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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光によって赤外線、可視または紫外線光線を放射するのに適した複数の凝集体であって、少なくとも1つが少なくとも1つの発光団を含んでいる凝集体を備えており、さらに表面プラズモン効果材料からなる少なくとも1つの粒子を含んでおり、前記発光団および前記粒子は相互作用を始めるのに適切である光学符号化装置であって、前記光学符号化装置は前記少なくとも１つの凝集体を含むビーズ形態を有し、かつ前記少なくとも１つの凝集体をカプセル化するエンベロープであって、赤外線、可視または紫外線光線に対して透過性がある材料からなるエンベロープを含んでいることを特徴とする光学符号化装置。
【請求項２】
前記発光団および前記表面プラズモン効果粒子の間の距離は30nmより短いことを特徴とする、請求項1に記載の光学符号化装置。
【請求項３】
前記発光団および前記表面プラズモン効果粒子は接触していることを特徴とする、請求項1から2の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項４】
分離層は前記発光団および/または前記表面プラズモン効果粒子を覆い、前記分離層は、赤外線、可視または紫外線光線に対して透過性がある材料からなることを特徴とする、請求項1から3の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項５】
前記凝集体は、200nmより小さい寸法を有することを特徴とする、請求項1から4の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項６】
前記粒子は、前記発光団の放射スペクトルを全体的にまたは部分的に含むエネルギーを有するスペクトルにより励起される場合に、表面プラズモン効果を示すのに適切であることを特徴とする、請求項1から5の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項７】
前記粒子は、金、銀、銅、アルミニウムおよびナトリウムからなる群から選択した、高密度および高電子移動性を有する導電金属を含んでいることを特徴とする、請求項6に記載の光学符号化装置。
【請求項８】
前記表面プラズモン効果粒子は、前記発光団の前記発光スペクトルに適切な表面プラズモン効果を示すのに適切な光学共振装置を形成するために、金、銀および銅からなる群から選択した、高密度および高電子移動性を有する導電金属フィルムに含まれる誘電または半導体材料でできているナノ粒子を含んでいることを特徴とする、請求項1から6の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項９】
前記ナノ粒子は、ポリマー、またはポリシロキサン(SiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)またはアルミナ(Al2O3)などの無機酸化物を含んでいることを特徴とする、請求項8に記載の光学符号化装置。
【請求項１０】
前記発光団は、
ローダミン-B-イソチオシアネート(RBITC)、フルオレセインイソチオシアネート(FITC)、フルオレセイン、ローダミン、エオシン、ピラミン、アミノGからなる群から選択した有機発光団、
ZnO、ZnS、CdSe、InGaP、InP、Si、Ge、GaAs、GaP、GaAsPのナノ結晶、
Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、BaMgAl16O17:Eu、GdBO3:Eu、YGdBO3:Eu、YPVO4:Eu、Gd2O3:Tb、Gd2O2S:Tb、Y3Al5O12:Tb、Y2SiO5:Ce、LaPO4:Tb、Ceなどの希土イオンでドーピングした酸化物、硫化物、リン酸塩またはバナジウム塩基質、および
ZnS:Mn、ZnS:Au、ZnS:Al、ZnS:Ag、ZnO:Ag、ZnO:Cu、ZnO:Mn、Zn2SiO4:Mn、Al2O3:Cr、Al2O3:Tiなどの遷移金属でドーピングした半導体または酸化物基質
から選択されることを特徴とする、請求項1から9の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項１１】
前記分離層は、ポリマー、またはポリシロキサン(SiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)またはアルミナ(Al2O3)などの無機酸化物からなることを特徴とする、請求項4から10の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項１２】
前記エンベロープは、ポリシロキサン(SiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)またはアルミナ(Al2O3)などの無機酸化物からなることを特徴とする、請求項1から11の一項に記載の光学符号化装置。
【請求項１３】
織物、紙、ガラスまたはプラスチックなどの物体をマーキングする方法であって、前記物体に請求項1から12の一項に記載の光学符号化装置を結合させるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
赤外線、可視または紫外線光線を放射する光源を使用して前記物体を照射するステップと、
スペクトル検出器を使用して前記物体によって再び放射される光線を感知するステップと、
前記物体によって放射された発光スペクトルを基準スペクトルと比較するステップと、
前記物体の認証または非認証を示すステップとを含むことを特徴とする、請求項1から12の一項に記載の光学符号化装置を一体化する、織物、紙、ガラスまたはプラスチックなどの前記物体を認証する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
そうする際に、発光団および粒子は、このエンベロープ内に「埋め込まれ」、「被覆され」凝集体はビーズの形を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
ここに示す3つの発光スペクトルは、380nmの波長で放射する光源によって照射される3つの異なるサンプルによって放射される反応に対応する。これらの3つのサンプルのうち、その1つは、有機発光団、この場合、エンベロープの役割を果たすポリシロキサン(SiO2)のビーズに封入されたローダミン-B-イソチオシアネート(RBITC)を含む基準サンプルである。380nmの波長を有する光線によって照射される場合、この基準サンプルは発光によって、破線で示し、589nmの波長に対する光強度ピークを示す発光スペクトルを再び放射する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨｆまたはＺｒを含む絶縁膜とＴｉ、ＴａまたはＲｕを含み前記絶縁膜上に形成された導体膜と前記導体膜上に形成されたレジストとが積層された半導体基板をプラズマを用いて加工する半導体加工方法において、
前記レジストを用いてプラズマにより前記導体膜を６５ｎｍ以下の寸法に加工し、
前記導体膜の加工後、水素を含み酸素を含まないガスを用いたプラズマにより前記レジストを除去することを特徴とする半導体加工方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体加工方法において、
前記水素を含み酸素を含まないガスは、Ｈ２ガス、Ｈ２ガスと希ガスの混合ガス、ＮＨ３ガス、Ｈ２ガスとＮ２ガスの混合ガス、の何れかであることを特徴とする半導体加工方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体加工方法において、
前記水素を含み酸素を含まないガスは、Ｈ２ガス、Ｈ２ガスと希ガスの混合ガス、ＮＨ３ガス、Ｈ２ガスとＮ２ガスの混合ガス、の何れかのガスに、ＣＦ４ガス、ＣＨＦ３ガス、ＳＦ６ガスまたはＮＦ３ガスを混合したガスであることを特徴とする半導体加工方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体加工方法において、
前記導体膜は仕事関数制御金属からなり、前記導体膜上にはＷからなる電極層を備えることを特徴とする搬送体加工方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体加工方法において、
前記水素を含み酸素を含まないガスを用いたプラズマにより、さらに前記加工された導体膜の側壁の堆積物を除去することを特徴とする半導体加工方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体加工方法において、
前記水素を含み酸素を含まないガスを用いたプラズマの処理中、前記半導体基板にバイアス電力を供給することを特徴とする半導体加工方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体加工方法において、
前記バイアス電力は、１５Ｗ以上８０Ｗ以下であることを特徴とする半導体加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＨｆまたはＺｒを含む絶縁膜とＴｉ、ＴａまたはＲｕを含み前記絶縁膜上に形成された導体膜と前記導体膜上に形成されたレジストとが積層された半導体基板をプラズマを用いて加工する半導体加工方法において、前記レジストを用いてプラズマにより前記導体膜を６５ｎｍ以下の寸法に加工し、前記導体膜の加工後、水素を含み酸素を含まないガスを用いたプラズマにより前記レジストを除去する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムにガスを分配する装置であって、
入口ポートを夫々有する複数のガス入力ラインと、
出口ポートを夫々有する複数のガス出力ラインにおいて、前記複数の出口ポートの少なくとも第１の出口ポートが設備排気部に結合されていて、前記複数の出口ポートの少なくとも第２の出口ポートが処理チャンバに結合されている複数のガス出力ラインと、
各対のガス入力とガス出力ラインを夫々結合する複数の接続ラインにおいて、各ガス入力ラインは前記複数の接続ラインの夫々によって各ガス出力ラインに結合される複数の接続ラインと、
各接続ラインを流れるフローを制御するよう夫々配置された複数の接続バルブと、
各入口ポートへのフローを制御するよう夫々配置された複数のマスガスフローコントローラと、
前記出口ポートの１つに結合され、前記処理チャンバの入口に実質的に等しい制限を行うフロー制限部とを含む装置。
【請求項２】
前記出口ポートの少なくとも１つを出るガスのフロー、圧力又は化学物質のうち少なくとも１つの測定を行うために配置された少なくとも１つのセンサを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記センサにより前記コントローラに提供された測定に応答して、前記ガス入口ラインの少なくとも１つを流れるガスの特徴を調整するよう構成されたコントローラを含む請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記複数のガス出力ラインの少なくとも第２のガス出力ラインを、処理チャンバをバイパスする設備排気部に結合するパージラインを含み、
前記処理チャンバは前記複数のガス出力ラインの少なくとも第１のガス出力ラインに結合されている請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記複数の出口ポートの第２の出口ポートに結合された最終のバルブと、
前記第２の出口ポートと前記パージラインの間に結合されたバイパスバルブとを含む請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記パージラインを通るフローを制御するよう配置されたスロットルバルブを含む請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記設備排気部に接続された前記出口ポートの少なくとも１つが前記処理チャンバにも接続されている請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記出口ポートの第１の出口ポートに結合された少なくとも２つの調節可能なバルブであって、前記第１の出口ポートからのフローを分割するように構成された調節可能なバルブを含む請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記接続バルブの少なくとも１つが、２つ以上の前記出口ポート間で、前記入口ポートの１つからのフローを分割するように構成された少なくとも２つの調節可能なバルブを含む請求項１記載の装置。
【請求項１０】
臨界（超音速）フローを、前記接続バルブを通して、維持しながら、前記調節可能なバルブを通るフローを測定することにより、前記調節可能なバルブの有効開口面積を較正するために構成された較正回路を含む請求項９記載の装置。
【請求項１１】
接続バルブ又は接続ライン内に含まれる２つ以上のオリフィスであって、前記オリフィスを通る固定フローを維持するようなサイズの前記オリフィスを含み、１つ以上の入口ポートから２つ以上のオリフィスへ供給されたフローが前記２つ以上のオリフィス間で分割され、各オリフィスを通る前記フローが前記オリフィスの面積に比例する請求項１記載の装置。
【請求項１２】
各オリフィスが前記接続バルブの夫々に流体結合され、１つ以上の入口ポートからのフローが前記オリフィス間で分割され、各オリフィスを通る前記フローが前記オリフィスの前記面積に比例し、各オリフィスに結合された前記接続バルブが開いている時間の量に比例する請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記入口ポートのうち１つが３つ以上のオリフィスに結合し、各オリフィスが各接続バルブに流体結合し、前記オリフィスのうち少なくとも２つが前記出口ポートのうち少なくとも１つに結合し、前記出口ポート間で分割されたフローが前記流体結合した接続バルブによりフローが可能とされる各出口ポートに流体結合された全オリフィスの開口面積の合計に比例する請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
臨界（超音速）フローを、前記接続バルブを通して、維持しながら、前記オリフィスを通るフローを測定することにより、前記オリフィスの面積を較正するために構成された較正回路を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
半導体処理システムにガスを分配する装置であって、
入口ポートを夫々有する複数のガス入力ラインと、
出口ポートを夫々有する複数のガス出力ラインにおいて、前記複数の出口ポートの少なくとも第１の出口ポートが処理チャンバに結合されていて、前記処理チャンバのフロー抵抗に実質的に等しいフロー抵抗を有する複数のガス出力ラインと、
各対のガス入力とガス出力ラインを夫々結合する複数の接続ラインと、
各接続ラインを流れるフローを制御するよう夫々配置された複数の接続バルブと、
各入口ポートへのフローを制御するよう夫々配置された複数のマスガスフローコントローラとを含む装置。
【請求項１６】
前記出口ポートのうち少なくとも１つに結合される較正回路を含む請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記出口ポートのうち少なくとも１つが設備排気部に結合されている請求項１５記載の装置。
【請求項１８】
前記出口ポートのすべてが、バルブを介して設備排気部に選択的に結合されている請求項１５記載の装置。
【請求項１９】
前記出口ポートのすべてが、バルブを介して較正回路に選択的に結合されている請求項１５記載の装置。
【請求項２０】
半導体処理システムにガスを分配する装置であって、
入力及び出力チャネルのグリッドが内部に形成された本体において、前記出力チャネルの少なくとも２つが処理チャンバに別々に結合され、各入力チャネルが各出力チャネルに結合されている本体と、
各接続バルブが各対の入力及び出力チャネルに夫々結合されている複数の接続バルブと、
前記処理チャンバをバイパスする前記出力チャネルの少なくとも１つに結合されている設備排気部と、
各入口ポートへのフローを制御するよう夫々配置された複数のマスガスフローコントローラと、
前記出口ポートの１つに結合され、前記処理チャンバの入口に実質的に等しい制限を行うフロー制限部とを含む装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008211218.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008211218.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
１つ以上の電気機械装置と、
１つ以上のテスト電圧または電流を印加するように構成された駆動回路と、
前記１つ以上の電気機械装置のうちの少なくとも１つの状態を感知し、少なくとも一部分前記１つ以上の電気機械装置のうちの前記少なくとも１つの前記感知された状態に基づいてアクチュエーション電圧およびリリース電圧の一方または両方を決定するように構成された感知回路と
を備え、
前記感知回路は更に、前記１つ以上の電気機械装置のうちの前記少なくとも１つの感知された電圧を閾値電圧と比較するように構成されるシステム。
【請求項２】
前記１つ以上の電気機械装置は、１つ以上のディスプレイ素子を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記１つ以上の電気機械装置は、前記駆動回路からの信号に応じて画像を表示するために、アレイ内に配列される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記感知回路は、抵抗素子および容量性素子を並列に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記感知回路は、１つ以上の受動フィードバック成分を有する積分器を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
更に、タイミング制御回路を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記タイミング制御回路および前記感知回路は、集積回路に組み込まれる、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記タイミング制御回路は、前記１つ以上の電気機械装置の起動を制御する、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記１つ以上の電気機械装置は、１つ以上の干渉変調器を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記１つ以上の電気機械装置は、反射面を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記１つ以上の電気機械装置は、反射位置および非反射位置に位置することができる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記１つ以上の電気機械装置は可動である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
アクチュエーション電圧およびリリース電圧の一方または両方を決定する方法であって、
少なくとも１つの電気機械装置に１つ以上のテスト電圧または電流を印加することと、
前記少なくとも１つの電気機械装置の感知された電圧を閾値電圧と比較することと、
前記比較に基づいて前記少なくとも１つの電気機械装置の状態を決定することと、
少なくとも一部分前記少なくとも１つの電気機械装置の決定された状態に基づいてアクチュエーション電圧およびリリース電圧の一方または両方を決定することと
を備える方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの電気機械装置は、１つ以上のディスプレイ素子を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
更に、前記電気機械装置の起動を制御することを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
駆動電圧を変更する方法であって、
第１の既定の時間量の間、電気機械装置を充電するために、第１のテスト電圧または電流を印加することと、
前記電気機械装置の第１の感知された電圧を閾値電圧と比較することと、
前記第１の感知された電圧の前記比較に基づいて第１のアクチュエーション電圧およびリリース電圧を決定することと、
第２の既定の時間量の間、前記電気機械装置を充電するために第２のテスト電圧または電流を印加することと、
前記電気機械装置の第２の感知された電圧を前記閾値電圧と比較することと、
前記第２の感知された電圧の前記比較に基づいて第２のアクチュエーション電圧およびリリース電圧を決定することと、
前記電気機械装置がアクチュエートまたはリリースされる電圧を制御するために、前記決定された第１および第２のアクチュエーション電圧およびリリース電圧に基づいて前記駆動電圧を変更することと
を備える方法。
【請求項１７】
前記第１の既定の時間量は、実質的に、前記第２の既定の時間量と同じである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の既定の時間量は、前記第２の既定の時間量とは異なる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
アクチュエーション電圧およびリリース電圧のうちの一方または両方を決定するシステムであって、
少なくとも１つの電気機械装置に１つ以上のテスト電圧または電流を印加する手段と、
前記少なくとも１つの電気機械装置の感知された電圧を、閾値電圧と比較する手段と、
前記比較に基づいて前記少なくとも１つの電気機械装置の状態を決定する手段と、
少なくとも一部分前記少なくとも１つの電気機械装置の決定された状態に基づいてアクチュエーション電圧およびリリース電圧の一方または両方を決定する手段と
を備えるシステム。
【請求項２０】
更に、前記電気機械装置の起動を制御する手段を備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
駆動電圧を較正するシステムであって、
第１の既定の時間量の間、電気機械装置を充電するために第１のテスト電圧または電流を印加する手段と、
前記電気機械装置の第１の感知された電圧を閾値電圧と比較する手段と、
前記第１の感知された電圧の前記比較に基づいて第１のアクチュエーション電圧およびリリース電圧を決定する手段と、
第２の既定の時間量の間、前記電気機械装置を充電するために第２のテスト電圧または電流を印加する手段と、
前記電気機械装置の第２の感知された電圧を前記閾値電圧と比較する手段と、
前記第２の感知された電圧の前記比較に基づいて第２のアクチュエーション電圧およびリリース電圧を決定する手段と、
前記電気機械装置がアクチュエートまたはリリースされる電圧を制御するために、前記決定された第１および第２のアクチュエーション電圧およびリリース電圧に基づいて前記駆動電圧を変更する手段と
を備えるシステム。
【請求項２２】
前記第１の既定の時間量は、前記第２の既定の時間量とは異なる、請求項２１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナと、
整流回路と、
抵抗と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１のダイオードと、を有し、
前記アンテナは第１の端子を有し、
前記整流回路は前記第１の端子と電気的に接続され、かつ出力端子を有し、
前記出力端子は前記抵抗の一端と電気的に接続され、
前記出力端子は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記抵抗の他端は前記ダイオードの陽極と電気的に接続され、
前記抵抗の他端は前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記ダイオードの陰極は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第１の端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記整流回路は、前記第１の端子と電気的に接続される入力端子と、第１の容量と、第２の容量と、第２のダイオードと、第３のダイオードとを有し、
前記第１の容量の一方の端子は前記入力端子と電気的に接続され、
前記第１の容量の他方の端子は、前記第２のダイオードの陰極及び前記第３のダイオードの陽極に電気的に接続され、
前記第３のダイオードの陰極は前記出力端子に電気的に接続され、
前記第２の容量の一方の端子は前記出力端子に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のダイオードは、複数のダイオードが直列接続されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＰＵと、
前記ＣＰＵとＣＰＵバスを介して接続されているＲＡＭと、
割込み処理の実行開始を要求するための割込み要求信号を前記ＣＰＵに出力する割込み要求信号出力手段と、
前記割込み要求信号出力手段が前記割込み要求信号を出力した後、ＣＰＵリセット処理の開始を要求するためのＣＰＵリセット信号を前記ＣＰＵに出力するＣＰＵリセット信号出力手段と
を備え、
前記ＣＰＵは、前記割込み要求信号を受信すると、当該ＣＰＵ上で実行されている応用プログラムの処理を中断するとともに、当該ＣＰＵのＣＰＵレジスタの情報を復帰情報として前記ＲＡＭに保存し、さらに、前記ＣＰＵリセット信号を受信すると、当該ＣＰＵは、リセットされるとともに、当該ＲＡＭに保存されている当該復帰情報を当該ＣＰＵレジスタにコピーすることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ＣＰＵリセット信号及び前記割込み要求信号を周期的に発生させるタイマカウンタ回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記タイマカウンタ回路は、付加タイマを備え、
前記ＣＰＵは前記ＣＰＵレジスタの情報が正常であるか判定し、前記ＣＰＵレジスタの情報が正常であると判定された場合のみ、前記付加タイマは、前記ＣＰＵリセット信号が前記ＣＰＵへ供給される間作動し、前記ＣＰＵリセット処理の実行を禁止することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
装置全体をリセットするためのシステムリセット信号源と、
論理和回路と
をさらに備え、
前記ＣＰＵ信号出力手段及び前記システムリセット信号源は、前記論理和回路の入力側に接続されており、前記ＣＰＵは、論理和回路の出力側に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
割込み処理の実行開始を要求するための割込み要求信号を、タイマカウンタ回路からＣＰＵに出力するステップと、
前記ＣＰＵによって、前記割込み要求信号を受信し、当該ＣＰＵ上で実行されている応用プログラムの処理を中断するステップと、
前記ＣＰＵによって、当該ＣＰＵのＣＰＵレジスタの情報を復帰情報としてＲＡＭに保存するステップと、
前記割込み要求信号が出力された後、ＣＰＵリセット処理の開始を要求するためのＣＰＵリセット信号を、前記タイマカウンタ回路から前記ＣＰＵに出力するステップと、
前記ＣＰＵにおいて、前記ＣＰＵリセット信号を受信し、当該ＣＰＵをリセットするステップと、
前記ＣＰＵによって、前記ＲＡＭに保存されている前記復帰情報を前記ＣＰＵレジスタにコピーするステップと、
を含む装置の動作方法。
【請求項６】
前記ＣＰＵリセット信号及び前記割込み要求信号を、前記タイマカウンタ回路によって周期的に発生させることを特徴とする請求項５に記載の装置の動作方法。
【請求項７】
前記ＣＰＵによって、前記ＣＰＵレジスタの情報が正常であるか判定し、前記ＣＰＵレジスタの情報が正常であると判定された場合のみ、前記ＣＰＵリセット信号が前記ＣＰＵへ供給される間、前記ＣＰＵをリセットするステップの実行を禁止するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の装置の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体、および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体の表面層が、下記式（１）で示される化合物を重合させて得られる重合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2013137491.tif 000001
（式（１）中、Ａｒ１〜Ａｒ３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｍ１〜Ｍ３は、それぞれ独立に、上記式（２Ｍ）、（３Ｍ）または（４Ｍ）で示される基を示し、Ｍ１〜Ｍ３のうち少なくとも１つは、上記式（３Ｍ）で示される基である。置換フェニレン基の置換基としては、炭素数１から４のアルキル基、炭素数１から４のアルコキシ基、またはハロゲン原子である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、支持体、および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体の表面層が、下記式（１）で示される化合物を重合させて得られる重合物を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体、および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体の表面層が、同一分子内に２つ以上のメタクリロイルオキシ基を有する電荷輸送性化合物を重合させて得られる重合物を含有し、
該表面層が、キノン誘導体を該重合物の全質量に対して５ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下の含有比率で含有し、該キノン誘導体は、下記式（１）で示される化合物および下記式（２）で示される化合物のいずれか一方または両方であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2013137492.tif 000001
（式（１）および（２）中、Ｒ７１〜Ｒ７４、Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７９、およびＲ８０は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアルコキシ基を示し、Ｒ７１とＲ７４の少なくとも１つ、Ｒ７２とＲ７３の少なくとも１つ、Ｒ７６とＲ８０の少なくとも１つ、およびＲ７７とＲ７９の少なくとも１つは、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、または水酸基である。Ｒ７５およびＲ７８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を示し、Ｒ７５とＲ７８のうち少なくとも１つは水素原子である。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基、該置換アルコキシ基の置換基は、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、水酸基、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ置換アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該電子写真感光体の表面層が、同一分子内に２つ以上のメタクリロイルオキシ基を有する電荷輸送性化合物を重合させて得られる重合物を含有し、
該表面層が、キノン誘導体を該重合物の全質量に対して５ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ以下の含有比率で含有し、該キノン誘導体は、下記式（１）で示される化合物および下記式（２）で示される化合物のいずれか一方または両方であることを特徴とする電子写真感光体に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルの組み合わせをメディア・サービスに割り当てる方法であって、
主及び副チャネルにより示される既存のチャネル識別子を有さないメディア・サービスを選択するステップと、
メディア・サービスの電子番組案内において、チャネルの組合せに該メディア・サービスを割り当てるために、該メディア・サービスに主チャネル番号及び副チャネル番号を割り当てるステップと、
前記主チャネル番号をウェブ・サイトに割り当てるステップと、
複数の前記副チャネル番号を該ウェブ・サイトのページに割り当てるステップとを有する方法。
【請求項２】
前記チャネルの組み合わせを入力し、前記メディア・サービスの再生を開始するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ユーザにより定められた時間間隔に応じて、前記ウェブ・サイトからの更新を制御するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
メディア・サービス装置であって、
主及び副チャネルにより示される既存のチャネル識別子を有さないメディア・サービスを選択するプロセッサを有し、
該プロセッサは、チャネルの組合せに該メディア・サービスを割り当てるために、該メディア・サービスに主チャネル番号及び副チャネル番号を割り当て、
前記メディア・サービスと、前記主及び副チャネル番号の組合せとの間の割り当てを格納するメモリを有し、
前記プロセッサは、ユーザ入力に応じて前記主及び副チャネル番号を受け取ったとき、前記メディア・サービスを再生し、
前記主チャネル番号はウェブ・サイトに適用され、前記副チャネル番号は該ウェブ・サイトのページに適用される、
メディア・サービス装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
たばこ加工産業の被覆紙テープ（２１、５０）の光学的検査方法であって、被覆紙テープの内側または外側が難燃材料を有するゾーン（５１、６１、６１’）（「ＬＩＰ」ゾーン）を備え、被覆紙テープ（２１、５０）の上のまたはその中のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の存在および／または別の特性が点検され、その際、
被覆紙テープ（２１、５０）の光学的検査が、被覆紙テープ（２１、５０）で被覆されたたばこ加工産業のたばこ連続体（２８）で、または被覆紙テープ（２１、５０）で被覆されたたばこ加工産業の棒状物品（３２、５６）で行われる方法において、
たばこ連続体（２８）または物品（３２、５６）が、点検のために、多通路の光学測定システム（３０）側を過ぎてまたは光学測定システム（３０）を通して搬送され、測定システム（３０）の各通路の信号が、それぞれ、たばこ連続体（２８）または物品（３２、５６）の表面のテープ状の領域または部分領域の光学的性質の推移に対応することを特徴とする方法。
【請求項２】
各通路に、被覆紙テープ（２１、５０）の表面の領域または部分領域の光学的性質に対応する測定値が生成され、たばこ連続体（２８）または物品（３２、５６）の搬送方向における表面の延長が、同一方向のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の延長よりも短いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
測定システム（３０）の通路の信号または測定値から、合計信号、合計測定値、平均信号（６２、６２’、６３、６３’、６４、６５）または平均測定値または継続する平均値が形成され、それらに基づきＬＩＰゾーンの検知および／または点検がなされることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
被覆されたたばこ連続体（２８）または被覆された物品（３２、５６）の上のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）が、変更されたグレー値または色値を有する領域（６０、６０’）として、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）のない被覆紙テープ（２１、５０）の領域に対し検知されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
別の特性として、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の形状、完全性、大きさおよび／または位置、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の間の間隔および／または色値またはグレー値の強度、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の被覆紙テープ（２１、５０）の不透明度および／または孔度が点検されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
点検すべき各特性について、測定値が、予設定可能な許容範囲内の予設定可能な基準値と一致するかどうかについて点検されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）が欠けているおよび／またはＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の測定値が、予設定可能な許容範囲を越えて予設定可能な基準値から外れる場合、たばこ連続体（２８）の部分または物品（３２、５６）がさらなる処理を受けないことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）で、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の被覆紙テープ（２１、５０）の別の特性として測定された孔度が、予設定可能な基準孔度の下方に位置する場合、被覆紙テープ（２１、５０）の孔度が事後の穿孔によって上昇されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
たばこ連続体（２８）または物品（３２、５６）を製造するために、最初に、被覆紙テープ（２１、５０）がたばこ加工産業の連続体形成機でボビン（２２）から展開され、被覆紙テープ（２１、５０）がＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）を備えることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
たばこ連続体（２８）または物品（３２、５６）を製造するために、最初に、被覆紙テープ（２１、５０）がたばこ加工産業の連続体形成機でボビン（２２）から展開され、ＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）が、ボビン（２２）から展開した後に被覆紙テープ（２１、５０）に適用されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
別の特性として、被覆紙テープ（２１、５０）の上のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の位置のずれが、連続する物品（３２、５６）で、または裁断された棒状物品（３２、５６）に対応するたばこ連続体（２８）の連続する部分で測定され、間隔の拡大または縮小によるずれが被覆紙テープ（２１、５０）の上のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の適用の際に補償されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
別の特性として、被覆紙テープ（２１、５０）の上のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の位置のずれが、連続する物品（３２、５６）で、または裁断された棒状物品（３２、５６）に対応するたばこ連続体（２８）の連続する部分で測定され、たばこ連続体（２８）の搬送速度の変化によるずれが、物品（３２、５６）の裁断の前に補償され、搬送速度が、物品の基準位置の前のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の先行の際に小さくされ、後行の際に大きくされることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２に従う方法における、被覆紙テープ（２１、５０）で被覆されたたばこ加工産業のたばこ連続体（２８）または被覆紙テープ（２１、５０）で被覆されたたばこ加工産業の棒状物品（３２、５６）の被覆紙テープ（２１、５０）の上のまたはその中のＬＩＰゾーン（５１、６１、６１’）の存在および／または別の特性を点検するためのたばこ加工産業の機械における光学センサの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接し、酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を形成した後に、３００℃以上の加熱処理を行い、
前記加熱処理は、前記無機絶縁膜の形成する時の基板温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接し、酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を形成した後に、３００℃以上の加熱処理を行い、
前記加熱処理は、前記無機絶縁膜を形成する時の基板温度よりも高く、
前記無機絶縁膜を形成する時の基板温度は、前記ゲート絶縁層を形成する時の基板温度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記無機絶縁膜に含まれる水素濃度は、５×１０２０／ｃｍ３以上であり、
前記無機絶縁膜に含まれる窒素濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記無機絶縁膜は、少なくともＮ２Ｏガスを用いて形成し、
前記ゲート絶縁層は、少なくともＮ２Ｏガスを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電薄膜であって、前記圧電薄膜の表面の二乗平均平方根粗さＲｑ（ｎｍ）が、０＜Ｒｑ≦２５ｙ＋２（０．１０≦ｙ≦０．３０）の関係を満たすことを特徴とする、圧電薄膜。
【化１】
2010239132.tif 000001
（式中、０．９５≦ｘ≦１．２５、０．１０≦ｙ≦０．３０を表す。）
【請求項２】
前記圧電薄膜が、（１００）面または（１１１）面に配向していることを特徴とする、請求項１に記載の圧電薄膜。
【請求項３】
圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを基板上に有する圧電素子であって、前記圧電薄膜が請求項１または２に記載の圧電薄膜であることを特徴とする、圧電素子。
【請求項４】
前記基板が（１００）面または（１１１）面に配向した単結晶基板であることを特徴とする、請求項３に記載の圧電素子。
【請求項５】
前記一対の電極の少なくとも一方がＭ１ＲｕＯ３（Ｍ１はＳｒ、Ｂａ、およびＣａからなる群から選ばれた少なくとも１種を表す。）よりなることを特徴とする、請求項３または４に記載の圧電素子。
【請求項６】
圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを基板上に有する圧電素子の製造方法であって、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電薄膜を得るために、少なくともＢｉとＦｅとを含む原料を４３０℃以下で、かつ過剰酸素雰囲気で焼成する工程を含むことを特徴とする、圧電素子の製造方法。
【化２】
2010239132.tif 000002
（式中、０．９５≦ｘ≦１．２５、０≦ｙ≦０．３０を表す。）
【請求項７】
前記過剰酸素雰囲気は、酸素濃度が２１体積％以上の雰囲気であることを特徴とする、請求項６記載の圧電素子の製造方法。
【請求項８】
前記圧電素子の製造方法が化学溶液堆積法によることを特徴とする、請求項６または７に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項９】
前記過剰酸素雰囲気がオゾン成分を含有していることを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１０】
前記化学溶液堆積法が多層コーティングにより行なわれ、１層あたりのコーティングの厚さが８ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項８または９に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、（１００）面または（１１１）面に配向した単結晶基板であることを特徴とする、請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１２】
前記化学溶液堆積法に用いられる前駆体溶液が、少なくとも２−エチルヘキサン酸ビスマス、トリスアセチルアセトナト鉄、およびトリスアセチルアセトナトコバルトを含有することを特徴とする、請求項８に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１３】
前記前駆体溶液におけるＦｅとＣｏの合計の含有量と、Ｂｉの含有量の差異が１モル％以下であることを特徴とする、請求項１２に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１４】
前記電極がＭ１ＲｕＯ３（Ｍ１はＳｒ、Ｂａ、およびＣａからなる群から選ばれた少なくとも１種を表す。）であることを特徴とする、請求項６乃至１３のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する半導体層と、
前記半導体層の一部に接する一対の不純物半導体層と、
を有し、
前記半導体層における窒素濃度は、前記ゲート絶縁層側から前記不純物半導体層側へ向けて増加し、極大値を有した後に、減少することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する半導体層と、
前記半導体層の一部に接する一対の不純物半導体層と、
を有し、
前記半導体層における窒素濃度は、前記ゲート絶縁層側から前記不純物半導体層側へ向けて増加し、極大値を有した後に、略一定の値を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層に接する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層に接する第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に設けられた一対の不純物半導体層と、
を有し、
前記第１の半導体層は、微結晶半導体を有し、
前記第２の半導体層は、微結晶半導体及び非晶質半導体を有し、
前記第３の半導体層は、非晶質半導体を有し、
前記第１の半導体層において、窒素濃度は前記ゲート絶縁層側から前記不純物半導体層側へ向けて増加し、
前記第２の半導体層において、窒素濃度は極大値を有し、
前記第３の半導体層において、窒素濃度は略一定の値を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層に接する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層に接する第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上に設けられた一対の不純物半導体層と、
を有し、
前記第１の半導体層は、微結晶半導体を有し、
前記第２の半導体層は、微結晶半導体及び非晶質半導体を有し、
前記第３の半導体層は、非晶質半導体を有し、
前記第１の半導体層において、窒素濃度は前記ゲート絶縁層側から前記不純物半導体層側へ向けて増加し、
前記第２の半導体層において、窒素濃度は極大値を有し、
前記第３の半導体層において、窒素濃度は前記ゲート絶縁層側から前記不純物半導体層側へ向けて減少することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記極大値は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
負極と、
セパレータと、
前記正極と前記負極との間の空間に設けられた電解質と、を有し、
前記正極は、
正極集電体と、
前記正極集電体に設けられた複数の第１の突起と、
前記第１の突起の先端に設けられた第１の絶縁体と、を有し、
前記負極は、
負極集電体と、
前記負極集電体に設けられた複数の第２の突起と、
前記第２の突起の先端に設けられた第２の絶縁体と、を有し、
前記第１の突起は、正極活物質を含み、
前記第２の突起は、負極活物質を含み、
前記セパレータは、前記第１の突起及び前記第２の突起に挟まれており、
前記第１の突起は、幅に対する高さの比が３以上１０００以下であり、
前記第２の突起は、幅に対する高さの比が３以上１０００以下であることを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁体は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素、または窒化珪素を含み、
前記第２の絶縁体は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素、または窒化珪素を含むことを特徴とする蓄電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板にイオンを添加することにより、前記ボンド基板中に脆化領域を形成する工程と、
絶縁表面を有するベース基板の一表面に導電層を形成する工程と、
前記ボンド基板と前記ベース基板を、絶縁層を介して貼り合わせる工程と、
前記ボンド基板を加熱して、前記ボンド基板を前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に、前記導電層、前記絶縁層、および半導体層の積層構造を形成する工程と、
前記半導体層をパターニングして、島状の半導体層を形成する工程と、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記島状の半導体層に選択的に不純物元素を添加して、チャネル形成領域、第１の不純物領域、第２の不純物領域、および前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域の間の第３の不純物領域を形成する工程と、
前記第１の不純物領域に電気的に接続する第１の電極と、前記第２の不純物領域に電気的に接続する第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ボンド基板にイオンを添加することにより、前記ボンド基板中に脆化領域を形成する工程と、
前記ボンド基板の一表面に第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層上に導電層を形成し、前記導電層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
絶縁表面を有するベース基板の一表面に第３の絶縁層を形成する工程と、
前記ボンド基板と前記ベース基板を、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層を介して貼り合わせる工程と、
前記ボンド基板を加熱して、前記ボンド基板を前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に、前記第３の絶縁層、前記第２の絶縁層、前記導電層、前記第１の絶縁層、および半導体層の積層構造を形成する工程と、
前記半導体層をパターニングして、島状の半導体層を形成する工程と、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記島状の半導体層に選択的に不純物元素を添加して、チャネル形成領域、第１の不純物領域、第２の不純物領域、および前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域の間の第３の不純物領域を形成する工程と、
前記第１の不純物領域に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の不純物領域に電気的に接続される第２の電極とを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ボンド基板の一表面に第１の絶縁層を形成する前の工程、前記第１の絶縁層を形成した後の工程、前記導電層を形成した後の工程、または前記第２の絶縁層を形成した後の工程のいずれかにおいて、前記ボンド基板に前記イオンを添加して前記脆化領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有するベース基板と、
前記絶縁表面上の導電層と、
前記導電層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の、チャネル形成領域、第１の不純物領域、第２の不純物領域、および前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域の間の第３の不純物領域と、を有する半導体層と、
前記半導体層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、
前記第１の不純物領域に電気的に接続された第１の電極と、前記第２の不純物領域に電気的に接続された第２の電極とを有し、
前記導電層は所定の電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有し、
前記基板の上方にゲート電極を有し、
前記基板の上方に空間を有し、
前記基板の上方に導電層を有し、
前記ゲート電極の上方と前記空間の上方と前記導電層の上方とに絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に半導体層を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記半導体層は、前記空間と重なる第２の領域を有し、
前記半導体層は、前記導電層と重なる第３の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に位置し、
前記導電層は、前記ゲート電極と電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板を有し、
前記基板の上方にゲート電極を有し、
前記基板の上方に空間を有し、
前記ゲート電極の上方と前記空間の上方とに絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に半導体層を有し、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記半導体層は、前記空間と重なる第２の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化シリコン層上に半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
窒化シリコン層を形成し、
前記窒化シリコン層を大気雰囲気に曝露し、
前記窒化シリコン層に対してプラズマ処理を行い、
前記窒化シリコン層上に結晶粒を含む半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆い、少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上のバッファ層と、
前記バッファ層に接し、不純物を含む半導体層と、を有し、
前記半導体層と前記ゲート絶縁層との界面近傍における前記半導体層中の窒素の濃度は、前記半導体層の他の部分及び前記バッファ層における窒素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記界面近傍における前記半導体層中の窒素の濃度は、１×１０１９／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。