【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に第１の半導体チップが実装され、他方の面の第１パッドに、はんだからなる第１の接続端子が形成された第１の基板と、
前記第１の基板の前記一方の面に、前記第１の半導体チップの保持領域外に位置する第２パッドと電気的に接続される上層モジュールと、を含む積層用半導体モジュールであり、
前記第２パッドは、前記電気的の接続のための開口部を有する絶縁膜で被覆され、
前記開口部の平面形状は、前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、
前記平面形状は、前記第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した場合に、前記第１の接続端子からその一部がはみ出している
積層用半導体モジュール。
【請求項２】
前記開口部のピッチと前記第１の接続端子のピッチとは等しいことを特徴とする
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項３】
前記開口部の平面形状が前記第１の接続端子よりも大きい
請求項１記載の積層用半導体モジュール。
【請求項４】
前記開口部の平面形状が前記第１の接続端子よりも大きく、かつ前記開口部のピッチと前記第１の接続端子のピッチとは等しい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項５】
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、前記第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の平面形状が前記第１の接続端子の径よりも大きい
請求項１記載の積層用半導体モジュール。
【請求項６】
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、前記第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の平面形状が前記第１の接続端子の径よりも大きく、かつ前記開口部のピッチと前記第１の接続端子のピッチとは等しい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項７】
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形、前記第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の平面形状が前記第１の接続端子の径よりも大きく、かつ前記第１の接続端子の径に対して、前記開口部の平面形状が１５μｍ以上大きい
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項８】
前記開口部の平面形状が角部を有する形状であり、前記第１の接続端子の平面形状が円である
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項９】
前記開口部の平面形状が四角形であり、前記第１の接続端子の平面形状が円である
請求項１に記載の積層用半導体モジュール。
【請求項１０】
一方の面に第１の半導体チップが実装され、前記第１の半導体チップの保持領域外に第２パッドがあり、他方の面の第１パッド上にはんだからなる第１の接続端子を有する第１の基板と、
一方の面に、第２の半導体チップが実装された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を積層して、前記第１の基板と前記第２の基板の間を、接続するはんだからなる第２の接続端子とを含む積層型半導体モジュールであって、
前記第２パッドは、開口部を有する絶縁膜で被覆され、
前記開口部の平面形状は、前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、
前記第２の接続端子は、前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、
前記開口部の平面形状は、前記第１の基板と前記第２の基板との積層方向に透過検査した場合に、前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子から、その一部がはみ出している
積層型半導体モジュール。
【請求項１１】
前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【請求項１２】
前記開口部の平面形状は、前記第２の接続端子の径よりも１５μｍ以上大きい
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【請求項１３】
前記開口部の平面形状が前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の基板の他方の面に形成された前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、
一端が前記第２の基板に接続された前記第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、
前記開口部の平面形状が前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子よりも大きい
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【請求項１４】
前記開口部の平面形状が前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の基板の他方の面に形成された前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、
一端が前記第２の基板に接続された前記第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、
前記開口部の平面形状が前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子よりも大きく、かつ前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【請求項１５】
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形に形成され、
一端が前記第２の基板に接続された前記第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、
前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の基板の他方の面に形成された前記第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子の径よりも大きい
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【請求項１６】
前記開口部の平面形状が多角形状または変形楕円形に形成され、
一端が前記第２の基板に接続された前記第２の接続端子の他端が溶融して凝固して前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、
前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の基板の他方の面に形成された前記第１の接続端子の平面形状が円形状であり、前記開口部の外形が前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子の径よりも大きく、かつ前記開口部の高さは、前記第２の接続端子の高さの半分以下である
請求項１０記載の積層型半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の積層用半導体モジュールは、一方の面に第１の半導体チップが実装され、他方の面の第１パッドに、はんだからなる第１の接続端子が形成された第１の基板と、前記第１の基板の前記一方の面に、前記第１の半導体チップの保持領域外に位置する第２パッドと電気的に接続される上層モジュールと、を含む積層用半導体モジュールであり、前記第２パッドは、前記電気的の接続のための開口部を有する絶縁膜で被覆され、前記開口部の平面形状は、前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、前記平面形状は、前記第１の接続端子と前記開口部との積層方向に透過検査した場合に、前記第１の接続端子からその一部がはみ出していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の積層型半導体モジュールは、一方の面に第１の半導体チップが実装され、前記第１の半導体チップの保持領域外に第２パッドがあり、他方の面の第１パッド上にはんだからなる第１の接続端子を有する第１の基板と、一方の面に、第２の半導体チップが実装された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板を積層して、前記第１の基板と前記第２の基板の間を、接続するはんだからなる第２の接続端子とを含む積層型半導体モジュールであって、前記第２パッドは、開口部を有する絶縁膜で被覆され、前記開口部の平面形状は、前記第２の接続端子の平面形状ならびに前記第１の接続端子の平面形状とは異なり、前記第２の接続端子は、前記開口部を満たして前記第２パッドに接合され、前記開口部の平面形状は、前記第１の基板と前記第２の基板との積層方向に透過検査した場合に、前記第２の接続端子ならびに前記第１の接続端子から、その一部がはみ出していることを特徴とする。