【手続補正書】
【提出日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに位置合わせされて重ね合わされ、それぞれに素子が形成された少なくとも二つの半導体基板を有する積層体を搬送する搬送装置であって、
前記積層体を搭載する複数の搭載部と、
前記積層体の温度を測定する測温部と、
を備え、
前記複数の搭載部のうち、前記積層体の温度に応じて、前記積層体を搭載する搭載部を選択する制御部を備えることを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記測温部は、前記複数の搭載部のそれぞれの温度を測定し、
前記制御部は、前記温度と前記積層体の温度との差に応じて、前記搭載部を選択する請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記温度と前記積層体の温度との差が小さい前記搭載部を選択する請求項２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の搭載部のうち前記測温部による測定結果が等しい前記搭載部が複数あった場合、前記半導体基板に対する距離が近いことを条件にして、前記複数の搭載部から使用すべき前記搭載部を選択する請求項２または３に記載の搬送装置。
【請求項５】
前記測温部は、前記搭載部に配された熱電対を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項６】
前記測温部は、前記搭載部の温度を非接触で測定する請求項１から４のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項７】
前記測温部は、放射温度計を含む請求項６に記載の搬送装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記搭載部に搭載される前に前記半導体基板に対して処理された内容に基づいて、前記基板の温度を予測する請求項１から７のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記測温部を用いて、前記搭載部に搭載される前記積層体の温度を測定する請求項１から８のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項１０】
互いに位置合わせされて重ね合され、それぞれに素子が形成された少なくとも二つの半導体基板を有する積層体を搬送する搬送装置であって、
前記積層体を搭載する複数の搭載部と、
前記複数の搭載部の温度を測定する測温部と、
を備え、
前記複数の搭載部のうち、前記測温部により測定された前記温度に応じて、前記積層体を搭載する搭載部を選択する制御部を備えることを特徴とする搬送装置。
【請求項１１】
前記半導体基板と他の半導体基板とを互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部と、
互いに重ね合された前記半導体基板および前記他の半導体基板を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置により搬送された前記半導体基板および前記他の半導体基板を互いに接合する接合部と、
を備え、
前記搬送装置は、請求項１から１０のいずれか一項に記載の搬送装置である基板接合装置。
【請求項１２】
前記接合部は、
真空環境に配され、前記半導体基板および前記他の半導体基板を加熱する加熱装置と、
前記真空環境を大気環境と結合し、加熱された前記半導体基板および前記他の半導体基板、および、加熱される前の前記半導体基板および前記他の半導体基板がそれぞれ配置されるロードロックと、を有し、
前記搬送装置は、前記加熱装置と前記ロードロックとの間で前記半導体基板および前記他の半導体基板を搬送する請求項１１に記載の基板接合装置。
【請求項１３】
前記接合部は、前記加熱装置により加熱された前記半導体基板および前記他の半導体基板を冷却する冷却装置を有し、
前記搬送装置は、前記加熱装置、前記冷却装置、および、前記ロードロックの間で前記半導体基板および前記他の半導体基板を搬送する請求項１２に記載の基板接合装置。
【請求項１４】
互いに位置合わせされて重ね合されてそれぞれに素子が形成された少なくとも二つの半導体基板を有する積層体を保持する基板保持部材を搬送する搬送装置であって、
前記積層体および前記基板保持部材を搭載する複数の搭載部と、
前記積層体または前記基板保持部材の温度を測定する測温部と、
を備え、
前記複数の搭載部のうち、前記測温部により測定された前記温度に応じて、前記基板保持部材を搭載する搭載部を選択する制御部を備えることを特徴とする搬送装置。
【請求項１５】
前記測温部は、前記複数の搭載部のそれぞれの温度を測定し、
前記制御部は、前記複数の搭載部のうち、前記温度と前記積層体または前記基板保持部材の温度との差に応じて、前記搭載部を選択する請求項１４に記載の搬送装置。
【請求項１６】
前記測温部は、前記複数の搭載部のそれぞれの温度を測定し、
前記制御部は、前記複数の搭載部のうち、前記温度と前記積層体または前記基板保持部材の温度との差が小さい前記搭載部を選択する請求項１５に記載の搬送装置。
【請求項１７】
前記制御部は、前記複数の搭載部のうち前記測温部による測定結果が等しい前記搭載部が複数あった場合、前記基板保持部材に対する距離が近いことを条件にして、前記複数の搭載部から使用すべき前記搭載部を選択する請求項１５または１６に記載の搬送装置。
【請求項１８】
前記測温部は、前記搭載部に配された熱電対を含む請求項１５から１７のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項１９】
前記測温部は、前記搭載部の温度を非接触で測定する請求項１５から１７のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項２０】
前記測温部は、放射温度計を含む請求項１９に記載の搬送装置。
【請求項２１】
前記制御部は、前記搭載部に搭載される前に前記半導体基板に対して処理された内容に基づいて、前記基板保持部材の温度を予測する請求項１５から２０のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項２２】
前記制御部は、前記測温部を用いて、前記搭載部に搭載される前記基板保持部材の温度を測定する請求項１５から２１のいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項２３】
素子が形成された半導体基板を保持する基板保持部材を搬送する搬送装置であって、
前記半導体基板が保持された基板保持部材を搭載する複数の搭載部と、
前記複数の搭載部の温度を測定する測温部と、
前記複数の搭載部のうち、前記測温部により測定された前記温度に応じて、前記基板保持部を搭載する搭載部を選択する制御部を備えることを特徴とする搬送装置。
【請求項２４】
前記基板保持部材に保持された前記半導体基板と他の半導体基板とを互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部と、
互いに重ね合された前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材に保持した状態で搬送する搬送装置と、
前記搬送装置により搬送された前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材により保持された状態で互いに接合する接合部と、
を備え、
前記搬送装置は、請求項１５から２３のいずれか一項に記載の搬送装置である基板接合装置。
【請求項２５】
前記接合部は、
真空環境に配され、前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材に保持した状態で加熱する加熱装置と、
前記真空環境を大気環境と結合し、加熱された前記半導体基板および前記他の半導体基板、および、加熱される前の前記半導体基板および前記他の半導体基板がそれぞれ配置されるロードロックと、を有し、
前記搬送装置は、前記加熱装置と前記ロードロックとの間で前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材に保持した状態で搬送する請求項２４に記載の基板接合装置。
【請求項２６】
前記接合部は、前記加熱装置により加熱された前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材に保持した状態で冷却する冷却装置を有し、
前記搬送装置は、前記加熱装置、前記冷却装置、および、前記ロードロックの間で前記半導体基板および前記他の半導体基板を前記基板保持部材に保持した状態で搬送する請求項２５に記載の基板接合装置。