Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動モータと、前記電動モータの出力軸の回転を減速する歯車減速機と、前記歯車減速機の出力軸に設けられた回転直動変換機構により開閉動作して把持対象物を把持する一対のフィンガーと、を有する把持装置の制御方法において、
前記把持対象物を把持するのに必要な所定把持力を前記一対のフィンガーに発生させる第１の電流値の電流を、前記電動モータに供給する第１の工程と、
前記第１の工程で前記一対のフィンガーに前記所定把持力を発生させて前記把持対象物を把持させた後、前記電動モータに供給する電流を、前記第１の電流値よりも小さく、かつ、前記電動モータに供給する電流に対する前記一対のフィンガーの把持力のヒステリシス特性に基づき、前記所定把持力が維持される第２の電流値に減少させる第２の工程と、を備えたことを特徴とする把持装置の制御方法。
【請求項２】
前記第２の電流値は、予め測定した前記ヒステリシス特性の情報を用いて設定した値であることを特徴とする請求項１に記載の把持装置の制御方法。
【請求項３】
前記フィンガーの開閉位置を検出する検出工程を備え、
前記第２の電流値は、前記フィンガーが前記第１の工程における開閉位置から所定量開方向に変位したのを前記検出工程で検出されたときの電流値であることを特徴とする請求項１に記載の把持装置の制御方法。
【請求項４】
電動モータと、前記電動モータの出力軸の回転を減速する歯車減速機と、前記歯車減速機の出力軸に設けられた回転直動変換機構により開閉動作して把持対象物を把持する一対のフィンガーと、を有する把持装置の制御装置において、
入力した電流指令値に対応する電流値の電流を前記電動モータに供給する電流供給手段と、
前記把持対象物を把持するのに必要な所定把持力を前記一対のフィンガーに発生させる第１の電流指令値を前記電流供給手段に出力する第１の電流制御手段と、
前記一対のフィンガーに前記把持対象物を把持させた状態で、前記電流供給手段に出力する電流指令値を、前記第１の電流指令値よりも小さく、かつ、前記電動モータに供給する電流に対する前記一対のフィンガーの把持力のヒステリシス特性に基づき、前記所定把持力が維持される第２の電流指令値に減少させる第２の電流制御手段と、を備えたことを特徴とする把持装置の制御装置。
【請求項５】
前記ヒステリシス特性の測定結果に基づいた前記第１の電流指令値と前記第２の電流指令値との関係を記憶する記憶手段を備え、
前記第２の電流制御手段は、前記第１の電流制御手段が出力した前記第１の電流指令値に対する前記第２の電流指令値を前記記憶手段から読み出して出力することを特徴とする請求項４に記載の把持装置の制御装置。
【請求項６】
前記フィンガーの開閉位置を検出する検出手段を備え、
前記第２の電流制御手段は、前記第２の電流指令値を出力する際に、前記第１の電流指令値から徐々に電流指令値を減少させ、前記第１の電流指令値に対応する電流値の電流を前記電動モータに供給したときの前記フィンガーの開閉位置を基準に前記フィンガーが所定量開方向に変位したのを前記検出手段が検出した場合に出力している電流指令値を前記第２の電流指令値として、電流指令値の減少を停止することを特徴とする請求項４に記載の把持装置の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、電動モータと、前記電動モータの出力軸の回転を減速する歯車減速機と、前記歯車減速機の出力軸に設けられた回転直動変換機構により開閉動作して把持対象物を把持する一対のフィンガーと、を有する把持装置の制御方法において、前記把持対象物を把持するのに必要な所定把持力を前記一対のフィンガーに発生させる第１の電流値の電流を、前記電動モータに供給する第１の工程と、前記第１の工程で前記一対のフィンガーに前記所定把持力を発生させて前記把持対象物を把持させた後、前記電動モータに供給する電流を、前記第１の電流値よりも小さく、かつ、前記電動モータに供給する電流に対する前記一対のフィンガーの把持力のヒステリシス特性に基づき、前記所定把持力が維持される第２の電流値に減少させる第２の工程と、を備えたことを特徴とする把持装置の制御方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、電動モータと、前記電動モータの出力軸の回転を減速する歯車減速機と、前記歯車減速機の出力軸に設けられた回転直動変換機構により開閉動作して把持対象物を把持する一対のフィンガーと、を有する把持装置の制御装置において、入力した電流指令値に対応する電流値の電流を前記電動モータに供給する電流供給手段と、前記把持対象物を把持するのに必要な所定把持力を前記一対のフィンガーに発生させる第１の電流指令値を前記電流供給手段に出力する第１の電流制御手段と、前記一対のフィンガーに前記把持対象物を把持させた状態で、前記電流供給手段に出力する電流指令値を、前記第１の電流指令値よりも小さく、かつ、前記電動モータに供給する電流に対する前記一対のフィンガーの把持力のヒステリシス特性に基づき、前記所定把持力が維持される第２の電流指令値に減少させる第２の電流制御手段と、を備えたことを特徴とする把持装置の制御装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に開口部が形成された凹部を有する支持基板と、
該支持基板の外形寸法より小さく前記開口部より大きい外形寸法を有し、前記支持基板の表面に積層状態に接合されて前記開口部を閉塞する上板基板と、
該上板基板の表面における前記凹部に対向する位置に形成される発熱抵抗体とを備えるサーマルヘッド。
【請求項２】
前記上板基板が、前記支持基板との接合面とは反対側に形成される平坦な先端面と、該先端面の外周から前記支持基板の表面に向かって広がるように傾斜した側面とを有する請求項１に記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記支持基板が、前記開口部の周囲に沿って積層方向に突出する段差部を有する請求項１または請求項２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
前記発熱抵抗体の両端に接続される一対の電極を備え、
該一対の電極の間に位置する前記上板基板の表面に前記発熱抵抗体との積層方向に突出する凸部が形成されている請求項１から請求項３のいずれかに記載のサーマルヘッド。
【請求項５】
前記凸部が、前記凹部に対向する領域内に形成されている請求項４に記載のサーマルヘッド。
【請求項６】
前記凸部が、前記凹部に対向する領域外に拡がる請求項４に記載のサーマルヘッド。
【請求項７】
前記支持基板と前記上板基板との間に配置され、前記支持基板と前記上板基板とを接着する接着層を備える請求項１から請求項６のいずれかに記載のサーマルヘッド。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のサーマルヘッドと、
該サーマルヘッドの前記発熱抵抗体に感熱記録媒体を押し付けながら送り出す加圧機構とを備えるプリンタ。
【請求項９】
表面に開口する凹部を有する平板状の支持基板に、前記支持基板の外形寸法より小さく前記凹部より大きい外形寸法を有する上板基板を前記凹部が閉塞されるように積層状態に接合する接合工程と、
該接合工程により前記支持基板に接合された前記上板基板の表面における前記凹部に対向する位置に発熱抵抗体を形成する抵抗体形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１０】
表面に開口する凹部を有する平板状の支持基板に前記凹部を閉塞するように平板状の上板基板を積層状態に接合する接合工程と、
前記支持基板に接合された前記上板基板を薄板化する薄板化工程と、
前記支持基板に接合された前記上板基板における前記凹部を閉塞する閉塞部分を残し、該閉塞部分より外側を除去する成形工程と、
前記薄板化工程による薄板化および前記成形工程による成形が施された前記上板基板の表面における前記凹部に対向する位置に発熱抵抗体を形成する抵抗体形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記成形工程が、前記支持基板の表面における前記上板基板に覆われていない領域を所定の厚さまで除去する請求項１０に記載のサーマルヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明は、表面に開口部が形成された凹部を有する支持基板と、該支持基板の外形寸法より小さく前記開口部より大きい外形寸法を有し、前記支持基板の表面に積層状態に接合されて前記開口部を閉塞する上板基板と、該上板基板の表面における前記凹部に対向する位置に形成される発熱抵抗体とを備えるサーマルヘッドを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は、表面に開口する凹部を有する平板状の支持基板に、前記支持基板の外形寸法より小さく前記凹部より大きい外形寸法を有する上板基板を前記凹部が閉塞されるように積層状態に接合する接合工程と、該接合工程により前記支持基板に接合された前記上板基板の表面における前記凹部に対向する位置に発熱抵抗体を形成する抵抗体形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス繊維と熱可塑性樹脂との複合成形材料であって、前記ガラス繊維が遠心法及び／又は火炎法によって製造されるガラス短繊維であることを特徴とする複合成形材料。
【請求項２】
請求項１に記載の複合成形材料において、前記ガラス短繊維は、シランカップリング剤及び／又はフィルムフォーマを含む溶液を噴霧して表面処理されることを特徴とする複合成形材料。
【請求項３】
請求項２に記載の複合成形材料において、前記ガラス短繊維に対する重量百分率は、シランカップリング剤が０．１〜２．０wt％、被膜形成剤の重量百分率はシランカップリング剤に対して５〜１５倍であることを特徴とする複合成形材料。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合成形材料において、前記ガラス短繊維は、平均繊維長が３００〜１０００μｍで、繊維径が３〜６μｍであることを特徴とする複合成形材料。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
清掃ヘッドと、該清掃ヘッドの下面を覆って取り付けられたベース体とからなる清掃具本体と、前記清掃ヘッドの下面と反対側の面に取り付けられたハンドル部とを備え、前記ベース体の下面による清掃面を覆って清掃シートが装着されて、該清掃シートにより被清掃面を払拭する清掃具であって、
前記ベース体の下面は、前記清掃具本体によって清掃を行う所定の方向と、平面視して垂直な方向での断面が山部と谷部とが交互に連続配置された波形断面形状となっている波形凹凸面部を備えており、
該波形凹凸面部の前記谷部は、前記ベース体の前記所定の方向と対向する辺部に端部が開口していると共に、前記所定の方向に対して斜めに延設している斜め谷部を有しており、
前記波形凹凸面部は、前記ベース体の全面に波紋状に広がる凹凸面の一部として設けられており、
前記波紋状に広がる凹凸面は、前記ベース体の全面に円形状又はひし形状に広がる凹凸面である清掃具。
【請求項２】
前記波形凹凸面部の前記山部には、少なくとも前記谷部の斜め谷部に沿った部分に、当該山部の頂部から突出する突リブが前記頂部の延設方向に間隔をおいて複数設けられている請求項１記載の清掃具。
【請求項３】
前記突リブは、前記山部の幅方向に設けられた線状リブ片となっている請求項２記載の清掃具。
【請求項４】
前記線状リブ片は、前記所定の方向に対して斜めに設けられている請求項３記載の清掃具。
【請求項５】
前記清掃具本体は、矩形平面形状を有しており、前記ベース体の前記所定の方向と対向する辺部は、前記矩形平面形状の長辺部である請求項１〜４の何れか１項記載の清掃具。
【請求項６】
前記ベース体の下面は、前記所定の方向での断面が山部と谷部とが交互に連続配置された波形断面形状となっている補助波形凹凸面部を備えており、
該補助波形凹凸面部の前記谷部は、前記ベース体の前記矩形平面形状の短辺部に端部が開口していると共に、前記短辺部に対して斜めに延設する補助斜め谷部を有している請求項５記載の清掃具。
【請求項７】
前記補助波形凹凸面部の前記山部には、少なくとも前記谷部の補助斜め谷部に沿った部分に、当該山部の頂部から突出する突リブが前記頂部の延設方向に間隔をおいて複数設けられている請求項６記載の清掃具。
【請求項８】
前記清掃ヘッドの下面と前記ベース体との間に介在させて、クッション材が前記清掃ヘッドの下面の略全域に亘って装着されており、前記クッション材により前記ベース体を押し出して前記ベース体の下面を湾曲形状に突出させた状態から、前記ハンドル部による前記清掃具本体への押圧力によって前記クッション材が押し潰されて、前記清掃シートによって覆われた前記ベース体の下面を平坦な面とする請求項１〜７の何れか１項記載の清掃具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浴室壁面に対して固定されて、上面に物を載置可能な平面を有するベース部材と、
前記ベース部材に対して着脱自在に取り付けられて、前記ベース部材の上面と面一となる上面を有するカウンター部材と、を備えた浴室カウンターの取付構造であって、
前記ベース部材および前記カウンター部材のいずれか一方には凹状嵌合部が形成され、他方には前記凹状嵌合部と嵌合する凸状嵌合部が形成されており、
前記凹状嵌合部または前記凸状嵌合部の少なくともいずれか一方には、弾性変形可能な弾性部材が取り付けられており、
前記カウンター部材が前記ベース部材に取り付けられた状態において、前記弾性部材は圧縮変形した状態で前記凹状嵌合部と前記凸状嵌合部との間隙に配置されることを特徴とする浴室カウンターの取付構造。
【請求項２】
前記弾性部材は、前記カウンター部材を係合する際に、前記ベース部材と前記カウンター部材とが最後に当接する位置に設けられていることを特徴とする請求項１記載の浴室カウンターの取付構造。
【請求項３】
前記弾性部材は、前記カウンター部材に取り付けられていることを特徴とする請求項１または２記載の浴室カウンターの取付構造。
【請求項４】
前記弾性部材は、着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の浴室カウンターの取付構造。
【請求項５】
前記弾性部材は間隔を空けて少なくとも２個以上取り付けられており、前記弾性部材の間には、前記凹状嵌合部内に流入した水を排水するための排水通路が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の浴室カウンターの取付構造。
【請求項６】
前記弾性部材の前記凹状嵌合部または前記凸状嵌合部と当接する面は、曲面状に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の浴室カウンターの取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明に係る浴室カウンターの取付構造は、浴室壁面に対して固定されて、上面に物を載置可能な平面を有するベース部材と、前記ベース部材に対して着脱自在に取り付けられて、前記ベース部材の上面と面一となる上面を有するカウンター部材と、を備えた浴室カウンターの取付構造であって、前記ベース部材および前記カウンター部材のいずれか一方には凹状嵌合部が形成され、他方には前記凹状嵌合部と嵌合する凸状嵌合部が形成されており、前記凹状嵌合部または前記凸状嵌合部の少なくともいずれか一方には、弾性変形可能な弾性部材が取り付けられており、前記カウンター部材が前記ベース部材に取り付けられた状態において、前記弾性部材は圧縮変形した状態で前記凹状嵌合部と前記凸状嵌合部との間隙に配置されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浴槽裏側の空間内に設置された非防水式のポンプによって浴槽水を循環させることが可能な浴槽循環装置であって、
前記ポンプの駆動を制御するポンプ駆動用制御装置と、
前記空間内に水が漏水したことを検知する漏水検知手段と、を備え、
前記漏水検知手段が漏水を検知すると、前記ポンプへの通電を遮断するように制御することを特徴とする浴槽循環装置。
【請求項２】
前記漏水検知手段は、前記浴槽が載置される浴槽架台に取り付けられ、前記ポンプより下方に配置されていることを特徴とする請求項１記載の浴槽循環装置。
【請求項３】
前記漏水検知手段が検知した漏水情報を記憶する不揮発性メモリを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の浴槽循環装置。
【請求項４】
前記浴槽循環装置の電源投入時に前記不揮発性メモリに記憶されている情報をスキャンした上で前記ポンプへの通電可否を判断することを特徴とする請求項３記載の浴槽循環装置。
【請求項５】
前記ポンプ駆動用制御装置に信号を送信するポンプ駆動用コントローラを備え、
前記不揮発性メモリは、前記ポンプ駆動用コントローラおよび前記ポンプ駆動用制御装置のそれぞれに設けられており、
且つ前記漏水検知手段が検知した漏水情報は、前記ポンプ駆動用コントローラおよび前記ポンプ駆動用制御装置それぞれの不揮発メモリに記憶されることを特徴とする請求項４記載の浴槽循環装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明に係る浴槽循環装置は、浴槽裏側の空間内に設置された非防水式のポンプによって浴槽水を循環させることが可能な浴槽循環装置であって、前記ポンプの駆動を制御するポンプ駆動用制御装置と、前記空間内に水が漏水したことを検知する漏水検知手段と、を備え、前記漏水検知手段が漏水を検知すると、ポンプへの通電遮断するように制御することを特徴とする。
さらに好ましくは、前記漏水検知手段は、前記浴槽が載置される浴槽架台に取り付けられ、前記ポンプより下方に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体内部の投影データを取得する計測手段と、該被検体の心電情報を計測する心電計と、前記投影データに基づいて画像を生成する画像生成手段と、を備えた医用画像撮影装置であって、
所定パターンをなすデータ列を同期情報とし、各時相の心電情報に対して時系列に前記同期情報の各要素データを付加する同期情報付加手段と、
前記同期情報付加手段によって同期情報の各要素データが付加された心電情報を記憶する心電情報記憶手段と、
前記同期情報付加手段によって同期情報の各要素データが付加された心電情報と、同時に取得された前記投影データとを対応付け、前記心電情報とは別に記憶する投影データ記憶手段と、
を備えることを特徴とする医用画像撮影装置。
【請求項２】
前記同期情報のパターンは、
固定キー部分と識別番号との組み合わせからなるデータ列であることを特徴とする請求項１に記載の医用画像撮影装置。
【請求項３】
前記同期情報のパターンは、
各要素データがそれぞれパターン内の位置を識別可能なデータ列であることを特徴とする請求項１に記載の医用画像撮影装置。
【請求項４】
前記同期情報付加手段は、
前記計測手段による投影データのサンプリング間隔と、前記心電計による心電情報のサンプリング間隔とが同じ場合は、これらのサンプリング間隔と同じ時間間隔に前記同期情報の各要素データを各時相の心電情報に付加することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の医用画像撮影装置。
【請求項５】
前記同期情報付加手段は、
前記計測手段による投影データのサンプリング間隔と、前記心電計による心電情報のサンプリング間隔とが異なる場合は、これらのサンプリング間隔の公倍数となる時間は前記同期情報の同じ要素データを各時相の心電情報に付加することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の医用画像撮影装置。
【請求項６】
被検体内部の投影データを取得する計測手段と、該被検体の心電情報を計測する心電計と、前記投影データに基づいて画像を生成する画像生成手段と、を備えた医用画像撮影装置であって、
前記心電計から計測された心電情報を記憶する心電情報記憶手段と、
前記心電情報と、同時に取得された前記投影データとを対応付け、前記心電情報とは別に記憶する投影データ記憶手段と、
時系列で識別可能な複数の識別情報を同期情報とし、各時相の心電情報に各識別情報をそれぞれ付加するとともに、一部の時相の投影データに当該時相に対応する識別情報を付加する識別情報付加手段と、
を備えることを特徴とする医用画像撮影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、
赤外線を人体に照射する赤外線照射手段と、
前記赤外線を照射した後の反射光により疲労度を分析する疲労度分析手段と、
この分析結果をユーザに通知制御する制御手段と、
を含むことを特徴とする腕時計型携帯端末が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
赤外線を人体に照射する赤外線照射手段と、
前記赤外線を照射した後の反射光により疲労度を分析する疲労度分析手段と、
この分析結果をユーザに通知制御する制御手段と、
を含むことを特徴とする腕時計型携帯端末。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともリン、モリブデン、バナジウム、銅、Ｚ元素（カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素）及び酸素を含むメタクリル酸製造用触媒の製造方法であって、
（Ａ）三酸化モリブデン１００質量部に対し、過酸化水素を５質量部以上、４０質量部以下、水を１２００質量部以下添加し混合することで混合物を調製する工程、
（Ｂ）前記混合物に残りの触媒原料を添加してさらに混合する工程、
を含むことを特徴とするメタクリル酸製造用触媒の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法により製造されるメタクリル酸製造用触媒。
【請求項３】
請求項２に記載のメタクリル酸製造用触媒の存在下、メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化させるメタクリル酸の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るメタクリル酸製造用触媒の製造方法は、メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともリン、モリブデン、バナジウム、銅、Ｚ元素（カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素）及び酸素を含むメタクリル酸製造用触媒の製造方法であって、（Ａ）三酸化モリブデン１００質量部に対し、過酸化水素を５質量部以上、４０質量部以下、水を１２００質量部以下添加し混合することで混合物を調製する工程、（Ｂ）前記混合物に残りの触媒原料を添加してさらに混合する工程、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電エレメントと無給電エレメントとを有するアンテナユニットと、
地板を備える回路基板と、
前記回路基板に搭載されて前記アンテナユニットで受信した受信信号を増幅するアンプ回路と、
前記アンプ回路と受信器とを電気的に接続する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルの外導体に混入するコモンモードノイズを低減するためのフィルタと、を備え、
前記地板は、前記無給電エレメントに接続されていることを特徴とする車載用アンテナ装置。
【請求項２】
前記フィルタは、前記アンプ回路と前記同軸ケーブルとの間に接続され、前記給電エレメントが前記アンプ回路に接続され、前記無給電エレメントが前記地板に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の車載用アンテナ装置。
【請求項３】
前記フィルタは、前記アンプ回路と前記アンテナユニットとの間に配置され、前記給電エレメントが前記フィルタを介して前記アンプ回路に接続され、前記無給電エレメントが前記フィルタを介して前記地板に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の車載用アンテナ装置。
【請求項４】
前記フィルタは、前記同軸ケーブルの外導体に混入するコモンモードノイズを遮断するコモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の車載用アンテナ装置。
【請求項５】
前記フィルタは、前記同軸ケーブルの外導体から見た前記回路基板側のインピーダンスを高くするためのチョークコイルであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の車載用アンテナ装置。
【請求項６】
前記アンテナユニットは、ＵＨＦ周波数帯において広帯域な受信特性を有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の車載用アンテナ装置。
【請求項７】
給電エレメントと無給電エレメントとを有するアンテナユニットと、
地板を備える回路基板と、
前記回路基板に搭載されて前記アンテナユニットで受信した受信信号を増幅するアンプ回路と、
前記アンプ回路と受信器とを電気的に接続する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルの外導体に混入するコモンモードノイズを低減するためのフィルタと、を備え、
前記地板は、前記無給電エレメントの一部として動作することを特徴とする車載用アンテナ装置。
【請求項８】
給電エレメントと無給電エレメントとを有するアンテナユニットと、
地板を備える回路基板と、
前記回路基板に搭載されて前記アンテナユニットで受信した受信信号を増幅するアンプ回路と、
前記アンプ回路と受信器とを電気的に接続する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルの外導体に混入するコモンモードノイズを低減するためのフィルタと、を備え、
前記給電エレメント及び前記無給電エレメントの長手方向は、前記同軸ケーブルが前記アンプ回路に接続される接続部における前記同軸ケーブルの方向に略平行に配置されていることを特徴とする車載用アンテナ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の移動可能で、互いにデータのマルチキャスト通信を行う無線通信装置を含み、ＯＬＳＲ（Optimized Link State Routing）プロトコルに従って動作する無線通信システムであって、
前記複数の無線通信装置それぞれは、
この無線通信装置がマルチキャストの発信元である場合に、マルチキャストの送信先となる前記無線通信装置の集合を示すグループ情報と、前記ＯＬＳＲにより確立された、この無線通信装置から他の前記無線通信装置までの通信経路を示す通信経路情報とに基づいて、データに付加され、この無線通信装置と他の前記無線通信装置との間の通信制御を示す通信制御情報を設定する制御情報設定手段と、
他の前記無線通信装置から受信したデータに付加された通信制御情報に基づいて、破棄すると判定された前記受信データを破棄し、破棄されたデータ以外のデータに付加された通信制御情報を、この通信制御情報と、前記グループ情報と、前記通信経路情報とに基づいて更新するデータ処理手段と、
前記通信制御情報が付加されたデータと、前記更新された通信制御情報が付加されたデータとを、他の前記無線通信装置に対して送信するデータ送信手段と、
を有する無線通信システム。
【請求項２】
複数の移動可能で、互いにデータのマルチキャスト通信を行う無線通信装置を含み、ＯＬＳＲ（Optimized Link State Routing）プロトコルに従って動作する無線通信システムにおいて、
前記複数の無線通信装置それぞれが、
この無線通信装置がマルチキャストの発信元である場合に、マルチキャストの送信先となる前記無線通信装置の集合を示すグループ情報と、前記ＯＬＳＲにより確立された、この無線通信装置から他の前記無線通信装置までの通信経路を示す通信経路情報とに基づいて、データに付加され、この無線通信装置と他の前記無線通信装置との間の通信制御を示す通信制御情報を設定し、
他の前記無線通信装置から受信したデータに付加された通信制御情報に基づいて、破棄すると判定された前記受信データを破棄し、破棄されたデータ以外のデータに付加された通信制御情報を、この通信制御情報と、前記グループ情報と、前記通信経路情報とに基づいて更新し、
前記通信制御情報が付加されたデータと、前記更新された通信制御情報が付加されたデータとを、他の前記無線通信装置に対して送信する
無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、
Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．１０であり、非晶質構造を有する前記金属酸化物を形成する工程と、
前記非晶質構造を有する金属酸化物にアニール処理を施し、結晶相を含む前記金属酸化物を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする誘電体膜の製造方法。
【請求項２】
前記非晶質構造を有する金属酸化物のＡｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．０８であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項３】
前記アニール処理の温度は、１０００℃以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項４】
前記非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程が、真空容器内で、酸素を含む反応性ガスと不活性ガスの混合雰囲気下において前記金属酸化物に含まれる金属材料を含む金属ターゲットをマグネトロンスパッタする工程であり、
前記真空容器内に供給する前記反応性ガスの供給量を、該反応性ガスの供給量を増加させた場合の前記金属ターゲットのスパッタ率の変動における、前記金属ターゲットの表面が前記反応性ガスによって酸化することにより生じる前記スパッタ率の低下率が最大となる供給量以下に設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項５】
前記金属ターゲットがＡｌのターゲットを含み、
前記反応性ガスの供給量を、前記Ａｌのターゲットの表面が前記反応性ガスによって酸化することにより生じる前記スパッタ率の低下率が最大となる供給量以下に設定することを特徴とする請求項４に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項６】
前記金属ターゲットがＳｉのターゲットを含み、
前記反応性ガスの供給量を、前記Ｓｉのターゲットの表面が前記反応性ガスによって酸化することにより生じる前記スパッタ率の低下率が最大となる供給量以下に設定することを特徴とする請求項４に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項７】
前記真空容器内の圧力を１×１０−1Ｐａ以下に設定することを特徴とする請求項４に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項８】
前記誘電体膜の比誘電率が８．５以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の誘電体膜の製造方法。
【請求項９】
絶縁体膜として誘電体膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記誘電体膜を、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の製造方法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
その表面の少なくとも一部が半導体層である基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記基板と前記ゲート電極の間に設けられた積層型ゲート絶縁膜とを有する不揮発性半導体装置の製造方法であって、
前記積層型ゲート絶縁膜が含む絶縁膜の少なくとも一層を、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の製造方法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
その表面の少なくとも一部が半導体層である基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記基板と前記ゲート電極との間に絶縁膜と浮遊電極と絶縁膜とが順次積層された構造を有する不揮発性半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート電極と前記浮遊電極との間に位置する絶縁膜の少なくとも一部を、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の製造方法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
コンピュータに、高誘電体膜を含む半導体素子の形成方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記形成方法は、
基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、
Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．１０であり、非晶質構造を有する前記金属酸化物を形成する第１の工程と、
前記非晶質構造を有する金属酸化物にアニール処理を施し、結晶相を含む前記金属酸化物を形成する第２の工程と、
を有することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１３】
表面に酸化膜を有する基板上に、誘電体膜と上部電極膜とを堆積したＭＩＳキャパシタであって、
前記誘電体膜がＡｌとＳｉとＯを主成分とする結晶相を含む金属酸化物であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．１０であることを特徴とするＭＩＳキャパシタ。
【請求項１４】
前記金属酸化物のＡｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．０８であることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＳキャパシタ。
【請求項１５】
素子分離された基板の表面に、ソース−ドレイン領域と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、ゲート電極とを順次積層したＭＯＮＯＳ型不揮発メモリ素子であって、
前記第３の絶縁膜が、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする結晶相を含む金属酸化物であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．１０であることを特徴とするＭＯＮＯＳ型不揮発メモリ素子。
【請求項１６】
前記金属酸化物のＡｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．０８であることを特徴とする請求項１５に記載のＭＯＮＯＳ型不揮発メモリ素子。
【請求項１７】
ソース電極と、ドレイン電極と、その表面の少なくとも一部が半導体層である基板と、前記基板のうち、前記ソース電極と前記ドレイン電極と間の領域上に形成されたゲート電極と、前記基板と前記ゲート電極の間に設けられた積層型ゲート絶縁膜を備える不揮発性半導体装置であって、
前記積層型ゲート絶縁膜が含む絶縁膜の少なくとも一層が、ブロッキング絶縁膜であり、
前記ブロッキング絶縁膜が、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする結晶相を含む金属酸化物であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．１０であるあることを特徴とする不揮発性半導体装置。
【請求項１８】
前記金属酸化物のＡｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ））≦０．０８であることを特徴とする請求項１７に記載の不揮発性半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィのための方法であって、
材料を伝導性基板のパターン化面上に生成するステップと、
透明基板および前記伝導性基板を互いに押し付け、前記押し付けにより前記材料が前記パターン化面に整合するステップと、
前記透明基板を通ってエネルギを前記材料に与えて、前記材料からパターン化された材料を形成するステップと、
前記透明基板および前記伝導性基板を分離し、前記パターン化された材料は前記透明基板に貼り付くステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記パターン化された材料および前記透明基板をエッチングして、前記パターン化面の陰画像を形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターン化面は剥離材を含み、前記透明基板は接着材を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記伝導性基板はシリコン基板である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記透明基板は石英ガラス基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記エネルギを与えることは、熱エネルギまたは光エネルギを与えることを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
インプリントリソグラフィのための方法であって、
レジスト層をシリコン基板の地形的にパターン化された面上に生成するステップと、
透明な基板の平坦な面および前記シリコン基板を互いに押し付け、前記押し付けにより前記レジスト層が前記地形的にパターン化された面に整合するステップと、
エネルギを前記透明な基板を介して前記材料に与えることにより前記レジスト層を硬化させ、前記シリコン基板は前記エネルギの一部を吸収するステップと、
前記透明な基板および前記シリコン基板を分離し、前記レジスト層は前記透明な基板の前記平坦な面に貼り付くステップとを備える、方法。
【請求項８】
前記レジスト層および前記透明な基板の一部を除去して、前記透明な基板にパターン化された面を形成するステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
非接着材を前記地形的にパターン化された面に与えるステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
接着材を前記透明な基板に与えるステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記透明な基板は石英ガラス基板である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記エネルギを与えることは、熱エネルギまたは紫外線エネルギを与えることを含む、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
シリコン基板の地形的にパターン化された面と、
透明な基板と、
前記シリコン基板および前記透明な基板間に配置されるレジスト層とを備え、
前記シリコン基板および前記透明な基板は、互いに押し付けられるよう使用可能であり、
前記透明な基板は、エネルギが中を透過できるように使用可能であり、さらに
前記レジスト層は前記透明な基板に貼り付くよう使用可能である、装置。
【請求項１４】
前記透明な基板はエッチングされて、前記地形的にパターン化された面の陰画像を形成するよう使用可能である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記地形的にパターン化された面上に配置される剥離材と、前記透明な基板上に配置される接着材とをさらに備える、請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記透明な基板は石英ガラス基板である、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記エネルギは熱エネルギまたは紫外線エネルギである、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の第２の電極は、第５の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記容量の第１の電極と、前記第２のトランジスタのソース又ドレインとは、第１の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成され、
前記容量の第２の電極と、前記第２のトランジスタのゲートとは、第２の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層の第１の領域を有し、
前記第２のトランジスタは、前記酸化物半導体層の第２の領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の第２の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記容量は、前記第１の電極と前記第２の電極とが重なる領域に、前記酸化物半導体層の第３の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の金属配線と、
前記金属配線上で、前記金属配線に接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上の制御ゲートと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上の制御ゲートと、
前記制御ゲート上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上で、前記酸化物半導体層に接する金属配線と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層の電子キャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＺｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記金属配線は、Ａｌ又はＣｕを含む材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属配線の幅は、前記浮遊ゲートの幅以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートと重なる領域を有し、
前記金属配線の両端部は、前記浮遊ゲートの両端部の位置と同じか、または前記浮遊ゲートの両端部の外側の位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートの幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートと重なる領域を有し、
前記金属配線の両端部は、前記浮遊ゲートの両端部よりも内側の位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面上に金属配線を形成する工程と、
前記金属配線の上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に浮遊ゲートを形成する工程と、
前記浮遊ゲートの上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の上に制御ゲートを形成する工程と、を有すること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に制御ゲートを形成する工程と、
前記制御ゲートの上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の上に浮遊ゲートを形成する工程と、
前記浮遊ゲートの上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜の上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の上に、金属配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記酸化物半導体層の電子キャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＧａを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記金属配線は、Ａｌ又はＣｕを含む材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記金属配線の幅は、前記浮遊ゲートの幅以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートと重なる領域を有し、
前記金属配線の両端部は、前記浮遊ゲートの両端部の位置と同じか、または前記浮遊ゲートの両端部の外側の位置に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートの幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記金属配線は、前記浮遊ゲートと重なる領域を有し、
前記金属配線の両端部は、前記浮遊ゲートの両端部よりも内側の位置に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された第１電極と、
該第１電極上に形成された光電変換部と、
該光電変換部上に形成された第２電極と、
前記第１電極上に形成されると同時に前記光電変換部及び前記第２電極の所定領域が除去されて形成されたセル分離部と、
該第２電極及び前記セル分離部上に形成されたビーズ粒子と
を含んでなることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記ビーズ粒子は、それぞれ異なる屈折率を有するように複数のビーズ粒子の組合せからなる絶縁物質であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記ビーズ粒子は、コア部と、該前記コア部を取り囲むスキン部とからなり、前記コア部及びスキン部は、互いに異なる屈折率を有する物質からなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記ビーズ粒子は、前記第２電極の表面に形成されると同時に前記セル分離部の内部の前記第１電極の表面及び前記光電変換部及び前記第２電極の側面に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第２電極に接合されると同時に前記セル分離部の内部に充填されるように形成されて前記ビーズ粒子を覆う保護フィルムをさらに含んでなることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第２電極上に形成されると同時に前記セル分離部の内部に充填されるように形成された光散乱層をさらに含んでなること、
前記ビーズ粒子は、前記光散乱層の内部に含んでなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第２電極及び前記セル分離部上に接合された高分子フィルムをさらに含んでなること、
前記ビーズ粒子は、前記光散乱層の内部に含んでなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第２電極に接合されると同時に前記セル分離部の内部に充填されるように形成された保護フィルムをさらに含んでなること、
前記ビーズ粒子は、前記保護フィルムの内部に含んでなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記保護フィルム上に接合されたカバーフィルムをさらに含んでなることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第２電極に接合されると同時に前記セル分離部の内部に充填されるように形成された保護フィルムと、
前記ビーズ粒子を含むように形成されて、前記保護フィルムに接合されたカバーフィルムと
をさらに含んでなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記第２電極に接合されると同時に前記セル分離部の内部に充填されるように形成された保護フィルムと、
前記保護フィルムに接合されたカバーフィルムと、
前記保護フィルムと前記カバーフィルムとの間に形成された前記ビーズ粒子と
をさらに含んでなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記第２電極の表面に形成された凹凸構造をさらに含んでなることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項１４】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部上に第２電極を形成する工程と、
前記第１電極上に形成された前記光電変換部及び前記第２電極の所定領域を除去してセル分離部を形成する工程と、
前記第２電極及び前記セル分離部上にビーズ粒子を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１５】
前記ビーズ粒子は、それぞれ異なる屈折率を有するように複数のビーズ粒子の組合せからなる絶縁物質であることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１６】
前記ビーズ粒子は、コア部と、該コア部を取り囲むスキン部とからなり、前記コア部及びスキン部は、互いに異なる屈折率を有する物質からなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１７】
前記ビーズ粒子は、前記第２電極の表面に形成されると同時に前記セル分離部の内部の前記第１電極の表面及び前記光電変換部及び前記第２電極の側面に形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１８】
前記ビーズ粒子を形成する工程は、前記ビーズ粒子を含んでなるペーストを、前記第２電極及び前記セル分離部上に形成する工程を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１９】
前記ビーズ粒子を含んでなる高分子フィルムを備える工程をさらに含んでなり、
前記ビーズ粒子を形成する工程は、前記高分子フィルムを前記第２電極及び前記セル分離部上に接合する工程を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２０】
前記ビーズ粒子を含んでなる保護フィルムを備える工程をさらに含んでなり、
前記ビーズ粒子を形成する工程は、前記保護フィルムを前記第２電極及び前記セル分離部上に接合する工程を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２１】
前記保護フィルム上にカバーフィルムを接合する工程をさらに含んでなることを特徴とする請求項２０に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２２】
前記ビーズ粒子を含んでなるカバーフィルムを備える工程と、
前記第２電極及び前記セル分離部上に保護フィルムを接合する工程と、
をさらに含んでなり、
前記ビーズ粒子を形成する工程は、前記カバーフィルムを前記保護フィルムに接合する工程を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２３】
前記第２電極及び前記セル分離部上に保護フィルムを接合する工程と、
前記保護フィルム上にカバーフィルムを接合する工程と、
をさらに含んでなり、
前記ビーズ粒子を形成する工程は、前記保護フィルムと前記カバーフィルムとの間に前記ビーズ粒子を形成する工程を含んでなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２４】
前記第２電極の表面に凹凸構造を形成する工程をさらに含んでなることを特徴とする請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２５】
前記基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。