【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電性エレクトロクロミック装置であり、少なくとも
透明基板と、
前記透明基板上に形成される少なくとも１つの薄膜太陽電池であり、そのうち、薄膜太陽電池がアノードと光電変換層とカソードとを少なくとも含むとともに、前記アノードの表面の一部が前記光電変換層から露出され、前記薄膜太陽電池では、前記透明基板に、前記アノードと、前記光電変換層と、前記カソードとが、順に積層されている、少なくとも１つの薄膜太陽電池と、
前記薄膜太陽電池の前記カソードの表面および前記アノードの露出された表面のうちの少なくとも１つの表面に配置される少なくとも１つのエレクトロクロミック薄膜と、
前記エレクトロクロミック薄膜を被覆する電解質層と
を備える光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項２】
前記エレクトロクロミック薄膜の構成物が、導電性ポリマー、遷移金属酸化物、遷移金属またはプルシアンブルーを含む、請求項１記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項３】
前記遷移金属酸化物が、ＷＯ３，ＭｏＯ３，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，ＮｉＯ，ＳｎＯ，Ｆｅ２Ｏ３，ＣｏＯ，Ｉｒ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３およびＭｎＯ２からなるグループから選択されるものである、請求項２記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項４】
前記遷移金属が、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＴｅおよびＳｅよりなる遷移金属のグループから形成された金属、合金、水素化物、カルコゲニドまたはテテル化物から選択される、請求項２記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項５】
前記薄膜太陽電池が、シリコン薄膜太陽電池、ＣＩＧＳ薄膜太陽電池またはＣｄＴｅ薄膜太陽電池を含む請求項１または２記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項６】
前記シリコン薄膜太陽電池が、ａ−Ｓｉ薄膜太陽電池、ａ−Ｓｉ/ｍｃ-Ｓｉタンデム薄膜太陽電池、ａ−Ｓｉ/ａ-Ｓｉタンデム薄膜太陽電池またはマルチ接合ａ−Ｓｉ薄膜太陽電池を含む、請求項５記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項７】
前記光起電性エレクトロクロミック装置が、複数の薄膜太陽電池を含むとともに、それらが直列に接続され、かつ前記薄膜太陽電池の１つの前記アノードが他の薄膜太陽電池の前記カソードに電気接続される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項８】
前記アノードが前記カソード間に露出され、かつ前記エレクトロクロミック薄膜の遮光領域が前記カソード間のインターバルの幅により決定される、請求項７に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項９】
前記薄膜太陽電池が、さらに、前記薄膜太陽電池の前記光電変換層の側壁上に配置される保護膜を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１０】
前記電解質層が、固体電解質または液体電解質を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１１】
前記透明基板が、ガラス・プラスチックまたはフレキシブル基板を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１２】
さらに、前記電解質層を被覆する透明非導電性基板を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１３】
さらに、ミラーを形成するために前記透明非導電性基板の一表面上に配置される反射膜を含む、請求項１２記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１４】
さらに、前記薄膜太陽電池により生成された電流を商用電気グリッドに変換するＤＣ／ＡＣインバーターを含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１５】
さらに、前記薄膜太陽電池により生成された前記電流を蓄電するＤＣ電荷蓄電装置を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１６】
さらに、薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードに接続され、薄膜太陽電池および外部回路間のスイッチを制御する薄膜トランジスターを含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光起電性エレクトロクロミック装置。
【請求項１７】
光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法であり、
透明基板上に少なくとも１つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池が少なくとも１つのアノード、光電変換層およびカソードを含むとともに、前記アノードの表面の一部が前記光電変換層から露出される工程と、
前記薄膜太陽電池の形成は、前記透明基板に、前記アノードと、前記光電変換層と、前記カソードとが、順に沈積される工程と、
エレクトロクロミック薄膜を前記カソードの表面および前記アノードの露出された表面のうちの少なくとも１つの表面に沈積する工程と、
前記薄膜太陽電池の表面上に電解質層を形成して前記エレクトロクロミック薄膜を被覆し、そのうち、薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードが前記光起電性エレクトロクロミック装置のアノードおよびカソードとしても供される工程と
を備える光起電性エレクトロクロミック装置を製造する方法。
【請求項１８】
前記エレクトロクロミック薄膜を沈積する方法が、
電気メッキ溶液を薄膜太陽電池の前記アノードおよび前記カソードに接触するように配置する工程と、
前記薄膜太陽電池を照射して電流を生成させ、前記電気メッキ溶液中に酸化還元反応を引き起こして、前記アノードおよび前記カソードの少なくとも１つの表面上にエレクトロクロミック薄膜を形成する工程と、
前記電気メッキ溶液を除去する工程と
を含む、請求項１７記載の製造方法。
【請求項１９】
前記エレクトロクロミック薄膜を沈積する方法が、電子ビーム蒸着、イオン補助コーティング、反応性および非反応性スッパッタリング、熱蒸着、ＣＶＤ、プラズマ増速ＣＶＤまたは大気圧ＣＶＤを含む、請求項１７記載の製造方法。
【請求項２０】
前記エレクトロクロミック薄膜の材料が、遷移金属酸化物または遷移金属を含む、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記遷移金属酸化物が、ＷＯ３，ＭｏＯ３，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，ＮｉＯ，ＳｎＯ，Ｆｅ２Ｏ３，ＣｏＯ，Ｉｒ２Ｏ３，Ｒｈ２Ｏ３およびＭｎＯ２からなるグループから選択される、請求項２０記載の製造方法。
【請求項２２】
前記遷移金属が、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＴｅおよびＳｅよりなる遷移金属のグループから形成された金属、合金、水素化物、カルコゲニドまたはテテル化物から選択される、請求項２０記載の製造方法。
【請求項２３】
前記薄膜太陽電池が、シリコン薄膜太陽電池、ＣＩＧＳ薄膜太陽電池またはＣｄＴｅ薄膜太陽電池を含む、請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記透明基板上に前記薄膜太陽電池を形成する工程が、さらに、保護膜を前記薄膜太陽電池の前記光電変換層の側壁上に形成する工程を含む、請求項１７〜２３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記電解質層が、固体電解質または液体電解質を含む、請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記電解質層を形成する工程が、前記薄膜太陽電池の前記表面上に電解質を連続的に真空沈積する工程を含む、請求項１７〜２５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２７】
さらに、透明非導電基板を配置して前記電解質層を被覆する工程を含む、請求項１７〜２６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２８】
さらに、前記電解質層を形成した後、ラミネーターまたはオートクレーブによって前記透明基板、前記電解質層および前記透明非導電基板を結合する工程を含む、請求項１７〜２７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記電解質層を形成する前記工程が、さらに、ラミネーターまたはオートクレーブによって前記透明基板、前記電解質層および前記透明非導電基板を結合する工程を含む、請求項１７〜２７のいずれか１項に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
電気メッキまたは他の薄膜形成方法が、カソード４０８の表面およびアノード４０４の露出された表面４０４ａのうちの少なくとも１つの表面上にエレクトロクロミック薄膜を沈積するために採用できる。例えば、エレクトロクロミック薄膜の構成物が、導電性ポリマー、遷移金属酸化物、プルシアンブルーまたは遷移金属を含む。この実施形態中、電気メッキは、一例として使用される。再び図４Ｂにおいて、その上に形成された薄膜太陽電池４０２を備える透明基板４００が、電気メッキ溶液４１０中に浸けられ、薄膜太陽電池４０２のアノード４０４およびカソード４０８が電気メッキ溶液４１０と接触する。上記した電気メッキ溶液４１０は、例えば、アニリンモノマー、ＥＤＯＴモノマーまたはビオロゲンモノマーのような導電性ポリマーまたはビオロゲン溶液、およびニッケルオキシハイドロキシド溶液、フェリックフェロシアン化物発色団溶液のような遷移金属酸化物電気メッキ溶液により形成される。