Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に条件式（１）〜（３）の技術的意味について説明する。条件式（１）は、第４レンズ群Ｌ４の焦点距離、すなわち負の屈折力を規定するものである。条件式（１）の上限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力が弱すぎると（屈折力の絶対値が小さくなると）、第４レンズ群Ｌ４の防振敏感度が低下して像ぶれの際の変位量が増大し、レンズ径が大型化し、それとともに防振ユニットが大型化してしまう。また第４レンズ群Ｌ４から射出する光束が収斂光になりやすく第５レンズ群Ｌ５のフォーカス敏感度が低下し、フォーカシングの際の移動ストロークが増大してくるので良くない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
条件式（１）の下限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力が強くなりすぎると（屈折力の絶対値が大きくなると）、像ぶれ補正の際に第４レンズ群Ｌ４より偏心湾曲、偏心非点収差、偏心コマ収差等が多く発生してくる。条件式（２）は第４レンズ群Ｌ４を構成する正レンズの屈折力を規定するものである。条件式（２）の上限値を超えて正レンズの屈折力が弱すぎると、望遠側において防振補正の際に第４レンズ群Ｌ４より偏心色収差が多く発生し、この補正が難しくなる。またこれを他のレンズ群で補正するのも難しくなる。逆に条件式（２）の下限値を超えて正レンズの屈折力が強くなりすぎると、第４レンズ群Ｌ４を構成する負レンズのレンズ面の曲率が強くなりすぎ、球面収差が補正過剰となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
各実施例において、さらに好ましくは次の諸条件のうちの１以上を満足するのが良い。広角端における全系の焦点距離をｆｗとする。第１レンズ群Ｌ１、第２レンズ群Ｌ２、第３レンズ群Ｌ３、第５レンズ群Ｌ５の焦点距離をそれぞれｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ５とする。第４レンズ群Ｌ４の正レンズと負レンズの材料のアッベ数をそれぞれν４ｐ、ν４ｎとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このとき、
ν４ｐ＜２３．０                                          ・・・（４）
０．５＜ｆｗ・ｆｔ／（ｆ３・ｆ５）＜１．５                ・・・（５）
０．７＜Ｄ４ｔ／Ｄ４ｗ＜２．０                            ・・・（６）
−０．５＜（Ｒ４ａ−Ｒ４ｂ）／（Ｒ４ａ＋Ｒ４ｂ）＜１．０  ・・・（７）
２．０＜ｆ３／ｆｗ＜５．０                                ・・・（８）
４．０＜（ｆ１）２／（｜ｆ４｜・ｆ５）＜２０．０          ・・・（９）
７．０＜ν４ｎ−ν４ｐ＜５０．０                          ・・・（１０）
２．０＜｜ｆ４｜／ｆｗ＜７．０                            ・・・（１１）
０．２５＜ｆ２／ｆ４＜０．９０                            ・・・（１２）
なる条件式のうち１以上を満足するのが良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
条件式（９）は第４レンズ群Ｌ４と第５レンズ群Ｌ５の焦点距離に対する焦点距離の比を規定するものである。条件式（９）の上限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力と第５レンズ群Ｌ５の正の屈折力が強くなりすぎると、結像面の近傍で軸外光束が第４レンズ群Ｌ４より受ける発散作用と第５レンズ群Ｌ５より受ける収斂作用が強くなりすぎる。その結果、ズーミングやフォーカシングのために第５レンズ群Ｌ５が移動するときの結像面への軸外光線の入射角の変動が大きくなりすぎ、ズーム全域でテレセントリック性を確保することが困難となる。条件式（９）の下限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力と第５レンズ群Ｌ５の屈折力が弱くなりすぎると、望遠端において各レンズ群の横倍率が小さくなるため防振敏感度が小さくなりすぎる。この結果、望遠端において十分な手ぶれ補正角を得ることが困難となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
条件式（１１）は広角端における全系の焦点距離に対する第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力の比を規定するものである。条件式（１１）の上限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力が弱くなりすぎると、絞りＳＰより像面側での軸外光束への発散作用が不足し、前玉有効径が増大する。逆に条件式（１１）の下限値を超えて第４レンズ群Ｌ４の負の屈折力が強くなりすぎると、第４レンズ群Ｌ４より球面収差、像面湾曲、コマ収差等が多く発生し、これらを他のレンズ群で補正することが困難となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ν４ｐ＜２０．０                                          ・・・（４ｂ）
０．７＜ｆｗ・ｆｔ／（ｆ３・ｆ５）＜１．３                ・・・（５ｂ）
０．９＜Ｄ４ｔ／Ｄ４ｗ＜１．７                            ・・・（６ｂ）
−０．２＜（Ｒ４ａ−Ｒ４ｂ）／（Ｒ４ａ＋Ｒ４ｂ）＜０．７  ・・・（７ｂ）
２．８＜ｆ３／ｆｗ＜４．０                                ・・・（８ｂ）
５．５＜（ｆ１）２／（｜ｆ４｜・ｆ５）＜１６．０          ・・・（９ｂ）
１０．０＜ν４ｎ−ν４ｐ＜４０．０                        ・・・（１０ｂ）
２．４＜｜ｆ４｜／ｆｗ＜５．０                            ・・・（１１ｂ）
０．４０＜ｆ２／ｆ４＜０．８０                            ・・・（１２ｂ）
以上のように各条件式を満足すれば、像ぶれ補正用の補正レンズ群が小型軽量で像ぶれ補正が容易で、かつ望遠端で大きな像ぶれ角に対し光学性能を良好に保ちながら像ぶれ補正可能な、コンパクトで高ズーム比を有するズームレンズが得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2012098592.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体内で硬貨を搬送する搬送部と、
前記筐体内に設けられ、硬貨を収納する第１の収納庫であって、前記搬送部から前記第１の収納庫に硬貨を送ることができるとともに前記第１の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部に送ることができるよう構成された第１の収納庫と、
前記筐体内に設けられ、硬貨を収納する１または複数の第２の収納庫であって、前記搬送部から前記第２の収納庫に硬貨を送ることができるとともに前記第２の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部に送ることができるよう構成された第２の収納庫と、
（ａ）前記第１の収納庫から前記搬送部により前記第２の収納庫に硬貨を送り、その際に前記第２の収納庫に送られる硬貨の計数を行う計数装填モード、（ｂ）前記第２の収納庫から前記搬送部により前記第１の収納庫に硬貨を送り、その後前記第１の収納庫から前記搬送部により前記第２の収納庫に硬貨を戻し、前記第１の収納庫に硬貨を送るときおよび／または前記第２の収納庫に硬貨を戻すときに硬貨の計数を行う精査処理モード、（ｃ）前記第１の収納庫から前記搬送部により前記第２の収納庫に硬貨を送るノンストップ装填モード、（ｄ）前記第１の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部により前記筐体の外部に出金する出金拡張モードのうち少なくとも２つのモードが予め設定されており、これらの設定されたモードのうち一のモードを選択的に実行することができるようになっている制御部と、
を備えたことを特徴とする硬貨処理装置。
【請求項２】
前記第２の収納庫は複数設けられており、各第２の収納庫に硬貨が金種別に収納されるようになっていることを特徴とする請求項１記載の硬貨処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記精査処理モードを実行する際に、前記第２の収納庫から前記搬送部により前記第１の収納庫に硬貨を送る前に、前記第１の収納庫に収納された硬貨を全て前記搬送部により前記筐体内における他の箇所に搬送するよう制御を行うことを特徴とする請求項１または２記載の硬貨処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記ノンストップ装填モードにおいて、前記第２の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部により前記筐体の外部に出金している時以外の期間に、前記第１の収納庫から前記搬送部により前記第２の収納庫に硬貨を送るようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の硬貨処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記出金拡張モードにおいて、前記第２の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部により前記筐体の外部に出金し、この際に出金されるべき硬貨が収納された前記第２の収納庫における硬貨の収納量が所定値より小さくなったときに前記第１の収納庫に収納された硬貨を前記搬送部により前記筐体の外部に出金するようになっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の硬貨処理装置。
【請求項６】
前記筐体内において、前記第１の収納庫および前記第２の収納庫にそれぞれ対応するよう複数の硬貨判別部が設けられており、
前記各硬貨判別部は、前記第１の収納庫および前記第２の収納庫から前記搬送部に硬貨が送られるときに硬貨の金種の判別および計数を行うようになっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の硬貨処理装置。
【請求項７】
前記各硬貨判別部は、前記第１の収納庫および前記第２の収納庫から前記搬送部に送られる硬貨の金種について、予め設定された２以上の金種の中から適合する一の金種を選択することにより硬貨の金種の判別を行うようになっていることを特徴とする請求項６記載の硬貨処理装置。
【請求項８】
前記第１の収納庫は、前記筐体に対して着脱自在となっていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の硬貨処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
［手形状特定処理］
ここで、図７のフローチャートを参照して、手形状特定処理について説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体から取得される血管パターンの特徴情報を用いて個人の認証を行う個人認証装置であって、 
前記生体における認証対象となる領域を撮像する撮像部と、 
前記撮像部によって撮像された、前記血管パターンを含む画像を認証画像として取得する演算部と、
を備え、
前記演算部は、
前記認証画像の輝度に基づいて、前記血管パターン上の所定の特徴を有する特徴点を複数取得し、 
前記複数の特徴点の夫々の輝度に基づいて、前記血管パターン上における前記複数の特徴点夫々の位置情報と、前記複数の特徴点の輝度差とを算出し、
前記位置情報および前記輝度差を、前記特徴情報として取得することを特徴とする個人認証装置。
【請求項２】
前記演算部は、
複数の血管が交差する点に位置する前記特徴点を優先して取得することを特徴とする請求項１記載の個人認証装置。
【請求項３】
前記演算部は、
前記複数の特徴点の夫々の輝度を、前記認証画像を形成する平面に対して垂直方向の前記血管パターンの形状に由来する奥行き情報として取得し、 
前記奥行き情報から、前記垂直方向における前記複数の特徴点夫々の相対位置を算出し、前記位置情報として取得することを特徴とする請求項１または２記載の個人認証装置。 
【請求項４】
前記演算部は、
前記奥行き情報から、前記血管パターンの前記垂直方向の形状を作成し、
前記認証画像の平面方向における前記血管パターンの形状と、前記垂直方向の血管パターンの形状とを用いて認証を行うことを特徴とする請求項３記載の個人認証装置。
【請求項５】
前記演算部は、
予め記憶された前記特徴情報を有する登録画像と、前記認証画像とを照合することを特徴とする請求項１から４迄の何れかに記載の個人認証装置。
【請求項６】
前記演算部は、
前記認証画像の有する前記特徴情報と、前記登録画像の有する特徴情報とを用いて、前記認証画像と前記登録画像との位置合わせを行うことを特徴とする請求項５記載個人認証装置。
【請求項７】
前記演算部は、
前記認証画像を構成する複数の画素における、前記血管パターンの画像を構成する画素の割合に基づく画質評価値を演算し、
前記画質評価値が所定の値以上である場合、前記撮像された画像を前記認証画像として取得することを特徴とすることを特徴とする請求項１から６迄の何れか記載の個人認証装置。
【請求項８】
前記画質評価値は、前記撮像された画像を構成する全画素における、前記血管パターンを構成する画像の含有率であることを特徴とする請求項７記載の個人認証装置。
【請求項９】
前記演算部は、前記画質評価値が前記所定の値より低い場合、前記認証対象となる領域を他の領域に変更するように前記生体に促す指示を表示部に表示させることを特徴とする請求項７または８記載の個人認証装置。
【請求項１０】
前記認証対象となる領域以外の部位を支持するガイド部と、
前記ガイド部にかけられた前記提生体からの圧力を検知する圧力検知部と、
をさらに有し、
前記演算部は、前記生体からの圧力の値を演算し、
前記画質評価値が所定の値より低い場合、圧力を低くするよう前記生体に対して促す指示を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項９記載の個人認証装置。
【請求項１１】
前記演算部は、
前記画質評価値が第一の所定の値以上であり、且つ前記圧力検知部で検知された前記生体からの圧力の値が第二の所定の値以下である場合に、前記画像を認証に用いる情報として取得することを特徴とする請求項１０記載の個人認証装置。
【請求項１２】
前記ガイド部への接触または非接触を検知する接触検知部をさらに有し、
前記演算部は、
前記接触検知部にて前記生体が前記ガイド部に非接触であると判別された場合、前記生体に指を接触させるよう促す指示を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項９記載の個人認証装置。
【請求項１３】
前記ガイド部は、圧力を緩和する弾性部材を有し、
前記弾性部材は、前記個人認証装置の接地面に対する垂直方向から、認証を行う前記生体が存在する方向に斜行して設置されていることを特徴とする請求項１０記載の個人認証装置。
【請求項１４】
生体から取得される血管パターンの特徴情報を用いて個人の認証を行う個人認証装置であって、 
前記生体における認証対象となる領域を撮像する撮像部によって撮像された画像から、前記血管パターンを抽出し、
前記血管パターン上の所定の特徴を有する複数の点を特徴点として夫々取得し、
前記特徴点の濃淡の度合いに基づいて、前記血管パターン上における前記複数の特徴点夫々の相対位置と、前記複数の特徴点夫々の濃淡の度合いの差とを算出し、前記特徴情報として取得することを特徴とする個人認証装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板を支持する支持部を有する第２基板と、
前記第１基板に備える第１光学膜と、
前記第２基板に備え、前記第１光学膜と対向して配置される第２光学膜と、
前記第２基板の少なくとも前記支持部の支持面上に形成される第２接合膜と、
前記第２基板の少なくとも前記支持部の前記支持面に対向配置される前記第１基板の領域に形成される第１接合膜と、を備え、
前記第１光学膜は前記第１基板側から前記第２光学膜に向かって順に、第１光学基板膜と、第１光学中間膜と、第１光学表面膜と、が積層された多層膜に形成され、
前記第２光学膜は前記第２基板側から前記第１光学膜に向かって順に、第２光学基板膜と、第２光学中間膜と、第２光学表面膜とが積層された多層膜に形成され、
前記第１接合膜の一部が前記第１光学基板膜または前記第１光学中間膜のどちらか一方であり、
前記第２接合膜の一部が前記第２光学基板膜または前記第２光学中間膜のどちらか一方である、
ことを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
前記第１光学中間膜が前記第１接合膜の一部であり、
前記第２光学中間膜が前記第２接合膜の一部である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光フィルター。
【請求項３】
前記第１接合膜および前記第２接合膜がプラズマ重合膜である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光フィルター。
【請求項４】
前記プラズマ重合膜が、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、前記Ｓｉ骨格に結合される脱離基と、を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の光フィルター。
【請求項５】
前記第２基板の前記支持部の前記支持面に対向配置される前記第１基板の領域に形成される第１接合膜と、前記第１光学基板膜または前記第１光学中間膜のどちらか一方として形成される前記第１接合膜と、では厚さが異なり、
前記第２基板の前記支持部の支持面上に形成される第２接合膜と、前記第２光学基板膜または前記第２光学中間膜のどちらか一方として形成される前記第２接合膜とでは厚さが異なる、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光フィルター。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の光フィルターを備える光機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
その他の実施形態に係るエタロンフィルター１１０は、図８（ａ）に示すように、第１基板１０および第２基板２０に用いる基材が、上述のエタロンフィルター１００において用いた石英ガラスに対して高い屈折率を有する透明基材を用いている。透明基材としては、例えばサファイア、ジンクセレン（ＺｎＳｅ）、あるいは高屈折ガラスの、例えば、ＬａＳＦＮ９、ＳＦ１１（ＳＣＨＯＴＴ社製）などが好適に用いられる。第１基板１０および第２基板２０の基材に高屈折率の透明基材を用いた場合、第１光学膜４０Ａ、第２光学膜７０Ａは以下の構成とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ハロゲン化亜鉛フタロシアニン緑色顔料、（Ｂ）光重合開始系、（Ｃ）バインダー樹脂及び（Ｈ）溶剤を含有し、
更に、（Ｄ）橙色色素及び／又は赤色色素を含有することを特徴とする、緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項２】
更に、（Ｅ）黄色色素を含むことを特徴とする、請求項１に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項３】
更に、（Ｆ）分散剤を含有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｆ）分散剤が、親溶剤性を有するＡブロック及び窒素原子を含む官能基を有するＢブロックからなるブロック共重合体からなり、そのアミン価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下（有効固形分換算）のものであることを特徴とする、請求項３に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｄ）橙色色素が、ナフトール橙色顔料であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項６】
前記ナフトール橙色顔料が、Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３８であることを特徴とする、請求項５に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｄ）赤色色素が、アントラキノン赤色顔料であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項８】
前記アントラキノン赤色顔料が、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７であることを特徴とする、請求項７に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ａ）ハロゲン化亜鉛フタロシアニン緑色顔料が、臭素化亜鉛フタロシアニン緑色顔料であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ｄ）橙色色素を全色素中で、０．０１重量％以上、０．３９重量％以下含有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の着色樹脂組成物。
【請求項１１】
前記（Ｄ）赤色色素を全色素中で、０．０１重量％以上、１．５重量％以下含有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の着色樹脂組成物。
【請求項１２】
前記（Ｈ）溶剤として、アルキルエーテルエステル系溶剤を含有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項１３】
（Ｇ）重合性モノマーを含有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の緑色顔料着色樹脂組成物を用いて形成された画素を具備することを特徴とする、カラーフィルタ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のカラーフィルタを具備することを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載のカラーフィルタを具備することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
プリント配線板の穴加工を行う装置は、ドリルで穴明けを行うドリル加工機とレーザビームで穴明けを行うレーザ加工機に大別される。一方、近年、プリント配線板は多層化し、素子などの実装穴あるいは層間接続穴が高密度になり、１枚あたりの穴数は増加傾向にある。そのため、穴明け機はドリル加工機からレーザ加工機に移行しつつある。また、レーザ加工機には穴数増加に伴う穴明け速度の高速化が求められている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、渦電流損失を低減し、また、トルク定数と慣性モーメントの比を向上させ、駆動に必要な電流を小さくして駆動時の消費電力を低減することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明によれば、永久磁石に溝が設けられ、かつ分割線によって１極あたり２個以上に分割されているので、トルク定数と慣性モーメントの比を向上させ、駆動に必要な電流を小さくして駆動時の消費電力を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、トルク定数と慣性モーメントの比であるトルクイナーシャ比について検討する。図８においてφはマグネット角度、δは巻き角度、図９においてθは溝５０の角度を示す。図１０は溝角度θを９０度としたときの永久磁石１１の角度φとトルクイナーシャ比との関係を示す特性図である。同図から溝角度θが９０度で、分割線６０の厚みが０．１ｍｍ以下の場合、トルクイナーシャ比は最大で１．５％程度低減するのでその分を見積もると、トルクイナーシャ比が１．０１５以上であれば分割によるトルクイナーシャ比の低減を防ぐことができる。よって、分割の厚みが０．１ｍｍ以下の場合、永久磁石角度φが５８度から７２度の範囲で、トルクイナーシャ比が実質的に１以上となることが分かる。そのため、永久磁石角度φが５８度から７２度の範囲であれば、トルクイナーシャ比の面から消費電力の削減が可能となる。好適には６５度近傍で最大のトルクイナーシャ比を得ることができる。このことは、永久磁石角度φは５８度から７２度であれば、消費電力を削減可能であり、永久磁石角度φが６５度近傍を選択すれば、消費電力の削減効果が最も大きいことを意味する。なお、図８の例では、コイル巻き角度δも６０度である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ここで、分割線の厚み０．１ｍｍ、永久磁石径１９．６ｍｍ、軸径８ｍｍの場合、分割線６２同士のなす角βは、４４度及び９４度の場合が隣り合う永久磁石の境界部分で独立して永久磁石が存在する限界である。そのため、前記角βは、４４度≦β≦９４度の範囲で設定することが可能である。これは、前記範囲で永久磁石１１の分割が可能であることを意味する。そこで、前記条件でβ＝４４，６０，９４とした場合の渦電流損失低減率を計算すると、図１９に示すようになる。この計算結果から、この実施例の場合、渦電流損失低減率は３７％以上であり、分割線６２同士のなす角βを９４度としたときに最大６５％であることが分かる。したがって、実施例２のようにして永久磁石１１を分割する場合には、分割線６２同士のなす角βを９４度とすると最も効率的である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上のように本実施形態によれば、ガルバノスキャナに生じる渦電流が低減され、かつ、トルク定数と慣性モーメントの比を向上させることが可能となり、これにより、駆動に必要な電流が小さくなり、駆動時の消費電力を低減することができる。同時に永久磁石に生じる渦電流を低減することが可能である。これらにより、駆動時に生じる消費電力に伴う永久磁石の温度上昇を抑制することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を用いて前記基板を露光する露光装置に用いられる前記マスクのデータをコンピュータに作成させるプログラムであって、
前記マスクのパターンとして、前記基板に形成すべき目標パターンを解像するためのメインパターンと前記メインパターンの解像を補助する補助パターンとを設定し、前記メインパターンのパラメータの値と、前記補助パターンのパラメータの値を設定する設定ステップと、
該設定された前記メインパターンのパラメータおよび前記補助パターンのパラメータのそれぞれの値で定められる前記メインパターンおよび前記補助パターンを前記投影光学系を用いて投影した場合の前記メインパターンの像を計算する計算ステップと、
該計算された前記メインパターンの像を評価する評価ステップとを有し、
前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値とを変更して前記計算ステップ及び前記評価ステップを繰り返し行って得られる評価結果に基づいて、前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値を決定して、該決定されたメインパターン及び補助パターンを含むマスクのデータを作成することを特徴とするプログラム。
【請求項２】
該計算された前記メインパターンの像の評価結果が目標を満たすかどうかを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて、評価結果が目標を満たさないと判定した場合は、前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値とを変更して前記計算ステップを実行し、
前記判定ステップにおいて、評価結果が目標を満たすと判定した場合は、その場合に設定された前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値で定められるメインパターン及び補助パターンを含むマスクのデータを作成することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記マスクを照明する照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を設定するステップを有し、
前記計算ステップにおいて、該設定された前記メインパターンのパラメータおよび前記補助パターンのパラメータのそれぞれの値で定められる前記メインパターンおよび前記補助パターンを、該設定された前記照明光学系の瞳面の光強度分布で前記投影光学系を用いて投影した場合の前記メインパターンの像を計算し、
前記メインパターンのパラメータの値、前記補助パターンのパラメータの値および前記照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を変更して前記計算ステップ及び前記評価ステップを行った結果に基づいて、前記メインパターンのパラメータの値、前記補助パターンのパラメータの値および前記照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を決定して、該決定されたメインパターン及び補助パターンを含むマスクのデータを作成することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項４】
マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を用いて前記基板を露光する露光装置に用いられる前記マスクのデータおよび露光条件をコンピュータに決定させるプログラムであって、
前記マスクのパターンとして、前記基板に形成すべき目標パターンを解像するためのメインパターンと前記メインパターンの解像を補助する補助パターンとを設定し、前記メインパターンのパラメータの値と、前記補助パターンのパラメータの値を設定する設定ステップと、
前記マスクを照明する照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を設定するステップと、
該設定された前記メインパターンのパラメータおよび前記補助パターンのパラメータのそれぞれの値で定められる前記メインパターンおよび前記補助パターンを、該設定された前記照明光学系の瞳面の光強度分布で前記投影光学系を用いて投影した場合の前記メインパターンの像を計算する計算ステップと、
該計算された前記メインパターンの像を評価する評価ステップとを有し、
前記メインパターンのパラメータの値、前記補助パターンのパラメータの値および前記照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を変更して前記計算ステップ及び前記評価ステップを繰り返し行って得られる評価結果に基づいて、前記メインパターンのパラメータの値、前記補助パターンのパラメータの値および前記照明光学系の瞳面の光強度分布のパラメータの値を決定することを特徴とするプログラム。
【請求項５】
前記メインパターンは多角形の形状であり、前記メインパターンのパラメータは前記多角形に関するパラメータであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のプログラム。
【請求項６】
前記補助パターンは多角形の形状であり、前記補助パターンのパラメータは前記多角形に関するパラメータであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のプログラム。
【請求項７】
請求項１に記載のプログラムをコンピュータに実行させることによりマスクのデータを作成するステップと、
該作成されたマスクのデータを用いてマスクを製造するステップとを有することを特徴とするマスク製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のマスク製造方法を用いてマスクを製造するステップと、
該製造されたマスクのパターンの像を基板に投影して前記基板を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項８に記載の露光方法を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としてのプログラムは、マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を用いて前記基板を露光する露光装置に用いられる前記マスクのデータをコンピュータに作成させるプログラムであって、前記マスクのパターンとして、前記基板に形成すべき目標パターンを解像するためのメインパターンと前記メインパターンの解像を補助する補助パターンとを設定し、前記メインパターンのパラメータの値と、前記補助パターンのパラメータの値を設定する設定ステップと、該設定された前記メインパターンのパラメータおよび前記補助パターンのパラメータのそれぞれの値で定められる前記メインパターンおよび前記補助パターンを前記投影光学系を用いて投影した場合の前記メインパターンの像を計算する計算ステップと、該計算された前記メインパターンの像を評価する評価ステップとを有し、前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値とを変更して前記計算ステップ及び前記評価ステップを繰り返し行って得られる評価結果に基づいて、前記メインパターンのパラメータの値と前記補助パターンのパラメータの値を決定して、該決定されたメインパターン及び補助パターンを含むマスクのデータを作成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子の一構成例を示す断面図であり、（Ｂ）は液晶レンズアレイ素子によって発生するレンズ効果を等価的に示す説明図である。
【図２】（Ａ）は図１に示した液晶レンズアレイ素子を第１の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第１の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第１の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第１の駆動例で駆動した場合における電極Ａと電極Ｂとの間の電位差を示す波形図である。
【図３】（Ａ）は図１に示した液晶レンズアレイ素子を第２の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第２の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第２の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第２の駆動例で駆動した場合における電極Ａと電極Ｂとの間の電位差を示す波形図である。
【図４】（Ａ）は図１に示した液晶レンズアレイ素子を第３の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第３の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第３の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第３の駆動例で駆動した場合における電極Ａと電極Ｂとの間の電位差を示す波形図である。
【図５】図１に示した液晶レンズアレイ素子において水平方向の電界を強くした場合の電界分布を模式的に示す断面図である。
【図６】レンチキュラ方式の立体画像表示装置の例を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は第２の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第１の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第１の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第１の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第１の駆動例で駆動した場合に電極Ｃに印加される駆動波形を示す波形図である。
【図８】（Ａ）は第２の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第２の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第２の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第２の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第２の駆動例で駆動した場合に電極Ｃに印加される駆動波形を示す波形図である。
【図９】（Ａ）は第２の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第３の駆動例で駆動した場合の電界分布を模式的に示す説明図である。（Ｂ）は第３の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は第３の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｄ）は第３の駆動例で駆動した場合に電極Ｃに印加される駆動波形を示す波形図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子の一構成例を、第１の駆動例で駆動した場合の電界分布と共に示す断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第１の駆動例で駆動した場合に各電極に印加される駆動波形を示す波形図である。
【図１２】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第１の駆動例で駆動した場合において、垂直方向の２つの電極間に発生する電位差を示す波形図である。
【図１３】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第１の駆動例で駆動した場合において、水平方向の２つの電極間に発生する電位差を示す波形図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子の一構成例を、第２の駆動例で駆動した場合の電界分布と共に示す断面図である。
【図１５】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第２の駆動例で駆動した場合に各電極に印加される駆動波形を示す波形図である。
【図１６】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第２の駆動例で駆動した場合において、垂直方向の２つの電極間に発生する電位差を示す波形図である。
【図１７】第３の実施の形態に係る液晶レンズアレイ素子を第２の駆動例で駆動した場合において、水平方向の２つの電極間に発生する電位差を示す波形図である。
【図１８】従来の液晶レンズアレイ素子の一構成例を示す断面図である。
【図１９】（Ａ）は従来の駆動例で駆動した場合に電極Ａに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｂ）は従来の駆動例で駆動した場合に電極Ｂに印加される駆動波形を示す波形図であり、（Ｃ）は従来の駆動例で駆動した場合に電極Ｃに印加される駆動波形を示す波形図である。
【図２０】理想的な電界分布の一例を模式的に示す断面図である。
【図２１】理想状態から外れた電界分布の一例を模式的に示す断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
例えば、上記実施の形態およびその変形例では、上板部１３Ｂの凹凸面には、凸部（具体的には凸部１３Ｅや凸部１３Ｆ）が設けられていたが、例えば、図３１に示したように、凸部の代わりに、凹部１３Ｇが設けられていてもよい。この場合にも、例えば、凹凸面上に、接着層３０を介して液晶パネル２０を固定したときに、接着層３０のうち、凹凸面に含まれる凹部１３Ｇの直上の部分と液晶パネル２０との間に隙間Ｇが形成される。これにより、液晶パネル２０を筐体１３に固定する力の低下を最小限に抑えつつ、接着層３０が局所的に剥離するのを可能にしている。その結果、例えば、筐体１３上に、接着層３０を介して液晶パネル２０を固定した場合に、筐体１３の平面度が不均一となっているときには、筐体１３の平面度が不均一となっている箇所で接着層３０が剥離し、液晶パネル２０に生じる応力を小さくすることができる。従って、液晶パネル２０およびバックライト１０を、接着層３０を介して互いに強固に固定した場合と比べて、応力に起因する輝度ムラを低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔で対向して配置された一対の基板と、
前記一対の基板の一方の対向面側に短冊状に形成された複数本の第１の電極と、
前記一対の基板の他方の対向面側に、前記第１の電極と交差するように短冊状に形成された複数本の第２の電極と、
前記一対の基板のいずれか一方又は両方の対向面側に形成される配向膜と、
前記一対の基板に挟持され、プレチルト角を有する垂直配向モードの液晶層と、
前記一対の基板を挟んで配置される一対の偏光板とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とが交差して複数の画素を構成し、
前記配向膜は、前記液晶層の中央分子の配向方位が前記画素のエッジと直交しないように配向処理が施され、
前記配向処理により規定された配向方位とは異なる方位に前記液晶層の中央分子が配向する異配向領域が、隣接する画素において同じ画素エッジ付近に発現することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極とが直交し、
前記配向膜は、前記第１の電極の長手方向に対して±５〜１５°の方向に配向処理が施されている請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記第２の電極は、長手方向が、前記第１の電極の長手方向に対して９０°±５°〜１５°の方向となるように形成され、
前記配向膜は、前記第１の電極の長手方向と平行な方向に配向処理が施される請求項１記載の液晶表示素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一観点によれば、液晶表示素子は、所定の間隔で対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の一方の対向面側に短冊状に形成された複数本の第１の電極と、前記一対の基板の他方の対向面側に、前記第１の電極と交差するように短冊状に形成された複数本の第２の電極と、前記一対の基板のいずれか一方又は両方の対向面側に形成される配向膜と、前記一対の基板に挟持され、プレチルト角を有する垂直配向モードの液晶層と、前記一対の基板を挟んで配置される一対の偏光板とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが交差して複数の画素を構成し、前記配向膜は、前記液晶層の中央分子の配向方位が前記画素のエッジと直交しないように配向処理が施され、前記配向処理により規定された配向方位とは異なる方位に前記液晶層の中央分子が配向する異配向領域が、隣接する画素において同じ画素エッジ付近に発現することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被検物の画像を取得する画像取得装置であって、
前記被検物の表面形状を計測する計測装置と、
前記計測装置で計測した前記表面形状に基づいて、前記被検物を撮像する顕微鏡と、を備える
ことを特徴とする画像取得装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記計測装置は、前記被検物の試料が存在する存在領域を計測し、
前記顕微鏡は、前記計測装置で計測した前記表面形状および前記存在領域に基づいて、前記被検物を撮像する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像取得装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての画像取得装置は、被検物の画像を取得する画像取得装置であって、前記被検物の表面形状を計測する計測装置と、前記計測装置で計測した前記表面形状に基づいて、前記被検物を撮像する顕微鏡と、を備えることを特徴とする。
本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で明らかにする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記（２）において、前記型部材を、前記電子写真感光体の回転軸方向における前記型部材の幅１ｃｍあたり０．５Ｎ以上の力で引っ張る請求項１または２に記載の電子写真感光体の表面加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドスライダが実装され、当該ヘッドスライダに接続されるヘッド側端子部を含むヘッド領域から、外部接続基板が接続されるテール端子部を含むテール領域に延びるサスペンション用基板において、
第１絶縁層と、
第１絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、
第１絶縁層の他方の面に設けられ、接続配線部を有する第１配線層と、
第１絶縁層に設けられ、第１配線層を覆う第２絶縁層と、
第２絶縁層に設けられ、第１配線と第２配線とを含む複数の配線を有する第２配線層と、を備え、
第２配線層の第１配線は、ヘッド側端子部から延びるヘッド側配線部と、ヘッド側配線部から分割された複数の分割配線部と、を含み、
第２絶縁層に、当該第２絶縁層を貫通する複数の導電接続部が設けられ、
第１配線の各分割配線部は、対応する導電接続部を介して、第１配線層の接続配線部に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
第２配線は、ヘッド側端子部から延びるヘッド側配線部と、ヘッド側配線部から分割された複数の分割配線部と、を含み、
第１配線の分割配線部と、第２配線の分割配線部とは、交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
第２配線層の第２配線は、テール端子部から延び、各分割配線部に接続されたテール側配線部を含み、
第１配線層は、接続配線部よりテール領域側に設けられた第２の接続配線部を有し、
第２絶縁層において、当該第２絶縁層を貫通する複数の第２の導電接続部が設けられ、
第２配線の各分割配線部は、対応する第２の導電接続部を介して、第１配線層の第２の接続配線部に接続されていることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
金属支持層のうち第１配線層の接続配線部および第２の接続配線部に対応する部分が、切り欠かれていることを特徴とする請求項３に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
ヘッド側端子部の少なくとも一部は、第２絶縁層の第２配線層側の面に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
第１配線層は、実装されるレーザーダイオードに電源を供給する電源配線を有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
第１配線層の電源配線は、平面視で、第２配線層の複数の配線のうち最外側に位置する配線より外側に配置されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
第１絶縁層の厚さは、第２絶縁層の厚さ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
ベースプレートと、
ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項１乃至８のいずれかに記載のサスペンション用基板と、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項１０】
請求項９に記載のサスペンションと、
サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項１１】
請求項１０に記載のヘッド付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１２】
ヘッドスライダが実装され、当該ヘッドスライダに接続されるヘッド側端子部を含むヘッド領域から、外部接続基板が接続されるテール端子部を含むテール領域に延びるサスペンション用基板の製造方法において、
第１絶縁層と、第１絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、第１絶縁層の他方の面に設けられた第１配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
第１配線層において、接続配線部を形成する工程と、
第１絶縁層に、第１配線層を覆うように第２絶縁層を形成すると共に、接続配線部に対応する位置に、当該第２絶縁層を貫通する複数の絶縁層貫通孔を形成する工程と、
第２絶縁層に、第１配線と第２配線とを含む複数の配線を有する第２配線層を形成する工程と、を備え、
第２配線層を形成する工程において、第２配線層の第１配線は、ヘッド側端子部から延びるヘッド側配線部と、ヘッド側配線部から分割される複数の分割配線部と、を含むように形成されると共に、各絶縁層貫通孔に導電接続部が形成され、
第１配線の各分割配線部は、対応する導電接続部を介して、第１配線層の接続配線部に接続されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１３】
第２配線層を形成する工程において、第２配線層の第２配線は、ヘッド側端子部から延びるヘッド側配線部と、ヘッド側配線部から分割される複数の分割配線部と、を含むように形成され、
第１配線の分割配線部と、第２配線の分割配線部とが、交互に配置されることを特徴とする請求項１２に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１４】
接続配線部を形成する工程において、第１配線層の接続配線部よりテール領域側に第２の接続配線部が形成され、
絶縁層貫通孔を形成する工程において、第２の接続配線部に対応する位置に、第２絶縁層を貫通する複数の第２の絶縁層貫通孔が形成され、
第２配線層を形成する工程において、第２配線層の第２配線は、テール端子部から延び、各分割配線部に接続されるテール側配線部を含むように形成されると共に、各第２の絶縁層貫通孔に第２の導電接続部が形成され、
第２配線の各分割配線部は、対応する第２の導電接続部を介して、第１配線層の第２の接続配線部に接続されることを特徴とする請求項１３に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１５】
第１配線層の接続配線部および第２の接続配線部は、第２配線層の複数の配線と同一の材料により形成されることを特徴とする請求項１４に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１６】
金属支持層において、第１配線層の接続配線部および第２の接続配線部に対応する部分を切り欠く工程を更に備えたことを特徴とする請求項１４または１５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルが直列接続されたメモリストリング、前記メモリストリングの一端に接続される第１の選択トランジスタ、前記メモリストリングの他端に接続される第２の選択トランジスタ、前記第１の選択トランジスタを介して前記メモリストリングに接続されるビット線、前記第２の選択トランジスタを介して前記メモリストリングに接続されるソース線、及び前記メモリセルの制御ゲート電極に接続されたワード線を備えたメモリセルアレイと、
データ読み出しのため前記メモリストリング中の選択メモリセルの前記制御ゲート電極に読み出し電圧を印加するとともに、前記メモリストリング中の非選択メモリセルの前記制御ゲート電極に前記非選択メモリセルの閾値電圧に拘わらず導通する読み出しパス電圧を印加して、前記選択メモリセルが導通するか否かを判定する読み出し動作を実行する制御回路とを備え、
前記制御回路は、
前記選択メモリセルの前記制御ゲート電極とソースとの間の電圧を第１の値に設定して前記選択メモリセルに設定された閾値電圧を読み出す第１の読み出し動作と、
前記選択メモリセルの前記制御ゲート電極とソースとの間の電圧を前記第１の値より小さい第２の値に設定して前記選択メモリセルに設定された閾値電圧を読み出す第２の読み出し動作とを実行可能に構成され、
前記制御回路は、前記第２の読み出し動作を実行する場合、前記選択メモリセルの前記制御ゲート電極の電圧を０又は正の値に保ちながら前記制御ゲート電極とソースとの間の電圧を前記第２の値に設定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記第２の読み出し動作を実行する場合、前記ソース線に印加されるソース線電圧を上昇させて前記制御ゲート電極とソースとの間の電圧を前記第２の値に設定する
ことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記制御回路は、前記第２の読み出し動作を実行する場合、前記ソース線に印加される電圧を複数通りに変更可能に構成された
ことを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記制御回路は、前記第２の読み出し動作を実行する場合、前記読み出しパス電圧の値を、前記選択メモリセルに印加する電圧に応じて変化させる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記制御回路は、前記第２の読み出し動作を実行する場合、前記読み出しパス電圧の値を前記第１の読み出し動作の際の値よりも小さくする
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
複数のメモリセルが直列接続されたメモリストリング、前記メモリストリングの一端に接続される第１の選択トランジスタ、前記メモリストリングの他端に接続される第２の選択トランジスタ、前記第１の選択トランジスタを介して前記メモリストリングに接続されるビット線、前記第２の選択トランジスタを介して前記メモリストリングに接続されるソース線、及び前記メモリセルの制御ゲート電極に接続されたワード線を備えたメモリセルアレイと、
データ読み出しのため前記メモリストリング中の選択メモリセルの前記制御ゲート電極に読み出し電圧を印加するとともに、前記メモリストリング中の非選択メモリセルの前記制御ゲート電極に前記非選択メモリセルの閾値電圧に拘わらず導通する第１の読み出しパス電圧を印加して、前記選択メモリセルが導通するか否かを判定する読み出し動作を実行する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記メモリセルが所定の劣化状態よりも劣化していると判断された場合、前記第１の読み出しパス電圧の値よりも小さい第２の読み出しパス電圧を前記非選択メモリセルに印加して読み出し動作を実行可能に構成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。