(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
基板上に第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層を含む発光素子層を備え、前記基板側に形成された前記第１電極より上層に形成される前記第２電極側から前記発光層からの光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を有する発光画素が複数配置された素子基板と、
前記素子基板の素子形成面側に所定距離隔てて配置される透明封止部材と、
を有し、
前記第２電極は各発光画素に対して共通に設けられ、前記第２電極と前記透明封止部材との間隙には、各発光画素を他の発光画素から遮光する遮光部材が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記透明封止部材の前記有機エレクトロルミネッセンス素子との対向面側の各発光画素対応位置には、色要素を備え、
前記遮光部材は、該色要素の他の色要素との間隙に前記基板に向かって突設されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記遮光部材は、少なくとも前記透明封止部材との対向面が黒色を呈することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記遮光部材の側面の少なくとも一部は反射機能を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記遮光部材は、各発光画素領域を取り囲むように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子との層間には、各発光画素を個別に制御するスイッチ素子が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのエレクトロルミネッセンス表示装置、特に基板上に形成された素子の上方より光を射出するタイプの表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、発光分子として有機発光材料や無機発光材料などを用いて構成されるエレクトロルミネッセンス（以下ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されている。特に有機発光材料はその発光色の種類が多く次世代カラーディスプレイとして期待されている。
【０００３】
図４は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の１画素当たりの回路構成を示している。図示するようにアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、基板上に複数本のゲートラインＧＬが行方向に延び、複数本のデータラインＤＬ及び電源ラインＶＬが列方向に延びている。そして、データラインＤＬ及び電源ラインＰｖＬと、ゲートラインＧＬとで囲まれた領域付近が１画素相当領域となり、この１画素領域には有機ＥＬ素子３と、スイッチング用ＴＦＴ（第１ＴＦＴ）１、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ（第２ＴＦＴ）２及び保持容量Ｃscが設けられている。
【０００４】
第１ＴＦＴ１は、ゲートラインＶＬとデータラインＤＬとに接続されており、ゲート電極にゲート信号（選択信号）を受けてオンする。このときデータラインＤＬに供給されている表示データ信号に応じた電荷が第１ＴＦＴ１と第２ＴＦＴ２との間に接続された保持容量Ｃscに保持される。第２ＴＦＴ２のゲート電極には、上記保持容量Ｃscで保持している電荷に応じた電圧（データ信号に応じた電圧）が印加され、第２ＴＦＴ２は、ゲート電圧に応じた電流を電源ラインＰｖＬから有機ＥＬ素子３に供給する。
【０００５】
図５は、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子３及び上記第２ＴＦＴ付近における概略断面構成を示している。なお、図５に示さない第１ＴＦＴは第２ＴＦＴとほぼ同様の構造である。
【０００６】
ガラスなどの透明基板１０上には第２ＴＦＴの能動層１２が形成され、これをゲート絶縁膜１４が覆い、ゲート絶縁膜１４上には、図４に示す第１ＴＦＴのソース領域及び保持容量Ｃscの下側電極に電気的に接続されるゲート電極２０が形成されている。このゲート電極２０の上層には層間絶縁膜１６が形成され、能動層のソース及びドレイン領域に対応する位置においてそれぞれ層間絶縁膜１６及びゲート絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールが形成されている。第２ＴＦＴのソース領域１２ｓはこのコンタクトホールを介してソース電極を兼用する電源ラインＰｖＬに接続され、ドレイン領域１２ｄはコンタクトホールを介してドレイン電極に接続されている。さらに電源ラインＰｖＬ及びドレイン電極を覆う基板全面には第１平坦化絶縁層１８が形成され、この第１平坦化絶縁層１８の上に有機ＥＬ素子３が形成されている。
【０００７】
有機ＥＬ素子３は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなり画素毎に個別に形成された透明電極（陽極）５０と、発光素子層及び各画素共通で形成された金属電極（陰極）６０が第１平坦化絶縁層１８の上にこの順に積層されて構成されている。なお、透明電極５０は、第１平坦化絶縁層１８に形成されたコンタクトホールを介して第２ＴＦＴのドレイン電極に接続されている。発光素子層は、例えば正孔輸送層５２、発光層５４及び電子輸送層５６がこの順に積層されて構成されている。
【０００８】
なお、以上各画素を構成するＴＦＴ、保持容量及び有機ＥＬ素子、さらに必要な配線が形成されて素子基板が構成される。そして、素子基板上の各素子の保護と、発光素子層に含まれる有機材料の水分による劣化を防ぐため、従来より、発光素子層の素子形成面側は金属製の封止部材９０が設けられている。この封止部材９０は、素子基板の画素領域周辺に素子基板と接着され、この封止部材９０と素子基板との間の封止空間９２には、乾燥窒素が封入されている。
【０００９】
有機ＥＬ素子３は、その陽極５０に第２ＴＦＴを介して電源ラインＰｖＬからデータ信号電圧に応じた電流が供給される。これにより発光素子層には陽極５０から正孔が注入され、陰極６０から電子が注入され、注入された正孔と電子とが発光素子層内を移動し、発光層５４で再結合し、発生した再結合エネルギにより発光層内の発光分子が励起される。そして、基底状態に戻る際に、発光層５４から光が放射される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の有機ＥＬ素子３においては、陰極６０としては、例えばＡｌなど仕事関数の小さな金属材料が用いられており、不透明である。一方、陽極５０には、上述のように発光素子層への正孔注入が可能な仕事関数の大きい導電材料としてＩＴＯ等が用いられるため透明である。従って、発光層５４からの光は、陰極６０からは射出されず、陽極５０側から透明基板１０を通って外部に射出される。
【００１１】
ここで、配線及びＴＦＴ形成領域は上記発光層からの光を遮ってしまうので、透明電極１０側から光を放射する場合には、この配線、ＴＦＴの形成領域が各画素の発光領域を制限することになる。従って、各画素の発光面積、つまり画素あたりの発光領域の占める割合である開口率がＴＦＴ形成面積の制約を受けるという問題がある。
【００１２】
そこで、図５に示す有機ＥＬ素子３の陰極側から光を射出可能な構成の研究が始まっている。
【００１３】
しかし、このような陰極側から光を射出する構成とした場合には、隣接画素間で配線やＴＦＴなどによって光が遮られることがないが故に、隣接画素間での光漏れの問題がより顕著となると考えられる。特に、有機ＥＬ素子は全方向に光を発する点光源に近い自発光素子であるため、近接画素間での発光光の漏れを防止する必要がある。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明は、開口率が高く、かつ隣接画素間での光漏れ防止が可能なＥＬ表示装置を実現することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためにこの発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、基板上に第１電極と第２電極との間に少なくとも発光層を含む発光素子層を備え、前記基板側に形成された前記第１電極より上層に形成される前記第２電極側から前記発光層からの光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を有する発光画素が複数配置された素子基板と、前記素子基板の素子形成面側に所定距離隔てて配置される透明封止部材と、を有する。さらに、前記第２電極は各発光画素に対して共通に設けられ、前記第２電極と前記透明封止部材との間隙には、各発光画素を他の発光画素から遮光する遮光部材が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
このように素子基板の上側に位置する第２電極側から発光光を射出可能な素子構成とし、さらに素子封止用の基板として透明封止部材を採用することで、この透明封止部材から外部に光を射出することができ、ＥＬ素子を画素毎に制御するための配線やスイッチ素子などに制約されることなく、発光層からの光を効率的に外部に射出でき、開口率の向上を図ることができる。さらに、基板と、この基板の素子形成面側に配置される透明封止部材との間隙に画素間を遮光する遮光部材を設けることにより、第２電極側から射出される光が遮光部材により他の画素領域から射出されてしまうことを防止できる。従って、表示イメージの画素間でのにじみ防止、カラー表示装置では混色防止ができる。
【００１７】
本発明の他の態様では、上記有機ＥＬ表示装置において、前記透明封止部材の前記有機エレクトロルミネッセンス素子との対向面側の各発光画素対応位置には、色要素を備え、前記遮光部材は、該色要素の他の色要素との間隙に前記基板に向かって突設されていることを特徴とする。
【００１８】
素子基板と透明封止部材との設定間隙及び透明封止部材に形成される色要素（カラーフィルタや色変換フィルタなど）は、素子基板上に形成されるＥＬ素子やそのスイッチ素子などの厚さと比較して非常に大きな値である。従って、素子層と遮光部材や色要素とでは、各製造装置の精度や特性にもかなり差があり、遮光部材や色要素は透明封止部材側に形成することとすれば、素子基板と透明封止基板とをそれぞれ別の最適な製造ラインで並列して製造でき、製造効率の点で有利となる。また、素子基板側に遮光部材や色要素を形成する場合には、第２電極上にこれらを形成することになるが、有機ＥＬ素子等においては発光素子層の薬液耐性が低かったり吸湿して劣化するなどの性質があるため、発光素子層形成後には多くの成膜工程にさらされないことが望ましいことが多い。このような場合にも、本発明では遮光部材及び色要素を素子基板とは別に製造できる透明封止部材上に形成するので、このような制約は受けず、ＥＬ素子に遮光部材や色要素の製造プロセスが悪影響を及ぼすことがない。
【００１９】
本発明の他の態様では、上記有機ＥＬ表示装置において、前記遮光部材は、少なくとも前記透明封止部材との対向面が黒色を呈する。上述のように本発明のＥＬ表示装置は、透明封止部材側からＥＬ素子の発する光を外部に射出する構成であり、この透明封止部材側が観察面となる。そこで、この観察面から透明封止部材を透過して視認される遮光部材の上面（透明封止部材との対向面）が黒色を呈していることで、発光画素間位置にそれぞれブラックマトリクスが配置されることとなる。よって、隣接画素間での発光輝度、発光色の差異を鮮明に表すことが容易となり、表示コントラストの一層の向上に寄与する。
【００２０】
本発明の他の態様では、上記有機ＥＬ表示装置において、前記遮光部材の側面の少なくとも一部は反射機能を有する。
【００２１】
側面が反射機能を有すれば、発光層から第２電極を透過して放射される光をこの反射部材で反射すれば、損失なく発光層からの光をその画素の光として外部に射出することができる。
【００２２】
本発明の他の態様では、上記有機ＥＬ表示装置において、前記遮光部材は、各発光画素領域を取り囲むように形成されている。
【００２３】
上述のように発光層が点光源と同等に機能する場合には特に各発光画素領域を取り囲むことで、全方位について隣接画素に光が漏れることを防止できる。
【００２４】
本発明の他の態様では、上記有機ＥＬ表示装置において、前記基板と前記有機ＥＬ素子との層間に、各発光画素を個別に制御するスイッチ素子が形成されている。
【００２５】
このように発光画素を個別に制御するスイッチ素子を備えるいわゆるアクティブマトリクス型表示装置とすれば、各画素の表示品質が高い。また、上述のようにスイッチ素子などが素子基板上に形成されていても、発光層からの光をスイッチ素子の形成位置と反対側に位置する第２電極側から射出するため、開口率の減少がなく、高輝度で品質の高い表示が可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いてこの発明の好適な実施の形態（以下実施形態という）について説明する。
【００２７】
図１は、この発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の断面構造を示している。このＥＬ表示装置は本実施形態において例えば有機材料を用いた有機ＥＬ素子を各画素に備えたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置である。各画素についての回路構成は、上述の図４に示す等価回路と同じであり、１画素は、有機ＥＬ素子３と、これを制御するための第１及び第２ＴＦＴと、保持容量Ｃscを備える。また、図１において、第１平坦化絶縁層１８より下側に形成された素子構成は、従来と同様の構成を採用可能であり、例えば第２ＴＦＴは、図５と同様で、図示されない第１ＴＦＴもこの第２ＴＦＴと同様の構成である。図１において、図５と共通する部分については同一符号を付し説明を省略する。もちろん、各膜の材質やＴＦＴのトップゲート構造をボトムゲート構造にするなど、異なる構造を採用することもできる。
【００２８】
図１に示すように、第１平坦化絶縁層１８の上には、各画素毎に個別パターンの第１電極４０が形成されており、コンタクトホールを介して第２ＴＦＴのドレイン電極と接続されている。第１電極４０の上には、発光素子層３０が積層され、さらにその上に各画素共通の多層構造の第２電極４２が形成されている。発光素子層３０は、少なくとも発光分子を含有する発光層を備え、本実施形態では、一例として、正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６の３層構造から構成している。図１では、正孔輸送層３２と電子輸送層３６とが全画素共通で形成され、発光層３４が各画素ごと独立し、かつ第１電極４０より多少大きなパターンに形成された例を示している。この発光層３４は、カラー表示装置の場合には、それぞれ発光すべき光の色により、それぞれ所望の異なる発光材料が用いられることとなる。
【００２９】
また、第１電極４０同士の間隙部分にはこの第１電極４０のエッジを覆う第２平坦化絶縁層２６が形成されている。発光素子層３０は、実際には非常に薄いため、この第２平坦化絶縁層２６により、発光素子層３０を挟んで対向する第１及び第２電極４０，４２が第１電極４０のエッジ付近で短絡することを防止する。
【００３０】
本実施形態において特徴的なことは、まず、第１電極４０よりも上層に形成される第２電極４２が光透過性であることである。図５と同様に第１電極４０は陽極を構成しており、発光素子層の正孔輸送層３２に対して正孔の注入可能な仕事関数の大きいＩＴＯ等の透明導電性材料が用いられている。第２電極４２は、陰極を構成するため、仕事関数の小さく電子注入の容易な材料を用いることが必要である。しかし、その一方で、光透過機能を発揮しなければならず、陽極と同じＩＴＯなどが材料として考えられるが、ＩＴＯなどの金属酸化物は、電子注入能力が高くない。従って、本実施形態においては、第２電極４２を金属層４４と透明導電層４６との積層構造とし、電子輸送層３６との界面に接する位置に金属層４４を設け、その材料としては、発光素子層３０の電子輸送層３６に対して効率的に電子注入することのできる仕事関数の小さい金属を用い、かつこれらの金属材料は通常遮光性であるが、光を透過できる程度の薄膜として形成している。この金属層４４には、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどが用いられる。金属層４４の上層にＩＴＯなどの透明導電層４６を形成し、この２層で陰極を構成している。なお、遮光性の金属材料を用いて第２電極（陰極）４２を構成することも可能であり、この場合には、第２電極４２は、１画素領域あたりに複数の開口部が形成されている構成を採用すればよい。
【００３１】
以上のように積層構造の第２電極４２から発光素子層３０に電子を注入し、第１電極４０から発光素子層３０に正孔を注入することで、本実施形態の有機ＥＬ素子３は、発光層内で発光分子に起因した色の光が放射され、これの光が光透過性の第２電極４２を通して射出される。
【００３２】
なお、図１には明示していないが、第１電極（陽極）４０として透明電極を採用する場合において、この透明電極を透過して基板１０側へ光が漏れないように第１電極４０の下層や、基板１０の外表面等に反射層を設けることが好ましい。
【００３３】
素子基板１００は、上記有機ＥＬ素子３、第１及び第２ＴＦＴ、保持容量Ｃsc及びこれらの駆動に必要な配線などが形成されて構成されている。そして、本実施形態では、素子の保護のためと、第２電極４２を透過する光を外部に射出するため、素子基板１００の素子形成面側には透明封止部材２００が対向配置される。また、この透明封止部材２００は、図１では示していないが、素子基板１００と画素部周辺領域において素子基板１００とＵＶ硬化樹脂などを用いて接着されている。透明封止部材２００には、第２電極４２を通して射出される光を透過できるよう、ガラスなどの透明基板８０が用いられている。
【００３４】
［遮光部材］
本実施形態において特徴的な遮光部材７０について説明する。この遮光部材７０は、素子基板１００の素子形成面と透明封止部材２００との間隙（封止空間）８４に配置されており、発光画素を他の発光画素から遮光している。この遮光部材７０は、画素間を遮光する位置に配置されれば、どのような手段で素子基板１００と透明封止部材２００との間に存在していても良いが、本実施形態では、透明基板８０の素子との対向面上に、素子基板１００に向かって突出するように形成されている。図２は、透明基板８０上に形成された遮光壁７０及び後述する色要素８２を素子基板側から観察した場合の構成を示している。また、図３は、透明封止部材２００を表示装置の観察面（図１では上面）から見た場合の透過図である。
【００３５】
遮光部材７０には、例えば黒色樹脂材料が用いることができる。この場合、透明基板８０にこの黒色樹脂材料を封止部材２００と素子基板１００の第２電極４２との距離にほぼ等しい厚さに塗布又は印刷する。そして、これを硬化させ、画素対応領域をエッチング除去するなどにより、所望のパターンの壁、特に図１及び２に示されるように発光画素領域取り囲むような壁を容易に形成することができる。遮光部材７０として以下では、遮光壁を例に説明するが、もちろん、発光画素領域を完全に取り囲む構成でなくともよく、隣接画素との距離が近い領域にのみ壁状に或いは柱状に形成されていても良い。但し、発光画素領域を完全取り囲むパターンとした方が、遮光機能及び光の利口効率は向上する。また、後述するように色要素８２が各発光画素対応領域に形成される場合には、この色要素８２と遮光壁７０とはいずれを先に形成しても良い。
【００３６】
透明封止部材２００と素子基板１００の第２電極４２との距離は、２０μｍ程度以下であり、遮光壁７０は、この距離に応じて例えば２μｍ〜１０μｍ程度の厚さ（高さ）に形成される。遮光壁７０を透明封止部材２００と素子基板の第２電極４２との離間距離とほぼ等しい高さとすることで、第２電極４２を通過して射出した光が隣接画素領域に到達することを確実に防止できる。また、遮光壁７０を封止部材２００と第２電極４２との離間距離とほぼ等しい高さとすることで、これらの間のスペーサとしても機能させることができる。そしてスペーサとして機能することで、封止部材２００が外圧によりたわんで第２電極４２に接触するといったことを防止し、表示装置としての強度を向上し、また内部素子の損傷を未然に防止することが可能となる。
【００３７】
ここで、遮光壁７０は、透明封止部材２００に形成する方が、素子基板１００に形成するよりも製造工程の効率化の点で優れる。図１では、表現を容易とするため、ほぼ同等の縮尺で記載しているが、実際には、遮光壁７０の高さ、即ち素子基板の第２電極４２と透明封止部材２００との間隙は、素子基板１００上に形成される有機ＥＬ素子やそのスイッチ素子のトータルの厚さと比較して、１桁以上大きい。また、後述するように色要素についても、有機ＥＬ素子などと比較して非常に厚い。このため、素子基板側の各素子と、遮光壁や色要素とでは、各製造装置の精度や特性にもかなり差がある。よって、これら厚くする必要のある遮光壁７０や色要素８２は透明封止部材側に形成することにより、素子基板１００と透明封止部材２００とをそれぞれ別ラインで並列して製造できるのである。さらに、有機ＥＬ素子３の発光素子層３０は吸湿による劣化が起きたり耐薬品性が低い場合があったりするが、遮光壁７０を透明封止部材２００側に形成すれば、発光素子層３０の上には第２電極形成工程しか必要ない。よって、後工程による発光素子層３０の劣化の問題も発生しない。
【００３８】
また遮光壁７０は、少なくともその側面（７２）が反射機能を備える、つまり反射側面を有することが好ましい。図１では、黒色樹脂材料からなる遮光壁側面に別途反射層７２を形成した構成を示している。もちろん遮光壁７０自体が金属などの反射材料であれば、その壁面に別部材の反射部材を設ける必要はない。いずれの場合においても、遮光壁７０の側面（壁面）が反射機能を備えることで、図１に示すように有機ＥＬ素子の発光層３４で発生し、第２電極４２を透過して射出された光の内、遮光壁７０の側面７２に向かって進む光はこの側面７２で吸収されずに反射され、その画素領域からの光として透明封止部材２００から射出される。従って、発光層３４からの光の利用効率を増大させることができる。
【００３９】
次に、遮光壁７０は、少なくともその透明基板８０との対向面７４が黒色を呈することが好ましい。遮光壁７０を上述のように黒色樹脂材料などを用いて形成すれば、容易に実現できる。また、遮光壁７０材料としては特に黒色材料を用いない場合においても図１に示すように透明基板８０との対向面（接面）７４に黒色層を形成することで対応することもできる。いずれの場合においても、図３に示すように観察面側から見たときには、遮光壁７０はその透明基板８０側の面が、各画素を分離するブラックマトリクスとして機能し、コントラスト向上に寄与できる。
【００４０】
なお、以上では遮光壁７０を透明封止部材２００側に形成した場合について説明しているが、素子基板１００側にも形成した構成が採用できる。例えば第２平坦化絶縁層２６の形成領域に透明封止部材２００に向かって遮光壁７０を突出させる。このような構成においては、第２電極４２は、行又は列方向に近接する画素間においてこの遮光壁７０により分離され、この遮光壁７０に沿って行又は列方向に帯状に延び、複数の画素領域の周辺で互いに電気的に接続され共通電圧が印加される構成とすることができる。
【００４１】
［色要素］
図１及び図２に示すように本実施形態では、透明封止部材２００の各発光画素に対応する位置には、色要素８２を設けることができる。この色要素８２は、それぞれカラー表示を行う場合のＲ，Ｇ，Ｂ等のカラーフィルタ層の他、入射光を所望の波長の光に変換する色変換フィルタ層などを採用することができる。ここで、有機ＥＬ素子は、発光素子層が比較的高抵抗であるため、基本的には第１電極４０と第２電極４２とが発光素子層を挟んで対向する部分のみが発光する。従って、本実施形態における発光領域は、画素毎に個別に形成されている第１電極４０のパターンとほぼ等しくなる。このような場合に、透明封止部材に形成する色要素は、素子の発光面積より多少大きいパターンとすることで、隣接画素への光漏れをより確実に防止することができる。
【００４２】
また、通常発光色ごとに異なる材料を用いて発光素子層を構成する必要があるが、これらカラーフィルタや色変換フィルタ層などを封止部材２００の素子対向面側に形成する場合、発光素子層３０は例えば全画素において白色発光としてもよい。また全画素同一の発光素子層３０とする場合において、白色発光には限らず、他の例えばＲ，Ｇ，Ｂ単色発光でもよい。とりわけ色要素として、色変換フィルタ層を採用した場合、このフィルタ層により発光色を所望の色に変換することが可能であれば、他のいかなる発光色の発光素子層を採用しても良い。もちろん、Ｒ，Ｇ，Ｂ用の各画素において、それぞれ発光素子層３０が対応するＲ，Ｇ，Ｂを発光することとし、対応して配置される色要素によって各色の色純度を高める構成であってもよい。
【００４３】
また、単色表示装置にはこの色要素８２は必須の構成ではない。そして、このような単色表示装置の場合であっても、上述の遮光壁７０が画素間に存在することで画素間での光漏れを防止するという効果を得ることができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＥＬ素子基板の上側に位置する第２電極側から発光光を射出可能で、かつ素子封止用に透明部材を採用することで、透明封止部材から外部に光を射出できる。従って、ＥＬ素子を制御するための配線やスイッチ素子などに制約されずに、発光層からの光を効率的に外部に射出でき、開口率の向上を図ることができる。
【００４５】
さらに、素子基板の第２電極と封止用透明基板との間隙に画素間を遮光する遮光部材を有するので、第２電極側から射出される光が他の画素領域に到達することを防ぎ、表示イメージの画素間でのにじみ防止、カラー表示装置では混色防止ができる。また、第２電極側を通過して射出された光を外部に損失少なく射出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図である。
【図２】  図１の素子封止用透明基板の概略構造を示す図である。
【図３】  図１の素子封止用透明基板を観察面側から見た状態を示す図である。
【図４】  アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の１画素あたりの等価回路である。
【図５】  アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の断面構成を示す図である。
【符号の説明】
１  第１ＴＦＴ（Ｔｒ１）、２  第２ＴＦＴ（Ｔｒ２）、３  有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）、１０  基板、１２  能動層、１４  ゲート絶縁膜、１６  層間絶縁膜、１８  第１平坦化絶縁層、２０  ゲート電極、２２  ソース電極（電源ライン）、２４  ドレイン電極、２６  第２平坦化絶縁層、３０  発光素子層、４０  第１電極（陽極）、４２  第２電極（陰極）、７０  遮光部材（遮光壁）、７２  遮光壁の壁面（反射壁面）、７４  遮光壁の透明封止部材対向面（黒色）、８０  透明基板、８２  色要素、１００  素子基板、２００  透明封止部材。
【図１】
0004262902.tif 000002
【図２】
0004262902.tif 000003
【図３】
0004262902.tif 000004
【図４】
0004262902.tif 000005
【図５】
0004262902.tif 000006