【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面に光を照射する光照射部及びＨ２Ｏ／Ｏ２／Ｎ２の混合ガスを供給する第１供給部が設けられた第１チャンバと、
前記テンプレートを加熱する加熱部及び前記テンプレートの表面にカップリング剤を供給する第２供給部が設けられた第２チャンバと、
前記テンプレートの表面から無機物パーティクルを吸着除去する除去部が設けられた第３チャンバと、
アミンを除去し、自装置内の気体のアミン濃度を所定値以下に保つフィルタと、
を備え、
前記第２供給部は窒素とシランカップリング剤の混合ガスを供給し、
前記除去部は、加圧ロールによって粘着シートを前記テンプレートの表面に圧接及び剥離して、前記無機物パーティクルを吸着除去することを特徴とするテンプレートの表面処理装置。
【請求項２】
凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面に光を照射する光照射部及びＨ２Ｏ／Ｏ２／Ｎ２の混合ガスを供給する第１供給部が設けられた第１チャンバと、
前記テンプレートを加熱する加熱部及び前記テンプレートの表面にカップリング剤を供給する第２供給部が設けられた第２チャンバと、
アミンを除去し、自装置内の気体のアミン濃度を所定値以下に保つフィルタと、
を備えるテンプレートの表面処理装置。
【請求項３】
前記第２供給部は窒素とシランカップリング剤の混合ガスを供給することを特徴とする請求項２に記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項４】
前記テンプレートの表面から無機物パーティクルを吸着除去する除去部が設けられた第３チャンバをさらに備えることを特徴とする請求項２又は３に記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項５】
前記除去部は、加圧ロールによって粘着シートを前記テンプレートの表面に圧接及び剥離して、前記無機物パーティクルを吸着除去することを特徴とする請求項４に記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項６】
凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面から有機物を除去する除去部が設けられた第１チャンバと、
前記テンプレートの表面に、洗浄液、アルコール、シンナー、カップリング剤を順に供給する薬液供給部が設けられた第２チャンバと、
アミンを除去し、自装置内の気体のアミン濃度を所定値以下に保つフィルタと、
前記第２チャンバから搬出された前記テンプレートを保管する保管部と、
を備え、
前記第２チャンバには、前記テンプレートの乾燥を行うことができる乾燥処理部が設けられており、
前記薬液供給部は、前記テンプレートの表面にカップリング剤を供給した後にシンナーを供給し、
前記乾燥処理部は、スピンドライ処理により、表面がシンナーで濡れた前記テンプレートを乾燥させ、
前記除去部はプラズマアッシングを行い、
前記保管部は、アミンが所定濃度以下、パーティクル数が所定値以下で管理され、不活性ガス雰囲気となっていることを特徴とするテンプレートの表面処理装置。
【請求項７】
凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面から有機物を除去する除去部が設けられた第１チャンバと、
前記テンプレートの表面に、洗浄液、アルコール、シンナー、カップリング剤を順に供給する薬液供給部が設けられた第２チャンバと、
アミンを除去し、自装置内の気体のアミン濃度を所定値以下に保つフィルタと、
を備えるテンプレートの表面処理装置。
【請求項８】
前記第２チャンバには、前記テンプレートの乾燥を行うことができる乾燥処理部が設けられていることを特徴とする請求項７に記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項９】
前記薬液供給部は、前記テンプレートの表面にカップリング剤を供給した後にシンナーを供給し、
前記乾燥処理部は、スピンドライ処理により、表面がシンナーで濡れた前記テンプレートを乾燥させることを特徴とする請求項８に記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項１０】
前記除去部はプラズマアッシングを行うことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項１１】
前記第２チャンバから搬出された前記テンプレートを保管する保管部をさらに備え、
前記保管部は、アミンが所定濃度以下、パーティクル数が所定値以下で管理され、不活性ガス雰囲気となっていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のテンプレートの表面処理装置。
【請求項１２】
アミンが所定濃度以下に管理された環境で、凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面を処理する表面処理方法であって、
前記テンプレートの表面を水酸化するか又は前記表面に水を吸着させて、前記表面にＯＨ基を分布させる工程と、
前記ＯＨ基が分布したテンプレート表面にカップリング剤を結合させる工程と、
前記テンプレート表面に前記カップリング剤を結合させた後に、前記テンプレートを、アミンが所定濃度以下、パーティクル数が所定値以下で管理され、不活性ガス雰囲気となっている保管部で保管する工程と、
を備え、
前記表面にＯＨ基を分布させる工程と、前記テンプレート表面にカップリング剤を結合させる工程との間に、前記テンプレート表面の水分の一部を除去する工程を備え、
前記テンプレート表面を１００℃以上２００℃以下で加熱して、前記テンプレートの表面の水分の一部を除去し、
前記カップリング剤を結合させる工程で、カップリング反応中に反応副生成物の除去を行い、
前記カップリング剤は気体で供給され、前記カップリング反応中に反応雰囲気を循環させて前記反応副生成物の除去を行い、
前記テンプレートの表面にＯＨ基を分布させる前に、前記表面から無機物パーティクル及び有機物を除去する工程を備え、
プラズマアッシングにより前記表面から有機物を除去し、
テンプレート表面に洗浄液を供給して無機物パーティクルを除去し、
前記テンプレート表面の前記洗浄液をアルコールに置換し、
前記テンプレート表面の前記アルコールをシンナーに置換し、
前記テンプレート表面の前記シンナーを前記カップリング剤に置換して、テンプレート表面に前記カップリング剤を結合させ、
前記カップリング剤の結合後に、前記テンプレート表面を乾燥させ、
前記カップリング剤は、シリコンを含有し、端部にアルコキシ基（ＲＯ−）又はＮＨｘ（ｘ＝１、２）基を有する炭化水素又はフロロカーボンであることを特徴とする表面処理方法。
【請求項１３】
アミンが所定濃度以下に管理された環境で、凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートの表面を処理する表面処理方法であって、
前記テンプレートの表面を水酸化するか又は前記表面に水を吸着させて、前記表面にＯＨ基を分布させる工程と、
前記ＯＨ基が分布したテンプレート表面にカップリング剤を結合させる工程と、
を備える表面処理方法。
【請求項１４】
前記表面にＯＨ基を分布させる工程と、前記テンプレート表面にカップリング剤を結合させる工程との間に、前記テンプレート表面の水分の一部を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項１５】
前記テンプレート表面を１００℃以上２００℃以下で加熱して、前記テンプレートの表面の水分の一部を除去することを特徴とする請求項１４に記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項１６】
前記カップリング剤を結合させる工程で、カップリング反応中に反応副生成物の除去を行うことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項１７】
前記カップリング剤は気体で供給され、カップリング反応中に反応雰囲気を循環させて反応副生成物の除去を行うことを特徴とする請求項１６に記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項１８】
前記テンプレートの表面にＯＨ基を分布させる前に、前記表面から無機物パーティクル及び有機物を除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかに記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項１９】
プラズマアッシングにより前記表面から有機物を除去することを特徴とする請求項１８に記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項２０】
テンプレート表面に洗浄液を供給して無機物パーティクルを除去し、
テンプレート表面の前記洗浄液をアルコールに置換し、
テンプレート表面の前記アルコールをシンナーに置換し、
テンプレート表面の前記シンナーを前記カップリング剤に置換して、テンプレート表面に前記カップリング剤を結合させ、
前記カップリング剤の結合後に、テンプレート表面を乾燥させることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項２１】
テンプレート表面に前記カップリング剤を結合させた後に、前記テンプレートを、アミンが所定濃度以下、パーティクル数が所定値以下で管理され、不活性ガス雰囲気となっている保管部で保管する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１３乃至２０のいずれかに記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項２２】
前記カップリング剤は、シリコンを含有し、端部にアルコキシ基（ＲＯ−）又はＮＨｘ（ｘ＝１、２）基を有する炭化水素又はフロロカーボンであることを特徴とする請求項１３乃至２１のいずれかに記載のテンプレートの表面処理方法。
【請求項２３】
被処理基板上にインプリント材料を塗布する工程と、
請求項１２乃至２２のいずれかに記載のテンプレートの表面処理方法により表面処理されたテンプレートのパターン面を前記インプリント材料に接触させる工程と、
前記テンプレートを前記インプリント材料に接触させた状態で前記インプリント材料を硬化する工程と、
前記インプリント材料から前記テンプレートを離型する工程と、
を備えるパターン形成方法。