Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を撮像する撮像装置であって、
第１の表示手段と、
撮像装置の本体に格納された状態である格納状態と、撮像装置の本体から突出した状態である非格納状態とのいずれかの状態を取り得る第２の表示手段と、
対象物の接近を検知する接近検知手段と、
前記接近検知手段が対象物の接近を検知した場合に前記第１の表示手段に画像を表示させ、前記接近検知手段が対象物の接近を検知しない場合に前記第２の表示手段に画像を表示させる制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が格納状態または非格納状態のいずれにあるかに応じて、前記接近検知手段の検知機能を制御する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記接近検知手段は、対象物が所定の検知時間以上連続して検知された場合に、対象物が接近したことを検知し、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときの検知時間を、前記第２の表示手段が格納状態にあるときの検知時間よりも長くする、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときは、前記接近検知手段の検知機能を停止させる、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記接近検知手段は、対象物が前記接近検知手段から所定の検知距離内にある場合に、対象物が接近したことを検知し、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときの所定の検知距離を、前記第２の表示手段が格納状態にあるときの所定の検知距離よりも短くする、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記接近検知手段は、対象物が前記接近検知手段から所定の検知距離内にある場合、及び／または、対象物が所定の検知時間以上連続して検知された場合に、対象物が接近したことを検知し、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときの所定の検知距離を、前記第２の表示手段が格納状態にあるときの所定の検知距離よりも短くする、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】
前記接近検知手段は、対象物が前記接近検知手段から所定の検知距離内にある場合、及び／または、対象物が所定の検知時間以上連続して検知された場合に、対象物が接近したことを検知し、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときの所定の検知時間を、前記第２の表示手段が格納状態にあるときの所定の検知時間よりも長くする、
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項７】
画像を撮像する撮像装置であって、
第１の表示手段と、
撮像装置の本体に格納された状態である格納状態と、撮像装置の本体から突出した状態である非格納状態とのいずれかの状態を取り得る第２の表示手段と、
対象物の接近を検知する接近検知手段と、
前記接近検知手段が対象物の接近を検知した場合に前記第１の表示手段に画像を表示させ、前記接近検知手段が対象物の接近を検知しない場合に前記第２の表示手段に画像を表示させる制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記第２の表示手段が非格納状態にあるときは、前記接近検知手段が対象物の接近を検知しても、前記第１の表示手段に画像を表示させない、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
前記第１の表示手段は電子式ビューファイダーであり、前記第２の表示手段は可動式液晶モニターである、ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月17日(2013.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カウンティング動作の終了時点から少なくとも入力クロック信号をラッチして少なくとも１つの下位ビット信号を発生するバッファ部と、
前記下位ビット信号のうち１つに相応するラッチ出力信号に応答して順次にトグリング（ｔｏｇｇｌｉｎｇ）する上位ビット信号を発生するリップルカウンタを含むカウンタ回路。
【請求項２】
前記バッファ部は、データ端子に前記入力クロック信号が印加されクロック端子に前記カウンティング動作の終了時点を示す入力信号が印加され、出力端子で第１ビット信号を発生する第１ラッチを含むことを特徴とする請求項１に記載のカウンタ回路。
【請求項３】
前記リップルカウンタは、前記第１ビット信号に応答して順次にトグリングする前記上位ビット信号を発生するようにカスケード（ｃａｓｃａｄｅ）結合した複数のフリップ−フロップを含むことを特徴とする請求項第２に記載のカウンタ回路。
【請求項４】
前記カウンタ回路は前記入力クロック信号のサイクル周期ごとに２回ずつカウンティングすることを特徴とする請求項２に記載のカウンタ回路。
【請求項５】
前記第１ビット信号に基づいてクロック制御信号を発生するクロック制御回路と、
前記クロック制御信号に応答して前記入力クロック信号を反転するクロック入力回路をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のカウンタ回路。
【請求項６】
前記クロック制御回路は、
データ端子に前記第１ビット信号または前記第１ビット信号の反転信号が印加され、クロック端子に印加される制御信号に応答して前記クロック制御信号を発生する第２ラッチを含むことを特徴とする請求項５に記載のカウンタ回路。
【請求項７】
前記クロック入力回路は、
前記クロック制御信号に応答してクロック信号または反転クロック信号を選択して前記入力信号を出力するマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項５に記載のカウンタ回路。
【請求項８】
反転制御信号に応答して前記上位ビット信号を反転するための反転制御部をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のカウンタ回路。
【請求項９】
アップ／ダウン制御信号に応答して前記第１ビット信号及び前記上位ビット信号を反転して出力するアップ／ダウン制御部をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のカウンタ回路。
【請求項１０】
前記バッファ部は、データ端子に第１入力クロック信号が印加され、クロック端子に前記カウンティング動作の終了時点を示す入力信号が印加され、出力端子で第１ビット信号を発生する第１ラッチと、
データ端子に第２入力クロック信号が印加されてクロック端子に前記入力信号が印加され、出力端子で第２ビット信号を発生する第２ラッチを含むことを特徴とする請求項１に記載のカウンタ回路。
【請求項１１】
前記リップルカウンタは、前記第２ビット信号に応答して順次にトグリングする前記上位ビット信号を発生するようにカスケード結合された複数のフリップ−フラップを含むことを特徴とする請求項１０に記載のカウンタ回路。
【請求項１２】
前記第１入力クロック信号及び前記第２入力クロック信号は位相差が９０度であることを特徴とする請求項１０に記載のカウンタ回路。
【請求項１３】
前記第１入力クロック信号及び第２入力クロック信号のサイクル周期ごとに４回ずつカウンティングすることを特徴とする請求項１０に記載のカウンタ回路。
【請求項１４】
前記第１ビット信号及び前記第２ビット信号に基づいてクロック制御信号を発生するクロック制御回路と、
前記クロック制御信号に応答してそれぞれ異なる位相を有する複数のクロック信号を選択して前記第１入力クロック信号及び前記第２入力信号を出力するクロック入力回路をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のカウンタ回路。
【請求項１５】
前記クロック制御回路は、
データ端子に前記第１ビット信号または前記第１ビット信号の反転信号が印加され、クロック端子に印加される制御信号に応答して第１クロック制御信号を発生する第３ラッチと、
データ端子に前記第２ビット信号または前記第２ビット信号の反転信号が印加され、クロック端子に印加される前記制御信号に応答して第２クロック制御信号を発生する第４ラッチを含むことを特徴とする請求項１４に記載のカウンタ回路。
【請求項１６】
前記クロック入力回路は、
９０度間隔の位相差を有する第１〜第４クロックを受信し、前記１クロック制御信号及び前記第２クロック制御信号に応答して前記第１〜第４クロック信号を選択して前記第１入力クロック信号及び前記第２入力クロック信号を出力するマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項１５に記載のカウンタ回路。
【請求項１７】
前記第１ビット信号及び前記第２ビット信号を論理演算して２進コードの最下位ビット信号を発生するコード変換器をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のカウンタ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カウンタ回路
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内容が共通する、第１画質の動画像符号化データおよび当該第１画質と異なる第２画質の動画像符号化データの一方を復号する復号部と、
前記復号部により復号される、前記第１画質の動画像または前記第２画質の動画像を編集する編集部と、を備え、
前記編集部は、ユーザ操作に起因して前記第１画質の動画像および前記第２画質の動画像の一方に施した編集を、ユーザ操作に関わらずその他方の動画像符号化データに反映させることを特徴とする画像編集装置。
【請求項２】
前記第１画質は、前記第２画質より高画質であり、
前記編集部は、
ユーザ操作に起因して前記第１画質の動画像の一部区間を削除したとき、前記第２画質の動画像の対応区間を削除し、
ユーザ操作に起因して前記第２画質の動画像の一部区間を削除したとき、前記第１画質の動画像の対応区間を削除しないことを特徴とする請求項１に記載の画像編集装置。
【請求項３】
前記第１画質は、前記第２画質より高画質であり、
前記編集部は、
ユーザ操作に起因して前記第１画質の動画像の一部区間を削除したとき、前記第２画質の動画像の対応区間を削除し、
ユーザ操作に起因して前記第２画質の動画像の一部区間を削除したとき、前記第１画質の動画像の対応区間を削除するか否かを確認させるためのメッセージを、ユーザに対して報知することを特徴とする請求項１に記載の画像編集装置。
【請求項４】
前記第１画質の動画像符号化データは、所定の動画像が継続的に符号化されて生成され、
前記第２画質の動画像符号化データは、前記動画像が断続的に符号化されて生成され、
前記編集部は、ユーザ操作に起因して前記第１画質の動画像の一部区間の削除が指示されると、その一部区間が前記第２画質の動画像に存在するか否かを判定し、前記一部区間が前記第２画質の動画像に存在しない区間を含む場合、前記削除の指示を確定させるか否かを選択させるためのメッセージを、ユーザに対して報知することを特徴とする請求項１に記載の画像編集装置。
【請求項５】
動画像を取得する撮像部と、
前記撮像部により撮像される動画像を、前記第１画質および前記第２画質の両方で符号化する符号化部と、
請求項１から４のいずれかに記載の画像編集装置と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の画像ファイルのデータ構造において、
前記画像ファイルは動画像ファイルであり、前記一方の画像は前記動画像であり、前記他方の画像は前記静止画像であり、前記メタデータに含まれる前記識別データは、前記静止画像の撮影時刻を含んでいることを特徴とする画像ファイルのデータ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
動画像の撮影中に撮影された静止画像データと、前記静止画像データのメタデータとを備える静止画像の画像ファイルのデータ構造であって、
前記メタデータは、
前記動画像を一義的に識別可能な関連動画像識別データを含むことを特徴とする画像ファイルのデータ構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６に記載の画像ファイルのデータ構造において、
前記関連動画像識別データは、前記静止画像の撮影時刻を含むことを特徴とする画像ファイルのデータ構造。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項８〜請求項１０のうち何れか一項に記載の画像ファイル生成装置において、前記画
像ファイルは動画像ファイルであり、前記一方の画像は前記動画像であり、前記他方の画像は前記静止画像であり、
前記ファイル生成部は、前記静止画像の撮影時刻を含む前記識別データを生成することを特徴とする画像ファイル生成装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の画像ファイルのデータ構造において、前記画像ファイルは動画像ファイルであり、前記一方の画像は前記動画像であり、前記他方の画像は前記静止画像であり、前記メタデータに含まれる前記識別データは、前記静止画像の撮影時刻を含んでいることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の画像ファイルのデータ構造は、動画像の撮影中に撮影された静止画像データと、前記静止画像データのメタデータとを備える、静止画像の画像ファイルのデータ構造であって、前記メタデータは、前記動画像を一義的に識別可能な関連動画像識別データを含むことが好ましい。
また、本発明の画像ファイルのデータ構造において、前記関連動画像識別データは、前記静止画像の撮影時刻を含むことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の画像ファイル生成装置において、前記画像ファイルは動画像ファイルであり、前記一方の画像は前記動画像であり、前記他方の画像は前記静止画像であり、前記ファイル生成部は、前記静止画像の撮影時刻を含む前記識別データを生成することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子のモノマーと酸化剤と添加剤とが含有された重合液を用いて導電性高分子モノマーを重合してなる導電性高分子膜であって、前記添加剤がドーパントと塩基性物質とからなる塩であり、
前記添加剤はピリジン塩であることを特徴とした導電性高分子膜。
【請求項２】
前記導電性高分子膜はスルホン酸を含有するポリチオフェン類の導電性高分子膜であって、
前記導電性高分子膜中のチオフェン環に対するスルホン酸のドープ率が０．５５以上０．７２以下であることを特徴とした請求項１に記載の導電性高分子膜。
【請求項３】
前記モノマーに対する前記添加剤の含有比率が２〜５であることを特徴とした請求項１または２に記載の導電性高分子膜。
【請求項４】
前記導電性高分子膜の光の波長８００ｎｍにおける吸収係数が３８０００ｃｍ−１以下であることを特徴とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性高分子膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の前記導電性高分子膜を備えることを特徴とした電子デバイス。
【請求項６】
導電性高分子のモノマーと、酸化剤と、ドーパントに塩基性物質が結合した塩である添加剤とを含有した重合液を基板上に塗布し、該基板上で前記導電性高分子のモノマーを重合することを特徴とした導電性高分子膜の製造方法。
【請求項７】
導電性高分子膜を形成する電子デバイスの製造方法であって、導電性高分子のモノマー、酸化剤、およびドーパントと塩基性物質とからなる塩である添加剤を含有した重合液を基板上に塗布し、該基板上で前記導電性高分子のモノマーを重合することによって導電性高分子膜を成膜することを特徴とした電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この場合の塩基性物質Ｂとしては、塩基性を示すものであることが好ましい。塩基性を示す塩基性物質Ｂとしては、例えば、窒素含有芳香族複素環式化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物が挙げられる。
本発明の第１の導電性高分子膜において、前記添加剤はピリジン塩であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の第１の導電性高分子膜は、スルホン酸を含有するポリチオフェン類の導電性高分子膜であって、導電性高分子膜のチオフェン環に対するスルホン酸のドープ率が０．５５以上０．７２以下であることを特徴としている。この場合のドープ率とは、導電性高分子膜中のチオフェン環当りにドーパントであるスルホン酸が含有される割合を表したものであり、ドープ率が高い方がスルホン酸を多く含有していることを示している。また、このドープ率は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）測定器を用いてチオフェン環由来の硫黄原子ピークとドーパントであるスルホン酸由来のＳＯｘピークの面積比から算出した。この面積比率の求め方の具体例は後述する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前述の構成のように、導電性高分子膜中のドープ率を０．５５以上０．７２以下とすることで、ドーパントであるスルホン酸の含有量を高め、キャリア密度を増加させて、導電率を上昇させることができる。
本発明の第１の導電性高分子膜は、モノマーに対する前記添加剤の含有比率が２〜５であることを特徴としている。
本発明の第１の導電性高分子膜は、導電性高分子膜の光の波長８００ｎｍにおける吸収係数が３８０００ｃｍ−１以下であることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の電子デバイスは、上記本発明の第１の導電性高分子膜が用いられていることを特徴としている。斯かる本発明の電子デバイスとしては、例えば、固体電解コンデンサ、有機太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機トランジスタ、タッチパネル、電池などが挙げられ、これらの電子デバイスにおいて、たとえば、各種の電極として機能
する導電膜に前述の導電性高分子膜が用いることができる。このように、電子デバイスにおける導電膜として、前述のような本発明の導電性高分子膜を用いることにより、導電性に優れた導電性高分子膜を有する電子デバイスを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明における希土類元素化合物の希土類元素としては、希土類元素であれば特に限定されるものではないが、例えば、エルビウム、サマリウム、プラセオジウム、ネオジム、イッテルビウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、ルテチウムなどが挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
表２及び図３から明らかなように、希土類元素としてサマリウム及びプラセオジウムを用いた場合にも、本発明に従い、ＥＣの正極での分解が抑制されるだけでなく、ＦＥＣが負極側で還元分解された分解物と、正極との反応をも抑制することができるため、図３に示すようにＥＣとＦＥＣを混合しても連続充電後の容量残存率及び容量復帰率を高めることができる。従って、サマリウムやプラセオジムを用いた場合であっても、実施例１〜６と同様の傾向が見られる。よって、エルビウムに限られず、希土類化合物を正極活物質の表面に分散等させることによって、本願の発明の効果を得られることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを有する画素部と、第２のトランジスタを有する駆動回路と、が同一の基板上に設けられた半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記基板の上方に前記第１のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極の上方にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層の上方に、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極を有し、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の上方に、前記第１の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極と接する領域を有する第１の酸化物絶縁層を有し、
前記第１の酸化物絶縁層の上方に画素電極を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記基板の上方に前記第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極の上方に前記ゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層の上方に前記第２の酸化物半導体層を有し、
前記第２の酸化物半導体層の上方に、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極を有し、
前記第１のゲート電極、前記ゲート絶縁層、前記第１のソース電極、前記第１のドレイン電極、前記第１の酸化物半導体層、前記第１の酸化物絶縁層、及び前記画素電極は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のゲート電極、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極は、金属及び酸素を含み、
前記第２のゲート電極、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極は、金属を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の上方に導電層を有し、
前記導電層は、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記導電層は、前記第２のゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の動画生成方法は、
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶した動画生成装置を用いた動画生成方法であって、静止画像を取得する取得ステップと、前記取得ステップにて取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定ステップと、前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成ステップと、前記フレーム画像生成ステップにて生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成ステップと、を含むことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の動画生成装置は、
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶する記憶手段と、静止画像を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定手段と、前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成手段と、前記フレーム画像生成手段により生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明のプログラムは、
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶する記憶手段を備える動画生成装置のコンピュータを、静止画像を取得する取得手段、前記取得手段により取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定手段、前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成手段、前記フレーム画像生成手段により生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成手段、として機能させることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶した動画生成装置を用いた動画生成方法であって、
静止画像を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定ステップと、
前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成ステップと、
前記フレーム画像生成ステップにて生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成ステップと、
を含むことを特徴とする動画生成方法。
【請求項２】
前記動き情報は、前記複数の可動点の動きが連続して表された動きモデルのモデル名と対応付けてそれぞれ記憶され、
前記フレーム画像生成ステップは、ユーザによる所定操作に応じた前記モデル名と対応付けられている動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かすことを特徴とする請求項１に記載の動画生成方法。
【請求項３】
前記動き情報は、前記複数の可動点を所定のダンスに対応させるように動かした動き情報を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の動画生成方法。
【請求項４】
前記取得ステップは、
前記静止画像として、背景と被写体とが存在する画像から被写体が含まれる領域が切り抜かれた切り抜き画像を取得し、
前記動画像生成ステップは、前記切り抜き画像から生成された複数のフレーム画像を他の画像に合成して動画像を生成することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の動画生成方法。
【請求項５】
前記フレーム画像生成ステップは、動画と共に再生する曲の進行度合いに応じてフレーム間の補間画像を生成することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の動画生成方法。
【請求項６】
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶する記憶手段と、
静止画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定手段と、
前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成手段と、
前記フレーム画像生成手段により生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成手段と、
を備えたことを特徴とする動画生成装置。
【請求項７】
前記動き情報は、前記複数の可動点の動きが連続して表された動きモデルのモデル名と対応付けてそれぞれ記憶され、
前記フレーム画像生成手段は、ユーザによる所定操作に応じた前記モデル名と対応付けられている動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かすことを特徴とする請求項６に記載の動画生成装置。
【請求項８】
前記動き情報は、前記複数の可動点を所定のダンスに対応させるように動かした動き情報を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の動画生成装置。
【請求項９】
前記取得手段は、
前記静止画像として、背景と被写体とが存在する画像から被写体が含まれる領域が切り抜かれた切り抜き画像を取得し、
前記動画像生成手段は、前記切り抜き画像から生成された複数のフレーム画像を他の画像に合成して動画像を生成することを特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載の動画生成装置。
【請求項１０】
前記フレーム画像生成手段は、動画と共に再生する曲の進行度合いに応じてフレーム間の補間画像を生成することを特徴とする請求項６〜９の何れか一項に記載の動画生成装置。
【請求項１１】
予め所定空間内における複数の可動点の動きを示す動き情報を複数記憶する記憶手段を備える動画生成装置のコンピュータを、
静止画像を取得する取得手段、
前記取得手段により取得された静止画像内で前記複数の可動点に対応する各位置に動きの制御点を複数設定する設定手段、
前記複数の動き情報の中からユーザによって指定された一の動き情報の前記複数の可動点の動きに基づいて、前記複数の制御点を動かし、当該制御点の動きに従って前記静止画像を変形させたフレーム画像を複数生成するフレーム画像生成手段、
前記フレーム画像生成手段により生成された複数のフレームから動画像を生成する動画像生成手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに向かい合って配置された第１の基板と第２の基板と、を有する表示装置であって、
前記第１の基板上に、
端子部と、
酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、
第１の光センサと、
第２の光センサと、
複数の画素を有する画素回路と、
前記画素回路と基板端部との間に駆動回路と、を有し、
前記第１の光センサは、非晶質半導体を有する第１の光電変換素子と、第１の増幅回路と、を有し、
前記第２の光センサは、多結晶半導体を有する第２の光電変換素子と、第２の増幅回路と、を有し、
前記第２の基板は、対向電極を有し、
前記対向電極は、前記スイッチングトランジスタを介して前記端子部と電気的に接続され、
前記第１の光センサまたは前記第２の光センサにより、前記表示装置の周囲の色温度を検出し、前記表示映像の色調補正を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示装置は、静止画を表示する期間において、
前記スイッチングトランジスタを非導通状態として、前記対向電極を浮遊状態とすることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月14日(2013.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を有し、
前記半導体層の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第１の導電層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
前記第１の導電層の上方及び前記第２の導電層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に第４の導電層を有し、
前記第３の導電層の上方及び前記第４の導電層の上方に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層の上方に第５の導電層を有し、
前記第５の導電層の上方にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層の上方に第６の導電層を有し、
前記半導体層は、第１の領域と第２の領域と第３の領域と第４の領域と第５の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域を介して前記第３の領域と電気的に接続され、
前記第２の領域は、前記第３の領域を介して前記第４の領域と電気的に接続され、
前記第３の領域は、前記第４の領域を介して前記第５の領域と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記第２の領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第４の領域と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と電気的に分離され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と電気的に分離され、
前記第２の導電層は、前記第４の導電層と電気的に分離され、
前記第２の導電層は、前記第５の導電層と電気的に分離され、
前記第２の導電層は、前記第６の導電層と電気的に分離され、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と同一材料を有し、
前記第２の導電層は、遮光性を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の領域と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記第５の領域と電気的に接続され、
前記第５の導電層は、前記第４の導電層と電気的に接続され、
前記第１の領域は、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方として機能することができる領域であり、
前記第２の領域は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能することができる領域であり、
前記第３の領域は、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域の他方として機能することができる領域であり、
前記第４の領域は、第１の抵抗値を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に電流が流れているときに第２の抵抗値を有し、
前記第１の抵抗値は、前記第２の抵抗値よりも大きく、
前記第２の領域は、第１の方向に沿って電流を流すことができる領域であり、
前記第４の領域は、第２の方向に沿って電流を流すことができる領域であり、
前記第１の方向と前記第２の方向とは交差することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の記録マスタから両面テンプレートを作成する方法であって、
単一の記録マスタを使用して第一のテンプレートを製造するステップを備え、第一のテンプレートにおいては、デューティサイクルが変更され、サーボアーク配向は変更されず、方法はさらに、
第一のテンプレートの複製物を作成するステップを備え、複製物においては、サーボアーク配向が鏡写しとなり、デューティサイクルが変更され、方法はさらに、
パターンドスタックの第二面に転写するための所定の鏡写しのサーボアーク配向および所定のデューティサイクルを作成するために、複製物を使用して第二のテンプレートを製造するステップを備える、方法。
【請求項２】
複製物を作成するために、単一の記録マスタを使用して第一のテンプレートを製造するための手段と、
サーボアーク配向を鏡写しにして、デューティサイクルを逆にするために、第一のテンプレートの複製物を作成するための手段と、複製物を使用して第二のテンプレートを製造し、両面パターンドスタック作成用の単一の記録マスタの所定の鏡写しのサーボアーク配向と所定のデューティサイクルとをもたらすための手段とを備える、装置。
【請求項３】
逆トーン処理によって第一のテンプレートを作成するために、単一の記録マスタを使用するための手段をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
インプリントリソグラフィによって第一のテンプレートの複製物を作成するための手段をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
単一の記録マスタの所定の鏡写しのサーボアーク配向および所定のデューティサイクルをもたらすために、逆トーン処理によって第二面テンプレートを製造するために、複製物を使用するための手段をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
両面パターンドスタックの作成に使用される第一面テンプレートと第二面テンプレートとを含むテンプレート群を作成するために、逆トーン処理とインプリントリソグラフィ処理とを併用する手段をさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
所定の鏡写しのサーボアーク配向と、
所定のデューティサイクルとを備え、
所定の鏡写しのサーボアーク配向および所定のデューティサイクルは、両面パターンドスタックの作成のための単一の記録マスタを使用して作成される、第二面テンプレート。
【請求項８】
さらに逆トーン処理を行って第一のテンプレートを製造することを備える、請求項７に記載の第二面テンプレート。
【請求項９】
さらに、第一のテンプレートを製造するための逆トーン処理と、第一のテンプレートの複製物を製造するためのインプリントリソグラフィ処理とを併用することを備える、請求項７に記載の第二面テンプレート。
【請求項１０】
処理の併用によって、両面パターンドスタックの製造に使用される第一面テンプレートと第二面テンプレートとを含むテンプレート群を作成する、請求項９に記載の第二面テンプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極電極と負極電極とがセパレータを介して積層されて形成された発電要素と、
前記発電要素が収容されるとともに、電解液が注入され、電池缶と蓋部材とにより密閉構造にされた電池容器とを備え、
前記蓋部材は、その上面を形成する基部と、基部から没する凹部を形成する周壁部と、周壁部の内周面に連設されて支持される安全弁とが一体に形成され、
前記内周面で支持される前記安全弁の周縁部における前記基部の上面からの深さは、前記基部の厚さを超えた寸法に定められていることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項２】
請求項１に記載の角形蓄電池において、前記安全弁は、ほぼ平坦に形成され、上面が前記基部の下面よりも下方に位置していることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項３】
請求項１に記載の角形蓄電池において、前記安全弁は、前記周縁部から前記基部側に向かってドーム形状に突き出す湾曲部を有し、前記湾曲部の中央部分の上面が前記基部の下面よりも上方に位置していることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項４】
請求項３に記載の角形蓄電池において、前記安全弁の前記周縁部は平坦状に形成され、前記湾曲部は、前記周縁部の内側に形成されている角形蓄電池。
【請求項５】
請求項１または２に記載の角形蓄電池において、前記安全弁の厚さは、前記基部および前記周壁部の厚さより薄く形成されていることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項６】
請求項１乃至４に記載の角形蓄電池において、前記安全弁に開裂部となる溝が形成されていることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の角形蓄電池において、前記周壁部は、前記安全弁の前記周縁部から前記基部に向かって、漸次、厚さが増大する傾斜状に形成されていることを特徴とする角形蓄電池。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の角形蓄電池において、前記周壁部は、前記安全弁の前記周縁部の下面から下方に向かって突き出す下端部を有することを特徴とする角形蓄電池。
【請求項９】
請求項１乃至８に記載の角形蓄電池において、前記安全弁は平面視で円形であることを特徴とする角形蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の角形二次電池は、正極電極と負極電極とがセパレータを介して積層されて形成された発電要素と、発電要素が収容されるとともに、電解液が注入され、電池缶と蓋部材とにより密閉構造にされた電池容器とを備え、蓋部材は、その上面を形成する基部と、基部から没する凹部を形成する周壁部と、周壁部の内周面に連設されて支持される安全弁とが一体に形成され、内周面で支持される安全弁の周縁部における基部の上面からの深さは、基部の厚さを超えた寸法に定められていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント領域への樹脂の塗布と、塗布された樹脂の型による成形とを含む処理を行うインプリント装置であって、
樹脂を吐出する複数の吐出口を含む吐出部を有し、前記インプリント領域に樹脂を塗布する塗布手段と、
同一サイズの複数のインプリント領域に対する前記処理の間に、１つのインプリント領域に対する樹脂の塗布に使用される前記複数の吐出口のうちの吐出口のセットを切替えるように、前記塗布手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
基板上のインプリント領域への樹脂の塗布と、塗布された樹脂の型による成形とを含む処理を行うインプリント装置であって、
樹脂を吐出する複数の吐出口を含む吐出部を有し、前記インプリント領域に樹脂を塗布する塗布手段と、
１つのインプリント領域に対する樹脂の塗布に使用される前記複数の吐出口のうちの吐出口のセットを切替えることにより、予め定められた時間内に前記複数の吐出口それぞれからインプリント領域に樹脂を吐出させるように、前記塗布手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項３】
前記サイズは、前記複数の吐出口の長手方向に沿った前記複数の吐出口にわたるサイズである、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記吐出部と前記基板との相対位置を変化させる駆動手段を有し、
前記制御手段は、インプリント領域と前記吐出部との相対位置を前記切替えに応じて変更するように、前記駆動手段を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御手段は、レシピ情報に応じて前記切替えのタイミングを決定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記レシピ情報に含まれる前記樹脂を特定する情報に応じて前記切替えのタイミングを決定する、ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記レシピ情報に含まれる前記型を特定する情報に応じて前記切替えのタイミングを決定する、ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御手段は、要求されたスループットの情報に応じて前記切替えのタイミングを決定する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御手段は、各インプリント領域に対して前記セットを予め設定する、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、基板の交換に応じて前記切替えを行うように前記塗布手段を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記複数の吐出口を初期化する初期化手段を有し、
前記制御手段は、前記複数の吐出口それぞれから前記時間内に樹脂を吐出させることができなかった場合、前記初期化手段に前記初期化を行わせる、
ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記型により成形された樹脂に光を照射して当該樹脂を硬化させる照射手段を有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、レシピ情報に応じて前記予め定められた時間を決定する、ことを特徴とする請求項２または１１に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかに記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成する工程と、
前記工程において前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
樹脂を吐出する複数の吐出口から基板上のインプリント領域への樹脂の塗布と、塗布された樹脂の型による成形とを含む処理を行うインプリント方法であって、
同一サイズの複数のインプリント領域に対する前記処理の間に、１つのインプリント領域に対する樹脂の塗布に使用される前記複数の吐出口のうちの吐出口のセットを切替える、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１６】
樹脂を吐出する複数の吐出口から基板上のインプリント領域への樹脂の塗布と、塗布された樹脂の型による成形とを含む処理を行うインプリント方法であって、
１つのインプリント領域に対する樹脂の塗布に使用される前記複数の吐出口のうちの吐出口のセットを切替えることにより、予め定められた時間内に前記複数の吐出口それぞれからインプリント領域に樹脂を吐出させる、
ことを特徴とするインプリント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の１つの側面は、基板上のインプリント領域への樹脂の塗布と、塗布された樹脂の型による成形とを含む処理を行うインプリント装置であって、
樹脂を吐出する複数の吐出口を含む吐出部を有し、前記インプリント領域に樹脂を塗布する塗布手段と、
同一サイズの複数のインプリント領域に対する前記処理の間に、１つのインプリント領域に対する樹脂の塗布に使用される前記複数の吐出口のうちの吐出口のセットを切替えるように、前記塗布手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（１）の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法において、
前記パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部（８）を含むマスク（７）を、前記支持体（１）の底面に接触するように配置する工程であって、前記マスク（７）および前記支持体（１）は、前記支持体（１）の上面の第１の領域と、前記支持体（１）の上面の第２の領域とを画定するように構成され、前記第１の領域は、前記孔部（８）と対向し第１の表面エネルギーを有し、前記第２の領域は、前記孔部（８）から離れ第２の表面エネルギーを有し、前記第１の表面エネルギーと前記第２の表面エネルギーとは異なる、工程と、
溶媒と前記パターンを形成するように作られた物質とを含む溶液（９）を前記上面上に堆積し、前記溶液は前記第１および第２の領域を覆う、工程と、
前記溶媒を蒸発させて前記第１の領域に前記パターンを形成する工程であって、前記第２の領域において前記溶液は除去される、工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも１つのパターンは、いくつかのパターンを含み、
前記溶液は、前記支持体（１）の上面を完全に覆うように堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記蒸発させる工程の間に、１Ｖ／ｍ〜１００ｋＶ／ｍに含まれる電界を前記マスク（７）上に印加する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記蒸発させる工程の間に、前記マスク（７）を−１００℃〜＋１００℃の間に含まれる温度にすることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記孔部（８）には、空気、水、又は油から選択される充填剤が充填されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記蒸発させる工程の間に、前記溶液（９）の体積は、剥離（scraping）、吹き出し（blowing）、又は支持体の一時的な傾斜（momentary inclination）により低減される、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記パターンを形成するように作られた前記物質は、有機半導体若しくは有機絶縁体であり、又は液体中に分散したナノ粒子により形成される、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ナノ粒子は、シリコン、金属、又はカーボンから作られるチューブ、ワイヤ、又は球体の形状をとる、ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記マスク（７）は、ステンレス鋼から作られ、
前記支持体（１）は、プラスチックから作られ、
前記孔部（８）には、空気が充填される、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
支持体（１）の上面上に少なくとも１つのパターンを作成する方法において、
前記パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも１つの孔部（８）を含むマスク（７）を、前記支持体（１）の底面に接触するように配置する工程であって、前記マスク（７）および前記支持体（１）は、前記支持体（１）の上面の第１の領域と、前記支持体（１）の上面の第２の領域とを画定するように構成され、前記第１の領域は、前記孔部（８）と対向し第１の表面エネルギーを有し、前記第２の領域は、前記孔部（８）から離れ第２の表面エネルギーを有し、前記第１の表面エネルギーと前記第２の表面エネルギーとは異なる、工程と、
分散剤と前記パターンを形成するように作られた物質とを含む溶液（９）を前記上面上に堆積し、前記溶液は前記第１および第２の領域を覆う、工程と、
前記分散剤を蒸発させて前記第１の領域に前記パターンを形成する工程であって、前記第２の領域において前記溶液は除去される、工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインバータと、
第２のインバータと、
酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のインバータの出力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のインバータと、
第２のインバータと、
酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のインバータの出力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタがオフ状態となることにより、前記容量の電極と、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第２のトランジスタのゲートとが電気的に接続されているノードがフローティング状態となることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の、第１の電極と、
前記第１の電極に接する領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する領域を有する、第２の電極と、
前記酸化物半導体膜の上面端部に接する領域を有する、絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して、少なくとも前記酸化物半導体膜の上面端部に対向する領域と、前記酸化物半導体膜の側面に対向する領域とを有する第３の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物半導体膜全体において、チャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を第１の雰囲気下での加熱処理により脱水化または脱水素化した後、前記第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気下での冷却処理により酸素を供給し、
前記脱水化または脱水素化させ、かつ酸素を供給した酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層は、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたガスを導入し、前記処理室内に装着された金属酸化物のターゲットを用いて形成し、
前記第１の雰囲気は、窒素、又は希ガスを含み、
前記第２の雰囲気は、酸素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を第１の雰囲気下での加熱処理により脱水化または脱水素化した後、前記第１の雰囲気とは異なる第２の雰囲気下での冷却処理により酸素を供給し、
前記脱水化または脱水素化させ、かつ酸素を供給した酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層は、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたガスを導入し、前記処理室内に装着された金属酸化物のターゲットを用いて形成し、
前記第１の雰囲気は、窒素、又は希ガスを含み、
前記第２の雰囲気は、酸素を含み、
前記第２の雰囲気は、露点−４０℃以下の雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
２００℃乃至７００℃の加熱処理により脱水化または脱水素化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層を形成する前記処理室は、クライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記絶縁層上に保護絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記金属酸化物のターゲットは、インジウム、ガリウム、又は亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。