【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる装置であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板をそれぞれが有する複数の重ね合わせ基板を収容する収容部と、
前記収容部に収容された前記複数の重ね合わせ基板のそれぞれの前記複数の半導体基板同士を接合する接合部と、
を備え、
前記接合部は、前記複数の重ね合わせ基板の少なくとも一つの前記重ね合わせ基板の接合が完了する前に他の前記重ね合わせ基板の接合を開始する基板貼り合わせ装置。
【請求項２】
前記接合部は、前記複数の重ね合わせ基板を加熱する加熱部を有する請求項１に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３】
前記接合部は、前記複数の重ね合わせ基板を直列的に挟んでプレスするプレス部を有する請求項１または２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項４】
前記接合部は、前記複数の重ね合わせ基板の間に配置される加熱部材をさらに有する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項５】
前記重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を仮接合する仮接合部を備え、
前記接合部は、仮接合された前記複数の重ね合わせ基板を接合する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項６】
前記重ね合わせ基板は、少なくとも前記仮接合部に基板ホルダに保持された状態で搬入される請求項５に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項７】
前記仮接合部は、前記重ね合わせ基板を第１の温度で加熱し、
前記接合部は、前記仮接合部により加熱された前記複数の重ね合わせ基板のそれぞれの前記基板同士が互いに結合する第２の温度で前記重ね合わせ基板を加熱する請求項５または６に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項８】
前記仮接合部における加熱時間は、前記接合部における加熱時間よりも短い請求項７に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項９】
前記第１の温度と前記第２の温度は同一である請求項８に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１０】
前記仮接合部は、前記重ね合わせ基板をそれぞれ異なる温度に昇温する複数の昇温ユニットを有する請求項６から９のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１１】
前記重ね合わせ基板は、前記複数の昇温ユニットのうち温度が低い昇温ユニットから温度が高い昇温ユニットに順に投入され、前記接合部から搬出された後は、温度が高い昇温ユニットから低いほうへ順に投入される請求項１０に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１２】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる装置であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板を第１の温度で加熱する第１加熱部と、
前記第１加熱部で加熱された前記重ね合わせ基板を第２の温度で加熱する第２加熱部と、
を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項１３】
前記第１加熱部における加熱時間は、前記第２加熱部における加熱時間よりも短い請求項１２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１４】
前記第１の温度と前記第２の温度は同一である請求項１３に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１５】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる装置であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板を第１の時間の間加熱する第１加熱部と、
前記第１加熱部で加熱された前記重ね合わせ基板を前記第１の時間よりも長い第２の時間の間加熱する第２加熱部と、
を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項１６】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる装置であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を接合する接合部と、
前記複数の半導体基板が接合された複数の前記重ね合わせ基板を収容する収容部と、
前記収容部に収容された前記複数の重ね合わせ基板を加熱する加熱部と、
を備え、
前記加熱部は、前記複数の重ね合わせ基板の少なくとも一つの前記重ね合わせ基板の加熱が完了する前に他の前記重ね合わせ基板の加熱を開始する基板貼り合わせ装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置により基板を貼り合わせることを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【請求項１９】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる方法であって、
複数の半導体基板を重ね合わせることにより重ね合わせ基板を作成する重ね合わせ工程と、
複数の前記重ね合わせ基板を収容部に収容する収容工程と、
前記収容部に収容された前記複数の重ね合わせ基板のそれぞれの前記複数の半導体基板同士を接合する接合工程と、
を含み、
前記接合工程は、前記複数の重ね合わせ基板の少なくとも一つの前記重ね合わせ基板の接合が完了する前に他の前記重ね合わせ基板の接合を開始する基板貼り合わせ方法。
【請求項２０】
前記接合工程は、前記複数の重ね合わせ基板を加熱する加熱工程を含む請求項１９に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２１】
前記接合工程は、前記複数の重ね合わせ基板を直列的に挟んでプレスするプレス工程を含む請求項１９または２０に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２２】
前記接合工程は、前記複数の重ね合わせ基板の間に加熱部材を配置する工程をさらに含む請求項１９から２１のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２３】
前記重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を仮接合する仮接合工程を備え、
前記接合工程は、仮接合された前記複数の重ね合わせ基板を接合する請求項１９から２２のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２４】
前記重ね合わせ基板を基板ホルダに保持する保持工程を含み、
前記仮接合工程は、前記基板ホルダに保持された前記重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を接合する請求項２３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２５】
前記接合工程の前に、前記基板ホルダと前記重ね合わせ基板とを分離する分離工程を含み、
前記接合工程は、前記基板ホルダから分離された前記重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を接合する請求項２４に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２６】
前記仮接合工程は、前記重ね合わせ基板を第１の温度で加熱し、
前記接合工程は、前記仮接合工程により加熱された前記複数の重ね合わせ基板のそれぞれの前記基板同士が互いに結合する第２の温度で前記重ね合わせ基板を加熱する請求項２３または２５に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２７】
前記仮接合工程における加熱時間は、前記接合工程における加熱時間よりも短い請求項２６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２８】
前記第１の温度と前記第２の温度は同一である請求項２７に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２９】
前記仮接合工程は、複数の昇温ユニットのうち温度が低い昇温ユニットから温度が高い昇温ユニットに順に前記重ね合わせ基板を投入し、前記仮接合工程の後、温度が高い昇温ユニットから低いほうへ順に前記重ね合わせ基板を投入する請求項２４から２８のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３０】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる方法であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板を第１の温度で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程で加熱された前記重ね合わせ基板を第２の温度で加熱する第２加熱工程と、
を含む基板貼り合わせ方法。
【請求項３１】
前記第１加熱工程における加熱時間は、前記第２加熱工程における加熱時間よりも短い請求項３０に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３２】
前記第１の温度と前記第２の温度は同一である請求項３１に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３３】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる方法であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板を第１の時間の間加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程で加熱された複数の前記重ね合わせ基板を前記第１の時間よりも長い第２の時間の間加熱する第２加熱工程と、
を含む基板貼り合わせ方法。
【請求項３４】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる方法であって、
重ね合わされた前記複数の半導体基板を有する重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を接合する接合工程と、
前記複数の半導体基板が接合された複数の前記重ね合わせ基板を収容部に収容する収容工程と、
前記収容部に収容された前記複数の重ね合わせ基板を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記加熱工程は、前記複数の重ね合わせ基板の少なくとも一つの前記重ね合わせ基板の加熱が完了する前に他の前記重ね合わせ基板の加熱を開始する基板貼り合わせ方法。
【請求項３５】
請求項１９から３４のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法により前記複数の半導体基板を貼り合わせる工程と、
前記複数の半導体基板が貼り合わされた前記重ね合わせ基板を積層半導体装置に個片化する工程と、
を含む積層半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法、積層半導体装置、基板貼り合わせ方法及び積層半導体装置の製造方法