【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブマウントと、
前記サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで実装された半導体レーザとを備え、
前記半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有し、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記半導体積層構造との間において前記電極の周りを囲むように高融点金属膜又は高融点誘電体膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体積層構造には、前記電極の周りを囲むように溝が形成され、
前記溝の内部を前記高融点金属膜又は前記高融点誘電体膜が覆っており、
前記高融点金属膜は、前記半導体積層構造とオーミック接合していないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
サブマウントと、
前記サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで実装された半導体レーザとを備え、
前記半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有し、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記半導体積層構造との間において前記電極の周りを囲むようにメタルパッドが配置され、
前記電極の構成材料が前記半田中に拡散して第１の合金層が形成され、
前記メタルパッドの構成材料が前記第１の合金層中に拡散して第２の合金層が形成され、
前記第２の合金層の融点は、前記半田の融点よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
サブマウントと、
前記サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで実装された半導体レーザとを備え、
前記半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有し、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記電極との間において前記電極の外周に金属膜が配置され、
前記電極の構成材料が前記半田中に拡散して第１の合金層が形成され、
前記金属膜の構成材料が前記第１の合金層中に拡散して第２の合金層が形成され、
前記第２の合金層の融点は、前記半田の融点よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
サブマウントと、
前記サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで実装された半導体レーザとを備え、
前記半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有し、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記電極の周りを囲むように前記サブマウントに溝が形成され、
金属層が前記溝内に形成され、
前記溝内に流れ込んだ前記半田中に前記金属層の構成材料が拡散して金属間化合物が形成され、
前記金属間化合物の融点は、前記半田の融点よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
サブマウントと、
前記サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで実装された半導体レーザとを備え、
前記半導体レーザは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有し、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記電極の周りを囲むように前記サブマウントに、前記半田の流動性を向上させる誘引材料が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記誘引材料は、前記半田と同じ物質、前記半田の構成物質、フラックス、又は前記半田と合金化すると融点が下がる金属材料であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電極の周りを囲むように前記サブマウントに溝が形成され、
前記溝の内側の側面に前記誘引材料が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有する半導体レーザを準備する工程と、
サブマウント上に半田を形成する工程と、
前記電極の周りを囲むようにメタルパッドを前記半導体レーザ上に形成する工程と、
前記サブマウント上に前記半田を介してジャンクションダウンで前記半導体レーザを実装する工程とを備え、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記半導体積層構造との間において前記電極の周りを囲むように前記メタルパッドが配置され、
前記電極の構成材料が前記半田中に拡散して第１の合金層が形成され、
前記メタルパッドの構成材料が前記第１の合金層中に拡散して第２の合金層が形成され、
前記サブマウント上に前記半導体レーザを実装する際の温度は、前記半田の融点よりも高く、前記第２の合金層の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有する半導体レーザを準備する工程と、
サブマウント上の接合領域を囲うようにメタルパッドを形成する工程と、
前記サブマウント上の前記接合領域に半田を形成する工程と、
前記サブマウント上の前記接合領域に前記半田を介してジャンクションダウンで前記半導体レーザを実装する工程とを備え、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記半導体積層構造との間において前記電極の周りを囲むように前記メタルパッドが配置され、
前記電極の構成材料が前記半田中に拡散して第１の合金層が形成され、
前記メタルパッドの構成材料が前記第１の合金層中に拡散して第２の合金層が形成され、
前記サブマウント上に前記半導体レーザを実装する際の温度は、前記半田の融点よりも高く、前記第２の合金層の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された電極とを有する半導体レーザを準備する工程と、
前記電極の外周に金属膜を形成する工程と、
前記電極上の前記金属膜で囲まれた領域に半田を蒸着する工程と、
前記サブマウント上に前記半田を介してジャンクションダウンで前記半導体レーザを実装する工程とを備え、
前記電極は、前記半田を介して前記サブマウントに接合され、
前記サブマウントと前記半導体積層構造との間において前記電極の周りを囲むようにメタルパッドが配置され、
前記電極の構成材料が前記半田中に拡散して第１の合金層が形成され、
前記メタルパッドの構成材料が前記第１の合金層中に拡散して第２の合金層が形成され、
前記サブマウント上に前記半導体レーザを実装する際の温度は、前記半田の融点よりも高く、前記第２の合金層の融点よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
ウェハ状の半導体基板上に、ｐｎ接合を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上の電極とを有する複数の半導体レーザを形成する工程と、
隣接する前記半導体レーザ同士の境界をスクライブして前記ｐｎ接合より深い溝を形成する工程と、
前記溝の内部表面に高抵抗化処理を行って高抵抗化領域を形成するか、又は前記溝内に絶縁膜を形成する工程と、
前記高抵抗化領域又は前記絶縁膜を形成した後に、前記溝に沿って個々の前記半導体レーザに分離する工程と、
個々の前記半導体レーザに分離した後に、サブマウント上に半田を介してジャンクションダウンで前記半導体レーザを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記高抵抗化処理は熱酸化法又はイオン注入であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。