Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
Ｗｅｂページをクライアント装置へ送信することによって、前記Ｗｅｂページを供給するＷｅｂサーバと、
前記Ｗｅｂサーバを管理する管理サーバと、を備え、
前記Ｗｅｂサーバと前記クライアント装置とがネットワークによって接続されたＷｅｂページ供給システムにおいて、前記Ｗｅｂページに追加情報を挿入するか否かを前記Ｗｅｂサーバに判定させる制御プログラムであって、
前記Ｗｅｂサーバは、
前記クライアント装置から要求された前記Ｗｅｂページに追加情報を挿入するか否かを示す制御情報を記憶し、
前記クライアント装置から要求された前記Ｗｅｂページを供給するＷｅｂページ供給部と、
前記クライアント装置から要求されたＷｅｂページに前記追加情報を挿入する追加情報挿入部と、を備え、
前記制御プログラムは、前記追加情報挿入部を前記Ｗｅｂサーバに制御させ、
前記管理サーバは、前記Ｗｅｂサーバに記憶される制御情報を編集する管理部を備え、
前記制御プログラムは、
前記Ｗｅｂサーバが前記クライアント装置からの要求を受信した場合に、前記制御情報を参照し、前記要求の送信元の前記クライアント装置に送信するＷｅｂページに前記追加情報を挿入するか否かを前記Ｗｅｂサーバに判定させる手順と、
前記Ｗｅｂページに前記追加情報を挿入しないと判定された場合に、前記追加情報挿入部を前記Ｗｅｂページに前記追加情報を挿入しないように前記Ｗｅｂサーバに制御させる手順と、を含むことを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、追加情報の動作可否情報の更新に対して即時性の高い追加情報の動作の更新を可能とするＷｅｂページ供給システムを提供できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、図１では、サーバ装置２と管理装置３との間の通信は、ネットワーク１０６を介して行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
そして、制御プログラム１０が実行するクライアント承認処理（Ｓ１００）では、当該クライアント装置４又は当該セッションにおいて動作変更スクリプト２２の実行が禁止されている、つまり、動作モード２０２にはＯＦＦが登録されているので、Ｗｅｂページ２４への動作変更スクリプト２２の挿入を禁止すると決定する（動作ＯＦＦ）。次に、制御プログラム１０は、Ｓ１００で実行されるクライアント承認処理の決定結果（動作ＯＦＦ）をスクリプト挿入プログラム１２へ送信する（Ｓ１０２）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
図５では、一回目の状態確認ではＷｅｂページ２４の状態がリロード可能状態でないと判定される。二回目のＷｅｂページ２４の状態が変更された後でも、Ｗｅｂページ２４の状態がリロード可能状態でないと判定される。そして、二回目のＷｅｂページ２４の状態が変更された後に、Ｗｅｂページ２４の状態がリロード可能状態であると判定し、リロードコマンドを発行する（Ｓ２２２）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011258099.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011258099.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2011258099.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
無線タグ２０では、RF部２２が、リーダライタ１０（のRF部１２）からのリードコマンドを受信し、コマンドシーケンサ部２３に供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月29日(2013.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の絶縁容器と、
この絶縁容器の一端部に接合されて前記絶縁容器の内部を真空に封止する固定側端板と、前記絶縁容器の軸方向中央に向かって伸びる固定側電極棒と、
前記絶縁容器の他端部に前記絶縁容器と同軸に接合された可動側端板と、
前記可動側端板に開けた穴を進退可能に貫通して前記絶縁容器の軸方向中央に向かって伸びる可動側電極棒と、
前記固定側電極棒の前記可動側電極棒と対向する端面に取り付けた固定側電極と、
前記可動側電極棒の前記固定側電極棒と対向する端面に取り付けた可動側電極と、
前記絶縁容器の内周面に支持されて、前記可動側電極と前記固定側電極の周囲を取り囲むように設けたアークシールドと、
前記可動側端板に開けた穴の縁に一端を固定し、前記可動側電極棒を取り囲んで前記絶縁容器の軸方向中央に向かって伸縮し、他端が前記可動側電極棒の周囲に接合されることによって前記絶縁容器内部と外部の気密を確保するベローズを備えた真空バルブにおいて、
前記固定側電極と前記可動側電極との閉極時に、前記可動側端板に固定されたベローズシールド部によって、前記ベローズの全外周面が取り囲まれている真空バルブ。
【請求項２】
前記絶縁容器は両端面にメタライズ層を有し、前記ベローズシールド部は前記可動側端板と同電位にあることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ。
【請求項３】
前記ベローズシールド部は円筒形状である請求項１又は請求項２に記載の真空バルブ。
【請求項４】
前記ベローズシールド部は、円筒状の側面シールド部と、
この側面シールド部の前記絶縁容器の中央側端部を、前記絶縁容器の径方向内側に曲折して構成され、前記可動側電極棒が進退可能に貫通する環状の端面シールド部とで構成する請求項３に記載の真空バルブ。
【請求項５】
前記アークシールド端部内径をＲ、前記端面シールド部の穴の内径をφ、前記端面シールド部の穴の内周面が対向する前記可動側電極棒の外径をｒとするとき、ｒ＜φ＜Ｒかつφ≧ｒ＋２ｍｍが成立する請求項４に記載の真空バルブ。
【請求項６】
前記可動側端板は、
前記絶縁容器の端部に前記絶縁容器の軸方向に突出するよう接合した端板側面部と、
前記端板側面部が概略直角に前記絶縁容器の径方向内側に折曲して形成する端板端面部と、前記端板端面部が更に前記固定側電極棒方向に概略直角に折曲して形成する前記ベローズシールド部とが一体として成型されたフランジ状部材及び、
前記端板端面部と、前記ベローズの前記可動側電極から遠い方の端部に接続して前記絶縁容器の気密を確保する環状の気密保持板からなる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【請求項７】
前記ベローズシールド部は、段差であって、この段差を挟んで前記可動側電極側の内径が小さくなる段差を有する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【請求項８】
前記ベローズシールド部は、テーパ形状部であって、前記可動側電極側の内径が次第に小さくなるテーパ形状部を有する請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、以上のような問題を解決するためになされたものであり、アークによる金属スパッタなどによるベローズの汚損を防止してベローズの真空劣化を抑制した信頼性の高い真空バルブを得ることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る真空バルブは、
ベローズシールド部によって、ベローズシールド部によってベローズの外周を取り囲みアークによる金属スパッタなどによるベローズの汚損を防止できるようにしたため、ベローズの真空劣化に対する信頼性を向上できる真空バルブを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台が、その内部に冷媒流路が配置された金属製の基材と、この基材上面を覆って配置された温度分布均一化層と、この温度分布均一化層上に接着層を介して配置され内部または下面に前記ウエハを吸着・保持するための静電吸着用の電極膜を有した焼結セラミック板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備え、
前記温度分布均一化層が、前記基材上面に溶射により形成・配置された第１の誘電体膜と、この第１の誘電体膜の上に溶射によって配置され金属材料から構成された膜状のヒータであって単位面積あたりの発熱量が膜全体で均一化されるように形状が調節された膜状のヒータと、前記第１の誘電体膜及び前記ヒータの上方に溶射により形成・配置された第２の誘電体膜とを備えて構成されたプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記第二の誘電体膜が溶射によって誘電体製の材料が配置された後に前記ヒータが配置された領域の全体でその厚さが均等化されるようにその上面の形状が調節されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
真空容器内部の処理室内に配置され、前記処理室内に形成されたプラズマを用いて処理されるウエハが載置される試料載置台であって、
内部に冷媒流路が配置された金属製の基材と、この基材上面を覆って配置された温度分布均一化層と、この温度分布均一化層上に接着層を介して配置され内部または下面に前記ウエハを吸着・保持するための静電吸着用の電極膜を有した焼結セラミック板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサとを備え、
前記温度分布均一化層が、前記基材上面に溶射により形成・配置された第１の誘電体膜と、この第１の誘電体膜の上に溶射によって配置され金属材料から構成された膜状のヒータであって単位面積あたりの発熱量が膜全体で均一化されるように形状が調節された膜状のヒータと、前記第１の誘電体膜及び前記ヒータの上方に溶射により形成・配置された第２の誘電体膜とを備えて構成された試料載置台。
【請求項４】
請求項３に記載の試料載置台であって、前記第二の誘電体膜が溶射によって誘電体製の材料が配置された後に前記ヒータが配置された領域の全体でその厚さが均等化されるようにその上面の形状が調節された試料載置台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的は、真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台が、その内部に冷媒流路が配置された金属製の基材と、この基材上面を覆って配置された温度分布均一化層と、この温度分布均一化層上に接着層を介して配置され内部または下面に前記ウエハを吸着・保持するための静電吸着用の電極膜を有した焼結セラミック板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備え、前記温度分布均一化層が、前記基材上面に溶射により形成・配置された第１の誘電体膜と、この第１の誘電体膜の上に溶射によって配置され金属材料から構成された膜状のヒータであって単位面積あたりの発熱量が膜全体で均一化されるように形状が調節された膜状のヒータと、前記第１の誘電体膜及び前記ヒータの上方に溶射により形成・配置された第２の誘電体膜とを備えて構成されたことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記第二の誘電体膜が溶射によって誘電体製の材料が配置された後に前記ヒータが配置された領域の全体でその厚さが均等化されるようにその上面の形状が調節されたことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月29日(2013.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、信号線路はキャリア周波数が高まるにつれて長さの影響が大きくなる。デジタル回路のキャリアにはクロック周波数が４００ＭＨｚクラスの信号が用いられているのに対し、送受信回路のキャリアには高周波帯（ＧＨｚ〜ミリ波帯）が利用されている。高周波は波長が短く、例えば６０ＧＨｚの半波長は真空中で２．５ｍｍ、ＰＣＢ上では１．２ｍｍである。ある一つの信号線路の物理的長さがキャリア周波数の電気的長さの半分以上になると、信号線路において信号の共振現象の問題が顕在化してくる。このため、信号品質確保の観点から、信号線路の長さは伝送するキャリア信号の電気的長さの半分未満を目安としてレイアウトすることが望ましい。このことから近年、ワイヤによる実装形態と比較してより小型のパッケージングが可能になり、短配線による電力損の削減および信号品質の向上が期待できるシリコンインターポーザが注目され、技術開発が盛んに行われている（例えば、特許文献１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のインターポーザ、モジュールおよびこれを備えた電子機器では、基板上に予め配線および電気素子が設けられていることにより、基板と配線の接合およびアンテナなどの電気素子部分や半導体チップの部分のパターニングなどが不要になり製造工程が簡略化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のインターポーザ、モジュールおよびこれを備えた電子機器によれば、基板上に配線および電気素子を設けるようにしたので製造工程が簡略化される。これにより信頼性および歩留まりを向上させることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態に係るモジュールの断面図である。
【図２】図１に示したモジュールの平面図である。
【図３】モジュールの他の例を表す断面図である。
【図４】図１に示したモジュールの電波放射の特性図である。
【図５】図１に示したモジュールの製造方法を工程順に表す図である。
【図６】図５に続く工程を表す図である。
【図７】比較例に係るモジュールの断面図である。
【図８】図７に示したモジュールの製造方法を工程順に表す図である。
【図９】図８に続く工程を表す図である。
【図１０】図９に続く工程を表す図である。
【図１１】変形例に係るモジュールの断面図である。
【図１２】図１１に示したモジュールの平面図である。
【図１３】モジュールの他の例を表す断面図である。
【図１４】モジュールの適用例に係る電子機器の機能ブロック図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
基板１１は、後述する半導体チップ２０の材料に合わせ、例えば厚みが５０〜４００μｍのシリコン（Ｓｉ）基板またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を用いることが望ましい。半導体チップ２０と材料を合わせることで熱膨張係数がほぼ等しくなり、半導体チップ２０とインターポーザ１０Ａとの間の接合の信頼性が向上するからである。なお、基板１１としてはこれに限るものではなく、他の半導体材料や誘電体材料を用いてもよい。他の半導体材料としては例えば、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ等が、誘電体材料としては例えば、セラミック、ガラス（例えばＰｙｒｅｘ（登録商標），ＳＤ２，石英）、樹脂（ガラスエポキシ，ＢＴレジン）や有機ポリマーなどが挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このようなモジュール１００を実際に得るためには、図８（Ａ）〜（Ｃ），図９（Ａ）〜（Ｃ）および図１０（Ａ），（Ｂ）に示した製造工程が考えられる。各工程を簡単に説明すると、まず、図８（Ａ）に示したように第１Ｓｉ基板１１１を加工して貫通孔１１１Ｂを形成したのち絶縁膜（図示なし）を形成する。次に図８（Ｂ）に示したように貫通電極１１２Ａを形成したのち、パッド１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃ，１１３Ｄを形成する。続いて図８（Ｃ）に示したように凹部１１９を形成し、インターポーザとなる第１Ｓｉ基板１１１を作製する。次に図９（Ａ）に示したように第２Ｓｉ基板２１１上に配線２１６Ａ，２１６Ｂおよびアンテナ２１７を備えた誘電体層２１４を形成したのち、図９（Ｂ）に示したように第２Ｓｉ基板２１１をＣＭＰにより薄膜化する。続いて、図９（Ｃ）に示したように第２Ｓｉ基板２１１に凹部２１９を設けてメンブレン構造としたのち、半導体チップ２２０を接続し、半導体チップ２２０を搭載した第２Ｓｉ基板２１１を作製する。次に図１０（Ａ）に示したように熱圧着により第１Ｓｉ基板１１１および第２Ｓｉ基板２１１を接合してしたのち、最後に図１０（Ｂ）に示したように半田を用いてプリント基板１３０に実装してモジュール１００が完成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、本実施の形態のインターポーザ１０Ａ（１０Ｂ）およびこれを備えたモジュール１Ａ（１Ｂ）では、アンテナ１７の少なくとも一部に対応する位置の基板１１の裏面側に凹部１９Ａ（または基板１１を貫通する開口１９Ｂ）を設けるようにした。これにより基板部分と素子との間での寄生容量や渦電流の発生が抑えられるため、信号損失を抑制することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅で形成された配線層と、
銅で形成され、基板を貫通する貫通電極と、
二酸化ケイ素で形成され、前記貫通電極に隣接して配置された絶縁層とを有し、
前記貫通電極上及び前記絶縁層上に前記配線層が積層されており、
前記絶縁層と前記配線層とが、チタンで形成された密着層を介して積層され、
前記貫通電極と前記配線層とが、銅とスズとの合金であって前記密着層に隣接して形成された銅合金層を介して積層されたこと
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記密着層は、前記銅合金層上の一部にさらに形成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
貫通孔が形成され、表面が絶縁層で被覆された基板を形成する工程と、
前記貫通孔に銅を充填して貫通電極を形成する工程と、
前記貫通電極の一面側にスズ層を形成する工程と、
前記絶縁層の一面側及び前記スズ層の表面の一部にチタン密着層を形成する工程と、
前記チタン密着層の表面及び前記スズ層の露出面に銅で配線層を形成する工程と、
前記スズ層に熱処理を施すことで、銅とスズとの合金である銅合金層を形成する工程と
を含んだことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記スズ層が形成される前に粗化処理によって前記貫通電極の表面に凸部及び凹部を形成する工程をさらに含み、
前記スズ層を形成する工程では、前記スズ層の表面に前記スズ層の表面の形状に追従して凸部及び凹部が形成され、
前記チタン密着層を形成する工程では、前記チタン密着層となるチタン膜がスパッタリングによって形成され、前記チタン膜の材料が前記スズ層の表面に形成された凸部に付着することで、前記スズ層の表面の一部に前記チタン密着層が形成されること
を特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記スズ層を形成する工程では、前記スズ層が表面に凸部及び凹部を生じる厚さに形成され、
前記チタン密着層を形成する工程では、前記チタン密着層となるチタン膜がスパッタリングによって形成され、前記チタン膜の材料が前記スズ層の表面に形成された凸部に付着することで、前記スズ層の表面の一部に前記チタン密着層が形成されること
を特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅で形成された配線層と、
貫通孔が形成されたシリコン基板と、
前記貫通孔に充填された銅により形成された貫通電極と、
二酸化ケイ素で形成され、前記貫通電極に隣接して配置された絶縁層と、
チタンで形成され、前記絶縁層の表面かつ前記貫通孔の孔外に形成された密着層とを有し、
前記貫通電極上及び前記絶縁層上に前記配線層が積層されており、
前記絶縁層と前記配線層とが前記密着層を介して積層され、
前記貫通電極と前記配線層とが接して積層されたこと
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通電極の一部と前記配線層とが前記密着層を介して積層されたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁層に隣接して配置された銅で形成された電極層の表面に犠牲層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面及び前記犠牲層の表面に密着層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記犠牲層上に形成された密着層を除去する工程と、
前記犠牲層を除去したことで露出した前記電極層の表面及び前記密着層上に銅で配線層を形成する工程と
を含んだことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層を形成する工程では、前記犠牲層は前記電極層に接する側の面積が反対側の面積よりも小さくなるように形成され、
前記密着層を形成する工程では、前記密着層は前記犠牲層の厚さよりも薄く形成され、
前記犠牲層及び前記密着層を除去する工程では、前記犠牲層及び前記犠牲層上の密着層はリフトオフによって同時に除去されること
を特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記犠牲層は、銅に反応しない剥離液で溶解する材料で形成され、
前記犠牲層及び前記密着層を除去する工程では、前記犠牲層は前記剥離液を用いて除去されること
を特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁層の表面及び前記絶縁層に隣接して配置された銅で形成された電極層の表面に密着層を形成する工程と、
前記電極層上に開口穴が形成されたレジストパターンを前記密着層上に形成する工程と、
前記レジストパターンをレジストマスクとして前記電極層上の密着層を除去する工程と、
前記密着層を除去したことで露出した前記電極層の表面及び前記密着層上に銅で配線層を形成する工程と、
を含んだことを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、上記のようなセルフトラッキングの手法を採る場合には、１周目の記録を終了する際の情報記録位置のずれ量が、１周目と２周目とでほぼ等しいということが重要となる。
前述の通り、ディスクの反りや偏芯は、ディスク上の半径位置や回転角度位置がほぼ同じであれば、その発生量もほぼ同等となるので、通常であれば、１周目の記録の終了時にて、１周目と２周目の情報記録位置のずれが大きくなることは考え難い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2011258272.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された複数の接続部に対してそれぞれ接続する複数のケーブルと、該複数のケーブルを覆う外皮とによって構成された複合ケーブルであって、
各ケーブルと前記外皮との間を固定する固定部材によって前記複数のケーブルの長手方向を互いに平行な位置関係で固定した位置固定部と、
前記位置固定部の端部から延びる前記複数のケーブルを撚り合わせた撚合部と、
を備え、
前記位置固定部は、前記複数のケーブルの前記長手方向と直交する断面における配置パターンが前記複数の接続部の配置パターンと鏡像対称であることを特徴とする複合ケーブル。
【請求項２】
前記位置固定部の長さは、前記撚合部の長さと比して短いことを特徴とする請求項１に記載の複合ケーブル。
【請求項３】
前記外皮は、前記位置固定部に位置する表面の少なくとも一部に、該位置固定部であることを示す標識部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の複合ケーブル。
【請求項４】
前記複数のケーブルの一部からなるケーブル群を複数有し、
前記撚合部は、前記ケーブル群を構成する複数のケーブル同士を互いに撚り合わせるとともに、複数の前記ケーブル群同士を互いに撚り合わせたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の複合ケーブル。
【請求項５】
基板上に配置された複数の接続部に対しそれぞれ接続する複数のケーブルと、該複数のケーブルを覆う外皮とによって構成された複合ケーブルの製造方法であって、
前記複数のケーブルの前記長手方向と直交する断面における配置パターンを前記複数の接続部の配置パターンと鏡像対称とし、かつ各ケーブルと前記外皮との間を固定する固定部材によって前記複数のケーブルの長手方向を互いに平行な位置関係で固定する位置固定ステップと、
前記位置固定部の端部から延びる前記複数のケーブルを撚り合わせる撚合ステップと、
を含むことを特徴とする複合ケーブルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる複合ケーブルは、基板上に配置された複数の接続部に対してそれぞれ接続する複数のケーブルと、該複数のケーブルを覆う外皮とによって構成された複合ケーブルであって、各ケーブルと前記外皮との間を固定する固定部材によって前記複数のケーブルの長手方向を互いに平行な位置関係で固定した位置固定部と、前記位置固定部の端部から延びる前記複数のケーブルを撚り合わせた撚合部と、を備え、前記位置固定部は、前記複数のケーブルの前記長手方向と直交する断面における配置パターンが前記複数の接続部の配置パターンと鏡像対称であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明にかかる複合ケーブルの製造方法は、基板上に配置された複数の接続部に対しそれぞれ接続する複数のケーブルと、該複数のケーブルを覆う外皮とによって構成された複合ケーブルの製造方法であって、前記複数のケーブルの前記長手方向と直交する断面における配置パターンを前記複数の接続部の配置パターンと鏡像対称とし、かつ各ケーブルと前記外皮との間を固定する固定部材によって前記複数のケーブルの長手方向を互いに平行な位置関係で固定する位置固定ステップと、前記位置固定部の端部から延びる前記複数のケーブルを撚り合わせる撚合ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、
前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子において、
前記ｐ電極がドット状ＮｉＯ層と、このドット状ＮｉＯ層に接して形成されたＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ドット状ＮｉＯ層は、１ｎｍ以上、３ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ドット状ＮｉＯ層は、前記ｐ電極の全面積に対し、５０％以上、８５％以下の面積率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
ｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、
前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上にＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ｎｉ層の一部をドット状ＮｉＯに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子において、前記ｐ電極がドット状ＮｉＯ層と、このドット状ＮｉＯ層に接して形成されたＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の態様は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上にＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ｎｉ層の一部をドット状ＮｉＯに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
液体供給口と液体回収口とを有する第１ノズル部材と、
気体を吹き出す吹出口を有し、前記投影光学系から射出される露光光の光路空間に対して、前記第１ノズル部材の外側に設けられた第２ノズル部材と、
前記第１ノズル部材に対して前記第２ノズル部材を移動可能な駆動装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記投影光学系を支持するコラムと、
前記コラムに接続され、前記第２ノズル部材を支持する第２支持機構と、を備え、
前記第２支持機構が、前記駆動装置を有する請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記投影光学系は、防振装置を介して、前記コラムに支持される請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記コラムに接続され、前記第１ノズル部材を支持する第１支持機構を備える請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記駆動装置は、ローレンツ力で駆動する請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１ノズル部材と前記第２ノズル部材との間にギャップが設けられる請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記駆動装置は、前記第２ノズル部材を前記投影光学系の光軸とほぼ平行な方向に移動する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項８】
前記駆動装置は、前記第２ノズル部材を前記投影光学系の光軸に対してほぼ垂直な方向に移動する請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記駆動装置は、前記第２ノズル部材を前記投影光学系の光軸に対してほぼ垂直な軸周りに回転させる請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記基板の液体接触面を形成する膜部材の前記液体との接触角に基づいて、前記駆動装置により、前記第２ノズル部材の位置が調整される請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記駆動装置は、前記基板の液体接触面を形成する膜部材と前記液体との親和性に応じて、前記第２ノズル部材の位置を調整する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記基板の移動条件に基づいて、前記駆動装置により、前記第２ノズル部材の位置が調整される請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板を所定の走査方向に移動しながら露光され、
前記移動条件は、前記基板の移動速度を含む請求項１２に記載の露光装置。 
【請求項１４】
前記駆動装置は、前記第２ノズル部材を移動することによって、前記第２ノズル部材と前記基板との距離を調整する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２ノズル部材の位置を検出する検出装置を備え、
前記駆動装置は、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記第２ノズル部材を移動する請求項１〜１４のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項１６】
前記吹出口は、前記基板に対向する位置に配置される請求項１〜１５のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項１７】
前記吹出口は、前記光路空間に向けて傾斜方向に前記基板に対して気体を吹き出す請求項１〜１６のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項１８】
前記吹出口は前記光路空間を囲むように環状に形成されている請求項１〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項１９】
前記第１ノズル部材は、前記投影光学系の像面に最も近い前記投影光学系の光学素子を囲む環状部材であり、
前記第２ノズル部材は、前記第１ノズル部材を囲む環状部材である請求項１〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第１ノズル部材の下端部と前記第２ノズル部材の下端部との間に配置され、前記吹出口から吹き出された気体の少なくとも一部を排気する排気口を備える請求項１〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第１ノズル部材と前記第２ノズル部材との間に、前記排気口に接続された排出流路を有する請求項２０に記載の露光装置。 
【請求項２２】
前記排出流路は、外部空間と接続されている請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記排出流路を形成する空間を吸引する吸引装置を備える請求項２１又は２２に記載の露光装置。 
【請求項２４】
前記第１ノズル部材と前記第２ノズル部材との距離は、前記第２ノズル部材の下面と前記基板との距離よりも大きい請求項１〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記吹出口より吹き出す単位時間当たりの気体吹き出し量を調整可能な調整装置を備える請求項１〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項２６】
前記調整装置は、前記基板の液体接触面を形成する膜部材の前記液体との接触角に基づいて、前記吹き出し量を調整する請求項２５に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記調整装置は、前記基板の移動条件に基づいて、前記吹き出し量を調整する請求項２５又は２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記基板の露光中に前記吹出口の吹き出し動作を継続する請求項１〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２９】
前記投影光学系と前記基板との間の露光光の光路空間が液体で満たされるように、前記第１ノズル部材により、前記投影光学系の投影領域よりも大きく且つ前記基板よりも小さい液体の液浸領域が、前記投影領域を含む前記基板上の一部に局所的に形成される請求項１〜２８のいずれか一項に記載の露光装置。 
【請求項３０】
請求項１〜２９のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項３１】
液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって、
液体供給口と液体回収口とを有し、投影光学系の像面に最も近い前記投影光学系の光学素子を囲むように配置された第１ノズル部材を用いて、前記投影光学系と前記基板との間の前記露光光の光路空間が前記液体で満たされるように、前記投影光学系の投影領域よりも大きく且つ前記基板よりも小さい液体の液浸領域を、前記投影領域を含む前記基板上の一部に局所的に形成することと、
前記液浸領域の前記液体を介して前記基板に前記露光光を照射することと、
前記光路空間に対して前記第１ノズル部材の外側に設けられ、気体を吹き出す吹出口を有する第２ノズル部材を、前記第１ノズル部材の外側において駆動装置で移動することと、を含む露光方法。
【請求項３２】
前記吹出口の吹き出し動作により、前記液体の界面に前記吹出口からの気体を供給して前記液体の漏出を抑制する請求項３１に記載の露光方法。
【請求項３３】
前記吹出口は、前記基板に対向するように配置される請求項３１又は３２に記載の露光方法。
【請求項３４】
請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
露出側壁を含む相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成することと、
前記半導体ダイと前記基板の前記相互接続部位との間に、複数の相互接続構造を形成することと、
前記相互接続構造が、前記相互接続部位の頂面および側面を覆い、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数であるＸという最大距離だけ前記基板上に延在するように、前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することと、
前記半導体ダイと前記基板との間に封入材を堆積させることと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項２】
Ｘの値は、５〜２０ミクロンに及ぶ、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記相互接続部位は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定され、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記相互接続構造は、可融性部分と、非可融性部分とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記相互接続構造の前記非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
露出側壁を含む相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成することと、
前記半導体ダイと前記基板の前記相互接続部位との間に、複数の相互接続構造を形成することと、
前記相互接続構造が、前記相互接続部位の頂面および側面を覆い、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数であるＸという最大距離だけ前記基板上に延在するように、前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項７】
前記半導体ダイと前記基板との間に封入材を堆積させることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｘの値は、５〜２０ミクロンに及ぶ、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記相互接続部位は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定され、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせである、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記相互接続構造の非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含み、前記相互接続構造の可融性部分は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、共晶はんだ、または銀、銅、あるいは鉛を伴う他のスズ合金を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されるバンプとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
半導体ダイと、
基板と、
露出側壁を伴う相互接続部位を含む前記基板上に形成された複数の伝導性トレースと、
前記半導体ダイと前記基板の前記相互接続部位との間に形成された複数の相互接続構造であって、前記相互接続構造が、前記相互接続部位の頂面および側面を覆い、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数であるＸという最大距離だけ前記基板上に延在するように、前記相互接続構造は、前記相互接続部位に接着される、複数の相互接続構造と、
前記半導体ダイと前記基板との間に堆積させられた封入材と
を備える、半導体素子。
【請求項１３】
Ｘの値は、５〜２０ミクロンに及ぶ、請求項１２に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記相互接続構造は、前記相互接続部位の頂面および側面を覆う、請求項１２に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記相互接続部位は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定され、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせである、請求項１２に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
半導体ダイ４０８は、図９ａ―９ｇ、１０ａ―１０ｄ、１１ａ―１１ｄ、１２ａ―１２ｃ、および１３ａ―１３ｂからの実施形態のうちのいずれかを使用して、接触パッド４１８上に形成されたバンプ材料４１６を使用して基板４１４上に形成された伝導性トレース４１２に載置される。伝導性トレース４１２は、図５―７で説明されるような、相互接続構造および２Ｘ縮小設計規則に適用可能である。半導体ダイ４０６は、ボンドワイヤ４２２を使用して、基板４１４上に形成された接触パッド４２０に電気的に接続される。ボンドワイヤ４２２の反対の端は、半導体ダイ４０６上の接触パッド４２４に接着される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
マスキング層４２６は、基板４１４上に形成され、半導体ダイ４０８の設置面積を越えて開放される。マスキング層４２６が、リフロー中にバンプ材料４１６を伝導性トレース４１２に閉じ込めない一方で、開放マスクは、ＭＵＦ中に封入材４２８が接触パッド４２０またはボンドワイヤ４２２に移動することを防止するようにダムとして動作することができる。封入材４２８は、図１４ａ―１４ｃと同様に、半導体ダイ４０８と基板４１４との間に配置される。マスキング層４２６は、欠陥を引き起こし得るので、ＭＵＦ封入材４２８が接触パッド４２０およびボンドワイヤ４２２に到達することを阻止する。マスキング層４２６は、封入材４２８が接触パッド４２０上に漏出する危険性を伴わずに、より大型の半導体ダイが所与の基板上に配置されることを可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された素子と、
前記基板上に形成された窒化膜と、
前記窒化膜上に直接接するように形成された剥離防止膜と、
前記剥離防止膜と前記素子を覆うように形成されたモールド樹脂と、
前記基板上に形成され、かつ前記モールド樹脂で覆われた複数の電極パッドと、を備え、
前記剥離防止膜は圧縮応力が残留した膜であって、前記窒化膜の引張応力を相殺して両者の応力が弱められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記剥離防止膜は、前記素子と前記複数の電極パッドの間、及び前記複数の電極パッドの間に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記剥離防止膜は、前記複数の電極パッドを囲むように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記剥離防止膜は、前記複数の電極パッドと前記素子を囲むように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子は加速度センサのセンサ部であり、
前記基板内には配線層が形成され、
前記センサ部と前記複数の電極パッドは前記配線層によって電気的に接続され、
前記剥離防止膜はフッ酸によりエッチングされない膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記素子は、導体からなる可動部、支持部、封止部と、前記封止部上に固定されるガラスキャップを備える加速度センサのセンサ部であり、
前記基板内には配線層が形成され、
前記センサ部の前記支持部と前記複数の電極パッドは前記配線層によって電気的に接続され、
前記封止部と前記封止部の直下領域に形成される前記配線層との間には、前記窒化膜と前記剥離防止膜とが形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記剥離防止膜はポリシリコン又はアモルファスシリコンで形成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜上にポリシリコンを形成する工程と、
前記窒化膜上にフッ酸で除去できる犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を利用して導体を形成する工程と、
前記犠牲膜をフッ酸により除去する工程と、
前記ポリシリコン上にモールド樹脂を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板上に形成された素子と、該基板上に形成された窒化膜と、該窒化膜上に直接接するように形成された剥離防止膜と、該剥離防止膜と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂と、該基板上に形成され、かつ該モールド樹脂で覆われた複数の電極パッドと、を備える。そして、該剥離防止膜は圧縮応力が残留した膜であって、該窒化膜の引張応力を相殺して両者の応力が弱められていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記作成手段は、前記提供装置に障害の原因があると特定できる情報として、予め定義された提供装置で発生した障害を示す障害コード及び前記提供装置から通知された障害コードの何れかを少なくとも含む障害情報を作成することを特徴とする請求項８または９に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
身体データを取得するデータ取得手段と、
取得した上記身体データを取得した日にちに関する情報と関連付けて記録するデータ記録手段と、
上記データ記録手段に蓄積された上記身体データから分析用データを作成し、上記分析用データのうち、値に対する第一条件および期間に対する第二条件をいずれも満たしている期間を抽出する分析手段と、
上記分析手段が抽出した上記期間を示す情報を表示する表示手段とを備えていることを特徴とする健康管理装置。
【請求項２】
上記分析用データが、予め定められた日数の移動平均データであり、
上記第一条件が連続する上記移動平均データの変動が予め定められた範囲内での変動であるか否かであり、
上記第二条件が上記第一条件を満たしている日が連続で予め定められた期間を超えているか否かであることを特徴とする請求項１に記載の健康管理装置。
【請求項３】
上記分析手段が、さらに、上記期間における上記身体データの推移および最近の上記身体データの推移を上記表示手段に比較表示させることを特徴とする請求項１または２に記載の健康管理装置。
【請求項４】
上記データ取得手段が、食事データをさらに取得し、
上記データ記録手段が、取得した上記食事データをさらに記録し、
上記分析手段が、上記期間における上記食事データの動向を、上記表示手段にさらに表示させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の健康管理装置。
【請求項５】
上記分析手段が、さらに、最近の上記食事データの動向を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項４に記載の健康管理装置。
【請求項６】
上記取得手段が、朝食、昼食、夕食および間食の食事区分別に上記食事データを取得し、
上記分析手段が、上記食事区分別に、上記期間における上記食事データの動向および最近の上記食事データの動向を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項５に記載の健康管理装置。
【請求項７】
上記取得手段が、食事カテゴリ別に上記食事データを取得し、
上記分析手段が、上記食事カテゴリ別に、上記期間における上記食事データの動向および最近の上記食事データの動向を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項５に記載の健康管理装置。
【請求項８】
上記食事データが、摂取カロリー、取った食事の栄養素および食事品目のうちの少なくとも何れか１つを含むデータであることを特徴とする請求項４〜７の何れか１項に記載の健康管理装置。
【請求項９】
上記食事データが、取った食事の栄養素および食事品目のうちの少なくとも何れか一方を示すデータであり、
上記記録手段には、食事バランスが良好であるか否かの判定基準を示す基準データが記録されており、
上記分析手段が、
上記基準データと上記期間の上記食事データとを参照して食事バランスが良好であるか否かを判定し、判定結果に基づき、上記期間における食事バランスが良好な日数を算出し、
上記基準データと最近の上記食事データとを参照して食事バランスが良好であるか否かを判定し、判定結果に基づき、最近の食事バランスが良好な日数を算出し、
食事バランスが良好なそれぞれの日数を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項５に記載の健康管理装置。
【請求項１０】
上記食事データが、摂取カロリーを示すデータであり、
上記記録手段には、予め定めた目標摂取カロリーを示す目標摂取カロリーデータが記録されており、
上記分析手段が、上記目標摂取カロリーデータと上記期間の上記食事データとを比較し、上記目標摂取カロリーデータと最近の上記食事データとを比較し、それぞれの比較結果を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項５に記載の健康管理装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の健康管理装置を動作させる健康管理制御プログラムであって、コンピュータを上記分析手段および上記データ取得手段として機能させるための健康管理制御プログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の健康管理制御プログラムを記録しているコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イベント判定対象画像の特徴量を算出する算出手段と、
前記算出した特徴量とイベント判定用の識別器との比較によって前記イベント判定対象画像に対するイベント判定を行う判定手段と、
同一イベントに対して前記識別器が複数存在する場合に該識別器ごとの特性を示す特性データに基づいて代表の識別器を１つ決定する決定手段と、
前記決定された代表の識別器を用いるように前記判定手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記イベント判定用の識別器は、外部機器との間で共有されており、
前記決定手段は、当該画像処理装置の識別器および前記外部機器の識別器の中から前記代表の識別器を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像処理装置において、
前記イベント判定用の識別器を生成する識別器生成手段をさらに備え、
前記決定手段は、前記識別器生成手段により生成された識別器および前記外部機器の識別器の中から前記代表の識別器を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像処理装置において、
前記識別器ごとの特性を示す特性データは前記識別器ごとの判定精度を示す情報を含み、
前記決定手段は、前記判定精度の高さに基づいて代表の識別器を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の画像処理装置において、
前記識別器ごとの特性を示す特性データは前記識別器の生成に用いられた学習用画像の撮影日時情報を含み、
前記決定手段は、前記学習用画像の撮影頻度の高さに基づいて代表の識別器を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一項に記載の画像処理装置において、
前記識別器生成手段は、学習用画像の特徴量を算出する第２算出手段を含み、前記学習用画像の特徴量に基づいて前記イベント判定用の識別器を生成し、
前記識別器生成手段によって生成されたイベント判定用の識別器の特性を示す特性データを取得する特性データ取得手段をさらに備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか一項に記載の画像処理装置において、
前記決定手段は、前記学習用画像の数が所定数を超えている前記識別器の中から前記代表の識別器を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
イベント判定対象画像の特徴量を算出する算出処理と、
同一イベントに対してイベント判定用の識別器が複数存在する場合に該識別器ごとの特性を示す特性データに基づいて代表の識別器を１つ決定する決定処理と、
前記算出した特徴量と前記決定した代表の識別器との比較によって前記イベント判定対象画像に対するイベント判定を行う判定処理と、
をコンピュータに実行させるための画像処理プログラム。
【請求項９】
イベント判定対象画像の特徴量を算出し、
同一イベントに対してイベント判定用の識別器が複数存在する場合に該識別器ごとの特性を示す特性データに基づいて代表の識別器を１つ決定し、
前記算出した特徴量と前記決定した代表の識別器との比較によって前記イベント判定対象画像に対するイベント判定を行うことを特徴とする画像処理方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図６のステップＳ４１において、メインＣＰＵ１１は、１枚の学習用画像から特徴量を算出する。算出する特徴量は、入力されたイベントを示す情報に合致する特徴量であり、たとえば「運動会」用のイベント識別器に対応するものである。特徴量の算出は、図３のステップＳ３１の場合と同様に行う。