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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域に蓄積された電荷を電荷電圧変換部に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含む複数の画素が半導体基板に形成され、前記蓄積領域が、前記蓄積領域に対応する前記転送ゲートの下まで延びていて、前記複数の画素が、隣接するＮ個の画素（Ｎは２以上の自然数）を各々が含む、複数の画素グループで構成され、各画素グループにおいて、Ｎ個の画素のそれぞれの前記チャネルによる電荷の転送方向が相互に遠ざかる方向であるように、前記蓄積領域と前記転送ゲートとが配された固体撮像装置の製造方法であって、
各画素グループに対して１つの開口を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記転送ゲートの下にイオンが注入されるようなＮ個のイオン注入方向で、前記開口を通して前記半導体基板にイオンを注入することによって、各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記蓄積領域を形成する蓄積領域形成工程と、
を含み、
前記Ｎ個のイオン注入方向のそれぞれが、各画素グループにおけるＮ個の画素のうち当該イオン注入方向に対応する少なくとも１つの画素の前記転送ゲートの下にイオンが注入される方向であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記蓄積領域形成工程において、前記Ｎ個のイオン注入方向でのイオンの注入は、イオン注入方向の互いに異なるＮ回のイオンの注入によって行われる、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記転送ゲートのゲート幅に沿った方向をＸ軸、前記転送ゲートのゲート長に沿った方向をＹ軸、前記半導体基板の表面の法線をＺ軸とし、ＸＺ平面と前記イオン注入方向とのなす角度をα、前記レジストパターンの高さをＨ、前記レジストパターンの前記開口のＹ軸方向における幅をＬ、前記レジストパターンの前記開口に露出した２つの前記転送ゲートの間の距離をＷとしたきに、
Ｌ／２＜Ｈ・ｔａｎα＜（Ｌ＋Ｗ）／２
を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
各画素グループにおけるＮ個の画素の前記蓄積領域を相互に分離する半導体領域を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
Ｎ＝２又は４である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
各画素グループを構成する画素が相互に面対称性を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域に蓄積された電荷を電荷電圧変換部に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含む複数の画素が半導体基板に形成され、前記蓄積領域が、前記蓄積領域に対応する前記転送ゲートの下まで延びていて、前記複数の画素が、隣接するＮ個の画素（Ｎは２以上の自然数）を各々が含む、複数の画素グループで構成され、各画素グループにおいて、Ｎ個の画素のそれぞれの前記チャネルによる電荷の転送方向が相互に遠ざかる方向であるように、前記蓄積領域と前記転送ゲートとが配された固体撮像装置の製造方法であって、各画素グループに対して１つの開口を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記転送ゲートの下にイオンが注入されるようなＮ個のイオン注入方向で、前記開口を通して前記半導体基板にイオンを注入することによって、各画素グループにおけるＮ個の画素のそれぞれの前記蓄積領域を形成する蓄積領域形成工程と、を含み、前記Ｎ個のイオン注入方向のそれぞれが、各画素グループにおけるＮ個の画素のうち当該イオン注入方向に対応する少なくとも１つの画素の前記転送ゲートの下にイオンが注入される方向である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカーボンナノチューブが集合して形成されたカーボンナノチューブ集合体を備え、かつ前記複数のカーボンナノチューブ間に電解液が浸透してなり、且つ、導電性０．５Ｓ/ｃｍ以上を備える第１及び第２分極性電極と、
前記第１及び第２分極性電極に接続された電極と、
前記第１及び第２分極性電極間に配設されたセパレータと、
を備え、
前記カーボンナノチューブ集合体は、比表面積８００ｍ２／ｇ以上２６００ｍ２／ｇ以下、密度０．５ｇ／ｃｍ３以上１．５ｇ／ｃｍ３以下、炭素純度９８ｍａｓｓ％以上、細孔径の分布極大が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下を備える電気二重層キャパシタであり、
前記電気二重層キャパシタは、３．５Ｖ以上４．５Ｖ未満で駆動し、且つ、充放電可能回数が１０００回以上を有することを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項２】
複数のカーボンナノチューブが集合して形成されたカーボンナノチューブ集合体を備え、且つ前記複数のカーボンナノチューブ間に電解液が浸透してなり、且つ導電性が０．５ｓ／ｃｍ以上を備える第１と第２分極性電極と、
前記第１及び／又は第２分極性電極に部分的に接続された電極と、
前記第１と第２分極性電極間に配設されたセパレータと、
を備え、
前記カーボンナノチューブ集合体は、比表面積８００ｍ２／ｇ以上２６００ｍ２／ｇ以下、密度０．５ｇ／ｃｍ３以上１．５ｇ／ｃｍ３以下、炭素純度９８ｍａｓｓ％以上、細孔径の分布極大１ｎｍ以上１０ｎｍ以下を備え、且つ前記第１及び／又は第２分極性電極内を電荷が水平方向及び垂直方向に前記電極に向けて流れる電気二重層キャパシタであり、
前記電気二重層キャパシタは、３．５Ｖ以上４．５Ｖ未満の駆動電圧で駆動し、且つ、充放電可能回数が１０００回以上を有することを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項３】
前記電極は、前記第１及び第２分極性電極の側面に配設され、かつ前記電極が、網目状であることを特徴とする請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項４】
前記電極は、前記第１及び第２分極性電極の側面に配設され、かつ配列して設けられた外部電極用端子を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
前記電極は、前記第１及び第２分極性電極の端部に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、
前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、
前記第１層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、
前記第２層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、
前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする放熱用部品。
【請求項２】
前記第１層の熱膨張係数と前記第２層の熱膨張係数との差と、前記基板の熱膨張係数と前記半導体素子の熱膨張係数との差との差が５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１記載の放熱用部品。
【請求項３】
前記第１層の前記半導体素子に近い側に第３層を、前記第２層の前記半導体素子から遠い側に第４層を更に有し、
前記第３層及び前記第４層は、同一の材料から構成され、
前記第３層は、前記第４層よりも層厚が厚くされていることを特徴とする請求項１又は２記載の放熱用部品。
【請求項４】
前記第３層及び前記第４層は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項３記載の放熱用部品。
【請求項５】
基板上に接続端子を介して半導体素子が実装された半導体パッケージであって、
前記半導体素子上に、熱伝導部材を介して放熱用部品が配置され、
前記放熱用部品は、
前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、
前記第１層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、
前記第２層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、
前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第１層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、前記第２層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本半導体パッケージは、基板上に接続端子を介して半導体素子が実装された半導体パッケージであって、前記半導体素子上に、熱伝導部材を介して放熱用部品が配置され、前記放熱用部品は、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第１層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、前記第２層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された、発光領域を含む有機化合物層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光領域が、少なくとも蛍光性発光層と燐光性発光層と、前記蛍光性発光層と燐光性発光層との間に配置された、自身では発光せずに励起子の生成のみが行なわれる励起子生成層とで構成され、
前記蛍光性発光層と前記励起子生成層との間に励起子防止層が挿入されており、前記励起子防止層と前記励起子生成層との間にキャリアのエネルギー障壁界面が存在し、前記エネルギー障壁界面の前記励起子生成層側にキャリアが蓄積されて励起子が生成されることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
更に、蛍光性発光層２２での励起子生成をより効果的に防止するために、本発明においては、蛍光性発光層２２と励起子生成層２３との間に励起子防止層（不図示）を挿入する。図１の構成に励起子防止層を組み込むと、励起子防止層と励起子生成層２３との界面は電子のエネルギー障壁となって電子が蓄積され、界面近傍に励起子生成領域が形成される。図１の素子においては、電子の蓄積される励起子生成層２３側に励起子が生成されるが、一部の電子が障壁界面を抜けて逆側の界面近傍にも励起子が生成されることも起こり得る。この場合、励起子防止層が挿入されていないと、蛍光性発光層２２に励起子が生成されることになり、蛍光材料の三重項の励起、熱失活に繋がってしまう。しかしながら、励起子防止層を挿入し、三重項励起エネルギーを励起子生成層２３よりも高くしておけば、励起子防止層内に生成された三重項励起子は励起子生成層２３側に拡散するので、蛍光材料の三重項の励起を防止できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
＜参考実施例１＞
図３に示す有機ＥＬ素子において、陰極１３と電子輸送層２５との間に電子注入層（不図示）を配置した構成の有機ＥＬ素子を以下に示す方法で作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
従って参考実施例１の素子では、生成された三重項励起子が蛍光材料の三重項励起に消費されることがほとんどなく、励起子生成層２３，２６中を拡散して有効に燐光材料の三重項励起に消費されて、発光に寄与することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
先ず、参考実施例１と同様に処理した陽極付き基板上に、ホール輸送層２１として、ＴＰＤを４０ｎｍの膜厚に成膜した。次に、ＣＢＰをホストとして、蛍光材料であるフルオレン化合物１を４質量％ドープした蛍光性発光層４１を５ｎｍの膜厚に成膜した。この後、励起子生成領域から燐光性発光層２４を隔離するためのスペーサ層４２としてＣＢＰを１０ｎｍの膜厚に成膜した。次に、同じＣＢＰをホストとして、燐光材料であるＩｒ（ｐｐｙ）３を５質量％ドープした燐光性発光層２４を２０ｎｍの膜厚に成膜した。引き続き、スペーサ層４３としてＣＢＰを１０ｎｍの膜厚に成膜した。更に、同じＣＢＰをホストとして、蛍光材料であるフルオレン化合物１を４質量％ドープした蛍光性発光層４４を５ｎｍの膜厚に成膜した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
参考実施例１と比較例１のそれぞれの素子構成において、蛍光性発光層に添加するゲストの添加量に対する素子の外部量子効率の変化を測定することにより、以下に示すように本発明の効果を確認した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
参考実施例１の素子では、添加量の増大と共に蛍光発光による青色成分の輝度が上昇し、５乃至１０質量％程度まで添加した時に外部量子効率が最大となり、それ以上添加して行くと濃度消光の影響で効率は低下した。燐光発光による緑色成分の輝度は、蛍光性発光層に添加するゲストの添加量には依存せず一定であった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
各々の素子構成で最大の外部量子効率が得られる添加濃度で比較すると、参考実施例１の素子（６質量％）は、比較例１の素子（４質量％）より、蛍光発光による青色成分も燐光発光による緑色成分も共に大きく、高い外部量子効率が得られた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
＜実施例２＞
蛍光性発光層２２と励起子生成層２３との間に、ＴＡＰＣを用いて励起子防止層を２ｎｍの膜厚に形成する他は、参考実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、励起子防止層に用いられているＴＡＰＣの三重項励起エネルギーは２．８７ｅＶ、励起子生成層２３に用いられているＣＢＰの三重項励起エネルギーは２．５６ｅＶである。よって、励起子防止層内の界面近傍に生成された三重項励起子は、より低エネルギーの励起子生成層２３側に拡散して行き、蛍光性発光層２２側には拡散し難い。従って、生成された励起子を蛍光三重項の励起で熱失活させてしまう経路を、実施例１の素子よりも更に確実に遮断できる。この結果、本例の素子は、参考実施例１の素子よりも更に高い外部量子効率が得られた。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された、発光領域を含む有機化合物層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光領域が、少なくとも蛍光性発光層と燐光性発光層と、前記蛍光性発光層と燐光性発光層との間に配置された、自身では発光せずに励起子の生成のみが行なわれる励起子生成層とで構成され、
前記蛍光性発光層と前記励起子生成層との間に励起子防止層が挿入されており、前記励起子防止層と前記励起子生成層との間にキャリアのエネルギー障壁界面が存在し、前記エネルギー障壁界面の前記励起子生成層側にキャリアが蓄積されて励起子が生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記蛍光性発光層の三重項励起エネルギーは、前記励起子生成層の三重項励起エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記励起子防止層の三重項励起エネルギーは、前記励起子生成層の三重項励起エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基板構成部材として、プリプレグと、該プリプレグの両面に積層される、該プリプレグより外形サイズの小さい内側金属箔と、さらにその両面に積層される、前記プリプレグより外形サイズの大きい外側金属箔とを有した仮基板を製造する装置であって、
前記仮基板構成部材を積層するためのテーブルと、前記仮基板を製造していく過程で前記仮基板構成部材を規定の位置に案内する外形ガイドと、積層された仮基板構成部材が動かないように保持する押えユニットと、最終的に積層された仮基板構成部材を仮接着するためのヒータユニットとを備えた治具と、
前記外形ガイド、前記押えユニット及び前記ヒータユニットの各部材に対し、それぞれの待機時の位置と使用時の位置との間を移動させる駆動機構とを具備し、
前記外形ガイドは、前記使用時の位置に移動したときにその周縁がそれぞれ前記内側金属箔の外形サイズ及び前記プリプレグの外形サイズに応じたエリアを画定するように形成された第１及び第２の段差部を有していることを特徴とする仮基板の製造装置。
【請求項２】
前記テーブルの周縁近傍の箇所に、積層された外側金属箔の位置を固定するための複数の位置決めピンが配置され、該位置決めピンは、その使用時に前記テーブルの面上に突出  するよう設けられていることを特徴とする請求項１に記載の仮基板の製造装置。
【請求項３】
前記外形ガイドは、さらに、前記使用時の位置に移動したときにその周縁が前記外側金属箔の外形サイズに応じたエリアを画定するように形成された第３の段差部を有していることを特徴とする請求項１に記載の仮基板の製造装置。
【請求項４】
さらに、前記ヒータユニットを用いて仮接着を行う前に最上層に積層された外側金属箔上に載置される板状部材を備えたことを特徴とする請求項２又は３に記載の仮基板の製造装置。
【請求項５】
前記板状部材は、前記テーブルとともに、ステンレス鋼から形成されていることを特徴とする請求項４に記載の仮基板の製造装置。
【請求項６】
請求項１に記載の仮基板の製造装置を用いて仮基板を製造する方法であって、
前記テーブル上に１枚目の外側金属箔をセットし、前記外形ガイドをその使用時の位置に移動させて前記外側金属箔を前記外形ガイドの底面で押えて固定する工程と、
前記外側金属箔上に、前記外形ガイドの第１の段差部に合わせて１枚目の内側金属箔をセットし、前記押えユニットをその使用時の位置に移動させて前記内側金属箔を保持した後、前記外形ガイドをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記外形ガイドをその使用時の位置に移動させて前記内側金属箔を前記外形ガイドの底面で押えて固定した後、前記押えユニットをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記内側金属箔上に、前記外形ガイドの第２の段差部に合わせてプリプレグをセットし、前記押えユニットをその使用時の位置に移動させて前記プリプレグを保持した後、前記外形ガイドをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記外形ガイドをその使用時の位置に移動させて前記プリプレグを前記外形ガイドの底面で押えて固定した後、前記押えユニットをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記プリプレグ上に、前記外形ガイドの第１の段差部に合わせて２枚目の内側金属箔をセットし、前記押えユニットをその使用時の位置に移動させて前記２枚目の内側金属箔を保持した後、前記外形ガイドをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記外形ガイドをその使用時の位置に移動させて前記２枚目の内側金属箔を前記外形ガイドの底面で押えて固定した後、前記押えユニットをその待機時の位置に移動させる工程と、
前記２枚目の内側金属箔上に２枚目の外側金属箔をセットする工程と、
以上の工程により積層された仮基板構成部材に対し、前記ヒータユニットをその使用時の位置に移動させて仮接着を行い、仮基板を得る工程とを含むことを特徴とする仮基板の製造方法。
【請求項７】
前記１枚目の外側金属箔及び前記２枚目の外側金属箔をセットする際に、前記テーブルの周縁近傍の箇所に配置された複数の位置決めピンを用いて、それぞれ外側金属箔の位置を固定することを特徴とする請求項６に記載の仮基板の製造方法。
【請求項８】
前記外形ガイドとして、さらに、前記使用時の位置に移動させたときにその周縁が前記外側金属箔の外形サイズに応じたエリアを画定するように形成された第３の段差部を有しているものを使用し、
前記外形ガイドの第３の段差部に合わせて前記１枚目の外側金属箔、前記２枚目の外側金属箔をそれぞれセットすることを特徴とする請求項６に記載の仮基板の製造方法。
【請求項９】
前記２枚目の外側金属箔をセットした後、前記ヒータユニットを用いて仮接着を行う前に、前記２枚目の外側金属箔上に板状部材を載置する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の仮基板の製造方法。
【請求項１０】
前記２枚目の外側金属箔をセットする際に、その所定の位置にアライメント用のマーク又は小穴を設けておくことを特徴とする請求項６に記載の仮基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の代表的なものの一例を示すと、次の通りである。本発明のプラズマ処理方法は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の下方に配置されたメタルゲート層と、前記メタルゲート層の下方に配置されたＨｉｇｈ−ｋ膜とを有し前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜が表面に堆積されたＳｉ基板を真空容器内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をプラズマエッチングする第一の工程と、前記第一の工程後、フッ素を含まないガスを用いて前記メタルゲート層と前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜をプラズマエッチングする第二の工程と、前記第二の工程後、前記フッ素を含まず塩素を含むガスを用いて前記真空容器内をプラズマクリーニングする第三の工程と、前記第三の工程後、前記フッ素を含むガスを用いて前記真空容器内をプラズマクリーニングする第四の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の下方に配置されたメタルゲート層と、前記メタルゲート層の下方に配置されたＨｉｇｈ−ｋ膜とを有し前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜が表面に堆積されたＳｉ基板を真空容器内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、フッ素を含まないガスを用いて前記メタルゲート層と前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜をプラズマエッチングする第二の工程と、
前記第二の工程後、前記フッ素を含まず塩素を含むガスを用いて前記真空容器内をプラズマクリーニングする第三の工程と、
前記第三の工程後、前記フッ素を含むガスを用いて前記真空容器内をプラズマクリーニングする第四の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記フッ素を含まず塩素を含むガスは、ＳｉＣｌ４ガス、ＨＣｌガス、ＣＨ２Ｃｌ２ガス、またはＳｉＨ２Ｃｌ２ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記メタルゲート層は、ＴｉＮ膜とＡｌＯ膜を有し、Ｃｌ２ガスを用いてプラズマエッチングされ、
前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜は、ＨｆＯ膜であり、ＢＣｌ３ガスとＣｌ２ガスの混合ガスを用いてプラズマエッチングされ、
前記フッ素を含まず塩素を含むガスは、Ｃｌ２ガス、ＢＣｌ３ガスまたはＣｌ２ガスとＢＣｌ３ガスの混合ガスであり、
前記第三の工程は、所望の枚数のＳｉ基板がプラズマエッチングされた後に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記真空容器の内面は、Ｙ２Ｏ３コートされたＡｌ、Ｙ２Ｏ３コートされた石英またはＹ２Ｏ３コートされたステンレスの材料で構成されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の下方に配置されたメタルゲート層と、前記メタルゲート層の下方に配置されたＨｉｇｈ−ｋ膜とを有し前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜が表面に堆積されたＳｉ基板をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を第一の真空容器内でプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、フッ素を含まないガスを用いて前記メタルゲート層と前記Ｈｉｇｈ−ｋ膜を第二の真空容器内でプラズマエッチングする第二の工程と、
フッ素を含むガスを用いて前記第一の真空容器内をプラズマクリーニングする第三の工程と、
前記フッ素を含まず塩素を含むガスを用いて前記第二の真空容器内をプラズマクリーニングする第四の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子の側面から配列されて延出する複数の端子と、前記撮像素子に対して隣接する位置に配置され、前記複数の端子がそれぞれ導電性固定部材によって電気的に接続される複数の端子接続用パットを配線の端部に配列させた回路基板とを具備する撮像装置において、
前記撮像素子のそれぞれの端子を前記複数の端子接続用パットのそれぞれに接続固定した状態で、隣り合う端子が接続された端子接続用パットは異なる平面に位置し、１つの端子を挟んで隣接する端子接続用パットは同一の平面に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の接続用パットは、前記回路基板の外面側である第１面側と、前記回路基板の内面側である第２面側とに対して、それぞれ交互に設けられることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１面側に隣り合って設けられた２つの接続用パットの間隔、及び前記第２面側に隣り合って設けられた２つの接続用パットの間隔は、前記複数の端子の隣り合う間隔よりも幅広になるように、前記接続用パットが設けられることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記回路基板は、折り曲げて箱型に形成されるフレキシブルプリント基板であって、
前記フレキシブルプリント基板の撮像素子側の端部であって、前記フレキシブルプリント基板の外周面である第１面側に端面から突出する前記端子接続用パットとしてのフライングリードを設け、前記フレキシブルプリント基板の内周面である第２面側に前記端子接続用パットを設ける一方、
前記撮像素子の配列された複数の端子を、前記撮像素子の前面に配置された光学部材側と、前記フレキシブルプリント基板側との交互に折り曲げて、前記フライングリードと前記端子接続用パットに接続することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記回路基板の撮像素子側の端部に、前記撮像素子のそれぞれの端子が通過するスルーホールを前記端面に沿って一直線上に配列し、
前記複数の端子の長さを切断して一定の長さに設定する構成において、
前記回路基板の外面側である第１面と前記回路基板の内面側である第２面との交互に、前記端子接続用パットを構成する一端側が前記スルーホールに連通し、他端側が閉塞され、その深さ寸法が予め定めた寸法に設定した溝を設けたことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記回路基板は、折り曲げて箱型に形成されるフレキシブルプリント基板であることを特徴とする請求項２、５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記回路基板は、折り曲げて箱型に形成されるフレキシブルプリント基板であって、
前記フレキシブルプリント基板の撮像素子側の端部に、前記撮像素子のそれぞれの端子が通過するスルーホールを前記端面に対して千鳥配列で設け、
前記複数の端子の長さを切断して一定の長さに設定する構成において、
前記端子接続用パットは、前記スルーホールと、該スルーホールに同心でこのスルーホールの外径より大径な環状凹部と、前記スルーホールと同心で前記管状凹部より大径であって、前記撮像素子の１つの端子を挟んで隣接する端子間に配置される円周部を備えて形成され、
前記フレキシブルプリント基板の長手軸に平行なスリットによって分割されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放射線画像撮影装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線と、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となり前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替える走査駆動手段と、
前記放射線検出素子から放出された電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
前記読み出し回路以外で構成された照射検出手段から出力される値が放射線の照射開始により変化することに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から、ある前記走査線にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線に前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
前記照射検出手段から出力された前記値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させ、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加させて、放射線の照射により前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積モードに移行し、
放射線の照射が終了した後に、放射線の照射開始を検出した時点或いはその直前に前記各放射線検出素子のリセット処理でオン電圧を印加した前記走査線の次にオン電圧を印加すべき前記走査線からオン電圧の印加を開始させ、かつ、前記各放射線検出素子のリセット処理で前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加した順番と同じ順番に前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させて前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線および複数の信号線と、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、接続された前記走査線にオン電圧が印加されるとオン状態となり前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替える走査駆動手段と、
前記放射線検出素子から放出された電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
前記読み出し回路以外で構成された照射検出手段から出力される値が放射線の照射開始により変化することに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から、ある前記走査線にオン電圧を印加したタイミングの次のタイミングでは当該走査線に前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理を行い、
前記照射検出手段から出力された前記値に基づいて放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記各放射線検出素子のリセット処理を停止させ、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加させて、放射線の照射により前記各放射線検出素子内で発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積モードに移行し、
放射線の照射が終了した後に、放射線の照射開始を検出した時点或いはその直前に前記各放射線検出素子のリセット処理でオン電圧を印加した前記走査線の次にオン電圧を印加すべき前記走査線からオン電圧の印加を開始させ、かつ、前記各放射線検出素子のリセット処理で前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加した順番と同じ順番に前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させて前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
【請求項２】
前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板の再生方法。
【請求項３】
前記基板に接する層は、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、およびタンタル（Ｔａ）を含有する材料のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板の再生方法。
【請求項４】
前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の再生方法。
【請求項５】
前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の再生方法。
【請求項６】
前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項５に記載の基板の再生方法。
【請求項７】
前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項５又は６に記載の基板の再生方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
ガラスからなる基板の主表面上に低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を備える多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
【請求項１０】
前記低屈折率層はケイ素（Ｓｉ）からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項９に記載の基板の再生方法。
【請求項１１】
前記基板はＳｉＯ2−ＴｉＯ2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項９又は１０に記載の基板の再生方法。
【請求項１２】
前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の基板の再生方法。
【請求項１３】
前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１２に記載の基板の再生方法。
【請求項１４】
前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の基板の再生方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１６】
ガラスからなる基板の主表面上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランクまたは該反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクの前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記反射型マスクブランクまたは前記反射型マスクの前記多層反射膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
【請求項１７】
前記低屈折率層はケイ素（Ｓｉ）からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の基板の再生方法。
【請求項１８】
前記基板はＳｉＯ2−ＴｉＯ2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の基板の再生方法。
【請求項１９】
前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれかに記載の基板の再生方法。
【請求項２０】
前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１９に記載の基板の再生方法。
【請求項２１】
前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１９又は２０に記載の基板の再生方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至２１のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項２３】
ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクにおいて、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するマスクブランクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記マスクブランクの前記薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
【請求項２４】
前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の基板の再生方法。
【請求項２５】
前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の基板の再生方法。
【請求項２６】
前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２３乃至２５のいずれかに記載の基板の再生方法。
【請求項２７】
前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２６に記載の基板の再生方法。
【請求項２８】
前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２６又は２７に記載の基板の再生方法。
【請求項２９】
請求項２３乃至２８のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
1)通風方向に並んで配置された冷媒入口ヘッダ部および冷媒出口ヘッダ部と、両ヘッダ部を通じさせる冷媒循環経路と、積層された第１プレートおよび第２プレートを有し、かつ冷媒入口ヘッダ部および冷媒出口ヘッダ部に跨って接合された冷媒入出部材と、両端が開口した冷媒通路を有し、かつ冷媒入出部材に接合された熱交換器用接続装置とを備えており、冷媒入口ヘッダ部の一端に冷媒入口が形成されるとともに、冷媒出口ヘッダ部における冷媒入口と同一端に冷媒出口が形成され、冷媒入口から冷媒入口ヘッダ部内に流入した冷媒が、冷媒循環経路を通って冷媒出口ヘッダ部に戻り、冷媒出口から送り出されるようになっており、冷媒入出部材の両プレート間に、一端が冷媒入口ヘッダ部の冷媒入口に通じるとともに他端が冷媒入出部材の１つの側縁部に開口した入口となっている流入路、および一端が冷媒出口ヘッダ部の冷媒出口に通じるとともに他端が冷媒入出部材における流入路が開口した側縁部に開口した出口となっている流出路が、第１プレートおよび第２プレートを外方に膨出させることにより形成され、流入路の入口側端部および流出路の出口側端部が筒状となされ、熱交換器用接続装置の各冷媒通路の一端開口の周囲に、冷媒入出部材の流入路の入口側端部内および流出路の出口側端部内に嵌められる筒状の嵌合凸部が設けられ、熱交換器用接続装置の嵌合凸部が冷媒入出部材の流入路の入口側端部内および流出路の端部内に嵌め入れられて冷媒入出部材にろう付されている熱交換器であって、
冷媒入出部材の第１プレートにおける流入路用外方膨出部の入口側端部の内周面、および流出路用外方膨出部の出口側端部の内周面と、これらの外方膨出部の両側の非膨出部の内面との連接部にそれぞれ丸みが存在するとともに、第２プレートにおける流入路用外方膨出部の入口側端部の内周面、および流出路用外方膨出部の出口側端部の内周面と、これらの外方膨出部の両側の非膨出部の内面との連接部にそれぞれ丸みが存在し、第１および第２プレートの上記丸みと熱交換器用接続装置の嵌合凸部との間に隙間が形成され、
冷媒入出部材の流入路および流出路における熱交換器用接続装置の嵌合凸部が嵌められている部分の両側において、第１プレートと第２プレートとの間に、第１および第２プレートと嵌合凸部とのろう付性を向上させるろう付補助プレートが配置されており、ろう付補助プレートにおける熱交換器用接続装置の嵌合凸部側の縁部が、第１および第２プレートの上記丸みと熱交換器用接続装置の嵌合凸部との間の上記隙間内に入り込んで嵌合凸部の外周面に近接し、冷媒入出部材の第１および第２プレートと熱交換器用接続装置の嵌合凸部とろう付補助プレートとがろう付されている熱交換器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が１〜１００μｍ、平均厚さが０.０１〜２μｍおよび扁平度が５０〜２００であることを特徴とする扁平セルロース粒子。
【請求項２】
セルロース系物質に対して、水、脂肪酸類、合成高分子および有機溶剤からなる群から選ばれる粉砕助剤の少なくとも１種とＮ−アシルアミノ酸を混合した混合物を機械的に粉砕処理して得られたものである請求項１記載の扁平セルロース粒子。
【請求項３】
セルロース系物質が、木材を起源とする繊維状または粉末状の木粉または木材パルプ、綿花を起源とする繊維状または粉末状の木綿またはリンター繊維、それらを精製した繊維状または粉末状のものである請求項１または２に記載の扁平セルロース粒子。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れかに記載の扁平セルロース粒子を含有することを特徴とする化粧料（ただし、油性成分を１５〜４０質量％含有する粉体化粧料を除く）。
【請求項５】
扁平セルロース粒子を５〜９０質量％含有するものである請求項４記載の化粧料。
【請求項６】
請求項１ないし３の何れかに記載の扁平セルロース粒子と油性成分とを含有することを特徴とする粉体化粧料（ただし、油性成分を１５〜４０質量％含有する粉体化粧料を除く）。
【請求項７】
扁平セルロース粒子を５〜９０質量％含有するものである請求項６記載の粉体化粧料。
【請求項８】
更に、二酸化チタンを１５〜３０質量％含有するものである請求項６または７の何れかに記載の粉体化粧料。
【請求項９】
パウダーファンデーションである請求項６ないし８の何れかに記載の粉体化粧料。
【請求項１０】
アイシャドーである請求項６ないし８の何れかに記載の粉体化粧料。
【請求項１１】
粉白粉である請求項６ないし８の何れかに記載の粉体化粧料。
【請求項１２】
セルロース系物質に対して、水、脂肪酸類、合成高分子および有機溶剤からなる群から選ばれる粉砕助剤の少なくとも１種とＮ−アシルアミノ酸を混合した混合物を機械的に粉砕処理することを特徴とする平均粒径が１〜１００μｍ、平均厚さが０.０１〜２μｍおよび扁平度が５０〜２００である扁平セルロース粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的にパラフィンのみで構成され、炭素数２７以上のイソパラフィン含有量が０．１質量％未満、流動点が−２０．０℃以下、目詰まり点が−１２．０℃以下、３０℃における動粘度が２．０ｍｍ２／ｓ以上であり、次式で表される酸化指数ＯＩが３５．０より大きいことを特徴とする軽油燃料組成物。
ＯＩ＝１１６．９４−２．７１×Ａ−０．３９×Ｂ＋０．２１×Ｃ
（Ａ：プロトン核磁気共鳴スペクトルにおいて、化学シフトが１．００〜１．４５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積に対する、化学シフトが１．４５〜２．２５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積の割合、％、Ｂ：蒸留５０％留出温度、℃、Ｃ：蒸留９０％留出温度、℃）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る軽油燃料組成物は、実質的にパラフィンのみで構成され、炭素数２７以上のイソパラフィン含有量が０．１質量％未満、流動点が−２０．０℃以下、目詰まり点が−１２．０℃以下、３０℃における動粘度が２．０ｍｍ２／ｓ以上であり、次式で表される酸化指数ＯＩが３５．０より大きい。
ＯＩ＝１１６．９４−２．７１×Ａ−０．３９×Ｂ＋０．２１×Ｃ
（Ａ：プロトン核磁気共鳴スペクトルにおいて、化学シフトが１．００〜１．４５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積に対する、化学シフトが１．４５〜２．２５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積の割合、％、Ｂ：蒸留５０％留出温度、℃、Ｃ：蒸留９０％留出温度、℃）
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的にパラフィンのみで構成され、全ノルマルパラフィン含有量に対する炭素数１４及び１５のノルマルパラフィン含有量が１２．４％以上、流動点が−２０．０℃以下、目詰まり点が−１２．０℃以下、３０℃における動粘度が２．７ｍｍ２／ｓ以上であり、次式で表される酸化指数ＯＩが３４．９より大きいことを特徴とするマルチグレード軽油燃料組成物。
ＯＩ＝１８２．７８−２．３２×Ａ−０．１９×Ｂ−０．２１×Ｃ
（Ａ：プロトン核磁気共鳴スペクトルにおいて、化学シフトが１．００〜１．４５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積に対する、化学シフトが１．４５〜２．２５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積の割合、％、Ｂ：蒸留１０％留出温度、℃、Ｃ：蒸留９０％留出温度、℃）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るマルチグレード軽油燃料組成物は、実質的にパラフィンのみで構成され、全ノルマルパラフィン含有量に対する炭素数１４及び１５のノルマルパラフィン含有量が１２．４％以上、流動点が−２０．０℃以下、目詰まり点が−１２．０℃以下、３０℃における動粘度が２．７ｍｍ２／ｓ以上であり、次式で表される酸化指数ＯＩが３４．９より大きい。
ＯＩ＝１８２．７８−２．３２×Ａ−０．１９×Ｂ−０．２１×Ｃ
（Ａ：プロトン核磁気共鳴スペクトルにおいて、化学シフトが１．００〜１．４５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積に対する、化学シフトが１．４５〜２．２５ｐｐｍにおけるピーク群のピーク総面積の割合、％、Ｂ：蒸留１０％留出温度、℃、Ｃ：蒸留９０％留出温度、℃）
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図６は、本発明の第３実施例を示している。この第３実施例では、チューブ２の外周部
で互いに嵌合するテーパ面となった嵌合壁２１ａ，２２ａのうち、外側に位置する第１プ
レート２１の嵌合壁２１ａを利用して、間隙７ｂ側へ向かって突出する突起部３５を形成
している。すなわち、冷却水入口８近傍に位置するチューブ２の第１プレート２１につい
ては、嵌合壁２１ａを他のものより延長して、第２プレート２２の上面よりも間隙７ｂへ
向けて張り出させ、この延長部分を、間隙７ｂを部分的に遮蔽する突起部３５として機能
させている。この場合、嵌合壁２１ａを利用して容易に突起部３５を形成することができ
る。また、嵌合壁２１ａの延長部分の長さを調整することで、間隙の遮蔽度合い、つまり
は間隙に流れ込む流量を容易に調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
さらに、
切り替わる前の動画単位における最後に表示すべき画像を再生した時の実時刻と、次の動画単位の最初に表示すべき画像を再生した時の実時刻との差分に指定倍速に応じた倍数を乗算した時間である切替処理補正時間を算出する切替処理補正時間算出ステップを含み、
早送り再生の場合は、
前記再生開始時刻算出ステップでは、さらに、前記再生開始時刻として、前記残ジャンプ時間と前記切替処理補正時間の和を次の動画単位の先頭時刻に加えた時刻を算出し、
早戻し再生の場合は、
前記再生開始時刻算出ステップでは、さらに、前記再生開始時刻として、前記残ジャンプ時間と前記切替処理補正時間の和を次の動画単位の終端時刻から引いた時刻を算出する
請求項１記載の動画再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像の収録、編集、送出を行う収録編集送出システムにおいて、
映像の入力、記憶、出力を行うサーバーと、
前記サーバーに接続され、映像及びアイコンの画面表示、ユーザーにより行われる操作の受け付けを行う複数の端末と、を備え、
当該収録編集送出システムは、更に、
前記複数の端末の内の所定の２以上の端末について、所定のアイコンについて、端末の画面におけるアイコン表示が同じになるように制御するアイコン共有化手段を備えた、
ことを特徴とする収録編集送出システム。
【請求項２】
請求項１の収録編集送出システムにおいて、
前記アイコンは、背景に透過処理を行い、表示レイヤーを分けて登録しサムネイルに重畳することと、
１つのサムネイルに対して複数の前記アイコンを重ねて表示し、マウスのカーソルがアイコンマウスオーバー時になると、複数の前記アイコンを分散させて表示することと、
を特徴とする収録編集送出システム。