(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体または半導体基板上に電気的に接続してホウ素（組成比ｘ）、炭素（組成比ｙ）、窒素（組成比ｚ）を含む組成比が０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の領域が少なくとも１層以上あり、表面に露出して組成比が０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の薄膜があり、前記薄膜に電気的に絶縁して第１の金属体が設けられ、前記薄膜に対向して前記第１の金属体と空間をもって第２の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置。
【請求項２】
絶縁体基板上にホウ素（組成比ｘ）、炭素（組成比ｙ）、窒素（組成比ｚ）を含む組成比が０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の層が少なくとも１層以上ある薄膜と表面に露出して組成比が０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の薄膜とからなる薄膜領域があり、前記薄膜領域上に電気的に接続した第１の金属体があり、前記薄膜領域および前記第１の金属体と電気的に絶縁した第２の金属体が前記基板上にあり、前記第１の金属体に対向して空間をもって前記第２の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置。
【請求項３】
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜が組成比の異なる多層構造になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項４】
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜の組成比を徐々に変化させて形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項５】
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域および表面薄膜が堆積により形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項６】
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域が前記基板に原子を侵入することにより形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項７】
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域が前記表面に露出した薄膜を通して原子を注入することにより形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電子放出装置。
【請求項８】
前記基板に導体または半導体を用いたことを特徴とする請求項１に記載の電子放出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体からの電子放出を利用する電子放出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、金属やシリコンを用いて尖塔形状を作製したスピント型と呼ばれている電子放出素子が研究開発をされている。また、近年、負性電子親和力を有するダイヤモンドを用いたフィールドエミッタの研究も進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
フィールドエミッタには、低電圧動作、高電流密度動作、そして長寿命動作が要求される。低電圧化や高電流密度化を達成するためには、フィールドエミッタ用材料として、小さい仕事関数を有する金属や、小さい電子親和力または負性電子親和力を有する半導体が注目されている。また、長寿命化のためには、硬質で安定な材料が必要である。
【０００４】
これまで、金属やシリコンを尖塔型の形状に加工し、その近傍に引き出し電極を作製することによって、低電圧動作が図られている。更なる低電圧動作を行うために、作製した尖塔形状に負性親和力を持つダイヤモンドや窒化物半導体をコートすることが望まれる。しかし、ダイヤモンドは均一薄膜の作製が困難であり、ダイヤモンドをコーティング薄膜として用いることができない。
【０００５】
一方、窒化物半導体の中で窒化ホウ素薄膜からの低電界での電子放出が報告されている。これによれば、均一な薄膜の堆積も可能であるため、上記コーティング薄膜としての利用が期待され、その実用化が望まれている。しかし、窒化ホウ素薄膜は、水分に弱く、割れや基板からの剥離が起こりやすい。この結果、現状では、ウエットプロセスによるデバイスの作製ができないという大きな課題を有している。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決し、付着性を向上させ、従来技術を基礎として作製できるホウ素、炭素、窒化を基盤材料とした電子放出装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載された発明は、導体または半導体基板上に電気的に接続してホウ素（組成比ｘ）、炭素（組成比ｙ）、窒素（組成比ｚ）を含む組成比が０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の領域が少なくとも１層以上あり、表面に露出して組成比が０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の薄膜があり、前記薄膜に電気的に絶縁して第１の金属体が設けられ、前記薄膜に対向して前記第１の金属体と空間をもって第２の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置である。
【０００８】
請求項２に記載された発明は、絶縁体基板上にホウ素（組成比ｘ）、炭素（組成比ｙ）、窒素（組成比ｚ）を含む組成比が０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の層が少なくとも１層以上ある薄膜と表面に露出して組成比が０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の薄膜とからなる薄膜領域があり、前記薄膜領域上に電気的に接続した第１の金属体があり、前記薄膜領域および前記第１の金属体と電気的に絶縁した第２の金属体が前記基板上にあり、前記第１の金属体に対向して空間をもって前記第２の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置である。
【０００９】
請求項３に記載された本発明では、請求項１または２に記載の電子放出装置において、前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜が組成比の異なる多層構造になっていることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載された本発明では、請求項１または２に記載の電子放出装置において、前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域と前記表面に露出した薄膜の組成比を徐々に変化させて形成したことを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載された本発明では、請求項１または２に記載の電子放出装置において、前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域および表面薄膜が堆積により形成されたことを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載された本発明では、請求項１または２に記載の電子放出装置において、前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域が前記基板に原子を侵入することにより形成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載された本発明では、請求項１に記載の電子放出装置において、
前記ホウ素、前記炭素、前記窒素を含む領域が前記表面に露出した薄膜を通して原子を注入することにより形成されたことを特徴とする。
【００１４】
請求項８に記載された本発明では、請求項１記載の電子放出装置において、前記基板に導体または半導体を用いたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の電子放出装置は、炭素を含有するホウ素−炭素−窒素薄膜を先ず基板上に設け、その上にホウ素、炭素、窒素の組成比の異なる薄膜を作製することにより、従来の窒化ホウ素と基板との間の剥離の問題を解決して、付着性を向上させ、前記材料と電気的に絶縁して引き出し電極を設けた。さらに、前記材料に対向して空間をもって電気的に絶縁した金属体を設けた。
【００２１】
これによって、尖塔形状を作製することなく、低電圧動作が可能な、引き出し電極を有する高性能な平面型の電子放出装置を実現することができる。また、従来の尖塔形状を有する電子放出装置の特性改善にも用いることができ、さらに高性能な電子放出装置を実現することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について説明する。本発明に関するホウ素、炭素、
窒素を含む異なった組成比からなる層構造を有する電子放出装置は、導電性基板および絶縁性基板上に作製でき、平面型の電子放出装置の実現につながる。また、従来の尖塔形状を有するスピント型の電子放出装置に対しても、本発明のホウ素、炭素、窒素を含む異なった組成比からなる層構造をもつ薄膜をコーティングすることにより、スピント型の電子放出装置の特性改善ができる。
【００２３】
本発明は、フィールドエミッションデイスプレー、電子ビーム露光機、マイクロ波進行波管、撮像素子等に応用できる。また、電子ビームを用いたオージェ電子分光装置等の材料評価装置の電子源としても用いることができ、様々な用途に対応できる。
【００２４】
以下に各々の基板上に作製する本発明の電子放出装置の実施例について、具体的に説明する。
【００２５】
【実施例１】
図１は、本発明に係る電子放出装置の実施例１を示す断面図である。実施例１の電子放出装置は、シリコン基板１、窒化ホウ素炭素薄膜２，３、ＳｉＯ2薄膜４、引き出し電極５、カソード電極６およびアノード電極７で構成される。
【００２６】
シリコン基板１は、ｎ型のシリコン半導体の基板である。窒化ホウ素炭素薄膜２，３は、ホウ素、炭素、窒素を含む組成比がそれぞれ異なる薄膜である。窒化ホウ素炭素薄膜２は、シリコン基板１と電気的に接続されている。引き出し電極５は、ＳｉＯ2薄膜４によって、電気的に絶縁された第１の金属体である。また、アノード電極７は、引き出し電極５と空間をもって設けられた第２の金属体である。
【００２７】
この構成の電子放出装置を次に示す手順で作製した。つまり、図２（Ａ）に示すシリコン基板１上に、三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスとを用いて、プラズマアシスト化学気相合成法によって、図２（Ｂ）に示すように窒化ホウ素炭素薄膜２を１００［ｎｍ］堆積した。このとき、窒化ホウ素炭素薄膜２の組成比を、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４にした。さらに、窒化ホウ素炭素薄膜２の上に、窒化ホウ素炭素薄膜２と組成の異なる窒化ホウ素炭素薄膜３を２００［ｎｍ］堆積した（図２（Ｂ））。このときの窒化ホウ素炭素薄膜３の組成比を、ホウ素０．５、炭素０．０、窒素０．５にした。窒化ホウ素炭素薄膜２，３には、
イオウ原子を１×１０18［ｃｍ-3］の濃度に添加した。
【００２８】
この後、電子ビーム蒸着法によって、窒化ホウ素炭素薄膜３の上に５００［ｎｍ］のＳｉＯ2薄膜４を形成した（図２（Ｃ））。同じく、電子ビーム蒸着法によって、ＳｉＯ2薄膜４の上に引き出し電極５用の金属として、Ｔｉ（２０［ｎｍ］）／Ａｕ（５００［ｎｍ］）を形成した（図２（Ｃ））。また、シリコン基板１の裏面にアルミニウム（３００［ｎｍ］）を電子ビーム蒸着法で形成し、カソード電極６を作製した（図２（Ｄ））。
【００２９】
その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極５用金属およびＳｉＯ2薄膜４をウェットエッチングにより除去した。これによって、直径５［μｍ］の窓５Ａが形成された（図２（Ｄ））。窓５Ａの中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜３の表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極７となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜３に対向させて配置した（図２（Ｄ））。
このとき、窒化ホウ素炭素薄膜３とアノード電極７との間隔を１２５［μｍ］とした。
【００３０】
前記構成の電子放出装置は、次のようにして用いられる。つまり、引き出し電極５を接地し（図１）、カソード電極６に電源１１を接続し、アノード電極７に電源１２を接続する。これによって、カソード電極６とアノード電極７に各々バイアスが加えられる。さらに、８×１０-7［Ｔｏｒｒ］以下の真空度で、アノード電極７に向かって流れる電流（以下、放出電流という）を測定した。このとき、アノード電圧を５００［Ｖ］と一定にし、カソード電圧を変化させた。この結果、図３に示すように、カソード電圧４０［Ｖ］で０．１［ｍＡ］の高い放出電流が得られた。
【００３１】
なお、実施例１では、イオウ不純物を添加した窒化ホウ素炭素薄膜２，３を用いたが、ドナー不純物となるリチウム、酸素、シリコン等の原子を添加した窒化ホウ素炭素薄膜を、窒化ホウ素炭素薄膜２，３の代わりに用いることもできる。
無添加窒化ホウ素炭素薄膜を用いて前記と同様の電子放出装置を作製した結果、
ターンオン電圧が３０［％］程度増加し、電子放出特性の劣化が見られ、不純物添加の有効性が確認できた。
【００３２】
また、シリコン基板１の基板材料として、シリコン以外の様々な導体および半導体を用いても作製できる。半導体基板を用いる場合には、オーミック電極形成可能な材料であれば、どのような金属でもカソード電極６用金属として用いることができる。導体基板を用いる場合には、基板自身をカソード電極として用いることができる。
【００３３】
さらに、引き出し電極５用金属としてＴｉ／Ａｕを用いたが、Ｔｉの代わりにＣｒを用いることができ、Ａｕの代わりに様々な金属を用いることができる。
【００３４】
【実施例２】
次に、本発明にかかる電子放出装置の実施例２について説明する。図４は、本発明に係る電子放出装置の実施例２を示す断面図である。実施例２の電子放出装置は、ガラス基板２１、カソード電極２２、窒化ホウ素炭素薄膜２３，２４、ＳｉＯ2薄膜２５、引き出し電極２６およびアノード電極２７で構成される。実施例２では、実施例１のシリコン基板１の代わりに絶縁体基板を用いた。
【００３５】
この構成の電子放出装置を次に示す手順で作製した。つまり、図５（Ａ）に示すように、絶縁体基板としてガラス基板２１を用いる。そして、ガラス基板２１上にカソード電極２２としてＴｉを２０［ｎｍ］、ＴｉＮを２００［ｎｍ］スパッタ法により形成した。三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスとを用いて、プラズマアシスト化学気相合成法によって、ガラス基板２１上に窒化ホウ素炭素薄膜２３（組成比、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４）を１００［ｎｍ］堆積した（図５（Ｂ））。窒化ホウ素炭素薄膜２３の上に窒化ホウ素炭素薄膜２４（組成比、ホウ素０．５、炭素０．０、窒素０．５）を２００［ｎｍ］堆積した。窒化ホウ素炭素薄膜２３，２４には、イオウ原子を１×１０18［ｃｍ-3］の濃度に添加した。電子ビーム蒸着法によって、窒化ホウ素炭素薄膜２４の上に５００［ｎｍ］のＳｉＯ2薄膜２５を形成した（図５（Ｃ））。同じく、電子ビーム蒸着法によって、ＳｉＯ2薄膜２５の上に引き出し電極２６用の金属として、Ｔｉ（２０［ｎｍ］）／Ａｕ（５００［ｎｍ］）を形成した（図５（Ｃ））。
【００３６】
その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極２６用金属およびＳｉＯ2薄膜２５をウェットエッチングにより除去した。これによって、直径５［μｍ］の窓２６Ａが形成された（図５（Ｄ））。窓２６Ａの中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜２４の表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極２７となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜２４に対向させて配置した。
このとき、窒化ホウ素炭素薄膜２４とアノード電極２７との間隔を１２５［μｍ］とした。
【００３７】
前記構成の電子放出装置は、次のようにして用いられる。つまり、引き出し電極２６を接地し（図４）、カソード電極２２に電源１１を接続し、アノード電極２７に電源１２を接続する。これによって、カソード電極２２とアノード電極２７に各々バイアスが加えられる。さらに、８×１０-7［Ｔｏｒｒ］以下の真空度で放出電流を測定した。このとき、アノード電圧を５００［Ｖ］と一定にし、カソード電圧を変化させて、電子放出特性を評価した。この結果、実施例２の電子放出装置には、実施例１と同様に、図３に示すような電子放出特性があり、カソード電圧４０［Ｖ］で０．１［ｍＡ］の高い放出電流が得られた。
【００３８】
なお、実施例２では、カソード電極２２の端面から配線しているが（図４）、
ガラス基板２１の一部に窒化ホウ素炭素薄膜を堆積させないようにして、カソード電極２２用の金属を露出させて、作製することができる。
【００３９】
【実施例３】
次に、本発明にかかる電子放出装置の実施例３について説明する。図６は、本発明に係る電子放出装置の実施例３を示す断面図である。実施例３の電子放出装置は、ガラス基板３１、窒化ホウ素炭素薄膜３２，３３、引き出し電極３４、カソード電極３５およびアノード電極３６で構成される。実施例３では、実施例２と同様に、実施例１のシリコン基板１の代わりに絶縁体基板を用いた。
【００４０】
この構成の電子放出装置を次に示す手順で作製した。つまり、図７（Ａ）に示すように、絶縁体基板としてガラス基板３１を用いる。そして、ガラス基板３１上に、三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスとを用いて、プラズマアシスト化学気相合成法によって、窒化ホウ素炭素薄膜３２（組成比、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４）を１００［ｎｍ］堆積した（図７（Ｂ））。同様にして、窒化ホウ素炭素薄膜３２の上に窒化ホウ素炭素薄膜３３（組成比、ホウ素０．５、炭素０．０、窒素０．５）を２００［ｎｍ］堆積した。
【００４１】
その後、図８に示すように、三塩化ホウ素と窒素ガスとを用いた反応性イオンエッチングにより、尖形状を有するストライプに窒化ホウ素炭素薄膜３２，３３を作製した（図７（Ｃ））。これによって、尖部３３Ａが形成された。その後、
フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極およびカソード電極用のパターンを作製し、Ｔｉ（２０［ｎｍ］）／Ａｕ（５００［ｎｍ］）を電子ビーム蒸着法で形成した。リフトオフによって、引き出し電極３４およびカソード電極３５を作製した（図７（Ｄ））。
【００４２】
露出した窒化ホウ素炭素薄膜３２，３３の表面および側面表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内で、アノード電極３６となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜３３に対向させて配置した。このとき、窒化ホウ素炭素薄膜３３とアノード電極３６との間隔を１２５［μｍ］とした。
【００４３】
前記構成の電子放出装置は、次のようにして用いられる。つまり、引き出し電極３４を接地し（図４）、カソード電極３５に電源１１を接続し、アノード電極３６に電源１２を接続する。これによって、カソード電極３５とアノード電極３６に各々バイアスが加えられる。さらに、８×１０-7［Ｔｏｒｒ］以下の真空度で放出電流を測定した。このとき、アノード電圧を５００［Ｖ］と一定にし、カソード電圧を変化させて、電子放出特性を評価した。この結果、実施例３の電子放出装置には、図９に示すような電子放出特性があり、カソード電圧３０［Ｖ］で０．１［ｍＡ］の高い放出電流が得られた。
【００４４】
なお、実施例３では、窒化ホウ素炭素薄膜３２，３３を反応性イオンエッチングにより尖形状を有するストライプに作製したが（図８）、この形状は星型をはじめ、様々な尖形状を有するパターンを用いることができる。
【００４５】
また、基板材料として実施例３では、ガラス基板３１を用いたが、サファイヤなどの様々な絶縁体材料を用いることができる。また、シリコン基板上に熱酸化によりＳｉＯ2薄膜を５００［ｎｍ］程度形成したものを、基板として用いることができる。
【００４６】
【実施例４】
次に、本発明にかかる電子放出装置の実施例４について説明する。図１０は、
本発明に係る電子放出装置の実施例４を示す断面図である。実施例４の電子放出装置は、シリコン基板４１、窒化ホウ素炭素薄膜４２，４３、ＳｉＯ2薄膜４４、引き出し電極４５、カソード電極４６およびアノード電極４７で構成される。
実施例４では、実施例１〜３に述べた窒化ホウ素炭素薄膜による電子放出部の作製以外の方法により、ｎ型シリコン半導体基板上に電子放出装置を作製した。
【００４７】
この構成の電子放出装置を次に示す手順で作製した。つまり、図１１（Ａ）に示すように、三塩化ホウ素とメタンと窒素ガスとを用いるプラズマアシスト化学気相合成法によって、メタンプラズマをシリコン基板４１表面に作用させ、シリコン表面を炭化シリコンに改質した。これによって、シリコン基板４１に改質層４１Ａが形成された（図１１（Ｂ））。
【００４８】
改質層４１Ａの上に窒化ホウ素炭素薄膜４２（組成比、ホウ素０．４、炭素０．２、窒素０．４）を１００［ｎｍ］堆積し、その上に窒化ホウ素炭素薄膜４３（組成比、ホウ素０．５、炭素０．０、窒素０．５）を２００［ｎｍ］堆積した。窒化ホウ素炭素薄膜４２，４３には、イオウ原子を１×１０18［ｃｍ-3］の濃度に添加した。
【００４９】
この後、窒化ホウ素炭素薄膜４３上にＳｉＯ2薄膜４４を５００［ｎｍ］電子ビーム蒸着法で形成した（図１１（Ｃ））。同じく、電子ビーム蒸着法によって、引き出し電極４５用金属として、Ｔｉ（２０［ｎｍ］）／Ａｕ（５００［ｎｍ］））を形成した（図１１（Ｃ））。また、シリコン基板４１の裏面にアルミニウム（３００［ｎｍ］）を電子ビーム蒸着法で形成し、カソード電極４６を作製した（図１１（Ｄ））。
【００５０】
その後、フォトリソグラフィー工程を用いて、引き出し電極４５用金属およびＳｉＯ2薄膜４４をウェットエッチングにより除去した。これによって、直径５［μｍ］の窓４５Ａが形成された（図１１（Ｄ））。窓４５Ａの中に露出した窒化ホウ素炭素薄膜４３表面を水素プラズマで処理した後、真空チェンバー内でアノード電極４７となる金属板を窒化ホウ素炭素薄膜４３に対向させて配置した。
このとき、窒化ホウ素炭素薄膜４３とアノード電極４７との間隔を１２５［μｍ］とした。
【００５１】
前記構成の電子放出装置は、次のようにして用いられる。つまり、引き出し電極４５を接地し（図１０）、カソード電極４６に電源１１を接続し、アノード電極４７に電源１２を接続する。これによって、カソード電極６とアノード電極７に各々バイアスが加えられる。さらに、８×１０-7［Ｔｏｒｒ］以下の真空度で放出電流を測定した。このとき、アノード電圧を５００［Ｖ］と一定にし、カソード電圧を変化させた。この結果、実施例１と同じ結果が得られ、カソード電圧４０［Ｖ］で０．１［ｍＡ］の高い放出電流が得られた。
【００５２】
以上、実施例１〜４について説明した。実施例１〜４において、電子放出部の材料として窒化ホウ素薄膜を用いたが、この薄膜内の各元素の組成比は実施例１〜４に示した場合に限定されることなく、様々な組成の窒化ホウ素薄膜を使用することができる。また、２つ以上の電子放出部を同一基板上に作製し、アレーを実現することができる。
【００５３】
また、尖塔形状を有する所謂スピント型電子放出素子に本発明の窒化ホウ素炭素薄膜をコーティングする方法も使用でき、その効果は非常に大きいと考えられる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ホウ素、炭素、窒素を含有する薄膜を用いたことによって、電子放出用の薄膜部分と基板との付着性が向上し、剥離が防止される。これによって、引き出し電極を有する平面型の電子放出装置を提供することができる。
【００５５】
また、本発明によれば、低電圧で高い引き出し電流が実現できるため、表示装置、電子ビーム露光機、電子ビームを用いた評価装置等のキーデバイスとして効果的である。例えば、本発明を表示装置に適用した場合、高輝度の表示が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る電子放出装置の実施例１を示す断面図である。
【図２】  実施例１の電子放出装置の作製手順を説明するための説明図である。
【図３】  実施例１の電子放出装置の電子放出特性を示す特性図である。
【図４】  本発明に係る電子放出装置の実施例２を示す断面図である。
【図５】  実施例２の電子放出装置の作製手順を説明するための説明図である。
【図６】  本発明に係る電子放出装置の実施例３を示す断面図である。
【図７】  実施例３の電子放出装置の作製手順を説明するための説明図である。
【図８】  図７の電子放出装置の平面図である。
【図９】  実施例３の電子放出装置の電子放出特性を示す特性図である。
【図１０】  本発明に係る電子放出装置の実施例４を示す断面図である。
【図１１】  実施例４の電子放出装置の作製手順を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１，４１  シリコン基板
２，３，２３，２４，３２，３３，４２，４３  窒化ホウ素炭素薄膜
４，２５，４４  ＳｉＯ2薄膜
５，２６，３４，４５  引き出し電極
５Ａ，２６Ａ，４５Ａ  窓
６，２２，３５，４６  カソード電極
７，２７，３６，４７  アノード電極
１１，１２  電源
２１，３１  ガラス基板
３３Ａ  尖部
４１Ａ  改質層
【図１】
0004312326.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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