Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
情報処理装置と通信する通信手段と、
前記通信装置から受信したデータを記録する記録手段を有する記録媒体と接続する接続手段と、
前記接続手段により接続される記録媒体が、前記通信装置から受信したデータを他の装置に転送する転送手段を有するか否かを判断する判断手段と、
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記記録媒体の転送手段を無効に設定するよう制御し、
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していないと判断された場合、前記転送手段の設定を行わないよう制御する制御手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記制御手段は、前記記録媒体の転送手段を無効に設定し、前記転送手段が無効に設定される前は前記通信手段による前記情報処理装置との通信を確立しないよう制御し、
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していないと判断された場合、前記制御手段は、前記転送手段の設定を行うことなく前記通信手段により前記情報処理装置との通信を確立するよう制御することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記転送手段を無効にする設定が完了したことを検知する検知手段を更に有し、
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記制御手段は、前記検知手段により前記転送手段を無効にする設定が完了したことが検知された後に、前記通信手段による前記情報処理装置との通信を確立するよう制御することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記制御手段は、前記通信手段により前記情報処理装置との通信を確立するための所定のプログラムを、前記記録媒体の転送手段による通信が停止した後に実行することで、前記通信手段による通信の確立を制御することを特徴とする請求項２または３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記情報処理装置との通信が切断された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記制御手段は、前記記録媒体の転送手段を有効にするよう制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記接続手段は、前記記録媒体を着脱可能に接続することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記接続手段を介して前記記録媒体の記録手段に記録されているデータを読み出し、前記通信手段により、前記読み出したデータを前記情報処理装置に送信するよう制御し、
前記記録媒体は、前記記録手段に記録されているデータを、前記転送手段により、他の装置に転送することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記転送手段を持つ記録媒体の転送手段が有効であるか無効であるかを問い合わせる問い合わせ手段を更に有し、
前記問い合わせ手段の問い合わせの結果、前記転送手段が無効であった場合、前記制御手段は、前記記録媒体の転送手段の設定を行うことなく、前記通信手段により前記情報処理装置との通信を確立するよう制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段を更に有し、
前記制御手段は、前記撮像手段で得られた画像データを前記データとして、前記接続手段を介して前記記録媒体の記録手段に記録するよう制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記通信手段により確立される通信はＰｉｃｔｕｒｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌに従った通信であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記通信手段により確立される通信は、ＵＳＢケーブルを介することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
通信装置の制御方法であって、
情報処理装置と通信する通信ステップと、
前記通信装置から受信したデータを記録する記録手段を有する記録媒体と接続する接続ステップと、
前記接続ステップで接続される記録媒体が、前記通信装置から受信したデータを他の装置に転送する転送手段を有するか否かを判断する判断ステップと、
前記情報処理装置との接続を検知した場合、かつ前記判断ステップにより前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記記録媒体の転送手段を無効に設定するよう制御するステップと、
前記情報処理装置との接続を検知した場合、かつ前記判断ステップにより前記記録媒体が前記転送手段を有していないと判断された場合、前記転送手段の設定を行わないよう制御するステップとを有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置及びその制御方法、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置と通信することができる通信装置及びその制御方法、プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の通信装置は、情報処理装置と通信する通信手段と、前記通信装置から受信したデータを記録する記録手段を有する記録媒体と接続する接続手段と、前記接続手段により接続される記録媒体が、前記通信装置から受信したデータを他の装置に転送する転送手段を有するか否かを判断する判断手段と、前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していると判断された場合、前記記録媒体の転送手段を無効に設定するよう制御し、前記情報処理装置との接続が検知された場合、かつ前記判断手段により前記記録媒体が前記転送手段を有していないと判断された場合、前記転送手段の設定を行わないよう制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、基準画像の画像データに対してビット数削減処理を行う。さらに、低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、ビット数削減処理が行われた基準画像に対して画素数削減処理を行い、低ビット縮小基準画像を生成する。低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、生成した低ビット縮小基準画像の画像データをブロックマッチング部４１に出力する。例えば、低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、基準画像の８ビットの画像データに対してビット数削減処理と画素数削減処理を行い、１ビットであって水平方向や垂直方向の画素数が削減された低ビット縮小基準画像の画像データをブロックマッチング部４１に出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
画像比較部３１４は、基準画像の画像データと閾値設定部３１３から出力された閾値を画素毎に比較して、比較結果を示すｎビットの信号を低ビット基準画像の画像データとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
ステップＳＴ６５でブロックマッチング部４１は、第ｋ位が「ＸＯＲ＝１」であるか否か判別する。ブロックマッチング部４１は、ステップＳＴ６４で計算した第ｋ位ビットの排他論理和が「０」であるときステップＳＴ６６に進む。また、ブロックマッチング部４１は、ステップＳＴ６４で計算した第ｋ位ビットの排他論理和が「１」であるときステップＳＴ６７に進む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、基準画像の画像データに対してビット数削減処理と画素数削減処理を行い、低ビット縮小基準画像を生成する。また、低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、生成した低ビット縮小基準画像の画像データをブロックマッチング部４１-1，４１-2に出力する。例えば、低ビット縮小基準画像生成部３２-cは、基準画像の８ビットの画像データに対してビット数削減処理と画素数削減処理を行い、１ビットであって水平方向や垂直方向の画素数が削減された低ビット縮小基準画像の画像データをブロックマッチング部４１-1，４１-2に出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
動き補償部５１ａは、ブロックマッチング部４３ａで検出された動きベクトルに応じて第１または第２参照画像の動き補償を行い、動き補償画像を出力する。また、動き補償部５１ａは、参照画像識別情報に基づき、動きベクトルの検出に用いた参照画像が第１または第２参照画像のいずれか判別して、選択されている参照画像と動きベクトルを用いて動き補償を行うようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のデジタルアンプは、アナログ信号をデジタルパルス信号に変換するデジタルパルス信号変換部と、ソースが負の電源電圧に接続された第１のＦＥＴとドレインが正の電源電圧に接続された第２のＦＥＴとが直列接続されたＦＥＴスイッチング部、前記第１のＦＥＴのゲート−ソース間に第１の所定電圧を供給する第１の駆動部、および前記第２のＦＥＴのゲート−ソース間に前記第１の所定電圧を供給する第２の駆動部を有し、前記ＦＥＴスイッチング部の前記第１のＦＥＴと前記第２のＦＥＴを交互にオンオフすることによって前記デジタルパルス信号を増幅する増幅部と、前記第２の駆動部に供給する電源をブートストラップするブートストラップコンデンサと、前記ブートストラップコンデンサの充電を制御するために、一端が前記正の電源電圧に接続され他端が前記ブートストラップコンデンサの一端に接続されたブートストラップ制御部と、前記増幅部によって増幅されたデジタルパルス信号をアナログ信号に変換するアナログ信号変換部と、を備え、前記ブートストラップ制御部は、前記ブートストラップコンデンサに充電されたブート電圧が第２の所定電圧値未満の場合に前記ブートストラップコンデンサの充電を行い、前記第２の所定電圧値以上の場合に前記ブートストラップコンデンサへの電流経路を遮断する構成を有している。
この構成により、ブートストラップコンデンサの充電を簡単な制御で確実に行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、この構成により、ＡＣ電源が一時的に低下したとき又はデジタルアンプがフルパワーで動作しているときに、ブート電圧が低下しても、ブートストラップコンデンサの再充電を自動で行うことができる。また、ブートストラップコンデンサへの充電が完了すれば、充電を停止できるため消費電力の低減も可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号をデジタルパルス信号に変換するデジタルパルス信号変換部と、
ソースが負の電源電圧に接続された第１のＦＥＴとドレインが正の電源電圧に接続された第２のＦＥＴとが直列接続されたＦＥＴスイッチング部、前記第１のＦＥＴのゲート−ソース間に第１の所定電圧を供給する第１の駆動部、および前記第２のＦＥＴのゲート−ソース間に前記第１の所定電圧を供給する第２の駆動部を有し、前記ＦＥＴスイッチング部の前記第１のＦＥＴと前記第２のＦＥＴを交互にオンオフすることによって前記デジタルパルス信号を増幅する増幅部と、
前記第２の駆動部に供給する電源をブートストラップするブートストラップコンデンサと、
前記ブートストラップコンデンサの充電を制御するために、一端が前記正の電源電圧に接続され他端が前記ブートストラップコンデンサの一端に接続されたブートストラップ制御部と、
前記増幅部によって増幅されたデジタルパルス信号をアナログ信号に変換するアナログ信号変換部とを備え、
前記ブートストラップ制御部は、前記ブートストラップコンデンサに充電されたブート電圧が第２の所定電圧値未満の場合に前記ブートストラップコンデンサの充電を行い、前記第２の所定電圧値以上の場合に前記ブートストラップコンデンサへの電流経路を遮断することを特徴とするデジタルアンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段から入力された撮影画像に対して画像処理を行う撮像装置であって、
前記撮影画像に対してジオラマ風画像処理を施す画像処理手段と、
前記撮像装置の姿勢を検知する検知手段と、
前記検知手段により検知した姿勢に応じて、前記画像処理手段によるジオラマ風画像処理のぼけの方向を設定する設定手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画像処理手段は、撮影画像のうちぼかさない画像とする領域とぼけ画像とする領域を生成することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ジオラマ風画像処理が施された画像と前記ぼかさない画像とする領域に対応する枠を表示する表示手段をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記検知手段により検知した姿勢に応じて、撮影画像における前記ぼかさない画像とする領域の位置と幅の広さを設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記ぼかさない画像とする領域の位置と幅の広さは、前記撮像装置の正位置における撮影画像の縦方向の長さと撮像装置の縦位置における撮影画像の横方向の長さとの関係に基づき算出されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記枠の位置と幅を設定する操作手段をさらに有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記ぼかさない画像とする領域の位置と幅を設定する操作手段をさらに有し、前記位置と幅の設定により前記枠が撮影画像の端に接する状態において姿勢の変更が生じた場合、前記設定手段は、姿勢を変更した後において、前記枠の位置を引き続き撮影画像の端に位置するように設定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像手段から入力される撮影画像に対して画像処理を行う撮像装置であって、
前記撮影画像から、ぼかさない領域と方向性をもってぼけた領域とを有する画像を生成する画像処理手段と、
前記画像処理手段の生成する画像のぼけの方向を設定する設定手段と、を有し、
前記設定手段は、ぼかさない領域の位置または幅を設定し、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、変更前の前記ぼかさない領域の位置または幅に応じて変更後の前記ぼかさない領域の位置または幅を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
前記撮像装置の姿勢を検知する検知手段と、
前記設定手段は、前記検知手段により検知される姿勢に応じて、前記画像処理手段により生成される画像のぼけの方向を設定することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記設定手段は、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、変更前の方向における前記撮影画像の長さと前記ぼかさない領域の位置または幅との関係に基づいて、変更後の方向における前記ぼかさない領域の位置または幅を設定することを特徴とする請求項８または９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記設定手段は、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、前記ぼかさない領域の幅と前記撮影画像全体の前記ボケの方向の高さとの比率が、変更前後で変わらないように前記ぼかさない領域の幅を設定することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
撮像装置により得られた撮影画像に対して画像処理を行う画像処理方法であって、
前記撮像装置の姿勢を検知する検知ステップと、
前記検知ステップにより検知した姿勢に応じて、ジオラマ風画像処理のぼけの方向を設定する設定ステップと、
前記設定ステップにより設定したぼけの方向により、撮影画像に対してジオラマ風画像処理を施す画像処理ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
撮像装置により得られた撮影画像に対して画像処理を行う画像処理方法であって、
前記撮影画像から、ぼかさない領域と方向性をもってぼけた領域とを有する画像を生成する画像処理ステップと、
前記画像処理手段の生成する画像のぼけの方向を設定する設定ステップと、を有し、
前記設定ステップでは、ぼかさない領域の位置または幅を設定し、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、変更前の前記ぼかさない領域の位置または幅に応じて変更後の前記ぼかさない領域の位置または幅を設定することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の撮像装置は、撮像手段から入力された撮影画像に対して画像処理を行う撮像装置であって、前記撮影画像に対してジオラマ風画像処理を施す画像処理手段と、前記撮像装置の姿勢を検知する検知手段と、前記検知手段により検知した姿勢に応じて、前記画像処理手段によるジオラマ風画像処理のぼけの方向を設定する設定手段と、を有することを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、撮像手段から入力される撮影画像に対して画像処理を行う撮像装置であって、前記撮影画像から、ぼかさない領域と方向性をもってぼけた領域とを有する画像を生成する画像処理手段と、前記画像処理手段の生成する画像のぼけの方向を設定する設定手段と、を有し、前記設定手段は、ぼかさない領域の位置または幅を設定し、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、変更前の前記ぼかさない領域の位置または幅に応じて変更後の前記ぼかさない領域の位置または幅を設定することを特徴とする。
また、本発明の画像処理方法は、撮像装置により得られた撮影画像に対して画像処理を行う画像処理方法であって、前記撮像装置の姿勢を検知する検知ステップと、前記検知ステップにより検知した姿勢に応じて、ジオラマ風画像処理のぼけの方向を設定する設定ステップと、前記設定ステップにより設定したぼけの方向により、撮影画像に対してジオラマ風画像処理を施す画像処理ステップと、を有することを特徴とする。
また、本発明の画像処理方法は、撮像装置により得られた撮影画像に対して画像処理を行う画像処理方法であって、前記撮影画像から、ぼかさない領域と方向性をもってぼけた領域とを有する画像を生成する画像処理ステップと、前記画像処理手段の生成する画像のぼけの方向を設定する設定ステップと、を有し、前記設定ステップでは、ぼかさない領域の位置または幅を設定し、前記ぼけの方向の設定を変更するとき、変更前の前記ぼかさない領域の位置または幅に応じて変更後の前記ぼかさない領域の位置または幅を設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局に、周波数方向に複数の無線通信チャネルを含む通信フレームの少なくとも一部を割り当てて通信を行い、前記通信フレームは、前記移動局へのデータ送信領域と、当該データ送信領域と時間方向に分割された前記移動局からのデータ受信領域とを含む特別サブフレームを少なくとも１つ有する基地局であって、
前記特別サブフレームにおいて、前記データ送信領域を周囲の移動局への下り制御情報の送信する領域とし、前記データ受信領域を前記周囲の移動局からの上り制御情報を受信する領域として割り当てる割当部と、
前記データ送信領域で前記下り制御情報を送信し、前記データ受信領域で前記上り制御情報を受信する送受信部と、
を備えることを特徴とする基地局。
【請求項２】
移動局に、周波数方向に複数の無線通信チャネルを含む通信フレームの少なくとも一部を割り当てて通信を行い、前記通信フレームは、前記移動局へのデータ送信領域と、当該データ送信領域と時間方向に分割された前記移動局からのデータ受信領域とを含む特別サブフレームを少なくとも１つ有する基地局の通信方法であって、
前記特別サブフレームにおいて、前記データ送信領域を周囲の移動局への下り制御情報の送信する領域とし、前記データ受信領域を前記周囲の移動局からの上り制御情報を受信する領域として割り当てる割当ステップと、
前記データ送信領域で前記下り制御情報を送信し、前記データ受信領域で前記上り制御情報を受信する送受信ステップと、
を有することを特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主通信装置と従通信装置とを含み、前記主通信装置が使用周波数帯域に含まれる複数の無線チャネルの少なくとも１つを前記従通信装置に割り当てる無線通信システムであって、
前記主通信装置は、
所定の周波数帯域の一部または全部を前記使用周波数帯域として決定する周波数帯域決定手段と、
所定位置に配置され、前記周波数帯域決定手段により決定される前記使用周波数帯域を示す使用周波数帯域情報と、該使用周波数帯域の幅に応じたサイズを有し、前記従通信装置に割り当てる無線チャネルを示すチャネル割当情報と、を含む制御メッセージを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成される前記制御メッセージを前記従通信装置に送信する送信手段と、
を含み、
前記従通信装置は、
前記主通信装置から送信される前記制御メッセージを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信される前記制御メッセージの前記所定位置に配置された前記使用周波数帯域情報に基づいて、該制御メッセージから前記チャネル割当情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される前記チャネル割当情報が示す無線チャネルを介して、前記主通信装置と無線通信を行う手段と、
を含む、
ことを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
使用周波数帯域に含まれる複数の無線チャネルの少なくとも１つを従通信装置に割り当てる主通信装置であって、
所定の周波数帯域の一部または全部を前記使用周波数帯域として決定する周波数帯域決定手段と、
所定位置に配置され、前記周波数帯域決定手段により決定される前記使用周波数帯域を示す使用周波数帯域情報と、該使用周波数帯域の幅に応じたサイズを有し、前記従通信装置に割り当てる無線チャネルを示すチャネル割当情報と、を含む制御メッセージを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成される前記制御メッセージを前記従通信装置に送信する送信手段と、
を含むことを特徴とする主通信装置。
【請求項３】
使用周波数帯域に含まれる複数の無線チャネルの少なくとも１つを主通信装置から割り当てられる従通信装置であって、
所定位置に配置され、前記使用周波数帯域を示す使用周波数帯域情報と、該使用周波数帯域の幅に応じたサイズを有し、当該従通信装置に割り当てられる無線チャネルを示すチャネル割当情報と、を含む制御メッセージを前記主通信装置から受信する受信手段と、
前記受信手段により受信される前記制御メッセージの前記所定位置に配置された前記使用周波数帯域情報に基づいて、該制御メッセージから前記チャネル割当情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される前記チャネル割当情報が示す無線チャネルを介して、前記主通信装置と無線通信を行う手段と、
を含むことを特徴とする従通信装置。
【請求項４】
主通信装置が使用周波数帯域に含まれる複数の無線チャネルの少なくとも１つを従通信装置に割り当てるためのチャネル割当情報通知方法であって、
所定の周波数帯域の一部または全部を前記使用周波数帯域として決定するステップと、
前記主通信装置が、所定位置に配置され、前記決定された使用周波数帯域を示す使用周波数帯域情報と、該使用周波数帯域の幅に応じたサイズを有し、前記従通信装置に割り当てる無線チャネルを示すチャネル割当情報と、を含む制御メッセージを生成するステップと、
前記主通信装置が、前記生成された制御メッセージを前記従通信装置に送信するステップと、
前記従通信装置が、前記主通信装置から送信された前記制御メッセージを受信するステップと、
前記従通信装置が、前記受信された前記制御メッセージの前記所定位置に配置された前記使用周波数帯域情報に基づいて、該制御メッセージから前記チャネル割当情報を取得するステップと、
前記従通信装置が、前記取得された前記チャネル割当情報が示す無線チャネルを介して、前記主通信装置と無線通信を行うステップと、
を含むことを特徴とするチャネル割当情報通知方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次のＳ１５では、スイッチＳＷ２の状態を判定し、ＯＦＦであればＳ１３に戻る。また、スイッチＳＷ２がＯＮであればＳ１６へ進み、静止画の撮影を行い、記録する。ここでの静止画撮影においては、既にミラー１３０は撮像素子１３へ光学像を結像できるミラーアップ位置にあるため、ミラー１３０を駆動する必要はない。或いは一旦ミラー１３０およびシャッター１２を待機状態（ミラー１３０下降状態、シャッター１２閉状態）に戻し、再度ミラーアップ動作を開始し、撮影を行っても構わない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、Ｓ２６でライブビュー開始スイッチが再び操作されているかどうかを確認し、操作されていればＳ２７でライブビューを終了する。Ｓ２６でライブビュー開始スイッチが改めて操作されていない場合にはライブビューを継続し、Ｓ２８で電子ズームスイッチ６７が操作されていないか確認する。電子ズームスイッチ６７が操作されている場合には、操作内容に応じてズーム倍率Ｔを更新する（Ｓ２９）。その後Ｓ２３へ戻り、撮像素子１３から電子ズーム倍率Ｔに基づいた部分領域を読み出す。この時、読み出される部分領域の中心は、撮影画像の中心と一致するものとし、読み出される画角（縦、横の長さ）は１／Ｔとなる。つまり、撮影レンズ３１０の焦点距離がＴ倍された場合と同等の被写体表示が画像表示部２８に表示されることとなる。電子ズーム操作前の画像を図３（ａ）に、電子ズーム操作後の画像を図３（ｂ）に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、図６（ａ）内のＺ０及びＺ１を除く矩形は本第１の実施形態の撮像装置における、撮像素子１３の複数の所定位置に対応づけられた複数の選択可能な位相差測距点を示している。それらの選択可能な位相差測拠点の内、網掛けで示される位相差測距点Ｐ０は撮影者により選択された選択測距点を示している。この選択には、例えば、操作部７０を用いることができる。また、図６（ｂ）では網掛けで示される位相差測距点Ｐ１及びＰ５が選択されている様子を示している。図６（ａ）の例では、選択測距点Ｐ０が電子ズーム後の画角に含まれており、図６（ｂ）の例では、選択測距点Ｐ１及びＰ５が電子ズーム後の画角に含まれない。判定部５０ａの判定方法としては、あらかじめ選択測距点の中心座標をメモリ５２に記憶しておき、それを電子ズーム時の読み出し部分領域の中心座標とズーム倍率Ｔとに比較することで、選択測距点が電子ズーム後の画角に含まれるかを判定すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
Ｓ２０５ではＳ２０３での検索結果の中から、全画面に対する選択測距点の位置に相対的に対応する測距可能な測距点を選択する。図８（ｃ）におけるＰ１が選択結果となる。選択方法としては、まず、全画面での選択測距点位置を示す座標からズーム後の画角に対応する座標を求める。例えば画面中心の座標を（０，０）とし、選択測距点Ｐ５の座標Ｐ５＿Ｚ０が（ｘ，ｙ）であるならば、対応するズーム後の座標Ｐ５＿Ｚ１はズーム倍率Ｔから（ｘ／Ｔ，ｙ／Ｔ）で求められる。次に、座標Ｐ５＿Ｚ１に最も近い測距可能な位相差測距点をメモリ５２に記憶している各測距点座標から選択する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011166378.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011166378.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対してホウ素含有ガスを供給する工程と、
前記基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、
を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記周期はさらに、前記基板に対してアルミニウム含有ガスを供給する工程を含み、
前記窒化ホウ素膜を形成する工程では、アルミニウムがドーピングされた窒化ホウ素膜を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板に対してホウ素含有ガスを供給する工程と、
前記基板に対して窒素含有ガスを供給する工程と、
を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程を有する基板処理方法。
【請求項４】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内にホウ素含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
前記処理室内に窒素含有ガスを供給する第２のガス供給系と、
前記第１のガス供給系から前記処理室内の基板に対して前記ホウ素含有ガスを供給する処理と、前記第２のガス供給系から前記処理室内の前記基板に対して前記窒素含有ガスを供給する処理と、を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する処理を行うよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項５】
基板処理装置の処理室内の基板に対してホウ素含有ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素含有ガスを供給する手順と、
を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上に窒化ホウ素膜を形成する手順を制御部に実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１の発光領域を規定するレーザ構造の一例を表す断面図である。
【図３】図１の発光領域を規定するレーザ構造の他の例を表す断面図である。
【図４】図１の半導体レーザ装置の第１の変形例を表す断面図である。
【図５】図１の半導体レーザ装置の構成の第２の変形例を表す断面図である。
【図６】図２の半導体レーザ装置の構成の第３の変形例を表す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。
【図８】図７の半導体レーザ装置の構成の第１の変形例を表す断面図である。
【図９】図７の半導体レーザ装置の構成の第２の変形例を表す断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。
【図１２】図１０の半導体レーザ装置の構成の他の例を表す断面図である。
【図１３】図１１の半導体レーザ装置の構成の他の例を表す断面図である。
【図１４】本適用例に係る光ディスク記録再生装置の概略構成の一例を表すものである。
【図１５】従来の半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。
【図１６】従来の半導体レーザ装置の他の構成の一例を表す断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、レーザ部２１は、例えば、図２、図３に示したように、基板１１、クラッド層１２、活性層１３、クラッド層１４およびコンタクト層１５を含んで構成されたものである。クラッド層１２、活性層１３、クラッド層１４およびコンタクト層１５は、基板１１上にこの順に積層されており、ダブルへテロ構造をなしている。発光領域２１Ａは、活性層１３のうち電極２２，２３間を流れる電流が注入される領域に対応しており、電流注入により活性層１３のバンドギャップに対応した波長の光を発する領域である。レーザ部２１が、例えば、図２に示したようなインデックスガイド構造を備えている場合は、凸状のリッジストライプ１６の上面（コンタクト層１７の上面）が電極２２と接しており、リッジストライプ１６の側面および裾野は絶縁層１７で覆われている。従って、この場合には、発光領域２１Ａは、活性層１３のうち、凸状のリッジストライプ１６との対向領域に形成される。また、レーザ部２１が、例えば、図３に示したようなゲインガイド構造を備えている場合は、コンタクト層１５の上面うち絶縁層１７の開口１７Ａ内に露出している部分が電極２２と接しており、コンタクト層１５の上面うちそれ以外の部分は絶縁層１７で覆われている。従って、この場合には、発光領域２１Ａは、活性層１３のうち、絶縁層１７の開口１７Ａとの対向領域に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施の形態では、レーザ部２１の面２１Ｂのうち発光領域２１Ａとの対向領域と溶着層３０との間に、耐歪層３１が設けられている。これにより、半導体レーザ２０および溶着層３０の温度が半導体レーザ２０の駆動によって上昇し、これらがそれぞれの線膨脹係数に応じて熱膨張した場合であっても、発光領域２１Ａにおいて、線膨脹係数差による歪の発生が抑制される。その結果、ＴＥモードの偏光比の低下を抑制することができる。また、ＴＥモードの偏光比の低下を抑制することができることから、例えば、光ディスク装置（図示せず）において半導体レーザ装置２を光源として用いた場合は、受光素子（図示せず）で検出できる光強度の低下を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
[効果]
本実施の形態では、上述したように、放熱性能の高い半導体レーザ２０が支持基体５０側に配置されており、かつ半導体レーザ４０の周縁が熱伝導性の良いバンプ３３，３４等を介して支持基体５０に連結されている。これにより、放熱性能の相対的に低い半導体レーザ４０で発生した熱を効率よく支持基体５０に導くことができる。その結果、例えば、光ディスク装置（図示せず）において半導体レーザ装置１を光源として用いた場合は、受光素子（図示せず）で検出できる光強度の低下を抑制することができる。また、本実施の形態では、半導体レーザ２０の寸法が小さくなっているので、原料コストを抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
［作用］
次に、本実施の形態の半導体レーザ装置４の作用について説明する。半導体レーザ装置４では、電源からの電圧がワイヤ６１，６２を介して半導体レーザ２０の電極２２，２３間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域２１Ａに対応する発光点（図示せず）から４００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。同様に、電源からの電圧がワイヤ６３，６４を介して、７００ｎｍ帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極４２，４４間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域４１Ｂに対応する発光点（図示せず）から７００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。さらに同様に、電源からの電圧が図示しないワイヤとワイヤ６４とを介して、６００ｎｍ帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極４３，４４間に電圧が印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域４１Ａに対応する発光点（図示せず）から６００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。すなわち、半導体レーザ装置４からは、４００ｎｍ、６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯のうちのいずれか１つの帯域のレーザ光が射出される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正負一対の電極を、その間にセパレータを介して積層または巻回したデバイス素子と、
このデバイス素子に含浸させた、リチウム塩を溶質とする電解液と、
前記デバイス素子を電解液と共に収容したケースと、を少なくとも備え、
前記セパレータにはシロキサン化合物を結合させた蓄電デバイス。
【請求項２】
前記セパレータに結合させたシロキサン化合物は、前記セパレータに結合しているリチウムの重量よりも大きい請求項１に記載の蓄電デバイス。
【請求項３】
前記シロキサン化合物を結合させた前記セパレータは、炭化セルロースである請求項１に記載の蓄電デバイス。
【請求項４】
前記セパレータは、前記シロキサン化合物を結合した後、酸性溶液中で加熱し脱水処理を施したセルロースからなる請求項１に記載の蓄電デバイス。
【請求項５】
正負一対の電極を、その間にセパレータを介して積層または巻回したデバイス素子と、
このデバイス素子に含浸させた、リチウム塩を溶質とする電解液と、
前記デバイス素子を電解液と共に収容したケースと、を少なくとも備え、
前記セパレータにシロキサン化カルボキシメチルセルロースを荷担させた構成とした蓄電デバイス。
【請求項６】
セパレータにシロキサン化合物を結合させる工程と、
正負一対の電極を、その間に前記セパレータを介して積層または巻回してデバイス素子を形成する工程と、
このデバイス素子に、リチウム塩を溶質とする電解液を含浸させる工程と、
前記デバイス素子をケースに収容する工程と、を少なくとも備え、
前記セパレータにシロキサン化合物を結合させる工程は、
前記デバイス素子をケースに収容する工程よりも先に行う蓄電デバイスの製造方法。
【請求項７】
リチウム塩を含んだデバイス素子と、
このデバイス素子を電解液とともに収容したケースとを備え、
前記デバイス素子は、セルロースを有し、このセルロースはシロキサン化合物が結合した蓄電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子から入力された入力電圧を出力端子から出力するトランスミッションゲートであって、
前記入力電圧に所定電圧が加算された第一電圧を出力する第一レベルシフタと、
前記入力電圧から前記所定電圧が減算された第二電圧を出力する第二レベルシフタと、
前記第一電圧と前記第二電圧が入力され、前記第一電圧と前記第二電圧を切替えて相補的に出力する第一出力端子と第二出力端子を有するゲート電圧選択回路と、
前記第一出力端子がゲートに接続されたＰＭＯＳトランジスタと、
前記第二出力端子がゲートに接続されたＮＭＯＳトランジスタと、を備え、
前記ＰＭＯＳトランジスタと前記ＮＭＯＳトランジスタは、ゲート長とゲート幅とゲート酸化膜厚と閾値電圧の絶対値とが等しい、ことを特徴とするトランスミッションゲート。
【請求項２】
前記第一レベルシフタは、前記入力電圧がゲートに入力された第二のＰＭＯＳトランジスタを有し、
前記第二レベルシフタは、前記入力電圧がゲートに入力された第二のＮＭＯＳトランジスタを有し、
前記第二のＰＭＯＳトランジスタと前記第二のＮＭＯＳトランジスタは、閾値電圧の絶対値とオーバードライブ電圧が等しく、
前記所定電圧は、該閾値電圧の絶対値と該オーバードライブ電圧の和である、ことを特徴とする請求項１記載のトランスミッションゲート。
【請求項３】
請求項１または２に記載のトランスミッションゲートを備えた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
スイッチ３１，３２は連動して動作するスイッチで、一方の切り換え態様では、サイド側マイクエレメント２０に電源回路２２の出力電圧を成極電圧として直接印加し、他方の切り換え態様では、上記抵抗Ｒｄ１,Ｒｄ２，Ｒｄ３，Ｒｄ４による分圧電圧を成極電圧として印加するようになっている。スイッチ３１，３２が図６に実線で示す切り換え態様にあるときは、サイド側マイクエレメント２０の成極電圧が高く、前述の例で説明したように、左右チャンネルの指向軸相互の角度は広くなる。スイッチ３１，３２が図６に破線で示す切り換え態様にあるときは、サイド側マイクエレメント２０の成極電圧が低くなり、前述の例で説明したように、左右チャンネルの指向軸相互の角度は狭くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この構成によれば、画像処理モード選択手段により、「個別切替モード」を選択することで、ｍ個の画像データうちの、いずれかの画像データを適宜表示させることができる。これにより、例えば、学校などで、先に問題を表示して次に回答を表示する場合等に利用することができる。なお、ｍ個の出力画像データのうち、いずれかを出力する構成であれば、ユーザーが指定した１の画像データを表示させる構成であっても良いし、ｍ個の出力画像データを、スライドショーのように１個ずつ順次表示させる構成であっても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
書画カメラ１は、第１カメラ２および第２カメラ３により２個の撮像対象Ａ１、Ａ２をそれぞれ撮像して、２個の画像データを得る。本実施形態では、第１カメラ２によって、第１撮像対象Ａ１を撮像し、第２カメラ３によって、第２撮像対象Ａ２を撮像するものとする。なお、１個の撮像対象を別の角度で撮像するものや、１個の撮像対象の異なる領域を、第１撮像対象Ａ１および第２撮像対象Ａ２として撮像しても良い。例えば、本を開いた際の右側のページを第１撮像対象Ａ１とし、左側のページを第２撮像対象Ａ２としても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ビデオ出力部１５は、モード設定信号および表示切替信号に基づいて、生成された出力画像データを表示装置に対して出力する。なお、制御信号出力部１２およびビデオ出力部１５は、映像出力端子やＵＳＢ端子等を有する共通の端子部１７（図１参照）によって構成されており、ケーブル１８を介して、表示装置に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３（ｄ）に示すように、「個別切替モード」は、フレームメモリー１１に記憶された２個の画像データを切り替えて表示するモードである。「個別切替モード」では、画像処理部１４により、フレームメモリー１１に記憶された２個の画像データのそれぞれに対し、個別に「通常モード」と同様の画像処理を施して、２個の出力画像データを生成する。つまり、「通常モード」と同様の画像処理を２回繰り返す。これによって、切替対象となるカメラ２、３別の２個の出力画像データが生成される。図３（ｄ）の表示例では、正方形の図形の画像データ（第１カメラ２の画像データ）と、円形の図形の画像データ（第２カメラ３の画像データ）とを切り替えて表示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
「個別切替モード」を選択すると、フレームメモリー１１に記憶されたｍ個の画像データのそれぞれに対し、個別に「通常モード」と同様の画像処理を施して、ｍ個の出力画像データを生成する。これによって、フレームメモリー１１に記憶されたｍ個の画像データを切り替えて表示する（図５（ｄ）参照）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
「複合切替モード」を選択すると、フレームメモリー１１に記憶されたｍ個の画像データに対し、当該ｍ個の画像データが隣接して表示されるように、縮小処理および合成処理を施して、１個の出力画像データ（第１の出力画像データ）を生成すると共に、ｍ個の画像データのそれぞれに対し、個別に「通常モード」と同様の画像処理を施して、ｍ個の出力画像データ（第２の出力画像データ）を生成する。これによって、フレームメモリー１１に記憶されたｍ個の画像データと、これらを合成した画像データとの（ｍ＋１）個の画像データを切り替えて表示する（図５（ｅ）参照）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
さらに、本実施形態において、「個別表示モード」や「複合切替モード」では、表示切替スイッチ３２によって、表示する画像を切り替える（選択する）構成であったが、ｍ個の出力画像データもしくは（ｍ＋１）個の出力画像データの中から、スライドショーのように１個ずつ順次表示させる構成であっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記バランは前記移相・減衰器側の中点で接地され、
前記バランの前記移相・減衰器側には可変容量が並列接続されたことを特徴とする請求項５に記載の検出回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図２１を参照して周知の送信フロントエンド部について説明する。送信フロントエンド部である半導体装置５００はＧａＡｓ系電力増幅器（ＰＡ：Ｐｏｗｅｒ−Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）５０８、方向性結合器、ＲＦ−ＩＣ（送信変調信号を生成するＩＣ）５１０、アンテナ５０６を備える。方向性結合器は主線路５０２と結合線路５０４を備える。主線路５０２は＃ＩＮで表される入力端子と、＃ＯＵＴで表される出力端子を備える。そして結合線路５０４は＃Ｃ１で表され出力電圧をモニタする結合端子と、＃Ｃ２で表されるアイソレーション端子を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
移相・減衰器２０は、電力増幅器の歪特性が劣化するアンテナ端の負荷状態において、移相・減衰器２０が出力する信号の位相がアイソレーション端子１７の信号の位相と１８０°の位相差になるように結合端子１５の電力を移相する。これと合わせて、移相・減衰器２０は両者の位相差が１８０°のときには両者の信号振幅が等しくなるように結合端子１５の電力を減衰させる。移相・減衰器２０の移相器は、集中定数の移相器や遅延線路（単なる長い配線）等で構成可能である。また、移相・減衰器２０の減衰器には、単なる直列抵抗やπ型／Ｔ型の抵抗減衰器が適用可能である。なお、歪特性が劣化するアンテナ端の負荷状態とは、たとえば図２３のＡ点、Ｂ点で表される状態である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施形態では、移相・減衰器２０は、移相量、減衰量が固定であることを前提とした
がこれに限定されない。たとえば移相・減衰器２０の移相器は図６に示す構成でも良い。
図６における矢印の先に記載される回路は可変容量キャパシタの構成例である。図６に示
す移相器は可変抵抗Ｒ１、インダクタＬ１Ｌ２、可変容量Ｃ１Ｃ２を備える。そして矢印
の先に記載されるように可変容量Ｃ１Ｃ２は、固定容量Ｃ１ａＣ１ｂ、抵抗Ｒ１ａ、ダイ
オードＤ１、で構成される。制御電圧Ｖｃを０Ｖから正電圧にすることで、Ｄ１の逆方向
容量が変化し、可変容量を実現できる。可変抵抗Ｒ１の回路構成はたとえば、後述する図
１６破線内のＦＥＴ、Ｆ１と抵抗Ｒ１ａ、Ｒ２ａ及び制御電圧Ｖｃである。このように、
移相・減衰器２０の移相量、減衰器の減衰量を可変化することで、反射振幅・位相の検出
を可変化できる。よって電力増幅器のプリント基板への実装後でも検出位相・振幅を調整
できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１２は本実施形態の検出回路を説明する回路図である。図１２の検出回路は実施形態２の構成と類似するが、２つの結合線路の信号を用いている点が相違する。より詳細には、第一結合線路１００の結合端子１０１の信号は第一移相・減衰器１０４で移相、減衰されて第一差動増幅器１０８への入力となる。また第一結合線路のアイソレーション端子１０３の信号も第一差動増幅器１０８への入力となる。他方、第二結合線路１０２の結合端子１０５の信号は第二移相・減衰器１０６で移相、減衰されて第二差動増幅器１１０への入力となる。また第二結合線路１０２のアイソレーション端子１０７の信号も第二差動増幅器１１０への入力となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極に側壁スペーサを形成する段階と、
前記側壁スペーサの両側の半導体基板を一部エッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内にＳｉＧｅ混晶層を形成する段階と、
前記ＳｉＧｅ混晶層上にシリコン層を形成する段階と、
前記シリコン層の面の結晶方向に従って、エッチング率が異なるエッチング液を利用して前記シリコン層の一部をエッチングすることによって１１１傾斜面を有するシリコンファセット（Ｓｉ  ｆａｃｅｔ）を含むキャッピング層を形成する段階と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記キャッピング層及び該キャッピング層の両側の基板に不純物を注入してソースドレイン不純物領域を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン層はエピタキシャル成長工程を通じて形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン層は側壁が垂直傾斜を有するように前記エピタキシャル成長工程を遂行することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン層をエッチングするためのエッチング液は１１１面に対するエッチング率が他の面に比べて低い特性を有するエッチング液であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン層をエッチングするためのエッチング液は−ＯＨ基が含まれたエッチング液であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング液は水酸化アンモニウムＮＨ４ＯＨ及びＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）のうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記キャッピング層上に金属シリサイド膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板の上部面と平行な平面とトレンチとの傾斜面との角度は４０°〜９０°であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の一実施形態で、前記基板の上部面と平行な平面とトレンチとの傾斜面との角度は４０°〜９０°の範囲であってもよい。