【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
別の実施の形態において、１つまたは複数のＭｇＡｌ2Ｏ4層、１つまたは複数のアルカリ土類金属フッ化物層、および１つまたは複数の二酸化ケイ素層を含むコーティングを有する光学素子を製造する方法であって、真空槽を提供する工程；この真空槽内において：選択された基体材料から製造された光学素子を提供する工程であって、この素子が、回転できる板上に配置される工程；少なくとも１つの選択されたコーティング材料源、またはコーティング材料源の混合物を提供し、電子ビームを使用してその材料を蒸発させて、コーティング材料の蒸気流束を提供する工程であって、この流束が、選択された形状を有するマスクにより、材料源から、光学素子まで通過する工程；プラズマ源からプラズマイオンを提供する工程；素子を選択された回転周波数ｆで回転させる工程；および光学素子の表面上にコーティング膜としてコーティング材料を堆積させ、材料の堆積プロセス中に、その素子上の膜にプラズマイオンを衝突させ、それによって、素子上に緻密で滑らかな非晶質多層光学コーティングを形成する工程を有してなる方法に関する。フッ化物材料について、蒸発は、酸化物コーティングに用いられたのと同じ真空槽内において一連の部分マスクまたは逆マスクで、フッ化物原料を収容している２つの耐熱性ボートにより生じさせることもできる。複数のアルカリ土類金属フッ化物層は、プラズマイオンのアシストの有無にかかわらず、２つの熱抵抗蒸発源または２つの電子ビーム蒸発源を交互にオンにすることによって、堆積させることができる。フッ化物積層体(stack)の付着後、ＳｉＯ2層を、マスキング技法を用いた酸化物積層体の堆積について記載したのと同じプラズマ平滑化プロセスにより、フッ化物積層体の上面に堆積させる。そのマスクは、部分マスク（同一出願人による特許文献２の図３に示されているような）および逆マスク（同一出願人による特許文献１に示されているような）からなる群より選択される。好ましい実施の形態において、マスクは、添付の図面の図３に示された部分マスクである。また、好ましい実施の形態において、選択されたコーティング材料源は、単結晶または単結晶から作製された粉末として存在してよいＭｇＡｌ2Ｏ4の単結晶形態である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択された基体および該基体上の式（ＨoＬo）iＨoの非晶質コーティングを有してなる光学素子であって、
（ＨoＬo）iは、前記基体上のＨo層およびＬo層からなる複数ｉのコーティング周期の積層体であり、
ｉは１４〜２０の範囲にあり、
Ｈoは非晶質ＭｇＡｌ2Ｏ4であり、
Ｌoは非晶質ＳｉＯ2であり、
それによって、前記基体上に非晶質ＭｇＡｌ2Ｏ4−ＳｉＯ2コーティングを形成し、第１の周期のＨo層が前記基体に接触しており、
前記ｉの周期の厚さが６００ｎｍから１２００ｎｍの範囲あることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記厚さが８６０ｎｍから１２００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載のコーティング。
【請求項３】
前記光学素子がミラーであり、
前記式（ＨoＬo）iＨoの非晶質コーティングが、８６０ｎｍから１２００ｎｍの範囲の厚さを有し、
前記基体が、
（ａ）アルカリ土類金属フッ化物単結晶、
（ｂ）シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカ、
（ｃ）アルミニウム、チタン、ＳｉおよびＳｉ3Ｎ4、並びに
（ｄ）各々が自身の上に金属コーティングを有する、シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカ、
からなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項４】
前記光学素子が、非晶質ＳｉＯ2、ＦドープトＳｉＯ2および溶融シリカからなる群より選択される非晶質材料のキャッピングコーティングをさらに備え、該キャッピングコーティングが前記（ＨoＬo）iＨoコーティングの上面にあることを特徴とする請求項３記載の光学素子。
【請求項５】
前記基体がアルカリ土類金属フッ化物単結晶基体であり、前記非晶質（ＨoＬo）iＨoコーティングの厚さが８６０ｍから１２００ｎｍの範囲にあり、該非晶質（ＨoＬo）iＨoコーティングの上面に、非晶質ＳｉＯ2、ＦドープトＳｉＯ2および溶融シリカからなる群より選択される非晶質材料のキャッピングコーティングが配置されていることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項６】
式（ＨoＬo）iＨoを有する第１のコーティング、該第１のコーティングの上面に配置された式（ＬfＨf）j２Ｍoの第２のコーティング、および該第２のコーティングの上面に配置された式（ＬfＨf）k２Ｍoの第３のコーティングを有する選択された基体、
からなる光学素子であって、
（ＨoＬo）iは、前記基体上の複数ｉの周期ＨoＬoからなる積層体であり、ｉは１４〜２０の範囲にあり、Ｈoは非晶質ＭｇＡｌ2Ｏ4であり、Ｌoは非晶質ＳｉＯ2であり、第１の周期のＨo層が前記基体と接触しており、
（ＬfＨf）jは、（ＨoＬo）iＨoの上面に形成された積層体であり、Ｌfが第１の層であり、Ｈfが第２の層である交互の層によって形成された複数ｊの周期ＬfＨfであり、ｊは２から６の範囲にある整数であり、２Ｍoが（ＬfＨf）j積層体の上面のコーティングであり、
（ＬfＨf）kは、（ＬfＨf）j２Ｍoの上面に形成された積層体であり、Ｌfが第１の層であり、Ｈfが第２の層である交互の層により形成された複数ｋの周期ＬfＨfであり、ｋが２から６の範囲にある整数であり、２Ｍoが（ＬfＨf）k積層体の上面のコーティングであり、
Ｌfは低屈折率金属フッ化物であり、Ｈfは高屈折率金属フッ化物であり、２Ｍoは、シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカからなる群より選択される酸化物材料であることを特徴とする光学素子。
【請求項７】
前記光学素子がミラーであり、
前記基体が、
アルカリ土類金属フッ化物単結晶、
シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカ、
アルミニウム、チタン、ＳｉおよびＳｉ3Ｎ4、並びに
自身の上に金属コーティングを有する、シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカ、
からなる群より選択され、
前記式（ＨoＬo）iＨoの第１のコーティングが、８６０ｎｍから１２００ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項６記載の光学素子。
【請求項８】
前記基体がアルカリ土類金属フッ化物単結晶基体であり、
前記（ＨoＬo）iＨoコーティングの厚さが８６０ｎｍから１２００ｎｍの範囲あり、
前記積層体（ＬfＨf）jおよび（ＬfＨf）kの各々の層において、Ｌfの厚さが３０ｎｍから５０ｎｍの範囲にあり、Ｈfの厚さが２０ｎｍから４０ｎｍの範囲にあり、前記積層体の厚さが１４０ｎｍから４２０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項６記載の光学素子。
【請求項９】
高反射光学素子を製造する方法であって、
１）  真空槽を提供する工程； 
２）  １つまたは複数のコーティングをその上に堆積すべき基体を提供する工程；
３）  少なくとも１つの選択されたコーティング材料源、またはコーティング材料源の混合物を提供し、前記材料を蒸発させて、前記材料源から、選択されたマスクを通って、前記基体まで通過するコーティング材料の蒸気流束を提供する工程；
４）  プラズマ源からプラズマイオンを提供する工程；
５）  前記基体を選択された回転周波数ｆで回転させる工程；および
６）  前記基体上に１つまたは複数のコーティング層として前記コーティング材料を堆積させ、該材料の堆積プロセスの前および最中に、前記基体および前記層に前記プラズマイオンを衝突させ、それによって、その上に１つまたは複数のコーティングを有する基体を形成する工程、
を有してなり、
前記工程２）から６）が前記真空槽内で行われ、
前記基体上に前記コーティング材料を堆積させる工程において、該基体を、式（ＨoＬo）iＨoを有する第１のコーティング、該第１のコーティングの上面の式（ＬfＨf）j２Ｍoの第２のコーティング、および該第２のコーティングの上面の式（ＬfＨf）k２Ｍoの第３のコーティングで被覆して、上に高反射コーティングを有する光学素子を提供し、
（ＨoＬo）iが、前記基体上の複数ｉのコーティング周期ＨoＬoからなる積層体であり、ｉが１０〜２５の範囲にあり、Ｈoが非晶質ＭｇＡｌ2Ｏ4であり、Ｌoが非晶質ＳｉＯ2であり、第１の周期のＨo層が前記基体と接触しており、
（ＬfＨf）jが、（ＨoＬo）iＨoの上面に形成された積層体であり、Ｌfが第１の層であり、Ｈfが第２の層である交互の層により形成された複数ｊの周期ＬfＨfであり、ｊが２から６の範囲にある整数であり、２Ｍoが前記（ＬfＨf）j積層体の上面のコーティングであり、
（ＬfＨf）kが、（ＬfＨf）j２Ｍoの上面に形成された、Ｌfが第１の層であり、Ｈfが第２の層である交互の層により形成された複数ｋの周期ＬfＨfの積層体であり、ｋが２から６の範囲にある整数であり、２Ｍoが前記（ＬfＨf）k積層体の上面のコーティングであり、
Ｌfは低屈折率金属フッ化物であり、Ｈfは高屈折率金属フッ化物であり、２Ｍoは、シリカ、溶融シリカ、およびＦドープト溶融シリカからなる群より選択される酸化物材料であることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記フッ化物積層体が、フッ素を含有する不活性ガスにより、電子ビームまたは抵抗加熱された蒸発源を用いて、一連の部分マスクまたは逆マスクにより堆積されることを特徴とする請求項９記載の方法。