(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、前記半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、
前記半導体基板の前記パッケージ基板と対向する面の裏面に、各素子に対応して所定の識別記号を付与する工程と、
前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、
を含み、
前記パッケージ基板は、平面視にて前記半導体基板より大きい面積を有し、
前記パッケージ基板の前記半導体基板に対向する部分の外側部分に、位置合わせ部を形成し、
前記所定の識別記号を付与する際に、前記位置合わせ部にて前記半導体基板の位置合わせを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記所定の識別記号は、前記半導体基板内での位置を特定し得るように、前記各半導体チップに対応して異ならせる記号を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記所定の識別記号は、分離した前記半導体基板を特定し得るように、前記半導体基板内の前記各半導体チップで同一とされる記号を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、前記半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されると共に、前記各素子に対応する所定の識別記号が一方の面に付与されたパッケージ基板に対して、前記パッケージ基板の他方の面と前記半導体基板とを対向させた状態で搭載し、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、
前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッケージベースは光学的に透明な部材からなると共に、前記素子は光を受光あるいは発光する素子であって、
前記所定の識別記号を、前記半導体基板の前記素子が形成された部分の外側部分に対向する前記パッケージ基板部分の裏面に形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをワイヤボンディングを用いることなくパッケージする半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップのパッケージ構造として、ワイヤボンディングを用いない構造が提案されている。例えば、特許第２８００８０６号公報には、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続し、その後半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して、パッケージベースと半導体チップとが同一平面形状及び平面寸法に形成する半導体装置が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許第２８００８０６号公報においては、上述した構成の半導体装置に対して、型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与する点については、何ら配慮がなされていない。
【０００４】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と前記半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置であって、型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面に、各素子に対応して所定の識別記号を付与する工程と、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含むことを特徴としている。
【０００６】
このような構成を採用した場合、半導体基板をパッケージ基板に搭載し、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面に各素子に対応して所定の識別記号を付与した後に、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成しているので、製造工程を複雑化することなく簡易に、個々の半導体装置の半導体チップに対して型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与することが可能となる。
【０００７】
また、パッケージ基板は、平面視にて半導体基板より大きい面積を有し、パッケージ基板の半導体基板に対向する部分の外側部分に、位置合わせ部を形成し、所定の識別記号を付与する際に、位置合わせ部にて半導体基板の位置合わせを行うことが好ましい。このような構成を採用した場合、確実に半導体基板の位置合わせが行え、半導体基板に対して所定の識別記号を付与する際に、半導体基板の適切な位置に確実に識別記号を付与することが可能となる。
【０００８】
また、所定の識別記号は、半導体基板内での位置を特定し得るように、各半導体チップに対応して異ならせる記号を含むことが好ましい。このような構成を採用した場合、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成した後においても、対象とする半導体装置の半導体チップが、半導体基板内においてどこに位置していたものなのかを容易に特定することができ、半導体チップあるいは半導体基板の不良品解析等を短時間で且つ容易に行うことが可能となる。
【０００９】
また、所定の識別記号は、分離した半導体基板を特定し得るように、半導体基板内の各半導体チップで同一とされる記号を含むことが好ましい。このような構成を採用した場合、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成した後においても、対象とする半導体装置の半導体チップが、どの半導体基板から分離されたものなのかを容易に特定することができ、半導体チップあるいは半導体基板の不良品解析等を短時間で且つ容易に行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されると共に、各素子に対応する所定の識別記号が一方の面に付与されたパッケージ基板に対して、パッケージ基板の他方の面と半導体基板とを対向させた状態で搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１１】
このような構成を採用した場合、半導体基板を、各素子に対応する所定の識別記号が一方の面に付与されたパッケージ基板に対して、パッケージ基板の他方の面と半導体基板とを対向させた状態で搭載した後に、半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成しているので、製造工程を複雑化することなく簡易に、個々の半導体装置のパッケージベースに対して型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与することが可能となる。
【００１２】
また、パッケージベースは光学的に透明な部材からなると共に、素子は光を受光あるいは発光する素子であって、所定の識別記号を、半導体基板の素子が形成された部分の外側部分に対向するパッケージ基板部分の裏面に形成することが好ましい。このような構成を採用した場合、所定の識別記号を、素子と平面視で重ならない位置に形成することになり、識別記号により素子の受光あるいは発光が妨げられることを回避し、素子の受光性能あるいは発光性能が低下することを防止することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明による半導体装置の第１実施形態を、製造工程順に説明する説明図であり、図２は半導体基板の平面図、図４はパッケージ基板の平面図である。図１（ａ）に示されるように、シリコン等の半導体基板１０は、一方の面１０ａに、ボンディングパッド１１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第１アライメントパターン１２が形成されている。ボンディングパッド１１上には、電気接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ１３が設けられている。
【００１５】
半導体基板１０は、図２に示されるように、後に切断分離される多数個の半導体チップ１を含んでいる。各半導体チップ１は、図３に示されるように、所定波長（例えば、近紫外から近赤外までの波長）の光を受光する受光部１４を有しており、受光部１４の外側にボンディングパッド１１（本実施形態においては、４箇所）が設けられている。第１アライメントパターン１２は、図２に示されるように、半導体基板１０の直径方向の外周部分の２箇所に設けられており、フォトエッチング技術等を用いて「＋」字状に形成されている。この第１アライメントパターン１２は、ボンディングパッド１１と同じ配線を利用して形成することも可能である。
【００１６】
先ず、この半導体基板１０を、図１（ｂ）に示されるように、半導体基板１０より大きい面積を有した矩形のパッケージ基板２０上に搭載し、一体化する。パッケージ基板２０は、受光部１４が受光する光の波長に対して光学的に透明な、透光性ガラスからなる。パッケージ基板２０の一方の面２０ａには、第１配線電極２１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第２アライメントパターン２２と、後に識別記号を付与する際に半導体基板１０の位置合わせを行うための目印パターン２３とが形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂには、外部基板（図示せず）と接続される第２配線電極２４が形成されており、この第２配線電極２４には、外部基板（図示せず）との接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ２５が設けられている。また、パッケージ基板２０には、図１（ｂ）及び図４に示されるように、パッケージ基板２０を貫通する貫通孔２６が、フォトエッチング技術を用いて形成されている。ここで、第１配線電極２１及び第２配線電極２４は、各請求項における外部接続用電極を構成している。目印パターン２３は、各請求項における位置合わせ部を構成している。
【００１７】
第１配線電極２１は、図４及び図５に示されるように、受光部１４に対応する位置の外側で半導体基板１０のバンプ１３（ボンディングパッド１１）と対応する位置に設けられており、パッケージ基板２０を貫通して設けられたスルーホール２７内部の配線電極（図示せず）を介して第２配線電極２４と導通されている。第２アライメントパターン２２は、同じく図４に示されるように、半導体基板１０の第１アライメントパターン１２が形成された位置に対応する位置に、２箇所設けられており、フォトエッチング技術等を用いて第１アライメントパターン１２より大きい「＋」字状に形成されている。目印パターン２３は、図６に示されるように、パッケージ基板２０の半導体基板１０に対向する部分の外側部分に位置する角部近傍に、フォトエッチング技術等を用いて対角２箇所形成されている。貫通孔２６は、図５に示されるように、後に半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上に形成されており、受光部１４に対応する位置Ｄの外側で、矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置に設けられる。
【００１８】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１４及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の第２アライメントパターン２２が形成された一方の面２０ａとを対向させた状態で、パッケージ基板２０に形成された第２アライメントパターン２２と半導体基板１０に形成された第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う（図６に示された状態）。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図１（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。
【００１９】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図１（ｃ）に示されるように、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填し、硬化させる。アンダーフィル樹脂３１は、受光部１４が受光する光の波長に対して光学的に透明で且つ絶縁性を有しており、例えば、シリコーン樹脂にて構成される。
【００２０】
次いで、公知のレーザーマーキング技術を用いて、図７に示されるように、半導体基板１０の各受光素子（半導体チップ１）に対応して所定の識別記号Ｍを付与する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、パッケージ基板２０の第２配線電極２４が形成された他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１（ｄ）に示される状態）で、レーザーマーキング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がレーザーマーキング装置に固定されると、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の２箇所に形成された目印パターン２３を基準として、図７に示されるように、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０に対向する面の裏面）に各受光素子（半導体チップ１）毎の識別記号Ｍを付与する。なお、識別記号Ｍを付与する手法としては、レーザーマーキング技術に限られることなく、その他の印刷技術等を用いることも可能である。
【００２１】
識別記号Ｍは、第１識別部Ｍ１、第２識別部Ｍ２及び第３識別部Ｍ３により構成されている。第１識別部Ｍ１は、半導体基板１０を特定するためのもので、半導体基板１０毎に異なる記号とされている。例えば図７において、第１識別部Ｍ１の「１」は、「１」という半導体基板１０から分離した半導体チップ１であること示している。第２識別部Ｍ２は、分離された半導体チップ１が半導体基板１０内のどこに位置していたものなのかを特定するためのもので、半導体チップ１毎に異なる記号とされている。例えば図７において、第２識別部Ｍ２の「１Ｅ」は、半導体基板１０内の１行Ｅ列目に位置する半導体チップ１であること示している。第３識別部Ｍ３は、製品型名を特定するためのもので、図７においては、製品型名が「ＣＳＰ」とされた半導体チップ１であることを示している。
【００２２】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を同時に切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１（ｃ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成された目印パターン（図示せず）等を基準として、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて、図１（ｅ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａ１に分離される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、貫通孔２６を横断して切断される。
【００２３】
上述したようにして製造された半導体装置Ａ１は、図１（ｅ）に示されるように、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形の四角が欠けた形状のパッケージベース２と、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１とを有することになる。半導体チップ１の一方の面を１ａ、他方の面を１ｂ、パッケージベース２の一方の面を２ａ、他方の面を２ｂとする。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には、受光部１４が設けられており、この受光部１４がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１４からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２７内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２４及びバンプ２５を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。
【００２４】
半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）には、第１識別部Ｍ１、第２識別部Ｍ２及び第３識別部Ｍ３により構成された識別記号Ｍが付与されている。パッケージベース２の角部（４箇所）には、貫通孔２６を横断して半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断したので、個々の半導体装置Ａ１に分離した際に、貫通孔２６の一部がパッケージベース２の角部を切り欠いた状態の凹部３として残り、この凹部３が位置決め用の位置決め部として用いられる。この半導体装置Ａ１を外部基板（図示せず）に搭載する際には、凹部３に対して外部基板側に設けられるガイドピン（図示せず）を立てて位置合わせを行う。
【００２５】
上述した第１実施形態によれば、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載して一体化し、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０に対向する面の裏面）に各受光部１４（半導体チップ１）毎の識別記号Ｍを付与した後に、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断して、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ１を形成しているので、製造工程を複雑化することなく簡易に、個々の半導体装置Ａ１の半導体チップ１に対して製品型名等を示す識別記号Ｍを付与することが可能となる。
【００２６】
また、識別記号Ｍは、半導体基板１０を特定するための第１識別部Ｍ１を含んでいるので、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ１を形成した後においても、対象とする半導体装置Ａ１の半導体チップ１が、どの半導体基板１０から分離されたものなのが容易に特定することができ、半導体チップ１あるいは半導体基板１０の不良品解析等を短時間で且つ容易に行うことが可能となる。
【００２７】
また、識別記号Ｍは、分離された半導体チップ１が半導体基板１０内のどこに位置していたものなのかを特定するための第２識別部Ｍ２を含んでいるので、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ１を形成した後においても、対象とする半導体装置Ａ１の半導体チップ１が、半導体基板１０内においてどこに位置していたものなのかが容易に特定することができ、半導体チップ１あるいは半導体基板１０の不良品解析等を短時間で且つ容易に行うことも可能となる。
【００２８】
また、パッケージ基板２０は平面視にて半導体基板１０より大きい面積を有し、パッケージ基板２０の半導体基板１０に対向する部分の外側部分に位置する角部近傍に、目印パターン２３を形成しているので、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載して一体化した後でも、確実に半導体基板１０の位置合わせが行え、半導体基板１０に対して識別記号Ｍを付与する際に、半導体基板１０（半導体チップ１）の適切な位置に確実に識別記号Ｍを付与することが可能となる。
【００２９】
また、後に半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上となる、各受光部１４に対応する位置Ｄの外側で且つ矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置に貫通孔２６をパッケージ基板２０に形成し、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に且つ貫通孔２６を横断して切断して、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ１を形成しているので、個々の半導体装置Ａ１に分離した際に、貫通孔２６の一部がパッケージベース２の端部に切り欠いた状態の凹部３として残ることになり、パッケージベース２の角部に容易に位置決め用の位置決め部を設けることでき、パッケージベース２に位置合わせ用の凹部３が形成された半導体装置Ａ１を容易に製造することも可能となる。
【００３０】
また、パッケージ基板２０に貫通孔２６を形成し、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に所定幅の間隙３０を形成して半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し、この間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填するので、アンダーフィル樹脂３１によりパッケージ基板２０に形成された第１配線電極２１と半導体基板１０に形成されたバンプ１３との接続部位、及び、バンプ１３とボンディングパッド１１との接続部位を確実に保護することができると共に、半導体基板１０とパッケージ基板２０とがアンダーフィル樹脂３１により接続され、機械的強度を増大させることができる。アンダーフィル樹脂３１を充填する際に、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に存在するエアが貫通孔２６を介して排出されるので、アンダーフィル樹脂３１を速やかに充填することができると共に、アンダーフィル樹脂３１を充填した後のエア残りの発生を抑制することができる。特に、エア残りの発生を抑制することにより、半導体装置Ａ１の温度変化により生じるアンダーフィル樹脂３１内での応力分布をより均一化でき、受光素子（半導体チップ１）自体、あるいは、上述された接続部位への応力の作用が抑制されて、これらの部分の破損を防ぎ、半導体装置Ａ１の温度変化に対する信頼性の低下を防ぐことが可能となる。
【００３１】
また、パッケージ基板２０は、所定波長の光に対して光学的に透明な透光性ガラスからなり、半導体基板１０の一方の面１０ａ（パッケージ基板２０と対向する面）の直径方向の外周部分に第１アライメントパターン１２を形成し、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の第１アライメントパターン１２と対応する位置に第２アライメントパターン２２を形成し、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際に、第１アライメントパターン１２及び第２アライメントパターン２２を利用して両者の位置決めを行うので、パッケージ基板２０が所定波長の光に対して光学的に透明であることを利用して、パッケージ基板２０側に位置決め用窓等を新たに形成することなく、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置決めを行うことができ、半導体装置Ａ１の製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００３２】
一方、半導体装置Ａ１については、個々の半導体装置Ａ１に分離した際に、貫通孔２６の一部がパッケージベース２の角部を切り欠いた状態の凹部３として残り、この凹部３を基準として、半導体装置Ａ１の搭載位置、搭載方向等の位置合わせを行え、外部基板（図示せず）への半導体装置Ａ１を搭載する際の位置合わせ精度を向上させることが可能となる。また、貫通孔２６はフォトエッチング技術を用いて形成されるので、より高精度に位置合わせを行うことができる。本実施形態においては、特に、半導体チップ１を受光素子としていることから、受光部１４が適切に光を受光するように、半導体チップ１（半導体装置Ａ１）の搭載位置、搭載方向等の位置合わせに対して、高精度さが求められるが、パッケージベース２（半導体装置Ａ１）に位置決め用の凹部３が形成されるため、高精度に半導体チップ１（半導体装置Ａ１）を搭載することが可能となる。
【００３３】
また、凹部３が、平面視矩形のパッケージベース２の各角部に設けられることから、受光素子（半導体チップ１）に対して複数箇所設けられることになるので、半導体装置Ａ１の搭載位置の位置合わせを更に確実に行え、外部基板（図示せず）への半導体装置Ａ１を搭載する際の位置合わせ精度を更に向上させることが可能となる。
【００３４】
また、貫通孔２６は、各受光部１４に対応する位置Ｄの外側で且つ矩形に形成される各半導体チップ１の角部に対応する位置にパッケージ基板２０に形成されるので、個々の半導体装置Ａ１に分離した際に、貫通孔２６の一部で構成される凹部３が、平面視で、素子と重ならない位置に形成されることになり、受光部１４での光の受光が凹部３で妨げられることが回避され、受光部１４の受光性能の低下を防止することが可能となる。また、識別記号Ｍは、半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）に付与されるため、パッケージベース２を透過して受光部１４に入射する光が識別記号Ｍで妨げられることも回避され、受光部１４（受光素子）の受光性能の低下を防止することも可能となる。
【００３５】
図８は、本発明の第１実施形態の変形例を説明する説明図である。パッケージ基板２０には、パッケージ基板２０の半導体基板１０に対向する部分の外側部分に位置する角部のうち対角２箇所に、フォトエッチング技術等を用いて、位置合わせ部としての第１位置合わせ孔２８ａ及び第２位置合わせ孔２８ｂが貫通して形成されている。第１位置合わせ孔２８ａは外周が略真円形とされ、第２位置合わせ孔２８ｂの外周は長軸方向が第１位置合わせ孔２８ａの中心を通る略長円形とされている。レーザーマーキング技術等を用いて、半導体基板１０の各受光部１４（半導体チップ１）に対応して所定の識別記号Ｍを付与する際には、第１位置合わせ孔２８ａ及び第２位置合わせ孔２８ｂに位置決めピン（図示せず）を挿入し、位置合わせされた状態でレーザーマーキング装置（図示せず）に固定される。この変形例においても、第１実施形態と同様に、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載して一体化した後でも、確実に半導体基板１０の位置合わせが行え、半導体基板１０に対して識別記号Ｍを付与する際に、半導体基板１０（半導体チップ１）の適切な位置に確実に識別記号Ｍを付与することが可能となる。
【００３６】
（第２実施形態）
図９は、本発明による半導体装置の第２実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０に対向する面の裏面）には、図９（ｂ）、図１０及び図１１に示されるように、「△」形状の識別記号Ｍを付与している。識別記号Ｍは、図１１に示されるように、パッケージ基板２０の受光部１４に対応する位置の外側部分の裏面側の位置で、矩形に形成される各パッケージベース２の辺部近傍となる位置に付与される。この識別記号Ｍは、第２配線電極２４と同じ配線を利用して形成することも可能であり、蒸着あるいは印刷技術等を用いて形成することが可能である。
【００３７】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１４及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の一方の面２０ａとを対向させた状態で、パッケージ基板２０に形成された第２アライメントパターン２２と半導体基板１０に形成された第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図９（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図９（ｃ）に示されるように、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填し、硬化させる。
【００３８】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を同時に切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図９（ｃ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成された目印パターン（図示せず）等を基準として、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて、図９（ｄ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａ２に分離される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、貫通孔２６を横断して切断される。
【００３９】
上述したようにして製造された半導体装置Ａ２は、図１０及び図１１に示されるように、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形の四角が欠けた形状のパッケージベース２と、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１とを有することになる。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には、受光部１４が設けられており、この受光部１４がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１４からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２７内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２４及びバンプ２５を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。
【００４０】
パッケージベース２の角部（４箇所）には、貫通孔２６を横断して半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断したので、個々の半導体装置Ａ２に分離した際に、貫通孔２６の一部がパッケージベース２の角部を切り欠いた状態の凹部３として残り、この凹部３が位置決め用の位置決め部として用いられる。また、パッケージベース２の他方の面２ａ（半導体チップ１に対向する面の裏面）には、受光部１４に対応する位置Ｄの外側部分の裏面側の位置で、且つ、矩形に形成されるパッケージベース２の辺部近傍となる位置に識別記号Ｍが付与されている。識別記号Ｍは、半導体装置Ａ２を外部基板（図示せず）に搭載する際の、半導体装置Ａ２の向きを特定するために用いられ、識別記号Ｍに基づいて、半導体装置Ａ２を適切な向きに設定した上で、凹部３に対して外部基板側に設けられるガイドピン（図示せず）を立てて半導体装置Ａ２の位置合わせを行う。
【００４１】
上述した第２実施形態においても第１実施形態と同様の作用効果を奏し、識別記号Ｍを、パッケージ基板２０の受光部１４に対応する位置Ｄの外側部分の裏面側の位置で、矩形の四角が欠けた形状に形成される各パッケージベース２の辺部近傍となる位置に付与し、このパッケージ基板２０に半導体基板１０を搭載して一体化し、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断して、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ２を形成しているので、製造工程を複雑化することなく簡易に、個々の半導体装置Ａ２の半導体チップ１に対して製品型名等を示す識別記号Ｍを付与することが可能となる。
【００４２】
また、識別記号Ｍは、パッケージ基板２０の受光部１４に対応する位置Ｄの外側部分の裏面側の位置で、矩形に形成される各パッケージベース２の辺部近傍となる位置に付与されるので、個々の半導体装置Ａ２に分離した際に、識別記号Ｍが、平面視で、素子と重ならない位置に形成されることになり、受光部１４での光の受光が識別記号Ｍで妨げられることが回避され、受光部１４（受光素子）の受光性能の低下を防止することが可能となる。
【００４３】
なお、識別記号Ｍとして、第１実施形態では半導体基板１０を特定するための第１識別部Ｍ１、分離された半導体チップ１が半導体基板１０内のどこに位置していたものなのかを特定するための第２識別部Ｍ２、及び、製品型名を特定するための第３識別部Ｍ３を付与し、第２実施形態では半導体装置Ａ２を外部基板（図示せず）に搭載する際の半導体装置Ａ２の搭載向きを特定するため記号を付与したが、これらに限られることなく、製造元、製品名、あるいは、製造年月日等を識別記号として付与してもよい。
【００４４】
また、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される受光部１４は、上述した波長範囲を受光するものに限られるものではなく、狭帯域の波長を選択的に受光するものでもよい。また、半導体基板１０（半導体チップ１）には、受光部１４に限られず、所定波長の光を発光する発光部を始め、演算回路等が形成されてもよい。また、第２アライメントパターン２２をパッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）に形成しているが、パッケージ基板２０は透光性ガラスからなるため、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成してもよい。
【００４５】
また、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される素子が受光素子あるいは発光素子でない場合等には、パッケージ基板２０を透光性ガラスとする必要はなく、透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いてもよい。透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いる場合には、第２アライメントパターン２２を形成する代わりに、パッケージ基板２０を貫通する位置決め用窓を形成し、この位置決め用窓と第１アライメントパターン１２とにより、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせを行うことになる。
【００４６】
また、パッケージ基板２０に形成される貫通孔２６は、上述した位置に限られることなく、貫通孔２６を、半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の切断軌跡Ｃ上に形成し、受光部１４に対応する位置Ｄの外側で、矩形に形成される各半導体チップ１の辺部に対応する位置、あるいは、パッケージ基板２０の半導体チップ１に対応する平面内の位置に設けてもよい。また、貫通孔２６（凹部３）の数も、上述した数に限られるものではない。
【００４７】
また、パッケージ基板２０に貫通孔２６を設け、切断分離後の半導体装置Ａ１の位置決め用の凹部３を形成していたが、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ側からパッケージ基板２０の略半分の厚さまで切削して凹部を形成し、切断分離後の半導体装置の位置決め用の凹部としてもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と前記半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置であって、型名や製造履歴の表示、あるいは、素子の方向性表示等の識別記号を付与することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる半導体基板の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる半導体基板の要部拡大平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態にかかるパッケージ基板の平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態にかかるパッケージ基板の要部拡大平面図である。
【図６】図１（ｄ）の状態における平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態おいて、半導体基板への識別記号の付与例を示す説明図である。
【図８】本発明の第１実施形態にかかるパッケージ基板の変形例を示す、図１（ｄ）の状態に対応する平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【図１０】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。
【図１１】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…パッケージベース、３…凹部、１０…半導体基板、１１…ボンディングパッド、１２…第１アライメントパターン、１４…受光部、２０…パッケージ基板、２１…第１配線電極、２２…第２アライメントパターン、２３…目印パターン、２４…第２配線電極、２６…貫通孔、２８ａ…第１位置合わせ孔、２８ｂ…第２位置合わせ孔、３０…間隙、３１…アンダーフィル樹脂、Ａ１，Ａ２…半導体装置、Ｃ…切断軌跡、Ｄ…位置、Ｍ…識別記号、Ｍ１…第１識別部、Ｍ２…第２識別部、Ｍ３…第３識別部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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