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【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をトレイに載置した状態で反応室内に搬入して該被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
a)前記反応室の外部に設けられたトレイステージと、
b)前記被処理基板が載置された前記トレイを前記トレイステージと前記反応室の間で搬送するトレイ搬送機構と、
c)前記トレイステージ上のトレイからプラズマ処理済みの被処理基板を取り出すと共に、プラズマ処理前の被処理基板を前記トレイステージ上のトレイに載置する基板移載機構と、
d)前記トレイステージ上に載置されるトレイの温度を所定温度範囲に維持する温度維持手段と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマ処理中における前記反応室内のトレイの温度を検出する第１温度検出手段と、
前記トレイステージに載置されたトレイの温度を検出する第２温度検出手段と、
前記第１温度検出手段の検出結果及び前記第２温度検出手段の検出結果に基づき、前記トレイステージ上のトレイの温度が、前記プラズマ処理中における前記反応室内のトレイの温度に維持されるように前記温度維持手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記反応室と前記トレイステージとの間に設けられた、トレイ搬送室を備えることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室が設けられた真空処理容器と、前記真空処理容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記ガスを解離してプラズマを生成するための電磁エネルギーを供給する手段とを備えたプラズマ処理装置を用いてＴｉ含有材料を含む試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記Ｔｉ含有材料を含む試料のプラズマ処理後に、前記処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電の工程と、
その後、前記処理室表面に堆積する前記カーボン系膜とＴｉとを除去する塩素系放電の工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、
前記カーボン系堆積放電の工程の直前に、前記処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してＴｉ酸化物に変化させる酸化放電の工程を導入することを特徴とするプラズマの処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法において、
前記カーボン系膜を堆積させる工程で用いるガスは、ＣＨＦ３、ＣＨ４、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ２ガスのうちの少なくとも一つであり、
前記カーボン系膜とＴｉを除去する工程で用いるガスは、Ｃｌ２、ＨＣｌガスの少なくとも一つであることを特徴とするプラズマの処理方法。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記酸素系放電の工程で用いるガスは、Ｏ２ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載のプラズマ処理方法において、
カーボン系堆積放電の工程は、発光又はソースパワーの反射電力変化又は圧力変化を用いてプラズマの着火を検出する検出工程と、前記検出工程における検出情報を用いてプラズマ着火直後に放電を終了させる工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項１、２、４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記カーボン系堆積放電の工程と、前記塩素系放電の工程とを繰返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理方法において、
前記処理室内のＴｉ残量を確認する工程を有し、
前記処理室表面のＴｉの残り量を推定できる塩素系放電の工程中のＴｉＣｌ又はＴｉの最大発光強度が基準値以下である場合に、前記カーボン系堆積放電の工程と前記塩素系放電の工程の繰返しを止めることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項１、２、４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記カーボン系堆積放電の工程と塩素系放電の工程の間の放電を継続することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項２又は４に記載のプラズマ処理方法において、
前記酸素放電の工程と前記カーボン系堆積放電の工程の間の放電を継続することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項１、２、４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記カーボン系堆積放電の工程と前記塩素系放電の工程の最中に、前記処理室内にブローガスを放出し、プラズマ発生領域以外に堆積したＴｉ系反応生成物を前記プラズマ発生領域に飛散させ、除去することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
請求項１、２、４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記塩素系放電の工程は、前記カーボン系堆積放電の工程の直後に実施されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】
真空処理容器と、前記真空処理容器内に配置された処理室と、前記真空処理容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記ガスを解離してプラズマを生成するための電磁エネルギーを供給するエネルギー供給手段と、前記ガス供給装置及び前記エネルギー供給手段を制御する制御装置とを備えたプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、Ｔｉ含有材料を含む試料がプラズマ処理された後、前記処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電と、その後、前記処理室表面に堆積する前記カーボン系膜とＴｉとを除去する塩素系放電とを行なうように前記ガス供給装置及び前記エネルギー供給手段を制御するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１２記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室は、Ｔｉ含有材料を含む試料がプラズマ処理されるものであり、前記処理室内部においてプラズマ発生領域以外の領域に堆積したＴｉ反応生成物を飛散させるためのガスを放出させるブロー管を更に有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項１２記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記カーボン系堆積放電と前記塩素系放電とを複数回繰返すように前記ガス供給装置及び前記エネルギー供給手段を制御するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は表示画面を備え、
前記表示画面は、Ｔｉ或いはＴｉＣｌの発光強度の時間変化の履歴と、前記カーボン系堆積放電と前記塩素系放電との繰返しの終了判定の設定画面を表示するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】
請求項１２記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、Ｔｉ含有材料を含む試料がプラズマ処理された後であってカーボン系堆積放電の前に、酸素系放電を行うように前記ガス供給装置及び前記エネルギー供給手段を制御するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１のバイポーラトランジスタの他のエミッタが前記増幅した電流を出力、又は、前記第２のバイポーラトランジスタの他のエミッタが前記増幅した電流を出力している時に、前記電流加算部は前記加算した電流を出力することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する金属板を、第１金型と第２金型とで挟む第１の工程と、
前記貫通孔内に樹脂を注入し、樹脂成形体を成形する第２の工程と、
を、有する発光装置用の樹脂パッケージの製造方法であって、
前記第１の工程において、前記貫通孔の開口部を塞ぐよう、前記金属板と第２金型との間に、弾性シートを挟むことを特徴とする樹脂パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記弾性シートは、前記開口部から前記貫通孔内に少なくとも一部が突出するように設けられる請求項１記載の樹脂パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記第１金型と前記金属板との間にも弾性シートを挟む請求項１又は請求項２記載の樹脂パッケージの製造方法。
【請求項４】
樹脂成形体と金属板とを備えた樹脂パッケージであって、
前記金属板は貫通孔を有し、該貫通孔内に設けられる前記樹脂成形体は、その底面部の裏面に凹部を有することを特徴とする樹脂パッケージ。
【請求項５】
前記凹部は、前記金属板の周囲に形成されることを特徴とする請求項４に記載の樹脂パッケージ。
【請求項６】
前記凹部は、前記金属板に近い部分において最も凹んでいる請求項４又は５に記載の樹脂パッケージ。
【請求項７】
前記凹部は、該貫通孔内の樹脂成形体の底面部の裏面と、前記金属板の側面とによって、形成される請求項４〜６のいずれか１項に記載の樹脂パッケージ。
【請求項８】
前記底面部の裏面の最下面は、前記金属板よりも高い位置にある請求項４〜７のいずれか１項に記載の樹脂パッケージ。
【請求項９】
請求項４〜８のいずれか１項に記載の樹脂パッケージに発光素子が載置されている発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー線重合性化合物（Ａ）およびゲッタリング剤（Ｂ）を含有する保護膜形成用フィルム。
【請求項２】
下記により定義されるゲッタリング剤（Ｂ）の銅イオン吸着能が３０％以上である請求項１に記載の保護膜形成用フィルム：
ゲッタリング剤１ｇを、銅イオン濃度が３ｐｐｍの塩化銅水溶液５０ｇに投入し、１２１℃、２気圧下、２４時間放置した後の該銅イオン水溶液の銅イオン濃度を測定し、
銅イオン吸着能＝（３ｐｐｍ−残留銅イオン濃度（ｐｐｍ））×１００／３ｐｐｍより銅イオン吸着能を求める。
【請求項３】
ゲッタリング剤（Ｂ）が、重金属不活性化剤（Ｂ１）、有機キレート剤（Ｂ２）および銅イオン捕捉金属化合物（Ｂ３）からなる群から選ばれる請求項１または２に記載の保護膜形成用フィルム。
【請求項４】
さらに着色剤（Ｃ）を含有する請求項１〜３の何れかに記載の保護膜形成用フィルム。
【請求項５】
該保護膜形成用フィルムを構成する全固形分１００質量部あたりゲッタリング剤（Ｂ）を１〜３５質量部含有する請求項１〜４の何れかに記載の保護膜形成用フィルム。
【請求項６】
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面またはチップの裏面に保護膜を形成するために用いる請求項１〜５の何れかに記載の保護膜形成用フィルム。
【請求項７】
剥離シートと、該剥離シートの剥離面上に形成された請求項１〜５の何れかに記載の保護膜形成用フィルムとを有する、保護膜形成用シート。
【請求項８】
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、請求項１〜５の何れかに記載の保護膜形成用フィルムを貼付し、該保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して、半導体ウエハ裏面に保護膜を有する半導体チップを得る半導体チップの製造方法。
【請求項９】
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、請求項７に記載の保護膜形成用シートの保護膜形成用フィルムを貼付し、以下の工程（１）〜（３）を任意の順で行う請求項８に記載の半導体チップの製造方法：
工程（１）：保護膜形成用フィルムと剥離シートとを剥離、
工程（２）：保護膜形成用フィルムをエネルギー線により硬化、
工程（３）：半導体ウエハおよび保護膜形成用フィルムをダイシング。
【請求項１０】
該半導体ウエハが、裏面研削後、裏面研削により生じた破砕層を厚み５０ｎｍ以下にまで低減されたものである請求項８または９に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
該保護膜形成用フィルムの硬化膜が、半導体チップの保護膜である請求項８〜１０の何れかに記載の半導体チップの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜銅イオン吸着能および銅イオン吸着率＞、＜ゲッタリング性能評価＞および＜質量減少開始温度測定＞は次のように行った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
ウエハ表面（ミラー面、保護膜形成用フィルム非貼付面）をふっ酸にて事前洗浄し、表面に付着したコンタミと自然酸化膜（約１０ｎｍ）を除去した。その後、ウエハ外周１０ｍｍをテフロン（登録商標）製治具により挟み込む形でマスキングし、ウエハ表面から５μｍを硝酸／ふっ酸混合液（比率３：１）でエッチングした。得られたエッチング液の全量を蒸発皿に採取した。採取したエッチング液を加熱・蒸発乾固した後、残渣物を一定量の硝酸／ふっ酸混合液で溶解し、銅イオン濃度測定用試料とした。なお試料調製は、クリーンルーム（クラス１００）内に設置したクリーンドラフト（クラス１０）内で実施した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
得られた保護膜形成用フィルムを用いて＜銅イオン吸着能および銅イオン吸着率＞および＜ゲッタリング性能評価＞を行った。上記の保護膜形成用フィルム中の全固形分１００質量部に対するゲッタリング剤の含有量及び結果を表２に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
なお、銅イオン汚染を行わなかったウエハ（参考例１）と銅イオン汚染を行ったウエハの保護膜形成用フィルムを貼付しなかったもの（参考例２）のゲッタリング性能を測定した。
実施例の保護膜形成用フィルムは、優れた銅イオン吸着能、ゲッタリング性能を示した。この結果から、ゲッタリング剤（Ｃ）を保護膜形成用フィルムに用いることで、高信頼性の半導体チップが得られることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、を備え、
前記光検出器は、フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記フォーカスエラー信号は、前記回折光学素子における反射光の中央部以外とプッシュプル領域以外から検出されるものであり、
前記反射光の中心を通る円周方向の軸と、前記反射光の中心と前記フォーカスエラー信号を検出する領域における反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記円周方向の軸を基準にφとしたとき、
０≦φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、を備え、
前記光検出器は、フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記フォーカスエラー信号は、前記回折光学素子における反射光の中央部以外とプッシュプル領域以外から検出されるものであり、
前記反射光の中心を通る円周方向の軸と、前記反射光の中心と前記フォーカスエラー信号を検出する領域における反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記円周方向の軸を基準にφとしたとき、
０＜φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項３】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、を備え、
前記光検出器は、フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記フォーカスエラー信号は、前記回折光学素子におけるプッシュプル領域から検出されるものであり、
前記反射光の中心を通る半径方向の軸と、前記反射光の中心と前記フォーカスエラー信号を検出する領域における反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記半径方向の軸を基準にφとしたとき、
０＜φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、を備え、
前記光検出器は、フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記回折格子における、前記反射光の中心を通る円周方向の軸と、前記反射光の中心と前記回折格子の分割領域における前記反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記円周方向の軸を基準にφとしたとき、
０≦φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項５】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、を備え、
前記光検出器は、フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記回折格子における、前記反射光の中心を通る円周方向の軸と、前記反射光の中心と前記回折格子の分割領域における前記反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記円周方向の軸を基準にφとしたとき、
０＜φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】
前記フォーカスエラー信号はナイフエッジ法により検出されるものであり、
前記回折光学素子は、０次光を発生させないことを特徴とする請求項１乃至請求項５何れかに記載の光ピックアップ。
【請求項７】
前記回折格子は、前記反射光の中央部以外とプッシュプル領域以外の第１の領域を有し、
前記第１の領域を透過する光を前記円周方向と前記半径方向に回折させる第１の回折光を生成することを特徴とする請求項１乃至請求項５何れかに記載の光ピックアップ。
【請求項８】
前記回折光学素子は、プッシュプル領域を有し、
前記プッシュプル領域を透過する光を前記円周方向に回折させる第２の回折光を生成することを特徴とする請求項１乃至請求項５何れかに記載の光ピックアップ。
【請求項９】
前記記録媒体から検出されるトラッキングエラー信号は下記数式により生成され、
【数２】
2012084200.tif 000001
A10、B10はプッシュプル領域の光を受光する領域であり、C10、D10、E10、F10は中央部以外とプッシュプル領域以外の領域の光を受光する領域であり、
前記定数ktは全光量に対する前記中央部以外とプッシュプル領域以外の領域における光量の比率であり、
前記kt値は前記中央部以外とプッシュプル領域以外の領域の±n次光の一方に対する他方の分光比を前記中央部以外とプッシュプル領域以外の領域の面積割合に応じて大きくした事を特徴とする請求項１乃至請求項５何れかに記載の光ピックアップ。
【請求項１０】
光源と、
前記光源からの光を、複数の記録層を有する記録媒体に照射するための光学系と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光束に分割し、回折させる回折光学素子と、
前記回折光学素子によって回折された光束を受光する光検出器と、
前記光検出器にて検出された信号から、再生信号、フォーカスエラー信号、トラッキング信号を生成する回路と、
前記フォーカスエラー信号及びトラッキング信号から、フォーカス及びトラッキングを制御する制御部と、を備え、
前記光検出器は、
フォーカスエラー信号を検出する受光部を有し、
前記フォーカスエラー信号は、前記回折光学素子における反射光の中央部以外とプッシュプル領域以外から検出されるものであり、
前記反射光の中心を通る円周方向の軸と、前記反射光の中心と前記フォーカスエラー信号を検出する領域における反射光の円弧の中心を通る直線とがなす角をθとし、
前記受光部の長辺方向の傾きを、前記円周方向の軸を基準にφとしたとき、
０≦φ≦２θ
となるように前記光検出器が配置されていることを特徴とする光情報記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一商品に対する販売価格と広告主側の広告をそれぞれ記憶する記憶部を備え、前記販売価格と前記広告を表示する商品情報表示装置（２１）を備える店舗システム（２０）と、前記広告を前記商品情報表示装置（２１）に提供する広告システム（３０）を用いるとともに、
前記商品情報表示装置（２１）は、前記販売価格を前記記憶部に記憶する過程と、該販売価格を表示する過程と、前記店舗システム（２０）を経由して前記広告システム（３０）から前記広告を受信し前記記憶部に記憶する過程と、該広告を表示する過程を含むことを特徴とする商品広告方法。
【請求項２】
同一商品に対する販売価格と広告主側の広告をそれぞれ記憶する記憶部を備え、前記販売価格と前記広告を表示する商品情報表示装置（２１）を備える店舗システム（２０）と、前記広告を前記商品情報表示装置（２１）に提供する広告システム（３０）を備えるとともに、
前記商品情報表示装置（２１）は、前記販売価格を前記記憶部に記憶する手段と、該販売価格を表示する手段と、前記店舗システム（２０）を経由して前記広告システム（３０）から前記広告を受信し前記記憶部に記憶する手段と、該広告を表示する手段を備える商品広告システムに用いたことを特徴とする商品情報表示装置（２１）。
【請求項３】
請求項２に記載の商品情報表示装置（２１）のＣＰＵを、前記商品情報表示装置（２１）の前記手段として機能させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】商品広告システム
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、
前記基板の表面側に形成された配線層と、
前記配線層に形成された表面電極パッド部と、
前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、
前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、
前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、
前記オンチップレンズ層上部に形成された裏面電極パッド部と、
前記オンチップレンズ層、前記パッド部下地層、及び前記基板を貫通し、前記表面電極パッド部が露出するように形成された貫通孔と、
前記貫通孔内に形成され、前記表面電極パッド部、及び前記裏面電極パッド部を接続する貫通電極層と、
を備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記貫通電極層は、前記表面電極パッド部及び裏面電極パッド部と、前記パッド部下地層を電気的に接続している
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
遮光膜は、隣接する画素間を遮光する画素間遮光膜と、前記複数の画素のうち、無効画素領域を遮光するための無効画素遮光膜とで構成されている
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は電気的に接続されている
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は電気的に接続されている
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記貫通孔は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように形成された第１の開口部と、前記第１の開口部よりも大きな径で形成され、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように形成された第２の開口部とから構成されている
請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記裏面電極パッド部は、前記無効画素遮光膜上部にまで延在して形成されている
請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素を基板に形成する工程と、
前記基板の表面側に、複数層の配線と、表面電極パッド部とを有する配線層を形成する工程と、
前記配線層上の同一の層に、パッド部下地層及び遮光膜を形成する工程と、
前記パッド部下地層及び遮光膜の基板側とは反対側の上層の光入射側にオンチップレンズ層を形成する工程と、
前記オンチップレンズ層上から前記パッド部下地層を貫通して前記表面電極パッド部に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極層を形成すると共に、前記表面電極パッド部と電気的に接続された裏面電極パッド部を、前記オンチップレンズ層上に形成する工程と、
前記画素上部のオンチップレンズ層表面を加工し、オンチップレンズを形成する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記遮光膜は、隣接する画素間を遮光する領域に形成された画素間遮光膜と、前記複数の画素の内、無効画素領域を遮光する領域に形成された無効画素遮光膜で構成される
請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は、電気的に接続するように形成する
請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は、電気的に接続して形成する
請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通孔を形成する工程は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように第１の開口部を形成する工程と、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように、前記第１の開口部よりも大きな径で第２の開口部を形成する工程と、
を含む請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記裏面電極パッド部は、前記無効画素遮光膜上部にまで延在して形成する
請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、を備える上層部と、基板と、基板の表面側に形成され、表面電極パッド部を備えて形成された配線層とを備える下層部とを形成し、前記上層部及び下層部の配線層同士を接着する工程と、
前記オンチップレンズ層上から前記パッド部下地層を貫通して前記表面電極パッド部に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極層を形成すると共に、前記表面電極パッド部と電気的に接続された裏面電極パッド部を、前記オンチップレンズ層上に形成する工程と、
前記画素上部のオンチップレンズ層表面に凸形状に加工し、オンチップレンズを形成する工程と、
を含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記遮光膜は、隣接する画素間を遮光する領域に形成された画素間遮光膜と、前記複数の画素の内、無効画素領域を遮光する領域に形成された無効画素遮光膜で構成される
請求項１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記画素間遮光膜及び前記無効画素遮光膜は、電気的に接続するように形成する
請求項１５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記画素間遮光膜、前記無効画素領域及び前記パッド部下地層は、電気的に接続して形成する
請求項１６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記貫通孔の形成は、前記表面電極パッド部が光入射側に露出するように第１の開口部を形成する工程と、前記パッド部下地層が光入射側に露出するように、前記第１の開口部よりも大きな径で第２の開口部を形成する工程と、
を含む請求項１７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
光学レンズと、
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部を備える複数の画素が形成された基板と、前記基板の表面側に形成された配線層と、前記配線層に形成された表面電極パッド部と、
前記基板の裏面側に形成された遮光膜と、前記遮光膜と同一の層に形成されたパッド部下地層と、前記遮光膜及びパッド部下地層の基板側とは反対側の上層の光入射側に形成されたオンチップレンズ層と、前記オンチップレンズ層上部に形成された裏面電極パッド部と、前記オンチップレンズ層、前記パッド部下地層、及び前記基板を貫通し、前記表面電極パッド部が露出するように形成された貫通孔と、前記貫通孔を介して前記表面電極パッド部と前記裏面電極パッド部とを接続する電極層と、を備える固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成され、２種以上の元素を含む双極子で構成される薄膜を改質する改質ガスを供給する工程と、
前記基板に電磁波を照射することにより、薄膜を構成する双極子を振動と回転のいずれか又は両方をさせて薄膜を改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記改質ガスは、酸化種又は窒化種を含み、前記薄膜を改質する工程では、前記薄膜の酸化又は窒化を促進させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項３】
前記電磁波は、固定マイクロ波又は可変周波数マイクロ波である請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項４】
２種以上の元素を含む双極子で構成される薄膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室に基板に形成された膜を改質する改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
基板に電磁波を照射する電磁波導入部と、
前記処理室を排気する排気系と、
前記処理室に改質ガスを供給しつつ基板に電磁波を照射して前記薄膜を構成する双極子を振動と回転のいずれか又は両方をさせて改質するよう前記改質ガス供給系、前記電磁波導入部、及び前記排気系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項５】
前記電磁波導入部は、固定マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生させる請求項４に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記フォトダイオードの主要部の上部に位置する前記半導体基板の前記表面には、グローバルシャッターの機能を実現するための電荷蓄積部(ＴＨ)を更に具備したことを特徴とする(図１参照)。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前記フォトダイオードの主要部の上部に位置する前記半導体基板の前記表面には、グローバルシャッターの機能を実現するための電荷蓄積部(ＴＨ)を更に具備したことを特徴とするものである(図１参照)。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記裏面照射型固体撮像装置は、前記フォトダイオードの前記Ｎ型不純物領域(２)と前記電荷蓄積部(ＴＨ)との間に接続された第１転送ゲート(１ＴＲ)と、前記電荷蓄積部(ＴＨ)と前記読み出し用Ｎ型不純物半導体領域(４)との間に接続された第２転送ゲート(２ＴＲ)とを更に前記半導体基板に具備したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
より好適な実施の形態では、前記電荷蓄積部(ＴＨ)と前記第２転送ゲート(２ＴＲ)との各構造は、前記Ｐ型不純物領域と前記半導体基板の前記表面に形成された表面絶縁膜とゲート電極とを有する表面型ＭＯＳキャパシタによって構成されたことを特徴とするものである(図２参照)。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
他のより好適な実施の形態では、前記電荷蓄積部(ＴＨ)の前記ゲート電極(Ｇ２)の直下に位置する前記Ｐ型不純物領域と前記Ｎ型不純物領域(２)との間の他のＰＮ接合(ＰＤ)によって、前記第１転送ゲート(１ＴＲ)が形成されたことを特徴とするものである(図１参照)。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
更に他のより好適な実施の形態では、前記電荷蓄積部(ＴＨ)の前記ゲート電極(Ｇ２)の直下の前記半導体基板の前記表面には、前記信号電子をその内部に蓄積する蓄積用Ｎ型Ｎ型不純物半導体領域(７)が形成されたことを特徴とするものである(図３参照)。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
図１０の左下には、図９に示した２個の画素構造ＰＩＸＥＬ１、ＰＩＸＥＬ２とリセット制御ＭＯＳトランジスタＱ３と読み出しＭＯＳトランジスタＱ１と垂直選択ＭＯＳトランジスタＱ２とが素子配置されたものである。最初に、図１０の左下の左側には、第１の画素構造ＰＩＸＥＬ１のゲート電極Ｇ３を有する第２転送ゲート２ＴＲとゲート電極Ｇ２を有する電荷蓄積部ＴＨとフローティング・ディフュージョン(ＦＤ)のＮ＋不純物領域４によって形成されたＰＮ接合の容量ＦＤ＿Ｃとが素子配置されて、電荷蓄積部ＴＨの直下にはフォトダイオード(ＰＤ)が形成されている。次に、第１の画素構造ＰＩＸＥＬ１の容量ＦＤ＿Ｃと第２転送ゲート２ＴＲと電荷蓄積部ＴＨの右側には、共用回路素子のリセット制御ＭＯＳトランジスタＱ３と半導体集積回路１のＰ型ウェル領域Ｐ−Ｗｅｌｌを接地電位ＧＮＤに接続する接地配線Ｐ−ＷｅｌｌＧＮＤが形成されている。尚、接地配線Ｐ−ＷｅｌｌＧＮＤは、Ｐ＋不純物領域５とオーミック接触されたものである。更にリセット制御ＭＯＳトランジスタＱ３と接地配線Ｐ−ＷｅｌｌＧＮＤの右側に、第２の画素構造ＰＩＸＥＬ１の容量ＦＤ＿Ｃとゲート電極Ｇ３を有する第２転送ゲート２ＴＲとゲート電極Ｇ２を有する電荷蓄積部ＴＨとが素子配置され、電荷蓄積部ＴＨの直下にはフォトダイオード(ＰＤ)が形成されている。最後に、第２の画素構造ＰＩＸＥＬ２の容量ＦＤ＿Ｃと第２転送ゲート２ＴＲと電荷蓄積部ＴＨとの右側には、共用回路素子の読み出しＭＯＳトランジスタＱ１と垂直選択ＭＯＳトランジスタＱ２とが素子配置されている。全く同様に、図１０の左上と右下と右上にも、同様な素子配置が行われている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
時刻Ｔ１１よりも若干遅延して第２の行Ｒｏｗ＿２の複数の画素構造Ｐ２１、Ｐ２２〜Ｐ２Ｍの各画素構造の第２転送ゲート２ＴＲのゲート電極Ｇ３に供給される第２転送ゲート駆動信号ＳＧ３＿２がローレベルからハイレレベルに変化して、時刻１２よりも若干早期に第２転送ゲート駆動信号ＳＧ３＿２がハイレベルからローレベルに変化する。従って、略時刻Ｔ１１から時刻Ｔ１２の期間に、第２の行Ｒｏｗ＿２の複数の画素構造Ｐ２１、Ｐ２２〜Ｐ２Ｍの各画素構造において、電荷蓄積部ＴＨに蓄積されていた信号電子がフローティング・ディフュージョン(ＦＤ)のＮ＋不純物領域４に転送される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に立設する金属材料からなる柱状の電極ポストと、
ＭＥＭＳ素子の可動部が前記基板から離れた状態で、前記ＭＥＭＳ素子の接続電極が前記電極ポストの先端に接合された前記前記ＭＥＭＳ素子とを有し、
前記ＭＥＭＳ素子の接続電極と前記電極ポストとは、前記電極ポストの金属材料と異なる金属を含む合金層によって接合されていることを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
前記合金層は、金・インジウム合金層であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
前記基板の上にキャップが設けられており、前記ＭＥＭＳ素子は前記基板と前記キャップとの間のキャビティ内に気密封止されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品装置。
【請求項４】
前記基板に厚み方向に貫通する貫通電極が設けられており、前記電極ポストは前記貫通電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項５】
前記電極ポストは前記貫通電極の上に配置され、前記電極ポストの径は前記貫通電極の径より大きく設定されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品装置。
【請求項６】
基板の上に、金属材料からなる柱状の電極ポストと、該電極ポストの先端に設けられて、前記金属材料と異なる金属からなる接合用金属層とを有する電極構造を形成する工程と、
ＭＥＭＳ素子の接続電極を前記電極構造に接続する工程とを有し、
前記ＭＥＭＳ素子の可動部が前記基板から離れた状態で、前記ＭＥＭＳ素子の接続電極が、前記接合用金属層と前記接続電極との合金層によって前記電極ポストの先端に接合されることを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項７】
前記合金層は、金・インジウム合金層であることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項８】
前記電極ポストを形成する工程において、
前記基板に厚み方向に貫通する貫通電極が設けられており、前記電極ポストは前記貫通電極に接続されることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子部品実装構造の製造方法。
【請求項９】
前記ＭＥＭＳ素子を前記電極ポストに接合する工程の後に、
前記基板の上にキャップを設ける工程をさらに有し、前記ＭＥＭＳ素子は前記基板と前記キャップとの間のキャビティに気密封止されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極ポストは前記貫通電極の上に配置され、前記電極ポストの径は前記貫通電極の径より大きく設定されることを特徴とする請求項８に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の上に立設する金属材料からなる柱状の電極ポストと、
前記電極ポストの先端に形成されて、前記金属材料と異なる金属からなる接合用金属層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
前記接合用金属層はインジウムからなること特徴とする請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記基板に厚み方向に貫通する貫通電極が設けられており、前記電極ポストは前記貫通電極に接続されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記電極ポストは前記貫通電極の上に配置され、前記電極ポストの径は前記貫通電極の径より大きく設定されていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、基板と、前記基板の上に立設する金属材料からなる柱状の電極ポストと、ＭＥＭＳ素子の可動部が前記基板から離れた状態で、前記ＭＥＭＳ素子の接続電極が前記電極ポストの先端に接合された前記前記ＭＥＭＳ素子とを有し、前記ＭＥＭＳ素子の接続電極と前記電極ポストとは、前記電極ポストの金属材料と異なる金属を含む合金層によって接合されている電子部品装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、基板の上に、金属材料からなる柱状の電極ポストと、該電極ポストの先端に設けられて、前記金属材料と異なる金属からなる接合用金属層とを有する電極構造を形成する工程と、ＭＥＭＳ素子の接続電極を前記電極構造に接続する工程とを有し、前記ＭＥＭＳ素子の可動部が前記基板から離れた状態で、前記ＭＥＭＳ素子の接続電極が、前記接合用金属層と前記接続電極との合金層によって前記電極ポストの先端に接合されることを特徴とする電子部品装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、その開示の他の観点によれば、基板と、前記基板の上に立設する金属材料からなる柱状の電極ポストと、前記電極ポストの先端に形成されて、前記金属材料と異なる金属からなる接合用金属層とを有することを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本実施形態では、電極ポストとして、シード層２０ａ、Ｃｕ層３０ａ、Ｎｉ層３０ｂ及びＡｕ層３０ｃからなる積層構造の電極ポスト３０（図７（ｂ））が例示され、電極ポスト３０の金属材料と異なる金属を含む合金層として、Ａｕ・Ｉｎ合金層３１が例示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電磁誘導によって被加熱部材を発熱させる加熱装置及び加熱装置を備えた画像形成装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、被加熱部材の狭い範囲で発生する状態変化を精度よく判定することができる加熱装置及び加熱装置を備えた画像形成装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明に係る加熱装置は、電流が流れることにより磁束を発生させるコイルと、前記コイルが発生させる磁束の作用により発熱する被加熱部材と、前記被加熱部材が仮に存在しないとした場合に、前記コイルにより発生される磁束を検知できる位置に設けられる第１の磁束検知手段と、前記第１の磁束検知手段に対し少なくとも一部の領域がオーバーラップするよう設けられる第２の磁束検知手段と、前記第１の磁束検知手段の検知結果及び前記第２の磁束検知手段の検知結果に基づいて前記被加熱部材の状態の変化の有無を判定する制御手段とを有し、前記第１の磁束検知手段は、出力の極性が反転する境目となる極性反転部を少なくとも１つ有し、前記第２の磁束検知手段は、前記第１の磁束検知手段の極性反転部の位置と一致しない位置に出力の極性が反転する境目となる極性反転部を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が流れることにより磁束を発生させるコイルと、
前記コイルが発生させる磁束の作用により発熱する被加熱部材と、
前記被加熱部材が仮に存在しないとした場合に、前記コイルにより発生される磁束を検知できる位置に設けられる第１の磁束検知手段と、
前記第１の磁束検知手段に対し少なくとも一部の領域がオーバーラップするよう設けられる第２の磁束検知手段と、
前記第１の磁束検知手段の検知結果及び前記第２の磁束検知手段の検知結果に基づいて前記被加熱部材の状態の変化の有無を判定する制御手段とを有し、
前記第１の磁束検知手段は、出力の極性が反転する境目となる極性反転部を少なくとも１つ有し、
前記第２の磁束検知手段は、前記第１の磁束検知手段の極性反転部の位置と一致しない位置に出力の極性が反転する境目となる極性反転部を有することを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の磁束検知手段の検知結果及び前記第２の磁束検知手段の検知結果の少なくとも一方が判定用閾値を超えた場合に、前記被加熱部材の状態に変化が有ったと判定することを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
前記第２の磁束検知手段は、前記極性反転部を少なくとも１つ有し、前記第１の磁束検知手段は、前記第２の磁束検知手段の前記極性反転部の位置と一致する位置における磁束を検知可能なように配設されたことを特徴とする請求項１または２記載の加熱装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記被加熱部材の状態の変化があったことを判定した場合は前記コイルへの電力供給を停止することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記第１、第２の磁束検知手段は、磁束により電圧または電流を発生させる電線でなるアンテナで構成され、前記極性反転部を有する前記アンテナの少なくとも１つは、前記電線が延設方向に往復するように配設され、前記電線が前記延設方向の途中でひねられてその往復の電線が交差することで前記極性反転部が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項６】
電流が流れることにより磁束を発生させるコイルと、
前記コイルが発生させる磁束の作用により発熱する被加熱部材と、
前記被加熱部材が仮に存在しないとした場合に、前記コイルにより発生される磁束を検知できる位置に設けられる第１の磁束検知手段と、
前記第１の磁束検知手段に対し少なくとも一部の領域がオーバーラップするよう設けられる第２の磁束検知手段と、
前記第１の磁束検知手段の検知結果及び前記第２の磁束検知手段の検知結果に基づいて前記被加熱部材の状態の変化の有無を判定する制御手段とを有し、
前記第１の磁束検知手段は、出力の極性が反転する境目となる極性反転部を少なくとも１つ有し、
前記第２の磁束検知手段は、出力の極性が反転する境目となる極性反転部を有さず、且つ、前記第１の磁束検知手段の極性反転部の位置における磁束を検知可能な位置に配設されていることを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の加熱装置を備え、前記加熱装置を用いて、記録材の未定着画像を定着させることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記加熱装置における前記被加熱部材は、定着ベルトであることを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
器具取付面に設置された配線器具に対向する取付部と；
この取付部の周囲に位置して、実装面が前面側に向けられて配設されたサークル状の基板と；
この基板に実装され、半径の異なる略同心円の円周上に複数の列をなして並べられ、周方向に等間隔の距離をおいて隣接して配置された複数の発光素子と；
を具備することを特徴とする照明器具。
【請求項２】
前記発光素子は、隣接する列間において周方向にずれて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記取付部の外周には、発光素子を点灯制御する点灯装置が配設されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施形態による照明器具は、器具取付面に設置された配線器具に対向する取付部と、この取付部の周囲に位置して、実装面が前面側に向けられて配設されたサークル状の基板とを備えている。また、基板に実装され、半径の異なる略同心円の円周上に複数の列をなして並べられ、周方向に等間隔の距離をおいて隣接して配置された複数の発光素子を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の参考実施形態として例えば、発光素子を基板に、大きさの異なる中心を略同じくする多角形の周上に複数の列をなして並べ、隣接する列間において、周方向にずれて配置するように各列同数実装するようにしてもよい。具体的には、仮に、六角形の多角形の周上に発光素子を実装する場合には、内側の六角形の周上及び外側の六角形の周上に発光素子を並べ、内側に並べられた発光素子と外側に並べられた発光素子とを周方向にずれて配置するような場合である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
基板は、円形のサークル状又は六角形や八角形の多角形状に形成するのが好ましいが、この形状に限定されるものではない。要は、発光素子を円周上又は多角形の周上に配置できれば、基板の形状は格別限定されるものではない。
なお、本発明は、上記各実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、基板は、複数に分割形成されていて、これを組合わせて全体として構成するようにしてもよい。
また、光源部から放射される光の均斉度を向上するため、発光素子に対応して拡散レンズを設けたり、カバー部材に光の透過率制御手段を設けたりしてもよい。
さらにまた、発光素子は、ＬＥＤや有機ＥＬ等の固体発光素子が適用でき、この場合、発光素子の個数、列数は、特段限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、複数のデータのうちの適切なデータを表示画面に表示させることができる表示制御装置、表示制御方法、およびプログラムを提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そのために本発明では、ドラッグ操作が行われた場合に、当該ドラッグ操作の距離に対応する情報を表示画面に表示させる第１表示制御手段と、前記第１表示制御手段により前記情報が表示され且つ所定の操作が行われた場合に、所定の順序が割り当てられた複数のデータのうちの当該情報に対応する順番のデータを前記表示画面に表示させる第２表示制御手段と、を具えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ドラッグ操作の距離に対応する情報が表示され且つ所定の操作が行われた場合に、所定の順序が割り当てられた複数のデータのうちの当該情報に対応する順番のデータが表示される。そのため、当該複数のデータのうちの適切なデータを表示画面に表示させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドラッグ操作が行われた場合に、当該ドラッグ操作の距離に対応する情報を表示画面に表示させる第１表示制御手段と、
前記第１表示制御手段により前記情報が表示され且つ所定の操作が行われた場合に、所定の順序が割り当てられた複数のデータのうちの当該情報に対応する順番のデータを前記表示画面に表示させる第２表示制御手段と、
を具えたことを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記第１表示制御手段は、第１の方向へのドラッグ操作に応じて前記情報を表示させ、前記第２表示制御手段は、前記情報が表示され且つ第２の方向へのドラッグ操作が前記所定の操作として行われた場合に、前記データを表示させることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記第２表示制御手段は、前記第１の方向へのドラッグ操作に継続して前記第２の方向へのドラッグ操作が行われた場合に、前記データを表示させることを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記第２表示制御手段は、前記第１の方向へのドラッグ操作の後、前記第２の方向へのドラッグ操作が行われる前に当該ドラッグ操作が完了した場合、前記データの表示を行わないことを特徴とする請求項３に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記ドラッグ操作は、当該ドラッグ操作後のリリース操作に応じて完了することを特徴とする請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記第２表示制御手段は、前記複数のデータのうちの前記第２の方向に対応するデータを表示させることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記複数のデータのうちのいずれかが前記表示画面に表示されている状態において前記第２の方向へのドラッグ操作が行われた場合、前記所定の順序において当該表示されているデータに隣接するデータを前記表示画面に表示させることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記第１表示制御手段は、前記複数のデータのうちのいずれかが表示されている状態における前記ドラッグ操作に応じて前記情報を表示させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記第１表示制御手段は、前記表示画面に表示されているデータから前記第２表示制御手段により表示されるデータまでの前記所定の順序におけるデータ数を特定可能な情報を前記表示画面に表示させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記第１表示制御手段は、前記複数のデータのうちの前記ドラッグ操作の距離に対応するデータを前記情報として前記表示画面に表示させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記複数のデータはメモリに記憶されている複数の画像であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
前記ドラッグ操作は、ユーザによりタッチパネルに対して行われた操作であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１３】
前記ドラッグ操作は、ユーザによりマウスを用いて行われた操作であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１４】
ドラッグ操作が行われた場合に、当該ドラッグ操作の距離に対応する情報を表示画面に表示させ、
前記表示画面に前記情報が表示され且つ所定の操作が行われた場合に、所定の順序が割り当てられた複数のデータのうちの当該情報に対応する順番のデータを前記表示画面に表示させることを特徴とする表示制御方法。
【請求項１５】
コンピュータに読み取られることにより、当該コンピュータを、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示制御装置として機能させることを特徴とするプログラム。