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【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
ゲート絶縁層と、
Ｉｎと、Ｓｎと、ＳｉＯｘと、を含む第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、
画素電極領域と、を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と、前記画素電極領域とは、同一層の第２の酸化物半導体層を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、
画素電極領域と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、ＳｉＯｘと、を含み、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方と、前記画素電極領域とは、同一層の第２の酸化物半導体層を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層の導電率は、１．６×１０−３Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層は、非晶質であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間の第１の金属酸化物層と、
前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間の第２の金属酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の金属酸化物層と接する第１の領域と、前記第２の金属酸化物層と接する第２の領域とを有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間の第１の金属酸化物層と、
前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間の第２の金属酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域と結晶性が異なる第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の金属酸化物層と接する第３の領域と、前記第２の金属酸化物層と接する第４の領域とを有し、
前記第３の領域及び前記第４の領域は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行および複数の列を構成するように画素が配列された画素アレイと、
前記画素アレイにおける行を選択する行選択回路、前記画素アレイにおける列を選択する列選択回路、および、前記画素アレイにおける前記列選択回路によって選択された列の信号を読み出す読出回路を含む周辺回路とを備え、
前記画素は、フォトダイオードと、浮遊拡散部と、前記フォトダイオードの蓄積領域に蓄積された正孔を前記浮遊拡散部に転送する転送ＰＭＯＳトランジスタと、前記浮遊拡散部に現れる信号を増幅する増幅ＰＭＯＳトランジスタと、前記浮遊拡散部の電位をリセットするリセットＰＭＯＳトランジスタとを含み、
前記増幅ＰＭＯＳトランジスタは、そのゲートがｎ型導電パターンであり、かつ、第１素子分離領域およびその少なくとも下側部分を覆うｎ型不純物領域によって分離され、
前記列選択回路に含まれるＰＭＯＳトランジスタは、そのゲートがｐ型導電パターンであり、かつ、第２素子分離領域によって分離され、前記第２素子分離領域の下に配置された領域におけるｎ型不純物濃度が前記ｎ型不純物領域におけるｎ型不純物濃度よりも低い、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画素アレイにおける素子分離領域および前記周辺回路における素子分離領域がＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）領域である、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ｎ型不純物領域のｎ型不純物が砒素である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記転送ＰＭＯＳトランジスタのゲートおよび前記リセットＰＭＯＳトランジスタのゲートがｐ型導電パターンである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記増幅ＰＭＯＳトランジスタは埋め込みチャネル構造を有し、前記転送ＰＭＯＳトランジスタおよび前記リセットＰＭＯＳトランジスタは表面チャネル構造を有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記増幅ＰＭＯＳトランジスタのソースおよびドレインの最大深さは、第１深さであり、
前記列選択回路に含まれるＰＭＯＳトランジスタのソースおよびドレインは、前記第１深さを有する部分と、前記第１深さよりも深い第２深さを有する部分とを含むＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
裏面照射型の光電変換装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記増幅ＰＭＯＳトランジスタのチャネル幅が前記リセットＰＭＯＳトランジスタのチャネル幅よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記フォトダイオードの前記蓄積領域の上に配置されたｎ型表面領域と、
前記蓄積領域の下に配置されたｎ型埋め込み層と、を更に含み、
前記ｎ型表面領域の主要不純物の拡散係数は、前記埋め込み層の主要不純物の拡散係数より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記フォトダイオードの前記蓄積領域の下に配置されたｎ型埋め込み層を更に含み、
前記ｎ型不純物領域の主要不純物の拡散係数は、前記埋め込み層の主要不純物の拡散係数より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記転送ＰＭＯＳトランジスタおよび前記リセットＰＭＯＳトランジスタは、ｎ型ポリシリコンで構成されたゲートを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のレジストパターンをマスクとして半導体基板に第１導電型の不純物をイオン注入することで、固体撮像装置の光電変換部の電荷蓄積領域を形成する工程と、
前記電荷蓄積領域を形成する工程の後に、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法により前記半導体基板を８００℃以上１２００℃以下の温度で加熱する第１の加熱工程と、
第２のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板に第２導電型の不純物をイオン注入することで、前記電荷蓄積領域の上に表面領域を形成する工程と、
前記表面領域を形成する工程の後に、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法により前記半導体基板を８００℃以上１２００℃以下で加熱する第２の加熱工程と、
前記第２の加熱工程の後に、８００℃未満の温度で前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の加熱工程では、常温から８００℃以上１２００℃以下の温度まで６０秒以内で昇温し、８００℃以上１２００℃以下の温度で保持した後に、８００℃以上１２００℃以下の温度から４００℃の温度まで３０秒以内で降温するように、前記半導体基板の温度を制御することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の加熱工程では、８００℃以上１２００℃以下の温度で１０秒以上３００秒以下の時間保持するように、前記半導体基板の温度を制御することを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記反射防止膜を形成する工程は、
ＣＶＤ法により前記半導体基板を覆うように窒化膜を形成する工程と、
ＣＶＤ法により前記窒化膜を覆うように酸化膜を形成する工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記表面領域を形成する工程における前記第２導電型の不純物のドーズ量は、前記電荷蓄積領域を形成する工程における前記第１導電型の不純物のドーズ量より大きいことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の加熱工程より前に、前記第１のレジストパターン又は前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板に第１導電型の不純物のイオン注入を行うことにより、前記光電変換部における前記表面領域に側方に配されるべき転送領域を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記転送領域を形成する工程では、前記半導体基板の法線に対して前記電荷蓄積領域を形成する工程又は前記表面領域を形成する工程より大きな注入角度で前記半導体基板に前記第１導電型の不純物をイオン注入することを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、第１のレジストパターンをマスクとして半導体基板に第１導電型の不純物をイオン注入することで、固体撮像装置の光電変換部の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記電荷蓄積領域を形成する工程の後に、ＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法により前記半導体基板を８００℃以上１２００℃以下の温度で加熱する第１の加熱工程と、第２のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板に第２導電型の不純物をイオン注入することで、前記電荷蓄積領域の上に表面領域を形成する工程と、前記表面領域を形成する工程の後に、ＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法により前記半導体基板を８００℃以上１２００℃以下で加熱する第２の加熱工程と、前記第２の加熱工程の後に、８００℃未満の温度で前記光電変換部を覆う反射防止膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号として読み出されるべき正孔を蓄積するｐ型領域と、
前記ｐ型領域の下に形成されたｎ型の埋め込み層と、
素子分離領域と、
前記素子分離領域の少なくとも下側部分を覆うチャネルストップ領域とを含み、
前記ｐ型領域および前記埋め込み層によってフォトダイオードが構成され、前記チャネルストップ領域の主要不純物の拡散係数が前記埋め込み層の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記チャネルストップ領域の主要不純物が砒素であり、前記埋め込み層の主要不純物が燐であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
浮遊拡散部と、
前記ｐ型領域に蓄積された正孔を前記浮遊拡散部に転送するための転送トランジスタと、
前記浮遊拡散部に現れる信号を増幅する増幅トランジスタと、
前記浮遊拡散部の電位をリセットするリセットトランジスタとを更に備え、
前記増幅トランジスタのチャネル幅が前記リセットトランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
浮遊拡散部と、
前記ｐ型領域に蓄積された正孔を前記浮遊拡散部に転送するための転送トランジスタと、
前記浮遊拡散部の電位をリセットするリセットトランジスタと、
前記浮遊拡散部に現れる信号を増幅する増幅トランジスタとを更に備え、
前記増幅トランジスタは埋め込みチャネル構造を有し、前記リセットトランジスタは表面チャネル構造を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記素子分離領域は、前記フォトダイオード、前記転送トランジスタ、前記増幅トランジスタおよび前記リセットトランジスタが形成されるべき活性領域を分離するように配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
ｎ型の表面領域を更に備え、
前記ｐ型領域は、前記表面領域の下に形成され、
前記表面領域の主要不純物が前記チャネルストップ領域の主要不純物と同一であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
裏面照射型の光電変換装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の側面は、光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、信号として読み出されるべき正孔を蓄積するｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に形成されたｎ型の埋め込み層と、素子分離領域と、前記素子分離領域の少なくとも下側部分を覆うチャネルストップ領域とを含み、前記ｐ型領域および前記埋め込み層によってフォトダイオードが構成され、前記チャネルストップ領域の主要不純物の拡散係数が前記埋め込み層の主要不純物の拡散係数より小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に配された複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部を互いに電気的に分離する分離部と、を備え、
前記光電変換部は、
第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の下に配され、前記第１の半導体領域より不純物濃度の低い前記第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の下に配された、前記第１導電型の第３の半導体領域と、を含み、
前記分離部は、前記半導体基板の少なくとも前記第１の半導体領域の側方に配された前記第１導電型の第１の分離領域と、
前記第１の分離領域の下方であって少なくとも前記第２の半導体領域の側方に配された前記第１導電型の第２の分離領域と、を含み、
前記第１の分離領域に含まれる不純物の拡散係数は、前記第２の分離領域に含まれる不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の分離領域に含まれる不純物の質量は、前記第２の分離領域に含まれる不純物の質量より大きいことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記分離部は、前記第１の分離領域の上に配された、絶縁物で形成されている素子分離部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記分離部は、前記第１の分離領域の上に配された、拡散分離によって構成される素子分離部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１導電型は、Ｎ型であり、
前記第１の分離領域に含まれる不純物は、砒素であり、
前記第２の分離領域に含まれる不純物は、リンである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１の半導体領域の上に配された、前記第１導電型の第４の半導体領域を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記半導体基板の裏面側から撮像光が入射するように配されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項９】
半導体基板を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記半導体基板における複数の光電変換部を互いに分離すべき領域に素子分離部を形成する第１の工程と、
前記素子分離部が露出されるように形成された第１のレジストパターンをマスクとして第１導電型の第１の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における前記素子分離部の下に第１の分離領域を形成する第２の工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１導電型の第２の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における前記第１の分離領域の下方に第２の分離領域を形成する第３の工程と、
複数の前記素子分離部の間の領域が露出されるように形成された第２のレジストパターンをマスクとして前記第１導電型と反対導電型の第２導電型の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における複数の前記素子分離部の間に前記光電変換部における電荷蓄積領域を形成する第４の工程と、
を備え、
前記第１の不純物の拡散係数は、前記第２の不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１側面に係る光電変換装置は、半導体基板に配された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部を互いに電気的に分離する分離部と、を備え、前記光電変換部は、第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の下に配され、前記第１の半導体領域より不純物濃度の低い前記第２導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配された、前記第１導電型の第３の半導体領域と、を含み、前記分離部は、前記半導体基板の少なくとも前記第１の半導体領域の側方に配された前記第１導電型の第１の分離領域と、前記第１の分離領域の下方であって少なくとも前記第２の半導体領域の側方に配された前記第１導電型の第２の分離領域と、を含み、前記第１の分離領域に含まれる不純物の拡散係数は、前記第２の分離領域に含まれる不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３側面に係る光電変換装置の製造方法は、半導体基板を有する光電変換装置の製造方法であって、前記半導体基板における複数の光電変換部を互いに分離すべき領域に素子分離部を形成する第１の工程と、前記素子分離部が露出されるように形成された第１のレジストパターンをマスクとして第１導電型の第１の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における前記素子分離部の下に第１の分離領域を形成する第２の工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１導電型の第２の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における前記第１の分離領域の下方に第２の分離領域を形成する第３の工程と、複数の前記素子分離部の間の領域が露出されるように形成された第２のレジストパターンをマスクとして前記第１導電型と反対導電型の第２導電型の不純物を前記半導体基板に注入することにより、前記半導体基板における複数の前記素子分離部の間に前記光電変換部における電荷蓄積領域を形成する第４の工程と、を備え、前記第１の不純物の拡散係数は、前記第２の不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
各光電変換部ＰＤは、光に応じた電荷対を発生させて一方の電荷（例えば、ホール）を蓄積する。各光電変換部ＰＤは、例えば、フォトダイオードである。各光電変換部ＰＤは、電荷蓄積領域（第１の半導体領域）１０７、有効感度領域（第２の半導体領域）１０９、及び埋め込み領域（第３の半導体領域）１０２を含む。１０２ａは有効感度領域１０９と埋め込み領域１０２とのＰＮ接合界面を示している。また、絶縁膜界面での暗電流を抑制するために表面領域（第４の半導体領域）１０８を設けて、埋め込み型のフォトダイオードとしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第３ＬＵＴは、前記評価処理手段の計算で必要なデータのみを抽出した非等間隔なデータで構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出量制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
（発明５）：発明１から４のいずれか１項に記載の液体吐出量制御装置において、前記第３ＬＵＴは、前記評価処理手段の計算で必要なデータのみを抽出した非等間隔なデータで構成されているものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ノズル面と前記洗浄液保持面との間に洗浄液を満たすことを特徴とする請求項２に記載のノズル面清掃装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部分で二つ折りされた折り曲げ部を有する長尺の繊維体で形成され、該繊維体の長手方向両端部のうち、一端部を開閉自在な開放端とし、他端部を前記折り曲げ部から所定長縫着して閉鎖端とし、前記開放端を開いて形成される開口から頭部に装着可能な防災頭巾であって、
該防災頭巾は、前記折り曲げ部を含み少なくとも頭頂部を保護する頭頂部保護部と、該頭頂部保護部から両側に延設され少なくとも側頭部を保護する側頭部保護部とを有し、
前記頭頂部保護部には、クッション部材が設けられ、
前記開放端を閉じた状態で、三つ折りに折り畳み可能としたことを特徴とする防災頭巾。
【請求項２】
前記繊維体は、アラミド繊維体であり、該アラミド繊維体は、表面がアルミニウムコートされていることを特徴とする請求項１に記載の防災頭巾。
【請求項３】
前記防災頭巾の後部下側中央付近であって、前記側頭部保護部同士を縫着する位置に、前記防災頭巾を頭部に固定するための紐部材が縫い付けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の防災頭巾。
【請求項４】
前記側頭部保護部の少なくとも一方の内側には、ポケットが設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の防災頭巾。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の技術手段は、中央部分で二つ折りされた折り曲げ部を有する長尺の繊維体で形成され、該繊維体の長手方向両端部のうち、一端部を開閉自在な開放端とし、他端部を前記折り曲げ部から所定長縫着して閉鎖端とし、前記開放端を開いて形成される開口から頭部に装着可能な防災頭巾であって、該防災頭巾は、前記折り曲げ部を含み少なくとも頭頂部を保護する頭頂部保護部と、該頭頂部保護部から両側に延設され少なくとも側頭部を保護する側頭部保護部とを有し、前記頭頂部保護部には、クッション部材が設けられ、前記開放端を閉じた状態で、三つ折りに折り畳み可能としたことを特徴としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の技術手段は、第１の技術手段において、前記繊維体は、アラミド繊維体であり、該アラミド繊維体は、表面がアルミニウムコートされていることを特徴としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、頭巾の表地及び裏地に例えばアラミド繊維等を使用すると共に、頭頂部に対応する部分にはクッション部材を設けているため、高い衝撃吸収性、防護性、耐熱性を実現できると共に、頭巾を三つ折りにして折り畳むことができるため、携帯性を格段に向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機の台間に配置される台間サンドにおいて
取り付けベースと、
前記取り付けベースの内部の上下に配置され、前記取り付けベースから引出可能な一対のアームと、
前記一対のアームの間に固定された仕切り板と、
前面に縦型の掘り込み状の第１の収納部と、を備えたことを特徴とする台間サンド。
【請求項２】
さらに、第２の収納部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の台間サンド。
【請求項３】
前記第２の収納部が、基体に展開可能に軸支された底部と支え部を有する請求項２に記載の台間サンド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】遊技機の台間に配置される台間サンド
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）上記課題を解決するために、本発明に係る遊技機の台間に配置される台間サンドは、取り付けベースと、取り付けベースの内部の上下に配置され、取り付けベースから引出可能な一対のアームと、一対のアームの間に固定された仕切り板と、前面に縦型の掘り込み状の第１の収納部と、を備えた台間サンドを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（２）さらに、第２の収納部を備えた上記（１）に記載の台間サンドを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（３）第２の収納部が、基体に展開可能に軸支された底部と支え部を有する上記（２）に記載の台間サンドを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キッチンユニット本体の上面に加熱調理機器とシンクが設けられ、かつ前記キッチンユニット本体の背面側の外縁部に食卓用カウンターが設けられた対面式のキッチンユニットであって、
前記キッチンユニット本体を、前記食卓用カウンターを装備し、かつキッチン床に設置される下部構造物と、上面に前記加熱調理機器と前記シンクを装備し、かつ前記下部構造物に対して昇降可能に配置された上部構造物とに分割構成し、
前記上部構造物を支持するように配置された可動部材と前記下部構造物に固定されて前記可動部材を上下移動する上下駆動装置とにより前記上部構造物の上面と前記下部構造物の前記食卓用カウンターの上面とがほぼ同一平面になるように高さ調整できるようにしたことを特徴とするキッチンユニット。
【請求項２】
請求項１に記載のキッチンユニットにおいて、
前記食卓用カウンターを、前記上部構造物の上面より低い位置に設けたことを特徴とするキッチンユニット。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のキッチンユニットにおいて、
前記上部構造物の正面側の外縁部に、前記上部構造物に垂下され、もしくは前記上部構造物の内部に配置された状態から前記上部構造物の上面とほぼ平行な状態となるように移動される補助カウンターを出し入れ自在に設け、
前記可動部材と前記上下駆動装置とにより、補助カウンターが前記上部構造物の上面とほぼ平行にされた状態で前記食卓用カウンターの上面とほぼ同一平面になるように高さ調整できるようにしたことを特徴とするキッチンユニット。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のキッチンユニットにおいて、
前記食卓用カウンターに対応した任意の位置に食卓用の椅子が配置され、前記下部構造物の内部空間に、前記下部構造物の正面側の外方に引き出される引出し式椅子が収納されていることを特徴とするキッチンユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行い表示結果を導出する可変表示手段を備え、予め定められた特定表示結果が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
識別情報の可変表示を開始するときに、前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する開始時決定手段と、
当該識別情報の可変表示により前記特定遊技状態に制御されるか否かを、前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段と、
前記開始前判定手段による判定の対象となった識別情報の可変表示が実行されるより前に、複数種類の演出態様のうちで実行された演出態様に応じて前記特定遊技状態となる可能性を示唆する示唆演出を実行可能な示唆演出実行手段と、
前記示唆演出が実行された後の特定タイミングにて、前記示唆演出実行手段により実行された前記示唆演出の演出態様を示す演出を、前記複数種類の演出態様のうちで前記特定遊技状態となる可能性がより高い演出態様を示す演出に変更する変更演出を実行する変更演出実行手段とを備える、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）上記目的を達成するため、本願の請求項に係る遊技機は、各々を識別可能な複数種類の識別情報（例えば特別図柄や飾り図柄など）の可変表示を行い表示結果を導出する可変表示手段（例えば第１及び第２特別図柄表示装置４Ａ，４Ｂや、画像表示装置５など）を備え、予め定められた特定表示結果（例えば大当り図柄となる確定特別図柄や大当り組合せの確定飾り図柄など）が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば大当り遊技状態など）に制御する遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、識別情報の可変表示を開始するときに、前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する開始時決定手段（例えばステップＳ２４０、Ｓ２４１の処理を実行する遊技制御用マイクロコンピュータ１００のＣＰＵ１０３など）と、当該識別情報の可変表示により前記特定遊技状態に制御されるか否かを、前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段（例えばステップＳ２１２の入賞時乱数値判定処理を実行するＣＰＵ１０３など）と、前記開始前判定手段による判定の対象となった識別情報の可変表示が実行されるより前に、複数種類の演出態様のうちで実行された演出態様に応じて前記特定遊技状態となる可能性を示唆する示唆演出（例えば図柄停止予告、ステップアップ予告など）を実行可能な示唆演出実行手段（例えばステップＳ７２６、Ｓ７２７の処理に基づきステップＳ５４３の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、前記示唆演出が実行された後の特定タイミングにて、前記示唆演出実行手段により実行された前記示唆演出の演出態様を示す演出を、前記複数種類の演出態様のうちで前記特定遊技状態となる可能性がより高い演出態様を示す演出に変更する変更演出（例えば図柄停止予告の昇格やステップアップ予告の昇格となる期待度昇格演出など）を実行する変更演出実行手段（例えばステップＳ５４９の期待度昇格演出処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明では、シャーシの前後ウエスト域であって、そのクロッチ域側では、両側縁部が横方向外側に向かって広がっている使い捨て着用物品を提供することを課題とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施態様のひとつとして、前記ウエスト弾性要素は、前記ウエスト開口に沿って取り付けられるエラストマー弾性糸によって形成される第１ウエスト弾性糸と、前記第１ウエスト弾性糸よりも前記クロッチ域側に位置し弾性シートによって形成されるウエスト弾性シートとを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】本発明の使い捨て着用物品の一例である第１の実施形態にかかる使い捨ておむつの斜視図。
【図２】おむつの一部破断展開図。
【図３】おむつの分解斜視図。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線模式断面図。
【図５】第２の実施形態にかかるおむつの斜視図。
【図６】図５のおむつの一部を示した説明図。
【図７】比較例のおむつの一部破断展開図。
【図８】図７のおむつの分解斜視図。
【図９】（ａ）〜（ｅ）  着用者ａ〜ｅの紅斑指数の測定結果を示したグラフ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流体噴射装置及び手術機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体室と、前記流体室に連通する入口流路及び出口流路と、前記流体室の容積を変更する容積変更手段と、
前記出口流路の前記流体室に対して逆方向端部に設けられる流体噴射開口部と、
前記入口流路に連通し、前記流体室に流体を供給する流体供給部と、が備えられ、
前記流体供給部から供給される流体の平均流速に対して、前記容積変更手段によってパルス化され前記流体噴射開口部から噴射される流体の流体噴射速度が４倍を超えることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項２】
流体が供給され、供給された前記流体をパルス化し、噴射開口部より前記パルス化された流体を生体に噴射する手術機器であって、
前記供給される流体の平均流速に対し、前記噴射開口部から前記パルス化された流体を生体に噴射するときの流体噴射速度が4倍を超える速度であることを特徴とする手術機器。
【請求項３】
流体が脈動発生部に供給され、前記脈動発生部が駆動することにより前記流体が脈流に変換され、脈流に変換された流体を流体噴射部より生体に噴射する手術機器であって、
前記脈動発生部が駆動しないときに、前記脈動発生部に供給される流体の平均流速に対し、前記脈動発生部が駆動し、前記流体噴射発生部より生体に噴射される流体の噴射速度が４倍を超える速度であることを特徴とする手術機器。
【請求項４】
流体が脈動発生部に供給され、前記脈動発生部が駆動することにより前記流体が脈流に変換され、脈流に変換された流体を流体噴射部より生体に噴射する手術機器であって、
前記脈動発生部が駆動しないときに、前記脈動発生部に供給される流体の平均流速に対し、前記脈動発生部が駆動し、前記流体噴射発生部より生体に噴射される流体の噴射速度が４倍を超える速度を噴射可能とし、
前記脈動発生部が駆動しないで記流体噴射発生部より生体に噴射したときは、生体の切除は行われず、
前記脈動発生部が駆動し記流体噴射発生部より生体に噴射したときに、生体の切除を行うことが可能であることを特徴とする手術機器。
【請求項５】
流体を、連続流とパルス流とを流体噴射開口部より生体に噴射可能な手術機器であって、
前記連続流で噴射したときの流速より、前記パルス流で噴射したときの流体噴射速度は４倍を超える速度であって、前記パルス流を噴射しているときに、生体の切除を行うことが可能な手術機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
家具を吊るすための取付け具（１０）であって、
−家具に固定される実質的に平らなプレート（１２）と、
−前記プレートと関連し、且つ、使用中、壁上に固定されたコネクタ（Ｓ）に掛けられるように構成されているフック止め部材（１６）と、
前記フック止め部材（１６）の吊り下げ箇所の下方で、前記固定されたコネクタ（Ｓ）に係合するようになっている、且つ、前記プレート（１２）の平面から遠ざかることができるように取付けられた、調節可能な阻止手段（５０）を有し、それによって、前記フック止め部材が、前記固定されたコネクタに常に拘束されている状態に維持され、
前記調節可能な阻止手段は、前記フック止め部材（１６）の近くに配置されたネジダボ（５０）であり、前記ダボは、前記プレート（１２）の平面からの前記ダボの自由端の距離を調節するためにねじ込むことができ、
調節可能な位置で前記プレート（１２）上を移動可能な、且つ、ネジダボ（５０）を支持するスライド（１４）を有する前記取付け具において、
前記スライドは、前記フック止め部材（１６）を支持する、
ことを特徴とする取付け具。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下可能な遊技領域に設けられる始動口への遊技球の入球を契機に大当たりか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段による判定結果に基づいて、特別図柄を変動表示させる変動時間を決定する変動時間決定手段と、
前記変動時間決定手段により決定された変動時間、特別図柄表示手段に特別図柄を変動表示させた後に前記判定結果を示す図柄態様で停止表示させる特別図柄変動制御手段と、
前記判定手段により大当たりと判定された場合、前記特別図柄変動制御手段により特別図柄が停止表示させられた後に遊技者にとって有利な特別遊技を行う特別遊技実行手段と、
前記特別遊技実行手段により前記特別遊技が行われてから前記判定手段が大当たりと判定する確率が所定の確率となる低確率遊技状態または前記所定の確率よりも高確率となる高確率遊技状態で遊技を制御する確率遊技状態制御手段と、
前記確率遊技状態制御手段により前記低確率遊技状態または前記高確率遊技状態で遊技が制御されているときに、前記特別図柄変動制御手段により所定回数特別図柄が変動表示させられるまで前記始動口に遊技球が入球し易い特定遊技状態で遊技を制御する遊技状態制御手段と、
前記特別図柄変動制御手段により特別図柄の変動表示が行なわれているときに演出表示手段に所定の演出表示を行わせる演出表示制御手段と、を有し、
前記変動時間決定手段は、
前記特別図柄変動制御手段により前記所定回数よりも前に特別図柄の変動表示が行われる通常変動表示ときは、前記判定手段による判定結果に基づいて複数の時間からなる時間テーブルから一の時間を変動時間として決定し、
前記特別図柄変動制御手段により前記所定回数目に特別図柄の変動表示が行われる特定変動表示ときは、前記判定手段による判定結果に基づいて前記時間テーブルから一の時間を決定するとともに、当該一の時間に予め定めた固定時間を加算した特定時間を変動時間として決定し、
前記演出制御手段は、
前記特別図柄変動制御手段により前記特定変動表示が行われているときに、前記確率遊技状態制御手段により前記高確率遊技状態で遊技が制御されている場合には、前記演出表示手段に前記高確率遊技状態で遊技が制御されている旨を報知する報知演出表示を行わせることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】遊技機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態により実現することが可能である。
即ち、第１の形態の遊技機は、遊技球が流下可能な遊技領域に設けられる始動口への遊技球の入球を契機に大当たりか否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果に基づいて、特別図柄を変動表示させる変動時間を決定する変動時間決定手段と、前記変動時間決定手段により決定された変動時間、特別図柄表示手段に特別図柄を変動表示させた後に前記判定結果を示す図柄態様で停止表示させる特別図柄変動制御手段と、前記判定手段により大当たりと判定された場合、前記特別図柄変動制御手段により特別図柄が停止表示させられた後に遊技者にとって有利な特別遊技を行う特別遊技実行手段と、前記特別遊技実行手段により前記特別遊技が行われてから前記判定手段が大当たりと判定する確率が所定の確率となる低確率遊技状態または前記所定の確率よりも高確率となる高確率遊技状態で遊技を制御する確率遊技状態制御手段と、前記確率遊技状態制御手段により前記低確率遊技状態または前記高確率遊技状態で遊技が制御されているときに、前記特別図柄変動制御手段により所定回数特別図柄が変動表示させられるまで前記始動口に遊技球が入球し易い特定遊技状態で遊技を制御する遊技状態制御手段と、前記特別図柄変動制御手段により特別図柄の変動表示が行なわれているときに演出表示手段に所定の演出表示を行わせる演出表示制御手段と、を有し、前記変動時間決定手段は、前記特別図柄変動制御手段により前記所定回数よりも前に特別図柄の変動表示が行われる通常変動表示ときは、前記判定手段による判定結果に基づいて複数の時間からなる時間テーブルから一の時間を変動時間として決定し、前記特別図柄変動制御手段により前記所定回数目に特別図柄の変動表示が行われる特定変動表示ときは、前記判定手段による判定結果に基づいて前記時間テーブルから一の時間を決定するとともに、当該一の時間に予め定めた固定時間を加算した特定時間を変動時間として決定し、前記演出制御手段は、前記特別図柄変動制御手段により前記特定変動表示が行われているときに、前記確率遊技状態制御手段により前記高確率遊技状態で遊技が制御されている場合には、前記演出表示手段に前記高確率遊技状態で遊技が制御されている旨を報知する報知演出表示を行わせることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では、一の時間に予め定めた固定時間を加算した特定時間を変動時間として決定し、この変動時間を利用して演出表示手段に高確率遊技状態で遊技が制御されている旨を報知する報知演出表示を行わせるようにしているので、特定遊技状態中の興趣を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筆記体を軸筒内に収容し、前記軸筒に設けた操作体を操作して前記筆記体を前後方向に移動させ、前記筆記体のペン先を筆記具の先端から出没可能に構成した筆記具であって、
少なくとも一の前記操作体と、前記軸筒の側壁に設けた前後方向に延びるスライド孔と、前記スライド孔に配設した前記操作体を前方へスライド操作することで、前記筆記体のペン先を没入状態から突出状態にする出没機構とを備え、
前記軸筒が互いに連結可能な複数の部品からなり、前記軸筒を構成する二つの前記部品の各側壁に、前方又は後方が開放され且つ前後方向に延びる第１又は第２の長孔をそれぞれ設け、二つの前記部品を連結したときに、前記第１及び第２の長孔が、互いに連通して前記スライド孔を形成することを特徴とする筆記具。
【請求項２】
前記軸筒を構成する二つの前記部品の各側壁を、互いに径方向に重なるように連結し、前記第１及び第２の長孔が、互いに径方向に重なった状態で連通して前記スライド孔を形成する請求項１記載の筆記具。
【請求項３】
前記軸筒の後端を含む部分が前記部品としての後軸からなり、前記後軸に連結される他の前記部品と、前記後軸とを連結したときに、前記第１及び第２の長孔が、互いに連通して前記スライド孔を形成する請求項１又は２記載の筆記具。
【請求項４】
前記操作体がクリップ体である請求項１乃至３の何れか１項に記載の筆記具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中折り冊子の背周辺の表裏を把持する把持手段と、
把持された中折り冊子の背のうち、背に沿った複数個所の各々を押圧部材によって異なるタイミングで押圧することにより当該中折り冊子の背を平坦化させる押圧手段とを備える冊子成形装置において、
前記押圧手段は、冊子の背を長さ方向に複数部分に分けた各々の部分内において、背に沿った複数個所の各々を、該部分の一端から他端に向かって順次押圧平坦化するとともに、
前記複数部分は、平坦化の開始位置が互いに異なっており、平坦化の進行方向が互いに近づく方向である部分の組み合わせを少なくとも１組含むことを特徴とする冊子成形装置。
【請求項２】
前記複数部分は、互いに平坦化の開始タイミングが異なる組み合わせを少なくとも１組含むことを特徴とする請求項１記載の冊子成形装置。
【請求項３】
前記複数部分のうち、互いに隣り合っている部分同士においては、その部分内における背に沿った複数個所の押圧順序が、互いに逆向きであることを特徴とする請求項１または２に記載の冊子成形装置。
【請求項４】
前記複数部分のうち、冊子の背の一端および他端のいずれかを含む部分においては、その部分内における背に沿った複数個所の押圧順序が、一端側または他端側から内側へ向かう方向であることを特徴とする請求項１ないし３いずれかに記載の冊子成形装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の冊子成形装置は、中折り冊子の背周辺の表裏を把持する把持手段と、把持された中折り冊子の背のうち、背に沿った複数個所の各々を押圧部材によって異なるタイミングで押圧することにより当該中折り冊子の背を平坦化させる押圧手段とを備える冊子成形装置において、前記押圧手段は、冊子の背を長さ方向に複数部分に分けた各々の部分内において、背に沿った複数個所の各々を、該部分の一端から他端に向かって順次押圧平坦化するとともに、前記複数部分は、平坦化の開始位置が互いに異なっており、平坦化の進行方向が互いに近づく方向である部分の組み合わせを少なくとも１組含むことを特徴とする冊子成形装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記複数部分は、互いに平坦化の開始タイミングが異なる組み合わせを少なくとも１組含んでいてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記複数部分のうち、互いに隣り合っている部分同士においては、その部分内における背に沿った複数個所の押圧順序が、互いに逆向きであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先軸と後軸との間に介在し、前記先軸に対して着脱可能に嵌合されると共に前記後軸に対しては回転可能に且つ軸方向移動可能に取り付けられ、前記先軸と前記後軸を相対回転可能に連結する中軸を備え、前記中軸内に挿入された複数の筆記軸体を、前記先軸と前記後軸の相対回転によって前記先軸先端から選択的に突出・退没させる複合筆記具において、
前記中軸における前記先軸との嵌合部位には、前記嵌合部位を径方向に二等分する位置で対峙して軸方向に伸びるスリットが設けられると共に、各前記スリットの両側の位置に複数の係止リブが周方向に形成され、前記先軸の内周面には、前記係止リブを係止させる係止溝が周方向に形成され、
前記係止リブは、前記嵌合部位において周方向の各前記スリット間の中間部位から外れた位置に形成されたことを特徴とする複合筆記具。
【請求項２】
前記係止溝は、先軸の内周面に形成された環状内溝からなっていることを特徴とする請求項１記載の複合筆記具。
【請求項３】
前記中軸における前記係止リブの後方の位置には、軸方向に伸びる複数の回り止めリブが周方向に形成され、前記先軸の内周面における前記係止溝の後方の位置には、前記回り止めリブを係止させる複数の回り止め溝が周方向に形成され、前記係止リブと前記係止溝とが係合すると共に前記回り止めリブと前記回り止め溝とが係合することを特徴とする請求項１または２記載の複合筆記具。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、内装体３の横方向ＬＴの両側には、内装体３の両側縁３Ｓに沿って一対の防漏部材７が設けられる。防漏部材７の横方向ＬＮの自由縁ないし外縁７ＳＯは縦方向ＬＴに延びる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述したように、内装体３は連結シート６に重ねられ、固定される。この場合、内装体３は縦方向ＬＮに連結シート６を越えて延び、前身頃４及び後身頃５にも固定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３及び図４に示されるように、内装体３は、液透過性のトップシート３Ｔと、液不透過性のバックシート３Ｂと、これらトップシート３Ｔ及びバックシート３Ｂ間に配置された吸収体３Ａとを備えている。また、吸収体３Ａは、吸収体コア３ＡＣと、吸収体コア３ＡＣを包むラップシート３ＡＷとを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図４に示されるように、各防漏部材７は、外装体２又は内装体３に固定された固定縁ないし内縁７ＳＩと、外装体２又は内装体３に固定されていない自由縁ないし外縁７ＳＯとを有する。また、各防漏部材７は液不透過性シート７ＳＨ及び弾性部材７Ｇを含み、液不透過性シート７ＳＨは防漏不織布７ＳＨＮ及び防漏フィルム７ＳＨＦを含む。各防漏部材７の外縁７ＳＯでは、防漏不織布７ＳＨＮが折り重ねられて防漏フィルム７ＳＨＦの外縁に重ねられておリ、折り重ねられた防漏不織布７ＳＨＮ同士間に弾性部材７Ｇが固定される。なお、防漏フィルム７ＳＨＦの外縁は防漏部材７の外縁７ＳＯに達していない。一方、各防漏部材７の内縁７ＳＩでは、防漏不織布７ＳＨＮ及び防漏フィルム７ＳＨＦの縁が互いにほぼ整列される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
具体的には、前身頃４及び後身頃５のトップシート４Ｔ，５Ｔ及びバックシート４Ｂ，５Ｂは、弾性部材４ＷＧ，４ＦＧ，５ＷＧ，５ＦＧにあらかじめ適用したＨＭＡによって互いに連結される。また、弾性部材４ＷＧ，４ＦＧ，５ＷＧ，５ＦＧが疎の箇所、すなわち例えば弾性部材同士の間隔が１０ｍｍ以上ある箇所ではスパイラル、コントロールシームといった塗工方法によってトップシート４Ｔ，５Ｔ及びバックシート４Ｂ，５ＢにＨＭＡが適用される。更に、剥離防止のために下縁４Ｌ，５Ｌ周りにおいてもトップシート４Ｔ，５Ｔ及びバックシート４Ｂ，５ＢにＨＭＡが適用される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
レッグホール１Ｌを画定する縁１ＬＥは、前身頃４の下縁４Ｌの側方部分４ＬＳと、後身頃５の下縁５Ｌの側方部分５ＬＳと、連結シート６の両縁６Ｓとから構成される。この場合、縁１ＬＥは１回の切断作用によって形成され、滑らかに繋がって湾曲している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
これら弾性部材４ＬＧ，５ＬＧは図１２に示されるように間欠的であってもよいし、連続的であってもよい。しかしながら、前身頃４の弾性部材４ＬＧを間欠的に設けると、すなわち、弾性部材４ＬＧが内装体３又は連結シート６と重なっていないと、腹側において内装体３の幅が狭くなるのが抑制される。したがって、特に装着者が男性の場合に好ましい。一方、弾性部材４ＬＧを連続的に設ける場合には、弾性部材４ＬＧを女性の排泄口に隣接して設けると、内装体３の密着性が高められる。あるいは、男性性器の下方を通過するように弾性部材４ＬＧを設けると、おむつ１内に空間を形成することができ、したがって男性装着者の装着感が高められる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
第５実施例では、前身頃４に弾性部材４ＬＧが設けられ、後身頃５には弾性部材５ＬＧが設けられない。弾性部材４ＬＧは間欠的であっても連続的であってもよい。