Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元医用画像データから作成された複数の断面画像表示が可能な画像表示装置であって、
表示された画像上の第１の注目位置と第２の注目位置との間の位置関係に基いて、複数の断面画像の表示状態を決定する決定手段と、
前記決定手段によって決定された表示状態に基いて、前記第１の注目位置から前記第２の注目位置に近づく方向に、各断面画像を並行して切り替え表示する表示手段を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記決定手段は表示切り替えパラメータを用いて前記表示状態を決定し、前記表示切り替えパラメータは、切り替え表示する断面画像の間隔、または断面画像の表示切り替え速度の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記表示手段による各断面画像の切り替え表示が、すべての断面画像で同時に終了する様に、前記表示状態を決定することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
所定の方法で決定された１つ以上の経由位置（Ｒ１〜Ｒｎ、ｎ≧１）を順番に経由する様に表示切り替え制御を行う制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記表示手段は、断面画像ごとに異なる画像表示を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記表示状態は、前記断面画像の間の間隔および前記断面画像の表示切り替え速度の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記表示状態は、前記第１の注目位置と前記第２の注目位置との間の距離に応じて切り替わることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記断面画像の間隔は、前記第１の注目位置と前記第２の注目位置との間の距離に応じて設定されることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記断面画像の間隔は、前記第１の注目位置と前記第２の注目位置との間の距離が大きいほど大きく設定されることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記断面画像の表示切り替え速度は、前記第１の注目位置と前記第２の注目位置との間の距離に比例して設定されることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記断面画像の表示切り替え速度は、前記第１の注目位置と前記第２の注目位置との間の距離が大きいほど大きく設定されることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
３次元医用画像データから作成された複数の断面画像表示が可能な画像表示方法であって、
表示された画像上の第１の注目位置と第２の注目位置との間の位置関係に基いて、複数の断面画像の表示状態を決定する工程と、
前記決定された表示状態に基いて、各断面画像を並行して切り替え表示する工程を有することを特徴とする画像表示方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画像表示方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
３次元画像上で第１及び第２の位置を選択する選択手段と、
前記３次元画像に含まれ且つ前記第１及び第２の位置との間に含まれる複数の軸ごとに形成された複数の断層画像を該複数の軸ごとに該第１の位置から該第２の位置に向かって連続して表示手段に表示させる表示制御手段と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１５】
前記表示手段への連続表示を中止する信号を入力する入力手段を有し、
前記表示制御手段が、前記入力手段により信号が入力された際に前記連続表示されていた複数の断層画像を前記複数の軸ごとに前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月31日(2013.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板を波状に折り曲げることにより山頂側及び谷底側に形成される稜線部と、
山頂側の前記稜線部から谷底側の前記稜線部までの間に位置する波面部と、
一対の切れ込みを前記稜線部に交差させるように前記波面部に設けることにより前記一対の切れ込みの間に位置する帯部分を前記稜線部に対して反らせることにより形成されるタブと、
前記タブの形成により前記一対の切れ込みの間に形成されるスリットと、
を有する複数枚の波面材が、垂直方向で隣接する前記稜線部が互いに交差するように積層される
ことを特徴とする気液接触装置用規則充填物。
【請求項２】
前記スリットを平らに伸ばした状態での長さは、前記山頂側又は前記谷底側において隣り合う前記稜線部の間隔を平らに伸ばした状態での長さの５０％以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の気液接触装置用規則充填物。
【請求項３】
前記稜線部の高さに対する前記山頂側間又は前記谷底側間の稜線部の間隔（Ｐ／Ｈ）が、３．５以上である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の気液接触装置用規則充填物。
【請求項４】
前記波面部の傾斜角度は、３５°〜６０°であり、
前記スリットの傾斜角度は、０°〜５°である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の気液接触装置用規則充填物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】気液接触装置用規則充填物
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
リチウムイオン二次電池等に代表される円筒形二次電池は、円筒形の電池容器内に、正極板と負極板とがセパレータを介して軸芯の周囲に捲回された発電要素が収容され、電解液が注入されて構成される。
電池容器は、上部に開口部を有する筒状の電池缶と、この電池缶の上部開口部を塞ぎ、ガスケットといわれる絶縁部材を介して電池缶にかしめにより固定される蓋部材とを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
前記表示部に重ねて配置されている、検出面上における物体の位置を検出する前面タッチセンサと、
前記前面タッチセンサに対向して配置される、検出面上における物体の位置を検出する背面タッチセンサと、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記背面タッチセンサによる少なくとも１つの検出位置に基づいて、それぞれ前記表示部の一部を占める左右に配置された２つの領域のうちの一方を禁止領域として特定し、
前記前面タッチセンサにおける物体の位置の検出に応じて、前記前面タッチセンサにおける物体の検出位置に対応付けられる前記表示部上の位置に表示される表示対象となる情報を、前記表示部内の前記禁止領域外の領域に表示させる、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記表示部の短手方向が鉛直方向に沿った方向であるか、前記表示部の長手方向が鉛直方向に沿った方向であるか、によって、前記背面タッチセンサによる検出位置と、前記２つの領域のうちから特定される前記禁止領域と、の対応関係が逆転する、
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御部が、前記背面タッチセンサによる１の検出位置が、前記前面タッチセンサの左半分に対向する前記背面タッチセンサ内の領域内に存在するか、前記前面タッチセンサの右半分に対向する前記背面タッチセンサ内の領域内に存在するか、に基づいて前記２つの領域のうちの一方を前記禁止領域として特定する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記背面タッチセンサによる１の検出位置が前記前面タッチセンサの左半分に対向する前記背面タッチセンサ内の領域内に存在する場合に前記２つの領域のうちの左側の領域を前記禁止領域として特定し、そうでない場合に前記２つの領域のうちの右側の領域を前記禁止領域として特定する、
ことを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示部の方向を検出する方向検出部、をさらに備え、
前記制御部は、
前記方向検出部による検出結果に基づいて、前記表示部の長手方向が鉛直方向に沿った方向であるか、前記表示部の短手方向が鉛直方向に沿った方向であるか、を判定し、
前記表示部の短手方向が鉛直方向に沿った方向であると判定される際には、前記背面タッチセンサによる１の検出位置が前記前面タッチセンサの左半分に対向する前記背面タッチセンサ内の領域内に存在する場合に前記２つの領域のうちの左側の領域を前記禁止領域として特定し、そうでない場合に前記２つの領域のうちの右側の領域を前記禁止領域として特定し、
前記表示部の長手方向が鉛直方向に沿った方向であると判定される際には、前記背面タッチセンサによる１の検出位置が前記前面タッチセンサの左半分に対向する前記背面タッチセンサ内の領域内に存在する場合に前記２つの領域のうちの右側の領域を前記禁止領域として特定し、そうでない場合に前記２つの領域のうちの左側の領域を前記禁止領域として特定する、
ことを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記前面タッチセンサによる検出位置に基づいて、前記２つの領域の位置を決定する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記前面タッチセンサによる検出位置の左下に位置する前記表示部内の領域を、前記２つの領域のうちの左側の領域として決定し、前記前面タッチセンサによる検出位置の右下に位置する前記表示部内の領域を前記２つの領域のうちの右側の領域として決定する、
ことを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、表示対象となる情報が複数存在し、当該複数の情報が順序付けられている場合に、前記表示部内の前記禁止領域外の領域を分割した複数の順序付けられた領域内に、前記順序付けられた複数の情報を、情報の順序と領域の順序とが対応するよう分割された各領域に表示させる、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
表示部と、前記表示部に重ねて配置されている、検出面上における物体の位置を検出する前面タッチセンサと、前記前面タッチセンサに対向して配置される、検出面上における物体の位置を検出する背面タッチセンサと、を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記背面タッチセンサによる少なくとも１つの検出位置に基づいて、それぞれ前記表示部の一部を占める左右に配置された２つの領域のうちの一方を禁止領域として特定し、
前記前面タッチセンサにおける物体の位置の検出に応じて、前記前面タッチセンサにおける物体の検出位置に対応付けられる前記表示部上の位置に表示される表示対象となる情報を、前記表示部内の前記禁止領域外の領域に表示させる、
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
表示部と、前記表示部に重ねて配置されている、検出面上における物体の位置を検出する前面タッチセンサと、前記前面タッチセンサに対向して配置される、検出面上における物体の位置を検出する背面タッチセンサと、を備える情報処理装置に、
それぞれ前記表示部の一部を占める、左右に配置された２つの禁止領域のうちの一方を、前記背面タッチセンサによる少なくとも１つの検出位置に基づいて特定する手順と、
前記前面タッチセンサにおける物体の位置の検出に応じて、前記前面タッチセンサにおける物体の検出位置に対応付けられる前記表示部上の位置に表示される表示対象となる情報を、前記表示部内の特定された禁止領域外である領域に表示させる手順と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
表示部と、前記表示部に重ねて配置されている、検出面上における物体の位置を検出する前面タッチセンサと、前記前面タッチセンサに対向して配置される、検出面上における物体の位置を検出する背面タッチセンサと、を備える情報処理装置に、
それぞれ前記表示部の一部を占める、左右に配置された２つの禁止領域のうちの一方を、前記背面タッチセンサによる少なくとも１つの検出位置に基づいて特定する手順と、
前記前面タッチセンサにおける物体の位置の検出に応じて、前記前面タッチセンサにおける物体の検出位置に対応付けられる前記表示部上の位置に表示される表示対象となる情報を、前記表示部内の特定された禁止領域外である領域に表示させる手順と、
を実行させることを特徴とするプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画像を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段によって記憶された画像情報から領域を抽出する抽出手段と、
抽出された領域を予め定めた規則に基づいて選択する選択手段と、
選択された領域内の画素の輝度値を測定する測定手段と、
測定された画素値から、前記画像情報におけるかぶりの度合いを示す関数を推定する推定手段と、
推定された関数に基づいて、前記画像情報からかぶりを除去する除去手段
を具備する画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
放射能の微粒子を捕集するために空気入口と空気出口を備えたケーシングの、ファンで空気を通過させて、空気中に散在する微粒子を高電圧の印加でイオン化する、イオン化部、電気捕集部と放射線強さ検出する放射線検出器を備えた放射能測定器付微粒子補集装置が公開されている。
［先行技術文献］
【特許文献１】公開特許公報 平３−２５８５公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
金属イオンは微生物の細胞質膜、細胞壁の表面に付着、細胞質の電子伝達系とイオ伝導が影響をうけ腐食における局部電池機構と類似の機構、すき間腐食の反応が進行し滅菌するため、電極と電解液の界面で電気二重層の電気化学系反応で、放電による水の電気分解、電池反応、電着、めっきを起こす反応エネルギーは電気エネルギーに変換され、金属イオンの生成を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
実際の装置においては、イオントラップ３内でイオンがイオントラップ３の中心から大きく外れてリング電極３１やエンドキャップ電極３２、３４に近付き過ぎると、イオンの軌道は不安定になって電極３１、３２、３４に接触したりイオン入射孔３３やイオン出射孔３５を通して排出されてしまったりして消散する可能性が高い。本願発明者の検討によれば、リング電極３１の内接半径の２／３及びエンドキャップ電極３２、３４のイオントラップ３中心からの距離の２／３で囲まれる範囲を逸脱するような軌道を描くイオンは散逸する確率が高くなることから、ここでは、イオンが該範囲を逸脱しないような軌道を描くようにすることを捕捉の目標とする。図３〜図６の結果について該目標を達し得るような位相の範囲は９０°及び２７０°を中心としておおよそ±４０°の範囲である。即ち、５０°〜１３０°、及び、２３０°〜３１０°が矩形波状高周波電圧の印加開始時の位相として適切な範囲であると言える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストコンピュータと、利用者が使用するクライアントコンピュータとが接続された電子取引システムにおいて、クライアントコンピュータのグラフィカルユーザインターフェスに複数の商品に関する情報を再配置して表示する表示方法であって、
ホストコンピュータから送られて来る商品についての市場情報であって、現時点での商品の少なくともビッド価格とアスク価格を含む市場情報を、クライアントコンピュータで受けるステップ、
クライアントコンピュータにおいて、プロセッサ処理により、一方向に並べた複数の価格レベルと、該複数の価格レベルに対応する複数の位置とを含む、商品の価格軸を表示するステップ、
クライアントコンピュータにおいて、価格軸の第１の価格レベルと対応した位置に、電子取引所に第１の価格レベルでエンターした少なくとも一つの注文と関連付けされた運用注文インジケータを表示するステップ、
ここで運用注文インジケータは、少なくとも一つの注文の現在の状況である、
電子取引所に対し少なくとも一つの注文が実行され、売買された商品の量、および
電子取引所に対し少なくとも一つの注文が実行待ちの状態にある商品の量、
の少なくとも一方を表し、
ここで、更に、運用注文インジケータは、市場情報に基づき更新され、
コマンド信号を受け、運用注文インジケータが価格軸の第２の価格レベルに再配置されるステップ、
を含む、表示方法。
【請求項２】
前記コマンド信号を受けると、運用注文インジケータが価格軸の第２の価格レベルに移動する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項３】
更に、前記コマンド信号を受けると、電子取引所に対し少なくとも一つの注文が実行待ちの状態にある商品の量を削除する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項４】
更に、第２の価格レベルに対し、少なくとも一つの新たな注文を提出する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つの新たな注文は、電子取引所に対し少なくとも一つの注文が実行待ちの状態にある商品の量に相当する注文である、請求項４に記載の表示方法。
【請求項６】
更に、運用注文インジケータを表示するため、価格軸の複数の価格レベルとそれぞれ対応する複数のエンター注文位置で構成されるエンター注文領域を表示する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項７】
前記運用注文インジケータは、少なくとも一つの数字で構成される、請求項１に記載の表示方法。
【請求項８】
更に、前記コマンド信号を受けると、第１の価格レベルにおける複数の注文を削除し、削除した複数の注文における量に相当する、第２の価格レベルにおいて少なくとも一つの新たな注文を提供する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項９】
前記コマンド信号は、運用注文インジケータに関連付けてなされるカーソル操作である、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１０】
前記コマンド信号は、運用注文インジケータに関連付けてなされるマウスのボタン操作で生成され、マウスのボタンが押されている状態で運用注文インジケータを第２の価格レベルに移動し、運用注文インジケータが第２の価格レベルに達した時に、マウスのボタンを開放する操作を含む、請求項９に記載の表示方法。
【請求項１１】
前記コマンド信号は、運用注文インジケータの上でマウスをクリックダウンし、運用注文インジケータを第２の価格レベルにまで移動する、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１２】
更に、第１価格レベルの少なくとも一つの注文を削除し、第２価格レベルに対し新たな注文をエンターするメッセージを電子取引所に送るステップを含む、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１３】
更に、第１価格レベルの少なくとも一つの注文を除去し、第１価格レベルの少なくとも一つの注文を、第２価格レベルに対し新たにエンターした注文に置き換えるメッセージを電子取引所に送るステップを含む、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１４】
複数の価格レベルは一つの連結価格レベルに連結されている、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの注文における運用中の量は、第２価格レベルと対応する複数の価格レベルに振り分けられる、請求項１４に記載の表示方法。
【請求項１６】
更に、少なくとも一つの注文において、部分的な売買が満たされたら、その注文を第１の価格レベルから第２の価格レベルに移動されることを阻止するステップ
を含む、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１７】
更に、前記コマンド信号を受けている際に、少なくとも一つの注文において、部分的な売買が満たされているステップ、
部分的に満たされた売買に基づく量を電子取引所に提供するステップ
を含む、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１８】
更に、複数の価格レベルに対応する複数の注文入力をする位置を有する注文入力領域を表示するステップ、
ここでそれぞれの注文入力位置はユーザにより選択されることにより、選択された注文入力位置に対応する価格レベルにおける注文を電子取引所に入力する注文メッセージを送信する、
を含む、請求項１に記載の表示方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法を実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法をコンピュータで実行させるためのプログラム。
【請求項２１】
図３に示した表示画面を表示する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月16日(2013.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（式中R1、R3はそれぞれ独立して、-OR4、-SR5、-NR6R7基からなる群から選ばれる1価の
基を表す。R4,R5はハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基を表し、R6,R7はハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基もしくは水素原子を表す。式中R2は-OR8O-、-SR9S-、-NR10-R11-NR12-基からなる群から選ばれる２価の基を表す。R8、R9 、R11は、ヘテロ原
子またはハロゲン原子を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、R10,R12はハロゲン
原子を有していてもよい炭化水素基もしくは水素原子を表す。）
化合物（Ａ）を非水電解液全体に対して0.001質量％以上、10質量％以下の割合で含有
する（請求項４）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の非水電解液を用いることで、充電状態での高温保存時におけるガス発生を抑制し、かつ繰り返し充放電を行ったときの容量低下を抑制する効果に優れた非水電解液電池を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
更に、ＬｉＰＦ6とＬｉＢＦ4とを併用する場合、電解質全体に対してＬｉＢＦ4が通常
０．０１質量％以上、５０質量％以下の比率で含有されていることが好ましい。上記比率は、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、特に好ましくは５質量％以下、最も好ましくは３質量％以下である。比率が上記範囲内にあると所望の効果をより得やすくなりＬｉＢＦ４の解離度が低くなりすぎず、非水電解液の高抵抗化を抑えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
一方、ＬｉＰＦ6、ＬｉＢＦ4等の無機リチウム塩と、ＬｉＣＦ3ＳＯ3、ＬｉＮ（ＣＦ3
ＳＯ2）2、ＬｉＮ（Ｃ2Ｆ5ＳＯ2）2等の含フッ素有機リチウム塩とを併用する場合、電解質全体に占める無機リチウム塩の割合は、通常７０質量％以上、９９質量％以下の範囲であることが望ましい。
本発明の非水電解液中におけるリチウム塩の濃度は、本発明の要旨を損なわない限り任意であるが、通常０．５ｍｏｌ／Ｌ以上、好ましくは０．６ｍｏｌ／Ｌ以上、より好ましくは０．８ｍｏｌ／Ｌ以上、更に好ましくは１．０ｍｏｌ／Ｌ以上で、特に好ましくは１．１ｍｏｌ／Ｌ以上、最も好ましくは、１．２ｍｏｌ／Ｌ以上である。また、通常３ｍｏｌ／Ｌ以下、好ましくは２ｍｏｌ／Ｌ以下、より好ましくは１．８ｍｏｌ／Ｌ以下、更に好ましくは１．６ｍｏｌ／Ｌ以下の範囲である。この濃度が上記範囲内にあると、非水電解液の粘度が高くなりすぎず、また高い電気導電率を提供することができるため、本発明の非水電解液を用いた非水電解液電池の性能をより向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
その他の添加剤Ａ、Ｂ及びＣは以下の化合物を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
本発明の化合物を含まない電解液を使用した比較例１に対し、本発明の化合物を含む電解液を使用した実施例１ないし３では、放電容量維持率が向上した。また、本発明の化合物を含まない電解液を使用した比較例２に対し、本発明の化合物を含む電解液を使用した実施例４ないし６では、放電容量維持率が向上した。このことから、溶媒を変更した場合や、その他の添加剤を加えた場合でも効果があると言える。また、比較例３では一般式（１）で示される２価の基を分子内に１つ有する化合物（C）、シュウ酸ジエチルは添加剤
を含まない比較例２に比べて放電容量維持率が低下した。これらのことから、一般式（１）で示される２価の基を分子内に２以上有する本発明の化合物は、充放電を繰り返したときの容量低下を抑制する効果があるといえる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【数３】
2012150149.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ステップＳ２４において、マスター装置１ａ及びスレーブ装置１ｂ〜１ｄは、この式（５）に、ステップＳ６にて読み出された目標輝度値ＹＲＴ、ＹＧＴ、ＹＢＴと、ステップＳ２４前において算出した各ＲＧＢの３刺激値ＸＲ０ｎ、ＺＲ０ｎ、ＸＧ０ｎ、ＺＧ０ｎ、ＸＢ０ｎ、ＺＢ０ｎ（ｎ＝１〜４）と、ステップＳ２４前において算出した目標となる各ＲＧＢの３刺激値ＸＲＴ、ＺＲＴ、ＸＧＴ、ＺＧＴ、ＸＢＴ、ＺＢＴとを代入する。そして、マスター装置１ａ及びスレーブ装置１ｂ〜１ｄは、当該代入して得られた式から、補正係数ＲＲｎ、ＲＧｎ、ＲＢｎ、ＧＲｎ、ＧＧｎ、ＧＢｎ、ＢＲｎ、ＢＧｎ、ＢＢｎ（ｎ＝１〜４）を算出する。つまり、マスター装置１ａ及びスレーブ装置１ｂ〜１ｄは、上述の目標色度値に基づいて、自身に入力される映像信号のレベルを補正する補正係数を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特許文献２には、液晶駆動制御装置としての半導体集積回路においてサブ液晶表示制御装置に対するパラレルインタフェース制御のためのインタフェース制御信号の出力端子数増大を抑制するための技術が記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
プロセッサ１０は、特に制限されないが、公知の半導体製造技術により、例えば単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。このプロセッサ１０には、クロックレーンＣＬ、及びデータレーンＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を介してメインＬＣＤ１２が結合され、クロックレーンＣＬ及びデータレーンＬ０を介してサブＬＣＤ１３が結合されている。クロックレーンＣＬ及びデータレーンＬ０は、メインＬＣＤ１２とサブＬＣＤ１３とで共有される。メインＬＣＤ１２は、バーチャルチャネルにおけるＩＤ＝０とされ、サブＬＣＤは、バーチャルチャネルにおけるＩＤ＝１とされる。ここで、クロックレーンＣＬ、及びデータレーンＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、それぞれ２線式の差動シリアル通信路とされる。クロックレーンＣＬを介して通信用クロック信号の伝達が行われる。データレーンＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を介してデータの伝達が行われる。また、プロセッサ１０には、ＳＤＲＡＭ１１が結合されており、プロセッサ１０によって処理・生成された画像データが格納されている。ＳＤＲＡＭ１１内の画像データはプロセッサ１０によって読出され、それがメインＬＣＤ１２やサブＬＣＤ１３に表示されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記送信回路２２は、送信データ生成部２２１、ダミーデータ生成部２２２、クロック制御部２２３、レーン振り分け部２２４、及び物理層２２５を含む。送信データ生成部２２１は、ＳＤＲＡＭ１１から伝達されたデータに基づいて所定構造の送信データを形成する。ダミーデータ生成部２２２は、後述するＮＵＬＬパケットにおけるダミーデータを生成する。クロック制御部２２３は、クロックレーンＣＬを介して送信されるクロック信号の周波数等を制御する。レーン振り分け部２２４は、上記送信データ生成部２２１で生成された送信データや、上記ダミーデータ生成部２２２で生成されたダミーデータを、データレーンＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に振り分ける。このデータの振り分けはバイト単位で行われ、レーン番号の最も小さなデータレーン（本例ではＬ０）から昇順に行われる。レーン番号の最も大きなデータレーン（ここではＬ３）にデータが割り振られた時点で、未だデータが残っている場合には、再びレーン番号の最も小さなデータレーン（ここではＬ０）から昇順にデータが割り振られる。尚、このデータの振り分けは、レーン番号の最も大きなデータレーン（本例ではＬ３）で終了するようにパケットのデータ長が調整される。上記クロック制御部２２３で制御されたクロック信号や、上記レーン振り分け部２２４で振り分けられた送信データは、物理層２２５を介して、それぞれ対応するレーンに出力される。このとき、物理層２２５では、クロックレーンＣＬ及びデータレーンＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に出力される差動信号における電圧レベルの調整などが行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ショートパケットは、図３の（Ｃ）に示されるように、４バイト構成のパケットヘッダを含む。このパケットヘッダは、それぞれ１バイト構成の「Ｄａｔａ  ＩＤ」、「Ｄａｔａ０」、「Ｄａｔａ１」、「ＥＣＣ」を含む。「Ｄａｔａ  ＩＤ」は、１バイト構成とされ、図３の（Ｂ）に示されるように、バーチャルチャネル識別子（ＶＣ）と、データタイプ（ＤＴ）とを含む。「Ｄａｔａ０」、「Ｄａｔａ１」は２バイト構成のデータ部である。「ＥＣＣ」は、１バイト構成の誤り訂正符号とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
サブＬＣＤ１３から見た場合、データレーンＬ０，Ｌ１を介して伝達される実データパケットの前にはＮｕｌｌパケットが配置されている。実データパケットは、データタイプ（ＤＴ）が「７Ｅ」とされる。パケットデータ部１６２の大きさは、「Ｗｏｒｄ  Ｃｏｕｎｔ」で示される。ここでは、「Ｗｏｒｄ  Ｃｏｕｎｔ」が「６０，００」（９６）とされる。「ＹＹ」はＥＣＣ又はＣＲＣにより算出された値とされる。実データパケットの前に配置されたＮｕｌｌパケットパケットデータ部の大きさは、「Ｗｏｒｄ  Ｃｏｕｎｔ」で示される。ここでは、「Ｗｏｒｄ  Ｃｏｕｎｔ」が「０２，００」とされ、ハッチングが付されているパケットデータ部１６３は、サブＬＣＤ１３において無視される。サブＬＣＤ１３では、実データパケットにおけるパケットデータ部１６２に基づいて画像表示が行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
１  データ処理装置
１０  プロセッサ
１１  ＳＤＲＡＭ
１２  メインＬＣＤ
１３  サブＬＣＤ
２０  ＣＰＵ
２１  ＭＩＰＩ−ＤＳＩ
２２  送信回路
２３  設定レジスタ
２４  送信制御回路
２２１  送信データ生成部
２２２  ダミーデータ生成部
２２３  クロック制御部
２２４  レーン振り分け部
２２５  物理層
ＣＬ  クロックレーン
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３  データレーン
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され且つ前記第２のトランジスタと電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上方の絶縁膜と、
前記第１の導電膜上方の発光層と、
前記絶縁膜上方及び前記発光層上方の第２の導電膜と、を有し、
前記絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の領域において第１の膜厚を有し、
前記絶縁膜は、前記第２の領域において第２の膜厚を有し、
前記第１の膜厚は、前記第２の膜厚よりも薄い膜厚を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され且つ前記第２のトランジスタと電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第２の絶縁膜と、
前記前記第１の導電膜上方の発光層と、
前記第１の絶縁膜上方、前記第２の絶縁膜上方及び前記発光層上方の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の領域において前記第２の絶縁膜と重なっており、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の領域において前記第２の絶縁膜と重なっていないことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の表示装置と、
操作キー、スピーカー又はアンテナと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のストレージ装置と、前記複数のストレージ装置にデータの書き込みを要求する複数のホスト装置と、前記複数のストレージ装置および複数のホスト装置を管理する管理計算機とがネットワークを介してそれぞれ相互に接続された計算機システムであって、
前記ストレージ装置は、
前記ホスト計算機により読み書きされるデータを格納する記憶デバイスと、
前記記憶デバイスへのデータの書き込みを制御する制御デバイスと、を備え、
前記制御デバイスは、
前記記憶デバイスの所定の記憶領域を１つ以上のボリュームとして前記ホスト計算機に提供し、前記管理計算機の要求に応じて、前記記憶領域に関する統計情報を前記管理計算機に提供し、
前記管理計算機は、
前記複数のストレージ装置の記憶領域を管理する記憶領域管理テーブルを格納する記憶デバイスと、
前記複数のストレージ装置の前記記憶領域の構成を管理する制御デバイスと、を備え、
前記制御デバイスは、
前記複数のストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記複数のストレージ装置のデータ構成を管理する
ことを特徴とする、計算機システム。
【請求項２】
前記管理計算機の制御デバイスは、
前記ストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記ストレージ装置の前記ボリュームに格納されたデータを別のボリュームに移行する際の、移行先の前記別のボリュームのデータアクセス性能を算出する
ことを特徴とする、請求項１に記載の計算機システム。
【請求項３】
前記管理計算機は、前記ストレージ装置に、前記記憶領域に関する統計情報の単位、種類および／または粒度を提供し、
前記ストレージ装置は、前記管理計算機に提供された前記記憶領域に関する統計情報の単位、種類、粒度に基づいて、前記記憶領域に関する統計情報を生成する
ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の計算機システム。
【請求項４】
前記ストレージ装置の制御デバイスは、前記ホスト計算機による書き込み要求に応じて、前記ボリュームのデータ格納領域に前記記憶領域のうち未割当領域を割り当て、
前記管理計算機の制御デバイスは、前記ストレージ装置の前記ボリュームに格納されているデータ構成を管理する
ことを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の計算機システム。
【請求項５】
前記ストレージ装置の制御デバイスは、既に前記記憶領域が割り当てられている前記ボリュームに格納されている前記データを、当該データへのアクセス状況に応じて、性能の異なる前記記憶領域へ割り当てを動的に変更し、
前記管理計算機の制御デバイスは、前記ストレージ装置の前記ボリュームに格納されているデータ構成を管理する
ことを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の計算機システム。
【請求項６】
前記管理計算機の制御デバイスは、
前記ストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記ストレージ装置の前記ボリュームに格納されたデータを別のボリュームに移行する際の、データ移行所要時間を算出する
ことを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載の計算機システム。
【請求項７】
ストレージ装置の制御デバイスは、
前記記憶デバイスの前記記憶領域の構成情報や性能情報の更新履歴を管理し、
前記管理計算機の要求に応じて、前記更新履歴に基づく前記記憶領域に関する統計情報を前記管理計算機に提供し、
前記管理計算機の制御デバイスは、
前記複数のストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記複数のストレージ装置のデータ構成を管理する
ことを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の計算機システム。
【請求項８】
複数のストレージ装置、前記複数のストレージ装置にデータの書き込みを要求する複数のホスト装置と、ネットワークを介してそれぞれ相互に接続された管理計算機であって、
前記ストレージ装置は、前記ストレージ装置の所定の記憶領域を１つ以上のボリュームとして前記ホスト計算機に提供し、前記管理計算機の要求に応じて、前記記憶領域に関する統計情報を前記管理計算機に提供し、
前記管理計算機は、
前記複数のストレージ装置の記憶領域を管理する記憶領域管理テーブルを格納する記憶デバイスと、
前記複数のストレージ装置の前記記憶領域の構成を管理する制御デバイスと、を備え、
前記制御デバイスは、
前記複数のストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記複数のストレージ装置のデータ構成を管理する
ことを特徴とする、管理計算機。
【請求項９】
複数のストレージ装置と、前記複数のストレージ装置にデータの書き込みを要求する複数のホスト装置と、前記複数のストレージ装置および複数のホスト装置を管理する管理計算機とがネットワークを介してそれぞれ相互に接続された計算機システムにおけるストレージ管理方法であって、
前記ストレージ装置が、前記ストレージ装置の所定の記憶領域を１つ以上のボリュームとして前記ホスト計算機に提供する第１のステップと、
前記管理計算機が、前記記憶領域に関する統計情報を前記ストレージ装置に要求する第２のステップと、
前記ストレージ装置が、前記管理計算機の要求に応じて、前記記憶領域に関する統計情報を前記管理計算機に提供する第３のステップと、
前記管理計算機が、前記複数のストレージ装置から提供された前記ストレージ装置の前記記憶領域に関する統計情報を元に、前記複数のストレージ装置のデータ構成を管理する第４のステップと
を備えることを特徴とする、ストレージ管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラムメモリに格納されたプログラムであって、複数のファンクションを含むプログラムを実行する複数の処理手段と、
前記複数の処理手段によって共有される複数の共有リソースと、
前記共有リソースの占有状態が書き込まれるリソース状態テーブルと、
前記プログラムメモリにおける前記プログラムのファンクション毎に、ファンクションのアドレス領域と該ファンクション実行時の１つ以上の共有リソースの占有態様とが対応付けられたリソースアクセステーブルと、
前記リソース状態テーブル及び前記リソースアクセステーブルを用いて、前記処理手段の１つによる前記１つ以上の共有リソースの占有を伴うファンクションの実行可否を決定する制御手段と、
前記複数の処理手段に関連付けられたプログラムカウンタとを備え、
前記制御手段は、前記プログラムカウンタの値と前記リソースアクセステーブルにおけるアドレス領域を比較することにより、起床予定のファンクションによる占有されることになる１つ以上の共有リソースを特定し、該特定した前記共有リソースと前記リソース状態テーブルが示す前記共有リソースの占有状態とを比較することにより、前記処理手段による１つ以上の共有リソースの占有を伴うファンクションの実行可否を決定する、マルチプロセッサシステム。
【請求項２】
前記処理手段の１つによりリソース獲得要求が出されたとき、前記制御手段は、リソース獲得要求を行った処理手段に関連付けられたプログラムカウンタの値を用いて、前記プログラムカウンタの値と前記リソースアクセステーブルにおけるアドレス領域を比較する、請求項１に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項３】
前記制御手段は、前記処理手段による前記１つ以上の共有リソースの占有を伴うファンクションの実行を否定した際には、該実行を否定したファンクションをキューイングする、請求項１又は２に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項４】
前記共有リソースは、共有ＲＡＭ及び周辺Ｉ／Ｏを含む、請求項１に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項５】
前記共有リソースは、第１共有ＲＡＭ及び第２共有ＲＡＭを含む、請求項１に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項６】
前記リソース状態テーブル及び前記リソースアクセステーブルに定義される前記複数の共有リソースの単位は、部品単位である、請求項１に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項７】
前記リソースアクセステーブルにおけるアドレス領域は、当該ファンクションがシングルプロセッサで実行されていた場合のＤＩ（割り込み禁止）とＥＩ（割り込み許可）の間の区間に相当する、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項８】
前記処理手段の１つによりリソース獲得要求が出されたとき、前記制御手段は、前記リソース状態テーブル及び前記リソースアクセステーブルを用いて、前記処理手段による前記１つ以上の共有リソースの占有を伴うファンクションの実行可否を決定する、請求項１乃至７のうちのいずれか１項に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項９】
前記リソース獲得要求は、アクセスが要求された前記１つ以上の共有リソースを直接指示する情報を含まない、請求項８に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項１０】
リソース解放要求が、実行が完了した機能から入力されたとき、前記制御手段は、他の機能に前記１つ以上の共有リソースが解放されるように前記リソース状態テーブルを更新する、請求項１乃至９のうちのいずれか１項に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項１１】
前記制御手段が、前記処理手段による前記１つ以上の共有リソースの占有を伴うファンクションの実行を許可したとき、前記制御手段は、他の機能に対して前記１つ以上の共有リソースがロックされるように前記リソース状態テーブルを更新する、請求項１乃至１０のうちのいずれか１項に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項１２】
前記複数の処理手段は、プロセッサ・コアであり、
当該マルチプロセッサシステムは、マルチコア・プロセッサとして構成される、請求項１乃至１１のうちのいずれか１項に記載のマルチプロセッサシステム。
【請求項１３】
前記処理手段の１つによりリソース獲得要求が出されたとき、前記制御手段は、前記リソースアクセステーブルを参照して、前記処理手段により占有されることになる１つ以上の共有リソースを特定し、次いで、前記リソース状態テーブルを参照して、前記特定した共有リソースが他の処理手段により現に占有されているか否かを判断し、前記特定した共有リソースが他の処理手段により現に占有されていない場合は、前記リソース獲得要求を出した前記処理手段により占有されることになる前記共有リソースを確保し、該処理手段により該共有リソースの占有を伴うファンクションの実行を許可し、他の機能に対して前記１つ以上の共有リソースがロックされるように前記リソース状態テーブルを更新する、請求項１に記載のマルチプロセッサシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に形成されたＰ型ウエルと、
前記Ｐ型ウエルの上に形成された酸化物層と、当該酸化物層の上に形成された浮遊ゲートと、当該浮遊ゲートの上に形成された分離層と、当該分離層上に形成された制御ゲートと、を含むメモリ・セルと、
前記Ｐ型ウエルの上に形成された酸化物層と、当該酸化物層の上に形成された浮遊ゲートと、当該浮遊ゲートの上に形成された分離層と、当該分離層上に形成された制御ゲートと、を含む選択トランジスタと、
前記メモリ・セルの前記制御ゲートと前記選択トランジスタの前記制御ゲートとの間の前記Ｐ型ウエル内に形成され、前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとに共用されるＮ型のソース／ドレイン領域と、
を具備し、
前記メモリ・セル及び前記選択トランジスタは、前記メモリ・セル及び前記選択トランジスタの間に形成された制御ゲートと、分離層と、浮遊ゲートと、酸化物層とを、前記Ｐ型ウエルの一部を露出するようにエッチングすることによって形成され、
前記メモリ・セルの前記酸化物層と前記選択トランジスタの前記酸化物層との厚さは同じであり、
前記ソース／ドレイン領域は、１０１３〜１０１４／ｃｍ2の濃度にドープされており、
前記酸化物層の厚さは８５Å〜１０５Åであることを特徴とするＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項２】
前記ソース／ドレイン領域は、砒素が１０１３〜１０１４／ｃｍ2の濃度にドープされていることを特徴とする請求項１に記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項３】
前記酸化物層は、前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとの間の前記ソース／ドレイン領域上で分離していることを特徴とする請求項１または２に記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項４】
前記選択トランジスタは、前記酸化物層の上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に形成された分離層と、を有し、
前記制御ゲートは前記分離層上に形成され、
前記制御ゲートと前記浮遊ゲートとは短絡されていることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項５】
基板内にＰ型ウエルを形成する工程と、
前記Ｐ型ウエルの上に酸化物層を形成する工程と、
前記酸化物層の上に、メモリ・セル及び選択トランジスタの浮遊ゲートと、分離層と、制御ゲートとを順に形成する工程と、
前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとの間の前記制御ゲート、前記分離層、前記浮遊ゲート及び前記酸化物層をエッチングし前記Ｐ型ウエルの一部を露出させる工程と、
前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとに共用されるＮ型のソース／ドレイン領域を形成するように、前記Ｐ型ウエル内にイオン注入する工程と、
を有し、
前記メモリ・セルの前記酸化物層と前記選択トランジスタの前記酸化物層の厚さは同じであり、
前記Ｐ型ウエル内にイオン注入する工程は、前記ソース／ドレイン領域を１０１３〜１０１４／ｃｍ2の濃度にドープすることを特徴とするＮＡＮＤフラッシュ・メモリの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
（発明の開示）
本発明は、選択トランジスタ及び浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物を１つの酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を提供する。この酸化方法は、乾式、湿式、又は窒化のいずれでもよい。２つのゲート・トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタは、同じ厚さ（８５Å〜１０５Å）の酸化物を有する。１つの実施形態において、ミデアムドープされるソース／ドレイン領域は、ヒ素が１０13〜１０14／ｃｍ2の濃度にドープされる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
次に、図３を参照して、酸化物層２４の上に、第１のポリシリコン層３０が形成される。第１のポリシリコン層３０は、メモリ・セル・トランジスタの浮遊ゲートを構成する。図８は、ＮＡＮＤアレイの一部分の平面図を示す。図３の第１のポリシリコン層３０は、ＮＡＮＤストリング８０間の領域８２をマスクしてメモリ・セルの浮遊ゲートを定義することによって形成される。第１のポリシリコン層をエッチングし、コア・フィールド酸化物層の上に形成されたポリシリコンを除去し、次に、チャネル・ストップの注入を行う。１つの実施形態において、第１のポリシリコン層３０は化学気相成長により形成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図６は、酸化物層２４、第１のポリシリコン層３０、分離層４０及び第２のポリシリコン層５０の部分６０をエッチングしてＰウェル２２を露出させた後の図５の構造を示す。次に、選択トランジスタ１２とコア・メモリ・セル１３とによって共用されるミデアムドープ・ソース／ドレイン領域にイオン注入される。ＮＡＮＤフラッシュ・セルのプログラム動作を劣化させ選択ゲート酸化物を破損させる可能性のあるバンド間トンネル電流を最少にするために、ミデアムドープ・ソース／ドレイン領域への注入条件を慎重に選択することが必要である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
１つの実施形態において、ミデアムドープ・ソース／ドレイン領域は、ヒ素が１０13〜１０14／ｃｍ2の濃度にドープされる。ＮＡＮＤストリングは、コア・メモリ・セルの数に１を加えたものと等しい数のミデアムドープ・ソース／ドレイン領域を有する。例えば、ＮＡＮＤストリングが、１６のコア・メモリ・セルと２つの選択トランジスタを有する場合、ＮＡＮストリングは、共用する１７のミデアムドープ・ソース／ドレイン領域６２を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源から供給される電力によって発熱するヒータを有し、記録紙に形成された未定着トナー像を記録紙に加熱定着する定着部と、
前記定着部の温度を検知するための温度検知素子と、
トランスを介して前記ヒータに流れる電流を検出する電流検出部と、
前記温度検知素子の検知温度及び前記電流検出部の検出電流に応じて前記交流電源から前記ヒータへ供給する電力を制御する電力制御部と、
を有する画像形成装置において、
前記電力制御部により制御されて前記ヒータに流れる電流波形は、
一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする負の半波と、半波の少なくとも一部をオンする正の半波、がこの順に並ぶ第１グループと、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする正の半波、がこの順に並ぶ第２グループと、を有する波形であるか、又は、
一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする正の半波と、半波の少なくとも一部をオンする負の半波、がこの順に並ぶ第１グループと、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする負の半波、がこの順に並ぶ第２グループと、を有する波形であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記電力制御部により制御されて前記ヒータに流れる電流波形は、交流の半波の途中からオンする波形と交流の略０度の位相角からオンする波形が混在する波形であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記電流検出部は、交流波形の正の半波または負の半波のいずれか一方のみの電流を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記交流電源から前記ヒータへの電力供給路の途中で分岐したラインに接続されている電源回路を有し、
前記電流検出部は、前記ヒータと前記電源回路の分岐位置よりも前記ヒータ側の前記電力供給路に流れる電流を検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記交流電源から前記ヒータへの電力供給路の途中で分岐したラインに接続されている電源回路を有し、
前記電流検出部は、前記ヒータと前記電源回路の分岐位置よりも前記交流電源側の前記電力供給路に流れる電流を検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記電力制御部は、前記電流検出部の出力に応じて前記ヒータに供給する電力デューティ比の上限を設定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記定着部は、前記ヒータによって加熱されるエンドレスベルトを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記定着部は、前記エンドレスベルトを介して前記ヒータと共に未定着トナー像を担持する記録材を定着処理する定着ニップ部を形成するローラを有することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）交流電源から供給される電力によって発熱するヒータを有し、記録紙に形成された未定着トナー像を記録紙に加熱定着する定着部と、前記定着部の温度を検知するための温度検知素子と、トランスを介して前記ヒータに流れる電流を検出する電流検出部と、前記温度検知素子の検知温度及び前記電流検出部の検出電流に応じて前記交流電源から前記ヒータへ供給する電力を制御する電力制御部と、を有する画像形成装置において、前記電力制御部により制御されて前記ヒータに流れる電流波形は、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする負の半波と、半波の少なくとも一部をオンする正の半波、がこの順に並ぶ第１グループと、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする正の半波、がこの順に並ぶ第２グループと、を有する波形であるか、又は、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする正の半波と、半波の少なくとも一部をオンする負の半波、がこの順に並ぶ第１グループと、一半波全てをオフする半波の直後に、半波の少なくとも一部をオンする負の半波、がこの順に並ぶ第２グループと、を有する波形であることを特徴とする画像形成装置。