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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に半導体素子を集積させて回路の少なくとも一部を形成する工程（ａ）と、
前記半導体基板の表面から穴を開ける工程（ｂ）と、
前記穴の内表面に絶縁膜およびバリア膜を形成する工程（ｃ）と、
前記バリア膜の内表面に、前記穴を埋めるように導電性金属を形成する工程（ｄ）と、
その後前記半導体基板の裏面を加工して前記半導体基板の厚さを減少させ、前記導電性金属、前記バリア膜、および前記絶縁膜を前記裏面から突出させる工程（ｅ）と、
その後、前記半導体基板の裏面にＳｉＣＮ膜を設ける工程（ｆ）と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｆ）は、Ｓｉ３Ｎ４にＣを２原子％〜４０原子％添加した組成のＳｉＣＮ膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
表面に回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板を貫通して一部が裏面から突出するように設けられた貫通電極と、
前記裏面を覆うように設けられたＳｉＣＮ膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ＳｉＣＮ膜は、Ｓｉ３Ｎ４にＣを２原子％〜４０原子％添加させた組成を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該第一の回路部材と相対向し、前記バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、
前記回路部材接続用接着剤をガラス板とシリコンチップとの間に挟んで加熱加圧した際の、加熱加圧前の面積に対する加熱加圧後の面積の倍率を計測する方法で求められる流動性が、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とをはんだが溶融しない温度で熱圧着する第一の加熱加圧条件では１．８〜３．０倍であり、前記第一の加熱加圧条件における加熱条件で加熱処理した後、前記第一の加熱加圧条件における加熱条件よりも高温でかつはんだが溶融する温度で加熱加圧する第二の加熱加圧条件では１．１〜３．０倍かつ前記第一の加熱加圧条件での流動性以下である、回路部材接続用接着剤。
【請求項２】
複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該第一の回路部材と相対向し、前記バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、
潜在性硬化剤と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有し、
前記無機フィラー及び溶媒を除く回路部材接続用接着剤の全量を１００質量部としたとき、前記潜在性硬化剤の含有量が０．５〜６．７質量部である、回路部材接続用接着剤。
【請求項３】
（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）１００℃以下の温度で固形でありかつはんだの融点よりも低い温度に融点を持つカルボキシル基含有化合物と、を含有する、請求項１又は２記載の回路部材接続用接着剤。
【請求項４】
（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）１００℃以下の温度で固形でありかつはんだの融点よりも低い温度に融点を持つカルボキシル基含有化合物と、を含有し、
前記第一の加熱加圧条件の加熱温度が前記（Ｅ）成分の融点以上の温度である、請求項１に記載の回路部材接続用接着剤。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分がエポキシ樹脂を含む、請求項３又は４に記載の回路部材接続用接着剤。
【請求項６】
支持基材と、該支持基材上に設けられた請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤からなる接着剤層と、を備える、回路部材接続用接着剤シート。
【請求項７】
前記支持基材が、プラスチックフィルムと該プラスチックフィルム上に設けられた粘着剤層とを備え、前記接着剤層が前記粘着剤層上に設けられている、請求項６記載の回路部材接続用接着剤シート。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤を用いて製造された半導体装置。
【請求項９】
主面の一方に複数のバンプを有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハのバンプが設けられている側に、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路部材接続用接着剤からなる接着剤層を設ける工程と、
前記半導体ウエハの前記バンプが設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄化する工程と、
薄化した前記半導体ウエハ及び前記回路部材接続用接着剤をダイシングして回路部材接続用接着剤付半導体チップに個片化する工程と、
前記回路部材接続用接着剤付半導体チップの前記バンプを半導体素子搭載用支持部材の回路電極にはんだ接合する工程と、
を備え、
前記はんだ接合を行う工程は、前記回路部材接続用接着剤付半導体チップと前記半導体素子搭載用支持部材とをはんだが溶融しない温度で熱圧着する第一の加熱加圧工程と、該第一の加熱加圧工程における加熱条件よりも高温でかつはんだが溶融する温度で加熱加圧する第二の加熱加圧工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該第一の回路部材と相対向し、バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、第一の回路部材と第二の回路部材とを加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、潜在性硬化剤と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含有し、無機フィラー及び溶媒を除く回路部材接続用接着剤の全量を１００質量部としたとき、潜在性硬化剤の含有量が０．５〜６．７質量部である、回路部材接続用接着剤を提供する。このような回路部材接続用接着剤は、バックグラインド時に半導体ウエハを保持する機能とアンダーフィル機能とを兼ね備えるとともに、はんだ接続性に優れ、保存安定性も良好である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月2日(2013.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む固体撮像素子であって、
前記複数の画素は、第１画素および第２画素を含み、
前記第１画素は、反射防止構造と、第１カラーフィルタとを含み、
前記第２画素は、反射防止構造と、第２カラーフィルタとを含み、
前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長をそれぞれλ１、λ２とし、
λ１とλ２との中心波長をλ１２とし、
波長をλとしたときの前記第１画素の前記反射防止構造、前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をそれぞれＴ１（λ）、Ｔ２（λ）とし、
Ｔ１（λ）、Ｔ２（λ）における最大値をそれぞれＴｍａｘ１、Ｔｍａｘ２としたときに、
Ｔ１（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ１、および
Ｔ２（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たし、
前記第１画素の前記反射防止構造と前記第２画素の前記反射防止構造とが同一の構造を有する、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記複数の画素は、第３画素を更に含み、
前記第３画素は、反射防止構造と、第３カラーフィルタとを含み、
前記第３カラーフィルタの透過率が最大となる波長をλ３とし、
λ２とλ３との中心波長をλ２３とし、
前記第３画素の前記反射防止構造の透過率をＴ３（λ）とし、
Ｔ３（λ）における最大値をＴｍａｘ３としたときに、
Ｔ２（λ２３）≦０．９５・Ｔｍａｘ２、および
Ｔ３（λ２３）≦０．９５・Ｔｍａｘ３
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記第１画素の前記反射防止構造、前記第２画素の前記反射防止構造および前記第３画素の反射防止構造は、同一の構造を有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
複数の画素を含む固体撮像素子であって、
前記複数の画素は、第１画素、第２画素および第３画素を含み、
前記第１画素は、反射防止構造と、第１カラーフィルタとを含み、前記第１カラーフィルタの透過率は波長がλ１であるときに最大値となり、
前記第２画素は、反射防止構造と、第２カラーフィルタとを含み、前記第２カラーフィルタの透過率は波長がλ２であるときに最大値となり、
前記第３画素は、反射防止構造と、第３カラーフィルタとを含み、前記第３カラーフィルタの透過率は波長がλ３であるときに最大値となり、
λ２は、λ１とλ３との間の波長であり、
λ１とλ２との中心波長をλ１２としたときのλ１２における前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をＴ２（λ１２）とし、前記第２画素の前記反射防止構造の透過率の最大値をＴｍａｘ２としたときに、
Ｔ２（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たし、
前記第１画素の前記反射防止構造と前記第３画素の前記反射防止構造とが同一の構造を有する、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項５】
λ２とλ３との中心波長をλ２３としたときのλ２３における前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をＴ２（λ２３）としたときに、
Ｔ２（λ２３）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たす、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
λ１がλ３よりも短い、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
複数の画素を含む固体撮像素子であって、
前記複数の画素は、第１画素、第２画素および第３画素を含み、
前記第１画素は、反射防止構造と、第１カラーフィルタとを含み、前記第１カラーフィルタの透過率は波長がλ１であるときに最大値となり、
前記第２画素は、反射防止構造と、第２カラーフィルタとを含み、前記第２カラーフィルタの透過率は波長がλ２であるときに最大値となり、
前記第３画素は、反射防止構造と、第３カラーフィルタとを含み、前記第３カラーフィルタの透過率は波長がλ３であるときに最大値となり、
λ１がλ２より短く、λ２がλ３より短く、
λ２とλ３との中心波長をλ２３としたときのλ２３における前記第１画素の前記反射防止構造の透過率をＴ１（λ２３）とし、λ２３における前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をＴ２（λ２３）とし、前記第２画素の前記反射防止構造の透過率の最大値をＴｍａｘ２としたときに、
Ｔ１（λ２３）＜Ｔ２（λ２３）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たす、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項８】
λ２３における前記第３画素の前記反射防止構造の透過率をＴ３（λ２３）とし、前記第３画素の前記反射防止構造の透過率の最大値をＴｍａｘ３としたときに、
Ｔ３（λ２３）≦０．９５・Ｔｍａｘ３
を満たす、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
λ２３における前記第３画素の前記反射防止構造の透過率をＴ３（λ２３）としたときに、
Ｔ２（λ２３）＜Ｔ３（λ２３）
を満たす、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
λ１とλ２との中心波長をλ１２としたときのλ１２における前記第３画素の前記反射防止構造の透過率をＴ３（λ１２）とし、λ１２における前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をＴ２（λ１２）としたときに、
Ｔ３（λ１２）＜Ｔ２（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たす、
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記第１画素の前記反射防止構造および前記第２画素の前記反射防止構造は、それぞれ、多層膜である反射防止膜を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記第１画素の前記反射防止構造および前記第２画素の前記反射防止構造は、それぞれ、複数の反射防止膜を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、複数の画素を含む固体撮像素子に係り、前記複数の画素は、第１画素および第２画素を含み、前記第１画素は、反射防止構造と、第１カラーフィルタとを含み、前記第２画素は、反射防止構造と、第２カラーフィルタとを含み、前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長をそれぞれλ１、λ２とし、λ１とλ２との中心波長をλ１２とし、波長をλとしたときの前記第１画素の前記反射防止構造、前記第２画素の前記反射防止構造の透過率をそれぞれＴ１（λ）、Ｔ２（λ）とし、Ｔ１（λ）、Ｔ２（λ）における最大値をそれぞれＴｍａｘ１、Ｔｍａｘ２としたときに、
Ｔ１（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ１、および
Ｔ２（λ１２）≦０．９５・Ｔｍａｘ２
を満たし、
前記第１画素の前記反射防止構造と前記第２画素の前記反射防止構造とが同一の構造を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月24日(2013.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置であって、
前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録手段と、
ユーザが前記Ｗｅｂサーバからログオフしたことを示すログオフ通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信手段と、
前記受信手段が前記ログオフ通知を受信したことに応じて、前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除する削除手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記受信手段は、前記Ｗｅｂブラウザを介さずに前記ログオフ通知を前記Ｗｅｂサーバから受信することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記受信手段は、前記Ｗｅｂブラウザを介して前記ログオフ通知を前記Ｗｅｂサーバから受信することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記ログオフ通知は、ＨＴＴＰヘッダに記述されていることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置であって、
前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録手段と、
ユーザが前記Ｗｅｂサーバにログインしたことを示すログイン通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信手段と、
前記受信手段が前記ログイン通知を受信したことに応じて、前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除する削除手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
前記受信手段が前記ログイン通知を受信した場合に、前記Ｗｅｂサーバにログインしたユーザに応じて前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除すべきか否かを判断する判断手段を更に備え、
前記削除手段は、前記判断手段によって削除すべきと判断された場合に、前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記記録手段は、前記ＵＲＬをユーザに対応付けて記録し、
前記判断手段は、前記Ｗｅｂサーバにログインしたユーザが前記ＵＲＬに対応付けられたユーザと異なる場合に前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除すべきと判断し、前記Ｗｅｂサーバにログインしたユーザが前記ＵＲＬに対応付けられたユーザと同じである場合に前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除すべきでないと判断することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置の制御方法であって、
前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録工程と、
ユーザが前記Ｗｅｂサーバからログオフしたことを示すログオフ通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信工程と、
前記受信工程で前記ログオフ通知を受信したことに応じて、前記記録工程で記録されたＵＲＬを削除する削除工程と、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置の制御方法であって、
前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録工程と、
ユーザが前記Ｗｅｂサーバにログインしたことを示すログイン通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信工程と、
前記受信工程で前記ログイン通知を受信したことに応じて、前記記録工程で記録されたＵＲＬを削除する削除工程と、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成する本発明の情報処理装置は、Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置であって、前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録手段と、ユーザが前記Ｗｅｂサーバからログオフしたことを示すログオフ通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信手段と、前記受信手段が前記ログオフ通知を受信したことに応じて、前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除する削除手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の情報処理装置は、Ｗｅｂサーバによって提供される画面を表示可能なＷｅｂブラウザを備えた情報処理装置であって、前記Ｗｅｂブラウザが前記画面を表示するために使用したＵＲＬを記録する記録手段と、ユーザが前記Ｗｅｂサーバにログインしたことを示すログイン通知を前記Ｗｅｂサーバから受信する受信手段と、前記受信手段が前記ログイン通知を受信したことに応じて、前記記録手段に記録されたＵＲＬを削除する削除手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体パッケージの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの面に、個々の捺印を一括で行なった後に、ダイシングにより個片分割して製造する半導体パッケージの製造方法において、
パッケージの中央部に文字を含む第１の捺印を施し、前記文字を含む捺印よりも上側のパッケージ外周部および下側のパッケージ外周部に、ダイシングラインを跨ぐか又はダイシングライン上に第２および第３の捺印をそれぞれ施し、
前記第２および第３の捺印は同一パターンであり、
前記第１の捺印は、前記第２および第３の捺印とは異なるパターンである半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記上側のパッケージ外周部に施された前記第２の捺印または前記下側のパッケージ外周部に施された前記第３の捺印のうち、少なくとも一方の捺印が残る様に、ダイシングにより個片分割する請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第２および第３の捺印がバーコードである請求項１又は２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記バーコードを斜めに捺印する請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記第２および第３の捺印がドット配列パターンである請求項１又は２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記第１の捺印が英数字である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、
少なくとも１つの面に、個々の捺印を一括で行なった後に、ダイシングにより個片分割して製造する半導体パッケージの製造方法において、
パッケージの中央部に文字を含む第１の捺印を施し、
前記文字を含む捺印よりも上側のパッケージ外周部および下側のパッケージ外周部に、ダイシングラインを跨ぐか又はダイシングライン上に第２および第３の捺印をそれぞれ施す。
前記第２および第３の捺印は同一パターンであり、
前記第１の捺印は、前記第２および第３の捺印とは異なるパターンである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子と、を含み、行方向及び列方向に配列された複数の画素と、
前記行方向の複数の前記スイッチ素子に接続された駆動線と、
前記列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号線と、を有し、
前記変換素子が前記スイッチ素子の上方に配置された検出装置であって、
前記信号線は、前記変換素子の下方に配置された前記駆動線の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで配置された導電層からなることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記変換素子と、絶縁基板の上に配置された前記スイッチ素子と、の間に複数の絶縁層を有し、
前記絶縁部材は、前記複数の絶縁層のうち、前記変換素子の下方に配置された前記駆動線となる導電層の最上位表面よりも下層の絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記スイッチ素子は、前記絶縁基板の上の第１導電層と、前記第１導電層の上の第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上の第１半導体層と、前記第１半導体層の上の第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層の上の第２導電層と、を含み、
前記信号線は、前記スイッチ素子の上の第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上の第３絶縁層と、に埋め込んで配置された第３導電層からなり、
前記駆動線は、前記第３導電層と、前記第３絶縁層の上の第４絶縁層に埋め込んで配置された第４導電層と、によって前記スイッチ素子に接続され、前記第４絶縁層の上の第５絶縁層に埋め込んで配置された第５導電層からなり、
前記変換素子は、前記第３導電層と前記第４導電層と前記第５導電層とによって前記スイッチ素子に接続され、前記第５絶縁層の上の第６絶縁層を介して配置された第７導電層を下電極として有する請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記画素は、前記変換素子を初期化する初期化用スイッチ素子を更に含み、
前記行方向の複数の前記初期化用スイッチ素子に接続された初期化用駆動線と、
前記列方向の複数の前記初期化用スイッチ素子に接続された初期化用バイアス線と、
を更に含む請求項２に記載の検出装置。
【請求項５】
前記スイッチ素子は、前記絶縁基板の上の第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上の第１半導体層と、前記第１絶縁層の上の第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上の第１導電層と、前記第１導電層の上の第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上の第２導電層と、を含み、
前記信号線は、前記スイッチ素子の上の第４絶縁層の上の第５絶縁層に埋め込んで配置された第３導電層を含み、
前記駆動線は、前記第３導電層と、前記第５絶縁層の上の第６絶縁層に埋め込んで配置された第４導電層と、によって前記スイッチ素子に接続され、前記第６絶縁層の上の第７絶縁層に埋め込んで配置された第５導電層を含む、請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記第５導電層は、前記第７絶縁層の上の第８絶縁層に更に埋め込んで配置されており、
前記変換素子は、前記第３導電層と前記第４導電層と前記第５導電層とによって前記スイッチ素子に接続され、前記第８絶縁層の上の第９絶縁層を介して配置された第６導電層を下電極として有する請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
前記初期化用バイアス線は、前記第３導電層を含み、
前記初期化用駆動線は、前記第３導電層と前記第４導電層とによって前記スイッチ素子に接続された前記第５導電層を含む請求項５又は６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、
前記信号線は、前記第２導電層からなる第１信号線と、前記第３導電層からなる第２信号線と、を含み、
前記駆動線は、前記第１導電層からなる第１駆動線と、前記第５導電層からなる第２駆動線と、を含み、
前記初期化用バイアス線は、前記第２導電層からなる第１初期化用バイアス線と、前記第３導電層からなる第２初期化用バイアス線と、を含み、
前記初期化用駆動線は、前記第１導電層からなる第１初期化用駆動線と、前記第５導電層からなる第２初期化用駆動線と、を含み、
前記第１画素は、前記第１駆動線と前記第２駆動線の両方に接続された制御電極と、前記第１信号線と前記第２信号線の両方に接続された主電極と、を有するスイッチ素子と、前記第１初期化用駆動線にのみ接続された制御電極と、前記第１初期化用バイアス線にのみ接続された主電極と、を有する初期化用スイッチ素子と、を含み、
前記第２画素は、前記第１駆動線にのみ接続された制御電極と、前記第１信号線にのみ接続された主電極と、を有するスイッチ素子と、前記第１初期化用駆動線と前記第２初期化用駆動線の両方に接続された制御電極と、前記第１初期化用バイアス線と前記第２初期化用バイアス線の両方に接続された主電極と、を有する初期化用スイッチ素子と、を含む請求項７に記載の検出装置。
【請求項９】
前記信号線の上部幅をＳＴ、最大幅をＳＭとした場合、
ＳＴ＜ＳＭ
を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記駆動線の下部幅をＧＢ、最大幅をＧＭとした場合、
ＧＢ＜ＧＭ
を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板のうち少なくとも二つの半導体基板を互いに積層する半導体基板の積層方法であって、
複数の半導体基板のうち、第１の半導体基板に対する積層基準を満たす第２の半導体基板を選択する選択ステップと、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに積層する積層ステップと、
を有する半導体基板の積層方法。
【請求項２】
前記第１の半導体基板の表面に設けられた指標の位置を計測する計測ステップを有し、
前記選択ステップは、前記第１の半導体基板の前記位置に対して、予め定められた基準を満たす位置に指標が配置された半導体基板を、前記積層基準を満たす前記第２の半導体基板として選択する請求項１に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項３】
前記複数の半導体基板のうち、表面に設けられた指標の位置が前記基準を満たさない半導体基板を、保留基板として保留する保留ステップを有する請求項２に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項４】
前記選択ステップは、前記第１の半導体基板の前記指標の位置に対するずれ量が予め定められた範囲内にある前記指標が配置されている半導体基板を前記第２の半導体基板として選択する請求項２または３に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項５】
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに積層した後、前記第２の半導体基板を研磨する研磨ステップと、
前記第２の半導体基板の研磨された面に指標を形成する指標形成ステップと、
を含み、
前記計測ステップは、前記指標形成ステップで形成された前記指標の位置を計測し、
前記選択ステップは、前記計測ステップで計測された前記指標の位置に対して前記基準を満たす位置に指標が配置された半導体基板を、前記積層基準を満たす新たな前記第２の半導体基板として選択する請求項２から４のいずれか一項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項６】
前記計測ステップは、前記第１の半導体基板の反りが矯正された状態で前記位置を計測する請求項２から５のいずれか１項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項７】
前記基準は、前記第１の半導体基板の表面に設けられた電極の高さと前記複数の半導体基板の表面に設けられた電極の高さを加味して定められる請求項２から６のいずれか一項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項８】
前記選択ステップは、加熱を含む後工程における熱膨張を考慮して第２の半導体基板を選択する請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項９】
前記選択ステップは、複数の前記第１の半導体基板と前記複数の半導体基板との全ての組み合わせにおいて前記積層基準を満たすか否かを判断し、複数の前記第１の半導体基板と前記複数の半導体基板との組み合わせ数が最も多くなるように前記第２の半導体基板を選択する請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項１０】
前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板の少なくとも一方は、既に積層された半導体基板である請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体基板の積層方法。
【請求項１１】
複数の半導体基板のうち少なくとも二つの半導体基板を互いに積層する半導体基板の積層方法であって、
複数の半導体基板のうち、予め定められた積層基準を満たす第１の半導体基板および第２の半導体基板をそれぞれ選択する選択ステップと、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに積層する積層ステップと、
を有する半導体基板の積層方法。
【請求項１２】
複数の半導体基板のうち少なくとも二つの半導体基板を互いに積層する半導体基板の積層装置であって、
複数の半導体基板のうち、第１の半導体基板に対する積層基準を満たす第２の半導体基板を選択する選択部と、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに積層する積層部と、
を備える半導体基板の積層装置。
【請求項１３】
前記第１の半導体基板の表面に設けられた指標の位置を計測する計測部を備え、
前記選択部は、前記第１の半導体基板の前記位置に対して、予め定められた基準を満たす位置に指標が配置された半導体基板を、前記積層基準を満たす前記第２の半導体基板として選択する請求項１２に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１４】
前記複数の半導体基板のうち、表面に設けられた指標の位置が前記基準を満たさない半導体基板を、保留基板として保留する保留部を備える請求項１３に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１５】
前記選択部は、前記第１の半導体基板の前記指標の位置に対するずれ量が予め定められた範囲内にある前記指標が配置されている半導体基板を前記第２の半導体基板として選択する請求項１３または１４に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１６】
前記計測部は、前記第１の半導体基板の反りが矯正された状態で前記位置を計測する請求項１３から１５のいずれか１項に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１７】
前記基準は、前記第１の半導体基板の表面に設けられた電極の高さと前記複数の半導体基板の表面に設けられた電極の高さを加味して定められる請求項１３から１６のいずれか一項に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１８】
前記選択部は、加熱を含む後工程における熱膨張を考慮して第２の半導体基板を選択する請求項１２から１７のいずれか一項に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項１９】
前記選択部は、複数の前記第１の半導体基板と前記複数の半導体基板との全ての組み合わせにおいて前記積層基準を満たすか否かを判断し、複数の前記第１の半導体基板と前記複数の半導体基板との組み合わせ数が最も多くなるように前記第２の半導体基板を選択する請求項１２から１８のいずれか一項に記載の半導体基板の積層装置。
【請求項２０】
複数の半導体基板のうち少なくとも二つの半導体基板を互いに積層する半導体基板の積層装置であって、
複数の半導体基板のうち、予め定められた積層基準を満たす第１の半導体基板および第２の半導体基板をそれぞれ選択する選択部と、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを互いに積層する積層部と、
を備える半導体基板の積層装置。
【請求項２１】
複数の基板を重ね合わせて製造されるデバイスの製造方法であって、
前記複数の基板を重ね合わせる工程は、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体基板の積層方法を有するデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記絶縁膜は、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣのいずれか１つ以上を含む請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１膜上に第２膜を有し、第２膜は、発振波長の光を実質的に吸収しない材料で形成される請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
第２膜は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２のいずれか１つ以上を含む請求項３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
光反射側の前記第１膜及び第２膜の総膜厚は、９００ｎｍ以下である請求項３又は４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
窒化物半導体層の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の端部から離間した位置に前記窒化物半導体層の上面と略垂直な共振器面を形成する工程と、
ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなり、絶縁膜と異なる材料で前記共振器面と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する第１膜を形成する工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ゲート電極層と、
ゲート絶縁層と、
酸化物半導体からなる酸化物半導体層と、
がこの順で積層され、
前記酸化物半導体層は、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が、この順で、前記積層された方向とは交差する方向に並ぶボトムゲート型薄膜トランジスタであって、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の各々における、幅方向の端部の、前記チャネル領域に近い側の隅部から少なくとも一部の領域が、該端部と同じ側の前記チャネル領域の端部よりも、前記幅方向において内側に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の各々における、幅方向の端部の、前記領域と、該端部と同じ側の前記チャネル領域の端部と、の最短距離が２．５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板と、
ゲート電極層と、
ゲート絶縁層と、
酸化物半導体からなる酸化物半導体層と、
がこの順で積層され、
前記酸化物半導体層は、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が、この順で、前記積層された方向とは交差する方向に並ぶボトムゲート型薄膜トランジスタであって、
前記ソース領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域と接している部分を有し、前記接している部分において、前記ソース領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域の前記幅方向の一対の端部の間に位置し、
前記ドレイン領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域と接している部分を有し、前記接している部分において、前記ドレイン領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域の前記幅方向の一対の端部の間に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の各々における、幅方向の端部のうち前記接している部分と、前記接している部分における前記チャネル領域の端部と、の最短距離が２．５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記幅方向は、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向と前記積層された方向のいずれにも垂直な方向であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記幅方向は、前記ソース領域と前記ドレイン領域間の電界方向と前記積層された方向のいずれにも垂直な方向であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記酸化物半導体層はＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記チャネル領域の上に、酸素を含む絶縁層からなるチャネル保護層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記ソース領域の上及び前記ドレイン領域の上に、水素を含む絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、基板と、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体からなる酸化物半導体層と、がこの順で積層され、前記酸化物半導体層は、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が、この順で、前記積層された方向とは交差する方向に並ぶボトムゲート型薄膜トランジスタであって、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の各々における、幅方向の端部の、前記チャネル領域に近い側の隅部から少なくとも一部の領域が、該端部と同じ側の前記チャネル領域の端部よりも内側に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタを提供するものである。
さらに、本発明は、基板と、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体からなる酸化物半導体層と、がこの順で積層され、前記酸化物半導体層は、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が、この順で、前記積層された方向とは交差する方向に並ぶボトムゲート型薄膜トランジスタであって、前記ソース領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域と接している部分を有し、前記接している部分において、前記ソース領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域の前記幅方向の一対の端部の間に位置し、前記ドレイン領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域と接している部分を有し、前記接している部分において、前記ドレイン領域の幅方向の両端部のそれぞれは、前記チャネル領域の前記幅方向の一対の端部の間に位置していることを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材媒体の用紙をバッファするためのシステムであって、
用紙を用紙収集領域に移送する第１の用紙駆動装置と、
前記用紙を処理経路に沿って第１及び第２の方向へと移送するように選択的に動作可能な第２の用紙駆動装置であって、該第２の用紙駆動装置が前記用紙と係合しない開放位置と、該第２の用紙駆動装置が該用紙と係合する閉鎖位置とを含む、前記第２の用紙駆動装置と、
複数の用紙を保持するための保持装置であって、前記第２の用紙駆動装置及び保持装置は協働して前記複数の用紙を集めてスタックにし、該用紙が互いの少なくとも一部に屋根板状に重なるようにする、保持装置と、
前記用紙を前記用紙収集領域から取り出し、該用紙収集領域から出る該用紙がその元の配向に対して反転されるようにするための、該用紙と作動的に連通している取り出し駆動装置と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記第２の用紙駆動装置は、用紙を第２の方向へ前記保持装置内に移送することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の用紙駆動装置及び前記保持装置は協働して用紙をスタックし、該用紙の前縁が前記処理経路に沿って互いにずれるようにすることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
協働して用紙を反転させる、第１の用紙経路及び第２の用紙経路と、
前記第２の用紙経路に沿って配置され、用紙を保持及びバッファする用紙収集領域と、
媒体を前記用紙収集領域へと移動させる第１の用紙駆動装置と、
前記第２の用紙経路に沿った第１及び第２の方向へと前記用紙を移動させる第２の用紙駆動装置と、
前記用紙を所定の位置に保持する保持装置と、を含み、
前記第２の用紙駆動装置及び前記保持装置は選択的に動作して、屋根板様式で縁部が互いにずれた用紙スタックを形成することを特徴とする用紙取り扱い装置。
【請求項５】
用紙をバッファする方法であって、
第１の用紙を用紙処理ストリームから用紙駆動装置へと移送し、
前記第１の用紙を第１の方向へ用紙収集領域に移送し、
前記第１の用紙を処理経路に沿って第２の方向へ、第１の保持装置の中まで移送し、
前記第１の用紙を前記第１の保持装置により前記用紙収集領域に保持し、
第２の用紙を前記用紙処理ストリームから前記用紙収集領域の中へ、かつ前記用紙駆動装置に向けて移送し、
前記第２の用紙を前記処理経路に沿って前記第２の方向へ、前記第１の保持装置の中まで移送し、
前記第１及び前記第２の用紙を前記用紙収集領域内に保持し、ここで前記第２の用紙は前記第１の用紙の少なくとも一部に重なり、
前記第１及び前記第２の用紙を、一度に１枚ずつ、前記処理経路に沿って、前記用紙収集領域から出して前記用紙処理ストリーム内に戻すように、選択的に移送する、
ことを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを搬送するシート搬送手段と、
シート搬送方向と直交する幅方向において、前記シート搬送手段により搬送されたシートを支持する支持位置と、搬送されたシートを通過させる通過位置とに移動可能な一対の支持手段と、
前記一対の支持手段の下方に配置され、前記一対の支持手段が前記支持位置から移動することにより落下するシート、及び前記通過位置にある前記一対の支持手段の間を通過したシートが積載されるシート積載手段と、
前記一対の支持手段に設けられ、前記一対の支持手段の間を通過するシートの幅方向の端部を規制するための一対の規制手段と、を備えたことを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記一対の規制手段は、搬送されるシートの幅方向の長さに応じた前記通過位置への前記一対の支持手段の移動に伴って、搬送されるシートの幅方向の長さに応じたシートの幅方向の端部を規制する規制位置に移動することを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記一対の規制手段は、前記一対の支持手段に回動自在に支持され、前記シート積載手段に向かって垂下してシートの幅方向の端部を規制する規制位置と、前記一対の支持手段を互いに近接する方向に移動させる際に回動して前記規制位置から退避する退避位置とに移動することを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記シート積載手段は、使用される最小のシートの幅方向の長さよりも幅方向の長さが短いシート積載面を有し、
前記一対の規制手段は、前記規制位置に移動しているときに前記シート積載面にシートが未積載である場合には、前記シート積載面よりも下方に垂下することを特徴とする請求項３に記載のシート処理装置。
【請求項５】
シートを装置本体から排出可能に前記一対の支持手段のシート搬送方向上流に配置され、互いに離間可能な一対の排出ローラと、
前記一対の排出ローラの少なくとも一方を離間させる方向に駆動するモータと、
前記モータに駆動され、前記一対の排出ローラの離間動作と連動して、前記一対の規制手段を前記規制位置から前記退避位置へ移動させる移動機構と、を備えたことを特徴とする請求項３又は４に記載のシート処理装置。
【請求項６】
互いに独立して回動自在に幅方向に沿って並設され、前記シート積載手段に積載されているシートの満載状態を検知する複数の検知部材を備え、
前記複数の検知部材は、前記一対の支持手段を互いに近接する方向に移動させる際に、前記一対の支持手段に衝突するのを回避する位置まで回動することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】
前記一対の支持手段の近傍に配置され、前記一対の支持手段と共に幅方向に移動可能に回動自在に支持され、前記シート積載手段に積載されているシートの満載状態を検知する一対の検知部材を備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項８】
前記一対の規制手段は、前記シート積載手段に向かって幅方向内側に傾斜して延びる傾斜面と、傾斜面から前記シート積載手段に向かって垂直に延び、シートの幅方向の側端部に当接する当接面と、を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項９】
前記一対の規制手段は、幅方向に退避可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１０】
前記一対の支持手段は、前記シート搬送手段により搬送されたシートを支持して整合する整合位置に移動可能な一対の整合手段であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１１】
シートに処理を施す処理手段を備え、
前記一対の整合手段を前記整合位置に移動させてシートの幅方向の端部を整合させた後、前記処理手段にてシートに処理を施し、前記一対の整合手段を前記通過位置に移動させて前記シート積載手段にシートを積載する処理モードと、前記一対の整合手段を前記通過位置に移動させて、シートを直接、前記シート積載手段に積載するスタックモードと、に選択的に設定されることを特徴とする請求項１０に記載のシート処理装置。
【請求項１２】
前記処理モードでは、シートの幅方向の一方の端部を基準とする片側基準でシートを前記シート積載手段に積載し、前記スタックモードでは、シートの幅方向の中央を基準とする中央基準でシートを前記シート積載手段に積載することを特徴とする請求項１１に記載のシート処理装置。
【請求項１３】
シートに画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により画像が形成されたシートを処理する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のシート処理装置と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のシート処理装置は、シートを搬送するシート搬送手段と、シート搬送方向と直交する幅方向において、前記シート搬送手段により搬送されたシートを支持する支持位置と、搬送されたシートを通過させる通過位置とに移動可能な一対の支持手段と、前記一対の支持手段の下方に配置され、前記一対の支持手段が前記支持位置から移動することにより落下するシート、及び前記通過位置にある前記一対の支持手段の間を通過したシートが積載されるシート積載手段と、前記一対の支持手段に設けられ、前記一対の支持手段の間を通過するシートの幅方向の端部を規制するための一対の規制手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを含むシリコーン化合物用溶剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［発明１］１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを含むシリコーン化合物用溶剤組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
中でも、メチル基、フェニル基、水素原子を置換基として結合したジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチル水素シリコーンオイルなどのストレートシリコーンオイル、また、ストレートシリコーンオイルから二次的に誘導された構成部分を持つ、反応性シリコーンオイル、非反応性シリコーンオイルなどの変性シリコーンオイルなどが挙げられる。本発明のシリコーン化合物用溶剤組成物は、特に、ストレートシリコーンを溶かしやすく好適である（実施例参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
＜塗布方法＞
本発明においては、物品表面に上述したシリコーン化合物塗布溶液を塗布し、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン等のシリコーン化合物用溶剤組成物を蒸発除去することにより、物品表面にシリコーン化合物の被膜を形成する。本発明の方法を適用できる物品としては、金属部材、樹脂部材、セラミックス部材、ガラス部材などの各種材質に適用することができ、特に、注射針の針管部や、ディスペンサー（液体定量噴出装置）のスプリングやバネ部分等に適用することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（塗布及び乾燥性試験）
以下の方法に従い、本発明におけるシリコーン化合物用溶剤組成物を用いてシリコーン化合物の塗布試験及び乾燥性試験を行った。表１〜表５に示すシリコーン化合物用溶剤組成物とシリコーンオイルとの混合物であるシリコーン化合物塗布溶液を各種ステンレス製の金属板（ＳＵＳ）に塗布し、乾燥性を評価した。また、乾燥（自然乾燥）後の塗布膜を目視で確認し、塗布性について評価した。乾燥性および塗布性について表１〜表５に表記した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
表８の結果より、１２３３Ｚと３６５ｍｆｃを混合した組成物は、引火点がほとんどなく、幅広い混合組成比において、取り扱いが非常に容易であることが分かる。１２３３Ｚを５質量％以上加えると、引火点をなくすことができることが分かる。
【表８】
2011046688.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分として、下記式（Ｉ）：
【化１】
2011046708.tif 000001
ただし、Ｒ1は、−Ｈまたは−ＣＨ3であり；Ｒ2は、−ＯＣＯＣＨ3、＝Ｏまたは−ＯＨであり；Ｒ3は、−Ｈまたは−ＯＨであり；Ｒ4は、−Ｃ（＝ＣＨ2）−Ｃ（ＣＨ3）2Ｒa（この際、Ｒaは、−Ｈまたは−ＯＨである）または−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3）Ｒb（この際、Ｒbは、−ＣＨ3または−ＣＨ2ＯＨである）であり；Ｒ5は、−Ｈまたは−ＯＨであり；およびＲ6は、−ＣＨ3または−ＣＨ2ＯＨである、
で示されるラノスタン化合物またはその薬理上許容される塩を哺乳動物におけるＩ型糖尿病を治療するのに有効な量を含み、前記Ｉ型糖尿病は、前記哺乳動物の血液中の不十分なインスリンにより誘発されるものである、哺乳動物におけるＩ型糖尿病を治療するための薬剤組成物。
【請求項２】
前記式（Ｉ）のラノスタン化合物が、下記化学式：
【化２】
2011046708.tif 000002
を有する、請求項１に記載の薬剤組成物。
【請求項３】
前記式（Ｉ）のラノスタン化合物が、下記化学式：
【化３】
2011046708.tif 000003
を有する、請求項２に記載の薬剤組成物。
【請求項４】
前記薬剤組成物が注射のためのものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬剤組成物。
【請求項５】
前記薬剤組成物が経口摂取のためのものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬組成物。
【請求項６】
前記哺乳動物がヒトである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の薬剤組成物。
【請求項７】
前記薬剤組成物が有効成分として前記式（１）を有する単離されたラノスタン化合物またはその薬理上許容される塩および薬理上許容される賦形剤または希釈剤を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薬剤組成物。
【請求項８】
ポリア抽出物を有効成分として有効な量含み、前記ポリア抽出物の重量に対して、１〜６０重量％の請求項１に定義される前記化学式（Ｉ）を有するラノスタン化合物を含み、前記ポリア抽出物がセコラノスタン（ｓｅｃｏｌａｎｏｓｔａｎｅ）を実質的に含まず、前記Ｉ型糖尿病が前記哺乳動物の血液中の不十分なインスリンに誘発されるものである、哺乳動物におけるＩ型糖尿病の治療のための薬剤組成物。
【請求項９】
前記ポリア抽出物が、前記ポリア抽出物の重量に対して、５〜３５重量％のラノスタン化合物（Ｉ）を含む、請求項８に記載の薬剤組成物。
【請求項１０】
前記ラノスタン化合物（Ｉ）が、下記化学式：
【化４】
2011046708.tif 000004
を有する、請求項８または９に記載の薬剤組成物。
【請求項１１】
前記薬剤組成物が経口摂取のためのものである、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の薬剤組成物。
【請求項１２】
前記哺乳動物がヒトである、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の薬剤組成物。