適合したエッチング方法を用いて、開放された溝パターンを通り、担体層の表面がそこに存在するレジスト層から取り除かれる。ここでこの方法は、金属パターンと担体層との間の接着剤として機能しているレジスト層の領域がこのエッチング方法によって損傷されないように調整することができる。硬化したレジストのエッチングには、たとえば酸素を含むプラズマが適している。
【００４４】
このＵＶ硬化されるレジスト層は、ＵＶ光に対して透明な担体層が用いられる場合には、担体層を通ってＵＶ照射することによって容易に硬化することができる。
【００４５】
しかしながら、追加的にまたは代替として、ＵＶ光に対して透明なウェーハを用いることも可能である。音響波で動作するデバイスには、圧電基板が適しており、この圧電基板は基本的にＵＶ光に対し透過性がある。担体層の変形実施例としては、熱的に硬化するレジストを使用することが可能であり、したがってここでウェーハはこれに対応して全体が高い温度にされ、たとえばオーブンに投入される。しかしながらこの担体層を有する構造体を、ヒートプレート上に戴置して、局部的に加熱することも可能である。
【００４６】
上記の担体層は、任意の薄さのシートであってよい。このシートはガラスから成っているか、または１つのガラス層を含んでよい。このシートはプラスチックシートであってよい。このシートは、少なくとも１つのプラスチック層と金属層とを備える複合シートであってよい。１つの実施形態の層においては、上記の担体層は１つの金属ライニング（Metallkaschierung）、たとえば銅ライニングが設けられており、１つのプラスチックシートを備えている。このような金属がライニングされた担体層から、エッチングによるパターニングを用いて容易にコンタクトパターンを生成することができる。このコンタクトパターンは、パターニング後に適宜金属を堆積することによって補強することができる。しかしながら、パターニングを行い、これに続いて露出された領域においてこの層の補強を行うために、この金属ライニングされた表面上に１つのレジストを取り付けることも可能である。このレジストを取り除いた後、残っている薄いライニングは、エッチングによって取り除くことができる。ここで盲穴（複数）を開けることは、この金属ライニングのパターニングの前または後で行ってよい。しかしながらどちらの場合でも、これらの盲穴の中の金属パターンとこの金属ライニングとの間の電気的に導通したコンタクトが生成されるように注意しなければならない。これはたとえばこれらの盲穴を導電性の材料で充填することによって行うことができる。
【００４７】
最後のステップにおいて、これらのデバイスは個々に分離され、ここで個々のデバイスの間の担体層および／またはレジスト層が切断される。これは好ましくはソーイングステップ（Saegeschritt）によって行われる。しかしながら、この個別デバイスへの分離は、レーザー法を用いて行うことも可能である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下では、実施形態例とこれに付随する図を参照して、本発明を説明する。これらの図は、概略的にのみ作成されており、本発明の良好な理解にのみ用いられるものである。このため個々の部分は拡大または縮小されて示されている。このためこれらの図において、絶対的な寸法も相対的な寸法も用いることはできない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】１つの担体層と結合した後の１つの処理段階でのＭＥＭＳデバイスを概略断面で示す図である。
【図２】１つの処理変形例における同じ段階での、ＭＥＭＳデバイスを示す図である。
【図３Ａ】１つの代替の製造方法における異なる処理段階を示す図である。
【図３Ｂ】１つの代替の製造方法における異なる処理段階を示す図である。
【図３Ｃ】１つの代替の製造方法における異なる処理段階を示す図である。
【図４Ａ】もう１つの実施形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法における２つの処理段階の１つを示す図である。
【図４Ｂ】もう１つの実施形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法における２つの処理段階のもう１つを示す図である。
【図５Ａ】もう１つの方法変形実施例の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図５Ｂ】もう１つの方法変形実施例の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図５Ｃ】もう１つの方法変形実施例の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図５Ｄ】もう１つの方法変形実施例の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図６Ａ】１つのＭＥＭＳデバイスの製造方法における気密性シーリングの方法の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図６Ｂ】１つのＭＥＭＳデバイスの製造方法における気密性シーリングの方法の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図６Ｃ】１つのＭＥＭＳデバイスの製造方法における気密性シーリングの方法の異なる処理段階での概略断面を示す図である。
【図７Ａ】パターニングされたメタライジング部およびパッシベーション層の生成の異なる処理段階を示す図である。
【図７Ｂ】パターニングされたメタライジング部およびパッシベーション層の生成の異なる処理段階を示す図である。
【図７Ｃ】パターニングされたメタライジング部およびパッシベーション層の生成の異なる処理段階を示す図である。
【図８Ａ】パターニングされたメタライジング部の生成における異なる処理段階を示す図である。
【図８Ｂ】パターニングされたメタライジング部の生成における異なる処理段階示す図である。
【図８Ｃ】パターニングされたメタライジング部の生成における異なる処理段階を示す図である。
【図９Ａ】変形実施例のメタライジングパターンの生成における２つの処理段階を示す図である。
【図９Ｂ】変形実施例のメタライジングパターンの生成における２つの処理段階を示す図である。
【図１０】活性なデバイスパターン，コンタクト面，および枠パターンを有する基板の活性表面の上面図である。
【００５０】
図１は、レジスト層ＲＬを用いて基板ＳＵが担体層ＴＳと結合されるステップでの１つのＭＥＭＳデバイスの１つの単一の基板を概略断面で示す。基板ＳＵは、その活性な表面ＡＳ上に、デバイスパターンＢＥＳを備える。このデバイスパターンは、コンタクト面（複数）（不図示）も含み、これらのコンタクト面上には、金属の柱状パターン（複数）ＰＳが戴置されている。さらに上記の活性表面ＡＳ上には、好ましくはこの柱状パターンＰＳと同じ材料からなる、１つの枠パターンＲＳが取り付けられている。この枠パターンは、この表面上で、少なくとも上記の活性なデバイスパターンＢＥＳを包囲している。これらのコンタクト面および柱状パターンは、この枠パターンＲＳの内側に配設されている。しかしながら、これらのコンタクト面およびこれらのコンタクト面上に戴置されている柱状パターンＰＳの各々を、上記の活性表面ＡＳ上の枠パターンの外側に配設することも可能である。
【００５１】
これらの金属パターン、すなわち上記の金属の枠パターンＲＳおよび金属の柱状パターン（複数）ＲＳを用いて、上記の基板ＳＵは、１つの担体層上に配設されている１つのレジスト層ＲＬ上に戴置されている。この際少なくとも、空洞ＣＶが、この枠パターンの内側で基板ＳＵと担体層ＴＳとの間に気密にシーリングされることが確実にされる。これは上記の金属パターン（複数）が少なくともレジスト層ＲＬの中に沈み込むことを前提としている。このレジスト層は、好ましくはＵＶ硬化されるレジスト層である。このレジスト層の厚さは、上記のデバイスパターンと上記の最も高い柱状パターンとの間の高さの差より小さくなるように設定される。
【００５２】
上記の金属パターン（複数）は、これらが担体層ＴＳと接触するように、レジスト層ＲＬの中に深く侵入してよい。
【００５３】
図２は、これらの金属パターンの一部が、殆ど上記の担体層に当たるまでレジスト層ＲＬの中に侵入しているような実施例を示す。深く侵入する金属パターンが追加的な金属層ＡＭによって厚くされており、この追加的な金属層が、その下の第１の金属層に対して異なるようにパターニングされ得るような、これらの金属パターン間の差別化が行われる。１つの図にまとめて図示されているが、図２は、たとえば、さらなる金属層（複数）ＡＭ０を示し、これらの金属層はその下にある第１の金属層と同じ断面を有している。さらに、これらのさらなる金属層の断面を、１つの柱状パターンの内側で、この第１の金属層より大きく設定することも可能であり、これが別の金属層（複数）ＡＭ１で示されている。第３の変形実施例においては、別の金属層ＡＭ２の断面は、その下にある、それぞれの柱状パターンＰＳの第１の金属層より小さな断面積を備えてよい。
【００５４】
幅広にされた第２の金属層ＡＭ１は、これが後に担体層ＴＳを貫通して接続される際に、より高い処理信頼性を保証する。狭小にされた第２の金属層ＡＭ２は、これがレジスト層のＲＬの中に容易に沈み込むという利点を有する。これらの金属パターンで、第２の金属層ＡＭによって厚くされていないものは、したがって上記の厚くされた金属パターンより小さな高さを有し、担体層ＴＳの表面まで侵入することはできない。特に電気的な接続が予定されていない金属パターンは、第２の金属層無しのままであってよい。
【００５５】
図３Ａ〜３Ｃは、もう１つの変形実施例あるいは実施形態による１つのＭＥＭＳデバイスの製造の異なる処理段階を示し、この変形実施例は最終製品で担体層ＴＳ無しとなる。図３Ａは、レジスト層ＲＬでコーティングされた１つの担体層ＴＳおよび１つの基板ＳＵを示し、この基板は、デバイスパターン（複数），１つの枠パターンＲＳ，および柱状パターンＰＳを備える。金属パターンは、同じ高さかまたは異なる高さを備えてよい。金属パターンが平坦化処理、たとえばフライス加工またはグラインディングを用いて同じ高さとされる場合、これによってこれらの表面が１つのレベル面に存在し、より良好に平坦な担体層ＴＳによって密封して覆うことができるという利点がある。
【００５６】
図３Ｂは、戴置された基板ＳＵを示し、ここでは金属パターンは担体基板ＴＳの表面までレジスト層ＲＬの中に侵入している。続いてこのレジスト層ＲＬは硬化されるが、このために好ましくはＵＶ光が照射される。
【００５７】
このようにして行われる硬化によって、このレジスト層がＵＶ硬化されたレジストとなった後は、空洞ＣＶの密封性が保証され、その機械的強度も保証される。ここでこの硬化したレジスト層から担体層ＴＳを剥離することが行われると、これによって硬化したレジスト層ＲＬのみがデバイスに残る。金属パターンの上面は、基板に向いていないレジスト層ＲＬの表面と揃って封止され、こうしてこれらの金属パターンの上面は、露出されており、容易にコンタクトすることができる。図３Ｃはこの処理段階での構造を示している。
【００５８】
場合によっては金属パターンの端部の上に存在しているレジスト層ＲＬの残層厚は、追加的な処理ステップにおいて機械的，化学的，または他のやり方，たとえばプラズマエッチングで取り除かれてよい。
【００５９】
図４Ａおよび４Ｂは、もう１つの変形実施例による１つのデバイスの製造における２つの処理段階を示す。図１〜３に示す実施例と異なり、ここではレジスト層ＲＬは、担体基板ＴＳ上に全面的な層として取り付けられておらず、図４Ａによれば選択的に、基板に向いていない側の金属パターンの端部上にのみ取り付けられている。これは、たとえばＵＶ硬化されるレジストの適合した処理、たとえば印刷，塗布（Aufstreichen），またはローラ塗布（Aufrollen）を用いて行うことができる。
【００６０】
図４Ｂは、レジスト層ＲＬで覆われた金属パターンを担体層ＴＳ上に戴置した後の構造を示す。このようにして空洞ＣＶが密封して封止される。しかしながら、この処理変形例では、この空洞ＣＶの密封性を保証するために、金属パターンの全ての端部が上述の平坦化処理を用いて同じレベルにされるという利点がある。
【００６１】
図１〜４は、外部接続の生成および上記の活性デバイスパターンＢＥＳの接続のための、パターニングされたメタライジングが取り付けられる前の処理段階（複数）でのデバイスを示している。すべてのこれらの実施例においては、レジスト層ＲＬの最小厚は、空洞ＣＶが密封して封止されるように選択されるが、これは全体としてさらにこの金属パターンおよび担体層ＴＳのパターン精度および平坦度の問題である。この担体層ＴＳが取り除かれる場合の実施例は、さらに、レジスト層ＲＬのより大きな層厚を必要とする。これはこのレジスト層がセルフサポート（frei tragende）のデバイスカバーあるいはハウジングカバーとして取り付けられ、かつこの際このカバーの機械的強度が保証されなければならないからである。図２の変形実施例での典型的な層厚は、たとえば１μｍである。図３の変形実施例での適合した層厚は、たとえば１０μｍである。しかしながら、上述の処理信頼性の前提の中でも、空洞の密封性および良好な接着性のためにこの適合した層厚は、上記の値より上または下にずれてよい。
【００６２】
これらの図１〜４において、デバイスあるいはこのデバイスのために実施される処理が、個々のデバイス基板およびこれに対応した担体層ＴＳの部分を用いて示されているが、これは基本的にウェーハレベルで１つのウェーハ上にある全てのデバイスに対し同時に実施される。
【００６３】
図５Ａ〜５Ｄは、ウェーハレベルでの製造をさらに詳細に示す。基板ＳＵとして用いられるウェーハは、複数のデバイス用の活性なデバイスパターン（複数）を備える。それぞれのデバイスの活性なデバイスパターンおよび金属パターンは、１つのデバイス領域ＢＢ内に配設されており、この基板ＳＵとして用いられるウェーハはこれらの領域ＢＢを複数備えている。活性表面に取り付けられた溝パターンＧＭは、後のこれらのデバイスの個別分離の際の分離線となる、個々のデバイス領域ＢＢすべてを包囲する溝（複数）を有する。この溝パターンは、この基板ＳＵでその層厚の約５０％まで達してよい。この溝パターンＧＭの最小深さは、後のデバイスに設けられるこの基板のシニング後の最終層厚に対応する。
【００６４】
上記の金属パターンは、好ましくは上記の平坦化処理によって平坦化され、こうしてこの金属パターンの上側端部上に印刷処理を用いて容易にレジスト層を付けることができる。このためレジスト層取り付け装置ＲＡは、ローラーコーティングに用いることができるローラー（Walze）を備えている。レジストはローラーの表面上に付けられて、金属パターン上にローラー塗布される。図５Ａは、このレジスト層ＲＬの取り付けの際の構成を示す。
【００６５】
次のステップでは、担体層ＴＳがこのレジストでコーティングされた金属パターン上に戴置される。このため、好ましくは１つの薄くかつ可撓性のシートが用いられ、このシートは１つのプラスチックシート，プラスチックおよび１つの別の材料，特に無機材料から成る複合シート，またはたとえばガラスから成る純粋な無機シートである。好ましくはこれらは気密な材料であり、たとえばガラスである。
【００６６】
次にこの可撓性の担体層ＴＳあるいはこれに用いられるシートは、担体層取り付け装置ＴＡを用いて、ウェーハ全体の金属パターン上にロール掛け（aufgewalzt）またはラミネートされる。適宜押圧することによって、担体層ＴＳと金属パターンとの確実な結合が保証され、これは上記の空洞の確実な封止を保証する。図５Ｂは、この担体層ＴＳの取り付けの際の構造を示す。
【００６７】
次のステップにおいて、基板ＳＵとして用いられるウェーハの層厚が、裏面から減らされる。これは例えばグラインディングによって行われてよい。このシニングは、基板ＳＵの裏面から上記の溝パターンが露出するまで実施される。このようにして個々の基板が互いに分離され、それぞれのデバイス領域ＢＢが、機械的に隣接したデバイスから分離された基板を備えることになる。図５Ｃは、この処理段階の構造を示し、しかしながらここでは図５Ａおよび５Ｂと異なり、基板は上側に示されている。
【００６８】
気密な担体層ＴＳが取り付けられると、こうして次の処理段階においてこのデバイスの気密性がさらに高められる。ここでは金属パターン間、具体的には枠パターンと担体層との間の分離ギャップ（Trennfugen）が気密な層で覆われる。このため、上記の溝パターン、あるいは別々のデバイス領域（複数）ＢＢの間にある開裂部を通って、気密な材料が、担体層の露出している表面，レジスト層，および少なくとも枠パターンの一部に取り付けられる。これは、垂直方向またはオーバーハングした表面への層の生成にも適した、等方性の付着処理を用いて行うことができる。しかしながら、パターニング用の異方性の処理、たとえばジェット印刷処理を用いることも可能である。これを用いて、印刷される材料の微細パターンを所望の位置に生成することもできる。
【００６９】
図５Ｄには、気密層ＨＳの取り付けが矢印によって示されている。気密層としては無機層、特に金属層が用いられる。上記のジェット印刷処理を用いて、金属粒子を含むインクも印刷することができ、連続した密な金属膜を実装することができる。金属ナノ粒子を含むインクは、極めて低い温度で融解することができ、連続した金属層または金属パターンで実装することができる。このようなインクは、具体的には銀粒子を含む。
【００７０】
パターニングされて取り付けられた、あるいは全面的にスパッタリングで取り付けられた気密層ＨＳは、追加的に電解めっき処理または無電解めっき処理によって補強されてよく、これによって密封性が高められる。上記の基板の裏面にも全面的に取り付けられた気密層ＨＳは、追加的に電磁放射に対するシールド効果を呈することができる。
【００７１】
個々の基板間の開裂部を通って、そこに露出したレジスト層ＲＬの領域を、エッチングによって取り除くことができる。これが図６Ａに矢印で示されている。図６Ｂは、この別々のデバイス間のレジストＲＬを取り除いた後の構造を示し、このようにしてそこで担体層ＴＳの表面が露出される。
【００７２】
これらの領域において、図５について記載したように、１つの気密層が堆積される。この堆積は図６Ｃに示すように選択的に上記の基板間の領域で行うことができ、または代替として、全構造の上に全面的に、かつこれらの基板ＳＵの裏面（複数）にも行うことができる。
【００７３】
図７Ａ〜７Ｃは、基板に向いていない側のカバーの表面上にパターニングされたメタライジング部を生成する際の異なる処理段階を示し、これらのパターニングされたメタライジング部はここでは図３に示す処理変形例による純粋なレジスト層ＲＳとして示されている。図７Ａは、金属パターンの端部がレジスト層を完全に貫通して、実際に担体層ＴＳとコンタクトするように、全面的にレジスト層で覆われた担体層上に戴置された後のデバイスを示す。このレジスト層を硬化して担体層を剥ぎ取った後には、以上より、このレジスト層ＲＬの外側の表面に上記の金属パターンが露出している。ここでパターニングされたメタライジング部を取り付けることによって、接続配線および外部コンタクト部ＨＫを生成することができる。これには公知のメタライジング処理およびパターニング処理が適している。容易にこのようなコンタクト部がたとえば印刷され、また適宜金属の堆積によって補強されることができる。しかしながらスパッタリングによる金属層成長を用い、かつこれに続いて電解めっきまたは無電解めっきの補強を用いることにより、２段階のメタライジングも可能である。図７Ｂはこの処理段階での構造を示している。
【００７４】
次のステップにおいて、これらの外部コンタクト部ＡＫが設けられたレジスト層ＲＬの表面には、さらにパッシベーション層ＰＳが設けられてよい。このようなパッシベーション層は、好ましくは無機材料、具体的には酸化物，窒化物，または他の硬く密な材料で生成される。このパッシベーション層ＰＳは、上記のレジスト層の露出された領域および外部コンタクト部の縁部が覆われて、コンタクトに用いられるこれらの外部コンタクト部の領域のみが露出されるようにパターニングされる。図７Ｃは、パッシベーション層ＰＳが取り付けられかつパターニングされた構造を示す。上記の外部コンタクト部は、ボールグリッドアレイまたはランドグリッドアレイの形態で、公知の方法で生成されてよい。
【００７５】
図８Ａ〜８Ｃは、担体層ＴＳの外側に向いた下面上での、パターニングされたメタライジング部の生成の際の異なる処理段階を示す。図８Ａは、レジスト層ＲＬで覆われた担体層ＴＳをデバイス基板ＳＵの金属パターン上に戴置した後の構造を示す。ＵＶ光を用いて硬化して、ＵＶ硬化されたレジスト層ＲＬに変化した後に、担体層の下側から、盲穴（複数）が生成され、これらの盲穴ではコンタクトする金属パターンの表面が露出されている。これらの盲穴は、封止された空洞ＣＶが封止されたままとなるように生成され、上記のレジスト層ＲＬはしたがってこの盲穴によって貫通されない。このため異なる方法が適している。
【００７６】
たとえば、層の深さを制御することが可能である。もう１つの方法は、金属パターンの除去が始まることが検出される終点検出を含む。もう１つの可能性は、この盲穴ＳＬの断面をそれぞれコンタクトする金属パターンにセンタリングし、この盲穴の断面を金属パターンの断面より小さく形成することにより、この盲穴ＳＬの底部が完全にこの金属パターンによって形成されるようにすることである。このようにすることにより、この金属パターンの金属は、「自動的」（“natuerlichen”）エッチング停止部となる。
【００７７】
担体層ＴＳの材料によって、これらの盲穴の生成に適した方法を選択することができる。この担体層ＴＳが十分に薄い層厚を有している場合、これらの盲穴ＳＬは、レーザーを用いて生成することができる。これは、レーザーは位置的に正確に適用することができ、かつ追加のレジストマスクは必要でないという利点がある。乾式処理または湿式処理も適しており、これらは適合したレジストマスクを、担体層ＴＳの下面に取り付けてパターニングすることにより、実施できる筈である。
【００７８】
次のステップにおいて１つのパターニングされたメタライジング部ＭＳが、これが上記の盲穴（複数）内に露出された金属パターンと電気的に導通した接続となるように生成される。このためたとえば図８Ｃに示すように、導電性の材料が、具体的には金属が好ましくは全面的に、たとえばスパッタリングによって堆積され、これらの盲穴の底部で金属パターンとコンタクトするようにされる。続いてパターニングおよび適宜この金属層の補強が、金属堆積処理によって行われてよく、この金属堆積処理は電解または無電解で実施されてよい。このパターニングは、パターニングされたレジストマスクを、全面的に取り付けられた金属層上に取り付けることによって行うことができ、こうしてこのレジストマスクに覆われていない領域でのみ厚膜化が行われる。続いてこのマスクは取り除かれ、補強されない領域における金属層の残渣が取り除かれる。図８Ｃはこの処理段階での構造を示している。
【００７９】
しかしながら、図９Ｂに示すように、図８Ｂに示す処理段階（盲穴ＳＬの生成後）においてまず盲穴の中に導電性の充填材が設けられることも可能である。これは機械的処理、たとえば導電性ペーストの投入によって行うことができる。続いて、層堆積処理によって、充填された盲穴ＳＬが設けられた担体層ＴＳのレベル面の近傍上での層堆積によって、パターニングされたメタライジングが行われてよい。
【００８０】
しかしながら、印刷処理を用いてこのパターニングされたメタライジングを行うことも可能であり、この印刷処理は、金属パターンの接続のために、これらの盲穴の底面にも導入されるように実施することができる。
【００８１】
図９Ａは、図８Ａ〜Ｃで説明した処理の変形例を示し、この変形例では、金属パターンは高さに関して変化した断面で実装されている。ここに示す実施形態においては、金属パターンＲＳ，ＰＳの少なくとも一部で、基板から離れた上側端部が大きな断面積となっており、これらの金属パターンは基板の戴置の際にここで担体層ＴＳとコンタクトするまでレジスト層ＲＬの中に押し込まれる。この金属パターンの大きくされた断面積は、盲穴の生成のためにより大きな面を提供し、これによって封止された空洞が開かれることがない。この金属パターンの大きくされた断面上に確実にセンタリングされた盲穴は、高い処理安全性をもたらす。
【００８２】
この金属パターンの断面積は、この金属パターンの生成の際に、１つの段階で第１および第２の金属層の間で変化される。ここで示す例においては、所定のコンタクトする金属柱状パターンＰＳの上側で別の金属層ＡＭ１は、より大きな断面積で生成される。
【００８３】
図９Ｂは、１つのパターニングされたメタライジング部を示し、このメタライジング部では、盲穴ＳＬは導電性の塊体ＣＦで封止されている。こうしてこのパターニングされたメタライジング部は、導電性に充填された盲穴と上記の担体層の下面上にこの充填された盲穴を介して取り付けられたメタライジング部とを備え、このメタライジング部は外部コンタクト部ＡＫとなっている。
【００８４】
図１０はデバイスパターンＢＥＳを有する１つの基板の上面図を示し、これと接続されたコンタクト面ＫＦ、あるいはこのコンタクト面上に戴置された金属柱状パターンＰＳおよびこのデバイスパターンを包囲する枠パターンＲＳを有する基板を示す。一点鎖線を用いて基板縁部あるいはこのデバイス領域ＢＢの境界が示されており、このデバイス領域は、複数の他のデバイス領域およびこれに付随するパターンと共に、１つの共通のウェーハ上に形成されていてよい。デバイスパターンＢＥＳには代表としてインターデジタル変換器が示されており、このインターデジタル変換器はたとえばＳＡＷデバイスにおいて周波数を決定するパターンとして使用される。このデバイスパターンＢＥＳは、このインターデジタル変換器の他にさらに別のパターンまたは別のインターデジタル変換器を備えてよい。他のタイプの電気的または電気機械的デバイスは、これらと異なるデバイスパターンを備えてよく、たとえば１つの容量性ＭＥＭＳデバイスにおいては、可動性メンブレンであってよい。
【００８５】
枠パターンＲＳは、このデバイスパターンＢＥＳを包囲している。しかしながらこれと異なり、コンタクト面ＫＦは、この枠パターンの下に通って延在する配線を用いてこの枠パターンＲＳで包囲された領域の外側に通じていてもよい。コンタクト面も金属柱状パターンも機械的に壊れやすいパターンではないので、これらは完成したデバイスにおいてこの枠パターンＲＳで包囲された空洞内に配設される必要はない。
【００８６】
以上に説明あるいは示した実施形態は、個別のデバイスのみが示されているが、以上の方法ステップは全て好ましくはウェーハレベルで実施されることは明らかである。分り易くするために、部分的に本発明を単一のデバイスの個別の基板を参照して示したものである。これらの図に示された個々のパターンは、ここで顕わに記載あるいは示されていない場合でも、他の実施形態にも使用することができる。したがってたとえば、全ての実施形態で、少なくともデバイスの側面を覆いかつ担体層ＴＳに対して封止する、気密な層を設けることも可能である。この気密層ＨＳは、基板ＳＵの裏面全体を覆ってもよい。さらに加えてこの気密層は、対応して配設されているコンタクトホールを介して、この担体層ＴＳの裏面上の外部コンタクト部ＡＫと電気的に導通して接続されてよい。
【００８７】
全ての場合で、この枠パターンＲＳを電気的に接続してよく、好ましくはグラウンド電位にある外部接続部ＡＫと接続される。この追加的なグラウンド接続を用いて、このデバイスのより良好なシールドが達成され、このシールドはデバイスのノイズフリーの駆動に用いられる。
【００８８】
個々の方法ステップは、所定の公知の方法を参照して説明されているが、しかしながら本方法はこれらの顕わに記載された方法に限定されず、同様な効果の他の方法が知られていれば、これを使用することもできる。
【００８９】
ウェーハレベルで製造された全てのデバイスは、まとめてカプセル化されてよく、こうしてこれらのデバイスは、基本的に最終ステップまたは最後のステップの１つにおいて、担体層の裁断によって分離されることになる。さらにこれらのここのデバイスを既にウェーハレベルで、このデバイスの安全な取扱いを容易とするために、気密層の追加的または代替なものとして、機械的に剛性のある埋め込み用樹脂（Vergussmasse）でカバーすることも可能である。ウェーハレベルで取り付けられた埋め込み用樹脂は、デバイス領域ＢＢを分離する分離線の領域におけるこの埋め込み用樹脂の無視できない層厚を裁断するために、別の分離ステップを必要とする。
【００９０】
本発明は図示されて説明された実施形態に限定されない。むしろ全ての新たな特徴および特徴の組合せ、特に請求項に記載された特徴の組合せが本発明に属するものとして見做すものである。
【符号の説明】
【００９１】
ＳＵ    ：  基板／ウェーハ
ＡＳ    ：  活性な表面
ＢＥＳ  ：  電子デバイスパターン
ＫＦ    ：  コンタクト面
ＰＳ    ：  金属柱状パターン
ＲＳ    ：  金属枠パターン
ＲＬ    ：  レジスト層
ＣＶ    ：  空洞
ＭＳ    ：  パターニングされたメタライジング部
ＴＳ    ：  担体層
ＡＫ    ：  外部コンタクト部
ＨＳ    ：  気密層
ＡＭ０，ＡＭ１，ＡＭ２  ：  別の金属層
ＳＬ    ：  盲穴
ＧＭ    ：  溝パターン
ＢＢ    ：  デバイス領域
ＲＡ    ：  レジスト層取り付け装置
ＴＡ    ：  担体層取り付け装置
ＣＦ    ：  コンタクトホールにおける導電性充填材
【図１】
2016503255.tif 000003
【図２】
2016503255.tif 000004
【図３Ａ】
2016503255.tif 000005
【図３Ｂ】
2016503255.tif 000006
【図３Ｃ】
2016503255.tif 000007
【図４Ａ】
2016503255.tif 000008
【図４Ｂ】
2016503255.tif 000009
【図５Ａ】
2016503255.tif 000010
【図５Ｂ】
2016503255.tif 000011
【図５Ｃ】
2016503255.tif 000012
【図５Ｄ】
2016503255.tif 000013
【図６Ａ】
2016503255.tif 000014
【図６Ｂ】
2016503255.tif 000015
【図６Ｃ】
2016503255.tif 000016
【図７Ａ】
2016503255.tif 000017
【図７Ｂ】
2016503255.tif 000018
【図７Ｃ】
2016503255.tif 000019
【図８Ａ】
2016503255.tif 000020
【図８Ｂ】
2016503255.tif 000021
【図８Ｃ】
2016503255.tif 000022
【図９Ａ】
2016503255.tif 000023
【図９Ｂ】
2016503255.tif 000024
【図１０】
2016503255.tif 000025
【国際調査報告】
2016503255.tif 000026
2016503255.tif 000027
2016503255.tif 000028
2016503255.tif 000029