Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記はんだ付け装置は、前記基板上に実装された前記電子部品を前記噴流はんだより前記基板上にはんだ付けする噴流はんだ付け装置であり、
前記はんだ付け処理部は、前記はんだ組成物が吹き付けられた電子部品と基板の接合部に風を送風して前記はんだ組成物を冷却するファンを駆動するモータであり、
前記検出部は、前記モータの回転制御を行うインバータであり、前記消費電力情報として電流値を前記電力計算部に出力する
ことを特徴とする請求項１、請求項２および請求項５のいずれか一項に記載のはんだ付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るリフロー装置の構成例を示す図である。
【図２】リフロー装置のブロック構成例を示す図である。
【図３】操作表示部の画面表示例を示す図である（その１）。
【図４】操作表示部の画面表示例を示す図である（その２）。
【図５】リフロー装置の動作例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るはんだ付け装置の構成例を示す図である。
【図７】はんだ付け装置のブロック構成例を示す図である。
【図８】操作表示部の画面表示例を示す図である（その１）。
【図９】操作表示部の画面表示例を示す図である（その２）。
【図１０】はんだ付け装置の動作例を示すフローチャートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
表面実装用電子部品が搭載されたプリント基板４０がコンベア２８上に載置されると、搬入口１０ａからリフロー本体１０の内部に搬入される。リフロー本体１０内の予備加熱ゾーンＺ１では、熱風がプリント基板４０に吹き付けられる。これにより、フラックスが活性化されると共に電極やはんだペーストの表面の酸化膜が除去される。続けて、本加熱ゾーンＺ２にプリント基板４０が搬送されると、はんだが溶融されてプリント基板４０の電極に電子部品が固着される。最後に、冷却ゾーンＺ３にプリント基板４０が搬送されると、プリント基板４０が冷却されて、はんだが固化される。冷却ゾーンＺ３で冷却されたプリント基板４０は搬出口１０ｂから搬出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
電力計算部２６は、温度コントローラ２０、インバータ２２および制御部２４のそれぞれに接続され、例えばＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を有するコンピュータ等から構成される。電力計算部２６は、温度コントローラ２０から取り出された操作量Ｄtrを取得し、取得した操作量Ｄtrに含まれる出力電圧、出力電流等からヒータ１２によって消費された消費電力を算出する。また、電力計算部２６は、インバータ２２から取り出されたモータ１６の駆動に用いた電流値Ｄirを取得し、取得した電流値Ｄirからモータ１６によって消費された消費電力を算出する。また、電力計算部２６は、制御部２４から読み出された消費電力係数Ｄprを取得し、取得した消費電力係数Ｄprから制御部２４によって消費された消費電力量を取得する。この消費電力量には、上述したように、制御部２４以外の機器、例えば温度コントローラ２０やインバータ２２の消費電力も含まれている。また、電力計算部２６は、算出したヒータ１２の消費電力とモータ１６の消費電力と制御部２４等の消費電力とを加算し、リフロー装置１００の総消費電力量を算出する。そして、電力計算部２６は、算出したリフロー装置１００の総消費電力量を操作表示部３０の運転画面の消費電力表示部に表示するために、操作表示部３０に出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ステップＳ１２０で電力計算部２６は、インバータ２２から電流値Ｄirを取得し、取得した電流値Ｄirと電源部３２の電圧値とからモータ１６の消費電力を算出する。これにより、予備加熱ゾーンＺ１および本加熱ゾーンＺ２の上下段に配置されたファン１４およびモータ１６の消費電力を算出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ステップＳ１４０で電力計算部２６は、ステップＳ１１０，１２０，１３０のそれぞれで算出した、ヒータ１２の消費電力とモータ１６の消費電力と制御部２４等の消費電力とを合計することによりリフロー装置１００のトータルの総消費電力量を算出する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
＜２．第２の実施の形態＞
上記第１の実施の形態では本発明をリフロー装置１００に適用した例について説明したが、第２の実施の形態では噴流はんだ付け装置２００に本発明を適用した例について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
電力計算部７４は、算出したプリヒータ５２の消費電力とモータ８３Ａ、８３Ｂ、５８の消費電力と制御部７２の消費電力とを加算し、噴流はんだ付け装置２００のトータルの総消費電力量を算出し、算出した総消費電力量に基づく画像情報を操作表示部６０に出力する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
［噴流はんだ付け装置の表示パネルの画面表示例］
次に、操作表示部６０に表示される運転画面６０ａについて説明する。図８に示すように、操作表示部６０には、噴流はんだ付け装置２００を構成するコンベア８６の速度やプリヒータ５２の温度を設定、実行したり、現在の運転時におけるコンベア８６の実際の速度やプリヒータ５２の実際の温度を表示するための運転画面６０ａが表示される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
コンベア速度設定ボタン６０ｃの右側には、図７に示したプリヒータ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの温度を設定するためのプリヒータ温度設定ボタン６０ｄ，６０ｅ，６０ｆ，６０ｇが画面左から右に向かって順番に表示される。さらに、プリヒータ温度設定ボタン６０ｇの右側には、噴流はんだ槽８０の溶融はんだの温度を設定するためのはんだ槽温度設定ボタン６０ｈが表示される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
設定温度表示部６０ｉの下方には、測定温度表示部６０ｊが設けられる。この測定温度表示部６０ｊには、コンベア８６の実際の測定速度、各プリヒータ５２の実際の測定温度および溶融はんだ槽５４の実際の溶融はんだの測定温度が表示される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011222783.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2011222783.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を放出する電子放出源と、
前記電子線の照射によりＸ線を発生するＸ線発生層と、前記Ｘ線発生層を支持する透過基材とを備えた透過型ターゲットと、
を有し、
前記透過型ターゲットは、その表面において、前記電子線の入射方向に対して傾斜した傾斜面を備えた複数の凸部が形成されていることを特徴とするＸ線源。
【請求項２】
前記透過基材は、前記Ｘ線発生層を支持する側において複数の傾斜部によって構成される凹凸面を有し、前記複数の凸部のそれぞれは、前記凹凸面が有する凸領域と、前記凸領域に倣って支持される前記Ｘ線発生層とによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線源。
【請求項３】
前記凸部の形状は、錐であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線源。
【請求項４】
前記傾斜面の前記入射方向に対する角度は、一定であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項５】
前記凸部の高さは、透過型ターゲットの厚さの１０％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項６】
前記傾斜面の前記入射方向に対する角度は、４５度以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項７】
前記凸部の高さは、１０μｍ以上であり、
前記複数の凸部同士が、曲率半径が２μｍ以上の凹状の曲面を介して繋がっていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項８】
前記透過型ターゲットに生じた熱を放出する放熱部材を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＸ線源。
【請求項９】
電子線を放出する電子放出源と、
前記電子線の照射によりＸ線を発生するターゲット層と、前記ターゲット層を支持する透過基材とを備えた透過型ターゲットと、
を有し、
前記透過型ターゲットは、前記電子線の照射を受ける面において、前記電子線の入射方向に対して傾斜した傾斜面を備えた複数の凸部が形成されていることを特徴とするＸ線源。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＸ線源と、
前記Ｘ線源が発生し、被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出手段と、
前記Ｘ線検出手段による検出結果からＸ線透過画像を作成する信号処理手段と、
を有することを特徴とするＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るＸ線源は、電子線を放出する電子放出源と、前記電子線の照射によりＸ線を発生するＸ線発生層と、前記Ｘ線発生層を支持する透過基材とを備えた透過型ターゲットと、を有し、前記透過型ターゲットは、その表面において、前記電子線の入射方向に対して傾斜した傾斜面を備えた複数の凸部が形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面上に設けられた第１表示領域と、を有する第１基板の前記第１表示領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、前記第１表示領域の外側に第１電極を形成する工程と、を含む素子基板形成工程と、
第２の面と、前記第２の面と対向する第３の面と、前記第２の面上に設けられた第２表示領域と、前記第２表示領域を囲む外周部と、を有する第２基板の前記第２表示領域上にカラーフィルターを形成する工程と、前記第２表示領域と前記外周部との間に前記第２基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記第２表示領域と前記外周部との間に第２電極を形成する工程と、を含むカラーフィルター基板形成工程と、
第３基板に、前記第３の面の前記外周部と重なる部分を接続する工程を含む対向基板形成工程と、
前記第１の面と前記第２の面との少なくとも一方に、透明樹脂層を形成する塗布工程と、
前記第１の面と前記第２の面とを、前記第１電極と前記第２電極とが重なるように貼り合わせる貼着工程と、
前記第１電極及び前記第２電極に電圧を印加し、前記第２基板の前記第２表示領域と重なる部分を前記第１基板側に移動させる第２基板移動工程と、
前記第２基板移動工程後に前記透明樹脂層を硬化させる工程と、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記素子基板形成工程では、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１基板側の電極を形成する際、前記第１電極を形成することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記塗布工程は、前記透明樹脂層を囲むシール層を形成する工程を含み、
前記シール層の硬化処理を、前記第２基板移動工程の前に行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記塗布工程は、前記透明樹脂層を囲むシール層を形成する工程を含み、
前記シール層の硬化処理を、前記第２基板移動工程の後に行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記シール材として、ギャップ材を含有したものを用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２基板移動工程において、前記第１電極と前記第２電極とは接触していることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２基板移動工程において、前記第２電極は、前記第２基板の前記第２表示領域と重なる部分と前記第１基板との間の距離を規定する機能を有することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
第１面と、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面に設けられた電極パッドとを備えた半導体基板と、
前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通し、前記電極パッドを露呈する貫通孔と、
前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有し、前記電極パッドと電気的に接続された貫通電極と、
前記貫通孔内に充填され、前記貫通電極を被覆し、複数層で形成された保護層と、
を備え、
前記保護層の前記複数層のうち最も前記第１面に近い層は、少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部を被覆し、ポジ型感光性樹脂からなり、
二番目に前記第１面に近い層は、最も前記第１面に近い層と異なる樹脂からなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
最も前記第１面に近い層は、前記交差部のみを被覆していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置の製造方法であって、
（Ａ）第１面と、前記第１面とは反対の第２面とを有する半導体基板を準備し、前記第１面に電極パッドを形成し、
（Ｂ）前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記電極パッドを露呈し、
（Ｃ）前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有する貫通電極を形成し、
（Ｄ）ポジ型感光性樹脂を用いて前記貫通電極を被覆し、
（Ｅ）前記半導体基板の前記第２面に光を照射し、
（Ｆ）少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部に前記ポジ型感光性樹脂が残存するように、前記ポジ型感光性樹脂を除去し、
（Ｇ）次いで、前記貫通孔内に樹脂を充填する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程Ｄ，前記工程Ｅ，及び前記工程Ｆを複数回繰り返すことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１態様の半導体装置は、第１面と、前記第１面とは反対の第２面と、前記第１面に設けられた電極パッドとを備えた半導体基板と、前記第２面から前記第１面に向けて前記半導体基板を貫通し、前記電極パッドを露呈する貫通孔と、前記電極パッドが露呈されている露呈部及び前記貫通孔の側面を被覆し、底面と側面とを有し、前記電極パッドと電気的に接続された貫通電極と、前記貫通孔内に充填され、前記貫通電極を被覆し、複数層で形成された保護層とを備える。この半導体装置において、前記保護層の前記複数層のうち最も前記第１面に近い層は、少なくとも前記貫通電極の前記底面と前記側面との間に位置する交差部を被覆し、ポジ型感光性樹脂からなり、二番目に前記第１面に近い層は、最も前記第１面に近い層と異なる樹脂からなる。即ち、最も前記第１面に近い前記層は、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されている。
本発明の第１態様の半導体装置においては、最も前記第１面に近い層は、前記交差部のみを被覆していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［構成］
図１（Ａ）は、本発明による一実施の形態に係る半導体レーザアレイ１の上面構成の一例を表したものである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の半導体レーザアレイ１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。半導体レーザアレイ１は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、半導体基板１０の上面に、複数のレーザ構造部２０と、１つの温度検出部３０とを備えたものである。各レーザ構造部２０は、半導体基板１０の法線方向に光を射出する面発光型の半導体レーザである。一方、温度検出部３０は、光を外部に射出することのない面発光型の半導体レーザである。各レーザ構造部２０および温度検出部３０は、引出配線３２を介してパッド電極３１と電気的に接続されている。なお、半導体発光装置が本発明の「半導体レーザアレイ１」の一具体例に相当する。また、レーザ構造部２０が本発明の「半導体発光部」の一具体例に相当し、温度検出部３０が本発明の「半導体温度検出部」の一具体例に相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、レーザ構造部２０および温度検出部３０は、例えば、上部ＤＢＲ層２５の一部に電流狭窄層２５Ａを備えている。さらに、下部ＤＢＲ層２１の上部、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、上部ＤＢＲ層２５およびコンタクト層２６が、柱状となっている。コンタクト層２６は、例えば、図３、図４に示したように、上部ＤＢＲ層２５の上面のうち外縁部分にだけ形成されている。なお、コンタクト層２６が、上部ＤＢＲ層２５の上面全体に形成されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
下部スペーサ層２２は、例えばアンドープＡｌＧａＡｓからなる。活性層２３は、例えばアンドープＧａＡｓ系材料からなる。この活性層２３では、後述の電流注入領域２５Ｂと対向する領域が発光領域となる。上部スペーサ層２４は、例えばアンドープＡｌＧａＡｓからなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上部ＤＢＲ層２５は、図示しないが、低屈折率層および高屈折率層を交互に積層して構成されたものである。ここで、低屈折率層は例えば光学厚さがλ／４のｐ型Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓからなり、高屈折率層は例えば光学厚さがλ／４のｐ型Ａｌx4Ｇａ1-x4Ａｓ（ｘ３＞ｘ４）からなる。コンタクト層２６は、例えばｐ型ＧａＡｓにより構成されている。なお、ｐ型不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などが挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
電流狭窄層２５Ａは、その外縁領域に電流狭窄領域２５Ｃを有し、その中央領域に電流注入領域２５Ｂを有している。電流注入領域２５Ｂは、例えばｐ型ＡｌＧａＡｓまたはｐ型ＡｌＡｓからなる。電流狭窄領域２５Ｃは、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）を含んで構成され、製造過程において、側面からＡｌＧａＡｓまたはＡｌＡｓに含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより得られるものである。従って、電流狭窄層２５Ａは電流を狭窄する機能を有している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、レーザ構造部２０および温度検出部３０において、コンタクト層２６の上面に、上記の電流注入領域２５Ｂに対応する領域に開口を有する環状の上部電極２７が形成されている。上部電極２７は、引出配線３２に接続されている。また、半導体基板１０の裏面には下部電極２８が形成されている。下部電極２８は、各レーザ構造部２０および温度検出部３０の共通電極として機能する。さらに、レーザ構造部２０および温度検出部３０の表面（側面および上面）には絶縁層２９が形成されている。絶縁層２９は、レーザ構造部２０および温度検出部３０の柱状部分の側面および上面を覆うように形成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
１…半導体レーザアレイ、１０…基板、２０…レーザ構造部、２１…下部ＤＢＲ層、２２…下部スペーサ層、２３…活性層、２４…上部スペーサ層、２５…上部ＤＢＲ層、２５Ａ…電流狭窄層、２５Ｂ…電流注入領域、２５Ｃ…電流狭窄領域、２６…コンタクト層、２７…上部電極、２８…下部電極、２９…絶縁層、３０…温度検出部、３１…パッド電極、３２…引出電極、４０…低反射率層、４１…位相調整層、４２…高反射率領域、４３…低反射率領域、４４…金属層、５０…増幅部、６０…オフセット調整部。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2011222548.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011222548.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011222548.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、パッケージをワイヤボンドステージに移動させる。そして、図９に示すように、半導体レーザチップ７とフレーム１をワイヤ８により接続し、サブマウント５の電極パターンとリード３をワイヤ９により接続する。以上の工程により製造された半導体レーザ装置を収納トレイに納める。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
１  フレーム、２  モールド樹脂、３  リード、４  半田（第１の半田）、５  サブマウント、６  半田（第２の半田）、７  半導体レーザチップ、１１  Ａｕメッキ層、１３  Ｐｔ層（第１のＰｔ層）、１４  Ｔｉ層（高融点金属層）、１５  Ｐｔ層（第２のＰｔ層）
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により画素信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素により生成された画素信号が出力される複数の信号出力線と、
前記信号出力線毎に設けられ、前記複数の信号出力線の画素信号を増幅する複数の増幅器とを有し、
前記増幅器は、同一の電圧ノードにゲート電極が接続される第１及び第２の電界効果トランジスタと、前記電圧ノードと前記第１及び第２の電界効果トランジスタのゲート電極との間に接続される第１の配線とを有し、
前記第１及び第２の電界効果トランジスタは、前記複数の増幅器が配列される方向に対して垂直方向に配列され、
前記第１の配線の材料は、前記第１及び第２の電界効果トランジスタのゲート電極の材料より抵抗率が小さいことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の配線は、
前記電圧ノードに接続される第２の配線と、
前記第２の配線に接続される第１のプラグと、
前記第１のプラグに接続される第３の配線と、
前記第３の配線及び前記第１の電界効果トランジスタのゲート電極間に接続される第２のプラグと、
前記第３の配線及び前記第２の電界効果トランジスタのゲート電極間に接続される第３のプラグとを有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第３の配線上において、前記第１のプラグは、前記第２のプラグと前記第３のプラグとの間に配置されることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２の電界効果トランジスタのドレイン又はソースは、前記増幅器の出力端子に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２の電界効果トランジスタのゲート電極は、前記増幅器の出力端子と容量結合されていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の電界効果トランジスタのチャネルは、同一方向に揃っていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記同一方向は、前記複数の画素の列に沿った方向であることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源にプラズマ放電処理装置本体が接続されており、前記直流電源と前記プラズマ放電処理装置本体の間には、第１のスイッチング素子と、第１の抵抗と、第１のコンデンサ、第２のスイッチング素子を直列に接続した電位保持回路とが並列に接続されており、前記第１のスイッチング素子及び前記電位保持回路よりも前記直流電源側にはインダクタが直列に接続されており、前記第１、第２のスイッチング素子を交互にオン・オフ制御することで、プラズマ放電処理を連続して行うことを特徴とするプラズマ放電処理装置。
【請求項２】
前記電位保持回路の抵抗とコンデンサとの時定数を、前記第１、第２のスイッチング素子を交互オン・オフにする周期以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ放電用電源装置。
【請求項３】
前記電位保持回路には、前記第１の抵抗と並列に、直列に接続された第１のダイオードと第２の抵抗が、さらに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ放電用電源装置。
【請求項４】
前記電位保持回路には、前記第１の抵抗と直列に、お互いが並列に接続された第３の抵抗と第２のダイオ−ドが、さらに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ放電用電源装置。
【請求項５】
直流電源にプラズマ放電処理装置本体が接続されており、前記直流電源と前記プラズマ放電処理装置本体の間には、第１のスイッチング素子と、第１の抵抗と、第１のコンデンサ、第２のスイッチング素子を直列に接続した電位保持回路とが並列に接続されており、前記第１のスイッチング素子及び前記電位保持回路よりも前記直流電源側にはインダクタが直列に接続されており、プラズマ放電を起こす際には前記第１のスイッチング素子をオフ、前記第１のスイッチング素子をオンとし、プラズマ放電を停止する際には前記第１のスイッチング素子をオン、前記第１のスイッチング素子をオフとし、前記第１、第２スイッチング素子を交互にオン・オフ制御することで、プラズマ放電処理を連続して行うことを特徴とするプラズマ放電処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至４いずれか一項に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、イオン窒化、プラズマ侵炭、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタ蒸着またはマグネトロンスパッタ蒸着を行ない、処理された光学膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ放電用電源装置、方法および光学膜
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、直流電源にプラズマ放電処理装置本体が接続されており、前記直流電源と前記プラズマ放電処理装置本体の間には、第１のスイッチング素子と、第１の抵抗と、第１のコンデンサ、第２のスイッチング素子を直列に接続した電位保持回路とが並列に接続されており、前記第１のスイッチング素子及び前記電位保持回路よりも前記直流電源側にはインダクタが直列に接続されており、プラズマ放電を起こす際には前記第１のスイッチング素子をオフ、前記第１のスイッチング素子をオンとし、プラズマ放電を停止する際には前記第１のスイッチング素子をオン、前記第１のスイッチング素子をオフとし、前記第１、第２スイッチング素子を交互にオン・オフ制御することで、プラズマ放電処理を連続して行うプラズマ放電処理方法を提案している。
また、上記のプラズマ放電処理装置を用いてイオン窒化、プラズマ侵炭、プラズマＣＶＤ、プラズマスパッタ蒸着またはマグネトロンスパッタ蒸着を行ない、処理された光学膜を提案している。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前記光学特性を測定するために前記レンズに測定光束を投光する光源と，前記測定光束を受光する受光素子と，を有する測定光学系と、
前記測定光束の少なくとも一部が通る孔を持つレンズ載置台と、
前記レンズが枠入れされている眼鏡フレーム又は前記フレームに枠入れされている前記レンズを当接させてその動きを制限させるためのフレーム支持部材であって，前記レンズ載置台に対して近寄る方向及び遠ざかる方向に移動可能なフレーム支持部材と、を備え、
眼鏡レンズの光学特性を測定するためのレンズメータにおいて、
前記フレーム支持部材の位置を検知する検知手段と、
前記検知手段の検知結果に基づいて、前記フレームの下部及び／又は前記レンズの下端と前記レンズ載置台の孔との位置関係を報知するための報知情報を出力するための報知手段と、を有する、
ことを特徴とするレンズメータ。
【請求項２】
請求項１のレンズメータにおいて、
前記レンズ載置台を収納するために前記フレーム支持部材の前面に形成されている開口を有し、
前記検知手段は、前記開口内に前記レンズ載置台が収納される又は収納された所定位置を検出するセンサを含む、
ことを特徴とするレンズメータ。
【請求項３】
請求項１又は２のレンズメータにおいて、
前記レンズは、下方に近用部を持つ累進レンズであり、
装置の測定モードを累進レンズ測定モードに設定する設定手段と、
累進レンズ測定モードにおいて，前記検知手段の検知結果に基づいて前記フレーム下部及び／又は前記レンズ下端が前記レンズ載置台の孔に掛ったことを検出して前記近用部の光学特性を取得する演算制御手段と、
を有する、
ことを特徴とするレンズメータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とする。
（１）  前記光学特性を測定するために前記レンズに測定光束を投光する光源と，前記測定光束を受光する受光素子と，を有する測定光学系と、前記測定光束の少なくとも一部が通る孔を持つレンズ載置台と、前記レンズが枠入れされている眼鏡フレーム又は前記フレームに枠入れされている前記レンズを当接させてその動きを制限させるためのフレーム支持部材であって，前記レンズ載置台に対して近寄る方向及び遠ざかる方向に移動可能なフレーム支持部材と、を備え、眼鏡レンズの光学特性を測定するためのレンズメータにおいて、前記フレーム支持部材の位置を検知する検知手段と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記フレームの下部及び／又は前記レンズの下端と前記レンズ載置台の孔との位置関係を報知するための報知情報を出力するための報知手段と、を有する、ことを特徴とする。
（２）  （１）のレンズメータにおいて、前記レンズ載置台を収納するために前記フレーム支持部材の前面に形成されている開口を有し、前記検知手段は、前記開口内に前記レンズ載置台が収納される又は収納された所定位置を検出するセンサを含む、ことを特徴とする。
（３）  （１）又は（２）のレンズメータにおいて、前記レンズは、下方に近用部を持つ累進レンズであり、装置の測定モードを累進レンズ測定モードに設定する設定手段と、累進レンズ測定モードにおいて，前記検知手段の検知結果に基づいて前記フレーム下部及び／又は前記レンズ下端が前記レンズ載置台の孔に掛ったことを検出して前記近用部の光学特性を取得する演算制御手段と、を有する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、本発明に係るｐＨの測定方法（以下、単に測定方法と称すことがある）について説明する。なお、本発明に係る測定方法は、例えば、図１に示すような装置構成により実現される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図１は、本発明に係る測定方法を用いた測定装置（以下、単に装置と称すことがある）の概略図である。図１に示すように、装置は、一例として、電圧計１（電位差計と称すこともある）に、ｐＨガラス電極２（pH glass electrode）および比較電極３(reference electrode)が接続されている。なお、図１に示した装置は、いわゆるガラス電極法と言われ、ｐＨガラス電極２および比較電極３は測定溶液(sample)に浸され、これら電極の間に生じた電圧（電位差）を測定することにより後述する処理手段が上記測定溶液のｐＨを算出する。なお、図１に示す測定溶液は、特に断りのない限り、一例として、海水であると仮に想定して、以下説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
ここで、ある波長λ1および波長λ2における非解離形(HA)および解離形(A-)のモル吸光係数をそれぞれ1εHA、1εA-、2εHA、2εA-とする。そして、光路長（具体的には、海水を含む容器の長さ）をＬとすれば、ある波長λ1および波長λ2における測定溶液の吸光度Abs1およびAbs2は、それぞれ以下の式（３９）および式（４０）で表すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を光に変換するシンチレータ層を含むシンチレータであって、
前記シンチレータ層は、前記シンチレータ層の輪郭の一部を構成する第１端部と、前記輪郭の他の一部を構成する第２端部とを含み、前記第１端部と前記第２端部とは、前記シンチレータ層の中心から見て互いに反対側に位置し、
放射線を光に変換する効率が前記第１端部から前記第２端部に向かって低くなっている、
ことを特徴とするシンチレータ。
【請求項２】
前記シンチレータ層の厚さが前記第１端部から前記第２端部に向かって小さくなっている、
ことを特徴とする請求項１に記載のシンチレータ。
【請求項３】
前記シンチレータ層は、主剤と付活剤とを含み、前記主剤に対する前記付活剤の比率が前記第１端部から前記第２端部に向かって大きくなっている、
ことを特徴とする請求項１に記載のシンチレータ。
【請求項４】
前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有し、前記柱状結晶構造における柱状結晶の径が前記第１端部から前記第２端部に向かって小さくなっている、
ことを特徴とする請求項１に記載のシンチレータ。
【請求項５】
前記シンチレータ層は、前記シンチレータ層の前記輪郭における前記第１端部と前記第２端部とを接続する部分を構成する第３端部を更に含み、
放射線を光に変換する効率が前記第１端部から前記第３端部に向かって低くなっている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシンチレータ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシンチレータと、
前記シンチレータに放射線が入射することによって前記シンチレータの前記シンチレータ層が発生する光を検出する光電変換素子アレイを含むセンサパネルと、
を備えることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項７】
請求項６の放射線検出装置と、
放射線源と、
を備えることを特徴とする放射線撮影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の駐車支援を開始するための駐車支援スイッチを有し、車両の駐車を支援する駐車支援装置と、  
所定の停止条件に基づいて、内燃機関を自動停止させる自動停止装置と、を備えた車両の制御装置において、
前記駐車支援スイッチがオンされることに伴って前記駐車支援装置が駐車支援を行っているときには、内燃機関を自動停止させない一方、前記駐車支援スイッチがオンされてから車両が所定距離以上走行した場合には、駐車支援スイッチのオン、オフに関わらず、他の停止条件に基づいて内燃機関を自動停止することを特徴とする車両の制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車両の制御装置において、
前記駐車支援スイッチがオンされてから所定時間以上経過した場合においても、駐車支援スイッチのオン、オフに関わらず、他の停止条件に基づいて内燃機関を自動停止することを特徴とする車両の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両の制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものである。その目的は、駐車支援装置及びアイドルストップ制御を行う内燃機関が搭載された車両において、駐車支援中に運転者の意図しない内燃機関の停止を抑制し、ドラビリの悪化を抑制する車両の制御装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、車両の駐車支援を開始するための駐車支援スイッチを有し、車両の駐車を支援する駐車支援装置と、所定の停止条件に基づいて、内燃機関を自動停止させる自動停止装置と、を備えた車両の制御装置において、これらの両制御が行われようとした場合に、駐車支援制御を優先するものである。即ち、本発明では、車両の駐車支援を開始するための駐車支援スイッチを有し、車両の駐車を支援する駐車支援装置と、所定の停止条件に基づいて、内燃機関を自動停止させる自動停止装置と、を備えた車両の制御装置において、前記駐車支援スイッチがオンされることに伴って前記駐車支援装置が駐車支援を行っているときには、内燃機関を自動停止させない一方、前記駐車支援スイッチがオンされてから車両が所定距離以上走行した場合には、駐車支援スイッチのオン、オフに関わらず、他の停止条件に基づいて内燃機関を自動停止することを特徴とする車両の制御装置を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、駐車支援装置及びアイドルストップ制御を行う内燃機関が搭載された車両において、駐車支援中に運転者の意図しない内燃機関の停止を抑制し、ドラビリの悪化を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（３）本実施形態では、駐車支援スイッチ３８がオンされた場合であっても、その後所定時間以上経過した場合、または車両が所定距離以上走行した場合には、駐車支援を行っていないと判断するようにしている。従って、例えば、駐車支援スイッチ３８をオンし、その後運転者の意図が運転継続するように変わったにも関わらず、駐車支援スイッチ３８をオフし忘れた場合などにもアイドリングストップ制御を行い、燃料消費を低減することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本実施形態では、駐車支援スイッチ３８がオンされてから所定時間以上経過した場合、または車両が所定距離以上走行した場合には、駐車支援を行っていないと判断するようにした例を示したが、請求項１や請求項２に記載の発明の実施形態はこれに限られるものではない。例えば、駐車支援スイッチ３８がオンされてから所定時間以上経過した場合、または車両が所定距離以上走行した場合には、駐車支援スイッチ３８を自動的にオフにし、内燃機関１が自動停止できるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、図３に第３の実施例装置として示すディーゼルエンジン排ガス処理装置は、管状捕集部１の集塵電極を構成する捕集管１−１の下流側端部にテーパ状に拡径するテーパ管状部１−１ｄと該テーパ管状部に連なる大径管状部１−１ｅを形成し、前記大径管状部１−１ｅの軸心部付近に低濃度排ガス導出管３と内周面付近に高濃度排ガス導出部１−１ｂを連設した構成とした以外は、前記図１又は図２に示すディーゼルエンジン排ガス処理装置と同様の構成を有するものである。かかる構成のディーゼルエンジン排ガス処理装置の場合は、捕集管１−１の下流側端部において、高濃度排ガス流がテーパ管状部１−１ｄにより徐々に減速され、大径管状部１−１ｅ内周面付近に連設した高濃度排ガス導出部１−１ｂにＰＭを確実に導入させることができる。なお、放電電極１−２の電極針１−２ｂは、捕集管１−１の下流側端部のテーパ管状部１−１ｄにまで連続して設けると更に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクの両面に配置された一対のブレーキパッドのうち、少なくとも一方側のブレーキパッドを液圧により押圧するピストンが挿入されるボアが内部に形成されるシリンダ部を有するキャリパボディを備え、
前記シリンダ部は、筒状に形成されるとともに、底部側に設けられた開口周縁部と該開口周縁部に嵌合される底蓋部材とを摩擦攪拌接合により一体に接合して形成される前記ボアの底部を有し、
前記底蓋部材は円板状に形成されて外周に沿って摩擦攪拌接合され、
前記摩擦攪拌接合の終了位置が前記底蓋部材の範囲内となっていることを特徴とするディスクブレーキ。
【請求項２】
前記底蓋部材は、前記ボア内に臨む一面側に凸部が設けられ、
前記摩擦攪拌接合の終了位置を前記凸部の範囲内としたことを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキ。
【請求項３】
前記凸部の範囲内には、前記ボアに液圧を供給するための流入孔が前記底蓋部材の前記一面と他面とを連通して設けられることを特徴とする請求項２に記載のディスクブレーキ。
【請求項４】
前記凸部の範囲内には、前記流入孔に接続される配管プラグの回止部が嵌合する回止穴が設けられることを特徴とする請求項３に記載のディスクブレーキ。
【請求項５】
前記回止穴は前記摩擦攪拌接合の終了位置に形成されることを特徴とする請求項４に記載のディスクブレーキ。
【請求項６】
前記凸部は、前記底蓋部材の外周の肉厚に対して１／２以上の高さを有して形成されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載のディスクブレーキ。
【請求項７】
前記底蓋部材には、前記キャリパボディに対する周方向位置を決めて係止されるための係合部が前記凸部に位置するように形成されていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載のディスクブレーキ。
【請求項８】
前記底蓋部材には、前記ボアに液圧を供給するための流入孔が一面と他面とを連通して設けられ、
前記流入孔は前記摩擦攪拌接合の終了位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキ。
【請求項９】
前記底蓋部材の前記流入孔は、前記底蓋部材の中心からずれて配置されることを特徴とする請求項３〜５，８のいずれか一項に記載のディスクブレーキ。
【請求項１０】
前記底蓋部材には、前記キャリパボディに対する周方向位置を決めて係止されるための係合部が前記ボア内に位置するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のディスクブレーキ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上のように形成されたキャリパボディ２１を用いてキャリパ１５、ひいてはディスブレーキ１１を製造する際には、爪部２７とシリンダ部２５との間から、図２に示すシール周溝３９にピストンシール４１を嵌合し、ブーツ周溝４０にブーツ４２の一端側を嵌合する。また、同じく爪部２７とシリンダ部２５との間から、ピストン２２をボア３０内に挿入し、ブーツ４２の他端側をピストン２２のブーツ周溝７４に嵌合する。また、図１に示す摺動ピン１８およびブリーダプラグ３２を取り付ける。このようにして、キャリパ１５が組み上がる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
また、前記底蓋部材は、前記ボア内に臨む一面側に凸部が設けられ、前記摩擦攪拌接合の終了位置を前記凸部の範囲内としたことを特徴とする。これにより、摩擦攪拌接合の終了位置を底蓋部材の範囲内としても、摩擦攪拌接合の終了位置に形成される残存穴部とボアの内面との距離を確保することができる。したがって、制動時のブレーキ液圧の負荷に対する耐久性を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼のアレルギー性障害または炎症性障害を処置するための局所的に投与可能な溶液組成物であって、該組成物は、
０．１７〜０．２％（ｗ／ｖ）オロパタジン、および
５０００〜１，６００，０００の重量平均分子量を有する、０．１〜３％（ｗ／ｖ）ポリビニルピロリドン
を含有し、
該組成物は、ポリビニルアルコールも、ポリビニルアクリル酸も、ヒドロキシプロピルメチルセルロースも、カルボキシメチルセルロースナトリウムも、キサンタンガムも含まず、かつ、
該組成物は、鼻のアレルギー性障害または炎症性障害の処置には使用されない、
溶液組成物。
【請求項２】
前記オロパタジンの濃度が、０．１８〜０．２２％（ｗ／ｖ）オロパタジンである、請求項１に記載の溶液組成物。
【請求項３】
前記オロパタジンの濃度が、０．３８〜０．６２％（ｗ／ｖ）オロパタジンである、請求項１に記載の溶液組成物。
【請求項４】
前記ポリビニルピロリドンが、５０，０００〜６０，０００の重量平均分子量を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の溶液組成物。
【請求項５】
前記ポリビニルピロリドンの濃度が、１．５〜２％（ｗ／ｖ）である、請求項１に記載の溶液組成物。
【請求項６】
１〜２ｃｐｓの粘度を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の溶液組成物。
【請求項７】
眼のアレルギー性障害または炎症性障害を処置するための局所的に投与可能な溶液組成物を調製する方法であって、該溶液組成物は、
０．１７〜０．２％（ｗ／ｖ）オロパタジン、および
５０００〜１，６００，０００の重量平均分子量を有する、０．１〜３％（ｗ／ｖ）ポリビニルピロリドン
を含有し、
該組成物は、ポリビニルアルコールも、ポリビニルアクリル酸も、ヒドロキシプロピルメチルセルロースも、カルボキシメチルセルロースナトリウムも、キサンタンガムも含まず、
該方法は、該ポリビニルピロリドンを該オロパタジンと混合する前に、該ポリビニルピロリドンの水溶液中の過酸化物を減少または排除するのに十分な時間にわたって室温より高い温度にて該ポリビニルピロリドンの水溶液を処理する工程を包含し、
該組成物は、鼻のアレルギー性障害または炎症性障害の処置には使用されない、
方法。
【請求項８】
前記溶液組成物が、０．１７〜０．６２％（ｗ／ｖ）オロパタジンを含有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記溶液組成物が、０．１８〜０．２２％（ｗ／ｖ）オロパタジンを含有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶液組成物が、０．３８〜０．６２％（ｗ／ｖ）オロパタジンを含有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリビニルピロリドンの濃度が、１．５〜２％（ｗ／ｖ）である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法が、前記ポリビニルピロリドンを前記オロパタジンと混合する前に、該ポリビニルピロリドンの水溶液を、ｐＨ１１〜１３で３０〜１２０分間、６０〜１２１℃の範囲の温度で処理する工程を包含する、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物が１〜２ｃｐｓの粘度を有する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号３８、配列番号３９、配列番号４５および配列番号４１に示されるアミノ酸配列を含む可変領域重鎖フレームワーク配列、ならびに配列番号１５に示されるアミノ酸配列のアミノ酸残基１〜２３、２４〜３７、３８〜６９および７０〜最後の残基を含む可変領域軽鎖フレームワーク配列、ならびにＲＡＳＥＳＶＤＤＬＬＨ（配列番号９）を含むＨＶＲ−Ｌ１、ＫＹＡＳＱＳＩＳ（配列番号２）を含むＨＶＲ−Ｌ２、ＱＱＧＮＳＬＰＮＴ（配列番号３）を含むＨＶＲ−Ｌ３、ＧＦＦＩＴＮＮＹＷＧ（配列番号４）を含むＨＶＲ−Ｈ１、ＧＹＩＳＹＳＧＳＴＳＹＮＰＳＬＫＳ（配列番号５）を含むＨＶＲ−Ｈ２およびＭＴＧＳＳＧＹＦＤＦ（配列番号６）を含むＨＶＲ−Ｈ３を含むヒト化抗ベータ７抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項２】
配列番号３８、配列番号３９、配列番号４５および配列番号４１に示されるアミノ酸配列を含む可変領域重鎖フレームワーク配列、ならびに配列番号１５に示されるアミノ酸配列のアミノ酸残基１〜２３、２４〜３７、３８〜６９および７０〜最後の残基を含む可変領域軽鎖フレームワーク配列、ならびにＲＡＳＥＳＶＤＤＬＬＨ（配列番号９）を含むＨＶＲ−Ｌ１、ＫＹＡＳＱＳＩＳ（配列番号２）を含むＨＶＲ−Ｌ２、ＱＱＧＮＳＬＰＮＴ（配列番号３）を含むＨＶＲ−Ｌ３、ＧＦＦＩＴＮＮＹＷＧ（配列番号４）を含むＨＶＲ−Ｈ１、ＧＹＩＳＹＳＧＳＴＳＹＮＰＳＬＫＳ（配列番号５）を含むＨＶＲ−Ｈ２およびＲＴＧＳＳＧＹＦＤＦ（配列番号６６）を含むＨＶＲ−Ｈ３を含むヒト化抗ベータ７抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項３】
配列番号３８、配列番号３９、配列番号４５および配列番号４１に示されるアミノ酸配列を含む可変領域重鎖フレームワーク配列、ならびに配列番号１５に示されるアミノ酸配列のアミノ酸残基１〜２３、２４〜３７、３８〜６９および７０〜最後の残基を含む可変領域軽鎖フレームワーク配列、ならびにＲＡＳＥＳＶＤＳＬＬＨ（配列番号７）を含むＨＶＲ−Ｌ１、ＫＹＡＳＱＳＩＳ（配列番号２）を含むＨＶＲ−Ｌ２、ＱＱＧＮＳＬＰＮＴ（配列番号３）を含むＨＶＲ−Ｌ３、ＧＦＦＩＴＮＮＹＷＧ（配列番号４）を含むＨＶＲ−Ｈ１、ＧＹＩＳＹＳＧＳＴＳＹＮＰＳＬＫＳ（配列番号５）を含むＨＶＲ−Ｈ２およびＭＴＧＳＳＧＹＦＤＦ（配列番号６）を含むＨＶＲ−Ｈ３を含むヒト化抗ベータ７抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリヌクレオチドを含むベクター。
【請求項５】
請求項４に記載のベクターを含む宿主細胞。
【請求項６】
原核生物の細胞である、請求項５に記載の宿主細胞。
【請求項７】
Ｅ．ｃｏｌｉである、請求項６に記載の宿主細胞。
【請求項８】
真核生物の細胞である、請求項５に記載の宿主細胞。
【請求項９】
哺乳類細胞である、請求項８に記載の宿主細胞。
【請求項１０】
チャイニーズハムスター卵巣細胞である、請求項９に記載の宿主細胞。
【請求項１１】
ヒト化抗ベータ７抗体を生成する方法であって、該方法は、請求項５〜１０のいずれか一項に記載の宿主細胞を培養する工程を包含する、方法。
【請求項１２】
前記宿主細胞によって発現された前記抗体を精製する工程をさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月2日(2012.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物の角膜にクロストリジウム毒素を投与することによって眼障害を処置するための、クロストリジウム毒素を含有する医薬の使用。