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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２半導体ダイを受け入れるためのレセプタクルを有する第１半導体ダイを提供する段階であって、前記第１半導体ダイを半導体ウェーハからシンギュレートし、かつ同時に前記レセプタクルを形成するために、ドライ・エッチング法を用いる段階を含む、段階と、
前記レセプタクル内に前記第２半導体ダイを配置する段階と、
前記第１半導体ダイを第１接続端子に接続し、かつ、前記第２半導体ダイを第２接続端子に接続する段階と、
半導体パッケージ内に前記第１半導体ダイおよび前記第２半導体ダイを封止する段階と、
から成ることを特徴とする半導体装置を形成する方法。
【請求項２】
前記レセプタクルを有する第１半導体ダイを提供する段階は、前記第１半導体ダイを通る開口、前記第１半導体ダイの周囲に沿い、かつ前記第１半導体ダイの側辺から外へ延びる突出、および、前記第１半導体ダイの周囲に沿った湾曲形状のうちの１つである前記レセプタクルを有する前記第１半導体ダイを提供する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
コンポーネントまたは第２半導体ダイの１つを受け入れるためのレセプタクルを有する第１半導体ダイを提供する段階であって、前記レセプタクルを形成する一方、同時に前記第１半導体ダイを半導体ウェーハからシンギュレートするためにドライ・エッチングを用いる段階を含む、前記提供する段階と、
前記レセプタクル内に前記コンポーネントを配置する段階と、
前記第１半導体ダイを第１接続端子に接続する段階と、
前記コンポーネントを、前記第１半導体ダイの１つまたは第２接続端子に接続する段階と、
前記第１半導体ダイおよび前記コンポーネントを封止する段階と、
から成ることを特徴とする半導体ダイを形成する方法。
【請求項４】
電気コンポーネントを受け入れるためのレセプタクルを有する第１半導体ダイであって、前記第１半導体ダイを半導体ウェーハからシンギュレートし、かつ同時に前記レセプタクルを形成するために、前記レセプタクルがドライ・エッチング法を用いて形成される、第１半導体ダイと、
前記レセプタクル内に配置されたコンポーネントと、
から成る半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の表面となる絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられ、一方の面が前記絶縁層の表面に露出し、他方の面と側面とが前記絶縁層に接している電極パッドと、
前記絶縁層内に設けられ、一方の面が前記絶縁層の表面に露出し、他方の面と側面とが前記絶縁層に接している位置合わせマークと、
前記絶縁層の裏面に設けられ、前記電極パッドの他方の面を露出するビアホールと、
前記絶縁層の裏面に設けられ、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドに接続される配線層と、を有し、
前記位置合わせマークの一方の面は、粗化面とされており、かつ、前記絶縁層の表面に対して窪んだ位置に露出している配線基板。
【請求項２】
前記粗化面の表面粗さＲａは、５０ｎｍ＜Ｒａ＜２００ｎｍの範囲である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記位置合わせマークの平面形状は、円形、矩形、又は十字形である請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
支持体の一方の面に金属層を形成する工程と、
前記金属層に位置合わせマーク及び電極パッドをとなる第１配線層を積層形成する工程と、
前記金属層及び前記第１配線層を覆うように、前記支持体の前記一方の面に配線基板の表面となる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第１配線層の前記電極パッドとなる部分を露出するビアホールを形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドと接続される第２配線層を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記金属層を除去し、前記絶縁層の表面から窪んだ位置に前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分を露出させる工程と、
前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の、前記絶縁層の表面から露出する面を粗化面とする工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
支持体の一方の面に金属層を形成する工程と、
前記金属層の前記支持体と接する面の反対面を粗化面とする工程と、
前記金属層に位置合わせマーク及び電極パッドとなる第１配線層を積層形成し、前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の前記反対面と接する面に前記粗化面を転写する工程と、
前記金属層及び前記第１配線層を覆うように、前記支持体の前記一方の面に配線基板の表面となる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第１配線層の前記電極パッドとなる部分を露出するビアホールを形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドと接続される第２配線層を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記金属層を除去して、前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の、前記粗化面が転写された面を前記絶縁層の表面から窪んだ位置に露出させる工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記支持体を給電層に利用する電解めっき法により前記金属層を形成すると同時に、前記金属層の前記支持体と接する面の反対面を粗化面とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
エッチング又はブラスト処理により前記金属層の前記支持体と接する面の反対面を粗化面とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
エッチング又はブラスト処理により前記絶縁層の表面から露出する面を粗化面とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持体と前記金属層とは異なる材料で構成されており、
前記支持体を所定のエッチング液で除去した後、前記金属層を前記所定のエッチング液とは異なるエッチング液で除去する請求項４乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層を形成する工程では、前記支持体の一方の面に深さ調整層を形成後、更に前記深さ調整層に金属層を積層形成し、
前記支持体及び前記深さ調整層を除去後、前記金属層を除去する請求項４乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記粗化面の表面粗さＲａは、５０ｎｍ＜Ｒａ＜２００ｎｍの範囲である請求項４乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記位置合わせマークの平面形状は、円形、矩形、又は十字形である請求項４乃至１１の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、を有する半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本配線基板は、配線基板の表面となる絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ、一方の面が前記絶縁層の表面に露出し、他方の面と側面とが前記絶縁層に接している電極パッドと、前記絶縁層内に設けられ、一方の面が前記絶縁層の表面に露出し、他方の面と側面とが前記絶縁層に接している位置合わせマークと、前記絶縁層の裏面に設けられ、前記電極パッドの他方の面を露出するビアホールと、前記絶縁層の裏面に設けられ、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドに接続される配線層と、を有し、前記位置合わせマークの一方の面は、粗化面とされており、かつ、前記絶縁層の表面に対して窪んだ位置に露出していることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本配線基板の製造方法は、支持体の一方の面に金属層を形成する工程と、前記金属層に位置合わせマーク及び電極パッドをとなる第１配線層を積層形成する工程と、前記金属層及び前記第１配線層を覆うように、前記支持体の前記一方の面に配線基板の表面となる絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記第１配線層の前記電極パッドとなる部分を露出するビアホールを形成する工程と、前記絶縁層上に、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドと接続される第２配線層を形成する工程と、前記支持体を除去する工程と、前記金属層を除去し、前記絶縁層の表面から窪んだ位置に前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分を露出させる工程と、前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の、前記絶縁層の表面から露出する面を粗化面とする工程と、を有することを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本配線基板の製造方法は、支持体の一方の面に金属層を形成する工程と、前記金属層の前記支持体と接する面の反対面を粗化面とする工程と、前記金属層に位置合わせマーク及び電極パッドとなる第１配線層を積層形成し、前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の前記反対面と接する面に前記粗化面を転写する工程と、前記金属層及び前記第１配線層を覆うように、前記支持体の前記一方の面に配線基板の表面となる絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記第１配線層の前記電極パッドとなる部分を露出するビアホールを形成する工程と、前記絶縁層上に、前記ビアホール内に設けられたビアにより前記電極パッドと接続される第２配線層を形成する工程と、前記支持体を除去する工程と、
前記金属層を除去して、前記第１配線層の前記位置合わせマークとなる部分の、前記粗化面が転写された面を前記絶縁層の表面から窪んだ位置に露出させる工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板１１０は、例えば、ＳｉＣからなる。バッファ層１１５は、ＡｌＮとＡｌＧａＮの積層構造からなる。電子走行層１２０は、基板１１０上にエピタキシャル成長にて形成されたｉ型ＧａＮからなる。電子供給層１３０は、電子走行層１２０上にエピタキシャル成長にて形成されたｎ型ＡｌＧａＮからなる（ｉ型ＡｌＧａＮを用いることもできる）。一例として、電子供給層１３０を構成するＡｌＧａＮのＡｌ組成は、２０％以上４０％以下とすることができる。ソース電極１５０およびドレイン電極１７０は、例えば基板１１０側からＴｉとＡｌとが順に積層されたオーミック電極であり、電子供給層１３０上において互いに離間して設けられている。ゲート電極１６０は、例えば基板１１０側からＮｉとＡｕとが順に積層されたショットキ電極であり、ソース電極１５０とドレイン電極１７０との間に設けられている。本実施形態においては、ソース電極１５０、ゲート電極１６０およびドレイン電極１７０は、電子供給層１３０と接触して設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月12日(2013.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数ページを含む文書データから第１の印刷装置にて印刷されるページを選択する選択手段と、
前記第１の印刷装置にて出力された前記選択されたページの印刷物が第２の印刷装置のインサータから給紙されることを示す属性を前記選択されたページに対して指定する指定手段と、
前記複数ページを含む文書データを印刷する指示に応じて前記指定手段により前記属性が指定されていないページが前記第２の印刷装置において印刷され、かつ、前記指定手段により前記属性が指定されたページの印刷物が前記第２の印刷装置のインサータから給紙されるような印刷データを生成する生成手段と、
を有する情報処理装置。
【請求項２】
前記文書データに含まれる複数ページの画像を表示する場合、前記属性が指定されたページと前記属性が指定されていないページとを識別可能に表示する表示制御手段を更に有する請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
印刷範囲としてインサート用紙が指定された場合、前記生成手段は、前記属性が指定されたページに基づく印刷データを生成する請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項４】
情報処理装置が実行する情報処理方法であって、
複数ページを含む文書データから第１の印刷装置にて印刷されるページを選択する選択ステップと、
前記第１の印刷装置にて出力された前記選択されたページの印刷物が第２の印刷装置のインサータから給紙されることを示す属性を前記選択されたページに対して指定する指定ステップと、
前記複数ページを含む文書データを印刷する指示に応じて前記指定ステップにより前記属性が指定されていないページが前記第２の印刷装置において印刷され、かつ、前記指定ステップにより前記属性が指定されたページの印刷物が前記第２の印刷装置のインサータから給紙されるような印刷データを生成する生成ステップと、
を含む情報処理方法。
【請求項５】
コンピュータに、
複数ページを含む文書データから第１の印刷装置にて印刷されるページを選択する選択ステップと、
前記第１の印刷装置にて出力された前記選択されたページの印刷物が第２の印刷装置のインサータから給紙されることを示す属性を前記選択されたページに対して指定する指定ステップと、
前記複数ページを含む文書データを印刷する指示に応じて前記指定ステップにより前記属性が指定されていないページが前記第２の印刷装置において印刷され、かつ、前記指定ステップにより前記属性が指定されたページの印刷物が前記第２の印刷装置のインサータから給紙されるような印刷データを生成する生成ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【請求項６】
前記文書データに含まれる複数ページの画像を表示する場合、前記指定ステップにおいて属性が指定されたページと前記指定ステップにおいて属性が指定されていないページとを識別可能に表示する表示制御ステップを更に実行させるための請求項５記載のプログラム。
【請求項７】
印刷範囲としてインサート用紙が指定された場合、前記生成ステップでは、前記属性が指定されたページに基づく印刷データを生成する請求項５又は６記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上基板と、この上基板と所定の間隙を空けて対向する下基板と、上記上基板上に形成され所定方向に配列された複数の略帯状の上導電層と、この上導電層の端部に一端が連結され他端が上記上基板の外周に延出する複数の上電極と、上記下基板上に形成され上記上導電層と所定の間隙を空けて上記上導電層と直交方向に配列された複数の略帯状の下導電層と、この下導電層の端部に一端が連結され他端が上記下基板の外周に延出する複数の下電極からなり、上記上導電層または下導電層から延出する上記上電極または下電極の少なくとも一方を、銅箔で形成したタッチパネル。
【請求項２】
上導電層または下導電層の少なくとも一方を、導電金属細線を分散した紫外線硬化樹脂で形成した請求項１記載のタッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極電極と負極電極とをセパレータを介して軸芯の周囲に捲回した電極捲回群と、
一端部に開口部を有し、前記電極捲回群を収納する円筒状の電池容器と、
前記開口部にかしめ固定されて前記開口部を塞ぐとともに、電池の正極端子を有する封口体と、
前記封口体と前記軸芯との間に挟持されて前記軸芯を軸方向に付勢する弾性付勢板を有し、前記正極電極に電気的に接続される正極集電部品と、
前記正極集電部品と前記封口体とを電気的に接続する正極リードとを備え、
前記封口体は、前記弾性付勢板が前記弾性力を発生するように設定された位置で前記開口部にかしめ固定されていることを特徴とする円筒型電池。
【請求項２】
請求項１に記載の円筒型電池において、
前記正極集電部品は、前記軸芯に嵌合する中央部環状凸部と、前記封口体と接する周辺部環状凸部と、前記中央部環状凸部と前記周辺部環状凸部とを接続する前記弾性付勢板とを備え、前記弾性付勢板は前記軸芯から前記封口体に向かって凸に変形して前記付勢力を発生させることを特徴とする円筒型電池。
【請求項３】
請求項２に記載の円筒型電池において、
前記封口体は、正極端子となるキャップと、前記キャップにかしめ固定されたダイアフラムと、前記ダイアフラムの裏面に電気的に接続された正極接続板と、前記ダイアフラムの裏面と前記正極接続板の外周表面との間に挟持された絶縁リングとを備え、
前記ダイアフラムは、前記電池容器内の圧力上昇に伴って電池容器外方に膨出して前記正極接続板と電気的接続が断たれるように構成され、
前記ダイアフラムの周縁が前記正極集電部品の前記周辺部環状凸部に載置されていることを特徴とする円筒型電池。
【請求項４】
請求項３記載の円筒型電池において、
前記正極集電部品は、前記絶縁リングを介して前記軸芯と前記ダイアフラムとの間で挟持され、
前記絶縁リングの弾性反発力により、前記絶縁リングと前記ダイアフラムとの接触面、および前記絶縁リングと前記正極集電部品の周辺部環状凸部との接触面に摩擦力を生じさせることを特徴とする円筒型電池。
【請求項５】
請求項１記載の円筒型電池を製造する方法において、
前記電極捲回群を前記電池容器に収容する第１工程と、
前記正極リードにより前記封口体と前記正極集電部品とを電気的に接続する第２工程と、
前記電池容器内に電解液を注入する第３工程と、
前記封口体を前記正極集電部品の上端に載置して軸方向に負荷を加えて前記弾性付勢板を前記軸芯から前記封口体に向かって凸に変形させる第４工程と、
前記弾性付勢板を前記変形させた状態で前記電池容器の開口部に前記封口体をかしめ固定する第５工程とを備えることを特徴とする円筒型電池の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の円筒型電池の製造方法において、
前記正極集電部品は、前記軸芯に嵌合する中央部環状凸部と、前記封口体と接する周辺部環状凸部と、前記中央部環状凸部と前記周辺部環状凸部とを接続する前記弾性付勢板とを備え、
前記第４工程において、前記弾性付勢板は前記電池容器の底部に向けて前記軸芯を付勢する付勢力を発生させることを特徴とする円筒型電池の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の円筒型電池の製造方法において、
前記封口体は、正極端子となるキャップと、前記キャップにかしめ固定されたダイアフラムと、前記ダイアフラムの裏面に電気的に接続された正極接続板と、前記ダイアフラムの裏面と前記正極接続板の外周表面との間に挟持された絶縁リングとを備え、
前記ダイアフラムは、前記電池容器内の圧力上昇に伴って電池容器外方に膨出して前記正極接続板と電気的接続が断たれるように構成され、
前記第４工程において、前記ダイアフラムの周縁が前記正極集電部品の前記周辺部環状凸部に載置されていることを特徴とする円筒型電池の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の円筒型電池の製造方法において、
前記第４工程において、前記正極集電部品は、前記絶縁リングを介して前記軸芯と前記ダイアフラムとの間で挟持され、
前記絶縁リングの弾性反発力により、前記絶縁リングと前記ダイアフラムとの接触面、および前記絶縁リングと前記正極集電部品の周辺部環状凸部との接触面に摩擦力を生じさせることを特徴とする円筒型電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を載置するリードフレームにおいて、
半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられるとともに導電部が接続されるボンディング面を有するリード部とを備え、
ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
樹脂付リードフレームにおいて、
リードフレームと、
リードフレームに設けられた外側樹脂部とを備え、
リードフレームは、
半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられるとともに導電部が接続されるボンディング面を有するリード部とを有し、
ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。
【請求項３】
半導体装置において、
ダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームと、
リードフレームに設けられた外側樹脂部と、
リードフレームのダイパッドに載置された半導体素子と、
リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、
半導体素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
リードフレームのダイパッドは、半導体素子を載置する載置面を有し、
リード部は、導電部が接続されるボンディング面を有し、
ダイパッドの載置面およびリード部のボンディング面には、外側樹脂部の脱落を防止する平面角丸矩形状のアンカー溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子を載置するリードフレームにおいて、
半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、
ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部と、第１凹部中央に位置するとともに深さが深い第２凹部とからなる載置凹部を形成したことを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
半導体素子はＬＥＤ素子からなり、第１凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第２凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
第１凹部はエッチングにより形成され、第２凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項４または５記載のリードフレーム。
【請求項７】
半導体装置において、
ダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームと、
リードフレームのダイパッドに載置された半導体素子と、
リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、
半導体素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
リードフレームのダイパッドは、半導体素子を載置する載置面を有し、
ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部と、第１凹部中央に位置するとともに深さが深い第２凹部とからなる載置凹部を形成し、この載置凹部内に半導体素子を載置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体素子は、載置凹部の第２凹部内に収容された取付材料を介して載置凹部内に載置されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体素子はＬＥＤ素子からなり、このＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有する外側樹脂部が設けられ、封止樹脂部は、外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体素子はＬＥＤ素子からなり、第１凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第２凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１凹部はエッチングにより形成され、第２凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、ダイパッドおよびリード部を形成するとともに、ダイパッドの載置面に、深さが浅い第１凹部を形成する工程と、
第１凹部の中央に、プレスにより、第１凹部より深さが深い第２凹部を形成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
半導体装置の製造方法において、
請求項１２記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレームのダイパッドの載置凹部内に半導体素子を載置する工程と、
半導体素子とリード部とを導電部により接続する工程と、
半導体素子と導電部とを封止樹脂部により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011146524.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層と、
前記Ｘ線光電変換層で生成された電荷を収集する収集電極と、
前記Ｘ線光電変換層の前記収集電極が設けられている面とは反対の面に設けられた共通電極と、
前記収集電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量と、
前記蓄積容量に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部とを具備し、前記収集電極と前記共通電極との間に電圧が印加されるように構成されているＸ線センサであって、
前記Ｘ線光電変換層が酸化物多結晶体であることを特徴とするＸ線センサ。
【請求項２】
前記酸化物多結晶体が亜鉛酸化物あるいはカドミウム酸化物の少なくともいずれかを主成分の一つとすることを特徴とする請求項１に記載のＸ線センサ。
【請求項３】
前記読み出し部が薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを構成するチャネル半導体が、アモルファスＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線センサ。
【請求項４】
前記蓄積容量は、前記収集電極に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極の上に配置された酸化珪素膜からなる容量層と、前記酸化珪素膜上に配置された対向電極とから構成され、
前記対向電極は、前記薄膜トランジスタが備えるソース電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載のＸ線センサ。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタは、そのゲート電極が、前記酸化珪素膜の下に配置されるとともに、前記ソース電極と前記酸化珪素膜を介して離間し、そのドレイン電極は、前記酸化珪素膜の上において、前記ソース電極と離間するとともに、前記ゲート電極と前記酸化珪素膜を介して離間してなるボトムゲート型薄膜トラジスタであることを特徴とする請求項４に記載のＸ線センサ。
【請求項６】
前記酸化物多結晶体の上に有機物からなる平坦化層が設けられ、前記平坦化層の上に前記蓄積容量及び前記読み出し部が設けられることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のＸ線センサ。
【請求項７】
前記酸化物多結晶体の中に第１の内部電極及び第２の内部電極が設けられ、
前記収集電極と前記第２の内部電極とが電気的に接続され、
前記収集電極と前記第２の内部電極との間に前記第１の内部電極が配置され、
前記第１の内部電極と前記共通電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のＸ線センサ。
【請求項８】
前記酸化物多結晶体の中に第１の内部電極、第２の内部電極及び第３の内部電極が設けられ、
前記第１の内部電極と前記第２の内部電極とが前記共通電極に電気的に接続され、
前記収集電極と前記第１の内部電極との間で生成された電荷は前記収集電極に収集され、
前記第２の内部電極と前記第３の内部電極との間で生成された電荷は前記第３の内部電極に収集され、
前記収集電極は第１の蓄積容量に電気的に接続され、前記第３の内部電極は第２の蓄積容量に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のＸ線センサ。
【請求項９】
前記第１の内部電極と前記第２の内部電極との間に、前記酸化物多結晶体より高密度な物質の層が１層又は複数層配置されていることを特徴とする、請求項８に記載のＸ線センサ。
【請求項１０】
酸化物多結晶体の粉末を板状に成形して、照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層を形成し、
前記Ｘ線光電変換層の一方の面に共通電極を形成し、
他方の面に前記Ｘ線強度に応じて生成された電荷を収集する収集電極を形成し、
前記Ｘ線光電変換層と前記収集電極との上に有機物からなる平坦化層を形成し、
前記平坦化層の上に、前記収集電極ごとに、前記収集電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量と、前記蓄積容量に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部とを形成することを特徴とするＸ線センサの製造方法。
【請求項１１】
前記読み出し部が薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを形成する際の温度が３００℃以下であることを特徴とする請求項１０に記載のＸ線センサの製造方法。
【請求項１２】
前記薄膜トランジスタのチャネル半導体形成工程が、スパッタ法によるアモルファスＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜工程を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＸ線センサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のＸ線センサは、照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層と、前記Ｘ線光電変換層で生成された電荷を収集する収集電極と、前記Ｘ線光電変換層の前記収集電極が設けられている面とは反対の面に設けられた共通電極と、前記収集電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量と、前記蓄積容量に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部とを具備し、前記収集電極と前記共通電極との間に電圧が印加されるように構成されているＸ線センサであって、前記Ｘ線光電変換層が酸化物多結晶体であることを特徴とする。
さらに、本発明のＸ線センサの製造方法は、酸化物多結晶体の粉末を板状に成形して、照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層を形成し、前記Ｘ線光電変換層の一方の面に共通電極を形成し、他方の面に前記Ｘ線強度に応じて生成された電荷を収集する収集電極を形成し、前記Ｘ線光電変換層と前記収集電極との上に有機物からなる平坦化層を形成し、前記平坦化層の上に、前記収集電極ごとに、前記収集電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量と、前記蓄積容量に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部とを形成することを特徴とする。
なお、前述の複数種類の課題のそれぞれのために、本発明が備える解決手段の特徴は、以下の通りである。すなわち、第一から第三の課題を解決するために、本発明は、多結晶体粉末からあらかじめ形成した板状の酸化物多結晶体をＸ線光電変換層として用い、その上にＴＦＴや蓄積容量など、他の構成部材を形成する。
第四の課題を解決するために、本発明は、酸化物多結晶体表面に有機物等で形成された表面平坦化層を形成し、その上にＴＦＴなどの他の構成部材を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図４に示す例では、酸化物多結晶体２の上に収集電極４０が設けられ、酸化物多結晶体２の中に第１の内部電極４１及び第２の内部電極４２が設けられる。収集電極４０と第２の内部電極４２とが電気的に接続され、収集電極４０と第２の内部電極４２との間に第１の内部電極４１が配置され、第１の内部電極４１と共通電極４７とが電気的に接続されている。
図４に示す例ではさらに、第４の内部電極４４と第６の内部電極４６の左端が収集電極４０と第２の内部電極４２とに電気的に接続され、第３の内部電極４３と第５の内部電極４５の右端が第１の内部電極４１と共通電極４７とに電気的に接続されている。
このような積層体を形成することにより、酸化物Ｘ線光電変換層の実効的な厚さは薄くなる。すなわち、対向した電極間の距離は短くなる。これにより、Ｘ線センサ動作させる際の印加電圧を下げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全面にSiCの被覆層を備えるグラファイトカーボンを基材とするサセプタの表面全面を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする、気相成長装置用サセプタ。
【請求項２】
SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする、気相成長装置用サセプタ。
【請求項３】
ガラス状カーボンのショア硬度が、100〜1500HSであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の気相成長装置用サセプタ。
【請求項４】
前記ガラス状カーボン膜の厚みが、2〜40μmである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタ。
【請求項５】
前記ウェーハ支持部のウェーハ支持面を、該サセプタのザグリ部の外周側から中心に向かって低くなるように、2°以下の角度で傾斜させたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタ。
【請求項６】
前記ウェーハが、直径300mm以上のシリコンウェーハであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタ。
【請求項７】
請求項1〜6のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタを用いた、気相成長装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記の知見に基づくもので、その要旨構成は、次の通りである。
(1) 全面にSiCの被覆層を備えるグラファイトカーボンを基材とするサセプタの表面全面を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする、気相成長装置用サセプタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
(2) SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする、気相成長装置用サセプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を発生するＸ線源（２２）と、
テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）半導体検出器素子を含み、前記Ｘ線源から放射されるＸ線を受け取るＸ線検出器（１００、２００）と、
被検体（１４）の複数の走査画像を収集するために横方向走査経路（２８）に沿って前記Ｘ線源及び前記Ｘ線検出器を移動するコントローラ（３２）と、
を具備し、
前記ＣｄＴｅ半導体検出器素子はアノード（３０４）及びカソード（３０２）を具備し、前記アノード（３０４）はインジウム材料及びアルミニウム材料のうち少なくとも一方を具備し、前記カソード（３０２）はプラチナ材料を具備し、
前記横方向走査経路（２８）は、前記被検体（１４）の長手方向軸を横断する第１経路と、前記被検体（１４）の長手方向軸に平行な第２経路とを含み、
前記横方向走査経路（２８）は、前記第１経路と前記第２経路との間を交互に繰り返す、
走査型骨密度計（１０）。
【請求項２】
前記Ｘ線源（２２）はデュアルエネルギーＸ線源である請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項３】
前記Ｘ線検出器（１００）は複数のＣｄＴｅ半導体検出素子を具備し、各ＣｄＴｅ半導体検出素子は光子計数素子（３０４）を具備する、請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項４】
前記Ｘ線検出器（１００）は複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（１０２）を具備し、各ＣｄＴｅ半導体検出器素子はショットキーコンタクト（３０４）を具備する請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項５】
前記Ｘ線検出器（１００）は複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（１０２）を具備する、請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項６】
前記Ｘ線検出器（２００）は、千鳥配置配列で配置された複数の線形ＣｄＴｅ半導体検出器アレイを具備する、請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項７】
前記Ｘ線検出器（１００）は、線形検出器アレイ（１０４）を形成するように配列された複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（１０２）を具備する、請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項８】
前記Ｘ線検出器（１００）は複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（１０２）を具備し、各ＣｄＴｅ半導体検出器素子は間隙（１４０）により隣接するＣｄＴｅ半導体検出器素子から分離される請求項１に記載の走査型骨密度計（１０）。
【請求項９】
カソード（３０２）と、
アノード（３０４）と、
前記カソードと前記アノードとの間に配設され、デュアルエネルギー横方向走査型Ｘ線源（２２）から放射されるＸ線をＸ線エネルギーに比例する電流に変換するように構成されたテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）半導体検出器素子（３００）と、
を具備し、
前記アノード（３０４）はインジウム材料及びアルミニウム材料のうち少なくとも一方を具備し、前記カソード（３０２）はプラチナ材料を具備する、
Ｘ線検出器（１００、２００）。
【請求項１０】
前記Ｘ線検出器は、線形Ｘ線検出器アレイ（１０４）を形成するように配列された複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（３００）を更に具備する、請求項９に記載のＸ線検出器（１００）。
【請求項１１】
前記Ｘ線検出器は複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（３００）を更に具備し、各ＣｄＴｅ半導体検出器素子は光子計数素子（３０４）を有する、請求項９に記載のＸ線検出器（１００）。
【請求項１２】
前記Ｘ線検出器は、千鳥配置パターンで配列された複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（３００）を更に具備する、請求項９に記載のＸ線検出器（１００、２００）。
【請求項１３】
前記Ｘ線検出器は、複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（３００）及び各半導体の上に形成されたショットキーコンタクト（３０４）を更に具備する、請求項９に記載のＸ線検出器（１００、２００）。
【請求項１４】
前記アノード（３０４）はショットキーコンタクトである請求項９に記載のＸ線検出器（１００、２００）。
【請求項１５】
前記Ｘ線検出器（１００）は複数のＣｄＴｅ半導体検出器素子（１０２）をさらに具備し、前記ＣｄＴｅ半導体検出器素子（３００）の一部は間隙（１４０、２６０）により分離される、請求項９に記載のＸ線検出器（１００、２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸出飲料を製造及び分与するための装置であって、
外側表面及び内側表面を画定する容器にして、開放頂部を画定する頂部リムを有し、前記内側表面が、浸出飲料を製造及び分与するために液体と接触し且つ液体を保持する形態を有し、前記外側表面が、装置の外側表面の少なくとも一部を画定する容器と、
容器の頂部リムに着脱自在に装着し得、蓋リング開口を画定する側壁を含む蓋リングと、
装置の内または外への液体分与を可能とするその開位置及び装置の内または外への液体分与を防止するその閉位置の両位置において蓋リングに固定し得る形態を有するカバーと、
頂部表面と、
頂部表面から下方に伸びる周方向のスカートにして、蓋リング開口に嵌入する形態を有し且つ蓋リングの側壁に着脱自在に装着し得、前記頂部表面と共に、容器の内側表面と流体連通する開放空間を画定するスカートと、
インフューザーにして、インフューザーリムと、インフューザーリムから下方に伸びるフィルター部分とを含み、インフューザーリムは、開及び閉の両位置における蓋リングにカバーを連結した場合にインフューザーがカバーに装着され得るよう、前記カバーのスカートにより画定される開放空間内に嵌入し且つカバーのスカートに着脱自在に装着し得る形態を有するインフューザーと、
を含み、
インフューザーのフィルター部分は、インフューザーリムをカバーに装着し、カバーのスカートを蓋リングの側壁に装着し、蓋リングを容器の頂部リムに装着した場合に、蓋リング開口内部及び容器の開放頂部に嵌入する形態を有する装置。
【請求項２】
前記蓋リングが、蓋リング開口の周囲に沿って側壁から内側に伸びるリップ部分と、リップ部分から下方に伸びるフランジ部分にして、前記側壁との間に容器の頂部リムを受ける形態を有する座着空間を画定するフランジ部分とを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記スカートが、蓋リングの側壁上の蓋リング内側ネジ溝と合致する形態を有する外側カバーネジ溝を含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記スカートが、インフューザーのリム上の外側インフューザーネジ溝と合致する形態を有する内側カバーネジ溝を有する内側表面を含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】
容器の頂部リムとのシール状態での係合を提供する形態を有するガスケットを座着空間内に更に含む請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記蓋リングが、蓋リングの直径位置で対向する注ぎ口及びハンドルを含む請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記カバーの頂部表面上にカバーハンドルを更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記インフューザーのフィルター部分が、一回充填量分の飲料風味剤を受けるウェルを画定する請求項１に記載の装置。
【請求項９】
浸出飲料を製造及び分与するための装置であって、
外側表面及び内側表面を画定する容器にして、開放頂部を画定し且つ第１の外側ネジ溝を有する頂部リムを有し、前記内側表面が、浸出飲料を製造及び分与するために液体と接触し且つ液体を保持する形態を有し、前記外側表面が、装置の外側表面の少なくとも一部を画定する容器と、
蓋リング開口を画定する実質的に円筒状の側壁を含む蓋リングにして、前記側壁が、第１の外側ネジ溝と係合自在の形態を有する第１の内側ネジ溝部分を有する蓋リングと、
蓋リングの側壁から内側方向に伸びる蓋リングリップ部分と、
蓋リングリップ部分から下方に伸びるフランジ部分にして、第１の内側ネジ溝部分との間に座着空間を画定し、第２の内側ネジ溝部分を有し、前記座着空間が、容器の頂部リムを受ける形態を有するフランジ部分と、
頂部表面及び頂部表面から下方に伸びる周方向のスカートを有するカバーにして、スカートが、第２の内側ネジ溝部分と係合自在の形態を有する第２の外側ネジ溝部分を含み、スカートが、第３の内側ネジ溝部分を更に含むカバーと、
インフューザーにして、インフューザーリムと、インフューザーリムから下方に伸びるフィルター部分とを含み、インフューザーリムが、第３の内側ネジ溝部分と係合自在の形態を有する第３の外側ネジ溝部分を有するインフューザーと、
を含み、
インフューザーが、第３の外側ネジ溝部分を第３の内側ネジ溝部分と係合させ且つ第１内側ネジ溝部分を第１外側ネジ溝部分と係合させると蓋リング開口及び容器の頂部開放端に嵌入する形態を有し、
スカートが、カバーをリップに座着させ且つ第２外側ネジ溝部分を第２内側ネジ溝部分に係合させると蓋リング開口に嵌入する形態を有する装置。
【請求項１０】
前記蓋リングが、直径位置で対向する注ぎ口及び蓋リングハンドルを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記カバーの頂部表面上にカバーハンドルを更に含む請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記インフューザーのフィルター部分が、一回充填量分の飲料風味剤を受けるウェルを画定する請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
容器の頂部リムとのシール状態での係合を提供する形態を有するガスケットを座着空間内に更に含む請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
浸出飲料を製造及び分与するための装置であって、
外側表面及び内側表面を画定するピッチャーにして、前記内側表面が、浸出飲料を製造及び分与するために液体と接触し且つ液体を保持する形態を有し、前記外側表面が、装置の外側面の少なくとも一部を画定し、ピッチャーが底部分と底部分の頂部位置の蓋リングとを含むピッチャーと、
その開位置及び閉位置の両位置においてピッチャーに連結する形態を有するカバーにして、頂部表面と、頂部表面から下方に伸びる周方向の壁と、頂部表面及び周方向の壁により画定され且つ開放底部を有する開放空間とを有し、前記開放空間が、ピッチャーの内側表面と流体連通するカバーと、
インフューザーにして、インフューザーリムと、インフューザーリムから下方に伸びるフィルター部分とを含み、インフューザーリムは、開及び閉の両位置において蓋リングにカバーを連結した場合にインフューザーリムがカバーに装着され得るよう、カバーのスカートにより画定される開放空間に嵌入し且つカバーの周方向のスカートに着脱自在に装着し得る形態を有するインフューザーと、
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月5日(2013.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管壁の孔を閉鎖する器具であって、前記孔が前記血管壁の外部領域に生じた外部開口及び前記血管壁の内部領域に生じた内部開口を有し、前記閉鎖器具は、
前記孔の前記内部開口に当てて前記血管の内側に位置決め可能な被覆部材を有し、前記被覆部材は、前記孔を通る流体の流出を阻止する寸法を備え、前記被覆部材は、第１の開口部を有し、
前記血管の外側に位置決め可能な第１のリテーナを有し、
前記被覆部材と前記第１のリテーナを作動的に連結する柔軟性連結部材を有し、前記連結部材は、前記第１のリテーナを前記被覆部材に向かって前進させ、前記被覆部材の前記第１の開口部は、前記連結部材の運動を制限するよう構成されている、閉鎖器具。
【請求項２】
前記連結部材は、第１の縫合糸から成り、前記第１のリテーナは、前記縫合糸に取り付けられる、請求項１記載の閉鎖器具。
【請求項３】
前記第１の縫合糸を引くことにより、前記第１のリテーナは、前記被覆部材に向かって動く、請求項２記載の閉鎖器具。
【請求項４】
前記第１のリテーナは、形態が球形である、請求項３記載の閉鎖器具。
【請求項５】
前記被覆部材に向かって動くことができる第２のリテーナを更に有する、請求項１〜４のいずれか１項記載の閉鎖器具。
【請求項６】
第２の柔軟性連結部材を更に有し、前記第２のリテーナは、前記第２の縫合糸に取り付けられ、前記第２の連結部材を引くと、前記第２のリテーナは、前記被覆部材に向かって前進し、前記被覆部材は、前記連結部材の運動を制限するよう構成された第２の開口部を有する、請求項５記載の閉鎖器具。
【請求項７】
第２のリテーナは、形態が球形である、請求項５または６記載の閉鎖器具。
【請求項８】
前記被覆部材は、ポリマー材料で構成されている、請求項１〜７のいずれか１項記載の閉鎖器具。
【請求項９】
前記被覆部材及び前記第１のリテーナは、再吸収性材料で構成されている、請求項１〜８のいずれか１項記載の閉鎖器具。
【請求項１０】
第２の縫合糸及び前記第２の縫合糸に取り付け可能な第２のリテーナを更に有し、前記第２の縫合糸は、前記第２のリテーナを前記被覆部材に向かって前進させる、請求項２記載の閉鎖器具。
【請求項１１】
前記第１及び前記第２のリテーナは、配備位置において実質的に並置した関係をなして位置決めされ、運搬位置では、積み重ね関係をなして位置決めされる、請求項１０記載の閉鎖器具。
【請求項１２】
前記第１及び前記第２のリテーナは、前記配備位置において前記被覆部材に対して横断方向配向状態にある、請求項１０記載の閉鎖器具。
【請求項１３】
前記第１及び前記第２のリテーナ並びに前記第１及び前記第２の縫合糸は、再吸収性材料で構成されている、請求項１０〜１２のいずれか１項記載の閉鎖器具。
【請求項１４】
前記被覆部材の前記第１の開口部は、前記連結部材に摩擦係合する寸法を有する、請求項１記載の閉鎖器具。
【請求項１５】
前記被覆部材は、運搬のための長手方向配向状態と配置のための横断方向位置との間で回動可能である、請求項１記載の閉鎖器具。
【請求項１６】
前記被覆部材に設けられていて、前記第１の縫合糸の非制限運動を可能にする第３の開口部及び前記被覆部材に設けられていて、前記第２の縫合糸の非制限運動を可能にする第４の開口部を更に有する、請求項１０記載の閉鎖器具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工装置であって、
ハウジングを有し、前記ハウジングは、モータと、前記ハウジングから延びる駆動シャフトとを有し、前記駆動シャフトは、モータによって駆動軸線回りに回転可能であり、前記駆動シャフトは、前記駆動軸線に沿って伸長位置と引っ込み位置との間で動くことができる駆動係合手段を有し、
口を含む収納手段を有し、前記収納手段は、前記ハウジングに対して着脱可能に取り付け可能であり、前記駆動シャフトは、前記収納手段が作業位置で前記ハウジングに固定されると、前記収納手段内に延び、
前記収納手段の前記口を覆って着脱可能に取り付け可能である覆い手段を有し、前記覆い手段は、前記収納手段を覆って取り付けられると、作業位置にあり、前記覆い手段は、シュート機能を発揮する手段を有し、
前記覆い手段及び前記シュート機能発揮手段に取り付けられた蓋シャフトを有し、前記蓋シャフトは、前記収納手段及び前記覆い手段が前記作業位置にあるときに前記駆動シャフトと軸方向に整列するよう構成された蓋係合手段を有し、
前記シュート機能発揮手段を通って動くことができる押圧手段を有し、前記押圧手段は、前記収納手段及び前記覆い手段が前記作業位置にあるとき、前記蓋係合手段が前記駆動係合手段を前記引っ込み位置に動かすようにするためのプッシャ係合手段を有し、
前記駆動係合手段が前記引っ込み位置にあるとき、前記駆動シャフトは、前記モータによって回転可能である、加工装置。
【請求項２】
前記押圧手段は、加工されるべき材料に接触する底面を更に有し、前記底面は、前記駆動軸線に対して垂直ではない角度をなす部分を有する、請求項１記載の加工装置。
【請求項３】
前記底面の前記部分の角度は、前記加工装置の作動中、材料を前記押圧手段又は前記シュート機能発揮手段から除去する作用効果を生じさせるよう設定されている、請求項２記載の加工装置。
【請求項４】
前記ハウジングは、モータ係合手段を更に有し、前記モータ係合手段は、前記モータ係合手段に前記駆動係合手段を係合させると、前記モータに係合する、請求項１記載の加工装置。
【請求項５】
前記モータ係合手段は、スイッチから成る、請求項４記載の加工装置。
【請求項６】
前記モータ係合手段は、クラッチから成る、請求項４記載の加工装置。
【請求項７】
前記シュート機能発揮手段に取り付けられていて、前記プッシャ係合手段の位置を案内する蓋シャフト案内手段を更に有する、請求項１記載の加工装置。
【請求項８】
前記蓋シャフトは、前記プッシャ係合手段が作動位置にあるかどうかを検知する係合検知手段を更に有する、請求項７記載の加工装置。
【請求項９】
前記プッシャ係合手段が作動位置にあることを前記係合検知手段が検知すると、前記係合検知手段は、前記蓋係合手段を動かして前記駆動係合手段を前記引っ込み位置に動かすことができる、請求項８記載の加工装置。
【請求項１０】
材料を加工する複数個のブレード機能発揮手段を更に有する、請求項１記載の加工装置。
【請求項１１】
前記複数個のブレード機能発揮手段は全て、同時に前記駆動シャフトに取り付けた状態でしまい込み可能である、請求項１０記載の加工装置。
【請求項１２】
前記複数個のブレード機能発揮手段のうちの１つは、材料を加工するために使用状態にあるとき、残りのブレード機能発揮手段は、前記駆動シャフトに取り付けられた状態でしまい込み可能である、請求項１０記載の加工装置。
【請求項１３】
しまい込まれた状態の前記ブレード機能発揮手段は、前記駆動シャフトが材料を加工させるよう前記しまい込み状態のブレード機能発揮手段を働かせることなく回転可能であるように前記駆動シャフトに取り付けられた状態でゆとりを持たせてしまい込まれる、請求項１２記載の加工装置。
【請求項１４】
前記蓋係合手段を動かす蓋ばね機能発揮手段を更に有する、請求項１記載の加工装置。
【請求項１５】
前記駆動係合手段の端部に装着された駆動シャフトプロテクタを更に有する、請求項１記載の加工装置。