Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
クロック信号周波数の最適化に際して項１４と同様の作用効果を奏する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図７においてSLEEPは低消費電力状態を意味し、ACTIVEはデータ処理部６が通常の動作可能な状態を意味する。送受信中は誘導起電力が変化して低下すること考慮して、低消費電力状態において、データ処理部６のシステムクロック信号ＳＣＬＫの周波数は特に制限されないが１．１３ＭＨｚにされる。受信動作の終了が受信完了信号ＳＩＧ４のハイレベルによってデータ生成回路１２に与えられると（時刻ｔ２）、このとき、イネーブル信号ＳＩＧ５が“Ｈ”であることを条件に、１パルス発生器３１が動作し、クロック調整期間信号ＳＩＧ７がパルス変化され、クロック周波数調整動作が行われる（時刻ｔ２〜ｔ３）。クロック調整期間信号ＳＩＧ７が“Ｈ”の期間が、クロック調整期間となる。これにより、ここでは周波数が６．７８ＭＨｚに変更されて、低消費電力状態が解除され（時刻ｔ４）、データ処理部６で受信データに対する内部処理が開始される。すなわち、受信動作が終了したとき、低消費電力状態を維持してクロック信号の最適化を行って、低消費電力状態を解除する。尚、受信完了後クロック調整信号ＳＩＧ５が“Ｌ”のときクロック調整期間信号ＳＩＧ７はネゲートされたままになる。１パルス発生器３１は動作しない。図７においてＳＴ１は内部処理状態、ＳＴ２は受信状態、ＳＴ３は内部処理状態を意味し、それらの何れに状態に応対して図８のステップＳ１乃至Ｓ６の処理が行われるかが示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
４０はデータＳＩＧ８Ａの遅延回路であり、遅延データＳＩＧ９の遅延はキャリアクロック信号ＣＬＫの１サイクル分である。カウンタ４１はキャリアクロック信号ＣＬＫをカウントし、データＳＩＧ９＝Ｈ’０（２分周）のときはカウント値Ｈ’１の次サイクルでゼロクリアされ、データＳＩＧ９＝Ｈ’１（３分周）のときはカウント値Ｈ’２の次サイクルでゼロクリアされ、データＳＩＧ９＝Ｈ’２（４分周）のときはカウント値Ｈ’３の次サイクルでゼロクリアされる。セットデコーダ４３，リセットデコーダ４４は供給される遅延データＳＩＧ９のデコード結果にしたがって、入力カウント信号ＳＩＧ１０の値に従って出力信号ＳＩＧ１１，ＳＩＧ１２のパルス波形を制御する。ＳＩＧ１１は、ＳＩＧ９＝Ｈ’０（２分周），ＳＩＧ９＝Ｈ’１（３分周）のときカウント値ＳＩＧ１０＝Ｈ’０の期間にハイレベルにされ、ＳＩＧ９＝Ｈ’２（４分周）のときカウント値ＳＩＧ１０＝Ｈ’１の期間にハイレベルにされる。フリップフロップ４５は信号ＳＩＧ１１の立下り同期で立ち上がり、信号ＳＩＧ１２の立下り同期で立ち下がる信号ＳＩＧ１４を生成する。デコーダ４２はデータＳＩＧ９が偶数（偶数分周比）のときローレベルを出力し、奇数（奇数分周比）のときハイレベルを出力する。偶数分周比の場合にはオアゲート４６の出力がハイレベル固定になるのでアンドゲート４８はシステムクロック信号ＳＣＬＫとして信号ＳＩＧ１４のパルス波形を出力する。奇数分周比の場合は遅延回路４７が信号ＳＩＧ１４をキャリアクロック信号ＣＬＫの半サイクル遅延させた遅延信号ＳＩＧ１５を生成し、アンドゲート４８が信号ＳＩＧ１４とＳＩＧ１５の論理積信号をシステムクロック信号ＳＣＬＫのパルス波形として出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
以上説明した実施の形態１によれば、電圧生成部２０で生成される直流電流の余剰を電流検出部５で検出するときデータ処理部６のシステムクロック信号ＳＣＬＫの周波数は低消費電力状態における所定の低い周波数（基準周波数）、例えば１．１３ＭＨｚにされるから、直流電流の余剰検出時にデータ処理部６で消費される消費電力はその周波数で決まる消費電力になり、検出される直流電流の余剰を絶対的な余剰として把握可能になる。したがって、余剰電流の検出を繰り返しながら徐々に周波数を変更することを要せず、短時間で且つ無駄なく的確にデータ処理部６のシステムクロック信号ＳＣＬＫの周波数を決めることが可能になる。更に、インターフェース回路７からの信号ＳＩＧ４による低消費電力状態解除の指示に応答して前記直流電流の余剰の大きさを検出し、その大きさに応じてシステムクロック信号ＳＣＬＫの周波数を高く変更することによって低消費電力状態から通常の動作可能な状態に抜けることができる。よって、低消費電力状態の解除処理の一環としてデータ処理部６のシステムクロック信号周波数を最適化することができ、送受信部を介して行われる送受信動作のインターバル毎に実行されるデータ処理部６によるデータ処理の先頭で受信電力に対するシステムクロック信号ＳＣＬＫの周波数の最適化が行われる。これらにより、外部と非接触通信を行う非接触通信装置１における内部のデータ処理時間(トランザクションタイム)を短縮することができる。また、電流検出部５は電圧生成部２０で生成される直流電流の余剰に基づいてその大きさを検出するから、その検出のために大規模な回路の追加を必要としない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
図１５においてＳＴ１０受信状態、ＳＴ１１は内部処理状態を意味し、ＳＴ１１の状態において図１６のステップＳ３０乃至Ｓ３５の処理がどこで行われるかが示される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
〔実施の形態３〕
実施の形態１によるクロック周波数最適化処理のための構成（図１）と実施の形態２のクロック周波数最適化処理のための構成（図１３）との双方を採用して選択的に利用するように非接触通信装置を構成することも可能である。その場合には図１８に例示されるように、周期パルス発生器５０からの出力又は１パルス発生器３１からに出力を選択するセレクタ９１を設けてデータ生成回路９０を構成すればよい。セレクタ９１の選択信号にはイネーブル信号ＳＩＧ６を流用し、イネーブル信号ＳＩＧ６がアサートされているとき周期パルス発生器５０の出力をセレクタ９１に選択させればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メールのヘッダ情報を編集して当該電子メールを送信可能な情報処理装置であって、
前記ヘッダ情報を編集して送信されるべき宛先の情報が記憶された宛先情報記憶手段と、
送信される前記電子メールの宛先を特定する宛先特定手段と、
前記宛先特定手段により特定された宛先が、前記宛先情報記憶手段に記憶されていない宛先の場合は返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の返信先アドレスとして設定し、一方、前記宛先情報記憶手段に記憶されている宛先の場合は前記返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の送信元アドレスに設定するヘッダ情報設定手段と、
前記ヘッダ情報設定手段によってヘッダ情報が設定された電子メールを前記宛先特定手段により特定された宛先に送信すべく制御する送信制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記ヘッダ情報設定手段は、前記特定のアドレスを送信元アドレスに設定した場合には、前記電子メールの差出人のアドレスを当該電子メールの本文に表示するように制御することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置は、電子メールを利用したワークフローシステムにおける電子メールの送受信を管理しており、
承認者の設定を受付けることでワークフローの起票を行うワークフロー起票手段と、
前記ワークフロー起票手段により起票された承認者を管理するワークフロー制御手段と、
前記ワークフロー制御手段により管理される承認者宛てに承認依頼メールを送信する承認依頼メール送信手段を有し、
前記ヘッダ情報設定手段は、前記電子メールの差出人にワークフロー起票者を設定することを特徴とする請求項１または２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記情報処理装置は、あらかじめ作成した送信可能な電子メールを記憶しておき、
前記ワークフローシステムにおいて承認されたと判定された場合には、前記記憶された電子メールを送信することを特徴とする請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
電子メールのヘッダ情報を編集して当該電子メールを送信可能で、前記ヘッダ情報を編集して送信されるべき宛先の情報が記憶された宛先情報記憶手段を有する情報処理装置における制御方法であって、
送信される前記電子メールの宛先を特定する宛先特定ステップと、
前記宛先特定ステップにより特定された宛先が、前記宛先情報記憶手段に記憶されていない宛先の場合は返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の返信先アドレスとして設定し、一方、前記宛先情報記憶手段に記憶されている宛先の場合は前記返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の送信元アドレスに設定するヘッダ情報設定ステップと、
前記ヘッダ情報設定ステップによってヘッダ情報が設定された電子メールを前記宛先特定ステップにより特定された宛先に送信すべく制御する送信制御ステップと、
を有することを特徴とする情報処理装置における制御方法。
【請求項６】
電子メールのヘッダ情報を編集して当該電子メールを送信可能で、前記ヘッダ情報を編集して送信されるべき宛先の情報が記憶された宛先情報記憶手段を有する情報処理装置で読み取り可能なプログラムであって、
前記情報処理装置を、
前記ヘッダ情報を編集して送信されるべき宛先の情報が記憶された宛先情報記憶手段と、
送信される前記電子メールの宛先を特定する宛先特定手段と、
前記宛先特定手段により特定された宛先が、前記宛先情報記憶手段に記憶されていない宛先の場合は返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の返信先アドレスとして設定し、一方、前記宛先情報記憶手段に記憶されている宛先の場合は前記返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の送信元アドレスに設定するヘッダ情報設定手段と、
前記ヘッダ情報設定手段によってヘッダ情報が設定された電子メールを前記宛先特定手段により特定された宛先に送信すべく制御する送信制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
請求項６のプログラムが記憶された記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
電子メールのヘッダ情報を編集して当該電子メールを送信可能な情報処理装置であって、前記ヘッダ情報を編集して送信されるべき宛先の情報が記憶された宛先情報記憶手段と、送信される前記電子メールの宛先を特定する宛先特定手段と、前記宛先特定手段により特定された宛先が、前記宛先情報記憶手段に記憶されていない宛先の場合は返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の返信先アドレスとして設定し、一方、前記宛先情報記憶手段に記憶されている宛先の場合は前記返信させたい特定のアドレスを前記ヘッダ情報の送信元アドレスに設定するヘッダ情報設定手段と、前記ヘッダ情報設定手段によってヘッダ情報が設定された電子メールを前記宛先特定手段により特定された宛先に送信すべく制御する送信制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、電圧出力端部８０の出力電圧Ｖｏｕｔを利用して電力情報ＰＩが生成される。入力電圧Ｖｉｎは例えばトランジスタ３１や電力線５に接続された他の装置の動作によるノイズを含む場合があるのに対し、出力電圧Ｖｏｕｔは電源回路１０によって生成された安定的な電圧である。かかる安定的な電圧Ｖｏｕｔを利用して電力情報ＰＩを生成することにより、電力情報ＰＩの確度を向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
データ出力端部９２は電力線５（図１参照）から受信したデータＤｒを取り出すための部分である。例えば本体回路２（図１参照）が電源装置６Ｄを利用してＰＬＣを行う場合、データ出力端部９２は本体回路２に接続される外部接続端部にあたり、データ出力端部９２を介して本体回路２へ受信データＤｒが与えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012108071.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012108071.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012108071.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012108071.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2012108071.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012108071.tif 000006
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012108071.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
液体と固体とが混濁したスラリーを圧送するスラリー配管の所定位置に設けられ、前記スラリー配管内に超音波を送波すると共に当該超音波を受波する超音波送受波器と、
当該超音波送受波器により送受波する超音波の伝搬状態に応じて前記スラリー配管内での前記スラリーにおける前記固体の堆積か前記スラリー配管の壁厚の減少かを判定する監視部と、
備えることを特徴とするスラリー配管監視装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物体の位置を光学的に検出する光学式位置検出装置であって、
検出光を出射する光源部と、
前記検出光の出射空間に位置する前記対象物体で反射した前記検出光を受光する受光部と、
前記受光部での受光結果に基づいて前記出射空間における前記対象物体の位置を検出する位置検出部と、
を有し、
前記光源部は、複数の発光素子と、該複数の発光素子が実装された帯状のフレキシブル基板と、長さ方向で湾曲した凸曲面を有し、当該凸曲面に前記フレキシブル基板が重ねて配置された基板支持部材と、を備え、
当該基板支持部材には、前記フレキシブル基板の端部と重なる位置で前記凸曲面から凹んで当該フレキシブル基板の端部が差し込まれた切り欠きが設けられていることを特徴とする光学式位置検出装置。
【請求項２】
前記光源部から前記検出光が出射される際、前記凸曲面の長さ方向の一方端から他方端側に向かって出射強度が単調変化していることを特徴とする請求項１に記載の光学式位置検出装置。
【請求項３】
前記フレキシブル基板として、帯状の第１フレキシブル基板と、該第１フレキシブル基板の幅方向で前記第１フレキシブル基板に並列する帯状の第２フレキシブル基板と、を有し、
前記第１フレキシブル基板に実装されている前記複数の発光素子と、前記第２フレキシブル基板に実装されている前記複数の発光素子とは、互いに異なるタイミングで点灯し、
前記第１フレキシブル基板に実装されている前記複数の発光素子では、前記凸曲面の長さ方向の一方端から他方端側に向かって出射強度が増大し、
前記第２フレキシブル基板に実装されている前記複数の発光素子では、前記凸曲面の長さ方向の一方端から他方端側に向かって出射強度が減少していることを特徴とする請求項２に記載の光学式位置検出装置。
【請求項４】
前記切り欠きは、前記フレキシブル基板の長さ方向の端部と重なる位置で前記凸曲面から凹んで当該フレキシブル基板の長さ方向の端部が差し込まれていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学式位置検出装置。
【請求項５】
前記切り欠きは、前記凸曲面の長さ方向の端部に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の光学式位置検出装置。
【請求項６】
前記フレキシブル基板は、複数枚が前記凸曲面の長さ方向で直列に配置されており、
前記切り欠きは、前記凸曲面の長さ方向の途中位置に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の光学式位置検出装置。
【請求項７】
前記切り欠きは、前記フレキシブル基板の幅方向の一方側端部と重なる位置で前記凸曲面から凹んで当該フレキシブル基板の前記一方側端部が差し込まれていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学式位置検出装置。
【請求項８】
前記基板支持部材には、前記凸曲面から突出して前記フレキシブル基板の幅方向の他方側端部が当接する鍔部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の光学式位置検出装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の光学式位置検出装置を備えていることを特徴とする位置検出機能付き機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、前記切り欠きは、前記フレキシブル基板の長さ方向の端部と重なる位置で前記凸曲面から凹んで当該フレキシブル基板の長さ方向の端部が差し込まれていることが好ましい。かかる構成によれば、フレキシブル基板の長さ寸法が大きすぎた場合でも、フレキシブル基板を基板支持部材の凸曲面に重ねた状態とすることができ、フレキシブル基板が浮き上がることがない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
従って、本形態では、実施の形態２において図９を参照して説明したように、切り欠き５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃ、切り欠き５２１ａ、５２１ｂ、５２１ｃを利用して、第１フレキシブル基板４１および第２フレキシブル基板４２を長さ方向において適正に配置することができるとともに、以下に説明するように、切り欠き５１１ｄ、５２１ｄを利用して、第１フレキシブル基板４１および第２フレキシブル基板４２を幅方向において適正に配置することができる。すなわち、第１フレキシブル基板４１において、フレキシブル基板４２１、４２２の幅方向の他方側端部４２ｈを鍔部５２６に当接させてフレキシブル基板４２１、４２２の幅方向で位置決めした際、フレキシブル基板４２１、４２２の幅寸法が、凸曲面５２５の幅寸法に比して大きすぎる場合、フレキシブル基板４２１、４２２の一方側端部４２ｇを折り曲げて切り欠き５２１ｄに差し込む。従って、本形態では、第２フレキシブル基板４２に幅方向の寸法ばらつきがあっても、フレキシブル基板４２２が部分的に凸曲面５２５から浮く等の不具合が発生しない。それ故、第２発光素子３２を各々、所定の方向で所定の方向に正確に向かせることができる。説明を省略するが、第２フレキシブル基板４２でも同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
Ｓ１１０にて、制御部９は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１１に接続されているバッテリのバッテリ残量を取得する。このとき、取得されるバッテリ残量は、通常モードにおいて、制御部９が、バッテリ残量から、放電電流値を時間積算することにより算出した放電量を減算することにより取得したバッテリ残量であったり、測定した開放電圧値を用いて補正したバッテリ残量であったりする。Ｓ１２０にて、制御部９は、バッテリ放電電流値を取得する。この放電電流値は、制御部９の動作モードがスリープモードである場合に、バッテリから放電される微小電流値である。なお、スリープモード直前の放電電流値をこの微小電流値とみなせる場合には、Ｓ１２０にて、制御部９は、電流検出素子６Ａまたは電流検出素子６Ｂにより検出された電流値を、バッテリ放電電流値として取得する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
Ｓ１７０にて、制御部９は、通常モードへの移行要求を検出したか否かを判定する。このとき、たとえば、制御部９は、ウェイクタイマのタイムアップ信号を受信した、または、ノートパソコンのパワースイッチが押された、または、ＡＣ電力が供給された、または、バッテリを格納しているノートパソコンの裏蓋が開かれた（またはバッテリロック機構が開放された）、または、ノートパソコンの閉じられていた表示パネルが開かれたことを、ノートパソコンのシステムから割り込み信号を受信することにより、通常モードへの移行要求を検出したと判定する。通常モードへの移行要求を検出したと判定されると（Ｓ１７０にてＹＥＳ）、処理はＳ１８０へ移される。もしそうでないと（Ｓ１７０にてＮＯ）、この処理はＳ１７０へ戻されてスリープモードを維持する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】本発明による発振器を有する磁気記録再生ヘッドの概略図。
【図２】記録ヘッド部１００とその一部である発振器１１０の詳細な構成例。
【図３】ＦＧＬ１１１の膜面内の構成図。
【図４】本発明構成により得られる高周波磁界強度Ｈａｃと面積磁化比の関係。
【図５】Ｍs＿ｅｄｇｅを１.２ Ｔに固定しＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを変化させた場合のＦＧＬ１１１の単磁区化率および、完全に単磁区化したときの最大高周波磁界強度のＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒ依存性。
【図６】Ｓ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒが０.５５である従来構造とＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒが１である本発明構造ＡのＦＧＬ１１１の膜面内の磁化状態。
【図７】Ｓ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒ を１ 、Ｍｓ＿ｃｅｎｔｅｒを２.４ Ｔに固定し、Ｍｓ＿ｅｄｇｅを２.４Ｔから０.０Ｔまで変化させたときのＳＤＲと最大高周波磁界強度の(Ｍｓ＿ｃｅｎｔｅｒ  −  Ｍｓ＿ｅｄｇｅ)/ Ｍｓ＿ｅｄｇｅ依存性。
【図８】Ｍs＿ｅｄｇｅを１.２ Ｔに固定しＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを変化させた場合および、Ｓ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを１.０ または３/７に固定しＭｓ＿ｅｄｇｅを２.４Ｔから０.０ Ｔまで変化させたときのＳＤＲの面積磁化比の依存性。
【図９】Ｍｓが均一な従来構成例。
【図１０】Ｍｓ＿ｃｅｎｔｅｒが２.４ Ｔ、Ｍｓ＿ｅｄｇｅが１.２ Ｔである構成例。
【図１１】ＦＧＬ＿ｃｅｎｔｅｒ とＦＧＬ＿ｅｄｇｅ の境界が凸凹の形状である構成例。
【図１２】Ｍｓ＿ｃｅｎｔｅｒが２.４ Ｔ、Ｍｓ＿ｅｄｇｅが１.０ Ｔである構成例。
【図１３】第２の実施例の構成例。
【図１４】第３の実施例の構成例。
【図１５】第４の実施例の構成例。
【図１６】第５の実施例の構成例。
【図１７】従来及び本発明の構成における各値の比較。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図４の面積磁化比は、Ｍs＿ｅｄｇｅを１.２ Ｔに固定しＳ＿ｅｄｇｅ／Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを変化させることにより変化した場合、および、Ｓ＿ｅｄｇｅ／Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒ を１または３/７ に固定しＭｓ＿ｅｄｇｅを２.４Ｔから０.０ Ｔまで変化さることにより変化した場合を示しており、これからＭｓ＿ｅｄｇｅとＳ＿ｅｄｇｅ のいずれを変化させた場合であっても、面積磁化比の最適範囲が変化しないことが確認できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以後、この面積磁化比には高周波磁界強度が最大となる最適範囲が存在する理由、および、最適範囲が変化しない理由を説明する。図５は、Ｍｓ＿ｅｄｇｅを１.２ Ｔに固定しＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを変化させた場合のＦＧＬ１１１の単磁区化率（Single Domain Ratio:ＳＤＲ）および、完全に単磁区化したときに得られる磁界強度である最大高周波磁界強度のＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒ依存性を示す。図４に示した高周波磁界強度は、ＦＧＬ全体の飽和磁化の大きさとＳＤＲとの積と等しくなる関係を持つ。Ｓ＿ｅｄｇｅ  とＳ＿ｃｅｎｔｅｒ は、それぞれの和が常に一定となるように変化させた。これは、ＦＧＬ１１１のトラック幅と素子高さが共に４０ｎｍであり、面積も常に４０x４０ ｎｍ2 であるためである。ここで、単磁区化率ＳＤＲは単磁区化の度合いを測る指標であり、磁化が完全に同一方向にそろっている単磁区状態であれば１、反対に完全に磁化がランダムな方向を向いている場合にはゼロである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図８に、Ｍs＿ｅｄｇｅを１.２ Tに固定しＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを変化させた場合および、Ｓ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒを１.０ または３/７に固定しＭｓ＿ｅｄｇｅを２.４Ｔから０.０ Ｔまで変化させたときのＳＤＲの面積磁化比の依存性を示す。この結果から分るように、ＳＤＲはＳ＿ｅｄｇｅ/Ｓ＿ｃｅｎｔｅｒやＭｓ＿ｅｄｇｅ のいずれを変化させたときも関係なく面積磁化比だけから決まることが分かる。したがって、高周波磁界強度およびＳＤＲは面積磁化比だけから最適範囲が決まるのである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012108971.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、
物体側に凸面を向けたメニスカス形状の第１レンズ成分を有する第１レンズ群と、
観察眼側に凸面を向けたレンズ成分を有する第２レンズ群と、
正の屈折力を有する第３レンズ群と、を有し、
前記第３レンズ群の物体側焦点面は、前記第２レンズ群と前記第３レンズ群との間に位置し、
全系の焦点距離をｆとし、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群との合成焦点距離をｆ１２としたとき、次式
６  ≦  ｜ｆ１２｜／ｆ
の条件を満足することを特徴とする接眼レンズ。
【請求項２】
前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３としたとき、次式
０．７  ≦  ｆ３／ｆ  ≦  １．５
の条件を満足することを特徴とする請求項１に記載の接眼レンズ。
【請求項３】
前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２としたとき、次式
５  ≦  ｜ｆ２／ｆ｜
の条件を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の接眼レンズ。
【請求項４】
前記第１レンズ群に含まれる前記第１レンズ成分は、２枚のレンズを貼り合わせた貼り合わせレンズであり、前記第１レンズ成分の物体側の面の曲率半径をＲｆとし、物体側のレンズの軸上間隔をｄ１１とし、物体側のレンズの媒質のｄ線に対する屈折率をｎ１１とし、観察眼側のレンズの軸上間隔をｄ１２とし、観察眼側のレンズの媒質のｄ線に対する屈折率をｎ１２としたとき、次式
２  ≦  Ｒｆ／（ｄ１１／ｎ１１＋ｄ１２／ｎ１２）  ≦  ５．５
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項５】
前記第１レンズ群に含まれる前記第１レンズ成分の観察眼側の面の曲率半径をＲｒとしたとき、次式
０．５５  ≦  Ｒｒ／ｆ  ≦  １．１
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項６】
前記第１レンズ群に含まれる前記第１レンズ成分は負の屈折力を有し、前記第１レンズ成分の焦点距離をｆ１Ａとしたとき、次式
ｆ１Ａ／ｆ  ≦  −３
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項７】
前記第１レンズ群に含まれる前記第１レンズ成分は、２枚のレンズを貼り合わせた貼り合わせレンズであり、前記第１レンズ成分の物体側のレンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をν１１とし、観察眼側のレンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をν１２としたとき、次式
３  ≦  ｜ν１１−ν１２｜  ≦  ４０
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項８】
前記第１レンズ群は、物体側から順に、前記第１レンズ成分と、第２レンズ成分とからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項９】
前記第１レンズ群に含まれる前記第２レンズ成分は、２枚のレンズを貼り合わせた貼り合わせレンズであり、前記第２レンズ成分の物体側のレンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をν２１とし、観察眼側のレンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をν２２としたとき、次式
２０  ≦  ｜ν２１−ν２２｜
の条件を満足することを特徴とする請求項８に記載の接眼レンズ。
【請求項１０】
前記第２レンズ群と前記第３レンズ群との間の軸上空気間隔をＤとしたとき、次式
０．７  ≦  Ｄ／ｆ  ≦  ２
の条件を満足することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項１１】
前記第２レンズ群は、観察眼側に凸面を向けたメニスカスレンズ形状のレンズ成分からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接眼レンズ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の接眼レンズと、
物体側から順に、負の屈折力を有する前レンズ群と、正の屈折力を有する後レンズ群と、を有し、前記接眼レンズの物体側に付加的に配置することにより、前記接眼レンズの焦点距離を短縮させるための付加レンズと、を有し、
前記前レンズ群と前記後レンズ群との軸上空気間隔をＤａｄ１とし、前記後レンズ群の最も観察眼側のレンズ面と前記接眼レンズの最も物体側のレンズ面との軸上空気間隔をＤａｄ２とし、前記接眼レンズの焦点距離をｆとしたとき、次式
０  ＜  Ｄａｄ１／ｆ  ≦  １
０  ＜  Ｄａｄ２／ｆ  ≦  １
の条件を満足することを特徴とする付加レンズを備えた接眼レンズ。
【請求項１３】
前記付加レンズの焦点距離をｆａｄとし、前記前レンズ群の焦点距離をｆａｄ１とし、前記後レンズ群の焦点距離をｆａｄ２としたとき、次式
１０  ≦  ｜ｆａｄ／ｆ｜
０．６  ≦  （−ｆａｄ１）／ｆａｄ２  ≦  １．３
の条件を満足することを特徴とする請求項１２に記載の付加レンズを備えた接眼レンズ。
【請求項１４】
前記前レンズ群は、物体側に凹面を向けた単レンズからなり、
前記後レンズ群は、観察眼側に凸面を向けた単レンズからなり、
前記前レンズ群の物体側の面の曲率半径をＲｆａｄ１、観察眼側の面の曲率半径をＲｒａｄ１とし、前記後レンズ群の物体側の面の曲率半径をＲｆａｄ２、観察眼側の面の曲率半径をＲｒａｄ２としたとき、次式
０．２  ＜  ｜Ｒｆａｄ１／Ｒｒａｄ１｜  ≦  １
２  ＜  ｜Ｒｆａｄ２／Ｒｒａｄ２｜
の条件を満足することを特徴とする請求項１２または１３に記載の付加レンズを備えた接眼レンズ。
【請求項１５】
前記前レンズ群を構成する前記単レンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をνａｄ１とし、前記後レンズ群を構成する前記単レンズの媒質のｄ線に対するアッベ数をνａｄ２としたとき、次式
νａｄ１−νａｄ２  ≦  ２５
５０  ＜  νａｄ１
の条件を満足することを特徴とする請求項１４に記載の付加レンズを備えた接眼レンズ。
【請求項１６】
前記付加レンズは、前記接眼レンズを保持する筐体に取付可能なことを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の付加レンズを備えた接眼レンズ。
【請求項１７】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の接眼レンズ、若しくは、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の付加レンズを備えた接眼レンズを有することを特徴とする光学機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像を担持する像担持体ベルトと、
前記像担持体ベルトを張架する張架ローラーと、
前記像担持体ベルトを介して前記張架ローラーと当接するクリーニングローラーと、
塗布液を前記クリーニングローラーに塗布する液体塗布部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記張架ローラーと前記クリーニングローラーとを軸方向で傾斜移動可能に支持する移動支持部と、
前記液体塗布部を固定支持する第１支持部と、
を有する請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記液体塗布部は、塗布液を貯留する液体貯留部材と、前記液体貯留部材に貯留された塗布液を前記クリーニングローラーに塗布し、弾性層を有する塗布部材と、を有する請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記移動支持部材は、前記張架ローラーと前記クリーニングローラーの一端側を支持し往復移動可能な第２支持部と、前記張架ローラーと前記クリーニングローラーの他端側を支持し回転可能な回転支持部とを有する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記像担持体ベルトに当接するベルトクリーニングブレードを有し、
前記液体塗布部は、前記ベルトクリーニングブレードで掻き取った液体を塗布する請求項１ないし４のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一の態様は、像を担持する像担持体ベルトと、像担持体ベルトを張架する張架ローラーと、像担持体ベルトを介して張架ローラーと当接するクリーニングローラーと、塗布液をクリーニングローラーに塗布する液体塗布部とを備えることを特徴とする。
本発明の別の態様は、張架ローラーとクリーニングローラーとを軸方向で傾斜移動可能に支持する移動支持部と、液体塗布部を固定支持する第１支持部とを備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板と、
当該基板上に配置され、低屈折率層と高屈折率層とを交互に順にそれぞれ複数積層された光学機能膜と、
を備える光学素子であって、
前記光学機能膜の前記基板から最も離れた最表層は、第１低屈折率層であり、
当該第１低屈折率層に隣接する第１高屈折率層は、複数層から構成され、
当該複数層は前記最表層側から順に導電層と非導電層を配置して構成され、
前記光学機能膜がＵＶ−ＩＲカットフィルター膜であり、前記導電層の物理膜厚は６０ｎｍ未満である
ことを特徴とする光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
基板と、
当該基板上に配置され、低屈折率層と高屈折率層とを交互に順にそれぞれ複数積層して構成される光学機能膜と、
を備える光学素子を製造する光学素子の製造方法であって、
前記光学機能膜の前記基板から最も離れた最表層を第１低屈折率層とし、
当該第１低屈折率層に隣接する層を第１高屈折率層とし、
前記低屈折率層の表面に、前記第１高屈折率層を積層する第１工程と、
前記第１高屈折率層に、前記第１低屈折率層を積層する第２工程と、
を実施し、
前記第１工程で積層される前記第１高屈折率層は導電層と非導電層とを形成してなり、
前記導電層は前記最表層側に形成され、
前記光学機能膜がＵＶ−ＩＲカットフィルター膜であり、前記導電層の物理膜厚が６０ｎｍ未満となるように形成される
ことを特徴とする光学素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係わる光学素子は、基板と、当該基板上に配置され、低屈折率層と高屈折率層とを交互に順にそれぞれ複数積層された光学機能膜と、を備える光学素子であって、前記光学機能膜の前記基板から最も離れた最表層は、第１低屈折率層であり、当該第１低屈折率層に隣接する第１高屈折率層は、複数層から構成され、当該複数層は前記最表層側から順に導電層と非導電層を配置して構成され、前記光学機能膜がＵＶ−ＩＲカットフィルター膜であり、前記導電層の物理膜厚は６０ｎｍ未満であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例８］
本適用例に係わる光学素子の製造方法は、基板と、当該基板上に配置され、低屈折率層と高屈折率層とを交互に順にそれぞれ複数積層して構成される光学機能膜と、を備える光学素子を製造する光学素子の製造方法であって、前記光学機能膜の前記基板から最も離れた最表層を第１低屈折率層とし、当該第１低屈折率層に隣接する層を第１高屈折率層とし、前記低屈折率層の表面に、前記第１高屈折率層を積層する第１工程と、前記第１高屈折率層に、前記第１低屈折率層を積層する第２工程と、を実施し、前記第１工程で積層される前記第１高屈折率層は導電層と非導電層とを形成してなり、前記導電層は前記最表層側に形成され、前記光学機能膜がＵＶ−ＩＲカットフィルター膜であり、前記導電層の物理膜厚が６０ｎｍ未満となるように形成されることを特徴とする。
この構成の本適用例では、上述したように、防塵性を向上させることができ、光学特性に優れた光学素子の製造方法を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
該画素トランジスターを覆う層間絶縁膜と、
前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、
前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極は、最表層がアルミニウム膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数と前記画素電極の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜の熱膨張係数、および前記画素電極の熱膨張係数よりも小さな熱膨張係数を有する単層膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記応力緩和膜は、前記層間絶縁膜と異なる熱膨張係数をもって当該層間絶縁膜に接する第１応力緩和膜と、該第１応力緩和膜および前記画素電極と異なる熱膨張係数をもって前記第１応力緩和膜および前記画素電極に接する第２応力緩和膜と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１応力緩和膜は、前記層間絶縁膜に比して大きな熱膨張係数を有し、
前記第２応力緩和膜は、前記第１応力緩和膜および前記画素電極に比して小さな熱膨張係数を有していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極を覆う絶縁膜を有し、
前記絶縁膜において少なくとも前記画素電極に接する部分が、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、該画素トランジスターを覆う層間絶縁膜と、前記画素トランジスターに対応して前記層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に設けられ、当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有する反射性の画素電極と、前記層間絶縁膜と前記画素電極との層間に設けられ、当該層間絶縁膜に接する部分が当該層間絶縁膜と異なる熱膨張係数を有するとともに、前記画素電極と接する部分が当該画素電極と異なる熱膨張係数を有する絶縁性の応力緩和膜と、を有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
前記画素トランジスターに対応して設けられた反射性の画素電極と、
該画素電極と同一パターン形状を有し、当該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された透光性の絶縁保護膜と、
該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成するように設けられた絶縁膜と、
を有していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記絶縁保護膜は、少なくとも前記画素電極に接する層が、シリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁保護膜は、少なくとも表層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなり、
前記絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、少なくとも表層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなり、
前記絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記絶縁保護膜は、前記画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第１絶縁保護膜と、該第１絶縁保護膜より大きな熱膨張係数をもって当該第１絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁保護膜と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１絶縁保護膜は、前記第２絶縁保護膜に比して屈折率が小さいことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１絶縁保護膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなり、
前記第２絶縁保護膜は、窒素を含有するシリコン化合物、または金属酸化膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記絶縁保護膜よりも大きな熱膨張係数をもって当該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第１平坦化絶縁膜と、該第１平坦化絶縁膜より小さな熱膨張係数をもって当該第１平坦化絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２平坦化絶縁膜と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記絶縁保護膜は、前記第１平坦化絶縁膜に比して屈折率が小さいことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記絶縁保護膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなり、
前記第１平坦化絶縁膜は、窒素を含有するシリコン化合物、または金属酸化膜であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記基板本体の前記一方面側に対向配置された対向基板と、
前記基板本体と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有し、
前記基板本体の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記配向膜は無機配向膜であることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１４】
基板本体の一方面側に画素トランジスターおよび層間絶縁膜を形成した後、
当該層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に反射性導電膜を形成する反射性導電膜形成工程と、
前記反射性導電膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜および前記反射性導電膜を同一工程でパターニングして前記画素トランジスターに対応する反射性の画素電極、および該画素電極と同一パターン形状をもって当該画素電極に積層された透光性の絶縁保護膜を同一工程で形成するパターニング工程と、
前記絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
当該第２絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、前記画素トランジスターに対応して設けられた反射性の画素電極と、該画素電極と同一パターン形状を有し、当該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された透光性の絶縁保護膜と、該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成するように設けられた絶縁膜と、を有していることを特徴とする。本発明における「同一パターン形状」とは同一工程でパターニング形成された結果、同一形状に形成されていることを意味する。従って、絶縁保護膜の端部や画素電極の端部にサイドエッチングに起因する多少の形状の違いがあっても、「同一パターン形状」に含まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、基板本体の一方面側に画素トランジスターおよび層間絶縁膜を形成した後、当該層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に反射性導電膜を形成する反射性導電膜形成工程と、前記反射性導電膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜および前記反射性導電膜を同一工程でパターニングして前記画素トランジスターに対応する反射性の画素電極、および該画素電極と同一パターン形状をもって当該画素電極に積層された透光性の絶縁保護膜を同一工程で形成するパターニング工程と、前記絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、当該第２絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、を有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の製造方法であって、該方法は、
ａ）ジルコニア耐火物からなるガラス溶融容器内でバッチ材料を溶融し、所定のジルコン失透温度を有する溶融ガラスを形成し、
ｂ）前記ガラスを清澄容器内で清澄して、気体を除去し、
ｃ）前記溶融ガラスを、清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管を通じて攪拌チャンバに移し、
ｄ）前記溶融ガラスを前記攪拌チャンバ内で攪拌し、
ｅ）前記溶融ガラスを成形装置に供給し、
ｆ）前記ガラスをリボンへと成形し、
ｇ）前記成形リボンからガラスシートを切断する、
各工程を有してなり、
前記ガラス溶融容器、清澄容器、および清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管のそれぞれの温度が、ジルコンの失透温度を上回ることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管の温度を、１４５０℃を超えて上昇させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
フュージョン法によってガラスを製造する方法であって、該方法は、
ａ）溶融成形ガラス製造システムを提供し、
ｂ）前記システムによって形成されるガラスにおける二次的ジルコニアに基づく欠陥レベルを測定し、
ｃ）一般形態に基づいて、前記ジルコニアに基づく欠陥を特徴化し、
ｄ）前記欠陥を生じる製造システムの部位を特定し、
ｅ）前記欠陥レベルを１ポンド（453.592ｇ）当たり０．１未満まで低下できる量で前記欠陥が生じるように、前記製造システムの前記部位の温度を上昇させる、
各工程を有してなる、方法。
【請求項４】
前記温度を、前記ガラスの前記ジルコン失透温度以上の温度まで上昇させることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記温度が、１４５０℃以上であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
溶融ガラスが、所定の温度でジルコニア溶融容器から清澄容器へと供給され、所定の温度で清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管へ、さらには攪拌チャンバ、成形装置へと供給される、フュージョン法による板ガラスを製造する方法において、
前記清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管の温度を調整することによって前記板ガラスにおける二次的ジルコニアに基づく欠陥の形成を調節し、それによって、相当量のジルコニアが溶液から出ず、前記ガラスが前記攪拌チャンバに入る前に二次的ジルコニアに基づく欠陥を形成しないことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記清澄容器における前記ガラスの温度が１４６０℃より高く、前記清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管におけるガラスの温度が、あらゆる箇所において、約１４６０℃より高いことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
Ｔｆが前記清澄容器の温度であり、Ｔｍが前記溶融容器の温度であり、Ｔｃが前記溶融容器と前記清澄容器の間の接続管の温度であり、
Ｔｆ＞Ｔｍ＞Ｔｃであり、
Ｔｆ、Ｔｍ、Ｔｃ、および前記清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管の温度がすべて、前記ガラスにおけるジルコンの失透温度を上回ることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
最終的なガラスにおける前記ジルコニアに基づく欠陥レベルが、１ポンド（453.592ｇ）当たり０．００６７以下であることを特徴とする請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）０．１〜５質量％のフェニルベンズイミダゾールスルホン酸、及び
（ｂ）Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミンを含有することを特徴とする日焼け止め化粧料。
【請求項２】
水性組成物もしくは水中油型乳化組成物の形態であることを特徴とする、請求項１に記載の化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化５】
2013049690.tif 000001
の化合物のベシル酸塩の結晶を調製する方法であって、該結晶が、Ｃｕ  Ｋα放射を使用して８．６、１０．５、１２．０、１３．１、１４．４、および１５．９度２θにおける特性ピークを含む粉末Ｘ線回折（ＸＲＰＤ）パターン（形態２）を示し、溶媒としてメタノール、エタノールまたはアセトニトリルから、あるいは該溶媒を含む溶媒／貧溶媒混合物または溶媒／共溶媒混合物から、式（Ｉ）の化合物のベシル酸塩を結晶化させることによって調製する、方法。
【請求項２】
形態２が、メタノール／エタノール混合物から結晶化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
メタノール中の式（Ｉ）の化合物の遊離塩基の溶液と、エタノール中のベンゼンスルホン酸の溶液とを接触させる工程を包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
形態２が、エタノール／酢酸エチル、エタノール／ｐ−シメン、エタノール／メチルイソブチルケトン、エタノール／テトラクロロエチレン、またはエタノール／１，２−ジクロロベンゼンから選択される混合物から結晶化される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記混合物が、エタノール／酢酸エチルである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記混合物が、アセトニトリル／水である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記混合物が、周囲温度未満に冷却される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記混合物が、４℃に冷却される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記混合物が、蒸発させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶媒／貧溶媒混合物中の前記化合物の半飽和溶液からの遅延蒸発を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
形態２が沈殿させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
溶媒／貧溶媒二成分混合物が使用される、請求項１に記載の方法。