【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ材料の製造方法であって、前記ＧａＮ材料の製造方法は、自身のフェースに２ｃｍ2を超える大面積を有するＧａＮ材料を基板上に形成する気相成長法を用い、
前記気相成長法が（Ｉ）ピット化成長条件下で気相成長技術によって、前記ＧａＮ材料を前記基板に成長させて、各々が２５μｍを超える少なくとも１つの横寸法を有する複数のピットを形成する１つまたは複数のステップを含む第１成長段階と、（ＩＩ）前記ＧａＮ材料の成長表面においてピットのクロージャおよび欠陥の消滅を達成するピット充填条件下で、前記気相成長技術によって前記ＧａＮを成長させる１つまたは複数のステップを含む第２成長段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ材料の製造方法。
【請求項２】
前記第１成長段階が、前記ＧａＮ材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１成長段階が、前記ＧａＮ材料の成長表面の少なくとも９０％にわたってピットを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１成長段階の終了時における成長表面のピット密度が少なくとも１００ピット／ｃｍ2である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２成長段階が、成長表面が本質的にピットのない表面を含むまで継続される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１成長段階の終了時に、成長表面に形成されたピットの平均サイズが５０μｍを超えている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記気相成長技術がＨＶＰＥを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２成長段階が、前記第１成長段階で生成された前記ピットの充填をもたらす第１ステージの成長条件と、続いて、前記ＧａＮ材料のｃ面上に優先的な成長をもたらす第２ステージの成長条件とを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
一連の成長条件が徐々に遷移する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１成長段階と前記第２成長段階がともにアンモニアフローを含み、前記第２成長段階が、前記第１成長段階よりも高い成長温度および／または低いアンモニア流量を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１成長段階と前記第２成長段階がともにアンモニアと塩化水素のフローを含み、前記第２成長段階が、前記第１成長段階よりも塩化水素に対して低いアンモニアフロー比を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ドーパント種で前記ＧａＮ材料をドープすることをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＧａＮ材料が１５ｃｍ2を超える大面積を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２成長段階の終了時における前記ＧａＮ材料が１×１０6ｃｍ-2を超えない転位密度を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＧａＮ材料がヘテロエピタキシャル基板上に成長し、前記ヘテロエピタキシャル基板が、サファイア、炭化ケイ素、ガリウム砒素、シリコン、没食子酸リチウム、アルミン酸リチウム、没食子酸リチウムアルミニウム、酸化亜鉛、ダイヤモンド、スピネルおよび酸化マグネシウムからなる群から選択される材料を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＧａＮ材料から前記ヘテロエピタキシャル基板を除去することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記成長ステップの終わりにおける、成長温度から１００℃内の温度での基板のインサイチュエッチングと、前記基板の機械研削と、前記基板の化学研削と、からなる群から選択される除去技術によって、前記ヘテロエピタキシャル基板が前記ＧａＮ材料から除去される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
２ｃｍ2を超える面積を有し、３×１０6ｃｍ-2を超えない転位密度を有し、５０％未満のＤＤＳＤＲを有する自立ＧａＮウエハであって、
該自立ＧａＮウエハは、表面に沿って、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域を含み、
該より高い不純物濃度を有する各領域は、少なくとも１つの２５μｍを超える横寸法を持つ、自立ＧａＮウエハ。
【請求項１９】
ピット形成およびピット充填成長ステップの多数のサイクルによって形成され、自身のフェースに２ｃｍ2を超える大面積を有する単結晶ＧａＮ材料であって、
前記単結晶ＧａＮ材料は、ピット形成およびピット充填成長ステップの最初のサイクルによって形成された第１の成長表面を有していて、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域が、第１の成長表面の表面積の少なくとも５０％を占めており、
前記単結晶ＧａＮ材料は、最初のサイクルの後に行われる、ピット形成およびピット充填成長ステップのサイクルによって形成された第２の成長表面を有していて、前記第２の成長表面をＣＭＰ仕上げした際に第２の成長表面の面積の１０％未満の凹エリアを含む、単結晶ＧａＮ材料。
【請求項２０】
５０％未満のＤＤＳＤＲを有する、請求項１９に記載の材料。
【請求項２１】
少なくとも２インチの直径を有する、請求項１９または２０に記載の材料。
【請求項２２】
請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の材料を成長後処理ステップにさらして得られるウエハであって、該ウエハ表面の凹エリアが全体的なウエハ表面積の１０％未満であるウエハ。
【請求項２３】
請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の材料を含む物品。
【請求項２４】
ＧａＮ材料の製造方法であって、
前記ＧａＮ材料の製造方法は、自身のフェースに２ｃｍ2を超える大面積を有する単結晶ＧａＮ材料を基板上に形成するための成長リアクタを利用する気相成長プロセスを含み、
前記プロセスは、各サイクルはそれぞれ第１段階の成長と第２段階の成長を含み、最初のサイクルとその後に行う少なくとも１つのサイクルを含み
第１段階の成長は、ピット化成長条件下で気相成長技術によって、ＧａＮ材料を前記基板に成長させる１つまたは複数のステップを含み、
第２段階の成長は、前記ＧａＮ材料の成長表面においてピットのクロージャおよび欠陥の消滅を達成するピット充填条件下で、前記気相成長技術によって前記ＧａＮ材料を成長させる１つまたは複数のステップを含み、
前記第１段階の成長および前記第２段階の成長のいずれもが、前記成長リアクタへのアンモニアおよび塩化水素のいずれものフローを含み、前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長よりも、塩化水素に対して低いアンモニアフロー比を含み、
前記ＧａＮ材料の製造方法は、その後に行うサイクルにより形成されたＧａＮ材料の第２の成長表面を、凹エリアが第２の成長表面の面積の１０％未満となるようにＣＭＰ仕上げプロセスにより仕上げることを含み、
最初のサイクルによって形成される第１の成長表面は、下記（ａ）および（ｂ）のいずれかの特徴を有する、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域を含む、ＧａＮ材料の製造方法。
（ａ）前記第１の成長表面には、より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域が、第１の成長表面の表面積の少なくとも１００領域／ｃｍ2で含まれている。
（ｂ）より高い不純物濃度を有する複数の区別できる領域が、前記第１の成長表面の表面積の少なくとも５０％を占めている。