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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、  
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、
前記素子部において、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、
前記素子部において、前記第３半導体層から前記第１半導体層に達し、第１の間隔で設けられた複数の第１トレンチと、
前記ダイオード部において、前記第１半導体層に形成され、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２トレンチと、
前記第１トレンチに、第１絶縁膜を介して設けられた第１電極と、
前記第２トレンチに、第２絶縁膜を介して設けられた第２電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の実施形態の半導体装置は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、前記第１半導体層の上側に形成された第２導電型の第４半導体層と、前記第３半導体層、前記第２半導体層及び前記第１半導体層に接する第１絶縁膜を介して、少なくとも前記第２半導体層に隣接し、第１の間隔で設けられた複数の第１電極と、前記第４半導体層と前記第１半導体層とに接する第２絶縁膜を介して、前記第１半導体層に隣接し、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２電極と、を備えたことを特徴とする。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、 縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記素子部において、第１絶縁膜を介して、少なくとも前記第２半導体層に隣接し、第１の間隔で設けられた複数の第１電極と、前記ダイオード部において、第２絶縁膜を介して、前記第１半導体層に接し、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２電極と、を有することを特徴とする。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、少なくとも２つの第１電極が第１の間隔で配置され縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、少なくとも２つの第２電極が前記第１の間隔よりも広い間隔で配置されダイオードが形成されたダイオード領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
本発明の他の実施形態の半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴが形成された素子部と、ダイオードが形成されたダイオード部と、を備えた半導体装置であって、第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層と、前記素子部において、前記第２半導体層の表面に形成された第１導電型の第３半導体層と、前記素子部において、前記第３半導体層から前記第１半導体層に達し、第１の間隔で設けられた複数の第１トレンチと、前記ダイオード部において、前記第１半導体層に形成され、前記第１の間隔よりも広い間隔で設けられた複数の第２トレンチと、前記第１トレンチに、第１絶縁膜を介して設けられた第１電極と、前記第２トレンチに、第２絶縁膜を介して設けられた第２電極と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記複数の基板を保持する基板保持部と、
前記処理室内で前記基板保持部を当該基板保持部の下方側から支持するとともに、当該処理室内を前記基板保持部の側から下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を行う第一熱交換部と、を備え、
前記第一熱交換部は、前記ガスが流れる方向に沿って上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、前記断熱筒部内に設けられた断熱板部と、を有し、
前記断熱筒部内における前記断熱板部を挟んだ上下２つの領域は、空間的に接続されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に当該第一熱交換部と間隙を成して設けられ、当該間隙を前記基板保持部の側から下方側に向けて流れるガスとの熱交換を行う第二熱交換部を、さらに備える請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第一熱交換部の下方に、上下方向に積層された複数の板状部材と、前記複数の板状部材を支持する柱状部材とを有する下部断熱部が設けられている請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記下部断熱部の側方を囲うように断熱リングが設けられている請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、
前記処理室の周囲に設けられた誘導加熱部により当該処理室内を誘導加熱するとともに、当該処理室内に少なくともガスを供給して、当該処理室内における前記基板を処理する処理工程と、を備え、
前記搬入工程では、前記複数の基板を基板保持部によって保持するとともに、上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、前記断熱筒部内に設けられた断熱板部とを有し、前記断熱筒部内における前記断熱板部を挟んだ上下２つの領域が空間的に接続されてなる第一熱交換部により、前記基板保持部を当該基板保持部の下方側から支持した状態で、前記基板保持部及び前記第一熱交換部を前記処理室内へ搬入し、
前記処理工程では、前記処理室内を前記基板保持部の側から前記第一熱交換部の前記断熱筒部に沿って下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を当該第一熱交換部が行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
入射する荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させず、入射する荷電粒子線を偏向しないことで前記基板に入射させる偏向器を複数含むブランキング部と、
シャッターブレードを駆動し、該シャッターブレードによって前記ブランキング部に入射する複数の荷電粒子線のうち少なくとも１つを遮断するシャッター機構と、
前記ブランキング部および前記シャッター機構を制御する制御部と、
を備え、
前記ブランキング部には、入射する荷電粒子線を偏向できない異常偏向器が含まれ、
前記制御部は、前記シャッターブレードが、前記異常偏向器に入射する荷電粒子線、および、前記異常偏向器に隣接する偏向器に入射する荷電粒子線のうち少なくとも一部分を遮断するように、前記シャッター機構を制御し、前記隣接する偏向器に入射する荷電粒子線のうち前記シャッター機構により遮断されない部分を偏向することで前記基板に入射させないように、前記ブランキング部を制御して、前記隣接する偏向器に入射する荷電粒子線を前記パターンの描画に使用しないようにする、
ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
前記シャッター機構は、前記シャッターブレードの駆動誤差に基づいて前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
前記異常偏向器を検出する検出部をさらに備え、
前記制御部は、
前記検出部の出力から前記異常偏向器を特定する情報を取得し、
取得された前記情報と前記シャッターブレードの駆動誤差とに基づいて、前記シャッターブレードの駆動目標位置を算出し、
算出された前記駆動目標位置と前記シャッターブレードの駆動誤差とに基づいて、前記パターンの描画に使用しない荷電粒子線を決定する、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
前記異常偏向器は、入射する荷電粒子線を一部分のみ偏向できない偏向器を含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
前記シャッター機構は、前記シャッターブレードを複数備える、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
前記シャッター機構は、前記複数の荷電粒子線と直交する平面に沿って前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記パターンを描画された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、入射する荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させず、入射する荷電粒子線を偏向しないことで前記基板に入射させる偏向器を複数含むブランキング部と、シャッターブレードを駆動し、該シャッターブレードによって前記ブランキング部に入射する複数の荷電粒子線のうち少なくとも１つを遮断するシャッター機構と、前記ブランキング部および前記シャッター機構を制御する制御部と、を備え、前記ブランキング部には、入射する荷電粒子線を偏向できない異常偏向器が含まれ、前記制御部は、前記シャッターブレードが、前記異常偏向器に入射する荷電粒子線、および、前記異常偏向器に隣接する偏向器に入射する荷電粒子線のうち少なくとも一部分を遮断するように、前記シャッター機構を制御し、前記隣接する偏向器に入射する荷電粒子線のうち前記シャッター機構により遮断されない部分を偏向することで前記基板に入射させないように、前記ブランキング部を制御して、前記隣接する偏向器に入射する荷電粒子線を前記パターンの描画に使用しないようにする、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の吹出口を有する第１部材と、
前記第１部材と検出対象面との間に配置され、前記吹出口からの流体の少なくとも一部が流入する流入口、及び前記流入口を通った流体が前記検出対象面に向けて流出する流出口を有する第２部材と、
前記流出口から流出する流体の流れ方向における前記第２部材の位置を検出する検出部と、を備える表面検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板と負極板とを備えて蓄電する蓄電要素が金属製の筐体内に備えられ、
前記筐体の外方側に配置される電極端子と、前記正極板及び前記負極板とを夫々電気的に接続する金属製の集電体が備えられ、
前記集電体のうちの少なくとも一方の集電体は、前記電極端子が配置されている面に沿って延びて前記筐体に固定される第１姿勢部分と、その第１姿勢部分と交差する方向に延びて前記蓄電要素と接続される第２姿勢部分とを備えて形成されている蓄電装置であって、
前記筐体の内面における前記集電体の前記第１姿勢部分と対向する位置に、樹脂層と金属層とが積層された状態の接合部材が、前記樹脂層が前記筐体の内面側に位置する状態で取り付けられ、前記金属層と前記集電体とが互いに固定されている蓄電装置。
【請求項２】
正極板と負極板とを備えて蓄電する蓄電要素が金属製の筐体内に備えられ、
前記筐体の外方側に配置される電極端子と、前記正極板及び前記負極板とを夫々電気的に接続する金属製の集電体が備えられ、
前記集電体のうちの少なくとも一方の集電体は、前記電極端子が配置されている面に沿って延びる第１姿勢部分と、その第１姿勢部分と交差する方向に延びて前記蓄電要素と接続される第２姿勢部分とを備えて形成されている蓄電装置の製造方法であって、
前記筐体の内面における前記集電体の前記第１姿勢部分と対向する位置に、樹脂層と金属層とが積層された状態の接合部材を、前記樹脂層が前記筐体の内面側に位置する状態で取り付ける接合部材取付工程と、
前記接合部材における前記金属層と前記集電体とを互いに固定する集電体取付工程とを含む蓄電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記基板上に気流を生成しかつ前記露光光の光路空間に満たされた液体をシールするガスシール機構と、
前記ガスシール機構により生成された前記気流により前記液体の一部が気化することで生じる気化熱による温度変化を補償する補償機構と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記補償機構は、前記気化熱による前記基板の温度変化を補償する請求項１に記載の露光装置。 
【請求項３】
前記補償機構は、前記気化熱による前記基板の局所的な温度低下を補償する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記補償機構は、前記液体の温度と前記基板の温度とがほぼ等しくなるように、前記基板の温度変化を補償する請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記基板を保持する基板ステージをさらに備え、
前記ガスシール機構は、前記基板ステージの上面上に気流を生成し、前記露光光の光路空間に満たされた液体をシール可能である請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記補償機構は、前記気化熱による前記基板ステージの温度変化を補償する請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記ガスシール機構は、前記気流を生成するために気体を噴射する噴射口を有し、
前記補償機構は、前記噴射口から噴射される気体の温度を調整する第１気体温調装置を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記補償機構は、前記噴射口から噴射される気体の温度を、前記液体の温度よりも高くする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記液体の温度を検出する温度センサを備え、
前記補償機構は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記噴射口から噴射される気体の温度を、前記液体の温度よりも高くする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記補償機構は、前記光路空間に対して前記噴射口の外側に設けられ、気体を吹き出す吹き出し口と、前記吹き出し口から吹き出される気体の温度を調整する第２気体温調装置と、を有する請求項７〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記補償機構は、前記吹き出し口から噴射される気体の温度を、前記液体の温度よりも高くする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記光路空間に対して前記吹き出し口の外側に配置され、気体を吸引する吸引口を有する請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記噴射口は、当該露光装置が収容されるチャンバ内部の気体とほぼ同じ気体を供給する請求項７〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記ガスシール機構は、前記光路空間を囲むように設けられたシール部材を有する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記シール部材は、前記基板が対向する所定面に設けられた供給口を有する請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記供給口は、前記所定面の凹部に設けられる請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記シール部材は、前記供給口を囲むように前記所定面に設けられ、前記液体を回収する回収口を有する請求項１５又は１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記回収口から回収された液体と気体とを分離する気液分離器を備える請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記シール部材は、前記液体と接触し得る部分、及び前記基板と対向する部分の少なくとも一部に設けられる断熱構造を有する請求項１４〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記補償機構は、熱を放射する放射部を有する請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
前記放射部を囲むように設けられた断熱構造を有する請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記基板を保持する基板ホルダをさらに備え、
前記補償機構は、前記基板ホルダに設けられ、前記基板の温度を調整するホルダ温調装置を備える請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記ホルダ温調装置は、前記基板の裏面に向かって熱を放射することによって、前記基板の温度変化を補償する放射部を有する請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記光路空間に対する前記基板の移動に伴って前記液体と接触する局所領域が前記基板内で変位し、
前記ホルダ温調装置は、前記基板の異なる位置でそれぞれ温度を調整する複数の温調部を有し、
前記基板の移動状態及び前記基板上の前記局所領域の位置に関する情報に基づいて、前記複数の温調部のそれぞれを制御する制御装置をさらに備える請求項２２又は２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記ホルダ温調装置は、前記液体と温度と前記基板の温度とがほぼ等しくなるように前記基板の温度を調整する請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記補償機構は、前記液体の温度を調整する液体温調装置を有し、
前記液体温調装置は、前記液体と温度と前記基板の温度とがほぼ等しくなるように前記液体の温度を調整する請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項２８】
液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法において、
前記基板上に気流を生成して、前記露光光の光路空間に満たされた液体をシールすることと、
前記気流により前記液体の一部が気化することで生じる気化熱による温度変化を補償することと、を含む露光方法。
【請求項２９】
前記液体の温度よりも高い温度の気体を前記基板に噴射することと、を含む請求項２８に記載の露光方法。
【請求項３０】
請求項２８又は２９に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する基板テーブルと、
前記基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、
前記投影システムと前記基板との間の空間を満たす液体と、
液浸リソグラフィ装置内の部品上の所定の位置をその場でクリーニングするためのクリーニング・システムであって、クリーニングすべき前記部品上の前記所定の位置の少なくとも近接部に局所的なクリーニング環境を提供し、前記所定の位置に存在する汚染物のタイプに実質的に無関係な前記局所的なクリーニング環境を提供するクリーニング・システムと、を含み、
クリーニングすべき前記部品が、前記基板テーブルまたは光学要素を含み、
汚染物の前記タイプが、レジスト粒子、金属粒子、酸化物粒子で構成されるグループから選択され、
前記クリーニング・システムが、前記所定の位置の前記近接部でクリーニングすべき前記部品を加熱するための加熱システムを含む、液浸リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記加熱システムが、クリーニングすべき前記部品により吸収可能である波長を有するビームを提供する、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記加熱システムが、レーザを含む、請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４】
前記レーザが、０．１ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供し、０．１５マイクロ秒より短いパルスを有するビームを提供する、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項５】
液浸リソグラフィ装置内の部品上の所定の位置から汚染物をその場で取り除くためのクリーニング方法であって、前記液浸リソグラフィ装置が、基板を支持する基板テーブルと、前記基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間を満たす液体と、を含み、前記方法が、
前記部品上の前記所定の位置の少なくとも近接部に、取り除かれる汚染物のタイプに実質的に無関係な局所的なクリーニング環境を生成するステップであって、汚染物の前記タイプが、レジスト粒子、金属粒子、酸化物粒子で構成されるグループから選択される、生成するステップと、
前記部品から前記汚染物をその場で取り除くステップであって、前記部品が、前記基板テーブルまたは光学要素を含む、取り除くステップと、を含み、
前記生成するステップが、前記所定の位置の前記近接部で前記部品を加熱するステップを含む、クリーニング方法。
【請求項６】
前記加熱するステップが、前記部品により吸収可能である波長を有するビームを提供するステップを含む、請求項５に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
前記加熱するステップが、レーザビームを提供するステップを含む、請求項５または６に記載のクリーニング方法。
【請求項８】
前記レーザビームが、０．１ミリ秒より長いパルスを有する、請求項７に記載のクリーニング方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】液浸リソグラフィ装置およびクリーニング方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図３は、本発明の実施例の一部として、クリーニング・システムの代替の実施例を示す。この場合、クリーニング・システムは、所定の位置の近接部で部品を加熱するための、加熱システムを含んでいる。特に加熱システムは、クリーニングされる部品により吸収可能である波長を有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでもよい。そのレーザは、クリーニングされる部品の表面に垂直に導かれるビーム、又は示されるように、その表面にある角度でアプローチするビームを提供することができる。所定の位置に存在する汚染物のタイプについて、特別な知識は不必要である。さらにこのレーザは、０．１ミリ秒より長いパルス、又はより具体的には、０．５ミリ秒より長いパルスを有するビームを提供するように構成されてもよい。この実施例は、０．１５マイクロ秒より短いパルス、又はより具体的には、０．１０マイクロ秒より短いパルスを有するビームを提供するように構成されるレーザを含んでいる。これは、０．１ミリ秒より長い、又は０．５ミリ秒より長いパルスを提供するレーザと同じレーザであってもよい。２つのレーザは、これらの要件を満たすように用いることができる。使用に際してはクリーニングされる部品は、局所的に、即ち所定の位置の少なくとも近接部で加熱される。このタイプのレーザ・ビームはクリーニングされる部品に単に吸収されるので、任意の波長が選択されてよい。汚染物がこのレーザ光を吸収するように、波長を微調整する必要はない。コストを低く抑えるために、赤外波長を有するビームを提供するように構成されたレーザが用いられてもよい。具体的には、波長約１０６４ｎｍが用いられたとき、酸化物粒子とレジスト粒子の双方を含む汚染物が、このクリーニング・システムを用いて、クリーニングすべき部品から取り除かれる。どんな理論に縛られるものでもないが、レジストは伝導により加熱されクリーニングすべき部品から蒸発し、一方金属及び酸化物粒子は、ウェハ・テーブルＷＴとこれらの粒子との間の熱膨張差に起因する高いＧ力によりクリーニングされる部品から解放されると思われる。この実施例の他の利点は、このシステムに用いることができる低コスト・レーザだけでなく、ファイバによる搬送による、必要とされる位置へのレーザ光の好都合な送達に関連する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
図６は、本発明の一実施例よるクリーニング方法を概略的に示す。この場合、所定の位置をクリーニングした後に、リソグラフィ装置の通常の動作が続き、再び所定の位置のクリーニングが続く。この実施例では、所定の位置は、各場所の汚染物の存在を検出することなく、予め決定されている。これは例えば、アライメント・マーカ及び／又はアライメント・マーカの下及び／又は周囲の位置が、所定の位置を、及びそれぞれ所定の位置の近接部を形成する場合である。高い精度要件を首尾一貫して満たすために、汚染物が検出されるのを最初に待つことなく、そのような位置を周期的にクリーニングすることが必要とされる可能性がある。これはアライメント・マーカのみに適用されるのではなく、ミラー表面のような、位置を決定するために使用される表面にも適用される可能性がある。同様にレンズの能力の決定の際は、汚染されていない表面が必要である。これらの表面は、上述の方法とクリーニング装置によりクリーニングすることができる。一般にこの装置は、少なくとも１つの光学部品及び／又は位置に敏感な部品をクリーニングするように構成することができる。この装置はさらに、基板テーブルのような、位置に敏感な部品をクリーニングするとき、その部品の両面がクリーニングすることができるように構成することができる。クリーニングすべき部品は、ミラー・ブロック（どちら側でも）、光学センサ、及び干渉計の反射素子を含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性セラミック層（１０）によって互いに分離されている重ね合わせた導電性電極層（３）からなる層スタックを有する基体（１）を備えた電気的構造素子において、
導電性セラミック層（１０）は比電気抵抗が負の温度係数を有するセラミックからなり、
導電性セラミック層（１０）が電極層（３）と一緒に焼結されたセラミックグリーンシートから製造されており、
基体（１）の２つの対向する外面には、電極層（３）と導電的に結合されている外側電極（２）が配置されており、
基体（１）が導電性被膜を含まない４つの側面を有する平行六面体の形を有していることを特徴する、電気的構造素子。
【請求項２】
比抵抗の温度経過ρ（Ｔ）を示す、セラミックのＢ値が４０００Ｋよりも大きい、請求項１記載の電気構造素子。
【請求項３】
外側電極（２）がスクリーン印刷法によって基体（１）上に印刷されている、請求項１または２記載の電気構造素子。
【請求項４】
構造素子の電気抵抗が２５℃で２ｋΩ未満である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項５】
セラミックがニッケル、コバルト、チタン、ジルコニウムまたはアルミニウムの元素から選択された１つ以上の添加剤を有する、スピネル構造、ペロフスカイト構造またはコランダム構造のＭｎ３Ｏ４をベースとする混晶である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項６】
全ての外側電極（２）が平行に重なり合った平らな層の形の電極層（３）と接触しており、この電極層がそれぞれの外側電極（２）と櫛状の電極パッケージを形成し、この電極パッケージが互いの中へ押し込まれている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項７】
電極層（３）が貴金属を含有する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項８】
電極層（３）が金、パラジウムまたは白金を含有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項９】
外側電極（２）が銀または金の焼付けペーストからなる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項１０】
全ての外側電極（２）に接続線（４）がロウ付けされている、請求項１から９までのいずれか１項に記載の電気構造素子。
【請求項１１】
棒状の基体（６）と、外側電極（２）の間で測定される実際の抵抗が目標の抵抗よりも小さい、縦側面上に配置された外側電極（２）と備え、外側電極（２）を有する同じ長さの長手方向区間の抵抗が同じ大きさである、請求項１から９までのいずれか１項に記載の先駆構造素子（５）から出発して、所定の目標の抵抗を有する電気構造素子を製造する方法において、次の工程：
ａ）先駆構造素子（５）の実際の抵抗を測定する工程、
ｂ）目標の抵抗を達成させるために必要とされる、製造すべき構造素子である、先駆構造素子の長手方向区間の目標の長さを計算する工程、
ｃ）先駆構造素子（５）の目標の長さの長手方向区間を切り取る工程
を有することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の先駆構造素子（５）から出発して、所定の目標の抵抗を有する電気構造素子を製造する方法。
【請求項１２】
先駆構造素子（５）がセラミックグリーンシート（８）と適当に配置された電極層（３）との層スタックである板（７）から製造される方法であって、次の工程：
ａ）板（７）から棒を打ち抜く工程、
ｂ）棒を焼結させる工程、
ｃ）外側電極（２）を棒の縦側面上に施す工程を有する、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
先駆構造素子（５）がセラミックグリーンシート（８）と適当に配置された電極層（３）との層スタックである板（７）から製造される方法であって、次の工程：
ａ）板（７）を焼結させる工程、
ｂ）棒を板（７）から切り取る工程、
ｃ）外側電極（２）を棒の縦側面上に施す工程を有する、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
抵抗が２５℃で５０〜５００ΩであるＮＴＣ抵抗体としての請求項１から１０までのいずれか１項に記載の構造素子の使用。
【請求項１５】
全ての接続線材（４）が金で被覆されており、ガラスからなる保護カバー（１１）を有する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の構造素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自装置内の情報を保護する情報処理装置であって、
前記情報の暗号化のための暗号情報を記憶する記憶手段と、
ファームウェアから一意に値を算出する算出手段と、
算出された前記値に基づき、前記値に関して規定された定義に従って、前記記憶手段に記憶された前記暗号情報へのアクセス制御を行うアクセス制御手段と、を備え、
前記記憶手段は、前記定義の変更の権限を有するオーナであることを認証する為のオーナ認証情報を記憶しており、
前記アクセス制御手段は、前記値に関して規定された定義に従って、前記記憶手段に記憶されたオーナ認証情報へのアクセス制御を行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記アクセス制御手段は、前記記憶手段に記憶されたオーナ認証情報に基づき、前記定義の変更を許可することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ファームウェアの更新を行うファームウェア更新手段と、
更新後のファームウェアから一意に算出される値の予測値を用いて、前記定義を変更する管理手段と、をさらに備え、
前記管理手段は、前記値に関して規定された定義に従ってアクセス制御がなされる前記記憶手段から前記暗号情報および前記オーナ認証情報を読み出し、変更された前記値に関して規定された定義に従ってアクセス制御がなされるように新たに定義された前記記憶手段に前記暗号情報および前記オーナ認証情報を書き込むことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記ファームウェア更新手段は、前記予測値を含むファームウェア更新ファイルを用いて前記ファームウェアの更新を行うことを特徴とする請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記ファームウェア更新ファイルに含まれる電子署名を用いて前記ファームウェア更新ファイルの認証を行うファームウェア認証手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記ファームウェア認証手段は、改竄の防止された公開鍵を用いて前記電子署名を照合することにより前記ファームウェア更新ファイルの認証を行うことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記アクセス制御手段は、前記記憶手段に記憶されたオーナ認証情報に基づき、前記記憶手段に記憶された前記暗号情報へのアクセス制御を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記アクセス制御手段は、前記記憶手段に設けられた認証情報、物理的手段により取得可能な識別情報、アクセス経路の少なくとも１つ以上に関して規定された定義に従って、前記記憶手段に記憶された前記暗号情報へのアクセス制御を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記記憶手段は、複数の領域を有し、前記暗号情報および前記オーナ認証情報を前記領域ごとに記憶していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記複数の領域は、インデックスによって識別されることを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記アクセス制御手段は、前記暗号情報の読み出し及び書き込み双方で異なる前記定義に従ってアクセス制御を行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記アクセス制御手段は、ＴＰＭ（Trusted Platform Module）又はセキュアデバイスで実現されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
プロッタ部とスキャナ部とを有する画像処理装置であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
自装置内の情報を保護する情報処理装置の情報保護方法であって、
ファームウェアから一意に値を算出する算出ステップと、
算出された前記値に基づき、前記値に関して規定された定義に従って、前記情報の暗号化のための暗号情報を記憶する記憶手段に記憶された前記暗号情報へのアクセス制御を行う第１アクセス制御ステップと、
前記値に関して規定された定義に従って、前記定義の変更の権限を有するオーナであることを認証する為のオーナ認証情報を記憶する前記記憶手段に記憶されたオーナ認証情報へのアクセス制御を行う第２アクセス制御ステップと
を有することを特徴とする情報保護方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決する為、本発明は、自装置内の情報を保護する情報処理装置であって、前記情報の暗号化のための暗号情報を記憶する記憶手段と、ファームウェアから一意に値を算出する算出手段と、算出された前記値に基づき、前記値に関して規定された定義に従って、前記記憶手段に記憶された前記暗号情報へのアクセス制御を行うアクセス制御手段と、を備え、前記記憶手段は、前記定義の変更の権限を有するオーナであることを認証する為のオーナ認証情報を記憶しており、前記アクセス制御手段は、前記値に関して規定された定義に従って、前記記憶手段に記憶されたオーナ認証情報へのアクセス制御を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
即ち、固体撮像素子２１Ｅでは、導体構造体層２４Ｅが、固体撮像素子２１の導体構造体層２４と異なる構成とされている。固体撮像素子２１Ｅの導体構造体層２４Ｅでは、２層の微小粒子層２９−１および２９−２が形成されている。そして、微小粒子層２９−１では、画素ごとにアイランド２８−１が１個ずつ配置されるとともに、微小粒子層２９−２では、画素ごとにアイランド２８−２が１個ずつ配置されている。また、微小粒子層２９−２のアイランド２８−２は、微小粒子層２９−１のアイランド２８−１よりも若干小さいことが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
ここで、微小粒子層２９は、図６を参照して上述したような基本間隔でＸＹ平面に２次元周期的にアイランド２８が配置されて構成されるが、画素ないし複数画素からなる画素ブロック内に配置されるアイランド２８の周期数は、画素サイズに応じて増減する。例えば、画素サイズの１辺がアイランド２８の基本間隔のＸ倍（但し、Ｘは正の整数）よりも小さい場合は、Ｘ個よりも少ない数のアイランド数が好適である。また、画素サイズの他の１辺がアイランド２８の基本間隔のＹ倍（但し、Ｙは正の整数であり、Ｘと同じであっても良いし異なっても構わない）よりも小さい場合は、Ｙ個よりも少ない数のアイランド数が好適である。従って、画素のサイズが微細な場合は、ＸＹともにアイランド数が１、つまり１画素のＸＹ平面に１個のアイランド２８のみが配置されるような構成であっても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のウェーハを回転させながら洗浄する枚葉式のウェーハ洗浄装置であって、
回転可能に軸支されると共に中心部に開口を有するステージと、
前記ステージ上において前記ウェーハを支持する支持部材と、
前記ステージの前記開口内に設けられ、前記ウェーハの裏面に処理液又はガスを供給する少なくとも一つのノズルと、
前記開口内において前記ノズルを保持するノズル保持部材とを備え、
前記ノズル保持部材の上部は、前記開口よりも小径な略円柱形状を有し、且つ、前記ステージの前記開口に装入されており、
前記ノズルの先端は前記ノズル保持部材を貫通して前記ノズル保持部材の上面に露出していることを特徴とするウェーハ洗浄装置。
【請求項２】
前記ノズル保持部材と前記ステージとの境界の段差が実質的にないことを特徴とする請求項１に記載のウェーハ洗浄装置。
【請求項３】
前記ノズル保持部材の前記上面は、前記ステージの回転の中心から外周方向に向かって下りの傾斜面を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハ洗浄装置。
【請求項４】
前記ノズル保持部材の上面は前記ステージの上面と実質的に面一であることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハ洗浄装置。
【請求項５】
前記ノズル保持部材の上面は前記ステージの上面よりも上方に位置することを特徴とする請求項１に記載のウェーハ洗浄装置。
【請求項６】
前記ノズルの先端に残った前記処理液の一部は、前記ノズル保持部材と前記ステージとの間の隙間を通って排出されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のウェーハ洗浄装置。
【請求項７】
前記ノズル保持部材の少なくとも表面がポリテトラフロロエチレンからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のウェーハ洗浄装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチが非導通状態である期間と、
前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチが非導通状態である期間と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが非導通状態である期間と、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタが非導通状態である期間と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線と電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチが非導通状態であり、且つ前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチの一方が導通状態である期間と、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチが非導通状態であり、且つ前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチの他方が導通状態である期間と、
前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチが非導通状態であり、且つ前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの一方が導通状態である期間と、
前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチが非導通状態であり、且つ前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの他方が導通状態である期間と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが非導通状態であり、且つ前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタの一方が導通状態である期間と、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが非導通状態であり、且つ前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタの他方が導通状態である期間と、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタが非導通状態であり、且つ前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの一方が導通状態である期間と、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタが非導通状態であり、且つ前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの他方が導通状態である期間と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
第５のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
第６のトランジスタを有し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量およびバッファを有し、
前記第２のトランジスタのソースおよびドレインの一方は、入力端子に電気的に接続され、ソースおよびドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方かつ第３のトランジスタのソースおよびドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記容量の一方の電極かつ前記バッファの入力に電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、基準電圧端子に電気的に接続され、
前記バッファの出力は、出力端子および前記第３のトランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタおよび前記第１のトランジスタがオンになり、前記入力端子から前記容量に電荷が蓄積され、前記電荷に対応した情報が前記バッファから前記出力端子に出力され、
前記電荷が蓄積された後、前記第２のトランジスタおよび前記第１のトランジスタがオフになるとともに前記第３のトランジスタがオンになり、前記バッファからの出力が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方に印加され、前記電荷は前記容量に保持されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のトランジスタおよび前記第１のトランジスタがオンになり、前記容量に蓄積された電荷が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方側へ放出され、前記電荷の放出に対応した情報が前記バッファから前記出力端子に出力され、
前記電荷が放出された後、前記第２のトランジスタおよび前記第１のトランジスタがオフになるとともに前記第３のトランジスタがオンになり、前記バッファからの出力が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方に印加されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
第１のインバータ、第２のインバータ、第１のトランジスタ、容量、バッファ、第１のアナログスイッチ、第２のアナログスイッチ、第１の入力端子、第２の入力端子および出力端子を有し、
前記第１の入力端子は、前記第１のインバータの入力に電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力、前記第１のアナログスイッチの第２の制御端子および前記第２のアナログスイッチの第１の制御端子に電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のアナログスイッチの第１の制御端子、前記第２のアナログスイッチの第２の制御端子および前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第２の入力端子は前記第１のアナログスイッチの入力に電気的に接続され、
前記第１のアナログスイッチの出力は、前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方かつ前記第２のアナログスイッチの出力に電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの他方は前記容量の一方の電極および前記バッファの入力に電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、基準電圧端子に電気的に接続され、
前記バッファの出力は、前記出力端子および前記第２のアナログスイッチの入力に電気的に接続されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の入力端子から前記第１のインバータに信号が入力されることによって得られる前記第１のインバータおよび前記第２のインバータからの出力により、前記第１のアナログスイッチおよび前記第１のトランジスタがオンになるとともに前記第２のアナログスイッチがオフになり、前記第２の入力端子から前記容量に電荷が蓄積され、前記電荷に対応した情報が前記バッファから前記出力端子に出力され、
前記電荷が蓄積された後、前記第１の入力端子から前記第１のインバータに信号が入力されることによって得られる前記第１のインバータおよび前記第２のインバータからの出力により、前記第１のアナログスイッチおよび前記第１のトランジスタがオフになるとともに前記第２のアナログスイッチがオンになり、前記バッファからの出力が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方に印加され、前記電荷は前記容量に保持されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の入力端子から前記第１のインバータに信号が入力されることによって得られる前記第１のインバータおよび前記第２のインバータからの出力により、前記第１のアナログスイッチおよび前記第１のトランジスタがオンになるとともに前記第２のアナログスイッチがオフになり、前記容量に蓄積された電荷が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方側へ放出され、前記電荷の放出に対応した情報が前記バッファから前記出力端子に出力され、
前記電荷が放出された後、前記第１の入力端子から前記第１のインバータに信号が入力されることによって得られる前記第１のインバータおよび前記第２のインバータからの出力により、前記第１のアナログスイッチおよび前記第１のトランジスタがオフになるとともに前記第２のアナログスイッチがオンになり、前記バッファからの出力が前記第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方に印加されることを特徴とするＲＦＩＤタグ。