Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を符号化する画像符号化装置であって、
画面内符号化と画面間符号化を用いて、一連の画像を符号化する際に、画像の一部を強制的に画面内符号化（IntraMB）にするリフレッシュエリアを使用し、
リフレッシュエリア内のIntraＭＢは、リフレッシュエリア内の画像のみで予測できる予測モードを選択することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像符号化装置であって、リフレッシュエリア内IntraMBにおいて、リフレッシュエリアの左端に位置するＭＢの量子化値を、リフレッシュエリア内の他のＭＢの量子化値よりも小さくすることを特徴とする画像符号化装置。
【請求項３】
画像を符号化する画像符号化装置であって、
画面内符号化と画面間符号化を用いて一連の画像を符号化する際に、
画像の一部を強制的に画面内符号化（IntraMB）するリフレッシュエリアを使用し、画像内のリフレッシュエリアの位置によって、その画像を符号化する際のスライス構造を変えるように制御することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像符号化装置であって、
符号化を行なう際の画像内の各々のスライスは、リフレッシュエリアに属するMBのみで構成、あるいは、リフレッシュエリアに属さないMBのみで構成することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項５】
請求項３に記載の画像符号化装置であって、各々のスライスを構成する先頭のMBは、画面の先頭MBを除いて、全てリフレッシュエリア内のMBとすることを特徴とする画像符号化装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の画像符号化装置であって、リフレッシュエリアの左に位置するリフレッシュエリア外のＭＢが、ストリームエラーによる情報を参照した予測を行なった場合でも、リフレッシュエリアにそのエラー情報が混入されない事を特徴とする画像符号化装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の画像符号化装置であって、リフレッシュエリアと接するリフレッシュエリア外のＭＢは、画面間符号化と画面内符号化とがランダムに出現することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の画像符号化装置と、入力画像を取得するカメラ撮像部と、音声を取得圧縮する音声取り込み圧縮部と、音声と映像を多重化する多重化部と、多重化データを伝送する伝送部と、伝送データを受信する受信部と、受信データを分離する分離部と、映像を伸張する伸張部と、音声を伸張する伸張部と、映像を表示する表示部を、音声を出力する音声出力部を有する画像伝送装置。
【請求項９】
画像を符号化する画像符号化方法であって、画面内符号化と画面間符号化を用いて、一連の画像を符号化する際に、画像の一部を強制的に画面内符号化（IntraMB）にするリフレッシュエリアを使用し、画像内のリフレッシュエリアの位置によって、その画像を符号化する際のスライス構造を変えることを特徴とする画像符号化方法。
【請求項１０】
請求項9に記載の画像符号化方法であり、符号化を行なう際の画像内の各々のスライスは、リフレッシュエリアに属するMBのみで構成、あるいは、リフレッシュエリアに属さないMBのみで構成することを特徴とする画像符号化方法。
【請求項１１】
請求項9に記載の画像符号化方法であり、各々のスライスを構成する先頭のMBは、画面の先頭MBを除いて、全てリフレッシュエリア内のMBとすることを特徴とする画像符号化方法。
【請求項１２】
画像を符号化する画像符号化方法であって、
画面内符号化と画面間符号化を用いて、一連の画像を符号化する際に、画像の一部を強制的に画面内符号化（IntraMB）にするリフレッシュエリアを使用し、
リフレッシュエリア内のIntraＭＢは、リフレッシュエリア内の画像のみで予測できる予測モードを選択することを特徴とする画像符号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像データをエンコードして映像ストリームを出力するエンコーダと、前記エンコーダから出力された映像ストリームをパケット化するパケット処理部と、を備え、
前記パケット処理部は、所定のＭＢ処理数のパケットを纏めたオリジナルデータ群と、前記オリジナルデータ群と同一データの冗長データを作成し、前記オリジナルデータ群のビット数に応じて、ターゲットビット数を超えないように前記冗長データの挿入回数を制御することを特徴とする映像送信装置。
【請求項２】
入力された映像データをエンコードして映像ストリームを出力するエンコーダと、前記エンコーダから出力された映像ストリームをパケット化するパケット処理部と、を備え、
前記パケット処理部は、所定のＭＢ処理数のパケットを纏めたオリジナルデータ群と、前記オリジナルデータ群データエラーを訂正するための冗長データを作成し、前記オリジナルデータ群のビット数に応じて、ターゲットビット数を超えないように前記冗長データの挿入量を制御することを特徴とする映像送信装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の映像送信装置において、
前記パケット処理部は、さらに映像ストリーム以外のデータをパケット化し多重化する機能を有し、前記オリジナルデータ群のビット数に応じて、挿入するパケットがターゲットビット数を超えない位置に前記映像ストリーム以外のデータを挿入することを特徴とする映像送信装置。
【請求項４】
入力された映像データをエンコードして映像ストリームを出力するエンコーダと、前記エンコーダから出力された映像ストリームをパケット化するパケット処理部と、を備え、
前記パケット処理部は、所定のＭＢ処理数のパケットを纏めたオリジナルデータ群と、前記オリジナルデータ群のデータエラーを訂正するための冗長データを作成し所定のＭＢ処理数の先頭に前記オリジナルデータと前記冗長データを識別する識別パケットを挿入することを特徴とする映像送信装置。
【請求項５】
入力された映像データをエンコードして映像ストリームを出力するエンコーダと、
前記エンコーダから出力された映像ストリームをパケットに変換し、前記パケットを複数纏めてフレームを生成し、前記フレームを伝送路に送信するフレーム送信部と、を備え、
前記フレーム送信部は、１フレーム毎に前記生成したフレームと同一フレームの冗長データまたはデータエラーを訂正するための冗長データのどちらか一方を作成することを特徴とする映像送信装置。
【請求項６】
請求項５に記載の映像送信装置において、前記フレーム送信部は、さらにオリジナルデータと冗長データを識別する識別パケットを挿入する機能を持っており、所定ＭＢ処理数の先頭に識別パケットを挿入することを特徴とする映像送信装置。
【請求項７】
請求項５に記載の映像送信装置において、前記フレーム送信部は、さらにスタッフィングデータを挿入する機能を持っており、所定のＭＢ処理数毎に前記フレームで送信できるビット数にアラインメントとする分のスタッフィングデータを挿入することを特徴とする映像送信装置。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれかに記載の映像送信装置において、前記フレーム送信部は所定のＭＢ処理数毎のビット数に応じて、ターゲットビット数を超えないように冗長データの挿入回数を制御することを特徴とする映像送信装置。
【請求項９】
請求項５ないし８のいずれかに記載の映像送信装置から送信されたデータを
伝送路を介して受信したデータを映像ストリームに変換するフレーム受信部を備え、
前記フレーム受信部は、エラーにより損失したフレームがあった場合、他の同一映像ストリームを持つ冗長データのフレームよりデータを補間することを特徴とする映像受信装置。
【請求項１０】
請求項５ないし８のいずれかに記載の映像送信装置と請求項９に記載の映像受信装置の両方を備えることを特徴とする映像伝送システム。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれかに記載の映像送信装置において、さらに暗号化部を備え、伝送路にデータを出力する際に暗号化を施してデータを出力することを特徴とする映像送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、例えば、特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送映像信号あるいは放送音声信号を含むデジタル放送信号を受信するデジタル放送受信装置であって、
前記デジタル放送信号は、緊急地震情報を含む放送に関する付加情報信号とともに伝送された信号であり、
前記デジタル放送信号と前記付加情報信号とを受信する受信部と、
前記受信部で受信された前記デジタル放送信号を復調する第1の復調部と、
前記受信部で受信された前記付加情報信号を復調する第２の復調部と、
前記第２の復調部で復調された前記付加情報信号から前記緊急地震情報を検出する緊急地震情報検出部と、
前記第１の復調部で復調されたデジタル放送信号を出力する出力部と、
前記緊急地震情報検出部で検出された緊急地震情報が、緊急地震速報が発報されたことを示している場合に、前記出力部は緊急地震速報が発報されたことを示す情報を出力するように制御する制御部と、
を備えることを特徴とするデジタル放送受信装置。
【請求項２】
放送映像信号あるいは放送音声信号を含むデジタル放送信号を受信するデジタル放送受信方法であって、
前記デジタル放送信号は、緊急地震情報を含む放送に関する付加情報信号とともに伝送された信号であり、
前記デジタル放送信号と前記付加情報信号とを受信する受信ステップと、
前記受信ステップで受信された前記デジタル放送信号を復調する第１の復調ステップと、
前記受信ステップで受信された前記付加情報信号を復調する第２の復調ステップと、
前記第２の復調ステップで復調された前記付加情報信号から前記緊急地震情報を検出する緊急地震情報検出ステップと、
前記第１の復調ステップで復調されたデジタル放送信号を出力する出力ステップと、を有し、
前記出力ステップでは、前記緊急地震情報検出ステップで検出された緊急地震情報が、緊急地震速報が発報されたことを示している場合に、緊急地震速報が発報されたことを示す情報を出力することを特徴とするデジタル放送受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と一体的に形成され、前記配線層から前記絶縁樹脂層の側に突出している突起部と、
前記突起部と電気的に接続された素子電極が形成されている半導体素子と、
前記絶縁樹脂層の他方の主表面の上に設けられ、少なくとも前記半導体素子が露出するような開口部が設けられた支持部材と、
前記支持部材の上に設けられた封止部材と、
を備え、
前記支持部材の内壁と半導体素子の側面との間に、間隔が設けられており、前記開口部内の空間が前記封止部材によって気密封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子が前記突起部の上に設けられている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起部の頂部面の少なくとも一部が、前記開口部の近傍の前記支持部材の下面と重畳している請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持部材は、前記絶縁樹脂層の主表面に対して傾斜した内壁面を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子はレーザ素子であり、前記封止部材は透光性を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記レーザ素子から出射されたレーザ光が前記支持部材の内壁面または、当該内壁面に設けられた膜で反射して、前記封止部材を透過する請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補正電流の時間変化を与える第１時定数回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流量を与える第２時定数回路とを含んで構成された第１ＲＣ時定数回路を備え、面発光型の半導体レーザをパルス駆動する電流源から出力された電流パルスの波形を、前記第１ＲＣ時定数回路を用いて前記半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する
補正回路。
【請求項２】
前記電流パルスの波形を、前記電流パルスの波高値が前記第１ＲＣ時定数回路のＲＣ時定数に応じて経時的に飽和するように補正する
請求項１に記載の補正回路。
【請求項３】
前記第１時定数回路および前記第２時定数回路のＲＣ時定数は、１μｓｅｃ以上３μｓｅｃ以下の範囲内の値となっている
請求項１または請求項２に記載の補正回路。
【請求項４】
前記半導体レーザは、一対の多層膜反射鏡で活性層を挟み込んだ垂直共振器構造を有し、
当該補正回路は、前記電流パルスの波形を、前記電流パルスの波高値が前記活性層の温度変動に対応して変動するように補正する
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の補正回路。
【請求項５】
当該補正回路は、前記最大電流量を、前記半導体レーザの周囲温度、駆動電流および温度変動に応じて変化させる
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の補正回路。
【請求項６】
前記電流パルスの波高値を経時的に減衰させる複数の第３時定数回路を含む第２ＲＣ時定数回路を備え、前記電流源から出力された電流パルスの波形を、前記第１ＲＣ時定数回路および前記第２ＲＣ時定数回路を用いて前記半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の補正回路。
【請求項７】
各第３時定数回路のＲＣ時定数は、互いに異なっており、
前記複数の第３時定数回路のうち少なくとも１つの時定数回路である第４時定数回路のＲＣ時定数は、２０ｎｓｅｃ以上５０ｎｓｅｃ以下の範囲内の値となっており、
前記複数の第３時定数回路のうち前記第４時定数回路以外の時定数回路である１または複数の第５時定数回路のＲＣ時定数は、５０ｎｓｅｃを超える値となっている
請求項６に記載の補正回路。
【請求項８】
前記第２ＲＣ時定数回路は、前記電流パルスの波高値のピークを調整する複数の第６時定数回路を含み、
各第６時定数回路のＲＣ時定数は、互いに異なっており、
前記複数の第６時定数回路のうち少なくとも１つの時定数回路である第７時定数回路のＲＣ時定数は、２０ｎｓｅｃ以上５０ｎｓｅｃ以下の範囲内の値となっており、
前記複数の第６時定数回路のうち前記第７時定数回路以外の時定数回路である１または複数の第８時定数回路のＲＣ時定数は、５０ｎｓｅｃを超える値となっている
請求項７に記載の補正回路。
【請求項９】
前記活性層は、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを含み、
前記活性層の発光波長と前記垂直共振器構造の発振波長との差分である波長デチューニングが、１５ｎｍ以上となっている
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の補正回路。
【請求項１０】
前記活性層は、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓを含み、
前記活性層の発光波長と前記垂直共振器構造の発振波長との差分である波長デチューニングが、１３ｎｍ以上となっている
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の補正回路。
【請求項１１】
面発光型の半導体レーザをパルス駆動する電流源と、
補正電流の時間変化を与える第１時定数回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流量を与える第２時定数回路とを含んで構成された第１ＲＣ時定数回路を有し、面発光型の半導体レーザをパルス駆動する電流源から出力された電流パルスの波形を、前記第１ＲＣ時定数回路を用いて前記半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する補正回路と
を備えた駆動回路。
【請求項１２】
１または複数の面発光型の半導体レーザと、
前記半導体レーザをパルス駆動する電流源と、
補正電流の時間変化を与える第１時定数回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流量を与える第２時定数回路とを含んで構成された第１ＲＣ時定数回路を有し、面発光型の半導体レーザをパルス駆動する電流源から出力された電流パルスの波形を、前記第１ＲＣ時定数回路を用いて前記半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する補正回路と
を備えた発光装置。
【請求項１３】
面発光型の半導体レーザをパルス駆動する電流源から出力された電流パルスの波形を、補正電流の時間変化を与える第１時定数回路と、補正電流の初期値に相当する各パルス開始時の最大電流量を与える第２時定数回路とを含んで構成された第１ＲＣ時定数回路を含む補正回路を用いて、前記半導体レーザの光出力のパルス波形が矩形に近づくように補正する
電流パルス波形の補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このドループを補正する方法として、例えば、特許文献２に記載されているようなものがある。特許文献２の段落００３８などには、「発熱量は、レーザ発光の有無よりも、流す電流に依存する傾向が大きいので、バイアス電流を流し続けている場合には、光量は、発光区間がとぎれとぎれであっても、同じような包絡線を描いて減少する」と記載されており、特許文献２に記載の発明では、この思想に基づいた補正が行われている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
そして、単位画素１２０Ａでは、フォトダイオード１２１とメモリ部１２３との境界部分に形成されている第１転送ゲート１２２が設けられた領域に、所定量を超える信号電荷をフォトダイオード１２１からメモリ部１２３に自動的に排出するオーバーフローパス１３０が形成されている。ここで、第１転送ゲート１２２のゲート電極１２２Ａには、ゲート電極１２２Ａ下部のシリコン表面にホール（Hole）が蓄積するために必要な十分な負の電圧が印加されているものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
単位画素１２０Ｈ−２は、図２の単位画素１２０Ａの構成に、浮遊拡散領域１２５と同様のメモリ部１２３が設けられた構成となっている。即ち、単位画素１２０Ｈ−２では、第１転送ゲート１２２のゲート電極１２２Ａがフォトダイオード１２１とメモリ部１２３の境界のＰ型ウェル層１３２の上部に設けられている。また、単位画素１２０Ｈ−２では、メモリ部１２３が浮遊拡散領域１２５と同様のＮ型層１４０によって形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
単位画素１２０Ｈ−２では、メモリ部１２３のＮ型層１４０がグローバル露光動作を行う場合の電荷保持領域となる。単位画素１２０Ｈ−２では、第１転送ゲート１２２に、不純物拡散領域１３７を形成することによりオーバーフローパス１３０を設けるとともに、不純物拡散領域１３７の直下に不純物拡散領域１３８を設けることで、本発明を適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
単位画素１２０Ａはさらに、フォトダイオード１２１の蓄積電荷を排出するための電荷排出部１２９を有している。この電荷排出部１２９は、露光開始時にゲート電極１２９Ａに制御パルスＡＢＧが印加されることで、フォトダイオード１２１の電荷をＮ型層のドレイン部１３６（Ｎ＋）に排出する。電荷排出部１２９はさらに、露光終了後の読み出し期間中にフォトダイオード１２１が飽和して電荷が溢れるのを防ぐ作用をなす。ドレイン部１３６には、所定の電圧ＶＤＡが印加されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
従って、完全転送の転送特性を安定させるためには、例えば、ゲート電極２２Ａを形成した後にフォトダイオード２１のイオン注入を行うセルフアラインが効果的である。しかしながら、その場合には、不純物拡散領域ＯＦＢを形成した後にフォトダイオード２１のイオン注入を行うことになり、ゲート電極２２Ａと不純物拡散領域ＯＦＢとのマスク合わせズレによって、不純物拡散領域ＯＦＢの不純物濃度が変動することになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
第１の工程において、Ｐ型ウェル層１３２に埋め込みチャネル１３５が形成された基板の表面に、レジスト１６０−１が形成される。レジスト１６０−１は、図３の平面図に示したように、第１転送ゲート１２２の一部に中間転送経路１４０を形成するためのものであり、中間転送経路１４０に対応する領域が開口している。また、レジスト１６０−１の開口部は、埋め込みチャネル１３５側に若干重なるように形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
［第２の実施の形態］
次に、図１２および図１３を参照して、第２の実施の形態における単位画素１２０Ｂについて説明する。図１２Ａは、単位画素１２０Ｂの構成を示す平面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの矢印Ｚ−Ｚ’に沿った単位画素１２０Ｂの断面図である。また、図１３には、完全転送経路１５０を通過する図１２の矢印Ｘ−Ｘ’に沿ったポテンシャル状態（図１３Ａ）と、中間転送経路１４０を通過する図１２の矢印Ｙ−Ｙ’に沿ったポテンシャル状態（図１３Ｂ）とが示されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
［第２の実施の形態における第１の変形例］
次に、図１４を参照して、第２の実施の形態である単位画素１２０Ｂにおける第１の変形例である単位画素１２０Ｂ−１について説明する。図１４Ａは、単位画素１２０Ｂ−１の構成を示す平面図であり、図１４Ｂは、図１４Ａに示されている矢印Ｚ−Ｚ’に沿った単位画素１２０Ｂ−１の断面図である。なお、図１４に示されている矢印Ｘ−Ｘ’および矢印Ｙ−Ｙ’に沿った単位画素１２０Ａ−１のポテンシャル状態は、図１３に示した単位画素１２０Ｂのポテンシャル状態と同様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
［第３の実施の形態における第１の変形例］
次に、図１７を参照して、第３の実施の形態である単位画素１２０Ｃにおける第１の変形例である単位画素１２０Ｃ−１について説明する。図１７には、図１５に示した矢印Ｚ−Ｚ’に対応する単位画素１２０Ｃ−１の断面の構成例が示されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
［第３の実施の形態における第６の変形例］
次に、図２２は、第３の実施の形態である単位画素１２０Ｃにおける第６の変形例である単位画素１２０Ｃ−６の断面図である。図２２に示すように、単位画素１２０Ｃ−６では、浮遊拡散領域１２５および増幅トランジスタ１２７が、閾値変調型の素子を用いて構成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
第４の工程において、図２９Ａに示すように、レジスト１６０−３を形成して、フォトダイオード１２１を作製するために、ＡｓまたはＰをイオン注入する。このとき、フォトダイオード１２１が形成される領域がＮ型になるとともに、フォトダイオード１２１側に凸形状に形成された不純物拡散領域１４９の中央の一部において、ＡｓまたはＰで打ち返されてＰ−（またはＮ−）になり、不純物拡散領域１４２が形成される。このときのイオン注入のピーク濃度は数ｎｍで制御できるため、マスクの位置合わせを制御するよりもバラツキの少ないポテンシャル・バリアを形成することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
第６の工程において、レジスト１６０−３を剥離させ、ゲート電極１２２Ａに配線を接続して、単位画素１２０Ｄ−１の構造が完成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
また、単位画素１２０Ｅ−２および単位画素１２０Ｅ−３の中間転送経路１４０と完全転送経路１５０とについて、実効チャネル長、実効チャネル幅、およびチャネル濃度の関係は、図３０の単位画素１２０Ｅと同様である。このように構成されている単位画素１２０Ｅ−１および単位画素１２０Ｅ−３では、単位画素１２０Ｅや単位画素１２０Ｅ−２などと比較して、フォトダイオード１２１とメモリ部１２３の面積は低下するが、中間転送経路１４０を形成する時のリソグラフィの合わせバラツキに対する特性バラツキを、さらに低減させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
単位画素１２０Ｆ−２は、図２の単位画素１２０Ａの構成に、浮遊拡散領域１２５と同様のメモリ部１２３が設けられた構成となっている。即ち、単位画素１２０Ｆ−２では、第１転送ゲート１２２のゲート電極１２２Ａがフォトダイオード１２１とメモリ部１２３の境界のＰ型ウェル層１３２の上部に設けられている。また、単位画素１２０Ｆ−２では、メモリ部１２３が浮遊拡散領域１２５と同様のＮ型層２３８によって形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を収容した電池外装体と、接続対象物を電池外装体内の電極に対して電気的に接続するための端子構造体とを備え、前記端子構造体は、電極に電気的に接続されて電池外装体の内部に配置された集電体と、外部端子が取り付けられて電池外装体の外部に配置された接続杆と、接続杆と電池外装体との間に介装された絶縁パッキンとを備え、接続杆における外部端子の取付位置と異なる位置が電池外装体に挿通したリベットを介して電池外装体に固定されるとともに集電体に電気的に接続された電池において、電池外装体の外面上又は絶縁パッキンの前記電池外装体の外面と対向する対向面上の何れか一方には、凹部が形成され、電池外装体の外面上又は絶縁パッキンの前記電池外装体の外面と対向する対向面上の何れか他方には、前記凹部に嵌合する凸部が形成されていることを特徴とする電池。
【請求項２】
前記凹部及び凸部は、前記対向面と直交する方向から見て外形が多角形状に形成され、凹部の内周面上にある平面部と凸部の外周面上にある平面部とが接触又は略接触するように前記凹部に凸部が嵌合されている請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記絶縁パッキンは、リベットによる電池外装体に対する固定位置から離れた位置に、リベットの軸線と交差する方向で接続杆が接触可能な回転規制部を備えている請求項１又は２に記載の電池。
【請求項４】
前記外部端子は、接続杆に対して電池外装体の外面と対向する面側から挿通されたボルトの雄ネジ部で構成され、前記絶縁パッキンは、前記ボルトの頭を収容するボルト収容凹部が形成されるとともに該ボルト収容凹部の反対側が膨出して前記凸部が形成され、前記電池外装体の外面に前記凸部が嵌合する凹部が形成されている請求項１乃至３の何れか１項に記載の電池。
【請求項５】
前記接続杆は、平板状である請求項４に記載の電池。
【請求項６】
前記電池外装体は、前記凹部又は凸部が一体的に成形されている請求項１乃至５の何れか１項に記載の電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして、外部端子をボルトの雄ネジ部で構成すると、該ボルトの頭が絶縁パッキンと接続杆との間に介在し、絶縁パッキンと接続杆との間隔が広くなる結果、ケーブル等を外部端子に接続するときの力の作用でリベットに対して曲げ作用（モーメント）が生じ、該リベット或いは該リベットと接続杆との連結部分等を破損させる可能性が高くなるが、上記構成の電池は、ボルトの頭がボルト収容凹部に収容され、該ボルト収容凹部の反対側で膨出した凸部が電池外装体の凹部に嵌合された状態になっているため、接続杆と絶縁パッキンとの間隔を最小限の間隔にすることができ、ケーブル等を外部端子に接続するときの力の作用で生じるリベットに対する曲げ作用を小さくすることができる。従って、絶縁パッキンの回転を防止できる上に、リベット及びその近傍での破損を防止することができる。
また、この場合、前記接続杆は、平板状であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
すなわち、通常の場合、外部端子３１ａをボルト３１の雄ネジ部３１ａで構成すると、該ボルト３１の頭部３１ｂが外側絶縁パッキン３４と接続杆３２との間に介在し、外側絶縁パッキン３４と接続杆３２との間隔が広くなる結果、バスバーＢを外部端子３１ａに接続するときの外力の作用でリベット３３に対して曲げ作用（モーメント）が生じ、該リベット３３又は該リベット３３と接続杆３２との連結部３０１分、或いは、リベット３３と集電体３０との連結部３０１分を破損させる可能性が高くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
上記実施形態において、外部端子３１ａとなるボルト３１に六角ボルトを採用するのに合わせて、ボルト収容凹部３４４の外形をボルト３１の頭部３１ｂに対応させて六角形状に形成することで、該ボルト収容凹部３４４の内周面上の平面部でボルト３１の回り止めを達成するようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、ボルト３１の頭部３１ｂを三角形状や四角形状の多角形状に形成し、これに合わせてボルト収容凹部３４４の外形をボルト３１の頭部３１ｂの外形を三角形状や四角形状等の多角形状に形成し、頭部３１ｂの外周面上の平面部とボルト収容凹部３４４の内周面上の平面部とが接触又は略接触するようにボルト３１の頭部３１ｂをボルト収容凹部３４４内に収容するようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様にボルト３１の回り止めを達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、蓋体と、発光素子と、を有し、
前記基板と前記蓋体とは接着されており、
前記基板と前記蓋体との間には不活性気体が充填されており、
前記蓋体には不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板と前記蓋体との間に、乾燥剤または酸素吸蔵物質を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記不活性元素は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の濃度で含まれることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
基板上に発光素子を形成し、
蓋体に不活性元素を添加し、
不活性雰囲気中で、前記基板と前記蓋体とを貼り合わせることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記不活性元素は、ドーピング法により加速電圧０．５ｋＶ以上２５０ｋＶ以下で添加されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
酸化物半導体層（多孔質の酸化物半導体層）を構成する材料として、一般に光電変換材料に使用される材料を挙げることができる。そして、酸化物半導体層を色素増感半導体から構成する場合、酸化物半導体層は、典型的には、色素（増感色素）を担持した半導体微粒子から成る。半導体微粒子を構成する材料として、シリコン（Ｓｉ）に代表される半導体材料の他、各種の化合物半導体材料、ペロブスカイト構造を有する化合物等を挙げることができる。これらの半導体は、光励起下で伝導帯電子がキャリアとなり、アノード電流を与えるｎ型半導体であることが好ましい。これらの半導体として、具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化タリウム（Ｔａ2Ｏ5）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ホスホニウム（Ｈｏ2Ｏ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｂｉ2Ｓ3等の半導体化合物を挙げることができ、これらの中でも、アナターゼ型のＴｉＯ2が特に好ましい。但し、半導体はこれらに限定されるものではなく、また、これらを２種類以上混合して用いることもできる。半導体微粒子は、粒子状、針状、チューブ状、鱗片状、球状、棒状等、必要に応じて様々な形状、形態を取ることが可能である。半導体微粒子の粒径に特に制限はなく、一次粒子の平均粒径で１×１０-9ｍ乃至２×１０-7ｍが好ましく、特に好ましくは５×１０-9ｍ乃至１×１０-7ｍである。また、このような平均粒径の半導体微粒子に大きな平均粒径の半導体微粒子を混合し、平均粒径の大きな半導体微粒子によって入射光を散乱させ、量子収率を増加させることも可能である。この場合、平均粒径の大きな半導体微粒子の平均粒径は２×１０-8ｍ乃至５×１０-7ｍであることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
酸化物半導体層に担持（吸着）されて光増感剤として機能する色素として、可視光領域及び／又は赤外光領域に吸収を有する周知の種々の化合物を挙げることができ、有機色素、金属錯体色素等を使用することができる。有機色素として、例えば、アゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素（例えば、メロシアニン、キノシアニン、クリプトシアニン等）、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素（例えば、ローダミンＢ、ローズベンガル、エオシン、エリスロシン等）、ポリフィリン系色素、フタロシアニン系色素、クマリン系化合物、ペリレン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素、アクリジン系色素、フェニルキサンテン系色素、アントラキノン系色素、塩基性染料（例えば、フェノサフラニン、カプリブルー、チオシン、メチレンブルー等）、ポルフィリン系化合物（例えば、クロロフィル、亜鉛ポルフィリン、マグネシウムポルフィリン等）を挙げることができる。金属錯体色素として、例えば、ルテニウムビピリジン系金属錯体色素、ルテニウムターピリジン系金属錯体色素、ルテニウムクォーターピリジン系金属錯体色素等のルテニウム系金属錯体色素を挙げることができる。これらの色素を２種類以上混合して用いてもよい。酸化物半導体層に色素を強固に担持（吸着）させるためには、色素分子中に、カルボキシ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基、ホスホニル基等のインターロック基を有するものが好ましく、これらの中でもカルボキシ基（ＣＯＯＨ基）を有するものが特に好ましい。一般に、インターロック基は、酸化物半導体層を構成する材料の表面へ色素を吸着・固定させる機能を有し、励起状態の色素と酸化物半導体層の伝導帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
酸化物半導体層５の幅をＤ、透明導電層２の線抵抗率を１０Ω／ｃｍ、ｄ2を０．２５ｍｍ、ｉ（平均発電電流であり、実験値）を２５０（アンペア／ｍ2）、Ｐgen*を１００（ワット／ｍ2）とおくと、ｄ1＝（Ｄ／２）であるので、出力（ワット／ｍ2）は式（６）から、
Ｐcell＝（Ｄ／（Ｄ＋０．５））｛１００−０．０２６０４Ｄ2｝
によって与えられる。図１４の（Ａ）は、酸化物半導体層５の幅（Ｄ）をパラメータとしたときの、この式を用いて求めた出力（ワット／ｍ2）を示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
一方、比較例１Ｂでは、式（６）において、酸化物半導体層５の幅をＤ、透明導電層２の線抵抗率を１０Ω／ｃｍ、ｄ2を０．４ｍｍ、ｉ（平均発電電流であり、実験値）を２５０（アンペア／ｍ2）、Ｐgen*を１００（ワット／ｍ2）とおくと、ｄ1＝Ｄであるので、出力（ワット／ｍ2）は、
Ｐcell＝（Ｄ／（Ｄ＋０．４））｛１００−０．１０４１７Ｄ2｝
によって与えられる。図１４の（Ｂ）は、酸化物半導体層５の幅（Ｄ）をパラメータとしたときの、この式を用いて求めた出力（ワット／ｍ2）を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、
該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、
該成膜工程を、硫黄酸化物濃度が２．２μｇ／ｍ３以下、且つ酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、
該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、
該成膜工程を、窒素酸化物濃度が３．１μｇ／ｍ３以下、且つ酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、
該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、
該成膜工程が、酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下、且つ下記（１）〜（３）の少なくとも２つを満たす環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
（１）二酸化炭素濃度が０．７ｇ／ｍ３以下
（２）硫黄酸化物濃度が２．２μｇ／ｍ３以下
（３）窒素酸化物濃度が３．１μｇ／ｍ３以下
【請求項４】
陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、
該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、
該成膜工程が、酸素濃度が１８〜２２体積％で、絶対湿度が１５ｇ／ｋｇ（ＤＡ）以下の環境下、且つ下記（２）及び（３）の少なくとも１つを満たす環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
（２）硫黄酸化物濃度が２．２μｇ／ｍ３以下
（３）窒素酸化物濃度が３．１μｇ／ｍ３以下
【請求項５】
前記成膜工程及び乾燥工程を経て得られる層が、発光層であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記成膜工程及び乾燥工程を経て得られる層が、正孔輸送層であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記有機電界発光素子材料が、有機金属錯体、芳香族アミン系化合物、及びアントラセン誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法で製造されたことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ＥＬ照明、及び有機ＥＬ表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第一の要旨は、陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、該成膜工程を、硫黄酸化物濃度が２．２μｇ／ｍ３以下、且つ酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下で行うことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、に存する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第二の要旨は、陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、該成膜工程を、窒素酸化物濃度が３．１μｇ／ｍ３以下、且つ酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下で行うことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、に存する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第三の要旨は、陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、該成膜工程が、酸素濃度が１８〜２２体積％の環境下、且つ下記（１）〜（３）の少なくとも２つを満たす環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法、に存する。
（１）二酸化炭素濃度が０．７ｇ／ｍ３以下
（２）硫黄酸化物濃度が２．２μｇ／ｍ３以下
（３）窒素酸化物濃度が３．１μｇ／ｍ３以下
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第四の要旨は、陽極と陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法において、該有機層に含まれる少なくとも一層を形成する工程が、有機電界発光素子材料及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で膜形成する成膜工程と、成膜された膜を乾燥する乾燥工程とを含む方法であって、該成膜工程が、酸素濃度が１８〜２２体積％で、絶対湿度が１５ｇ／ｋｇ（ＤＡ）以下の環境下、且つ上記（２）及び（３）の少なくとも１つを満たす環境下で行うことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法、に存する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体に光を照射することにより発生する音響波を受信して電気信号に変換する音響波変換部と、
前記電気信号と、前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する処理部と、
を有することを特徴とする被検体情報取得装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体に照射された光の前記被検体の表面における光量分布又は照度分布を決定し、
前記被検体の形状と、前記被検体の表面における光量分布又は照度分布と、前記電気信号とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得することを特徴とする請求項１に記載の被検体情報取得装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記被検体の形状と、前記被検体の表面における光量分布又は照度分布にと基づいて、前記被検体の内部の光量分布を決定し、
前記被検体の内部の光量分布と、前記電気信号とに基づき、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得することを特徴とする請求項２に記載の被検体情報取得装置。
【請求項４】
前記被検体の形状を測定する測定部を更に有し、
前記処理部は、前記測定部によって前記被検体の形状を決定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記電気信号から前記被検体の形状を決定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記電気信号から画像データを取得し、前記画像データから前記被検体の形状を決定することを特徴とする請求項５に記載の被検体情報取得装置。
【請求項７】
前記被検体の形状を規定する規定部材を更に有し、
前記処理部は、前記規定部材に基づいて前記被検体の形状を決定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記被検体の表面における光量分布データ又は照度分布データを複数保持し、
前記被検体の形状に基づいて、前記複数の前記被検体の表面における光量分布データ又は照度分布データから一つを選択することにより、前記被検体の表面における照度分布を取得することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項９】
前記光を発する光源を更に有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項１０】
表示部を更に有し、
前記処理部は、前記光学特性値分布に基づいた画像を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の被検体情報取得装置。
【請求項１１】
被検体に光を照射することにより発生する音響波を受信して電気信号に変換する工程と、
前記電気信号と、前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程と、
を有することを特徴とする被検体情報取得方法。
【請求項１２】
前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程は、
前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体に照射された光の前記被検体の表面における光量分布又は照度分布を決定する工程と、
前記被検体の形状と、前記被検体の表面における光量分布又は照度分布と、前記電気信号とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程とを備えることを特徴とする請求項１１に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１３】
前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程は、
前記被検体の形状と、前記被検体の表面における光量分布又は照度分布にと基づいて、前記被検体の内部の光量分布を決定する工程と、
前記被検体の内部の光量分布と、前記電気信号とに基づき、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程とを備えることを特徴とする請求項１２に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１４】
前記被検体の形状を測定する工程を更に有することを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１５】
前記電気信号から前記被検体の形状を決定する工程を更に有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１６】
前記電気信号から前記被検体の形状を決定する工程は、
前記電気信号から画像データを取得する工程と、
前記画像データから前記被検体の形状を決定する工程とを備えることを特徴とする請求項１５に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１７】
前記被検体の形状を規定する工程を更に有することを特徴とする請求項１１から１６のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１８】
前記被検体の表面における照度分布を、前記被検体の形状に基づいて、複数の前記被検体の表面における光量分布のデータ又は照度分布のデータから選択する工程を更に有することを特徴とする請求項１１から１７のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法。
【請求項１９】
前記光学特性値分布に基づいた画像を表示部に表示する工程を更に有することを特徴とする請求項１１から１８のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法。
【請求項２０】
請求項１１から１９のいずれか１項に記載の被検体情報取得方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】被検体情報取得装置、被検体情報取得方法、および被検体情報取得方法を実行するためのプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被検体情報取得装置、被検体情報取得方法および被検体情報取得方法を実行するためのプログラムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、被検体に光を照射することにより発生する音響波を受信して電気信号に変換する音響波変換部と、前記電気信号と、前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する処理部と、を有することを特徴とする被検体情報取得装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
被検体に光を照射することにより発生する音響波を受信して電気信号に変換する工程と、前記電気信号と、前記被検体の形状と、前記被検体を照射する光の強度分布とに基づいて、前記被検体の内部の光学特性値分布を取得する工程と、を有することを特徴とする被検体情報取得方法。