Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者により遊技が行なわれる遊技機と、該遊技機と通信可能に接続され、遊技者所有の遊技用価値を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置とを備える遊技用システムであって、
前記遊技機は、
当該遊技機での遊技の実行により生成される遊技履歴データを記憶する遊技履歴データ記憶手段と、
該遊技履歴データ記憶手段に記憶されている遊技履歴データを表示する遊技履歴データ表示手段とを含み、
前記遊技用装置は、
遊技履歴データに基づく履歴表示を実行する遊技用装置側遊技履歴データ表示手段と、
前記遊技履歴データ記憶手段に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を受信したときに、前記履歴表示のクリア処理を行なうとともに、前記遊技履歴データ記憶手段に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を前記遊技機へ送信する制御を行なうクリア処理手段とを含む、遊技用システム。
【請求項２】
遊技者により遊技が行なわれる遊技機と通信する通信部を備え、遊技者所有の遊技用価値を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置であって、
前記遊技機での遊技の実行により生成される遊技履歴データに基づく履歴表示を実行する遊技用装置側遊技履歴データ表示手段と、
前記遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を受信したときに、前記履歴表示のクリア処理を行なうとともに、前記遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を前記遊技機へ送信する制御を行なうクリア処理手段とを備える、遊技用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（５）  本発明の他の態様は、遊技者により遊技が行なわれる遊技機（パチンコ機２、スロットマシン２Ｓ）と通信する通信部（ＣＵ通信制御部８０）を備え、遊技者所有の遊技用価値（プリペイド残高、持玉数、あるいは貯玉数）を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置（カードユニット３）であって、
前記遊技機での遊技の実行により生成される遊技履歴データに基づく履歴表示を実行する遊技用装置側遊技履歴データ表示手段（表示器３１２）を備え、
前記遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を受信したときに、前記履歴表示のクリア処理を行なうとともに、前記遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を前記遊技機へ送信する制御を行なうクリア処理手段（遊技履歴データ管理部２９１のクリア処理部）をさらに備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このような構成によれば、遊技機側において遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を受信したときに、履歴表示のクリア処理が行なわれるとともに、遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報が遊技機へ送信されるために、遊技機側と遊技用装置側とにおける履歴表示の齟齬を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（６）  上記（５）の遊技用装置において、前記遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する旨の情報を遊技場に設置された管理装置から受信する受信手段（図４、図１０９；ホール用管理コンピュータ１から受信する外部通信部３２４）を含むように構成されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このような構成によれば、遊技機に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する情報を、遊技場に設置された複数の遊技機に対し管理装置から一斉配信することができ、遊技履歴データ記憶手段に記憶されている遊技履歴データの少なくとも一部を消去する作業の効率アップを図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送中のシート材に液状剤を塗布する塗工装置であって、
シート材の搬送方向と垂直な幅方向に沿って形成された吐出口を有するダイヘッドと、
前記ダイヘッドを挟んで前記搬送方向の下流側に配置され、塗布された液状剤に空気を吹き付けて泡を除去する空気供給手段と、
を備え、
前記空気供給手段は、前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出するように構成されている塗工装置。
【請求項２】
前記空気供給手段から吐出される空気の風速が、３〜１１０ｍ／秒である、請求項１に記載の塗工装置。
【請求項３】
前記空気供給手段から吐出される空気の風速が、５〜２０ｍ／秒である、請求項２に記載の塗工装置。
【請求項４】
所定の方向に搬送されるシート材に対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状剤を塗布するステップと、
前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、液状剤が塗布されたシート材に空気を吹き付けて泡を除去するステップと、
を備えている塗工方法。
【請求項５】
所定の方向に搬送されるシート材に対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状剤を塗布するステップと、
前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、液状剤が塗布されたシート材に空気を吹き付けて泡を除去するステップと、
を備えている、液状材が塗布されたシート材の製造方法。
【請求項６】
所定の方向に搬送されるフィルムに対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状の触媒層用材料を塗布するステップと、
前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、前記触媒層用材料が塗布されたフィルムに空気を吹き付けて泡を除去するステップと、
を備えている、触媒層用転写フィルムの製造方法。
【請求項７】
所定の方向に搬送されるフィルムに対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状の触媒層用材料を塗布するステップと、
前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、前記触媒層用材料が塗布されたフィルムに空気を吹き付けて泡を除去するステップと、
前記塗布された触媒層用材料を乾燥させて、前記フィルム上に触媒層を形成するステップと、
前記触媒層を電解質上に転写するステップと、
を備えている、固体高分子形燃料電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】塗工装置、塗工方法、液状材が塗布されたシート材の製造方法、触媒層用転写フィルムの製造方法、及び固体高分子形燃料電池の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る塗工方法は、上記問題を解決するためになされたものであり、所定の方向に搬送されるシート材に対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状剤を塗布するステップと、前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向に空気を吐出することにより、液状剤が塗布されたシート材に空気を吹き付けるステップと、を備えている。また、本発明に係る液状材が塗布されたシート材の製造方法は、所定の方向に搬送されるシート材に対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状剤を塗布するステップと、前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、液状剤が塗布されたシート材に空気を吹き付けて泡を除去するステップと、を備えている。また、本発明に係る触媒層用転写フィルムの製造方法は、所定の方向に搬送されるフィルムに対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状の触媒層用材料を塗布するステップと、前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、前記触媒層用材料が塗布されたフィルムに空気を吹き付けて泡を除去するステップと、を備えている。また、本発明に係る固体高分子形燃料電池の製造方法は、所定の方向に搬送されるフィルムに対し、当該搬送方向に垂直な幅方向に延びる吐出口を有するダイヘッドから液状の触媒層用材料を塗布するステップと、前記ダイヘッドの吐出口の近傍で、前記幅方向にわたって空気を吐出することにより、前記触媒層用材料が塗布されたフィルムに空気を吹き付けて泡を除去するステップと、前記塗布された触媒層用材料を乾燥させて、前記フィルム上に触媒層を形成するステップと、前記触媒層を電解質上に転写するステップと、を備えている。空気の吹きつけ方法については、上述したものを適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】給紙ローラーの塗装方法、給紙ローラーの塗装装置および給紙ローラー
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給紙ローラーの外周面にセラミックあるいは金属の粉体を含む水系塗料を塗布する給紙ローラーの塗装方法であって、
水平な姿勢に保持した前記給紙ローラーをその中心軸線回りに回転させながら、当該給紙ローラーの外周面に前記水系塗料を吹き付けて、当該給紙ローラーの外周面に下地塗膜層を形成し、
水平な姿勢に保持した前記給紙ローラーをその中心軸線回りに回転させながら、当該給紙ローラーの前記外周面に形成した前記下地塗膜層の表面に水平方向から前記粉体を吹き付けて、当該下地塗膜層の表面を覆う粉体層を形成し、
水平な姿勢に保持した前記給紙ローラーをその中心軸線回りに回転させながら、当該給紙ローラーの前記外周面に形成した前記粉体層の表面に前記水系塗料を吹き付けて、当該粉体層の表面を覆う表面塗膜層を形成することを特徴とする給紙ローラーの塗装方法。
【請求項２】
請求項１において、
水平な姿勢に保持した前記給紙ローラーを、当該給紙ローラーの中心軸線に平行な軸線を中心とする円形の循環経路に沿って所定の回転角度毎に間欠的に移動させ、
当該循環経路における前記給紙ローラーの一時停止位置の一つを前記下地塗膜層の形成位置とし、
前記循環経路における前記下地塗膜層の形成位置の下流側の一時停止位置の一つを、前記粉体層の形成位置とし、
前記循環経路における前記粉体層の形成位置の下流側の一時停止位置の一つを、前記表面塗膜層の形成位置とし、
前記循環経路における前記表面塗膜層の形成位置の下流側で、且つ、前記下地塗膜層の形成位置の上流側の一時停止位置の一つを、塗装後の前記給紙ローラーの代わりに塗装対象の新たな給紙ローラーを前記循環経路に供給する供給位置としたことを特徴とする給紙ローラーの塗装方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記下地塗膜層の形成に用いる第１水系塗料吹き付けノズルと、前記粉体層の形成に用いる粉体吹き付けノズルと、前記表面塗膜層の形成に用いる第２水系塗料吹き付けノズルとを、同一の駆動機構を用いて、前記給紙ローラーの中心軸線の方向に同時に移動させながら同時に塗装を行うことを特徴とする給紙ローラーの塗装方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記粉体を貯留した粉体タンクの下端開口から、水平に配置したスクリューコンベアに前記粉体を自然落下させ、前記スクリューコンベアの回転数を制御することにより、前記粉体吹き付けノズルに供給される前記粉体の量を調整することを特徴とする給紙ローラーの塗装方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記粉体タンクに振動を与えて、当該粉体タンク内に堆積した前記粉体を前記下端開口の側に落下させることを特徴とする給紙ローラーの塗装方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法により、前記給紙ローラーの外周面に前記粉体を含む前記水系塗料を塗布する給紙ローラーの塗装装置であって、
前記給紙ローラーを循環させるための円形の循環経路と、
前記循環経路に沿って一定の角度間隔で配置されている給紙ローラー供給位置、第１の水系塗料塗布位置、粉体塗布位置、および第２の水系塗料塗布位置と、
前記給紙ローラーを水平な姿勢に保持した状態で、前記循環経路に沿って一定の角度毎に間欠的に循環させる給紙ローラー間欠送り機構と、
前記第１の水系塗料塗布位置、前記粉体塗布位置および前記第２の水系塗料塗布位置において、前記給紙ローラー間欠送り機構によって水平に保持されている前記給紙ローラーをその中心軸線回りに回転させる給紙ローラー回転機構と、
前記第１の水系塗料塗布位置に一時停止した前記給紙ローラーに対して直交する方向から前記水系塗料を吹き付け可能な第１ノズルと、
前記粉体塗布位置に一時停止した前記給紙ローラーに対して直交する水平方向から前記粉体を吹き付け可能な第２ノズルと、
前記第２の水系塗料塗布位置に一時停止した前記給紙ローラーに対して直交する方向から前記水系塗料を吹き付け可能な第３ノズルと、
前記第１、第２および第３ノズルを、一時停止した前記給紙ローラーに沿った水平方向に直線往復移動させるノズル移動機構とを有していることを特徴とする給紙ローラーの塗装装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記給紙ローラー間欠送り機構は、円筒面に沿って一定の角度間隔で前記給紙ローラーを保持する複数の給紙ローラー保持部を備えた回転籠と、この回転籠をその中心軸線回りに一定の角度間隔毎に間欠的に回転させる回転駆動機構とを備えており、
前記第１、第２および第３ノズル、並びに前記ノズル移動機構は前記回転籠の内側に配置されており、
前記第１、第２および第３ノズルは同時に前記ノズル移動機構によって移動させられることを特徴とする給紙ローラーの塗装装置。
【請求項８】
請求項７において、
粉体タンクと、
この粉体タンクの下端開口から前記粉体が自然落下により供給される水平に配置したスクリューコンベアとを有し、
前記スクリューコンベアの回転数を制御することにより、前記第２ノズルには前記スクリューコンベアによって定量ずつ前記粉体を供給可能であることを特徴とする給紙ローラーの塗装装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記粉体タンクに振動を与える加振機構を有していることを特徴とする給紙ローラーの塗装装置。
【請求項１０】
請求項１ないし５のうちのいずれかの項に記載の方法により、セラミックあるいは金属の粉体を含む水系塗料が塗布されていることを特徴とする給紙ローラー。
【請求項１１】
請求項１０において、
円柱状の金属製あるいはセラミック製の給紙ローラー本体を備え、
前記給紙ローラー本体における両側の軸端部を除く外周面部分に前記水系塗料が塗布されていることを特徴とする給紙ローラー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
［ハニカム状排ガス処理触媒］
本発明のハニカム状排ガス処理触媒は、上述のハニカム状排ガス処理触媒用チタン含有粉末を全重量の６０質量％以上含有することが好ましく、より好適な含有割合は７０〜９９．９質量％の範囲である。当該チタン含有粉末の含有割合が６０質量％より少ない場合には、所望の脱硝活性が得られないことがある。また、上述のように、本発明のチタン含有粉末を６０質量％以上含有していれば、例えばリンを含まない本発明の技術的範囲外のチタン含有粉末を４０質量％未満含有していてもよい。  
前記ハニカム状排ガス処理触媒には、窒素酸化物を除去するための活性成分が含まれる。活性成分としては、例えば、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）、インジウム（Ｉｎ）、イリジウム（Ｉｒ）などの金属成分が挙げられる。  
上述の活性成分のうち、特にバナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）は、安価であり且つ窒素酸化物の除去率が高いために好適に使用される。また、窒素酸化物を除去するための排ガス処理触媒に使用される活性成分の含有量は、酸化物として全触媒重量の０．１〜３０質量％の範囲である。  
上述のようにリンをＰ２Ｏ５として０．０３〜０．５質量％含むチタン含有粉末は、焼成時における結晶化の進行が抑制される結果、（１）二酸化チタンのみを含有する場合は、アナターゼ型結晶（１０１）面の結晶子径を１２〜４０ｎｍの範囲とし、（２）チタン複合酸化物を含む場合には、同結晶子径を１０〜３８ｎｍの範囲とすることができる。このようなチタン含有粉末を少なくとも６０質量％以上含有するようにして成形されたハニカム状排ガス処理触媒は、チタン含有粉末の結晶子径が小さいことにより緻密な構造体を形成することが可能であり、その摩耗強度が向上する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［評価方法］
各例のチタン含有粉末用いて製造したハニカム状排ガス処理触媒の評価方法について以下に記す。  
［１］結晶子径  
粉末Ｘ線回折法にてアナターゼ型二酸化チタン結晶の（１０１）面のピークを測定し、シェラー（Ｓｃｈｅｒｒｅｒ）の式（１）から結晶子径Ｌを得る。  
Ｌ＝Ｋλ／（βｃｏｓθ）…（１）
ここで、Ｋは定数、λは波長、βは半価幅、θは入射角を示す。  
［２］成形性  
成型性の判定基準は、押出成型されたハニカム触媒のダイス面からの流れが安定的であれば○とした。一方、流れが不安定でハニカム触媒の内部に欠陥が発生した場合は×とした。  
［３］摩耗強度  
各ハニカム状排ガス処理触媒を、ハニカム孔数９×９目、長さ１００ｍｍに切り出して試験試料とし、この試験試料を流通式反応器に充填した。流通式反応器には、砂を含むガスを下記の条件で通流させ、触媒重量の減少量から下記（２）式に基づいて摩耗率を測定した。流通式反応器内を通流した砂の通砂量は、流通式反応器の後段にサイクロンを設け、摩耗試験終了後、当該サイクロンに捕集された砂の重量を測定することにより求めた。  
摩耗率（％／ｋｇ）＝｛〔摩耗開始前の触媒重量（ｇ）−摩耗終了後の触媒重量（ｇ）〕／摩耗開始前の触媒重量（ｇ）｝×１００／通砂量（ｋｇ）…（２）  
試験条件  
触媒形状：ハニカム孔数９×９目、長さ１００ｍｍ  
ガス流速：（１６．５±２）ｍ／ｓ（触媒断面）  
ガス温度：室温２５℃  
ガス流通時間：３時間  
砂濃度：（４０±５）ｇ／Ｎｍ３ 
砂：珪砂  平均粒径５００μｍ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［７］脱硝試験  
各ハニカム状排ガス処理触媒を、ハニカム孔数３×３目、長さ３００ｍｍに切り出して試験試料とし、この試験試料を流通式反応器に充填した。この流通式反応器に下記組成のモデルガスを通流させて脱硝率を測定した。触媒接触前後のガス中の窒素酸化物（ＮＯＸ）の脱硝率は、下記（４）式により求めた。このときＮＯＸの濃度は化学発光式の窒素酸化物分析計にて測定した。
脱硝率（％）＝  
｛〔未接触ガス中のＮＯＸ（質量ｐｐｍ）−接触後のガス中のＮＯＸ（質量ｐｐｍ）〕／未接触ガス中のＮＯＸ（質量ｐｐｍ）｝×１００  …（４）
試験条件  
触媒形状：ハニカム孔数３×３目、長さ３００ｍｍ
反応温度：３８０℃、ＳＶ＝１０，０００ｈｒ―１
モデルガス組成：ＮＯＸ＝１８０質量ｐｐｍ、ＮＨ３＝１８０質量ｐｐｍ、ＳＯ２＝５００質量ｐｐｍ、Ｏ２＝２重量％、Ｈ２Ｏ＝１０重量％、Ｎ２＝バランス
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
［比較例７］  
＜チタン含有粉末（ｌ）及びハニカム状排ガス処理触媒（ｌ）＞  
焼成温度を３５０℃とした点以外は、実施例１と同様の方法にてチタン含有粉末（ｌ）を調製した。当該チタン含有粉末（ｌ）に含まれるアナターゼ型結晶（１０１）面の結晶子径は１１．９ｎｍであり、硫酸根の含有量は２．５ｗｔ％（Ｄｒｙ  Ｂａｓｉｓ）であった。このチタン含有粉末（ｌ）を用いた点以外は、実施例１と同様の手法でハニカム状排ガス処理触媒（ｌ）を調製したが、成型性不良のため性能測定用ハニカム触媒が得られなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［実施例１３］  
＜チタン含有粉末（ｙ−１）及びハニカム状排ガス処理触媒（ｙ−１）＞  
実施例１と同様のメタチタン酸スラリーを二酸化チタン換算で２４．２ｋｇ取り出し、還流器付攪拌槽に仕込み、これに１７．３ｇのリン酸と４重量％濃度のケイ酸１８．７５ｋｇを加え、更に、１５質量％アンモニア水を加えてｐＨを９．５に調整した後、９５℃で１時間に亘り十分な攪拌を行いつつ加熱熟成した。加熱熟成後のスラリーを冷却して攪拌槽から取り出し、固形分を濾過した。脱水後、ＳｉＯ２含有量が３．０重量％（Ｄｒｙ  Ｂａｓｉｓ）、Ｐ２Ｏ５含有量が０．０５質量％（Ｄｒｙ  Ｂａｓｉｓ）の洗浄ケーキを得た。該洗浄ケーキを１１０℃で２０時間乾燥した後、これを５５０℃で５時間焼成してチタン含有粉末を得た。該チタン含有粉末をボールミルで更に、粉砕して、全体の９９．９質量％以上が４５μｍ以下の粒子径をもつチタン含有粉末（ｙ−１）を調製した。当該チタン含有粉末（ｙ−１）に含まれるアナターゼ型結晶（１０１）面の結晶子径は１６．８ｎｍであり、硫酸根の含有量は２．５ｗｔ％（Ｄｒｙ  Ｂａｓｉｓ）であった。このチタン含有粉末（ｙ−１）を用いた点以外は、実施例１と同様の手法でハニカム状排ガス処理触媒（ｙ−１）を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体に、周期表第６族および第８〜１０族から選ばれる少なくとも１種の活性金属成分が担持された、使用済みの炭化水素油の水素化処理触媒を、３００℃を超える温度で焼成する第１工程と、
この第１工程にて焼成された水素化処理触媒を無機酸とキレート剤との双方を含む酸溶液に接触させて、前記活性金属成分を担体上に分散させる第２工程と、を含むことを特徴とする水素化処理触媒の再生方法。
【請求項２】
前記第２工程で用いる酸溶液に含まれるキレート剤のモル数に対する無機酸のモル数の比が０．０１〜０．２の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の水素化処理触媒の再生方法。
【請求項３】
前記第２工程にて無機酸とキレート剤との双方を含む酸溶液に接触させた水素化処理触媒に対し、乾燥または焼成の少なくとも一方の処理を行う第３工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の水素化処理触媒の再生方法。
【請求項４】
前記活性金属成分は、モリブデン、コバルト、およびニッケルから選択された少なくとも１つ以上の金属であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の水素化処理触媒の再生方法。
【請求項５】
前記第２工程の無機酸とキレート剤との双方を含む酸溶液には、周期表第６族および第８〜１０族から選ばれる少なくとも１種の活性金属成分が添加されており、当該第２工程では、これら活性金属成分を含む酸溶液に水素化処理触媒を接触させることにより、前記担体に担持されている活性金属成分の分散と、酸溶液に添加されている活性金属成分の当該担体への担持と、が行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の水素化処理触媒の再生方法。
【請求項６】
前記酸溶液には、モリブデン、コバルト、およびニッケルから選択された少なくとも１つ以上の活性金属成分が、第１工程で得た水素化処理触媒の質量を基準にして、活性金属成分の酸化物に換算して１質量％以下に相当する量だけ含まれていることを特徴とする請求項５に記載の水素化処理触媒の再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（I)のDPP IVインヒビター；
2013199505.tif 000001
（式中、R1は（4-メチル-キナゾリン-2-イル）メチルを意味し、
及びR2は3-（R）-アミノ-ピペリジン-1-イルを意味する）
と、他の抗糖尿病薬、血糖レベルを下げる活性物質、血液中の脂質レベルを下げる活性物質、血液中のHDLレベルを上昇させる活性物質、血圧を下げる活性物質、アテローム性動脈硬化又は肥満の治療において適応とされる活性物質から選択される活性物質との組合せを特徴とする組み合わせ薬物。
【請求項２】
DPP IVインヒビターと、他の抗糖尿病薬又は血圧を低下させる活性物質の薬物との組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項３】
DPP IVインヒビターと、メトホルミン、ミグリトール、アトルバスタチン、バルサルタン、ピオグリタゾン又はテルミサルタンとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項４】
DPP IVインヒビターと、メトホルミンとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項５】
DPP IVインヒビターと、ピオグリタゾンとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項６】
DPP IVインヒビターと、テルミサルタンとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項７】
DPP IVインヒビターと、スルホニルウレアとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項８】
DPP IVインヒビターと、α-グルコシダーゼブロッカーとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項９】
α-グルコシダーゼブロッカーがアカルボース、ボグリボースまたはミグリトールである、請求項８記載の組合せ薬物。
【請求項１０】
DPP IVインヒビターと、インスリンとの組合せである、請求項１に記載の組み合わせ薬物。
【請求項１１】
メトホルミンが、1日1回又は２回の300mg〜1000mgの投与量、または、1日1回又は２回の500mg〜1000mgの投与量、又は遅延放出形態で1日1回の500mg〜2000mgの投与量、で存在するまたは使用される、請求項４記載の組合せ薬物。
【請求項１２】
治療有効量のDPP IVインヒビターが、単一用量として500 mg、850 mg又は1000 mgであって合計一日投与量500-2850mgのメトホルミン、または、遅延放出形態として500mg、1000mg、1500mg又は2000mgのメトホルミン、と組合されることを特徴とする、請求項４記載の組合せ薬物。
【請求項１３】
他の活性物質が、メトホルミン、スルホニルウレア、ナテグリニド、レパグリニド、チアゾリジンジオン、α-グルコシダーゼブロッカー、インシュリン及びインシュリン類似体、GLP-1及びGLP-1類似体、ACEインヒビター、アンギオテンシンIIレセプターブロッカー（ARB）、βブロッカーおよび利尿薬から選ばれる、請求項１記載の組合せ薬物。
【請求項１４】
他の活性物質が、メトホルミン、スルホニルウレア、ナテグリニド、レパグリニド、チアゾリジンジオン、α-グルコシダーゼブロッカー、インシュリン及びインシュリン類似体並びにGLP-1及びGLP-1類似体、から選ばれる、請求項１記載の組合せ薬物。
【請求項１５】
他の活性物質が、メトホルミン、スルホニルウレア、インスリン、α-グルコシダーゼブロッカーまたはグリタゾン（たとえばピオグリタゾン）である、請求項１記載の組合せ薬物。
【請求項１６】
遊離形態の組合せである、請求項１〜１５のいずれか１項記載の組合せ薬物。
【請求項１７】
固定された形態の組合せ、例えば錠剤またはカプセルである、請求項１〜１５のいずれか１項記載の組合せ薬物。
【請求項１８】
DPP IVインヒビターが、0.5mg〜50mg、好ましくは2.5mg〜50mgの用量で存在するまたは使用される、経口投与用の請求項１〜１７のいずれか１項記載の組合せ薬物。
【請求項１９】
DPP IVインヒビターが、0.5mg、1mg、2.5mg、５mgまたは10mgの用量で存在するまたは使用される、経口投与用の請求項１〜１８のいずれか１項記載の組合せ薬物。
【請求項２０】
DPP IVインヒビターが、1日の経口投与用量として５mgの用量で存在するまたは使用される、請求項１〜１９のいずれか１項記載の組合せ薬物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉鎖容器を形成するように密封された１個または複数個のプラスチックから形成されたバッグと、バッグに材料を導入しかつ／または除去するためにバッグの内部にアクセスを可能にするようにバッグ内に形成された１つまたは複数のポートと、１つまたは複数のポートに隣接するバッグに取り付けられた位置合わせ板とを備え、
板が形状に関して非対称である、使い捨て式処理バッグ。
【請求項２】
板が形状に関して非対称であり、凹凸多角形、部分多角形／部分円形の設計、および異なるサイズの２つ以上の長方形の設計もしくは円形の設計から成るグループから選択された形である、請求項１に記載のバッグ。
【請求項３】
板が形状に関して非対称であり、偏菱形および平行四辺形から成るグループから選択された多角形の形である、請求項１に記載のバッグ。
【請求項４】
板が１つまたは複数の開口を有し、１つまたは複数のポートに取り付けられる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項５】
板がバッグのポートに合致するように位置合わせされた１つまたは複数の開口を有し、板が１つまたは複数のケーブルタイによって１つまたは複数のポートに取り付けられる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項６】
バッグが１つのポートを有し、板がポートに位置合わせされた１つの開口を有し、バッグが１つのポートから間隔を置いて設けられた別個の取付けフィーチャを有し、板が、バッグおよびポートと相対位置に板を保持するように取付けフィーチャに位置合わせされた別個の開口を有する、請求項１に記載のバッグ。
【請求項７】
バッグが１つのポートを有し、板がポートに位置合わせされた１つの開口を有し、バッグが１つのポートから間隔を置いて設けられた別個の取付けフィーチャを有し、板が取付けフィーチャに位置合わせされた別個の開口を有し、板がポートおよび位置合わせフィーチャの両方に取り付けられる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項８】
バッグが１つのポートを有し、板がポートに位置合わせされた１つの開口を有し、バッグが１つのポートから間隔を置いて設けられた別個の取付けフィーチャを有し、板が取付けフィーチャに位置合わせされた別個の開口を有し、板がケーブルタイによってポートおよび位置合わせフィーチャの両方に取り付けられる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項９】
バッグが１つのポートを有し、板がポートに位置合わせされた１つの開口を有し、バッグが１つのポートから間隔を置いて設けられた別個の取付けフィーチャを有し、板が取付けフィーチャに位置合わせされた別個の開口を有し、板がポートおよび位置合わせフィーチャに隣接するバッグに板を溶接することによってポートおよび位置合わせフィーチャの両方に取り付けられる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１０】
板がバッグのポートに合致するように位置合わせされた１つまたは複数の開口を有し、板がバッグの隣接する表面に溶接される、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１１】
板がバッグの１つまたは複数のポートに合致するように位置合わせされた１つまたは複数の開口を有し、板がバッグの隣接する表面に成形される、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１２】
板がバッグの１つまたは複数のポートに合致するように位置合わせされた１つまたは複数の開口を有し、板がバッグの隣接する表面にオーバーモールドされる、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１３】
板に取り付けられた無線装置をさらに備える、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１４】
板に取り付けられた無線装置をさらに備え、無線装置がＲＦＩＤタグである、請求項１に記載のバッグ。
【請求項１５】
位置合わせ板が、当該バッグのためのホルダに設けられる非対称な開口に合致しおよび嵌合する寸法である、請求項１から１４のいずれか１項に記載のバッグ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のＳｉ：Ｃエピタキシャル層を処理する方法であって、
基板上に炭素とシリコンを含有するエピタキシャル層が堆積されている基板を準備するステップであって、該炭素が格子間炭素と０.５原子％を超える置換炭素を含む前記ステップと、
該エピタキシャル層に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びそれらの組合せから選ばれた元素をイオン注入するステップと、該イオン注入により、該エピタキシャル層の少なくとも一部のアモルファス化が得られ、
該基板とエピタキシャル層を８００℃〜１３５０℃の温度で、９００ミリ秒未満の時間アニールして、該エピタキシャル層内の格子間炭素の少なくとも一部を置換炭素に変換して、該置換炭素レベルを０.５原子％を超えるまで増加させるステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
イオン注入の前の該層内の置換炭素と格子間炭素を合わせた総量が、０.５〜２原子パーセントの範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオン注入前の該エピタキシャル層内の置換炭素の量が１原子％を超える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該イオン注入がＰ、Ａｓ、Ｓｉ、及びそれらの組合せから選ばれた元素を少なくとも１.５×１０１５ｃｍ２の用量で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アニールが、動的表面アニール、レーザアニール、ミリ秒アニール、フラッシュアニール又はスパイクアニールの一つ以上によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該アニールの後、急速熱アニールが１０秒未満行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該アニールの前、急速熱アニールが１０秒未満行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該Ｓｉ：Ｃエピタキシャル膜が、トランジスタ製造プロセスの製作ステップで形成され、該方法が、
基板上にゲート誘電体を形成するステップと、
該ゲート誘電体上にゲート電極を形成するステップと、
該電極の対向側の該基板上にソース/ドレイン領域を形成するとともに該ソース/ドレイン領域間にチャネル領域を画成するステップと、
該ソース/ドレイン領域の直上にシリコンと炭素を含有する該エピタキシャル層を堆積させるステップと、
を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
置換炭素と格子間炭素を合わせた総量が、１原子パーセントを超える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
注入前の該エピタキシャル層内の置換炭素量が、１原子％を超える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
イオン注入が、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ、及びそれらの組合せより選ばれた元素を少なくとも１.５×１０１５ｃｍ２の用量で含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
アニールが、動的表面アニール、レーザアニール、ミリ秒アニール、フラッシュアニール又はスパイクアニールの一つ以上で行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
該アニールの後、急速熱アニールが１０秒未満行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
該アニールの前、急速熱アニールが１０秒未満行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
注入とアニール後の該層内の置換炭素量が、０.５原子パーセントを超える、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
イオン注入が、Ｐ、Ａｓ、及びそれらの組合せから選ばれる元素を用いて少なくとも１.５×１０１５ｃｍ２の用量で多量にドープされたドレインを形成するように行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
該トランジスタが、チャネルを持つｎＭＯＳトランジスタを含み、該方法が、ｎＭＯＳトランジスタの該チャネル内の引張歪みを増大させる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング型発電機のステータに関するステータセグメント（１００）において、
ベースエレメント（１０３）と、
前記ベースエレメント（１０３）に取付けられているコイルエレメント（１０１）とを有し、
前記ベースエレメント（１０３）は接続領域（１０４）を有し、
前記接続領域（１０４）は前記ステータセグメント（１００）を別のステータセグメント（１１０）に接続する接続コイルエレメント（１０２）の取付けに適合されていることを特徴とする、ステータセグメント。
【請求項２】
前記ベースエレメント（１０３）は前記コイルエレメント（１０１）が取り付けられる巻線スロット（１０５）を有する、請求項１記載のステータセグメント。
【請求項３】
前記接続領域（１０４）は前記接続コイルエレメント（１０２）の収容に適した接続スロット（１０６）を有する、請求項１または２記載のステータセグメント。
【請求項４】
前記接続領域（１０４）は複数の接続コイルエレメント（１０２）の収容に適した複数の接続スロット（１０６）を有する、請求項３記載のステータセグメント。
【請求項５】
前記ベースエレメント（１０３）は複数の接続領域（１０４）を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載のステータセグメント。
【請求項６】
ステータ装置において、
請求項１から５までのいずれか１項記載のステータセグメント（１００）と、
接続コイルエレメント（１０２）とを有し、
前記接続コイルエレメント（１０２）は固定領域（２０１）および調整可能領域（２０２）を有し、
前記接続コイルエレメント（１０２）の前記固定領域（２０１）は前記ステータセグメント（１００）の前記接続領域（１０４）に固定されており、
前記調整可能領域（２０２）は、前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）に取付けられるよう、前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）について調整されていることを特徴とする、ステータ装置。
【請求項７】
さらに、複数の接続コイルエレメント（１０２）を有し、
前記複数の接続コイルエレメント（１０２）のそれぞれの固定領域（２０１）は前記ステータセグメント（１００）の前記接続領域（１０４）に固定されており、
前記複数の接続コイルエレメント（１０２）のそれぞれの調整可能領域（２０２）は、前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）に取付けられるよう、前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）について調整されている、請求項６記載のステータ装置。
【請求項８】
さらに、別のコイルエレメント（１０１）を有し、
コイルエレメント（１０１）および別のコイルエレメント（１０１）は、該コイルエレメント（１０１）と該別のコイルエレメント（１０１）とが重畳する重畳領域（２０３）が形成されるよう配置されている、請求項６または７記載のステータ装置。
【請求項９】
リング型発電機用のステータにおいて、
請求項６から８までのいずれか１項記載の少なくとも１つのステータ装置と、
請求項１から５までのいずれか１項記載のステータセグメント（１００）とを有し、
前記ステータ装置および前記ステータセグメント（１００）は、前記ステータ装置の接続領域（１０４）および該ステータセグメント（１００）の接続領域（１０４）に接続されている接続コイルエレメント（１０２）によって接続されていることを特徴とする、リング型発電機用のステータ。
【請求項１０】
リング型発電機のステータのステータセグメント（１００）の製造方法において、
コイルエレメント（１０１）をベースエレメント（１０３）に取付けるステップと、
前記ステータセグメント（１００）を別のステータセグメント（１１０）に接続する接続コイルエレメント（１０２）が取付け可能であるように、前記ベースエレメント（１０３）の接続領域（１０４）を成形するステップとを有することを特徴とする、ステータセグメント（１００）の製造方法。
【請求項１１】
さらに、
前記接続コイルエレメント（１０２）を該接続コイルエレメント（１０２）の固定領域（２０１）を用いて前記接続領域（１０４）に取付けるステップと、
前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）に前記接続コイルエレメント（１０２）の調整可能領域（２０２）が取付けられるよう、前記接続コイルエレメント（１０２）の前記調整可能領域（２０２）を前記別のステータセグメント（１１０）の接続領域（１０４）について調整するステップとを有する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記接続コイルエレメント（１０２）の前記調整可能領域（２０２）を調整するステップは、
ダミー接続領域（３０２）が設けられているダミーセグメント（３０１）を前記ステータセグメント（１００）に取付けるステップと、
前記接続コイルエレメント（１０２）の前記調整可能領域（２０２）を、前記別のステータセグメント（１１０）の前記別の接続領域（１０４）の幾何学的な寸法と同じ幾何学的な寸法を有する前記ダミー接続領域（３０２）に取付けるステップと、
前記接続コイルエレメント（１０２）の前記調整可能領域（２０２）を前記ダミー接続領域（３０２）について調整するステップとを有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記接続領域（１０４）を、前記接続コイルエレメント（１０２）の少なくとも一部と同じ幾何学的な寸法を有するツールエレメント（３０３）について調整する、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
調整された前記接続コイルエレメント（１０２）を備えた前記ステータセグメント（１００）を含浸し、調整された前記接続コイルエレメント（１０２）の調整された形状を固定する、請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行車体（２）と、
該走行車体（２）の前進方向に向かって左右に設けられた前輪（１０）及び後輪（１１）と、
前記走行車体（２）上に設けられ、走行車体（２）の操縦を行うための操縦席（３１）と、
該操縦席（３１）に設けられ、走行車体（２）の操向方向を決める操向ハンドル（３４）と、
該操向ハンドル（３４）の操作に連動して、左右の前輪（１０）の向きを変更できるステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）と、
前記走行車体（２）の後側に昇降リンク装置（３）を介して昇降可能に装着された苗植付部（４）と、
次工程の走行経路の指標となるように圃場位置に線を引く左右の線引きマーカ（６）と、
走行車体（２）の旋回に連動して作用状態となる線引きマーカ（６）を左右何れかに自動的に切り替えるマーカ自動切替装置（７）と、
該マーカ自動切替装置（７）を作動状態と非作動状態とに切り替えるマーカ自動入切装置（８）と、
操向ハンドル（３４）の操向操作に連動して操向内側の後輪（１１）の駆動を断続的に入り切りする断続的入り切り制御機能（Ｂ１）とを備え、
断続的入り切り制御機能（Ｂ１）は、前記マーカ自動入切装置（８）を非作動状態に切り替えたとき、操向内側の後輪（１１）の駆動を入／切する周期の入状態の割合を、通常の旋回時に予め設定している操向内側の後輪（１１）の駆動を入／切する周期の入状態の割合より大きくする構成としたことを特徴とする苗移植機。
【請求項２】
走行車体（２）と、
該走行車体（２）の前進方向に向かって左右に設けられた前輪（１０）及び後輪（１１）と、
前記走行車体（２）上に設けられ、走行車体（２）の操縦を行うための操縦席（３１）と、
該操縦席（３１）に設けられ、走行車体（２）の操向方向を決める操向ハンドル（３４）と、
該操向ハンドル（３４）の操作に連動して、左右の前輪（１０）の向きを変更できるステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）と、
前記走行車体（２）の後側に昇降リンク装置（３）を介して昇降可能に装着された苗植付部（４）と、
苗植付部（４）に設けられた複数条分の苗植付装置（５２）と、
複数条分の苗植付装置（５２）のうちの一部の植付条分の苗植付装置（５２）の駆動を断つ部分クラッチ（９）と
操向ハンドル（３４）の操向操作に連動して操向内側の後輪（１１）の駆動を断続的に入り切りする断続的入り切り制御機能（Ｂ１）とを備え、
該断続的入り切り制御機能（Ｂ１）は、部分クラッチ（９）の伝動を切り状態にしているとき、操向内側の後輪（１１）の駆動を入／切する周期の入状態の割合を全ての部分クラッチ（９）の伝動を入り状態にしているときの操向内側の後輪（１１）の駆動を入／切する周期の入状態の割合に比べて大きくする構成としたことを特徴とする苗移植機。
【請求項３】
走行車体（２）と、
該走行車体（２）の前進方向に向かって左右に設けられた前輪（１０）及び後輪（１１）と、
前記走行車体（２）上に設けられ、走行車体（２）の操縦を行うための操縦席（３１）と、
該操縦席（３１）に設けられ、走行車体（２）の操向方向を決める操向ハンドル（３４）と、
該操向ハンドル（３４）の操作に連動して、左右の前輪（１０）の向きを変更できるステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）と、
前記走行車体（２）の後側に昇降リンク装置（３）を介して昇降可能に装着された苗植付部（４）と、
次工程の走行経路の指標となるように圃場位置に線を引く左右の線引きマーカ（６）と、
走行車体（２）の旋回に連動して作用状態となる線引きマーカ（６）を左右何れかに自動的に切り替えるマーカ自動切替装置（７）と、
該マーカ自動切替装置（７）を作動状態と非作動状態とに切り替えるマーカ自動入切装置（８）と、
操向ハンドル（３４）の操向操作に連動して操向内側の後輪（１１）の駆動を断続的に入り切りする断続的入り切り制御機能（Ｂ１）とを備え、
該断続的入り切り制御機能（Ｂ１）は、マーカ自動入切装置（８）を非作動状態に切り替えたとき、ステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）のパワーステアリング（３７）のアシスト力を小さくする構成としたことを特徴とする苗移植機。
【請求項４】
圃場の耕盤深さが深いとき、操向ハンドル（３４）の操作量に対する左右の前輪（１０）の切れ角が大きくなる構成としたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の苗移植機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３記載の発明は、走行車体（２）と、該走行車体（２）の前進方向に向かって左右に設けられた前輪（１０）及び後輪（１１）と、前記走行車体（２）上に設けられ、走行車体（２）の操縦を行うための操縦席（３１）と、該操縦席（３１）に設けられ、走行車体（２）の操向方向を決める操向ハンドル（３４）と、該操向ハンドル（３４）の操作に連動して、左右の前輪（１０）の向きを変更できるステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）と、前記走行車体（２）の後側に昇降リンク装置（３）を介して昇降可能に装着された苗植付部（４）と、次工程の走行経路の指標となるように圃場位置に線を引く左右の線引きマーカ（６）と、走行車体（２）の旋回に連動して作用状態となる線引きマーカ（６）を左右何れかに自動的に切り替えるマーカ自動切替装置（７）と、該マーカ自動切替装置（７）を作動状態と非作動状態とに切り替えるマーカ自動入切装置（８）と、操向ハンドル（３４）の操向操作に連動して操向内側の後輪（１１）の駆動を断続的に入り切りする断続的入り切り制御機能（Ｂ１）とを備え、該断続的入り切り制御機能（Ｂ１）は、マーカ自動入切装置（８）を非作動状態に切り替えたとき、ステアリング機構（８６Ｉ、１８０、２１７、２２１など）のパワーステアリング（３７）のアシスト力を小さくする構成とした苗移植機である。
請求項４記載の発明は、圃場の耕盤深さが深いとき、操向ハンドル（３４）の操作量に対する左右の前輪（１０）の切れ角が大きくなる構成としたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の苗移植機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３記載の発明によれば、圃場が荒れている枕地等の畦に近い位置で、マーカ自動入切装置８を非作動状態に切り替えて作業をしているとき、走行車体２の直進性を向上させることができ、また、操向ハンドル３４の操作で走行車体２が急激に操向してかえって直進性が悪くなったり畦に衝突したりするのを防止することができる。
請求項４記載の発明によれば、請求項１から請求項３の何れか１項に記載の発明の効果に加えて、圃場の耕盤深さが深いときでも、操向性を保つことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネット（５２）のボアの周りに位置決めされた複数の傾斜コイル（５０）と、
ＲＦ信号をＲＦコイルアセンブリ（５６、５７）に送信しＭＲ画像を収集するようにパルスモジュール（３８）による制御を受けるＲＦ送受信器システム（５８）及びスイッチ（６２）と、
パルスモジュール（３８）と動作可能に接続された制御器（３２）であって、
ＲＦパルスプロフィールを決定すること、
前記ＲＦパルスプロフィールの高振幅セグメントを特定すること、
傾斜波形のスルーレートがＲＦパルスプロフィールの高振幅セグメントの送信中のＢ１磁場の大きさを低下させるように変更される、少なくとも１つの傾斜波形を設計すること、
ＲＦコイルアセンブリによる送信のためにＲＦパルスプロフィールを出力すること、並びに複数の傾斜コイルのうちの少なくとも１つによる送信のために前記少なくとも１つの傾斜波形を出力すること、
を行うようにプログラムされた制御器（３２）と、
を備える磁気共鳴（ＭＲ）撮像装置（１０）。
【請求項２】
前記ＲＦパルスプロフィール（２１２）は多次元空間選択的ＲＦパルスプロフィール（２１２）である、請求項１に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【請求項３】
前記ＲＦパルスプロフィール（２１２）の高振幅セグメントは、該プロフィールの開始時点の近くで発生しており、かつｋ空間の中央領域に対応する、請求項２に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【請求項４】
前記制御器はさらに、前記少なくとも１つの傾斜波形のスルーレート制限部分の間に時間変動するスルーレートを有するように該少なくとも１つの傾斜波形が設計されるようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【請求項５】
前記傾斜波形は振動式傾斜波形であると共に、前記制御器はさらに該振動式傾斜波形を低い振幅に維持するために最大スルーレート未満の低減されたスルーレートを有するように振動式傾斜波形が設計されるようにプログラムされている、請求項４に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【請求項６】
前記制御器はさらに、前記ＲＦパルスプロフィールを決定するために、うずまき型ｋ空間軌道が実現されるように予備的傾斜波形を設計し、前記予備的傾斜波形の再設計として前記少なくとも１つの傾斜波形を設計するようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【請求項７】
前記制御器はさらに、うずまき型ｋ空間軌道が実現されるように前記傾斜波形を決定するようにプログラムされている、請求項１に記載のＭＲ撮像装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む半導体と、
前記半導体上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜を介して、前記半導体と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と電気的に接続されたソース電極またはドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第３のゲート絶縁膜と、
前記第３のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極とを有し、
前記第３のゲート絶縁膜は、前記第２のゲート絶縁膜よりも比誘電率の高い絶縁材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シリコンを含む半導体と、
前記半導体上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜を介して、前記半導体と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と電気的に接続されたソース電極またはドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第３のゲート絶縁膜と、
前記第３のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極とを有し、
前記第３のゲート絶縁膜は、ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のゲート絶縁膜は、スパッタリング法で作製されたことを特徴とする半導体装置。