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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧源と、前記直流電圧源の出力する直流電力を交流電力に変換するコンバータと、前記コンバータの出力する交流電力を入力する変圧器と、前記変圧器の出力する交流電力を直流電力に変換する整流回路と、前記整流回路の直流出力側に並列接続された共振スイッチと共振コンデンサから構成された共振回路と、前記整流回路の出力する直流電力を平滑化するフィルタリアクトルとフィルタコンデンサと、前記フィルタコンデンサに並列接続するスナバ回路と、前記フィルタコンデンサに並列接続された負荷から構成される直流電源装置において、
前記直流電圧源の出力電圧を検出する第１の電圧センサと、前記フィルタコンデンサの電圧を検出する第２の電圧センサと、前記変圧器の入力電流もしくは出力電流を検出する電流センサと、前記第１の電圧センサと前記第２の電圧センサと前記電流センサの出力信号を入力し、前記コンバータを構成する複数の半導体素子のゲートパルス、および前記共振スイッチを構成する半導体素子のゲートパルスを制御する信号と、前記第１の電圧センサと前記第２の電圧センサと前記電流センサの検出タイミングを調整する信号を出力する制御装置を備えていることを特徴とする直流電源装置。
【請求項２】
請求項１記載の直流電源装置において、前記スナバ回路は、スナバダイオードのダイオードブリッジと、前記スナバダイオードの出力と整流回路の直流出力側を接続するスナバコンデンサとを備えることを特徴とする直流電源装置。
【請求項３】
請求項１記載の直流電源装置において、前記ゲートパルスの制御装置は、前記コンバータの動作周波数を一定としてセンサ入力に応じて前記ゲートパルスの幅を調整することで供給電力を調整する第１の制御手段と、前記コンバータのゲートパルス幅を一定としてセンサ入力に応じて前記コンバータの動作周波数を調整することで供給電力を調整する第２の制御手段を備えていることを特徴とする直流電源装置。
【請求項４】
請求項３記載の直流電源装置において、前記コンバータのゲートパルス幅に所定の下限値を設け、この下限値に基づいて前記第１の制御手段と前記第２の制御手段を切り替える手段を備えたことを特徴とする直流電源装置。
【請求項５】
請求項４記載の直流電源装置において、前記コンバータのゲートパルス幅の下限値は、前記共振コンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の３／４と、前記スナバコンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の１／２の和より大きく設定することを特徴とする直流電源装置。
【請求項６】
請求項２記載の直流電源装置において、前記ゲート信号を制御する制御装置は、前記電流センサの出力信号を入力し、前記コンバータの動作周波数と同期しながら、前記コンバータのターンオンより前記スナバコンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の１／２より後、ターンオフより前記共振コンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の３／４より前にサンプル＆ホールドする手段を備えていることを特徴とする直流電源装置。
【請求項７】
請求項２記載の直流電源装置において、前記ゲート信号を制御する制御装置は、前記コンバータの動作周波数を一定としてセンサ入力に応じてゲートパルスの幅を調整することで供給電力を調整する第１の制御手段と、前記コンバータのゲートパルス幅を一定としてセンサ入力に応じてコンバータの動作周波数を調整することで供給電力を調整する第２の制御手段と、前記共振コンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の３／４とスナバコンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の１／２の和より大きい下限値に基づいて前記第１の制御手段と前記第２の制御手段を切り替える手段と、前記電流センサの出力信号を入力し、前記コンバータの動作周波数と同期しながら、前記コンバータのターンオンより前記スナバコンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の１／２より後、前記ターンオフより前記共振コンデンサの静電容量と回路インダクタンスから求まる共振周期の３／４より前にサンプル＆ホールドする手段を備えていることを特徴とする直流電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図８に示す直流電源装置において、コンバータ１０２を構成する半導体素子のスイッチング損失は印加周波数に応じて上昇する。このため、共振回路を利用してスイッチング損失を低減させる技術（ソフトスイッチング）が考えられた。一例として特許文献２および非特許文献１の回路構造を図９に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の直流電源装置は、第１の課題を解決するために、直流電圧源と、直流電圧源の出力する直流電力を交流に変換するコンバータと、コンバータの出力する交流電力を入力する変圧器と、変圧器の出力する交流電力を直流電力に変換する整流回路と、整流回路の直流出力側に並列接続された共振コンデンサと共振スイッチから構成された共振回路と、整流回路の出力する直流電力を平滑化するフィルタリアクトルとフィルタコンデンサと、フィルタコンデンサに並列接続された負荷から構成される直流電源装置であって、フィルタコンデンサに並列接続するスナバ回路を備え、さらに、第２、第３の課題を解決するために、前記の構成に加えて、直流電圧源の出力する直流電圧を検出する第１の電圧センサと、トランスの二次電流を検出する電流センサと、フィルタコンデンサ電圧を検出する第２の電圧センサと、コンバータと共振スイッチのゲートパルス及び第１・第２の電圧センサと電流センサの検出タイミングを調整する制御装置を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、本発明の直流電源装置の前記制御装置は、スナバ回路を、ダイオードブリッジ（スナバダイオード）と、ダイオードブリッジの出力と整流回路の直流出力側を接続するコンデンサ（スナバコンデンサ）で構成し、電流センサの出力信号を入力し、コンバータの動作周波数と同期しながら、コンバータのターンオン期間のうち共振コンデンサの静電容量と回路インダクタンスによって求まる共振周期の３／４と、スナバコンデンサの静電容量と回路インダクタンスによって求まる共振周期の１／２を除いた間にサンプル＆ホールドする手段を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月6日(2012.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードイン領域と前記リードイン領域より外周側に設けられたデータ領域を具備する記憶媒体において、
前記リードイン領域は、前記記憶媒体が関係する規格のバージョン情報、拡張されたバージョン情報、最高記録速度を規定したリビジョン番号、最低記録速度を規定したリビジョン番号を含み、
前記規格のバージョン情報、前記拡張されたバージョン情報、前記最高記録速度を規定したリビジョン番号、前記最低記録速度を規定したリビジョン番号は、前記リードイン領域内の再生専用領域と記録可能領域の両方に記録され、
前記最高記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置及び前記最低記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置は、前記規格のバージョン情報のバイト位置より後であり、
前記拡張されたバージョン情報のバイト位置は、前記最高記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置及び前記最低記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置より後であり、
前記最高記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置は、前記最低記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置より前であり、
前記最低記録速度を規定したリビジョン番号のバイト位置よりも後のバイト位置にリビジョン毎のピークパワーが記録され、
前記再生専用領域は、前記拡張されたバージョン情報のバイト位置の後方に媒体製造情報が記録される領域を含むことを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶媒体に光を照射し、
前記記憶媒体からデータを再生する再生方法。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶媒体に光を照射し、
前記記憶媒体にデータを記録する記録方法。
【請求項４】
請求項１に記載の記憶媒体に光を照射する光学ヘッドと、
前記記憶媒体からデータを再生する再生手段を具備する再生装置。
【請求項５】
請求項１に記載の記憶媒体に光を照射する光学ヘッドと、
前記記憶媒体にデータを記録する記録手段を具備する記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置であって、
前記タッチスクリーン上の、同時に存在する複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ点の各々の位置を取得する取得手段と、
複数のオブジェクトの集合を前記タッチスクリーンに表示させる表示制御手段とを備え、
前記表示制御手段は、前記取得手段で取得された複数のタッチ点の位置が、前記集合から、互いに遠ざかる向きに移動した場合に、前記集合に含まれる複数のオブジェクトを前記タッチスクリーンに整列表示させることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記複数のオブジェクトの集合とは、少なくとも一部が重なり合って連なるオブジェクト群であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記移動した複数のタッチ点の位置に基づいて、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を変更することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記整列表示された複数のオブジェクトの重なりの前後関係を変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置であって、
前記タッチスクリーン上の、同時に存在する複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ点の位置を取得する取得手段と、
集合化された複数のオブジェクトのうちの少なくとも一部のオブジェクトが重なった状態を前記タッチスクリーンに表示させる表示制御手段とを備え、
前記表示制御手段は、前記取得手段で取得された複数のタッチ点の位置が、前記複数のオブジェクトの少なくとも一部が重なった状態で表示されている位置から、互いに遠ざかる向きに移動した場合に、前記集合化された複数のオブジェクトを前記タッチスクリーンに整列表示させることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、前記移動した複数のタッチ点の位置に基づいて、前記整列表示された複数のオブジェクトの表示間隔を変更することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置であって、
複数のオブジェクトの集合を前記タッチスクリーンに表示する表示手段と、
前記複数のオブジェクトの集合が選択され、かつ、前記タッチスクリーン上の複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ箇所の位置関係の変化があった場合に、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を変更して表示する表示変更手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
前記表示変更手段は、前記複数のタッチ箇所の位置が互いに遠ざかる変化があった場合に、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を広げて表示することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置の制御方法であって、
取得手段が、前記タッチスクリーン上の、同時に存在する複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ点の各々の位置を取得する取得工程と、
表示制御手段が、複数のオブジェクトの集合を前記タッチスクリーンに表示させる表示制御工程と、
前記表示制御手段が、前記取得工程で取得された複数のタッチ点の位置が、前記集合から、互いに遠ざかる向きに移動した場合に、前記表示制御工程で表示された集合に含まれる複数のオブジェクトを前記タッチスクリーンに整列表示させる表示変更工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記複数のオブジェクトの集合とは、少なくとも一部が重なり合って連なるオブジェクト群であることを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
前記表示変更工程では、前記移動した複数のタッチ点の位置に基づいて、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を変更することを特徴とする請求項９又は１０に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
前記表示変更工程では、前記整列表示された複数のオブジェクトの重なりの前後関係を変更することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１３】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置の制御方法であって、
取得手段が、前記タッチスクリーン上の、同時に存在する複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ点の位置を取得する取得工程と、
表示制御手段が、集合化された複数のオブジェクトのうちの少なくとも一部のオブジェクトが重なった状態を前記タッチスクリーンに表示する表示工程と、
前記表示制御手段が、前記取得工程で取得された複数のタッチ点の位置が、前記複数のオブジェクトの少なくとも一部が重なった状態で表示されている位置から、互いに遠ざかる向きに移動した場合に、前記集合化された複数のオブジェクトを前記タッチスクリーンに整列表示させる表示変更工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１４】
前記表示変更工程では、前記移動した複数のタッチ点の位置に基づいて、前記整列表示された複数のオブジェクトの表示間隔を変更することを特徴とする請求項１３に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１５】
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置の制御方法であって、
表示制御手段が、複数のオブジェクトの集合を前記タッチスクリーンに表示させる表示制御工程と、
前記表示制御手段が、前記複数のオブジェクトの集合が選択され、かつ、前記タッチスクリーン上の複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ箇所の位置関係の変化があった場合に、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を変更して表示する表示変更工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１６】
前記表示変更工程では、前記複数のタッチ箇所の位置が互いに遠ざかる変化があった場合に、前記複数のオブジェクトを表示する間隔を広げて表示することを特徴とする請求項１５に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１８】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明の一態様による情報処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
タッチ入力を検知するタッチスクリーンを備えた情報処理装置であって、
前記タッチスクリーン上の、同時に存在する複数のタッチ入力に対応した複数のタッチ点の各々の位置を取得する取得手段と、
複数のオブジェクトの集合を前記タッチスクリーンに表示させる表示制御手段とを備え、
前記表示制御手段は、前記取得手段で取得された複数のタッチ点の位置が、前記集合から、互いに遠ざかる向きに移動した場合に、前記集合に含まれる複数のオブジェクトを前記タッチスクリーンに整列表示させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
その結果、基準信号とオンレベルの駆動信号との電位差、基準信号とオフレベルの駆動信号との電位差を常に一定にすることができるため、第１及び第２の電源電圧が変動しても、半導体デバイスのオン動作時、オフ動作時における半導体デバイスの制御電極・一方電極間電位の変動がなくなり、半導体デバイスを安定して駆動することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１１は図１０で示した第２の前提技術によるオン動作を示す波形図である。同図に示すように、電源電圧ＶＣＣが変動すると、出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｈ）及び出力電圧ＶＯＵＴ２も同様に変動する。したがって、ＯＮ時ゲート・ソース間電圧ＶＧＳ(ON)は電源電圧ＶＣＣの変動によっても一定に保つことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
基準電源部１５は抵抗Ｒ３、直列に接続される３つの（ツェナー）ダイオードＤ１〜Ｄ３、抵抗Ｒ４及びバッファ回路８から構成される。抵抗Ｒ３の一端は電源電圧ＶＣＣに接続され、他端（ノードＮ２）はダイオードＤ１のカソードに接続され、ダイオードＤ３のアノード（ノードＮ４）が抵抗Ｒ４の一端に接続され、抵抗Ｒ４の他端が接地電圧ＧＮＤに接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
さらに、接地電圧ＧＮＤが変動しても、出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｌ）と出力電圧ＶＯＵＴ２とは共に同一の波形で変動するため、出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｌ），出力電圧ＶＯＵＴ２の電位差は、電源電圧ＶＣＣの変動の影響を受けない。なぜなら、出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｌ）は、基準電圧ＶＲＥＦ２から接地電圧ＧＮＤ方向にクランプされた内部接地電圧ＶＧ２によって決定されているからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
このように、実施の形態２の半導体デバイス駆動回路２は、基準電源部１５から出力される基準電圧ＶＲＥＦ２から第１のレベル（２つのダイオードＤ１及びＤ２の定電圧）分、電源電圧ＶＣＣ側にクランプされた電圧が内部電源電圧ＶＣ２（第１の内部電源電圧）として規定され、基準電圧ＶＲＥＦ２から第２のレベル（１つのダイオードＤ３の定電圧）分、接地電圧ＧＮＤ側にクランプされた電圧が内部接地電圧ＧＤ２（第２の内部電源電圧）として規定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
その結果、基準信号（出力電圧ＶＯＵＴ２）と“Ｈ”（オンレベル）の駆動信号（出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｈ））との電位差、基準信号と“Ｌ”（オフレベル）の駆動信号（出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｌ））との電位差を常に一定にすることができる。このため、電源電圧ＶＣＣ及び接地電圧ＧＮＤが変動しても、半導体デバイスＱ１のオン動作時、オフ動作時における、半導体デバイスＱ１のゲート・ソース間電圧ＶＧＳの変動がなくなり、半導体デバイスＱ１を安定して駆動することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
このように、実施の形態３の半導体デバイス駆動回路３では、入力回路１１、タイミング調整回路１７及びスイッチ１９によりなる基準信号出力部によって、出力電圧ＶＯＵＴ１が“Ｈ”となるタイミングで基準電圧ＶＲＥＦ１１により決定される出力電圧ＶＯＵＴ２を出力し、出力電圧ＶＯＵＴ１が“Ｌ”となるタイミングで基準電圧ＶＲＥＦ１２により決定される出力電圧ＶＯＵＴ２を出力する。このため、基準電圧ＶＲＥＦ１１には電源電圧ＶＣＣの変動と同様な変動が現れ、基準電圧ＶＲＥＦ１２には接地電圧ＧＮＤの変動と同様な変動が現れる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
その結果、出力電圧ＶＯＵＴ２と出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｈ）との電位差、出力電圧ＶＯＵＴ２と出力電圧ＶＯＵＴ１（Ｌ）との電位差を常に一定にすることができるため、電源電圧ＶＣＣ及び接地電圧ＧＮＤが変動しても、半導体デバイスＱ１のオン動作時、オフ動作時におけるゲート・ソース間電圧ＶＧＳの変動がなくなり、半導体デバイスＱ１を安定して駆動することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
このように、実施の形態４の半導体デバイス駆動回路４は、実施の形態３の半導体デバイス駆動回路３と同様、ＳｉＣ半導体デバイスＱ２のオン動作及びオフ動作を共に安定に駆動することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介してゲート電極に対向する活性層と、
前記活性層に接するソース電極、及びドレイン電極を有し、
前記活性層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎの少なくとも１つを含む酸化物を含み、
前記ゲート絶縁層における含有水素量は、３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満であるトランジスタ。
【請求項２】
前記活性層は、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物から成る請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記活性層のうち前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接する部分以外の部分が絶縁層に覆われている請求項１または２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記絶縁層は、水素含有量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である請求項３に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート電極に電圧を印加していない時の前記ソース電極及び前記ドレインの間の電流が０．１μＡ未満である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトランジスタ。
【請求項６】
ゲート電極と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介してゲート電極に対向する活性層と、
前記活性層に接するソース電極、及びドレイン電極を有し、
前記活性層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎの少なくとも１つを含む酸化物を含み、前記活性層が、含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である絶縁層に覆われているトランジスタ。
【請求項７】
前記活性層は、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物から成る請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ゲート電極に電圧を印加していない時の前記ソース電極及び前記ドレインの間の電流が０．１μＡ未満である、請求項６または７に記載のトランジスタ。
【請求項９】
ゲート電極と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介してゲート電極に対向する活性層と、
前記活性層に接するソース電極、及びドレイン電極を有するトランジスタの作製方法であって、
前記ゲート絶縁層を、含有水素量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満でとなるように形成する工程と、
酸化物を含む前記活性層を形成する工程とを有する、トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
前記活性層は、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物からなる請求項９に記載のトランジスタの作製方法。
【請求項１１】
前記ゲート絶縁層は、スパッタ法により形成される請求項９または１０に記載のトランジスタの作製方法。
【請求項１２】
前記活性層は、スパッタ法により形成される、請求項９または１０に記載のトランジスタの作製方法。
【請求項１３】
更に、前記活性層の上には、前記活性層の、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接していない部分を覆うように、絶縁層が形成される請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のトランジスタの作製方法。
【請求項１４】
前記絶縁層は、水素含有量が３×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である請求項１３に記載のトランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、上記課題を解決するために、次のような構成を備えている。
請求項１に記載の発明は、キートップが配置されるキー開口部が設けられた機器ケースの表面に前記キー開口部を囲むように設けられた環状の装着溝部と、この装着溝部に取り付けられる環状の装飾部材とを備え、
前記装飾部材の周面には、片持ち梁をなす「コ」字形状の弾性変形部と、この弾性変形部に設けられた係合凸部とを備えた弾性突起部と複数の係合突起部とが設けられており、
前記装着溝部の内面には、前記装飾部材が前記装着溝部に挿入された状態で前記装着溝部に沿って回転した際に、前記装飾部材の回転移動に応じて、前記弾性突起部の係合凸部が係合する第１の係止凹部と、前記複数の係合突起部がそれぞれ係合する複数の第２の係止凹部とが設けられていることを特徴とする装飾部材の取付構造である。
また、請求項７に記載の発明は、キートップが配置されるキー開口部が設けられた機器ケースの表面に前記キー開口部を囲むように環状の装飾部材が設けられる電子機器であって、
前記機器ケースには、前記装飾部材に対応する環状の装着溝部が設けられ、
前記装飾部材の周面には、片持ち梁をなす「コ」字形状の弾性変形部と、この弾性変形部に設けられた係合凸部とを備えた弾性突起部と複数の係合突起部とが設けられており、
前記装着溝部の内面には、前記装飾部材が前記装着溝部に挿入された状態で前記装着溝部に沿って回転した際に、前記装飾部材の回転移動に応じて、前記弾性突起部の係合凸部が係合する第１の係止凹部と、前記複数の係合突起部がそれぞれ係合する複数の第２の係止凹部とが設けられていることを特徴とする電子機器である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項に記載の発明は、前記弾性突起部の弾性変形部は、前記装飾部材の外周面から弾性変形可能に突出して設けられ、この弾性変形部に設けられた前記係合凸部は、その外周側に向けて突出しており、
前記第１の係止凹部は、前記装着溝部の底部に設けられて前記弾性突起部が挿入してスライドするスライド孔部と、前記機器ケースの下面に前記スライド孔部から連続して設けられて前記弾性突起部がスライド可能に配置されるスライド凹部と、このスライド凹部の内面に設けられて前記係合凸部が係脱可能に係合して前記弾性突起部を位置規制する複数の位置規制凹部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装飾部材の取付構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キートップが配置されるキー開口部が設けられた機器ケースの表面に前記キー開口部を囲むように設けられた環状の装着溝部と、この装着溝部に取り付けられる環状の装飾部材とを備え、
前記装飾部材の周面には、片持ち梁をなす「コ」字形状の弾性変形部と、この弾性変形部に設けられた係合凸部とを備えた弾性突起部と複数の係合突起部とが設けられており、
前記装着溝部の内面には、前記装飾部材が前記装着溝部に挿入された状態で前記装着溝部に沿って回転した際に、前記装飾部材の回転移動に応じて、前記弾性突起部の係合凸部が係合する第１の係止凹部と、前記複数の係合突起部がそれぞれ係合する複数の第２の係止凹部とが設けられていることを特徴とする装飾部材の取付構造。
【請求項２】
前記弾性突起部の弾性変形部は、前記装飾部材の外周面から弾性変形可能に突出して設けられ、この弾性変形部に設けられた前記係合凸部は、その外周側に向けて突出しており、
前記第１の係止凹部は、前記装着溝部の底部に設けられて前記弾性突起部が挿入してスライドするスライド孔部と、前記機器ケースの下面に前記スライド孔部から連続して設けられて前記弾性突起部がスライド可能に配置されるスライド凹部と、このスライド凹部の内面に設けられて前記係合凸部が係脱可能に係合して前記弾性突起部を位置規制する複数の位置規制凹部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装飾部材の取付構造。
【請求項３】
前記複数の係合突起部は、それぞれ前記装飾部材の所定箇所における下部から側方に突出して設けられており、
前記複数の第２の係止凹部は、前記装着溝部の底部にそれぞれ設けられ、前記複数の係合突起部がそれぞれ挿入してスライドする複数のスライド孔部と、この複数のスライド溝部に対応する前記装着溝部内の側面部にそれぞれ設けられ、前記装飾部材が前記装着溝部に沿って回転移動した際に、前記装飾部材の回転移動に応じて、前記複数の係合突起部の上面をそれぞれ係脱可能に係止する複数の係止部とを備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の装飾部材の取付構造。
【請求項４】
前記機器ケース内には、前記キートップが設けられたキーシートが配置されており、このキーシートには、前記装飾部材の回転移動を阻止するためる回転防止部が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の装飾部材の取付構造。
【請求項５】
前記装着溝部が設けられた箇所における前記機器ケースには、前記弾性突起部を押圧して前記装飾部材を回転移動させるための先細部材が挿入する回転操作凹部が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の装飾部材の取付構造。
【請求項６】
前記装飾部材の回転移動に応じてスイッチ動作するスイッチ部を備えていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の装飾部材の取付構造。
【請求項７】
キートップが配置されるキー開口部が設けられた機器ケースの表面に前記キー開口部を囲むように環状の装飾部材が設けられる電子機器であって、
前記機器ケースには、前記装飾部材に対応する環状の装着溝部が設けられ、
前記装飾部材の周面には、片持ち梁をなす「コ」字形状の弾性変形部と、この弾性変形部に設けられた係合凸部とを備えた弾性突起部と複数の係合突起部とが設けられており、
前記装着溝部の内面には、前記装飾部材が前記装着溝部に挿入された状態で前記装着溝部に沿って回転した際に、前記装飾部材の回転移動に応じて、前記弾性突起部の係合凸部が係合する第１の係止凹部と、前記複数の係合突起部がそれぞれ係合する複数の第２の係止凹部とが設けられていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の上方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記薄膜トランジスタはトップゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の下方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ソース・ドレイン電極の材料はアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記アルミニウム合金は、ＡｌＮｄ、ＡｌＴａ、ＡｌＮｉ、ＡｌＺｒ、ＡｌＣｕ及びＡｌＮｄＮｉであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記活性層は半導体層とオーム接触層の積層であり、該オーム接触層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記オーム接触層はドーピング半導体層又はシリコンマイクロ結晶層であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
薄膜トランジスタのゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を形成する工程を備える薄膜トランジスタ製造方法であって、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の上方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
薄膜トランジスタのゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を形成する工程を備える薄膜トランジスタ製造方法であって、前記薄膜トランジスタはトップゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の下方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記ソース・ドレイン電極の材料はアルミニウム合金であることを特徴とする請求項７又は８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記アルミニウム合金は、ＡｌＮｄ、ＡｌＴａ、ＡｌＮｉ、ＡｌＺｒ、ＡｌＣｕ及びＡｌＮｄＮｉであることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記活性層は半導体層とオーム接触層の積層であり、該オーム接触層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記オーム接触層はドーピング半導体層又はシリコンマイクロ結晶層であることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を有した、画素ユニットのスイッチ素子としての薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の上方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。
【請求項１４】
ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソース・ドレイン電極を有した、画素ユニットのスイッチ素子としての薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタはトップゲート型トランジスタであり、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられ、該ソース・ドレイン電極は該活性層のソース・ドレイン領域と重なるとともに該活性層の下方に位置され、該活性層と前記ソース・ドレイン電極間に電子がトンネルして通過するのを許容する薄いＳｉＯｘＮｙ層が設けられ、前記ＳｉＯｘＮｙ層の厚みは約８〜１５ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ソース・ドレイン電極のうちの一つと接続する画素電極をさらに備える請求項１３又は１４に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置。
【請求項１６】
前記画素電極はビアホールを通して前記ソース・ドレイン電極のうちの一つと電気的接続されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜−電極アセンブリと、アノードプレートと、多孔質の拡散材シートとを含む燃料電池であって、
前記膜−電極アセンブリは、アノード電極面を有し、
前記アノードプレートは、前記膜−電極アセンブリの前記アノード電極面と隣り合い、前記膜−電極アセンブリの前記アノード電極面に、封止ガスケットによって結合され、
前記封止ガスケット、前記アノード電極面及び前記アノードプレートは、アノード流体を前記アノード電極面に配送するための流体閉じ込め空間を形成し、
前記拡散材シートは、前記流体閉じ込め空間に配置されており、
前記拡散材シートは、プレナムを有しており、
前記プレナムは、流体が流通する空間であって、第１のプレナムと、第２のプレナムとを有しており、
前記第１のプレナムは、前記拡散材シートの少なくとも第１の側縁と、前記封止ガスケットとの間に設けられ、燃料電池の第１の周縁で流体入口ポートに通じ、前記第２のプレナムに向かって前記拡散材シートの中央に延びているスリットを含んでおり、
前記第２のプレナムは、前記拡散材シートの少なくとも第２の側縁と、前記封止ガスケットとの間に設けられ、燃料電池の第２の周縁で流体出口ポートに通じ、前記拡散材シートの拡散材によって、前記第１のプレナムと分離されている、
燃料電池。
【請求項２】
請求項１に記載された燃料電池であって、
前記第１のプレナムは、前記拡散材シートの一側縁の全体と、前記封止ガスケットとの間に形成されている、
燃料電池。
【請求項３】
請求項２に記載された燃料電池であって、
前記第１のプレナムは、前記拡散材シートの複数の側縁と、前記封止ガスケットとの間に形成されている、
燃料電池。
【請求項４】
請求項１に記載された燃料電池であって、
前記プレナムは、第３のプレナムを有しており、
前記第３のプレナムは、前記拡散材シートの前記第２の側縁と、前記封止ガスケットとの間に設けられ、燃料電池の第２の周縁で流体出口ポートに通じ、前記拡散材によって、前記第１のプレナム、及び、前記第２のプレナムから分離されている、
燃料電池。
【請求項５】
請求項４に記載された燃料電池であって、
前記第２のプレナム、及び、前記第３のプレナムは、前記拡散材における前記スリットの両側に配置されている、
燃料電池。
【請求項６】
請求項１に記載された燃料電池であって、
前記第１のプレナムは、燃料電池の周縁で２つの流体入口ポートに通じている、
燃料電池。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載された燃料電池であって、
前記アノードプレートは、実質上平らで且つ前記電極面に向かい合う面を有する、
燃料電池。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載された燃料電池であって、
前記アノードプレートは、前記アノードプレートの、前記電極面に向かい合う面に、流体分配チャネルを有しない、
燃料電池。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載された燃料電池であって、
前記拡散材シートは、炭素繊維マットを含む、
燃料電池。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかに記載された燃料電池であって、
前記拡散材シートは、透過性を有する、
燃料電池。
【請求項１１】
請求項１０に記載された燃料電池であって、
前記拡散材シートの拡散材は、最も高い透過性の方向がガスを前記プレナムから前記拡散材シートの中央部に最も輸送するのを助けるべく定められた態様で、方向付けられている、
燃料電池。
【請求項１２】
請求項６に記載され、且つ、請求項１０に記載された燃料電池であって、
前記拡散材シートの拡散材は、最も高い透過性の方向がガスを前記第１のプレナムから前記第２のプレナムに最も輸送するのを助けるべく定められた態様で、方向付けられている、
燃料電池。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れかに記載された燃料電池であって、前記燃料電池は、同一平面上に在る複数のセルからなる一体のアセンブリとして形成され、
前記複数のセルは、共通のアノードプレートを共有するとともに、前記複数のセルは、同一平面上に在る複数の独立した流体閉じ込め空間を形成し、各流体閉じ込め空間には、それぞれの拡散材シートが備えられる、
燃料電池。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れかに記載された燃料電池であって、
多孔質の前記拡散材シートは、少なくとも一つの前記プレナムを形成すべく、前記拡散材シートの周縁に凹部が設けられた不均整な形状である、
燃料電池。
【請求項１５】
請求項１乃至１３の何れかに記載された燃料電池であって、
多孔質の前記拡散材シートは、長方形状の周縁を有し、
前記封止ガスケットは、少なくとも一つの前記プレナムを形成すべく、前記封止ガスケットの内周縁に凹部が設けられた不均整な形状である、
燃料電池。
【請求項１６】
請求項１乃至１５の何れかに記載された燃料電池であって、カソードプレートを含んでおり、
前記カソードプレートは、前記膜−電極アセンブリの電極面のカソード電極面と隣り合う、
燃料電池。
【請求項１７】
請求項１６に記載された燃料電池であって、
前記カソードプレートは、開放型カソードの態様となっている、
燃料電池。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載された燃料電池を備えた燃料電池スタック。
【請求項１９】
膜−電極アセンブリと、カソードプレートと、多孔質の拡散材シートとを含む燃料電池であって、
前記膜−電極アセンブリは、カソード電極面を有し、
前記カソードプレートは、前記膜−電極アセンブリの前記カソード電極面と隣り合い、前記膜−電極アセンブリの前記カソード電極面に、封止ガスケットによって結合され、
前記封止ガスケット、前記カソード電極面及び前記カソードプレートは、カソード流体を前記カソード電極面に配送し及び／またはカソード流体を前記電極面から排出するための流体閉じ込め空間を形成し、
前記拡散材シートは、前記流体閉じ込め空間に配置され、プレナムを有しており、
前記プレナムは、流体が流通する空間であって、第１のプレナムと、第２のプレナムとを有しており、
前記第１のプレナムは、前記拡散材シートの少なくとも一つの側縁と、前記封止ガスケットとの間に設けられ、燃料電池の第１の周縁で流体入口ポートに通じ、前記第２のプレナムに向かって前記拡散材シートの中央に延びているスリットを含んでおり、
前記第２のプレナムは、前記拡散材シートの少なくとも他の側縁と、前記封止ガスケットとの間に設けられ、燃料電池の第２の周縁で流体出口ポートに通じ、前記拡散材シートの拡散材によって、前記第１のプレナムと分離されている、
燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７ｂ】
2012248548.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）総塩素量５００ｐｐｍ以下のポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、（２）スチレンとグリシジルメタクリレートの共重合体であるエポキシ化合物０．００３〜０．２重量部、（３）脂肪酸エステル系離型剤０．０５〜０．５重量部、（４）ヒンダードフェノール酸化防止剤０．０１〜０．３重量部、（５）ベンゾトリアゾール骨格を有する紫外線安定剤０．１〜０．４重量部、および（６）リン系熱安定剤０．００５〜０．１重量部を含有するポリカーボネート樹脂組成物より成形された眼鏡レンズ。
【請求項２】
脂肪酸エステル系離型剤は、一価アルコールと飽和脂肪酸とのエステルおよびグリセリンと飽和脂肪酸とのトリエステルの混合物である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項３】
脂肪酸エステル系離型剤は、ペンタエリスリトールと飽和脂肪酸とのフルエステルである請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項４】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ペンタエリスリトール骨格を有するヒンダードフェノール系酸化防止剤である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項５】
ベンゾトリアゾール骨格を有する紫外線吸収剤は、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾールである請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項６】
ベンゾトリアゾール骨格を有する紫外線吸収剤は、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項７】
リン系熱安定剤は、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル骨格を有するリン系熱安定剤である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項８】
ポリカーボネート樹脂組成物は、該ポリカーボネート樹脂組成物を二軸押出機で成形して得られたペレットの総塩素量が５０ｐｐｍ以下である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【請求項９】
ポリカーボネート樹脂組成物は、該ポリカーボネート樹脂組成物を二軸押出機で成形して得られたペレットを、単軸押出機にて２８０℃で連続して２回の再押出成形して得られたペレットの色相変化（ΔＥ）が２．５以下である請求項１記載の眼鏡レンズ。
ΔＥ＝｛（ΔＬ）２＋（Δａ）２＋（Δｂ）２｝１／２
「二軸押出機で成形して得られたペレット（バージンペレット）」の色相：Ｌ、ａ、  ｂ
「単軸押出機にて再押出成形して得られたペレット（リペレット）」の色相：Ｌ’、ａ’、ｂ’
ΔＬ：Ｌ−Ｌ’
Δａ：ａ−ａ’
Δｂ：ｂ−ｂ’
【請求項１０】
ポリカーボネート樹脂組成物は、該ポリカーボネート樹脂組成物を二軸押出機で成形して得られたペレットを、射出成形機にてシリンダー温度３００℃、金型温度１０５℃、１分サイクルで成形して得られた５ｍｍ厚成形板５０枚のＹＩ値の最大値と最小値の差が０．１５以下である請求項１記載の眼鏡レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物レンズを有し、該対物レンズを介して照明光を標本に照射し、前記標本からの蛍光を取得する顕微鏡装置に搭載され、前記対物レンズの焦点面を標本の所定の位置に維持する焦点維持装置であって、
所定の周波数で強度変調され、前記照明光及び前記蛍光の少なくとも一方の波長領域と重複する波長を有するフォーカス光を放射する光源部と、
光を検出して検出信号を出力する光検出部と、
前記フォーカス光を前記対物レンズを介して前記標本に照射するとともに、前記対物レンズの光軸方向に沿った位置であって、前記標本の所定の位置とは異なる位置で反射した前記フォーカス光を前記光検出部に導くフォーカス光学系と、
前記光検出部から出力される前記検出信号から、前記所定の周波数を有する信号を取り出す信号抽出部と、
前記信号抽出部で抽出された前記信号に基づいて、前記対物レンズと前記標本との相対位置関係を変化させることで、前記対物レンズの焦点面を標本の所定の位置に維持する制御部と、を有することを特徴とする焦点維持装置。
【請求項２】
前記光源部は、光を放射する光源と、前記所定の周波数の信号を出力する信号発生器と、前記光源から放射された前記光の強度を前記信号発生器から出力される前記信号により強度変調して前記フォーカス光として射出させる強度変調素子と、を有し、
前記信号抽出部は、前記信号発生器から出力される前記信号により前記検出信号から前記所定の周波数を有する信号を抽出する検出機構を有することを特徴とする請求項１に記載の焦点維持装置。
【請求項３】
前記光源部は、前記所定の周波数の信号を出力する信号発生器と、前記信号発生器から出力される前記信号により強度変調されたフォーカス光を出力する光源と、を有し、
前記信号抽出部は、前記信号発生器から出力される前記信号により前記検出信号から前記所定の周波数を有する信号を抽出する検出機構を有することを特徴とする請求項１に記載の焦点維持装置。
【請求項４】
前記光源部は、前記所定の周波数で繰り返されるパルス光を前記フォーカス光として放射する光源と、前記フォーカス光の一部を取り出す光学部材と、前記光学部材で取り出された前記フォーカス光の一部を検出する光検出器と、を有し、
前記信号抽出部は、前記光検出器から出力された前記所定の周波数を有する信号により前記検出信号から前記所定の周波数を有する信号を抽出する検出機構を有することを特徴とする請求項１に記載の焦点維持装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の焦点維持装置を有することを特徴とする顕微鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明に係る焦点維持装置は、対物レンズを有し、この対物レンズを介して照明光を標本に照射し、標本からの蛍光を取得する顕微鏡装置に搭載され、この対物レンズの焦点面を標本の所定の位置に維持する焦点維持装置であって、所定の周波数で強度変調され、照明光及び蛍光の少なくとも一方の波長領域と重複する波長を有するフォーカス光を放射する光源部と、光を検出して検出信号を出力する光検出部と、フォーカス光を対物レンズを介して標本に照射するとともに、対物レンズの光軸方向に沿った位置であって、標本の所定の位置とは異なる位置で反射したフォーカス光を光検出部に導くフォーカス光学系と、光検出部から出力される検出信号から、所定の周波数を有する信号を取り出す信号抽出部と、信号抽出部で抽出された信号に基づいて、対物レンズと標本との相対位置関係を変化させることで、対物レンズの焦点面を標本の所定の位置に維持する制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月16日(2013.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を狭持してなり、画素を複数配置する表示部を含み、一方の前記基板と前記電気泳動素子との間に前記画素に対応する画素電極が形成され、他方の前記基板と前記電気泳動素子との間に、複数の前記画素電極と対向する共通電極が形成された電気泳動表示装置の駆動方法であって、
前記共通電極に第１の電位と第２の電位とを繰り返す駆動パルス信号に基づく電圧を印加し、複数の前記画素電極のそれぞれに前記第１の電位および前記第２の電位のいずれかを印加し、前記共通電極と前記画素電極との間に生じた電界によって前記電気泳動粒子を移動させることで前記表示部に表示される画像を書き換える画像書き換え工程を含み、
前記画像書き換え工程は、
環境温度が所定の閾値温度未満であるか否かを判定する温度判定工程を含み、
パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる第１パルス印加工程と、
前記温度判定工程において前記環境温度を前記所定の閾値温度未満と判定した場合に、前記第１パルス印加工程の後に実行される低温パルス印加工程と、
前記画像書き換え工程の最後に実行され、パルス幅が第２の幅である前記駆動パルス信号を用いる第２パルス印加工程と、を含み、
前記低温パルス印加工程は、
パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気泳動表示装置の駆動方法において、
前記第１の幅は２０ｍｓ以下である電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれかに記載の電気泳動表示装置の駆動方法において、
前記第１の幅は１０ｍｓ以上である電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気泳動表示装置の駆動方法において、
前記第２の幅は前記第１の幅の２倍以上である電気泳動表示装置の駆動方法。
【請求項５】
電気泳動表示装置であって、
一対の基板間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を狭持してなり、画素を複数配置する
表示部と、
前記表示部を制御する制御部と、を含み、
前記表示部は、
一方の前記基板と前記電気泳動素子との間に前記画素に対応して形成された画素電極と、
他方の前記基板と前記電気泳動素子との間に、複数の前記画素電極と対向して形成された共通電極と、を含み、
前記制御部は、
環境温度が所定の閾値温度未満であるか否かを判定する温度判定回路を含み、
前記共通電極に第１の電位と第２の電位とを繰り返す駆動パルス信号に基づく電圧を印加し、複数の前記画素電極のそれぞれに前記第１の電位および前記第２の電位のいずれかを印加し、前記共通電極と前記画素電極との間に生じた電界によって前記電気泳動粒子を移動させることで前記表示部に表示される画像を書き換える画像書き換え制御を行い、
前記画像書き換え制御において、
パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる第１パルス印加制御と、
前記温度判定回路が前記環境温度を前記所定の閾値温度未満と判定した場合に、前記第１パルス印加制御の後に実行される低温パルス印加制御と、
前記画像書き換え制御の最後に実行され、パルス幅が第２の幅である前記駆動パルス信号を用いる第２パルス印加制御と、を含み、
前記低温パルス印加制御において、
パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる電気泳動表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気泳動表示装置を含む電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（５）本発明は、電気泳動表示装置であって、一対の基板間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を狭持してなり、画素を複数配置する表示部と、前記表示部を制御する制御部と、を含み、前記表示部は、一方の前記基板と前記電気泳動素子との間に前記画素に対応して形成された画素電極と、他方の前記基板と前記電気泳動素子との間に、複数の前記画素電極と対向して形成された共通電極と、を含み、前記制御部は、環境温度が所定の閾値温度未満であるか否かを判定する温度判定回路を含み、前記共通電極に第１の電位と第２の電位とを繰り返す駆動パルス信号に基づく電圧を印加し、複数の前記画素電極のそれぞれに前記第１の電位および前記第２の電位のいずれかを印加し、前記共通電極と前記画素電極との間に生じた電界によって前記電気泳動粒子を移動させることで前記表示部に表示される画像を書き換える画像書き換え制御を行い、前記画像書き換え制御において、パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる第１パルス印加制御と、前記温度判定回路が前記環境温度を前記所定の閾値温度未満と判定した場合に、前記第１パルス印加制御の後に実行される低温パルス印加制御と、前記画像書き換え制御の最後に実行され、パルス幅が第２の幅である前記駆動パルス信号を用いる第２パルス印加制御と、を含み、前記低温パルス印加制御において、パルス幅が第１の幅である前記駆動パルス信号を用いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、低温においてもフリッカの発生を抑制した違和感のない表示が可能になる。本発明の電気泳動表示装置は、短い第１の幅を持つ駆動パルス信号を用いる制御（第１パルス印加制御と低温パルス印加制御）の後に長い第２の幅を持つ駆動パルス信号を用いる制御（第２パルス印加制御）を実行するので、フリッカの発生を抑制する。そして、低温の場合には低温パルス印加制御を実行して、書き換えられる画像を滑らかに変化させる。そのため、書き換えの途中で生じる中間画像がはっきりと視認されることを防ぐことができ、誤認や違和感のない表示を行うことができる。