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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
ソース電極層と、
ドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層は、第１の層と、第１の混合層と、を有し、
前記ドレイン電極層は、第２の層と、第２の混合層と、を有し、
前記第１の層及び前記第２の層は、第１の金属又は前記第１の金属の合金からなり、
前記第１の混合層及び前記第２の混合層は、前記第１の金属又は前記第１の金属の合金と、第２の金属と、を有し、
前記第１の金属は、前記酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有し、
前記第１の混合層及び前記第２の混合層のそれぞれの前記酸化物半導体層と接する側の領域は、前記第１の金属の濃度が前記第１の混合層及び前記第２の混合層のそれぞれの前記酸化物半導体層と接していない側の領域より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
ソース電極層と、
ドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層は、第１の層と、第１の混合層と、を有し、
前記ドレイン電極層は、第２の層と、第２の混合層と、を有し、
前記第１の層及び前記第２の層は、第１の金属又は前記第１の金属の合金からなり、
前記第１の混合層及び前記第２の混合層は、前記第１の金属又は前記第１の金属の合金と、第２の金属と、を有し、
前記第１の金属は、前記酸化物半導体層の電子親和力より小さい仕事関数を有し、
前記第１の混合層及び前記第２の混合層のそれぞれの前記酸化物半導体層と接する側の領域は、前記第１の金属の濃度が前記第１の混合層及び前記第２の混合層のそれぞれの前記酸化物半導体層と接していない側の領域より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の金属は、インジウムであり、
前記酸化物半導体層は、酸化インジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の金属は、亜鉛であり、
前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記第１の金属は、イットリウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、
前記第１の金属は、チタンであり、
前記酸化物半導体層は、酸化インジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の金属は、タングステンまたはモリブデンであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、回転体を回転させることにより所定出力が得られると共に、前記回転体に設けられたクリック溝に、板バネの弾性アームが弾接してクリック感触が得られる回転型電子部品であって、前記板バネは上側部材に重ね合わされて配され、前記回転体が回転したときに、前記板バネが前記上側部材の下面に衝突して衝突音が発生する構成としたことを特徴とする回転型電子部品としたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体を回転させることにより所定出力が得られると共に、前記回転体に設けられたクリック溝に、板バネの弾性アームが弾接してクリック感触が得られる回転型電子部品であって、前記板バネは上側部材に重ね合わされて配され、前記回転体が回転したときに、前記板バネが前記上側部材の下面に衝突して衝突音が発生する構成としたことを特徴とする回転型電子部品。
【請求項２】
板バネの弾性アームがクリック溝どうしの間の位置に乗り上げていく際に、前記板バネの平板部が前記上側部材下面に対し下方側に離れ、前記弾性アームが次のクリック溝に嵌まり込む際に、前記平板部が前記上側部材の下面に衝突して衝突音が発生する構成とした請求項１記載の回転型電子部品。
【請求項３】
板バネは、平板部に設けられた貫通孔に上側部材に設けられた突起部が挿入されて、回転方向に位置規制されると共に、上下方向には固定されていない請求項１記載の回転型電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの記録層にレーザ光束を当てて該光ディスクに対する情報の記録または再生を行う光情報記録再生光学系における使用に適した対物レンズであって、
前記光束の中心波長λ（単位：ｎｍ）は次の条件式（１）に定める範囲内にあり、
３９０≦λ≦４２０  …（１）
前記対物レンズの基材は樹脂から形成され、該樹脂のガラス転移温度Ｔｇ及び経路長３ｍｍ当たりの波長４０６ｎｍにおける光線透過率Ｔ（単位：％）は、それぞれ次の条件式（２）及び（３）に定める範囲内にあり、
Ｔｇ≧１１５℃  …（２）
８５≦Ｔ≦９０  …（３）
前記対物レンズの各光学面には同一の又は異なる反射防止膜が形成されており、該反射防止膜は光軸近傍においてそれぞれ１００ｎｍ以上の膜厚を有する、
対物レンズ。
【請求項２】
前記反射防止膜は真空度１０−２Ｐａ以下で真空蒸着された高密度層を含み、
前記各光学面の反射防止膜の高密度層の光軸近傍における膜厚は、それぞれ４０ｎｍ以上である、
請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項３】
前記反射防止膜はスパッタリング法により形成された高密度層を含む、
請求項１又は請求項２に記載の対物レンズ。
【請求項４】
前記反射防止膜を構成する少なくとも一つの層は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、又は、これらの混合物から形成された層である、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項５】
前記対物レンズのガラス転移温度Ｔｇが次の条件式（４）に定める範囲内にある
Ｔｇ≧１２５℃  …（４）
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項６】
前記各光学面の反射防止膜は、いずれも単層膜又は４層以下の積層膜である、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項７】
前記対物レンズの光学面であって前記レーザ光束を射出する光源側の光学面に形成された前記反射防止膜において、垂直入射光の反射率が最小となる波長λＢ１（単位：ｎｍ）が次の条件式（５）に定める範囲内にある
６００＜λＢ１＜８００  …（５）
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項８】
前記対物レンズの光学面であって前記光ディスク側の光学面に形成された前記反射防止膜において、垂直入射光の反射率が最小となる波長λＢ２（単位：ｎｍ）が次の条件式（６）に定める範囲内にある
４３０＜λＢ２＜６００  …（６）
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項９】
前記対物レンズの光学面であって前記光ディスク側の光学面において
前記反射防止膜は、前記基材上に第１層から第３層までが番号順に積層された３層膜であり、
前記第１層〜第３層を形成する材料の波長４０６ｎｍにおける屈折率をそれぞれｎ１〜ｎ３とし、
前記第１層〜第３層の厚さをそれぞれｄ１〜ｄ３（単位：ｎｍ）としたときに、
第１層：              ｎ１≦１．５５，    ５０≦ｄ１≦２００
第２層：    １．５５＜ｎ２≦１．７０，    ４０≦ｄ２≦１５０
第３層：              ｎ３≦１．５５，    ５０≦ｄ３≦２００
である、
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の対物レンズ。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の対物レンズを備えた光情報記録再生装置。
【請求項１１】
光ディスクの記録層にレーザ光束を当て、該光ディスクに対する情報の記録または再生を行う光情報記録再生光学系において、
前記光束を発生する光源と、
前記光源から出射した光束を略平行光に変換する光学素子と、
前記光学素子からの光束を前記光ディスクの記録層に集光する対物レンズと
を有し、
前記光束の中心波長λ（単位：ｎｍ）は次の条件式（１）に定める範囲内にあり、
３９０≦λ≦４２０  …（１）
前記対物レンズの基材は樹脂から形成され、該樹脂のガラス転移温度Ｔｇ及び経路長３ｍｍ当たりの波長４０６ｎｍにおける光線透過率Ｔ（単位：％）は、それぞれ次の条件式（２）及び（３）に定める範囲内にあり、
Ｔｇ≧１１５℃  …（２）
８５≦Ｔ≦９０  …（３）
前記対物レンズの各光学面には同一の又は異なる反射防止膜が形成されており、該反射防止膜は光軸近傍においてそれぞれ１００ｎｍ以上の膜厚を有する、
光情報記録再生光学系。
【請求項１２】
前記光学素子の各光学面に反射防止膜が形成されている、
請求項１１に記載の光情報記録再生光学系。
【請求項１３】
前記光学素子の基材を形成する樹脂のガラス転移温度Ｔｇ及び経路長３ｍｍ当たりの波長４０６ｎｍにおける光線透過率Ｔ（単位：％）は、それぞれ前記条件式（２）及び（３）に定める範囲内にある、
請求項１１又は請求項１２に記載の光情報記録再生光学系。
【請求項１４】
前記対物レンズの反射防止膜は真空度１０−２Ｐａ以下で真空蒸着された高密度層を含み、
前記対物レンズの各光学面の反射防止膜の高密度層の光軸近傍における膜厚は、それぞれ４０ｎｍ以上である、
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の光情報記録再生光学系。
【請求項１５】
前記対物レンズの反射防止膜はスパッタリング法により形成された高密度層を含む、
請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載の光情報記録再生光学系。
【請求項１６】
前記対物レンズのガラス転移温度Ｔｇが次の条件式（４）に定める範囲内にある
Ｔｇ≧１２５℃  …（４）
請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載の光情報記録再生光学系。
【請求項１７】
請求項１１から請求項１６のいずれか一項に記載の光情報記録再生光学系を備えた光情報記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
第２の配線と、
メモリセルと、
第１の回路と、
第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、複数の書き込み電位のいずれかを選択して前記第１の配線に出力することができる機能を有し、
前記第２の回路は、前記第２の配線の電位と複数の参照電位とを比較してデータを読み出すことができる機能を有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線と、
第２の配線と、
第３の配線と、
複数の第４の配線と、
複数の第５の配線と、
前記第２の配線と、前記第３の配線との間に、並列に接続された複数のメモリセルと、
第１の回路と、
第２の回路と、
第３の回路と、
第４の回路と、を有し、
前記第１の回路は、複数の書き込み電位のいずれかを選択して前記第１の配線に出力することができる機能を有し、
前記第２の回路は、前記第２の配線の電位と複数の参照電位とを比較してデータを読み出すことができる機能を有し、
前記第３の回路は、前記複数のメモリセルのうちアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択することができる機能を有し、
前記第４の回路は、前記複数の書き込み電位および前記複数の参照電位を生成することができる機能を有し、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記複数の第４の配線の一と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記複数の第５の配線の一と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
容量素子を有し、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つ前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタよりも高速動作が可能であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜より誘電率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
前記第２のゲート絶縁膜は、ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
前記第２のゲート絶縁膜は、スパッタリング法によって形成されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】評価方法、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタのソース、ドレイン及びゲートを電気的に接続して、ＣＶ特性を取得し、
前記ＣＶ特性に基づき、ゲート電圧Ｖｇと（１／Ｃ）２との関係をプロットしたグラフを取得し、
前記グラフにおいて弱反転領域での（１／Ｃ）２の微分値を求め、前記微分値を下記数式（１２）に代入することによりキャリア密度Ｎｄの大きさを求め、
前記キャリア密度Ｎｄが１×１０１８ｃｍ−３以上の場合、前記トランジスタに加熱処理を加えることが好ましいと評価することを特徴とする評価方法。
【数１】
2011119712.tif 000001
（但し、数式（１２）中、ｅは電子電荷、ε０は真空の誘電率、εは前記酸化物半導体の比誘電率である。）
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは基板の上方に位置し、
前記加熱処理として、１５０℃以上前記基板の耐熱温度以下の温度の加熱処理を加えることが好ましいと評価することを特徴とする評価方法。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を用い、
前記第１のトランジスタは、第１の組成を有する第１の酸化物半導体と、第１のソースと、第１のドレインと、第１のゲートとを有し、
前記第２のトランジスタは、第２の組成を有する第２の酸化物半導体と、第２のソースと、第２のドレインと、第２のゲートとを有し、
前記第１のソース、前記第１のドレイン及び前記第１のゲートを電気的に接続して、第１のＣＶ特性を取得し、
前記第２のソース、前記第２のドレイン及び前記第２のゲートを電気的に接続して、第２のＣＶ特性を取得し、
前記第１のＣＶ特性と前記第２のＣＶ特性のグラフを比較して、前記第１の酸化物半導体と前記第２の酸化物半導体の組成のうち最適な組成を評価する評価方法。
【請求項４】
酸化物半導体を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタのソース、ドレイン及びゲートを電気的に接続して、ＣＶ特性を取得し、
前記ＣＶ特性に基づき、ゲート電圧Ｖｇと（１／Ｃ）２との関係をプロットしたグラフを取得し、
前記グラフにおいて弱反転領域での（１／Ｃ）２の微分値を求め、前記微分値を下記数式（１２）に代入することによりキャリア密度Ｎｄの大きさを求め、
前記キャリア密度Ｎｄが１×１０１８ｃｍ−３以上の場合、前記トランジスタに加熱処理を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【数２】
2011119712.tif 000002
（但し、数式（１２）中、ｅは電子電荷、ε０は真空の誘電率、εは前記酸化物半導体の比誘電率である。）
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
基板上に第１の導電層と、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に、表層部にナノ結晶を含む結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する第２の絶縁層と、
を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記基板上に前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に、表層部にナノ結晶を含む結晶領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、
前記第２の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、ゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、ゲート絶縁層として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の表面に対し垂直方向にｃ軸配向をした結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層の表面に対し垂直方向にｃ軸配向をした結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層と前記第２のソース電極層との間、及び前記第２の酸化物半導体層と前記第２のドレイン電極層との間に、それぞれ酸化物導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタを有する画素部と、前記第２のトランジスタを有する駆動回路部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型領域及びｐ型領域のそれぞれを半導体基板に有するダイオードと、
チャネル形成領域を酸化物半導体に有する第１のトランジスタと、
チャネル形成領域を前記半導体基板に有する第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ダイオードと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダイオード上方及び前記第２のトランジスタ上方の絶縁層を有し、
前記第１のトランジスタは、前記絶縁層上方にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、水素濃度が５×１０１９／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第１の領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第２の領域を有し、
前記第１の導電膜の第１の領域、又は前記第２の導電膜の第２の領域は、ゲート電極として機能することができ、
前記ゲート電極に負の電位が印加されたとき、空乏層は、前記第１の領域と重なる酸化物半導体、又は前記第２の領域と重なる酸化物半導体の全体にわたって広がることができることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第１の領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第２の領域を有し、
前記第１の導電膜の第１の領域、又は前記第２の導電膜の第２の領域は、ゲート電極として機能することができ、
前記ゲート電極に負の電位が印加されたとき、前記第１の領域と重なる酸化物半導体、又は前記第２の領域と重なる酸化物半導体に空乏層が形成され、
前記酸化物半導体の膜厚は、前記空乏層の幅よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第１の領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第２の領域を有し、
前記第１の導電膜の第１の領域、又は前記第２の導電膜の第２の領域は、ゲート電極として機能することができ、
前記ゲート電極に負の電位が印加されたとき、空乏層は、前記第１の領域と重なる酸化物半導体、又は前記第２の領域と重なる酸化物半導体の全体にわたって広がることができ、
前記酸化物半導体は、ナノ結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ナノ結晶領域は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第１の領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体と重なる第２の領域を有し、
前記第１の導電膜の第１の領域、又は前記第２の導電膜の第２の領域は、ゲート電極として機能することができ、
前記ゲート電極に負の電位が印加されたとき、空乏層は、前記第１の領域と重なる酸化物半導体、又は前記第２の領域と重なる酸化物半導体の全体にわたって広がることができ、
前記酸化物半導体は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記結晶領域は、前記酸化物半導体の膜表面に対して垂直方向にＣ軸配向している結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層に接して、端部を前記ゲート電極上に重畳するソース電極、及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極、及びドレイン電極間の前記酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁膜を形成する酸化物半導体素子の作製方法であって、
減圧状態に保持されたチャンバー内に前記基板を保持し、前記チャンバー内の残留水分を除去しつつ、水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、前記チャンバー内に設けられた金属酸化物を含むターゲットを１００℃以上６００℃以下に加熱しながら前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体層をスパッタリングにより形成することを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記スパッタリング中は、前記基板と前記ターゲットを相対的に搖動または回転させることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化物ターゲットは、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、４．５ｅＶ以下である金属酸化物を主成分として含むことを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記金属酸化物ターゲットは、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記光電変換素子の一方の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記光電変換素子の他方の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記光電変換素子に照射される光に応じた電荷を蓄積することができる機能を有し、
前記第１の配線は、前記第２のトランジスタのゲートの電位を初期化する電位を供給することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記光電変換素子の一方の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記光電変換素子の他方の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記光電変換素子に照射される光に応じた電荷を蓄積することができる機能を有し、
前記第１の配線は、前記第２のトランジスタのゲートの電位を初期化する電位を供給することができる機能を有し、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する領域と、前記第１のトランジスタの下地絶縁層としての機能を有する領域と、前記光電変換素子に照射される光に応じた電荷を蓄積する容量の一部としての機能を有する領域とは、同一工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のトランジスタは、シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタを介して前記光電変換素子の上方に、レンズを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記光電変換素子を介して前記第１のトランジスタの下方に、レンズを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極層と、
前記ソース電極層及びドレイン電極層上の、欠陥を含む絶縁層と、を有し、
前記欠陥を含む絶縁層と、前記酸化物半導体層との間には、酸素の未結合手を含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極層と、
前記ソース電極層及びドレイン電極層上の、欠陥を含む絶縁層と、を有し、
前記欠陥を含む絶縁層と、前記酸化物半導体層との間には、酸化物絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上の、ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極層と、
前記ソース電極層及びドレイン電極層上の、酸素とシリコンとを含む絶縁層と、を有し、
前記酸素とシリコンとを含む絶縁層と、前記酸化物半導体層との間には、第１の領域を有し、
前記第１の領域は、酸素と、シリコンと、前記酸化物半導体層に含まれる一以上の金属元素とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の音声信号を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された複数の音声信号のレベルを調整値に基づいて調整する調整手段と、
前記複数の音声信号が同じ極性である期間を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された期間における、前記調整手段から出力された複数の音声信号それぞれのピーク値を検出するピーク検出手段と、
前記ピーク検出手段の検出結果に基づいて、前記調整手段から出力された複数の音声信号のピーク値が相互に近づくように、前記調整手段における調整値を制御する制御手段とを有することを特徴とする音声信号処理装置。
【請求項２】
前記調整手段から出力された複数の音声信号の特定の周波数の信号を抽出する抽出手段を有し、
前記検出手段は、前記抽出された複数の音声信号の特定の周波数の信号の極性が同じである期間を検出し、
前記ピーク検出手段は、前記検出手段により検出された期間における、前記抽出された複数の音声信号の特定の周波数の信号のそれぞれのピーク値を検出することを特徴とする請求項１記載の音声信号処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記増幅率を更新する頻度を変更することを特徴とする請求項１または２記載の音声信号処理装置。
【請求項４】
前記ピーク検出手段により検出された、前記音声信号それぞれのピーク値が所定期間内に有るか否かを検出する位相検出手段を有し、
前記制御手段は、前記音声信号それぞれのピーク値が所定期間内に有ると検出された場合より、所定期間内に無いと検出された場合の方が前記増幅率の更新する頻度を高くすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の音声信号処理装置。
【請求項５】
前記入力された音声信号の振幅がゼロクロスするタイミングを検出するゼロクロス検出手段を有し、
前記制御手段は、前記音声信号の振幅がゼロになったタイミングで前記増幅部における増幅率を変更することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の音声信号処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記増幅率を更新する頻度を経過時間に応じて変更することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の音声信号処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記音声信号処理装置のモードが変更されたことに応じて、前記増幅率を更新する頻度を変更することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の音声信号処理装置。
【請求項８】
複数の音声信号のレベルを調整値に基づいて調整する調整工程と、
前記複数の音声信号が同じ極性である期間を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された期間における、前記調整工程で調整された複数の音声信号それぞれのピーク値を検出するピーク検出工程と、
前記ピーク検出工程の検出結果に基づいて、前記調整工程で調整された複数の音声信号のピーク値が相互に近づくように、前記調整工程における調整値を制御する制御工程とを有することを特徴とする音声信号処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の音声処理装置は、かかる目的を達成するために、複数の音声信号を入力する入力手段と、前記入力手段により入力された複数の音声信号のレベルを調整値に基づいて調整する調整手段と、前記複数の音声信号が同じ極性である期間を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された期間における、前記調整手段から出力された複数の音声信号それぞれのピーク値を検出するピーク検出手段と、前記ピーク検出手段の検出結果に基づいて、前記調整手段から出力された複数の音声信号のピーク値が相互に近づくように、前記調整手段における調整値を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局と１つ以上の移動局とを有する無線通信システムであって、
前記基地局は、
システム固有のサービスを行うために使用される第１のデータを取得するために用いられる第２のデータを、前記移動局に対して周期的に送信し、前記移動局から前記第２のデータに基づく前記第１のデータを要求する信号を受信すると、前記移動局に対して、前記第１のデータを送信するとともに、
前記移動局は、
前記基地局から前記第２のデータを受信すると、受信した前記第２のデータに基づいて前記第１のデータを要求する信号を送信し、前記基地局から前記第１のデータを受信することを特徴とする、無線通信システム。
【請求項２】
前記基地局は、前記第２のデータとして前記第１のデータを格納するシステム固有情報格納装置の装置番号を送信することを特徴とする、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記基地局は、前記第２のデータを制御用チャネルである共通アクセスチャネルの報知チャネルで送信することを特徴とする、請求項１または請求項２記載の無線通信システム。
【請求項４】
前記移動局は、前記基地局に対する位置登録要求後に受信した前記第２のデータに基づいて、前記第１のデータを要求する信号を送信することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の無線通信システム。
【請求項５】
前記移動局は、前記第１のデータとしてのシステム固有情報を用いて前記サービスとして緊急発信要求を行うことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿が置かれる複数の給紙部と、
前記複数の給紙部の少なくとも一つから給紙される原稿の画像を読み取る読取ユニットと、
前記読取ユニットで読み取られた原稿が排紙される１つの排紙部と、
前記複数の給紙部から給紙された各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われたこと、又は、前記複数の給紙部から給紙される各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われることを通知する通知手段とを有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
ユーザへの通知を表示する表示手段を更に備え、
前記通知手段は、前記複数の給紙部から原稿が給紙されて１つの前記排紙部へ排紙された旨を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記複数の給紙部からすべての原稿が給紙されて１つの前記排紙部へ排紙された際に、前記排紙部からの原稿の除去を促す旨の通知を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
ユーザへの通知を表示する表示手段を更に備え、
前記通知手段は、前記複数の給紙部のうち１つの給紙部から給紙された原稿が１つの前記排紙部へ排紙済みである旨、および、前記複数の給紙部のうち他の給紙部から原稿の排紙が行われる旨を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項５】
ユーザへの通知を表示する表示手段を更に備え、
前記通知手段は、前記複数の給紙部から給紙される原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われる旨を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記複数の給紙部の少なくとも１つは、給紙可能な原稿のサイズの上限が他の前記複数の給紙部のうちの他の給紙部と異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記複数の給紙部に置かれた原稿のサイズを検知する原稿サイズ検知手段を設け、
前記通知手段は、前記複数の給紙部のうち、１つの給紙部に置かれた原稿について前記原稿サイズ検知手段により検知されたサイズと他の給紙部において検知された原稿のサイズとが異なる旨のユーザへの通知を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
原稿が置かれる複数の給紙部と、
前記複数の給紙部の少なくとも一つから給紙される原稿に画像形成する画像形成ユニットと、
前記画像形成ユニットで画像が形成された原稿が排紙される１つの排紙部と、
前記複数の給紙部から給紙された各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われたこと、又は、前記複数の給紙部から給紙される各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われることを通知する通知手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像読取装置は、
原稿が置かれる複数の給紙部と、
前記複数の給紙部の少なくとも一つから給紙される原稿の画像を読み取る読取ユニットと、
前記読取ユニットで読み取られた原稿が排紙される１つの排紙部と、
前記複数の給紙部から給紙された各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われたこと、又は、前記複数の給紙部から給紙される各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われることを通知する通知手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、
原稿が置かれる複数の給紙部と、
前記複数の給紙部の少なくとも一つから給紙される原稿に画像形成する画像形成ユニットと、
前記画像形成ユニットで画像が形成された原稿が排紙される１つの排紙部と、
前記複数の給紙部から給紙された各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われたこと、又は、前記複数の給紙部から給紙される各原稿の排紙が１つの前記排紙部に行われることを通知する通知手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄道車両のドアの上方に備え付けられ、画像を取得する撮像部と、少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信する受信部と、を有する撮像装置と、
上記撮像装置によって取得される画像を表示するモニタと、
ドア開閉情報を含む運行情報を受信する運行情報受信部と、を備え、
撮像装置は、駅到着時に上記運行情報に含まれるドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回し、
対向する２つのドアに対応する上記撮像装置で取得した画像を、対応付けてモニタに表示することを特徴とする車両内監視システム。
【請求項２】
鉄道車両のドアの上方に備え付けられ、画像を取得する撮像部と、少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信する受信部と、を有する撮像装置と、
上記撮像装置によって取得される画像を表示するモニタと、
ドア開閉情報を含む運行情報を受信する運行情報受信部と、を備える車両内監視システムにおいて、
撮像装置は、駅到着時に上記運行情報に含まれるドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回し、
対向する２つのドアに対応する上記撮像装置で取得した画像を、対応付けてモニタに表示することを特徴とする車両内監視方法。
【請求項３】
画像を取得する撮像部と、
少なくともチルト旋回可能な駆動部と、
ドア開閉情報を受信するドア開閉情報受信部と、を備え、
上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、
上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
画像を取得する撮像部と、
少なくともチルト旋回可能な駆動部と、
ドア開閉情報を受信するドア開閉情報受信部と、を備える撮像装置において、
上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、
上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回することを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両内監視システム、車両内監視方法、撮像装置、および、撮像方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明の車両内監視システムは、鉄道車両のドアの上方に備え付けられ、画像を取得する撮像部と、少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信する受信部と、を有する撮像装置と、上記撮像装置によって取得される画像を表示するモニタと、  ドア開閉情報を含む運行情報を受信する運行情報受信部と、を備え、撮像装置は、駅到着時に上記運行情報に含まれるドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回し、対向する２つのドアに対応する上記撮像装置で取得した画像を、対応付けてモニタに表示することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するために、本発明の車両内監視方法は、鉄道車両のドアの上方に備え付けられ、画像を取得する撮像部と、少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信する受信部と、を有する撮像装置と、上記撮像装置によって取得される画像を表示するモニタと、ドア開閉情報を含む運行情報を受信する運行情報受信部と、を備える車両内監視システムにおいて、撮像装置は、駅到着時に上記運行情報に含まれるドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回し、対向する２つのドアに対応する上記撮像装置で取得した画像を、対応付けてモニタに表示することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するために、本発明の撮像装置は、画像を取得する撮像部と、
少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信するドア開閉情報受信部と、を備え、上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するために、本発明の撮像方法は、画像を取得する撮像部と、少なくともチルト旋回可能な駆動部と、ドア開閉情報を受信するドア開閉情報受信部と、を備える撮像装置において、上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開く場合には、上記駆動部により下方向へ旋回し、上記ドア開閉情報受信部で受信したドア開閉情報に従って、対応するドアが開かない場合には、上記駆動部は駆動しない、または対面するドアの方向を向くように旋回することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
続いてステップＳ２０５で、システム制御部６０は、ダイナミックレンジ拡大量（以下Ｄ＋量）を求め、算出したＤ＋量をシステム制御部６０の内部メモリに記憶する。適正露出のままＤ＋量を算出することで露出制御に要するタイムラグ無しで処理を進めることが可能である。Ｄ＋量の決定方法としては例えば、画像データのある所定領域の輝度が目標値に比べて何段明るいかを計算すればよい。すなわち領域の輝度をＹ、目標値をＹｒｅｆとしたとき、
Ｄ＋＝ｌｏｇ２（Ｙ／Ｙｒｅｆ）
とする。上述した式が示すように、Ｄ＋量とは画像データのある所定領域の輝度を目標値とするために必要とする露出低下量に相当する。また、上述した所定領域は、例えば、画像認識回路３８の顔検出の結果に基づいた被写体の顔領域や、輝度が所定値以上である白とび領域に設定する。また、別途ヒストグラムを用いるなどしてＤ＋量を決定してもよい。また、適正露出（第１の露出条件）で撮像した画像データを用いてＤ＋量を演算したが、ステップＳ２０３のシーン判別処理と同様の画像データを用いるのであれば、適正露出で撮像した画像データでなくてもよい。ダイナミックレンジ拡大処理については撮影処理を行うステップＳ２１４の説明に併せて後述する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機能を実行可能な画像形成装置であって、
当該画像形成装置で機能を実行する際に、実行しようとする機能の操作が他の装置で可能であるかを判断する判断手段と、
前記判断手段で他の装置で操作が可能であると判断されたことに応じて、当該画像形成装置の操作部において、ユーザが他の装置から操作することを指示するための表示を有効化する表示制御手段と、
前記表示制御手段により有効化された表示に基づくユーザからの指示に応じて、前記他の装置に対して前記画像形成装置を操作するための情報を送信する送信手段と、
前記送信手段により送信した情報に基づく前記他の装置からの操作を受け付け、機能の実行を行う機能実行手段とを有し、
前記表示制御手段により有効化された表示に基づくユーザからの指示に応じて、前記表示制御手段は、前記画像形成装置の操作部において、新たに機能の実行のための操作が行えるようにデフォルトの画面の表示制御を行い、
前記機能実行手段は、前記他の装置からの操作を受け付け実行中の機能とは異なる機能の操作を前記画像形成装置の操作部から受け付け、当該異なる機能を実行することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記送信手段は、前記他の装置に前記操作するための情報として前記画像形成装置のＵＲＩを送信することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記他の装置から、機能の実行のための操作を前記画像形成装置に戻す指示を受信する受信手段と、
前記受信手段による前記指示の受信の際に、当該画像形成装置において別の操作が行われていない場合に、前記他の装置から操作されていた機能の実行を行う手段と、を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記複数の機能とそれら機能の実行順が定義されたワークフローを処理する処理手段を更に有し、
前記判断手段は、前記ワークフローに含まれる各機能ごとに前記他の装置で操作が可能か判断し、
前記表示制御手段は、前記判断手段で前記ワークフローに含まれる機能が他の装置で操作が可能であると判断されたことに応じて、前記ワークフローにおける当該機能の操作が行われるタイミングに、当該画像形成装置の操作部において、ユーザが他の装置から操作することを指示するための表示を有効化することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
１つまたは複数の前記ワークフローにおいて、各機能の実行順序を変更する変更手段を更に有することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記他の装置は、前記表示制御手段により有効化された表示に基づく指示を行ったユーザのＰＣであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記他の装置は、他の画像形成装置であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
複数の機能を実行可能な画像形成装置の制御方法であって、
当該画像形成装置で機能を実行する際に、実行しようとする機能の操作が他の装置で可能であるかを判断する判断工程と、
前記判断工程で他の装置で操作が可能であると判断されたことに応じて、当該画像形成装置の操作部において、ユーザが他の装置から操作することを指示するための表示を有効化する表示制御工程と、
前記表示制御工程で有効化された表示に基づくユーザからの指示に応じて、前記他の装置に対して前記画像形成装置を操作するための情報を送信する送信工程と、
前記送信工程で送信した情報に基づく前記他の装置からの操作を受け付け、機能の実行を行う機能実行工程とを有し、
前記表示制御工程で有効化された表示に基づくユーザからの指示に応じて、前記表示制御工程では、前記画像形成装置の操作部において、新たに機能の実行のための操作が行えるようにデフォルトの画面が表示され、
前記機能実行工程では、前記他の装置からの操作を受け付け実行中の機能とは異なる機能の操作を前記画像形成装置の操作部から受け付け、当該異なる機能が実行されることを特徴とする制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。