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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードチャネルであって、
フィルタリングされた信号を発生するために、適応的に更新されたタップ係数のセットに基づいて信号をフィルタリングするフィルタと、
初期タップ係数のセットに基づいて、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを発生する係数更新器と、
前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされるダウンストリーム信号を監視するリセット・コントローラと、
前記フィルタリングされた信号を対数尤度比（ＬＬＲ）値に変換する検出器と、
デジタル出力信号を発生するために前記ＬＬＲ値を復号するデコーダと、
前記係数更新器に前記初期タップ係数のセットを提供するポートとを備え、
前記係数更新器は、前記初期タップ係数のセットに基づいて前記適応的に更新されたタップ係数のセットを発生するために、前記フィルタリングされた信号および前記ＬＬＲ値を使用し、
前記リセット・コントローラは、前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされる前記ＬＬＲ値を監視する、リードチャネル。
【請求項２】
前記リードチャネルはハードドライブ・リードチャネルであり、前記リセット・コントローラが、前記ハードドライブのセクタ内で２回または複数回、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを自動的にリセットするように構成される、請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記フィルタはデジタル有限インパルス応答（ＤＦＩＲ）等化フィルタであり、前記係数更新器は、最小平均二乗（ＬＭＳ）アルゴリズムを用いて前記タップ係数を適応的に更新するＤＦＩＲ適応アキュムレータである、請求項１に記載の発明。
【請求項４】
前記ダウンストリーム信号は対数尤度比（ＬＬＲ）値を含み、各ＬＬＲ値は符号ビットおよび複数ビット信頼値を有し、指定されたカウントより多いＬＬＲ値が、所定のカウントサイズのウィンドウ内で、指定された絶対値閾値より小さい複数ビット信頼値を有することを前記リセット・コントローラが検出したときには、前記リセット・コントローラは、前記適応的に更新されたタップ係数のセットのリセットを決定する、請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記リセット・コントローラは、前記初期タップ係数のセットを前記係数更新器に再ロードすることによって、前記適応的に更新されたタップ係数のセットをリセットする、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記リセット・コントローラは、自動的に、または手動で活動化された信号に応答して、前記初期タップ係数のセットを再ロードする、請求項５に記載の発明。
【請求項７】
リードチャネルを動作させるために機械実行される方法であって、
（ａ）フィルタリングされた信号を発生するために、適応的に更新されたタップ係数のセットに基づいて信号を前記機械がフィルタリングし、
（ｂ）初期タップ係数のセットに基づいて、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを前記機械が発生し、そして、
（ｃ）前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされるダウンストリーム信号を前記機械が監視する、ことを備え、
前記（ａ）は、前記フィルタリングされた信号を対数尤度比（ＬＬＲ）値に変換すること、そして、デジタル出力信号を発生するために前記ＬＬＲ値を復号することをさらに含み、
前記（ｂ）は、前記フィルタされた信号と前記ＬＬＲ値から前記初期タップ係数のセットに基づいて前記適応的に更新されたタップ係数のセットを発生することを含み、
前記（ｃ）は、前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされる前記ＬＬＲ値を監視することを含む、方法。
【請求項８】
前記リードチャネルはハードドライブ・リードチャネルであり、
前記方法は、前記ハードドライブのセクタ内で２回または複数回、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを自動的にリセットすることをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フィルタリングはデジタル有限インパルス応答（ＤＦＩＲ）等化フィルタリングであり、
前記適応的に更新されたタップ係数のセットが、最小平均二乗（ＬＭＳ）アルゴリズムを用いて発生される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ダウンストリーム信号は対数尤度比（ＬＬＲ）値を含み、各ＬＬＲ値は符号ビットおよび複数ビット信頼値を有し、
指定されたカウントより多いＬＬＲ値が、所定のカウントサイズのウィンドウ内で、指定された絶対値閾値より小さい複数ビット信頼値を有することを前記機械が検出したときには、前記適応的に更新されたタップ係数のセットがリセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記初期タップ係数のセットを再ロードすることによって、前記適応的に更新されたタップ係数のセットがリセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記初期タップ係数のセットの再ロードが、自動的である、または手動で活動化された信号に応答する、請求項１１に記載の発明。
【請求項１３】
リードチャネルであって、
フィルタリングされた信号を発生するために、適応的に更新されたタップ係数のセットに基づいて信号をフィルタリングするフィルタと、
初期タップ係数のセットに基づいて、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを発生する係数更新器と、
前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされるダウンストリーム信号を監視するリセット・コントローラとを備え、前記ダウンストリーム信号は対数尤度比（ＬＬＲ）値を含み、各ＬＬＲ値は符号ビットおよび複数ビット信頼値を有し、指定されたカウントより多いＬＬＲ値が、所定のカウントサイズのウィンドウ内で、指定された絶対値閾値より小さい複数ビット信頼値を有することを前記リセット・コントローラが検出したときには、前記リセット・コントローラは前記適応的に更新されたタップ係数のセットのリセットを決定する、リードチャネル。
【請求項１４】
リードチャネルを動作させるために機械実行される方法であって、
（ａ）フィルタリングされた信号を発生するために、適応的に更新されたタップ係数のセットに基づいて信号を前記機械がフィルタリングし、
（ｂ）初期タップ係数のセットに基づいて、前記適応的に更新されたタップ係数のセットを前記機械が発生し、そして、
（ｃ）前記適応的に更新されたタップ係数のセットをいつリセットするかを決定するために、前記フィルタリングされた信号からもたらされるダウンストリーム信号を前記機械が監視する、ことを含み、
前記ダウンストリーム信号は対数尤度比（ＬＬＲ）値を含み、各ＬＬＲ値は符号ビットおよび複数ビット信頼値を有し、
指定されたカウントより多いＬＬＲ値が、所定のカウントサイズのウィンドウ内で、指定された絶対値閾値より小さい複数ビット信頼値を有することを前記機械が検出したときには、前記適応的に更新されたタップ係数のセットがリセットされる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ行ｍ列（ｍ＞ｎ）の画素を有するＥＬ表示装置であって、
前記画素は、第１のトランジスタと第２のトランジスタと、走査線と、信号線と、電源線と、を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートに前記走査線が電気的に接続され、ドレインに前記信号線が電気的に接続され、ソースに前記第２のトランジスタのゲートが電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、ドレインに前記電源線が電気的に接続され、ソースにＥＬ素子が電気的に接続され、
前記走査線は行方向に延伸され、
前記信号線と前記電源線は列方向に延伸されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体で構成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光チップであって、
Ｙ方向に実質的に整列された少なくとも一組のフォトセンサと、
複数の開口部を備える非透過的材料の層であって、前記複数の開口部における各開口部は、それぞれ中心線を有し、各フォトセンサの一部のみと重なり、前記各フォトセンサの前記一部のみが感光性を有する、非透過的材料の層と、
を備え、
フォトセンサの各組に対する開口部のそれぞれの前記中心線は、前記Ｙ方向の同一直線上にない、
ことを特徴とする感光チップ。
【請求項２】
請求項１に記載の感光チップであって、
前記複数の開口部は、前記Ｙ方向に直交するＸ方向に実質的に整列されている開口部の行を少なくとも１つ含む、
ことを特徴とする感光チップ。
【請求項３】
請求項１に記載の感光チップであって、
前記開口部のそれぞれは、前記Ｙ方向に直交するＸ方向で等しい幅を有する、
ことを特徴とする感光チップ。
【請求項４】
材料のシートのエッジを検出するための方法であって、
処理方向に材料のシートを変位させて感光チップを越えさせるステップであって、前記感光チップは、
Ｙ方向に実質的に整列された少なくとも一組のフォトセンサと、
複数の開口部を有し、開口部のそれぞれが各フォトセンサに対する集光領域を形成する、非透過的材料の層と、
を備える、ステップと、
前記Ｙ方向が前記処理方向に関してある角度で整列されるように前記チップを変位させるステップと、
少なくとも１つの特別にプログラムされたコンピュータ用のプロセッサで、前記少なくとも一組のフォトセンサから各電気信号を受信するステップと、
前記プロセッサおよび前記電気信号を使用して、前記少なくとも一組のフォトセンサからフォトセンサの開口部に対する位置に関して前記材料の前記エッジに対する位置を識別するステップであって、
非透過的材料の前記層は、各フォトセンサの一部をマスクして前記各フォトセンサの一部のみが感光性を有するようにし、
前記複数の開口部における各開口部は、各フォトセンサの一部のみと重なり合い、
フォトセンサの各組に対する開口部それぞれの中心線であって前記Ｙ方向に平行な各中心線は、前記Ｙ方向の同一直線上にない、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
一組のフォトセンサは、第１の数のフォトセンサで構成され、
前記処理方向に整列されたときに、前記一組のフォトセンサにより、第１の値に等しい分解能を得ることができ、
前記Ｙ方向が前記処理方向に関する前記角度で整列されるように前記チップが変位されたときに、前記一組のフォトセンサにより、前記第１の数と前記第１の値との積に等しい分解能を得ることができる、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
主にコリメート光を材料のシートに当てるステップ、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法であって、
コリメート光を材料のシートに当てるステップ、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法であって、
前記複数の開口部は、Ｙ方向に直交するＸ方向に整列されている少なくとも１つの行の開口部を含み、それぞれの開口部は、Ｘ方向で等しい幅を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
材料のシートのエッジを検出するための方法であって、
処理方向に材料のシートを変位させて感光チップを越えさせるステップであって、前記感光チップは、
Ｙ方向に実質的に整列された少なくとも一組のフォトセンサと、
複数の開口部を備える非透過的材料の層であって、前記複数の開口部における各開口部は、それぞれ中心線を有し、各フォトセンサの一部のみと重なり、前記各フォトセンサの前記一部のみが感光性を有し、フォトセンサの各組に対する開口部の前記各中心線は、前記Ｙ方向の同一直線上にない、ステップと、
少なくとも１つの特別にプログラムされたコンピュータ用のプロセッサで、前記少なくとも一組のフォトセンサから各電気信号を受信するステップと、
前記プロセッサおよび前記電気信号を使用して、前記少なくとも一組のフォトセンサからフォトセンサの開口部に対する位置に関して前記材料の前記エッジに対する位置を識別するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
非透過的材料の前記層は、複数の開口部を有し、開口部のそれぞれが各フォトセンサの一部のみと重なり合い、
前記複数の開口部は、前記Ｙ方向に直交するＸ方向に整列されている開口部の行を少なく１つ含み、
各開口部は、Ｘ方向で等しい幅を有する、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外光に応じて、映像信号に対する画質調整処理を行う映像処理装置であって、
外光を検出する外光検出手段と、
前記映像処理装置への映像信号の入力の切り替わり、チャンネルの切り替わり、放送番組の切り替わりのうち、いずれかの切り替わり処理を検出する切替検出手段と、
前記切替検出手段により、切り替わり処理が検出されてからの時間を計測する計測手段と、
前記外光検出手段によって検出される外光に応じて設定される目標設定値に基づいて、前記映像信号の画質調整処理を実行する画像処理手段と、
前記外光検出手段によって検出された外光の変化タイミングが、前記切替検出手段が前記切り替わり処理を検出してから所定時間が経過する前である場合には、それ以外の場合に比べて前記画像処理手段による前記画質調整処理の応答性を高くするように制御する制御手段と、を有することを特徴とする映像処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、単位時間あたりの画質の調整量を増加させることにより、前記画像処理手段による前記画質調整処理の応答性を高くすることを特徴とする請求項１に記載の映像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理手段は、前記目標設定値に対応する画質に至るまで段階的に前記映像信号の画質調整処理を実行することを特徴とする請求項１または２に記載の映像処理装置。
【請求項４】
前記外光検出手段は、外部の照度又は色温度を少なくとも含む外光を検出することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の映像処理装置。
【請求項５】
画質調整処理を適用する映像信号の内容の種別を示すジャンル情報を取得する取得手段と、
外光の変化率の条件値をジャンル情報と対応付けた判定情報を記憶する記憶手段と、を有し、
前記制御手段は、外光の変化タイミングが前記所定時間の経過前であり、かつ、前記切り替わり処理の前後における外光の変化率が、切替後の映像信号のジャンル情報に対応する条件値を満たす場合に、単位時間当たりの調整量を増加させて画質調整処理を実行するよう、前記画像処理手段に指示することを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の映像処理装置。
【請求項６】
前記所定時間は複数定められているとともに、各所定時間が長くなるほど、所定時間に対応する単位時間当たりの調整量が小さくなるように調整量が定められていることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の映像処理装置。
【請求項７】
外光に応じて、映像信号に対する画質調整処理を行う映像処理装置の制御方法であって、
外光を検出する外光検出ステップと、
前記映像処理装置への映像信号の入力の切り替わり、チャンネルの切り替わり、放送番組の切り替わりのうち、いずれかの切り替わり処理を検出する切替検出ステップと、
前記切替検出ステップにより、切り替わり処理が検出されてからの時間を計測する計測ステップと、
前記外光検出ステップによって検出される外光に応じて設定される目標設定値に基づいて、前記映像信号の画質調整処理を実行する画像処理ステップと、
前記外光検出ステップによって検出された外光の変化タイミングが、前記切替検出ステップで前記切り替わり処理を検出してから所定時間が経過する前である場合には、それ以外の場合に比べて前記画像処理ステップによる前記画質調整処理の応答性を高くするように制御する制御ステップと、を有することを特徴とする映像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記制御ステップでは、単位時間あたりの画質の調整量を増加させることにより、前記画像処理ステップによる前記画質調整処理の応答性を高くすることを特徴とする請求項７に記載の映像処理装置の制御方法。
【請求項９】
前記画像処理ステップでは、前記目標設定値に対応する画質に至るまで段階的に前記映像信号の画質調整処理を実行することを特徴とする請求項７または８に記載の映像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記外光検出ステップでは、外部の照度又は色温度を少なくとも含む外光を検出することを特徴とする請求項７から９までのいずれか１項に記載の映像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
前記映像処理装置は、外光の変化率の条件値をジャンル情報と対応付けた判定情報を記憶する記憶手段を備え、
さらに、前記映像処理装置の制御方法は、画質調整処理を適用する映像信号の内容の種別を示すジャンル情報を取得する取得ステップを有し、
前記制御ステップでは、外光の変化タイミングが前記所定時間の経過前であり、かつ、前記切り替わり処理の前後における外光の変化率が、切替後の映像信号のジャンル情報に対応する条件値を満たす場合に、単位時間当たりの調整量を増加させて画質調整処理が実行するよう、前記画像処理ステップを制御することを特徴とする請求項７から１０までのいずれか１項に記載の映像処理装置の制御方法。
【請求項１２】
前記所定時間は複数定められているとともに、各所定時間が長くなるほど、所定時間に対応する単位時間当たりの調整量が小さくなるように調整量が定められていることを特徴とする請求項７から１１までのいずれか１項に記載の映像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施形態の映像処理装置は、外光に応じて、映像信号に対する画質調整処理を行う映像処理装置であって、外光を検出する外光検出手段と、前記映像処理装置への映像信号の入力の切り替わり、チャンネルの切り替わり、放送番組の切り替わりのうち、いずれかの切り替わり処理を検出する切替検出手段と、前記切替検出手段により、切り替わり処理が検出されてからの時間を計測する計測手段と、前記外光検出手段によって検出される外光に応じて設定される目標設定値に基づいて、前記映像信号の画質調整処理を実行する画像処理手段と、前記外光検出手段によって検出された外光の変化タイミングが、前記切替検出手段が前記切り替わり処理を検出してから所定時間が経過する前である場合には、それ以外の場合に比べて前記画像処理手段による前記画質調整処理の応答性を高くするように制御する制御手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオメトリックデータを認証するための方法であって、該方法のステップを実行するためのプロセッサを使用し、
エンロールメントバイオメトリックデータの各ビットの信頼度を測定するステップであって、前記信頼度は、対応する２元対称チャネルの交叉確率の点から測定され、交叉確率ｐについて、信頼度
【数１】
2011076592.tif 000001
であるものと、
前記エンロールメントバイオメトリックデータの前記ビットを、各該ビットの前記信頼度の降順で配列し、各ビットを関連する信頼度に従って符号要素と関連付けるステップと、
前記降順の前記エンロールメントバイオメトリックデータを符号化してエンロールメントシンドロームを作成するステップと、
認証バイオメトリックデータのビットを各該ビットの信頼度の降順に配列し、各該ビットを関連する信頼度に従って符号要素と関連付けるステップと、
前記エンロールメントシンドローム及びシンドローム復号器を使用して、認証バイオメトリックデータを降順に復号し、前記エンロールメントバイオメトリックデータの推定値を作成するステップと、
前記認証バイオメトリックデータの推定値が前記エンロールメントバイオメトリックデータと実質的に同じであるか否かを示す出力信号を生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記出力信号は、コンピュータシステム、記憶されたデータ、又はファシリティへのセキュアなアクセスを提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バイオメトリックデータは指紋用である，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記バイオメトリックデータは虹彩用である，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バイオメトリックデータは顔用である，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バイオメトリックデータは音声信号用である，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記バイオメトリックデータを誤り訂正符号に適合させること、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記符号化及び復号は、スレピアン−ウォルフ符号化を使用する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記測定することは、他人受入率、本人拒否率、受信者動作特性、交叉誤り率、エンロール失敗率、攻撃成功率、セキュリティのビット数、又はそれらを組み合わせたものを考慮する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記符号化及び前記復号は、符号グラフ内の変数ノードとチェックノードを含む符号要素による低密度パリティチェック(ＬＤＰＣ)符号を使用する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記復号は、チェックノードに接続される変数ノードを含む２部グラフによって表される信念伝搬を使用し、各該変数ノードに接続される前記チェックノードの個数は、該変数ノードの次数であり、前記方法は、
前記変数ノードを前記次数の降順に配列すること、及び
認証バイオメトリックデータの前記ビットを前記降順の前記変数ノードに割り当てること、
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記降順の前記変数ノードに対数尤度比(ＬＬＲ)を割り当てること、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
各ＬＬＲを
【数２】
2011076592.tif 000002
に初期化することをさらに含み、ここで、ｊは前記認証バイオメトリックデータのビットのインデックスである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記信念伝搬はシャッフルされる、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月8日(2012.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料チャンバーと、
前記試料チャンバーと連結されているＳＡＷセンサーと、
前記ＳＡＷセンサーと連結されており、前記ＳＡＷセンサーを通過した試料を担持する廃棄チャンバーと、
前記試料チャンバー、前記ＳＡＷセンサー、及び前記廃棄チャンバーを連結するチャンネルからなる本体部とを含み、
流体の流れを制御する流体制御部が、前記本体部の外部に位置するものからなるＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項２】
前記流体制御部は、前記本体部の垂直上部面上に位置する、請求項１に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項３】
前記本体部の上段をカバーするカバー部を含み、前記流体制御部が前記カバー部に位置する、請求項１または請求項２に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項４】
前記流体制御部は、空気の流入／流出により流体の流れを制御する装置である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項５】
前記流体制御部は、バルブ（ｖａｌｖｅ）及び／又はパンプ（ｐｕｍｐ）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項６】
前記バルブは、前記試料チャンバー及び前記廃棄チャンバーにそれぞれ連結されている、請求項５に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項７】
前記パンプは、陽圧パンプまたは陰圧パンプである、請求項５または請求項６に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項８】
前記パンプは、流体の流入部側及び／又は流出部側に位置する、請求項５〜７のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項９】
前記試料チャンバー及び前記廃棄チャンバーはそれぞれ外部と連結できる開口部を含み、前記開口部は前記本体部外部の前記流体制御部と連結された、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１０】
前記試料チャンバーまたは前記廃棄チャンバーの側面はテーパー形状である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１１】
前記テーパー形状の勾配は５°〜３０°である、請求項１０に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１２】
前記流体は、ターゲット物質を含む溶液、基準溶液、洗浄液及び緩衝液からなる群から選択された少なくとも一つである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１３】
前記チャンネルは前記試料チャンバーと前記ＳＡＷセンサーとの間を連結する第１のチャンネルを含み、前記第１のチャンネルは流体が前記試料チャンバーの下段から上向した後、前記ＳＡＷセンサーの上段面に流入できる構造である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１４】
前記第１のチャンネルは、前記試料チャンバーの前記ＳＡＷセンサー側の側面下部から垂直に上向した後、前記ＳＡＷセンサーの上段面に垂直下向する構造である、請求項１３に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１５】
前記チャンネルは前記ＳＡＷセンサーと前記廃棄チャンバーを連結する第２のチャンネルを含み、前記第２のチャンネルは流体が前記ＳＡＷセンサーの上段面から上向した後、前記廃棄チャンバーに流入できる構造である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１６】
前記第２のチャンネルは、前記ＳＡＷセンサーの上段面から垂直に上向した後、前記廃棄チャンバーの上段面と水平に連結された構造である、請求項１５に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１７】
前記チャンネルは前記試料チャンバーと前記ＳＡＷセンサーとの間に第２の廃棄チャンバーを連結する第３のチャンネルを含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１８】
前記第２の廃棄チャンバーは外部と連結できる開口部を含み、前記開口部は前記本体部外部の前記流体制御部と連結された、請求項１７に記載のＳＡＷセンサーデバイス。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項によるＳＡＷセンサーデバイスにおいて、前記ＳＡＷセンサーの表面にレセプターが固定されている第１のＳＡＷセンサーデバイスと、
請求項１〜１８のいずれか一項によるＳＡＷセンサーデバイスにおいて、前記ＳＡＷセンサーの表面にレセプターが固定されていない第２のＳＡＷセンサーデバイスとを含む、ＳＡＷセンサーシステム。
【請求項２０】
請求項１〜１８のいずれか一項によるＳＡＷセンサーデバイスにおいて、前記本体部の外部に位置する前記流体制御部から提供された移送駆動力により、前記試料チャンバー内の流体を前記ＳＡＷセンサー方向に水平移動させる段階を含む、ＳＡＷセンサーデバイスの流体制御方法。
【請求項２１】
前記移送駆動力は気圧である、請求項２０に記載のＳＡＷセンサーデバイスの流体制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生細胞に対して励起光を照射する光源と、
該光源から発せられた励起光が照射された結果、生細胞から発生する蛍光を撮影して画像を取得する画像取得部と、
生細胞の状態を検出する細胞状態検出部と、
該細胞状態検出部により検出された生細胞の状態に基づいて前記画像取得部による画像取得周期を切り替える周期切替手段とを備える蛍光観察装置。
【請求項２】
生細胞に対して励起光を照射する光源と、
該光源から発せられた励起光が照射された結果、生細胞から発生する蛍光を撮影して画像を取得する画像取得部と、
生細胞の状態を検出する細胞状態検出部と、
該細胞状態検出部により検出された生細胞の状態に基づいて前記画像取得部により取得される画像の解像度を切り替える解像度切替手段とを備える蛍光観察装置。
【請求項３】
生細胞に対して励起光を照射する光源と、
該光源から発せられた励起光が照射された結果、生細胞から発生する蛍光を撮影して画像を取得する画像取得部と、
生細胞の状態を検出する細胞状態検出部と、
該細胞状態検出部により検出された生細胞の状態に基づいて前記画像取得部により取得される画像の次元数を切り替える次元数切替手段とを備える蛍光観察装置。
【請求項４】
前記周期切替手段が、前記画像取得部によるフレームレートを切り替える請求項１に記載の蛍光観察装置。
【請求項５】
前記画像取得部が、画像取得周期の異なる複数種の撮像部を備え、
前記周期切替手段が、前記細胞状態検出部より検出された生細胞の状態に基づいて前記画像取得部を構成する撮像部を切り替える請求項１に記載の蛍光観察装置。
【請求項６】
前記画像取得部は、前記周期切替手段によって画像取得周期が短くなるように切り替えられたときに、取得する画像の解像度を増大させる請求項１に記載の蛍光観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービン燃焼器エンジン（１０）において燃焼器缶（２６）の間の動的相互作用を抑制する方法であって、
それぞれ燃焼ガスのストリームを生成し、且つ該燃焼ガスのストリームを集合的に排出するための複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）を設ける段階と、
前記複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）における選択された燃焼器缶に結合される複数の共振器を設ける段階と、
前記複数の連続して配列された燃焼器缶（２６）において隣接する燃焼器缶から排出される前記ストリームの非同相及び同相の動的相互作用の１以上を抑制するように、前記複数の共振器を選択的に調整する段階と
を含む方法。
【請求項２】
前記複数の共振器を設ける段階が、前記複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）の全て、１つおき又は２つおきの燃焼器缶に結合される共振器を設けることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）が第１のグループと第２のグループとに分けられ、前記複数の共振器を設ける段階が、前記複数の連続して配置された燃焼器缶における第１のグループの燃焼器缶（２６）に結合される第１の複数の共振器と、第２のグループの燃焼器缶（２６）に結合される第２の複数の共振器とを設けることを含んでおり、前記複数の共振器を選択的に調整する段階が、第１の周波数での振動を抑制するように前記第１の複数の共振器を調整するとともに、第１の周波数とは異なる第２の周波数での振動を抑制するよう前記第２の複数の共振器を調整することを含む、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１のグループが、前記複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）の総数の半分に等しい数の燃焼器缶（２６）を含み、前記連続配置において前記燃焼器缶（２６）の１つおきに対応し、前記第２のグループが、前記複数の連続して配置された燃焼器缶（２６）の総数の半分に等しい数の燃焼器缶（２６）を含み、前記連続して配置した燃焼器缶（２６）のうち前記第１のグループではないものに対応する、請求項２又は請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記複数の燃焼器缶の総数が、６個、１２個、１４個、１８個又は２４個のいずれかである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の数のビットを有する符号語の形のサブフィールドデータビットのシーケンスによって供給されるプラズマディスプレイパネルのデータドライバのドライバエネルギー消費を削減する方法であって、画像データに対応する前記ビットが表示される場合および画像データに対応するビットが反転／トグルされる場合、セルに関連付けられたエネルギーは同じサブフィールド内の隣接するセルの値から離れることにより計算され、前記方法はサブフィールドごとに、
データドライバの入力時にビット遷移に起因する入力遷移エネルギーを、所定のデータドライバ消費電力モデル、入力サブフィールドビット値、および隣接セルの前記サブフィールドビット値を使用して評価することと、
トグル遷移に起因するトグル遷移エネルギーを、データドライバ電力消費を表すモデルである所定のデータドライバ電力消費モデル、反転された前記入力サブフィールドビット値、および隣接セルの前記サブフィールドビット値を使用して評価することと、
前記入力遷移エネルギーを、サブフィールドからサブフィールドへと累算することと、
前記累算された入力遷移エネルギーがセルエネルギー限界値を超え、前記トグル遷移エネルギーが前記入力遷移エネルギーより小さい場合に、知覚可能なイメージ品質劣化を伴わずにドライバエネルギー消費を削減するために、入力サブフィールドビットを反転することと
を有する、前記方法。
【請求項２】
前記セルエネルギー限界値は、ドライバ過熱保護のために、エコモデルに従っておよび／またはその値が隣接するまたは先行するサブフィールドデータビットの値と異なるサブフィールドデータビットをカウントし、ドライバの温度の上昇を表すトグリング活動の量の尺度であるそれぞれの信号を供給する過熱信号ジェネレータ回路によって提供される過熱信号から前記セルエネルギー限界値を生成する過熱またはエコ制御回路によって提供される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法は、ドライバ過熱保護に使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法は、知覚可能なイメージ品質劣化を伴わずにドライバエネルギー消費を削減するためにエコモードを提供するのに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ディスプレイデバイスのセルの入力エネルギー信号を前記ディスプレイデバイスの前記セルのトグルエネルギー信号と比較することによって、トグルされた場合、前記ドライバエネルギー消費を削減するビットを示す遷移マップを生成することをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
所定の数のビットを含む符号語の形のサブフィールドデータビットのシーケンスによって供給されるプラズマディスプレイパネルのデータドライバのドライバエネルギー消費を削減する装置であって、画像データに対応するビットが表示される場合および画像データに対応するビットが反転／トグルされる場合、セルに関連付けられたエネルギーは同じサブフィールド内の隣接するセルの値から離れることにより計算され、前記装置は、
ドライバ遷移エネルギー制限回路に印加される入力符号語のビットをトグルし、前記ドライバエネルギー消費を削減する符号語を提供するために請求項１に記載の方法を実行する前記ドライバ遷移エネルギー制限回路を含む、前記装置。
【請求項７】
前記ドライバ遷移エネルギー制限回路は、前記ドライバ遷移エネルギー制限回路を制御するために過熱値をセルエネルギー限界値に変換する過熱および／またはエコ制御回路に接続される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ドライバ遷移エネルギー制限回路は、前記ドライバ遷移エネルギー制限回路に印加される前記入力符号語のビットをトグルする第１のゲートを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記入力符号語のビットをトグルする前記第１のゲートは、ＸＯＲゲートである、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の装置が配置されるプラズマディスプレイデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向軸を有する円筒形印刷スリーブ用の円形露光ユニットであって、限定されないが、
開放端を有しかつ実質的にスリーブ支持体の周囲に配置される円形レールを備える基部であって、前記スリーブ支持体が、前記基部の中心に配置され、かつ前記長手方向軸が前記基部に対して直交して向けられるように、前記印刷スリーブをその一端で支持するように構成された、基部と、
管の円形壁を形成するように前記円形レールに沿って前記光管を配置する手段に取り付けられる底部マウントにより前記長手方向軸に対して平行な長手方向の向きに支持される複数の光管であって、前記配置する手段が、一端が前記円形レールの前記開放端に隣接して配置される底部レールの上に支持される、光管と、
を含む円形露光ユニット。
【請求項２】
前記光管を配置する手段が、
前記底部マウントに移動可能に取り付けられたリンクを有する、前記底部レールによって支持される第１チェーンと、
前記第１チェーンを前記底部レールに沿い、かつ前記円形レールの前記開放端内に移動させる手段であって、移動により、前記光管が前記スリーブ支持体を実質的に包囲することができるようにする、移動させる手段と、
を備える、請求項１に記載の露光ユニット。
【請求項３】
限定されないが、
前記基部の上に配置されかつ前記スリーブ支持体を実質的に包囲する、複数の同心円形レールであって、前記底部レールに沿って移動した時、各円形レールが、前記第１チェーンを受け入れるように構成された開放端を有する、同心円形レールと、
前記底部レールを、前記円形レールの前記開放端に対して直交する経路に沿って移送する手段であって、移送により、前記底部レールの前記一端が、所定の円形レールの前記開放端に隣接して配置され得るようにする、移送する手段と、
をさらに含む、請求項２に記載の露光ユニット。
【請求項４】
限定されないが、
前記基部の反対側に配置されかつそれに連結される頂部であって、前記基部の前記円形レールに対応しかつ対応する開放端を有する円形レールを備える、頂部
をさらに有し、
前記複数の光管が、前記底部マウントと反対側の前記光管の端部において個々の頂部マウントによって支持され、前記配置する手段が、一端が前記頂部の前記円形レールの前記開放端に隣接して配置される頂部レールに連結される、請求項１に記載の露光ユニット。
【請求項５】
限定されないが、
前記基部に配置されかつ前記スリーブ支持体を実質的に包囲する複数の同心円形レールであって、各円形レールが開放端を有する、同心円形レールと、
前記頂部に配置され、前記基部の前記同心円形レールに対応し、かつ前記基部の前記レールの前記開放端に対応する開放端を有する、複数の同心円形レールと、
前記底部レールおよび前記頂部レールを、前記基部および前記頂部の前記円形レールの前記開放端に対して直交する経路に沿って移送する手段であって、移送により、前記底部レールの前記一端が前記基部の所定の円形レールの前記開放端に隣接して配置されることを可能にし、前記頂部レールの前記一端が、前記頂部の対応する所定の円形レールの前記開放端に隣接して配置されることを可能にする、移送する手段と、
をさらに含む、請求項４に記載の露光ユニット。
【請求項６】
長手方向軸および外面を有する円筒形印刷スリーブを露光する方法であって、限定されないが、
開放端を備えた円形レールを有する基部の中心に配置されたスリーブ支持体の上で、前記印刷スリーブの一端を支持するステップと、
一端が前記円形レールの前記開放端に隣接して配置されている底部レールの上に移動可能に支持された底部マウントの上で、前記長手方向軸に対して平行な長手方向の向きに、複数の光管を支持するステップと、
前記マウントを、前記底部レールに沿ってかつ前記円形レールの前記開放端内に移動させ、それにより前記光管が前記スリーブ支持体を実質的に包囲する、ステップと、
前記外面上に化学線を放出するように前記光管に通電するステップと、
を含む方法。
【請求項７】
前記円形レールが、前記基部の上に配置された複数の同心円形レールのうちの１つであり、
前記スリーブ支持体の上に配置された前記印刷スリーブの前記外面を検知するステップと、
前記複数の同心レールから、開放端を有する所定の円形レールを選択するステップと、
前記底部レールの前記開放端を、前記所定の円形レールの前記開放端に隣接するように移送するステップと、
をさらに含み、
前記所定の円形レールにおける前記光管が、前記印刷スリーブの前記外面から所定間隔にある、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、更新される人事情報の履歴と、更新される文書管理規則の履歴とを、それぞれバージョンを付して記憶手段に記憶させるステップ、管理対象の文書を前記記憶手段に記憶させるステップ、前記人事情報の履歴と、前記文書管理規則の履歴と、前記文書とを、それぞれのバージョンとともに対応づけるステップ、を実行させることを特徴とするデータ管理プログラム。
【請求項２】
前記更新される人事情報の履歴を前記記憶手段に記憶させるときに、この更新による前記人事情報の変化の程度に応じて、この更新の後の人事情報の全体を前記記憶手段に記憶させるのか、この更新における差分情報を前記記憶手段に記憶させるのかを決定する決定ステップ、をさらに前記コンピュータに実行させることを特徴とするデータ管理プログラム。
【請求項３】
前記決定ステップにおいて、前記変化の程度を表す値が予め設定された閾値以下である場合に、前記差分情報を第一記憶手段に記憶させることを決定する、  ことを特徴とする請求項２に記載のデータ管理プログラム。
【請求項４】
前記決定ステップにおいて、前記変化の程度を表す値が前記閾値よりも大きい場合に、前記全体情報を第二記憶手段に記憶させることを決定する、  ことを特徴とする請求項３に記載のデータ管理プログラム。
【請求項５】
前記人事情報は、組織の構成員に関する情報を含み、  前記変化の程度を表す値は、前記人事情報の更新において変化のあった前記構成員の数に基づいて定められる、ことを特徴とする請求項２に記載のデータ管理プログラム。
【請求項６】
ある時期の指定を受け付けた場合に、前記第二記憶手段中の前記全体情報のうち指定された時期以前で最も新しく前記第二記憶手段に記憶された全体情報と、この全体情報が前記第二記憶手段に記憶された時期から前記指定された時期までの間に前記第一記憶手段に記憶された前記差分情報と、を用いて、前記指定された時期における人事情報を生成する生成ステップ、をさらに前記コンピュータに実行させる、  ことを特徴とする請求項４又は５に記載のデータ管理プログラム。
【請求項７】
前記組織の構成員に関する情報は、前記組織に含まれるグループのそれぞれに所属する構成員を表す情報と、前記組織における構成員の役割と、の少なくとも一方を含み、前記文書管理規則であって当該規則に関わる利用者を前記組織におけるグループ又は前記組織における役割で表す第一の規則を参照するステップと、前記生成ステップで生成した前記人事情報を用いて、前記第一の規則に表された前記グループ又は前記役割に対応する利用者を特定し、特定した利用者と前記第一の規則とを関連づけて出力するステップと、をさらに前記コンピュータに実行させる、ことを特徴とする請求項６に記載のデータ管理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層の上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層の上に、スパッタ法によって第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜の上に、スパッタ法によって第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜に、逆スパッタ処理を施し、
窒素を含む雰囲気において、前記第２の酸化物半導体膜に熱を加え、
前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、酸化物半導体層及び第１のバッファ層を形成し、
前記酸化物半導体層及び前記第１のバッファ層の上に、導電膜を形成し、
前記導電膜及び前記第１のバッファ層をエッチングして、ソース電極層、ドレイン電極層、第２のバッファ層、及び第３のバッファ層を形成し、
前記第２のバッファ層及び前記第３のバッファ層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記陰極と前記ＥＬ層との間に、第１の層と第２の層と第３の層とを有し、
前記第１の層と前記第３の層との間に前記第２の層を有し、
前記第１の層は、前記第２及び前記第３の層よりも、前記陰極側に設けられ、
前記第１の層は、前記陰極と接し、第１の正孔輸送性物質と第１のアクセプター性物質とを含み、
前記第２の層は、前記第１の層と接し、第１のドナー性物質と第１の電子輸送性物質とを含み、
前記第３の層は、前記第２の層および前記ＥＬ層と接し、第２のドナー性物質と第２の電子輸送性物質とを含み、
前記第１の電子輸送性物質は、前記第２の電子輸送性物質よりもＬＵＭＯ準位が低いことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ＥＬ層は、第３の電子輸送性物質を含む第４の層を有し、
前記第４の層と前記第３の層とが接することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ＥＬ層は、第２の正孔輸送性物質と第２のアクセプター性物質とを含む第５の層を有し、
前記第５の層と前記陽極とが接することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の層は、前記第１の正孔輸送性物質を含む層と前記第１のアクセプター性物質を含む層とからなる積層構造を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の層に含まれる前記第１の電子輸送性物質は、ペリレン誘導体または含窒素縮合芳香族化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１または前記第２のドナー性物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１または前記第２のアクセプター性物質は、遷移金属酸化物、または元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１または前記第２のアクセプター性物質は、酸化モリブデンであることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の前記発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記発光装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項９に記載の前記発光装置を有することを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有し、
前記基板の上方に第１の絶縁層を有し、
前記基板の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第１の半導体基板を有し、
前記第２の絶縁層の上方に第２の半導体基板を有し、
前記第１の半導体基板に第１の脆化層を有し、
前記第２の半導体基板に第２の脆化層を有する構造体が用意される第１の工程と、
トレイの上方に前記構造体が配置され、熱が加わり、前記第１の半導体基板と第１の半導体層とが分離され、前記第２の半導体基板と第２の半導体層とが分離される第２の工程と、を有し、
前記トレイは、第１の凹部を有し、
前記トレイは、第２の凹部を有し、
前記第１の半導体基板は前記第１の凹部と重なるように配置され、
前記第２の半導体基板は前記第２の凹部と重なるように配置され、
前記第１の半導体基板が前記トレイと接触しない状態で前記熱が加わり、
前記第２の半導体基板が前記トレイと接触しない状態で前記熱が加わることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記トレイは、支持部を有し、
前記支持部の幅は、前記第１の凹部と前記第２の凹部との間の幅よりも狭く、
前記支持部が前記基板と接触することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱し、
前記加熱した後、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する酸化珪素膜を形成して、前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接する領域を前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接しない領域より高抵抗化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱し、
前記加熱した後、前記酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記導電膜を選択的にエッチングして、前記ゲート電極層と重なる前記酸化物半導体層の一部を露出し、かつソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する酸化珪素膜を形成して、前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接する領域を前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接しない領域より高抵抗化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱し、
前記加熱した後、前記酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
前記導電膜を選択的にエッチングして、前記ゲート電極層と重なる前記酸化物半導体層の一部を露出し、かつソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する酸化珪素膜を形成して、前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接する領域を前記酸化物半導体層の前記酸化珪素膜と接しない領域より高抵抗化し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成するときに、前記酸化物半導体層の一部はエッチングされ、
前記酸化物半導体層は、凹部を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｚｎ及びＭ（Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一又は複数の元素）を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化珪素膜を形成した後、大気雰囲気下又は窒素雰囲気下で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタを有する装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に前記第１の配線層と一部が重畳して設けられた一対の第１の不純物半導体層と、
前記一対の第１の不純物半導体層の間に、前記一対の第１の不純物半導体層に接して設けられた半導体層と、
前記一対の第１の不純物半導体層のうち１つの第１の不純物半導体層の少なくとも端部を覆い、且つ前記半導体層とは離間して設けられた第２の不純物半導体層と、
前記第２の不純物半導体層上の第２の配線層と、
を有することを特徴とするトランジスタを有する装置。
【請求項２】
第１の配線層と、
前記第１の配線層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に前記第１の配線層と一部が重畳して設けられた一対の第１の不純物半導体層と、
前記一対の第１の不純物半導体層の間に、前記一対の第１の不純物半導体層に接して設けられた半導体層と、
前記一対の第１の不純物半導体層のうち１つの第１の不純物半導体層の上に前記半導体層とは離間して設けられた第２の不純物半導体層と、
前記第２の不純物半導体層上の第２の配線層と、
を有することを特徴とするトランジスタを有する装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体層上にチャネルストップ層を有することを特徴とするトランジスタを有する装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の不純物半導体層に含まれる一導電性を付与する不純物元素の濃度は、前記第２の不純物半導体層に含まれる一導電性を付与する不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とするトランジスタを有する装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の不純物半導体層に含まれる一導電性を付与する不純物元素の濃度は１．０×１０１８ｃｍ−３以上１．０×１０１９ｃｍ−３以下であり、
前記第２の不純物半導体層に含まれる一導電性を付与する不純物元素の濃度は１．０×１０１９ｃｍ−３以上１．０×１０２１ｃｍ−３以下であることを特徴とするトランジスタを有する装置。