【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面は反対側の第２面とを有し、前記第１面で半導体チップが実装されるパッケージ基板であって、
前記第１面側に設けられた絶縁接着層と、
前記絶縁接着層の前記第２面側の面内で接着されたインターポーザと、
前記インターポーザの前記第２面側の面および前記絶縁接着層の前記第２面側の面上に、前記インターポーザを埋め込むように形成された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の前記第２面側の面上に、層間絶縁樹脂層および配線層が複数積層して形成されたビルドアップ層と、
前記ビルドアップ層の前記第２面側の面上に形成されたソルダレジストと、
を備え、
前記インターポーザの前記第１面側の面上には保護膜が形成され、
前記インターポーザの前記第２面側の面上には配線パターンが形成され、
前記保護膜上で接着している前記絶縁接着層が、前記インターポーザよりも大きく延在し、
前記絶縁樹脂層には、前記インターポーザの配線パターンおよび前記ビルドアップ層と電気的に接続された配線層が形成され、
前記絶縁樹脂層には、フィラーが含有されていることを特徴とするパッケージ基板。
【請求項２】
請求項１記載のパッケージ基板において、
前記絶縁樹脂層はその熱膨張係数が、前記層間絶縁樹脂層の熱膨張係数より前記半導体チップの熱膨張係数に近いことを特徴とする。
【請求項３】
請求項１または２記載のパッケージ基板において、
前記インターポーザは、シリコン基板から構成されることを特徴とする。
【請求項４】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１面と前記第１面は反対側の第２面とを有し、前記第１面上に第１配線パターンおよび前記第１配線パターンを覆う保護膜が形成され、前記第２面上に第２配線パターンが形成されたインターポーザを準備する工程；
（ｂ）平坦面を有し、前記インターポーザよりも大きく延在する絶縁接着層が前記平坦面上に貼り付けられた支持体を準備する工程；
（ｃ）前記インターポーザの第１面を前記支持体の平坦面に合わせて、前記絶縁接着層と前記保護膜とを接着させて前記支持体上に前記インターポーザを載置する工程；
（ｄ）前記インターポーザを埋め込むように前記支持板の平坦面上にフィラーを含有させた絶縁樹脂層を形成し、前記第２配線パターンと電気的に接続される配線層を前記絶縁樹脂層に形成する工程；
（ｅ）前記絶縁樹脂層に形成された配線層と電気的に接続され、前記絶縁樹脂層上に層間絶縁樹脂層および配線層を複数積層してビルドアップ層を形成する工程；
（ｆ）前記ビルドアップ層上にソルダレジストを形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記支持板を除去する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第１配線パターンを露出する開口部を前記絶縁接着層および前記保護膜に形成する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第１面上に、露出した前記第１配線パターンと電気的に接続して半導体チップを実装する工程。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｉ）工程では、前記第１面上に複数の半導体チップを実装し、
前記（ａ）工程では、前記第１配線パターンのうち、前記複数の半導体チップ間の配線を他の配線よりもファインピッチで形成することを特徴とする。
【請求項６】
請求項４または５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記層間絶縁樹脂層より前記半導体チップに近い熱膨張係数の前記絶縁樹脂層を形成することを特徴とする。
【請求項７】
請求項４、５または６記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、シリコンウエハの第１面およびそれとは反対側の第２面のそれぞれに前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを形成した前記インターポーザを準備することを特徴とする。
【請求項８】
請求項４、５または６記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、セラミック材を含む基板の第１面およびそれとは反対側の第２面のそれぞれに前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを形成した前記インターポーザを準備することを特徴とする。
【請求項９】
請求項４、５または６記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、樹脂からなる基板の第１面およびそれとは反対側の第２面のそれぞれに前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを形成した前記インターポーザを準備することを特徴とする。
【請求項１０】
請求項４〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、銅板からなる前記支持体を準備し、
前記（ｇ）工程では、エッチングにより前記銅板を除去することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パッケージ基板および半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板および半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、微細化に対応した半導体チップが実装されるパッケージ基板に関する技術を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態におけるパッケージ基板は、第１面と前記第１面は反対側の第２面とを有し、前記第１面で半導体チップが実装されるパッケージ基板であって、前記第１面側に設けられた絶縁接着層と、前記絶縁接着層の前記第２面側の面内で接着されたインターポーザと、前記インターポーザの前記第２面側の面および前記絶縁接着層の前記第２面側の面上に、前記インターポーザを埋め込むように形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の前記第２面側の面上に、層間絶縁樹脂層および配線層が複数積層して形成されたビルドアップ層と、前記ビルドアップ層の前記第２面側の面上に形成されたソルダレジストと、を備え、前記インターポーザの前記第１面側の面上には保護膜が形成され、前記インターポーザの前記第２面側の面上には配線パターンが形成され、前記保護膜上で接着している前記絶縁接着層が、前記インターポーザよりも大きく延在し、前記絶縁樹脂層には、前記インターポーザの配線パターンおよび前記ビルドアップ層と電気的に接続された配線層が形成され、前記絶縁樹脂層には、フィラーが含有されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、微細化に対応した半導体チップが実装されるパッケージ基板に関する技術を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
具体的には、絶縁層４４上に例えばポリイミドフィルム、エポキシ樹脂フィルムなどの絶縁性の樹脂フィルムを貼り付け、熱圧着することによって、絶縁層４８を形成する。次いで、例えばレーザ加工などによって、配線パターン４７の一部を露出する貫通孔５３ａ、５３ｂを絶縁層４８に形成する。次いで、絶縁層４８の表面および貫通孔５３ａ、５３ｂの内面にシード層（図示せず）を形成し、そのシード層を給電層としてめっきを行い、絶縁層４８の表面および貫通孔５３ａ、５３ｂの内面に例えば銅からなる導電層を形成する。