Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央本体（１６８）と、
前記中央本体（１６８）の周囲に配設された外側管（１６６）と；
前記中央本体（１６８）と前記外側管（１６６）との間に設けられた空気流路（１４８）と、
前記空気流路（２０６）に配設された羽根（１７６）であって、
燃料入口（１９４）と、
燃料出口（２０４）と、
前記燃料入口（１９４）を有する下流側空胴（１７７）と前記燃料出口（２０４）を有する上流側空胴（１７５）との間に軸方向に配置された羽根（１７６）の仕切り（２０２）と、
を含む羽根（１７６）と、
前記中央本体（１６８）を通って前記燃料入口（１９４）から前記羽根（１７６）の中まで延出し、前記仕切り（２０２）に沿って前記燃料入口（１７４）から前記燃料出口（２０４）まで非直線方向に前記羽根（１７６）を通って延出する燃料流路（１８４）と、
を備える燃料ノズル（１４４）を備え、
前記上流側空胴（１７５）は、前記中央本体（１６８）を通って延出する前記燃料流路（１８４）からの燃料を前記上流側空胴（１７５）の中へ直接搬送するように構成されたバイパス流路（２１６）を備える、
システム（１００）。
【請求項２】
前記下流側空胴（１７７）は、前記中央本体（１６８）を通って延出する前記燃料流路（１８４）からの燃料を前記下流側空胴（１７７）の中へ直接搬送するように構成された別のバイパス流路を具備する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記仕切り（２０２）は、前記仕切り（２０２）を貫通する直交流路（２１４）を具備し、前記直交流路（２１４）は、前記下流側空胴（１７７）からの燃料を前記上流側空胴（１７５）の中へ直接搬送するように構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記羽根（１７６）は前記空気流路（２０６）の中に渦巻を発生するために湾曲している請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記中央本体（１６８）は、下流側軸方向に延出する燃料流路（１８０）と、上流側軸方向に延出する逆流路（１９０）とを具備し、前記中央本体（１６８）は前記羽根（１７６）から軸方向下流側へ離間するように延出する請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記燃料出口（２０４）は前記羽根（１７６）の外面に斜めに配置される請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記燃料ノズル（１４４）を有する燃焼器（１４６）、前記燃料ノズル（１４４）を有するタービンエンジン（１１８）、又はその組み合わせを具備する請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記燃料流路（１８４）は、前記羽根（１７６）の全長にほぼ沿って前記燃料入口（１９４）から前記燃料出口（２０４）まで上流側方向に延出し、且つ前記上流側方向は、前記空気流路（２０６）に沿った空気流れの下流側方向とはほぼ逆である請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンエンジン用の伝熱システムであって、
タービンエンジンのコンプレッサ（２０）と少なくとも１つのタービン段（４０）との間に接続された冷却空気ダクト（５０）と、
前記冷却空気ダクト内に取り付けられた第１の端部を有する複数のヒートパイプ（６２ａ〜ｅ）であって、前記冷却空気ダクトを貫流する空気のフローから熱を逃がす複数のヒートパイプ（６２ａ〜ｅ）と、
前記ヒートパイプの第２の端部に連結した伝熱ユニット（７０）であって、該伝熱ユニットの内部を冷却剤のフローが貫流していて、前記冷却空気ダクトを貫流する前記空気のフローから前記ヒートパイプの第１の端部へと伝達される熱が、前記伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤によって前記ヒートパイプの第２の端部から除去される、伝熱ユニット（７０）と
を備える、伝熱システム。
【請求項２】
前記冷却空気ダクトが、前記コンプレッサから空気のフローを受け入れ、前記空気のフローを前記タービンエンジンの前記少なくとも１つのタービン段へと送達して、前記少なくとも１つのタービン段を冷却する、請求項１記載の伝熱システム。
【請求項３】
前記伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤が周囲空気である、請求項１又は請求項２記載の伝熱システム。
【請求項４】
前記冷却空気ダクトが、前記タービンエンジンの前記タービンの第２及び第３のホイールスペース（wheelspace）の少なくとも１つへと冷却空気を送達する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の伝熱システム。
【請求項５】
前記ヒートパイプの第２の端部が固体熱伝導材料中に埋め込まれており、熱が前記ヒートパイプの第２の端部から固体熱伝導材料へと伝達され、次いで固体熱伝導材料から伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤へと伝達される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の伝熱システム。
【請求項６】
前記ヒートパイプの第１の端部が固体熱伝導材料中に埋め込まれており、熱が前記冷却空気ダクトを貫流する空気のフローから固体熱伝導材料へと伝達され、次いで固体熱伝導材料からヒートパイプの第１の端部へと伝達される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の伝熱システム。
【請求項７】
タービンエンジン用の伝熱システムであって、
タービンエンジンのコンプレッサ（２０）と少なくとも１つのタービン段（４０）との間に接続された冷却空気ダクト（５０）と、
前記冷却空気ダクトに連結された第１の伝熱ユニット（６０）と、
前記第１の伝熱ユニット（６０）に連結された第１の端部を有する複数のヒートパイプ（６２ａ〜ｅ）と、
前記ヒートパイプの第２の端部に連結した第２の伝熱ユニット（７０）と
を備えていて、前記第１の伝熱ユニットが、前記冷却空気ダクトを貫流する空気のフローから前記ヒートパイプの前記第１の端部内へと熱を伝達し、前記第２の伝熱ユニットの内部を冷却剤のフローが貫流していて、前記冷却空気ダクトを貫流する前記空気のフローから前記ヒートパイプの第１の端部へと伝達される熱が、前記第２の伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤によって前記ヒートパイプの第２の端部から除去される、伝熱システム。
【請求項８】
前記冷却空気ダクトが、前記コンプレッサから空気のフローを受け入れ、前記空気のフローを前記タービンエンジンの前記少なくとも１つのタービン段へと送達して、前記少なくとも１つのタービン段を冷却する、請求項７記載の伝熱システム。
【請求項９】
前記第２の伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤が周囲空気である、請求項７又は請求項８記載の伝熱システム。
【請求項１０】
前記ヒートパイプの第２の端部が固体熱伝導材料中に埋め込まれており、熱が前記ヒートパイプの第２の端部から固体熱伝導材料へと伝達され、次いで固体熱伝導材料から第２の伝熱ユニットの内部を貫流する冷却剤へと伝達される、請求項７乃至請求項９のいずれか１項記載の伝熱システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリーセルと、
前記バッテリーセルを冷却する冷却部と、
前記バッテリーセルから電力が供給される電子機器が前記冷却部に対応している場合、前記バッテリーセルの温度に応じて前記冷却部をＯＮ又はＯＦＦに切り替えるように制御する制御部と
を備える、バッテリーパック。
【請求項２】
前記制御部は、前記電子機器へ前記冷却部の消費電力値を送信するように制御する、請求項１に記載のバッテリーパック。
【請求項３】
前記制御部は、前記電子機器が前記冷却部に対応していない場合、前記冷却部を駆動しないように制御する、請求項１に記載のバッテリーパック。
【請求項４】
前記制御部は、前記冷却部の消費電力値を０として前記電子機器へ送信するように制御する、請求項３に記載のバッテリーパック。
【請求項５】
前記制御部は、前記電子機器が前記冷却部に対応していないことを表す情報を前記電子機器へ送信するように制御する、請求項３に記載のバッテリーパック。
【請求項６】
バッテリーセルと前記バッテリーセルを冷却する冷却部を有するバッテリーパックの前記冷却部に機器本体が対応しているか否かの第一の情報を保持する記憶部と、
前記機器本体が前記冷却部に対応している場合に前記バッテリーセルの温度に応じて前記冷却部をＯＮ又はＯＦＦに切り替える制御のために前記第一の情報を前記バッテリーパックへ送信するように制御する制御部と
を備える、電子機器。
【請求項７】
前記制御部は、前記バッテリーパックから受信される前記冷却部の消費電力値に基づいて前記バッテリーセルの使用可能時間を算出する、請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記冷却部の駆動がＯＦＦであるとき、値が０である前記冷却部の消費電力値を前記バッテリーパックから受信する情報受信部をさらに備える、請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記冷却部の駆動がＯＦＦであることを表す情報を前記バッテリーパックから受信する情報受信部をさらに備える、請求項７に記載の電子機器。
【請求項１０】
バッテリーセルと、前記バッテリーセルを冷却する冷却部と、前記バッテリーセルから電力が供給される電子機器が前記冷却部に対応している場合に前記バッテリーセルの温度に応じて前記冷却部をＯＮ又はＯＦＦに切り替えるように制御する制御部と、を有するバッテリーパックと；
前記冷却部に電子機器が対応しているか否かを示す情報を前記バッテリーパックへ送信する情報送信部を有する前記電子機器と；
を備える機器システム。
【請求項１１】
バッテリーセルから電力を供給される電子機器が、前記バッテリーセルを冷却する冷却部に対応している場合、前記バッテリーセルの温度に応じて前記冷却部をＯＮ又はＯＦＦに切り替えるように制御するステップ、
を含む、バッテリーパック冷却部の制御方法。
【請求項１２】
バッテリーセルから電力が供給される電子機器が、前記バッテリーセルを冷却する冷却部に対応している場合、前記バッテリーセルの温度に応じて前記冷却部をＯＮ又はＯＦＦに切り替えるように制御する手段、
としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
マイコン４は、図３に示すように、ビデオカメラ必要情報送信部４１と、バッテリー必要情報受信部４２と、冷却機能対応判断部４３と、冷却機能制御部４４などを有する。ビデオカメラ必要情報送信部４１は、情報送信部の一例であり、ビデオカメラ２０がバッテリーパック１の使用可能時間を算出するため、ビデオカメラ２０へ冷却部１４の消費電力値等のビデオカメラ２０に必要な情報を送信する。バッテリー必要情報受信部４２は、情報受信部の一例であり、ビデオカメラ２０からビデオカメラ２０が冷却部１４に対応しているか否か等のバッテリーパック１に必要な情報（第一の情報）を受信する。冷却機能対応判断部４３は、バッテリー必要情報に基づいて、ビデオカメラ２０が冷却部１４に対応しているかどうかを判断する。冷却機能制御部４４は、ビデオカメラ２０が冷却部１４に対応している場合、検出された温度に応じて冷却部１４のＯＮ又はＯＦＦを切り替える。また、冷却機能制御部４４は、ビデオカメラ２０が冷却部１４に対応していない場合、冷却部１４の駆動をＯＦＦのままとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
マイコン２１は、図４に示すように、ビデオカメラ必要情報受信部２１１と、バッテリー必要情報送信部２１２と、残量算出部２１３などを有する。ビデオカメラ必要情報受信部２１１は、情報受信部の一例であり、冷却部１４の消費電力値等のビデオカメラ２０に必要な情報をバッテリーパック１から受信する。バッテリー必要情報送信部２１２は、バッテリーパック１の冷却部１４にビデオカメラ２０本体が対応しているか否か等のバッテリーパック１に必要な情報（第一の情報）を送信する。残量算出部２１３は、算出部の一例であり、冷却部１４の消費電力値に基づいてバッテリーパック１の使用可能時間を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置、及びキャパシタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜上に結晶性珪素膜を有する負極を有する蓄電装置であって、
前記導電膜は、非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を有し、
前記結晶性珪素膜は、前記触媒元素を有し、
前記結晶性珪素膜中の前記触媒元素は、前記結晶性珪素膜の前記導電膜に接する側より接しない側の方が低濃度であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選択される一種又は複数種であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記導電膜は、負極集電体として機能し、
前記結晶性珪素膜は、負極活物質として機能することを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
導電膜上に結晶性珪素膜を有する負極と、
正極集電体と正極活物質層とを有する正極と、を有するキャパシタであって、
前記導電膜は、負極集電体として機能し、
前記結晶性珪素膜は、負極活物質として機能し、
前記導電膜は、非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を有し、
前記結晶性珪素膜は、前記触媒元素を有し、
前記結晶性珪素膜は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有し、
前記結晶性珪素膜中の前記触媒元素は、前記結晶性珪素膜の前記導電膜に接する側より接しない側の方が低濃度であることを特徴とするキャパシタ。
【請求項５】
請求項４において、
前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選択される一種又は複数種であることを特徴とするキャパシタ。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記正極活物質層は、活性炭、カーボンナノチューブ、フラーレン、ポリアセンのいずれかを含むことを特徴とするキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の筒状のシェルユニットを積層することにより形成したシェルの中に基板を処理する処理室を設け、このシェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターを備え、これらシェルユニットの積層間に形成される隙間を変形可能な封止部材で封止した加熱装置であって、
前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第一の鍔を設け、前記シェルユニットの前記端部に対し前記隙間で対向する前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第二の鍔を設け、前記封止部材は前記第一の鍔と前記第二の鍔との間に配置され、前記第一の鍔は前記封止部材が前記筒状の外側へ移動することを規制する規制部を備える加熱装置。
【請求項２】
前記第一の鍔は前記シェルの外周側に突出する張出部と、
前記張出部の外側端部に垂下する前記規制部とを有し、
前記封止部材は、前記張出部と前記規制部と前記第二の鍔の間に配置される請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
基板を処理する反応管と、
前記反応管の外周に配置された加熱装置と、を有し、
前記加熱装置は、複数の筒状のシェルユニットを積層することによりシェルを形成し、前記シェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターを備え、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を変形可能な封止部材によって封止し、前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第一の鍔を設け、前記シェルユニットの前記端部に対し前記隙間で対向する前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第二の鍔を設け、前記封止部材は前記第一の鍔と前記第二の鍔との間に配置され、前記第一の鍔は前記封止部材が前記筒状の外側へ移動することを規制する規制部を備える基板処理装置。
【請求項４】
反応管内に基板を装入する工程と、
積層することによりシェルを形成する複数の筒状のシェルユニットと、前記シェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターと、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する変形可能な封止部材と、前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第一の鍔と、前記シェルユニットの前記端部に対し前記隙間で対向する前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第二の鍔とを設け、前記封止部材は前記第一の鍔と前記第二の鍔との間に配置され、前記第一の鍔は前記封止部材が前記筒状の外側へ移動することを規制する規制部を備える加熱装置によって前記反応管内に装入された基板を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、加熱装置、特に、半導体製造における被処理基板を処理室に収容して発熱体により加熱した状態で処理を施す熱処理技術用の加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、複数の筒状のシェルユニットを積層することにより形成したシェルの中に基板を処理する処理室を設け、このシェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターを備え、これらシェルユニットの積層間に形成される隙間を変形可能な封止部材で封止した加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる従来の実情に鑑みて、本発明は、組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び基板処理装置並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
前記第一の鍔は前記シェルの外周側に突出する張出部と、前記張出部の外側端部に垂下する前記規制部とを有し、前記封止部材は、前記張出部と前記規制部と前記第二の鍔の間に配置されるよう構成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明に係る基板処理装置として、基板を処理する反応管と、前記反応管の外周に配置された加熱装置と、を有し、前記加熱装置は、複数の筒状のシェルユニットを積層することによりシェルを形成し、前記シェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターを備え、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を変形可能な封止部材によって封止し、前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第一の鍔を設け、前記シェルユニットの前記端部に対し前記隙間で対向する前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第二の鍔を設け、前記封止部材は前記第一の鍔と前記第二の鍔との間に配置され、前記第一の鍔は前記封止部材が前記筒状の外側へ移動することを規制する規制部を備える。
本発明に係る半導体装置の製造方法として、反応管内に基板を装入する工程と、積層することによりシェルを形成する複数の筒状のシェルユニットと、前記シェルの内周に支持されると共に前記基板を加熱するヒーターと、前記シェルユニットの積層間に形成される隙間を封止する変形可能な封止部材と、前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第一の鍔と、前記シェルユニットの前記端部に対し前記隙間で対向する前記シェルユニットの端部近傍に前記シェルの外周側に突出する第二の鍔とを設け、前記封止部材は前記第一の鍔と前記第二の鍔との間に配置され、前記第一の鍔は前記封止部材が前記筒状の外側へ移動することを規制する規制部を備える加熱装置によって前記反応管内に装入された基板を加熱する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム本体の歪み調節機構と、矩形に形成されたフレーム本体を含んで構成される導光板用枠体であって、
前記フレーム本体の歪み調節機構は、前記フレーム本体の隅部に配設されるＬ形チャンネルと、該Ｌ形チャンネルの両端に配設され、前記Ｌ形チャンネルの端部に一端が係止される圧縮コイルばねと、該圧縮コイルばねの他端を係止し前記フレーム本体に固定される係支片を備え、
前記フレーム本体は、上下、左右各一対のレール状のフレームメンバーにより矩形に形成され、前記各フレームメンバーの長手方向には導光板を支承する側に該導光板と段部により隔てられた位置に形成された第１の長溝と、前記第１の長講の前記導光板と反対側に隔壁を隔てて形成される第２の長溝が形成され、前記フレームメンバーの少なくとも１本のフレームメンバーの前記第１の長溝にＬＥＤモジュールを差し込み、前記第２の長溝に前記フレーム本体の歪み調節機構を収容することにより、前記フレーム本体が上下左右に可動すると共に、前記導光板がＬＥＤモジュールに接触しないように形成したことを特徴とする、
ＬＥＤ導光板用枠体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水溶媒、ＬｉＰＦ６及び式（１）：
Ｍ（ＦＳＯ３）ｘ
［式（１）中、
Ｍは、金属原子、Ｎ（Ｒ）４又はＰ（Ｒ）４（ここで、Ｒは、炭素数１〜１２の有機基又は水素原子であり（ただし、４つのＲの全部が水素原子であることはない）、複数のＲは互いに同一であっても異なっていてもよく、４つのＲの一部又は全部は、それらが結合している窒素原子又はリン原子と共に環を形成してもよい）であり、
Ｍが金属原子の場合、ｘは金属原子Ｍの価数であって１以上の整数であり、ＭがＮ（Ｒ）４又はＰ（Ｒ）４の場合、ｘは１である］
で表されるフルオロスルホン酸塩を含有する非水系電解液であって、
非水電解液中の、ＰＦ６のモル含有量に対するＦＳＯ３のモル含有量の比が、０．００１〜１．２である非水系電解液。
【請求項２】
非水系電解液中のＦＳＯ３のモル含有量が、０．０００５ｍｏｌ／Ｌ〜０．５ｍｏｌ／Ｌである、請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】
式（１）で表されるフルオロスルホン酸塩が、フルオロスルホン酸リチウムである、請求項１または２に記載の非水系電解液。
【請求項４】
非水系電解液が、フッ素原子を有する環状カーボネートを含有する請求項１〜３の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項５】
前記フッ素原子を有する環状カーボネートが、非水系電解液中に０．００１質量％以上８５質量％以下含有されている請求項４に記載の非水系電解液。
【請求項６】
非水系電解液が、炭素−炭素不飽和結合を有する環状カーボネートを含有する請求項１〜５の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項７】
前記炭素−炭素不飽和結合を有する環状カーボネートが、非水系電解液中に０．００１質量％以上１０質量％以下含有されている請求項６に記載の非水系電解液。
【請求項８】
非水系電解液が、環状スルホン酸エステルを含有する請求項１〜７の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項９】
前記環状スルホン酸エステルが、非水電解液中に０．００１質量％以上１０質量％以下含有されている請求項８に記載の非水系電解液。
【請求項１０】
非水系電解液が、シアノ基を有する化合物を含有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の非水系電解液。
【請求項１１】
前記シアノ基を有する化合物が、非水電解液中に０．００１質量％以上１０質量％以下含有されている請求項１０に記載の非水系電解液。
【請求項１２】
非水系電解液が、ジイソシアネート化合物を含有する請求項１〜１１の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項１３】
前記ジイソシアネート化合物が、非水電解液中に０．００１質量％以上５質量％以下含有されている請求項１２に記載の非水系電解液。
【請求項１４】
非水系電解液が、ＬｉＰＦ６以外のフルオロリン酸リチウム塩及びリチウムイミド塩類の少なくとも一種を含有する請求項１〜１３の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項１５】
非水系電解液が、リチウムオキサラート塩類を含有する請求項１〜１４の何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項１６】
前記ＬｉＰＦ６以外のフルオロリン酸リチウム塩及びリチウムイミド塩類の少なくとも一種またはリチウムオキサラート塩類の、非水系電解液中の濃度が、０．０００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である請求項１４または１５に記載の非水電解液。
【請求項１７】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な負極及び正極、並びに請求項１〜１６のいずれか１項に記載の非水系電解液を含む非水系電解液二次電池。
【請求項１８】
前記負極は、集電体上に負極活物質層を有し、前記負極活物質層は、ケイ素の単体金属、合金及び化合物、並びにスズの単体金属、合金及び化合物のうちの少なくとも１種を含有する負極活物質を含む請求項１７に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項１９】
前記負極は、集電体上に負極活物質層を有し、前記負極活物質層は、炭素質材料を含有する負極活物質を含む請求項１７に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項２０】
前記負極は、集電体上に負極活物質層を有し、前記負極活物質層は、リチウムチタン複合酸化物を含有する負極活物質を含む請求項１７に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項２１】
前記正極は、集電体上に正極活物質層を有し、前記正極活物質層は、リチウム・コバルト複合酸化物、リチウム・コバルト・ニッケル複合酸化物、リチウム・マンガン複合酸化物、リチウム・コバルト・マンガン複合酸化物、リチウム・ニッケル複合酸化物、リチウム・ニッケル・マンガン複合酸化物及びリチウム・ニッケル・コバルト・マンガン複合酸化物からなる群より選ばれた少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１７に記載の非水系電解液二次電池。
【請求項２２】
前記正極は、集電体上に正極活物質層を有し、前記正極活物質層は、ＬｉｘＭＰＯ４（Ｍは周期表の第４周期の４族〜１１族の遷移金属からなる群より選ばれた少なくとも一種の元素、ｘは０＜ｘ＜１．２）を含有することを特徴とする請求項１７に記載の非水系電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により光を電流に変換する第１の光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子により変換された電流を増幅する第１の電流増幅手段と、
前記第１の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、モニタ信号を出力する第１の電流モニタ手段と、
前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかけ、前記ゲインをかけられたモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第１の光電変換素子に印加する第１のバイアス電圧設定手段と
を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の電流増幅手段は、ベースが前記第１の光電変換素子のアノードに接続され、コレクタが電源端子に接続され、エミッタから前記増幅された電流を出力する第１のバイポーラトランジスタを有し、
前記第１の電流モニタ手段は、ソースが前記第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続され、ドレインから前記増幅された電流を出力し、ゲートの電位を前記モニタ信号として出力する第１の電界効果トランジスタを有し、
前記第１のバイアス電圧設定手段は、
前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第１のゲイン手段と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴと同一の極性であり、ソースが電源端子に接続され、ゲートが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、ドレインが前記第１のゲイン手段に接続された第２の電界効果トランジスタと、
前記第２の電界効果トランジスタのドレイン及び基準電位端子間に接続された第１の定電流源とを有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１のゲイン手段は、ゲートが定電位のバイアス端子に接続され、ソースが前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１の電界効果トランジスタのゲートに接続された第３の電界効果トランジスタを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１のゲイン手段は、
ソースが前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１の電界効果トランジスタのゲートに接続された第３の電界効果トランジスタと、
入力端子が前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、出力端子が前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続された反転増幅器とを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１のゲイン手段は、
正転入力端子が前記第２の電界効果トランジスタのドレインに接続され、出力端子が前記第１の電界効果トランジスタのゲートに接続されたオペアンプと、
前記第１の電界効果トランジスタのゲート及び前記オペアンプの反転入力端子間に接続された第１の抵抗素子と、
前記オペアンプの反転入力端子及び定電圧端子間に接続された第２の抵抗素子とを有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【請求項６】
さらに、ドレインが前記第１のバイポーラトランジスタのベースに接続され、ソースが前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続され、ゲートがリセット信号入力端子に接続された第４の電界効果トランジスタを有することを特徴とする請求項３記載の光電変換装置。
【請求項７】
さらに、光電変換により光を電流に変換する第２の光電変換素子と、
前記第２の光電変換素子により変換された電流を増幅する第２の電流増幅手段と、
前記第２の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、第２のモニタ信号を出力する第２の電流モニタ手段と、
前記第２の電流モニタ手段から出力される前記第２のモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第２の光電変換素子に印加する第２のバイアス電圧設定手段とを有し、
第１のＮ型領域、第１のＰ型領域、第２のＮ型領域、第２のＰ型領域及び第３のＮ型領域が積層され、前記第１の光電変換素子は前記第１のＮ型領域、前記第１のＰ型領域及び前記第２のＮ型領域を有し、前記第２の光電変換素子は前記第２のＮ型領域、前記第２のＰ型領域及び前記第３のＮ型領域を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１のバイアス電圧設定手段は、前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第１のゲイン手段を有することを特徴とする請求項７記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第２のバイアス電圧設定手段は、前記第２の電流モニタ手段から出力される前記第２のモニタ信号に対して１より小さいゲインをかける第２のゲイン手段を有し、前記第２のゲイン手段によりゲインをかけられた第２のモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第２の光電変換素子に印加することを特徴とする請求項８記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の光電変換装置は、光電変換により光を電流に変換する第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子により変換された電流を増幅する第１の電流増幅手段と、前記第１の電流増幅手段により増幅された電流をモニタし、モニタ信号を出力する第１の電流モニタ手段と、前記第１の電流モニタ手段から出力される前記モニタ信号に対して１より小さいゲインをかけ、前記ゲインをかけられたモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第１の光電変換素子に印加する第１のバイアス電圧設定手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を第１波長の光と第２波長の光とに分離する波長分離フィルタを含む光学装置であって、
前記波長分離フィルタは、複数の格子要素が一次元状に配列されることによって断面形状が鋸歯状であるブレーズ型回折格子を含み、
前記ブレーズ型回折格子は、
基準面に対する前記複数の格子要素のそれぞれの表面がなす角度が順次に変化していることによって前記第１波長の光および前記第２波長の光のうち前記第１波長の光に対して第１パワーを作用させ、
前記複数の格子要素の配列方向に沿った前記複数の格子要素のそれぞれの長さが順次に変化していることによって前記第１波長の光および前記第２波長の光のうち前記第２波長の光に対して第２パワーを作用させる、
ことを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記ブレーズ型回折格子は、前記第１パワーは正のパワーであり、前記第２パワーは正のパワーである、ことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記ブレーズ型回折格子は、前記第１波長の光および前記第２波長の光をそれぞれ異なる位置に集光させる、ことを特徴とする請求項１または２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記ブレーズ型回折格子は、前記複数の格子要素のそれぞれのブレーズ角が順次に変化することによって前記第１波長の光に対して第１パワーを作用させるように構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項５】
前記ブレーズ型回折格子は、曲面を有する基板の前記曲面の上に前記複数の格子要素が一次元状に配列されて構成され、これにより前記基準面に対する前記複数の格子要素のそれぞれの表面がなす角度が順次に変化している、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
前記第１波長の光はＥＵＶ光であり、前記第２波長の光は赤外光であり、
前記光学装置は、前記ＥＵＶ光で基板を露光する露光装置として構成され、
前記光学装置は、前記赤外光を吸収する赤外光吸収体を備え、
前記ブレーズ型回折格子は、前記赤外光を前記赤外光吸収体に集光させる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項７】
前記ブレーズ型回折格子は、原版を前記ＥＵＶ光で照明するためのミラーを兼ねている、
ことを特徴とする請求項６に記載の光学装置。
【請求項８】
前記ブレーズ型回折格子は、原版を前記ＥＵＶ光で照明するための照明光学系に組み込まれていて、
前記ブレーズ型回折格子は、前記複数の格子要素のそれぞれの表面が所定の曲率を有する曲面で構成されることによりオプティカルインテグレータとして機能する、
ことを特徴とする請求項６に記載の光学装置。
【請求項９】
前記赤外光吸収体を冷却する冷却器を更に備える、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１０】
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
露光装置として構成された請求項６乃至９のいずれか１項に記載の光学装置によって基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１１】
複数の格子要素が配列され、断面形状が鋸歯状であるブレーズ型回折格子であって、
基準面に対する前記複数の格子要素のそれぞれの表面がなす角度が順次に変化し、かつ、前記複数の格子要素の配列方向に沿った前記複数の格子要素のそれぞれの長さが順次に変化しており、入射光を第１波長の光と第２波長の光とに分離する、
ことを特徴とするブレーズ型回折格子。
【請求項１２】
前記角度が順次に変化していることによって前記入射光のうち前記第１波長の光に対して第１パワーを作用させ、
前記長さが順次に変化していることによって前記入射光のうち前記第２波長の光に対して第２パワーを作用させる、
ことを特徴とする請求項１１に記載のブレーズ型回折格子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学装置、デバイス製造方法およびブレーズ型回折格子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光学装置、デバイス製造方法およびブレーズ型回折格子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の１つの側面は、入射した光を第１波長の光と第２波長の光とに分離する波長分離フィルタを含む光学装置に係り、前記光学装置において、前記波長分離フィルタは、複数の格子要素が一次元状に配列されることによって断面形状が鋸歯状であるブレーズ型回折格子を含み、前記ブレーズ型回折格子は、基準面に対する前記複数の格子要素のそれぞれの表面がなす角度が順次に変化していることによって前記第１波長の光および前記第２波長の光のうち前記第１波長の光に対して第１パワーを作用させ、前記複数の格子要素の配列方向に沿った前記複数の格子要素のそれぞれの長さが順次に変化していることによって前記第１波長の光および前記第２波長の光のうち前記第２波長の光に対して第２パワーを作用させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の実施形態のブレーズ型回折格子は、格子長が順次に変化していることによって赤外光を集光させる第２パワーを有し、基準面に対する複数の格子要素のそれぞれの表面がなす角度が順次に変化していることによってＥＵＶ光を集光させる第１パワーを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極端子が形成されている側の第１の面及びこれと反対側の第２の面を有する半導体素子と、
前記半導体素子が埋め込まれた第１の絶縁層と、
前記第２の面側の前記第１の絶縁層に形成された第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成され、前記半導体素子の電極端子に到達する第１のビアホールと、
前記第１の前記絶縁層上に形成され、前記第１のビアホール内に設けられた第１のビアと一体的に形成され、前記電極端子と直接接続された前記第１の配線層と、
前記第１絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通して形成され、前記第１の配線層に到達する第２のビアホールと、
前記第２の絶縁層上に形成され、前記第２のビアホール内に設けられた第２のビアによって前記第１の配線層に接続された第２の配線層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の第１の面と側面とが前記第１の絶縁層に被覆され、前記第２の面が前記第１の絶縁層から露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の第２の面が前記第２の絶縁層に接触していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の面側及び第２の面側において、多層配線構造を有し、それぞれ最外層の配線層を被覆するソルダレジスト層を備え、各ソルダレジスト層は、当該配線層に画定された外部接続用のパッドの部分を露出させて形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子が埋め込まれた第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
電極端子が形成されている側の第１の面及びこれと反対側の第２の面を有する半導体素子を、前記第１の面側を上にして第１の支持体上に搭載する工程と、
前記第１の支持体上に、前記半導体素子を封止するように第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に、該第１の絶縁層に形成される第１のビアを介して前記半導体素子の電極端子に接続される第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の支持体を除去する工程と、
前記第１の支持体の除去後の構造体を、前記第２の面側を上にして第２の支持体上に搭載する工程と、
前記第２の面上に、前記第１の絶縁層を貫通して形成される第２のビアを介して前記第１の配線層に接続される第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の支持体を除去する工程は、前記第１の配線層を被覆する第２の絶縁層を形成した後に行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の支持体上に搭載する工程の後であって、前記第２の配線層を形成する工程の前に、
前記半導体素子の第２の面を前記第１の絶縁層と共に研削し、当該半導体素子を所要の厚さに薄化する工程と、
薄化された前記半導体素子の第２の面及び前記第１の絶縁層上に、第３の絶縁層を形成する工程とを有し、
前記第２の配線層を形成する工程において、前記第２の配線層は前記第３の絶縁層の上に形成され、前記ビアは前記第３の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の支持体を除去する工程は、前記第２の配線層を被覆する第４の絶縁層を形成した後に行われることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第４の絶縁層を形成後、前記第２の支持体を除去する前に、
前記第４の絶縁層上に、該第４の絶縁層に形成される第３のビアを介して前記第２の配線層に接続される第３の配線層を形成する工程と、
前記第３の配線層に画定される外部接続用のパッドの部分を露出させてソルダレジスト層を形成する工程とを含み、
さらに前記第２の支持体を除去した後に、
前記第２の絶縁層上に、該第２の絶縁層に形成される第４のビアを介して前記第１の配線層に接続される第４の配線層を形成する工程と、
前記第４の配線層に画定される外部接続用のパッドの部分を露出させてソルダレジスト層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、電極端子が形成されている側の第１の面及びこれと反対側の第２の面を有する半導体素子と、前記半導体素子が埋め込まれた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記第２の面側に形成された第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層に形成され、前記半導体素子の電極端子に到達する第１のビアホールと、前記第１の前記絶縁層上に形成され、前記第１のビアホール内に設けられた第１のビアと一体的に形成され、前記電極端子と直接接続された前記第１の配線層と、前記第１絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通して形成され、前記第１の配線層に到達する第２のビアホールと、前記第２の絶縁層上に形成され、前記第２のビアホール内に設けられた第２のビアにより前記第１の配線層に接続された第２の配線層とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の他の形態によれば、電極端子が形成されている側の第１の面及びこれと反対側の第２の面を有する半導体素子を、前記第１の面側を上にして第１の支持体上に搭載する工程と、前記第１の支持体上に、前記半導体素子を封止するように第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に、該第１の絶縁層に形成される第１のビアを介して前記半導体素子の電極端子に接続される第１の配線層を形成する工程と、前記第１の支持体を除去する工程と、前記第１の支持体の除去後の構造体を、前記第２の面側を上にして第２の支持体上に搭載する工程と、前記第２の面上に、前記第１の絶縁層を貫通して形成される第２のビアを介して前記第１の配線層に接続される第２の配線層を形成する工程と、前記第２の支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のタッチパネルと、
第２のタッチパネルと、
前記第１のタッチパネル上の表示物の位置で押圧が開始された後の、前記第２のタッチパネル上での押圧において、前記第１のタッチパネル上での表示物の押圧による処理を、前記第２のタッチパネル上での表示物に継続する制御部と、を備える
ことを特徴とするユーザインタフェース装置。
【請求項２】
請求項１記載のユーザーインタフェース装置を備えることを特徴とする携帯端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテ
ナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテ
ナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路は、前記アンテナコイルにより生成された電界の方向と直交することを特徴と
するプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の幅は、前記ガス供給手段から導入されたガスの平均自由行程以下であること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記流路の内部は、導電体で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記電界透過窓と前記アンテナコイルとの間に設けられ、プラズマと容量結合するファ
ラデーシールドとを備え、
前記アンテナコイルは、円状のコイルであり、
前記ガス供給部は、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空
容器内に供給するガス孔を複数、具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
試料をプラズマ処理する真空容器と、前記真空容器の上方に設けられ、前記真空容器
を気密に封止する電界透過窓と、前記透過窓と対向し、試料を載置する試料載置電極と、
前記電界透過窓の上方に設けられ、誘導磁場を生成するアンテナコイルと、前記アンテナコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス
供給手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ
処理方法において、
前記電界透過窓は、放射状に形成された複数の流路と、中心部に設けられ、前記ガス供給手段から前記流路を介して導入されたガスを前記真空容器内に供給するガス供給部とを具備することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、下部と上部を有する本体、前記本体の上部に配置されるソース／ドレインノード、そして、前記本体の下部に配置されるドレイン／ソースノードを含む垂直ピラートランジスタと、
少なくとも前記本体の下部の上部表面に形成され、金属シリサイドを含む前記埋立ビットラインと、
前記本体の上部を部分的に包む前記ワードラインと、
前記ワードラインと前記埋立ビットラインとの間に配置される低い濃度でドーピングされたオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）と、
を備え、
前記埋立ビットラインは、第１方向に延伸され、前記ワードラインは、前記第１方向に直交する第２方向に延伸されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記埋立ビットラインは、前記本体の下部側面上にも形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記オフセットは、前記本体の下部に形成される前記ドレイン／ソースノードの上部に配置され、
前記オフセットは、前記本体の上部の下端部から突出されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワードラインと前記埋立ビットラインとの間に介在される絶縁パターンをさらに含み、
前記本体の上部は絶縁体でカバーされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記本体の上部に電気的に接続され、前記垂直ピラートランジスタから垂直に延伸される２つの導電性プレートを含むキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記埋立ビットラインは、前記基板上に第１方向に沿って配置される複数の垂直ピラートランジスタに電気的に接続され、
前記基板上に配置され、ソースノード及びドレインノードを備える、少なくとも１つの水平トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記垂直ピラートランジスタが配置される前記基板の上部または下部に配置される追加基板上に配置され、ソースノード及びドレインノードを備える少なくとも１つの水平トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上にシリンダー型上部を支持する四角形断面の下部を有する本体、前記本体の上部に配置されるソース／ドレインノード及び前記本体の下部に配置されるドレイン／ソースノードを含む垂直ピラートランジスタと、
前記本体の上部の下部から同軸方向に突出される突出部と、
前記本体の下部の上部表面と前記突出部上に形成され、金属シリサイドを含む埋立ビットラインと、
前記本体の上部を部分的に囲むワードラインと、
前記ワードラインと前記埋立ビットラインとの間に配置される低い濃度でドーピングされたオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）と、を備え、
前記埋立ビットラインは、第１方向に沿って延長され、前記ワードラインは、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延長されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記ワードラインの底部は前記突出部の上部に接触され、
前記突出部の上部は絶縁体を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
基板上にマスクを形成する段階と、
前記マスクを利用して前記基板を部分的にエッチングして、それぞれ下部と上部を有する本体を含む複数の垂直ピラートランジスタを形成する段階と、
前記本体の上部にソース／ドレインノードを形成し、前記本体の下部にドレイン／ソースノードを形成する段階と、
金属層を積層し、前記金属層にシリサイデーション工程を遂行して、少なくとも前記垂直ピラートランジスタの前記本体の下部の表面を覆いながら第１方向に延長される埋立ビットラインを形成する段階と、
前記本体の下部に形成された前記ドレイン／ソースノードの上に、前記本体の上部の一部と接触しているオフセットを形成する段階と、
前記複数の垂直ピラートランジスタの前記ソース／ドレインノードと前記ドレイン／ソースノードとの間の前記上部を部分的に包み、前記第１方向と直交する第２方向で延長されるワードラインを形成する段階と、を備える半導体装置の製造方法。