Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
判定対象物を撮像した多値画像を、良品に関する多値画像群と比較して良品判定を行う画像処理装置において、
撮像手段で撮像された、良品に関する複数の第一の多値画像を取得する良品画像取得手段と、
取得した各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出するエッジ強度算出手段と、
算出したエッジ強度に基づいて、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の平均値を算出する平均値算出手段と、
算出した平均値を中心として、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の相互相関分布領域を算出する分布領域算出手段と、
撮像手段で撮像された、判定対象物に関する第二の多値画像を取得する多値画像取得手段と、
取得した第二の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出する画像エッジ強度算出手段と、
算出した第二の多値画像の画素ごとのエッジ強度が、算出してある各第一の多値画像の画素ごとのエッジ強度の相互相関分布領域に含まれているか否かを判断する判断手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第一の多値画像と前記第二の多値画像との位置合わせを行う位置調整手段を備えることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記分布領域算出手段は、仮想的な楕円領域として前記相互相関分布領域を算出するようにしてあることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記判断手段は、仮想的な前記楕円領域の重心から前記第二の多値画像の画素ごとのエッジ点までの距離を、前記重心から前記エッジ点に向かう方向における前記楕円領域の境界と前記重心との距離で正規化したマハラノビス距離を算出する距離算出手段を備え、
算出したマハラノビス距離が所定値より小さいか否かで前記相互相関分布領域に含まれているか否かを判断するようにしてあることを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記距離算出手段は、仮想的な前記楕円領域の重心から前記第二の多値画像の画素ごとのエッジ点までの距離であるユークリッド距離を算出するようにしてあり、
前記判断手段は、算出したユークリッド距離が、前記楕円領域の重心から前記第二の多値画像の画素ごとのエッジ点に向かう方向における前記楕円領域の境界と前記重心との距離に基づく所定値より小さいか否かで前記相互相関分布領域に含まれているか否かを判断するようにしてあることを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項６】
仮想的な前記楕円領域の長軸、及び前記楕円領域の中心点を通り該長軸と直交する短軸を座標軸とした座標系に座標値を変換する座標変換手段と、
変換した座標系の長軸方向及び短軸方向にて、取得した各第一の多値画像の画素ごとに、エッジ強度、エッジ強度の平均値、及びエッジ強度の相互相関分布領域を再算出する再算出手段と
を備え、
前記画像エッジ強度算出手段は、取得した第二の多値画像の画素ごとに、変換した座標系の長軸方向及び短軸方向におけるエッジ強度を算出するようにしてあり、
前記判断手段は、算出した第二の多値画像の画素ごとのエッジ強度が、再算出した各第一の多値画像の画素ごとのエッジ強度の要素ごとの相互相関分布領域に含まれているか否かを判断するようにしてあることを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項７】
取得した前記第一の多値画像及び前記第二の多値画像はカラー画像であり、
色の成分ごとにエッジ強度、エッジ強度の平均値、及びエッジ強度の相互相関分布領域を算出するようにしてあることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
色の成分ごとに算出したエッジ強度の相互相関分布領域を包括する近似分布領域を算出する近似分布領域算出手段を備え、
前記判断手段は、算出した近似分布領域を相互相関分布領域として、算出した第二の多値画像の画素ごとのエッジ強度が、前記近似分布領域に含まれているか否かを判断するようにしてあることを特徴とする請求項７記載の画像処理装置。
【請求項９】
判定対象物を撮像した多値画像を、良品に関する多値画像群と比較して良品判定を行う画像処理装置で実行することが可能な画像処理方法において、
前記画像処理装置は、
撮像手段で撮像された、良品に関する複数の第一の多値画像を取得し、
取得した各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出し、
算出したエッジ強度に基づいて、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の平均値を算出し、
算出した平均値を中心として、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の相互相関分布領域を算出し、
撮像手段で撮像された、判定対象物に関する第二の多値画像を取得し、
取得した第二の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出し、
算出した第二の多値画像の画素ごとのエッジ強度が、算出してある各第一の多値画像の画素ごとのエッジ強度の相互相関分布領域に含まれているか否かを判断することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
判定対象物を撮像した多値画像を、良品に関する多値画像群と比較して良品判定を行う画像処理装置で実行することが可能なコンピュータプログラムにおいて、
前記画像処理装置を、
撮像手段で撮像された、良品に関する複数の第一の多値画像を取得する良品画像取得手段、
取得した各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出するエッジ強度算出手段、
算出したエッジ強度に基づいて、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の平均値を算出する平均値算出手段、
算出した平均値を中心として、各第一の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度の相互相関分布領域を算出する分布領域算出手段、
撮像手段で撮像された、判定対象物に関する第二の多値画像を取得する多値画像取得手段、
取得した第二の多値画像の画素ごとに、異なる二方向におけるエッジ強度を算出する画像エッジ強度算出手段、及び
算出した第二の多値画像の画素ごとのエッジ強度が、算出してある各第一の多値画像の画素ごとのエッジ強度の相互相関分布領域に含まれているか否かを判断する判断手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記所定の正規メモリセルは、不良メモリセルであり、
前記冗長メモリセルは、前記不良メモリセルに本来格納されるべき、秘匿を要するデータを記憶する、請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
正規メモリセルアレイ５５は、行列状に配置された複数個の正規メモリセルを含む。正規メモリセルアレイ５５は、仮想不良メモリセル行５６を含む。出荷前のテスト時に、正規メモリセルアレイ５５内の１つの行をランダムに選択し、その選択された行が仮想不良メモリセル行５６に設定される。仮想不良メモリセル行５６のすべての仮想不良メモリには、テスタによって、ドントケア（don't care）値、つまりダミー値が書込まれる。あ
るいは、仮想不良メモリセル行５６の一部の仮想不良メモリのみ、テスタによって、ドントケア（don't care）値、つまりダミー値が書込まれるものとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
正規メモリセルアレイ６６は、行列状に配置された複数個の正規メモリセルを含む。正規メモリセルアレイ６６は、不良メモリセル行１６と、２つの仮想不良メモリセル行６８，６７を含む。出荷前のテスト時に、正規メモリセルアレイ６６内の不良な行を発見して、その行が不良メモリセル行１６に設定される。また、出荷前のテスト時に、正規メモリセルアレイ６６内の２つの行をランダムに選択し、その選択されたそれぞれの行が仮想不良メモリセル行６８，６７に設定される。仮想不良メモリセル行６８，６７には、それぞれテスタによって、ドントケア（don't care）値、つまりダミー値が書込まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
冗長メモリセルアレイ８５は、３個の冗長メモリセル行５，８３，８４を含む。
冗長メモリセル行５のメモリセルは、アドレスの順序に従えば不良メモリセル行１６に本来格納されるべき秘匿を要するデータを記憶する。冗長メモリセル行８３，８４には、出荷前のテスト時に、テスタによって、ドントケア（don't care）値、つまりダミー値
が書込まれる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ＣＰＵ３は、ユーザから指定された仮想不良メモリセル行のロウアドレスをレジスタ９５へ記憶する。また、ＣＰＵ３は、ドントケア（don't care）値、つまりダミー値のラ
イトデータＤＩをライト／リード回路１５に与えて、レジスタ９５に記憶されたロウアドレスで示される仮想不良メモリセル行のすべての仮想不良メモリセルに、ドントケア（don't care）値を書込む。あるいは、ライト／リード回路１５は、レジスタ９５に記憶されたロウアドレスで示される仮想不良メモリセル行の一部の仮想不良メモリセルに、ドントケア（don't care）値を書込むものとしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極が形成された半導体素子と、
前記半導体素子が前記突起電極を介して実装された回路基板と、
前記半導体素子と前記回路基板間の隙間を封止する第１の樹脂と、
前記半導体素子の実装面と対向する上面を覆い、かつ前記半導体素子の上部に凹部が形成される第２の樹脂とを備え、
第３の樹脂が前記凹部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凹部が少なくとも１本の直線状の溝によって形成され、前記直線状の溝の幅が前記半導体素子の短辺の幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数本の前記溝が、前記半導体素子の中心上で交差することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の樹脂の熱膨張係数が、前記回路基板の熱膨張係数よりも大きく、かつ前記第１の樹脂の熱膨張係数より小さく、前記第３の樹脂の熱膨張係数が前記第２の樹脂の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の樹脂のガラス転移温度が前記回路基板のガラス転移温度よりも低く、前記第３の樹脂または金属のガラス転移温度が前記第２の樹脂のガラス転移温度よりも低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
基板の一主面に第１の樹脂を塗布する工程と、前記第１の樹脂を介して前記回路基板の一主面上に複数の半導体素子を実装する工程と、実装した前記複数の半導体素子を前記第２の樹脂で封止する工程と、前記第２の樹脂における前記半導体素子の上部に凹部を形成する工程と、前記凹部に第３の樹脂を塗布する工程と、前記半導体素子が少なくとも１個含まれるように前記基板を分割して、それぞれを半導体装置とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、電荷電圧変換部と、前記光電変換素子で発生した電荷を前記電荷電圧変換部に転送するためのチャネルを形成するゲートとを含む複数の画素が半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板に対するイオンの進入方向を前記半導体基板の表面の法線に対して傾斜角を有する方向として、前記半導体基板の前記光電変換素子を形成すべき領域であるターゲット領域にイオンを注入するＮ回（Ｎは２以上の自然数）のイオン注入工程を含み、
前記Ｎ回のイオン注入工程においてイオンが注入されるターゲット領域が互いに異なり、
前記Ｎ回のイオン注入工程のそれぞれのために、前記法線および前記進入方向によって定まる面と前記半導体基板の表面との交線に沿った方向においてＮ画素に対して１画素の割合で周期的に開口部を有するマスクが前記半導体基板の上に形成される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の画素の全ての前記ターゲット領域に対して同時にイオンを注入する同時イオン注入工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記Ｎ回のイオン注入工程のうち少なくとも２回のイオン注入工程において、前記傾斜角が互いに異なる角度で前記半導体基板に対するイオン注入がなされる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
光電変換素子と、電荷電圧変換部と、前記光電変換素子で発生した電荷を前記電荷電圧変換部に転送するためのチャネルを形成するゲートとを含む複数の画素が半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板に対するイオンの進入方向を前記半導体基板の表面の法線に対して傾斜角を有する方向として、前記半導体基板の前記光電変換素子を形成すべき領域であるターゲット領域にイオンを注入する少なくとも２回のイオン注入工程を含み、
前記少なくとも２回のイオン注入工程のうち、第１のイオン注入工程と、第２のイオン注入工程とでは、イオンが注入されるターゲット領域が互いに異なり、
前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程のそれぞれのために、前記法線および前記進入方向によって定まる面と前記半導体基板の表面との交線に沿った方向において複数の画素に対して１画素の割合で周期的に開口部を有するマスクが前記半導体基板の上に形成される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のイオン注入工程における前記ターゲット領域および前記第２のイオン注入工程における前記ターゲット領域に対して同時にイオンを注入する同時イオン注入工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１のイオン注入工程のおよび前記第２のイオン注入工程において、前記傾斜角が互いに異なる角度で前記半導体基板に対するイオン注入がなされる、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記ターゲット領域は、前記ゲートの下の領域を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口部の面積は、前記ターゲット領域の面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記交線に沿った方向における前記複数の画素の配列ピッチをＰ、前記傾斜角をθ、前記マスクの厚さをＨ、前記交線に沿った方向における前記マスクの最小加工寸法をＬｍｉｎ、前記チャネルのチャネル長方向における前記光電変換素子の幅をＬｐｄとして、
Ｈ・ｔａｎθ＋Ｌｐｄ＋Ｌｍｉｎ＜Ｎ・Ｐ
を満たすことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記同時イオン注入工程は、前記Ｎ回のイオン注入工程の前に実施され、
前記Ｎ回のイオン注入工程において使用されるマスクが前記同時イオン注入工程において使用されるマスクの全部又は一部を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの進入方向の前記法線に対する角度は、前記Ｎ回のイオン注入工程におけるイオンの進入方向の傾斜角とは異なる、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの進入方向の前記法線に対する角度は０°または７°であり、前記Ｎ回のイオン注入工程におけるイオンの進入方向の傾斜角は５°以上６０°以下の範囲である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの平均進入深さは、０．１５μｍ以上３．００μｍ以下であり、前記Ｎ回のイオン注入工程におけるイオンの平均進入深さは、０μｍ以上０．１５μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項２及び１０乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記同時イオン注入工程は、前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程の前に実施され、
前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程において使用されるマスクが前記同時イオン注入工程において使用されるマスクの全部又は一部を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの進入方向の前記法線に対する角度は、前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程のいずれにおけるイオンの進入方向の傾斜角とも異なる、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの進入方向の前記法線に対する角度は０°または７°であり、前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程におけるイオンの進入方向の傾斜角は５°以上６０°以下の範囲である、
ことを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記同時イオン注入工程におけるイオンの平均進入深さは、０．１５μｍ以上３．００μｍ以下であり、前記第１のイオン注入工程および前記第２のイオン注入工程におけるイオンの平均進入深さは、０μｍ以上０．１５μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項５及び１０乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側の内径が他端側の内径よりも小さくなるようにテーパ状に縮径した励起光集光パイプと、
前記励起光集光パイプ内に配置された信号光伝送用ファイバと、
前記励起光集光パイプと前記信号光伝送用ファイバと間に設けられた複数の励起光伝送用ファイバとを備え、
前記励起光集光パイプのテーパ形状の途中まで前記励起光伝送用ファイバが配列され、
前記励起光集光パイプの内径が小さい側の縮径先端部では前記励起光集光パイプと前記信号光伝送用ファイバのみが一体化されて当該縮径部先端が融着接続部を介して別のファイバと結合する光ファイバ結合器。
【請求項２】
信号光伝送用ファイバと励起光集光パイプを一体化した先端部を、この先端部に接続するファイバの径まで縮径した請求項１記載の光ファイバ結合器。
【請求項３】
励起光集光パイプと信号光伝送用ファイバと間に設けられた複数の励起光伝送用ファイバの、前記励起光集光パイプの内径が小さい側に位置する先端部の形状を、テーパ状の先細り形状とした請求項１または２に記載の光ファイバ結合器。
【請求項４】
ガラスパイプを励起光集光パイプと励起光伝送用ファイバとの間に配置して一体化した請求項１から３のいずれかに記載の光ファイバ結合器。
【請求項５】
信号光伝送用ファイバがシングルモードファイバである請求項１から４のいずれかに記載の光ファイバ結合器。
【請求項６】
励起光集光パイプの内径が小さい側の端部に二重クラッドファイバを接続した請求項１から５のいずれかに記載の光ファイバ結合器を備えたファイバレーザ。
【請求項７】
一端側の内径である第１の内径が他端側の内径である第２の内径よりも小さくなるようにテーパ状に縮径した励起光集光パイプの内部に、一端が前記励起光集光パイプのテーパ部に当接するように外径が前記励起光集光パイプの第１の内径よりも大きい信号伝送用ファイバを配置するステップと、
前記励起光集光パイプの内部に、一端が前記励起光集光パイプのテーパ部に当接するように前記信号光伝送用ファイバを配置するステップと、
前記励起光集光パイプの第１の内径の側を加熱しながら前記信号光伝送用ファイバを励起光集光パイプの縮径側に押し込むことで励起光集光パイプを延伸して前記信号光伝送用ファイバと一体化するステップを備えた光ファイバ結合器の製造方法。
【請求項８】
励起光集光パイプと励起光伝送用ファイバとの間にガラスパイプを配置し、励起光集光パイプの第１の内径の側を加熱しながら延伸する際に、前記ガラスパイプにより前記励起光集光パイプ内部から空気を排出して減圧した状態としながら延伸を行う請求項７に記載の光ファイバ結合器の製造方法。
【請求項９】
励起光集光パイプと信号光伝送用ファイバと間に配置する励起光伝送用ファイバの、前記励起光集光パイプの第１の内径側に位置する先端部の形状を、テーパ状の先細り形状とした請求項７または８に記載の光ファイバ結合器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
Ｔj＝ａ×ｆ×（θj-c＋θc-f＋θf-w）＋Ｔw          …（１）
ここで、Ｔjはパワーデバイスのジャンクション温度、ａはパワーデバイス
の１回のスイッチ動作当たりの損失（ジュール／１パルス）、ｆは動作周波数（Ｈｚ）、θj-cはジャンクション−ケース間熱抵抗、θc-fはケース−フィン間熱抵抗、θf-wはフィン−冷却水間熱抵抗、Ｔwは冷却水温度最大値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
Ｔf＝ａ×ｆ×θf-w＋Ｔw        …（６）
ここで、Ｔfは冷却フィン温度、ａはパワーデバイスの１回のスイッチ動作
当たりの損失（ジュール／１パルス）、ｆは動作周波数（Ｈｚ）、θf-wはフィン−冷却水間熱抵抗、Ｔwは冷却水温度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（Ｔj（ｍａｘ）−Ｔw（ｍａｘ））／ａ×ｆ−θj-c−θc-f＜θf-w  …（７）
コンパレータ２５は、パワーデバイス２１が熱的に破損するまで冷却水流量が低下した判定となる場合、温度抑制制御回路を起動してパワーデバイスのジャンクション温度の上昇を抑制する。この温度抑制制御回路としては、具体的には、コンパレータ２５の出力で、ＡＮＤゲート２７の入力になるＩＧＢＴ＿ＯＮ信号発生器２８の出力を抑止することで、パワーデバイス２１のゲート駆動回路２９の出力をオフに強制し、冷却水流量不足でパワーデバイス２１が熱的に破損する前にそのスイッチング動作を停止させる。これと並行して、コンパレータ２５の出力は半導体電力変換装置の使用ユーザにエラー信号発信やＬＥＤ表示等で通知する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（実施形態６）
図６は、本実施形態を示す冷却装置の冷却制御回路図である。同図が図１と異なる部分は、検出される冷却水流量の大小比較基準である冷却水流量設定値を、パワーデバイスの現在の動作周波数ｆと変化するパワーデバイスの１回のスイッチ動作当たりの損失で変化するパワーデバイスの単位時間当たりの現在の損失に応じて変更する流量−損失変換回路を設けた点にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
この流量−損失変換回路は、具体的にはカウンタ４１でＩＧＢＴ＿ＯＮ信号発生器２８の出力をカウントすることで、パワーデバイス２１の現在の動作周波数ｆとパワーデバイスの１回のスイッチ動作当たりの損失を変数とするパワーデバイス２１の単位時間当たりの現在の損失を求め、この損失を基に冷却水流量設定器に設定する冷却水流量の変更係数を求める。冷却水流量設定器４２は、カウンタ４１で求める現在の損失の大きさに応じた変更係数で、ジャンクション温度がその最大値Ｔj（ｍａｘ）にまで上昇する冷却水流量設定値を変更する。この変更係数は、流量と動作周波数を変数としたテーブルデータとして予め設定しておくことでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層を形成する工程と、
前記第１層の上に第２層を形成する工程と、
前記第２層の上に感光性樹脂で構成された第３層を形成する工程と、
前記第３層の露光および現像を経て、前記第３層から複数の凸形状部を形成する工程と、
前記第１層から、各々が前記凸形状部に対応する複数のマイクロレンズが形成されるように、前記凸形状部をマスク層として、前記第２層および前記第１層をエッチングする工程と、を含み、
前記第２層は、前記露光で用いる露光光に対する分光透過率が前記第１層よりも低いこと、および、前記露光で用いる露光光に対する分光透過率が６０％以下であること、の少なくとも一方を満たす、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
第１層を形成する工程と、
前記第１層の上に第２層を形成する工程と、
前記第２層の上に感光性樹脂で構成された第３層を形成する工程と、
前記第３層の露光および現像を経て、前記第３層から複数の凸形状部を形成する工程と、
前記第１層から、各々が前記凸形状部に対応する複数のマイクロレンズが形成されるように、前記凸形状部をマスク層として、前記第２層および前記第１層をエッチングする工程と、を含み、
前記第２層は、前記露光におけるハレーションの発生を抑制する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングは、前記凸形状部および前記第２層が除去されるように行われる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングは、前記マイクロレンズの表面にフッ素含有物層が形成される条件で行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３層の前記現像によって形成された複数の島状パターンを熱処理することにより、前記複数の島状パターンの各々をなだらかな凸形状に変化させることで、前記複数の凸形状部を形成し、
前記エッチングは、前記凸形状部の底面積よりも前記マイクロレンズの底面積が大きくなる条件で実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１層および前記第２層の少なくとも一方は樹脂で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングは、ＣＦ４およびＣ４Ｆ８を含むプロセスガスを使用してマグネトロンＲＩＥ装置によってなされるプラズマ処理によってなされ、前記プラズマ処理は、前記プロセスガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍの範囲内、前記マグネトロンＲＩＥ装置の高周波電力を３〜５Ｗ／ｃｍ２の範囲内、前記マグネトロンＲＩＥ装置のチャンバー内の圧力を２０〜５０ｍｍＴｏｒｒの範囲内として実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２層は、前記露光で用いる露光光に対する分光透過率が６０％以下である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１層は、光電変換部が形成された基板の上に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１層と前記基板との間には、カラーフィルタ層が設けられている、
ことを特徴とする請求項９に記載の電子装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、電子装置の製造方法に係り、前記製造方法は、第１層を形成する工程と、前記第１層の上に第２層を形成する工程と、前記第２層の上に感光性樹脂で構成された第３層を形成する工程と、前記第３層の露光および現像を経て、前記第３層から複数の凸形状部を形成する工程と、前記第１層から、各々が前記凸形状部に対応する複数のマイクロレンズが形成されるように、前記凸形状部をマスク層として、前記第２層および前記第１層をエッチングする工程と、を含み、前記第２層は、前記露光で用いる露光光に対する分光透過率が前記第１層よりも低いこと、および、前記露光で用いる露光光に対する分光透過率が６０％以下であること、の少なくとも一方を満たす、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極の上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上に形成された第２電極と、を含む圧電素子であって、
前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸バリウムを主成分とし、
チタンおよびジルコニウムの和に対するバリウムのモル比Ｘが、１．１５≦Ｘ≦１．３である、圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、
ジルコニウムのモル比をαとし、チタンのモル比を（１−α）としたとき、αは、０＜α≦０．１２である、圧電素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電素子を含む、液滴噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の液滴噴射ヘッドを含む、液滴噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明に係る圧電素子は、
第１電極と、
前記第１電極の上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上に形成された第２電極と、を含む圧電素子であって、
前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸バリウムを主成分とし、
チタンおよびジルコニウムの和に対するバリウムのモル比Ｘが、１．１５≦Ｘ≦１．３
である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がヒートシンクに実装された、少なくとも２個の発光エミッタを有する半導体レーザアレイと、
前記半導体レーザアレイと同じ半導体レーザアレイを少なくとも２個、縦方向へかつ、前記ヒートシンクを含む半導体アレイの厚みより小さいピッチで階段状に配置する手段と、
各々の半導体レーザアレイ直後にファーストアクシスおよびスローアクシスをコリメートするコリメートレンズと、
各半導体レーザアレイからのコリメートされたビームの内、ファーストアクシスのみをまとめて集光する集光レンズと、
前記集光レンズから照射される複数のビームと同数でかつ同ピッチで光ファイバを配列し、光結合を行う光ファイバアレイを備えた半導体レーザモジュール。
【請求項２】
各々がヒートシンクに実装された、少なくとも２個の発光エミッタを有する半導体レーザアレイと、
前記半導体レーザアレイと同じ半導体レーザアレイを少なくとも２個、縦方向へかつ、前記ヒートシンクを含む半導体アレイの厚みより小さいピッチで階段状に配置する手段と、
各々の半導体レーザアレイ直後にファーストアクシスおよびスローアクシスをコリメートするコリメートレンズと、
各半導体レーザアレイからのコリメートされたビームの内、ファーストアクシスのみをまとめて集光する集光レンズと、
前記集光レンズから照射される複数ビームの各々についてスローアクシスを集光する集光レンズと、
前記集光レンズから照射される複数のビームと同数でかつ同ピッチで光ファイバを配列し、光結合を行う光ファイバアレイを備えた半導体レーザモジュール。
【請求項３】
信号光が伝搬する信号光ファイバと励起光が伝搬するマルチモードファイバが密にバンドルされた光ファイバカプラへ請求項１または請求項２記載の半導体レーザモジュールを融着接続し、前記半導体レーザモジュールを励起源としたことを特徴としたファイバレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置とネットワークを介して接続され、前記画像形成装置が実行した画像処理に関するジョブのログ情報を管理する情報処理装置であって、
前記ジョブを実行して画像を形成した前記画像形成装置から前記ジョブの属性情報と、該形成された画像に関する第２のログの該画像形成装置における登録位置情報である第２の登録位置情報とを含む第１のログを受信する第１の受信手段と、
前記第２のログの前記情報処理装置における登録位置情報である第１の登録位置情報を生成する生成手段と、
前記第１のログと前記第１の登録位置情報を含む情報を第３のログとして所定の記憶手段に登録するログ登録手段と、
前記第３のログの登録の後、前記画像形成装置に前記第２のログの送信開始指示を送信する指示送信手段と、
前記送信開始指示に従って、該画像形成装置から前記第２のログを受信する第２の受信手段とを備え、
前記ログ登録手段は、前記第３のログと前記第２のログとを含む情報を、前記ログ情報として前記所定の記憶手段に登録する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記画像形成装置は、外部からのアクセスが制限されたローカルエリアに配置されており、
前記指示送信手段は、前記画像形成装置が前記情報処理装置に対して行う前記第２のログの送信開始許可要求に応答することによって、該画像形成装置に対して該第２のログの送信開始指示を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置の負荷状態を監視する負荷監視手段を備え、
前記指示送信手段は、前記負荷監視手段によって監視される前記情報処理装置の負荷状態に応じて、前記画像形成装置に対して、前記第２のログの送信の中断又は再開を指示する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
外部装置から前記第２のログの検索要求を受け、該検索要求に含まれる前記ジョブの属性情報に基づいて、前記記憶手段に登録された前記第２のログに対応する前記第１の登録位置情報又は前記第２の登録位置情報を検索して前記外部装置に渡すログ検索手段を備える
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記ログ登録手段は、前記画像形成装置から前記第２のログを受信したことを契機として、前記第３のログから前記第２の登録位置情報を削除し、該第２の登録位置情報が削除された前記第３のログと前記第２のログとを含む情報を前記ログ情報として前記所定の記憶手段に登録する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記ログ検索手段は、前記検索要求に含まれる前記ジョブの属性情報に対応する前記第２の登録位置情報が前記記憶手段に登録されているかを判断し、前記検索要求に含まれる前記ジョブの属性情報に対応する前記第２の登録位置情報が前記記憶手段に登録されている場合に、前記第２の登録位置情報を前記外部装置に渡す
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記ログ検索手段は、前記検索要求に含まれる前記ジョブの属性情報に対応する前記第１の登録位置情報または前記第２の登録位置情報が前記記憶手段に登録されているかを判断し、前記第１の登録位置情報および前記第２の登録位置情報が前記所定の記憶手段に登録されている場合は該第２の登録位置情報を前記外部装置に渡し、前記第１の登録位置情報だけが登録されている場合は前記１の登録位置情報を前記外部装置に渡し、
前記ログ登録手段は、前記第１の登録位置情報に基づいて前記第２のログの取得を要求した外部装置に対し、該第２のログを送信し、
前記外部装置が第２の登録位置情報に基づいて前記第２のログの取得を要求したときは、前記画像形成装置に対して該第２のログの取得が要求される
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項８】
ログ情報を管理する情報処理装置とネットワークを介して接続された画像形成装置であって、
画像処理に関するジョブを実行する実行手段と、
前記実行されたジョブの属性情報と、前記ジョブの実行によって形成された画像に関する第２のログとを生成するログ生成手段と、
前記生成された属性情報と、該形成された画像に関する前記第２のログの該画像形成装置における登録位置情報である第２の登録位置情報とを含む第１のログを前記情報処理装置に対して送信するログ送信手段とを備え、
前記ログ送信手段は、前記第１のログの送信後に前記情報処理装置から受けた前記第２のログの送信開始指示に従って、該第２のログを前記情報処理装置に対して送信する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
画像形成装置とネットワークを介して接続され、前記画像形成装置が実行した画像処理に関するジョブのログ情報を管理する情報処理装置の制御方法であって、
前記ジョブを実行して画像を形成した前記画像形成装置から前記ネットワークを介して前記ジョブの属性情報と、該形成された画像に関する第２のログの該画像形成装置における登録位置情報である第２の登録位置情報とを含む第１のログを受信する工程と、
前記第２のログの前記情報処理装置における登録位置情報である第１の登録位置情報を生成する工程と、
前記第１のログと前記第１の登録位置情報を含む情報を第３のログとして所定の記憶手段に登録する工程と、
前記第３のログの登録の後、前記画像形成装置に前記第２のログの送信開始指示を送信する工程と、
前記送信開始指示に従って、前記第２のログを受信する工程と、
前記第３のログと前記第２のログとを含む情報を前記ログ情報として前記所定の記憶手段に登録する工程とを有する
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面の画像形成装置は、画像形成装置とネットワークを介して接続され、前記画像形成装置が実行した画像処理に関するジョブのログ情報を管理する情報処理装置である。前記情報処理装置は、前記ジョブを実行して画像を形成した前記画像形成装置から前記ジョブの属性情報と、該形成された画像に関する第２のログの該画像形成装置における登録位置情報である第２の登録位置情報とを含む第１のログを受信する第１の受信手段と、前記第２のログの前記情報処理装置における登録位置情報である第１の登録位置情報を生成する生成手段と、前記第１のログと前記第１の登録位置情報を含む情報を第３のログとして所定の記憶手段に登録するログ登録手段と、前記第３のログの登録の後、前記画像形成装置に前記第２のログの送信開始指示を送信する指示送信手段と、前記送信開始指示に従って、該画像形成装置から前記第２のログを受信する第２の受信手段とを備える。前記ログ登録手段は、前記第３のログと前記第２のログとを含む情報を、前記ログ情報として前記所定の記憶手段に登録する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
地価算定を支援するコンピュータプログラムであって、
複数の地点について算定基礎地価を得られる既知地域を指定する既知地域指定機能と、
地理空間上の地価形成要因から地価を算定する地価算定モデル式を設定するモデル式設定機能と、
当該コンピュータの記憶装置に記憶され地理空間データから、当該既知地域指定機能で指定される当該既知地域について、地価に影響する地価形成要因を分離抽出する地価形成要因分離機能と、
当該地価算定モデル式と、当該既知地域の、当該地価形成要因分離機能で分離された当該地価形成要因と、当該記憶装置に記憶される当該算定基礎地価とから、当該地価算定モデル式の係数を決定する係数決定機能と、
地価を算定すべき未知地点を指定する未知地点指定機能と、
当該未知地点の地価に影響する、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された地価形成要因を、当該地価算定モデル式に適用して当該未知地点の地価を算出する地価算出機能
とをコンピュータに実現させるための地価算定支援プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
更に、当該コンピュータに、当該未知地点に対する特定の地価形成要因に従い、当該地価算定モデル式及び当該係数決定機能で決定される係数の少なくとも一方を修正する修正機能を実現させ、
当該地価算出機能は、当該未知地点の、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された当該地価形成要因と、当該地価算定モデル式及び当該係数決定機能で決定される係数の、当該修正機能で修正された内容とに従い、当該未知地点の地価を算出する機能である
ことを特徴とする請求項７に記載の地価算定支援プログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
地価算定を支援するコンピュータプログラムであって、
複数の地点について算定基礎地価を得られる既知地域を指定する既知地域指定機能と、
地理空間上の地価形成要因から地価を算定する地価算定モデル式を設定するモデル式設定機能と、
当該コンピュータの記憶装置に記憶され地理空間データから、当該既知地域指定機能で指定される当該既知地域について、地価に影響する地価形成要因を分離抽出する地価形成要因分離機能と、
当該地価算定モデル式と、当該既知地域の、当該地価形成要因分離機能で分離された当該地価形成要因と、当該記憶装置に記憶される当該算定基礎地価とから、当該地価算定モデル式の係数を決定する係数決定機能と、
地価を算定すべき未知地域を指定する未知地域指定機能と、
当該未知地域の地価に影響する、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された地価形成要因を、当該地価算定モデル式に適用して当該未知地域の地価を算出する地価算出機能
とをコンピュータに実現させるための地価算定支援プログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
更に、当該コンピュータに、当該未知地域に対する特定の地価形成要因に従い、当該地価算定モデル式及び当該係数決定機能で決定される係数の少なくとも一方を修正する修正機能を実現させ、
当該地価算出機能は、当該未知地域の、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された当該地価形成要因と、当該地価算定モデル式及び当該係数決定機能で決定される係数の、当該修正機能で修正された内容とに従い、当該未知地域の地価を算出する機能である
ことを特徴とする請求項１０に記載の地価算定支援プログラム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る地価算定支援プログラムは、地価算定を支援するコンピュータプログラムであって、複数の地点について算定基礎地価を得られる既知地域を指定する既知地域指定機能と、地理空間上の地価形成要因から地価を算定する地価算定モデル式を設定するモデル式設定機能と、当該コンピュータの記憶装置に記憶され地理空間データから、当該既知地域指定機能で指定される当該既知地域について、地価に影響する地価形成要因を分離抽出する地価形成要因分離機能と、当該地価算定モデル式と、当該既知地域の、当該地価形成要因分離機能で分離された当該地価形成要因と、当該記憶装置に記憶される当該算定基礎地価とから、当該地価算定モデル式の係数を決定する係数決定機能と、地価を算定すべき未知地点を指定する未知地点指定機能と、当該未知地点の地価に影響する、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された地価形成要因を、当該地価算定モデル式に適用して当該未知地点の地価を算出する地価算出機能とをコンピュータに実現させるための地価算定支援プログラムである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る地価算定支援プログラムは、地価算定を支援するコンピュータプログラムであって、複数の地点について算定基礎地価を得られる既知地域を指定する既知地域指定機能と、地理空間上の地価形成要因から地価を算定する地価算定モデル式を設定するモデル式設定機能と、当該コンピュータの記憶装置に記憶され地理空間データから、当該既知地域指定機能で指定される当該既知地域について、地価に影響する地価形成要因を分離抽出する地価形成要因分離機能と、当該地価算定モデル式と、当該既知地域の、当該地価形成要因分離機能で分離された当該地価形成要因と、当該記憶装置に記憶される当該算定基礎地価とから、当該地価算定モデル式の係数を決定する係数決定機能と、地価を算定すべき未知地域を指定する未知地域指定機能と、当該未知地域の地価に影響する、当該地価形成要因分離機能により当該地理空間データから分離抽出された地価形成要因を、当該地価算定モデル式に適用して当該未知地域の地価を算出する地価算出機能とをコンピュータに実現させるための地価算定支援プログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローラを回転させることで冊子状の媒体のページに対して所定の処理を行う媒体処理装置において、
重なった媒体を前記ローラの回転によりずらして分離する分離手段と、
前記分離手段により重なった媒体を分離した後、当該分離後の長さを検出して重走検知を行う検出手段を備えることを特徴とする媒体処理装置。
【請求項２】
前記分離手段は前記冊子状媒体のページをめくるためのめくり処理部であり、
前記めくり処理部は、外周の一部に摩擦係数の高いチップ部を有し回転可能なめくりローラと、前記めくりローラの搬送下流側に第１の検出手段と搬送上流側に第２の検出手段と、前記めくりローラとロワガイドをアーム支点軸を支軸として搬送上流側に回動可能とするアーム部と、前記めくりローラ周辺の搬送路上部を開閉可能な開閉ガイドと、前記めくりローラの搬送下流側に第１の搬送ローラと第１プレスローラと、前記めくりローラの搬送上流側に第２の搬送ローラと搬送路から離れる方向に回動できる第２のプレスローラを具備したことを特徴とする請求項１記載の媒体処理装置。
【請求項３】
前記検出手段は媒体を検出する搬送センサであり、
前記搬送センサにより、当該媒体が所定の長さ以上か否かに基づいて重走を判定することを特徴とする請求項１または２に記載の媒体処理装置。
【請求項４】
ローラを回転させることで冊子状の媒体のページに対して所定の処理を行う媒体処理方法であって、
重なった媒体を前記ローラの回転によりずらして分離する分離手段と、
媒体の長さを検出する検出手段を備えておき、
前記分離手段により媒体を分離した後、当該分離後の長さを前記検出手段により検出することで重走検知を行うことを特徴とする媒体処理方法。
【請求項５】
外周の一部に摩擦係数の高いチップ部を有し回転可能なめくりローラと、前記めくりローラの搬送下流側に第１の検出手段と搬送上流側に第２の検出手段と、前記めくりローラとロワガイドをアーム支点軸を支軸として搬送上流側に回動可能とするアーム部と、
前記めくりローラ周辺の搬送路上部を開閉可能な開閉ガイドと、前記めくりローラの搬送下流側に第１の搬送ローラと第１プレスローラと、前記めくりローラの搬送上流側に第２の搬送ローラと搬送路から離れる方向に回動できる第２のプレスローラを具備しためくり処理部を備えておき、
媒体の到来を前記第２の検出手段により検出したときは、所定の距離搬送し前記開閉ガイドを開いて、前記アーム部を傾斜させ、前記第２のプレスローラを下げて、前記めくりローラを所定の時間回転した後に、
前記第２のプレスローラを上げ、前記アーム部を直立の状態に戻し、前記開閉ガイドを閉じて、前記搬送ローラを回転させた後に、
前記第１の検出手段にて前記媒体の先端と後端を検出し、当該検出結果に基づいて重走を検知するようにしたことを特徴とする請求項４に記載の媒体処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。すなわち、ローラを回転させることで冊子状の媒体のページに対して所定の処理を行う媒体処理装置において、重なった媒体を前記ローラの回転によりずらして分離する分離手段と、前記分離手段により重なった媒体を分離した後、当該分離後の長さを検出して重走検知を行うようにした。或いは、さらに前記分離手段は前記冊子状媒体のページをめくるためのめくり処理部であり、前記めくり処理部は、めくりローラの搬送上流側の第２の搬送ローラと対向する第２のプレスローラを搬送路から離れる方向に回動できるようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の媒体処理装置によれば、ローラを回転させることで冊子状の媒体のページに対して所定の処理を行う媒体処理装置において、重なった媒体を前記ローラの回転によりずらして分離する分離手段と、前記分離手段により重なった媒体を分離した後、当該分離後の長さを検出して重走検知を行うようにし、或いはさらに前記分離手段は前記冊子状媒体のページをめくるためのめくり処理部であり、前記めくり処理部は、めくりローラの搬送上流側の第２の搬送ローラと対向する第２のプレスローラを搬送路から離れる方向に回動できるようにしたので、新たに分離機構を設ける必要もなく、また、媒体の厚さが変化した場合でも、確実に分離して重走検知を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声を入力する音声入力部と、
入力した音声をテキストデータに変換するテキストデータ生成部と、
使用者の生体情報に基づいて、前記テキストデータ生成部による変換を開始する制御部と、を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記使用者の生体情報を入力する生体情報入力部を備えたことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
音声を入力する音声入力部と、
入力した音声をテキストデータに変換するテキストデータ生成部と、
時刻に関する時刻情報を検出する時刻検出部と、
前記時刻検出部が検出した時刻情報と、特定の時刻とが一致した際に、前記テキストデータ生成部による変換を開始する制御部と、を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
位置情報を検出する位置検出部を備え、
前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に応じて、前記テキストデータ生成部による変換を禁止することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
位置情報を検出する位置検出部を備え、
前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に応じて、前記音声入力部による音声の入力を禁止することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記テキストデータを表示可能な表示部と、
位置情報を検出する位置検出部と、
前記位置検出部が検出した位置に応じて、前記テキストデータを表示するかどうかを判断する判断部と、を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記テキストデータを表示可能な表示部と、
時刻を検出する時刻検出部と、
前記時刻検出部が検出した時刻に応じて、前記テキストデータを表示するかどうかを判断する判断部と、を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の情報処理装置では、位置情報を検出する位置検出部（２２）を備えることとし、前記制御部が、前記位置検出部の検出結果に応じて、前記テキストデータ生成部による変換を禁止するようにしても良い。また、本発明の情報処理装置は、位置情報を検出する位置検出部を備えており、前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に応じて、前記音声入力部による音声の入力を禁止することとしてもよい。また、本発明の情報処理装置は、前記テキストデータを表示可能な表示部と、位置情報を検出する位置検出部と、前記位置検出部が検出した位置に応じて、前記テキストデータを表示するかどうかを判断する判断部と、を備えていてもよい。また、前記テキストデータを表示可能な表示部と、時刻を検出する時刻検出部と、前記時刻検出部が検出した時刻に応じて、前記テキストデータを表示するかどうかを判断する判断部と、を備えていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
生体情報入力部２０は、例えば、ユーザの筋肉の状態（緊張度及び弛緩度）、あるいは血圧、心拍数、脈拍、体温などの生体情報の少なくとも１つを取得して、端末側制御部３０に対して入力する装置である。なお、生体情報を検出する方法としては、例えば、特開２００５-２７０５４３号公報に記載されているような腕時計型を採用することができる。なお、血圧や脈拍は赤外線を用いた脈波検出センサにより検出すればよく、心拍数は振動センサにより検出すればよい。心拍数が通常よりも上昇したときが緊張状態であり、減少したときが弛緩状態である。また、緊張状態では瞳孔が拡大し、弛緩状態では瞳孔が縮小するので、瞳孔を検出して、緊張状態か弛緩状態かを判別するような構成を適用してもよい。