【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板において、
前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面にパッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記パッドと、
前記複数のパッドが配置された電子部品搭載領域に対応する部分の前記最外層の絶縁層に形成された凹部と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記パッドの側面と下面が前記最外層の絶縁層で被覆されており、前記パッドの下面にビアが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記凹部は平面視して矩形状で配置されており、前記矩形状の凹部の長手方向の両外側の前記最外層の絶縁層に前記複数のパッドが配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記凹部は、搭載される電子部品の各電極端子がそれぞれ接続される各パッド間に挟まれた領域に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記電子部品としてチップキャパシタが搭載されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記最外層の絶縁層上の中央部分に半導体素子の搭載領域が画定され、前記搭載領域の周囲に前記チップキャパシタが搭載されていること特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板において、
前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面に第1パッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記第1パッドと、
前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面に第２パッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記第２パッドとを有し、
前記第1パッドの上面は、前記第２パッドの上面より高く配置され、かつ前記最外層の絶縁層の表面から突出していることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
前記第1パッド及び第２パッドの各下面、及び各側面の少なくとも一部が前記最外層の絶縁層に被覆され、前記第1パッド及び第２パッドの各下面にビアがそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第２パッドの上面は、前記最外層の絶縁層の表面と同一面に形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第1パッドにチップキャパシタが搭載され、前記第２パッドに半導体素子が搭載されることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記最外層の絶縁層上の中央部分に半導体素子の搭載領域が設けられ、前記搭載領域の周囲にチップキャパシタが搭載されることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
支持基材上に開口部が配置された第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層の開口部内の前記支持基材上に、犠牲導体層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記犠牲導体層を挟んでその両側の部分に開口部が配置された第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層の開口部内の前記支持基材上に、パッドを形成する工程と、
前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記パッドを覆って絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲導体層を形成する工程において、前記支持基材を構成する材料と同じ材料を用いて前記犠牲導体層を形成し、
前記パッドを形成する工程において、めっき法により、前記支持基材上に複数の金属層を順次積層してパッドを形成するに際し、その最下層の金属層を、前記支持基材及び前記犠牲導体層を構成する材料と異なる材料を用いて形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
支持基材上に開口部が配置された第1のレジスト層を形成する工程と、
前記第1のレジスト層の開口部内の前記支持基材に凹部を形成する工程と、
前記第1のレジスト層の開口部内の前記凹部に、第1パッドを形成する工程と、
前記第1のレジスト層を除去後、前記支持基材上の前記凹部を除く領域に開口部が配置された第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層の開口部内の前記支持基材の上に第２パッドを形成する工程と、
前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材上に、前記第1パッド及び第２パッドを覆って絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の配線基板に、半導体素子とともに電子部品が搭載されて封止樹脂で封止され、前記凹部内に前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項７に記載の配線基板に、半導体素子とともに電子部品が搭載されて封止樹脂で封止され、前記電子部品と前記配線基板の表面との間に前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板において、前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面にパッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記パッドと、前記複数のパッドが配置された電子部品搭載領域に対応する部分の前記最外層の絶縁層に形成された凹部とを有することを特徴とする配線基が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板において、前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面に第1パッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記第1パッドと、前記配線基板の最外層の絶縁層に、前記最外層の絶縁層の表面に第２パッドの上面が露出するように埋め込まれた電子部品搭載用の複数の前記第２パッドとを有し、前記第1パッドの上面は、前記第２パッドの上面より高く配置され、かつ前記最外層の絶縁層の表面から突出している配線基板が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明の他の形態によれば、上記の各形態に係る配線基板の製造方法が提供される。その一形態によれば、支持基材上に開口部が配置された第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層の開口部内の前記支持基材上に、犠牲導体層を形成する工程と、前記第１のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記犠牲導体層を挟んでその両側の部分に開口部が配置された第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層の開口部内の前記支持基材上に、パッドを形成する工程と、前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記パッドを覆って絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、他の形態に係る製造方法は、支持基材上に開口部が配置された第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層の開口部内の前記支持基材に凹部を形成する工程と、前記第1のレジスト層の開口部内の前記凹部に、第1パッドを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去後、前記支持基材上の前記凹部を除く領域に開口部が配置された第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層の開口部内の前記支持基材の上に第２パッドを形成する工程と、前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材上に、前記第1パッド及び第２パッドを覆って絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、前記支持基材を除去する工程とを含む配線基板の製造方法が提供される。