Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、レンチキュラー、ＬＥＤおよび光ファイバーなどの光学系素子には、０．１〜１００μｍ程度のレンズ径を有するマイクロレンズ、およびそれらマイクロレンズをアレイ状にしたマイクロレンズアレイが使用されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】図１は、実施例１で得られたマイクロレンズの走査型電子顕微鏡像である。
【図２】図２は、実施例２で得られたマイクロレンズの走査型電子顕微鏡像である。
【図３】図３は、比較例１で得られたマイクロレンズの走査型電子顕微鏡像である。
【図４】図４は、比較例２で得られたマイクロレンズの走査型電子顕微鏡像である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
光酸発生剤（Ｂ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明のネガ型感光性組成物における光酸発生剤（Ｂ）の含有量は、ポリシロキサン（Ａ）１００質量部に対して、通常０．１〜１０質量部、好ましくは０．３〜５質量部、さらに好ましくは０．５〜５質量部である。光酸発生剤（Ｂ）の含有量が前記下限値以上であると、形成されるレンズの耐熱性は優れる。光酸発生剤（Ｂ）の含有量が前記上限値以下であると、ネガ型感光性組成物から得られる被膜は解像度に優れる。
保護基を有するアミン（Ｃ）
保護基を有するアミン（Ｃ）は、ポリシロキサン（Ａ）が急速に架橋することを防ぐことにより、本組成物から得られる被膜をよりメルトしやすくする機能を有する。このため、本組成物は、露光により架橋するネガ型感光性組成物であっても、メルト法によりレンズを形成することができる。また、保護基を有するアミン（Ｃ）により、露光により光酸発生剤（Ｂ）から生成される酸の被膜中における拡散を制御することにより、感光性組成物から得られる被膜の解像度を上げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
溶剤（Ｄ）としては、ネガ型感光性組成物中に含まれる成分が良好に溶解や分散する溶剤が用いられる。通常、有機溶剤を用いることが好ましく、前記各成分は有機溶剤に溶解または分散する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
前記芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−アミルナフタレンがある。これらの芳香族炭化水素系溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。
界面活性剤（Ｅ）
界面活性剤（Ｅ）は、ネガ型感光性組成物の塗布性を改良する作用を示す成分であり、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤等が挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、重量平均分子量は１５００であった。
１−３．キノンジアジド化合物の合成
［合成例３］
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エタン１モルと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド２．０モルとを、ジオキサン中で攪拌しながら溶解させて溶液を調製した。次いで、この溶液が入ったフラスコを３０℃にコントロールされた水浴中に浸し、溶液が３０℃に一定となった時点で、この溶液にトリエチルアミン２．０モルを、溶液が３５℃を越えないように滴下ロートを用いてゆっくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ過により取り除いた。ろ液を大量の希塩酸中に注ぎ込み、その際に析出した析出物を濾取し、４０℃にコントロールされた真空乾燥器で一昼夜乾燥してキノンジアジド化合物（ＢＲ−１）を得た。
２．感光性組成物の調製
［実施例１〜２、比較例１〜３］
下記表１に示す成分を混合し、各成分を表１に示す含有量で含む実施例１〜２、比較例１〜３の感光性組成物を調製した。ポリシロキサン（Ａ１−１）およびポリシロキサン（Ａ１−２）については、表１に示す含有量となるように、それぞれ合成例１および合成例２で得られたポリシロキサン（Ａ１−１）を含むプロピレングリコールメチルエーテル溶液およびポリシロキサン（Ａ１−２）を含むプロピレングリコールメチルエーテル溶液を配合した。各成分の詳細は以下の通りである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013080201.tif 000001
【図２】
2013080201.tif 000002
【図３】
2013080201.tif 000003
【図４】
2013080201.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する発光装置であって、
前記発光素子に供給する電流値を制御する機能を有する駆動用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタは、電流供給線の下方に配置された領域を有し、
前記駆動用トランジスタのチャネル形成領域は、蛇行した形状、Ｕ字状の部分を有する形状、又は曲がりくねった形状を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子を有する発光装置であって、
前記発光素子と電気的に接続された駆動用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタは、電流供給線の下方に配置された領域を有し、
前記駆動用トランジスタのチャネル形成領域は、蛇行した形状、Ｕ字状の部分を有する形状、又は曲がりくねった形状を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記駆動用トランジスタは、ゲート電極を有し、
前記ゲート電極及び前記チャネル形成領域は、前記電流供給線の下方に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ゲート電極及び前記電流供給線で、容量素子が構成されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より像側へ順に、正の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群、負の屈折力の第４レンズ群、１つ以上のレンズ群から成る全体として正の屈折力の後続レンズ群から構成され、ズーミングに際して各レンズ群が移動し、フォーカスに際して前記第４レンズ群が移動するズームレンズであって、
望遠端における全系の焦点距離をｆｔ、望遠端における前記第１レンズ群から前記第３レンズ群までの合成焦点距離をｆ１−３ｔとするとき、
｜ｆｔ／ｆ１−３ｔ｜＜０．６
なる条件式を満たすことを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
広角端における全系の焦点距離をｆｗ、広角端における前記第１レンズ群から前記第３レンズ群までの合成焦点距離をｆ１−３ｗとするとき、
｜ｆｗ／ｆ１−３ｗ｜＜０．５
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
広角端における前記第４レンズ群の横倍率をβ４ｗとするとき、
｜β４ｗ｜＜１．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
望遠端における前記第４レンズ群の横倍率をβ４ｔとするとき、
｜β４ｔ｜＜１．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項５】
広角端における前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の合成焦点距離をｆ１−２ｗ、前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３とするとき、
０．３＜−ｆ１−２ｗ／ｆ３＜２．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項６】
望遠端における第１レンズ群と第２レンズ群の合成焦点距離をｆ１−２ｔ、前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３とするとき、
０．３＜−ｆ１−２ｔ／ｆ３＜２．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項７】
広角端における前記後続レンズ群の合成焦点距離をｆｐｗ、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４とするとき、
０．４０＜−ｆｐｗ／ｆ４＜０．９５
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項８】
望遠端における前記後続レンズ群の合成焦点距離をｆｐｔ、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４とするとき、
０．４０＜−ｆｐｔ／ｆ４＜０．９５
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項９】
前記第４レンズ群は、２枚以下のレンズより構成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１０】
望遠端における前記第４レンズ群のフォーカシングに際しての最大移動量（無限遠から至近距離へのフォーカシングにおいて物体側から像側へ移動するときを正とする）をＭｆｔ、広角端から望遠端へのズーミングに際しての前記第３レンズ群と前記第４レンズ群の間隔の変化量（広角端から望遠端へのズーミングに際して間隔が大きくなるときを正とする）をＭｚとするとき、
０．３＜−Ｍｚ／Ｍｆｔ＜１．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１１】
広角端に比べて望遠端において前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の間隔が広く、前記第２レンズ群と前記第３レンズ群の間隔が狭く、前記第３レンズ群と前記第４レンズ群の間隔が広く、前記第４レンズ群と前記後続レンズ群との間隔が狭くなるように各レンズ群が移動してズーミングを行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１２】
前記後続レンズ群は物体側から像側へ順に、正の屈折力の第５レンズ群、正の屈折力の第６レンズ群から成ることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１３】
前記後続レンズ群は正の屈折力の第５レンズ群から成ることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１４】
ズーミングに際して前記第３レンズ群と前記第５レンズ群は、一体で移動することを特徴とする請求項１２または１３に記載のズームレンズ。
【請求項１５】
フォーカシングに際し、前記第３レンズ群は前記第４レンズ群に対し、光軸方向を逆方向に移動することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のズームレンズを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１は本発明の実施例１のズームレンズの広角端（短焦点距離端）におけるレンズ断面図である。図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ数値実施例１のズームレンズの無限遠物体に合焦したときの広角端と望遠端（長焦点距離端）である。至近距離物体（撮影距離４２０ｍｍ）に合焦したときの広角端と望遠端における収差図である（撮影距離４２０ｍｍは後述する数値実施例の数値をｍｍ単位で表したときである。以下同じ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
フォーカシングに際し、第４レンズ群Ｌ４に加え、第３レンズ群Ｌ３も同時に移動するのが良い。それによれば物体距離が変化したときの諸収差の変動を更に良好に補正するのが容易になる。尚、以上の各実施例において、レンズ群とは、光学系の最前面または、前方に隣接するレンズとの間隔がズーミング又はフォーカスの際に変化する面から、光学系の最後面または、後方に隣接するレンズ群との間隔がズーミング又はフォーカスの際に変化する面までを言う。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、本発明の他の態様（実施例３）では、以上のレンズ群Ｌｎ、レンズ群Ｌｐ１、レンズ群Ｌｐ２の関係の正、負の屈折力を逆転させた構成としている。即ち、正のパワーのフォーカスレンズ群Ｌｐと、その両側に隣接する負の屈折力のレンズ群Ｌｎ１、負の屈折力のレンズ群Ｌｎ２を配置して前述と同様の効果を得ている。実施例３では、レンズ群Ｌｐをレンズ群Ｌｎ２に対し、無限遠物体から至近距離物体へのフォーカシングに際して狭める方向へ移動する。そして広角端から望遠端へのズーミングに際しては、レンズ群Ｌｐはレンズ群Ｌｎ２に対して広がるように移動している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載される車載用動画像データ記録装置であって、
カメラ部が撮影した前記車両の周辺画像を通常画角で圧縮する通常画質符号化部と、
前記通常画質符号化部が出力する動画像データを記録する通常画質データ記憶部と、
車両走行時に発生した異常状況をトリガとして検出するトリガ検出部と、
前記カメラ部が撮影した画像を前記通常画角よりも大画角で圧縮する高画質符号化部と、
前記高画質符号化部が出力する動画像データを常時記録し、前記トリガ検出部でのトリガ検出タイミングに基づいて保存する高画質データ記憶部と、
を具備することを特徴とする車載用動画像データ記録装置。
【請求項２】
前記高画質データ記憶部は、前記トリガ検出タイミングより一定時間前に前記高画質符号化部が出力した動画像データから記録する、
ことを特徴とする請求項１記載の車載用動画像データ記録装置。
【請求項３】
前記カメラ部は、異なる方向に向けて複数個備え付けられ、
前記高画質符号化部は、前記カメラ部それぞれが撮影した画像を大画角でそれぞれ圧縮し、
前記高画質データ記憶部は、前記トリガ検出部でのトリガ検出タイミングに基づいて、前記高画質符号化部がそれぞれ出力する動画像データを保存する、
ことを特徴とする請求項１または２記載の車載用動画像データ記録装置。
【請求項４】
車両に搭載される車載用動画像データ記録装置であって、
前記車両の走行状態から加速度を検出する加速度センサ部と、
カメラ部が撮影した前記車両の周辺画像から、前記加速度センサ部の情報を利用してナンバープレートの動き予測を行いながら車両のナンバープレートを検出するナンバープレート検出部と、
前記カメラ部が撮影した画像を通常画角で圧縮する通常画質符号化部と、
前記通常画質符号化部が出力する動画像データを記録する通常画質データ記憶部と、
車両走行時に発生した異常状況をトリガとして検出するトリガ検出部と、
前記ナンバープレート検出部でナンバープレートを検出した場合は、前記カメラ部が撮影した画像のナンバープレート部分を、前記通常画角よりも大画角で圧縮する高画質符号化部と、
前記高画質符号化部が出力する動画像データを常時記録し、前記トリガ検出部でのトリガ検出タイミングに基づいて保存する高画質データ記憶部と、
を具備することを特徴する車載用動画像データ記録装置。
【請求項５】
前記高画質データ記憶部は、前記トリガ検出タイミングより一定時間前に前記高画質符号化部が出力した動画像データから記録する、
ことを特徴とする請求項４記載の車載用動画像データ記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
空気ベアリング面（ＡＢＳ）に対して位置付けられ、第１のバッファ層と第２のバッファ層との間に配置されたデータ読み取りスタックを備え、前記第１および第２のバッファ層は、前記データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与するように構成されている、装置。
【請求項２】
前記データ読み取りスタックならびに前記第１および第２のバッファ層は、第１の磁気シールドと第２の磁気シールドとの間に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも一方のシールドは、ＡＢＳの遠位に傾斜部分を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記傾斜部分は、ＡＢＳに平行な軸に沿った前記第１のシールドと前記第２のシールドの間の距離を増大させる、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記データ読み取りスタックは、非磁性スペーサ層によって分離された複数の磁化自由層を有する三層要素である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
永久バイアス磁石は、第１のシールドと第２のシールドの間において、傾斜部分の近位であってＡＢＳの遠位に実質的に配置される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
少なくとも一方のバッファ層は、前記データ読み取りスタックのストライプ高さに沿った、連続して変化する厚さを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも一方のバッファ層は、絶縁材である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記所定の短絡比は、所定の範囲内から選択される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記所定の範囲は、０．３５と０．７５との間である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
少なくとも一方のバッファ層は、前記データ読み取りスタックよりも大きい抵抗性を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
方法であって、第１のバッファ層と第２のバッファ層との間において空気ベアリング面（ＡＢＳ）に対してデータ読み取りスタックを設置するステップと、前記データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与するように前記第１および第２のバッファ層を構成するステップとを備える、方法。
【請求項１３】
前記所定の短絡比は、前記データ読み取りスタックにおいてデータ読み出し振幅を増大させる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記所定の短絡比は、少なくとも一方のバッファ層の厚さおよび伝導性を最適化することによって調整される、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
センサであって、空気ベアリング面（ＡＢＳ）に対して位置付けられ、第１のバッファ層と第２のバッファ層との間に配置されるデータ読み取りスタックを備え、前記第１および第２のバッファ層の各々は、前記データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与するように調整される第１の領域と第２の領域とによって構成される、センサ。
【請求項１６】
少なくとも一方のバッファ層の前記第１の領域および前記第２の領域は、それぞれ接触して隣接する磁気シールドの段差領域および傾斜領域とそれぞれ接触し、前記段差領域は前記ＡＢＳの近位にあり、前記傾斜領域は前記ＡＢＳの遠位にある、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記第１の領域は、第１の厚さを有し、前記第１の厚さは前記第２の領域の第２の厚さよりも小さい、請求項１６に記載のセンサ。
【請求項１８】
前記第１の領域は、第１の厚さを有し、前記第１の厚さは前記第２の領域の第２の厚さよりも大きい、請求項１６に記載のセンサ。
【請求項１９】
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも高い伝導性を有する、請求項１６に記載のセンサ。
【請求項２０】
前記第１の領域はルテニウムであり、前記第２の領域は酸化タンタルである、請求項１６に記載のセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８      （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．６５〜０．９９    （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９    （３）
【請求項２】
前記元素Ｘが、Ａｌ又はＢである請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記元素Ｘが、Ｓｃ又はＹである請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記元素Ｘが、ランタノイド類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）である請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
前記元素ＸがＺｒである請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
前記半導体層が非晶質膜であり、その電子キャリア濃度が１０１３〜１０１８／ｃｍ３であり、バンドギャップが２．０〜６．０ｅＶである請求項１〜５のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記半導体層が、非縮退半導体である請求項１〜６のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層用ターゲット。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８      （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．６５〜０．９９    （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９    （３）
【請求項９】
前記元素ＸがＡｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）からなる群より選択される１以上の元素であり、
さらに、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選択される１以上の元素を１００〜１００００原子ｐｐｍ含む請求項８に記載の半導体層用ターゲット。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のターゲットを用いて、ＤＣ又はＡＣスパッタリングにより半導体層を成膜する工程と、
前記半導体層を７０〜３５０℃で熱処理する工程を含む、電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低逆電圧定格化ＰＮダイオード、および
一つのプレーナ型集積回路素子内でＰＮダイオードに電気的に並列接続した高逆電圧定格化ショットキー整流器からなることを特徴とする低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサー。
【請求項２】
前記ＰＮダイオードが、前記過渡電圧サプレッサーのダイ表面から離れているＰＮダイオードの接合領域における電界により逆電圧性能を決定する拡張ガードリングを有する請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項３】
前記ショットキー整流器が複合形Ｐ−Ｉ−Ｎショットキー整流器である請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項４】
前記ショットキー整流器が、順方向バイアス時にキャリヤを注入するために主に利用されるＰ領域をもつ請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項５】
前記集積回路素子をシリコン基体に構成した請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項６】
前記基体が、インプランテーションドーピングを有する請求項５記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項７】
前記過渡電圧サプレッサーはショットキーバリヤ形成するために高い電気抵抗ｅｐｉをもつ第１エピタキシー成長層および第２エピタキシー成長層（ｅｐｉ）で構成されるが、サプレッサーの電圧定格を第１エピタキシー成長層のＰＮ界面から誘導した請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項８】
前記第１エピタキシー成長層の濃度が、第２エピタキシー成長層より高い請求項７記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項９】
前記過渡電圧サプレッサーはベース幅圧縮によりＰＮダイオードのパンチスルー設計で構成され、前記ショットキー整流器のベース幅をＰＮダイオードよりも大きく構成した請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項１０】
前記ショットキー整流器の逆電圧定格を並列接続ＰＮダイオードよりも高く設定し、このＰＮダイオードが破壊状態にあるときに、ショットキー整流器の表面電界をこのＰＮダイオードの臨界電界よりもはるかに低く設定した請求項１記載の過渡電圧サプレッサー。
【請求項１１】
基体上の拡張ガードリングで低逆電圧定格化ＰＮダイオードを形成する工程、および、
前記基体上において前記ＰＮダイオードに電気的に並列接続した高逆電圧定格化ショットキー整流器を形成する工程を有することを特徴とする低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサーの製造方法。
【請求項１２】
拡張ガードリングが、前記過渡電圧サプレッサーのダイ表面から離れているＰＮダイオードの接合領域における電界により逆電圧性能を決定する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記電圧サプレッサーを電気回路に自動的に装着するための前記電圧サプレッサーの実装工程を有する請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記ショットキー整流器に対して高い電気抵抗ｅｐｉをもつ、前記サプレッサー内に第１エピタキシー成長層および第２エピタキシー成長層ｅｐｉを形成し、前記サプレッサーが第１エピタキシー成長層ｅｐｉとのＰＮ界面から電圧定格を発生する工程をさらに有する請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記サプレッサーはベース幅圧縮による前記ＰＮダイオードのパンチスルー設計を利用して構成され、前記ショットキー整流器のベース幅を前記ＰＮダイオードのベース幅よりも大きくした請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
前記ショットキー整流器は前記の並列接続ＰＮダイオードの逆電圧よりも高い逆電圧である請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
前記サプレッサーは、電流密度が低い状態でショットキー整流器に順方向伝導をもたらし、かつ逆破壊が前記ＰＮダイオードによってのみ制御されるように、前記過渡電圧サプレッサーを構成した請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
ＰＮ接合をもつＰＮダイオード、および
前記ＰＮダイオードに電気的に並列接続したショットキー整流器を有し、
電流密度が低い状態でショットキー整流器を介して順方向伝導が生じ、かつ逆破壊が前記ＰＮ接合によって制御されるように、前記ＰＮダイオードが逆電圧性能を決定するように適用し、
過渡電圧サプレッサーはショットキーバリヤ形成するために高い電気抵抗ｅｐｉをもつ第１エピタキシー成長層および第２エピタキシー成長層（ｅｐｉ）で構成されるが、サプレッサーの電圧定格を第１エピタキシー成長層ｅｐｉのＰＮ界面から誘導したこと特徴とする独立チップ形低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサー。
【請求項１９】
逆極性および逆パワーサージから電気回路を保護する前記過渡電圧サプレッサーとして、請求項１に記載の過渡電圧サプレッサーを電気的に接続した電気回路。
【請求項２０】
ハードディスクを電気的に保護する前記過渡電圧サプレッサーとして、請求項１９に記載の電気回路に電気的に接続したハードディスク装置。
【請求項２１】
電流密度が低い状態でショットキー整流器を介して順方向伝導が生じ、かつ逆破壊が前記ＰＮダイオードによって制御されるように、前記ＰＮダイオードが逆電圧性能を決定するように構成する請求項１に記載の過渡電圧サプレッサー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを吸着して固定する真空チャックを備えたウエハ保持具と、上記ウエハ保持具と対向して配置され、片持ち梁の形状のプローブが設けられたカード基板と、上記ウエハ保持具と上記カード基板の間に密閉空間を作るために、上記ウエハ保持具と上記カード基板の間に上記半導体ウエハと上記プローブを取り囲むように設けられたスペーサを備え、上記密閉空間が減圧され、大気圧より低く、かつ、上記真空チャックの圧力よりも高い状態に維持されていることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
上記密閉空間の圧力と、上記真空チャックの圧力との差が、上記プローブの針圧の総和に応じて調整されていることを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーが付着する移動体の表面に接触した上流クリーニングブラシと、
前記上流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向下流側に配置され、前記移動体の表面に接触した下流クリーニングブラシと、
前記下流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向下流側に配置され、前記移動体の表面に接触したクリーニングローラと、
前記上流クリーニングブラシに正規トナーと逆極性のバイアス電圧を印加する第１のバイアス印加部と、
前記下流クリーニングブラシに、正規トナーと逆極性であって、前記上流クリーニングブラシに印加するバイアス電圧の絶対値以上に設定されたバイアス電圧を印加する第２のバイアス印加部と、
前記クリーニングローラに正規トナーと同極性のバイアス電圧を印加する第３のバイアス印加部と、
を備えるクリーニング装置。
【請求項２】
前記上流クリーニングブラシ及び前記下流クリーニングブラシに印加するバイアス電圧は、前記下流クリーニングブラシを通過後の前記移動体の表面における正規トナーと逆極性のトナーの増加率が６％以下になるようにそれぞれ設定されている請求項１に記載のクリーニング装置。
【請求項３】
前記上流クリーニングブラシと前記下流クリーニングブラシとの間に配置され、前記移動体の表面に付着したトナーに正規トナーと同極性の電荷を付与する電荷付与部を備える請求項１又は２に記載のクリーニング装置。
【請求項４】
前記上流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向上流側に配置され、前記移動体の表面に付着したトナーに正規トナーと同極性の電荷を付与する上流電荷付与部を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載のクリーニング装置。
【請求項５】
前記第１のバイアス印加部及び前記第２のバイアス印加部は、定電圧制御される請求項１〜４のいずれか１項に記載のクリーニング装置。
【請求項６】
表面にトナーが付着する移動体と、
前記移動体に付着したトナーを除去するクリーニング装置と、を備え、
前記クリーニング装置は、
前記移動体の表面に接触した上流クリーニングブラシと、
前記上流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向下流側に配置され、前記移動体の表面に接触した下流クリーニングブラシと、
前記下流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向下流側に配置され、前記移動体の表面に接触した弾性を有するクリーニングローラと、
前記上流クリーニングブラシに正規トナーと逆極性のバイアス電圧を印加する第１のバイアス印加部と、
前記下流クリーニングブラシに、正規トナーと逆極性であって、前記上流クリーニングブラシに印加するバイアス電圧の絶対値以上に設定されたバイアス電圧を印加する第２のバイアス印加部と、
前記クリーニングローラに正規トナーと同極性のバイアス電圧を印加する第３のバイアス印加部と、を有する画像形成装置。
【請求項７】
前記下流クリーニングブラシよりも前記移動体の移動方向下流側に配置され、前記移動体の表面におけるトナーの帯電量分布を検知する検知部と、
前記検知部の検知結果に基づいて、前記下流クリーニングブラシを通過後の前記移動体の表面における正規トナーと逆極性のトナーの増加率が６％以下になるように、前記上流クリーニングブラシ及び前記下流クリーニングブラシに印加するバイアス電圧の値を設定する制御部と、
を備える請求項６に記載の画像形成装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】基板支持体及びその製造方法
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
高温の基板プロセスシステムにおける使用に適するアルミニウム加熱型基板支持体と、このような基板支持体を製造する方法とを提供する。いくつかの実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、アルミニウム本体と、本体に埋め込まれている加熱素子と、本体に結合されている脚部とを含むことができる。アルミニウム本体は、約２５０μｍ未満の平均粒径を有する。脚部は、完全溶け込み重ね溶接継手を使用して本体の底部に結合されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
いくつかの別の実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、埋め込まれている加熱素子を有する鋳造アルミニウム本体を含むことができる。この鋳造アルミニウム本体は、約２５０μｍ未満の平均粒径を達成する粒径改良材料（ｇｒａｉｎ  ｅｎｈａｎｃｅｒ）を含んでいる。特定の実施形態においては、この粒径改良材料はチタン（Ｔｉ）である。１つの実施形態においては、約０．０３〜約０．１重量パーセントの粒径改良材料を使用して、約２５０μｍ未満の平均粒径を達成する。脚部は、完全溶け込み重ね溶接継手を使用して本体の底部に結合することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
加熱素子１０６を溝３０４に収容しておくため、キャップ３０６が溝３０４を閉じている。キャップ３０６は、本体３０２とキャップ３０６との間に漏れのない継手を形成する任意の適切な手法（電子ビーム溶接など）を使用して、本体３０２に溶接することができる。キャップ３０６及び溝３０４の幾何形状により、電子ビーム溶接をキャップ３０６より奥、本体材料の中に完全に溶け込ませて、応力が加わる位置（ｓｔｒｅｓｓ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｏｉｎｔ）を、縦方向の溶接に垂直な方向に変化させることができ、これにより漏れの可能性が大幅に減少する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
取付けフランジ１３６は、脚部１０４の上側メインシャフト１３８から外方に外側フランジ壁３１４まで広がっている傾斜壁３１２を含んでいる。外側フランジ壁３１４は、ほぼ円形であり、傾斜壁３１２とは反対側の、フランジ壁３１４の端部から半径方向外方に延びているリップ３１６を含んでいる。リップ３１６は、くぼみ３０８の側壁３１０にぴったり嵌る、若しくは圧入される、又はその両方となるような寸法を有する。溶接（この実施形態では重ね継手として示してある）は、くぼみ３０８の側壁３１０と脚部１０４のフランジ壁３１４との間に画成されている隙間を満たしている。溶接３２２のうち露出している端部は、溶接後に機械加工していない。更に、溶接３２２は、リップ３１６を超えて、脚部１０４と、本体のくぼみ３０８の底部３１８まで完全に溶け込んでいる（破線３２０によって示してある）、結果として、溶接３２２のうち応力が加わる位置３２４が、脚部１０４の第１の端部１３２の平面に沿った、溶接３２２の側面に位置する。従って、リップ３１６が、脚部１０４と同種の材料における溶接ルート部を形成するための犠牲下地（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｂａｃｋｉｎｇ）となり、これにより、基板支持体３０２の平均耐用年数を短縮しうる亀裂先端の形成が排除される。応力が加わる位置３２４を溶接３２２の側面に位置させることにより、溶接３２２の耐用年数が大幅に増大する。本発明の基板支持体は、温度が４００℃以上４８０℃までの用途において使用できるため、溶接３２２の平面と、応力が加わる位置との間の角度的なずれ（この場合には約９０度）による溶接３２２の耐損傷性によって、従来の突合せ継手設計と比較して相当な改良が提供される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ステップ５０４において、脚部を本体に溶接する。１つの実施形態においては、溶接部に応力が加わる位置が縦方向の溶接に実質的に垂直であるように、脚部及び本体に完全に溶け込んだ重ね継手を使用して、脚部を本体に溶接する。
オプションのステップ５０６においては、本体、脚部、それらの選択された表面、のうちの１つ以上を表面処理する（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）ことができる。１つの実施形態においては、本体の上面を表面処理する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
半導体プロセスシステムにおける使用に適する基板支持体であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有するアルミニウム本体と、
前記本体に埋め込まれている加熱素子と、
完全溶け込み重ね溶接継手によって前記本体の底部に結合されている脚部とを備えている基板支持体。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
半導体プロセスシステムにおける使用に適する基板支持体であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有する圧延アルミニウム本体と、
前記本体内に配置されている加熱素子と、
脚部であって、前記脚部の取付フランジの端部に形成され、完全溶け込み重ね溶接継手によって前記本体の底部に結合されている脚部とを備えている基板支持体。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
高温の基板プロセス環境における使用に適する基板支持体を製造する方法であって、
２５０μｍ未満の平均粒径を有するアルミニウム本体を選択するステップであって、前記本体が中央の止まり穴を有する上面と、反対側の底面とを有する前記ステップと、
管状の脚部を前記本体の前記底面に形成されているくぼみの中に重ね溶接するステップであって、前記脚部のリップは溶接ルート部を形成するための犠牲下地を形成し、前記本体内に配置されている加熱素子のリード線が前記管の中に延びている前記ステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可食物の苦味をマスキングする作用を有する無塩可溶性可食凝集剤を有効成分とすることを特徴とする、混ぜるだけで有効な苦味マスキング剤。
【請求項２】
前記可食凝集剤は、水酸化カルシウムを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の苦味マスキング剤。
【請求項３】
前記可食凝集剤は、エタノール含有酒粕を有効成分とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の苦味マスキング剤。
【請求項４】
前記可食凝集剤は、可食凝集剤エタノール、可食凝集剤酸、及び糖を有効成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤。
【請求項５】
オリーブの苦味をマスキングするものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤。
【請求項６】
苦瓜の苦味をマスキングするものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤。
【請求項７】
可食物の保存作用を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤を使うことを特徴とする苦味マスキング方法。
【請求項９】
苦味マスキング剤を、可食物の中に注射することを特徴とする請求項８に記載の苦味マスキング方法。
【請求項１０】
請求項２に記載の苦味マスキング剤を使う工程に、さらに炭酸類処理工程を加えることを特徴とする苦味マスキング方法。
【請求項１１】
可食物の苦味をマスキングするとともに、該可食物の保存性を向上させることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の苦味マスキング方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤を用い、及び／又は請求項８乃至請求項１１のいずれか１項の苦味マスキング方法を用いて製造することを特徴とする可食物の製造方法。
【請求項１３】
前記可食物は、ワイン・ジュース・酢・ポリフェノール液及び内包菓子のいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載の可食物の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤を含有する、及び／又は請求項８乃至請求項１３のいずれか１項の方法を用いて製造されたことを特徴とする可食物。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の苦味マスキング剤を用い、及び／又は請求項８乃至請求項１１のいずれか１項の苦味マスキング方法を用いて可食物を輸出入する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも透液層(１)と吸収保持層(３)との２つの層を備えた創傷被覆材であって、  
創傷部位(15)と対面するように使用される側から順に、上記の透液層(１)と吸収保持層(３)とを積層してなり、
上記の透液層(１)は、上記の創傷部位(15)と対面する第１表面(11)と、これとは反対側の第２表面(12)と、両表面(11・12)間に亘って厚さ方向に貫通する多数の貫通孔(13)とを有し、  
上記の貫通孔(13)は上記の第１表面(11)側から第２表面(12)側への液体の透過を許容し、  
上記の第１表面(11)が疎水性を備えている樹脂製のシート材からなり、  
上記の吸収保持層(３)は、水を吸収保持可能なシート材を含有する創傷被覆材において、
上記の吸収保持層(３)は創傷部位側で隣接する他の層と少なくとも部分的に非接合であることを特徴とする創傷被覆材。
【請求項２】
上記の第１表面(11)における生理食塩水との接触角が８５度以上である、請求項１に記載の創傷被覆材。
【請求項３】
上記の第１表面(11)における表面張力が４０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である、請求項１または２に記載の創傷被覆材。
【請求項４】
上記の第１表面(11)は、シリコーン、ポリウレタン、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマーおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群から選ばれる１以上の撥水性物質により被覆してある、請求項１〜３のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項５】
上記のシート材は、生理食塩水との接触角が８５度以上のポリオレフィン樹脂材料を用いて形成してある、請求項１〜４のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項６】
上記のシート材は、低密度ポリエチレン樹脂材料を用いて形成してある、請求項１〜４のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項７】
上記の第１表面(11)と第２表面(12)との間の寸法は１００〜２０００μｍであり、
前記の貫通孔(13)は、上記の第１表面(11)での開口面積が直径２８０〜１４００μｍの円形に相当し、上記の第２表面(12)での開口面積が上記の第１表面(11)での開口面積より小であり、５０〜４００個／ｃｍ２の密度で存在する、請求項１〜６のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項８】
上記の吸収保持層(３)の、上記の透液層(１)とは反対側に、第２の透液層(1a)がさらに積層してある、請求項１〜７のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項９】
上記の吸収保持層(３)の、創傷側とは反対側の表面に保護層(４)をさらに備え、この保護層(４)は、樹脂フィルム、織布、編布もしくは不織布からなる、請求項１〜７のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項１０】
上記の保護層(４)は他の全ての層を覆うとともに、この他の層より広い面積に形成されて、他の層の外側にはみ出した外縁部(６)を備えており、
上記の外縁部(６)は上記の他の層が積層された側の表面の少なくとも一部に粘着部(７)を有する、請求項９に記載の創傷被覆材。
【請求項１１】
上記の保護層(４)は、上記の外縁部(６)に粘着部(７)を有しない非粘着部(８)を備えている、請求項１０に記載の創傷被覆材。
【請求項１２】
上記の保護層(４)は、上記の他の層の外側に、上記の外縁部(６)が形成されていない部分を備えている、請求項１０に記載の創傷被覆材。
【請求項１３】
上記の保護層(４)は、上記の外縁部(６)に、スリット(９)もしくは小孔を上記の他の層の外周に沿って備えている、請求項１０に記載の創傷被覆材。
【請求項１４】
上記の透液層(１・1a)と上記の吸収保持層(３)との間に透液制限層(２)が設けてあり、
この透液制限層(２)は疎水性材料で形成された、微多孔質のフィルム、織布、編布または不織布からなり、この透液制限層(２)を介して上記の透液層(１)から吸収保持層(３)への液体の移動を許容する、請求項１〜１３のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項１５】
前記の透液制限層(２)はポリオレフィン系樹脂からなり、ＪＩＳ Ｌ １０９６に従って測定される通気度が５〜２０００ｃｍ３／ｃｍ２・Ｓであり、ＪＩＳ Ｌ １０９２に従って測定される撥水度が３級以上である、請求項１４に記載の創傷被覆材。
【請求項１６】
前記の透液制限層(２)が、ポリプロピレン繊維からなる不織布を用いて形成してある、請求項１４または請求項１５に記載の創傷被覆材。
【請求項１７】
前記の吸収保持層(３)はエアレイド不織布を用いて形成してある、請求項１〜１６のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項１８】
前記の吸収保持層(３)はフラッフパルプを有する、請求項１〜１７のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項１９】
前記の吸収保持層(３)はさらに高吸収性ポリマーを有し、この高吸収性ポリマーと上記のフラッフパルプとの重量比が１０：９０〜２５：７５である、請求項１８に記載の創傷被覆材。
【請求項２０】
上記の高吸収性ポリマーがポリアクリル酸ナトリウム系である、請求項１９に記載の創傷被覆材。
【請求項２１】
上記の吸収保持層(３)は上記の透液層(１)と一体化されておらず、透液層(１)の第２表面(12)に沿って移動可能である、請求項１に記載の創傷被覆材。
【請求項２２】
前記の吸収保持層(３)が、少なくとも創傷部位に沿って変形可能な伸縮性を備える、請求項１〜２１のいずれかに記載の創傷被覆材。
【請求項２３】
前記の創傷部位(15)と対面する側とは反対側の表面に粘着層(21)を有する、請求項１〜２２のいずれかに記載の創傷被覆材。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を実行可能な遊技機であって、
表示状態を変化可能な表示領域を有する表示装置と、
前記表示領域の遊技者側に重なる第１位置と前記表示領域の遊技者側に重ならない第２位置とに変位可能な可動部材を有する可動装置と、
遊技状態を制御する遊技制御手段と、
前記表示装置と前記可動装置とを制御して遊技演出を実行する演出制御手段とを備え、
前記演出制御手段は、前記可動部材が前記第１位置のときにも前記表示領域の表示状態を予め定められた演出用表示状態に制御して前記遊技演出を実行し、
前記演出制御手段は、所定の報知条件が成立したことを条件として実行中の前記遊技演出を中止させる報知時演出制御手段を含み、
前記報知時演出制御手段は、
前記可動部材が前記第１位置のときに前記報知条件が成立したことを条件として、前記可動部材を前記第２位置に変位させ、
前記報知条件が成立したことを条件として、当該報知条件に応じた報知情報を前記表示領域に表示させることを特徴とする、遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚泥に高分子凝集剤を添加する高分子凝集剤添加手段と、
前記高分子凝集剤を添加した後の前記汚泥の少なくとも一部を固液分離し、凝集汚泥および分離液を排出する濃縮部と、
前記分離液に晶析法を適用してリンを回収し、残部であるアルカリ性脱リン液を排出するリン回収部と、
前記凝集汚泥に無機凝集剤を添加する無機凝集剤添加手段と、
前記無機凝集剤を添加した後の前記凝集汚泥を脱水処理し、脱水汚泥および酸性脱水液を排出する脱水部と、
前記アルカリ性脱リン液および前記酸性脱水液を混合し中和処理液を排出する混合部と、
を備えることを特徴とする汚泥処理装置。
【請求項２】
リン含有率が高い汚泥Ａおよび相対的にリン含有率が低い汚泥Ｂに高分子凝集剤を添加する高分子凝集剤添加手段と、
前記高分子凝集剤を添加した後の前記汚泥Ａの少なくとも一部を固液分離し、凝集汚泥Ａおよび分離液Ａを排出する濃縮部Ａと、
前記高分子凝集剤を添加した後の前記汚泥Ｂの少なくとも一部を固液分離し、凝集汚泥Ｂおよび分離液Ｂを排出する濃縮部Ｂと、
前記分離液Ａに晶析法を適用してリンを回収し、残部であるアルカリ性脱リン液を排出するリン回収部と、
前記凝集汚泥Ａおよび前記凝集汚泥Ｂを混合してなる混合汚泥ＡＢ、又は、前記凝集汚泥Ａおよび前記凝集汚泥Ｂの各々に、無機凝集剤を添加する無機凝集剤添加手段と、
前記無機凝集剤を添加した後の前記混合汚泥ＡＢ、又は、前記無機凝集剤を添加した後の前記凝集汚泥Ａおよび前記凝集汚泥Ｂの各々を、脱水処理し、脱水汚泥および酸性脱水液を排出する脱水部と、
前記アルカリ性脱リン液、前記分離液Ｂおよび前記酸性脱水液を混合し中和処理液を排出する混合部と、
を備えることを特徴とする汚泥処理装置。
【請求項３】
前記リン回収部からのアルカリ性脱リン液を、前記混合部に供給する循環部と、
前記循環部内の液体の少なくとも一部を前記リン回収部へ返送する返送手段と、
前記脱水部からの酸性脱水液を前記循環部と前記混合部とに分配する分配手段γと、
を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の汚泥処理装置。
【請求項４】
前記循環部内のｐＨが所望の値に低下しない場合、前記アルカリ性脱リン液を、前記循環部を経由せずに前記混合部へ供給する分配手段δを備えることを特徴とする請求項３に記載の汚泥処理装置。
【請求項５】
前記リン回収部のｐＨが適正範囲より高い場合、前記分配手段γにより、前記酸性脱水液を前記循環部に供給し、該循環部内の液体のｐＨを適正値にした後、該液体を前記返送手段によりリン回収部へ供給することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の汚泥処理装置。
【請求項６】
前記濃縮部の前段に、前記高分子凝集剤を添加した後の前記汚泥を撹拌する撹拌装置をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の汚泥処理装置。
【請求項７】
汚泥に高分子凝集剤を添加し、その後、前記汚泥の少なくとも一部を固液分離して凝集汚泥および分離液を排出する濃縮工程と、
前記分離液に晶析法を適用してリンを回収し、残部であるアルカリ性脱リン液を排出するリン回収工程と、
前記凝集汚泥に無機凝集剤を添加後、前記凝集汚泥を脱水処理して脱水汚泥および酸性脱水液を排出する脱水工程と、
前記アルカリ性脱リン液および前記酸性脱水液が混合されてなる中和処理液を排出する混合工程と、
を備えることを特徴とするリンの製造方法。
【請求項８】
前記濃縮工程が、前記汚泥に高分子凝集剤を添加した後、撹拌し、その後、前記汚泥の少なくとも一部を固液分離して凝集汚泥および分離液を排出する工程である、請求項７に記載のリンの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の汚泥処理装置を用いて行うことを特徴とする請求項７または８に記載のリンの製造方法。
【請求項１０】
前記中和処理液を生物処理する生物処理部を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の汚泥処理装置。