(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（２１）記載のホスフィン−ホスホラン化合物とIr、Rh、Ru、PdおよびNiから成る群から選ばれた遷移金属とを含有する遷移金属錯体の存在下、α，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化することを特徴とする光学活性アミド類を製造する方法。
0004226847.tif 000019
（式中、R1１、R2１は、 同一または異なっており、それぞれ炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基（炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子）を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアラルキル基、環置換アラルキル基、フェニル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基、3,4-メチレンジオキシ基、3,4-エチレンジオキシ基、3,4-プロピレンジオキシ基）を有するフェニル基、５員複素芳香環残基、ナフチル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子）を有するナフチル基を示す。R3１、 R4１、 R5１、 R6１は、 同一または異なっており、それぞれ水素原子、炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基を示し、R3１とR4１、R4１とR5１、R5１とR6１とがそれぞれ共に結合して異種原子を含む環を形成してもよい。R7１、 R8１は、 同一または異なっており、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、パーフルオロアルキル基、フェニル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子）を有するフェニル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは環置換アラルキル基を示す。）
【請求項２】
α，β−不飽和アミド誘導体が下記一般式（１）
0004226847.tif 000020
(式中、R1はアシル基、アルコキシカルボニル基を表す。R2は炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基(炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子)を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、フェニル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、炭素数１〜６のアルキル基置換アミノ基、ニトロ基)を有するフェニル基、ナフチル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するナフチル基、芳香族複素環基を表し、R3, R4は同一または異なっており、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基(炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子)を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、フェニル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するフェニル基、ナフチル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するナフチル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは環置換アラルキル基、芳香族複素環基を表す。)
で表される化合物であり、光学活性アミド類が下記一般式（２）
0004226847.tif 000021
(式中、R1, R2, R3, R4は前記と同じである。*は不斉炭素原子を表す。)
で表される請求項1記載の光学活性アミド類の製造方法。
【請求項３】
α，β−不飽和アミド誘導体が下記一般式（３）
0004226847.tif 000022
(式中、R5はアシル基を表す。R6は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基(炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子)を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、フェニル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するフェニル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは環置換アラルキル基を示し、R7, R8は同一または異なっており、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基(炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子)を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、フェニル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するフェニル基、ナフチル基、置換基(炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基)を有するナフチル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは環置換アラルキル基、芳香族複素環基を表す。)で表され、光学活性アミド類が下記一般式（４）
0004226847.tif 000023
(式中、R5, R6, R7, R8は前記と同じである。*は不斉炭素原子を表す。)
で表される請求項１記載の光学活性アミドの製造方法。
【請求項４】
遷移金属錯体が一般式（５）
MmLnXpYq     （５）
（式中、MはIr、Rh、Ru、PdおよびNiから成る群から選ばれた遷移金属で、Lは請求項１記載の一般式（２１）で表されるホスフィン−ホスホラン化合物を示す。
X、Y、m、n、 p 及びq は、MがIrあるいはRhの時、Xは Cl、BrまたはIで、m = n = p = 2、q = 0であり、
Mが Ruの時、(i) Xは Cl、BrまたはIで、Yは トリアルキルアミノ基を示し、m = n = 2、p = 4、q = 1であり、(ii) X は Cl、BrまたはIで、Y は ピリジル基あるいは環置換ピリジル基を示し、m = n = 1、p = 2、q = 2であり、(iii) X は カルボキシラート基で、m = n = 1、p = 2、q = 0であり、(iv) X は Cl、BrまたはIで、m = n = p = 2、q = 0であり、
Mが Pdの時、(i) X は Cl、m = n = 1、p = 2、q = 0であり、(ii) X はアリル基で、m = n = p = 2、q = 0であり、
Mが Niの時、X は Cl、BrあるいはIで、m = n = 1、p = 2、q = 0である。）
で表されるものである請求項１記載の光学活性アミドを製造する方法。
【請求項５】
遷移金属錯体が一般式（６）
[MmLnXpYq]Zs     （６）
（式中、MはIr、Rh、Ru、PdおよびNiから成る群から選ばれた遷移金属で、Lは請求項１記載の一般式（２１）で表されるホスフィン−ホスホラン化合物を示す。
X、Y、Z、m、n、 p、q 及びs は、MがIrあるいはRhの時、X は 1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエンで、Z は BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = p = s = 1、q = 0であり、
Mが Ruの時、(i) X は Cl、BrまたはIで、Y は中性配位子である芳香族化合物やオレフィン化合物を示し、Z は Cl、Br、I、I3、スルホネートで、m = n = p = s = q = 1であり、(ii) Z は BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = 1、p = q = 0、s = 2であり、
Mが PdおよびNiの時、(i) Z は BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = 1、p = q = 0、s = 2である。）
で表されるものである請求項１記載の光学活性アミドを製造する方法。
【請求項６】
ホスフィン−ホスホラン化合物が光学活性なホスフィン−ホスホラン化合物である請求項１記載の光学活性アミドを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の技術分野】
本発明は、ホスフィン−ホスホラン化合物を配位子とする遷移金属錯体の存在下、α，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化することにより光学活性アミン類を製造する方法に関する。とくに、本発明は、光学活性なホスフィン−ホスホラン化合物を配位子とする遷移金属錯体の存在下、α，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化することにより光学活性アミン類を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から各種基質を不斉水素化して光学活性な化合物を製造する方法が知られている。この不斉水素化反応に際して、様々な光学活性なホスフィンを配位子とするルテニウム、イリジウム、ロジウム、パラジウム、ニッケル等の遷移金属錯体は触媒として優れた性能を有することが報告されており、工業化されているものもある(Asymmetric Catalysis in Organic Synthesis, Ed., R. Noyori, Wiley & Sons, New York (1994))。それら配位子の中で、ホスホランタイプの配位子が開示されており、その配位子を含む遷移金属錯体は優れた不斉水素化触媒であると報告されている（(1) J. Organometal. Chem., 1987, 328, 71、(2) WO91/17998 (BPE)、(3) WO93/01199 (DuPHOS)、(4) J.Org.Chem., 1998, 63, 8031 (RoPHOS)、(5) WO 00/11008、(6) WO 99/59721 (PennPhos) 、(7) WO00/26220など）。
【０００３】
しかしながら(1)〜(6)に示されたホスホランタイプの配位子は、いずれも一分子につき２つの光学活性なホスホラン環を含有するため、その調製に多量の高価な光学活性1,3-あるいは1,4-ジオールが必要であり、(7)に示されたジホスフィンの合成では合成が困難なリン原子上への光学活性中心の導入が必要とされ、実用性に適さないという不都合さがある。
【０００４】
また、α，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化して光学活性アミド類を製造する方法が知られているものの、光学純度あるいは選択性などに優れた製造方法は少なく、しかも基質に対する触媒の使用量（所謂S/C）は５００〜１０００程度のものしか知られていなかった。
この光学活性アミド類はその化合物自体で一定の用途をもつ重要な化合物であると共に他の有用な化合物の合成中間体としても重要であるので、より有利な製造方法の開発が望まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明はα，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化して化学選択性、エナンチオ選択性に優れた光学活性アミド類を製造するとともに基質に対する触媒の使用量が従来のものよりも遥かに低くても効率的に反応が進行する新規な方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために鋭意開発を重ねた結果、特定の構造を有する光学活性なホスフィン−ホスホランの遷移金属錯体が、上記条件を満足するものであり、α，β−不飽和アミド誘導体の不斉水素化反応に有効であることを見出し、さらに研究を続け遂に本発明に到達した。
なお、一分子につき１つの光学活性なホスホラン環を含有する配位子が"Tetrahedron;Asymmetry 12 (2001) 1159 - 1169に報告されているが、そこでは化合物およびその製法が開示されているものの、遷移金属とそれら化合物とから錯体を調製することは記載されておらず、ましてやその錯体の存在下に基質を不斉水素化する方法まで開示されてはいない。
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のホスフィン−ホスホラン化合物は、一般式（２１）で表される。
0004226847.tif 000002
【０００８】
（式中、R1１、 R2１は、 同一または異なっており、それぞれ炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基（炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子）を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアラルキル基、環置換アラルキル基、フェニル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基置換アミノ基、3,4-メチレンジオキシ基、3,4-エチレンジオキシ基、3,4-プロピレンジオキシ基）を有するフェニル基、５員複素芳香環残基、ナフチル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子）を有するナフチル基を示す。
R3１、 R4１、 R5１、 R6１は、 同一または異なっており、それぞれ水素原子、炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基を示し、R３１、R4１とR5１、R5１とR6１とがそれぞれ共に結合して異種原子を含んでいてもよい環を形成してもよい。
【０００９】
R7１、 R8１は、 同一または異なっており、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、パーフルオロメチル基、フェニル基、置換基（炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、ハロゲン原子）を有するフェニル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは環置換アラルキル基を示す。）
【００１０】
上記R1１、 R2１の炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基およびt-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基およびt-ペンチル基、2-メチルペンチル基、n-ヘキシル基およびイソヘキシル基から成る群から選ばれたものであり、該アルキル基に置換される炭素数１〜６のアルキル基も上記アルキル基から選ばれ、置換される炭素数１〜６のアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基およびt-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基およびt-ペンチルオキシ基、2-メチルペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基およびイソヘキシルオキシ基であり、置換されるハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００１１】
上記炭素数３〜７のシクロアルキル基は、シクロプロピル基、メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、2-メチルシクロペンチル基、3-メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-メチルシクロヘキシル基、3-メチルシクロヘキシル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基が好ましい。
【００１２】
上記炭素数６〜１２のアラルキル基は、ベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基、1-フェニルプロピル基、2-フェニルプロピル基、3-フェニルプロピル基、1-フェニルブチル基、2-フェニルブチル基、3-フェニルブチル基、4-フェニルブチル基、1-フェニルペンチル基、2-フェニルペンチル基、3-フェニルペンチル基、4-フェニルペンチル基、5-フェニルペンチル基、1-フェニルヘキシル基、2-フェニルヘキシル基、3-フェニルヘキシル基、4-フェニルヘキシル基、5-フェニルヘキシル基、6-フェニルヘキシル基が好ましい。また、該アラルキル基の環の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられ、上記と同じものから選ばれる。
【００１３】
上記フェニル基は置換基を有してもよく、その置換基としての炭素数１〜６の低級アルキル基は、上記と同じものから選ばれるが、さらに置換されるアルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などから選ばれるハロゲン原子で置換されていてもよい。また、フェニル基に置換されるその他のものとして、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基、アルキル置換アミノ基などが挙げられるが、それらハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基は上記と同じものから選ばれる。なお、酸素原子含有置換基として3,4-メチレンジオキシ基、3,4-エチレンジオキシ基、3,4-プロピレンジオキシ基が置換基であってもよい。
【００１４】
上記ナフチル基は置換基を有してもよいが、その置換基は上記フェニル基に置換される基とほぼ同じものから選ばれる。即ち、炭素数１〜６の低級アルキル基、置換基を有する炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基、アルキル置換アミノ基などから選ばれる。
【００１５】
上記５員複素芳香環は2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフリル基、3-ベンゾフリル基、2-チエニル基、3-チエニル基が挙げられる。
【００１６】
上記R3１、R4１、R5１、R6１の該低級アルキル基または低級アルコキシ基とは炭素数１〜６の低級アルキル基または炭素数１〜６の低級アルコキシ基であり、具体的には上記に列記されたものから選ばれる。なお、該R3１とR4１、R4１とR5１、R5１とR6１とがそれぞれ共に結合してメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基若しくはプロピレンジオキシ基を含む環を形成してもよい。
【００１７】
さらに、該R3１とR4１、R4１とR5１、R5１とR6１が結合して環を形成してもよく、その環としては他の炭素原子と共に形成される炭素数５〜７の環が好ましく、飽和および不飽和脂環式環または芳香環が挙げられる。それらの環は置換基を有していてもよい。飽和脂環式環としてはインダン、テトラヒドロナフタレンなどが挙げられ、不飽和脂環式環としてはインデン、ジヒドロナフタレン、フルオレンなどが挙げられ、芳香環としてはナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどが挙げられる。それら環の置換基としては上記ナフチル基に置換される基とほぼ同じものから選ばれる。
【００１８】
上記R7１、 R8１として、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、炭素数６〜１２のアラルキル基若しくは核置換アラルキル基などが挙げられ、上記と同じものから選ばれる。またR7１、 R8１は、パーフルオロメチル基でもよく、具体的にはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基が挙げられる。
【００１９】
上記一般式（２１）で表される化合物はいろいろな方法により製造されるが、とくに一般式（２２）で表される下記ホスフィンボラン−ホスホランから製造すると安定性などの点から有利である。
0004226847.tif 000003
【００２０】
（式中、R1１ないしR8１は上記と同じである。）
この化合物においてＰ→Ｂはリン原子とホウ素原子とが配位結合されていることを意味する。なお、ホウ素原子を配位結合によりリン原子含有化合物に導入すると、リン原子含有化合物の不安定さが解消さ        れるという特徴を有する。また上述した化合物は光学活性な化合物であってもよい。
なお、一般式（２２）で表される化合物は常法により製造される。
【００２１】
一般式（２１）で表される化合物の製法について以下に説明する。
まず、煩雑さを避けるために本発明に含まれる化合物の中から下記（７）で示される化合物；1-((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)-2-(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン（以下、(S,S)-Me-UCAP-Phということがある）を例にして本発明の化合物の代表的な製法を具体的に説明する。当然のことながら、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
【００２２】
下記（７）の化合物は、下記反応式（１）により調製することができる。
0004226847.tif 000004
【００２３】
例えば文献(S. E. Tunney and J. K. Stille, J.Org.Chem., 1987, 52, 748)記載の方法を用いて製造することができる2-(ブロモフェニル)ジフェニルホスフィン（１０）をn-ブチルリチウムの存在下、クロロジエチルホスファイトと反応させてホスフィン−ホスホナイト化合物（１１）を得る。次にクロロトリメチルシランの存在下、該化合物（１１）を水素化リチウムアルミニウムで還元して３級ホスフィン−１級ホスフィン化合物（１２）を得る。次いで、n-ブチルリチウムの存在下、例えば文献(M. J. Burk, J. E. Feaster and R. L. Harlow, Tetrahedron: Asymmetry, 1991, 2, 569)記載の方法を用いて製造することができる(2R,5R)-2,5-ヘキサンジオールのジメシラート体と得られた化合物（１２）を反応させ、目的とする(S,S)-Me-UCAP-Ph（７）が高効率で製造できる。
【００２４】
【反応式１】
0004226847.tif 000005
こうして得られた光学活性ホスフィン−ホスホラン化合物（７）は、必要に応じて公知の分離精製手段、例えば、濃縮、減圧濃縮、溶媒抽出、晶出、再結晶、クロマトグラフィーにより単離精製することができるが、単離せずに反応混合物として次工程の反応に用いてもよい。
【００２５】
上記製法の工程Ａにおいて、上記(トリメチルシリル)ジフェニルホスフィン化合物の代わりに、種々のホスフィン化合物を用いることにより様々な一般式（２１）若しくは（２２）の化合物を得ることができる。
【００２６】
また上記工程Ｄにおいて、上記(2R,5R)-2,5-ヘキサンジオールのジメシラート体の代わりに種々の光学活性体、ラセミ体あるいはメソ体の1,4-ジオールのジメシラート体を用いることにより様々な一般式（２１）若しくは（２２）の化合物を得ることができる。
【００２７】
本発明の化合物の中で、ホスフィン−ホスホラン化合物、その中でも光学活性なホスフィン−ホスホラン化合物は遷移金属錯体の配位子として有用であり、該錯体はα，β−不飽和アミド誘導体の不斉水素化触媒として有用である。
【００２８】
以下、本発明の遷移金属錯体について説明する。
本発明の遷移金属錯体の一つは、一般式    MmLnXpYq     （５）
（式中、MはIr、Rh、Ru、PdおよびNiから成る群から選ばれた遷移金属で、Lは請求項１記載の一般式（２１）で表されるホスフィン−ホスホラン化合物を示す。
X、Y、m、n、 p 及びq は、MがIrあるいはRhの時、Xは Cl、BrまたはIで、m = n = p = 2、q = 0であり、
【００２９】
Mが Ruの時、(i) Xは Cl、BrまたはIで、Yは トリアルキルアミノ基を示し、m = n = 2、p = 4、q = 1であり、(ii) X は Cl、BrまたはIで、Y は ピリジル基あるいは環置換ピリジル基を示し、m = n = 1、p = 2、q = 2であり、(iii) X は カルボキシラート基で、m = n = 1、p = 2、q = 0であり、(iv) X は Cl、BrまたはIで、m = n = p = 2、q = 0であり、M は Pdの時、(i) X は Cl、m = n = 1、p = 2、q = 0であり、(ii) X はアリル基で、m = n = p = 2、q = 0であり、M は Niの時、X は Cl、BrあるいはIで、m = n = 1、p = 2、q = 0である。）、で表される。
【００３０】
上記錯体において、ピリジル環の置換基としては、炭素数が１〜３のアルキル基、ハロゲン原子などが挙げられる。また、カルボキシラート基としては、ＣＨ３ＣＯＯ、ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯなどが挙げられる。
【００３１】
本発明の遷移金属錯体の他の一つは、一般式  [MmLnXpYq]Zs     （６）
（式中、MはIr、Rh、Ru、PdおよびNiから成る群から選ばれた遷移金属で、Lは請求項１記載の一般式（２１）で表されるホスフィン−ホスホラン化合物を示す。
X、Y、Z、m、n、 p、q 及びs は、MがIrあるいはRhの時、X は 1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエンで、Z は BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = p = s = 1、q = 0であり、
【００３２】
Mが Ruの時、(i) X は Cl、BrまたはIで、Y は中性配位子である芳香族化合物やオレフィン化合物を示し、Z は Cl、Br、I、I3、スルホネートで、m = n = p = s = q = 1であり、(ii) Zは BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = 1、p = q = 0、s = 2であり、
Mが PdおよびNiの時、(i) Z は BF4、ClO4、OTf、PF6、SbF6またはBPh4で、m = n = 1、p = q = 0、s = 2である。）
で表される。
【００３３】
上記錯体において、中性配位子である芳香族化合物としては、ベンゼン、ｐ−サイメンなどが挙げられ、オレフィン化合物としては、1,5-シクロオクタジエン、ノルボルナジエンなどが挙げられる。
【００３４】
これらの遷移金属錯体は公知の方法を用いて製造することができる。
尚、以下に示す遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、それぞれ、Lは本発明の化合物（２１）の中で光学活性な化合物を、codは1,5-シクロオクタジエンを、nbdはノルボルナジエンを、Tfはトリフラート基(SO2CF3)を、Phはフェニル基を、Acはアセチル基を示す。
【００３５】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体を製造する具体的な例としては、日本化学会編「第 4版  実験化学講座」、第18巻、有機金属錯体、1991年 、丸善339−344 頁に記載の方法に従い、ビス(シクロオクタ-1, 5-ジエン）ロジウム(I) テトラフロロホウ酸塩と本発明の Me-UCAP-Phを反応せしめて合成することができる。ロジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００３６】
[Rh(L)Cl]2、[Rh(L)Br]2、[Rh(L)I]2 、
[Rh(cod)(L)]BF4 、 [Rh(cod)(L)]ClO4 、
[Rh(cod)(L)]PF6 、[Rh(cod)(L)]BPh4、[Rh(cod)(L)]OTf、
[Rh(nbd)(L)]BF4 、[Rh(nbd)(L)]ClO4、
[Rh(nbd)(L)]PF6 、[Rh(nbd)(L)]BPh4、[Rh(nbd)(L)]OTf
【００３７】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体を製造する方法としては、文献(T. Ikariya, Y. Ishii, H. Kawano, T. Arai, M. Saburi, S. Yoshikawa, and S. Akutagawa, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 922 (1988))に記載のように、[Ru(cod)Cl2]n と Me-UCAP-Phをトリエチルアミンの存在下にトルエン溶媒中で加熱還流することで調製できる。また、文献(K. Mashima, K. Kusano, T. Ohta, R. Noyori, H. Takaya, J. Chem. Soc., Chem. Commun.,1208(1989)) に記載の方法で [Ru(p-cymene)I2]2とMe-UCAP-Phとを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することにより調整することができる。ルテニウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００３８】
Ru(OAc)2(L)、 Ru2Cl4(L)2NEt3、RuCl2(L)2(pyridine)2、
[RuCl(benzene)(L)]Cl、[RuBr(benzene)(L)]Br、[RuI(benzene)(L)]I、
[RuCl(p-cymene)(L)]Cl、[RuBr(p-cymene)(L)]Br、[RuI(p-cymene)(L)]I 、
[Ru(L)](BF4)2、[Ru(L)](ClO4)2、[Ru(L)](PF6)2、[Ru(L)](BPh4)2、[Ru(L)](OTf)2
【００３９】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献(K. Mashima,T. Akutagawa, X. Zhang, T. Taketomi, H. Kumobayashi, S. Akutagawa, J. Organomet. Chem., 428, 213 (1992)) に記載の方法に従って、Me-UCAP-Ph と[Ir(cod)(CH3CN)2]BF4とを、テトラヒドロフラン中にて反応させることにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４０】
[Ir(L)Cl]2、[Ir(L)Br]2、[Ir(L)I]2 、
[Ir(cod)(L)]BF4 、 [Ir(cod)(L)]ClO4 、
[Ir(cod)(L)]PF6 、[Ir(cod)(L)]BPh4、[Ir(cod)(L)]OTf、
[Ir(nbd)(L)]BF4 、[Ir(nbd)(L)]ClO4、
[Ir(nbd)(L)]PF6 、[Ir(nbd)(L)]BPh4、[Ir(nbd)(L)]OTf
【００４１】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献(Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am.Chem. Soc., 9887 (1991)) に記載の方法に従って、Me-UCAP-Ph とp-アリルパラジウムクロリドを反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４２】
PdCl2(L), (π-allyl)Pd(L)、[Pd(L)]BF4、[Pd(L)]ClO4、
[Pd(L)]PF6、[Pd(L)]BPh4、[Pd(L)]OTf
【００４３】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、例えば、日本化学会編「第4 版  実験化学講座」第18巻、有機金属錯体、1991年、376 頁  丸善の方法で調製できるが、また、文献(Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am. Chem. Soc.,1991,113,9887)に記載の方法に従って、Me-UCAP-Ph と塩化ニッケルとを、2-プロパノールとメタノールの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより調製できる。ニッケル錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４４】
NiCl2(L)、NiBr2(L)、NiI2(L)
【００４５】
このホスフィン−ホスホラン化合物、とくに光学活性ホスフィン−ホスホラン化合物を配位子とする遷移金属錯体はα，β−不飽和アミド誘導体を不斉水素化して光学活性アミド類を製造する際の触媒として有用である。錯体を触媒として使用する場合は、錯体の純度を高めてから使用してもよいが、また、錯体を精製することなく使用してもよい。
前記、遷移金属錯体のなかでは、特にロジウムと光学活性ホスフィン−ホスホラン化合物である1-(2,5-ジメチルホスホラノ)-2-(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン(以下、(S,S)-Me-UCAP-Phという、1-(ビス(3,5-ジメチルフェニル)ホスフィノ)-2-((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)ベンゼン(以下、Me-UCAP-DMという)等を配位子として含む錯体が好ましい。
【００４６】
本発明の基質であるα，β−不飽和アミド誘導体および該化合物を不斉水素化して得られる化合物について説明する。
この誘導体はα位の炭素原子とβ位の炭素原子とが不飽和結合されているアミドおよびそのアミドから誘導されるものをいう。
それらα，β−不飽和アミド誘導体の中ではとくに下記一般式（１）で表される化合物が好ましいものである。
【００４７】
一般式（１）
0004226847.tif 000006
R1のアシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などが挙げられ、アルコキシカルボニル基としてはベンジロキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基などが挙げられる。
【００４８】
R2の炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基およびt-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基およびt-ペンチル基、2-メチルペンチル基、n-ヘキシル基およびイソヘキシル基から成る群から選ばれたものである。このアルキル基は置換基を有していても良く，置換基としては炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子が挙げられる。該アルキル基は上記アルキル基と同様なものが挙げられ、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００４９】
該フェニル基は置換基を有してもよいが、その置換基としては、炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲンが置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基置換アミノ基が挙げられる。
該ナフチル基は置換基を有してもよいが、その置換基としては、上記フェニル基と同様に、炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲンが置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基置換アミノ基が挙げられる。
該炭素数１〜６の低級アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-、iso-、sec-およびt-ブトキシ基、n-、iso-、neo-およびt-ペンチルオキシ基、2-メチルペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基およびイソヘキシルオキシ基である。アルキル置換アミノ基のアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-、iso-、sec-およびt-ブチル基などが挙げられる。
該芳香族複素環基はフリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ピリジル基等が挙げられる。
【００５０】
R3, R4としては、R2上にて明記したものから選ばれると共に、水素原子、炭素数６〜１２のアラルキル基、核置換された炭素数６〜１２のアラルキル基から選ばれる。該アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられ、該アラルキル基の環の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子である。
【００５１】
なお，上記（或いは下記）炭素数１〜６の低級アルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基およびt-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基およびt-ペンチル基、2-メチルペンチル基、n-ヘキシル基およびイソヘキシル基から選ばれ、炭素数１〜６の低級アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基およびt-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基およびt-ペンチルオキシ基、2-メチルペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基およびイソヘキシルオキシ基から選ばれ、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる。なお、R3, R4は水素原子であってもよい。
【００５２】
上記一般式（１）で表される化合物を不斉水素化して得られる光学活性アミド類は下記一般式（２）の化学構造式で表される。
0004226847.tif 000007
一般式（２）
(式中、R1, R2, R3, R4は前記と同じである。*は不斉炭素原子を表す。)
【００５３】
上記α，β−不飽和アミド誘導体の中のとくに好ましい化合物であって前記化合物と異なる化合物として、下記
一般式（３）
0004226847.tif 000008
で表される化合物がある。この化合物におけるR5のアシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などが挙げられる。
【００５４】
R6としては、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基、置換基を有する炭素数１〜６の直鎖状あるいは分岐鎖状アルキル基（その置換基は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子である）、フェニル基、置換基を有するフェニル基（その置換基は炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６のアルコシキ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル置換アミノ基、ニトロ基である)、 R７, R８としては、R６にて明記したものから選ばれると共に、ナフチル基、置換基を有するナフチル基から選ばれ、その置換基としては、上記フェニル基と同様に、炭素数１〜６の低級アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲンが置換された炭素数１〜６の低級アルキル基、炭素数１〜６の低級アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基置換アミノ基が挙げられる。
【００５５】
上記一般式（３）で表される化合物を不斉水素化して得られる光学活性アミド類は下記一般式（４）の化学構造式で表される。
一般式（４）
0004226847.tif 000009
(式中、R5, R6, R7, R8は前記と同じである。*は不斉炭素原子を表す。)
【００５６】
上記不斉水素化反応において、使用する触媒の量は反応容器や反応の形式あるいは経済性によっても異なるが、例えば上記基質（α，β−不飽和アミド誘導体）に対してモル比で1/10〜1/100,000の範囲で用いることができ、好ましくは1/100〜10,000の範囲で、より好ましくは1/500〜7,500の範囲で用いることができる。反応温度は経済性を考慮して15〜100℃で行うことが好ましいが、25〜40℃の室温付近で反応を実施することができる。しかしながら本発明においては−30〜15℃の低温でも反応を実施することができる。
【００５７】
反応溶媒としては、反応原料、触媒を可溶化するものであれば適宜なものを用いることができる。例としてトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素溶媒、、塩化メチレン、クロロホルムなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t-ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソプロピルケトン、メチル１−tert−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどへテロ原子を含む有機溶媒などを用いることができる。好ましくはアルコール系溶媒が挙げられる。反応基質あるいは触媒が溶媒に可溶化しにくい場合は、上記溶媒から選択して混合溶媒として用いることができる。
【００５８】
溶媒の量は反応基質の溶解度及び経済性により判断される。アルコール系溶媒の場合、基質濃度は基質によっては1%以下の低濃度から無溶媒あるいは無溶媒に近い状態で行うことができるが、好ましくは20〜50重量%で行うのが望ましい。
水素の圧力は、水素雰囲気下や1気圧でも十分であるが、経済性を考慮すると1〜100気圧の範囲で、好ましくは2〜50気圧の範囲が望ましいが、プロセス全体の経済性を考慮して10気圧以下でも高い活性を維持することが可能である。
反応時間は触媒使用量、反応基質濃度、温度、水素圧等の反応条件によって異なるが、数分から数十時間で反応は完結する。
【００５９】
【発明の効果】
本発明の方法により光学純度に優れた光学活性アミドを低い触媒使用量で製造することが出来た。この光学活性アミドはそれ自体有用な化合物であると共にさらに各種有効な化合物を調製する中間体としても有用である。この光学活性アミドを製造する方法は、優れた触媒活性及びエナンチオあるいはジアステレオ選択性を発揮するので産業的にも極めて有用である。
【００６０】
【実施例】
以下に実施例、参考例、比較例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
なお、各実施例、参考例、比較例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
核磁気共鳴  DRX500 (BRUKER JAPAN CO.LTD.)
1H NMR        500.13 MHz
31P NMR        202.46 MHz
融点        Yanaco  MP-500D
旋光度      日本分光社  DIP-4
ガスクロマトグラフィー   GLC      Hewlett Packard 5890-II
高速液体クロマトグラフィー  HPLC  島津製作所  LC10AT & SPD10A
質量分析           MASS   日立製作所  M-80B
【００６１】
【参考例１】
(a) (2-ジフェニルホスフィノフェニル)ジエチルホスホナイトの合成
文献(S. E. Tunney and J. K. Stille, J.Org.Chem., 1987, 52, 748)記載の方法に従い、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウムの存在下に、2-ブロモヨードベンゼンと (トリメチルシリル)ジフェニルホスフィンとをトルエン中で反応させることにより得られた(2-ブロモフェニル)ジフェニルホスフィン10.00 g (29.3 mmol)を４つ口フラスコに計り取り、温度計、冷却管、均圧管付き滴下漏斗を付した反応容器内を窒素で完全に置換し、無水テトラヒドロフラン(以下、THFという) 100 mLを加えた。、n-ブチルリチウム−ヘキサン(1.6 M)溶液18.3 mL (29.3 mmol)を−78 ℃にて30分かけて滴下し、同温度で1時間撹拌を続けた。得られた混合溶液を−78 ℃にて30分かけてクロロジエチルホスファイト4.83 g (29.3 mmol) (Aldrich社製)のTHF 25 mL溶液に滴下した。滴下終了後、冷却用バスを外し、室温で更に1時間撹拌した。反応終了後、THFを留去し、残査をジエチルエーテル50 mLに溶解し、不溶物をろ過により除いた。溶媒を留去し、残査を活性アルミナカラムクロマトグラフィー(溶離液；ヘキサン／酢酸エチル = 2/1)にて精製し、表題化合物(10.30 g，淡黄色油状物)を得た。収率92%。
【００６２】
1H NMR (CDCl3): δ; 1.07 (t, J = 7 Hz, 3H), 3.6-3.7 (m, 2H), 3.8-3.9 (m, 2H), 7.0-7.1 (m, 1H), 7.2-7.4 (m, 12H), 7.9-8.0 (m, 1H)
31P NMR (CDCl3): δ; 151.7 (d, JP-P = 156 Hz), −17.1 (d, JP-P = 156 Hz)EI-MS (m/z): 382 ([M]+)
【００６３】
(b) (2-ジフェニルホスフィノ)フェニルホスフィンの合成
窒素雰囲気下、水素化リチウムアルミニウム2.98 g (78.5 mmol)のTHF 150 mL懸濁液に、−30℃でトリメチルシリルクロライド8.52 g (78.5 mmol)を30分かけて滴下した後、室温にて1.5時間撹拌した。次に−30℃にて((2-ジフェニルホスフィノ)フェニル)ジエチルホスホナイト10.00 g (26.2 mmol)のTHF 30 mL溶液を30分かけて滴下した後、室温にて16時間撹拌した。0 ℃〜10 ℃で水15 mLのTHF 30 mL溶液をゆっくり滴下し、次いで1N-水酸化ナトリウム水溶液20 mLを加えた。窒素雰囲気下で有機層をデカンテーションし、溶媒を留去する。残査をジエチルエーテル100 mLに溶解し、あらかじめ脱気した水20 mLで３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を除いて溶媒を留去し、残査を活性アルミナカラムクロマトグラフィー(溶離液；ヘキサン／酢酸エチル = 2/1)にて精製し、表題化合物(7.21 g，白色結晶)を得た。収率94%。
【００６４】
mp: 82〜83℃
1H NMR (CDCl3): δ; 3.89 (dd, J = 11.8, 205.7 Hz, 2H), 6.75-6.85 (m, 1H), 7.05-7.35 (m, 12H), 7.45-7.55 (m, 1H)
31P NMR (CDCl3): δ; −10.1 (d, JP-P = 98 Hz), −123.76 (d, JP-P = 98 Hz)
EI-MS (m/z): 294 ([M]+)
【００６５】
(c) 1-((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)-2-(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン( (S,S)-Me-UCAP-Ph)の合成
窒素雰囲気下、(2-ジフェニルホスフィノ)フェニルホスフィン500 mg (1.70 mmol)をTHF 20 mLに溶解し、−78 ℃でn-ブチルリチウム−ヘキサン(1.6 M)溶液2.1 mL (3.40 mmol)を30分かけて滴下し、同温度で1時間撹拌する。次に(2R,5R)-2,5-ヘキサンジオールビス(メタンスルホネート) 465 mg (1.70 mmol)のTHF 5 mL溶液を、−78  ℃で30分かけて滴下した。滴下終了後−78 ℃で1時間撹拌し、次いで室温で16時間撹拌した。室温にてメタノール3 mLを加え、溶媒を留去した。得られた残査を活性アルミナカラムクロマトグラフィー(溶離液；ヘキサン／酢酸エチル = 2/1)にて精製し、表題化合物(550 mg，無色油状物)を得た。収率86%。
【００６６】
[α]D29 +192.3°(ｃ = 1.00, CH2Cl2)
1H NMR (CDCl3): δ; 0.84 (dd, J = 7.1, 9.5 Hz, 3H), 1.11 (dd, J = 7.1, 18.6 Hz, 3H), 1.31-1.39 (m, 1H), 1.54-1.63 (m, 1H), 2.01-2.08 (m, 1H), 2.17-2.25 (m, 1H), 2.32-2.41 (m, 1H), 2.56-2.62 (m, 1H), 6.91-6.95 (m, 1H), 7.20-7.38 (m, 12H), 7.52-7.55 (m, 1H)
31P NMR (CDCl3): δ; −0.1 (d, JP-P = 164 Hz), −11.5 (d, JP-P = 164 Hz)EI-MS (m/z): 376 ([M]+)
【００６７】
【参考例２】
1-(ビス(3,5-ジメチルフェニル)ホスフィノ)-2-((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)ベンゼン((S,S)-Me-UCAP-DM)の合成
参考例１(a)記載の(トリメチルシリル)ジフェニルホスフィンの代わりに(トリメチルシリル)ビス(3,5-ジメチルフェニル)ホスフィンを用いて、参考例１(a)〜(c)と同様に操作して表題化合物(無色油状物)を得た。収率は2-ブロモヨードベンゼンを出発原料として18%である。
【００６８】
[α]D29 +110.6  ° (ｃ = 1.20, CH2Cl2)
1H NMR (CD2Cl2): δ; 0.77 (dd, J = 7.1, 9.3 Hz, 3H), 1.04 (dd, J = 7.1, 18.7 Hz, 3H), 1.18-1.30 (m, 1H), 1.43-1.53 (m, 1H), 1.92-1.98 (m, 1H), 2.15 (s, 6H), 2.16 (s, 6H), 2.08-2.29 (m, 2H), 2.48-2.54 (m, 1H), 6.74 (d, J = 7.7 Hz, 1H), 6.77-6.91 (m, 5H), 7.12 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.20-7.50 (m, 2H), 7.42-7.44 (m, 1H)
31P NMR (CD2Cl2): δ; 0.8 (d, JP-P = 156 Hz), −10.4 (d, JP-P = 156 Hz)EI-MS (m/z): 432 ([M]+)
【００６９】
【参考例３】
1-((2S,5S)-2,5-ジエチルホスホラノ)-2-(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン((S,S)-Et-UCAP-Ph)の合成
参考例１(c)記載の(2R,5R)-2,5-ヘキサンジオールビス(メタンスルホネート)の代わりに(3R,6R)-3,6-オクタンジオールビス(メタンスルホネート)を用いて、参考例１(a)〜(c)と同様に操作して表題化合物(白色結晶)を得た。収率は2-ブロモヨードベンゼンを出発原料として48%である。
【００７０】
mp：57〜58 ℃
[α]D29 +139.8° (ｃ = 1.04, CH2Cl2)
1H NMR (CD2Cl2): δ; 0.60 (t, J = 7.3 Hz, 3H), 0.78 (t, J = 7.3 Hz, 3H), 0.87-0.98 (m, 1H), 1.16-1.51 (m, 5H), 1.91-2.06 (m, 2H), 2.13-2.20 (m, 1H), 2.27-2.35 (m, 1H), 6.75-6.79 (m, 1H), 7.11-7.19 (m, 12H), 7.45-7.49 (m, 1H)
31P NMR (CD2Cl2): δ; −7.2 (d, JP-P = 167 Hz), −10.3 (d, JP-P = 167 Hz)
EI-MS (m/z): 404 ([M]+)
【００７１】
【参考例４】
1-(ビス(4-メトキシフェニル)ホスフィノ)-2-((2S,5S)-2,5-ジメチルホスホラノ)ベンゼン((S,S)-Me-UCAP-(p-MeO-Ph))の合成
参考例１(a)記載の(トリメチルシリル)ジフェニルホスフィンの代わりに(トリメチルシリル)ビス(4-メトキシフェニル)ホスフィンを用いて、参考例１(a)〜(c)と同様に操作して表題化合物(白色結晶)を得た。収率は2-ブロモヨードベンゼンを出発原料として38%である。
【００７２】
mp：124〜125 ℃
[α]D29 +171.5° (ｃ = 1.04, CH2Cl2)
1H NMR (CD2Cl2): δ; 0.83 (dd, J = 7.7, 7.7 Hz, 3H), 1.11 (dd, J = 7.7, 18.7 Hz, 3H), 1.23-1.40 (m, 1H), 1.50-1.61 (m, 1H), 1.98-2.08 (m, 1H), 2.14-2.26 (m, 1H), 2.26-2.38 (m, 1H), 2.52-2.63 (m, 1H), 3.79 (s, 6H), 6.89-6.98 (m, 5H), 7.08-7.27 (m, 5H), 7.27-7.36 (m, 1H), 7.46-7.54 (m, 1H)31P NMR (CD2Cl2): δ; 0.7 (d, JP-P = 156 Hz), −13.9 (d, JP-P = 156 Hz)EI-MS (m/z): 435 ([M−H]+)
【００７３】
【参考例５】
[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-Ph)]OTfの合成
窒素雰囲気下、20 mLシュレンク管中で[Rh(cod)2]OTf 118.5 mg (0.253 mmol)を塩化メチレン2 mLに溶解し、室温にて(S,S)-Me-UCAP-Ph 100.0 mg (0.266 mmol)の塩化メチレン3 mL溶液を加える。同温で30分撹拌し、溶媒を留去後、塩化メチレン−ジエチルエーテルから再結晶し、表題化合物(170 mg,黄橙色結晶)を得た。収率91%。
31P NMR (CD2Cl2) : δ; 75.3 (dd, J = 26.9, 146.6 Hz), 60.5 (dd, J = 26.6, 150.5 Hz)
【００７４】
【参考例６】
[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-Ph)]ClO4の合成
[Rh(cod)Cl]2 69.7 mg (0.142 mmol)とNaClO4 48.5 mg (0.396 mmol)をアセトン1 mLに溶解し、室温にて(S,S)-Me-UCAP-Ph 111.8 mg (0.297 mmol) の塩化メチレン3 mL溶液を加え、同温で30分撹拌後、溶媒を留去する。得られた残査を塩化メチレン10 mLで抽出する。塩化メチレン−ジエチルエーテルから再結晶し、表題化合物(163 mg,橙色結晶)を得た。収率84%。
31P NMR (CD2Cl2) : δ; 75.3 (dd, J = 26.7, 146.2 Hz), 60.4 (dd, J = 25.6, 151.5 Hz)
【００７５】
【参考例７】
[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-Ph)]BF4の合成
参考例５記載の[Rh(cod)2]OTfの代わりに[Rh(cod)2]BF4 130.5 mg (0.321 mmol)を用いて(S,S)-Me-UCAP-Ph 127.0 mg (0.337 mmol)と反応させ、参考例５と同様に操作して表題化合物(145 mg,橙色結晶)を得た。収率67%。
31P NMR (CD2Cl2) : δ; 75.3 (dd, J = 26.7, 146.2 Hz), 60.4 (dd, J = 26.7, 150.5 Hz)
【００７６】
【参考例８】
[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-DM)]OTfの合成
参考例５と同様に操作して[Rh(cod)2]OTf 108.0 mg (0.231 mmol)と(S,S)-Me-UCAP-DM 104.7 mg (0.242 mmol)から、表題化合物(150 mg,橙色結晶)を得た。収率82%。
31P NMR (CD2Cl2): δ; 74.5 (dd, J = 26.2, 147.7 Hz), 60.7 (dd, J = 27.5, 149.4 Hz)
【００７７】
【参考例９】
[Rh(cod)((S,S)-Et-UCAP-Ph)]OTfの合成
参考例５と同様に操作して[Rh(cod)2]OTf 80.4 mg (0.172 mmol)と(S,S)-Et-UCAP-Ph 72.9 mg (0.180 mmol)から、表題化合物(120 mg,橙色結晶)を得た。収率91%。
31P NMR (CD2Cl2): δ; 68.1 (dd, J = 25.6, 147.3 Hz), 60.0 (dd, J = 25.6, 151.5 Hz)
【００７８】
【参考例１０】
[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-(p-MeO-Ph))]OTfの合成
参考例５と同様に操作して[Rh(cod)2]OTf 102.2 mg (0.218 mmol)と(S,S)-Me-UCAP-(p-MeO-Ph) 100.0 mg (0.2291 mmol)から、表題化合物(167 mg,橙色結晶)を得た。収率100%。
31P NMR (CD2Cl2): δ; 74.7 (dd, J = 26.7, 148.5 Hz), 58.7 (dd, J = 26.7, 151.5 Hz)
【００７９】
【実施例１〜２】
N-ベンゾイル-1-フェニルプロペナミンの不斉水素化反応
窒素雰囲気下、[Rh(cod)(L)]OTf 0.0018 mmol (Lは光学活性配位子を示す。)、N-ベンゾイル-1-フェニルプロペナミン213.6 mg (0.9 mmol)、メタノール3 mLをステンレスオートクレーブに入れ、30 ℃、水素圧0.4 MPaで15時間撹拌した。反応混合物をGLCおよびHPLCにて転化率、光学純度、絶対配置を測定した。得られた結果を表１に示す。なお、反応式中での波線はE体とZ体の混合物であることを示す。（以下、同じ)
【００８０】
【比較例１〜２】
配位子を下記表１に記載されたものを用いる以外は、実施例１〜２と同じ方法でN-ベンゾイル-1-フェニルプロペナミンの不斉水素化反応を行った。
得られた結果を表１に示す。
【００８１】
<GLC分析条件>
転化率はキャピラリーカラムHP-1 (Hewlett Packard社製)を用いて測定した。
<HPLC分析条件>
光学純度はCHIRALCEL OD (4.6 x 250 mm,ダイセル化学工業社製, ヘキサン/2-プロパノール = 90/10, 1.0 mL/min, 254 nm)を用いて測定した。
0004226847.tif 000010
【００８２】
0004226847.tif 000011
0004226847.tif 000012
0004226847.tif 000013
【００８３】
【実施例３】
N-アセチル-1-フェニルプロペナミンの不斉水素化反応
0004226847.tif 000014
窒素雰囲気下、[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-Ph)]OTf 1.3 mg (0.0018 mmol)、N-アセチル-1-フェニルプロペナミン157.7 mg (0.9 mmol)、メタノール3 mLをステンレスオートクレーブに入れ、30 ℃、水素圧0.4 MPaで15時間撹拌した。反応混合物をGLCにて転化率、光学純度、絶対配置を測定したところ、転化率100%、光学純度93.9% eeであった。得られたN-アセチル-1-フェニルプロピルアミンの絶対配置はS体であった。
【００８４】
<GLC分析条件>
転化率、光学純度はキャピラリーカラムCP-Chirasil DEX-CB (0.25mmI.D. x 25 m, 0.25 μm, CHROMPACK社製)を用いて測定した。
0004226847.tif 000015
【００８５】
【実施例４〜１２】
実施例３の方法に準じて、反応基質N-アセチル-1-フェニルプロペナミンに対して、表２に示す光学活性配位子を有する金属錯体及びその使用量、溶媒及び溶媒量、反応時間の条件下にて反応を行った。表２にまとめてその結果を示した。
【００８６】
表２ N-アセチル-1-フェニルプロペナミンの不斉水素化反応
0004226847.tif 000016
aS/Cは基質／光学活性金属錯体のモル比を示す。
bS/Sは溶媒(mL)／基質(g)比を示す。
【００８７】
【実施例１３】
α-アセトアミドブテン酸メチルの不斉水素化反応
0004226847.tif 000017
窒素雰囲気下、[Rh(cod)((S,S)-Me-UCAP-Ph)]OTf 2.0 mg (0.0027 mmol)、α-アセトアミドブテン酸メチル84.4 mg (0.536 mmol)、メタノール1.8 mLをステンレスオートクレーブに入れ、30 ℃、水素圧0.2 MPaで15時間撹拌した。反応混合物をGLCおよびHPLCにて転化率、光学純度、絶対配置を測定したところ、転化率100%、光学純度89.8% eeであった。得られたα-アセトアミドブタン酸メチルの絶対配置はS体であった。
【００８８】
<GLC分析条件>
転化率、光学純度はキャピラリーカラムChiral Dex B-TA (0.25mmI.D. x 30 m, 0.125 μm, 東京化成社製)を用いて測定した。
0004226847.tif 000018