Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層及び前記凹凸パターンの表面に設けられた光電変換層を形成する工程と、
第２電極上に第２輸送層を形成する工程と、
表面に前記光電変換層が形成された前記凹凸パターンを前記第２輸送層に接触させて、前記第２輸送層を成型する工程と、
を備え、
前記第１電極上に、第１輸送層形成材料及び前記第１輸送層形成材料の表面に位置する光電変換層形成材料を塗布し、
前記第１輸送層形成材料及び前記光電変換層形成材料に、前記凹凸パターンに対応するパターンを有するテンプレートを接触させ、
前記テンプレートを接触させた状態で、前記第１輸送層形成材料及び前記光電変換層形成材料を硬化させて、前記第１輸送層及び前記光電変換層を形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層及び前記凹凸パターンの表面に設けられた光電変換層を形成する工程と、
第２電極上に第２輸送層を形成する工程と、
表面に前記光電変換層が形成された前記凹凸パターンを前記第２輸送層に接触させて、前記第２輸送層を成型する工程と、
を備える有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１電極上に、第１輸送層形成材料及び前記第１輸送層形成材料の表面に位置する光電変換層形成材料を塗布し、
前記第１輸送層形成材料及び前記光電変換層形成材料に、前記凹凸パターンに対応するパターンを有するテンプレートを接触させ、
前記テンプレートを接触させた状態で、前記第１輸送層形成材料及び前記光電変換層形成材料を硬化させて、前記第１輸送層及び前記光電変換層を形成することを特徴とする請求項２に記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層を形成する工程と、
第２電極上に、第２輸送層形成材料及び光電変換層形成材料を形成する工程と、
前記凹凸パターンを第２輸送層形成材料及び光電変換層形成材料に接触させ、前記第２輸送層形成材料及び光電変換層形成材料を硬化させて第２輸送層及び光電変換層を形成する工程と、
を備える有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層を形成する工程と、
第２電極上に第２輸送層形成材料を形成する工程と、
前記凹凸パターンを第２輸送層形成材料に接触させ、前記第２輸送層形成材料を硬化させて第２輸送層を形成する工程と、
前記第１輸送層と前記第２輸送層との間に隙間を作り、この隙間に光電変換層を形成する工程と、
を備える有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層及び前記凹凸パターンの表面に設けられた光電変換層を形成する工程と、
第２電極上に第２輸送層を形成する工程と、
表面に前記光電変換層が形成された前記凹凸パターンを前記第２輸送層に接触させて、前記第２輸送層を成型する工程と、
を備え、
前記第１電極上に前記凹凸パターンを有する第１輸送層を形成し、前記凹凸パターンを覆うように光電変換層形成材料を塗布し、前記光電変換層形成材料を体積収縮させて前記光電変換層を形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
第１電極上に、凹凸パターンを有する第１輸送層及び前記凹凸パターンの表面に設けられた光電変換層を形成する工程と、
第２電極上に第２輸送層を形成する工程と、
表面に前記光電変換層が形成された前記凹凸パターンを前記第２輸送層に接触させて、前記第２輸送層を成型する工程と、
を備え、
前記第１電極上に前記凹凸パターンを有する第１輸送層を形成し、ＡＬＤ法を用いて前記凹凸パターンの表面に前記光電変換層を形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月1日(2013.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質体の弁作用金属からなる陽極導体表面に誘電体層を形成する工程と、アミノ基を持つシランカップリング剤の溶液を塗布し乾燥して前記アミノ基を持つシランカップリング剤層を形成する工程と、ポリアニオンを含有する導電性高分子分散液を塗布し乾燥して固体電解質層を形成する工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
多孔質体の弁作用金属からなる陽極導体表面に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層表面に第１の固体電解質層を形成する工程と、アミノ基を持つシランカップリング剤の溶液を塗布し乾燥して前記アミノ基を持つシランカップリング剤層を形成する工程と、ポリアニオンを含有する導電性高分子分散液を塗布し乾燥して第２の固体電解質層を形成する工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。  
【請求項３】
前記導電性高分子溶液は、負のゼータ電位を有することを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記導電性高分子分散液は、ピロール、チオフェン、またはアニリン、もしくはピロール、チオフェン、またはアニリンの誘導体を少なくとも１種以上含む重合体を含有し、前記ポリアニオンの含有する質量が前記重合体の２倍以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
多孔質体の弁作用金属からなる陽極導体と、前記陽極導体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成されたアミノ基を持つシランカップリング剤層と、前記シランカップリング剤層の表面に形成されたポリアニオンを含む導電性高分子層からなる固体電解質層を備えた固体電解コンデンサ。
【請求項６】
多孔質体の弁作用金属からなる陽極導体と、前記陽極導体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成された導電性高分子層からなる第１の固体電解質層と、前記第１の固体電解質層の表面に形成されたアミノ基を持つシランカップリング剤層と、前記シランカップリング剤層の表面に形成されたポリアニオンを含む導電性高分子層からなる第２の固体電解質層を備えた固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記アミノ基を持つシランカップリング剤が３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルジメトキシメチルシラン，３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン，３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン，３−アミノプロピルジエトキシメチルシラン，３−アミノプロピルトリエトキシシラン，３−アミノプロピルトリメトキシシランのいずれかであることを特徴とする請求項５または６に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
前記シランカップリング剤層の厚みが３００ｎｍ以下（０を含まず）であることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天板部と、当該天板部に連接される側壁部と、当該側壁部に連接されるフランジ部とを備えた、平面視にて多角形形状である包装用容器の蓋体において、
前記天板部における周縁部分であって、前記多角形の隅部には、当該隅部を形成する各辺に沿うようにズレ防止用突起が設けられ、
前記ズレ防止用突起は、突出高さにつき、前記隅部の先端側では低く、前記先端から前記辺に沿いつつ離れるに従って高くなった後、漸次低くなるよう形成されたことを特徴とする包装用容器の蓋体。
【請求項２】
請求項１に記載の蓋体と、当該蓋体が取り付けられる容器本体とを備え、
前記蓋体は、前記多角形の隅部におけるフランジ部に、当該隅部を形成する各辺に沿うように、前記ズレ防止用突起と同方向に突出した高台部が設けられ、
前記容器本体は、前記高台部の形状に略一致する形状のフランジ部が設けられたことを特徴とする包装用容器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外形形状が球状であり、外部から加わる外力の大きさと方向に応じて弾性変形する複数の弾性球状体と、
前記複数の弾性球状体を平面状または線状に集合させた前記弾性球状体間に設けられ、前記複数の弾性球状体の互いに乖離する対向球面により複数の貫通空隙を確保するとともに、外部から加わる構造体変形力にしたがって構造体形状が変形可能なように剛性を低く抑えて結合した軟結合構造と、を備え、
前記弾性球状体は、前記貫通空隙を介して構造体の表面側から裏面側へ通過する空気の流線と平行な通気流線を加える通気孔を有する
ことを特徴とする衝撃吸収構造体。
【請求項２】
請求項１に記載の衝撃吸収構造体において、
前記弾性球状体は、合成樹脂を素材とする中空の弾性球状体である
ことを特徴とする衝撃吸収構造体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の前記衝撃吸収構造体において、
前記軟結合構造は、平面状または線状に集合させた前記複数の弾性球状体を合成樹脂糸により連結した構造である
ことを特徴とする衝撃吸収構造体。
【請求項４】
通気性を持つ人体保護具本体と、
前記人体保護具本体の裏面に設けられ、頭部曲面形状を分割した形状による複数のシートポケットと、
前記複数のシートポケットのそれぞれに装填した衝撃吸収シートと、を備え、
前記衝撃吸収シートは、
外径形状が球状であり、外部から加わる外力の大きさと方向に応じて弾性変形すると共に、前記貫通空隙を介して構造体の表面側から裏面側へ通過する空気の流線と平行な通気流線を加える通気孔を有する複数の弾性球状体と、
前記複数の弾性球状体を平面状または線状に集合させた前記弾性球状体間に設けられ、前記複数の弾性球状体の互いに乖離する対向球面により複数の貫通空隙を確保すると共に、外部から加わる構造体変形力にしたがって構造体形状が変形可能なように剛性を低く抑えて結合した軟結合構造と、を備える衝撃吸収構造体を、所定の分割シート形状とすることで構成したものである
ことを特徴とする人体保護具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2013014605.tif 000001
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含むスーパーオキサイド抑制剤であって、該両成分を併用して投与することを特徴とし、腎疾患の予防および治療に用いるための該薬剤。
【請求項２】
式：
【化２】
2013014605.tif 000002
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含むスーパーオキサイド抑制剤であって、該両成分を併用して投与することを特徴とし、糖尿病の予防および治療に用いるための該薬剤。
【請求項３】
該テトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体が、６−［４−（１−シクロヘキシル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ブトキシ］−３，４−ジヒドロカルボスチリルまたはその塩である、請求項１または２のスーパーオキサイド抑制剤。
【請求項４】
腎疾患の予防および治療に用いるためのスーパーオキサイド抑制剤を製造するための、式：
【化３】
2013014605.tif 000003
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールの組合せの使用。
【請求項５】
糖尿病の予防および治療に用いるためのスーパーオキサイド抑制剤を製造するための、式：
【化４】
2013014605.tif 000004
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールの組合せの使用。
【請求項６】
テトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体（１）が６−［４−（１−シクロヘキシル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ブトキシ］−３，４−ジヒドロカルボスチリルまたはその塩である、請求項４または５の使用。
【請求項７】
式：
【化５】
2013014605.tif 000005
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含むスーパーオキサイド抑制剤であって、腎疾患の予防および治療に用いるための該薬剤。
【請求項８】
式：
【化６】
2013014605.tif 000006
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含むスーパーオキサイド抑制剤であって、糖尿病の予防および治療に用いるための該薬剤。
【請求項９】
該テトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体が、６−［４−（１−シクロヘキシル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ブトキシ］−３，４−ジヒドロカルボスチリルまたはその塩である、請求項７または８のスーパーオキサイド抑制剤。
【請求項１０】
式：
【化７】
2013014605.tif 000007
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含む、腎疾患の予防および治療に用いるための薬剤であって、該両成分を併用して投与することを特徴する該薬剤。
【請求項１１】
式：
【化８】
2013014605.tif 000008
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含む、糖尿病の予防および治療に用いるための薬剤であって、該両成分を併用して投与することを特徴する該薬剤。
【請求項１２】
該テトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体が、６−［４−（１−シクロヘキシル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ブトキシ］−３，４−ジヒドロカルボスチリルまたはその塩である、請求項１０または１１の薬剤。
【請求項１３】
式：
【化９】
2013014605.tif 000009
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含む、糖尿病の予防および治療に用いるための薬剤。
【請求項１４】
式：
【化１０】
2013014605.tif 000010
［式中、Ｒはシクロアルキル基、Ａは低級アルキレン基、カルボスチリル骨格の３位と４位間の結合は一重結合または二重結合を示す］
のテトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体もしくはその塩の少なくとも１つおよびプロブコールを含む、糖尿病の予防および治療に用いるための薬剤。
【請求項１５】
該テトラゾリルアルコキシ−ジヒドロカルボスチリル誘導体が、６−［４−（１−シクロヘキシル−１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ブトキシ］−３，４−ジヒドロカルボスチリルまたはその塩である、請求項１３または１４の薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
バラ科の植物であるバラ科バラ属のＲｏｓａ  ｈｙｂｒｉｄａに、遺伝子組み換え技術により、パンジー由来のフラボノイド３’、５’−水酸化酵素遺伝子をアグロバクテリウム法により導入し；そして
該遺伝子を花弁内で発現させて、下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2013014589.tif 000001
｛式中、Ｒ1は、下記基：
【化２】
2013014589.tif 000002
であり、かつ、Ｒ２は−ＯＨであるか、又はＲ１とＲ２は一緒になって−Ｏ−を形成するか、又はＲ1は、下記基：
【化３】
2013014589.tif 000003
であり、かつ、Ｒ２は−ＯＨである。但し、Ｒ１中グルコースの１位の水酸基の配位（波線）はα体とβ体の互変異性であることを示す。｝で表される化合物を生成する、
を含む、前記化合物の製造方法。
【請求項２】
前記Ｒｏｓａ  ｈｙｂｒｉｄａは、品種ラバンデ又はＷＫＳ８２である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化合物は、以下の式：
【化４】
2013014589.tif 000004
で表される化合物である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物は、以下の式：
【化５】
2013014589.tif 000005
で表される化合物である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記化合物は、以下の式：
【化６】
2013014589.tif 000006
で表される化合物である、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電セラミックス及び積層圧電セラミックス部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記主成分１００モルに対して、ＳｉＯ２をモル換算で０．２〜３．０モル、及びＬｉ２Ｏをモル換算で０．１〜１．５モル含有し、かつ、＜Ｌｉ２Ｏモル量＞／＜ＳｉＯ２モル量＞の比率が０．３〜０．７の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電セラミックス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記主成分１００モルに対して、Ｍ２Ｏ（ただしＭ２はＣａ、Ｂａ、Ｓｒのうちの少なくともいずれか１種）をモル換算で０．０〜２．０モル、ＺｒＯ２をモル換算で０．０〜２．０モル、及びＭｎＯをモル換算で０．０〜２．０モル含有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電セラミックス。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は該知見に基づいて完成に至ったものであり、本発明によれば、以下の発明が提供される。
［１］主成分として組成式（ＬｉｘＮａｙＫ１−ｘ−ｙ）ａ（Ｎｂ１−ｚＴaｚ）Ｏ３（但し、０．０４＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．４、０．９５≦ａ≦１．００５である）で表されるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有した結晶によって構成される圧電セラミックスであり、該圧電セラミックスの素体を構成する複数の結晶粒子の粒界又は粒界三重点において、Ｓｉ及びＫを含有する結晶相又は非結晶相が存在していることを特徴とする圧電セラミックス。
［２］前記結晶相又は非結晶相の組成が、Ｋ３Ｎｂ３Ｏ６Ｓｉ２Ｏ７であることを特徴とする［１］に記載の圧電セラミックス。
［３］前記主成分１００モルに対して、ＳｉＯ２をモル換算で０．２〜３．０モル、及びＬｉ２Ｏをモル換算で０．１〜１．５モル含有し、かつ、＜Ｌｉ２Ｏモル量＞／＜ＳｉＯ２モル量＞の比率が０．３〜０．７の範囲にあることを特徴とする［１］又は［２］に記載の圧電セラミックス。
［４］前記主成分１００モルに対して、Ｍ２Ｏ（ただしＭ２はＣａ、Ｂａ、Ｓｒのうちの少なくともいずれか１種）をモル換算で０．０〜２．０モル、ＺｒＯ２をモル換算で０．０〜２．０モル、及びＭｎＯをモル換算で０．０〜２．０モル含有していることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の圧電セラミックス。
［５］［１］〜［４］のいずれかに記載の圧電セラミックスからなる圧電セラミックス層を有し、該圧電セラミックス層の外表面に外部電極が形成されていることを特徴とする、圧電セラミックス部品。
［６］［１］〜［４］のいずれかに記載の圧電セラミックスからなる圧電セラミックス層と、該圧電セラミックス層内に配置され、且つ該圧電セラミックス層を介して厚み方向に重なり合うように形成された複数の内部電極を有し、前記圧電セラミックスの外表面に、前記内部電極のいずれかに電気的に接続されている複数の外部電極が形成されていることを特徴とする、多積層圧電セラミックス部品。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
式（９）に関しては、主成分であるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックス１００モルに対して、上限を２モルとしてＣａ、Ｂa、およびＳｒのうち少なくともいずれか１種類となるＭ２Ｏを混合した組成となる。
この場合には、１価のアルカリ金属元素が揮発することによって、同時に生成すると考えられる酸素空孔を、２価のアルカリ土類金属元素でＡサイトに欠陥を伴いながら、価数を保証していくことができるため、全体を中性に保ち、欠陥生成を抑制することが可能であるため、有為な結果を得ることができたと考えられた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
式（１０）に関しては、主成分であるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックス１００モルに対して、上限を２モルとしてＺｒＯ２を混合した組成となる。
この場合には、素体の中に４価の陽イオンが存在することで、１価のアルカリ金属元素が揮発することにより同時に生成する酸素空孔によって、４価の陽イオンとなりやすいＮｂが４価となるのを抑制し、セラミックスが電子伝導的に振る舞うのを抑制する効果が得られたと考えられた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
式（１１）に関しては、主成分であるアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックス１００モルに対して、上限を２モルとしてＭｎＯを混合した組成となる。
この場合には、素体の中に価数陽動を起こしやすいＭｎが存在することで、先に示したような酸素空孔が発生した場合に、全体の電荷を中性に保ちやすくする効果があると考えられた。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子コンテンツを配信するネットワークにおけるネットワークステーションの操作方法であって、前記ネットワークは少なくとも１以上のネットワークステーションを含み、前記ネットワークステーションはコンテンツを格納し、格納されたコンテンツを読み出すのに適したものであり、前記格納されたコンテンツはファイルにまとめられ、前記ファイルはフラグメントに分割され、所与のファイルのフラグメント全体は前記所与のファイルの再構築に必要であり、所与のファイルの１又は複数のフラグメントはそれぞれ異なるネットワークステーションに格納され、前記ネットワークに前記ネットワークステーションを追加するとき、
前記ネットワークステーションが、前記所与のファイルのフラグメントが規定の最大距離内に位置する前記ネットワークの追加されたネットワークステーションから利用可能であるかを判定するステップと、
前記所与のファイルのフラグメントの一部が前記規定の最大距離内に位置する前記ネットワークの１又は複数の追加されたネットワークステーションから利用可能である場合、前記ネットワークステーションが、前記規定の最大距離よりも遠くに位置する追加されたネットワークステーションから、前記所与のファイルの一連の欠落したフラグメントからのランダムフラグメントをダウンロードするステップと、
前記所与のファイルの全てのフラグメントが前記規定の最大距離内に位置する前記ネットワークの１又は複数の追加されたネットワークステーションから利用可能である場合、前記ネットワークステーションが、前記規定の最大距離内に位置する一連のネットワークステーションを判定し、前記判定された一連のネットワークステーションは、完全なファイルに最構築することが必要な前記所与のファイルの全てのフラグメントを利用可能にしながら、前記ネットワークステーションの最も近くに位置しているこれらの追加のネットワークステーションを含み、および、前記ネットワークステーションが、最も遠くに位置している、前記判定された一連のネットワークステーションのうちのネットワークステーションから前記所与のファイルのフラグメントをダウンロードするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
所与のファイルの全てのフラグメントを格納していない前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
規定の最大値のフラグメントを格納する前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記それぞれの全体のファイルの隣接または非隣接部を表しているファイルのフラグメントを格納する前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ファイルのどのフラグメントを現在格納しているかを判定する前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
初期状態でコンテンツを保存していない前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ファイルの全てのフラグメントを受け入れているコンテンツサーバとして動作する前記規定の最大距離より遠くに位置している前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワークの初期化において、どのフラグメントが格納されているかコンテンツサーバから情報を受信する前記ネットワークステーションをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ネットワークコスト、ルーターホップ、転送待ち時間、またはこれらの組み合わせに基づき前記距離を計算するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
電子コンテンツ配信システムのネットワークステーションであって、前記ネットワークステーションはコマンドおよびデータを送信および受信するネットワークインターフェース、マイクロプロセッサおよびプログラムおよびデータメモリを含み、前記ネットワークステーションは請求項１乃至９のいずれかの方法を実行するよう構成されているネットワークステーション。
【請求項１１】
前記ネットワークステーションはタイミングよく正しい手順でファイルのフラグメントをストリーミングし、および／またはファイルのフラグメントを受信し、すでに前記ネットワークステーションにおいて利用可能なファイルの一部を再提供しながら、受信したファイルのフラグメントをバッファリングするよう構成されている請求項１０に記載のネットワークステーション。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のネットワークステーションを少なくとも２つ有するネットワークを含む電子コンテンツ配信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号とデータ信号を整列させるためのシステムにおいて、
入来クロック信号を受信し、シフト済みクロック信号を出力するクロックシフティング回路であって、
入来クロック信号が接続されている基準入力と、フィードバック入力と、ＰＬＬ出力と、を有する位相ロックループ（ＰＬＬ）と、
それぞれが、Ｄ入力と、クロック入力と、Ｑ出力と、Ｑバー出力と、を有している、直列に接続された複数のｎ個（ｎは整数）のＤフリップフロップであって、前記ＰＬＬ出力は、前記Ｄフリップフロップ１つ１つの前記クロック入力に接続され、Ｄフリップフロップの前記Ｑ出力は、直列内の後続のＤフリップフロップの前記Ｄ入力に接続され、前記直列内の最後のＤフリップフロップの前記Ｑバー出力は、前記直列内の１番目の前記Ｄフリップフロップの前記Ｄ入力に接続され、前記直列内の前記最後のＤフリップフロップの前記Ｑバー出力は、緩衝され、前記フィードバック入力へ接続されている、複数のｎ個のＤフリップフロップと、を備えており、
前記シフト済みクロック信号は、前記直列のＤフリップフロップからの少なくとも１つのＱ出力である、クロックシフティング回路と、
前記シフト済みクロック信号と複数の入来データビットを受信し、複数の再クロック済みデータビットを出力する、データクロッキング回路、とを備えているシステム。
【請求項２】
前記直列に接続された複数のｎ個のＤフリップフロップは、ＤＦＦχを有し、ＤＦＦχは、前記直列内のχ番目のＤフリップフロップであり、ＤＦＦχの前記Ｑ出力は、前記シフト済みクロック信号を送信し、前記シフト済みクロック信号は、前記入来クロック信号に対して（３６０／２ｎ）χ度の位相シフトを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記データクロッキング回路は、
前記シフト済みクロック信号を受信し、真出力と補数出力を出力する、真−補数ブロックを備えており、
前記真出力は、前記入来クロック信号に対して（３６０／２ｎ）χ度の位相シフトを有するクロック信号を搬送し、前記補数出力は、前記入来クロック信号に対して（３６０／２ｎ）χ＋１８０度の位相シフトを有するクロック信号を搬送する、請求項２に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ＤＦＦ５６４は、クロック入力５６８、Ｄ入力５７０、Ｑ出力５７２、及びＱバー出力５７４を有している。ＤＦＦ５６４は、如何なる適切なデジタル論理を使用して実装されていてもよい。第１のシフト済みクロック信号５１２は、バッファ５６０で緩衝され、ＤＦＦ５６４をクロックするクロック入力５６８に接続されている。Ｑバー出力５７４には何も接続されていない。例示的な入来データビット５１６は、Ｄ入力５７０に接続されている。ＤＦＦ５６４は、入来データビット５１６を、Ｄ入力５７０からＱ出力５７２まで、緩衝された第１のシフト済みクロック信号５１２の立ち上がりエッジで運ぶ。第１のシフト済みクロック信号は、入来クロック信号５０８に対してシフトされているので、入来クロック信号５０８と入来データビット５１６がシステム５００への着信時に同期されていたと仮定すると、ＤＦＦ５６４は、Ｄ入力５７０とクロック入力５６８で一致した立ち上がりエッジを処理しなくてもよくなるであろう。その様な一致した立ち上がりエッジは、ＤＦＦ５６４の論理に破壊を引き起こしかねない。ＤＦＦ５６４は、バッファ５８４の１つの入力に接続されているＱ出力５７２へ出力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
同様に、ＤＦＦ５６６は、クロック入力５７６、Ｄ入力５７８、Ｑ出力５８０、及びＱバー出力５８２を有している。ＤＦＦ５６６は、如何なる適切なデジタル論理を使用して実装されていてもよい。緩衝された第１のシフト済みクロック信号５１２は、クロック入力５７６に接続され、同入力は、ＤＦＦ５６６をクロックするべく反転される。Ｑバー出力５８２には何も接続されていない。例示的な入来データビット５１６は、Ｄ入力５７８に接続されている。ＤＦＦ５６６は、例示的な入来データビット５１６を、Ｄ入力５７８から、Ｑ出力５８０へ、クロック入力５７６のインバータによる緩衝された第１のシフト済みクロック信号５１２の立ち下がりエッジで運ぶ。ここでも同様に、第１のシフト済みクロック信号は入来クロック信号５０８に対してシフトされているため、入来クロック信号５０８と例示的な入来データビット５１６がシステム５００への着信時に同期していたと仮定すると、ＤＦＦ５６６は、Ｄ入力５７８とクロック入力５７６で一致した立ち上がりエッジを処理しなくてもよくなるであろう。その様な一致した立ち上がりエッジは、ＤＦＦ５６６の論理に破壊を引き起こしかねない。ＤＦＦ５６６は、Ｑ出力５８０へ出力する。Ｑ出力５８０は、バッファ５８４の第２の入力に接続されている。バッファ５８４は、入力としてＱ出力５７２及びＱ出力５８０を取り、バッファ５６０を通しての遅延に整合されて、例示的な再クロック済みデータビット５１８を生成する。複数の入来データビットは、ＤＦＦ対によるビット・バイ・ビットで、ＤＦＦ５６４とＤＦＦ５６６が例示的な入来データビット５１６を再クロックするのと同じ様式で再クロックされることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010283816.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造で用いられる拡散バリアを形成する方法であって、該方法は、
物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上にイリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、
前記バリア層は、６０原子％超のイリジウム濃度で、前記バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
前記方法。
【請求項２】
前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パターン形成されるＩＬＤ層は、前記バリア層が堆積されることになる、下部金属層の上面部を露出させる、デュアル・ダマシン構造にパターン形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
半導体デバイスのための拡散バリア構造体であって、
パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に形成されたイリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を含み、
前記バリア層は、６０原子％超のイリジウム濃度で、前記バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように形成される、
前記拡散バリア構造体。
【請求項６】
半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
中間誘電体（ＩＬＤ）層中にデュアル・ダマシン溝およびビア構造の一つ以上のパターンを形成するステップであって、前記中間誘電体層は下部導電体層の上に形成される、前記形成するステップと、
物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、前記パターン形成されたＩＬＤ層と前記下部導電体層の露出部分との上に犠牲層を堆積するステップであって、前記犠牲層はイリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第一層を包含する、前記堆積するステップと、
前記犠牲層の水平面を選択的に除去し、前記下部導電体層中に削り凹部を形成するステップと、
ＰＶＤによって、前記ＩＬＤ層、前記犠牲層の残存垂直部分、および前記削り凹部に対応する前記下部導電体層の前記露出部分の上にバリア層を堆積するステップであって、前記バリア層は、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第二層を包含する、前記堆積するステップと、
を含み、
前記犠牲層およびバリア層の双方は、６０原子％超のイリジウム濃度で、結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
前記方法。
【請求項７】
前記犠牲層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
中間誘電体（ＩＬＤ）層中にビア・パターンを形成するステップであって、前記中間誘電体層は下部導電体層の上に形成される、前記形成するステップと、
物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、前記パターン形成されたＩＬＤ層と前記下部導電体層の露出部分との上に犠牲層を堆積するステップであって、前記犠牲層はイリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第一層を包含する、前記堆積するステップと、
前記犠牲層の水平面を選択的に除去し、前記下部導電体層中に削り凹部を形成するステップと、
前記ＩＬＤ中に一つ以上の溝をパターン形成するステップと、
ＰＶＤによって、前記ＩＬＤ層、前記犠牲層の残存垂直部分、および前記削り凹部に対応する前記下部導電体層の前記露出部分の上に犠牲層を堆積するステップであって、前記バリア層は、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースの第二層を包含する、前記堆積するステップと、
を含み、
前記犠牲層およびバリア層の双方は、６０原子％超のイリジウム濃度で、結果としてアモルファス構造を有するように堆積される、
前記方法。
【請求項１１】
前記犠牲層は、アモルファスなイリジウム−タンタル（α−ＴａＩｒ）層およびアモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層のうちの一つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記バリア層は、アモルファスなイリジウム−タンタル窒化物（α−ＴａＮＩｒ）層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ＰＶＤによって、前記バリア層上に銅シード層を形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、
ドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた有機半導体膜と、
ゲート電極と、
前記有機半導体膜と前記ゲート電極との間に設けられ、前記ゲート電極と接する第１のゲート絶縁膜と、前記有機半導体膜と接する第２のゲート絶縁膜とを有するゲート絶縁膜と、を備え、
前記第２のゲート絶縁膜が炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含むことを特徴とする有機トランジスター。
【請求項２】
請求項１に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜は、フッ素原子を含有しないことを特徴とする有機トランジスター。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜は、平面的に前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられていることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記有機半導体膜の前記ゲート電極に面する側の表面を少なくとも覆って設けられていることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項５】
請求項４に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記有機半導体膜の前記ゲート電極に面する側の表面と前記表面に連続する側面とを覆って設けられていることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機トランジスターにおいて、
前記有機トランジスターは、トップゲート構造となっており、
前記第１のゲート絶縁膜は、フッ素原子を含有する有機化合物を含むことを特徴とする有機トランジスター。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機トランジスターにおいて、
前記有機トランジスターは、ボトムゲート構造となっており、
前記第１のゲート絶縁膜は、無機化合物またはフッ素原子を含有する有機化合物を含むことを特徴とする有機トランジスター。
【請求項８】
請求項６または７に記載の有機トランジスターにおいて、
前記フッ素原子を含有する有機化合物は、炭素環の側鎖に均等に結合したフッ素原子を有する炭素環式炭化水素化合物を含むことを特徴とする有機トランジスター。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は、前記第２のゲート絶縁膜の膜厚より大であることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜の膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機トランジスターにおいて、
前記第２のゲート絶縁膜は、炭素数が３０以上の炭化水素化合物からなることを特徴とする有機トランジスター。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に位置する請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機トランジスターと、
前記有機トランジスターに電気的に接続される画素電極と、
前記画素電極に位置する電気光学材料と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
基板上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に位置するように有機半導体膜を形成する工程と、
前記有機半導体膜上に炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含みフッ素原子を含有しない第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のゲート絶縁膜上にフッ素原子を含有する有機化合物を含む第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機トランジスターの製造方法。
【請求項１５】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うように無機化合物またはフッ素原子を含有する有機化合物を含む第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート絶縁膜上に炭素原子と水素原子よりなる炭化水素化合物を含みフッ素原子を含有しない第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のゲート絶縁膜上にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間に位置するように有機半導体膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機トランジスターの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の有機トランジスターの製造方法において、
前記有機半導体膜を形成する工程は、前記有機半導体膜の形成材料を含む液状体を用いた液相プロセスにより行なわれるものであることを特徴とする有機トランジスターの製造方法。
【請求項１７】
請求項１４または１５に記載の有機トランジスターの製造方法において、
前記ゲート電極を形成する工程は、導電性高分子または金属粒子を水系分散媒に分散してなる電極形成用液状材料を用いた液相プロセスにより行なわれるものであることを特徴とする有機トランジスターの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の、透光性を有する絶縁層と、
前記絶縁層上の、単結晶半導体層と、
前記単結晶半導体層の表層に、帯状に複数設けられた一導電型を有する第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層と交互に、かつ重ならないように帯状に複数設けられた前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層と、
前記第１不純物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２不純物半導体層と電気的に接続された第２電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
透光性を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の、透光性を有する絶縁層と、
前記絶縁層上の、単結晶半導体層と、
前記単結晶半導体層の表面上に、帯状に複数設けられた一導電型を有する第１不純物半導体層と、
前記第１不純物半導体層と交互に、かつ重ならないように、帯状に複数設けられた前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層と、
前記第１不純物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２不純物半導体層と電気的に接続された第２電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１電極は、保護膜が有する第１開口を介して、前記第１不純物半導体層と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記保護膜が有する第２開口を介して、前記第２不純物半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１開口の幅は、前記第１不純物半導体層の幅より小さく、
前記第２開口の幅は、前記第２不純物半導体層の幅より小さいことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属膜を有する基板又は金属基板を有し、
前記金属基板上又は前記金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、
前記Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、前記バリア膜上の単結晶シリコン膜と、前記単結晶シリコン膜上の電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属基板上又は前記金属膜上に、シード膜を有し、
前記Ｃｕメッキ膜は前記シード膜から成長して形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記金属基板はＣｕ基板であり、
前記金属膜を有する前記基板は、前記金属膜としてＣｕ膜を有するガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
単結晶シリコン基板である第１の基板に水素ガスから生成されるイオンをドープして前記単結晶シリコン基板内に脆化層を形成する工程と、
前記単結晶シリコン基板上にバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜上に銅（Ｃｕ）メッキ膜を形成する工程と、
表面に金属膜を有する基板又は金属基板である第２の基板を用意する工程と、
前記Ｃｕメッキ膜と、前記金属基板又は前記金属膜とを熱圧着して、前記Ｃｕメッキ膜を介して、前記単結晶シリコン基板と前記第２の基板とを接合させる工程と、
熱処理により、前記脆化層から前記単結晶シリコン基板の一部をはく離して、前記第２の基板に前記Ｃｕメッキ膜を介して、単結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコン膜上に電極層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記熱圧着は１５０℃以上、３００℃以下、かつ０．５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記バリア膜上にシード膜を形成し、該シード膜から前記Ｃｕメッキ膜を成長させて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記金属基板はＣｕ基板であり、
前記金属膜を有する前記基板は、前記金属膜としてＣｕ膜を有するガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を形成する反応管と、
前記処理室の外側に設けられ、磁場を発生させる磁場発生部と、
前記処理室内で基板を支持する基板支持具と、
前記処理室内に設けられ、前記基板支持具の少なくとも一部を覆い、前記磁場発生部が発生させた磁場によって発熱する発熱体と、
前記発熱体の内側に設けられ、ガスを供給するガス供給系と、
前記反応管と前記発熱体との間に設けられる第１の断熱壁と、
を有する熱処理装置。
【請求項２】
前記ガス供給系は、シリコン含有ガスを供給する第１の供給部と、炭素含有ガスを供給する第２の供給部とを、それぞれ少なくとも１つ有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の断熱壁との間に前記磁場発生部が設けられるように前記磁場発生部の外側に設けられた第２の断熱壁を有する請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第２の断熱壁の外側に設けられ、前記磁場発生部で発生した磁場をシールする磁場シールを有する請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記処理室内に、ドーパントガスを供給するドーパントガス供給系をさらに有する請求項１乃至４いずれか１つに記載の熱処理装置。
【請求項６】
基板を支持する基板支持具を、処理室を形成する反応管内へ搬入する工程と、
前記処理室の外側に設けられた磁場発生部が発生させた磁場によって前記処理室内に設けられた発熱体が発熱するとともに、前記反応管と前記発熱体との間に設けられた第１の断熱壁によって、前記加熱された発熱体からの熱を断熱して前記基板を処理する工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
基板を支持する基板支持具を、処理室を形成する反応管内へ搬入する工程と、
前記処理室の外側に設けられた磁場発生部が発生させた磁場によって前記処理室内に設けられた発熱体が発熱するとともに、前記反応管と前記発熱体との間に設けられた第１の断熱壁によって前記加熱された発熱体からの熱を断熱し、前記基板を処理する工程と、
を有する基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
第１のパターニングにより第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の導電層を形成し、
第２のパターニングにより配線層を形成し、
前記第１の絶縁膜上及び前記配線層上に、酸化物半導体膜と、第２の絶縁膜と、第３の導電層を形成し、
第３のパターニングにより、島状の酸化物半導体膜、前記島状の酸化物半導体膜上の島状の第２の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記配線層、前記島状の酸化物半導体膜、前記島状の第２の絶縁膜、及び前記第２のゲート電極を覆う層間絶縁層を形成し、
第４のパターニングにより前記第２のゲート電極及び前記配線層に達する開口を形成し、
前記層間絶縁層上に導電性材料を形成し、
第５のパターニングにより、前記第２のゲート電極に接続される引き回し配線、及び前記配線層に接続される画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
第１のパターニングにより第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の導電層を形成し、
第２のパターニングにより配線層を形成し、
前記第１の絶縁膜上及び前記配線層上に、酸化物半導体膜と、チャネル保護膜と、第２の絶縁膜と、第３の導電層を形成し、
第３のパターニングにより、島状の酸化物半導体膜、前記島状の酸化物半導体膜上の島状のチャネル保護膜、前記島状のチャネル保護膜上の島状の第２の絶縁膜、及び前記島状の第２の絶縁膜上の第２のゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記配線層、前記島状の酸化物半導体膜、前記島状のチャネル保護膜、前記島状の第２の絶縁膜、及び前記第２のゲート電極を覆う層間絶縁層を形成し、
第４のパターニングにより前記第２のゲート電極及び前記配線層に達する開口を形成し、
前記層間絶縁層上に導電性材料を形成し、
第５のパターニングにより、前記第２のゲート電極に接続される引き回し配線、及び前記配線層に接続される画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は第１の酸化物半導体膜であり、
前記第２のパターニングによって、前記配線層上に第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第３のパターニングによって、前記酸化物半導体膜と、前記配線層とが重畳する領域に、第２の酸化物半導体膜でなるバッファ層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は第１の酸化物半導体膜であり、
前記第２のパターニングによって、前記配線層の下に第２の酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記引き回し配線は、前記第２のゲート電極に重畳して設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記層間絶縁層は、ポリイミドであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、酸化珪素を含んで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記引き回し配線は、前記第１のゲート電極に接続されて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜の膜厚は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。