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【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出発地から目的地までのルートを検索するルート検索エンジンと、
前記ルート検索エンジンの検索結果に従って設定された設定ルートを示すルートデータを記憶するルート記憶部と、
移動体通信装置の位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、
前記位置情報取得手段が取得した前記移動体通信装置の位置情報を時系列に蓄積した位置履歴記憶部と、
前記位置履歴記憶部を参照して、前記移動体通信装置の移動速度を推定する移動速度推定手段と、
前記位置情報取得手段が取得した位置情報と前記ルート記憶部に記憶されているルートデータとを対比して、前記移動体通信装置が前記設定ルートに沿って移動しているか否かを判定するリルート要否判定手段と、
前記リルート要否判定手段によって前記移動体通信装置が前記設定ルートから外れていると判定されたとき、前記移動体通信装置の位置をリルート起点とするとともに、前記移動速度推定手段によって推定された前記移動体通信装置の移動速度に基づいて、前記移動体通信装置を搭載した車両が走行している道路種別が高速道または一般道のいずれであるかを特定するリルート起点特定手段と、を備え、
前記ルート検索エンジンは、前記リルート起点特定手段で特定されたリルート起点から、前記特定された道路種別を利用するルート検索を行うナビゲーションシステム。
【請求項２】
ルート案内サーバと通信可能な移動体通信装置であって、
前記ルート案内サーバによって設定された、出発地から目的地までのルートである設定ルートを示すルートデータを記憶するルート記憶部と、
前記移動体通信装置の位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、
前記位置情報取得手段が取得した前記移動体通信装置の位置情報を時系列に蓄積した位置履歴記憶部と、
前記位置履歴記憶部を参照して、前記移動体通信装置の移動速度を推定する移動速度推定手段と、
前記位置情報取得手段が取得した位置情報と前記ルート記憶部に記憶されているルートデータとを対比して、前記移動体通信装置が前記設定ルートに沿って移動しているか否かを判定するリルート要否判定手段と、
前記リルート要否判定手段によって前記移動体通信装置が前記設定ルートから外れていると判定されたとき、前記移動体通信装置の位置をリルート起点とするとともに、前記移動速度推定手段によって推定された前記移動体通信装置の移動速度に基づいて、前記移動体通信装置を搭載した車両が走行している道路種別が高速道または一般道のいずれであるかを特定するリルート起点特定手段と、
前記リルート起点特定手段で特定されたリルート起点、及び前記特定された道路種別を示す情報を含む、前記ルート案内サーバに対するルート検索要求を生成するルート検索要求手段と、を備える移動体通信装置。
【請求項３】
前記位置履歴記憶部を参照して、前記移動体通信装置を搭載した車両の移動方向を推定する移動方向推定手段をさらに備え、
前記ルート検索要求手段は、前記ルート検索要求に前記移動方向推定手段で推定された移動方向を示す情報をさらに含める、請求項２記載の移動体通信装置。
【請求項４】
地図データ記憶部と、
前記地図データ記憶部を参照して、前記リルート起点から所定距離内に高速道が存在するか否かを判定する高速道検索手段と、をさらに備え、
前記リルート起点特定手段は、さらに、前記高速道検索手段による判定結果に基づいて、前記リルート起点で走行している道路種別を特定する、請求項２または３に記載の移動体通信装置。
【請求項５】
移動体通信装置が行うリルート方法であって、
出発地から目的地までのルートとして設定された設定ルートを示すルートデータを記憶するステップと、
前記移動体通信装置の位置を示す位置情報を取得するステップと、
前記取得した前記移動体通信装置の位置情報を、位置履歴記憶部に時系列に蓄積するステップと、
前記取得した前記移動体通信装置の位置情報と前記ルートデータとを対比して、前記移動体通信装置が前記設定ルートに沿って移動しているか否かを判定するステップと、
前記位置履歴記憶部を参照して、前記移動体通信装置の移動速度を推定するステップと、
前記移動体通信装置が前記設定ルートから外れていると判定されたとき、前記移動体通信装置の位置をリルート起点として特定するとともに、前記推定された前記移動体通信装置の移動速度に基づいて、前記移動体通信装置を搭載した車両が走行している道路種別が高速道または一般道のいずれであるかを特定するステップと、
前記特定されたリルート起点、及び前記特定された道路種別に基づいて、リルート要求を行うステップと、を行うリルート方法。
【請求項６】
移動体通信装置が実行するためのコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムは、
出発地から目的地までのルートとして設定された設定ルートを示すルートデータを記憶するステップと、
前記移動体通信装置の位置を示す位置情報を取得するステップと、
前記取得した前記移動体通信装置の位置情報を、位置履歴記憶部に時系列に蓄積するステップと、
前記取得した前記移動体通信装置の位置情報と前記ルートデータとを対比して、前記移動体通信装置が前記設定ルートに沿って移動しているか否かを判定するステップと、
前記位置履歴記憶部を参照して、前記移動体通信装置の移動速度を推定するステップと、
前記移動体通信装置が前記設定ルートから外れていると判定されたとき、前記移動体通信装置の位置をリルート起点として特定するとともに、前記推定された前記移動体通信装置の移動速度に基づいて、前記移動体通信装置を搭載した車両が走行している道路種別が高速道または一般道のいずれであるかを特定するステップと、
前記特定されたリルート起点、及び前記特定された道路種別に基づいて、リルート要求を行うステップと、を前記移動体通信装置に実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の支持フランジ（２５）を有する圧力容器（１０）と、
前記圧力容器（１０）を取り囲み、前記圧力容器（１０）を支持するペデスタルブラケット（２０）と、
前記支持フランジ（２５）のそれぞれと前記ペデスタルブラケット（２０）との間にある滑り支持装置（３００）と、
を備え、
前記滑り支持装置（３００）のそれぞれが、前記圧力容器（１０）を半径方向に伸縮させるように構成され、
前記滑り支持装置（３００）のそれぞれが、
それぞれの支持フランジ（２５）に装着されるように構成された支点保持部（３１０）と、
前記支点保持部（３１０）に装着され、半径方向にほぼ垂直で、三角形の横断面と底面とを有する縦方向長さを有する支点支持部（３２０）と、
前記支点支持部（３２０）の前記縦方向長さとほぼ平行な長手方向長さを有するベースプレートブロック（３３０）と、
を備え、
前記ベースプレートブロック（３３０）は、縦方向の両端にある第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部および前記第２の端部の間にあり、前記第１の端部および前記第２の端部の高さよりも低い高さを有する中間部とを有し、
前記ベースプレートブロック（３３０）は、前記ペデスタルブラケット（２０）に装着されて、前記支点支持部（３２０）を支持し、
前記支点支持部（３２０）の前記底面は半径方向に前記ベースプレートブロック（３３０）の前記中間部の上面に沿ってスライド可能である、
システム。
【請求項２】
前記支点保持部（３１０）は溝（３１４）が形成された底面を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記溝（３１４）は第１の半径（Ｒ３１０）を有する請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記支点支持部（３２０）は、前記第１の半径（Ｒ３１０）とほぼ同一である半径（Ｒ３２０）を有する丸み付け上頂部を有する請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ベースプレートブロック（３３０）は、前記半径方向にほぼ垂直な縦方向長さを有し、その両端に第１の端部分および第２の端部分を有し、
前記第１の端部分は第１の高さ（ｈ１）を有し、第２の端部分（３３６）は第２の高さ（ｈ２）を有し、中央部分（３３４）が第３の高さ（ｈ３）を有する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
垂直運動抑制部（４００）を更に具備する請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
圧力容器の支持フランジ（２５）に装着されるように構成された支点保持部（３１０）と、
前記支点保持部（３１０）に装着され、三角形の横断面と底面とを有する縦方向長さを有する支点支持部（３２０）と、
前記支点支持部（３２０）の前記縦方向長さとほぼ平行な長手方向長さを有するベースプレートブロック（３３０）と、
を備え、
前記ベースプレートブロック（３３０）は、縦方向の両端にある第１の端部および第２の端部と、前記第１の端部および前記第２の端部の間にあり、前記第１の端部および前記第２の端部の高さよりも低い高さを有する中間部とを有し、
前記ベースプレートブロック（３３０）は、前記支点支持部（３２０）を支持し、
前記支点支持部（３２０）の前記底面は前記ベースプレートブロック（３３０）の前記中間部の上面に沿ってスライド可能であり、
前記支点支持部（３２０）は、前記支点支持部（３２０）の前記縦方向長さにほぼ垂直な方向にスライド可能である、
滑り支持装置（３００）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータリシャフト（３０）と、該ロータリシャフトに対して固定されたベアリングハウジング（８０）と、少なくとも１つの転がりベアリング（７０）とを有し、該転がりベアリングの内輪（７１）はロータリシャフト（３０）に堅固に固定されかつ転がりベアリングの外輪（７６）は前記ハウジング内でロータリシャフトの回転軸線に沿ってスライドできる構成のポンプ（１）において、前記ベアリングハウジング（８０）は、前記ベアリングの一方の側に配置されかつ前記回転軸線に沿う外輪（７６）の直線移動を確実に防止できるショルダ（８１）と、前記ベアリング（７０）の他方の側で前記ハウジングに固定された変形可能な弾性装置（１００）とを有し、前記ベアリングが前記ショルダと前記弾性装置との間に配置されていることを特徴とするポンプ（１）。
【請求項２】
逆方向に運転されるとき、前記弾性装置（１００）は、前記外輪（７６）が、前記ロータリシャフト（３０）に取付けられたコンポーネントの一部が前記ハウジング（８０）に当って摩擦するようになるまで回転軸線に沿って移動することを防止できることを特徴とする請求項１記載のポンプ（１）。
【請求項３】
前記弾性装置（１００）は、スチフネスｋ１の第一弾性要素（１１０）と、ｋ１より大きいスチフネスｋ２の第二弾性要素（１２０）とを有し、該第二弾性要素（１２０）は、第一弾性要素が前記ベアリング（７０）と第二弾性要素との間に配置されるようにして前記第一弾性要素に対して配置され、第二弾性要素は、前記外輪（７６）と前記ショルダ（８１）との間の距離が或る値より小さい値に留まっている限りは、いかなる力をも前記外輪（７６）に加えることがないことを特徴とする請求項１または２記載のポンプ（１）。
【請求項４】
通常作動時には、スチフネスｋ１の前記第一弾性要素（１１０）は、前記ベアリング（７０）の寿命を延ばす力を前記外輪（７６）に加えるように設計されていることを特徴とする請求項３記載のポンプ（１）。
【請求項５】
前記第一弾性要素（１１０）と第二弾性要素（１２０）との間に機能的クリアランスが存在することを特徴とする請求項２から４のいずれか１項記載のポンプ（１）。
【請求項６】
前記ロータリシャフト（３０）に連結された前記コンポーネントは遠心インペラ（６０）であり、前記ロータリシャフトに連結されたコンポーネントの一部は、前記遠心インペラの１つの面（６４）に設けられたインペラリブ（６５）であり、前記インペラリブ（６５）に対面するハウジング（８０）の一部は、前記ハウジングの１つの面（８４）に設けられたリブ（８５）であることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項記載のポンプ。
【請求項７】
前記インペラリブ（６５）と、前記ハウジング（８０）の１つの面（８４）に設けられた前記リブ（８５）とは、協働して、前記ロータリシャフト（３０）のアキシャルバランシングに使用される環状通路（９０）を形成することを特徴とする請求項６記載のポンプ（１）。
【請求項８】
前記第一弾性要素（１１０）および第二弾性要素（１２０）は、これらの外端部（１１２、１２２）がファスナにより前記ハウジング（８０）に固定された環状ワッシャであり、該ワッシャの内端部（１１４、１２４）は、前記ロータリシャフト（３０）の回転軸線の方向に自由に曲げ変形できることを特徴とする請求項３から７のいずれか１項記載のポンプ（１）。
【請求項９】
プッシャ（２００）が、前記第一弾性要素（１１０）と前記転がりベアリング（７０）の外輪（７６）との間に配置され、スチフネスｋ１の前記第一弾性要素（１１０）は、外輪に対して前記プッシャを確実に押付けることができ、これにより、ポンプが通常運転されるときは、プッシャ（２００）が、前記ベアリング（７０）の寿命を延ばす力を前記外輪に加えることができることを特徴とする請求項３から８のいずれか１項記載のポンプ（１）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
ロータリシャフト３０には、２つのボールベアリング、すなわちモータ４０より下の下方ベアリング７０、およびモータ４０より上の上方ベアリング１７０が取付けられている。図２に示すように、下方ベアリング７０の内輪７１はロータリシャフト３０に堅固に固定されており、外輪７６は、該外輪７６がベアリングハウジング８０に対して軸線方向にスライドできかつ回転できるように、ベアリングハウジング８０内に収容されている（ロータリシャフト３０が回転するとき、ハウジング８０は回転しない）。ハウジング８０自体は、ポンプ１の外側ケーシング５に固定されている。従って、下方ベアリング７０の外輪７６は、該外輪７６が取付けられたハウジング８０内で直線運動することができる。空にすべきリザーバ内では、ポンプ１（従ってロータリシャフト３０）は垂直でありかつ流体を上方に駆動する。モータ４０従ってロータリシャフト３０が回転していないときは、下方ベアリング７０の外輪７６の下面がハウジング８０の水平ショルダ８１上に載置され、この水平ショルダ８１が、下方ベアリング７０を介して、ロータリシャフト３０の重量を垂直方向に支持する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
シーラントは、和Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏによってもたらされるアルカリ成分が乏しく、そしてＢａＯがない。シーラントのアルカリ含有率が低い（≦２重量％）のが望ましい、と言うのは、シーラントのアルカリ含有率が低いことが導電率低くすること確実にするからである。その上に、有意の量アルカリ元素は、クロムベースの合金で作られるインターコネクトのＣｒ−リッチなオキサイド薄片に、融点７９２℃を有するＮａ２ＣｒＯ４、融点９７６℃を有するＫ２ＣｒＯ４、または最低融点７５２℃を有する（Ｎａ，Ｋ）２ＣｒＯ４を形成することにより、腐食性である。これらの成分は、８００℃で可動性になりそしてこの温度で作動する時に、導電性になる。その上、アルカリは、ガラスの軟化温度を低下させる傾向にあるので、８００℃に一層近い温度で作動させるためには、ガラスシーラント中のＮａ２ＯまたはＫ２Ｏを一層多くすることが必要になり得る。従来技術においてＴＥＣを増大させるのに使用されたアルカリ土類ＢａＯもまた、ＢａＣｒＯ４を形成するＣｒ−オキサイド薄片に腐食性になり得、脱離クラックを発生し得る。
本発明の別の実施態様では、工程（ａ）におけるガラスシーラントをグラスファイバーのシートとして供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月26日(2012.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電デバイス、負極
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の突起を有する第１の導電体を有し、
表面に第２の突起を有する第２の導電体を有し、
前記第１の突起の先端に接する部分を有する第１の絶縁体を有し、
前記第２の突起の先端に接する部分を有する第２の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体の接する部分と前記第１の導電体と接する部分とを有する第１の活物質層を有し、
前記第２の絶縁体の接する部分と前記第２の導電体と接する部分とを有する第２の活物質層を有し、
前記第１の活物質層と前記第２の活物質層との間にセパレータを有し、
前記セパレータは、前記第１の絶縁体と重なる部分を有し、
前記セパレータは、前記第２の絶縁体と重なる部分を有し、
前記第１の突起を複数有し、
前記第２の突起を複数有し、
前記第１の絶縁体を複数有し、
前記第２の絶縁体を複数有することを特徴とする蓄電デバイス。
【請求項２】
チタン材を有し、
前記チタン材と接する部分を有するシリコン材を有し、
前記チタン材は、剣山のような形状を有することを特徴とする負極。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極と、
前記ソース電極と、前記酸化物半導体層との間の第１のバッファ層と、
前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体層との間の第２のバッファ層と、
前記酸化物半導体層上の第３のバッファ層と、を有し、
前記第３のバッファ層は、前記第１のバッファ層よりも酸素濃度が高い領域を有し、
前記第３のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも酸素濃度が高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のバッファ層と接する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のバッファ層と接する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第３のバッファ層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のバッファ層は、チタンを有し、
前記第２のバッファ層は、チタンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソース電極は、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、又はスカンジウムを有し、
前記ドレイン電極は、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、又はスカンジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、マンガンを含有した鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの含有量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、前記マンガンを含有した鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下であることを特徴とする強誘電体材料。
【請求項２】
前記マンガンの含有量が鉄およびマンガンの合計量に対して１ａｔ．％以上５ａｔ．％以下であることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体材料。
【請求項３】
前記銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、前記マンガンを含有した鉄酸ビスマスに対して１モル％以上５モル％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の強誘電体材料。
【請求項４】
前記マンガンが四価のマンガンを含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の強誘電体材料。
【請求項５】
前記金属酸化物が多結晶体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の強誘電体材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の強誘電体材料からなることを特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項７】
前記強誘電体材料を膜表面から観測したときの結晶粒の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の強誘電体薄膜。
【請求項８】
膜厚が５０ｎｍ以上４０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の強誘電体薄膜。
【請求項９】
金属酸化物からなる強誘電体材料の製造方法であって、前記金属酸化物は、マンガンを含有した鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの含有量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、前記鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下であり、前記強誘電体材料は薄膜であり、ビスマス、鉄、マンガン、銅および／またはニッケルの金属塩の混合溶液を用いて化学溶液堆積法により薄膜を形成することを特徴とする金属酸化物からなる強誘電体材料の製造方法。
【請求項１０】
前記金属塩が２−エチルヘキサン酸塩である請求項９記載の強誘電体材料の製造方法。
【請求項１１】
前記金属塩の混合溶液における鉄とマンガンの合計量と、ビスマスの含有量の差異が１ａｔ．％以下である請求項９記載の強誘電体材料の製造方法。
【請求項１２】
前記化学溶液堆積法が多層コーティングによるものであり、１層あたりのコーティング膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である請求項９記載の強誘電体材料の製造方法。
【請求項１３】
強誘電体薄膜と、該強誘電体薄膜に接して設けられた一対の電極とを基板上に有する強誘電体素子であって、前記強誘電体薄膜が請求項６〜８のいずれか一項に記載の強誘電体薄膜であることを特徴とする強誘電体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面に設けられた半導体層と、
前記半導体層の少なくとも一部に設けられた炭化物半導体を含む領域と、
前記炭化物半導体を含む領域上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
第１の電極と、
第２の電極と、
を有し、
前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、
前記第２の領域は、前記第１の領域の内側であって前記ゲート電極の略外側に設けられ、
前記第３の領域は、少なくとも前記第１の領域の下に設けられ、
前記第３の領域は、一導電型を有し、
前記第１の領域は、前記一導電型とは逆の導電型を有し、
前記第２の領域は、前記一導電型と同じ導電型を有し、
前記第１の電極は、前記第１の領域及び前記第２の領域と接して設けられ、
前記第２の電極は、前記半導体層と接して設けられ、
前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられ、
前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面の少なくとも一部に設けられた炭化物半導体を含む領域と、
前記炭化物半導体を含む領域上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
第１の電極と、
第２の電極と、
を有し、
前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と少なくとも一部が重なるように設けられ、
前記第２の領域は、前記第１の領域の内側であって前記ゲート電極の略外側に設けられ、
前記第３の領域は、少なくとも前記第１の領域の下に設けられ、
前記第３の領域は、一導電型を有し、
前記第１の領域は、前記一導電型とは逆の導電型を有し、
前記第２の領域は、前記一導電型と同じ導電型を有し、
前記第１の電極は、前記第１の領域及び前記第２の領域と接して設けられ、
前記第２の電極は、前記半導体基板の一方の面とは反対側の面に設けられ、
前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられ、
前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含んで設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能することができる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
一導電型を有する半導体層を、炭化物気体を含む雰囲気中で加熱して、該半導体層の少なくとも表層部に炭化物半導体を含む領域を形成し、
前記半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を有する第１の領域を形成し、
前記第１の領域の内側に前記一導電型と同じ導電型を有する第２の領域を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、
前記第２の領域の一部及び前記第１の領域の一部と接する第１の電極を形成し、
前記半導体層と接する第２の電極を形成し、
前記ゲート電極は、前記第１の領域と少なくとも一部が重なるように形成し、
前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成し、
前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
一導電型を有する半導体基板を、炭化物気体を含む雰囲気中で加熱して、該半導体基板の一面の表層部に炭化物半導体を含む領域を形成し、
前記半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を有する第１の領域を形成し、
前記第１の領域の内側に前記一導電型と同じ導電型を有する第２の領域を形成し、
前記半導体基板上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、
前記第２の領域の一部及び前記第１の領域の一部と接する第１の電極を形成し、
前記半導体基板の一面とは反対側の面と接する第２の電極を形成し、
前記ゲート電極は、前記第１の領域と少なくとも一部が重なるように形成し、
前記第１の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成し、
前記第２の領域は、前記炭化物半導体を含む領域を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１スルーホールと前記第１スルーホール内に形成された第１貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第１シリコン基板と、
前記第１シリコン基板の上に接着樹脂層を介して積層され、第２スルーホールと、前記第２スルーホール内に前記第１貫通導体部と位置合わせされて形成された第２貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第２シリコン基板と、
前記第１シリコン基板の両面と、前記第１スルーホールの内面とに形成された第１絶縁層と、
前記第２シリコン基板の両面と、前記第２スルーホールの内面とに形成された第２絶縁層とを有し、
前記接着樹脂層は、第１シリコン基板上の前記第１貫通導体部を除く領域から前記第２スルーホールの内面と前記第２貫通導体部との間に形成されており、
前記第１貫通導体部と前記第２貫通導体部とにより貫通電極が一体的に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
第１スルーホールと前記第１スルーホール内に形成された第１貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第１シリコン基板と、
前記第１シリコン基板の上に接着樹脂層を介して積層され、第２スルーホールと、前記第２スルーホール内に前記第１貫通導体部と位置合わせされて形成された第２貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第２シリコン基板と、
前記第１シリコン基板の両面と、前記第１スルーホールの内面とに形成された第１絶縁層と、
前記第２シリコン基板の両面と、前記第２スルーホールの内面とに形成された第２絶縁層とを有し、
前記接着樹脂層は、前記第１シリコン基板上の前記第１貫通導体部を除く領域に形成されており、
前記第２貫通導体部は、前記第２スルーホール内で前記第２絶縁層と接触し、かつ前記第２スルーホールの下端部で前記接着樹脂層に接触しており、
前記第１貫通導体部と前記第２貫通導体部とにより貫通電極が一体的に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記第２シリコンウェハの上面に、前記第２貫通導体部の上に配線層を介してバンプ電極が形成されており、
前記第１シリコンウェハの下面に、前記第１貫通導体部の上に配線層を介して外部接続端子が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
第１シリコンウェハに、厚み方向に貫通する第１スルーホールを形成する工程と、
前記第１シリコンウェハの両面と、前記第１スルーホールの内面とに第１絶縁層を形成する工程と、
電解めっきにより前記第１スルーホールに第１貫通導体部を形成する工程と、
電解めっきにより前記第１貫通導体部の上に金属ポストを形成する工程と、
前記第１シリコンウェハ上の前記第１貫通導体部を除く領域に接着樹脂層を形成する工程と、
前記金属ポストに対応する第２スルーホールと、両面及び前記第２スルーホールの内面に形成された第２絶縁層とを備えた第２シリコンウェハを用意し、前記第２スルーホール内に前記金属ポストを挿入した状態で、前記第２シリコンウェハを前記第１シリコンウェハの上に前記接着樹脂層によって接着する工程とを有し、
前記第２スルーホールの内面と前記金属ポストとの隙間に前記接着樹脂層が流動して充填されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
第１シリコンウェハに、厚み方向に貫通する第１スルーホールを形成する工程と、
電解めっきにより前記第１スルーホールに第１貫通導体部を形成する工程と、
前記第１シリコンウェハ上の前記第１貫通導体部を除く領域に接着樹脂層を形成する工程と、
第２スルーホールと、両面及び前記第２スルーホールの内面に形成された第２絶縁層とを備えた第２シリコンウェハを用意し、前記第２スルーホールを前記第１貫通導体部の上に配置した状態で前記第２シリコンウェハを前記第１シリコンウェハの上に前記接着樹脂層によって接着する工程と、
前記第２シリコンウェハの第２スルーホール内に、電解めっきにより前記第１貫通導体部に接続される第２貫通導体部を形成して、貫通電極を得る工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２シリコンウェハを前記第１シリコンウェハの上に前記接着樹脂層によって接着する工程の後に、
前記第２シリコンウェハの上面に、前記第２貫通導体部の上に配線層を介してバンプ電極を形成する工程と、
前記第２シリコンウェハの下面に、前記第１貫通導体部の上に配線層を介して外部接続端子を形成する工程とを有することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通電極を得る工程の後に、
前記第２シリコンウェハの上面に、前記第２貫通導体部の上に配線層を介してバンプ電極を形成する工程と、
前記第２シリコンウェハの下面に、前記第１貫通導体部の上に配線層を介して外部接続端子を形成する工程とを有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、第１スルーホールと前記第１スルーホール内に形成された第１貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第１シリコン基板と、前記第１シリコン基板の上に接着樹脂層を介して積層され、第２スルーホールと、前記第２スルーホール内に前記第１貫通導体部と位置合わせされて形成された第２貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第２シリコン基板と、前記第１シリコン基板の両面と、前記第１スルーホールの内面とに形成された第１絶縁層と、前記第２シリコン基板の両面と、前記第２スルーホールの内面とに形成された第２絶縁層とを有し、前記接着樹脂層は、第１シリコン基板上の前記第１貫通導体部を除く領域から前記第２スルーホールの内面と前記第２貫通導体部との間に形成されており、前記第１貫通導体部と前記第２貫通導体部とにより貫通電極が一体的に形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記半導体層と重なる領域を有し、
前記半導体層と、前記第１の導電層との間には、前記第１の絶縁層が設けられ、
前記第１の導電層と、前記第２の導電層との間には、前記第２の絶縁層が設けられ、
前記第１の導電層は、第１のゲート電極となることができる機能を有し、
前記第２の導電層は、第２のゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の導電層と重なる領域であり、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層を介して、前記第１の導電層と重なる領域であり、
前記第３の領域は、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層と重なり、且つ、前記第１の導電層と重ならない領域であり、
前記第２の領域は、前記半導体層の端部のうちの一部分を有し、
前記第３の領域は、前記半導体層の端部のうちの、前記一部分以外の部分を有し、
前記第３の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記第３の導電層と前記半導体層とが接する領域は、前記第３の領域に挟まれるように設けられ、
前記第４の導電層と前記半導体層とが接する領域は、前記第３の領域に挟まれるように設けられ、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層は、酸素と珪素とを含む層、酸素と窒素と珪素とを含む層、金属の酸化物を含む層、または金属の窒化物を含む層であり、
前記第２の層は、酸素と珪素とを含む層、酸素と窒素と珪素とを含む層、金属の酸化物を含む層、または金属の窒化物を含む層であり、
前記第３の層は、酸素と珪素とを含む層、酸素と窒素と珪素とを含む層、金属の酸化物を含む層、または金属の窒化物を含む層であり、
前記半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記半導体層と重なる領域を有し、
前記半導体層と、前記第１の導電層との間には、前記第１の層が設けられ、
前記第１の導電層と、前記第２の導電層との間には、前記第２の層が設けられ、
前記第１の導電層は、第１のゲート電極となることができる機能を有し、
前記第２の導電層は、第２のゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の層を介して前記第１の導電層と重なる領域であり、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の層及び前記第３の層を介して、前記第１の導電層と重なる領域であり、
前記第３の領域は、前記第１の層及び前記第３の層と重なり、且つ、前記第１の導電層と重ならない領域であり、
前記第２の領域は、前記半導体層の端部のうちの一部分を有し、
前記第３の領域は、前記半導体層の端部のうちの、前記一部分以外の部分を有し、
前記第３の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記第３の導電層と前記半導体層とが接する領域は、前記第３の領域に挟まれるように設けられ、
前記第４の導電層と前記半導体層とが接する領域は、前記第３の領域に挟まれるように設けられ、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造工程において回収される、焼成されたセラミックス体を再生原料として用い、チタン酸アルミニウム系セラミックス体を製造する方法であって、
（ｉ）前記焼成されたセラミックス体から平均粒子径１００μｍ以下の粉砕物を得る工程と、
（ｉｉ）前記粉砕物と水とを含む再生粘土を調製する工程と、
（ｉｉｉ）前記再生粘土を成形して成形体を得る工程と、
（ｉｖ）前記成形体を焼成する工程と、を含み、
前記焼成されたセラミックス体は、チタン酸アルミニウム系結晶構造を含み、
前記焼成されたセラミックス体は、マグネシウム元素をさらに含み、
前記粉砕物は、レーザ回折法により測定される粒径分布において、下記式（１）を満たす、チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造方法。
Ｄ９０／Ｄ１０≦８          （１）
（式中、Ｄ９０は体積基準の累積百分率９０％相当粒子径であり、Ｄ１０は体積基準の累積百分率１０％相当粒子径である。）
【請求項２】
前記焼成されたセラミックス体は、ケイ素元素をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記平均粒子径１００μｍ以下の粉砕物を得る工程（ｉ）は、前記焼成されたセラミックス体を粉砕および分級する工程を含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記分級は、篩別により行なわれる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記粉砕物の平均粒子径は、１０〜５０μｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記再生粘土は、バインダー、潤滑剤および造孔剤からなる群から選択されるいずれか１種以上の成分をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記再生粘土は、チタン酸アルミニウム系セラミックス粉末および／または焼成によりチタン酸アルミニウム系セラミックスに導かれるセラミックス粉末混合物からなる新原料をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末は、マグネシウム元素を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末は、ケイ素元素を含む請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記新原料を構成するセラミックス粉末混合物は、アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含む請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記新原料を構成するセラミックス粉末混合物は、マグネシウム源粉末をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記新原料を構成するセラミックス粉末混合物は、ケイ素源粉末をさらに含む請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ケイ素源粉末は、長石あるいはガラスフリット、またはそれらの混合物からなる粉末である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末および／またはセラミックス粉末混合物に含まれるセラミックス粉末の平均粒子径は、１００μｍ以下である請求項７〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記成形体を焼成する工程（ｉｖ）における焼成温度は、１３００℃以上１６５０℃未満である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造工程において回収される、未焼成の再生原料を用いて、チタン酸アルミニウム系セラミックス体を製造する方法であって、
（ｉ）前記未焼成の再生原料から直径１ｍｍ以下の粉砕物を得る工程と、
（ｉｉ）前記粉砕物と水とを含む再生粘土を調製する工程と、
（ｉｉｉ）前記再生粘土を成形して成形体を得る工程と、
（ｉｖ）前記成形体を焼成する工程と、
を含み、
前記直径１ｍｍ以下の粉砕物を得る工程（ｉ）は、前記未焼成の再生原料を粉砕および／または分級する工程を含み、
前記分級は、篩別により行なわれ、
前記未焼成の再生原料または前記粉砕物は、１３００℃未満の温度で熱処理されたものである、チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造方法。
【請求項２】
前記未焼成の再生原料は、未焼成の成形体もしくはその破片、または焼成温度に至るまでの昇温を途中で停止した中間物である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粉砕物の直径は、２００μｍ以下である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記未焼成の再生原料または前記粉砕物は、１体積％以上の酸素を含む雰囲気下または、１体積％以上の酸素を含む酸素含有ガスの気流下で熱処理されたものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記未焼成の再生原料または前記粉砕物は、その水分量が５質量％以下となるように熱処理されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
熱処理温度が１５０℃未満である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記再生粘土を調製する工程（ｉｉ）は、前記粉砕物に、少なくとも水を加えて混練する工程を含む請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記未焼成の再生原料または前記粉砕物は、その強熱減量が５質量％以下となるように熱処理されたものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
熱処理温度が３００℃以上、１０００℃未満である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記再生粘土を調製する工程（ｉｉ）は、前記粉砕物に、少なくとも水と、バインダー、潤滑剤および造孔剤からなる群から選択されるいずれか１種以上の成分とを加えて混練する工程を含む請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記未焼成の再生原料は、チタン酸アルミニウム系セラミックスおよび／または焼成によりチタン酸アルミニウム系セラミックスに導かれる混合物からなる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記チタン酸アルミニウム系セラミックスは、アルミニウム元素およびチタニウム元素を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チタン酸アルミニウム系セラミックスは、マグネシウム元素をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記チタン酸アルミニウム系セラミックスは、ケイ素元素をさらに含む請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記混合物は、アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含む請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記混合物は、マグネシウム源粉末をさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記混合物は、ケイ素源粉末をさらに含む請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ケイ素源粉末は、長石あるいはガラスフリット、またはそれらの混合物からなる粉末である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記再生粘土は、バインダー、潤滑剤および造孔剤からなる群から選択されるいずれか１種以上の成分をさらに含む請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記再生粘土は、チタン酸アルミニウム系セラミックス粉末および／または焼成によりチタン酸アルミニウム系セラミックスに導かれる粉末混合物からなる新原料をさらに含む請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末は、アルミニウム元素およびチタニウム元素を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末は、マグネシウム元素をさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末は、ケイ素元素をさらに含む請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記新原料を構成する粉末混合物は、アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含む請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記新原料を構成する粉末混合物は、マグネシウム源粉末をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記新原料を構成する粉末混合物は、ケイ素源粉末をさらに含む請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ケイ素源粉末は、長石あるいはガラスフリット、またはそれらの混合物からなる粉末である請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記新原料を構成するチタン酸アルミニウム系セラミックス粉末および／または粉末混合物に含まれる粉末の平均粒子径は、１００μｍ以下である請求項２０〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記成形体を焼成する工程（ｉｖ）における焼成温度は、１３００℃以上１６５０℃未満である請求項１〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向していることを特徴とするセラミクス。
【化１】
2010254560.tif 000001
（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。）
【請求項２】
擬立方晶の表示で｛１１０｝面のロットゲーリングファクタＦが１０％以上１００％以下であることを特徴とする、請求項１記載のセラミクス。
【請求項３】
前記セラミクスの厚みは５０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２記載のセラミクス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミクスと、前記セラミクスに設けられた一対の電極を有することを特徴とする圧電素子。
【請求項５】
前記電極が擬立方晶の表示で｛１１０｝配向面に沿って設けられていることを特徴とする、請求項４記載の圧電素子。
【請求項６】
下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクス粉末を含むセラミクススラリーを得るスラリー工程と、
前記セラミクススラリーを磁場中で成形して配向したセラミクス成形体を得る配向工程と、
前記セラミクス成形体を焼成してセラミクス焼結体を得る焼成工程と、
前記セラミクス焼結体を挟持して一対の電極を形成する電極形成工程と、
を有し、
前記スラリー工程のセラミクス粉末にはＢｉＦｅＯ３が３０ｍｏｌ％以上、固溶または混合されていることを特徴とする、圧電素子の製造方法。
【化２】
2010254560.tif 000002
（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するセラミクスは、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題を解決する圧電素子は、上記のセラミクスと、前記セラミクスに設けられた一対の電極を有することを特徴とする。
また、上記の課題を解決する圧電素子の製造方法は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクス粉末を含むセラミクススラリーを得るスラリー工程と、前記セラミクススラリーを磁場中で成形して配向したセラミクス成形体を得る配向工程と、前記セラミクス成形体を焼成してセラミクス焼結体を得る焼成工程と、前記セラミクス焼結体を挟持して一対の電極を形成する電極形成工程とを有し、前記スラリー工程のセラミクス粉末にはＢｉＦｅＯ３が３０ｍｏｌ％以上、固溶または混合されていることを特徴とする圧電素子の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複素環化合物、及び発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物。
【化１】
2010254681.tif 000001
（式中、Ａｒ１は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｒ２１〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ａは下記の一般式（Ｓ１−１）乃至（Ｓ１−３）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が結合してカルバゾール環を形成しても良い。）
【化２】
2010254681.tif 000002
（一般式（Ｓ１−１）乃至（Ｓ１−３）において、Ｒ５１〜Ｒ６４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物。
【化３】
2010254681.tif 000003
（式中、Ａｒ１は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｒ２１〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ａは下記の構造式（Ｓ２−１）、構造式（Ｓ２−２）、又は一般式（Ｓ３−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が結合してカルバゾール環を形成しても良い。）
【化４】
2010254681.tif 000004
【化５】
2010254681.tif 000005
（式中、Ｒ６５は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項３】
下記一般式（Ｇ２）で表される複素環化合物。
【化６】
2010254681.tif 000006
（式中、Ａｒ１は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｒ２１〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ａは下記の構造式（Ｓ２−１）、構造式（Ｓ２−２）、又は一般式（Ｓ３−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が結合してカルバゾール環を形成しても良い。）
【化７】
2010254681.tif 000007
【化８】
2010254681.tif 000008
（式中、Ｒ６５は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項４】
下記一般式（Ｇ３）で表される複素環化合物。
【化９】
2010254681.tif 000009
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ４１〜Ｒ４５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｒ２１〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は、置換又は無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。また、Ａは下記の構造式（Ｓ２−１）、構造式（Ｓ２−２）、又は一般式（Ｓ３−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が結合してカルバゾール環を形成しても良い。）
【化１０】
2010254681.tif 000010
【化１１】
2010254681.tif 000011
（式中、Ｒ６５は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項５】
下記一般式（Ｇ４）で表される複素環化合物。
【化１２】
2010254681.tif 000012
（式中、Ａは下記の構造式（Ｓ２−１）、構造式（Ｓ２−２）、又は一般式（Ｓ３−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が結合してカルバゾール環を形成しても良い。）
【化１３】
2010254681.tif 000013
【化１４】
2010254681.tif 000014
（式中、Ｒ６５は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の複素環化合物を含む発光層を備えた発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の複素環化合物と発光物質とを含む発光層を備えた発光素子。