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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャネルに対応して設置された伝送パッドを通じてデータを送るドライバと、
テストのための受信パッドとして設定された前記伝送パッドのうちの一つを通じて、残りの伝送パッドのうちの一つを通じて伝送されるデータを外部ループバックデータとして受信し、該受信された外部ループバックデータを元の伝送データと互いに比較するループバックテスト回路と、を具備することを特徴とする外部ループバックテスト機能を有し、
前記ループバックテスト回路は、
前記伝送パッドのうちの一つに接続され、対応するドライバがディセーブルされる場合にイネーブルされ、残りの伝送パッドのうちの一つを通じて伝送されるデータを受信するレシーブバッファと、
前記レシーブバッファから出力される外部ループバックデータを前記元の伝送データと比較してテスト結果信号を生成するモニタリング部とを含む、外部ループバックテスト機能を有する伝送専用集積回路チップ。
【請求項２】
前記モニタリング部は、
前記伝送されるデータに対する元の伝送データを生成するためのパターン発生器と、
前記外部ループバックデータと前記元の伝送データとを比較するパターン比較器とを具備することを特徴とする請求項１に記載の伝送専用集積回路チップ。
【請求項３】
前記ドライバの入力に並直列変換器が接続された場合に、前記モニタリング部は、
前記レシーブバッファの出力と前記パターン比較器との間に接続される直並列変換器と、
スキュー除去されたクロックを前記直並列変換器に印加するデスキューワをさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の伝送専用集積回路チップ。
【請求項４】
チャネル別に印加される元の並列データを変換用クロックに応答して直列データにそれぞれ変換する複数の直列化器と、
前記直列化器からそれぞれ出力される直列データを対応する伝送パッドを通じて出力するドライバと、
テストのための受信パッドとして設定された前記伝送パッドのうちの一つを通じて、残りの伝送パッドのうちの一つを通じて伝送される直列データを外部ループバックデータとして受信し、該受信された外部ループバックデータを並列データに復元した後、これを前記元の並列データと互いに比較するループバックテスト回路と、を具備することを特徴とする外部ループバックテスト機能を有し、
前記ループバックテスト回路は、
前記元の並列データを生成するためのパターン発生器と、
前記伝送パッドのうちの前記受信パッドに接続され、対応するドライバがディセーブルされる場合にイネーブルされて前記直列データを受信するレシーブバッファと、
前記レシーブバッファから出力される外部ループバックデータが印加され、デスキュークロックに応答して並列データに復元する並列化器と、
前記並列化器に前記デスキュークロックを印加するデスキューワと、
前記並列化器から出力される並列データと前記元の伝送データとを比較するパターン比較器と、を含む、外部ループバックテスト機能を有する伝送専用集積回路チップ。
【請求項５】
前記受信パッドとして設定された前記伝送パッドは、チャネルのうちの最も低いデータ伝送速度を有するチャネルと接続されるパッドであることを特徴とする請求項４に記載の伝送専用集積回路チップ。
【請求項６】
前記デスキューワは、前記デスキュークロックの生成の時、前記直列化器に印加される変換用クロックを利用することを特徴とする請求項４または５に記載の伝送専用集積回路チップ。
【請求項７】
複数のチャネルに対応して設置された伝送パッドを通じてデータを送るドライバを有する伝送専用集積回路チップでの外部ループバックテスト方法において、
前記伝送パッドのうちの一つに接続されるレシーブバッファに伝送データをループバックする段階と、
前記レシーブバッファから出力される外部ループバックデータを元の伝送データと比較してループバックテスト結果を得る段階と、を具備し、
前記伝送データが直列化器を通じて出力される直列データである場合、前記外部ループバックデータは、直列化器に印加される変換用クロックを利用して並列データに復元された後に比較され、前記並列データの復元時に前記変換クロックは、スキュー除去のためにデスキューワの複数のディレータップを通じて複数のディレークロックとして生成されることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記レシーブバッファに接続された前記伝送パッドは他の伝送パッドに比較して相対的に低い伝送速度でデータを送るパッドであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導性負荷に高周波電流を流すための電源装置であって、
交流電流を整流する整流手段と、
前記誘導性負荷と直列に接続され、前記整流手段により整流された電流をスイッチングするための第一のスイッチング手段と、
前記第一のスイッチング手段をオンオフさせる駆動制御手段と、
前記誘導性負荷とともに共振回路を構成する可変容量のコンデンサと、
前記可変容量のコンデンサの容量を制御する容量制御手段と
を備え、
前記容量制御手段は、前記第一のスイッチング手段がオフするタイミングから所定期間における前記可変容量のコンデンサの容量が、前記所定期間の終了後の前記可変容量のコンデンサの容量よりも大きくなるように制御することを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記第一のスイッチング手段は、オフした後に一定期間テール電流が流れる特性を有し、
前記所定期間は前記テール電流が流れている期間よりも長いことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記可変容量のコンデンサは、第一のコンデンサと、該第一のコンデンサと並列に接続された第二のコンデンサと、該第二のコンデンサと直列に接続された第二のスイッチング手段とを含めて構成され、
前記容量制御手段は、前記第一のスイッチング手段がオフするタイミングから前記所定期間、前記第二のスイッチング手段をオンし、前記所定期間の終了後に前記第二のスイッチング手段をオフすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電源装置。
【請求項４】
前記第一のスイッチング手段の端子間の電圧を検知する電圧検知手段を更に備え、
前記電圧検知手段により、前記第一のスイッチング手段の端子間の電圧が、所定の電圧値を所定の時間にわたって超えたことが検知された場合、前記容量制御手段は、前記第二のスイッチング手段をオンすることを特徴とする請求項３に記載の電源装置。
【請求項５】
前記第一のスイッチング手段に流れる電流を検知する電流検知手段を更に備え、
前記電流検知手段により、前記第一のスイッチング手段に流れる電流が、所定の電流値を所定の時間にわたって超えたことが検知された場合、前記容量制御手段は、前記第二のスイッチング手段をオンすることを特徴とする請求項３に記載の電源装置。
【請求項６】
誘導性負荷に高周波電流を流すための電源装置であって、
交流電流を整流する整流手段と、
前記誘導性負荷と直列に接続された、前記整流手段により整流された電流をスイッチングするための第一のスイッチング手段と、
前記第一のスイッチング手段をオンオフさせる駆動制御手段と、
第一のコンデンサと、該第一のコンデンサと並列に接続された第二のコンデンサと、該第二のコンデンサと直列に接続された第二のスイッチング手段とを含めて構成され、前記誘導性負荷とともに共振回路を構成する可変容量のコンデンサと、
前記可変容量のコンデンサの容量を、前記第二のスイッチング手段のオンとオフを切り替えることにより制御する容量制御手段と、
前記第一のスイッチング手段の端子間電圧を検知する電圧検知手段と、
を備え、
前記検知手段により検知される電圧が、所定の電圧値を所定の時間以上継続して超えた場合、前記容量制御手段は、前記第二のスイッチング手段をオンすることを特徴とする電源装置。
【請求項７】
誘導性負荷に高周波電流を流すための電源装置であって、
交流電流を整流する整流手段と、
前記誘導性負荷と直列に接続された、前記整流手段により整流された電流をスイッチングするための第一のスイッチング手段と、
前記第一のスイッチング手段をオンオフさせる駆動制御手段と、
第一のコンデンサと、該第一のコンデンサと並列に接続された第二のコンデンサと、該第二のコンデンサと直列に接続された第二のスイッチング手段とを含めて構成され、前記誘導性負荷とともに共振回路を構成する可変容量のコンデンサと、
前記可変容量のコンデンサの容量を、前記第二のスイッチング手段のオンとオフを切り替えることにより制御する容量制御手段と、
前記第一のスイッチング手段に流れる電流を検知する電流検知手段と、
を備え、
前記検知手段により検知される電流が、所定の電流値を所定の時間以上継続して超えた場合、前記容量制御手段は、前記第二のスイッチング手段をオンすることを特徴とする電源装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電源装置と、
前記電源装置により高周波電流が流される誘導性負荷と、
前記誘導性負荷に対向して配置された導電性発熱体と
を備えることを特徴とする加熱装置。
【請求項９】
請求項８に記載の加熱装置を定着部に用いた電子写真方式の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
誘導性負荷に高周波電流を流すための電源装置であって、
交流電流を整流する整流手段と、
前記誘導性負荷と直列に接続され、前記整流手段により整流された電流をスイッチングするための第一のスイッチング手段と、
前記第一のスイッチング手段をオンオフさせる駆動制御手段と、
前記誘導性負荷とともに共振回路を構成する可変容量のコンデンサと、
前記可変容量のコンデンサの容量を制御する容量制御手段と
を備え、
前記容量制御手段は、前記第一のスイッチング手段がオフするタイミングから所定期間における前記可変容量のコンデンサの容量が、前記所定期間の終了後の前記可変容量のコンデンサの容量よりも大きくなるように制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気−機械エネルギー変換素子を備え前記電気−機械エネルギー変換素子に交番電圧を印加することによって振動波を発生する振動体と、前記振動体に接触し前記振動波により前記振動体と相対的に移動する被駆動体と、を備えた振動型アクチュエータの駆動回路であって、
インダクタとキャパシタとが前記電気−機械エネルギー変換素子に直列に接続され、
前記インダクタと前記キャパシタとによる直列共振周波数をｆｓとし、前記振動体の共振周波数をｆｍとした場合に、
０．７３・ｆｍ＜ｆｓ＜１．２・ｆｍ
を満たすことを特徴とする振動型アクチュエータの駆動回路。
【請求項２】
電気−機械エネルギー変換素子を備え前記電気−機械エネルギー変換素子に交番電圧を印加することによって振動波を発生する振動体と、前記振動体に接触し前記振動波により前記振動体と相対的に移動する被駆動体と、を備えた振動型アクチュエータの駆動回路であって、
トランスの１次側のコイルに交番電圧を印加し、前記トランスの２次側のコイルに前記電気−機械エネルギー変換素子が並列に接続されており、
前記トランスの１次側及び２次側のうち少なくとも一方に、インダクタとキャパシタとが前記電気−機械エネルギー変換素子に直列に接続され、
前記インダクタと前記キャパシタとによる直列共振周波数をｆｓとし、前記振動体の共振周波数をｆｍとした場合に、
０．７３・ｆｍ＜ｆｓ＜１．２・ｆｍ
を満たすことを特徴とする振動型アクチュエータの駆動回路。
【請求項３】
前記インダクタは、前記トランスの漏洩インダクタンスであることを特徴とする請求項２に記載の振動型アクチュエータの駆動回路。
【請求項４】
前記電気−機械エネルギー変換素子に印加される交番電圧のピーク周波数をｆｅ、前記振動体の駆動周波数をｆｄとした場合に、
ｆｅ＜１．５・ｆｄ
を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータの駆動回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の振動型アクチュエータの駆動回路は、電気−機械エネルギー変換素子を備え前記電気−機械エネルギー変換素子に交番電圧を印加することによって振動波を発生する振動体と、前記振動体に接触し前記振動波により前記振動体と相対的に移動する被駆動体と、を備えた振動型アクチュエータの駆動回路であって、インダクタとキャパシタとが前記電気−機械エネルギー変換素子に直列に接続され、前記インダクタと前記キャパシタとによる直列共振周波数をｆｓとし、前記振動体の共振周波数をｆｍとした場合に、０．７３・ｆｍ＜ｆｓ＜１．２・ｆｍを満たすことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、トランスを用いた場合、本発明の振動型アクチュエータの駆動回路は、電気−機械エネルギー変換素子を備え前記電気−機械エネルギー変換素子に交番電圧を印加することによって振動波を発生する振動体と、前記振動体に接触し前記振動波により前記振動体と相対的に移動する被駆動体と、を備えた振動型アクチュエータの駆動回路であって、トランスの１次側のコイルに交番電圧を印加し、前記トランスの２次側のコイルに前記電気−機械エネルギー変換素子が並列に接続されており、前記トランスの１次側及び２次側のうち少なくとも一方に、インダクタとキャパシタとが前記電気−機械エネルギー変換素子に直列に接続され、前記インダクタと前記キャパシタとによる直列共振周波数をｆｓとし、前記振動体の共振周波数をｆｍとした場合に、０．７３・ｆｍ＜ｆｓ＜１．２・ｆｍを満たすことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の振動型アクチュエータの駆動回路について、図面を参照しながら説明する。本発明の駆動回路は、次のような振動型アクチュエータに適用される。即ち、本発明の駆動回路が駆動する振動型アクチュエータは、圧電素子等の電気−機械エネルギー変換素子と電気−機械エネルギー変換素子に接合する弾性体とを備える振動体と、弾性体に加圧接触して振動体に対して相対的に移動する被駆動体と、を有する。電気−機械エネルギー変換素子には、位相の異なる複数の交番電圧が各々印加され、弾性体に振動波を発生させる。弾性体は、生じた振動波により弾性体の駆動部（被駆動体との接触部）に楕円運動を生じ、この楕円運動によって被駆動体は振動体に対して相対的に移動する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止部と、
上下に延びる中心軸を中心に回転可能な状態で、前記静止部に支持された回転部と、
前記静止部が固定された取付板と、
前記取付板の上面側に配置され、前記静止部に対して前記回転部を回転駆動させるための電子回路が実装された回路基板と、
を備え、
前記静止部は、前記回路基板の長手方向の中央位置より一方側に位置し、
前記回路基板は、前記長手方向の中央位置より他方側に位置するコネクタを有し、
前記回路基板の上面または前記回路基板の上面と他の面との境界に位置するエッジに当接して、前記取付板に前記回路基板を固定する固定部が、前記コネクタの前記一方側の端部よりも他方側の位置に、少なくとも１つ配置されているモータ。
【請求項２】
請求項１に記載のモータにおいて、
前記固定部は、前記コネクタの前記長手方向の両端部の近傍に、少なくとも１つずつ配置されているモータ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のモータにおいて、
前記固定部は、前記回路基板の前記長手方向の中央位置より一方側に、少なくとも１つ配置されているモータ。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記取付板は、前記回路基板の上面または前記回路基板の上面と他の面との境界に位置するエッジに当接して、前記回路基板を固定するかしめ部を有し、
前記固定部は、前記かしめ部を含むモータ。
【請求項５】
請求項４に記載のモータにおいて、
前記かしめ部は、前記取付板の外縁部が曲折され、前記回路基板の上面に当接された外形かしめ部を含むモータ。
【請求項６】
請求項５に記載のモータにおいて、
前記外形かしめ部は、前記回路基板の上面より上方に、断面積が最小となる部分を有するモータ。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のモータにおいて、
前記外形かしめ部の頂部が曲折された方向に、他の前記かしめ部が配置されているモータ。
【請求項８】
請求項４から請求項７までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記かしめ部は、前記取付板の外縁部以外の部位がバーリング加工されて形成された円筒部が曲折され、前記回路基板の上面または前記回路基板の上面と他の面との境界に位置するエッジに当接されたバーリングかしめ部を含むモータ。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記回路基板は、前記取付板の端縁部からはみ出した部分を有し、
前記固定部は、前記取付板の前記端縁部の近傍に、少なくとも１つ配置されているモータ。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記回転部は、前記回路基板の上面に間隙を介して対向しつつ回転する回転部材を有し、
前記固定部は、前記回転部材の下方に、少なくとも１つ配置されているモータ。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記取付板は、非円形の開口である肉抜き部を有するモータ。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記取付板の外縁部が曲折され、前記回路基板の上面と隙間を介して対向する対向部を、さらに備えるモータ。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれかに記載のモータにおいて、
前記回路基板は、前記長手方向に直交する幅方向の長さが、前記一方側および前記他方側に隣接する部分より短い狭隘部を有し、
前記コネクタの少なくとも一部分が、前記狭隘部に位置するモータ。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれかに記載のモータと、
前記モータの前記回転部に保持されたディスクに対し、情報の読み出しおよび書き込みの少なくとも一方を行うアクセス部と、
前記モータおよび前記アクセス部を収容するハウジングと、
を備えたディスク駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本願の第２発明は、本願の第１発明のモータにかかり、前記回路基板は、前記長手方向に直交する幅方向の長さが、一方側および他方側に隣接する部分より短い狭隘部を有し、前記コネクタの少なくとも一部分が、狭隘部に位置するモータである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、中央演算処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域が設けられた酸化物半導体層と、
ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域と重畳して設けられたゲート電極層と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタが少なくとも一つ設けられている記憶素子を含み、
前記酸化物半導体層におけるキャリア濃度は５×１０１４ｃｍ−３以下であり、
前記トランジスタのオフ電流値は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層における水素濃度は５×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置がＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
タイミングコントロール回路、命令解析デコーダー、レジスタアレイ、アドレスロジックバッファ回路、データバスインターフェイス、演算論理装置、及び命令レジスタを有し、
前記レジスタアレイ及び前記命令レジスタは、請求項１乃至３のいずれか一に記載の記憶素子を有することを特徴とする中央演算処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部と重なる領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体層の一部と重なる領域を有するドレイン電極と、
を有するトランジスタを有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、画素電極と電気的に接続され、
前記画素電極と電気的に接続される補助容量を有さないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部と重なる領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体層の一部と重なる領域を有するドレイン電極と、
を有するトランジスタを有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、画素電極と電気的に接続され、
一画素は、複数の副画素を有し、
前記画素電極は、前記複数の副画素それぞれに配設され、
前記画素電極と電気的に接続される補助容量を有さないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタのオフ電流は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、水素濃度が５×１０１９／ｃｍ３以下であり、キャリア濃度が５×１０１４／ｃｍ３以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルとして機能する、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接し、ソース電極として機能する第１のチタン膜と、
前記酸化物半導体膜と接し、ドレイン電極として機能する第２のチタン膜とを有し、
前記酸化物半導体膜と前記第１のチタン膜との界面及び前記酸化物半導体膜と前記第２のチタン膜との界面において、インジウムの結晶粒あるいは微結晶が存在することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ソース電極として機能する第１のチタン膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ドレイン電極として機能する第２のチタン膜と、
前記酸化物半導体膜上、前記第１及び前記第２のチタン膜上に接する絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜と前記第１のチタン膜との界面及び前記酸化物半導体膜と前記第２のチタン膜との界面において、インジウムの結晶粒あるいは微結晶が存在することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜における水素濃度が、５×１０１６／ｃｍ３未満であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記酸化物半導体膜におけるキャリア密度が、５×１０１０／ｃｍ３以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記インジウムの結晶粒あるいは微結晶は、前記酸化物半導体膜上に前記第１及び前記第２のチタン膜を形成した後、熱が加わることによって形成されることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【数３】
2011109032.tif 000001
ただし、ｅは電気素量、ε０は真空の誘電率、εは酸化物半導体の比誘電率である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を保持する半導体基板ホルダであって、
前記半導体基板を保持するに替えて、温度センサを有する温度検出装置を保持したときに、前記温度検出装置の端子に接続される接続端子を備える半導体基板ホルダ。
【請求項２】
前記接続端子は、前記半導体基板の接触領域の外側に設けられる請求項１に記載の半導体基板ホルダ。
【請求項３】
前記接続端子に接続される配線は、外部装置と接続する他の接続端子に接続される請求項１または２に記載の半導体基板ホルダ。
【請求項４】
前記他の接続端子は、前記温度検出装置を保持する面とは反対の面側に設けられる請求項３に記載の半導体基板ホルダ。
【請求項５】
半導体基板ホルダと共に用いられる温度検出装置であって、
前記半導体基板ホルダ上に載置される本体と、前記本体に内蔵する温度センサと、前記温度センサに接続され、前記半導体基板ホルダに設けられた接続端子に接続される端子とを備え、
前記温度センサの出力信号は、前記端子及び前記半導体基板ホルダを介して外部装置へ伝達される温度検出装置。
【請求項６】
前記半導体基板ホルダの半導体基板の接触領域の外側の領域に対向する対向部を備え、
前記端子は、前記対向部に設けられる請求項５に記載の温度検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層上方の酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１のハロゲン元素を有し、
前記第２の絶縁層は、第２のハロゲン元素を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２のハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記ハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記ハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁層と、
前記絶縁層上方の酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素を有し、
前記絶縁層は、前記ハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記ハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１のハロゲン元素を有し、
前記第２の絶縁層は、第２のハロゲン元素を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２のハロゲン元素の濃度が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である領域を有し、
前記第１のハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であり、
前記第２のハロゲン元素は、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、又は亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素の濃度の値は、二次イオン質量分析によるものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、ｐ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、ｎ型トランジスタであり、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子構造の作製方法及び端子構造
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜の上方に第１の導電体を形成する工程と、
複数の開口を有するプリプレグを前記第１の絶縁膜の上方に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記第１の導電体に重ねる工程と、
前記第１の導電体と重なっている少なくとも１つの前記開口に導電性ペーストを設ける工程と、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項２】
第１の絶縁膜の上方に第１の導電体を形成する工程と、
前記第１の導電体の上方に導電性ペーストを設ける工程と、
複数の開口を有するプリプレグを前記第１の絶縁膜の上方に配置して、少なくとも１つの前記開口を前記導電性ペーストに重ねる工程と、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁膜の上方に第１の導電体を形成する工程と、
プリプレグが有する複数の開口の少なくとも１つに導電性ペーストを設ける工程と、
前記プリプレグを第１の絶縁膜の上方に配置して、前記導電性ペーストが設けられている前記開口を前記第１の導電体に重ねる工程と、
加熱処理により、前記導電性ペーストを硬化して第２の導電体を形成し、かつ、前記プリプレグを硬化して第２の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記第２の導電体に電気的に接続される第３の導電体を形成する工程を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記プリプレグの代わりに、補強材を含まない未硬化の樹脂を有する膜を硬化して前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記プリプレグはシート状の繊維体でなる補強材を含むことを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項７】
第１の導電体と、
シート状繊維体を含み、前記第１の導電体を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を貫通し、前記第１の導電体に接している第２の導電体と、
前記シート状繊維体に形成され、前記第２の導電体と重ならない領域に存在する複数の開口と、を有することを特徴とする端子構造。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に上部電極と下部電極が備えられたプラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の作製方法であって、
前記下部電極上に基板を配置し、
前記上部電極に設けられた孔から堆積性気体と水素を前記反応室内に供給し、
前記孔とは異なる部位から希ガスを前記反応室内に供給し、
前記上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、前記基板上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記希ガスは、前記下部電極に設けられた孔から供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記希ガスは、励起状態で前記反応室に供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂部材と金属部材とを重ね合わせた後、回転させた回転ツールを前記金属部材側から押圧し、摩擦熱によって前記樹脂部材を溶融させて前記樹脂部材と前記金属部材とを接合することを特徴とする樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項２】
前記回転ツールは、摩擦攪拌用回転ツールであって、
前記摩擦攪拌用回転ツールの端面を前記金属部材に押圧することを特徴とする請求項１に記載の樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項３】
前記金属部材は、アルミニウム製又はアルミニウム合金製であって、
前記摩擦攪拌用回転ツールのショルダー部の外径を、前記金属部材の厚みの２〜５倍に設定することを特徴とする請求項２に記載の樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項４】
前記金属部材は、アルミニウム製又はアルミニウム合金製であって、
前記摩擦攪拌用回転ツールの押込み量を、前記金属部材の厚みの５％〜２０％に設定することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項５】
前記回転ツールは、摩擦接合用回転ツールであって、
摩擦接合用回転ツールの周面を前記金属部材に押圧することを特徴とする請求項１に記載の樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項６】
前記金属部材は、アルミニウム製又はアルミニウム合金製であって、
接合する前に、前記金属部材にエッチング処理又は陽極酸化処理を行って表面を凸凹に形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の樹脂部材と金属部材の接合方法。
【請求項７】
熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体に、前記凹部の開口部を封止する金属製の封止体を載置した後、回転させた回転ツールを前記封止体側から押圧することにより、摩擦熱によって前記ジャケット本体の一部を溶融させて前記ジャケット本体と前記封止体とを接合することを特徴とする液冷ジャケットの製造方法。
【請求項８】
前記封止体の周縁部の内側に沿って前記回転ツールを一周させて前記ジャケット本体と前記封止体とを接合することを特徴とする請求項７に記載の液冷ジャケットの製造方法。
【請求項９】
熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体と、前記凹部の開口部を封止するアルミニウム製又はアルミニウム合金製の封止体とを接合して構成された液冷ジャケットであって、
回転させた回転ツールを前記封止体側から押圧し、摩擦熱によって前記ジャケット本体の一部を溶融させて接合されており、
前記封止体の少なくとも前記ジャケット本体と接触する面がエッチング処理又は陽極酸化処理によって表面が凸凹に形成されており、前記封止体の表面の凹部分に前記ジャケット本体の溶融した樹脂が入り込んでいることを特徴とする液冷ジャケット。
【請求項１０】
熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体と、
前記凹部の開口部を封止する金属製の封止体と、を有し、
摩擦攪拌で発生した摩擦熱により前記ジャケット本体の一部を溶融させて前記ジャケット本体と前記封止体とが接合されていることを特徴とする液冷ジャケット。
【請求項１１】
熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体に、前記凹部を封止する金属製の封止体が接合されていることを特徴とする液冷ジャケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】樹脂部材と金属部材の接合方法、液冷ジャケットの製造方法及び液冷ジャケット
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、樹脂部材と金属部材の接合方法、液冷ジャケットの製造方法及び液冷ジャケットに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような観点から本発明は、十分な接合強度を有するとともに簡易に接合することができる樹脂部材と金属部材の接合方法、液冷ジャケットの製造方法及び液冷ジャケットを提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記封止体の周縁部の内側に沿って回転ツールを一周させて前記ジャケット本体と前記封止体とを接合することが好ましい。これにより、ジャケット本体の開口部をより確実に封止するとともに、接合の作業性を高めることができる。
また、本発明は、熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体と、前記凹部の開口部を封止するアルミニウム製又はアルミニウム合金製の封止体とを接合して構成された液冷ジャケットであって、回転させた回転ツールを前記封止体側から押圧し、摩擦熱によって前記ジャケット本体の一部を溶融させて接合されており、前記封止体の少なくとも前記ジャケット本体と接触する面がエッチング処理又は陽極酸化処理によって表面が凸凹に形成されており、前記封止体の表面の凹部分に前記ジャケット本体の溶融した樹脂が入り込んでいることを特徴とする。
また、本発明は、熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体と、前記凹部の開口部を封止する金属製の封止体と、を有し、摩擦攪拌で発生した摩擦熱により前記ジャケット本体の一部を溶融させて前記ジャケット本体と前記封止体とが接合されていることを特徴とする。
また、本発明は、熱発生体が発生する熱を外部に輸送する熱輸送流体が流れるとともに一部が開口した凹部を有する樹脂製のジャケット本体に、前記凹部を封止する金属製の封止体が接合されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線基地局が、リレーノードの間の無線区間において、鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃを生成する工程と、
前記無線機基地局が、前記鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、前記鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び前記鍵ＫＵＰ_ｅｎｃと同様に、前記無線区間におけるデータ無線ベアラにおいてインテグリティプロテクションを行うための鍵を、前記リレーノードのアタッチ処理で行われるセキュリティモードコマンド処理において生成する工程と、
前記リレーノードが、前記無線区間において、鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃを生成する工程と、
前記リレーノードが、前記鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、前記鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び前記鍵ＫＵＰ_ｅｎｃと同様に、前記無線区間におけるデータ無線ベアラにおいてインテグリティプロテクションを行うための鍵を、前記リレーノードのアタッチ処理で行われるセキュリティモードコマンド処理において生成する工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
前記無線基地局及びリレーノードで生成される前記無線区間におけるデータ無線ベアラにおいてインテグリティプロテクションを行うための鍵は、インテグリティプロテクションアルゴリズム、Ａｌｇ-ＩＤ及びＫｅＮＢを用いて生成されることを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項３】
無線基地局に接続可能なリレーノードであって、
前記無線基地局と前記リレーノードとの間の無線区間において、鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃを生成し、該鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃと同様に、該無線区間におけるデータ無線ベアラにおいてインテグリティプロテクションを行うための鍵を、前記リレーノードのアタッチ処理で行われるセキュリティモードコマンド処理において生成するように構成されていることを特徴とするリレーノード。
【請求項４】
リレーノードが接続可能な無線基地局であって、
前記無線基地局と前記リレーノードとの間の無線区間において、鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃを生成し、該鍵ＫＲＲＣ_ｅｎｃ、鍵ＫＲＲＣ_ｉｎｔ及び鍵ＫＵＰ_ｅｎｃと同様に、該無線区間におけるデータ無線ベアラにおいてインテグリティプロテクションを行うための鍵を、前記リレーノードのアタッチ処理で行われるセキュリティモードコマンド処理において生成するように構成されていることを特徴とする無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の操作によって送信電力の上限値を低下させる送信電力低下手段と、
当該無線送受信機が無線基地局から信号を受信できる範囲が、当該無線送受信機が前記無線基地局に信号を伝達できる範囲と一致するか又はその不一致部分が小さくなるように受信性能を低下させる受信性能低下手段とを備えることを特徴とする無線送受信機。
【請求項２】
請求項１において、
前記受信性能は、受信感度であることを特徴とする無線送受信機。
【請求項３】
請求項１において、
前記受信性能は、通信成立と判断する場合の基準値であることを特徴とする無線送受信機。
【請求項４】
請求項１において、
前記受信性能は、受信データの誤り率の許容値であることを特徴とする無線送受信機。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記送信電力低下手段及び前記受信性能低下手段は、前記所定の操作によって生成された制御信号によって、送信電力の上限値及び受信性能を低下させることを特徴とする無線送受信機。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記送信電力低下手段及び前記受信性能低下手段は、外部から情報を伝達し遠隔操作することで生成された制御信号によって、送信電力の上限値及び受信性能を低下させることを特徴とする無線送受信機。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
送信電力の上限値と受信性能を低下させた状態において、あらかじめ登録した、情報伝送における相手側へ発信するときは、低下した送信電力の上限値が通常へ戻ることを特徴とする無線送受信機。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
送信電力の上限値と受信性能を低下させた状態において、あらかじめ登録した、情報伝送における相手側から着信したときは、低下した送信電力の上限値が通常へ戻ることを特徴とする無線送受信機。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、
送信電力の上限値と受信性能を低下させた状態において、イヤホンの接続を検出したときは、低下した送信電力の上限値が通常へ戻ることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
送信電力の上限値と受信性能を低下させた状態において、マイクの接続を検出したときは、低下した送信電力の上限値が通常へ戻ることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
前記送信電力低下手段及び前記受信性能低下手段は、あらかじめ登録した位置にあるときは、送信電力の上限値及び受信性能を低下させることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、
前記送信電力低下手段及び前記受信性能低下手段は、あらかじめ登録した時刻にあるときは、送信電力の上限値及び受信性能を低下させることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項において、
前記送信電力低下手段及び前記受信性能低下手段は、あらかじめ登録したエリアであるときは、送信電力の上限値及び受信性能を低下させることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１４】
所定の操作によって送信電力の上限値を低下させる手段と、
前記所定の操作によって低下した送信電力の低下量と同じ量だけ受信感度が低下するように、通信成立と判断する場合の基準値を低下させる手段とを備えることを特徴とする無線送受信機。
【請求項１５】
所定の操作によって送信電力の上限値を低下させる手段と、
前記所定の操作によって低下した送信電力の低下量と同じ量だけ受信感度が低下するように、受信データの誤り率の許容値を低下させる手段とを備えることを特徴とする無線送受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の目的は、上記の問題を解決し、油圧センサを付加せずに油圧制御ができる電動ポンプユニットを提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012031832.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ここで、前段処理に用いられるフィルターペーパーとしては、異物除去性能および耐水性が高いガラスフィルターが用いられることが多い（特許文献２を参照）。しかし、ガラスフィルターは、高価であること、および再資源化が難しく環境負荷が高いことから、紙および不織布などのサーマルリサイクル可能なフィルターペーパーが望まれている。サーマルリサイクル可能な紙および不織布などのフィルターペーパーは、例えば、自動販売機用コーヒー濾紙として用いられている（特許文献３を参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
パルプとしては、化学パルプ、および機械パルプ等を使用することができる。化学パルプは、例えば、針葉樹クラフトパルプ（ＮＫＰ）、および広葉樹クラフトパルプ（ＬＫＰ）等の従来公知の化学パルプを使用することができる。機械パルプは、例えば、サーモメカニカルパルプ（ＴＭＰ）、および加圧ストーングランドパルプ（ＰＧＷ）等の従来公知の機械パルプを使用することができる。また、クラフトパルプの中では、特に限定するものではないが、強度のある針葉樹が好ましく、特に針葉樹晒クラフトパルプ（ＮＢＫＰ）が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
繊維配向性は、従来、一般的に知られている方法で調整することができ、例えば、長網抄紙機では、ジェットワイヤー比（原料噴出速度比）を変更することで調整することができ、傾斜短網抄紙機では、抄造速度、および傾斜角度などを変更することで調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常圧下において昇華性染料と被染色物とを所定距離だけ離した状態で対向させ前記昇華性染料を加熱して前記被染色物に向けて昇華させるステップであって，前記被染色物の染色予定領域に対して前記昇華性染料の蒸着が部分的な領域となるように定めるとともに前記昇華性染料が蒸着される前記部分的な領域が前記染色予定領域において経時的に変更するように前記染色予定領域における前記昇華性染料の昇華位置を相対的に移動させて前記染色予定領域に前記昇華性染料を付ける第１ステップと、
第１ステップにて前記昇華性染料が付けられた被染色物の少なくとも一部の領域を加熱することによって，前記一部の領域上に付けられた前記昇華性染料を前記被染色物に定着させて染色を行う第２ステップと、
を有することを特徴とする染色方法。
【請求項２】
請求項１の染色方法において、前記第１ステップにおける前記所定距離は０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする染色方法。
【請求項３】
請求項２の染色方法において、前記第１ステップでは前記昇華性染料が塗布された基体の塗布面をレーザ光により加熱することにより前記昇華性染料を前記被染色物に対して昇華させることを特徴とする染色方法。
【請求項４】
昇華性染料が塗布された基体と被染色物とを所定距離だけ離した状態で対向させて保持する保持手段と、前記基体に向けてレーザ光を照射するための照射手段と、該照射手段による前記レーザ光の照射に対して相対的に前記被染色物を移動させる移動手段と、を備え、前記レーザ光の照射中に前記移動手段によって前記被染色物を前記レーザ光に対して相対的に移動させることにより、前記レーザ光によって加熱され昇華する前記昇華性染料を前記被染色物の染色予定面全域に蒸着させることを特徴とする染料蒸着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）  被染色物を染色する染色方法において、常圧下において昇華性染料と被染色物とを所定距離だけ離した状態で対向させ前記昇華性染料を加熱して前記被染色物に向けて昇華させるステップであって，前記被染色物の染色予定領域に対して前記昇華性染料の蒸着が部分的な領域となるように定めるとともに前記昇華性染料が蒸着される前記部分的な領域が前記染色予定領域において経時的に変更するように前記染色予定領域における前記昇華性染料の昇華位置を相対的に移動させて前記染色予定領域に前記昇華性染料を付ける第１ステップと、第１ステップにて前記昇華性染料が付けられた被染色物の少なくとも一部の領域を加熱することによって，前記一部の領域上に付けられた前記昇華性染料を前記被染色物に定着させて染色を行う第２ステップと、を有することを特徴とする。
（２）  （１）の染色方法において、前記第１ステップにおける前記所定距離は０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする。
（３）  （２）の染色方法において、前記第１ステップでは前記昇華性染料が塗布された基体の塗布面をレーザ光により加熱することにより前記昇華性染料を前記被染色物に対して昇華させることを特徴とする。
（４）  昇華性染料が塗布された基体と被染色物とを所定距離だけ離した状態で対向させて保持する保持手段と、前記基体に向けてレーザ光を照射するための照射手段と、該照射手段による前記レーザ光の照射に対して相対的に前記被染色物を移動させる移動手段と、を備え、前記レーザ光の照射中に前記移動手段によって前記被染色物を前記レーザ光に対して相対的に移動させることにより、前記レーザ光によって加熱され昇華する前記昇華性染料を前記被染色物の染色予定面全域に蒸着させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
下記の成分（Ａ）、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）、成分（Ｄ）、成分（Ｅ）及び成分（Ｆ）を下記の割合で含むことを特徴とする微細構造転写用の光重合性樹脂組成物。
（Ａ）６〜１５官能のアクリレート；０．１〜５質量％
（Ｂ）重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００〜１００００のアクリレート；０．５〜１０質量％
（Ｃ）ベンゼン環を有するアクリレート；０．５〜１０質量％
（Ｄ）反応性希釈剤；８０〜９８質量％
（Ｅ）光重合開始剤；０．１〜５質量％
（Ｆ）２５℃における粘度が１２ｍＰａ・ｓ以下の２官能アクリレート；０．５〜１０質量％
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記課題を解決する本発明は、下記の成分（Ａ）、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）、成分（Ｄ）、成分（Ｅ）及び成分（Ｆ）を下記の割合で含むことを特徴とする微細構造転写用の光重合性樹脂組成物である。
（Ａ）６〜１５官能のアクリレート；０．１〜５質量％
（Ｂ）重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００〜１００００のアクリレート；０．５〜１０質量％
（Ｃ）ベンゼン環を有するアクリレート；０．５〜１０質量％
（Ｄ）反応性希釈剤；８０〜９８質量％
（Ｅ）光重合開始剤；０．１〜５質量％
（Ｆ）２５℃における粘度が１２ｍＰａ・ｓ以下の２官能アクリレート；０．５〜１０質量％