【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を静電吸着力により保持した状態で搬送される基板ホルダへの前記半導体基板の載置状態を検出する吸着検出方法であって、
前記基板ホルダに前記半導体基板を載置する載置ステップと、
前記基板ホルダに第１電圧を印加する電圧印加ステップと、
前記第１電圧を印加したときの電流値を計測する計測ステップと、
前記計測ステップで計測された電流値に基づいて、前記基板ホルダへの前記半導体基板の載置状態を検出する検出ステップと、
を含む吸着検出方法。
【請求項２】
前記検出ステップでは、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないときの電流値に対する電流値の差を検出し、前記差に基づいて前記載置状態を検出する請求項１に記載の吸着検出方法。
【請求項３】
前記検出ステップでは、前記基板ホルダに前記半導体基板が吸着されたか否かを検出する請求項１または２に記載の吸着検出方法。
【請求項４】
前記検出ステップにより前記基板ホルダに前記半導体基板が吸着されたことが検出された場合に、前記第１電圧よりも小さい第２電圧を前記基板ホルダに印加する吸着電圧ステップを含む請求項３に記載の吸着検出方法。
【請求項５】
前記吸着電圧ステップの後に、前記電圧印加ステップ、前記検出ステップおよび前記吸着電圧ステップをこの順で繰り返す請求項４に記載の吸着検出方法。
【請求項６】
前記検出ステップにおける前記検出に用いる閾値を設定する閾値設定ステップを含む請求項１から５のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項７】
前記閾値設定ステップでは、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないときの電流値と、吸着されているときの電流値との差に基づいて前記閾値を設定する請求項６に記載の吸着検出方法。
【請求項８】
前記半導体基板が前記基板ホルダ上に吸着されたか否かを外観観察する外観観察ステップを含み、
前記閾値設定ステップでは、前記外観観察ステップで前記半導体基板が前記基板ホルダ上に吸着されたことが観察された場合と観察されなかった場合との電流値の差に基づいて、前記閾値を設定する請求項７に記載の吸着検出方法。
【請求項９】
前記外観観察ステップでは、前記半導体基板が前記基板ホルダ上に載置されたことが観察された場合に、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されているとする請求項８に記載の吸着検出方法。
【請求項１０】
前記閾値設定ステップは、ロット毎に前記閾値を設定する請求項６から９のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１１】
前記閾値設定ステップは、前記基板ホルダ毎に前記閾値を設定する請求項６から９のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１２】
前記閾値設定ステップは、前記半導体基板の種類および状態の少なくとも一方に応じて前記閾値を設定する請求項６から９のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１３】
前記半導体基板が、複数の半導体基板が積層された積層基板であるか否かを検出する積層基板検出ステップをさらに含み、
前記電圧印加ステップにおいて、前記積層基板検出ステップで前記半導体基板が積層基板であることが検出された場合に、前記半導体基板が積層基板でないと検出された場合よりも低い電圧を印加する請求項１から１２のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１４】
前記検出ステップで前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないと検出された場合に警告する警告ステップを有する請求項１から１３のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１５】
前記警告ステップでは、警告をモニタに表示する請求項１４に記載の吸着検出方法。
【請求項１６】
前記検出ステップでは、前記電圧を印加したときの漏れ電流を計測する請求項１から１５のいずれか一項に記載の吸着検出方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の吸着検出方法を用いて前記基板ホルダに吸着されたと検出された前記半導体基板と、他の半導体基板とを互いに位置合わせする位置合わせステップと、
位置合わせされた前記半導体基板同士を貼り合わせる貼り合わせステップと、
を含む積層半導体製造方法。
【請求項１８】
前記半導体基板を吸着した状態で前記基板ホルダを搬送する搬送ステップを含み、
前記搬送ステップでの搬送中に、請求項１から１６のいずれか一項に記載の吸着検出方法を用いて前記吸着が検出される請求項１７に記載の積層半導体製造方法。
【請求項１９】
前記検出ステップで前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないと検出された場合に、前記位置合わせステップ、前記貼り合わせステップおよび前記搬送ステップのすくなくとも一つの動作を停止する請求項１８に記載の積層半導体製造方法。
【請求項２０】
半導体基板を静電吸着力により保持した状態で搬送される基板ホルダに前記半導体基板を吸着させる吸着装置であって、
前記基板ホルダに第１電圧を印加する電圧源と、
前記基板ホルダに第１電圧を印加した状態で電流値を計測する電流計と、
前記電流計の電流値に基づいて前記基板ホルダへの前記半導体基板の載置状態を検出する検出部と、
を備える吸着装置。
【請求項２１】
前記検出部は、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないときの電流値に対する電流値の差を検出し、前記差に基づいて前記載置状態を検出する請求項２０に記載の吸着装置。
【請求項２２】
前記検出部は、前記基板ホルダに前記半導体基板が吸着されたか否かを検出する請求項２０または２１に記載の吸着装置。
【請求項２３】
前記電圧源は、前記検出部が前記基板ホルダに前記半導体基板が吸着されたことを検出した場合に、前記電圧よりも低い吸着電圧を前記基板ホルダに印加する請求項２２に記載の吸着装置。
【請求項２４】
前記検出部による前記検出に用いる閾値を設定する閾値設定部を備える請求項２０から２３のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項２５】
前記閾値設定部は、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないときの電流値と、吸着されているときの電流値との差に基づいて前記閾値を設定する請求項２４に記載の吸着装置。
【請求項２６】
前記半導体基板が前記基板ホルダ上に吸着されたか否かを外観観察する外観観察部を備え、
前記閾値設定部は、前記外観観察部で前記半導体基板が前記基板ホルダ上に吸着されたことが観察された場合と観察されなかった場合との電流値の差に基づいて、前記閾値を設定する請求項２４に記載の吸着装置。
【請求項２７】
前記外観観察部は、前記半導体基板が前記基板ホルダ上に載置されたことが観察された場合に、前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されているとする請求項２６に記載の吸着装置。
【請求項２８】
前記閾値設定部は、ロット毎に前記閾値を設定する請求項２４から２７のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項２９】
前記閾値設定部は、前記基板ホルダ毎に前記閾値を設定する請求項２４から２７のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項３０】
前記閾値設定部は、前記半導体基板の種類および状態の少なくとも一方に応じて前記閾値を設定する請求項２４から２７のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項３１】
前記半導体基板が、複数の半導体基板が積層された積層基板であるか否かを検出する積層基板検出部をさらに含み、
前記電圧源は、前記積層基板検出部で前記半導体基板が積層基板であることが検出された場合に、前記半導体基板が積層基板でないと検出された場合よりも低い電圧を印加する請求項２４から３０のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項３２】
前記検出部で前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないと検出された場合に警告する警告部を備える請求項２０から３１のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項３３】
前記警告部は、警告を表示するモニタを有する請求項３２に記載の吸着装置。
【請求項３４】
前記検出部は、前記電圧を印加したときの漏れ電流を計測する請求項２０から３３のいずれか一項に記載の吸着装置。
【請求項３５】
請求項２０から３４のいずれか一項に記載の吸着装置を用いて前記基板ホルダに吸着されたと検出された前記半導体基板と、他の半導体基板とを互いに位置合わせする位置合わせ部と、
位置合わせされた前記半導体基板同士を貼り合わせる貼り合わせ部とを備える積層半導体製造装置。
【請求項３６】
前記半導体基板を吸着した状態で前記基板ホルダを搬送する搬送部を備え、
前記搬送部により搬送中に、請求項２０から３４のいずれか一項に記載の吸着装置を用いて前記吸着が検出される請求項３５に記載の積層半導体製造装置。
【請求項３７】
前記検出部で前記半導体基板が前記基板ホルダに吸着されていないと検出された場合に、前記位置合わせ部、前記貼り合わせ部および前記搬送部のすくなくとも一つの動作を停止する請求項３６に記載の積層半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】吸着検出方法、積層半導体製造方法、吸着装置および積層半導体製造装置