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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記投射系は、
前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
前記所定方向における前記スペースの幅（第２幅）は、前記所定方向における前記サブアレイの幅（第１幅）の［ｎ１／ｎ２］倍（ｎ１、ｎ２は正の整数、かつｎ２は２以上）となる、ように構成され、
前記制御手段は、前記第１幅の［１／ｎ２］倍ずつ前記所定方向にずれている［ｎ１＋ｎ２］組の描画領域に前記複数のサブアレイで順次描画が行われて前記基板上のショット領域に描画が行われるように、かつ前記１つのショット領域に対して前記複数のサブアレイのそれぞれによりｎ２回の多重描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記投射系は、ｎ１／ｎ２＜１を満たすように構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記所定方向は、互いに直交する２つの方向のうちのそれぞれの方向である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記投射系は、前記２つの方向のいずれであるかによってｎ１およびｎ２の少なくとも一方の値が異なるように構成されている、ことを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記基板上に隣接して配列された複数のショット領域に対して順次描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御し、
前記複数のショット領域の配列は、隣接するショット領域の存在しないショット領域の端部領域であって前記多重描画の多重度が不足する端部領域が、前記基板に対して設定された有効領域と重ならないように、前記基板に対して設定されている、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面は、荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを投射する投射系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記投射系は、
前記アレイは、前記基板上において、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、
前記所定方向における前記スペースの幅（第２幅）は、前記所定方向における前記サブアレイの幅（第１幅）の［ｎ１／ｎ２］倍（ｎ１、ｎ２は正の整数、かつｎ２は２以上）となる、ように構成され、
前記制御手段は、前記第１幅の［１／ｎ２］倍ずつ前記所定方向にずれている［ｎ１＋ｎ２］組の描画領域に前記複数のサブアレイで順次描画が行われて前記基板上のショット領域に描画が行われるように、かつ前記１つのショット領域に対して前記複数のサブアレイのそれぞれによりｎ２回の多重描画が行われるように、前記投射系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２は、本実施形態に係るサブアレイの配置例を示す図である。図２は、基板１２２上での電子線のサブアレイの配置を示している。上述したアパーチャアレイ１１６により、電子線のアレイは、サブアレイ２００が所定のスペースをもって離散的に基板１２２上に配列されたものとなる。サブアレイ２００は、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの幅を有し、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置されている。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、互いに直交する２つの方向である。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、必ずしも直交する必要はなく、互いに交差する２つの方向であればよい。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第２幅）は、サブアレイ２００の幅（ノミナルサイズ；第１幅）のｎ１／ｎ２倍（ｎ１、ｎ２は、正の整数、かつ、それぞれの値は軸によって異なり得る）に設定されている。このような複数のサブアレイ２００により、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有するショット領域に対して描画を行う。図２は、単純な構成として、ｎ１／ｎ２＝１の場合、つまりＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹの場合のサブアレイ配置を示している。なお、実施形態の説明において、特に断らない限り、種々のサイズや寸法は、ノミナル値（公称値または設計値）を示すものとする。そして、実施形態の説明において示される数式（文字式）は、そのようなノミナル値の間の関係を示すものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前述したような構造の基板処理装置１００では、搬送ローラ１１、１１によって基板Ｐが搬送されて当該基板Ｐが第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０の設けられた処理領域（レジスト剥離処理領域）を通過する際に、第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面（被処理面）に吹き付けられる。このとき、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして基板Ｐの表面に留めおかれた状態となる。この基板Ｐの表面に盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中では、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となって、基板Ｐの表面に付着したレジストが処理液により剥離され、処理液中に溶解されていく（レジスト剥離処理）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前述した基板処理装置１００において、第１ノズルユニット１０に対して基板Ｐの搬送方向の下流側に配置した第２ノズルユニット２０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θβを、第１ノズルユニット１０からの処理液の噴出方向の前記基準方向Ｓに対する角度θαよりも大きく設定することができる。この場合、第２ノズルユニット２０から吐出する処理液が基板Ｐの表面のより近くから斜めに当該基板Ｐの表面に吹き付けられて、その処理液の吹き付け力の基板Ｐの表面に沿った力成分が比較的大きくなるので、第１ノズルユニット１０から吹き付けられる処理液が基板Ｐの搬送とともにその基板Ｐの表面に引き連れられても、その流れを第２ノズルユニット２０からの処理液にて阻止して処理液をより有効に盛り上げることができるようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
このような本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００では、本発明の第１の実施の形態の場合と同様に、相互に向かい合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液のぶつかりによって多数のバブルが混在して撹拌されつつある処理液が盛り上がった部分Ｍとして傾斜した基板Ｐの表面に留めおかれた状態となる。そして、その盛り上がった部分Ｍとして留めおかれる処理液中において、多数のバブルが混在して撹拌されることにより、基板Ｐの表面に接する処理液が頻繁に入れ替わる状態となるので、前記留めおかれて盛り上がった処理液のなかでレジストの融け込みの無いあるいは少ないより新しい処理液が基板Ｐ表面に接する機会が増大するようになる。これにより、処理液を基板Ｐの表面上を単純に流してしまうことなく効率的に利用しつつレジスト剥離の処理性能を向上させることができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板の上方のトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極の上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方の第１の電極と、
前記第１の電極の端部と重なる領域を有するバンクと、
前記第１の電極の上方の有機発光層と、
前記有機発光層の上方の第２の電極と、
外部入力端子と、
シール材と、
前記シール材により前記第１のプラスチック基板に貼り合わされた第２のプラスチック基板と、
を有する発光装置であって、
前記バンクを用いて前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間隔を維持し、
前記シール材の下方には前記絶縁膜が配置され、前記バンクが配置されておらず、
前記シール材の下方の第１の領域では、第１の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜の一部は、前記外部入力端子を構成し、
前記外部入力端子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記シール材の下方の第２の領域では、第２の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、同一の導電膜をパターニングする工程を経て形成されたものであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は前記シール材の外側で前記絶縁膜の側面と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板の上方のトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方の第１の電極と、
前記第１の電極の端部と重なる領域を有するバンクと、
前記第１の電極の上方の有機発光層と、
前記有機発光層の上方の第２の電極と、
前記第２の電極及び前記バンクの上方の第２の絶縁膜と、
外部入力端子と、
シール材と、
前記シール材により前記第１のプラスチック基板に貼り合わされた第２のプラスチック基板と、
を有する発光装置であって、
前記バンクを有する領域で前記第２の絶縁膜と前記第２のプラスチック基板は接触する領域を有し、
前記シール材の下方には前記第１の絶縁膜が配置され、前記バンクが配置されておらず、
前記シール材の下方の第１の領域では、第１の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜の一部は、前記外部入力端子を構成し、
前記外部入力端子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記シール材の下方の第２の領域では、第２の導電膜が配置され、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、同一の導電膜をパターニングする工程を経て形成されたものであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は前記シール材の外側で前記第１の絶縁膜の側面と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記有機発光層は、前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板と前記シール材とで囲まれていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（導電パターン２ａ、２ｂ）
正負一対の導電パターン２ａ、２ｂは、基材１上に、光反射性樹脂５に被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁に向かって延出された形状で形成される。導電パターン２ａ、２ｂは、幅広とすることで、外部電源からの電流を発光素子３へと効率的に流すことができ、好ましくは発光素子３の幅より広い幅とする。導電パターン２ａ、２ｂの材料としては、基材１表面に形成可能であり、発光装置の正極および負極として用いることのできる材料を選択する。例えば、バンプと同じＡｕを用いる。導電パターン２ａ、２ｂは、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成できる。また、本実施形態の導電パターン２ａ、２ｂは、光反射樹脂５によって被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁へ向かって延伸し、基材１の外縁にほぼ到達した位置で、さらに基材１の外縁に沿って連続して延伸している。これによって、外部電源と接続される外部接続部を大面積とでき、外部電源と接続し易い発光装置とできる。また、導電パターン２ａ、２ｂに用いられる金属材料は、外来光を反射し易いため、図２に示すように、光反射性樹脂５から露出した導電パターン２ａ、２ｂの図２中における下端の位置は発光面４ａの図２中における下端の位置と略同一とすることが好ましい。これによって、図２中における発光面４ａの下端よりも下側において、外来光からの照り返しを抑制でき、所望の照射パターンを得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
まず、表面に導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃが形成された基材１を準備する。本実施例では、基材１として平板状の窒化アルミニウム基板を用いる。基材１は、熱電導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の窒化アルミニウム板材を焼成して形成し、その上にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを順に蒸着で施して、発光素子３との電気的接続をとるための導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃを形成している。正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ貫通孔６ａ、６ｂが設けられている。基材１のサイズは、図２における縦横の長さがそれぞれ約６．５ｍｍ、約１２ｍｍであり、厚みが約１ｍｍである。導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃは、その厚みが約０．９μｍであり、図６（ａ）における貫通孔６ａ、６ｂが配置された部分の幅が約２．２ｍｍである。貫通孔６ａ、６ｂは、その幅が約０．１５ｍｍ、その長さが約１ｍｍであり、貫通孔６ａ、６ｂの幅は導電パターン２ａ、２ｂの幅の約６．８％である。貫通孔６ａ、６ｂは、導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ同一サイズのものが等間隔に４個ずつ、合計８個配置されており、４個の貫通孔６ａの幅の合計は導電パターン２ａの幅の約２７％である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、特許文献２および特許文献３には、平坦な基板上に発光素子を実装した発光装置が提案されている。特許文献２に記載される発光装置９１０を図１３に示す。発光装置９１０は、発光素子９１２の上面に発光素子９１２からの光を波長変換する蛍光体を含む光透過性部材９１３を有し、発光素子９１２および光透過性部材９１３の側面が光反射性材料９１４によって被覆されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】図１は、実施の形態１に係る発光装置を示す模式斜視図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係る発光装置を示す模式平面図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ線における模式断面図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式断面図である。
【図５】図５は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式断面図である。
【図６】図６は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式平面図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式平面図である。
【図８】図８は、実施の形態２に係る発光装置を示す模式断面図である。
【図９】図９は、実施の形態３に係る発光装置を示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態４に係る発光装置を示す模式断面図である。
【図１１】図１１は、実施の形態４に係る発光装置を示す模式平面図である。
【図１２】図１２は、従来の発光装置を示す模式断面図である。
【図１３】図１３は、従来の発光装置を示す模式断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（導電パターン２ａ、２ｂ）
正負一対の導電パターン２ａ、２ｂは、基材１上に、光反射性樹脂５（樹脂）に被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁に向かって延出された形状で形成される。導電パターン２ａ、２ｂは、幅広とすることで、外部電源からの電流を発光素子３へと効率的に流すことができ、好ましくは発光素子３の幅より広い幅とする。導電パターン２ａ、２ｂの材料としては、基材１表面に形成可能であり、発光装置の正極および負極として用いることのできる材料を選択する。例えば、バンプと同じＡｕを用いる。導電パターン２ａ、２ｂは、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成できる。また、本実施形態の導電パターン２ａ、２ｂは、光反射樹脂５によって被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁へ向かって延伸し、基材１の外縁にほぼ到達した位置で、さらに基材１の外縁に沿って連続して延伸している。これによって、外部電源と接続される外部接続部を大面積とでき、外部電源と接続し易い発光装置とできる。また、導電パターン２ａ、２ｂに用いられる金属材料は、外来光を反射し易いため、図２に示すように、光反射性樹脂５から露出した導電パターン２ａ、２ｂの図２中における下端の位置は、発光面４ａの図２中における下端の位置と略同一とすることが好ましい。これによって、図２中における発光面４ａの下端よりも下側において、外来光からの照り返しを抑制でき、所望の照射パターンを得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
貫通孔６ａ、６ｂは、好ましくは導電パターン２ａ、２ｂの延出方向と略平行な方向に長い形状とし、さらに好ましくは、図７（ａ）に示すように、導電パターン２ａ、２ｂの延出方向を長手方向とする略長方形状とする。また、図５（ｄ）に示すように、貫通孔６ａ、６ｂは、枠状の第１の光反射性樹脂５ａの延伸方向に対して垂直方向に長い形状とすることが好ましい。貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、少なくとも、貫通孔６ａ、６ｂ内で基材１と光反射性樹脂５とが接触可能な程度あればよく、導電パターン２ａ、２ｂにおける電流の流れを阻害し難いように幅狭とすることが好ましい。貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、発光素子３の幅よりも小さくでき、また、第１の光反射性樹脂５ａの幅よりも小さくできる。また、貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、貫通孔６ａ、６ｂが配置された部分における導電パターン２ａ、２ｂの幅の５％〜２０％程度とすることが好ましく、複数配置する場合は、複数の貫通孔６ａの幅の合計を導電パターン２ａの半分以下、さらには２０％〜４０％程度とすることが好ましい。このような貫通孔６ａ、６ｂは、複数設けることで、電流の流れを阻害しないように、基材１と光反射性樹脂５との接着面積を大きくでき、基材１と光反射性樹脂５との密着力を向上できる。複数の貫通孔６ａ、６ｂは略同一の間隔で配置することが好ましく、正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ同一の数を同様に配置することが好ましい。例えば、本実施形態では、図６（ａ）に示すように、正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ４個ずつの貫通孔６ａ、６ｂを設けている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
まず、表面に導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃが形成された基材１を準備する。本実施例では、基材１として平板状の窒化アルミニウム基板を用いる。基材１は、熱電導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の窒化アルミニウム板材を焼成して形成し、その上にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを順に蒸着で施して、発光素子３との電気的接続をとるための導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃを形成している。正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ貫通孔６ａ、６ｂが設けられている。基材１のサイズは、図２における縦横の長さがそれぞれ約６．５ｍｍ、約１２ｍｍであり、厚みが約１ｍｍである。導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃは、その厚みが約０．９μｍであり、図６（ａ）における貫通孔６ａ、６ｂが配置された部分の幅が約２．２ｍｍである。貫通孔６ａ、６ｂは、その幅が約０．１５ｍｍ、その長さが約１ｍｍであり、貫通孔６ａ、６ｂの幅は導電パターン２ａ、２ｂの幅の約６．８％である。貫通孔６ａ、６ｂは、導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ同一サイズのものが等間隔に４個ずつ、合計８個配置されており、４個の貫通孔６ａの幅の合計は導電パターン２ａの幅の約２７％である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
クライアントがサーバからウェブページを取得する際に前記クライアントから前記サーバに送信されたリクエストデータを傍受するリクエストデータ傍受手段と、
前記傍受したリクエストデータを前記ウェブページと関連付けて前記リクエストデータ保持手段に記録するリクエストデータ記録手段と、
を備えたことを特徴とする請求項３に記載の中継サーバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項４に示すように請求項３に記載の中継サーバにおいて、クライアントがサーバからウェブページを取得する際に前記クライアントから前記サーバに送信されたリクエストデータを傍受するリクエストデータ傍受手段と、前記傍受したリクエストデータを前記ウェブページと関連付けて前記リクエストデータ保持手段に記録するリクエストデータ記録手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ここでＧａ／Ｇｂは、受光部１２０での受光結果から特定することができ、Ｉａ／Ｉｂは、演算部１３０の制御量から特定することができる。そして図７（Ａ）の強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂと減衰係数ｆａ、ｆｂとは一意の関係にある。例えば減衰係数ｆａ、ｆｂが小さな値となり、減衰量が大きい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが小さいことを意味する。一方、減衰係数ｆａ、ｆｂが大きな値となり、減衰量が小さい場合は、強度ＩＮＴａ、ＩＮＴｂが大きいことを意味する。従って、上式（５）から減衰率の比ｆａ／ｆｂを求めることで、対象物１０の方向、位置等を求めることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質化された弁作用金属からなる陽極導体と、前記陽極導体の表面に形成された陽極酸化皮膜と、前記陽極酸化皮膜の表面に形成された導電性高分子からなる固体電解質層と、前記固体電解質層の表面に形成されたグラファイト層と、前記グラファイト層の表面に形成された銀層からなる素子陰極部で構成される固体電解コンデンサであって、前記固体電解質層が前記陽極酸化皮膜の表面に形成された第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の表面に形成された第二の固体電解質層からなり、前記第一の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのアミノ基を有する有機酸、または少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのイミノ基を有する有機酸を、ドーパントとして含む導電性高分子により形成され、前記第二の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基を有する高分子の有機酸をドーパントとして含む導電性高分子により形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記第一の固体電解質層と前記第二の固体電解質層の少なくとも１組が、交互に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記第二の固体電解質層を形成する前記有機酸の分子量は、１０，０００以上５００，０００以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記第一の固体電解質層は、化学酸化重合または電解酸化重合にて形成し、前記第二の固体電解質層は、少なくとも１つの前記スルホ基を有する高分子の有機酸をドーパントとして含む前記導電性高分子の分散液に浸漬した後、温度８０℃以上２６０℃以下で熱処理する工程を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の固体電解コンデンサは、多孔質化された弁作用金属からなる陽極導体と、前記陽極導体の表面に形成された陽極酸化皮膜と、前記陽極酸化皮膜の表面に形成された導電性高分子からなる固体電解質層と、前記固体電解質層の表面に形成されたグラファイト層と、前記グラファイト層の表面に形成された銀層からなる素子陰極部で構成される固体電解コンデンサであって、前記固体電解質層が前記陽極酸化皮膜の表面に形成された第一の固体電解質層と、前記第一の固体電解質層の表面に形成された第二の固体電解質層からなり、前記第一の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのアミノ基、または少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのイミノ基を有する有機酸をドーパントとして含む導電性高分子により形成され、前記第二の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基を有する高分子の有機酸をドーパントとして含む導電性高分子により形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、前記第一の固体電解質層は化学酸化重合または電解酸化重合にて形成し、前記第二の固体電解質層は少なくとも１つの前記スルホ基を有する高分子の有機酸をドーパントとして含む前記導電性高分子の分散液に浸漬した後、温度８０℃以上２６０℃以下で熱処理する工程を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、第一の固体電解質層の表面に形成された第二の固体電解質層からなり、第一の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのアミノ基、または少なくとも１つのスルホ基及び少なくとも１つのイミノ基を有する有機酸をドーパントとして含む導電性高分子により形成され、第二の固体電解質層は、少なくとも１つのスルホ基を有する高分子の有機酸をドーパントとして含む導電性高分子により形成されていることにより、ＥＳＲやＬＣが低く、ショート不良数の少ない固体電解コンデンサを得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これは、第一の固体電解質層を形成する導電性高分子にドーパントとして含まれるアミノ基、またはイミノ基が導電性高分子の水溶液中でプラスに帯電し、第二の固体電解質層を形成する導電性高分子にドーパントとして含まれるスルホ基を有する高分子の有機酸が、導電性高分子の水溶液中でマイナスに帯電して分散していることを利用したものである。これら、アミノ基またはイミノ基と、スルホ基が電荷の極性の違いで互いに引き合うことにより、従来技術では形成することが難しい、直方体のタンタルペレットの稜線部や角部にも、緻密で均一な厚みをもった第二の固体電解質層を形成させることを可能にするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
続いて、焼結体をエタノールと水に順に浸漬することで洗浄し、乾燥した後に、ガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣ−ＭＳ）により測定した、分子量が約１００，０００のポリスチレンスルホン酸における一部のスルホ基に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンをドーピングした導電性高分子を、水溶液中で安定的に分散させた分散液に焼結体を浸漬し、一定の速度で引き上げた。その後、１５０℃で熱処理をすることで、第一の固体電解質層の表面に、厚さが約４μｍの第二の固体電解質層を形成させ、陽極酸化皮膜の表面に第一の固体電解質層と第二の固体電解質層を合わせた約５μｍの厚みを有した固体電解質層を形成した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（比較例３）
実施例１と同様に、第一の固体電解質層を形成し、平均分子量が７，０００のポリスチレンスルホン酸における一部のスルホ基に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンをドーピングした導電性高分子を含んだ分散液に焼結体を浸漬し、一定の速度で引き上げた。その後、温度１５０℃で熱処理をすることで、第二の固体電解質層を形成した。以降の工程は実施例１と同様に行い固体電解コンデンサを作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（比較例４）
実施例１と同様に、第一の固体電解質層を形成し、平均分子量が６００，０００のポリスチレンスルホン酸における一部のスルホ基に、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンをドーピングした導電性高分子を含んだ分散液に焼結体を浸漬し、一定の速度で引き上げた。その後、温度１５０℃で熱処理をすることで、第二の固体電解質層とし、以降は実施例１と同様に行い固体電解コンデンサを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上方の第１導電部上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を被覆するバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上方に第２導電部を形成する工程と、
前記第１絶縁層が前記バリア層で被覆された状態で、前記第２導電部を水素又はカルボン酸を含む雰囲気中で溶融する工程と、
前記第２導電部をマスクにして前記バリア層を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁層を形成する工程は、前記第１導電部表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁層を形成する工程後に、前記第１絶縁層に前記第１導電部の一部に通じる開口部を形成する工程を含み、
前記バリア層を形成する工程は、前記開口部内の前記第１導電部表面に形成された酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記バリア層を除去する工程後に、前記バリア層が除去された前記第１絶縁層表面をドライエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記バリア層を形成する工程後に、前記バリア層上に電極層を形成する工程を含み、
前記第２導電部を形成する工程では、前記電極層を用いためっき法によって、前記第２導電部を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２導電部を形成する工程後で、前記第２導電部を溶融する工程前に、前記第２導電部をマスクにして前記電極層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２導電部を形成する工程では、前記バリア層上方にボール状の前記第２導電部を搭載することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電部は、前記半導体基板上方の第２絶縁層上に形成された配線であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１導電部は、前記半導体基板上方の第２絶縁層上に形成されたパッドであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁層は、有機絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に積層された積層膜によって複数のデバイスが形成されたウエハを、各デバイスを区画するダイシング領域に沿って分割する方法であって、
レーザにより、前記ダイシング領域に沿って前記積層膜の部分のみに溝を形成して前記溝の下に前記積層膜を残す工程と、
前記ウエハの溝が形成されている側の面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記ウエハの裏面を研削して薄くすると共に、鏡面加工する工程と、
前記ウエハの裏面側から前記半導体基板に対してレーザ光を前記ダイシング領域に沿って照射して、前記半導体基板の内部に改質層を形成する工程と、
前記改質層が形成されたウエハの裏面にシート部材を貼り付ける工程と、
前記保護シートを除去する工程と、
前記シート部材を拡張することで前記改質層が形成されたウエハに外力を与えることにより、前記積層膜及び半導体基板を分断して前記ウエハを個々の半導体チップに分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの分割方法。
【請求項２】
前記溝を形成する工程において、
前記溝の表面が凹凸面となることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの分割方法。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に積層された積層膜と、
前記積層膜の外縁が面取りされた傾斜状のエッジ部分とを有し、
前記傾斜状のエッジ部分は前記積層膜のみに形成され、前記傾斜状のエッジ部分の深さは前記積層膜の厚みの途中まで形成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項４】
前記半導体基板の側面の中央部に変質層が露出していることを特徴とする請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記積層膜の傾斜状のエッジ部分の表面は凹凸面となっており、かつ、
前記半導体基板の側面と前記積層膜の傾斜状のエッジ部分を除く側面とは同一面となっていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体チップ。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかの半導体チップと、
前記半導体チップの上面及び側面を封止する樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが作り込まれた半導体ウエハを各デバイス単位に分割する半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以上から、高い品質の半導体素子（チップ）を歩留り良く生産することができる半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
一観点によれば、半導体基板の表面に積層された積層膜によって複数のデバイスが形成されたウエハを、各デバイスを区画するダイシング領域に沿って分割する方法であって、レーザにより、前記ダイシング領域に沿って前記積層膜の部分のみに溝を形成して前記溝の下に前記積層膜を残す工程と、前記ウエハの溝が形成されている側の面に保護シートを貼り付ける工程と、前記保護シートが貼り付けられた前記ウエハの裏面を研削して薄くすると共に、鏡面加工する工程と、前記ウエハの裏面側から前記半導体基板に対してレーザ光を前記ダイシング領域に沿って照射して、前記半導体基板の内部に改質層を形成する工程と、前記改質層が形成されたウエハの裏面にシート部材を貼り付ける工程と、前記保護シートを除去する工程と、前記シート部材を拡張することで前記改質層が形成されたウエハに外力を与えることにより、前記積層膜及び半導体基板を分断して前記ウエハを個々の半導体チップに分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの分割方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月1日(2013.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各点からのコヒーレント光を拡散可能な光学素子と、
コヒーレント光が前記光学素子の表面を走査するように、前記光学素子に前記コヒーレント光を照射する照射装置と、
前記照射装置によって照明される光変調器と、
前記光学素子と前記光変調器との間に配置され、前記光学素子からのコヒーレント光を拡散させる光拡散素子と、を備え、
前記照射装置は、コヒーレント光の進行方向を変化させて、該コヒーレント光を前記光学素子の表面上で走査させるものであり、
前記光変調器で変調されたコヒーレント光は、感光媒体の表面に導光され、
前記光変調器には、前記光拡散素子で拡散されたコヒーレント光が入射されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記光変調器は、前記感光媒体に近接配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記光変調器は、コヒーレント光を部分的に透過させることにより光変調を行うことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記光学素子と前記光変調器との間に配置され、前記光学素子からのコヒーレント光を前記所定の領域に集光する集光光学系を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光変調器で変調されたコヒーレント光を前記感光媒体の表面に結像させる結像光学系を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光拡散素子は、前記光変調器から前記結像光学系の焦点深度の長さよりも離れた位置に配置されることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光変調器は、透過型または反射型のフォトマスクであることを特徴とする請求項５または６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記光変調器は、マイクロミラーデバイスまたは反射型ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Slicon）であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項９】
前記光拡散素子は、表面上の各点が前記光変調器に重なる領域に参照部材の像を再生するホログラム記録媒体か、またはマイクロレンズアレイであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光学素子は、表面上の各点が前記光変調器に重なる領域に参照部材の像を再生するホログラム記録媒体であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記光学素子は、マイクロレンズアレイであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記照射装置は、
コヒーレント光を出射する光源と、
前記光源から出射されたコヒーレント光を走査する走査デバイスと、
複数の要素レンズを有し、前記走査デバイスで走査された光を発散させるレンズアレイと、
前記レンズアレイの各点から出射される発散光の発散角度を抑えるとともに、発散角度の抑えられた発散光が前記光変調器に重なる領域を経時的に重ねて照明するように設定された光路変換系と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記照射装置は、
コヒーレント光を放射する光源と、
前記光源から放射された前記コヒーレント光の進行方向を変化させて、該コヒーレント光を前記光学素子の表面上で走査させる走査デバイスと、を有し、
前記走査デバイスは、コヒーレント光が前記光学素子の表面を走査するように、１次元方向に走査可能なミラーデバイスであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記照射装置は、
コヒーレント光を放射する光源と、
前記光源から放射された前記コヒーレント光の進行方向を変化させて、該コヒーレント光を前記光学素子の表面上で走査させる走査デバイスと、を有し、
前記走査デバイスは、コヒーレント光が前記光学素子の表面を走査するように、２次元方向に走査可能なミラーデバイスであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記走査デバイスは、それぞれが１次元方向に走査可能な複数の前記ミラーデバイスを有し、これら複数のミラーデバイスにて２次元方向に走査可能としたことを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶の結晶軸である、電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系の前記Ｘ軸を中心として、前記Ｚ軸を前記Ｙ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ´軸とし、前記Ｙ軸を前記Ｚ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ´軸とし、前記Ｘ軸と前記Ｚ´軸に平行な面で構成され、前記Ｙ´軸に平行な方向を厚さとするＡＴカット水晶基板からなり、前記Ｙ´軸に平行な方向を厚さ方向とする圧電基板と、
前記圧電基板の両主面の振動領域に表裏で重なるように配置された励振電極と、
を含み、
前記圧電基板は、
前記Ｘ軸に平行な辺を長辺とし、前記Ｚ´軸に平行な辺を短辺とする矩形の励振部と、
前記励振部より小さい厚さを有し、前記励振部の周辺に形成された周辺部と、
を有し、
前記励振部の前記Ｘ軸に平行な方向に延びる側面の各々は、１つの平面内にあり、
前記励振部の前記Ｚ´軸に平行な方向に延びる側面の各々は、段差を有する、圧電振動片。
【請求項２】
請求項１において、
前記圧電基板の前記Ｚ´軸に平行な方向の寸法をＺとし、前記励振部の短辺の寸法をＭｚとし、前記励振部の厚さをｔとすると、
８≦Ｚ／ｔ≦１１、かつ、０．６≦Ｍｚ／Ｚ≦０．８の関係を満たす、圧電振動片。
【請求項３】
請求項２において、
前記圧電基板の前記Ｘ軸に平行な方向の寸法をＸとすると、
Ｘ／ｔ≦１７の関係を満たす、圧電振動片。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記励振部は、
第１部分と、前記第１部分より小さい厚さを有する第２部分と、を有し、
前記Ｚ´軸方向に延びる側面の前記段差は、前記第１部分および前記第２部分の厚さの差によって形成されている、圧電振動片。
【請求項５】
請求項４において、
前記励振部は、前記第２部分より小さい厚さを有する第３部分を、さらに有し、
前記Ｚ´軸方向に延びる側面の前記段差は、前記第１部分、前記第２部分、および前記第３部分の厚さの差によって形成されている、圧電振動片。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧電振動片と、
前記圧電振動片が収容されたパッケージと、
を含む、圧電振動子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置、送信装置、制御装置及び制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置からコンテンツを受信する受信装置であって、
前記送信装置から送信される情報を受信し、前記送信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
コンテンツの再生を行う際には、前記送信装置からコンテンツの再生が中断された位置を示すリジューム情報を取得し、当該取得したリジューム情報が示すコンテンツの再生が中断された位置から当該コンテンツを再生する指示を前記送信装置へ送信し、
コンテンツの再生停止を行う際には、コンテンツの再生位置を示す情報からリジューム情報を生成し、生成したリジューム情報を前記送信装置へ送信することを特徴とする受信装置。
【請求項２】
請求項１の受信装置であって、
前記送信装置が前記リジューム情報に対応していることを示す情報を含むサーバ機器情報を前記送信装置から取得し、
取得したサーバ機器情報に前記リジューム情報に対応していることを示す情報が含まれている場合に、前記送信装置との間でリジューム情報の送受信を行うことを特徴とする受信装置。
【請求項３】
ネットワークを介してコンテンツを受信装置に送信する送信装置であって、
前記受信装置から送信される情報を受信し、前記受信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
前記受信装置がコンテンツの再生を行う際には、前記受信装置からの要求に応じて、コンテンツの再生が中断された位置を示すリジューム情報を前記受信装置へ送信し、
前記受信装置がコンテンツの再生停止を行う際には、前記受信装置からコンテンツの再生位置を示すリジューム情報を取得することを特徴とする送信装置。
【請求項４】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置及びコンテンツを受信する受信装置と接続され、当該送信装置及び当該受信装置を制御する制御装置であって、
前記送信装置及び前記受信装置から送信される情報を受信し、前記送信装置及び前記受信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
前記受信装置へコンテンツの再生を指示する際には、前記送信装置からコンテンツの再生が中断された位置を示すリジューム情報を取得し、当該取得したリジューム情報が示すコンテンツの再生が中断された位置から当該コンテンツを再生する指示を前記受信装置へ送信し、
前記受信装置へコンテンツの再生停止を指示する際には、前記受信装置からコンテンツの再生位置を示す情報を取得し、当該取得した情報からリジューム情報を生成し、生成したリジューム情報を前記送信装置へ送信することを特徴とする制御装置。
【請求項５】
請求項４の制御装置であって、
前記送信装置が前記リジューム情報に対応していることを示す情報を含むサーバ機器情報を前記送信装置から取得し、
取得したサーバ機器情報に前記リジューム情報に対応していることを示す情報が含まれている場合に、前記送信装置との間でリジューム情報の送受信を行うことを特徴とする制御装置。
【請求項６】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置及びコンテンツを受信する受信装置を制御する制御方法であって、
前記送信装置からコンテンツの再生が中断された位置を示すリジューム情報を取得するステップと、
取得したリジューム情報が示すコンテンツの再生が中断された位置から当該コンテンツを再生する指示を前記受信装置へ送信するステップと、
前記受信装置からコンテンツの再生位置を示す情報を取得するステップと、
前記受信装置にコンテンツの再生を停止する指示を送信するステップと、
前記受信装置から取得したコンテンツの再生位置を示す情報からリジューム情報を生成するステップと、
生成したリジューム情報を前記送信装置へ送信するステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
請求項６の制御方法であって、
前記送信装置が前記リジューム情報に対応していることを示す情報を含むサーバ機器情報を前記送信装置から取得するステップを有し、
取得したサーバ機器情報に前記リジューム情報に対応していることを示す情報が含まれている場合に、前記送信装置からのリジューム情報の受信、及び前記送信装置へのリジューム情報の送信を行うことを特徴とする制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信装置、送信装置、制御装置及び制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置からコンテンツを受信する受信装置であって、
前記送信装置から送信される情報を受信し、前記送信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
前記送信装置からコンテンツの区切り位置を示すチャプタ情報を取得し、当該取得したチャプタ情報が示すコンテンツの区切り位置から当該コンテンツを再生する指示を前記送信装置へ送信することを特徴とする受信装置。
【請求項２】
請求項１の受信装置であって、
前記チャプタ情報は、一つ以上のチャプタから構成されるチャプタリストを一つ以上含むことを特徴とする受信装置。
【請求項３】
ネットワークを介してコンテンツを受信装置に送信する送信装置であって、
前記受信装置から送信される情報を受信し、前記受信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
前記受信装置からの要求に応じて、コンテンツの区切り位置を示すチャプタ情報を前記受信装置に送信することを特徴とする送信装置。
【請求項４】
請求項３の送信装置であって、
前記チャプタ情報は、一つ以上のチャプタから構成されるチャプタリストを一つ以上含むことを特徴とする送信装置。
【請求項５】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置及びコンテンツを受信する受信装置と接続され、当該送信装置及び当該受信装置を制御する制御装置であって、
前記送信装置及び前記受信装置から送信される情報を受信し、前記送信装置及び前記受信装置へ情報を送信するネットワークインタフェースを有し、
前記送信装置からコンテンツの区切り位置を示すチャプタ情報を取得し、当該取得したチャプタ情報が示すコンテンツの区切り位置から当該コンテンツを再生する指示を前記受信装置へ送信することを特徴とする制御装置。
【請求項６】
請求項５の制御装置であって、
前記送信装置から取得したチャプタ情報を変更し、変更したチャプタ情報を前記送信装置へ送信することを特徴とする制御装置。
【請求項７】
請求項５または６の制御装置であって、
前記チャプタ情報は、一つ以上のチャプタから構成されるチャプタリストを一つ以上含むことを特徴とする制御装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかの制御装置であって、
前記送信装置が前記チャプタ情報に対応していることを示す情報を含むサーバ機器情報を前記送信装置から取得し、
取得したサーバ機器情報に前記チャプタ情報に対応していることを示す情報が含まれている場合に、前記送信装置からチャプタ情報を取得することを特徴とする制御装置。
【請求項９】
ネットワークを介してコンテンツを送信する送信装置及びコンテンツを受信する受信装置を制御する制御方法であって、
前記送信装置からコンテンツ区切り位置を示すチャプタ情報を取得するステップと、
取得したチャプタ情報が示すコンテンツの区切り位置から当該コンテンツを再生する指示を前記受信装置へ送信するステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
請求項９の制御方法であって、
前記取得したチャプタ情報を変更するステップと、
変更したチャプタ情報を前記送信装置へ送信するステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
請求項９または１０の制御方法であって、
前記チャプタ情報は、一つ以上のチャプタから構成されるチャプタリストを一つ以上含むことを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかの制御方法であって、
前記送信装置が前記チャプタ情報に対応していることを示す情報を含むサーバ機器情報を前記送信装置から取得するステップを有し、
取得したサーバ機器情報に前記チャプタ情報に対応していることを示す情報が含まれている場合に、前記送信装置からチャプタ情報を取得することを特徴とする制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】