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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
繊維形成成分を芯部に熱接着性成分を鞘部に有する芯鞘型複合繊維であって、前記芯鞘型複合繊維中に加速機質量分光計（ＡＭＳ）を用いた測定による放射性炭素（炭素１４）を１０％以上含み、前記繊維形成成分が加速機質量分光計（ＡＭＳ）を用いた測定による放射性炭素（炭素１４）を含むポリエチレンテレフタレートからなり、前記熱接着性成分が高密度ポリエチレン、エチレン・プロピレンランダム共重合体、無水マレイン酸をブロック共重合またはグラフト共重合させたポリエチレンおよび無水マレイン酸をブロック共重合されたポリプロピレンよりなる群から選択され、加速機質量分光計（ＡＭＳ）を用いた測定による放射性炭素（炭素１４）を含むポリオレフィンからなる芯鞘型複合繊維。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記芯鞘型複合繊維が同芯型複合繊維または偏芯芯鞘型複合繊維である請求項１〜２のいずれか記載の芯鞘型複合繊維。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、燃料価格の高騰により、産業用ガスタービンの燃料として腐食の原因となる不純物を多く含む低品質の燃料を使用する動きがあり、高温強度と耐食性を兼ね備えた材料の開発も必要とされている。このような材料では、保護性の皮膜を形成するＣｒを多く添加することが望ましい。耐食性を重視した合金として、例えば、特開２００４−１９７１３１号公報（特許文献１）や、特開昭５１−３４８１９号公報（特許文献２）に開示される普通鋳造合金が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１９７１３１号公報
【特許文献２】特開昭５１−３４８１９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックの粉末および金属の粉末を有するマスキング材料。
【請求項２】
セラミックが酸化セラミックである、請求項１記載のマスキング材料。
【請求項３】
セラミックの粉末としてＡｌ2Ｏ3／ＴｉＯ2、ＢＮ／ＴｉＯ2、ＺｒＯ2／ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3／ＺｒＯ2、ＢＮ／Ａｌ2Ｏ3またはＢＮ／ＺｒＯ2から成る混合物を有する請求項１または２記載のマスキング材料。
【請求項４】
唯一のセラミック材料のみを有する請求項１または２記載のマスキング材料。
【請求項５】
金属の粉末はニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、コバルト（Ｃｏ）またはクロム（Ｃｒ）、あるいはこれらの混合物または合金である、請求項１ないし４の１つに記載のマスキング材料。
【請求項６】
唯一の金属材料のみを有する請求項１ないし５の１つに記載のマスキング材料。
【請求項７】
セラミックと金属のみから成る請求項１ないし６の１つに記載のマスキング材料。
【請求項８】
唯一のセラミックと唯一の金属のみを有する請求項１ないし７の１つに記載のマスキング材料。
【請求項９】
請求項１ないし８の１つに記載のマスキング材料を有する、マスキング層。
【請求項１０】
多層に形成され、少なくとも１つのセラミック層（７）と、請求項５または６記載の金属層（１０）とを有する、マスキング層。
【請求項１１】
少なくとも２つのセラミック層と少なくとも２つの金属層とを有する、請求項１０記載のマスキング層。
【請求項１２】
２つの金属層と２つのセラミック層のみを有する請求項１０または１１記載のマスキング層。
【請求項１３】
基板（４）の表面（１６，１９）の上に請求項１ないし８の１つに記載のマスキング材料が施される基板（４）のマスキング方法。
【請求項１４】
基板（４）の表面（１６，１９）の上にセラミック材料から成る粉末層（７）が施され、第２の工程でセラミック層（７）の上に金属粉末層（１０）が施される基板（４）のマスキング方法。
【請求項１５】
セラミックが酸化セラミックである、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
１種類の金属が施される請求項１４または１５記載の方法。
【請求項１７】
粉末層（７，１０）が、塗布、スプレー、浸漬のいずれかの方法により施される、請求項１４ないし１６の１つに記載の方法。
【請求項１８】
金属のみを施す請求項１４ないし１７の１つに記載の方法。
【請求項１９】
セラミックのみを施す請求項１４ないし１８の１つに記載の方法。
【請求項２０】
請求項１ないし８の１つに記載のマスキング材料または請求項１３ないし１９の１つに記載のマスキング方法を使用し、被覆すべきでない個所（１６）にマスキング材料（１３）を施した後で被覆処理を実施する基板（４）の被覆方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
好適にはＡｌ2Ｏ3／ＴｉＯ2またはＺｒＯ2／ＴｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3／ＺｒＯ2またはＢＮ／ＴｉＯ2またはＢＮ／Ａｌ2Ｏ3またはＢＮ／ＺｒＯ2が使用される。混合比は９３／７または８７／１３が好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成炉と、前記合成炉に連通するガス供給管およびガス排気管と、前記合成炉内を所定温度に加熱するための加熱手段とを備え、
前記ガス供給管を介して供給される原料ガスを、前記加熱手段により加熱された前記合成炉の加熱領域内に供給して、粒状基材に担持された触媒からカーボンナノチューブを成長させ、前記ガス排気管より、原料ガスを排気するカーボンナノチューブの製造装置であって、
前記合成炉内に設けられ、触媒を担持した前記粒状基材の集合体を保持し、かつ前記原料ガスを通過させるための複数の細孔を有する保持具と、
前記保持具に運動を与え、前記粒状基材を動かす保持具揺動具と、
前記保持具に対向して配設された、前記ガス供給管から供給される原料ガスを複数の方向に分配するガス流形成手段と、
を備えるカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項２】
前記保持具揺動具は、前記保持具に回動、振動、篩動作の少なくとも１つの運動を付与することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項３】
前記ガス排気管は、前記保持具に対して前記ガス流形成手段の反対側に、前記保持具に対向して配設されることを特徴とする請求項１または２に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項４】
前記保持具が直線状に延びる軸を有しており、軸を横倒しにして、軸方向の上流側の一端側よりも下流側の他端側の方が低くなるように、前記保持具が傾斜していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項５】
前記触媒を担持した粒状基材を前記合成炉に導入する触媒供給部と、カーボンナノチューブが成長した前記触媒を担持した粒状基材を抜き出す回収部とをさらに備え、前記合成炉内に前記触媒を担持した粒状基材を連続的に供給して、カーボンナノチューブを製造することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項６】
前記保持具が多段に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項７】
前記保持具に担持された前記触媒を担持した粒状基材の表面に前記原料ガスを略均一の量で、かつ略等しい滞留時間をもって接触させる滞留時間調整手段を備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項８】
前記滞留時間調整手段は、乱流抑制手段を備えることを特徴とする請求項７に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項９】
前記合成炉、前記保持具、前記留時間調整手段、前記ガス流形成手段、前記乱流抑制手段の何れか少なくとも一つが耐熱合金で形成されることを特徴とする請求項８に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
【請求項１０】
カーボンナノチューブを成長させるための粒状基材を保持するための保持具であり、
厚み０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下を備え、かつ
触媒を表面に担持してなる平均径２００μｍ以上１０ｃｍ以下の前記粒状基材を内部に収納する保持体と、
前記保持具に設けられ、原料ガス及び触媒賦活物質が導入されて、前記粒状基材の厚み方向に拡散及び通過するように設けられた細孔径０．０５ｍｍ以上２ｃｍ以下の多数の細孔と、
導入された前記原料ガス及び前記触媒賦活物質を排気する排気手段と、
を備えることを特徴とする保持具。
【請求項１１】
前記粒状基材は、集合体を薄膜状に形成し、
薄膜状に形成された前記集合体の厚みは１０ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載の保持具。
【請求項１２】
前記保持具を運動させるための揺動具を備えることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の保持具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記工程（ｂ）において固液分離を実施する反応生成物の液体成分の量が前記ポリエステルに対して１〜３０重量倍であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸金属塩の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記工程（ｂ）において固液分離を実施する時の反応生成物の液体温度が０〜５０℃であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸金属塩の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記他のジカルボン酸成分が、イソフタル酸、テレフタル酸及び２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種のジカルボン酸であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸金属塩の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物系バイオマスを熱分解することにより少なくともフェノールまたはクレゾールを含むリグニン由来分解物を得る方法であって、
バイオマスを４００℃以下の第１の加熱温度で加熱してガス化物を取り出す第１加熱工程と、
第１加熱工程で得られたバイオマス残渣を、５００℃以上の第２の加熱温度で加熱してリグニン由来分解物を得る第２加熱工程
を含む、前記方法。
【請求項２】
第２の加熱温度が５００〜６００℃の範囲であり、第２加熱工程でさらに生じたバイオマス残渣を６００℃以上の第３の加熱温度で加熱してリグニン由来分解物を得る第３加熱工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
植物系バイオマスを熱分解することにより少なくともフランを含むヘミセルロース由来の分解物を得る方法であって、
バイオマスを２８０〜３２０℃の範囲の第１の加熱温度で加熱する第１加熱工程と、
第１加熱工程で得られたガス化物を、６００〜８００℃の範囲の第２の加熱温度で加熱してヘミセルロース由来の分解物を得る第２加熱工程
を含む、前記方法。
【請求項４】
植物系バイオマスを熱分解することにより、少なくともフェノールまたはクレゾールを含むリグニン由来分解物と、少なくともフランを含むヘミセルロース由来の分解物とを得る方法であって、
バイオマスを２８０〜３２０℃の範囲の加熱温度で加熱する加熱工程Ａと、
加熱工程Ａで得られたガス化物を、６００〜８００℃の範囲の加熱温度で加熱してヘミセルロース由来の分解物を得る加熱工程Ｂと、
加熱工程Ａで得られたバイオマス残渣を、５００℃以上の加熱温度で加熱してリグニン由来分解物を得る加熱工程Ｃと
を含む、前記方法。
【請求項５】
加熱工程Ｃにおける加熱温度が５００〜６００℃の範囲であり、加熱工程Ｃでさらに生じたバイオマス残渣を６００℃以上の加熱温度で加熱してリグニン由来分解物を得る加熱工程Ｄをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の翼を有するロータが風を受けて回転し、該ロータの回転により発電機が発電し、電力系統に電力を供給すると共に、該電力系統の周波数の変動に応じて電力系統へ供給する電力量が変更可能な風力発電装置の制御装置であって、
前記電力系統に周波数の変動が生じた場合に該変動を回復させるための周波数の設定値が入力され、前記風力発電装置の発電出力の周波数の計測値と、前記周波数の設定値との差である周波数変化量を算出する算出手段と、
前記算出手段によって算出された前記周波数変化量に応じた電力変化量を、前記発電機の回転数に基づいて制限する制限手段と、
を備えた風力発電装置の制御装置。
【請求項２】
前記制限手段は、前記発電機の回転数が第１設定値以下の場合に、前記電力変化量を予め定められた第１制限値とし、前記発電機の回転数が第２設定値以上の場合に、前記電力変化量を前記第１制限値よりも大きい予め定められた第２制限値とし、前記発電機の回転数が第１設定値を超え第２設定値未満の場合に、前記発電機の回転数の上昇と共に前記電力変化量の制限値を前記第１制限値から前記第２制限値の間で上昇させる請求項１記載の風力発電装置の制御装置。
【請求項３】
前記制限手段は、前記電力変化量に所定のゲインを乗算し、
前記所定のゲインは、前記発電機の回転数が第１設定値以下の場合、第１ゲインであり、前記発電機の回転数が第２設定値以上の場合、第２ゲインであり、前記発電機の回転数が前記第１設定値を超えると、前記発電機の回転数の上昇と共に前記第１ゲイン及び前記第２ゲインよりも高い第３ゲインまで上昇し、該第３ゲインに達すると、前記第２設定値に達するまで前記第２ゲインに下降する請求項１記載の風力発電装置の制御装置。
【請求項４】
前記制限手段は、前記発電機の回転の加速度に基づいて、前記電力変化量を補正する請求項１記載の風力発電装置の制御装置。
【請求項５】
前記制限手段は、前記発電機の回転数、前記周波数の計測値、及び前記風力発電装置に対する風速に基づいて、前記風力発電装置の発電出力の周波数、前記風力発電装置に対する風速の変動量を予測し、予測結果に基づいて前記電力変化量を補正する請求項１記載の風力発電装置の制御装置。
【請求項６】
複数枚の翼を有するロータが風を受けて回転し、該ロータの回転により発電機が発電し、電力系統に電力を供給すると共に、該電力系統の周波数の変動に応じて電力系統へ供給する電力量が変更可能な風力発電装置と、
前記風力発電装置を制御する請求項１から請求項５の何れか１項に記載の風力発電装置の制御装置と、
を備えた風力発電システム。
【請求項７】
複数枚の翼を有するロータが風を受けて回転し、該ロータの回転により発電機が発電し、電力系統に電力を供給すると共に、該電力系統の周波数の変動に応じて電力系統へ供給する電力量が変更可能な風力発電装置の制御方法であって、
前記電力系統に周波数の変動が生じた場合に該変動を回復させるための周波数の設定値が入力され、前記風力発電装置の発電出力の周波数の計測値と、前記周波数の設定値との差である周波数変化量を算出する第１工程と、
前記第１工程によって算出された前記周波数変化量に応じた電力変化量を、前記発電機の回転数に基づいて制限する第２工程と、
を含んだ風力発電装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明に係る風力発電装置の制御装置は、複数枚の翼を有するロータが風を受けて回転し、該ロータの回転により発電機が発電し、電力系統に電力を供給すると共に、該電力系統の周波数の変動に応じて電力系統へ供給する電力量が変更可能な風力発電装置の制御装置であって、前記電力系統に周波数の変動が生じた場合に該変動を回復させるための周波数の設定値が入力され、前記風力発電装置の発電出力の周波数の計測値と、前記周波数の設定値との差である周波数変化量を算出する算出手段と、前記算出手段によって算出された前記周波数変化量に応じた電力変化量を、前記発電機の回転数に基づいて制限する制限手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、風力発電装置の制御装置は、算出手段によって、電力系統に周波数の変動が生じた場合に該変動を回復させるための周波数の設定値が入力され、風力発電装置の発電出力の周波数の計測値と、周波数の設定値との差である周波数変化量が算出される。周波数変化量とは、風力発電装置が要求されている発電出力の周波数と実際の発電出力の周波数との差であり、電力系統に周波数の変動が生じると、制御手段には該変動を回復させるための設定値が入力される。すなわち、電力系統に周波数の変動が生じると、算出手段によって、電力系統の周波数の変動を回復させるために必要とされる周波数の変化量が算出される。
さらに、制限手段によって、算出手段で算出された周波数変化量に応じた電力変化量が、発電機の回転数に基づいて制限される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに、本発明に係る風力発電装置の制御方法は、複数枚の翼を有するロータが風を受けて回転し、該ロータの回転により発電機が発電し、電力系統に電力を供給すると共に、該電力系統の周波数の変動に応じて電力系統へ供給する電力量が変更可能な風力発電装置の制御方法であって、前記電力系統に周波数の変動が生じた場合に該変動を回復させるための周波数の設定値が入力され、前記風力発電装置の発電出力の周波数の計測値と、前記周波数の設定値との差である周波数変化量を算出する第１工程と、前記第１工程によって算出された前記周波数変化量に応じた電力変化量を、前記発電機の回転数に基づいて制限する第２工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
以上のようにして設定された、基準となる第２スプリッタブレード８の前縁８ａを基に、シュラウド側の位置を、図２（ａ）、（ｃ）に示すように、前側フルブレード５Ｆ側の負圧面Ｓｂ側に偏らせるように傾斜させる。この傾斜は、図２（ｃ）に示すように前側フルブレード５Ｆや後側フルブレード５Ｒのハブ３に対する立設状態より傾斜させる（寝かせる）ものである。また、後縁８ｂのシュラウド側については、周方向等間隔位置に配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
さらに、第２スプリッタブレード２３の前縁２３ａのシュラウド側へ進む翼端漏れ渦は、前側フルブレード５Ｆによる翼端漏れ渦と、第１スプリッタブレードによる翼端漏れ渦とが重なるため、効果的な翼端漏れ渦の回避を行うには、第２スプリッタブレード２３の第１スプリッタブレード２１側への寄せ量Δα２を、第１スプリッタブレード２１の前側フルブレード５Ｆの負圧面Ｓｂ側への寄せ量Δα１より大きくすることが必要だからである。
その他の作用効果については、第１実施形態〜第３実施形態で説明した２枚のスプリッタブレードの場合と同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
この場合には、前側フルブレード５Ｆと第２スプリッタブレード３３と第３スプリッタブレード３５との間で、前記第１実施形態と同様の翼端漏れ渦の関係が生じる。
寄せ量については、第２スプリッタブレード３３の前縁３３ａのシュラウド側へ進む翼端漏れ渦は、前側フルブレード５Ｆの前縁５ａによって発生し、第３スプリッタブレード３５の前縁３５ａのシュラウド側へ進む翼端漏れ渦は、第２スプリッタブレード３３の前縁３３ａのシュラウド側によって発生する。
第３スプリッタブレード３５の前縁３５ａの寄せ量Δγ２は、第２スプリッタブレード３３の寄せ量Δγ１より大きく設定されるとよい。
なお、第１スプリッタブレード３１については、翼端漏れ渦の影響がないため、前縁３１ａの偏る設定は行われず、標準的に前後のフルブレード５Ｆ、５Ｒ間の３等分位置に配置されている。
作用効果については、第１実施形態〜第３実施形態で説明した２枚のスプリッタブレードの場合と同様のことが言える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記開口は筒部材の先端面に形成されており、当該筒部材の先端に案内板が取り付けられており、前記開口の中心は前記ω軸線から偏心しており、前記案内板は前記開口に連続していることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のＸ線分析装置の試料冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月19日(2012.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、本発明は、以下の（ｉ）〜（ｉｘ）に係る発明である。
（ｉ）バックライト光源と、液晶セルと、液晶セルの視認側に配した偏光板とを少なくとも有する液晶表示装置において、バックライト光源として連続的な発光スペクトルを有する光源を用いるとともに、前記偏光板の視認側に、３０００〜３００００ｎｍのリタデーションを有する高分子フィルム（ただし、配向ポリエチレンテレフタレートフィルムを除く）を配して用いることを特徴とする液晶表示装置の視認性改善方法。
（ｉｉ）前記高分子フィルムが配向ポリエステルフィルムであることを特徴とする前記液晶表示装置の視認性改善方法。
（ｉｉｉ）前記高分子フィルムの厚みが２５〜５００μｍであることを特徴とする前記液晶表示装置の視認性改善方法。
（ｉｖ）前記視認性改善方法を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
（ｖ）前記視認性改善方法に用いることを特徴とする高分子フィルム。
（ｖｉ）バックライト光源と、液晶セルと、液晶セルの視認側に配した偏光板とを少なくとも有する液晶表示装置において、バックライト光源として連続的な発光スペクトルを有する光源を用いるとともに、前記偏光板の視認側に、３０００〜３００００ｎｍのリタデーションを有する配向ポリエチレンテレフタレートフィルムを、前記偏光板の吸収軸と前記配向ポリエチレンテレフタレートフィルムの遅相軸とのなす角が凡そ４５度となるように配して用いることを特徴とする液晶表示装置の視認性改善方法。
（ｖｉｉ）前記高分子フィルムの厚みが２５〜５００μｍであることを特徴とする前記液晶表示装置の視認性改善方法。
（ｖｉｉｉ）前記視認性改善方法を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
（ｉｘ）前記視認性改善方法に用いることを特徴とする高分子フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックライト光源と、液晶セルと、液晶セルの視認側に配した偏光板とを少なくとも有する液晶表示装置において、
バックライト光源として連続的な発光スペクトルを有する光源を用いるとともに、
前記偏光板の視認側に、３０００〜３００００ｎｍのリタデーションを有する高分子フィルム（ただし、配向ポリエチレンテレフタレートフィルムを除く）を配して用いることを特徴とする液晶表示装置の視認性改善方法。
【請求項２】
前記高分子フィルムが配向ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の視認性改善方法。
【請求項３】
前記高分子フィルムの厚みが２５〜５００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の視認性改善方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の視認性改善方法を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の視認性改善方法に用いることを特徴とする高分子フィルム。
【請求項６】
バックライト光源と、液晶セルと、液晶セルの視認側に配した偏光板とを少なくとも有する液晶表示装置において、
バックライト光源として連続的な発光スペクトルを有する光源を用いるとともに、
前記偏光板の視認側に、３０００〜３００００ｎｍのリタデーションを有する配向ポリエチレンテレフタレートフィルムを、前記偏光板の吸収軸と前記配向ポリエチレンテレフタレートフィルムの遅相軸とのなす角が凡そ４５度となるように配して用いることを特徴とする液晶表示装置の視認性改善方法。
【請求項７】
前記高分子フィルムの厚みが２５〜５００μｍであることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の視認性改善方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の視認性改善方法を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項６または７に記載の視認性改善方法に用いることを特徴とする高分子フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び携帯情報端末
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の半導体膜と、
前記半導体膜上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方であって、前記半導体膜と重なる導電膜と、
前記第２の絶縁膜上方及び前記導電膜上方の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上方の有機物を有する膜と、
前記有機物を有する膜上方の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上方の電極と、
液晶と、を有し、
前記導電膜はゲート電極として機能する領域を有し、
前記電極は前記半導体膜と電気的に接続され、
前記第１の窒化シリコン膜は第１の開口部を有し、
前記有機物を有する膜は第２の開口部を有し、
前記第２の窒化シリコン膜は第３の開口部を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部より小さく、
前記第３の開口部は前記第２の開口部より小さく、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記有機物を有する膜の上面を覆う領域と、前記第２の開口部において前記有機物を有する膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記第２の開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有し、
前記電極は、前記第１の開口部において前記第１の窒化シリコン膜の側面を覆う領域と、前記第３の開口部において前記第２の窒化シリコン膜の側面を覆う領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の半導体膜と、
前記半導体膜上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方であって、前記半導体膜と重なる導電膜と、
前記第２の絶縁膜上方及び前記導電膜上方の第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上方の平坦化膜と、
前記平坦化膜上方の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上方の電極と、
液晶と、を有し、
前記導電膜はゲート電極として機能する領域を有し、
前記電極は前記半導体膜と電気的に接続され、
前記第１の窒化シリコン膜は第１の開口部を有し、
前記平坦化膜は第２の開口部を有し、
前記第２の窒化シリコン膜は第３の開口部を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部より小さく、
前記第３の開口部は前記第２の開口部より小さく、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記平坦化膜の上面を覆う領域と、前記第２の開口部において前記平坦化膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記第２の開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有し、
前記電極は、前記第１の開口部において前記第１の窒化シリコン膜の側面を覆う領域と、前記第３の開口部において前記第２の窒化シリコン膜の側面を覆う領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の表示装置を有する携帯情報端末。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、駆動回路と、画素と、を有し、
前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、及び前記画素はそれぞれ、トランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する表示装置であって、
前記第１のスイッチがオンのとき、前記駆動回路に第１の画像信号が入力され、
前記第２のスイッチ及び前記第３のスイッチがオンのとき、前記駆動回路に第２の画像信号が入力され、
前記第２のスイッチがオンであって、前記第３のスイッチがオフのとき、前記駆動回路に画像信号は入力されず、
入力デバイスからの信号が検出されたとき、前記第１のスイッチがオンとなり、
前記入力デバイスからの信号が検出されないとき、前記第２のスイッチがオンとなり、
前記第３のスイッチは、前記入力デバイスからの信号に関わらずオン又はオフが設定されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記入力デバイスは、キーボード、マウス、又はタッチパッドを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気化された有機層形成材料をノズルから吐出させることにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材上に有機層を形成する蒸着工程を含み、前記有機層からなり基材移動方向に対して垂直な方向の幅Ａ（ｍｍ）を有する発光領域を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
ロール状に巻き取られた帯状の前記基材を繰り出し、繰り出した前記基材を巻き取ることによって前記基材を移動させつつ、且つ、前記ノズルの開口部における前記基材移動方向と垂直方向の長さをＷ（ｍｍ）、前記開口部と前記基材との距離をｈ（ｍｍ）とするとき、式Ｗ≧Ａ＋２×ｈ（但し、Ｗ＝５〜１００ｍｍ、Ａ＝３〜９０ｍｍ、ｈ≦５ｍｍである。）を満たすようにして前記蒸着工程を行なうことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
気化された有機層形成材料をノズルから吐出することにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材上に有機層を形成する蒸着源を備え、有機層からなり基材移動方向に対して垂直な方向の幅Ａ（ｍｍ）を有する発光領域を形成するように構成された有機ＥＬ素子の製造装置であって、
ロール状に巻き取られた帯状の前記基材を繰り出し、繰り出した前記基材を巻き取ることによって前記基材を移動させつつ、且つ、前記ノズルの開口部における前記基材移動方向と垂直方向の長さをＷ（ｍｍ）、前記開口部と前記基材との距離をｈ（ｍｍ）とするとき、式Ｗ≧Ａ＋２×ｈ（但し、Ｗ＝５〜１００ｍｍ、Ａ＝３〜９０ｍｍ、ｈ≦５ｍｍである。）を満たすように構成されたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
気化された有機層形成材料をノズルから吐出させることにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材上に有機層を形成する蒸着工程を含み、前記有機層からなり基材移動方向に対して垂直な方向の幅Ａ（ｍｍ）を有する発光領域を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
ロール状に巻き取られた帯状の前記基材を繰り出し、繰り出した前記基材を巻き取ることによって前記基材を移動させつつ、且つ、前記ノズルの開口部における前記基材移動方向と垂直方向の長さをＷ（ｍｍ）、前記開口部と前記基材との距離をｈ（ｍｍ）とするとき、式Ｗ≧Ａ＋２×ｈ（但し、Ｗ＝５〜１００ｍｍ、Ａ＝３〜９０ｍｍ、ｈ≦５ｍｍである。）を満たすようにして前記蒸着工程を行なうことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、
気化された有機層形成材料をノズルから吐出することにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材上に有機層を形成する蒸着源を備え、有機層からなり基材移動方向に対して垂直な方向の幅Ａ（ｍｍ）を有する発光領域を形成するように構成された有機ＥＬ素子の製造装置であって、
ロール状に巻き取られた帯状の前記基材を繰り出し、繰り出した前記基材を巻き取ることによって前記基材を移動させつつ、且つ、前記ノズルの開口部における前記基材移動方向と垂直方向の長さをＷ（ｍｍ）、前記開口部と前記基材との距離をｈ（ｍｍ）とするとき、式Ｗ≧Ａ＋２×ｈ（但し、Ｗ＝５〜１００ｍｍ、Ａ＝３〜９０ｍｍ、ｈ≦５ｍｍである。）を満たすように構成されたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上記開口幅Ｗは、ｈが５ｍｍ以下であり、且つ、Ｗ≧Ａ＋２×ｈを満たす。但し、開口幅Ｗが小さ過ぎると発光領域Ｒを形成するのに十分な有機層を形成できないおそれがあり、大き過ぎると製造装置の大型化を招きコストが増大するおそれがある。例えば、開口幅Ｗが５ｍｍ未満であると、発光エリアが狭くなり、スループットが低下するおそれがあり、開口幅Ｗが１０００ｍｍを超えると、装置の大型化を招き、装置コストがかかるおそれがある。従って、例えばかかる観点を考慮して開口幅Ｗを適宜設計することができ、開口幅Ｗは、５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、１０ｍｍ以上７０ｍｍ以下であることが好ましい。また、開口幅Ｗが基材２１の幅より大きいと、有機層形成用材料２２が無駄に飛散するおそれがあるため、かかる観点を考慮して、例えば開口幅Ｗは基材２１の幅以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
上記発光幅Ａは、ｈが５ｍｍ以下であり、且つ、Ｗ≧Ａ＋２×ｈを満たす。但し、Ａが小さ過ぎると発光領域Ｒが小さくなり過ぎて有機ＥＬ素子として十分な発光が得られないおそれがあり、大き過ぎると微小な異物の混入によって歩留まりが低下するおそれがある。また、発光幅Ａは、有機ＥＬ素子が用いられる用途等に応じて設計されるという性質も有する。従って、例えばかかる観点を考慮して発光幅Ａを適宜設計することができ、発光幅Ａは、３ｍｍ以上９０ｍｍ以下であり、５ｍｍ以上６０ｍｍ以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月15日(2012.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレーム消去隠蔽を実行するための装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
検出器と、
前記検出器に接続された復号器と、
前記復号器に結合されたバッファ、および前記バッファに結合された遅延モジュールを含んで構成されたメモリと、
前記バッファと前記検出器とに接続されたフレーム消去隠蔽処理（ＦＥＣ）モジュールと、
を備え、
前記検出器は、
元の音声信号の音声情報を含む符号化ビットストリームに応じて動作し、前記符号化ビットストリームが予期されたフレームに相当すると判断した場合は、予期されたフレームを前記復号器に与え、前記符号化ビットストリームが、遺失、破損、消去、または遅延したフレームを含む、予期されていないフレームに相当すると判断した場合は、前記ＦＥＣモジュールにその旨を知らせ、
前記復号器は、
前記予期されたフレームを音声サンプルを含む音声セグメントに復号化し、その音声サンプルを前記バッファに記憶し、
前記ＦＥＣモジュールは、
前記バッファに記憶された音声サンプルに基づいて、音声ピッチ周期を推定し、
第１の予期されていないフレームを知らされた場合に、前記バッファから推定された音声ピッチ周期に基づいて定められる第１時間長の音声セグメントを取得し、前記第１時間長の音声セグメントを用いて第１合成音声セグメントを生成し、
前記第１の予期されていないフレームの直後に第２の予期されていないフレームを知らされた場合に、前記バッファから推定された音声ピッチ周期に基づいて定められ前記第１時間長より長い第２時間長の音声セグメントを取得し、前記第２時間長の音声セグメントを用いて第２合成音声セグメントを生成し、ここで、前記第２合成音声セグメントに対して前記バッファから推定された前記音声ピッチ周期は、前記元の音声信号の順には再生されず、
前記第１合成音声セグメントと前記第２合成音声セグメントとを前記バッファに記憶する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記第１時間長は、
推定された音声ピッチ周期の自然数Ｎ倍の時間に、その音声ピッチ周期についての４分の１波長に相当する時間を加えた時間長であり、
前記第２時間長は、
推定された音声ピッチ周期の自然数（Ｎ＋１）倍の時間に、その音声ピッチ周期についての４分の１波長に相当する時間を加えた時間長であることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法において、
特定の精度を有し、浮動小数点演算を実行するように動作可能な浮動小数点プロセッサにおいて、副精度を選択して１つ以上の浮動小数点数に関する浮動小数点演算を実行し、前記副精度は、前記特定の精度よりも小さく、前記副精度の選択は、１つ以上の過剰ビットをもたらすことと、
前記１つ以上の過剰ビットを処理するために使用される、ロジック回路の一部から電力を取り除くことと、
前記ロジック回路の一部から電力を取り除いた後に、前記選択した副精度で、前記ロジック回路の電力供給されている部分により前記浮動小数点演算を実行して、結果として生じる出力を発生させることとを含む方法。
【請求項２】
前記ロジック回路の一部のステージからの桁上がり値を強制的にゼロにすることをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記副精度は、浮動小数点制御装置を使用して選択される請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記過剰ビットに対応する、レジスタファイル内のレジスタの一部から電力を取り除くことをさらに含み、前記浮動小数点演算は、前記電力が取り除かれたレジスタを使用して、前記選択した副精度で実行される請求項１記載の方法。
【請求項５】
一連のスイッチが、前記レジスタファイル内のレジスタの一部から電力を取り除くために使用される請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記スイッチは、電界効果トランジスタである請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記スイッチは、前記レジスタファイル内のレジスタの一部に対して内部にある請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記スイッチは、前記レジスタファイル内のレジスタの一部に対して外部にある請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記副精度は、前記浮動小数点制御装置に関係付けられているプログラム可能制御レジスタ中で示される浮動小数点数フォーマットの選択されたビット数に基づいて選択される請求項３記載の方法。
【請求項１０】
第１の精度を有する浮動小数点プロセッサにおいて、
浮動小数点演算に対して、第１の精度よりも小さい副精度を選択し、前記副精度の選択は、１つ以上の過剰ビットをもたらすようにと、前記１つ以上の過剰ビットを処理するために使用される、ロジック回路の一部から電力を取り除く一方で、前記ロジック回路の電力供給されている部分で電力を保持するように構成されている浮動小数点制御装置と、
前記選択した副精度で、前記ロジック回路の電力が供給されている部分により前記浮動小数点演算を実行して、結果として生じる出力を発生させるように構成された浮動小数点演算器とを具備する浮動小数点プロセッサ。
【請求項１１】
前記浮動小数点演算器は、浮動小数点加算器と浮動小数点乗算器とを含む請求項１０記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１２】
前記電力が、前記ロジック回路の電力が取り除かれる部分から取り除かれた後に、前記浮動小数点演算器は、前記ロジック回路の第２の部分からの桁上がりを強制的にゼロにするようにさらに構成されている請求項１１記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１３】
前記浮動小数点制御装置は、前記１つ以上の過剰ビットに対応する、前記浮動小数点プロセッサ中のレジスタファイル内のレジスタの一部から電力を取り除く一方で、前記レジスタファイル内のレジスタの電力供給されている部分で電力を保持するようにさらに構成されており、
前記浮動小数点演算器は、前記レジスタファイル内のレジスタの電力供給されている部分を使用して、前記選択した副精度で前記浮動小数点演算を実行するようにさらに構成されている請求項１０記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１４】
浮動小数点プロセッサにおいて、
１つ以上の浮動小数点数を記憶するように構成された、複数の記憶素子を有する浮動小数点レジスタと、
前記浮動小数点レジスタ中に記憶された前記１つ以上の浮動小数点数に関して、浮動小数点演算を実行するように構成された浮動小数点演算器と、
前記１つ以上の浮動小数点数に関する浮動小数点演算に対して、前記第１の精度よりも小さい副精度を選択し、前記副精度の選択は、１つ以上の過剰ビットをもたらすようにと、前記浮動小数点演算に対して、前記１つ以上の過剰ビットを処理するために使用される、ロジック回路の一部から電力を取り除くように構成されている浮動小数点制御装置とを具備する浮動小数点プロセッサ。
【請求項１５】
一連のスイッチが、前記記憶素子の一部から電力を取り除くために使用される請求項１４記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１６】
前記スイッチは、前記記憶素子に対して内部にある請求項１５記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１７】
前記スイッチは、前記記憶素子に対して外部にある請求項１５記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１８】
前記浮動小数点制御装置は、前記１つ以上の過剰ビットに対応する、前記記憶素子の部分から電力を取り除くようにさらに構成されており、前記浮動小数点演算は、前記電力が取り除かれるロジック回路から電力が取り除かれている間に前記ロジック回路の電力供給されている部分を使用して、および、前記記憶素子の電力が取り除かれる部分から電力が取り除かれている間に前記記憶素子の電力供給されている部分を使用して、前記選択した副精度で実行される請求項１４記の浮動小数点プロセッサ。
【請求項１９】
前記浮動小数点演算は、複数ステージのビット加算を含み、前記複数ステージのビット加算の１つ以上のステージは、前記副精度にしたがって電源が切られ、最後に電源が切られたステージからの桁上がり値は、強制的に論理ゼロ値にされる請求項１４記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項２０】
浮動小数点プロセッサにおいて、
１つ以上の浮動小数点数を記憶するように構成された浮動小数点レジスタと、
浮動小数点演算を実行するように構成されたロジックを有する浮動小数点演算器と、
前記１つ以上の浮動小数点数に関する浮動小数点演算に対して、最大精度よりも小さい副精度を選択し、前記副精度の選択は、前記１つ以上の浮動小数点数のそれぞれに対して、１つ以上の過剰ビットをもたらすようにと、前記１つ以上の過剰ビットを処理するために使用される、前記ロジックの一部から電力を取り除くように構成されている浮動小数点制御装置とを具備する浮動小数点プロセッサ。
【請求項２１】
前記浮動小数点制御装置は、前記１つ以上の過剰ビットに対応する、前記浮動小数点レジスタ内のレジスタの一部から電力を取り除くようにさらに構成されている請求項２０記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項２２】
前記副精度は、前記浮動小数点演算を実行するための実行可能命令における情報を使用して選択され、
前記情報は、浮動小数点数フォーマットの選択されたビットの数を示し、
前記副精度は、前記選択されたビットの数に対応し、前記１つ以上の過剰ビットは、選択されないビットに対応する請求項２１記載の浮動小数点プロセッサ。
【請求項２３】
前記浮動小数点数フォーマットの選択されたビットの数を示す情報は、ユーザインターフェースから受信される請求項２２記載の浮動小数点プロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の電極と、
前記第１の絶縁膜上の補助配線と、
第１の開口部、及び複数の第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
電界発光層と、
第２の電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極の端部を覆う領域を有し、
前記第１の開口部において、前記電界発光層は前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記第１の開口部において、前記第２の電極は前記電界発光層と重なる領域を有し、
前記複数の第２の開口部において、前記第２の電極は前記補助配線と電気的に接続された領域を有し、
前記複数の第２の開口部は、前記第１の開口部の周囲を取り囲むように設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗センサであって、
浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックと、
磁気反応性スタックおよび少なくとも１つの電極の間の第１の多層絶縁構造とを備え、
前記第１の多層絶縁層構造は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、
前記第１の電気絶縁層および前記第１の非磁性導電層は、前記磁気反応性スタックの異なる部分に接触する、磁気抵抗センサ。
【請求項２】
前記上部電極の一部分と３層スタックの一部分との間に第２の電気絶縁層をさらに備える、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記第２の電気絶縁層は、前記第２の電気絶縁層と第２の非磁性導電層とを含む第２の多層絶縁構造の一部であり、前記第２の電気絶縁層および前記第２の非磁性導電層は、前記磁気反応性スタックの異なる部分に接触する、請求項１または２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記下部電極および第１の上部非磁性導電層は、同様の化学機械研磨速度を有する、請求項２に記載のセンサ。
【請求項５】
前記第１の非磁性導電層は、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、およびＮｉＣｒのうち１つを含む、請求項２に記載のセンサ。
【請求項６】
３層スタックの強磁性層それぞれの磁化の配向は、互いに垂直であり、浮上面に対して４５度である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項７】
３層スタックの前記非磁性層は導電体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項８】
前記３層スタックの前記非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、またはその合金のうち１つを含む、請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
３層スタックの前記非磁性層は電気絶縁体である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記３層スタックの前記非磁性層は、Ａｌ２Ｏｘ、ＴｉＯｘ、およびＭｇＯからなる群より選択される、請求項９に記載のセンサ。
【請求項１１】
３層スタックの強磁性層は自由層である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記自由層は、ＦｅＣｏＢ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＨｆ、ＮｉＦｅ、またはその合金のうち１つを含む、請求項１１に記載のセンサ。
【請求項１３】
浮上面（ＡＢＳ）に沿って上部電極と下部電極との間に配置された３層スタックを備え、前記スタックは、非磁性層によって隔てられた第１の強磁性層および第２の強磁性層を含み、さらに、
ＡＢＳの遠位において前記３層スタックの後端に隣接するバックバイアス磁石と、
前記３層スタックおよび前記下部電極に接触する第１の多層絶縁積層と、を備える装置であって、
前記第１の多層絶縁積層は、第１の電気絶縁層および第１の非磁性導電層を含み、前記第１の電気絶縁層および前記第１の非磁性導電層は、前記３層スタックの異なる部分に接触する、装置。
【請求項１４】
前記下部電極および前記第１の非磁性導電層は、同様の化学機械研磨速度を有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記上部電極と前記３層スタックの一部分とに接触する第２の電気絶縁層をさらに備える、請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２の電気絶縁層は、第２の非磁性導電層を有する第２の多層絶縁積層の一部であり、前記第２の電気絶縁層および前記第２の非磁性導電層は、前記３層スタックの異なる部分に接触する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記３層スタックの前記強磁性層それぞれの磁化の配向は、互いに垂直であり、浮上面に対して４５度である、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
第１の電極を形成するステップと、
前記第１の電極の絶縁部分を除去するステップと、
第１の電極絶縁層を堆積するステップと、
前記第１の電気絶縁層の導電部分を除去するステップと、
前記導電部分に非磁性導電層を堆積するステップと、
前記非磁性導電層、前記電気絶縁層、および前記第１の電極を研磨して、平坦な面を作製するステップと、
前記平坦な面上にシード層を堆積して、前記非磁性導電層、前記電気絶縁層、および前記第１の電極に接触させるステップと、を含む、方法。
【請求項１９】
前記シード層上に複数の磁性自由層を堆積して、磁気反応性センサを形成するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記非磁性導電層および前記第１の電極は、一致した所定の化学機械研磨速度を有する、請求項１８または１９に記載の方法。