(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ〔ただし、ｍは２〜７の整数である。〕で表される六方晶層状化合物を含有し、さらに正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物を０．０２〜０．２原子％含有し、
相対密度が０．９５以上であるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
インジウム原子と亜鉛原子との合計に対するインジウム原子の原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕が０．７〜０．９５である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
正四価以上の原子価を有する第三元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモンおよび鉛の群から選択される１種または２種以上の元素である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
正四価以上の原子価を有する第三元素が、セリウムである請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により製膜してなる透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、スパッタリング法による透明導電膜の製膜に用いるスパッタリングターゲットと、それを用いて製膜された透明導電膜に関する。
背景技術
薄膜型液晶表示装置は、表示性能に優れ、かつ消費電力も少ないことから、携帯用のパーソナルコンピュータやテレビジョンなどの表示機器として主流を占めるに至っている。そして、この液晶表示装置は、いずれも液晶表示素子を透明導電膜で挟み込んだサンドイッチ構造を有している。
これら表示装置に使用される透明導電膜は、通常、焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により製膜されている。従来、このターゲット材料には、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略称する。）が用いられてきた。これは、ＩＴＯターゲットを用いて製膜された透明導電膜が、光線透過率が高くて、しかも導電性に優れているからである。しかしながら、このＩＴＯターゲットを用いて製膜された透明導電膜は、そのエッチングに際して、王水や塩酸、臭化水素酸などの強酸による必要があることから、薄膜型液晶表示装置における配線材料までエッチングされることがあるという問題があった。
そこで、このような問題を解消するため、特開平６−２３４５６５号公報や特開平６−３１８４０６号公報においては、酸化亜鉛・酸化インジウム系の材料を用いたスパッタリングターゲットを用いて製膜する方法が提案されている。この酸化亜鉛・酸化インジウム系の材料からなるスパッタリングターゲットを用いて製膜された透明導電膜は、そのエッチングに際して、シュウ酸などの弱酸によることができるので、薄膜型液晶表示装置の配線材料までエッチングされるおそれはなくなる。しかしながら、この酸化亜鉛・酸化インジウム系の材料からなるスパッタリングターゲット自体の体積抵抗率が高いことから、スパッタリング時にターゲットの割れや異常放電が発生するという問題がある。
さらに、この酸化亜鉛・酸化インジウム系の材料からなるスパッタリングターゲットの体積抵抗率を低減化するため、特開平９−７１８６０号公報においては、酸化亜鉛・酸化インジウム系の材料に、さらに正三価以上の原子価を有する金属酸化物を添加した材料からなるスパッタリングターゲットが提案されている。ところが、この正三価以上の原子価を有する金属酸化物の添加によって、ターゲットの体積抵抗率を低減化することはできるが、このターゲットを用いて製膜された透明導電膜のエッチング特性が充分でないという難点がある。
本発明は、ターゲット自体の体積抵抗率が低くて安定性よくスパッタリングを行うことのできるスパッタリングターゲットと、それを用いて製膜されたエッチング加工性に優れた透明導電膜を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、上記課題の解決のため鋭意検討を重ねた結果、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物を含有し、さらに正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物を特定量含有するスパッタリングターゲットによれば、上記の目的を達成することができることを見出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至った。
発明の開示
すなわち、本発明の要旨は、下記のとおりである。
（１）酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ〔ただし、ｍは２〜７の整数である。〕で表される六方晶層状化合物を含有し、さらに正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物を０．０１〜１原子％含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
（２）インジウム原子と亜鉛原子との合計に対するインジウム原子の原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕が０．７〜０．９５である前記（１）に記載のスパッタリングターゲット。
（３）正四価以上の原子価を有する第三元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、セリウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモンおよび鉛の群から選択される１種または２種以上の元素である前記（１）または（２）に記載のスパッタリングターゲット。
（４）相対密度が０．９５以上である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
（５）前記（１）〜（４）のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により製膜してなる透明導電膜。
発明を実施するための最良の形態
本発明のスパッタリングターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ〔ただし、ｍは２〜７の整数である。〕で表される六方晶層状化合物を含有し、さらに正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物を０．０１〜１原子％含有するスパッタリングターゲットである。
ここで、このスパッタリングターゲットに含有される酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物は、Ｘ線回折法による測定において六方晶層状化合物に帰属されるＸ線回折パターンを示す化合物であって、本発明のスパッタリングターゲットに含有される六方晶層状化合物は、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍで表される化合物である。この式中のｍは、２〜７、好ましくは３〜５の整数であるものが用いられる。それは、ｍが１の化合物は六方晶層状構造をとらないし、また、ｍが７を超える化合物は六方晶層状構造をとるが、その体積抵抗率が高くなるからである。この六方晶層状化合物は、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物を焼結することにより生成する。この場合、酸化インジウムと酸化亜鉛は化学量論比に見合う量比において六方晶層状化合物が形成される。そして、化学量論比を超えて存在する酸化インジウムや酸化亜鉛は、結晶性物質として焼結体中に存在する。
そして、このスパッタリングターゲットに含まれる酸化インジウムと酸化亜鉛との含有割合については、インジウム原子と亜鉛原子との合計に対するインジウム原子の原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕において０．７〜０．９５であるものが好ましい。それは、このインジウム原子の原子比が０．７未満であると、そのスパッタリングターゲットを用いて製膜した透明導電膜の比抵抗が増大することがあり、また、このインジウム原子の原子比が０．９５を超えると、そのスパッタリングターゲットを用いて製膜した透明導電膜が結晶化して光線透過率が低下したり、比抵抗の増大を招くようになることがあるからである。このインジウム原子の原子比としては、さらに０．８〜０．９５であるものが、耐久性にも優れることからより好ましい。
また、本発明のスパッタリングターゲットに含有される正四価以上の原子価を有する第三元素としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、セリウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモンおよび鉛の群から選択される１種または２種以上の元素が好適なものとして挙げられる。これら元素の中でも、セリウム、スズ、アンチモン、鉛、ジルコニウム、ハフニウム、ゲルマニウム、ルテニウムが特に好ましい。
そして、このスパッタリングターゲットに含有される正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物の割合は、０．０１〜１原子％である。この第三元素酸化物の含有割合をこのような範囲内とすることによって、スパッタリングターゲットの体積抵抗率を充分に低く、すなわち、ターゲットを用いて製膜する際の異常放電やターゲットの割れが発生することのない７ｍΩｃｍ以下、好ましくは５ｍΩｃｍ以下とすることができる。また、このターゲットを用いて製膜された透明導電膜は、シュウ酸などの弱酸によって容易にエッチング加工を施すことができるようになるのである。ここで、この正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物の割合が０．０１原子％未満であると、スパッタリングターゲットの体積抵抗率を充分に低い値に抑制することができず、また、この第三元素酸化物の割合を１原子％を超えるまで増大させると、そのスパッタリングターゲットを用いて製膜された透明導電膜は、シュウ酸などの弱酸によるエッチング加工を行うことが困難になることがある。この正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物の含有割合は、０．０２〜０．２原子％であるものがより好ましく、０．０３〜０．１原子％であるものがさらに好ましい。
また、このスパッタリングターゲットは、その相対密度が９５％以上、好ましくは９６％以上であるものが、このターゲットの機械的強度が高く、かつ導電性に優れることから、これをＲＦマグネトロンスパッタリング装置やＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着してスパッタリングを行う際の安定性をより高めることができる。この相対密度は、酸化インジウムと酸化亜鉛のそれぞれの固有の密度およびこれらの組成比から算出される理論密度に対するスパッタリングターゲットの実際に測定した密度を百分率で示したものである。
つぎに、このスパッタリングターゲットの製造方法については、原料の酸化インジウムと酸化亜鉛および正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物を混合する工程、原料混合物を成型する工程、成型物を焼結する工程、および焼結体をアニーリングする工程を経て製造することができる。
そして、原料の酸化インジウムや酸化亜鉛、第三元素の酸化物は、高純度のものを用いるのが望ましく、その純度が９９％以上、好ましくは９９．９％以上、さらに好ましくは９９．９９％以上のものが好適に用いられる。それは、高純度の原料を用いると緻密な組織の焼結体が得られ、その焼結体からなるスパッタリングターゲットは体積抵抗率の低いものが得られるようになるからである。また、これら原料の金属酸化物は、その平均粒径が０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０５〜５μｍ、さらに好ましくは０．１〜５μｍであるものが好適に用いられる。これら金属酸化物の平均粒径については、０．０１μｍ未満であると凝集しやすくなり、また１０μｍを超えるものでは混合性が不十分になり、緻密な組織の焼結体が得られなくなることがある。そして、これら原料の金属酸化物の混合は、ボールミルやジェットミル、ロールミルなどの通常の混合機により行うことができる。
このようにして得られた混合物は、直ちに成型してもよいが、その成型前に仮焼処理を施すのがよい。仮焼処理条件は、仮焼温度が８００〜１，５００℃、好ましくは９００〜１，４００℃、さらに好ましくは１，０００〜１，３００℃であり、焼成時間が１〜１００時間、好ましくは２〜５０時間、さらに好ましくは３〜３０時間である。原料の金属酸化物粉末は、このような条件下に仮焼処理すると、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物の形成が促進される。この仮焼処理は１回でも良いし、２回以上繰返し行ってもよい。さらに、この仮焼処理済の金属酸化物粉末は、造粒処理することによって、その後の成型工程での流動性や充填性が改善される。この造粒処理はスプレードライヤーなどを用いて行うことができる。そして、この造粒処理時には、これら金属酸化物粉末の水溶液やアルコール溶液を用い、かつバインダーとしてポリビニルアルコールなどを用いる方法によるのが好ましい。この造粒処理によって形成される造粒物の粒径は、１〜１００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍとなるようにするのが好ましい。
つぎに、金属酸化物の粉末または造粒物は、成型工程において金型プレス成型、鋳込み成型、射出成型などの方法により成型する。スパッタリングターゲットとして、その焼結密度の高い焼結体を得る場合には、この成型工程において金型プレス成型などにより予備成型した後に、冷間静水圧プレス成型などの方法によりさらに圧密化する方法によるのが好ましい。この成型工程においては、各種の成形助剤が用いられるが、ポリビニルアルコールや、メチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸などが好適に用いられる。そして、成型圧力は１ＭＰａ〜１０ＧＰａ、好ましくは１０ＭＰａ〜１０ＧＰａである。また、成型時間は、１０分間〜１０時間とすればよい。さらに、この成型体の形状については、スパッタリングによって製膜する透明導電膜の寸法に見合う寸法とするのが、焼結後の整形による仕上げが容易になるので好ましい。
そして、このようにして得られた成型体の焼結工程においては、常圧焼結やホットプレス焼結、熱間静水圧プレス焼結などの通常行われている焼結方法によることができる。ここでの焼結条件は、焼結温度が１２００〜１６００℃、好ましくは１２５０〜１５５０℃、さらに好ましくは１３００〜１５００℃である。この焼結温度が１２００℃未満の温度では、得られる焼結体中に酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物が充分に生成しないことがあり、また、この焼結温度が１６００℃を超える温度では、酸化インジウムや酸化亜鉛の昇華により、得られる焼結体中の金属酸化物の組成が変動することがあるほか、生成する六方晶層状化合物におけるＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍの式のｍの値が７を超えるようになって、焼結体の体積抵抗率が高くなる。また、焼結時間は、焼結温度によって異なるが、１〜５０時間、好ましくは２〜３０時間、より好ましくは３〜２０時間である。そして、この焼結時の雰囲気は、空気であってもよいし、水素ガスやメタンガス、一酸化炭素ガスなどの還元性ガスや、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよい。
つぎに、アニーリング工程では、上記のようにして得られた焼結体を、焼結炉やホットプレス還元炉などの炉中において、アニーリング温度２００〜１０００℃、好ましくは３００〜１０００℃、より好ましくは４００〜１０００℃、アニーリング時間１〜５０時間、好ましくは２〜３０時間、より好ましくは３〜２０時間の条件下にアニーリング処理する。このような条件下にアニーリング処理を行うことにより、焼結体の体積抵抗率を低減することができる。このアニーリング処理は、真空中で行ってもよいし、水素ガスやメタンガス、一酸化炭素ガスなどの還元性ガス雰囲気あるいはアルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気において行ってもよい。
そして、このようにして得られた焼結体よりスパッタリングターゲットを形成するには、この焼結体をスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、これに装着用治具の取付をすればよい。
つぎに、このスパッタリングターゲットを用いて透明導電膜を成膜する際には、基板上に透明導電膜を形成する。このような基板としては、透明性の基板を用いるのが好ましく、従来から用いられているガラス基板や、透明性の高い合成樹脂製のフィルム、シートを用いることができる。このような合成樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂などが用いられる。
また、上記スパッタリング用ターゲットを用いて、透明導電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリングにより成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１ｃｍ２あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オングストローム、好ましくは３００〜２，０００オングストロームである。
このようにして得られる透明導電膜は、その透明性が波長５００ｎｍの光についての光線透過率において８０％以上である。したがって、この透明導電膜は、高い透明性と導電性の要求される液晶表示素子や有機エレクトロルミネッセンス表示素子をなどの各種表示装置の透明電極に好適に用いられる。
実施例
つぎに、実施例および比較例により、本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料として、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末（平均粒径１μｍ）２８０ｇと、純度９９．９％の酸化亜鉛粉末（平均粒径１μｍ）１９．７ｇおよび正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物として純度９９．９９％の酸化錫粉末（平均粒径１μｍ）０．３ｇを、エチルアルコールおよびジルコニアボールとともに、ポリイミド製のポットに入れて、遊星ボールミルにより２時間にわたって混合した。
つぎに、得られた混合粉末を金型プレス成型機の金型に入れ、１０ＭＰａの加圧下において予備成型した。そして、予備成型で得られた成型体を、冷間静水圧プレス成型機により４００ＭＰａの加圧下で圧密化した後、焼成炉に装入して、空気雰囲気中、１４５０℃において８時間焼成した。
このようにして得られた焼結体について、リガク社製のＸ線回折測定装置により結晶構造の確認をしたところ、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３で表される酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物およびＩｎ２Ｏ３で表される酸化インジウムが存在することが確認された。また、セイコー電子工業社製ＳＰＳ−１５００ＶＲを用いた誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ分析）による組成分析の結果、この焼結体中の酸化インジウムと酸化亜鉛の合計に対する酸化インジウムの原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕が０．８９であり、また、酸化インジウムと酸化亜鉛、酸化錫の合計に対する酸化錫の原子％〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）〕×１００が０．０８８％であることが確認された。
また、この焼結体の相対密度は、９６．５％であった。さらに、この焼結体から２０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｍｍのテストピースを作成し、４探針法により測定した体積抵抗率は、０．１ｍΩ・ｃｍであった。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られた焼結体を切削加工して、直径約１０ｃｍ、厚さ約５ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を製膜した。ここでのスパッタ条件は、雰囲気としては、アルゴンガスに適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力を３×１０−１Ｐａ、到達圧力を５×１０−４Ｐａ、基板温度を２５℃、投入電力を５Ｗ／ｃｍ２として、１００時間の寿命試験を行った。この結果、異常放電は見られず、またスパッタリングターゲットの割れも見られなかった。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）でガラス基板上に製膜された透明導電膜の一部を、濃度３．４質量％のシュウ酸水溶液により、３０℃においてエッチングした。この結果、この透明導電膜のエッチング速度は、８６０Å／ｍｉｎであり、エッチング加工性に優れたものであることが確認された。
本実施例で製造したスパッタリングターゲットの組成と物性および評価結果を第１表に示す。
〔実施例２〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の酸化亜鉛の使用量を１９．９ｇ、酸化錫を０．１ｇに変更した他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔実施例３〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物として、酸化錫粉末に代えて、純度９９．９９％の酸化セリウム粉末（平均粒径３μｍ）０．２ｇを用いた他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔実施例４〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物として、酸化錫粉末に代えて、純度９９．９９％の酸化ジルコニウム粉末（平均粒径４μｍ）０．２ｇを用いた他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔実施例５〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物として、酸化錫粉末に代えて、純度９９．９９９％の酸化ゲルマニウム粉末（平均粒径３μｍ）０．２ｇを用いた他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔実施例６〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物として、酸化錫粉末に代えて、純度９９．９％の酸化ルテニウム粉末（平均粒径４μｍ）０．２ｇを用いた他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔比較例１〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の酸化インジウムの使用量を２６０ｇとし、酸化亜鉛の使用量を２０ｇ、酸化錫の使用量を２０ｇに変更した他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
（３）透明導電膜のエッチング加工性の評価
上記（２）で製膜した透明導電膜について、実施例１の（３）と同様にして、透明導電膜のエッチング加工性の評価をした。
これら結果を第１表に示す。
〔比較例２〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の酸化インジウムの使用量を２９４ｇとし、酸化亜鉛の使用量を３．４ｇとし、かつ正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物は添加しなかった他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
このスパッタリングターゲットのＸ線回折法による結晶構造の確認においては、酸化インジウムの存在は確認されたが、六方晶層状化合物の存在は認められなかった。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
その結果、透明導電膜の製膜開始から２５時間後に異常放電が見られ、ついで、３０時間後にはスパッタリングターゲットに割れが発生したため、製膜を中断した。
これら結果を第１表に示す。
〔比較例３〕
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料の酸化インジウムの使用量を２４０ｇとし、酸化亜鉛の使用量を６０ｇとし、かつ正四価以上の原子価を有する第三元素の酸化物は添加しなかった他は、実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。
このスパッタリングターゲットのＸ線回折法による結晶構造の確認においては、六方晶層状化合物として、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５で表される化合物が生成していることが確認された。
（２）スパッタリングターゲットの寿命試験
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを用いた他は、実施例１の（２）と同様の寿命試験を行った。
その結果、透明導電膜の製膜開始から５０時間後に異常放電が見られ、同時にスパッタリングターゲットに割れが発生したため、製膜を中断した。
これら結果を第１表に示す。
0004234006.tif 000002
産業上の利用可能性
本発明のスパッタリングターゲットは、体積抵抗率が低いので製膜時に異常放電やターゲットの割れが発生するおそれがなく、また、これを用いて製膜した透明導電膜はエッチング加工性に優れているという効果を有している。