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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面板と背面板の間のパネル内空間をシール層により封着し、前記パネル内空間を排気するための封着・排気工程を有する画像表示装置の製造方法であって、
前記封着・排気工程が、
前記シール層により封着すべき位置にシール材料層を形成した前記背面板と前記前面板とを含むパネルを炉内で対向させ加熱して、前記シール材料層が溶融する温度に設定されたトップキープ温度に到達させる昇温工程と、
前記トップキープ温度を保持するトップキープ温度保持工程と、
前記トップキープ温度保持工程中に行なわれ、前記前面板及び前記背面板間の真空排気、及び前記前面板と前記背面板の脱ガス処理を行なう排気・脱ガス処理工程と、
前記トップキープ温度保持工程の期間の途中から開始され、前記前面板と前記背面板の間に前記シール材料層を圧着させる封着工程と、
前記トップキープ温度保持工程の終了後、温度を降下させる降温工程とを備えることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の画像表示装置の製造方法は、前面板と背面板の間のパネル内空間をシール層により封着し、前記パネル内空間を排気するための封着・排気工程を有し、上記課題を解決するために、前記封着・排気工程が、前記シール層により封着すべき位置にシール材料層を形成した前記背面板と前記前面板とを含むパネルを炉内で対向させ加熱して、前記シール材料層が溶融する温度に設定されたトップキープ温度に到達させる昇温工程と、前記トップキープ温度を保持するトップキープ温度保持工程と、前記トップキープ温度保持工程中に行なわれ、前記前面板及び前記背面板間の真空排気、及び前記前面板と前記背面板の脱ガス処理を行なう排気・脱ガス処理工程と、前記トップキープ温度保持工程の期間の途中から開始され、前記前面板と前記背面板の間に前記シール材料層を圧着させる封着工程と、前記トップキープ温度保持工程の終了後、温度を降下させる降温工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力室と、
圧電体と、前記圧電体に設けられた第１電極及び第２電極を有する圧電素子と、
を備えた液体噴射ヘッドであって、
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方は、白金を含み、
前記圧電体は、
ニオブ酸カリウムナトリウム及び鉄酸ビスマスを含む複合酸化物からなり、
ニオブ酸カリウムナトリウムと鉄酸ビスマスのモル数の和に対する鉄酸ビスマスのモル数の比が、０．９９％以上１０％以下であり、かつ、
ニオブのモル数に対するカリウムとナトリウムのモル数の和の比が、１０１％以上１２０％以下であり、かつ、
鉄酸ビスマスとニオブ酸カリウムナトリウム中のニオブに対するナトリウムとカリウムのモル数の比が１０４％以上１２５％である、液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の液体噴射ヘッドを備えた、液体噴射装置。
【請求項３】
圧電体と、前記圧電体に設けられた第１電極及び第２電極を有する圧電素子であって、
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方は、白金を含み、
前記圧電体は、
ニオブ酸カリウムナトリウム及び鉄酸ビスマスを含む複合酸化物からなり、
ニオブ酸カリウムナトリウムと鉄酸ビスマスのモル数の和に対する鉄酸ビスマスのモル数の比が、０．９９％以上１０％以下であり、かつ、
ニオブのモル数に対するカリウムとナトリウムのモル数の和の比が、１０１％以上１２０％以下であり、かつ、
鉄酸ビスマスとニオブ酸カリウムナトリウム中のニオブに対するナトリウムとカリウムのモル数の比が１０４％以上１２５％である、圧電素子。
【請求項４】
白金を含む第１電極を形成する工程と、
前駆体溶液を前記第１電極上に塗布し、前記第１電極上に塗布された前記前駆体溶液を結晶化させることにより、ニオブ酸カリウムナトリウム及び鉄酸ビスマスを含む圧電体を
形成する工程と、
前記圧電体上に第２電極を形成する工程と、
を有し、
前記前駆体溶液は、
ニオブ、カリウム、ナトリウム、鉄及びビスマスの有機金属化合物を含み、
ニオブ酸カリウムナトリウムと鉄酸ビスマスのモル数の和に対する鉄酸ビスマスのモル数の比が、０．９９％以上１０％以下であり、かつ、
ニオブのモル数に対するカリウムとナトリウムのモル数の和の比が、１０１％以上１２０％以下であり、かつ、
鉄酸ビスマスとニオブ酸カリウムナトリウム中のニオブに対するナトリウムとカリウムのモル数の比が１０４％以上１２５％である、圧電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の表面実装薄型コンデンサは、板状または箔状の拡面化した弁作用金属を陽極体とし、前記陽極体の表面に形成した誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成した固体電解質層となる導電性高分子層と、前記導電性高分子層の表面に形成したグラファイト層と、前記グラファイト層の表面に形成した導電体層である銀層とからなるコンデンサ素子を備え、導電性接着剤を介して前記銀層を積層した表面実装薄型コンデンサであって、前記銀層の外周部の少なくとも一部、すなわち積層したコンデンサ素子の外周部を一周または側面部を含む一部を帯状の導電性部材にて覆い、前記銀層同士を電気的に接続したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続端子を備えた電子部品と、
前記外部接続端子を挿通する接続穴を備えた基板と、
前記基板の表面に突出する介装部材と、を含み、
前記介装部材は、前記電子部品と前記基板の表面との間に間隙を生ずるように介装され、前記間隙は前記接続穴と外部空間とを連通することを特徴とする、
プリント基板。
【請求項２】
前記介装部材は、はんだで形成された、
請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記介装部材は、表面実装部品で構成された、
請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記介装部材は、ジャンパー線で構成された、
請求項１に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記介装部材は、前記基板上に構成される回路に電気的に接続されていない、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記介装部材は、前記基板上に構成される回路に電気的に接続されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明のプリント基板は、外部接続端子を備えた電子部品と、外部接続端子を挿通する接続穴を備えた基板と、基板の表面に突出する介装部
材とを含み、介装部材は、電子部品と基板の表面との間に間隙を生ずるように介装され、間隙は接続穴と外部空間とを連通することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の発明は、外部接続端子を備えた電子部品と、前記外部接続端子を挿通する接続穴を備えた基板と、前記基板の表面に突出する介装部材とを含み、前記介装部材は、前記電子部品と前記基板の表面との間に間隙を生ずるように介装され、前記間隙は前記接続穴と外部空間とを連通することを特徴とするプリント基板である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012104627.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012104627.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012104627.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
このような位置決め凸部７２を備えた封口板２２を備えれば、位置決め凸部７２で陽極集電板１２及び陰極集電板１６を所定位置に位置決めし、間隔６１を所定幅ｗに維持することができる。即ち、位置決め凸部７２の円柱状部７４では陽極集電板１２及び陰極集電板１６の円弧状切欠部５０を嵌合させ、各平板状立壁部７６の側面に各陽極集電板１２及び陰極集電板１６を接することにより、陽極集電板１２及び陰極集電板１６が所定位置に位置決めされる。この位置決めにより、陽極端子１０の端子側接続面６４と陽極集電板１２の接続面５２、陰極端子１４の端子側接続面６４と陰極集電板１６の接続面５２をそれぞれ一致させることができ、レーザ照射による接続の安定化を図り、接続精度を高めることができるとともに、位置決め凸部７２によって、陽極部６及び陰極部８が確実に絶縁隔離される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような構造にすることにより、ＪＦＥＴ領域のゲート絶縁膜２２は、凸部の上面を覆って配置されるので、ＭＯＳＦＥＴのオフ時にドレイン側に高電圧が印加された場合、ＪＦＥＴ領域のゲート絶縁膜２２にかかる電界を抑制することができる。しかし図２５の領域Ｘでは、電界の抑制が十分ではない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで、凸部の深さは０．１〜０．５μｍ程度が望ましく、凸部の幅（ＪＦＥＴ領域の幅）は１〜５μｍ程度が望ましい。よってその場合には、凸部の側面より凸部の上面の方が面積が大きくなる。このため、側面のゲート絶縁膜６を厚くするより、上面のゲート絶縁膜６を厚くした方がゲート容量低減の効果が大きい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第１導電型の半導体基板１、例えばｎ＋型ＳｉＣ基板上に、エピタキシャル層２３、例えばｎ−型ＳｉＣをエピタキシャル成長した層を形成する（図５参照）。このとき、所定の厚さまでエピタキシャル成長させたら、不純物濃度を変更し、図の点線より上方の領域については、下方の領域よりも不純物濃度が低くなるように生成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第１導電型の半導体基板１、例えばｎ＋型ＳｉＣ基板上に、エピタキシャル層３４、例えばｎ−型ＳｉＣをエピタキシャル成長した層を形成する（図１３参照）。このとき、所定の厚さまでエピタキシャル成長させたら、不純物濃度を変更し、図の点線より上方の領域については、下方の領域よりも不純物濃度が低くなるように生成する。さらにその上面に、高濃度イオン注入層２４を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
第１導電型の半導体基板１、例えばｎ＋型ＳｉＣ基板上に、エピタキシャル層２３、例えばｎ−型ＳｉＣをエピタキシャル成長した層を形成する。このとき、所定の厚さまでエピタキシャル成長させたら、不純物濃度を変更し、図の点線より上方の領域については、下方の領域よりも不純物濃度が低くなるように生成する。さらにその上面に、高濃度イオン注入層２４を形成するが（図１９参照）、この高濃度イオン注入層２４を形成する際に、高濃度イオン注入層２４の下に第２導電型領域２７を形成する。ここで、高濃度イオン注入層２４に注入するイオンと、第２導電型領域２７を形成する物質とが、同じイオンであってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
イオン注入を用いて、ウェル領域３内にソース領域４を、エピタキシャル層２３の不純物濃度が変更される境界よりも深く形成し、さらにコンタクト領域５を形成する。図には示していない終端部の電界緩和領域を形成した後に活性化アニール処理を行い、ウェル領域３、ソース領域４、コンタクト領域５の各イオン注入領域の活性化を行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
さらに、一般的なＭＯＳＦＥＴ製造方法と同様にｐｏｌｙ−Ｓｉなどのゲート電極７、層間絶縁膜８、ＮｉやＡｌなどのソース電極９、Ｎｉなどのドレイン電極１０を形成することにより所望の半導体装置が製造できる（図２１参照）。第２導電型領域２７に注入するイオンとしては、ＡｌまたはＢを用いると良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
第１導電型の半導体基板１、例えばｎ＋型ＳｉＣ基板上に、エピタキシャル層２３、例えばｎ−型ＳｉＣをエピタキシャル成長した層を形成する。このとき、所定の厚さまでエピタキシャル成長させたら、不純物濃度を変更し、図の点線より上方の領域については、下方の領域よりも不純物濃度が低くなるように生成する。さらにその上面に、高濃度イオン注入層２４を形成するが（図２２参照）、この高濃度イオン注入層２４を形成する際に、高濃度イオン注入層２４の下に半絶縁性領域２８を形成する。ここで、高濃度イオン注入層２４に注入するイオンと、半絶縁性領域２８を形成する物質とが、同じイオンであってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
イオン注入を用いて、ウェル領域３内にソース領域４を、エピタキシャル層２３の不純物濃度が変更される境界よりも深く形成し、さらにコンタクト領域５を形成する。図には示していない終端部の電界緩和領域を形成した後に活性化アニール処理を行い、ウェル領域３、ソース領域４、コンタクト領域５の各イオン注入領域の活性化を行う。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
さらに、一般的なＭＯＳＦＥＴ製造方法と同様にｐｏｌｙ−Ｓｉなどのゲート電極７、層間絶縁膜８、ＮｉやＡｌなどのソース電極９、Ｎｉなどのドレイン電極１０を形成することにより所望の半導体装置が製造できる（図２４参照）。半絶縁性領域２８に注入するイオンとしては、Ｖを用いると良い。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、
前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺において当該半導体発光素子を取り囲むよう配置されており、
前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする電子線励起型光源。
【請求項２】
前記電子線放出部は、カーボンナノチューブにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子線励起型光源。
【請求項３】
前記電子線源は、前記半導体発光素子を取り囲む環状の帯状体よりなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子線励起型光源。
【請求項４】
それぞれ部分環状の帯状体よりなる前記電子線源の複数が、前記半導体発光素子を取り囲むよう配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子線励起型光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電子線励起型光源は、電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、
前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺において当該半導体発光素子を取り囲むよう配置されており、
前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の電子線励起型光源においては、前記電子線放出部は、カーボンナノチューブにより構成されていることが好ましい。
また、前記電子線源は、前記半導体発光素子を取り囲む環状の帯状体よりなるものであってもよい。
また、それぞれ部分環状の帯状体よりなる前記電子線源の複数が、前記半導体発光素子を取り囲むよう配置されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の電子線励起型光源によれば、面状の電子線放出部を有する電子線源が半導体発光素子の周辺において当該半導体発光素子を取り囲むよう配置されているため、半導体発光素子の一面に均一に電子線を照射することができると共に、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られる。しかも、半導体発光素子における電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されるため、半導体発光素子の他面から当該半導体発光素子を冷却することが可能である。従って、半導体発光素子を効率よく冷却することができるので、半導体発光素子の発光効率が低下することがなくて高い出力の光が維持される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の物体の異なる方向に対応した複数の辞書のデータを格納する辞書記憶手段と、
前記複数の辞書のそれぞれに対して画像における適用領域を設定する設定手段と、
前記複数の辞書のそれぞれを用いて当該辞書に対して前記設定された適用領域において前記物体を認識する認識手段と
を備え、
前記複数の辞書の適用領域は、重複する領域を含んでいることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像は、時間的に連続した画像であり、
前記認識手段は、少なくとも２つの辞書で重複する適用領域に対して、時間的に連続した画像ごとに使用する辞書を切り替えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
同一の物体の異なる方向に対応した複数の辞書のそれぞれに対して画像における適用領域を設定する設定ステップと、
前記複数の辞書のそれぞれを用いて当該辞書に対して前記設定された適用領域において前記物体を認識する認識ステップと
を備え、
前記複数の辞書の適用領域は、重複する領域を含んでいることを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の画像処理方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前述した目的を達成するために、本発明は、同一の物体の異なる方向に対応した複数の辞書のデータを格納する辞書記憶手段と、前記複数の辞書のそれぞれに対して画像における適用領域を設定する設定手段と、前記複数の辞書のそれぞれを用いて当該辞書に対して前記設定された適用領域において前記物体を認識する認識手段とを備え、前記複数の辞書の適用領域は、重複する領域を含んでいることを特徴とする画像処理装置等、を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単板式カラー撮像素子を用いて撮像された第１の画像から、該第１の画像よりも周波数帯域の低い第２の画像を生成する低減手段と、
前記第１の画像と前記第２の画像の各々について、偽色及び色ノイズを抑圧する抑圧手段と、
前記抑圧手段で処理された前記第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、前記第２の画像の画素における色信号とを、重み付け合成するための比率係数を算出する算出手段と、
前記比率係数に従って、前記抑圧手段で処理された前記第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、前記第２の画像の画素における色信号とを重み付け合成する合成手段と、を有し、
前記算出手段は、前記第１の画像から検出される輝度エッジの度合いに基づく第１の係数と、前記第１の画像から検出される色エッジの度合いに基づく第２の係数とを算出し、前記第１の係数と前記第２の係数に基づいて、前記比率係数を求めることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記算出手段は、前記第１の係数と前記第２の係数のうち、前記第２の画像の色信号の重みがより大きくなる係数を前記合成に用いる比率係数とすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記第１の画像から偽色が発生している偽色領域を判断し、着目画素が前記偽色領域に属していると判断した場合に、前記着目画素における前記第２の係数を、前記着目画素について検出される色エッジの度合いに基づいて算出することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記着目画素が前記偽色領域に属していないと判断した場合に、前記着目画素における前記第２の係数を、前記第１の画像の前記着目画素における色信号の重みを１とする値にすることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記撮像素子が、ベイヤ配列のカラーフィルタを備え、
前記算出手段は、
前記着目画素が、前記ベイヤ配列のカラーフィルタにおけるＧ１画素から得られる信号と、Ｇ２画素から得られる信号との位相差が存在する領域に属すると判断される場合には、前記着目画素が前記偽色領域に属すると判断することを特徴とする請求項３または４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記低減手段が、段階的に周波数帯域が低減された複数の画像を生成し、
前記抑圧手段、前記算出手段、および前記合成手段が、前記複数の画像の各々について、最も周波数帯域が低減された画像と、その次に最も周波数帯域が低減された画像との組み合わせから順に動作を実行するように構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
単板式カラー撮像素子を用いて撮像された第１の画像から、該第１の画像よりも周波数帯域の低い第２の画像を生成する低減工程と、
抑圧手段が、前記第１の画像と前記第２の画像の各々について、偽色及び色ノイズを抑圧する抑圧工程と、
算出手段が、前記抑圧工程で処理された前記第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、前記第２の画像の画素における色信号とを、重み付け合成するための比率係数を算出する算出工程と、
合成手段が、前記比率係数に従って、前記抑圧工程で処理された前記第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、前記第２の画像の画素における色信号とを重み付け合成する合成工程と、を有し、
前記算出工程において前記算出手段は、前記第１の画像から検出される輝度エッジの度合いに基づく第１の係数と、前記第１の画像から検出される色エッジの度合いに基づく第２の係数とを算出し、前記第１の係数と前記第２の係数に基づいて、前記比率係数を求めることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上述の目的は、単板式カラー撮像素子を用いて撮像された第１の画像から、第１の画像よりも周波数帯域の低い第２の画像を生成する低減手段と、第１の画像と第２の画像の各々について、偽色及び色ノイズを抑圧する抑圧手段と、抑圧手段で処理された第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、第２の画像の画素における色信号とを、重み付け合成するための比率係数を算出する算出手段と、比率係数に従って、抑圧手段で処理された第１の画像の画素における色信号と、当該画素に対応する、第２の画像の画素における色信号とを重み付け合成する合成手段と、を有し、算出手段は、第１の画像から検出される輝度エッジの度合いに基づく第１の係数と、第１の画像から検出される色エッジの度合いに基づく第２の係数とを算出し、第１の係数と第２の係数に基づいて、比率係数を求めることを特徴とする画像処理装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＭ−ＳＣ（Broadcast Multicast Service Centre）から、ＭＢＭＳ（Multimedia Broadcast/Multicast Service）ベアラが確立されたＧＧＳＮ（Gateway GPRS Support Node）及びＳＧＳＮ（Serving GPRS Support Node）を経由して基地局装置に接続される移動局装置にＭＢＭＳベアラサービスによりマルチキャストデータ配信を行う移動通信システムに接続される基地局装置において、
前記ＭＢＭＳベアラサービスにおいて、ＭＢＭＳベアラリソースを割り当てて確立するＭＢＭＳベアラの情報がＭＢＭＳベアラコンテキストに含まれており、
ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるマルチキャストデータ配信を停止する場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＳＧＳＮに送信し、
マルチキャストデータ配信を停止して、ＳＧＳＮとのＭＢＭＳベアラリソースを解放することを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記ＭＢＭＳベアラコンテキストには、ＭＢＭＳベアラサービスを識別するためのサービス識別子が更に含まれており、
前記移動局装置に、サービス識別子を含む確認メッセージを送信し、該移動局装置からの応答に基づいて、マルチキャストデータ配信に参加している移動局装置の数をカウントし、
前記カウントした数が０の場合には、前記マルチキャストデータ配信の停止を決定することを特徴とする請求項１に記載の基地局装置。
【請求項３】
前記サービス識別子には、ＴＭＧＩ（Temporary Mobile Group Identify）を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の基地局装置。
【請求項４】
セッション停止要求をＳＧＳＮに送信するのと併せて、ＩＰマルチキャストパケットの送受信を停止することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の基地局装置。
【請求項５】
前記請求項１から４の何れか一項に記載の基地局装置に接続される移動局装置。
【請求項６】
ＢＭ−ＳＣ（Broadcast Multicast Service Centre）から、ＭＢＭＳ（Multimedia Broadcast/Multicast Service）ベアラが確立されたＧＧＳＮ（Gateway GPRS Support Node）及びＳＧＳＮ（Serving GPRS Support Node）を経由して基地局装置に接続される移動局装置にＭＢＭＳベアラサービスによりマルチキャストデータ配信を行う移動通信システムに接続されるＳＧＳＮにおいて、
前記ＳＧＳＮは、前記基地局装置から送信されたセッション停止要求に基づいて、ＳＧＳＮを経由して接続される移動局装置において、マルチキャストデータ配信を行う移動局装置が無くなった場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＧＧＳＮに送信し、
マルチキャストデータ配信を停止して、ＧＧＳＮとのＭＢＭＳベアラリソースを解放することを特徴とするＳＧＳＮ。
【請求項７】
ＢＭ−ＳＣ（Broadcast Multicast Service Centre）から、ＭＢＭＳ（Multimedia Broadcast/Multicast Service）ベアラが確立されたＧＧＳＮ（Gateway GPRS Support Node）及びＳＧＳＮ（Serving GPRS Support Node）を経由して基地局装置に接続される移動局装置にＭＢＭＳベアラサービスによりマルチキャストデータ配信を行う移動通信システムに接続されるＧＧＳＮにおいて、
前記ＧＧＳＮは、前記基地局装置から送信されたセッション停止要求に基づいて、ＧＧＳＮを経由して接続される移動局装置において、マルチキャストデータ配信を行う移動局装置が無くなった場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＢＭ−ＳＣに送信し、
マルチキャストデータ配信を停止して、ＢＭ−ＳＣとのＭＢＭＳベアラリソースを解放することを特徴とするＧＧＳＮ。
【請求項８】
ＢＭ−ＳＣ（Broadcast Multicast Service Centre）から、ＭＢＭＳ（Multimedia Broadcast/Multicast Service）ベアラが確立されたＧＧＳＮ（Gateway GPRS Support Node）及びＳＧＳＮ（Serving GPRS Support Node）を経由して基地局装置に接続される移動局装置にＭＢＭＳベアラサービスによりマルチキャストデータ配信を行う移動通信システムにおいて、
前記ＭＢＭＳベアラサービスにおいて、ＭＢＭＳベアラリソースを割り当てて確立するＭＢＭＳベアラの情報がＭＢＭＳベアラコンテキストに含まれており、
前記基地局装置は、
ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるマルチキャストデータ配信を停止する場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＳＧＳＮに送信し、
前記ＳＧＳＮは、
前記基地局装置から送信されたセッション停止要求に基づいて、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるマルチキャストデータ配信を停止する場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＧＧＳＮに送信し、
前記ＧＧＳＮは、
前記ＳＧＳＮから送信されたセッション停止要求に基づいて、ＧＧＳＮを経由して接続される移動局装置において、マルチキャストデータ配信を行う移動局装置が無くなった場合には、ＭＢＭＳベアラコンテキストに対応づけられるセッション停止要求をＢＭ−ＳＣに送信し、
マルチキャストデータ配信を停止することを特徴とする移動通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信アンテナを備え、複数の受信装置宛てのデータ信号に対して、それぞれプリコーディングを行ない、前記プリコーディング後の信号を空間多重して送信する無線送信装置であって、
相互に関連付けられた複数の線形フィルタが記載されたコードブックを、前記各受信装置と共用し、
前記各線形フィルタは、前記コードブックにおいて、相互に相関値の高いまたは直交性の弱い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された行ベクトル、および相互に相関値の低いまたは直交性の強い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された列ベクトルを有する行列によって関連付けることが可能であり、
前記行列は、複数の行および列において、前記各線形フィルタを関連付ける情報が記載されており、  前記複数の線形フィルタの関連付けに基づいて、前記プリコーディングの方法を決定し、
前記各受信装置で前記関連付けに基づいて前記コードブックから抽出され、前記各受信装置から通知された第一の線形フィルタに基づいて、前記各受信装置宛てのデータ信号のそれぞれに対して前記プリコーディングを行なうことを特徴とする無線送信装置。
【請求項２】
前記プリコーディングは、ｍｏｄｕｌｏ演算を含む非線形演算処理であることを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項３】
少なくとも一つの受信アンテナを備え、無線送信装置から空間多重された信号を受信する無線受信装置であって、
相互に関連付けられた複数の線形フィルタが記載されたコードブックを、前記無線送信装置と共用し、
前記各線形フィルタは、前記コードブックにおいて、相互に相関値の高いまたは直交性の弱い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された行ベクトル、および相互に相関値の強いまたは直交性の強い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された列ベクトルを有する行列によって関連付けることが可能であり、
前記関連付けに基づいて、第一の線形フィルタを前記コードブックから抽出し、抽出した第一の線形フィルタを、前記無線送信装置に対して通知することを特徴とする無線受信装置。
【請求項４】
前記行列は、複数の行および列において、前記各線形フィルタを関連付ける情報が記載されていることを特徴とする請求項３記載の無線受信装置。
【請求項５】
前記関連付けに基づいて、前記第一の線形フィルタに関連付けられた第二の線形フィルタを前記コードブックから抽出し、前記第一の線形フィルタおよび前記第二の線形フィルタを、前記無線送信装置に対して通知することを特徴とする請求項４記載の無線受信装置。
【請求項６】
前記第一の線形フィルタおよび前記第二の線形フィルタは、直交性または相関値に基づいて関連付けられていることを特徴とする請求項５記載の無線受信装置。
【請求項７】
前記関連付けに基づいて、前記第一の線形フィルタと第二の線形フィルタを前記コードブックから抽出し、前記第一の線形フィルタに関連付けられた受信品質と、前記第二の線形フィルタに関連付けられた受信品質とが異なり、前記第一の線形フィルタおよび前記第二の線形フィルタを、前記無線送信装置に対して通知することを特徴とする請求項３記載の無線受信装置。
【請求項８】
前記第二の線形フィルタは、前記無線受信装置の受信信号対雑音電力比、受信信号対干渉・雑音電力比または通信容量のいずれかを最小とすることを特徴とする請求項７記載の無線受信装置。
【請求項９】
少なくとも一つの受信アンテナを備えた無線受信装置に実装され、前記無線受信装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
無線送信装置から空間多重された信号を受信する機能と、
相互に関連付けられた複数の線形フィルタが記載されたコードブックを、前記無線送信装置と共用する機能と、
前記各線形フィルタを、前記コードブックにおいて、相互に相関値の高いまたは直交性の弱い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された行ベクトル、および相互に相関値の低いまたは直交性の強い線形フィルタに関連付けられた情報で構成された列ベクトルを有する行列によって関連付ける機能と、
前記関連付けに基づいて、第一の線形フィルタを前記コードブックから抽出し、抽出した第一の線形フィルタを、前記無線送信装置に対して通知する機能と、の一連の機能を、前記無線受信装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出手段と、
前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理手段と、
前記画像に前記幾何学変換処理を施すことによって生じた前記アスペクト比に係る変化量を算出する変化量算出手段と、
前記変化量算出手段により算出された変化量に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える画像切り出し手段と
を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
画像の読み込みを行う画像読み込み手段を更に含み、
前記変化量算出手段は、前記画像読み込み手段で読み込まれた画像のアスペクト比と、前記変換処理手段で変換処理された画像のアスペクト比との変化量を算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像切り出し手段は、前記変化量算出手段により算出された変化量に基づいて、前記変換処理手段で変換処理された画像の外縁の形状に内接する領域から所定のアスペクト比で切り出し可能な最大の領域を切り出す方法と、前記変換処理手段で変換処理された画像の外縁の形状に内接する矩形領域を切り出す方法とを、切り替えることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像切り出し手段は、前記変化量算出手段により算出された変化量が所定の閾値を超えるか否かに応じて、前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像切り出し手段は、前記変化量が前記所定の閾値を超えないと判断した場合には、前記変換処理手段で変換処理された画像の外縁の形状に内接する領域から所定のアスペクト比で切り出し可能な最大の領域を切り出し、
前記変化量が前記所定の閾値を超えると判断した場合には、前記変換処理手段で変換処理された画像の外縁の形状に内接する矩形領域を切り出すことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記所定のアスペクト比とは、前記変換処理手段で変換処理された画像のアスペクト比であることを特徴とする請求項３または５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記幾何学変換処理は、歪曲収差補正処理であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記幾何学変換処理は、射影変換処理であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出手段と、
前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理手段と、
前記画像から撮影を行ったレンズを識別するレンズ識別情報を取得するレンズ識別情報取得手段と、
前記レンズ識別情報取得手段で取得したレンズ識別情報に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える画像切り出し手段と
を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
前記幾何学変換処理は、歪曲収差補正処理であることを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記幾何学変換処理は、射影変換処理であることを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出ステップと、
前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理ステップと、
前記画像に前記幾何学変換処理を施すことによって生じた前記アスペクト比に係る変化量を算出する変化量算出ステップと、
前記変化量算出ステップにより算出された変化量に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える切り出しステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出ステップと、
前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理ステップと、
前記画像から撮影を行ったレンズを識別するレンズ識別情報を取得するレンズ識別情報取得ステップと、
前記レンズ識別情報取得ステップで取得したレンズ識別情報に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える切り出しステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法、並びに、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置及び画像処理方法、並びに、プログラムに関し、特に、画像に対して外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を施すと共に、変換処理を施すことによって生じた画欠け領域を除く有効画素領域を画像から自動で切り出す処理を備えた技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の画像処理装置は、画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出手段と、前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理手段と、前記画像に前記幾何学変換処理を施すことによって生じた前記アスペクト比に係る変化量を算出する変化量算出手段と、前記変化量算出手段により算出された変化量に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える画像切り出し手段とを含む。
本発明の画像処理装置における他の態様は、画像のアスペクト比を算出するアスペクト比算出手段と、前記画像の外縁の形状変化を伴う幾何学変換処理を実行する変換処理手段と、前記画像から撮影を行ったレンズを識別するレンズ識別情報を取得するレンズ識別情報取得手段と、前記レンズ識別情報取得手段で取得したレンズ識別情報に基づいて前記幾何学変換処理された画像の有効画素領域の切り出し方法を切り替える画像切り出し手段とを含む。
また、本発明は、上述した画像処理装置による画像処理方法、及び、上述した画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を電気信号に変換しライブビューで画像データを出力する撮像部と、
上記画像データに対して、輝点検出領域を設定する輝点領域設定部と、
上記輝点領域設定部によって設定された上記輝点検出領域内の輝点を検出する輝点検出部と、
上記輝点検出部によって検出された上記輝点の輝点位置において輝点処理を行う輝点処理部と、
上記輝点処理部によって輝点処理された画像を表示用または記録用に出力する画像出力部と、
を有し、
上記輝点領域設定部は、ランダムな位置または大きさに切換えて上記輝点領域を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記輝点領域設定部は、縦横に最小限のサイズ以上に上記輝点領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記輝点領域設定部は、予め設定した上記輝点領域を順番に設定することを特徴とする請求項１に記載に撮像装置。
【請求項４】
上記輝点処理部における輝点処理は、クロスフィルタ処理であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
上記輝点処理部は、連続するフレームの輝点処理の際に、少なくとも一部の明るさ、クロスの長さ、色、大きさの何れかのサイズを変えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
上記輝点領域設定部は、上記輝点領域の設定にあたって、複数フレームで同一の領域を含む領域を少なくとも一度は設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
上記輝点処理部は、設定された輝点領域内で処理する輝点の数を限定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
上記輝点処理部は、上記撮像部から出力される画像データの内、所定フレーム毎に上記輝点処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
上記輝点処理部は、上記所定フレーム毎に上記輝点処理を行う際には、取得フレームとは別個にクロスフィルタ画像を生成し、この生成したクロスフィルタ画像に取得フレームの画像を合成した合成画像を出力し、上記所定フレームに当たらないフレームの際には、上記取得フレームによる画像を出力することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
被写体像を電気信号に変換しライブビューで画像データを出力する第１出力ステップと、
上記画像データに対して、輝点検出領域を設定する設定ステップと、
上記設定された上記輝点検出領域内の輝点を検出する検出ステップと、
上記検出された輝点の輝点位置において輝点処理を行う処理ステップと、
上記輝点処理された画像を表示用または記録用に出力する第２出力ステップと、
を有し、
上記設定ステップは、ランダムな位置または大きさに切換えて上記輝点領域を設定することを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため第１の発明に係わる撮像装置は、被写体像を電気信号に変換しライブビューで画像データを出力する撮像部と、上記画像データに対して、輝点検出領域を設定する輝点領域設定部と、上記輝点領域設定部によって設定された上記輝点検出領域内の輝点を検出する輝点検出部と、上記輝点検出部によって検出された上記輝点の輝点位置において輝点処理を行う輝点処理部と、上記輝点処理部によって輝点処理された画像を表示用または記録用に出力する画像出力部と、を有し、上記輝点領域設定部は、ランダムな位置または大きさに切換えて上記輝点領域を設定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点領域設定部は、縦横に最小限のサイズ以上に上記輝点領域を設定する。
第３の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点領域設定部は、予め設定した上記輝点領域を順番に設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第４の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点処理部における輝点処理は、クロスフィルタ処理である。
第５の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点処理部は、連続するフレームの輝点処理の際に、少なくとも一部の明るさ、クロスの長さ、色、大きさの何れかのサイズを変える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第６の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点領域設定部は、上記輝点領域の設定にあたって、複数フレームで同一の領域を含む領域を少なくとも一度は設定する。
第７の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点処理部は、設定された輝点領域内で処理する輝点の数を限定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第８の発明に係わる撮像装置は、上記第１の発明において、上記輝点処理部は、上記撮像部から出力される画像データの内、所定フレーム毎に上記輝点処理を行う。
第９の発明に係わる撮像装置は、上記第８の発明において、上記輝点処理部は、上記所定フレーム毎に上記輝点処理を行う際には、取得フレームとは別個にクロスフィルタ画像を生成し、この生成したクロスフィルタ画像に取得フレームの画像を合成した合成画像を出力し、上記所定フレームに当たらないフレームの際には、上記取得フレームによる画像を出力する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１０の発明に係わる撮像方法は、被写体像を電気信号に変換しライブビューで画像データを出力する第１出力ステップと、上記画像データに対して、輝点検出領域を設定する設定ステップと、上記設定された上記輝点検出領域内の輝点を検出する検出ステップと、上記検出された輝点の輝点位置において輝点処理を行う処理ステップと、上記輝点処理された画像を表示用または記録用に出力する第２出力ステップと、を有し、上記輝点領域設定部は、ランダムな位置または大きさに切換えて上記輝点領域を設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
上方及び下方へ個別に光を出射する第１光源及び第２光源を有する光源ユニットと、
前記光源ユニットの上方に配置され、前記第１光源から出射された光を前方へ反射させる第１反射面と、
前記光源ユニットの下方に配置され、前記第２光源から出射された光を前方へ反射させる第２反射面と、
を備える二輪車用前照灯において、
前記第２光源が、前記第１光源よりも前方に配置され、
前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前方に配置され、
前記第２反射面の下方に配置され、前記第２光源から出射された光の一部を前記第１反射面へ反射させる第３反射面を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の二輪車用前照灯において、
前記光源ユニットは、前記第１光源及び前記第２光源が上面及び下面に取り付けられた支持プレートを有し、
前記支持プレートは、前記第１光源及び前記第２光源からの発熱を放散させるヒートシンクであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の二輪車用前照灯において、
前記第１反射面の下端と前記第２反射面の上端とは、後方へ開口したコ字状部を介して連結され、
前記光学ユニットは、前記コ字状部の内側に配置されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方及び下方へ個別に光を出射する第１光源及び第２光源を有する光源ユニットと、
前記光源ユニットの上方に配置され、前記第１光源から出射された光を前方へ反射させる第１反射面と、
前記光源ユニットの下方に配置され、前記第２光源から出射された光を前方へ反射させる第２反射面と、
を備える二輪車用前照灯において、
前記第２光源が、前記第１光源よりも前方に配置され、
前記第２反射面が、前記第１反射面よりも前方に配置され、
前記第２反射面の下方に配置され、前記第２光源から出射された光の一部を前記第１反射面へ反射させる第３反射面を備えることを特徴とする二輪車用前照灯。
【請求項２】
前記光源ユニットは、前記第１光源及び前記第２光源が上面及び下面に取り付けられた支持プレートを有し、
前記支持プレートは、前記第１光源及び前記第２光源からの発熱を放散させるヒートシンクであることを特徴とする請求項１に記載の二輪車用前照灯。
【請求項３】
前記第１反射面の下端と前記第２反射面の上端とは、後方へ開口したコ字状部を介して連結され、
前記光学ユニットは、前記コ字状部の内側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の二輪車用前照灯。