(57)【要約】  本発明は、メタン化反応を触媒するための、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒の使用に関する。また、少なくとも一酸化炭素及び水素といったガスを含有する原料を触媒に接触させる工程を備える、原料のメタン化方法も開示する。
2016515470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタン化反応の触媒に使用する際、多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子を備える触媒。
【請求項２】
前記触媒の前記多孔質シリカマトリックスは、直径約１〜１００ｎｍの細孔を有する請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
前記ニッケル粒子は、約２〜１０ｎｍの平均粒径を有する請求項１又は２に記載の触媒。
【請求項４】
前記触媒は、少なくとも約２００ｍ２／ｇ又は約２００〜１０００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項５】
前記触媒の前記細孔は、反応物質が前記ニッケルの表面に浸透するように、前記シリカマトリックスの外面から前記ニッケルの外面まで連続的に延びる請求項１〜４のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項６】
約１６〜６３重量％の金属ニッケルを含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項７】
前記触媒のうち、活性ニッケル表面積は、約５０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉである請求項１〜６のいずれか一項に記載の触媒。
【請求項８】
メタン化反応の触媒のための、多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子を備えた触媒の使用。
【請求項９】
一酸化炭素及び水素を含有する混合ガス中の一酸化炭素含有量を低減するための、多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子を備えた触媒の使用。
【請求項１０】
一酸化炭素及び水素を含有する原料を、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒に接触させる工程を備える、前記原料のメタン化方法。
【請求項１１】
前記原料はさらに、二酸化炭素ガスを含有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記原料はさらに、蒸気を含有する請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記原料は、石炭ガス化及び／又はバイオマスガス化による生成したガスを含有する請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記原料はさらに、硫黄含有ガスを含有する請求項に記載１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記硫黄含有ガスは、約０．１〜５０００ｐｐｍの濃度で存在する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記硫黄含有ガスは、硫化水素、硫化カルボニル、二酸化硫黄、有機チオールのうちのいずれか１つ以上を含有する請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記原料中の水素対一酸化炭素のモル比は、約４：１〜約１：１の範囲である請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記接触させる工程は、前記触媒を含有した充填層反応器中に前記原料を通過させる工程を備える請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記接触させる工程中の前記原料の圧力は、約０．５〜４０バールの範囲である請求項１０〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記接触させる工程は、少なくとも約２５０℃の温度で実施される請求項１０〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記接触させる工程中の前記温度及び原料の流量は、酸化炭素からメタンへの変換平衡を達成するのに十分である請求項１０〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記原料の流量は、約１０００〜１０００００ｈ−１の範囲である請求項１０〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記触媒は、少なくとも約２０ｐｐｍの硫黄含有ガスを含有する原料を使用することにより、前記方法における少なくとも２０００分間の使用後、再生しなくても活性がある請求項１０〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
一酸化炭素及び水素を含有する混合ガスを、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒に接触する工程を備える、前記混合ガス中の一酸化炭素含有量を低減する方法。
【請求項２５】
前記混合ガスは、硫黄含有ガスを含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
水素をガスに添加することによって混合ガスを生成する工程と、
前記混合ガスを、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒に接触する工程とを備える、前記ガス中の一酸化炭素含有量を低減する方法。
【請求項２７】
前記ガスは、硫黄含有ガスを含む請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、シンガポール特許出願番号ＳＧ２０１３０２３５８−５に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【０００２】
本発明は、メタン化触媒に関する。
【背景技術】
【０００３】
代替天然ガスは、石炭やバイオマスガス化プロセスで製造される所謂合成ガスを利用して、ニッケル触媒のメタン化反応によって生成することができる。しかしながら、合成ガス中に含まれる硫黄化合物は、ニッケル触媒を深刻に被毒するものである。硫黄はほとんどの石炭中に含まれる成分であるため、製造される合成ガス中から完全には除去できないことが多い。触媒として利用するために活性金属であるニッケルを酸化アルミニウム担体に担持する際、合成ガスに含有される硫黄がニッケル触媒に供給されるのに先立って、その硫黄のほぼすべてを取り除く必要がある。特に、硫黄が約０．１ｐｐｍ未満のレベルよりいくらか高い濃度で存在する場合、ニッケル触媒を被毒してしまうため、供給ガス中の硫黄含有量を約０・１ｐｐｍ未満のレベルまで減らすことが必要である。硫黄を０．１ｐｐｍまで除去するガス浄化プロセスを行えば、追加の資本コスト及び処理コストが掛かってしまう。従って、代替天然ガスの生成コストを最小化するような、硫黄に対して耐性高いニッケル触媒への要求がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、以上の要求を少なくとも部分的に満足することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様は、メタン化反応向けの触媒として使用する際、多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子を備える触媒を提供する。
【０００６】
本発明はさらに、メタン化反応向けの触媒のための、多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子を備えた触媒の使用に係る。
【０００７】
以下のオプションは、それぞれ又はその他の好ましい組み合わせにより、第１の態様と併せて使用されてもよい。
【０００８】
触媒の多孔質シリカマトリックスは、直径約１〜１００ｎｍの細孔を有してもよい。ニッケル粒子は、酸化ニッケル粒子を含んでもよい。酸化ニッケル粒子は、水素含有雰囲気下での還元に先立ち、約２〜１０ｎｍの平均粒径を有してもよい。ニッケル粒子は、金属ニッケル粒子を含んでもよい。金属ニッケル粒子は、約２〜１０ｎｍの平均粒子径を有してもよい。触媒は、微粒子であってもよい。触媒は、シート状構造を有してもよい。触媒粒子は、少なくとも約１０のアスペクト比を有してもよく、このアスペクト比とは、シート状構造のシートの厚さに対する長さの比率をいう。
【０００９】
触媒は、その内部に分散された複数のニッケル粒子を含有してもよく、ニッケル粒子は金属ニッケル粒子であってもよい。
【００１０】
触媒は、少なくとも約２００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有してもよい。また触媒は、約２００〜１０００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有してもよい。触媒は多孔質であってもよい。触媒及び／又はシリカマトリックスの細孔は、シリカマトリックスの外面からニッケルの外面まで連続的に延びてもよい。これにより、反応物質又はその他の種が、シリカマトリックスを通じて前記ニッケルの表面に浸透する。
【００１１】
触媒は、約１６〜６３重量％の金属ニッケルを含有してもよい。触媒は、約２０〜８０重量％の酸化ニッケルを含有してもよい。触媒は、水素含有雰囲気下での還元に先立ち、約２０〜８０重量％の酸化ニッケルを含有してもよい。触媒は、約５０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉの活性ニッケル表面積を有してもよい。「活性ニッケル表面積」という用語は、酸化ニッケルの還元後であって、従って水素又は反応ガスにアクセス可能なニッケルの面積をいう。「金属ニッケル」という用語は、元素状態にあるニッケルをいう（すなわちＮｉ（０））。
【００１２】
一実施形態は、多孔質シリカマトリックスに分散された複数の金属ニッケル粒子を含有した、メタン化反応の触媒に使用される際の触媒であって、多孔質シリカマトリックスは、シリカマトリックスの外面からニッケルの外面に連続的に延びる細孔を有する触媒を提供する。
【００１３】
他の実施形態は、多孔質シリカマトリックスに分散された複数の金属ニッケル粒子を含有した、メタン化反応の触媒に使用される際の触媒であって、多孔質シリカマトリックス又は触媒は、少なくとも約２００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する触媒を提供する。
【００１４】
さらに他の実施形態は、多孔質シリカマトリックスに分散された複数の金属ニッケル粒子を含有した、メタン化反応の触媒に使用される際の触媒であって、約１３〜６３重量％のニッケルを含有し、約５０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉの活性ニッケル表面積を有する触媒を提供する。
【００１５】
本発明はまた、多孔質シリカマトリックスに分散された金属ニッケル粒子を含有する触媒の使用、例えば、一酸化炭素及び水素と、任意で硫黄含有ガスを含有した原料のメタン化反応を触媒するための、第１の態様による触媒の使用に係る。
【００１６】
本発明の第２の態様によると、一酸化炭素及び水素を含有する混合ガス中の一酸化炭素含有量を低減するための、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒の使用、例えば、第１の態様による触媒の使用に係る。
【００１７】
第２の態様の一実施形態によると、触媒は、多孔質シリカマトリックスに分散された金属ニッケル粒子を含有する。
【００１８】
本発明の第３の態様は、一酸化炭素及び水素を含有する原料のメタン化方法を提供する。この方法は、原料を、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒、例えば、第１の態様の触媒に接触させる工程を備える。
【００１９】
第３の態様の一実施形態によると、触媒は、多孔質シリカマトリックスに分散された金属ニッケル粒子を含有する。
【００２０】
以下のオプションは、それぞれ又はその他の好ましい組み合わせにより、第３の態様と併せて使用されてもよい。
【００２１】
原料はさらに、二酸化炭素ガスを含有してもよい。原料は、石炭をガス化した合成ガス及び／又はバイオマスをガス化した合成ガスを含有してもよい。原料はさらに、硫黄含有ガスを含有してもよい。硫黄含有ガスは、０．１ｐｐｍ超又は約０．１〜５０００ｐｐｍの濃度で存在してもよい。原料は、硫化水素、硫化カルボニル、二酸化硫黄、１種以上の有機チオール、及び／又はその他の硫黄含有ガスを含有してもよい。原料中の水素対一酸化炭素のモル比は、約４：１〜約１：１の範囲であってもよい。
【００２２】
接触させる工程は、原料を、例えば、触媒を含有した充填床反応物質中を通過させる等、触媒の上方を通過させ、且つ／又は、触媒中を通過させ、且つ／又は、触媒を通り過ぎさせる工程を備えてもよい。接触させる工程中の原料の圧力は、約０．５〜４０バールの範囲であってもよい。原料の流量は、約１０００〜１０００００ｈ−１の範囲であってもよい。
【００２３】
接触させる工程は、少なくとも約２５０℃の温度で、例えば、約２５０〜８００℃の範囲の温度で実施されてもよい。接触させる工程中の温度及び原料の流量は、一酸化炭素からメタンへの変換平衡を達成するのに十分であってもよい。
【００２４】
触媒は、少なくとも約２０ｐｐｍの硫黄含有ガスを含有する原料を使用することにより、前記方法における少なくとも２０００分間の使用後、再生しなくても活性がある。
【００２５】
一実施形態は、一酸化炭素及び水素を含有する原料を、多孔質シリカマトリックスに分散された複数の金属ニッケル粒子を含有する触媒に接触させる工程を備える原料のメタン化方法であって、多孔質シリカマトリックスは、シリカマトリックスの外面から金属ニッケルの外面まで連続的に延びる細孔を有する方法を提供する。
【００２６】
他の実施形態は、一酸化炭素及び水素を含有する原料を、多孔質シリカマトリックスに分散された複数のニッケル粒子を含有する触媒に接触させる工程を備える原料のメタン化方法であって、原料はさらに、少なくとも約０．１ｐｐｍ、例えば、約０．１〜５０００ｐｐｍの濃度で存在する硫黄含有ガスを含有する方法を提供する。
【００２７】
他の実施形態は、一酸化炭素及び水素を含有する原料を、約１０００〜１０００００ｈ−１の範囲の流量で、多孔質シリカマトリックスに分散された複数のニッケル粒子を含有する触媒を含有した充填床反応物質中を通過させる工程を備える原料のメタン化方法であって、通過させる工程中の圧力及び温度は、各々、約０．５〜４０バールの範囲及び約２５０〜８００℃の範囲である方法を提供する。
【００２８】
さらに他の実施形態は、一酸化炭素、水素、水（蒸気）、メタン、及び二酸化炭素を含有し、さらに少なくとも約０．１ｐｐｍ、任意で少なくとも約２０ｐｐｍの濃度で存在する硫黄含有ガスを含有した原料のメタン化方法であって、原料を、多孔質シリカマトリックスに分散された複数のニッケル粒子を含有した触媒に接触させる工程を備え、触媒は、方法における少なくとも２０００分間の使用後、再生しなくても依然として活性がある方法を提供する。
【００２９】
さらに他の実施形態は、一酸化炭素及び水素を含有し、さらに少なくとも約０．１ｐｐｍ、任意で少なくとも約２０ｐｐｍの濃度の硫黄含有ガスを含有した原料のメタン化方法であって、原料を、多孔質シリカマトリックスに分散された複数のニッケル粒子を含有し、シリカマトリックスの外面からニッケルの外面まで連続的に延びる細孔を有する触媒を含有した充填床反応物質を約１０００〜１０００００ｈ−１の範囲の流量で通過させる工程を備え、通過させる工程中の圧力及び温度は、各々、約０．５〜４０バールの範囲であり、約２５０〜８００℃の範囲である方法を提供する。
【００３０】
他の一の態様は、硫黄含有ガスの存在下において一酸化炭素及び水素をメタン化する方法であって、一酸化炭素及び水素を、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒、例えば、第１の態様による触媒に接触させる工程を備える方法を提供する。
【００３１】
さらに他の態様は、一酸化炭素及び水素を含有する混合ガス中の一酸化炭素含有量を低減する方法であって、混合ガスを、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒に露出する工程を備える方法を提供する。混合ガスは、硫黄含有ガスを含んでもよい。
【００３２】
さらに他の態様は、ガス中の一酸化炭素含有量を低減する方法であって、混合ガスを形成するため、水素をガスに添加する工程と、混合ガスを、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する触媒に露出する工程とを備える方法を提供する。ガスは、硫黄含有ガスを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】触媒の長期安定性試験を示すグラフである。グラフは、時間経過に対するメタン濃度の変化を示している。使用された供給組成は、Ｈ２Ｏが１０％、Ｎ２が１０％、Ｈ２が４０％、ＣＯが２０％、ＣＯ２が１６％、ＣＨ４が４％、Ｈ２Ｓが２０ｐｐｍであり、Ｔ＝５００℃、ＧＨＳＶ＝２００００ｈ−１であった。触媒はすべて、５０％のＨ２／Ｎ２中において５００℃で２時間、還元された。
【００３４】
【図２】反応前後のＮｉ＠ＳｉＯ２の透過電子顕微鏡像を示している。
【００３５】
【図３】反応前後の市販の触媒の透過電子顕微鏡像を示している。
【００３６】
【図４】使用済み触媒Ｎｉ＠ＳｉＯ２及び市販の触媒のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示している。
【００３７】
【図５】種々の還元処理下における、Ｎｉ＠ＳｉＯ２、市販の触媒、及びＮｉ／ＳＢＡ−１５上のＮｉの表面積を示している。
【００３８】
【図６】Ｎｉ＠ＳｉＯ２の長期安定性を示すグラフである。生成物（乾燥基準、Ｎ２含有）濃度は、時間経過の関数として示されている。使用された供給組成は、Ｈ２が４０％、Ｈ２Ｏが１０％、ＣＯが２０％、ＣＯ２が１０％、ＣＨ４が４％、Ｎ２が１０％であり、Ｔ＝５００℃、Ｐ＝１バール、ＧＨＳＶ＝２０２５０ｈ−１であった。触媒は、５０％のＨ２／Ｎ２中において５００℃で２時間、還元された。
【００３９】
【図７】Ｎｉ＠ＳｉＯ２（Ｎｉ３９％）、市販の触媒、及び石炭ガス化プロセスにおける生成ガスを使用して得られた実験結果を示している。メタン濃度は、時間経過の関数として示されている。反応条件は、Ｔ＝４８５℃、ＧＨＳＶ＝５００００ｈ−１であった。触媒は、５０％のＨ２／Ｎ２中において６００℃で２時間、還元された。
【００４０】
【図８】５００℃、１バール、ＧＨＳＶ＝３６０００ｈ−１の市販（Ｎｉ５７％）の触媒及びＮｉ＠ＳｉＯ２（Ｎｉ３９％）触媒に関して、生成物中のＣＨ４（乾燥基準、Ｎ２含有）の濃度を時間経過の関数として示している。触媒は、５０％のＨ２／Ｎ２中において６００℃で２時間、還元された。
【００４１】
【図９】市販（Ｎｉ５７％）の触媒及びＮｉ＠ＳｉＯ２（Ｎｉ３９％）触媒（Ｈ２Ｏが１０％、Ｎ２が１０％、Ｈ２が４０％、ＣＯが２０％、ＣＯ２が１６％、ＣＨ４が４％、Ｈ２Ｓが２０ｐｐｍであり、Ｔ＝６００℃、ＧＨＳＶ＝２００００ｈ−１）に関して、生成物中のＣＨ４（乾燥基準、Ｎ２含有）の濃度を時間経過の関数として示している。
【００４２】
【図１０】Ｎｉ＠ＳｉＯ２（Ｎｉ５５％）触媒の長期安定性、つまり期間経過に対する生成物中のＣＨ４（乾燥基準、Ｎ２含有）の濃度の変化を示している（ＧＨＳＶ＝１９８００ｈ−１、３００℃、１バール、ガス組成：Ｈ２が４５％、ＣＯが２２．５％、ＣＯ２が１８％、ＣＨ４が４％、Ｎ２が１０％）。
【００４３】
【図１１】種々のＮｉを担持したＮｉ＠ＳｉＯ２触媒のＢＥＴ表面を示している。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本出願において使用されるように、本文上明示のない限り、単数表現は、複数を意図することもある。例えば、「触媒」という表現は、複数の触媒も含むことを意味する。
【００４５】
本明細書において使用されるように、「含有した」という用語は、「含んだ」という意味である。「含有した」という単語の活用形、例えば「含有する」等は、対応して変化した意味を有する。従って例えば、一酸化炭素及び水素を「含有した」混合ガスは、排他的に一酸化炭素及び水素から成ってもよく、又は、１以上の追加の成分（例えば、二酸化炭素、水蒸気、窒素分子、メタン等）を含んでもよい。
【００４６】
本明細書において使用されるように、「複数の」という用語は、２以上を意味する。特定の態様又は実施形態において、複数とは２、５、１０、１０３、１０６、１０９、１０１２、１０１５、１０１８、１０２１、１０２３、１０２４、又はそれ以上、そこから派生し得るあらゆる整数、及びそこから派生し得るあらゆる範囲を意味してもよい。
【００４７】
本明細書中において引用した数値を参照して「約」という用語を使用した場合、指摘のない限り、引用した数値と、引用した値の±１０％内の数値を含むことを意味する。
【００４８】
本明細書において、数値範囲について言及する際、「の範囲」という用語を使用した場合、その範囲の両端の数値も含む。例えば、原料中の水素分子対一酸化炭素のモル比が約４：１〜約３：１の範囲である場合、水素分子対一酸化炭素のモル比４：１及び水素分子対一酸化炭素のモル比３：１が含まれる。
【００４９】
本明細書において、従来技術に係る文献についての記載又はこれら文献から引用したか、それに基づく記述はいずれも、それら文献又は引用記述が関連技術の一般的知識の一部であることを認めるものでない。
【００５０】
指摘のない限り、説明の目的で、本明細書において言及した文献はすべて、参照としてその内容をここに援用する。
【００５１】
以下の説明は、当業者が本発明を実施することができるよう、本発明の一例としての実施形態を十分に詳細に述べる。開示の種々の実施形態の特徴又は限定は、本発明の他の実施形態又は本発明全体を必ずしも限定するものでない。以下の詳細な説明は、本発明の範囲を限定するものでなく、本発明の範囲は請求項のみによって規定される。
【００５２】
本発明は、ニッケル系メタン化触媒Ｎｉ＠ＳｉＯ２の使用に係り、メタン化反応における硫黄に対する耐久性を改善する。Ｎｉ＠ＳｉＯ２という専門用語は、シリカ中に封入された金属ニッケルを示す。本発明はまた、原料をＮｉ＠ＳｉＯ２触媒に接触させる工程を備える、原料のメタン化方法に関する。
【００５３】
本発明者は、石炭気化廃液ストリームの中に頻繁に見られる被毒物質である硫黄の存在下において、メタン化反応を進行させることのできるニッケル系触媒（Ｎｉ＠ＳｉＯ２）を特定した。実験により、硫黄の存在下においてメタン化反応を触媒する際、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２が、市販の触媒に比して優れた性能を発揮し、また固相担体（Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３及びＮｉ／ＳＢＡ−１５）に固定されたニッケルを含有する他の触媒に比して非常に優れた性能を発揮することを示している。さらに、Ｎｉ＠ＳｉＯ２は、そのニッケル含有量がＮｉ／ＳＢＡ−１５及び市販の触媒のニッケル含有量と同一であるか、それ未満であっても、硫化水素を含有する材料に露出している間、より長い期間、より高いレベルの触媒活性を維持する。本発明によるＮｉ＠ＳｉＯ２のより優れた性能は、多孔質ＳｉＯ２によって保護されたニッケル粒子の焼結に対する耐性が改善されたことによるものと考えられ、その構造は採用する合成方法によってもたらされるものである。
【００５４】
メタン化反応には、一酸化炭素及び水素を含有する原料からのメタンの生成が含まれる。化学反応式は、
ＣＯ＋３Ｈ２→ＣＨ４＋Ｈ２Ｏ
【００５５】
以上のメタン化反応は、メタンの水蒸気改質反応の逆反応である。
【００５６】
さらに、二酸化炭素の存在下において、メタン化反応は、
ＣＯ２＋４Ｈ２→ＣＨ４＋２Ｈ２Ｏ
によってメタンを生成してもよい。
【００５７】
[触媒]
本発明によるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒は、多孔質シリカマトリックスに分散されたニッケル粒子を含有する。ニッケル粒子は、金属ニッケル粒子であってもよい。多孔質シリカマトリックスは、直径約１〜１００ｎｍの細孔、又は直径約１〜５０ｎｍ、約１〜２０ｎｍ、約１〜１０ｎｍ、約２〜１０ｎｍ、約５〜２０ｎｍ、約１０〜２０ｎｍ、約１０〜５０ｎｍ、若しくは約２０〜５０ｎｍの細孔、例えば、直径約１ｎｍ、約２ｎｍ、約３ｎｍ、約４ｎｍ、約５ｎｍ、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、約３５ｎｍ、約４０ｎｍ、約４５ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、約７０ｎｍ、約８０ｎｍ、約９０ｎｍ、約１００ｎｍの細孔を有してもよい。シリカの細孔サイズ及び分布は、当業者により、例えば窒素又は水素の吸脱着法を使用して判定することができる。多孔質シリカマトリックスに分散されるニッケル粒子は、約２〜１０ｎｍの平均粒径、又は約２〜５ｎｍ、約５〜１０ｎｍ、若しくは約３〜７ｎｍの平均粒径、例えば、約２ｎｍ、約３ｎｍ、約４ｎｍ、約５ｎｍ、約６ｎｍ、約７ｎｍ、約８ｎｍ、約９ｎｍ、又は約１０ｎｍの平均粒径を有してもよい。ニッケル粒子が球形でない場合、粒子の直径は、流体力学直径として理解してもよく、粒子の最小直径（例えば、厚さ）と理解してもよく、粒子の最大直径（例えば、長さ）と理解してもよく、又は粒子の平均寸法と理解してもよい。ニッケル粒子の粒径は、透過電子顕微鏡及びＸ線粉末回折を含む、確立された技術を使用して判定してもよい。ニッケル粒子及び触媒粒子の形状は、独立して、球形、針状、平坦、フレーク状、角錐台状、多面体状、繊維状、不規則形状、回転楕円体状、又は粒状であってもよい。Ｎｉ＠ＳｉＯ２触媒の細孔は、多孔質シリカマトリックスの外面からニッケルの外面まで連続的に延びてもよい。これにより、一酸化炭素反応ガス及び水素反応ガス等のガスを、封入シリカを通ってニッケルの表面に浸透させてもよい。
【００５８】
ニッケル粒子は、触媒の各粒子がその内部に分散された複数のニッケル粒子を含有するように、多孔質シリカマトリックスを通じて、任意で一様に、すなわち均一に分散してもよい。触媒は、水素含有雰囲気下での還元に先立ち、重量ベースで、約２０〜８０重量％の酸化ニッケル、又は約２０〜３０重量％、約３０〜４０重量％、約４０〜５０重量％、約５０〜６０重量％、約４０〜６０重量％、約６０〜７０重量％、約５０〜７０重量％、約７０〜８０重量％の酸化ニッケル、例えば、約２０重量％、約２５重量％、約３０重量％、約３５重量％、約４０重量％、約４５重量％、約５０重量％、約５５重量％、約６０重量％、約６５重量％、約７０重量％、約７５重量％、約８０重量％の酸化ニッケルを含有してもよい。触媒は、約１６〜６３重量％の金属ニッケル、又は約２０〜６３重量％、約２５〜６３重量％、約３０〜６３重量％、約１６〜３０重量％、若しくは約１６〜５５重量％の金属ニッケル、又は約１６重量％、約２０重量％、約２５重量％、約３０重量％、約３５重量％、約４０重量％、約４５重量％、約５０重量％、約５５重量％、約６０重量％、若しくは約６３重量％の金属ニッケルを含有してもよい。多孔質シリカ中の金属含有量の好適な判定方法は、既存の方法を用いる。
【００５９】
触媒の活性ニッケル表面積は、約５０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５０〜７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６０〜８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６０〜９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０〜１１０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８０〜１２０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１３０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８０〜１４０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０〜９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、又は約７５〜８５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、例えば、約５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１００ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１１０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１２０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１３０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１４０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、若しくは約１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉであってもよい。水素の温度プログラム脱着法を使用して測定した場合、約２時間、水素に露出した後、約５００℃で測定した触媒の活性ニッケル表面積は、約４０〜９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５０〜８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６０〜７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約４０〜６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０〜９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５０〜７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、例えば、約６５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約４０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、又は約９０ｍ２／ｇ．Ｎｉであってもよい。さらに、約１５時間、水素に露出した後、約６２０℃で測定した触媒の活性ニッケル表面積は、約７５〜１５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８５〜１１５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９５〜１０５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、例えば、約１００ｍ２／ｇ．Ｎｉ、又は約７５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９６ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９７ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９８ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９９ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０１ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０２ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０３ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０４ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１０５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１１０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１１５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１２０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、若しくは約１２５ｍ２／ｇ．Ｎｉであってもよく、約１５時間、水素に露出した後、約７５０℃で測定した触媒の活性ニッケル表面積は、５５〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約６５〜９５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７５〜８５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約５５〜９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１０５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１１５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０〜１２５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１００〜１４０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１１０〜１５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１２０〜１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、例えば、約８０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、又は約６５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７６ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７７ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７８ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約７９ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８１ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８２ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８３ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８４ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約８５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約９５ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１００ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１１０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１２０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１３０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１４０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、約１５０ｍ２／ｇ．Ｎｉ、若しくは約１６０ｍ２／ｇ．Ｎｉであってもよい。
【００６０】
触媒又は多孔質シリカは、少なくとも約２００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積、又は少なくとも約３００ｍ２／ｇ、４００ｍ２／ｇ、若しくは５００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積、又は約２００〜６００ｍ２／ｇ、約２００〜５００ｍ２／ｇ、約５００〜１０００ｍ２／ｇ、約３００〜９００ｍ２／ｇ、約４００〜７００ｍ２／ｇ、約５００〜７００ｍ２／ｇ、若しくは約３００〜６００ｍ２／ｇ、又は約２００ｍ２／ｇ、約３００ｍ２／ｇ、約４００ｍ２／ｇ、約５００ｍ２／ｇ、約６００ｍ２／ｇ、約７００ｍ２／ｇ、約８００ｍ２／ｇ、約９００ｍ２／ｇ、若しくは約１０００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有してもよい。ＢＥＴ方程式の測定及びモデル化は、既存の方法を用いる。
【００６１】
触媒粒子は、シート状構造を有する場合、少なくとも約１０、少なくとも約１２、少なくとも約１５、少なくとも約２０、約１０〜２０の範囲、約１０〜１５の範囲、約１０〜３０の範囲、約１０〜４０の範囲、約２０〜４０の範囲、約１５〜２５の範囲、又は約１０、約１１、約１２、約１３、約１４、約１５、約１６、約１７、約１８、約１９、約２０、約３０、約４０、若しくは約５０のアスペクト比を有してもよい。ここでアスペクト比とは、シート状構造のシートの長さ対厚さの比を示す。
【００６２】
[触媒作用]
本明細書に記載の触媒は、メタン化反応の触媒に使用されてもよい。またこの触媒は、一酸化炭素及び水素を含有する混合ガス中の一酸化炭素含有量を低減するために使用されてもよい。上述のとおり、この触媒は、一酸化炭素のメタン化を進めることができる。これはメタンの生成（例えば、燃料としての使用）、供給ストリームからの一酸化炭素の除去（毒性の低減）、又はその双方の目的に利用してもよい。
【００６３】
本明細書に記載の触媒は、一酸化炭素ガス及び水素ガスを含有する原料のメタン化方法に利用してもよく、この方法は、原料を、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２触媒に接触させる工程を備える。
【００６４】
本願の方法に導入する原料は、水素分子及び一酸化炭素を含有してもよいが、さらに二酸化炭素、水蒸気、窒素分子、メタンを含有してもよく、もしくはさらに、これらのうちのいずれか２つ以上の混合物を含有してもよい。原料中の水素分子対一酸化炭素のモル比は、約４：１、約３：１、約２：１、又は約１：１、約４：１〜約３：１の範囲、約４：１〜約２：１の範囲、約４：１〜約１：１の範囲、約３：１〜約２：１の範囲、約３：１〜約１：１の範囲、又は約４：１、約３．５：１、約３：１、約２．５：１、約２：１、約１．５：１、若しくは１：１であってもよい。この比率は、原料のソースに応じて変わってもよい。混合ガス中の一酸化炭素濃度は、約１０〜４０％、又は約１０〜３０％、約２０〜４０％、若しくは約２０〜３０％、例えば、約１０％、約１５％、約２０％、約２５％、約３０％、約３５％、又は約４０％であってもよい。この割合は、質量基準である。本発明における原料は、酸素、蒸気（水蒸気）、及び熱の存在下で石炭又は褐炭を加熱することによって生成したガスである石炭ガス化による製造された合成ガスを含有してもよく、それを基本構成物としてもよい。本発明における原料は、酸素、蒸気（水蒸気）、及び熱の存在下でバイオマスを加熱することによって生成したガスを含有してもよく、それを基本構成物としてもよい。
【００６５】
原料はさらに、硫黄含有ガスを含有してもよい。硫黄含有ガスは、少なくとも約０．１ｐｐｍの総濃度、又は少なくとも約０．２ｐｐｍ、０．３ｐｐｍ、０．４ｐｐｍ、０．５ｐｐｍ、１ｐｐｍ、２ｐｐｍ、３ｐｐｍ、４ｐｐｍ、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１５ｐｐｍ、２０ｐｐｍ、２５ｐｐｍ、３０ｐｐｍ、３５ｐｐｍ、４０ｐｐｍ、４５ｐｐｍ、５０ｐｐｍ、６０ｐｐｍ、７０ｐｐｍ、８０ｐｐｍ、９０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ、２００ｐｐｍ、３００ｐｐｍ、４００ｐｐｍ、５００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ、１５００ｐｐｍ、２０００ｐｐｍ、２５００ｐｐｍ、３０００ｐｐｍ、３５００ｐｐｍ、４０００ｐｐｍ、４５００ｐｐｍ、若しくは５０００ｐｐｍの総濃度、又は約０．１〜５０００ｐｐｍ、約１〜５００ｐｐｍ、約５〜１００ｐｐｍ、約０．１〜５００ｐｐｍ、約０．５〜５００ｐｐｍ、約１０〜１００ｐｐｍ、約１０〜８０ｐｐｍ、約２０〜８０ｐｐｍ、約２０〜１００ｐｐｍ、約１０〜５０ｐｐｍ、約２０〜２００ｐｐｍ、約５０〜３００ｐｐｍ、約１００〜３００ｐｐｍ、約１００〜５００ｐｐｍ、約２００〜６００ｐｐｍ、約３００〜７００ｐｐｍ、約５００〜１０００ｐｐｍ、約１０００〜約２０００ｐｐｍ、約１０００〜３０００ｐｐｍ、約１０００〜４０００ｐｐｍ、約１０００〜５０００ｐｐｍ、約２０００〜３０００ｐｐｍ、約２０００〜４０００ｐｐｍ、若しくは約２０００〜５０００ｐｐｍの総濃度、又は約０．１ｐｐｍ、約０．２ｐｐｍ、約０．３ｐｐｍ、約０．４ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍ、約１ｐｐｍ、約２ｐｐｍ、約３ｐｐｍ、約４ｐｐｍ、約５ｐｐｍ、約１０ｐｐｍ、約１５ｐｐｍ、約２０ｐｐｍ、約２５ｐｐｍ、約３０ｐｐｍ、約３５ｐｐｍ、約４０ｐｐｍ、約４５ｐｐｍ、約５０ｐｐｍ、約６０ｐｐｍ、約７０ｐｐｍ、約８０ｐｐｍ、約９０ｐｐｍ、約１００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍ、約３００ｐｐｍ、約４００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍ、約１０００ｐｐｍ、約１５００ｐｐｍ、約２０００ｐｐｍ、約２５００ｐｐｍ、約３０００ｐｐｍ、約３５００ｐｐｍ、約４０００ｐｐｍ、約４５００ｐｐｍ、若しくは約５０００ｐｐｍの総濃度で存在してもよい。硫黄含有ガスは、硫化水素であってもよく、硫化カルボニルであってもよく、有機チオール（例えば、メタンチオール、エタンチオール、チオフェノル等）であってもよく、例えば、二酸化硫黄等の硫黄酸化物であってもよく、以上のうちの２つ以上の混合物であってもよい。本発明において、硫黄含有ガスのｐｐｍは、質量基準であり、すなわち、空気１リットルあたりの平均マイクロリットル（μＬ／Ｌ）を意味する。
【００６６】
接触させる方法には、原料を、触媒を含有した充填層反応器を通過させる方法、反応器内に配された触媒の上方を通過させるか、反応器内に配された触媒を通り過ぎさせる方法が含まれる。反応器は、直列又は並列に配置された１つ以上（例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、又は５つ）の充填触媒層を含んでもよい。１つ又は複数の充填層反応器は、等温条件又は断熱条件下において作用してもよい。触媒は、充填層に充填されてもよく、ロッド、又はプレートに担持されてもよく、反応容器の内面又はその他のいずれかの面に塗布されてもよい。触媒は、ハニカム触媒構造、多孔質金属触媒構造、又はセラミックマトリックス触媒構造のうちのいずれか１つ以上に塗布されてもよい。接触させる方法には、代わりに、触媒を含有したスラリー中に原料ガスを供給する方法が含まれてもよい。
【００６７】
原料をＮｉ＠ＳｉＯ２触媒と接触させる間、原料は、約０．５〜４０バール、少なくとも約０．５バール、約１バール、約２バール、約５バール、約１０バール、約１５バール、約２０バール、約２５バール、約３０バール、約３５バール、約４０バール、又は約１〜２バールの範囲、約１〜５バールの範囲、約５〜１０バールの範囲、約５〜２０バールの範囲、約１０〜２０バールの範囲、約１５〜２５バールの範囲、約１５〜３０バールの範囲、約２０〜４０バールの範囲、約２５〜４０バールの範囲、約３０〜４０バールの範囲、又は約０．５バール、約１バール、約２バール、約３バール、約３．５バール、約４バール、約４．５バール、約５バール、約６バール、約７バール、約８バール、約９バール、約１０バール、約１５バール、約２０バール、約２５バール、約３０バール、約３５バール、若しくは約４０バールの圧力下にあってもよい。原料の流量は、約２０００ｈ−１であってもよく、少なくとも約１０００ｈ−１、約５０００ｈ−１、約１００００ｈ−１、約２００００ｈ−１、約３００００ｈ−１、約４００００ｈ−１、約５００００ｈ−１、約６００００ｈ−１、約７００００ｈ−１、約８００００ｈ−１、約９００００ｈ−１、約１０００００ｈ−１、又は約１０００〜１０００００ｈ−１、約１０００〜１００００ｈ−１、約１００００〜５００００ｈ−１、約２００００〜６００００ｈ−１、約３００００〜７００００ｈ−１、約３００００〜８００００ｈ−１、約４００００〜９００００ｈ−１、約５００００〜１０００００ｈ−１、約５００００〜８００００ｈ−１であってもよく、又は約１０００ｈ−１、約５０００ｈ−１、約１００００ｈ−１、約２００００ｈ−１、約３００００ｈ−１、約４００００ｈ−１、約５００００ｈ−１、約６００００ｈ−１、約７００００ｈ−１、約８００００ｈ−１、約９００００ｈ−１、若しくは約１０００００ｈ−１であってもよい。場合によって、その他の流量を使用してもよい。これらの流量は、空間速度（ＳＶ：体積流量／触媒質量）であってもよく、時間当たりガス空間速度（ＧＨＳＶ：反応ガス流量／触媒質量）であってもよい。接触させる工程は、少なくとも約２５０℃の温度、又は少なくとも約３００℃、少なくとも約３５０℃、少なくとも約４００℃、少なくとも約４５０℃、少なくとも約５００℃、少なくとも約５５０℃、若しくは少なくとも約６００℃、又は約２５０〜８００℃、約３５０〜６００℃、約４００〜５００℃、約５００〜８００℃、約４００〜６００℃、約４００〜７００℃、約４５０〜５５０℃、若しくは約４５０〜６５０℃、又は約４００℃、約４５０℃、約５００℃、約５５０℃、約６００℃、約６５０℃、約７００℃、約７５０℃、又は約８００℃の温度で実施されてもよい。接触させる方法を実施する間の温度及び原料の流量は、変換平衡の少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、少なくとも８０％、又は少なくとも９０％の酸化炭素のメタン化が達成できるように選択されてもよい。
【００６８】
本明細書に開示のＮｉ＠ＳｉＯ２触媒は、少なくとも約１０００分、又は少なくとも約１５００分、約２０００分、約２５００分、若しくは約３０００分の間、再生を伴わない使用において依然として活性を有してもよい。またこのＮｉ＠ＳｉＯ２触媒は、少なくとも約２０ｐｐｍの硫黄含有ガスを含有した原料を使用してメタン化反応を触媒する場合、上述の時間、依然として活性を有してもよい。ここでの「活性を有する」という用語は、前述の期間、その初期値からの変換効率の低下が約２０％未満であること、又は約１５％未満、約１０％未満、約５％未満、若しくは約２％未満であることをいう。
【００６９】
本発明の実施者は、具体的な実施形態において開示した本発明に対して、広範に説明した本発明の趣旨又は範囲から逸脱することなく、多数の変更及び／又は修正が加え得ることができる。従って本実施形態は、あらゆる態様において、例示を意図するものであり、限定を意図するものでない。
【実施例】
【００７０】
以下、具体的な実施例を参照して本発明を説明するが、これら具体例は、あらゆる意味において限定を意図するものではない。
【００７１】
[実施例１]
[Ｎｉ＠ＳｉＯ２触媒の合成及び特性評価]
５０重量％のＮｉＯ＠ＳｉＯ２の通常の合成では、７．８ｇのＮｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ、及び１０ｇの臭化セチルトリメチルアンモニウム（ＣＴＡＢ）を４００ｍＬのＨ２Ｏ中に溶解し、続いて４．０ｇのＮａＯＨを含有した８０ｍＬのＮａＯＨ水溶液を室温で投入することにより添加した。その後、ＣＴＡＢでキャップしたＮｉ（ＯＨ）２沈殿物を遠心分離によって回収した。沈殿物を３２０ｍＬの水に分散させることにより、懸濁液を形成した。この懸濁液のｐＨ値を約１２に調整した。続いて８０ｍＬのエタノール中に７．６ｍＬのテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含んだものをゆっくりと懸濁液中に滴下し、持続的に攪拌しつつ、４８時間、室温に維持することによってＮｉ（ＯＨ）２沈殿物上にＳｉＯ２シェルを塗布した。遠心分離後、受容したままのＳｉＯ２シェルが塗布されたＮｉ（ＯＨ）２を脱イオン水で完全に洗浄することによって合成物中のナトリウム残渣を除去し、８０℃で乾燥した。最後に、５００℃の空気中で２時間、焼成することによって５０重量％のＮｉＯ＠ＳｉＯ２を得た。５０重量％の調製されたままのＮｉＯ＠ＳｉＯ２は、メタン化反応の触媒に先立ち、３５０〜６００℃の範囲の温度の純粋な水素ガス又は希釈された水素ガス中で数時間、還元される必要がある。結果として得られたＮｉＯ＠ＳｉＯ２触媒中のＮｉ含有量は、３９重量％である。
【００７２】
ニッケル系ＮｉＯ＠ＳｉＯ２触媒の合成についても、ＰＣＴ／ＳＧ２０１３／０００４７２に開示されている。
【００７３】
反応前後のＮｉＯ＠ＳｉＯ２の粒子サイズ及び形態は、以下に議論のとおり、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ、ＨＲ−ＴＥＭ、ＪＥＯＬ  ＪＥＭ−２０１０Ｆ）によって特性評価した。結晶体サイズ及び相変態は、Ｃｕ  Ｋａ放射（λ＝０．１５４ｎｍ）を備えたＢｒｕｋｅｒ  Ｄ８  Ａｄｖａｎｃｅ  Ｘ線回折計を使用したＸ線回折とインサイチュ（in-situ）Ｘ線回折との各々によって判定し、その選択結果を以下に述べる。Ｎ２吸脱着等温線は、比表面積測定装置ＡＳＡＰ２４２０Ｖ２．０５（Ｖ２．０５Ｊ）により測定した。Ｈ２温度プログラム還元（Ｈ２−ＴＰＲ）測定は、５０ｍｇのフレッシュ触媒で実施した。測定に先立ち、２００℃のＡｒストリーム下において２時間、サンプルに熱処理を施すことにより、水分及びその他の汚染物を除去した。反応物質は、５％のＨ２／Ａｒ５０ｍＬ／分において１０℃／分の割合で３０〜８５０℃に加熱した。水素消費を熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用して監視し、触媒Ｎｉ＠ＳｉＯ２、市販の触媒、Ｎｉ／ＳＢＡ−１５についての結果を以下の節で述べる。
【００７４】
[実施例２]
[５００℃、Ｈ２Ｓ存在下における市販の触媒、Ｎｉ／ＳＢＡ−１５、及びＮｉ／Ａｌ２Ｏ３との比較におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の評価試験]
１０％のＨ２Ｏ、１０％のＮ２、４０％のＨ２、２０％のＣＯ、１６％のＣＯ２、４％のＣＨ４、及び２０ｐｐｍのＨ２Ｓを含有する原料を使用し、５００℃、且つ原料の流量が２００００ｈ−１にて、メタン化反応条件下における、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２触媒、他の触媒Ｎｉ／ＳＢＡ−１５、Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３、及び市販の触媒の長期安定性の実験室試験を実施した。
【００７５】
Ｈ２Ｓを含有する本原料のメタン化反応を進める際の、Ｎｉ＠ＳｉＯ２、市販の触媒、Ｎｉ／ＳＢＡ-１５、及びＮｉ／Ａｌ２Ｏ３の実験室試験の結果を図１に示しており、生成混合ガス中のＣＨ４濃度について、市販の触媒（５５％Ｎｉ）、Ｎｉ／ＳＢＡ-１５（４４％Ｎｉ）、及びＮｉ／Ａｌ２Ｏ３（２０％Ｎｉ）の触媒性能を時間の関数として比較した。
【００７６】
Ｈ２Ｓ供給を行わない場合の反応開始時のメタン濃度は、後者３つの触媒（市販の触媒、Ｎｉ／ＳＢＡ-１５、及びＮｉ／Ａｌ２Ｏ３）については約１８〜２０％であった。Ｈ２Ｓが９０分後に導入されると、Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３（２０％Ｎｉ）上では明らかな失活が開始し、活性は５００分後に完全に失われた。４４％のＮｉ含有量を有するＮｉ／ＳＢＡ−１５の耐性は、２０％超の含有量のＮｉ／Ａｌ２Ｏ３の約２倍であった。市販の触媒（５８％Ｎｉ）及びＮｉ＠ＳｉＯ２（３９％Ｎｉ）の性能は同様であり、時間経過の最初の９００分は比較的安定していた。９００分後、市販の触媒は、Ｎｉ＠ＳｉＯ２に比して早い速度で失活した。市販の触媒及びＮｉ＠ＳｉＯ２の完全な失活は、各々、約１８００分及び約３６００分で発生した。図１は、Ｎｉ担持がＮｉ＠ＳｉＯ２より低いにも関わらず、２０ｐｐｍのＨ２Ｓの存在下において市販の触媒上のＮｉ＠ＳｉＯ２の耐性が改善したことを示している。
【００７７】
その後、使用済みのＮｉ＠ＳｉＯ２及び市販の触媒をＴＥＭ及びＸＲＤによって解析し、その結果を図２及び図３に各々示した。図２のＴＥＭ画像は、Ｎｉ＠ＳｉＯ２触媒について、ＳｉＯ２マトリックス中のＮｉ粒子が小さいままで維持されることを示している。図３のＴＥＭ画像は、市販の触媒について、Ｎｉ粒子サイズが大きくなっていることを示す。使用済みＮｉ＠ＳｉＯ２についてのＸＲＤパターンにおけるＮｉ（１１１）ピークは、使用済みの市販の触媒についてのＸＲＤパターンにおける対応のピークに比して幅広く見える（図４）。さらに、シェラー式によってこれらＸＲＤパターンから算出した平均Ｎｉ粒子サイズは、Ｎｉ＠ＳｉＯ２については３．４ｎｍであり、市販の触媒については６．７ｎｍであった。従って、ＴＥＭ結果及びＸＲＤ結果は一貫して、Ｎｉ＠ＳｉＯ２の方が市販の触媒に比して焼結に対する抵抗性が高いことを示している。
【００７８】
Ｎｉ＠ＳｉＯ２（３９％）、市販の触媒（５７％）、Ｎｉ／ＳＢＡ-１５（４４％Ｎｉ）の活性Ｎｉ表面積を、水素の温度プログラム脱着によって測定した。３つの異なる還元条件、つまり、５００℃で２時間、６００℃で１５時間、７５０℃で１５時間の還元条件を適用した。図５に示すとおり、５００℃にて２時間の還元後のＮｉ＠ＳｉＯ２、市販の触媒、及びＮｉ／ＳＢＡ-１５のＮｉ表面積は、各々、６５．４ｍ２／ｇ．Ｎｉ、７８．４ｍ２／ｇ．Ｎｉ、及び２７．２ｍ２／ｇ．Ｎｉであった。還元温度を６２０℃に上げ、還元時間を１５時間まで延ばすと、この面積はＮｉ＠ＳｉＯ２及び市販の触媒の双方について９０ｍ２／ｇ（Ｎｉ）まで増加した。還元温度をさらに７５０℃まで上げ、１５時間還元すると、市販の触媒の活性Ｎｉ面積は２４．７ｍ２／ｇ．Ｎｉまで大幅に減少し、Ｎｉ＠ＳｉＯ２（８０．２ｍ２／ｇ．Ｎｉ）のＮｉ面積の減少は市販の触媒の減少に比して緩やかであった。
【００７９】
[実施例３]
[５００℃、Ｈ２Ｓの非存在下におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の実験室試験]
図６は、４０％のＨ２、１０％のＨ２Ｏ、２０％のＣＯ、１６％のＣＯ２、４％のＣＨ４、及び１０％のＮ２を含有する原料を使用し、５００℃、１バールの圧力、及び２０２５０ｈ−１の原料流量にて、Ｈ２Ｓの存在しない条件下のガスストリーム中においてＮｉ＠ＳｉＯ２の実験室試験を行った結果を示しており、種々の触媒反応生成物の濃度を時間経過の関数として示している。図６は、Ｈ２Ｓが存在しない場合、Ｎｉ＠ＳｉＯ２触媒が非常に安定的な活性を発揮し、目認可能な失活を伴うことなく、少なくとも５００時間継続することを明らかにしている。
【００８０】
[実施例４]
[Ｈ２Ｓ存在下の市販の触媒との比較におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の石炭ガス化設備における試験]
図７は、石炭のガス化設備からの石炭ガス化プロセスの生成ガスを原料として使用して得られた実験結果を示している。Ｎｉ＠ＳｉＯ２を含有したものと市販の触媒を含有したものという２つの反応物質を、同一条件（Ｔ＝４８５℃、ＧＨＳＶ＝５００００ｈ−１）下において、連続３日間同時に作用させた。各日の終了時に反応を停止し、触媒をＡｒガスの保護下における反応器中に保持した。反応器を、Ａｒフロー下において所望の反応温度まで加熱し、石炭ガス化装置からの生成ガスを再び導入することによって反応を再開した。
【００８１】
初日、双方の触媒は安定的な触媒性能を発揮し、市販の触媒及びＮｉ＠ＳｉＯ２の各々について、平均９％のＣＨ４及び平均８％のＣＨ４を生成した。ＣＨ４の変換平衡は、１１．５％でなければならない。２日目、双方の触媒は同様の失活速度で徐々に失活を開始した。しかしながら市販の触媒は、試験３日の非常に早い段階でその活性を失っており、一方でＮｉ＠ＳｉＯ２はそれまでと同様、安定的な失活速度を維持しているようであった。
【００８２】
まとめると、Ｎｉ＠ＳｉＯ２は、市販の基準触媒及び従来の含浸方法を使用して調製した同様のＮｉを担持するその他の触媒に比して、Ｈ２Ｓの有無に関わらず、ガスストリーム下におけるメタン化反応においてより優れた触媒反応を示した。Ｎｉ＠ＳｉＯ２のより優れた性能は、多孔質ＳｉＯ２によって保護されたＮｉの焼結抵抗性が改善されたことによるものである。
【００８３】
[実施例５]
[５００℃、Ｈ２Ｓ存在下の市販の触媒との比較におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の実験室試験]
２０％のＮ２、３４．４％のＨ２、２２．９％のＣＯ、１８．２％のＣＯ２、４．５％のＣＨ４、及び１０ｐｐｍのＨ２Ｓを含有する原料を使用し、５００℃の温度、且つ原料の流量ＧＨＳＶ＝３６０００ｈ−１にて、メタン化反応条件下における、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２（３９％Ｎｉ）及び市販の触媒（５７％）の長期安定性の実験室試験を実施した。結果を図８に示す。
【００８４】
図８は、これら２つの触媒について、時間経過に対するＣＨ４濃度の変化を示している。本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２（３９％Ｎｉ）触媒は約７０時間継続したが、一方で市販の触媒（５７％Ｎｉ）は、完全に失活するまで、たった４２時間継続が可能であった。
【００８５】
[実施例６]
[６００℃、Ｈ２Ｓ存在下の市販の触媒との比較におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の実験室試験]
４０％のＨ２、１０％のＨ２Ｏ、２０％のＣＯ、１６％のＣＯ２、４％のＣＨ４、１０％のＮ２、及び２０ｐｐｍのＨ２Ｓを含有する原料を使用し、６００℃の温度、且つ原料の流量ＧＨＳＶ＝２００００ｈ−１にて、メタン化反応条件下における、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２（３９％Ｎｉ）及び市販の触媒（５７％）の長期安定性の実験室試験を実施した。結果を図９に示す。
【００８６】
図９は、これら２つの触媒について、時間経過に対するＣＨ４濃度の変化を示している。本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２（３９％Ｎｉ）触媒は約３５時間活性が継続したが、一方で市販の触媒（５７％Ｎｉ）は、完全に失活するまで、１６時間のみ活性の継続が可能であった。
【００８７】
[実施例７]
[３００℃、Ｈ２Ｓの非存在下におけるＮｉ＠ＳｉＯ２触媒の実験室試験]
図１０は、４５％のＨ２、２２．５％のＣＯ、１８％のＣＯ２、４．５％のＣＨ４、及び１０％のＮ２を含有する原料を使用し、３００℃、１バールの圧力、及び１９８００ｈ−１（ＧＨＳＶ）の原料流量にて、Ｈ２Ｓの存在しない条件下のガスストリーム中においてＮｉ＠ＳｉＯ２の実験室試験を行った結果を示しており、種々の触媒反応生成物の濃度を時間経過の関数として示している。図１０は、Ｈ２Ｓが存在しない場合、Ｎｉ＠ＳｉＯ２触媒が非常に安定的な活性を発揮し、目認可能な失活を伴うことなく、少なくとも１２５０時間継続することを示している。
【００８８】
[実施例８]
[触媒の特性評価−ＢＥＴ表面積及びＮｉ比表面積]
２０％、４０％、６０％、７０％、８０％、及び９０％という種々のＮｉＯ含有量を有する本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２触媒のＢＥＴ表面積を図１１に比較している。表面積に主に貢献するものは多孔質ＳｉＯ２であるため、ＮｉＯ担持の増加に併せて表面積が減少している。ＢＥＴ表面積は、ＮｉＯ含有量２０％の４７５ｍ２／ｇからＮｉＯ含有量７０％の３７５ｍ２／ｇまで減少している。しかしながら、ＢＥＴ表面積は、ＮｉＯ担持が７０％から９０％まで増加すると、３７５ｍ２／ｇから１７５ｍ２／ｇへと劇的に減少している。
【００８９】
４０％、５０％、及び６０％という種々のＮｉＯを担持する本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２と市販の触媒に関して、触媒のグラムあたり及びＮｉのグラムあたりにおける平方メートルの単位でのＮｉ比表面積を、表１にまとめている。触媒は、Ｈ２の吸脱着に先立ち、純粋なＨ２フローにおいて、６２０℃で１５時間還元した。Ｎｉ比表面積は、Ｎｉ担持に合わせて増加し、４７％のＮｉを担持するＮｉ＠ＳｉＯ２で１５２．５ｍ２・ｇ−１に達した。しかしながら、５７％のＮｉを担持する市販の触媒では、Ｎｉ比表面積はたった９３．５ ｍ２・ｇ−１Ｎiであった。この結果は明らかに、本発明のＮｉ＠ＳｉＯ２触媒が市販の触媒に比して高いＮｉ利用効率を備えていることを示している。
【表１】
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触媒作用後のＮｉの比表面積は、６２０℃、１５時間で減少した。
【図１】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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