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【手続補正書】
【提出日】平成25年6月21日(2013.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振れを検出する振れ検出手段と、
撮像画像信号から画像の動きを示す動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて第１の像振れ補正量を算出する第１の算出手段と、
前記動きベクトル検出手段の出力に基づいて第２の像振れ補正量を算出する第２の算出手段と、
前記第１及び第２の像振れ補正量に基づいて、撮像画像の像振れを光学的に補正する像振れ補正手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号の大きさに基づいて、パンニング動作を判定するパンニング判定手段と、
一定の位置を撮影する定点撮影状態か否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって定点撮影状態と判定されたときは、パンニング動作と判定しにくくなるように前記パンニング判定手段を制御し、かつ第２の像振れ補正量を増幅する制御変更手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記パンニング判定手段は、前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号が第１の閾値より大きいとき、前記撮像装置がパンニング動作を行っていると判定し、前記制御変更手段は、前記判定手段によって定点撮影状態と判定されたときは、前記第１の閾値を第１の閾値よりも大きい第２の閾値に変更することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の算出手段は高域通過フィルタを含み、前記制御変更手段は、前記判定手段によって定点撮影状態と判定しているときには、前記高域通過フィルタの遮断周波数を低域側に変移させることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の算出手段は、積分手段を含み、前記制御変更手段は、前記判定手段によって定点撮影状態と判定しているときには、更に前記積分手段の時定数を大きくすることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号が所定の閾値より小さい状態が所定時間以上継続したとき、または前記動きベクトル検出手段の出力に基づいて得られた信号が所定の閾値より小さい時間が所定時間以上継続したとき、前記定点撮影状態であると判定することを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
像振れを補正する機能を有する撮像装置であって、
振れを検出する振れ検出手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて像振れ補正量を算出する算出手段と、
前記像振れ補正量に基づいて、撮像画像の像振れを光学的に補正する像振れ補正手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号が第１の閾値より大きいとき、前記撮像装置がパンニング動作を行っていると判定するパンニング判定手段と、
一定の位置を撮影する定点撮影状態か否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって定点撮影状態と判定されたときは、前記第１の閾値を、第１の閾値よりも大きい第２の閾値に変更し、かつ前記算出手段が有する高域通過フィルタの遮断周波数を低域側に変移させる制御変更手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記算出手段は、積分手段を含み、前記制御変更手段は、前記撮像装置の振れが安定していると判定しているときには、更に前記積分手段の時定数を大きくすることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
像振れを補正する機能を有する撮像装置であって、
振れを検出する振れ検出手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて像振れ補正量を算出する算出手段と、
前記像振れ補正量に基づいて、撮像画像の振れを光学的に補正する像振れ補正手段と、
前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号が第１の閾値より大きいとき、前記撮像装置がパンニング動作を行っていると判定するパンニング判定手段と、
一定の位置を撮影する定点撮影状態か否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって定点撮影状態と判定されたときは、前記第１の閾値を、第１の閾値よりも大きい第２の閾値に変更し、かつ前記算出手段が有する積分手段の時定数を大きくする制御変更手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
前記判定手段は、前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号が所定の閾値より小さい状態が所定時間以上継続したとき前記定点撮影状態であると判定することを特徴とする請求項６ないし８の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像画像の像振れを補正する機能を有する撮像装置の制御方法であって、
振れ検出手段が、振れを検出する振れ検出工程と、
動きベクトル検出手段が、撮像画像信号から画像の動きを示す動きベクトルを検出する動きベクトル検出工程と、
第１の算出手段が、前記振れ検出工程の出力に基づいて第１の像振れ補正量を算出する第１の算出工程と、
第２の算出手段が、前記動きベクトル検出工程の出力に基づいて第２の像振れ補正量を算出する第２の算出工程と、
像振れ補正手段が、前記第１及び第２の像振れ補正量に基づいて補正部材を駆動することで、撮像画像の振れを光学的に補正する像振れ補正工程と、
パンニング判定手段が、前記振れ検出工程の出力に基づいて得られた信号の大きさに基づいて、パンニング動作を判定するパンニング判定工程と、
判定手段が、一定の位置を撮影する定点撮影状態か否かを判定する判定工程と、
制御変更手段が、前記判定工程によって定点撮影状態と判定されたときは、パンニング動作と判定しにくくなるように前記パンニング判定手段を制御し、かつ第２の像振れ補正量を増幅する制御変更工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係わる撮像装置は、振れを検出する振れ検出手段と、撮像画像信号から画像の動きを示す動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、前記振れ検出手段の出力に基づいて第１の像振れ補正量を算出する第１の算出手段と、前記動きベクトル検出手段の出力に基づいて第２の像振れ補正量を算出する第２の算出手段と、前記第１及び第２の像振れ補正量に基づいて、撮像画像の像振れを光学的に補正する像振れ補正手段と、前記振れ検出手段の出力に基づいて得られた信号の大きさに基づいて、パンニング動作を判定するパンニング判定手段と、一定の位置を撮影する定点撮影状態か否かを判定する判定手段と、前記判定手段によって定点撮影状態と判定されたときは、パンニング動作と判定しにくくなるように前記パンニング判定手段を制御し、かつ第２の像振れ補正量を増幅する制御変更手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記評価値算出手段は、前記各領域の画像の空間周波数を算出する空間周波数算出手段と、該算出した空間周波数から前記視差を補正する補正係数を算出する補正係数算出手段とを備え、前記補正係数による補正後の視差量を前記評価値として出力することを特徴とする請求項４に記載の立体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１に記載の立体撮像装置であって、さらに、前記複数の領域のうち前記適正な視差範囲に入っていないと判定された領域の前記外部の画像出力手段の表示画面上でのサイズを算出する手段を備え、前記警告表示手段は前記適正な視差範囲に入っていないと判定された領域の前記外部の画像出力手段の表示画面上でのサイズが所定値以下のときには警告を表示しないことを特徴とする立体撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項５に示すように、請求項４に記載の立体撮像装置であって、さらに、前記評価値算出手段は、前記各領域の画像の空間周波数を算出する空間周波数算出手段と、該算出した空間周波数から前記視差を補正する補正係数を算出する補正係数算出手段とを備え、前記補正係数による補正後の視差量を前記評価値として出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、請求項６に示すように、請求項１に記載の立体撮像装置であって、さらに、前記複数の領域のうち前記適正な視差範囲に入っていないと判定された領域の前記外部の画像出力手段の表示画面上でのサイズを算出する手段を備え、前記警告表示手段は前記適正な視差範囲に入っていないと判定された領域の前記外部の画像出力手段の表示画面上でのサイズが所定値以下のときには警告を表示しないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮影し、画像データを生成する撮影手段と、
前記撮影手段によって得られる所定数の画像データを合成し、合成画像データを生成する合成手段と、
前記画像データを含む画像ファイル、及び前記合成画像データを含む画像ファイルを、記録媒体に記録する記録制御手段と、
前記記録媒体に記録される画像ファイルに、順次ファイル番号を付与する付与手段と、
前記合成手段によって前記撮影手段によって得られる画像データが順次合成される際に、既に合成された画像データのうち、少なくとも１枚を合成に用いないようにキャンセルする指示を行う指示手段と、
前記指示手段によって前記キャンセルが指示される場合、前記付与手段が前記記録媒体に記録される画像ファイルに付与するファイル番号、及び前記所定数に基づいて、前記記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルを記録可能であるか否かを判定する判定手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記判定手段によって前記記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルが記録可能でないと判定された場合、前記キャンセルを禁止する制御手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記キャンセルを禁止する場合、前記キャンセルが禁止されていることを通知することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像装置には複数の記録媒体が着脱可能に搭載され、
前記記録制御手段は、前記複数の記録媒体が装着された状態において、第１の記録媒体への画像データの記録ができなくなった場合、記録先を第２の記録媒体へ自動的に切り替え、
前記制御手段は、前記判定手段によって前記第１の記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルが記録可能でないと判定された場合であっても、記録先を前記第２の記録媒体に切り替えることで前記合成画像データを含む画像ファイルが記録可能となる場合には、前記キャンセルを禁止しないことを特徴とする請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記判定手段によって前記記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルが記録可能でないと判定された場合、前記キャンセルを続行するかユーザに確認する通知手段を更に有し、
前記制御手段は、前記キャンセルを続行することが確認できた場合には前記所定数を減じる制御を行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記付与手段は、前記記録媒体に記録される、前記撮影手段により撮影された画像データを含む画像ファイル及び前記合成手段によって作成された合成画像データを含む画像ファイルに順次ファイル番号を付与し、
前記判定手段によって前記記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルが記録可能でないと判定された場合とは、前記撮影手段によって得られた画像データ及び前記画像合成手段によって生成された合成画像データを含む画像ファイルに付与できるファイル番号がなくなってしまう状態であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体像を撮影し、画像データを生成する撮影手段と、前記撮影手段によって得られる所定数の画像データを合成し、合成画像データを生成する合成手段と、前記画像データを含む画像ファイル、及び前記合成画像データを含む画像ファイルを、記録媒体に記録する記録制御手段と、前記記録媒体に記録される画像ファイルに、順次ファイル番号を付与する付与手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記合成手段によって前記撮影手段によって得られる画像データが順次合成される際に、既に合成された画像データのうち、少なくとも１枚を合成に用いないようにキャンセルする指示を行う指示工程と、
前記指示工程において前記キャンセルが指示される場合、前記付与手段が前記記録媒体に付与するファイル番号、及び前記所定数に基づいて、前記記録媒体に前記合成画像データを含む画像ファイルを記録可能であるか否かを判定する判定工程と、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置の各手段として機能させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左眼用画像及び右眼用画像のそれぞれのヒストグラムを取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とを比較し、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とのうち少なくとも大きいほうの度数を用いてヒストグラムを作成する作成手段と、
前記作成手段によって作成されたヒストグラムに基づいた階調補正パラメータを設定する設定手段と、
前記設定手段によって設定された前記階調補正パラメータを用いて前記左眼用画像及び前記右眼用画像の階調を補正する補正手段と、
前記補正手段によって補正された前記左眼用画像及び前記右眼用画像を出力する出力手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記作成手段は、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数との差が所定値以上であった場合、前記作成手段が作成するヒストグラムの該階調の度数を、前記左眼用画像のヒストグラムの該階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの該階調の度数とのうち大きいほうの度数とすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記作成手段は、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数との差が所定値未満であった場合、前記作成手段が作成するヒストグラムの該階調の度数を、前記左眼用画像のヒストグラムの該階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの該階調の度数との平均値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記作成手段が作成するヒストグラムは、輝度値に関するヒストグラムまたはカラー値に関するヒストグラムであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記取得手段が取得するヒストグラムは、輝度値に関するヒストグラムまたはカラー値に関するヒストグラムであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
左眼用画像及び右眼用画像のそれぞれのヒストグラムを取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得された前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とを比較し、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とのうち少なくとも大きいほうの度数を用いてヒストグラムを作成する作成ステップと、
前記作成ステップにおいて作成されたヒストグラムに基づいた階調補正パラメータを設定する設定ステップと、
前記設定ステップにおいて設定された前記階調補正パラメータを用いて前記左眼用画像及び前記右眼用画像の階調を補正する補正ステップと、
前記補正ステップにおいて補正された前記左眼用画像及び前記右眼用画像を出力する出力ステップと、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記作成ステップでは、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数との差が所定値以上であった場合、前記作成ステップにおいて作成されるヒストグラムの該階調の度数を、前記左眼用画像のヒストグラムの該階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの該階調の度数とのうち大きいほうの度数とすることを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記作成ステップでは、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数との差が所定値未満であった場合、前記作成ステップにおいて作成されるヒストグラムの該階調の度数を、前記左眼用画像のヒストグラムの該階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの該階調の度数との平均値とすることを特徴とする請求項６または７に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
前記作成ステップにおいて作成されるヒストグラムは、輝度値に関するヒストグラムまたはカラー値に関するヒストグラムであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記取得ステップにおいて取得されるヒストグラムは、輝度値に関するヒストグラムまたはカラー値に関するヒストグラムであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、左眼用画像及び右眼用画像のそれぞれのヒストグラムを取得する取得手段と、前記取得手段で取得された前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とを比較し、前記左眼用画像のヒストグラムの各階調の度数と、前記右眼用画像のヒストグラムの各階調の度数とのうち少なくとも大きいほうの度数を用いてヒストグラムを作成する作成手段と、前記作成手段によって作成されたヒストグラムに基づいた階調補正パラメータを設定する設定手段と、前記設定手段によって設定された前記階調補正パラメータを用いて前記左眼用画像及び前記右眼用画像の階調を補正する補正手段と、前記補正手段によって補正された前記左眼用画像及び前記右眼用画像を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２のフローチャートの処理に従って、統合ヒストグラム作成部１０５が、図３及び図４に示す左眼用画像ヒストグラム及び右眼用画像ヒストグラムから、閾値Ｔｈを０．７として作成した統合ヒストグラムを図５に示す。統合ヒストグラムの各クラスにおける度数が図５（Ａ）となるとき、統合ヒストグラムは図５（Ｂ）のようになる。図５（Ｂ）に示す統合ヒストグラムでのクラス６における度数は、右眼用画像ヒストグラムでのクラス６における度数と等しい。統合ヒストグラムでのクラス０、１、２におけるそれぞれの度数は、左眼用画像ヒストグラムでのクラス０、１、２におけるそれぞれの度数と等しい。統合ヒストグラムでのクラス３、４、５、７におけるそれぞれの度数は、右眼用画像ヒストグラム及び左眼用画像ヒストグラムでのクラス３、４、５、７におけるそれぞれの度数の平均値と等しい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図８に示す統合ヒストグラムから得られるγカーブＡ２は、左眼用画像ヒストグラムと右眼用画像ヒストグラムにおいて度数の多いクラス２やクラス６に対して、入力レベルｘ（１）からｘ（２）での傾きと、ｘ（５）からｘ（６）での傾きが共に大きく設定されている。よって、多くの階調を割りあてることができるため、γカーブＡ２で左眼用画像及び右眼用画像を補正しても、どちらの画像でも色つぶれが生じないように補正される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から延長し、屈曲振動をする腕部と、
第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配置された第1の圧電体層と、を含み、前記第１電極を前記腕部と前記第1の圧電体層との間に配置した積層構造体と、
前記第１電極に接続され、且つ、前記基部に配置された第１端子と、
前記第２電極に接続され、且つ、前記基部に配置された第２端子と、
前記第1の圧電体層から延出し、且つ、少なくとも前記第２端子の領域にまで設けられ、平面視で前記第２端子と重なり合っている第２の圧電体層を有していることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項２】
請求項１に記載の屈曲振動片において、
前記第1叉は前記第２の圧電体層は、貫通孔を有し、
前記貫通孔を介して、前記第２電極と前記第２端子とを接続したことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項３】
基部と、
屈曲振動し、且つ、前記基部から延長し並列に配列された複数本の腕部と、
前記腕部の各々に設けられ、且つ、第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配置された第1の圧電体層と、を含み、前記第１電極を前記腕部と前記第1の圧電体層との間に配置した積層構造体と、
前記腕部のうち、端から数えて奇数番目の前記腕部の前記第１電極と偶数番目の前記腕部の前記第２電極とに接続され、且つ、前記基部に配置された第１端子と、
前記偶数番目の前記腕部の前記第１電極と前記奇数番目の前記腕部の前記第２電極とに接続され、且つ、前記基部に配置された第２端子と、
前記第1の圧電体層から延出し、且つ、少なくとも前記第２端子の領域にまで設けられ、平面視で前記第２端子と重なり合っている第２の圧電体層を有していることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項４】
請求項３に記載の屈曲振動片において、
前記第1叉は前記第２の圧電体層は、複数の貫通孔を有し、
前記貫通孔を介して、前記奇数番目の前記腕部の前記第１電極と前記偶数番目の前記腕部の前記第２電極との接続、および前記偶数番目の前記腕部の前記第１電極と前記奇数番目の前記腕部の前記第２電極との接続をしたことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の屈曲振動片において、
前記第１電極と前記第２電極との間に絶縁膜をさらに有したことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の屈曲振動片と、
前記屈曲振動片を収容したパッケージと、を備えたことを特徴とする屈曲振動子。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか一項に記載の屈曲振動片と、
前記屈曲振動片に接続された発振回路と、を備えたことを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一項に記載の屈曲振動片を備えたこと特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生じた信号を増幅する増幅トランジスタとを含む画素を複数有し、
複数の前記光電変換部が配された第１の基板と、
複数の前記増幅トランジスタが配された第２の基板とを有する固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタのソース領域及びドレイン領域が配される第１導電型のウエルは、少なくとも一方向に隣接する増幅トランジスタのソース領域及びドレイン領域が配される第１導電型のウエルと分離されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
隣接する第１導電型のウエル間には、第２導電型の半導体領域が配されることにより、前記第１導電型のウエルどうしが分離されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記増幅トランジスタのソースと前記第１導電型のウエルとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項４】
各々が各画素に設けられ、前記増幅トランジスタの入力ノードの電圧をリセットする複数のリセットトランジスタを有し、
前記複数のリセットトランジスタの各々は、同一画素の前記増幅トランジスタが配される前記分離された第１導電型のウエルに配されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
各画素に選択トランジスタを有し、前記複数の選択トランジスタの各々は、同一画素の前記増幅トランジスタが配された前記分離された第１導電型のウエルに配されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記増幅トランジスタが行列状に配されており、
前記第１導電型のウエルが複数の前記増幅トランジスタの列間で分離されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記増幅トランジスタが行列状に配されており、
前記第１導電型のウエルが複数の前記増幅トランジスタの行間で分離されており、
分離されたウエルごとに第１の電圧と、前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を切り替えて供給する電圧供給部を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１導電型のウエルが画素毎に分離されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記増幅トランジスタが電流源と共にソースフォロワ回路を構成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外に配置された周辺回路領域とを有する固体撮像装置であって、
前記画素アレイ領域に配置された光電変換素子と、
前記画素アレイ領域に配置され、ゲート電極を有し、前記光電変換素子が発生した電荷に応じた信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記周辺回路領域に配置され、ゲート電極を有する周辺ＭＯＳトランジスタと、
前記光電変換素子、前記増幅ＭＯＳトランジスタおよび前記周辺ＭＯＳトランジスタを覆うように配置され、ＣＭＰによって平坦化された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面との間に配置された第１絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面との間に配置された第２絶縁膜とを備え、
前記第１絶縁膜は、前記光電変換素子と、前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の側面とを覆うように広がっていて、前記第１絶縁膜と前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記側面との間にサイドウォールがない、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の側面に配置されたサイドウォールを更に備え、
前記周辺ＭＯＳトランジスタは、ＬＤＤ構造を有し、
前記第１絶縁膜および前記層間絶縁膜の少なくとも１つは、シリコン酸化物を含む積層膜であり、
前記サイドウォールは、シリコン酸化物を含む積層膜である、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記周辺回路領域に配置された導電体パターンの上面の上に配置された第３絶縁膜を更に備え、
前記導電体パターンは、前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の材料と同一の材料で構成され、前記第３絶縁膜は、前記第２絶縁膜の材料と同一の材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記層間絶縁膜は、コンタクトホールを有し、前記第２絶縁膜は、開口を有し、前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極に接続されたコンタクトプラグが前記開口を通して前記コンタクトホールに配置され、前記開口の面積は、前記コンタクトホールの面積より大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は、シリコン窒化物およびシリコン酸窒化物の少なくとも一方で構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を含み、前記シリコン窒化膜は、前記シリコン酸化膜と前記光電変換素子との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外に配置された周辺回路領域とを有する固体撮像装置であって、
前記画素アレイ領域に配置された光電変換素子と、
前記画素アレイ領域に配置され、ゲート電極を有し、前記光電変換素子が発生した電荷に応じた信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記周辺回路領域に配置され、ゲート電極を有し、かつ、ＬＤＤ構造を有する周辺ＭＯＳトランジスタと、
前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の側面の上に配置されたサイドウォールと、
前記光電変換素子、前記増幅ＭＯＳトランジスタおよび前記周辺ＭＯＳトランジスタを覆うように配置され、ＣＭＰによって平坦化された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の下に、前記光電変換素子と、前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面および側面とを覆うように配置された第１絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面との間に配置された第２絶縁膜とを備え、
前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記側面から前記第１絶縁膜のうち前記側面に最も近い部分までの距離が、前記サイドウォールの厚さより小さい、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、前記層間絶縁膜と前記増幅ＭＯＳトランジスタの拡散領域との間に配置され、前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記拡散領域から前記第１絶縁膜の前記上面までの距離は、前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の厚さより小さい、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記画素アレイ領域に配置された転送ゲート電極を更に備え、前記転送ゲート電極は、電荷を転送するためのチャネルを形成し、前記光電変換素子から前記第１絶縁膜の上面までの距離は、前記転送ゲート電極の厚さより小さい、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記周辺ＭＯＳトランジスタの拡散領域から前記層間絶縁膜までの距離は、前記前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記上面から前記層間絶縁膜までの距離より小さい、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記周辺ＭＯＳトランジスタの拡散領域から前記層間絶縁膜までの距離は、前記増幅ＭＯＳトランジスタの拡散領域から前記層間絶縁膜までの距離より小さい、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜が同一の材料で構成され、該材料は、前記層間絶縁膜の材料とは異なる、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記上面の上に配置された前記第２絶縁膜の面積は、前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記上面の面積より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜は、複数の画素にわたって前記光電変換素子を覆っている、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外に配置された周辺回路領域とを有する固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記画素アレイ領域に配置された光電変換素子と、前記画素アレイ領域に配置され、ゲート電極を有し、前記光電変換素子が発生した電荷に応じた信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、前記周辺回路領域に配置され、ゲート電極を有する周辺ＭＯＳトランジスタと、前記光電変換素子、前記増幅ＭＯＳトランジスタおよび前記周辺ＭＯＳトランジスタを覆うように配置され、ＣＭＰによって平坦化された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面との間に配置された第１絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記周辺ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の上面との間に配置された第２絶縁膜とを備え、前記第１絶縁膜は、前記光電変換素子と、前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の側面とを覆うように広がっていて、前記第１絶縁膜と前記増幅ＭＯＳトランジスタの前記ゲート電極の前記側面との間にサイドウォールがない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン共重合体（Ａ）と、下記一般式（１）および一般式（２）の少なくともいずれか一方である層状複合金属化合物（Ｂ）および／またはその焼成物（Ｃ）と、ベンゾフェノン系化合物（Ｄ）を含むことを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物。
Ｍｇ1-a・Ａｌa（ＯＨ）2・Ａｎn-a/n・ｃＨ2Ｏ    一般式（１）
（０．２≦ａ≦０．３５、０≦ｃ≦１、Ａｎ：ｎ価の陰イオン）
（ＭaＭｇ1-a）1-b・Ａｌb（ＯＨ）2・Ａｎn-b/n・ｃＨ2Ｏ    一般式（２）
（ＭはＮｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、およびＣａより選ばれる金属を示し、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ式０≦ａ≦１、０．２≦ｂ≦０．３５、０≦ｃ≦１、Ａｎ：ｎ価の陰イオン）
【請求項２】
ベンゾフェノン系化合物（Ｄ）が融点２５〜１２０℃であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項３】
焼成物（Ｃ）が、層状複合金属化合物（Ｂ）を２００〜８００℃で熱処理されてなる焼成物であることを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項４】
層状複合金属化合物（Ｂ）とその焼成物（Ｃ）がＢＥＴ比表面積１〜２００ｍ2／ｇであることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項５】
エチレン共重合体（Ａ）が、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンアクリル酸メチル共重合体、エチレンアクリル酸エチル共重合体、およびエチレンメタクリル酸メチル共重合体、エチレンメタクリル酸エチル共重合体からなる群より選択される１種以上の共重合体であることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項６】
エチレン共重合体（Ａ）１００重量部に対して、層状複合金属化合物（Ｂ）および／またはその焼成物（Ｃ）を０．０１〜１５重量部、ベンゾフェノン系化合物（Ｃ）を０．０１〜１５重量部用いることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項７】
ベンゾフェノン系化合物（Ｃ）が、３４０ｎｍにおけるモル吸光係数１０００〜１５０００（ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）であることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物。
【請求項８】
エチレン共重合体（Ａ）と、層状複合金属化合物（Ｂ）および／またはその焼成物（Ｃ）と、ベンゾフェノン系化合物（Ｃ）とを用いて形成してなる太陽電池封止材であって、
前記層状複合金属化合物（Ｂ）が、下記一般式（１）または下記一般式（２）で表される化合物であり、
前記焼成物（Ｃ）が、前記層状複合金属化合物（Ｂ）を２００〜８００℃で熱処理されてなる焼成物であることを特徴とする太陽電池封止材。
Ｍｇ1-a・Ａｌa（ＯＨ）2・Ａｎn-a/n・ｃＨ2Ｏ    一般式（１）
（０．２≦ａ≦０．３５、０≦ｃ≦１、Ａｎ：ｎ価の陰イオン）
（ＭaＭｇ1-a）1-b・Ａｌb（ＯＨ）2・Ａｎn-b/n・ｃＨ2Ｏ    一般式（２）
（ＭはＮｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、およびＣａより選ばれる金属を示し、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ式０≦ａ≦１、０．２≦ｂ≦０．３５、０≦ｃ≦１、Ａｎ：ｎ価の陰イオン）
【請求項９】
エチレン酢酸ビニル共重合体と、請求項１〜７いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物とを用いて形成してなる太陽電池封止材。
【請求項１０】
層状複合金属化合物（Ｂ）および／またはその焼成物（Ｃ）１００重量部に対してベンゾフェノン系化合物（Ｄ）を０．５〜２０００重量部用いることを特徴とする請求項８または９記載の太陽電池封止材。
【請求項１１】
請求項１〜７いずれか記載の太陽電池封止材用樹脂組成物を用いて形成してなる太陽電池モジュール。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の太陽電池封止材を用いて形成してなる太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストとを有する多層レジストをマスクとする被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記上層レジストをマスクとして前記無機膜系中間膜をプラズマエッチングする無機膜系中間膜マスク形成工程と、
前記無機膜系中間膜マスク形成工程後に前記下層レジストをプラズマエッチングする多層レジストマスク形成工程と、
前記多層レジストマスク形成工程後にＣＨＦ3ガスとＮ2ガスとＳｉＣｌ4ガスとからなる混合ガスを用いて前記多層レジストマスク形成工程後の下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程と、
前記側壁保護膜形成工程後に前記被エッチング膜をプラズマエッチングする被エッチング膜エッチング工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストとを有する多層レジストをマスクとする被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記上層レジストをマスクとして前記無機膜系中間膜をプラズマエッチングする無機膜系中間膜マスク形成工程と、
前記無機膜系中間膜マスク形成工程後に前記下層レジストをプラズマエッチングする多層レジストマスク形成工程と、
前記多層レジストマスク形成工程後にＨＢｒガスとＳｉＣｌ4ガスとからなる混合ガスを用いて前記多層レジストマスク形成工程後の下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程と、
前記側壁保護膜形成工程後に前記被エッチング膜をプラズマエッチングする被エッチング膜エッチング工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストとを有する多層レジストをマスクとする被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記上層レジストをマスクとして前記無機膜系中間膜をプラズマエッチングする無機膜系中間膜マスク形成工程と、
前記無機膜系中間膜マスク形成工程後に前記下層レジストをプラズマエッチングする多層レジストマスク形成工程と、
前記多層レジストマスク形成工程後にＣＨ2Ｆ2ガスとＳｉＣｌ4ガスとからなる混合ガスを用いて前記多層レジストマスク形成工程後の下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程と、
前記側壁保護膜形成工程後に前記被エッチング膜をプラズマエッチングする被エッチング膜エッチング工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストとを有する多層レジストをマスクとする被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記上層レジストをマスクとして前記無機膜系中間膜をプラズマエッチングする無機膜系中間膜マスク形成工程と、
前記無機膜系中間膜マスク形成工程後に前記下層レジストをプラズマエッチングする多層レジストマスク形成工程と、
前記多層レジストマスク形成工程後にＨＢｒガスとＮ2ガスとからなる混合ガスを用いて前記多層レジストマスク形成工程後の下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程と、
前記側壁保護膜形成工程後に前記被エッチング膜をプラズマエッチングする被エッチング膜エッチング工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストとを有する多層レジストをマスクとする被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、前記上層レジストをマスクとして前記無機膜系中間膜をプラズマエッチングする無機膜系中間膜マスク形成工程と、前記無機膜系中間膜マスク形成工程後に前記下層レジストをプラズマエッチングする多層レジストマスク形成工程と、前記多層レジストマスク形成工程後にＣＨＦ3ガスとＮ2ガスとＳｉＣｌ4ガスとからなる混合ガスを用いて前記多層レジストマスク形成工程後の下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程と、前記側壁保護膜形成工程後に前記被エッチング膜をプラズマエッチングする被エッチング膜エッチング工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコン含有窒化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン含有窒化膜を形成する工程は、
基板に対してシラン系ガスを供給する工程と、
前記基板に対して窒化ガスを供給する工程と、
前記基板に対してアミン系ガスを供給する工程と、
を有し、
前記アミン系ガスを供給する工程は、前記シラン系ガスを供給する工程及び前記窒化ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかの工程と同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン含有窒化膜を形成する工程は、前記シラン系ガスを供給する工程と、前記窒化ガスを供給する工程と、前記アミン系ガスを供給する工程と、を含むサイクルを繰り返す工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン含有窒化膜は、シリコン窒化膜またはシリコン炭化窒化膜を含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板上にシリコン含有窒化膜を形成する工程を有する基板処理方法であって、
シリコン含有窒化膜を形成する工程は、
基板に対してシラン系ガスを供給する工程と、
前記基板に対して窒化ガスを供給する工程と、
前記基板に対してアミン系ガスを供給する工程と、
を有し、
前記アミン系ガスを供給する工程は、前記シラン系ガスを供給する工程及び前記窒化ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかの工程と同時に行う基板処理方法。
【請求項５】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内にシラン系ガスを供給する第１ガス供給系と、
前記処理室内に窒化ガスを供給する第２ガス系と、
前記処理室内にアミン系ガスを供給する第３ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記シラン系ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記窒化ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記アミン系ガスを供給する処理と、を行うことで、前記基板上にシリコン含有窒化膜を形成し、前記アミン系ガスを供給する処理を、前記シラン系ガスを供給する処理及び前記窒化ガスを供給する処理のうち少なくともいずれかの処理と同時に行うよう前記第１ガス供給系、前記第２ガス系および前記第３ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに素子領域が形成された第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせる基板重ね合わせ装置であって、
前記第１基板を保持する第１テーブルと、
前記第１基板に対向するように前記第２基板を保持する第２テーブルと、
前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させる駆動部と
を備え、
前記駆動部は、
前記対向する向きである対向方向および前記対向方向に直交する面方向に前記第１基板および前記第２基板が互いにずれた初期位置と、前記第１基板および前記第２基板が予め定められた距離だけ離間して互いに対向する対向位置との間で、前記対向方向に対して斜めに交差する交差パスを含む搬送パスで、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させ、
前記対向位置と前記第１基板および前記第２基板が互いに重なり合う重ね合わせ位置との間で、前記面方向の成分を含まない搬送パスで前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させることを特徴とする基板重ね合せ装置。
【請求項２】
前記予め定められた距離は、前記第１基板および前記第２基板の厚さに基づいて決定される請求項１に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項３】
前記初期位置から前記対向位置までの搬送パスにおける搬送速度は、前記対向位置から前記重ね合わせ位置までの搬送パスにおける搬送速度よりも大きい請求項１および２に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項４】
前記駆動部は、前記初期位置から前記対向位置までの間で、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方の加速度の変化が一定になるように移動させる請求項１から３のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項５】
前記初期位置から前記対向位置までの搬送パスを生成する生成部を備え、
前記生成部は、前記搬送パスとして最短距離の搬送パスを生成する請求項１から４のいずれか１項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項６】
前記初期位置から前記重ね合わせ位置までの搬送パスを生成する生成部を備え、
前記生成部は、前記搬送パスとして最短距離の搬送パスを生成する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項７】
前記第１基板に設けられた第１マークの位置と前記第２基板に設けられた第２マークの位置とをそれぞれ検出する検出部を備え、
前記生成部は、前記検出部が検出した前記第１マークの位置と前記第２マークの位置とに基づいて前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくともにおける前記対向位置を算出して前記搬送パスを生成する請求項５または６に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項８】
前記駆動部を制御する制御部を備え、
前記駆動部は、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を前記面方向に沿って移動させる第１駆動部と、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を前記対向方向に沿って移動させる第２駆動部とを有し、
前記制御部は、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を前記交差パスで移動させるときに、前記第１駆動部および前記第２駆動部を同時に駆動させる請求項１から７のいずれか一項に記載の基板重ね合わせ装置。
【請求項９】
それぞれに素子領域が形成された第１基板と第２基板とを互いに重ね合わせる基板重ね合わせ装置であって、
前記第１基板を保持する第１テーブルと、
前記第１基板に対向するように前記第２基板を保持する第２テーブルと、
前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させる駆動部と、
を備え、
前記駆動部は、前記対向する向きである対向方向および前記対向方向に直交する面方向に前記第１基板および前記第２基板が互いにずれた初期位置と、前記第１基板および前記第２基板が互いに重なり合う重ね合わせ位置との間で、前記対向方向に対して斜めに交差する交差パスを含む搬送パスで、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させることを特徴とする基板重ね合せ装置。
【請求項１０】
それぞれに素子領域が形成された複数の基板を重ね合わせて製造されるデバイスの製造方法であって、
第１テーブルに保持された第１基板と、前記第１基板に対向するように第２テーブルに保持された第２基板を重ね合わせる工程を含み、
前記重ね合わせる工程は、
前記対向する向きである対向方向および前記対向方向に直交する面方向に前記第１基板および前記第２基板が互いにずれた初期位置と、前記第１基板および前記第２基板が予め定められた距離だけ離間して互いに対向する対向位置との間で、前記対向方向に対して斜めに交差する交差パスを含む搬送パスで、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させる第１の移動ステップと、
前記対向位置と前記第１基板および前記第２基板が互いに重なり合う重ね合わせ位置との間で、前記面方向の成分を含まない搬送パスで前記第１テーブルおよび前記第２テーブルの少なくとも一方を移動させる第２の移動ステップと、
を含むデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。即ち、画像処理装置であって、
画像の中心位置から該画像の一端までの間のライン上の各像高について、該像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを保持する保持手段と、
前記保持手段から前記フィルタを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段が読み出した前記フィルタを用いて、前記画像における前記ボケを軽減させる処理である画質回復処理を行う処理手段と
を備え、
前記処理手段は、
前記ライン上の着目像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを着目フィルタとし、該着目フィルタを規定角度だけ回転させる回転手段と、
前記ラインを前記画像の中心位置を軸に前記規定角度だけ回転させた回転後ライン上の前記着目像高の位置に対して、前記回転手段が回転させた着目フィルタを適用して該位置に対する前記画質回復処理を行う手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
画像の中心位置から該画像の一端までの間のライン上の各像高について、該像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを保持する保持手段と、
前記保持手段から前記フィルタを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段が読み出した前記フィルタを用いて、前記画像における前記ボケを軽減させる処理である画質回復処理を行う処理手段と
を備え、
前記処理手段は、
前記ライン上の着目像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを着目フィルタとし、該着目フィルタを規定角度だけ回転させる回転手段と、
前記ラインを前記画像の中心位置を軸に前記規定角度だけ回転させた回転後ライン上の前記着目像高の位置に対して、前記回転手段が回転させた着目フィルタを適用して該位置に対する前記画質回復処理を行う手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
画像処理装置であって、
画像の中心位置から該画像の一端までの間のライン上の各像高について該像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを保持する外部の保持手段から、前記フィルタを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段が読み出した前記フィルタを用いて、前記画像における前記ボケを軽減させる処理である画質回復処理を行う処理手段と
を備え、
前記処理手段は、
前記ライン上の着目像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを着目フィルタとし、該着目フィルタを規定角度だけ回転させる回転手段と、
前記ラインを前記画像の中心位置を軸に前記規定角度だけ回転させた回転後ライン上の前記着目像高の位置に対して、前記回転手段が回転させた着目フィルタを適用して該位置に対する前記画質回復処理を行う手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記保持手段は、
前記画像の中心位置からの像高が大きいほど、より短い像高間隔で前記フィルタを保持することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記処理手段は更に、
前記保持手段が保持するフィルタのうち、隣接する像高の位置それぞれに適用するフィルタを第１のフィルタ、第２のフィルタとしたとき、
前記第１のフィルタを適用する像高の位置と、前記第２のフィルタを適用する像高の位置との間の各位置に対応するフィルタを、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとを用いた補間計算で求めることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
更に、
撮像により前記画像を取得する手段を備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像の中心位置から該画像の一端までの間のライン上の各像高について、該像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを保持する保持手段を有する画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の読み出し手段が、前記保持手段から前記フィルタを読み出す読み出し工程と、
前記画像処理装置の処理手段が、前記読み出し工程で読み出した前記フィルタを用いて、前記画像における前記ボケを軽減させる処理である画質回復処理を行う処理工程と
を備え、
前記処理工程は、
前記ライン上の着目像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを着目フィルタとし、該着目フィルタを規定角度だけ回転させる回転工程と、
前記ラインを前記画像の中心位置を軸に前記規定角度だけ回転させた回転後ライン上の前記着目像高の位置に対して、前記回転工程で回転させた着目フィルタを適用して該位置に対する前記画質回復処理を行う工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の読み出し手段が、画像の中心位置から該画像の一端までの間のライン上の各像高について該像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを保持する外部の保持手段から、前記フィルタを読み出す読み出し工程と、
前記画像処理装置の処理手段が、前記読み出し工程で読み出した前記フィルタを用いて、前記画像における前記ボケを軽減させる処理である画質回復処理を行う処理工程と
を備え、
前記処理工程は、
前記ライン上の着目像高の位置におけるボケを軽減させる為に用いるフィルタを着目フィルタとし、該着目フィルタを規定角度だけ回転させる回転工程と、
前記ラインを前記画像の中心位置を軸に前記規定角度だけ回転させた回転後ライン上の前記着目像高の位置に対して、前記回転工程で回転させた着目フィルタを適用して該位置に対する前記画質回復処理を行う工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。