【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が主面に配された第１基板と、前記第１基板の主面の上に配され、第１導電体からなる配線構造である第１接合部を有し、前記第１導電体が構成する上面を有する第１配線構造とを準備する工程と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、前記第２基板の主面の上に配され、第２導電体からなる配線構造である第２接合部を有し、前記第２導電体が構成する上面を有する第２配線構造とを準備する工程と、
前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置されるように接合する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記第１配線構造の上面は前記第１導電体が底面を構成する凹部を有する、前記第２配線構造の上面は前記第２導電体が底面を構成する凹部を有する、あるいは前記第１配線構造の上面は前記第１導電体が底面を構成する凹部と有し、前記第２配線構造の上面は前記第２導電体が底面を構成する凹部を有し、
前記接合工程において、前記第１導電体と前記第２導電体が接合することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板と、前記第１配線構造とを準備する工程は、
前記第１配線構造の上面を構成する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１配線構造の上面を構成する前記第１導電体からなる第１接合部を形成する工程と、
前記第１配線構造の上面に前記凹部を形成する工程と、を有する請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１配線構造の上面に前記凹部を形成する工程は、前記第１導電体の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１配線構造の上面に前記凹部を形成する工程は、前記第１導電体に接する前記第１絶縁膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２基板と、前記第２配線構造とを準備する工程は、
前記第２配線構造の上面を構成する第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２配線構造の上面を構成する前記第２導電体からなる第２接合部を形成する工程と、
前記第２配線構造の上面に前記凹部を形成する工程と、を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２配線構造の上面に前記凹部を形成する工程は、前記第２導電体の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２配線構造の上面に前記凹部を形成する工程は、前記第２導電体に接する前記第２絶縁膜の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電体は、銅を主成分とすることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電体は、銅を主成分とすることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接合させる工程の前に、前記第１配線構造の上面及び前記第２配線構造の上面にプラズマを照射することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記接合させる工程は、真空あるいは不活性ガスの雰囲気中において行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２基板に、前記光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するための増幅トランジスタと、前記光電変換素子の電荷をリセットするためのリセットトランジスタとを形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を転送する転送トランジスタとが主面に配された基板と、
前記基板の主面の上に配され、絶縁膜と導電体からなる接合部とを有する配線構造と、を有する固体撮像装置用の部材において、
前記配線構造の上面は、前記絶縁膜の上面と前記導電体の上面とを含み、
前記配線構造の上面において、前記導電体の上面は凹んでいることを特徴とする固体撮像装置用の部材。
【請求項１４】
光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路部の一部が主面に配された基板と、
前記基板の主面の上に配され、絶縁膜と導電体からなる接合部とを有する配線構造と、を有する固体撮像装置用の部材において、
前記配線構造の上面は、前記絶縁膜の上面と前記導電体の上面とを含み、
前記配線構造の上面において、前記導電体の上面は凹部でいることを特徴とする固体撮像装置用の部材。
【請求項１５】
光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を転送する転送トランジスタとが主面に配された第１基板と、
前記第１基板の主面の上に配され、第１絶縁膜と第１導電体からなる配線構造である第１接合部を含み、前記第１導電体が構成する上面を有する第１配線構造と、
前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路部の一部が主面に配された第２基板と、
前記第２基板の主面の上に配され、第２絶縁膜と第２導電体からなる配線構造である第２接合部を含み、前記第１導電体が構成する上面を有する第２配線構造と、を有し、
前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置された固体撮像装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜および前記第１接合部を前記第１基板の上に形成する工程と、
前記第２絶縁膜および前記第２接合部を前記第２基板の上に形成する工程と、
前記第１導電体と前記第２導電体とを接合する工程と、を有し、
前記第１絶縁膜および前記第１接合部を前記第１基板の上に形成する工程と、前記第２絶縁膜および前記第２接合部を前記第２基板の上に形成する工程の少なくともいずれかの工程において、
前記第１基板の主面を基準に前記第１接合部の前記第１導電体の上面が前記第１絶縁膜の上面よりも低い、あるいは前記第２基板の主面を基準に前記第２接合部の前記第２導電体の上面が前記第２絶縁膜の上面よりも低い、あるいは前記第１基板の主面を基準に前記第１接合部の前記第１導電体の上面が前記第１絶縁膜の上面よりも低く、前記第２基板の主面を基準に前記第２接合部の前記第２導電体の上面が前記第２絶縁膜の上面よりも低いことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、前記第１基板の主面の上に配され、第１導電体からなる配線構造である第１接合部を有し、前記第１導電体が構成する上面を有する第１配線構造とを準備する工程と、前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、前記第２基板の主面の上に配され、第２導電体からなる配線構造である第２接合部を有し、前記第２導電体が構成する上面を有する第２配線構造とを準備する工程と、前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置されるように接合する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法において、前記第１配線構造の上面は前記第１導電体が底面を構成する凹部を有する、前記第２配線構造の上面は前記第２導電体が底面を構成する凹部を有する、あるいは前記第１配線構造の上面は前記第１導電体が底面を構成する凹部と有し、前記第２配線構造の上面は前記第２導電体が底面を構成する凹部を有し、前記接合工程において、前記第１導電体と前記第２導電体が接合する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子と、前記光電変換素子の電荷を転送する転送トランジスタとが主面に配された第１基板と、前記第１基板の主面の上に配され、第１絶縁膜と第１導電体からなる配線構造である第１接合部を含み、前記第１導電体が構成する上面を有する第１配線構造と、前記光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための読み出し回路および制御回路を含む周辺回路部の一部が主面に配された第２基板と、前記第２基板の主面の上に配され、第２絶縁膜と第２導電体からなる配線構造である第２接合部を含み、前記第１導電体が構成する上面を有する第２配線構造と、を有し、前記第１基板と、前記第１配線構造と、前記第２配線構造と、前記第２基板とがこの順に配置された固体撮像装置の製造方法において、前記第１絶縁膜および前記第１接合部を前記第１基板の上に形成する工程と、前記第２絶縁膜および前記第２接合部を前記第２基板の上に形成する工程と、前記第１導電体と前記第２導電体とを接合する工程と、を有し、前記第１絶縁膜および前記第１接合部を前記第１基板の上に形成する工程と、前記第２絶縁膜および前記第２接合部を前記第２基板の上に形成する工程の少なくともいずれかの工程において、前記第１基板の主面を基準に前記第１接合部の前記第１導電体の上面が前記第１絶縁膜の上面よりも低い、あるいは前記第２基板の主面を基準に前記第２接合部の前記第２導電体の上面が前記第２絶縁膜の上面よりも低い、あるいは前記第１基板の主面を基準に前記第１接合部の前記第１導電体の上面が前記第１絶縁膜の上面よりも低く、前記第２基板の主面を基準に前記第２接合部の前記第２導電体の上面が前記第２絶縁膜の上面よりも低い。