Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に貫通する多数の貫通導体が設けられた酸化アルミニウム基板部と、前記酸化アルミニウム基板部の周囲に設けられた枠状のアルミニウム基板部とを備えた複合基板と、
前記酸化アルミニウム基板及び前記アルミニウム基板の上に形成され、複数の前記貫通導体の上にビアホールが設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記複数の貫通導体に電気的に接続されたｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線層は、前記酸化アルミニウム基板部に対応する部分に配置されて前記貫通導体に接続される配線部と、前記アルミニウム基板部に対応する部分に配置されて前記配線部と分離された基板補強用電極部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基板補強用電極部は、前記アルミニウム基板部の上に直接形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記基板補強用電極部はリング状に繋がって配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板。
【請求項５】
厚み方向に貫通する多数の貫通導体が設けられた複数の酸化アルミニウム基板部と、前記複数の酸化アルミニウム基板部を連結するアルミニウム基板部とを備える複合基板を用意する工程と、
前記貫通導体に接続されるｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線層と前記貫通導体との接続部において、前記配線層が複数の前記貫通導体に電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記複合基板を用意する工程は、
アルミニウム基板の上に、前記酸化アルミニウム基板部を得る領域に開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の開口部を通して前記アルミニウム基板を厚み方向に陽極酸化することにより、多数のホールが設けられた前記酸化アルミニウム基板部を得る工程と、
前記酸化アルミニウム基板部の下側のアルミニウム部を前記ホールが露出するまで除去することにより、厚み方向に貫通する多数のスルーホールが設けられた前記酸化アルミニウム基板部とそれに連結される前記アルミニウム基板部とを得る工程と、
前記スルーホールに前記貫通導体を充填する工程とを含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線層を形成する工程において、
前記配線層は、前記酸化アルミニウム基板部に対応する部分に配置されて前記貫通導体に接続される配線部と、前記アルミニウム基板部に対応する部分に配置されて前記配線部と分離された基板補強用電極部とを含んで形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線層を形成する工程において、
前記基板補強用電極部は前記酸化アルミニウム基板部を取り囲むようにして繋がって配置されることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線層を形成する工程の後に、
前記アルミニウム基板部に対応する部分を切断することにより、周縁側に枠状のアルミニウム基板部を備えた個々の配線基板を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、厚み方向に貫通する多数の貫通導体が設けられた酸化アルミニウム基板部と、前記酸化アルミニウム基板部の周囲に設けられた枠状のアルミニウム基板部とを備えた複合基板と、前記酸化アルミニウム基板及び前記アルミニウム基板の上に形成され、複数の前記貫通導体の上にビアホールが設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記複数の貫通導体に電気的に接続されたｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図６（ａ）の縮小部分平面図に示すように、第１基板補強用電極部３０ｂ（斜線部）は複数の酸化アルミニウム基板部１０を取り囲むようにして繋がった状態でアルミニウム基板部１０ｘに対応する部分に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、物質層の層厚を１ｎｍ未満とすることでより強い接合強度が得られることについて説明する。上述した本実施の形態における接合方法は、まず、高い真空状態のほぼ酸素がなく清浄な環境下で、基板の接合面に極薄い物質層を形成し、この物質層を構成する物質の拡散現象を利用して２つの基板を接合しているものと考えることができる。この接合方法では、物質層が一様な膜となる前の不完全な層の状態の方が、活性が高く拡散速度も高いため、より高い接合強度が得られるものと考えられる。ここで、接合を行う処理室の内部は、１０-6Ｐａ以下の圧力（真空度）としておけば、自然酸化膜の形成が抑制されて十分な清浄環境となり、上述した接合が行えることが実験の結果判明している。例えば、スパッタを開始する前の初期段階で、処理室内を１０-6Ｐａ以下の圧力としておけばよい。また、スパッタを停止してからスパッタガスの供給を停止してより高い真空度としてから、着接を行って接合してもよい。なお、物質層としてＡｕ，Ｐｔ，Ａｇなどの貴金属やＣｕなどの酸化しにくい金属を用いる場合、接合を行う処理室の内部圧力が、１０-4Ｐａ程度であっても上述した接合が行える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材をプラズマ処理する真空処理室と、内側に配置された第一の電極と外側に配置された第二の電極とを有する静電吸着装置を具備し、前記吸着装置により前記被処理材を表面に静電吸着させる基板電極と、前記第一の電極に直流電圧を印加する第一の直流電源と、前記第二の電極に直流電圧を印加する第二の直流電源と、前記基板電極に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一の電極を流れる第一のリーク電流を検出する第一のリーク電流検出手段と、
前記第二の電極を流れる第二のリーク電流を検出する第二のリーク電流検出手段と、
前記第一のリーク電流検出手段により検出された第一の電流と前記第二のリーク電流検出手段により検出された第二の電流の差が所定の範囲内となるように、前記第一の直流電源と第二の直流電源を制御する制御部とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
被処理材をプラズマ処理する真空処理室と、内側に配置された第一の電極と外側に配置された第二の電極とを有する静電吸着装置を具備し、前記吸着装置により前記被処理材を表面に静電吸着させる基板電極と、前記第一の電極に第一の直流電圧を印加し、前記第二の電極に第二の直流電圧を印加する直流電源と、前記基板電極に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一の電極を流れる第一のリーク電流を検出する第一のリーク電流検出手段と、
前記第二の電極を流れる第二のリーク電流を検出する第二のリーク電流検出手段と、
前記第一のリーク電流検出手段により検出された第一の電流と前記第二のリーク電流検出手段により検出された第二の電流の差が所定の範囲内となるように、前記直流電源を制御する制御部とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記所定の範囲は、±０．７ｍＡ以内であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御部は、前記第一の電極に印加された直流電圧と前記第二の電極に印加された直流電圧との差が、予め求められた、前記被処理材の電位と前記第一の電極の電位との差の２倍となるように前記第一の直流電源と前記第二の直流電源を制御し、前記被処理材の電位と前記第一の電極の電位との差は、前記第一のリーク電流と前記第二のリーク電流の差が０の場合に前記被処理材の所望な静電吸着を可能とする電位差であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
被処理材をプラズマ処理する真空処理室と、内側に配置された第一の電極と外側に配置された第二の電極とを有する静電吸着装置を具備し、前記吸着装置により前記被処理材を表面に静電吸着させる基板電極と、前記第一の電極に直流電圧を印加する第一の直流電源と、前記第二の電極に直流電圧を印加する第二の直流電源と、前記基板電極に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記被処理材をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記第一の電極を流れる第一のリーク電流を検出し、
前記第二の電極を流れる第二のリーク電流を検出し、
前記検出された第一のリーク電流と前記検出された第二のリーク電流の差が所定の範囲内となるように、前記第一の直流電源と第二の直流電源を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
被処理材をプラズマ処理する真空処理室と、内側に配置された第一の電極と外側に配置された第二の電極とを有する静電吸着装置を具備し、前記吸着装置により前記被処理材を表面に静電吸着させる基板電極と、前記第一の電極に第一の直流電圧を印加し、前記第二の電極に第二の直流電圧を印加する直流電源と、前記基板電極に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記被処理材をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記第一の電極を流れる第一のリーク電流を検出し、
前記第二の電極を流れる第二のリーク電流を検出し、
前記検出された第一のリーク電流と前記検出された第二のリーク電流の差が所定の範囲内となるように、前記直流電源を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
前記所定の範囲は、±０．７ｍＡ以内であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板とを有し、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板との間をシールにより気密封止するとともに、放電ガスを封止するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板に、前記放電ガスを導入するための空孔を設け、さらに前記空孔と表示領域の間に、前記表示領域に封止材が漏出することを防止するための土手を設けた後、
前記空孔から真空引きすると共に前記放電ガスを導入する排気・放電ガス導入・放電ガス回収機構を備えた製造用チャンバー内にプラズマディスプレイパネルを入れ、その後排気・放電ガス導入・放電ガス回収機構を用いて製造用チャンバー内を真空引きした後、放電ガスを導入し、
その後前記製造用チャンバー内において、前記背面側ガラス基板と前記前面側ガラス基板との間は、前記空孔から大気の進入を防ぐ封止材により封着される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマディスプレイパネルの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は表示用デバイスとして用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の代表的な実施の形態は、前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板とを有し、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板との間をシールにより気密封止するとともに、放電ガスを封止するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板に、前記放電ガスを導入するための空孔を設け、さらに前記空孔と表示領域の間に、前記表示領域に封止材が漏出することを防止するための土手を設けた後、前記空孔から真空引きすると共に前記放電ガスを導入する排気・放電ガス導入・放電ガス回収機構を備えた製造用チャンバー内にプラズマディスプレイパネルを入れ、その後排気・放電ガス導入・放電ガス回収機構を用いて製造用チャンバー内を真空引きした後、放電ガスを導入し、その後前記製造用チャンバー内において、前記背面側ガラス基板と前記前面側ガラス基板との間は、前記空孔から大気の進入を防ぐ封止材により封着されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側板ガラス上に電極を配置し、前記電極を保護するための保護膜が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜は、酸化カルシウムと酸化アルミニウムとを含有し、
カルシウムとアルミニウムの組成の比率が９９ｍｏｌ：１ｍｏｌから７５ｍｏｌ：２５ｍｏｌであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の代表的な実施の形態に関わるプラズマディスプレイパネルは、前面側板ガラス上に電極を配置し、電極を保護するための保護膜が形成されたものであって、前記保護膜は、酸化カルシウムと酸化アルミニウムとを含有し、カルシウムとアルミニウムの組成の比率が９９ｍｏｌ：１ｍｏｌから７５ｍｏｌ：２５ｍｏｌであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１は本発明の保護膜を適用したＰＤＰについての断面拡大図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本実施の形態でも二源蒸着によりＣａＯ：１０％Ａｌ、ＣａＯ：２４％Ａｌ組成の保護膜４を形成したＰＤＰ２種を生成することを想定する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板と、を封着するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板のいずれか一方に嵩上げ用リブを形成し、
前記嵩上げ用リブの少なくとも頂面を覆うようにシール層を形成した後、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板をそれぞれの接合面で重ね合わせ位置を決定して位置決めし、
その後レーザ光を照射して前記シール層を局所加熱して前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板を封着することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記嵩上げ用リブの断面の幅は、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板との間の放電空間を仕切り前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板間の距離を一定に支える支持用リブの断面の幅より太いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記嵩上げ用リブの光の吸収率が前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板のいずれか一方の光の吸収率と略同一、または低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマディスプレイパネルの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は，表示装置に用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の代表的な実施の形態は、前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板と、を封着するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板のいずれか一方に嵩上げ用リブを形成し、前記嵩上げ用リブの少なくとも頂面を覆うようにシール層を形成した後、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板をそれぞれの接合面で重ね合わせ位置を決定して位置決めし、その後レーザ光を照射して前記シール層を局所加熱して前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板を封着することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に積層された積層体と、
前記積層体の一方の側に露出する配線層を覆うように形成されたソルダーレジスト層と、を有し、
前記積層体の他方の側に絶縁層が露出しており、
前記ソルダーレジスト層は透明の淡黄色又は半透明の淡黄色である配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層を介して、前記積層体の一方の側に露出する配線層が視認可能である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層のパントーン数値は、DS1-4C〜1-9C、DS2-5C〜2-9C、DS3-6C〜3-8C、DS5-6C〜5-9C、DS6-6C〜6-9C、DS7-6C〜7-8C、DS9-5C〜9-8C、DS294-6C〜294-9C、DS295-6C〜295-9C、DS298-6C〜298-9C、DS299-6C〜299-9C、DS302-7C〜302-9C、DS303-7C〜303-9C、DS309-6C〜309-9C、DS310-6C〜310-9Cの何れか一に該当する請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層の波長３６０ｎｍの光に対する透過率は０〜２０％、波長４６０ｎｍの光に対する透過率は１０〜４０％、波長５６０ｎｍの光に対する透過率は３０〜６０％、波長６６０ｎｍの光に対する透過率は４５〜７０％、波長７６０ｎｍの光に対する透過率は５０〜７５％、波長８６０ｎｍの光に対する透過率は６０〜８０％である請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層の厚さは、５〜５０μｍである請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記ソルダーレジスト層は、淡黄色系顔料を含有している請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記積層体の一方の側に露出する配線層には識別マークが形成されており、
前記識別マークは、前記ソルダーレジスト層を介して視認可能である請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記積層体の他方の側に露出する絶縁層からは他の配線層が露出し、前記他の配線層は第１電極パッドとして機能し、
前記ソルダーレジスト層は、前記積層体の一方の側に露出する配線層の一部を露出する開口部を有し、前記開口部内に露出する配線層は第２電極パッドとして機能する請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１及び前記第２電極パッドの何れか一方は、半導体チップと電気的に接続するための電極パッドであり、
他方は、他の基板と電気的に接続するための電極パッドである請求項８記載の配線基板。
【請求項１０】
前記積層体は、コアとなる部材を有さず、
各配線層は、前記絶縁層を貫通する貫通配線により相互に接続されており、
前記貫通配線の前記積層体の一方の側の径は、前記積層体の他方の側の径よりも大きい請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本配線基板は、複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に積層された積層体と、前記積層体の一方の側に露出する配線層を覆うように形成されたソルダーレジスト層と、を有し、前記積層体の他方の側に絶縁層が露出しており、前記ソルダーレジスト層は透明の淡黄色又は半透明の淡黄色であることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に搭載される電子部品を電気的に接続するパッドと、位置ずれ検出用の検出パターンとを含む配線層と、
前記配線層を覆うように形成されるソルダーレジスト膜と
を備えた配線基板であって、
前記ソルダーレジスト膜は、該ソルダーレジスト膜の位置ずれを検出する位置ずれ検出用開口部と、前記パッドを露出するパッド用開口部とを有し、
前記検出パターン及び前記位置ずれ検出用開口部をそれぞれ複数設け、前記各検出パターンを、前記位置ずれ検出用開口部の外周側に枠状に形成するとともに、前記各検出パターンと前記位置ずれ検出用開口部の開口縁との間隔をそれぞれ異なる間隔とし、前記位置ずれ検出用開口部から前記検出パターンを確認することで、前記ソルダーレジスト膜の位置ずれを検出することを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記位置ずれ検出用開口部からアライメントマークが露出していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記配線層は、前記パッドに表面めっき層を形成するためのめっき給電層を含み、前記検出パターンは前記めっき給電層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記アライメントマークは前記検出パターン及びめっき給電層と交差して電気的に接続されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記配線基板が多数形成されるシートの周囲の余白部に、前記検出パターンを形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板面に搭載される電子部品が電気的に接続されるパッドと、位置ずれ検出用の検出パターンとを含む配線層と、前記配線層を覆うように形成されるソルダーレジスト膜とを備えた配線基板であって、前記ソルダーレジスト膜は、該ソルダーレジスト膜の位置ずれを検出する位置ずれ検出用開口部と、前記パッドを露出するパッド用開口部とを有し、前記検出パターン及び前記位置ずれ検出用開口部をそれぞれ複数設け、前記各検出パターンを、前記位置ずれ検出用開口部の外周側に枠状に形成するとともに、前記各検出パターンと前記位置ずれ検出用開口部の開口縁との間隔をそれぞれ異なる間隔とし、前記位置ずれ検出用開口部から前記検出パターンを確認することで、前記ソルダーレジスト膜の位置ずれを検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
電子スピン共鳴法により測定されるｇ＝１．９３近傍のシグナルのスピン密度が１．３×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３より小さく、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
リチウムの濃度が、５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項５】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
ナトリウムの濃度が、５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項６】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
カリウムの濃度が、５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項７】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、リチウムの濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項８】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ナトリウムの濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項９】
結晶性を有する領域を含む酸化物半導体膜であって、
水素の濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、カリウムの濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有し、
前記結晶性を有する領域は、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶を有し、
前記結晶性を有する領域は、周辺領域との間に結晶粒界が形成されないように含まれていること
を特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記結晶性を有する領域は、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の大きさを有することを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
電子スピン共鳴法により測定されるｇ＝１．９３近傍のシグナルのスピン密度が５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３より小さいことを特徴とする酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全方位の被写体を撮像するための全方位撮像光学系を備えるアダプタが着脱可能な撮像部と、
前記撮像部に対して前記アダプタが装着されているか否かを検出する装着検出部と、
前記装着検出部の検出結果に応じて、少なくとも全方位画像撮像モードと立体視画像撮像モードとを含む撮像モードを制御する制御手段と
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記立体視画像撮像モードに設定されている状態で、前記装着検出部が前記アダプタが装着されたことを検出した場合に、前記立体視画像撮像モードを解除して前記全方位画像撮像モードに設定する請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記アダプタが装着されている状態で前記立体視画像撮像モードに設定するためのユーザ操作が行われた場合には当該ユーザ操作を無効とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記アダプタが装着されている状態で前記立体視画像撮像モードに設定するためのユーザ操作が行われた場合には前記ユーザ操作が無効である旨を通知する制御を行う請求項２記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記装着検出部の検出結果に応じて、少なくとも前記全方位画像撮像モードと前記立体視画像撮像モードと平面画像撮像モードとを含む撮像モードを制御する請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記立体視画像撮像モードまたは前記平面画像撮像モードに設定されている状態で、前記装着検出部が、前記アダプタが装着されたことを検出した場合に、設定されているモードを解除して前記全方位画像撮像モードに設定する請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記アダプタが装着されている状態で前記立体視画像撮像モードに設定するためのユーザ操作が行われた場合には、当該ユーザ操作を無効とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像部は、第１の撮像部と第２の撮像部とで構成され、前記アダプタは、前記第１の撮像部に装着可能である請求項１記載の撮像装置。
【請求項９】
前記全方位画像撮像モードでは、前記第１の撮像部のみが用いられ、前記立体視画像撮像モードでは、前記第１及び第２の撮像部が用いられる請求項８記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記装着検出部が前記アダプタが装着されたことを検出した場合に、前記第１の撮像部により全方位画像を取得するとともに、前記第２の撮像部により平面画像を取得する特定撮像モードに設定する請求項９記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記特定撮像モードにおいて、前記全方位画像と前記平面画像とを同一のフォーマットとする請求項１０記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記フォーマットはサイドバイサイド方式である請求項１１記載の撮像装置。
【請求項１３】
全方位の被写体を撮像するための全方位撮像光学系を備えるアダプタが着脱可能な撮像部への前記アダプタの装着を検出するアダプタ装着検出手順と、
前記アダプタ装着検出手順の検出結果に応じて、少なくとも全方位画像撮像モードと立体視画像撮像モードとを含む撮像モードを制御する制御手順と
を備える撮像装置の制御方法。
【請求項１４】
全方位の被写体を撮像するための全方位撮像光学系を備えるアダプタが着脱可能な撮像部への前記アダプタの装着を検出するアダプタ装着検出手順と、
前記アダプタ装着検出手順の検出結果に応じて、少なくとも全方位画像撮像モードと立体視画像撮像モードとを含む撮像モードを制御する制御手順と
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して基板を走査方向に移動しつつ露光する露光装置において、
前記基板を保持して前記走査方向に移動可能な基板ステージと、
前記投影光学系の像面側に液体を供給して液浸領域を形成するノズルと、を含み、
前記ノズルの下面には前記液浸領域の液体を回収する液体回収口が設けられ、
前記液浸領域の外形は４つの隅を有し、
前記４つの隅のうちの一方の対角を構成する隅は前記走査方向に沿って並び、
前記４つの隅のうち他方の対角を構成する隅は前記走査方向と直交する非走査方向に沿って並んでなることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記一方の対角の中間の位置に、前記投影光学系の投影領域が配置されている請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記他方の対角の中間の位置に、前記投影光学系の投影領域が配置されている請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記投影領域の前記走査方向における大きさは、前記投影領域の前記非走査方向における大きさよりも小さい請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記基板ステージの凹部内に前記基板が保持され、
前記凹部内に保持された前記基板の表面と前記基板ステージの上面とは実質的に同じ高さである請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記基板ステージに保持された前記基板の表面と前記ステージの上面の一方から他方へ前記液浸領域が移動するように前記基板ステージが移動する請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板ステージと異なる第２ステージと、
制御装置と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記第２ステージと前記基板ステージとを接触又は接近させて移動させることにより、前記第２ステージと前記基板ステージの一方から他方へ前記液浸領域を移動させる請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２ステージは、前記基板の露光処理に関する計測を行う計測器を備える請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
気体とともに前記液浸領域の液体が前記液体回収口を介して回収される請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
回収された前記気体と前記液体とを分離する気液分離器を備える請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記回収された液体を収容するタンクを備える請求項９または１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記液浸領域の状態を検出する検出装置を備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記検出装置は、前記液浸領域を撮像する撮像素子を含む請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記ノズルは前記液体を供給する液体供給口を含み、
前記液体回収口は、前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給口より外側に配置される請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
投影光学系と液体とを介して基板ステージに保持された基板を走査方向に移動しつつ露光する露光方法において、
前記投影光学系のうち最も像面側に配置された光学素子を囲むように設けられたノズルの液体供給口から液体を供給するとともに、前記ノズルの下面に設けられた液体回収口から前記供給された液体を回収して前記投影光学系下に液浸領域を形成することと、
前記基板を前記走査方向に移動させながら、前記液浸領域の液体を介して前記基板を露光することと、を含み、
前記液浸領域の外形は４つの隅を有し、
前記４つの隅のうちの一方の対角を構成する隅は前記走査方向に沿って並び、
前記４つの隅のうち他方の対角を構成する隅は前記走査方向と直交する非走査方向に沿って並んでなることを特徴とする露光方法。
【請求項１６】
前記一方の対角の中間の位置に、前記投影光学系の投影領域が配置されている請求項１５に記載の露光方法。
【請求項１７】
前記他方の対角の中間の位置に、前記投影光学系の投影領域が配置されている請求項１６に記載の露光方法。
【請求項１８】
前記投影領域の前記走査方向における大きさは、前記投影領域の前記非走査方向における大きさよりも小さい請求項１７に記載の露光方法。
【請求項１９】
前記基板ステージの凹部内に前記基板が保持され、
前記凹部内に保持された前記基板の表面と前記基板ステージの上面とは実質的に同じ高さである請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２０】
前記基板ステージに保持された前記基板の表面と前記ステージの上面の一方から他方へ前記液浸領域が移動するように前記基板ステージが移動する請求項１９に記載の露光方法。
【請求項２１】
前記基板ステージと異なる第２ステージと前記基板ステージとを接触又は接近させて移動させることにより、前記第２ステージと前記基板ステージの一方から他方へ前記液浸領域が移動する請求項１５〜２０のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２２】
前記第２ステージは、前記基板の露光処理に関する計測を行う計測器を備える請求項２１に記載の露光方法。
【請求項２３】
気体とともに前記液浸領域の液体が前記液体回収口を介して回収される請求項１５〜２２のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２４】
回収された前記気体と前記液体とが分離される請求項２３に記載の露光方法。
【請求項２５】
前記液浸領域の状態を検出することをさらに含む請求項１５〜２４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２６】
撮像素子を用いて前記液浸領域の状態が撮像される請求項２５に記載の露光方法。
【請求項２７】
前記ノズルは前記液体を供給する液体供給口を含み、
前記液体回収口は、前記投影光学系の投影領域に対して前記液体供給口より外側に配置される請求項１５〜２６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項２８】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年４月２８日に出願された特願２００５−１３１８６６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系下を移動可能なステージと、
前記ステージ上に配置された光学部品に付着した液体を検出する検出装置と、
を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記光学部品は、前記露光光を計測する計測用センサを含む請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記計測用センサは、前記投影光学系下に形成された液浸領域を介して前記投影光学系の像面の位置を計測する空間像計測センサを含む請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記光学部品に、前記ステージの移動を規定する座標系における前記ステージの位置を計測するための計測光が照射される請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光学部品の上面と前記ステージの上面が同じ高さとなるように、前記ステージの凹部に前記光学部品が配置されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記ステージの上面は、前記液体に対して撥液性を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光学部品の上面は、前記液体に対して撥液性を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記ステージは前記基板を保持する基板保持部を有し、
前記光学部品は前記基板保持部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記基板の表面と前記ステージの上面とが同じ高さとなるように、前記基板が前記基板保持部に保持される請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記検出装置の検出光と前記ステージとを相対的に移動しながら前記光学部品に付着した液体が検出される請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系下に前記液体の液浸領域を形成する流路形成部材を有し、
前記検出装置で検出される液体は、前記液浸領域から流出して前記光学部品に付着した液滴を含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記液滴は、前記流路形成部材で回収されずに残留する液体を含む請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記ステージは基板を保持する基板ステージを含み、
露光後の前記基板を保持する前記基板ステージが、前記基板をアンロードするアンロード位置に移動するまでに、前記検出装置による前記液体の検出が行なわれる請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記基板の表面よりも小さい領域に局所的に形成される液体の液浸領域を介して前記基板が露光される請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置に用いられる液体検出方法であって、
前記投影光学系下を移動可能なステージ上に配置された光学部品に付着した液体を検出することを特徴とする液体検出方法。
【請求項１６】
前記光学部品は、前記露光光を計測する計測用センサを含む請求項１５に記載の液体検出方法。
【請求項１７】
前記計測用センサは、前記投影光学系下に形成された液浸領域を介して前記投影光学系の像面の位置を計測する空間像計測センサを含む請求項１６に記載の液体検出方法。
【請求項１８】
前記光学部品に、前記ステージの移動を規定する座標系における前記ステージの位置を計測するための計測光が照射される請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項１９】
前記光学部品の上面と前記ステージの上面が同じ高さとなるように、前記ステージに前記光学部品が配置されている請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２０】
前記ステージの上面は、前記液体に対して撥液性を有する請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２１】
前記光学部品の上面は、前記液体に対して撥液性を有する請求項１５〜２０のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２２】
前記ステージは前記基板を保持する基板保持部を有し、
前記光学部品は前記基板保持部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２３】
前記基板の表面と前記ステージの上面とが同じ高さとなるように、前記基板が前記基板保持部に保持される請求項２２に記載の液体検出方法。
【請求項２４】
前記検出装置の検出光と前記ステージとを相対的に移動しながら前記光学部品に付着した液体が検出される請求項１５〜２３のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２５】
前記露光装置は前記投影光学系下に前記液体の液浸領域を形成する流路形成部材を有し、
前記検出装置で検出される液体は、前記液浸領域から流出して前記光学部品に付着した液滴を含む請求項１５〜２４のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２６】
前記液滴は、前記流路形成部材で回収されずに残留する液体を含む請求項２５に記載の液体検出方法。
【請求項２７】
前記ステージは基板を保持する基板ステージを含み、
露光後の前記基板を保持する前記基板ステージが、前記基板をアンロードするアンロード位置に移動するまでに、前記検出装置による前記液体の検出が行なわれる請求項１５〜２６のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２８】
前記基板の表面よりも小さい領域に局所的に形成される液体の液浸領域を介して前記基板が露光される請求項１５〜２７のいずれか一項に記載の液体検出方法。
【請求項２９】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、液体検出方法、及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置、液体検出方法、及びデバイス製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側近傍に設けられ、第１液体回収口を有する第１ノズル部材と、
前記第１ノズル部材との間に間隙が形成されるように配置され、前記投影光学系の投影領域に対して前記第１回収口の外側に配置される第２液体回収口を有する第２ノズル部材と、
前記第１ノズル部材および前記第２ノズル部材から前記投影光学系に振動が伝達されることを防止する防振装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記防振装置は、アクチュエータを有する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記防振装置は、前記アクチュエータを制御することによって振動を減衰する請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２ノズル部材をノズル保持機構に接続する接続機構をさらに備える請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記接続機構が、防振機構として機能する請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側近傍に設けられ、第１液体回収口を有する第１ノズル部材と、
前記第１ノズル部材との間に間隙が形成されるように配置され、前記投影光学系の投影領域に対して前記第１回収口の外側に配置される第２液体回収口を有する第２ノズル部材と、
前記第２ノズル部材をノズル保持機構に接続する接続機構と、を備え、
前記接続機構が、防振機構として機能する露光装置。
【請求項７】
前記接続機構は、アクチュエータを有し、アクティブ型の防振機構として機能する請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記接続機構は、弾性体を有し、パッシブ型の防振機構として機能する請求項５〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記接続機構を防振機構として機能させることにより、前記第２ノズル部材の振動が前記投影光学系へ伝達されることが防止される請求項５〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１ノズル部材の下面に液体供給口が配置される請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記液体供給口は、前記投影光学系の投影領域と前記第１液体回収口との間に設けられる請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１液体回収口は、前記液体供給口を囲むように、前記第１ノズル部材の下面に設けられている１０又は１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１ノズル部材の下面に凹部が形成され、前記凹部の外側に前記第１液体回収口が設けられている請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記凹部を囲むように前記第１液体回収口が設けられている請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第１液体回収口は、前記投影領域を囲むように設けられている請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２ノズル部材の下面が、前記第１ノズル部材の下面よりも低い請求項１〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２ノズル部材が可動である請求項１〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２ノズル部材は、前記第１ノズル部材の周りを囲むように設けられる請求項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第２液体回収口は、前記投影領域を囲むように前記第２ノズル部材の下面に設けられている請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記間隙を形成する前記第１ノズル部材の側面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記間隙を形成する前記第１ノズル部材の側面は、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料の少なくとも一つの膜の表面を含む請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第１ノズル部材の前記膜は、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、及びシリコン系樹脂材料の少なくとも一つが前記第１ノズル部材の側面に塗布されて形成される請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記膜は、前記第１ノズル部材の側面に貼付されたフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、及びシリコン系樹脂材料の少なくとも一つからなる薄膜を含む請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記間隙を形成する前記第２ノズル部材の側面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記間隙を形成する前記第２ノズル部材の側面は、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、シリコン系樹脂材料の少なくとも一つの膜の表面を含む請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記第２ノズル部材の前記膜は、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、及びシリコン系樹脂材料の少なくとも一つを前記第２ノズル部材の側面に塗布されて形成される請求項２５に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記第２ノズル部材の前記膜は、前記第２ノズル部材の側面に貼付されたフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、及びシリコン系樹脂材料の少なくとも一つからなる薄膜を含む請求項２５に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第１ノズル部材は、前記投影光学系の像面側端部の光学素子の周りを囲むように設けられ、
前記光学素子と前記第１ノズル部材との間には間隙が形成されている請求項１〜２７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記光学素子との間で前記間隙を形成する第１ノズル部材の内側面は、前記液体に対して撥液性である請求項２８に記載の露光装置。
【請求項３０】
前記第１ノズル部材との間で前記間隙を形成する前記光学素子の側面は、前記液体に対して撥液性である請求項２８又は２９に記載の露光装置。
【請求項３１】
前記第１液体回収口に多孔体が配置されている請求項１〜３０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記第２液体回収口に多孔体が配置されている請求項１〜３１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記第１ノズル部材は、前記投影光学系の像面側の気体、及び前記液体中の気泡の少なくとも一方を排出するための排気口を有する請求項１〜３２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記排気口は、前記基板が対向する前記第１ノズル部材の下面に配置される請求項３３に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記第２液体回収口を介して液体が回収されたか否かを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に基づいて、露光装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項１〜３４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３６】
前記基板を保持する基板ステージをさらに備え、
前記基板ステージは、前記投影光学系、前記第１ノズル部材、及び前記第２ノズル部材の下方で移動する請求項１〜３５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３７】
請求項１〜請求項３７のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。