Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ、またはステンレス鋼で構成され、膜厚が１５μｍ〜１００μｍの範囲内である金属箔である第１金属層と、
前記第１金属層上に形成され、Ｔｉで構成され、かつ、厚みが５００ｎｍ以下である第２金属層と、を有し、
前記第２金属層は、最外層に形成されていることを特徴とする色素増感型太陽電池用導電基材。
【請求項２】
電極としての機能を備えた第１電極基材、および前記第１電極基材上に形成され、色素増感剤が坦持された金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層を有する酸化物半導体電極基板と、少なくとも電極としての機能を備えた第２電極基材を有する対極基板とが、前記多孔質層および前記第２電極基材が対向するように配置されており、前記酸化物半導体電極基板および前記対極基板の間に酸化還元対を含む電解質層が形成されている色素増感型太陽電池であって、
前記第１電極基材または前記第２電極基材のいずれか一方が、Ａｌ、またはステンレス鋼で構成され、膜厚が１５μｍ〜１００μｍの範囲内である金属箔である第１金属層と、前記第１金属層上に形成され、Ｔｉで構成され、かつ、厚みが５００ｎｍ以下である第２金属層と、を有し、前記第２金属層は、最外層に形成されている色素増感型太陽電池用導電基材を電極層として有し、
他方が透明性を有する基材であることを特徴とする色素増感型太陽電池。
【請求項３】
前記第１電極基材が前記色素増感型太陽電池用導電基材を電極層として有し、かつ、前記第２電極基材が透明性を有する基材であることを特徴とする請求項２に記載の色素増感型太陽電池。
【請求項４】
電極としての機能を備えた第１電極基材、および前記第１電極基材上に形成され、色素増感剤が坦持された金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層を有する酸化物半導体電極基板と、少なくとも電極としての機能を備えた第２電極基材を有する対極基板とが、前記多孔質層および前記第２電極基材が対向するように配置され、前記酸化物半導体電極基板および前記対極基板の間に酸化還元対を含む電解質層が形成されており、
前記第１電極基材または前記第２電極基材のいずれか一方が、Ａｌ、またはステンレス鋼で構成され、膜厚が１５μｍ〜１００μｍの範囲内である金属箔である第１金属層と、前記第１金属層上に形成され、Ｔｉで構成され、かつ、厚みが５００ｎｍ以下である第２金属層と、を有し、前記第２金属層は、最外層に形成されている色素増感型太陽電池用導電基材を電極層として有し、
他方が透明性を有する基材である色素増感型太陽電池が複数個連結されてなることを特徴とする色素増感型太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合される第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに位置合わせする位置合わせ装置であって、
前記第１半導体基板を保持する第１基板ホルダが載置される第１ステージと、
前記第２半導体基板が前記第１半導体基板に対向するように、前記第２半導体基板を保持する第２基板ホルダが載置される第２ステージと、
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を保持するための保持力を前記第１基板ホルダおよび前記第２基板ホルダに供給する供給部と、
を備え、
前記供給部は、前記第１基板ホルダが前記第１ステージに保持された状態と、前記第１基板ホルダが前記第１ステージに保持されずに前記第１ステージから離間した状態とのそれぞれで前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する位置合わせ装置。
【請求項２】
前記第２ステージは、第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに位置合わせすべく、前記第１ステージに対して移動可能であって、
前記供給部は、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を静電吸着により前記第１基板ホルダおよび前記第２基板ホルダに保持するための電力を供給する請求項１に記載の位置合わせ装置。
【請求項３】
前記供給部は、前記第１基板ホルダが前記第１ステージに保持された状態で前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する第１供給部と、前記第１ステージから離間した状態で前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する第２供給部とを有する請求項１または２に記載の位置合わせ装置。
【請求項４】
前記第１供給部は、前記第１ステージ側から前記第１基板ホルダに前記保持力を供給し、
前記第２供給部は、前記第２ステージ側から前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する請求項３に記載の位置合わせ装置。
【請求項５】
前記第２供給部は、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を挟み込んだ前記第１基板ホルダおよび前記第２基板ホルダを搬出すべく前記第１ステージによる前記第１基板ホルダの保持が解除された状態で、前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する請求項３または４に記載の位置合わせ装置。
【請求項６】
前記第１半導体基板が前記第２ステージを向くように前記第１基板ホルダを支持し、前記第１基板ホルダを前記第１ステージに保持すべく前記第１ステージに向けて移動させる押上部を備え、
前記第１基板ホルダが前記押上部に支持されてから前記第１ステージに保持されるまでの間、前記第１供給部および前記第２供給部の少なくとも一方が前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する請求項３から５のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項７】
前記第２供給部は、前記押上部に設けられており、前記第１基板ホルダが前記押上部に支持されたときに前記第２供給部から前記第１基板ホルダに前記保持力が供給される請求項６に記載の位置合わせ装置。
【請求項８】
前記第１供給部は、前記第１基板ホルダが前記押上部により移動されて前記第１ステージに保持されたときに、前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する請求項７に記載の位置合わせ装置。
【請求項９】
前記第２供給部は、前記押上部による前記第１基板ホルダの移動方向に沿った弾性を有する請求項７または８に記載の位置合わせ装置。
【請求項１０】
前記供給部は、前記第２ステージに保持された前記第２基板ホルダに前記保持力を供給する第３供給部を有する請求項１から９のいずれか一項に記載の位置合わせ装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の位置合わせ装置と、
前記位置合わせ装置により位置合わせされた前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに接合する接合部と、
を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項１２】
ステージ上に保持され、基板が載置されるホルダ本体と、
前記基板を前記ホルダ本体に吸着させる吸着部と、
前記ホルダ本体が前記ステージから離間した状態と、前記ホルダ本体が前記ステージ上に配置された状態とのそれぞれの状態で、前記吸着部への吸着力の供給を受ける受給部と、
を備える基板ホルダ。
【請求項１３】
前記受給部は、前記ホルダ本体が前記ステージから離間した状態で前記吸着力の供給を受ける第１受給部と、前記ホルダ本体が前記ステージ上に配置された状態で前記吸着部への吸着力の供給を受ける第２受給部とを有する請求項１２に記載の基板ホルダ。
【請求項１４】
前記第１受給部は、前記ホルダ本体における前記基板を載置する載置面側から吸着力の供給を受け、前記第２受給部は、前記ホルダ本体における前記載置面と反対側の裏面側から吸着力の供給を受ける請求項１３に記載の基板ホルダ。
【請求項１５】
前記第１受給部は、前記基板を載置する載置面に露出しており、前記第２受給部は、前記載置面と反対側の裏面に露出する請求項１３又は１４に記載の基板ホルダ。
【請求項１６】
前記吸着力は静電力である請求項１２から１５のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項１７】
第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに貼り合わせる基板貼り合わせ方法であって、
第１基板ホルダに保持された前記第１半導体基板を第１ステージに保持する第１保持工程と、
第２基板ホルダに保持された前記第２半導体基板を第２ステージに保持する第２保持工程と、
前記第１基板ホルダが前記第１ステージに保持された状態と、前記第１基板ホルダが前記第１ステージに保持されずに前記第１ステージから離間した状態とのそれぞれで、前記第１半導体基板を保持するための保持力を前記第１基板ホルダに供給する供給工程と、
を含む基板貼り合わせ方法。
【請求項１８】
前記第１ステージおよび前記第２ステージのいずれか一方を移動させることにより、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を互いに位置合わせする位置合わせ工程を更に含み、
前記供給工程は、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を静電吸着により前記第１基板ホルダおよび前記第２基板ホルダに保持するための電力を供給する工程を含む請求項１７に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１９】
前記第１半導体基板が前記第２ステージを向くように前記第１基板ホルダを押上部に支持し、前記第１基板ホルダを前記第１ステージに保持すべく前記第１ステージに向けて移動させる押上工程を含み、
前記供給工程は、前記第１基板ホルダが前記押上部に支持されてから前記第１ステージに保持されるまでの間、前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する工程を含む請求項１７または１８に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２０】
前記供給工程は、
前記第１基板ホルダが前記押上部に支持されたときに、第２供給部から前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する工程と、
前記第１基板ホルダが前記押上部により移動されて前記第１ステージに保持されたときに、第１供給部から前記第１基板ホルダに前記保持力を供給する工程と、
を含む請求項１９に記載の基板貼り合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置、基板ホルダおよび基板貼り合わせ方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバ内の基板の上におけるタングステン膜の製造方法であって、
前記基板を、タングステン含有前駆体および還元剤のパルスに交互に曝す第１複数サイクルにより、前記基板の上にタングステン核生成層を堆積させる工程と、
堆積された前記タングステン核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体のパルスに交互に曝す第２複数サイクルを含む処理を行う工程と
を備え、
前記第２複数サイクルの各々のパルスにおいて前記反応チャンバに導入されるタングステン含有前駆体の濃度は、前記第１複数サイクルのいずれものパルスにおいて前記反応チャンバに導入されるタングステン含有前駆体の濃度よりも低い
タングステン膜の製造方法。
【請求項２】
タングステン膜の製造方法であって、
基板を、タングステン含有前駆体および還元剤のパルスに交互に曝す第１複数サイクルにより、前記基板の上にタングステン核生成層を堆積させる工程と、
堆積された前記タングステン核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体のパルスに交互に曝す第２複数サイクルを含む処理を行う工程と
を備え、
前記第２複数サイクルの各々のタングステン前駆体含有パルスのパルス時間は、前記第１複数サイクルの各々のタングステン前駆体含有パルスのパルス時間よりも少ない
タングステン膜の製造方法。
【請求項３】
タングステン膜の製造方法であって、
基板を、タングステン含有前駆体および還元剤のパルスに交互に曝す第１複数サイクルにより、前記基板の上にタングステン核生成層を堆積させる工程と、
堆積された前記タングステン核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体のパルスに交互に曝す第２複数サイクルを含む処理を行う工程と
を備え、
前記第２複数サイクルの各々のタングステン前駆体含有パルスのパルス数は、前記第１複数サイクルの各々のタングステン前駆体含有パルスのパルス数よりも少ない
タングステン膜の製造方法。
【請求項４】
前記処理が行われたタングステン核生成層上にタングステンバルク層を堆積させて前記タングステン膜を製造する工程をさらに備える請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１複数サイクルの間に、ホウ素含有還元剤がパルスされる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項６】
前記第１複数サイクルの間に、非ホウ素含有還元剤がパルスされる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項７】
前記第１複数サイクルの間に、ホウ素含有還元剤および非ホウ素含有還元剤がパルスされる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項８】
前記第２複数サイクルの間に、ホウ素含有還元剤がパルスされる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項９】
前記第２複数サイクルの間に、非ホウ素含有還元剤がパルスされる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項１０】
前記タングステン核生成層を堆積させる工程から前記処理を行う工程へ移るまでの間に、水素の投入開始が含まれる請求項１から３のいずれか一項に記載のタングステン膜の製造方法。
【請求項１１】
基板にタングステン膜を堆積させる装置であって、
ａ）マルチステーション基板堆積チャンバと、
ｂ）前記マルチステーション基板堆積チャンバの動作を制御するコントローラと
を備え、
前記マルチステーション基板堆積チャンバは、
ｉ）１つの基板支持部と、前記基板をガスのパルスに曝すための１以上のガス入口とを含むタングステン核生成層堆積ステーションと、
ｉｉ）１つの基板支持部と、前記基板をガスのパルスに曝すための１以上のガス入口とを含む還元剤曝露ステーションである処理ステーションとを有し、
前記コントローラは、
ｉ）還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のパルスを投入する命令と、
ｉｉ）還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のパルスを投入する命令とを有し、
前記ｉｉ）において前記タングステン含有前駆体を投入する各々のパルス時間は、前記ｉ）において前記タングステン含有前駆体を投入するいずれのパルス時間よりも短い装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、プロセスブロック２０３が示すように、低温パルス核生成層（ＰＮＬ）プロセスを実行して、タングステン核生成層を成膜する。タングステン核生成層をＰＮＬプロセスを利用して成膜する方法は、基板を、還元剤とタングステン含有前駆体（例えばWF6）の交互のパルスに曝す工程を含む。低温タングステン核生成層プロセスを利用して共形核生成層を成膜する技術は、２００５年１１月１日出願の米国特許出願第11/265,531号明細書に記載されており、ここにその全体を全ての目的から参照として組み込む。基板の温度は低い（約摂氏３５０未満であり、例えば約摂氏２５０から３５０度、摂氏２５０から３２５度、または摂氏２５０から３１０度）。ある実施形態では、温度は約摂氏３００度である。上述の出願第11/265,531号明細書は、還元剤／タングステン含有前駆体のパルスシーケンスを記載しており、その結果を利用して低抵抗率の膜を成膜する可能性が記載されている。様々な実施形態では、ホウ素を含む（例えば、ジボラン）およびホウ素を含まない（例えばシラン）還元剤を利用して、核生成層が成膜される。さらに、ある実施形態では、核生成層成膜工程は、低温サイクルの後に１以上の高温（例えば摂氏３９５度）のＰＮＬサイクルを含む。ある実施形態では、ここにその全体を全ての目的から参照として組み込む２００８年２月１３日出願の米国特許出願第12/030,645号明細書に記載されているような非常に低い／高いアスペクト比のフィーチャにタングステン核生成層を成膜する方法を利用して、核生成層を成膜する。これら方法は、ホウ素含有還元剤およびタングステン含有前駆体のＰＮＬサイクルを、水素を伴わず行って、これらフィーチャ内に、非常に薄く（例えば、約１２オングストロームの）ステップカバレッジに優れたタングステン核生成層を成膜する工程を含む。これら方法を追従するある実施形態では、ジボランまたは（別のボランまたはホウ素含有還元剤）が、核生成層の成膜中に利用される唯一の還元剤である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タングステン膜の製造方法およびタングステン膜を堆積させる装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を前記処理室に搬送する搬送アームと、
前記搬送アームの垂直方向の位置を計測する計測部と、
前記計測部により計測された垂直方向の位置と目標位置との差を算出する算出部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記計測部は、前記搬送アームの複数の点の位置を計測し、
前記算出部は、前記計測部で計測された複数点の位置に基づいて前記搬送アームの傾きを算出し、前記傾きに基づいて前記差を算出する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記算出部により算出された前記差が閾値を超えたときに警告する警告部を備える請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記目標位置と前記計測部により計測された位置との差が閾値を超えたときに前記搬送アームの動作を停止する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記計測部は、レーザーを前記搬送アームに照射することにより前記搬送アームまでの距離を測定するレーザーセンサ―であり、前記距離に基づいて、前記搬送アームの位置を測定する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記計測部は、前記搬送アームが前記基板の質量に相当する対象物を保持した状態で前記搬送アームの垂直方向の位置を計測する請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記計測部は、前記搬送アームが対象物を保持しない状態で前記搬送アームの垂直方向の位置を計測する請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
複数の前記処理室を備え、
前記搬送アームは、前記基板を前記複数の処理室の間で搬送し、
前記複数の処理室の少なくとも一つは、減圧環境で複数の前記基板を押圧して貼り合わせる加圧室であり、
前記複数の処理室の少なくとも他の一つは、前記搬送アームに受け渡す前記基板を仮置きするロードロック室である請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理室に連結され、前記搬送アームが配される連結室を備え、
前記計測部は、前記連結室および前記ロードロック室の少なくともいずれか一方に配される請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記搬送アームは、前記垂直方向に重なって二つ配され、
二つの前記搬送アームは互いに独立して動作し、
前記計測部が二つの前記搬送アームの一方の位置を計測する場合に、二つの前記搬送アームは前記基板の面方向について互いにずれた位置にある請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を前記処理室に搬送する搬送アームと、
前記搬送アームの垂直方向の傾きを検出する検出部と、
を備える基板処理装置。
【請求項１２】
前記検出部は、前記搬送アームの複数の点の位置を計測し、前記検出部で計測された複数点の位置に基づいて前記搬送アームの傾きを算出する請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記検出部により検出された前記傾きが閾値を超えたときに警告する警告部を備える請求項１１または１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記検出部により検出された傾きが閾値を超えたときに前記搬送アームの動作を停止する請求項１１から１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板処理装置により基板を処理することを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月19日(2013.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記取付足部は、前記シリンダブロックの外周面において、前記シャフトの軸に対して略対称となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
試験品の作成条件
珪藻土パネル（４５５ｍｍ×４５５ｍｍ）に、ＣＭＣハイドロゲル添加手漉き和紙原料を決められた条件で被覆した。また被覆回数は1回、２回、４回、６回、８回、１０回のサンプルを作製した。それぞれのサンプルは２枚ずつ作成した。
和紙原料被覆条件を以下に示す。
吹き付け装置：      スプレーガン３０
吹き付け口径：      ９ｍｍ
吹き付け角度：      ９０°
スプレー圧：        ５ｋｇ／ｃｍ2
被覆量：            １回当たり０．５L
被覆時間：          平均１８．８秒
被覆間隔：          ３０分
また、表７は被覆形成工程の際に調整された溶液の配合量を示している。調整された溶液には、未晒しの楮５ｋｇ、１．０体積％の濃度のＣＭＣハイドロゲル溶液を１リットル、紙料補強剤（サイズ剤）を適宜加え、残りに純水を用いて全体として１００リットルとなるようにして、和紙被覆材料を調整した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１７，１８，１９は上部旋回体３の右前側に設けられた３段のステップ板を示している。第１のステップ板１７は、物品収容箱１６よりも前方に延びるように、旋回フレーム５の右前部に取付けられている。また、第２のステップ板１８は、物品収容箱１６の蓋部１６Ｂ上に一体的に設けられている。さらに、第３のステップ板１９は、後述する尿素水タンク２４よりも上方となる高さ位置で、燃料タンク１２を構成する第１の板体１３の前面板１３Ｂの上側部位に溶接手段、ねじ止め手段等を用いて固着されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
具体的には、尿素水タンク２４は、前，後方向に扁平で第３のステップ板１９の下側に収まる高さ寸法をもった箱状体として形成され、これにより、前カバー２０によって隠蔽された状態で燃料タンク１２の前側に添って配置することができる。また、尿素水タンク２４は、前面部２４Ａ、後面部２４Ｂ、左面部２４Ｃ、右面部２４Ｄ、上面部２４Ｅおよび下面部２４Ｆからなり、前面部２４Ａの上部左側寄りには、尿素水を給水するための給水口２４Ｇが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
従って、尿素水タンク２４は、燃料タンク１２に形成される前余剰空間部１５Ａを利用し、この前余剰空間部１５Ａに入り込むことにより、物品収容箱１６に収容したり、物品収容箱１６を小型化することなく、尿素水の容量を大きくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単繊維繊度が０．５〜２．０ｄｔｅｘ、破断強度が３．０ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、破断伸度が２５％以上、紫外線照射３００ｈｒ後の強度保持率が４０％以上であるカチオン可染性複合繊維。
【請求項２】
鞘部が主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートから構成され、ジカルボン酸成分として５−ナトリウムスルホイソフタル酸が１．０〜３．０ｍｏｌ％及び、アジピン酸が３．０〜１０．０ｍｏｌ％共重合された変性ポリエステルであり、芯部が高分子量型ヒンダードアミン系安定剤を０．３〜５．０質量％含有したポリアミドであり、芯部の比率が３３〜６６体積％である請求項１記載のカチオン可染性複合繊維。
【請求項３】
前記ポリアミドが、前記高分子量型ヒンダードアミン系安定剤を０．３〜２．０質量％含有してなる請求項２記載のカチオン可染性複合繊維。
【請求項４】
複合紡糸にて、鞘部に主たる繰り返し単位がポリエチレンテレフタレートから構成され、ジカルボン酸成分として５−ナトリウムスルホイソフタル酸が１．０〜３．０ｍｏｌ％、及びアジピン酸が３．０〜１０．０ｍｏｌ％共重合された変性ポリエステルを配し、芯部にポリアミドを配した単繊維繊度が０．５〜２．０ｄｔｅｘである芯鞘型のカチオン可染性複合繊維の製造方法であって、
前記ポリアミドが、高分子量型ヒンダードアミン系安定剤を０．３〜５．０質量％含有すること、
前記カチオン可染性複合繊維からなる未延伸糸を、第１段延伸域において１倍を越え、１．２倍未満の延伸倍率にて加熱延伸し、
次いで第２段延伸域において、７０℃のときの最大延伸倍率を０．６倍を越え、０．８倍未満として延伸し熱セットすること、
を含んでなるカチオン可染性複合繊維の製造方法。
【請求項５】
前記第１段延伸域における引取りローラーの表面温度を６０〜９０℃とし、前記第２段延伸域における熱セット温度を１００〜１７０℃とすること、を含んでなる請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記芯部の体積比が３３〜６６体積％である、請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は２に記載されたカチオン可染性複合繊維を含んでなる繊維製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
一方、本件第２発明の基本構成は、複合紡糸にて、鞘部が、主たる繰り返し単位がポリエチレンテレフタレートから構成され、ジカルボン酸成分として５−ナトリウムスルホイソフタル酸が１．０〜３．０ｍｏｌ％、及びアジピン酸が３．０〜１０．０ｍｏｌ％共重合された変性ポリエステルを配し、芯部にポリアミドを配した単繊維繊度が０．５〜２．０ｄｔｅｘである芯鞘型のカチオン可染性複合繊維の製造方法であって、前記ポリアミドが、高分子量型ヒンダードアミン系安定剤を０．３〜５．０質量％含有すること、前記カチオン可染性複合繊維からなる未延伸糸を、第１段延伸域において１倍を越え、１．２倍未満の延伸倍率にて加熱延伸すること、及び次いで第２段延伸域において、７０℃のときの最大延伸倍率を０．６倍を越え、０．８倍未満として延伸し熱セットすること、を含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の出力軸の正転状態に比べて逆転状態でのパルス幅が長いパルス信号として出力される回転信号のパルス幅と閾値とを比較して、前記出力軸の回転方向を検出する回転検出装置であって、
前記出力軸が正転する状態であるときの前記回転信号のパルス幅に応じて前記閾値を変更する、回転検出装置。
【請求項２】
内燃機関の出力軸の正転状態に比べて逆転状態でのパルス幅が長いパルス信号として出力される回転信号のパルス幅に基づいて、前記出力軸の回転方向を検出する回転検出装置であって、
前記出力軸が正転する状態であるときの前記回転信号のパルス幅に応じて、前記出力軸の正転状態であると検出する場合のパルス幅を変更する、回転検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そのため、本願発明では、内燃機関の出力軸の正転状態に比べて逆転状態でのパルス幅が長いパルス信号として出力される回転信号のパルス幅と閾値とを比較して、前記出力軸の回転方向を検出する回転検出装置であって、前記出力軸が正転する状態であるときの前記回転信号のパルス幅に応じて前記閾値を変更するようにした。
また、本願発明では、内燃機関の出力軸の正転状態に比べて逆転状態でのパルス幅が長いパルス信号として出力される回転信号のパルス幅に基づいて、前記出力軸の回転方向を検出する回転検出装置であって、前記出力軸が正転する状態であるときの前記回転信号のパルス幅に応じて、前記出力軸の正転状態であると検出する場合のパルス幅を変更するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
ここで、上記実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に効果と共に記載する。
（イ）請求項１又は２記載の回転検出装置において、
前記出力軸の回転方向に基づいて内燃機関の停止位置を検出する停止位置検出手段と、
前記閾値の異常の有無を診断する診断手段と、
前記診断手段で前記閾値の異常発生が診断された場合に、前記停止位置検出手段による停止位置の検出結果を無効とする無効手段と、
を設けた、回転検出装置。
上記発明によると、閾値が異常値を示す場合には、閾値に基づく正転・逆転の判定精度が低下するので、正転・逆転の判定結果に基づいて行われる内燃機関の停止位置の検出を無効とし、内燃機関の停止位置が誤って検出されることを抑制する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
（ロ）請求項１又は２記載の回転検出装置において、
前記回転信号が、内燃機関の出力軸の単位回転角毎に発生し、
前記回転信号の発生周期に基づいて前記出力軸が正転する状態を判定する、回転検出装置。
上記発明によると、内燃機関の停止時に、出力軸（クランクシャフト）が正転状態から逆転して停止する場合、回転方向の反転に伴って回転信号の発生周期が長くなることから、回転信号の発生周期に基づいて内燃機関の出力軸が正転する状態を判定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
（ハ）請求項１又は２記載の回転検出装置において、
前記回転軸が正転する状態と逆転する状態との双方で閾値をそれぞれに設定し、これら閾値の中間値を最終的な閾値として設定する、回転検出装置。
上記発明によると、正転状態での回転信号に基づいて設定した閾値と、逆転状態での回転信号に基づいて設定した閾値との中間値を最終的な閾値とすることで、正転・逆転の判定精度をより向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
（ニ）請求項（ハ）記載の回転検出装置において、
正転状態での回転信号に基づいて設定した閾値に対してより大きな重み付けを行って最終的な閾値を設定する、回転検出装置。
上記発明によると、内燃機関の場合、逆転状態での運転は停止直前に限定的に行われるため、逆転状態での閾値の学習は、正転状態での閾値の学習に比べて、頻度が少なく信頼性が低いため、正転時及び逆転時の双方での求めた閾値から最終的な閾値を設定する場合に、正転状態で求めた閾値をより重んじることで、逆転状態での回転信号の特性を考慮しつつ、高い精度で閾値を設定できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
（ホ）請求項１又は２記載の回転検出装置において、
前記回転信号のパルス幅を計測すると共に、前記計測値の移動平均値に基づいて、前記閾値を設定する、回転検出装置。
上記発明によると、回転信号のパルス幅又は振幅の計測結果を移動平均することで、計測結果の微小な変動に影響されることなく、閾値を安定的に設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、ホウ素原子、ケイ素原子、２価以上の金属原子の中から選ばれる配位元素に、一般式（１）で表される単量体単位と配位子とが配位したユニットを部分構造として含む高分子化合物により達成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【化２】
2012062381.tif 000001
［一般式（２）中、Ｒ2乃至Ｒ5は水素原子、炭素数１から４のアルキル基、ハロゲン原子を表す。但し、Ｒ2乃至Ｒ5の少なくとも一つが、上記の部位Ａとの結合部位に置き換えられる。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素原子、ケイ素原子、２価以上の金属原子の中から選ばれる配位元素に、一般式（１）で表される単量体単位と配位子とが配位したユニットを部分構造として含む高分子化合物。
【化１】
2012062381.tif 000002
［一般式（１）中、Ｒ1は水素原子、アルキル基を表す。Ａは一般式（２）に示される構造との結合部位を表す。］
【化２】
2012062381.tif 000003
［一般式（２）中、Ｒ2乃至Ｒ5は水素原子、炭素数１から４のアルキル基、ハロゲン原子を表す。但し、Ｒ2乃至Ｒ5の少なくとも一つが、上記の部位Ａとの結合部位に置き換えられる。］
【請求項２】
前記一般式（１）で表される単量体単位と、一般式（３）で表される単量体単位のうち少なくとも一種類の単量体単位との共重合体からなる請求項１に記載の高分子化合物。
【化３】
2012062381.tif 000004
［一般式（３）中、Ｒ6は水素原子、アルキル基を表す。Ｒ7はフェニル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、カルボン酸アミド基を表す。］
【請求項３】
前記高分子化合物において、前記配位元素がホウ素、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウム、クロム、鉄である請求項１又は２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
前記高分子化合物において、前記配位子が酸素原子を一つ以上有する有機配位子である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項５】
前記高分子化合物において、一般式（３）で表されるユニットがスチレン誘導体単位および／またはアクリル酸エステル誘導体単位である請求項２乃至４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項６】
前記高分子化合物において、前記配位元素がアルミニウム、鉄である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項７】
前記高分子化合物において、前記配位子がアセチルアセトン誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドロキシナフトエ酸誘導体、ベンジル酸誘導体である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項８】
前記高分子化合物において、前記配位子が、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチル酸、アセチルアセトン、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸及びベンジル酸からなる群より選ばれる化合物である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項９】
前記高分子化合物において、重量平均分子量が３０００乃至１０００００である請求項１乃至８のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に表される高分子化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする電荷制御剤。
【請求項１１】
少なくとも、結着樹脂、着色剤およびワックス成分を含有するトナー粒子を有するトナーであって、請求項１０に記載の電荷制御剤を少なくとも一種含有することを特徴とするトナー。
【請求項１２】
前記トナー粒子が水系媒体中で製造されたものであることを特徴とする請求項１１に記載のトナー。
【請求項１３】
前記トナー粒子が、少なくとも重合性単量体、着色剤、およびワックス成分を含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に分散し、重合性単量体組成物の粒子を造粒後、該粒子中の重合性単量体を重合させて得られることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素原子数４〜６のフッ素化アルキル基（ただし、前記アルキル基は酸素原子によるエーテル結合を有するものも含む。）を有する単量体（Ａ）及び下記一般式（２）で表されるポリオキシアルキレン鎖を有する単量体（Ｂ）（ただし、ポリオキシアルキレン鎖がポリオキシエチレン鎖のみのものを除く。）を必須の単量体として共重合させた共重合体であることを特徴とするフッ素系界面活性剤。
【化１】
2012062433.tif 000001
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基であり、Ｘ及びＹはそれぞれ独立のアルキレン基であり、ｍ及びｎはそれぞれ０または１以上の整数であり、かつｍとｎの合計は３以上であり、Ｚは水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基である。）
【請求項２】
前記ポリオキシアルキレン鎖が、少なくともポリオキシプロピレン鎖、ポリオキシブチレン鎖又はポリオキシテトラメチレン鎖を有するものである請求項１記載のフッ素系界面活性剤。
【請求項３】
前記一般式（２）で表されるポリオキシアルキレン鎖を有する単量体（Ｂ）中のポリオキシアルキレン鎖が、繰返し単位数ｍ及びｎがともに１以上の整数であり、かつＸ又はＹがエチレンで他方がプロピレンであるエチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体であるポリオキシアルキレン、繰返し単位数ｍ及びｎがともに１以上の整数であり、かつＸ又はＹがプロピレンで他方がブチレンであるプロピレンオキサイドとブチレンオキサイドとの共重合体であるポリオキシアルキレン、繰返し単位数ｍ及びｎがともに１以上の整数であり、かつＸ又はＹがエチレンで他方がテトラメチレンであるエチレンオキサイドとテトラヒドロフランとの共重合体であるポリオキシアルキレンからなる群から選ばれる１種以上のポリオキシアルキレン鎖である請求項１記載のフッ素系界面活性剤。
【請求項４】
前記単量体（Ａ）及び単量体（Ｂ）の質量比［（Ａ）／（Ｂ）］が、１０／９０〜７０／３０の範囲である請求項１〜３のいずれか１項記載のフッ素系界面活性剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載のフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするコーティング組成物。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項記載のフッ素系界面活性剤を含有するレジスト組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
上記ホスフィン酸類のうち、特に金属塩が好ましい。塩を形成する金属としては、アルカリ金属（カリウム、ナトリウム等）、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム等）、遷移金属（鉄、コバルト、ニッケル、銅等）、周期表第１２族金属（亜鉛等）、周期表第１３族金属（アルミニウム等）等が挙げられる。金属塩は、これらの金属を一種含有してもよく、二種以上組み合わせて含有してもよい。金属のうち、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム等）及び周期表第１３族金属（アルミニウム等）が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施例１、３〜５では、５価のリン化合物を安定剤として作用する量配合する。このため、実施例１、３〜５では、高温環境下で安定して存在する一体成形体になることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【図１】この発明の実施の形態１による遠心式血液ポンプ装置のポンプ部の外観を示す正面図である。
【図２】図１に示したポンプ部の側面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図からインペラを取り外した状態を示す断面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線断面図からインペラを取り外した状態を示す断面図である。
【図７】図３のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】図７に示した磁性体およびコイルの構成を示す図である。
【図９】図８に示したｘ／Ｌと発生トルクおよびアキシアル吸引力との関係を示す図である。
【図１０】図７に示した複数のコイルに印加する電圧を例示するタイムチャートである。
【図１１】図３に示したインペラの浮上位置を説明するための図である。
【図１２】図３に示したインペラの浮上位置を説明するための他の図である。
【図１３】図１〜図７に示したポンプ部を制御するコントローラの構成を示すブロック図である。
【図１４】図１３に示したコントローラの動作を示すタイムチャートである。
【図１５】実施の形態１の変更例を示す図である。
【図１６】実施の形態１の他の変更例を示すタイムチャートである。
【図１７】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図１８】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図１９】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２０】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２１】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２２】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２３】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２４】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２５】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２６】実施の形態１のさらに他の変更例を示す図である。
【図２７】図２６に示した永久磁石１７，４２の極性を示す図である。
【図２８】この発明の実施の形態２による遠心式血液ポンプ装置の動圧溝を示す図である。
【図２９】図２８に示した遠心式血液ポンプ装置の他の動圧溝を示す図である。
【図３０】図２８に示した動圧溝５１，５２の深さを示す断面図である。
【図３１】インペラの浮上位置と図３０に示した動圧溝５１によって発生する動圧力との関係を示す図である。
【図３２】インペラの浮上位置と図３０に示した動圧溝５２によって発生する動圧力との関係を示す図である。
【図３３】図３１と図３２を合成した図である。
【図３４】動圧溝５２，５１（または動圧溝５４，５３）の深さの比と動圧力との関係を示す図である。
【図３５】動圧溝５２の幅と動圧溝５１の間隔（または動圧溝５４の幅と動圧溝５３の間隔）との比と動圧力との関係を示す図である。
【図３６】この発明の実施の形態３による遠心式血液ポンプ装置の動圧溝を示す図である。
【図３７】図３６に示した永久磁石の構成を示す図である。
【図３８】この発明の実施の形態４による遠心式血液ポンプ装置の構成を示す断面図である。
【図３９】図３６に示した動圧溝の構成を例示する図である。
【図４０】実施の形態４の変更例を示す図である。
【図４１】実施の形態４の他の変更例を示す図である。
【図４２】実施の形態４のさらに他の変更例を示す図である。
【図４３】実施の形態４のさらに他の変更例を示す図である。
【図４４】実施の形態４のさらに他の変更例を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
図４２は、実施の形態４のさらに他の変更例を示す図であって、図４１と対比される図である。図４２において、この変更例では、動圧溝６４，６５が血液室７の内周面側ではなく、それぞれシュラウド１１，１２の外周面に形成される。動圧溝６４，６５の各々の深さは、インペラ１０の回転方向と逆の方向に向かって徐々に浅くなっている。この変更例でも、インペラ１０が矢印の方向に回転すると、動圧溝６４，６５の先端部に向けて液体の圧力が高くなる。このため、インペラ１０と血液室７の内周面との間に反発力が発生し、これが動圧力となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
図４４は、実施の形態４のさらに他の変更例を示す図であって、図４３と対比される図である。図４４において、この変更例では、シュラウド１１にも複数の永久磁石１７Ａが設けられ、シュラウド１１側にもモータ室８Ａが設けられる。モータ室８Ａと血液室７は、隔壁６Ａで仕切られている。モータ室８Ａ内には、複数の永久磁石１７Ａに対向して複数の磁性体１８Ａが設けられ、各磁性体１８Ａにはコイル２０Ａが巻回され、磁性体１８Ａは円板状の磁性体１９Ａに接合されている。インペラ１０の中心軸方向において、磁性体１８Ａはコイル２０Ａよりも短い。インペラ１０の回転中において、複数の永久磁石１７および複数の磁性体１８間の第１の吸引力と複数の永久磁石１７Ａおよび複数の磁性体１８Ａ間の第２の吸引力とは、血液室７内におけるインペラ１０の可動範囲の略中央で釣り合うように設定されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012062790.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
さらに、図１Ｂに示されるように、縦型チャネルメモリー１００は基板１１０ａの上に位置する厚膜酸化物層１５０を持つ。本発明の本実施形態においては、厚膜酸化物層１５０は酸化ケイ素からできている。厚膜酸化物層１５０は、基板１１０ａが電気的に接続されるのを防ぐことにより、リーク電流の発生を防止する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
次に、図５Ｆを参照する。厚膜酸化物層１５０は、基板表面が電気的に接続されるのを防ぐことにより、リーク電流の発生を防止する。工程６０６に示されているように、チャネル１１２の上にある第二窒化物パターン物層１３０ｂとパッド酸化物層１２０ａからなるキャップ層１４０が取り除かれる。この工程は、熱リン酸（Ｈ３ＰＯ４）で達成することも可能である。その間に、好ましくは、パッド酸化物層１２０ａが取り除かれる。この工程は、フッ化水素酸（ＨＦ）で達成することができる。第二窒化物パターン層１３０ｂとパッド酸化物層１２０ａの除去は、厚い酸化物層１５０の形成の前でも後でもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも曲管部を有し流体を通過させるパイプ部と、該パイプ部の軸方向に平行な平板部とが一体に射出成形されてなることを特徴とする樹脂成形体。
【請求項２】
前記パイプ部が、前記平板部上に一体に射出成形されてなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂成形体。
【請求項３】
前記パイプ部の中空部断面形状が円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂成形体。
【請求項４】
前記パイプ部の内径の変動が実質的にないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂成形体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂成形体からなることを特徴とする保温板。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂成形体からなることを特徴とする放熱板。
【請求項７】
一端にフローティングコアを備えた加圧ポートを有し他端に排出口を有するパイプ部キャビティを備えた金型の該パイプ部キャビティ内に、溶融樹脂を射出した後、前記加圧ポートから加圧流体を圧入して、前記フローティングコアを前記排出口側に移動させると共に該排出口から前記溶融樹脂を押し出させる工程を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂成形体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明の樹脂成形体は、少なくとも曲管部を有し流体を通過させるパイプ部と、該パイプ部の軸方向に平行な平板部とが一体に射出成形されてなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤を複数の液滴として塗布対象物に向けて吐出する塗布ヘッドと、
前記塗布対象物が載置され、前記塗布ヘッドの下方を移動可能なステージと、
前記塗布ヘッドの吐出面を清掃する清掃部と、
前記清掃部を、前記塗布ヘッドの吐出面を清掃する作業位置と前記ステージの移動領域の下方に設定され前記ステージとの干渉を回避する退避位置とに移動させる第１の移動駆動部と、
前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴の吐出量を確認する吐出量確認部と、を備え、
前記吐出量確認部は、
計量用の電子天秤と、
前記電子天秤上に設けられた計量容器と、
前記電子天秤を、前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴を前記計量容器で受ける作業位置と前記ステージの移動領域の側方に設定された退避位置とに移動させる第２の移動駆動部と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記清掃部は、
吸湿性を有するワイプ部材と、
前記ワイプ部材に溶剤を吹き付けるノズルと、
を備え、
前記溶剤が吹き付けられた前記ワイプ部材で前記塗布ヘッドの吐出面を清掃することで、前記塗布ヘッドを濡れた状態にすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記ノズルは、退避位置に固定配置されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記塗布ヘッドから吐出される前記液滴の吐出確認を行う吐出確認部を更に備え、
前記吐出確認部は、
前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴を撮像可能に設けられた撮像部と、
前記撮像部を、前記塗布ヘッドから吐出される前記液滴を撮像する作業位置と前記ステージの移動領域の上方に設定された退避位置とに昇降移動させる第１の昇降駆動部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記吐出確認部は、
前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴を受ける受け部と、
前記受け部を、前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴を受ける作業位置と前記ステージの移動領域の下方に設定された前記退避位置とに昇降移動させる第２の昇降駆動部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記ステージは、水平方向の一方向に沿う方向に移動可能に設けられ、
前記塗布ヘッドは、前記ステージの移動方向に交差する方向に沿って複数個配列されて成り、
前記撮像部は、前記複数の塗布ヘッドに対応して複数配列されて成り、
前記第１の昇降駆動部は、前記複数の撮像部を前記作業位置と前記退避位置とに一括して移動させることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記ステージは、水平方向の一方向に沿う方向に移動可能に設けられ、
前記塗布ヘッドは、前記ステージの移動方向に交差する方向に沿って複数個配列されて成り、
前記第２の移動駆動部は、前記複数の塗布ヘッドの上方に前記複数の塗布ヘッドの配列方向に沿って配置され、前記電子天秤を垂下して支持することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施の形態に係る特徴は、半導体装置の製造装置において、接着剤を複数の液滴として塗布対象物に向けて吐出する塗布ヘッドと、
前記塗布対象物が載置され、前記塗布ヘッドの下方を移動可能なステージと、
前記塗布ヘッドの吐出面を清掃する清掃部と、
前記清掃部を、前記塗布ヘッドの吐出面を清掃する作業位置と前記ステージの移動領域の下方に設定され前記ステージとの干渉を回避する退避位置とに移動させる第１の移動駆動部と、
前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴の吐出量を確認する吐出量確認部と、を備え、
前記吐出量確認部は、
計量用の電子天秤と、
前記電子天秤上に設けられた計量容器と、
前記電子天秤を、前記塗布ヘッドから吐出された前記液滴を前記計量容器で受ける作業位置と前記ステージの移動領域の側方に設定された退避位置とに移動させる第２の移動駆動部と
を備えたことである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月30日(2013.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に水素ラジカルを供給することによって前記対象物を洗浄する洗浄装置であって、
加熱された触媒に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、
前記生成手段と前記対象物の間の経路に設けられ、前記触媒の周囲の気体が前記対象物側の空間に流入することを制限可能な制限手段と、
前記制限手段により前記触媒の周囲の気体の流入が制限された状態で、前記触媒の周囲の気体を、前記制限手段よりも前記生成手段側で排気可能な排気手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記触媒が配置される空間を囲む筐体と、
前記筐体を加熱可能な加熱手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記制限手段を冷却可能な冷却手段を備え、
前記制限手段は、前記経路から退避可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記生成手段は、前記触媒の表面に付着した酸化物を還元可能な第１気体と、前記過熱された触媒に供給することによって水素ラジカルを生成可能な第２気体と、を選択的に前記触媒に供給可能であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記第１気体は水素ラジカルであることを特徴とする請求項４に記載の洗浄装置。
【請求項６】
加熱された第２触媒に気体を供給することによって、前記触媒に供給される水素ラジカルを生成する第２生成手段と、
前記第２生成手段と前記触媒の間の経路に配置され、前記第２触媒の周囲の気体が前記触媒側に流入することを制限可能な第２制限手段と、
前記第２制限手段により前記第２触媒の周囲の気体の流入が制限された状態で、前記第２触媒の周囲の気体を、前記第２制限手段よりも前記第２触媒側で排気可能な第２排気手段と、
を備えることを特徴とする請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項７】
対象物に水素ラジカルを供給することによって前記対象物を洗浄する洗浄装置であって、
加熱された触媒に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、
前記生成手段と前記対象物の間の経路に設けられ、前記触媒の周囲の気体が前記対象物側に流入することを制限可能する制限手段と、
前記対象物と前記制限手段との間の空間を介さずに前記触媒の周囲の気体を排気可能な排気手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の洗浄装置を用いて、粒子線を制御可能な光学部材を洗浄することを特徴とするパターン転写装置。
【請求項９】
加熱された触媒に気体を供給して生成させた水素ラジカルを用いて対象物を洗浄する洗浄方法であって、
前記触媒の周囲の気体の、前記対象物側への流入が制限された状態で、前記触媒の周囲の気体を排気する工程と
前記排気する工程と並行して、前記触媒の表面の酸化物を還元または蒸発させることにより前記酸化物を除去する工程と、
前記加熱された触媒に気体を供給して水素ラジカルを生成する工程と、
前記制限が解除された状態で、生成された水素ラジカルを前記対象物に供給する工程と、
を備えることを特徴とすることを特徴とする洗浄方法。