Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが、ポリオールブレンド、ポリアミン又はポリアミン混合物及びトルエンジイソシアネートのポリウレタン反応生成物であり、前記ポリオールブレンドが、合計で１５〜７７重量％のポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物であり、前記ポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物が、２０／１〜１／２０のポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比を有し、前記ポリアミン又はポリアミン混合物が８〜５０重量％であり、前記トルエンジイソシアネートが１５〜３５重量％の全モノマー又は部分的に反応したトルエンジイソシアネートモノマーである研磨パッド。
【請求項２】
ポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比が２／１〜１／２である、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
ポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比が２０／１〜２／１である、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
ポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比が１／２０〜１／２である、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
２０〜７０のショアＤ硬さを有する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】
銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが、ポリオールブレンド、ポリアミン又はポリアミン混合物及びトルエンジイソシアネートのポリウレタン反応生成物であり、前記ポリオールブレンドが、合計で２０〜７５重量％のポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物であり、前記ポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物が、１５／１〜１／１５のポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比を有し、前記ポリアミン又はポリアミン混合物が１０〜４５重量％であり、前記トルエンジイソシアネートが２０〜３０重量％の全モノマー又は部分的に反応したトルエンジイソシアネートモノマーである研磨パッド。
【請求項７】
ポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比が１５／１〜２／１である、請求項６記載の研磨パッド。
【請求項８】
ポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比が１／１５〜１／２である、請求項６記載の研磨パッド。
【請求項９】
２０〜７０のショアＤ硬さを有する、請求項６記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記ポリマーブレンドがプレポリマーブレンドからのポリマーブレンドであり、前記プレポリマーブレンドが前記トルエンジイソシアネートを含む、請求項６記載の研磨パッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
発明の記述
本発明の局面は、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが、ポリオールブレンド、ポリアミン又はポリアミン混合物及びトルエンジイソシアネートのポリウレタン反応生成物であり、ポリオールブレンドが、合計で１５〜７７重量％のポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物であり、ポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物が、２０／１〜１／２０のポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比を有し、ポリアミン又はポリアミン混合物が８〜５０重量％であり、トルエンジイソシアネートが１５〜３５重量％の全モノマー又は部分的に反応したトルエンジイソシアネートモノマーである研磨パッドを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のもう一つの局面は、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが、ポリオールブレンド、ポリアミン又はポリアミン混合物及びトルエンジイソシアネートのポリウレタン反応生成物であり、ポリオールブレンドが、合計で２０〜７５重量％のポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物であり、ポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物が、１５／１〜１／１５のポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比を有し、ポリアミン又はポリアミン混合物が１０〜４５重量％であり、トルエンジイソシアネートが２０〜３０重量％の全モノマー又は部分的に反応したトルエンジイソシアネートモノマーである研磨パッドを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料の基板にメモリセルの少なくとも一つのアレイを備えた不揮発性メモリを製造する方法であって、この方法は、
ａ）シリコン基板（１）を提供する工程と、
ｂ）メモリセルのアレイを提供する工程と、ここで、各メモリセルは、基板（１）の上端にトンネル酸化物層（３）のスタックと、トンネル酸化物層（３）の上端にフローティングゲート層（４）とを備え、メモリセルは、互いに自己整合されかつ高さ方向（Ｙ）において基板（１）内へ及び上方へ延在するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）構造により互いから分離される、
ｃ）トンネル酸化物層（３）の上方の高さ位置で、その高さ位置の上方でフローティングゲート（７）が薄くされることになる高さ位置（ｋ１、ｋ３）までＳＴＩ構造（２）を部分的にエッチングバックすることによりフローティングゲート（７）の側壁の上部を露出する工程と、
ｄ）フローティングゲート（７）の露出部（８）の酸化によりフローティングゲート層（４）の上部を薄くする工程と、それにより、犠牲酸化物（９）を形成し、犠牲酸化物（９）を除去し、それにより、メモリセルのアレイ（ＸＹ）に沿った断面において逆Ｔ形状を有するフローティングゲート（７）を生成し、
ｅ）フローティングゲート（７）の上端及び側面に共重合体誘電体層（５）を形成する工程と、
ｆ）共重合体誘電体層（５）の上端にコントロールゲート（６）を形成する工程と、ここで共重合体誘電体層（５）は、フローティングゲート（７）からコントロールゲート（６）を分離する、
の各工程を備えた製造方法。
【請求項２】
工程ｂ）において、さらに、高さ方向（Ｙ）におけるフローティングゲート層（４）の薄肉化を防ぐために、フローティングゲート層（４）の上端にハードマスク（１０）が設けられ、ＳＴＩ構造（２）とともに自己整合される、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
フローティングゲート層（４）はシリコンで作製され、ＳＴＩ構造（２）は酸化シリコンで作製されている、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
犠牲酸化物層（９）の除去と同じ工程ｄ）において、ＳＴＩ構造（２）は、共重合体誘電体層（５）によってさらに除去されたＳＴＩ構造の置換を可能にするため、トンネル酸化物層（３）の上方の第２高さ（ｋ２ｂ）までさらに除去される、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
工程ｄ）は、フローティングゲート（７）とコントロールゲート（６）との間の共重合体誘電体層（５）の下端層（１１）を形成するために、フローティングゲート（７）の露出部（８）を２回目の酸化をすることをさらに備える、請求項１記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成し、
不活性気体雰囲気下、又は減圧下において、前記酸化物半導体膜を１ＭＨｚ以上３ＴＨｚ以下の電磁波に晒し、水及び水素を前記酸化物半導体膜から脱離させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜を形成し、
大気圧下における露点が−６０℃以下の空気中において、前記酸化物半導体膜を１ＭＨｚ以上３ＴＨｚ以下の電磁波に晒し、水及び水素を前記酸化物半導体膜から脱離させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月29日(2013.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前置増幅器であって、
差動信号を駆動させるように構成されたドライバと、
前記差動信号間の差と基準信号との比較結果に従って、前記ドライバからの出力信号を伝送する制御を行なうように構成された制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記差動信号間の前記差と基準信号との比較結果に従って、前記ドライバからの出力信号を伝送するか否かを制御するように構成される、前置増幅器。
【請求項２】
前記制御回路は、前記差動信号間の差を検出するように構成された差検出器と、
デジタルコードに対応する前記基準信号を生成して出力するように構成されたデジタルアナログ変換器と、
前記差検出器から出力された前記差と前記デジタルアナログ変換器から出力された前記基準信号との比較結果に対応する制御信号を生成するように構成された比較器と、
前記制御信号に従って、前記ドライバからの前記出力信号の伝送を制御するように構成されたスイッチング回路とを含む、請求項１に記載の前置増幅器。
【請求項３】
前記スイッチング回路は、アクティブ信号と前記制御信号とに従って、前記ドライバからの前記出力信号の伝送を制御する、請求項２に記載の前置増幅器。
【請求項４】
前記制御回路は、前記差動信号間の差を検出するように構成された差検出器と、
デジタルコードに対応する前記基準信号を生成して出力するように構成されたデジタルアナログ変換器と、
前記差検出器から出力された前記差動信号間の前記差と前記デジタルアナログ変換器から出力された前記基準信号との比較結果に対応する比較信号を生成するように構成された比較器と、
前記比較器から出力された比較信号をラッチし、制御信号を出力するように構成されたラッチと、
前記ラッチから出力された前記制御信号に従って、前記ドライバからの前記出力信号の伝送を制御するように構成されたスイッチング回路とを含む、請求項１に記載の前置増幅器。
【請求項５】
前記ラッチは、前記前置増幅器の読み出し動作を指示する読み出しイネーブル信号に応答して初期化される、請求項４に記載の前置増幅器。
【請求項６】
前記スイッチング回路は、アクティブ信号と前記制御信号とに従って、前記ドライバからの前記出力信号の伝送を制御する、請求項４に記載の前置増幅器。
【請求項７】
ハードディスクドライブであって、
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に書き込み信号を書き込むように構成された書き込みヘッドと、
前記書き込みヘッドに前記書き込み信号を供給するように構成された、請求項１〜６のいずれか１項に記載の前置増幅器とを備える、ハードディスクドライブ。
【請求項８】
前記基準信号のレベルを制御するデジタルコードを前記前置増幅器に伝送するように構成されたプロセッサをさらに備える、請求項７に記載のハードディスクドライブ。
【請求項９】
請求項７に記載のハードディスクドライブと、
前記ハードディスクドライブの書き込み動作を制御して書き込みデータを出力するように構成されたプロセッサとを備える、コンピュータシステム。
【請求項１０】
不揮発性メモリ装置をさらに備え、
前記プロセッサは、前記不揮発性メモリ装置の動作を制御する、請求項９に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記ドライバは、制御信号に応答してイネーブル又はディセーブルされる、請求項１に記載の前置増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第２開始遮断弁３１は、流量制御機器１０からのガスを第２測定用タンク３２に供給又は停止するエアオペレイトバルブである。第２測定用タンク３２は、ガスを一定量貯留する容器である。第２測定用タンク３２の容積及び流量制御機器１０の２次側から第２開始遮断弁３１の１次側までの流路容積は、流量制御機器１０の流量によって最適な容積を選定するが、例えば、第２測定用タンク３２の容積は１０ｃｃ程度、流量制御機器１０の２次側から第２開始遮断弁３１の１次側までの流路容積は、８０〜１２０ｃｃ程度である。第２圧力計３３は、第２測定用タンク３２の容器内に貯留したガスの圧力上昇を計測する圧力計である。第２圧力計３３は、真空状態のガスに対応し得るように、例えば、隔膜式の真空圧力計を用いている。第２温度計３４は、第２測定用タンク３２の容器内のガス温度を計測する温度計である。操作遮断弁３５は、第２測定用タンク３２に貯留されたガスを吸引ポンプ１８に供給又は停止するエアオペレイトバルブである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、第２圧力計の筒状部３３２下端には、略矩形状をなして内部に第２測定用タンク３２が穿設されている台座ブロック３３３が配設され、第２圧力計３３の真空チャンバ３３１と第２測定用タンク３２とが連通されている。第２測定用タンク３２は、下方に膨出した湾曲断面に形成されている。湾曲断面の内壁には、台座ブロック３３３の下端に連通
し、図面左側に傾斜する左傾斜流路３２１と図面右側に傾斜する右傾斜流路３２３と両者の中間に垂下する垂直流路３２２とが形成されている。
台座ブロック３３３の下端は、３個の矩形状ブロック３６Ａ〜３６Ｃの上端に当接して、左傾斜流路３２１は左Ｖ字状流路３６１と連通し、右傾斜流路３２３は右Ｖ字状流路３６３と連通している。台座ブロック３３３及び３個の矩形状ブロック３６Ａ〜３６Ｃの形成された各流路の容積は、流量検定時の測定用タンク容積に含まれるので、流量検定の精度を向上させるよう流路径や流路長を設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
通信経路を介して接続される端末装置から、前記端末装置の操作状態を示す操作状態情報を受信する受信手段と、前記操作状態情報に基づいて、画像処理に関わる特定の操作状態に前記端末装置があると検知した場合、前記特定の操作状態の次に実行され得る画像処理に関する１又は複数の特定情報を、前記特定の操作状態に対応した優先度に基づいて前記端末装置に送信する送信手段と、を有することを特徴とする情報提供装置。   
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に係る発明は、通信経路を介して接続される端末装置から、前記端末装置の操作状態を示す操作状態情報を受信する受信手段と、前記操作状態情報に基づいて、画像処理に関わる特定の操作状態に前記端末装置があると検知した場合、前記特定の操作状態の次に実行され得る画像処理に関する１又は複数の特定情報を、前記特定の操作状態に対応した優先度に基づいて前記端末装置に送信する送信手段と、を有することを特徴とする情報提供装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された底面部と、を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板に設けられた電極と、
を備え、
前記電極は、互いに離間して配設された複数の電極要素を含み、
互いに異なる位相の交流電圧が前記複数の電極要素のそれぞれに印加可能とされ、
前記突起部は、前記複数の電極要素のそれぞれの形状に応じて所定の間隔で前記主面上に複数配置されたことを特徴とする交流駆動静電チャック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記複数の前記突起部は、前記複数の電極要素を前記主面に投影した投影面の上において、前記中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする請求項４記載の交流駆動静電チャック。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記複数の前記突起部は、前記間隙を前記主面に投影した投影面の上において、前記中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする請求項５記載の交流駆動静電チャック。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記複数の電極要素のうちの隣接する電極要素のあいだに設けられた間隙は、延在する部分を有し、
前記複数の前記突起部は、前記複数の電極要素を前記主面に投影した投影面の上において、前記部分の前記延在する方向に延びる中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする請求項２記載の交流駆動静電チャック。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の発明は、被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された底面部と、を有する誘電体基板と、前記誘電体基板に設けられた電極と、を備え、前記電極は、互いに離間して配設された複数の電極要素を含み、互いに異なる位相の交流電圧が前記複数の電極要素のそれぞれに印加可能とされ、前記突起部は、前記複数の電極要素のそれぞれの形状に応じて所定の間隔で前記主面上に複数配置されたことを特徴とする交流駆動静電チャックである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、第６の発明は、第４の発明において、前記複数の前記突起部は、前記複数の電極要素を前記主面に投影した投影面の上において、前記中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする交流駆動静電チャックである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、第７の発明は、第５の発明において、前記複数の前記突起部は、前記間隙を前記主面に投影した投影面の上において、前記中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする交流駆動静電チャックである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、第８の発明は、第２の発明において、前記複数の電極要素のうちの隣接する電極要素のあいだに設けられた間隙は、延在する部分を有し、前記複数の前記突起部は、前記複数の電極要素を前記主面に投影した投影面の上において、前記部分の前記延在する方向に延びる中心線に対して対称の位置に存在することを特徴とする交流駆動静電チャックである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光起電構成要素を製造する方法であって、
第一巻回体から基板を巻き出す第一の工程と、
巻き出された前記基板上に複数の第一の個別電極を形成する第二の工程と、
前記複数の第一の個別電極上に犠牲層を形成する第三の工程と、
前記第一の個別電極上に複数の有機半導体材料の個別部分からなる有機半導体層を形成する第四の工程と、
前記複数の有機半導体材料の個別部分上に１つの導電材料層を形成し、その後前記犠牲層を除去することにより前記１つの導電材料層を複数の個別対向電極に分割する第五の工程と、
を備え、それによって、前記基板上に複数の光起電構成要素を形成し、前記光起電構成要素の各々は、複数の第一の個別電極のうちの１つと、前記複数の有機半導体材料の個別部分のうちの１つと、前記複数の個別対向電極のうちの１つとを有し、
前記基板上に形成された複数の光起電構成要素を同基板とともに第二巻回体に巻き取るようにした、方法であって、
前記犠牲層はフォトレジスト、蝋、油、又は高分子薄膜からなる方法。
【請求項２】
第五の工程の後に、前記複数の光起電構成要素を封入する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第四の工程において、前記有機半導体層を前記犠牲層上にも形成する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記犠牲層は鋭利なエッジを有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記犠牲層は湿式リソグラフィー又は印刷により形成される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記有機半導体材料はポリマーである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ポリマーはポリチオフェンを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記有機半導体材料はフラーレンを含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
第四の工程において、前記有機半導体層は構成的印刷、又は大面積被覆により形成される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の光起電構成要素は互いに電気的にＺ接続されるように形成される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
巻回体から巻回体へと連続的に製造する方法である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ）が、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を、前記高分子化合物（Ａ）の全繰り返し単位に対して１０モル％〜９０モル％で有する、請求項１に記載の化学増幅型レジスト組成物。
【化１】
2013029554.tif 000001
（式中、Ｒ２は水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、又はハロゲン原子を表す。Ａｒ２は芳香環基を表す。ｍは１以上の整数を表す。）
【請求項３】
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）酸の作用により前記高分子化合物（Ａ）を架橋する化合物とを含有する、請求項１又は２に記載の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項４】
前記化合物（Ｃ）が、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
【請求項６】
１０〜１５０ｎｍの膜厚を有する、請求項５に記載のレジスト膜。
【請求項７】
請求項５又は６のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。
【請求項８】
請求項５又は６に記載のレジスト膜を露光すること、及び、前記露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。
【請求項９】
請求項７に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、前記露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。
【請求項１０】
前記露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、請求項８又は９に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
〔１〕  フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上
〔２〕  前記高分子化合物（Ａ）が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を、前記高分子化合物（Ａ）の全繰り返し単位に対して１０モル％〜９０モル％で有する、上記〔１〕に記載の化学増幅型レジスト組成物。
【化１】
2013029554.tif 000002
（式中、Ｒ２は水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、又はハロゲン原子を表す。Ａｒ２は芳香環基を表す。ｍは１以上の整数を表す。）
〔３〕
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）酸の作用により前記高分子化合物（Ａ）を架橋する化合物とを含有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の化学増幅型レジスト組成物。
〔４〕
前記化合物（Ｃ）が、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物である、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の化学増幅型レジスト組成物。
〔５〕
上記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
〔６〕
１０〜１５０ｎｍの膜厚を有する、上記〔５〕に記載のレジスト膜。
〔７〕
上記〔５〕又は〔６〕のレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクス。
〔８〕
上記〔５〕又は〔６〕に記載のレジスト膜を露光すること、及び、前記露光された膜を現像することを含む、レジストパターン形成方法。
〔９〕
上記〔７〕に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光すること、及び、前記露光されたマスクブランクスを現像することを含む、レジストパターン形成方法。
〔１０〕
前記露光が、電子線又は極紫外線を用いて行われる、上記〔８〕又は〔９〕に記載のレジストパターン形成方法。
〔１１〕
上記〔７〕に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
Ｒ２における置換基を有していてもよいメチル基としては、トリフルオロメチル基や、ヒドロキシメチル基等を挙げることができる。
Ｒ２は水素原子であることが好ましい。
Ａｒ２の芳香環基における芳香環の具体例及び好ましい例としては、フェノール性水酸基に関する上記説明において記載したものと同様である。
ｍは１〜５の整数であることが好ましく、１が最も好ましい。ｍが１でＡｒ２がベンゼン環の時、―ＯＨの置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、上記（ｃ）の要件を満たしやすいことから、パラ位が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ａｒ２の芳香環基における芳香環は、上記−ＯＨで表される基以外にも置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールカルボニル基が挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
２．実施例
〔実施例１Ｅ〕
（１）支持体の準備
酸化Ｃｒ蒸着した６インチウェハー（通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物）を準備した。
（２）レジスト塗布液の準備
（ネガ型レジスト組成物Ｎ１の塗布液組成）
高分子化合物（Ａ１）                                    ０．６０ｇ
光酸発生剤（ｚ４２）（構造式は上記）                    ０．１２ｇ
架橋剤ＣＬ−１（構造式は下記）                          ０．０８ｇ
架橋剤ＣＬ−４（構造式は下記）                          ０．０４ｇ
テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（塩基性化合物）  ０．００２ｇ
２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸（有機カルボン酸）      ０．０１２ｇ
界面活性剤ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製）        ０．００１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶剤）  ４．０ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテル（溶剤）            ５．０ｇ
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を被投写面上に拡大投写する際に、光変調素子の画像の横縦比と、前記被投写面に投写される画像の横縦比とを異なるものとする投写光学系であって、
光束の通過を制限する絞りと、
前記光変調素子から前記絞りまでの間に配置され、前記光変調素子の縦方向と横方向とで異なるパワーを持つとともに光路上に進退可能な調整光学要素を含む光変調素子側レンズ群とを有し、
前記絞りは、前記光変調素子側レンズ群の前記調整光学要素の進退動作に連動して、光軸方向の異なる位置において光束の通過を制限する、
投写光学系。
【請求項２】
前記絞りと前記光変調素子側レンズ群の前記被投写面側の最端面との距離をｐとして、前記光変調素子側レンズ群の横断面において、前記被投写面側の焦点と前記被投写面側の最端面との距離をＦＦＰｘとし、
前記光変調素子側レンズ群の縦断面において、前記被投写面側の焦点と前記被投写面側の最端面との距離をＦＦＰｙとし、
ＦＦＰｘ＜ＦＦＰｙのとき、前記絞りは、前記光変調素子側レンズ群の前記調整光学要素が光路上にある状態においてＦＦＰｘ＜ｐ＜ＦＦＰｙとなる位置にあり、
ＦＦＰｙ＜ＦＦＰｘのとき、前記絞りは、前記光変調素子側レンズ群の前記調整光学要素が光路上にある状態においてＦＦＰｙ＜ｐ＜ＦＦＰｘとなる位置にある、請求項１に記載の投写光学系。
【請求項３】
前記絞りと前記光変調素子側レンズ群の前記被投写面側の最端面との距離ｐと前記調整光学要素が光路上から退避した状態の前記光変調素子側レンズ群における前記投写面側の焦点と前記被投写面側の最端面との距離ＦＦＰＬとは略等しい、請求項２に記載の投写光学系。
【請求項４】
ＦＦＰｘ＜ＦＦＰｙのとき、前記光変調素子側レンズ群の前記調整光学要素が光路上にある状態においてＦＦＰｘ＜ｐ≦（ＦＦＰｙ＋ＦＦＰｘ）／２であり、
ＦＦＰｙ＜ＦＦＰｘのとき、前記光変調素子側レンズ群の前記調整光学要素が光路上にある状態においてＦＦＰｙ＜ｐ≦（ＦＦＰｙ＋ＦＦＰｘ）／２である、請求項２及び３のいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項５】
前記被投写面側から順に、拡大用の第１群と、前記光変調素子の縦方向と横方向とで異なるパワーを持つとともに、光路上に進退可能な前記調整光学要素である第２群と、正のパワーを持つ第３群とからなる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項６】
前記被投写面側から順に、拡大用の第１群と、前記光変調素子の縦方向と横方向とで異なるパワーを持つとともに、光路上に進退可能な前記調整光学要素である第２群とからなる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項７】
前記第２群を進退させる進退駆動機構と、前記進退駆動機構に連動して前記絞りを動作させる絞り駆動機構と、をさらに備える請求項５及び６のいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項８】
前記絞り駆動機構は、前記第２群の進退に伴って前記絞りを光軸方向に沿ってスライド移動させる、請求項７に記載の投写光学系。
【請求項９】
前記絞りは、光軸方向について異なる位置に複数配置され、前記絞り駆動機構は、前記第２群の進退に伴って前記絞りの口径を変化させる、請求項７に記載の投写光学系。
【請求項１０】
前記第２群は、前記光変調素子の縦方向の断面において、前記被投写面側から順に、正のパワーをもつ第１の光学要素群と、負のパワーをもつ第２の光学要素群とで構成されている、請求項５から９までのいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項１１】
前記第２群は、前記光変調素子の横方向の断面において、前記被投写面側から順に、負のパワーをもつ第１の光学要素群と、正のパワーをもつ第２の光学要素群とで構成されている、請求項５から９までのいずれか一項に記載の投写光学系。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか一項に記載の投写光学系と、
前記光変調素子とを備える、
プロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の別の側面によれば、絞りと光変調素子側レンズ群の被投写面側の最端面との距離ｐと調整光学要素が光路上から退避した状態の光変調素子側レンズ群における投写面側の焦点と被投写面側の最端面との距離ＦＦＰＬとは略等しい。この場合、テレセントリック性を実現させるために適した状態とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013029569.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられる固定端と、
前記固定端に懸架される励振素子と、
前記励振素子を介して前記固定端に懸架されるコリオリ素子とを有し、
前記励振素子は、第１乃至第６梁によって前記固定端に懸架されており、
前記第１梁および前記第４梁は、それぞれ一端が前記固定端に接続され、かつ、前記励振素子の励振方向と直交する方向に延伸し、
前記第３梁および前記第６梁は、それぞれ一端が前記励振素子に接続され、かつ、前記直交する方向に延伸し、
前記第２梁は、前記第１梁の他端および前記第３梁の他端に接続され、かつ、前記励振方向に延伸し、
前記第５梁は、前記第４梁の他端および前記第６梁の他端に接続され、かつ、前記励振方向に延伸し、
前記第１梁乃至前記第３梁と、前記第４梁乃至前記第６梁とは、前記固定端を通って前記励振方向に延びる軸に対して対称配置されることを特徴とする角速度検出装置。
【請求項２】
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記励振素子が前記コリオリ素子の内側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項３】
前記第１梁乃至前記第６梁の組が、前記励振方向に所定の間隔を隔てて２組以上設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の角速度検出装置。
【請求項４】
請求項１、２、または３記載の角速度検出装置を一単位のセンサユニットとして、少なくとも２個の前記センサユニットを設け、それぞれの前記センサユニットが連動するようリンク梁によって連結されていることを特徴とする角速度検出装置。
【請求項５】
前記励振素子は長方形状であり、
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記第１梁乃至前記第６梁は前記長方形状の内部に設けられることを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項６】
前記コリオリ素子は長方形状であり、
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記励振素子は前記コリオリ素子の内側に設けられることを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項７】
前記第２梁の長さは、前記第１梁の長さより短く、
前記第２梁の幅は、前記第１梁の幅より長く、
前記第５梁の長さは、前記第４梁の長さより短く、
前記第５梁の幅は、前記第４梁の幅より長いことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板に接続される固定端と、
複数の梁を介して前記固定端に接続され、励振方向に振動可能である励振素子と、
前記励振素子を介して前記固定端に接続され、前記励振方向と垂直な検出方向に振動可能であるコリオリ素子とを有し、
前記複数の梁には、
前記検出方向に伸び、前記固定端に接続される第１梁と、
前記励振方向に伸び、前記第１梁に接続される第２梁と、
前記検出方向に伸び、前記第２梁および前記励振素子に接続される第３梁と、
からなる梁の組が、少なくとも２組含まれており、
前記２組の梁は、前記固定端を中心として前記励振方向に伸びる軸に対して対称に設けられ、
２本の前記第１梁は、前記固定端を共有することを特徴とする角速度検出装置。
【請求項９】
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記励振素子が前記コリオリ素子の内側に設けられていることを特徴とする請求項８記載の角速度検出装置。
【請求項１０】
前記２組の梁が、前記励振方向に所定の間隔を隔てて２組以上設けられていることを特徴とする請求項８または９記載の角速度検出装置。
【請求項１１】
請求項８、９、または１０記載の角速度検出装置を一単位のセンサユニットとして、少なくとも２個の前記センサユニットを設け、それぞれの前記センサユニットが連動するようリンク梁によって連結されていることを特徴とする角速度検出装置。
【請求項１２】
前記励振素子は長方形状であり、
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記２組の梁は前記長方形状の内部に設けられることを特徴とする請求項８記載の角速度検出装置。
【請求項１３】
前記コリオリ素子は長方形状であり、
前記励振素子および前記コリオリ素子が形成される活性層の面内において、前記励振素子は前記コリオリ素子の内側に設けられることを特徴とする請求項８記載の角速度検出装置。
【請求項１４】
前記２組の梁のそれぞれにおいて、
前記第２梁の長さは、前記第１梁の長さより短く、
前記第２梁の幅は、前記第１梁の幅より長いことを特徴とする請求項８記載の角速度検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１流体を輸送する第１弾性チューブと、
第２流体を輸送する第２弾性チューブと、
流体を輸送する第３弾性チューブと、
前記第１流体および前記第２流体のいずれかを選択的に前記第３弾性チューブへ導く切替弁と、
前記第３弾性チューブを外部から押圧して前記流体の輸送路を狭窄する第１位置と、狭窄しない第２位置との間で変位する押圧部と、
前記押圧部を変位させる駆動機構を収容する収容部と
を備える流体輸送カートリッジ。
【請求項２】
前記収容部が前記駆動機構を収容する面側とは反対の面側に透明の外装部材を備える請求項１に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項３】
前記切替弁を構成するピストンに設けられた位置マークにより、透明の前記外装部材を介して、前記切替弁が前記第１流体と前記第２流体のいずれを前記第３弾性チューブへ導いているかを視認できる請求項２に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項４】
前記押圧部は、前記収容部が前記駆動機構を収容しない状態において、前記第３弾性チューブを押圧しない請求項１から３のいずれか１項に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項５】
前記押圧部は、前記収容部が前記駆動機構を収容しない状態において、前記第３弾性チューブの弾性力により前記第２位置に位置する請求項１から４のいずれか１項に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項６】
前記押圧部は、前記第３弾性チューブに対して前記流体の輸送方向に沿って設けられた複数の押圧ピンである請求項１から５のいずれか１項に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項７】
前記収容部は、前記複数の押圧ピンを変位させるカムを収容するカム収容部である請求項６に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項８】
前記複数の押圧ピンの先端は、前記カム収容部に対して突出しており、前記カムの収容方向に対向する半球面を有する請求項７に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項９】
前記複数の押圧ピンは、前記カムの回転中心に対して放射状に配置されており、放射方向に沿って前記第１位置と前記第２位置との間で変位する請求項７または８に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項１０】
前記回転中心に対して円弧形状を有する、前記カムを備える流体輸送駆動ユニットに対する装着位置決め部を備える請求項９に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項１１】
前記流体輸送カートリッジは、矩形であり、前記矩形の隣り合う二辺に前記流体輸送駆動ユニットを固定する固定受け部を有する請求項１０に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項１２】
前記二辺は、前記弾性チューブへ前記流体が注入される注入口が設けられた一辺と、前記弾性チューブから前記流体が吐出される吐出口が設けられた一辺である請求項１１に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項１３】
前記矩形の平面部に、前記固定受け部とは異なる固定機能を発揮するロック部を有する請求項１１または１２に記載の流体輸送カートリッジ。
【請求項１４】
前記収容部が前記駆動機構を収容する面側に、前記第３弾性チューブの圧力を計測する圧力センサを挿通させる挿通孔を有する外装部材を備える請求項１から１３のいずれか１項に記載の流体輸送カートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光フィルムの製造装置に使用された最表面がゴムで形成されているロールの表面に粒状ドライアイスを吹き付けるロール表面の再生方法であって、
前記粒状ドライアイスの粒子径が１００μｍ〜５ｍｍであり、かつ、前記粒状ドライアイスを吹き付ける圧力が０．０１〜５０ＭＰａの範囲内である、ロール表面の再生方法。
【請求項２】
前記粒状ドライアイスを吹き付けるロール表面の周囲の空気を吸引しながら、前記粒状ドライアイスの吹き付けを行なう請求項１に記載のロール表面の再生方法。
【請求項３】
前記粒状ドライアイスが円柱状であり、底面の直径が１００μｍ〜５ｍｍの範囲内、高さが３００μｍ〜１０ｍｍの範囲内であることを特徴とする、請求項１または２に記載のロール表面の再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、ＥＬ素子及び第１の容量を各画素に有し、
前記第１のトランジスタにおいて、ゲートはゲート線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方はソース線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタにおいて、ソース又はドレインの一方は前記ＥＬ素子の第１の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は第１の配線に電気的に接続され、
前記第１の容量の一端は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの前記一方と電気的に接続され、前記第１の容量の他端は第２の配線に電気的に接続され、
前記ＥＬ素子は、前記第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれたＥＬ層とを有し、
前記第１の電極上には、前記第１の電極上の一部に開口部を有する絶縁膜が設けられ、
前記開口部には、前記第１の電極と接する前記ＥＬ層が設けられ、
前記ＥＬ層上には、前記ＥＬ層に接する前記第２の電極が設けられることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、ＥＬ素子及び第１の容量を各画素に有し、
前記第１のトランジスタにおいて、ゲートはゲート線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方はソース線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタにおいて、ソース又はドレインの一方は前記ＥＬ素子の第１の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は第１の配線に電気的に接続され、
前記第１の容量の一端は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの前記一方と電気的に接続され、前記第１の容量の他端は、第２の配線に電気的に接続され、
前記ＥＬ素子は、前記第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれたＥＬ層とを有し、
前記第１の電極上には、前記第１の電極上の一部に開口部を有する絶縁膜が設けられ、
前記開口部には、前記第１の電極と接する前記ＥＬ層が設けられ、
前記ＥＬ層上には、前記ＥＬ層に接する前記第２の電極が設けられ、
前記第１のトランジスタは２つのトランジスタが直列接続する構造であることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、ＥＬ素子及び第１の容量を各画素に有し、
前記第１のトランジスタにおいて、ゲートはゲート線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方はソース線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタにおいて、ソース又はドレインの一方は前記ＥＬ素子の第１の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方は第１の配線に電気的に接続され、
前記第１の容量の一端は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの前記一方と電気的に接続され、前記第１の容量の他端は、第２の配線に電気的に接続され、
前記ＥＬ素子は、前記第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれたＥＬ層とを有し、
前記第１の電極上には、前記第１の電極上の一部に開口部を有する絶縁膜が設けられ、
前記開口部には、前記第１の電極と接する前記ＥＬ層が設けられ、
前記ＥＬ層上には、前記ＥＬ層に接する前記第２の電極が設けられ、
前記第１のトランジスタはマルチゲート構造であることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記各画素は第２の容量を有し、前記第２の容量の一端は前記第２のトランジスタの前記ゲートと電気的に接続されることを特徴とするＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
船舶、特に艦船の駆動力要件を低減するための装置（１００）であって、前方ノズル（１０）を含み、少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）が前記前方ノズル（１０）から外側に突出し、
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の第１の端部（２０１）は前記前方ノズル（１０）に固定され、前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の第２の端部（２０２）は自由端として構成されることを特徴とする装置。
【請求項２】
少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）が前記前方ノズル（１０）の内部に配置され、望ましくは、前記内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）の第１の端部は、前記前方ノズル（１０）の内壁面（１２）に配置され、特に望ましくは前記前方ノズル（１０）に固定されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）は第２の端部が、船舶プロペラ（３３）のプロペラシャフトを装着するために構成されるシャフトベアリング（３１）、特に船尾管に固定されることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）及び／又は前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）は、前記前方ノズル（１０）の長手方向軸又は回転軸（１６）に対して放射状に配置されるか、前記船舶プロペラ（３３）のプロペラ軸（３２）に対して放射状に配置されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
複数の外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）が設けられ、前記前方ノズル（１０）のプロペラ下向き回転側（１５）上より、前記前方ノズル（１０）のプロペラ上向き回転側（１４）上に特に多くの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）が設けられ、及び／又は、前記外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）は非対称外部フィンシステムを形成するように配列されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
複数の内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）が設けられ、前記前方ノズル（１０）のプロペラ下向き回転側（１５）上より、前記前方ノズル（１０）のプロペラ上向き回転側（１４）上に特に多くの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）が設けられ、及び／又は、前記内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）は非対称内部フィンシステムを形成するように配列されることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）は、前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）の延長線に配置され、且つ二つで完結型フィンを形成することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記完結型フィンの長さは、前記船舶プロペラ（３３）の半径より大きいか小さく、望ましくは前記プロペラ（３３）の半径の最大９０％、特に望ましくは前記プロペラ（３３）の半径の最大７５％であることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）及び／又は前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）は、前記プロペラ軸（３２）及び／又は前記前方ノズル（１０）の前記長手方向軸に対して所定の迎え角で配列され、特に、前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）と前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）とは異なる迎え角を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）は、前記外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）から突出するフィン端部片（２３）が設けられる自由端（２０２）を有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記フィン端部片（２３）は、所定半径で又は所定角度で前記外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の自由端に変形されることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記フィン端部片（２３）は、前記外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）から前記外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の一側又は両側上に突出し、単方向構成の場合、前記フィン端部片２３は、望ましくは、前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の吸入側（２０３）上に突出することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）は前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）より大きい長さを有し、望ましくは前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の長さは前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）の少なくとも１．５倍であって、特に望ましくは前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）の長さは前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）の少なくとも２倍であることを特徴とする、請求項２〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記前方ノズル（１０）の直径は、前記船舶プロペラ（３３）の直径の７０％未満、望ましくは５０％未満、特に望ましくは３５％未満であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記前方ノズル（１０）の最大のプロファイル厚は、前記前方ノズル（１０）長さの１０％未満、望ましくは７．５％未満、特に望ましくは６％未満であることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記前方ノズル（１０）の内部に、前記前方ノズル（１０）の安定化のために少なくとも一つの安定化支柱（２２）が設けられ、前記安定化支柱（２２）は、一側端部が前記前方ノズル（１０）に固定され、他側端部が前記船舶プロペラ（３３）のプロペラシャフトを装着するために構成されるシャフトベアリング（３１）、特に船尾管に固定され、前記安定化支柱（２２）はフィンプロファイルを備えたり又は備えなかったり、と構成されることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの外部フィン（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）及び／又は前記少なくとも一つの内部フィン（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ）は後退翼フィンとして構成されることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記完結型フィンは全体にわたって後退翼フィンとして構成されることを特徴とする、請求項７を直接的又は間接的に関連する請求項１７に記載の装置。