【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、
主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、
前記シリコン基板の前記裏面は、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して接合され、
前記シリコン基板の前記ビアフィルは、前記ポリマー層を貫通し、前記セラミック基板の前記電極と直接接合されて一体的に設けられている配線基板。
【請求項２】
前記シリコン基板には第１ビアホールが設けられ、
前記ポリマー層には前記第１ビアホールに連通する第２ビアホールが設けられ、
前記シリコン基板の主面及び前記第１ビアホールの内側面には絶縁層が設けられ、
前記ビアフィルは、前記シリコン基板及び前記ポリマー層の厚さ方向において、前記絶縁層及び前記ポリマー層と接している請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１ビアホールの直径は、前記電極の前記一方の面からの露出面の直径よりも大きく、
前記第２ビアホールの直径は、前記電極の前記一方の面からの露出面の直径と同じとされている請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記各セラミック層のうち、前記シリコン基板から遠いセラミック層の熱膨張係数は、前記シリコン基板に近いセラミック層の熱膨張係数よりも大きい請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記各セラミック層は、アルミナコージェライトを含有する請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記各セラミック層は、それぞれ異なる量のアルミナコージェライトを含有する請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記シリコン基板の前記裏面側には、前記セラミック基板の前記一方の面を露出する中空部が設けられている請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記中空部内の前記セラミック基板の前記一方の面には、ＭＥＭＳデバイスが搭載されている請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
前記中空部内の前記セラミック基板の前記一方の面には、コンデンサが搭載されている請求項７記載の配線基板。
【請求項１０】
前記中空部は、冷媒が供給される冷媒流路である請求項７記載の配線基板。
【請求項１１】
積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板を準備する第１工程と、
主面及び前記主面の反対面である裏面を有するシリコンからなる基板本体を準備し、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して前記基板本体の前記裏面を接合する第２工程と、
前記基板本体の前記主面に、前記電極と電気的に接続する配線層を形成する第３工程と、を有し、
前記第２工程は、主面及び前記主面の反対面である裏面を有するシリコンからなる基板本体を準備する第２Ａ工程と、
前記基板本体の前記主面に絶縁層を形成するとともに、前記基板本体の前記電極に対応する位置に、内側面に絶縁層が形成されたビアホールを形成する第２Ｂ工程と、
前記セラミック基板の前記一方の面又は前記基板本体の前記裏面にポリマー層を形成する第２Ｃ工程と、
前記電極の位置と前記ビアホールの位置とを合わせて、前記セラミック基板の前記一方の面に前記ポリマー層を介して前記基板本体の前記裏面を接合する第２Ｄ工程と、を含み、
前記第３工程は、前記ビアホール内に露出する前記ポリマー層を除去し、前記ポリマー層に貫通孔を形成して前記電極を露出する第３Ａ工程と、
前記絶縁層が形成された前記ビアホール及び前記貫通孔に導体を充填して前記電極と電気的に接続されたビアフィルを形成するとともに、前記基板本体の前記主面に前記ビアフィルと電気的に接続された配線パターンを形成して、前記ビアフィルと前記配線パターンとを含む前記配線層を形成する第３Ｂ工程と、を含む配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２Ｂ工程は、前記基板本体の前記主面の前記電極に対応する位置に凹部を形成する工程と、
前記基板本体の前記主面並びに前記凹部の内側面及び底面に絶縁層を形成する工程と、
前記基板本体を前記裏面側から研磨して薄型化して前記凹部を貫通させ、前記内側面に前記絶縁層が形成されたビアホールを形成する工程と、を有する請求項１１記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１工程では、前記セラミック基板を複数個準備し、
前記第２工程では、前記基板本体に代えて、主面及び前記主面の反対面である裏面を有し、個片化されると前記基板本体となる複数の領域を有する第１基板を準備し、前記第１基板の前記裏面の前記複数の領域のそれぞれに、ポリマー層を介して前記セラミック基板の前記一方の面を接合し、
前記第３工程では、前記第１基板の前記主面に、前記電極と電気的に接続する配線層を形成し、
前記第３工程の後、前記第１基板の前記複数の領域のそれぞれにポリマー層を介して前記セラミック基板が接合された構造体を前記複数の領域間で切断して個片化し、前記基板本体にポリマー層を介して前記セラミック基板が接合され前記基板本体に前記電極と電気的に接続する前記配線層が形成された複数の配線基板を作製する請求項１１又は１２項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２工程は、主面及び前記主面の反対面である裏面を有し、個片化されると前記基板本体となる複数の領域を有する第１基板を準備する第２Ｅ工程と、
前記第１基板の前記主面に絶縁層を形成するとともに、前記第１基板の前記セラミック基板のそれぞれの前記電極に対応する位置に、内側面に絶縁層が形成されたビアホールを形成する第２Ｆ工程と、
前記セラミック基板のそれぞれの前記一方の面又は前記第１基板の前記裏面にポリマー層を形成する第２Ｇ工程と、
前記セラミック基板のそれぞれの前記電極の位置と、対応する前記ビアホールの位置とを合わせて、前記第１基板の前記裏面の前記複数の領域のそれぞれに、前記ポリマー層を介して前記セラミック基板のそれぞれの前記一方の面を接合する第２Ｈ工程と、を有する請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２Ｆ工程は、前記第１基板の前記主面の前記電極に対応する位置に凹部を形成する工程と、
前記第１基板の前記主面並びに前記凹部の内側面及び底面に絶縁層を形成する工程と、
前記第１基板を前記裏面側から研磨して薄型化して前記凹部を貫通させ、前記内側面に前記絶縁層が形成されたビアホールを形成する工程と、を有する請求項１４記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第３工程は、前記ビアホール内に露出する前記ポリマー層を除去し、前記ポリマー層に貫通孔を形成して前記電極を露出する第３Ｃ工程と、
前記絶縁層が形成された前記ビアホール及び前記貫通孔に導体を充填して前記電極と電気的に接続されたビアフィルを形成するとともに、前記第１基板の前記主面に前記ビアフィルと電気的に接続された配線パターンを形成して、前記ビアフィルと前記配線パターンとを含む前記配線層を形成する第３Ｄ工程と、を有する請求項１４又は１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の前記シリコン基板の前記主面に半導体チップが搭載された半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記裏面は、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して接合され、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、前記ポリマー層を貫通し、前記セラミック基板の前記電極と直接接合されて一体的に設けられていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本配線基板の製造方法は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板を準備する第１工程と、主面及び前記主面の反対面である裏面を有するシリコンからなる基板本体を準備し、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して前記基板本体の前記裏面を接合する第２工程と、前記基板本体の前記主面に、前記電極と電気的に接続する配線層を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程は、主面及び前記主面の反対面である裏面を有するシリコンからなる基板本体を準備する第２Ａ工程と、前記基板本体の前記主面に絶縁層を形成するとともに、前記基板本体の前記電極に対応する位置に、内側面に絶縁層が形成されたビアホールを形成する第２Ｂ工程と、前記セラミック基板の前記一方の面又は前記基板本体の前記裏面にポリマー層を形成する第２Ｃ工程と、前記電極の位置と前記ビアホールの位置とを合わせて、前記セラミック基板の前記一方の面に前記ポリマー層を介して前記基板本体の前記裏面を接合する第２Ｄ工程と、を含み、前記第３工程は、前記ビアホール内に露出する前記ポリマー層を除去し、前記ポリマー層に貫通孔を形成して前記電極を露出する第３Ａ工程と、前記絶縁層が形成された前記ビアホール及び前記貫通孔に導体を充填して前記電極と電気的に接続されたビアフィルを形成するとともに、前記基板本体の前記主面に前記ビアフィルと電気的に接続された配線パターンを形成して、前記ビアフィルと前記配線パターンとを含む前記配線層を形成する第３Ｂ工程と、を含むことを要件とする。