【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴと、少なくとも２つの定電流源と、前記ＭＯＳＦＥＴの電流および前記少なくとも２つの定電流源の電流を検出する電流検出回路とを備え、 さらに、前記少なくとも２つの定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。
【請求項２】
請求項１記載の電流制御用半導体素子において、
前記外部接続端子を用いて、前記電流制御用半導体素子の外部から測定した前記定電流源の電流値，若しくは前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の電流値を保持する記憶素子を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。
【請求項３】
請求項２記載の電流制御用半導体素子において、
前記記憶素子に保持された値を用いて、前記電流検出回路のゲイン及びオフセットの補正値を算出する補正値算出手段と、
該補正値算出手段により算出された前記ゲイン及びオフセットの補正値を用いて、前記電流検出回路により検出された値を補正して、補正された電流値を算出する電流値算出手段を備えることを特徴とする電流制御用半導体素子。
【請求項４】
請求項３記載の電流制御用半導体素子において、
前記補正値算出手段は、前記電流制御用半導体素子の温度測定値を用いて、前回補正を行ったときの温度との差が所定値以上のとき、前記補正値算出回路の開始判定を行うことを特徴とする電流制御用半導体素子。
【請求項５】
請求項４記載の電流制御用半導体素子において、
前記電流制御用半導体素子は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation)により、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、
前記補正値算出手段は、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記ＰＷＭのオフ期間に前記２つの定電流源の電流を測定し、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記ＰＷＭのオン期間の内ＰＷＭオン直後以外の期間において前記２つの定電流源の電流を測定することを特徴とする電流制御用半導体素子。
【請求項６】
電流制御用半導体素子と、該電流制御用半導体素子を制御するマイクロコントローラとを有する制御装置であって、
前記電流制御用半導体素子は、同一半導体チップ上に、
ＭＯＳＦＥＴと、
少なくとも２つの定電流源と、
前記ＭＯＳＦＥＴの電流および前記定電流源の電流を検出する電流検出回路と、
前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の電流値を保持する記憶素子とを備え、
前記マイクロコントローラは、
前記記憶素子に保持された値を用いて、前記電流検出回路のゲイン及びオフセットの補正値を算出する補正値算出手段と、
該補正値算出手段により算出された前記ゲイン及びオフセットの補正値を用いて、前記電流検出回路により検出された値を補正して、補正された電流値を算出する電流値算出手段を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項７】
請求項６記載の制御装置において、
前記補正値算出手段は、前記電流制御用半導体素子の温度測定値を用いて、前回補正を行ったときの温度との差が所定値以上のとき、前記補正値算出回路の開始判定を行うことを特徴とする制御装置。
【請求項８】
請求項７記載の制御装置において、
前記電流制御用半導体素子は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation)により、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、
前記補正値算出手段は、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記ＰＷＭのオフ期間に前記２つの定電流源の電流を測定し、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記ＰＷＭのオン期間の内ＰＷＭオン直後以外の期間において前記２つの定電流源の電流を測定することを特徴とする制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴと、少なくとも２つの定電流源と、前記ＭＯＳＦＥＴの電流および前記少なくとも２つの定電流源の電流を検出する電流検出回路とを備え、 さらに、前記少なくとも２つの定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子を備えるようにしたものである。 
かかる構成により、電流検出回路におけるゲインａおよびオフセットｂの変動を補正して、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）上記（１）において、好ましくは、前記外部接続端子を用いて、前記電流制御用半導体素子の外部から測定した前記定電流源の電流値，若しくは前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の電流値を保持する記憶素子を備えるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（５）上記（４）において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation)により、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、前記補正値算出手段は、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記ＰＷＭのオフ期間に前記２つの定電流源の電流を測定し、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記ＰＷＭのオン期間の内ＰＷＭオン直後以外の期間において前記２つの定電流源の電流を測定するようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（６）また、上記目的を達成するために、本発明は、電流制御用半導体素子と、該電流制御用半導体素子を制御するマイクロコントローラとを有する制御装置であって、前記電流制御用半導体素子は、同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴと、少なくとも２つの定電流源と、前記ＭＯＳＦＥＴの電流および前記定電流源の電流を検出する電流検出回路と、前記電流検出回路が前記定電流源の電流を測定した時の電流値を保持する記憶素子とを備え、前記マイクロコントローラは、前記記憶素子に保持された値を用いて、前記電流検出回路のゲイン及びオフセットの補正値を算出する補正値算出手段と、該補正値算出手段により算出された前記ゲイン及びオフセットの補正値を用いて、前記電流検出回路により検出された値を補正して、補正された電流値を算出する電流値算出手段を備えるようにしたものである。 
かかる構成により、電流検出回路におけるゲインａおよびオフセットｂの変動を補正して、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（８）上記（７）において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation)により、負荷に流れる電圧をオン・オフするものであり、前記補正値算出手段は、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも長いときは、前記ＰＷＭのオフ期間に前記２つの定電流源の電流を測定し、前記ＰＷＭのオフ期間が、前記２つの定電流源の電流測定に要する期間よりも短いときは、前記ＰＷＭのオン期間の内ＰＷＭオン直後以外の期間において前記２つの定電流源の電流を測定するようにしたものである。