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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板を保持するためのエンクロージャであって、
第１表面と、前記第１表面と対向する第２表面と、前記第１表面および前記第２表面を分離する外周面とを有する本体であって、前記電子回路基板は、前記電子回路基板の第１側面が前記第１表面に向かい前記電子回路基板の前記第２側面が前記第２表面に向かうよう前記第１表面および前記第２表面の間に配置され、前記外周面の第１部分は、別の電子装置に前記電子回路基板を電気的に接続するために、少なくとも１つの電気コネクタに対して少なくとも１つの開口部を含み、前記外周面の第２部分は下向き方向に向けられた第１通気口を含み、前記外周面の第３部分は、前記第１通気口と対向し、かつ上向き方向に向けられた第２通気口を含む、本体と、
前記外周面の少なくとも前記第２部分および前記第３部分の近傍で前記本体と連結されるバッフルであって、前記バッフルは気流が前記第１通気口へと入り前記第２通気口から出るよう導くように構成され、前記バッフルは、前記通気口を少なくとも部分的に視覚的に覆うために、前記外周面の前記第２部分および前記第３部分の近傍で連結される、バッフルと、
を備える、エンクロージャ。
【請求項２】
前記第１通気口および前記第２通気口のうちの少なくとも１つは、前記気流が前記電子回路基板の前記第１側面および第２側面を端から端へと流れるように前記バッフルが導くことを可能にするための開口部を備える、請求項１に記載のエンクロージャ。
【請求項３】
前記開口部は第１列と、前記第１列に平行な第２列とに分布され、前記列の各々は前記本体のそれぞれ１つの表面の近傍にある、請求項２に記載のエンクロージャ。
【請求項４】
前記バッフルは、前記バッフルと前記開口部との間に間隙を画成するために前記本体に連結され、前記間隙は、前記開口部を実質的に視覚的に覆い、且つ、前記電子回路基板の前記第１側面および前記第２側面の端から端へと前記気流の前記方向を促進するように、寸法決定される、請求項２又は請求項３に記載のエンクロージャ。
【請求項５】
前記本体は、第１部分と、前記第１部分に連結されて前記電子回路基板を保持するためのキャビティを形成する第２部分と、を備える、請求項１〜請求項４の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【請求項６】
前記本体はプラスチック材料製であり、前記バッフルは金属材料製である、請求項１〜請求項５の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【請求項７】
前記バッフルは、前記外周面の大部分を覆う単体の帯状部材またはスパインを含む、請求項１〜請求項６の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【請求項８】
前記バッフルは、前記外周面の前記第１部分を覆わない、請求項７に記載のエンクロージャ。
【請求項９】
前記バッフルは前記本体に機械的に連結されて前記本体の構造部材となる、請求項７又は請求項８に記載のエンクロージャ。
【請求項１０】
前記本体は、気流が電子回路基板の前記側面のそれぞれ１つの近傍で流れるよう導く別の通気口を備える、請求項１〜請求項９の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【請求項１１】
前記第１表面および前記第２表面のうちの前記少なくとも１つは、前記他の通気口を少なくとも部分的に覆う別のバッフルを備える、請求項１０に記載のエンクロージャ。
【請求項１２】
前記他のバッフルは、前記電子回路基板の特性に関連づけられた表示を提供する、請求項１１に記載のエンクロージャ。
【請求項１３】
電子回路基板を保持するためのエンクロージャであって、
前記電子回路基板を保持するためのキャビティを形成するために第２部分に連結された第１部分を有する筐体であって、前記第１部分および前記第２部分のそれぞれは、対流による気流が前記電子回路基板の対向する表面の端から端まで同時に流れるよう導くための開口部を備える、筐体と、
前記開口部を実質的に視覚的に隠すため、および、前記対流による気流が前記電子回路基板の前記対向する表面の端から端へと流れるよう導くための間隙を前記筐体と前記バッフルとの間で画成するために、前記本体に連結されるバッフルと、
を備える、エンクロージャ。
【請求項１４】
前記バッフルは、前記筐体の対向する表面の間で前記筐体の周縁外部面の少なくとも１部分を包む、単体の帯状部材またはスパインを備える、請求項１３に記載のエンクロージャ。
【請求項１５】
前記バッフルは金属製であり、前記筐体はプラスチック製である、請求項１３又は請求項１４に記載のエンクロージャ。
【請求項１６】
前記バッフルは前記筐体に連結されて前記筐体の構造部材となる、請求項１３〜請求項１５の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【請求項１７】
電子回路基板を保持するためのエンクロージャであって、
前記電子回路基板を保持するためのキャビティを有する筐体であって、前記筐体は、下向き方向に向けられた第１開口部を前記筐体の第１側面上に有し、上向き方向に向けられた第２開口部を前記筐体の第２側面上に有する、筐体と、
前記開口部を視覚的に隠すため、および、気流が前記第１開口部へと入り、前記電子回路基板の対向する表面の近傍で同時に流れ、前記第２開口部から出るよう導くために、前記筐体と連結され、且つ、前記開口部から離間したバッフルと、
を備えるエンクロージャ。
【請求項１８】
前記バッフルは、前記筐体の対向する表面の間で前記筐体の周縁外部面の少なくとも１部分を包む、単体の帯状部材またはスパインを備える、請求項１７に記載のエンクロージャ。
【請求項１９】
前記バッフルは金属製であり、前記筐体はプラスチック製である、請求項１７又は請求項１８に記載のエンクロージャ。
【請求項２０】
前記バッフルは前記筐体と連結されて前記筐体の構造部材となる、請求項１７〜請求項１９の何れか1項に記載のエンクロージャ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置を保持する取付フレームであって、
それぞれが細長いプレートを含む対向する第１および第２のフレーム部分であって、前記細長いプレートは、内側面、外側面、および前記細長いプレートに沿って延びる側縁部を有し、前記側縁部は、電気ワイヤ用のガイドを受け入れるように構成された第１のチャネルを含み、前記第１のフレーム部分は、
それぞれが、前記第１のフレーム部分の長手方向軸に対して平行に延び、かつ前記第１のフレーム部分の前記外側面の長手方向に延び、前記取付フレームが構造体に対して固定されるのを可能にする固定装置の一部を受け入れるようにそれぞれが構成された複数の第２のチャネルと、
前記第１のフレーム部分の前記外側面から概ね垂直方向に離れるように延び、電子装置の一部を取り付け可能に受け入れるリップ部をそれぞれが有する複数の壁と、
を含む、対向する第１および第２のフレーム部分と、
第１の配線用空洞および第２の配線用空洞を画定するように、前記第１および第２のフレーム部分の前記内側面間に延びるスペーサであって、前記配線用空洞のそれぞれは、前記スペーサの面および前記フレーム部分の前記内側面によって画定され、前記フレーム部分に沿って延びる、スペーサと、
を含む取付フレーム。
【請求項２】
前記第２のフレーム部分は、
それぞれが、前記第２のフレーム部分の長手方向軸に対して平行に延び、かつ前記第２のフレーム部分の前記外側面の長手方向に延び、前記取付フレームが構造体に対して固定されるのを可能にする固定装置の一部を受け入れるようにそれぞれが構成された複数の第３のチャネルと、
前記第１のフレーム部分の前記外側面から概ね垂直方向に離れるように延び、電子装置の一部を取り付け可能に受け入れるリップ部をそれぞれが有する複数の第２の壁と、
を含む、請求項１に記載の取付フレーム。
【請求項３】
前記リップ部付きの壁は取付レールを含み、前記電子装置はプロセス制御装置である、請求項１又は請求項２に記載の取付フレーム。
【請求項４】
前記スペーサは、前記スペーサを前記第１および第２のフレーム部分に連結するねじ付き留め具を受け入れる開孔を画定する、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の取付フレーム。
【請求項５】
前記スペーサは、前記スペーサの両面に沿って延びる対向するチャネルを含み、前記対向するチャネルのそれぞれは、ワイヤ結束装置の少なくとも一部を受け入れるように構成される、請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の取付フレーム。
【請求項６】
前記第１のフレーム部分の前記側縁部の一方にあるチャネルの１つに連結された第１のワイヤガイドと、前記第１のワイヤガイドと対向し、前記第２のフレーム部分の前記側縁部の一方にある前記チャネルの１つに連結された第２のワイヤガイドとをさらに含む、請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の取付フレーム。
【請求項７】
前記ワイヤガイド間の開口を覆うカバーをさらに含み、前記開口は、前記配線用空洞の１つに隣接し、前記配線用空洞の前記１つの長手方向に延びる、請求項６に記載の取付フレーム。
【請求項８】
第１および第２のフレーム部分は互いに対して対称である、請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の取付フレーム。
【請求項９】
電子装置を保持する取付フレームであって、
概ね平行な２つのプレート部分と、前記プレート部分間にあって前記プレート部分に対して概ね垂直な壁とを有する押出成形された細長い本体を含み、前記プレート部分の内側面および前記壁の両側の面は、前記壁によって分離され、かつ前記本体の長手方向に延びる平行な配線用空洞を画定し、前記平行なプレート部分の一方の少なくとも１つの外側面は、プロセス制御装置の少なくとも一部を取り付け可能に受け入れる取付レールを含み、前記本体は、前記プレート部分の一方の外側面に少なくとも１つの取付チャネルを含み、前記取付チャネルは、構造体に対して前記本体を固定する取付ブラケットを受け入れるように構成され、前記プレート部分の側縁部は、それぞれのワイヤガイドを受け入れるチャネルを含む、取付フレーム。
【請求項１０】
前記壁は、ワイヤ結束装置の少なくとも一部を受け入れるチャネルを含む、請求項９に記載の取付フレーム。
【請求項１１】
前記プレート部分は、互いに対して対称である、請求項１〜請求項１０の何れか１項に記載の取付フレーム。
【請求項１２】
電子装置を保持する取付フレームであって、
長手方向に延び、内部の壁によって分離された概ね平行な２つの配線用空洞を有する押出成形された細長い本体を含み、前記配線用空洞は、反対の方向を向いたそれぞれの開口を有し、前記本体の両側の面は、それぞれのプロセス制御装置取付レールおよびそれぞれの取付チャネルを有し、前記取付チャネルのそれぞれは、前記取付フレームを構造体に保持するように構成される、取付フレーム。
【請求項１３】
前記本体は、前記本体の長手方向軸に関して対称である、請求項１２に記載の取付フレーム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置のパターン構造物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、データを伝送するラインパターンユニットと、
前記ラインパターンユニットに連結され、前記データを受信及び出力するパッドであって、その形状を限定する周辺ラインと前記周辺ラインに形成される凹部とを含む前記パッドと、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
【請求項２】
前記ラインパターンユニットは、
ラインパターンと、
前記ラインパターンと前記パッドとの間に配置され、前記ラインパターン及び前記パッドのうち、少なくとも一つと異なる幅を有する延長ラインと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項３】
前記ラインパターンは前記延長ラインに連結され、前記延長ラインに対して前記パッドと対向するように配置され、
前記延長ラインは、前記ラインパターン及び前記パッドのうち、少なくとも一つと異なる方向に沿って配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項４】
前記延長ラインは、前記周辺ラインの対向する端部に連結される２つのライン端部を含み、前記パッドの周辺ラインの該当する対向端部の幅と同じ幅を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項５】
前記延長ラインは所定の幅を有し、
前記パッドは、前記ラインパターンに対して前記延長ラインの幅と異なる可変的な幅を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項６】
前記パッドの凹部は、前記延長ラインに隣接するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項７】
前記周辺ラインは、前記延長ラインに直接連結される一側端部と、前記凹部を通じて前記延長ラインに連結される他側端部とを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項８】
前記パッドは、一定の幅を有する第１部分と前記凹部の配置に沿う方向に可変的な幅を有する第２部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項９】
前記パッドの周辺ラインは前記パッドの領域を形成し、
前記パッドの領域は、前記パッド領域の幅が前記ラインパターンユニットの長手方向に対して平行となる方向に沿って変化しない第１部分と、前記ラインパターンユニットからの距離によって前記ラインパターンユニットの長手方向に対して平行となる方向に沿って変化する第２部分とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項１０】
前記パッドは前記周辺ラインを前記ラインパターンユニットに連結する連結部を含み、
前記連結部は第１領域で湾曲し、
前記凹部は前記第１領域より大きい第２領域で湾曲することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項１１】
前記パッドは、前記ラインパターンユニットと前記周辺ラインの一側端部との間に連結される第１端部と、前記ラインパターンユニットと前記凹部の一側端部との間に連結される第２端部とを有する連結部を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項１２】
前記凹部と前記周辺ラインとの間に配置される突出部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項１３】
前記凹部と前記周辺ラインから長さ方向に突出する突出部とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターン構造物。
【請求項１４】
第１ラインパターン、前記第１ラインパターンから延長する第１延長ライン、そして前記第１延長ラインに連結され、第１周辺ライン、第１凹部、及び前記第１周辺ラインと前記第１凹部との間に配置される第１突出部を有する第１パッドとを含む第１パターン構造物と、
前記第１パターン構造物に隣接するように配置され、第２ラインパターン、前記第２ラインパターンから延長する第２延長ライン、そして前記第２延長ラインに連結され、第２周辺ライン、第２凹部、及び前記第２周辺ラインと前記第２凹部との間に配置される第２突出部を有する第２パッドとを含む第２パターン構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
【請求項１５】
第１方向に配置され、前記第１方向に対して角度を有する第２方向に沿って第１幅を有する第１ラインパターンと、前記第２方向に沿って前記第１ラインパターンから延び、前記第１方向に沿って前記第１幅より広い第２幅を有する第１延長ラインと、前記第１延長ラインの端部上に形成され、前記第２幅より広い第３幅を有する第１パッドとを含み、コントローラに連結される第１パターン構造物と、
基板上に配置され、第４幅を有する第２ラインパターンと、前記第２ラインパターンの端部から延び、第５幅を有する第２延長ラインと、前記第２延長ラインの端部上に形成され、第６幅と前記第６幅より狭い第７幅を有する第２パッドと、前記第７幅の第２パッドの一部から突出する突出部とを含み、前記第１パターン構造物に向かい合うように配置され、前記コントローラに連結される第２パターン構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置のパターン構造物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのシャシー・チャネルを包含するシャシー及びにおいてウェッジ・クランプと共に使用するためのモジュールであって、
第１の側部と、
第２の側部と、
前記第１の側部と前記第２の側部との間にプリント基板アセンブリと、
第１の外部壁および第１の内部壁とを備えた第１の拡張と、
第２の外部壁および第２の内部壁とを備えた第２の拡張と、
を有し、
前記第１の拡張が、前記第１の側部に取り付けられ、前記第２の拡張が、前記第２の側部に取り付けられ、
前記第１の内部壁および前記第２の内部壁の各々が第１の位置を有し、
前記第１の内部壁および前記第２の内部壁に加えられる圧力に応じて、前記第１の内部壁および前記第２の内部壁が、それぞれの第２の位置まで移動し、前記第１の内部壁及び前記第２の内部壁がそれぞれの第２の位置にあるとき、前記第１の内部壁と前記第２の内部壁との間の距離が、前記第１の内部壁及び前記第２の内部壁がそれぞれの第１の位置にあるときの距離よりも大きく、前記モジュールがシャシーに取り付けられたとき、前記第１の拡張及び前記第２の拡張が、少なくとも１つのチャネル内に少なくとも部分的に延びるように構成される、
ことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
拡張可能ウェッジクランプを更に有し、
前記第２の内部壁および前記第１の内部壁の各々の少なくとも一部が、前記拡張可能ウェッジクランプに隣接する
ことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記ウェッジクランプの拡張が、
前記第１の内部壁および前記第２の内部壁に圧力を加えることを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体にフレキシブルタイプの太陽電池モジュールが取り付けられた太陽電池モジュール積層体において、
前記太陽電池モジュールは、弾性率が１００ｋＰａ以上１００ＭＰａ以下の接着材層により前記支持体に支持され、
その接着面積が、下式で決まる接着面積Ａａ以上（但し、全面塗布を除く）であることを特徴とする太陽電池モジュール積層体。
Ａａ＝Ａｍ×Ｓｄ／Ｓｍ
ここで、
Ａａは、前記接着材層に必要な最小の接着面積、
Ａｍは、前記太陽電池モジュールの面積、
Ｓｄは、前記支持体と前記太陽電池モジュールの積層体に要求される、せん断接着強さの値、
Ｓｍは、前記接着材層と太陽電池モジュールとのせん断接着強さの値である。
【請求項２】
接着材層が、太陽電池モジュールの外縁部の全長の、少なくとも２分の１の長さに、連続的または断続的に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池モジュール積層体。
【請求項３】
接着材層が感圧型粘着剤からなることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の太陽電池モジュール積層体。
【請求項４】
接着材層が反応硬化型接着剤からなることを特徴とする、請求項１または請求項２のいずれかに記載の太陽電池モジュール積層体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、本発明の要点を具体的に説明する。
太陽電池モジュール１と支持体２との間に配置される、接着材層３の最小の接着面積は次に示す数式（１）により求める。
Ａａ＝Ａｍ×Ｓｄ／Ｓｍ・・・（１）
ここで、Ａａは接着材層３に必要な最小の接着面積、Ａｍは太陽電池モジュール１の面積、Ｓｄは太陽電池モジュール積層体に要求される、太陽電池モジュール１と支持体２との最小のせん断強度の値、Ｓｍは太陽電池モジュール１の全面で接着材層３を用いて接着すると仮定した場合の、太陽電池モジュール１と支持体２との全体でなすせん断接着強度の値である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影によって得た画像の画像データを出力する撮像部と、
特定物体を被写体に含めた複数の対象画像を前記撮像部にて順次撮影させる撮影制御部と、を備え、
前記撮影制御部は、前記特定物体の移動速度に応じて、前記複数の対象画像の撮影間隔を設定する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記特定物体の移動速度は、前記複数の対象画像の撮影前に前記撮像部から出力される画像データに基づいて検出される
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の対象画像の撮影前に前記撮像部から出力される複数の非対象画像の画像データに基づいて、各非対象画像上における前記特定物体の位置及び大きさを検出する物体検出部を更に備え、
前記移動速度は、各非対象画像上における前記特定物体の位置から検出され、
前記撮影制御部は、前記移動速度及び前記特定物体の大きさに応じて前記撮影間隔を設定する
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮影制御部は、前記複数の対象画像の撮影可否を判断する撮影可否判断部を有し、
前記撮影可否判断部は、
前記撮影間隔、前記移動速度、及び、前記複数の対象画像の枚数に基づいて、前記複数の対象画像の撮影期間における前記特定物体の移動距離を導出する一方で、
前記物体検出部の検出結果に基づく、１枚目の対象画像上における前記特定物体の位置、及び、
前記物体検出部の検出結果に基づく、前記複数の対象画像上における前記特定物体の移動方向に基づいて、前記複数の対象画像上における前記特定物体の移動可能距離を導出し、
前記移動距離と前記移動可能距離との比較に基づいて前記複数の対象画像の撮影可否を判断する
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
各対象画像から前記特定物体の画像データが存在する部分の画像を抽出画像として抽出し、得られた複数の抽出画像を合成する画像合成部を更に備えた
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月28日(2013.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
レンズと、
Ｐ×Ｐピクセルの空間分解能を有するセンサと、
開口面において前記レンズと前記センサとの間に配置され、Ｋ×Ｋの角度分解能を有する動的マスクと、
空間分解能（Ｐ／Ｋ）×（Ｐ／Ｋ）及び角度分解能Ｋ×Ｋを有するライトフィールドを取得する前記センサに直接隣接して配置される静的マスクと、
を備えた装置。
【請求項２】
前記静的マスクは、高周波ヘテロダインマスクである請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記センサに接続されるプロセッサであって、前記センサは、前記プロセッサのための単一の入力画像を取得し、前記プロセッサは、出力画像のセットを作成するプロセッサをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記入力画像は、動的シーンから取得され、前記シーンからの光線の時間変動は、前記動的マスクによって角度変動にマッピングされ、
前記センサにおける前記角度変動を、前記静的マスクを使用してライトフィールドとして取得する手段をさらに含む請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記動的シーンの動いている部分は、回復される請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記入力画像は、静的シーンから取得され、前記シーンからの光線の角度次元及び時間次元の変動は、前記センサ上で、前記静的マスクによって空間強度変動にマッピングされる請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記セットの前記出力画像は、前記シーンの異なる部分に関して異なる請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記静的シーンの焦点の合った部分は、前記出力画像のセットにおいて、より高い空間分解能を有する請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記動的マスクは、回転するように構成され、ピンホールのパターンを含む請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記動的マスクは、回転するように構成され、スリットを含む請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
シーンからの光線の角度変更は、垂直次元にマッピングされ、前記光線の時間変動は、水平次元にマッピングされる請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記動的マスクは、低分解能液晶ダイオードを備える請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記静的マスクと前記センサとを分離するガラス板をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記静的マスクは、前記静的マスクのためのコサインマスクの和である請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記静的マスクは、タイル張りされた広帯域マスクである請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記静的マスクは、小型レンズアレイである請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記動的マスクは、アダマール符号を使用する請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記静的マスクは、不均一に離間されたピンホールのアレイである請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
シーンの入力画像を取得するための方法であって、
レンズを通じてカメラに入射する、前記シーンからのライトフィールドを、開口面において動的マスクを使用して変調するステップと、
センサにおいて、前記変調ライトフィールドを、前記センサに直接隣接して配置される静的マスクを使用して、単一の画像として取得するステップであって、ライトフィールドの時間変動は、露光時間Ｔを期間Ｔ／Ｋ２のＫ２個の区間に分割することで角度変動にマッピングされ、Ｋ２個の区間のそれぞれの間、前記動的マスクのＫ２個のロケーションのうちの１つのみが開いており、一方、他の全ては閉じている、取得するステップと、
を含む方法。
【請求項２０】
前記単一の画像から、前記センサに接続されているプロセッサを使用して、出力画像のセットを作成するステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記センサは静的であり、
前記入力画像を高分解能画像に変換するステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記入力画像を４次元プレノプティック関数に変換するステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記単一の画像を、前記シーンの異なる深度の平面においてリフォーカスするステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記シーンは動的であり、
前記入力画像を低空間分解能のビデオに変換するステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
ライトフィールドにおける角度変動、時間変動、又は空間変動を、前記センサの個々のピクセルにマッピングするステップをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界を表す元画像を取り込む取り込み手段、
前記被写界に割り当てられた第１切り出しエリアに対応する第１記録画像を前記取り込み手段によって取り込まれた元画像に基づいて作成する第１作成手段、
前記第１切り出しエリアのサイズを下回るサイズを有して前記被写界に割り当てられた第２切り出しエリアに対応する第２記録画像を前記取り込み手段によって取り込まれた元画像に基づいて作成する第２作成手段、
前記第１作成手段によって作成された第１記録画像に対応する第１再現画像を出力する第１出力手段、および
前記第２作成手段によって作成された第２記録画像の再現範囲を示す再現範囲情報を前記第１出力手段の出力処理と並列して出力する第２出力手段を備える、画像処理装置。
【請求項２】
前記取り込み手段によって取り込まれた元画像に基づいて前記第１切り出しエリアから特定物体を探索する探索手段、および
前記探索手段によって発見された特定物体が前記第２切り出しエリアで捉えられるように前記第２切り出しエリアの位置を調整する調整手段をさらに備える、請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１切り出しエリアおよび前記第２切り出しエリアの各々は矩形エリアに相当し、
前記第２切り出しエリアの垂直サイズは前記第１切り出しエリアの垂直サイズと等しくかつ前記第２切り出しエリアの水平サイズは前記第１切り出しエリアの水平サイズよりも小さい、請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
第１画角を有する第１記録画像を記録媒体から再生する再生手段、
第２画角に対応する切り出しエリアを前記再生手段によって再生された第１記録画像上で定義する定義手段、
前記定義手段によって定義された切り出しエリアに属する第２記録画像を前記記録媒体に記録する記録手段、
前記再生手段によって再生された第１記録画像に対応する第１再現画像を出力する第１出力手段、および
前記記録手段によって記録された第２記録画像の再現範囲を示す再現範囲情報を前記第１出力手段の出力処理と並列して出力する第２出力手段を備える、画像処理装置。
【請求項５】
前記再生手段によって再生された第１記録画像から特定物体を探索する探索手段、および
前記探索手段によって発見された特定物体が前記切り出しエリアで捉えられるように前記切り出しエリアの位置を調整する調整手段をさらに備える、請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第２出力手段は前記第２記録画像に対応する第２再現画像を前記第１出力手段によって出力される第１再現画像に前記再現範囲情報として多重する第２再現画像多重手段を更に備え、
前記第２再現画像の倍率は前記第１再現画像の倍率よりも小さく、
前記第２再現画像多重手段は前記第１再現画像上の既定位置に前記第２再現画像を多重する、請求項４または５記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号に基づいて第１レベルのパルス幅を可変し、または前記入力信号に基づいて第２レベルのパルス幅を可変して前記第１レベル、前記第２レベル及び基準レベルを有する３−レベルパルス幅変調信号を生成するＰＷＭ生成器と、
前記３−レベルパルス幅変調信号に基づいて出力ノードを第１電源電圧、第２電源電圧、または第３電源電圧レベルで駆動する出力ステージとを具備することを特徴とする３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項２】
前記入力信号を少なくとも１つのゲイン値によってスケーリングして前記ＰＷＭ生成器に提供するプリスケーリング部をさらに含み、前記ゲイン値は前記第１〜第３電源電圧のうち少なくとも１つの変動を補償する大きさを有することを特徴とする請求項１に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項３】
前記第３電源電圧はグラウンドレベルであり、
前記第１電源電圧は前記第３電源電圧より高い正電圧であり、
前記第２電源電圧は前記第３電源電圧より低い負電圧であることを特徴とする請求項１に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項４】
前記第１電源電圧と前記第２電源電圧のレベル変化に基づいて前記プリスケーリング部に前記少なくとも１つのゲイン値を提供する電源電圧センシング部をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項５】
前記電源電圧センシング部は、
前記第１電源電圧の測定されたレベルと前記第２電源電圧の測定されたレベルのデジタル値を提供するアナログデジタル変換器と、
前記デジタル値に基づいて前記少なくとも１つのゲイン値を演算して提供する演算部とを含むことを特徴とする請求項３に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項６】
前記演算部は、
前記第１電源電圧と前記第２電源電圧それぞれのレベルによるデジタル値を比べて前記少なくとも１つのゲイン値を提供することを特徴とする請求項４に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項７】
前記演算部は、
前記第１電源電圧及び前記第２電源電圧の理想的なレベルと前記第１電源電圧の測定されたレベルと前記第２電源電圧の測定されたレベルとに基づいて、前記少なくとも１つのゲイン値を提供することを特徴とする請求項４に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項８】
前記プリスケーリング部は、
前記基準レベルに基づいて前記入力信号を前記基準レベル以上の第１入力信号と前記基準レベル以下の第２入力信号に分離する信号分離器と、
前記第１入力信号または前記第２入力信号に前記少なくとも１つのゲイン値を乗算して、第１スケーリングされた信号及び第２スケーリングされた信号を提供するスケーラと、
前記第１スケーリングされた信号及び前記第２スケーリングされた信号を合算して、前記スケーリングされた信号を前記ＰＷＭ生成器に提供する合算器と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の３−レベルＰＷＭ増幅器。
【請求項９】
ボリューム制御信号に応答して受信された入力信号のオーディオソースデータをボリューム調節してボリューム調節された入力信号を出力するボリューム調節部と、
前記入力信号を第１レベル、第２レベル及び基準レベルを有する３−レベルパルス幅変調信号に変換し、変換された３−レベルパルス幅変調信号に基づいて負荷の一端子に接続される出力ノードを駆動するハーフ−ブリッジ３−レベルＰＷＭ増幅器を含むことを特徴とするオーディオ処理装置。
【請求項１０】
前記ハーフ−ブリッジ３−レベルＰＷＭ増幅器は、
前記ボリューム調節された入力信号を少なくとも１つのゲイン値によりスケーリングしてスケーリングされた信号を提供するプリスケーリング部と、
前記スケーリングされた信号に基づいて前記第１レベルのパルス幅を可変し、前記第２レベルのパルス幅を可変して前記第１レベル、前記第２レベル及び前記基準レベルを有する前記３−レベルパルス幅変調信号を生成するＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ  ｗｉｄｔｈ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）生成器と、
前記負荷の一端子に接続される前記出力ノードを第１電源電圧、第２電源電圧、または第３電源電圧レベルに駆動する出力ステージを具備し、前記ゲイン値は前記第１〜第３電源電圧のうち少なくとも１つのレベル変動を補償する大きさであることを特徴とする請求項９に記載のオーディオ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有するベース基板と、
前記ベース基板上の透光性を有する絶縁層と、
前記絶縁層上の光電変換層と、
前記光電変換層上の第１電極及び第２電極と、を有し、
前記光電変換層は、単結晶半導体層と、ｐ型不純物半導体層と、ｎ型不純物半導体層とを有し、
前記第１電極は前記ｎ型不純物半導体層と電気的に接続し、
前記第２電極は前記ｐ型不純物半導体層と電気的に接続し、
前記単結晶半導体層は前記絶縁層と接し、
前記単結晶半導体層と前記絶縁層とが接する面において、前記単結晶半導体層は複数の凹部を有し、前記凹部は前記絶縁層により充填されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
透光性を有するベース基板と、
前記ベース基板上の透光性を有する絶縁層と、
前記絶縁層上の光電変換層と、
前記光電変換層上の第１電極及び第２電極と、を有し、
前記光電変換層は、単結晶半導体層と、ｐ型不純物半導体層と、ｎ型不純物半導体層とを有し、
前記第１電極は前記ｎ型不純物半導体層と電気的に接続し、
前記第２電極は前記ｐ型不純物半導体層と電気的に接続し、
前記光電変換層は、前記絶縁層と接する第１の面と、前記第１電極及び前記第２電極と接する第２の面とを有し、
前記第１の面において、前記光電変換層は複数の凹部を有し、前記凹部は前記絶縁層により充填されており、
前記第２の面において、前記光電変換層は複数の凹部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記凹部は、水平方向の断面形状が円形であり、深さが深いほど水平方向の断面積が小さくなっていく形状を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁層の側面、前記光電変換層の側面及び上面は、保護膜で覆われている領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
内部に脆化層を有する第１の単結晶半導体基板と、透光性を有するベース基板と、を用い、
前記第１の単結晶半導体基板上に、非晶質領域及び単結晶半導体領域を含む第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層中の前記非晶質領域を選択的にエッチングすることで、表面に複数の凹部を有する第２の単結晶半導体基板を形成する工程と、
前記第２の単結晶半導体基板の前記凹部を有する表面に絶縁層を形成する工程と、
前記第２の単結晶半導体基板を前記絶縁層を介して、前記ベース基板に接合させる工程と、
前記第２の単結晶半導体基板を、前記脆化層を境に分割し、前記ベース基板上に前記絶縁層及び第１単結晶半導体層が順次積層された積層を形成する工程と、
前記第１単結晶半導体層上に、第２単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第２単結晶半導体層の表層または表面上に、ｎ型不純物半導体層とｐ型不純物半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型不純物半導体層に接する第１電極を形成する工程と、
前記ｐ型不純物半導体層に接する第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１半導体層の形成には、プラズマＣＶＤ法を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記第２単結晶半導体層を形成する工程と、前記ｎ型及び前記ｐ型不純物半導体層を形成する工程との間に、前記第２単結晶半導体層上に、非晶質領域及び単結晶半導体領域を含む第２半導体層を形成する工程と、前記第２半導体層中の該非晶質領域を選択的にエッチングする工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011066400.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記半導体基板に脆化層を形成し、
前記脆化層において前記半導体基板から半導体膜を分離し、
第１のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする第２のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した脆化層及び半導体膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記半導体基板に脆化層を形成し、
前記脆化層において前記半導体基板から半導体膜を分離し、
第１のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする第２のエッチング処理により、前記分離後の半導体基板に残存した脆化層及び半導体膜を除去し、
前記分離後の半導体基板の研磨の行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
フッ酸を含む溶液をエッチャントとして、前記第１のエッチング処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記脆化層は、Ｈ３＋イオンを含むイオンを照射することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体を酸化する酸化剤として機能する物質は、硝酸であり、
前記半導体の酸化物を溶解する物質は、フッ酸であり、
前記半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質は、酢酸であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記混合溶液の硝酸の体積は、前記混合溶液の酢酸の体積の０．０１倍より大きく、且つ１倍未満であり、
前記混合溶液の硝酸の体積は、前記混合溶液のフッ酸の体積の０．１倍より大きく、且つ１００倍未満であり、
前記混合溶液のフッ酸の体積は、前記混合溶液の酢酸の体積の０．０１倍より大きく、且つ０．３倍未満であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記混合溶液のフッ酸と硝酸と酢酸の体積比は、１：３：１０、１：２：１０、１．５：３：１０、２：２：１０、１：１０：２０、又は１：１：１０であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光検出装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上の、第１の遮光層と、第２の遮光層と、
前記透光性基板、前記第１の遮光層及び前記第２の遮光層上に接して設けられた透光性絶縁膜と、
前記第１の遮光層上に、前記透光性絶縁膜を介して設けられた第１のフォトダイオードと、
前記第２の遮光層上に、前記透光性絶縁膜を介して設けられた第２のフォトダイオードと、
前記第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、
前記第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、
前記第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、前記第１のカラーフィルター及び前記第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有し、
前記第３の遮光層は前記透光性絶縁膜上に接して設けられていることを特徴とする光検出装置。
【請求項２】
透光性基板上の、第１の遮光層及び第２の遮光層と、
前記透光性基板、前記第１の遮光層及び前記第２の遮光層上に接して設けられた透光性絶縁膜と、
前記第１の遮光層上に、前記透光性絶縁膜を介して設けられた第１のフォトダイオードと、
前記第２の遮光層上に、前記透光性絶縁膜を介して設けられた第２のフォトダイオードと、
前記第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、
前記第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、
前記第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間では、前記第１のカラーフィルターと前記第２のカラーフィルターとが並列して第３の遮光層が形成され、
前記第３の遮光層は前記透光性絶縁膜上に接して設けられていることを特徴とする光検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１の遮光層及び前記第２の遮光層の代わりに第１の反射層及び第２の反射層を有することを特徴とする光検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標本にレーザ光を照射する光源と、
該光源から照射された前記レーザ光を前記標本上で走査させるスキャナと、
該スキャナにより走査された前記レーザ光を前記標本に照射する一方、該レーザ光の照射位置において発生した蛍光を集光する対物レンズと、
前記スキャナと前記対物レンズとの間に配置され、前記レーザ光と前記蛍光とを分離する波長分離部と、
該波長分離部により分離された前記蛍光を入射端から入射して導光し、略直線状に形成された射出端から射出する落射用ファイバと、
該落射用ファイバの前記射出端から射出された前記蛍光を該射出端の長手方向に直交する方向に分散させる分散素子と、
該分散素子により分散させられた前記蛍光の分散方向に沿って配列された複数の検出部を有する光電子増倍管と、
を備える走査型顕微鏡装置。
【請求項２】
前記波長分離部と交換可能に配置され、前記対物レンズにより集光された前記蛍光を前記レーザ光の光路に戻す蛍光戻し部と、
該蛍光戻し部と前記波長分離部とを切り替える切替え手段と、
前記対物レンズの焦点位置と共役な位置に配置され、前記切替え手段によって切り替えられた前記蛍光戻し部により前記レーザ光の光路に戻されて前記スキャナを通過した前記蛍光を部分的に通過させる共焦点ピンホールと、
該共焦点ピンホールを通過した前記蛍光を前記落射用ファイバの射出端から射出される前記蛍光の光路に入射させる逆走査蛍光入射部と、
を備える請求項１に記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項３】
前記スキャナにより前記標本上で走査された前記レーザ光の照射位置において透過方向に向かって発生した蛍光を集光するコンデンサレンズと、
該コンデンサレンズにより集光された前記蛍光を入射端から入射して導光し、前記分散素子による分散方向に直交する方向に延びる略直線状に形成された射出端から前記分散素子に向けて前記蛍光を射出する透過用ファイバと、
該透過用ファイバの射出端から射出された前記蛍光を前記落射用ファイバの射出端から射出される前記蛍光の光路に入射し、前記落射用ファイバからの前記蛍光に代えて前記透過用ファイバからの前記蛍光を前記分散素子に入射させる透過蛍光入射部と、
を備える請求項１または請求項２に記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項４】
前記落射用ファイバの入射端が前記対物レンズの瞳位置に共役な位置に配置されるとともに、該落射用ファイバの入射端の径および受光可能最大角度が以下の式を満たす請求項１から請求項３のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
φＤr≧φｐo×βPL （１）
αre≧θａ （２）
ここで、
φＤr：落射用ファイバの入射端の径
φｐo：対物レンズの瞳径
βPL：対物レンズの瞳位置から落射用ファイバの入射端への投影倍率
αre：落射用ファイバの入射端の受光可能最大角度
θａ：スキャナによる走査範囲で決まる落射用ファイバの入射端への最大入射角度
【請求項５】
前記落射用ファイバの入射端の受光可能最大角度が、さらに以下の式を満たす請求項４に記載の走査型顕微鏡装置。
αre＞θｂ （３）
ここで、
αre：落射用ファイバの入射端の受光可能最大角度
θｂ：対物レンズの取り込み可能視野で決まる落射用ファイバの入射端への最大入射角度
【請求項６】
前記落射用ファイバの射出端の幅方向の寸法および長手方向の寸法が、以下の式を満たす請求項１から請求項５のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
Ｗ×βPM＜ＰW （４）
Ｈr×βPM＜Ｐh （５）
αro÷βPM＜θp （６）
ここで、
Ｗ：落射用ファイバの射出端の幅方向の寸法
βPM：落射用ファイバの射出端を光電子増倍管に投影する倍率
ＰW：光電子増倍管の各検出部の配列方向の幅寸法
Ｈr：落射用ファイバの射出端の長手方向の寸法
Ｐh：光電子増倍管の各検出部の配列方向に直交する方向の寸法
αro：落射用ファイバの射出角度
θｐ：光電子増倍管の許容受光角度
【請求項７】
前記光電子増倍管の前記検出部の受光面近傍に配列された複数のシリンドリカルレンズを備え、該シリンドリカルレンズの配列ピッチが前記検出部の配列ピッチと略一致し、かつ、各前記シリンドリカルレンズが各前記検出部にそれぞれ対応して配置されている請求項１から請求項６のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項８】
前記シリンドリカルレンズのレンズパワーがない方向の寸法が、前記検出部に入射される前記蛍光の入射範囲の寸法より大きい請求項７に記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項９】
所定の時間ごとの前記標本の分光検出結果を記憶する記憶部を備える請求項１から請求項８のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項１０】
前記検出部により検出された前記蛍光を波長分離する画像処理部と、該画像処理部により波長分離された前記蛍光の像を表示するモニタとを備える請求項１から請求項９のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
【請求項１１】
標本にレーザ光を照射する光源と、
該光源から照射された前記レーザ光を前記標本上で走査させるスキャナと、
該スキャナにより前記標本上で走査された前記レーザ光の照射位置において透過方向に向かって発生した蛍光を集光するコンデンサレンズと、
該コンデンサレンズにより集光された前記蛍光を入射端から入射して導光し、略直線状に形成された射出端から射出する透過用ファイバと、
該透過用ファイバの前記射出端から射出された前記蛍光を該射出端の長手方向に直交する方向に分散させる分散素子と、
該分散素子により分散させられた前記蛍光の分散方向に沿って配列された複数の検出部を有する光電子増倍管と、
を備える走査型顕微鏡装置。
【請求項１２】
前記透過用ファイバの入射端が前記コンデンサレンズの瞳位置と共役な位置に配置されるとともに、該透過用ファイバの入射端の径および受光可能最大角度が以下の式を満たす請求項３から請求項１１のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
φＤt＞φｐc×βcd （７）
αte＞θｃ （８）
ここで、
φＤt：透過用ファイバの入射端の径
φｐc：コンデンサレンズの瞳径
βcd：コンデンサレンズの瞳位置から透過用ファイバの入射端への投影倍率
αte：透過用ファイバの受光可能最大角度
θｃ：スキャナの走査範囲で決まる透過用ファイバへの最大入射角度
【請求項１３】
前記透過用ファイバの入射端の受光可能最大角度が、さらに以下の式を満たす請求項１２に記載の走査型顕微鏡装置。
αte＞θｄt （９）
ここで、
αte：透過用ファイバの受光可能最大角度
θｄt：コンデンサレンズの取り込み可能視野で決まる透過用ファイバへの最大入射角度
【請求項１４】
前記透過用ファイバの射出端の幅方向の寸法および長手方向の寸法が、以下の式を満たす請求項３から請求項１１のいずれかに記載の走査型顕微鏡装置。
Ｗ×βPM＜ＰW （１０）
Ｈt×βPM＜Ｐh （１１）
αro÷βPM＜θｐ （１２）
ここで、
Ｗ：透過用ファイバの射出端の幅方向の寸法
βPM：透過用ファイバの射出端を光電子増倍管に投影する倍率
ＰW：光電子増倍管の各検出部の配列方向の幅寸法
Ｈt：透過用ファイバの射出端の長手方向の寸法
Ｐh：光電子増倍管の各検出部の配列方向に直交する方向の寸法
αto：透過用ファイバの射出角度
θｐ：光電子増倍管の許容受光角度
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に中空空間が形成され、前記中空空間を外部空間に通じさせる開口部を有する筐体であって、前記開口部が開口端となる共鳴体が前記中空空間に構成される筐体と、
前記中空空間内を移動させられ、前記共鳴体の閉口端となる移動部材と、
前記移動部材の位置を移動させて、前記共鳴体の前記開口端の位置に対する前記閉口端の位置を変更する位置変更手段と
を備えることを特徴とする音響構造体。
【請求項２】
前記中空空間は、第１の中空空間と、第２の中空空間と、前記第１の中空空間と前記第２の中空空間とを通じさせる第３の中空空間とを含み、
前記第１及び第２の中空空間は、それぞれ異なる前記開口部を介して前記外部空間に通じ、
前記移動部材は、前記第１又は第２の中空空間内を移動させられ、前記位置変更手段によって決められた位置に移動させられたときには前記第３の中空空間を塞ぎ、前記決められた位置以外の位置に移動させられたときには前記第３の中空空間を塞がない
ことを特徴とする請求項１に記載の音響構造体。
【請求項３】
内部に複数の中空空間が形成され、前記中空空間を外部空間に通じさせる開口部を複数有する筐体と、
閉状態においては前記開口部を塞ぎ、開状態においては当該開口部を塞がない複数の開閉部材と、
前記複数の開閉部材のそれぞれについて前記開状態又は前記閉状態に切り替える切替制御手段と
を備えることを特徴とする音響構造体。
【請求項４】
内部に中空空間が形成され、当該中空空間の一端に開口部を有し、当該中空空間の他端に閉口部を有する第１部材と、
内部に中空空間が形成され、当該中空空間の両端に開口部を有する第２部材であって、当該開口部の一方が開口端となり、前記第１部材の閉口部が閉口端となる共鳴体を構成するように設けられた第２部材と、
前記共鳴体の前記開口端の位置に対する前記閉口端の位置を変更する位置変更手段と
を備えることを特徴とする音響構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述した目的を達成するために、本発明に係る音響構造体は、内部に中空空間が形成され、前記中空空間を外部空間に通じさせる開口部を有する筐体であって、前記開口部が開口端となる共鳴体が前記中空空間に構成される筐体と、前記中空空間内を移動させられ、前記共鳴体の閉口端となる移動部材と、前記移動部材の位置を移動させて、前記共鳴体の前記開口端の位置に対する前記閉口端の位置を変更する位置変更手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明に係る音響構造体は、内部に複数の中空空間が形成され、前記中空空間を外部空間に通じさせる開口部を複数有する筐体と、閉状態においては前記開口部を塞ぎ、開状態においては当該開口部を塞がない複数の開閉部材と、前記複数の開閉部材のそれぞれについて前記開状態又は前記閉状態に切り替える切替制御手段とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る音響構造体は、内部に中空空間が形成され、当該中空空間の一端に開口部を有し、当該中空空間の他端に閉口部を有する第１部材と、内部に中空空間が形成され、当該中空空間の両端に開口部を有する第２部材であって、当該開口部の一方が開口端となり、前記第１部材の閉口部が閉口端となる共鳴体を構成するように設けられた第２部材と、前記共鳴体の前記開口端の位置に対する前記閉口端の位置を変更する位置変更手段とを備えることを特徴とする。