【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行う光素子を内包するパッケージ筐体と、
前記パッケージ筐体の信号伝送方向の一端に設けられ積層絶縁体で構成された第１の基板と、
前記第１の基板に設けられた導体部と電気的に接続する接続部を一端に有する導体パターンが主表面に設けられてなる第２の基板と、を備え、
前記導体部は、前記第１の基板の主表面に設けられた信号用導体パターンと接地用導体パターンとを含み、
前記信号用導体パターンと接地用導体パターンのそれぞれに固着された第１のリードピンと第２のリードピンは、その一端が前記第１の基板の主表面より外側に突き出るように設けられ、
前記突き出た第１および第２のリードピンの概ね直下に位置する前記第１の基板の側面に第１および第２の導体層がそれぞれ設けられ、
前記第１の導体層が設けられた側面と、前記第２の導体層が設けられた側面との間で前記信号伝送方向に高低差を有する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１の導体層が設けられた側面を、前記信号伝送方向に沿って前記パッケージ筐体方向に移動した位置に設けることにより、前記第２の導体層が設けられた側面との間で前記信号伝送方向に高低差を構成する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１の基板の側面に切り欠き部を設けることにより、前記第１の導体層が設けられた側面を前記パッケージ筐体に向かって前記信号伝送方向へ後退させる
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光モジュールにおいて、
前記切り欠き部は、前記高低差が概ね１００ミクロン以上で３００ミクロン以下となるように設定されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第２の導体層が設けられた側面の位置が、前記第１の導体層が設けられた側面の位置よりも、前記第２の基板の前記接続部に近接するように配置されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記突き出た第１および第２のリードピンは、前記信号用導体パターンおよび前記接地用導体パターンのそれぞれと固着されていない延在部を有し、その延在部の長さは前記第１のリードピンと前記第２のリードピンとで異なる
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１および第２の導体層は、前記第１の基板の側面に金属が塗布された層か、あるいは、前記第１の基板の側端に設けられたビアの一部であるか、あるいは、前記第１の基板の側端に設けられた導体層を有するキャスタレーションである
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１の基板は、多層セラミックで構成され、
前記第２の基板は、フレキシブル基板で構成されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第２の基板は、有機物質を基材とするプリント基板であるか、セラミックを基材とするプリント基板であるか、あるいは、液晶ポリマーやポリイミド系物質を基材としたフレキシブル基板である
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１０】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第２の基板上の前記接続部にはスルーホールが設けられ、
前記スルーホールに前記第１および第２のリードピンが挿入され、半田、導電性接着剤等によって固着されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１の基板上の導体パターンの上面と、前記第２の基板上の導体パターンの上面に、同一方向から前記リードピンが半田、導電性接着剤、金属によって固着されていること
を特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記信号用導体パターンと接地用導体パターンのそれぞれの主表面に前記第１および第２のリードピンが配置固定され、
前記第２の基板上の導体パターンは、前記第１および第２のリードピンの上方向に配置され、該導体パターンと前記第１および第２のリードピンとが固着される
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１３】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１の基板の接地用導体パターンの一部と、前記第２の基板の接地用導体パターンの一部が、前記信号伝送方向と概ね垂直方向に、前記リードピンを介して重畳されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１４】
請求項１２に記載の光モジュールにおいて、
前記第１のリードピンが、前記信号用導体パターンと接続されずに概ね前記信号伝送方向に延在する部分を有している
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１５】
請求項６に記載の光モジュールにおいて、
前記延在部の長さは、前記第１および第２の導体パターンのインピーダンスのそれぞれに対する前記第１および第２のリードピン周囲の特性インピーダンスの比が１２０％を超えないように設定されることを特徴とする光モジュール。
【請求項１６】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第１のリードピンが設けられた前記第１の基板上の面と、前記第２のリードピンが設けられた前記第１の基板上の面とが異なる
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１７】
請求項３に記載の光モジュールにおいて、
前記信号用導体パターンを２つ有し、
少なくとも前記信号用導体パターンと前記第１のリードピンとの固着領域において、前記２つの信号用導体パターンは並置され、
前記切り欠き部の側面に、前記２つの信号用導体パターンのそれぞれに接続する２つの前記第１の導体層が前記信号伝送方向に概ね同一位置となるように併設され、
前記第２の導体層が設けられた前記第１の基板の側面と、前記第１の導体層が設けられた前記切り欠き部の側面とは、前記信号伝送方向にずれて配置されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１８】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記信号用導体パターンを２つ有し、
少なくとも前記信号用導体パターンと前記第１のリードピンとの固着領域において、前記接地用導電パターンの両側に前記信号用導体パターンが並置され、
前記切り欠き部の側面に、前記２つの信号用導体パターンのそれぞれに接続する２つの前記第１の導体層と前記接地用導電パターンに接続する前記第２の導体層が、前記信号伝送方向に概ね同一位置となるように併設され、
前記接地用導体パターン以外に接続する前記第２の導体層が設けられた前記第１の基板の側面と、前記切り欠き部の側面とは、前記信号伝送方向にずれて配置されている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１９】
請求項３に記載の光モジュールにおいて、
前記信号用導体パターンを２つ有し、
少なくとも前記信号用導体パターンと前記第１のリードピンとの固着領域において、前記接地用導電パターンの両側に前記信号用導体パターンが並置され、
前記切り欠き部を複数有し、前記切り欠き部の一つと他の一つが前記第１の基板の側面を介して並置され、
前記切り欠き部の一つおよび他の一つの側面には、前記第１の導体層が設けれ、前記第１の基板の側面には、前記第２の導体層が設けられている
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２０】
光電変換を行う光素子を内包するパッケージ筐体と、
前記パッケージ筐体の信号伝送方向の一端に設けられ積層絶縁体で構成された第１の基板と、
前記第１の基板に設けられた導体部と電気的に接続する接続部を一端に有する導体パターンが主表面に設けられてなる第２の基板と、を備え、
前記導体部は、前記第１の基板の主表面に設けられた信号用導体パターンと接地用導体パターンとを含み、
前記第１の基板上に設けられ前記信号用導体パターンを配置する信号用導体パターン配置基板を有し、
前記信号用導体パターンに固着された第１のリードピンは、その一端が前記信号用導体パターン配置基板の主表面より外側に突き出るように設けられ、
前記接地用導体パターンに固着された第２のリードピンは、その一端が前記第１の基板の主表面より外側に突き出るように設けられ、
前記突き出た第１および第２のリードピンの概ね直下に位置する前記信号用導体パターン配置基板の側面および前記第１の基板の側面のそれぞれに第１および第２の導体層が設けられ、
前記信号用導体パターン配置基板の主表面と前記第１の基板の主表面との間に前記第１の基板の主表面に垂直な方向に高低差を設け、
前記第１の導体層と、前記第２の導体層との間で前記信号伝送方向に垂直な方向に高低差を有する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２１】
請求項２０に記載の光モジュールにおいて、
前記信号用導体パターン配置基板の側面を、前記第１の基板の側面に対して前記信号伝送方向に沿って前記パッケージ方向に後退した位置に設けることにより、
前記第１の導体層と、前記第２の導体層との間で前記信号伝送方向および前記信号伝送方向に垂直な方向のいずれにも高低差を有する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２２】
電子素子を内包する第１の基板と、
前記第１の基板の信号伝送方向の一端に設けられた導体部と電気的に接続する接続部を一端に有する導体パターンが、主表面に設けられてなる第２の基板と、を備え、
前記導体部は、前記第１の基板の主表面に設けられた信号用導体パターンと接地用導体パターンとを含み、
前記信号用導体パターンと接地用導体パターンのそれぞれに固着された第１のリードピンと第２のリードピンは、その一端が前記第１の基板の主表面より外側に突き出るように設けられ、
前記突き出た第１および第２のリードピンの概ね直下に位置する前記第１の基板の側面に第１および第２の導体層がそれぞれ設けられ、
前記第１の導体層が設けられた側面と、前記第２の導体層が設けられた側面との間で前記信号伝送方向に高低差を有する
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２３】
請求項２２に記載の高周波モジュールにおいて、
請求項１に記載の光モジュールと前記第２の基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする高周波モジュール。