Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から射出された光を、画像信号に応じて画像光に変調する光変調装置と、
前記光変調装置で変調された前記画像光を投写する投写レンズと、
前記投写レンズに対して所定の調整動作を行うレンズ調整機構と、
操作信号を受け付ける操作受付部と、
前記操作受付部が第１の操作信号を受け付けた場合に、前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作を禁止するレンズ調整禁止状態に切り換える制御部と、
を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクターであって、
前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作は、
焦点調整のためのフォーカス調整動作、または、投写画角を調整するズーム調整動作、または、前記投写レンズを移動させることによって画像の投写位置を調整するレンズシフト調整動作とすることを特徴とするプロジェクター。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプロジェクターであって、
前記レンズ調整禁止状態において、前記操作受付部が、前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作を行わせるための第２の操作信号を受け付けたときに、前記レンズ調整禁止状態である旨の画面を投写させる調整禁止表示制御部をさらに備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロジェクターであって、
前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作における調整量情報を記憶可能な調整量記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記操作受付部が前記第１の操作信号を受け付けると、前記調整量情報を前記調整量記憶部に記憶させ、
前記制御部は、前記操作受付部が第３の操作信号を受け付けると、前記調整量記憶部に記憶された前記調整量情報に従って、前記レンズ調整機構に前記所定の調整動作を行わせることを特徴とするプロジェクター。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロジェクターであって、
前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作における調整量情報を記憶可能な調整量記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記操作受付部が前記第１の操作信号とは異なる第４の操作信号を受け付けると、前記調整量情報を前記調整量記憶部に記憶させ、
前記制御部は、前記操作受付部が前記第３の操作信号を受け付けると、前記調整量記憶部に記憶された前記調整量情報に従って、前記レンズ調整機構に前記所定の調整動作を行わせることを特徴とするプロジェクター。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプロジェクターであって、
前記レンズ調整禁止状態において、前記制御部は、前記操作信号に基づき、前記レンズ調整機構の前記所定の調整動作以外の制御を実行することを特徴とするプロジェクター。
【請求項７】
光源と、前記光源から射出された光を、画像信号に応じて画像光に変調する光変調装置と、前記光変調装置で変調された前記画像光を投写する投写レンズと、前記投写レンズに対して所定の調整動作を行うレンズ調整機構と、操作信号を受け付ける操作受付部と、を備えるプロジェクターの制御方法であって、
前記操作受付部によって第１の操作信号を受け付ける第１操作受付ステップと、
前記第１操作受付ステップによって前記第１の操作信号を受け付けた場合に、前記レンズ調整機構による前記所定の調整動作を禁止するレンズ調整禁止状態に切り換える制御ステップと、
を備えることを特徴とするプロジェクターの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画像を構成する複数の画素の各々に対応した画像データに基づいて表示制御を行う画像処理装置であって、
前記複数の画素の各々の動作電流に基づいて、前記複数の画素の各々における前記画像データを補正する画像データ補正部と、
前記画像データ補正部により補正された前記画像データにおける階調数の補償を行う表示制御部と、を含み、
前記階調数の補償は、前記複数の画素の各々に表示する階調値を調整することで行われることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記複数の画素の各々における補正量は、前記動作電流の最小値と前記複数の画素の各々の動作電流との差分により定義されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、
第１のフレームの画像データとして第１の階調値に対応した前記画像データを生成し、第２のフレームの画像データとして第２の階調値に対応した前記画像データを生成することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記階調値の調整は、前記第１のフレーム及び前記第２のフレームの各々のフレームレートの設定を変えることで行うことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
更に、前記フレームレートの設定を記載したフレームレートテーブルを記憶するフレームレートテーブル記憶部を含み、
前記階調値の調整は、前記フレームレートテーブルを基にして行われることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像データ補正部は、前記表示画像が静止画であると判断したときに前記画像データの補正を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置とを含み、
前記画像処理装置によって表示制御された前記画像データに基づいて前記表示画像を表示することを特徴とする表示システム。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか記載の画像処理装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
表示画像を構成する複数の画素の各々に対応した画像データに基づいて表示制御を行う画像処理方法であって、
前記複数の画素の各々の動作電流に基づいて、前記複数の画素の各々における前記画像データを補正する画像データ補正ステップと、
前記画像データ補正ステップにより補正された前記画像データにおける階調数の補償を行う表示制御ステップと、を含み、
前記階調数の補償は、前記複数の画素の各々に表示する階調値を調整することで行われることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
前記画像データ補正ステップにおいて、
前記複数の画素の各々における補正量は、前記動作電流の最小値と前記複数の画素の各々の動作電流との差分により定義されることを特徴とする請求項９に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記表示制御ステップにおいて、
第１のフレームの画像データとして第１の階調値に対応した前記画像データを生成し、第２のフレームの画像データとして第２の階調値に対応した前記画像データを生成し、
前記階調値の調整は、前記第１のフレーム及び前記第２のフレームの各々のフレームレートの設定を変えることで行うことを特徴とする請求項１０に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のひとつの適用例に係る画像処理装置は、表示画像を構成する複数の画素の各々に対応した画像データに基づいて表示制御を行う画像処理装置であって、前記複数の画素の各々の動作電流に基づいて、前記複数の画素の各々における前記画像データを補正する画像データ補正部と、前記画像データ補正部により補正された前記画像データにおける階調数の補償を行う表示制御部と、を含み、前記階調数の補償は、前記複数の画素の各々に表示する階調値を調整することで行われることを特徴とする。
上記のひとつの適用例に係る画像処理装置において、前記複数の画素の各々における補正量は、前記動作電流の最小値と前記複数の画素の各々の動作電流との差分により定義されることが好ましい。
上記のひとつの適用例に係る画像処理装置において、前記表示制御部は、第１のフレームの画像データとして第１の階調値に対応した前記画像データを生成し、第２のフレームの画像データとして第２の階調値に対応した前記画像データを生成することが好ましい。
上記のひとつの適用例に係る画像処理装置において、前記階調値の調整は、前記第１のフレーム及び前記第２のフレームの各々のフレームレートの設定を変えることで行うことが好ましい。
上記のひとつの適用例に係る画像処理装置において、更に、前記フレームレートの設定を記載したフレームレートテーブルを記憶するフレームレートテーブル記憶部を含み、前記階調値の調整は、前記フレームレートテーブルを基にして行われることが好ましい。
上記のひとつの適用例に係る画像処理装置において、前記画像データ補正部は、前記表示画像が静止画であると判断したときに前記画像データの補正を行うことが好ましい。
本発明のひとつの適用例に係る表示システムは、上記のひとつの適用例に係る画像処理装置とを含み、前記画像処理装置によって表示制御された前記画像データに基づいて前記表示画像を表示することが好ましい。
本発明のひとつの適用例に係る電子機器は、上記のひとつの適用例に係る画像処理装置を含むことが好ましい。
本発明のひとつの適用例に係る画像処理方法は、表示画像を構成する複数の画素の各々に対応した画像データに基づいて表示制御を行う画像処理方法であって、前記複数の画素の各々の動作電流に基づいて、前記複数の画素の各々における前記画像データを補正する画像データ補正ステップと、前記画像データ補正ステップにより補正された前記画像データにおける階調数の補償を行う表示制御ステップと、を含み、前記階調数の補償は、前記複数の画素の各々に表示する階調値を調整することで行われることを特徴とする。
上記のひとつの適用例に係る画像処理方法において、前記画像データ補正ステップにおいて、前記複数の画素の各々における補正量は、前記動作電流の最小値と前記複数の画素の各々の動作電流との差分により定義されることが好ましい。
上記のひとつの適用例に係る画像処理方法において、前記表示制御ステップにおいて、第１のフレームの画像データとして第１の階調値に対応した前記画像データを生成し、第２のフレームの画像データとして第２の階調値に対応した前記画像データを生成し、前記階調値の調整は、前記第１のフレーム及び前記第２のフレームの各々のフレームレートの設定を変えることで行うことが好ましい。
（１）本発明の一態様は、表示画像を構成する各画素に対応した画像データに基づいて表示制御を行う画像処理装置が、各画素の動作電流に対応した情報に基づいて、各画素の画像データを補正する画像データ補正部と、各画素の点灯時間を調整することにより、前記画像データ補正部による補正により消失した階調数を補償する表示制御部とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプリンタドライバがインストールされている情報処理装置の制御方法であって、
プリンタに送信する印刷ジョブに設定すべき設定値を、前記複数のプリンタドライバの間で共有する機能を有するオペレーティングシステムの制御下において、
前記複数のプリンタドライバに対応する複数のプリンタの間での出力対象となるプリンタの変更に伴い、前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を行う際に用いる印刷設定情報として、変更前のプリンタに対応するプリンタドライバを用いて設定されて保持されていた印刷設定情報、変更後のプリンタに対応するプリンタドライバのデフォルトの印刷設定情報、及びユーザにより登録され前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットで設定されている印刷設定情報のいずれを用いるかを選択するための画面の表示制御を行う制御工程と、
前記制御工程で表示された画面を介した選択に応じた印刷設定情報を取得する取得工程と、を有し、
前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を設定する画面において、前記取得工程で取得された印刷設定情報が適用されることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項２】
ユーザにより登録され前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットが複数ある場合において、当該複数のプリセットの中から指定されたプリセットに設定されている印刷設定情報を用いることが選択されたときは、前記取得工程では、当該選択に応じた印刷設定情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項３】
前記制御工程では、ユーザにより登録され前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットが複数ある場合、ベンダーの情報及びプリンタ言語の少なくともいずれかを条件として用いた絞り込みを行い、当該絞り込んだ複数のプリセットの中から指定されたプリセットに設定されている印刷設定情報を用いることが選択されることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項４】
前記取得工程では、変更前のプリンタに対応するプリンタドライバを用いて設定され保持されていた印刷設定情報に関しては、前記オペレーティングシステムが変更前のプリンタに対応するプリンタドライバから取得した印刷設定情報を、前記オペレーティングシステムを介して取得することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項５】
複数のプリンタドライバがインストールされている情報処理装置の制御方法であって、
プリンタに送信する印刷ジョブに設定すべき設定値を、前記複数のプリンタドライバの間で共有する機能を有するオペレーティングシステムの制御下において、
前記複数のプリンタドライバに対応する複数のプリンタの間での出力対象となるプリンタの変更に伴い、前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を行う際に用いる印刷設定情報として、変更前のプリンタに対応するプリンタドライバを用いて設定されて保持されていた印刷設定情報、及びユーザにより登録されて前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットで設定されている印刷設定情報のいずれを用いるかを選択するための画面の表示制御を行う制御工程と、
前記制御工程で表示された画面を介した選択に応じた印刷設定情報を取得する取得工程と、を有し、
前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を設定する画面において、前記取得工程で取得された印刷設定情報が適用されることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
複数のプリンタドライバがインストールされている情報処理装置であって、
プリンタに送信する印刷ジョブに設定すべき設定値を、前記複数のプリンタドライバの間で共有する機能を有するオペレーティングシステムの制御下において、
前記複数のプリンタドライバに対応する複数のプリンタの間での出力対象となるプリンタの変更に伴い、前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を行う際に用いる印刷設定情報として、変更前のプリンタに対応するプリンタドライバを用いて設定されて保持されていた印刷設定情報、変更後のプリンタに対応するプリンタドライバのデフォルトの印刷設定情報、及びユーザにより登録され前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットで設定されている印刷設定情報のいずれを用いるかを選択するための画面の表示制御を行う制御手段と、
前記制御手段により表示された画面を介した選択に応じた印刷設定情報を取得する取得手段と、を有し、
前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を設定する画面において、前記取得手段により取得された印刷設定情報が適用されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
複数のプリンタドライバがインストールされている情報処理装置であって、
プリンタに送信する印刷ジョブに設定すべき設定値を、前記複数のプリンタドライバの間で共有する機能を有するオペレーティングシステムの制御下において、
前記複数のプリンタドライバに対応する複数のプリンタの間での出力対象となるプリンタの変更に伴い、前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を行う際に用いる印刷設定情報として、変更前のプリンタに対応するプリンタドライバを用いて設定されて保持されていた印刷設定情報、及びユーザにより登録されて前記オペレーティングシステムで管理されているプリセットで設定されている印刷設定情報のいずれを用いるかを選択するための画面の表示制御を行う制御手段と、
前記制御手段により表示された画面を介した選択に応じた印刷設定情報を取得する取得手段と、を有し、
前記変更後のプリンタに送信する印刷ジョブの印刷設定を設定する画面において、前記取得手段により取得された印刷設定情報が適用されることを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影面に画像を投影する投影部と、
載置面の振動を検出する検出部と、
前記検出部による前記振動の検出に基づいて、前記画像の投影方向に対する前記振動を発生させた振動源の方向を特定する特定部と、
前記特定部により特定された前記振動源の方向に基づいて、前記投影部を制御する制御部とを備える
ことを特徴とする投影装置。
【請求項２】
前記投影部は、前記載置面に前記画像を投影する
ことを特徴とする請求項１に記載の投影装置。
【請求項３】
前記検出部は、少なくとも第１検出部と第２検出部とを含み、
前記特定部は、前記第１検出部と前記第２検出部とで検出された値に基づいて、前記画像の投影方向に対する前記振動源の方向の特定を行う
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投影装置。
【請求項４】
前記特定部は、前記第１検出部と前記第２検出部とで検出された値の強度比に基づいて、前記画像の投影方向に対する前記振動源の方向の特定を行う
ことを特徴とする請求項３に記載の投影装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記特定部により特定された前記振動源の方向が、分割された複数の所定領域のいずれに含まれるかに基づいて前記投影部の制御を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の投影装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記振動源の方向が異なる２つの前記所定領域で特定された場合、特定された前記所定の領域の順序に基づいて前記投影部の制御を行う
ことを特徴とする請求項５に記載の投影装置。
【請求項７】
前記検出部は、前記投影部によって前記画像が投影されている場合に前記振動を検出する
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の投影装置。
【請求項８】
前記検出部において検出した前記振動が所定の種類の振動であるか否かを判別する判別部を備え、
前記制御部は、前記判別部により前記振動が前記所定の種類の振動であると判別された場合に、前記投影部を制御する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の投影装置。
【請求項９】
前記検出部は、加速度を検出する加速度センサを含み、
前記制御部は、前記加速度の値が所定の閾値を超えた時から所定の期間内に０になった
回数に基づいて前記制御を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の投影装置。
【請求項１０】
前記検出部は、加速度を検出する加速度センサを含み、
前記加速度センサにより検出した前記加速度を周波数解析することにより前記振動の周
波数成分を検出する周波数解析部を備え、
前記制御部は、前記周波数成分において、所定の周波数が最大値となった場合に前記制御を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の投影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の投影装置は、投影面に画像を投影する投影部と、載置面の振動を検出する検出部と、前記検出部による前記振動の検出に基づいて、前記画像の投影方向に対する前記振動を発生させた振動源の方向を特定する特定部と、前記特定部により特定された前記振動源の方向に基づいて、前記投影部を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持体に保持された基板を処理する処理室と、
前記処理室に隣接し、前記基板保持体に前記基板を移載する移載室と、
前記移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備え、
前記クリーンユニットは、平面多角形状に構成された前記移載室内における角部に当該角部の対角線方向に向けて配設されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記クリーンユニットが配設された前記角部とは別の前記移載室内における角部に、当該移載室内のエアを排気する排気部を設けることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記クリーンユニットが吹き出すクリーンエアの風向を少なくとも互いに異なる３方向とする風向板を備えることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する処理室に隣接する平面多角形状に構成された移載室内における角部に当該角部の対角線方向に向けて配設されたクリーンユニットから前記移載室内にクリーンエアを吹き出す前記移載室内にて、基板を基板保持体に移載する移載工程と、
前記基板保持体に保持された前記基板を処理する処理工程と、を有する基板処理方法。
【請求項５】
基板を処理する処理室に隣接する平面多角形状に構成された移載室内における角部に当該角部の対角線方向に向けて配設されたクリーンユニットから前記移載室内にクリーンエアを吹き出す前記移載室内にて、基板を基板保持体に移載する移載工程と、
前記基板保持体に保持された前記基板を処理する処理工程と、有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、第１不純物半導体領域を備える半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することによって前記半導体基板に光電変換部を形成する第１注入工程と、
前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入し第２不純物半導体領域を形成することにより、前記第１および第２不純物半導体領域を含む混在領域を前記半導体基板に形成する第２注入工程と、
前記半導体基板を前記第２面の側から薄化して前記混在領域を露出させる薄化工程と、
前記第１不純物半導体領域のエッチングレートと前記第２不純物半導体領域のエッチングレートとが異なるエッチャントを用いて前記混在領域をエッチングすることによって前記混在領域に段差を有するマークを形成するエッチング工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１注入工程では、前記第１不純物半導体領域を含む前記半導体基板にイオンを注入することによって前記光電変換部を形成し、前記第２注入工程では、前記第２不純物半導体領域を形成するためのイオンを前記第１不純物半導体領域に注入することによって、前記第１不純物半導体領域および前記第２不純物半導体領域を含む前記混在領域を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２注入工程では、前記混在領域の前記第２面の側の端部が前記光電変換部の前記第２面の側の端部よりも前記第２面に近くなるように前記混在領域を形成する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、その内部に絶縁層を有し、前記絶縁層の前記第１面の側に第１半導体層を有し、前記第２面の側に第２半導体層を有し、
前記薄化工程は、前記第２半導体層を研磨して前記絶縁層を露出させる工程と、前記絶縁層をエッチングにより除去する工程とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２注入工程では、前記混在領域が前記絶縁層に接するように前記混在領域が前記第１半導体層に形成される、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２注入工程は、イオン種をボロンまたは二フッ化ボロンとし、ドーズ量を１×１０１４以上１×１０１７ｃｍ−２以下とし、加速エネルギーを１以上５ＭｅＶ以下として実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程では、前記エッチャントとして、（ａ）フッ化水素（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ３）および酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）の混合液、（ｂ）水酸化カリウム（ＫＯＨ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）および水の混合液、（ｃ）エチレンジアミン、ピロカテコールおよび水の混合液、のいずれか１つを使用する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像素子であって、
前記半導体基板に形成された光電変換部と、
前記半導体基板の前記第１面に形成されたトランジスタと、
前記半導体基板の前記第２面に形成されたマークとを含み、
前記第２面の一部分が第１不純物半導体領域および第２不純物半導体領域を含む混在領域によって形成され、前記マークが前記混在領域における前記第１不純物半導体領域と前記第２不純物半導体領域との間の段差によって形成されている、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面に係る固体撮像素子の製造方法は、互いに反対側の面である第１面および第２面を有し、第１不純物半導体領域を備える半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入することによって前記半導体基板に光電変換部を形成する第１注入工程と、前記半導体基板に対して前記第１面の側からイオンを注入し第２不純物半導体領域を形成することにより、前記第１および第２不純物半導体領域を含む混在領域を前記半導体基板に形成する第２注入工程と、前記半導体基板を前記第２面の側から薄化して前記混在領域を露出させる薄化工程と、前記第１不純物半導体領域のエッチングレートと前記第２不純物半導体領域のエッチングレートとが異なるエッチャントを用いて前記混在領域をエッチングすることによって前記混在領域に段差を有するマークを形成するエッチング工程とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
照度センサは、明るさを検知するセンサであり、屈折率や消衰係数等の光学特性が互いに異なる第１受光素子、第３受光素子、および第１受光素子と第３受光素子の出力を演算（減算）する第１の演算回路を備えている。また、近接センサは、赤外線を使用して物体に当たって反射してきた光の量から物体があるのか無いのかを検出するセンサであり、上記光学特性が互いに異なる第１受光素子、第２受光素子、および第１受光素子と第２受光素子の出力を演算（減算）する第２の演算回路を備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に、図９Ｋに示すように、ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜１９、ポリシリコン膜２０およびシリコン酸化膜３８上に多結晶シリコンゲルマニウム膜２１を形成する。多結晶シリコンゲルマニウム膜２１の膜厚は、例えば、２０ｎｍ〜１２０ｎｍ程度の範囲とするのが好ましく、２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲とするのがより好ましい。なお、本実施形態では、多結晶シリコンゲルマニウム膜２１の膜厚を３０ｎｍ程度としている。また、多結晶シリコンゲルマニウム膜２１におけるゲルマニウムの組成比は、例えば、３５％〜５５％程度の範囲とするのが好ましく、４０％〜５０％程度の範囲とするのがより好ましい。なお、本実施形態では、ゲルマニウムの組成比を３９．７％程度としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図１０（ａ）に示すように、第１受光素子Ｓ１′は、例えば、ボロン（Ｂ）等のＰ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）等のＰ型半導体基板１３の表面に形成された第１フォトダイオードＰＤ１′と、第１フォトダイオードＰＤ１′上に形成された第１積層構造体Ｂ１′とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
第１積層構造体Ｂ１′は、第１フォトダイオードＰＤ１′上に形成されたシリコン酸化膜からなる第１層１８′と、第１層１８′上に形成されたシリコン窒化膜からなる第２層１９′と、第２層１９′上に形成されたポリシリコン膜からなる第３層２０′を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第２受光素子Ｓ２′は、Ｐ型半導体基板１３の表面に形成された第２フォトダイオードＰＤ２′と、第２フォトダイオードＰＤ２′上に形成された第２積層構造体Ｂ２′とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
第２積層構造体Ｂ２′は、第２フォトダイオードＰＤ２′上に形成されたシリコン酸化膜からなる第１層１８′と、第１層１８′上に形成されたシリコン窒化膜からなる第２層１９′と、第２層１９′上に形成された多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１′を有する。なお、上述した第１積層構造体Ｂ１′と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、第２フォトダイオードＰＤ２′上、すなわち、Ｎ型拡散層（カソード領域）１７（１７ｂ）の上部には、シリコン酸化膜（第１層）１８（１８ｂ）、シリコン窒化膜（第２層）１９（１９ｂ）および多結晶シリコンゲルマニウム膜（第３層）２１（２１ａ）からなる第２積層構造体Ｂ２′が形成されている。第２フォトダイオードＰＤ２′と第２積層構造体Ｂ２′により第２受光素子Ｓ２′が構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
また、本実施形態では、例えば、第１層としてのシリコン酸化膜を各受光素子Ｓ１′，Ｓ２′毎に形成したが、これには限定されず、各受光素子毎の第１層として兼用してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
上述した半導体装置１０ａは、照度センサ１０１や近接センサ１０２として適用され、その検出結果に応じてタッチスクリーン１０３のバックライトの輝度が調整される。具体的には、制御回路１０５がオペアンプの演算結果に基づいて輝度調整する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
図１４Ａに示すように、従来技術を用いて半導体基板上に第１フォトダイオードＰＤ１′および第２フォトダイオードＰＤ２′と、各フォトダイオードＰＤ１′，ＰＤ２′を分離する素子分離酸化膜１５を形成する。なお、この工程は上述した図９Ａに示す工程と同様の工程であるため、説明を省略する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
次に、第１実施形態の図９Ｄおよび図９Ｅと同様の手法で第２フォトダイオードＰＤ２′の上部に図示しないが、ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜１９上にシリコン酸化膜を成膜し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング法を用いて、第２フォトダイオードＰＤ２′を除く領域のシリコン酸化膜すなわち、第１フォトダイオードＰＤ１′上のシリコン酸化膜を除去する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
次に、第１実施形態の図９Ｉおよび図９Ｊと同様の手法で第１フォトダイオードＰＤ１′の上部に図示しないが、ＣＶＤ法を用いて、ポリシリコン膜２０上にシリコン酸化膜を成膜し、続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング法を用いて、第１フォトダイオードＰＤ１′を除く領域のシリコン酸化膜すなわち、第２フォトダイオードＰＤ２′上のシリコン酸化膜を除去する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
次に、図示しないが、第１実施形態の図９Ｌおよび図９Ｍと同様の手法で第１フォトダイオードＰＤ１′上部に形成された多結晶シリコンゲルマニウム膜２１と、その下部のシリコン酸化膜だけをフォトリソグラフィ技術およびエッチング法を用いて除去してポリシリコン膜２０を露出させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、
前記セラミック基板上に形成されたサーミスタ薄膜と、
前記サーミスタ薄膜の膜上、膜下又は膜中に形成された少なくとも一対の電極と、
前記サーミスタ薄膜の表面を保護する耐食性被膜と、を備えた薄膜サーミスタであって、
前記薄膜サーミスタと引き出し線の接合する電極膜がセラミックス基板上の一部を露出させて形成された引き出し線固定領域と、
前記引き出し線固定領域のセラミック露出させた部分と電極膜に亘った導電性ペーストと、
前記導電性ペーストに少なくとも一部が埋没して接続された一対の引き出し線で構成された、
薄膜サーミスタ。
【請求項２】
前記導電性ペーストが貴金属粉末にガラス粉末を混合したことを特徴とする請求項１記載の薄膜サーミスタ。
【請求項３】
前記電極膜に切り抜き部分を設けた請求項１あるいは２記載の薄膜サーミスタ。
【請求項４】
前記電極膜が縦方向に複数本に分割されている請求項１あるいは２記載の薄膜サーミスタ。
【請求項５】
前記電極膜は、前記セラミックス基板と前記電極膜の接続パッドとの間に第一、及び第二の金属下地層を形成してなる請求項１乃至４に記載の薄膜サーミスタ。
【請求項６】
前記第一の金属下地層は、クロム、チタン、タングステン、モリブデン、タンタルの何れかからなる請求項５記載の薄膜サーミスタ。
【請求項７】
前記第二の金属下地層は、プラチナ、パラジウム、銀、パラジウム銀の何れかからなる請求項５記載の薄膜サーミスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布された樹脂と、パターンを有するマスクとを接触させて、前記パターンを前記基板に転写するインプリント方法であって、
前記基板上に前記樹脂を塗布する工程と、前記樹脂が塗布された基板を基板ステージによって、前記マスク直下のパターンのショット位置に移動させる工程と、前記樹脂を塗布した位置から前記ショット位置までの移動経路上で前記樹脂が塗布された基板上に、少なくとも、前記樹脂に対して気体を供給する工程とを有し、前記樹脂が塗布された基板のショット領域が前記気体の供給位置を通過する前から前記気体の供給を開始することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記気体を供給された基板のショット領域が、前記ショット位置を通過した後、前記ショット位置に戻るように前記基板ステージを移動させることを特徴とする請求項１記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記気体を供給された基板のショット領域を前記ショット位置に移動させた後、前記移動させた方向に対して、９０度向きを変えて、前記基板のショット領域を移動させることを特徴とする請求項１記載のインプリント方法。
【請求項４】
基板上に塗布された樹脂とパターンを有するマスクとを接触させて、前記パターンを前記基板に転写するインプリント方法であって、
前記基板上に前記樹脂を塗布する工程と、前記樹脂が塗布された基板を基板ステージによって、前記マスク直下のパターンのショット位置に移動させる工程と、前記樹脂を塗布した位置から前記ショット位置まで前記基板のショット領域を移動させる途中に、前記基板ステージに設けられた供給口から基板上に、少なくとも、前記樹脂に対して気体を供給する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項５】
前記供給される気体の流量Ｑ（ｍ３／ｓ）が、前記パターンのショット幅をｓ（ｍ）、前記マスクと前記基板との間隙をｄ（ｍ）、前記基板ステージの前記移動経路における駆動距離をＬ（ｍ）、前記基板ステージの駆動時間をｔ（ｓ）とするとき、
【数１】
2012079969.tif 000001
なる式を満たすことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板に樹脂のパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決するために、基板上に塗布された樹脂と、パターンを有するマスクとを接触させて、パターンを基板に転写するインプリント方法であって、基板上に樹脂を塗布する工程と、樹脂が塗布された基板を基板ステージによって、マスク直下のパターンのショット位置に移動させる工程と、樹脂を塗布した位置からショット位置までの移動経路上で樹脂が塗布された基板上に、少なくとも、樹脂に対して気体を供給する工程とを有し、樹脂が塗布された基板のショット領域が気体の供給位置を通過する前から気体の供給を開始することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ところで、基板２０の移動に伴う気体の流れは、二つの平行平板間で一方を固定し他方を移動させたときに見られる、いわゆるクウェット流れで近似されると思われる。そうすると、基板２０を保持した基板ステージ７０の移動に伴って、クウェット流れから想定される程度の気体Ｈがマスク４０と基板２０の間隙ｄに満たされることになる。しかしながら、気体Ｈの供給流量が十分でないと、基板ステージ７０の上記移動に伴って、周囲の大気を巻き込んでしまい、気体Ｈで満たされるべき間隙ｄに大気が流入する可能性がある。このため、気体Ｈの供給流量Ｑ（ｍ３／ｓ）は、ショット幅をｓ(ｍ)、マスク４０と基板２０との間隙をｄ(ｍ)、基板ステージ７０の前記移動経路における駆動距離をＬ(ｍ)、基板ステージ７０の駆動時間ｔ(ｓ)とした場合、
【数１】
2012079969.tif 000002
なる式を満たすことが望ましい。このような式を満足するように気体Ｈを供給すれば、基板ステージ７０の移動に伴って、大気を巻き込むことなく、間隙ｄに気体Ｈのみを満たすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマスタとスレーブが接続されたバスに接続されているバス調停装置であって、
前記マスタ毎に転送回数を設定する設定手段と、
前記マスタ毎にバス使用権が付与された回数をカウントするカウンタと、
前記カウンタの値に応じて、前記マスタからのバス使用要求を抑制するバス使用要求抑制手段と、
前記バス使用要求抑制手段により抑制されたバス使用要求の中からバス使用権を付与するバス使用要求を選択する選択手段と、
前記スレーブの動作中、前記カウンタの再設定を待つように制御する制御手段とを有することを特徴とするバス調停装置。
【請求項２】
前記カウンタは、前記設定手段により設定された転送回数に対応する転送を行っていないマスタのバス使用権が付与された回数をカウントするカウンタであることを特徴とする請求項１に記載のバス調停装置。
【請求項３】
前記制御手段は、スレーブが受信した転送コマンドを保持するコマンドキューの使用段数を監視し、前記コマンドキューの使用段数が予め設定した数以下となり、かつ、予め設定したバス使用権獲得回数のバス使用権を与えていないマスタからのバス使用要求がなくなった場合に、前記カウンタを設定するように制御することを特徴とする請求項１に記載のバス調停装置。
【請求項４】
前記バス使用要求抑制手段は、前記カウンタの値に応じて前記マスタからのバス使用要求をマスクする回路であり、前記選択手段は前記バス使用要求抑制手段によりマスクされたバス使用要求の中からバス使用権を付与するバス使用要求を選択することを特徴とする請求項１に記載のバス調停装置。
【請求項５】
複数のマスタとスレーブが接続されたバスに接続され、前記マスタ毎にバス使用権が付与された回数をカウントするカウンタを有するバス調停装置によるバス調停方法であって、
前記マスタ毎に転送回数を設定する設定工程と、
前記カウンタによって前記マスタ毎にバス使用権が付与された回数をカウントするカウント工程と、
前記カウント工程でカウントした値に応じて、前記マスタからのバス使用要求を抑制するバス使用要求抑制工程と、
前記バス使用要求抑制工程で抑制されたバス使用要求の中からバス使用権を付与するバス使用要求を選択する選択工程と、
前記スレーブの動作中、前記カウンタの再設定を待つように制御する制御工程とを有することを特徴とするバス調停方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するために本発明に係るバス調停装置は、複数のマスタとスレーブが接続されたバスに接続されているバス調停装置であって、前記マスタ毎に転送回数を設定する設定手段と、前記マスタ毎にバス使用権が付与された回数をカウントするカウンタと、
前記カウンタの値に応じて、前記マスタからのバス使用要求を抑制するバス使用要求抑制手段と、前記バス使用要求抑制手段により抑制されたバス使用要求の中からバス使用権を付与するバス使用要求を選択する選択手段と、前記スレーブの動作中、前記カウンタの再設定を待つように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車線境界を示す道路標示又は走行不可域を基準にして車輌の走行可能な走路を設定し、当該走路からの車輌逸脱時に、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行うものであり、前記走路の曲がりの程度に基づいて、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準を変更する走行支援装置において、
前記走路の曲がりの程度が大きい場合には、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準として、車輌の幅方向の前記走路境界に対する距離若しくは到達余裕時間を用い、
前記走路の曲がりの程度が小さい場合には、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準として、車輌の進行方向の前記走路境界に対する距離若しくは到達余裕時間を用いることを特徴とする走行支援装置。
【請求項２】
前記走路の幅に基づいて、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準を変更することを特徴とする請求項１に記載の走行支援装置。
【請求項３】
車線境界を示す道路標示又は走行不可域を基準にして車輌の走行可能な走路を設定し、当該走路からの車輌逸脱時に、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う方法であり、前記走路の曲がりの程度に基づいて、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準を変更する走行支援方法において、
前記走路の曲がりの程度が大きい場合には、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準として、車輌の幅方向の前記走路境界に対する距離若しくは到達余裕時間を用い、
前記走路の曲がりの程度が小さい場合には、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う判定基準として、車輌の進行方向の前記走路境界に対する距離若しくは到達余裕時間を用いることを特徴とする走行支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車線境界を示す道路標示又は走行不可域を基準にして車輌の走行可能な走路を設定し、当該走路からの車輌逸脱時に、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う走行支援装置であって、
車線境界を示す道路標示によって規定される車線の幅が予め定めた基準幅以下の場合には、当該狭い幅の車線の外側に境界を有する仮の走路を設定し、車輌を前記仮の走路内で走行させるように警告又は補助を行うことを特徴とする走行支援装置。
【請求項２】
前記狭い幅の車線の外側の走行不可域を基準にして前記仮の走路を設定することを特徴とする請求項１に記載の走行支援装置。
【請求項３】
前記狭い幅の車線の車線幅に応じて、前記狭い幅の車線を規定する車線境界を示す道路標示による影響度を変えて前記仮の走路を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の走行支援装置。
【請求項４】
前記狭い幅の車線を規定する車線境界を示す道路標示に平行且つ前記狭い幅の車線を逸脱した平行線を目標として前記仮の走路を設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の走行支援装置。
【請求項５】
車線境界を示す道路標示又は走行不可域を基準にして車輌の走行可能な走路を設定し、当該走路からの車輌逸脱時に、車輌を前記走路内で走行させるように警告又は補助を行う走行支援方法であって、
車線境界を示す道路標示によって規定される車線の幅が予め定めた基準幅以下の場合には、当該狭い幅の車線の外側に境界を有する仮の走路を設定し、車輌を前記仮の走路内で走行させるように警告又は補助を行うことを特徴とする走行支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の周囲に存在する物体を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された物体の大きさを拡大させるものであって、該物体の拡大方向を該物体以外の基準に従って定める拡大手段と、
を備え、
前記物体以外の基準は、車線境界、または道路脇に連続的に延在若しくは点在する指標であり、
前記拡大手段は、前記指標と平行な方向における前記物体の大きさを拡大させる車両の物体認識システム。
【請求項２】
請求項１において、前記指標は、車線境界を示す道路標示または道路脇に延在する立体物である車両の物体認識システム。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記検出手段が複数の物体を検出した場合に、前記拡大手段は、車両との相対距離が短い物体の大きさを拡大させる車両の物体認識システム。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項において、前記拡大手段は、車速が高いときは低いときに比べ、前記物体の大きさの拡大量を大きくする車両の物体認識システム。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項において、前記拡大手段は、運転者の運転操作に対する意識低下度合いを判定し、判定された意識低下度合いが高いときは低いときに比べ、前記物体の大きさの拡大量を大きくする車両の物体認識システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体リソグラフィ用光源装置であって、
光放出部としての孔が穿設されている空洞共振器と、
電気絶縁性を有する非磁性の材料で形成され、かつ、前記空洞共振器の内部空間に少なくとも一部が配置されている空洞体と、
前記空洞共振器の内部空間に電磁波を供給するための電磁波供給装置とを備え、
前記半導体リソグラフィ用光源装置は、前記電磁波供給装置により前記空洞共振器の内部空間に対して供給された電磁波により発生した定在波のエネルギーを、前記空洞体の内部に存在する希ガスまたは希ガスを含む混合ガスに吸収させることによりプラズマを発生させ、当該プラズマが放出する極端紫外光を前記光放出部経由で前記空洞共振器の外部へ放出させる第１状態と、
前記電磁波供給装置に前記空洞共振器の内部空間に対する電磁波の供給を停止させることにより前記プラズマを消失させる第２状態と、を交互に繰り返しながら実現するように構成されていることを特徴とする半導体リソグラフィ用光源装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体リソグラフィ用光源装置において、
前記空洞共振器が、上端から下端に向かって掘り下げられ、上端を開放させた空間が形成されている共振器本体と、前記共振器本体の上端開口を隙間なく閉塞した状態で上下動可能に構成されている蓋体とを備えていることを特徴とする半導体リソグラフィ用光源装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体リソグラフィ用光源装置において、
前記空洞共振器の内部空間が円柱状に形成され、前記空洞体が前記空洞共振器の内部空間の中心軸方向に延在し、前記希ガスまたは前記混合ガスの供給源に一端が連通し、かつ、前記空洞共振器の底壁部に前記光放出部として形成されている孔に他端が連通するように配置されていることを特徴とする半導体リソグラフィ用光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体リソグラフィ用光源装置は、光放出部としての孔が穿設されている空洞共振器と、電気絶縁性を有する非磁性の材料で形成され、かつ、前記空洞共振器の内部空間に少なくとも一部が配置されている空洞体と、前記空洞共振器の内部空間に電磁波を供給するための電磁波供給装置とを備え、前記半導体リソグラフィ用光源装置は、前記電磁波供給装置により前記空洞共振器の内部空間に対して供給された電磁波により発生した定在波のエネルギーを、前記空洞体の内部に存在する希ガスまたは希ガスを含む混合ガスに吸収させることによりプラズマを発生させ、当該プラズマが放出する極端紫外光を前記光放出部経由で前記空洞共振器の外部へ放出させる第１状態と、前記電磁波供給装置に前記空洞共振器の内部空間に対する電磁波の供給を停止させることにより前記プラズマを消失させる第２状態と、を交互に繰り返しながら実現するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、絶縁基板の上方に配置され前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子と、を含み、前記絶縁基板の上方に行方向及び列方向に配列された複数の画素と、
前記絶縁基板の上方に配置され、行方向の複数の前記スイッチ素子に接続された駆動線と、
列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号線と、を有し、
前記変換素子が前記スイッチ素子の上方に配置された検出装置であって、
前記スイッチ素子の主電極の最上位表面は前記変換素子の下方に配置され、前記駆動線の最上位表面は前記スイッチ素子の主電極の最上位表面よりも下方に配置されており、前記信号線は、前記駆動線の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで形成された導電層からなることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記絶縁部材は、前記絶縁基板と前記駆動線との間に設けられた絶縁層又は前記絶縁基板であることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記スイッチ素子は、前記絶縁基板の上に設けられており、
前記駆動線は、前記スイッチ素子の主電極の最上位表面と前記絶縁基板との間に設けられた絶縁層に埋め込んで形成された導電層を含むことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子の制御電極は、前記スイッチ素子の主電極の最上位表面と前記絶縁基板との間に設けられた絶縁層に埋め込んで形成された導電層を含むことを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記信号線の上部幅をＳＴ、最大幅をＳＭとした場合、
ＳＴ＜ＳＭ
を満たすことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記駆動線の下部幅をＧＢ、最大幅をＧＭとした場合、
ＧＢ＜ＧＭ
を満たすことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記駆動線の上部幅をＧＴとした場合、
ＧＴ＜ＧＭ
を満たすことを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記信号線及び前記駆動線の少なくとも一方が複数の絶縁層に埋め込まれて配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記半導体装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の検出装置は、絶縁基板の上方に配置され前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子と、を含み、前記絶縁基板の上方に行方向及び列方向に配列された複数の画素と、前記絶縁基板の上方に配置され、行方向の複数の前記スイッチ素子に接続された駆動線と、列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号線と、を有し、前記変換素子が前記スイッチ素子の上方に配置された検出装置であって、前記スイッチ素子の主電極の最上位表面は前記変換素子の下方に配置され、前記駆動線の最上位表面は前記スイッチ素子の最上位表面よりも下方に配置されており、前記信号線は、前記駆動線の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで形成された導電層からなることを特徴とする。