【手続補正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．３μｍ波長帯に用いられる波長の光を出力する発振器部と、
前記発振器部から出力される光を変調して出射する変調部と、
を備える半導体光素子であって、
前記変調器部は、１．３μｍ波長帯に用いられる組成に調整されたアルミニウムを含む量子井戸を備え、
前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーは、２３ｍｅＶ以上４０ｍｅＶ以下低い、
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体光素子であって、
前記発振器部及び前記変調器部はそれぞれ、
メサストライプ構造を有する半導体多層と、
前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、ルテニウムが添加された半導体埋め込み層と、
を、備える、ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体光素子、を備える、レーザモジュール。
【請求項４】
請求項３に記載のレーザモジュールと、
光受信部と、
を備える、光伝送装置。
【請求項５】
１．３μｍ波長帯に用いられる波長の光を出力する発振器部と、
前記発振器部から出力される光を変調して出射する変調器部と、
を備える半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、
アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、
前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、
前記発振器部は、回折格子を備え、
前記変調器部の吸収波長端の波長エネルギーより、前記発振器部の発振波長の波長エネルギーが、２３ｍｅＶ以上４０ｍｅＶ以下低くなるように、前記回折格子を形成する工程と、
前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、
前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、
前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、
順に含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体光素子の製造方法であって、
インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料とし、１．３μｍ帯に用いられる組成に調整して前記変調器部の前記量子井戸層を形成する工程を、さらに備える、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層に添加される前記不純物とは、ルテニウムである、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、
層厚が３．５μｍ以上の前記半導体埋め込み層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記半導体光素子は、
前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、
をさらに備え、
前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記変調器部との間を、バットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、
さらに、含むことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記コア層を形成する工程において、
インジウムガリウム砒素燐、若しくは、インジウムガリウムアルミニウム砒素を材料として前記コア層を形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、電界吸収型変調器であり、
前記発振器部は、回折格子を備える分布帰還型半導体レーザである、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記変調器部は、複数の光出力部を有し、前記複数の光出力部それぞれより光を出力するとともに、前記複数の光出力部に対応して、前記メサストライプ構造を有する前記半導体多層を複数備え、
前記発振器部は、前記複数の光出力部にそれぞれに対応して前記回折格子を複数備え、
前記回折格子を形成する工程において、
前記複数の光出力部にそれぞれ対応する発振波長となるよう、前記複数の回折格子をそれぞれ形成する、
ことを特徴とする、半導体光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記メサストライプ構造とする工程において、前記半導体多層の所定の領域に、前記半導体光素子の光の出射側の端面から５μｍ以上となる領域を含んでいるとともに、
前記半導体埋め込み層を形成する工程において、該領域を、前記半導体埋め込み層を形成することにより窓構造を形成する、
ことを特徴とする、半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体光素子及びその製造方法、レーザモジュール、及び光伝送装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（６）上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法であって、前記半導体光素子は、前記入力される光を出力する発振器部と、前記発振器部と前記変調器部の間を接続するとともに、コア層を備える導波路部と、をさらに備え、前記発振器部と前記導波路部との間、及び、前記導波路部と前記発振器部との間を、バットジョイント接続し、前記コア層を形成する工程を、さらに、含んでいてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
導波路部１２において、ｎ型ＩｎＰバッファ層２の上に、３層からなるコア層が形成されており、光閉じ込め層となっている。コア層は、組成波長１．１μｍのＩｎＧａＡｓＰ層１３，１４で、組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層１５を挟みこむ構造である。コア層はバルク結晶からなるバルク導波路を形成している。変調器部６のＭＱＷ層４と導波路部１２のＩｎＧａＡｓＰ層１５との間、及び、導波路部１２のＩｎＧａＡｓＰ層１５と発振器部１１のＭＱＷ層８との間は、バットジョイント接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
さらに、導波路部１２の多層構造の一部となる半導体多層形成する（導波路部半導体下層形成工程）。ｎ型ＩｎＰバッファ層２の上側に、同様に、コア層及びｐ型ＩｎＰキャップ層を、ＭＯ−ＣＶＤによって形成する。コア層が、導波路部１２の光閉じ込め層となる。ここで、コア層は３層からなり、ともにアンドープ層である。コア層は、組成波長１．１μｍのＩｎＧａＡｓＰ層１３，１４で、組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰ層１５を挟みこむよう、形成される。この際、変調器部６と発振器部１１の実効屈折率と、導波路部１２の実効屈折率が、ほぼ一致するように、コア層を構成するＩｎＧａＡｓＰ層１３，１４，１５それぞれの膜厚を調整している。この際に、変調器部６と導波路部１２の間、及び、導波路部１２と発振器部１１の間を、公知のバットジョイント技術により光学的に接続する。