(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に通気性の蓄熱材層を配置し、
これら蓄熱材層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた蓄熱材層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる蓄熱材層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記蓄熱材層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行し、
かつ、この助燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度よりも高温の設定自燃温度以上になると、前記助燃手段の作動を停止するとともに冷却手段を作動させて、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定自燃温度になるように前記冷却手段の冷却出力を調整する自燃制御を実行し、
かつ、この自燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度以下になると、前記冷却手段の作動を停止して自燃制御の実行状態から助燃制御の実行状態へ復帰する構成にしてある蓄熱型の燃焼式ガス処理装置。
【請求項２】
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に通気性の蓄熱材層を配置し、
これら蓄熱材層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた蓄熱材層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる蓄熱材層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記蓄熱材層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行する構成にし、
前記蓄熱材層の夫々において、前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を、前記燃焼室に近い側ほど小さくしてある蓄熱型の燃焼式ガス処理装置。
【請求項３】
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性蓄熱材層とそれよりも燃焼室側に位置させる通気性触媒層との二重層を配置し、
これら二重層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた二重層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる二重層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる二重層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記二重層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行し、
かつ、この助燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度よりも高温の設定自燃温度以上になると、前記助燃手段の作動を停止するとともに冷却手段を作動させて、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定自燃温度になるように前記冷却手段の冷却出力を調整する自燃制御を実行し、
かつ、この自燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度以下になると、前記冷却手段の作動を停止して自燃制御の実行状態から助燃制御の実行状態へ復帰する構成にしてある蓄熱型の燃焼式ガス処理装置。
【請求項４】
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性蓄熱材層とそれよりも燃焼室側に位置させる通気性触媒層との二重層を配置し、
これら二重層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた二重層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる二重層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる二重層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記二重層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行する構成にし、
前記二重層の夫々において、前記触媒層に配置する前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を、その触媒層に隣接の前記蓄熱材層に配置する前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔よりも小さくしてある蓄熱型の燃焼式ガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機溶剤を含むガスの浄化や悪臭物質を含むガスの脱臭などに用いる蓄熱型の燃焼式ガス処理装置に関し、
詳しくは、燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性の蓄熱材層（又は通気性蓄熱材層とそれよりも燃焼室側に位置させる通気性触媒層との二重層）を配置し、これら蓄熱材層（又は二重層）のうち先の工程で燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた蓄熱材層（又は二重層）に、次の工程では燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、燃焼室への被処理ガスを通過させる蓄熱材層（又は二重層）と燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層（又は二重層）とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のガス処理装置において、燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に配置した蓄熱材層の各々に、その層中温度を検出する層中温度センサを一つずつ配置するとともに、燃焼室に燃焼室温度センサを配置し、これら層中温度センサ及び燃焼室温度センサの検出温度に基づいて装置の運転制御を行なうようにしたものがある（例えば、特開平１０−２３８７４２号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実験によれば、ガス出入口部に配置した蓄熱材層や前記の二重層では、その層中温度のガス流通方向における分布パターン（略言すれば最高温度位置）が被処理ガスの性状や装置の運転状態などによって大きく変化するものであり、この為、上記の従来装置の如く、単に各蓄熱材層に一つの層中温度センサを配置するだけでは、装置の温度状態を的確に捉えることができず、これが原因で検出温度に基づく装置の温度管理制御が各時点の装置温度状態に対し不適切なものになって、装置の熱損傷やエネルギ効率の低下などの不都合を招き易い問題があった。
【０００４】
この実情に鑑み、本発明の主たる課題は、実験による知見に基づいた改良により上記問題を効果的に解消する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
〔１〕請求項１に係る発明では、
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に通気性の蓄熱材層を配置し、
これら蓄熱材層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた蓄熱材層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる蓄熱材層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置でにおいて、
前記蓄熱材層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行し、
かつ、この助燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度よりも高温の設定自燃温度以上になると、前記助燃手段の作動を停止するとともに冷却手段を作動させて、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定自燃温度になるように前記冷却手段の冷却出力を調整する自燃制御を実行し、
かつ、この自燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度以下になると、前記冷却手段の作動を停止して自燃制御の実行状態から助燃制御の実行状態へ復帰する構成にする。
【０００６】
つまり、この構成によれば、複数のガス出入口部に配置した蓄熱材層の夫々で、層中温度のガス流通方向における分布パターンが被処理ガスの性状や装置の運転状態などによって大きく変化することに対し、その層中温度の分布パターン変化を上記複数の層中温度センサにより的確に捉えた状態で温度管理制御を実行させることができ、これにより、各時点の装置温度状態に対し常に適切な温度管理制御を施すことができて、先述の従来装置に比べ、装置の熱損傷やエネルギ効率の低下といった温度管理制御の不適切化に原因する不都合を効果的に回避することができる。
具体的には、温度管理制御として上記の如く助燃制御と自燃制御とを実行することにより、自燃運転が無理な状況（すなわち、運転開始直後の立ち上げ時や被処理ガスの可燃物濃度が低いときなど）では、助燃手段を作動させてその出力を調整する上記助燃制御の実施により設定助燃温度を確保した状態で被処理ガスを確実に助燃処理することができ、また、自燃状況（すなわち、被処理ガスの可燃物濃度が高いとき）では、冷却手段を作動させてその出力を調整する上記自燃制御の実施により設定自燃温度を保って過熱を防止した状態で被処理ガスを自燃処理することができる。
そして、前述の如く各蓄熱材層における層中温度センサの複数配置により、ガス流通方向における温度分布パターンの変化にかかわらず各時点の最高温度を的確に捉え得ることから、各設定温度と最高温度との比較による助燃制御と自燃制御との切り換え（すなわち、装置温度状態による助燃運転と自燃運転との切り換え）を適切に行なうことができる。
【０００７】
〔２〕請求項２に係る発明では、
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に通気性の蓄熱材層を配置し、
これら蓄熱材層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた蓄熱材層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる蓄熱材層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記蓄熱材層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行する構成にし、
前記蓄熱材層の夫々において、前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を、前記燃焼室に近い側ほど小さくする。
【０００８】
つまり、この構成によれば、前述した請求項１に係る発明と同様、複数のガス出入口部に配置した蓄熱材層の夫々で、層中温度のガス流通方向における分布パターンが被処理ガスの性状や装置の運転状態などによって大きく変化することに対し、その層中温度の分布パターン変化を上記複数の層中温度センサにより的確に捉えた状態で温度管理制御（ここでは上記助燃制御）を実行させることができ、これにより、各時点の装置温度状態に対し常に適切な温度管理制御を施すことができて、先述の従来装置に比べ、装置の熱損傷やエネルギ効率の低下といった温度管理制御の不適切化に原因する不都合を効果的に回避することができる。
また、燃焼室に対するガス出入口部に配置した蓄熱材層では、層中温度のガス流通方向における分布パターンが変化するにしても、傾向としては燃焼室寄り側ほど最高温度位置の存在可能性が高いことから、上記の如く層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を燃焼室に近い側ほど小さくする構成を採れば、温度管理制御上で重要な最高温度の捕捉機能は高く確保しながらも、その蓄熱材層のガス流通方向における全体にわたって層中温度センサを小さい配置間隔で密に均等配置するに比べ、層中温度センサの必要数を低減することができる。
【０００９】
〔３〕請求項３に係る発明では、
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性蓄熱材層とそれよりも燃焼室側に位置させる通気性触媒層との二重層を配置し、
これら二重層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた二重層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる二重層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる二重層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置において、
前記二重層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行し、
かつ、この助燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度よりも高温の設定自燃温度以上になると、前記助燃手段の作動を停止するとともに冷却手段を作動させて、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定自燃温度になるように前記冷却手段の冷却出力を調整する自燃制御を実行し、
かつ、この自燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度以下になると、前記冷却手段の作動を停止して自燃制御の実行状態から助燃制御の実行状態へ復帰する構成にする。
【００１０】
つまり、この構成によれば、複数のガス出入口部に配置した触媒層と蓄熱材層との二重層の夫々で、層中温度のガス流通方向における分布パターンが被処理ガスの性状や装置の運転状態などによって大きく変化することに対し、その層中温度の分布パターン変化を上記複数の層中温度センサにより的確に捉えた状態で温度管理制御を実行させることができ、これにより、前述の請求項１に係る発明と同様、各時点の装置温度状態に対し常に適切な温度管理制御を施すことができて、先述の従来装置に比べ、装置の熱損傷（特に触媒層の熱劣化）やエネルギ効率の低下といった温度管理制御の不適切化に原因する不都合を効果的に回避することができる。
具体的には、温度管理制御として上記の如く助燃制御と自燃制御とを実行することにより、自燃運転が無理な状況（すなわち、運転開始直後の立ち上げ時や被処理ガスの可燃物濃度が低いときなど）では、助燃手段を作動させてその出力を調整する上記助燃制御の実施により設定助燃温度を確保した状態で被処理ガスを確実に助燃処理することができ、また、自燃状況（すなわち、被処理ガスの可燃物濃度が高いとき）では、冷却手段を作動させてその出力を調整する上記自燃制御の実施により設定自燃温度を保って過熱を防止した状態で被処理ガスを自燃処理することができる。
そして、前述の如く各二重層における層中温度センサの複数配置により、ガス流通方向における温度分布パターンの変化にかかわらず各時点の最高温度を的確に捉え得ることから、各設定温度と最高温度との比較による助燃制御と自燃制御との切り換え（すなわち、装置温度状態による助燃運転と自燃運転との切り換え）を適切に行なうことができる。
【００１１】
〔４〕請求項４に係る発明では、
燃焼室に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性蓄熱材層とそれよりも燃焼室側に位置させる通気性触媒層との二重層を配置し、
これら二重層のうち先の工程で前記燃焼室から送出される高温の処理済ガスを通過させた二重層に、次の工程では前記燃焼室へ送る被処理ガスを通過させる形態で、
前記燃焼室への被処理ガスを通過させる二重層と前記燃焼室からの処理済みガスを通過させる二重層とを順次に切り換える蓄熱型の燃焼式ガス処理装置であって、
前記二重層の夫々に、その層中温度を検出する複数の層中温度センサをガス流通方向に分散させて配置し、
これら層中温度センサによる複数箇所の検出温度、又は、これら層中温度センサと前記燃焼室に配置した燃焼室温度センサとによる複数箇所の検出温度に基づいて所定の温度管理制御を実行する制御手段を設け、
この制御手段は、前記温度管理制御として、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行する構成にし、
前記二重層の夫々において、前記触媒層に配置する前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を、その触媒層に隣接の前記蓄熱材層に配置する前記層中温度センサのガス流通方向における配置間隔よりも小さくする。
【００１２】
つまり、この構成によれば、前述した請求項３に係る発明と同様、複数のガス出入口部に配置した触媒層と蓄熱材層との二重層の夫々で、層中温度のガス流通方向における分布パターンが被処理ガスの性状や装置の運転状態などによって大きく変化することに対し、その層中温度の分布パターン変化を上記複数の層中温度センサにより的確に捉えた状態で温度管理制御（ここでは上記助燃制御）を実行させることができ、これにより、各時点の装置温度状態に対し常に適切な温度管理制御を施すことができて、先述の従来装置に比べ、装置の熱損傷（特に触媒層の熱劣化）やエネルギ効率の低下といった温度管理制御の不適切化に原因する不都合を効果的に回避することができる。
また、燃焼室に対するガス出入口部に配置した触媒層と蓄熱材層との二重層では、層中温度のガス流通方向における分布パターンが変化するにしても、傾向としては触媒燃焼が起こる触媒層の方が蓄熱材層よりも最高温度位置の存在可能性が高いことから、上記の如く触媒層に配置する層中温度センサのガス流通方向における配置間隔を、その触媒層に隣接の蓄熱材層に配置する層中温度センサのガス流通方向における配置間隔よりも小さくする構成を採れば、温度管理制御上で重要な最高温度の捕捉機能は高く確保し、また、熱劣化の危険性が高い触媒層に対する温度監視機能を高く確保しながらも、その二重層のガス流通方向における全体にわたって層中温度センサを小さい配置間隔で密に均等配置するに比べ、層中温度センサの必要数を低減することができる。
【００１３】
なお、請求項２又は請求項４に係る発明の実施にあたり、前記制御手段を、前記温度管理制御として、
前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度になるように前記燃焼室における助燃手段の助燃出力を調整する助燃制御を実行し、
かつ、この助燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度よりも高温の設定自燃温度以上になると、前記助燃手段の作動を停止するとともに冷却手段を作動させて、前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定自燃温度になるように前記冷却手段の冷却出力を調整する自燃制御を実行し、
かつ、この自燃制御の実行下において前記複数箇所の検出温度のうちの最高温度が設定助燃温度以下になると、前記冷却手段の作動を停止して自燃制御の実行状態から助燃制御の実行状態へ復帰する構成にしてもよい。
【００１４】
つまり、この構成によれば、請求項１又は３に係る発明と同様、自燃運転が無理な状況（すなわち、運転開始直後の立ち上げ時や被処理ガスの可燃物濃度が低いときなど）では、助燃手段を作動させてその出力を調整する上記助燃制御の実施により設定助燃温度を確保した状態で被処理ガスを確実に助燃処理することができ、また、自燃状況（すなわち、被処理ガスの可燃物濃度が高いとき）では、冷却手段を作動させてその出力を調整する上記自燃制御の実施により設定自燃温度を保って過熱を防止した状態で被処理ガスを自燃処理することができる。
【００１５】
そして、前述の如く各蓄熱材層又は各二重層における層中温度センサの複数配置により、ガス流通方向における温度分布パターンの変化にかかわらず各時点の最高温度を的確に捉え得ることから、各設定温度と最高温度との比較による助燃制御と自燃制御との切り換え（すなわち、装置温度状態による助燃運転と自燃運転との切り換え）を適切に行なうことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
〔第１実施形態〕
図１は蓄熱型の燃焼式ガス処理装置を示し、ガス供給路１により導かれる被処理ガスＧをファン２により処理塔３に導入し、これに伴い、処理済みのガスＧ′を処理塔３からガス排出路４へ送出する。
【００１７】
ｖ１〜ｖ４は通気反転用の第１〜第４の弁であり、第１及び第４弁ｖ１，ｖ４を開いて第２及び第３弁ｖ２，ｖ３を閉じることにより、第１通気工程として、実線の矢印で示す如く被処理ガスＧを処理塔３内において第１蓄熱材層５Ａ―燃焼室６−第２蓄熱材層５Ｂの順に通過させる。
【００１８】
また、第１及び第４弁ｖ１，ｖ４を閉じて第２及び第３弁ｖ２，ｖ３を開くことにより、第２通気工程として、破線の矢印で示す如く被処理ガスＧを処理塔３内において第１通気工程とは逆に、第２蓄熱材層５Ｂ―燃焼室６−第１蓄熱材層５Ａの順に通過させる。
【００１９】
第１及び第２通気工程の夫々において、被処理ガスＧは燃焼室６におけるバーナ７を燃焼作動させての助燃、又は、そのバーナ７の燃焼作動を停止した状態での自燃をもって処理し、この助燃又は自燃処理により、被処理ガスＧに含まれる汚染物質（例えば有機溶剤）を酸化分解する。
【００２０】
そして、第１通気工程では燃焼室６から送出される高温処理済みガスＧ′の保有熱を第２蓄熱材層５Ｂに回収蓄熱し、この蓄熱した第２蓄熱材層５Ｂを次の第２通気工程において燃焼室６へ導く被処理ガスＧの予熱に用いる。また、第２通気工程では燃焼室６から送出される高温処理済みガスＧ′の保有熱を第１蓄熱材層５Ａに回収蓄熱し、この蓄熱した第１蓄熱材層５Ａを次の第１通気工程において燃焼室６へ導く被処理ガスＧの予熱に用いる。
【００２１】
すなわち、第１通気工程と第２通気工程との交互切り換えを行なうことにより、第１蓄熱材層５Ａと第２蓄熱材層５Ｂを予熱と蓄熱とに背反的に交互使用し、これにより、処理済みガスＧ′からの熱回収とその回収熱による被処理ガスＧの予熱とを並行しながらガス処理を連続的に行なう。
【００２２】
燃焼室６では、その室内温度ｔを検出する燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂを第１蓄熱材層５Ａの近傍箇所と第２蓄熱材層５Ｂの近傍箇所とに配置し、また、燃焼室６のガス出入口部に位置する第１及び第２蓄熱材層５Ａ，５Ｂの夫々には、それらの層中温度ｔを検出する複数の層中温度センサ９Ａ，９Ｂをガス流通方向に分散させて、かつ、燃焼室６寄り側ほどガス流通方向における配置間隔を小さくして配置してあり、そして、これら温度センサの検出温度ｔに基づいて装置を運転制御する制御器１０を設けてある。
【００２３】
つまり、各蓄熱材層５Ａ，５Ｂにおける層中温度ｔ及び燃焼室６における室内温度ｔのガス流通方向における分布パターンが、被処理ガスＧの性状や装置の運転状態などによって図２に示す如く大きく変化することに対し、各蓄熱材層５Ａ，５Ｂについて上記の如く燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂ及び複数の層中温度センサ９Ａ，９Ｂを配置することにより、温度検出に基づく運転制御において装置温度状態を的確に把握できるようにする。
【００２４】
なお、図２は有機溶剤含有空気を被処理ガスとする場合の温度分布パターンの一例を示すものであり、Ｐ１は助燃運転状態の温度分布パターン、Ｐ２は被処理ガスＧの有機溶剤濃度が比較的低い状況における自燃運転状態の温度分布パターン、Ｐ３は被処理ガスＧの有機溶剤濃度がかなり高い状況における自燃運転状態の温度分布パターンを示す。
【００２５】
１１は燃焼室６内の高温ガスを蓄熱材層５Ａ，５Ｂを介さずに外部へ排出する排気路、１２はこの排気路１１の開閉及び排気路１１を通じて排出する高温ガスＧ″の風量調整を行なう排気弁であり、これら排気路１１を通じての高温ガス排気により燃焼室６及び蓄熱材層５Ａ，５Ｂを冷却する。
【００２６】
そして、助燃手段としてのバーナ７、並びに、冷却手段としての上記排気路１１及び排気弁１２の装備に対し、制御器１０は温度センサの検出温度ｔに基づき次の（イ）〜（ロ）の如き温度管理制御を実行するものにしてある。
【００２７】
（イ）運転開始時には、層中温度センサ９Ａ，９Ｂ及び燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂによる複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定助燃温度ｔａ（例えば８００℃）になるようにバーナ７の燃焼量を調整する助燃制御を実行をする。すなわち、第１及び第２通気工程を交互に繰り返しての被処理ガスＧの処理を助燃運転で開始する。
【００２８】
（ロ）助燃制御の実行下において、層中温度センサ９Ａ，９Ｂ及び燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂによる複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定助燃温度ｔａよりも高温の設定自燃温度ｔｂ（例えば９００℃）以上になって、その状態が制御の安定化のために設けた設定待機時間（例えば３分）にわたって継続すると、バーナ７の燃焼作動を停止するとともに排気弁１２を開き、そして、層中温度センサ９Ａ，９Ｂ及び燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂによる複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定自燃温度ｔｂになるように排気弁１２の開度を調整する自燃制御を実行する。
【００２９】
すなわち、この排気弁１２の開度調整により排気路１１を通じての高温ガス排出風量を調整することで、自燃運転下での異常昇温を防止して過熱による装置損傷を防ぐ。
【００３０】
（ハ）自燃制御の実行下において、層中温度センサ９Ａ，９Ｂ及び燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂによる複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定助燃温度ｔａ以下になると、排気弁１２を閉じて自燃制御の実行状態から前記助燃制御の実行状態へ復帰する。すなわち、温度低下に対し助燃運転に復帰することで、被処理ガスＧを適正に処理する状態を保つ。
【００３１】
〔第２実施形態〕
図３は触媒を用いた蓄熱型の燃焼式ガス処理装置を示し、この装置では、第１実施形態の装置と同様の処理塔３において、燃焼室６に対する複数のガス出入口部の夫々に、通気性の蓄熱材層５Ａ，５Ｂとそれよりも燃焼室側に位置させた通気性触媒層１３Ａ，１３Ｂとの二重層１４Ａ，１４Ｂを配置してある。
【００３２】
つまり、第１実施形態の装置と同様、弁ｖ１〜ｖ４による第１通気工程と第２通気工程との交互切り換えで第１蓄熱材層５Ａと第２蓄熱材層５Ｂを予熱と蓄熱とに背反的に交互使用しながら、被処理ガスＧを連続的に処理することにおいて、被処理ガスＧ中の汚染物質を上記触媒層１３Ａ，１３Ｂにより触媒燃焼させることで被処理ガスＧの処理を促進する。
【００３３】
各二重層１４Ａ，１４Ｂには、その層中温度を検出する複数の層中温度センサ９Ａ，９Ｂをガス流通方向に分散させて配置してあり、また、触媒燃焼が起こる触媒層１３Ａ，１３Ｂの方が蓄熱材層５Ａ，５Ｂよりも最高温度位置の存在層となる可能性が高いことから、各二重層１４Ａ，１４Ｂにおいては、触媒層１３Ａ，１３Ｂに配置する層中温度センサ９Ａ，９Ｂのガス流通方向における配置間隔を、隣接の蓄熱材層５Ａ，５Ｂに配置する層中温度センサ９Ａ，９Ｂのガス流通方向における配置間隔よりも小さくしてある。
【００３４】
制御器１０による温度管理制御、すなわち、各二重層１４Ａ，１４Ｂの層中温度センサ９Ａ，９Ｂ及び燃焼室６の燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂによる複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘに基づく助燃制御及び自燃制御については、設定助燃温度ｔａ及び設定自燃温度ｔｂの具体値が異なるだけで、第１実施形態と同様の前述（イ）〜（ハ）の制御形態を採る。
【００３５】
〔別実施形態〕
次に別の実施形態を列記する。
前述の実施形態では、燃焼室６の高温ガスを蓄熱材層５Ａ，５Ｂ又は二重層１４Ａ，１４Ｂを介さずに外部へ排出する排気路１１、及び、それに介装の排気弁１２を冷却手段にしたが、自燃制御において作動状態にする冷却手段はどのような冷却形態を採るものであってもよく、例えば、図１及び図３の夫々において破線で示す如く、燃焼室６に対し冷却用空気Ａを送る給気路１５、及び、その給気路１５の開閉と風量調整を行なう給気弁１６を設け、これら給気路１５及び給気弁１６を冷却手段とする構成を採用してもよい。つまり、この場合、自燃制御における冷却出力の調整として、複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定自燃温度ｔｂになるように、給気弁１６の開度調整により燃焼室６に対する冷却用空気Ａの供給風量を調整する。
【００３６】
また、図１及び図３において同じく破線で示す如く、処理塔３へ送る被処理ガスＧに希釈用空気Ａ′を混合する希釈路１７、及び、その希釈路１７の開閉と風量調整を行なう希釈弁１８を設け、これら希釈路１７及び希釈弁１８を冷却手段とする構成を採用してもよい。つまり、この場合、自燃制御における冷却出力の調整として、複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘが設定自燃温度ｔｂになるように、希釈弁１８の開度調整により被処理ガスＧに対する希釈用空気Ａ′の混合量を調整（換言すれば、処理塔３へ送る被処理ガスＧの可燃物濃度を調整）する。
【００３７】
さらにまた、排気路１１と排気弁１２とによる冷却手段、上記給気路１５と給気弁１６とによる冷却手段、上記希釈路１７と希釈弁１８とによる冷却手段のうちの適当な複数手段を、並列的に又は段階的に組み合わせ使用する構成にしてもよい。
【００３８】
前述の実施形態では、蓄熱材層５Ａ，５Ｂ又は二重層１４Ａ，１４Ｂに分散配置した層中温度センサ９Ａ，９Ｂと燃焼室６に配置した燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂとによる複数箇所の検出温度ｔに基づき温度管理制御を実行させるようにしたが、場合によっては、燃焼室温度センサ８Ａ，８Ｂを省いて、蓄熱材層５Ａ，５Ｂ又は二重層１４Ａ，１４Ｂに分散配置した層中温度センサ９Ａ，９Ｂのみによる複数箇所の検出温度ｔに基づき温度管理制御を実行させる形態を採用してもよい。
【００３９】
また、これら複数箇所の検出温度ｔに基づいて制御手段（制御器１０）に実行させる温度管理制御は、前述の実施形態の如く複数箇所の検出温度ｔのうちの最高温度ｔｍａｘのみを用いる制御に代えて、最高温度箇所以外の検出温度も用いる制御にするなど、その具体的制御形態は種々の変更が可能であり、さらに自燃運転を実施しない装置での温度管理制御であってもよい。
【００４０】
助燃手段は、バーナに限られるものではなく電気ヒータなどであってもよい。
【００４１】
前述の実施形態では、２つの蓄熱材層５Ａ，５Ｂや２つの二重層１４Ａ，１４Ｂに対し被処理ガスＧと処理済みガスＧ′とを背反的に通過させる装置形式を示したが、３以上の蓄熱材層又は３以上の二重層を備える構成で各蓄熱材層又は各二重層に対し被処理ガスＧと処理済みガスＧ′とを所定のタイミングで交互通過させる形式の装置に本発明を適用してもよい。
【００４２】
燃焼室への被処理ガスＧを通過させる蓄熱材層又は二重層と燃焼室からの処理済みガスを通過させる蓄熱材層又は二重層とを順次に切り換える方式は、前述の実施形態の如く燃焼室６に対する複数のガス出入口の各々をガス入口とガス出口とに切り換える形式に限らず、蓄熱材層や二重層の方を燃焼室に対するガス入口部とガス出口部とにわたって切り換え移動させる方式であってもよい。
【００４３】
被処理ガスは、溶剤を含むガスや悪臭物質を含むガス、また、粉塵を含むガスなど、燃焼による処理が可能なものであれば、どのようなガスであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施形態を示す装置構成図
【図２】  温度分布パターンを示すグラフ
【図３】  第２実施形態を示す装置構成図
【符号の説明】
５Ａ、５Ｂ      蓄熱材層
６              燃焼室
７              助燃手段
８Ａ，８Ｂ      燃焼室温度センサ
９Ａ，９Ｂ      層中温度センサ
１０            制御手段
１１，１２      冷却手段
１３Ａ，１３Ｂ  触媒層
１４Ａ，１４Ｂ  二重層
Ｇ              被処理ガス
Ｇ′            処理済ガス
ｔ              温度
ｔａ            設定助燃温度
ｔｂ            設定自燃温度
ｔｍａｘ        最高温度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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