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【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明において、前記熱処理プレートは、前記第１の載置支持部材と前記第２の載置支持部材と前記吸引孔を一つの組み合わせとしたときに、前記組み合わせが前記熱処理プレートに載置された基板の周縁に位置するように設けられていてもよい（請求項９）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明において、前記熱処理プレートは、前記第１の載置支持部材と前記第２の載置支持部材と前記吸引孔を一つの組み合わせとしたときに、前記組み合わせが前記熱処理プレートに載置された基板の中央近傍に位置するように設けられていてもよい（請求項１０）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の第１の熱処理方法は、基板に加熱処理または冷却処理を施す熱処理装置の熱処理工程において、基板を加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートに載置する工程と、前記熱処理プレートに伸縮自在の第１の載置支持部材を備え、前記載置する工程中に前記熱処理プレートの基板載置面と前記基板の裏面との間に所定の第１の隙間距離を設ける工程と、前記第１の隙間距離を設けられた空間を前記熱処理プレートの基板載置面の設けられた吸引孔により吸引する吸引工程と、前記吸引工程の吸引により引き寄せられる前記基板の押圧で前記第１の載置支持部材を収縮させる工程と、前記加熱処理プレートに設けられる第２の載置支持部材に前記基板を当接させる工程と、を有し、前記基板は、前記第２の載置支持部材に基板を当接した状態で熱処理されることを特徴とする（請求項１１）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の第１の熱処理方法において、前記吸引工程は、前記第１の載置支持部材に基板が当接する前から吸引を開始するようにしてもよい（請求項１２）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本発明の第２の熱処理方法は、基板に加熱処理または冷却処理を施す熱処理装置の熱処理工程において、基板を加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートに載置する工程と、前記熱処理プレートに、コイルばねで構成され、前記基板の自重に対してコイルばねが反発するばね定数を小さく設定した伸縮自在の第１の載置支持部材を備え、前記載置する工程中に前記基板を前記第１の載置支持部材に支持させることで反発作用を含みながらゆっくりと沈降して前記第２の載置支持部材に前記基板を着座させる工程と、前記熱処理プレートの基板載置面と前記第１の載置支持部材に支持された基板の裏面との間に設けられた空間を前記熱処理プレートの基板載置面に設けられた吸引孔により吸引する吸引工程と、を有し、前記基板は、前記第２の載置支持部材に基板を当接した状態で熱処理される、ことを特徴とする（請求項１３）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明の第２の熱処理方法において、前記吸引工程は、基板が前記第２の載置支持部材に着座する前から吸引を開始するようにしてもよい（請求項１４）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に図６に戻り、平面視でクーリングプレート６０上に配置されている構成物の説明を行う。棚ユニットＵ５，Ｕ６に設置されるＣＰＬ２ａのクーリングプレート６０は、例えば受渡しアームＤと搬送アームＡ４との両方からウエハＷを載置もしくは受け取れる様に双方のアームＤ，Ａ４に設けられるウエハＷ支持部（例えば、図５の場合Ａ４ａ）がクーリングプレート６０に干渉せずに受渡しができる様に周縁の例えば５箇所のいずれかの切欠き部６１を例えばウエハＷを保持したままで搬送アームＡ４を通過させることで、クーリングプレート６０との間でウエハＷの受渡しが可能になっている。その関係図を図７に示す。受渡しアームＤの基板保持部Ｄａが３箇所、例えばＣＯＴ層の搬送アームＡ４であれば基板保持部Ａ４ａの４箇所に対してクーリングプレート６０の切欠き部６１が対応するものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に第１の載置支持部材６４について、図９乃至図１４を用いてより詳細に説明する。先ず、図９（ａ）に図示する第１の載置支持部材６４は、コイルばねやスポンジ、ゴムのような弾性部材で全部または、一部が弾性部材６４で構成されていれば良く、また一部が硬質部材である樹脂やセラミックスであっても良く、更には第１の載置支持部材６４は、これらの弾性支持部材６４と硬質部材との組合せや、弾性部材同士の組み合わせで構成されていても良い。この第１の載置支持部材６４の構成についての例を図１１，図１２，図１３にて示し後述する。第１の載置支持部材６４は、クーリングプレート６０に設けられた支持部材挿入孔６６に設置される。この際、第１の載置支持部材６４が支持部材挿入孔６６から飛び出したり抜けたりしないように、第１の載置支持部材６４の下部側に設けた鍔部６８ａを、例えばリング状の抜け防止部材６５に係合して移動が制限されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に図９，図１０は、この第１の載置支持部材の動きを説明する図である。図９（ａ）に図示する第１の載置支持部材６４は、硬質部材６８と弾性部材であるコイルばね６７とを組み合わせて構成されている。硬質部材６８は、例えば円柱状でウエハＷの載置側端部にウエハＷと点接触する曲面６８ｂを有し、他方の下部側にばね受け部を形成する鍔部６８ａを設けたセラミックス製部材にて形成されている。この２つの組み合わせにより第１の載置支持部材６４は上下方向の移動が可能となりクーリングプレート６０に対して出没自在に構成されている。この図９（ａ）はウエハＷを受け取り載置する前の状態を示している。この場合、硬質部材６８の材質としては、例えばフッ素樹脂，ポリエーテル・エーテル・ケトン（PEEK）あるいはポリテトラフルオロエチレン（PTFE）等の合成樹脂やセラミックスが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質が両面に塗布されたシート状の正負極板をセパレータを介在させて扁平形状に捲回され、最外周面が前記セパレータで覆われた電極群と、
開口部が設けられた電池缶と、
前記開口部を覆う電池蓋と、
前記電池蓋に固定され、前記正負極板とそれぞれ正負極接続板により電気的に接続されている正負極外部端子とを有し、
前記電極群は、前記電池缶の表裏に広がる幅広面と対向する一対の平坦部と、一対の平坦部の両端部で正負極板が折り返される折り返し部とを有し、
前記電極群は前記折り返し部が前記電池缶の底面と対向して前記電池缶の中に配置され、
前記セパレータの巻き終わり端部は、その端縁が前記電池缶の底面の方向とは異なる方向を向いて固着されていることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の二次電池において、
前記セパレータの端縁は、前記電極群の平坦部領域に位置していることを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項１または２記載の二次電池において、
前記セパレータの端縁は、前記電池蓋の裏面方向を向いていることを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項１に記載の二次電池において、
前記セパレータの端縁は、電極群の折り返し部の曲率を有する面領域に位置していることを特徴とする二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記セパレータの端縁は、その幅方向の一部または全幅において捲回直下層に固着されていることを特徴とする二次電池。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記端縁と前記捲回直下層とは粘着テープにより固着されていることを特徴とする二次電池。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記端縁と前記捲回直下層とは接着剤により固着されていることを特徴とする二次電池。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記端縁と前記捲回直下層とは熱圧着により固着されていることを特徴とする二次電池。
【請求項９】
活物質が両面に塗布されたシート状の正負極板をセパレータを介在させつつ捲回され、
最外周面が前記セパレータで覆われた電極群を作製する第１工程と、
電池蓋に設置した正負極外部端子にそれぞれ接続されている正負極接続板と前記正負極板とを接続する第２工程と、
前記正負極接続板が接続された前記電極群をその折り返し部を前記電池缶の底面に向けて開口部から挿入して扁平直方体状の電池缶に収納する第３工程と、
第３工程の後、前記開口部を前記電池蓋で密閉する第４工程とを有し、
前記第２工程は、前記電極群の最外周面のセパレータの端縁が前記電池蓋の裏面を向くように電極群の姿勢、形態を規定する第５工程を含むことを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の二次電池の製造方法において、
前記第１工程は、
前記正負極板とセパレータの捲回長さを測定する第６工程と、
前記第６工程により測定された前記セパレータの捲回長さに基づいて前記セパレータを切断する位置を決定する第７工程とを含み、
前記第７工程は、前記セパレータの端縁が前記電極群の平坦部に位置するような長さに決定することを特徴とする二次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による二次電池は、活物質が両面に塗布されたシート状の正負極板をセパレータを介在させて扁平形状に捲回され、最外周面が前記セパレータで覆われた電極群と、開口部が設けられた電池缶と、前記開口部を覆う電池蓋と、前記電池蓋に固定され、前記正負極板とそれぞれ正負極接続板により電気的に接続されている正負極外部端子とを有し、前記電極群は、前記電池缶の表裏に広がる幅広面と対向する一対の平坦部と、一対の平坦部の両端で正負極板が折り返される折り返し部とを有し、前記電極群は前記折り返し部が前記電池缶の底面と対向して前記電池缶の中に配置され、前記セパレータの巻き終わり端部は、その端縁が前記電池缶の底面の方向とは異なる方向を向いて固着されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ蓄電池に使用される正極体を製造する方法であって、
コバルト化合物を主成分とする導電材を表面に付着させたニッケル化合物を主成分とする活物質粒子を正極基板の表面に固定して正極体を得る固定工程と、
前記活物質粒子を固定した正極体に電解液中で還元電流を流し、前記コバルト化合物中のコバルトの酸化数を＋２よりも小さい状態になるまで還元する還元工程とを含む、
アルカリ蓄電池用正極体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、当該アルカリ蓄電池の活性化の前に前記還元工程を行うアルカリ蓄電池用正極体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記導電材の少なくとも一部を粒径１〜３ｎｍの粒子として形成することを含む、アルカリ蓄電池用正極体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、前記導電材の少なくとも一部を、活物質一次粒子表面である活物質二次粒子内部に析出させることを含む、アルカリ蓄電池用正極体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、前記還元工程後に、前記活物質粒子を固定した正極体に充電方向に通電することで、前記導電材の３０ａｔ％以上をＣｏ３Ｏ４として形成することを含むアルカリ蓄電池用正極体の製造方法。
【請求項６】
金属コバルトからなる導電材を表面に均一に付着させたニッケル化合物を主成分とする活物質粒子が正極基板の表面に固定されてなる、アルカリ蓄電池に使用される正極体であって、前記導電材の少なくとも一部が、粒径１〜３ｎｍの粒子として形成されているアルカリ蓄電池用正極体。
【請求項７】
コバルト化合物からなる導電材を表面に均一に付着させたニッケル化合物を主成分とする活物質粒子が正極基板の表面に固定されてなる、アルカリ蓄電池に使用される正極体であって、前記導電材の少なくとも一部が、粒径１〜３ｎｍの粒子として形成されているアルカリ蓄電池用正極体。
【請求項８】
請求項６または７において、前記導電材の少なくとも一部が、活物質一次粒子表面である活物質二次粒子内部に存在しているアルカリ蓄電池用正極体。
【請求項９】
請求項７において、前記導電材の３０ａｔ％以上がＣｏ３Ｏ４からなるアルカリ蓄電池用正極体。
【請求項１０】
請求項６に記載の正極体を備えるアルカリ蓄電池。
【請求項１１】
請求項７に記載の正極体を備えるアルカリ蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置及び液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１乃至第８のトランジスタのいずれか一は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタは、第５の配線と前記第６のトランジスタのゲートとの導通又は非導通を制御することができる機能を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第３の配線と前記第６のトランジスタのゲートとの導通又は非導通を制御することができる機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第６の配線と接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、第７の配線と接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１乃至第８のトランジスタのいずれか一は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタは、第５の配線と前記第６のトランジスタのゲートとの導通又は非導通を制御することができる機能を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第３の配線と前記第６のトランジスタのゲートとの導通又は非導通を制御することができる機能を有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第８の配線と接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第６の配線と接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、第７の配線と接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、Ｚｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第２のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第３のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第５のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第７のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第８のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第２の配線と接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第２の配線と接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第２の配線と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第２の抵抗素子と並列に接続された第２の容量素子を、更に備える、請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−６２４８１号公報
【特許文献２】特開２００１−８４７６５号公報
【特許文献３】特開平１１−９６７５８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の基板に所定の処理を施す処理部と、
前記処理部が設けられる処理空間に配置され前記基板を水平な状態に載置する第１の搬送ステージと、
前記処理空間の両側の搬送空間に配置され前記基板を搬送する第２の搬送ステージと、
前記第１の搬送ステージの両側に前記第２の搬送ステージを並べて搬送経路が形成される基板搬送ステージ、
前記基板搬送ステージの基板搬送方向に水平に配置された搬送軸と、
前記搬送軸に移動可能に設けられ前記基板を吸着保持する基板保持部材を有する駆動部と、
前記処理空間を除く前記搬送空間において前記基板保持部に対して前記基板の重量を加える付加手段と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記付加手段は、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面とに高低差を形成し、この高低差により前記基板保持部に前記基板の重量を加えることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記付加手段は、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記第２の搬送ステージを傾斜させ、前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面とに高低差を形成することを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記付加手段は、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記第２の搬送ステージを前記基板搬送方向に傾斜させ、前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面とに高低差を形成することを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記付加手段は、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記第２の搬送ステージを前記搬送方向と直交する幅方向に傾斜させ、前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面との高低差を形成することを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
【請求項６】
前記第２の搬送ステージは、傾斜角度を変更する角度調整用駆動部を有することを特徴とする請求項３ないし５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記第２の搬送ステージは、前記基板搬送方向と直交する幅方向に並べて配置された複数の板状部材に前記基板搬送方向に回転可能なフリーローラが設けられ、
前記付加手段は、前記フリーローラを前記幅方向の外側に向けて段階的に傾斜を大きし、前記幅方向に配列される前記フリーローラの上端が形成する載置面が弧状なすように傾斜させ、前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面とに高低差を形成することを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項８】
前記第２の搬送ステージは、前記基板搬送方向と直交する幅方向に並べて配置された複数の板状部材に前記基板搬送方向に回転可能なフリーローラが設けられ、
前記付加手段は、前記幅方向に配列される前記フリーローラの径を外側と内側で変え、前記基板保持部の吸着面と第２の搬送ステージの載置面とに高低差を形成することを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項９】
前記第２の搬送ステージは、前記基板搬送方向と直交する幅方向に並べて配置された複数の板状部材に前記基板搬送方向に回転可能なフリーローラが設けられ、
前記付加手段は、前記搬送軸の両側に配置される前記フリーローラの間隔を前記基板に撓みが生ずるように距離を広げ、前記基板の撓みにより前記基板保持部に前記基板の重量を加えることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、前記基板保持部を上下移動させる昇降部材を備え、
前記付加手段は、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記昇降部材を上昇させ、前記基板保持部の吸着面を前記第２の搬送ステージの載置面よりも高くすることにより前記基板保持部に前記基板の重量を加えることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる処理装置は、処理対象の基板に所定の処理を施す処理部と、前記処理部が設けられる処理空間に配置され前記基板を水平な状態に載置する第１の搬送ステージと、前記処理空間の両側の搬送空間に配置され前記基板を搬送する第２の搬送ステージと、前記第１の搬送ステージの両側に前記第２の搬送ステージを並べて搬送経路が形成される基板搬送ステージ、前記基板搬送ステージの基板搬送方向に水平に配置された搬送軸と、前記搬送軸に移動可能に設けられ前記基板を吸着保持する基板保持部材を有する駆動部と、前記処理空間を除く前記搬送空間において前記基板保持部に対して前記基板の重量を加える付加手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐候層と、発電部材と、ポリカーボネート基材とがこの順に積層された太陽電池モジュールであって、前記発電部材と前記ポリカーボネート基材との間に熱可塑性樹脂が積層されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂のＴｇが−１２０〜１１０℃であり、かつ、Ｔｍが４５〜２５０℃であることを特徴する請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂が、ポリウレタン、ポリオレフィン及びポリエステルからなる群から選択される１以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂がシランカップリング剤を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
ポリカーボネート基材の厚さが０．５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記太陽電池モジュールが、前記耐候層と前記発電部材との間、及び／または前記ポリカーボネート基材と前記熱可塑性樹脂の間にさらに封止層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記封止層が、前記発電部材の受光面側と接して積層されることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記封止層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）であることを特徴とする請求項６又は７に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記熱可塑性樹脂が、前記発電部材と接して積層されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以下、前記実施例１と同様にして、スクリーン版の四角開口部の大きさ（光半導体素子との面積割合）だけを変化させて、フィルム状の光半導体装置用接着剤が配置された光半導体装置用接着剤シートを得、それを用いた光半導体装置の製造方法の実施例３〜９について説明する。なお、各実施例中のスクリーン版の四角開口部の大きさ（接着剤面積）、素子との面積割合（光半導体装置の素子取付部に対する接着面積）、粘着力、硬化接着後のせん断接着強度、光半導体装置の製造効率、光吸収係数についてまとめた結果を表１に示す。なお、粘着力、硬化接着後のせん断接着強度、光吸収係数は上記の評価と同様にして求めた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
以上、本発明の光半導体装置用接着剤を用いず、従来法により光半導体装置を製造した比較例１は、ダイボンド剤のスタンピングが必要であり、本発明の光半導体装置用接着剤を使用した光半導体装置の製造時間よりも５倍の製造時間（製造効率１）がかかった。また、光半導体素子の貼り付け前に接着剤を完全硬化して硬化物とした比較例２では、光半導体装置を製造することができなかった。一方で、本発明の光半導体装置用接着剤を用いて光半導体装置を製造した実施例３〜９によれば、ダイボンド剤のスタンピングを省略することができ、比較例１に比べて１／５の製造時間（製造効率１／５）で光半導体装置を製造できることが明らかとなった。これにより、本発明の光半導体装置用接着剤、光半導体装置用接着剤シート及び光半導体装置の製造方法により、光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができることが明らかとなった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップを積層しながら仮圧着してから本圧着するチップの積層装置であって、
上記チップが貯えられた供給部と、
この供給部からチップを取り出すチップ取り出し手段と、
このチップ取り出し手段によって上記供給部から取り出されたチップを受けてステージの上面に順次積層しながら仮圧着する仮圧着ツールと、
この仮圧着ツールによって複数のチップが仮圧着されたならば、上記ステージ上で仮圧着された複数のチップを本圧着する本圧着ツールと
を具備し、
上記ステージは、上記仮圧着ツールと上記本圧着ツールとの間を駆動可能に設けられた第１のステージと第２のステージを備え、
どちらか一方のステージが、上記仮圧着ツールによって上記チップが積層されて仮圧着されるよう位置決めされているときに、他方のステージが、上記仮圧着ツールによって積層されて仮圧着された複数のチップが上記本圧着ツールによって本圧着されるよう位置決めされることを特徴とするチップの積層装置。
【請求項２】
複数のチップを積層しながら仮圧着してから本圧着するチップの積層装置であって、
一対の平行な走行路にそれぞれ走行可能に設けられた第１のステージ及び第２のステージと、
上記チップが貯えられるとともに上記各ステージの走行方向の一端側に対向して配置された供給部と、
この供給部のチップを取り出して反転させる反転ピックアップユニットと、
上記走行路を挟んで上記供給部と対向して配置され上記反転ピックアップユニットによって反転させられたチップを受け、そのチップを上記走行路の一端側で上記第１のステージ或いは第２のステージのどちらか一方のステージに順次積層しながら仮圧着する仮圧着ツールを有する仮圧着ユニットと、
上記走行路の他端側に上記仮圧着ユニットと並んで配置され上記走行路の一端側で一方のステージにチップを積層して仮圧着しているときに上記他端側で他方のステージの上記仮圧着ユニットで積層されて仮圧着されたチップを本圧着することが可能な本圧着ツールを有する本圧着ユニットと
を具備したことを特徴とするチップの積層装置。
【請求項３】
複数のチップを積層しながら仮圧着してから本圧着するチップの積層方法であって、
上記チップが貯えられた供給部からチップを取り出す工程と、
上記供給部から取り出されたチップを仮圧着ツールによってステージの上面に順次積層して仮圧着する工程と、
仮圧着された複数のチップを本圧着ツールによって上記ステージ上で本圧着する工程と
を具備し、
駆動可能な第１のステージと第２のステージを有し、どちらか一方のステージ上の仮圧着されたチップを上記本圧着ツールによって本圧着しているときに、上記仮圧着ツールによって他方のステージ上にチップを積層して仮圧着することを特徴とするチップの積層方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明は、複数のチップを積層しながら仮圧着してから本圧着するチップの積層装置であって、
上記チップが貯えられた供給部と、
この供給部からチップを取り出すチップ取り出し手段と、
このチップ取り出し手段によって上記供給部から取り出されたチップを受けてステージの上面に順次積層しながら仮圧着する仮圧着ツールと、
この仮圧着ツールによって複数のチップが仮圧着されたならば、上記ステージ上で仮圧着された複数のチップを本圧着する本圧着ツールと
を具備し、
上記ステージは、上記仮圧着ツールと上記本圧着ツールとの間を駆動可能に設けられた第１のステージと第２のステージを備え、
どちらか一方のステージが、上記仮圧着ツールによって上記チップが積層されて仮圧着されるよう位置決めされているときに、他方のステージが、上記仮圧着ツールによって積層されて仮圧着された複数のチップが上記本圧着ツールによって本圧着されるよう位置決めされることを特徴とするチップの積層装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明は、複数のチップを積層しながら仮圧着してから本圧着するチップの積層方法であって、
上記チップが貯えられた供給部からチップを取り出す工程と、
上記供給部から取り出されたチップを仮圧着ツールによってステージの上面に順次積層して仮圧着する工程と、
仮圧着された複数のチップを本圧着ツールによって上記ステージ上で本圧着する工程と
を具備し、
駆動可能な第１のステージと第２のステージを有し、どちらか一方のステージ上の仮圧着されたチップを上記本圧着ツールによって本圧着しているときに、上記仮圧着ツールによって他方のステージ上にチップを積層して仮圧着することを特徴とするチップの積層方法にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012099635.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、共振器を構成する一対の反射鏡と、前記一対の反射鏡の間に配置された第１の活性層と、を有する垂直共振器型面発光レーザであって、
前記共振器が、
共振波長がλ１、前記第１の活性層の前記λ１での光閉じ込め係数がΓ１、前記第１の活性層の前記λ１での利得がｇ１（ｇ１≠０）である第１の縦モードと、
前記第１の縦モードの隣の縦モードであって、共振波長がλ２、前記第１の活性層の前記λ２での光閉じ込め係数がΓ２、前記第１の活性層の前記λ２での利得がｇ２（ｇ２≠０）である第２の縦モードと、
前記第１の縦モードの隣の、前記第２の縦モードと異なる縦モードであって、共振波長がλ３、前記第１の活性層の前記λ３での光閉じ込め係数がΓ３、前記第１の活性層の前記λ３での利得がｇ３（ｇ２＞ｇ３）である第３の縦モードと、による縦多モードを生じうる構造を有し、
前記第１の活性層の位置が、前記第１の縦モードの定在波の腹の位置とは異なっており、
前記第１の縦モードによる単一縦モード発振が可能に構成されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記共振器は、６λ１以上の共振器長を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
前記第１の活性層の位置が、
前記第１の縦モードの定在波の腹の位置Ａと、
前記位置Ａに最も近い前記第２の縦モードの定在波の節の位置Ｂ側の前記位置Ａに最も近い前記第１の縦モードの定在波の節の位置Ｃと、の間にあって、
前記位置Ａと、Γ１／Γ２が前記位置ＡでのΓ１／Γ２と等しくなる位置Ｄと、の間にあって、
Γ１ｇ１＞Γ２ｇ２と、Γ１ｇ１＞Γ３ｇ３と、を満たす位置であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項４】
前記第１の活性層の位置が、前記位置Ａと前記位置Ｂとの間の位置であることを特徴と
する請求項３に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項５】
前記第１の活性層の位置が、前記位置Ａと前記位置Ｂの中心位置Ｅと、前記位置Ｂと、の間の位置であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項６】
前記第１の活性層の位置が、前記位置Ａと、前記位置Ａと前記位置Ｂの間にあってΓ２ｇ２＝Γ３ｇ３となる位置Ｆと、の間の位置であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項７】
前記第１の活性層の位置が、前記位置Ａと前記位置Ｆの中心に位置する位置Ｇと、前記位置Ｆと、の間の位置であることを特徴とする請求項６に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項８】
前記ｇ１と前記ｇ２が、ｇ２＞ｇ１を満たすことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項９】
前記λ２と前記λ１が、λ２＜λ１を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１０】
前記λ２と前記λ１が、λ２＞λ１を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１１】
前記一対の反射鏡の間に、前記第１の活性層以外に第２の活性層を有していることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１２】
前記第２の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ２での利得をｇ’２、
前記第３の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ３での利得をｇ’３とすると、
ｇ’２＜ｇ’３を満たすことを特徴とする請求項１１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１３】
前記第１の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ１での利得をｇ’１、前記第１の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ１での光閉じ込め係数をΓ’１、前記第２の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ２での光閉じ込め係数をΓ’２、前記第３の縦モードにおける前記第２の活性層の前記λ３での光閉じ込め係数をΓ’３とすると、
前記第２の活性層の位置が、
前記Ａとは異なる前記第１の縦モードの定在波の腹の位置Ａ’と、前記位置Ａ’に最も近い前記第３の縦モードの定在波の節の位置Ｈ’側の前記位置Ａ’に最も近い前記第１の縦モードの定在波の節の位置Ｉ’と、の間にあって、
前記位置Ａ’と、Γ’１／Γ’３が前記位置Ａ’でのΓ’１／Γ’３と等しくなる位置Ｊ’と、の間にあって、
Γ’１ｇ’１＞Γ’２ｇ’２と、Γ’１ｇ’１＞Γ’３ｇ’３と、を満たす位置であることを特徴とする請求項１２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザと、
前記垂直共振器型面発光レーザから出力されるレーザ光を反射して走査するための光偏向器と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザと、
前記垂直共振器型面発光レーザから出力される光により静電潜像が形成される感光体と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の垂直共振器型面発光レーザは、基板上に、共振器を構成する一対の反射鏡と、前記一対の反射鏡の間に配置された第１の活性層と、を有する垂直共振器型面発光レーザであって、
前記共振器が、
共振波長がλ１、前記第１の活性層の前記λ１での光閉じ込め係数がΓ１、前記第１の活性層の前記λ１での利得がｇ１（ｇ１≠０）である第１の縦モードと、
前記第１の縦モードの隣の縦モードであって、共振波長がλ２、前記第１の活性層の前記λ２での光閉じ込め係数がΓ２、前記第１の活性層の前記λ２での利得がｇ２（ｇ２≠０）である第２の縦モードと、
前記第１の縦モードの隣の、前記第２の縦モードと異なる縦モードであって、共振波長がλ３、前記第１の活性層の前記λ３での光閉じ込め係数がΓ３、前記第１の活性層の前記λ３での利得がｇ３（ｇ２＞ｇ３）である第３の縦モードと、による縦多モードを生じうる構造を有し、
前記第１の活性層の位置が、前記第１の縦モードの定在波の腹の位置とは異なっており、
前記第１の縦モードによる単一縦モード発振が可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記した垂直共振器型面発光レーザと、前記垂直共振器型面発光レーザから出力されるレーザ光を反射して走査するための光偏向器と、を有することを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記した垂直共振器型面発光レーザと、前記垂直共振器型面発光レーザから出力される光により静電潜像が形成される感光体と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ボールねじ１２４の軸の一端は磁性流体シール１２９を介して真空槽１１１の壁面を気密に貫通し、真空槽１１１の外側に配置されたモーター１２３に接続されている。モーター１２３を駆動させてボールねじ１２４の軸を左回り又は右回りに回転させると、縦方向移動部材１２８は上下に移動するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
真空槽１１の外側に配置された制御装置１８から制御信号を受けると、第一のモーター２３はボールねじ２４の軸を左回り又は右回りに回転させて、ボールねじ２４のナットに取り付けられた主縦方向移動部材２８をボールねじ２４の軸に沿って上下に移動させるように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012099675.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012099675.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のパッドが形成された基板と、
一端に被接続物と当接する接続部が設けられ、他端に第１面とその反対面とを有する板状の固定部が設けられ、前記固定部の第１面が前記パッドに接合されている複数の接続端子と、
２つの電極端子を備えた電子部品と、を有し、
前記電子部品は、隣接する前記接続端子の各前記固定部の前記第１面の反対面上に各電極端子が配置されるように実装されている接続端子構造。
【請求項２】
平面視において、前記接続端子の長手方向は、前記２つの電極端子を結ぶ方向に対して傾いている請求項１記載の接続端子構造。
【請求項３】
前記接続部と前記固定部とは、ばね性を有する湾曲部を介して対向配置され、
前記電子部品は、前記接続部が前記湾曲部の有するばね性により可動しても前記接続部とは接触しない領域に実装されている請求項１又は２記載の接続端子構造。
【請求項４】
前記基板は、
前記表面から反対面に貫通する貫通孔と、
前記基板の反対面に形成された第２パッドと、
前記貫通孔を介して前記パッドと前記第２パッドとを電気的に接続する配線と、を有する請求項１乃至３の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項５】
前記第２パッドにはバンプが形成されている請求項４記載の接続端子構造。
【請求項６】
前記基板は、前記表面の反対面に半導体チップを実装可能な配線基板である請求項１乃至３の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項７】
請求項１乃至５の何れか一項記載の接続端子構造を有し、前記接続部を介して前記被接続物を着脱可能な状態で実装基板に接続するソケット。
【請求項８】
前記基板の前記表面の外縁部には、前記接続部と前記被接続物とを位置決めする位置決め部が設けられている請求項７記載のソケット。
【請求項９】
２つの電極端子を備えた電子部品を配列するための複数の第１の溝、及び接続端子を配列するための複数の第２の溝が設けられた治具を準備し、前記第１の溝に前記電子部品を配列する第１工程と、
一端に被接続物と接続する接続部、他端に板状の固定部を備えた複数の接続端子を作製する第２工程と、
各電極端子の前記複数の第１の溝から露出する面に第１接合部を形成し、前記接続部が前記第２の溝の底面側に位置し、前記固定部が前記第１接合部を介して前記電極端子と対向するように前記第２の溝に前記接続端子を配列する第３工程と、
表面に複数のパッドが形成され、各前記パッドの表面に第２接合部が形成された基板を準備し、前記第２接合部が前記固定部を介して前記第１接合部と対向する位置に来るようにアライメントし、前記基板を前記治具上に載置する第４工程と、
前記第１接合部及び前記第２接合部により前記パッドと前記電極端子とを前記固定部を介して接合する第５工程と、
前記治具を取り外す第６工程と、を有する接続端子構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第３工程では、平面視において、それぞれの長手方向が前記２つの電極端子を結ぶ方向に対して傾くように前記接続端子を配列する請求項９記載の接続端子構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本接続端子構造は、表面に複数のパッドが形成された基板と、一端に被接続物と当接する接続部が設けられ、他端に第１面とその反対面とを有する板状の固定部が設けられ、前記固定部の第１面が前記パッドに接合されている複数の接続端子と、２つの電極端子を備えた電子部品と、を有し、前記電子部品は、隣接する前記接続端子の各前記固定部の前記第１面の反対面上に各電極端子が配置されるように実装されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】マルチ映像再生システムを説明する図である。
【図２】マルチ映像再生画像を１ストリームとして配信する一例を示す図である。
【図３】本発明を適用したマルチ映像再生システムの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用したマルチ映像再生画像の生成方法について説明する図である。
【図５】本発明を適用したマルチ映像再生画像生成の概念的な機能ブロック図である。
【図６】パラメータトランスコードを行う符号化処理部の機能ブロック図である。
【図７】映像コンテンツの各種の変更が指示された場合の例を説明する図である。
【図８】映像コンテンツの各種の変更が指示された場合の例を説明する図である。
【図９】チャンネルリスト更新（生成）処理を説明するフローチャートである。
【図１０】クライアント側の起動処理を説明するフローチャートである。
【図１１】映像コンテンツ変更処理を説明するフローチャートである。
【図１２】視聴配置リクエスト受信処理を説明するフローチャートである。
【図１３】視聴配置リクエスト対応処理を説明するフローチャートである。
【図１４】マルチ映像再生画像生成処理を説明するフローチャートである。
【図１５】コンテンツ変更処理を説明するフローチャートである。
【図１６】位置変更処理を説明するフローチャートである。
【図１７】パラメータトランスコード処理を説明するフローチャートである。
【図１８】本発明を適用したコンピュータの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ストリーム生成部６６は、量子化後の画像データに対し、可変長符号化、算術符号化等の可逆符号化を行い、その結果得られる符号化ストリームを生成し、出力する。可変長符号化としては、H．264/AVC方式で定められているCAVLC（Context-Adaptive Variable Length Coding）などがあげられる。算術符号化としては、CABAC（Context-Adaptive Binary Arithmetic Coding）などがあげられる。イントラ予測モードを示す情報やインター予測モードを示す情報、量子化パラメータなどは符号化データのヘッダ情報の一部として多重化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
［視聴配置リクエスト受信処理］
図１２は、図１０または図１１の処理によりコンテンツ受信装置１３から送信された視聴配置リクエストに対してコンテンツ配信サーバ１１が実行する、視聴配置リクエスト受信処理のフローチャートである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
初めに、ステップＳ３１において、コンテンツ配信サーバ１１は、視聴配置リクエストを受信したか否かを判定し、視聴配置リクエストを受信したと判定されるまでステップＳ３１の処理を繰り返す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ステップＳ３１で、視聴配置リクエストを受信したと判定された場合、処理はステップＳ３２に進み、コンテンツ配信サーバ１１は、視聴配置リクエストに応じてマルチ映像再生画像を生成（変更）する視聴配置リクエスト対応処理を実行して、処理を終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012099890.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述したように、Ｎｉ原子およびＳｉ原子を有する電極（電極層）の形成に際して、電極層の電気伝導度を高くするためには、Ｎｉの割合を高める必要がある。しかしＮｉの割合が高められると、電極層形成のためのアニールの際に、炭化珪素基板から電極層の表面へと多くのＣ原子が析出してしまう。このため、電極層の電気伝導度を高くすることと、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることが困難であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述したように本発明によれば、電極層の電気伝導度を高めることと、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
基板面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記基板面の一部を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程とを備え、
前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜となる部分を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、開口を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして用いて、前記ゲート絶縁膜が形成されるように前記絶縁膜を部分的に除去する工程とを含み、前記半導体装置の製造方法はさらに
前記ゲート絶縁膜に接触して隣り合うように前記基板面上に、Ａｌ原子を有するコンタクト電極を形成する工程を備え、
前記コンタクト電極を形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜が設けられた前記炭化珪素基板上にＴｉ膜を形成する工程と、
前記Ｔｉ膜上にＡｌ膜を形成する工程と、
前記Ａｌ膜上にＳｉ膜を形成する工程とを含み、前記半導体装置の製造方法はさらに
前記コンタクト電極をレーザ光でアニールすることによって、Ａｌ原子を有する合金を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の一部を覆うゲート電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜は珪素酸化物を含有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記珪素酸化物は二酸化珪素を含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光の波長は３８６ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板面を有する炭化珪素基板と、
前記基板面の一部を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の一部を覆うゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜に接触して隣り合うように前記基板面上に設けられ、Ａｌ原子とＴｉ原子とＳｉ原子とを有する合金を含むコンタクト電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜のうち前記基板面と前記ゲート電極とによって挟まれる部分へは、前記コンタクト電極からＡｌ原子が拡散していない、半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜は珪素酸化物を含有する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記珪素酸化物は二酸化珪素を含む、請求項６に記載の半導体装置。