(57)【要約】  基板処理チャンバ用の基板支持システムのための方法及び装置であって、チャンバは、処理領域を囲むチャンバ本体、処理領域内に少なくとも部分的に配置される第１の基板支持体及び第２の基板支持体を備え、第２の基板支持体は第１の基板支持体を取り囲み、第１の基板支持体及び第２の基板支持体のうちの片方又は両方は互いに対して可動であり、且つ第１の基板支持体は第２の基板支持体に対して回転可能である、基板支持システムのための方法及び装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバであって、
処理領域を囲むチャンバ本体、
前記処理領域内に少なくとも部分的に配置される第１の基板支持体及び第２の基板支持体を備え、前記第２の基板支持体は前記第１の基板支持体を取り囲み、前記第１の基板支持体及び前記第２の基板支持体のうちの片方又は両方は互いに対して直線的に可動であり、且つ前記第１の基板支持体は前記第２の基板支持体に対して回転可能である、基板処理チャンバ。
【請求項２】
前記第１の基板支持体が、
ペデスタル、及び
前記ペデスタルを回転するように動作可能なアクチュエータを備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
前記第２の基板支持体が、
基板の端部を支持するための単一の端部支持部材を備える、請求項２に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
前記単一の端部支持部材が、ロボットブレードの一部を受け入れるための１つ又は複数のスロットを含む、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記ペデスタルが、前記第２の基板支持体を少なくとも部分的に受け入れるための周辺ショルダー領域を備える、請求項２に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
前記単一の端部支持部材を垂直方向に動かすように動作可能なアクチュエータをさらに備える、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記第２の基板支持体が、
基板の端部を支持するための複数の端部支持部材を備える、請求項２に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
前記複数の端部支持部材を垂直方向に動かすように動作可能なアクチュエータをさらに備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項９】
前記複数の端部支持部材を垂直方向又は横方向に動かすように動作可能なアクチュエータをさらに備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
前記ペデスタルが、前記複数の端部支持部材のそれぞれの端部支持部材を少なくとも部分的に受け入れるための複数の切り抜き領域を有する周辺端部を備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
基板処理チャンバであって、
処理領域を囲むチャンバ本体、
基板の主要面を支持するために前記処理領域内に配置されるペデスタル、及び
前記基板の前記主要面が前記ペデスタルによって支持されていないときに前記基板の端部を断続的に支持するために前記処理領域内に配置される端部支持部材を備え、前記ペデスタルが前記端部支持部材に対して回転可能である、基板処理チャンバ。
【請求項１２】
前記端部支持部材が、ロボットブレードの一部を受け入れるための１つ又は複数のスロットを含むリングを備える、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記リングを垂直方向に動かすように動作可能なアクチュエータをさらに備える、請求項１２に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
前記ペデスタルが、前記リングを少なくとも部分的に受け入れるための周辺ショルダー領域を備える、請求項１３に記載の処理チャンバ。
【請求項１５】
前記端部支持部材が、
複数の端部支持部材、及び
前記複数の端部支持部材を垂直方向に動かすように動作可能なアクチュエータを備える、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１６】
前記ペデスタルが、前記複数の端部支持部材のそれぞれの端部支持部材を少なくとも部分的に受け入れるための複数の切り抜き領域を有する周辺端部を備える、請求項１５に記載の処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は、概して処理チャンバのための基板支持システムに関する。より具体的には、本明細書に記載された実施形態は、基板支持システムを使用して、ペデスタルに対して基板を移動させること、或いは、基板に対してペデスタルを移動させることのうちの１つ又はそれらの組み合わせによって、基板上で測定された不均一を平均化し得る（すなわち、平均により近づける）基板支持システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］集積回路は、単一のチップ上に数百万もの部品（例えば、トランジスタ、キャパシタ、及びレジスタなど）を含み得る複雑な装置へと進化してきた。チップ設計の進化には、より迅速な回路及びより高い回路密度が継続的に必要とされる。回路密度をより高くする需要は、集積回路部品の寸法の縮小を余儀なくする。このような装置の特徴の最小寸法は、当該技術で一般的に限界寸法と呼ばれる。限界寸法には、概して、ライン、コラム、開口部、ライン間の隙間、及び装置／膜の厚みなどの特徴の最小寸法が含まれる。これらの限界寸法が縮小するにつれて、測定及び処理を正確に制御することがより難しくなる。
【０００３】
［０００３］これらの部品の形成は、基板が処理のために移送される、処理チャンバなどの制御された環境内で実行される。処理チャンバは、典型的に、形成の間に基板を支持するペデスタルを含む。ペデスタルは、加熱、冷却、電極として機能してもよく、回転及び／又は垂直変位及び／又は角変位が可能であってもよく、及びこれらの組み合わせが可能である。加熱、冷却、及び／又は電気バイアス（「基板処理特性」と総称される）は、基板全体にわたって均一な状態、そして均一な処理（例えば、堆積、エッチング、及び他の処理）を促進するため、基板の面全体にわたって均一でなければならない。
【０００４】
［０００４］しかしながら、ペデスタルは、基板上で測定される十分な基板処理特性をもたらすために確実に機能しない場合がある。一例として、ペデスタルの温度が均一ではない場合があり、結果として基板全体にわたって温度が均一でなくなる。ペデスタルは、個別の温度制御手段を有するゾーンを含むことができるが、基板の表面積全体にわたって熱エネルギーを効率良く供給することができない場合がある。したがって、基板の１つ又は複数の領域が基板の他の領域と温度が異なる場合があり、結果として、基板の不均一な温度及び不均一な処理に至る。不均一の可能性は、プラズマ処理のための高周波（ＲＦ）又は直流（ＤＣ）印加などの他の基板処理特性、並びに基板処理の間にペデスタルが提供し得る他の機能にまでさらに及ぶ場合がある。
【０００５】
［０００５］したがって、当該技術では、集積回路の製造で基板処理特性の不均一を最小限にすることが可能な基板支持システムが必要とされる。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］本開示は、概して、基板処理チャンバ内で利用される基板支持システムのための方法及び装置に関する。１つの実施形態では、処理チャンバが提供される。チャンバは、処理領域を囲むチャンバ本体、処理領域内に少なくとも部分的に配置される第１の基板支持体及び第２の基板支持体を備え、第２の基板支持体は第１の基板支持体を取り囲み、第１の基板支持体及び第２の基板支持体のうちの片方又は両方は互いに対して可動であり、且つ第１の基板支持体は第２の基板支持体に対して回転可能である。
【０００７】
［０００７］別の実施形態では、基板処理チャンバが提供される。チャンバは、処理領域を囲むチャンバ本体、基板の主要面を支持するために処理領域内に配置されるペデスタル、及び基板の主要面がペデスタルによって支持されていないときに基板の端部を断続的に支持するために処理領域内に配置される端部支持部材を含み、ペデスタルは端部支持部材に対して回転可能である。
【０００８】
［０００８］別の実施形態では、基板製造プロセスの間に基板処理特性の不均一を補正する方法が提供される。この方法は、基板を処理チャンバ内に配置されるペデスタルに移送することと、基板をペデスタルの支持面上の第１の位置に位置決めすることと、基板上の基板処理特性をモニターしながら基板を処理することと、基板処理特性が所望値を超えるとき、支持面上の基板を第１の位置と異なる第２の位置に再度位置決めすることとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
［０００９］本開示の上述の特徴の態様を詳細に理解することができるように、上記で簡単に概説した本開示のより具体的な記載を実施形態を参照することによって得ることができ、これら実施形態の幾つかは添付の図面で示される。    しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得るため、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【００１０】
【図１】処理チャンバ内に配置される基板支持システムの１つの実施形態を有する処理チャンバの側断面図である。
【図２】処理チャンバ内に配置される基板支持システムの別の実施形態を有する処理チャンバの側断面図である。
【図３】図２のペデスタルの平面図である。
【図４】第２の基板支持体の別の実施形態を示すペデスタルの一部の断面図である。
【図５】本明細書に記載されている基板支持システムを利用する方法を示すフロー図である。
【００１１】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。１つの実施形態で開示された要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用できることが企図されている。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［００１６］本明細書に記載されている実施形態は、処理チャンバ内のペデスタルによって支持されている基板上の均一な処理結果に影響を与え得る、温度、電気バイアス、電磁エネルギー分布における違い、又はその他の不均一を補正するための、基板支持システム及び関連する方法に関する。処理中に、ペデスタルによって支持されている基板上の
均一な処理結果に影響を与え得る、温度、電気バイアス、電磁エネルギー分布、又はその他の不均一現象は、基板処理特性と総称される。不均一な基板処理特性の修正によって、処理中の基板上に処理制御パラメータが提供される。不均一は、処理中に基板をモニターすること、処理された基板の方位角方向の均一性（ａｚｉｍｕｔｈａｌ  ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を観察すること、及びこれらの組み合わせによって検出されてもよい。本発明のシステム及び方法は、これらの基板処理特性のうちの１つ又は複数の中の不均一の減少をもたらすことができ、それにより、基板上に構造体を形成する間により効率良い処理制御をもたらす。
【００１３】
［００１７］図１は、処理チャンバ内に配置される基板支持システム１０２の１つの実施形態を有する処理チャンバ１００の側断面図である。処理チャンバ１００は、処理容積１０８を囲む側壁１０４、底部１０５、及びリッドアセンブリ１０６からなるチャンバ本体１０４を含む。基板支持システム１０２は、処理容積１０８内に少なくとも部分的に配置され、且つチャンバ本体１０４内に形成されたポート１１２を通して、処理容積１０８に移送された基板１１０を支持する。
【００１４】
［００１８］基板支持システム１０２は、ペデスタル１１４などの第１の基板支持体１１３、及び端部支持部材１１６などの第２の基板支持体１１５を含む。第２の基板支持体１１５は、第１の基板支持体１１３の上で基板１１０を断続的に支持するために使用されてもよい。例えば、図１では、基板１１０は、ペデスタル１１４から離れた隙間の中の端部支持部材１１６上で示される。基板１１０は、処理中にペデスタル１１４に近接又は接触するようになる。例えば、ペデスタル１１４は、処理中に基板１１０の主要面に接触（又は近接）するように適合される支持面１１８を含む。したがって、ペデスタル１１４は、処理チャンバ１００内の基板１１０のための第１の支持構造の役割を果たす。
【００１５】
［００１９］ペデスタル１１４及び端部支持部材１１６のうちの少なくとも１つが、他方に対して可動である。処理位置において、端部支持部材１１６は、ペデスタル１１４に近接し、基板１１０の下面がペデスタル１１４によって支持されるようにペデスタル１１４を取り囲んでもよい（すなわち、囲んでもよい）。１つの実施形態では、ペデスタル１１４は、端部支持部材１１６に対する運動が可能であってもよい。一例では、端部支持部材１１６は、少なくともＸ−Ｙ（水平）平面で、並びに回転式に固定されてもよく、ペデスタル１１４は、（Ｚ方向の）垂直運動、（軸Ａの周りの）回転運動のうちの１つ又はそれらの組み合わせをもたらし、且つさらに（軸Ａに対する）角度運動をもたらし得るシャフト１２１を介して、アクチュエータ１２６Ａに連結される。アクチュエータ１２６Ａによって垂直運動がもたらされてもよく、それにより、基板１１０が端部支持部材１１６から支持面１１８に移送されることが可能になる。別の実施形態では、端部支持部材１１６は、端部支持部材１１６の垂直運動（Ｚ方向）を少なくとももたらす１つ又は複数の支持部材（以下でより詳細に説明される）を介して、アクチュエータ１２６Ｂに連結されてもよい。したがって、端部支持部材１１６は、ペデスタル１１４に対して動かしてもよい。アクチュエータ１２６Ｂによって垂直運動がもたらされてもよく、それにより、端部支持部材１１６が下降し、基板１１０を支持面１１８に移送することが可能になる。別の実施形態では、アクチュエータ１２６Ａ及び１２６Ｂによってもたらされる運動の組み合わせが、支持面１１８と端部支持部材１１６との間で基板１１０の移送を促進するために提供されてもよい。
【００１６】
［００２０］処理チャンバ１００は、数ある中でも、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、イオン注入チャンバ、プラズマ処理チャンバ、又は熱処理チャンバであってもよい。図示の実施形態では、処理チャンバは堆積チャンバであり、シャワーヘッドアセンブリ１２８を含む。処理容積１０８は、その中の圧力を制御するために真空システム１３０と選択的に流体連通してもよい。シャワーヘッドアセンブリ１２８は、処理ガス源１３２に連結されてもよく、材料を基板１１０上に堆積するために処理ガスを処理容積１０８に供給する。シャワーヘッドアセンブリ１２８は、シャワーヘッドアセンブリ１２８の温度を制御する温度制御要素１３４をさらに含んでもよい。温度制御要素１３４は、冷却源１３６と流体連通している流体チャネルであってもよい。
【００１７】
［００２１］端部支持部材１１６は、一時的な基板支持部材として機能する。端部支持部材１１６は、必要に応じて、（図１で示されるように）ペデスタル１１４の支持面１１８から離間された関係で基板１１０を支持するために利用され、それにより、所望するときにペデスタル１１４の支持面１１８に対して基板１１０を再度位置決めすることを容易にすることができる。端部支持部材１１６は、中に形成される凹部又はスロット１３３を含んでもよい。凹部又はスロットは、ロボットブレード１０９を受け入れるように寸法形成され、それにより、処理容積１０８内外へのロボット基板移送が容易となる。
【００１８】
［００２２］ペデスタル１１４は、ペデスタル本体１２２の中に配置される少なくとも１つの組み込み型温度制御要素１２０を含んでもよい。１つの実施形態では、組み込み型温度制御要素１２０は、基板１１０によって吸収される熱エネルギーをペデスタル本体１２２に適用するために利用される、加熱又は冷却のための要素又はチャネルであってもよい。１つ又は複数の電極及び／又は真空ポートなどの他の要素が、ペデスタル本体１２２の上に配置されてもよく、又はその中に組み込まれてもよい。基板１１０の温度は、１つ又は複数のセンサ１２４によってモニターされてもよい。ペデスタル本体１２２の種々の領域の温度が個別に加熱又は冷却され得るように、組み込み型温度制御要素１２０はゾーン制御されてもよい。しかしながら、ペデスタル１１４内の欠点及び／又は基板１１０内の不均一などの酌量すべき要因によって、組み込み型温度制御要素１２０は、支持面１１８及び／又は基板１１０全体にわたって熱エネルギーを均一に適用できない場合がある。こうした酌量すべき要因によって、基板１１０の温度が不均一となり、結果として基板の処理が不均一となる。
【００１９】
［００２３］基板１１０の表面上に存在し得る（基板１１０の温度をモニターすることによって判定することができる）熱の不均一に対処するため、基板１１０を支持面１１８に対して再度位置決めしてもよい。基板１１０の表面上に存在する熱点又は冷点は、ペデスタル本体１２２の支持面１１８の中又はその上の熱点又は冷点を示す。一例では、アクチュエータ１２６Ａ及び１２６Ｂによってもたらされる運動のうちの１つ又は組み合わせによって、基板が支持面１１８から端部支持部材１１６に移送される。端部支持部材１１６は、図示のように、ペデスタル１１４の上で離間された関係で基板１１０を一時的に支持し、それにより、基板１１０に対するペデスタル１１４の回転が可能となる。この運度は、ペデスタル本体１２２の支持面１１８の中又はその上に存在する熱点又は冷点（基板１１０の温度をモニターすることによって判定される）を再配置するために利用されてもよい。ペデスタル１１４は、約３６０度未満、例えば、約１度から約１８０℃未満の間などの約１８０度未満の角変位で、又はその間の増分の角変位で回転してもよい。ペデスタル１１４を回転させることによって、ペデスタル本体１２２の支持面１１８の中又はその上に存在する熱点又は冷点を再配置した後、アクチュエータ１２６Ａ及び１２６Ｂによってもたらされる運動のうちの１つ又は組み合わせによって、基板１１０をペデスタル１１４の支持面１１８上に再配置してもよい。基板１１０の再配置が一旦完了すると、基板１１０上の冷点をペデスタル１１４の支持面１１８上の熱点により近いところに位置決めしてもよく、その反対の操作も可能である。したがって、基板１１０の表面上の任意の局所化された不均一な温度分布が平均化され、基板全体にわたってほぼ均一な温度分布（すなわち、＋／−摂氏数度）がもたらされる。
【００２０】
［００２４］別の実施形態では、ペデスタル１１４は静電チャックであってもよく、ペデスタル１１４は１つ又は複数の電極１２１を含んでもよい。例えば、ペデスタル１１４は、電力を１つ又は複数の電極１２１に供給する電圧源であり得る電力要素１４０に連結されてもよい。電圧源は、高周波（ＲＦ）コントローラ又は直流（ＤＣ）コントローラであってもよい。別の例では、ペデスタル１１４は、導電性材料から作られ、シャワーヘッドアセンブリ１２８によって分配される電力要素１４０ＢからのＲＦ電力のためのグラウンド経路として機能してもよい。したがって、処理チャンバ１００は、ＲＦプラズマ又はＤＣプラズマを利用して堆積又はエッチング処理を実行してもよい。これらの種類のプラズマは、完全に同心状又は対称状ではない場合があるため、ＲＦ又はＤＣの熱点（すなわち、電磁熱点（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｈｏｔ  ｓｐｏｔｓ））が基板１１０上に存在し得る。これらの電磁熱点によって、基板１１０の表面上に不均一な堆積又は不均一なエッチング速度が生じ得る。
【００２１】
［００２５］基板１１０の表面上に存在し得る（プラズマシースを観察することによって判定することができる）電磁熱点に対処するため、上述のプロセスに従って、端部支持部材１１６を使用して基板１１０を支持面１１８に対して再度位置決めしてもよい。例えば、不均一なプラズマシースは、プラズマ内の不均一なエネルギー分布を示し得る。任意の電磁熱点を再分布するために基板１１０を再度位置決めすることが利用され、基板１１０の表面上の任意の局所化された不均一なエネルギー分布が平均化され、それにより基板全体にわたって平衡したエネルギー分布がもたらされる。
【００２２】
［００２６］堆積プロセス又はエッチングプロセスにおける処理の間、ペデスタル１１４は通常回転する。しかしながら、基板１１０の位置が支持面１１８に対して固定されるとき、基板１１０上に存在すると判定された温度分布、電気バイアス、又は電磁エネルギー分布における任意の異常が固定化する。しかしながら、支持面１１８に対する基板１１０の運動は、これらの違いを平均化することによって、温度、電気バイアス、電磁エネルギー分布におけるこれらの違いを補い、結果として基板１１０上でほぼ均一な温度分布、電気バイアス、又は電磁エネルギー分布が生じる。
【００２３】
［００２７］１つの実施形態では、ペデスタル１１４に加えて、基板支持システム１０２は、１つ又は複数のピン１４２によって支持されている端部支持部材１１６を含む。１つ又は複数のピン１４２のうちの少なくとも１つは、リニアドライバ１４４に直接連結されてもよく、又は図示されているようにリフトリング１４６に連結されてもよい。さらに、端部支持部材１１６は、基板１１０の支持に使用されていないときは遮蔽機能をもたらす堆積リングであってもよい。例えば、基板１１０がペデスタル１１４の支持面１１８によって支持され、端部支持部材１１６がペデスタル１１４を少なくとも部分的に囲んでいるとき、端部支持部材１１６は、チャンバ構成要素を堆積又はエッチングの副生成物から遮蔽してもよい。１つの実施形態では、基板１１０を処理する間、端部支持部材１１６は、基板１１０と部分的に接触したままであってもよい。１つの態様では、端部支持部材１１６は、処理の間（処理の間にペデスタル１１４が回転しないとき）に基板１１０の外周を支持するために利用されてもよい。別の態様では、端部支持部材１１６は、例えば、メッキ処理において基板１１０に電気バイアスをもたらすために使用され得る導電性材料から作られてもよい。端部支持部材１１６は、ペデスタル１１４に対する端部支持部材の運動を提供するアクチュエータ１２６Ｂに連結されているように示されているが、端部支持部材１１６は、ピン１４２の上面に単純に置かれてもよい。この実施形態では、ペデスタル１１４は、端部支持部材１１６に対して動いてもよく、それにより、基板１１０が支持面１１８に移送されることが可能となる。Ｚ方向のペデスタル１１４の継続運動によって、次いで、端部支持部材１１６が、ペデスタル１１４内に形成される周辺ショルダー領域１４７によって支持されることが可能となる。端部支持部材１１６がピン１４２の高さを越えて上昇するにつれて、ペデスタル１１４、基板１１０、及び端部支持部材１１６の回転運動が可能となる。
【００２４】
［００２８］図２は、処理チャンバ内に配置される基板支持システム２０２の別の実施形態を有する処理チャンバ１００の側断面図である。図１に記載された実施形態のように、基板支持システム２０２は、ペデスタル１１４及びアクチュエータ１２６Ａ、並びに関連するリフト部材及び密封部材を含む。しかしながら、この実施形態では、基板支持システム２０２の第２の基板支持体２０３は、図１に示される端部支持部材１１６の代わりに複数の端部支持部材２０４を含む。端部支持部材２０４は、使用時に基板１１０の端部を選択的に支持する個別のフィンガであってもよい。この実施形態では、ペデスタル１１４は、それぞれの端部支持部材２０４に対応する切り抜き領域２０６を含む。各切り抜き領域２０６によって、それぞれの端部支持部材２０４がペデスタル１１４の底面２０８を一掃することが可能になり、それにより、基板１１０がペデスタルの支持面１１８上で支持されているとき、ペデスタル１１４が自由回転することが可能になる。端部支持部材２０４の昇降は、アクチュエータ１２６Ｂ、リフトリング１４６、及び関連するピン１４２によって達成されてもよい。
【００２５】
［００２９］図３は、図２のペデスタル１１４の平面図である。３つの端部支持部材２０４がそれぞれの切り抜き領域２０６内に示される。ペデスタル１１４及び／又はアクチュエータ２１６Ａ（図２に示される）に連結されているエンコーダ又は他の回転検知／インデックス作成計量計を使用することによって、ペデスタル１１４の支持面１１８から基板１１０が離間されるように端部支持部材２０４が利用されているときにペデスタル１１４のそれぞれの切り抜き領域２０６をそれぞれの端部支持部材２０４と位置合わせしてもよい。３つの端部支持部材２０４のみが示されているが、第２の基板支持体２０３は、少なくとも２つの端部支持部材２０４及び４つ以上の端部支持部材２０４を含んでもよい。端部支持部材２０４の数は、切り抜き領域２０６の対応する数と一致してもよい。任意選択的に又は追加的に、追加の切り抜き領域２０６（点線で示されている）がペデスタル１１４に追加されてもよい。切り抜き領域２０６は、端部支持部材２０４との位置合わせを容易にしつつ、１２０度単位で、６０度単位で、３０度単位で、並びに３０度未満の単位でペデスタル１１４の回転を提供するために必要に応じて利用されてもよい。１２０度よりも大きい単位で端部支持部材２０４との位置合わせを容易にするため、追加の切り抜き領域２０６がさらに追加されてもよい。
【００２６】
［００３０］図４は、第２の基板支持体４００の別の実施形態を示すペデスタル１１４の一部の断面図である。この実施形態では、端部支持部材２０４は、アクチュエータ４０５に連結されているピン１４２に連結されている。他の実施形態と同じように、アクチュエータ４０５は、ペデスタル１１４に対して基板１１０をＺ方向に昇降させるために利用される。しかしながら、この実施形態では、アクチュエータ４０５は、ペデスタル１１４に対して端部支持部材２０４を横方向に（Ｘ方向に）に動かすために利用される。図示されていないが、他のピン１４２及び端部支持部材２０４は、図２に記載された実施形態と同じように、ペデスタル１１４の外周周辺に配置されてもよい。この実施形態では、アクチュエータ４０５は、各端部支持部材２０４につき必要である場合がある。
【００２７】
［００３１］図５は、基板製造プロセスの間に基板処理特性の不均一を補正する方法５００を示すフロー図である。方法５００は、本明細書に記載されている基板支持システム１０２又は２０２、或いはその他の適切な装置を利用して実行されてもよい。方法５００は、ブロック５０５では、基板１１０を処理チャンバ１００内のペデスタル１１４に移送することを含む。ブロック５０５における方法は、ロボットブレード１０９上で基板１１０を処理チャンバ１００内に移送することと、ロボットブレード１０９から基板を第２の基板支持体に移送することとをさらに含んでもよい。図１の実施形態では、ブロック５０５に含まれる移送は、移送ポート１１２を通って延在するロボットブレード１０９を受け入れるように構成される平面上において端部支持部材１１６、特にスロット１３３を位置合わせすることをさらに含む。一旦基板１１０が端部支持部材１１６とほぼ同心状となれば、移送ポート１１２を通してロボットブレード１０９を処理チャンバ１００から後退させてもよい。端部支持部材２０４が利用される図２又は図４の実施形態では、ブロック５０５で説明された移送は、基板１１０を、ペデスタル１１４の上に、ペデスタル１１４とほぼ同心状に、及び端部支持部材２０４の外周によって画定されている領域の上に位置決めすることを含む。アクチュエータ１２６Ｂ（図２に示される）又はアクチュエータ４０５（図４に示される）は、次いで、端部支持部材２０４を基板１１０の端部付近に動かすために使用されてもよい。この実施形態では、端部支持部材２０４は、ロボットブレード１０９の走行路を妨げないように離間されてもよい。一旦端部支持部材２０４が基板１１０の端部を掴むと、基板１１０はロボットブレード１０９から持ち上げられてもよく、ロボットブレード１０９は後退してもよい。
【００２８】
［００３２］ブロック５１０では、図１の端部支持部材１１６或いは図２及び図４の端部支持部材２０４のいずれかを使用して、基板１１０がペデスタル１１４の支持面１１８に下降する。基板１１０は、ペデスタル１１４の支持面１１８上の第１の位置に位置決めされてもよい。図１の実施形態では、端部支持部材１１６は、ペデスタル１１４の支持面１１８が少なくとも部分的に基板１１０を支持するまで下降してもよく、且つ周辺ショルダー領域１４７に近接するようにさらに下降してもよい。図２の実施形態では、端部支持部材２０４は、ペデスタル１１４の支持面１１８が少なくとも部分的に基板１１０を支持するまで下降してもよく、且つペデスタル１１４の底面２０８を一掃するためにさらに下降してもよい。図４の実施形態では、端部支持部材２０４は、ペデスタル１１４の側壁を一掃するためにＸ方向に作動してもよい。これらのいずれの実施形態でも、基板１１０の主要面（例えば、底部又は裏面）は、ペデスタル１１４の支持面１１８によって支持され、基板１１０は処理されてもよい。
【００２９】
［００３３］ブロック５１５では、基板１１０の主要面がペデスタル１１４によって支持されている際に基板１１０を処理するため、ペデスタル１１４及びその上に支持されている基板１１０は、回転、上昇、下降してもよく、並びにこれらの動作の組み合わせが行われてもよい。例えば、基板１１０がペデスタル１１４上で支持されている際に処理チャンバ１００内で生成され得るそのガス又はプラズマを使用する堆積又はエッチング処理である。基板１１０の処理は、シャワーヘッドアセンブリ１２８に対してペデスタル１１４を上昇又は下降させることを含んでもよい。基板１１０の処理には、ペデスタル１１４の回転も含まれてもよい。
【００３０】
［００３４］ブロック５２０では、基板１１０上で実行される処理がモニターされる。所望のパラメータ又は目標値の範囲外にあると判断される基板の任意の不均一を判定するため、基板の温度、電気バイアス、及び／又は電磁エネルギー分布（すなわち、基板処理特性）などの測定基準を基板１１０の表面にわたってモニターしてもよい。所望のパラメータ又は目標値には、処理パラメータの狭い範囲（すなわち、ウィンドウ）内にある基板温度、電気バイアス、及び／又は基板１１０上の電磁エネルギー分布が含まれてもよい。温度に関しては、所望のパラメータ又は目標値は、摂氏数度内で変動する温度を含んでもよい。測定基準が、均一条件（すなわち、所望のパラメータ又は目標値の範囲内）を示す場合、基板１１０の処理を継続してもよい。不均一（すなわち、所望のパラメータ又は目標値の範囲外の測定基準）が存在する場合、この方法は、基板１１０をペデスタル１１４の支持面１１８上で再度位置決めすることを含むブロック５２５に進む。
【００３１】
［００３５］ブロック５２０で説明されたインシトゥ処理（ｉｎ−ｓｉｔｕ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、任意であってもよい。処理基板のモニタリングは、不均一の存在を判定するために方法５００で用いられてもよい。このエクスシトゥモニタリング（ｅｘ−ｓｉｔｕ  ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ）は、特定の方策を使用して後続の基板を処理するための位置決めパラメータを決定するために利用されてもよい。例えば、エクスシトゥモニタリングは、ペデスタル１１４の回転の角度、ペデスタル１１４上の基板１１０の再度位置決めの量（すなわち、回数）、ペデスタル１１４上の基板１１０の再度位置決めのタイミング、及びそれらの組み合わせを決定するために利用されてもよい。したがって、ブロック５２０で説明されたインシトゥ処理及び／又はエクスシトゥモニタリングのいずれかによって、一旦不均一が判定されたら、特定の製造スキームに対してモニタリングが延期されてもよい。
【００３２】
［００３６］ブロック５２５では、図１の実施形態において、基板１１０がペデスタル１１４の支持面１１８から離間されているとき、図１の端部支持部材１１６が基板１１０を支持するために使用される。この離間された関係では、ペデスタル１１４は、約３６０度未満の幾らかの単位で回転してもよい。図２及び図４の実施形態では、端部支持部材２０４は、基板１１０を支持し、且つ基板１１０をペデスタル１１４の支持面１１８から離すように使用され、それにより、ペデスタル１１４が約３６０度未満の幾らかの単位で回転することが可能となる。ブロック５１０で説明されたように、ペデスタル１１４が回転した後、基板１１０は、ペデスタル１１４の支持面１１８上に再度位置決めされてもよい。ブロック５１５で説明された処理が継続してもよい。処理の間、ブロック５１５に続いて、ブロック５２０及びブロック５２５で説明されたように処理がモニターされてもよく、処理が完了するまで必要に応じて繰り返されてもよい。処理が完了したとき、ブロック５２５で説明されたように、基板１１０をペデスタル１１４の支持面１１８から離間させることによって、次いで基板１１０を処理チャンバ１００の外に移送してもよく、基板１１０を端部支持部材１１６（図１）又は端部支持部材２０４（図２及び図４）からロボットブレード１０９に移送する処理が実行されてもよい。基板１１０をロボットブレード１０９に移送することは、ブロック５０５で説明された処理と実質的に逆の手順であってもよい。
【００３３】
［００３７］基板支持システム１０２又は２０２の実施形態は、基板処理特性の中の不均一を補うインシトゥ（チャンバ内）処理を可能にする。本明細書に記載された本発明の基板支持システム１０２又は２０２は、処理チャンバから基板を取り除くことなく、及び／又は、ロボットブレード（又はその他の周辺基板支持機構）を使用して基板を一時的に支持するために真空を破壊することなく、基板処理特性を補正することができるため、コストを削減し、スループットを増大させることができる。さらに、基板処理特性の不均一を最小限に抑えたり、取り除いたりして、基板のすべての部分に均一な堆積をもたらすため、装置の品質及び／又は装置の収率を強化することができる。
【００３４】
［００３８］以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び追加の実施形態を考案してもよく、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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