Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
フォーアハース１２から流出した溶融ガラスは、その運搬方向下流側に配置された失透防止装置１３に流入する。失透防止装置１３には、保温装置１３ａ、リップ１３ｂ、サポーター１３ｃ及び発熱ユニット１３ｄが取り付けられている。
保温装置１３ａは、溶融ガラスを保温して所定温度に保持する。リップ１３ｂは、溶融ガラスをロールアウト成形装置１４に誘導する。サポーター１３ｃは、リップ１３ｂを支持する支持体である。発熱ユニット１３ｄは、サポーター１３ｃを貫通して設けられた加熱装置であり、発熱ユニット１３ｄによってサポーター１３ｃとリップ１３ｂとは加熱される。
失透防止装置１３は、保温装置１３ａによる保温と発熱ユニット１３ｄによる加熱によって、ロールアウト成形装置１４に導入される前の溶融ガラスを所定温度に保持し、溶融ガラスの失透を防止する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１１・・・溶解装置
１２・・・調整装置（フォーアハース）
１２ａ・・液面制御装置
１２ｂ・・撹拌装置
１２ｃ・・発熱体
１２ｄ・・熱電対
１３・・・失透防止装置
１３ａ・・保温装置
１３ｂ・・リップ
１３ｃ・・サポーター
１３ｄ・・発熱ユニット
１４・・・ロールアウト成形装置
１４ａ・・上側ローラ
１４ｂ・・下側ローラ
１４ｃ・・冷却水箱
１５・・・運搬装置
１６・・・押さえローラ
１７・・・結晶化装置（ローラハースキルン）
１８・・・加熱ユニット
１９・・・運搬ローラ
２０・・・熱電対
２５・・・保温領域
２６・・・徐冷領域
２７・・・切断装置
２８・・・攪拌装置
Ａ・・・・帯状板ガラス
Ｂ・・・・帯状結晶化ガラス板
Ｃ・・・・切断された結晶化ガラス板
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドを備える上下両定盤の両研磨パッド間に、キャリアで保持された基板を挟持し、研磨液を供給しつつ、前記研磨パッドの研磨面に対して基板を相対移動させ、前記基板の両主表面を研磨する研磨工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、
前記研磨パッドは、
少なくとも、基材と、
前記基材上に形成され、表面に開孔を有する発泡した樹脂からなるナップ層とからなり、
前記研磨パッドの圧縮変形量が４０μｍ以上であり、
前記ナップ層を形成する樹脂の１００％モジュラスが１４．５ＭＰａ以上である
ことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項２】
研磨パッドを備える上下両定盤の両研磨パッド間に、キャリアで保持された基板を挟持し、研磨液を供給しつつ、前記研磨パッドの研磨面に対して基板を相対移動させ、前記基板の両主表面を研磨する研磨工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、
前記研磨パッドは、
基材と、
前記基材上に形成される緩衝層と、
前記緩衝層上に形成され、表面に開孔を有する発泡した樹脂からなるナップ層とからなり、
前記研磨パッドの圧縮変形量が４０μｍ以上であり、
前記ナップ層を形成する樹脂の１００％モジュラスが１４．５ＭＰａ以上である
ことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨パッドの圧縮変形量が７０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ナップ層を形成する樹脂の１００％モジュラスが４０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項５】
前記研磨液は、酸化セリウム砥粒を含有していることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、主表面の形状が矩形であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、合成石英ガラスまたは低熱膨張ガラスであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項８】
前記ナップ層の厚さは、３００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項９】
前記ナップ層の開孔の径は、４０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ナップ層は、ポリカーボネート系樹脂を含有する材料からなることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記緩衝層の厚さは、１００μｍ以上７００μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記緩衝層およびナップ層のいずれか一方又は双方の層は、ポリカーボネート系樹脂を含有する材料からなることを特徴とする請求項２記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記基材は、樹脂フィルム、又は、不織布であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基材は、ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記研磨工程で研磨された基板の両主表面に対し、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨を行う超精密研磨工程を有することを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造されたマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして、転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】駆動回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第８トランジスタを有し、
前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５ランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される駆動回路。
【請求項２】
第１乃至第１１トランジスタを有し、
前記第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４トランジスタのゲートは、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５ランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９トランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１０トランジスタのゲートは、前記第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第９トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１０トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの前記一方に電気的に接続され、
前記第１トランジスタのソースまたはドレインの前記他方は、前記第９トランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続される駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第４トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第８トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続される駆動回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第５トランジスタのソースまたはドレインの前記他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第６トランジスタのソースまたはドレインの前記他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第７トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続される駆動回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３トランジスタのゲートは、前記第２の配線に電気的に接続される駆動回路。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の配線は第１の電源供給線であり、
前記第２の配線は第２の電源供給線である駆動回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３トランジスタのゲートは第３の配線に電気的に接続される駆動回路。
【請求項８】
請求項７において、前記第３の配線は第３の電源供給線である駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にゲート金属薄膜を堆積し、前記ゲート金属薄膜に対してパターニングを行うことにより、画像領域のゲートライン、ゲート電極及び共通電極ラインを形成し、上下隣接した二つの画素領域に共通電極ラインを共有させるステップ１と、
ステップ１を完成した基板にゲート絶縁層、半導体薄膜、ドープ半導体薄膜及びソース・ドレイン金属薄膜を堆積し、前記ゲート絶縁層、半導体薄膜、ドープ半導体薄膜及びソース・ドレイン金属薄膜に対してパターニングを行うことにより、画像領域の活性層ランド、データライン、ドレイン電極、ソース電極及びＴＦＴチャネルを形成するステップ２と、
ステップ２を完成した基板にパッシベーション層を堆積し、前記パッシベーション層に対してパターニングを行うことにより、ドレイン電極の上方に位置するパッシベーション層ビアホールを形成するステップ３と、
ステップ３を完成した基板に透明導電薄膜を堆積し、前記透明導電薄膜に対してパターニングを行うことによりパッシベーション層ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素領域の画素電極を形成するステップ４と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）アレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記ステップ１において、共通電極ラインに接続する第１の遮光バーと第２の遮光バーを同時に形成し、前記第１の遮光バーと第２の遮光バーはデータラインに平行すると共に、それぞれの画素領域の両側に位置することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記ステップ２において、パターニングによる活性層ランド、データライン、ドレイン電極、ソース電極及びＴＦＴチャネルの形成には、
ステップ１を完成した基板に、プラズマ強化化学的気相蒸着法を利用し、ゲート絶縁層、半導体薄膜及びドープ半導体薄膜を順次堆積した後に、スパッタリング又は蒸着法により、基板にソース・ドレイン金属薄膜を堆積することと、
ソース・ドレイン金属薄膜に一層のフォトレジストを塗布することと、
ハーフトーン又はグレートーンのマスクの露光によって、フォトレジストをフォトレジスト完全保留領域、フォトレジスト完全除去領域及びフォトレジスト半分保留領域に形成し、フォトレジスト完全保留領域はデータライン、ソース電極及びドレイン電極が存在する領域に対応し、フォトレジスト半分保留領域はソース電極とドレイン電極との間のＴＦＴチャネルが存在する領域に対応し、フォトレジスト完全除去領域は残された領域に対応し、現像処理した後、フォトレジスト完全保留領域のフォトレジストの厚さに変化がなく、フォトレジスト完全除去領域のフォトレジストが完全に除去され、フォトレジスト半分保留領域のフォトレジストの厚さが薄くなることと、
第１回目のエッチングを利用して、フォトレジスト完全除去領域のソース・ドレイン金属薄膜、ドープ半導体薄膜及び半導体薄膜を完全にエッチングすることによって、活性層ランドとデータラインを形成することと、
アッシングを利用して、フォトレジスト半分保留領域のフォトレジストを除去することによって、該領域のソース・ドレイン金属薄膜を露出することと、
第２回目のエッチングを利用して、フォトレジスト半分保留領域のソース・ドレイン金属薄膜及びドープ半導体薄膜を完全にエッチングすると共に、該領域の半導体薄膜が露出されるように、半導体薄膜の厚さの一部をエッチングすることによって、ソース電極、ドレイン電極及びＴＦＴチャネル領域を形成することと、
残されたフォトレジストを剥離することと、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ２において、パターニングにより活性層ランド、データライン、ドレイン電極、ソース電極及びＴＦＴチャネルの形成には、
ステップ１を完成した基板に、プラズマ強化化学的気相蒸着法を利用してゲート絶縁層、半導体薄膜及びドープ半導体薄膜を順次堆積し、通常のマスクを採用してパターニングを行うことにより活性層ランドを形成することと、
スパッタリング又は蒸着法を利用してソース・ドレイン金属薄膜を堆積することと、
通常のマスクを採用してパターニングを行うことにより、データライン、ソース電極、ドレイン電極及びＴＦＴチャネル領域を形成することと、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造方法。
【請求項５】
基板に形成された複数のゲートライン、複数のデータライン及び複数の共通電極ラインを含める薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）アレイ基板において、
前記複数のゲートラインと前記複数のデータラインは互いに交差されて複数の画素領域を画成すると共に、それぞれの画素領域に画素電極と薄膜トランジスタを形成し、上下隣接した二つの画素領域は一つの共通電極ラインを共有することを特徴とするＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板。
【請求項６】
前記上下隣接した二つの画素領域が共用される共通電極ラインには、
上下隣接した二つの画素領域において、上側の画素領域のゲートラインは当該画素領域の上方に位置し、下側の画素領域のゲートラインは当該画素領域の下方に位置して、二つの画素電極を挟む二つのゲートラインの間に共有される共通電極ラインを設けることを特徴とする請求項５に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板。
【請求項７】
前記共通電極ラインに接続する第１の遮光バーと第２の遮光バーを更に含むことを特徴とする請求項５又は６に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板。
【請求項８】
前記共通電極ラインは前記上下隣接した二つの画素領域のゲートラインと平行し、前記第１の遮光バーと第２の遮光バーはデータラインと平行すると共に、前記上下隣接した二つの画素領域の両側に位置することを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板。
【請求項９】
前記共通電極ラインは前記第１の遮光バーと第２の遮光バーとは同時に一回のパターニング工程により形成することを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイパネルであって、
封止シールによってセル化されたカラーフィルタ基板とアレイ基板を備え、
前記カラーフィルタ基板とアレイ基板との間にある有効ディスプレイ領域の縁部と前記封止シールとの間に、液晶を収容するための収容空間が形成されていることを特徴とする液晶ディスプレイパネル。
【請求項２】
前記収容空間は側方突起、又は側方突起と前記封止シールから形成され、前記側方突起は矩形の枠状突起、補助突起、格子状突起、又は棒状突起を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項３】
前記カラーフィルタ基板又はアレイ基板の有効ディスプレイ領域の縁部に沿って、前記有効ディスプレイ領域を囲んだ矩形の枠状突起が形成されており、
前記矩形の枠状突起と前記封止シールとは前記収容空間を形成し、
前記矩形の枠状突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項４】
前記矩形の枠状突起の外側に、前記矩形の枠状突起に連結する補助突起が少なくとも２つ設けられており、前記矩形の枠状突起と、前記補助突起と、前記封止シールとにより前記収容空間が少なくとも２つ形成され、
前記補助突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であり、
前記矩形の枠状突起は開口を少なくとも１つ備え、又は開口を備えないことを特徴とする請求項３に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項５】
前記カラーフィルタ基板又はアレイ基板の有効ディスプレイ領域の縁部に沿って、前記有効ディスプレイ領域を囲んだ矩形の枠状突起が２つ形成されており、
前記２つの矩形の枠状突起により前記収容空間が形成され、前記矩形の枠状突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項６】
前記２つの矩形の枠状突起の間に、前記矩形の枠状突起に連結する補助突起が少なくとも２つ設けられており、前記２つの矩形の枠状突起と前記補助突起とにより前記収容空間が少なくとも２つ形成され、
前記補助突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であり、
前記有効ディスプレイ領域に近接する矩形の枠状突起は、開口を少なくとも１つ備え、又は開口を備えないことを特徴とする請求項５に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項７】
前記カラーフィルタ基板又はアレイ基板の有効ディスプレイ領域の各縁部と前記封止シールとの間に、各辺が前記有効ディスプレイ領域の同一側に位置する格子状突起が少なくとも２つ形成されており、各前記格子状突起により前記収容空間が形成され、
前記格子状突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項８】
前記カラーフィルタ基板又はアレイ基板の有効ディスプレイ領域の少なくとも１つの縁部と前記封止シールとの間に、各辺が前記有効ディスプレイ領域の同一側に位置する格子状突起が少なくとも１つ形成されており、各前記格子状突起により前記収容空間が形成されること、
前記有効ディスプレイ領域の少なくとも１つの縁部と平行に、棒状突起が形成されており、前記棒状突起の外側に、前記棒状突起に連結する補助突起が少なくとも２つ設けられており、前記棒状突起、前記補助突起は、前記封止シールと共に前記収容空間を形成すること、
又は、前記有効ディスプレイ領域の少なくとも１つの縁部と平行に、棒状突起が２つ形成されており、前記棒状突起の間に、前記棒状突起に連結する補助突起が少なくとも２つ設けられており、前記棒状突起と前記補助突起により前記収容空間が形成されること、のいずれか、又はその組み合せの状況であって、
前記格子状突起、棒状突起、又は補助突起の高さは、前記液晶ディスプレイパネルにおけるスペーサの高さ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項９】
カラーフィルタに形成された前記側方突起は、樹脂から構成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１０】
アレイ基板に形成された前記側方突起は、ホトレジスト、又は透明導電材料から構成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記収容空間に液晶が収容されており、且つ全体的にフリー空間が保留されていることを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記収容空間に液晶が収容されており、且つ全体にフリー空間が保留されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記収容空間内に液晶が充填されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１４】
液晶ディスプレイパネルの製造方法であって、
カラーフィルタ基板とアレイ基板を提供するステップと、
前記カラーフィルタ基板とアレイ基板を封止シールによってセル化し、液晶ディスプレイパネルを形成するステップと、を備え、
前記カラーフィルタ基板とアレイ基板との間にある有効ディスプレイ領域の縁部と前記封止シールとの間に、液晶を収容するための収容空間を形成することを特徴とする液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
カラーフィルタ基板を製造するときに、前記収容空間とスペーサ層とは共に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
スペーサと共に前記収容空間を形成するステップは、
基板に樹脂層を塗布するステップと、
パターンニング工程により、スペーサと、前記収容空間とのパターンを形成するステップと、を有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
アレイ基板を製造するときに、前記収容空間と画素電極とは共に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１８】
画素電極と共に収容空間を形成するステップは、
基板に透明導電薄膜を堆積するステップと、
パターンニング工程により、画素電極と、前記収容空間とのパターンを形成するステップと、を有することを特徴とする請求項１７に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
アレイ基板を製造するときに、前記収容空間を形成するステップは、
基板にホトレジストを塗布するステップと、
露光・現像により、前記収容空間のパターンを形成するステップと、を有することを特徴とする請求項１４に記載の液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロジェクターおよび制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像光の投射側に設けられ、リモートコントローラーからの画像光投射指示情報を入力する第１の情報入力部と、
画像光の非投射側に設けられ、前記リモートコントローラーからの前記画像光投射指示情報を入力する第２の情報入力部と、
前記第１の情報入力部に入力される前記画像光投射指示情報が有効であるかどうかを示す設定データに基づき、前記第１の情報入力部に入力される前記画像光投射指示情報が有効であるかどうかの判定を行う判定部と、
前記判定の結果が真の場合は前記第１の情報入力部または前記第２の情報入力部に入力された前記画像光投射指示情報に基づき、電源をオンにする電源制御、光源を駆動する光源制御、投射レンズのカバーを開けるカバー制御のうちの少なくとも１つの制御を行い、前記判定の結果が偽の場合は前記第２の情報入力部に入力された前記画像光投射指示情報に基づき、前記電源制御、前記光源制御、前記カバー制御のうちの少なくとも１つの制御を行う制御部と、
を含むプロジェクター。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクターにおいて、
ユーザーの設定指示に応じて前記設定データを更新する更新部を含むプロジェクター。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプロジェクターにおいて、
ディスク再生部を含み、
前記画像光投射指示情報は、前記電源をオンにする指示、前記ディスク再生部に対するディスク取り出し指示、前記ディスク再生部に対する再生指示のいずれかを示す情報である、
プロジェクター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
前記判定の結果が偽の場合、光および音の少なくとも一方を用いて通知を行う通知部を含むプロジェクター。
【請求項５】
画像光の投射側に設けられ、リモートコントローラーからの画像光投射指示情報を入力する第１の情報入力部と、画像光の非投射側に設けられ、前記リモートコントローラーからの前記画像光投射指示情報を入力する第２の情報入力部とを含むプロジェクターの制御方法であって、
前記第１の情報入力部に入力される前記画像光投射指示情報が有効であるかどうかを示す設定データに基づき、前記第１の情報入力部に入力される前記画像光投射指示情報が有効であるかどうかの判定を行う判定ステップと、
前記判定の結果が真の場合は前記第１の情報入力部または前記第２の情報入力部に入力された前記画像光投射指示情報に基づき、電源をオンにする電源制御、光源を駆動する光源制御、投射レンズのカバーを開けるカバー制御のうちの少なくとも１つの制御を行い、前記判定の結果が偽の場合は前記第２の情報入力部に入力された前記画像光投射指示情報に基づき、前記電源制御、前記光源制御、前記カバー制御のうちの少なくとも１つの制御を行う制御ステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項６】
入力される画像信号に基づく画像を投射する画像投射部と、
前記画像投射部を前記画像の投射が可能な状態にさせる投射制御信号の入力を受け付ける複数の制御信号受信部と、
前記プロジェクターの動作モードを設定する設定部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記動作モードが、前記画像投射部による前記画像の投射を規制するセーフモードに設定されている場合は、所定の制御信号受信部から入力された前記投射制御信号に基づいて前記画像投射部を制御することを特徴とするプロジェクター。
【請求項７】
請求項６に記載のプロジェクターにおいて、
前記複数の制御信号受信部は、リモートコントローラーからの前記投射制御信号を受け付ける第１の情報入力部および第２の情報入力部を含み、
前記第２の情報入力部は、前記第２の情報入力部が前記投射制御信号を受信可能な範囲と、前記画像投射部から投射される光が通過する範囲とが、互いに重ならない位置に設置され、
前記制御部は、前記動作モードが前記セーフモードに設定されている場合は、前記第２の情報入力部から入力される前記投射制御信号に基づいて前記画像投射部を制御することを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載のプロジェクターにおいて、
前記画像投射部は、
光源と、
前記光源の点灯および消灯を制御する光源制御部と、を備え、
前記制御部は、前記投射制御信号に基づいて、前記光源制御部を制御することを特徴とするプロジェクター。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
前記画像投射部は、
投射レンズと、
前記投射レンズを保護するレンズカバーと、を備え、
前記制御部は、前記投射制御信号に基づいて、前記レンズカバーの開閉を制御することを特徴とするプロジェクター。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
前記動作モードが前記セーフモードに設定されている状態で、所定の制御信号受信部以外の制御信号受信部から前記投射制御信号を受信した場合、前記動作モードが前記セーフモードに設定されていることを通知する通知部を更に有することを特徴とするプロジェクター。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれかに記載のプロジェクターにおいて、
着脱可能な記録媒体に記録された情報を読み取る読取部をさらに有し、
前記投射制御信号は、前記記録媒体からの情報の読み取りおよび前記記録媒体の排出のうち、少なくともいずれかの動作を制御する信号を含むことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１２】
画像投射部と、複数の制御信号受信部と、を備えたプロジェクターの制御方法であって、
前記プロジェクターの動作モードを設定するステップと、
制御信号受信部を用いて前記画像投射部を画像の投射が可能な状態にさせる投射制御信号の入力を受け付けるステップと、
前記動作モードが、前記画像投射部による前記画像の投射を規制するセーフモードに設定されている場合は、所定の制御信号受信部から入力された前記投射制御信号に基づいて前記画像投射部を制御するステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、用紙に画像を形成する画像形成装置に関し、特に、位置ずれ検出技術に特徴のある画像形成装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１３記載の画像形成装置は、回転が可能に設けられ、静電潜像線が形成される像担持体と、前記像担持体の回転の方向である副走査方向に直交する主走査方向の前記静電潜像線が形成される位置に応じて変化する信号を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記信号に基づいて、前記像担持体上に形成される画像の前記主走査方向の位置ずれを補正する補正手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項１４記載の画像形成装置は、回転が可能に設けられ、静電潜像線が形成される像担持体と、前記像担持体上に形成される前記静電潜像線と一部が重なるように配置され、前記像担持体の回転の方向である副走査方向に直交する主走査方向の前記静電潜像線が形成される位置に応じて変化する誘導電流を発生する導体と、前記導体に発生する誘導電流を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記誘導電流に基づいて、前記像担持体上に形成される画像の前記主走査方向の位置ずれを補正する補正手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体の主走査方向に延びるように形成される静電潜像線との相対移動時に、前記静電潜像線と互いにその一部が主走査方向に重なるように配置され、相対移動により誘導電流を発生させる導体と、
前記導体により発生された前記誘導電流の測定結果に基づいて、主走査方向の画像の位置ずれを検出する検出手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記静電潜像線は、前記画像形成装置の解像度程度の間隔を有する点線であり、前記導体は、前記静電潜像線とほぼ等しい間隔の櫛歯部を有することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記導体は、前記櫛歯部が平行でかつ重ならないように２つ配置され、一方の前記導体からの出力信号を反転し、もう一方の前記導体からの出力信号と加算することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記導体は、前記櫛歯部が噛み合うように２つ配置され、一方の前記導体からの出力信号を反転し、もう一方の前記導体からの出力信号と加算することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記櫛歯部を支持する櫛歯支持部が、前記櫛歯部より前記静電潜像線の電荷の影響が小さい距離に固定されていることを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記櫛歯部を支持する櫛歯支持部と前記像担持体の間にはグランドに接続された導体を有することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記静電潜像線と前記導体を、前記像担持体の両端に配置したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記検出された画像の位置ずれ量を基に、レーザ露光照射位置、転写位置での前記像担持体、転写ベルトの全てまたはいずれかを制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記静電潜像線は、副走査方向に所定の間隔で複数形成され、前記検出手段は、前記導体により発生された前記誘導電流の発生の間隔に基づいて、副走査方向の画像の位置ずれも検出することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
像担持体の主走査方向に平行に形成される第１の静電潜像線に対して平行に配置される第１の導体と、
前記像担持体の前記主走査方向に傾斜して形成される第２の静電潜像線に対して平行に配置される第２の導体と、を有し、
前記静電潜像線に対して前記導体を相対移動させることにより誘導電流を発生させ、前記第１の導体からの第１の出力信号と、前記第２の導体からの第２の出力信号との位相差から、前記主走査方向と副走査方向の画像の位置ずれを検出することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
前記静電潜像線と前記導体を、前記像担持体の両端に配置したことを特徴とする請求項１０記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記検出された画像の位置ずれ量を基に、レーザ露光照射位置、転写位置での前記像担持体、転写ベルトの全てまたはいずれかを制御することを特徴とする請求項１０又は１１記載の画像形成装置。
【請求項１３】
回転が可能に設けられ、静電潜像線が形成される像担持体と、
前記像担持体の回転の方向である副走査方向に直交する主走査方向の前記静電潜像線が形成される位置に応じて変化する信号を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記信号に基づいて、前記像担持体上に形成される画像の前記主走査方向の位置ずれを補正する補正手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１４】
回転が可能に設けられ、静電潜像線が形成される像担持体と、
前記像担持体上に形成される前記静電潜像線と一部が重なるように配置され、前記像担持体の回転の方向である副走査方向に直交する主走査方向の前記静電潜像線が形成される位置に応じて変化する誘導電流を発生する導体と、
前記導体に発生する誘導電流を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記誘導電流に基づいて、前記像担持体上に形成される画像の前記主走査方向の位置ずれを補正する補正手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】
前記補正手段は、前記誘導電流の振幅に基づいて前記主走査方向の位置ずれを補正し、前記誘導電流の発生のタイミングに基づいて前記副走査方向の位置ずれを補正することを特徴とする請求項１４記載の画像形成装置。
【請求項１６】
前記静電潜像線は、前記主走査方向に長手となるように形成され、
前記導体は、前記静電潜像線に平行に配置されることを特徴とする請求項１４又は１５記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料にベント亀裂を形成する方法であって、
前記脆性材料の表面を所定の経路に沿ってレーザで加熱する工程、および、
前記脆性材料の加熱された表面を、ノズルにより分配された冷却液のコヒーレント流で冷却する工程であって、該冷却液のコヒーレント流が、５０ｍｍ以上のコヒーレント長を有し、前記冷却液のコヒーレント流の直径が約７０マイクロメートルから約２００マイクロメートルまでの範囲である工程、
を有してなり、
前記ノズルの開口と前記脆性材料の表面との間の作業距離が前記冷却液のコヒーレント流のコヒーレント長より短いことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記冷却液のコヒーレント流が、円対称の開口を有する末広ノズルにより形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記冷却液のコヒーレント流が、真っ直ぐな壁の円筒の孔を有するノズルにより形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記作業距離が５ｍｍより長いことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ガラスの脆性材料の温度が３００℃を超えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ノズルの開口と前記脆性材料の加熱された表面との間の距離が前記所定の経路に沿って変動することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ノズルの中の前記冷却液の圧力が約０．３５ｋｇ／ｃｍ2（約３４．３ｋＰａ）および約０．７０ｋｇ／ｃｍ2（約６８．７ｋＰａ）の間の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
ガラスリボンの縁を分離する方法であって、
ガラスの連続リボンを形成する工程であって、該ガラスの連続リボンが粘性領域および弾性領域を含む工程、
前記ガラスの連続リボンの表面を前記弾性領域で所定の経路に沿ってレーザで加熱する工程、および、
前記ガラスの連続リボンの加熱された表面を、ノズルにより分配された水を含む冷却液のコヒーレント流で冷却する工程であって、該冷却液のコヒーレント流が、５０ｍｍ以上のコヒーレント長および約７０マイクロメートルから約１５０マイクロメートルまでの範囲の直径を有し、前記ガラスの連続リボンから縁を分離する工程、
を有してなり、
前記ノズルの開口と前記ガラスの連続リボンの加熱された表面との間の作業距離が前記冷却液のコヒーレント流のコヒーレント長より短いことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記ノズルの開口と前記ガラスの連続リボンの加熱された表面との間の作業距離が約５ｍｍより長いことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ノズルの中の前記冷却液の圧力が約０．３５ｋｇ／ｃｍ2（約３４．３ｋＰａ）および約０．７０ｋｇ／ｃｍ2（約６８．７ｋＰａ）の間の範囲にあることを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス成分として、リン、酸素およびフッ素を含むフツリン酸ガラスにおいて、該ガラスの屈折率ｎｄの値をｎｄ（１）、該ガラスを窒素雰囲気中において９００℃、１時間再熔融し、ガラス転移温度まで冷却し、その後、毎時３０℃の降温速度で２５℃まで冷却した後の屈折率ｎｄの値をｎｄ（２）としたときに、ｎｄ（１）とｎｄ（２）との差ｎｄ（２）−ｎｄ（１）の絶対値が０．００３００以内であり、Ｐ５＋の含有量に対するＯ２−の含有量のモル比Ｏ２−／Ｐ５＋が３．５以上であることを特徴とするフツリン酸ガラス。
【請求項２】
カチオン％表示にて、
Ｐ５＋３〜１５％、
Ａｌ３＋２５〜４０％、
Ｃａ２＋５〜３５％、
Ｓｒ２＋５〜２５％
Ｍｇ２＋ ０〜１０％、
Ｂａ２＋０〜２０％、
Ｌｉ＋０〜２０％、
Ｎａ＋０〜１０％、
Ｋ＋ ０〜１０％、
Ｙ３＋ ０〜５％
を含有し、
Ｐ５＋、Ａｌ３＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｙ３＋の合計含有量が９５％以上、
Ｆ−の含有量が６５アニオン％以上であり、
可視域に吸収を有するイオンおよびＰｂを含有しない
ことを特徴とする請求項１に記載のフツリン酸ガラス。
【請求項３】
アッベ数νｄが８８以上である請求項２に記載のフツリン酸ガラス。
【請求項４】
Ｐ５＋、Ａｌ３＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｙ３＋の合計含有量が９７％以上である請求項２または３に記載のフツリン酸ガラス。
【請求項５】
カチオン％表示にて、
Ｐ５＋  ３〜５０％、
Ａｌ３＋５〜４０％、
Ｍｇ２＋０〜１０％、
Ｃａ２＋０〜３０％、
Ｓｒ２＋０〜３０％、
Ｂａ２＋０〜４０％、
（ただし、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋の合計含有量が１０％以上）
Ｌｉ＋０〜３０％、
Ｎａ＋０〜２０％、
Ｋ＋  ０〜２０％、
Ｙ３＋  ０〜５％、
Ｌａ３＋０〜５％、
Ｇｄ３＋０〜５％、
Ｙｂ３＋０〜５％、
（ただし、Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｇｄ３＋、Ｙｂ３＋の合計含有量が０〜５％）
Ｂ３＋０〜１％、
Ｚｎ２＋０〜２０％、
Ｉｎ３＋ ０〜２０％
を含有し、アニオン％表示にて、
Ｆ− ２０〜９５％、
Ｏ２− ５〜８０％
を含有し、可視域に吸収を有するイオンおよびＰｂを含有しないことを特徴とする請求項１に記載のフツリン酸ガラス。
【請求項６】
アッベ数νｄが７０を超えることを特徴とする請求項１または５に記載のフツリン酸ガラス。
【請求項７】
内部に含まれる粒径が１０μｍ以上の異物の数密度が５個／ｃｍ３未満であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフツリン酸ガラス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなるプレス成形用ガラス素材。
【請求項９】
精密プレス成形用プリフォームであることを特徴とする請求項８に記載のプレス成形用ガラス素材。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子ブランク。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するため、
（１）  ガラス成分として、リン、酸素およびフッ素を含むフツリン酸ガラスにおいて、該ガラスの屈折率ｎｄの値をｎｄ（１）、該ガラスを窒素雰囲気中において９００℃、１時間再熔融し、ガラス転移温度まで冷却し、その後、毎時３０℃の降温速度で２５℃まで冷却した後の屈折率ｎｄの値をｎｄ（２）としたときに、ｎｄ（１）とｎｄ（２）との差ｎｄ（２）−ｎｄ（１）の絶対値が０．００３００以内であり、Ｐ５＋の含有量に対するＯ２−の含有量のモル比Ｏ２−／Ｐ５＋が３．５以上であることを特徴とするフツリン酸ガラス、
（２）  カチオン％表示にて、
Ｐ５＋３〜１５％、
Ａｌ３＋２５〜４０％、
Ｃａ２＋５〜３５％、
Ｓｒ２＋５〜２５％
Ｍｇ２＋ ０〜１０％、
Ｂａ２＋０〜２０％、
Ｌｉ＋０〜２０％、
Ｎａ＋０〜１０％、
Ｋ＋ ０〜１０％、
Ｙ３＋ ０〜５％
を含有し、
Ｐ５＋、Ａｌ３＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｙ３＋の合計含有量が９５％以上、
Ｆ−の含有量が６５アニオン％以上であり、
可視域に吸収を有するイオンおよびＰｂを含有しない
ことを特徴とする上記（１）項に記載のフツリン酸ガラス、
（３）  アッベ数νｄが８８以上である上記（２）項に記載のフツリン酸ガラス、
（４）Ｐ５＋、Ａｌ３＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｙ３＋の合計含有量が９７％以上である上記（２）項または（３）項に記載のフツリン酸ガラス、
（５）  カチオン％表示にて、
Ｐ５＋３〜５０％、
Ａｌ３＋５〜４０％、
Ｍｇ２＋０〜１０％、
Ｃａ２＋０〜３０％、
Ｓｒ２＋０〜３０％、
Ｂａ２＋０〜４０％、
（ただし、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｂａ２＋の合計含有量が１０％以上）
Ｌｉ＋０〜３０％、
Ｎａ＋０〜２０％、
Ｋ＋    ０〜２０％、
Ｙ３＋  ０〜５％、
Ｌａ３＋０〜５％、
Ｇｄ３＋０〜５％、
Ｙｂ３＋ ０〜５％、
（ただし、Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｇｄ３＋、Ｙｂ３＋の合計含有量が０〜５％）
Ｂ３＋０〜１％、
Ｚｎ２＋０〜２０％、
Ｉｎ３＋ ０〜２０％
を含有し、アニオン％表示にて、
Ｆ− ２０〜９５％、
Ｏ２− ５〜８０％
を含有し、可視域に吸収を有するイオンおよびＰｂを含有しないことを特徴とする上記（１）項に記載のフツリン酸ガラス、
（６）  アッベ数νｄが７０を超えることを特徴とする上記（１）項または（５）項に記載のフツリン酸ガラス、
（７）  内部に含まれる粒径が１０μｍ以上の異物の数密度が５個／ｃｍ３未満であることを特徴とする上記（１）項〜（６）項のいずれかに記載のフツリン酸ガラス、
（８）  上記（１）項〜（７）項のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなるプレス成形用ガラス素材、
（９）  精密プレス成形用プリフォームであることを特徴とする上記（８）項に記載のプレス成形用ガラス素材、
（１０）  上記（１）項〜（７）項のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子ブランク、
（１１）  上記（１）項〜（７）項のいずれかに記載のフツリン酸ガラスからなる光学素子、
を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤトレッドであって、該タイヤトレッドの底部または滑り止め表面から突出し、規定されたトレッド深さを有する少なくとも１つのトレッド部材（１０）またはブロックを有し、該少なくとも１つのトレッド部材（１０）またはブロックが、摩耗インジケータとしての第１の穴または切り欠き（１６）を有し、該第１の穴または切り欠き（１６）が、前記トレッド深さまたは滑り止め深さに満たない第１の深さにわたって一定である外側の第１の断面形状を有する、タイヤトレッドにおいて、前記第１の断面形状が雪片を模した記号であることを特徴とするタイヤトレッド。
【請求項２】
前記第１の穴または切り欠きが、第２の深さにわたって一定である第２の断面形状を有する、請求項１に記載のトレッド。
【請求項３】
前記第１の穴または切り欠きが、第３の深さにわたって一定である第３の断面形状を有する、請求項２に記載のトレッド。
【請求項４】
前記第２の断面形状が太陽を模した記号である、請求項１から３のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項５】
前記第３の断面形状が警告記号または立入禁止記号である、請求項１から４のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項６】
前記第１の深さが、前記滑り止め深さの４０〜５０％の範囲内にあるか、２．８〜４．２ｍｍの範囲内にあるか、その両方の範囲内にある、請求項１から５のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項７】
前記第２の深さが、前記滑り止め深さの２５〜４０％の範囲内にあるか、２〜２．８ｍｍの範囲内にあるか、その両方の範囲内にある、請求項１から６のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項８】
前記第３の深さが、前記滑り止め深さの１０〜３０％の範囲内にあるか、１〜２ｍｍの範囲、好ましくは１〜１．６ｍｍの範囲内にあるか、その両方の範囲内にある、請求項１から７のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項９】
前記トレッド部材またはブロックが、前記タイヤトレッドの第１の位置に配置され、
前記タイヤトレッドが、該タイヤトレッドの第２の位置に配置され、前記底部または滑り止め表面から突出する、さらなるトレッド部材またはブロックを有し、該さらなるトレッド部材またはブロックが、摩耗インジケータとしての第２の穴または切り欠き（２０）を有し、該第２の穴または切り欠き（２０）が、前記トレッド深さまたは滑り止め深さに満たない深さにわたって一定であるとともに前記第１の断面形状とは異なる形状である外側断面形状を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載のトレッド。
【請求項１０】
前記第１の断面形状が雪片を模した記号であり、前記第２の穴または切り欠き（２０）の前記外側断面形状が太陽を模した記号であり、前記第２の穴または切り欠き（２０）の前記深さが、前記第１の深さよりも大きく、好ましくは１．５〜３ｍｍ大きい、請求項９に記載のトレッド。
【請求項１１】
前記第１の深さが、前記滑り止め深さの４０〜５０％の範囲内にあるか、２．８〜４ｍｍの範囲内にあるか、その両方の範囲内にあり、前記第２の穴または切り欠き（２０）の前記深さが、前記滑り止め深さの７０〜８０％の範囲内にあるか、５〜６．４ｍｍの範囲内にあるか、その両方の範囲内にある、請求項１０に記載のトレッド。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のトレッドを有する空気入りタイヤ。
【請求項１３】
トレッドにトレッド摩耗インジケータを形成する成形装置であって、該成形装置（３０）が、規定された深さを有する第１の中実部分を備えた成形ブレード（３８，５２，６２）を有し、前記第１の中実部分が、前記規定された深さにわたって一定であるとともに雪片を模した記号である断面形状を有する成形装置。
【請求項１４】
前記成形ブレード（３８，５２，６２）が、第２の規定された深さを有する第２の中実部分を有し、該第２の中実部分が、前記第２の規定された深さにわたって一定であるとともに太陽を模した記号である断面形状を有する、請求項１３に記載の成形装置。
【請求項１５】
前記成形ブレード（３８，５２，６２）が第３の中実部分を有し、該第３の中実部分が、第３の規定された深さにわたって一定であるとともに警告記号または立入禁止記号である断面形状を有する、請求項１４に記載の成形装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷データを受信するデータ受信手段と、
前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであるかを判定する第１の判定手段と、
前記第１の判定手段によって前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであると判定された場合に、前記一連の描画コマンドに含まれるタイルパターンを解析して透過に変換するべきかの判定を行う第２の判定手段と、
前記第２の判定手段によって透過に変換すべきと判定された場合に、前記一連の描画コマンドを、透過オブジェクトを示す１つの描画コマンドへ変換する変換手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の判定手段は、
受信した印刷データ内の前記複数の描画コマンドの描画論理順序が、二つの描画論理ＸＯＲの間に描画論理ＡＮＤが１または複数で表現されている特定の描画論理順序であるかを判定する描画論理順序判定手段と、
前記描画論理順序判定手段によって前記特定の描画論理順序であると判定される前記複数の描画コマンドに含まれる、前記描画論理ＡＮＤのオブジェクトが前記描画論理ＸＯＲのオブジェクトの領域内であるかを判定する描画領域判定手段と、
を有し、
前記描画論理順序判定手段によって特定の描画論理順序であると判定され、且つ、前記描画領域判定手段によって前記描画論理ＡＮＤのオブジェクトが前記描画論理ＸＯＲのオブジェクトの領域内であると判定される場合に、前記複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであると判定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第２の判定手段は、前記描画論理ＡＮＤで表現されているオブジェクトのパターンが、ドットのＯＮ／ＯＦＦに関してどちらも孤立点で表現されている場合に透過に変換すべきと判定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第２の判定手段は、前記描画論理ＡＮＤで表現されているオブジェクトのパターンについて、ドットのＯＮ／ＯＦＦに関してどちらか片方が孤立点のみで表現されている場合に、パターンの一様性の判定を行い、一様と判定された場合に前記透過へ変換すべきと判定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記一様性の判定は、前記描画論理ＡＮＤで表現されているオブジェクトのパターンを複数に分割し、該分割されたそれぞれのパターンについてドットＯＮ数を比較することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第２の判定手段は、前記描画論理ＡＮＤで表現されているオブジェクトのパターンについて、ドットのＯＮ／ＯＦＦに関してどちらも連続している場合に、透過に変換すべきと判定しないことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第２の判定手段によって透過に変換すべきと判定された場合に、前記変換手段によって変換された透過オブジェクトを示す１つの描画コマンドに基づいて中間データが生成され、前記第２の判定手段によって透過に変換すべきと判定されなかった場合に、擬似的な透過表現に相当する複数の描画コマンドに基づいて中間データが生成され、
前記生成された中間データに基づいて生成されるビットマップデータに対して、ディザ処理が行われることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
レーザービームの曲がりや傾きによって、前記パターン変換されたオブジェクトをレンダリングし、該レンダリングした画像に画像形成時の走査ラインの曲がりによる画像の歪みを補正するデジタル補正を行なうデジタル補正手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
印刷データを受信するデータ受信工程と、
前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであるかを判定する第１の判定工程と、
前記第１の判定工程によって前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであると判定された場合に、前記一連の描画コマンドに含まれるタイルパターンを解析して透過に変換するべきかの判定を行う第２の判定工程と、
前記第２の判定工程によって透過に変換すべきと判定された場合に、前記一連の描画コマンドを、透過オブジェクトを示す１つの描画コマンドへ変換する変換工程と、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の各手段としてコンピュータを機能させるコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明は、印刷データを受信するデータ受信手段と、前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであるかを判定する第１の判定手段と、前記第１の判定手段によって前記受信した印刷データ内の複数の描画コマンドが擬似的な透過表現に相当する一連の描画コマンドであると判定された場合に、前記一連の描画コマンドに含まれるタイルパターンを解析して透過に変換するべきかの判定を行う第２の判定手段と、前記第２の判定手段によって透過に変換すべきと判定された場合に、前記一連の描画コマンドを、透過オブジェクトを示す１つの描画コマンドへ変換する変換手段と、を備えることを特徴とする。