(57)【要約】  ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法は、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行でDRAMの開いたページを検出するステップを含む。本方法は、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップも含む。
2016526750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出するステップと、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの閉じたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記開いたページを閉じる前に、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記リフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップが、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するステップと、
リフレッシュ間隔タイマーをリセットするステップと、
前記リフレッシュ間隔タイマーに基づいてリフレッシュ期間が期限切れになったかどうかを判断するステップと、
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合するとき、新しいターゲットリフレッシュアドレスに対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップと
をさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、前記開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合しないとき、前記新しいターゲットリフレッシュ行に対する指示されたリフレッシュコマンドを発行するステップと、
次のターゲットリフレッシュ行を選択するために前記CBRカウンタを増分するステップと、
前記リフレッシュ間隔タイマーをリセットするステップと
をさらに含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記リフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップが、
前記ターゲットリフレッシュ行のcolumn before row(CBR)カウンタ値を記憶するステップと、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するステップと、
前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行する前に前記新しいターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
メモリバスがアイドルであるとき、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
各記憶されたCBRカウンタ値に従って1つまたは複数のスキップされたターゲットリフレッシュ行を決定するステップと、
メモリバスのアイドル状態を検出するステップと、
前記メモリバスがビジーになるまで、前記1つまたは複数のスキップされたターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項９】
前記DRAMを、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットの中に統合するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
メモリコントローラであって、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)と、
メモリバスにより前記DRAMに結合されるリフレッシュコントローラであり、column before row(CBR)カウンタおよび制御論理手段を含むリフレッシュコントローラとを含み、前記制御論理手段が、
前記CBRカウンタの値に従って、前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出し、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させる
ように動作可能である
メモリコントローラ。
【請求項１１】
前記制御論理手段が、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの閉じたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記開いたページを閉じる前に、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１２】
前記制御論理手段が、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするようにさらに動作可能である、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１３】
前記制御論理手段が、リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、前記開いたサブアレイが新しいターゲットリフレッシュ行と競合しないとき、新しいターゲットリフレッシュ行に対する指示されたリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項12に記載のメモリコントローラ。
【請求項１４】
前記制御論理手段が、前記メモリバスがアイドルであるとき、スキップされたターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１５】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１６】
メモリコントローラであって、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)と、
前記ダイナミックランダムアクセスメモリに結合されるリフレッシュコントローラであり、column before row(CBR)カウンタを含むリフレッシュコントローラとを含み、前記リフレッシュコントローラが、
前記CBRカウンタの値に従って、前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出するための手段と、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるための手段と
を含む
メモリコントローラ。
【請求項１７】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項16に記載のメモリコントローラ。
【請求項１８】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの開いた行で前記DRAMの開いたページを検出するステップと、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップと
を含む方法。
【請求項１９】
前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップと、
メモリバスがアイドルであるとき、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
前記DRAMを、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットの中に統合するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、参照によりその開示が全体として本明細書に明確に組み込まれる、Deepti V. Sriramagiriらの名義で2013年7月12日に出願された米国仮特許出願第61/845,818号の利益を主張する。
【０００２】
本開示は一般に、メモリリフレッシュの技法に関する。より具体的には、本開示は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイをリフレッシュするためのメモリアーキテクチャおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
密度がより高く、フィーチャサイズがより小さいダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイの開発は、多数のメモリセルのリーキングを補償するために、DRAMリフレッシュ動作の速度を向上させた。より高いDRAMリフレッシュ速度は、システム性能に影響を与え得る。たとえば、メモリバンクのすべての開いたページは、一般に、バンクがリフレッシュされ得る前に閉じるので、DRAMリフレッシュ動作は性能を妨害し得る。さらに、DRAMバンクアクセスは、一般に、リフレッシュ動作の間は許可されず、これは、システム性能をさらに妨害する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の一態様では、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法が開示される。この方法は、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行でDRAMの開いたページを検出するステップを含む。本方法は、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップも含む。
【０００５】
別の態様では、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、およびメモリバスによりDRAMに結合されたリフレッシュコントローラを含むメモリコントローラを開示する。リフレッシュコントローラは、column before row(CBR)カウンタおよび制御ロジックを含む。制御ロジックは、CBRカウンタの値に従って、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行でDRAMの開いたページを検出するように動作可能である。制御ロジックは、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるようにも動作可能である。
【０００６】
別の態様では、メモリコントローラは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、およびダイナミックランダムアクセスメモリに結合されたリフレッシュコントローラを含む。リフレッシュコントローラは、column before row(CBR)カウンタを含む。リフレッシュコントローラは、CBRカウンタの値に従って、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行でDRAMの開いたページを検出するための手段を含む。リフレッシュコントローラは、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるための手段も含む。
【０００７】
別の態様は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法を開示する。本方法は、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの開いた行でDRAMの開いたページを検出するステップを含む。本方法は、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップも含む。
【０００８】
上記は、詳細な以下の説明がより良く理解され得るように、本開示の特徴および技術的な利点を、かなり広く概説したものである。本開示のさらなる特徴および利点について以下で説明する。本開示と同じ目的を実行するための他の構造を修正または設計するための基礎として本開示が容易に利用され得ることを当業者は諒解されたい。そのような等価な構成は、添付の特許請求の範囲に記載される本開示の教示から逸脱しないことも当業者は認識されたい。本開示の特色をなすと思われる新規の特徴は、その構成と動作方法の両方について、さらなる目的および利点とともに、以下の説明を添付の図との関連で考慮したときにより良く理解されるであろう。しかしながら、図の各々は、例示および説明のみを目的として提供され、本開示の限定を定義するものとして意図されないことを明白に理解されたい。
【０００９】
本開示のより完全な理解のために、ここで、添付の図面と併せて以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来のDRAMアレイアーキテクチャのブロック図である。
【図２】DRAMアレイにおけるDRAMバンクの図である。
【図３】本開示の態様によるDRAMバンクの図である。
【図４】本開示の態様によるDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図である。
【図５】本開示の別の態様による、サブアレイレベルの競合が検出されたとき、リフレッシュ動作を遅延させるためのコマンドスケジューラおよびリフレッシュスケジューラを含むDRAMメモリコントローラを示すブロック図である。
【図６】本開示の一態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図である。
【図７】本開示の別の態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図である。
【図８】本開示のさらなる態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図である。
【図９】本開示の一態様による、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュ動作の発行を遅延させるための方法を示すフローチャートである。
【図１０】本開示の一構成が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付図面に関連して以下に記載される詳細な説明は、様々な構成の説明として意図され、本明細書に説明された概念が実施され得る構成だけを表すことが意図されていない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を与えるための具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの特定の詳細がなくても実施することができることは当業者に明らかであろう。場合によっては、そのような概念を曖昧にするのを回避する目的で、周知の構造および構成要素がブロック図の形式で示されている。本明細書の説明では、「および/または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことを意図し、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことを意図する。
【００１２】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)スケーリングは、各DRAMチップにおけるビットの総数を増加させ続ける。この増加した容量は、DRAMリフレッシュ動作、すなわちビットセルの値が読取り可能に保たれるプロセスの指定に直接影響を与える。DRAMリフレッシュ動作の指定は、リフレッシュコマンドがDRAM(tREFI)バンクに送られる間隔、およびリフレッシュコマンドがDRAMインターフェース(tRFC)を占める時間量を含む。
【００１３】
残念ながら、DRAMスケーリングは、弱保持セル(weak retention cell)(たとえば、より低い保持時間を有するセル)の数も増加させる。そのようなセルは、記憶された情報を維持するために、頻繁なリフレッシュオプションを受ける。システムオンチップ(SoC)または他の同様のコンピュータアーキテクチャにおけるDRAM上のリフレッシュサイクルの増加によって、性能および消費電力が著しく影響を受ける。弱保持セルの数の増加からの潜在的なDRAMチップの収率損失は、リフレッシュサイクルの増加なしに起こる。
【００１４】
本開示の態様によれば、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)リフレッシュ速度の増加の有害な効果は、DRAMバンクにおけるサブアレイをリフレッシュすることによって緩和され得る。本開示のこの態様では、メモリバンクにおける他のサブアレイが開いたままであることが許可され、他のサブアレイへのアクセスが許可されている間、DRAMバンクにおけるサブアレイのリフレッシュが実行される。本開示の別の態様では、DRAMメモリコントローラは、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させ得る。
【００１５】
図1は、8つのDRAMバンク102(102-1、…、102-8)を含むDRAM100を示す。DRAMバンク102の各々は、4つのDRAMサブアレイ104を含む。図1は4つのサブアレイ104を含む各バンク102を示しているが、本開示の実装形態は、一般に、各DRAMバンク102に、32、64、または何らかの他の数のサブアレイ104を含み得ることを理解されたい。ローカルセンス増幅器106は、サブアレイ104に結合される。ローカルセンス増幅器106の各々のサイズは、DRAMページサイズに対応する。たとえば、本実装形態では、ページサイズは、最高約4キロバイト(4KB)とすることができる。
【００１６】
図1は、各リフレッシュサイクルにおいて1つの行のみがリフレッシュされる単純化されたケースを示しているが、複数の行がリフレッシュサイクルごとにリフレッシュされ得ることを理解されたい。たとえば、DRAMバンクは、32Kの行を有することができるが、リフレッシュサイクルは、8Kのサイクルとして実施され得る。このケースでは、リフレッシュサイクル(tRFC)の間、バンクごとに4つの行がリフレッシュされる。これら4つの行は、通常、4つのサブアレイに分散される。たとえば、合計32のサブアレイを有するDRAMバンクにおいて、サブアレイの4つがリフレッシュ動作を実行している間、残りの28のサブアレイは、通常動作のために空いている。しかしながら、本明細書は、説明を単純化するために、1つの行(1つのサブアレイ)がリフレッシュサイクルごとにリフレッシュされることに関する。
【００１７】
ローカルセンス増幅器106は、より狭いI/Oセンス増幅器バス110を介してグローバルな入出力(I/O)センス増幅器108に結合される。一例では、I/Oセンス増幅器バス110は128ビット幅であり得るが、I/Oセンス増幅器バス110は、異なるバス幅で実装されてもよいことを理解されたい。図示の例では、DRAM出力バス112は、8nsのプリフェッチ動作のために16ビット幅であり得る。DRAM出力バス112も異なるバス幅で実装されてもよいことを理解されたい。
【００１８】
従来、DRAMアレイにおけるバンクをリフレッシュするために、最初に全バンクが閉じられ、リフレッシュ動作の間、バンクへのアクセスは許可されない。しかしながら、本開示の態様によれば、全バンクリフレッシュ動作の間、各バンク102における特定の行(たとえば、図1に示されるリフレッシュ行114)がリフレッシュされるとき、リフレッシュされる行(たとえば図1に示されるリフレッシュ行114)が開いたページと同じサブアレイにない限り、バンク102は閉じられないものとする。図1において、たとえば、開いたページ116は、バンク102-7のサブアレイ104-7にある。本明細書で説明するように、サブアレイ104-7は、「開いたサブアレイ」と呼ばれ得る。
【００１９】
本開示の態様によれば、開いたページ116は、リフレッシュされる行(たとえば、リフレッシュ行114)と同じサブアレイ(たとえば、開いたサブアレイ104-7)にないので、開いたページ116は、リフレッシュ動作の間、開いたままであり得る。この場合、リフレッシュ動作の間、バンク102のいずれも閉じられないものとする。一方、本開示の態様によれば、開いたページ(たとえば、開いた116ページ)を含むバンク(たとえば、バンク102-7)のサブアレイ(たとえば、開いたサブアレイ104-7)に、リフレッシュされる行(たとえばリフレッシュ行114)があるとき、リフレッシュ動作の間、全バンク(たとえば、バンク102-7)が閉じられる。
【００２０】
図2を参照すると、DRAMアーキテクチャ200は、DRAMバンク206における各サブアレイ204に結合されたグローバル行デコーダ202および列デコーダ203を含む。DRAMバンク206への通常のメモリアクセスの間、アクティブコマンドがメモリコントローラから受信されると、アクティブコマンドで提供される行アドレスが、行アドレスラッチ210からグローバル行デコーダ202に、マルチプレクサ回路208によって結合される。
【００２１】
リフレッシュ動作の間、マルチプレクサ回路208は、グローバル行デコーダ202にリフレッシュカウンタ212によって生成される行アドレスを結合する。この例では、リフレッシュカウンタ212は、内部column before row(CBR)カウンタとも呼ばれる。リフレッシュカウンタ212は、どの行がリフレッシュされたか、およびどの行が次のリフレッシュサイクルにおいてリフレッシュされるべきかを追跡する。DRAMアーキテクチャ200において、リフレッシュカウンタ212は、一般に、ランダムなアドレスで開始する。
【００２２】
マルチプレクサ回路208は、通常のメモリアクセスの間、行アドレスラッチ210から行アドレスを選択する、または、リフレッシュ動作の間、リフレッシュカウンタ212から行アドレスを選択する。DRAMアーキテクチャ200において、マルチプレクサ回路208から受信された行アドレスに基づいて、グローバル行デコーダ202によって、一度に1つのワードラインのみがアサートされる。これは、リフレッシュがバンク206内の異なるサブアレイ204において実行されている場合であっても、バンク206における他の行がアクセスされるのを防止する。
【００２３】
本開示の態様は、DRAMデバイスおよびメモリコントローラを修正するDRAMアーキテクチャを含む。DRAMデバイスの変更によって、複数のワードラインが同時にアサートされるようにすることができる。
【００２４】
図3を参照すると、本開示の態様によるDRAMアーキテクチャ300は、他のサブアレイにおける開いたページを有するメモリバンクにおけるサブアレイ上のリフレッシュ動作を許可する。DRAMアーキテクチャ300は、DRAMバンク306における各サブアレイ304に結合されたローカル行デコーダ302および列デコーダ303を含む。ローカル行アドレスラッチ305は、ローカル行デコーダ302に結合される。マルチプレクサ回路308は、行アドレスラッチ310に結合され、リフレッシュカウンタ312は、行アドレスをサブアレイセレクタ307に結合する。
【００２５】
本開示の態様によれば、グローバル行デコーダは、サブアレイセレクタ307およびローカル行デコーダ302と置き換えられる。これによって、複数(たとえば、2つ)のワードラインを2つの別々のサブアレイにおけるアドレス行に同時にファイヤすることができる。たとえば、1つのワードラインは、行アドレスラッチ310から受信されたサブアレイの第1のものにおける行アドレスに基づいてアサートされ得、同時に、別のワードラインは、リフレッシュカウンタ312から受信されたサブアレイ304の第2のものにおける行アドレスに基づいてアサートされ得る。
【００２６】
本開示の態様によれば、リフレッシュカウンタ312は、0に開始され得、アドレスコントローラと同期される。この同期は、通常動作およびリフレッシュ動作がサブアレイの競合を有するかどうかをメモリコントローラが決定できるように、どの行がDRAMデバイス内でリフレッシュされているかを、メモリコントローラが知ることができるようにする。これは、電源投入段階に、リフレッシュカウンタを0に初期化し、同じく電源投入時に0に初期化された、メモリコントローラ側で複製されたリフレッシュカウンタを追加することによって行われ得る。両方のカウンタは、同じ条件下で増分される。リフレッシュカウンタの挙動があらかじめ定義されている本開示の態様が記載されているが、本開示の他の態様は、メモリコントローラが、どのサブアレイのみ、またはどのサブアレイおよびそのサブアレイにおけるどの行が次のリフレッシュサイクルにおいてリフレッシュされ得るかの指示を明示的に提供するように構成される代替実装形態を含む。
【００２７】
本開示の別の態様によれば、モードレジスタ314は、DRAMバンク306におけるサブアレイ304の数を記憶し、メモリコントローラに示すように実施される。これによって、メモリコントローラは、たとえば、異なるベンダーによって提供されるメモリデバイスの間で変わり得る、デバイスごとのサブアレイの数を決定することができる。
【００２８】
本開示の態様は、DRAMバンクにおける別のサブアレイの行がリフレッシュされる間にDRAMバンクにおけるサブアレイへのアクセスを許可するように構成されるDRAMメモリコントローラを含む。DRAMメモリコントローラプロトコルエンジンは、リフレッシュ期間(tRFCウィンドウ)の間、読取り/書込み/プリチャージコマンドを許可し、tRFCウィンドウの間、アクティブ化コマンドを許可するように構成される。
【００２９】
図4を参照して、本開示の態様による、DRAMメモリコントローラの機能について説明する。ブロック420で、DRAMメモリコントローラは、デバイスサブアレイパラメータをロードする。たとえば、デバイスサブアレイパラメータは、モードレジスタ314(図3)からの情報を含み得る。ブロック422で、DRAMメモリコントローラは、ローカルリフレッシュ(CBR)カウンタをリセットする。ブロック424で、DRAMメモリコントローラは、リフレッシュ期間を示すtREFIタイマーが期限切れになったかどうかを判断する。
【００３０】
tREFIタイマーが期限切れになると、ブロック426で、DRAMメモリコントローラは、開いた行がローカルリフレッシュカウンタと競合するかどうかを判断する。開いた行がローカルリフレッシュカウンタと競合しない場合、すなわちリフレッシュされるサブアレイにおいて開いた行がない場合、ブロック428で、DRAMメモリコントローラは、リフレッシュコマンドを送る。
【００３１】
開いた行がローカルリフレッシュカウンタと競合する(たとえば、リフレッシュされるサブアレイにおいて行が開いている)場合、ブロック430で、DRAMメモリコントローラは、リフレッシュされるサブアレイの行が開いていたバンクのみを閉じるために競合しているバンクにプリチャージコマンドを送る。次いで、ブロック428で、DRAMメモリコントローラは、リフレッシュコマンドを送る。リフレッシュコマンドが送られた後、DRAMメモリコントローラは、ブロック410で、tREFIタイマーをリセットする。
【００３２】
本開示の一態様によれば、DRAMメモリコントローラは、サブアレイの競合の場合、バンクを閉じるためのプリチャージコマンドを送るだけである。リフレッシュコマンドの後、DRAM側カウンタとメモリコントローラCBRカウンタの両方が増分される。これは、リフレッシュの間、メモリデバイスにおける開いた行を許可する。従来のDRAMアーキテクチャはリフレッシュの前にすべての開いた行を閉じるので、開いた行によって性能の向上が提供される。
【００３３】
本開示の態様によれば、サブアレイレベルの並列性が構成されるので、読取りコマンド、書込みコマンド、およびプリチャージコマンドは、これらのコマンドおよびリフレッシュが同じサブアレイにないとき、tRFCウィンドウの間、許可される。アクティブ化コマンドとリフレッシュコマンドの両方は、大量の電流を消費するので、いくつかの妥当な電流ドロー制限によって、アクティブ化コマンドも、tRFCウィンドウの間、許可される。一構成では、これらの2つの動作の間に妥当なタイミングが課されるが、アクティブ化コマンドとリフレッシュコマンドの両方がtRFCウィンドウ内に発行されることが可能である。
【００３４】
本開示の態様は、リフレッシュ動作の間、メモリデバイスにおけるすべてのバンクをリフレッシュするためのアーキテクチャおよび方法に関して記載されているが、本開示の様々な態様は、他のDRAMデバイスでも実施され得ることを理解されたい。たとえば、本開示の様々な態様は、バンクアドレスがリフレッシュされているバンクを識別するように使用されるバンクごとにリフレッシュ動作を実行するように構成されるDRAMデバイスで実施することもできる。
【００３５】
本開示のさらなる態様では、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドが発行されるとき、サブアレイレベルの並列性は利用できない可能性がある。たとえば、DRAMバンクの開いたサブアレイにあるターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドが発行されるとき、サブアレイレベルの並列性は、利用できない。本開示のこの態様では、DRAMメモリコントローラは、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させ得る。一構成では、DRAMメモリコントローラは、ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドをスキップする。別の構成では、図5に示されるように、たとえば、メモリバスがアイドルであるとき、遅延されたリフレッシュコマンドは、DRAMメモリコントローラによって発行される。
【００３６】
図5は、本開示の一態様による、サブアレイレベルの競合が検出されたとき、リフレッシュ動作の発行を遅延させるためのコマンドスケジューラ510およびリフレッシュコントローラ520を含むDRAMメモリコントローラ502を示すブロック図500である。この構成において、メモリバス512は、メモリコントローラ502をDRAMデバイス540(540-1、…、540-n)に結合し、各々がメモリアレイ550およびリフレッシュカウンタ560を含む。リフレッシュコントローラ520は、リフレッシュ間隔(tREFI)でリフレッシュコマンドを発行する。この構成では、リフレッシュコントローラ520は、column before row(CBR)カウンタ532およびモードレジスタ(MR)534を有するリフレッシュ制御ロジック530を含む。この例では、column before row(CBR)カウンタ532は、どのサブアレイがリフレッシュされたか、およびどのサブアレイが次のリフレッシュサイクルにおいてリフレッシュされるべきかを追跡する。モードレジスタ(MR)534は、DRAMバンクにおけるサブアレイの数を提供する。動作中、リフレッシュ制御ロジック530は、column before row(CBR)カウンタ532およびモードレジスタ(MR)534との組合せで、図6にさらに図示されるように、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイにあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させる。
【００３７】
図6は、本開示の別の態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図600である。ブロック602で、DRAMメモリコントローラ502は、デバイスサブアレイパラメータをロードする。デバイスサブアレイパラメータは、モードレジスタ534からの情報を含み得る。たとえば、ブロック602および608の動作は、デバイスモードレジスタ534によって提供されるバンクにおけるサブアレイの数に依存し得る。ブロック604で、DRAMメモリコントローラ502は、ローカルcolumn before row(CBR)カウンタ532をリセットする。ブロック606で、DRAMメモリコントローラ502は、リフレッシュ期間に対応するtREFIタイマーが期限切れになったかどうかを判断する。tREFIタイマーが期限切れになると、ブロック608で、DRAMメモリコントローラ502は、開いたサブアレイが、column before row(CBR)カウンタ532によって示されるターゲットリフレッシュ行と競合するかどうかを判断する。この構成では、ブロック602および608は、現在の開いた行およびリフレッシュする行が同じサブアレイにあるかどうかを判断する。
【００３８】
開いたサブアレイがcolumn before row(CBR)カウンタ532によって示されるターゲットリフレッシュ行と競合しない(たとえば、リフレッシュされるサブアレイにおいて開いた行がない)とき、ブロック620で、DRAMメモリコントローラ502は、リフレッシュコマンドを送り、column before row(CBR)カウンタ532を増分する。開いたサブアレイがcolumn before row(CBR)カウンタ532と競合する(たとえば、リフレッシュされるサブアレイにおいて行が開いている)とき、ブロック610で、DRAMメモリコントローラ502は、リフレッシュコマンドをスキップし、保留中のリフレッシュカウンタを更新する。リフレッシュコマンドが送られた(ブロック620)後、またはリフレッシュコマンドがスキップされた(ブロック610)後、DRAMメモリコントローラ502は、ブロック612でtREFIタイマーをリセットし、その後、制御フローがブロック606に戻る。一例では、たとえば、図7に示されるように、最大8つのリフレッシュコマンドが延期され得る。
【００３９】
図7は、本開示の別の態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図700である。ブロック702で、DRAMメモリコントローラ502は、(たとえば、モードレジスタ534から)デバイスサブアレイパラメータをロードする。たとえば、ブロック702および708の動作は、デバイスモードレジスタ534によって提供されるバンクにおけるサブアレイの数に依存し得る。ブロック704で、DRAMメモリコントローラ502は、column before row(CBR)カウンタ532をリセットする。ブロック706で、DRAMメモリコントローラ502は、リフレッシュ期間に対応するtREFIタイマーが期限切れになったかどうかを判断する。ブロック706で、tREFIタイマーが期限切れになると、サブアレイの競合が存在するかどうかを判断するために、ブロック708が実行される。
【００４０】
この構成では、ブロック702および708は、現在の開いた行およびリフレッシュする行が同じサブアレイにあるかどうかを判断する。特に、tREFIタイマーが期限切れになると、ブロック708で、DRAMメモリコントローラ502は、開いたサブアレイが、column before row(CBR)カウンタ532によって示されるターゲットリフレッシュ行と競合するかどうかを判断する。開いたサブアレイがcolumn before row(CBR)カウンタ532によって示されるターゲットリフレッシュ行と競合しない(たとえば、リフレッシュされるサブアレイにおいて開いた行がない)とき、ブロック720で、DRAMメモリコントローラ502は、指示されたリフレッシュコマンドを送る。開いたサブアレイがローカルCBRカウンタと競合する(たとえば、リフレッシュされるサブアレイにおいて行が開いている)とき、ブロック710で、DRAMメモリコントローラ502は、スキップされたリフレッシュコマンドを記憶し、column before row(CBR)カウンタ532を更新する。
【００４１】
図7に示されるように、ブロック712で、DRAMメモリコントローラ502は、開いたサブアレイが、column before row(CBR)カウンタ532によって示される次のターゲットリフレッシュ行と競合するかどうかを判断する。サブアレイ行が、column before row(CBR)カウンタ532によって示される次のターゲットリフレッシュ行と競合しないとき、ブロック720で、DRAMメモリコントローラ502は、指示されたリフレッシュコマンドを送る。そうでない場合、制御フローはブロック710に戻る。指示されたリフレッシュコマンドが送られた後、ブロック722で、記憶されたCBRカウンタ値によって示されるスキップされたターゲットリフレッシュ行のために、リフレッシュコマンドが発行される。スキップされたリフレッシュコマンドが発行された後、DRAMメモリコントローラ502は、tREFIタイマーをリセットし、ブロック724でcolumn before row(CBR)カウンタ532を増分し、その後、制御フローはブロック706に戻る。動作中、スキップされたリフレッシュ動作のためのリフレッシュコマンドの発行は、たとえば、図8に示されるように、より都合の良い時に実行され得る。
【００４２】
図8は、本開示のさらなる態様による、図5のDRAMメモリコントローラの機能を示す機能ブロック図800である。ブロック822で、DRAMメモリコントローラ502は、(たとえば、モードレジスタ534から)デバイスサブアレイパラメータをロードする。たとえば、ブロック822および830の動作は、デバイスモードレジスタ534によって提供されるバンクにおけるサブアレイの数に依存し得る。ブロック824で、DRAMメモリコントローラ502は、column before row(CBR)カウンタ532をリセットする。ブロック826で、DRAMメモリコントローラ502は、リフレッシュ期間に対応するtREFIタイマーが期限切れになったかどうかを判断する。tREFIタイマーが期限切れになると、ブロック828で、スキップされたターゲットリフレッシュ行のためにリフレッシュコマンドが発行され得るかどうかが判断される。
【００４３】
この構成では、サブアレイにおけるリフレッシュする行に対する保留中の通常のコマンドがない場合、ブロック822および830は、リフレッシュコマンドを発行する。特に、tREFIタイマーが期限切れになると、ブロック828で、DRAMメモリコントローラ502は、クレジットリフレッシュカウンタ(credit refresh counter)が最大の指定された制限未満であるかどうかを判断する。クレジットリフレッシュカウンタが最大の指定された制限未満である場合、ブロック830で、DRAMメモリコントローラ502は、CBRカウンタ532のためのコマンドキューが空かどうかを判断する。CBRカウンタ532のコマンドキューが空である場合、ブロック832で、DRAMメモリコントローラ502は、記憶されたCBRカウンタ値によって示されるスキップされたターゲットリフレッシュ行のためのリフレッシュコマンドを発行する。加えて、メモリコントローラ502は、ブロック832でクレジットリフレッシュカウンタを増分する。加えて、メモリコントローラ502は、ブロック834でローカルCBRカウンタを増分する。この構成では、リフレッシュ制御ロジック530は、スキップされたリフレッシュコマンドに関する情報を維持する。通常のトラフィックでビジーである(たとえば、メモリバス512がビジーである)とき、リフレッシュコマンドは、スキップされる、または、たとえばより都合の良い時まで延期され得る。
【００４４】
図9は、本開示の一態様による、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュ動作の発行を遅延させるための方法900を示すフローチャートである。ブロック910で、DRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるDRAMバンクの行でダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の開いたページが検出される。たとえば、図1に示されるように、開いたページ116は、バンク102-7の開いたサブアレイ104-7にある。リフレッシュ行114が開いたサブアレイ104-7内にないので、開いたページ116は、リフレッシュ動作の間、開いたままであり得る。この場合、リフレッシュ動作の間、バンク102のいずれも閉じられないものとする。
【００４５】
再び図9を参照すると、ブロック912で、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるかどうかが判断される。たとえば、図1に示されるように、リフレッシュ行114(たとえば、ターゲットリフレッシュ行)は、バンク102-7の開いたサブアレイ104-7内にない。したがって、ブロック914で、ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドが発行される。しかしながら、ターゲットリフレッシュ行は、図1の開いたページ116を含むバンク102-7の開いたサブアレイ104-7内にあり得る。この場合、ブロック920で、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行がDRAMバンクの開いたサブアレイ内にあるとき、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行が遅延される。
【００４６】
一構成では、メモリコントローラは、リフレッシュコントローラを含み、メモリバスによりダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)に結合される。リフレッシュコントローラは、ローカルcolumn before row(CBR)カウンタを含む。リフレッシュコントローラは、DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行でDRAMの開いたページを検出するための手段を含む。本開示の一態様では、この検出手段は、列挙された機能をこの検出手段によって実行するように構成されたリフレッシュ制御ロジック530および/またはリフレッシュコントローラ520でもよい。この構成では、リフレッシュコントローラは、DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるための手段も含む。本開示の一態様では、この遅延手段は、列挙された機能をこの遅延手段によって実行するように構成されたリフレッシュコントローラ520および/またはリフレッシュ制御ロジック530でもよい。別の態様では、前述の手段は、列挙された機能を前述の手段によって実行するように構成された任意のモジュールまたは任意の装置とすることができる。
【００４７】
図10は、本開示の一態様を有利に利用できる、例示的なワイヤレス通信システム1000を示す。説明のために、図10は、3つの遠隔ユニット1020、1030、1050および2つの基地局1040を示す。一般的なワイヤレス通信システムは、これよりも多くの遠隔ユニットおよび基地局を有し得ることが認識されよう。遠隔ユニット1020、1030、および1050は、上記で説明した本開示の態様であるメモリコントローラ回路1025A、1025Bおよび1025Cをそれぞれ含む。図10は、基地局1040から遠隔ユニット1020、1030、および1050への順方向リンク信号1080、ならびに、遠隔ユニット1020、1030、および1050から基地局1040への逆方向リンク信号1090を示す。
【００４８】
図10では、遠隔ユニット1020は携帯電話として示され、遠隔ユニット1030はポータブルコンピュータとして示され、かつ遠隔ユニット1050は、ワイヤレスローカルループシステムにおける固定位置遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、セルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、またはメータ読取り機器などの固定ロケーションデータユニットとすることができる。図10は本開示の教示によるメモリコントローラ回路を示すが、本開示は、これらの示された例示的なユニットに限定されない。たとえば、本開示の態様によるメモリコントローラ回路は、任意のデバイスにおいて最適に使用することができる。
【００４９】
本開示およびその利点について詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の技術から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、代用、および改変が行われ得ることを理解されたい。たとえば、「上」および「下」などの関係性の用語が、基板または電子デバイスに関して使用される。当然、基板または電子デバイスが反転した場合、上は下に、下は上になる。加えて、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指す場合がある。さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明したプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の構成に限定されることは意図されない。当業者が本開示から容易に諒解するように、本明細書で説明した対応する構成と実質的に同じ機能を実行するか、または実質的に同じ結果を実現する、現存するまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをその範囲内に含むことが意図される。
【００５０】
特定の回路が説明されたが、当業者は、本開示を実施するために、開示された回路のすべてが必要とされるわけではないことを理解されよう。その上、本開示に対する注目を維持するために、いくつかのよく知られている回路は記載されなかった。同様に、その説明はいくつかの場所における論理「0」および論理「1」を参照しているが、本開示の動作に影響を及ぼすことなく、論理値は入れ替えることができ、それに応じて回路の残りの部分が調整されることを当業者は理解する。
【００５１】
本開示およびその利点について詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、代用および改変を行うことができることは理解されたい。たとえば、上記の説明は、2つのワードラインを同時にアサートすることに関しているが、2つより多くのワードラインがアサートされ得る。さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明したプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の構成に限定されることは意図されない。当業者が本開示から容易に諒解するように、本明細書で説明した対応する構成と実質的に同じ機能を実行するか、または実質的に同じ結果を実現する、現存するまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをその範囲内に含むことが意図される。
【００５２】
本開示の先の説明は、当業者が本開示を製造または使用することを可能にするために提供されるものである。本開示に対する様々な修正形態が当業者には容易に明らかとなり、本明細書において規定された包括的な原則は、本開示の精神および範囲から逸脱することなく、他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明される例および設計に限定されるものではなく、本明細書で開示される原理および新規の特徴に一致する最大の範囲を与えられるものである。
【符号の説明】
【００５３】
100  DRAM
102  DRAMバンク
104  DRAMサブアレイ
106  ローカルセンス増幅器
108  入出力(I/O)センス増幅器
110  I/Oセンス増幅器バス
112  DRAM出力バス
114  リフレッシュ行
116  開いたページ
200  DRAMアーキテクチャ
202  グローバル行デコーダ
203  列デコーダ
204  サブアレイ
206  DRAMバンク
208  マルチプレクサ回路
210  行アドレスラッチ
212  リフレッシュカウンタ
300  DRAMアーキテクチャ
304  サブアレイ
306  DRAMバンク
307  サブアレイセレクタ
308  マルチプレクサ回路
310  行アドレスラッチ
312  リフレッシュカウンタ
314  モードレジスタ
502  DRAMメモリコントローラ
510  コマンドスケジューラ
520  リフレッシュコントローラ
530  リフレッシュ制御ロジック
532  column before row(CBR)カウンタ
534  モードレジスタ(MR)
540  DRAMデバイス
550  メモリアレイ
560  リフレッシュカウンタ
1000  ワイヤレス通信システム
1020  遠隔ユニット
1025  メモリコントローラ回路
1030  遠隔ユニット
1040  基地局
1050  遠隔ユニット
1080  順方向リンク信号
1090  逆方向リンク信号
【図１】
2016526750.tif 000003
【図２】
2016526750.tif 000004
【図３】
2016526750.tif 000005
【図４】
2016526750.tif 000006
【図５】
2016526750.tif 000007
【図６】
2016526750.tif 000008
【図７】
2016526750.tif 000009
【図８】
2016526750.tif 000010
【図９】
2016526750.tif 000011
【図１０】
2016526750.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月9日(2015.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
リフレッシュ間隔タイマーをリセットするステップと、
前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出するステップと、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップと、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するステップと、
前記リフレッシュ間隔タイマーに基づいてリフレッシュ期間が期限切れになったかどうかを判断するステップと、
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合するとき、現在のリフレッシュ期間の間、新しいターゲットリフレッシュアドレスに対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの閉じたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記開いたページを閉じる前に、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記リフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップが、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、前記開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合しないとき、前記新しいターゲットリフレッシュ行に対する指示されたリフレッシュコマンドを発行するステップと、
次のターゲットリフレッシュ行を選択するために前記CBRカウンタを増分するステップと、
前記リフレッシュ間隔タイマーをリセットするステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記リフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップが、
前記ターゲットリフレッシュ行のcolumn before row(CBR)カウンタ値を記憶するステップと、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するステップと、
前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行する前に前記新しいターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
メモリバスがアイドルであるとき、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
各記憶されたCBRカウンタ値に従って1つまたは複数のスキップされたターゲットリフレッシュ行を決定するステップと、
メモリバスのアイドル状態を検出するステップと、
前記メモリバスがビジーになるまで、前記1つまたは複数のスキップされたターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項5に記載の方法。
【請求項８】
前記DRAMを、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットの中に統合するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムであって、
DRAMと、
メモリバスにより前記DRAMに結合されるリフレッシュコントローラであり、column before row(CBR)カウンタおよび制御論理手段を含むリフレッシュコントローラとを含み、前記制御論理手段が、
リフレッシュ間隔タイマーをリセットし、
前記CBRカウンタの値に従って、前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出し、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させ、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分し、
前記リフレッシュ間隔タイマーに基づいてリフレッシュ期間が期限切れになったかどうかを判断し、
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合するとき、現在のリフレッシュ期間の間、新しいターゲットリフレッシュアドレスに対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップする
ように動作可能である
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システム。
【請求項１０】
前記制御論理手段が、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの閉じたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記開いたページを閉じる前に、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項9に記載のDRAMシステム。
【請求項１１】
前記制御論理手段が、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするようにさらに動作可能である、請求項9に記載のDRAMシステム。
【請求項１２】
前記制御論理手段が、リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、前記開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合しないとき、新しいターゲットリフレッシュ行に対する指示されたリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項9に記載のDRAMシステム。
【請求項１３】
前記制御論理手段が、前記メモリバスがアイドルであるとき、スキップされたターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドを発行するようにさらに動作可能である、請求項9に記載のDRAMシステム。
【請求項１４】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項9に記載のDRAMシステム。
【請求項１５】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムであって、
DRAMと、
前記ダイナミックランダムアクセスメモリに結合されるリフレッシュコントローラであり、column before row(CBR)カウンタを含むリフレッシュコントローラとを含み、前記リフレッシュコントローラが、
前記CBRカウンタの値に従って、前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの行で前記DRAMの開いたページを検出するための手段と、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるための手段と、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するための手段と、
リフレッシュ間隔タイマーに基づいてリフレッシュ期間が期限切れになったかどうかを判断するための手段と、
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合するとき、現在のリフレッシュ期間の間、新しいターゲットリフレッシュアドレスに対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするための手段と
を含む
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システム。
【請求項１６】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項15に記載のDRAMシステム。
【請求項１７】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
リフレッシュ間隔タイマーをリセットするステップと、
前記DRAMバンクの開いたサブアレイ内のDRAMバンクの開いた行で前記DRAMの開いたページを検出するステップと、
前記DRAMバンクのターゲットリフレッシュ行が前記DRAMバンクの前記開いたサブアレイ内にあるとき、前記DRAMバンクの前記ターゲットリフレッシュ行に対するリフレッシュコマンドの発行を遅延させるステップと、
新しいターゲットリフレッシュ行を選択するためにcolumn before row(CBR)カウンタを増分するステップと、
前記リフレッシュ間隔タイマーに基づいてリフレッシュ期間が期限切れになったかどうかを判断するステップと、
前記リフレッシュ期間が期限切れになったことを決定することに応答して、開いたサブアレイが前記新しいターゲットリフレッシュ行と競合するとき、現在のリフレッシュ期間の間、新しいターゲットリフレッシュアドレスに対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップと
を含む方法。
【請求項１８】
前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドの発行をスキップするステップと、
メモリバスがアイドルであるとき、前記ターゲットリフレッシュ行に対する前記リフレッシュコマンドを発行するステップと
をさらに含む、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記DRAMを、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定位置データユニットの中に統合するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
【国際調査報告】
2016526750.tif 000013
2016526750.tif 000014
2016526750.tif 000015