Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素と、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、を処理室内に導入し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させ、
高周波電力を供給して前記処理室の内部にプラズマを発生させて、基板上方に微結晶半導体膜を形成し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させるステップは、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返し有し、
前記第１のステップは、前記堆積性気体の流量比を第１の流量比から第２の流量比へ増加させるステップを有し、
前記第２のステップは、前記堆積性気体の流量比を前記第２の流量比から前記第１の流量比へ減少させるステップを有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
水素と、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、希ガスと、を処理室内に導入し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させ、
高周波電力を供給して前記処理室の内部にプラズマを発生させて、基板上方に微結晶半導体膜を形成し、
前記堆積性気体の流量比を周期的に増減させるステップは、第１のステップと第２のステップを交互に繰り返し有し、
前記第１のステップは、前記堆積性気体の流量比を第１の流量比から第２の流量比へ増加させるステップを有し、
前記第２のステップは、前記堆積性気体の流量比を前記第２の流量比から前記第１の流量比へ減少させるステップを有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記希ガスの流量は一定であることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記希ガスの流量比を周期的に増減させることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記水素の流量は一定であることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を有するトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路と、が同一の基板上に設けられた半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記基板の上方に前記第１のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極の上方にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層の上方に前記第１の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する第１の酸化物絶縁層を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のソース電極と電気的に接続され、
前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第１の酸化物絶縁層の上方に画素電極を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記基板の上方に前記第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極の上方に前記ゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層の上方に前記第２の酸化物半導体層を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のソース電極と電気的に接続され、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記基板、前記第１のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体層、前記第１の酸化物絶縁層、前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、及び前記画素電極は、透光性を有し
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、第１の材料を含み、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、第２の材料を含み、
前記第１の材料は、前記第２の材料と異なる材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と重なる領域よりも膜厚の小さいチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域の上方に、第２の酸化物絶縁層を介して導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物絶縁層は、前記第２の酸化物絶縁層と同じ絶縁材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、及び前記画素電極は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、またはＷを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第７の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第８の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第９の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１０の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１１の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１１の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１１の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
第１乃至第１２のトランジスタは、各々、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第７の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第８の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第９の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１０の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１１の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１１の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１１の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の配線は、第１のクロック信号を供給する機能を有し、
前記第２の配線は、第２のクロック信号を供給する機能を有し、
前記第３の配線は、第３のクロック信号を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第４の配線は、第１の画素と電気的に接続され、
前記第５の配線は、第２の画素と電気的に接続され、
前記第６の配線は、第３の画素と電気的に接続され、
前記第７の配線は、第４の画素と電気的に接続され、
前記第８の配線は、第５の画素と電気的に接続され、
前記第９の配線は、第６の画素と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する第１及び第２軸を含む所定の二次元平面に沿って配置された平板状の物体に対して所定の処理を行う物体処理装置であって、
前記物体の一面側の一部の領域に所定の動作を実行する実行装置と；
前記物体のうち、前記一部の領域を含む部分を、前記物体の下方から非接触状態で保持する保持面を有し、前記部分の前記二次元平面に交差する方向の位置を調整する調整装置と；
前記物体の前記調整装置に保持される部分を除く他の領域に支持面を対向させて前記物体を下方から非接触支持する非接触支持装置と；を備える物体処理装置。
【請求項２】
前記調整装置は、前記保持面から前記物体に対して気体を噴出するとともに、前記保持面と前記物体との間の気体を吸引して前記物体を非接触保持する請求項１に記載の物体処理装置。
【請求項３】
前記調整装置は、前記物体と前記保持面との距離が一定となるように、前記物体と前記保持面との間の気体の気圧及び流量の少なくとも一方を可変させる請求項２に記載の物体処理装置。
【請求項４】
前記非接触支持装置は、前記支持面から前記物体に対して気体を噴出して前記物体を非接触支持する請求項１〜３のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項５】
前記調整装置の前記保持面と前記物体との間の距離は、前記非接触支持装置の前記支持面と前記物体との間の距離よりも短い請求項１〜４のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項６】
前記物体の端部を保持し、前記二次元平面に沿って移動可能な移動体と；
前記移動体を少なくとも前記二次元平面内の一軸方向に駆動する駆動装置と；をさらに備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項７】
前記調整装置の前記保持面を有する部材は、前記駆動装置と振動的に分離されている請求項６に記載の物体処理装置。
【請求項８】
前記非接触支持装置の支持面は、前記駆動装置により駆動される際の前記物体の移動範囲をカバーする請求項６又は７に記載の物体処理装置。
【請求項９】
前記非接触支持装置は、前記支持面の少なくとも一部が前記二次元平面に交差する方向に移動可能に設けられ、該支持面の少なくとも一部の前記二次元平面に交差する方向への移動により、前記物体を前記移動体から分離させて前記二次元平面に交差する方向に移動させる請求項６〜８のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項１０】
前記移動体は、前記物体の端部に沿って延設された平枠状の部材から成る本体部を有する請求項６〜９のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項１１】
前記移動体は、前記物体の外周縁部の少なくとも一部を下方から吸着保持する保持部材を有し、
前記保持部材は、前記本体部に対して前記物体を保持した状態で前記二次元平面に直交する方向に変位可能である請求項１０に記載の物体処理装置。
【請求項１２】
前記駆動装置は、前記第１軸に平行に延設された第１ガイド部材と、前記第１ガイド部材上を前記第１軸に平行な方向に移動する第１移動部材と、前記第２軸に平行に延設され、前記第１移動部材に接続された第２ガイド部材と、前記移動体を保持し、前記第２ガイド部材上を前記第２軸に平行な方向に移動する第２移動部材と、を含み、
前記第１ガイド部材及び前記第１移動部材は、前記所定の二次元平面よりも下方に配置される請求項１０又は１１に記載の物体処理装置。
【請求項１３】
前記第１ガイド部材は、前記第２軸に平行な方向に所定間隔で複数設けられ、
前記第１移動部材は、前記複数の第１ガイド部材に対応して複数設けられ、
前記第２ガイド部材は、前記複数の第１移動部材間に架設される請求項１２に記載の物体処理装置。
【請求項１４】
前記移動体は、前記第２移動部材に非接触保持される請求項１２又は１３に記載の物体処理装置。
【請求項１５】
前記駆動装置は、前記移動体を前記第２移動部材に対して前記二次元平面に平行な方向に微少駆動する微少駆動装置を備える請求項１４に記載の物体処理装置。
【請求項１６】
前記移動体は、前記第２移動部材に対し、該移動体と該第２移動部材との前記二次元平面に平行な方向への相対移動を制限しつつ、前記二次元平面に平行な軸線回りの回転を許容するヒンジ装置を介して接続される請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項１７】
前記物体は、ディスプレイ装置の表示パネルに用いられる基板である請求項１〜１６のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項１８】
前記実行装置は、エネルギビームを用いて前記物体を露光することにより所定のパターンを該物体上に形成するパターン形成装置である請求項１〜１６のいずれか一項に記載の物体処理装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の物体処理装置を用いて前記物体を露光することと；
前記露光された物体を現像することと；を含むデバイス製造方法。
【請求項２０】
エネルギビームを照射して物体を露光することにより所定のパターンを前記物体上に形成する露光装置であって、
互いに直交する第１及び第２軸を含む所定の二次元平面に沿って配置された前記物体の前記エネルギビームが照射される一部の領域を含む部分を、前記物体の下方から非接触状態で保持する保持面を有する部分を含み、前記部分の前記二次元平面に交差する方向の位置を調整する定点ステージと；
前記物体の前記保持面に保持される部分を除く他の領域に支持面を対向させて前記物体を下方から非接触支持する非接触支持装置と；を備える露光装置。
【請求項２１】
前記物体の端部を保持し、前記二次元平面に沿って移動可能な物体保持部材と；
前記物体保持部材を少なくとも前記二次元平面内の一軸方向に駆動する駆動装置と；をさらに備える請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記物体は、サイズが５００ｍｍ以上の基板である請求項２０又は２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと；
前記露光された物体を現像することと；を含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の露光装置を用いてフラットパネルディスプレイ用の基板を露光することと；
前記露光された基板を現像することと；を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２５】
エネルギビームを照射して物体を露光することにより所定のパターンを前記物体上に形成する露光方法であって、
互いに直交する第１及び第２軸を含む所定の二次元平面に沿って配置された前記物体の前記エネルギビームが照射される一部の領域を含む部分を、前記物体の下方から前記二次元平面内の位置が固定の保持部材により非接触状態で保持し、前記部分の前記二次元平面に交差する方向の位置を調整することと；
前記物体の前記保持部材に保持される部分を除く他の領域に支持部材の支持面を対向させて前記物体を下方から非接触支持することと；を含む露光方法。
【請求項２６】
前記物体の端部を前記二次元平面に沿って移動可能な物体保持部材によって保持することと；
前記物体保持部材を少なくとも前記二次元平面内の一軸方向に駆動することと；をさらに含む請求項２５に記載の露光方法。
【請求項２７】
請求項２５又は２６に記載の露光方法を用いて前記物体を露光することと；
前記露光された前記物体を現像することと；を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）、特に半導体基板またはウェハのエンボス加工用装置であって、
−  作業空間（１３）において前記基板（２）を保持する少なくとも１つの受入手段（２４）と、
−  少なくとも部分的に前記作業空間（１３）に配置された較正手段（２２）であって前記基板（２）を較正する較正手段と、
−  少なくとも部分的に前記作業空間（１３）に配置されたエンボス加工手段（２０）であって、エンボス加工プロセスにおいて前記基板（２）上に構造材料（１）をエンボス加工する、エンボス加工手段と、
を具備し、
当該デバイスが、前記作業空間（１３）がエンボス加工プロセスの前およびその間において、特に中断なく規定された雰囲気に晒されるように設計されており、
付与プロセスにおいて前記基板（２）に構造材料（１）を付与するために、少なくとも部分的に前記作業空間（１３）に配置された付与手段（２１）が設けられている、装置。
【請求項２】
前記規定された雰囲気が、気体圧力が前記作業空間（１３）の外側の気体圧力より低く、特に、事実上気体がなく、好ましくは空気がなく、より好ましくはＯ２がなく、好ましくは真空の形態である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記作業空間（１３）が、加圧手段により、圧力ライン、特に作業空間（１３）を加圧手段、特に真空手段に接続する真空ラインを介して、規定された雰囲気としての圧力または圧力プロファイルに晒される、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記エンボス加工プロセスにおけるいくつかのエンボス加工ステップで前記基板（２）にエンボス加工するステップアンドリピート装置として作製される、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記エンボス加工手段（２０）が、前記基板（２）の上にエンボス加工されるエンボス構造を備えたエンボスダイ（８）を有し、
前記エンボス構造が、ナノ構造またはナノ構造より小さい構造として作製される、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記付与プロセスが、前記構造材料（１）を前記基板（２）の表面区分に付与するようにいくつかの付与ステップに分割される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記付与手段（２１）が、前記構造材料（１）を液滴形態で付与するノズル（１２ｄ）を有する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記付与手段（２１）が、前記構造材料（１）を、スピン法、スクリーン印刷法、スプレー法またはピエゾ法で付与する手段を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記付与プロセスが、少なくとも部分的に、特に請求項２に記載の規定された雰囲気内で行われ得る、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記付与プロセスが、前記構造材料（１）が、規定された構造材料単位（１ｅ）で前記エンボスダイ（８）の空隙（８ｋ）に対応する構造領域にのみ付与されるように制御され得る、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記構造材料単位（１ｅ）が、前記エンボスダイの前記対応する空隙（８ｋ）よりわずかに大きい体積、特に最大１０％、好ましくは最大５％大きい体積である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
基板（２）、特に半導体基板またはウェハのエンボス加工方法であって、
ａ）  前記基板（２）を、較正手段によって、付与プロセスにおいて前記基板（２）に構造材料（１）を付与する付与手段（２１）に対して較正するステップと、
ｂ）  前記付与手段（２１）によって、前記構造材料または前記構造材料の構造材料単位を前記基板（２）に付与するステップと、
ｃ）  前記基板（２）を、少なくとも部分的に作業空間（１３）に配置された較正手段（２２）によって、エンボス加工手段（２０）に対して較正するステップであって、前記エンボス加工手段（２０）が、少なくとも部分的に前記作業空間（１３）に配置され、エンボス加工プロセスにおいて前記基板（２）上に前記構造材料（１）をエンボス加工する、ステップと、
ｄ）  前記基板（２）に前記エンボス加工手段（２０）によってエンボス加工するステップであって、前記エンボス加工プロセスの前およびその間において前記作業空間（１３）に、特に中断なく規定された雰囲気が供給される、ステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記規定された雰囲気が、気体圧力が前記作業空間（１３）の外側の気体圧力より低く、特に、事実上気体がなく、好ましくは空気がなく、より好ましくはＯ２がなく、好ましくは真空の形態である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップｂ）が、規定された雰囲気において、特に空気圧式方法または熱的方法、ピエゾ印刷もしくはスクリーン印刷、またはスプレー法もしくはスピン法によって行われる、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
ステップｂ）による前記付与プロセスが、前記エンボスダイ（８）の前記対応する空隙（８ｋ）より特にわずかに大きい、特に１０％大きい体積である規定された構造材料単位（１ｅ）で、前記エンボスダイ（８）の空隙（８ｋ）に対応する構造領域にのみ前記構造材料（１）が付与されるように制御される、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置であって、
ガラス基板と、
少なくとも一つの開口を有し、前記ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、
第一導電層と第二導電層とを有し、前記第一導電層が、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置され、前記第二導電層は前記開口中に設置されている、少なくとも一つの受動素子と、を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記受動素子はインダクタであり、前記第一導電層は前記第二導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記受動素子はキャパシタで、誘電体層を含み、前記誘電体層は、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置され、前記誘電体層、前記第一導電層、前記第二導電層は結合されて、サンドイッチ構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの受動素子は、キャパシタとインダクタを含み、
前記パターン化半導体基板は、前記キャパシタに対応する第一開口と、前記第一開口よりも小さい、前記インダクタに対応する第二開口と、を含み、
前記第二導電層は、前記第一開口の中と前記第二開口の中に設置され、
前記第二開口中に設置される前記第二導電層は、前記インダクタに対応し、前記第一導電層に電気的に接続されており、さらに前記第二開口中に設置される前記第二導電層は、前記第二開口に充填されるように形成されているか、または、前記第二開口内の形状にしたがって形成されており、
前記第一開口中に設置される前記第二導電層は、前記キャパシタに対応し、前記第一開口内の形状にしたがって形成されており、
前記キャパシタに対応する前記第二導電層と前記インダクタに対応する前記第二導電層とは同一平面であり、
前記キャパシタに対応する前記第一導電層と、前記インダクタに対応する前記第一導電層とは同一平面であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記キャパシタは誘電体層を含み、前記誘電体層は、前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板との間に設置されている平坦化層であり、前記キャパシタに対応する前記第一開口に設置される前記第二導電層は、前記第一導電層と前記誘電体層と結合し、サンドイッチ構造を形成することを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記パターン化半導体基板と前記ガラス基板を接合する接着層と
前記第二導電層と前記パターン化半導体基板を隔離する第一保護層であって、前記パターン化半導体基板を被覆するように前記パターン化半導体基板にしたがって形成された第一保護層と、
前記第二導電層と前記第一保護層を被覆する第二保護層であって、同一平面を構成する前記第二保護層と、
前記第一保護層および前記第二保護層の材料は、感光性絶縁材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項７】
電子装置の製造方法であって、
受動素子領域を有する半導体基板を提供するステップと、
誘電体層を前記半導体基板上に形成するステップと、
複数の下層開口を前記誘電体層中に形成するステップと、
第一導電層を、前記誘電体層上および前記複数の下層開口中に形成するステップと、
ガラス基板を提供して、前記ガラス基板を前記半導体基板と接合し、前記誘電体層と前記第一導電層を、前記ガラス基板と前記半導体基板との間に設置するステップと、
前記半導体基板をパターン化して、複数の上層開口を、前記半導体基板の前記受動素子領域に形成して、前記誘電体層、及び／又は、前記複数の下層開口中の前記第一導電層を露出させるステップと、
第一保護層を、前記パターン化半導体基板上と前記複数の上層開口の側壁上とに形成するステップと、
第二導電層を、前記第一保護層上および前記複数の上層開口中に形成して、前記誘電体層、及び／又は、前記第一導電層とに接触させるステップと、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板と前記ガラス基板を接着するステップの後、前記半導体基板を薄化するステップをさらに含み、
前記受動素子は、インダクタまたはキャパシタであり、
前記受動素子がインダクタのとき、前記第一導電層は前記第二導電層に電気的に接続されており、前記第二導電層は前記複数の上層開口に充填されるように形成されているか、または、前記複数の上層開口内の形状にしたがって形成されており
前記受動素子はキャパシタのとき、前記誘電体層、前記第一導電層、及び、前記第二導電層は結合されてサンドイッチ構造を形成し、前記複数の上層開口内の形状にしたがって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第二導電層上に、平坦化第二保護層を形成して、前記上層開口を充填するステップと、
前記第二保護層の形成した後、前記ガラス基板を薄化するステップと、をさらに含み、
前記第一保護層および前記第二保護層の材料は、感光性絶縁材料を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠視野モードと近視野モードとの間で切替可能な対物レンズであって、
共通光軸上に配列された、レンズと、可変屈折率を有する光学素子と、固浸レンズとを備え、前記光学素子は、前記固浸レンズの凸側面に配置され、前記光軸の方向に互いに隣接して配置された上面および下面を有し、前記上面は前記固浸レンズの前記凸側面の曲率よりも小さい曲率を有し、前記光学素子の前記下面が前記固浸レンズの前記凸側面の形状に適合された凹形状を有し、前記光学素子の屈折率と前記固浸レンズの屈折率との差が前記遠視野モードでは小さく、その結果、前記固浸レンズと前記光学素子が実質的に単一の光学素子として前記遠視野モードで機能するのに対し、前記差が前記近視野モードでは大きく、その結果、前記近視野モードにおいて前記固浸レンズの光学効果が顕著である、前記対物レンズ。
【請求項２】
前記遠視野モードで前記光学素子の屈折率と前記固浸レンズの屈折率は本質的に同じである、請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項３】
前記光学素子は、上部および下部によって前記光軸の方向に限定された空洞に封じ込められた、可変屈折率を有する液体であり、前記光学素子の前記上面および前記下面は、前記空洞にそれぞれ面する前記上部および下部の面によって形成される、請求項１または２に記載の対物レンズ。
【請求項４】
前記上部および下部はそれぞれ電極を備え、前記電極は、前記液体の屈折率を切り替えるために前記空洞内部に電界を発生するように設計される、請求項３に記載の対物レンズ。
【請求項５】
前記液体は液晶である、請求項３または４に記載の対物レンズ。
【請求項６】
前記液体は、異なる屈折率を有する混合しない２つの相からなり、前記相の一方は誘電性流体であり、前記上部および下部はセグメント化された電極を備え、１対の第１の電極セグメントは中心部に位置し、１対の第２の電極セグメントは前記光学素子の周辺部に位置する、請求項３に記載の対物レンズ。
【請求項７】
前記電極は前記光軸に垂直な平面内に延びる、請求項３乃至６のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項８】
前記電極は光透過性材料でできている、請求項３乃至７のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項９】
前記上面の曲率は、前記上部が前記光軸に垂直な平面内に延びる平行板の形を有するように、少なくともほぼゼロである、請求項３乃至８のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項１０】
前記上部は球面収差補正レンズの形状を有し、前記上部と前記液体の間の屈折率の差は、前記近視野モードにおける前記屈折率の差よりも前記遠視野モードにおける前記屈折率の差の方が大きい、請求項３乃至９のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項１１】
前記球面収差補正レンズは平坦面および湾曲面を有し、前記球面収差補正レンズの前記湾曲面は前記空洞に面する、請求項１０に記載の対物レンズ。
【請求項１２】
前記球面収差補正レンズはシュミット板である、請求項１１に記載の対物レンズ。
【請求項１３】
前記遠視野モードにおいて、前記光学素子の屈折率ならびに前記固浸レンズの屈折率はｎ＝３の範囲にある、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項１４】
前記近視野モードにおいて、前記光学素子の屈折率はほぼｎ＝１である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の対物レンズ。
【請求項１５】
光記録媒体から読み出し、かつ／または前記光記録媒体に書き込むための装置であって、近視野モードおよび遠視野モードにおいて動作する光ヘッドを有し、前記光ヘッドは請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の対物レンズを備える、前記装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置および情報処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から、前記記録媒体の状態を示す情報を取得する情報取得手段と、
前記取得した情報に基づき前記記録媒体の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段による判定結果を外部に報知する報知手段と、を備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記記録媒体の状態を示す情報は、ファイルシステム情報に含まれる、記録最小単位を示す情報であり、
前記判定手段は、前記記録最小単位を示す情報に基づき、前記記録媒体への高速書込の可否を判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記記録媒体はＳＤカードであり、前記ファイルシステム情報に含まれる記録最小単位はクラスタであり、
前記判定手段は、前記記録媒体のクラスタサイズが所定のクラスタサイズである場合、前記記録媒体への高速書込が可と判定し、前記クラスタサイズが所定のクラスタサイズでない場合、前記記録媒体への高速書込が不可と判定する、ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記記録媒体の状態を示す情報は、ディレクトリ・ファイル構成またはファイル名に関する情報であり、
前記判定手段は、前記ディレクトリ・ファイル構成またはファイル名に関する情報に基づき、前記記録媒体に動画ファイルが記録されているか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記判定手段は、
前記記録媒体に、ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在するか否かを判断し、
ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在すると判断した場合、前記記録媒体に動画ファイルが記録されていると判定し、
ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在しないと判断した場合、前記記録媒体に動画ファイルが記録されていないと判定する、
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記報知手段は発光手段を含み、前記発光手段は、前記判定結果に応じて異なった色で発光する、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記報知手段は発光手段を含み、前記発光手段は、前記判定結果に応じて異なった周期で点滅する、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記報知手段は複数の発光手段を含み、前記判定結果に応じて、点灯させる発光手段が切り替えられる、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項９】
前記報知手段は、所定のテキストや画像を表示する表示手段を含む、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記報知手段は、音声または信号音を出力する発音手段を含む、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記記録媒体が当該撮像装置に装着されたときに、前記判定手段が前記記録媒体の状態を判定し、前記報知手段が前記判定結果を報知する、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１２】
記録媒体から、前記記録媒体の状態を示す情報を取得する情報取得手段と、
前記取得した情報に基づき前記記録媒体の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段による判定結果を外部に報知する報知手段と、を備える
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
前記記録媒体の状態を示す情報は、ファイルシステム情報に含まれる、記録最小単位を示す情報であり、
前記判定手段は、前記記録最小単位を示す情報に基づき、前記記録媒体への高速書込の可否を判定する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記記録媒体はＳＤカードであり、前記ファイルシステム情報に含まれる記録最小単位はクラスタであり、
前記判定手段は、前記記録媒体のクラスタサイズが所定のクラスタサイズである場合、前記記録媒体への高速書込が可と判定し、前記クラスタサイズが所定のクラスタサイズでない場合、前記記録媒体への高速書込が不可と判定する、ことを特徴とする請求項１３に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記記録媒体の状態を示す情報は、ディレクトリ・ファイル構成またはファイル名に関する情報であり、
前記判定手段は、前記ディレクトリ・ファイル構成またはファイル名に関する情報に基づき、前記記録媒体に動画ファイルが記録されているか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１２記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記判定手段は、
前記記録媒体に、ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在するか否かを判断し、
ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在すると判断した場合、前記記録媒体に動画ファイルが記録されていると判定し、
ＡＶＣＨＤ規格で規定されたディレクトリまたはファイルが存在しないと判断した場合、前記記録媒体に動画ファイルが記録されていないと判定する、
ことを特徴とする請求項１５記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記記録媒体が当該情報処理装置に装着されたときに、前記判定手段が前記記録媒体の状態を判定し、前記報知手段が前記判定結果を報知する、ことを特徴とする請求項１２から請求項１６のいずれかに記載の情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像セットをクラスタ化し、各々が、不規則な一群の画像から成る複数の画面を生成する手順であって、前記クラスタ化は、前記画像セットの画像の対の間の対比較に基づく手順と、
場面内の画像を動画の一貫性に応じて順序付けることで、規則的な順序の画像から成る規則的場面を生成する手順と、
前記複数の画面から成る、前記規則的な順序の画像に基づいて順序付けられた画像として動画コンテンツを生成する手順と、から成り、
少なくとも、上述のクラスタ化する手順と順序付けの手順とがデジタルプロセッサによって実行されることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理方法であって、さらに、
前記場面内の画像のタイムスタンプの集計に基づいて、各場面の場面日付を割り当てる手順を含み
前記動画コンテンツを生成する手順は、前記場面日付に基づいて前記動画コンテンツ内の場面を順序付ける手順を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項３】
画像セットをクラスタ化し、各々が、不規則な一群の画像から成る複数の画面を生成する手順と、
場面内の画像を動画の一貫性に応じて順序付けることで、規則的な順序の画像から成る規則的場面を生成する手順と、
前記複数の画面から成る、前記規則的な順序の画像に基づいて順序付けられた画像として動画コンテンツを生成する手順と、
各画像の表示時間を選択する手順と、
前記動画コンテンツに基づいて動画フレームを含む動画を生成する手順であって、前記動画コンテンツの各画像は、前記動画が所定のフレームレートで再生される場合、前記画像が選択された表示時間の間、表示されるのに有効な１つ以上の動画フレームを定義する手順と、から成り、
少なくとも、上述のクラスタ化する手順と順序付けの手順とがデジタルプロセッサによって実行されることを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の画像処理方法であって、
前記場面内の画像を動画の一貫性に応じて順序付ける手順が、
画像の対の間での対比較に応じて場面内の前記複数の画像の最短経路を推定する手順から成ることを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
画像セットをクラスタ化して複数の場面を生成する手順と、動画の一貫性の基準に応じて各場面内で画像を順序付ける手順と、から成る画像処理方法であって、前記動画の一貫性の基準は、前記場面内の前記複数の画像の最短経路の推定を含み、前記推定は、画像の対比較基準を用いる画像処理方法をデジタルプロセッサが実行することが可能な命令を保存した非一時的な記録媒体。
【請求項６】
画像処理方法であって、
最短距離推定を含む動画の一貫性の基準に基づいて画像セットを自動的に順序付ける手順であって、当該自動的に順序付ける手順は、画像セットをクラスタ化して複数の場面を定義するクラスタを生成する手順と、前記動画の一貫性の基準に基づいて、各場面内の画像を自動的に順序付ける手順と、から成る手順と、
順序付けられた画像セットによって定義され、所定のフレームレートで再生されるフレームを含む動画として、前記画像を再生する手順と、から成る画像処理方法。
【請求項７】
画像処理方法であって、
動画の一貫性の基準に基づいて画像セットを自動的に順序付ける手順と、
順序付けられた画像セットによって定義され、所定のフレームレートで再生されるフレームを含む動画として前記画像を再生する手順と、
一定エントロピー基準を用いて前記所定のフレームレートを選択する手順と、から成る画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジングに結合されて、挿入溝を有し、前記挿入溝内部に配置された第１連結端子を含む結合部材と、
前記ハウジングと前記結合部材との間に配置された一つ以上の反射体と、
前記結合部材の挿入溝に脱着自在に結合されて、前記第１連結端子と電気的に連結される第２連結端子を含む光源部と、を含む照明装置。
【請求項２】
前記光源部は、上部と下部を含み、
前記光源部の上部は、前記挿入溝に脱着自在に結合され、
前記第２連結端子は、前記光源部の上部に配置され、
前記光源部の下部は、前記反射体に向けて光を放出する発光素子を含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源部は、第１胴体と第２胴体を含み、
前記第１胴体の上部は、前記挿入溝を通じて前記結合部材と脱着自在に結合される第１結合部を含んで、下部は第１傾斜面を含み、
前記第２胴体の上部は、前記挿入溝を通じて前記結合部材と脱着自在に結合される第２結合部を含んで、下部は第２傾斜面を含み、
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上にそれぞれ配置された複数の発光ダイオードを含む、請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第１胴体は、前記第１傾斜面を底面にする第１発光溝を有し、
前記第２胴体は、前記第２傾斜面を底面にする第２発光溝を有し、
前記第１発光溝内には、前記第１傾斜面に沿って前記複数の発光ダイオードが傾くように配置され、
前記第２発光溝内には、前記第２傾斜面に沿って前記複数の発光ダイオードが傾くように配置された、請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記第１発光溝及び前記第２発光溝には、複数の発光ダイオードで前記ハウジングの外部に直接放出される光が遮られるように前記第１発光溝及び前記第２発光溝からそれぞれ突出した突出部を有する、請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記光源部は、第１胴体、第２胴体、及び前記第１胴体と前記第２胴体との間に配置された中間胴体を含み、
前記第２連結端子は前記中間胴体の上部に配置される、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記中間胴体の両側面に配置され、
前記中間胴体及び前記第１胴体の間の接近距離と前記中間胴体及び前記第２胴体の間の接近距離に基づいて、前記複数の発光ダイオードに供給される電源を遮断または連結するリミットスイッチをさらに含む、請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第１胴体、前記第２胴体、及び前記中間胴体の両端のうちで少なくとも一端に配置され、
前記第１胴体、前記中間胴体、及び前記第２胴体を互いに脱着自在に結合し、
前記第１胴体と前記中間胴体との間の離隔距離、及び前記第２胴体と前記中間胴体との間の離隔距離が変化され得るように、前記第１胴体及び前記第２胴体を回転自在にする結合キャップをさらに含む、請求項６または７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記結合キャップは、第１抑止突起、第２抑止突起、上部固定突起、下部固定突起、第１軸突起及び第２軸突起を含み、
前記第１胴体は、前記第１抑止突起と前記第１軸突起がそれぞれ挿入される溝を有し、
前記第２胴体は、前記第２抑止突起と前記第２軸突起がそれぞれ挿入される溝を有し、
前記中間胴体は、前記上部固定突起と前記下部固定突起がそれぞれ挿入される溝を有する、請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記中間胴体はセンサー部を含み、
前記センサー部は、カメラ、フォトセンサー、圧力感知センサー、温度感知センサー、盗難防止用センサー、電波感知センサーなどを少なくとも一つ含む、請求項６ないし９のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記光源部は、
前記１胴体及び前記第２胴体の間に配置されて、前記第１胴体及び前記第２胴体の間の間隔が離れる方向に弾性力を提供するスプリングをさらに含む、請求項３ないし１０のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記挿入溝の内側壁面は複数の第３溝を有し、
前記第１結合部は突出端を含み、
前記突出端は、前記複数の第３溝のうちいずれか一つに挿入される、請求項３ないし１１のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記挿入溝の内側壁面は傾斜した、請求項１２に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記第１結合部及び前記第２結合部は、
前記結合部材との結合時に前記光源部から発生した熱が転移するように前記挿入溝の内面と接触する接触面を有する、請求項３ないし１１のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記結合部材の外側壁面は一つ以上の第１溝を有し、
前記ハウジングの内側壁面は一つ以上の第２溝を有し、
前記反射体の第１側は前記第２溝を通じて前記ハウジングの内側壁面と脱着自在に結合され、
前記反射体の第２側は前記第１溝を通じて前記結合部材の外側壁面と脱着自在に結合される、請求項２ないし１４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記ハウジングと前記反射体との間に配置されて、前記光源部と前記結合部材の結合時、前記光源部に電源及び駆動信号のうちで少なくとも一つを提供する電源駆動部さらに含む、請求項２ないし１５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１７】
前記第１連結端子は、一列に配列された第１ないし第４端子を含み、
前記第２連結端子は、前記第１ないし第４端子と対応する第１ないし第４ソケットを含み、
前記第１端子と前記第２端子及び前記第３端子と前記第４端子は、極性が互いに異なり、
前記第１端子と前記第４端子及び前記第２端子と前記第３端子は、極性が同じ、請求項２ないし１６のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記第１連結端子は、前記第１ないし第４端子を有する雌ブロックを含み、
前記第２連結端子は、前記第１ないし第４ソケットを有する雄ブロックを含む、請求項１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記第１連結端子は、第１雌ブロックと第２雌ブロックを含み、
前記第１雌ブロックは、一対以上の端子を含み、
前記第２雌ブロックは、一対以上の端子を含み、
前記第１雌ブロックの一対以上の端子と前記第２雌ブロックの一対以上の端子は、互いに対称的な構造と極性を有し、
前記第２連結端子は、第１雄ブロックと第２雄ブロックを含み、
前記第１雄ブロックは、前記第１雌ブロックの一対の端子と対応する一対以上のソケットを含み、
前記第２雄ブロックは、前記第２雌ブロックの一対の端子と対応する一対以上のソケットを含む、請求項２ないし１６のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１反射体及び第２反射体を含む反射体と、
前記第１反射体で光を放出する第１胴体、前記第２反射体で光を放出する第２胴体、及び前記第１胴体と前記第２胴体との間に配置された中間胴体を含む光源部と、を含み、
前記第１胴体は、第１ヒンジ部を含み、
前記第２胴体は、第２ヒンジ部を含み、
前記中間胴体は、前記第１ヒンジ部及び前記第２ヒンジ部と脱着自在に結合する、照明装置。
【請求項２】
前記光源部は、
前記１胴体及び前記第２胴体の間に配置されて、前記第１胴体及び前記第２胴体の間の間隔が離れる方向で弾性力を提供するスプリングをさらに含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記第１胴体は、前記第１反射体に向けて傾いた第１傾斜面と前記第１傾斜面上に配置された第１発光素子とを含み、
前記第２胴体は、前記第２反射体に向けて傾いた第２傾斜面と前記第２傾斜面上に配置された第２発光素子とを含み、
前記中間胴体は、前記第１ヒンジ部及び前記第２ヒンジ部がそれぞれ挿入される挿入溝を有し、前記スプリングが配置された、請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第１胴体は、前記第１傾斜面を有する第１発光溝を含み、
前記第２胴体は、前記第２傾斜面を有する第２発光溝を含む、請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記第１発光溝内には、前記第１傾斜面上に配置された第１基板、前記第１基板上に配置された前記第１発光素子、及び前記第１発光素子上に配置された第１光学構造物を含み、
前記第２発光溝内には、前記第２傾斜面上に配置された第２基板、前記第２基板上に配置された前記第２発光素子、及び前記第２発光素子上に配置された第２光学構造物を含む、請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記第１光学構造物又は前記第２光学構造物は、
レンズ、拡散シート（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｓｈｅｅｔ）、及び光励起フィルム（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ
Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｆｉｌｍ、ＰＬＦ）のうちで少なくとも一つを含む、請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記中間胴体は、補助発光素子を含む、請求項２ないし６のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記中間胴体は、第３発光溝を含み、
前記補助発光素子は、前記第３発光溝内に配置された、請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記反射体と前記光源部が配置されたハウジングをさらに含み、
前記第１胴体は、前記第１発光素子で前記ハウジングの外部に直接放出される光を遮断するための突出部を含む、請求項３ないし８のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記突出部の少なくとも一部分は、前記発光素子と前記ハウジングの一端を繋いだ仮想の線上に配置された、請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記中間胴体及び前記第１胴体の間の接近距離と前記中間胴体及び前記第２胴体の間の接近距離に基づいて、前記第１発光素子と前記第２発光素子に供給される電源を遮断または連結するリミットスイッチをさらに含む、請求項３ないし１０のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
ハウジングと、
前記ハウジングに配置されて、前記第１胴体及び前記第２胴体と結合する第１挿入溝を有し、前記第１挿入溝内部に第１連結端子が配置された結合部材と、をさらに含み、
前記反射体は、前記ハウジング及び前記結合部材の間に配置され、
前記光源部の中間胴体は、前記第１連結端子と結合する第２連結端子を含む、請求項２ないし１１のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記第１挿入溝の内側壁面は複数の第３溝を有し、
前記第１胴体は突出端を有し、
前記突出端は、前記複数の第３溝のいずれか一つに挿入される、請求項１２に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記挿入溝の内側壁面は傾斜した、請求項１３に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記第１連結端子は、一列に配列された第１ないし第４端子を含み、
前記第２連結端子は、前記第１ないし第４端子と対応する第１ないし第４ソケットを含み、
前記第１端子と前記第２端子及び前記第３端子と前記第４端子は、極性が互いに異なり、
前記第１端子と前記第４端子及び前記第２端子と前記第３端子は、極性が同じ、請求項１２ないし１４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記第１連結端子は、前記第１ないし第４端子を有する雌ブロックを含み、
前記第２連結端子は、前記第１ないし第４ソケットを有する雄ブロックを含む、請求項１５に記載の照明装置。
【請求項１７】
前記第１連結端子は、第１雌ブロックと第２雌ブロックを含み、
前記第１雌ブロックは、一対以上の端子を含み、
前記第２雌ブロックは、一対以上の端子を含み、
前記第１雌ブロックの一対以上の端子と前記第２雌ブロックの一対以上の端子は、互いに対称的な構造と極性を有し、
前記第２連結端子は、第１雄ブロックと第２雄ブロックを含み、
前記第１雄ブロックは、前記第１雌ブロックの一対の端子と対応する一対以上のソケットを含み、
前記第２雄ブロックは、前記第２雌ブロックの一対の端子と対応する一対以上のソケットを含む、請求項１２ないし１４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記ハウジングと前記反射体との間に配置されて、前記光源部と前記結合部材の結合時、前記光源部に電源及び駆動信号のうちで少なくとも一つを提供する電源駆動部をさらに含む、請求項１２ないし１７のいずれか一項に記載の照明装置。