【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をその処理面の面方向に沿って回転可能な基板ホルダと、
前記基板の周囲に配設され、前記基板の処理面に、前記基板と同期して回転可能な磁場を形成する基板磁場形成手段と、
前記基板の斜向かいの位置に配置され、放電用の電力が投入されるカソードと、
前記基板の回転位置を検出する位置検出手段と 、
前記カソードに投入される電力を制御する電力制御手段と、を備え、
前記電力制御手段によって、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も多い前記基板上の第１の部分が、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も少ない前記基板上の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記第１の電力値と前記第２の電力値とは２段階以上のステップによって切り替えられることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記電力制御手段によって、前記カソードに印加される電力値は、前記第１の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に減少され、前記第１の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第１の電力値となり、前記第２の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に増加され、前記第２の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第２の電力値となることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記電力制御手段は、電力値が前記基板の回転角の正弦波関数となるように、前記カソードに投入する電力を制御することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に前記基板と同期して回転する磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに電力を投入することで成膜を実行するスパッタリング方法であって、
前記カソードには、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も多い前記基板上の第１の部分が、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も少ない前記基板上の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加されることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項６】
前記第１の電力値と前記第２の電力値とは２段階以上のステップによって切り替えられることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング方法。
【請求項７】
前記カソードに印加される電力値は、前記第１の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に減少され、前記第１の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第１の電力値となり、前記第２の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に増加され、前記第２の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第２の電力値となることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング方法。
【請求項８】
前記カソードに印加される電力値は前記基板の回転角の正弦波関数であることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載のスパッタリング方法を用いた電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
基板をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダと、
前記基板の周囲に配設され、前記基板の処理面に、前記基板と同期して回転可能な磁場を形成する基板磁場形成手段と、
前記基板の斜向かいの位置に配置され、放電用の電力が投入される複数のカソードと、
前記基板の回転位置を検出する位置検出手段と、
前記カソードに投入される電力を制御する電力制御手段と、を備え、
前記電力制御手段によって、前記磁場のＮ極近傍に位置する前記基板の第１の部分が、前記磁場のＳ極近傍に位置する前記基板の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記第１の電力値と前記第２の電力値とは２段階以上のステップによって切り替えられることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１２】
前記電力制御手段によって、前記カソードに印加される電力値は、前記第１の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に減少され、前記第１の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第１の電力値となり、前記第２の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に増加され、前記第２の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第２の電力値となることを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１３】
前記電力制御手段は、電力値が前記基板の回転角の正弦波関数となるように、前記カソードに投入する電力を制御することを特徴とする請求項１０に記載のスパッタリング装置。
【請求項１４】
基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に前記基板と同期して回転する磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに電力を投入することで成膜を実行するスパッタリング方法であって、
前記カソードには、前記磁場のＮ極近傍に位置する前記基板の第１の部分が、前記磁場のＳ極近傍に位置する前記基板の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加されることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項１５】
前記第１の電力値と前記第２の電力値とは２段階以上のステップによって切り替えられることを特徴とする請求項１４に記載のスパッタリング方法。
【請求項１６】
前記カソードに印加される電力値は、前記第１の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に減少され、前記第１の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第１の電力値となり、前記第２の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に増加され、前記第２の部分が最も前記カソードに近づいたときに前記第２の電力値となることを特徴とする請求項１４に記載のスパッタリング方法。
【請求項１７】
前記カソードに印加される電力値は前記基板の回転角の正弦波関数であることを特徴とする請求項１４に記載のスパッタリング方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか１項に記載のスパッタリング方法を用いた電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のスパッタリング装置は、基板をその処理面の面方向に沿って回転可能な基板ホルダと、前記基板の周囲に配設され、前記基板の処理面に、前記基板と同期して回転可能な磁場を形成する基板磁場形成手段と、前記基板の斜向かいの位置に配置され、放電用の電力が投入されるカソードと、前記基板の回転位置を検出する位置検出手段と、前記カソードに投入される電力を制御する電力制御手段と、を備え、前記電力制御手段によって、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も多い前記基板上の第１の部分が、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も少ない前記基板上の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加される。
また、本発明のスパッタリング装置は、基板をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダと、前記基板の周囲に配設され、前記基板の処理面に、前記基板と同期して回転可能な磁場を形成する基板磁場形成手段と、前記基板の斜向かいの位置に配置され、放電用の電力が投入される複数のカソードと、前記基板の回転位置を検出する位置検出手段と、前記カソードに投入される電力を制御する電力制御手段と、を備え、前記電力制御手段によって、前記磁場のＮ極近傍に位置する前記基板の第１の部分が、前記磁場のＳ極近傍に位置する前記基板の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のスパッタリング方法は、基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に前記基板と同期して回転する磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに電力を投入することで成膜を実行するスパッタリング方法であって、前記カソードには、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も多い前記基板上の第１の部分が、前記磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の付着量が最も少ない前記基板上の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加される。
また、本発明のスパッタリング方法は、基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に前記基板と同期して回転する磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに電力を投入することで成膜を実行するスパッタリング方法であって、前記カソードには、前記磁場のＮ極近傍に位置する前記基板の第１の部分が、前記磁場のＳ極近傍に位置する前記基板の第２の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに第１の電力値の電力が印加され、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記カソードに近い位置にあるときは、前記カソードに前記第１の電力値よりも大きい第２の電力値の電力が印加される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、カソードユニット４０のケーシングには、カソード４１近傍に放電用の処理ガス（放電用ガス）を供給する放電用ガス導入系４３が接続されている。放電用ガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが使用される。カソード４１は基板ホルダ２２との間でプラズマ放電を発生し、カソードユニット４０に取り付けられたターゲット４２をスパッタリング可能である。