Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
又、本発明は、上述したヒートスプレッダとヒートシンクの材料を、線膨張係数を合わせ込んだ場合の問題点についての解消を目的としている。
具体的には、ヒートシンクをアルミニウムで構成し、ヒートスプレッダも同様にアルミニウムで構成した場合の問題点の解消を目的としている。すなわち、本発明は、電力用半導体素子１を、大きな面積や厚みがより薄いものにしたとき、上述のようなアルミニウムもしくはアルミ合金系のヒートシンク１１に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダの材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子１の破壊を防止することを目的としている。
又本発明は、アルミニウム以外の材料でも、ヒートシンクと、電力用半導体モジュールの線膨張係数差を最小限にすることを目的としており、好ましくは同じ金属をベースとして配合された合金成分が異なる程度の近い線膨張係数の材料で構成する場合についても適用される。
したがって、当然ながら本発明が奏する作用は、アルミニウムを採用する場合に限定されるわけではなく、ヒートシンク材料がアルミニウム以外であっても、同様にヒートシンク材料と同種の金属及び同種の金属をベースとして合金化して得たヒートスプレッダ材料を用いた場合に対しても同様な作用を奏することは言うまでもない。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これに対し、この実施の形態１が念頭としているところは、アルミニウムのヒートシンク１１に、電力用パワーモジュール１００を直接接合する構成であり、その前提としては、アルミのヒートスプレッダ２の内蔵による線膨張係数の差の低減が必要となる。
その場合、電力用半導体素子１への熱応力は、ヒートスプレッダ２が銅の場合に比べてアルミニウムの場合は大きくなり、この熱応力が増大することが問題となる。
すなわち、この実施の形態１では、アルミのヒートスプレッダ２を採用する場合でも脆性材料である電力用半導体素子１が壊れないものを得ることを目的としているわけである。そして、ヒートシンク１１と電力用パワーモジュール１００の接合の例として、ハンダ付けの場合と、樹脂接着の場合を採り上げ、電力用パワーモジュール１００をヒートシンク１１に固着した場合の問題の解決を目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
又、この実施の形態１は、ヒートスプレッダ２が銅よりも線膨張係数が大きいアルミニウムにした場合でも、大きな面積の電力用半導体素子１や厚みがより薄い電力用半導体素子１の熱応力の問題をなくすことを目的としている。
すなわち、前述のようなアルミニウム及びアルミ合金系のヒートシンク１１に固着したパワーモジュールに内蔵されるヒートスプレッダ２の材料に、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いた場合でも、電力用半導体素子１の破壊を防止することを目的としている。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３における電力用半導体装置の断面図である。
この実施の形態３におけるヒートシンク１１では、図５のように、対面にヒートシンク１１の取付面を有し、かつそれぞれの取付面に電力用パワーモジュール１００を固着層１２によって搭載した形態を構成している。
このように電力用パワーモジュール１００をヒートシンク１１の両取付面に固着した場合、電力用パワーモジュール１００の線膨張係数とヒートシンク１１の線膨張係数の差による熱応力が、高まるという問題がある。
すなわち、ヒートシンク１１の片面に電力用パワーモジュール１００を固着した場合は、ヒートシンク１１が反ることで熱応力が開放され、その結果、電力用パワーモジュール１００に生じる熱応力は相対的に小さくなる。
これに対してヒートシンク１１の両面に、電力用パワーモジュール１００を搭載した場合、バランスが取れた結果反ることができず、電力用パワーモジュール１００に与えられる熱応力が増大してしまうという問題がある。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この実施の形態３における電力用半導体装置は、上記の点に対処するため、ヒートスプレッダ部分を覆う保護樹脂部４に、複数の凹状部４ａを設けている。
そして、電力用半導体素子１、主端子５ａ、５ｂ、制御端子７、及び保護樹脂部４を、モールド樹脂１０で封止する時、複数の凹状部４ａにモールド樹脂１０が充填されるようにしたものである。
例えば、保護樹脂部４の厚みを２００μｍとすると、直径３００μｍ、深さ１５０μｍから２００μｍ程度の凹みを多数付与する。
この凹状部４ａを、ヒートスプレッダ２の主面（電力用半導体素子１が固着されていないヒートスプレッダ２の上面）に多数分布させることで、剥離を確実に防止することができる。
例えば８００μｍピッチで縦横に配置することで耐ヒートサイクル性を３倍以上拡大することができた。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスを制御するプロセス制御ルーチンで用いられる多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法であって、
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントは、前記プロセスからの１以上のプロセス出力を受け取るように構成された第１の複数の制御入力と、前記プロセスの１以上のプロセス入力に制御信号を与えるように構成される第２の複数の制御出力と、前記プロセスの多入力／多出力制御を行うことを可能にするアドバンスド制御論理パラメータが設定されていない状態の多入力／多出力制御論理とを有し、
前記方法は、
前記プロセス制御ルーチン内で前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを通信可能に接続し、
前記プロセスの通常動作の間に予測される入力の１以上の範囲にわたる動作を行わせるために、前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメント内に形成された波形ジェネレータを用いて前記プロセス入力の各々に励起波形を与え、
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメント内に形成されたデータ収集ユニットを用いて、前記励起波形に対する前記プロセス出力の各々の応答を示すデータを収集し、
前記収集されたデータに基づいてプロセスモデルを作成し、
前記プロセスモデルに基づいて前記アドバンスド制御論理パラメータを作成し、
前記アドバンスド制御論理パラメータおよび前記プロセスモデルを前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントにダウンロードし、
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントに対して前記アドバンスド制御論理パラメータに従って前記プロセスの多入力／多出力制御を実行するように動作させることを含む、多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項２】
前記プロセス制御ルーチン内で前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを通信可能に接続することは、第１の機能ブロックに前記第１の複数の制御入力のうちのひとつを通信可能に接続し、第２の機能ブロックに前記第２の複数の制御出力のうちのひとつを通信可能に接続することを含む、請求項１記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項３】
前記第２の機能ブロックに前記第２の複数の制御出力のひとつを通信可能に接続することは、制御機能ブロックに前記第２の複数の制御出力のうちのひとつを通信可能に接続して前記プロセス制御ルーチン内で制御ループの制御を与えることを含む、請求項２記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項４】
前記第２の機能ブロックに前記第２の複数の制御出力のうちのひとつを通信可能に接続することは、ある装置と関連する出力機能ブロックに前記第２の複数の制御出力のうちのひとつを通信可能に接続して前記装置の制御を与えることを含む、請求項２または３に記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項５】
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメント内に形成された波形ジェネレータを用いて前記プロセス入力の各々に励起波形を与えることは、前記機能ブロック内に形成された波形ジェネレータを用いて、前記励起波形として一連の擬似ランダム長のパルスを発生させることを含む、請求項１〜４の何れかに記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項６】
前記プロセスモデルからプロセスシミュレーションエレメントを生成すること、
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントに前記プロセスシミュレーションエレメントを通信可能に接続すること、および
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントの前記アドバンスド制御論理パラメータを用いて前記プロセスシミュレーションエレメントを制御すること、をさらに含む、請求項１〜５の何れかに記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項７】
前記プロセスシミュレーションエレメントを生成することは、前記プロセスモデルを変更し、前記変更されたプロセスモデルを用いて前記プロセスシミュレーションエレメントを生成することを含む、請求項６記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項８】
前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントの前記アドバンスド制御論理パラメータを用いて前記プロセスシミュレーションエレメントを制御する間に前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントの前記アドバンスド制御論理パラメータを用いて前記プロセスを制御することをさらに含む、請求項６または７に記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項９】
前記プロセスのプロセス出力を前記プロセスシミュレーションエレメントと比較して、プロセスと、前記アドバンスド制御論理パラメータがそれから生成されたプロセスモデルとの間の不一致を測定することをさらに含む、請求項８記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【請求項１０】
前記プロセスを制御する際に用いられる前記多入力／多出力アドバンスド制御エレメントの前記第１の複数の制御入力の１つに前記プロセスシミュレーションエレメントの出力を与えることをさらに含む、請求項８または９に記載の多入力／多出力アドバンスド制御エレメントを実行する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子の製造方法及び製造装置並びに端子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、角形断面の線材を曲げ加工して所定形状の端子を製造する端子の製造方法及び製造装置並びに端子に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、加工を簡素化し、加工コストを低減でき、品質が安定した端子を製造することができる製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の端子の製造方法は、角線を曲げ加工して所定形状の端子を製造する方法において、
前記角線を所定の長さに切断した後、２つの曲げブロックを互いに反対方向に同時移動させることにより、切断された角線の中央部を固定した状態で両側の端部を略９０°曲げて、切断後の角線を同一面内でＺ字状に曲げる工程と、
前記Ｚ字状に曲げられた成形品の中央部を折り曲げ板で長穴内に押し込むことにより、Ｕ字状に曲げて端子を形成する工程と、
を有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係る端子の製造装置は、角線を曲げ加工して所定形状の端子を製造する装置において、
前記角線が挿入される溝状のガイドと、該ガイドに対し直交方向に設けられた長穴と、前記ガイドおよび前記長穴が設けられた凸状の角線保持部とを有するベースと、
前記角線の中央部を固定する押さえブロックと、
前記ベース上を互いに反対方向に同時移動し、所定の長さに切断された切断後の角線の両側の自由端部を略９０°曲げて、該切断後の角線を同一面内でＺ字状に曲げる２つの曲げブロックと、
前記Ｚ字状に曲げられた角線を前記長穴内に押し込み、Ｕ字状に曲げる折り曲げ板と、
を備えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角線を曲げ加工して所定形状の端子を製造する方法において、
前記角線を所定の長さに切断した後、２つの曲げブロックを互いに反対方向に同時移動させることにより、切断された角線の中央部を固定した状態で両側の端部を略９０°曲げて、切断後の角線を同一面内でＺ字状に曲げる工程と、
前記Ｚ字状に曲げられた成形品の中央部を折り曲げ板で長穴内に押し込むことにより、Ｕ字状に曲げて端子を形成する工程と、
を有することを特徴とする端子の製造方法。
【請求項２】
角線を所定の長さに切断する際に、該角線を軸線に対して斜めに切断することを特徴とする請求項１記載の端子の製造方法。
【請求項３】
角線を曲げ加工して所定形状の端子を製造する装置において、
前記角線が挿入される溝状のガイドと、該ガイドに対し直交方向に設けられた長穴と、前記ガイドおよび前記長穴が設けられた凸状の角線保持部とを有するベースと、
前記角線の中央部を固定する押さえブロックと、
前記ベース上を互いに反対方向に同時移動し、所定の長さに切断された切断後の角線の両側の自由端部を略９０°曲げて、該切断後の角線を同一面内でＺ字状に曲げる２つの曲げブロックと、
前記Ｚ字状に曲げられた角線を前記長穴内に押し込み、Ｕ字状に曲げる折り曲げ板と、
を備えたことを特徴とする端子の製造装置。
【請求項４】
前記曲げブロックの各々は、下面の移動方向前部と前記角線保持部の段差に対向する側部とにＬ字状の９０゜曲げガイドを有することを特徴とする請求項３記載の端子の製造装置。
【請求項５】
請求項１もしくは２に記載の端子の製造方法、又は、請求項３もしくは４に記載の端子の製造装置によって製造されたことを特徴とする端子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持部材に保持された基板を露光用の液体を介して露光光で露光する液浸露光装置であって、
投影光学系と、
前記基板の表面が対向する下面を有するノズル部材と、を備え、
前記ノズル部材は、液体供給口と、前記下面に設けられた液体回収口とを有し、
前記基板保持部材は、前記基板の裏面を支持する支持部材と、前記支持部材を囲むように設けられた第１壁と、前記第１壁を囲むように配置された第２壁と、前記第１壁と前記第２壁との間の空間から流体を吸引可能な第１吸引口を有し、
露光動作のときに、前記液体供給口から前記露光用の液体を供給し、
クリーニング動作のときに、前記第１壁の外側の空間に供給されたクリーニング用の液体の少なくとも一部を、前記基板保持部材の前記第１吸引口から回収する露光装置。
【請求項２】
前記クリーニング用の液体は、前記露光用の液体を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記クリーニング用の液体は、界面活性剤を含む液体を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記クリーニング用の液体は、機能水を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記クリーニング動作のときに、前記クリーニング用の液体に超音波が与えられる請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記露光動作のときに、前記ノズル部材の前記液体供給口から、前記投影光学系の終端光学素子と前記ノズル部材との間に、前記露光用の液体が供給される請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記クリーニング動作のときに、前記基板保持部材にクリーニング用部材が保持される請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記基板保持部材は、前記第１壁の内側に形成され、流体を吸引可能な第２吸引口と、前記第１壁の内側に形成され、気体を供給可能な流通口と、を有し、
前記クリーニング動作のときに、前記第１吸引口及び前記第２吸引口による吸引動作が行われる請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１０】
投影光学系と、基板保持部材と、前記基板保持部材に保持された基板の表面が対向する下面を有するノズル部材とを備え、前記ノズル部材の液体供給口から露光用の液体を供給するとともに、前記ノズル部材の前記下面に設けられた液体回収口から前記露光用の液体を回収することによって前記基板の表面に前記露光用の液体で液浸領域を形成するとともに、前記露光用の液体を介して前記投影光学系からの露光光で前記基板を露光する液浸露光装置で用いられるクリーニング方法であって、
前記基板保持部材にクリーニング用部材を支持することと、
前記クリーニング用部材の裏面を支持する支持部材を囲むように配置された前記基板保持部材の第１壁の外側にクリーニング用の液体を供給することと、
前記第１壁を囲むように配置された前記基板保持部材の第２壁と前記第１壁との間の空間から、前記クリーニング用の液体の少なくとも一部を、前記保持部材の第１吸引口を介して回収することと、
を含むクリーニング方法。
【請求項１１】
前記クリーニング用の液体は、前記露光用の液体を含む請求項１０記載のクリーニング方法。
【請求項１２】
前記クリーニング用の液体は、界面活性剤を含む液体を含む請求項１０記載のクリーニング方法。
【請求項１３】
前記クリーニング用の液体は、機能水を含む請求項１０記載のクリーニング方法。
【請求項１４】
前記クリーニング動作のときに、前記クリーニング用の液体に超音波が与えられる請求項１０〜１３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項１５】
前記基板保持部材は、前記第１壁の内側に形成され、流体を吸引可能な第２吸引口と、前記第１壁の内側に形成され、気体を供給可能な流通口と、を有し、
前記クリーニング動作のときに、前記第１吸引口及び前記第２吸引口による吸引動作が行われる請求項１０〜１４記載のクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板保持部を有し、前記投影光学系に対して移動可能なステージを備え、
前記ステージは、前記基板保持部に保持された前記基板と前記基板保持部より外側に設けられたステージ上面との間のギャップに浸入した前記液体を回収する回収部を含み、
前記回収部は、多孔体またはメッシュ部材と、前記ギャップに浸入し前記多孔体またはメッシュ部材を介した前記液体を回収するための流路と、を含む露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置において、
前記ステージは、前記ステージ上面を含み着脱可能に設けられたプレート部材と、該プレート部材を保持するプレート保持部と、を含み、
前記流路の回収口は、前記プレート保持部に保持された前記プレート部材の裏面側に設けられている。
【請求項３】
請求項１または２に記載の露光装置において、
前記多孔体またはメッシュ部材は、前記プレート保持部に保持された前記プレート部材の裏面側に設けられている。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記流路の前記回収口は、前記プレート保持部の内部に設けられている。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記多孔体またはメッシュ部材は、前記プレート保持部の内部に設けられている。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記多孔体またはメッシュ部材は、前記流路の途中に設けられている。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板保持部は、前記基板を支持する支持部と、該支持部の周囲に設けられた壁部と、該壁部より内側の空間内のガスを吸引可能なように該内側の空間に接続されたガス流路とを含み、前記支持部に支持された前記基板を、前記内側の空間内のガスが前記ガス流路を介して吸引されて該内側の空間が負圧にされた状態で保持する。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置において、
前記基板保持部は、前記支持部および前記壁部が上部に形成されたベース部を含み、
前記ガス流路は、前記ベース部の内部に設けられ、
前記ガス流路の吸引口は、前記ベース部の表面のうち前記内側の空間に面した表面に形成されている。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージ上面は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面とほぼ同じ高さになるように設けられている。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージ上面は、平坦面を含む。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光する露光方法。
【請求項１２】
投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系に対して移動可能なステージが備える基板保持部により前記基板を保持することと、
前記基板保持部に保持された前記基板と前記基板保持部より外側に設けられたステージ上面との間の前記ギャップに浸入した前記液体を、多孔体またはメッシュ部材と流路とを介して回収することと、
を含む露光方法。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板にパターンを露光することと、
前記パターンが露光された前記基板上にデバイスを組み立てることと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の露光方法を用いて基板にパターンを露光することと、
前記パターンが露光された前記基板上にデバイスを組み立てることと、
を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法、デバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、デバイス製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
一部応用（例えばハプティクスやタッチスクリーン技術）に対して、高電圧が、スクリーンに対する機能にアクセスするためのスクリーンのタッチによって発生され得る。異なるオプションが選択されると、電荷が生成されて、“ダンピング”されなければならない。本発明の一実施形態に係る集積システムは、この“ダンピング”された電荷を貯蔵して、その後システムに再循環させることができる構造（例えばキャパシタ）を含む層を提供し得る。従って、本発明に係る集積システムは、システムの異なるファセットによって生成されたエネルギーを収穫して、全体的な電力効率を改善する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このようにして作製されたポーラスシリコンを使ったＳＯＩとしては、ＥＬＴＲＡＮ：ポーラスシリコン層の上にエピタキシャル成長を行い、酸化膜付きウェーハと貼り合わせ、ポーラス層で剥離する方法（非特許文献１）、ポーラス層の上にエピタキシャル成長後、酸化雰囲気でアニールを行い、ポーラス層を酸化し、これをＢＯＸ層（埋め込み酸化膜層）とする方法（ポーラス層の内部酸化：特許文献３）、多孔度を徐々に下げてポーラスシリコンを形成しアニールすることで表面はマイグレーションにより単結晶化し、内部の多孔度の高いところはＢＯＸ層とする方法（特許文献４）等が知られている。しかしながら、いずれもＢＯＸ層は均一の厚さであり、部分的に膜厚の異なる絶縁膜を形成することは不可能である。本発明の貼り合わせ基板は部分的に膜厚の異なる絶縁膜を有し、異なる耐圧特性を必要とする素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板となることを見出してなされた発明である。以下、本発明について詳細に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に酸化物半導体薄膜を形成し、
前記酸化物半導体薄膜の第１領域上に積層されたゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記第１領域を挟んだ両側に位置する第２領域及び第３領域を前記ゲート絶縁膜から露出し、
前記酸化物半導体薄膜の前記第２領域及び前記第３領域、前記ゲート絶縁膜、及び、前記ゲート電極を覆う窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記第２領域に到達する第１コンタクトホール及び前記第３領域に到達する第２コンタクトホールを形成し、
前記第１コンタクトホールから前記第２領域にコンタクトしたソース電極、及び、前記第２コンタクトホールから前記第３領域にコンタクトしたドレイン電極を形成する、薄膜トランジスタ回路基板の製造方法であって、
前記層間絶縁膜は、単層もしくは積層構造とし、少なくとも前記酸化物半導体薄膜の上は、シリコンのダングリングボンドを含む窒化シリコンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記層間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記層間絶縁膜によって覆われた前記酸化物半導体薄膜において、前記第２領域及び前記第３領域の酸素濃度は、前記第１領域の酸素濃度よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記酸化物半導体薄膜は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも１つを含む酸化物によって形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁基板上に形成され、第１領域と、前記第１領域を挟んだ両側に形成され前記第１領域よりも低抵抗な第２領域及び第３領域と、を有する酸化物半導体薄膜と、
前記酸化物半導体薄膜の前記第１領域上に形成されるとともに前記第２領域及び前記第３領域を露出するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記酸化物半導体薄膜の前記第２領域及び前記第３領域、前記ゲート絶縁膜、及び、前記ゲート電極を覆うとともに、前記第２領域に到達する第１コンタクトホール及び前記第３領域に到達する第２コンタクトホールが形成された窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層間絶縁膜と、
前記第１コンタクトホールから前記第２領域にコンタクトしたソース電極と、
前記第２コンタクトホールから前記第３領域にコンタクトしたドレイン電極と、
を備え、
前記層間絶縁膜は、単層もしくは積層構造とし、少なくとも前記酸化物半導体薄膜の上は、シリコンのダングリングボンドを含む窒化シリコンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板。
【請求項６】
前記酸化物半導体薄膜において、前記第２領域及び前記第３領域の酸素濃度は、前記第１領域の酸素濃度よりも低いことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者の指情報を用いて本人確認を行うための指静脈認証システムであって、
指情報を画像として取り込むセンサと、
該センサから取り込まれた画像情報を用いて指認証を行う認証手段と、
該センサから取り込まれた画像情報の画素値が飽和している領域の有無を基に、該センサに指が正しくセットされているかを検知する指位置妥当性判定手段と、
を有し、
前記指位置妥当性判定手段は、前記センサから取り込まれた画像情報を指が写り込むであろう有効領域と、指が写り込まないであろう無効領域とに分け、それぞれの領域について画素値が飽和している領域の有無を基に、該センサに指が正しくセットされているかどうかを判断することを特徴とする指静脈認証システム。
【請求項２】
請求項１の指静脈認証システムであって、
前記指位置妥当性判定手段による判定結果を表示する表示装置を有し、
該指位置妥当性判定手段が、前記センサに指が正しくセットされていないと判断した場合、指をかざし直す旨のガイダンスを該表示装置に表示することを特徴とする指静脈認証システム。
【請求項３】
請求項１または２の指静脈認証システムであって、
前記指位置妥当性判定手段は、指がセットされていない状態の平均画素値と指がセットされた状態の平均画素値との変化量が閾値未満であるか否かで判定することを特徴とする指静脈認証システム。
【請求項４】
利用者の指情報を用いて本人確認を行うための指静脈認証システムであって、
指情報を画像として取り込むセンサと、
該センサから取り込まれた画像情報を用いて指認証を行う認証手段と、
該センサから取り込まれた画像情報の画素値が飽和している領域の有無及び位置を基に、該センサにセットされている指の状態を判定する指置き状態判定手段と、
を有し、
前記画像情報の画素値が飽和している領域が、指静脈画像の中央領域に存在する場合は、指が曲がっていると判定することを特徴とする指静脈認証システム。
【請求項５】
請求項４の指静脈認証システムであって、
前記画像情報の画素値が飽和している領域は、指がセットされていない状態の画素値と、指がセットされた状態の画素値との変化量が閾値未満であるか否かで判定することを特徴とする指静脈認証システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常モード又は省電力モードで動作する画像形成装置であって、
ユーザインタフェースと、
前記省電力モードで電力供給を行う第１の供給手段と、
前記通常モードで電力供給を行い前記省電力モードで電力供給を行わない第２の供給手段と、
前記第２の供給手段の異常を検出する検出手段と、
前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出していない場合に、前記第２の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を行うように制御し、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、前記第１の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を開始するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、前記第２の供給手段からの電力供給を停止するように制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、前記第１の供給手段から一部のデバイスへの電力供給を停止するように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記ユーザインタフェースは、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、当該第２の供給手段の異常をユーザに通知することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記一部のデバイスは、主記憶手段、省電力モードからの復帰要因を検出する省電力モード復帰要因検出手段の何れか１つ以上であることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
外部に情報を送信可能な送信手段を有し、
前記送信手段は、前記第１の供給手段を電力供給元とし、前記検出手段により前記第２の供給手段の異常が検出された場合にも前記第１の供給手段から電力供給が維持されるものであり、
前記制御手段は、前記検出手段により前記第２の供給手段の異常が検出された場合、前記送信手段を用いて当該画像形成装置のエラー情報を外部に送信することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
外部に情報を送信可能な送信手段を有し、
前記送信手段は、前記第２の供給手段を電力供給元とするものであり、
前記制御手段は、前記検出手段により前記第２の供給手段の異常が検出された場合、前記送信手段を用いて当該画像形成装置のエラー情報を外部に送信した後に、前記第２の供給手段からの電力供給を遮断することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
通常モード又は省電力モードで動作し、ユーザインタフェースと、前記省電力モードで電力供給を行う第１の供給手段と、前記通常モードで電力供給を行い前記省電力モードで電力供給を行わない第２の供給手段と、を有する画像形成装置の制御方法であって、
前記第２の供給手段の異常を検出する検出工程と、
前記検出工程が前記第２の供給手段の異常を検出していない場合に、前記第２の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を行うように制御し、前記検出工程が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、前記第１の供給手段から一部のデバイスへの電力供給を停止し、前記第１の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を開始するように制御する制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置および画像形成装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、通常モード又は省電力モードで動作する画像形成装置であって、ユーザインタフェースと、前記省電力モードで電力供給を行う第１の供給手段と、前記通常モードで電力供給を行い前記省電力モードで電力供給を行わない第２の供給手段と、前記第２の供給手段の異常を検出する検出手段と、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出していない場合に、前記第２の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を行うように制御し、前記検出手段が前記第２の供給手段の異常を検出した場合に、前記第１の供給手段から前記ユーザインタフェースへ電力供給を開始するように制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
より具体的には、図３（ａ）に示すように、第１光強度分布Ｌ２Ｇａと第２光強度分布Ｌ２Ｇｂとを光強度分布が逆向きとなるように形成する。この状態で、光検出部３０での検出値ＬＧａ、ＬＧｂが等しければ、ＸＹ平面内において対象物体Ｏｂが第１検出用光源部１２Ａと第２検出用光源部１２Ｂとの間の中央に位置することが分る。これに対して、光検出部３０での検出値ＬＧａ、ＬＧｂが相違している場合、検出値ＬＧａ、ＬＧｂが等しくなるように、第１検出用光源部１２Ａおよび第２検出用光源部１２Ｂに対する制御量（駆動電流）を調整して、図３（ｂ）に示すように、再度、第１光強度分布Ｌ２Ｇａおよび第２光強度分布Ｌ２Ｇｂを順次形成する。その結果、光検出部３０での検出値ＬＧａ、ＬＧｂが等しくなれば、その時点での第１検出用光源部１２Ａに対する駆動電流と、第２検出用光源部１２Ｂに対する駆動電流との比を用いれば、Ｘ軸方向において対象物体Ｏｂが第１検出用光源部１２Ａと第２検出用光源部１２Ｂとの間のいずれの位置に存在するかを検出できることになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記の検出原理を光路関数を用いて数理的に説明すると、以下のようになる。まず、各パラメータを以下
Ｔ＝対象物体Ｏｂの反射率
Ａt＝第１検出用光源部１２Ａから出射された
検出光Ｌ２が対象物体Ｏｂで反射して光検出部３０に到る距離関数
Ａ＝検出空間１０Ｒに対象物体Ｏｂが存在する状態で第１検出用光源部１２Ａ
が点灯したときの光検出部３０の受光強度
Ｂt＝第２検出用光源部１２Ｂから出射された
検出光Ｌ２が対象物体Ｏｂで反射して光検出部３０に到る距離関数
Ｂ＝検出空間１０Ｒに対象物体Ｏｂが存在する状態で第２検出用光源部１２Ｂ
が点灯したときの光検出部３０の受光強度
Ｒs＝参照用光源１２Ｒから光検出部３０に到る光路係数
Ｒ＝参照用光源１２Ｒのみが点灯したときの光検出部３０の受光強度
とする。なお、第１検出用光源部１２Ａ、第２検出用光源部１２Ｂおよび参照用光源１２Ｒの発光強度は、駆動電流と発光係数との積で表されるが、以下の説明では、発光係数を１とする。また、上記の差動において、光検出部３０での受光強度が等しくなったときの第１検出用光源部１２Ａに対する駆動電流をＩAとし、第２検出用光源部１２Ｂに対する駆動電流をＩBとし、参照用光源１２Ｒに対する駆動電流をＩRとする。また、差動の際、参照用光源１２Ｒのみが点灯したときの光検出部３０の受光強度については、第１検出用光源部１２Ａとの差動と、第２検出用光源部１２Ｂとの差動とにおいて同一と仮定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
図９（ａ）、（ｂ）および図１０に示すように、本形態の位置検出機能付き機器１に用いた光学式位置検出装置１０も、実施の形態１と同様、Ｙ軸方向の一方側Ｙ１から他方側Ｙ２に向けて検出光Ｌ２を出射する複数の検出用光源部１２を備えた光源装置１１と、Ｙ軸方向の一方側Ｙ１において他方側Ｙ２に受光部３１を向けた光検出部３０とを備えている。視認面構成部材４０は、シート状あるいは板状の透光部材等からなり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って広がる視認面４１を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
かかる位置検出機能付きアミューズメント機器５００において、ガラス板５３０の外面５３１の上端側には、図１〜図１０を参照して説明した光学式位置検出装置１０が設けられており、かかる光学式位置検出装置１０は、ガラス板５３０の外面５３１および基盤５２０の表面５２１（視認面４１）に沿うように検出光Ｌ２を出射し、対象物体Ｏｂで反射した光を検出する。従って、ガラス板５３０の外面５３１側には光学式位置検出装置１０の検出空間１０Ｒが設定されている。それ故、遊技者が液晶装置５４０で表示されている内容や遊技に進行に合わせて検出空間１０Ｒに指先等の対象物体Ｏｂを接近させれば、かかる対象物体Ｏｂの位置を、液晶装置５４０で表示されている内容を切り換える指示等といった入力情報として利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの回路形成面に形成された突起電極の一部を露出し、前記半導体チップの前記回路形成面及び側面を封止する樹脂部と、
前記樹脂部上に形成された、絶縁層及び配線層を含む配線構造体と、を有し、
前記樹脂部の一方の面は前記絶縁層に接しており、かつ、前記突起電極の露出面と面一であり、
前記配線層は前記絶縁層を貫通するビア配線を備えており、前記ビア配線は直接前記突起電極に接続されている半導体パッケージ。
【請求項２】
支持体の一方の面に設けられた凹部に、一部が前記凹部から突出するように半導体チップを配置する第１工程と、
前記支持体の一方の面に、前記半導体チップの突出部を封止する樹脂部を形成する第２工程と、
前記支持体を除去する第３工程と、
前記樹脂部を基体の一部とし、前記半導体チップと電気的に接続される配線構造体を形成する第４工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第１工程では、前記半導体チップを、前記半導体チップの回路形成面が前記凹部の内底面と対向するように配置し、
前記第２工程では、前記回路形成面の反対面が前記樹脂部で被覆され、
前記第３工程では、前記回路形成面が前記樹脂部の一方の面から露出し、
前記第４工程は、前記樹脂部の一方の面及び前記回路形成面を被覆する他の樹脂部を形成する第４Ａ工程と、
前記回路形成面に形成された前記他の樹脂部を除去する第４Ｂ工程と、
前記他の樹脂部上及び前記回路形成面上に絶縁層及び配線層を含む配線構造体を形成する第４Ｃ工程と、を有する請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記他の樹脂部は感光性樹脂を含み、
前記第４Ｂ工程では、前記回路形成面に形成された前記他の樹脂部を露光及び現像して除去する請求項３記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記第１工程では、前記半導体チップを、前記半導体チップの回路形成面の反対面が前記凹部の内底面と対向するように配置し、
前記第２工程では、前記回路形成面が前記樹脂部で被覆され、
前記第２工程よりも後に、前記樹脂部の一方の面を研削して前記回路形成面の一部を前記樹脂部の一方の面から露出する第５工程を有し、
前記第３工程では、前記回路形成面の反対面が前記樹脂部の他方の面から露出し、
前記第４工程では、前記樹脂部の一方の面上及び前記回路形成面上に絶縁層及び配線層を含む配線構造体を形成する請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記回路形成面には突起電極が形成されており、
前記第５工程では、前記樹脂部の一方の面を研削して前記突起電極の一部を前記樹脂部の一方の面から露出し、前記樹脂部の一方の面は前記突起電極の露出面と面一となる請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記樹脂部を圧縮成形で形成する請求項２乃至６の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記支持体は金属であり、
前記第３工程では、前記支持体をエッチングにより除去する請求項２乃至７の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記支持体の一方の面には、複数の凹部が設けられており、
前記第１工程では、前記複数の凹部のそれぞれに前記半導体チップを配置し、
各半導体チップと電気的に接続される配線構造体を形成した後に、少なくとも一つの前記半導体チップを有するように、前記配線構造体と前記樹脂部を切断し、複数の半導体パッケージを作製する請求項２乃至８の何れか一項記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
半導体チップと、
前記半導体チップの回路形成面を露出し、少なくとも前記半導体チップの側面を封止する樹脂部と、
前記樹脂部上及び前記回路形成面上に形成された、絶縁層及び配線層を含む配線構造体と、を有し、
前記樹脂部は、第１樹脂部上に、前記第１樹脂部よりも前記絶縁層との密着性に優れた第２樹脂部が積層された構造を含み、
前記第２樹脂部は、前記絶縁層に接している半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本半導体パッケージの他の形態は、半導体チップと、前記半導体チップの回路形成面に形成された突起電極の一部を露出し、前記半導体チップの前記回路形成面及び側面を封止する樹脂部と、前記樹脂部上に形成された、絶縁層及び配線層を含む配線構造体と、を有し、前記樹脂部の一方の面は前記絶縁層に接しており、かつ、前記突起電極の露出面と面一であり、前記配線層は前記絶縁層を貫通するビア配線を備えており、前記ビア配線は直接前記突起電極に接続されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
具体的には、第２樹脂部３２としてポジ型の感光性樹脂を用い、所定の開口部を有するマスクを介して、半導体チップ２０の回路形成面に形成された第２樹脂部３２のみに露光光を照射する。そして、例えばアルカリ系等の現像液を用いて、第２樹脂部３２の露光された部分をエッチングして除去し、開口部３２ｘを形成する。或いは、第２樹脂部３２としてネガ型の感光性樹脂を用い、所定の開口部を有するマスクを介して、半導体チップ２０の回路形成面に形成された第２樹脂部３２以外の部分に露光光を照射する。そして、例えば有機溶剤等を含む現像液を用いて、第２樹脂部３２の露光されていない部分をエッチングして除去し、開口部３２ｘを形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持してＸ−Ｙ−Ｚ直交座標系のＸ軸・Ｙ軸・Ｚ軸それぞれの方向に可動のステージと、前記基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像系と、前記基板の表面のＺ軸方向における位置を検出する検出系と、前記ステージと前記撮像系と前記検出系とを制御して前記アライメントマークのＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める制御部とを有する位置計測装置であって、
前記制御部は、
前記撮像系のテレセントリシティに関する情報を予め記憶し、
前記基板に形成された複数のアライメントマークのうち少なくとも１つのアライメントマークに関して、前記ステージの位置の制御により前記撮像系に対するフォーカス調整を行って前記撮像系に撮像を行わせ、該撮像により得られた前記アライメントマークの信号に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求め、
前記フォーカス調整のなされた前記少なくとも１つのアライメントマークに関して、前記基板の表面の第１の位置を前記検出系に検出させ、
前記複数のアライメントマークのうち他のアライメントマークに関して、前記フォーカス調整を行わずに、前記撮像系に撮像を行わせ、かつ前記基板の表面の第２の位置を前記検出系に検出させ、該撮像により得られた前記アライメントマークの信号と前記第１の位置と前記第２の位置と前記テレセントリシティに関する情報とに基づいて、Ｘ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める、
ことを特徴とする位置計測装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記少なくとも１つのアライメントマークを複数のアライメントマークとし、該複数のアライメントマークに関してなされた前記フォーカス調整の結果に基づいて該複数のアライメントマークを含む面の形状を求め、前記他のアライメントマークに関して、前記面の形状にも基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める、ことを特徴とする請求項１に記載の位置計測装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ステージに設けられた基準マークのＺ軸方向の位置を変化させて該基準マークを前記撮像系に撮像させることにより、前記テレセントリシティに関する情報を得る、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の位置計測装置。
【請求項４】
前記制御部は、被覆するレジストの厚みが互いに異なる複数のアライメントマークを前記撮像系に撮像させることにより、前記テレセントリシティに関する情報を得る、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の位置計測装置。
【請求項５】
前記撮像系から前記基板の表面までの媒質の屈折率をｎ０、前記表面から前記アライメントマークまでの各層の媒質の屈折率をｎｋ、前記各層の表面の位置の差をΔＺｋ、前記撮像系の検出光線の傾きをαとした場合、
前記撮像系による撮像により得られた前記アライメントマークの信号に対応したＸ−Ｙ平面に平行な面における前記アライメントマークの位置に対する補正値ΔＬを、
【数１】
2011238788.tif 000001
（但し、ｋは整数、かつ、Ｎは層数）、
により求める、ことを特徴とする請求項４に記載の位置計測装置。
【請求項６】
前記検出系は、前記基板の表面に斜入射する光のパターンを投影し、該表面における前記パターンの位置を検出する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の位置計測装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記他のアライメントマークに関して、前記第１の位置と前記第２の位置との差に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の位置計測装置。
【請求項８】
基板を保持してＸ−Ｙ−Ｚ直交座標系のＸ軸・Ｙ軸・Ｚ軸それぞれの方向に可動のステージと、前記基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像系と、前記基板の表面のＺ軸方向における位置を検出する検出系とを制御して前記アライメントマークのＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める位置計測方法であって、
前記基板に形成された複数のアライメントマークのうち少なくとも１つのアライメントマークに関して、前記ステージの位置の制御により前記撮像系に対するフォーカス調整を行って前記撮像系に撮像を行わせ、該撮像により得られた前記アライメントマークの信号に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求め、
前記フォーカス調整のなされた前記少なくとも１つのアライメントマークに関して、前記基板の表面の第１の位置を前記検出系に検出させ、
前記複数のアライメントマークのうち他のアライメントマークに関して、前記フォーカス調整を行わずに、前記撮像系に撮像を行わせ且つ前記基板の表面の第２の位置を前記検出系に検出させ、該撮像により得られた前記アライメントマークの信号と前記第１の位置と前記第２の位置と前記撮像系のテレセントリシティに関する情報とに基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める、
ことを特徴とする位置計測方法。
【請求項９】
基板を露光する露光装置であって、
前記基板に形成されたアライメントマークの位置を求める請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の位置計測装置を有する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、基板を保持してＸ−Ｙ−Ｚ直交座標系のＸ軸・Ｙ軸・Ｚ軸それぞれの方向に可動のステージと、基板に形成されたアライメントマークを撮像する撮像系と、基板の表面のＺ軸方向における位置を検出する検出系と、ステージと撮像系と検出系とを制御してアライメントマークのＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める制御部とを有する位置計測装置であって、制御部は、撮像系のテレセントリシティに関する情報を予め記憶し、基板に形成された複数のアライメントマークのうち少なくとも１つのアライメントマークに関して、ステージの位置の制御により撮像系に対するフォーカス調整を行って撮像系に撮像を行わせ、該撮像により得られたアライメントマークの信号に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求め、フォーカス調整のなされた少なくとも１つのアライメントマークに関して、基板の表面の第１の位置を検出系に検出させ、複数のアライメントマークのうち他のアライメントマークに関して、フォーカス調整を行わずに、撮像系に撮像を行わせ、かつ基板の表面の第２の位置を検出系に検出させ、該撮像により得られたアライメントマークの信号と第１の位置と第２の位置とテレセントリシティに関する情報とに基づいて、Ｘ−Ｙ平面に平行な面における位置を求めることを特徴とする。