(57)【要約】      （修正有）【課題】任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う洗浄装置を提供する。【解決手段】任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、前記プレート表面が対向して配置される凹部１０１を有する本体部１００と、前記凹部１０１に気体及び洗浄液を供給する第１の通流部１０２と、前記凹部１０１から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部１０１の雰囲気を減圧する第２の通流部１０３と、を備える。なお、前記第１の通流部１０２および前記第２の通流部１０３に対する前記洗浄液の通流方向は切り替え可能に構成されることが好ましい。【選択図】図３
0003223133.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、
前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、
前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第１の通流部と、
前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第２の通流部と、を備える洗浄装置。
【請求項２】
前記凹部から飛散する前記洗浄液を捕集する洗浄液捕集部をさらに有する、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記第１の通流部および前記第２の通流部に対する前記洗浄液の通流方向は切り替え可能に構成され、
前記第１の通流部および前記第２の通流部の機能を切り替え制御する制御部をさらに有する、請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記凹部の外部において、前記プレート表面に対して気体を噴射する気体噴出口をさらに有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記凹部の外部において、前記凹部の内面に対して振動を付与する振動素子をさらに有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、テンプレート上に形成された転写パターンが転写される塗布膜を基板上に形成する基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２２７３１８号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案にかかる技術は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本考案の一態様は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第１の通流部と、前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第２の通流部と、を備える洗浄装置。
【考案の効果】
【０００６】
本考案によれば、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】転写装置の構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図２】転写装置の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図３】本実施形態にかかる洗浄装置の構成の一例を模式的に示す（ａ）斜視図（ｂ）側面図である。
【図４】洗浄装置における洗浄液の通流の様子を示す説明図である。
【図５】洗浄対象としてのプレートの他の形状の一例を示す説明図である。
【図６】洗浄対象としてのプレートの他の形状の一例を示す説明図である。
【図７】洗浄対象としてのプレートの他の形状の一例を示す説明図である。
【考案を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所望のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００９】
上述のレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスの更なる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来、露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【００１０】
そこで、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが行われている。この方法は、表面に所望のパターンが形成されたテンプレートを、ウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後、これを剥離してレジスト膜の表面にレジストパターンを直接転写するものである。
【００１１】
ところで、上述のインプリント処理においては複数のウェハに対してレジストパターンを形成する。ここで、テンプレートにレジスト液や洗浄液が残存した状態でウェハに対してインプリント処理を行った場合、適切に当該ウェハに対してレジストパターンが形成できない恐れがある。
【００１２】
また、インプリント処理において使用されるテンプレート表面のパターン形状には複数種が存在しており、かかる複数種のテンプレートそれぞれに対して適切に洗浄、乾燥を行う必要がある。
【００１３】
このように、インプリント処理を適切に行うためには、所望のパターンが形成されたテンプレート表面の洗浄および乾燥を、テンプレート表面のパターン形状に依らず適切に行う必要がある。しかしながら、特許文献１に記載のインプリントシステムにおいては、パターン形状に応じたテンプレートの洗浄については考慮されておらず、また、紫外線の照射による成型を行っており、テンプレートにレジスト液が残存している場合についても考慮されていない。すなわち、特許文献１に記載のインプリントシステムが備える洗浄ユニットには改善の余地があった。
【００１４】
本考案にかかる技術は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う。以下、本実施形態にかかる洗浄装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１５】
＜転写装置＞
先ず、本実施形態にかかる洗浄装置を備える上述のインプリントシステムとしての転写装置の構成について説明する。図１および図２は、それぞれ転写装置１の構成の概略を模式的に示す側面図および平面図である。
【００１６】
図１、図２に示すように転写装置１には水平面を有するステージ１０が設けられている。ステージ１０上には、搬入出領域１０ａと処理領域１０ｂとが形成されている。
【００１７】
ステージ１０の上面には、ウェハＷを上面で支持するウェハ支持部１１が設けられている。ウェハ支持部１１は、ウェハＷの被処理面が上側となるように配置された状態で、ウェハＷを支持する。
【００１８】
またウェハ支持部１１は、移動機構１２（例えばエアシリンダ）により、搬送路１２ａに沿って水平方向に移動自在に構成されている。かかる移動機構１２により、ウェハ支持部１１に支持されたウェハＷが搬入出領域１０ａと処理領域１０ｂとの間で移動自在に構成されている。
【００１９】
搬入出領域１０ａにおけるウェハ支持部１１の上方には、転写装置１に搬入されたウェハＷのプリアライメントを行うためのプリアライメントカメラ（図示せず）が設けられている。プリアライメントカメラは、例えばステージ１０の上方に架設されるフレーム（図示せず）に設けられている。なお、転写装置１に設けられるプリアライメントカメラの数や配置は任意に決定できる。
【００２０】
処理領域１０ｂにおけるウェハ支持部１１の上方には、転写機構２０が設けられている。転写機構２０は、図示しないフレームに設けられている。
【００２１】
転写機構２０は、ウェハＷ上に所望のパターンを形成する。図１に示すように転写機構２０は、本実施の形態にかかる洗浄対象のプレートとしてのテンプレート２１、光照射部２２、テンプレート保持部２３を備えている。光照射部２２とテンプレート２１は、テンプレート保持部２３の下面にこの順で配置されている。なお転写機構２０には、アライメントカメラ（図示せず）および変位計（図示せず）が更に設けられている。
【００２２】
テンプレート２１の下面には、所望の転写パターンＴが形成されている（以下の説明において、かかる転写パターンＴの形成面を、プレート表面としての「パターン形成面２１ｔ」という場合がある）。そして、かかる転写パターンＴを、図示しない塗布機構によりウェハＷの被処理面に塗布されたレジスト液に対して上方から押圧することにより、ウェハＷ上のレジスト液にレジストパターンを転写する。なお、パターン形成面２１ｔの表面形状は任意に選択することができ、例えばパターン形成面２１ｔに２つ以上の転写パターンＴが形成されていてもよい。
【００２３】
光照射部２２は、ウェハＷ上に塗布され、テンプレート２１により押圧された状態のレジスト液に対してＵＶ光を照射する。ＵＶ光は、テンプレート２１を透過して下方に照射される。そして、光照射部２２からのＵＶ光が照射されることにより、レジスト液がＵＶ硬化し、半硬化状態のレジスト膜が形成される。なお、レジスト膜は図示しない熱処理装置による熱処理により完全硬化する。
【００２４】
なお、光照射部２２から照射される光はＵＶ光には限定されず、他の光、例えば可視光や近紫外光等であってもよい。
【００２５】
テンプレート保持部２３は移動機構２４を有している。かかる移動機構２４により、テンプレート保持部２３の高さ方向位置、鉛直軸回りの回転方向位置および傾斜方向位置（ウェハＷに対するテンプレート２１の平行度）を調節自在に構成されている。
【００２６】
処理領域１０ｂにおける転写機構２０の下方には、本考案の実施形態にかかる洗浄装置としてのテンプレート洗浄機構３０が配置されている。テンプレート洗浄機構３０は、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔの洗浄を行う。なお、テンプレート洗浄機構３０の詳細な構成は後述する。
【００２７】
なお、転写機構２０の下方には、テンプレート２１の下面に形成されたテンプレートマーク（図示せず）を検出するテンプレート認識カメラ（図示せず）、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔに対して離型剤を供給する離型剤供給機構（図示せず）、テンプレート２１を撮像することにより外観検査を行うテンプレート検査カメラ（図示せず）が更に配置されている。
【００２８】
なお、前述のレジストパターンが形成されるレジスト液は、転写装置１の内部においてウェハＷの被処理面に塗布されてもよいし、転写装置１の外部で塗布されてもよい。換言すれば、塗布機構（図示せず）は、転写装置１の内部に配置されてもよいし、転写装置１の外部に配置されてもよい。
【００２９】
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０を備えた転写装置１は、以上のように構成されている。転写装置１においては、ウェハＷの被処理面に対して供給されたレジスト液をテンプレート２１により押圧することで、ウェハＷ上に所望のレジストパターンを形成する。
【００３０】
ここで、図１に示したようにテンプレート２１はウェハＷの被処理領域に対して小さく形成されており、ウェハＷの全面に対してレジストパターンを形成するためには、テンプレート２１の押圧、ＵＶ光の照射を繰り返し行うことが必要になる。しかしながら、テンプレート２１の表面にレジスト液や洗浄液が残存した状態で次の転写処理を行った場合、当該次の転写処理において適切にレジストパターンを形成できない恐れがある。
【００３１】
そこでテンプレート２１による転写処理毎に、テンプレート洗浄機構３０によるテンプレート２１の洗浄、乾燥が行われる。これにより、転写処理においてテンプレート２１の表面にレジスト液や洗浄液が残存することが抑制され、転写処理を適切に行うことができる。
【００３２】
＜洗浄装置＞
そこで続いて、上述のテンプレート２１の洗浄、乾燥を行う、本実施形態にかかる洗浄装置としてのテンプレート洗浄機構３０の構成について説明する。図３は、テンプレート洗浄機構３０の構成の概略を模式的に示す（ａ）斜視図（ｂ）側面図である。
【００３３】
図３に示すようにテンプレート洗浄機構３０は、本体部１００の上面にテンプレート２１を配置して洗浄するための凹部１０１が形成された構成を有している。テンプレート２１は、テンプレート洗浄機構３０に対して、パターン形成面２１ｔが凹部１０１の底面１０１ａと対向するように、本体部１００の上面に嵌合される。そして、このようにテンプレート２１が嵌合されることにより、凹部１０１とテンプレート２１に囲まれた半密閉空間である洗浄空間Ｖが形成される。
【００３４】
また本体部１００には、前述の洗浄空間Ｖに対して洗浄液を供給する第１の通流部としての流体供給部１０２が設けられている。洗浄空間Ｖに供給された洗浄液は第２の通流部としての排出部１０３を介して、テンプレート洗浄機構３０の外部に排出される。
【００３５】
なお、流体供給部１０２は洗浄空間Ｖに洗浄液を供給するための複数の洗浄液通流孔（図示せず）を洗浄空間Ｖ側、すなわち凹部１０１の内部に有している。洗浄液通流孔は、図４の矢印で示すように、洗浄液を洗浄空間Ｖの全体に適切に供給するため、洗浄空間Ｖにおける洗浄液の供給方向と直交する方向に並べて配置されている。
【００３６】
なお流体供給部１０２は、前記洗浄液に加えて気体（例えばエアや不活性気体）を洗浄空間Ｖに更に供給可能に構成されていてもよい。すなわち流体供給部１０２は、洗浄空間Ｖを２流体洗浄可能に構成されていてもよい。
【００３７】
排出部１０３は、洗浄空間Ｖに対して流体供給部１０２と対称に構成されることが好ましい。すなわち、排出部１０３は洗浄空間Ｖから洗浄液を排出するための複数の洗浄液通流孔（図示せず）を洗浄空間Ｖ側、すなわち凹部１０１の内部に有している。洗浄液通流孔は、洗浄空間Ｖにおける流体供給部１０２からの洗浄液の供給方向と直交する方向に並べて配置されている。なお、流体供給部１０２から洗浄空間Ｖに気体が供給される場合、当該気体も排出部１０３からテンプレート洗浄機構３０の外部に排出される。
【００３８】
また本体部１００には、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔに気体（例えばエアや不活性気体）を供給するための気体供給部１０４が設けられている。気体供給部１０４から供給された気体は、本体部１００の上面に形成された気体噴出口１０５から、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔに噴射される。
【００３９】
またテンプレート洗浄機構３０には、テンプレート２１の洗浄にあたり洗浄空間Ｖに供給された洗浄液の飛散を抑制するための洗浄液捕集部としての吸引部１０６が、凹部１０１の外部に設けられている。吸引部１０６は、例えば真空ポンプ等の図示しない減圧機構に接続されている。
【００４０】
以上のテンプレート洗浄機構３０には制御装置１１０が設けられている。制御装置１１０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、テンプレート洗浄機構３０におけるウェハＷの洗浄を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、搬送装置などの駆動系の動作を制御して、テンプレート洗浄機構３０における洗浄処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１１０にインストールされたものであってもよい。
【００４１】
なお、テンプレート洗浄機構３０における洗浄処理は、制御装置１１０による制御に代え、転写装置１に設けられた制御装置（図示せず）により、転写装置１における転写処理と一気通貫に制御されてもよい。
【００４２】
＜洗浄方法＞
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０は、以上のように構成されている。続いて、テンプレート洗浄機構３０によるテンプレート２１の洗浄方法について説明する。
【００４３】
ウェハＷに対する転写処理が行われると、テンプレート２１は、転写機構２０の移動機構２４によりテンプレート２１を降下させ、凹部１０１の底面１０１ａと対向するように本体部１００の上面に嵌合し、洗浄空間Ｖを形成する。
【００４４】
凹部１０１に洗浄空間Ｖが形成されると、次に、排出部１０３により洗浄空間Ｖの減圧を開始する。
【００４５】
続いて、当該洗浄空間Ｖに対して流体供給部１０２から洗浄液を供給し、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔの洗浄を開始する。かかる際、上述のように流体供給部１０２から洗浄空間Ｖに気体をさらに供給することにより、テンプレート２１のパターン形成面２１ｔの２流体洗浄を行ってもよい。なお、供給された洗浄液および気体は、排出部１０３からテンプレート洗浄機構３０の外部に排出される。
【００４６】
パターン形成面２１ｔの洗浄が完了すると流体供給部１０２からの洗浄液の供給が停止され、続いて、テンプレート２１が気体噴出口１０５の上方に配置される。
【００４７】
続いて、気体噴出口１０５からの気体の噴出が開始され、かかる噴出気体によりパターン形成面２１ｔの乾燥が行われる。
【００４８】
なお、パターン形成面２１ｔの乾燥にあたっては、テンプレート２１を気体噴出口１０５の上方で往復させることで、パターン形成面２１ｔの全面の乾燥をより効率的に行うことができる。
【００４９】
気体噴出口１０５によるパターン形成面２１ｔの乾燥が完了すると、気体噴出口１０５からの気体の噴出が停止される。そして、移動機構２４によりテンプレート２１がテンプレート洗浄機構３０の上方、具体的にはウェハ支持部１１よりも上方へと戻ることで、テンプレート洗浄機構３０における一連の洗浄、乾燥処理が終了する。
【００５０】
＜本実施形態にかかる洗浄装置による効果＞
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０によれば、当該テンプレート洗浄機構３０が転写装置１の内部に組み込まれて構成されているため、テンプレート２１を転写機構２０から取り外すことなく、インラインでの洗浄が可能になっている。すなわち、転写処理にあたってテンプレート２１の洗浄をより効率的に行い、洗浄にかかる時間を短縮することができる。
【００５１】
また、本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０によれば、凹部１０１およびパターン形成面２１ｔにより洗浄空間Ｖが半密閉空間として形成され、かかる状態で排出部１０３からの減圧を行うことにより洗浄空間Ｖのシーリングが維持される。そして、このようなシーリングされた洗浄空間Ｖに洗浄液を供給することにより、テンプレート２１に形成された転写パターンＴの凹凸と洗浄液の流路とのギャップを小さくすることができるため、形成された転写パターンＴに沿って適切にパターン形成面２１ｔの洗浄を行うことができる。
【００５２】
また、上述のように本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０によれば、洗浄液は図示しない洗浄液通流孔を介して洗浄空間Ｖの全体に供給されるため、更に適切にパターン形成面２１ｔの洗浄を行うことができる。
【００５３】
また上述のように、洗浄空間Ｖは上述のように半密閉空間であり、すなわち、テンプレート洗浄機構３０とテンプレート２１の間には狭ギャップが形成される。そして、かかる状態で排出部１０３からの減圧を行うことにより、洗浄空間Ｖには、前記狭ギャップから周囲の気流が取り込まれる。
【００５４】
このように、洗浄処理にあたっては洗浄空間Ｖの外部から内部への気流が形成されるため、洗浄液が洗浄空間Ｖの外部、すなわち転写装置１の内部に飛散することが抑制される。これにより、洗浄液により転写装置１の内部を汚染することが抑制される。
【００５５】
また、本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構３０によれば、凹部１０１の外部に吸引部１０６がさらに設けられ、洗浄空間Ｖから飛散する洗浄液のミストを吸引捕集することができるため、転写装置１の内部への洗浄液の飛散をさらに適切に抑制できる。
【００５６】
なお、流体供給部１０２と排出部１０３とは、それぞれ洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成されていてもよい。すなわち、洗浄液を排出部１０３から洗浄空間Ｖの内部に供給し、流体供給部１０２から排出できるように、流体供給部１０２の機能と排出部１０３の機能を切り替え可能に構成されていてもよい。
【００５７】
このように、洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成することにより、より効率的に洗浄空間Ｖの全体に洗浄液を供給することができ、すなわち、形成された転写パターンＴに沿ったパターン形成面２１ｔの洗浄をより適切に行うことができる。
【００５８】
またかかる場合、洗浄液の通流方向は、制御装置１１０によりスイッチング制御可能に構成されることが好ましい。具体的には、任意のタイミングで洗浄空間Ｖに対して供給、排出される洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成されることが好ましい。
【００５９】
そして、テンプレート２１の洗浄にあたり、洗浄液の供給口と排出口を交互に変更（スイッチング制御）することにより、パターン形成面２１ｔの洗浄をより効率的に行うことができる。すなわち、洗浄処理にかかる時間を短縮することができる。
【００６０】
なお、本実施形態によれば、上述のように流体供給部１０２と排出部１０３とが、洗浄空間Ｖに対して対称に構成されているため、洗浄液の通流方向を切り替えた場合であっても洗浄液の供給を適切に行うことが可能である。
【００６１】
なお、テンプレート洗浄機構３０によるテンプレート２１の洗浄は、既述のように洗浄空間Ｖに洗浄液を通流することによって行ってもよいし、凹部１０１に洗浄液を満たし、かかる洗浄液にテンプレート２１を浸漬することにより行ってもよい。また更に、凹部１０１の内面に対して振動を付与する、例えば超音波振動子を設置して、テンプレート２１の洗浄時に発振させてもよい。
【００６２】
なお本実施形態によれば、図３に示したように、テンプレート２１が凹部１０１に対して凸形状の転写パターンＴを有する場合を例に説明を行ったが、図５に示すように、当然に凹部１０１に対して凹形状の転写パターンＴを有するテンプレート２１の洗浄を行ってもよい。
【００６３】
また、以上の説明においては本実施形態にかかる洗浄装置を、転写装置１におけるテンプレート２１の洗浄機構として採用したが、洗浄装置は他の任意の装置に採用することができる。例えば洗浄装置１３０は、図６に示すように任意の表面形状としてのスリットノズルＮが形成されたプレート１２１の洗浄機構として採用されてもよい。また例えば、洗浄装置２３０は、図７に示すように任意の表面形状としての多点吐出口Ｍが形成されたプレート２２１の洗浄機構として採用されてもよい。
【００６４】
このように、本実施の形態にかかる洗浄装置は、洗浄対象としてのプレートを上面に嵌合させることで洗浄空間Ｖを形成して洗浄を行うことができ、かかるプレートの表面形状は上述のように任意に選択することができる。このように、洗浄装置の構成を変えることなくプレートの嵌合のみによって様々な表面形状のプレートの洗浄を行うことができる。
【００６５】
また上述のように、本実施の形態にかかる洗浄装置は、任意の装置（本実施形態においては転写装置１）においてインラインで洗浄を行うことができるようにコンパクトな構成を有するため、様々な装置に採用することができる。
【００６６】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００６７】
なお、以下のような構成も本考案の技術的範囲に属する。
（１）任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、
前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、
前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第１の通流部と、
前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第２の通流部と、を備える洗浄装置。
前記（１）によれば、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行うことができる。かかる際、洗浄装置における洗浄エリアを減圧雰囲気に維持することができるため、洗浄装置における洗浄液の飛散を抑制することができるとともに、洗浄液をプレート表面の全面に供給することができ、更に効率的に洗浄を行うことができる。
【００６８】
（２）前記凹部から飛散する前記洗浄液を捕集する洗浄液捕集部をさらに有する、前記（１）に記載の洗浄装置。
前記（２）によれば、凹部から外部に飛散する洗浄液のミストを捕集することができるため、洗浄液により雰囲気が汚染されるのを抑制することができる。
【００６９】
（３）前記第１の通流部および前記第２の通流部に対する前記洗浄液の通流方向は切り替え可能に構成され、
前記第１の通流部および前記第２の通流部の機能を切り替え制御する制御部をさらに有する、前記（１）または（２）に記載の洗浄装置。
前記（３）によれば、プレート表面に対する洗浄液の通流方向を切り替えることができるため、プレート表面の洗浄をさらに効率的に行うことができる。
【００７０】
（４）前記凹部の外部において、前記プレート表面に対して気体を噴射する気体噴出口をさらに有する、前記（１）〜（３）いずれかに記載の洗浄装置。
前記（４）によれば、プレート表面の乾燥を適切に行うことができる。
【００７１】
（５）前記凹部の外部において、前記凹部内面に対して振動を付与する振動素子をさらに有する、前記（１）〜（４）のいずれかに記載の洗浄装置。
前記（５）によれば、超音波振動子により洗浄液に振動を付与させつつ洗浄処理を行うことで、より効果的にプレート表面を洗浄が出来る。
【符号の説明】
【００７２】
２１    テンプレート
３０    テンプレート洗浄機構
１００  本体部
１０１  凹部
１０２  流体供給部
１０３  排出部
Ｔ      転写パターン
【図１】
0003223133.tif 000003
【図２】
0003223133.tif 000004
【図３】
0003223133.tif 000005
【図４】
0003223133.tif 000006
【図５】
0003223133.tif 000007
【図６】
0003223133.tif 000008
【図７】
0003223133.tif 000009