【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に転写するための転写パターンを備えた液晶表示装置製造用のフォトマスクであって、
前記フォトマスクの転写領域には、透明基板上に形成された半透光膜をパターニングすることにより得られた、透光部と半透光部によってなるライン・アンド・スペースパターンを含む転写パターンを有し、
前記フォトマスクの転写領域外には、前記透明基板上に形成された遮光膜をパターニングして得られたマークパターンを有することを特徴とする、フォトマスク。
【請求項２】
前記転写パターンは、ウェットエッチングによる透明導電膜形成用であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記フォトマスクは、エッチング加工により前記被加工体に、ライン幅ＬＰとスペース幅ＳＰの等しいライン・アンド・スペースパターンを形成するものであり、かつ、前記フォトマスクの転写パターンは、ライン幅ＬＭがスペース幅ＳＭより大きいライン・アンド・スペースパターンを含むものであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記ライン・アンド・スペースパターンは、ラインとスペースの線幅の合計であるピッチが２μｍ以上７μｍ未満であることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記マークパターンは、透明基板が露出した透光部と、遮光膜が露出した遮光部を有することを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記透光部の透過率を１００％とするとき、前記半透光部の透過率が１％以上３０％以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項７】
転写領域にライン・アンド・スペースパターンを含む転写パターンを有し、前記転写領域外にマークパターンを有するフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜をパターニングして前記転写領域内の前記遮光膜を除去するとともに前記転写領域外にマークパターンを形成する工程と、
前記マークパターン上にマスクを設けた状態で、前記透明基板上に半透光膜を成膜する工程と、
前記半透光膜をパターニングして透光部と半透光部で形成される前記転写パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
転写領域にライン・アンド・スペースパターンを含む転写パターンを有し、前記転写領域外にマークパターンを有するフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に半透光膜を成膜する工程と、
前記半透光膜上に遮光膜を成膜する工程と、
前記遮光膜上に形成したレジスト膜に、前記転写パターン及び前記マークパターンを描画し、現像することにより第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンを用いて前記遮光膜及び前記半透光膜をパターニングすることにより、前記遮光膜及び前記半透光膜の積層パターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを除去した後、転写領域に位置する前記遮光膜及び前記半透光膜の積層パターンが露出するように第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンを用いて前記半透光膜上に形成された前記遮光膜を除去することにより、透光部と半透光部から形成される転写パターンと、透光部と露出した遮光膜パターンから形成されるマークパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
転写領域にライン・アンド・スペースパターンを含む転写パターンを有し、前記転写領域外にマークパターンを有するフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上の転写領域外にマスクを設けた状態で、半透光膜を成膜する工程と、
前記半透光膜上及び露出した前記透明基板上に、遮光膜を成膜する工程と、
前記遮光膜上に形成したレジスト膜に、前記転写パターン及び前記マークパターンを描画し、現像することにより第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンを用いて前記遮光膜及び前記半透光膜をパターニングすることにより、前記転写領域に前記遮光膜及び前記半透光膜の積層パターンを形成し、前記転写領域外に遮光膜パターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンを除去した後、前記転写領域の積層パターンが露出するように第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンを用いて前記半透光膜上に形成された前記遮光膜を除去することにより、透光部と半透光部から形成される転写パターンと、透光部と遮光膜パターンから形成されるマークパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項６のいずれかに記載のフォトマスク又は請求項７から請求項９のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスクを用い、被加工体上のレジスト膜に、ｉ線〜ｇ線の範囲の露光光源をもつ露光機による露光を行い、得られたレジストパターンを用いてウェットエッチングすることにより、ラインとスペースの幅が等しいパターンを加工することを特徴とする、パターン転写方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のフォトマスクにおいて、転写パターンは、ウェットエッチングによる透明導電膜形成用であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
転写パターン部１０２は、透明基板１０１上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で形成することができる。転写パターン部１０２を、ライン・アンド・スペース・パターンで形成する場合には、ラインパターンを半透光部１０２ａで形成し、スペースパターンを透光部１０２ｂで形成すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
一方で、図５に示すように、フォトマスク５００のラインパターンを遮光部ではなく半透光部５０１で形成することにより、フォトマスク５００のライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅が小さくなった場合であっても、透光部５０２（スペースパターン）を介してレジスト膜５０４に照射される透過光の強度が低下することを抑制し、現像後に透光部５０２を介して露光されたレジスト膜５０４を除去することができる。これは、ラインパターンを半透光部５０１で形成することにより、フォトリソグラフィ工程における露光量を増加させるのと同等の効果が得られるためである。これにより、従来フォトリソグラフィ工程で適用可能である露光量で（露光量を変えることなく、又はより少ない露光量で）、所望の微細パターンを形成することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、被加工体５０３のエッチング加工として、ウェットエッチングを適用する場合には、ドライエッチングと比較して被加工体５０３が等方的にエッチングされる。つまり、エッチングの際に、レジストパターン５０５と重畳する被加工体５０３の側面もエッチング（サイドエッチング）される（図５（Ｃ）参照）。そのため、フォトマスク５００のライン・アンド・スペース・パターンのライン幅（半透光部５０１の幅）をＬＭ、スペース幅（透光部５０２の幅）をＳＭとするとき、エッチング加工後に被加工体５０３に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅ＬＰはＬＭより小さくなり、スペース幅ＳＰはＳＭより大きくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
＜参考例２＞
バイアス部：＋０．８μｍ
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅：７．０μｍ（ライン幅：４．３μｍ、スペース幅：２．７μｍ）、６．０μｍ（ライン幅：３．８μｍ、スペース幅：２．２μｍ）、５．０μｍ（ライン幅：３．３μｍ、スペース幅：１．７μｍ）
ラインパターンの透過率：３％〜２０％