Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸コネクタとされるＴＶ端子が前面に設けられているシールドケースを備え、前面が開口されている箱状のスイッチボックスに収納される直列ユニットであって、
前記シールドケースから、ＴＶ信号が伝送されてきた同軸ケーブルの端部に設けられている同軸プラグを装着することができる同軸コネクタとされる入力端子が先端に設けられている入力用同軸ケーブルが導出されており、該入力用同軸ケーブルを介して前記シールドケース内に入力されたＴＶ信号が分岐されて前記ＴＶ端子から出力され、
前記入力用同軸ケーブルは、前記スイッチボックス内において規定の曲げ半径で折り返すように屈曲可能な外径とされていると共に、前記スイッチボックスの上面と下面に開けられた貫通孔に前記入力端子が臨むことができる長さとされていることを特徴とする直列ユニット。
【請求項２】
同軸コネクタとされるＴＶ端子が前面に設けられているシールドケースを備え、前面が開口されている箱状のスイッチボックスに収納される直列ユニットであって、
前記シールドケースから、ＴＶ信号が伝送されてきた同軸ケーブルの端部に設けられている同軸プラグを装着することができる同軸コネクタとされる入力端子が先端に設けられている入力用同軸ケーブルと、次段へＴＶ信号を伝送する同軸ケーブルの端部に設けられている同軸プラグを装着することができる同軸コネクタとされる出力端子が先端に設けられている出力用同軸ケーブルとが導出されており、該入力用同軸ケーブルを介して前記シールドケース内に入力されたＴＶ信号が分岐されて前記ＴＶ端子から出力され、分岐された後のＴＶ信号が前記出力用同軸ケーブルを介して前記出力端子から出力され、
前記入力用同軸ケーブルおよび前記出力用同軸ケーブルは、前記スイッチボックス内において規定の曲げ半径で折り返すように屈曲可能な外径とされていると共に、前記スイッチボックスの上面と下面に開けられた貫通孔に前記入力端子および前記出力端子が臨むことができる長さとされていることを特徴とする直列ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、同軸コネクタとされるＴＶ端子が前面に設けられているシールドケースを備え、前面が開口されている箱状のスイッチボックスに収納される直列ユニットであって、前記シールドケースから、ＴＶ信号が伝送されてきた同軸ケーブルの端部に設けられている同軸プラグを装着することができる同軸コネクタとされる入力端子が先端に設けられている入力用同軸ケーブルが導出されており、該入力用同軸ケーブルを介して前記シールドケース内に入力されたＴＶ信号が分岐されて前記ＴＶ端子から出力され、前記入力用同軸ケーブルは、前記スイッチボックス内において規定の曲げ半径で折り返すように屈曲可能な外径とされていると共に、前記スイッチボックスの上面と下面に開けられた貫通孔に前記入力端子が臨むことができる長さとされていることを最も主要な特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートと、
中央部分に開口部が形成されると共に、外周部分に記録ディスクが載置されるべきディスク載置部を有するハブと、
前記ベースプレートに対して前記ハブを回転自在に支持する軸受ユニットと、
を備え、
前記軸受ユニットは、
前記開口部の内周に結合される外側スリーブと、
前記外側スリーブの内周に結合される内側スリーブと、
前記内側スリーブに収納され一端部を前記ベースプレートに結合されるシャフトと、
前記内側スリーブの内周面と前記シャフトの外周面の少なくともいずれか一方に設けられたラジアル動圧溝と、
前記内側スリーブの内周面と前記シャフトの外周面との間に介在する潤滑剤と、
を含み、
前記外側スリーブと前記ハブの結合部分には、第１硬化性樹脂を介在させて前記外側スリーブと前記ハブを結合する接着領域と、前記外側スリーブの軸方向において前記接着領域の両側に設けられて当該接着領域に対応する前記外側スリーブと前記ハブとの隙間より狭い部分を形成する突出領域と、が形成されていることを特徴とする回転機器。
【請求項２】
内周部が前記シャフトの外周面に結合されると共に外周部が前記内側スリーブの軸方向の端部から離れるのに連れて縮径する第１テーパ部を有する内側リングと、外周部が前記ハブ側に接合されると共に内周部が前記第１テーパ部に対向しつつ前記内側スリーブの軸方向の端部から離れるのに連れて縮径する第２テーパ部を有する外側リングと、が前記内側スリーブの軸方向の外側に配置され、
対向する前記第１テーパ部と前記第２テーパ部で形成される隙間が前記内側スリーブの軸方向の端部から離れるのに連れて拡がるキャピラリーシール部を構成することを特徴とする請求項１記載の回転機器。
【請求項３】
前記外側リングは、前記ハブと一体的に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回転機器。
【請求項４】
前記外側リングは、前記外側スリーブと一体的に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回転機器。
【請求項５】
前記内側リングは、当該内側リングの軸方向の端面が前記内側スリーブの軸方向の端面と所定の隙間を介して対向するように配置され、
前記外側リングは、当該外側リングの軸方向の端面が前記内側スリーブの軸方向の端面と接するように配置され、
前記内側スリーブの軸方向の端面は、前記内側リングの軸方向の端面が対向する領域と前記外側リングの軸方向の端面が接する領域とが平坦であることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項６】
前記内側リングの軸方向の端面と、それに対向する前記内側スリーブの軸方向の端面の少なくともいずれか一方にスラスト動圧溝が形成され、当該スラスト動圧溝とその対向面の間に前記潤滑剤が介在することを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項７】
前記内側スリーブの軸方向の端面には、前記内側リングの軸方向の端面と対向する領域と前記外側リングの軸方向の端面と接する領域に跨って前記スラスト動圧溝が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の回転機器。
【請求項８】
前記内側リングは、当該内側リングの縮径側の端部が前記外側リングの縮径側の端部より、前記内側リングの軸方向に対して突出するように配置されていることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項９】
前記外側スリーブと前記内側スリーブの少なくともいずれか一方には、前記内側スリーブの軸方向の両端面を連通させる連通路が形成され、前記連通路には前記潤滑剤が介在することを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項１０】
前記キャピラリーシール部の気液界面を覆うように前記外側リングの外周面に結合されるキャップ部材をさらに備えることを特徴とする請求項２から請求項９のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項１１】
前記ハブは、
外周に前記記録ディスクの内周と係合する外筒部と、
前記外筒部において前記軸方向で前記ベースプレートと反対側の端部に突出した周状壁部と、
前記周状壁部の径方向内側に前記周状壁部より前記ハブの回転軸方向に凹んだ第１周状凹部と、
前記第１周状凹部の径方向内側に前記第１周状凹部より前記回転軸方向に凹んだ第２周状凹部と、
前記第２周状凹部の径方向内側に前記回転軸方向に突出した第１周状凸部と、
前記第１周状凹部に配設された複数のネジ穴と、
を備えていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の回転機器。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の回転機器の製造方法であって、
前記内側スリーブに収納される小径部と前記小径部より大きな大径部を有する前記シャフトを含む前記軸受ユニットを組み立て、
前記ハブに前記軸受ユニットを結合してサブアッセンブリを組み立て、
前記ディスク載置部が調芯台の台座上に設けられた受け台に接触するように前記サブアッセンブリを載置し、
前記大径部を遊嵌状態で収納する軸受孔を有する前記ベースプレートの当該軸受孔に第２硬化性樹脂を塗布し、
前記軸受孔の中心と前記大径部の中心が一致するように前記ベースプレートを移動して、前記軸受孔の外縁に前記第２硬化性樹脂がはみ出すように前記軸受孔を前記大径部に嵌め合わせ、
前記第２硬化性樹脂が硬化する前に、当該第２硬化性樹脂が前記軸受孔と前記大径部との隙間に浸透させて、
前記ベースプレートと前記サブアッセンブリを前記調芯台に載置した状態で前記軸受孔の外縁にはみ出した前記第２硬化性樹脂を仮硬化させ、
前記第２硬化性樹脂が仮硬化した後に前記ベースプレートと前記サブアッセンブリとに介在する前記第２硬化性樹脂を本硬化させることを特徴とする回転機器の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサであって、
セキュアな起動プロセスを開始するセキュアなエンター命令に応答して、
ポイントツーポイント相互接続を介して前記プロセッサに連結する他のプロセッサが、休止状態に入ったことを確認し、
前記他のプロセッサが休止状態に入ったことを確認した後で、セキュアな起動ソフトウエアをセキュアなメモリにコピーし、
前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアの実行を開始し、
前記セキュアな起動ソフトウエアの実行の後に、プロセッサ実行制御をセキュアな仮想マシンモニタに転送して、前記セキュアな仮想マシンモニタの自己初期化ルーチンを実行する、
ロジックを含むプロセッサ。
【請求項２】
前記ロジックは、前記セキュアな起動ソフトウエアを前記セキュアなメモリにコピーし、前記セキュアなメモリ中の前記セキュアな起動ソフトウエアを検証する、
請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項３】
前記ロジックは、前記セキュアな起動ソフトウエアに制御を転送することで、前記セキュアな起動ソフトウエアの実行を開始する
請求項１又は２に記載のプロセッサ。
【請求項４】
前記他のプロセッサが前記セキュアな環境において実行を開始する位置を供給する
請求項１から３のいずれか１項に記載のプロセッサ。
【請求項５】
第１のプロセッサにより、ポイントツーポイント相互接続を介して前記第１のプロセッサに連結する第２のプロセッサが休止状態に入ったことを確認すること、及び、前記第２のプロセッサが休止状態に入った後でセキュアな起動ソフトウエアをセキュアなメモリにコピーすることを含み、セキュアな起動プロセスを開始するセキュアなエンター命令を実行する段階と、
前記セキュアなエンター命令に応答して、前記第１のプロセッサにより、前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアを実行する段階と、
前記セキュアな起動ソフトウエアの実行の後に、プロセッサ実行制御をセキュアな仮想マシンモニタに転送して、前記セキュアな仮想マシンモニタの自己初期化ルーチンを実行する段階と、
を含む方法。
【請求項６】
前記セキュアなエンター命令に応じて、前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアを検証する段階をさらに含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記セキュアなエンター命令に応じて、前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアを検証する段階は、
前記セキュアな起動ソフトウエアのデジタル署名を使用する段階を含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記セキュアな起動ソフトウエアの前記デジタル署名は、前記セキュアな起動ソフトウエアのハッシュから生成される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記セキュアな環境において前記第２のプロセッサが実行を開始する位置を提供する段階をさらに含む、
請求項５から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
セキュアな起動プロセスを開始するセキュアなエンター命令に応じて、セキュアな起動ソフトウエアをセキュアなメモリにコピーし、前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアの実行を開始する第１のプロセッサ、及び、
前記第１のプロセッサにポイントツーポイント相互接続を介して連結し、前記セキュアなメモリ内の前記セキュアな起動ソフトウエアの検証の後に、前記第１のプロセッサにより提供された位置における前記セキュアな環境において実行を開始する第２のプロセッサを含み、
前記第１のプロセッサは、前記セキュアな起動ソフトウエアの実行の後に、プロセッサ実行制御をセキュアな仮想マシンモニタに転送して、前記セキュアな仮想マシンモニタの自己初期化ルーチンを実行し、
前記第１のプロセッサは、前記セキュアなメモリに前記セキュアな起動ソフトウエアをコピーする前に、前記第２のプロセッサが休止状態に入ったことを確認する、
システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
トラステッドなＳＩＮＩＴコードはその実行を完了して、ＳＶＭＭの識別情報をＰＣＲに登録すると、ＳＩＮＩＴコードはＩＬＰ実行制御をＳＶＭＭに転送しうる。典型的な実施形態においては、ＩＬＰにより実行される第１のＳＶＭＭ命令は、ＳＶＭＭの自己初期化ルーチンを表しうる。システム２００は、以下の図３の説明で概略を示すように、目下実行しているＳＶＭＭのコピーの監督下で、トラステッドなモードで動作することができる。ここからは、システム全体は、以下の図３の説明で概略を示すように、トラステッドなモードで動作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性トラックの行及び列を有し、行は隣同士に配置されて第１層を形成し、列は隣同士に配置されて第２層を形成し、行の前記第１層と列の前記第２層との間に透明な抵抗層が配置され、前記透明な抵抗層の抵抗が前記透明な抵抗層上に働く圧力の関数として減少する、透明な蝕知マトリックスセンサーと、
前記透明な抵抗層によって互いに分離した行と列との各交差領域に対する電気抵抗を測定して、各交差領域における圧力の情報を得て、触知情報を得るように構成された測定ユニットと、
を備え、
ディスプレイ装置上に配置されて、触知情報を得るように構成されたデバイス。
【請求項２】
前記透明な抵抗層が、抵抗を有する電気導電性ポリマーによって形成される請求項１に記載の触知情報を得るように構成されたデバイス。
【請求項３】
更に、前記測定ユニットを用いて、前記透明な蝕知マトリックスセンサーの導電性トラックの行及び列から触知情報を順番に読み出すように構成され、且つ、前記透明な蝕知マトリックスセンサーの触知情報の電流状態を表すイメージをメモリー内に記憶するように構成された走査制御ユニットを有する請求項１に記載の触知情報を得るように構成されたデバイス。
【請求項４】
前記透明な蝕知マトリックスセンサーが、前記走査制御ユニットによって並列に読み出される複数の走査ゾーンを有する請求項３に記載の触知情報を得るように構成されたデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンの像を投影光学系によって基板上のレジストに投影して前記レジストを露光し、該露光されたレジストを現像することによって前記レジストに形成されるレジストパターンをコンピュータを用いて算出する方法であって、
前記レチクルのパターンおよび露光条件に基づいて、前記レジストに形成される光学像の光強度分布を算出する第１工程と、
前記第１工程で算出された光強度分布を第１の拡散長で畳み込み積分する第２工程と、
前記第１工程で算出された光強度分布又は前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布から前記レジストの面内における各点について該点を含む所定の大きさの領域における光強度を代表する代表光強度を算出する第３工程と、
前記代表光強度の分布をＪとし、ａｋ及びαをそれぞれ定数とし、ｎを自然数とするとき、式
2012089673.tif 000001
で表される第１の関数を含む補正関数を、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布に加算することによって、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布を補正する第４工程と、  前記第４工程で補正された光強度分布と予め設定されたスライスレベルとに基づいて前記レジストパターンを算出する第５工程と、
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記領域は、前記各点を中心とし、半径が１７ｎｍ以上１μｍ以下の円又は一辺が３４ｎｍ以上２μｍ以下の正方形の領域であり、
前記代表光強度は、前記領域における光強度の最小値、最大値又は平均値である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１工程で算出された光強度分布を前記第１の拡散長よりも大きい第２の拡散長で畳み込み積分する第６工程をさらに含み、
前記第６工程で畳み込み積分された光強度分布をＫとし、ｂｌ及びβをそれぞれ定数とし、ｍを自然数とするとき、前記補正関数は、前記第１の関数に加えて、式
2012089673.tif 000002
で表される第２の関数を含む、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の拡散長は、５０ｎｍ以下であり、前記第２の拡散長は、５０ｎｍ以上２００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記定数ａｋ、ｂｌ、α及びβは、前記補正関数で補正された光強度分布の前記レチクルのパターンに対する敏感度及び露光量に対する敏感度を含む評価関数の値が許容範囲内となるように設定されている、ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記定数ａｋ、ｂｌ、α及びβは、前記補正関数で補正された光強度分布から算出されたレジストパターンの線幅と露光処理によって得られたレジストパターンの線幅との差分の二乗平均平方根で表される評価関数の値が許容範囲内となるように設定されている、ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の方法。
【請求項７】
レチクルのパターン及び投影光学系を介して基板上のレジストを露光し、該露光されたレジストを現像することによって前記レジストに形成されるレジストパターンを算出する方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記方法は、
前記レチクルのパターンおよび露光条件に基づいて、前記レジストに形成される光学像の光強度分布を算出する第１工程と、
前記第１工程で算出された光強度分布を第１の拡散長で畳み込み積分する第２工程と、
前記第１工程で算出された光強度分布又は前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布から前記レジストの面内における各点について該点を含む所定の大きさの領域における光強度を代表する代表光強度を算出する第３工程と、
前記代表光強度の分布をＪとし、ａｋ及びαをそれぞれ定数とし、ｎを自然数とするとき、式
2012089673.tif 000003
で表される第１の関数を含む補正関数を、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布に加算することによって、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布を補正する第４工程と、
前記第４工程で補正された光強度分布と予め設定されたスライスレベルとに基づいて前記レジストパターンを算出する第５工程と、
を含む、ことを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012089673.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記記憶層材料膜として、
テルル（Ｔｅ），硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうち少なくとも１種のカルコゲン元素と共にイオン化可能な金属元素を含むイオン源層材料膜と、
前記イオン源層材料膜よりも抵抗値の高い材料よりなる抵抗変化層材料膜と
を形成する請求項１または２記載の記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記上部電極および前記下部電極への電圧印加によって前記記憶層に少なくとも前記銅（Ｃｕ）および前記ジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つを含む導電パスが形成されることにより、前記記憶層の抵抗値が低下する
請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の記憶素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このように本実施の形態の記憶装置の製造方法では、下部電極材料膜２０Ａを第１の方向に伸びる第１の線状パターンＰｘに成形したのち、下部電極材料膜２０Ａの上に、記憶層材料膜４０Ａおよび上部電極材料膜５０Ａをこの順に形成し、記憶層材料膜４０Ａおよび上部電極材料膜５０Ａを、第１の方向に垂直な第２の方向に伸びる第２の線状パターンＰｙに成形することにより上部電極５０および記憶層４０を形成したのち、下部電極材料膜２０Ａを第２の線状パターンＰｙに成形することにより、第１の線状パターンＰｘと第２の線状パターンＰｙとが交差する領域に四辺形の平面形状を有する下部電極２０を形成するようにしたので、下部電極２０を記憶層４０および上部電極５０に対して自己整合的に形成し、下部電極２０と記憶層４０および上部電極５０とのアライメントずれを極めて小さくすることが可能となる。また、下部電極２０のボイドに起因する製品不良を抑えると共に、下部電極２０の大きさや間隔を小さくすることが可能となり、微細化・高密度化に極めて有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略箱状の本体部と、この本体部内に略中間を揺動可能に軸支され、一端部の操作部が前記本体部から外方へ突出すると共に、他端部の駆動部が本体部内に延出したレバーと、前記駆動部に設けられた弾接部が前記本体部内側に形成されたカム部に弾接摺動すると共に前記レバーを複数の操作位置に保持する節度手段と、前記本体部内に配設され前記レバーの揺動操作に伴い電気的接離が行われるスイッチ接点からなり、前記操作部を上方から下方へ複数の操作位置に揺動操作する時の各操作位置間の最大操作力を、前記節度手段によって順次増加させた車両用レバースイッチ。
【請求項２】
前記操作部を上方から下方へ複数の操作位置に揺動操作する時の最大操作力と最低操作力が発生する角度間隔を、略同一間隔とした請求項１記載の車両用レバースイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
維持電極及び走査電極を含んで構成される複数の放電電極対と、放電空間に露出する保護膜層と、を有する基板を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記走査電極近傍の保護膜層上に塗布されるプライミング粒子放出粉体の被覆率が、前記維持電極近傍の保護膜層上に塗布されるプライミング粒子放出粉体の被覆率よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、維持電極及び走査電極を含んで構成される複数の放電電極対と、放電空間に露出する保護膜層と、を有する基板を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記走査電極近傍の保護膜層上に塗布されるプライミング粒子放出粉体の被覆率が、前記維持電極近傍の保護膜層上に塗布されるプライミング粒子放出粉体の被覆率よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
走査電極２に面した保護膜層５の直上には、多くのプライミング粒子放出粉体を塗布する。一方で、維持電極３に面した保護膜層５の直上には少なめのプライミング粒子放出粉体を塗布する。これにより、走査電極２近傍の保護膜層５上に塗布されるプライミング粒子放出粉体１２の被覆率が、維持電極３近傍の保護膜層５上に塗布されるプライミング粒子放出粉体１２の被覆率よりも大きい構成としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（動作の説明）
つぎに、上記のように走査電極２近傍のプライミング粒子放出粉体の被覆率を、維持電極３近傍のプライミング粒子放出粉体の被覆率より大きくしたプラズマディスプレイパネルの動作について説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リアクトル用コア、リアクトル、及びコンバータ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアクトルを構成するコイルで覆われるコイル配置部と、コイルで覆われない露出部とを具える環状のリアクトル用コアであって、
このコアは、前記コイル配置部と前記露出部とがギャップを介することなく一体化されてなり、
前記コイル配置部は、磁性粉末と、非磁性粉末と、樹脂とから構成される硬化成形体であり、
前記露出部は、前記コイル配置部よりも比透磁率が高いリアクトル用コア。
【請求項２】
前記露出部の比透磁率は、前記コイル配置部の比透磁率の2倍以上であり、
前記コイル配置部の比透磁率は、3以上50以下であり、
前記リアクトル用コア全体の平均透磁率は、比透磁率で5以上50以下である請求項1に記載のリアクトル用コア。
【請求項３】
前記非磁性粉末は、Cu,Al,Si,Al2O3,SiO2のいずれかである請求項1又は2に記載のリアクトル用コア。
【請求項４】
前記露出部は、圧粉成形体である請求項1〜3のいずれか1項に記載のリアクトル用コア。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれか1項に記載のリアクトル用コアを具えるリアクトル。
【請求項６】
請求項5に記載のリアクトルを具えるコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも１種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した光の反射を用いて蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記蛍光体層を所定の方向に所定の振動振幅および所定の振動周波数で振動させる振動手段が設けられていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１記載の光源装置において、前記振動手段は、前記蛍光体層を前記光源装置の光取り出し方向に振動させることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の光源装置において、前記振動手段は、前記励起光の位相を半分以上変化させる振動振幅、３０Ｈｚ以上の振動周波数で、前記蛍光体層を振動させることを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光源装置において、前記蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面とは反対側に反射面が設けられていることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、紫外光から可視光までの波長領域のうちの所定の波長の光を発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも１種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した光の反射を用いて蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記蛍光体層を所定の方向に所定の振動振幅および所定の振動周波数で振動させる振動手段が設けられていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
実施例２（サンプルＮｏ．１７〜３０）
次に、樹脂被覆部４の後端部分に、テーパ部を有する端子圧着電線１（Ｎｏ．２９、３０はテーパ部を設けなかった。）について曲げ試験を行ない、アルミニウム電線２と樹脂被覆部４の樹脂皮膜の剥がれ難さを調べた。テーパ部の長さをｄ、テーパ部立ち上がり角度をαとする。インシュレーションバレル３１の後端から３ｃｍ後ろの箇所と、接続端子３の電気接触部３３を持ち、圧着面方向に９０°に曲げ、その後逆方向に９０°に曲げることを１回とし、何回でインシュレーションバレル３１に到達する樹脂被覆部４の樹脂皮膜の剥がれが生じるかを調べた。樹脂皮膜の剥がれの有無の確認は目視観察で行った。このとき、サンプル１７〜２９の樹脂被覆部４において、アルミニウム導体線２３の先端から樹脂被覆部４の先端までの長さａは１ｍｍ、導体線部２２の上側を覆う樹脂被覆部の厚さｂは０．１ｍｍ、および端子の切断面上の樹脂被覆部の厚さｃは０．１ｍｍとした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【表２】
2012089431.tif 000001
※インシュレーションバレル後端から樹脂被覆部の後端までの長さである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層と、前記光電変換層の一方の面に配置された炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び／又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極と、前記光電変換層の他方の面に配置された陽電極とを、具備することを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記単層グラフェン及び／又は多層グラフェンが、平面状であることを特徴する請求項１記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記陰電極の仕事関数が、アルミニウムと同等か小さいことを特徴する請求項１及び請求項２のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記炭素原子の一部が、さらに、酸素原子、ホウ素原子、リン原子および砒素原子から選ばれる少なくともいずれか１種の原子で置換されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記陰電極と前記光電変換層の間に、電子注入層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記陽電極が無置換、ホウ素原子で置換された単層グラフェン及び／又は多層グラフェンから選ばれる少なくともいずれか１種を構成要素とすることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項７】
陰電極のグラフェンに電子ドナー性の分子及び／又は原子がドーピングされているか、もしくは陽電極のグラフェンに電子アクセプター性の分子及び／又は原子がドーピングされていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記窒素原子の置換量が０．１から３０atm％であることを特徴とする請求項1乃至請求項７のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記陰電極に、金、銅、銀、チタン、タングステン、アルミニウムやこれらの合金から選ばれる少なくとも1つの金属からなる配線が作成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項８のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項１０】
前記陽電極は、ステンレス鋼、銅、銀、亜鉛、チタン、タングステン、モリブデン、クロム、ニッケルやこれらの合金、ＩＴＯ、無置換もしくは一部をホウ素で置換されたグラフェンから選ばれる少なくとも１つを構成材料とすることを特徴とする請求項1乃至請求項９のいずれか１項記載の光電変換素子。
【請求項１１】
炭素原子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び／又は多層グラフェンを構成要素とする陰電極を基板上に形成する工程と、前記陰電極上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層の上に陽電極を作製する工程を、具備することを特徴と
する光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
前記陰電極を形成する工程後、前記陰電極上に光電変換層を形成する工程の前に、電子注入層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１３】
前記陰電極上に光電変換層を形成する工程後、第２の光電変換層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１および請求項１２のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１４】
前記陰電極を形成する工程において、Ｃｕ箔を下地触媒層として用い、前記Ｃｕの溶解にアンモニアアルカリ性の塩化第二銅エッチャントを用いることを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか1項記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）モード同期半導体レーザ素子、及び、
（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子、
を備えた半導体レーザ装置組立体であって、
モード同期半導体レーザ素子と回折格子との間に、モード同期半導体レーザ素子の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段を有する半導体レーザ装置組立体。
【請求項２】
回折格子を回動させる回動装置を更に備え、
回動装置の作動による回折格子の回動によって、モード同期半導体レーザ素子に戻すべきレーザ光の波長を制御する請求項１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項３】
回折格子から出力された０次の回折光を反射する反射鏡を更に備え、
回動装置の作動による回折格子の回動に起因した、反射鏡によって反射された０次の回折光の光路のずれを補正する補正機構を更に備えている請求項２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項４】
モード同期半導体レーザ素子は斜め導波路を有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項５】
（Ａ）モード同期半導体レーザ素子、
（Ｂ）０次の回折光を外部に出力する回折格子、及び、
（Ｃ）回折格子からの１次以上の回折光を反射し、回折格子を経由してモード同期半導体レーザ素子に戻す反射鏡から成る外部共振器、
を備えた半導体レーザ装置組立体であって、
モード同期半導体レーザ素子と回折格子の間に、モード同期半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を外部共振器上で焦点を結ばせる結像手段を有する半導体レーザ装置組立体。
【請求項６】
外部共振器を構成する反射鏡は凹面鏡から成る請求項５に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項７】
凹面鏡の曲率半径は、回折格子から凹面鏡までの距離と等しい請求項６に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項８】
回折格子と外部共振器との間には、外部共振器へのレーザ光の入射を規制する複数のアパーチャが配されている請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項９】
アパーチャは、多数のセグメントを有する透過型液晶表示装置から成る請求項８に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１０】
アパーチャを選択することで、モード同期半導体レーザ素子に戻すべきレーザ光の波長を制御する請求項８又は請求項９に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１１】
結像手段はレンズから成る請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１２】
モード同期半導体レーザ素子は斜め導波路を有する請求項５乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１３】
（Ａ）モード同期半導体レーザ素子、
（Ｂ）外部共振器、
（Ｃ）モード同期半導体レーザ素子と外部共振器の間に配置され、膜厚を連続的に変化させたバンドパスフィルター、及び、
（Ｄ）バンドパスフィルターを移動させる移動装置、
を備えた半導体レーザ装置組立体であって、
バンドパスフィルターに衝突したレーザ光の一部は外部に出力され、
バンドパスフィルターに衝突したレーザ光の残部は、バンドパスフィルターを通過し、外部共振器に入射し、外部共振器で反射され、バンドパスフィルターを通過してモード同期半導体レーザ素子に戻される半導体レーザ装置組立体。
【請求項１４】
バンドパスフィルターを通過する位置に依存して、バンドパスフィルターを通過するレーザ光の波長が規定される請求項１３に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１５】
外部共振器は部分透過ミラーから成る請求項１３又は請求項１４に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１６】
モード同期半導体レーザ素子と外部共振器との間に、モード同期半導体レーザ素子の光出射端面の像を外部共振器上に結像させる結像手段を有する請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１７】
モード同期半導体レーザ素子は斜め導波路を有する請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、半導体装置の製造方法。
（ａ）上面、前記上面に形成されたフリップチップ接続用電極、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記フリップチップ接続用電極にはんだを形成する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記はんだにフラックスを塗布する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記配線基板をリフローする工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記配線基板を洗浄し、前記フラックスを除去する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、主面、前記主面上に形成された電極、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記半導体チップの前記主面が前記配線基板の前記上面と対向するように前記電極を介して前記配線基板の前記上面上に搭載し、前記半導体チップの前記電極と前記配線基板の前記フリップチップ接続用電極を電気的に接続する工程。
【請求項２】
前記（ｆ）工程では、前記半導体チップの前記電極を前記配線基板の前記はんだに接触させた後、水平方向または鉛直方向のいずれかの方向へ前記半導体チップをスクラブさせる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記配線基板の前記フリップチップ接続用電極にはんだペーストを塗布した後、前記配線基板をリフローおよび洗浄することで、前記フリップチップ接続用電極に前記はんだを形成する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせて貼り合せる基板貼り合せ装置であって、
移動可能な第１ステージと、
前記第１ステージ上に配され、前記第１ステージの移動により移動可能であり且つ前記第１ステージに対して移動可能であって、第１基板を支持する第２ステージと、
前記第２基板が前記第１基板に対向するように前記第２基板を保持する第３ステージと、
前記第１ステージに配され、前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方を誘導加熱する誘導加熱部と、
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項２】
前記第１ステージに対する前記第２ステージの移動範囲は、前記第１ステージの移動範囲よりも小さい請求項１に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項３】
前記第２ステージは、
前記第１ステージに駆動されるステージ本体と、
前記ステージ本体上に配置され、前記誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に伝熱する発熱体と、を有する請求項１または２に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項４】
前記発熱体は、前記ステージ本体に対してエアギャップを有して配置される請求項３に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項５】
前記第２ステージの質量を支える自重キャンセラをさらに備え、
前記自重キャンセラは、前記誘導加熱部の外側に配される請求項１から４のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項６】
前記第２ステージを磁気的に駆動する磁気駆動部と、
前記磁気駆動部と前記誘導加熱部とを磁気的に遮断する磁気遮断シールドと
をさらに備える請求項１から５のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項７】
前記発熱体と前記第１基板との間に、前記第１基板を保持する基板ホルダをさらに備え、
前記基板ホルダは、前記発熱体から伝熱で加熱されることにより前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方を伝熱で加熱する請求項３または４に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項８】
前記発熱体と前記第１基板との間に、前記第１基板を保持する基板ホルダをさらに備え、
前記基板ホルダは、前記誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に伝熱する請求項３または４に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項９】
前記第２ステージ上に配置され、前記第１基板を保持する基板ホルダをさらに備え、
前記基板ホルダは、前記誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて前記第１基板に伝熱する
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置により基板を貼り合せることを含む積層半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の積層半導体装置の製造方法により製造された積層半導体装置。
【請求項１２】
移動可能な第１ステージと、
前記第１ステージ上に配され、前記第１ステージの移動により移動可能であり且つ前記第１ステージに対して移動可能であって、基板を支持する第２ステージと、
前記第１ステージに配され、前記基板を誘導加熱する誘導加熱部と
を備えるステージ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
アンテナ素子と可変容量装置とを備え、
前記可変容量装置は、
固定用部材と、
前記固定用部材により一端側が固定された固定電極と、
前記固定用部材により直接もしくは間接的に一端側が固定されたアクチュエータ素子と、
前記アクチュエータ素子と直接もしくは間接的に接続するように設けられ、前記固定電極と略対向配置された可動電極と、
前記固定電極と前記可動電極との間の距離が変化するように、前記アクチュエータ素子の他端側を変形させる駆動部と
を有するアンテナモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
アンテナ素子と可変容量装置とを有するアンテナモジュールを備え、
前記可変容量装置は、
固定用部材と、
前記固定用部材により一端側が固定された固定電極と、
前記固定用部材により直接もしくは間接的に一端側が固定されたアクチュエータ素子と、
前記アクチュエータ素子と直接もしくは間接的に接続するように設けられ、前記固定電極と略対向配置された可動電極と、
前記固定電極と前記可動電極との間の距離が変化するように、前記アクチュエータ素子の他端側を変形させる駆動部と
を有する通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
連結部材１４１，１４２はそれぞれ、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の各他端と、後述する接続部材１５の端部との間を互いに連結（接続）するための部材である。具体的には、連結部材１４１は、接続部材１５の下端部とポリマーアクチュエータ素子１３１の他端との間を連結し、連結部材１４２は、接続部材１５の上端部とポリマーアクチュエータ素子１３２の他端との間を連結するようになっている。これらの連結部材１４１，１４２はそれぞれ、例えばポリイミドフィルム等のフレキシブルフィルムからなり、各ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２と同等以下（好ましくは同一以下）の剛性を有する柔軟な材料からなることが望ましい。これにより、連結部材１４１，１４２がポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の湾曲方向とは逆方向に湾曲する自由度が生まれ、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２と連結部材１４１，１４２とからなる片持ち梁における断面形状が、Ｓ字状の曲線を描くようになる。その結果、接続部材１５がＺ軸方向に沿って平行移動することが可能となり、可動電極１７が固定電極１６に対して平行状態を保ったまま、Ｚ軸方向に駆動されるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
可動電極１７は、一端側が接続部材１５により固定された電極であり、上記した連結部材１４１，１４２および接続部材１５を介して、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の他端側に配設されている。換言すると、可動電極１７は、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２と間接的に接続するように設けられている。この可動電極１７もまた、ここではＸＹ平面上に延在する平板状の形状となっており、一対のポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の間（具体的には、ポリマーアクチュエータ素子１３１と固定電極１６との間）に配置されている。すなわち、可動電極１７は、Ｚ軸方向に沿って固定電極１６と略対向配置（望ましくは対向配置）されている。この可動電極１７は、詳細は後述するが、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の変形に基づく接続部材１５の変位（Ｚ軸方向の変位）に応じて、Ｚ軸方向に変位することが可能となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、例えば図４に示したようにして、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２と、固定用部材１２を構成する上部用固定部材１２Ｕ、中部固定用部材１２Ｃ、下部固定用部材１２Ｄおよび固定電極１２１Ａ，１２１Ｂ，１２２Ａ，１２２Ｂとが、接続されるようになっている。具体的には、ポリマーアクチュエータ素子１３１では、電極膜５２Ａが、下部固定用部材１２Ｄ側の固定電極１２１Ａと電気的に接続され、電極膜５２Ｂが、中部固定用部材１２Ｃ側の固定電極１２１Ｂと電気的に接続されている。一方、ポリマーアクチュエータ素子１３２では、電極膜５２Ａが、中部固定用部材１２Ｃ側の固定電極１２２Ａと電気的に接続され、電極膜５２Ｂが、上部固定用部材１２Ｕ側の固定電極１２２Ｂと電気的に接続されている。これにより、前述した駆動部１８（電圧供給部１８１）から供給される駆動用電圧Ｖｄが、固定電極１２１Ａ，１２１Ｂを介してポリマーアクチュエータ素子１３１へ供給されると共に、固定電極１２２Ａ，１２２Ｂを介してポリマーアクチュエータ素子１３２へ供給されるようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
すると、このような可動電極１７のＺ軸方向の変位に伴い、固定電極１６と可動電極１７との間の距離ｄ１が変化する（ここでは、可動電極１７の変位に伴い、距離ｄ１が短くなる）。換言すると、本実施の形態の駆動部１８では、固定電極１６と可動電極１７との間の距離ｄ１が変化するように、ポリマーアクチュエータ素子１３１，１３２の他端側を変形（湾曲）させている。したがって、前述した（１）式により、この距離ｄ１の変化に応じて容量素子Ｃ１の（静電）容量値Ｃも変化する（ここでは容量値Ｃが大きくなる）ため、この容量素子Ｃ１が可変容量素子として機能する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図１８に示したように、筐体４１Ａの他方側の面の内部には、上記実施の形態等の可変容量装置を有するアンテナモジュール４６が配設されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
これに対して、図１９（Ａ）に示した本適用例に係るアンテナモジュール４６では、バンド切り替えのために必要な素子は、上記実施の形態等で説明した可変容量装置１等のみとなるため、送受信回路の構成を非常に単純化することができる。また、可変容量素子Ｃ１における容量値を連続的に変化させることができるため、バンド数を非常に多く（原理的には無数に）選択することが可能となる。更に、小さい容量値から大きな容量値までの広範な容量値範囲を単一の可変容量素子でカバーすることができるため、単純な構成により、多数の方式の無線通信システムの混載が実現される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂に原版のパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
複数の第１マークが形成された前記原版を保持する保持体と、
第２マークが形成された基準板を保持するステージと、
前記第２マークに対する前記複数の第１マークそれぞれの位置を検出する検出系と、
を備え、
前記第２マークは、前記保持体により保持された前記原版における前記複数の第１マーク及び転写されるべき前記原版のパターンが形成された第１領域以上の大きさを有する第２領域にわたって形成され、
前記検出系は、前記第２マークに対する前記複数の第１マークそれぞれの位置を並行して検出する、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第２マークは、前記基準板の表面に平行でかつ互いに直交する第１軸及び第２軸にそれぞれ沿う第１方向及び第２方向の双方に周期を有する格子パターンを含み、
前記複数の第１マークは、前記第１方向に周期を有する格子パターンと前記第２方向に周期を有する格子パターンとを含み、
前記第２マークの前記第１方向の周期と前記第２方向の周期とは同一である、
ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第２マークは、前記基準板の表面に平行でかつ互いに直交する第１軸及び第２軸にそれぞれ沿う第１方向及び第２方向の双方に周期を有する格子パターンを含み、
前記複数の第１マークは、前記第１方向に周期を有する格子パターンと前記第２方向に周期を有する格子パターンとを含み、
前記第２マークの前記第１方向の周期と前記第２方向の周期とは互いに異なる、
ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記複数の第１マーク及び前記第２マークは、前記基準板の表面に平行でかつ互いに直交する第１軸及び第２軸にそれぞれ沿う第１方向及び第２方向の双方に周期を有する格子パターンを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記検出系は、前記複数の第１マークにそれぞれ対応する複数の検出器を含み、各検出器は、当該検出器から出射されて対応する第１マークを透過し、前記第２マークで反射され、前記対応する第１マークを再度透過した光を検出するように配置されている、ことを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記基準板には、前記原版を前記基準板に対して位置決めするための前記第１領域より小さい第３マークがさらに形成されている、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、基板上の樹脂に原版のパターンを転写するリソグラフィ装置であって、複数の第１マークが形成された前記原版を保持する保持体と、第２マークが形成された基準板を保持するステージと、前記第２マークに対する前記複数の第１マークそれぞれの位置を検出する検出系と、を備え、前記第２マークは、前記保持体により保持された前記原版における前記複数の第１マーク及び転写されるべき前記原版のパターンが形成された第１領域以上の大きさを有する第２領域にわたって形成され、前記検出系は、前記第２マークに対する前記複数の第１マークそれぞれの位置を並行して検出する、ことを特徴とする。