(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板上の下層導体回路と前記下層導体回路上の層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層上の上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホールを介して電気的に接続されている多層プリント配線板であって、
前記下層導体回路上に粗化層が形成されており、前記粗化層が加熱処理されており、前記粗化層の表面は1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERによる数値)の光沢度を有しており、前記粗化層上にスズ層が設けられており、前記スズ層上に前記層間絶縁樹脂層が設けられていることを特徴とする、多層プリント配線板。
【請求項２】
前記粗化層が無電解めっきによって形成されていることを特徴とする、請求項1記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記粗化層の表面の凹凸が1〜10μmの最大高さ(Ry)を有することを特徴とする、請求項1又は2記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
基板と前記基板上の下層導体回路と前記下層導体回路上の層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層上の上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホールを介して電気的に接続されている多層プリント配線板であって、
前記下層導体回路が粗化面を有しており、前記下層導体回路が加熱処理されており、前記粗化面は1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERによる数値)の光沢度を有しており、前記粗化面上にスズ層が設けられており、前記スズ層上に前記層間絶縁樹脂層が設けられていることを特徴とする、多層プリント配線板。
【請求項５】
前記粗化面がソフトエッチングによって形成されていることを特徴とする、請求項4記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記粗化面の凹凸が1〜10μmの最大高さ(Ry)を有することを特徴とする、請求項4又は5記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
前記層間絶縁樹脂の表面が粗化されており、前記バイアホールを介して、前記スズ層と前記上層導体回路とが接続されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項記載の多層プリント配線板。
【請求項８】
基板と下層導体回路と層間絶縁樹脂層と上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホール介して電気的に接続されている多層プリント配線板を得るにあたり、
(a)下層導体回路上に粗化層を設ける工程、
(b)粗化層を加熱処理し、前記粗化層の表面を1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERによる数値)の光沢度に制御する工程、
(c)前記粗化層上にスズ層を設ける工程、及び
(d)前記スズ層上に層間絶縁樹脂層を設ける工程
を備えることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記粗化層を、50〜250℃の間の少なくとも1種の温度で少なくとも10分保持することによって加熱処理することを特徴とする、請求項8記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
基板と下層導体回路と層間絶縁樹脂層と上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホールを介して電気的に接続されている多層プリント配線板を得るにあたり、
(a)下層導体回路に粗化面を設ける工程、
(b)下層導体回路を加熱処理し、前記粗化面を1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERで表される測定値)の光沢度に制御する工程、
(c)前記粗化面上にスズ層を設ける工程、及び
(d)前記スズ層上に層間絶縁樹脂層を設ける工程
を備えることを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記下層導体回路を、50〜250℃の間の少なくとも1種の温度で少なくとも10分保持することによって加熱処理することを特徴とする、請求項10記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
基板と下層導体回路と層間絶縁樹脂層と上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホール介して電気的に接続されている多層プリント配線板において、
請求項8〜11のいずれか一項記載の多層プリント配線板の製造方法によって製造されていることを特徴とする、多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板とその製造方法に関し、特に、バイアホ−ル周辺部における導体回路の局部溶解が防止されており、接続性に優れた多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報に開示されているような方法にて製造される。すなわち、まず、基板上の導体回路の表面に無電解めっきで粗化層を析出させて、この粗化層上にロールーコーターにて層間絶縁樹脂を塗布し、その後、層間絶縁樹脂を露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させ、ＵＶキュア、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００３】
さらに、その層間絶縁層に粗化処理を施し、粗化面にパラジウムなどの触媒を付け、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。これを繰り返すことにより、ビルドアップ多層配線板が得られる。
【０００４】
また、このビルドアップ多層配線板の製造方法において、無電解めっきで導体回路の表面に粗化層を形成させる代わりに、導体回路をソフトエッチングすることによって粗化面を形成させる方法が提案されている。
【０００５】
かかる粗化層又は粗化面上には、めっきによってスズ層を形成させることにより、導体回路と層間絶縁樹脂との密着を確保するという方法がある。かかるスズ層が形成された粗化層は、ソルダーレジスト層形成にも使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者の研究によれば、スズ層の表面にスズの不純物が生成されることを見出した。かかるスズ不純物としては、スズ（II）化合物（ＳｎＯ等）、スズ（IV）化合物（ＳｎＯ2 等）や酸化数を特定し難いクラスター化合物（［Ｓｎ6 Ｏ8 ］Ｘ、Ｘ：金属等）等が生成される。
【０００７】
本来、スズ層は、層間絶縁樹脂層を粗化する際、使用される酸化剤(クロム酸、クロム酸塩、過マンガン酸など)からバイアホール部に露出した導体回路の溶解を防ぐために用いられている。本発明者は、このようなスズ不純物がスズ層上に形成されると、バイアホールから露出した部分で、酸化剤による溶解が発生し、バイアホール部内の導通が取れなくなることを解明した。
【０００８】
本発明は、このようなスズ不純物の生成を抑制することによって、バイアホール部における導体回路の溶解を防がれた、電気的な接続性に優れた多層プリント配線板を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板と前記基板上の下層導体回路と前記下層導体回路上の層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層上の上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホールを介して電気的に接続されている多層プリント配線板であって、前記下層導体回路上に粗化層が形成されており、前記粗化層が加熱処理されており、前記粗化層の表面は1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERによる数値)の光沢度を有しており、前記粗化層上にスズ層が設けられており、前記スズ層上に前記層間絶縁樹脂層が設けられている、多層プリント配線板及びかかる多層プリント配線板の製造方法に係るものである。
【００１０】
また、本発明は、基板と前記基板上の下層導体回路と前記下層導体回路上の層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層上の上層導体回路とを備えており、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホールを介して電気的に接続されている多層プリント配線板であって、前記下層導体回路が粗化面を有しており、前記下層導体回路が加熱処理されており、前記粗化面は1.0〜1.4(グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製のGAMMODEL 144 DENSITOMETERによる数値)の光沢度を有しており、前記粗化面上にスズ層が設けられており、前記スズ層上に前記層間絶縁樹脂層が設けられている、多層プリント配線板及びかかる多層プリント配線板の製造方法に係るものである。
【００１１】
本発明は、導体回路上に粗化層又は粗化面を形成した後に、粗化層やこの粗化されている導体回路を熱処理することにより、導体回路の粗化層や粗化面上に設けられるスズ層のスズ不純物の生成が抑制されることに基づく。本発明では、この熱処理により、導体回路の粗化層及び粗化面の酸化度合いが一様になり、その後のスズ層形成時に、スズ不純物の生成を抑制できる。このため、得られるプリント配線板は、スズ層形成後の導体回路の局部溶解が発生せず、導通不良が起こらない。
【００１２】
本発明者は、随意研究した結果、かかる粗化層又は粗化されている導体回路の酸化度は、その表面の光沢度という尺度で数値化できることを知見した。これによって、スズ不純物の生成を抑制できる粗化層又は粗化されている導体回路の酸化度合いを数値化すると、粗化層又は粗化されている導体回路の表面の光沢度は１．０〜１．４であった。つまり、いいかえると、本発明者は、粗化処理された導体回路を熱処理し、導体回路の粗化層表面又は粗化面の光沢度を１．０〜１．４の範囲にすることにより、導体回路の表層にスズ層を形成しても、スズ不純物の生成が抑えられることを見出し、本発明を完成させた。
【００１３】
本発明者が検討したところによれば、粗化層の表面の光沢度が、1.0未満では、この粗化層が導体回路上に無電解めっきを施して形成される場合、粗化層の合金内に水分、吸蔵水素が残留するため、金属結晶が大きくなり、粗化層自身がもろくなることが判明した。また、ソフトエッチングで導体回路に粗化面を形成した場合、この粗化面の光沢度が１．０未満では、粗化面の凹凸内に水分、エッチング液が残り、その残留液が、スズ層形成を阻害するため、反応停止などが起き、導体回路の溶解を引き起こしてしまうことが分かった。
【００１４】
また、粗化層表面又は粗化面の光沢度が、１．４を超えたときは、無電解めっきで粗化層を形成した場合やソフトエッチングで粗化面を形成した場合ともに、粗化層又は粗化されている導体回路の酸化度合いが進行しすぎて、スズの不純物の生成が増えてしまい、導体回路の溶解を引き起こし、バイアホール部での導通不良が生じてしまうことが明らかとなった。
【００１５】
本発明によれば、粗化層又は粗化されている導体回路が熱処理されて、導体回路の粗化層又は粗化面が１．０〜１．４の光沢度を有しており、この粗化層上又は粗化面上にスズ層が設けられるため、スズ層表面のスズ不純物の生成が抑制される。
【００１６】
かかるスズ層は、スズ層表面のスズ不純物の生成が抑制されているので、層間絶縁樹脂層を粗化する際に使用される酸化剤から、スズ層がバイアホ−ル部に露出した導体回路の表面を保護し、導体回路の溶解をより一層防止することができる。
【００１７】
本発明の多層プリント配線板は、スズ層が、層間絶縁樹脂層を粗化する際に使用される酸化剤が導体回路を溶解するのを十分に防いでおり、バイアホール部における電気的接続性が極めて優れている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明にかかる粗化層を示す縦断面図である。図２は、本発明にかかる粗化面を示す縦断面図である。
【００１９】
本発明では、図１及び２に示すように、基板１上に設けられた導体回路５の表面に、粗化層１４又は粗化面４４が形成される。図１に示すように、本発明にかかる粗化層１４は、導体回路５を覆う被覆層４５からなり、この被覆層４５の表面４６が粗化されて形成されている。また、図２に示すように、本発明にかかる粗化面４４は、導体回路５自体が粗化されて形成される。
【００２０】
本発明にかかる粗化層は、導体回路に無電解めっきを析出させることによって直接形成するか、又は無電解めっき層等を導体回路に析出させた後、無電解めっき層をエッチングすることによっても形成することができる。また、本発明にかかる導体回路表面の粗化面は、導体回路をソフトエッチング等によってエッチングすることで形成することができる。
【００２１】
無電解めっきで直接粗化層を形成する例としては、銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層を無電解めっき法にて形成させる方法が挙げられる。粗化層の形状としては、針状、多孔質状、針状と多孔質の混在したものなどがある。粗化層表面の凹凸の差は、１〜１０μｍの最大高さ（Ｒｙ）で形成されるのがよい。この範囲内の凹凸があれば、絶縁樹脂と導体回路との密着性が良い。
【００２２】
ソフトエッチングによって粗化面を形成させる例としては、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導体回路を処理する方法が挙げられる。粗化面の形状としては、多孔質、窪みと稜線などが絡み合って形成されるものなどがある。粗化面の凹凸は、絶縁樹脂と導体回路との密着性の観点から、１〜１０μｍの最大高さ（Ｒｙ）で形成されるのがよい。
【００２３】
粗化層又は粗化面の表面の光沢度を１．０〜１．４の範囲内にするための加熱処理は、粗化層や粗化面の形成方法、粗化層や粗化面の凹凸差の最大高さＲｙ、生産条件、コスト等の要因から種々の条件を設定することができる。
【００２４】
熱処理は、例えば、粗化層又は粗化されている導体回路の温度を常温（２０〜３０℃）から段階的に上昇させて、所定の熱処理温度で所定時間ホ−ルドさせることで行うことができる。この場合、熱処理温度は、５０〜２５０℃の範囲内の少なくとも１種の温度が好ましく、また、各熱処理温度でのホ−ルド時間は、少なくとも１０分がよい。特に、熱処理温度を８０〜２００℃の間から選定し、ホ−ルド時間を３０分〜２時間とするのが望ましい。かかる処理によって、光沢度が一様になるために、粗化面又は粗化層上に形成されるスズ層の不純物が生成され難くなる。
【００２５】
熱処理条件によっては、粗化層又は粗化されている導体回路を所定温度で所定時間ホ−ルドさせたのち、この温度より更に高い温度で再度、ホ−ルドさせて熱処理してもよい。熱処理条件の具体例を一つ挙げると、８０℃／３０分＋１００℃／３０分＋１５０℃／６０分がある。
【００２６】
導体回路表面に無電解めっきにより直接形成された粗化層では、熱処理を行うことにより、金属内に残留した水分、吸蔵水素などを排出でき、かつ、粗化層表面の光沢度を一様にすることができる。
【００２７】
また、ソフトエッチングによって、導体回路に粗化面を形成させた場合は、熱処理を行うことによって、粗化面の凹凸内に残ったエッチング液、水などを排除でき、かつ、粗化面の光沢度を一様にすることができる。
【００２８】
光沢度の測定には、グラフィックアーツマニュファクチャリングカンパニー製の GAMMODEL 144 DENSITOMETERを用いることができる。この際、最初に光沢度の原点測定を行う。備え付けの原点測定用の白いサンプル、黒いサンプルを交互に測定して、測定値を装置に付さている光沢度の数値に調整する。補正後に、熱処理を終えた粗化面の光沢度を測定する。
【００２９】
測定値が１．０〜１．４のとき、スズの不純物の生成が抑制されるために、層間絶縁樹脂層の粗化処理の際、導体回路の局部溶解が発生しないので、バイアホール内での導通不良が発生しない。
【００３０】
本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。以下の方法は、主としてセミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００３１】
まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基板、金属基板等の基板に層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形成する方法により行う。導体回路は、いずれも銅パタ−ンがよい。
【００３２】
本発明に用いられる導体回路は、無電解めっき膜又は電解めっき膜から形成されるのが望ましい。厚延銅箔をエッチングした導体回路では、エッチングによって粗化面を形成し難いからである。
【００３３】
導体回路を形成した基板には、導体回路あるいはスル−ホ−ルにより、凹部が形成される。その凹部を埋めるために樹脂充填剤を印刷などで塗布し、乾燥した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削して、導体回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
【００３４】
次いで、導体回路に粗化層又は粗化面を設ける。粗化層は、めっき皮膜により形成されるのが望ましい。また、粗化面は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面が望ましい。粗化層表面又は粗化面の凹凸の最大高さＲｙは、１〜１０μｍで形成されるのがよい。
【００３５】
粗化層又は粗化面の形成後に、熱処理を行う。熱処理温度は、５０〜２５０℃で、かつ、１０分以上ホ−ルドさせるのがよい。また、熱処理を異なった温度で、２回以上ホ−ルドさせてもよい。この時、粗化層又は粗化面の表面の光沢度を１．０〜１．４の範囲に調整する。
【００３６】
このようにして形成した粗化層又は粗化面上に、本発明にかかるスズ層を形成する。かかるスズ層は、種々の方法を用いて粗化層又は粗化面上に設けることができる。かかる方法には、置換めっき、無電解めっき、電解めっき、スパッタ、真空蒸着等を挙げることができる。例えば、導体回路や粗化層が銅導体を含有するとき、Ｓｎ層は、Ｃｕ−Ｓｎ置換反応を用いた無電解置換めっきによって粗化面又は粗化層上に設けられる。本発明では、Ｓｎ層の下地である粗化層又は粗化面が所定の範囲の光沢度に制御されているため、Ｓｎ層表面で、Ｓｎ不純物の生成が抑制される。
【００３７】
次に、導体回路の粗化層又は粗化面上に層間絶縁樹脂層を設ける。かかる層間絶縁樹脂層は、無電解めっき用接着剤を用いて形成することができる。かかる無電解めっき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に硬化処理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラ−等を必要により含ませることができる。かかる樹脂絶縁層が下層導体回路と上層導体回路との間に設けられる場合、層間樹脂絶縁層となる。
【００３８】
かかる樹脂絶縁層は、複数層にしてもよい。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラ−と樹脂基剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着剤層とすることができる。また、平均粒径0.1 〜2.0 μｍの酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子を酸や酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂中に分散させて下層とし、無電解めっき用接着剤層を上層としてもよい。
【００３９】
熱硬化性樹脂基剤としては、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させてアクリル化させたものが好ましい。中でも、エポキシ樹脂のアクリレ−トが最適である。かかるエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。また、かかる熱硬化性樹脂基剤には、ポリエ−テルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエ−テル、ポリエ−テルイミド等の熱可塑性樹脂を添加することができる。
【００４０】
耐熱性樹脂粒子としては、(1) 平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、(5) 平均粒径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び (6)平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑なアンカ−を形成するからである。これらの粒子により得られる粗化面は、0.1 〜20μｍの最大高さ（Ｒｙ）を有することができる。
【００４１】
酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂（ビスフェノ−ル型エポキシ樹脂であって、アミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。かかる耐熱性樹脂粒子の混合比は耐熱性樹脂からなるマトリックスの固形分の５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
【００４２】
無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク等を使用できる。繊維質フィラ−としては、炭酸カルシウムのウイスカ−、ホウ酸アルミニウムのウイスカ−、アラミド繊維質、炭素繊維等の少なくとも１種を使用できる。
【００４３】
次に、かかる無電解めっき用接着剤を硬化させて、層間絶縁樹脂層を形成する一方、この層間樹脂樹脂層には、バイアホ−ル形成用の開口を設ける。
【００４４】
バイアホール形成用の開口は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光性樹脂である場合は、露光現像処理にて穿孔する。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成用に円パタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パタ−ン側が感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着するように載置した後、露光、現像処理する。
【００４５】
次に、バイアホ−ル形成用開口を設けた層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化する。特に、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を、酸や酸化剤で溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。このとき、層間樹脂絶縁層に粗化面が形成される。この時、粗化面に形成される窪みの深さは１〜５μm 程度が好ましい。
【００４６】
酸による処理としては、リン酸、塩酸、硫酸等の無機酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に、有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させ難いからである。酸化剤による処理は、クロム酸、クロム酸塩、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いるのが望ましい。
【００４７】
かかる粗化面は、０．１〜２０μｍの最大粗度（Ｒｍａｘ）を有するのが好ましい。厚過ぎると層自体が損傷、剥離し易く、薄過ぎると密着性が低下するからである。特に、セミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性が確保されつつ、無電解めっき膜が除去されるからである。
【００４８】
本発明では、このような層間絶縁樹脂の粗化処理の際、Ｓｎ層表面でＳｎ不純物の生成が抑制されているため、Ｓｎ層下の導体回路の溶解が防止される。
【００４９】
粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっき膜がよく、その厚みは、０．５〜５μｍ、より望ましくは１〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ：140 ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍｌ、（ＰＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。
【００５０】
次に、このように形成した無電解めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ−トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理することにより、めっきレジストパタ−ンを配設した非導体部分を形成する。
【００５１】
次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホ−ルとなる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚みは、５〜20μｍがよい。
【００５２】
さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した導体回路とバイアホ−ルを得る。
【００５３】
なお、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除去する。
【００５４】
次いで、表層の導体回路に粗化層又は粗化面を形成する。粗化層は、めっき被膜により形成され、粗化面は、エッチング処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された粗化面であることが望ましい。
【００５５】
次いで、このような導体回路上にソルダ−レジスト層を形成する。ソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
【００５６】
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００５７】
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
【００５８】
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
【００５９】
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。本発明にかかる粗化層又は粗化面は、このような剥離を防止できるため有利である。
【００６０】
ここで、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００６１】
イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００６２】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がし易いからである。
【００６３】
ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００６４】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、次の一般式：
ＣＨ3 Ｏ−（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ) n −ＣＨ3 （ｎ＝１〜５）
で表される構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。
【００６５】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
【００６６】
例えば、レベリング剤としては、アクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としてはチバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
【００６７】
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００６８】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂には、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００６９】
添加成分としての上記感光性モノマーには、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａや、共栄社化学製のＲ−６０４等の多価アクリル系モノマーが望ましい。
【００７０】
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは、１〜１０Ｐａ・ｓの粘度を有するのがよい。ロールコータで塗布し易いからである。
【００７１】
ソルダーレジスト層形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。開口径は、８０〜１５０μｍの範囲である。
【００７２】
その後、ソルダ−レジスト層形成後に開口部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させる。
【００７３】
ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０μｍで、特に３〜１０μｍの厚みが望ましい。それ以下では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取れ難く、それ以上では、開口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりする。
【００７４】
ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金めっき層を形成させる。厚みは、０．０１〜０．１μｍであり、望ましくは０．０３μｍ前後である。
【００７５】
【実施例】
（実施例１）
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７６】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００７７】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００７８】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００７９】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００８０】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００８１】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ2 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
【００８２】
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００８３】
D.プリント配線板の製造
図3〜20は、一例の製造工程に従って示す、本発明にかかるプリント配線板の縦断面図である。
(1)図3に示すような、厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μmの銅箔２がラミネートされている銅張積層板3を出発材料とした。
【００８４】
まず、この銅張積層板3には、図4に示すように、ドリル孔4を削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板3の両面に内層銅パターン(下層導体回路)5とスルーホール6を形成した。
【００８５】
(2)内層銅パターン5とスルーホール6を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/L)、NaClO2(40g/L)、Na3PO4(6g/L)、還元浴として、NaOH(10g/L)、NaBH4(6g/L)を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン5とスルーホール6の表面に粗化面7，8，9を設け、図4に示すような配線基板10を製造した。
【００８６】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得、この樹脂充填剤を、調製後24時間以内に、基板１０の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路５間又はスルーホール６内に充填し、70℃、20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤を導体回路５間あるいはスルーホール６内に充填し、70℃、20分間で加熱乾燥させ、樹脂層１１，１２を形成した。
【００８７】
(4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン５の表面やスルーホール６のランド８の表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
【００８８】
(5)次いで、120℃で1時間、 150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化し、図5に示すような配線基板13を作製した。この配線基板13では、スルーホール6等に充填された樹脂充填剤の表層部及び内層導体回路5の上面の粗化面7，8が除去されており、基板の両面が平滑化され、樹脂層11と内層導体回路5の側面とスルーホール6のランド表面とが粗化面7a，8aを介して強固に密着し、また、スルーホール6の内壁面と樹脂層12とが粗化面9を介して強固に密着している。即ち、この工程により、樹脂層11，12の表面と内層銅パターン5の表面が同一平面となる。
【００８９】
(6)導体回路を形成したプリント配線板13に、アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.2×10-2モル/L、硫酸ニッケル3.9×10-3モル/L、錯化剤5.4×10-2モル/L、次亜リン酸ナトリウム3.3×10-1モル/L、ホウ酸5.0×10-1モル/L、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール465)0.1g/L、PH=9からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回の割合で縦振動及び横振動させて、図6に示すように、導体回路5とスルーホール6のランドの表面にCu-Ni-Pからなる針状合金で被覆された粗化層14，15を設けた。粗化層の凹凸の最大高さは、3μmであった。
【００９０】
(7）粗化層形成後に、１００℃／３０分＋１２０℃／３０分＋１５０℃／２時間で熱処理を行い、粗化層１４，１５の表面の光沢度を１．１にした。
【００９１】
この熱処理後、ホウフッ化スズ０．１モル／Ｌ、チオ尿素１．０モル／Ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層１４，１５の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層を設けた。Ｓｎ層は特に図示していない。
【００９２】
(8) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００９３】
(9)前記(7)の基板16の両面に、前記(8)で得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)を、調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、次に、前記(8)で得られた粘度7Pa・sの感光性の接着剤溶液(上層用)を、調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、図7に示すような厚さ35μmの接着剤層17を形成した。
【００９４】
(10)前記(9)で接着剤層17を形成した基板の両面に、図8に示すように、85μmφの黒円18が印刷されたフォトマスクフィルム19を密着させ、超高圧水銀灯により500mJ/cm2 で露光した。この基板をDMTG溶液でスプレー現像し、更に、超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間、120℃で1時間、その後 150℃で3時間の加熱処理(ポストベーク)することにより、図9に示すような、フォトマスクフィルム19に相当する寸法精度に優れた85μmφの開口(バイアホール形成用開口)20を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)17とした。なお、バイアホールとなる開口20には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００９５】
(11)開口20が形成された基板を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層17の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、この層間樹脂絶縁層17の表面を粗化し、図10に示すような粗化面21，22を形成し、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。
【００９６】
更に、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層１７の表面２１とバイアホール用開口の内壁面２２とに触媒核を付けた。
【００９７】
(12)このようにして形成した配線基板を、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、図11に示すように、粗面全体に厚さ0.6〜1.2μmの無電解銅めっき膜23を形成した。
[無電解めっき水溶液]
EDTA                    0.08モル/L
硫酸銅                  0.03モル/L
HCHO                    0.05モル/L
NaOH                    0.05モル/L
α、α’-ビピリジル     80mg/L
PEG                     0.10g/L
[無電解めっき条件]
65℃の液温度で20分
【００９８】
(13)前記(12)で形成した無電解銅めっき膜23上に、図12に示すように、黒円24が印刷された市販の感光性ドライフィルム25を張り付け、マスク26を載置して、100mJ/cm2 で露光、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、図13に示すような、厚さ15μmのめっきレジスト27を設けた。
【００９９】
(14)次いで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、図14に示すような厚さ15μmの電解銅めっき膜28を形成した。
[電解めっき水溶液]
硫酸                    2.24モル/L
硫酸銅                  0.26モル/L
添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL)
19.5mL/L
[電解めっき条件]
電流密度                1A/dm2 
時間                    65分
温度                    22±2℃
【０１００】
(15)めっきレジスト27を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト27の下の無電解めっき膜23を、硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、図15に示すような、無電解銅めっき膜29と電解銅めっき膜28とからなる、厚さ18μmの導体回路30(バイアホール31を含む)を形成した。
【０１０１】
(16)前記(6)及び(7)と同様の処理を行い、図16に示すようなCu-Ni-Pからなる粗化層32を形成し、更に、その表面にSn置換を行った。(17)前記(8)〜(16)の工程を繰り返すことにより、更に上層の導体回路を形成し、多層プリント配線板を得た。但し、最も表層の粗化面には、Sn置換は行わなかった。
【０１０２】
(18)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、更に、この混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト用組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【０１０３】
(19)前記(17)で得られた多層プリント配線基板(図面では2層の導体回路を有するプリント配線板を図示した)の両面に、図17に示すようにして、このソルダーレジスト用組成物33を20μmの厚さで塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、図18に示すように、円パターン(マスクパターン)34が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルム35を密着させて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そして、更に、80℃で1時間、100℃で1時間、 120℃で1時間、150℃で3時間の条件で加熱処理し、図19に示すように、はんだパッド部分36(バイアホールとそのランド部分37を含む)を開口した(開口径 200μm)ソルダーレジスト層(厚み20μm)38を形成し、プリント配線板39を製造した。
【０１０４】
(20)次に、ソルダーレジスト層38を形成した基板39を、塩化ニッケル30g/L、次亜リン酸ナトリウム10g/L、クエン酸ナトリウム10g/LからなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、図20に示すような、厚さ5μmのニッケルめっき層40を開口部36，37に形成した。更に、その基板を、シアン化金カリウム2g/L、塩化アンモニウム75g/L、クエン酸ナトリウム50g/L、次亜リン酸ナトリウム10g/Lからなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層40上に厚さ0.03μmの金めっき層41を形成した。
【０１０５】
(21)そして、ソルダーレジスト層３８の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）４２を形成し、はんだバンプ４２を有するプリント配線板４３を製造した。
【０１０６】
（実施例２）
基本的には、実施例１と同じであるが、導体回路上に形成される粗化面を第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液（メック社製、商品名「メック  エッチボンド」）により形成させた。粗化面の凹凸の最大高さ（Ｒｙ）は、３μｍであった。
【０１０７】
粗化面形成後に、１００℃／２０分＋１２０℃／２０分＋１５０℃／１時間で熱処理を行った。粗化面の光沢度は１．１であった。熱処理後、ホウフッ化スズ０．１モル／ｌ、チオ尿素１．０モル／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させて、粗化面に厚さ０．３μｍＳｎ層を設けた。
【０１０８】
（比較例１）
下層導体回路の熱処理条件を４５℃／５分で行い、粗化面の光沢度を０．９にした以外は、実施例１と同様にして、多層配線基板を製造した。
【０１０９】
（比較例２）
下層導体回路の熱処理条件を１００℃／３０分＋２００℃／３０分＋３００℃／１時間で行い、粗化面の光沢度を１．７にした以外は、実施例１と同様に多層配線基板を製造した。
【０１１０】
（比較例３）
下層導体回路の熱処理条件を４５℃／４０分で行い、粗化面の光沢度を０．９にした以外は、実施例２と同様にして、多層配線基板を製造した。
【０１１１】
（比較例４）
下層導体回路の熱処理条件を１００℃／３０分＋２００℃／３０分＋３００℃／３時間で行い、粗化面の光沢度を１．５にした以外は、実施例２と同様に多層配線基板を製造した。
【０１１２】
以上、実施例１及び２と比較例１〜４で製造されたプリント配線板について、粗化層の光沢度、バイアホ−ルの銅溶解の有無、導体回路形成後の導通試験を比較した。結果を表１に示す。
【０１１３】
【表１】
0004215875.tif 000002
【０１１４】
表１に示すように、実施例では、光沢度は１．１に抑えられ、銅溶解および導通の不良の発生はなかった。
【０１１５】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、導体回路が熱処理されて、導体回路表面の粗化面が１．０〜１．４の光沢度を有しており、この粗化面上にスズ層が設けられるため、スズ層表面のスズ不純物の生成が抑制される。かかるスズ層は、層間絶縁樹脂層を粗化する際に使用される酸化剤から、バイアホ−ル部に露出した導体回路を守り、導体回路の溶解をより一層十分に防ぐことができる。
【０１１６】
本発明の多層プリント配線板は、スズ層が、層間絶縁樹脂層を粗化する際に使用される酸化剤が導体回路を溶解するのを十分に防いでおり、バイアホール部における電気的接続性に優れ、接続信頼性が極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる粗化面の縦断面図である。
【図２】本発明にかかる粗化層の縦断面図である。
【図３】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１０】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１３】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１４】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１５】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１６】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１７】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１８】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１９】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２０】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製造工程図である。
【符号の説明】
１  基板
２  銅箔
３  銅張積層板
４  ドリル孔
５  内層銅パターン（下層導体回路）
６  スルーホール
７，７ａ，８，８ａ，９，４４  粗化面
１０，１３，１６  配線基板
１１，１２  樹脂層
１４，１５，３２  粗化層
１７  接着剤層
１８，２４  黒円
１９，３５  フォトマスクフィルム
２０  開口（バイアホール形成用開口）
２３，２９  無電解銅めっき膜
２５  感光性ドライフィルム
２６  マスク
２７  めっきレジスト
２８  電解銅めっき膜
３０  導体回路
３１  バイアホール
３３  ソルダーレジスト用組成物
３４  円パターン（マスクパターン）
３６  はんだパッド部分
３７  バイアホールとそのランド部分
３８  ソルダーレジスト層
３９，４３  プリント配線板
４０  ニッケルめっき層
４１  金めっき層
４２  はんだバンプ（はんだ体）
４５  被覆層
４６  被覆層の表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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