Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半固体配合物状態で加水分解産物を含む低アレルギー性のネコ用フード組成物であって、乾物ベースで約２５重量％〜約８５重量％の量で前記加水分解産物を含み、該組成物は栄養的に完全なネコ用フード組成物であり、該加水分解産物は複数のポリペプチド及び遊離アミノ酸を含み、該ポリペプチド及び遊離アミノ酸の約６０％〜約９５％は、平均分子量約６，０００ドルトン未満を有し、該組成物中で該加水分解産物がタンパク質栄養の少なくとも約９５％を提供する、前記組成物。
【請求項２】
前記加水分解産物は、凍結されたか、真空乾燥されたか、噴霧乾燥されたか、ドラム乾燥されたか、または凍結乾燥された、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記加水分解産物は凍結された、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物は、重量で少なくとも約１５％の水をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物は、重量で少なくとも約５０％の水をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物は、重量で８５％以下の水を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物は、おいしさ試験において比較体食に対して試験された場合、摂取比少なくとも約０．２０を生じる、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物は、消費試験において消費される組成物の平均消費量を決定し、その消費試験において消費される平均量が少なくとも栄養的に十分な量で栄養素を提供するときに、感覚器官的に許容可能であると見なされる、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記加水分解産物は複数のポリペプチド及び遊離アミノ酸を含み、該ポリペプチド及び遊離アミノ酸の約８０％〜約９５％は、平均分子量約６，０００ドルトン未満を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記加水分解産物は複数のポリペプチド及び遊離アミノ酸を含み、該ポリペプチド及び遊離アミノ酸の少なくとも約９０％は、平均分子量約３，０００ドルトン未満を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記加水分解産物は動物性タンパク質加水分解産物を含み、動物性タンパク質の源は、哺乳類のタンパク質、鳥類のタンパク質、は虫類のタンパク質、両生類のタンパク質、魚のタンパク質無脊椎動物のタンパク質及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記加水分解産物は植物性タンパク質加水分解産物を含み、植物性タンパク質の源は、豆類、藻、穀物、酵母及びこれらの組合せからなる群から選択される植物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記加水分解産物は、鶏、家禽、酵母、及び大豆からなる群から選択される源からの加水分解済みタンパク質を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
ａ）加水分解産物及びｂ）重量で少なくとも約１５％の水を含む半固体混合物を形成することを含む、低アレルギー性のネコ用フード組成物の製造方法であって、前記低アレルギー性のネコ用フード組成物は、乾物ベースで約２５重量％〜最高約８５重量％までの量で前記加水分解産物を含み、該組成物は栄養的に完全なネコ用フード組成物であり、該加水分解産物は複数のポリペプチド及び遊離アミノ酸を含み、該ポリペプチド及び遊離アミノ酸の約６０％〜約９５％は、平均分子量約６，０００ドルトン未満を有し、該組成物中で該加水分解産物がタンパク質栄養の少なくとも約９５％を提供する、前記方法。
【請求項１５】
前記混合物を形成する前に、前記方法は、前記加水分解産物を凍結すること、前記加水分解産物を真空乾燥すること、前記加水分解産物を噴霧乾燥すること、前記加水分解産物をドラム乾燥すること、または前記加水分解産物を凍結乾燥することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法は、前記加水分解産物を凍結することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記方法は、凍結加水分解産物を粉砕することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法によって製造された低アレルギー性のネコ用フード組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号を処理するオーディオコンソール（１００）であって、該オーディオコンソール（１００）は、
オーディオ信号を受信する少なくとも１つの入力部（１２０）と、
該少なくとも１つの入力部から受信された該オーディオ信号を所定のゲインで増幅する調節可能な入力増幅器（１３０）と、
該調節可能な入力増幅器（１３０）の後に提供された、ダイレクトアウト出力信号を出力するためのダイレクトアウト出力部（１６０）と、
該ダイレクトアウト出力部（１６０）の前かつ該調節可能な入力増幅器（１３０）の後に提供された、該ダイレクトアウト出力信号のゲインを調節するためのダイレクトアウト出力増幅器（１７０）であって、該ダイレクトアウト出力増幅器（１７０）は、該調節可能な入力増幅器（１３０）をユーザが調節すると、該所定のゲインが該少なくとも１つの入力部（１２０）と該ダイレクトアウト出力部（１６０）との間で維持されるように、該入力増幅器（１３０）の調節に対して逆に該ダイレクトアウト出力信号のゲインを調節するように構成されている、ダイレクトアウト出力増幅器（１７０）と
を備え、
該オーディオ信号は、マイクロフォンオーディオ信号である、オーディオコンソール（１００）。
【請求項２】
前記調節可能な入力増幅器が、前記ユーザによって調節されない場合、前記ダイレクトアウト増幅器（１７０）は、そのゲインが１に設定されるように構成されている、請求項１に記載のオーディオコンソール。
【請求項３】
前記ダイレクトアウト出力部（１６０）は、前記調節可能な入力増幅器（１３０）の後、前記オーディオコンソール（１００）への信号チェーンにおいて最も前の地点にある、請求項１または請求項２に記載のオーディオコンソール。
【請求項４】
前記オーディオコンソールは、デジタルオーディオミキシングコンソールである、請求項１〜請求項３のうちのいずれか一項に記載のオーディオコンソール。
【請求項５】
オーディオ信号を処理し、マスターコンソール（１００）とスレーブコンソール（２００）とを備えているコンソールシステムであって、該マスターコンソールは、請求項１〜請求項４のうちのいずれか一項に記載のコンソールであり、該スレーブコンソールは、該マスターコンソールのダイレクトアウト出力部（１６０）に接続されたデジタルソース入力部（２１０）を備えている、コンソールシステム。
【請求項６】
前記スレーブコンソール（２００）は、前記マスターのさらなる入力部（１８５）に接続された出力部（２８０）をさらに備え、該マスターは、さらなる出力部（１９５）と、該さらなる入力部から該さらなる出力部への送信経路とを備え、該送信経路において、前記オーディオ信号は、さらなる処理なく通される、請求項５に記載のコンソールシステム。
【請求項７】
前記コンソールシステムは、前記マスターの前記ダイレクトアウト出力部（１６０）に接続されたハブ（４００）をさらに備え、複数のスレーブコンソールが該ハブ（４００）に接続されている、請求項５または請求項６に記載のコンソールシステム。
【請求項８】
オーディオコンソールにおいてオーディオ信号を処理する方法であって、該オーディオコンソールは、該オーディオ信号を受信する少なくとも１つの入力部と、ユーザ調節可能な入力増幅器であって、ユーザによる調節がなされていないとき、該少なくとも１つの入力部から受信された該オーディオ信号を所定のゲインで増幅する、ユーザ調節可能な入力増幅器と、該調節可能な入力増幅器の後に提供された、ダイレクトアウト出力信号を出力するためのダイレクトアウト出力部と、該ダイレクトアウト出力部の前かつ該調節可能な入力増幅器の後に提供された、該ダイレクトアウト出力信号のゲインを調節するためのダイレクトアウト出力増幅器とを備え、該方法は、
該調節可能な入力増幅器のゲインのユーザによる調節をモニタするステップであって、該入力増幅器のゲインのユーザによる調節が検出された場合、該ダイレクトアウト出力信号のゲインは、該所定のゲインが、該少なくとも１つの入力部と該ダイレクトアウト出力部との間で維持されるように自動的に逆に調節される、ステップを包含し、
該オーディオ信号は、マイクロフォンオーディオ信号である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号プロセッサであって、
アナログ入力信号をデジタル出力信号に変換する信号処理経路であって、該信号処理経路がマルチビットソフト値を生成し、各マルチビットソフト値が符号ビット及びマルチビット信頼度値を有する、信号処理経路、及び
該ソフト値の該マルチビット信頼度値の１以上のビット及び該符号ビットを用いて、該アナログ入力信号をサンプリングするための該信号処理経路によって使用されるサンプリングクロック信号を生成するタイミング回復ループ
を備え、
前記タイミング回復ループが、前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットに基づいて推定タイミングエラー信号を生成する位相検出器を備え、該推定タイミングエラー信号が、局部発振器（ＬＯ）クロック信号を調整するのに使用されて前記サンプリングクロック信号を生成し、
前記位相検出器が、
前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットに基づいて平均値を生成するモジュール、
該平均値をフィルタリングしてフィルタ済み値を生成するフィルタ、
該信号処理経路からの等価値を遅延させて遅延等価値を生成する第１の遅延モジュール、
該フィルタ済み値を遅延させて遅延フィルタ済み値を生成する第２の遅延モジュール、
該遅延等価値と該フィルタ済み値を乗算して第１の積を生成する第１のマルチプライヤ、
該等価値と該遅延フィルタ済み値を乗算して第２の積を生成する第２のマルチプライヤ、及び
該第１の積と該第２の積の差に基づいて前記推定タイミングエラー信号を生成する差分ノード
を備えた信号プロセッサ。
【請求項２】
請求項１の信号プロセッサにおいて、前記信号処理経路が、
前記サンプリングクロック信号に基づいて前記アナログ入力信号をサンプリングしてデジタル入力信号を生成するアナログ−デジタルコンバータ（ＡＤＣ）、
該デジタル入力信号を等価して等価信号を生成する等価器、
該等価信号から前記ソフト値を生成するソフト検出器、及び
該ソフト値を復号して前記デジタル出力信号を生成する復号器
を備えた信号プロセッサ。
【請求項３】
請求項１の信号プロセッサにおいて、前記タイミング回復ループがさらに、
前記推定タイミングエラー信号をフィルタリングして平均エラー信号を生成するループフィルタ、及び
該平均エラー信号に基づいて前記ＬＯクロック信号の位相を調整して前記サンプリングクロック信号を生成する補間器
を備えた信号プロセッサ。
【請求項４】
請求項１の信号プロセッサにおいて、前記平均値を生成するモジュールが、前記ソフト値を対応の平均値に変換するルックアップテーブルを実行する。
【請求項５】
請求項４の信号プロセッサにおいて、各ソフト値が、
前記対応の平均値の符号が前記ソフト値の前記符号ビットに基づき、
該対応の平均値の大きさが前記マルチビット信頼度値の１以上のビットの大きさに基づく、信号プロセッサ。
【請求項６】
請求項５の信号プロセッサにおいて、前記マルチビット信頼度値が４ビットを含む信号プロセッサ。
【請求項７】
信号処理のための信号プロセッサ実装方法であって、
（ａ）前記信号プロセッサがアナログ入力信号をマルチビットソフト値に変換するステップであって、各マルチビットソフト値が符号ビット及びマルチビット信頼度値を有するものである、ステップ、及び
（ｂ）該アナログ入力信号をサンプリングするのに使用されるサンプリングクロック信号を生成するために前記信号プロセッサが該ソフト値のマルチビット信頼度値の１以上のビット及び該符号ビットを使用するステップ
を備え、
該ソフト値のマルチビット信頼度値の１以上のビット及び該符号ビットを使用する前記ステップであって、局部発振器（ＬＯ）クロック信号を調整し前記サンプリングクロック信号を生成するように、前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットから推定タイミングエラー信号を生成することを含む、ステップ、及び
前記推定タイミングエラー信号を生成するステップであって、
前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットに基づいて平均値を生成するステップ、
フィルタ済み値を生成するように該平均値をフィルタリングするステップ、
アナログ入力信号から遅延等価値を生成するステップ、
遅延等価値を生成するように信号処理経路からの等価値を遅延させるステップ、
遅延フィルタ済み値を生成するようにフィルタ済み値を遅延させるステップ、
第１の積を生成するように該遅延等価値と該フィルタ済み値を乗算するステップ、
第２の積を生成するように該等価値と該遅延フィルタ済み値を乗算するステップ、及び
該第１の積と該第２の積の差に基づいて前記推定タイミングエラー信号を生成するステップ
を備えた推定タイミングエラー信号を生成するステップ
を備えた信号プロセッサ実装方法。
【請求項８】
請求項７の信号プロセッサ実装方法において、
デジタル入力信号を生成するように前記サンプリングクロック信号に基づいて前記アナログ入力信号をサンプリングするステップ、
等価信号を生成するように該デジタル入力信号を等価するステップ、
該等価信号から前記ソフト値を生成するステップ、及び
前記デジタル出力信号を生成するように該ソフト値を復号するステップ
をさらに備えた信号プロセッサ実装方法。
【請求項９】
請求項７の信号プロセッサ実装方法において、
平均エラー信号を生成するように前記推定タイミングエラー信号をフィルタリングするステップ、及び
前記サンプリングクロック信号を生成するように該平均エラー信号に基づいて前記ＬＯクロック信号の位相を調整するステップ、
をさらに備えた信号プロセッサ実装方法。
【請求項１０】
信号処理のための装置であって、
（ａ）アナログ入力信号をマルチビットソフト値に変換する手段であって、各マルチビットソフト値が符号ビット及びマルチビット信頼度値を有するものである、手段、及び
（ｂ）該ソフト値のマルチビット信頼度値の１以上のビット及び該符号ビットを使用して、該アナログ入力信号をサンプリングするのに使用されるサンプリングクロック信号を生成する手段
を備え、手段（ｂ）はさらに、
前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットに基づいて推定タイミングエラー信号を生成する手段を備え、該推定タイミングエラー信号は、局部発振器（ＬＯ）クロック信号を調整するのに使用されて前記サンプリングクロック信号を生成し、
前記生成する手段が、
前記ソフト値の前記マルチビット信頼度値の１以上のビット及び前記符号ビットに基づいて平均値を生成する手段、
フィルタ済み値を生成するように該平均値をフィルタリングする手段、
遅延等価値を生成するように信号処理経路からの等価値を遅延させる手段、
遅延フィルタ済み値を生成するようにフィルタ済み値を遅延させる手段、
第１の積を生成するように該遅延等価値と該フィルタ済み値を乗算する手段、
第２の積を生成するように該等価値と該遅延フィルタ済み値を乗算する手段、及び
該第１の積と該第２の積の差に基づいて前記推定タイミングエラー信号を生成する手段
を備えた推定タイミングエラー信号を生成するステップ
を備えた装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レドックスキャパシタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を含む非晶質半導体で形成された電解質を有することを特徴とするレドックスキャパシタ。
【請求項２】
請求項１において、前記水素を含む非晶質半導体は、非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマニウム、または非晶質ゲルマニウムであることを特徴とするレドックスキャパシタ。
【請求項３】
請求項１において、前記水素を含む非晶質半導体は、水素を含む酸化物半導体であることを特徴とするレドックスキャパシタ。
【請求項４】
請求項３において、前記水素を含む酸化物半導体は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ニッケル、酸化バナジウム、または酸化インジウムであることを特徴とするレドックスキャパシタ。
【請求項５】
請求項３において、前記水素を含む非晶質半導体は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−酸化物半導体（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素）であることを特徴とするレドックスキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
１ａ）前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
１ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、及び、
１ｃ）露出した前記シリコン表面を酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
２ａ）前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
２ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、
２ｃ）露出した前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
２ｄ）前記二酸化珪素膜の少なくとも一部分をウエットエッチングにより除去する工程、及び、
２ｅ）前記二酸化珪素膜が除去されて露出した部分のシリコン表面を酸化処理して前記二酸化珪素膜よりも厚みの薄い二酸化珪素膜を形成する工程、
を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
シリコン基板に所定間隔で形成されたトレンチと、前記トレンチ内に埋め込まれた素子分離用酸化膜と、前記素子分離用酸化膜の間に露出したシリコン表面と、を有する被処理体に対し、以下の工程；
３ａ）前記シリコン表面を酸化処理して犠牲酸化膜を形成する工程、
３ｂ）前記犠牲酸化膜をウエットエッチングにより剥離してシリコン表面を再び露出させる工程、
３ｃ）露出した前記シリコン表面をプラズマ酸化処理して二酸化珪素膜を形成する工程、
３ｄ）前記二酸化珪素膜の少なくとも一部分をウエットエッチングにより除去する工程、及び、
３ｅ）前記二酸化珪素膜が除去されて露出した部分のシリコン表面を酸化処理して前記二酸化珪素膜よりも厚みの薄い二酸化珪素膜を形成する工程、
を行うとともに、前記プラズマ酸化処理を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行い、前記シリコン表面の酸化処理と同時に前記素子分離用酸化膜を改質する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
工程２ｃと工程２ｄを繰り返し行う請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
工程３ｃと工程３ｄを繰り返し行う請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化処理を、前記プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマのＯ（１Ｄ２）ラジカルの密度が１×１０１２［ｃｍ−３］以上である請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記処理容器内の圧力が、１．３３〜３３３Ｐａの範囲内である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記処理ガス中の酸素の割合が０．２〜１％の範囲内である、請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記処理ガスは、水素を１％以下の割合で含む請求項７から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波と、によって形成されるマイクロ波励起プラズマである請求項７から１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記プラズマを励起させるためのマイクロ波のパワー密度が、マイクロ波透過板の面積１ｃｍ２あたり１Ｗ以上である請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記プラズマ酸化処理の間、被処理体を載置する載置台に、高周波電力を供給する請求項７から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記二酸化珪素膜が、トランジスタのゲート酸化膜である請求項１から１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極集電体と、正極活物質とを有する正極と、
負極活物質と、負極集電体とを有する負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられた１−ピペリジン−１−プロパンスルホン酸を含む電解質と、を有することを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項２】
正極集電体と、正極活物質とを有する正極と、
負極活物質と、負極集電体とを有する負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられた１−ピペリジン−１−ブタンスルホン酸を含む電解質と、を有することを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれか一において、
前記電解質は、水を含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記正極、前記負極、及び前記電解質は、絶縁性基板上又は半導体基板上に設けられていることを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記正極集電体は、白金、アルミニウム、銅、又は炭素を含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記負極集電体は、白金、アルミニウム、銅、又は炭素を含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記正極活物質は、ＲｕＯ２、ＭｎＯ２、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ２、ＣｏＯｘ、ＮｉＯ、Ｒｕ０．５Ｚｒ０．５Ｏ２、ＳｒＲｕＯ３、Ｌａ０．２Ｓｒ０．８ＲｕＯ３、Ｌａ０．２Ｓｒ０．８Ｍｎ０．２Ｒｕ０．８Ｏ３、Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５、Ｗ−Ｔｉ−Ｖ−Ｏを含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記負極活物質は、ＲｕＯ２、ＭｎＯ２、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ２、ＣｏＯｘ、ＮｉＯ、Ｒｕ０．５Ｚｒ０．５Ｏ２、ＳｒＲｕＯ３、Ｌａ０．２Ｓｒ０．８ＲｕＯ３、Ｌａ０．２Ｓｒ０．８Ｍｎ０．２Ｒｕ０．８Ｏ３、Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６．５、Ｗ−Ｔｉ−Ｖ−Ｏを含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にチャネル保護膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記チャネル保護膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記加熱処理は３５０℃以上６５０℃以下で行う半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記電極は、チタン、白金、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、パラジウム、マグネシウム、ニオブまたは希土類の金属のうち、いずれか一つまたは複数を含む混合物、金属化合物または合金を有する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行う半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ素子と、抵抗素子と、を有し、
前記メモリ素子は、第１の導電層と、前記第１の導電層上のメモリ層と、前記メモリ層上の第２の導電層と、を有し、
前記抵抗素子は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の抵抗層と、前記抵抗層上の第４の導電層と、を有し、
前記抵抗層は、前記メモリ層と同一工程で設けられ、
前記メモリ素子に印加される電圧の最大値が、前記抵抗素子に印加される電圧の最大値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の導電層は、前記第４の導電層と同一工程で設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記メモリ層及び前記抵抗層は、アモルファスシリコン層と絶縁層の積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第３の導電層は、シリコン電極層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層と前記メモリ層との接触面積は、前記第３の導電層又は前記第４の導電層と前記抵抗層との接触面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基板と、
第一方向に伸びた細長半導体チャネルと、
チャネルへの接点の組を提供する少なくとも２つの導電性リードを含む磁気抵抗デバイスであって、
該チャネルと接点の組とは、第一方向と基板表面とに垂直な第二方向で基板に対して積重ねられ、デバイスは、チャネルに沿って側面を有し、側面に対し略垂直な方向の磁場に対して反応することを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の磁気抵抗デバイスにおいて、さらに、チャネルと接触した半導体シャントを含み、シャント、チャネル及び接点の組は、第二方向に基板に対して積重ねられていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の磁気抵抗デバイスにおいて、チャネルは、不純物添加がなされていないか、あるいは、チャネルは、シャントより軽く不純物添加がなされていて、シャントとは反対の導電型を有することを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項４】
請求項２又は３記載の磁気抵抗デバイスにおいて、シャントは単結晶であることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項５】
請求項２乃至４記載のいずれかの磁気抵抗デバイスにおいて、シャントはケイ素を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項６】
請求項２乃至５記載のいずれかの磁気抵抗デバイスにおいて、さらに、オプションのシャントに接した導電性層を含み、オプションのシャントは、層とチャネルとの間に置かれていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項７】
請求項６記載の磁気抵抗デバイスにおいて、電導性層はケイ素を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項８】
請求項６又は７記載の磁気抵抗デバイスにおいて、導電性層は基板の最上位層を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項９】
請求項６又は７記載の磁気抵抗デバイスにおいて、導電性層はケイ化金属（metal silicide）を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１０】
前掲のいずれかの１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、チャネルは、第二半導体層と、第三半導体層の一部とを含み、第二半導体層は、オプションのシャントと第三半導体層との間に置かれることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の磁気抵抗デバイスにおいて、第二半導体層と第三半導体層の部分とは単結晶であり、及び／又は、第三半導体層の他の部分は非結晶性であることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１２】
前掲のいずれかの１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、チャネルは、ケイ素又はケイ素ゲルマニウム（silicon-germanium）を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１３】
前掲のいずれかの１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、さらに、誘電体層を含み、誘電体層はトレンチ（溝）を含み、オプションのシャント及び少なくともチャネルの一部は、該トレンチ（溝）の中に形成されていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１４】
前掲のいずれか１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、少なくとも２つのリードは、ケイ素及び／又はケイ化金属を含むことを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１５】
前掲のいずれか１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、さらに、追加のリードを含み、該リードは、チャネルへのさらに別の接点を与え、該チャネルは、前記さらに別の接点と、一組の接点との間に置かれていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１６】
前掲のいずれか１つの請求項に記載の磁気抵抗デバイスにおいて、さらに、第一及び第二磁気遮蔽層を含み、オプションのシャント、チャネル及び一組の接点は、第一及び第二磁気遮蔽層の間に置かれていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
【請求項１７】
表面を有する基板を与えるステップと、
細長半導体チャネルを形成するステップであって、チャネルが第一方向に伸びていることを特徴とするステップと、
チャネルへの一組の接点を提供する少なくとも２つのリードを形成するステップから成る磁気抵抗デバイスの製造方法において、
第一方向と基板の表面とに対して垂直な第二方向に、チャネルと接点の組とが積重ねられており、
さらに、該方法は、チャネルに沿った面を形成するステップを含み、デバイスは、面に対して略垂直な磁場に反応することを特徴とする磁気抵抗デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、半導体基板の上部にＧａＮタイプの層スタックとを備え、
ＧａＮタイプ層スタックは、少なくとも１つのバッファ層と、第１活性層と、第２活性層とを備え、
第１活性層と第２活性層の界面において、能動素子領域が規定可能であり、
半導体基板は、絶縁層の上に存在しており、所定のパターンに従って溝を規定するようにパターン化され、
そのパターンは、こうした能動素子領域の下地となる少なくとも１つの溝を含み、
前記溝は、絶縁層から、ＧａＮタイプ層スタックの少なくとも１つのバッファ層の中まで延びて、前記少なくとも１つのバッファ層の範囲で過成長しており、
第１および第２活性層は、少なくとも能動素子領域の範囲で連続しているようにした半導体基板構造。
【請求項２】
少なくとも１つのバッファ層は、ガリウム、窒化物、追加のＩＩＩ族元素を含有する三元またはより複雑な組成を有し、
少なくとも１つのバッファ層は、第１副層と、第１副層の上部に第２副層とを備え、
第２副層は、第１副層のＧａ含有量より大きいＧａ含有量を有し、
溝は、第２副層において過成長している請求項１記載の半導体基板構造。
【請求項３】
第２副層は、Ｇａリッチであり、
Ｇａ含有量は、追加のＩＩＩ族元素と比べて５０原子％より大きい請求項２記載の半導体基板構造。
【請求項４】
溝は、絶縁層の中まで、あるいはそれを超えて延びている請求項１記載の半導体基板構造。
【請求項５】
絶縁層は、ハンドリングウエハと半導体基板との間に存在する埋め込み絶縁層であり、
溝は、埋め込み絶縁層を通って延びており、ハンドリングウエハを露出させている請求項４記載の半導体基板構造。
【請求項６】
溝のパターンは、能動素子領域の下地となる一連の平行な矩形状ストライプを含む請求項１記載の半導体基板構造。
【請求項７】
少なくとも１つのバッファ層は、溝付きの表面を有し、
その表面は、半導体基板の上面に対してある角度を有し、
その角度は、４５°より小さい請求項１記載の半導体基板構造。
【請求項８】
少なくとも１つのバッファ層は、溝付きの表面を有し、
その表面は、半導体基板の上面に対してある角度を有し、
その角度は、１０〜４０°である請求項１記載の半導体基板構造。
【請求項９】
半導体基板と、半導体基板の上部にＧａＮタイプの層スタックとを備え、
ＧａＮタイプ層スタックは、少なくとも１つのバッファ層と、第１活性層と、第２活性層とを備え、
第１活性層と第２活性層の界面において能動素子領域が規定されており、
能動素子領域は、ソース電極およびドレイン電極の間のチャネルとして機能し、
ゲート電極が、前記能動素子領域での電荷キャリア分布に影響を与えるために存在しており、
半導体基板は、絶縁層の上に存在し、所定のパターンに従って溝を規定するようにパターン化され、
そのパターンは、こうした能動素子領域の下地となる少なくとも１つの溝を含み、
前記溝は、絶縁層から、ＧａＮタイプ層スタックの少なくとも１つのバッファ層の中まで延びており、前記少なくとも１つのバッファ層の範囲で過成長しており、第１および第２活性層は少なくとも能動素子領域の範囲で連続しているようにした半導体素子。
【請求項１０】
溝のパターンは、こうした能動素子領域の下地となる一連の平行な矩形状ストライプを含み、
そのストライプは少なくとも、ゲート電極と実質的に整列している請求項９記載の半導体素子。
【請求項１１】
ソース電極およびドレイン電極は、櫛歯形フィンガー対の形状で規定され、
ゲート電極は、ソース電極およびドレイン電極の前記フィンガーに対して平行に延びるフィンガーを有し、
前記少なくとも１つの溝は、ゲート電極とドレイン電極との間で能動素子領域の下地となるように、電極に対して規定されている請求項９記載の半導体素子。
【請求項１２】
半導体基板は、ソース電極およびドレイン電極の半導体基板への垂直投影と実質的に重なる第１領域および第２領域を備え、
第１領域および第２領域は、互いに電気絶縁されている請求項９記載の半導体素子。
【請求項１３】
少なくとも１つのバッファ層は、ガリウム、窒化物、追加のＩＩＩ族元素を含有する三元またはより複雑な組成を有し、
少なくとも１つのバッファ層は、第１副層と、第１副層の上部に第２副層とを備え、
第２副層は、第１副層のＧａ含有量より大きいＧａ含有量を有し、
溝は、第２副層において過成長している請求項９記載の半導体素子。
【請求項１４】
溝は、絶縁層の中まで、あるいはそれを超えて延びている請求項９記載の半導体素子。
【請求項１５】
絶縁層は、ハンドリングウエハと半導体基板との間に存在する埋め込み絶縁層であり、
溝は、埋め込み絶縁層を通って延びており、ハンドリングウエハを露出させている請求項１４記載の半導体素子。
【請求項１６】
少なくとも１つのバッファ層は、溝付きの表面を有し、
その表面は、半導体基板の上面に対してある角度を有し、
その角度は、１０〜４０°である請求項９記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波信号を受信するように構成された複数の受信素子を有するアパーチャ（１７０）を形成する２次元（２Ｄ）トランスジューサ素子アレイ（１０４）を含んだ探触子（１０６）であって、該トランスジューサ素子（１０４）はある既定群のトランスジューサ素子（１０４）と相互接続されるように構成させた少なくとも１つの送信サブアパーチャを該アパーチャ（１７０）の内部に形成している探触子（１０６）と、
送信電気信号を発生させるための送信器（１０２）と、
交点スイッチを備え、前記既定群のトランスジューサ素子（１０４）内部にあるトランスジューサ素子（１０４）をビームステアリング方向に基づいた送信構成で送信器（１０２）とマッピングさせるための少なくとも１つの送信サブアパーチャプロセッサ（ｔｘ ＳＡＰ）（１２４）と、
その間で送信信号を伝達するために送信器（１０２）及び交点スイッチと相互接続させた複数のシステムチャンネルと、
前記既定群のトランスジューサ素子（１０４）内部で送信構成に基づいて前記複数のシステムチャンネルのうちの１つにより駆動させるトランスジューサ素子（１０４）を選択するために交点スイッチを制御するように構成されたＳＡＰ制御器（１２８）と、
を備え、
前記既定群のトランスジューサ素子（１０４）内の個々のトランスジューサ素子（１０４）が前記交点スイッチを使用して前記複数のシステムチャンネルのいずれとも接続されることができる、超音波システム（１００）。
【請求項２】
送信信号を伝達するために前記送信器（１０２）と相互接続させたシステムチャンネルと、
前記既定群のトランスジューサ素子（１０４）内のトランスジューサ素子（１０４）の各々に関連付けした遅延を決定するように構成されたプロセッサ（１１６）であって、該遅延は少なくともビームステアリング方向に基づいており、前記少なくとも１つの送信サブアパーチャプロセッサ（ｔｘ ＳＡＰ）（１２４）は、既定群のトランスジューサ素子（１０４）内部のトランスジューサ素子（１０４）のうちの少なくとも１つを該遅延に基づいて前記システムチャンネルのうちの１つのチャンネルに割り当てるように構成されているプロセッサ（１１６）と、
をさらに備える請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項３】
前記複数の受信素子は受信サブアパーチャを形成するように構成されており、前記少なくとも１つの送信サブアパーチャは少なくとも２つの隣接する受信サブアパーチャを備える、請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項４】
さらに、前記少なくとも１つの送信サブアパーチャの受信素子を、水平、垂直及び斜めのうちに１つによって互いに対して方向付けされた２つの素子群（１９８、２００）に分割するように構成させたＳＡＰ制御器（１２８）を備えており、該２つの素子群（１９８、２００）は送信信号を異なる方向でステアリングするための異なる送信構成を形成している、請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項５】
前記交点スイッチは複数のスイッチを有しており、各スイッチは前記既定群のトランスジューサ素子（１０４）内の個々のトランスジューサ素子（１０４）の１つのみに対応づけられている、請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項６】
前記ＳＡＰ制御器（１２８）が前記探触子（１０６）内に配置されている、請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項７】
前記ＳＡＰ制御器（１２８）が前記探触子（１０６）外に配置されている、請求項１に記載の超音波システム（１００）。
【請求項８】
超音波信号を受信するように構成された複数の受信素子を有するアパーチャ（１７０）を形成する２次元（２Ｄ）トランスジューサ素子アレイ（１０４）を含んだ探触子（１０６）と、
第１及び第２の側を有し、超音波信号を送信するように構成された送信サブアパーチャを形成する既定群のトランスジューサ素子と前記第１の側において相互接続されている少なくとも１つの構成可能交点スイッチと、
少なくとも送信信号を伝達するように構成されると共に、前記少なくとも１つの構成可能交点スイッチと前記第２の側で相互接続しているシステムチャンネルと、
既定群のトランスジューサ素子内部のトランスジューサ素子の各々をシステムチャンネルに対して送信信号に関連付けされた遅延に基づいた送信構成でマッピングするために少なくとも１つの構成可能交点スイッチを制御するように構成されているサブアパーチャプロセッサ（ＳＡＰ）制御器と、
を備え、
前記少なくとも１つの構成可能交点スイッチは複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチの各々は既定群のトランスジューサ素子内の対応したトランスジューサ素子の各々に関連付けされ、前記少なくとも１つの構成可能交点スイッチによってトランスジューサ素子のうちの少なくとも１つをシステムチャンネルの１つと接続させる、超音波システム（１００）。
【請求項９】
前記送信サブアパーチャは、少なくとも第１及び第２の受信サブアパーチャに分割され、前記第１及び第２の受信サブアパーチャは、超音波信号を受ける既定群のトランスジューサ素子内の複数のトランスジューサ素子の第１及び第２の所定のサブセットを含んでいる、請求項８に記載の超音波システム（１００）。
【請求項１０】
超音波信号を受信するように構成された複数の受信素子を有するアパーチャ（１７０）を形成する２次元（２Ｄ）トランスジューサ素子アレイ（１０４）を含んだ探触子（１０６）であって、該トランスジューサ素子（１０４）はある既定群のトランスジューサ素子（１０４）と相互接続されるように構成させた少なくとも１つの送信サブアパーチャを該アパーチャ（１７０）の内部に形成している探触子（１０６）と、
送信電気信号を発生させるための送信器（１０２）と、
前記既定群のトランスジューサ素子と前記送信器（１０２）とを相互接続する少なくとも１つの構成可能交点スイッチと、
その間で送信信号を伝達するために送信器（１０２）及び交点スイッチと相互接続させた複数のシステムチャンネルと、
を備え、
前記既定群のトランスジューサ素子内の少なくとも１つのトランスジューサ素子は前記少なくとも１つの構成可能交点スイッチを使用して、前記既定群のトランスジューサ素子内の他の少なくとも１つのトランスジューサ素子とは異なるシステムチャンネルに接続される、超音波システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流路と、
容室と、
前記流路と前記容室とを連通するフィルターと、
前記フィルターを振動させる圧電素子と、
を含む、微粒子分離装置。
【請求項２】
請求項１に記載の微粒子分離装置において、さらに、
前記流路を形成する流路形成部材を含み、
前記圧電素子は、前記流路形成部材に設けられ、前記流路形成部材を介して前記フィルターを振動させる、微粒子分離装置。
【請求項３】
請求項１に記載の微粒子分離装置において、さらに、
前記圧電素子の一部と前記流路の内壁面とを接続することによって前記圧電素子を支持する支持部を含み、
前記圧電素子は前記流路内に設けられている、微粒子分離装置。
【請求項４】
請求項１に記載の微粒子分離装置において、
前記圧電素子は、前記フィルターに接して前記流路内に設けられている、微粒子分離装置。
【請求項５】
流路と、
容室と、
前記流路及び前記容室と連通し、圧電素子を含んで構成されたフィルターと、
を含む、微粒子分離装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の微粒子分離装置において、
前記流路は、出口を有する、微粒子分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリドーマ４００−１（ＡＴＣＣアクセッション番号ＰＴＡ−５８８９）、ハイブリドーマ４００−２（ＡＴＣＣアクセッション番号ＰＴＡ−５８９０）、ハイブリドーマ４００−３（ＡＴＣＣアクセッション番号ＰＴＡ−５８９１）及びハイブリドーマ４００−４（ＡＴＣＣアクセッション番号ＰＴＡ−５８９２）によって産生されるモノクローナル抗体と薬学的に許容される担体とを含む、癌治療用医薬組成物。
【請求項２】
前記癌が膵癌である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記癌が胃癌である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記癌が大腸癌である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記モノクローナル抗体がヒト化されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
蓄光材料とガラス材料を少なくとも含有する蓄光体であって、
少なくとも前記蓄光材料及び前記ガラス材料を混合したペースト状の混合物を複数の層に積層させて粒状の積層体を形成し、この積層体を溶融するように焼成して溶融状態の表面張力により成形させてなる蓄光体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、ダイヤモンドの最大粒径が３０００ｎｍ以下、平均粒径が３００ｎｍ以下で、ダイヤモンド粒子内にホウ素を１０００ｐｐｍ以上１０００００ｐｐｍ以下含み、硬度が８０ＧＰａ以上であり、前記ダイヤモンドの比抵抗が、１０Ωｃｍ以下であることを特徴とする、高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体。
【請求項２】
前記ダイヤモンドの最大粒径が１０００ｎｍ以下で、平均粒径が３００ｎｍ以下である請求項１に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体。
【請求項３】
硬度が１１０ＧＰａ以上である、請求項１に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体。
【請求項４】
請求項１に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法であって、
ホウ素を１０ｐｐｍ以上１０００００ｐｐｍ以下含む炭素物質を、１５００℃以上の温度で、ダイヤモンドが熱力学的に安定である圧力条件下で、焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換させると同時に焼結させることを特徴とする高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
【請求項５】
前記ホウ素を含む炭素物質が、非晶質炭素であることを特徴とする請求項４に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
【請求項６】
前記ホウ素を含む炭素物質が、グラファイト型炭素であることを特徴とする請求項４に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
【請求項７】
前記ホウ素を含む炭素物質が、グラファイト型炭素と炭化ホウ素からなることを特徴とする請求項４に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
【請求項８】
前記ホウ素を含む炭素物質が、ダイヤモンド状炭素であり、焼結助剤や触媒の添加なしに焼結させることを特徴とする請求項４に記載の高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発成分及び界面活性剤を含有する液体を、該揮発成分の飽和蒸気圧以下の圧力雰囲気に供給し、該揮発成分の少なくとも一部を気化させて該液体を冷却する方法であって、
液体の飛翔距離を下記式（Ｉ）で表される液体の初速度で除した値で定義する滞空時間が０．０３０秒以上である液体の冷却方法。
液体の初速度＝液体の供給時の体積流量／液体の供給面積  （Ｉ）
【請求項２】
上記液体における界面活性剤の含有量が１０〜９９質量％である請求項１に記載の液体の冷却方法。
【請求項３】
上記滞空時間が０．０３０秒以上である液体の飛翔距離は、上記圧力雰囲気を区画する冷却槽内において、液体が液体供給部から供給されて該冷却槽の内壁に接触するまでの飛翔距離を含む請求項１又は２に記載の液体の冷却方法。
【請求項４】
上記滞空時間が０．０３０秒以上である液体の飛翔距離は、上記圧力雰囲気を区画する冷却槽内において、液体が液体供給部から供給されて該冷却槽内を飛翔する他の液体に接触するまでの飛翔距離を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の液体の冷却方法。
【請求項５】
上記液体の供給を噴霧ノズルを用いて行う請求項１乃至４のいずれかに記載の液体の冷却方法。
【請求項６】
液体に含有された揮発成分が水である請求項１乃至５のいずれかに記載の液体の冷却方法。
【請求項７】
アニオン界面活性剤の酸前駆体とアルカリとを中和反応させることにより得られたアニオン界面活性剤水溶液を、揮発成分を水、及び界面活性剤をアニオン界面活性剤として、請求項１乃至６のいずれかの液体の冷却方法により冷却するアニオン界面活性剤の製造方法。
【請求項８】
アニオン界面活性剤水溶液が循環する循環路と、
上記循環路に設けられ、該循環路を循環するアニオン界面活性剤水溶液にアニオン界面活性剤の酸前駆体及びアルカリを連続供給する材料供給部と、
上記循環路の上記材料供給部の下流側に介設され、該循環路を循環するアニオン界面活性剤水溶液を請求項１乃至６のいずれかの液体の冷却方法により冷却する冷却部と、
上記循環路の上記冷却部の下流側に設けられ、該循環路を循環するアニオン界面活性剤水溶液から一部分を連続回収する回収部と、
を備えた中和装置を用いる請求項７に記載のアニオン界面活性剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に延在する内腔を有する管状部材からなるシース部と、
前記シース部の近位側において前記内腔の開口と接続する中空部を有するハブと、
前記ハブの近位端に着脱可能であり、前記ハブの近位側において前記中空部と連通する通路と、前記通路に設けられた止血弁とを有する弁付コネクタと、
を備え、
前記ハブは、前記中空部を含む柱状の中空基体と、
前記中空基体の外周面の異なる母線に沿った３箇所に、前記中空基体の外周面から突出して設けられた把持部と、
前記把持部より近位側に突出し、前記弁付コネクタを接続可能なコネクタ接続部と、
を有し、
前記中空基体および前記コネクタ接続部に連続して周囲に比べて肉厚が薄い切断用領域が設けられ、
隣接する把持部の間の前記中空基体の外周面の母線に沿ってそれぞれ前記中空基体の前記切断用領域が設けられていることを特徴とするカテーテルシース装置。
【請求項２】
前記把持部は、前記中空基体の外周面の母線に沿って羽状に突出している請求項１に記載のカテーテルシース装置。