Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線源からのＸ線を回折する回折格子と、
前記回折格子を透過したＸ線の強度分布を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線検出器で検出された強度分布から、被検物の位相情報を演算する演算手段と、を有するＸ線撮像装置であって、
前記Ｘ線検出器は、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、を検出し、前記演算手段は、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との差分の周波数スペクトルを演算し、
前記周波数スペクトルから前記位相情報を演算することを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項２】
前記第２の強度分布は、
前記Ｘ線検出器上で前記第１の強度分布が前記第１の強度分布の周期方向に半周期だけずれた強度分布であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像装置。
【請求項３】
前記回折格子と前記Ｘ線検出器の間に配置されている遮蔽部材を有し、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布とは、
前記回折格子による強度分布と、前記強度分布の一部を周期的に遮光する前記遮蔽部材とにより形成されるモアレ縞であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線撮像装置。
【請求項４】
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布とは、２方向に周期を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【請求項５】
前記第１の強度分布をＩＡ、
前記第１の強度分布を第１の方向に移動して検出した第２の強度分布をＩＢ、
前記第１の強度分布を前記第１の方向と垂直な第２の方向に移動して検出した強度分布をＩＣ、
前記第１の強度分布を前記第１の方向および第２の方向に移動して検出した強度分布をＩＤとするとき、
前記演算手段は、下記の式を満たす強度分布ＩＥの空間周波数スペクトルを演算し、該空間周波数スペクトルから前記位相情報を演算することを特徴とする請求項４に記載のＸ線撮像装置。
ＩＥ＝ＩＡ−ＩＢ−ＩＣ＋ＩＤ
【請求項６】
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との周期は、前記Ｘ線検出器の画素のサイズの４倍であり、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との周期方向は、前記Ｘ線検出器の画素の配列方向と一致しており、
前記演算手段は、前記周波数スペクトルから、前記強度分布の周期方向において周波数がゼロからナイキスト周波数までを含み、
前記強度分布の周期方向に垂直な方向においてナイキスト周波数間の周波数を含む、長方形領域を切り出すことを特徴とする請求項４または５に記載のＸ線撮像装置。
【請求項７】
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との周期は、前記Ｘ線検出器の画素サイズの２√２倍であり、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との周期方向は、前記Ｘ線検出器の画素配列に対し４５°傾いており、
前記演算手段は、前記周波数スペクトルから、前記Ｘ線検出器の画素配列の２つの周期方向のそれぞれにおいて、周波数がゼロからナイキスト周波数までを含む正方形領域を切り出すことを特徴とする請求項４または５に記載のＸ線撮像装置。
【請求項８】
Ｘ線源からのＸ線を回折する回折格子と、
前記回折格子を透過したＸ線の強度分布を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線検出器で検出された強度分布から、被検物の位相情報を演算する演算手段と、を有するＸ線撮像装置であって、
前記Ｘ線検出器は、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、を検出し  、
前記演算手段は、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との差分を演算することで得られる強度分布をフーリエ変換すること、または、前記第１の強度分布と前記第２の強度分布をそれぞれフーリエ変換して得られた周波数スペクトルの差分をとることで、前記位相情報を演算することを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項９】
光源と、
前記光源から照射された光線の位相もしくは強度を周期的に変調する回折格子と、
前記回折格子を透過もしくは反射した光線によるタルボ効果によって生じる強度分布、もしくはさらに遮光部材を配置することによって生じるモアレ縞の強度分布を取得する検出器と、
前記光源と前記回折格子の間、または前記回折格子と撮像装置の間に配置した被検物を透過した光線の微分位相分布を得る演算手段とを有し、前記被検物の透過波面を計測する波面計測装置であって、
前記検出器は、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、を検出し、前記演算手段は、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との差分の周波数スペクトルを演算し、
前記周波数スペクトルから前記位相情報を演算することを特徴とする波面計測装置。
【請求項１０】
複数の強度分布から被検体の位相情報を演算するプログラムであって、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、の差分の周波数スペクトルを演算し、
前記周波数スペクトルから前記位相情報を演算することをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
複数の強度分布から被検体の位相情報を演算するプログラムであって、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、の差分を演算することで得られる強度分布をフーリエ変換すること、または、前記第１の強度分布と、前記第２の強度分布と、をそれぞれフーリエ変換して得られた周波数スペクトルの差分をとることで、前記位相情報を演算することをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のＸ線撮像装置は、Ｘ線源からのＸ線を回折する回折格子と、
前記回折格子を透過したＸ線の強度分布を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線検出器で検出された強度分布から、被検物の位相情報を演算する演算手段と、を有するＸ線撮像装置であって、
前記Ｘ線検出器は、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、を検出し、前記演算手段は、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との差分の周波数スペクトルを演算し、
前記周波数スペクトルから前記位相情報を演算することを特徴とする。
また、本発明の波面計測装置は、
光源と、
前記光源から照射された光線の位相もしくは強度を周期的に変調する回折格子と、
前記回折格子を透過もしくは反射した光線によるタルボ効果によって生じる強度分布、もしくはさらに遮光部材を配置することによって生じるモアレ縞の強度分布を取得する検出器と、
前記光源と前記回折格子の間、または前記回折格子と撮像装置の間に配置した被検物を透過した光線の微分位相分布を得る演算手段とを有し、前記被検物の透過波面を計測する波面計測装置であって、
前記検出器は、
第１の強度分布と、該第１の強度分布と異なる第２の強度分布と、を検出し、前記演算手段は、
前記第１の強度分布と前記第２の強度分布との差分の周波数スペクトルを演算し、
前記周波数スペクトルから前記位相情報を演算することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の湿度インジケータ用塗料は、少なくとも、電子供与性呈色化合物と、常温において固体である酸性化合物と、潮解物質と、水系樹脂エマルジョンと、水溶性高分子化合物とからなる。即ち、本発明の湿度インジケータの呈色組成物中の樹脂バインダーは、水系樹脂エマルジョンと水溶性高分子化合物とに由来する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（実施例１、比較例１−１、１−２）
電子供与性呈色化合物としてロイコ染料「ＢＬＵＥ−６３」（山本化成（株）製）１．５重量部、シュウ酸２水和物（和光純薬工業（株）製）０．５重量部、臭化マグネシウム（和光純薬工業（株）製）５重量部、アクリルエマルジョン「ＤＩＣＮＡＬＥ−８２０３ＷＨ」（大日本インキ化学工業（株）製；固形成分４５重量％）４０重量部、ＩＰＡ２０重量部の混合溶液に、ＰＶＰ「Ｋ３０」（和光純薬工業（株）製）を０〜９．００重量部添加し、塗料が均一になるように攪拌した。この塗料を、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、１２μｍ厚み）にワイヤーバー♯１０を用いて塗工し、８０℃で１分間乾燥させ、湿度インジケータを得た。塗布量は乾燥塗料で３ｇ／ｍ2であった。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月26日(2012.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信アンテナと、
少なくとも二つの受信アンテナと、
周波数変調された送信信号を、前記送信アンテナを介して送信される送信波として送信する送信部と、
前記送信波が静止ターゲットと移動ターゲットを含むターゲットで反射された反射波であって、前記少なくとも二つの受信アンテナを介して受信される反射波を、各受信アンテナの受信信号として受信する受信部と、
前記送信信号と前記各受信アンテナの受信信号から生成されるビート信号のピーク周波数の位相差を算出し、算出された位相差に基づいて前記ターゲットの方位を算出する方位算出部と、
前記方位算出部で算出された位相差を記憶領域に記憶させる記憶部と、
前記方位算出部で算出された方位に関する方位情報を含む予測情報であって、前記ビート信号のピーク周波数の変化を予測する予測情報に基づいて、複数のターゲットのピーク周波数が重なるか否かを予測する予測部と、
前記記憶領域に記憶される位相差に基づいて、前記ピーク周波数が重なる際の静止ターゲットの予測位相差を算出し、前記方位算出部で算出された位相差と前記静止ターゲットの予測位相差に基づいて移動ターゲットの予測位相差を算出する予測位相差算出部と、を備え、
前記方位算出部は、前記予測部が前記ピーク周波数が重なると予測した場合、前記予測位相差算出部で算出された前記移動ターゲットの予測位相差に基づいて前記ターゲットの方位を算出する、レーダシステム。
【請求項２】
前記予測位相差算出部は、前記記憶領域に記憶される位相差に基づいて、前記ピーク周波数が重なる際の前記静止ターゲットの位相差を静止ターゲットの予測位相差として算出し、前記方位算出部で算出された位相差と前記静止ターゲットの予測位相差の差分から前記移動ターゲットの位相差を移動ターゲットの予測位相差として算出する、請求項１に記載のレーダシステム。
【請求項３】
前記予測位相差算出部で算出された静止ターゲットの予測位相差と前記方位算出部で算出された位相差との差分が所定の範囲内であるか否かを判断する判断部を更に備え、
前記予測位相差算出部は、前記判断部が静止ターゲットの予測位相差と前記位相差との差分が所定の範囲内でないと判断した場合、前記方位算出部で算出された位相差と前記静止ターゲットの予測位相差に基づいて移動ターゲットの予測位相差を算出する、請求項１又は２に記載のレーダシステム。
【請求項４】
周波数変調された送信信号を、送信アンテナを介して送信される送信波として送信する送信ステップと、
前記送信波が静止ターゲットと移動ターゲットを含むターゲットで反射された反射波であって、少なくとも二つの受信アンテナを介して受信される反射波を、各受信アンテナの受信信号として受信する受信ステップと、
前記送信信号と前記各受信アンテナの受信信号から生成されるビート信号のピーク周波数の位相差を算出し、算出された位相差に基づいて前記ターゲットの方位を算出する方位算出ステップと、
前記方位算出ステップで算出された位相差を記憶領域に記憶させる記憶ステップと、
前記方位算出ステップで算出された方位に関する方位情報を含む予測情報であって、前記ビート信号のピーク周波数の変化を予測する予測情報に基づいて、複数のターゲットのピーク周波数が重なるか否かを予測する予測ステップと、
前記記憶領域に記憶される位相差に基づいて、前記ピーク周波数が重なる際の静止ターゲットの予測位相差を算出し、前記方位算出ステップで算出された位相差と前記静止ターゲットの予測位相差に基づいて移動ターゲットの予測位相差を算出する予測位相差算出ステップと、をコンピュータが実行し、
前記方位算出ステップでは、前記予測ステップで前記ピーク周波数が重なると予測された場合、前記予測位相差算出ステップで算出された前記移動ターゲットの予測位相差に基づいて前記ターゲットの方位を算出する、方位算出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察するための試料を搭載し、移動して試料の観察位置を変更することのできる試料台を備えた荷電粒子顕微鏡と荷電粒子顕微鏡で計測した信号を画像として取得する画像入力装置と、入力した画像を保存するための記憶装置と、画像に処理を施し種々の補正を行うための演算装置と補正を行う条件を入力するための入力装置と、補正を行った画像を出力するための出力装置を備えた荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
試料観察中に発生する試料台の移動に起因する観察画像の歪を当該観察画像のライン単位で検出し、検出した前記歪をライン単位で補正して、前記歪を軽減した画像を出力することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
１枚の観察画像の歪を補正するために、補正用参照画像を１枚取得することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
前記観察画像より補正用参照画像を短時間で計測することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項４】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
前記観察画像の横方向の歪を補正用参照画像との比較により、前記観察画像の横方向のラインのドリフト量として検出し、前記観察画像の歪を補正することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項５】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
前記観察画像の縦方向の歪を補正用参照画像との比較により、前記観察画像の縦方向のラインのドリフト量として検出し、前記観察画像の歪を補正することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項６】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
前記観察画像の横方向および縦方向のドリフト量において、当該ドリフト量より近似曲線を求め、当該近似曲線から求められたドリフト量を補正量として前記観察画像の歪を補正することを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【請求項７】
請求項１に記載の荷電粒子顕微鏡システムにおいて、
前記観察画像のドリフトの有無を操作画面上に表示させることを特徴とする荷電粒子顕微鏡システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局装置と通信する基地局装置であって、
前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを、ＲＲＣシグナリングにより前記移動局装置に通知することを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項３】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項４】
基地局装置と通信する移動局装置であって、
前記基地局装置からＲＲＣシグナリングにより通知される前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを受信することを特徴とする移動局装置。
【請求項５】
前記移動局装置は、前記受信した情報を前記別の基地局装置から送信されるセル固有参照信号から受ける干渉を軽減するために用いることを特徴とする請求項４記載の移動局装置。
【請求項６】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項４記載の移動局装置。
【請求項７】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項４記載の移動局装置。
【請求項８】
移動局装置と通信する基地局装置における送信方法であって、
前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを、ＲＲＣシグナリングにより前記移動局装置に通知することを特徴とする送信方法。
【請求項９】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項８記載の送信方法。
【請求項１０】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項８記載の送信方法。
【請求項１１】
基地局装置と通信する移動局装置における受信方法であって、
前記基地局装置からＲＲＣシグナリングにより通知される前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを受信することを特徴とする受信方法。
【請求項１２】
前記受信した情報を前記別の基地局装置から送信されるセル固有参照信号から受ける干渉を軽減するために用いることを特徴とする請求項１１記載の受信方法。
【請求項１３】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項１１記載の受信方法。
【請求項１４】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項１１記載の受信方法。
【請求項１５】
移動局装置と通信する基地局装置に実装される集積回路であって、
前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを、ＲＲＣシグナリングにより前記移動局装置に通知することを特徴とする集積回路。
【請求項１６】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項１５記載の集積回路。
【請求項１７】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項１５記載の集積回路。
【請求項１８】
基地局装置と通信する移動局装置に実装される集積回路であって、
前記基地局装置からＲＲＣシグナリングにより通知される前記基地局装置とは別の基地局装置のセルＩＤと、前記別の基地局装置におけるセル固有参照信号のアンテナポート数と、前記別の基地局装置がＭＢＳＦＮとして用いるＭＢＳＦＮサブフレームを示すサブフレーム情報とを受信することを特徴とする集積回路。
【請求項１９】
前記受信した情報を前記別の基地局装置から送信されるセル固有参照信号から受ける干渉を軽減するために用いることを特徴とする請求項１８記載の集積回路。
【請求項２０】
前記ＭＢＳＦＮサブフレームは、セル固有参照信号が配置されるＯＦＤＭシンボル領域と、セル固有参照信号が配置されないＯＦＤＭシンボル領域とを有することを特徴とする請求項１８記載の集積回路。
【請求項２１】
前記サブフレーム情報は、所定数のサブフレームにおけるＭＢＳＦＮの割り当てをサブフレーム毎に示すビットマップを含むことを特徴とする請求項１８記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体チップは、
平面視において、前記半導体チップの中央部を分担する中央部制御電極と、当該中央部の半導体チップの外周部を分担する外周部制御電極とを含み、
前記中央部制御電極に対応する前記応力検出用素子が、第１応力検出用素子として設けられ、
前記外周部制御電極に対応する前記応力検出用素子が、第２応力検出用素子として設けられる、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上のことから分かるように、半導体チップの薄厚化を行った場合には、半導体チップの中央部に大きな応力がかかり、半導体チップ面内での応力のばらつきが大きくなる結果、半導体チップ面内でのオン電圧のばらつきが大きくなってしまうことがあった。しかも、応力が変動すると、オン電圧だけでなく、ゲート閾値電圧（Ｖｔｈ）も変動する。このように、半導体チップ面内での電気的特性（オン電圧、ゲート閾値電圧）がばらつくと、半導体チップに部分的に大きな電流が流れてしまい、大きな電流が流れる部分での発熱が大きくなる。その結果、この場合には半導体装置の寿命が短くなることがあるという問題があった。そこで、本実施の形態に係る半導体装置においては、この問題を解決することが可能となっている。以下、当該半導体装置について詳細に説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置が備える半導体チップの構成を示す上面図である。この図に示されるように、この半導体装置は、制御電極であるゲート電極５を有する半導体チップ１を備えている。なお、ここでは、説明の便宜上、半導体チップ１は、ゲート電極５を有するＩＧＢＴを含んでいるものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図１５は、当該ウェハを示す図である。この図に示されるように、本実施の形態では、第２応力検出用素子７−２は、ウェハのダイシングライン７１の表面に形成されている。また、本実施の形態では、上述の端子２４，２７，２８も、ダイシングライン７１の表面に形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
以上のような本実施の形態に係る半導体装置の試験方法によれば、第２応力検出用素子７−２を、無効領域であるダイシングライン７１の表面に形成する。したがって、面積効率を向上させることができる。なお、本実施の形態では、端子２４，２７，２８もダイシングライン７１の表面に形成することから、面積効率をより向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
１  半導体チップ、５  ゲート電極、５ａ  中央部セル対応ゲート電極、５ｂ  外周部セル対応ゲート電極、７  応力検出用素子、７−１，７−３  第１応力検出用素子、７−２，７−４  第２応力検出用素子、７ａ，７ｂ  ピエゾ抵抗素子、３２  拡散層、３６  ポリシリコン層、６２  ベース板、６３  樹脂モールド、７１  ダイシングライン。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012169524.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
カソード同士が接続した第１および第２ダイオード並びにアノード同士が接続した第３および第４ダイオードを有し、前記第１および第３ダイオードが直列接続し、前記第２および第４ダイオードが直列接続して成るダイオードブリッジと、
前記第１ダイオードと第３ダイオードとの接続ノードに接続した第１スイッチング素子と、
前記第２ダイオードと第４ダイオードとの接続ノードに接続した第２スイッチング素子とを備え、
前記第１および第２ダイオードはワイドバンドギャップ半導体を用いて形成したショットキーバリアダイオードであり、
前記第３および第４ダイオード、並びに前記第１および第２スイッチング素子はシリコンを用いて形成したダイオード並びにスイッチング素子である
ことを特徴とする半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体モジュールは、カソード同士が接続した第１および第２ダイオード並びにアノード同士が接続した第３および第４ダイオードを有し、前記第１および第３ダイオードが直列接続し、前記第２および第４ダイオードが直列接続して成るダイオードブリッジと、前記第１ダイオードと第３ダイオードとの接続ノードに接続した第１スイッチング素子と、前記第２ダイオードと第４ダイオードとの接続ノードに接続した第２スイッチング素子とを備え、前記第１および第２ダイオードはワイドバンドギャップ半導体を用いて形成したショットキーバリアダイオードであり、前記第３および第４ダイオード、並びに前記第１および第２スイッチング素子はシリコンを用いて形成したダイオード並びにスイッチング素子であるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ここで、本発明に対する比較例として、従来のＰＦＣモジュールの構造を説明する。図２はその構造を示す平面図および断面図である。従来のＰＦＣモジュールでは、第１〜第４ダイオードＤ１R，Ｄ１S，Ｄ２R，Ｄ２Sは、Ｓｉを用いて形成したダイオードであり、先に説明されているように、耐電圧を数百Ｖ以上にする場合はＰｉＮダイオードが用いられ、耐電圧を数百Ｖ以下にする場合はＳｉのショットキーバリアダイオードが用いられる。また、第１および第２スイッチング素子ＳＷR，ＳＷSは、Ｓｉを用いて形成した例えばＩＧＢＴである。すなわち第１〜第４ダイオードＤ１R，Ｄ１S，Ｄ２R，Ｄ２Sおよび第１および第２スイッチング素子ＳＷR，ＳＷSは、いずれもＳｉデバイスであった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施の形態では、電力制御用のチップ（パワーチップ）である第１〜第４ダイオードＤ１R，Ｄ１S，Ｄ２R，Ｄ２Sおよび第１および第２スイッチング素子ＳＷR，ＳＷSのうち、ダイオードブリッジの上アームである第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１SをＳｉＣデバイスのショットキーバリアダイオードにしている。その他のパワーチップは従来と同様に、第３および第４ダイオードＤ２R，Ｄ２SはＳｉデバイスのダイオードであり、耐電圧を数百Ｖ以上にする場合はＰｉＮダイオードが用いられ、耐電圧を数百Ｖ以下にする場合はＳｉのショットキーバリアダイオードが用いられる。また、第１および第２スイッチング素子ＳＷR，ＳＷSはＳｉデバイスのＩＧＢＴ等である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
＜実施の形態２＞
図４は実施の形態２に係るＰＦＣモジュールの構成図である。本実施の形態では、筐体２００の内部において、ＳｉＣデバイスである第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sを、第３および第４ダイオードＤ２R，Ｄ２Sや第１および第２スイッチング素子ＳＷR，ＳＷSよりも外側に配設している。すなわち第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sは、リードフレーム１０１〜１０４が突出する筐体２００の一側面の近くに配設される。また実施の形態１と同様に、第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sを搭載する第１リードフレーム１０４は、筐体２００の内部において、下方（第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１S搭載面の垂直方向）に屈曲していない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この構成によれば、第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sとリードフレーム１０２，１０３とを接続するワイヤ配線１１０を短くすることができる。このワイヤ配線１１０の長さはＰＦＣモジュールのサージ電流耐量に影響し、それを短くすればサージ電流耐量を向上させることができる。例えば６００Ｖ・２０Ａ（ｒｍｓ）定格のＰＦＣモジュールでは、第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sとリードフレーム１０２，１０４とを接続するワイヤ配線１１０の長さを従来の半分程度（従来１０ｍｍだったのものを５ｍｍに）することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
またＳｉＣデバイスは低抵抗であるため、チップの小型化が可能である。例えば６００Ｖ・２０Ａ（ｒｍｓ）定格のモジュールでは、第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sのチップサイズを半分程度にできる。そのため第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sを外側に寄せると、筐体２００の中央部にスペースができる。本実施の形態では、そのスペースに貫通孔１２２を配設する。すなわち第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sの少なくとも片方は、平面視で貫通孔１２２と上記筐体２００の一側面との間に配設される（図５の平面図において、貫通孔１２２と第１および第２ダイオードＤ１R，Ｄ１Sとが縦に並ぶ）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
Ｄ１R  第１ダイオード、Ｄ１S  第２ダイオード、Ｄ２R  第３ダイオード、Ｄ２S  第４ダイオード、ＳＷR  第１スイッチング素子、ＳＷS  第２スイッチング素子、１００  ドライバＩＣ、１０１〜１０５  リードフレーム、１１０  ワイヤ配線、１２１，１２２  貫通孔、２００  筐体。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012169397.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記感光材が塗布される基材が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、ステンレス鋼、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、Ｃｒ、Ｍｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からなることを特徴とする請求項７記載のエッチングマスク付基材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
防水構造の筐体内に収容されたパワーコンディショナにおいて、前記筐体は、裏側壁の
少なくとも一部がヒートシンクで構成され周囲壁によって表側開口を形成したケーシング
と、前記ケーシングの表側開口を開閉するように前記ケーシングに着脱可能に固定される
蓋と、前記蓋の裏側に取り付けられ前記周囲壁の先端（前端）と密着するパッキンを備え
、前記ケーシングの周囲壁の上壁の係止フランジと、前記蓋の係止部とを備え、前記蓋は
、前記蓋の下部が前記ケーシングから離れた斜め状態で前記係止フランジに前記蓋の係止
部が係止するその係合部を軸として前記蓋が前記ケーシングの表側開口を閉じるように回
動する関係に前記ケーシングに保持され、前記蓋は固定によって前記周囲壁の先端（前端
）が前記防水用パッキンに食い込み状態で密着することを特徴とするパワーコンディショ
ナ。
【請求項２】
前記ケーシングの下壁の内側には前記パワーコンディショナの所定の回路部を開閉するス
イッチを設け、前記ケーシングの周囲壁の下壁には前記スイッチを手動操作するスイッチ
操作部とリード線引き出し部とが下方へ突出する状態に設けられ、前記蓋は前記表側開口
の全体を覆う大きさを有していて前記蓋の下辺部が前記リード線引き出し部と手動操作の
スイッチ操作部を覆うことを特徴とする請求項１に記載のパワーコンディショナ。
【請求項３】
前記蓋は、上辺部では前記係止部が前記係止フランジと係合し、左右辺部では前記周囲壁
の左右の壁から外方へ突出した取り付けフランジに着脱可能にネジ固定されたことを特徴
とする請求項１または２に記載のパワーコンディショナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１発明は、筐体内に高電圧となる電装部品等が収容されたパワーコンディショナにおい
て、前記筐体は、裏側壁の少なくとも一部がヒートシンクで構成され周囲壁によって表側
開口を形成したケーシングと、前記ケーシングの表側開口を開閉するように前記ケーシン
グに着脱可能に固定される蓋と、前記蓋の裏側に取り付けられ前記周囲壁の先端（前端）
と密着するパッキンを備え、前記ケーシングの周囲壁の上壁の係止フランジと、前記蓋の
係止部を備え、前記蓋は、前記蓋の下部が前記ケーシングから離れた斜め状態で前記係止
フランジに前記蓋の係止部が係止するその係合部を軸として前記蓋が前記ケーシングの表
側開口を閉じるように回動する関係に前記ケーシングに保持され、前記蓋は固定によって
前記周囲壁の先端（前端）が前記防水用パッキンに食い込み状態で密着することを特徴と
する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１発明では、蓋の下部がケーシングから離れた斜め状態において、ケーシングに形成し
た係止フランジに蓋の係止部が係止した係合部を軸として、蓋がケーシングの表側開口を
閉じるように回動する関係にケーシングに保持されるため、蓋を閉じる際及び蓋を開ける
際のいずれにおいても、ケーシングに形成した係止フランジに蓋の係止部が係止した状態
となる。それゆえ、蓋が落下しないように保持された状態においてあり、蓋の開閉ができ
ることとなり、安全確保上好ましいものとなる。また、蓋はケーシングに固定されるが、
ケーシングの周囲壁の先端（前端）が防水用パッキンに食い込み状態で密着するため、蓋
とケーシングの間の防水が良好となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、防水構造の筐体内に高電圧となる電装部品等を収容するパワーコンディショナ
において、前記筐体は、裏側壁の少なくとも一部がヒートシンクで構成され周囲壁によっ
て表側開口を形成したケーシングと、前記ケーシングの表側開口を開閉するように前記ケ
ーシングに着脱可能に固定される蓋と、前記蓋の裏側に取り付けられ前記周囲壁の先端（
前端）と密着するパッキンを備え、前記ケーシングの周囲壁の上壁の係止フランジと、前
記蓋の係止部を備え、前記蓋は、前記蓋の下部が前記ケーシングから離れた斜め状態で前
記係止フランジに前記蓋の係止部が係止するその係合部を軸として前記蓋が前記ケーシン
グの表側開口を閉じるように回動する関係に前記ケーシングに保持され、前記蓋は固定に
よって前記周囲壁の先端（前端）が前記防水用パッキンに食い込み状態で密着する構成で
あり、以下にその実施例を図に基づき説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部を有し、上部が開口された電池缶と、
前記電池缶内に収容され、中空部を有する軸芯の周囲に、正極電極および負極電極がセパレータを介在して捲回された電極群とを具備し、
電解液が前記電池缶の開口側における前記軸芯の中空部から前記電池缶の底部側に注入される円筒形二次電池であって、
少なくとも前記電極群における前記電池缶の底部側の側端面に対応する外周に絶縁テープが巻き付けられていることを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の円筒形二次電池において、絶縁テープの一端は、前記電池缶の底部に接触していることを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項３】
請求項１に記載の円筒形二次電池において、前記絶縁テープは前記電極群に接着されていることを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項４】
請求項１に記載の円筒形二次電池において、前記絶縁テープは、電極群の前記電池缶の上部側における前記電極群の外周にも巻き付けられていることを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の円筒形二次電池において、前記絶縁テープは、多孔質体であることを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の円筒形二次電池において、前記絶縁テープは、前記電極群の最外周のセパレータの終端端部の巻き止めを兼用していることを特徴とする円筒形二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
航空管制用の二次監視レーダ装置は、例えば特許文献１に示されているように、質問信号をターゲットとなる航空機上のトランスポンダ（応答装置）に送信し、このトランスポンダからの質問信号に対応する応答信号を受信することによって航空機の識別を行なうものである。この場合、モノパルス測角方式により航空機の距離及び方位を求めている。
【特許文献１】特開平０８−１６３６８５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の絵柄を循環表示させる循環表示手段と、
前記絵柄の循環表示を開始させるべく操作される開始操作手段と、
役の抽選を行う抽選手段と、
前記絵柄の循環表示を停止させるべく操作される停止操作手段と、
前記役の抽選に当選した当選役と対応する当選絵柄が有効位置に所定の組合せを形成して停止したことに基づいて、入賞成立として遊技者に特典を付与する特典付与手段と
を備えた遊技機において、
第１特定絵柄が前記有効位置に停止したことに基づいて、遊技状態を第１特定遊技状態に移行させる第１移行手段と、
第２特定絵柄が前記有効位置に停止したことに基づいて、遊技状態を第２特定遊技状態に移行させる第２移行手段と、
前記第１特定絵柄と前記第２特定絵柄が共に前記有効位置に停止する特定停止出目となるよう前記絵柄の循環表示を停止させる停止制御手段と、
遊技状態を判別する遊技状態判別手段と、
前記特定停止出目となったことに基づいて、前記第１特定遊技状態と前記第２特定遊技状態のいずれに移行させるかを決定する移行先決定手段と
を備え、
前記移行先決定手段は、前記遊技状態判別手段の判別結果に基づいて移行させる遊技状態を変化させることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記停止制御手段は、前記役の抽選結果が特定抽選結果となった場合、前記特定停止出目となるよう前記絵柄の循環表示を停止させることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
遊技状態を所定遊技状態に移行させる所定遊技状態移行手段を備え、前記移行先決定手段は、前記遊技状態判別手段の判別結果が前記所定遊技状態を示すものである場合、前記第１特定遊技状態に移行させると決定し、前記遊技状態判別手段の判別結果が前記第１特定遊技状態を示すものである場合、前記第２特定遊技状態に移行させると決定することを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記移行先決定手段は、前記遊技状態判別手段の判別結果が前記所定遊技状態を示すものである場合、前記第１特定絵柄が前記有効位置に停止したか否かを前記第２特定絵柄が前記有効位置に停止したか否かよりも優先して判別し、前記遊技状態判別手段の判別結果が前記第１特定遊技状態を示すものである場合、前記第２特定絵柄が前記有効位置に停止したか否かを前記第１特定絵柄が前記有効位置に停止したか否かよりも優先して判別することを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記所定遊技状態移行手段は、前記有効位置に所定絵柄が停止したことに基づいて遊技状態を前記所定遊技状態に移行させるものであって、前記役の抽選結果が前記特定抽選結果とならなかった場合、前記有効位置に前記所定絵柄が停止するよう前記絵柄の循環表示を停止させる第２停止制御手段を備えたことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】
前記役の抽選結果に関わらず、遊技状態の移行契機となる絵柄が前記有効位置に停止する構成としたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被観察部まで光を導光して前記被観察部に前記光を照射する導光部に入射される第１の波長帯域を有する第１の光を射出する第１の光源と、
前記導光部に入射される、前記第１の波長帯域とは異なる第２の波長帯域を有する第２の光を射出する第２の光源と、
前記導光部によって導光されて前記被観察部に照射される前記第１の光と前記第２の光との前記導光部からの出射角を同時に変更する出射角変更部とを備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記出射角変更部が、前記導光部の光入射端面への前記第１の光および前記第２の光の入射角を変更することによって前記出射角を変更する入射角変更光学系を有するものであることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記出射角変更部が、前記入射角変更光学系の焦点距離を変更することによって前記入射角を変更するものであることを特徴とする請求項２記載の光源装置。
【請求項４】
前記出射角変更部が、前記第１の光および前記第２の光のうちのいずれか一方の光が入射され、該入射されたいずれか一方の光を前記入射角変更光学系に入射させる上流側光学系を備え、
該上流光学系によって前記入射角変更光学系に入射される前記いずれか一方の光の入射高を、前記入射角変更光学系による前記入射角の変更に連動させて変更することによって前記第１の光と前記第２の光との前記導光部からの出射角の比率を一定に維持するものであることを特徴とする請求項２または３記載の光源装置。
【請求項５】
前記第２の光源から射出された第２の光が前記入射角変更光学系の光軸に対して平行に導光されるものであるとともに、前記第１の光源から射出された第１の光が前記入射角変更光学系の光軸に対して垂直に導光されるものであり、
前記平行に導光された第２の光と前記垂直に導光された第１の光とを合波するミラーを備えたものであることを特徴とする請求項２から４いずれか１項記載の光源装置。
【請求項６】
前記第１の光源から射出された第１の光が前記入射角変更光学系の光軸に対して平行に導光されるものであるとともに、前記第２の光源から射出された第２の光が前記入射角変更光学系の光軸に対して垂直に導光されるものであり、
前記平行に導光された第１の光と前記垂直に導光された第２の光とを合波するミラーを備えたものであることを特徴とする請求項２から４いずれか１項記載の光源装置。
【請求項７】
前記入射角変更光学系が、ズームレンズであることを特徴とする請求項２記載の光源装置。
【請求項８】
前記上流側光学系が、ズームビームエキスパンダであることを特徴とする請求項４記載の光源装置。
【請求項９】
前記出射角変更部が、前記第１の光の出射角を変更する第１の光用出射角変更部と前記第２の光の出射角を変更する第２の光用出射角変更部とを備えたものであることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項１０】
前記第１の光用出射角変更部が、前記導光部の光軸に対する前記第１の光の光軸の入射角度を変更することによって前記第１の光の出射角を変更するものであることを特徴とする請求項９記載の光源装置。
【請求項１１】
前記第１の光源が、半導体光源であることを特徴とする請求項１から１０いずれか１項記載の光源装置。
【請求項１２】
前記第１の光源が、前記第１の光として近赤外光を射出するものであることを特徴とする請求項１から１１いずれか１項記載の光源装置。
【請求項１３】
前記第２の光源が、可視光源であることを特徴とする請求項１から１２いずれか１項記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傘の一部が挿入される貫通孔と、鉛直な設置面に固定する固定手段とを有する上部材と、
傘の先端を受ける受け皿部と、前記設置面に固定する固定手段とを有する下部材と、
前記下部材に取り付けられ、前記下部材の前記固定手段より下方において前記設置面に当接する当接部を有する支持部材と、
を備えることを特徴とする傘立て。
【請求項２】
前記下部材の前記固定手段は、前記支持部材の一部と係合して、前記支持部材が前記下部材から離脱することを防止するようになっている請求項１に記載の傘立て。
【請求項３】
前記支持部材と前記下部材とは一体成形されている請求項１に記載の傘立て。
【請求項４】
前記上部材の前記固定手段および前記下部材の前記固定手段は、磁石である請求項１〜３のいずれかに記載の傘立て。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
生活環境における衛生向上の観点から、殺菌剤、消毒剤および／または消臭剤として、エチルアルコール、次亜塩素酸ナトリウム水溶液、ベンザルコニウム塩化物水溶液などが用いられている。しかし、これら従来の殺菌剤、消毒剤および／または消臭剤は、ノロウイルス、インフルエンザウイルス、ＭＲＳＡ（メチシリン耐性黄色ブドウ球菌）、緑膿菌などに対する殺菌効果および／または消毒効果が必ずしも十分ではなく、ハウスダスト、花粉などを媒介とする病原菌、アレルギー性物質などに対する殺菌効果または消毒効果が必ずしも十分ではなく、糞尿などに対する消臭効果が必ずしも十分ではなく、また、その使用濃度および使用量が多い場合には人体に対する副作用も発生し、その使用後の臭いの残存および腐食による弊害が発生するなどの問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（亜塩素酸塩粉末）
亜塩素酸塩粉末とは、亜塩素酸塩の粉末であり、水分の存在下、活性化剤粉末と反応して二酸化塩素ガスを生成させるものであれば特に制限はなく、たとえば、亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ2）粉末、亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ2）粉末、亜塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ2）粉末のような亜塩素酸アルカリ金属塩粉末、亜塩素酸カルシウム（Ｃａ（ＣｌＯ2）2）粉末、亜塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ2）2）粉末、亜塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ2）2）粉末のような亜塩素酸アルカリ土類金属塩粉末などが挙げられる。これらの中で、亜塩素酸ナトリウム粉末は、食品添加物に指定されていることから、安全性が高く、入手しやすく、使用上の制限も少ない。亜塩素酸ナトリウム粉末は、市販品の８６質量％品または７９質量％品などが好適に使用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（Ｓ４：ガス透過性膜容器内でＡ剤とＢ剤とを混合して二酸化塩素ガス発生剤を調製する工程）
二酸化塩素ガス発生剤１０は、ガス透過性膜容器２０内において、Ａ剤１０ａとＢ剤１０ｂとを混合することにより調製される。Ａ剤とＢ剤との混合方法は、特に制限はないが、空気中の湿気（水分）の混入を防止または抑制する観点から、均質に混合させる観点から、図１を参照して、両側部および底部がシール部２０ｓでシールされたガス透過性膜容器２０にその開口部から内部にＡ剤１０ａとＢ剤１０ｂとを収納し、さらに、ガス透過性膜容器２０の開口部をシール部２０ｔでシールした後、Ａ剤１０ａとＢ剤１０ｂとが収納されたガス透過性膜容器２０を左右に振とうすることにより、ガス透過性膜容器２０内でＡ剤１０ａとＢ剤１０ｂとを混合する方法が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【表１】
2012245434.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表２】
2012245434.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（実施例３）
Ａ剤として、２ｇの７９質量％亜塩素酸ナトリウム粉末（関東化学株式会社製；亜塩素酸塩粉末）と２０ｇのセピオライト（近江鉱業株式会社製ミラクレーＰ−１５０；ガス発生調節剤）を混合させたこと以外は、実施例１と同様にして、５個の二酸化塩素ガス発生剤パックを作製し、それらから発生する二酸化塩素ガスの濃度を測定した。結果を表３にまとめた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【表３】
2012245434.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
【表４】
2012245434.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【表５】
2012245434.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表６】
2012245434.tif 000006
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【表７】
2012245434.tif 000007
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【表８】
2012245434.tif 000008
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【表９】
2012245434.tif 000009
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【表１０】
2012245434.tif 000010
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【表１１】
2012245434.tif 000011
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【表１２】
2012245434.tif 000012
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
【表１３】
2012245434.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
所定の遊技を行い、遊技結果に基づいて所定の遊技価値を付与可能となる遊技機であって、
前記所定の遊技価値を付与可能とするか否かを、遊技結果が導出される以前に決定する事前決定手段と、
遊技者による指示入力を検出する入力検出手段と、
前記事前決定手段による決定結果および前記入力検出手段による検出結果に応じて演出結果が異なる遊技演出を実行する遊技演出手段と、
前記遊技演出手段による遊技演出態様を含む演出態様を、所定の決定割合で複数態様のいずれかに決定する演出決定手段と、
前記入力検出手段による検出結果を含む指示入力履歴に基づいて、所定変数を変更させる所定変数変更手段と、
前記所定変数が所定の演出変更条件を満たしたときに、前記演出決定手段により決定可能な演出態様の少なくとも一部を変更する演出変更手段とを備える、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）上記目的を達成するため、本願発明に係る遊技機は、所定の遊技を行い、遊技結果に基づいて所定の遊技価値（例えば大当り遊技状態や確変状態など）を付与可能となる遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、前記所定の遊技価値を付与可能とするか否かを、遊技結果が導出される以前に決定する事前決定手段（例えばステップＳ２４１の処理を実行する遊技制御用マイクロコンピュータ１００のＣＰＵ１０３など）と、遊技者による指示入力を検出する入力検出手段（例えばスティックコントローラ３１Ａやプッシュボタン３１Ｂなど）と、前記事前決定手段による決定結果および前記入力検出手段による検出結果に応じて演出結果が異なる遊技演出を実行する遊技演出手段（例えばステップＳ５４４、Ｓ５４６、Ｓ５４７、Ｓ５４９の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、前記遊技演出手段による遊技演出態様を含む演出態様を、所定の決定割合で複数態様のいずれかに決定する演出決定手段（例えばステップＳ５２９の可変表示中演出決定処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、前記入力検出手段による検出結果を含む指示入力履歴に基づいて、所定変数を変更させる所定変数変更手段（例えばステップＳ７４９〜Ｓ７５８の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、前記所定変数が所定の演出変更条件を満たしたときに、前記演出決定手段により決定可能な演出態様の少なくとも一部を変更する演出変更手段（例えばステップＳ７２３、Ｓ７２７の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成によれば、所定の遊技価値を付与可能とするか否かの決定結果および遊技者による指示入力の検出結果に応じて演出結果が異なる遊技演出が実行されるところ、指示入力の検出結果を含む指示入力履歴に基づいて所定変数が変更され、その所定変数が所定の演出変更条件を満たしたときに、決定可能な演出態様の少なくとも一部が変更される。こうして、遊技者による指示入力の結果に応じた演出態様を出現させることで遊技者の参加意欲を高め、遊技の興趣を適切に向上させることができる。