【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設けると共に、
前記第１の保護膜を窒化珪素とし、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０21［個／ｃｍ3］以下の酸化珪素とすると共に、前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上とし、前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項７】
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設け、
前記第１の保護膜を窒化珪素から形成し、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上に形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上に形成し、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０21［個／ｃｍ3］以下の酸化珪素から形成すると共に、
前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決する第１の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設けると共に、
前記第１の保護膜を窒化珪素とし、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする。
上記課題を解決する第２の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決する第３の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第２の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決する第４の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０21［個／ｃｍ3］以下の酸化珪素とすると共に、前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上とし、前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決する第５の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１〜第４のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決する第６の発明に係る半導体発光素子は、
上記第１〜第５のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記課題を解決する第７の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設け、
前記第１の保護膜を窒化珪素から形成し、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする。
上記課題を解決する第８の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上に形成することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記課題を解決する第９の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第８の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記課題を解決する第１０の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上に形成し、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０21［個／ｃｍ3］以下の酸化珪素から形成すると共に、
前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決する第１１の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７〜第１０のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。