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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の撮像装置は、被写体を連続して撮像することにより、前記被写体を示す複数の画像を得る撮像装置であって、前記複数の画像の各々から、画像に含まれる顔を選出する選出部と、前記複数の画像の各々で前記選出部により選出された顔に基づき、前記複数の画像の中から１つの画像を選択するために用いられる評価値を、前記複数の画像の各々毎に算出する算出部と、前記算出部により算出された評価値に基づいて、前記複数の画像からいずれかの画像を選択する選択部と、前記選択部により選択された画像を記録する記録部を備え、前記選択部は、同一とみなせる評価値を有する画像が複数存在する場合には、それらの画像のうち、先の撮像により得られた画像を選択の対象とすることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を連続して撮像することにより、前記被写体を示す複数の画像を得る撮像装置であって、
前記複数の画像の各々から、画像に含まれる顔を選出する選出部と、
前記複数の画像の各々で前記選出部により選出された顔に基づき、前記複数の画像の中から１つの画像を選択するために用いられる評価値を、前記複数の画像の各々毎に算出する算出部と、
前記算出部により算出された評価値に基づいて、前記複数の画像からいずれかの画像を選択する選択部と、
前記選択部により選択された画像を記録する記録部を備え、
前記選択部は、同一とみなせる評価値を有する画像が複数存在する場合には、それらの画像のうち、先の撮像により得られた画像を選択の対象とすることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記算出部は、前記選出部により選出された顔に関する顔評価値を求め、前記顔評価値から前記複数の画像の各々毎の評価値を算出するものであり、
前記複数の画像データの中の第１の画像データにおける前記顔評価値が、前記複数の画像データの中で前記第１の画像データよりも前に得られた第２の画像データに対して求めた前記評価値に対して所定値よりも離れた値となっていれば、前記第１の画像データにおける前記顔評価値を前記第１の画像データの評価値とし、前記第１の画像データにおける前記顔評価値が、前記第２の画像データに対して求めた前記評価値に対して所定値よりも離れた値となっていなければ、前記第２の画像データにおける前記評価値を前記第１の画像データの評価値とすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記算出部は、前記顔における笑顔に対する笑顔評価値、及び前記顔における目に対する目開き評価値を算出することにより前記評価値を算出する請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記算出部は、前記顔を構成する部品の輪郭、及び前記顔を構成する部品の位置に基づいて、各々の画像における同一の顔毎に笑顔の度合いを示す笑顔レベルを取得し、笑顔の変化を評価するための第１の所定値、及び取得された笑顔レベルに基づき、前記笑顔評価値を算出する請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記算出部は、各々の画像における同一の顔毎に目の開き度合いを示す目開きレベルを取得し、目の開き度合いの変化を評価するための第２の所定値、及び取得された目開きレベルに基づき、前記目開き評価値を算出する請求項３又は４記載の撮像装置。
【請求項６】
被写体を連続して撮像することにより、前記被写体を示す複数の画像を得る撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画像の各々から、画像に含まれる顔を選出する選出ステップと、
前記複数の画像の各々で前記選出ステップにより選出された顔に基づき、前記複数の画像の中から１つの画像を選択するために用いられる評価値を、前記複数の画像の各々毎に算出する算出ステップと、
被写体を連写することにより得られた複数の画像の各々に含まれる顔に基づき、前記複数の画像の中から１つの画像を選択するために用いられる評価値を、前記複数の画像の各々毎に算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出された評価値に基づいて、前記複数の画像からいずれかの画像を選択する選択ステップと、
前記選択ステップにより選択された画像を記録する記録ステップを備え、
前記選択ステップでは、同一とみなせる評価値を有する画像が複数存在する場合には、それらの画像のうち、先の撮像により得られた画像を選択の対象とすることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項７】
被写体を連続して撮像することにより、前記被写体を示す複数の画像を得る撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記制御方法は、
前記複数の画像の各々から、画像に含まれる顔を選出する選出ステップと、
前記複数の画像の各々で前記選出ステップにより選出された顔に基づき、前記複数の画像の中から１つの画像を選択するために用いられる評価値を、前記複数の画像の各々毎に算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出された評価値に基づいて、前記複数の画像からいずれかの画像を選択する選択ステップと、
前記選択ステップにより選択された画像を記録する記録ステップを備え、
前記選択ステップでは、同一とみなせる評価値を有する画像が複数存在する場合には、それらの画像のうち、先の撮像により得られた画像を選択の対象とすることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月16日(2013.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報処理装置と、特定のスキャンモードを実行可能な画像読取装置とが接続された画像読取システムであって、
前記画像読取装置は、
原稿から読み取った画像データを送信する先の情報処理装置を選択する選択手段と、
予めメモリに保存されている自装置を特定するための特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示とを、前記選択手段によって選択された情報処理装置に送信する送信手段と、
前記送信手段によって送信した指示に対する応答を受信する受信手段と、
前記受信手段によって前記応答を受信した場合、前記特定のスキャンモードを行うための環境に関する設定内容を変更することが可能な設定画面を表示部に表示する表示制御手段とを備え、
各情報処理装置は、
前記特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示を受信すると、前記画像読取装置を使用するための前記特定のスキャンモードを行うための環境として、前記画像読取装置で専用のスキャン環境又は複数の画像読取装置で汎用のスキャン環境を構築する構築手段と、
前記構築手段による環境の構築の結果を、前記画像読取装置に通知する通知手段とを備えることを特徴とする画像読取システム。
【請求項２】
前記送信手段は、さらに、
前記表示制御手段によって表示された前記設定画面を介して現在の設定が変更されると、変更された内容に従って前記特定情報を更新し、更新した前記特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示を前記情報処理装置に送信することを特徴とする請求項１に記載の画像読取システム。
【請求項３】
前記特定情報には、前記専用のスキャン環境と前記汎用のスキャン環境とを使用する優先順位を示す情報が含まれ、
前記構築手段は、
前記情報処理装置が有する特定のスキャンモードを行うための環境を検索する検索手段を備え、
前記検索手段による検索結果と、前記優先順位とに従って特定のスキャンモードを行うための環境を構築することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像読取システム。
【請求項４】
前記設定画面には、前記情報処理装置が前記専用のスキャン環境と前記汎用のスキャン環境との両方を有する場合には、該専用のスキャン環境と該汎用のスキャン環境とが選択可能に表示されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像読取システム。
【請求項５】
前記設定画面には、前記専用のスキャン環境と前記汎用のスキャン環境とのうち、現在選択されている特定のスキャンモードを行うための環境が識別可能に表示されることを特徴とする請求項４に記載の画像読取システム。
【請求項６】
複数の情報処理装置と接続可能であって、特定のスキャンモードを実行可能な画像読取装置であって、
原稿から読み取った画像データを送信する先の情報処理装置を選択する選択手段と、
予めメモリに保存されている自装置を特定するための特定情報と、特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示とを、前記選択手段によって選択された情報処理装置に送信する送信手段と、
前記送信手段によって送信した指示に対する応答を受信する受信手段と、
前記受信手段によって前記応答を受信した場合、前記特定のスキャンモードを行うための環境に関する設定内容を変更することが可能な設定画面を表示部に表示する表示制御手段と
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項７】
複数の情報処理装置と、特定のスキャンモードを実行可能な画像読取装置とが接続された画像読取システムの制御方法であって、
前記画像読取装置は、
原稿から読み取った画像データを送信する先の情報処理装置を選択する選択ステップと、
予めメモリに保存されている自装置を特定するための特定情報と、特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示を、前記選択ステップにおいて選択された情報処理装置に送信する送信ステップと、
前記送信ステップにおいて送信した指示に対する応答を受信する受信ステップと、
前記受信ステップにおいて前記応答を受信した場合、特定のスキャンモードを行うための環境に関する設定内容を変更することが可能な設定画面を表示部に表示する表示制御ステップと
を実行し、
各情報処理装置は、
前記特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示を受信すると、前記画像読取装置を使用するための前記特定のスキャンモードを行うための環境として、前記画像読取装置で専用のスキャン環境又は複数の画像読取装置で汎用のスキャン環境を構築する構築ステップと、
前記構築ステップにおける環境の構築の結果を、前記画像読取装置に通知する通知ステップと
を実行することを特徴とする画像読取システムの制御方法。
【請求項８】
複数の情報処理装置と接続可能であって、特定のスキャンモードを実行可能な画像読取装置の制御方法であって、
原稿から読み取った画像データを送信する先の情報処理装置を選択する選択ステップと、
予めメモリに保存されている自装置を特定するための特定情報と、特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示とを、前記選択ステップにおいて選択された情報処理装置に送信する送信ステップと、
前記送信ステップにおいて送信した指示に対する応答を受信する受信ステップと、
前記受信ステップにおいて前記応答を受信した場合、前記特定のスキャンモードを行うための環境に関する設定内容を変更することが可能な設定画面を表示部に表示する表示制御ステップと
を実行することを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項９】
請求項７に記載の画像読取システムの制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項８に記載の画像読取装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、例えば、複数の情報処理装置と、特定のスキャンモードを実行可能な画像読取装置とが接続された画像読取システムであって、前記画像読取装置は、原稿から読み取った画像データを送信する先の情報処理装置を選択する選択手段と、予めメモリに保存されている自装置を特定するための特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示とを、前記選択手段によって選択された情報処理装置に送信する送信手段と、前記送信手段によって送信した指示に対する応答を受信する受信手段と、前記受信手段によって前記応答を受信した場合、前記特定のスキャンモードを行うための環境に関する設定内容を変更することが可能な設定画面を表示部に表示する表示制御手段とを備え、各情報処理装置は、前記特定情報と、前記特定のスキャンモードを行うための環境の構築の指示を受信すると、前記画像読取装置を使用するための前記特定のスキャンモードを行うための環境として、前記画像読取装置で専用のスキャン環境又は複数の画像読取装置で汎用のスキャン環境を構築する構築手段と、前記構築手段による環境の構築の結果を、前記画像読取装置に通知する通知手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域に発射された遊技球が入球し得る状態で設けられた固定式始動口と、
前記遊技領域に発射された遊技球が入球可能な開放状態と、遊技球が入球不可能な閉鎖
状態とに切り換わる開閉式始動口と、
前記遊技領域に開口可能に設けられた大入賞口と、
前記固定式始動口または前記開閉式始動口に遊技球が入球したことに起因して当り又は
外れを決定する抽選を行う抽選手段と、
前記抽選の結果が前記当りになると、前記大入賞口を開口させて当り遊技を実行する当
り遊技実行手段と、
前記当り遊技終了後の前記抽選の当り確率を、低確率または該低確率よりも高い高確率
に設定する確率設定手段と、
前記当り遊技終了後の前記開閉式始動口の開放時間を、短時間または該短時間よりも長
い長時間に設定する開放時間設定手段と、
を備える弾球遊技機において、
前記抽選手段は、
前記抽選の結果が前記当りの場合に、前記当り遊技として、遊技者にとって利益の高
い高利益当り遊技、または前記高利益当り遊技よりも遊技者にとって利益の低い低利益当
り遊技の何れを実行するかを決定するとともに、該当り遊技終了後の前記当り確率を前記
低確率または前記高確率の何れにするかを決定する手段であり、
前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場合には、少なく
とも、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当り
、及び前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記低確率とする高利益低確率当り
を決定可能であり、
前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場合には、少なく
とも、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当り
、及び前記低利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする低利益高確率当り
を決定可能であり、
前記開放時間設定手段は、
前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りとなって、前記高利
益当り遊技が実行される場合には、該高利益当り遊技の終了後の前記開閉式始動口の開放
時間を前記長時間に設定し、
前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りとなって、前記高利
益当り遊技が実行される場合には、該高利益当り遊技の終了後の前記開閉式始動口の前記
開放時間を前記長時間に設定し、前記低利益当り遊技が実行される場合には、該低利益当
り遊技の終了後の前記開閉式始動口の開放時間を前記短時間に設定する
ことを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の弾球遊技機において、
前記抽選手段は、前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場
合には、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当
り、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記低確率とする高利益低確率当り、
及び前記低利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする低利益高確率当りを
決定可能であり、前記高利益当り遊技の実行を決定する確率が、前記低利益当り遊技の実
行を決定する確率よりも高く設定されている
ことを特徴とする弾球遊技機。
【請求項３】
請求項２に記載の弾球遊技機において、
前記抽選手段は、前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場
合に前記高利益当り遊技の実行を決定する確率が、前記開閉式始動口への入球に起因する
前記抽選の結果が前記当りの場合に前記高利益当り遊技の実行を決定する確率よりも高く
設定されている
ことを特徴とする弾球遊技機。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の弾球遊技機において、
前記抽選手段は、前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場
合には、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当
り、前記低利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする低利益高確率当り、
及び前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記低確率とする高利益低確率当りを
決定可能であり、
前記開放時間設定手段は、前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記
当りとなって前記高利益当り遊技が実行され、且つ、該高利益当り遊技の終了後の前記当
り確率が前記低確率に設定される場合には、該高利益当り遊技の終了後の前記開閉式始動
口の開放時間を前記長時間に設定し、該高利益当り遊技の終了後に所定回数の前記抽選が
行われると、前記開閉式始動口の開放時間を前記短時間に設定する
ことを特徴とする弾球遊技機。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の弾球遊技機は次の構成を採
用した。すなわち、
遊技領域に発射された遊技球が入球し得る状態で設けられた固定式始動口と、
前記遊技領域に発射された遊技球が入球可能な開放状態と、遊技球が入球不可能な閉鎖
状態とに切り換わる開閉式始動口と、
前記遊技領域に開口可能に設けられた大入賞口と、
前記固定式始動口または前記開閉式始動口に遊技球が入球したことに起因して当り又は
外れを決定する抽選を行う抽選手段と、
前記抽選の結果が前記当りになると、前記大入賞口を開口させて当り遊技を実行する当
り遊技実行手段と、
前記当り遊技終了後の前記抽選の当り確率を、低確率または該低確率よりも高い高確率
に設定する確率設定手段と、
前記当り遊技終了後の前記開閉式始動口の開放時間を、短時間または該短時間よりも長
い長時間に設定する開放時間設定手段と、
を備える弾球遊技機において、
前記抽選手段は、
前記抽選の結果が前記当りの場合に、前記当り遊技として、遊技者にとって利益の高
い高利益当り遊技、または前記高利益当り遊技よりも遊技者にとって利益の低い低利益当
り遊技の何れを実行するかを決定するとともに、該当り遊技終了後の前記当り確率を前記
低確率または前記高確率の何れにするかを決定する手段であり、
前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場合には、少なく
とも、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当り
、及び前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記低確率とする高利益低確率当り
を決定可能であり、
前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りの場合には、少なく
とも、前記高利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする高利益高確率当り
、及び前記低利益当り遊技を実行して前記当り確率を前記高確率とする低利益高確率当り
を決定可能であり、
前記開放時間設定手段は、
前記固定式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りとなって、前記高利
益当り遊技が実行される場合には、該高利益当り遊技の終了後の前記開閉式始動口の開放
時間を前記長時間に設定し、
前記開閉式始動口への入球に起因する前記抽選の結果が前記当りとなって、前記高利
益当り遊技が実行される場合には、該高利益当り遊技の終了後の前記開閉式始動口の前記
開放時間を前記長時間に設定し、前記低利益当り遊技が実行される場合には、該低利益当
り遊技の終了後の前記開閉式始動口の開放時間を前記短時間に設定する
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略球状銀粒子と有機銀錯体溶液とをスラリー状に混練した構成を有し、
前記有機銀錯体溶液は、１５０℃以上の沸点を有したＣ，Ｈ，Ｏから構成される有機溶剤に有機銀錯体を溶解した溶液であり、
該有機銀錯体溶液中に含まれる銀含有量は３０ｗｔ％以上であることを特徴とする焼結銀ペースト材料。
【請求項２】
前記略球状銀粒子の平均粒径が0.1〜2.0μmであることを特徴とする請求項１に記載の焼結銀ペースト材料。
【請求項３】
前記略球状銀粒子を80〜90wt％含み、前記有機銀錯体を5〜20wt％含むことを特徴とする請求項１または２に記載の焼結銀ペースト材料。
【請求項４】
さらにAg，Cu，Al，Mg，Ni，Mo，Wの金属粒子のうち少なくともいずれか１種を含み、該金属粒子の平均粒径が5〜500μmであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の焼結銀ペースト材料。
【請求項５】
さらに、樹脂を核として該樹脂の表面がAg，Cu，Al，Mg，Ni，Mo，Wの金属のうち少なくともいずれか１種を含む金属で覆われている粒子を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の焼結銀ペースト材料。
【請求項６】
半導体チップをダイパッドにダイボンディングする半導体チップ接合方法において、
Ni表面のダイパッド上に、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の焼結銀ペースト材料を供給し、
該焼結銀ペースト材料の上に半導体チップを押しつけて搭載し、
還元雰囲気中で300〜500℃に加熱処理し、
酸化雰囲気中で180〜300℃に加熱処理することを特徴とする半導体チップ接合方法。
【請求項７】
半導体チップをダイパッドにダイボンディングする半導体チップ接合方法において、
Cu表面のダイパッド上に、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の焼結銀ペースト材料を供給し、
該焼結銀ペースト材料の上に半導体チップを押しつけて搭載し、
還元雰囲気中で300〜500℃に加熱処理し、
酸化雰囲気中で180〜300℃に加熱処理し、
還元雰囲気中で200〜400℃に加熱処理することを特徴とする半導体チップ接合方法。  
【請求項８】
半導体チップと、該半導体チップを搭載するダイパットを有する半導体装置において、
前記ダイパットの前記半導体チップを搭載する面に設けられたＮｉまたはＣｕのめっき層と、
該めっき層の上に設けられた第一の焼結層と、
該第一の焼結層と前記半導体チップとの間に設けられた第二の焼結層と、を有し、
前記第一の焼結層は前記第二の焼結層よりも空隙率が大きな層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第一の焼結層は、有機銀錯体と銀粒子とが焼結して為る層であり、
前記第二の焼結層は、前記銀粒子が焼結して為る層であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
マイクロAg粒子は、略球状で平均粒径が0.1〜2.0μmの範囲、最大粒径が10μmを越えないサイズの粉体であり、一般に市販されている還元法で製造されたAg粉である。マイクロAg粒子の平均粒径は、ペーストの銀粒子群を倍率１万〜５万の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影し、そのＳＥＭ画像でエリアを限定し、表面の全景が見えている銀粒子の直径を測定して平均粒径を計算する。測定可能な銀粒子数が５０個以上となるようにエリアサイズを決めている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
焼結Agペーストに粒子径が5〜500μmのAg，Cu，Al，Mg，Ni，Mo，Wなどの導電性粒子を添加したAgペーストNo.11〜15では、Ag粒子と導電性粒子の合計が95wt%のNo.11について粘度が高くなり過ぎてペースト機能と接合強度ともに悪くなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】焼結銀ペースト材料、半導体チップ接合方法及び半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の電極が形成された半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記複数の電極上に複数層の金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記複数層の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト膜をマスクにして前記複数層の金属膜における最上層の第１金属膜をエッチングによって除去する工程と、
（ｅ）前記レジスト膜をマスクにして前記複数層の金属膜における前記最上層の第１金属膜の直下の第２金属膜をエッチングによって除去する工程と、
（ｆ）前記レジスト膜をマスクにして前記最上層の第１金属膜を再度エッチングによって除去する工程と、
（ｇ）前記レジスト膜を除去する工程と、を有し、
前記（ｆ）工程の後、前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部の位置より内方に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の大きさを前記直下の第２金属膜より小さく形成する。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数層の金属膜のうちの前記最上層の第１金属膜は、Ａｕ膜である。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程で、前記最上層の第１金属膜の前記直下の第２金属膜の平面視における縁部の位置が前記最上層の第１金属膜の縁部の位置と同じになるように前記直下の第２金属膜をエッチングし、その後、前記（ｆ）工程で、前記最上層の第１金属膜の平面視における縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部の位置より内方になるように前記最上層の第１金属膜をエッチングして、前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部の位置より内方になるように形成する。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程では、エッチング速度を制御して前記最上層の第１金属膜のエッチング量を調節する。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記（ｆ）工程で形成する前記最上層の第１金属膜より平面視において全周に亘って大きなサイズの前記レジスト膜を形成する。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程の後、前記半導体基板を切断して複数の半導体チップを形成する。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップの複数の電極それぞれに金バンプを接続する。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップの複数の電極それぞれに半田バンプを接続する。
【請求項１０】
（ａ）複数の電極が形成された半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記複数の電極上に複数層の金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記複数層の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト膜をマスクにして前記複数層の金属膜における最上層の第１金属膜をエッチングによって除去する工程と、
（ｅ）前記レジスト膜をマスクにして前記複数層の金属膜における前記最上層の第１金属膜の直下の第２金属膜をエッチングによって除去する工程と、
（ｆ）前記レジスト膜をマスクにして前記最上層の第１金属膜を再度エッチングによって除去する工程と、
（ｇ）前記レジスト膜を除去する工程と、を有し、
前記（ｆ）工程の後、前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部と同じ位置に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、 
前記複数層の金属膜のうちの前記最上層の第１金属膜は、Ａｕ膜である。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程で、前記最上層の第１金属膜の前記直下の第２金属膜の平面視における縁部の位置が前記最上層の第１金属膜の縁部の位置より内方になるように前記直下の第２金属膜をエッチングし、その後、前記（ｆ）工程で、前記最上層の第１金属膜の平面視における縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部と同じ位置になるように前記最上層の第１金属膜をエッチングして、前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の縁部の位置が前記直下の第２金属膜の縁部の位置と同じになるように形成する。
【請求項１３】
主面に複数の電極を有し、かつ前記複数の電極上に複数層の金属膜が形成された半導体チップと、
上面とその反対側の下面を有し、前記上面に複数の端子が形成された基板と、
前記半導体チップの前記複数の電極上の前記複数層の金属膜とこれに対応する前記基板の前記上面の前記複数の端子それぞれとを電気的に接続する複数のバンプ電極と、を有し、
前記半導体チップの前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜における最上層の第１金属膜は、その平面視において縁部の位置が前記最上層の第１金属膜の直下の第２金属膜の縁部の位置より内方に形成されている半導体装置の実装構造。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の実装構造において、
前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜の平面視において、前記最上層の第１金属膜の大きさは前記直下の第２金属膜より小さい。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の実装構造において、
前記複数層の金属膜のうちの前記最上層の第１金属膜は、Ａｕ膜である。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の実装構造において、
前記半導体チップの前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜における前記最上層の第１金属膜は、その縁部の位置が平面視において前記最上層の第１金属膜の前記直下の第２金属膜の縁部の位置より内方に形成されており、前記バンプ電極は半田バンプである。
【請求項１７】
主面に複数の電極を有し、かつ前記複数の電極上に複数層の金属膜が形成された半導体チップと、
上面とその反対側の下面を有し、前記上面に複数の端子が形成された基板と、
前記半導体チップの前記複数の電極上の前記複数層の金属膜とこれに対応する前記基板の前記上面の前記複数の端子それぞれとを電気的に接続する複数のバンプ電極と、を有し、
前記半導体チップの前記複数の電極上に形成された前記複数層の金属膜における最上層の第１金属膜は、その平面視において縁部の位置が前記最上層の第１金属膜の直下の第２金属膜の縁部の位置と同じ位置に形成されている半導体装置の実装構造。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ装置であって、
防振手段を介して、設置面の上に設置されたステージ定盤と、
前記ステージ定盤に支持された第１方向に移動可能な第１移動体と、
前記第１移動体に支持された、前記第１方向に交差する第２方向に移動可能な第２移動体と、
前記設置面に支持された前記第１方向に移動可能な補助ステージと、
前記設置面に設けられた固定子および前記第１移動体に設けられた可動子を有し、前記第１移動体を前記第１方向に駆動する第１駆動手段と、
前記補助ステージに設けられた固定子および前記第２移動体に設けられた可動子を有し、前記第２移動体を前記第２方向に駆動する第２駆動手段と、
前記設置面に設けられた固定子および前記補助ステージに設けられた可動子を有し、前記第１移動体と離間した状態で前記補助ステージを前記第１方向に駆動する第３駆動手段と、を備え、
前記設置面は、前記第１移動体の移動によって生じる反力に起因して振動するとともに、前記第２移動体の移動によって生じる反力が前記補助ステージから伝達されて振動し、
前記防振手段は、前記設置面から前記ステージ定盤へ伝達される振動を減衰させることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記第１駆動手段の固定子および可動子は１対の電磁式リニアモータを構成し、前記１対の電磁式リニアモータは前記第１方向に平行で前記ステージ定盤を挟むように配置され、
前記第２駆動手段の固定子および可動子は１対の電磁式リニアモータを構成し、前記１対の電磁式リニアモータは、前記第２方向に平行で前記第１移動体を挟むように配置され、
前記第３駆動手段の固定子および可動子は、１対の電磁式リニアモータを構成し、前記１対の電磁式リニアモータは前記第１方向に平行で前記ステージ定盤を挟むように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
ステージ装置であって、
防振手段を介して、設置面の上に設置されたステージ定盤と、
前記ステージ定盤に支持された第１方向に移動可能な第１移動体と、
前記第１移動体に支持された、前記第１方向に交差する第２方向に移動可能な第２移動体と、
前記設置面に支持された前記第１方向に移動可能な補助ステージと、
前記設置面に設けられた固定子、前記第１移動体に設けられた可動子および前記補助ステージに設けられた可動子を有し、前記第１移動体と前記補助ステージを離間させた状態で前記第１方向に駆動する第１駆動手段と、
前記補助ステージに設けられた固定子および前記第２移動体に設けられた可動子を有し、前記第２移動体を前記第２方向に駆動する第２駆動手段と、を備え、
前記設置面は、前記第１移動体の移動によって生じる反力に起因して振動するとともに、前記第２移動体の移動によって生じる反力が前記補助ステージから伝達されて振動し、
前記防振手段は、前記設置面から前記ステージ定盤へ伝達される振動を減衰させることを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
前記第１駆動手段の固定子および２つの可動子は、１対の電磁式リニアモータを構成し、前記１対の電磁式リニアモータは前記第１方向に平行で前記ステージ定盤を挟むように配置され、
前記第２駆動手段の固定子および可動子は１対の電磁式リニアモータを構成し、前記１対の電磁式リニアモータは前記第２方向に平行で前記第１移動体を挟むように配置されていることを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記補助ステージは、前記第１移動体と離間して前記第１移動体を挟むように配置された１対の板部材、および、前記１対の板部材を連結する連結部材を有し、
前記１対の板部材には、前記第２駆動手段の１対の電磁式リニアモータがそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２または４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記第１移動体と前記補助ステージとの間の距離を測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された距離に基づいて、前記第１移動体と前記補助ステージとの間の距離を所定の距離に維持するように、前記補助ステージの位置をフィードバック制御する制御手段と、を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記補助ステージの移動を案内する案内手段と、
前記案内手段を介して、前記補助ステージを支持する支持手段と、をさらに備え、
前記支持手段は、前記防振手段とは別の防振手段を介して、前記設置面の上に設置されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項８】
露光装置であって、
基板を位置決めする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のステージ装置と、
位置決めされた前記基板を露光する露光手段と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、ステージ装置であって、防振手段を介して、設置面の上に設置されたステージ定盤と、ステージ定盤に支持された第１方向に移動可能な第１移動体と、第１移動体に支持された、第１方向に交差する第２方向に移動可能な第２移動体と、設置面に支持された第１方向に移動可能な補助ステージと、設置面に設けられた固定子および第１移動体に設けられた可動子を有し、第１移動体を第１方向に駆動する第１駆動手段と、補助ステージに設けられた固定子および第２移動体に設けられた可動子を有し、第２移動体を前記第２方向に駆動する第２駆動手段と、設置面に設けられた固定子および補助ステージに設けられた可動子を有し、第１移動体と離間した状態で補助ステージを第１方向に駆動する第３駆動手段と、を備え、設置面は、第１移動体の移動によって生じる反力に起因して振動するとともに、第２移動体の移動によって生じる反力が補助ステージから伝達されて振動し、防振手段は、設置面からステージ定盤へ伝達される振動を減衰させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上の電極と、を含む半導体実装基板であって、
半導体素子が実装される前記電極の中央部と、
前記電極の中央部の周囲を囲む、前記電極の周縁部とがあり、
前記電極の周縁部の表面粗さが、前記電極の中央部の表面粗さより大きい半導体実装基板。
【請求項２】
前記電極の中央部の表面は、平坦でなく、粗されている請求項１に記載の半導体実装基板。
【請求項３】
前記電極の周縁部は、前記電極の中央部より、前記基材からの高さが高く形成されている請求項１または２に記載の半導体実装基板。
【請求項４】
前記電極の周縁部の表面粗さが、前記電極の中央部の表面粗さより、５０ｎｍ以上大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体実装基板。
【請求項５】
前記電極の中央部と前記電極の周縁部とがＡｕ、またはＡｕ合金、
或いはＡｇ、またはＡｇ合金、
或いはＣｕ、またはＣｕ合金から構成されていることを特徴とする
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体実装基板。
【請求項６】
前記基材がアルミナまたは窒化アルミニウムから構成された
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体実装基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に示した半導体実装基板の前記電極の中央部上に
半導体素子を搭載してなることを特徴とする実装構造体。
【請求項８】
前記半導体実装基板の電極と前記半導体素子とを電気的に接合するバンプがペーストで形成され、
前記半導体素子が封止材料により封止された
請求項７に記載の実装構造体。
【請求項９】
前記半導体実装基板の電極の中央部と前記半導体素子との間に
前記封止材料が存在しない領域を持つ
請求項７または８に記載の実装構造体。
【請求項１０】
前記半導体実装基板の電極の周縁部の全面が
前記封止材料に覆われている
請求項８または９に記載の実装構造体。
【請求項１１】
前記ペーストが
Ａｕ、またはＡｕ合金、
或いはＡｇ、またはＡｇ合金、
或いはＣｕ、またはＣｕ合金の金属粒子を含むことを特徴とする
請求項８から１０のいずれか１項に記載の実装構造体。
【請求項１２】
前記ペーストが
金属ナノ粒子のペーストであることを特徴とする
請求項８から１１のいずれか１項に記載の実装構造体。
【請求項１３】
前記半導体素子はＬＥＤ素子であることを特徴とする
請求項８から１２のいずれか１項に記載の実装構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
より具体的には、本発明の半導体実装基板は、
基材と、
前記基材上の電極と、を含む半導体実装基板であって、
半導体素子が実装される前記電極の中央部と、
前記電極の中央部の周囲を囲む、前記電極の周縁部とがあり、
前記電極の周縁部の表面粗さが、前記電極の中央部の表面粗さより大きい半導体実装基板を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と電気的に接続可能な配線層、絶縁層、及び放熱層を少なくとも有するフレキシブル回路基板において、
前記配線層は、
引っ張り強度２５０ＭＰａ以下で且つ厚さが５０μｍ以下の銅箔によって形成され、
前記放熱層は、
引っ張り強度４００ＭＰａ以上で且つ厚さが７０μｍ以上の銅箔によって形成されていることを特徴とするフレキシブル回路基板。
【請求項２】
前記放熱層は、
厚さが２５０μｍ以下の銅箔によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル回路基板。
【請求項３】
前記放熱層は、
前記配線層又は前記絶縁層が積層されている第１領域と、前記第１領域から延びて前記配線層及び前記絶縁層が積層されていない第２領域とを有しており、前記第２領域をヒートシンク領域として用いていることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル回路基板。
【請求項４】
前記ヒートシンク領域にはフィンが設けられていることを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水中での撮影動作が可能な撮影装置であって、
操作部と、
記憶部と、
被写体像を画像データとして取得する撮像部と、
前記撮影装置が受ける圧力を検出する圧力センサと、
前記撮影装置が水中に置かれている第一の状態と気中に置かれている第二の状態とを検出可能な検出部と、
前記操作部が操作された場合に、前記画像データに基づき前記画像ファイルを生成して前記記憶部へ記録するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記検出部が前記第一の状態を検出する場合に、前記圧力センサの出力を所定の周期で測定してログデータを生成し、
前記検出部が前記第二の状態を検出する場合に、前記第一の状態において生成され前記記憶部へ記録された前記画像ファイルと前記第一の状態において生成された前記ログデータとを関連付けて前記記憶部へ記録することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記ログデータを前記記憶部へ記録する際に、前記第一の状態において生成され前記記憶部へ記憶された各画像ファイルのヘッダ部へ前記ログデータを記録することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
さらに、ＧＰＳを有し、
前記ログデータは、前記ログデータの生成を開始する際に前記ＧＰＳから出力された位置情報と前記ログデータ生成を終了する際に前記ＧＰＳから出力された位置情報とを含むことを特徴とする請求項２に記載の撮影装置。
【請求項４】
さらに、方位センサ、加速度センサ、角速度センサのうちの少なくとも一つのセンサを備え、
前記ログデータは、この少なくとも一つのセンサの出力を所定の周期で測定したデータを含むことを特徴とする請求項２に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記コントローラは、
前記ログデータを前記記憶部へ記録する際は、前記記憶部に新規にフォルダを生成し、当該新規なフォルダへ前記第一の状態において生成された画像ファイルをコピーすると共に、前記ログデータに基づきログファイルを生成し、当該新規なフォルダへ記録することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項６】
さらに、ＧＰＳを有し、
前記ログデータは、前記ログデータの生成を開始する際に前記ＧＰＳから出力された位置情報と、前記ログデータの生成を終了する際に前記ＧＰＳから出力された位置情報とを含むことを特徴とする請求項５に記載の撮影装置。
【請求項７】
さらに、方位センサ、加速度センサ、角速度センサのうちの少なくとも一つのセンサを備え、
前記ログデータは、この少なくとも一つのセンサの出力を所定の周期で測定したデータを含むことを特徴とする請求項５に記載の撮影装置。
【請求項８】
水中での撮影動作が可能な撮影装置を制御する制御方法であって、
前記撮影装置が水中に置かれている第一の状態が検出された場合、
圧力センサの出力を所定の周期で測定してログデータを生成すると共に、操作部の操作に応じて撮像部が出力する画像データに基づき画像ファイルを生成して記憶部へ記録し、
前記撮影装置が気中に置かれている第二の状態が検出された場合、
前記第一の状態において生成されて前記記憶部へ記録された前記画像ファイルと前記第一の状態において生成された前記ログデータとを関連付けて前記記憶部へ記録する
ことを特徴とする制御方法。
【請求項９】
水中での撮影動作が可能な撮影装置で実行されたときに、当該撮影装置が、
撮影装置が水中に置かれている第一の状態が検出された場合、
圧力センサの出力を所定の周期で測定してログデータを生成すると共に、操作部の操作に応じて撮像部が出力する画像データに基づき画像ファイルを生成して記憶部へ記録し、
撮影装置が気中に置かれている第二の状態が検出された場合、
前記第一の状態において生成されて前記記憶部へ記録された前記画像ファイルと前記第一の状態において生成された前記ログデータとを関連付けて前記記憶部へ記録する
ように動作することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のある態様に係る撮影装置は、水中での撮影動作が可能な撮影装置であって、操作部と、記憶部と、被写体像を画像データとして取得する撮像部と、前記撮影装置が受ける圧力を検出する圧力センサと、前記撮影装置が水中に置かれている第一の状態と気中に置かれている第二の状態とを検出可能な検出部と、前記操作部が操作された場合に、前記画像データに基づき前記画像ファイルを生成して前記記憶部へ記録するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記検出部が前記第一の状態を検出する場合に、前記圧力センサの出力を所定の周期で測定してログデータを生成し、前記検出部が前記第二の状態を検出する場合に、前記第一の状態において生成され前記記憶部へ記録された前記画像ファイルと前記第一の状態において生成された前記ログデータとを関連付けて前記記憶部へ記録することを特徴とする。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別の態様に係る制御方法は、水中での撮影動作が可能な撮影装置を制御する制御方法であって、前記撮影装置が水中に置かれている第一の状態が検出された場合、圧力センサの出力を所定の周期で測定してログデータを生成すると共に、操作部の操作に応じて撮像部が出力する画像データに基づき画像ファイルを生成して記憶部へ記録し、前記撮影装置が気中に置かれている第二の状態が検出された場合、前記第一の状態において生成されて前記記憶部へ記録された前記画像ファイルと前記第一の状態において生成された前記ログデータとを関連付けて前記記憶部へ記録することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影装置、その制御方法、及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有するセンサセル部と、
前記センサセル部から出力された信号を増幅する増幅部と、
前記増幅部で増幅された信号を保持する複数のメモリセル部と、
前記複数のメモリセル部に共通に設けられ、前記複数のメモリセル部に保持された信号を伝達するバッファ部と、を各々が備える複数の単位画素を有し、
前記増幅部は、前記バッファ部の出力と前記センサセル部から出力された信号との差分を出力する差動増幅部を有すること
を特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記複数の単位画素の各々は、前記バッファ部の入力部をリセットするリセット部を有すること
を特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
複数の前記センサセル部が１次元的に配列されたラインセンサ部を複数有し、
一対の前記ラインセンサ部から得られた信号に基づいて焦点検出を行うこと
を特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光電変換装置であって、
前記単位画素の各々は、最小値検出部および最大値検出部を備え、
前記光電変換装置は一対の第１の共通出力線および一対の第２の共通出力線を備え、
複数の前記最小値検出部は前記第１の共通出力線の一方と接続され、複数の前記最大値検出部は前記第１の共通出力線の他方と接続され、
前記第１の共通出力線に接続される前記最小値検出部とは異なる数の前記最小値検出部が前記第２の共通出力線の一方と接続され、前記第１の共通出力線に接続される前記最大値検出部とは異なる数の前記最大値検出部が前記第２の共通出力線の他方と接続されること
を特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
前記一対の第１の共通出力線に出力された最大値および最小値に基づいて、前記メモリセル部に信号を保持させる第１の蓄積制御部と、
前記一対の第２の共通出力線に出力された最大値および最小値に基づいて、前記メモリセル部に信号を保持させる第２の蓄積制御部と、を有することを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
同一の前記単位画素において、一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力した後、別の一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力する動作に先だって、前記リセット部によって前記バッファ部の入力部をリセットすることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を前記メモリセル部に保持させ、
前記第２の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を別の前記メモリセル部に保持させ、
前記第１の蓄積制御部によって制御された前記メモリセル部に保持された信号を前記第１の共通出力線に出力した後、前記第２の蓄積制御部によって制御された前記メモリセル部に保持された信号を前記第２の共通出力線に出力する動作に先だって、前記第２の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を別の前記メモリセル部に再び保持させること
を特徴とする請求項５または６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の光電変換装置と、
固体撮像装置と、を備えること
を特徴とする撮像システム。
【請求項９】
光電変換装置の駆動方法であって、前記光電変換装置は、
光電変換部を有するセンサセル部と、
前記センサセル部から出力された信号を増幅する増幅部と、
前記増幅部で増幅された信号を保持する複数のメモリセル部と、
前記複数のメモリセル部に共通に設けられ、前記複数のメモリセル部に保持された信号を伝達するバッファ部と、を各々が備える複数の単位画素を有し、
前記増幅部は、前記バッファ部の出力と前記センサセル部から出力された信号との差分を出力する差動増幅部と、
一対の第１の共通出力線および一対の第２の共通出力線と、を有し、さらに、前記単位画素の各々は、最小値検出部および最大値検出部を備え、
複数の前記最小値検出部は前記第１の共通出力線の一方と接続され、複数の前記最大値検出部は前記第１の共通出力線の他方と接続され、
前記第１の共通出力線に接続される前記最小値検出部とは異なる数の前記最小値検出部が前記第２の共通出力線の一方と接続され、前記第１の共通出力線に接続される前記最大値検出部とは異なる数の前記最大値検出部が前記第２の共通出力線の他方と接続され、
一の前記単位画素において、一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力させた後、別の一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力する動作に先だって、前記リセット部によって前記バッファ部の入力部をリセットすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に有機化合物からなる発光層を少なくとも有し、前記発光層は燐光発光材料を有する有機発光素子において、
前記有機発光素子は下記一般式［１］で示されるキサントン化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【化１】
2011249754.tif 000001
式［１］においてＲ１乃至Ｒ８は水素原子または炭素数１乃至４のアルキル基、置換あるいは無置換のフェニル基、置換あるいは無置換のナフチル基、置換あるいは無置換のフェナントリル基、置換あるいは無置換のフルオレニル基、置換あるいは無置換のトリフェニレニル基、置換あるいは無置換のクリセニル基、置換あるいは無置換のジベンゾフラニル基、置換あるいは無置換のジベンゾチエニル基からそれぞれ独立に選ばれる。
【請求項２】
前記一般式［１］においてＲ１、Ｒ３乃至Ｒ６、Ｒ８が水素原子であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記発光層は前記燐光発光材料以外に複数種のホスト材料を有し、前記複数種のホスト材料のうちの１種が前記一般式［１］で示されるキサントン化合物であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記キサントン化合物は、前記発光層と隣接する電子輸送層あるいは前記電子輸送層と前記陰極の間に配置されている電子注入層の少なくともいずれか一方に含まれていることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記燐光発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の前記有機発光素子と、前記有機発光素子と接続するスイッチング素子とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において、ＭｇＯ相に起因する２θ＝４２．０°〜４４．０°の範囲に現れる最強ピーク強度（Ｉａ）とＭｇ２Ｓｉ相に起因する２θ＝３９．０°〜４１．０°の範囲に現れる最強ピーク強度（Ｉｂ）との強度比（Ｉａ／Ｉｂ）が０．６以下（０を含まない）であるマグネシウム−シリコン系熱電変換材料。