(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の半導体チップと、係る半導体チップの外部電極に接続された配線パターンとを備えたモジュール単位が可撓性フィルム基板上に形成されてなるテープキャリア型半導体装置において、少なくとも二以上の前記モジュール単位が可撓性フィルム基板上に連続して形成され、前記可撓性フィルム基板は少なくとも一方の短辺に各モジュール単位の入力電極を包括した入力電極部が形成されると共に、少なくとも一方の長辺に各モジュール単位毎の出力電極が形成され、前記半導体チップに接続された出力電極を含む出力電極部が前記モジュール単位毎に可撓性フィルム基板の長辺側に並ぶように設置され、前記隣接するモジュール単位の境界部分近傍には、各モジュール単位相互の間隔を調節するスリットが一以上形成されたことを特徴とするテープキャリア型半導体装置。
たことを特徴とするテープキャリア型半導体装置。
【請求項２】
前記入力電極部の配線パターンが前記半導体チップに形成された突起電極を介して半導体チップの入力電極に接続されたことを特徴とする請求項１に記載のテープキャリア型半導体装置。
【請求項３】
前記入力電極部の配線パターンは信号用配線パターンと電源用配線パターンとＧＮＤ配線パターンとからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテープキャリア型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは、係る半導体チップの表面と前記可撓性フィルム基板の表面とが対向するように設置されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一に記載のテープキャリア型半導体装置。
【請求項５】
前記入力電極部の配線パターンは、隣接するモジュール単位の境界部分近傍で導電面が露出されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一に記載のテープキャリア型半導体装置。
【請求項６】
可撓性フィルム基板の短辺の少なくとも何れか一方の端部には、入力信号及び電源及びＧＮＤを電気的な接続が可能とされるように前記入力電極部の配線パターンが露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一に記載のテープキャリア型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、液晶パネルやＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）等を備えた表示装置の外縁に配設されると共に、係る表示装置を駆動させる半導体素子を備えた略長方形をなすテープキャリア型半導体装置に関し、特に前記半導体素子の入出力系電極における電極の配置及び配線パターンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、液晶パネルやＰＤＰ等を備えた表示装置の駆動用ＩＣとして、可撓性フィルム基板（絶縁性樹脂フィルム基板）に半導体チップが搭載されたテープキャリア（Tape Carrier）型半導体装置が使用されている。
このテープキャリア型半導体装置は、薄型で大量生産に好適であると共に、安価な半導体装置として広く使用されている。
可撓性フィルム基板は例えば、テープ状（長尺状）のポリイミド系樹脂を所定の長さに切断して形成される。
すなわち、所定の長さに切断された可撓性フィルム基板上に前記半導体チップ１個若しくは２個を搭載したテープキャリア型半導体装置を独立した回路構成をなす一単位として、複数単位のテープキャリア型半導体装置がそれぞれ電気的に接続されていた。
【０００３】
図４乃至図６はテープキャリア型半導体装置を示す。
図４及び図６は樹脂封止工程がなされていない状態を示すテープキャリア型半導体装置の上面図である。
また、図５（ａ）は樹脂封止工程がなされた状態を示すテープキャリア型半導体装置の半導体チップが設置された一のモジュール単位の上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＢ−Ｂ‘断面図である。
【０００４】
図４及び図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、可撓性フィルム基板２の表面上には、複数本の配線パターン１０が形成されている。
この配線パターン１０は、可撓性フィルム基板２の表面上に張り付けられたＣｕ箔膜にエッチング加工を施して形成される。
一般に、この配線パターン１０には実装時の半田との接着性を向上するために表面にメッキ層が形成される。
【０００５】
可撓性フィルム基板２のほぼ中央部分には、前記半導体チップ３を搭載するために可撓性フィルム２を厚さ方向に打ち抜いて形成された開口部（以下、デバイスホール１１とする）が設けられる。
このデバイスホール１１の内方には各配線パターンの一方の端部が突出し、各配線パターンの一方の端部はデバイスホール１１の内部に配置される半導体チップ３の外部電極３１（ボンディングパッド）に電気的に接続されている。
また、半導体チップ３の各外部電極３１と各配線パターン１０は相互に突起電極３２（例えばＡｕバンプ電極）を介して電気的及び機械的に接続され、半導体チップ３を取り囲むように樹脂６により封止されている。
【０００６】
可撓性フィルム基板２の周辺部分には表示装置、プリント配線基板等の外部電極（図示せず）に接続される出力電極が複数個配列された出力電極部５が設けられる。
この出力電極部５の複数の出力電極の各々には、各配線パターン１０の他方の端部が電気的にかつ一体に接続される。
このようにして形成されたテープキャリア型半導体装置１は、各モジュール単位毎に切断され、表示装置等の外部機器の入力配線パターン（図示せず）及び出力配線パターン（図示せず）に切断された各モジュール単位がそれぞれ個別に接続されていた。
ここで、前記モジュール単位とは、一の半導体チップと、係る半導体チップの表面に形成された外部電極に電気的に接続された入力系（信号及び電源）及び出力系とからなる半導体装置として機能する一つの単位構成である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年、液晶パネルやＰＤＰ等を備えた表示装置においては、表示パネルの領域を広く確保すると共に、表示装置自体の小型化を実現する上で、表示パネルの外縁に配される半導体装置の搭載容量の縮小化が強く望まれている。
特に、薄型でさらなる大型化が期待できるＰＤＰにおいては、表示画面の大型化に伴って、独立した各モジュール単位を個別に設置する方法が採用されており、この工程上の煩雑さを解消する方法が期待されていた。
【０００８】
しかしながら、従来のテープキャリア型半導体装置においては、各テープキャリア型半導体装置のモジュール単位が回路的に独立しているため、電源及び信号を各々のモジュール単位毎に供給しなければならなかった。
すなわち、各配設領域がそれぞれ独立して形成されているため、電源及び信号の配線パターンを個別に引き回す必要があり、作業効率を低下させると共に、テープキャリア型半導体装置の実装面積を縮小することが困難であった。
【０００９】
また、従来のテープキャリア型半導体装置は、半導体チップを実装するためのデバイスホール１１が形成されていた。
このデバイスホール１１の形成には、打ち抜き金型等の設備を要し、かつ打ち抜き工程作業を行うためにコスト高になるという問題があった。
また、デバイスホール１１を設けることで前記配線パターンの一方の端部は、デバイスホール１１の周縁部に配置させる必要があり、デバイスホール１１の周縁部からさらに外方部に向けて配線パターンを延設した場合には必要な配線パターンのピッチ間隔を得るためには前記配線パターンとデバイスホール１１の可撓性フィルム基板上での占有面積が過大になるという問題があった。
従って、半導体チップのサイズに比べて可撓性フィルム基板の長さ方向の長さが長くなると共に、可撓性フィルム基板を必要とする面積が大きくなり、結果として、可撓性フィルム基板のコスト高を招く問題があった。
【００１０】
さらに、図６に示すような半導体チップ３の配置がなされた半導体装置においては、可撓性フィルム基板２に設置される各半導体チップ３の電源及び信号の制御を一括化しようとしても、デバイスホール１１が形成されていることによって各半導体チップ３の各々に設けられた電源及び信号線を相互に結線することができなかった。
【００１１】
加えて、従来の可撓性フィルム基板を用いた半導体装置の製造方法においては、一般に前記デバイスホール１１の打ち抜き工程が可撓性フィルム基板の表面に配線パターンを形成した後に行われていた。
これは、デバイスホール１１を打ち抜いた際に生じる配線パターンの打ち抜き片が他の箇所に付着して配線パターン相互のショートを招くおそれがあった。
また、デバイスホール１１の打ち抜き精度が悪い場合には、半導体チップのバンプと接続される配線パターンがバンプに正対されずに電気接続が不可能になることもあり、また配線パターンが半導体チップの縁部に接触することによるタッチショートの問題もあった。
【００１２】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、従来用いられている可撓性フィルム基板上に入出力配線パターンの効率的な構造を備えることができると共に、ＰＤＰを備えた表示装置における実装面積を縮小させることができるテープキャリア型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明のテープキャリア型半導体装置は、一の半導体チップと、係る半導体チップの外部電極に接続された配線パターンとを備えたモジュール単位が可撓性フィルム基板上に形成されてなるテープキャリア型半導体装置において、少なくとも二以上の前記モジュール単位が可撓性フィルム基板上に連続して形成され、前記可撓性フィルム基板は各モジュール単位の入力電極を包括した入力電極部が形成されると共に、少なくとも一方の長辺に各モジュール単位毎の出力電極が形成され、前記半導体チップに接続された出力電極を含む出力電極部が前記モジュール単位毎に可撓性フィルム基板の長辺側に並ぶように配置され、前記隣接するモジュール単位の境界部分近傍には、各モジュール単位相互の間隔を調節するスリットが一以上形成されたことを特徴とする。
【００１４】
係る構成とすることにより、モジュール単位全ての入力を包括した入力手段とモジュール単位個別に取り出すことができる出力手段とを備えた構造的に効率的なテープキャリア型半導体装置を提供することができる。
また、連続したモジュール単位を一括して設置できるため、近年、薄型かつ大画面で広く用いられているＰＤＰ等においては、個々のモジュール単位を設置するといった工程上の煩わしさを解消することができる。
ここで、半導体チップが形成されたモジュール単位及びそのモジュール単位領域とは、一の半導体チップと、係る半導体チップの表面に形成された外部電極に電気的に接続された入力系（信号及び電源）及び出力系の配線パターンとからなる半導体装置として機能する一つの単位構成である。
【００１５】
また各モジュール単位領域が可撓性フィルム基板で一体化され、テープキャリア型半導体装置の相対精度を向上させることができる。
また、従来のように入出力配線パターンをデバイスホールの周縁外に引き回す必要がないため、可撓性フィルム基板の長手方向に信号ライン及び電源ラインを配設して、各半導体チップに供給することができる。
【００１６】
ここで、長辺とは、可撓性フィルム基板において一の半導体チップを基準にして他の半導体チップが設置された方向を長手方向とし、その方向に平行な端辺を指す。
従って、テープキャリア型半導体装置又は可撓性フィルム基板における短辺とは、前記長辺以外の対向した辺同士を指す。
係る構成とすることにより、モジュール単位全ての入力を包括した入力手段とモジュール単位個別に取り出すことができる出力手段とを備えた構造的に効率的なテープキャリア型半導体装置を提供することができる。
また半導体チップに接続された出力電極を含む出力電極部が前記モジュール単位毎に可撓性フィルム基板の長辺側に並ぶように配置されたことにより、半導体チップにおける出力電極（出力系）を可撓性フィルム基板の長辺に配することができる。
【００１７】
その結果本発明のテープキャリア型半導体装置は、個別の製品として分離される領域を１つの製品領域と見なし、出力アウターリードが１続きになるようにすることで１体化し、低コスト且つ効率的に長尺なマルチチップ構造を実現することができる。
【００１８】
前記入力電極部の配線パターンを前記半導体チップに形成された突起電極を介して半導体チップの入力電極に接続することができる。
【００１９】
係る構成とすることにより、テープキャリア型半導体装置として厚さが薄くなり、縮小化された半導体装置として利便性を有する。
【００２０】
前記入力電極部の配線パターンは信号用配線パターンと電源用配線パターンとＧＮＤ配線パターンとすることができる。
【００２１】
係る構成とすることにより、半導体チップに入力される入力系をモジュール単位毎に配設する必要がないため、省スペース化を実現すると共に、配線パターンの形状によって個別に前記入力系を制御することもできる。
【００２２】
係る半導体チップの表面と前記可撓性フィルム基板の表面とが対向するように前記半導体チップを設置することができる。
【００２３】
係る構成は、可撓性フィルム基板上にデバイスホールを形成することなく、半導体チップを搭載させた構成を意味する。
すなわち、本発明に係るテープキャリア型半導体装置は、デバイスホールを有しないＣＯＦ(Chip  On  Film）の半導体装置である。
従って、前記可撓性フィルム基板にデバイスホールが形成されないため、可撓性フィルム基板と半導体チップとの間に配線パターンを形成することが可能となる。
また、半導体チップの入力系と出力系とにそれぞれ接続された配線パターンを引き回すことないため、テープキャリア型半導体装置を小型化することができる。
ここで、前記半導体チップの表面とは、半導体チップに形成された外部電極が設置された面であり、可撓性フィルム基板の表面とは、前記半導体チップが搭載される面である。
【００２４】
前記入力電極部の配線パターンが隣接するモジュール単位の境界部分近傍で導電面が露出されたものとすることができる。
【００２５】
本発明は従来のように、切断された個々のモジュール単位を表示装置等に設置する構成ではなく、複数のモジュール単位からなるテープキャリア型半導体装置を提供するものである。
従って、モジュール単位毎に配線パターンの導電面が露出されたことにより、テープキャリア型半導体装置を搭載する機器によって様々な長さに切断することができ、汎用性を向上させることができる。
【００２６】
前記可撓性フィルム基板の短辺の少なくとも何れか一方の端部には、入力信号及び電源及びＧＮＤを電気的な接続が可能とされるように前記入力電極部の配線パターンが露出しているようにすることができる。
【００２７】
係る構成とすることにより、入力信号等の入力系の形成が短辺側の両端部に設けられ、設置される機器の配線形状に依存することなく、テープキャリア型半導体装置の搭載領域をさらに縮小させることができる。
【００２８】
削除
【００２９】
削除
【００３０】
削除
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態における構成について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態における構成を示す上面図である。
図１に示すように、ポリイミド樹脂等を薄く長尺のテープ状に形成した可撓性フィルム基板２には、その表面に半導体チップ３と、銅箔等の導電膜からなる配線パターン１００とが形成されている。
この配線パターン１００は、前記半導体チップの表面に設けられた複数の外部電極（図示せず）と電気的に接続されて、可撓性フィルム基板２の縁部に電極が設けられるようにパターニングされている。
ここで、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の実施の形態においては、半導体チップ３における前記外部電極が設けられた面を半導体チップ３の表面とし、可撓性フィルム基板２における半導体チップ３が設置された面を可撓性フィルム基板２の表面として記載する。
また、可撓性フィルム基板２は前述したように長尺のテープ状をなしているため、特に断りがない限り、可撓性フィルム基板２において一の半導体チップ３を基準にして他の半導体チップ３が設置された方向を長手方向とし、その方向に平行な端辺を長辺として説明する。
本発明に係るテープキャリア型半導体装置は、複数のモジュール単位１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，，，よりなり、係るモジュール単位１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，，，は、一の半導体チップ３と係る半導体チップ３に接続された入力用及び出力用の配線パターン１００よりなる。
各モジュール単位１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，，，に形成された半導体チップ３の出力用の電極（以下、出力電極部５とする）は、可撓性フィルム基板２の長辺側に形成されている。
また、各モジュール単位１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，，，の半導体チップ３の入力用の電極（以下、入力電極部４とする）は、テープキャリア型半導体装置１の端部に位置するモジュール単位（図１におけるモジュール単位１ａ及び１ｄ）の少なくとも何れか一方に設けられている。
各半導体チップ３に接続された配線パターン１００が長手方向に形成されている。
すなわち、前記配線パターン１００が各モジュール単位の半導体チップ３の入力電極を一括して接続している。
さらに、可撓性フィルム基板２の両長辺には、可撓性フィルム基板２を順次送るためのスプロケットホール１３が形成されている。
【００３２】
ここで、前記モジュール単位１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，，，のそれぞれは、可撓性フィルム基板２上に配線パターン１００を形成した状態のモジュール単位１ｄと、係るモジュール単位１ｄに半導体チップ３を搭載したモジュール単位１ｃと、係るモジュール単位１ｃの半導体チップ３周辺を樹脂６で封止した状態のモジュール単位１ｂと、係るモジュール単位１ｂの表面上に保護膜７を形成したモジュール単位１ａを示すものである。
モジュール単位１ｄにみられるように、可撓性フィルム基板２上には長手方向に形成された入力系の配線パターン１００と、モジュール単位１ｃにみられるような半導体チップ３が設置される位置から短手方向に放射状に形成された出力系の配線パターンとして出力電極５１が設けられる。
前記入力系の配線パターン１００は、ＶＤＤ配線パターン１０１及び信号配線パターン１０２及びＧＮＤ配線パターン１０３からなり、ＧＮＤ引き込み部１０３ａにみられるように、前述の半導体チップ３が設置される位置に対応して形成されている。
ここで、本発明に係るテープキャリア型半導体装置１にデータを伝達する配線パターンが設けられた場合においては、各半導体チップ３，すなわち各モジュール単位が共有することなく、リレー方式で前記半導体チップ３に接続される。
【００３３】
次に、モジュール単位１ｂにみられるように、可撓性フィルム基板２の表面に形成された配線パターン１００を挟むように設置された半導体チップ３の周縁に樹脂６が封止されている。
これは、半導体チップ３の各外部電極（図示せず）と各配線パターン１００との電気的な接続を外因から守るためになされるものである。
また、モジュール単位１ａにみられるように、入力電極部４及び出力電極部５と、樹脂６及び半導体チップ３とが設置領域以外に保護膜７が形成されている。
この入力電極部４は、テープキャリア型半導体装置１における前記入力系配線パターン１００の端部であり、出力電極部５は、前記出力系配線パターン１００によって形成された出力電極５１のモジュール単位毎の集合体である。
すなわち、モジュール単位の境界線における前記配線パターン１００の一方の端部と他方の端部とでは前記保護膜７は除去されており、導電領域１００ａが露出されている。
この保護膜７はソルダーレジスト等の絶縁被覆層を形成するものであることが望ましい。
【００３４】
さらに、モジュール単位の境界線近傍には、位置調節用スリット２００が複数設けられ、係る位置調節用スリット２００が設けられることによって、モジュール単位の境界線近傍における可撓性フィルム基板２の強度が弱められ、各モジュール単位相互の距離がフレキシブルに変化（伸縮）する。
従って、従来のように、各モジュール単位を切り離した状態で、個々に表示装置等の機器に接続する場合に比べて、複数、又は必要とされる全てのモジュール単位数を連結させた状態で前記機器に設置することができる。
加えて、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態においては、従来と同様に、折り曲げ用スリット１２を可撓性フィルム基板２の長手方向に、かつ出力電極５１と交差するように設置してもよい。
【００３５】
図２（ａ）は、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態における一のモジュール単位の構成を示す上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ‘断面図である。
図２（ａ）に示すように、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一部分を構成するモジュール単位は、可撓性フィルム基板２の長手方向に横断するように形成された複数の配線パターンからなる入力電極部４と、可撓性フィルム基板２の一方の短辺に形成された出力電極部５とを有する。
また、モジュール単位のほぼ中央には、半導体チップ３と、係る半導体チップ３の周縁部を封止する樹脂６とが設けられている。
さらに、前記樹脂６が形成された外側及び、前記入力電極部４と出力電極部５とが形成された領域には保護膜７が可撓性フィルム基板２を覆うように設置されている。
前記入力電極部４は、出力電極部５に近い方からＶＤＤ電極部４１と信号電極部４２とＧＮＤ電極部４３とからなる複数の配線パターンである。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、可撓性フィルム基板２に実装される半導体チップ３は、その表面に複数の対をなす外部電極（図示せず）が設けられている。
また、前記半導体チップ３の外部電極の各々には突起電極（バンプ）３２が形成され、半導体チップ３の表面と可撓性フィルム基板２の表面とを対向させて前記可撓性フィルム基板２の表面側に圧接される。
具体的には、前記突起電極３２を介して外部電極の各々を各配線パターン１００上に接続し、半導体チップ３と配線パターン１００との電気的な接続がなされている。
さらに、半導体チップ３と可撓性フィルム基板２との間に封止用の樹脂７が充填されており、前記突起電極３２を含む接続部をこの樹脂７で封止してパッケージが構成されている。
【００３７】
このような構成をなすことによって、半導体チップ３は可撓性フィルム基板２の配線パターン１００が形成されている表面側において可撓性フィルム基板２に接続されているため、従来必要とされていたデバイスホール１１が不要となる。
従って、配線パターン１００の内端部２ａを半導体チップ３の中央部にまで延長した場合でも、各内端部の近傍部位を可撓性フィルム基板２によって保持することができる。
すなわち、機械的な強度が低下されることはなく、実装した半導体チップ３の重量によっても配線パターン１００をはじめとする配線が変形されることを防止し、半導体チップ３の保持力を高めることができる。
また、デバイスホール１１が不要とされることで、デバイスホール１１の形成において伴ってきた従来の問題、すなわち、金型によるコスト高、打ち抜き片によるショート等を解消することができる。
【００３８】
次に、本発明に係るテープキャリア型半導体装置の他の実施の形態について図３を参照して以下に説明する。
図３は本発明に係るテープキャリア型半導体装置の他の実施の形態における構成を示す断面図である。
図３に示すように、各モジュール単位における半導体チップ３以外の領域の厚さを大きくさせて、半導体チップ３から発生する熱を放射する構造を採用してもよい。
このとき、テープキャリア型半導体装置１の長辺側に設けられた出力電極部５の各々を撓ませないために、出力電極部５が形成された外縁部に沿って切り込みを入れてもよい。
具体的には、各モジュール単位において、半導体チップ３が設けられた部分と、出力電極部５が設けられた部分が同一平面をなす構造を採用し、係る平面と、表示装置等の機器に設けられたプリント基板とを接続する。
係る構造を採用することによって、効率よい放熱構造を備えたテープキャリア型半導体装置を提供することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るテープキャリア型半導体装置によれば、従来のテープキャリア型半導体装置アレイ、例えば従来低コスト用として用いられている３５ｍｍ幅のテープで、マルチチップモジュールを製造することができる。
その結果、表示装置の機器と、それを駆動するために複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア型半導体装置との電気的な接続を一括に、かつ確実に行うことができる。
また、連続したモジュール単位を一括して設置できるため、近年、薄型かつ大画面で広く用いられているＰＤＰを備えた表示装置等においては、個々のモジュール単位を設置するといった工程上の煩わしさを解消することができる。
さらに、本発明に係るテープキャリア型半導体装置はマルチチップモジュールでありながら、可撓性フィルム基板を用いているため、製品をリールで供給することができる。
加えて、デバイスホールの形成が不要であるため、デバイスホールを形成するための設備や形成工程が不要となり、低コスト化を助長すると共に、デバイスホールの打ち抜き片によるショートや、配線パターンの機械的な強度の低下による半導体チップの保持の信頼性低下等を回避することができる。
【００４０】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態における構成を示す上面図である。
【図２】本発明に係るテープキャリア型半導体装置の一実施の形態における一単位の構成を示す上面図である。
【図３】本発明に係るテープキャリア型半導体装置の他の実施の形態における構成を示す側面図である。
【図４】テープキャリア型半導体装置の従来の構成を示す上面図である。
【図５】テープキャリア型半導体装置の従来の構成を示す上面図及び断面図である。
【図６】テープキャリア型半導体装置の従来の構成を示す上面図である。
【符号の説明】
１．テープキャリア型半導体装置
２．可撓性フィルム基板
３．半導体チップ
４．入力電極部
５．出力電極部
６．樹脂
７．保護膜
１０．配線パターン
１１．デバイスホール
１２．折り曲げ用スリット
１３．スプロケットホール
４１．ＶＤＤ電極
４２．信号電極
４３．ＧＮＤ電極
５１．出力電極
１００．配線パターン
１０１．ＶＤＤ配線パターン
１０２．信号配線パターン
１０３．ＧＮＤ配線パターン
２００．位置調節スリット
【図１】
0004390362.tif 000002
【図２】
0004390362.tif 000003
【図３】
0004390362.tif 000004
【図４】
0004390362.tif 000005
【図５】
0004390362.tif 000006
【図６】
0004390362.tif 000007