(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
上記光源から出射された光を集束して記録媒体の信号記録面に照射する対物レンズと、
上記記録媒体の信号記録面にて反射された戻り光を検出する受光素子と、
上記光源と上記対物レンズとの間に設けられ、上記光源から出射された光を回折して主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割する光分割手段と、
上記光分割手段により分割され、上記記録媒体にて反射された戻り光を分離する戻り光分離手段と、
上記戻り光分離手段により分離された一方の戻り光を偏光分離する偏光分離手段とを備え、
上記受光素子により検出された戻り光に基づき再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力し、
上記受光素子には、上記検出信号の信号成分を含む戻り光が照射される位置に、再生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段に接続される受光部と、上記受光部に入射しない光が照射される位置に、この光を吸収する光吸収手段とが設けられ、
上記受光部は、上記戻り光分離手段により分離された他方の戻り光の主ビームが照射される位置及び副ビームが照射される位置と、上記偏光分離手段により分離された戻り光の主ビームが照射される位置とにそれぞれ設けられ、
上記光吸収手段は、上記偏光分離手段により分離された戻り光の副ビームが照射される位置にそれぞれ設けられ、且つ、上記信号処理手段に接続されないダミーの受光部よりなり、上記ダミーの受光部が、上記受光素子の電源又はグランドに接続される光学ピックアップ。
【請求項２】
上記光源及び上記受光素子が同一パッケージ内に収容されている請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項３】
上記光源及び上記受光素子が同一パッケージ内に収容され、上記パッケージに、上記光分割手段と上記戻り光分離手段と上記偏光分離手段とが一体に設けられている請求項１記載の光学ピックアップ。
【請求項４】
再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力する光学ピックアップと、
上記光学ピックアップから出力された検出信号に基づいて再生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段と、
上記信号処理手段により生成されたサーボ信号に基づいてトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うサーボ手段とを備え、
上記光学ピックアップは、光源と、
上記光源から出射された光を集束して記録媒体の信号記録面に照射する対物レンズと、
上記記録媒体の信号記録面にて反射された戻り光を検出する受光素子と、
上記光源と上記対物レンズとの間に設けられ、上記光源から出射された光を回折して主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割する光分割手段と、
上記光分割手段により分割され、上記記録媒体にて反射された戻り光を分離する戻り光分離手段と、
上記戻り光分離手段により分離された一方の戻り光を偏光分離する偏光分離手段とを備え、
上記受光素子には、上記検出信号の信号成分を含む戻り光が照射される位置に、上記信号処理手段に接続される受光部と、上記受光部に入射しない光が照射される位置に、この光を吸収する光吸収手段とが設けられ、
上記受光部は、上記戻り光分離手段により分離された他方の戻り光の主ビームが照射される位置及び副ビームが照射される位置と、上記偏光分離手段により分離された戻り光の主ビームが照射される位置とにそれぞれ設けられ、
上記光吸収手段は、上記偏光分離手段により分離された戻り光の副ビームが照射される位置にそれぞれ設けられ、且つ、上記信号処理手段に接続されないダミーの受光部よりなり、上記ダミーの受光部が、上記受光素子の電源又はグランドに接続され、
上記光学ピックアップは、上記受光素子により検出された戻り光に基づき再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力する記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体の信号記録面に光を照射し、その戻り光を検出して検出信号を出力する光学ピックアップ及びこの光学ピックアップを用いた記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク装置等のように光を用いて信号の記録再生を行う記録再生装置は、記録媒体の信号記録面に光を照射し、その戻り光を検出して検出信号を出力する光学ピックアップを備えている。そして、この光学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号を生成し、また、トラッキングサーボやフォーカスサーボ等を行うためのサーボ信号を生成するようにしている。
【０００３】
光ディスク装置に用いられる光学ピックアップは、例えば半導体レーザチップ等の光源を備え、この光源から出射された光を対物レンズにより集束して、記録媒体である光ディスクの信号記録面に照射させる。そして、光ディスクの信号記録面にて反射された信号成分を含む戻り光を、受光素子としてのフォトダイオードにより受光して、検出信号を出力する。
【０００４】
フォトダイオードは、ＰＮ接合を利用して受光した光を光電変換し、受光した光に含まれる信号成分を検出信号として出力するものであり、例えば図１０に示すような構造を有している。
【０００５】
この図１０に示すフォトダイオード１００は、ＩＣウェハ・プロセスにより作製されるものであり、Ｐ型基板１０１にＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、これらの間のＰＮ接合をダイオードとして利用している。Ｎ型エピタキシャル層１０２が形成されたＰ型基板１０１上には、アノードとなる電極部１０３及びカソードとなる電極部１０４が、ＳｉＯ２等の絶縁層１０５に埋め込まれたかたちで形成されている。そして、絶縁層１０５上には、光を入射させる部分（以下、この部分を受光部１０６という。）を除く箇所に、受光部１０６以外に照射された光を遮光するための遮光膜１０７が形成されている。
【０００６】
遮光膜１０７は、例えばアルミニウム等が絶縁層１０５上に成膜されてなるものであり、当該遮光膜１０７上に照射された光を、例えば９０％以上の反射率で反射させる。フォトダイオード１００では、以上のように、受光部１０６を除く箇所に遮光膜１０７を設けることによって、受光部１０６以外の箇所に照射された光が受光部１０６以外の箇所から当該フォトダイオード１００内に入射し、ノイズとして検出信号に悪影響を及ぼすといった不都合を生じさせないようになされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したように、フォトダイオード１００の受光部１０６以外の箇所に照射された光を遮光膜１０７によって反射させるようにすると、遮光膜１０７によって反射された光が、他の部材により更に反射されて、再度フォトダイオード１００に向かい、受光部１０６に入射してしまう場合がある。遮光膜１０７により反射された光は、信号の検出には不要な光であるので、受光部１０６に入射したこのような不要光の強度が強いと、適切な信号の検出が阻害されてしまう。
【０００８】
特に、近年では、光学ピックアップの小型化及びこれを搭載した記録再生装置全体の小型化を実現すると共に、コストの低減を図るために、光源や受光素子（フォトダイオード１００）、光を分離するためのプリズム等の光学素子を集積した集積型の光学素子が提案されている。このような集積型の光学素子において、信号の検出に不要な光を遮光膜１０７によって反射させるようにすると、遮光膜１０７によって反射された不要光が集積型の光学素子の内部で乱反射し、迷光となって受光部１０６に入射して適切な信号検出を阻害する可能性が高い。
【０００９】
そこで、本発明は、信号の検出に不要な光を受光部に入射させないようにして、適切な検出信号を出力することができる光学ピックアップ及びこれを用いた記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光学ピックアップは、光源と、上記光源から出射された光を集束して記録媒体の信号記録面に照射する対物レンズと、上記記録媒体の信号記録面にて反射された戻り光を検出する受光素子と、上記光源と上記対物レンズとの間に設けられ、上記光源から出射された光を回折して主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割する光分割手段と、上記光分割手段により分割され、上記記録媒体にて反射された戻り光を分離する戻り光分離手段と、上記戻り光分離手段により分離された一方の戻り光を偏光分離する偏光分離手段とを備え、上記受光素子により検出された戻り光に基づき再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力し、上記受光素子には、上記検出信号の信号成分を含む戻り光が照射される位置に、再生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段に接続される受光部と、上記受光部に入射しない光が照射される位置に、この光を吸収する光吸収手段とが設けられ、上記受光部は、上記戻り光分離手段により分離された他方の戻り光の主ビームが照射される位置及び副ビームが照射される位置と、上記偏光分離手段により分離された戻り光の主ビームが照射される位置とにそれぞれ設けられ、上記光吸収手段は、上記偏光分離手段により分離された戻り光の副ビームが照射される位置にそれぞれ設けられ、且つ、上記信号処理手段に接続されないダミーの受光部よりなり、上記ダミーの受光部が、上記受光素子の電源又はグランドに接続される。
【００１１】
この光学ピックアップにおいては、検出信号の信号成分を含む戻り光が、受光素子に設けられた受光部によって受光されることで、この戻り光に含まれる信号成分が受光素子により光電変換され、検出信号として信号処理手段に出力されることになる。
【００１２】
また、この光学ピックアップにおいては、信号の検出には不要な不要光が、受光素子に設けられた光吸収手段により吸収されることになる。したがって、信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号を出力することが可能となる。
【００１３】
また、この光学ピックアップにおいて、光吸収手段をダミーの受光部により構成することにより、通常の受光素子の作製プロセスにより光吸収手段を設けることができるので、光吸収手段としてダミーの受光部を設けることが特に有効である。なお、この場合には、ダミーの受光部を、受光素子の電源又はグランドに接続するようにすれば、ダミーの受光部に受光された不要光が検出信号に悪影響を及ぼすことを更に低減することができる。
【００１４】
また、本発明に係る記録再生装置は、再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力する光学ピックアップと、上記光学ピックアップから出力された検出信号に基づいて再生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段と、上記信号処理手段により生成されたサーボ信号に基づいてトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うサーボ手段とを備え、上記光学ピックアップは、光源と、上記光源から出射された光を集束して記録媒体の信号記録面に照射する対物レンズと、上記記録媒体の信号記録面にて反射された戻り光を検出する受光素子と、上記光源と上記対物レンズとの間に設けられ、上記光源から出射された光を回折して主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割する光分割手段と、上記光分割手段により分割され、上記記録媒体にて反射された戻り光を分離する戻り光分離手段と、上記戻り光分離手段により分離された一方の戻り光を偏光分離する偏光分離手段とを備え、上記受光素子には、上記検出信号の信号成分を含む戻り光が照射される位置に、上記信号処理手段に接続される受光部と、上記受光部に入射しない光が照射される位置に、この光を吸収する光吸収手段とが設けられ、上記受光部は、上記戻り光分離手段により分離された他方の戻り光の主ビームが照射される位置及び副ビームが照射される位置と、上記偏光分離手段により分離された戻り光の主ビームが照射される位置とにそれぞれ設けられ、上記光吸収手段は、上記偏光分離手段により分離された戻り光の副ビームが照射される位置にそれぞれ設けられ、且つ、上記信号処理手段に接続されないダミーの受光部よりなり、上記ダミーの受光部が、上記受光素子の電源又はグランドに接続され、上記光学ピックアップは、上記受光素子により検出された戻り光に基づき再生信号及びサーボ信号を生成するための検出信号を出力する。
【００１５】
この記録再生装置においては、検出信号の信号成分を含む戻り光が、光学ピックアップの受光素子に設けられた受光部によって受光されることで、この戻り光に含まれる信号成分が受光素子により光電変換され、検出信号として光学ピックアップから信号処理手段に出力されることになる。そして、信号処理手段が、光学ピックアップから出力された検出信号に基づいて再生信号及びサーボ信号を生成する。信号処理手段により生成されたサーボ信号はサーボ手段に供給され、サーボ手段がこのサーボ信号に基づいて、トラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行う。
【００１６】
また、この記録再生装置においては、信号の検出には不要な不要光が、光学ピックアップの受光素子に設けられた光吸収手段により吸収されることになる。したがって、信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号が光学ピックアップから出力されることになる。そして、この適切な検出信号に基づいて信号処理手段により再生信号及びサーボ信号が生成されるので、信頼性の高い再生動作を行うことができると共に、サーボ手段により適切なトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、記録媒体として光磁気ディスクを用いる光磁気ディスクドライブに本発明を適用した例について説明するが、本発明は、特にこの例に限定されるものではなく、光を用いて記録再生動作をおこなう種々の記録再生装置に適用可能である。
【００１８】
本発明を適用した光磁気ディスクドライブの一例の全体構成を図１に示す。この光磁気ディスクドライブ１０は、図１に示すように、記録媒体としての光磁気ディスク１１を回転駆動するスピンドルモータ１２と、このスピンドルモータ１２により回転駆動される光磁気ディスク１１の信号記録面に対して集束した光を照射し、この光磁気ディスク１１の信号記録面により反射された戻り光を受光して検出信号を出力する光学ピックアップ２０と、これらスピンドルモータ１２及び光学ピックアップ２０を制御する制御部１３とを備えている。
【００１９】
制御部１３は、ドライブコントローラ１４と、信号処理回路１５と、インターフェース１６と、アクセス制御部１７と、サーボ制御部１８とを備えている。
【００２０】
ドライブコントローラ１４は、スピンドルモータ１２を所定の回転数で駆動制御すると共に、制御部１３内の各部の動作を制御する。
【００２１】
信号処理回路１５は、光学ピックアップ２０により光磁気ディスク１１から検出された検出信号に基づいて再生信号（ＭＯ信号）及びサーボ信号を生成する。信号処理回路１５により生成された再生信号は、インターフェース１６を介して光磁気ディスクドライブ１０に接続された機器に送出されることになる。
【００２２】
アクセス制御部１７は、ドライブコントローラ１４の制御のもと、光学ピックアップ２０を、光磁気ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックまで、例えばトラックジャンプ等により移動させる。
【００２３】
サーボ制御部１８は、ドライブコントローラ１４の制御のもと、信号処理回路１５により生成されたサーボ信号に基づいて、光学ピックアップ２０の二軸アクチュエータに保持されている対物レンズを、光磁気ディスク１１の径方向に沿った方向（トラッキング方向）及び光磁気ディスク１１の信号記録面に近接離間する方向（フォーカシング）の二軸方向に移動させ、トラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行う。
【００２４】
光学ピックアップ２０は、図２に示すように、光源や受光素子を含む複数の光学素子が集積されてなる集積光学素子３０と、この集積光学素子３０から出射された光を集束して光磁気ディスク１１の信号記録面上に照射させる対物レンズ２１と、集積光学素子３０から出射された光の光路を折り曲げて対物レンズ２１に導くと共に、光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射された戻り光の光路を折り曲げて集積光学素子３０に導くための立上げミラー２２とを備えている。
【００２５】
対物レンズ２１は、スピンドルモータ１２により回転操作される光磁気ディスク１１の信号記録面に対向した位置に配設され、集積光学素子３０から出射されたレーザ光を集束し、光磁気ディスク１１の信号記録面の所望の記録トラック上に照射させる。
【００２６】
この対物レンズ２１は、図示しない二軸アクチュエータにより、二軸方向、すなわちフォーカス方向及びトラッキング方向に移動可能に支持されている。そして、対物レンズ２１は、二軸アクチュエータが、信号処理回路１５により生成されたフォーカスサーボ信号ＦＣ及びトラッキングサーボ信号ＴＲに基づいて駆動されることにより、光磁気ディスク１１の径方向に沿った方向及び光磁気ディスク１１の信号記録面に近接、離間する方向へと移動操作される。これにより、対物レンズ２１により集束されたレーザ光が光磁気ディスク１１の信号記録面上に適切にスポットを形成するためのフォーカスサーボ及び、レーザ光のスポットが光磁気ディスク１１の信号記録面の所望の記録トラックに追従するためのトラッキングサーボが行われる。
【００２７】
立上げミラー２２は、集積光学素子３０から出射されたレーザ光の出射方向に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面（反射面２２ａ）を有しており、集積光学素子３０と対物レンズ２１との間に配設されている。この立ち上げミラー２２は、集積光学素子３０から出射されたレーザ光を反射面２２ａにて反射し、その光路を約９０度折り曲げて対物レンズ２１へと導く。
【００２８】
光学ピックアップ２０においては、以上のように、集積光学素子３０と対物レンズ２１との間に立上げミラー２２を配設し、集積光学素子３０から出射されたレーザ光の光路を立上げミラー２２により折り曲げて対物レンズ２１に導くことにより、集積光学素子３０から立上ミラー２２までのレーザ光の光路を、光磁気ディスク１１の信号記録面に対して略平行となるようにすることが可能となる。これにより、光ディスク装置１０は光磁気ディスク１１に照射させるレーザ光の光路として必要な光路長を維持しながら、薄型化を図ることが可能となる。
【００２９】
集積光学素子３０は、図３に示すように、光源としての半導体レーザ素子３１と、透明材料よりなる光学部材３２と、複合プリズム３３と、受光素子としてのフォトダイオード３４とを備えている。
【００３０】
ここで、半導体レーザ素子３１とフォトダイオード３４は、それぞれ樹脂パッケージ３５内に配設されている。また、樹脂パッケージ３５には、その一方の主面部に開口部３５ａが設けられており、この開口部３５ａが設けられた樹脂パッケージ３５の主面部上に、この開口部３５ａを閉塞するように、光学部材３２が接着剤等により接合されている。さらに、光学部材３２上には、複合プリズム３３が接着剤等により接合されている。すなわち、集積光学素子３０は、上記各部材が集積され、一体の素子として構成されている。そして、この集積光学素子３０は、図示しないガイド軸に沿って光磁気ディスク１１の半径方向に移動可能に支持された光学ベース上に固定され、保持されている。
【００３１】
半導体レーザ素子３１は、半導体の再結合発光を利用した発光素子であり、光磁気ディスク１１の信号記録面に照射させるレーザ光を出射する。この半導体レーザ素子３１は、支持台３６上に設置された状態で、樹脂パッケージ３５内に配設されている。支持台３６には、半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面（反射面３６ａ）が設けられており、半導体レーザ素子３１から出射されたレーザ光は、この反射面３６ａにより反射されてその光路が約９０度折り曲げられ、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａから光学部材３２内に入射するようになされている。
【００３２】
光学部材３２は、例えば、透明なプラスチック材料やガラス等が平行平板に成形されてなる。この光学部材３２の樹脂パッケージ３５側の面には、半導体レーザ素子３１から出射され複合プリズム３３へ向かうレーザ光の光路（以下、第一の光路Ｌ１という。）上に位置して、光分割手段としてのグレーティング３７が一体形成されている。
【００３３】
このグレーティング３７は、入射した光を回折させる回折格子であって、第一の光路Ｌ１を通って光学部材３２を透過する光ビームを、０次回折光から成る主ビーム及びプラスマイナス１次回折光から成る２つの副ビームの３本のビームを含む複数のビームに分割する。光学ピックアップ２０は、半導体レーザ素子３１から出射されたレーザ光をこのグレーティング３７によって少なくとも３本のビームに分割することにより、３ビーム法でのトラッキングサーボ信号の検出が可能となる。なお、この光分割手段としてのグレーティング３７は、光学部材３２の上面（複合プリズム３３側の面）に作り付けられていてもよい。
【００３４】
光学部材３２の樹脂パッケージ３５側の面には、更に、複合プリズム３３により分離され、フォトダイオード３４へ向かう戻り光の光路（以下、第二の光路Ｌ２という。）上に位置して、この第二の光路Ｌ２を通る戻り光に非点収差を生じさせるためのシリンドリカルレンズ３８が一体形成されている。
【００３５】
このシリンドリカルレンズ３８は、いわゆる非点収差法によるフォーカスサーボ信号の検出を可能にするために、複合プリズム３３により分離され第二の光路Ｌ２を通って光学部材３２を通過する戻り光に対して非点収差を付与するものである。なお、このシリンドリカルレンズ３８は、グレーティング３７と同様に、光学部材３２の上面（複合プリズム３３側の面）に作り付けられていてもよい。また、フォーカスサーボ信号を検出するためには、このシリンドリカルレンズ３８の代わりに、例えば、互いに直交する二方向に曲率の異なるトーリックレンズを設けるようにしてもよいし、また、フーコープリズムを設けるようにしてもよい。シリンドリカルレンズ８の代わりにフーコープリズムを設けるようにした場合には、いわゆるフーコー法によるフォーカスサーボ信号の検出が可能となる。
【００３６】
光学ピックアップ２０においては、以上のように、集積光学素子３０の光学部材３２に、光分割手段としてのグレーティング３７や、非点収差法によるフォーカスサーボ信号を検出するためのシリンドリカルレンズ３８が一体形成されているので、これらを個別の光学素子として別途設ける必要がない。したがって、この光学ピックアップ２０においては、グレーティング３７やシリンドリカルレンズ３８が個別の光学素子として設けられていない分だけ、部品点数が削減されており、また、装置全体の小型化が実現されている。更に、この光学ピックアップ２０を組み立てる際には、グレーティング３７やシリンドリカルレンズ３８を個別に位置合わせする必要がないので、組立作業の簡素化が図られることになる。
【００３７】
複合プリズム３３は、図４に示すように、第１乃至第７の７つの部材４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７が接着剤等により接合され一体化されてなり、光学部材３２上に接合されている。
【００３８】
第１の部材４１は、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面４１ａを有する三角プリズムよりなる。そして、第１の部材４１には、その傾斜面４１ａを接合面として、第２の部材４２が接着剤を介して接合されている。
【００３９】
第２の部材４２は、樹脂パッケージ３６内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する一対の傾斜面４２ａ，４２ｂを有し、断面が平行四辺形となるプリズムよりなる。そして、この第２の部材４２の一方の傾斜面４２ａには、第１のビームスプリッタ膜４８が形成されており、他方の傾斜面４２ｂには、第２のビームスプリッタ膜４９が形成されている。これら第１のビームスプリッタ膜４８と第２のビームスプリッタ膜４９は、共に誘電体多層膜よりなる。そして、第１のビームスプリッタ膜４８は、部分偏光型のビームスプリッタとして構成されており、第２のビームスプリッタ膜４９は、無偏光分離型のビームスプリッタとして構成されている。
【００４０】
第１のビームスプリッタ膜４８は、光磁気ディスク１１に向かうレーザ光の一部を透過させると共に、光磁気ディスク１１からの戻り光の一部を反射することで、光磁気ディスク１１に向かうレーザ光と光磁気ディスク１１からの戻り光とを分離する機能を有する。また、この第１のビームスプリッタ膜４８は、部分偏光型のビームスプリッタとして構成されており、入射する光の偏光方向に応じてその透過率を異ならせるので、戻り光の偏光面の回転角を増大させる、いわゆるカー回転角のエンハンス効果を発揮させることができる。
【００４１】
第２のビームスプリッタ膜４９は、第１のビームスプリッタ膜４８を透過し、第２の部材４２を通過した戻り光の一部を透過させると共に他の一部を反射して、戻り光を分離する機能を有する。
【００４２】
一対の傾斜面４２ａ，４２ｂに第１及び第２のビームスプリッタ膜４８，４９がそれぞれ形成された第２の部材４２は、第１のビームスプリッタ膜４８が形成された一方の傾斜面４２ａを第１の部材４１に対する接合面として、第１の部材４１の傾斜面４１ａに接着剤を介して接合されている。また、この第２の部材４２には、第２のビームスプリッタ膜４９が形成された他方の傾斜面４２ｂを接合面として、第３の部材４３が接着剤を介して接合されている。
【００４３】
第３の部材４３は、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面４３ａと、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して略垂直な垂直面４３ｂとを有する三角プリズムよりなる。そして、この第３の部材４３は、その傾斜面４３ａを第２の部材４２に対する接合面として、第２の部材４２の第２のビームスプリッタ膜４９が形成された他方の傾斜面４２ｂに接着剤を介して接合されている。また、この第３の部材４３には、その垂直面４３ｂを接着面として、第４の部材４４が接着剤を介して接合されている。
【００４４】
第４の部材４４は、人工水晶等が板状に成形された半波長板よりなる。この半波長板よりなる第４の部材４４は、光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射され、第１及び第２のビームスプリッタ膜４８，４９を透過した戻り光の偏光面を４５°回転させる機能を有する。
【００４５】
この半波長板よりなる第４の部材４４は、一方の面４４ａａを第３の部材４３に対する接合面として、第３の部材４３の垂直面４３ｂに接着剤を介して接合されている。また、この半波長板よりなる第４の部材４４には、他方の面４４ｂを接合面として、第５の部材４５が接着剤を介して接合されている。
【００４６】
第５の部材４５は、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して略垂直な垂直面４５ａと、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面４５ｂとを有する三角プリズムよりなる。そして、この第５の部材４５は、その垂直面４５ａを第４の部材４４に対する接合面として、第４の部材４４の他方の面４４ｂに接着剤を介して接合されている。また、この第５の部材４５には、その傾斜面４５ｂを接着面として、第６の部材４６が接着剤を介して接合されている。
【００４７】
第６の部材４６は、樹脂パッケージ３６内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する一対の傾斜面４６ａ，４６ｂを有し、断面が平行四辺形となるプリズムよりなる。そして、この第６の部材４６の一方の傾斜面４６ａには、偏光ビームスプリッタ膜５０が形成されている。
【００４８】
偏光ビームスプリッタ膜５０は、誘電体多層膜よりなり、その多重干渉効果により、入射する光をその偏光方向に応じて完全に分離する。すなわち、この偏光ビームスプリッタ膜５０は、入射面に平行なＰ偏光成分をほぼ１００％透過し、入射面に垂直なＳ偏光成分をほぼ１００％反射するように設計されている。
【００４９】
この偏光ビームスプリッタ膜５０には、半波長板よりなる第４の部材４４を透過することにより偏光面が４５°回転された戻り光が第５の部材４５を介して入射することになる。光学ピックアップ２０においては、以上のように、複合プリズム３３の第４の部材４４により偏光面が４５°回転された戻り光を偏光ビームスプリッタ膜５０に入射させて偏光分離させることにより、いわゆる４５°ＭＯ差動検波による光磁気信号（ＭＯ）の検出を行えるようにしている。
【００５０】
一方の傾斜面４６ｂに偏光ビームスプリッタ膜５０が形成された第６の部材４６は、偏光ビームスプリッタ膜５０が形成された一方の傾斜面４６ａを第５の部材４５に対する接合面として、第５の部材４５の傾斜面４５ｂに接着剤を介して接合されている。また、この第６の部材４６には、他方の傾斜面４６ｂを接合面として、第７の部材４７が接着剤を介して接合されている。
【００５１】
第７の部材４７は、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面４７ａと、樹脂パッケージ３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して略垂直な垂直面４７ｂとを有する三角プリズムよりなる。そして、この第７の部材４７の傾斜面４７ａには、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過した戻り光を反射する反射膜５１が形成されている。
【００５２】
この第７の部材４７は、反射膜５１が形成された傾斜面４７ａを第６の部材４６に対する接合面として、第６の部材４６の他方の傾斜面４６ｂに接着剤を介して接合されている。
【００５３】
以上のように構成される複合プリズム３３においては、第２の部材４２の一方の傾斜面４２ａに形成された第１のビームスプリッタ膜４８が、光磁気ディスク１１に向かうレーザ光と光磁気ディスク１１からの戻り光とを分離する機能を有する。また、この複合プリズム３３においては、第２の部材４２の他方の傾斜面４２ｂに形成された第２のビームスプリッタ膜４９が、光磁気ディスク１１からの戻り光を分離する戻り光分離手段として機能する。そして、この第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻り光が、第二の光路Ｌ２を通ってフォトダイオード３４に向かうことになる。
【００５４】
また、この複合プリズム３３においては、半波長板よりなる第４の部材４４と、第６の部材４６の一方の傾斜面４６ａに形成された偏光ビームスプリッタ膜５０とが、戻り光分離手段としての第２のビームスプリッタ膜４９を透過した戻り光を偏光分離する偏光分離手段として機能する。そして、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光が、第三の光路Ｌ３を通ってフォトダイオード３４に向かうことになる。
【００５５】
さらに、この複合プリズム３３においては、第７の部材４７の傾斜面４７ａに形成された反射膜５１が、偏光分離手段としての偏光ビームスプリッタ膜５０を透過した戻り光を反射させる機能を有する。そして、この反射膜５１により反射された戻り光が、第四の光路Ｌ４を通ってフォトダイオード３４に向かうことになる。
【００５６】
光学ピックアップ２０は、以上の機能を有する各部が接合一体化されてなる複合プリズム３３を備えることによって、小型化を実現することができると共に、部品点数を削減して、部品コスト及び組立コストの低減を可能にすることができる。
【００５７】
フォトダイオード３４は、図５に示すように、Ｐ型基板６１にＮ型エピタキシャル層６２が形成され、これらの間のＰＮ接合をダイオードとして利用するものであり、信号成分を含む戻り光を受光部により受光し、この戻り光に含まれる信号成分を光電変換して信号処理回路１５に出力する機能を有する。
【００５８】
このフォトダイオード３４は、ＩＣウェハ・プロセスにより作製され、Ｎ型エピタキシャル層６２が形成されたＰ型基板６１上には、アノードとなる電極部６３及びカソードとなる電極部６４が、ＳｉＯ2等の絶縁層６５に埋め込まれたかたちで形成されている。そして、絶縁層６５上の受光部を除く箇所に、アルミニウム膜等よりなる遮光膜６７が形成されている。
【００５９】
このフォトダイオード３４には、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻り光の主ビームが照射される位置及び２つの副ビームが照射される位置と、第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の主ビームが照射される位置と、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の主ビームが照射される位置とに、これらの光を受光する受光部がそれぞれ設けられている。
【００６０】
具体的には、フォトダイオード３４には、図６に示すように、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻り光の主ビームを受光する受光部Ａと、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻り光の２つの副ビームを各々受光する受光部Ｂ及び受光部Ｃと、第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の主ビームを受光する受光部Ｄと、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の主ビームを受光する受光部Ｅとが設けられている。これらの受光部Ａ〜Ｅのうちで、第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻り光の主ビームを受光する受光部Ａは、縦横に垂直に交差する二本の分割ラインによって、さらに４つの受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に分割されている。
【００６１】
これらフォトダイオード３４に設けられた各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、光磁気ディスクドライブ１０の信号処理回路１５にそれぞれ接続されている。そして、フォトダイオード３４は、これら各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅにより受光された戻り光に含まれる信号成分を光電変換して、検出信号として信号処理回路１５に出力するようになされている。
【００６２】
ここで、フォトダイオード３４の各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅにより受光された戻り光に基づく受光信号をそれぞれＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ３，ＳＡ４，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥとすると、光磁気信号ＭＯ、ピット再生信号Ｐｉｔ、フォーカスサーボ信号ＦＣ及びトラッキングサーボ信号ＴＲは、それぞれ、以下の演算式により求められる。
【００６３】
ＭＯ＝ＳＤ−ＳＥ                             ・・・式１
Ｐｉｔ＝ＳＤ＋ＳＥ                           ・・・式２
ＦＣ＝（ＳＡ１＋ＳＡ３）−（ＳＡ２＋ＳＡ４） ・・・式３
ＴＲ＝ＳＢ−ＳＣ                             ・・・式４
ところで、フォトダイオード３４には、上述したような信号検出に必要とされる戻り光以外の光も照射される場合がある。例えば、以上のような構成の光学ピックアップ２０においては、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つの副ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の２つの副ビームもフォトダイオード３４に照射されることになる。
【００６４】
このような光は、フォトダイオード３４の上述した受光部以外の箇所に照射されることになるが、これらの光が照射される箇所に上述したアルミニウム膜等よりなる遮光膜６７が形成されていると、これらの光が遮光膜６７により反射され、更に他の部材により反射されて、再度フォトダイオード３４に向かい、上述した各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射してしまう場合がある。特に、集積光学素子３０を備える光学ピックアップ２０においては、フォトダイオード３４と光学部材３２や複合プリズム３４等の光学素子が極めて近い位置にあるので、遮光膜６７により反射されたこれらの光が、集積光学素子３０の内部において乱反射し、迷光となってフォトダイオード３４の各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射してしまう可能性が高い。
【００６５】
これらの光は、信号検出には不要な光であるので、このような不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射すると、これら不要な光がノイズとなって、適切な信号の検出が阻害されてしまう場合がある。
【００６６】
そこで、本発明を適用した光学ピックアップ２０では、図６に示すように、フォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所、すなわち、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つの副ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の２つの副ビームが照射される箇所に、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４をそれぞれ設けるようにしている。
【００６７】
これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４は、上述した各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅと同様の構成を有するが、信号処理回路１５には接続されない受光部である。これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４に入射した光は、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４により吸収されるのみで、検出信号には寄与しない。したがって、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４は、信号検出に不要な光を吸収して、これら不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射することを防止するための光吸収手段として機能することになる。
【００６８】
なお、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４は、図７に示すように、フォトダイオード３４の電源ＶＣＣ或いはグランドＧＮＤに接続されていることが望ましい。このように、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４をフォトダイオード３４の電源ＶＣＣ或いはグランドＧＮＤに接続するようにすれば、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４に受光された不要光が検出信号に悪影響を及ぼすことを更に低減することができる。なお、図７は、いわゆるアノードコモンタイプのフォトダイオード３４の回路構成を示している。
【００６９】
本発明を適用した光学ピックアップ２０においては、以上のように、フォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所に、光吸収手段としてのダミーの受光部７１，７２，７３，７４を設け、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４に、例えば、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つの副ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の２つの副ビーム等のように本来の信号検出に不要な光を入射させて、これらの不要な光をダミーの受光部７１，７２，７３，７４により吸収するようにしているので、これら不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射して信号の検出に悪影響を及ぼすことが有効に抑制される。
【００７０】
特に、集積光学素子３０を備える光学ピックアップ２０においては、不要な光を遮光膜６７により反射させるようにすると、遮光膜６７により反射された不要な光が集積光学素子３０の内部において乱反射し、受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射してしまう可能性が高いので、このような不要光をダミーの受光部７１，７２，７３，７４等の光吸収手段に入射させて吸収させることが特に有効である。
【００７１】
なお、以上は、光吸収手段としてダミーの受光部７１，７２，７３，７４を設けるようにした例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、光を吸収して反射させないものであれば、いかなるものを光吸収手段として設けるようにしてもよい。例えば、フォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所に、光を吸収して熱エネルギーに変換する光学薄膜を成膜し、これを光吸収手段としてもよい。また、フォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所に黒色の塗料を塗布し、これを光吸収手段としてもよい。
【００７２】
但し、光吸収手段としてダミーの受光部７１，７２，７３，７４を設けるようにした場合には、通常のフォトダイオード３４の作製プロセスによりフォトダイオード３４に光吸収手段を設けることができるので、フォトダイオード３４に光吸収手段を設ける上で特に有利である。
【００７３】
ここで、以上のように構成される光磁気ディスクドライブ１０により、光磁気ディスク１１から信号を再生する動作について説明する。
【００７４】
この光磁気ディスクドライブ１０により光磁気ディスク１１から信号を再生する際は、まず、光磁気ディスク１１がスピンドルモータ１２に装着される。そして、ドライブコントローラ１４の制御によりスピンドルモータ１２が所定の回転数で回転駆動されることにより、光磁気ディスク１１が回転操作される。
【００７５】
そして、ドライブコントローラ１４の制御によりアクセス制御部１７が駆動されることにより、光学ピックアップ２０が光磁気ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックまで移動操作される。
【００７６】
また、光学ピックアップ２０においては、集積光学素子３０の半導体レーザ素子３１からレーザ光が出射される。
【００７７】
半導体レーザ素子３１から出射されたレーザ光は、支持台３６の反射面３６ａにて反射され、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａを介して、光学部材３２に入射する。光学部材３２に入射したレーザ光は、光学部材３２に設けられたグレーティング３７により主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割され、複合プリズム３３の第１の部材４１に入射する。
【００７８】
複合プリズム３３の第１の部材４１に入射したレーザ光は、その一部が第１のビームスプリッタ膜４８を透過して集積光学素子３０から出射される。
【００７９】
集積光学素子３０から出射したレーザ光は、立上げミラー２２の反射面２２ａにて反射され、対物レンズ２１に入射する。対物レンズ２１に入射したレーザ光は、この対物レンズ２１により集束され、光磁気ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックに照射される。このとき、グレーティング３７により分割された主ビームと２つの副ビームとによって、光磁気ディスク１１の信号記録面上には３つのスポットが形成されることになる。
【００８０】
光磁気ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックに照射されたレーザ光は、磁気カー効果により、この光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射される際に、記録トラックに記録された信号、すなわち、このレーザ光が照射された箇所の磁化の状態に応じてその偏光面が回転される。
【００８１】
光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射された戻り光は、再度対物レンズ２１を通過した後に、立上げミラー２２の反射面２２ａにて反射され、集積光学素子３０の複合プリズム３３に入射する。
【００８２】
複合プリズム３３に入射した戻り光は、その一部が第１のビームスプリッタ膜４８により反射され、第２の部材４２に入射する。第２の部材４２に入射した戻り光は、その一部が第２のビームスプリッタ膜４９により反射され、第二の光路Ｌ２を通って光学部材３２を透過する。このとき、この戻り光は、光学部材３２に設けられたシリンドリカルレンズ３８を通過することにより、非点収差が付与される。
【００８３】
この非点収差が付与された戻り光は、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａを介して樹脂パッケージ３５内に入射し、フォトダイオード３４に到達して、その主ビームが受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４により入射し、２つの副ビームが受光部Ｂ，Ｄにそれぞれ入射する。
【００８４】
一方、第２のビームスプリッタ膜４９を透過した戻り光は、第３の部材４３を透過して第４の部材４４に入射する。そして、半波長板として機能する第４の部材４４を透過することによって偏光面が４５°回転した戻り光が、第５の部材４５を透過して第６の部材４６に入射する。
【００８５】
第６の部材４６に入射した戻り光は、偏光ビームスプリッタ膜５０によりその偏光方向に応じて分離される。すなわち、第６の部材４６に入射した戻り光は、入射面に平行なＰ偏光成分が偏光ビームスプリッタ膜５０を透過し、入射面に垂直なＳ偏光成分が偏光ビームスプリッタ膜５０により反射される。
【００８６】
偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光は、第三の光路Ｌ３を通って光学部材３２を透過した後、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａを介して樹脂パッケージ３５内に入射し、フォトダイオード３４に到達する。そして、その主ビームが受光部Ｄに入射すると共に、２つの副ビームがダミーの受光部７１，７２にそれぞれ入射する。
【００８７】
また、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過した戻り光は、反射膜５１により反射され、第四の光路Ｌ４を通って光学部材３２を透過した後、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａを介して樹脂パッケージ３５内に入射し、フォトダイオード３４に到達する。そして、その主ビームが受光部Ｅに入射すると共に、２つの副ビームがダミーの受光部７３，７４にそれぞれ入射する。
【００８８】
フォトダイオード３４の各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｅに入射した戻り光は、フォトダイオード３４により光電変換され、これらの戻り光に含まれる信号成分が検出信号として信号処理回路１５に供給される。
【００８９】
そして、信号処理回路１５において、受光部Ｄ，Ｅに入射した戻り光からの検出信号に基づいて、再生信号としての光磁気信号（ＭＯ）又はピット再生信号（Ｐｉｔ）が生成される。また、受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に入射した戻り光からの検出信号に基づいて、フォーカスサーボ信号（ＦＣ）が非点収差法により生成される。また、受光部Ｂ，Ｃに入射した戻り光からの検出信号に基づいて、トラッキングサーボ信号（ＴＲ）が３ビーム法により生成される。
【００９０】
一方、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４に入射した戻り光は、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４により吸収される。
【００９１】
信号処理回路１５で生成された光磁気信号（ＭＯ）又はピット再生信号（Ｐｉｔ）は、インターフェース１６を介して、光磁気ディスクドライブ１０に接続された機器に送出される。
【００９２】
また、信号処理回路１５で生成されたフォーカスサーボ信号（ＦＣ）及びトラッキングサーボ信号（ＴＲ）は、ドライブコントローラ１４を介してサーボ制御部１８に供給される。サーボ制御部１８は、ドライブコントローラ１４の制御のもと、フォーカスサーボ信号（ＦＣ）及びトラッキングサーボ信号（ＴＲ）に基づいて光学ピックアップ２０の対物レンズ２１を保持する二軸アクチュエータを駆動し、フォーカスサーボ及びトラッキングサーボを行う。
【００９３】
この光磁気ディスクドライブ１０においては、上述したように、光学ピックアップ２０が備えるフォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所に、光吸収手段としてのダミーの受光部７１，７２，７３，７４を設け、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７４に、例えば、複合プリズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つの副ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻り光の２つの副ビーム等のように本来の信号検出に不要な光を入射させて、これらの不要な光をダミーの受光部７１，７２，７３，７４により吸収するようにしているので、これら不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射して、光学ピックアップ２０による信号の検出に悪影響を及ぼすことが有効に抑制される。
【００９４】
したがって、この光磁気ディスクドライブ１０においては、光学ピックアップ２０から出力される適切な検出信号に基づいて、信号処理回路１５において光磁気信号（ＭＯ）やピット再生信号（Ｐｉｔ）等の再生信号及びフォーカスサーボ信号（ＦＣ）及びトラッキングサーボ信号（ＴＲ）等のサーボ信号が生成されることになり、信頼性の高い再生動作を行うことができると共に、サーボ制御部１８により適切なトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うことができる。
【００９５】
なお、以上は、集積光学素子３０を用いて光学ピックアップ２０を構成した例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、例えば、光学ピックアップが図８に示すような、いわゆるディスクリートタイプの光学ピックアップ８０として構成されていてもよい。
【００９６】
この図８に示すディスクリートタイプの光学ピックアップ８０は、光源としての半導体レーザ素子８１から出射され光磁気ディスク１１に向かうレーザ光の光路中に順次配設された非点収差補正板８２、グレーティング８３、ビームスプリッタ８４、コリメータレンズ８５、立上げミラー８６及び対物レンズ８７と、ビームスプリッタ８４の分離膜８４ａにより分離された光磁気ディスク１１からの戻り光の光路中に順次配設されたウォラストンプリズム８８、マルチレンズ８９及び受光素子としてのフォトダイオード９０とを備えており、これらの各光学部品が個別にマウントされている。
【００９７】
このような構成の光学ピックアップ８０においては、半導体レーザ素子８１から出射されるレーザ光は、非点収差補正板８２により非点収差が補正された後、グレーティング８３によって、主ビームと２つの副ビームとを含む複数のビームに分割され、それぞれビームスプリッタ８４に入射する。
【００９８】
ビームスプリッタ８４に入射したレーザ光の一部は、このビームスプリッタ８４の分離膜８４ａを透過し、コリメータレンズ８５によって平行光に変換された後、立上げミラー８６によって光路を折曲げられて、対物レンズ８７により集束され、光磁気ディスク１１の信号記録面に照射される。このとき、グレーティング８３により３分割された各ビームによって、光磁気ディスク１１の信号記録面には３つのスポットが形成される。
【００９９】
光磁気ディスク１１の信号記録面に照射された上記レーザ光は、磁気カー効果により、この光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射される際に、この信号記録面の当該レーザ光が照射された箇所の磁化の状態（記録状態）に応じてその偏光面が回転される。
【０１００】
光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射された戻り光は、再度対物レンズ８７、立上げミラー８６、コリメータレンズ８５を介して、ビームスプリッタ８４に入射する。
【０１０１】
ビームスプリッタ８４に入射した戻り光の一部は、このビームスプリッタ８４の分離膜８４ａにより反射され、ウォラストンプリズム８８に入射する。
【０１０２】
ウォラストンプリズム８８は、２つの一軸性結晶が貼り合わされてなるプリズムであり、２つの一軸性結晶の接合面における両結晶の光学軸の方位の違いにより、入射した光を、それぞれ屈折角の異なるｐ偏光、ｓ偏光、ｐ＋ｓ偏光（ビームスプリッタ８４の分離膜８４ａに対する偏光方向）の３つの光線に分割するものである。このウォラストンプリズム８８に入射した戻り光は、このウォラストンプリズム８８により３分割された後、マルチレンズ８９により非点収差を付与され且つ光路長を延ばされて、フォトダイオード９０に照射される。
【０１０３】
ここで、フォトダイオード９０に照射される戻り光のうち、ウォラストンプリズム８８により分割され、マルチレンズ８９により非点収差が付与されたｐ＋ｓ偏光の光の主ビームは、図９に示すように、フォトダイオード９０に設けられた受光部Ｆに入射する。そして、受光部Ｆに入射した戻り光に基づいて、非点収差法によりフォーカスサーボ信号が検出される。
【０１０４】
また、ウォラストンプリズム８８により分割されたｐ＋ｓ偏光の光の２つの副ビームは、フォトダイオード９０に設けられた受光部Ｇと受光部Ｈとにそれぞれ入射する。そして、受光部Ｇと受光部Ｈとに入射したこれらの戻り光に基づいて、３ビーム法によりトラッキングサーボ信号が検出される。
【０１０５】
更に、ウォラストンプリズム８８により分割されたｐ偏光の光とｓ偏光の光の主ビームは、フォトダイオード９０に設けられた受光部Ｉと受光部Ｊとにそれぞれ入射する。そして、受光部Ｉと受光部Ｊとに入射したこれらの戻り光に基づいて光磁気信号が検出される。
【０１０６】
また、フォトダイオード９０の不要な光が照射される箇所、すなわち、ウォラストンプリズム８８により分割されたｐ偏光の光とｓ偏光の光の２つの副ビームが照射される箇所には、図９に示すように、光吸収手段としてのダミーの受光部９１，９２，９３，９４がそれぞれ設けられており、信号検出に不要な光は、これらダミーの受光部９１，９２，９３，９４に入射され、これらダミーの受光部９１，９２，９３，９４により吸収されるようになされている。
【０１０７】
この光学ピックアップ８０においても、上述した光学ピックアップ２０と同様に、フォトダイオード９０の不要な光が照射される箇所に、光吸収手段としてのダミーの受光部９１，９２，９３，９４を設け、信号検出に不要な光をこれらダミーの受光部９１，９２，９３，９４に入射させて吸収するようにしているので、これら不要な光が信号の検出に悪影響を及ぼすことが有効に抑制される。
【０１０８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る光学ピックアップにおいては、信号の検出には不要な不要光が、受光素子に設けられた光吸収手段により吸収されるので、信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号を出力することが可能となる。
【０１０９】
また、本発明に係る記録再生装置においては、信号の検出には不要な不要光が、光学ピックアップの受光素子に設けられた光吸収手段により吸収されることになるので、信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号が光学ピックアップから出力されることになる。そして、この適切な検出信号に基づいて信号処理手段により再生信号及びサーボ信号が生成されるので、信頼性の高い再生動作を行うことができると共に、サーボ手段により適切なトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した光磁気ディスクドライブの一構成例を示すブロック図である。
【図２】上記光磁気ディスクドライブが備える光学ピックアップを模式的に示す斜視図である。
【図３】上記光学ピックアップが備える集積光学素子の模式図である。
【図４】上記集積光学素子が備える複合プリズムを分解した状態を示す側面図である。
【図５】上記集積光学素子が備えるフォトダイオードの一部を拡大して示す縦断面図である。
【図６】上記フォトダイオードの平面図である。
【図７】上記フォトダイオードの回路図である。
【図８】本発明を適用した他の光学ピックアップを示す模式図である。
【図９】上記他の光学ピックアップが備えるフォトダイオードの平面図である。
【図１０】一般的なフォトダイオードの構造を説明する図であり、フォトダイオードの一部を拡大して示す縦断面図である。
【符号の説明】
１０  光磁気ディスクドライブ、１１  光磁気ディスク、１４  ドライブコントローラ、１５  信号処理回路、１８  サーボ制御部、２０  光学ピックアップ、２１  対物レンズ、３０  集積光学素子、３１  半導体レーザ素子、３２  光学部材、３３  複合プリズム、３４  フォトダイオード、３７  グレーティング、３８  シリンドリカルレンズ、４８  第１のビームスプリッタ膜、４９  第２のビームスプリッタ膜、５０  偏光ビームスプリッタ膜、５１  反射膜、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ  受光部、７１，７２，７３，７４  ダミーの受光部
【図１】
0004221855.tif 000002
【図２】
0004221855.tif 000003
【図３】
0004221855.tif 000004
【図４】
0004221855.tif 000005
【図５】
0004221855.tif 000006
【図６】
0004221855.tif 000007
【図７】
0004221855.tif 000008
【図８】
0004221855.tif 000009
【図９】
0004221855.tif 000010
【図１０】
0004221855.tif 000011