(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体層からなる共振器を有し、該共振器の向かい合う２つの共振器端面の少なくとも一方に、前記化合物半導体層側から第一層がIV族元素Ａ1からなり、第二層がIV族元素Ａ2の窒素化合物からなる、複数層からなる反射率制御層を備えた半導体レーザ素子において、
前記第一層をＡ1とし、該第一層の厚さｄ1とし、
前記第二層をＡ2x0Ｎ1-x0（0＜x0＜1）とし、
前記第一層と前記第二層との間に存在する組成傾斜層をＡxＮ1-x（ただし、ＡはＡ1およびＡ2の少なくとも一つ）とし、該組成傾斜層の厚さをｄ2とすると、
該ｄ2が、該組成傾斜層の組成比を0.1x0≦x≦0.9x0とした時、0.2ｄ1≦ｄ2≦9ｄ1の関係で表されることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ｄ2が、前記ｄ1に対して、0.3ｄ1≦ｄ2≦5ｄ1であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第一層を構成するIV族の元素Ａ1が、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第二層を構成するIV族の元素Ａ2が、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上であることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第一層の膜厚ｄ1が、0＜ｄ1≦5（ｎｍ）であることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記反射率制御層の第三層以降に酸化物の層が形成されていることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記酸化物が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＨｆの１つ以上の酸化物であることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子に関し、特に共振器端面の反射率制御層として、IV族元素からなる層とIV族窒素化合物からなる層とを備えた半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ素子の最大光出力を抑制する要因として、高出力動作時の共振器端面近傍の無効電流による劣化が挙げられる。具体的には、共振器端面の半導体表面において発光に寄与しない電流が発生し、この非発光結合電流によって共振器端面が発熱し、その発熱により端面の劣化が起こり半導体レーザの最大光出力が低下する。その他の原因として、共振器端面に保護膜あるいは反射率制御層を形成する際に半導体表面に酸素が取り込まれ、その酸素によって反射率制御層の特性が劣化し、最大光出力を低減させるという問題もある。
【０００３】
上記のような問題を解決するために、米国特許第4656638号においては、光出射端面に１０ｎｍ以下の金属層、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｓｂ、Ｍｎ、ＣｒまたはＴｉを設けて端面近傍の半導体層を不動態化させ、その金属層の上にＡｌ2Ｏ3等の酸化物反射率制御層を設けていることが記載されている。半導体層からこれらの金属層への酸素の外拡散により半導体表面は不動態化するが、その酸素により金属層が酸化され、半導体レーザ素子の特性および信頼性が低下するという問題がある。そこで、特開平11-121877号においては、半導体層表面の酸化除去を行った後、Ｓｉ等の不動態化層を設けることが記載されている。また、特開平3-101183号においても、共振器端面の半導体表面の酸化層を除去した後、Ｓｉ、ＧｅまたはＳｂの不動態化層を設け、その上に熱伝導性の良いＳｉ3Ｎ4の保護層を設けることが開示されている。しかし、IV族単体元素の層の上にIV族窒素化合物を成膜してなる反射率制御層は、化合物半導体レーザの端面保護膜として一般的に用いられるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3とは異なり、半導体との線膨張係数の差が大きい。このため、保存環境の急激な温度変化に弱く、剥離が発生するという問題がある。一方、窒素化合物は、蒸着、スパッタ、ＣＶＤのような各種成膜方法で作られるが、窒素との反応が不十分な組成においては、光学的吸収が発生し、半導体レーザ素子の出力が低下するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
これまで、共振器端面に半導体層側から順に、IV族元素からなる不動態化層およびIV族窒素化合物層を積層してなる反射率制御層が形成されている半導体レーザ素子において、出力が高く信頼性の高い半導体レーザ素子を得ることが要望されている。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みて、少なくともIV族元素からなる第一層とIV族窒素化合物とからなる第二層を備えた反射率制御層を有する半導体レーザ素子において、出力が高く信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子は、化合物半導体層からなる共振器を有し、該共振器の向かい合う２つの共振器端面の少なくとも一方に、前記化合物半導体層側から第一層がIV族元素Ａ1からなり、第二層がIV族元素Ａ2の窒素化合物からなる、複数層からなる反射率制御層を備えた半導体レーザ素子において、
前記第一層をＡ1とし、該第一層の厚さｄ1とし、
前記第二層をＡ2x0Ｎ1-x0（0＜x0＜1）とし、
前記第一層と前記第二層との間に存在する組成傾斜層をＡxＮ1-x（ただし、ＡはＡ1およびＡ2の少なくとも一つ）とし、該組成傾斜層の厚さをｄ2とすると、
該ｄ2が、該組成傾斜層の組成比を0.1x0≦x≦0.9x0とした時、0.2ｄ1≦ｄ2≦9ｄ1の関係で表されることを特徴とするものである。
【０００７】
また、ｄ2は、ｄ1に対して、0.3ｄ1≦ｄ2≦5ｄ1であることがより好ましい。
【０００８】
第一層を構成するIV族の元素Ａ1は、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上であることが望ましい。
【０００９】
第二層を構成するIV族の元素Ａ2は、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上であることが望ましい。
【００１０】
第一層の膜厚ｄ1は、0＜ｄ1≦5（ｎｍ）であることが望ましい。
【００１１】
反射率制御層の第三層以降に酸化物の層が形成されていてもよい。
【００１２】
酸化物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＨｆの１つ以上の酸化物であることが望ましい。
【００１３】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ素子によれば、共振器端面の少なくとも一方に化合物半導体側からIV族元素からなる第一層（厚さｄ1）とIV族窒素化合物からなる第二層を備えた半導体レーザ素子であって、第一層と第二層の間に存在する組成傾斜層の厚さｄ2が0.2ｄ1≦ｄ2≦9ｄ1であることにより、レーザの最大光出力を向上でき、また、経時信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また、ｄ2がｄ1に対して、0.3ｄ1≦ｄ2≦5ｄ1であることは、半導体レーザ素子の最大光出力のさらなる向上が図られるので、より好ましい。
【００１５】
また、本発明のように、IV族元素からなる第一層とIV族窒素化合物からなる第二層との間の組成傾斜層が半導体レーザ素子の特性および信頼性に及ぼす影響を、その結晶状態から明確にしたものはこれまでに例がなく、これにより、半導体レーザ素子の反射率制御層の最適化を行うことができ、高品質な半導体レーザ素子を提供することが可能となる。
【００１６】
上記反射率制御層の第一層が、IV族元素からなることにより、IV族元素は酸素原子をゲッタリングする機能があるため、半導体層および反射率制御層の第二層以降に酸素が拡散して、レーザ装置の特性および信頼性が低下するのを防止することができる。
【００１７】
第一層が、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上からなることにより、良好に酸素をゲッタリングすることができる。
【００１８】
第二層を構成するIV族の元素Ａ2が、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの１つ以上であることにより、良好な熱伝導性を得ることができ、端面の発熱を良好に放熱することができる。
【００１９】
第一層の膜厚ｄ1を、0＜ｄ1≦5（ｎｍ）とすることにより、この層による光吸収を極力抑え、かつ半導体レーザ素子端面の酸素をゲッタリングする作用を十分に発揮することができる。
【００２０】
よって、本発明により、第一層にIV族元素の層を有し、第二層にIV族窒素化合物層を備えた反射率制御層は、ｋが上記範囲となるような環境で、IV族元素からなる第一層の上にIV族窒素化合物を形成することが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２２】
本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。その斜視図を図１に示す。図１は、ヒートシンクに実装する前の半導体レーザ素子単体の形状を示すものであり、図２に示すバー状の試料を劈開してなるものである。
【００２３】
図１に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ下部クラッド層（0.55≦z1≦0.7）２、ｉ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層（厚さｄｂ＝110ｎｍ）３、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3量子井戸活性層（厚さｄａ＝８ｎｍ）４、ｉ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層（厚さｄｂ＝110ｎｍ）５、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部第１クラッド層（厚さｄｃ＝100ｎｍ）６、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐエッチング阻止層７、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部第２クラッド層８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層９を順次積層し、その上に、絶縁膜（図示せず）を形成する。
【００２４】
この後、通常のリソグラフィにより、幅30〜250μｍ程度のストライプで、これに連続する周辺部に平行な幅10μｍ程度のストライプの絶縁膜（図示せず）を除去し、この絶縁膜（図示せず）をマスクとして、ウェットエッチングにより、ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐエッチング阻止層７の上部まで除去して、リッジストライプを形成する。エッチング液として、硫酸と過酸化水素水系の溶液を用いる。このエッチング液を用いることにより、自動的にエッチングをｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐエッチング阻止層７の上部で停止させることができる。
【００２５】
マスクとして使用した絶縁膜（図示せず）を除去した後、全面に絶縁膜11を形成し、通常のリソグラフィにより、リッジストライプ上の絶縁膜11の一部を該リッジストライプに沿って除去し、電流注入窓を作成する。その上全面にｐ側電極12を形成し、ｐ側電極12の上にＡｕメッキ13を５μｍ以上行う。その後、基板の厚さが100〜150μｍになるまで研磨を行い、ｎ側電極14を形成する。
【００２６】
本実施の形態による半導体レーザ素子の発振する波長帯に関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3（0≦x3≦0.5、0≦y3≦0.5）からなる活性層の組成を制御することにより、７５０＜λ＜１１００（ｎｍ）の範囲が可能である。
【００２７】
各半導体層の成長法としては、固体あるいはガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法を用いてもよい。
【００２８】
上記構造は、ｎ型基板上に各半導体層を形成してなるものであるが、ｐ型基板を用いてもよい。この場合、上記各半導体層の導電性を反転して形成すればよい。
【００２９】
次に、上記のようにして作製した半導体レーザ素子の共振器端面に反射率制御層15および16を形成する。ここで、反射率制御層の第一層にIV族元素からなる層を形成し、第二層にIV族窒素化合物からなる層を形成する際、第一層と第二層の間の組成傾斜層の厚さが異なる素子を作製して、反射率傾斜層の結晶状態を分析し、その組成傾斜層の厚さと半導体レーザ素子の特性および信頼性について評価する。
【００３０】
上記半導体レーザ素子の構成において、ストライプ幅を５０μｍ、発振波長を８０９ｎｍ、半導体層のサフィクスをz1＝0.64、x3＝0.12、y3＝0.24とし、（１００）面が露出する方向に大気中で共振器長０．９ｍｍ、長さ１０〜２０ｍｍに劈開して、図２に示すようなバー状の試料21を作製し、光出射面22を露出させる。このバー状の試料をコーティング可能な治具に大気中でセットし、さらに、この治具をＥＣＲスパッタ装置内にセットして真空排気を行う。到達真空度が１×１０-4Ｐａに達したところで、Ａｒをスパッタ装置内に導入し、０．８×１０-1〜１．１×１０-1Ｐａの範囲にアルゴンガス圧を設定後、Ｓｉ（純度９９．９９９％以上）ターゲットを用いて、光出射面22に第一層としてＳｉ膜（厚さがｄ1）を１ｎｍ程度成膜する。次に、Ｎ2を導入開始し、流量比でＮ2／Ａｒ＝２５％に成るまで窒素流量を時間とともに増加させ、Ｓｉx0Ｎ1-x0を８０９ｎｍでλ／２に相当する膜厚まで形成することにより、反射率３２％の前端面（光出射面）反射制御層を形成する。Ｎ2／Ａｒ比は所定の組成傾斜層の厚さ（ｄ2）が得られるように時間に対する変化量を調整する。この時間に対するＮ2／Ａｒ変化量が違うサンプル、つまり、組成傾斜層（厚さをｄ2とする）が異なるサンプルを各種作成する。比較のために、Ｓｉ層がない膜（ｄ1＝０）を成膜したサンプルも作成する。
【００３１】
次に、光出射面の反対側端面に高反射率の反射率制御層を形成する。光出射面と同様な方法で、第一層としてＳｉを１ｎｍ形成し、組成傾斜層は前面と同様に作成し、第二層としてのＳｉx0Ｎ1-x0をλ／４相当形成後、λ／４酸化物の積層構造（例えばＴｉＯ2（ＳｉＯ2／ＴｉＯ2）4；へき開面から、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2およびＴｉＯ2をこの順に積層したもの）を形成し、９５％以上の反射率を得る。
【００３２】
次に、上記のようにバー状の試料の前面と後面に反射率制御層を形成したものを、幅５００〜６００μｍにへき開して素子単体を作製した。ヒートシンクはＣｕにＮｉメッキ（５μｍ）を実施し、その上にＮｉ（５）０〜１５０ｎｍ）、Ｐｔ（５０〜２００ｎｍ）およびＩｎ（３．５〜５．５μｍ）をこの順に、半導体レーザ素子のボンディング面積より広い領域（少なくとも４倍）に蒸着したものを用いる。このヒートシンクを１８０〜２２０℃の温度範囲で加熱してＩｎを溶融させて、素子のｐ側をヒートシンクにボンディングして半導体レーザ素子を形成する。
【００３３】
次に、半導体レーザ素子の端面に形成された反射率制御層の第一層に相当するＳｉの膜厚ｄ1と、第二層であるＳｉx0Ｎ1-x0の間に存在する組成傾斜層の膜厚ｄ2との比率の求め方について説明する。例として用いる半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板上に形成した半導体レーザ素子の端面に、第一層としてＳｉを５ｎｍ、第二層としてＳｉx0Ｎ1-x0を１４０ｎｍ設けたものである。
【００３４】
まず、反射率制御層をＸＰＳ（Ｘ-ray photoelectron spectrometory：Ｘ線光電子分析法）により、図３に示す測定条件で半導体レーザ素子端面のdepth profileの測定を行う。各元素の結合エネルギー範囲をシャーリー型のバックグラウンドを用いて面積を計算することにより各元素濃度比を算出する。その代表的な測定結果を図４に示す。第二層のＳｉx0Ｎ1-x0はグラフでは１４ｎｍ程度の領域のみ表示している。ここで、Ｓｉ2p．ls１、Ｓｉ2p．ls3は各々Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｓｉの結合に関わるＳｉ原子の元素濃度に相当する。この測定中に用いたエッチング条件では、Ｓｉ、Ｓｉx0Ｎ1-x0のエッチング速度は、それぞれ、1.56nm／min、1.26nm／minとなる。Ｓｉ2p．ls3の信号強度が最大値のエッチング時間とともに０．１倍から上昇し、０．１倍まで減少する時間をｔ1、Ｓｉ2p．ls1の信号強度が膜中の最大値の０．９倍から０．１倍まで減少する時間をt2とする。また、ＸＰＳ情報の平均脱出深さdxはこの測定条件では５nmである。以上より、ｄ1＝（t1−dx/e2）×e1、d2＝e2×t2、k＝ｄ2／ｄ1の関係が成り立ち、ｋを決定することができる。なお、図４の測定結果では、t1＝6.1min、t2＝2.6minとなるため、ｋ＝32.76／33.2＝0.98となる。
【００３５】
ここで、ｄ1が成膜設計値５nmより小さいのは、Ｓｉ上に第二層のＳｉx0Ｎ1-x0が形成される際に、ＮがＳｉ層中に拡散し、Ｓｉ−Ｎ結合状態を作り出しているためである。
【００３６】
上記のｋの求め方を基に、前述の、ヒートシンクに実装した素子で組成傾斜層の厚さｄ2が異なるサンプルについてもそれぞれｋを求める。次に、組成傾斜層の厚さが異なるサンプルを各水準５０個用意し、ヒートサイクル試験（−２０℃〜８０℃熱サイクル試験、４Ｈ／cycleを50cycle）を実施し、その後、試験後のレーザ端面を２００倍の光学顕微鏡で観察し、コート膜の剥離発生の有無を検査した。図５に、比率ｋと素子の生存率（組成傾斜層の厚さｄ2が異なる素子において、１水準５０個に対し剥離が観測された個数）の関係を示す。図５に示すように、ｋが0.2以上で、環境保存性が実現されていることが解る。k＜0.2では、IV族元素からなる層とIV族窒素化合物からなる層との密着性が悪くなるため剥離が発生する。
【００３７】
次に、前述のヒートシンクに実装終了した素子について、最大光出力を測定した。その最大光出力と比率ｋとの関係を図６に示す。最大光出力はＳｉ層を設けない（ｄ1＝０）素子に対して規格化して示す。
【００３８】
図６に示すように、0.2≦k≦9の領域では、Ｓｉ層を設けない（ｄ1＝０）素子に対して最大光出力が向上しており、特に、0.3≦k≦5の領域ではその傾向が顕著である。
【００３９】
次に、本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。
【００４０】
有機金属気相成長法により、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−Ｉｎ0.49（Ｇａ1-z1Ａｌz1）0.51Ｐ下部クラッド層（0≦z1≦0.5）、ｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部光導波層（x2＝0.49y2±0.01、0.1≦y2≦0.9、厚さdb＝75〜400ｎｍ）、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3量子井戸活性層（0≦x3≦0.4、0≦y3≦0.6）、ｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部光導波層（x2＝0.49y2±0.01、0.1≦y2≦0.9、厚さdb＝75〜400ｎｍ）、ｐ−Ｉｎ0.49（Ｇａ1-z1Ａｌz1）0.51Ｐ上部クラッド層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層を成長する。引き続き絶縁膜を形成する。
【００４１】
この後、通常のリソグラフィにより、幅３〜５μｍ程度のストライプでこれに連続する周辺部に平行な幅１０μｍ程度のストライプの絶縁膜を除去し、この絶縁膜をマスクとして、ウェットエッチングにより、ｉ−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部光導波層の上部まで除去して、リッジストライプを形成する。
【００４２】
マスクとして使用した絶縁膜を除去した後、上面に新たに絶縁膜を形成し、通常のリソグラフィにより、リッジストライプ上の絶縁膜の一部を該リッジストライプに沿って除去し、電流注入窓を形成する。その上全面にｐ電極を形成し、ｐ電極の上に金メッキ層を５μｍ以上形成する。その後、基板の研磨を行い裏面にｎ側電極を形成する。
【００４３】
この半導体レーザ素子の発振する波長帯に関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3（0≦x3≦0.5、0≦y3≦0.5）からなる組成の活性層より、７５０＜λ＜１１００（ｎｍ）の範囲までの制御が可能である。
【００４４】
上記第２の実施の形態による半導体レーザ素子の構成において、発振波長を９８０〜１１００ｎｍ、半導体層のサフィクスをz1＝0.64、x2＝0.3、y2＝0.4、x3＝0.05〜0.3、y3＝0とし、ＧａＡｓの（１００）面が露出する方向に大気中で所定の共振器長を０．７５〜２．５ｍｍ、好ましくは０．７５〜１．５ｍｍの範囲に加工したシングルモードレーザをバー状に劈開する。次に、この試料をＥＣＲスパッタ装置内に設置し、０．８×１０-1〜１．１×１０-1Ｐａの範囲にアルゴンによるスパッタガス圧を設定後、Ｃ（純度９９．９９９％以上）ターゲットを用いて、光出射面に第一層としてＣ膜を成膜する。次に、Ｎ2を導入開始し、流量比でＮ2／Ａｒ＝２５％に成るまで窒素流量を時間とともに増加させ、第二層として、Ｃ3Ｎ4を８０９ｎｍでλ／２に相当する膜厚まで形成することにより反射率３２％の前端面（光出射面）反射率を形成した。後面には、Ｃ膜を形成し、Ｎ2／Ａｒ＝２５％に成るまで窒素流量を時間とともに増加させた後、Ｃ3Ｎ4膜をλ／４相当形成し、ＴｉＯ2（ＳｉＯ2/ＴｉＯ2）4からなる膜を形成して、反射率９５％の反射膜を形成する。
【００４５】
上記２つの実施の形態による半導体レーザ素子において、第一層から第二層に至る組成傾斜層をコントロールする手法として、ＥＣＲスパッタ方法を用いているが、Ｎ2とＡｒの流量比を時間と共に変化させることが可能であればよく、マグネトロンスパッタ装置、蒸着装置あるいはＣＶＤ装置でもよい。
【００４６】
また、本発明は、上記２つの実施の形態による半導体レーザ素子に限られるものではなく、他の半導体レーザデバイスにも適用することができる。ここで言うところの半導体レーザデバイスとは、代表的にはＩｎＧａＮ系（発振波長：３６０〜５００ｎｍ）、ＺｎＳＳｅ系（発振波長：４１０〜５４０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｌＰ系（発振波長：６００〜７３０ｎｍ）、ＡｌＧａＡｓ系（発振波長：７５０〜８７０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ系（発振波長：７００〜１２００、１３００〜１９００ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓ系（発振波長：９５０〜１２００、１３００〜１９００ｎｍ）、ＩｎＧａＳｂ系（発振波長：１．８〜３．０μｍ）の材料を用いた半導体レーザ構造を有したものを示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子を示す斜視図
【図２】半導体レーザ素子のバー状の試料を示す斜視図
【図３】ＸＰＳの測定条件
【図４】光出射端面にＳｉ膜とＳｉxＮ1-x膜を形成した半導体レーザ素子の端面付近のDepth  Profileを示すグラフ
【図５】異なるｋを有する半導体レーザ素子のサイクル試験結果を示すグラフ
【図６】ｋと最大光出力の関係を示すグラフ
【符号の説明】
１    ＧａＡｓ基板
２    ｎ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ下部クラッド層
３    ｉ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層
４    Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3量子井戸活性層
５    ｉ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層
６    ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部第１クラッド
７    ｐ−Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐエッチング阻止層
８    ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ａｓ上部第２クラッド層
９    ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
11    絶縁膜
12    ｐ側電極
13    Ａｕメッキ
14    ｎ側電極
15,16    反射率制御層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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