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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視差量評価画像を用いて観察者の視差特性を計測する視差計測部と、
観察者ごとの前記視差計測部の計測結果、観察者条件、及び計測している環境条件を含む視差特性データを格納する視差特性データ格納部と、
前記観察者の視差特性データに基づいて視差調整量条件の設定をする視差調整量条件設定部と、
入力される立体映像から画像視差量を算出する画像視差算出部と、
前記画像視差算出部で算出された画像視差量に基づいてフレーム間の視差変化量を算出する視差変化量算出部と、
前記視差調整量条件と前記視差変化量とから視差調整量を算出する視差調整量算出部と、
前記視差調整量に基づいて入力される立体映像の視差を調整する画像生成部と、
前記画像生成部で調整された映像を表示する表示部とを備えた立体画像表示装置において、
前記視差計測部は、前記視差量評価画像として表示された画像を観察して、融合していた画像が分離して見えたときの画像視差である分離開始視差を評価する分離開始視差評価部、前記視差量評価画像として表示された画像を観察して、画像が融合して見えたときの画像視差である融合開始視差を評価する融合開始視差評価部、画像内の複数の異なる視差の対象物から融合が得られた時間を示す融合分離時間を計測する融合分離時間評価部を有することを特徴とする立体画像表示装置。
【請求項２】
視差計測部は、複数の視差量評価画像を有し、計測が行われる度に前回と異なる視差量評価画像が選択されることを特長とする請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項３】
前記視差特性データ格納部に格納される複数の視差特性データから視差調整量条件設定部に入力する視差特性データを選択するユーザー選択部を備えることを特長とする請求項１または請求項２に記載の立体画像表示装置。
【請求項４】
融合していた画像が分離して見えたときの画像視差である分離開始視差と画像が融合して見えたときの画像視差である融合開始視差、画像内の複数の異なる視差の対象物から融合が得られた時間を示す融合分離時間を含む視差特性情報、観察者条件、及び観察する環境条件を含む視差特性データを格納する第２の視差特性データ格納部と、
前記観察者の視差特性データに基づいて視差調整量条件の設定をする視差調整量条件設定部と、
入力される立体映像から画像視差量を算出する画像視差算出部と、
前記画像視差算出部の算出結果に基づいてフレーム間の視差変化量を算出する視差変化量算出部と、
前記視差調整量条件と前記視差変化量とから視差調整量を算出する視差調整量算出部と、
前記視差調整量に基づいて入力される立体映像の視差を調整する画像生成部と、
前記画像生成部で調整された映像を表示する表示部とを備える立体画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内壁面を構成する材料がイットリア、または内部に配置されたパーツの材料がイットリアである処理室で試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記試料をエッチングする工程と、
フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマによって、前記試料をエッチングする工程により前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、
希ガスのみを用いたプラズマによって、前記フッ素または塩素を含むガスにより前記イットリア表面に生成された変質層を除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
内壁面を構成する材料表面がイットリアでコーティングされた、または内部に配置されたパーツの材料表面がイットリアでコーティングされた処理室で試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記試料をエッチングする工程と、
フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマによって、前記試料をエッチングする工程により前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、
希ガスのみを用いたプラズマによって、前記フッ素または塩素を含むガスにより前記イットリア表面に生成された変質層を除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
内壁面を構成する材料がイットリア、または内部に配置されたパーツの材料がイットリアである処理室で試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより前記試料をエッチングする工程と、
プラズマによって、前記試料をエッチングする工程により前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、
希ガスのみを用いたプラズマによって、前記フッ素または塩素を含むガスにより前記イットリア表面に生成された変質層を除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
内壁面を構成する材料表面がイットリアでコーティングされた、または内部に配置されたパーツの材料表面がイットリアでコーティングされた処理室で試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより前記試料をエッチングする工程と、
プラズマによって、前記試料をエッチングする工程により前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、
希ガスのみを用いたプラズマによって、前記フッ素または塩素を含むガスにより前記イットリア表面に生成された変質層を除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記変質層を除去する工程は、前記試料をエッチングする工程により前記試料を所定枚数エッチングした後に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、内壁面を構成する材料がイットリア、または内部に配置されたパーツの材料がイットリアである処理室で試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をエッチングする工程と、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマによって、前記試料をエッチングする工程により前記処理室内に堆積した堆積物を除去する工程と、希ガスのみを用いたプラズマによって、前記フッ素または塩素を含むガスにより前記イットリア表面に生成された変質層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品と、
前記パッケージ部品の後壁部の内側面に実装され、上側端部に光出射面を備えた発光素子とを有する複数の発光素子実装部品が、
同一方向を向いて前記キャビティの奥行き方向に積層されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記パッケージ部品は、前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の内側面及び外側面にそれぞれ設けられて前記貫通電極を介して相互接続された配線層とをさらに有し、
前記発光素子の一方の側面は第１導電性接合材を介して前記後壁部の内側面の前記配線層に接続されており、前記発光素子の他方の側面は第２導電性接合材を介して他の前記パッケージ部品の後壁部の外側面の前記配線層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記パッケージ部品の各々の前記側壁部の上面に段差部がそれぞれ設けられており、
前記段差部の各々に位置決めされてそれぞれ配置され、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズをさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１導電性接合材はインジウム・金合金層であり、前記第２導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
最端の前記発光素子実装部品の発光素子の側面に配線部品が接続されて積層されていることを特徴とする請求項1乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子実装部品の積層体がインジウム層を介して放熱板の上に搭載されていることを特徴とする請求項1乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成され、
前記後壁部の内側面に発光素子を接合するための第１導電性接合材を有し、かつ前記後壁部の外側面に第２導電性接合材を有することを特徴とするパッケージ部品。
【請求項８】
前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の外側面及び内側面にそれぞれ設けられて該貫通電極を介して相互接続されて配線層とをさらに有し、
前記第１導電性接合材及び前記第２導電性接合材は前記配線層の上にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項７に記載のパッケージ部品。
【請求項９】
前記側壁部の上面には、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズを位置決めして配置するための段差部が設けられていることを特徴とする請求項７又は８に記載のパッケージ部品。
【請求項１０】
前記後壁部の内側面の前記配線層は少なくとも表面が金層から形成され、前記第１導電性接合材はインジウム層であり、前記第２導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項８に記載のパッケージ部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、底部と、前記底部の両端部にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品と、前記パッケージ部品の後壁部の内側面に実装され、上側端部に光出射面を備えた発光素子とを有する複数の発光素子実装部品が、同一方向を向いて前記キャビティの奥行き方向に積層されている発光装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本実施形態の発光装置１では、図７に示すように、水平方向に並んで配置された複数の発光素子５０は電気的に直列に接続されている。右側の第２接続ピン７２から供給される電流は、金・錫合金層４２、第２配線層４０、貫通電極ＴＥ、第１配線層３０、及びインジウム・金合金層３２ｘを介して発光素子５０に供給される。さらに同様な電流経路によって次の発光素子５０に電流が順次供給され、配線部品６０の第１接続ピン７０側に電流が流れる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源から放出された電子をグリッド電極及びレンズ電極を介してターゲットへ衝突させることで前記ターゲットからＸ線を発生させるＸ線発生装置であって、
所定の直流電圧を生成するＤＣ電源部と、
前記ＤＣ電源部から出力された直流電圧からパルス列を生成するインバータ回路と、
前記パルス列の電圧を所定の電圧に変換して出力するトランス回路と、
前記トランス回路から出力されたパルス列を全波整流して前記レンズ電極に供給する全波整流回路と、
前記トランス回路から出力されたパルス列を半波整流して前記グリッド電極に供給する半波整流回路と、
前記Ｘ線の発生期間における前記インバータ回路の最初の動作時及び最後の動作時、前記トランス回路から前記全波整流回路及び前記半波整流回路にそれぞれ負極性の電圧が出力されるように、前記インバータ回路の動作を制御する制御回路部と、
を有するＸ線発生装置。
【請求項２】
電子源から放出された電子をカソード電極及びレンズ電極を介してターゲットへ衝突させることで前記ターゲットからＸ線を発生させるＸ線発生装置であって、
所定の直流電圧を生成するＤＣ電源部と、
前記ＤＣ電源部から出力された直流電圧からパルス列を生成するインバータ回路と、
前記パルス列の電圧を所定の電圧に変換して出力するトランス回路と、
前記トランス回路から出力されたパルス列を全波整流して前記レンズ電極に供給する全波整流回路と、
前記トランス回路から出力されたパルス列を半波整流して前記カソード電極に供給する半波整流回路と、
前記Ｘ線の発生期間における前記インバータ回路の最初の動作時及び最後の動作時、前記トランス回路から前記全波整流回路及び前記半波整流回路にそれぞれ正極性の電圧が出力されるように、前記インバータ回路の動作を制御する制御回路部と、
を有するＸ線発生装置。
【請求項３】
前記制御回路部は、
前記インバータ回路の最初の動作時及び最後の動作時を除く前記Ｘ線の発生期間において、前記トランス回路から前記全波整流回路及び前記半波整流回路にそれぞれ負極性の電圧よりも正極性の電圧の期間が長いパルス列が出力されるように、前記インバータ回路の動作を制御する請求項１記載のＸ線発生装置。
【請求項４】
前記制御回路部は、
前記インバータ回路の最初の動作時及び最後の動作時を除く前記Ｘ線の発生期間において、前記トランス回路から前記全波整流回路及び前記半波整流回路にそれぞれ正極性の電圧よりも負極性の期間が長いパルス列が出力されるように、前記インバータ回路の動作を制御する請求項２記載のＸ線発生装置。
【請求項５】
前記トランス回路は、
前記インバータ回路で生成されたパルス列を入力とし、前記全波整流回路と前記半波整流回路とに異なる電圧のパルス列が出力可能な、１入力２出力タイプである請求項１乃至４のいずれか１項記載のＸ線発生装置。
【請求項６】
前記半波整流回路の出力電圧をバイアスするための、所定の直流電圧を生成するバイアス回路をさらに有する請求項１乃至５のいずれか１項記載のＸ線発生装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項記載のＸ線発生装置と、
前記Ｘ線発生装置から照射されて被写体を透過したＸ線を検出するＸ線検出部と、
前記Ｘ線検出部で検出された被写体のＸ線画像を表示する表示部と、
前記Ｘ線発生装置、前記Ｘ線検出部及び前記表示部の動作を制御する制御部と、
を有するＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｘ線発生装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はＸ線を発生するＸ線発生装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は上述したような背景技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、背景技術よりも小型化が可能なＸ線発生装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記のようなＸ線発生装置では、グリッド電極とレンズ電極、またはカソード電極とレンズ電極に所定の電圧を供給する各駆動回路のインバータ回路を共用できる。そのため、Ｘ線管の駆動回路の規模を背景技術よりも小さくできる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筺体に収容された、少なくとも一端に可動接点を有する可動接触子と、前記可動接点と接離する固定接点を有する固定接触子と、前記可動接触子を保持する保持部材と、この保持部材を駆動する下リンクと、過電流引き外し装置のラッチに係合され回路遮断器のトリップ時に回動するレバーと、このレバーに軸支され前記下リンクにスプリングピンを介して結合されて該下リンクとともにトグルリンクを構成する上リンクと、前記スプリングピンに従動側を結合されたメインバネと、このメインバネの駆動側と結合され、回路遮断器の筐体に固定されたフレームに回動自由に軸支されたほぼＵ字型のハンドルアームと、基部の鍔部が前記ハンドルアームのＵ字型の天面に固着され、前記筐体より突出するとって部を有するハンドルとを備えた回路遮断器において、前記ハンドルの鍔部が扁平に形成されていることを特徴とする回路遮断器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る回路遮断器は、筺体に収容された、少なくとも一端に可動接点を有する可動接触子と、前記可動接点と接離する固定接点を有する固定接触子と、前記可動接触子を保持する保持部材と、この保持部材を駆動する下リンクと、過電流引き外し装置のラッチに係合され回路遮断器のトリップ時に回動するレバーと、このレバーに軸支され前記下リンクにスプリングピンを介して結合されて該下リンクとともにトグルリンクを構成する上リンクと、前記スプリングピンに従動側を結合されたメインバネと、このメインバネの駆動側と結合され、回路遮断器の筐体に固定されたフレームに回動自由に軸支されたほぼＵ字型のハンドルアームと、基部の鍔部が前記ハンドルアームのＵ字型の天面に固着され、前記筐体より突出するとって部を有するハンドルとを備えた回路遮断器において、前記ハンドルの鍔部が扁平に形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記分割工程は、前記研削工程で改質領域が除去されたウェハを、ウェハ吸着台に平面状態で真空吸着し、ウェハを吸着した状態で前記ウェハ吸着台を凸形状に膨らませるないしは、凸形状に撓ませることにより、ウェハに曲げ応力を生じさせて前記微小空孔を前記ウェハの表面まで進展させることで、前記ウェハを前記切断ラインに沿って複数のチップに分割することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の切断方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に微小空孔を含む予備改質領域及び本改質領域を形成するレーザーダイシング手段と、
前記ウェハを裏面から研削して前記予備改質領域及び前記本改質領域を除去する研削手段と、
前記レーザーダイシング手段から前記研削手段へ前記ウェハを搬送する搬送手段と、
前記ウェハを切断ラインに沿って複数のチップに分割する分割手段と、
を備えた半導体基板の切断装置であって、
前記レーザーダイシング手段は、
前記ウェハの表面が下向きに載置されるテーブルと、
前記ウェハに向けてレーザー光を照射して前記予備改質領域及び前記本改質領域を形成する照射手段と、
前記レーザー光が照射される位置が変わるように前記照射手段を制御する第１の制御手段であって、前記予備改質領域が形成された位置と前記ウェハの厚さ方向のみ異なる位置に前記本改質領域が形成されるように前記照射手段を制御する第１の制御手段と、を備え、
前記研削手段は、
前記ウェハの表面が下向きに載置され、前記ウェハの略全面を吸着する吸着テーブルと、
前記ウェハを研削する砥石と、
前記砥石の高さ及び回転数を制御する第２の制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の切断装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記変形手段は、前記凸形状を有する前記ウェハ吸着台に載置されたウェハを前記凸形状に沿って変形させながら前記ウェハの裏面に弾性テープを貼付する手段であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体基板の切断装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記分割工程は、前記研削工程で改質領域が除去されたウェハを、ウェハ吸着台に平面状態で真空吸着し、ウェハを吸着した状態で前記ウェハ吸着台を凸形状に膨らませるないしは、凸形状に撓ませることにより、ウェハに曲げ応力を生じさせて前記微小空孔を前記ウェハの表面まで進展させることで、前記ウェハを前記切断ラインに沿って複数のチップに分割することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
請求項１１に記載の発明は、切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に微小空孔を含む予備改質領域及び本改質領域を形成するレーザーダイシング手段と、前記ウェハを裏面から研削して前記予備改質領域及び前記本改質領域を除去する研削手段と、前記レーザーダイシング手段から前記研削手段へ前記ウェハを搬送する搬送手段と、前記ウェハを切断ラインに沿って複数のチップに分割する分割手段と、を備えた半導体基板の切断装置であって、前記レーザーダイシング手段は、前記ウェハの表面が下向きに載置されるテーブルと、前記ウェハに向けてレーザー光を照射して前記予備改質領域及び前記本改質領域を形成する照射手段と、前記レーザー光が照射される位置が変わるように前記照射手段を制御する第１の制御手段であって、前記予備改質領域が形成された位置と前記ウェハの厚さ方向のみ異なる位置に前記本改質領域が形成されるように前記照射手段を制御する第１の制御手段と、を備え、前記研削手段は、前記ウェハの表面が下向きに載置され、前記ウェハの略全面を吸着する吸着テーブルと、前記ウェハを研削する砥石と、前記砥石の高さ及び回転数を制御する第２の制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
請求項１６に記載の発明は、請求項１４に記載の発明において、前記変形手段は、前記凸形状を有する前記ウェハ吸着台に載置されたウェハを前記凸形状に沿って変形させながら前記ウェハの裏面に弾性テープを貼付する手段であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に改質領域を形成することで前記改質領域内に微小空孔を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程で改質領域が形成されたウェハの表面の略全面を各領域独立して一様にテーブルに吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程で表面の略全面がテーブルに吸着されたウェハを裏面から研削して前記改質領域を除去するとともに、前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させる研削工程と、
前記研削工程で前記微小空孔が前記ウェハの厚み方向に進展されたウェハを化学機械的に研磨する工程と、
前記ウェハ内に残された微小空孔を基に、切断ラインに沿って割断する工程と、
割断後複数のチップに分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の切断方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に改質領域を形成することで前記改質領域内に微小空孔を形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程で改質領域が形成されたウェハの表面の略全面を各領域独立して一様にテーブルに吸着させる吸着工程と、前記吸着工程で表面の略全面がテーブルに吸着されたウェハを裏面から研削して前記改質領域を除去するとともに、前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させる研削工程と、前記研削工程で前記微小空孔が前記ウェハの厚み方向に進展されたウェハを化学機械的に研磨する工程と、前記ウェハ内に残された微小空孔を基に、切断ラインに沿って割断する工程と、割断後複数のチップに分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体上に配置された電子部品と、
前記支持体上に、前記電子部品を覆うように形成された樹脂部と、
前記樹脂部上に形成されており、前記電子部品と電気的に接続された配線構造と、
前記樹脂部の前記支持体側に埋め込まれており、前記配線構造と電気的に接続された電極端子と、
前記支持体に形成されており、前記電極端子が露出する第１の開口部と、を有する電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記電子部品の前記支持体側の面に電極パッドが形成され、
前記支持体に、前記電極パッドが露出する第２の開口部が形成されている、請求項１記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記配線構造は、配線層と補強材を含む熱硬化性樹脂よりなる絶縁層を有する、請求項１又は２記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記支持体は、絶縁材料により覆われている、請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記支持体は、導電材料よりなるとともに、グランド配線に接続されている、請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項６】
電極端子が形成された支持体の前記電極端子が形成されている面上に電子部品を配置する第１工程と、
前記電子部品が配置された前記支持体上に、前記電子部品及び前記電極端子を覆うように樹脂部を形成し、前記樹脂部に前記電極端子を露出させる貫通孔を形成する第２工程と、
前記樹脂部上に、前記電子部品と電気的に接続すると共に前記貫通孔を介して前記電極端子と電気的に接続するように配線構造を形成する第３工程と、
前記支持体の一部を除去して前記電極端子が露出するように、前記支持体に第１の開口部を形成する第４工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記電子部品の前記支持体側の面に電極パッドが形成されており、
前記第４工程において、前記電極パッドが露出するように、前記支持体に第２の開口部を形成する、請求項６記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
絶縁材料により前記支持体を覆う第５工程を有する、請求項６又は７記載の電子部品パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本電子部品パッケージは、支持体と、前記支持体上に配置された電子部品と、前記支持体上に、前記電子部品を覆うように形成された樹脂部と、前記樹脂部上に形成されており、前記電子部品と電気的に接続された配線構造と、前記樹脂部の前記支持体側に埋め込まれており、前記配線構造と電気的に接続された電極端子と、前記支持体に形成されており、前記電極端子が露出する第１の開口部と、を有することを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本電子部品パッケージの製造方法は、電極端子が形成された支持体の前記電極端子が形成されている面上に電子部品を配置する第１工程と、前記電子部品が配置された前記支持体上に、前記電子部品及び前記電極端子を覆うように樹脂部を形成し、前記樹脂部に前記電極端子を露出させる貫通孔を形成する第２工程と、前記樹脂部上に、前記電子部品と電気的に接続すると共に前記貫通孔を介して前記電極端子と電気的に接続するように配線構造を形成する第３工程と、前記支持体の一部を除去して前記電極端子が露出するように、前記支持体に第１の開口部を形成する第４工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長が異なる３つのレーザビームを用い、無限遠からの波長λ１のブルーレイレーザビームで基板厚さｔ１の情報記録媒体に開口数ＮＡ１で集光し、無限遠からの波長λ２のＤＶＤレーザビームで基板厚さｔ２の情報記録媒体に開口数ＮＡ２で集光し、波長λ３のＣＤレーザビームで基板厚さｔ３の情報記録媒体に開口数ＮＡ３で集光するためのブルーレイ、ＤＶＤ、ＣＤ用のピックアップレンズであって、
前記ピックアップレンズは単一素材の単玉からなり、光軸を含む入射面のレンズ面の曲率半径が光軸を含む出射面のレンズ面の曲率半径よりも小さく、
前記ピックアップレンズの少なくとも１面には、同心円状の複数の輪帯が存在し、前記輪帯が形成された面を、光軸を含む同心円状の第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する同心円状の第２領域と、前記第２領域の外側に隣接する同心円状の第３領域に分けた場合に、
前記第１領域には２以上の輪帯が存在し、前記第１領域に相当する範囲の波長λ１、λ２、λ３のレーザビームは、各々、基板厚さｔ１、ｔ２、ｔ３の情報記録媒体に集光し、
前記第２領域には２以上の輪帯が存在し、前記第２領域に相当する範囲の波長λ１、λ２のレーザビームは、各々、基板厚さｔ１、ｔ２の情報記録媒体に集光する一方で、前記第２領域に相当する範囲の波長λ３のレーザビームは、フレア化により、基板厚さｔ３の情報記録媒体に集光せず、
前記第３領域に相当する範囲の波長λ１のレーザビームは基板厚さｔ１の情報記録媒体に集光する一方で、前記第３領域に相当する範囲の波長λ２、λ３のレーザビームは、各々、フレア化により、基板厚さｔ２、ｔ３の情報記録媒体に集光せず、
波長λ１のレーザビームによって生じる波面収差と波長λ２のレーザビームによって生じる波面収差のうち、最大の波面収差をＷｍａｘ、最小の波面収差をＷｍｉｎとしたとき、１≦Ｗｍａｘ／Ｗｍｉｎ＜１．８で基板厚さｔ１の情報記録媒体と基板厚さｔ２の情報記録媒体に対してそれぞれ波長λ１のレーザビームと波長λ２のレーザビームが集光することを特徴とするピックアップレンズ。
【請求項２】
前記無限遠からの波長λ１のレーザビームを基板厚さｔ１の情報記録媒体に集光し、前記無限遠からの波長λ２のレーザビームを基板厚さｔ２の情報記録媒体に集光する第１領域および第２領域について、各領域に存在する２以上の輪帯の面形状を、個別に設定することを特徴とする請求項１に記載のピックアップレンズ。
【請求項３】
波長λ１のレーザビームで基板厚さｔ１の情報記録媒体に集光する際に生じる波面収差と、波長λ２のレーザビームで基板厚さｔ２の情報記録媒体に集光する際に生じる波面収差とは、正負の符号が逆であることを特徴とする請求項１又は２に記載のピックアップレンズ。
【請求項４】
波長λ１のレーザビームで基板厚さｔ１の情報記録媒体に集光する際に生じる波面収差と、波長λ２のレーザビームで基板厚さｔ２の情報記録媒体に集光する際に生じる波面収差とは、絶対値が略等しいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のピックアップレンズ。
【請求項５】
波長λ１が略４０５ｎｍ、波長λ２が略６５０ｎｍ、波長λ３が略７９０ｎｍ、基板厚さｔ１が略０．１ｍｍ、基板厚さｔ２が略０．６ｍｍ、基板厚さｔ３が略１．２ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のピックアップレンズ。
【請求項６】
波長が異なる３つのレーザビームを用い、無限遠からの波長λ１のブルーレイレーザビームで基板厚さｔ１の情報記録媒体に開口数ＮＡ１で集光し、無限遠からの波長λ２のＤＶＤレーザビームで基板厚さｔ２の情報記録媒体に開口数ＮＡ２で集光し、波長λ３のＣＤレーザビームで基板厚さｔ３の情報記録媒体に開口数ＮＡ３で集光するためのブルーレイ、ＤＶＤ、ＣＤ用のピックアップレンズを備えるピックアップ装置であって、
波長λ１、λ２、λ３のレーザビームを出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザビームを情報記録媒体に導くためのビームスプリッタと、
前記光源から出射されたレーザビームの発散角を変換するコリメータレンズと、
前記波長λ１、λ２、λ３のレーザビームを、各々、前記基板厚さｔ１、ｔ２、ｔ３の情報記録媒体に集光させる前記ピックアップレンズを、少なくとも備え、
前記ビームスプリッタは、前記光源と前記ピックアップレンズの間の光路上に設けられるとともに、前記コリメータレンズは、前記ビームスプリッタと前記ピックアップレンズの間の光路上に設けられ、
前記ピックアップレンズは単一素材の単玉からなり、光軸を含む入射面のレンズ面の曲率半径が光軸を含む出射面のレンズ面の曲率半径よりも小さく、
前記ピックアップレンズの少なくとも１面には、同心円状の複数の輪帯が存在し、前記輪帯が形成された面を、光軸を含む同心円状の第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する同心円状の第２領域と、前記第２領域の外側に隣接する同心円状の第３領域に分けた場合に、
前記第１領域には２以上の輪帯が存在し、前記第１領域に相当する範囲の波長λ１、λ２、λ３のレーザビームは、各々、基板厚さｔ１、ｔ２、ｔ３の情報記録媒体に集光し、
前記第２領域には２以上の輪帯が存在し、前記第２領域に相当する範囲の波長λ１、λ２のレーザビームは、各々、基板厚さｔ１、ｔ２の情報記録媒体に集光する一方で、前記第２領域に相当する範囲の波長λ３のレーザビームは、フレア化により、基板厚さｔ３の情報記録媒体に集光せず、
前記第３領域に相当する範囲の波長λ１のレーザビームは基板厚さｔ１の情報記録媒体に集光する一方で、前記第３領域に相当する範囲の波長λ２、λ３のレーザビームは、フレア化により、各々、基板厚さｔ２、ｔ３の情報記録媒体に集光せず、
波長λ１のレーザビームによって生じる波面収差と波長λ２のレーザビームによって生じる波面収差のうち、最大の波面収差をＷｍａｘ、最小の波面収差をＷｍｉｎとしたとき、１≦Ｗｍａｘ／Ｗｍｉｎ＜１．８で基板厚さｔ１の情報記録媒体と基板厚さｔ２の情報記録媒体に対してそれぞれ波長λ１のレーザビームと波長λ２のレーザビームが集光するピックアップレンズを用いることを特徴とするピックアップ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ピックアップレンズ及びピックアップ装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
〔一般式（１）で表わされるフルオロシラン化合物〕
化合物Ａ１：１，２−ビス（ジフルオロメチルシリル）エタン
化合物Ａ２：１−フルオロジメチルシリル−２−ジフルオロメチルシリルエタン
化合物Ａ３：１−トリフルオロシリル−２−ジフルオロメチルシリルエタン
化合物Ａ４：１，７−ビス（ジフルオロメチルシリル）−４−オキサヘプタン
〔一般式（２）で表わされる不飽和リン酸エステル化合物〕
化合物Ｂ１：エチルビス（２−プロピニル）フォスフェート
化合物Ｂ２：トリス（２−プロピニル）フォスフェート
〔一般式（３）で表わされる不飽和リン酸エステル化合物〕
化合物Ｂ３：２，４−ヘキサジイン−１，６−ジオールテトラエチルジフォスフェート
〔一般式（４）で表わされるフルオロシラン化合物〕
化合物Ｃ１：ｎ−ブチルフルオロジメチルシラン
化合物Ｃ２：１，２−ビス（フルオロジメチルシリル）エタン
化合物Ｃ３：３−メトキシプロピルジメチルフルオロシラン
化合物Ｃ４：（２−ジメチルフルオロシリル）プロピオン酸メチル
化合物Ｃ５：酢酸（３−ジメチルフルオロシリル）プロピル
〔不飽和基を有する環状カーボネート化合物〕
化合物Ｄ１：ビニレンカーボネート
〔環状硫酸エステル化合物〕
化合物Ｄ２：プロパンスルトン
〔ハロゲン化環状カーボネート化合物〕
化合物Ｄ３：フルオロエチレンカーボネート
〔比較のフルオロシラン化合物Ａ’１〕
ジフルオロジフェニルシラン
〔比較のフルオロシラン化合物Ａ’２〕
ジ−ｎ−ブチルジフルオロシラン
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの光を位相変調素子を通じて受光する撮像素子と、
前記撮像素子によって得られた撮像画像から、比較画像に類似する部分画像を抽出する画像抽出部と、
前記画像抽出部によって抽出された前記部分画像から得た点像分布関数を用い、前記撮像素子によって得られた撮像画像に対して被写体像を復元する処理を施す復元処理部と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記復元処理部は、前記画像抽出部によって前記部分画像の抽出対象とされた撮像画像と同じ撮像画像に対して、被写体像を復元する処理を施すことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記画像抽出部は、前記撮像素子によって得られた撮像画像に対して、前記位相変調素子を含む光学系の設計値から算出された他の点像分布関数とのパターンマッチングを行うことで、前記部分画像を抽出することを特徴とする請求項１または２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記復元処理部は、前記画像抽出部による前記部分画像の抽出後に前記撮像素子によって新たに得られた撮像画像に対して、前記画像抽出部によって抽出された前記部分画像から得た点像分布関数を用い、前記被写体像を復元する処理を施すことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記被写体に対して光を照射することで前記被写体上に点画像を生成する発光部をさらに有し、
前記画像抽出部は、前記発光部からの光が照射された前記被写体を前記撮像素子が撮像することで得られた撮像画像から、前記部分画像を抽出し、
前記復元処理部は、前記発光部からの光の照射が中止された後の前記被写体を前記撮像素子が撮像することで得られた撮像画像に対して、前記被写体像を復元する処理を施す、
ことを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
【請求項６】
前記復元処理部は、前記画像抽出部によって抽出された前記部分画像から特定の色領域の成分を抽出し、抽出後の画像から得た点像分布関数を用いて前記被写体像を復元する処理を施すことを特徴とする請求項１，４，５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記画像抽出部は、前記撮像素子によって得られた撮像画像から、特定の色領域の成分を抽出した画像を生成し、前記特定の色領域の成分を抽出した画像に対して、前記位相変調素子を含む光学系の設計値から算出された他の点像分布関数とのパターンマッチングを行うことで、前記部分画像を抽出することを特徴とする請求項１，４，５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記画像抽出部は、前記撮像素子によって得られた撮像画像の複数箇所から、前記比較画像にそれぞれ類似する複数の部分画像を抽出し、
前記復元処理部は、前記撮像素子によって得られた撮像画像上の分割領域ごとに、前記複数の部分画像のうち各分割領域に対応する部分画像を選択して点像分布関数として用いて、前記被写体像を復元する処理を施す、
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
被写体からの光を位相変調素子を通じて受光する撮像素子によって得られた撮像画像から、比較画像に類似する部分画像を抽出する画像抽出部と、
前記画像抽出部によって抽出された前記部分画像から得た点像分布関数を用い、前記撮像素子によって得られた撮像画像に対して被写体像を復元する処理を施す復元処理部と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
被写体からの光を位相変調素子を通じて受光する撮像素子を備えた撮像装置における撮像方法であって、
前記撮像素子によって得られた撮像画像から、比較画像に類似する部分画像を抽出し、
抽出された前記部分画像から得た点像分布関数を用い、前記撮像素子によって得られた撮像画像に対して被写体像を復元する、
ことを特徴とする撮像方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
送信側ブロック１１のマイクロプロセッサ９１は、所定のプログラム（ファームウェア）を実行し、所定のパリティ数を表すパリティ数指示情報をECC処理部２３に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この場合、分割部２４は、同じ符号語を構成する符号化データが同じ伝送路を使って伝送されないように、ECC処理部２３から供給された符号化データを供給された順に伝送路Ｃ１乃至Ｃ４に割り当てる。図４の例においては、符号語１を構成するブロック１，２，３の符号化データがそれぞれ伝送路Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に割り当てられ、符号語２を構成するブロック４，５，６の符号化データが伝送路Ｃ４，Ｃ１，Ｃ２に割り当てられている。符号語３を構成するブロック７，８，９の符号化データがそれぞれ伝送路Ｃ３，Ｃ４，Ｃ１に割り当てられ、符号語４を構成するブロック１０，１１，１２の符号化データが伝送路Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に割り当てられている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にＩＣチップが搭載されたＨ型構造の水晶発振器であって、
前記水晶片と前記ＩＣチップとを接続する金属配線が、前記両凹部を接続するビアホールによって接続され、
前記ビアホールが、前記水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴とする水晶発振器。
【請求項２】
ビアホールが、水晶片及びＩＣチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴とする請求項１記載の水晶発振器。
【請求項３】
水晶片の一短辺を凹部に固定する２つの水晶保持端子を備え、
前記２つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦前記短辺の中央方向に向かって形成され、前記短辺の中央付近から前記水晶片に覆われた前記凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の水晶発振器。
【請求項４】
水晶発振器が温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項１乃至３記載の水晶発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にＩＣチップが搭載されたＨ型構造の水晶発振器であって、水晶片とＩＣチップとを接続する金属配線が、両凹部を接続するビアホールによって接続され、ビアホールが、水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、上記水晶発振器において、ビアホールが、水晶片及びＩＣチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、上記水晶発振器において、水晶片の一短辺を凹部に固定する２つの水晶保持端子を備え、２つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦当該短辺の中央方向に向かって形成され、短辺の中央付近から水晶片に覆われた凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にＩＣチップが搭載されたＨ型構造の水晶発振器であって、水晶片とＩＣチップとを接続する金属配線が、両凹部を接続するビアホールによって接続され、ビアホールが、水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されている水晶発振器としているので、金属配線をセラミックパッケージの周辺部ではなく内側の領域に形成し、また、熱伝導率の高い金属配線を熱伝導率の低いセラミックパッケージと水晶片とで挟んで形成することができ、外部の熱源の影響を抑えて、水晶片とＩＣチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明によれば、ビアホールが、水晶片及びＩＣチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されている上記水晶発振器としているので、更に、金属配線をセラミックパッケージとＩＣチップとで挟んで形成することができ、外部の熱源の影響を一層抑制して、水晶片とＩＣチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明によれば、水晶片の一短辺を凹部に固定する２つの水晶保持端子を備え、２つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦当該短辺の中央方向に向かって形成され、短辺の中央付近から水晶片に覆われた凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されている上記水晶発振器としているので、金属配線をできるだけセラミックパッケージの内側の領域に形成して、外部の熱源の影響を一層抑制して、水晶片とＩＣチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２は、従来のCMOS型撮像素子における、フローティングディフュージョン領域の不純物濃度分布と電界強度分布のシミュレーション結果を示したものである。図２（ａ）は、不純物濃度分布を示しており、図２（ｂ）は、電界強度分布を示している。尚、図２（ａ）の不純物濃度分布においては、白色に近くなるほどｎ型不純物の濃度が高く、黒色に近くなるほどｐ型不純物の濃度が高いことを示している。また、図２（ｂ）の電界強度分布においては、白色に近いほど電界強度が高く、黒色に近いほど電界強度が低いことを示している。また、図２（ａ），図２（ｂ）においては、いずれも同図内に転送ゲートＴＧが存在し、フローティングディフュージョンＦＤが配置される場合を示している。換言すれば、図２は、いずれも、図１の転送ゲートＴＧおよびフローティングディフュージョンＦＤ付近を拡大した範囲の分布が示されている。ここで、図２（ｂ）においては、転送ゲートにはオフ時を想定し負電位が印加され、フローティングディフュージョンFD領域は正電位となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の第１の側面においては、フォトダイオードにより光信号が信号電荷に変換され、転送ゲートにより、前記フォトダイオードから信号電荷がフローティングディフュージョンに転送され、フローティングディフュージョンに、前記信号電荷が転送され、ＭＯＳトランジスタにより、ゲートが前記フローティングディフュージョンに接続され、前記フローティングディフュージョンを形成する第１導電型半導体層の転送ゲート端部に、第２導電型半導体層が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
固体撮像装置１０１は、図１３（ａ）で示されるように、各単位画素がアレイ状に配置された画素アレイ部１１１、制御回路１１２、垂直駆動回路１１３、カラム信号処理回路１１４、水平駆動回路１１５、および出力回路１１６を備えている。制御回路１１２は、垂直駆動回路１１３、カラム信号処理回路１１４、および水平駆動回路１１５を制御している。垂直駆動回路１１３、カラム信号処理回路１１４、および水平駆動回路１１５は、垂直信号線Ｌ１および画素駆動線Ｌ２を用いて、画素アレイ部１１１の画素信号を転送し、出力回路１１６より出力させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に酸化物絶縁層と、
前記酸化物絶縁層上にソース電極層またはドレイン電極層と、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上に絶縁層と、
前記絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物絶縁層と接する第１の領域と、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と接する第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第１のゲート電極層と前記ゲート絶縁層を介して重なるチャネル形成領域と、前記酸化物半導体層の周縁及び側面を覆う前記酸化物絶縁層と重なる領域とを有し、
前記酸化物半導体層の端面は、前記酸化物絶縁層を介して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なり、
前記第１のゲート電極層のチャネル長方向の幅は、前記酸化物半導体層のチャネル長方向の幅よりも広く、前記第１のゲート電極層の端面は、前記ゲート絶縁層及び前記酸化物絶縁層を介して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、同一基板上に前記ゲート電極層と同じ電位のゲート配線層と、前記ソース電極層と同じ電位のソース配線層との配線交差部を有し、
前記配線交差部において、前記ゲート配線層と前記ソース配線層との間には、前記ゲート絶縁層と前記酸化物絶縁層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、さらに同一基板上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量部の誘電体は、前記ゲート絶縁層であり、
前記容量配線及び前記容量電極は前記ゲート絶縁層と接することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の酸化物絶縁層と、
前記酸化物絶縁層上及び前記第２の酸化物半導体層上のソース電極層と、
前記酸化物絶縁層上及び前記第２の酸化物半導体層上のドレイン電極層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる第１の領域と、前記ソース電極層と接する第２の領域と、前記ドレイン電極層と接する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は前記第２の領域と前記第３の領域の間に位置し、
前記酸化物絶縁層は、前記第１の領域と接する第４の領域と、前記第１及び前記第２の酸化物半導体層の周縁を覆う第５の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物絶縁層は、酸化珪素または酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、又はＷから選ばれた元素を主成分とする膜、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に接して第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層を形成後、窒素又は希ガスを含む雰囲気下で第１の加熱処理を行い、
前記第１の加熱処理後、前記第２の酸化物半導体層上に酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層を形成後、窒素又は希ガスを含む雰囲気下で第２の加熱処理を行い、
前記第２の加熱処理後、前記酸化物絶縁層上及び前記第２の酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる第１の領域と、前記ソース電極層と接する第２の領域と、前記ドレイン電極層と接する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は前記第２の領域と前記第３の領域の間に位置し、
前記酸化物絶縁層は、前記第１の領域と接する第４の領域と、前記第１及び前記第２の酸化物半導体層の周縁を覆う第５の領域と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチが実装されたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板における前記スイッチの実装面とは反対の面に対向して配置された補強板と、
第１の面を有し、前記第１の面が、前記補強板における、前記フレキシブル基板に対向する面とは反対の面に対向して配置されたスペーサと、
前記スペーサにおける、前記第１の面とは反対の面である第２の面に対向して配置されたメイン基板と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記フレキシブル基板と、前記補強板と、前記スペーサとが１つのユニットとして形成された、ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記スペーサは位置決め部を備え、
前記補強板と前記フレキシブル基板は、前記位置決め部によって前記スペーサに対して位置決めされる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記スペーサは固定部を備え、
前記補強板と前記フレキシブル基板は、前記固定部によって前記スペーサに固定される、ことを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記フレキシブル基板は延伸部を有し、前記延伸部は他の基板に接続される、ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記他の基板に電子装置のぶれを検出するジャイロセンサーが搭載された、ことを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記フレキシブル基板は延伸部を有し、前記延伸部に電子装置のぶれを検出するジャイロセンサーが実装された、ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項８】
前記スイッチは、可動部の位置により状態が切り替わる可動スイッチであって、
前記スペーサは、前記可動部を案内する手段を有する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の電子装置。
【請求項９】
前記スペーサは、樹脂で形成されている、ことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子装置。