(57)【要約】  本発明は、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する少なくとも１種の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、少なくとも１種の有機溶媒と、少なくとも５，０００，０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有する少なくとも１種のポリマーバインダーを含む調合物に関し、前記調合物は、２５℃で少なくとも１５ｍＰａｓの粘度を有する。さらに、本発明は、有機電子（ＯＥ）デバイス、特に、有機光起電力（ＯＰＶ）セルおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを製造するための、インクとしてのこれらの調合物の使用、これら調合物を使用してＯＥデバイスを製造する方法、ならびにそのような方法および調合物から製造される、ＯＥデバイス、ＯＬＥＤデバイスおよびＯＰＶセルに関する。【選択図】図１ａ
2016534553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、少なくとも１種の有機溶媒と少なくとも１種のポリマーバインダーを含む調合物であって、前記有機半導体化合物が、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有し、前記ポリマーバインダーが、少なくとも５，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも８，０００，０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有し、前記組成物は、２５℃で少なくとも１５ｍＰａｓ、好ましくは、少なくとも２０ｍＰａｓの粘度を有することを特徴とする調合物。
【請求項２】
前記ポリマーバインダーは、スチレンモノマーおよび/またはオレフィン由来の反復単位を含むポリマーであり、好ましくは、少なくとも８０重量％のスチレンモノマーおよび/またはオレフィン由来の反復単位を含むポリマーであり、より好ましくは、少なくとも８５重量％のスチレンモノマー由来の反復単位を含むポリマーであることを特徴とする、請求項１に記載の調合物。
【請求項３】
前記調合物は、前記少なくともポリマーバインダーを０．１〜１０重量の範囲で含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の調合物。
【請求項４】
前記有機溶媒は、少なくとも１種の芳香族および/または複素環式芳香族化合物、好ましくは、少なくとも１種の芳香族炭化水素化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の調合物。
【請求項５】
前記有機溶媒は、２５℃で少なくとも１５ｍＰａｓ未満の粘度を有する化合物を少なくとも８０重量％含むことを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の調合物。
【請求項６】
前記調合物は、少なくとも１種の前記有機溶媒を少なくとも８０重量％含むことを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の調合物。
【請求項７】
前記少なくとも１種の有機半導体化合物は、有機発光材料および/または電荷輸送材料であることを特徴とする、請求項１〜６の何れか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記有機半導体化合物の少なくとも１種が、式Ｍ１から選ばれることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の調合物：
【化１】
2016534553.tif 000088
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ1０、Ｒ１１およびＲ1２の各々は、同一か異なってよく、独立して、水素；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０アルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０アリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリルもしくはアルキルシリル基であり；ここで、Ｒ1およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０の各対は、独立して、任意に架橋して、Ｃ４〜ＣＨ４０飽和もしくは不飽和環を形成し、飽和もしくは不飽和環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式−Ｎ（Ｒａ）−の基により介在されてよく、ここで、Ｒａは、水素原子もしくは任意に置換された炭化水素基であり、または任意に置換されてよく；および、ここで、ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、任意に、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により任意に置換されてよく；
ここで、ポリアセンの隣接する環の位置に位置する任意の２以上の置換基Ｒ1−Ｒ１２は、独立して、一緒になって、Ｏ、Ｓもしくは−Ｎ（Ｒａ）により、任意に介在されてよいさらなるＣ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を構成してよく、ここで、Ｒａは、上記定義のとおりであるか、またはポリアセンに縮合する芳香族環系であり；および
ｎは、０１、２、３または４である。
【請求項９】
前記５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する少なくとも１種の有機発光材料および/または電荷輸送材料は、発光する有機燐光化合物であり、さらに、３８より大きな原子番号を有する少なくとも１種の原子を含むことを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載の調合物。
【請求項１０】
前記少なくとも１種の燐光化合物は、式（１）〜（４）から選ばれる化合物であることを特徴とする、請求項９に記載の調合物：
【化２】
2016534553.tif 000089
（式中、
ＤＣｙは、出現毎に、同一または異なって、環状基を金属に結合させる少なくとも１つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素、またはリンを含有し、また、１つ以上の置換基Ｒ1８を順に有していてもよい環状基であり、基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して相互に結ばれ、
ＣＣｙは、出現毎に、同一または異なって、環状基を金属に結合させる炭素原子を含有し、また、１つ以上の置換基Ｒ1８を順に有してもよい環状基であり、
Ａは、出現毎に、同一または異なって、モノアニオン性二座キレート配位子、好ましくはジケトネート配位子であり、
Ｒ1８は、各場合で、同一または異なっており、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ2、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状、または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１つ以上の隣接しないＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１９−、−ＣＯＮＲ１９−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）または、４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ1８ラジカルで置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であって、同じ環上または２つの異なる環上のいずれかの複数の置換基Ｒ1８はまた、一緒になって、順に単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成してもよく、
Ｒ１９は、各場合で同一または異なっており、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状、または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１つ以上の隣接しないＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ1８ラジカルで置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である）。
【請求項１１】
前記調合物が、前記少なくとも１種の５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する有機半導体化合物を０．１〜１０重量％含むことを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一項に記載の調合物。
【請求項１２】
前記調合物が、少なくとも１種の湿潤剤を含むことを特徴とする、請求項１〜１１の何れか一項に記載の調合物。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか一項に記載の組成物の、ＯＥデバイスの製造をするためのコーティングまたは印刷インクとしての使用。
【請求項１４】
有機電子（ＯＥ）デバイスを製造する方法であって、
ａ）請求項１〜１２の何れか一項に記載の調合物を基板上に堆積させて、膜または層を形成する工程と、
ｂ）少なくとも１種の溶媒を除去する工程と
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１〜１２の何れか一項に記載の調合物から、または請求項１４に記載の方法によって製造される有機電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体（ＯＳＣ）と、ポリマーバインダーと、有機溶媒とを含む調合物および、有機電子（ＯＥ）デバイス、好ましくは、有機光起電力（ＯＰＶ）セルと有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを製造するための導電性インクとしてのそれらの使用および、新規調合物を使用してＯＥデバイスを製造するための方法および、そのような方法と調合物から製造される、ＯＥデバイスとＯＰＶセルとＯＬＥＤデバイスとに関する。
【背景と先行技術】
【０００２】
ＯＦＥＴ、ＯＰＶセルもしくはＯＬＥＤ等のＯＥデバイス、特に、フレキシブルデバイスを製造する場合、インクジェット印刷、ロール印刷、スロットダイ被覆もしくはフレキソまたはグラビア印刷等の印刷または被覆技術が、ＯＳＣ層を適用するために通常使用される。ＯＳＣとして有用な殆どの現在の有機化合物の低い溶解性に基づいて、これらの技術は、大量の溶媒の使用を必要とする。
【０００３】
膜形成能を改善するために、結合剤を使用することができる。これらの添加剤は、小分子量を有する発光材料および/または電荷輸送材料または低分子量を有するポリマー化合物に関して、特に、必要とされる。
【０００４】
ＥＰ  １８８３１２４  Ａ１は、保護用の多孔マトリックス材料中に収納された有機発光材料、バインダーと溶媒とを含む、印刷技術によりディスプレーとランプを作製するために特に適する発光材料の調合物を開示している。しかしながら、そのＯＬＥＤ材料は、ポリマー材料をも包含している。さらに、バインダー材料は、何の詳細な説明もない長大なリストとして開示されている。
【０００５】
ＵＳ  ２００７／０１０３０５９は、ＯＬＥＤ材料と極めて特殊な反復単位を有するポリマーを含む組成物を開示している。特殊な反復単位を有するポリマーは、ＯＬＥＤの発光効率を改善するために添加される。ポリマーＯＬＥＤ材料をも使用することができる。
【０００６】
ＵＳ  ６，８１８，９１９およびＵＳ  ７，１１５，４３０によれば、高いガラス転移温度Ｔｇを有するポリマーは、低分子量有機発光および電荷輸送材料を加工するために使用されねばならない。しかしながら、これらの材料は高価であり、組成物の用途を限られたものとする。
【０００７】
ＵＳ  ５，９５２，７７８は、不動態化金属の第１層、無機誘電材料の第２層とポリマーの第３層とを含む改善された保護カバーを有するカプセル化された有機発光デバイスに関する。有機発光材料は、ポリマー状またはモノマー状であり得る。組成物は、ポリマーバインダーを含み得る。しかしながら、バインダー材料は、何の詳細な説明もない長大なリストに開示されている。
【０００８】
ＵＳ  ６，２７７，５０４  Ｂ１は、特定の発光化合物とそれを含む組成物を開示している。その組成物は、バインダーを含んでもよい。しかしながら、バインダーの詳細な説明は提供されていない。
【０００９】
ＵＳ  ６，２９４，２７３  Ｂ１は、メタノールに可溶性である発光化合物を開示している。これらの化合物を含む組成物は、ポリマーバインダーを含んでもよい。しかしながらバインダー材料は、何の詳細な説明もない長大なリストに開示されている。
【００１０】
ＷＯ  ２００５／０５５２４８  Ａ２は、特定の有機半導体化合物を含む組成物と１０００Ｈｚで３．３以下の誘電率を有するバインダーに関する。しかしながら、ＷＯ  ２００５／０５５２４８  Ａ２に開示された特定の有機半導体化合物は、高い効率を実現するために、高い結晶化度を有する層を形成しなければならない。それに対して、発光層は、高い効率を提供するための低い結晶化度を通常有さなければならない。したがって、ＷＯ  ２００５／０５５２４８  Ａ２のコンセプトは、ＯＬＥＤ層に適用することはできない。
【００１１】
ＷＯ  ２０１１／０７６３８０  Ａ１は、一以上の有機半導体化合物と溶媒としてジメチルアニソールを含む組成物を開示している。しかしながら、高分子量を有するポリマーバインダーを使用する例は、提供されていない。さらに、ＷＯ  ２０１１／０７６３８０  Ａ１は、１５ｍＰａｓ未満、好ましくは、１０ｍＰａｓ未満の粘度を有するＯＥデバイスを製造するための組成物に関する。
【００１２】
ＷＯ  ２０１１／０７６３２５  Ａ１は、ポリマーバインダーを含むＯＬＥＤデバイスを製造するための組成物を記載している。しかしながら、高分子量を有するポリマーバインダーを使用する例は、提供されていない。さらに、好ましい組成物は、１５ｍＰａｓ未満の粘度を有する。
【００１３】
先行技術は、低分子量有機発光および電荷輸送材料を処理するために有用である組成物を提供する。しかしながら、効率、寿命と酸化もしくは水に関する感度等のＯＬＥＤ層の性能を改善することは、変わることのない願望である。
【００１４】
さらに、調合物は、低コストで、簡単な印刷プロセスを可能としなければならない。印刷プロセスは、たとえば、フレキソ−、グラビア−、スクリーン−およびステンシル印刷等の種々の印刷および被覆プロセスに対して、高速で高品質で極めて均質な印刷を可能とすべきである。
【００１５】
したがって、ＯＥデバイス、特に、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤディスプレイ、およびＯＰＶセルの製造に適した、ＯＳＣを含む改良された調合物を有することが好ましく、調合物は、性能の高い、長寿命で、水または酸化に対して感度の低い、高効率のＯＥデバイスの製造を可能にする。本発明の一目的は、そのような改良された調合物を提供することである。別の目的は、そのような調合物からＯＥデバイスを製造する改良された方法を提供することである。別の目的は、そのような調合物および方法から得られる改良されたＯＥデバイスを提供することである。さらなる目的は、以下の説明から、当業者にすぐに明らかとなる。
【００１６】
驚くべきことに、本発明でクレームした方法と、材料と、デバイスとを提供することによって、これらの目的を達成でき、上述の問題を解決できることが判明した。
【００１７】
発明の要約
本発明は、少なくとも１種の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、少なくとも１種の有機溶媒と、少なくとも１種のポリマーバインダーを含む調合物であって、前記有機半導体化合物が、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有し、前記ポリマーバインダーが、少なくとも５，０００，０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有し、前記組成物は、２５℃で少なくとも１５ｍＰａｓの粘度を有することを特徴とする調合物に関する。
【００１８】
さらに、本発明は、ＯＬＥＤデバイス、とりわけ、剛性およびフレキシブルなＯＬＥＤデバイスの製造のための、上記および下記の調合物の、コーティングまたは印刷インクとしての使用に関する。
【００１９】
さらに、本発明は、有機電子（ＯＥ）デバイスを製造する方法であって、
ａ）好ましくはコーティングまたは印刷、より好ましくはフレキソまたはグラビア印刷によって、上記および下記の調合物を基板上に堆積させて、膜または層を形成する工程と、
ｂ）少なくとも１種の溶媒を除去する工程と
を含む方法に関する。
【００２０】
さらに、本発明は、上記および下記の調合物から、および／または上記および下記の方法により製造されるＯＥデバイス、好ましくはＯＬＥＤデバイスに関する。
【００２１】
ＯＥデバイスとしては、限定されないが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、無線ＩＤ（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光電子化学セル（ＯＬＥＣ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、エレクトロルミネセントディスプレイ、有機光起電力（ＯＰＶ）セル、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、フレキシブルＯＰＶおよびＯ−ＳＣ、有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、照明デバイス、センサーデバイス、電極材料、光導電体、光検出器、電子写真記録デバイス、コンデンサー、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、静電防止膜、導電性基板、導電性パターン、光導電体、電子写真デバイス、有機記憶デバイス、バイオセンサーとバイオチップがある。
【００２２】
好ましい１態様によれば、本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提供する。ＯＬＥＤデバイスは、たとえば、照明のために、医用照明の目的のために、信号装置として、標識装置として、およびディスプレイにおいて使用することができる。パッシブマトリックス駆動と、トータルマトリックスアドレッシング（total matrix addressing）と、またはアクティブマトリックス駆動とを使用して、ディスプレイをアドレスすることができる。透明ＯＬＥＤは、光学的に透明な電極を使用して製造することができる。フレキシブルＯＬＥＤは、フレキシブル基板の使用をにより入手可能である。
【００２３】
本発明の調合物、方法、およびデバイスは、ＯＥデバイスの効率、およびデバイスの生産を目覚ましく改良する。意外なことには、本発明の調合物を使用することにより、これらのデバイスが得られた場合に、ＯＥデバイスの性能、寿命、および効率を改良することができる。さらに、驚いたことに、これらの調合物は、印刷技術、特に、フレキソ印刷、およびグラビア印刷に適していることが判明した。さらに、本発明の調合物は、驚くほど高いレベルの膜形成性をもたらす。特に、膜の均一性および質を改良することができる。
【００２４】
それに加えて、その調合物は、低コストで簡単な印刷プロセスを可能にする。その印刷プロセスは、高速で高品質の印刷を可能にする。
【発明の詳細な説明】
【００２５】
本発明の調合物は、２５℃で少なくとも１５ｍＰａｓ、好ましくは、少なくとも２０ｍＰａｓ、より好ましくは、少なくとも３０ｍＰａｓの粘度を有する。好ましくは、調合物は、１５〜１００ｍＰａｓの範囲、より好ましくは、２０〜９０ｍＰａｓの範囲、最も好ましくは、３０〜８５ｍＰａｓの範囲の粘度を有する。粘度は、ＴＡインストルメンツにより製造されたＡＧ−Ｇ２レオメーターでの測定により２５℃の温度で測定される。これは、平行板ジオメトリ−を使用して測定される。
【００２６】
調合物の粘度は、適切な溶媒と適切な量の添加物を使用することにより実現することができる。
【００２７】
好ましくは、本発明の調合物は、２５℃で１５ｍＰａｓ未満の粘度と４００℃以下の沸点を有する少なくとも１種の有機溶媒を含む。より好ましくは、溶媒は、２５℃で１５ｍＰａｓ未満の、最も好ましくは、１０ｍＰａｓ未満の粘度を有する化合物を少なくとも８０重量％含む。
【００２８】
溶媒は、用いられる圧力、好ましくは、大気圧（１０１３ｈＰａ）で、＜４００℃、好ましくは、≦３５０℃、より好ましくは、≦３００℃、最も好ましくは、≦２５０℃の沸点または昇華温度を有する。蒸発は、たとえば、熱および／または減圧を加えることによって早めることもできる。
【００２９】
さらに好ましくは、溶媒のまたは溶媒ブレンドの最低沸点溶媒の沸点は、大気圧（１０１３ｈＰａ）で、少なくとも１３０℃、より好ましくは、少なくとも１５０℃である。
【００３０】
本発明の好ましい１態様によれば、調合物は、異なる沸点を有する有機溶媒の混合物を含み、最低沸点をもつ化合物の沸点は、最高沸点をもつ化合物の沸点より少なくとも１０℃以下である。
【００３１】
さらに、調合物は、沸点を有する有機溶媒混合物を含み、最低沸点をもつ化合物の沸点は、最高沸点をもつ化合物の沸点未満で、１００℃以下である。
【００３２】
溶媒は、上記言及した物理的基準を満足する任意の化学種から一般的に選ぶことができ、限定するものではないが、脂肪族もしくは芳香族炭化水素、アミン、チオール、アミド、エステル、エーテル、ポリエーテル、アルコール、ジオールおよびポリオールから選ぶことができる。好ましくは、溶媒は、少なくとも一種の芳香族もしくは複素環式芳香族化合物を含む。
【００３３】
適切で好ましい溶媒は、たとえば、芳香族炭化水素（たとえば、ハロゲン化芳香族）、１〜８個の炭素原子、より好ましくは、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基またはアルコキシ基を有する芳香族炭化水素であり、特に、トルエン、ジメチルベンゼン（キシレン）、トリメチルベンゼン、メチルナフタレンおよび３−フェノキシトルエンおよびシクロアルキル基、特に、シクロペンチルベンゼンおよびシクロヘキシルベンゼンを有する芳香族炭化水素化合物を含む。
【００３４】
本発明のさらなる態様によれば、エステル、エーテル、ニトリルまたはアミド等のヘテロ原子を含む芳香族化合物が使用されてよい。好ましくは、これらの化合物は、3-メチルアニソール、２−イソプロピルアニソール、５−メトキシインダン、２−エトキシナフタレン等の芳香族アルコキシ化合物、ブチルベンゾエートおよびエチルベンゾエート等の芳香族エステルを含む。さらに、芳香族環中に少なくとも一つのＯ、ＮもしくはＳ原子を含む複素環式芳香族化合物が好ましい。これらの化合物は、たとえば、２−ブロモ−３−（ブロモメチル）チオフェン、２−メチルインドール、６−メチルキノリンおよびチオフェンを含む。
【００３５】
溶媒を、２、３種以上の溶媒の混合物として使用することができる。
【００３６】
驚くべき改善は、炭化水素芳香族化合物の混合物により実現することができる。好ましくは、混合物は、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を有する少なくとも一つの芳香族炭化水素と少なくとも一つのシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物を含む。
【００３７】
好ましい有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ0.5の範囲のＨｄ、０．２〜１２．５ＭＰａ0.5の範囲のＨＤ、０．０〜２０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｈのハンセン溶解度パラメーターを有することができる。より好ましくは、有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ0.5の範囲のＨｄ、０．２〜１０．５ＭＰａ0.5の範囲のＨＤ、０．０〜５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｈのハンセン溶解度パラメーターを有する。
【００３８】
通常、有機溶媒は、１５〜８０ｍＮ／ｍの範囲、好ましくは２０〜６０ｍＮ／ｍの範囲、より好ましくは２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲の表面張力を有することができる。表面張力は、２５℃で、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１０００接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。その方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ，Ｐｈ．Ｄ．により発表された「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍから入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を使用して、表面張力を決定することができる。
【００３９】
本発明の好ましい１側面によれば、異なる表面張力を有する溶媒の混合物を使用することができる。好ましくは、混合物は、３５ｍＮ／ｍ以下、より好ましくは、３０ｍＮ／ｍ以下の表面張力を有する少なくとも一つの溶媒と、少なくとも３０ｍＮ／ｍ、より好ましくは、少なくとも３２ｍＮ／ｍの表面張力を有する少なくとも一つの溶媒を有することができ、表面張力の差は、少なくとも１ｍＮ／ｍ、より好ましくは、少なくとも２ｍＮ／ｍである。
【００４０】
表面張力は、２５℃で、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１０００接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。その方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ，Ｐｈ．Ｄ．により発表された「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍから入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を使用して、表面張力を決定することができる。
【００４１】
概算するために、表面張力は、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第２版、Ｃ．Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ（２００７）、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇｒｏｕｐ，ＬＬＣ（ＨＳＰｉＰマニュアル）に詳述されている式によるハンセン溶解度パラメータを使用して計算することができる。
【００４２】
【化１】
2016534553.tif 000003
【００４３】
Ｈdは、分散の寄与を意味し、
Ｈpは、極性の寄与を意味し、
Ｈhは、水素結合の寄与を意味し、
ＭＶｏｌは、モル体積を意味する。
【００４４】
ハンセン溶解度パラメータは、ＨａｎｓｏｎおよびＡｂｂｏｔらにより提供されている、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第２版、Ｃ．Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ（２００７）、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇｒｏｕｐ，ＬＬＣに関連するＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ  ＨＳＰｉＰ第３版（ソフトウェア、バージョン３．０．３８）にしたがって決定することができる。
【００４５】
【表１−１】
2016534553.tif 000004
【００４６】
【表１−２】
2016534553.tif 000005
【００４７】
【表１−３】
2016534553.tif 000006
【００４８】
【表１−４】
2016534553.tif 000007
【００４９】
好ましくは、溶媒は、少なくとも０．０１、より好ましくは、少なくとも０．１、最も好ましくは、少なくとも１、特に、少なくとも２という相対蒸発速度（酢酸ブチル＝１００）を有する。相対蒸発速度は、ＤＩＮ５３１７０：２００９−０８により決定することができる。概算するために、相対蒸発速度は、前述および後述のＨＳＰｉＰプログラムによるハンセン溶解度パラメータを使用して計算することができる。
【００５０】
本発明の調合物は、好ましくは、少なくとも７０重量％、より好ましくは、少なくとも８０重量％、最も好ましくは、少なくとも９０重量％の有機溶媒を有する。
【００５１】
さらに、本発明の調合物は、少なくとも一つのポリマー有機半導体化合物（ＯＳＣ）を含む。ＯＳＣ化合物は、当業者に既知であり文献に記載されている標準の材料から選択することができる。ＯＳＣ化合物は、モノマー化合物（ポリマーまたは巨大分子と比べて「小分子」と称されもする）またはモノマー化合物から選ばれる一以上の化合物を含む混合物、分散液もしくはブレンドであり得る。
【００５２】
本発明の１側面によれば、ＯＳＣは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、縮合することができ、または縮合しないことができる少なくとも３つの芳香族環を含む。縮合しない環は、たとえば、連結基、単結合またはスピロ結合を介して連結する。好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、５−、６−もしくは７−員芳香族環より成る基から選ばれる一以上の環を含み、より好ましくは、５−もしくは６−員芳香族環のみを含む。
【００５３】
芳香族環の各々は、任意に、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯもしくはＳから、好ましくは、Ｎ、ＯもしくはＳから選ばれる一以上のヘテロ原子を含む。
【００５４】
芳香族環は、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールもしくは置換アリール基、ハロゲン、特に、フッ素、シアノ、ニトロまたは任意に置換された２級もしくは３級アミンまたは−Ｎ（ＲＸ）（ＲＹ）で表されるアリールアミン（ここで、ＲＸとＲＹは、互いに独立して、Ｈ、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基である）によって、任意に置換されてよい。ＲＸおよび/またはＲＹが、アルキルもしくはアリールならば、これらは、任意にフッ素化されてよい。
【００５５】
好ましい環は任意に縮合され、または−Ｃ（Ｔ１）＝Ｃ（Ｔ２）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（ＲＺ）−、−Ｎ＝Ｎ−、−（ＲＺ）Ｃ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＲＺ）−等の共役連結基で任意に連結され、ここで、Ｔ１とＴ２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎ−もしくは低級アルキル基であり、好ましくは、Ｃ１−４アルキル基であり、ＲＺは、Ｈ、任意に置換されたアルキルもしくは任意に置換されたアリールである。ＲＺが、アルキルもしくはアリールならば、これらは、任意にフッ素化されてよい。
【００５６】
好ましいＯＳＣ化合物は、テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネンもしくは前記可溶性置換誘導体等の縮合芳香族炭化水素；ｐ−クアテルフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キンケフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セクシフェニル（ｐ−６Ｐ）もしくは前記可溶性置換誘導体等のオリゴマーパラ−置換フェニレン；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換メタロ−もしくは金属フリーポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンもしくはフルオロナフタロシアニン；Ｃ６０−７０フラーレンもしくはその誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキルもしくは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジアミドとフルオロ誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキルもしくは置換ジアリール−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジアミド；バソフェナンスロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン； α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキルもしくは置換ジアリール−アントラジチオフェン；２，２’−ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン等の縮合芳香族炭化水素から選ばれる小分子（すなわち、モノマー化合物）を含む。好ましい化合物は、可溶性である上記リストからのものとその誘導体である。
【００５７】
より好ましいＯＳＣ材料は、たとえば、ＵＳ  ６，６９０，０２９、ＷＯ  ２００５／０５５２４８  Ａ１およびＷＯ  ２００８／１０７０８９  Ａ１に記載されたとおりの、６，１３−ビス（トリアルキルシリルエチニル）ペンタセンもしくはその誘導体、５，１１−ビス（トリアルキルシリルエチニル）アントラジチオフェン等の置換ポリアセンである。さらに好ましいＯＳＣ材料は、ポリ（３−チオフェン）、より好ましくは、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｐ３ＡＴ）であり、ここで、アルキル基は、好ましくは、１〜１２、より好ましくは、４〜１０個のＣ−原子を有し、たとえば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）である。
【００５８】
本発明の調合物は、０．０１〜２０重量％、好ましくは、０．１〜１５重量％、より好ましくは、０．２〜１０重量％、最も好ましくは、０．２５〜５重量％のＯＳＣ材料もしくは対応するブレンドを含む。パーセントデータは、溶媒もしくは溶媒混合物の１００％に関する。調合物は、１以上の、好ましくは、１、２、３以上のＯＳＣ化合物を含む。
【００５９】
ここで使用される有機半導体化合物は、純粋成分か、２以上の成分の混合物であって、少なくとも一つは、半導体特性を有さなければならない。混合物を使用する場合には、しかしながら、各成分が、半導体特性を有する必要はない。したがって、たとえば、不活性低分子量化合物を、半導性低分子量化合物と一緒に使用することができる。同様に、不活性マトリックスもしくはバインダーとして機能する非導電性ポリマーを半導体特性を有する一以上の低分子量化合物もしくはさらなるポリマーと一緒に使用することができる。本出願の目的のために、予備混合される可能性のある非導電性成分は、電子光学的に非活性、不活性な活性のない化合物の意味で使用される。
【００６０】
本発明の有機半導体化合物は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量、より好ましくは、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
【００６１】
本発明の好ましい１側面によれば、有機半導体化合物は、好ましくは、少なくとも５５０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも８００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、少なくとも９００ｇ／ｍｏｌ、特に、少なくとも９５０ｇ／ｍｏｌの分子量を有する。
【００６２】
驚くほどの改善は、高い溶解度を有する１種以上の有機半導体化合物によって実現することができる。好ましい有機半導体化合物は、１７．０〜２０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨd、０．０〜１０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および０．０〜１５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを有する。より好ましい有機半導体化合物は、１７．５〜１９．０ＭＰａ0.5の範囲のＨd、０．５〜５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および０．５〜５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを有する（ＦＡＤＴ情報に対して、Ｈd１８、Ｈp１、Ｈh１．３）。
【００６３】
目覚ましい効果は、本発明のハンセン溶解度パラメータにより測定される少なくとも３．０ＭＰａ0.5、好ましくは、少なくとも４．５ＭＰａ0.5、より好ましくは、少なくとも５．０ ＭＰａ0.5の半径を有する有機半導体化合物によって実現することができる。
【００６４】
ハンセン溶解度パラメータは、ＨａｎｓｏｎおよびＡｂｂｏｔらにより提供されている、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第２版、Ｃ．Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ（２００７）、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇｒｏｕｐ，ＬＬＣに関連するＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ  ＨＳＰｉＰ第３版（ソフトウェア、バージョン３．０．３８）により決定することができる。
【００６５】
位置Ｈd、ＨpおよびＨhは、有機半導体化合物の中心部についての三次元空間における座標であり、その半径は、溶解度が及ぶ距離を与える、すなわち、半径が長ければ、それは、材料を溶解する溶媒をより多く包含し、逆に、半径が短ければ、有機半導体化合物を可溶化する溶媒の数が限られる。
【００６６】
本発明の特別な１側面によれば、有機半導体化合物は、高いガラス転移温度を有する。好ましくは、有機半導体化合物は、ＤＩＮ５１００５にしたがって決定される、好ましくは、少なくとも７０℃、より好ましくは、少なくとも１００℃、最も好ましくは、少なくとも１２５℃のガラス転移温度を有している。
【００６７】
好ましい有機半導体化合物は、化合物に溶解性を提供する基を含む。それに加えて、ＯＥデバイス、特に、ＯＬＥＤデバイスを製造するために有益な他の機能性化合物は、溶解性基を含んでよい。他の機能性化合物は、たとえば、ホスト材料、正孔輸送材料、電子もしくは励起子ブロック材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔ブロック材料または電子輸送材料を含む。
【００６８】
したがって、これらの化合物は、好ましくは、一般式（Ｉ）により表されてよく、
【００６９】
【化２】
2016534553.tif 000008
【００７０】
式中、
Ａは、官能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般的式（Ｌ−Ｉ）を有し、
【００７１】
【化３】
2016534553.tif 000009
【００７２】
式中、
Ａｒａは、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜１２０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
Ｒａは、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、好ましくは、任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリルもしくはアルキルシリル基であり；または、硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環系、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはそれらの組み合わせであり、ここで、これらの基Ｒａの一以上は、一緒になって、および/または基Ｒａに結合する環と、モノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
ｌは０、１、２、３または４であり、
ここで、破線の結合は、官能性構造要素Ａへの結合を示す。
【００７３】
好ましくは、一般式（Ｉ）の添え字ｋは、２以上、より好ましくは、３以上の整数である。
【００７４】
アリール基は、本発明の目的では、少なくとも６個のＣ原子を含有し、ヘテロアリール基は、本発明の目的では、少なくとも２個のＣ原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ただしＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、簡単な芳香族環、すなわちベンゼン、または簡単なヘテロ芳香族環、たとえばピリジン、ピリミジンもしくはチオフェン等、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、たとえばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリンもしくはイソキノリン等のいずれかの意味で使用される。
【００７５】
芳香族環系は、本発明の目的では、環系中に少なくとも６個のＣ原子を含有する。ヘテロ芳香族環系は、本発明の目的では、環系中に少なくとも２個のＣ原子と少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、ただしＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族またはヘテロ芳香族環系は、本発明の目的では、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含有するとは限らない系であって、その系の複数のアリールまたはヘテロアリール基が、短い非芳香族単位（好ましくは１０％未満の、Ｈ以外の原子）、たとえば、ｓｐ３−混成のＣ、ＮもしくはＯ原子またはカルボニル基などによってさらに連結されていてもよい系の意味で使用されることを意図する。したがって、たとえば９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンおよびベンゾフェノン等の系は、本発明の目的ではやはり芳香族環系の意味で使用されることを意図する。芳香族もしくは複素環式芳香族環系は、同様に、たとえば、ビフェニル、テルフェニルもしくはジビピリジン等の複数のアリールもしくはヘテロアリール基が、単結合を介して互いに結合する系の意味で使用される。
【００７６】
本発明の目的では、さらに個々のＨ原子またはＣＨ2基が、前述の基により置換されていてもよいＣ1−〜Ｃ40−アルキル基は、好ましくは、ラジカルであるメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチルの意味で使用される。Ｃ２−〜Ｃ40−アルケニル基は、好ましくは、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニルまたはシクロオクテニルの意味で使用される。Ｃ２−〜Ｃ40−アルキニル基は、好ましくは、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルの意味で使用される。Ｃ1−〜Ｃ40−アルコキシ基は、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシまたは２−メチルブトキシの意味で使用される。各場合において、前述のラジカルＲにより置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に連結していてもよい、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系は、好ましくは、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ベンズアントラセン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノ���サリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから得られる基の意味で使用される。
【００７７】
硬化可能基は、不溶性である架橋結合材料を形成するために、不可逆的に反応することのできる官能基を意味する。架橋可能基は、加熱またはＵＶ−、マイクロウェーブ、Ｘ−線もしくは電子ビーム放射により維持することができる。好ましくは、ほんの少量の副生物が形成される。さらに、硬化可能基は、架橋結合を得るためにほんの少量のエネルギーが必要とされるように、容易な架橋結合を可能とする（たとえば、熱架橋結合に対して、＜２００℃）。
【００７８】
硬化可能基の例は、二重結合、三重結合、二重あるいは三重結合を形成するための前駆体、または付加重合を可能とするヘテロ環残基を含む単位である。
【００７９】
硬化可能基は、たとえば、ビニル、アルケニル、好ましくは、エテニルおよびプロペニル、Ｃ4−２0−シクロアルケニル、アジド、オキシラン、オキセタン、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、シアネートエステル、ヒドロキシ、グリシジルエーテル、Ｃ１−１0−アルキルアクリレート、Ｃ１−１0−アルキルメタクリレート、アルケニルオキシ、好ましくは、エテニルオキシ、パーフルオロアルケニルオキシ、好ましくは、パーフルオロエテニルオキシ、アルキニル、好ましくは、エチニル、マレイミド、トリ（Ｃ１−４）-アルキルシロキシおよびトリ（Ｃ１−４）-アルキルシリルである。最も好ましいものは、ビニルとアルケニルである。
【００８０】
一般式（Ｌ−Ｉ）を有する溶解促進構造要素Ｂの例は、以下である。
【００８１】
【化４−１】
2016534553.tif 000010
【００８２】
【化４−２】
2016534553.tif 000011
【００８３】
上記式において、破線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合である。
【００８４】
好ましくは、有機半導体化合物および/または他の機能性化合物は、一般式（Ｉ）により表されてよく、
【００８５】
【化５】
2016534553.tif 000012
【００８６】
式中、
Ａは、官能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般的式（Ｌ−ＩＩ）を有し、
【００８７】
【化６】
2016534553.tif 000013
【００８８】
式中、
Ａｒｂ、Ａｒｃは、互いに独立して、同一か、異なり、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜６０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
Ｘは、互いに独立して、ＮまたはＣＲｂ、好ましくは、ＣＨであり、
Ｒａ、Ｒｂは、夫々、互いに独立して、同一か、異なり、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、好ましくは、任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリルもしくはアルキルシリル基であり；硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環系、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはそれらの組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒａおよび/または基Ｒｂは、一緒に、および/またはＲａに結合する環と、モノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
ｌは０、１、２、３または４であり、
ここで、破線の結合は、官能性構造要素Ａへの結合を示す。
【００８９】
好ましくは、一般式（ＩＩ）の添え字ｋは、２以上、より好ましくは、３以上の整数である。
【００９０】
上記式（Ｉ）および／または（ＩＩ）による化合物において、残基Ｒは、好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ａｒ）２、Ｎ（Ｒ’）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ’）３、Ｂ（ＯＲ’）２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ’、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ’）２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ’、Ｓ（＝Ｏ）２Ａｒ、ＣＲ’＝ＣＲ’Ａｒ、ＯＳＯ２Ｒ’、１〜４０個のＣ原子、好ましくは、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子、好ましくは、３〜２０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、一以上の基Ｒ’により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ’Ｃ＝ＣＲ’、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ’）２、Ｇｅ（Ｒ’）２、Ｓｎ（Ｒ’）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ’、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ’）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ’、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ’で置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい）、硬化可能基または一以上の基Ｒ’で置換されてよい５〜６０個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、一以上の基Ｒ’で置換されてよい５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、二以上の置換基Ｒは、互いにモノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、ここで、Ｒ’は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、または、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族環炭化水素基であり、Ａｒは、２〜３０個のＣ原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基である。
【００９１】
より好ましくは、有機半導体化合物および/または他の機能性化合物は、一般式（ＩＩＩ）により表されてよく、
【００９２】
【化７】
2016534553.tif 000014
【００９３】
式中、
Ａは、官能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（Ｌ−ＩＩＩ）を有し、
【００９４】
【化８】
2016534553.tif 000015
【００９５】
式中、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは、夫々、互いに独立して、同一か、異なり、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、好ましくは、任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリルもしくはアルキルシリル基であり；硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環系、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはそれらの組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃおよび/またはＲｄは、一緒に、および/または基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃおよび/またはＲｄが結合する環と、モノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
ｌは０、１、２、３または４であり、
ｍは０、１、２または３であり、および
ｎ、ｏは、各々互いに独立して、同一か、異なり、０、１、２、３、４または５であり、
ここで、破線の結合は、官能性構造要素Ａへの結合を示す。
好ましくは、残基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは、水素（ｌ、ｍ、ｎおよびｏ＝０）、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基である。
【００９６】
好ましくは、一般式（ＩＩＩ）の添え字ｋは、２以上、より好ましくは、３以上の整数である。
【００９７】
本発明の好ましい１側面によれば、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および式（ＩＩＩ）における溶解促進構造要素Ｂに対する、官能性構造要素Ａの重量比は、好ましくは、２：１〜１：２０の範囲、より好ましくは、１：１〜１：３の範囲である。
【００９８】
好ましい溶解促進構造要素Ｂは、たとえば、以下の式による構造要素を含む。
【００９９】
【化９】
2016534553.tif 000016
【０１００】
上記式中、破線の結合は、官能性構造要素Ａへの結合を示す。
【０１０１】
より好ましい溶解促進構造要素Ｂは、たとえば、以下の式による構造要素を含む。
【０１０２】
【化１０−１】
2016534553.tif 000017
【０１０３】
【化１０−２】
2016534553.tif 000018
【０１０４】
【化１０−３】
2016534553.tif 000019
【０１０５】
上記式中、破線の結合は、官能性構造要素Ａへの結合を示す。
【０１０６】
本発明の好ましい１態様によれば、ＯＳＣは、たとえば、ＯＦＥＴの半導体チャネルにおける活性チャネル材料として、または有機整流ダイオードの層要素として使用することができる。
【０１０７】
ＯＦＥＴデバイスの場合において、ＯＦＥＴ層が、活性チャネル材料としてのＯＳＣを含有する場合、それは、ｎ型またはｐ型ＯＳＣであってよい。半導体チャネルも、同型、すなわち、ｎ型またはｐ型のいずれかの２種以上のＯＳＣ化合物の複合物であってもよい。さらに、ｐ型チャネルＯＳＣ化合物は、ＯＳＣ層をドープする効果のために、ｎ型ＯＳＣと、たとえば、混合することができる。多層半導体も使用することができる。たとえば、ＯＳＣは、絶縁体界面の近くで真性であってもよく、高ドープ領域は、真性層に隣接して、追加的にコーティングされ得る。
【０１０８】
好ましいＯＳＣ化合物は、１×１０-5ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1より高い、より好ましくは１×１０-2ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1より高い、ＦＥＴ移動度を有する。
【０１０９】
好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、ペンタセン、テトラセンもしくはアントラセン等の置換オリゴアセンまたは、たとえば、ＵＳ  ６，６９０，０２９、ＷＯ  ２００５／０５５２４８  Ａ１およびＵＳ  ７，３８５，２２１に開示されたとおりのビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンもしくはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセン等のヘテロ環誘導体より成る群から選ばれる。
【０１１０】
好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、式Ｍ１（ポリアセン）から選ばれ、
【０１１１】
【化１１】
2016534553.tif 000020
【０１１２】
式中
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ1０、Ｒ1１およびＲ1２の各々は、同一か異なり、独立して、水素、任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０アルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０アリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリルもしくはアルキルシリル基であり；Ｒ1およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０の各対は、独立して、任意に架橋して、Ｃ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を形成し、飽和もしくは不飽和環は酸素原子、硫黄原子もしくは式−Ｎ（Ｒａ）−の基により介在されてよく、ここで、Ｒａは、水素原子もしくは任意に置換された炭化水素基、または任意に置換されてよく；ここで、ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、任意に、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により任意に置き代えられてよく；
ここで、ポリアセンの隣接する環の位置に位置する任意の２以上の置換基Ｒ1−Ｒ１２は、独立して、一緒になって、Ｏ、Ｓもしくは−Ｎ（Ｒａ）により、任意に介在されてよいさらなるＣ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を構成してよく、ここで、Ｒａは、上記定義のとおりであるか、またはポリアセンに縮合する芳香族環系であり；および
ここで、ｎは、０、１、２、３または４、好ましくは、ｎは、０、１または２、より好ましくは、ｎは、０または２であり、ポリアセン化合物は、ペンタアセン化合物（ｎ＝２ならば）または、「偽ペンタアセン」化合物」ｎ＝０ならば）である。
【０１１３】
好ましくは、式Ｍ１ａによる化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、少なくとも一つの式（Ｌ−Ｉ）、（Ｌ−ＩＩ）および（Ｌ−ＩＩＩ）それぞれの溶解促進構造要素を含む。
【０１１４】
さらに好ましいのは、式Ｍ１ａ（置換ペンタアセン）であり、
【０１１５】
【化１２】
2016534553.tif 000021
【０１１６】
ここで、
Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ1０、Ｒ1５、Ｒ1６およびＲ1７の各々は、同一か異なり、独立して、Ｈ；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０アルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０アリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリル基であり、Ａはケイ素もしくはゲルマニウムであり；および
ここで、Ｒ1およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０、Ｒ１５およびＲ１６、Ｒ１６およびＲ１７各対は、独立して、任意に互いに架橋して、Ｃ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を形成し、飽和もしくは不飽和環は酸素原子、硫黄原子もしくは式−Ｎ（Ｒａ）−の基により介在されてよく、ここで、Ｒａは、水素原子もしくは任意に置換された炭化水素基であり、または任意に置換されてよく；およびポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、任意に、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により任意に置換されてよい。
【０１１７】
好ましくは、式Ｍ１ａによる化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、少なくとも一つの式（Ｌ−Ｉ）、（Ｌ−ＩＩ）および（Ｌ−ＩＩＩ）それぞれの溶解促進構造要素を含む。
【０１１８】
さらに好ましいのは、式Ｍ１ｂ（置換ヘテロアセン）であり、
【０１１９】
【化１３】
2016534553.tif 000022
【０１２０】
ここで、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ1５、Ｒ1６、Ｒ1７の各々は、同一か異なり、各々独立して、Ｈ；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０アルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０アリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０アルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ）（ここで、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基、イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）：任意に置換されたシリル基であり、Ａはケイ素もしくはゲルマニウムであり；および
ここで、Ｒ２およびＲ３、Ｒ８およびＲ９、Ｒ１５およびＲ１６、Ｒ１６およびＲ１７各対は、独立して、任意に互いに架橋して、Ｃ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を形成し、飽和もしくは不飽和環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式−Ｎ（Ｒａ）−の基により介在されてよく、ここで、Ｒａは、水素原子もしくは任意に置換された炭化水素基であり、かつ任意に置換されてよく；
および、ここで、ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、任意に、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により任意に置き代えられてよい。
【０１２１】
より好ましいのは、副式Ｍ１ｂの化合物であり、少なくとも一つのＲ２およびＲ３、Ｒ８およびＲ９対は、互いに架橋して、Ｃ４〜Ｃ４０飽和もしくは不飽和環を形成し、飽和もしくは不飽和環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式−Ｎ（Ｒａ）−の基により介在されてよく、ここで、Ｒａは、水素原子もしくは炭化水素基であり、かつ任意に置換されてよい。
【０１２２】
好ましくは、式Ｍ１ｂによる化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、少なくとも一つの式（Ｌ−Ｉ）、（Ｌ−ＩＩ）および（Ｌ−ＩＩＩ）それぞれの溶解促進構造要素を含む。
【０１２３】
より好ましいのは、副式Ｍ１ｂ１（シリルエチニル化ヘテロアセン）であり、
【０１２４】
【化１４】
2016534553.tif 000023
【０１２５】
ここで、
Ｙ１およびＹ２の一つは、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、Ｙ３およびＹ４の一つは、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−であり、他方は−Ｘ−であり、
Ｘ−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ”’−であり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する直鎖あるいは分岐アルキルもしくはアルコキシ基であり、任意にフッ素化もしくは過フッ素化されてよく、または６〜３０個のＣ原子を有する任意にフッ素化もしくは過フッ素化されたアリール基、好ましくはＣ６Ｆ５もしくはＣＯ２Ｒ””（Ｒ””は、Ｈ、または１〜２０個のＣ原子を有する任意にフッ素化されたアルキル基または２〜３０個、好ましくは、５〜２０個のＣ原子を有する任意にフッ素化されたアリール基である。）であり、
Ｒ”は、多出現の場合に互いに独立して、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する環式、直鎖あるいは分岐アルキルもしくはアルコキシ基であり、または２〜３０個のＣ原子を有するアリール基であり、それらは、全て、好ましくは、トリアルキルシリルであるＳｉＲ”３で任意にフッ素化もしくは過フッ素化されてよく、
Ｒ”’は、Ｈまたは１〜１０個のＣ原子を有する環式、直鎖あるいは分岐アルキル基であり、好ましくは、Ｈであり、
ｍは、０または１であり、および
ｏは、０または１である。
【０１２６】
最も好ましいのは、ｍとｏが０であり、および/またはＸがＳであり、および/またはＲ’がＦである、式Ｍ１ｂ１の化合物である。
【０１２７】
好ましい１態様では、副式Ｍ１ｂ１の化合物が提供され、以下の式のアンチ-およびシン-アイソマーの混合物として使用される。
【０１２８】
【化１５】
2016534553.tif 000024
【０１２９】
Ｘ、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、ｍおよびｏは、各々互いに独立して、式Ｍ１ｂ１にする所与の意味または前述および後述の好ましい意味を有し、Ｘは、好ましくは、Ｓであり、ｍおよびｏは、好ましくは、０である。
【０１３０】
ここで使用される用語「カルビル」は、任意の非炭素原子を含まない（-Ｃ≡Ｃ-等の）か、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅ等の少なくとも一つの非炭素原子と任意に結合した炭素原子（たとえば、カルボニル基等）の何れかである少なくとも一つの炭素原子を含む任意の一価または多価有機ラジカル部分を示す。用語「ヒドロカルビル」は、追加的に一以上のＨ原子を含み、任意に、たとえば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅ等の一以上のヘテロ原子を含むカルビル基を示す。
【０１３１】
３個以上のＣ原子鎖を含むカルビルもしくはヒドロカルビル基は、直鎖、分岐および/またはスピロおよび/または縮合環を含む環状であってもよい。
【０１３２】
好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基は、夫々、任意に置換され、さらに、１〜４０個の、好ましくは、１〜２５個の、より好ましくは、１〜１８個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカルボニルオキシ、さらに、任意に置換され、６〜４０個の、好ましくは、６〜２５個のＣ原子を有するアリールもしくはアリールオキシ、さらに、夫々、任意に置換され、６〜４０個の、好ましくは、７〜４０個のＣ原子を有するアルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシを含み、これらすべての基は、特に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅおよびＧｅから選ばれる一以上のヘテロ原子を任意に含む。
【０１３３】
カルビルもしくはヒドロカルビル基は、飽和あるいは非飽和非環状基または飽和あるいは非飽和非環状基であってよい。非飽和非環状あるいは環状基が好ましく、より好ましくは、アリール、アルケニルおよびアルキニル基（最も好ましくは、エチニル）である。Ｃ１-Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基が非環状であると、その基は、直鎖あるいは分岐であってよい。Ｃ１-Ｃ４０カルビルもしくはヒドロカルビル基は、たとえば、Ｃ１-Ｃ４０アルキル基、Ｃ２-Ｃ４０アルケニル基、Ｃ２-Ｃ４０アルキニル基、Ｃ３-Ｃ４０アリル基、Ｃ６-Ｃ４０アルキルジエニル基、Ｃ４-Ｃ４０ポリエニル基、Ｃ６-Ｃ１８アリール基、Ｃ６-Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ６-Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ４-Ｃ４０シクロアルキル基、Ｃ４-Ｃ４０シクロアルケニル基である。前記基のなかで好ましいものは、夫々、Ｃ１-Ｃ２０アルキル基、Ｃ２-Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２-Ｃ２０アルキニル基、Ｃ３-Ｃ２０アリル基、Ｃ４-Ｃ２０アルキルジエニル基、Ｃ６-Ｃ１２アリール基およびＣ４-Ｃ２０ポリエニル基である。炭素原子を有する基とヘテロ原子を有する基の組み合わせも、たとえば、シリル基、好ましくは、トリアルキルシリル基で置換されたアルキニル基、好ましくは、エチニル基等も含まれる。
【０１３４】
アリールおよびヘテロアリールは、任意に、縮合環を含んでもよく、任意に一以上の基Ｌで置換される２５個までのＣ原子を有する１、２あるいは３環状芳香族もしくは複素環式芳香族基を示し、ここで、Ｌは、ハロゲンまたは１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニルもしくはアルコキシカルボニル基であり、一以上のＨ原子は、ＦまたはＣｌで置き代えられてよい。
【０１３５】
好ましいアリールおよびヘテロアリールは、フェニル（さらに、一以上のＣＨ基は、Ｎで置き代えられてよい。）、ナフタレン、チオフェン、セレノフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フルオレンおよびオキサゾールであり、これらすべては、非置換であるか、上記に定義のとおりのＬで、非置換、一もしくは多置換され得る。
【０１３６】
上記式および副式中で、好ましい置換基Ｒ、ＲｓおよびＲ１−１７は、非置換であるか、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩで一あるいは多置換される１〜２０個のＣ原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルから選ばれ、ここで、一以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｏおよび/またはＳ原子が互いに直接結合しないように、各場合に互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲｂ−、−ＳｉＲｂＲｃ−、−ＣＸ１＝ＣＸ２−もしくは−Ｃ≡Ｃ−で置き代えられてよいか、または、１〜３０個のＣ原子を有する任意に置換されたアリールもしくはヘテロアリール基であり、ＲｂおよびＲｃは、互いに独立してＨもしくは１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであり、Ｘ１およびＸ２は、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮである。
【０１３７】
Ｒ１５−１７およびＲ”は、好ましくは、Ｃ１-Ｃ４０アルキル基、好ましくは、Ｃ１-Ｃ４アルキル基、最も好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピルあるいはイソプロピル、Ｃ６-Ｃ４０アリール基、好ましくは、フェニル、Ｃ６-Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ１-Ｃ４０アルコキシ基またはＣ６-Ｃ４０アリールアルキルオキシ基から選ばれる同一か異なる基であり、これらすべての基は、任意に、たとえば、一以上のハロゲン原子で置換される。好ましいＲ１５−１７およびＲ”は、夫々独立して、任意に置換されたＣ１-Ｃ１２アルキル、より好ましくは、Ｃ１-Ｃ４アルキル、最も好ましくは、Ｃ１-Ｃ３アルキルたとえばイソプロピルおよび任意に置換されたＣ６-Ｃ１０アリール基、好ましくは、フェニルから選ばれる。さらに好ましいのは、式-ＳｉＲ１５Ｒ１６のシリル基であり、ここで、Ｒ１５は、上記に定義のとおりであり、Ｒ１６は、Ｓｉ原子と一緒になって環状シリルアルキル基を形成し、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する。
【０１３８】
一つの好ましい態様では、すべてのＲ１５−１７またはすべてのＲ”は、同一の基であり、たとえば、同一の任意に置換されたアルキル基、たとえば、トリイソプロピルシリルである。より好ましくは、すべてのＲ１５−１７またはすべてのＲ”は、同一の基であり、任意に置換されたＣ１-Ｃ１０、好ましくは、Ｃ１-Ｃ４、より好ましくは、Ｃ１-Ｃ３アルキル基である。この場合に好ましいアルキル基はイソプロピルである。
【０１３９】
好ましい基-ＳｉＲ１５Ｒ１６Ｒ１７およびＳｉＲ”３は、限定するものではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、ジメチルエチルシリル、ジエチルメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジプロピルメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジプロピルエチルシリル、ジイソプロピルエチルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ジイソプロピルフェニルシリル、ジフェニルエチルシリル、ジエチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリルおよびメチルメトキシフェノキシシリル等を含み、ここで、アルキル、アリールもしくはアルコキシ基は、任意に置換される。
【０１４０】
本発明の好ましい１態様によれば、ＯＳＣ材料は、有機発光材料および/または電荷輸送材料である。有機発光材料および電荷輸送材料は、当業者に知られ、文献に記載される標準的材料から選ぶことができる。本発明の有機発光材料は、４００〜７００ｎｍの範囲のλｍａｘで発光する材料を意味する。
【０１４１】
適切な燐光発光化合物は、特に、好ましくは、可視域で適切な励起により発光し、加えて、２０より大きい原子番号、好ましくは、３８〜８４の原子番号、より好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を有する。使用される燐光発光エミッターは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含み、特に、イリジウムまたは白金を含む化合物である。
【０１４２】
特に、好ましい有機燐光化合物は、式（１）〜（４）の化合物である。
【０１４３】
【化１６】
2016534553.tif 000025
【０１４４】
式中、
ＤＣｙは、出現毎に、同一または異なって、環状基を金属に結合させる少なくとも１つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素、またはリンを含有し、また、１つ以上の置換基Ｒ1８を順に有していてもよい環状基であり、基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して相互に結ばれ、
ＣＣｙは、出現毎に、同一または異なって、環状基を金属に結合させる炭素原子を含有し、また、１つ以上の置換基Ｒ1８を順に有してもよい環状基であり、
Ａは、出現毎に、同一または異なって、モノアニオン性二座キレート配位子、好ましくはジケトネート配位子であり、
Ｒ1８は、各場合で、同一または異なっており、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ2、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状、または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１つ以上の隣接しないＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１９−、−ＣＯＮＲ１９−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き代えられていてもよく、また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き代えられていてもよい。）または、４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ1８ラジカルで置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であって、同じ環上または２つの異なる環上のいずれかの複数の置換基Ｒ1８はまた、一緒になって、順に単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成してもよく、
Ｒ１９は、各場合で同一または異なっており、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状、または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１つ以上の隣接しないＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き代えられていてもよく、また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き代えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ1８ラジカルで置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である
複数のラジカルＲ1８間の環系の形成は、ブリッジが、基ＤＣｙとＣＣｙとの間に存在してもよいことを意味する。
【０１４５】
さらに、複数のラジカルＲ1８間の環系の形成は、ブリッジが、２または３個の配位子ＣＣｙ-ＤＣｙとの間に、または１または２個の配位子ＣＣｙ-ＤＣｙと配位子Ａとの間に存在してもよく、多座配位もしくはポリポダル配位子系をなすことを意味する。
【０１４６】
好ましくは、式（１）、（２）、（３）および（４）による半導体化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、少なくとも一つの式（Ｌ−Ｉ）、（Ｌ−ＩＩ）および（Ｌ−ＩＩＩ）それぞれの溶解促進構造要素を含む。
【０１４７】
上記に記載されたエミッターの例は、出願ＷＯ  ００／７０６５５、ＷＯ  ０１／４１５１２、ＷＯ  ０２／０２７１４、ＷＯ  ０２／１５６４５、ＥＰ  １１９１６１３、ＥＰ  １１９１６１２、ＥＰ  １１９１６１４、ＷＯ  ０４／０８１０１７、ＷＯ  ０５／０３３２４４、ＷＯ  ０５／０４２５５０、ＷＯ  ０５／１１３５６３、ＷＯ  ０６／００８０６９、ＷＯ  ０６／０６１１８２、ＷＯ  ０６／０８１９７３およびＤＥ  １０２００８０２７００５で明らかにされる。一般的に、燐光ＯＬＥＤのために先行技術にしたがって使用され、また、有機エレクトロルミネッセンスデバイス分野で当業者に知られるすべての燐光錯体が適切であり、当業者は、進歩性を要することなくさらなる燐光錯体を使用することができる。特に、どの燐光錯体がどの発光色で発光するかは当業者に知られている。
【０１４８】
好ましい燐光化合物の例は、次の表に示される。
【０１４９】
【化１７−１】
2016534553.tif 000026
【０１５０】
【化１７−２】
2016534553.tif 000027
【０１５１】
【化１７−３】
2016534553.tif 000028
【０１５２】
【化１７−４】
2016534553.tif 000029
【０１５３】
【化１７−５】
2016534553.tif 000030
【０１５４】
【化１７−６】
2016534553.tif 000031
【０１５５】
【化１７−７】
2016534553.tif 000032
【０１５６】
【化１７−８】
2016534553.tif 000033
【０１５７】
【化１７−９】
2016534553.tif 000034
【０１５８】
【化１７−１０】
2016534553.tif 000035
【０１５９】
【化１７−１１】
2016534553.tif 000036
【０１６０】
【化１７−１２】
2016534553.tif 000037
【０１６１】
【化１７−１３】
2016534553.tif 000038
【０１６２】
【化１７−１４】
2016534553.tif 000039
【０１６３】
【化１７−１５】
2016534553.tif 000040
【０１６４】
【化１７−１６】
2016534553.tif 000041
【０１６５】
【化１７−１７】
2016534553.tif 000042
【０１６６】
【化１７−１８】
2016534553.tif 000043
【０１６７】
【化１７−１９】
2016534553.tif 000044
【０１６８】
【化１７−２０】
2016534553.tif 000045
【０１６９】
【化１７−２１】
2016534553.tif 000046
【０１７０】
【化１７−２２】
2016534553.tif 000047
【０１７１】
【化１７−２３】
2016534553.tif 000048
【０１７２】
【化１７−２４】
2016534553.tif 000049
【０１７３】
【化１７−２５】
2016534553.tif 000050
【０１７４】
【化１７−２６】
2016534553.tif 000051
【０１７５】
【化１７−２７】
2016534553.tif 000052
【０１７６】
【化１７−２８】
2016534553.tif 000053
【０１７７】
【化１７−２９】
2016534553.tif 000054
【０１７８】
好ましいドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテルおよびアリールアミンのクラスから選択される。モノスチリルアミンは、１個の置換あるいは非置換スチリル基と、少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物の意味で使用される。ジスチリルアミンは、２個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物の意味で使用される。トリスチリルアミンは、３個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物の意味で使用される。テトラスチリルアミンは、４個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１つの、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物の意味で使用される。スチリル基は、特に好ましくは、スチルベンであり、さらに置換されていてもよい。対応するホスフィンとエーテルはアミンと同様に定義される。本発明の目的のためにアリールアミンもしくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環系を含む。これら芳香族もしくは複素環式芳香族環系の少なくとも１個は、好ましくは、縮合環系、好ましくは、少なくとも１４個の芳香族環原子を有する縮合環系である。それらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンもしくは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、一個のジアリールアミノ基が、アントラセンに直接、好ましくは、９−位で結合する化合物の意味で使用される。芳香族アントラセンジアミンは、二個のジアリールアミノ基が、アントラセンに直接、好ましくは、９．１０−位で結合する化合物の意味で使用される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、好ましくは、ピレンに、１位もしくは１．６−位で結合する。さらに好ましいドーパントは、たとえば、ＷＯ  ０６／１２２６３０にしたがうインデノフルオレンアミンあるいはインデノフルオレンジアミン、たとえば、ＷＯ  ０８／００６４４９にしたがうベンゾインデノフルオレンアミンあるいはベンゾインデノフルオレンジアミン、および、たとえば、ＷＯ  ０７／１４０８４７にしたがうジベンゾインデノフルオレンアミンあるいはジベンゾインデノフルオレンジアミンから選択される。スチリルアミンのクラスからのドーパントの例は、置換あるいは非置換トリスチルベンアミンまたは、ＷＯ  ０６／０００３８８、ＷＯ  ０６／０５８７３７、ＷＯ  ０６／０００３８９、ＷＯ  ０７／０６５５４９およびＷＯ  ０７／１１５６１０に記載されるドーパントである。さらに好ましいものは、ＤＥ  １０２００８０３５４１３に開示された縮合炭化水素である。
【０１７９】
適切なドーパントは、さらに、次の表に示される構造と、ＪＰ  ０６／００１９７３、ＷＯ  ０４／０４７４９９、ＷＯ  ０６／０９８０８０、ＷＯ  ０７／０６５６７８、ＵＳ  ２００５／０２６０４４２およびＷＯ  ０４／０９２１１１に開示されたこれらの構造の誘導体である。
【０１８０】
【化１８】
2016534553.tif 000055
【０１８１】
発光層の混合物中のドーパントの割合は、好ましくは、０．１〜５０．０重量％の間、より好ましくは、０．５〜２０．０重量％の間、最も好ましくは、１．０〜１０．０重量％の間である。対応して、ホスト材料の割合は、４０．０〜９９．９重量％の間、好ましくは、５０．０〜９９．５重量％の間、より好ましくは、６０．０〜９９．０重量％の間である。
【０１８２】
この目的のための適切なホスト材料は、種々の物質のクラスからの材料である。好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（たとえば、ＥＰ  ６７６４６１に記載されるとおりの２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはＥＰ  ６７６４６１にしたがうスピロ−ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえば、ＷＯ  ０４／０８１０１７にしたがう）、正孔伝導化合物（たとえば、ＷＯ  ０４／０５８９１１にしたがう）、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（たとえば、ＷＯ  ０５／０８４０８１およびＷＯ  ０５／０８４０８２にしたがう）、アトロプ異性体（たとえば、ＷＯ  ０６／０４８２６８にしたがう）、ボロン酸誘導体（たとえば、ＷＯ  ０６／１７７０５２にしたがう）またはベンズアントラセン（たとえば、ＷＯ  ０８／１４５２３９８にしたがう）のクラスから選択される。適切なホスト材料は、さらに、上記記載される本発明のベンゾ［ｃ］フェナントレン化合物でもある。本発明の化合物とは別に、特に、好ましいホスト材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドのクラスから選ばれる。本発明のベンゾ［ｃ］フェナントレン化合物とは別に、非常に、特に、好ましいホスト材料は、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体のクラスから選ばれる。本発明の目的のために、オリゴアリーレンは、少なくとも三個のアリールもしくはアリーレン基が互いに結合する化合物の意味で使用されることを意図している。
【０１８３】
適切なホスト材料は、さらに、次の表に示される材料と、ＷＯ  ０４／０１８５８７、ＷＯ  ０８／００６４４９、ＵＳ  ５９３５７２１、ＵＳ  ２００５／０１８１２３２、ＪＰ  ２０００／２７３０５６、ＥＰ  ６８１０１９、ＵＳ  ２００４／０２４７９３７およびＵＳ  ２００５／０２１１９５８に開示されたこれらの材料の誘導体である。
【０１８４】
【化１９】
2016534553.tif 000056
【０１８５】
本発明の目的のために、正孔注入層は、アノードに直接隣接する層である。本発明の目的のために、正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に位置する層である。それらは、電子受容体化合物、たとえば、Ｆ４−ＴＣＮＱまたはＥＰ  １４７６８８１もしくはＥＰ  １５９６４４５に記載された電子受容体化合物でドープされることが好ましいこともある。
【０１８６】
本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの正孔注入もしくは正孔輸送層で、または電子注入もしくは電子輸送層で使用することができる適切な電荷輸送材料は、たとえば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｃｈｅｍ．  Ｒｅｖ．  ２００７，  １０７（４），  ９５３−１０１０に開示された化合物または先行技術によりこれらの層に使用される他の材料である。
【０１８７】
本発明のエレクトロルミネッセンスデバイスの正孔輸送もしくは正孔注入層中で使用することができる好ましい正孔輸送材料は、インデノフルオレンアミンと誘導体（たとえば、ＷＯ  ０６／１２２６３０もしくはＷＯ  ０６／１００８９６にしたがう）、ＥＰ  １６６１８８８に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、ＷＯ  ０１／０４９８０６にしたがう）、縮合芳香族環系をもつアミン誘導体（たとえば、ＵＳ  ５，０６１，５６９にしたがう）、ＷＯ  ９５／０９１４７に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、ＷＯ  ＷＯ０８／００６４４９にしたがう）もしくはジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、ＷＯ  ０７／１４０８４７にしたがう）である。適切である正孔輸送もしくは正孔注入材料は、さらに、ＪＰ  ２００１／２２６３３１、ＥＰ  ６７６４６１、ＥＰ  ６５０９５５、ＷＯ  ０１／０４９８０６、ＵＳ  ４７８０５３６、ＷＯ  ９８／３００７１、ＥＰ  ８９１１２１、ＥＰ  １６６１８８８、ＪＰ  ２００６／２５３４４５、ＥＰ  ６５０９５５、ＷＯ  ０６／０７３０５４およびＵＳ  ５０６１５６９に開示されたとおりの上記に示す化合物の誘導体である。
【０１８８】
適切な正孔輸送もしくは正孔注入材料は、さらに、たとえば、以下の表に示される材料である。
【０１８９】
【化２０】
2016534553.tif 000057
【０１９０】
本発明のエレクトロルミネッセンスデバイスで使用することができる適切な電子輸送もしくは電子注入材料は、たとえば、以下の表に示される材料である。適切な電子輸送および電子注入材料は、さらに、ＪＰ  ２０００／０５３９５７、ＷＯ  ０３／０６０９５６、ＷＯ  ０４／０２８２１７およびＷＯ  ０４／０８０９７５に開示され、上記に示される化合物の誘導体である。
【０１９１】
【化２１】
2016534553.tif 000058
【０１９２】
本発明による化合物のために適切なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（たとえば、ＷＯ  ０４／０１３０８０、ＷＯ  ０４／０９３２０７、ＷＯ  ０６／００５６２７もしくはＤＥ  １０２００８０３３９４３にしたがう）、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（Ｎ．Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）もしくはＷＯ  ０５／０３９２４６、ＵＳ  ２００５／００６９７２９、ＪＰ  ２００４／２８８３８１、ＥＰ  １２０５５２７もしくはＷＯ  ０８／０８６８５１に開示されたカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体（たとえばＷＯ  ０７／０６３７５４もしくはＷＯ  ０８／０５６７４６にしたがう）、アザカルバゾール（たとえば、ＥＰ  １６１７７１０、ＥＰ  １６１７７１１、ＥＰ  １７３１５８４、ＪＰ  ２００５／３４７１６０にしたがう）、バイポーラーマトリックス材料（たとえば、ＷＯ  ０７／１３７７２５にしたがう）、シラン（たとえば、ＷＯ０５  ／１１１１７２にしたがう）、アザボロールもしくはボロン酸エステル（たとえば、ＷＯ  ０６／１１７０５２にしたがう）、トリアジン誘導体（たとえば、ＤＥ  １０２００８０３６９８２、ＷＯ  ０７／０６３７５４もしくはＷＯ  ０８／０５６７４６したがう）、亜鉛錯体（たとえば、ＤＥ  １０２００７０５３７７１にしたがう）である。
【０１９３】
驚くほどの改善は、高い溶解度を有する１種以上の機能性化合物によって実現することができる。好ましい有機機能性化合物は、１７．０〜２０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨd、２．０〜１０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および０．０〜１５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを有することができる。より好ましい機能性化合物は、１７．５〜１９．０ＭＰａ0.5の範囲のＨd、３．５〜８．０ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および３．０〜１０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを有する。
【０１９４】
目覚ましい効果は、ハンセン溶解度パラメータにより決定される少なくとも３．０ＭＰａ0.5、好ましくは、少なくとも４．５ＭＰａ0.5、より好ましくは、少なくとも５．０ ＭＰａ0.5の半径を有する機能性化合物によって実現される。
【０１９５】
特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子もしくは励起子ブロック材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔ブロック材料または電子輸送材料は、一以上の式（Ｈ１）の化合物を含み、
【０１９６】
【化２２】
2016534553.tif 000059
【０１９７】
式中、使用される記号は、以下が適用される。
【０１９８】
Ｙは、Ｃ（＝Ｏ）もしくはＣ（Ｒ２１）2であり、
Ｘは、出現毎に、同一であるか異なり、ＣＲ２２もしくはＮであり、
Ｒ２０は、出現毎に、同一であるか異なり、一以上のラジカルＲ２３により置換されてよい５〜６０個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系またはＮ（Ａｒ）２、Ｓｉ（Ａｒ）３、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、ＯＡｒ、ＡｒＳＯ、ＡｒＳＯ２、Ｐ（Ａｒ）２、Ｐ（Ｏ）（Ａｒ）２もしくはＢ（Ａｒ）２基であり、
Ａｒは、出現毎に、同一であるか異なり、一以上の非芳香族ラジカルＲ２３で置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であって、ここで、同一の窒素、燐もしくは硼素原子に結合する二個の基Ａｒは、単結合またはＢ（Ｒ２４）、Ｃ（Ｒ２４）2、Ｓｉ（Ｒ２４）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｃ＝Ｃ（Ｒ２４）2、Ｏ、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ2、Ｎ（Ｒ２４）、Ｐ（Ｒ２４）およびＰ（＝Ｏ）Ｒ２４から選択されるブリッジにより互いに結合されてよい。
【０１９９】
Ｒ２１は出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル基であって、ここで、複数のラジカルＲ２１は、互いに環系を形成してもよく、
Ｒ２２は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であって、夫々は、一以上のラジカルＲ２４により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、ＯもしくはＳで置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられてよい。
【０２００】
Ｒ２３は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ａｒ）２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）２Ａｒ、ＣＲ２２＝ＣＲ２２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２４）３、Ｂ（ＯＲ２４）２、Ｂ（Ｒ２４）２、Ｂ（Ｎ（Ｒ２４）２）２、ＯＳＯ２Ｒ２４、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、一以上のラジカルＲ２４により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２４Ｃ＝ＣＲ２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２４）２、Ｇｅ（Ｒ２４）２、Ｓｎ（Ｒ２４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２４、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２４で置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい）、または、各場合に、一以上のラジカルＲ２４で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、一以上のラジカルＲ２４で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、二以上の隣接する置換基Ｒ２３は、互いにモノ−あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
Ｒ２４は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／または複素環式芳香族炭化水素基であり、さらに、Ｈ原子は、Ｆで置き代えられてよく、ここで、二以上の隣接する置換基Ｒ２４は、互いにモノ−あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよい。
【０２０１】
より好ましくは、式（Ｈ１ａ）による化合物は、以下を使用することができ、
【０２０２】
【化２３】
2016534553.tif 000060
【０２０３】
式中、残基Ｒ２０は、式（Ｈ１）と同じ意味を有する。
【０２０４】
より好ましくは、式（Ｈ１ｂ）による化合物は、以下を使用することができ、
【０２０５】
【化２４】
2016534553.tif 000061
【０２０６】
式中、残基Ｒ２０は、式（Ｈ１）と同じ意味を有する。
【０２０７】
好ましくは、式（Ｈ１）、（Ｈ１ａ）および/または（Ｈ１ｂ）による化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し（Ｌ−Ｉ）、式（Ｌ−ＩＩ）および式（Ｌ−ＩＩＩ）それぞれの、少なくとも一つの溶解促進構造要素を含む。
【０２０８】
特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子もしくは励起子ブロック材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔ブロック材料または電子輸送材料は、一以上の式（Ｈ２ａ）および/または（Ｈ２ｂ）の化合物を含み、
【０２０９】
【化２５】
2016534553.tif 000062
【０２１０】
式中、使用される記号は、以下が適用される。
【０２１１】
Ｙ＊は、基Ｘ２が基Ｙに結合するならば、Ｃであるか、または、基Ｘ２が基Ｙに結合しないならば、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ２５またはＮであり、
Ｅは、出現毎に同一であるか異なり、共有結合またはＮ（Ｒ２６）、Ｂ（Ｒ２６）、Ｃ（Ｒ２６）、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ２６）２、Ｃ＝ＮＲ２６、Ｃ＝Ｃ（Ｒ２６）２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ２、Ｐ（Ｒ２６）、およびＰ（＝Ｏ）Ｒ２６から選ばれる二価ブリッジであり、
Ｘ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｎ（Ｒ２６）、Ｂ（Ｒ２６）、Ｏ、Ｃ（Ｒ２６）、Ｓｉ（Ｒ２６）２、Ｃ＝ＮＲ２６、Ｃ＝Ｃ（Ｒ２６）２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ２、Ｐ（Ｒ２６）、およびＰ（＝Ｏ）Ｒ２６から選ばれる二価ブリッジであり、
Ｘ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｎ（Ｒ２６）、Ｂ（Ｒ２６）、Ｃ（Ｒ２６）２、Ｓｉ（Ｒ２６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ２６、Ｃ＝Ｃ（Ｒ２６）２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ２、ＣＲ２６−ＣＲ２６、Ｐ（Ｒ２６）、およびＰ（＝Ｏ）Ｒ２６から選ばれる二価ブリッジであり、
Ｘ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｎ、Ｂ、Ｃ（Ｒ２６）、Ｓｉ（Ｒ２６）、ＰおよびＰ＝（Ｏ）から選ばれる二価ブリッジであり、
Ｌは、１以上の基Ｒ２６により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する二価の芳香族もしくは複素環式芳香族環系であり；
ｎ、ｍは、出現毎に同一であるか異なり、０または１であり、ただしｎ＋ｍ＝１または２であり、
ｑは、１、２、３、４、５または６であり、
Ｒ２５は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ａｒ）２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ４、Ｐ（＝Ｏ）Ａｒ４２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ４、Ｓ（＝Ｏ）２Ａｒ４、ＣＲ２７＝ＣＲ２７Ａｒ４、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２７）３、Ｂ（ＯＲ２７）２、ＯＳＯ２Ｒ２７、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２７＝ＣＲ２７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２７）２、Ｇｅ（Ｒ２７）２、Ｓｎ（Ｒ２７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２７、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２７）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２７、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２７により置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、または、各場合に、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよい５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基、または、各場合に１以上のラジカルＲ２７により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族あるいは複素環式芳香族環系、または、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、またはこれらの系の組み合わせであり；ここで、２以上の置換基Ｒは、それらが結合する原子とともにまたは、Ａｒ４に結合するならばＡｒ４とともに、モノ−あるいはポリ環状の脂肪族、芳香族もしくは複素環式芳香族環系を、互いに形成してもよく；
Ｒ２６は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２、ＣＦ３、Ｂ（ＯＲ２７）２、Ｓｉ（Ｒ２７）３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基（夫々は、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２７Ｃ＝ＣＲ２７、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ２７）２、Ｇｅ（Ｒ２７）２、Ｓｎ（Ｒ２７）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２７、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−もしくはＣＯＮＲ２７で置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）、または、各場合に１以上のラジカルＲ２７により置換されてよいアリールアミンもしくは置換あるいは非置換カルバゾール、または、１以上の芳香族、複素環式芳香族もしくは非芳香族基Ｒ２７により置換されてよい５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基、または、１以上の非芳香族基Ｒ２７により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族あるいは複素環式芳香族環系、または、１以上のラジカルＲ２７により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、またはこれらの系の組み合わせであり；ここで、２以上の置換基Ｒ２６は、それらが結合する原子とともに、モノ−あるいはポリ環状の脂肪族、芳香族もしくは複素環式芳香族環系を互いに形成してもよく；
Ｒ２７は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族芳香族炭化水素基もしくは５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基またはこれら基の組み合わせであり；
Ａｒ４は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のラジカルＲ２６により置換されてよい５〜４０個の環原子を有する芳香族あるいは複素環式芳香族環系、好ましくは、アリールもしくはヘテロアリール基である。
【０２１２】
好ましくは、式（Ｈ２ａ）および/または（Ｈ２ｂ）による化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（Ｌ−Ｉ）、式（Ｌ−ＩＩＩ）および式（Ｌ−ＩＩＩＩ）の少なくとも一つの溶解促進構造要素を含む。
【０２１３】
特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子もしくは励起子ブロック材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔ブロック材料または電子輸送材料は、一以上の式（Ｈ３ａ）および/または（Ｈ３ｂ）の化合物を含み、
【０２１４】
【化２６】
2016534553.tif 000063
【０２１５】
使用される記号と添え字には、以下が適用され；。
【０２１６】
Ａｒ５は、以下の式（Ｈ３ｃ）の基であり、
【０２１７】
【化２７】
2016534553.tif 000064
【０２１８】
ここで、破線の結合は、スピロビフルオレンへの結合を示し；
Ａｒ６は、以下の式（Ｈ３ｄ）の基であり：
【０２１９】
【化２８】
2016534553.tif 000065
【０２２０】
ここで、破線の結合はスピロビフルオレンへの結合を示し；
Ｒ２８、Ｒ２９は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ３０）２、Ｎ（Ａｒ７）２、Ｂ（Ａｒ７）２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ７、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ７）２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ７、Ｓ（＝Ｏ）２Ａｒ７、ＣＲ３０=ＣＲ３０Ａｒ７、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３０）３、Ｂ（ＯＲ３０）２、Ｂ（Ｒ３０）２、Ｂ（Ｎ（Ｒ３０）２）２、ＯＳＯ２Ｒ３０、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、一以上のラジカルＲ３０により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３０Ｃ＝ＣＲ３０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３０）２、Ｇｅ（Ｒ３０）２、Ｓｎ（Ｒ３０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３０、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３０で置き代えられてよく、また、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい）または、各場合に、一以上のラジカルＲ３０で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系、一以上のラジカルＲ３０で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら系の組み合わせであり、ここで、二以上の隣接する置換基Ｒ２８は、互いにモノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
Ａｒ７は、出現毎に、同一であるか異なり、一以上のラジカルＲ３０で置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環系であって、ここで、同一の窒素、燐もしくは硼素原子に結合する二個のラジカルＡｒ７は、単結合またはＢ（Ｒ３０）、Ｃ（Ｒ３０）２、Ｓｉ（Ｒ３０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ３０、Ｃ＝Ｃ（Ｒ３０）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ２、Ｎ（Ｒ３０）、Ｐ（Ｒ３０）およびＰ（＝Ｏ）Ｒ３０から選択されるブリッジにより互いに結合されてよく、
Ｒ３０は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基であり、さらに、Ｈ原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよく、ここで、二以上の隣接する置換基Ｒ３０は、互いにモノ-あるいはポリ環状の脂肪族もしくは芳香族環系を形成してもよく、
ｎは、０または１であり、
ｍは、０、１、２または３であり、
ｏは、同じ環中でｎ＝０ならば、０、１、２、３または４であり、同じ環中でｎ＝１ならば、０、１、２または３である。
【０２２１】
好ましくは、式（Ｈ３ａ）および/または（Ｈ３ｂ）による化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（Ｌ−Ｉ）、式（Ｌ−ＩＩＩ）および式（Ｌ−ＩＩＩＩ）の少なくとも一つの溶解促進構造要素を含む。
【０２２２】
本発明を遂行するために有用である溶解促進基を有する化合物は、以下を含む
【０２２３】
【化２９−１】
2016534553.tif 000066
【０２２４】
【化２９−２】
2016534553.tif 000067
【０２２５】
【化２９−３】
2016534553.tif 000068
【０２２６】
【化２９−４】
2016534553.tif 000069
【０２２７】
【化２９−５】
2016534553.tif 000070
【０２２８】
【化２９−６】
2016534553.tif 000071
【０２２９】
【化２９−７】
2016534553.tif 000072
【０２３０】
【化２９−８】
2016534553.tif 000073
【０２３１】
【化２９−９】
2016534553.tif 000074
【０２３２】
【化２９−１０】
2016534553.tif 000075
【０２３３】
【化２９−１１】
2016534553.tif 000076
【０２３４】
そのハンセン溶解度パラメータが半径を有する、さらに適切な化合物は、以下の表２で言及される
【０２３５】
【表２−１】
2016534553.tif 000077
【０２３６】
【表２−２】
2016534553.tif 000078
【０２３７】
本発明の好ましい１態様では、調合物は、０．１〜１０重量％、より好ましくは、０．２５〜５重量％、最も好ましくは、０．５〜４重量％の有機半導体化合物、好ましくは、発光材料および/または電荷輸送材料を含む。
【０２３８】
さらに、本発明の調合物は、少なくとも一つのポリマーを含む。ポリマーは、不活性有機バインダーとして有用である。したがって、ポリマーは半導体特性を有さず、有機発光材料および/または電荷輸送材料を酸化せず、そうでなくても、以前以後で言及したこれらの材料と化学的反応しない。不活性バインダーは、半導体特性もしくは伝導性を有さない。不活性ポリマーバインダーの低伝導性は、誘電率として測定することができる。本発明による好ましいバインダーは、低誘電率の材料であり、すなわち１，０００Ｈｚで３．３以下の誘電率を有する。有機バインダーは、好ましくは、１，０００Ｈｚで３．０以下、より好ましくは、２．９以下の誘電率を有する。好ましくは、有機バインダーは、好ましくは、１，０００Ｈｚで１．７を超える誘電率を有する。バインダーの誘電率は、２．０〜２．９の範囲であることが好ましい。以前以後で使用される用語「酸化する」および「化学的に反応する」は、製造、貯蔵、輸送および/または調合物とＯＬＥＤデバイスの使用条件下で、有機発光材料および/または電荷輸送材料との伝導性添加物の可能な酸化もしくは他の化学反応を意味する。
【０２３９】
好ましくは、前記有機溶媒中で１％Ｗ／Ｗの不活性バインダーを溶解する場合に、不活
性バインダーは、溶媒の粘度を少なくとも０．４ｍＰａｓ増加する。
【０２４０】
ポリマーバインダーは、少なくとも５、０００，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも８，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有する。
【０２４１】
不活性バインダーとして有用なポリマーは、好ましくは、最大で５０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、最大で４０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、最大で３０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有し得る。
【０２４２】
好ましくは、ポリマーバインダーは、５，０００，０００〜５０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲、より好ましくは、８，０００，０００〜４０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲、最も好ましくは、１０，０００，０００〜３０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の重量平均分子量を有する。
【０２４３】
ポリマーは、好ましくは、１．０〜１０．０の範囲、より好ましくは、１．０〜５．０の範囲、最も好ましくは、１．０〜３の範囲の多分散指数Ｍｗ／Ｍｎを有し得る。驚くほどの改良は、１．０〜２．０の範囲、より好ましくは、１．０〜１．５の範囲、最も好ましくは、１．０〜１．２の範囲の多分散指数Ｍｗ／Ｍｎを有するポリマーによって実現することができる。
【０２４４】
本発明の好ましい１側面によれば、ポリマーバインダーは、多峰性分子量分布を有してよい。好ましくは、ポリマーは、ＧＰＣを使用して決定できる分子量分布において、２、３、４またはそれ以上の極大値を有する。
【０２４５】
バインダーは、たとえば、ポリエステル、ポリ(α−メチルスチレン)、ポリビニルシンナメート、ポリ(4−ビニルビフェニル)もしくはポリ(4−メチルスチレン)から選ばれる。ポリマーバインダーは、好ましくは、スチレンおよび/またはオレフィンに由来する反復単位を有する。好ましいポリマーバインダーは、少なくとも８０重量％、より好ましくは、９０重量％、最も好ましくは、９９重量％の、スチレンモノマーおよび／またはオレフィン由来の繰り返し単位を含むことができる。
【０２４６】
有用で好ましいポリマーバインダーは、１５．７〜２３．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｄ、０．０〜２０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｐ、および０．０〜１２．５ＭＰａ0.5の範囲のＨｈというハンセン溶解度パラメータを有する。より好ましいポリマーバインダーは、１７．０〜２１．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｄ、１．０〜５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｐ、および２．０〜１０．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｈというハンセン溶解度パラメータを有する。最も好ましいポリマーバインダーは、１９．０〜２１．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｄ、１．０〜３．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｐおよび２．５〜５．０ＭＰａ0.5の範囲のＨｈというハンセン溶解度パラメータを有する。
【０２４７】
ハンセン溶解度パラメータは、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第２版、Ｃ．Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ（２００７）、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇｒｏｕｐ，ＬＬＣに関連するＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ  ＨＳＰｉＰ第３版（ソフトウェア、バージョン３．０．３８）にしたがって決定することができる。
【０２４８】
有用なポリマーバインダーの例が、表３に開示されている。
【０２４９】
【表３−１】
2016534553.tif 000079
【０２５０】
【表３−２】
2016534553.tif 000080
【０２５１】
【表３−３】
2016534553.tif 000081
【０２５２】
【表３−４】
2016534553.tif 000082
【０２５３】
本発明の好ましい１態様によれば、不活性バインダーは、−７０〜１６０℃、好ましくは、０〜１５０℃、より好ましくは５０〜１４０℃、最も好ましくは、７０〜１３０℃の範囲のガラス転移温度を有するポリマーである。ガラス転移温度は、ポリマーのＤＳＣを測定する（ＤＩＮ  ＥＮ  ＩＳＯ１１３５７、加熱速度１０℃／分）ことによって決定することができる。
【０２５４】
通常、ポリマーバインダーは、上記および下記の本調合物の溶媒に分散または溶解することができる。好ましくは、ポリマーバインダーは、有機溶媒に溶解することができ、溶媒におけるポリマーバインダーの溶解度は、少なくとも１ｇ／ｌ、より好ましくは、少なくとも５ｇ／ｌ、最も好ましくは、少なくとも１０ｇ／ｌである。
【０２５５】
本発明の好ましい１態様によれば、本発明の調合物は、０．０５〜１０重量％、好ましくは、０．１〜５重量％、より好ましくは、０．１５〜３重量％のポリマーバインダーを含む。驚くほどの改良は、好ましくは、０．２〜１重量％、より好ましくは、０．２５〜０．６重量％、最も好ましくは、０．３〜０．５重量％のポリマーバインダーを含む調合物を使用することによって実現することができる。
【０２５６】
驚くほどの改良は、調合物において、低い含有量で高分子量バインダーを使用することによって実現することができる。そのような手法を使用して、優れた印刷品質を有する驚くほど効率的なデバイスを得ることができる。
【０２５７】
不活性バインダーに対する半導体化合物の重量比は、好ましくは、３０：１〜１：３０の範囲、より好ましくは、１５：１〜１：２の範囲、最も好ましくは、８：１〜３：１の範囲である。
【０２５８】
スチレンモノマーは、当分野において周知である。これらのモノマーとしては、スチレン、側鎖でアルキル置換基により置換されているスチレン、たとえば、α−メチルスチレンおよびα−エチルスチレン、環でアルキル置換基により置換されているスチレン、たとえば、ビニルトルエンおよびｐ−メチルスチレン、ハロゲン化スチレン、たとえば、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、トリブロモスチレン、およびテトラブロモスチレンがある。
【０２５９】
オレフィンは、水素および炭素原子からなるモノマーである。これらのモノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソプレン、および１，３−ブタジエンがある。
【０２６０】
本発明の好ましい１側面によれば、ポリマーバインダーは、少なくとも５，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも８，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリスチレンである。
【０２６１】
不活性バインダーとして有用なポリスチレンは、好ましくは、最大で５０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、最大で４０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、最大で３０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有し得る。
【０２６２】
本発明による組成物は、追加的に、たとえば、界面活性化合物、潤滑剤、導電性添加剤、分散剤、疎水剤、接着剤、流動性向上剤、消泡剤、脱気剤、希釈剤（反応性であっても非反応性であってもよい）、補助剤、着色剤、染料もしくは顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子または阻害剤のような、１種以上のさらなる構成成分を含むことができる。しかし、これらのさらなる構成成分は、ＯＳＣを酸化可能であるべきではなく、そうでなくても、ＯＳＣと化学的に反応可能であるべきではなく、またはＯＳＣに電気的ドーピング効果を与えるべきではない。
【０２６３】
目覚ましい改良は、揮発性湿潤剤で実現することができる。以上および以下で使用する「揮発性」という用語は、有機半導体材料がＯＥデバイスの基板上に堆積された後に、これらの材料またはＯＥデバイスに著しく損傷を与えない（温度および／または減圧のような）条件下で、薬剤を、蒸発により有機半導体材料から除去できることを意味する。好ましくは、これは、湿潤剤が、用いられる圧力、非常に好ましくは、大気圧（１０１３ｈＰａ）で、＜３５０℃、より好ましくは、≦３００℃、最も好ましくは、≦２５０℃の沸点または昇華温度を有することを意味する。蒸発は、たとえば、熱および／または減圧を加えることによって、早めることもできる。好ましくは、湿潤剤は、ＯＳＣ化合物と化学的に反応可能ではない。特に、それらは、（たとえば、ＯＳＣ材料を酸化する、そうでなくても、それと化学的に反応することにより）ＯＳＣ材料に永続的なドーピング効果を与えない化合物から選択される。したがって、好ましくは、調合物は、イオン性生成物を形成することによりＯＳＣ材料と反応する、たとえば、酸化剤、またはプロトン酸もしくはルイス酸のような、添加剤を含有するべきではない。
【０２６４】
目覚ましい効果は、類似の沸点を有する揮発性化合物を含む調合物によって実現することができる。好ましくは、湿潤剤と有機溶媒の沸点の差は、−５０℃〜５０℃の範囲、より好ましくは、−３０℃〜３０℃の範囲、最も好ましくは、−２０℃〜２０℃の範囲にある。
【０２６５】
好ましい湿潤剤は、非芳香族化合物である。さらに好ましくは、湿潤剤は、非イオン性化合物である。特に有用な湿潤剤は、最大で３５ｍＮ／ｍ、より好ましくは、最大で３０ｍＮ／ｍ、最も好ましくは、最大で２５ｍＮ／ｍの表面張力を有する。表面張力は、２５℃で、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１０００接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。その方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ，Ｐｈ．Ｄ．による「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」を公開している、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍから入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を使用して、表面張力を測定することができる。
【０２６６】
本発明の好ましい１側面によれば、有機溶媒と湿潤剤の表面張力の差は、好ましくは、少なくとも１ｍＮ／ｍ、より好ましくは、少なくとも５ｍＮ／ｍ、最も好ましくは、少なくとも１０ｍＮ／ｍである。
【０２６７】
予期せぬ改良は、少なくとも１００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも１５０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも１８０ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、少なくとも２００ｇ／ｍｏｌの分子量を含む湿潤剤によって実現することができる。
【０２６８】
ＯＳＣを酸化しない、そうでなくても、ＯＳＣと化学的に反応しない、適切かつ好ましい湿潤剤は、シロキサン、アルカン、アミン、アルケン、アルキン、アルコール、および／またはこれらの化合物のハロゲン化誘導体からなる群から選択される。さらに、フルオロエーテル、フルオロエステル、および／またはフルオロケトンを使用することができる。より好ましくは、これらの化合物は、６〜２０個の炭素原子、好ましくは、８〜１６個の炭素原子を有するメチルシロキサン、Ｃ7〜Ｃ14アルカン、Ｃ7〜Ｃ14アルケン、Ｃ7〜Ｃ14アルキン、７〜１４個の炭素原子を有するアルコール、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエーテル、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエステル、および７〜１４個の炭素原子を有するフルオロケトンから選択される。最も好ましい湿潤剤は、８〜１４個の炭素原子を有するメチルシロキサンである。
【０２６９】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルカンとしては、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、３−メチルヘプタン、４−エチルヘプタン、５−プロピルデカン、トリメチルシクロヘキサン、およびデカリンがある。
【０２７０】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカンとしては、１−クロロヘプタン、１，２−ジクロロオクタン、テトラフルオロオクタン、デカフルオロドデカン、ペルフルオロノナン、１，１，１−トリフルオロメチルデカン、およびペルフルオロメチルデカリンがある。
【０２７１】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルケンとしては、ヘプテン、オクテン、ノネン、１−デセン、４−デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、３−メチルヘプテン、４−エチルヘプテン、５−プロピルデセン、およびトリメチルシクロヘキセンがある。
【０２７２】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルケンとしては、１，２−ジクロロオクテン、テトラフルオロオクテン、デカフルオロドデセン、ペルフルオロノネン、および１，１，１−トリフルオロメチルデセンがある。
【０２７３】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルキンとしては、オクチン、ノニン、１−デシン、４−デシン、ドデシン、テトラデシン、３−メチルへプチン、４−エチルへプチン、５−プロピルデシン、およびトリメチルシクロヘキシンがある。
【０２７４】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルキンとしては、１，２−ジクロロオクチン、テトラフルオロオクチン、デカフルオロドデシン、ペルフルオロノニン、および１，１，１−トリフルオロメチルデシンがある。
【０２７５】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルコールとしては、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、３−メチルヘプタノール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、４−エチルヘプタノール、５−プロピルデカノール、トリメチルシクロヘキサノール、およびヒドロキシルデカリンがある。
【０２７６】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルコールとしては、１−クロロヘプタノール、１，２−ジクロロオクタノール、テトラフルオロオクタノール、デカフルオロドデカノール、ペルフルオロノナノール、１，１，１−トリフルオロメチルデカノール、および２−トリフルオロメチル−１−ヒドロキシデカリンがある。
【０２７７】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロエーテルとしては、３−エトキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン、３−プロポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン、および３−プロポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンタンがある。
【０２７８】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロエステルとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキシル）エタノエート、および３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンチル）プロパノエートがある。
【０２７９】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロケトンとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキシル）エチルケトン、および３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンチル）プロピルケトンがある。
【０２８０】
有用かつ好ましいシロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、およびテトラデカメチルヘキサシロキサンがある。
【０２８１】
好ましくは、調合物は、最高５重量％、より好ましくは、最高３重量％、最も好ましくは、最高１重量％の湿潤添加剤を含む。好ましくは、調合物は、０．０１〜５重量％、より好ましくは、０．１〜３重量％、最も好ましくは０．１〜１重量％の湿潤剤を含む。
【０２８２】
本発明による調合物を、エマルション、分散物または溶液として設計することができる。好ましくは、本調合物は、大した量ではない第２相を含む溶液（均一混合物）である。
【０２８３】
本発明による調合物は、有機電子（ＯＥ）デバイス、たとえば、ＯＦＥＴのようなトランジスタ、またはダイオードもしくは太陽電池のような有機光起電力（ＯＰＶ）デバイス、または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を製造するために使用することができる。
【０２８４】
好ましいＯＥデバイスは、ＯＦＥＴである。本発明による好ましいＯＦＥＴは、以下の構成要素、すなわち、
−  任意選択で、基板（１）と、
−  ゲート電極（２）と、
−  誘電材料を含む絶縁層（３）と、
−  ＯＳＣ層（４）と
−  ソースおよびドレイン電極（５）と、
−  任意選択で、１つ以上の保護またはパッシベーション層（６）と
を含む。
【０２８５】
図１Ａは、基板（１）と、ゲート電極（２）と、誘電材料層（３）（ゲート絶縁層としても知られる）と、ＯＳＣ層（４）と、ソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ）電極（５）と、任意選択のパッシベーションまたは保護層（６）とを含む、本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ）トップコンタクト（ＴＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０２８６】
図１Ａのデバイスは、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程と、ゲート電極（２）および基板（１）の上に誘電層（３）を堆積する工程と、誘電層（３）の上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、ＯＳＣ層（４）の上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、Ｓ／Ｄ電極（５）およびＯＳＣ層（４）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意選択で堆積する工程とを含む方法によって製造することができる。
【０２８７】
図１Ｂは、基板（１）と、ゲート電極（２）と、誘電層（３）と、Ｓ／Ｄ電極（５）と、ＯＳＣ層（４）と、任意選択のパッシベーションまたは保護層（６）とを含む、本発明によるボトムゲート（ＢＧ）ボトムコンタクト（ＢＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０２８８】
図１Ｂのデバイスは、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程と、ゲート電極（２）および基板（１）の上に誘電層（３）を堆積する工程と、誘電層（３）の上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、Ｓ／Ｄ電極（４）および誘電層（３）の上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、ＯＳＣ層（４）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意選択で堆積する工程とを含む方法によって製造することができる。
【０２８９】
図２は、基板（１）と、ソースおよびドレイン電極（５）と、ＯＳＣ層（４）と、誘電層（３）と、ゲート電極（２）と、任意選択のパッシベーションまたは保護層（６）とを含む、本発明によるトップゲート（ＴＧ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０２９０】
図２のデバイスは、基板（１）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、Ｓ／Ｄ電極（４）および基板（１）の上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、ＯＳＣ層（４）の上に誘電層（３）を堆積する工程と、誘電層（３）の上にゲート電極（２）を堆積する工程と、ゲート電極（２）および誘電層（３）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意選択で堆積する工程とを含む方法によって製造することができる。
【０２９１】
図１Ａ、１Ｂおよび２に示したデバイスにおけるパッシベーションまたは保護層（６）は、ＯＳＣ層およびＳ／Ｄまたはゲート電極を、それらの上に後で与えられるさらなる層またはデバイスから、および／または周囲条件の影響から保護する目的を有する。
【０２９２】
図１Ａ、１Ｂおよび２に両矢印により示した、ソースおよびドレイン電極（５）間の間隔は、チャネル領域である。
【０２９３】
ＯＰＶセルのための調合物の場合には、調合物は、好ましくは、ｐ型半導体およびｎ型半導体、またはアクセプターおよびドナー材料を含むまたは含有する、より好ましくは、本質的にそれらからなる、最も好ましくは、それらのみからなる。このタイプの好ましい材料は、たとえば、ＷＯ  ９４／０５０４５Ａ１に開示されているとおり、ポリ（３−置換チオフェン）またはＰ３ＡＴと、Ｃ60もしくはＣ70フラーレン、またはＰＣＢＭ［（６，６）−フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル］のような修飾されたＣ60分子とのブレンドまたは混合物であり、ここで、好ましくは、Ｐ３ＡＴとフラーレンとの比率が、重量で、２：１〜１：２、より好ましくは、重量で、１．２：１〜１：１．２である。
【０２９４】
図３および図４は、本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示している［Ｗａｌｄａｕｆら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９、２３３５１７（２００６）も参照されたい］。
【０２９５】
図３に示したＯＰＶデバイスは、
−  それらのうちの１つが透明である、低仕事関数電極（３１）（たとえば、アルミニウムなどの金属）および高仕事関数電極（３２）（たとえば、ＩＴＯ）と、
−  電極（３１、３２）の間に配置される、好ましくはＯＳＣ材料から選択される正孔輸送材料および電子輸送材料を含む層（３３）（「アクティブ層」とも言う）であって、たとえば、ｐ型およびｎ型半導体の二重層もしくは２つの別個の層、またはブレンドもしくは混合物として存在し得る、層（３３）と、
−  高仕事関数電極の仕事関数を変更して、正孔のためのオーミック接触を与えるために、アクティブ層（３３）と高仕事関数電極（３２）の間に配置される、たとえば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチルレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート））のブレンドを含む、任意選択の導電性ポリマー層（３４）と、
−  電子のためのオーミック接触を与えるための、低仕事関数電極（３１）のアクティブ層（３３）に面している面での、（たとえば、ＬｉＦの）任意選択のコーティング（３５）と
を好ましくは含む。
【０２９６】
図４に示した、逆にしたＯＰＶデバイスは、
−  それらのうちの１つが透明である、低仕事関数電極（４１）（たとえば、金などの金属）および高仕事関数電極（４２）（たとえば、ＩＴＯ）と、
−  電極（４１、４２）の間に配置される、好ましくはＯＳＣ材料から選択される正孔輸送材料および電子輸送材料を含む層（４３）（「アクティブ層」とも言う）であって、たとえば、ｐ型およびｎ型半導体の二重層もしくは２つの別個の層、またはブレンドまたは混合物として存在し得る、層（４３）と、
−  電子のためのオーミック接触を与えるために、アクティブ層（４３）と低仕事関数電極（４１）の間に配置される、たとえば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのブレンドを含む、任意選択の導電性ポリマー層（４４）と、
−  正孔のためのオーミック接触を与えるための、高仕事関数電極（４２）のアクティブ層（４３）に面している面での、（たとえば、ＴｉＯxの）任意選択のコーティング（４５）と
を好ましくは含む。
【０２９７】
本発明のＯＰＶデバイスは、典型的には、ｐ型（電子ドナー）半導体およびｎ型（電子アクセプター）半導体を含んでいてもよい。好ましくは、ｐ型半導体は、たとえば、ポリマー、たとえば、ポリ（３−アルキル−チオフェン）（Ｐ３ＡＴ）、好ましくはポリ（３−ヘキシル−チオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、または、先に挙げた好ましいポリマーおよびモノマーＯＳＣ材料の群からから選択される他の別の材料である。ｎ型半導体は、無機材料、たとえば、酸化亜鉛もしくはセレン化カドミウム、あるいは有機材料、たとえば、フラーレン誘導体、たとえば、Ｇ．Ｙｕ、Ｊ．Ｇａｏ、Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ、Ｆ．Ｗｕｄｌ、Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９５、Ｖｏｌ．２７０、ｐ.１７８９  ｆｆで開示され、下に示す構造を有する（６，６）−フェニルＣ61−酪酸メチルエステル（「ＰＣＢＭ」または「ＰＣ61ＢＭ」としても知られる）、もしくはたとえば、Ｃ71フラーレン基を有する構造的に類似した化合物（ＰＣ71ＢＭ）、またはポリマー（たとえば、Ｃｏａｋｌｅｙ，Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ，Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４、１６、４５３３を参照されたい）であり得る。
【０２９８】
【化３０】
2016534553.tif 000083
【０２９９】
このタイプの好ましい材料は、ポリマー、たとえば、Ｐ３ＨＴ、または先に挙げた群から選択される他のポリマーと、Ｃ60もしくはＣ70フラーレン、または修飾されたＣ60フラーレン、たとえば、ＰＣ61ＢＭまたはＰＣ71ＢＭとのブレンドまたは混合物である。好ましくは、ポリマー：フラーレン比は、重量で２：１〜１：２、より好ましくは、重量で１．２：１〜１：１．２、最も好ましくは、重量で１：１である。ブレンドされた混合物の場合、ブレンドのモルホロジーおよび、その結果、ＯＰＶデバイスの性能を最適化するために、任意のアニーリング工程が必要となることがある。
【０３００】
ＯＥデバイスを製造するプロセスの間に、ＯＳＣ層は、基板上に堆積され、その後、任意の揮発性添加剤（複数可）と共に溶媒が除去され、膜または層が形成される。
【０３０１】
ＯＥデバイスを製作するために、様々な基板、たとえば、ガラス、ＩＴＯ被覆ガラス、ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩなどを含むプレコート層を有するＩＴＯガラス、またはプラスチックを使用することができ、プラスチック材料が好ましく、例としては、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエンスチレン、セルロース、酢酸セルロース、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン−クロロトリフルオロエチレン、エチレン−テトラ−フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデン−フルオリドコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、シリコーンゴム、シリコーン、ならびに、ＩＴＯまたは他の導電層および障壁層を有するフレキシブルフィルム、たとえば、Ｖｉｔｅｘフィルムがある。
【０３０２】
好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、およびポリエチレンナフタレートである。基板は、上述の材料でコーティングされた任意のプラスチック材料、金属またはガラスであってもよい。基板は、好ましくは、良好なパターン鮮明度を確実にするために、均質であるべきである。基板はまた、キャリアの移動度を高めるように有機半導体の配向を誘導するために、押出、延伸、ラビング、または光化学的技術によって、均一に事前調整されてもよい。
【０３０３】
電極は、スプレー、ディップ、ウェブまたはスピンコーティングなどの液体コーティング、または真空堆積または気相堆積法で堆積することができる。適切な電極材料および堆積方法は、当業者に既知である。適切な電極材料としては、限定されないが、無機または有機材料、またはその２種の材料の複合物がある。適切な導体材料または電極材料の例としては、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴまたはドープされた共役ポリマー、さらにグラファイトまたはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉもしくはそれらの混合物などの金属の粒子の分散物またはペースト、ならびに、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄなどのスパッタコーティングまたは蒸着された金属、または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの金属酸化物がある。有機金属前駆体も、液相から堆積させて使用することができる。
【０３０４】
好ましくは、本発明による調合物が塗布される表面上の基板は、少なくとも２種の溶媒、たとえば、他の溶媒も使用できるが、水およびヨウ化メチレンの接触角を測定することによって決定される、１３０〜２５ｍＮｍ-1の範囲、より好ましくは１１５〜３０ｍＮｍ-1の範囲の表面エネルギーを有する。これらは、典型的には、２０〜２５℃の温度（室温、および正常な大気圧）で、接触角ゴニオメーター、たとえば、ＦＴＡ１０００を使用して測定され、次いで、２種の溶媒の接触角は、様々な数学モデル、典型的には、Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ幾何平均またはＷｕ調和平均を使用して組み合わされる。好ましくは、Ｗｕ調和平均法を使用する。
Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ式：
（１＋ｃｏｓθ）γＬＶ＝２√（γDＳＶγDＬＶ）＋２√（γPＳＶγPＬＶ）
Ｗｕ調和平均式：
（１＋ｃｏｓθ）γＬＶ＝４｛γＤＳＶγＤＬＶ／（γDＳＶ＋γDＬＶ）＋γPＳＶγPＬＶ／（γPＳＶ＋γPＬＶ）｝
ＯＳＣ層の堆積は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準の方法によって実現することができる。適切かつ好ましい堆積方法としては、液体コーティングおよび印刷技術がある。非常に好ましい堆積方法としては、それらに限定されないが、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、エアロゾル噴射、インクジェット印刷、ノズル印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スクリーン印刷、ステンシル印刷、スプレーコーティング、ディップコーティング、カーテンコーティング、キスコーティング、メイヤーバーコーティング、２ロールニップ供給式コーティング（2 roll nip fed coating）、アニロックスコーター、ナイフコーティング、またはスロットダイコーティングがある。好ましくは、ＯＳＣ層は、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、アニロックスコーターで塗布される。グラビアおよびフレキソ印刷、ならびにこれらの印刷方法の変形が好ましい。これらとしては、それらに限定されないが、マイクログラビア、リバースグラビア、オフセットグラビア、リバースロールなどがある。平台とより従来的である「輪転」の両方における、巻取式（ロールツーロール）と枚葉式の両方を使用することができる。
【０３０５】
フレキソ印刷の場合、アニロックスは、クロム鋼またはセラミックのいずれか、好ましくは、セラミックであり得る。セルのエッチングは、２ｃｍ3／ｍ2〜１２０ｃｍ3／ｍ2、好ましくは、３ｃｍ3／ｍ2〜２０ｃｍ3／ｍ2、より好ましくは、４ｃｍ3／ｍ2〜１８ｃｍ3／ｍ2で変動し得るが、乾燥膜の厚さは、活性材料の濃度、および前記調合物の移送特性で変動するであろう。
【０３０６】
セルの構成、すなわち、形状、深さ、セルの壁の連結は、最適な印刷結果を実現するように、当業者によって、適合され得る。
【０３０７】
グラビア印刷の場合、好ましくは、クロム鋼が使用されるが、これは、他の材料を除外するものではない。エングレービングの要件は、必要な移送プロセスが１つ少ないので、フレキソ印刷の要件のおよそ５０％である。
【０３０８】
速度は、プレスのタイプおよび構成に応じて、大きく変わる可能性があり、平台印刷の場合、印刷速度は、通常、非常に遅く、典型的には、１００ｍｍ／分未満である。ロールツーロールプレスに関しては、速度は、５００ｍ／分を超え得る。
【０３０９】
好ましい１側面によれば、本発明による特別なタイプのＯＥを実現するために、絶縁層を基板上に堆積することができる。好ましくは、絶縁層は、溶液処理によって、非常に好ましくは、１種以上の有機溶媒中の、場合により架橋性である誘電材料の溶液を使用して堆積される。好ましくは、誘電材料を堆積させるために使用する溶媒は、ＯＳＣ材料を堆積させるために使用する溶媒に対して直交し、逆の場合も同じである。
【０３１０】
堆積方法として、スピンコーティングが使用される場合、ＯＳＣまたは誘電材料は、たとえば、１０００ｒｐｍと２０００ｒｐｍの間で、たとえば、３０秒間回転させて、０．５μｍと１．５μｍの間の典型的な層厚を有する層を与える。スピンコーティングの後に、その膜を高温下で加熱して、すべての残留揮発性溶媒を除去することができる。
【０３１１】
架橋性の誘電体が使用される場合、それは、たとえば、Ｘ線、ＵＶまたは可視光線のような、電子ビームまたは電磁（化学）線への暴露による堆積後に、好ましくは架橋される。たとえば、５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは、２００ｎｍ〜４５０ｎｍ、より好ましくは、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長を有する化学線を使用することができる。適切な線量は、一般に、２５〜３，０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にある。適切な線源としては、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンのランプ、アルゴンまたはキセノンレーザー源、ｘ線、またはｅ−ビームがある。化学線への暴露は、暴露領域において、誘電材料の架橋性基の架橋反応を誘発することとなる。たとえば、架橋性基の吸収バンド外の波長を有する光源を使用すること、および光線に感応しやすい光増感剤を架橋性材料に加えることも可能である。
【０３１２】
場合によっては、誘電材料層は、光線への暴露後に、たとえば、７０℃〜１３０℃の温度で、たとえば、１〜３０分間、好ましくは、１〜１０分間アニーリングされる。高温下でのアニーリング工程は、誘電材料の架橋基を光線に暴露することにより誘発された、架橋反応を完了させるために使用することができる。
【０３１３】
溶媒および任意の揮発性添加剤（複数可）の除去は、好ましくは、−５０℃〜３００℃で、より好ましくは、２０℃〜２５０℃で、蒸発によって、たとえば、堆積層を高温および／または減圧にさらすことによって好ましくは行われる。本発明の好ましい１側面によれば、溶媒（複数可）および任意の揮発性添加剤は、減圧下で蒸発させることができる。好ましくは、大気圧または減圧のいずれかで、溶媒蒸発のための圧力は、１０-3ｍｂａｒ〜１ｂａｒ、好ましくは、１０-2ｍｂａｒ〜１００ｍｂａｒ、より好ましくは、０．１ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒの範囲である。さらに、溶媒の蒸発は、溶媒の沸点未満で好ましくは実現することができる。
【０３１４】
乾燥ＯＳＣ層の厚さは、好ましくは、１ｎｍ〜５０μｍ、より好ましくは、２〜１０００ｎｍ、最も好ましくは、３〜５００ｎｍである。有機発光材料および／または電荷輸送材料を含む好ましい層は、２〜１５０ｎｍの範囲の厚さを有し得る。
【０３１５】
上記および下記の材料および方法に付け加えて、ＯＥデバイスおよびその構成要素は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準的材料および標準的方法から製造することができる。
【０３１６】
本発明の範囲内にありながら、前述の本発明の態様に対して変形がなされ得ることが分かるであろう。本明細書に開示する各特徴は、特に明記しない限り、同一、同等、または類似の目的に役立つ代替の特徴に置き換えられ得る。したがって、特に明記しない限り、開示する各特徴は、一般的な一連の同等または類似の特徴の一例にすぎない。
【０３１７】
本明細書に開示する特徴のすべては、そうした特徴および／または工程の少なくともいくつかが、互いに排他的であるような組み合わせを除いて、任意の組み合わせで組み合わせることができる。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明のすべての側面に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用することができる。同様に、本質的でない組み合わせで記述した特徴は、（組み合わせてではなく）別々に使用することができる。
【０３１８】
上記した特徴、特に好ましい態様の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の態様の一部としてだけではないことが分かるであろう。特許請求しているいかなる発明に加えて、またはその代わりに、これらの特徴について、独立の保護を求めることができる。
【０３１９】
文脈が明示しない限り、本明細書で使用する、本明細書中の用語の複数形は、単数形を含むと解釈されるべきであり、逆もまた同様である。
【０３２０】
本明細書の説明および特許請求の範囲の全体を通して、「含む」および「含有する」という単語ならびにその語の変化形、たとえば、「含む」、「含んでいる」は、「これらに限定しないが、含まれる」を意味し、他の構成要素を除外する意図はない（および、除外しない）。
【０３２１】
「ポリマー」という用語は、ホモポリマーおよびコポリマー、たとえば、統計的、交互またはブロックコポリマーを含む。加えて、以下に使用する「ポリマー」という用語は、オリゴマーおよびデンドリマーも含む。
【０３２２】
デンドリマーは、たとえば、Ｍ．ＦｉｓｃｈｅｒおよびＦ．Ｖｏｅｇｔｌｅ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．,Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９９、３８、８８５に記載されている通り、一般に、多官能性のコア基からなる、分岐状の高分子化合物であり、コア基にさらに分岐状モノマーが規則的に付加され、樹状構造が与えられる。
【０３２３】
「共役ポリマー」という用語は、それの骨格（または主鎖）中に、ｓｐ2混成、または場合によりｓｐ混成をもつＣ原子を主に含有するポリマーであって、Ｃ原子はまたヘテロ原子で置き換えられていてもよく、介在するσ結合を越えて、一方のπ軌道ともう一方のπ軌道との相互作用が可能となるポリマーを意味する。最も単純な場合、これは、たとえば、炭素−炭素（または炭素−ヘテロ原子）単結合と多重（たとえば、二重または三重）結合とが交互にある骨格であるが、１，３−フェニレンのような単位を有するポリマーも含む。これに関連して、「主に」は、共役の中断につながり得る、自然に（自発的に）発生した欠陥を有するポリマーでも、そのまま共役ポリマーとしてみなすことを意味する。また、この意味において、骨格がたとえば、アリールアミン、アリールホスフィン、および／またはある種の複素環（すなわち、Ｎ−、Ｏ−、Ｐ−、またはＳ−原子を介する共役）、および／または金属有機錯体（すなわち、金属原子を介する共役）のような単位を含むポリマーも含まれる。「共役連結基」という用語は、ｓｐ2混成またはｓｐ混成をもつＣ原子またはヘテロ原子からなる２つの環（通常、芳香環）をつなぐ基を意味する。「ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｖｅｒｓｉｏｎ」も参照されたい。
【０３２４】
特に明記しない限り、分子量は、数平均分子量Ｍnまたは重量平均分子量Ｍwとして示し、それらは、特に明記しない限り、ポリスチレン標準に対するゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定する。
【０３２５】
重合度（ｎ）は、特に明記しない限り、ＭUが、単一の繰り返し単位の分子量であるｎ＝Ｍn／ＭUとして示される、数平均重合度を意味する。
【０３２６】
「小分子」という用語は、モノマー、すなわち、非ポリマーの化合物を意味する。
【０３２７】
特に明記しない限り、固体のパーセンテージは、重量パーセント（「ｗｔ．％」）であり、液体のパーセンテージまたは比率（たとえば、溶媒混合物中のような）は、体積パーセント（「ｖｏｌ．％」）であり、すべての温度は、摂氏度（℃）で示す。
【０３２８】
特に明記しない限り、パーセンテージまたはｐｐｍで示す混合物構成成分の濃度または割合は、溶媒を含む調合物全体に関するものである。
【０３２９】
上記および下記のすべての方法工程は、先行技術に記載され、当業者に周知の、既知の技術および標準の設備を使用して実施することができる。
【０３３０】
これから、以下の実施例を参照して、本発明を詳細に説明するが、それは、例示に過ぎず、本発明の範囲を限定しない。
【０３３１】
例
例１（２％固形物、ＯＳＣ：９Ｍ  ＰＳ（５：１））
化合物Ａは以下の異性体の混合物である。
【０３３２】
【化３１】
2016534553.tif 000084
【０３３３】
化合物Ａとその調製については、Ｓ．  Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ，  Ｊ．  Ａｎｔｈｏｎｙ  ｅｔ  ａｌ．,  Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．  ２００８，  １３０, ２７０６−２７０７（サポート情報を含む）に開示されている。
【０３３４】
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ６５ＦＡフィルム（ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｌｉｍｓから入手可能）を２分間、超音波メタノール浴中で洗浄し、次いでメタノールで濯いだ。約６０ｎｍ厚の金のソースドレイン電極を、幅２０ミクロン×長さ１０００ミクロンの平行板ジオメトリーで蒸発させた。基板をプラズマオゾンで１分間、清浄にした。電極をイソプロピルアルコールからのスピンコートと、過剰分をホットプレート上で１００℃で１分間、蒸発させることにより、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能)ＳＡＭ処理により処理した。
【０３３５】
ＯＳＣ調合物を、１．６７部の化合物Ａと、９．０００．０００ｇ／モルの分子量Ｍｗを有する０．３３部のポリスチレンとを、７８．４部のシクロヘキシルベンゼンと１９．６部のメシチレンとの中に溶解させることによって調製した。
【０３３６】
粘度を１５．１ｍＰａｓとして測定した（粘度を、４０ｍｍの平行板ジオメトリーを使用して、ＴＡ、ＡＲ−Ｇ２レオメーターを用いて測定した）。
【０３３７】
ＯＳＣ調合物を、次いで、７０ｍ／分の速度で走行する、６ｃｍ３／ｍ２の負荷アニロックスと、ＮａｋａｎフレキソマットでのＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００フレキソ印刷を使用して、前述したＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極の配列上に５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして印刷した。印刷されたＯＳＣ層を、次いで７０℃で４分間、アニールした。
【０３３８】
フルオロ−ポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ１３９（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能な９％固形物）の誘電体層をデバイス上のＯＳＣ層の上部でスピンさせ、１００℃で２分間、アニールし、約１ミクロン厚の乾燥した誘電体フィルムを得た。
【０３３９】
最後に、５０ｎｍ厚の金のゲート電極配列を、それが既存のソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の上部で蒸発させた。
【０３４０】
ＯＦＥＴデバイスの伝達および応力測定を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ４２００の使用によって実施した。トランジスタの伝達特性と、線形および飽和移動度を図５に示している。
【０３４１】
例２（２％固形物、ＯＳＣ：９Ｍ  ＰＳ（３：１））
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ６５ＦＡフィルム（ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｌｉｍｓから入手可能）を２分間、超音波メタノール浴中で洗浄し、次いでメタノールで濯いだ。約６０ｎｍ厚の金のソースドレイン電極を、幅２０ミクロン×長さ１０００ミクロンの平行板ジオメトリーで蒸発させた。基板をプラズマオゾンで１分間、清浄にした。電極をイソプロピルアルコールからのスピンコートと、過剰分をホットプレート上で１００℃で１分間、蒸発させることにより、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能)ＳＡＭ処理により処理した。
【０３４２】
ＯＳＣ調合物を、１．５部の化合物Ａと、９．０００．０００ｇ／モルの分子量Ｍｗを有する０．５部のポリスチレンとを、７８．４部のシクロヘキシルベンゼンと１９．６部のメシチレンとの中に溶解させることによって調製した。
【０３４３】
粘度を２６ｍＰａｓとして測定した（粘度を、４０ｍｍの平行板ジオメトリーを使用して、ＴＡ、ＡＲ−Ｇ２レオメーターを用いて測定した）。
【０３４４】
ＯＳＣ調合物を、次いで、７０ｍ／分の速度で走行する、６ｃｍ３／ｍ２の負荷アニロックスと、ＮａｋａｎフレキソマットでのＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００フレキソ印刷を使用して、前述したＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極の配列上に５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして印刷した。印刷されたＯＳＣ層を、次いで７０℃で４分間、アニールした。
【０３４５】
フルオロ−ポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ１３９（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能な９％固形物）の誘電体層をデバイス上のＯＳＣ層の上部でスピンさせ、１００℃で２分間、アニールし、約１ミクロン厚の乾燥した誘電体フィルムを得た。
【０３４６】
最後に、５０ｎｍ厚の金のゲート電極配列を、それが既存のソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の上部で蒸発させた。
【０３４７】
ＯＦＥＴデバイスの伝達および応力測定を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ４２００の使用によって実施した。トランジスタの伝達特性と、線形および飽和移動度を図６に示している。
【０３４８】
例３（２％固形物、ＯＳＣ：１５Ｍ  ＰＳ（５：１））
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ６５ＦＡフィルム（ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｌｉｍｓから入手可能）を２分間、超音波メタノール浴中で洗浄し、次いでメタノールで濯いだ。約６０ｎｍ厚の金のソースドレイン電極を、幅２０ミクロン×長さ１０００ミクロンの平行板ジオメトリーで蒸発させた。基板をプラズマオゾンで１分間、清浄にした。電極をイソプロピルアルコールからのスピンコートと、過剰分をホットプレート上で１００℃で１分間、蒸発させることにより、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能)ＳＡＭ処理により処理した。
【０３４９】
ＯＳＣ調合物を、１．６７部の化合物Ａと、１５．０００．０００ｇ／モルの分子量Ｍｗを有する０．３３部のポリスチレンとを、７８．４部のシクロヘキシルベンゼンと１９．６部のメシチレンとの中に溶解させることによって調製した。
【０３５０】
粘度を１６．２ｍＰａｓとして測定した（粘度を、４０ｍｍの平行板ジオメトリーを使用して、ＴＡ、ＡＲ−Ｇ２レオメーターを用いて測定した）。
【０３５１】
ＯＳＣ調合物を、次いで、７０ｍ／分の速度で走行する、６ｃｍ３／ｍ２の負荷アニロックスと、ＮａｋａｎフレキソマットでのＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００フレキソ印刷を使用して、前述したＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極の配列上に５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして印刷した。印刷されたＯＳＣ層を、次いで７０℃で４分間、アニールした。
【０３５２】
フルオロ−ポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ１３９（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能な９％固形物）の誘電体層をデバイス上のＯＳＣ層の上部でスピンさせ、１００℃で２分間、アニールし、約１ミクロン厚の乾燥した誘電体フィルムを得た。
【０３５３】
最後に、５０ｎｍ厚の金のゲート電極配列を、それが既存のソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の上部で蒸発させた。
【０３５４】
ＯＦＥＴデバイスの伝達および応力測定を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ４２００の使用によって実施した。トランジスタの伝達特性と、線形および飽和移動度を図７ａに示している。
【０３５５】
１時間おきに取った、２０時間におけるソース−ゲートＤＣ応力に関する応力データを、図７ｂ（Ｖｓ／ｄ＝＋３０Ｖ）と図７ｃ（Ｖｓ／ｄ＝−３０Ｖ）に示している。
【０３５６】
例４（２％固形物、ＯＳＣ：１５Ｍ  ＰＳ（３：１））
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ６５ＦＡフィルム（ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｌｉｍｓから入手可能）を２分間、超音波メタノール浴中で洗浄し、次いでメタノールで濯いだ。約６０ｎｍ厚の金のソースドレイン電極を、幅２０ミクロン×長さ１０００ミクロンの平行板ジオメトリーで蒸発させた。基板をプラズマオゾンで１分間、清浄にした。電極をイソプロピルアルコールからのスピンコートと、過剰分をホットプレート上で１００℃で１分間、蒸発させることにより、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能)ＳＡＭ処理により処理した。
【０３５７】
ＯＳＣ調合物を、１．５部の化合物Ａと、１５．０００．０００ｇ／モルの分子量Ｍｗを有する０．５部のポリスチレンとを、７８．４部のシクロヘキシルベンゼンと１９．６部のメシチレンとの中に溶解させることによって調製した。
【０３５８】
粘度を２６ｍＰａｓとして測定した（粘度を、４０ｍｍの平行板ジオメトリーを使用して、ＴＡ、ＡＲ−Ｇ２レオメーターを用いて測定した）。
【０３５９】
ＯＳＣ調合物を、次いで、７０ｍ／分の速度で走行する、６ｃｍ３／ｍ２の負荷アニロックスと、ＮａｋａｎフレキソマットでのＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００フレキソ印刷を使用して、前述したＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極の配列上に５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして印刷した。印刷されたＯＳＣ層を、次いで７０℃で４分間、アニールした。
【０３６０】
フルオロ−ポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ１３９（Ｍｅｒｃｋ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手可能な９％固形物）の誘電体層をデバイス上のＯＳＣ層の上部でスピンさせ、１００℃で２分間、アニールし、約１ミクロン厚の乾燥した誘電体フィルムを得た。
【０３６１】
最後に、５０ｎｍ厚の金のゲート電極配列を、それが既存のソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の上部で蒸発させた。
【０３６２】
ＯＦＥＴデバイスの伝達および応力測定を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ４２００の使用によって実施した。トランジスタの伝達特性と、線形および飽和移動度を図８に示している。
【０３６３】
例５
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ６５ＦＡフィルム（ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｌｉｍｓから入手可能）を２分間、超音波メタノール浴中で洗浄し、次いでメタノールで濯いだ。
【０３６４】
ＯＬＥＤ調合物を、０．５重量％のレベルで、式Ｃ−１の燐光化合物と、
【０３６５】
【化３２】
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【０３６６】
１．０重量％のレベルで、式Ｃ−２のホスト材料と、
【０３６７】
【化３３】
2016534553.tif 000086
【０３６８】
１．０重量％のレベルで、式Ｃ−３のホスト材料と、
【０３６９】
【化３４】
2016534553.tif 000087
【０３７０】
１５．０００．０００ｇ／モルの分子量Ｍｗを有する０．２５重量％のポリスチレンとを、３：１のアニソール：メシチレンのブレンド中に溶解させることによって調製した。
【０３７１】
粘度を２９ｃｐとして測定した（粘度を、４０ｍｍの平行板ジオメトリーを使用して、ＴＡ、ＡＲ−Ｇ２レオメーターを用いて測定した）。
【０３７２】
ＯＳＣ調合物を、次いで、以下のラインの配列として印刷した：
１００μ、２００μ、４００μのギャップを有する５０μ、
２００μのギャップを有する１００μのライン、
２００μと４００μのギャップを有する２００μのライン。
【０３７３】
調合物をＮｉｓｓｈａオングストローマーフレキソプリンタを使用して印刷し、次いで１００℃で２０分間、乾燥させた。印刷された結果を、フォトルミネセンス下で観察するためＵＶ光源を使用して、Ｎｉｋｏｎ  ＥＶ４００マイクロスコープを用いて画像化した。印刷の品質は高かった。重大な問題は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【０３７４】
【図１ａ】本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ）トップコンタクト（ＴＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示す。
【図１ｂ】本発明によるボトムゲート（ＢＧ）ボトムコンタクト（ＢＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示す。
【図２】本発明によるトップゲート（ＴＧ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示す。
【図３】本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示す。
【図４】本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示す。
【図５】本発明によるＯＦＥＴデバイスの伝達特性と、線形および飽和移動度を示す。
【図６】本発明によるＯＦＥＴデバイスの伝達特性と、線形および飽和移動度を示す。
【図７ａ】本発明によるＯＦＥＴデバイスの伝達特性と、線形および飽和移動度を示す。
【図７ｂ】本発明によるＯＦＥＴデバイスの２０時間におけるソース−ゲートＤＣ応力に関する応力データを示す。
【図７ｃ】本発明によるＯＦＥＴデバイスの２０時間におけるソース−ゲートＤＣ応力に関する応力データを示す。
【図８】本発明によるＯＦＥＴデバイスの伝達特性と、線形および飽和移動度を示す。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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