(57)【要約】【課題】ラミネート構造を持つ超電導線材の製造方法を開示する。【解決手段】本発明は、所定の幅を持つ蒸着基板を提供する段階と、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出した領域が形成されるように、前記蒸着基板上に、緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造を順次形成する段階と、前記積層構造上に前記蒸着基板に対応する幅を持つラミネート基板を提供する段階と、前記金属基板が露出した領域に半田を提供して前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する段階とを含んでなることを特徴とする、ラミネートされた超電導線材の製造方法を提供する。本発明によれば、線材の適正強度を与えるためのラミネートの際に電流密度の低下を抑制する超電導線材構造およびそのラミネート技法を提供することができる。【選択図】図２
2016530673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の幅を持つ蒸着基板を提供する段階と、
前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出した領域が形成されるように、前記蒸着基板上に、緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造を順次形成する段階と、
前記積層構造上に前記蒸着基板に対応する幅を持つラミネート基板を提供する段階と、
前記金属基板が露出した領域に半田を提供して前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する段階とを含んでなることを特徴とする、ラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項２】
前記積層構造形成段階は、
前記蒸着基板上に緩衝層、超電導層および安定化層を形成する段階と、
前記緩衝層、超電導層および安定化層の一部を除去することにより、前記金属基板が露出した領域を形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項１に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項３】
前記金属基板が露出した領域を形成する段階は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）によって行われることを特徴とする、請求項２に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項４】
前記金属基板が露出した領域を形成する段階は、前記金属基板が露出した領域に対応するマスクパターンにてエッチングする方法によって行われることを特徴とする、請求項２に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項５】
蒸着基板、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造、および前記積層構造上に形成されたラミネート基板を備えた超電導線材において、
前記積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出し、
前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材。
【請求項６】
前記ラミネート基板の材質は、ステンレス鋼、銅合金およびニッケル合金よりなる群から選ばれた１種を含むことを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項７】
前記半田は、銀、鉛、錫、ビスマス、アルミニウム、亜鉛およびインジウムよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属またはその金属の合金を含むことを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項８】
前記蒸着基板の下部には第２ラミネート基板がさらに含まれることを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項９】
蒸着基板と、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む一対の対向する積層構造を含み、
前記一対の積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出し、
前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記一対の積層構造を接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材。
【請求項１０】
前記一対の対向する積層構造の外郭を覆うメッキ層をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項１１】
前記一対の対向する積層構造の上部または下部にラミネート基板をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項１２】
前記ラミネート基板は、前記積層構造の幅方向に突出し、前記半田によって前記ラミネート基板が前記積層構造と接合されることを特徴とする、請求項１１に記載のラミネート構造の超電導線材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導線材の製造方法に係り、より詳しくは、超電導線材の機械的特性を補完するためにラミネート構造を持つ超電導線材に関する。
【背景技術】
【０００２】
超電導線材は、超電導層などのセラミックス物質および金属層の多層薄膜構造を持つ。
【０００３】
図１は、ＲＡＢｉＴＳ（Ｒｏｌｌｉｎｇ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｂｉ−ａｘｉａｌｌｙ  Ｔｅｘｔｕｒｅｄ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）基盤の超電導線材を例示的に示す図である。図１を参照すると、超電導線材は、ＮｉまたはＮｉ合金基板１２上に緩衝層１４、超電導層１６および安定化層１８が順次形成されている。
【０００４】
ＲＡＢＩＴＳ基盤の高温の超電導線材は、厚さが薄く且つ延性を有するため、剛性を与えるために、その上部および下部にステンレスなどの金属基板２０がラミネートされる。このとき、ラミネートされた基板は、半田３０により結合されて機械的強度が高く、コイル巻線時に発生するマグネットの特性低下を減少させるのに効果的である。ところが、基板の両面に金属をラミネートして線材全体の厚さが厚くなり、電流密度Ｊｅが低くなるという問題点を持っている。
【０００５】
一方、ＩＢＡＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ａｓｓｉｓｔｅｓ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）基盤の超電導線材の場合には、相対的に強度の高いハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）系の金属基板上に超電導層を形成しているが、この場合にも、線材の両側にラミネート基板を使用すると、線材の剛性が高まってコイル巻線が難しくなり、必要以上の機械的強度を有し、電流密度が低くなるという欠点を持つ。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前述した従来技術の問題点を解決するために、線材の適正強度を保持しながら電流密度の減少を防止する新規な超電導線材のラミネート構造を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、新規なラミネート構造の超電導線材を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、対向する二つの超電導積層構造からなる超電導線材のラミネートに適用できる新規な技法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の技術的課題を達成するために、本発明は、所定の幅を持つ蒸着基板を提供する段階と、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出した領域が形成されるように、前記蒸着基板上に緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造を順次形成する段階と、前記積層構造上に前記蒸着基板に対応する幅を持つラミネート基板を提供する段階と、前記金属基板が露出した領域に半田を提供して前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する段階とを含んでなることを特徴とする、ラミネートされた超電導線材の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明において、前記積層構造形成段階は、前記蒸着基板上に緩衝層、超電導層および安定化層を形成する段階と、前記緩衝層、超電導層および安定化層の一部を除去することにより、前記金属基板が露出した領域を形成する段階とを含むことができる。
【００１１】
このとき、前記金属基板が露出した領域を形成する段階は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）によって行われるか、或いは前記金属基板が露出した領域に対応するマスクパターンにてエッチングする方法によって行われることが好ましい。
【００１２】
また、上記他の技術的課題を達成するために、本発明は、蒸着基板、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造、および前記積層構造上に形成されたラミネート基板を備えた超電導線材において、前記積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出し、前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材を提供する。
【００１３】
本発明において、前記ラミネート基板の材質は、ステンレス鋼、銅合金およびニッケル合金よりなる群から選ばれた１種を含むことができる。
【００１４】
また、本発明において、前記半田は、銀、鉛、錫、ビスマス、アルミニウム、亜鉛およびインジウムよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属またはその金属の合金を含むことができる。
【００１５】
また、本発明において、前記蒸着基板の下部には第２ラミネート基板がさらに含まれることが好ましい。
【００１６】
上記別の技術的課題を達成するために、本発明は、蒸着基板と、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む一対の対向する積層構造を含み、前記一対の積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出するため、前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記一対の積層構造を接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材を提供する。
【００１７】
また、本発明において、前記一対の対向する積層構造の外郭を覆うメッキ層をさらに含むことができる。
【００１８】
また、本発明において、前記一対の対向する積層構造の上部または下部にラミネート基板をさらに含むことができる。このとき、前記ラミネート基板は、前記積層構造の幅方向に突出し、前記半田によって前記ラミネート基板が前記積層構造と接合されるものであり得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、線材の適正強度を与えるためのラミネートの際に電流密度の低下を抑制する超電導線材構造およびそのラミネート技法を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の方法は、別途のラミネート基板を付加することなく、対向する二つの超電導線材を接合することが可能なラミネート技法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の超電導線材のラミネート構造を例示的に示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る超電導線材のラミネート構造を例示的に説明するための図である。
【図３】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート構造の断面を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【図１３】本発明の別の実施例に係る超電導線材のラミネート構造の断面を示す図である。
【図１４】図１３の実施例に対する変形例を示す図である。
【図１５】図１３の実施例に対する変形例を示す図である。
【図１６】図１３の実施例に対する変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を説明することにより、本発明を詳述する。
【００２３】
図２は、本発明の好適な実施例に係るラミネート構造の超電導線材を例示的に説明するための図である。
【００２４】
図２を参照すると、超電導線材１００は、所定の幅をもって長さ方向に延びるストリップ形状を有する。前記超電導線材は、蒸着基板１１２、緩衝層１１４、超電導層１１６、安定化層１１８およびラミネート基板１２０の積層構造で構成される。
【００２５】
本発明において、前記線材１１０を構成する前記蒸着基板１１２、緩衝層１１４、超電導層１１６および安定化層１１８の構造および製造方法は、本発明の属する技術分野における当業者に自明な典型的方式で製造できる。
【００２６】
前記蒸着基板１１２上には、超電導層１１６を含む一連の物質層１１４、１１６、１１８が蒸着されている。本発明において、前記一連の物質層１１４、１１６、１１８は、前記蒸着基板に対して幅方向に所定の距離δだけ金属基板の一部が露出するようになっている。前記金属基板の露出距離は、後述する本発明を参照して当業者が適宜選択することができる。本発明において、前記金属基板が露出した距離は、半田のハンドリング、基板の幅および基板の結合強度などを考慮して適切に設計できる。例えば、数ｍｍ未満の金属基板露出距離が許容されることも、数ｃｍ以上の金属基板露出距離が許容されることも可能である。
【００２７】
前記蒸着基板１１２としては、通常の超電導線材の製造用に用いられる基材が使用できる。例えば、前記蒸着基板は、ニッケルまたはニッケル合金を含む金属基板として実現できる。前記蒸着基板１１２上には、超電導層を含む一連の物質層１１４、１１６、１１８が蒸着される。本発明において、蒸着基板の材質および厚さは、超電導製品の用途に応じて変化できる。
【００２８】
前記緩衝層１１４は、超電導層との間に介在され、後続の超電導層１１６が超電導特性を示すための結晶学的配向を提供するための層として作用する。前記緩衝層１１４は、ＭｇＯ、ＬＭＯ、ＳＴＯ、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、Ｙ２Ｏ３およびＨｆＯ２よりなる群から選ばれた少なくとも１種の物質で形成できる。前記緩衝層１１４は、超電導製品の用途および製造方法に応じて単一層または複数層から形成できる。
【００２９】
また、前記超電導層１１６は、イットリウム元素または希土類（ＲＥ；Ｒａｒｅ  Ｅａｒｔｈ）元素を含む超電導物質で構成できる。例えば、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７で代表されるＹ１２３またはＲＥ１２３超電導物質が使用できる。また、本発明の前記超電導層１１６としては、Ｂｉ系の超電導物質が使用されても構わない。
【００３０】
前記安定化層１１８は、過電流から超電導層を保護し、急冷に対する安定性を付与するなど、超電導線材の電気的安定化のために提供される。本発明において、前記安定化層１１８は、２つ以上の層からなってもよい。例えば、前記安定化層１１８は、前記超電導層１１６上に形成された第１導電性金属層、および前記第１導電性金属層上に形成された第２導電性金属層から構成できる。このとき、前記第１および第２金属層は、任意の導電性金属層で形成できる。例えば、前記第１金属層は、金、銀、白金およびパラジウムなどの貴金属グループの中から選ばれた少なくとも１種の金属またはその金属の合金で構成でき、前記第２金属層は、銅またはアルミニウムなどの導電性金属またはその金属の合金で構成できる。
【００３１】
前記安定化層１１８は、通常の物理気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリングおよび電解メッキなどの通常の技法によって形成できる。
【００３２】
前記安定化層１１８上にはラミネート基板１２０が提供される。前記ラミネート基板１２０は、剛性を持つ金属素材で形成できる。例えば、ステンレス鋼、真鍮（ｂｒａｓｓ）などの銅合金またはニッケル合金が前記ラミネート基板１２０に使用できる。
【００３３】
前記ラミネート基板１２０は、前記蒸着基板１１２に対向し、前記蒸着基板１１２と溶接によって接合される。このため、前記ラミネート基板１２０は、切な幅を持つことができる。本発明において、前記ラミネート基板１２０は、前記蒸着基板１１２と実質的に同じ幅を持つように設計でき、これとは異なり、前記蒸着基板１１２よりも大きいか小さい幅を持つように設計されることもできる。
【００３４】
前記蒸着基板１１２と前記ラミネート基板１２０との間の金属基板が露出した領域には半田１３０が形成されている。前記半田１３０は、銀、鉛、錫、ビスマス、アルミニウム、亜鉛およびインジウムよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属またはその金属の合金材質で構成できる。前記半田１３０は、前記蒸着基板１１２と前記ラミネート基板１２０とを接合して最終的に超電導線材の剛性を与える。
【００３５】
上述したように、超電導線材の蒸着のために使われる蒸着基板をラミネート基板として用いることにより、全体超電導線材の断面積を減少させることができる。これにより、超電導線材の巻線やハンドリングに必要な剛性を与えながらも、電流密度Ｊｅの減少がない超電導線材を提供することができる。
【００３６】
方、本発明の超電導線材では、必要に応じて、蒸着基板の下部に追加の剛性基板が使用されることも可能である。
【００３７】
図３は、蒸着基板の下部に追加の下部ラミネート基板１４０が使用された構造の断面を示す図である。
【００３８】
図３に示すように、本実施例においても、半田１３０は、前記蒸着基板１１２と上部ラミネート基板１２０との間に提供されている。本実施例において、前記下部ラミネート基板１４０の接合は、別途の半田付けで実行できる。勿論、これとは異なり、前記蒸着基板１１２と上部ラミネート基板１２０の半田付け工程の際に、追加の半田を前記蒸着基板１１２と前記下部ラミネート基板１３０との界面付近に提供することにより、同時に接合を行うこともできるであろう。
【００３９】
以下では、本発明の超電導線材の製造方法を説明し、これに関連して超電導線材の他の具現例を詳述する。
【００４０】
図４〜図７は、本発明の好適な実施例に係る超電導線材のラミネート加工方法を順次示す断面図である。
【００４１】
図４を参照すると、蒸着基板１１２上の全面に、緩衝層１１４’、超電導層１１６’および安定化層１１８’を含む積層構造が順次形成される。前記緩衝層１１４’、超電導層１１６’および安定化層１１８’は、それぞれ、本技術分野における当業者に知られている通常の技法によって形成でき、これについては説明を省略する。
【００４２】
次いで、図５に示すように、前記蒸着基板１１２上の積層構造をなす一連の物質層の一部を除去することにより、前記蒸着基板１１２の幅方向に金属基板が露出した積層構造パターン１１４、１１６、１１８を形成する。このとき、前記物質層の除去は様々な方式で行うことができる。例えば、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）は、前記積層構造の縁部付近の物質層を選択的に除去して金属基板の露出した構造を形成するのに適した方式である。その他にも、通常のフォトリソグラフィー技法を適用したドライまたはウェットエッチング法が金属基板の露出した構造の形成に適用できるであろう。
【００４３】
続いて、図６に示すように、前記金属基板の露出した構造上にラミネート基板を配置する。前記蒸着基板１１２とラミネート基板１２０との間の金属基板が露出した空間には、半田が提供される。
【００４４】
次に、図７に示すように、前記半田を加熱して前記蒸着基板１１２とラミネート基板１１４とを接合することにより、ラミネートされた超電導線材を製造する。
【００４５】
図８〜図１２は、本発明の他の実施例に係る超電導線材の製造方法を順次示す断面図である。
【００４６】
図８を参照すると、蒸着基板１１２上の全面に緩衝層１１４’、超電導層１１６’および安定化層１１８’の積層構造が形成される。
【００４７】
続いて、図９を参照すると、前記緩衝層１１４’、超電導層１１６’および安定化層１１８’上にマスクパターン１６０を形成する。
【００４８】
前記マスクパターン１６０は、通常のフォトリソグラフィー工程によって実現できる。すなわち、前記安定化層１１６’上にフォトレジストを塗布し、感光およびエッチング技法を適用して前記安定化層の縁部の一部を開口（ｏｐｅｎ）してマスクパターン１６０を形成することができる。
【００４９】
その後、図１０を参照すると、前記マスクパターン１６０をマスクとして、開口された部分の超電導層、緩衝層および安定化層をエッチングする。エッチングは、公知のプラズマエッチングなどのドライエッチングおよび／またはエッチング溶液によるウェットエッチングによって実行できる。ウェットエッチングの場合、前記安定化層、前記緩衝層および前記超電導層の除去にエッチング溶液を異にして使用することができる。
【００５０】
エッチングによって、金属基板が露出した超電導層、緩衝層および安定化層を含む積層構造パターン１１４、１１６、１１８が得られる。
【００５１】
次いで、図１１に示すように、前記マスクパターン１６０を除去する。マスクパターンの除去は、ストリップ工程またはエッチング工程などの通常の技法によって実行できる。
【００５２】
次に、図１２に示すように、前記過程を経た蒸着基板１１２上にラミネート基板１２０を配置し、半田１３０で両基板１１２、１１４を接合してラミネート構造の超電導線材を製造することができる。
【００５３】
図１３は、本発明の他の実施例に係る超電導線材のラミネート構造を例示した図である。
【００５４】
図１３を参照すると、超電導線材２００は、二つの対向する積層構造１１０Ａ、１１０Ｂで構成されている。
【００５５】
それぞれの積層構造１１０Ａ、１１０Ｂは、蒸着基板１１２と、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層１１４、超電導層１１６および安定化層１１８を含む。前述したのと同様の方法で、前記それぞれの積層構造１１０Ａ、１１０Ｂは、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出するように形成される。前記金属基板の露出領域が形成する空間には半田２３０が充填される。このように、対向する積層構造を接合することにより、超電導線材のラミネート加工が可能である。この場合、ラミネート加工のための別途のラミネート基板を使用しなくてもよいという利点を持つ。
【００５６】
図１４は、図１３に関連して説明した超電導線材の変形例を示す図である。前記超電導線材２００の外郭には付加のメッキ層２１０が形成されている。このメッキ層は、電極の半田付けを容易にする役割を果たすことができる。
【００５７】
図１５は、図１３に関連して説明した超電導線材の別の変形例を示す図である。図１３とは異なり、それぞれの積層構造１１０Ａ、１１０Ｂの上下部にはラミネート基板２２０Ａ、２２０Ｂが使用されている。この構造は、蒸着基板の剛性に補強が必要な場合に適用可能である。勿論、本発明において、前記ラミネート基板２２０は、上部および下部のいずれか一方にのみ適用されることもできるであろう。
【００５８】
図１６は、図１５に関連して説明した超電導線材の変形例を示す図である。図１５とは異なり、ラミネート基板２２０Ａ、２２０Ｂとして、蒸着基板の幅方向に延びて突出したより広い幅の基板が使用されている。このようなラミネート基板２２０の使用により、半田２３０は、蒸着基板１１２とラミネート基板２２０Ａ、２２０Ｂをより堅固に接合することができる。
【００５９】
以上、本発明の好適な実施例を説明したが、これは本発明を例示するものであり、本発明を限定するものではない。本発明の属する技術分野における当業者であれば、上述した本発明の技術的思想に基づいて、本発明で例示する実施例を一部変形または置換することができ、それらの変形および変更も本発明の技術的思想を逸脱しない限り本発明の範囲に属することを理解できるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2016530673.tif 000017
【図１６】
2016530673.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の幅を持つ蒸着基板を提供する段階と、
前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出した領域が形成されるように、前記蒸着基板上に、緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造を順次形成する段階と、
前記積層構造上に前記蒸着基板に対応する幅を持つラミネート基板を提供する段階と、
前記金属基板が露出した領域に半田を提供して前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する段階とを含んでなることを特徴とする、ラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項２】
前記積層構造形成段階は、
前記蒸着基板上に緩衝層、超電導層および安定化層を形成する段階と、
前記緩衝層、超電導層および安定化層の一部を除去することにより、前記金属基板が露出した領域を形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項１に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項３】
前記金属基板が露出した領域を形成する段階は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）によって行われることを特徴とする、請求項２に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項４】
前記金属基板が露出した領域を形成する段階は、前記金属基板が露出した領域に対応するマスクパターンにてエッチングする方法によって行われることを特徴とする、請求項２に記載のラミネートされた超電導線材の製造方法。
【請求項５】
蒸着基板、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む積層構造、および前記積層構造上に形成されたラミネート基板を備えた超電導線材において、
前記積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出し、
前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材。
【請求項６】
前記ラミネート基板の材質は、ステンレス鋼、銅合金およびニッケル合金よりなる群から選ばれた１種を含むことを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項７】
前記半田は、銀、鉛、錫、ビスマス、アルミニウム、亜鉛およびインジウムよりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属またはその金属の合金を含むことを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項８】
前記蒸着基板の下部には第２ラミネート基板がさらに含まれることを特徴とする、請求項５に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項９】
蒸着基板と、前記蒸着基板上に順次積層された緩衝層、超電導層および安定化層を含む一対の対向する積層構造を含み、
前記一対の積層構造は、前記蒸着基板の両側に幅方向に金属基板が露出し、
前記金属基板の露出した領域が形成する空間に充填されて前記一対の積層構造を接合する半田を含む、ラミネート構造の超電導線材。
【請求項１０】
前記一対の対向する積層構造の外郭を覆うメッキ層をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項１１】
前記一対の対向する積層構造の上部または下部にラミネート基板をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項１２】
前記ラミネート基板は、前記積層構造の幅方向に突出し、前記半田によって前記ラミネート基板が前記積層構造と接合されることを特徴とする、請求項１１に記載のラミネート構造の超電導線材。
【請求項１３】
ラミネートされた超電導線材の製造方法において、
所定の幅を有する蒸着基板を提供する段階と、
ラミネートされた構造パターンの縁部付近の前記蒸着基板が露出するように、緩衝層、超電導層および安定化層を備えるラミネートされた構造パターンを前記蒸着基板上に形成する段階と、
前記蒸着基板に対応する幅を有するラミネート基板を提供する段階と、
半田を前記蒸着基板の露出した領域に提供して前記蒸着基板と前記ラミネート基板とを接合する段階とを含んでなる、ラミネートされた超電導線材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記緩衝層１１４は、超電導層と蒸着基板１１２との間に介在され、後続の超電導層１１６が超電導特性を示すための結晶学的配向を提供するための層として作用する。前記緩衝層１１４は、ＭｇＯ、ＬＭＯ、ＳＴＯ、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、Ｙ２Ｏ３およびＨｆＯ２よりなる群から選ばれた少なくとも１種の物質で形成できる。前記緩衝層１１４は、超電導製品の用途および製造方法に応じて単一層または複数層から形成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図３に示すように、本実施例においても、半田１３０は、前記蒸着基板１１２と上部ラミネート基板１２０との間に提供されている。本実施例において、前記下部ラミネート基板１４０の接合は、別途の半田付けで実行できる。勿論、これとは異なり、前記蒸着基板１１２と上部ラミネート基板１２０の半田付け工程の際に、追加の半田を前記蒸着基板１１２と前記下部ラミネート基板１４０との界面付近に提供することにより、同時に接合を行うこともできるであろう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、図７に示すように、前記半田を加熱して前記蒸着基板１１２とラミネート基板１２０とを接合することにより、ラミネートされた超電導線材を製造する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
前記マスクパターン１６０は、通常のフォトリソグラフィー工程によって実現できる。すなわち、前記安定化層１１８’上にフォトレジストを塗布し、感光およびエッチング技法を適用して前記安定化層の縁部の一部を開口（ｏｐｅｎ）してマスクパターン１６０を形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、図１２に示すように、前記過程を経た蒸着基板１１２上にラミネート基板１２０を配置し、半田１３０で両基板１１２、１２０を接合してラミネート構造の超電導線材を製造することができる。
【国際調査報告】
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