(57)【要約】  本発明に係る画素構造１０は、薄膜トランジスタ基板２０、カラーフィルタ基板３０及び液晶層４０を備える。薄膜トランジスタ基板２０は、第１透明基板２２及び画素電極２４を備える。カラーフィルタ基板３０は、第２透明基板３２及び共通電極３４を備える。画素電極２４は、第１サブ画素電極２６及び第２サブ画素電極２８を備える。共通電極３４は、第１サブ共通電極３６及び第２サブ共通電極３８を備える。第１サブ画素電極２６と第１サブ共通電極３６とは第１電圧差を有する。第２サブ画素電極２８と第２サブ共通電極３８とは第２電圧差を有する。第１電圧差は第２電圧差より大きいか又は小さい。
2016537676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって、
前記薄膜トランジスタ基板は、第１透明基板と、前記カラーフィルタ基板に向ける前記第１透明基板の一側に設けられる画素電極とを備え、前記カラーフィルタ基板は、第２透明基板と、前記薄膜トランジスタ基板に向ける該第２透明基板の一側に設けられる共通電極とを備え、前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え、前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し、前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さいことを特徴とする画素構造。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え、前記データ線と前記ゲート電極線とによって１個の画素領域が形成され、前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み、前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し、前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し、前記画素構造は、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成することを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え、前記第１薄膜トランジスタは、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し、前記第２薄膜トランジスタは、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し、前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され、前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され、前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極、前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され、前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され、前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され、前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極、前記第２蓄積容量に電気接続されることを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項４】
前記第１、第２サブ共通電極はいずれも、成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、前記第１、第２サブ画素電極はいずれも、成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項５】
前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し、該第１サブ共通電極は、第１櫛本体と、一端が該第１櫛本体に連結される複数の第１櫛歯とを備え、前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し、該第２サブ共通電極は、第２櫛本体と、一端が該第２櫛本体に連結される複数の第２櫛歯とを備え、前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項６】
前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項７】
前記第１、第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき、前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより、前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいくなるか或いは小さくなることを特徴とする請求項６に記載の画素構造。
【請求項８】
前記画素構造は８個のドメイン設計を採用し、８個のドメインのうち４個のドメインは前記第１サブ画素領域に位置し、他の４個のドメインは前記第２サブ画素領域に位置することを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項９】
前記第１透明基板はガラス基板又はプラスチック基板であり、前記第２透明基板はガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項１０】
前記薄膜トランジスタ基板は前記第１透明基板に形成される第３薄膜トランジスタをさらに備え、前記第３薄膜トランジスタは、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極を有し、前記第３ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され、前記第３ソース電極は前記データ線に電気接続され、前記第３ドレイン電極はそれぞれ第１サブ画素電極、第２サブ画素電極、第１蓄積容量、第２蓄積容量に電気接続されることを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項１１】
薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向するように配置されるカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置される液晶層とを備える画素構造であって、
前記薄膜トランジスタ基板は、第１透明基板と、該第１透明基板の、前記カラーフィルタ基板に向ける側に設けられる画素電極とを備え、前記カラーフィルタ基板は、第２透明基板と、該第２透明基板の、前記薄膜トランジスタ基板に向ける側に設けられる共通電極とを備え、前記画素電極は第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え、前記共通電極は第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し、前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きいか或いは小さく、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に配置されるデータ線及びゲート電極線をさらに備え、前記データ線と前記ゲート電極線とは１個の画素領域を定義し、前記画素領域は第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み、前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し、前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し、前記画素構造は、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に形成される第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え、前記第１薄膜トランジスタは、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し、前記第２薄膜トランジスタは、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し、前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され、前記第１ソース電極は前記データ線に電気接続され、前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極、前記第１蓄積容量にそれぞれ電気接続され、前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気接続され、前記第２ソース電極は前記データ線に電気接続され、前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極、前記第２蓄積容量に電気接続され、
前記第１、第２サブ共通電極はいずれも、成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、前記第１、第２サブ画素電極はいずれも、成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、
前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し、該第１サブ共通電極は、第１櫛本体と、一端が該第１櫛本体に連結されている複数の第１櫛歯とを備え、前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し、該第２サブ共通電極は、第２櫛本体と、一端が該第２櫛本体に連結されている複数の第２櫛歯とを備え、前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置され、
前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であることを特徴とする画素構造。
【請求項１２】
前記第１、第２サブ共通電極に駆動電圧を印加するとき、前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とが異なる電位を有することにより、前記第１電圧差は前記第２電圧差より大きくなるか或いは小さくなることを特徴とする請求項１１に記載の画素構造。
【請求項１３】
前記画素構造は８個のドメイン設計を採用し、８個のドメインのうち４個のドメインは前記第１サブ画素領域に位置し、他の４個のドメインは前記第２サブ画素領域に位置することを特徴とする請求項１１に記載の画素構造。
【請求項１４】
前記第１透明基板はガラス基板又はプラスチック基板であり、前記第２透明基板はガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする請求項１１に記載の画素構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示技術分野に関し、特に画素構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、その薄型化、節電、無放射などの多いメリットによって広く使用されている。現在市販されている液晶表示装置は殆どが、バックライト型の液晶表示装置であり、液晶表示パネルおよびバックライトモジュール（backlight  module）を備えている。液晶表示パネルの動作原理は、２枚の平行なガラス基板の間に液晶分子を配置し、バックライトモジュールの光線が屈折して透過するように２枚のガラス基板に駆動電圧を印加することにより、液晶分子の配向方向を制御し、画像を生成することである。液晶表示パネル自身が発光することができないので、バックライトモジュールが提供する光源で画像を表示する必要がある。すなわち、バックライトモジュールは、液晶表示装置における重要な部材の１つである。バックライトモジュールは、光源の入射位置によってエッジ型バックライトモジュールと直下型バックライトモジュールを含む２種類に分けられる。直下型バックライトモジュールは、発光光源、例えばＣＣＦＬ（Cold  Cathode  Fluorescent  Lamp、冷陰極蛍光管）またはＬＥＤ（Light  Emitting  Diode、発光ダイオード）を液晶表示パネルの後方に配置することにより、直接面光源を形成し、これを液晶表示パネルに提供する。エッジ型バックライトモジュールは、バックライト光源としてのＬＥＤライドバー（Lightbar）を液晶表示パネルの後方の裏板のエッジに配置する。ＬＥＤライドバーが出射する光線は、導光板（ＬＧＰ、Light  Guide  Plate）の一側の入射面から入射し、該導光板中の反射および拡散によって導光板の出射面から出射する。この後、これが光学フィルム群を経由することにより、面光源を形成し、これを液晶表示パネルに提供する。
【０００３】
従来の液晶表示装置、特に大型の液晶表示装置では、大きい視角で視聴するときに色ずれが発生し、視角が大きくなるほど色ずれはひどくなる。視角を向上しつつ色ずれを低下させるために、一般に大型の液晶表示装置に対して低い色ずれ（Ｌｏｗ  ｃｏｌｏｒ  ｓｈｉｆｔ）の設計を行い、一般に画素のドメイン（ｄｏｍａｉｎ）を増加し、１個の画素は一般に４個のドメインに分けられることができる。１個の画素が２個の画素領域、すなわちメイン画素領域とサブ画素領域とに分けられる場合は、ドメインが８個に増加されて、視角を向上させ、大きい視角時の色ずれが改善される。
【０００４】
メイン画素領域とサブ画素領域とは、２個またはその以上の異なる薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）によって給電される。図１および図２を参照すれば、それは普通の低い色ずれ設計の画素構造を示す図およびその等価回路図であり、１個の画素１０２がメイン画素領域１０４とサブ画素領域１０６とに分けられ、Ｇｎ番目のゲート電極線が導通されれば、第１薄膜トランジスタ（Ｍａｉｎ  ＴＦＴ）２０２と第２薄膜トランジスタ（Ｓｕｂ  ＴＦＴ）２０４とを介して電荷をそれぞれ画素１０２のメイン画素領域１０４の第１蓄積容量Ｃｓｔ１とサブ画素領域１０６の第２蓄積容量Ｃｓｔ２とに送る。Ｇｎ番目のゲート電極線が遮断され、Ｇｎ＋１番目のゲート電極線が導通されれば、第３の薄膜トランジスタ（Ｃｈａｒｇｅ  ｓｈａｒｉｎｇ  ＴＦＴ，Ｔｃｓ）２０６が導通されて、サブ画素領域１０６の第２蓄積容量Ｃｓｔ２における一部の電荷を充電共通容量Ｃｂに放出させる。このように、メイン画素領域１０４とサブ画素領域１０６とに電位差を発生させて、色ずれの低下の目的を成し遂げる。
【０００５】
上述した画素構造は低い色ずれを実現することができるが、１個の画素に対して３個の薄膜トランジスタおよび２本のゲート電極線で画素の充電を制御する必要がある。これは、画素の開口率に対して非常に大きい損失をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、第１サブ画素電極と第１サブ共通電極とが有する第１電圧差が第２サブ画素電極と第２サブ共通電極とが有する第２電圧差より大きいか又は小さいように、カラーフィルタ基板における第１、第２サブ共通電極に異なる電位の電圧を提供することによって、開口率を低下させない前提下で、大型のパネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する画素構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置されたカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置された液晶層とを備える画素構造を提供する。前記薄膜トランジスタ基板は、第１透明基板と、該第１透明基板の、前記カラーフィルタ基板に向ける側に設けられた画素電極とを備え、前記カラーフィルタ基板は、第２透明基板と、該第２透明基板の、前記薄膜トランジスタ基板に向ける側に設けられた共通電極とを備え、前記画素電極は、第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え、前記共通電極は、第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し、前記第１電圧差が前記第２電圧差より大きいか又は小さい。
【０００８】
また、前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に配置されているデータ線及びゲート電極線をさらに備え、前記データ線と前記ゲート電極線とは１個の画素領域を定義し、前記画素領域は、第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み、前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し、前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し、前記画素構造は、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成する。
【０００９】
また、前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に形成されている第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え、前記第１薄膜トランジスタは、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し、前記第２薄膜トランジスタは、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し、前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気的に接続され、前記第１ソース電極は前記データ線に電気的に接続され、前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極、前記第１蓄積容量にそれぞれ電気的に接続され、前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気的に接続され、前記第２ソース電極は前記データ線に電気的に接続され、前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極、前記第２蓄積容量に電気的に接続されている。
【００１０】
また、前記第１、第２サブ共通電極は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、前記第１、第２サブ画素電極は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成される。
【００１１】
また、前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し、該第１サブ共通電極は、第１櫛本体と、一端が該第１櫛本体に連結されている複数の第１櫛歯とを備え、前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し、該第２サブ共通電極は、第２櫛本体と、一端が該第２櫛本体に連結されている複数の第２櫛歯とを備え、前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置されている。
【００１２】
また、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流である。
【００１３】
また、前記第１、第２サブ共通電極に駆動電圧を印加したときに、前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とに異なる電位を有することにより、前記第１電圧差が前記第２電圧差より大きいか又は小さいものとなる。
【００１４】
また、前記画素構造は、８個のドメイン設計を採用し、８個のドメインのうち、４個のドメインは前記第１サブ画素領域に位置し、他の４個のドメインは前記第２サブ画素領域に位置する。
【００１５】
また、前記第１透明基板は、ガラス基板又はプラスチック基板であり、前記第２透明基板は、ガラス基板又はプラスチック基板である。
【００１６】
また、前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に形成されている第３薄膜トランジスタをさらに備え、前記第３薄膜トランジスタは、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極を有し、前記第３ゲート電極は前記ゲート電極線に電気的に接続され、前記第３ソース電極は前記データ線に電気的に接続され、前記第３ドレイン電極は第１サブ画素電極、第２サブ画素電極、第１蓄積容量、第２蓄積容量にそれぞれ電気的に接続される。
【００１７】
また、本発明は、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置されたカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置された液晶層とを備える画素構造も提供する。前記薄膜トランジスタ基板は、第１透明基板と、該第１透明基板の、前記カラーフィルタ基板に向ける側に設けられた画素電極とを備え、前記カラーフィルタ基板は、第２透明基板と、該第２透明基板の、前記薄膜トランジスタ基板に向ける側に設けられた共通電極とを備え、前記画素電極は、第１サブ画素電極及び第２サブ画素電極を備え、前記共通電極は、第１サブ共通電極及び第２サブ共通電極を備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは第１電圧差を有し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは第２電圧差を有し、前記第１電圧差が前記第２電圧差より大きいか又は小さく、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に配置されているデータ線及びゲート電極線をさらに備え、前記データ線と前記ゲート電極線とは１個の画素領域を定義し、前記画素領域は、第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み、前記第１サブ画素電極は前記第１サブ画素領域に位置し、前記第２サブ画素電極は前記第２サブ画素領域に位置し、前記画素構造は、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量と、前記第１透明基板と前記第２透明基板との間に形成されかつ充電後に前記第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量とをさらに備え、前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とは前記第１サブ画素領域の第１液晶容量を構成し、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とは前記第２サブ画素領域の第２液晶容量を構成し、
前記薄膜トランジスタ基板は、前記第１透明基板に形成されている第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタをさらに備え、前記第１薄膜トランジスタは、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を有し、前記第２薄膜トランジスタは、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し、前記第１ゲート電極は前記ゲート電極線に電気的に接続され、前記第１ソース電極は前記データ線に電気的に接続され、前記第１ドレイン電極は前記第１サブ画素電極、前記第１蓄積容量にそれぞれ電気的に接続され、前記第２ゲート電極は前記ゲート電極線に電気的に接続され、前記第２ソース電極は前記データ線に電気的に接続され、前記第２ドレイン電極は前記第２サブ画素電極、前記第２蓄積容量に電気的に接続されており、
前記第１、第２サブ共通電極は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、前記第１、第２サブ画素電極は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、
前記第１サブ共通電極は櫛状を呈し、該第１サブ共通電極は、第１櫛本体と、一端が該第１櫛本体に連結されている複数の第１櫛歯とを備え、前記第２サブ共通電極は櫛状を呈し、該第２サブ共通電極は、第２櫛本体と、一端が該第２櫛本体に連結されている複数の第２櫛歯とを備え、前記第１櫛歯と前記第２櫛歯とは交互に配置されており、
前記第１サブ画素電極と前記第１サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流であり、前記第２サブ画素電極と前記第２サブ共通電極とに印加される駆動電圧は矩形波の交流である。
【００１８】
また、前記第１、第２サブ共通電極に駆動電圧を印加したときに、前記第１サブ共通電極と前記第２サブ共通電極とに異なる電位を有することにより、前記第１電圧差が前記第２電圧差より大きいか又は小さいものとなる。
【００１９】
また、前記画素構造は、８個のドメイン設計を採用し、８個のドメインのうち、４個のドメインは前記第１サブ画素領域に位置し、他の４個のドメインは前記第２サブ画素領域に位置する。
【００２０】
また、前記第１透明基板は、ガラス基板又はプラスチック基板であり、前記第２透明基板は、ガラス基板又はプラスチック基板である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の画素構造は、第１サブ画素電極と第１サブ共通電極とが有する第１電圧差が第２サブ画素電極と第２サブ共通電極とが有する第２電圧差より大きいか又は小さいように、カラーフィルタ基板における第１、第２サブ共通電極に異なる電位の電圧を提供することによって、開口率を低下させない前提下で、大型のパネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する。
【００２２】
本発明の特徴及び技術内容をより明確に了解させるために、以下、本発明に関する詳細な説明及び図面を提供したが、図面は参考及び説明するためのものにすぎず、本発明に対して限定するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
以下、本発明の技術内容およびその技術効果が自明になるように、図面を参照しながら本発明に係る具体的な実施形態について説明する。
【図１】従来技術における低い色ずれ設計の画素構造を示す図である。
【図２】図１に示した画素構造の等価回路図である。
【図３】本発明に係る画素構造を示す図である。
【図４】本発明に係る画素構造の実施形態の一例の俯瞰図である。
【図５】図４に示した画素構造の等価回路図である。
【図６】本発明に係る画素構造における第１サブ共通電極と第２サブ共通電極との構造を示す図である。
【図７】本発明に係る画素構造において第１サブ画素電極と第１サブ共通電極とに印加された電圧の波形図である。
【図８】本発明に係る画素構造において第２サブ画素電極と第２サブ共通電極とに印加された電圧の波形図である。
【図９】本発明に係る画素構造の他の実施形態の一例の俯瞰図である。
【図１０】図９に示した画素構造の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の技術手段およびその効果をさらに陳述するために、本発明の好ましい実施形態及びその図面を併せて参照しながら説明する。
【００２５】
図３から図８を参照すれば、本発明に係る画素構造１０は、薄膜トランジスタ基板２０と、薄膜トランジスタ基板２０と対向して配置されたカラーフィルタ基板３０と、薄膜トランジスタ基板２０とカラーフィルタ基板３０との間に配置された液晶層４０とを備える。
【００２６】
前記薄膜トランジスタ基板２０は、第１透明基板２２と、第１透明基板２２の、カラーフィルタ基板３０に向ける側に設けられた画素電極２４とを備え、前記カラーフィルタ基板３０は、第２透明基板３２と、第２透明基板３２の、薄膜トランジスタ基板２０に向ける側に設けられた共通電極３４とを備え、前記画素電極２４は、第１サブ画素電極２６及び第２サブ画素電極２８を備え、前記共通電極３４は、第１サブ共通電極３６及び第２サブ共通電極３８を備える。前記第１サブ画素電極２６と前記第１サブ共通電極３６とは第１電圧差Ｕ１を有し、前記第２サブ画素電極２８と前記第２サブ共通電極３８とは第２電圧差Ｕ２を有し、前記第１電圧差Ｕ１は前記第２電圧差Ｕ２より大きいか又は小さい。これらの構成により、従来技術における、ゲート電極線を増設すること及び画素電極側に充電共通容量を設けることを回避するとともに、１個又は２個の薄膜トランジスタを減少させて開口率の損失を回避することができるのによって、開口率を低下させない前提下で、大型のパネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する。
【００２７】
具体的には、前記薄膜トランジスタ基板２０は、前記第１透明基板２２に配置されているデータ線２３及びゲート電極線２５をさらに備え、走査信号及びデータ信号を提供する。前記データ線２３と前記ゲート電極線２５とが１個の画素領域（図示せず）を定義し、前記画素領域は、第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を含み、前記第１サブ画素電極２６は第１サブ画素領域に位置し、前記第２サブ画素電極２８は第２サブ画素領域に位置する。前記画素構造１０は、前記第１透明基板２２と前記第２透明基板３２との間に形成されかつ充電後に第１サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第１蓄積容量Ｃ１と、前記第１透明基板２２と前記第２透明基板３２との間に形成されかつ充電後に第２サブ画素領域に恒常の駆動電圧を提供する第２蓄積容量Ｃ１とをさらに備える。前記第１サブ画素電極２６と前記第１サブ共通電極３６とは第１サブ画素領域の第１液晶容量Ｃ３を構成し、前記第２サブ画素電極２８と前記第２サブ共通電極３８とは第２サブ画素領域の第２液晶容量Ｃ４を構成する。
【００２８】
図５を併せて参照すれば、本実施形態において、前記薄膜トランジスタ基板２０は、前記第１透明基板２２に形成されている第１薄膜トランジスタ２７及び第２薄膜トランジスタ２９をさらに備え、前記第１薄膜トランジスタ２７は、第１ゲート電極ｇ１、第１ソース電極ｓ１及び第１ドレイン電極ｄ１を有し、前記第２薄膜トランジスタ２９は、第２ゲート電極ｇ２、第２ソース電極ｓ２及び第２ドレイン電極ｄ２を有し、前記第１ゲート電極ｇ１はゲート電極線２５に電気的に接続され、前記第１ソース電極ｓ１はデータ線２３に電気的に接続され、前記第１ドレイン電極ｄ１は第１サブ画素電極２６、第１蓄積容量Ｃ１にそれぞれ電気的に接続され、前記第２ゲート電極ｇ２はゲート電極線２５に電気的に接続され、前記第２ソース電極ｓ２はデータ線２３に電気的に接続され、前記第２ドレイン電極ｄ２は第２サブ画素電極２８、第２蓄積容量Ｃ２にそれぞれ電気的に接続されている。第１、第２蓄積容量Ｃ１、Ｃ２の充電後に形成される駆動電圧によってそのフレーム内の第１、第２サブ画素領域の画像を維持する。本実施形態では、２個の薄膜トランジスタ２７、２９、１本のゲート電極線２５及び１本のデータ線２３のみを用いるので、開口率を保持することに有利する。即ち、開口率を低下させない前提下で、大きい視角での低い色ずれを実現することができる。
【００２９】
前記第１、第２サブ共通電極３６、３８は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で製作することが好ましい。前記第１、第２サブ画素電極２６、２８は、いずれも成膜工程、フォトレジスト塗布工程、露光工程、現像工程及びエッチング工程によって形成され、インジウムスズ酸化物で製作することが好ましい。
【００３０】
図６を参照すれば、前記第１サブ共通電極３６は櫛状を呈し、該第１サブ共通電極３６は、第１櫛本体４２と、一端が第１櫛本体４２に連結されている複数の第１櫛歯４４とを備え、前記第２サブ共通電極３８は櫛状を呈し、該第２サブ共通電極３８は、第２櫛本体４６と、一端が第２櫛本体４６に連結されている複数の第２櫛歯４８とを備え、前記第１櫛歯４４と前記第２櫛歯４８とは交互に配置されている。
【００３１】
図７及び図８を参照すれば、前記第１サブ画素電極２６と前記第１サブ共通電極３６とに印加される駆動電圧は矩形波の交流５３、５４であり、前記第２サブ画素電極２８と前記第２サブ共通電極３８とに印加される駆動電圧は矩形波の交流５６、５８である。本発明は、導電性の球状金属顆粒を介して第１、第２サブ共通電極３６、３８のそれぞれに駆動電圧を印加したときに、前記第１サブ共通電極３６と前記第２サブ共通電極３８とに異なる電位を有し、前記第１サブ画素電極２６と前記第２サブ画素電極２８との電位が同じであることにより、第１電圧差が第２電圧差より大きいか又は小さくて、大型の液晶表示パネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する。
【００３２】
前記画素構造１０は、８個のドメイン設計を採用することによって、即ち、１個の画素構造１０に合計８個の液晶配向を有することによって、大きい視角となる。図４に示したように、８個のドメインのうち、４個のドメインは前記第１サブ画素領域に位置し、他の４個のドメインは前記第２サブ画素領域に位置する。
【００３３】
前記第１透明基板２２は、ガラス基板又はプラスチック基板であり、前記第２透明基板３２は、ガラス基板又はプラスチック基板である。
【００３４】
図９及び図１０を参照すれば、他の実施形態の一例として、薄膜トランジスタ基板２０′には１個の薄膜トランジスタのみ、即ち図９及び図１０に示した第３薄膜トランジスタ５２のみ設けられており、第３薄膜トランジスタ５２で第１サブ画素電極２６′と第２サブ画素電極２８′とを同時に駆動する簡単な構造によって、開口率の向上に有利である。前記第３薄膜トランジスタ５２は、第３ゲート電極ｇ３、第３ソース電極ｓ３及び第３ドレイン電極ｄ３を有し、前記第３ゲート電極ｇ３はゲート電極線２５′に電気的に接続され、前記第３ソース電極ｓ３はデータ線２５′に電気的に接続され、前記第３ドレイン電極ｄ３は第１サブ画素電極２６′、第２サブ画素電極２８′、第１蓄積容量Ｃ１、第２蓄積容量Ｃ２にそれぞれ電気的に接続され、本実施形態における他の構成は上述した実施形態と同じである。
【００３５】
よって、本発明は、第１サブ画素電極と第１サブ共通電極とが有する第１電圧差が第２サブ画素電極と第２サブ共通電極とが有する第２電圧差より大きいか又は小さいように、カラーフィルタ基板における第１、第２サブ共通電極に異なる電位の電圧を提供することによって、開口率を低下させない前提下で、大型のパネルにおける大きい視角での色ずれの問題を改善する画素構造を提供する。
【００３６】
当業者であれば、本発明の技術内容及び技術思想に基づいて相応的な修正及び変更を行うことはできるが、これらの修正及び変更は本発明の特許請求の範囲に属すべきものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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