【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）
【化１】
2012229449.tif 000001
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと、
（Ｃ）分子内に１個以上のホスホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するホスホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーを、親水性重合触媒及び親油性重合触媒存在下に共重合させることを特徴とするイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項２】
（Ｂ）スルホン酸基含有不飽和モノマーと、（Ｃ）ホスホン酸基含有不飽和モノマーとを、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との合計量１００モル％に対して（Ｃ）成分の割合が０モル％を超え９０モル％以下で共重合させることを特徴とする請求項１記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項３】
（Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれ、（Ｃ）成分がメタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するリン酸エステル、ホスホン酸基含有メタクリルアミド誘導体又はアクリルアミド誘導体から選ばれる請求項１又は２記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項４】
（Ａ）下記一般式（１）
【化２】
2012229449.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーを、親水性重合触媒及び親油性重合触媒存在下に共重合させることを特徴とするイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項５】
（Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれる請求項４記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項６】
親水性重合触媒が過酸化塩類、過酸類及び過アルコール類から選ばれ、親油性重合触媒がアゾ系開始剤、過酸化エーテル又は過酸化エステル化合物から選ばれる請求項１〜５のいずれか１項記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
【請求項７】
（Ａ）下記一般式（１）
【化３】
2012229449.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと、
（Ｃ）分子内に１個以上のホスホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するホスホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーが親水性重合触媒／親油性重合触媒＝９０／１０〜１０／９０（質量比）の存在下に共重合されてなることを特徴とするイオン伝導性高分子物質。
【請求項８】
（Ａ）下記一般式（１）
【化４】
2012229449.tif 000004
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーが親水性重合触媒／親油性重合触媒＝９０／１０〜１０／９０（質量比）の存在下に共重合されてなることを特徴とするイオン伝導性高分子物質。
【請求項９】
１質量％ジメチルホルムアミド溶液のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００である請求項７又は８記載のイオン伝導性高分子物質。
【請求項１０】
（Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれ、（Ｃ）成分がメタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するリン酸エステル、ホスホン酸基含有メタクリルアミド誘導体又はアクリルアミド誘導体から選ばれる請求項７〜９のいずれか１項記載のイオン伝導性高分子物質。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載のイオン伝導性高分子物質のアルコキシシリル基の一部又は全部を加水分解・縮合することにより得られる水不溶性のイオン伝導性高分子誘導体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
従って、本発明は、下記に示すイオン伝導性高分子物質及びその製造方法並びにイオン伝導性高分子誘導体を提供する。
〔１〕  （Ａ）下記一般式（１）
【化１】
2012229449.tif 000005
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと、
（Ｃ）分子内に１個以上のホスホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するホスホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーを、親水性重合触媒及び親油性重合触媒存在下に共重合させることを特徴とするイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔２〕  （Ｂ）スルホン酸基含有不飽和モノマーと、（Ｃ）ホスホン酸基含有不飽和モノマーとを、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との合計量１００モル％に対して（Ｃ）成分の割合が０モル％を超え９０モル％以下で共重合させることを特徴とする〔１〕記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔３〕  （Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれ、（Ｃ）成分がメタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するリン酸エステル、ホスホン酸基含有メタクリルアミド誘導体又はアクリルアミド誘導体から選ばれる〔１〕又は〔２〕記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔４〕  （Ａ）下記一般式（１）
【化２】
2012229449.tif 000006
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーを、親水性重合触媒及び親油性重合触媒存在下に共重合させることを特徴とするイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔５〕  （Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれる〔４〕記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔６〕  親水性重合触媒が過酸化塩類、過酸類及び過アルコール類から選ばれ、親油性重合触媒がアゾ系開始剤、過酸化エーテル又は過酸化エステル化合物から選ばれる〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のイオン伝導性高分子物質の製造方法。
〔７〕  （Ａ）下記一般式（１）
【化３】
2012229449.tif 000007
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと、
（Ｃ）分子内に１個以上のホスホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するホスホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーが親水性重合触媒／親油性重合触媒＝９０／１０〜１０／９０（質量比）の存在下に共重合されてなることを特徴とするイオン伝導性高分子物質。
〔８〕 （Ａ）下記一般式（１）
【化５】
2012229449.tif 000008
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は水素原子又は置換もしくは非置換のアルキル基であり、ｍは１〜６の整数、ｎは１〜３の整数である。）
で示される分子内に１個以上のアルコキシシリル基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するアルコキシシリル基含有不飽和モノマーと、
（Ｂ）分子内に１個以上のスルホン酸基と１個以上のエチレン性不飽和結合とを有するスルホン酸基含有不飽和モノマーと
を含む不飽和モノマーが親水性重合触媒／親油性重合触媒＝９０／１０〜１０／９０（質量比）の存在下に共重合されてなることを特徴とするイオン伝導性高分子物質。
〔９〕  １質量％ジメチルホルムアミド溶液のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００である〔７〕又は〔８〕記載のイオン伝導性高分子物質。
〔１０〕  （Ｂ）成分がビニルスルホン酸、ｐ−スチレンスルホン酸、（メタ）アクリル酸ブチル−４−スルホン酸、（メタ）アクリロオキシベンゼンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸から選ばれ、（Ｃ）成分がメタクリロキシ基又はアクリロキシ基を含有するリン酸エステル、ホスホン酸基含有メタクリルアミド誘導体又はアクリルアミド誘導体から選ばれる〔７〕〜〔９〕のいずれかに記載のイオン伝導性高分子物質。
〔１１〕  〔７〕〜〔１０〕のいずれかに記載のイオン伝導性高分子物質のアルコキシシリル基の一部又は全部を加水分解・縮合することにより得られる水不溶性のイオン伝導性高分子誘導体。