(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の特徴を備えた成膜用の基板支持装置。
（ａ）この基板支持装置は、成膜用の基板を支持できる平板状の支持板を備えている。
（ｂ）前記支持板は、前記基板の成膜面に平行であって成膜面と同じ方向を向いている少なくともひとつの主面と、外周部とを備えている。
（ｃ）前記支持板は、この支持板を貫通する少なくとも１個の基板装着孔と、この基板装着孔の内周部から突き出していて前記基板の外縁を支持できる複数個の支持片とを備えている。
（ｄ）前記外周部と前記内周部は、前記主面に垂直な先端縁と、前記主面と前記先端縁とをつなぐ傾斜面とからなる。
（ｅ）前記先端縁の、前記支持板の厚さ方向における厚さは、両面成膜用の支持板の場合は２ｍｍ以下であり、片面成膜用の支持板の場合は１ｍｍ以下である。
【請求項２】
請求項１に記載の基板支持装置において、前記傾斜面は前記主面に対して６０°以下の角度をなすことを特徴とする基板支持装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板支持装置において、前記先端縁の、前記支持板の厚さ方向における厚さは、両面成膜用の支持板の場合は１ｍｍ以下であり、片面成膜用の支持板の場合は０．５ｍｍ以下であることを特徴とする基板支持装置。
【請求項４】
次の特徴を備えた成膜用の基板支持装置。
（ａ）この基板支持装置は、成膜用の基板を支持できる平板状の支持板を備えている。
（ｂ）前記支持板は、前記基板の成膜面に平行であって成膜面と同じ方向を向いている少なくともひとつの主面と、外周部とを備えている。
（ｃ）前記支持板は、この支持板を貫通する少なくとも１個の基板装着孔と、この基板装着孔の内周部から突き出していて前記基板の外縁を支持できる複数個の支持片とを備えている。
（ｄ）前記外周部と前記内周部の断面形状は、滑らかな凸状の曲線である。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板支持装置において、基板の上にスパッタリング法で金属膜を成膜し、その上にプラズマＣＶＤ法でカーボン膜を成膜する場合に使用するものであることを特徴とする基板支持装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ等の成膜装置において薄膜が形成される基板を支持するための基板支持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の電子デバイスや、ハードディスクや光磁気ディスク等の情報記録ディスクを製造する場合に、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ等の成膜方法を使った成膜処理が行われている。
【０００３】
ハードディスクを製造する工程では、アルミニウム製またはガラス製の円板状の基板の両面に薄膜が形成される。この薄膜は、図２に示すように、基板１０の側から順に、Ｃｒ等の金属下地膜１２、ＣｏＣｒＴａ等の磁性記録膜１４、カーボン等の保護膜１６で構成されている。その上に潤滑剤１８が塗布される。膜の厚さの一例を挙げると、金属下地膜１２が２５ｎｍ、磁性記録膜１４が２０ｎｍ、保護膜１６が１０ｎｍ、潤滑剤１８が２ｎｍである。保護膜１６は、ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）においてディスクの回転起動・停止時にヘッドとディスク表面が接触したときに磁性記録膜１４を保護する役割を果たし、また、磁性記録膜１４が大気と接触して腐食するのを保護する役割を果たしている。
【０００４】
これまで、磁気記録媒体の薄膜形成にはスパッタリング法が多く採用されてきたが、以下に述べるように、保護膜については、その成膜方法をスパッタリング法からプラズマＣＶＤ（ＰＤＶＤ）法に切り換えるようになってきている。
【０００５】
近年、磁性媒体の高保持力化、超微粒子化等の要求が高まり、高記録密度化の実現に向けて様々な開発が行われている。高記録密度化のためには、ＨＤＤのヘッドと磁気記録膜との距離（ヘッドの浮上量と保護膜の厚さの合計）をできるだけ小さくすることが有効である。図２において、ＨＤＤのスライダ２０の先端のヘッド２２とディスク表面との距離ｄ（ヘッドの浮上量）は２５ｎｍ程度である。カーボン保護膜１６の厚さは１０ｎｍ程度である。その合計である３５ｎｍがＨＤＤのヘッド２２と磁気記録膜１４との距離になる。この距離を短くするために、保護膜１６をさらに薄くすることが求められている。
【０００６】
スパッタリング法で成膜したカーボン保護膜は、１０ｎｍ程度まで薄くなると耐久性・耐食性の低下を起こし、保護膜としての十分な機能を発揮することができなくなる。そこで、スパッタリング法の代わりに、緻密で、高硬度で、薄くしても高耐久性のある膜が得られるＰＣＶＤ法を用いて、カーボン保護膜を成膜することが開発されてきた（例えば、特開平１１−２２９１５０号や特開平１１−２４６９７２号）。
【０００７】
カーボン膜は、大きく分けると、アモルファス状のカーボン膜と、結晶化したカーボン膜とに分けることができる。そして、結晶化したカーボン膜は、通常はグラファイト構造であるが、ダイヤモンドに類似した構造のカーボンすなわちダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれるものも存在する。ＰＣＶＤ法で成膜したカーボン膜は、このＤＬＣの割合が高くなり、緻密で高硬度の膜となり、薄くしても耐久性が良好である。
【０００８】
次に、基板支持装置の構造について説明する。ハードディスクの両面に影を作らずに成膜するには、基板の最外周の３個所を爪で支持するタイプの基板支持装置が用いられる（例えば、特開平１１−１９３４６８号や特開平１１−２２９１５０号）。図３はハードディスクの両面に成膜するのに使われる従来の基板支持装置の概略正面図である。この基板支持装置２４の支持板２６の中央付近には概略円形の基板装着孔２８があいていて、この基板装着孔２８の内周から３個の支持爪３０が孔の中心に向かって突き出している。中央に孔１１のあいたハードディスク基板１０は、鉛直姿勢で、その最外周が３個の支持爪３０で支持されることになる。この基板１０の両面に成膜処理すると、基板１０だけではなくて、支持板２６の全面（すなわち両面と、外周縁３２と、基板装着孔２８の内周縁３４）にも膜が付着する。以下の説明では、支持板２６の基板装着孔２８の内周縁３４を、単に、支持板２６の内周縁３４と呼ぶこともある。
【０００９】
支持板２６の外周縁３２と内周縁３４には、回り込みによって膜が付着する。その回り込みの状況はスパッタリング法とＰＣＶＤ法とでは大きく異なる。スパッタリング法では、ターゲットから余弦則に従ってスパッタ粒子が放出されるので、ターゲットから影になる位置には膜が堆積しにくい。一方、ＰＣＶＤ法は、反応性ガスの放電を利用して堆積する成膜方法なので、スパッタリング法に比べて支持板の外周縁や内周縁に回り込んで堆積しやすい。
【００１０】
図４（ａ）は、図３の支持板２６を４ａ−４ａ線で切断した断面図である。支持板２６の厚さは６ｍｍである。外周縁３２と内周縁３４は、支持板２６の主面３６、３８に対して垂直になっている。ここで、主面とは、基板の成膜面に平行であって成膜面と同じ方向を向いている面をいうものとする。両面成膜用の支持板２６では二つの主面３６、３８がある。
【００１１】
図４（ｂ）は主面３６と外周縁３２との角部の近くに膜が付着する状況を模式的に示したものである。図面の上方からスパッタ粒子が飛来すると、支持板の主面３６には柱状で結晶粒界の緻密な膜３７が堆積する。一方、外周縁３２のうち、主面３６の近くには、スパッタ粒子のわずかな回り込みによって、表面の起伏が多くて多孔質の膜３３が堆積する。外周縁３２のうち、主面３６から離れた部分には、もはやスパッタ粒子は届かず、膜が付着しない。支持板が厚くなると、このように外周縁３２において膜が付着しない領域が生じる。内周縁３４についても同様に膜が付着しない領域が生じる。支持板２６の厚さをかなり薄くすれば、外周縁３２と内周縁３４において膜が付着しない領域は存在しなくなるが、支持板２６に支持爪をネジで固定するためにも、そして、支持板２６の剛性を保つためにも、６ｍｍ程度の厚さが必要となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図４（ｃ）は基板の両面に金属膜とカーボン膜を順番に成膜したときの支持板の外周縁３２への膜付着状況を示している。金属膜１５（金属下地膜と磁性記録膜からなる）はスパッタリング法で成膜しているが、この金属膜１５は外周縁３２への回り込みが少なく、金属膜１５の堆積しない領域が生じている。カーボン膜１６はＰＣＶＤ法で成膜しており、外周縁３２にも十分に回り込んで堆積している。その結果、支持板２６の外周縁３２の中央付近ではカーボン膜１６が支持板２６上に直接堆積することになる。このようにカーボン膜１６が支持板２６上に直接堆積すると、以下に述べるような問題が生じる。
【００１３】
まず、膜の内部応力について説明する。膜の種類や膜厚によって異なるが、スパッタ膜の内部応力は、１平方センチメートル当たり１０の９乗ダインのオーダーの圧縮応力となる。例えば、５ｍｍ×５０ｍｍ×７０μｍのサイズのコーニング０２１１ガラス基板上に、スパッタリング法で３００ｎｍの厚さのカーボン膜を堆積すると、その膜の内部応力は、１平方センチメートル当たり６×１０の９乗ダインの圧縮応力になる。これに対して、同じ基板上にＰＣＶＤ法で同じ厚さのカーボン膜を堆積すると、その内部応力は、スパッタリング法の場合よりも大きくなって、１平方センチメートル当たり１×１０の１０乗ダインの圧縮応力となる。さらに、ＰＣＶＤ法では堆積速度を向上させるために基板（及びこれを支持する基板支持装置）に負バイアスを印加するのが不可欠であるが、この負バイアスを印加すると、ＰＣＶＤ法による堆積膜の内部応力（圧縮応力）はもっと増加する。
【００１４】
このようにＰＣＶＤ法によるカーボン膜は内部応力が大きくなるが、金属膜上に堆積すれば、その内部応力が金属膜で緩和される。一方、支持板上に直接堆積したカーボン膜は、その内部応力が緩和されにくく、その厚さが増えるにつれて内部応力が増加していく。そして、カーボン膜と支持板との間の付着力よりも内部応力に起因する剥離力が上回るようになると、支持板に直接堆積したカーボン膜は支持板から剥離することになる。支持板の材質はステンレス鋼またはアルミニウムであるが、このような支持板に対してＰＣＶＤ法でカーボン膜が堆積すると、その付着力は、金属膜上への付着力よりも弱くなり、カーボン膜の厚さが約５０ｎｍになると支持板から剥離する。
【００１５】
基板支持装置は、基板と共にハードディスク成膜装置の各成膜室を通過していくので、支持板には金属膜やカーボン膜が堆積していく。そして、ひとつの成膜サイクルが終了すると、基板支持装置は新しい基板を搭載して、また、成膜サイクルを繰り返すことになる。そうすると、基板支持装置の支持板の外周縁や内周縁のうちの金属膜が堆積しない領域では、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜だけが支持板上に堆積していくことになり、これが比較的早期に剥離する。カーボン膜が剥離するとこれがパーティクルとなって成膜に悪影響があるので、カーボン膜が剥離する前に基板支持装置をクリーニングする必要がある。したがって、金属膜が堆積しない領域にＰＣＶＤ法によるカーボン膜だけが堆積するような状況があると、基板支持装置のメンテナンスサイクルが著しく短くなり、生産効率が低下する。
【００１６】
なお、支持板の表面を粗面化したり（例えば、アルミナビーズ等によるブラスト処理をする）、支持板上にアルミニウム溶射被膜を形成したりすることで、支持板に対する膜の付着力を高めることができる。この方法は、金属膜を支持板に堆積する場合には大変有効であるが、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜を支持板に堆積する場合には、カーボン膜の内部応力が非常に大きいために、上述のような処理をしても、せいぜい基板支持装置のクリーニング寿命を２倍に高める程度の効果しか期待できない。
【００１７】
この発明は上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、スパッタリング法による金属膜の上にＰＣＶＤ法でカーボン膜を堆積する場合に、基板を支持する支持板の外周部と内周部の形状を工夫することによって、支持板の外周部と内周部にカーボン膜が直接堆積するのを防いで、カーボン膜が短期間に剥離するのを防ぐことにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この発明の成膜用の基板支持装置は、基板装着孔を有する平板状の支持板を備えるものに適用される。そして、この発明は、この支持板の外周部と内周部の断面形状に特徴がある。支持板は、基板の成膜面に平行であって成膜面と同じ方向を向いている少なくともひとつの主面を備えている。支持板の外周部と内周部は、この主面に垂直な先端縁と、主面と先端縁とをつなぐ傾斜面とからなっている。前記先端縁の厚さ（支持板の厚さ方向における厚さ）は、両面成膜用の支持板の場合は２ｍｍ以下であり、片面成膜用の支持板の場合は１ｍｍ以下である。より好ましくは、先端縁の厚さは、両面成膜用の支持板の場合は１ｍｍ以下に、片面成膜用の支持板の場合は０．５ｍｍ以下にする。
【００１９】
基板上にスパッタリング法で金属膜を成膜し、その上にプラズマＣＶＤ法でカーボン膜を成膜する場合に、基板を支持する支持板において、その主面に垂直な先端縁の厚さを小さくすることで、この先端縁のすべての領域にスパッタリング法による金属膜が堆積することになる。したがって、プラズマＣＶＤ法によるカーボン膜はすべて金属膜の上に堆積することになり、支持板上に直接堆積することがない。ゆえに、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜が支持板に直接堆積する場合に比べて、支持板に堆積した膜が剥離するまでの期間が長くなり、基板支持装置のメンテナンス寿命が延びる。
【００２０】
上述の傾斜面の傾斜角（主面となす角度）は６０°以下にするのが好ましい。そうると、この傾斜面に確実にスパッタリング法で金属膜が堆積する。傾斜角を６０°よりも大きくすると、この傾斜面が「主面に垂直な状態」に近づいていき、スパッタリング法で金属膜が傾斜面に堆積しにくくなるし、先端縁へのスパッタ粒子の回り込みも少なくなる。
【００２１】
また、支持板の外周部と内周部の断面形状は滑らかな凸状の曲線にすることもできる。このようにすると、外周部と内周部において、主面に垂直な部分がなくなり、外周部と内周部のすべての領域でスパッタリング法で金属膜が堆積することになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施形態を説明する。図５は、この発明の基板支持装置のひとつの実施形態を示す正面図である。この基板支持装置４０は、厚さが６ｍｍの支持板４２を備えている。支持板４２の中央付近には概略円形の基板装着孔４４があいていて、この基板装着孔４４の内周から、２個の上部支持爪４６、４７と１個の下部支持爪４８が孔の中心に向かって突き出している。中央に孔１１のあいたハードディスク基板１０は、鉛直姿勢で、その最外周が３個の支持爪４６、４７、４８で支持されることになる。この基板支持装置４０を用いてハードディスク基板１０に成膜するには、特開平１１−２２９１５０号公報に記載されているような成膜装置を利用することができる。すなわち、基板１０を支持した基板支持装置４０を、金属下地膜をスパッタリング法で成膜するチャンバーや、磁性膜をスパッタリング法で成膜するチャンバーや、カーボン保護膜をＰＣＶＤ法で成膜するチャンバーに次々と通過させていって、所望の成膜作業を実行する。
【００２３】
図６は上部支持爪４６とその固定構造を示す斜視図である。弾性を有する上部支持爪４６の自由端には、基板を支持するための切欠き４９が形成されている。上部支持爪４６の基端は板ナット５０と２本のネジ５２によって支持板に固定される。上部支持爪４６と板ナット５０の幅Ｆは、支持板の厚さと同程度である。そして、上部支持爪４６を支持板にネジ５２で固定するためには、これらの幅Ｆとして６ｍｍ程度が必要であり、支持板の厚さも６ｍｍ程度が必要になる。
【００２４】
図１（ａ）は図５の支持板４２の１ａ−１ａ線で切断した断面図である。図１（ａ）の右端が支持板４２の外周部５４であり、左端が基板装着孔の内周部５６である。この断面形状においては外周部５４と内周部５６は対称形状であるから、外周部５４だけを詳しく説明する。支持板４２において、支持する基板１０の成膜面に平行であってその成膜面と同じ方向を向いている面が存在するが、これを主面と呼ぶことにする。両面成膜用の支持板４２は二つの主面５８、５９がある。支持板４２の厚さｔは６ｍｍである。外周部５４の先端縁５５は主面５８、５９に垂直であり、この先端縁５５の厚さＷは２ｍｍ以下にするのが好ましい。すなわち、片方の主面側からの回り込み距離は１ｍｍ以下にするのが好ましい。この実施形態ではＷ＝１ｍｍである。すなわち、片方の主面側からの回り込み距離は０．５ｍｍである。このように、先端縁５５の厚さＷは支持板４２の厚さよりもかなり薄くなっている。そして、主面５８、５９と先端縁５５は１対の傾斜面６０、６１でつながっている。この傾斜面６０、６１は主面５８、５９に対して角度θだけ傾斜している。傾斜角度θは６０°以下にするのが好ましい。この実施形態ではθ＝３０°である。
【００２５】
傾斜角度θは小さくする分にはどこまで小さくしても堆積膜の剥離上の問題は起こらない。しかし、支持板の厚さｔと先端縁５５の幅Ｗとを一定の値にして、傾斜角度θを小さくしていくと、傾斜面６０、６１の主面に平行な方向の距離Ｌはどんどん大きくなっていく。現実には、支持板の大きさは無限に大きくできないので、傾斜角θはそれほど小さくない適当な角度に設定することになる。この実施形態ではθ＝３０°に設定している。そして、ｔ＝６ｍｍ、Ｗ＝１ｍｍ、θ＝３０°なので、距離Ｌは４．３３ｍｍになる。
【００２６】
図１（ｂ）は、支持板４２で支持した基板にスパッタリング法で金属膜１５を、その上にＰＣＶＤ法でカーボン膜１６を成膜したときの、支持板４２の外周部付近の断面図である。金属膜１５は、支持板４２の主面５８、５９と傾斜面６０、６１と先端縁５５とをすべて覆っている。先端縁５５の幅Ｗは１ｍｍと小さいので、この先端縁５５にも、二つの傾斜面６０、６１の側からスパッタ粒子が回り込んで金属膜１５が付着することになり、支持板４２は露出していない。したがって、外周部５４のすべての領域で、カーボン膜１６は金属膜１５の上に堆積することになる。カーボン膜１６は支持板４２に直接堆積することがない。ゆえに、この支持板４２を使ってスパッタリング法で金属膜を、そしてＰＣＶＤ法でカーボン膜を成膜して、その成膜サイクルを繰り返しても、カーボン膜は常に金属膜の上に堆積することになる。これにより、カーボン膜の内部応力は緩和され、堆積膜が剥離するまでの寿命が従来の支持板よりも格段に延びることになる。したがって、堆積膜が剥離するまでの金属膜とカーボン膜の積層回数を大幅に増加させることができる。発明者の実験によれば、ハードディスク成膜装置のメンテナンス日数である１０日間（積層回数にして約５万回）が経過するまで、支持板からカーボン膜が剥離することがなく、基板支持装置のメンテナンス時期をハードディスク成膜装置のメンテナンス時期と同じ程度まで延長することができた。
【００２７】
図７は両面成膜用の支持板のいくつかの変更例の断面図である。これらの断面図は図１（ａ）に示す断面図に相当するものである。図７（ａ）は図１（ａ）における角部を曲線で滑らかにつないだものである。すなわち、図１（ａ）において、主面５８と傾斜面６０が接する角部と、主面５９と傾斜面６１が接する角部のそれぞれを滑らかな曲線７４、７６でつなぎ、さらに二つの傾斜面６０、６１を円弧７８で滑らかにつなぐと、図７（ａ）のようになる。
【００２８】
図７（ｂ）は図１（ａ）の先端縁５５の幅を極限まで小さくしたものすなわちゼロにしたものである。この場合、二つの傾斜面６０、６１が鋭角状に接することになる。このようにしても、外周部と内周部のすべての領域にスパッタリング法による金属膜が付着するので、支持板に直接カーボン膜が付着することはない。その意味で、本件発明の効果は得られる。ただし、図１（ａ）と比べると、堆積膜が鋭角の先端部６２のところから剥離しやすくなる。
【００２９】
図７（ｃ）は外周部と内周部の断面形状を半円６４にしたものである。また、図７（ｄ）は外周部と内周部の断面形状を楕円弧６６にしたものである。このように、外周部と内周部の断面形状を滑らかな凸状の曲線にしても、外周部と内周部のすべての領域にスパッタリング法による金属膜が付着する。どちらの断面形状でも主面５８、５９に垂直な領域は存在しない。なお、図７（ｄ）の断面形状の方が図７（ｃ）よりも、「主面に垂直」に近い領域Ｅが狭くなるので、より好ましい。
【００３０】
図８（ａ）は片面成膜用の支持板８０についての図１（ａ）と同様の断面図である。片面成膜用の支持板８０では、基板の成膜面に平行であってこの成膜面と同じ方向を向いている主面６８はひとつだけである。主面６８に垂直な先端縁７０の厚さＷは支持板８０の厚さよりも小さくなっており、主面６８と先端縁７０は傾斜面６９でつながっている。外周部と内周部において、主面６８に垂直な先端縁７０の厚さＷは１ｍｍ以下にするのが好ましい。この実施形態ではＷ＝０．５ｍｍである。片面成膜用の支持板８０では、先端縁７０に回り込んでくるスパッタ粒子はひとつの主面６８の側からだけであるから、先端縁の厚さＷの最大許容値は、両面成膜用の支持板の場合の半分になる。
【００３１】
図８（ｂ）は片面成膜用の支持板８０において、外周部と内周部における主面６８側の断面形状を滑らかな凸状の曲線８２にした例である。
【００３２】
図８（ａ）のような断面形状にした場合、その外周部と内周部では、傾斜面６９と先端縁７０において、スパッタリング法による金属膜が堆積し、その上にＰＣＶＤ法によるカーボン膜が堆積する。図８（ｂ）でも、曲線８２において、スパッタリング法による金属膜が堆積し、その上にＰＣＶＤ法によるカーボン膜が堆積する。一方、図８（ａ）（ｂ）において、裏面７２、７３には、スパッタリング法による金属膜は堆積しないが、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜は回り込みによってわずかに堆積することが有り得る。この場合、カーボン膜は支持板８０に直接堆積することになるが、その堆積速度は非常に小さいものであるから、成膜装置のメンテナンス時期が到来するまでに剥離することはなく、問題にしなくてもよい。
【００３３】
図９（ａ）は図１（ａ）の断面形状を有する支持板４２について、その内周部５６と基板１０との位置関係を示す平面図である。支持板４２については断面を示している。支持板４２の厚さ方向の中央位置に基板１０が位置している。これにより、支持板４２の内周部５６に近い傾斜面６０、６１と基板１０の表面との間では大きな段差ができないようになっている。大きな段差があると、基板１０及び支持板４２に大きなバイアス電圧を印加して成膜した場合に、基板１０の外周部付近において記録出力波形の変調が発生するという問題が発生する。
【００３４】
図９（ｂ）は図８（ａ）の断面形状を有する支持板８０について、その内周部５６と基板１０との位置関係を示す平面図である。支持板８０の厚さ方向において、基板１０は支持板８０の厚さの中央付近に配置されている。
【００３５】
【発明の効果】
この発明の基板支持装置は、支持板の外周部と内周部の断面形状を工夫したことにより、基板上にスパッタリング法で金属膜を成膜し、その上にＰＣＶＤ法でカーボン膜を成膜する場合に、基板を支持する支持板の外周部と内周部のすべての領域にスパッタリング法による金属膜が堆積することになる。これにより、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜は、すべて金属膜の上に堆積し、支持板上に直接堆積することがない。したがって、ＰＣＶＤ法によるカーボン膜が支持板に直接堆積する場合に比べて、支持板に堆積した膜が剥離するまでの期間が長くなり、基板支持装置のメンテナンス寿命が延びる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は図５の１ａ−１ａ線断面図、（ｂ）は外周部へのスパッタリング膜及びＰＣＶＤ膜の付着状況を示す断面図である。
【図２】ハードディスク基板の成膜構造を模式的に示す断面図である。
【図３】従来の基板支持装置の概略正面図である。
【図４】（ａ）は図３の４ａ−４ａ線断面図、（ｂ）は主面と外周部の角部近傍へのスパッタリング膜の付着状況を示す断面図、（ｃ）は外周部へのスパッタリング膜及びＰＣＶＤ膜の付着状況を示す断面図である。
【図５】この発明のひとつの実施形態の正面図である。
【図６】上部支持爪とその固定構造を示す斜視図である。
【図７】両面成膜用の支持板のいくつかの変更例の断面図である。
【図８】両面成膜用の支持板のいくつかの変更例の断面図である。
【図９】支持板の内周部と基板との位置関係のいくつかを示す平面図である。
【符号の説明】
４０  基板支持装置
４２  支持板
４４  基板装着孔
５４  外周部
５５  先端縁
５６  内周部
５８、５９  主面
６０、６１  傾斜面
【図１】
0004312916.tif 000002
【図２】
0004312916.tif 000003
【図３】
0004312916.tif 000004
【図４】
0004312916.tif 000005
【図５】
0004312916.tif 000006
【図６】
0004312916.tif 000007
【図７】
0004312916.tif 000008
【図８】
0004312916.tif 000009
【図９】
0004312916.tif 000010