【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布を決定する決定方法であって、
前記マスクのパターンを設定する第１のステップと、
前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの像を評価するためのカットライン及び前記像の寸法の目標値を設定する第２のステップと、
前記照明光学系の瞳面に形成される光強度分布を構成する複数の要素光源を生成する第３のステップと、
前記複数の要素光源のそれぞれについて、前記マスクのパターンを照明したときに前記カットライン上に形成される前記マスクのパターンの像を算出する第４のステップと、
前記第４のステップで算出した像から、前記カットライン上における前記マスクのパターンの像の寸法を求め、求められた寸法を前記寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定する第５のステップと、
を有することを特徴とする決定方法。
【請求項２】
前記第５のステップでは、混合整数計画法によって、前記マスクのパターンの像の前記カットライン上の寸法の目標値に近づけるように、前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布を決定し、
前記混合整数計画法では、前記マスクのパターンの像の強度が閾値を超える場合に第１の整数値をとり、前記マスクのパターンの像の強度が前記閾値を超えない場合に第２の整数値をとる変数を用い、
前記変数は、前記第４のステップで算出した前記マスクのパターンの像の位置ごとに設定されることを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項３】
前記投影光学系の像面からデフォーカスした複数のデフォーカス面を設定するステップを更に有し、
前記第４のステップでは、前記複数のデフォーカス面のそれぞれについても、前記第２のステップで設定したカットラインに対応する位置の上に形成される前記マスクのパターンの像を算出し、
前記第５のステップでは、前記複数のデフォーカス面のそれぞれについて算出した像にも基づいて、前記マスクのパターンの像の前記カットライン上の前記複数のデフォーカス面のそれぞれの寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定することを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項４】
前記第３のステップは、前記複数の要素光源のそれぞれについて強度を比例倍した比例倍要素光源を生成するステップを含み、
前記第４のステップでは、前記比例倍要素光源についても、前記第２のステップで設定したカットラインに対応する位置の上に形成される前記マスクのパターンの像を算出し、
前記第５のステップでは、前記比例倍要素光源について算出した像にも基づいて、前記マスクのパターンの像の前記カットライン上の寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定することを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項５】
前記第４のステップでは、前記マスクのパターンの像のエッジを含むエッジ領域に含まれる第１の個数の位置のそれぞれについて像の強度を算出し、
前記第５のステップで決定した光強度分布で前記マスクのパターンを照明したときに前記カットライン上に形成される前記マスクのパターンの像のエッジを含むエッジ領域を特定し、前記第３のステップで生成した複数の要素光源のそれぞれについて、当該特定したエッジ領域において前記第１の個数よりも多い第２の個数の位置のそれぞれについて像の強度が算出されるように、前記カットライン上に形成される前記マスクのパターンの像を算出する第６のステップと、
前記第６のステップで算出した像に基づいて、前記マスクのパターンの像の前記カットライン上の寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき新たな光強度分布として決定する第７のステップと、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の決定方法を用いて決定された光強度分布を形成する照明光学系から射出した光でマスクを照明するステップと、
前記マスクのパターンの像を、投影光学系を介して基板に投影するステップと、
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布を決定する決定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記マスクのパターンを設定する第１のステップと、
前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの像を評価するためのカットライン及び前記像の寸法の目標値を設定する第２のステップと、
前記照明光学系の瞳面に形成される光強度分布を構成する複数の要素光源を生成する第３のステップと、
前記複数の要素光源のそれぞれについて、前記マスクのパターンを照明したときに前記カットライン上に形成される前記マスクのパターンの像を算出する第４のステップと、
前記第４のステップで算出した像から、前記カットライン上における前記マスクのパターンの像の寸法を求め、求められた寸法を前記寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定する第５のステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての決定方法は、マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布を決定する決定方法であって、前記マスクのパターンを設定する第１のステップと、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの像を評価するためのカットライン及び前記像の寸法の目標値を設定する第２のステップと、前記照明光学系の瞳面に形成される光強度分布を構成する複数の要素光源を生成する第３のステップと、前記複数の要素光源のそれぞれについて、前記マスクのパターンを照明したときに前記カットライン上に形成される前記マスクのパターンの像を算出する第４のステップと、前記第４のステップで算出した像から、前記カットライン上における前記マスクのパターンの像の寸法を求め、求められた寸法を前記寸法の目標値に近づけるように、前記複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、前記重み付けを与えた前記複数の要素光源を合成した光源を前記照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定する第５のステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図１９は、Ｓ１４１６で決定した新たな有効光源を示す図である。図２０は、図１９に示す有効光源で図２に示すマスクパターンを照明したときに、投影光学系の像面に形成される光学像を示す図である。図２０において、ＰＴはマスクパターンのパターン群を示し、ＩＭは光学像（レジストが残留する部分の境界線）を示している。この際、カットラインＣＬ１乃至ＣＬ６のそれぞれの上に形成されるマスクパターンの光学像の線幅を以下の表６に示す。表３と表６とを比較するに、マスクパターンの光学像の算出と有効光源の決定とを繰り返すことで、カットラインＣＬ１乃至ＣＬ６のそれぞれの上に形成されるマスクパターンの光学像の線幅が目標値に更に近づいていることがわかる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
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【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
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