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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＢ級で動作する第１の増幅素子を有するキャリア増幅回路と、Ｂ級又はＣ級で動作する第２の増幅素子を有するピーク増幅回路とを備え、前記キャリア増幅回路と前記ピーク増幅回路の出力を合成して出力するドハティ増幅器と、前記ドハティ増幅器の入力段に設けられたドライブ増幅器とを有する電力増幅器であって、
前記ドライブ増幅器は、
入力信号を増幅する増幅素子と、
入力電力レベルを検出する検波回路と、
入力された補正信号に基づいて、前記増幅素子にドレイン電圧を出力する電源回路と、
予め記憶された情報に基づいて、前記検出された入力電力レベルに対応する補正信号を前記電源回路に出力する波形整形回路とを備えたことを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
ＡＢ級で動作する第１の増幅素子を有するキャリア増幅回路と、Ｂ級又はＣ級で動作する第２の増幅素子を有するピーク増幅回路とを備え、前記キャリア増幅回路と前記ピーク増幅回路の出力を合成して出力するドハティ増幅器と、前記ドハティ増幅器の入力段に設けられたドライブ増幅器とを有する電力増幅器であって、
前記ドライブ増幅器は、
入力信号を増幅する増幅素子と、
入力電力レベルを検出する検波回路と、
入力された補正信号に基づいて、前記増幅素子にドレイン電圧を出力する電源回路と、
予め記憶された情報に基づいて、前記検出された入力電力レベルに対応する補正信号を出力する波形整形回路とを備え、
前記波形整形回路は、前記増幅素子が飽和に近い状態で動作し、且つ、入力信号に対する前記ドライブ増幅器のゲイン特性及び位相特性が、前記ドハティ増幅器で発生するゲイン歪及び位相歪の一方又は両方を補償するような特性となるよう、前記電源回路に補正されたドレイン電圧を出力させるための補正信号を出力することを特徴とする電力増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼出信号を検知したことに応じて公衆回線網を捕捉する回線捕捉手段と、
前記回線捕捉手段によって捕捉された前記公衆回線網から画像データを受信する受信手段と、
過電流保護機能がオン状態である場合、前記回線捕捉手段によって捕捉された前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えたことを検出したことに応じて回路の抵抗を大きくし、前記過電流保護機能がオフ状態である場合、前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えても前記回路の抵抗を大きくしないようにする過電流保護手段と、
前記受信手段が画像データを受信する前に、前記過電流保護機能をオン状態からオフ状態に切り替える制御手段と
を有することを特徴とするファクシミリ通信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記回線捕捉手段が前記公衆回線網を捕捉した後、自動受信モードが設定されていることを示す信号を他のファクシミリ通信装置に送信する前に、前記過電流保護機能をオン状態からオン状態に切り替えることを特徴とする請求項１に記載のファクシミリ通信装置。
【請求項３】
前記回路の抵抗は、前記ファクシミリ通信装置の半導体ＤＡＡ（Data  Access  Arrangement）の抵抗であることを特徴とする請求項１又は２に記載のファクシミリ通信装置。
【請求項４】
前記過電流保護手段は、残留呼出信号が検出された場合に前記回路の抵抗を大きくすることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のファクシミリ通信装置。
【請求項５】
呼出信号を検知したことに応じて公衆回線網を捕捉する回線捕捉工程と、
前記回線捕捉工程で捕捉された前記公衆回線網から画像データを受信する受信工程と、
過電流保護機能がオン状態である場合、前記回線捕捉工程で捕捉された前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えたことを検出したことに応じて回路の抵抗を大きくし、前記過電流保護機能がオフ状態である場合、前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えても前記回路の抵抗を大きくしないようにする過電流保護工程と、
前記受信工程の前に、前記過電流保護機能をオン状態からオフ状態に切り替える制御工程と
を有することを特徴とするファクシミリ通信装置の制御方法。
【請求項６】
ファクシミリ通信装置に、
呼出信号を検知したことに応じて公衆回線網を捕捉する回線捕捉工程と、
前記回線捕捉工程で捕捉された前記公衆回線網から画像データを受信する受信工程と、
過電流保護機能がオン状態である場合、前記回線捕捉工程で捕捉された前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えたことを検出したことに応じて回路の抵抗を大きくし、前記過電流保護機能がオフ状態である場合、前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えても前記回路の抵抗を大きくしないようにする過電流保護工程と、
前記受信工程の前に、前記過電流保護機能をオン状態からオフ状態に切り替える制御工程と
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る装置は、呼出信号を検知したことに応じて公衆回線網を捕捉する回線捕捉手段と、前記回線捕捉手段によって捕捉された前記公衆回線網から画像データを受信する受信手段と、過電流保護機能がオン状態である場合、前記回線捕捉手段によって捕捉された前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えたことを検出したことに応じて回路の抵抗を大きくし、前記過電流保護機能がオフ状態である場合、前記公衆回線網からの電流が予め定めた閾値を超えても前記回路の抵抗を大きくしないようにする過電流保護手段と、前記受信手段が画像データを受信する前に、前記過電流保護機能をオン状態からオフ状態に切り替える制御手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた周波数帯域を直交した複数のサブキャリアからなる複数のサブキャリアグループに分割し、当該サブキャリアグループにデータを割り当てて伝送を行う無線装置であって、
前記複数のサブキャリアの通信品質をそれぞれ検出する通信品質検出手段と、
該通信品質検出手段によって検出された前記複数のサブキャリアの前記通信品質の一覧を、属している前記サブキャリアグループが判別できる状態で報知するサブキャリア状態報知画面を生成すると共に、前記サブキャリアグループの使用・不使用を指示する使用指示画面を生成し、前記サブキャリア状態報知画面および前記使用指示画面を同一画面で表示手段に表示させる状態報知画面生成手段と、
前記表示手段に表示された前記使用指示画面に基づく前記サブキャリアグループの使用・不使用の指示を受け付ける入力手段と、
該入力手段によって受け付けた前記サブキャリアグループの使用・不使用の指示に基づき、データの伝送に使用する使用サブキャリアグループとデータの伝送に使用しない不使用サブキャリアグループとを設定するグループ制御手段とを具備し、
該キャリア制御手段によって設定された前記使用サブキャリアグループにデータを割り当てて送信することを特徴とする無線装置。
【請求項２】
請求項１の無線装置において、前記通信品質検出手段によって検出された通信品質に基づいて通信品質が悪化している妨害サブキャリアを検出し、前記サブキャリア状態報知画面において、検出した妨害サブキャリアの色と、通常のサブキャリアの色とを区別して表示させるように構成されていることを特徴とする無線装置。
【請求項３】
請求項１の無線装置において、前記通信品質検出手段によって通信品質として等化誤差を検出させるように構成されていることを特徴とする無線装置。
【請求項４】
請求項１の無線装置において、前記通信品質検出手段によって検出されたサブキャリア毎の通信品質に基づいて、通信品質が悪化している妨害サブキャリアを検出し、妨害サブキャリアが属しているサブキャリアグループを前記グループ制御手段に通知する妨害サブキャリア検出手段を設け、前記グループ制御手段は、前記妨害サブキャリア検出手段からサブキャリアグループを、データの送信に使用しない不使用サブキャリアグループとして設定するように構成されていることを特徴とする無線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、
各々が前記画素アレイの列に対応して設けられているとともに、前記画素から出力された信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部を各々が含む複数の信号処理部と、
２以上の第１の出力端子を含み、該第１の出力端子の各々に各々が対応して設けられているとともに、前記複数の信号処理部に対応して設けられている複数の第１の出力ブロックを含む第１の出力部と、
１以上の第２の出力端子を含み、該第２の出力端子の各々に各々が対応して設けられているとともに、前記複数の信号処理部に対応して設けられている１以上の第２の出力ブロックと、
前記信号処理部から出力された信号を前記第１あるいは第２の出力部に選択的に伝達する出力選択部と、を含み、
前記第１の出力端子の数は、前記第２の出力端子の数よりも多いこと
を特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
互いに隣接する複数の列の前記信号処理部をブロックとして、
前記第１の出力ブロックは、同一の前記ブロックに属する複数の前記信号処理部から出力された信号を出力し、
前記第２の出力ブロックは、異なる前記ブロックに属する複数の前記信号処理部から出力された信号を出力すること
を特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
１列おきの複数の列の前記信号処理部をブロックとして、
前記第１の出力ブロックは、同一の前記ブロックに属する複数の前記信号処理部から出力された信号を出力し、
前記第２の出力ブロックは、異なる前記ブロックに属する複数の前記信号処理部から出力された信号を出力すること
を特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記出力選択部は、異なる前記ブロックに属する複数の前記信号処理部を前記第２の出力部と接続する共通の伝送線を有することを特徴とする請求項２または３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記伝送線は、前記ブロックに対応して設けられたバッファを有することを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記出力選択部は、第１のモードにおいて前記信号処理部から出力された信号を、前記第２の出力部に伝達せずに、前記第１の出力部に伝達し、
第２のモードにおいて前記信号処理部から出力された信号を、前記第１の出力部に伝達せずに、前記第２の出力部に伝達すること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記画素アレイのすべての画素から信号を読み出す場合には前記第１のモードを実行し、
前記画素アレイの一部の画素から信号を読み出す場合には前記第２のモードを実行すること
を特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
同期信号を出力する同期信号生成部と、
前記同期信号に同期して、前記第１および第２の出力部から出力される信号に対して同期コードを付加する同期コード付加部と、をさらに有すること
を特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記同期信号生成部はＰＬＬ回路を含み、該ＰＬＬ回路から出力される信号を前記同期信号とすることを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記同期コード付加部は、前記画素アレイの行に対応して前記同期コードを付加することを特徴とする請求項８または９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記同期信号生成部と、前記同期コード付加部と、を前記第１および第２の出力部に対して共通に設けたことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記同期信号生成部と、前記同期コード付加部と、を前記第１および第２の出力部に対して個別に設けたことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記信号処理部は前記デジタル信号をパラレルデータとして出力し、
前記第１および第２の出力ブロックは、前記パラレルデータをシリアルデータに変換して前記第１および第２の出力端子から出力すること
を特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記信号処理部は、前記画素から出力された信号からノイズを低減して前記Ａ／Ｄ変換部に伝達するノイズ低減回路を有することを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記信号処理部は、前記デジタル信号を記憶するメモリ部を有することを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記出力選択部は複数のスイッチ部を有し、
複数の前記スイッチ部の各々は、複数の前記信号処理部の各々に対応して設けられているとともに、前記信号処理部から出力される前記信号を前記第１あるいは第２の出力部に選択的に伝達することを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の画素部に像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたこと
を特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明は、複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、各々が前記画素アレイの列に対応して設けられているとともに、前記画素から出力された信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部を各々が含む複数の信号処理部と、２以上の第１の出力端子を含み、該第１の出力端子の各々に各々が対応して設けられているとともに、前記複数の信号処理部に対応して設けられている複数の第１の出力ブロックを含む第１の出力部と、１以上の第２の出力端子を含み、該第２の出力端子の各々に各々が対応して設けられているとともに、前記複数の信号処理部に対応して設けられている１以上の第２の出力ブロックと、前記信号処理部から出力された信号を前記第１あるいは第２の出力部に選択的に伝達する出力選択部と、を含み、前記第１の出力端子の数は、前記第２の出力端子の数よりも多いことを特徴とする光電変換装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る画像処理装置は、画像を取得する画像取得手段と、前記画像における情報領域と背景領域とが条件等色となる色材量をそれぞれ決定する決定手段と、前記条件等色となる光源下において、前記条件等色にならないようにするためのカラーフィルタに必要な色材量を決定するカラーフィルタ用色材量決定手段と、前記算出手段により決定された色材量に基づいて前記画像を媒体に印刷し、かつ、前記カラーフィルタ用色材量決定手段により決定された色材量に基づいて透明な媒体にカラーフィルタを印刷する出力手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
まず、ステップＳ６０１において、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、画像取得部１０３から情報埋め込み済み画像３００および領域判別用レイヤー画像３０５を取得する。そして、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、領域判別用レイヤー画像３０５に基づいて、情報埋め込み済み画像３００における情報埋め込み領域３０２を特定する。そして、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、特定された情報埋め込み領域３０２におけるＲＧＢ値を参照して、ＲＧＢ値を取得する。なお、情報埋め込み済み画像３００の情報埋め込み領域３０２における各画素のＲＧＢ値は同一であるものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、ステップＳ６０２において、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、情報埋め込み領域３０２のＲＧＢ値をＬａｂ値に変換する。なお、Ｌａｂ値への変換は、例えば、ｓＲＧＢ理論色を用いることにより実行することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、ステップＳ６０３において、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、インクセット１を用いて、背景領域３０３におけるＬａｂ値を再現できる色材量を算出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、ステップＳ６０４において、メタメリックペア用色材量算出部１０４は、インクセット２を用いて、背景領域３０３におけるＬａｂ値を再現できる色材量を算出する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ステップＳ６０３において、式２および式３を満たすＲ1（λ）が算出される。また、ステップＳ６０４において、式２および式３を満たすＲ2（λ）が算出される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、Ｓ２０７において、カラーフィルタ出力部１１０は、算出したカラーフィルタの色材量を画像出力装置１１１へ送信する。そして、画像出力装置１１１は、カラーフィルタの色材量に基づいて、透明フィルム等、透過型のメディアを媒体としたカラーフィルタを印刷する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を取得する画像取得手段と、
前記画像における情報領域と背景領域とが条件等色となる色材量をそれぞれ決定する決定手段と、
前記条件等色となる光源下において、前記条件等色にならないようにするためのカラーフィルタに必要な色材量を決定するカラーフィルタ用色材量決定手段と、
前記決定手段により決定された色材量に基づいて前記画像を媒体に印刷し、かつ、前記カラーフィルタ用色材量決定手段により決定された色材量に基づいて透明な媒体にカラーフィルタを印刷する出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
分光反射率と、当該分光反射率となる印刷物を印刷するために必要な色材量とを関連付けて記憶する第１の記憶手段をさらに備え、
前記決定手段は、
前記情報領域および前記背景領域におけるＲＧＢ値に基づいた三刺激値となる分光反射率を決定し、
前記第１の記憶手段を参照して、前記決定した分光反射率となる色材量を特定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の記憶手段は、前記出力手段が印刷のために用いる複数の色のインクのうち、特定の色のインクの組み合わせにより再現される分光反射率と、当該特定の色のインクに係る色材量とを関連付けて記憶する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
透過率特性と、当該透過率特性となる印刷物を印刷するために必要な色材量とを関連付けて記憶する第２の記憶手段をさらに備え、
前記カラーフィルタ用色材量決定手段は、
前記情報領域と前記背景領域との色差が最大となるようなカラーフィルタの透過率特性を決定し、
前記第２の記憶手段を参照して、前記決定した透過率特性となる色材量を特定する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像には、前記情報領域および前記背景領域を特定するための画像が関連付けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
取得手段が、画像を取得する画像取得ステップと、
決定手段が、前記画像における情報領域と背景領域とが条件等色となる色材量をそれぞれ決定する決定ステップと、
カラーフィルタ用色材量決定手段が、前記条件等色となる光源下において、前記条件等色にならないようにするためのカラーフィルタに必要な色材量を決定するカラーフィルタ用色材量決定ステップと、
出力手段が、前記算出ステップにより決定された色材量に基づいて前記画像を媒体に印刷し、かつ、前記カラーフィルタ用色材量決定ステップにより決定された色材量に基づいて透明な媒体にカラーフィルタを印刷する出力ステップと
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１から５のいずれか一項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め応答順序が設定された複数の送受信局からなる無線通信システムであって、
前記複数の送受信局のひとつがデータを送信すると、当該データの送信元も含め、前記応答順序が上位の送受信局から前記データに対する応答信号を順次送信することを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
予め応答順序が設定された複数の送受信局からなる無線通信システムにおいて、
前記複数の送受信局のひとつがデータを送信すると、当該データの送信元も含め、前記応答順序が上位の送受信局から前記データに対する応答信号を順次送信することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記ガス導入口は、少なくとも１個の概略スリット状またはホール状に開口されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記被処理材と前記サセプタとの間隙は、１ｍｍから３０ｍｍの範囲の値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記サセプタは、第一のサセプタと第二のサセプタを有し、
前記第一のサセプタは、前記第二のサセプタの上方に配置され、ガスだまりを有し、
前記第二のガス供給手段は、前記ガスだまりにガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記ガス導入口の開口は、前記被処理材の中心に向かう方向に対して所定の角度傾けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してエッチングを促進させるガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してエッチングを抑制させるガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記エッチングを促進させるガスは、塩素ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項７に記載のプラズマ処理方法において、
前記エッチングを抑制させるガスは、四フッ化メタンガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの両面のうち少なくとも何れか一方の面の表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、前記元素が存在する、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にレーザーを照射して、前記シリコンウェーハの表層部を溶融させた後、溶融させた前記表層部を固化させることにより、前記元素を前記表層部にドープすることを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記元素を前記表層部にドープした後に、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記シリコンウェーハの前記レーザー照射を行った面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
デバイス領域として使用されないシリコンウェーハの裏面を機械加工処理することにより、該シリコンウェーハを薄厚化した後、前記裏面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態で、前記裏面にレーザーを照射して、前記シリコンウェーハの裏面の表層部を溶融させた後、溶融させた前記表層部を固化させることにより、前記元素を前記表層部にドープすることを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
(2) 前記元素を前記表層部にドープした後に、前記シリコンウェーハの何れか一方の面の表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に面実装された部品の熱を、当該部品の電極端子から前記回路基板の本体に埋め込まれた金属体を介して放熱部材に伝達させる方式の回路基板装置において、
前記金属体は、前記電極端子に接合された部分の両側から夫々外部に延長させた形の拡張部分を備え、前記放熱部材は、前記回路基板に対する取付面に窪み部分を備え、
前記放熱部材は、前記窪み部分以外の平面部分により前記拡張部分に熱的に結合された状態で前記回路基板に取り付けられ、このとき前記回路基板の裏面で前記面実装された部品の裏側に、前記窪み部分により所望の広さの空間が形成されることを特徴とする回路基板装置。
【請求項２】
回路基板に面実装された部品の熱を、当該部品の電極端子から前記回路基板の本体に埋め込まれた金属体を介して放熱部材に伝達させる方式の回路基板装置において、
前記金属体は、前記電極端子に接合された部分の両側から夫々外部に延長させた形の拡張部分を備えると共に前記拡張部分にそれぞれ通し穴が形成され、
前記放熱部材は、前記金属体に形成された通し穴と対向する位置にねじ穴が形成され、
前記金属体の通し穴を介して前記放熱部材のねじ穴にねじを用いて前記金属体が前記放熱部材に固定されることを特徴とする回路基板装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
式（１）中、τｃは捕獲割合であって下記式（ａ）により求めることができる。ｔは光照射からの経過時間である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を積層して収容する石英製の反応管と、
前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記反応管内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理ガス供給系と前記クリーニングガス供給系と前記排気系とを制御する制御系と、を有し、
前記反応管内に前記基板の積層方向に沿って延びる石英製の板状部材を設け、前記クリーニングガス供給後の前記反応管内に付着した膜の除去状態を確認する基板処理装置。
【請求項２】
複数の基板を、前記基板の積層方向に沿って延びる石英製の板状部材を内部に有する反応管に搬入する工程と、
前記反応管内への処理ガスの供給と、前記反応管内の雰囲気を排気を交互に行い、前記基板に膜を形成する工程と、
前記膜が形成された基板を前記反応管から搬出する工程と、
前記反応管内にクリーニングガスを供給する工程と、
前記板状部材を用いてクリーニングガス供給後の前記反応管内に付着した膜の除去状態を確認する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記主表面上に形成された第１の金属電極と、
前記第１の金属電極上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された第２の金属電極とを備える半導体装置であって、
前記第１の金属電極は、
少なくとも１層の第１のバリア層と、
前記第１のバリア層上に形成された、アルミニウムを含む第１のアルミニウム層とを含んでおり、
前記第１のアルミニウム層の表面が、Ｒｍａｘ＜８０ｎｍ、Ｒｍｓ＜１０ｎｍ、Ｒａ＜９ｎｍの関係を満たす半導体装置。
【請求項２】
前記第１のアルミニウム層上に形成された、少なくとも１層の第２のバリア層をさらに含んでおり、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層のうち少なくともいずれかは、チタンを含む材料から構成される薄膜を含んでいる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の金属電極は、
少なくとも１層の第３のバリア層と、
前記第３のバリア層上に形成された第２のアルミニウム層とを含んでおり、
前記第２のアルミニウム層の表面が、Ｒｍａｘ＜８０ｎｍ、Ｒｍｓ＜１０ｎｍ、Ｒａ＜９ｎｍの関係を満たす、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の一方の主表面上に、アルミニウムを含む第１のアルミニウム層を有する第１の金属電極を形成する工程と、
前記第１の金属電極上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に第２の金属電極を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記第１の金属電極を形成する工程においては、前記第１のアルミニウム層の表面が、Ｒｍａｘ＜８０ｎｍ、Ｒｍｓ＜１０ｎｍ、Ｒａ＜９ｎｍの関係を満たすように前記第１のアルミニウム層が形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属電極を形成する工程には、
少なくとも１層の第１のバリア層を形成する工程と、
前記第１のバリア層上に、前記第１のアルミニウム層を形成する工程と、
前記第１のアルミニウム層を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記再結晶化する工程には、前記第１のアルミニウム層を４２０℃以上に保持する工程をさらに有する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属電極を形成する工程には、
少なくとも１層の第１のバリア層を形成する工程と、
前記第１のバリア層上に、前記第１のアルミニウム層を形成する工程とを含んでおり、
高指向性スパッタリングにより前記第１のバリア層を形成する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属電極を形成する工程では、高指向性スパッタリングにより前記第１のバリア層を形成する、請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記高指向性スパッタリングとして、コリメーションスパッタ法、ロングスロースパッタ法、バイアススパッタ法のうちいずれかを用いる、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のアルミニウム層上に、少なくとも１層の第２のバリア層を形成する工程を含んでいる、請求項４〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子と、
互いに周波数が異なる複数の第１の光と、互いに周波数が異なる複数の第２の光とを前記金属原子に照射して電磁誘起透過現象を発生させる光源と、
前記光源から照射されて前記金属原子を透過した光の強度を検出する光検出部と、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記複数の第１の光の各々と前記複数の第２の光の各々との周波数差を、前記金属原子の第１の基底準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数を基準にして制御し、かつ、前記複数の第１の光の各々の波長を前記金属原子の２Ｐ１/２のいずれかの励起準位と前記第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御するとともに、前記複数の第２の光の各々の波長を前記励起準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御する制御部と、を含む、量子干渉装置。
【請求項２】
金属原子と、
互いに周波数が異なる複数の第１の光と、互いに周波数が異なる複数の第２の光とを前記金属原子に照射して電磁誘起透過現象を発生させる光源と、
前記光源から照射されて前記金属原子を透過した光の強度を検出する光検出部と、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記複数の第１の光の各々と前記複数の第２の光の各々との周波数差を、前記金属原子の第１の基底準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数を基準にして制御し、かつ、前記複数の第１の光の各々の波長を前記金属原子の２Ｐ１/２のいずれかの励起準位の近傍の準位と前記第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御するとともに、前記複数の第２の光の各々の波長を前記励起準位の近傍の準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御する制御部と、を含む、量子干渉装置。
【請求項３】
前記光源は、
周波数がΔωずつ異なる前記複数の第１の光と周波数がΔωずつ異なる前記複数の第２の光を前記金属原子に照射し、
前記制御部は、
前記光源が前記金属原子に照射する光の中心波長を制御する中心波長制御部と、前記光
検出部が検出した光の強度に基づいて前記変調信号を生成する変調制御部と、を含む、請求項１または２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記中心波長制御部は、
前記光源が前記金属原子に照射する光の中心波長を、前記励起準位と前記第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長と、前記励起準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長との和の１／２又はその近傍の波長を基準にして制御し、
前記変調制御部は、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記第１の基底準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数の１／２の周波数を有する第１の発振信号を生成する第１発振信号生成部と、Δωの周波数を有する第２の発振信号を生成する第２発振信号生成部と、前記第１の発振信号と前記第２の発振信号に基づいて前記変調信号を生成する変調信号生成部と、を含む、請求項３に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
前記第２発振信号生成部は、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記第２の発振信号の周波数Δωを調整する、請求項４に記載の量子干渉装置。
【請求項６】
前記中心波長制御部は、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記光源が前記金属原子に照射する光の中心波長を調整する、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の量子干渉装置。
【請求項７】
互いに周波数が異なる複数の第１の光と、互いに周波数が異なる複数の第２の光とを金属原子に照射して電磁誘起透過現象を発生させる光照射工程と、
前記光照射工程で照射されて前記金属原子を透過した光の強度を検出する光検出工程と、
前記光検出工程で検出した光の強度に基づいて、前記複数の第１の光の各々と前記複数の第２の光の各々との周波数差を、前記金属原子の第１の基底準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数を基準にして制御し、かつ、前記複数の第１の光の各々の波長を前記金属原子の２Ｐ１/２のいずれかの励起準位と前記第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御するとともに、前記複数の第２の光の各々の波長を前記励起準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御する制御工程と、を含む、量子干渉方法。
【請求項８】
互いに周波数が異なる複数の第１の光と、互いに周波数が異なる複数の第２の光とを金属原子に照射して電磁誘起透過現象を発生させる光照射工程と、
前記光照射工程で照射されて前記金属原子を透過した光の強度を検出する光検出工程と、
前記光検出工程で検出した光の強度に基づいて、前記複数の第１の光の各々と前記複数の第２の光の各々との周波数差を、前記金属原子の第１の基底準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数を基準にして制御し、かつ、前記複数の第１の光の各々の波長を前記金属原子の２Ｐ１/２のいずれかの励起準位の近傍の準位と前記第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御するとともに、前記複数の第２の光の各々の波長を前記励起準位の近傍の準位と前記第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長を基準にして制御する制御工程と、を含む、量子干渉方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板を外部より搬入させ、大気状態または真空状態に切り換えることが可能なロードロック室と、
前記ロードロック室にゲートバルブを介して接続され、前記マスク基板の搬送を行う搬送ロボットを有し、真空化される真空ユニットと、
前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板の恒温化を行う恒温室と、
前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板のアライメントを行うアライメント室と、
前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板にマスクカバーの着脱を行う基板カバー着脱室と、
前記真空ユニットに接続され、前記マスクカバーが搭載されるとともに、恒温化とアライメントが行われた前記マスク基板に、荷電粒子ビームによる描画を行う描画室と、を具備したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記恒温室は、
前記基板カバー着脱室と、前記ロードロック室との間に位置するように設けられることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記基板カバー着脱室又は前記恒温室は、前記アライメント室を兼ねることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記基板カバー着脱室は、前記真空ユニットにおいて２か所に設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画室と接続された真空ユニット内にマスク基板を搬入した後、このマスク基板に、予め搬入された前記マスク基板表面を接地するためのマスクカバーを載置し、
前記マスク基板のアライメントを行い、
前記マスク基板の恒温化を行い、
前記マスクカバーが載置され、アライメントが行われ、恒温化された前記マスク基板を前記真空ユニットより前記描画に搬入して描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項６】
前記マスクカバーが載置され、前記アライメントが行われた前記マスク基板の、前記恒温化を行うことを特徴とする請求項５記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記した課題を解決するために、この発明の荷電粒子ビーム描画装置は、マスク基板を外部より搬入させ、大気状態または真空状態に切り換えることが可能なロードロック室と、前記ロードロック室にゲートバルブを介して接続され、前記マスク基板の搬送を行う搬送ロボットを有し、真空化される真空ユニットと、前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板の恒温化を行う恒温室と、前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板のアライメントを行うアライメント室と、前記真空ユニットに設けられ、前記マスク基板にマスクカバーの着脱を行う基板カバー着脱室と、前記真空ユニットに接続され、前記マスクカバーが搭載されるとともに、恒温化とアライメントが行われた前記マスク基板に、荷電粒子ビームによる描画を行う描画室と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明の荷電粒子ビーム描画方法は、描画室と接続された真空ユニット内にマスク基板を搬入した後、このマスク基板に、予め搬入された前記マスク基板表面を接地するためのマスクカバーを載置し、前記マスク基板のアライメントを行い、前記マスク基板の恒温化を行い、前記マスクカバーが載置され、アライメントが行われ、恒温化された前記マスク基板を前記真空ユニットより前記描画に搬入して描画することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月12日(2013.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に設けられた、導電性材料からなる複数の電極パッドと、
前記半導体基板の一方の面に設けられた、絶縁性材料からなる保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上面に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた配線と、
前記配線に接続された外部接続用電極と、を備え、
前記電極パッドは、前記保護絶縁膜及び前記絶縁層に設けられた開口によって少なくとも一部が露出し、前記開口を通じて前記配線に接続された第１の電極パッドと、少なくとも前記絶縁層で被覆されて露出していない第２の電極パッドと、を含み、
前記絶縁層は、少なくとも前記第２の電極パッドと前記配線の間において複数の絶縁膜が積層されてなり、前記配線の一部が前記複数の絶縁膜を介して前記第２の電極パッドと重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、
第１の電極パッドと第２の電極パッドとが設けられている半導体基板の一方の面に、前記第１の電極パッドの少なくとも一部を露出させる開口を有する保護絶縁膜および絶縁層とを形成するとともに、前記第２の電極パッドを少なくとも前記絶縁層で被覆する工程と、
前記開口を通じて第１の電極パッドに接続する配線を前記絶縁層の上面に形成する工程と、
前記配線に接続する外部接続用電極を形成する工程と、を有し、
前記絶縁層は、少なくとも前記第２の電極パッドに対応する位置に前記複数の絶縁膜を積層することで、前記複数の絶縁膜を介して前記第２の電極パッドと重なる位置に前記配線の一部が設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に設けられた、導電性材料からなる複数の電極パッドと、
前記半導体基板の一方の面に設けられた、絶縁性材料からなる保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上面に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた配線と、
前記配線に接続された外部接続用電極と、を備え、
前記電極パッドは、前記保護絶縁膜及び前記絶縁層に設けられた開口によって少なくとも一部が露出し、前記開口を通じて前記配線に接続された第１の電極パッドと、少なくとも前記絶縁層で被覆されて露出していない第２の電極パッドと、を含み、
前記絶縁層は、少なくとも前記第２の電極パッドと前記配線の間において複数の絶縁膜が積層されてなり、前記配線の一部が前記複数の絶縁膜を介して前記第２の電極パッドと重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の絶縁膜は、ポリイミド若しくはポリベンゾオキサゾールのプラスチック材料、又はエポキシ系、フェノール系、シリコン系のプラスチック材料、又はこれらの複合材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護絶縁膜には、前記第２の電極パッドに対応する位置に開口が設けられていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護絶縁膜には、前記第２の電極パッドに対応する位置に開口が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の電極パッドと第２の電極パッドとが設けられている半導体基板の一方の面に、前記第１の電極パッドの少なくとも一部を露出させる開口を有する保護絶縁膜および絶縁層とを形成するとともに、前記第２の電極パッドを少なくとも前記絶縁層で被覆する工程と、
前記開口を通じて第１の電極パッドに接続する配線を前記絶縁層の上面に形成する工程と、
前記配線に接続する外部接続用電極を形成する工程と、を有し、
前記絶縁層は、少なくとも前記第２の電極パッドに対応する位置に前記複数の絶縁膜を積層することで、前記複数の絶縁膜を介して前記第２の電極パッドと重なる位置に前記配線の一部が設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の絶縁膜は、ポリイミド若しくはポリベンゾオキサゾールのプラスチック材料、又はエポキシ系、フェノール系、シリコン系のプラスチック材料、又はこれらの複合材料を用いて形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護絶縁膜における、前記第２の電極パッドに対応する位置に開口を設けないことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記保護絶縁膜における、前記第２の電極パッドに対応する位置に開口を設けることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁膜にCuダマシン配線を形成する第１の工程と、
前記基板上に第１の保護膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程により形成された第１の保護膜をパターニングする第３の工程と、
前記第１の保護膜をマスクとして第１の絶縁膜を除去する第４の工程と、
前記基板上に第２の保護膜を形成する第５の工程と、
Cu配線間に空隙を残しつつ第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記第６の工程により第２の絶縁膜が形成された前記基板上にCu配線と接続する接続孔を開口する第７の工程と、
を有し、
前記第３の工程は、前記接続孔と隣接するように設計された第１の絶縁膜を保護するようにパターニングする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の絶縁膜にCuダマシン配線が形成された基板上に第１の保護膜を形成する第１の工程と、
前記第１の保護膜をパターニングし、一部が露出したCu配線及び残存する前記第１の保護膜をマスクとして前記第１の絶縁膜をエッチングして凹パターンが形成された前記基板上に第２の保護膜を形成する第２の工程と、
前記基板上にCu配線間の空隙を残しつつ第２の絶縁膜を形成する第３の工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法に供する半導体装置の製造装置であって、
前記第１の絶縁膜バリア又は前記第２の絶縁膜バリアの少なくとも一方の成膜に用いられる製造装置は、
ＮＨ３、Ｎ２、又はＨ２のうち少なくともいずれか１つのガスの導入が可能であり、かつ、これらのガス種を用いたプラズマ処理機能を有する半導体装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法に供する半導体装置の製造装置であって、
前記第１の絶縁膜バリア又は前記第２の絶縁膜バリアの少なくとも一方の成膜に用いられる製造装置は、
成膜後のボートダウン後の半導体基板の周囲雰囲気を冷却するための空冷、水冷、液冷機構、
及び、ボートダウン後の移載時に半導体基板を冷却するための空冷、水冷、液冷ステージをもつ搬送系機構、
のうち少なくともいずれかを有する半導体装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板保持装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、
開口と、
前記開口内で前記基板を保持するための保持面と、
前記保持面の周囲に配置される上面と、を備え、
前記上面は、前記保持面に保持された前記基板の表面より高い基板保持装置。
【請求項２】
前記上面は、前記保持された基板と所定の隙間を隔てて配置されている請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記上面は、前記保持面の周囲に配置されるプレート部材の上面を含む請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記上面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記上面は、フッ素系材料で構成されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、前記第１面の上方に設けられた前記第１面と非平行な第２面と、を有し、
前記第２面は、前記第１面と前記第２面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びて前記上面と接続される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記境界部は、前記保持面に保持された前記基板の表面より高い請求項６に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記第１面の下方に形成され、前記第１面と非平行な第３面を有し、
前記第３面は、前記第１面と前記第３面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項６又は７に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記第１面、前記第２面、及び前記第３面の少なくとも１つは、前記液体に対して撥液性である請求項８に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記第３面は、面取り処理によって形成される請求項８又は９に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
前記第１面は、前記保持面に対してほぼ垂直である請求項６〜１０のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
前記第１面は、前記第１面と前記第２面の境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項６〜１１のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１３】
前記保持面と垂直な軸と前記第２面とがなす角度は、前記軸と前記第１面とがなす角度より大きい請求項１２に記載の基板保持装置。
【請求項１４】
前記保持面と垂直な方向に関して、前記第１面は前記第２面より大きい請求項１２又は１３に記載の基板保持装置。
【請求項１５】
前記第１面と前記第２面とがなす角度は９０度以上である請求項１２〜１４のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項１６】
前記保持面とほぼ平行な第４面を有し、
前記第２面と前記第４面の境界部は、前記第１面と前記第２面との境界部よりも上方にあり、前記第４面は、前記第２面と前記第４面との境界部から前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項６〜１５いずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１７】
前記第４面は、前記液体に対しては撥液性である請求項１６に記載の基板保持装置。