(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ（１８）の積層体（２０）を載置するスライス台（３６）と、該積層体を挟持してその積層状態を保持する手段とを具備する半導体ウェハの積層治具において、
前記スライス台は、
前記半導体ウェハの積層方向に沿って分割された２以上の部材で構成される
ことを特徴とする半導体ウェハの積層治具。
【請求項２】
半導体ウェハ（１８）の積層体（２０）を載置するスライス台（３６）と、該スライス台を支持する貼り付け台（４８）と、前記積層体を挟持してその積層状態を保持する手段とを具備する半導体ウェハの積層治具において、
前記貼り付け台は、
前記スライス台に固定された第１の部材と
前記第１の部材の下方に配設された第２の部材とで構成され、
前記第１の部材と前記第２の部材の接触面は、
斜面状に形成される
ことを特徴とする半導体ウェハの積層治具。
【請求項３】
半導体ウェハ（１８）を長さ方向に複数分割されたスライス台（３６）上で複数積層して積層体（２０）を形成する工程と、
前記スライス台上に形成された前記積層体の積層状態を保持する工程と、
前記積層状態を保持したまま前記スライス台の一部を該積層体から離隔する工程と、
前記離隔によって露出した前記積層体の外周面または前記離隔したスライス台に接着剤（４４）を塗布する工程と、
前記接着剤の塗布後、前記離隔したスライス台を該離隔前の位置に戻して、該積層体を前記スライス台に固着する工程と、
前記積層体が前記スライス台に固着された状態で、該積層体を構成する前記半導体ウェハをワイヤーソー（１２）により分断する工程と
を具備する半導体ウェハの製造方法。
【請求項４】
第１の部材（４８−１）と前記第１の部材の下方に配設された第２の部材（４８−２）とで構成され、前記第１の部材と前記第２の部材の接触面が、斜面状に形成される貼り付け台（４８）の前記第１の部材の上にスライス台（３６）を固定する工程と、
前記貼り付け台に固定されたスライス台上で、半導体ウェハ（１８）を複数積層して積層体（２０）を形成する工程と、
前記スライス台上に形成された前記積層体を挟持して該積層体の積層状態を保持する工程と、
前記積層体を挟持したまま前記第１の部材を前記第２の部材との接触面に沿って斜め下方にスライドさせることによって前記貼り付け台を分割して、該積層体と前記スライス台との間に隙間を生じさせる工程と、
前記分割によって生じた隙間に接着剤（４４）を注入する工程と、
前記分割した貼り付け台を分割前の位置に戻して、該積層体を前記スライス台に固着する工程と、
前記積層体が前記スライス台に固着された状態で、該積層体を構成する前記半導体ウェハをワイヤーソー（１２）により分断する工程と
を具備する半導体ウェハの製造方法。
【請求項５】
溝（５０）を備えたスライス台（３６）上で、半導体ウェハ（１８）を複数積層して積層体（２０）を形成する工程と、
前記スライス台上に形成された前記積層体の積層状態を保持する工程と、
前記積層状態を保持したまま前記溝に接着剤を注入して、前記積層体を前記スライス台に固着する工程と、
前記積層体が前記スライス台に固着された状態で、該積層体を構成する前記半導体ウェハをワイヤーソー（１２）により分断する工程と
を具備する半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの積層治具および半導体ウェハの製造方法に関し、特に、拡散ウェハの生産性向上に有効な半導体ウェハの積層治具および半導体ウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パワートランジスタやパワーＭＯＳＦＥＴ等のパワーデバイスの製造には、シリコンウェハの片面に高濃度のドーパントを拡散させた拡散ウェハが用いられる。この拡散ウェハの製造方法としては、ドーパントを両面に拡散したシリコンウェハを２分割して行う方法が知られている。この２分割する方法によれば、１枚のシリコンウェハから２枚の片面拡散ウェハが得られるため、生産性の面からも好ましく、現在この方法が主流となっている。
【０００３】
さらに、上記２分割法では、生産効率を向上させるために、複数のシリコンウェハを一度に分断する様々な方法が試みられている。このような複数ウェハの一括分断は、ワイヤーソーの利用によって既に実用化のレベルに達しており、数々の公知例が報告されている。
【０００４】
例えば、特開平１０−５８４４０号公報には、複数のシリコンウェハをスライス台上に積層固着し、この状態で該複数のシリコンウェハをワイヤーソーにより一括分断する方法が開示されている。シリコンウェハをスライス台に固着する理由は、ワイヤーソーによる分断中もシリコンウェハの積層状態を保持するためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の方法では、シリコンウェハをスライス台に固着したときに、該シリコンウェハの積層状態が変化して、再度積層し直さなければならないケースが多々あった。一旦スライス台に固着したシリコンウェハの再積層は、非常に手間のかかる作業であり、拡散ウェハの生産性を低下させる原因になる。
【０００６】
そこで、本発明は、拡散ウェハの生産性向上に有効な半導体ウェハの積層治具および半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する手段として、以下に示すアプローチを行ったのでここに説明する。まず、スライス台に固着する際に積層状態が変化する原因について考察したので、その内容を示す。
【０００８】
図１は、従来行われていた積層体固着方法の一例を示す斜視図である。同図に示すように、従来、積層体２０のスライス台３６への固着は、次のようにして行われていた。
【０００９】
まず、スライス台３６上で、複数の半導体ウェハ１８を積層して、積層体２０を形成する。その後、該積層体２０の外周面に接着剤４４を塗布して、該積層体２０の積層状態を保持する。
【００１０】
その後、同図に示すように、積層状態が接着保持された積層体２０を一旦スライス台３６から持ち上げて、該スライス台３６の積層体載置面に接着剤４４を塗布する。積層体載置面とは、半導体ウェハ１８の外周形状に対応して、スライス台３６の上部に形成された湾曲面であり、前述した半導体ウェハ１８の積層は、この載置面上で行われる。
【００１１】
そして、この接着剤４４が塗布された載置面上に積層体２０を載置して、該積層体２０をスライス台３６に固着する。このように、積層体２０がスライス台３６上に固着された状態で各半導体ウェハ１８を分断すれば、該スライス台３６が支持台となって分断作業が安定する。
【００１２】
しかし、積層体２０を一旦スライス台３６から持ち上げたときに、半導体ウェハ１８の積層状態がくずれると、この積層状態がくずれた状態で積層体２０がスライス台３６に固着される場合がある。このくずれが顕著であると、ワイヤーソーによる分断を行うことができないため、再積層が必要になる。
【００１３】
即ち、積層体２０を一旦スライス台３６から持ち上げるという行為が積層状態がくずれる原因となっていたのである。しかしながら、積層体２０をスライス台３６に固着するためには、該スライス台３６の載置面に接着剤４４を塗布する必要があり、そのためには、積層体２０を持ち上げなければならないため、積層状態のくずれは解決し難い問題である。
【００１４】
そこで、積層体２０を可能な限りスライス台３６と接触させた状態で接着剤を塗布するという観点から検討し、以下に示す３つの発想を得た。
１）スライス台を分割する
２）スライス台を支持する貼り付け台を分割する
３）スライス台の載置面に溝を形成する
本発明は、上記の発想に基づいて、前述した課題の解決を図ろうとするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（発明の概要）
上記発想に基づいて想到された本発明の第１の特徴は、スライス台が半導体ウェハの積層方向に沿って分割された２以上の部材で構成されることにある。このように分割可能なスライス台を使用すれば、積層体をスライス台の一部に載置したまま、該スライス台の他の部分を分割離隔して、この部分に接着剤を塗布することができる。その結果、積層状態の保持と接着剤の塗布が同時に行われ、好適な積層状態を保持したまま積層体とスライス台を固着することができる。
【００１６】
また、本発明の第２の特徴は、スライス台を支持する貼り付け台が２以上の部材で構成されることにある。このような分割可能な貼り付け台を使用すれば、積層体を挟持したまま、スライス台を積層体から離隔することができる。その結果、積層状態の保持と接着剤の塗布を同時に行うことができ、好適な積層状態を保持したまま積層体とスライス台を固着することができる。
【００１７】
また、本発明の第３の特徴は、スライス台がその載置面に積層体の積層方向に沿って伸長した溝を有することにある。このような溝を設けることにより、積層体をスライス台上に載置したままであっても、該溝内に接着剤を注入することができる。
【００１８】
（第１の形態）
図２は、本発明の第１の形態に係る積層体の固定方法を示す斜視図である。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態の構成を説明する。
【００１９】
本発明の第１の形態に係るスライス台３６は、半導体ウェハ１８の積層方向に沿って分割された２以上の部材で構成される。２以上の部材で構成する理由は、積層体２０の載置と接着剤４４の塗布を同時に行うためである。
【００２０】
即ち、同図に示すように、本発明に係るスライス台３６は、例えば、第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２の分割可能な２つの部材で構成される。そして、第１のスライス台３６−１を積層体２０の載置用に使用し、第２のスライス台３６−２を接着剤４４の塗布用に使用する。
【００２１】
スライス台３６を積層方向に沿って分割する理由は、同図中の第１のスライス台３６−１を参照すれば明らかであるように、積層体２０を構成する全ての半導体ウェハ１８を載置するためである。また、同図中の第２のスライス台３６−２を参照すれば明らかであるように、積層体２０を構成する全ての半導体ウェハ１８の固着を可能にするためである。
【００２２】
上記のように構成されるスライス台３６は、次のようにして使用することができる。
【００２３】
まず、第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２とが合体した状態のスライス台３６上で、半導体ウェハ１８を複数積層して積層体２０を形成する。このとき、各半導体ウェハ１８は、スライス台３６の上部に設けられた載置面上に載置される。
【００２４】
次に、スライス台３６上に形成された積層体２０の積層状態を保持する。積層状態を保持する方法としては、例えば、同図に示すように、積層体２０の両端面に圧力Ｐをかけて該積層体２０を挟持する方法が考えられる。積層体２０の挟持は、後述の実施例で述べるようなクランプ台を用いて行うことが好ましい。
【００２５】
その後、積層体２０の積層状態を保持したままスライス台３６を分割し、その一部を該積層体２０から離隔する。同図に示す例では、スライス台３６を第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２に分割し、第２のスライス台３６−２を積層体２０から離隔している。
【００２６】
続いて、上記離隔によって露出した積層体２０の外周面または上記離隔した第２のスライス台３６−２に接着剤４４を塗布する。同図に示す例では、第２のスライス台３６−２上に接着剤４４を塗布する例を示しているが、接着剤４４の塗布は、第２のスライス台３６−２を除去して露出した積層体２０の底面に対して行ってもよい。
【００２７】
このとき積層体２０は、第２のスライス台３６−２が離隔している間も、第１のスライス台３６−１によって載置され、その積層状態が保持される。
【００２８】
その後、前記離隔した第２のスライス台３６−２を該離隔前の位置に戻して、該積層体２０をスライス台３６に固着する。即ち、第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２を再び合体させた状態とし、積層体２０を第２のスライス台３６−２に固着する。このとき、第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２の接触面にも接着剤を塗布しておき、合体状態を維持したままワイヤーソーによる分断工程に進めてもよい。
【００２９】
また、第２のスライス台３６−２を固着した後、今度は第１のスライス台３６−１を積層体２０から離隔して、これに接着剤を塗布し、積層体２０を第１のスライス台３６−１および第２のスライス台３６−２の双方に固着してもよい。さらに、離隔した第１のスライス台３６−１および第２のスライス台３６−２の底面にも接着剤を塗布し、スライス台３６の下に配設され該スライス台３６を支持する部材（例えば、後述するような貼り付け台）に固定し、安定性の向上を図ってもよい。
【００３０】
そして最後に、積層体２０がスライス台３６に固着された状態で、該積層体２０を構成する半導体ウェハ１８をワイヤーソー１２により分断する。
【００３１】
以上説明した本発明の第１の形態によれば、積層体２０が第１のスライス台３６−１に載置された状態で、接着剤４４を塗布することができる。その結果、積層状態が好適に維持された状態で積層体２０がスライス台３６に固着され、積層のやり直しといった従来の問題は低減する。
【００３２】
また、本発明によれば、従来のように、積層体２０の外周面に接着剤４４を塗布する必要がなくなるため、接着剤４４の乾燥時間が不要であり作業時間の短縮が図られる。加えて、積層体２０を持ち上げる必要もなくなるため、半導体ウェハ１８が落下する危険性も少なくなる。
【００３３】
（第２の形態）
図３は、本発明の第２の形態に係る積層体の固定方法を示す斜視図である。以下、同図に基づいて、本発明の第２の形態の構成を説明する。
【００３４】
本形態では、スライス台３６の下に配置される貼り付け台４８が分割可能に構成される。この貼り付け台４８は、該スライス台３６を支持する部材である。同図に示す例では、貼り付け台４８が第１の貼り付け台４８−１と第２の貼り付け台４８−２の２つの部材で構成される。
【００３５】
スライス台３６は、第１の貼り付け台４８−１の上面に固定され、該第１の貼り付け台４８−１の下方に第２の貼り付け台４８−２が配設される。この第１の貼り付け台４８−１と第２の貼り付け台４８−２の接触面は、同図に示すように、斜面状に形成され、第１の貼り付け台４８−１が該斜面上をスライドできる構成となっている。尚、第２のスライス台３６−２は、その下方に配設される図示しない部材（例えば、後述するクランプ台）に固定される。
【００３６】
上記のように構成される貼り付け台４８は、次のようにして使用することができる。
【００３７】
まず、前述した第１の形態と同様の手順によって、スライス台３６上に積層体２０を形成する。その後、該積層体２０を挟持してその積層状態を保持する。この挟持によって、積層体２０に圧力Ｐがかかり、積層状態が保持されるとともに、該圧力Ｐによって該積層体２０自体が支持される。
【００３８】
その後、同図に示すように、積層体２０を挟持したまま貼り付け台４８を分割して、該積層体２０とスライス台３６との間に隙間を生じさせる。同図に示す例では、貼り付け台４８を第１の貼り付け台４８−１と第２の貼り付け台４８−２の２つの部材に分割し、第１の貼り付け台４８−１を斜め下方にスライドさせている。その結果、第１の貼り付け台４８−１上に固定されたスライス台３６が斜め下方に下がり、該スライス台の載置面と積層体２０との間に僅かな隙間が生じる。好ましくは、この隙間を生じさせる際に、スライス台３６の一部を積層体２０に接触させておく。これは、スライス台３６と積層体２０とを完全に離すと、半導体ウェハ１８の自重によって積層状態にずれが生じやすくなるからである。
【００３９】
そして、上記分割によって生じた隙間に接着剤４４を注入する。このとき、積層体２０は、圧力Ｐによって支持され、その積層状態が保持されため、積層状態を保持したままで接着剤を注入することができる。
【００４０】
その後、前記分割した第１の貼り付け台４８−１を分割前の位置に戻して、積層体２０の底面をスライス台３６の載置面に固着する。
【００４１】
最後に、積層体２０がスライス台３６に固着された状態で、該積層体２０を構成する半導体ウェハ１８をワイヤーソー１２により分断する。
【００４２】
以上説明した本発明の第２の形態によれば、積層体２０が挟持された状態で、該積層体２０とスライス台３６との間に隙間を作ることができるため、この隙間に接着剤を注入すれば、積層状態が好適に維持された状態で該積層体２０をスライス台３６に固着することができる。その結果、前述した第１の形態と同様に、積層やり直し発生の防止、接着剤乾燥時間が不要になることによる作業時間の短縮等の生産性の向上に有効な効果が得られる。
【００４３】
（第３の形態）
図４は、本発明の第３の形態に係る積層体固定方法を示す斜視図である。以下、同図に基づいて、本発明の第３の形態の構成を説明する。
【００４４】
同図に示すように、本形態に係るスライス台３６は、積層体２０が載置される載置面に、該積層体２０の積層方向に沿って伸長した溝５０が設けられる。この溝５０は、接着剤を注入するための空間であり、好ましくは、スライス台３６の長手方向に貫通させて設ける。
【００４５】
図５は、図４に示したスライス台３６の構造を示す平面図である。同図に示すように、スライス台３６の載置面に設けられる溝５０は、半導体ウェハの積層方向に伸長した形状を有し、スライス台３６をその長手方向に貫通する。このような構造により、スライス台３６のどちら側の面からでも接着剤が注入でき、該注入された接着剤が溝５０内に充填されて、スライス台３６上に載置された全ての半導体ウェハが固着される。
【００４６】
上記のように構成されるスライス台３６は、次のようにして使用することができる。
【００４７】
まず、溝５０を備えたスライス台３６上で、半導体ウェハ１８を複数積層して積層体２０を形成する。次に、該スライス台３６上に形成された積層体２０を挟持して、その積層状態を保持する。
【００４８】
その後、積層体２０を挟持したまま、スライス台３６に設けられた溝５０に接着剤を注入して、積層体２０を該スライス台３６に固着する。この接着剤の注入は、積層体２０がスライス台３６上に載置された状態で行われるため、積層体２０の積層状態は好適に維持される。
【００４９】
最後に、積層体２０がスライス台３６に固着された状態で、該積層体２０を構成する半導体ウェハ１８をワイヤーソー１２により分断する。
【００５０】
以上説明した本発明の第３の形態によれば、積層体２０がスライス台３６上に載置された状態で、該積層体２０とスライス台３６との間に接着剤を注入することができるため、積層状態を維持したまま積層体２０をスライス台３６に固着することができる。その結果、前述した第１の形態と同様に、積層やり直し発生の防止、接着剤乾燥時間が不要になることによる作業時間の短縮、半導体ウェハの落下防止等の生産性の向上に有効な効果が得られる。
尚、用いられる接着剤としては、硬化前後の体積変化の少ないエポキシ系のもの、あるいは、揮発成分のないホットメルト型のものが好ましい。
【００５１】
【実施例】
（要約）
クランプ台２４を用いて、半導体ウェハ１８の積層体２０を挟持し、この状態で積層体２０を載置するスライス台を第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２に分割する。そして、積層体２０から離隔した第２のスライス台３６−２に接着剤４４を塗布した後、該第２のスライス台３６−２を元の位置に戻し、該第２のスライス台３６−２に積層体２０を固着する（図７参照）。
【００５２】
（好適な実施例）
スライス台を分割するという前述した技術思想は、拡散ウェハ製造の分野において、非常に有用な考え方である。ここでは、この特徴ある技術思想を産業上好ましいと思われる態様で具現化した例を示す。尚、前述した構成要素のうち、特に説明を加える必要がないと思われるものについては、同一名称および同一符号を付してその詳細な説明を省略する。また、以下に示す実施例は、本発明の一具現化例であり、本発明を限定するものではない。
【００５３】
図６は、半導体ウェハの積層工程を示す斜視図である。同図に示すように、２分割法によって拡散ウェハを製造する場合には、まず、予め両面にドーパントが拡散された複数の半導体ウェハ１８をスライス台３６上に載置して、積層体２０を形成する。
【００５４】
このスライス台３６は、ステンレス製の貼り付け台４８を介してクランプ台２４に固定され、積層体２０を支持する支持台として機能する。このスライス台３６は、カーボン等の比較的柔らかい材質で形成され、半導体ウェハ１８とともにワイヤーソー１２によって切断される。このスライス台３６の上部、即ち、半導体ウェハ１８が載置される部分には、該半導体ウェハ１８の曲率に対応した湾曲面が形成され、各半導体ウェハ１８は、オリエンテーションフラットが上に向いた状態でこの湾曲面上に載置される。
【００５５】
次に、クランプシャフト３４を回転させて、クランピング板３２を積層体２０に押し当て、該クランピング板３２と基準面３８とで積層体２０を挟持する。このとき、積層体２０を挟持する力は、半導体ウェハ１８が破壊されない程度とする。
【００５６】
図７は、図６に示した積層体をスライス台に固着する工程を示す斜視図である。積層体２０を挟持した後は、同図に示すように、図６に示したスライス台３６を第１のスライス台３６−１と第２のスライス台３６−２に分割し、第２のスライス台３６−２をクランプ台２４から取り外す。第１のスライス台３６−１は、貼り付け台４８上に固定されており、積層体２０は、第２のスライス台３６−２を取り外した後も、第１のスライス台３６−１上によって載置される。
【００５７】
その後、クランプ台２４から取り外した第２のスライス台３６−２の載置面および底面に接着剤を塗布し、元の位置に戻して、該第２のスライス台３６−２の載置面と積層体２０の底面を固着するとともに、第２のスライス台３６−２の底面を貼り付け台４８に固着する。その結果、積層体２０およびスライス台３６がクランプ台２４に固定される。その後、積層体２０を挟持したクランプ台２４をワイヤーソーの内部に投入設置する。
【００５８】
図８は、半導体ウェハの積層状態を確認する工程を示す側面図である。クランプ台２４をワイヤーソーの内部に投入設置した後、同図に示すように、該クランプ台２４によって挟持された積層体２０の上方にワイヤー３０を配置し、さらにその上にカメラ２６を配置する。
【００５９】
このカメラ２６は、図中の矢印で示す方向、即ち、半導体ウェハの積層方向に移動可能に配設され、ワイヤー３０と半導体ウェハ１８のオリエンテーションフラットを上方から同時に撮像する。このカメラ２６が捉えた映像は、該カメラ２６に接続された図示しないモニタ上に拡大表示され、作業者は、この拡大表示に基づいて、ワイヤー３０の位置決めを行う。
【００６０】
ワイヤー３０の位置決めは、同図に示すように、中央付近に積層された半導体ウェハ１８を基準に行う。例えば、同図に示すように、基準面３８から５枚目の半導体ウェハ１８の厚さ中心に、該半導体ウェハ１８を切断するワイヤー３０を配置し、この位置を切断位置とする。
【００６１】
上記のようにして基準ウェハの切断位置を決定した後、残りの半導体ウェハ１８の切断位置を次のようにして確認する。まず、カメラ２６を少しずつ移動させながら、各半導体ウェハ１８とその上方にあるワイヤー３０とを順次撮像してゆく。そして、各ワイヤー３０の位置が各半導体ウェハ１８の厚さ中心から許容範囲内になければ、半導体ウェハ１８の積層を再度やり直し、再び、ワイヤー３０の位置合わせを行う。一方、各ワイヤー３０の位置が各半導体ウェハ１８の厚さ中心から許容範囲内にあれば、切断可能と判断し、次の分断工程に進む。
【００６２】
図９は、半導体ウェハの分断工程を示す斜視図である。同図に示すように、図７に示したワイヤーの位置決めを行った後、クランプ台を装填したワイヤーソーテーブルユニット４２を上昇させて、積層体２０を構成する各半導体ウェハをワイヤーソー１２で分断する。
【００６３】
ワイヤーソー１２は、一本のワイヤー３０が複数のワークローラ２８に何重にも巻き付けられて形成される。そして、このワイヤー３０の多重巻き付けによって、半導体ウェハを切断するための複数の切断部１０が形成される。各ワークローラ２８は、チェザーバイト加工で形成されたＶ溝を有し、前記ワイヤー３０は、このＶ溝に沿って巻き付けられる。チェザーバイト加工とは、櫛状の刃を用いて複数のＶ溝を同時に形成する加工法であり、この加工法によればＶ溝のピッチ誤差が非常に小さくなるため、ワークローラ２８の加工法として非常に好ましい。尚、ワイヤーソー自体は公知であるため、ワイヤーソーに関するその他の説明は省略する。
上記のような方法で拡散ウェハの製造を行ったところ、積層のやり直しを必要とするケースが低減し、生産性が向上した。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来行われていた積層体固着方法の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の形態に係る積層体の固定方法を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２の形態に係る積層体の固定方法を示す斜視図である。
【図４】本発明の第３の形態に係る積層体固定方法を示す斜視図である。
【図５】図４に示したスライス台３６の構造を示す平面図である。
【図６】半導体ウェハの積層工程を示す斜視図である。
【図７】図６に示した積層体をスライス台に固着する工程を示す斜視図である。
【図８】半導体ウェハの積層状態を確認する工程を示す側面図である。
【図９】半導体ウェハの分断工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…切断部、１２…ワイヤーソー、１８…半導体ウェハ、２０…積層体、２４…クランプ台、２６…カメラ、２８…ワークローラ、３０…ワイヤー、３２…クランピング板、３４…クランプシャフト、３６…スライス台、３６−１…第１のスライス台、３６−２…第２のスライス台、３８…基準面、４２…ワイヤーソーテーブルユニット、４４…接着剤、４６…オリエンテーションフラット、４８…貼り付け台、４８−１…第１の貼り付け台、４８−２…第２の貼り付け台、５０…溝、Ｐ…圧力
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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