Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルに対する複数のタッチ位置を検出可能な検出手段と、
前記検出手段によって１点目のタッチが検出されると、該１点目のタッチのタッチ位置に基づいて特定の撮影条件の補正値を設定し、該１点目のタッチを検出した後、該１点目のタッチが継続したまま２点目のタッチが検出されると、前記１点目のタッチのタッチ位置と該２点目のタッチのタッチ位置の距離に基づいて前記特定の撮影条件のブラケット撮影に用いるブラケット値を設定する設定手段と、
前記設定手段によって設定された前記補正値と前記ブラケット値に基づいて撮影処理を行う撮影処理手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記設定手段は、前記１点目のタッチのタッチ位置と前記２点目のタッチのタッチ位置の距離に基づいて、前記補正値から該距離に対応する絶対値を有するプラス側のブラケット値とマイナス側のブラケット値の少なくとも２つのブラケット値を設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記２点目のタッチに応じてブラケット値が設定できる旨のガイドを表示手段に表示するように制御する表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記ガイドを前記１点目のタッチが検出されてから表示するように制御することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記２点目のタッチが検出されたのが前記１点目のタッチから所定時間経過後であった場合には、前記１点目のタッチのタッチ位置に基づいて前記補正値を設定するとともに前記１点目のタッチのタッチ位置と前記２点目のタッチのタッチ位置の距離に基づいてブラケット撮影に用いるブラケット値を設定し、
前記検出手段によって、２点のタッチが同時に検出されるか、１点目のタッチを検出してから、該１点目のタッチが継続したまま所定時間以内に２点目のタッチが検出された場合には、タッチされている２点のうち片方の位置に基づいてマイナス側のブラケット値を設定し、他方の位置に基づいてプラス側のブラケット値を設定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記検出手段によって、２点のタッチが同時に検出されるか、１点目のタッチを検出してから、該１点目のタッチが継続したまま所定時間以内に２点目のタッチが検出された場合には、前記設定手段は、タッチされている２点の中央の位置に対応する補正値を設定することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記特定の撮影条件は露出であり、前記補正値は露出補正値であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記特定の撮影条件はホワイトバランスであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記特定の撮影条件は、ＩＳＯ感度であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記特定の撮影条件は、ストロボ撮影の調光、シャッター速度、絞り値の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
タッチパネルに対する複数のタッチ位置を検出可能な検出ステップと、
前記検出ステップによって１点目のタッチが検出されると、該１点目のタッチのタッチ位置に基づいて特定の撮影条件の補正値を設定し、該１点目のタッチを検出した後、該１点目のタッチが継続したまま２点目のタッチが検出されると、前記１点目のタッチのタッチ位置と該２点目のタッチのタッチ位置の距離に基づいて前記特定の撮影条件のブラケット撮影に用いるブラケット値を設定する設定ステップと、
前記設定ステップによって設定された前記補正値と前記ブラケット値に基づいた撮影処理を行うように制御する制御ステップと
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の撮像装置は、タッチパネルに対する複数のタッチ位置を検出可能な検出手段と、前記検出手段によって１点目のタッチが検出されると、該１点目のタッチのタッチ位置に基づいて特定の撮影条件の補正値を設定し、該１点目のタッチを検出した後、該１点目のタッチが継続したまま２点目のタッチが検出されると、前記１点目のタッチのタッチ位置と該２点目のタッチのタッチ位置の距離に基づいて前記特定の撮影条件のブラケット撮影に用いるブラケット値を設定する設定手段と、前記設定手段によって設定された前記補正値と前記ブラケット値に基づいて撮影処理を行う撮影処理手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、参照符号ＳＭ０’，ＳＭ０，ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３は、スイッチを示す。なお、これらスイッチは、接地側に接続した状態を『０』とし、また、ＶＲＥＦ側に接続した状態を『１』とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図３に示されるように、差動型Ａ／Ｄ変換器は、＋側ＤＡＣ２０１と−側ＤＡＣ２０２を有する。＋側ＤＡＣ２０１は、容量ＣＰ０’〜ＣＰ３およびスイッチＳＭＰ０’〜ＳＭＰ３を有し、また、−側ＤＡＣは、容量ＣＮ０’〜ＣＮ３およびスイッチＳＭＮ０’〜ＳＭＮ３を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図５は、図４のコンパレータにおける差動回路ＣＭＰ１（ＣＭＰ２）の一例を示す回路図である。図５において、参照符号ＩＰは差動回路の＋入力ノードを、ＩＭは差動回路の−入力ノードを、ＯＰは差動回路の＋出力ノードを、ＯＭは差動回路の−出力ノードを、そして、ＶＤＤは電源電圧を供給するノードを示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
図６において、参照符号ＩＰは差動回路の＋入力ノードを、ＩＭは差動回路の−入力ノードを、ＯＰは差動回路の＋出力ノードを、ＯＭは差動回路の−出力ノードを、そして、ＶＤＤは電源電圧を供給するノードを示す。さらに、参照符号Ｍ２１，Ｍ２２およびＭ２３はｐＭＯＳトランジスタを示し、そして、ＲａおよびＲｂは抵抗素子を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
このように、Ｖｏｕｔ＋とＶｏｕｔ−が大きく離れた状態を比較期間の初期値として判定を行うと、判定するまでに時間を要し、動作が遅くなる。そのため、比較期間の最初にスイッチＳＷｅを閉じ、Ｖｏｕｔ＋とＶｏｕｔ−の電位差を高速に減少させることが有効である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
図７および図８に示されるように、Ｖｏｕｔ＋とＶｏｕｔ−は、比較期間の最初にＳＷｅによって電位差がゼロにされる。これにより、ＳＷｅを開いた後には、初期値ゼロの状態から入力電位の大小を判定するだけで済むため、ＳＷｅを設けない場合に比べて高速に比較（判定）動作が終了する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
例えば、図９のＣＭＰ１の利得が１０ならば、ＣＣ１の値は（ＣＮ０’＋ＣＮ０＋ＣＮ１＋ＣＮ２＋ＣＮ３）の１／１０と設計され、その面積もほぼ同様の比となるため、コンパレータの結合容量に配線層を用いることによる面積増加は軽微なものとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８７】
サンプリングが終了した後、ＳＷ０１とＳＷ０２およびＳＷ０４とＳＷ０５を開放する。これにより、ＣＣ１とＣＣ２には１段目の差動対の出力オフセットが記憶され、また、ＣＣ３とＣＣ４には２段目の差動対の出力オフセットが記憶される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９３】
ここで、先に、コンパレータの動作速度は、ほぼ１段目の差動回路の動作速度で決定されることを説明したが、１段目の差動回路ＣＭＰ１の動作速度をできるだけ早くするためには、ＣＣ１とＣＣ２の左側ノードの寄生容量を小さくする必要がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９４】
そのため、図１３の回路では、少なくともＣＣ１とＣＣ２を、最下層（Ｐｏｌｙ層）を除いた配線層を用いて形成することにより、寄生容量を小さくして高速なコンパレータを実現することができるようになっている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９６】
図１４は、図１２のＡ／Ｄ変換器におけるコンパレータ回路の他の例を示す回路図である。図１４において、参照符号ＶＩＮ＋は＋側入力ノードおよびその電圧を、ＶＩＮ−は−側入力ノードおよびその電圧を、ＣＭＰ１，ＣＭＰ２，ＣＰ３は差動回路を、そして、ＮＭ１，ＮＭ２，ＮＭ３，ＮＭ４は、ｎＭＯＳトランジスタを示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９７】
また、参照符号ＣＣ１，ＣＣ２，ＣＣ３，ＣＣ４，ＣＣ５は容量素子を、ＳＷ０１，ＳＷ０２，ＳＷ０３，ＳＷ０４，ＳＷ０５，ＳＷ０６，ＳＷ０７，ＳＷ０８，ＳＷ０９はスイッチを、ＩＮＶはインバータを、Ｌ１はラッチを、そして、ＣＫはクロックを示す。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３００】
図１４に示すコンパレータは、ノードＣ１ＯＮとＣ１ＯＰの間にＮＭ１とＮＭ２のダイオード接続したｎＭＯＳトランジスタを設け、さらに、Ｃ２ＯＮとＣ２ＯＰの間にＮＭ３とＮＭ４のダイオード接続したｎＭＯＳトランジスタを設けるようになっている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０４】
そこで、図１４に示すように、ダイオード接続したＭＯＳトランジスタＮＭ１，ＮＭ２；ＮＭ３，ＮＭ４を設けることにより、振幅を制限してＡ／Ｄ変換の誤りを防ぐようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
評価の指標となる所定の単位に属する１以上の美術絵画に共通な特徴を、所定の美術絵画相当の特徴として保持する保持手段と、
評価の対象となる画像のデータを、評価画像のデータとして取得する取得手段と、
前記取得手段に取得された前記評価画像のデータに基づいて、前記評価画像の特徴を解析する解析手段と、
前記解析手段により解析された前記評価画像の特徴について、前記保持手段に保持された前記所定の美術絵画相当の特徴との類似度合を評価する評価手段と、
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記評価の指標となる所定の単位に属する１以上の美術絵画から特徴を取得し、共通な特徴を前記保持手段に保持させる共通特徴取得手段、
をさらに備える請求項1記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記所定の美術絵画相当の特徴として、構図の点からの特徴である所定の美術絵画相当の構図特徴と、美術絵画全体の点からの特徴である所定の美術絵画相当の画像特徴と、が前記保持手段に保持されており、
前記解析手段は、
前記取得手段に取得された前記評価画像のデータに基づいて、構図の点から前記評価画像の構図特徴を解析する構図特徴解析手段と、
前記取得手段に取得された前記評価画像のデータに基づいて、画像全体の点から前記評価画像の画像特徴を解析する画像特徴解析手段と、
を有し、
前記評価手段は、
前記構図特徴解析手段により解析された前記評価画像の構図特徴について、前記保持手段に保持された前記所定の美術絵画相当の構図特徴との類似度合を評価する構図特徴評価手段と、
前記画像特徴解析手段により解析された前記評価画像の画像特徴について、前記保持手段に保持された前記所定の美術絵画相当の画像特徴との類似度合を評価する画像特徴評価手段と、
を有する請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記評価手段による評価結果を利用して、所定の処理を実行する評価結果利用手段、
をさらに備える請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
所定のシーンを撮像することによって、撮像画像のデータを出力する撮像手段をさらに備え、
前記評価結果利用手段は、前記評価手段による評価結果を利用して、前記撮像手段が出力するデータであって、前記類似度合いの高いと評価された領域のデータを、記録する処理を実行する、
請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
所定のシーンを撮像することによって、撮像画像のデータを出力する撮像手段をさらに備え、
前記取得手段は、前記撮像画像のデータのうち一領域のデータを、前記評価画像のデータとして取得して、
前記評価結果利用手段は、前記評価手段による評価結果を利用して、構図取りを案内する情報を少なくとも提示する処理を実行する、
請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記保持手段には、複数の前記美術絵画相当の特徴が保持されており、
前記複数の美術絵画相当の特徴の少なくとも１つに係わる、複数の選択肢を提示する提示手段と、
前記提示手段により提示された前記複数の選択肢の中から、１以上の選択肢をユーザが選択する操作を受け付ける操作手段と、
をさらに備え、
前記評価手段は、前記解析手段により解析された前記評価画像の特徴について、前記ユーザにより選択されて前記操作手段によって受け付けられた前記１以上の選択肢に係わる前記美術絵画相当の特徴との類似度合を評価する、
請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記選択肢は、美術史の分類で用いられているものである、
請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記選択肢は、美術絵画を時代的又は地域的に分類する際に用いるものである、
請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記選択肢は、画家の名前である、
請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
評価の指標となる所定の単位に属する複数の美術絵画に共通な特徴を、所定の美術絵画相当の特徴として保持する保持手段を有する画像処理装置が、画像の評価を行う画像処理方法において、
評価の対象となる画像のデータを、評価画像のデータとして取得する取得ステップと、
前記取得ステップの処理により取得された前記評価画像のデータに基づいて、前記評価画像の特徴を解析する解析ステップと、
前記解析ステップの処理により解析された前記評価画像の特徴について、前記保持手段に保持された前記所定の美術絵画相当の特徴との類似度合を評価する評価ステップと、
を含む画像処理方法。
【請求項１２】
評価の指標となる所定の単位に属する１以上の美術絵画に共通な特徴を、所定の美術絵画相当の特徴として保持する保持手段を有する画像処理装置に対して、画像の評価処理の実行を制御するコンピュータに、
評価の対象となる画像のデータを、評価画像のデータとして取得する取得機能と、
前記取得機能の実現により取得された前記評価画像のデータに基づいて、前記評価画像の特徴を解析する解析機能と、
前記解析機能の実現により解析された前記評価画像の特徴について、前記保持手段に保持された前記所定の美術絵画相当の特徴との類似度合を評価する評価機能と、
を実現させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体内に配置され、グランドパターンが形成された回路基板と、
前記筐体内に配置され、前記グランドパターンに電気的に接続されたアンテナと、
前記筐体に配置された操作部と、
前記操作部に対応して前記回路基板に形成され、前記操作部に対する操作状態に応じて電気的な状態が変化する電極と、を有し、
前記電極は、前記グランドパターンと高周波的に接続される、ことを特徴とする携帯電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信部と、
待受画面を表示可能な表示部と、
表示部の周囲に配置された少なくとも１つの特定キーを有する操作部と、
前記特定キーに対して、アドレス情報を対応付けて記憶する記憶部と、
前記特定キーが操作されると、当該特定キーに対応するアドレス情報を用いて発信可能な状態とする制御部と、を備え、
前記制御部は、前記特定キーに対応付けられたアドレス情報に対し、前記記憶部において画像が対応付けられて記憶されている場合には、前記待受画面における前記特定キーに対応する位置に、当該画像を特定画像として重ねて表示させることを特徴とする携帯端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを集約して基地局装置に接続する移動局装置であって、
上りリンクデータを送信するために必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法を、ＲＲＣメッセージを用いて前記基地局装置から前記移動局装置毎に通知される第１の情報および第２の情報に基づいて判断することを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
前記第１の情報に基づいて、前記複数のセルの一つである、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求が可能なセルを切換え、
前記第２の情報に基づいて、前記第１の情報で切換えたセルにおける上りリンクの送信方法を選択することを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項３】
前記第１の情報はランダムアクセスチャネルの設定がされていること、および受信品質が最良であるセルの下りリンクに対応する上りリンクであることを示す情報であることを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項４】
前記第２の情報は上りリンク制御チャネルリソースを通知するための情報であって、前記上りリンク制御チャネルリソースが通知されていない場合は、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行うことを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項５】
前記第１の情報に基づいて切換えたセルの上りリンクに対して、他の移動局装置との間で共通の上りリンクの無線リソースが、ランダムアクセスチャネルの送信よりも先に割り当てられた場合は、前記上りリンクの無線リソースによる上りリンクデータの送信を行う一方、他の移動局装置との間で共通の上りリンクの無線リソースが、ランダムアクセスチャネルの送信よりも先に割り当てられなかった場合は、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行うことが、前記第２の情報に含まれることを特徴とする請求項２に記載の移動局装置。
【請求項６】
複数のセルを集約して移動局装置と接続する基地局装置であって、
前記移動局装置の上りリンクデータの送信に必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法の判断に用いられる第１の情報および第２の情報を、ＲＲＣメッセージを用いて前記移動局装置毎に通知することを特徴とする基地局装置。
【請求項７】
前記第２の情報は、上りリンク制御チャネルリソースを通知するための情報であって、前記上りリンク制御チャネルリソースを通知していない場合は、前記移動局装置に対してランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行わせることを特徴とする請求項６に記載の基地局装置。
【請求項８】
複数のセルを集約して基地局装置と移動局装置とが接続する通信システムであって、
前記基地局装置は、
前記移動局装置の上りリンクデータの送信に必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法の判断に用いられる第１の情報および第２の情報を、ＲＲＣメッセージを用いて前記移動局装置毎に通知し、
前記移動局装置は、
前記第１の情報に基づいて、前記複数のセルの一つである、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求が可能なセルを切換え、
前記第２の情報に基づいて、前記第１の情報で切換えたセルにおける上りリンクの送信方法を選択することを特徴とする通信システム。
【請求項９】
前記第２の情報は上りリンク制御チャネルリソースを前記移動局装置に通知するための情報であって、前記移動局装置は、前記上りリンク制御チャネルリソースが通知されていない場合は、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行うことを特徴とする請求項８に記載の通信システム。
【請求項１０】
複数のセルを集約して基地局装置と移動局装置とが接続する通信システムにおける通信方法であって、
前記基地局装置において、
前記移動局装置の上りリンクデータの送信に必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法の判断に用いられる第１の情報および第２の情報を、ＲＲＣメッセージを用いて前記移動局装置毎に通知するステップと、
前記移動局装置において、
前記第１の情報に基づいて、前記複数のセルの一つである、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求が可能なセルを切換えるステップと、
前記第２の情報に基づいて、前記第１の情報で切換えたセルにおける上りリンクの送信方法を選択するステップと、を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項１１】
前記第２の情報は上りリンク制御チャネルリソースを通知するための情報であって、前記移動局装置は、前記上りリンク制御チャネルリソースが通知されていない場合は、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行うことを特徴とする請求項１０に記載の通信方法。
【請求項１２】
複数のセルを集約して基地局装置に接続する移動局装置に実装される集積回路であって、
上りリンクデータを送信するために必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法を、ＲＲＣメッセージを用いて前記基地局装置から前記移動局装置毎に通知される第１の情報および第２の情報に基づいて判断する機能を含む一連の機能を前記移動局装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【請求項１３】
前記第１の情報に基づいて、前記複数のセルの一つである、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求が可能なセルを切換える機能と、
前記第２の情報に基づいて、前記第１の情報で切換えたセルにおける上りリンクの送信方法を選択する機能とを前記移動局装置に発揮させることを特徴とする請求項１２に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記第２の情報は、上りリンク制御チャネルリソースを通知するための情報であって、前記上りリンク制御チャネルリソースを通知されていない場合は、ランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行う機能を前記移動局装置に発揮させることを特徴とする請求項１２に記載の集積回路。
【請求項１５】
複数のセルを集約して移動局装置と接続する基地局装置に実装される集積回路であって、
前記移動局装置の上りリンクデータの送信に必要な上りリンクの無線リソースの要求に用いるセルおよび前記セルにおける上りリンクの送信方法の判断に用いられる第１の情報および第２の情報を、ＲＲＣメッセージを用いて前記移動局装置毎に通知する機能を含む一連の機能を前記基地局装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【請求項１６】
前記第２の情報は、上りリンク制御チャネルリソースを通知するための情報であって、前記上りリンク制御チャネルリソースを通知していない場合は、前記移動局装置に対してランダムアクセスチャネルを用いた無線リソース要求を行うことを特徴とする請求項１５に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、電子機器の振動を電子機器の操作に利用する際に、振動の大きさに応じた異なる処理を、ユーザーが操作性よく実行させることができる電子機器を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る電子機器は、振動を検知し、検知した振動の大きさとして、特定値までの何れかの値を出力する振動検知手段と、前記振動検知手段が検知した振動の大きさを判定するための第１の閾値と、前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値とを記憶した記憶手段と、前記振動検知手段によって検知された振動の大きさが、前記第１の閾値以上、前記第２の閾値未満である場合は予め設定された第１の処理を行い、前記振動検知手段によって検知された振動の大きさが前記第２の閾値以上の場合は予め設定された第２の処理を行う制御手段と、を有し、前記第１の閾値と前記第２の閾値との差が、前記第２の閾値と前記特定値との差よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電子機器によれば、電子機器の振動を電子機器の操作に利用する際に、振動の大きさに応じた異なる処理を、ユーザーが操作性よく実行させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動を検知し、検知した振動の大きさとして、特定値までの何れかの値を出力する振動検知手段と、
前記振動検知手段が検知した振動の大きさを判定するための第１の閾値と、前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値とを記憶した記憶手段と、
前記振動検知手段によって検知された振動の大きさが、前記第１の閾値以上、前記第２の閾値未満である場合は予め設定された第１の処理を行い、前記振動検知手段によって検知された振動の大きさが前記第２の閾値以上の場合は予め設定された第２の処理を行う制御手段と、を有し、
前記第１の閾値と前記第２の閾値との差が、前記第２の閾値と前記特定値との差よりも大きいことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記特定値は、前記振動検知手段で検知可能な振動の検知限界値であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の処理が行われた際に前記第１の処理が行われたことを示す表示を行い、前記第２の処理が行われた際に前記第２の処理が行われたことを示す表示を行う表示手段を更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１の処理又は前記第２の処理が開始された時間から一定時間が経過する前に連続して前記第１の処理又は前記第２の処理が行われた場合に、連続して行われた前記第１の処理又は前記第２の処理の回数を表示する表示手段を更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１の処理又は前記第２の処理が行われた際に、検知された振動操作の内容を表示手段に表示するように制御する表示制御手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至４の何れか1項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記表示制御手段によって表示される振動操作の内容は、振動操作が行われた軸とその方向であることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記表示手段は、前記第１の処理又は前記第２の処理が行われた際に、前記検知された振動の大きさと、前記第２の閾値をグラフとして表示することを特徴とする請求項３乃至６の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１の処理が予め定められた規定回数以上行われた場合に、前記第２の閾値と前記第１の処理の実行の原因となった振動の最大値とを比較し、前記第２の閾値を変更する閾値変更手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか1項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記閾値変更手段は、前記第１の処理を実行する原因となった振動の最大値と前記第２の閾値との差と所定値とを比較し、前記差が前記所定値より大きい場合は前記第２の閾値をより小さな値に変更し、前記差が前記所定値以下の場合は前記第２の閾値をより大きな値に変更することを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記閾値変更手段は、前記第１の処理を実行する原因となった振動の最大値に前記所定値を加えた値へと前記第２の閾値を変更することを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
電子機器に与えられた振動によって当該電子機器を操作する当該電子機器の制御方法であって、
当該電子機器に与えられた振動を検知し、検知した振動の大きさとして、特定値までの何れかの値を出力する振動検知ステップと、
前記振動検知ステップで検知された振動の大きさが、第１の閾値以上、該第１の閾値より大きい第２の閾値未満である場合は予め設定された第１の処理を行い、前記振動検知ステップで検知された振動の大きさが前記第２の閾値以上の場合は予め設定された第２の処理を行う制御ステップと、を有し、
前記第１の閾値と前記第２の閾値との差が、前記第２の閾値と前記特定値との差よりも大きいことを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された電子機器の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された電子機器の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子と、
前記圧電振動子を励振する発振回路と、
前記圧電振動子を加熱する発熱体、温度を検知する感温素子、及び前記感温素子の信号に基づき前記発熱体の温度を制御する温度制御回路、を備えている温度制御部と、
前記圧電振動子の所望の温度と前記温度制御部の設定温度との温度差によって発生しようとする前記発振回路の出力信号の周波数偏差に対し、前記周波数偏差を補償するための補償電圧を出力する補償電圧発生回路、ならびに前記補償電圧により容量値が制御される電圧可変容量回路を備えている周波数電圧制御回路と、
を備えていることを特徴とする恒温型圧電発振器。
【請求項２】
前記圧電振動子の周波数温度特性が零温度係数となる点を有し、
前記圧電振動子の前記所望の温度が、前記零温度係数になる温度であることを特徴とする請求項１に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項３】
前記周波数偏差の温度特性を補償する補償量に対して、前記補償量を近似した近似式に基づいて、前記補償電圧発生回路を制御し、前記補償電圧を出力させる演算回路を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項４】
前記近似式は、前記温度差に関する一次関数式であることを特徴とする請求項３に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項５】
前記近似式は、前記温度差に関する三次多項式であることを特徴とする請求項３に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項６】
前記近似式は、前記温度差に関する五次多項式であることを特徴とする請求項３に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項７】
前記圧電振動子が水晶振動子であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の恒温型圧電発振器。
【請求項８】
圧電振動子と、
前記圧電振動子を励振する発振回路と、
前記圧電振動子を加熱する発熱体、温度を検知する感温素子、及び前記感温素子の信号に基づき前記発熱体の温度を制御する温度制御回路、を備えている温度制御部と、
前記発振回路の出力信号の周波数偏差を補償するための補償電圧を出力する補償電圧発生回路、ならびに前記補償電圧により容量値が制御される電圧可変容量回路を備えている周波数電圧制御回路と、
メモリと、
を備えている恒温型圧電発振器の製造方法であって、
前記温度制御部を動作させて前記圧電振動子を加熱させた状態で前記前記圧電振動子の所望の温度と前記温度制御部の設定温度との温度差に伴い生じる前記周波数偏差に関わる周波数温度特性データを測定する工程と、
前記周波数電圧制御回路が前記補償電圧を出力するために必要なデータを前記周波数温度特性データから求めると共に、求めた前記データをメモリに格納する工程と、
を含むことを特徴とする恒温型圧電発振器の製造方法。
【請求項９】
前記圧電振動子の周波数温度特性が零温度係数となる点を有するものであり、
前記周波数温度特性データを測定する工程において、前記所定の温度は、前記零温度係数になる温度であることを特徴とする請求項８に記載の恒温型圧電発振器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程１〜３を含む、嵩密度６５０ｇ／Ｌ以上の洗剤粒子群の製造方法：
工程１：吸油能０．４ｍＬ／ｇ以上の粉末原料を混合する工程、
工程２：工程１により得られた混合粉末に水又はバインダー水溶液を添加し、低剪断造粒機によってベース顆粒群を調製する工程、並びに
工程３：工程２により得られたベース顆粒群と、次のa)成分及びb)成分：
a)下記式（１）：
Ｒ−Ｏ−ＳＯ3Ｍ      （１）
（式中、Ｒは炭素数１０〜１８のアルキル基又はアルケニル基、Ｍはアルカリ金属原子又はアミンを示す。）で示される陰イオン性界面活性剤、及び
b)上記a)成分１００重量部に対して２５〜７０重量部の水、
を含有する界面活性剤組成物とを混合する工程。
【請求項２】
工程２における低剪断造粒機がパン型造粒機又はドラム型造粒機である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ベース顆粒群１００重量部に対して３０〜１００重量部の界面活性剤組成物を混合する、請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
以下の工程４を更に含む、請求項１〜３いずれか１項に記載の製造方法：
工程４：工程３で得られた洗剤粒子群を表面被覆剤で表面改質する工程。
【請求項５】
以下の工程５を更に含む、請求項１〜４いずれか１項に記載の製造方法：
工程５：工程３又は工程４で得られた洗剤粒子群を乾燥させる工程。
【請求項６】
工程２において、該工程で得られたベース顆粒群を乾燥させる操作を更に行う、請求項１〜５いずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
工程３において、ベース顆粒群と界面活性剤組成物との混合を通気下で行う、請求項１〜６いずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
工程２において、水又はバインダー水溶液を多流体ノズルを用いて添加する、請求項１〜７いずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
多流体ノズルが２流体ノズルである、請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
工程１における粉末原料がライト灰を含む粉末原料である、請求項１〜９いずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項に記載の製造方法によって得られた洗剤粒子群と別途添加された洗剤成分とを混合する工程を含む、洗剤組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アクリル酸・メタクリル酸アルキルコポリマー  ０．０５〜１質量％、
（Ｂ）非イオン界面活性剤  ０．０５〜０．５質量％、
（Ｃ）油剤  １〜１０質量％、
（Ｄ）数平均分子量が１０万以上である高重合ポリエチレンオキサイド  ０．０１〜０．３質量％、
（Ｅ）水  ７０〜９８．８９質量％
を含有し、成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の質量割合において、
（Ａ）／（Ｂ）＝０．３〜３、
（Ｃ）／（（Ａ）＋（Ｂ））＝４〜１５であるシェービング剤組成物。
【請求項２】
高級脂肪酸塩の含有量が０．１質量％未満である、請求項１に記載のシェービング剤組成物。
【請求項３】
成分（Ａ）の含有量が、０．１〜０．９質量％である請求項１又は２記載のシェービング剤組成物。
【請求項４】
成分（Ｂ）が、ＨＬＢ７以上の非イオン界面活性剤である請求項１〜３のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項５】
成分（Ｂ）の含有量が、０．１〜０．４である請求項１〜４のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項６】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量割合が、（Ａ）／（Ｂ）＝０．４〜２．５である請求項１〜５のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項７】
成分（Ｃ）の含有量が、２〜８質量％である請求項１〜６のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項８】
成分（Ｄ）が、数平均分子量２００万〜４００万の高重合ポリエチレンオキサイドである請求項１〜７のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項９】
成分（Ｄ）の含有量が、０．０５〜０．２質量％である請求項１〜８のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【請求項１０】
成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の質量割合が、（Ｃ）／（（Ａ）＋（Ｂ））＝５〜１０である請求項１〜９のいずれか１項記載のシェービング剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体搬送システムであって、
駆動ローラとアイドラローラを含み、各ローラが対応する駆動シャフトとアイドラシャフトのそれぞれに取り付けられ、両前記ローラ間にニップを含む、ローラシステムと、
前記ニップへの後縁と、前縁と、を有するシート媒体を案内するように位置決めされるバッフルであって、前記バッフルを前記ローラシステムに対して正確に位置付けるために前記駆動シャフトと前記アイドラシャフトの少なくとも一つに枢動可能に連結されているバッフルと、
を含み、
前記バッフルが前記シート媒体の前記前縁を前記ニップへ方向付けるために引込みガイドと、前記引込みガイドの角運動を抑制するため、前記引込みガイドの一部とかみ合うスロットと、を含むことを特徴とする、
媒体搬送システム。
【請求項２】
前記引込みガイドが、前記バッフルの残り部分に対して、ある角度で位置決めされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記引込みガイドが、前記駆動シャフト又は前記アイドラシャフトの少なくとも一つにスナップオンするように適合されたスナップオン要素を更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記引込みガイドが前記ニップの接平面に前記シート媒体の前記前縁を方向付ける、請求項１のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体ハンドリング・アセンブリにおいて、搬送経路に沿って処理方向に移動され、側方向は、前記処理方向に対して垂直に延びる、シートの位置合わせ装置であって、
シートの傾き位置、処理方向位置、及び側方向位置のうちの少なくとも１つを含む、前記搬送経路に対するシートの特徴を変更する、シート位置合わせニップ・アセンブリであって、前記シート位置合わせニップ・アセンブリは、前記シートが予備位置合わせ基準に到着する時までに第１シート特徴を第１目標特徴に変更し、配送位置合わせ基準は、前記シート位置合わせニップ・アセンブリの下流に配置され、前記シート位置合わせニップ・アセンブリは、前記シートの少なくとも１部が前記予備位置合わせ基準と前記配送位置合わせ基準との間の前記搬送経路に沿って配置されたとき、第２シート特徴を第２目標特徴に変更する、前記シート位置合わせニップ・アセンブリと、
前記配送位置合わせ基準と前記シート位置合わせニップ・アセンブリとの間に配置された補助ニップ・アセンブリであって、前記予備位置合わせ基準が前記配送位置合わせ基準と前記補助ニップ・アセンブリとの間に配置されている、前記補助ニップ・アセンブリと、
前記補助ニップ・アセンブリを選択的に開位置及び閉位置の１つに付勢する要素と、
前記搬送経路に沿った第１地点において前記第１シート特徴を測定し、前記第１信号を送る、第１センサと、
前記搬送経路に沿った第２地点において前記第２シート特徴を測定する第２センサと、
を備え、
前記第１センサ及び前記第２センサの１つからの第２信号は予め定められた値を超える前記シートの長さを示す、
シートの位置合わせ装置。
【請求項２】
前記第１センサは、前記予備位置合わせ基準と前記配送位置合わせ基準との間に配置され、
前記補助ニップ・アセンブリは、前記シートの一部が前記予備位置合わせ基準と前記配送位置合わせ基準との間に配置されることを示す前記第１センサからの前記第１信号に応じて開位置に入ることを特徴とする請求項１に記載のシートの位置合わせ装置。
【請求項３】
前記補助ニップ・アセンブリは、前記開位置に入ることに続いて前記閉位置に入ることを特徴とする請求項２に記載のシートの位置合わせ装置。
【請求項４】
前記第１センサ及び前記第２センサの１つは、前記シート位置合わせニップ・アセンブリに隣接する位置に配置され、
前記補助ニップ・アセンブリは、前記シートの後縁の位置を示す前記センサからの信号に応じて、前記シートの前記後線が前記シート位置合わせニップ・アセンブリを通過する前に前記閉位置に入ることを特徴とする請求項１に記載のシートの位置合わせ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒鉛層が繊維軸に対しほぼ平行に伸張している非直線状の炭素繊維が凝集してなる非直線状の二次凝集繊維がさらに凝集してなる凝集塊を含み、比表面積が２０〜４００ｍ2／ｇであることを特徴とする炭素繊維凝集体。
【請求項２】
一次炭素繊維が、繊維のほぼ全領域に亘って、くねくねと曲がった非直線状の繊維である請求項１に記載の炭素繊維凝集体。
【請求項３】
一次炭素繊維が、二次凝集繊維中でランダムに凝集している請求項１または請求項２に記載の炭素繊維凝集体。
【請求項４】
二次凝集繊維が、くねくねと曲がっており、該二次凝集繊維の径が１〜１００μｍであり、長さが５〜５００μｍである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の炭素繊維凝集体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
表１〜６から、ＢＥＴ法比表面積が１ｍ2／ｇ以下であり、かつ５０％体積累積粒子径Ｄ50が１０〜３００μｍである水酸化アルミニウム（ギブサイト）を加熱処理した特定の比表面積を有する担体に触媒金属を担持した触媒を炭素源と加熱領域下で接触させて合成した炭素繊維凝集体は、比表面積及び５０％体積累積粒子径Ｄ50が上記の範囲外の水酸化アルミニウムから調製した触媒を用いて合成した炭素繊維凝集体に比べて１質量％という少ない配合量で樹脂に導電性を付与すること（実施例１〜４、比較例２〜３）、ギブサイトから調製した触媒を用いると、他の水酸化アルミニウムから調製した触媒に比べて、樹脂への導電性付与効果が大きい炭素繊維凝集体が得られること（実施例１〜４、比較例４〜５、１１〜１２）、水酸化アルミニウムの加熱処理温度を請求項に規定する範囲内の温度として調製した触媒によれば、範囲外の温度で調製した触媒に比べて樹脂への導電性付与効果が大きい炭素繊維凝集体が得られること（実施例２、５〜６、比較例８〜９）、ギブサイトを用いた場合でも従来技術（特許文献３）のように触媒金属を担持した後に加熱処理する方法で調製した触媒を用いて合成した炭素繊維凝集体は樹脂への導電性付与効果が小さいこと（比較例１０）が分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面（１ａ）、裏面（１ｂ）及び複数の繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）を備え、これらの繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が、それぞれの第１の端部（１１）と第２の端部（１２）との間に延びる通路（２０）を繊維表面に有するプレスフェルト（１）であって、前記第１の端部（１１）は前記前面（１ａ）の方向に向くとともに前記第２の端部（１２）は前記裏面（１ｂ）の方向に向いているプレスフェルト。
【請求項２】
ａ）それぞれの前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）の繊維断面積が前記第１の端部（１１）を起点として前記第２の端部（１２）の方向に減少するか、又は、
ｂ）前記プレスフェルト（１）が少なくとも２つのフェルト層（１０ａ，１０ｂ）を有しており、前記プレスフェルト（１）の前記前面（１ａ）からの前記フェルト層（１０ａ，１０ｂ）の距離が増すにつれてそれぞれの前記フェルト層（１０ａ，１０ｂ）に含まれる前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）の繊維断面積が減少していく、
請求項１に記載のプレスフェルト。
【請求項３】
前記ａ）の場合、前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が前記プレスフェルト（１）の前記前面（１ａ）から前記裏面（１ｂ）へと延びている、請求項２に記載のプレスフェルト。
【請求項４】
前記ａ）の場合、前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が、前記通路（２０）の本数又は配置に関して、それぞれ相違している、請求項２又は３に記載のプレスフェルト。
【請求項５】
前記ｂ）の場合、前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が前記フェルト層（１０ａ，１０ｂ）の厚み全体に亘って延びている、請求項２に記載のプレスフェルト。
【請求項６】
前記ｂ）の場合、少なくとも２つの前記フェルト層（１０ａ，１０ｂ）が、その中に含まれる前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が、その本数に関して又は前記通路（２０）の本数若しくは配置に関して、相違しているという意味で、更に相違している、請求項２又は５に記載のプレスフェルト。
【請求項７】
前記プレスフェルト（１）における前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）の割合が少なくとも１体積％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項８】
前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）がマイクロ繊維によって構成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項９】
前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が繊維束として配置されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項１０】
前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が星形又は十字形の繊維断面を有している、請求項１〜９のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項１１】
前記通路（２０）が、それぞれの前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）の前記第１の端部（１１）から前記第２の端部（１２）の方向へ、螺旋状に延びている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項１２】
前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）又は前記繊維束が、前記プレスフェルト（１）の前記前面（１ａ）に対して直交するように、配置されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項１３】
前記繊維（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）が支持構造物（３，３ａ，３ｂ）と接着されている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプレスフェルト。
【請求項１４】
前記支持構造物（３，３ａ，３ｂ）が編物及び／又は織物及び／又は繊維マットによって構成されている、請求項１３に記載のプレスフェルト。
【請求項１５】
抄紙機で紙ウェブ（１００）を機械的に脱水するための、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のプレスフェルト（１）の使用において、前記プレスフェルト（１）が表面プロフィル（３００’）を備えるローラ（３００）によってその前面（１ａ）で紙ウェブ（１００）に対して押圧される使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶ユニット、アクセス変更の指示を受信する手段、及び前記アクセス変更の指示に応答して前記記憶ユニットへのアクセスを変更する手段を有する不揮発性記憶装置であって、
前記アクセス変更の指示の受信前のアクセスは、データが前記記憶ユニットに記憶することができ、且つ既に記憶されているデータを変更することができるように行われ、
アクセス変更の後のアクセスは、既に記憶されているデータの少なくとも幾つかが変更不可能であるが、なお読取ることができるように行われ、
前記既に記憶されているデータの少なくとも幾つかへのアクセスは、前記アクセス変更の指示の受信に応答してアクセス変更の後に不可逆的であり、且つ前記記憶手段の書込み及び消去機能の永続的な不作動により偽造に耐えられるアクセスである、
ことを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
当該記憶装置は、前記アクセス変更の指示に応答して、不作動電圧及び／又は不作動電流を発生する書込み制御する手段を更に有する、
請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記アクセス変更の指示の受信と前記不作動電圧及び／又は前記不作動電流の発生との間に遅延が設けられ、
アクセスの変更は、アクセス変更の指示の受信後であって、前記アクセス変更の前に記憶されているデータに制限される、
請求項２記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記記憶ユニットは、電荷ポンプをもつフラッシュメモリセルを有し、
前記不作動電圧及び／又は前記不作動電流は、電荷ポンプを動作不能にするアンチヒューズの作動のために使用される、
請求項２又は３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記電荷ポンプは、前記アンチヒューズの作動後に該アンチヒューズに接続されるソース及びドレインが短絡されるように、該アンチヒューズに接続されるソース及びドレインをもつ少なくとも１つのパストランジスタを有する、
請求項４記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記記憶ユニットは、非破壊的読み出しをもつ強誘電体ランダムアクセスメモリセルと、前記強誘電体ランダムアクセスメモリセルをプログラミングする電場を発生する手段とを有し、
前記不作動電圧及び／又は前記不作動電流は、電場を発生する手段を動作不能にするために使用される、
請求項２又は３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記記憶ユニットは、磁気抵抗性ランダムアクセスメモリセルと、前記磁気抵抗性ランダムアクセスメモリをプログラミングする電流を発生する手段とを有し、
前記不作動電圧及び／又は前記不作動電流は、前記電流を発生する手段により発生することができる電流を制限するために使用される、
請求項２又は３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
前記既に記憶されているデータは、前記アクセス変更の指示の受信後に削除不可能である、
請求項１乃至７の何れか記載の不揮発性記憶装置。
【請求項９】
前記アクセス変更の指示の受信後にアクセスは読取り専用に変更される、
請求項１乃至８の何れか記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
不揮発性記憶装置を使用する方法であって、
前記記憶装置に記憶されるデータの変更を可能にするステップと、
アクセス変更の指示を受信するステップと、
前記アクセス変更の指示の受信後に、前記記憶装置に記憶されているデータの変更を禁止するステップとを含み、
前記記憶装置に記憶されているデータの変更を禁止するステップは、永続的に行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記変更を禁止するステップは、前記アクセス変更の指示に応答して、不可逆的な方法で前記記憶装置の記憶ユニットに含まれるフラッシュメモリセルの電荷ポンプを動作不能にするステップを含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記電荷ポンプを動作不能にするステップは、前記電荷ポンプに含まれる少なくとも１つのパストランスジスタのソース及びドレインを短絡するステップを含む、
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記短絡は、前記ソース及びドレインに接続されるアンチヒューズを作動するステップを含む、
請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上の第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第１の電極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の第２の電極と、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層、及び前記第２の電極上の、樹脂を有する層と、
前記樹脂を有する層上の第２の基板と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層と重ならない領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と重ならない領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
第１の衝撃緩和層と、第２の衝撃緩和層と、を有し、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、可撓性を有し、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、繊維体及び有機樹脂を有し、
前記第１の衝撃緩和層は、加熱処理及び加圧処理により前記第１の基板に接着され、
前記第２の衝撃緩和層は、加熱処理及び加圧処理により前記第２の基板に接着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第３の絶縁層は、プラズマ処理が施された領域を有することを特徴とする発光装置。