(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化１】
0004390424.tif 000018
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、
ルイス酸触媒としてのフッ化銀及びフッ化銅から選ばれる金属フッ化物の存在下に反応させ、一般式（II）
【化２】
0004390424.tif 000019
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物を、
又は、ルイス酸触媒としてのシリルトリフラート、銀トリフラート、及び銅トリフラートから選ばれるトリフラート又は四塩化チタン及び三塩化鉄から選ばれる金属塩化物の存在下に反応させ、一般式（III）
【化３】
0004390424.tif 000020
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を、
合成することを特徴とするヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項２】
一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ1が、Ｃ４〜Ｃ６の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする請求項１記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項３】
一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ3が、水素原子を表すことを特徴とする請求項１または２記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項４】
ニトロソ化合物が、置換基を有していてもよいニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項５】
ニトロソ化合物が、ニトロソイソブタンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式（Ｉ）におけるＲ4、Ｒ5、Ｒ6が、メチル基を表すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項７】
金属フッ化物が、ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法。
【請求項８】
ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化４】
0004390424.tif 000021
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とをルイス酸触媒の存在下に反応させ、一般式（II）
【化５】
0004390424.tif 000022
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物を位置選択的に合成する反応におけるルイス酸触媒が、フッ化銀及びフッ化銅から選ばれる金属フッ化物を有効成分として含有することを特徴とするニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
【請求項９】
金属フッ化物が、ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項８記載のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
【請求項１０】
ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化６】
0004390424.tif 000023
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とをルイス酸触媒の存在下に反応させ、一般式（III）
【化７】
0004390424.tif 000024
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を位置選択的に合成する反応におけるルイス酸触媒が、シリルトリフラート、銀トリフラート、及び銅トリフラートから選ばれるトリフラート又は四塩化チタン及び三塩化鉄から選ばれる金属塩化物を有効成分として含有することを特徴とするニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
【請求項１１】
ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化８】
0004390424.tif 000025
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、ルイス酸触媒としての三フッ化ホウ素ジエチルエーテル及びトリ（パーフルオロフェニル）ホウ素から選ばれるホウ素化合物の存在下に反応させ、一般式（II）
【化９】
0004390424.tif 000026
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び、一般式（III）
【化１０】
0004390424.tif 000027
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を合成することを特徴とするヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項１２】
一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ1が、Ｃ４〜Ｃ６の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする請求項１１記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項１３】
一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ3が、水素原子を表すことを特徴とする請求項１１または１２記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項１４】
ニトロソ化合物が、置換基を有していてもよいニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項１５】
ニトロソ化合物が、ニトロソイソブタンであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【請求項１６】
一般式（Ｉ）におけるＲ4、Ｒ5、Ｒ6が、メチル基を表すことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応によりニトロソ化合物からヒドロキシアミノ化合物及び／又はアミノオキシ化合物を製造する方法や、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒に関し、好ましくは、ヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物を選択的に製造する方法や、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒に関する。
【０００２】
【従来の技術】
生理活性物質の多くはその分子内にヘテロ原子、とりわけ窒素原子および酸素原子を含んでおり、医薬、農薬、工業薬品等の技術分野において有用な種々の化合物を合成するため、窒素原子および酸素原子を分子内に導入する新しい有機合成反応の開発が活発に行なわれている。求電子的アミノ化反応およびヒドロキシ化反応は発展期を迎え、特に、求核付加反応の求電子剤の中でも、Ｃ＝Ｏ結合を有するカルボニル化合物やＣ＝Ｎ結合を有するイミン類については、特徴的な新反応が数多く見出されている。しかしながら、Ｎ＝Ｏ結合に対する求核付加反応についてはほとんど検討がなされていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、分子内に窒素原子、酸素原子等のヘテロ原子を有する生理活性物質の合成へ導くことができる化合物の合成において、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物を出発物質として、過酷な条件を必要とせずに容易に目的とするヒドロキシアミノ化合物やアミノオキシ化合物を得ることができる製造方法や、これら化合物のうちいずれか一方の化合物を選択的に得ることができるヒドロキシアミノ化合物及び／又はアミノオキシ化合物の製造方法や、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、独自の方法によりＮ＝Ｏ結合に対する求核付加反応について、鋭意研究を行った。まず、式（IV）に示すトリメチルシリルエノールエーテル１ａとニトロソベンゼンの混合溶液に、ルイス酸触媒として１０ｍｏｌ％のトリエチルシリルトリフラートを作用させ、０℃、１時間撹拌したところ、アミノオキシ化合物２ａが９４％の収率で得られた。一方、ルイス酸触媒としてトリエチルシリルトリフラートに代わりフッ化銀・（±）ＢＩＮＡＰを作用させた場合は、ヒドロキシアミノ化合物３ａのみが得られた。
【０００５】
【化１１】
0004390424.tif 000002
【０００６】
続いて様々なルイス酸を用いて、同様の反応を行ったところ、ルイス酸触媒としてシリルトリフラート、銀トリフラート、銅トリフラート、四塩化チタン、又は、三塩化鉄を用いた場合は、アミノオキシ化合物のみが高収率で選択的に得られるのに対し、フッ化銀、フッ化銅を用いた場合はヒドロキシアミノ化合物が高収率で生成された。また、ルイス酸触媒としてホウ素化合物を用いると、どちらの化合物も得られた。
以上の結果から、ニトロソベンゼンは様々なルイス酸触媒の存在下において、ヒドロキシアミノ化及びアミノオキシ化のいずれの反応に対しても優れた求電子性を示すことが分かった。さらに、特定のルイス酸触媒においては、ニトロソ基に対して、アザフィリック、あるいはオキソフィリックのいずれかに作用し、ヒドロキシアミノケトン化合物、又はアミノオキシケトン化合物のいずれか一方のみを高収率で選択的に得ることに成功した。
【０００７】
また、基質一般性についての検討を行ない、アミノオキシ化合物を与える代表的なルイス酸触媒としてシリルトリフラートを、ヒドロキシアミノ化合物を与える触媒としてフッ化銀・ＢＩＮＡＰを用いて、基質に対する位置選択性の一般性について検討を行った。その結果、アミノオキシ化合物はシリルトリフラート触媒存在下で、中程度の収率であるものの、種々のシリルエノールエーテルに対して高選択的に得られた。一方、ヒドロキシアミノ化合物はフッ化銀・ＢＩＮＡＰ触媒を用いて主生成物として与えられるが、収率および選択性については、種々のシリルエノールエーテルに対して若干の違いがみられた。
以上のことから、Ｎ＝Ｏ結合を有するニトロソ化合物に対する求核付加反応では、ルイス酸触媒存在下において、ニトロソ化合物がヒドロキシアミノ化反応又はアミノオキシ化反応に対しても優れた求電子性を示すことに着目し、触媒として特定のルイス酸を用いることにより、どちらか一方の反応のみを選択的に進行させ得ることを見い出した。本発明は、上記知見に基づいて完成するに至ったものである。
【０００８】
すなわち本発明は、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【０００９】
【化１２】
0004390424.tif 000003
【００１０】
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、
ルイス酸触媒としてのフッ化銀及びフッ化銅から選ばれる金属フッ化物の存在下に反応させ、一般式（II）
【００１１】
【化１３】
0004390424.tif 000004
【００１２】
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物を、
又は、ルイス酸触媒としてのシリルトリフラート、銀トリフラート、及び銅トリフラートから選ばれるトリフラート又は四塩化チタン及び三塩化鉄から選ばれる金属塩化物の存在下に反応させ、一般式（III）
【００１３】
【化１４】
0004390424.tif 000005
【００１４】
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を、合成することを特徴とするヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法に関し（請求項１）、好ましくは、一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ1が、Ｃ４〜Ｃ６の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする請求項１記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法（請求項２）や、一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ3が、水素原子を表すことを特徴とする請求項１または２記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法（請求項３）や、ニトロソ化合物が、置換基を有していてもよいニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法（請求項４）や、ニトロソ化合物が、ニトロソイソブタンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法（請求項５）や、一般式（Ｉ）におけるＲ4、Ｒ5、Ｒ6が、メチル基を表すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物の製造方法（請求項６）や、金属フッ化物が、ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項１記載のヒドロキシアミノ化合物の製造方法（請求項７）に関する。
【００１５】
また、本発明は、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化１５】
0004390424.tif 000006
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とをルイス酸触媒の存在下に反応させ、一般式（II）
【化１６】
0004390424.tif 000007
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物を位置選択的に合成する反応におけるルイス酸触媒が、フッ化銀及びフッ化銅から選ばれる金属フッ化物を有効成分として含有することを特徴とするニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒（請求項８）や、金属フッ化物が、ＢＩＮＡＰ錯体であることを特徴とする請求項８記載のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒（請求項９）や、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【化１７】
0004390424.tif 000008
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とをルイス酸触媒の存在下に反応させ、一般式（III）
【化１８】
0004390424.tif 000009
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を位置選択的に合成する反応におけるルイス酸触媒が、シリルトリフラート、銀トリフラート、及び銅トリフラートから選ばれるトリフラート又は四塩化チタン及び三塩化鉄から選ばれる金属塩化物を有効成分として含有することを特徴とするニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒（請求項１０）や、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）
【００１６】
【化１９】
0004390424.tif 000010
【００１７】
[式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、ルイス酸触媒としての三フッ化ホウ素ジエチルエーテル及びトリ（パーフルオロフェニル）ホウ素から選ばれるホウ素化合物の存在下に反応させ、一般式（II）
【００１８】
【化２０】
0004390424.tif 000011
【００１９】
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び、一般式（III）
【００２０】
【化２１】
0004390424.tif 000012
【００２１】
[式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を合成することを特徴とするヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１１）や、一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ1が、Ｃ４〜Ｃ６の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする請求項１１記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１２）や、一般式（Ｉ）〜（III）におけるＲ3が、水素原子を表すことを特徴とする請求項１１または１２記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１３）や、ニトロソ化合物が、置換基を有していてもよいニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１４）や、ニトロソ化合物が、ニトロソイソブタンであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１５）や、一般式（Ｉ）におけるＲ4、Ｒ5、Ｒ6が、メチル基を表すことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及びアミノオキシ化合物の製造方法（請求項１６）に関する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明のヒドロキシアミノ化合物及び／又はアミノオキシ化合物の製造方法は、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状炭化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよく、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。）で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ、一般式（II）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。）で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び／又は、一般式（III）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3と同じものを表し、Ｒ7は、炭化水素基を表す。）で示されるアミノオキシ化合物を合成する製造方法であれば、特に限定されるものではなく、ニトロソ化合物と、一般式（Ｉ）で示されるシリルエノールエーテル化合物とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応を利用して、一般式（II）で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び／又は、一般式（III）で示されるアミノオキシ化合物を合成する方法である。
【００２３】
本発明に用いられるニトロソ化合物は、ルイス酸触媒の存在下、顕著な求電子性を有し、求核付加反応を生ぜしめるニトロソ基を有するものであれば、特に限定されるものではなく、脂肪族ニトロソ化合物、芳香族ニトロソ化合物のいずれであってもよい。脂肪族ニトロソ化合物としては、アルキルニトロソ化合物が挙げられ、ニトロソ基が第三級炭素原子に結合しているものが好ましく、具体的には、２−ニトロソイソブタン、２−ニトロソ−２−メチルペンタン等を例示することができる。また、芳香族ニトロソ化合物としては、ニトロソベンゼンを例示することができ、芳香族ニトロソ化合物に置換基を有するものであってもよい。かかる置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアルコキシ基や、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子などを例示することができる。
【００２４】
かかる置換基を有する芳香族ニトロソ化合物としては、具体的には、ｏ−ニトロソトルエン、ｍ−ニトロソトルエン、ｐ−ニトロソトルエン、３，５−ジメチルニトロソベンゼン、ｏ−ニトロソエチルベンゼン、ｏ−ニトロソスチレン、ｏ−ニトロソアニソール、ｍ−ニトロソアニソール、ｐ−ニトロソアニソール、ｏ−ニトロソフェネトール、ｍ−ニトロソフェネトール、ｐ−ニトロソフェネトール、ｏ−フルオロニトロソベンゼン、ｍ−フルオロニトロソベンゼン、ｐ−フルオロニトロソベンゼン、ｏ−クロロニトロソベンゼン、ｍ−クロロニトロソベンゼン、ｐ−クロロニトロソベンゼン、０−ブロモニトロソベンゼン、ｍ−ブロモニトロソベンゼン、ｐ−ブロモニトロソベンゼン等を例示することができる。
【００２５】
本発明に使用されるシリルエノールエーテルは、一般式（Ｉ）で表され、式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ2は水素原子、又はＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表し、Ｒ3は、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６の非環状化水素基、又はＣ３〜Ｃ６の環状炭化水素基を表し、Ｒ1とＲ3とは相互に結合してＣ５〜Ｃ８の環を形成してもよい。
かかるシリルエノールエーテルの一般式（Ｉ）におけるＲ1としては、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基のいずれかであれば特に限定されるものではないが、Ｒ1はＣ４〜Ｃ６の非環状炭化水素基又は環状炭化水素基が好ましく、また、Ｒ3としては、水素原子、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基のいずれかであれば特に限定されるものではない。一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ3で表わされるＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基や、ビニル基、アリル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘプチニル基等のアルケニル基や、プロパルギル基等のアルキニル基等を具体的に挙げることができ、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基や、フェニル基の芳香族炭化水素基を具体的に挙げることができるが、Ｒ1としては、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基や、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘプチニル基等のアルケニル基等のＣ４〜Ｃ６の非環状炭化水素や、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基等のＣ４〜Ｃ６の環状炭化水素基が好ましい。
【００２６】
更に、一般式（Ｉ）中、Ｒ1、Ｒ3が表すＣ１〜Ｃ６非環状炭化水素や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基としては、特に制限されるものではないが、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基などや、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシル基、２，４，６−メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基等の芳香族炭化水素基などの環状炭化水素基を挙げることができる。
【００２７】
また、一般式（Ｉ）におけるＲ1とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ８の環としては、１位の炭素に不飽和結合を有する脂環式炭化水素環を有するものであれば、特に制限されるものではなく、かかるＣ５〜Ｃ８の環としては、１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキシニル基、１−シクロヘプチニル基、１−シクロオクチニル基、ビシクロ[２．２．１]−１−ヘプチニル基、ビシクロ[２．２．１]−２−ヘプチニル基等を挙げることができる。
【００２８】
更に、Ｒ1とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ８の環における置換基としては、上記Ｒ1、Ｒ3が表す１〜Ｃ６の非環状炭化水素基や、Ｃ３〜Ｃ６の環状炭化水素基における置換基と同様の置換基を挙げることができ、かかる置換基のうち、環状の置換基はＲ1とＲ3とが相互に結合して形成するＣ５〜Ｃ８の環に縮合したものであってもよい。
【００２９】
また、シリルエノールエーテルの一般式（Ｉ）におけるＲ2は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、相互に独立して、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基を表すものであれば、特に制限されるものではない。Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のＣ１〜Ｃ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基を挙げることができる。
【００３０】
このようなシリルエノールエーテルとしては、具体的には、１−トリメチルシリルオキシ−１−（ｎ−ブチル）エチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−（ｎ−ブチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−（ｎ−ペンチル）エチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−（ｎ−ペンチル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリル−１−（ｎ−ヘキシル）エチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−（ｎ−ヘキシル）−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロペンチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロペンチル−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロヘキシルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロヘキシル−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−フェニルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−フェニル−２−メチルエチレン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロペンテン、１−トリメチルシリルオキシ−２−メチル−１−シクロペンテン、１−トリメチルシリルオキシ−１−インデン、１−トリメチルシリルオキシ−２−メチル−１−インデン、１−トリメチルシリルオキシ−１−シクロヘキセン、１−トリメチルシリルオキシ−２−メチル−１−シクロヘキセン、１−トリメチルシリルオキシ−２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセンを挙げることができる。
【００３１】
本発明に用いられるルイス酸触媒としては、ニトロソ化合物の窒素原子又は酸素原子に対して電子対受容体として作用するものであれば、特に限定されるものではないが、ルイス酸触媒としては、トリフラートや、金属フッ化物、金属塩化物等が好ましい。
【００３２】
本発明の所定のルイス酸であるトリフラートは、トリフルオロメタンスルホン酸のエステル（ＲＯＳＯ2ＣＦ3）や、金属塩（ＭＯＳＯ2ＣＦ3）であり、式（ＶII）で表されるシリルトリフラートや、銀トリフラート（ＡｇＯＳＯ2ＣＦ3）や、銅トリフラート（Ｃｕ（ＯＳＯ2ＣＦ3）2）等が好適である。
【００３３】
【化２２】
0004390424.tif 000013
【００３４】
式（ＶII）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10は独立して、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基を表し、かかるアルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を例示することができ、トリフラートは公知の方法に準じて生成することができ、市販のものを適用することができる。
【００３５】
このようなアルキルシリルトリフラートとして、具体的には、トリメチルシリルトリフラート、トリエチルシリルトリフラート、ｔ−ブチルジメチルシリルトリフラート等を例示することができる。
【００３６】
本発明の所定のルイス酸である金属塩化物としては、いずれの金属の塩化物であってもよいが、四塩化チタン、三塩化鉄が好ましい。
また、本発明の金属フッ化物としては、いずれの金属フッ化物であってもよいが、フッ化銀、フッ化銅が好ましい。かかるフッ化銀や、フッ化銅はＢＩＮＡＰとの錯体としてもよい。ＢＩＮＡＰは、２，２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１′−ビナフチル類であって、ビナフトールに、塩基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハライド又はパーフルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させて、ジパーフルオロアルキルスルホネートを得、これを塩基及びニッケル触媒の存在下、ジフェニルホスフィンと反応させる等、公知の方法に準じて生成することができる。得られたＢＩＮＡＰから錯体を形成するには、ＢＩＮＡＰをメタノール等の溶液とし、この溶液にフッ化銀、フッ化銅等を添加する等の公知の方法によることができる。また、ＢＩＮＡＰは市販のものを適用し、金属フッ化物や、金属塩化物のＢＩＮＡＰ錯体を容易に生成することができる。
【００３７】
上記ルイス酸触媒として、シリルトリフラート又は金属塩化物を用いた場合は、式（Ｖ）に示すように、
【００３８】
【化２３】
0004390424.tif 000014
【００３９】
ニトロソベンゼンが単量体から二量体であるニトロオキシドに変化するために、ルイス酸が末端の酸素原子を活性化し、もう片方の酸素原子への求核攻撃が進行し、ｏ−アルキル化体が生成すると考えられる。一方、上記ルイス酸触媒として、フッ化銀を用いた場合は、式（VI）に示すように、
【００４０】
【化２４】
0004390424.tif 000015
【００４１】
まず、単量体であるニトロソベンゼンの酸素原子へのフッ化銀の配位により、窒素原子へのシリルエノールエーテルの求核攻撃が進行する、または、フッ化銀の添加により銀エノラートが生成し、銀エノラートとニトロソベンゼンとの反応が起こり、Ｎ−アルキル化体が得られると考えられる。また、ルイス酸触媒としてホウ素化合物を触媒として使用すると、アミノオキシ化合物及びヒドロキシアミノ化合物の合計の収率を高く得ることができるが、反応生成物は双方が混在したものとなり、ホウ素化合物はいずれか一方を選択的に生成させる触媒として適用できるものではない。
これらのルイス酸触媒の使用量としては、１〜１０ｍｏｌ％の範囲が好ましく、特に、５ｍｏｌ％程度がより好ましい。
【００４２】
本発明の製造方法に用いられる溶媒としては、特に制限されるものではないが、使用するニトロソ化合物、シリルエノールエーテルや、反応生成物のアミノオキシ化合物、ニトリルや、触媒との関係において、適宜選択することができる。溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香環をもつ溶媒、アセトニトリル等のニトリル溶媒等を使用することができ、これらの溶媒の１種又は２種以上を混合して使用することができる。これらのうちで、特に、メタノール、１，２−ジクロロプロパン等が好ましい。
【００４３】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応は、上記ニトロソ化合物とシリルエノールエーテルとを、ルイス酸触媒の存在下で行なう反応であれば、特に限定されるものではないが、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の溶媒溶液に、シリルエノールエーテル化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ％程度添加し、この混合溶液に、ルイス酸触媒である金属フッ化物１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは５ｍｏｌ％程度を、−７８℃〜室温、好ましくは０℃前後の温度で添加することにより、ニトロソ化合物の窒素原子に選択的求核付加反応が生じ、ヒドロキシアミノ化合物が選択的に生成される。他方、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の溶媒溶液に、シリルエノールエーテル化合物を、ニトロソ化合物１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ％程度添加し、この混合溶液に、シリルトリフラート、金属塩化物１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは５ｍｏｌ％程度を、−７８℃〜室温、好ましくは０℃前後の温度範囲で添加することにより、ニトロソ化合物の酸素原子に選択的求核付加反応が生じ、アミノオキシ化合物が選択的に生成される。反応後、飽和食塩水を添加して反応を終了させることができ、得られたヒドロキシアミノ化合物や、アミノオキシ化合物の精製は、公知の従来の方法で行うことができる。
【００４４】
本発明のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応によって、ニトロソ化合物から選択的に生成されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘキサノンを例示することができる。
【００４５】
更に、生成されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロオクタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−シクロオクタノン、２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｇ]シクロオクタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−ベンゾ[ｇ]シクロオクタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロオクタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルヒドロキシアミノ）−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミノ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミノ]−１−シクロオクタノンを例示することができる。
【００４６】
更に、生成されるヒドロキシアミノ化合物としては、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）フェニルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｏ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−ｐ−トリルヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（３，５−キシル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−クロロフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−ブロモフェニル）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｏ−アニソール）ヒドロキシアミン、Ｎ，Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエチル）−（ｐ−アニソール）ヒドロキシアミンを例示することができる。
【００４７】
また、本発明のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応によって、ニトロソ化合物から選択的に生成されるアミノオキシ化合物としては、具体的には、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロペンタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｅ]シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘキサノンを例示することができる。
【００４８】
更に、生成されるアミノオキシ化合物としては、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｆ]シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロヘプタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロオクタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−シクロオクタノン、２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｇ]シクロオクタノン、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−ベンゾ[ｇ]シクロオクタノン、２−（Ｎ−ｏ−トリルアミノオキシ）−１−シクロオクタノン、２−（Ｎ−ｐ−トリルアミノオキシ）−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（３，５−キシル）アミノオキシ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）アミノオキシ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）アミノオキシ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｏ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロオクタノン、２−[Ｎ−（ｐ−アニソール）アミノオキシ]−１−シクロオクタノンを例示することができる。
【００４９】
更に、生成されるアミノオキシ化合物としては、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−１，３，３−トリメチルブトキシ）−（ｐ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）フェニルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｏ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−ｐ−トリルアミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（３，５−キシル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−クロロフェニル）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｏ−アニソール）アミン、Ｎ−（２−オキソ−２−フェニル−１−メチルエトキシ）−（ｐ−アニソール）アミンを例示することができる。
【００５０】
【実施例】
以下に、実施例を挙げてこの発明を更に具体的に説明するが、この発明の技術的範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１［ヒドロキシアミノ化合物選択的生成のルイス酸触媒の選択］
アルゴン気流下、メタノール溶媒（２ｍｌ）に、フッ化銀（１２．７ｍｇ）と、ラセミ−ＢＩＮＡＰ（６２．３ｍｇ）を溶かし、遮光して室温で２０分攪拌し、フッ化銀・ＢＩＮＡＰ錯体メタノール溶液を調製した。次に、アルゴン気流下、メタノール溶媒（３ｍｌ）にニトロソベンゼン（１０７．１ｍｇ）を溶かし、さらに、室温で５分間攪拌した。この溶液を０℃に冷却後、１−トリメチルシリル−２−メチル−１−インデン（２３０μＬ）（式（IV）における１ａ）を加え、続いて、最初に調製したフッ化銀・ＢＩＮＡＰ錯体メタノール溶液（２ｍｌ）（１０ｍｏｌ％）を１０分かけてゆっくり滴下した。０℃で２時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（式（IV）における２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（式（IV）における３ａ）（２３０．５ｍｇ）を得た。反応生成物における２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（３ａ）の収率の比は＞９９：１であり、分離後の収率は９１％であった。結果を表１に示す。同様にして調製したフッ化銅・ＢＩＮＡＰ錯体を触媒として、反応を行ない、反応生成物を得た。また、フッ化銀、フッ化銅を触媒として反応生成物を得た。更に、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
0004390424.tif 000016
【００５２】
フッ化銅・ＢＩＮＡＰ錯体、フッ化銅・ＢＩＮＡＰ錯体については、反応生成物を収率高く得ることができ、フッ化銀、フッ化銅については、反応生成物の収率はＢＩＮＡＰ錯体より低いものの、いずれの場合も、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノンを選択的に得ることができた。
【００５３】
実施例２［アミノオキシ化合物選択的生成のルイス酸触媒の選択］
アルゴン気流下、１，２−ジクロロプロパン溶媒（３ｍｌ）に、ニトロソベンゼン（１０７．１ｍｇ）を溶かし、さらに、室温で５分間攪拌した。この溶液を０℃に冷却後、１−トリメチルシリル−２−メチル−１−インデン（２３０μＬ）（１ａ）を加え、続いて、トリエチルシリルトリフラート（２３μＬ）（１０ｍｏｌ％）を１０分かけてゆっくり滴下した。０℃で１時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（式（IV）における２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（式（IV）における３ａ）（２３８．１ｍｇ）を得た。反応生成物における２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（３ａ）の収率の比は１：＞９９であり、分離後の収率は９４％であった。結果を表１に示す。同様にシリルトリフラート、金属塩化物を触媒として反応を行ない、反応生成物を得た。結果を表１に示す。
【００５４】
実施例３［ニトロソ化合物に対するルイス酸触媒作用］
アルゴン気流下、１，２−ジクロロプロパン溶媒（３ｍｌ）に、ニトロソベンゼン（１０７．１ｍｇ）を溶かし、さらに、室温で５分間攪拌した。この溶液を０℃に冷却後、１−トリメチルシリル−２−メチル−１−インデン（２３０μＬ）（１ａ）を加え、続いて、三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル（５ｍｏｌ％）を１０分かけてゆっくり滴下した。０℃で１時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成物を精製し、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（式（IV）における２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（式（IV）における３ａ）（２３８．１ｍｇ）を得た。反応生成物における２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン（２ａ）と、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノン（３ａ）の収率の比は６０：４０であり、分離後の収率は８４％であった。結果を表１に示す。同様にトリ（パーフルオロフェニル）ホウ素を触媒として反応をおこない、反応生成物を得た。結果を表１に示す。
シリルトリフタレートは、反応生成物を収率高く得ることができ、銅トリフラート、銀トリフラート、金属塩化物については、シリルトリフタレートより収率は低下するものの、いずれの場合も、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノンを選択的に得ることができた。また、ホウ素化合物については、２−メチル−２−（Ｎ−フェニルヒドロキシアミノ）−１−インダノン及び２−メチル−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−１−インダノンとを合計して収率よく得ることができた。
【００５５】
実施例４［シリルエノールエーテルの基質適用範囲］
実施例１で調製したフッ化銀・ＢＩＮＡＰ錯体メタノール溶液（１０ｍｏｌ％）を触媒として用い、実施例１と同様にして、表２に示すシリルエノールエーテル（１）と、ニトロソベンゼンとの反応を行なった。また、トリエチルシリルトリフラート（５ｍｏｌ％）を触媒として、実施例２と同様にして、表２に示すシリルエノールエーテル（１）と、ニトロソベンゼンとの反応を行なった。ヒドロキシアミノ化合物（２）とアミノオキシ化合物（３）の反応生成物の収率、及び、収率比を表２に示す。
【００５６】
【表２】
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【００５７】
表２に示すシリルエノールエーテルから、ヒドロキシアミノ化合物、又はアミノオキシ化合物のいずれかを選択的に得ることができることがわかった。特にシリルトリフラート触媒を用いた場合、アミノオキシ化合物を選択的に得ることができることがわかった。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、ルイス酸触媒を用いて、ニトロソ化合物とシリルエノールエーテルから、ヒドロキシアミノ化合物及び／又はアミノオキシ化合物を収率よく合成することができ、更に、ヒドロキシアミノ化合物、アミノオキシ化合物のいずれか一方を選択的に得ることができ、生理活性物質の合成へ導くことができる化合物を効率よく合成することができる。