【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第２の絶縁層は、補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記開口部の底部に露出する前記第２の電極パッド部分に凹部が設けられている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記凹部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記凹部の側壁の最外縁部は、前記開口部の側壁の最内縁部と一致している請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記開口部の側壁の面粗度は、前記最上層の絶縁層の上面の面粗度よりも大きい請求項２又は３記載の配線基板。
【請求項５】
複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第３の絶縁層は、補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
複数の配線層と、複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、
前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、
前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、
前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、
前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、
前記第２の絶縁層は感光性の絶縁性樹脂から構成され、その他の絶縁層は非感光性の同一組成の絶縁性樹脂から構成され、
前記第３の絶縁層のみが補強部材を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
絶縁層を貫通し、上下に隣接する配線層同士を電気的に接続する導体が形成された貫通孔が、垂直方向に積み重なり相互接続された構造を有する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記貫通孔には、前記導体が充填されている請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
前記補強部材は、繊維束を格子状に織り込んだ構造を有する請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１０】
前記同一組成の絶縁性樹脂から構成された絶縁層は、同一組成のフィラーを含有している請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本配線基板の一形態は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第２の絶縁層は、補強部材を備えていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本配線基板の他の形態は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第３の絶縁層は、補強部材を備えていることを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本配線基板の更に他の形態は、複数の配線層と、複数の絶縁層とが交互に積層され、第１の主面及びその反対面である第２の主面を有する配線基板であって、前記第１の主面を形成する第１の絶縁層から露出する第１のピッチで配置された第１の電極パッドと、前記第２の主面を形成する第２の絶縁層に隣接する第３の絶縁層上に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する、前記第１のピッチよりも広い第２のピッチで配置された第２の電極パッドと、前記第３の絶縁層に設けられ、前記第２の電極パッドと前記第３の絶縁層が被覆する配線層とを電気的に接続する導体が形成された貫通孔と、を有し、前記貫通孔の前記第２の電極パッド側の径は、前記貫通孔の前記第３の絶縁層が被覆する配線層側の径よりも大きく、前記第２の絶縁層は感光性の絶縁性樹脂から構成され、その他の絶縁層は非感光性の同一組成の絶縁性樹脂から構成され、前記第３の絶縁層のみが補強部材を備えていることを要件とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図９〜図１６は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
始めに、図９に示す工程では、支持体２１を準備する。支持体２１としては、シリコン板、ガラス板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体２１として銅箔を用いる。後述する図１１に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図１６に示す工程の後に容易にエッチングで除去可能だからである。支持体２１の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次いで、図１０に示す工程では、支持体２１の一方の面に、第１配線層１１に対応する開口部２２ｘを有するレジスト層２２を形成する。具体的には、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２２ｘを形成する。これにより、開口部２２ｘを有するレジスト層２２が形成される。なお、予め開口部２２ｘを形成したフィルム状のレジストを支持体２１の一方の面にラミネートしても構わない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
開口部２２ｘは、後述の図１１に示す工程で形成される第１配線層１１に対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。開口部２２ｘの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次いで、図１１に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内に、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成される第１配線層１１を形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すレジスト層２２を除去した後、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面に第１絶縁層１２を形成する。第１絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有している。フィラーの含有量や含有する目的は、前述の通りである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次いで、図１３に示す工程では、第１絶縁層１２に、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出させる第１ビアホール１２ｘを形成する。第１ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成した第１ビアホール１２ｘは、第２絶縁層１４が形成される側に開口されていると共に、第１配線層１１の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となる。なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。第１ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、第１ビアホール１２ｘの底部に露出する第１配線層１１の上面に付着した第１絶縁層１２の樹脂残渣を除去する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次いで、図１４に示す工程では、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を形成する。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘの底部に露出した第１配線層１１と電気的に接続される。第２配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
次いで、図１５に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、第１絶縁層１２上に、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層１６、及び第４配線層１７を積層する。すなわち、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を被覆する第２絶縁層１４を形成した後に、第２絶縁層１４を貫通し第２配線層１３の上面を露出する第２ビアホール１４ｘを形成する。第２ビアホール１４ｘは、必要に応じて、第１ビアホール１２ｘの垂直方向に積み重ねて相互接続する所謂スタックビア構造とすることができる。第２絶縁層１４の材料としては、第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第２絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次いで、図１６に示す工程では、第３絶縁層１６上に開口部１８ｘを有する第４絶縁層１８を形成する。具体的には、例えば、第４配線層１７を覆うように、第３絶縁層１６上に液状又はペースト状のエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性の絶縁性樹脂を塗布する。そして、塗布した感光性の絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する。これにより、凹部１７ｘを含む第４配線層１７の一部は、第４絶縁層１８の開口部１８ｘの底部に露出する。第４絶縁層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、第４絶縁層１８をエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等（第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂）を用いて形成し、開口部１８ｘをレーザ加工法等により形成しても構わない。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次いで、図１６に示す工程の後、図１６に示す支持体２１を除去することにより、図５に示す配線基板１０が完成する。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、第４配線層１７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、開口部１８ｘの底部に露出する凹部１７ｘを含む第４配線層１７が支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、第４配線層１７をマスクする必要がある。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
なお、図９〜図１６では、支持体２１上に１個の配線基板１０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板１０となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板１０を得るような工程としても構わない。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
［第２の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１７は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１７を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板５０は、第３絶縁層１６、第４配線層１７、及び第４絶縁層１８が、それぞれ第３絶縁層５６、第４配線層５７、及び第４絶縁層５８に置換されている点が、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図５参照）と相違する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図１８は、図１７の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図１８を参照するに、開口部５８ｘは、第４配線層５７側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。言い換えれば、開口部５８ｘは、第２の電極パッド５７ｘの外周方向に突出又は湾曲する曲面状の側壁を有し、かつ、第４絶縁層５８外面に開口する部分の面積が、底面部分の断面積よりも大きい。開口部５８ｘは、例えば半球状に形成することができる。開口部５８ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径（開口端の直径）は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
［第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１９〜図２１は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
始めに、図１９に示す工程では、図９〜図１５と同様の工程を実施し、第１絶縁層１２上に、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層５６、及び第４配線層５７を積層する。そして、第３絶縁層５６上に、第４配線層５７を覆うように、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させた第４絶縁層５８を形成する。第４絶縁層５８は、ガラスクロス１９に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させた樹脂フィルム（プリプレグ）を第３絶縁層５６上に積層し、加圧及び加熱して樹脂を硬化させることにより形成できる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
次いで、図２０に示す工程では、第４絶縁層５８上に、開口部２３ｘを有するレジスト層２３を形成する。具体的には、第４絶縁層５８上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、第４絶縁層５８上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２３ｘを形成する。これにより、開口部２３ｘを有するレジスト層２３が形成される。なお、予め開口部２３ｘを形成したフィルム状のレジストを第４絶縁層５８上にラミネートしても構わない。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
開口部２３ｘは、後述の図２１に示す工程で形成される開口部５８ｘに対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。開口部２３ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
なお、レジスト層２３は、後述する図２１に示す工程におけるブラスト処理のマスクとして機能するが、レジスト層２３の表面の一部もブラスト処理により削れる。そこで、レジスト層２３は、表面の一部がブラスト処理により削れてもマスクとしての機能を維持できる程度の厚さに形成する必要がある。レジスト層２３の厚さは、例えば５０μｍ程度とすることができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
次いで、図２１に示す工程では、レジスト層２３をマスクとして矢印方向からブラスト処理を行い、第４絶縁層５８に開口部５８ｘを形成し第４配線層５７の上面を露出させる。そして、更にブラスト処理を継続し第４配線層５７の開口部５８ｘの底部に露出する部分に凹部５７ｘを形成する。このように、第４配線層５７の上面を露出させた後、更にブラスト処理を継続し凹部５７ｘを形成することにより、開口部５８ｘ内に第４絶縁層５８の材料の残渣が残存しないようにできる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
ブラスト処理により形成された開口部５８ｘ及び凹部５７ｘは、前述の図１８で説明した形状となる。これにより、開口部５８ｘを有する第４絶縁層５８が形成され、開口部５８ｘの底部に露出する第４配線層５７の凹部５７ｘは、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
次いで、図２１に示す工程の後、図２１に示すレジスト層２３を除去し、更に図２１に示す支持体２１を除去することにより、図１７及び図１８に示す配線基板５０が完成する。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、第４配線層５７が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、開口部５８ｘの底部に露出する凹部５７ｘが支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、凹部５７ｘをマスクする必要がある。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
なお、図１９〜図２１では、支持体２１上に１個の配線基板５０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板５０となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板５０を得るような工程としても構わない。又、支持体２１を除去する前や除去した後に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図２２は、第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図２２を参照するに、半導体パッケージ７０は、図５に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、バンプ７４と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。なお、図２２において、配線基板１０は、図５とは上下を反転して描かれている。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
このように、第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。すなわち、反りが少なく高密度化にも対応できる半導体パッケージを実現できる。なお、第２の実施の形態に係る配線基板（図１７参照）を用いても同様の半導体パッケージを実現できることは言うまでもない。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
図２３は、配線基板Ａのシミュレーション結果を模式的に示した図である。図２４は、配線基板Ｂのシミュレーション結果を模式的に示した図である。図２３及び図２４に示したように、配線基板Ａ及びＢは何れも半導体チップ搭載面となる第１配線層１１側が凸状に反った形状となった。配線基板全体の反りＴ１及びＴ３、半導体チップ搭載領域の反りＴ２及びＴ４を表１に示す。