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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を集束させて試料上で二次元的に走査する手段を備えた荷電粒子光学装置におけるレンズ収差測定方法であって、
前記荷電粒子光学装置は、
電子線を放出する電子源と、
試料を搭載する試料搭載手段と、
前記電子源と前記試料搭載部との間に配置された電磁レンズ群と、
前記電磁レンズ群内にあって収差の測定対象とする被測定レンズ群の電子光学的上流に設けられ前記電子線を走査偏向させるための電子線走査手段と、
前記電子線走査手段の上流側に設けられ前記電子線を所定のビーム径に絞り込むビーム絞り手段と、
前記試料に照射された電子線により該試料から誘起される電子信号を検出する検出手段と、
前記電子源、前記電磁レンズ群、前記電子線走査手段および前記検出手段を制御する制
御手段と、を備え、
前記電子線走査手段によって、前記被測定レンズ群の上流で前記電子源から放出された電子線ビームの走査を行うことで、前記電磁レンズ群によって形成されたビームプローブを前記試料面上に二次元的に走査し、
前記検出手段によって、前記被測定レンズの収差に応じて前記試料面上に歪投影されるビームプローブによって誘起される二次電子、反射電子、透過電子、散乱電子等の信号のいずれか一つ、もしくは幾つかを検出し、
前記制御手段によって、前記被測定レンズ上の走査に同期して得られた二次元の走査像を基にして、前記被測定レンズの収差量を算出することを特徴とするレンズ収差測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレンズ収差測定方法において、
前記二次元の走査像はラスタースキャンによって得られる像であることを特徴とするレンズ収差測定方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレンズ収差測定方法において、
前記荷電粒子光学装置が、走査型透過電子顕微鏡装置であることを特徴とするレンズ収差測定方法。
【請求項４】
請求項１に記載のレンズ収差測定方法において、
前記荷電粒子光学装置が、走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とするレンズ収差測定方法。
【請求項５】
請求項１に記載のレンズ収差測定方法において、
前記制御手段は、以下のａ）〜ｆ）のステップによりレンズ収差測定に必要な光学条件を設定することを特徴とするレンズ収差測定方法。
ａ）前記電磁レンズ群および前記電子線走査手段を制御するための初期条件を設定し、
ｂ）ロンチグラム取得に必要な収差測定光学条件の設定を行い、
ｃ）該収差測定光学条件に基づいて、電子線を走査しがら前記試料に照射して走査ロンチグラムを取得し、
ｄ）該取得した走査ロンチグラムに基づいて収差係数を算出し、
ｅ）該算出した収差係数が目標値以内にあるか判定し、
ｆ）目標値内にある場合に、レンズ収差測定に必要な光学条件を設定する。
【請求項６】
電子線を放出する電子源と、
試料を搭載する試料搭載手段と、
前記電子源と前記試料搭載部との間に配置された電磁レンズ群と、
前記電磁レンズ群内にあって収差の測定対象とする被測定レンズ群の電子光学的上流に設けられ前記電子線を走査偏向させるための電子線走査手段と、
前記電子源、前記電磁レンズ群および電子線走査手段を制御する制御手段と、を備え、
前記電子線走査手段によって、前記被測定レンズ群の上流で前記電子源から放出された電子線ビームの走査を行うことで、前記電磁レンズ群によって形成されたビームプローブを前記試料面上に二次元的に走査させ、
前記被測定レンズの収差に応じて前記試料面上に歪投影されるビームプローブによって誘起される二次電子、反射電子、透過電子、散乱電子等の信号のいずれか一つ、もしくは幾つかを検出する検出手段と、
前記被測定レンズ上の走査に同期して得られた二次元の走査像を基にして、前記被測定レンズの収差量を測定する測定手段と
を有することを特徴とする荷電粒子光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の荷電粒子光学装置において、
前記二次元の走査像はラスタースキャンによって得られる像であることを特徴とする荷電粒子光学装置。
【請求項８】
請求項６に記載の荷電粒子光学装置において、
前記被測定レンズは、前記試料の上流側に配置され前記電子線ビームを前記試料表面に収束させる対物レンズ前磁場と、前記対物レンズ前磁場と前記電子線走査手段との間に配置された収差補正器とを含むことを特徴とする荷電粒子光学装置。
【請求項９】
請求項６に記載の荷電粒子光学装置において、
前記荷電粒子光学装置が、走査型透過電子顕微鏡装置であって、
前記電子線走査手段の上流に前記電子線走査手段により走査するビームの形状を所定のビーム径に絞るためのビーム絞り手段を、さらに有することを特徴とする荷電粒子光学装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の荷電粒子光学装置において、
前記荷電粒子光学装置が、走査型電子顕微鏡装置であって、
前記電子線走査手段の上流に前記電子線走査手段により走査するビームの形状を所定のビーム径に絞るためのビーム絞り手段を、さらに有することを特徴とする荷電粒子光学装置。
【請求項１１】
請求項６に記載の荷電粒子光学装置において、
前記電子線走査手段の上流に前記電子線走査手段により走査するビームの形状を所定のビーム径に絞るためのビーム絞り手段を有し、
前記電子線走査手段による前記電子線ビームの走査を行わずに、前記ビーム絞り手段を振幅移動させることにより、所定のビーム径を有する電子線ビームを機械的に走査することを特徴とする荷電粒子光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（実施例３）
実施例２の電解液において、１−メチルヒダントインの含有量を０．１質量％に代えて０．５質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表１に示す。
（実施例４）
実施例２の電解液において、１−メチルヒダントインの含有量を０．５質量％に代えて１質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
（実施例５）
実施例２の電解液において、１−メチルヒダントインの含有量を０．５質量％に代えて３質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表１に示す。
（実施例６）
実施例１の電解液において、ヒダントインに代えて、１−アリルヒダントイン（５員環化合物）とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
（実施例７）
実施例１の電解液において、ヒダントインに代えて、１，３−ジメチルウラシル（６員環化合物、分子量１４０）とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
（実施例８）
実施例７の電解液において、１，３−ジメチルウラシルの含有量を０．１質量％に代えて０．５質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
（実施例９）
実施例７の電解液において、１，３−ジメチルウラシルの含有量を０．１質量％に代えて１質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
（実施例１０）
実施例７の電解液において、１，３−ジメチルウラシルの含有量を０．１質量％に代えて３質量％とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（実施例１４）
実施例１３の電解液において、１−メチルヒダントインに代えて、１，３−ジメチルウラシルとした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表３に示す。
（実施例１５）
実施例１３の電解液において、１−メチルヒダントインに代えて、５−トリフルオロメチルウラシルとした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表３に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
（実施例１６）
実施例１３の電解液において、１−メチルヒダントインに代えて、１，３−ジメチルバルビツル酸とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表３に示す。
（比較例１） 
実施例１の電解液において、ヒダントインを含有しない以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表１及び表２に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
（比較例２） 
実施例８の電解液において、１，３−ジメチルウラシルに代えて、ウラシル（６員環化合物、分子量：１１２）とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
（比較例３）
実施例８の電解液において、１，３−ジメチルウラシルに代えて、５−フルオロウラシル（６員環化合物、分子量：１３０）とした以外、実施例１と同様にして非水系電解液二次電池を作製し、高温サイクル特性評価試験を行った。評価結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に実装されるスイッチであって、
前記スイッチが前記回路基板上に実装される際に該回路基板に接触する第１の面と、該第１の面が該回路基板に接触した際に間隙を介して該回路基板と対向する第２の面とを有する絶縁性のケースと、
前記ケースに収容された複数の固定電極と、
前記ケースに収容され、前記複数の固定電極を第１状態とする第１位置と、第２状態とする第２位置との間で可動とされた可動電極とを備え、
前記複数の固定電極の各々は、
前記可動電極と接触可能な接触端子と、
前記第２の面において露出し、前記スイッチが前記回路基板に実装される際に該回路基板上に設けられた配線端子のランドにはんだ付けされる外部接続端子とを有し、
前記外部接続端子は、
前記ランドと対向する第１部分と、
前記第１部分に連続し、前記第１部分よりも大きな面積を有する第２部分とを有することを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
前記複数の固定電極の少なくとも一つにおいて、前記外部接続端子の前記第１部分は、前記ケースの前記第２の面より突出した第３部分を有することを特徴とする請求項１に記載のスイッチ。
【請求項３】
前記外部接続端子の先端部は、前記ケースの側面において露出し、且つ該ケースの最外縁の内側に位置していることを特徴とする請求項１または２に記載のスイッチ。
【請求項４】
前記第１状態は導通状態であり、前記第２状態は非導通状態である、請求項１から３のいずれか一項に記載のスイッチ。
【請求項５】
前記スイッチはプッシュスイッチである、請求項１から４のいずれか一項に記載のスイッチ。
【請求項６】
前記スイッチは、スライドスイッチである、請求項１から４のいずれか一項に記載のスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月28日(2011.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバ用のプラズマ閉じ込めリング組立体であって、
複数のプラズマ閉じ込めリングを備え、
前記複数のプラズマ閉じ込めリングの各々は、プラズマに露出する内側リング状面（ｉｎｎｅｒ  ｄｉａｍｅｔｒｉｃ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有する内側部分と、前記内側部分から放射状に外側に配設された外側部分と、前記内側リング状面が前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマに露出するときに、前記内側リング状面が十分な高温に達してその上のポリマー堆積を実質的に防ぐように、前記内側部分から前記外側部分への熱伝導を低減するように構成された少なくとも１つのサーマルチョーク（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｈｏｋｅ）とを含むことを特徴とするプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項２】
前記プラズマ閉じ込めリングの１つまたは複数は、一体構造を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項３】
前記プラズマ閉じ込めリングの１つまたは複数は、互いに分離した前記内側部分および前記外側部分を備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項４】
前記内側部分は、前記内側リング状面を含む内側リングであり、
前記外側部分は、外側リングであり、
前記内側リングと前記外側リングとの間に少なくとも１つの間隙が規定されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項５】
前記内側部分と前記外側部分とは、同じ誘電材料で構成されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項６】
１つまたは複数の前記プラズマ閉じ込めリングの前記内側部分は、粗面化され、かつ／または赤外線放射を阻止する材料で被覆された少なくとも１つの面を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項７】
上部電極と、
下部電極を含む基板支持体と、
前記上部電極と前記基板支持体との間のスペースにおけるプラズマの閉じ込めを促進するために配置された請求項１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
プラズマ処理チャンバ用のプラズマ閉じ込めリング組立体であって、
取付けリングと、
前記取付けリングの下に吊り下げられた複数のプラズマ閉じ込めリングとを備え、
前記プラズマ閉じ込めリングは、上部プラズマ閉じ込めリングと、複数の下部プラズマ閉じ込めリングとを備え、
前記上部プラズマ閉じ込めリングは、前記取付けリングに面する上面と、前記下部プラズマ閉じ込めリングから放射状に内側に配設されてプラズマに露出する底面とを含み、
前記上部プラズマ閉じ込めリングの前記上面の少なくとも一部分は、前記底面が前記プラズマに露出するときに、前記底面が十分な高温に達してその上のポリマー堆積を実質的に防ぐように、前記上部プラズマ閉じ込めリングの加熱を促進して赤外線放射を阻止するように構成されていることを特徴とするプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項９】
前記上部プラズマ閉じ込めリングの前記上面は、粗面化され、かつ／または赤外線放射を阻止する材料で被覆されることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項１０】
前記プラズマ閉じ込めリングの各々は、一体構造を有することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項１１】
前記プラズマ閉じ込めリングの各々は、互いに分離した内側部分および外側部分とを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項１２】
前記内側部分は、内側リングであり、
前記外側部分は、外側リングであり、
前記内側リングと前記外側リングとの間に少なくとも１つの間隙が規定されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項１３】
前記内側部分と前記外側部分とは、同じ誘電材料で構成されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体。
【請求項１４】
上部電極と、
下部電極を含む基板支持体と、
前記上部電極と前記基板支持体との間のスペースのプラズマの閉じ込めを促進するために配置された請求項８に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体とを備えることを特徴とするプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
プラズマ処理チャンバ内において半導体基板を処理する方法であって、
請求項１又は８に記載のプラズマ閉じ込めリング組立体を備えるプラズマ処理チャンバの中へプロセスガスを供給する工程と、
前記プロセスガスからプラズマを生成して前記プラズマ処理チャンバ内の半導体基板をエッチングする工程とを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記半導体基板は、プラズマによってエッチングされる誘電材料を含み、
前記プロセスガスは、フルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、フルオロカーボン前駆物質およびハイドロフルオロカーボン前駆物質から成るグループから選択された少なくとも１つの成分を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記プラズマ処理チャンバは、アースされた上部電極と、２つの異なる周波数で電力が与えられる下部電極とを備えることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記上部電極は、シャワーヘッド電極であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記プラズマ閉じ込めリング組立体は、粗面化され、かつ／または赤外線放射を阻止する材料で被覆された少なくとも１つの面を有する１つまたは複数のプラズマ閉じ込めリングを備えることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１励起光を出力する第１励起光源と、信号光を入力する第１入力部と、前記第１励起光のエネルギーによって前記第１入力部に入力した信号光を増幅する第１光増幅媒体と、前記第１光増幅媒体に前記第１励起光を合波する第１光合波手段とを備える前段光増幅部と、
入力ポートと複数の出力ポートとを有し該入力ポートから入力された光を該複数の出力ポートに略等分岐して出力する光分岐器が多段接続され、前記多段接続の最前段に位置する光分岐器の入力ポートに前記第１光増幅部から出力する増幅信号光を入力し前記多段接続の最後段に位置する各光分岐器の複数の出力ポートに分岐して出力する多段光分岐手段と、
前記多段光分岐手段の最前段に位置する光分岐器のいずれかの出力ポート側に接続され、第２励起光を出力する第２励起光源と、信号光を入力する第２入力部と、前記第２励起光のエネルギーによって前記第２入力部に入力した信号光を増幅する第２光増幅媒体と、前記第２光増幅媒体に前記第２励起光を合波する第２光合波手段とを備える後段光増幅部と、
前記多段光分岐手段のいずれかの出力ポート側に接続され該出力ポートから出力する信号光の強度を検出して該強度に応じた検出信号を出力する光出力検出手段と、
前記光出力検出手段が出力する検出信号を受信して該光出力検出手段が検出した信号光の強度が所定の値になるように前記第２励起光源が出力する第２励起光の強度を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする光増幅器。
【請求項２】
前記後段光増幅部、前記光出力検出手段、および前記制御部をそれぞれ２つ備えることを特徴とする請求項１に記載の光増幅器。
【請求項３】
前記２つの後段光増幅部の出力側に接続された光分岐器の分岐数が異なることを特徴とする請求項２に記載の光増幅器。
【請求項４】
前記光出力検出手段は、前記多段光分岐手段において同一段に位置する各光分岐器の出力ポートのうち最も強度が高い信号光を出力する出力ポート側に接続したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光増幅器。
【請求項５】
前記光出力検出手段は、前記多段光分岐手段において同一段に位置する各光分岐器の出力ポートのうち最も強度が低い信号光を出力する出力ポート側に接続したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光増幅器。
【請求項６】
前記制御部は、前記分岐して出力する信号光の強度が２２．１ｄＢｍ以下となるように前記励起光の強度を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の光増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記ＤＬＬ回路は、
当該ＤＬＬ回路から前記複数のデータ入出力端子のうちのひとつに至る前記内部クロック信号の伝送経路のレプリカであり、該内部クロック信号に同期して第２のフィードバッククロック信号を生成する第２のレプリカ回路と
前記外部クロック信号を遅延させて前記内部クロック信号を生成する遅延回路と、
前記第１のフィードバッククロック信号のデューティー比を検出するデューティー比検出回路と、
前記外部クロック信号と前記第２のフィードバッククロック信号の位相差を検出する位相検出回路と、
前記デューティー比検出回路により検出された前記デューティー比及び前記位相検出回路により検出された位相差に基づいて前記遅延回路の遅延量を制御する遅延制御回路と
を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ＤＬＬ回路は、当該ＤＬＬ回路から前記複数のデータ入出力端子のうちのひとつに至る前記内部クロック信号の伝送経路のレプリカであり、該内部クロック信号に同期して第２のフィードバッククロック信号を生成する第２のレプリカ回路を有し、
前記ＤＬＬ回路は、前記記外部クロック信号と前記第２のフィードバッククロック信号の位相が一致するよう、かつ前記第１のフィードバッククロック信号のデューティー比が前記所定値となるよう前記外部クロック信号を遅延させることにより、前記内部クロック信号を生成する
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本発明の好ましい第１の実施の形態による半導体装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の好ましい第１の実施の形態によるＤＬＬ回路の回路構成を示す図である。
【図３】本発明の好ましい第１の実施の形態によるＤＬＬリセットコマンドＤＬＬＲＳＴ、ＤＬＬ更新信号ＤＣＯＮＴ、リードコマンドＲＥＡＤ、停止指示信号ＳＴＰ、及び内部クロック信号ＲＬＣＬＫのタイミングチャートである。
【図４】本発明の好ましい第１の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図５】本発明の好ましい第１の実施の形態によるクロックツリーの回路構成を示す回路図である。
【図６】本発明の好ましい第２の実施の形態によるＤＬＬ回路の回路構成を示す図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、クロックツリー７２について説明する。図５は、クロックツリー７２の回路構成を示す回路図である。同図に示すように、クロックツリー７２は、分岐点Ｎ１をＤＬＬ回路７０との接続点とし、そこから２段目の分岐点Ｎ２，Ｎ３及び３段目の分岐点Ｎ４〜Ｎ７を経て各出力バッファ６４ａまで、各分岐点で互いに等距離の２本の経路に分岐することによって延設された伝送経路を有している。これにより、一列に並べて配置された８個の出力バッファ６４ａそれぞれに対し、互いに等しい経路長で内部クロック信号ＲＬＣＬＫを伝送することが実現されている。分岐点間には、信号波形を整形するためのバッファが設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラで撮影した映像を処理する画像処理装置において、
前記撮像装置から逐次入力される入力画像を、時間領域で指数移動平均することによって参照画像を推定する参照画像推定部と、
前記入力画像に、前記参照画像上のボケと同様のボケを与えるローパスフィルタと、
前記ボケを与えられた入力画像および前記参照画像に基づいて、該入力画像の局所的な揺らぎを算出して陽炎による動きベクトルを検出するオプティカルフロー計算部と、
前記入力画像の局所的な揺らぎを除去するように、符号を反転させた前記動きベクトルによって前記入力画像の画素を移動させて、前記入力画像を補正する動き補正部とで構成されることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ローパスフィルタは、前記動きベクトルの分散に略等しい分散のガウス関数で表されるガウシアンフィルタであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記オプティカルフロー計算部は、ブロックマッチング法あるいは勾配法の少なくとも一つの方法を用いてオプティカルフローを計算することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子文書を格納する複数の格納部と、ユーザにより選択された電子文書に関する複数の属性情報とを表示画面に表示する表示手段と、
前記表示画面に表示された複数の属性情報の中からユーザにより任意に選択された属性情報がドラッグされて、前記表示画面に表示されている前記複数の格納部のうちのいずれかにドロップされるドラッグ＆ドロップ操作が実行されたか判定する判定手段と、
前記判定手段で前記ドラッグ＆ドロップ操作が実行されたと判断した場合、ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、当該ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報に対応する属性を有する電子文書を検索する検索手段と、
前記検索手段で検索された電子文書に関する情報を検索結果として出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする文書管理装置。
【請求項２】
前記ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報は、属性項目と項目値とを含むことを特徴とする請求項１に記載の文書管理装置。
【請求項３】
前記ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報が複数種類の属性情報であった場合、前記検索手段は、当該ドラッグ＆ドロップ操作された前記複数種類の属性情報に基づいて、前記ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、当該ドラッグ＆ドロップ操作された複数種類の属性情報に対応する属性を有する電子文書を検索することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の文書管理装置。
【請求項４】
前記ドロップ先の格納部が前記ユーザにより選択された電子文書が格納されている格納部であり、且つ、前記ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報が前記ドロップ先の格納部で固有であると判定した場合は、前記検索手段による検索処理を行わずに、前記出力手段は、前記ユーザにより選択された電子文書を、前記検索結果として出力することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の文書管理装置。
【請求項５】
前記判定手段で前記ドラッグ＆ドロップ操作が実行されたと判断した場合、前記検索手段は、前記ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、当該ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報の種類に基づいて定められる条件に基づいて、当該ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報に対応する属性を有する電子文書を検索することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の文書管理装置。
【請求項６】
前記判定手段でドラッグ＆ドロップ操作が実行されたと判断した場合、前記検索手段は、前記ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報に基づく検索式が設定された検索画面を表示し、且つ当該検索画面上で追加の検索式をユーザに入力させた後に、前記ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、前記追加の検索式を含む全ての検索式を用いて電子文書を検索することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の文書管理装置。
【請求項７】
前記表示手段により表示される表示画面は、前記複数の格納部を表示するナビゲーションペインと、前記ナビゲーションペインに表示された前記複数の格納部の中からユーザにより選択された格納部内に格納されている複数の電子文書を表示するファイルリストペインと、前記ファイルリストペインに表示された複数の電子文書の中からユーザにより選択された電子文書に関する複数の属性情報を表示するプロパティペインとで構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の文書管理装置。
【請求項８】
複数の電子文書を格納する複数の格納部と、ユーザにより選択された電子文書に関する複数の属性情報とを表示画面に表示する表示ステップと、
前記表示画面に表示された複数の属性情報の中からユーザにより任意に選択された属性情報がドラッグされて、前記表示画面に表示されている前記複数の格納部のうちのいずれかにドロップされるドラッグ＆ドロップ操作が実行されたか判定する判定ステップと、
前記判定ステップで前記ドラッグ＆ドロップ操作が実行されたと判断した場合、ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、当該ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報に対応する属性を有する電子文書を検索する検索ステップと、
前記検索ステップで検索された電子文書に関する情報を検索結果として出力する出力ステップと、
を備えることを特徴とする文書管理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の文書管理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一実施形態の文書管理装置は、複数の電子文書を格納する複数の格納部と、ユーザにより選択された電子文書に関する複数の属性情報とを表示画面に表示する表示手段と、前記表示画面に表示された複数の属性情報の中からユーザにより任意に選択された属性情報がドラッグされて、前記表示画面に表示されている前記複数の格納部のうちのいずれかにドロップされるドラッグ＆ドロップ操作が実行されたか判定する判定手段と、前記判定手段で前記ドラッグ＆ドロップ操作が実行されたと判断した場合、ドロップ先の格納部に格納されている複数の電子文書の中から、当該ドラッグ＆ドロップ操作された属性情報に対応する属性を有する電子文書を検索する検索手段と、前記検索手段で検索された電子文書に関する情報を検索結果として出力する出力手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012104009.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納するメモリを備えた車載制御装置と、
前記車載制御装置が備える前記メモリが格納しているデータに対して読込要求または書込要求を発行する通信装置を認証する認証装置と、
を有し、
前記認証装置は、
前記通信装置が前記読込要求または前記書込要求を発行する前に前記通信装置に対する認証処理を実施してその結果を保持しておき、
前記車載制御装置は、
前記通信装置から前記読込要求または前記書込要求を受け取ると、前記通信装置に対する前記認証処理の結果を前記認証装置に対して照会し、
前記認証装置が前記通信装置を認証許可した場合は前記読込要求または前記書込要求を受け入れ、
前記認証装置が前記通信装置を認証許可しなかった場合は前記読込要求または前記書込要求を拒否する
ことを特徴とする車載ネットワークシステム。
【請求項２】
前記認証装置は、
前記認証処理が完了した旨を前記通信装置に応答する際に、認証許可したか否かを示す情報を前記応答内に含めずに前記応答を送信する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項３】
前記認証装置は、
前記車載ネットワークシステムに接続する機器間の通信を中継する通信ゲートウェイとして動作して、前記車載制御装置と前記通信装置の間の通信を中継し、
前記通信装置に対する認証処理において前記通信装置を認証許可しなかった場合は、前記通信装置から前記車載制御装置に対する通信を中継しない
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項４】
前記車載制御装置は、
前記認証装置との間の接続が確立されているか否かを周期的に確認し、
前記認証装置との間の接続が確認できないときは、前記通信装置からの前記読込要求または前記書込要求を拒否する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項５】
前記認証装置は、
前記車載制御装置との間の接続が確立されているか否かを周期的に確認し、
前記車載制御装置との間の接続が確認できないときは、前記通信装置に対する認証処理において前記通信装置を認証許可しない
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項６】
前記認証装置は、
前記車載制御装置との間の接続が確立されているか否かを周期的に確認し、
前記車載制御装置との間の接続が確認できないときは、その旨の警告を発信する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項７】
前記認証装置は、
前記車載制御装置と前記認証装置の間の通信を監視し、
前記車載制御装置と前記認証装置の間の通信に対する他機器からの干渉もしくは妨害を検出したとき、または他機器が前記認証装置に成り済ましている旨を検出したときは、その旨の警告を発信する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項８】
前記認証装置は、
前記通信装置に対する前記認証処理において認証許可した後、前記車載制御装置と前記通信装置が通信中であるときは、前記車載ネットワークシステムに接続している他機器にその旨を通知する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【請求項９】
前記認証装置は、
前記認証処理において前記通信装置を認証許可するとき、認証許可した旨を示す通信識別子を前記通信装置に対して配布し、
前記車載制御装置は、
前記通信装置から前記読込要求または前記書込要求を受け取ると、前記通信装置が前記通信識別子を保持しているか否かを確認し、
前記通信装置が前記通信識別子を保持している場合は前記読込要求または前記書込要求を受け入れ、
前記通信装置が前記通信識別子を保持していない場合は前記読込要求または前記書込要求を拒否する
ことを特徴とする請求項１記載の車載ネットワークシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドを備えた第１配線層と、
前記第１配線層の上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成された第２配線層と、
前記第２配線層の上に形成された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の厚み方向に貫通して充填され、前記第１配線層のランドに接続されたビアと、を含み、
前記ビアは、被実装体が接続されるパッドを有し、
前記第２配線層は、前記ビアの径よりも幅が小さく設定され、前記ビアに接続される接続部を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２配線層の一端に位置する前記接続部は、前記ビアに埋め込まれて前記ビアと接続され、
前記接続部と前記ビアとの間にシード層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２配線層は、隣接する前記ビアの間を通過するように配線されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ビアは前記第２配線層においてランドレスビアであって、前記第２絶縁層から露出され、且つ前記第２絶縁層と面一である前記ビアの端面が前記パッドであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記ビアは、当該ビアの径よりも大きな径のランドを有し、
前記ランドの上に形成され、前記ランドの一部を前記パッドとして露出させる第３絶縁層を更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記ビアの径は、前記パッドの径よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つの配線基板と、
前記パッドにフリップチップ接続される半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ランドを備えた第１配線層の上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に、接続部を備えた第２配線層を形成する工程と、
前記第２配線層の上に第２絶縁層を形成する工程と、
前記接続部と対向する位置の前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を前記第１配線層のランドに到達するまで貫通して、前記接続部よりも大きい径を有するビアホールを形成する工程と、
前記第２配線層の一端に位置するとともに前記ビアホール内に突出した前記接続部の表面と前記ビアホールの内面を被覆するシード層を形成する工程と、
前記シード層を給電層とする電解めっきにより前記ビアホールにビアを充填し、前記接続部を前記ビアに埋め込んで前記ビアと接続し、前記ビアと前記第１配線層及び前記第２配線層とを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２配線層は、隣接する前記ビアの間を通過するように配線されることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ビアの端面を、被実装体が接続されるパッドとして前記第２絶縁層から露出する工程を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ビアを充填する工程は、前記ビアの上に当該ビアの径よりも大きい径のランドを形成する工程を含み、
前記ビアのランドを覆う第３絶縁層を形成する工程と、
前記ビアのランドの一部を、被実装体が接続されるパッドとして前記第３絶縁層から露出する工程とを更に有することを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、ランドを備えた第１配線層の上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に、接続部を備えた第２配線層を形成する工程と、前記第２配線層の上に第２絶縁層を形成する工程と、前記接続部と対向する位置の前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を前記第１配線層のランドに到達するまで貫通して、前記接続部よりも大きい径を有するビアホールを形成する工程と、前記第２配線層の一端に位置するとともに前記ビアホール内に突出した前記接続部の表面と前記ビアホールの内面を被覆するシード層を形成する工程と、前記シード層を給電層とする電解めっきにより前記ビアホールにビアを充填し、前記接続部を前記ビアに埋め込んで前記ビアと接続し、前記ビアと前記第１配線層及び前記第２配線層とを電気的に接続する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を水平姿勢に積層した状態で収容する処理室と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内を加熱する加熱ユニットと、
原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと接続され、前記原料ガス供給ユニットから供給される前記原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガスノズルと、
反応ガスを供給する反応ガス供給ユニットと接続され、前記反応ガス供給ユニットから供給される前記反応ガスを前記処理室内に供給する反応ガスノズルと、
前記処理室内を実質的に水平方向に排気する排気ユニットと、
少なくとも前記加熱ユニット、前記原料ガス供給ユニット、前記排気ユニットを制御する制御部と、
を有し、
前記原料ガスノズルは、前記処理室内の温度が前記原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で前記原料ガスが分解しないような前記処理室内の所定位置に配設され、
前記制御部は、前記原料ガスを第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程と、前記原料ガスを当該第１の流量よりも多い第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程と、前記処理室内に前記反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数実施させるように構成されている基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程と前記第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程の後に、前記反応ガスを供給する工程を行うように制御する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程を前記第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程の前に行うように制御する請求項１又は請求項に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程を前記第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程の後に行うように制御する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程の後に前記反応ガスを供給する工程を行い、当該反応ガスを供給する工程の後に前記第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程を行うよう制御する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第２の流量で前記処理室内の上部に供給する工程の後に前記反応ガスを供給する工程を行い、当該反応ガスを供給する工程の後に前記第１の流量で前記処理室内の下部に供給する工程を行うように制御する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
水平姿勢で積層された複数枚の基板を処理室内に収容する基板搬入工程と、
前記処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で前記原料ガスが分解しないような前記処理室内の所定位置に配設された原料ガスノズルから、第１の流速で前記処理室内の下部に前記原料ガスを供給する第１の原料ガス供給工程と、
前記原料ガスノズルから、前記第１の流速よりも速い第２の流速で前記処理室内の上部に前記原料ガスを供給する第２の原料ガス供給工程と、
前記基板の積層方向に沿って前記処理室内に配設された反応ガスノズルから、前記原料ガスと反応する反応ガスを前記処理室内に供給する反応ガス供給工程と、
前記処理室内を実質的に水平方向に排気する排気工程と、
処理が完了した前記基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程と、を有し、
前記第１の原料ガス供給工程と、前記第２の原料ガス供給工程と、前記反応ガス供給工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数実施して前記基板上に所定の膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
積層された複数枚の基板を収容する処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で前記原料ガスが分解しないような前記処理室内の所定位置に配設された原料ガスノズルから、第１の流速で前記処理室内の下部に前記原料ガスを供給する第１の原料ガス供給工程と、
前記原料ガスノズルから前記第１の流速よりも速い流速の第２の流速で前記処理室内の上部に前記原料ガスを供給する第２の原料ガス供給工程と、
前記基板の積層方向に沿って前記処理室内に配設された反応ガスノズルから前記原料ガスと反応する反応ガスを前記処理室内に供給する反応ガス供給工程と、
を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数実施することにより形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、
前記基板にマイクロ波を照射することにより、前記高誘電体膜を加熱して改質する工程と、
前記改質する工程で、前記マイクロ波の波長を可変させる工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記高誘電体膜は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｒのいずれかを２０ａｔ．％以上含み、かつ比誘電率が８以上の化合物、もしくは前記化合物を含む積層膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マイクロ波の周波数は、前記高誘電体膜の誘電緩和の周波数特性に基づき選択される請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記改質する工程では、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持部を回転させ、前記基板の表面を前記マイクロ波が走査する工程を有する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記高誘電体膜を改質する際は、前記基板にマイクロ波を照射しつつ前記基板を冷却または加熱する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記改質する工程では、拡散機構を可動させる工程を有する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
高誘電体膜が形成され、前記高誘電体膜にマイクロ波を、前記マイクロ波の波長を可変させながら供給され加熱して改質された基板を有する半導体装置。
【請求項８】
高誘電体膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記基板にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記マイクロ波供給部で発生させたマイクロ波を前記処理室に供給する導波口と、
前記基板に前記マイクロ波を供給する際に、前記マイクロ波の波長を可変させるように前記マイクロ波供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項９】
前記処理室内に、マイクロ波を反射する反射板を有する反射機構および前記反射機構を回転させる反射回転機構を備え、
前記制御部は、前記処理室へマイクロ波を供給しつつ、前記反射板を回転させて前記マイクロ波を前記処理室内で拡散させるよう前記マイクロ波供給部および前記反射機構を制御する請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
高誘電体膜が形成された基板を複数枚収容可能な処理室と、
前記処理室内で前記基板を積層して支持する基板支持部材と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波供給部と、
前記マイクロ波供給部で発生させたマイクロ波を前記処理室内に供給する導波口と、
前記マイクロ波を前記基板に供給する際に前記マイクロ波の波長を可変させる制御部と、
を有し、
前記基板は、前記基板の上面に前記反応管内に供給する前記マイクロ波の半波長以上の空間を設けるよう前記基板支持部材に載置され、
前記導波口は前記反応管の側壁にもうけられることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の導電層と前記第１の半導体層との間に接する領域を有する絶縁層と、
前記第２の半導体層上に接する領域を有する不純物半導体層と、
前記不純物半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記不純物半導体層と接する領域を有する第３の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層のキャリア移動度は、前記第２の半導体層のキャリア移動度よりも高い、
前記第１の半導体層の前記第１の導電層側は、全面が前記第１の導電層と重畳していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
第１の導電層と、
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の導電層と前記第１の半導体層との間に接する領域を有する絶縁層と、
前記第２の半導体層上に接する領域を有する第１の不純物半導体層と、
前記第１の不純物半導体層上に接する領域を有する第２の不純物半導体層と、
前記第２の不純物半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の不純物半導体層と接する領域を有する第３の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層のキャリア移動度は、前記第２の半導体層のキャリア移動度よりも高い、
前記第１の半導体層の前記第１の導電層側は全面が前記第１の導電層によって遮光されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体層は結晶性半導体を有し、
前記第２の半導体層は非晶質半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化された層である硬化層レジストと、前記硬化層の下層に形成されたドーパント混入レジストが塗布された基板を処理室に搬入する工程と、
前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスを供給し、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記硬化層レジストを除去する硬化層除去工程と、
前記硬化層除去工程の後、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスであって、前記硬化層除去工程よりも水素濃度が低い反応ガスを、前記処理室に供給し、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記ドーパント含有レジストを除去するドーパント含有レジスト除去工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ドーパント含有レジスト除去工程の基板温度は、前記硬化層除去工程の温度より高い基板温度で基板を処理する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
処理室内に設けられ、硬化された層である硬化層レジストと前記硬化層の下層に形成されたドーパント混入レジストが塗布された基板を載置するサセプタテーブルと、
前記サセプタテーブルに具備された前記基板を加熱する基板加熱部と、
前記処理室にガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室に供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマソースと、
前記ガス供給ユニットが前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスを供給し、
前記プラズマソースが、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態として、前記硬化層レジストを除去し、
前記硬化層を除去した後、前記ガス供給部が前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含む反応ガスであって、前記硬化層除去工程よりも水素濃度が低い反応ガスを供給し、
前記プラズマソースが前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態とし、前記ドーパント混入レジストを除去する
よう制御するコントローラと
を有する半導体製造装置。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法及び基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱エネルギーを利用してインクを吐出する記録素子を備えた複数の記録素子基板と、
前記記録素子基板のそれぞれに設けられ、当該記録素子基板の温度を測定する複数の温度センサと、
複数の前記温度センサのいずれか１つを選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された前記温度センサで測定される測定温度に基づき、当該記録素子基板の異常の有無を判定する判定動作を行う判定手段と、
前記判定動作を行う際に、前記複数の記録素子基板のうちの当該判定動作を行う記録素子基板の記録素子を駆動するように制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、第１の記録素子基板に対して前記判定動作を行った後に第２の記録素子基板に対して前記判定動作を行う場合は、前記第２の記録素子基板に設けられた前記温度センサにより測定される測定温度が所定の温度以下になってから、前記第２の記録素子基板に対する前記判定動作を行うように制御することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記記録素子基板の記録素子を駆動する前と駆動を開始した後との温度差が所定の温度差を越えている場合に正常と判定し、前記所定の温度差以下の場合に異常と判定することを特徴とする請求項１又は２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記複数の記録素子基板は、前記記録素子の配列方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記複数の記録素子基板のいずれかに対して前記判定動作を行った後、当該判定した記録素子基板に隣接しない記録素子基板に対する前記判定動作を次に行うことを特徴とする請求項４に記載の記録装置。
【請求項６】
前記複数の記録素子基板が配置される方向に沿って設けられ、各記録素子基板に共通にインクを供給するインクの流路を有し、
前記判定手段は、前記流路の下流側に位置する前記記録素子基板から順番に前記判定動作を行うことを特徴とする請求項４に記載の記録装置。
【請求項７】
前記制御手段は、インクが吐出されない程度に前記記録素子を駆動するように制御することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項８】
熱エネルギーを利用してインクを吐出する記録素子を備えた複数の記録素子基板と、前記記録素子基板のそれぞれに設けられ当該記録素子基板の温度を測定する複数の温度センサとを備えた記録装置の判定方法であって、
複数の前記温度センサのいずれか１つを選択する選択工程と、
前記選択工程で選択された前記温度センサで測定される測定温度に基づき、当該記録素子基板の異常の有無を判定する判定工程と、
前記判定工程を行う際に、複数の記録素子基板のうちの当該判定工程を行う記録素子基板の記録素子を駆動するように制御する制御工程と、
を有することを特徴とする判定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の一態様による記録装置は、熱エネルギーを利用してインクを吐出する記録素子を備えた複数の記録素子基板と、前記記録素子基板のそれぞれに設けられ、当該記録素子基板の温度を測定する複数の温度センサと、複数の前記温度センサのいずれか１つを選択する選択手段と、前記選択手段により選択された前記温度センサで測定される測定温度に基づき、当該記録素子基板の異常の有無を判定する判定動作を行う判定手段と、前記判定動作を行う際に、前記複数の記録素子基板のうちの当該判定動作を行う記録素子基板の記録素子を駆動するように制御する制御手段と、を具備する。