【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの表面に複数の指標が設けられた第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに位置合せする基板位置合せ装置であって、
前記第１半導体基板を保持する第１のテーブルと、
前記第２半導体基板を保持する第２のテーブルと、
前記第１のテーブルに保持された前記第１半導体基板の前記複数の指標を観察する第１の顕微鏡と、
前記第２のテーブルに保持された前記第２半導体基板の前記複数の指標を観察する第２の顕微鏡と、
前記第１半導体基板の前記複数の指標のうちの最初の指標から最後の指標を観察するまでの観察時間と、前記第２半導体基板における複数の指標のうちの最初の指標から最後の指標までの観察時間とが少なくとも一部重なるように制御し、前記第１の顕微鏡による観察結果および前記第２の顕微鏡による観察結果に基づいて前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに位置合せする制御部と、
を備える基板位置合せ装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１半導体基板の前記複数の指標のいずれかが前記第１の顕微鏡の視野内に入るときに前記第２半導体基板の前記複数の指標のうちの対応するいずれかの前記指標が前記第２の顕微鏡の視野内に入るべく、前記第２のテーブルを移動する請求項１に記載の基板位置合せ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１半導体基板の前記複数の指標のいずれかが前記第１の顕微鏡の視野内に入っているときに、前記第２半導体基板の前記複数の指標のいずれも前記第２の顕微鏡の視野内に入っていない場合、前記第１の顕微鏡による観察後に、前記第２半導体基板の前記複数の指標のうち前記第２の顕微鏡の近傍に位置する指標を観察する請求項１または２に記載の基板位置合せ装置。
【請求項４】
前記第１の顕微鏡および前記第２の顕微鏡のうち少なくとも一方の焦点位置が可変である請求項１から３のいずれか一項に記載の基板位置合せ装置。
【請求項５】
前記第１の顕微鏡と前記第２の顕微鏡とは、前記第１半導体基板の面方向について、前記第１のテーブルに保持された前記第１半導体基板の中心、および前記第２のテーブルに保持された前記第２半導体基板の中心に対して、対称な位置に配される請求項１から４のいずれか一項に記載の基板位置合せ装置。
【請求項６】
前記第１のテーブルと前記第２の顕微鏡との相対位置、および、前記第２のテーブルと前記第１の顕微鏡との相対位置、の少なくとも一方が可変である請求項１から５のいずれか一項に記載の基板位置合せ装置。
【請求項７】
前記第１の顕微鏡による観察および前記第２の顕微鏡による観察に先立って、前記第１のテーブルに前記第１半導体基板を搬送するとともに前記第２のテーブルに前記第２半導体基板を搬送する搬送部をさらに備える請求項１から６のいずれか一項に記載の基板位置合せ装置。
【請求項８】
前記第１のテーブルおよび前記第２のテーブルとは別個の位置において、前記第１半導体基板の外形および前記第２半導体基板の外形をそれぞれの観察時間の少なくとも一部が重なるように観察するプリアラインメント部をさらに備える請求項７に記載の基板位置合せ装置。
【請求項９】
前記第１のテーブルおよび前記第２のテーブルとは別個の位置において、前記第１半導体基板の外形および前記第２半導体基板の外形を順次観察し、先に観察を終了した前記第１半導体基板を反転するプリアラインメント部をさらに備える請求項７に記載の基板位置合せ装置。
【請求項１０】
前記搬送部は、前記第１のテーブルに前記第１半導体基板を搬送する第１のアーム、前記第２のテーブルに前記第２半導体基板を搬送する第２のアーム、並びに、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なった状態で前記１のテーブルおよび前記第２のテーブルから搬出する第３のアームを有する請求項７に記載の基板位置合せ装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板位置合せ装置と、
位置合せされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を接合する接合部と、
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項１２】
それぞれの表面に複数の指標が設けられた第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに位置合せする基板位置合せ方法であって、
前記第１半導体基板を第１のテーブルに保持する第１保持ステップと、
前記第２半導体基板を第２のテーブルに保持する第２保持ステップと、
前記第１のテーブルに保持された前記第１半導体基板の前記複数の指標を第１の顕微鏡で観察する第１観察ステップと、
前記第２のテーブルに保持された前記第２半導体基板の前記複数の指標を第２の顕微鏡で観察する第２観察ステップと、
前記第１の顕微鏡による前記第１半導体基板の観察結果および前記第２の顕微鏡による前記第２半導体基板の観察結果に基づいて、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを位置合せする位置合せステップと、
を含み、
前記第１観察ステップおよび前記第２観察ステップにおいて、前記第１半導体基板の前記複数の指標のうちの最初の指標から最後の指標を観察するまでの観察時間と、前記第２半導体基板の前記複数の指標のうちの最初の指標から最後の指標までの観察時間とが少なくとも一部重なる基板位置合せ方法。
【請求項１３】
前記第１観察ステップおよび前記第２観察ステップにおいて、前記第１半導体基板における前記複数の指標のいずれかが前記第１の顕微鏡の視野内に入るときに前記第２半導体基板における前記複数の指標のうちのいずれかが前記第２の顕微鏡の視野内に入るように、前記第２のテーブルおよび前記第２の顕微鏡を相対移動する請求項１２に記載の基板位置合せ方法。
【請求項１４】
前記第１観察ステップおよび前記第２観察ステップが同時に行われる請求項１２または１３に記載の基板位置合せ方法。
【請求項１５】
前記第１観察ステップおよび前記第２観察ステップにおいて、前記第１半導体基板の前記複数の指標のいずれかが前記第１の顕微鏡の視野内に入るときに前記第２半導体基板における前記複数の指標のうちのいずれもが前記第２の顕微鏡の視野内に入らない場合に、前記第１観察ステップを行った後に、前記第２のテーブルおよび前記第２の顕微鏡を相対移動して前記第２観察ステップを行う請求項１２から１４のいずれか一項に記載の基板位置合せ方法。
【請求項１６】
請求項１２から１５のいずれか一項に記載の基板位置合せ方法により位置合せされた前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに接合する接合ステップを含む積層半導体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６の積層半導体の製造方法により製造された積層半導体装置。
【請求項１８】
それぞれの表面に複数の指標が設けられ、互いに重ね合されて接合される第１半導体基板および第２半導体基板を有する半導体基板対であって、
前記第１半導体基板の前記表面と前記第２半導体基板の前記表面とが互いに向かい合った状態で、前記第１半導体基板の前記複数の指標のうち第１の顕微鏡により観察される指標と、前記第２半導体基板の前記複数の指標のうち、前記第１の顕微鏡による観察と同時に第２の顕微鏡により観察される指標とが、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の中心に対して対象な位置に配置されている半導体基板対。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板位置合せ装置、基板位置合せ方法、積層半導体の製造方法、積層半導体装置及び半導体基板対