Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される非イオン界面活性剤。
Ｒ−Ｏ−（ＰＯ）m−（ＥＯ）n−Ｈ      （１）
〔式中、
Ｒは炭素数６〜２４の飽和直鎖炭化水素基を示し、該飽和直鎖炭化水素基中、炭素数６〜１０の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が０．１〜２０モル％、炭素数１６〜１８の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が６０〜９５モル％であり、炭素数１１〜１５及び炭素数１９〜２４の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が０〜２０モル％であり、
ＰＯはプロピレンオキシ基を示し、
ＥＯはエチレンオキシ基を示し、
ｍは平均付加モル数で、０．１〜１０の数を示し、
ｎは平均付加モル数で、０．５〜２５の数を示す。
（ＰＯ）mと（ＥＯ）nは、この順序でブロック結合している。〕
【請求項２】
一般式（１）のＲの飽和直鎖炭化水素基中、炭素数６〜１０の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が５〜１３モル％、炭素数１６〜１８の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が８０〜９５モル％であり、炭素数１１〜１５及び炭素数１９〜２４の飽和直鎖炭化水素基の含有割合が０〜１０モル％である、請求項１記載の非イオン界面活性剤。
【請求項３】
一般式（１）のＲが炭素数８〜１８の飽和直鎖炭化水素基である、請求項１又は２記載の非イオン界面活性剤。
【請求項４】
一般式（１）のｍが１〜５の数であり、ｎが２〜１５の数である、請求項１〜３の何れか１項記載の非イオン界面活性剤。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項記載の非イオン界面活性剤を含む液体洗浄剤組成物。
【請求項６】
前記一般式（１）で表される非イオン界面活性剤の含有量が、０．１〜５０質量％である請求項５記載の液体洗浄剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
二次的チャネル１５４は、コイル溝１３６から第１の端部１２４に向かって延在して、本体外面１３４に規定される。二次的チャネル１５４は非磁性材１４４で満たされる。材料１４４はＭＲ流体１１６が二次的チャネル１５４内に流れ込むのを防ぐ。この二次的チャネルの非磁性材は、実質的磁気付勢可能ＭＲ流体通路の断面積を維持し、かつ二次的チャネル上の流束密度を主要チャネルのものと同程度に減少させるために必要である。したがって、主要チャネルおよび二次的チャネルの組合せは、非磁性バイパス穴と同様の態様で働く。図６から図７を参照して、二次的チャネル１５４は長さＬ、幅Ｗ、および深さＤを有する。図６に示されるように、二次的チャネル１５４の長さＬは、コイル溝１３６から第１の端部１２４に延在する。二次的チャネルの長さＬは、ＭＲ減衰器に必要な性能要件に依存した適切な長さとなり得る。コイル溝１３６から第１の端部１２４に延在する長さＬは一般に幅Ｗおよび深さＤよりも大きい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１０を参照すると、二次的チャネルを含む主要チャネルＭＲ減衰器の測定された減衰力対主要チャネルＭＲピストンアセンブリ速度曲線１７０、１７２のグラフが示される。曲線１７０、１７２は、主要チャネルＭＲピストンアセンブリへのＭＲ流体の入／出力点である、第１および第２の端部プレートで先細りの端部を含む、環状で実質的磁気付勢可能ＭＲ流体通路を含む。非磁性流体圧バイパス穴を有さない、二次的チャネル１５４を含む主要チャネルＭＲピストンアセンブリ１１２は、曲線１７０によって示される。曲線１７０のｙ切片点は約ｙ＝５００ニュートンである。略右上がりの単一斜線ランプがｙ切片点に続き、約ｘ＝０．４メートル／秒においてニーポイントに移る。約ｙ＝５００ニュートンのゼロ速度切片は、約ｘ＝０．０４メートル／秒においてニーポイントのあと、中から高の主要チャネルＭＲピストンアセンブリ速度にわたって、略単一の穏やかな右上がり斜線の力シェルフに遷移する。それに対して、曲線は単一のバイパス穴を有する単一のチャネルピストンのものである。曲線１７２のｙ切片点は約ｙ＝１００ニュートンにあり、そのあとでｘ＝０．０７メートル／秒でのニーポイントをもたらす２段のランプが続き、約ｘ＝０．０７のニーポイントを過ぎると中から高の主要チャネルＭＲピストンアセンブリ速度にわたって略単一の穏やかな右上がり斜線の力シェルフに遷移する。曲線１７２の力シェルフは、約ｘ＝０．２７メートル／秒において約２００ニュートン分だけ曲線１７４の力シェルフよりも低い。総合的に二次的チャネルの使用により、流体圧バイパス穴をなくすことができ、低い速度での著しい力の向上（＋１０００Ｎ）が見られ、さらにより高い速度ではさらなる力の向上（＋２００）が見られ、ニーポイントより下の２傾斜の力−速度特性をなくす。不利点は、この配置のゼロ速度の切片はバイパス穴のものよりもわずかに高いことであるが、これは非常に小さい流体圧ＭＲ流体バイパス穴を加えることによって、または図９で示唆されているように、主要チャネルおよび二次的チャネルを広げることによって改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキロータ(５)を挟んで互いに対向配置された固定の対向側部を有するキャリパハウジング(７)と、
上記キャリパハウジング(７)の上記各対向側部に、進出及び後退可能に取り付けられ、上記ブレーキロータ(５)の側面に選択的に係合する制動面(１６)を有する少なくとも１つのブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)と、
上記各ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)を進出させかつ上記ロータ(５)に対して摩擦係合及び係合解除させる少なくとも１つの作動部材(９ａ，９ｂ)と、
上記作動部材とは別個に設けられているとともに上記ブレーキパッドに接続され、少なくとも１つの弾性部材(３８)を含む、上記各ブレーキパッドを制御するための少なくとも１つのブレーキパッド調時及び後退制御部材(２０ａ，２０ｂ)とを備え、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)の上記弾性部材(３８)は、上記各ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の進出を独立に遅延させかつバイアスをかけるとともに強制後退させるように構成されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項２】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記弾性部材(３８)の圧縮量が、０．０２５ｍｍ以上１．５０ｍｍ以下に制限されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項３】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)及び上記ロータ(５)の摩耗寿命期間内において、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)を上記ロータ(５)から一定距離だけ強制後退させるように構成されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項４】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記作動部材により上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えられる進出力に抗する調整可能な力であって上記進出を瞬間的に遅延させかつ上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)と上記ロータ(５)との間のクランプ力を減少させる力を、該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えるように構成されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項５】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記作動部材により当該制御部材に対応するブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えられる進出力の合力の作用線に関連して配置されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項６】
請求項５記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記作動部材による当該制御部材に対応するブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の進出時に、該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の制動面(１６)が上記ロータ(５)に対して均一に係合するように、該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えられるモーメント力に打ち勝つようなパターンで配置されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項７】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記ブレーキキャリパは、自動車の複数の車輪にそれぞれ組み込まれるものであり、
異なるブレーキキャリパの上記制御部材における上記弾性部材(３８)のバネ力及び圧縮量の一方又は双方が、該ブレーキキャリパの上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の作動時に、上記進出の異なる遅延と、上記ブレーキパッドと上記ロータとの間のクランプ力の異なる減少とをもたらすように設定されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項８】
請求項１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、当該制御部材に対応するブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に接続されたシャフト(２４)を更に含むことを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項９】
請求項８記載のブレーキキャリパにおいて、
上記制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記シャフト(２４)に対して摩擦係合しつつスライド可能なキャリパカラー(３０)を更に含み、
上記キャリパハウジング(７)の上記各対向側部は、上記少なくとも１つの制御部材を受け入れて収容する、上記キャリパカラー(３０)よりも大径の少なくとも１つの孔(３４)をそれぞれ有していることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項１０】
請求項９記載のブレーキキャリパにおいて、
上記弾性部材は、上記キャリパカラー(３０)と上記孔(３４)の端面(３９)との間に配置された少なくとも１つのベルビル型の皿バネ(３８)を含み、
上記キャリパカラー(３０)の第１係合面(４０)が、上記皿バネ(３８)の圧縮量を減少させるように、上記皿バネ(３８)の非圧縮状態で該皿バネに対して少なくとも部分的に補完する形状をなし、
上記キャリパカラー(３０)は、上記皿バネ(３８)に異なる圧縮量を与えるための、上記第１係合面(４０)とは異なる形状の第２係合面(４２)を含むことを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項１１】
ブレーキロータ(５)を挟んで互いに対向配置された対向側部を有するキャリパハウジング(７)と、
上記キャリパハウジング(７)の上記各対向側部に、進出及び後退可能に取り付けられ、上記ブレーキロータ(５)の側面に選択的に係合する制動面(１６)を有する少なくとも１つのブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)と、
上記各ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)を進出させかつ上記ロータ(５)に対して摩擦係合及び係合解除させる少なくとも１つの作動部材(９ａ，９ｂ)と、
上記キャリパハウジング(７)にそれぞれ配設され、それぞれが少なくとも１つの弾性部材(３８)を含む複数のブレーキパッド調時及び後退制御部材(２０ａ，２０ｂ)とを備え、
上記各制御部材(２０ａ，２０ｂ)の上記弾性部材(３８)は、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の進出を瞬間的に遅延させかつ上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)と上記ロータ(５)との間のクランプ力を減少させるため、かつ、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)を後退させて該ブレーキパッドと上記ロータ(５)との係合を解除するために、上記作動部材により上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えられる進出力に抗する調整可能な力を該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えるものであり、
上記各制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記ブレーキパッドに接続されていて、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)及び上記ロータ(５)の摩耗寿命期間内において、上記ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)を上記ロータ(５)から一定距離だけ後退させるように構成されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【請求項１２】
請求項１１記載のブレーキキャリパにおいて、
上記各制御部材(２０ａ，２０ｂ)は、上記作動部材による当該制御部材に対応するブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の進出時に、該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)の制動面(１６)が上記ロータ(５)に対して均一に係合するように、該ブレーキパッド(１２ａ，１２ｂ)に加えられるモーメント力に打ち勝つようなパターンで配置されていることを特徴とするブレーキキャリパ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）ポリイミドフィルムであって、
ａ）
ｉ）１０〜４０モル％ブロックのＰＭＤＡおよびＰＰＤ；および
ｉｉ．６０〜９０モル％ブロックのＰＭＤＡおよびＯＤＡ
を含むポリイミドブロックコポリマー；
ｂ）充填材であって：
ｉ）すべての寸法において１００ナノメートル未満の平均直径を有し；且つ
ｉｉ）ポリイミドフィルムの総重量の５〜６０重量パーセントの量で存在する
充填材を含み、
８〜１５０ミクロンの厚さを有するポリイミドフィルム、
Ｂ）前記ポリイミドフィルムによって支持されている電極
を備えるアセンブリ。
【請求項２】
光吸収層をさらに含み；電極が光吸収層とポリイミドフィルムとの間にあり；および、電極が光吸収層と電気的に連通している、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
光吸収層がＣＩＧＳ／ＣＩＳ光吸収層である、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
アセンブリが、複数の一体集積型ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光起電力電池をさらに備える、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
充填材が、すべての寸法において６０ｎｍ未満の平均直径を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
充填材が無機酸化物である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
充填材が酸化ケイ素である、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
充填材が無機酸化物であり、ならびに、ポリイミドフィルムが：（ｉ）３００℃を超えるＴｇ、および、（ｉｉ）５００ボルト／２５．４ミクロンを超える誘電強度を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
ポリイミドフィルムが２つ以上の層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
ポリイミドフィルムが、熱安定性の無機物：織物、紙、シート、スクリムまたはこれらの組み合わせで強化されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
有益性、他の利点、および課題に対する解決法を、特定の実施形態に関して上述した。しかしながら、有益性、利点、課題に対する解決法、および、いずれかの利益、利点、または解決法を生じさせるかもしくはより明白とし得るいずれの要素も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要である、要求される、または、必須の特徴もしくは要素として解釈されるべきではない。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）
Ａ）
ａ）ポリイミドフィルムの４０〜９５重量パーセントの量のポリイミドであって：
ｉ）少なくとも１種の芳香族二無水物成分であって、剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびこれらの組み合わせからなる群の構成要素である芳香族二無水物成分、
ｉｉ）少なくとも１種の芳香族ジアミン成分であって、剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびこれらの組み合わせからなる群の構成要素である芳香族ジアミン成分、
から誘導されるポリイミドであり、
二無水物対ジアミンのモル比は４８〜５２：５２〜４８であり、Ａ：Ｂの比は２０〜８０：８０〜２０である（ここで、Ａは剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセントであり、且つＢは非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントである）
ポリイミド；ならびに
ｂ）充填材であって：
ｉ）すべての寸法において１００ナノメートル未満の平均直径を有し；且つ
ｉｉ）ポリイミドフィルムの総重量の５〜６０重量パーセントの量で存在する
充填材を含み、
８〜１５０ミクロンの厚さを有するポリイミドフィルム、
Ｂ）前記ポリイミドフィルムによって支持されている電極
を備えるアセンブリ。
（２）  光吸収層をさらに含み；電極が光吸収層とポリイミドフィルムとの間にあり；および、電極が光吸収層と電気的に連通している、（１）に記載のアセンブリ。
（３）  光吸収層がＣＩＧＳ／ＣＩＳ光吸収層である、（２）に記載のアセンブリ。
（４）
アセンブリが、複数の一体集積型ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光起電力電池をさらに備える、（３）に記載のアセンブリ。
（５）  充填材が、すべての寸法において６０ｎｍ未満の平均直径を有する、（１）に記載のアセンブリ。
（６）  充填材が無機酸化物である、（１）に記載のアセンブリ。
（７）  充填材が酸化ケイ素である、（６）に記載のアセンブリ。
（８）  ａ）剛性ロッドタイプ二無水物が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）、およびこれらの混合物からなる群から選択され；ならびに
ｂ）剛性ロッドタイプジアミンが、１，４−ジアミノベンゼン（ＰＰＤ）、４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジデン（ＴＦＭＢ）、１，５−ナフタレンジアミン、１，４−ナフタレンジアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、（１）に記載のアセンブリ。
（９）  ポリイミドがブロックコポリマーである、（１）に記載のアセンブリ。
（１０）  ポリイミドが、ＯＤＡおよびＰＰＤと、ＰＭＤＡおよび３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とのブロックコポリマーである、（９）に記載のアセンブリ。
（１１）  ブロックコポリマーが：
ｉ．１０〜４０モル％ブロックのＰＭＤＡおよびＰＰＤ；ならびに
ｉｉ．６０〜９０モル％ブロックのＰＭＤＡおよびＯＤＡ
を含む、（９）に記載のアセンブリ。
（１２）  ポリイミドフィルムが、カップリング剤、分散剤またはこれらの組み合わせを含む、（１）に記載のアセンブリ。
（１３）  充填材が無機酸化物であり、ならびに、ポリイミドフィルムが：（ｉ）３００℃を超えるＴｇ、および、（ｉｉ）５００ボルト／２５．４ミクロンを超える誘電強度を有する、（１）に記載のアセンブリ。
（１４）  ポリイミドフィルムが２つ以上の層を含む、（１）に記載のアセンブリ。
（１５）  ポリイミドフィルムが、熱安定性の無機物：織物、紙、シート、スクリムまたはこれらの組み合わせで強化されている、（１）に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）を含んでなることを特徴とするオレフィン重合用触媒。
【化１】
2011122146.tif 000001
（一般式（Ｉ）中、Ｍは周期表第４〜６族の遷移金属原子を示し、ｍは、１〜４の整数を示し、Ｒ1は炭素原子数７〜３０のアルキル置換アリール基であり、Ｒ2、Ｒ3およびＲ5は、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、およびスズ含有基から選ばれ、互いに同一でも異なっていてもよく、これらのうちの２個以上が互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒ4およびＲ6は塩素原子であり、ｎはＭの価数を満たす数であり、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、ｎが２以上の場合は、Ｘで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またＸで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）において、Ｒ1がトリル、ｉｓｏ−プロピルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、ジメチルフェニル、ジ−ｔ−ブチルフェニル、ベンジルフェニル、クミルフェニル、トリチルフェニルから選ばれる置換基である請求項１に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）において、Ｍが周期表第４族の遷移金属原子であることを特徴とする請求項１または２に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）において、Ｍがチタン原子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物（Ａ）と、
（Ｂ）（Ｂ−１）有機金属化合物、
（Ｂ−２）有機アルミニウムオキシ化合物、および
（Ｂ−３）遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物
から選ばれる少なくとも１種の化合物と
を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のオレフィン重合用触媒の存在下において、オレフィンを重合または共重合させることを特徴とするオレフィンの重合方法。
【請求項７】
前記オレフィンが、下記（Ｃ−１）および（Ｃ−２）であることを特徴とする請求項６に記載のオレフィンの重合方法。
（Ｃ−１）炭素原子数２〜３０の直鎖状または分岐状のα−オレフィン、
（Ｃ−２）下記一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の環状オレフィン
【化２】
2011122146.tif 000002
（式（ＩＩ）中、ｕは０または１であり、ｖは０または正の整数であり、ｗは０または１であり、Ｒ61〜Ｒ78ならびにＲa1およびＲb1は、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基から選ばれ、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ75〜Ｒ78は、互いに結合して単環または、多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していてもよく、またＲ75とＲ76とで、またはＲ77とＲ78とでアルキリデン基を形成していてもよい。）
【化３】
2011122146.tif 000003
（式（ＩＩＩ）中、ｘおよびｄは０または１以上の整数であり、ｙおよびｚは０、１または２であり、Ｒ81〜Ｒ99は、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基から選ばれ、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ89およびＲ90が結合している炭素原子と、Ｒ93が結合している炭素原子またはＲ91が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、またｙ＝ｚ＝０のとき、Ｒ95とＲ92またはＲ95とＲ99とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。）
【化４】
2011122146.tif 000004
（式（ＩＶ）中、Ｒ100、Ｒ101は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜５の炭化水素基を示し、ｆは１≦ｆ≦１８である。）
【化５】
2011122146.tif 000005
（一般式（Ｖ）中、ｘは０または１以上の整数であり、Ｒ111〜Ｒ118は水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基から選ばれ、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ121〜Ｒ124は水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基から選ばれ、互いに同一でも異なっていてもよく、隣接する２つの基は互いに結合し単環または複環の芳香族環を形成していてもよい。）
【請求項８】
前記（Ｃ−１）がエチレンであり、前記（Ｃ−２）がビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン、ベンゾノルボルナジエンおよび／または１，４−ジヒドロ−１，４−メタノアントラセンであることを特徴とする請求項７に記載のオレフィンの重合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子パターンが形成されたスケールと、
前記スケールに光を照射する光源と、
前記スケールからの複数の回折光のそれぞれを円偏光に変換する波長板と、
前記複数の回折光を重ね合わせて干渉させる光学素子と、
干渉させた光を受光する受光素子と、
前記波長板に入射する前記複数の回折光が互いに偏光方向の等しい直線偏光になるように、前記光源からの光を直線偏光に変換する生成手段と、を備える
ことを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記光源と前記スケールとの間の光路中に配置され、前記光源からの光を偏光方向が前記スケールの前記格子パターンの格子方向または周期方向と一致する直線偏光に変換することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記スケールと前記波長板との間の光路中に配置され、前記複数の回折光のそれぞれを直線偏光に変換することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記生成手段は偏光板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の測定装置。
【請求項５】
格子パターンが形成されたスケールと、
前記スケールに光を照射する光源と、
前記スケールからの複数の回折光のそれぞれを円偏光に変換する波長板と、
前記複数の回折光を重ね合わせて干渉させる光学素子と、
干渉させた光を受光する受光素子と、を備える測定装置において、
前記光源は、直線偏光を射出し、該直線偏光の偏光方向が前記スケールの前記格子パターンに対して格子方向または周期方向と一致するように前記スケールを照明する
ことを特徴とする測定装置。
【請求項６】
基板を保持するステージと、
前記ステージの変位を測定する測定装置と、を備える露光装置において
前記ステージは前記測定装置の計測値に基づいて制御され、
前記測定装置は請求項１〜５のいずれか１項に記載の測定装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと
該露光した基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
基板を保持し移動するステージと、
前記基板を加工する加工ヘッドと、
前記ステージの変位を測定する測定装置と、を備える精密加工機器において
前記ステージは前記測定装置の計測値に基づいて制御され、
前記変位測定装置は請求項１〜５のいずれか１項に記載の測定装置であることを特徴とする精密加工機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の測定装置は、格子パターンが形成されたスケールと、前記スケールに光を照射する光源と、前記スケールからの複数の回折光のそれぞれを円偏光に変換する波長板と、前記複数の回折光を重ね合わせて干渉させる光学素子と、干渉させた光を受光する受光素子と、前記波長板に入射する前記複数の回折光が互いに偏光方向の等しい直線偏光になるように、前記光源からの光を直線偏光に変換する生成手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラットフォーム（２）とブレード担持体（２２）に接続されるように配置された少なくとも一つの根元部（３）を備えたブレード（１）において、
前記プラットフォーム（２）の反対の周方向の側から、翼形部分（５，６）が延びており、
一方の作動面（７，８）の境界を定めている前記翼形部分が各々他方の翼形部分（６，５）に面している面であり、
前記翼形部分（５，６）の一つの作動面（７，８）が、吸引側の境界を定めており、翼形部分の他方の作動面が圧力側の境界を定めており、組立てられた場合、互いに接続された２つの異なる隣接するブレード（１）の２つの翼形部分（５）および（６）が翼形（２４）を形成することを特徴とするブレード（１）。
【請求項２】
前記翼形部分（５，６）の両方の端部に接続されたシュラウド（１０）を備えており、
翼形部分（５，６）を備えたプラットフォーム（２）とシュラウド（１０）が閉鎖した流路（１１）の境界を定めていることを特徴とする請求項１記載のブレード（１）。
【請求項３】
作動面（７，８）に向かい合う各翼形部分（５，６）の面が、多数のブレード（１）が翼形（２４）の内側面（１４，１５）の境界を定めており、ブレード担持体（２２）上に組立てられた場合、この内側面が二つの隣接した翼形部分（５，６）により境界を定められていることを特徴とする請求項１または２に記載のブレード（１）。
【請求項４】
翼形部分（５，６）の少なくとも一つの内側面（１４，１５）が、熱交換を増大させるように配置された熱伝達促進体（１７）を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項５】
翼形部分（５，６）の少なくとも一つの内側面（１４，１５）が、多数のブレード（１）がブレード担持体（２２）上に組立てられた場合、スペーサ（１８，３０）が二つの隣接した翼形部分（５，６）の間に挿入されているように、スペーサ（１８，３０）を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項６】
翼形部分（５，６）の少なくとも一つおよび／またはプラットフォーム（２）および／またはシュラウド（１０）が、それを通して冷却空気を通過させるように配置された貫通孔（２０）を備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項７】
他のブレード（１）に隣接したブレード担持体（２２）上に組立てられており、ブレード（１）の圧力側の境界を定めている作動面を備えた翼形部分（６）が、隣接したブレード（１）の吸引側の境界を定めている作動面を備えた翼形部分（６）に接続していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項８】
隣接した翼形部分（５，６）の間に、空間（２５）が境界を定められていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項９】
管状インサート（２７）を備えており、この管状インサートがブレード（１）の根元部（３）の領域（２８）において、空間（２５）の内側に一方の端部を有しており、空間（２５）の外側に反対側の端部を有していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項１０】
管状インサート（２７）が、冷却空気が空間（２５）に入るのを制御するように配置された、多数の調節された貫通孔（３１）を有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項１１】
プラットフォーム（２）が管状インサートを通過させるための孔（２６）を有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項１２】
封隙部（３２，３３）を備えており、これらの封隙部がプラットフォーム（２）の側方縁部および／またはシュラウド（１０）の側方縁部に設けられていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項１３】
シュラウド（１０）に封隙部（３４）を備えていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【請求項１４】
ロータブレードあるいはガイドベーンであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載のブレード（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲット、及び、トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
水素よりも電気陰性度の小さい金属材料の焼結体を含み、
前記焼結体の、含有水素濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、スパッタリングターゲット。
【請求項２】
導電膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
アルミニウム、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、またはタングステンの少なくともいずれか一の金属材料の焼結体を含み、
前記焼結体の、含有水素濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、スパッタリングターゲット。
【請求項３】
導電膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
アルミニウムに、シリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、またはイットリウムが０．１乃至３原子％添加された金属材料の焼結体を含み、
前記焼結体の、含有水素濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、スパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットを用いて作製された導電膜を活性層に接して含み、
前記活性層は、酸化物半導体を有するトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲット、及び、トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の金属酸化物の焼結体を含み、
前記焼結体の含有水素濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である、スパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物半導体膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
酸化インジウム、酸化ガリウム、および酸化亜鉛の焼結体を含み、
前記焼結体の含有水素濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である、スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
酸化珪素を０．１重量％以上２０重量％以下含むスパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットを用いて作製された酸化物半導体層を活性層として含むトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型のゲート電極を共有した複数の縦型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置であって、
該複数の縦型ＭＯＳトランジスタが、側面周囲に形成された第１のゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と側面周囲で対峙して成る第１の半導体柱を有し、
前記半導体装置は、第１の導電型であり、側面周囲に形成された第２のゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と側面周囲で対峙して成り、少なくとも一部分の前記第２のゲート絶縁膜を除去した部分で前記ゲート電極と接している第２の半導体柱を有し、
前記複数の縦型ＭＯＳトランジスタの共有されるゲート電極への電位供給が、前記第２の半導体柱を介して行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数の縦型ＭＯＳトランジスタの共有されるゲート電極への電位供給が、前記第２の半導体柱上にコンタクトされた電極・配線により行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数の縦型ＭＯＳトランジスタの共有されるゲート電極への電位供給が、前記第２の半導体柱下に形成された第１の導電型の拡散層にコンタクトされた電極・配線により行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数の縦型ＭＯＳトランジスタの共有されるゲート電極への電位供給が、前記第２の半導体柱下に形成された第１の導電型の拡散層を共有した縦型ＭＯＳトランジスタを動作させることにより行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、第１の導電型のゲート電極を共有した複数の縦型ＭＯＳトランジスタからなるトランジスタ列が複数配置され、アレイ状に形成された半導体装置であって、各トランジスタ列と交差する行方向に、各トランジスタ列の一つのトランジスタ同士が、前記第１の半導体柱下に形成された第１の導電型の拡散層で接続され、各行方向でトランジスタ下にビットラインを構成していることを特徴する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ１０型構造を有する規則合金であって、ＦｅおよびＣｏのいずれかと、ＰｔおよびＰｄのいずれかとの合金である規則合金を含む磁気記録層と、
前記磁気記録層よりも基板に近い側に配置されたＭｇＯ層と、
前記ＭｇＯ層よりも基板に近い側に配置され、立方晶系に属する結晶構造を有する導電性化合物層と、
を備え、
前記ＭｇＯ層の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、
前記導電性化合物は、酸化物、窒化物、炭化物のいずれかである
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記導電性化合物層は、チタン酸ストロンチウム、酸化インジウムスズ、窒化チタン、のいずれかを用いて構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記導電性化合物層よりも基板に近い側に、体心立方構造を有する金属層であって、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選ばれる少なくとも１つの元素を含む金属層を有する  ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁気記録層は、酸化物または炭素を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁気記録層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１つの元素を含む
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記導電性化合物層よりも基板に近い側に軟磁性裏打ち層を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記導電性化合物層よりも基板に近い側に熱吸収層を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却媒体入口と冷却媒体出口とを有し、内部に平行に配列して収容された複数の電池セルを冷却する冷却流路を有する電池容器と、
前記冷却媒体入口を介して前記冷却流路に流入する冷却媒体の流れを調整するためのダクトと、を有し、
前記ダクトは、前記電池容器とは別体に設けられて前記電池容器の前記冷却媒体入口の外に配置され、前記冷却媒体入口に着脱可能なように取り付けられている、ことを特徴とする蓄電モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の蓄電モジュールにおいて、前記電池容器は内部に係合用当て部を有し、前記ダクトは、前記電池容器の前記係合用当て部に係合する係合部材を有することを特徴とする蓄電モジュール。
【請求項３】
請求項１または２に記載の蓄電モジュールにおいて、前記電池容器は、金属材料で形成され、前記各電池セルの正極端子および負極端子に対向する両側面が開口されたケース本体と、前記ケース本体の両側面の開口を塞ぎ、前記電池セルの正極端子側の外周または負極端子側の外周を保持する一対の側板とを備え、前記ダクトは樹脂材料で形成されていることを特徴とする蓄電モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の蓄電モジュールにおいて、前記ダクトは、冷却媒体の流れを案内する羽根を有することを特徴とする蓄電モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の蓄電モジュールにおいて、前記ダクトは、前記電池容器の前記冷却媒体入口の内面周縁部に密接するシールを有することを特徴とする蓄電モジュール。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載された蓄電モジュールにおいて、前記ダクトは、前記ダクトを外部から変位させることにより前記電池容器の係合用当て部と前記ダクトの係合部材との係合を解除して、前記ダクトを前記電池容器から取り外すことが可能であることを特徴とする蓄電モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の蓄電モジュールは、冷却媒体入口と冷却媒体出口とを有し、内部に平行に配列して収容された複数の電池セルを冷却する冷却流路を有する電池容器と、冷却媒体入口を介して冷却流路に流入する冷却媒体の流れを調整するためのダクトと、を有し、ダクトは、電池容器とは別体に設けられて電池容器の冷却媒体入口の外に配置され、冷却媒体入口に着脱可能なように取り付けられている、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
その他、本発明の蓄電モジュール１００は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、冷却媒体入口と冷却媒体出口とを有し、内部に平行に配列して収容された複数の電池セルを冷却する冷却流路を有する電池容器と、冷却媒体入口を介して冷却流路に流入する冷却媒体の流れをコントロールするダクトと、を有し、ダクトは、電池容器とは別体に設けられて電池容器の冷却媒体入口の外に配置され、冷却媒体入口に着脱可能なように取り付けられているものであればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
二酸化ケイ素微粒子は、二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、およびその他の、製造法や性状の異なるものが多種存在するが、そのいずれであってもよい。一般的には入手容易性などの観点からコリイダルシリカが選択される。また、微粒子の大きさは、塗布しようとしている基板に形成されている凹凸構造や、分散液の塗布方法などに応じて任意に選択されるが、一般に平均粒子径が４〜５０ｎｍのものが選択され、４〜２０ｎｍのものが好ましい。なお、溝や孔を有する基板に絶縁膜を形成させようとする場合には、それらの溝や孔の内側に絶縁膜を均一に形成させるために、それらの溝幅や孔系よりも小さい二酸化ケイ素微粒子を用いることが好ましい。二酸化ケイ素微粒子は、通常粒子径に分布があるため、溝幅や孔径よりも平均粒子径が大きい二酸化ケイ素を利用した場合でも、微小な粒子が含まれているために、溝内や孔内も充填されるが、本発明の効果をより顕著に発揮させるためには、溝幅または孔径よりも平均粒子径の小さい二酸化ケイ素微粒子を用いるべきである。ここで本発明において平均粒子径はＢＥＴ法によって測定される比表面積から計算されるものであるとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
表中：
ＤＢＳ：  ドデシルベンゼンスルホン酸
ＳＦ−４８５：  アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物（サーフィノール４８５（商品名）、日信化学工業株式会社製）
Ａ−２１０：  ポリアクリル酸（アロン（登録商標）Ａ−２１０（商品名）、東亞合成株式会社製、重量平均分子量約３，０００）
Ａ−１０ＳＬ：  ポリアクリル酸（アロン（登録商標）Ａ−１０ＳＬ（商品名）、東亞合成株式会社製、重量平均分子量約６，０００）
１２ｐＦ：  ポリビニルピロリドン（Ｋｏｌｌｉｄｏｎ  １２ｐＦ（商品名）、ＢＡＳＦ社製、重量平均分子量約２，０００）
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）二酸化ケイ素微粒子と、ポリマーと、界面活性剤と、分散媒とを含む二酸化ケイ素分散液を基板表面に塗布する二酸化ケイ素微粒子塗布工程、
（２）二酸化ケイ素分散液を塗布した基板表面に、さらにポリシラザン組成物を塗布するポリシラザン塗布工程、および
（３）ポリシラザン組成物を塗布した基板を加熱してポリシラザンを二酸化ケイ素に転化させ、前記二酸化ケイ素微粒子と、ポリシラザンに由来する二酸化ケイ素とからなる絶縁膜を形成させる加熱工程、
を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
加熱工程における加熱温度が２００〜１５００℃である、請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
加熱工程を水蒸気含有雰囲気下で行う、請求項１または２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
基板の単位面積あたりに塗布される二酸化ケイ素分散液に含まれるケイ素の重量と、基板の単位面積あたりに塗布されるポリシラザン組成物に含まれるケイ素の重量との比が、１：１５〜６：１である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記加熱工程の後に、さらに不活性ガス雰囲気下で加熱する、追加加熱工程をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
二酸化ケイ素微粒子塗布工程とポリシラザン塗布工程との間に、基板を加熱して分散媒の少なくとも一部を蒸発させる予備加熱工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記基板が、素子絶縁のための溝構造を有しており、形成される絶縁膜がトレンチ・アイソレーション構造を形成する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記絶縁膜が、金属膜下絶縁膜または金属配線層間絶縁膜である、１〜６のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
請求項１〜８の絶縁膜の形成方法に用いられる、二酸化ケイ素微粒子と、ポリマーと、界面活性剤と、分散媒とを含んでなることを特徴とする二酸化ケイ素微粒子分散液。
【請求項１０】
二酸化ケイ素微粒子の含有量が、二酸化ケイ素微粒子分散液の総重量を基準として２〜３０％である、請求項８に記載に二酸化ケイ素微粒子分散液。
【請求項１１】
前記ポリマーが、アクリル酸ポリマー、メタクリル酸ポリマー、ポリビニルピロリドン、およびそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項９または１０に記載の二酸化ケイ素微粒子分散液。
【請求項１２】
前記ポリマーの含有量が、二酸化ケイ素微粒子分散液の総重量を基準として１〜１０％である、請求項９〜１１のいずれか１項に記載に二酸化ケイ素微粒子分散液。
【請求項１３】
前記界面活性剤が、アルキルスルホン酸、エチレンオキサイド型活性剤からなる群から選択される、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の二酸化ケイ素微粒子分散液。
【請求項１４】
前記界面活性剤の含有量が、二酸化ケイ素微粒子分散液の総重量を基準として０．０１〜５％である、請求項９〜１３のいずれか１項に記載に二酸化ケイ素微粒子分散液。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
不揮発性メモリ２２への分割変換テーブル２４０の書き込みを行う場合は、まずステップＳ５２１において、図１１の変換テーブル管理テーブル２３５内のキャッシュ有無フラグ２３５２と追い出しカウント２３５４を参照する。そして、キャッシュ有無フラグ２３５２が１（論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュ２３０に保存されている）であり、かつこの中で追い出しカウント２３５４が最も大きい分割変換テーブル２４０を書き込み対象として選択する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
ステップＳ６１０では、図３の論理／物理アドレス変換テーブルキャッシュ２３０上の分割変換テーブル２４０から、論理アドレスに対応する書き込み前の物理アドレスを特定し、この書き込み前の物理アドレスを用いて物理ロジック管理テーブル２３４（図１０）の有効ページ数２３４２の減算、及び有効ページフラグ２３４３の無効化を行う。また、分割変換テーブル２４０の物理アドレス２２０３部分を図１８のステップＳ５３で特定した物理アドレスに書き換える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
まず、ストリングＣＨ１１を選択するため、ストリング選択トランジスタＴｒｓ１１がオン状態になる程度の電圧をワード線ＷＬｓ１に印加し、共通ソース線ＣＳＬはグランドとし、ビット線ＢＬ１に所望の電圧を印加する。この時、ビット線ＢＬ１と電気的に接続される他のストリングＣＨ２１は、ストリング選択トランジスタＴｒｓ２１がオフ状態となる程度の電圧をワード線ＷＬｓ２に印加することで、ストリングＣＨ２１に電流が流れず非選択となる。ストリングＣＨ２２は、ストリングＣＨ２１と同様に非選択となる。また、ワード線ＷＬｓ１で制御される他のストリング選択トランジスタＴｒｓ１２はオン状態となるが、ビット線ＢＬ２を共通ソース線ＣＳＬと等電位にすることで、ストリングＣＨ１２に電流が流れず非選択となる。次に、ストリングＣＨ１１からメモリセルＭＣ１１１を選択するため、選択トランジスタＴｒ１１１がオフ状態になる程度の電圧をワード線ＷＬ１１に印加し、抵抗変化素子Ｖｒ１１１に電流が流れるようにする。この時、ストリングＣＨ１１に含まれる他のメモリセルＭＣ１１ｎ（ｎ＝２・・・８）は、選択トランジスタＴｒ１１ｎ（ｎ＝２・・・８）がオン状態になる程度の電圧をワード線ＷＬ１ｎ（ｎ＝２・・・８）に印加することで選択トランジスタＴｒ１１ｎ（ｎ＝２・・・８）に電流が流れるため、抵抗変化素子Ｖｒ１１ｎ（ｎ＝２・・・８）に殆ど電流が流れず非選択となる。選択トランジスタのオン状態の抵抗は、抵抗変化素子の状態にかかわらず、抵抗変化素子の抵抗より低く、かつ、トランジスタのオフ状態の抵抗は、抵抗変化素子の状態にかかわらず、抵抗変化素子の抵抗より高い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012174818.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロース繊維の懸濁液に、カーボンナノチューブの６０〜１５０質量％のリグニンスルホン酸塩で水分散されたカーボンナノチューブ水分散液と、セルロース繊維に対して０．５〜３．０質量％のポリビニルアミンとを配合したスラリーを湿式抄造して得られる湿潤強度が０．４０ｋＮ／ｍ以上、体積抵抗率が１．００Ω・ｃｍ以下の電磁波抑制シート。
【請求項２】
セルロース繊維に対して１０質量％以上のカーボンナノチューブを配合したスラリーを湿式抄造してなる請求項１記載の電磁波抑制シート。
【請求項３】
セルロース繊維の懸濁液に、カーボンナノチューブの６０〜１５０質量％のリグニンスルホン酸塩で水分散されたカーボンナノチューブ水分散液と、セルロース繊維に対して０．５〜３．０質量％のポリビニルアミンとを配合したスラリーを湿式抄造することを特徴とする電磁波抑制シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち本発明によれば、以下の電磁波抑制シートが提案される。
（１）セルロース繊維の懸濁液に、カーボンナノチューブの６０〜１５０質量％のリグニンスルホン酸塩で水分散されたカーボンナノチューブ水分散液と、セルロース繊維に対して０．５〜３．０質量％のポリビニルアミンとを配合したスラリーを湿式抄造して得られる湿潤強度が０．４０ｋＮ／ｍ以上、体積抵抗率が１．００Ω・ｃｍ以下の電磁波抑制シート。
（２）セルロース繊維に対して１０質量％以上のカーボンナノチューブを配合したスラリーを湿式抄造してなる（１）記載の電磁波抑制シート。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下、本発明を順に詳細に説明する。
本発明の電磁波抑制シートは、セルロース繊維、カーボンナノチューブ（分散剤としてリグニンスルホン酸塩を使用して水分散されたもの）、ポリビニルアミンを必須成分とするスラリーを湿式抄造して得られるものである。
用いられるセルロース繊維は、特に限定するものではなく、各種木材パルプ（機械パルプ，化学パルプ，セミケミカルパルプ）や非木材繊維が使用できる。ＮＢＫＰ、ＬＢＫＰはシート強度が高く出るため好ましい。更には、ＥＣＦ（Elemental Chlorine Free）パルプやＴＣＦ（Total
Chlorine Free）パルプの使用は特に好ましい。
又、物性を阻害しない範囲で、合成繊維や半合成繊維を併用しても良い。上記のセルロース繊維は、物性を阻害しない限り、任意な配合で用いることができる。これらのセルロース繊維は、固形分濃度３〜５％になるようにパルパーで離解する。このパルプスラリーをリファイナーやビーターを用いてカナディアンショッパーフリーネス（ＣＳＦ）で６５０〜３００ｍｌに叩解する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記、セルロース繊維の叩解液、リグニンスルホン酸塩で水分散したＣＮＴ水分散液、及びポリビニルアミン類、必要応じて凝結剤を混合したスラリーは、固形分０．０２〜２．０％程度に希釈された後、湿式抄紙法により抄造される。このとき、更に凝集剤を用いることもできる。凝集剤は、スラリーを０．０２〜２．０％程度に希釈された後に添加することが好ましい。凝集剤としては、ポリアクリルアミド，ポリエチレンオキサイド等が挙げられる。