【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
前記弾性表面波の伝播方向に沿って前記ＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
2012060422.tif 000001
及び、
2012060422.tif 000002
の関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記反射器のライン占有率ηrとが、η＜ηrの関係を満足することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記反射器のライン占有率ηrが、０．７０≦ηr≦０．９５を満足することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記電極指のピッチＰtと前記導体ストリップのピッチＰrとが、０．９９５≦Ｐｔ／Ｐｒ≦１．０１０の関係を満足することを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記電極指のピッチＰtと前記導体ストリップのピッチＰrとが、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦１．００７５の関係を満足することを特徴とする請求項３記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060422.tif 000003
を満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが、前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
第１の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
前記弾性表面波の伝播方向に沿って前記ＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
2012060422.tif 000004
及び、
2012060422.tif 000005
の関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記反射器のライン占有率ηrとが、η＜ηrの関係を満足することを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態の弾性表面波デバイスは、前記反射器のライン占有率ηrが、０．７０≦ηr≦０．９５を満足することを特徴とする第１の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第３の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指のピッチＰtと前記導体ストリップのピッチＰrとが、０．９９５≦Ｐｔ／Ｐｒ≦１．０１０の関係を満足することを特徴とする第１の形態または第２の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第４の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指のピッチＰtと前記導体ストリップのピッチＰrとが、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦１．００７５の関係を満足することを特徴とする第３の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第５の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060422.tif 000006
を満足することを特徴とする第１の形態乃至第４の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第６の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする第１の形態乃至第５の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第７の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが、前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることを特徴とする第１の形態乃至第６の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第８の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第１の形態乃至第７の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第９の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第１０の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
本発明のＳＡＷデバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むようにその両側に配置した、それぞれ複数の導体ストリップからなる一対の反射器と、
ＩＤＴの隣り合う電極指間の水晶基板の表面に凹設した電極指間溝と、
反射器の隣り合う導体ストリップ間の水晶基板の表面に凹設した導体ストリップ間溝とを有し、
弾性表面波の波長λと電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇの関係を満足し、
ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが、
【数５】
2012060422.tif 000007
及び、
【数６】
2012060422.tif 000008
の関係を満足し、
ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとが、η＜ηrの関係を満足することを特徴とする。