【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、前記回路基板に固定されたリードフレームと、前記リードフレームの上面に搭載された少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）と、前記リードフレームの前記上面に搭載された複数の能動光学デバイスとを含み、１つ以上のアライメントおよびインターロック機構を有する電気サブアセンブリ（ＥＳＡ）と、
複数の光ファイバの端部と前記リードフレームの前記上面に搭載された前記能動光学デバイスとの間に光信号を導く複数の光学要素を有する光サブアセンブリ（ＯＳＡ）であって、前記ＥＳＡと前記光サブアセンブリ（ＯＳＡ）とが互いに機械的に結合されることを可能にするため前記ＥＳＡのアライメントおよびインターロック機構と位置合わせされ、結合されるように構成された１つ以上のアライメントおよびインターロック機構を有する光サブアセンブリ（ＯＳＡ）と、
前記ＯＳＡに機械的に結合され、高熱伝導性の材料を含む放熱システムであって、前記ＯＳＡと前記ＥＳＡとが前記リードフレームから前記放熱システムへ熱が移されることを可能にするため互いに機械的に結合されたとき、前記ＥＳＡの前記リードフレームの前記上面と熱的に結合される少なくとも１つの面を有し、前記リードフレームから前記並列光トランシーバモジュールの前記放熱システムへ移された熱が外部の放熱システムへ移されることを可能にするため、前記並列光トランシーバモジュールの外部にある放熱システムと熱的に結合されるように構成されている放熱システムと、
を備えている並列光トランシーバモジュール。
【請求項２】
前記並列光トランシーバモジュールの前記放熱システムが、前記ＯＳＡの第１および第２の側面にそれぞれ機械的に結合された少なくとも第１および第２のヒートブロックを含み、前記ＥＳＡと前記ＯＳＡとが互いに機械的に結合されたときに、前記第１および第２のヒートブロックの下面が前記ＥＳＡのリードフレームの前記上面と熱的に結合される、請求項１に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項３】
前記ＥＳＡと前記ＯＳＡとの機械的結合と、前記放熱システムと前記ＯＳＡとの機械的結合とが、微粒子および機械的ハンドリング力から前記複数の能動光学デバイスおよび前記少なくとも１つのＩＣを保護する、前記複数の能動光学デバイスおよび前記少なくとも１つのＩＣの封止を行う、請求項１に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項４】
前記複数の能動光学デバイスが複数のレーザダイオードに対応し、前記少なくとも１つのＩＣが、前記複数のレーザダイオードのうちの対応する１つを駆動する複数のレーザダイオードドライバＩＣを含む、請求項１に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項５】
前記複数の能動光学デバイスが複数のフォトダイオードに対応し、前記少なくとも１つのＩＣがレシーバＩＣを含む、請求項１に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項６】
前記複数の能動光学デバイスが複数のレーザダイオードおよび複数のフォトダイオードを含み、前記少なくとも１つのＩＣが、前記レーザダイオードを駆動する少なくとも１つのレーザダイオードドライバＩＣと、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を受信し処理する少なくとも１つのレシーバＩＣとを含む、請求項１に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項７】
前記第１および第２のヒートブロックの前記下面が熱伝導性エポキシによって前記ＥＳＡのリードフレームの前記上面と熱的に結合される、請求項２に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項８】
前記第１および第２のヒートブロックが結合される前記ＯＳＡの前記第１および第２の側面が、互いに対向していて、前記第１および第２のヒートブロックは、前記ＯＳＡに結合されたとき、互いに対向する、請求項２に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項９】
前記第１および第２のヒートブロックが銅またはアルミニウムを含む、請求項２に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項１０】
前記第１および第２のヒートブロックが、前記ＯＳＡのハウジングを形成するための成形処理中に使用されるプラスチックの一部によって前記ＯＳＡに機械的に結合される、請求項２に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項１１】
前記第１および第２のヒートブロックが、それぞれ中に形成された第１および第２の開口部を有し、前記ヒートブロックを前記ＯＳＡに機械的に結合するプラスチックの一部は、前記成形処理中に前記第１および第２の開口部に流れ込んで前記プラスチックが冷えるときに硬化するプラスチックの一部である、請求項１０に記載の並列光トランシーバモジュール。
【請求項１２】
並列光トランシーバモジュールにおける放熱方法であって、
回路基板と、該回路基板に固定されたリードフレームと、該リードフレームの上面に搭載された少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）と、前記リードフレームの前記上面に搭載された複数の能動光学デバイスとを含む電気サブアセンブリ（ＥＳＡ）を用意するステップと、
複数の光ファイバの端部と前記リードフレームの前記上面に搭載された前記能動光学デバイスとの間に光信号を導く複数の光学要素を有する光サブアセンブリ（ＯＳＡ）を用意するステップと、
熱伝導性の材料を含み、前記ＯＳＡに機械的に結合されるように構成されている放熱システムを用意するステップと、
前記放熱システムを前記ＯＳＡに機械的に結合するステップと、
前記ＯＳＡを前記ＥＳＡに機械的に結合するステップと、
を含み、
前記放熱システムは、前記ＯＳＡと前記ＥＳＡとが前記リードフレームから前記放熱システムへ熱が移されることを可能にするために結合されたとき、前記ＥＳＡのリードフレームの前記上面と熱的に結合される少なくとも１つの面を有し、前記放熱システムは、前記リードフレームから前記並列光トランシーバモジュールの前記放熱システムへ移された熱が外部の放熱システムへ移されることを可能にするため、前記並列光トランシーバモジュールの外部にある放熱システムと熱的に結合されるように構成されている、方法。
【請求項１３】
前記並列光トランシーバモジュールの放熱システムが、前記ＯＳＡの第１および第２の側面にそれぞれ機械的に結合された少なくとも第１および第２のヒートブロックを含み、前記ＥＳＡと前記ＯＳＡとが互いに機械的に結合されたときに、前記第１および第２のヒートブロックの下面が前記ＥＳＡのリードフレームの前記上面と熱的に結合される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＥＳＡと前記ＯＳＡとの機械的結合と、前記放熱システムと前記ＯＳＡとの機械的結合とが、微粒子および機械的ハンドリング力から前記複数の能動光学デバイスおよび前記少なくとも１つのＩＣを保護する、前記複数の能動光学デバイスおよび前記少なくとも１つのＩＣの封止を行う、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記並列光トランシーバモジュールの前記放熱システムから前記外部の放熱システムへ熱が移されることを可能にするため、前記並列光トランシーバモジュールの前記放熱システムを外部の放熱システムに熱的に結合するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の能動光学デバイスが複数のレーザダイオードに対応し、前記少なくとも１つのＩＣが、レーザダイオードのうちの対応する１つを駆動する複数のレーザダイオードドライバＩＣを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の能動光学デバイスが複数のフォトダイオードに対応し、前記少なくとも１つのＩＣがレシーバＩＣを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の能動光学デバイスが、複数のレーザダイオードおよび複数のフォトダイオードを含み、前記少なくとも１つのＩＣが、前記レーザダイオードを駆動する少なくとも１つのレーザダイオードドライバＩＣと、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を受信し処理する少なくとも１つのレシーバＩＣとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１および第２のヒートブロックの前記下面が、熱伝導性エポキシによって前記ＥＳＡの前記リードフレームの前記上面と熱的に結合される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１および第２のヒートブロックが結合される前記ＯＳＡの前記第１および第２の側面が、互いに対向していて、前記第１および第２のヒートブロックは、前記ＯＳＡに結合されたとき、互いに対向する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１および第２のヒートブロックが銅またはアルミニウムを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１および第２のヒートブロックが、前記ＯＳＡのハウジングを形成するための成形処理中に使用されるプラスチックの一部によって前記ＯＳＡに機械的に結合される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１および第２のヒートブロックが、それぞれ中に形成された第１および第２の開口部を有し、前記ヒートブロックを前記ＯＳＡに機械的に結合する前記プラスチックの一部は、前記成形処理中に前記第１および第２の開口部に流れ込んで前記プラスチックが冷えるときに硬化するプラスチックの一部である、請求項２２に記載の方法。