【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタライズ配線を有する基板であって、
前記メタライズ配線は、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合し、前記基板の一面上に付着されており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
基板。
【請求項２】
請求項１に記載された基板であって、前記メタライズ配線は、金属膜の上に形成され、前記メタライズ層が前記金属膜の上に付着している、基板。
【請求項３】
基板と、電子部品とを含む電子機器であって、
前記基板は、請求項１又は２に記載されたものでなり、
前記電子部品は、前記メタライズ層に電気的に接続されている、
電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載された電子機器であって、コンピュータ、モバイル情報機器、コンピュータ周辺端末装置、ＯＡ機器、通信機器、業務用情報端末・自動認識装置、カーエレクトロニクス機器、産業用機械、エンターテインメント機器、音響機器、映像機器又は家庭用電気機器の群から選択された少なくとも一種である。
【請求項５】
複数のチップ部品を積層した電子部品であって、
前記複数のチップ部品は、メタライズ配線によって接合されており、
前記メタライズ配線は、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層分は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っており、
前記チップ部品は、その端子電極が前記メタライズ層に電気的に接続されている、
電子部品。
【請求項６】
半導体基板と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含む太陽電池であって、
前記半導体基板は、ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層を有しており、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
太陽電池。
【請求項７】
太陽電池を含む太陽光発電装置であって、
前記太陽電池は、半導体基板と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含んでおり、
前記半導体基板は、ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層を有しており、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
太陽光発電装置。
【請求項８】
発光素子と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含む発光ダイオードであって、
前記発光素子は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とを積層した構造を含んでおり、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
発光ダイオード。
【請求項９】
発光ダイオードを有する発光装置であって、
前記発光ダイオードは、発光素子と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含んでおり、
前記発光素子は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とを積層した構造を含んでおり、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
発光装置。
【請求項１０】
発光ダイオードを有する照明装置であって、
前記発光ダイオードは、発光素子と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含んでおり、
前記発光素子は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とを積層した構造を含んでおり、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
照明装置。
【請求項１１】
発光ダイオードを有する信号灯であって、
前記発光ダイオードは、発光素子と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含んでおり、
前記発光素子は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを積層した構造を含んでおり、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている。
【請求項１２】
液晶パネルと、バックライトとを含む液晶ディスプレイであって、
前記バックライトは、前記液晶パネルを照射するものであって、複数の発光ダイオードを配列したものでなり、
前記発光ダイオードは、発光素子と、第１メタライズ配線と、第２メタライズ配線とを含んでおり、
前記発光素子は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とを積層した構造を含んでおり、
前記第１メタライズ配線は、前記ｎ型半導体層に接続されており、
前記第２メタライズ配線は、前記ｐ型半導体層に接続されており、
前記第１メタライズ配線及び前記第２メタライズ配線のそれぞれは、メタライズ層と、絶縁樹脂層とを含んでおり、
前記メタライズ層は、高融点金属成分と、低融点金属成分と、カーボンナノチューブとを含み、前記高融点金属成分及び前記低融点金属成分が互いに拡散接合しており、
前記絶縁樹脂層は、前記メタライズ層と同時に形成され、前記メタライズ層の外面を覆っている、
信号灯。