(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧ＳＣＲスイッチであって、
ａ）  基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成された二つのユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、二つのユニットＳＣＲのうちの一方は第１ユニットＳＣＲであり、他方のユニットＳＣＲは第２ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を含み、
ｂ）  電圧源ノードを有し、
ｃ）  第１及び第２抵抗器を有し、各抵抗器は第１及び第２端部を有し、
ｄ）  前記第１ユニットＳＣＲの陰極は前記第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、
ｅ）  前記第１ユニットＳＣＲの陽極は第２ユニットＳＣＲの陰極領域に電気的に接続し、且つ前記陰極領域に少なくとも部分的に隣接し、
ｆ）  第２ユニットＳＣＲのゲートは第１抵抗器の第２端部及び第２抵抗器の第１端部に電気的に接続し、
ｇ）  第２ユニットＳＣＲの陽極は第２抵抗器の第２端部及び電圧源ノードに電気的に接続する、
高電圧ＳＣＲスイッチ。
【請求項２】
高電圧ＳＣＲスイッチであって、
ａ）  基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成された少なくとも三つのユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、一つのユニットＳＣＲは第１ユニットＳＣＲであり、別のユニットＳＣＲは最終ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を含み、
ｂ）  電圧源ノードを有し、
ｃ）  少なくとも三つの抵抗器を有し、一つの抵抗器は第１抵抗器であり、別の抵抗器は最終抵抗器であり、各抵抗器は第１端部及び第２端部を有し、第１抵抗器は第１ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの第１ペアを形成し、最終抵抗器は最終ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの最終ペアを形成するように、各抵抗器は単一のユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲのペアを形成し、
ｄ）  第１ユニットＳＣＲの陰極は第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、
ｅ）  最終ユニットＳＣＲを除いた各ユニットＳＣＲの陽極は電気直列の連続するユニットＳＣＲの陰極に電気的に接続し、且つ前記陰極に少なくとも部分的に隣接し、
ｆ）  第１ユニットＳＣＲを除く各ユニットＳＣＲのゲートは電気直列の抵抗器とユニットＳＣＲの先行ペアの抵抗器の第２端部及びユニットＳＣＲに関連する抵抗器の第１端部に電気的に接続し、
ｇ）  最終ユニットＳＣＲの陽極は最終抵抗器の第２端部に電気的に接続する、
高電圧ＳＣＲスイッチ。
【請求項３】
高電圧ＳＣＲスイッチであって、
ａ）  基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成されたｎ個のユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、ｎは少なくとも２の整数であって、各ユニットＳＣＲは１からｎまでの整数で順番に番号が付けられ、ユニットＳＣＲ１は第１ユニットＳＣＲであり、ユニットＳＣＲｎは最終ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を有し、
ｂ）  電圧源ノードを有し、
ｃ）  ｎ個の抵抗器を有し、各抵抗器には１からｎまで順番に番号が付けられ、抵抗器１は第１抵抗器であり、抵抗器ｎはｎ番目の抵抗器であり、各抵抗器は第１及び第２端部を有し、各抵抗器は単一のユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲのペアを形成し、第１抵抗器は第１ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの第１のペアを形成し、ｎ番目の抵抗器は最終ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とＳＣＲのｎ番目のペアを形成し、
ｄ）  第１ユニットＳＣＲの陰極は第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、
ｅ）  ｉは１から（ｎ−１）を含む任意の整数であり、ｉ番目のユニットＳＣＲは（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲに電気的に接続し且つ前記（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲに少なくとも部分的に隣接する陽極を有し、ｉ番目の抵抗器は（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲのゲート及び（ｉ＋１）番目の抵抗器の第１端部に電気的に接続する第２端部を有し、
ｆ）  ｎ番目の抵抗器の第２端部及び電圧源ノードに電気的に接続するｎ番目のユニットＳＣＲの陽極を有する、
高電圧ＳＣＲスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的にはシリコン制御整流器（ＳＣＲ）デバイスに関し、更に詳細には他の超小型電子デバイスの上に蒸着したポリシリコン層に横方向に形成される高電圧スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
スタックした、又はカスケードしたトランジスタのようなデバイスは、非常に高い電圧をオンにするために使用されてきたが、このタイプの構造は本来長く、大量のシリコンを消費し、信頼性の問題を有する。例えば２０，０００ボルト以上の非常に高い電圧をオンにするために使用され得る単一のデバイスはなかった。
【０００３】
従来のＳＣＲは特定のスイッチとして使用されることができる。ＳＣＲをデザインする際の一つの重要な面は、ＳＣＲデバイスを形成するために結合されるｐｎ接合の数に上限がないということである。ＳＣＲにおけるｐｎ接合の数を増やすことによって、スイッチとして使用され得る単一の高電圧デバイスのデザインが可能になる。
【０００４】
新しい処理技術によって、ウエハの基体層内に形成されたトランジスタ層より上の層に優れたＳＣＲデバイスを形成する能力の開発が行われる。高電圧スイッチとしての単一のデバイスを形成するためにＳＣＲ特性を利用し、従来のトランジスタ層より上の層にＳＣＲを形成することによって、従来の高電圧スイッチが要求した広い領域を使用しない単一の高電圧のスイッチの開発が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の主な目的は高電圧を切り換えることができ、大量のシリコン領域を必要としない単一の高電圧デバイスを提供することである。
【０００６】
本発明の更なる利点は以下の記述を読み進めることによって明らかになるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って手短に述べると、絶縁層にカバーされた基体上に形成されるシリコン制御整流器が提供される。ポリシリコンから成る層は絶縁層の上に蒸着され、シリコン制御整流器はポリシリコン層に形成される。ゲート、陰極、陽極及び電圧保持領域がシリコン制御整流器を構成し、これらは、陰極が一方の端部にあり、ゲートが陰極に隣接し、電圧保持領域がゲートに隣接して陽極で終わり、陽極が他方の端部で電圧保持領域に隣接するように線形に配置される。
【０００８】
また、電気的に直列の複数のユニットＳＣＲである高電圧のＳＣＲスイッチも提供される。各ユニットＳＣＲは陰極領域、ゲート領域、陽極領域及び電圧保持領域を含む。これらの領域は、陰極領域が一方の端部にあり、ゲート領域が陰極領域に隣接し、電圧保持領域がゲート領域に隣接し、ユニットＳＣＲが陽極領域で終わり、陽極領域が他方の端部で電圧保持領域に隣接するように線形に配置される。また、高電圧のＳＣＲスイッチ部分は抵抗分圧器ネットワークを形成する複数の抵抗器でもある。
【００１０】
本発明の請求項１の態様に従うと、高電圧ＳＣＲスイッチであって、ａ）基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成された二つのユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、二つのユニットＳＣＲのうちの一方は第１ユニットＳＣＲであり、他方のユニットＳＣＲは第２ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を含み、ｂ）電圧源ノードを有し、ｃ）第１及び第２抵抗器を有し、各抵抗器は第１及び第２端部を有し、ｄ）前記第１ユニットＳＣＲの陰極は前記第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、ｅ）前記第１ユニットＳＣＲの陽極は第２ユニットＳＣＲの陰極領域に電気的に接続し、且つ前記陰極領域に少なくとも部分的に隣接し、ｆ）第２ユニットＳＣＲのゲートは第１抵抗器の第２端部及び第２抵抗器の第１端部に電気的に接続し、ｇ）第２ユニットＳＣＲの陽極は第２抵抗器の第２端部及び電圧源ノードに電気的に接続する、ことを含む。
【００１１】
本発明の請求項２の態様に従うと、高電圧ＳＣＲスイッチであって、ａ）基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成された少なくとも三つのユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、一つのユニットＳＣＲは第１ユニットＳＣＲであり、別のユニットＳＣＲは最終ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を含み、ｂ）電圧源ノードを有し、ｃ）少なくとも三つの抵抗器を有し、一つの抵抗器は第１抵抗器であり、別の抵抗器は最終抵抗器であり、各抵抗器は第１端部及び第２端部を有し、第１抵抗器は第１ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの第１ペアを形成し、最終抵抗器は最終ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの最終ペアを形成するように、各抵抗器は単一のユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲのペアを形成し、ｄ）第１ユニットＳＣＲの陰極は第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、ｅ）最終ユニットＳＣＲを除いた各ユニットＳＣＲの陽極は電気直列の連続するユニットＳＣＲの陰極に電気的に接続し、且つ前記陰極に少なくとも部分的に隣接し、ｆ）第１ユニットＳＣＲを除く各ユニットＳＣＲのゲートは電気直列の抵抗器とユニットＳＣＲの先行ペアの抵抗器の第２端部及びユニットＳＣＲに関連する抵抗器の第１端部に電気的に接続し、ｇ）最終ユニットＳＣＲの陽極は最終抵抗器の第２端部に電気的に接続する、ことを含む。
【００１２】
本発明の請求項３の態様に従うと、高電圧ＳＣＲスイッチであって、ａ）基体上のポリシリコン層に水平方向に連続して形成されたｎ個のユニットＳＣＲから成る電気直列を有し、ｎは少なくとも２の整数であって、各ユニットＳＣＲは１からｎまでの整数で順番に番号が付けられ、ユニットＳＣＲ１は第１ユニットＳＣＲであり、ユニットＳＣＲｎは最終ユニットＳＣＲであり、各ユニットＳＣＲは陰極、ゲート、陽極及び電圧保持領域を有し、ｂ）電圧源ノードを有し、ｃ）ｎ個の抵抗器を有し、各抵抗器には１からｎまで順番に番号が付けられ、抵抗器１は第１抵抗器であり、抵抗器ｎはｎ番目の抵抗器であり、各抵抗器は第１及び第２端部を有し、各抵抗器は単一のユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲのペアを形成し、第１抵抗器は第１ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とユニットＳＣＲの第１のペアを形成し、ｎ番目の抵抗器は最終ユニットＳＣＲに関連して抵抗器とＳＣＲのｎ番目のペアを形成し、ｄ）第１ユニットＳＣＲの陰極は第１抵抗器の第１端部に電気的に接続し、ｅ）ｉは１から（ｎ−１）を含む任意の整数であり、ｉ番目のユニットＳＣＲは（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲに電気的に接続し且つ前記（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲに少なくとも部分的に隣接する陽極を有し、ｉ番目の抵抗器は（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲのゲート及び（ｉ＋１）番目の抵抗器の第１端部に電気的に接続する第２端部を有し、ｆ）ｎ番目の抵抗器の第２端部及び電圧源ノードに電気的に接続するｎ番目のユニットＳＣＲの陽極を有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
ＳＣＲは１９６０年代末から公知であり、電力及びスイッチング回路に使用されている。ＳＣＲ理論及びＳＣＲの動作は公知である。この実施の形態の中で述べられるＳＣＲスイッチはＳＣＲ理論とは実質的にそれほど異ならずに動作するため、デザイン、レイアウト及び高電圧を切り換えることができ、回路の一部として製造される追加のシリコン領域を使用しない単一のデバイスとしてこの開示されたＳＣＲが使用されることを可能にする処理パラメータに注目されたい。
【００１４】
図１を参照するとＳＣＲスイッチ１０の概略図が示される。ＳＣＲ スイッチ１０は２つのユニットＳＣＲ１２、１４を有する。各ユニットＳＣＲ１２、１４はそれぞれ２つのｐ型領域１６、１８、２０、２２から成り、これらの領域は電圧保持領域２４、２６又はｎ＋型領域２８、３０のいずれかと交互に配置される。
【００１５】
ライン３２はユニットＳＣＲ１２のゲートであるｐ型領域１６との電気接続である。これは、電圧保持領域２４とユニットＳＣＲ１２のｎ＋型領域２８との間に挿入されたｐ型領域である。他のｐ型領域１８はユニットＳＣＲ１２の陽極である。ｎ＋型領域２８はユニットＳＣＲ１２の陰極である。
【００１６】
ｐ型領域２０はユニットＳＣＲ１４のゲートである。ｐ型領域２２はユニットＳＣＲ１４の陽極でありｎ＋型領域３０はユニットＳＣＲ１４の陰極である。
【００１７】
ライン３４はＳＣＲスイッチ１０の電圧源ラインである。このラインはユニットＳＣＲ１４の陽極（ｐ型領域２２）及び抵抗器Ｒ２に並列に接続される。抵抗器Ｒ２の他方の端部はユニットＳＣＲ１４のゲート（ｐ型領域２０）及び抵抗器Ｒ１に並列に接続される。抵抗器Ｒ１の他方の端部はユニットＳＣＲ１２の陰極（ｎ＋型領域２８）に接続される。抵抗器Ｒ１及びＲ２は分圧器を形成してライン３４の供給電圧を２つのユニットＳＣＲ１２と１４とで分割する。
【００１８】
ユニットＳＣＲ１２の陽極（ｐ型領域１８）とユニットＳＣＲ１４の陰極（ｎ＋型領域３０）をライン３６によって接続することによって、ユニットＳＣＲ１２はユニットＳＣＲ１４に直接電子的に接続される。
【００１９】
図１は、２つのユニットＳＣＲ１２、１４が分圧器ネットワークにどのように接続されるかを示し、各ユニット１２、１４は電圧全体を共有しＳＣＲスイッチ１０の耐電圧を増加させる。しかしこの技術は２つのユニットＳＣＲを使用することに限定されない。図２は単一の高電圧スイッチを形成するために接続された複数のユニットＳＣＲの例を示す。
【００２０】
図２には高電圧ＳＣＲスイッチ４０が示される。この高電圧ＳＣＲスイッチはｎ個のユニットＳＣＲ４２、４４、４６、４８から成り、ユニットＳＣＲ４２は１番目のユニットＳＣＲであり、ユニットＳＣＲ４４は２番目のユニットＳＣＲであり、ユニットＳＣＲ４６は（ｎ−１）番目のユニットＳＣＲであり、ユニットＳＣＲ４８はｎ番目、即ち最後のユニットＳＣＲである。２つのユニットＳＣＲ４２、４８は全体が示されるが、ユニットＳＣＲ４４、４６は部分的に示されて複数のユニットＳＣＲがどのように一つのＳＣＲスイッチを形成するかを例示する。
【００２１】
各ユニットＳＣＲは上記に述べたようにゲートを有し、ユニットＳＣＲ４２のゲート５０、ユニットＳＣＲ４４のゲート５２及びユニットＳＣＲ４８のゲート５４が示される。各ユニットＳＣＲは陰極を有し、ユニットＳＣＲ４２の陰極５８、ユニットＳＣＲ４４の陰極６０及びユニットＳＣＲ４８の陰極６２が示される。各ユニットＳＣＲは陽極を有し、ユニットＳＣＲ４２の陽極６４、ユニットＳＣＲの陽極６６及びユニットＳＣＲ４８の陽極６８が示される。また、各ユニットＳＣＲは電圧保持領域を有し、ユニットＳＣＲ４２の電圧保持領域７０及びユニットＳＣＲ４８の電圧保持領域７２が示される。ソース電圧はノード７４で高電圧ＳＣＲスイッチ４０に印加される。
【００２２】
また、ｎ個の抵抗器から成る分圧器ネットワークも示される。抵抗器Ｒ１６は一番目の抵抗器であり、抵抗器Ｒ１４は二番目の抵抗器であり、抵抗器Ｒ１２は（ｎ−１）番目の抵抗器であり、抵抗器Ｒ１０はｎ番目、即ち最後の抵抗器である。この構成においてはどれ程多くのｎ個のユニットＳＣＲがあっても分圧器ネットワークにも同じ数のｎ個の抵抗器があることに注目されたい。
【００２３】
第１抵抗器Ｒ１６は常に一方の端部で第１ユニットＳＣＲ４２の陰極５８に接続し、他方の端部で第２ユニットＳＣＲ４４のゲートに接続する。第２抵抗器は一方の端部で第２ユニットＳＣＲ４４のゲートに接続し、他方の端部で次のユニットＳＣＲのゲートに接続する。即ち、最初と最後（即ちｎ番目）の抵抗器は除いて、任意のｉ番目の抵抗器はｉ番目と（ｉ＋１）番目のユニットＳＣＲのゲートの間に接続される。最後、即ちｎ番目の抵抗器Ｒ１０は、最後、即ちｎ番目のユニットＳＣＲ４８のゲート５４と最後、即ちｎ番目のユニットＳＣＲ４８の陽極６８の間に接続される。
【００２４】
抵抗器Ｒ１６、Ｒ１４、Ｒ１２、Ｒ１０のデザインは高電圧ＳＣＲスイッチ４０が適当に機能するために重要である。抵抗器Ｒ１６、Ｒ１４、Ｒ１２、Ｒ１０は、これらの抵抗器を流れる電流はゲート５０がグランドであり電圧が上向きに傾斜する際にオンにならないように十分に低く、且つ高電圧ＳＣＲスイッチが通常の動作で使用されている際にゲート５０をオンにする程十分な電流であるようにデザインされる必要がある。これは抵抗値は比較的大きな値であることを意味するが、高電圧ＳＣＲスイッチ４０の機能において重要なのは電流密度であり、電流密度はデバイスの物理的サイズの関数であることに注目されたい。
【００２５】
高電圧ＳＣＲスイッチ４０の例示的なサイズは抵抗（Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６）値が１０8 オーム、ゲート５０、５２、５４、陰極５８、６０、６２及び陽極６４、６６、６８のデバイス長Ｌが３〜１０ミクロンの範囲である。電圧保持領域７０、７２のデバイス長Ｌは１０〜５０ミクロンの範囲である。ノード７４で印加された１０００ボルトのソース電圧に対して１０マイクロアンペアの電流が各抵抗器Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６を流れる。約１０ミクロンのデバイス長に対する電流密度は１ミクロンの幅当たり約１マイクロアンペアであり、これは高電圧ＳＣＲスイッチ４０を動作させるには十分である。しかしながら、これらはサンプルデザインを例示するための一つの高電圧ＳＣＲスイッチのの単なる例示的なサイズにすぎない。実際の値は使用される高電圧ＳＣＲスイッチのサイズに応じて変化する。
【００２６】
図３は図１に示された高電圧ＳＣＲスイッチ１０のレイアウトの断面図を示す。図４は図３に示されたライン４−４で切り取られた高電圧ＳＣＲスイッチのレイアウトの断面図を示す。処理技術は半導体処理術の範囲内では公知であるため、議論をＳＣＲスイッチの材料と最終的な構造に焦点を当てることにする。
【００２７】
高電圧ＳＣＲスイッチは基体８０上に形成される。この例の基体８０はプレーン（plain)のシリコンウエハであるが、基体８０は他の半導体デバイスを含む前処理されたシリコンウエハ、ガラス、サファイヤ、石英又はセラミックを含む種々の材料を含む。
【００２８】
シリコンウエハが基体８０として使用される場合、厚い絶縁層８２は、基体８０の上に形成される。ガラス、サファイヤ、セラミック又は石英が基体８０として使用される場合は、絶縁層８２は省略され得る。厚い絶縁層８２は基体８０と高電圧ＳＣＲスイッチ１０との間に分離層を設ける。絶縁層８２は約１−２ミクロン以上の厚みであり、高電圧のＳＣＲスイッチで使用される高電圧からの絶縁を提供する。絶縁層の必要最小限の厚みは、より高い電圧のために必要とされるより厚い絶縁層８２が予想される場合の実際の電圧によって変化し得る。非常に高電圧の印加では電圧は２０００ボルトを超え、基体８０を高電圧ＳＣＲスイッチから適切に絶縁する十分な厚みを有する絶縁層を提供できないことが予想される。このような場合、基体８０の適切な選択はガラス、クォーツ、セラミック、サファイヤ又は分離層を必要としない他の材料である。種々の優れた絶縁体は、酸化物層、窒化物層、オキシニトリド層を含む絶縁層８２を形成するために使用され得る。
【００２９】
高電圧ＳＣＲスイッチ１０は、絶縁層８２の上のポリシリコン層８４に形成される。ポリシリコン８４は約０．２〜１．０ミクロンの厚さである。ポリシリコンが薄くなると高電圧のＳＣＲスイッチ１０を動作させるために必要とされる自由電荷密度は存在しない。ポリシリコン８４は従来の技術を使用してリンのローブランケットインプラントを受け、該ポリシリコンにｎ型濃度を与える。適切な濃度は１．０×１０18／ｃｍ3 から１．０×１０14／ｃｍ3 の範囲であり、最適な濃度は１０15／ｃｍ3 付近である。ブランケットインプラントを使用してポリシリコン８４全体にｎ型濃度を提供することによって、処理が簡単になり使用されるマスキングステップの数が減る。電圧保持領域は従来のマスキング及びインプラント技術を使用して形成される。
【００３０】
ｐ型領域１６、１８、２０、２２は従来のマスキング及びインプラント技術を使用してポリシリコン８４に形成される。このプロセスにおいて、ブランケットｎ−型インプラントの使用によってｐ型領域１６、１８、２０、２２を形成するために使用されるドープ剤の濃度が幾らか制約される。ｐ型領域を形成するために使用される濃度はブランケットインプラントで使用される濃度よりも高くなければならない。適切な濃度は約１０17〜１０19／ｃｍ3 の範囲である。
【００３１】
ｎ＋型領域２８、３０は従来のマスキング及び追加のｎ型インプラントを使用して形成され、結果的に約１０19〜１０20／ｃｍ3 の濃度を形成する。得られたｎ＋型領域２８、３０の濃度はｐ型領域１６、１８、２０、２２の濃度よりも高い。
【００３２】
薄い酸化物層８６はポリシリコン８４の上に成長して高電圧ＳＣＲスイッチ１０を保護する。ｎ＋型領域３０とｐ型領域１８を接続するライン３６は酸化物８６の空間を介した金属接続を使用して実施される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は２つのユニットＳＣＲブロックを利用した高電圧ＳＣＲスイッチの概略図である。
【図２】図２は複数のユニットＳＣＲブロックを利用した高電圧ＳＣＲスイッチの概略図である。
【図３】図３は図１に示されたＳＣＲのレイアウトの平面図である。
【図４】図４は断面線４−４で切り取られた、図３に示されるレイアウトの断面図である。
【符号の説明】
１０、４０    ＳＣＲスイッチ
１２、１４、４２、４４、４６、４８    ユニットＳＣＲ
１６、２０、５０、５２、５４    ゲート
１８、２２、６４、６６、６８    陽極
２８、３０、５８、６０、６２    陰極
２４、２６、７０、７２    電圧保持領域
８０    基体
８４    ポリシリコン層
【図１】
0004234216.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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