(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面、他方主面および側面を有し、前記一方主面上に前記一方の側面から当該側面と対向する他方の側面まで延びる第１の溝が形成されたセラミック基板と、一方主面および他方主面を有し、半硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する樹脂シートとを準備する第１工程と、
前記セラミック基板の一方主面と前記樹脂シートの一方主面とを対面させ、前記セラミック基板の一方主面上に前記樹脂シートを前記第１の溝を覆うように圧着する工程であって、前記圧着の際に前記セラミック基板と前記樹脂シートとの間に挟まれたエアーを前記第１の溝を介して側面方向へ排出する第２工程と、
前記樹脂シートを熱硬化させることにより、複合積層体を作製する第３工程と、
前記複合積層体を前記第１の溝に沿って個片に分割する第４工程と、を備えることを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第１の溝は前記セラミック基板の一方主面上に縦横に格子状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程において、前記樹脂シートの一部が前記第１の溝内に入り込むように前記樹脂シートは前記セラミック基板に対して圧着されることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック基板の他方主面上において、前記第１の溝と対向する位置に第２の溝が形成されており、
前記第４工程において、前記第１の溝と第２の溝とに沿って前記複合積層体をブレークすることで分割することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂シートの他方主面上において、前記第１の溝と対向する位置に第３の溝が形成されており、
前記第４工程において、前記第１の溝と第３の溝とに沿って前記複合積層体をブレークすることで分割することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程において、ダイサーによる切断により前記第１の溝に沿って前記複合積層体を分割することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は、セラミック基板と樹脂シートとを圧着積層してなる積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】携帯電話などの無線通信機器の小型化、高機能化の急速な進展に伴って、搭載部品は高い機能をより小さなスペースで実現することが求められている。このような要望に応えるため、セラミック多層基板を備えた積層型電子部品が用いられるようになってきた。
近年、セラミック多層基板は、低温焼成セラミック多層基板（ＬＴＣＣ）が主流となっている。これは、ＬＴＣＣが１０００℃以下の低温で焼成することが可能であり、銀や銅などの低抵抗金属を配線導体として用いることができるためである。
しかし、ＬＴＣＣは焼成温度を下げるためにガラスが相当量含有されていることが多く、純粋なセラミックに比べて脆弱である。例えば、純粋なアルミナの抗折強度が３００ＭＰａであるのに対して、アルミナとガラスとが体積比率で５０：５０のガラスセラミックの抗折強度は２００ＭＰａ程度である。
このため、セラミック多層基板をプリント配線板上に実装した状態で、落下試験を行った場合、セラミック多層基板とプリント配線板との接合部分に引張り応力が生じて、セラミック多層基板の実装面側にクラックが生じやすくなる。【０００３】そこで、特許文献１では、セラミック多層基板の実装面側に衝撃吸収用の樹脂層を設けた複合セラミック部品が提案されている。
このような複合セラミック部品を量産する際には、セラミック多層基板の親基板を分割して子基板と取り出すという方法が通常用いられる。このときの分割方法としては、ダイサーによる切断や、分割溝に沿ったブレイクによる分割が一般的である。【０００４】さて、特許文献１に記載されたセラミック多層基板を量産するためには、まずセラミック多層基板の親基板に、ほぼ同じ面積の樹脂シートを接合する必要がある。樹脂シートは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に、ＳｉＯ２などの無機フィラーを添加したものにより構成されるのが主流である。
樹脂シートの接合方法としては、特許文献１に示されている通り、熱硬化性樹脂が半硬化状態（Ｂステージ状態またはプリプレグ状態）にある樹脂シートをセラミック多層基板に加熱圧着する方法がある。
【特許文献１】特開２００３−７３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】しかし、親基板と同じ面積の樹脂シートを圧着しようとすると、面積が広いだけに、セラミック多層基板と樹脂シートの界面にエアーを閉じ込めやすくなり、所謂エアーの噛み込みが生じる。このエアーがはんだのリフロー時などの熱で膨張することにより、セラミック多層基板と樹脂層とが剥離するという問題が発生する。
また、エアーの残存位置がセラミック多層基板と樹脂シートの導通部（セラミック多層基板の電極と樹脂シートのビア導体の界面など）になると、導通不良を引き起こす可能性がある。【０００６】そこで、本発明の目的は、セラミック基板と樹脂層との界面にエアーが噛み込むのを防止し、セラミック基板と樹脂層との剥離を防止できる積層型電子部品およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、一方主面、他方主面および側面を有し、前記一方主面上に前記一方の側面から当該側面と対向する他方の側面まで延びる第１の溝が形成されたセラミック基板と、一方主面および他方主面を有し、半硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する樹脂シートとを準備する第１工程と、前記セラミック基板の一方主面と前記樹脂シートの一方主面とを対面させ、前記セラミック基板の一方主面上に前記樹脂シートを前記第１の溝を覆うように圧着する工程であって、前記圧着の際に前記セラミック基板と前記樹脂シートとの間に挟まれたエアーを前記第１の溝を介して側面方向へ排出する第２工程と、前記樹脂シートを熱硬化させることにより、複合積層体を作製する第３工程と、前記複合積層体を前記第１の溝に沿って個片に分割する第４工程と、を備えることを特徴とする積層型電子部品の製造方法である。
【００１１】
請求項１に係る発明について説明する。
まずセラミック基板と半硬化状態の熱硬化性樹脂を含有する樹脂シートとを対面させて圧着し、熱硬化させる。このとき、親基板状態のセラミック基板と樹脂シートとが広い面積で圧着するので、界面にエアーを閉じ込めやすく、エアーの噛み込みが生じる。しかし、セラミック基板の樹脂シートと対面する主面には側面まで延びる第１の溝が形成されているので、界面にエアーが閉じ込められても、このエアーは第１の溝を通って側面方向へ排出される。そのため、エアーの噛み込みが解消され、リフローなどの熱が加わっても、セラミック基板と樹脂層との剥離を未然に防止できる。また、エアーの噛み込みが防止されるので、セラミック基板と樹脂層の導通部における導通不良を解消できる。
さらに、本発明では、エアー抜き溝である第１の溝に沿ってセラミック基板と樹脂シートとの複合積層体は個片に分割される。つまり、第１の溝はエアー抜き溝であると同時に、分割溝ともなる。複合積層体を分割することにより、第１の溝は分断されて周縁部に連続的に延びる切欠部となる。樹脂シートをセラミック基板に圧着した際、樹脂シートの一部が第１の溝の中に入り込むので、第１の溝に沿って複合積層体を分割すると、樹脂層の周縁部がセラミック基板の周縁部に形成された切欠部に食い込んだ形となる。すなわち、切欠部に入り込んだ樹脂層の一部がアンカー効果を発揮して、樹脂層のセラミック基板からの剥離を防止する。なお、切欠部への樹脂層の入り込みは、切欠部に完全に充填される必要はなく、一部のみが入り込んでもよい。
切欠部の断面形状は、第１の溝の断面形状によって決定される。例えば、第１の溝の断面形状が四角形の場合、切欠部の断面形状は段差状になり、第１の溝の断面形状が半円形であれば、切欠部の断面形状は１／４円形になり、第１の溝の断面形状がＶ字形であれば、切欠部の断面形状はテーパ状になる。
本発明の積層型電子部品をプリント配線板上に実装した状態で、落下試験を行うと、セラミック基板とプリント配線板との接合部分に引張り応力が生じて、セラミック基板の実装面側にクラックが生じやすくなる。しかし、セラミック基板の実装面側に衝撃吸収用の樹脂層が存在するので、セラミック基板への応力が軽減され、セラミック基板がＬＴＣＣで構成されていても、クラックの発生を防止できる。
【００１３】樹脂シートは半硬化状態でセラミック基板と加熱圧着され、樹脂シートは熱硬化される。圧着と熱硬化は同時でなくてもよい。半硬化状態とは、硬化反応の中間状態を言い、Ｂステージ状態またはプリプレグ状態を指す。熱硬化性樹脂には、樹脂層の熱膨張係数の調整や樹脂層の流動性の調整を目的として、無機フィラーが必要に応じて添加される。
樹脂層の厚みは、例えば５０μｍ程度まで薄くできるが、回路素子を内蔵する場合には、素子の高さ以上の厚みが必要となる。例えば、高さ２００μｍの回路素子を内蔵する場合は、樹脂層の厚みを３００μｍ以上とするのがよい。素子を内蔵しない場合には１００μｍ以上、内蔵する場合は素子の高さ＋１００μｍ以上とするのがよい。【００１４】
複合積層体の分割方法としては、請求項４，５のようなブレークによる分割や、請求項６のようにダイサーによる切断を用いてもよい。第１の溝の幅以上のダイサーで切断する場合には、切断後の個片の側面には溝の痕跡が残らない。
第１の溝の断面形状は、台形、四角形、三角形、半円形など如何なる形状でもよい。また、複合積層体をブレークする場合には、第１の溝の断面形状を三角形などのようにブレークしやすい形状としてもよい。
貫通穴の断面形状は、四角形、円形、長円形など如何なる形状でもよい。
複合積層体の親基板をダイサーで切断する場合、摩擦熱により樹脂が溶ける等の影響を防ぐため、湿式のダイサーを使用することがある。この時の水分が、セラミック基板と樹脂層の剥き出しの接合端面から浸入し、リフロー等の熱により水分が膨張し、セラミック基板と樹脂層を引き剥がす場合があるが、この場合にも、樹脂の一部をセラミック基板の第１の溝または貫通穴に埋め込むことで、水分の浸入を防止するので、信頼性が向上する。
さらにブレークやダイシングによるカットがセラミック基板と樹脂シートとの界面に差しかかった時、互いの密度差からカットが真っ直ぐに進行せず、ずれやチッピングが発生しやすい。これは、内部電極の露出や寸法バラツキ、実装不良などの原因となる。これに対し、樹脂の一部をセラミック基板の第１の溝または貫通穴に埋め込むことで、上述の問題点を解消できる。
【００１５】
本発明のセラミック基板としては、セラミック多層基板があるが、単層のセラミック基板でもよい。セラミック多層基板の場合、内部に積層コンデンサや積層インダクタを含むものでもよい。
セラミック基板の内部に形成された第１の内部回路要素と、樹脂層の内部に形成され、第１の内部回路要素と電気的に接続された第２の内部回路要素とをさらに備え、外部端子電極は第２の内部回路要素と電気的に接続されている構造としてもよい。
第１の内部回路要素とは、セラミック基板の内部に層状に配置された内部電極や、セラミック基板の厚み方向に貫通するビア導体を総称したものである。
第２の内部回路要素とは、樹脂層の面方向に延びる内部導体と、樹脂層の厚み方向に貫通するビア導体とを総称したものである。グラウンド電極は、内部導体に含まれる。
また、セラミック基板の他方主面上に形成され、第１の内部回路要素と電気的に接続された第１のパッド電極と、第１のパッド電極上に実装された第１の回路素子と、をさらに備えてもよい。これにより、積層型電子部品をさらに高機能化することができる。この場合の回路素子としては、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダクタなどの受動素子を用いることができる。回路素子を搭載した後、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ線でワイヤーボンドしてもよい。
セラミック基板の他方主面上に、第１の回路素子を埋没させるようにモールド樹脂層を形成してもよい。この場合には、モールド樹脂層により回路素子が保護され、耐湿性、信頼性に優れた構造となる。また、モールド樹脂層の表面をマウンターで吸着できるので、表面実装が容易になる。
セラミック基板の他方主面上に、第１の回路素子を覆うようにケースを被せてもよい。この場合も、ケースで回路素子が覆われるので、耐湿性、信頼性に優れた構造となると同時に、ケースの表面をマウンターで吸着できるので、表面実装が容易になる。
ケースの一部が、セラミック基板の他方主面の周縁部に開口する溝部に差し込まれるようにしてもよい。この場合には、ケースとセラミック基板との位置ずれを防止できる。
セラミック基板と樹脂層との界面に形成され、第１の内部回路要素または第２の内部回路要素と電気的に接続された第２のパッド電極と、第２のパッド電極上に実装され、樹脂層の内部に埋没するように固定された第２の回路素子と、を備えてもよい。この場合には、樹脂層が衝撃吸収用としてだけでなく、第２の回路素子の保護層としても機能する。
【００１６】
請求項１に係る積層型電子部品の製造方法においては、セラミック基板の一方主面に樹脂シートを圧着した際、第１の溝または貫通穴に対して樹脂シートが完全に充填されてもよいし、一部だけ充填されてもよいし、全く充填されなくてもよい。つまり、樹脂シートがセラミック基板の一方主面に密着しているだけでもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、セラミック基板と樹脂シートとの圧着時に界面に溜まるエアーは第１の溝を通って外部へ排出されるため、エアーの噛み込みが解消され、セラミック基板と樹脂シートとの界面にエアーが残留しない。そのため、複合積層体を個片に分割した後、リフローなどの熱が加わっても、セラミック基板と樹脂層との剥離を未然に防止できる。
また、第１の溝はエアー抜き用溝としてだけでなく、個片に分割する際の分割溝にもなるので、分割が容易になるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】［図１］本発明にかかる積層型電子部品の第１実施形態の断面図である。
［図２］樹脂シートとセラミック多層基板との接合部の周縁部の拡大断面図である。
［図３］本発明にかかる積層型電子部品の第２実施形態の断面図である。
［図４］本発明にかかる積層型電子部品の第３実施形態の断面図である。
［図５］本発明にかかる積層型電子部品の第４実施形態の断面図である。
［図６］積層型電子部品の製造工程を示す工程図である。
［図７］図６に示す製造工程で用いられるセラミック多層基板と樹脂シートとの斜視図である。
［図８］セラミック多層基板と樹脂シートとの他の実施例における斜視図である。
［図９］セラミック多層基板と樹脂層の上にケースを被せた状態の斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】以下に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明にかかる積層型電子部品の第１の実施形態を示す。
この積層型電子部品Ａは、複数のセラミック層からなるセラミック多層基板１と、このセラミック多層基板１の下面（一方主面）に固着された衝撃吸収用の樹脂層１０とで構成されている。【００２３】セラミック多層基板１は、例えばＬＴＣＣよりなり、複数のセラミック層を内部電極２を介して積層するとともに、セラミック層を厚み方向に貫通するビア導体３を設けたものであり、一体に焼成されている。セラミック多層基板１には、積層コンデンサや積層インダクタなどを一体に作り込むこともできる。セラミック多層基板１の表裏面には素子実装用パッド電極４，５が形成されている。【００２４】セラミック多層基板１のパッド電極４，５には、それぞれ回路素子１５，１６が実装されている。これら回路素子としては、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダクタ、フィルタなどの受動素子を用いることができる。実装方法としては、はんだ又は導電性接着剤によって実装してもよいし、バンプを用いて接続してもよく、あるいはワイヤボンディングで接続してもよい。【００２５】樹脂層１０は熱硬化性樹脂（エポキシ、フェノール、シアネート等）中に無機フィラー（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等）を混合したものであり、セラミック多層基板１の下面に実装された回路素子１６を包み込むように固着され、硬化されている。樹脂層１０の周縁部１０ａは、図１に示すようにセラミック多層基板１の下面の周縁部に形成された段差状切欠部７に埋め込まれている。そのため、セラミック多層基板１と樹脂層１０との界面への水分の浸入や、剥離が防止されている。樹脂層１０の下面には複数の外部端子電極１１が銅箔で形成されている。外部端子電極１１を厚膜電極ではなく銅箔にするのは、それが樹脂層１０側にあり、導電性ペーストの焼成によって形成することができないことと、銅箔と樹脂とはプリント配線板の製法を応用することによって強固に貼り合わせることができるからである。これら外部端子電極１１とセラミック多層基板１の下面に形成された接続電極６とが、樹脂層１０を厚み方向に貫通するビア導体１２を介して導通している。なお、接続電極６はセラミック多層基板１の下面に個別に形成したものに限らず、セラミック多層基板１の下面に露出したビア導体３の端部で兼用することもできる。【００２６】本実施形態にかかる積層型電子部品では、図２の（ａ）に示すように樹脂層１０の一部１０ａがセラミック基板１の周縁部に形成された段差状切欠部７に完全に充填されている場合、図２の（ｂ）に示すように一部だけ入り込んでいる場合、さらには図２の（ｃ）に示すように殆ど入り込んでいない場合のいずれの場合でも、樹脂層１０の剥離防止効果を発揮する。
図２の（ａ）のように樹脂層１０の一部１０ａが切欠部７に完全に充填されている場合、および一部だけ入り込んでいる場合には、セラミック基板１と樹脂層１０との界面への水分の侵入経路を長くできるので、界面からの水分侵入防止効果を有する。そのため、侵入した水分がリフロー等の熱により膨張し、接合界面が剥離するという問題を解消できる。
また、図２の（ｃ）のように樹脂層１０が切欠部７に殆ど入り込んでいない場合には、界面からの水分侵入の防止効果はないが、樹脂層１０に引き剥がし方向の力が作用したとき、樹脂部分が撓むことで力を緩和するので、接合信頼性が向上する。【００２７】図３，図４は積層型電子部品の第２，第３の実施形態を示す。
図１に示す積層型電子部品の場合、セラミック多層基板１の表面（上面）に実装された回路素子１５が剥き出しになるため、耐湿性の点で不利であるとともに、マウンタによる吸着が行いにくい。そこで、図３ではセラミック多層基板１の表面に樹脂２０をモールドしたものであり、図４ではセラミック多層基板１の表面に回路素子１５を覆うケース２１を被せたものである。ケース２１としては、樹脂ケースあるいは金属ケースを用いることができる。金属ケース２１の場合には、加工のしやすさとコスト面で、洋白やリン青銅等が好ましい。
セラミック多層基板１の表面に樹脂２０をモールドする場合には、セラミック多層基板１の表裏の樹脂層１０および２０の熱膨張係数が異なると、熱履歴で基板１が反ったり、割れる恐れがある。そのため、両方の樹脂１０，２０は同一組成のものか、あるいは熱膨張係数が近い材料を使用するのがよい。【００２８】図５は、セラミック多層基板１と樹脂層１０との界面にグラウンド電極１７を設けた第４の実施形態を示す。
高周波用部品では、特性向上のため、部品とそれが実装されるプリント配線板のグラウンド電極とを極力近づける必要がある。理想的には、グラウンド電極を樹脂層１０の裏面に設けるのがよいが、高密度実装でプリント配線板側に他の配線が配置されていたり、実装後の測定用穴（プローブ挿入穴）等が空いていることがあり、実用上困難である。そこで、セラミック多層基板１の裏面、つまり樹脂層１０との界面にグラウンド電極１７を設けたものである。
グラウンド電極１７は銅箔ではなく、焼結による厚膜電極がよい。すなわち、表面粗さＲｍａｘが銅箔では数μｍであるのに対し、厚膜電極では数十μｍと１オーダー粗いので、樹脂層１０との接合にアンカー効果を発揮し、接合強度を高めてくれるからである。
なお、グラウンド電極１７が必要でない場合も、接合強度向上用としてダミー電極（基板内部の電極と接続されていない）をセラミック多層基板１の裏面に形成することもできる。ＬＴＣＣのようなガラスセラミックスの表面粗さＲｍａｘは数μｍであり、銅箔と同程度のため、ダミーの焼結金属電極によって樹脂層１０との接合強度が飛躍的に高められる。
【実施例１】
【００２９】次に、図１に示す積層型電子部品Ａの製造方法の一例を図６，図７を参照して説明する。
まず、親基板状態のセラミック多層基板１Ａを準備する。セラミック多層基板１Ａは次のようにして作製される。
ＰＥＴ等の樹脂フィルム上にセラミックスラリーを塗布し、乾燥し、厚み１０〜２００μｍ程度のセラミックグリーンシートを得る。セラミックスラリーに含まれるセラミック粉末として、例えばＢａＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯなどを混合したものを用いることができる。
前記グリーンシートに金型、レーザー等でφ０．１ｍｍ程度の貫通穴（ビアホール）をあけ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粉、樹脂、有機溶剤を混練した導電ペーストをビアホール内に充填し、乾燥させる。これがビア導体３となる。
グリーンシート上にスクリーン印刷等で前記と同様の導電ペーストを所望のパターンに印刷し、乾燥させる。これが内部電極２となる。
適数枚のグリーンシートを積み重ねて、圧力１００〜１５００ｋｇ／ｃｍ２、温度４０〜１００℃程度で圧着する。
圧着した積層体の表裏面に、素子実装用パッド電極４，５や接続電極６を、前記と同様の導電ペーストを用いて形成する。
圧着後、樹脂シート１０Ａとの接合面側に接合時のエアー抜き用の溝７ａを格子状に形成し、逆面にブレイク用の溝８を格子状に形成する（図７参照）。これら溝７ａ，８は対向する位置に形成されている。溝７ａ，８の加工方法としては、圧着時のプレス金型によって加工してもよいし、積層体の表面にダイサーやレーザによって加工してもよい。
次に、導電ペーストがＡｇ系であればエアー中で８５０℃前後、Ｃｕ系であればＮ２中で９５０℃前後で積層体を焼成する。積層体の厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
焼成後、必要に応じて表裏面に露出した電極上にＮｉ／ＳｎまたはＮｉ／Ａｕ等をメッキ等で成膜する。
以上のようにしてセラミック多層基板１Ａは作製される。
その後、セラミック多層基板１Ａの裏面のパッド電極５に、回路素子１６を実装する。【００３０】次に、金属板や粘着シートなどの支持体２２上に厚み１０〜４０μｍ程度の銅箔をメッキあるいは貼り付け、フォトレジスト塗布、露光、現像エッチング、レジスト剥離の各工程を経て、パターニングする。これが外部端子電極１１となる。
次に、半硬化状態で親基板状態の樹脂シート１０Ａを準備する。樹脂シート１０Ａは、熱硬化性樹脂（エポキシ、フェノール、シアネート等）中に無機フィラー（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等）を混合したものであり、これにレーザー等で導通用ビアホール１３をあける（図７参照）。半硬化状態とは、Ｂステージ状態またはプリプレグ状態をさす。ビアホール１３内に、導電性樹脂（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属粒子とエポキシ、フェノール、シアネート等の熱硬化性樹脂の混合物）を充填する。なお、ビアホール１３内にはんだを充填する場合には、セラミック多層基板１Ａとの圧着後にリフロー等によって充填してもよい。
セラミック多層基板１Ａの厚みが１ｍｍの場合、樹脂シート１０Ａの厚みは、その中に回路素子１６を内蔵しないときは１００μｍ程度、内蔵するときは４００μｍ程度がよい。したがって、部品内蔵しない場合の厚みの比は、セラミック：樹脂＝１０：１程度、内蔵する場合はセラミック：樹脂＝１０：４程度となる。【００３１】前記のように準備された支持体２２と、樹脂シート１０Ａと、セラミック多層基板１Ａとを位置決めし、加熱圧着する（図６の（ａ）参照）。
加熱圧着によって、半硬化状態の樹脂シート１０Ａはセラミック多層基板１Ａの裏面（下面）に圧着し、同時に回路素子１６の隙間にも充填される。この時、セラミック多層基板１Ａと樹脂シート１０Ａとは親基板状態で圧着されるので、両者の間にエアーが閉じ込められる可能性があるが、セラミック多層基板１Ａの下面に形成されたエアー抜き用の溝７ａを介して閉じ込められたエアーが逃がされるので、樹脂シート１０Ａとセラミック多層基板１Ａとの界面にエアーが閉じ込められるのが防止される。そして、樹脂シート１０Ａを強く圧着することで、樹脂シート１０Ａの一部が溝７ａに充填される。なお、溝７ａが樹脂シート１０Ａによって完全に埋められる必要はなく、一部だけ埋められてもよい。
なお、樹脂シートの圧着時に真空引きしながら圧着すれば、エアーを抜きやすくなる利点がある。
加熱圧着により、樹脂シート１０Ａに設けられたビア導体１２はセラミック多層基板１Ａの裏面の接続電極６と導通する。
樹脂シート１０Ａから支持体２２を剥離すると、支持体２２に貼り付けられていた銅箔は樹脂シート１０Ａに転写され、外部端子電極１１となる。【００３２】次に、図６の（ｂ）のように圧着された複合積層体に対し、樹脂シート１０Ａの下面にブレーク用の溝１４を加工する。この溝１４も、セラミック多層基板１Ａの表面に形成されたブレーク用の溝８と対向する位置に格子状に形成される。【００３３】次に、図６の（ｃ）のように複合積層体の上面、つまりセラミック多層基板１Ａの表面に設けたパッド電極４に回路素子１５を実装する。
そして、破線Ｃで示す分割線にそって、複合積層体を個片にブレークすることで、図６の（ｄ）のような積層型電子部品Ａとなる。ブレーク時、複合積層体の表裏面の対向位置にブレーク用の溝８，１４が形成され、内部にも対向位置に溝７ａが形成されているので、容易にブレークすることができる。個片にブレークすることで、溝７ａは切欠部７となる。
なお、ブレークに代えてダイサーによるカットを用いる場合には、複合積層体の表裏面のブレーク溝８，１４は不要である。この場合には、エアー抜き用の溝７ａに沿ってカットされる。この場合も、切欠部７はセラミック多層基板の下側端部に残る。
なお、分割された電子部品Ａに対して、ケース２１を被せることで、図４のようなケース付きの積層型電子部品としてもよい。また、図６の（ｃ）の段階で、セラミック多層基板１Ａの表面に樹脂２０をモールドし、その後でブレークあるいはダイシングすることで、図３のような積層型電子部品としてもよい。
【実施例２】
【００３４】図７ではセラミック多層基板１Ａにエアー抜き用の溝７ａを設けた例を示したが、図８では溝７ａに代えて厚み方向に貫通する穴９を設けた実施例を示す。
この場合も、セラミック多層基板１Ａと半硬化状態の樹脂シート１０Ａとを加熱圧着したとき、その界面にエアーが閉じ込められる可能性があるが、セラミック多層基板１Ａに形成されたエアー抜き用の貫通穴９を介して閉じ込められたエアーが裏面側へ逃がされるので、樹脂シート１０Ａとセラミック多層基板１Ａとの界面にエアーが閉じ込められるのが防止される。そして、樹脂シート１０Ａを強く圧着することで、樹脂シート１０Ａの一部が穴９に埋め込まれる。
この実施例の場合も、セラミック多層基板１Ａの表面側に樹脂モールド２０を施してもよいし、ケース２１を被せてもよい。ケース２１を被せる際、図９に示すようにケース２１の一部２１ａを分割後の貫通穴（溝部）９に挿入することで、ケース２１の位置決めを行うことも可能である。【００３５】前記実施例では、エアー抜き用の溝７ａおよび貫通穴９を、親基板状態のセラミック多層基板１Ａに対して格子状に形成したが、子基板（個片）の寸法に応じて任意の形状に形成することができる。
図８の実施例では、セラミック多層基板１Ａに貫通穴９のみを形成したが、貫通穴９と対応する箇所にブレーク用の溝を形成してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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