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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、第２の配線と、複数のメモリセルと、容量素子と、を有し、
前記複数のメモリセルは、前記第１の配線と、前記第２の配線との間に、直列に電気的に接続され、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース線と、ビット線と、信号線と、ワード線と、を有し、
前記ソース線と、前記ビット線との間には、複数のメモリセルが直列に接続され、
前記複数のメモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、
前記ソース線と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第１のドレイン電極とは、電気的に接続され、
前記信号線と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、
前記ワード線と、前記第２のゲート電極と、前記容量素子の電極の他方とは、電気的に接続された半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、
第１の選択線と、
第２の選択線と、
前記第１の選択線と、ゲート電極において電気的に接続された第３のトランジスタと、
前記第２の選択線と、ゲート電極において電気的に接続された第４のトランジスタと、を有し、
前記ビット線は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のドレイン電極と、電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第４のトランジスタを介して、前記第１のソース電極と、電気的に接続された請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線と、
ビット線と、
第１信号線と、
複数の第２信号線と、
複数のワード線と、
前記ソース線と、前記ビット線との間に、並列に接続された複数のメモリセルと、
アドレス信号が入力され、前記複数のメモリセルのうち前記アドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、前記複数の第２信号線および前記複数のワード線を駆動することができる機能を有する第１の駆動回路と、
複数の書き込み電位のいずれかを選択して前記第１信号線に出力することができる機能を有する第２の駆動回路と、
前記ビット線の電位と複数の参照電位とが入力され、前記ビット線の電位と、前記複数の参照電位とを比較してデータを読み出すことができる機能を有する第１の回路と、
前記複数の書き込み電位および前記複数の参照電位を生成して前記第２の駆動回路および前記第１の回路に供給することができる機能を有する第２の回路と、
前記第２の回路に電位を供給することができる機能を有する第３の回路と、を有し、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第３のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記ビット線は、前記第３のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１信号線は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記複数の第２信号線の一は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記複数のワード線の一は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、に電気的に接続された容量素子を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ソース線と、
ビット線と、
第１信号線と、
複数の第２信号線と、
複数のワード線と、
前記ソース線と、前記ビット線との間に、並列に接続された複数のメモリセルと、
アドレス信号が入力され、前記複数のメモリセルのうち前記アドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、前記複数の第２信号線および前記複数のワード線を駆動することができる機能を有する第１の駆動回路と、
複数の書き込み電位のいずれかを選択して前記第１信号線に出力することができる機能を有する第２の駆動回路と、
前記ビット線の電位と複数の参照電位が入力され、参照メモリセルを有し、前記指定されたメモリセルのコンダクタンスと、前記参照メモリセルのコンダクタンスとを比較してデータを読み出すことができる機能を有する第１の回路と、
前記複数の書き込み電位および前記複数の参照電位を生成して前記第２の駆動回路および前記第１の回路に供給することができる機能を有する第２の回路と、
前記第２の回路に電位を供給することができる機能を有する第３の回路と、を有し、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第３のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記ビット線は、前記第３のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１信号線は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記複数の第２信号線の一は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記複数のワード線の一は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続された半導体装置。
【請求項４】
ソース線と、
ビット線と、
第１信号線と、
複数の第２信号線と、
複数のワード線と、
前記ソース線と、前記ビット線との間に、並列に接続された複数のメモリセルと、
アドレス信号と複数の参照電位とが入力され、前記複数のメモリセルのうち前記アドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、前記複数の第２信号線および前記複数のワード線を駆動し、選択された一のワード線に前記複数の参照電位のいずれかを選択して出力することができる機能を有する第１の駆動回路と、
複数の書き込み電位のいずれかを選択して前記第１信号線に出力することができる機能を有する第２の駆動回路と、
前記ビット線と接続された、前記指定されたメモリセルのコンダクタンスを読み出すことによりデータを読み出すことができる機能を有する第１の回路と、
前記複数の書き込み電位および前記複数の参照電位を生成して前記第２の駆動回路および前記第１の回路に供給することができる機能を有する第２の回路と、
前記第２の回路に電位を供給することができる機能を有する第３の回路と、を有し、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方及び前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記ビット線は、前記第１のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１信号線は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記複数の第２信号線の一は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記複数のワード線の一は、前記容量素子の他方の電極と電気的に接続された半導体装置。
【請求項５】
前記半導体材料を含む基板は、単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板である、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体材料はシリコンである、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料を含んでなる、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶を含んでなる、請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記酸化物半導体層の水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２のトランジスタのオフ電流は１×１０−１３Ａ以下である、請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線と、ビット線と、信号線と、ワード線と、を有し、
前記ソース線と、前記ビット線との間には、複数のメモリセルが並列に電気的に接続され、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記信号線は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記ワード線は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記ワード線は、前記容量素子の他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース線と、ビット線と、信号線と、ワード線と、を有し、
前記ソース線と、前記ビット線との間には、複数のメモリセルが並列に電気的に接続され、
前記複数のメモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記信号線は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記ワード線は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記ワード線は、前記容量素子の他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のトランジスタは、前記半導体材料を含む基板の上方に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体材料を含む基板は、単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記半導体材料はシリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのオフ電流は１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルとして機能する、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接する第１の酸化チタン膜及び第２の酸化チタン膜と、
前記第１の酸化チタン膜を挟んで前記酸化物半導体膜と重なる部分を有し、ソース電極として機能する第１のチタン膜と、
前記第２の酸化チタン膜を挟んで前記酸化物半導体膜と重なる部分を有し、ドレイン電極として機能する第２のチタン膜と、を有し、
前記第１のチタン膜は前記第１の酸化チタン膜と接し、
前記第２のチタン膜は前記第２の酸化チタン膜と接し、
前記酸化物半導体膜と前記第１の酸化チタン膜との界面及び前記酸化物半導体膜と前記第２の酸化チタン膜との界面において、インジウムの結晶粒または微結晶が存在することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極として機能する第１のチタン膜と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極として機能する第２のチタン膜と、
前記酸化物半導体膜、前記第１及び前記第２のチタン膜上に接する絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜と前記第１のチタン膜との間に第１の酸化チタン膜を有し、
前記酸化物半導体膜と前記第２のチタン膜との間に第２の酸化チタン膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１及び前記第２の酸化チタン膜と接し、
前記酸化物半導体膜と前記第１の酸化チタン膜との界面及び前記酸化物半導体膜と前記第２の酸化チタン膜との界面において、インジウムの結晶粒または微結晶が存在することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１及び前記第２の酸化チタン膜は、一酸化チタンまたはＴｉＯ２−δ（０＜δ＜１）であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記酸化物半導体膜における水素の濃度が、５×１０１６／ｃｍ３未満であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記酸化物半導体膜におけるキャリア密度が、５×１０１０／ｃｍ３以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記インジウムの結晶粒または微結晶は、前記酸化物半導体膜上に前記第１及び前記第２のチタン膜を形成した後、熱が加わることによって形成されることを特徴とするトランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１の酸化チタン膜は、前記酸化物半導体膜上に前記第１のチタン膜を形成した後、熱が加わることによって形成された膜であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１の酸化チタン膜は、前記第１のチタン膜を酸化することによって形成されることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の半導体と、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有する第３の導電層と、
第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する第２の半導体と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第４の導電層と、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有する第５の導電層と、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有する第６の導電層と、
前記第１の半導体又は前記第１の導電層と前記第２の半導体又は前記第４の導電層との間の第１の絶縁層と、を有し、
前記第１の半導体は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、又は有機半導体材料を有し、
前記第２の半導体は、酸化物半導体を有し、
前記第１の導電層は、前記第５の導電層と電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第６の導電層には、少なくとも２ｋ（ｋは１以上の整数）種類の電位を含む信号が入力されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１において、
マルチプレクサを有し、
前記マルチプレクサには、少なくとも２ｋ（ｋは１以上の整数）種類の電位が入力され、
前記マルチプレクサの出力端子は、前記第６の導電層と電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間の絶縁層と、を有し、
前記第１のトランジスタは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、又は有機半導体材料を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方には、少なくとも２ｋ（ｋは１以上の整数）種類の電位を含む信号が入力されることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間の絶縁層と、
マルチプレクサと、を有し、
前記第１のトランジスタは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、又はガリウムヒ素、又は有機半導体材料を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記マルチプレクサには、少なくとも２ｋ（ｋは１以上の整数）種類の電位が入力され、
前記マルチプレクサの出力端子は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタのオフ電流は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（ＭはＧａ、Ａｌ、Ｍｎ又はＣｏ）と、Ｚｎと、を有する記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記酸化物半導体の水素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記酸化物半導体のキャリア濃度は、１×１０１２／ｃｍ３以下であることを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
密閉偏平形二次電池は、落下衝撃を受けた際には、長さ方向の両端側が変形し易く、特に角部は変形し易いが、長さ方向の中央部や側面部は長さ方向の両端側よりも変形し難いという性質を有している。本発明で用いたスペーサは、長さ方向の両端側の少なくとも一方に切り欠き又は溝が形成されているため、これらの切り欠き又は溝が形成された箇所において端部側が曲がり易くなっている。そのため、本発明の密閉偏平形二次電池においては、封口板の角部側から落下衝撃を受けても、この部分のスペーサは曲がりやすくなっているために偏平型の電極体に伝わる衝撃が緩和され、偏平型の電極体の変形が生じ難くなるため、従来例の密閉偏平形二次電池に比して落下衝撃を受けても電池電圧が低下し難くなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011129259.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011129259.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成において、印加されたプラス電圧を昇圧して、陽極端子に印加する昇圧手段を更に備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電球ソケットに螺合させて使用されるＬＥＤ球であって、
陽極端子と陰極端子とを有するＬＥＤと、
プラス電圧とマイナス電圧とが印加される一対の外部端子と、
前記ＬＥＤと前記外部端子との間に設置され、前記印加されたプラス電圧を前記陽極端子に、前記印加されたマイナス電圧を前記陰極端子に、各々印加するように前記外部端子からの印加電圧を制御する電極制御手段とを備えた、ＬＥＤ球。
【請求項２】
前記印加されたプラス電圧を昇圧して、前記陽極端子に印加する昇圧手段を更に備えた、請求項１記載のＬＥＤ球。
【請求項３】
前記ソケットに螺合する、中央接点部と胴部とを有する口金と、前記口金に収容される制御基板とを更に備え、
前記外部端子の各々は、前記中央接点部と胴部とに接続され、
前記電極制御手段及び前記昇圧手段は、前記制御基板に形成される制御回路で構成され、
前記ＬＥＤは、前記口金に一体的に取り付けられ、前記陽極端子及び陰極端子は前記制御回路に接続される、請求項２記載のＬＥＤ球。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図６に示すフローチャートの各処理ステップの処理について説明する。
ステップＳ１０１において、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動する。
次に、ステップＳ１０２において、コピー許容リストの要求処理（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
なお、コピー処理の実行時ではなく、ディスク装着時に管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理を自動実行させる構成としてもよい。すなわち、情報処理装置１２０はディスク装着を検出すると、管理サーバ１４０にコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を送信し、管理サーバ１４０から予めコピー許容リストを受信して情報処理装置内のメモリに格納する構成としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
シーケンスキーやセグメントキーを適用することで再生可能な再生パス指定コンテンツは、特定の再生パスに沿って再生するコンテンツであり、この再生パスに沿ったデータは、情報処理装置に対応付けられた分類番号に基づいて決定されるプレイリストによって規定されている。すなわち、情報処理装置に対応して許容される特定の再生パスに対応する特定のプレイリストによってデータパスに対応する情報を持つクリップ情報ファイル、クリップＡＶストリームが決定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
図１０に示すフローチャートの各処理ステップの処理について説明する。
ステップＳ３０１において、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動する。
次に、ステップＳ３０２において、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
なお、コピー処理の実行時ではなく、ディスク装着時に管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理を自動実行させる構成としてもよい。すなわち、情報処理装置１２０はディスク装着時に管理サーバ１４０から予めコピー許容リストを受信して情報処理装置内のメモリに格納する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
ステップＳ３５７では、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動する。
次に、ステップＳ３５８において、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
なお、前述したようにコピー処理の実行時ではなく、ディスク装着時に管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理を自動実行させている場合は、コピー許容リストは情報処理装置内のメモリに格納済みであるので、ステップＳ３５８〜Ｓ３５９の処理において管理サーバ１４０との通信は省略され、情報処理装置１２０内のメモリからコピー許容リストを読み出して表示する処理が行われることになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
なお、ステップＳ５０６のコンテンツコピー処理においては、コピー制御管理ファイル（ＭＣＭＦ）を適用した処理が行われる。具体的には、先に図６のフローチャートを参照して説明した処理が実行されることになる。
すなわち、情報処理装置１２０の表示部、あるいは図１４に示す表示装置４５０に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動し、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行して管理サーバに対してコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を送信する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
図１５に示すフローチャートの各処理ステップの処理について説明する。
ステップＳ６０１において、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動し、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。このように、図１５に示すフローは、ディスク装着時に管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理を自動実行させるフローである。この処理によって、管理サーバ１４０から取得したコピー許容リストは情報処理装置内のメモリに格納される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２４】
ステップＳ７２１
情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動し、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４３】
ステップＳ７１０では、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動する。
次に、ステップＳ７１１において、情報処理装置１２０の表示部に表示されたメニューから、コピー処理（ＭＣ）プログラムを選択して起動し、コピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）を実行する。この処理は、図２を参照して説明したステップＳ１１の処理に対応し、管理サーバ１４０に対するコピー許容リスト要求（Ｏｆｆｅｒ  Ｒｅｑｕｅｓｔ）の送信処理として行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトセンサを有する電子機器であって、
前記フォトセンサは、被検出物を検出することができる機能を有し、
前記フォトセンサは、前記被検出物が前記電子機器に接触する場合と、非接触の場合とにおいて、感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記フォトセンサは、印加される電圧に応じて、感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１において、
前記フォトセンサは、トランジスタ、及び前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたフォトダイオードを有し、
前記フォトセンサは、前記フォトダイオードに印加される電圧に応じて、感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１において、
前記フォトセンサは、トランジスタ、及び前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたフォトダイオードを有し、
前記フォトセンサは、前記トランジスタのソースとドレインとの間に印加される電圧に応じて、感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記フォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行うことができる機能を有し、
前記フォトセンサは、前記接触する場合と、前記非接触の場合とにおいて、前記累積動作に要する時間に応じて、感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項５において、
前記フォトセンサは、前記接触する場合及び前記非接触の場合で、共通して前記リセット動作を行うことができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトセンサを有し、
前記フォトセンサは、入射光に応じて感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
フォトセンサを有し、
前記フォトセンサは、第１の撮像を行い被検出物の画像を生成することができる機能と、前記画像から前記フォトセンサへの入射光を測定することができる機能と、前記入射光に応じて感度を変更することができる機能と、第２の撮像を行うことができる機能と、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記フォトセンサは、印加される電圧に応じて感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記フォトセンサは、トランジスタ、及び前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたフォトダイオードを有し、
前記フォトセンサは、前記フォトダイオードに印加される電圧に応じて感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記フォトセンサは、トランジスタ、及び前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたフォトダイオードを有し、
前記フォトセンサは、前記トランジスタのソースとドレインとの間に印加される電圧に応じて感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記フォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
前記フォトセンサは、前記累積動作に要する時間に応じて感度を変更することができる機能を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画データと静止画データとを取得する取得手段と、
前記動画データと前記静止画データとを記録媒体に記録する記録手段であって、前記記録媒体に記録された動画データと静止画データをディレクトリに格納することにより管理する記録手段と、
前記動画データの記録開始および記録停止の指示と前記静止画データの記録指示とを受け付ける受付手段と、
前記記録媒体の種類を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に基づいて前記記録手段を制御する制御手段
とを備え、
前記制御手段は、前記記録媒体が、複数のクラスタからなるブロックを単位としてアクセスした場合にデータの書き込み速度を保証し、クラスタ単位でアクセスした場合には書き込み速度を保証しない所定の記録媒体である場合、前記動画データの記録開始の指示の前に静止画格納用ディレクトリを新たに作成し、前記動画データの記録中の前記静止画データの記録指示に応じて、前記静止画格納用ディレクトリに前記静止画データを格納して記録するように前記記録手段を制御する
ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記記録媒体が前記所定の記録媒体でない場合、前記動画データの記録中の前記静止画データの記録指示に応じて前記静止画格納用ディレクトリを新たに作成して前記静止画データを格納して記録するように前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記記録媒体が前記所定の記録媒体である場合、前記動画データの記録中に前記静止画格納用ディレクトリに格納された静止画データの数が所定値に達すると、前記静止画データの記録を禁止し、前記記録媒体が前記所定の記録媒体でない場合、前記動画データの記録中に前記静止画格納用ディレクトリに格納された静止画データの数が所定値に達すると、新たな静止画格納用ディレクトリを作成するように前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る記録装置は、動画データと静止画データとを取得する取得手段と、前記動画データと前記静止画データとを記録媒体に記録する記録手段であって、前記記録媒体に記録された動画データと静止画データをディレクトリに格納することにより管理する記録手段と、前記動画データの記録開始および記録停止の指示と前記静止画データの記録指示とを受け付ける受付手段と、前記記録媒体の種類を検出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づいて前記記録手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記記録媒体が、複数のクラスタからなるブロックを単位としてアクセスした場合にデータの書き込み速度を保証し、クラスタ単位でアクセスした場合には書き込み速度を保証しない所定の記録媒体である場合、前記動画データの記録開始の指示の前に静止画格納用ディレクトリを新たに作成し、前記動画データの記録中の前記静止画データの記録指示に応じて、前記静止画格納用ディレクトリに前記静止画データを格納して記録するように前記記録手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光を発光する半導体層を備えた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射側にあり、前記１次光の一部を吸収して、前記１次光よりも長波長の２次光を発光する蛍光体層とを備え、前記１次光と前記２次光の混合色を発光する発光装置であって、
平均粒径Ｄが［式１］を充足する粒子を透光性媒質中に分散させた散乱層を前記蛍光体層の光出射側に有し（λは前記１次光の前記透光性媒質中での波長）、
２０ｎｍ＜Ｄ≦０．４×λ／π    ［式１］
前記散乱層は、前記１次光を散乱させて前記発光装置から出射させることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記蛍光体層は、前記半導体発光素子の主面又は側面に平行な平面状の光出射面を有し、前記半導体発光素子を中心とする前記発光装置の光出射角が１２０°以上であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記透光性媒質中における前記粒子の分散量（重量％）は５０％以上である請求項１又は２に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板移載機、基板載置プレートおよび半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容し、基板に熱処理を行う処理室と、
前記基板を基板載置プレートに載置して前記処理室内へ搬送する基板移載機とを備えた基板処理装置であって、
前記基板載置プレートは、根元側から先端側へかけて板状に延びる腕部と、前記基板移載機に取付けられる取付部を有し、
前記腕部の根元側の幅が前記腕部の先端側の幅及び前記取付部の幅よりも大きい基板処理装置。
【請求項２】
前記基板載置プレートは、少なくとも前記根元側に形成された基板載置部を有し、前記基板載置部は周囲の前記腕部の平面部分よりも高い島状に形成され、前記基板載置部により、前記基板をその端部から内側に所定距離以上離れた位置で支持する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記根元側には前記基板載置部が２ヶ所形成され、前記２ヶ所の基板載置部のそれぞれと前記基板載置プレートに前記基板を載置した時の前記基板の中心とを結ぶ線が形成する角度が６０度以上である請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
複数の基板のそれぞれを４つの支持部で支持するボートと、
該ボートを収容し、ボートに搭載した基板に熱処理を行う処理室と、
基板を載置する基板載置プレートを有し、ボートに基板を搭載するための基板移載機とを備え、
前記ボートの４つの支持部のうち、基板移載機に近い２つの前側支持部の間から、基板を載置した基板載置プレートが進入可能な基板処理装置であって、
該基板載置プレートは、その根元側に少なくとも２ヶ所の基板載置部と、その先端側に少なくとも１ヶ所の基板載置部を有し、前記根元側の２ヶ所の基板載置部の間隔が、前記ボートの２つの前側支持部の間隔よりも大きいものである基板処理装置。
【請求項５】
基板を載置する基板載置プレートと、
前記基板載置プレートを固定する固定部と、を有し、
前記基板載置プレートは、根元側から先端側へかけて板状に延びる腕部と、前記固定部に取付けられる取付部を有し、
前記腕部の根元側の幅が前記腕部の先端側の幅及び前記取付部の幅よりも大きく構成された基板移載機。
【請求項６】
基板が載置され、根元側から先端側へかけて板状に延びる腕部が取付部を介して基板移載機に取り付けられる基板載置プレートであって、
前記腕部の根元側の幅が、前記腕部の先端側の幅及び前記取付部の幅よりも大きく構成された基板載置プレート。
【請求項７】
基板が載置され、根元側から先端側へかけて板状に延びる腕部が取付部を介して基板移載機に取り付けられると共に、前記腕部の根元側の幅が前記腕部の先端側の幅及び前記取付部の幅よりも大きく構成された基板載置プレートに基板を載置する工程と、
前記基板載置プレートに載置された基板を処理室内に搬送する工程と、
前記処理室内に搬送された基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置され、異なる方向に磁化される磁性ブロック（１１１、１１２、１１３、２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ、２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ）を備えるデバイスを製造するための方法であって、
ａ）基板上に配置される、反強磁性体の１つまたは複数の層（１０４１、１０４２、１０４３）、および、強磁性体の１つまたは複数の層（１０５１、１０５２）の積層体（１０８）として、少なくとも１つの第１のブロックおよび少なくとも１つの第２のブロックを形成するステップであって、前記ブロックは、分離しており、前記第１のブロックおよび前記第２のブロックは長い線状であり、かつ、第１の主方向および第２の主方向にそれぞれ延在し、前記第１の主方向および前記第２の主方向は、それらの間に第１の非ゼロの角度αを形成するステップと、
ｂ）前記ブロックを、前記反強磁性体の規則化温度よりも、またはブロッキング温度よりも、またはネール温度よりも高い温度でアニールするステップとを含み、このアニールするステップはさらに、前記アニールの間に、前記第１の主方向および前記第２の主方向と第２の非ゼロの角度θを形成する方向を向き、かつ強度が前記アニールの間に変更される磁界の印加を含み、それにより、前記磁界の前記印加の間に、
−  まず第１に、前記ブロックの、それらの磁化困難軸方向の飽和磁界Ｈｗの強度よりも大きな所与の強度の磁界が印加され、
−  次いで、前記所与の強度は、前記第１の主方向での前記磁界の射影、および前記第２の主方向での前記磁界の射影のそれぞれの絶対値が、前記ブロックの、それらの磁化容易軸方向の飽和磁界値ＨＬより大きく、かつ、前記第１の主方向に垂直な前記磁界の射影、および前記第２の主方向に垂直な前記磁界の射影のそれぞれの絶対値が、前記ブロックの、それらの磁化困難軸方向の飽和磁界値Ｈｗよりも低いように低減される
ようになる方法。
【請求項２】
前記アニールの後、前記磁界の前記印加は、前記ブロックを冷却させる間維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の角度αは９０°であり、前記第２の角度θは４５°である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
【数１】
2011129930.tif 000001
ただし、ｔは前記ブロックの厚さであり、Ｌは前記ブロックの長さであり、Ｗは前記ブロックの幅であり、Ｍｓは飽和磁化である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記積層体は、２つの反強磁性層（ＡＦ）の間に位置し、かつそれらと接触する少なくとも１つの強磁性層（Ｆ）を備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ステップａ）では、さらに、前記第１の主方向に延在する少なくとも１つの第３の長い線状のブロックが、積層体（１０８）として形成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロック（１１１、１１２、１１３）の少なくとも１つは、それ自体は、互いに分離し平行である複数の平行六面体のブロック（２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ、２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ）の形態である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の方法の実施を含む、３軸磁気センサを製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
周波数シフト器２７１は、図１８の直交復調部５５から供給される信号と、選択部２７２から供給されるｅの（−ｊ２πｆＳＨｔ）乗またはｅの（ｊ２πｆＳＨｔ）を乗算することにより、その信号の周波数を周波数ｆＳＨだけシフトする。周波数シフト器２７１は、周波数ｆＳＨだけ周波数がシフトされた信号を遅延回路９２および乗算器９７に供給する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011129973.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2011129973.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのページに複数の画像を割り当てて、記憶手段に記憶されている画像を表示装置に表示させる表示制御手段と、
前記表示装置に表示されているページを他のページに切り替える切り替え手段と、
ページが表示されている際に表示中のページ以外の複数のページで表示される画像を前記記憶手段から読み出して一時記憶手段に記憶する先読み手段とを備え、
前記先読み手段は、前記表示中のページ以外の複数のページから、前記表示中のページに近い順に、前記一つのページに割り当てられた画像の数よりも少ない所定数ずつの画像を前記記憶手段から読み出すことを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記先読み手段は、前記複数のページから１つずつ画像を読み出すことを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
各ページにおいて画像は画像に関連付けられた画像番号の順に並べて表示され、
前記先読み手段は、各ページの前記画像番号の順に並べた画像のうちの所定の位置に表示される画像を先読みすることを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記先読み手段は、前記表示中のページと隣接するページに関しては、当該隣接するページにおいて全体が表示されることになる画像の全部を他のページの画像よりも先に読み出すことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記先読み手段は、前記表示中のページ以外の全てのページについて所定数ずつの画像を読み出す処理を終えると、まだ読み出されていない所定数ずつの画像を複数のページから読み出すべく、当該処理を繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記先読み手段は、まず、前記表示中のページ以外の複数のページから、前記表示中のページに近い順に、前記１つのページに割り当てられた画像の数よりも少ない所定数ずつの画像を各ページで表示される画像の範囲の先頭から順に読み出し、続いて、まだ読み出されていない所定数ずつの画像を、各ページで表示される画像の範囲の最後から順に読み出すことを特徴とする請求項５に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記先読み手段は、前記表示中のページ以外の全てのページからの所定数ずつの画像の読み出しを終えた後は、前記表示中のページに近い順に、前記表示中のページ以外の各ページで表示される残りの画像を全て読み出すことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は、前記切り替え手段によってページが切り替えられると、切り替えられたページに表示すべき画像のうち、前記先読み手段によって前記一時記憶手段に読み出して記憶された画像を前記表示装置に表示させるように制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項９】
表示制御装置の表示制御方法であって、
表示制御手段が、一つのページに複数の画像を割り当てて、記憶手段に記憶されている画像を表示装置に表示させる表示制御工程と、
切替手段が、前記表示装置に表示されているページを他のページに切り替える切り替え工程と、
先読み手段が、ページが表示されている際に表示中のページ以外の複数のページで表示される画像を前記記憶手段から読み出して一時記憶手段に記憶する先読み工程とを有し、
前記先読み工程では、前記表示中のページ以外の複数のページから、前記表示中のページに近い順に、前記一つのページに割り当てられた画像の数よりも少ない所定数ずつの画像を前記記憶手段から読み出すことを特徴とする表示制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による表示制御装置は以下の構成を備える。すなわち、
一つのページに複数の画像を割り当てて、記憶手段に記憶されている画像を表示装置に表示させる表示制御手段と、
前記表示装置に表示されているページを他のページに切り替える切り替え手段と、
ページが表示されている際に表示中のページ以外の複数のページで表示される画像を前記記憶手段から読み出して一時記憶手段に記憶する先読み手段とを備え、
前記先読み手段は、前記表示中のページ以外の複数のページから、前記表示中のページに近い順に、前記一つのページに割り当てられた画像の数よりも少ない所定数ずつの画像を前記記憶手段から読み出す。