(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記反応容器内に、５００℃以上８００℃未満の温度条件下で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程と、
前記反応容器内のシリコン単結晶基板を、水素雰囲気中８００℃以上１０００℃以下の温度条件下で熱処理する水素熱処理工程と、
前記反応容器内のシリコン単結晶基板の主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満の温度条件下でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、を備え、
前記塩化水素処理工程と、水素熱処理工程と、気相成長工程と、をこの順に行い、
前記シリコン単結晶基板を前記反応容器内に投入後、昇温する過程で、前記塩化水素処理工程を開始することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記反応容器内に、５００℃以上８００℃未満の温度条件下で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程と、
前記反応容器内のシリコン単結晶基板を、水素雰囲気中８００℃以上１０００℃以下の温度条件下で熱処理する水素熱処理工程と、
前記反応容器内のシリコン単結晶基板の主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満の温度条件下でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、を備え、
前記水素熱処理工程と、塩化水素処理工程と、気相成長工程と、をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記気相成長工程を、５５０℃以上７００℃未満の温度条件下で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
複数枚のシリコン単結晶基板を反応容器内に互いに上下に間隔を設けて略水平状態に配置し、これらシリコン単結晶基板を反応容器の周囲に配設された加熱装置により加熱して前記気相成長を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン単結晶基板（以下、シリコン基板と略称することがある。）の主表面上にシリコンエピタキシャル層（以下、エピタキシャル層と略称することがある。）を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハ（以下、エピタキシャルウェーハと略称することがある。）を製造する方法の１つとして、ホットウォール方式の縦型減圧ＣＶＤ装置を用い、その反応容器内を、（主流の温度条件である１１００℃程度と比べて）比較的低温（例えば、６００℃〜１０００℃）、且つ、減圧状態に設定し、モノシランガス或いはジクロロシランガスをシリコン原料ガスとして気相成長を行う方法（以下、低温エピタキシャル成長ともいう。）が知られている。
この低温エピタキシャル成長の場合、低温であるが故に、加熱によってシリコン基板からエピタキシャル層へのドーパントの外方拡散が発生してしまうことを抑制できるため、基板とエピタキシャル層との境界における抵抗率変化（或いはドーパント濃度変化）の急峻性を好適に得られるという利点がある。また、エピタキシャル層の成長速度は（高温の場合と比べて）遅いものの、いわゆるボートに搭載した多数枚（例えば２５〜１００枚程度）のシリコン基板に対し、一度に気相成長を行うことができるため、非常に生産性が良いという利点もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように、ホットウォール方式の縦型減圧ＣＶＤ装置を用いて低温エピタキシャル成長を行うと、成長したエピタキシャル層のヘイズレベル（面荒れの程度）が大きくなるため、表面状態が良好なエピタキシャルウェーハを得ることが困難である。
【０００４】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、表面状態が良好なエピタキシャルウェーハを製造することを可能とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
気相成長中、反応容器内を減圧環境にするためには、例えば、油拡散式などのポンプを用いて、反応容器内の雰囲気を吸引するようにしている。このため、ポンプを備える排気管内には、（ポンプの油を元とする）多くの炭素化合物が浮遊している。ところで、減圧環境下では、常圧環境下と比べて障害物（分子数）が少ないために分子の移動性が高まるため、排気管内の炭素化合物が反応容器内に逆流しやすい（オイルバックと称する）。このオイルバック等の影響で、反応容器内には炭素化合物が存在する。気相成長の際に、このような炭素化合物が反応容器内に存在すると、製造されるエピタキシャルウェーハの表面にヘイズが発生しやすい。
【０００６】
そこで、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、反応容器内に、５００℃以上８００℃未満の温度条件下で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程と、反応容器内のシリコン単結晶基板を、水素雰囲気中８００℃以上１０００℃以下の温度条件下で熱処理する水素熱処理工程と、反応容器内のシリコン単結晶基板の主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満の温度条件下、より好ましくは、５５０℃以上７００℃未満の温度条件下でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、を行うことを特徴としている。
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、より具体的には、塩化水素処理工程と、水素熱処理工程と、気相成長工程と、をこの順に行うことが好ましい一例である。この場合に、シリコン単結晶基板を前記反応容器内に投入後、昇温する過程で、塩化水素処理工程を開始するようにしても良い。
或いは、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、水素熱処理工程と、塩化水素処理工程と、気相成長工程と、をこの順に行うことも好ましい一例である。
なお、本発明は、複数枚のシリコン単結晶基板を反応容器内に互いに上下に間隔を設けて略水平状態に配置し、これらシリコン単結晶基板を反応容器の周囲に配設された加熱装置により加熱して気相成長を行う場合等に有用である。
【０００７】
ここで、塩化水素ガスは、ヘイズの発生原因となる炭素化合物を、その結合力を弱めて容易に分解してガス化させることができる。つまり、塩化水素処理工程を行うことにより、反応容器内の炭素化合物をガス化して、該反応容器内から容易に排除（排気）することができるようになる。従って、塩化水素処理工程を行うことにより、反応容器内を気相成長に適した清浄な環境に整えることができる。
また、水素熱処理工程を行うことによりシリコン単結晶基板表面から自然酸化膜を除去して該表面を、気相成長に適したベアな状態にすることができる。
つまり、本発明によれば、塩化水素処理工程を行うことにより反応容器内の環境を整えるとともに、水素熱処理工程を行うことによりシリコン単結晶基板の表面を気相成長に適した状態にした上で、適切な温度条件で気相成長を行うことにより、低温でも面荒れが少なく表面状態の良いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明する。
【０００９】
先ず、図１を参照して、本実施の形態で用いる気相成長装置の好適な一例としてのホットウォール方式の縦型減圧ＣＶＤ装置１を説明する。
この縦型減圧ＣＶＤ装置１は、例えば、石英などからなる反応容器２と、該反応容器２内にガスを導入するためのガス導入管３と、該反応容器２内からガスを排気するための排気管４と、該反応容器２の周囲に配設された加熱装置５と、該反応容器２内に配されるボート１０を支持して、該ボート１０をその鉛直軸周りに回転駆動する駆動装置６と、反応容器２内を減圧するための図示しない真空ポンプ等を備えて概略構成されている。
【００１０】
また、ボート１０は、多数枚（例えば２５枚〜１００枚程度）のシリコン単結晶基板Ｗ（以下、シリコン基板Ｗと略称する。）を、互いに上下に間隔を設けて各々略水平状態に搭載可能に構成されている。
なお、図１には、多数枚のシリコン基板Ｗが配置（搭載）されたボート１０を反応容器２内に配置した状態を示すが、この図１では、簡単のため、シリコン基板Ｗの数を少なく記載しているとともに、図示したシリコン基板Ｗのうちで、最上段および最下段のシリコン基板Ｗにのみ符号を付している。
【００１１】
次に、以上のような構成の縦型減圧ＣＶＤ装置１を用いて行う本実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。
【００１２】
＜シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法＞
先ず、シリコン基板Ｗを反応容器２内に投入する。即ち、予め多数枚のシリコン基板Ｗが搭載されたボート１０を、反応容器２内に搬入する（図２のステップＳ１（投入工程））。
なお、この段階では、反応容器２内には、ガス導入管３を介して、Ｎ2ガスがパージガスとして導入されている。
【００１３】
次に、反応容器２内へのＮ2ガスの導入を停止する一方で、真空ポンプを駆動して、反応容器２内を、例えば１ｍｍＴｏｒｒ程度（０．１３Ｐａ程度）に減圧する（図２のステップＳ２（減圧工程））。
【００１４】
次に、反応容器２内にＨ2を導入しながら、該反応容器２内を、加熱装置５により次工程の塩化水素処理工程を行う温度条件（５００℃以上８００℃未満；好ましくは、例えば７００℃程度）となるまで昇温する（図２のステップＳ３（昇温工程））。
【００１５】
次に、塩化水素処理工程（図２のステップＳ４）を行う。すなわち、ステップＳ３による昇温後の温度に保ったままの反応容器２内に塩化水素ガス（ＨＣｌ）を所定時間（例えば５分間以上３０分間未満；より具体的には、例えば１０分間程度）導入する。塩化水素処理工程を行う温度が５００℃未満では塩化水素が炭素化合物を十分に分解除去することができず、８００℃以上ではシリコン基板Ｗの表面が腐食されてヘイズが生ずることがあり、好ましくない。
なお、反応容器２内には、オイルバック等の影響で、炭素化合物が存在するが、このように反応容器２内に塩化水素ガスを導入することにより、炭素化合物を、その結合力を弱めて容易に分解させることができる。このように分解された炭素化合物はガス化するので、反応容器から排出されやすくなる。
つまり、反応容器２内に塩化水素ガスを導入することにより、反応容器２内の炭素化合物を分解して容易に除去（排気）することができ、これにより、該反応容器２内を清浄化して気相成長に適した環境に整えることができる。
【００１６】
次に、塩化水素ガスの導入を終了する一方で、加熱装置５によって、反応容器２内を、次工程の水素熱処理工程を行う温度条件（８００℃以上１０００℃以下；好ましくは、例えば９５０℃程度）となるまで昇温する（図２のステップＳ５（昇温工程））。
【００１７】
次に、水素熱処理工程（図２のステップＳ６）を行う。すなわち、ステップＳ５による昇温後の温度に所定時間、例えば３０分間程度保持する。この段階では、引き続き反応容器２内には水素ガスが導入され続けているので、この水素熱処理工程を行うことにより、シリコン基板Ｗは水素雰囲気中で水素熱処理（水素エッチング）されて、その表面上の自然酸化膜が除去され、該表面が露出する（ベアな状態となる）。水素熱処理工程を行う温度が８００℃未満では水素が自然酸化膜を十分にエッチングすることができず、１０００℃を越えるとドーパントの外方拡散やスリップ転位欠陥の発生等が顕著になり、低温エピタキシャル成長の効果が十分に得られなくなるので好ましくない。
【００１８】
次に、加熱装置５の出力を下げることにより、反応容器２内を、次工程の気相成長工程を行う温度条件（５５０℃以上７５０℃未満；好ましくは５５０℃以上７００℃未満、例えば６６０℃程度）となるまで降温する（図２のステップＳ７（降温工程））。
【００１９】
次に、気相成長工程（図２のステップＳ８）を行う。すなわち、反応容器２内のシリコン基板Ｗの主表面上に、シリコン原料ガスとしてモノシランガス（ＳｉＨ4）を供給することにより、シリコン基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長して、シリコンエピタキシャルウェーハ（以下、エピタキシャルウェーハと略称することがある。）を製造する。
なお、先の塩化水素処理工程を行うことにより、反応容器２内からは炭素化合物が除去されているのに加えて、水素熱処理工程を行うことにより、シリコン基板Ｗの主表面がベアな状態になっていて、しかも、この気相成長を行う温度条件（５５０℃以上７５０℃未満；好ましくは５５０℃以上７００℃未満、例えば６６０℃程度）は、後述するように面荒れを抑制するのに適切な条件であるため、この気相成長工程では、面荒れが少なく表面状態の良いエピタキシャルウェーハを製造することができる。
ここで、モノシランガスを用いる場合、５５０℃未満の温度でシリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法により気相成長することは困難であり、逆に７５０℃以上の温度では気相中でのモノシランの熱分解が激しくなり、パーティクルが多数発生するので好ましくない。
【００２０】
次に、反応容器２内へのモノシランガスの導入を終了する一方で、反応容器２内を、シリコンエピタキシャルウェーハの取り出しに適した温度（例えば、４００℃程度）に降温する（図２のステップＳ９（降温工程））。
【００２１】
次に、反応容器２内に導入するガスを、Ｈ2ガスからＮ2ガスに切り換えるとともに、反応容器２内を常圧化した（図２のステップＳ１０（常圧化工程））後、反応容器２から、例えばボート１０ごと、エピタキシャルウェーハを取り出す（図２のステップＳ１１（取り出し工程））。
【００２２】
以上のような実施の形態によれば、塩化水素処理工程を行うことにより反応容器２内を清浄化して該反応容器２内の環境を整えるとともに、水素熱処理工程を行うことによりシリコン基板Ｗの表面を気相成長に適したベアな状態にして、適切な温度条件で気相成長を行うことにより、面荒れが少なく表面状態の良いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００２３】
ここで、図３に、上記の実施の形態の製造方法に従い上記の塩化水素処理工程を７００℃で行って製造したエピタキシャルウェーハ面内におけるヘイズレベル（図３（ａ））、塩化水素処理工程を本発明の温度条件範囲外の４００℃で行う他は上記の実施の形態の製造方法に従って製造したエピタキシャルウェーハ面内におけるヘイズレベル（図３（ｂ））、塩化水素処理工程を行わない他は上記の実施の形態の製造方法に従って製造したエピタキシャルウェーハ面内におけるヘイズレベル（図３（ｃ））をそれぞれ示す。なお、この図３では、エピタキシャルウェーハ面内において、ヘイズレベルが１ｐｐｍ以上の部分のみを網掛けで示す。ヘイズによる散乱光の大きさは入射光強度に対する比で表され、入射光強度１に対し強度がその１００万分の１の散乱光の場合、その散乱光の大きさを１ｐｐｍとして表す。
図３（ｃ）に示すように、塩化水素処理工程を行わないで製造したエピタキシャルウェーハは、主表面の周辺部においてヘイズレベルが悪い。
また、図３（ｂ）に示すように、塩化水素処理工程を４００℃で行って製造したエピタキシャルウェーハは、塩化水素処理工程を行わない場合よりは改善が見られるものの、やはり周辺部においてヘイズレベルが悪い。つまり、塩化水素処理を４００℃で行った場合は、反応容器２内の清浄化が十分でない。
これらに対し、図３（ａ）に示すように、塩化水素処理工程を７００℃で行って製造したエピタキシャルウェーハは、ヘイズレベルが１ｐｐｍ以上の部分がエピタキシャルウェーハ面内において見られない。つまり、塩化水素処理を７００℃で行うことにより、反応容器２内の清浄化が十分に図れることが分かる。
また、これら３つの方法で製造したエピタキシャルウェーハ主表面の周辺部における炭素濃度を比較する棒グラフを図４に示す。
図４に示すように、エピタキシャルウェーハ主表面の周辺部における炭素濃度も、塩化水素処理工程を７００℃で行って製造した場合が最も低くなる。
【００２４】
次に、図５に、上記の実施の形態の製造方法に従いモノシランガスを用いて上記の気相成長工程を６６０℃で行って製造したエピタキシャルウェーハ面内におけるヘイズの分布（図５（ａ））と、上記の気相成長工程を本発明の温度条件範囲外の７００℃で行う他は上記の実施の形態の製造方法に従って製造したエピタキシャルウェーハ面内におけるヘイズの分布（図５（ｂ））とを示す。
図５に示すように、７００℃で気相成長工程を行った場合は、エピタキシャルウェーハ全面に薄く２ｐｐｍレベルのヘイズが分布しているが、６６０℃で気相成長工程を行った場合のヘイズレベルは、約０．２ｐｐｍである。つまり、モノシランガスをシリコン原料ガスとして使用する場合に面荒れを抑制するのに適切な７００℃未満の温度条件下で気相成長工程を行うことにより、面荒れが少なく表面状態の良いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。ただし、モノシランガスを用いて７００℃以上７５０℃未満の温度条件下で気相成長を行って製造したエピタキシャルウェーハに生じるレベルのヘイズは、研磨を施すことにより改善することができる。
【００２５】
＜変形例１＞
上記の実施の形態では、塩化水素処理工程を行う際に、反応容器２内を一定温度に保持する例について説明したが、これに限らず、例えば、シリコン基板Ｗを反応容器２内に投入後、昇温する過程で、塩化水素処理工程を開始しても良い。即ち、例えば図６に示すように、図２におけるステップＳ３、Ｓ４、Ｓ５の代わりに以下に説明するステップＳ２１を行っても良い。
図６におけるステップＳ２１の昇温工程では、加熱装置５によって加熱することにより、反応容器２内を、次工程の水素熱処理工程を行う温度条件（８００℃以上１０００℃以下；好ましくは、例えば９５０℃程度）となるまで昇温する。そして、この昇温の過程において、反応容器２内の温度が５００℃以上８００℃未満の状態時に、反応容器２内に塩化水素ガスを所定時間（例えば５分間以上３０分間未満；より具体的には、例えば１０分間程度）導入することにより、塩化水素処理工程を行う。
なお、この変形例１では、ステップＳ３、Ｓ４、Ｓ５の代わりにステップＳ２１を行う他は、上記の実施の形態（図２）の場合における各工程と同様であるので、その説明を省略する。
この変形例１によれば、シリコンエピタキシャルウェーハの製造における時間効率が一層高まる。
【００２６】
＜変形例２＞
上記の実施の形態、並びに、変形例１では、塩化水素処理工程を行った後に水素熱処理工程を行う例について説明したが、これに加えて、水素熱処理工程後にも塩化水素処理工程（第２の塩化水素処理工程）を行うようにしても良い。
すなわち、この変形例２では、例えば図７に示すように、水素熱処理工程（ステップＳ６）を行った後、塩化水素処理工程を行う温度条件（５００℃以上８００℃未満；好ましくは、例えば７００℃程度）となるまで降温する（ステップＳ３１）。
そして、第２の塩化水素処理工程（ステップＳ３２）は、この温度条件に保持した状態で、反応容器２内に塩化水素ガスを所定時間（例えば５分間以上３０分間未満；より具体的には、例えば１０分間程度）導入することにより行う。
その後は、反応容器２内を、モノシランガスをシリコン原料ガスとして使用する場合の気相成長に適した温度条件（５５０℃以上７５０℃未満；好ましくは５５０℃以上７００℃未満、例えば６６０℃程度）となるまで降温し（ステップＳ３３）、ステップＳ８の気相成長工程以降を行う。
なお、この変形例２では、図６におけるステップＳ７の代わりに図７に示すステップＳ３１，３２，３３を行う他は、上記の変形例１（図６）の場合と同様であるので、その説明を省略する。
この変形例２によれば、気相成長工程直前に第２の塩化水素処理工程を行うので、反応容器２内の清浄化をより好適に行うことができる。
【００２７】
＜変形例３＞
上記の実施の形態、並びに、変形例１では、塩化水素処理工程を行った後に水素熱処理工程を行う例について説明したが、塩化水素処理工程を水素熱処理工程後にのみ行うようにしても良い。
即ち、例えば図８に示すように、図７におけるステップＳ２１の代わりに以下に説明するステップＳ４１を行うと良い。
図８におけるステップＳ４１の昇温工程では、反応容器２内にＨ2を導入しながら、該反応容器２内を、加熱装置５により次工程の水素熱処理工程を行う温度条件（８００℃以上１０００℃以下；好ましくは、例えば９５０℃程度）となるまで昇温する。
この変形例３では、ステップＳ２１の代わりにステップＳ４１を行う他は、上記の変形例２（図７）の場合における各工程と同様であるので、その説明を省略する。
【００２８】
なお、この変形例３、並びに、変形例２では、水素熱処理工程後に、塩化水素処理工程を行う際に、反応容器２内を一定温度（例えば、７００℃程度）に保持する例について説明したが、これに限らず、例えば、反応容器２内を水素熱処理工程の温度（例えば９５０℃程度）から気相成長工程の温度（例えば６６０℃程度）に降温する過程で、塩化水素処理工程を行うようにしても良い。この場合、シリコンエピタキシャルウェーハの製造における時間効率が一層高まる。
【００２９】
また、上記においては、縦型減圧ＣＶＤ装置１を用いる例について説明したが、これに限らず、（例えば枚葉式の）減圧ＣＶＤ装置を用いてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合に本発明を適用しても良い。
【００３０】
【発明の効果】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、塩化水素処理工程を行うことにより反応容器内の炭素化合物をガス化・排気して該反応容器内の環境を整えるとともに、水素熱処理工程を行うことによりシリコン単結晶基板の表面を気相成長に適した状態にした上で、適切な温度条件で気相成長を行うことにより、面荒れが少なく表面状態の良いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ホットウォール方式の縦型減圧ＣＶＤ装置を示す模式的な正面断面図である。
【図２】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一例における各工程を説明するための図であり、時間経過に応じて実施する工程と、各工程における反応容器内の温度および反応容器内に導入するガスとの対応を示す。
【図３】シリコンエピタキシャルウェーハ主表面のヘイズレベルを示す図であり、このうち（ａ）は塩化水素処理工程を７００℃で行った場合、（ｂ）は塩化水素処理工程を４００℃で行った場合、（ｃ）は塩化水素処理工程を行わなかった場合を示す。
【図４】シリコンエピタキシャルウェーハ主表面の周辺部における炭素濃度を示す図である。
【図５】シリコンエピタキシャルウェーハ主表面におけるヘイズレベルを示す図であり、このうち（ａ）は気相成長温度が６６０℃の場合、（ｂ）は７００℃の場合を示す。
【図６】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一例における各工程を説明するための図であり、時間経過に応じて実施する工程と、各工程における反応容器内の温度および反応容器内に導入するガスとの対応を示す。
【図７】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一例における各工程を説明するための図であり、時間経過に応じて実施する工程と、各工程における反応容器内の温度および反応容器内に導入するガスとの対応を示す。
【図８】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一例における各工程を説明するための図であり、時間経過に応じて実施する工程と、各工程における反応容器内の温度および反応容器内に導入するガスとの対応を示す。
【符号の説明】
２      反応容器
Ｗ      シリコン単結晶基板
【図１】
0004215447.tif 000002
【図２】
0004215447.tif 000003
【図３】
0004215447.tif 000004
【図４】
0004215447.tif 000005
【図５】
0004215447.tif 000006
【図６】
0004215447.tif 000007
【図７】
0004215447.tif 000008
【図８】
0004215447.tif 000009