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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録された圧縮音声信号を再生する再生装置において、
記録媒体に記録された圧縮音声信号をデコードして複数チャンネルのＰＣＭ信号を抽出し前記圧縮音声信号に含まれるチャンネル数の情報を含むチャンネル構成情報を取得するデコード処理部と、
前記デコード処理部が抽出した複数チャンネルのＰＣＭ信号の内から特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と当該特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号によって新たな２種類のＰＣＭ信号を生成するミキシング処理部と、
前記ミキシング処理部が生成した前記新たな２種類のＰＣＭ信号と前記デコード処理部が取得した前記チャンネル数の情報を出力する音声出力部とを備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
再生装置からＰＣＭ信号を入力し、当該ＰＣＭ信号をアナログ信号に変換した後、当該アナログ信号を増幅する増幅装置において、
前記再生装置から前記再生装置が記録媒体から抽出した複数チャンネルのＰＣＭ信号の内から特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と当該特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号から生成した新たな２種類のＰＣＭ信号及び記録媒体に記録された圧縮音声信号に含まれるチャンネル数の情報を入力する音声入力部と、
前記音声入力部が入力した前記新たな２種類のＰＣＭ信号から前記特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と前記特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号を抽出するチャンネル拡張部と、
前記チャンネル拡張部が抽出した前記特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と前記特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換部と、
前記Ｄ／Ａ変換部が変換したアナログ信号を出力する出力端子の出力先を切り換える出力チャンネルセレクタと、
前記音声入力部が入力した前記チャンネル数の情報に基づいて、前記チャンネル拡張部による前記拡張及び前記出力チャンネルセレクタによる出力先の切り換えを制御するシステムコントローラ部とを備えることを特徴とする増幅装置。
【請求項３】
請求項１及び２に記載の再生装置及び増幅装置において、
前記再生装置の前記音声出力部と前記増幅装置の前記音声入力部はＨＤＭＩ（登録商標）接続コードによって接続されることを特徴とする再生装置及び増幅装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、記録媒体に記録されたマルチチャンネルの圧縮音声信号を再生しＰＣＭ信号を抽出する再生装置及び当該再生装置が抽出したＰＣＭ信号をＨＤＭＩ（登録商標）ケーブルを介して入力し当該入力したＰＣＭ信号をアナログ信号に変換して増幅する増幅装置において、増幅装置が各スピーカに出力する際の出力チャンネルの切り換え先を正確に切り換えることができる再生装置及び増幅装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願の請求項１に記載の発明は、記録媒体に記録された圧縮音声信号を再生する再生装置において、記録媒体に記録された圧縮音声信号をデコードして複数 チャンネルのＰＣＭ信号を抽出し前記圧縮音声信号に含まれるチャンネル数の情報を含むチャンネル構成情報を取得するデコード処理部と、前記デコード処理部が抽出した複数チャンネルのＰＣＭ信号の内から特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と当該特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号によって新たな２種類のＰＣＭ信号を生成するミキシング処理部と、前記ミキシング処理部が生成した前記新たな２種類のＰＣＭ信号と前記デコード処理部が取得した前記チャンネル数の情報を出力する音声出力部とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願の請求項２に記載の発明は、再生装置からＰＣＭ信号を入力し、当該ＰＣＭ信号をアナログ信号に変換した後、当該アナログ信号を増幅する増幅装置において、前記再生装置から前記再生装置が記録媒体から抽出した複数チャンネルのＰＣＭ信号の内から特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と当該特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号から生成した新たな２種類のＰＣＭ信号及び記録媒体に記録された圧縮音声信号に含まれるチャンネル数の情報を入力する音声入力部と、前記音声入力部が入力した前記新たな２種類のＰＣＭ信号から前記特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と前記特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号を抽出するチャンネル拡張部と、前記チャンネル拡張部が抽出した前記特定の２種類のチャンネルのＰＣＭ信号と前記特定のチャンネルと異なる２種類のチャンネルのＰＣＭ信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換部と、前記Ｄ／Ａ変換部が変換したアナログ信号を出力する出力端子の出力先を切り換える出力チャンネルセレクタと、前記音声入力部が入力した前記チャンネル数の情報に基づいて、前記チャンネル拡張部による前記拡張及び前記出力チャンネルセレクタによる出力先の切り換えを制御するシステムコントローラ部とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本願の請求項３に記載の発明は、請求項１及び２に記載の再生装置及び増幅装置において、前記再生装置の前記音声出力部と前記増幅装置の前記音声入力部はＨＤＭＩ（登録商標）接続コードによって接続されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、記録媒体に記録されたマルチチャンネルの圧縮音声信号を再生しＰＣＭ信号を抽出する再生装置及び当該再生装置が抽出したＰＣＭ信号をＨＤＭＩ（登録商標）ケーブルを介して入力し当該入力したＰＣＭ信号をアナログ信号に変換して増幅する増幅装置において、増幅装置が各スピーカに出力する際の出力チャンネルの切り換え先を正確に切り換えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体通信端末からアプリケーションが利用可能なデータの種別を示す種別情報を受信する種別情報受信手段と、
上記種別情報受信手段により受信された種別情報を参照して、アプリケーションが利用可能なデータを特定するデータ特定手段と、
上記データ特定手段により特定されたデータを上記移動体通信端末に送信するデータ送信手段とを備えた基地局装置。
【請求項２】
データ送信手段は、種別情報受信手段により受信された種別情報に受信可能なデータサイズが含まれている場合、当該受信可能なデータサイズとデータ特定手段により特定されたデータのデータサイズを比較し、当該データのデータサイズが受信可能なデータサイズより大きければ、当該データを受信可能なデータサイズ以下に分割して移動体通信端末に送信することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項３】
データ送信手段は、複数のデータを移動体通信端末に送信する場合、当該移動体通信端末から確認応答を受信する毎に、データを１個づつ移動体通信端末に送信することを特徴とする請求項１または２記載の基地局装置。
【請求項４】
請求項１記載の基地局装置と、
予め外部装置に搭載されているアプリケーションが利用可能なデータの種別を示す種別情報を登録し、上記基地局装置の通信領域内に進入すると、当該種別情報を上記基地局装置に送信して、当該基地局装置からデータを受信し、当該データを上記外部装置に転送する移動体通信端末とを備えた狭域通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基地局装置および狭域通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、新たなサービスを拡張することや所定のサービスを停止することができる移動体通信端末及び狭域通信システムを得ることを目的とする。
また、この発明は、外部装置に搭載されているアプリケーションが利用可能なデータを移動体通信端末に送信することができる基地局装置を得ることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る基地局装置は、移動体通信端末からアプリケーションが利用可能なデータの種別を示す種別情報を受信する種別情報受信手段と、種別情報受信手段により受信された種別情報を参照して、アプリケーションが利用可能なデータを特定するデータ特定手段と、データ特定手段により特定されたデータを移動体通信端末に送信するデータ送信手段とを備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明によれば、基地局装置が移動体通信端末からアプリケーションが利用可能なデータの種別を示す種別情報を受信すると、その種別情報を参照して、アプリケーションが利用可能なデータを特定し、そのデータを移動体通信端末に送信するように構成したので、外部装置に搭載されているアプリケーションに対応するデータを配信することができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１透明電極を有する第１基板部と、
前記第１透明電極に対向する第２透明電極を有する第２基板部と、
前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた第１液晶層と、
を含む第１シャッタ部と、
前記第１シャッタ部に電圧を供給する駆動部と、
を備え、
前記駆動部は、
前記第１シャッタ部を、透光状態と、前記透光状態の透過率よりも透過率が低い遮光状態と、のいずれか一方にさせる第１電圧と、
前記第１シャッタ部を、前記透光状態及び前記遮光状態のいずれか他方にさせる第２電圧と、
を前記第１シャッタ部に交互に供給し、
前記駆動部は、前記第１電圧を供給する複数の第１電圧期間のうちで、前記第２電圧を供給する第２電圧期間を挟んで連続する複数の前記第１電圧期間において、前記第１電圧を第１極性に設定する第１制御期間を有することを特徴とするシャッタメガネ。
【請求項２】
前記駆動部は、前記第１制御期間の後に、
前記第１電圧を供給する複数の第１電圧期間のうちで、前記第２電圧を供給する第２電圧期間を挟んで連続する複数の前記第１電圧期間において、前記第１電圧を前記第１極性とは逆の第２極性に設定する第２制御期間を有することを特徴とする請求項１記載のシャッタメガネ。
【請求項３】
前記第１制御期間は、前記駆動部がオン状態になってから前記駆動部がオフ状態になるまでの期間であることを特徴とする請求項１または２に記載のシャッタメガネ。
【請求項４】
前記第１制御期間は、前記駆動部がオン状態になってから前記駆動部がオフ状態になるまでの期間であり、
前記駆動部は、前記第１制御期間の後で、前記駆動部が別のオン状態になったときに、前記第１電圧を供給する複数の第１電圧期間のうちで、前記第２電圧を供給する前記第２電圧期間を挟んで連続する複数の前記第１電圧期間において、前記第１電圧を前記第１極性とは逆の第２極性に設定する第２制御期間を有することを特徴とする請求項１または２に記載のシャッタメガネ。
【請求項５】
前記駆動部は、前記第１制御期間の後に、前記第１極性とは逆の第２極性の逆極性電圧を前記第１シャッタ部に供給することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のシャッタメガネ。
【請求項６】
前記第１液晶層の液晶配列は、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間の電位差が第１初期電圧に設定されたときにスプレイ配列であり、前記第１電位差が前記第１初期電圧よりも実効値が大きい第２初期電圧に設定されたときにベンド配列へ転移し、
前記第１シャッタ部の前記透光状態は、前記ベンド配列うちの１つの第１ベンド配列状態であり、前記第１シャッタ部の前記遮光状態は、前記ベンド配列のうちの前記第１ベンド配列状態とは異なる第２ベンド配列状態であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のシャッタメガネ。
【請求項７】
前記第１シャッタ部と並置された第２シャッタ部をさらに備え、
前記第２シャッタ部は、
第３透明電極を有する第３基板部と、
前記第３透明電極に対向する第４透明電極を有する第４基板部と、
前記第３透明電極と前記第４透明電極との間に設けられた第２液晶層と、
を含み、
前記駆動部は、
前記第２シャッタ部を、透光状態と、前記透光状態の透過率よりも透過率が低い遮光状態と、のいずれか一方にさせる第３電圧と、
前記第２シャッタ部を、前記透光状態及び前記遮光状態のいずれか他方にさせる第４電圧と、
を前記第２シャッタ部に交互に供給し、
前記駆動部は、
前記第１シャッタ部が前記透光状態であるときは、前記第２シャッタ部を前記遮光状態にし、
前記第１シャッタ部が前記遮光状態であるときは、前記第２シャッタ部を前記透光状態にし、
前記駆動部は、前記第３電圧を供給する複数の第３電圧期間のうちで、前記第４電圧を供給する第４電圧期間を挟んで連続する複数の前記第３電圧期間において、前記第３電圧を第１極性及び第１極性とは反対の第２極性のいずれかに設定することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のシャッタメガネ。
【請求項８】
第１透明電極を有する第１基板部と、
前記第１透明電極に対向する第２透明電極を有する第２基板部と、
前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた第１液晶層と、
を含む第１シャッタ部を含むシャッタメガネの駆動方法であって、
前記第１シャッタ部を、透光状態と、前記透光状態の透過率よりも透過率が低い遮光状態と、のいずれか一方にさせる第１電圧と、
前記第１シャッタ部を、前記透光状態及び前記遮光状態のいずれか他方にさせる第２電圧と、
を前記第１シャッタ部に交互に供給し、
前記第１電圧を供給する複数の第１電圧期間と、前記第２電圧を供給する第２電圧期間と、を含む第１制御期間において、第１極性の前記第１電圧を前記第１シャッタ部に供給することを特徴とするシャッタメガネの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面から光を入射して、主に主面から該光を導出する導光板であって、
前記導光板の主面の一面側の一部の領域であって、複数の屈曲ドットによって所望の形状が形成された拡散領域と、
前記主面の他面側であって、前記拡散領域の外縁位置に設けられた溝部と、
を備え、
前記溝部の幅は、前記拡散ドットの幅よりも広い幅に形成されている、
導光板。
【請求項２】
前記溝部は、前記溝部の一端側と他端側とを結ぶ複数の溝によって形成されている、
請求項１に記載の導光板。
【請求項３】
前記溝部の深さは、前記屈曲ドットの深さよりも浅い深さである、
請求項１又は２に記載の導光板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導光板と、
前記導光板の側面から照射光を入射する光源と、
を備えた、
照明装置。
【請求項５】
複数の屈曲ドットによって主面の一面側に所望の形状に形成された拡散領域と、前記拡散領域の外縁位置で前記主面の他面側に設けられた溝部と、を備え、前記溝部の幅は、前記拡散ドットの幅よりも広い幅に形成されており、側面から光を入射して、主に主面から該光を導出する導光板の製造方法であって、
（ａ）超音波加工用ホーンの先端面に配置された加工ドットを押圧することで、該加工ドットの形状を反映した形状で主面の一面側に複数の屈曲ドットを形成し、前記拡散領域を形成する拡散領域形成ステップと、
（ｂ）前記拡散領域形成ステップで形成した前記拡散領域の外縁位置であって前記主面の他面側にレーザー加工機で前記溝部を形成する溝部形成ステップと、
を含む導光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路部と、第２の薄膜トランジスタを有する画素部とを有し、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタの各々は、
前記基板上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と接する領域と、前記酸化物半導体層と接する領域とを有する酸化物導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上に、酸化物絶縁層と、画素電極層と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、前記酸化物絶縁層上の前記酸化物半導体層と重なる位置に導電層を有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、前記画素電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物導電層は、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸窒化亜鉛アルミニウム、又は酸化亜鉛ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記画素電極層及び前記導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に、第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路部と、第２の薄膜トランジスタを有する画素部と、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタの各々は、
前記基板上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と接する領域と、前記酸化物半導体層と接する領域とを有する酸化物導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上に、酸化物絶縁層と、画素電極層と、を有し、
前記第１の配線は、前記ゲート電極層と同じ材料を有し、
前記第２の配線は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極層と同じ材料を有する第１の層と、前記酸化物導電層と同じ材料を有する第２の層とを有し、
前記第１の配線は、前記第１の配線上の前記ゲート絶縁層に設けられた開口を介して、前記第２の配線と電気的に接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタは、前記酸化物絶縁層上の前記酸化物半導体層と重なる位置に導電層を有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、前記画素電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物導電層は、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸窒化亜鉛アルミニウム、又は酸化亜鉛ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記画素電極層及び前記導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱酸化により、単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
プラズマ窒化により前記酸化膜の一部を窒化させることで、窒素原子を含む絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで貼り合わせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
熱酸化により、単結晶半導体基板上に膜厚５０ｎｍ乃至１１００ｎｍの酸化膜を形成し、
プラズマ窒化により前記酸化膜の一部を窒化させることで、膜厚３ｎｍ乃至２０ｎｍの窒素原子を含む絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで貼り合わせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記レーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記熱酸化は、酸素と塩化水素とを用いていることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第１のソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極層と、
前記第２のゲート電極層上の前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第２のソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第１のゲート電極層と前記第２のゲート電極層とは、同一面上に設けられ、
前記第１のソース電極層及びドレイン電極層上、並びに前記第２のソース電極層及びドレイン電極層上の第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層上に、前記第１のソース電極層及びドレイン電極層の一方と電気的に接続される第１の電極を有し、
前記第１の電極上に接するＥＬ層を有し、
前記第３の絶縁層上に、前記第２のゲート電極層と重なる領域を有する導電層を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層の端部を覆う第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層を介して前記第１のゲート電極層と重なる第２の領域と、前記第２の酸化物半導体層の端部を覆う第３の領域と、前記第２の酸化物半導体層を介して前記第２のゲート電極層と重なる第４の領域と、を有し、
前記第１のソース電極層及びドレイン電極層は、前記第２の絶縁層の前記第１の領域と前記第２の領域との間において、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２のソース電極層及びドレイン電極層は、前記第２の絶縁層の前記第３の領域と前記第４の領域との間において、前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層の昇温脱離ガス分析法による２００℃以上３５０℃以下の温度範囲に示されるスペクトルには、水分に由来する脱離成分のピークが示されないことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウムを含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体を有する第１の基板にイオンを添加して該第１の基板に脆化領域を形成し、
第２の基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、
絶縁層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる際に、前記複数の凹凸部を前記第１の基板と前記第２の基板との位置合わせの指標として用いると共に、前記複数の凹凸部の一を含む領域に、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、
熱処理を施すことにより、前記脆化領域において前記第１の基板を分離して、前記第２の基板上に半導体層を形成する半導体基板の作製方法。
【請求項２】
前記複数の凹凸部のうち、前記一の凹凸部以外の凹凸部を、前記第１の基板と前記第２の基板との貼り合わせが行われない領域に形成する請求項１に記載の半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
前記酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射し、
前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第２のレーザ光のショット数は、前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第１のレーザ光のショット数よりも少ないことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
前記酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が１０以上１００以下となるように、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が０より大きく２以下となるように、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去し、
前記第１の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜上に形成された第２の酸化膜を除去し、
前記第２の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射し、
前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第２のレーザ光のショット数は、前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第１のレーザ光のショット数よりも少ないことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去し、
前記第１の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が１０以上１００以下となるように、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜上に形成された第２の酸化膜を除去し、
前記第２の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が０より大きく２以下となるように、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記第１のレーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記第２のレーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、かつ前記ゲート電極層と重なる半導体層と、
前記半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、
前記半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記炭化物層の幅は、前記半導体層の幅よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の幅は、前記炭化物層の幅よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記炭化物層は、炭化シリコン、窒化炭化シリコン、炭化ゲルマニウム、ｎ型炭化シリコン、ｐ型炭化シリコンのいずれか一又は複数の材料からなるトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層は、インジウム、亜鉛又はガリウムの少なくとも一を含むトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に駆動回路が設けられた駆動回路部及び画素が設けられた画素部と、を有し、
前記駆動回路部に設けられた第１のゲート電極層と、
前記画素部に設けられ、透光性を有する第２のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を挟んで前記第１のゲート電極層の上に設けられた第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部の上に設けられた第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層の上に設けられ、透光性を有する第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層を挟んで前記第２のゲート電極層の上に設けられ、前記第２のソース電極層の上面及び側面並びに前記第２のドレイン電極層の上面及び側面を覆う第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層の一部の上に設けられ、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層より低抵抗である導電層と、
前記第１の酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部に接する酸化物絶縁層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、及びスカンジウムから選ばれた元素を主成分とする金属材料若しくは合金材料からなる層の単層又は積層である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛の層である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記導電層は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、及びスカンジウムから選ばれた元素を主成分とする金属材料若しくは合金材料からなる層の単層又は積層である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記画素は、容量部を有し、前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、前記容量配線及び前記容量電極は、透光性を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記酸化物絶縁層を挟んで前記第１の酸化物半導体層に重なる導電層を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層と、前記第１のソース電極層又は前記第１のドレイン電極層との間に酸化物導電層を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記酸化物導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛の層である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部に設けられた第１のトランジスタと、
駆動回路に設けられた第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第３のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とは、同一面上に設けられ、
前記第１の酸化物半導体層は前記ゲート絶縁層上面と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は前記ゲート絶縁層上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素部に設けられた第１のトランジスタと、
駆動回路に設けられた第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第３のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とは、同一面上に設けられ、
前記第１の酸化物半導体層は前記ゲート絶縁層上面と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は前記ゲート絶縁層上面と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層上にカラーフィルタ層を有し、
前記カラーフィルタ層上に、前記第１のトランジスタと電気的に接続する画素電極と、前記画素電極上の発光層とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行い、前記酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行い、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層を形成した後、第２の熱処理を行い、
前記第２の熱処理は、前記第１の熱処理より低い温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜を有し、
前記第２の層は、酸化珪素膜素膜、酸化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜を有し、
前記第１の層と前記第２の層とは異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁層は、第３の層と、前記第３の層上の第４の層とを有し、
前記第３の層は酸化珪素膜を有し、
前記第４の層は窒化珪素膜を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の熱処理は、窒素雰囲気または希ガス雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の熱処理は、３５０℃以上７５０℃以下の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の熱処理は、１００℃以上３００℃以下の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
第一のＣＴデータと第二のＣＴデータを取得するＣＴデータ取得ステップと、
前記第一のＣＴデータと前記第二のＣＴデータとの誤差関数が最小となるようにＩＣＰ法を用いて前記第二のＣＴデータの移動量を求める初期移動量演算ステップと、
前記求めた移動量、または修正された移動量を用いて前記第二のＣＴデータを変換して新第二のＣＴデータを生成する照合スライス面生成ステップと、前記新第二のＣＴデータの各々のボクセルに最も近い前記第一のＣＴデータのボクセルを求めて、前記新第二のＣＴデータの各々のボクセルのＣＴ値はそのままで、前記求めた最も近い前記第一のＣＴデータのボクセル位置に変換して前記新第二のＣＴデータを前記第一のＣＴデータの座標系で表わした離散化処理後の第二のＣＴデータを生成する照合スライス面離散化ステップと、前記離散化処理後の第二のＣＴデータと、前記第一のＣＴデータとの相違度を算出する相違度算出ステップと、前記照合スライス面生成ステップにおいて用いた移動量を修正して前記照合スライス面生成ステップにおいて次回用いる前記修正された移動量を決定する移動量修正ステップと、を含み、前記照合スライス面生成ステップと、前記照合スライス面離散化ステップと、前記相違度算出ステップと、前記移動量修正ステップと、を繰り返して、前記相違度算出ステップで算出する相違度が最小となる最適移動量を求める詳細移動量演算ステップと、
を備えたことを特徴とするＣＴデータ照合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューターに、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を記憶部に予め登録する登録処理と、
ユーザーに対して一度に複数のゲーム媒体を付与する付与処理と、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対して一度に複数のゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して一度に付与された複数の前記ゲーム媒体それぞれを、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理と、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して一度に付与された複数の前記ゲーム媒体それぞれを、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として記憶部に記録する記録処理と、
を実行させることを特徴とするゲームプログラム。
【請求項２】
コンピューターに、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を記憶部に予め登録する登録処理と、
ユーザーに対してゲーム媒体を付与する付与処理と、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理と、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として記憶部に記録する記録処理と、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を遊戯ポイントに変換して当該ユーザーに付与するポイント付与処理と、
を実行させることを特徴とするゲームプログラム。
【請求項３】
コンピューターに、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を記憶部に予め登録する登録処理と、
ユーザーに対してゲーム媒体を付与する付与処理と、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理と、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として記憶部に記録する記録処理と、
前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として所定数のゲーム媒体が記録されているか否かを判定し、当該判定結果に基づいて、付与された当該ゲーム媒体を当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体としない制限処理と、
実行させることを特徴とするゲームプログラム。
【請求項４】
コンピューターに、
ユーザーによって指定された希少度を記憶部に予め登録する登録処理と、
ユーザーに対して希少度を有するゲーム媒体を付与する付与処理と、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対して希少度を有するゲーム媒体が付与された場合に、付与された前記ゲーム媒体の希少度を、予め登録された前記希少度と比較する比較処理と、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された希少度を有する前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として記憶部に記録する記録処理と、
実行させることを特徴とするゲームプログラム。
【請求項５】
記憶部と、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を前記記憶部に予め登録する登録処理、
ユーザーに対して一度に複数のゲーム媒体を付与する付与処理、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対して一度に複数のゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して一度に付与された複数の前記ゲーム媒体それぞれを、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理、及び、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して一度に付与された複数の前記ゲーム媒体それぞれを、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として前記記憶部に記録する記録処理、を実行する制御部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
記憶部と、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を前記記憶部に予め登録する登録処理、
ユーザーに対してゲーム媒体を付与する付与処理、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として前記記憶部に記録する記録処理、及び、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を遊戯ポイントに変換して当該ユーザーに付与するポイント付与処理、を実行する制御部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
記憶部と、
ユーザーによって指定された指定ゲーム媒体を前記記憶部に予め登録する登録処理、
ユーザーに対してゲーム媒体を付与する付与処理、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーによって指定された前記指定ゲーム媒体と比較する比較処理、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として前記記憶部に記録する記録処理、及び、
前記付与処理においてユーザーに対してゲーム媒体が付与された場合に、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として所定数のゲーム媒体が記録されているか否かを判定し、当該判定結果に基づいて、付与された当該ゲーム媒体を当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体としない制限処理、を実行する制御部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
記憶部と、
ユーザーによって指定された希少度を前記記憶部に予め登録する登録処理、
ユーザーに対して希少度を有するゲーム媒体を付与する付与処理、
前記登録処理の後に、前記付与処理においてユーザーに対して希少度を有するゲーム媒体が付与された場合に、付与された前記ゲーム媒体の希少度を、予め登録された前記希少度と比較する比較処理、及び、
前記比較処理における比較結果に基づいて、前記付与処理において前記ユーザーに対して付与された希少度を有する前記ゲーム媒体を、当該ユーザーがゲーム上で使用できるゲーム媒体として前記記憶部に記録する記録処理、を実行する制御部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ゲームプログラム、及び、情報処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤロープの縒りをかたどった内面を有し中心から一定距離オフセットし前記ワイヤロープの中心軸と平行な面で切断された樹脂ワイパーと、前記樹脂ワイパーの上部端面上に配置され、前記ワイヤロープの外径より大きな内周形状を有する金属プレートと、前記樹脂ワイパーを上下および中心方向に圧縮して固定する補強部材から構成されるワイパーアッセンブリと、
前記ワイヤロープの回りに回転する前記ワイパーアッセンブリを支持する回転支持部材と、
前記ワイヤロープに近接し前記ワイパーアッセンブリの上部端面の上部に配置され、前記ワイヤロープから前記ワイヤロープ上の付着物を掻き取るスクレイパーと、
前記ワイパーアッセンブリと前記スクレイパーを覆うカバーと、
から構成され、
前記ワイヤロープを前記ワイパーアッセンブリの前記金属プレートから前記樹脂ワイパー方向に相対的に移動させるワイヤロープ清掃治具。
【請求項２】
前記補強部材は、中心から一定距離オフセットし前記ワイヤロープの中心軸と平行な面で切断された略円環状の上部補強部材と下部補強部材から構成され、前記樹脂ワイパーと前記金属プレートを前記上部補強部材と前記下部補強部材の間に挟み込み上下および中心方向に圧縮する構造とした前記ワイパーアッセンブリを備えた請求項１に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項３】
前記補強部材は、中心から一定距離オフセットし前記ワイヤロープの中心軸と平行な面で切断された略円環状の第１の補強部材と第２の補強部材から構成され、前記樹脂ワイパーと前記金属プレートを前記第１の補強部材と前記第２の補強部材の間に挟み込み、前記第１の補強部材および前記第２の補強部材の一方または両方の内周側面と前記樹脂ワイパーの外周側面の間に板バネを設けて、上下および中心方向に圧縮する構造とした前記ワイパーアッセンブリを備えた請求項１に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項４】
前記ワイパーアッセンブリの上部に、逆走防止ストッパーを備えた請求項１から請求項３のいずれか1項に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項５】
前記ワイヤロープの反対側の前記スクレイパー端部に一端が配置され、前記ワイヤロープ上から掻き取られた前記付着物を受けて流す樋と、
前記樋の他端部に配置された前記付着物を受ける回収容器と、
を備えた請求項１から請求項４のいずれか1項に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項６】
前記樋に加熱用のヒータを配置した請求項５に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項７】
前記スクレイパーと前記樋にヒータを配置した請求項５に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項８】
前記スクレイパーに続く前記樋の底部平面と、前記ワイパーアッセンブリ上部端面とが、平行または鋭角をなす請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項９】
前記樋は、略コの字状の断面を有し、前記スクレイパーから前記回収容器まで斜行しており、さらに前記樋の斜行部にヒータを配置した請求項５のワイヤロープ清掃治具。
【請求項１０】
前記ヒータは、前記スクレイパーの下方から前記回収容器まで伸びるヒータ取付部材に設置されている請求項９に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項１１】
前記ヒータ取付部材の前記ワイパーアッセンブリに対向する平面が水平面と鋭角をなし、前記スクレイパーから前記樋の斜行部にかけて、前記平面が前記スクレイパーから離間する方向に傾いている請求項１０に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項１２】
前記スクレイパーの下部に、前記ワイパーアッセンブリを囲む隔壁を設けた請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のワイヤロープ清掃治具。
【請求項１３】
前記スクレイパーの上部に庇を設けた請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のワイヤロープ清掃治具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係るワイヤロープ清掃治具は、ワイヤロープの縒りをかたどった内面を有し中心から一定距離オフセットしワイヤロープの中心軸と平行な面で切断された樹脂ワイパーと、樹脂ワイパーの上部端面上に配置され、ワイヤロープの外径より大きな内周形状を有する金属プレートと、樹脂ワイパーを上下および中心方向に圧縮して固定する補強部材から構成されるワイパーアッセンブリと、ワイヤロープの回りに回転するワイパーアッセンブリを支持する回転支持部材と、ワイヤロープに近接しワイパーアッセンブリの上部端面の上部に配置され、ワイヤロープからワイヤロープ上の付着物を掻き取るスクレイパーと、ワイパーアッセンブリとスクレイパーを覆うカバーとから構成され、ワイヤロープをワイパーアッセンブリの金属プレートから樹脂ワイパー方向に相対的に移動させるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係るワイヤロープ清掃治具は、ワイヤロープの縒りをかたどった内面を有し中心から一定距離オフセットしワイヤロープの中心軸と平行な面で切断された樹脂ワイパーと、樹脂ワイパーの上部端面上に配置され、ワイヤロープの外径より大きな内周形状を有する金属プレートと、樹脂ワイパーを上下および中心方向に圧縮して固定する補強部材から構成されるワイパーアッセンブリと、ワイヤロープの回りに回転するワイパーアッセンブリを支持する回転支持部材と、ワイヤロープに近接しワイパーアッセンブリの上部端面の上部に配置され、ワイヤロープからワイヤロープ上の付着物を掻き取るスクレイパーと、ワイパーアッセンブリとスクレイパーを覆うカバーとから構成され、ワイヤロープをワイパーアッセンブリの金属プレートから樹脂ワイパー方向に相対的に移動させるものであるため、伸びたワイヤロープに付着したグリスや高い粘度のグリスも掻き取ることができ、かつ、途中でワイヤロープを停止させることなく連続的に清掃することが可能である。