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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気泳動式の印刷機において、担持体流体と所定の電荷に帯電されたトナー粒子とを少なくとも含んでいる現像液を用いて、静電潜像担持体上に形成される、印刷すべき像の静電潜像を現像する装置において、
第１の電位（Ｕ８）が印加されている、回転する塗布手段（８）が設けられており、該塗布手段（８）は現像液ギャップ（２）における現像液を受け取り、該現像液を静電潜像担持体へと搬送し、
前記塗布手段（８）の近傍に、第２の電位（Ｕ１０）が印加されている対向電極（１０）が配置されており、該対向電極（１０）と前記塗布手段（８）との間に前記現像液ギャップ（２）が設けられており、前記対向電極（１０）と前記塗布手段（８）との間には前記第１の電位（Ｕ８）および前記第２の電位（Ｕ１０）に基づき電界が生じており、該電界により、前記所定の電荷に帯電されたトナー粒子が前記塗布手段（８）へと引っ張られ、
前記現像液ギャップ（２）の出口には、前記対向電極（１０）および前記塗布手段（８）に隣接して、前記現像液ギャップ（２）に突出するよう分離電極（９）が配置されており、該分離電極（９）は前記対向電極（１０）と共に排出管（１４）を形成し、
前記分離電極（９）は前記現像液ギャップ（２）を通って移動する前記現像液を第１の部分流（５）と第２の部分流（６）とに分流させ、前記第１の部分流（５）における現像液は前記塗布手段（８）の近傍に留まり、前記第２の部分流（６）における現像液は前記排出管（１４）へと排出される、
ことを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記排出管（１４）の出口には吸引ユニット（１６）が配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記分離電極（９）はその先端を尖らせて前記現像液ギャップ（２）内に延在しており、かつ、前記対向電極（１０）に対して、該対向電極（１０）の形状に適合された形状を有する、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記分離電極（９）において前記塗布手段（８）に対向している部分は、該塗布手段（８）に対して、前記現像液ギャップ（２）に続くギャップ（３）を形成する、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記分離電極（９）には第３の電位（Ｕ９）が印加されており、該第３の電位（Ｕ９）は、該印加によって前記塗布手段（８）について形成される電界が前記所定の電荷に帯電されたトナー粒子を前記第１の部分流（５）において前記塗布手段（８）へと移動させるように極性付けられている、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記現像液ギャップ（２）の入口においては、前記対向電極（１０）および前記塗布手段（８）の近傍に塗布電極（１１）が配置されており、該塗布電極（１１）には第４の電位（Ｕ１１）が印加されており、該第４の電位（Ｕ１１）は、該印加によって形成される電界が前記現像液中の前記トナー粒子を押し出すように、もしくは、前記対向電極（１０）と前記塗布電極（１１）と間の領域が無電界である（Ｕ１１＝Ｕ１０）であるように極性付けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記対向電極（１０）および前記分離電極（９）および前記塗布電極（１１）は、絶縁性材料（７）または付着防止材料（７）によってコーティングされている、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記分離電極（９）および前記塗布電極（１１）は、前記対向電極（１０）および前記塗布手段（８）に対して位置調整可能に配置されている、請求項６または７記載の装置。
【請求項９】
前記現像液ギャップ（２）の入口（４）には付加的な電極ペアが配置されており、該付加的な電極ペアは前記現像液ギャップ（２）へと移動する現像液を制御し、該制御により、電気泳動移動度が低いトナー粒子または電気泳動移動度が不適切なトナー粒子は、前記対向電極（１０）の方向に位置決めされ、前記分離電極（９）による分離時に前記第２の部分流（６）に達する、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
担持体流体と帯電されたトナー粒子とを少なくとも含んでいる現像液を静電潜像担持体に供給する、回転する塗布手段（８）を用いて、静電潜像担持体上に形成される静電潜像を現像する方法において、
前記現像液を、前記塗布手段（８）と対向電極（１０）との間の現像液ギャップ（２）を通過させ、前記対向電極（１０）と前記塗布手段（８）との間に存在する電界にさらし、該電界によって、所定の電荷に帯電されているトナー粒子は該トナー粒子の電荷に依存して前記塗布手段（８）の方向に向かって移動し、前記所定の電荷の極性とは逆の極性の電荷に帯電されているトナー粒子は前記塗布手段（８）とは反対方向に向かって押し出され、帯電されていないトナー粒子は前記電界の影響を受けずに前記塗布手段（８）の方向に向かって移動せず、
前記現像液ギャップ（２）内に突出している分離電極（９）によって、前記現像液ギャップ（２）中の前記現像液を前記現像液ギャップ（２）の出口において、前記塗布電極（８）の近傍に配置されている第１の部分流（５）と、前記対向電極（１０）の近傍に配置されている第２の部分流（６）とに分流させ、該第２の部分流（６）を排出することを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、該電荷発生層上に形成された表面層を有する電子写真感光体であって、
該表面層が、
重合性官能基を有する化合物を重合させて得られる硬化性樹脂、および
下記一般式（１）で示される化合物
を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2011133853.tif 000001
（一般式（１）中、ｒ１およびｒ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜３のアルキル基を示し、ａＲ１およびａＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。ただし、該アリール基が有してもよい置換基は、カルボキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、水酸基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ニトロ基、または、ハロゲン原子である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、該電荷発生層上に形成された表面層を有する電子写真感光体を製造する方法であって、該製造方法が、
重合性官能基を有する化合物および下記一般式（１）で示される化合物を含有する表面層用塗布液を用いて塗布膜を形成し、該塗布膜に含有される該重合性官能基を有する化合物を重合させることによって表面層を形成する工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【化５】
2011133853.tif 000002
（一般式（１）中、ｒ１およびｒ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜３のアルキル基を示し、ａＲ１およびａＲ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。ただし、該アリール基が有してもよい置換基は、カルボキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、水酸基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ニトロ基、または、ハロゲン原子である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された電荷発生層、該電荷発生層上に形成された表面層を有する電子写真感光体であって、
該表面層が、
重合性官能基を有する化合物を重合させて得られる硬化性樹脂、および
下記一般式（１）で示される化合物
を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記5)の蓄冷機能付きエバポレータによれば、いずれか１つの蓄冷材容器の内容積増大部に蓄冷材充填口を形成するとともに、いずれか１つの蓄冷材容器の内容積増大部に空気抜き口を形成しておくことにより、内部どうしが連通させられている蓄冷材容器内への蓄冷材の封入作業が簡単になる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
ファイバの端部は、Ｖ字形溝(vee-grooves)内に配置され、光学ベンチ上に位置する鏡２０に対して光を受け取り、伝達するように整合させることができる。光の波が自由空間内を運動することがある場合、鏡反射器１９及び循環器２０のような１０ミクロンほどの小さな構造寸法を有する小型の光学素子は大きなバルク光学素子を排除するためにケイ素表面上に装着することができる。このような光学機能のいくつかはまたケイ素材料内に存在する導波管内に埋設することができる。この例示的な実施の形態においては、光源１４及び関連する周波数調整素子及び光感知装置１８はまた光学ベンチ上に装着することができる。このような技術の使用はケイ素プラットフォーム内での又はその上での光学機器の組立てを許容し、従って、電子機器との一体化を許容する。光源自体は複合構造体とすることができ、そこで数個の素子をマイクロ光学ベンチ上で装着又は形成することができる。例えば、光源は外部空洞レーザーダイオードとすることができ、この場合、レーザーダイオードは基板上に形成されるか又は配置された２つの反射性表面間に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ここで、上述したように、絶縁層の同一表面上に一対の配線を有するサスペンション用基板の場合、例えば、差動インピーダンスを低減させるためには、配線の線幅を非常に広く（例えば数百μｍ）するか、絶縁層の厚さをさらに薄く（例えば５μｍ以下）する必要がある。しかしながら、配線の線幅を広くすることは高密度化の観点から好ましくなく、絶縁層の厚さを薄くすることはピンホールの発生を増加させるという問題がある。なお、特許文献２の請求項１には、配線層が２層以上重なっている磁気ヘッドサスペンションが開示されている。また、特許文献３の請求項１には、絶縁層を介して第１導体パターン上に積層された第２導体パターンを有するヘッドアセンブリが開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［特許文献１］特開２００５−１１３８７号公報
［特許文献２］特開平１０−３６３２号公報
［特許文献３］特開平９−２２５７０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極が第１の配線と電気的に接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方が第２の配線と電気的に接続するボトムゲート型のトランジスタと、
前記第１の配線と前記第１の配線上の前記第２の配線とが交差する第１の部分とを有し、
前記トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続し、
前記トランジスタは、前記ゲート電極、前記ゲート電極上の第１の絶縁層、前記第１の絶縁層上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記第１の絶縁層上の半導体層を有し、
前記第１の部分では、前記第１の配線と前記第２の配線との間に、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層とが挟まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極が第１の配線と電気的に接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方が第２の配線と電気的に接続するボトムゲート型のトランジスタと、
前記第１の配線と前記第１の配線上の前記第２の配線とが交差する第１の部分とを有し、
前記トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続し、
前記トランジスタは、前記ゲート電極、前記ゲート電極上の第１の絶縁層、前記第１の絶縁層上の前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記第１の絶縁膜上の半導体層を有し、
前記第１の部分では、前記第１の配線と前記第２の配線との間に、前記第１の絶縁層と第２の絶縁層とが挟まれており、
前記第２の絶縁層はレジストマスクであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の部分では、前記第１の配線上に前記第２の絶縁層が設けられ、前記第２の絶縁層上に前記第１の絶縁層が設けられ、前記第１の絶縁層上に前記第２の配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記トランジスタは、前記第２の絶縁層を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層は酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極層を有する第１の基板を有し、
共通電極層を有する第２の基板を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶層を有し、
前記液晶層は、高分子安定化ブルー相を示す液晶材料を有し、
前記液晶層は、前記画素電極層と接する領域と、前記共通電極層と接する領域とを有し、
前記画素電極層は、第１の開口パターンを有し、
前記共通電極層は、第２の開口パターンを有し、
前記第１の開口パターンは、前記第２の開口パターンと重畳する領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素電極層を有する第１の基板を有し、
共通電極層を有する第２の基板を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶層を有し、
前記液晶層は、高分子安定化ブルー相を示す液晶材料を有し、
前記液晶層は、前記画素電極層と接する領域と、前記共通電極層と接する領域とを有し、
前記画素電極層は、第１の開口パターンを有し、
前記共通電極層は、第２の開口パターンを有し、
前記画素電極は、前記共通電極と重畳する領域を有し、
前記第１の開口パターンは、前記第２の開口パターンと重畳する領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記画素電極層及び前記共通電極層の少なくとも一方は櫛歯状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記液晶層は、カイラル剤、光硬化樹脂及び光重合開始剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記画素電極層及び前記共通電極層の少なくとも一方は、透光性であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記画素電極層及び前記共通電極層の少なくとも一方は、非透光性であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の基板と画素電極層との間に薄膜トランジスタを有し、
前記画素電極層は前記薄膜トランジスタと電気的に接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極層との間には有彩色の透光性樹脂層を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極層との間には遮光層を有し、
前記遮光層は、黒色の有機樹脂を有し、
前記遮光層は、少なくとも前記薄膜トランジスタの半導体層を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御装置と共に使用するための取り外し可能セキュリティモジュールであって、
取り外し可能な状態でプロセス制御装置に連結されるように構成された本体と、
本体に配置されたメモリおよび該メモリに格納された共有秘密キーと、
本体に内臓されると共にメモリに連結され、プロセス制御装置から情報を読み取り、情報を共有秘密キーと比較してから該比較に基づいてプロセス制御装置を認証する処理ユニットと、
を備える取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項２】
該比較に基づいてプロセス制御装置が認証されない場合に、処理ユニットがプロセス制御装置の委託を妨げる、請求項１に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項３】
メモリがプロセス制御装置と関連する情報委託を格納する、請求項１又は２に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項４】
委託情報が機器構成情報を含み、機器構成情報が、装置識別子または制御パラメータの少なくとも一つを含む、請求項３に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項５】
メモリがそれに格納された暗号化情報を含み、且つ処理ユニットが、プロセス制御装置に関連した通信の安全を確保するために暗号化情報を使用する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項６】
暗号化情報が暗号キーを含む、請求項５に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項７】
プロセス制御装置から受け取った認可情報を提示するための表示ディスプレイを更に備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項８】
表示ディスプレイを介した少なくとも幾つかの認可情報の提示に応答してユーザ入力を受け取るための入力装置を更に備える、請求項７に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項９】
認可情報が、プロセス制御装置に格納された秘密キーである、請求項７に記載の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項１０】
プロセス制御装置と共に使用するための複数の取り外し可能セキュリティモジュールであって、
モジュールのそれぞれが、
取り外し可能な状態でプロセス制御装置に連結されるように構成された本体と、
本体に配置されたメモリおよびメモリに格納された共有秘密キーと、
本体に配置され且つメモリに連結されており、プロセス制御装置から情報を読み取り該情報を共有秘密キーと比較してから該比較に基づいてプロセス制御装置を認証するように構成された処理ユニットと、
を備える複数の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項１１】
モジュールのそれぞれが、プロセス制御装置により異なるタイプの機能または異なるレベルの機能性が提供されることを可能にする、請求項１０に記載の複数の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項１２】
複数のモジュールのうちの第１のモジュールが複数のモジュールのうちの第２のモジュールの交換用として機能し、第１のモジュールが第２のモジュールを置き換える時にプロセス制御装置が作動し続ける、請求項１０又は１１に記載の複数の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項１３】
複数のモジュールのうち一つのモジュールが第２の制御装置に連結可能であり、第２の制御装置が、モジュールに連結された後に作動するために委託される必要のない、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の複数の取り外し可能セキュリティモジュール。
【請求項１４】
取り外し可能セキュリティモジュールでプロセス制御装置の安全を確保する方法であって、
セキュリティモジュールを介してプロセス制御装置における情報を読み取り、
該情報を、セキュリティモジュールのメモリに格納された共有秘密キーと比較し、
セキュリティモジュールを介し比較に基づいてプロセス制御装置を認証する、
方法。
【請求項１５】
該比較に基づいてプロセス制御装置が認証されない場合に、プロセス制御装置の委託を妨げる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
プロセス制御装置の安全を確保する方法であって、
依頼または命令が第１の個人と関連することを特徴としてプロセス制御装置で依頼または命令を受け取り、
依頼または命令の受信に応答して秘密キーを取得し、
第２の個人に秘密キーを提供し、
第２の個人を介してプロセス制御装置へと秘密キーを送り、
プロセス制御装置が秘密キーを受け取ったことに応答してプロセス制御装置の依頼または命令を認可する、
方法。
【請求項１７】
第２の個人を介してプロセス制御装置に秘密キーを送信することは、第２の個人から受け取った秘密キーを依頼または命令のソースに送り、依頼または命令のソースを介してプロセス制御装置に秘密キーを送り返すこと、を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
依頼または命令のソースに秘密キーを送る前に取り外し可能セキュリティモジュールの入力装置にて第２の個人から秘密キーを受け取ることを更に含む請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
分散形プロセス制御システムであって、
一つ又は複数のプロセス制御装置と、
プロセス制御装置の少なくとも一つから情報を読み取るための手段と、
情報を共有秘密キーと比較するための手段と、
比較に基づいてプロセス制御装置の少なくとも一つを認証するための手段と、
プロセス制御装置の少なくとも一つで使用するための一つ又は複数のアプリケーションを  認可するための手段と、を備えるシステム。
【請求項２０】
一つ又は複数のアプリケーションの二人制認可を行うための手段を更に備える請求項１９に記載の分散形プロセス制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ行Ｙ列（Ｘ及びＹは自然数）の画素のそれぞれに対応して入力されるＸ×Ｙ個の画素データがＹ≦Ｋ（ＫはＹ以上の自然数）であるとき、出力データとして、前記画素データを１行目の画素に対応する画素データから各行の画素に対応する画素データ毎に順次出力し、且つ前記各行の画素に対応する画素データを出力する毎にＫ−Ｙ個のダミーデータを順次出力する機能を有するデータ調整回路と、
Ｋ個の前記画素データの記憶が可能であり、前記データ調整回路から入力される前記画素データまたは前記ダミーデータを一定期間記憶した後に出力する機能を有する第１のラインメモリと、
Ｋ個の前記画素データの記憶が可能であり、前記第１のラインメモリから入力される前記画素データまたは前記ダミーデータを一定期間記憶した後に出力する機能を有する第２のラインメモリと、
前記第１のラインメモリに記憶されたデータと前記第２のラインメモリに記憶されたデータを出力するタイミングを制御する機能を有する出力タイミング制御回路と、
前記出力タイミング制御回路を介して前記第１のラインメモリ及び前記第２のラインメモリから入力される前記画素データを一定期間記憶し、記憶した前記画素データを用いてフィルタ処理を行う機能を有する演算回路と、を有する画像処理回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のラインメモリは、Ｋ段の第１の順序論理回路を有し、
前記第２のラインメモリは、Ｋ段の第２の順序論理回路を有する画像処理回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ダミーデータは、入力される前記画素データのいずれかである画像処理回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記データ調整回路は、前記画素データの数を計数する計数回路を有する画像処理回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の画像処理回路と、
前記画像処理回路に電気的に接続されたコントロール回路と、
前記コントロール回路に電気的に接続された走査線駆動回路及び信号線駆動回路と、
前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路に電気的に接続された画素を有する画素部と、を有する表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置を表示部に有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセンサと、第２のセンサと、第１のＡ／Ｄ変換回路と、第２のＡ／Ｄ変換回路と、前記第１のＡ／Ｄ変換回路及び前記第２のＡ／Ｄ変換回路に信号を入力することができる機能を有する第１の回路と、を有し、
前記第１の回路は、複数段のラッチを有するシフトレジスタと、第１の論理回路と、第２の論理回路と、を有し、
前記第１の論理回路は、前記シフトレジスタのｉ（ｉは自然数）段目のラッチの出力信号を入力信号とする論理演算により第１の信号を生成し、
前記第２の論理回路は、前記シフトレジスタのｉ＋１段目のラッチの出力信号を入力信号とする論理演算により第２の信号を生成し、
前記第１のＡ／Ｄ変換回路には、前記第１の信号及び前記第１のセンサの出力信号が入力され、
前記第２のＡ／Ｄ変換回路には、前記第２の信号及び前記第２のセンサの出力信号が入力され、
前記第１の信号は、前記第１のＡ／Ｄ変換回路を制御することができる機能を有し、
前記第２の信号は、前記第２のＡ／Ｄ変換回路を制御することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のＡ／Ｄ変換回路及び前記第２のＡ／Ｄ変換回路は、逐次変換方式のＡ／Ｄ変換回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のセンサ及び前記第２のセンサは、フォトセンサであることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のＡ／Ｄ変換回路は、第１の比較回路を有し、
前記第２のＡ／Ｄ変換回路は、第２の比較回路を有し、
前記第１の比較回路と前記第２の比較回路とは、互いに異なるタイミングで動作することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】センサを有する装置、及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフォトセンサと、前記フォトセンサを制御する機能を有する第１の回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサの出力信号を読み出す機能を有する第２の回路を有し、
前記第２の回路は、複数のＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路を制御する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、シフトレジスタを有し、
前記複数のＡ／Ｄ変換回路はそれぞれ、前記複数のフォトセンサの一列毎又は複数列毎に設けられ、
前記シフトレジスタは、前記複数のＡ／Ｄ変換回路に制御信号を順次供給する機能を有することを特徴とするセンサを有する装置。
【請求項２】
複数のフォトセンサと、前記フォトセンサを制御する機能を有する第１の回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサの出力信号を読み出す機能を有する第２の回路を有し、
前記第２の回路は、複数のＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路を制御する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、シフトレジスタを有し、
前記複数のＡ／Ｄ変換回路はそれぞれ、前記複数のフォトセンサの一列毎又は複数列毎に設けられ、
前記シフトレジスタは、前記複数のＡ／Ｄ変換回路のいずれか一を動作させる信号を供給する機能を有することを特徴とするセンサを有する装置。
【請求項３】
複数の画素と、第１の回路と、を有し、
前記複数の画素はそれぞれフォトセンサと、表示素子と、を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサを制御する機能を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサの出力信号を読み出す機能を有する第２の回路を有し、
前記第２の回路は、複数のＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路を制御する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、シフトレジスタを有し、
前記複数のＡ／Ｄ変換回路はそれぞれ、前記複数の画素の一列毎又は複数列毎に設けられ、
前記シフトレジスタは、前記複数のＡ／Ｄ変換回路に制御信号を順次供給する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
複数の画素と、第１の回路と、を有し、
前記複数の画素はそれぞれフォトセンサと、表示素子と、を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサを制御する機能を有し、
前記第１の回路は、前記フォトセンサの出力信号を読み出す機能を有する第２の回路を有し、
前記第２の回路は、複数のＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路を制御する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、シフトレジスタを有し、
前記複数のＡ／Ｄ変換回路はそれぞれ、前記複数の画素の一列毎又は複数列毎に設けられ、
前記シフトレジスタは、前記複数のＡ／Ｄ変換回路のいずれか一を動作させる信号を供給する機能を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを引出し可能な開口を一方の端部に有する放電管と、
前記放電管内にガスを導入するガス導入管と、
前記放電管内に配設されたカソード電極と、
前記放電管の前記開口側に配設されたキーパ電極と、
前記カソード電極に電圧を印加するカソード電源と、
前記キーパ電極に電圧を印加するキーパ電源と、
を備えたニュートラライザであって、
前記カソード電源と前記キーパ電源とは、前記カソード電極と前記キーパ電極の電圧極性を反転させる反転機構に接続されていることを特徴とするニュートラライザ。
【請求項２】
前記反転機構は、順方向リレーと逆方向リレーとから構成されることを特徴とする請求項１記載のニュートラライザ。
【請求項３】
前記順方向リレーは、第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとから構成され、
前記逆方向リレーは、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとから構成され、
前記第１の順方向リレーの入力側と第１の逆方向リレーの入力側とが、前記カソード電源の負極側に接続され、
前記第２の順方向リレーの入力側と前記第２の逆方向リレーの入力側とが、前記カソード電源の正極側に接続され、
前記第１の順方向リレーの出力側と前記第２の逆方向リレーの出力側とが、前記カソード電極に接続され、
前記第２の逆方向リレーの出力側と前記第１の逆方向リレーの出力側とが、前記キーパ電極に接続されていることを特徴とする請求項２記載のニュートラライザ。
【請求項４】
前記キーパ電極とカソード電極の電圧極性を逆にした状態で放電を行う際、前記反転機構により、前記カソード電極を正極に、前記キーパ電極を負極にすることを特徴とする請求項１記載のニュートラライザ。
【請求項５】
前記電子ビームを発生する際、前記第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとは閉にされ、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとは開にされ、
前記キーパ電極とカソード電極の電圧極性を逆にした状態で放電を行う際、前記第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとは閉から開に切り替えられ、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとは開から閉に切り替えられることを特徴とする請求項３記載のニュートラライザ。
【請求項６】
内部を真空に維持可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配設され基体を保持可能な基体保持手段と、
前記基体に向けてイオンビームを照射するイオン源と、
プラズマ中から電子ビームを引出して前記基体に照射するニュートラライザと、を備えたイオンビーム装置であって、
前記ニュートラライザは、請求項１から５のいずれか１項に記載のニュートラライザであることを特徴とするイオンビーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、電子ビームを引出し可能な開口を一方の端部に有する放電管と、前記放電管内にガスを導入するガス導入管と、前記放電管内に配設されたカソード電極と、前記放電管の前記開口側に配設されたキーパ電極と、前記カソード電極に電圧を印加するカソード電源と、前記キーパ電極に電圧を印加するキーパ電源と、
を備えたニュートラライザであって、前記カソード電源と前記キーパ電源とは、前記カソード電極と前記キーパ電極の電圧極性を反転させる反転機構に接続されていることを特徴とするあることを特徴とする。
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のニュートラライザにおいて、前記反転機構は、順方向リレーと逆方向リレーとから構成されることを特徴とする。
また、請求項３記載の発明は、請求項２に記載のニュートラライザにおいて、前記順方向リレーは、第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとから構成され、前記逆方向リレーは、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとから構成され、前記第１の順方向リレーの入力側と第１の逆方向リレーの入力側とが、前記カソード電源の負極側に接続され、前記第２の順方向リレーの入力側と前記第２の逆方向リレーの入力側とが、前記カソード電源の正極側に接続され、前記第１の順方向リレーの出力側と前記第２の逆方向リレーの出力側とが、前記カソード電極に接続され、前記第２の逆方向リレーの出力側と前記第１の逆方向リレーの出力側とが、前記キーパ電極に接続されていることを特徴とする。
また、請求項４記載の発明は、請求項１記載のニュートラライザにおいて、前記キーパ電極とカソード電極の電圧極性を逆にした状態で放電を行う際、前記反転機構により、前記カソード電極を正極に、前記キーパ電極を負極にすることを特徴とする。
また、請求項５記載の発明は、請求項３記載のニュートラライザにおいて、前記電子ビームを発生する際、前記第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとは閉にされ、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとは開にされ、前記キーパ電極とカソード電極の電圧極性を逆にした状態で放電を行う際、前記第１の順方向リレーと第２の順方向リレーとは閉から開に切り替えられ、第１の逆方向リレーと第２の逆方向リレーとは開から閉に切り替えられることを特徴とする。
また、請求項６記載の発明は、内部を真空に維持可能な真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配設され基体を保持可能な基体保持手段と、前記基体に向けてイオンビームを照射するイオン源と、プラズマ中から電子ビームを引出して前記基体に照射するニュートラライザと、を備えたイオンビーム装置であって、前記ニュートラライザは、請求項１から５のいずれか１項に記載のニュートラライザであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器本体と、該機器本体の内部に配備されたレバースイッチとを具え、該レバースイッチは、スイッチ本体と、該スイッチ本体に対して少なくとも一方向へのレバー操作が可能なレバー部とから構成され、前記機器本体には、その表面に前記レバースイッチのレバー部を露出させる窓が形成されている電子機器において、
前記機器本体は、前記レバースイッチのスイッチ本体を収容する開口が設けられた収容部材と、該収容部材に接合されて前記機器本体の表面の少なくとも一部を形成するカバー部材とを有し、該カバー部材に前記窓が形成されており、前記カバー部材の背面側には、前記収容部材の開口を覆う弾性シートが配備され、該弾性シートは、前記収容部材とカバー部材との接合面と重なる位置まで拡がった形状を有し、該弾性シートの外縁部が前記収容部材とカバー部材との接合面間に介在しており、前記弾性シートには、前記レバースイッチのレバー部の少なくとも先端部が挿入される有底筒状部が形成され、該有底筒状部は、前記弾性シートの表面から突出していることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力供給の制御を実行する電源制御部と、
電力消費を抑えて動作を待機する動作待機状態において外部電源が接続されたことを検知すると、該検知に応じて一定時間のみ検知信号を発生させる検知信号発生部と、
前記検知信号発生部が発生させた検知信号に基づいて、前記電源制御部へ電力を供給すると共に、前記動作待機状態において前記接続から一定時間経過後に前記電源制御部への電力供給を停止する電力供給部と、
前記電源制御部から制御可能であり、設定された時刻になると前記電力供給部に対して、前記電源制御部へ電力を供給させる所定の信号を出力する計時部と、
を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記計時部は、前記電源制御部から前記バッテリへの充電のために一定時間ごとに前記所定の信号を出力する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記計時部は、前記電源制御部から設定された時刻になると前記所定の信号を出力する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
放送番組を受信して録画する番組録画部をさらに備え、
前記電源制御部は、前記番組録画部による放送番組の録画開始時刻を前記計時部に設定する、請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記外部電源の接続はＡＣアダプタの挿入である、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記外部電源の接続はバッテリの接続である、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
電力供給の制御を実行する電源制御ステップと、
電力消費を抑えて動作を待機する動作待機状態において外部電源が接続されたことを検知すると、該検知に応じて一定時間のみ検知信号を発生させる検知信号発生ステップと、
前記検知信号発生ステップで発生させた検知信号に基づいて電力を供給すると共に、前記動作待機状態において前記接続から一定時間経過後に電力供給を停止する電力供給ステップと、
設定された時刻になると、電力を供給させる所定の信号を出力する計時ステップと、
を備える、情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示物を表示する表示部と、
第２の表示物を表示し、接触を検出するタッチパネルと、
前記タッチパネル上の異なる位置で第１の接触及び第２の接触が行われていることの検出を行う検出部と、
前記検出部による検出が行われた場合に、前記第１の接触及び前記第２の接触のいずれかが離されるまでに、当該第１の接触の位置が変化し、かつ、当該第１の接触の位置に対する当該第２の接触の位置の相対的な位置関係の前記変化の前後における変化量が所定量以下であるか否かを判定する判定部と、
前記判定部が肯定的な判定を行った場合に、前記第１の接触の位置の変化の方向に応じて、当該変化の前に前記表示部及び前記タッチパネルにそれぞれ表示されていた第１の表示物及び第２の表示物の次の表示位置の決定を行い、決定された表示位置に各表示物の表示を行う表示制御部とを備える
ことを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
第１の表示物を表示する表示部と、第２の表示物を表示し、接触を検出するタッチパネルとを備える携帯端末で用いられる表示制御プログラムであって、
前記タッチパネル上の異なる位置で第１の接触及び第２の接触が行われていることの検出を行う検出ステップと、
前記検出ステップで検出が行われた場合に、前記第１の接触及び前記第２の接触のいずれかが離されるまでに、当該第１の接触の位置が変化し、かつ、当該第１の接触の位置に対する当該第２の接触の位置の相対的な位置関係の前記変化の前後における変化量が所定量以下であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで肯定的な判定を行われた場合に、前記第１の接触の位置の変化の方向に応じて、当該変化の前に前記表示部及び前記タッチパネルにそれぞれ表示されていた第１の表示物及び第２の表示物の次の表示位置の決定を行い、決定された表示位置に各表示物の表示を行う表示制御ステップとを有する
ことを特徴とする表示制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
不揮発メモリ１１１は、大容量（例えば、6Gバイトや8Gバイト等）の、例えば、NAND型のフラッシュメモリであり、メディア制御用CPU１１０の制御に従って、メディア制御用CPU１１０から供給されるコンテンツ等のデータを記憶し、また、記憶しているデータを読み出して、メディア制御用CPU１１０に供給する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
［非接触通信メディア１０１の構成例］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
但し、図３（及び図２）の新型モデルの非接触通信メディア１００において、例えば、高速通信スレーブコントローラ１１２、高速通信アンテナ１１３、電力受信制御部１３０、及び、電力受信アンテナ１３１は、それぞれ、図５（及び図４）の旧型モデルの非接触通信メディア１０１の高速通信スレーブコントローラ１１１２、高速通信アンテナ１１１３、電力受信制御部１１３０、及び、電力受信アンテナ１１３１を改良したものになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
図８は、新型モデルの非接触通信メディア１００、及び、旧型モデルの非接触通信メディア１０１のうちの、例えば、新型モデルの非接触通信メディア１００が、RW２００にかざされること等により、RW２００と近接したときの、非接触通信メディア１００、及び、RW２００の処理を説明する図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
RW２００の低速通信コントローラ２３０（図６）は、低速通信チップ１２０からのメディア構成情報取得レスポンス５０２を受信すると、そのメディア構成情報取得レスポンス５０２と同様の内容のメディア構成情報取得レスポンス５０３を、メディア構成情報取得要求５００に対する応答として、RW制御用CPU２１０に返す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
そして、RW制御用CPU２１０は、非接触通信メディア１００のメディア構成情報に含まれる無線電力伝送リビジョン、無線電力伝送方式、及び、無線電力伝送アンテナ情報のうちのいずれか１つでも、RW２００がサポートしていない場合には、無線電力伝送によって、必要な電力を、非接触通信メディア１００に供給することができないため、高速通信を行わないと判定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０７】
電力監視部２６０は、RW２００の、無線電力伝送用のRF信号を出力する電力送信アンテナ２４１又は２４６（図６）の配置状態、及び、RW２００に近接した非接触通信メディア１００の、無線電力伝送用のRF信号を受信する電力受信アンテナ１３１（図２）の配置状態等から、無線電力伝送による電力の伝送効率を推測し、その伝送効率と、電力送信制御部２４０又は２４５が無線電力伝送によって供給する電力とから、RW２００に近接した非接触通信メディア１００が供給を受ける電力（以下、受信電力ともいう）を算出する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
なお、RW２００に近接したのが、新型モデルの非接触通信メディア１００（図２）ではなく、旧型モデルの非接触通信メディア１０１（図４）である場合には、RW２００のRW制御用CPU２１０では、RW２００に近接した非接触通信メディア１０１のメディア構成情報に含まれる無線電力伝送リビジョン、無線電力伝送方式、及び、無線電力伝送アンテナ情報に基づき、電力送信制御部２４０及び２４５のうちの、旧型モデルをサポートする電力送信制御部２４５が、RW２００に近接した非接触通信メディア１０１への無線電力伝送に適した方として選択される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
そして、RW制御用CPU２１０は、RW２００に近接した非接触通信メディア１０１への無線電力伝送に適した方として選択された電力送信制御部２４５に対して、無線電力伝送の開始を指示する電力送信開始指示７１０を送信する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２９】
すなわち、GHz帯の回路の製造が簡単でないこと、数100KHzないし数MHzの周波数の回路の製造は容易であること、数100KHzないし数MHzの周波数の回路を構成するためのコンデンサ等の部品は安価であり、回路のコストを抑えることができること、等の理由により、無線電力伝送用のRF信号の周波数としては、例えば、数100KHzないし数MHz程度が採用される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
なお、RW２００に近接したのが、新型モデルの非接触通信メディア１００（図２）ではなく、旧型モデルの非接触通信メディア１０１（図４）である場合には、RW２００のRW制御用CPU２１０では、RW２００に近接した非接触通信メディア１０１のメディア構成情報に含まれる高速通信リビジョン、高速通信方式、及び、高速通信アンテナ情報に基づき、高速通信マスタコントローラ２２０及び２２５のうちの、旧型モデルをサポートする高速通信マスタコントローラ２２５が、RW２００に近接した非接触通信メディア１０１との高速通信に適した方として選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状の発光領域を有する発光装置であって、
前記発光領域に沿って設けられ、前記発光領域に沿った縁を通して前記発光領域に電流を供給する電源配線と、
前記電源配線の前記発光領域とは反対側に設けられた電源供給口に接続され、前記電源配線に電源電圧を与える電源電圧供給部とを備え、
前記電源配線は、前記電源供給口から前記発光領域に沿った縁までの最短の経路の途中に、周囲を導電領域に囲まれた第１の非導電領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記電源配線は、前記第１の非導電領域の端部から前記発光領域に沿った縁に至る最短の経路の途中に、周囲を導電領域に囲まれた第２の非導電領域を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記電源供給口の中心が前記発光領域の中心線上にあり、前記第１の非導電領域が、前記電源供給口の中心に対して対称形であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記電源供給口の中心が前記発光領域の中心線から離れた位置にあり、前記第１の非導電領域の中心が、前記表示領域の中心線から前記電源供給口の中心よりも大きく離れた位置にあることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記電源供給口が前記電源配線の前記発光領域とは反対側の複数箇所に設けられており、各々の前記電源供給口に対して前記第１の非導電領域が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光領域の全面に電極が設けられ、前記電極が前記発光領域に沿った縁で前記電源配線に接続されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光領域に画素電源線が複数本設けられ、前記画素電源線が前記発光領域に沿った縁で前記電源配線に接続されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電子機器に設けられる燃料電池ユニットの燃料を貯める燃料タンクと、
前記燃料タンクに設けられて前記燃料タンクの内部と前記燃料タンクの外部とを連通する燃料タンク第１孔と、
前記燃料タンクに設けられて前記燃料タンクの内部と前記燃料タンクの外部とを連通する燃料タンク第２孔と、
前記燃料タンクに連結されて、前記燃料タンクの内部に前記燃料を供給するための燃料カートリッジと、
を備え、
前記燃料カートリッジは、
燃料を内部に貯めるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられる第１空間と、
前記ケーシングの内部に設けられる空間であって、前記第１空間よりも容積が小さい第２空間と、
前記第１空間に開口し、前記燃料タンク第１孔と連結可能な燃料カートリッジ第１孔
と、
前記第２空間に開口し、前記燃料タンク第２孔と連結可能な燃料カートリッジ第２孔
と、
前記第１空間と前記第２空間との境界に設けられて、前記第１空間と前記第２空間とを連通する第１連通部と、
前記第１空間と前記第２空間との境界のうち前記第１連通部とは異なる部分に設けられて、前記第１空間と前記第２空間とを連通する第２連通部と、
を有することを特徴とする携帯電子機器用燃料供給ユニット。
【請求項２】
燃料を内部に貯めるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられる第１空間と、
前記ケーシングの内部に設けられる空間であって、前記第１空間よりも容積が小さい第２空間と、
前記第１空間に開口して前記ケーシングの内部と外部とを連通する燃料カートリッジ第１孔と、
前記第２空間に開口して前記ケーシングの内部と外部とを連通する燃料カートリッジ第２孔と、
前記第１空間と前記第２空間との境界に設けられて、前記第１空間と前記第２空間とを連通する第１連通部と、
前記第１空間と前記第２空間との境界のうち前記第１連通部とは異なる部分に設けられて、前記第１空間と前記第２空間とを連通する第２連通部と、
を有することを特徴とする携帯電子機器用燃料カートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のエピタキシャル成長装置を有するエピタキシャル成長システムであって、
前記エピタキシャル成長装置は、
ウェーハに対してエピタキシャル成長を施す成長反応室と、
所定のガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室内に供給する供給管と、
前記ガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室内から排出する第１の管と、
前記供給管から分岐され、前記ガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室を通さずに排出する第２の管とを有し、
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第１の管のそれぞれに対応して、前記第１の管の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う複数の第１スクラバーと、
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第２の管の少なくとも１つの第２の管の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う１以上の第２スクラバーと
を有するエピタキシャル成長システム。
【請求項２】
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第２の管と連通可能な共通管と、
前記第２の管と前記共通管との遮断又は連通を制御するためのバルブと、
前記第２の管内の気体を排出するための真空ポンプに連通可能な第３の管と
を更に有し、
前記第２スクラバーは、前記共通管の下流に接続されている
請求項１に記載のエピタキシャル成長システム。
【請求項３】
前記第２スクラバーは、複数の前記第２の管の下流に接続されている
請求項１又は請求項２に記載のエピタキシャル成長システム。
【請求項４】
複数の前記第２の管の下流に、選択的に利用可能に複数の第２スクラバーが接続されている
請求項３に記載のエピタキシャル成長システム。
【請求項５】
複数のエピタキシャル成長装置を有するエピタキシャル成長システムにおけるシステム管理方法であって、
前記エピタキシャル成長装置は、
ウェーハに対してエピタキシャル成長を施す成長反応室と、
所定のガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室内に供給する供給管と、
前記ガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室内から排出する第１の管と、
前記供給管から分岐され、前記所定のガス供給源から供給された気体を、前記成長反応室を通さずに排出する第２の管とを有し、
前記エピタキシャル成長システムは、
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第１の管のそれぞれに対応して、前記第１の管の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う複数の第１スクラバーと、
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第２の管の少なくとも１つの第２の管の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う１以上の第２スクラバーと、
複数の前記エピタキシャル成長装置の前記第２の管と連通可能な共通管と、
前記第２の管と前記共通管との遮断又は連通を制御するためのバルブと、
前記第２の管内の気体を排出するための真空ポンプに連通可能な第３の管と
を有し、
前記バルブにより前記共通管と前記第２の管を遮断した状態で、前記第２の管を前記第３の管に連通させて、前記第２の管内の気体を前記真空ポンプにより排出させる排出ステップと、
前記第２の管内の気体を排出した後に、前記第２の管に所定のパージガスを流し、前記バルブにより前記共通管と前記第２の管とを連通させる連通ステップと
を有するシステム管理方法。
【請求項６】
前記排出ステップにおいて、第２の管内に前記ガス供給源から所定のパージガスを流し、その後、前記第２の管と前記第３の管を連通させて、前記第２の管内の気体を真空ポンプにより排出させることを所定の回数繰り返し実行する
請求項５に記載のシステム管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の情報閲覧装置において、前記禁止手段は、前記記憶手段で前記共有の対象となる情報を記憶する記憶域を一時記憶域に限定することにより、当該共有の対象となる情報の前記共有が行われた際の使用者以外へ提供することを禁止する。
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の情報閲覧装置において、前記禁止手段は、前記使用者を認証しなかった場合は、前記情報閲覧手段の使用が終了された場合に前記記憶手段で記憶している情報を削除する、又は、前記記憶手段で前記共有の対象となる情報を記憶する記憶装置を揮発性の記憶域に限定することにより当該共有の対象となる情報の前記共有が行われた際の使用者以外へ提供することを禁止する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記禁止手段は、前記使用者を認証しなかった場合は、前記情報閲覧手段の使用が終了された場合に前記記憶手段で記憶している情報を削除する、又は、前記記憶手段で前記共有の対象となる情報を記憶する記憶装置を揮発性の記憶域に限定することにより当該共有の対象となる情報の前記共有が行われた際の使用者以外へ提供することを禁止する、請求項２に記載の情報閲覧装置。