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【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数チャンネルの超音波振動子を有し、該超音波振動子によって超音波の送信を行ない、エコー信号を受信する超音波プローブと、
前記各チャンネルの超音波振動子において、超音波の送信対象内から反射した有効なエコー信号が受信されたか否かを判定する判定部と、
該判定部において有効と判定されたチャンネルのエコー信号を加算する加算部と、
を備えることを特徴とする超音波画像表示装置。
【請求項２】
前記加算部への前記各エコー信号の出力をオンオフするスイッチ部をチャンネル毎に備え、
該スイッチ部は、前記判定部により有効と判定された場合にオンになり、一方で無効と判定された場合にオフになる
ことを特徴とする請求項１に記載の超音波画像表示装置。
【請求項３】
前記加算部で加算されるエコー信号の数に応じて設定されるゲインを前記エコー信号に乗算するゲイン乗算部を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の超音波画像表示装置。
【請求項４】
前記加算部は、前記判定部の判定結果に基づいて前記各チャンネル毎に設定される重み付け係数を前記各エコー信号に乗算して加算を行なうものであり、前記判定部において無効と判定されたチャンネルについては重み付け係数を零とすることを特徴とする請求項１に記載の超音波画像表示装置。
【請求項５】
コンピュータに、
複数チャンネルの超音波振動子を有し、該超音波振動子によって超音波の送信を行なってエコー信号を受信する超音波プローブにおける前記各チャンネルの超音波振動子において、超音波の送信対象内から反射した有効なエコー信号が受信されたか否かを判定する判定機能と、
所定の重み付け係数により前記各エコー信号を重み付け加算する重み付け加算機能と、を実行させ、
該重み付け加算機能にあっては、前記判定機能において無効と判定されたチャンネルの重み付け係数を零とする
ことを特徴とする超音波画像表示装置の制御プログラム。
【請求項６】
複数チャンネルの超音波振動子を有し、該超音波振動子によって超音波の送信を行ない、エコー信号を受信する超音波プローブと、
前記各チャンネルの超音波振動子において、超音波の送信対象内から反射した有効なエコー信号が受信されたか否かを判定する判定部と、
該判定部の判定結果に基づいて超音波の送受信パラメータを設定する送受信パラメータ設定部と、
を備えることを特徴とする超音波画像表示装置。
【請求項７】
前記送受信パラメータ設定部は、前記各チャンネルのエコー信号又は前記加算部による加算によって得られた信号に対して乗算するゲインを、前記判定部の判定結果に基づいて設定することを特徴とする請求項６に記載の超音波画像表示装置。
【請求項８】
前記ゲインは、無効と判定されたチャンネル数が多いほど大きくなることを特徴とする請求項３又は７に記載の超音波画像表示装置。
【請求項９】
複数チャンネルの超音波振動子を有し、該超音波振動子によって超音波の送信を行ない、エコー信号を受信する超音波プローブと、
前記各チャンネルの超音波振動子において、超音波の送信対象内から反射した有効なエコー信号が受信されたか否かを判定する判定部と、
該判定部によって無効と判定されたチャンネルの超音波振動子の位置を示す指示表示を、超音波画像を表示する表示部に表示させる指示表示制御部と、
を備えることを特徴とする超音波画像表示装置。
【請求項１０】
複数チャンネルの超音波振動子を有し、該超音波振動子によって超音波の送信を行ない、エコー信号を受信する超音波プローブと、
前記各チャンネルの超音波振動子において、超音波の送信対象内から反射した有効なエコー信号が受信されたか否かを判定する判定部と、
前記判定部の判定結果に基づいて特定されるエラー領域を示すエラー領域表示を、表示部に表示された超音波画像に表示させるエラー領域表示制御部と、
ことを特徴とする超音波画像表示装置。
【請求項１１】
前記エラー領域を特定するエラー領域特定部を備え、該エラー領域特定部は、前記判定部の判定結果から特定される送受信パラメータに基づいて算出される送信超音波ビームを、所定の設定送受信パラメータに基づいて算出される参照送信超音波ビームと比較して前記エラー領域の特定を行なうことを特徴とする請求項１０に記載の超音波画像表示装置。
【請求項１２】
前記判定部は、前記エコー信号を、前記超音波プローブの送受信面を超音波の送受信対象の表面と非接触にした状態で超音波の送受信を行なうことによって予め取得された参照エコー信号と比較して判定を行なうことを特徴とする請求項１〜４、６〜１１のいずれか一項に記載の超音波画像表示装置。
【請求項１３】
前記超音波プローブの送受信面と超音波の送受信対象の表面との間の静電容量を検出するための静電容量センサを備え、
前記判定部は、前記静電容量センサの検出信号に基づいて判定を行なう
ことを特徴とする請求項１〜４、６〜１１のいずれか一項に記載の超音波画像表示装置。
【請求項１４】
前記判定部は、チャンネル毎の判定結果において無効と判定した場合であっても、該無効と判定されたチャンネルが、隣り合って所定数連続していない場合、有効と判定することを特徴とする請求項１〜４、６〜１３のいずれか一項に記載の超音波画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ＣＰＵ４０は、上記ステップＳ２３での減圧動作において、駆動電圧決定部４１２において周長に対応した駆動電圧Ｅ１を決定し、決定した駆動電圧Ｅ１を保持して弁２２を駆動させるよう制御信号を駆動回路２７に出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
１，１’  血圧計、２  本体、３  操作部、４  表示部、５  測定部、６，７  メモリ、１３，８  空気袋、１０  カーラ、２０，３０  エアー系、２１，３１  ポンプ、２２，３２  弁、２３，３３  圧力センサ、２６，２７，３６，３７  駆動回路、２８，３８  発振回路、２９，３９  変換器、４１  第１制御部、４２  第２制御部、４３  算出部、４４  表示制御部、６０  ハウジング、７０  カバー、８０  外部Ｉ／Ｆ、８１  ワイヤ、８２  ワイヤ巻取装置、１００  上腕、４１１  周長情報取得部、４１２，４２２  駆動電圧決定部、４２１  取得部、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３  駆動電圧。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検体を収集し、保持すると共に、該検体を移送する為のものであって、軸部と前記軸部の一端に検体採取部とを有したブラシにおいて、前記検体採取部は細棒状の湾曲部を有すると共に、前記湾曲部の表面に繊維が植設されてあり、被採取部の壁面等に当接した時に、前記湾曲部が変形可能に形成されてあることを特徴とするブラシ。
【請求項２】
検体採取部は、細棒状の両端部が軸部端部で結合され、ループ形状に形成されてあることを特徴とする請求項１に記載のブラシ。
【請求項３】
検体採取部は、外力によって容易に変形可能な弾性促進部が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のブラシ。
【請求項４】
軸部と検体採取部との間にばね性を促進させる外力吸収部が形成されてあることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のブラシ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記従来の課題を解決する為に、請求項１の発明は、検体を収集し、保持すると共に、該検体を移送する為のものであって、軸部と前記軸部の一端に検体採取部とを有したブラシにおいて、前記検体採取部は細棒状の湾曲部を有すると共に、前記湾曲部の表面に繊維が植設されてあり、被採取部の壁面等に当接した時に、前記湾曲部が変形可能に形成されてあることを特徴としている。したがって、検体採取部が、検体採取時に軸部から人体へ押圧力が加わり、被採取部の壁面等に当接した場合でも細棒状の湾曲部が変形することによって、押圧力を吸収するので、人体に損傷や刺激を与えることを防ぐことができる。さらに、植設された繊維により、検体が容易に絡みつき易く湾曲部が壁面等に当接しない時でも確実に検体を採取できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月24日(2013.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体が配置される撮影空間の周りに配置され、前記撮影空間に水平方向の静磁場を発生させる静磁場発生手段と、
前記静磁場発生手段の前記撮影空間側に配置され、該撮影空間に傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生手段と、
前記傾斜磁場発生手段の前記撮影空間側に配置され、該撮影空間に高周波磁場を発生させる高周波磁場発生手段を備え、
前記高周波磁場発生手段の前記撮影空間側の断面形状が、上に凸の略三角形であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記静磁場発生手段は、前記撮影空間側の断面形状が円形であり、前記傾斜磁場発生手段は、その撮影空間側の断面形状が、上に凸の略三角形に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記静磁場発生手段は、前記撮影空間側の断面形状が、円形であり、
前記傾斜磁場発生手段は、その静磁場発生手段側と撮影空間側の断面形状が、共に円形であることを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記傾斜磁場発生手段は、断面が円形のシールドコイルと、断面が上に凸の略三角形状のメインコイルから構成されるアクティブシールド型であることを特徴とする請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記高周波磁場発生手段は、ＲＦコイルを備え、
前記傾斜磁場発生手段の撮影空間側の内表面に配置されたＲＦシールドと、前記ＲＦコイルとの間隔が一定でないことを特徴とする請求項1乃至４のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記ＲＦコイルは、前記ＲＦシールドとの距離が短い個所の近傍におけるコイル導体の密度が、前記ＲＦシールドとの距離が長い個所の近傍にけるコイル導体の密度より、大きいことを特徴とする請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記ＲＦコイルは、前記ＲＦシールドとの距離が短い個所の近傍において、コイル導体の長さが長くなっていることを特徴とする請求項５又は６記載の磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、RFコイルは、前記RFシールドとの距離が短い個所の近傍におけるコイル導体の密度が、前記ＲＦシールドとの距離が長い個所の近傍にけるコイル導体の密度より、大きいことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記RFコイルは、前記RFシールドとの距離が短い個所の近傍において、コイル導体の長さが長くなっていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンモニア性窒素およびアルカリ土類金属イオンを含有する廃水を処理する廃水処理装置であって、
アンモニア性窒素を亜硝酸性窒素に変換する亜硝酸化槽と；
前記亜硝酸化槽の処理水から、アルカリ土類金属イオンを除去する中間処理槽と；
前記中間処理槽の処理水から、アンモニア性窒素と亜硝酸性窒素を除去するアンモニア脱窒槽と；
前記アンモニア脱窒槽に充填され、アンモニア性窒素を水素供与体とし亜硝酸性窒素を水素受容体とする独立栄養脱窒菌を付着固定する微生物担体と；
前記亜硝酸化槽および前記中間処理槽のｐＨを測定するｐＨ測定手段と；
前記亜硝酸化槽のｐＨ、および、前記中間処理槽のｐＨを調整するｐＨ調整手段とを備える；
廃水処理装置。
【請求項２】
前記ｐＨ調整手段は、前記中間処理層のｐＨを８．５以上９．５以下に調整する、
請求項１に記載の廃水処理装置。
【請求項３】
前記ｐＨ調整手段は、前記亜硝酸化槽のｐＨを６．０以上７．０以下に調整する、
請求項１に記載の廃水処理装置。
【請求項４】
前記ｐＨ調整手段は、前記亜硝酸化槽のｐＨを６．０以上７．０以下に、および、前記中間処理槽のｐＨを８．５以上９．５以下に調整する、
請求項１に記載の廃水処理装置。
【請求項５】
前記中間処理槽の処理水に含まれるアルカリ土類金属イオン濃度を測定するためのアルカリ土類金属イオン測定手段を備え；
前記ｐＨ調整手段は、前記中間処理槽のｐＨを制御するｐＨ制御機構を有する；
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の廃水処理装置。
【請求項６】
前記ｐＨ制御機構は、前記アルカリ土類金属イオン濃度が２０ｍｇ／Ｌ以下になるように、前記中間処理槽のｐＨを制御する、
請求項５に記載の廃水処理装置。
【請求項７】
アンモニア性窒素およびアルカリ土類金属イオンを含有する廃水を処理する廃水処理方法であって、
アンモニア性窒素を亜硝酸性窒素に変換する亜硝酸化ステップと；
前記亜硝酸化ステップ後の処理水から、アルカリ土類金属イオンを除去するアルカリ土類金属イオン除去ステップと；
前記アルカリ土類金属イオン除去ステップ後の処理水から、アンモニア性窒素と亜硝酸性窒素を除去する窒素除去ステップと；
前記亜硝酸化ステップおよび前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを測定するステップと；
前記亜硝酸化ステップでのｐＨ、および、前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを調整するステップとを備え；
前記窒素除去ステップでは、アンモニア性窒素を水素供与体とし亜硝酸性窒素を水素受容体とする独立栄養脱窒菌を付着固定する微生物担体が用いられる；
廃水処理方法。
【請求項８】
前記ｐＨを調整するステップは、前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを８．５以上９．５以下に調整する、
請求項７に記載の廃水処理方法。
【請求項９】
前記ｐＨを調整するステップは、前記亜硝酸化ステップでのｐＨを６．０以上７．０以下に調整する、
請求項７に記載の廃水処理方法。
【請求項１０】
前記ｐＨを調整するステップは、前記亜硝酸化ステップでのｐＨを６．０以上７．０以下に、および、前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを８．５以上９．５以下に調整する、
請求項７に記載の廃水処理方法。
【請求項１１】
前記アルカリ土類金属イオン除去ステップ後の処理水に含まれるアルカリ土類金属イオン濃度を測定するステップを備え；
前記ｐＨを調整するステップは、前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを制御するステップを有する；
請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の廃水処理方法。
【請求項１２】
前記ｐＨを制御するステップは、前記アルカリ土類金属イオン濃度が２０ｍｇ／Ｌ以下になるように、前記アルカリ土類金属イオン除去ステップでのｐＨを制御する、
請求項１１に記載の廃水処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の第１の態様に係る廃水処理装置１０は、例えば図１に示すように、アンモニア性窒素およびアルカリ土類金属イオンを含有する廃水１（被処理水１）を処理する廃水処理装置１０であって、アンモニア性窒素を亜硝酸性窒素に変換する亜硝酸化槽１１と；亜硝酸化槽１１の処理水２から、アルカリ土類金属イオンを除去する中間処理槽１２と；中間処理槽１２の処理水３から、アンモニア性窒素と亜硝酸性窒素を除去するアンモニア脱窒槽１３と；アンモニア脱窒槽１３に充填され、アンモニア性窒素を水素供与体とし亜硝酸性窒素を水素受容体とする独立栄養脱窒菌を付着固定する微生物担体と；亜硝酸化槽１１および中間処理槽１２のｐＨを測定するｐＨ測定手段１６ａ、１６ｂと；亜硝酸化槽１１のｐＨを６．０以上７．０以下に、および、中間処理槽１２
のｐＨを８．５以上９．５以下に調整するｐＨ調整手段（例えば、薬品タンク１４ａ、１４ｂ、注入ポンプ１５ａ、１５ｂ）とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の態様に係る廃水処理装置２０は、上記本発明の第１の態様に係る廃水処理装置１０において、例えば図２に示すように、中間処理槽１２の処理水３に含まれるアルカリ土類金属イオン濃度を測定するためのアルカリ土類金属イオン測定手段２１を備え；ｐＨ調整手段（例えば、薬品タンク１４ａ、１４ｂ、注入ポンプ１５ａ、１５ｂ）は、前記アルカリ土類金属イオン濃度が２０ｍｇ／Ｌ以下になるように、中間処理槽１２のｐＨを制御するｐＨ制御機構２２を有する。なお、図２では、亜硝酸化槽１１およびアンモニア脱窒槽１３へのｐＨ調整手段および配管を省略している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る廃水処理装置１０の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る廃水処理装置２０の構成図である。
【図３】制御機構２２が行なう制御のフローチャートの一例であり、（ａ）はアルカリ土類金属イオンの濃度が設定値以上となったときのフローであり、（ｂ）はｐＨが設定値以上となったときのフローである。
【図４】（ａ）は中間処理槽とアンモニア脱窒槽を１の槽とした場合の構成図である。（ｂ）は、二重に構成された円筒状の槽を用いて中間処理槽とアンモニア脱窒槽を構成した場合の構成図である。（ｃ）は（ｂ）の上面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る廃水処理装置３０の構成図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る廃水処理装置４０の構成図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態に係る廃水処理装置５０の構成図である。
【図８】実施例１の被処理水および処理水中に含まれる物質の量を示す表である。
【図９】従来の廃水処理装置１００の構成図である。
【図１０】実施例１と比較例１の窒素除去速度の経時変化を示すグラフである。
【図１１】実施例２の窒素除去速度の経時変化を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】混練装置および混練方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、混練装置および混練方法に係り、特に、原料混合物を高い分散性でかつ高い処理速度で混練することの可能な２本ロール型混練装置およびその混練方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以上のような事情の下になされ、低い混練温度で高分散が得られ、かつ高い処理速度での混練を可能とする混練装置および混練方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の混練装置は、原料混合物を混練するための２本のロールを備える混練装置であって、前記２本のロールのうち、第１のロールは、表面に耐摩耗性硬化処理が施されており、第２のロールには、被混練物に対する付着性及び耐熱性を有する合成樹脂層が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の混練方法は、上記混練装置を用いる混練方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記混練装置および混練方法において、第２のロールに形成される、被混練物に対する付着性及び耐熱性を有する合成樹脂層として、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリアミドイミドからなる群から選ばれた樹脂を用いることが出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記混練装置および混練方法は、バッチ式又は連続式とすることが出来る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によると、低い混練温度で高分散が得られ、かつ高い処理速度での混練を可能とする混練装置および混練方法が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料混合物を混練するための２本のロールを備える混練装置であって、前記２本のロールのうち、第１のロールは、表面に耐摩耗性硬化処理が施されており、第２のロールには、被混練物に対する付着性及び耐熱性を有する合成樹脂層が形成されていることを特徴とする混練装置。
【請求項２】
前記被混練物に対する付着性及び耐熱性を有する合成樹脂層は、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、及びポリアミドイミドからなる群から選ばれた樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の混練装置。
【請求項３】
前記耐摩耗性硬化処理は、チタンカーバイトコーティング、タングステンカーバイトコーティング、窒化チタン多層コーティング、トリプルチタンコーティング、複合多層チタンコーティング、炭窒化チタン多層コーティング、窒化チタンアルミナコーティング、窒化クロムコーティング、ガス窒化法、塩浴窒化法、タフトライド法、及びプラズマ窒化法からなる群から選ばれる処理であることを特徴とする請求項１または２に記載の混練装置。
【請求項４】
バッチ式であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の混練装置。
【請求項５】
連続式であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の混練装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の混練装置を用いることを特徴とする混練方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電のみの操作によって被処理水中にオゾンおよびＯＨラジカルを生成し、その生成比率を電流値或は電圧によって任意に調整可能としたことを特徴とするＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置。
【請求項２】
陽極としてＳｎＯ２あるいはＰｂＯ２電極、Ｐｔ電極、Ａｕ電極、Ｐｄ電極、ＲｕＯ２電極、グラッシーカーボン電極などのオゾン生成電極を、一方、陰極としてＴｉ、Ｔｉ／Ｐｔ、鉄、ステンレス、炭素などの導電性電極をそれぞれ装置内に浸漬すると共に、それぞれの電極面積が大きく異なるようにした請求項１に記載のＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置。
【請求項３】
少なくともＯＨラジカル生成側の陰極が粒状電極であり、この粒状電極が多重化されて充填されている請求項１又は２に記載のＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置。
【請求項４】
前記陽極あるいは陰極が浸漬されている装置内で任意に処理水を排水することを可能とした請求項１乃至３の何れか１項に記載のＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置。
【請求項５】
オゾンを外部で生成させて被処理水中に溶解させるのではなく、直接、被処理水中に電解生成させ、同時に高効率で、かつ任意の速度で一部のオゾンをＯＨラジカルに転換するようにした請求項１乃至４の何れか１項に記載のＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置。
【請求項６】
通電のみの操作によって被処理水中にオゾンおよびＯＨラジカルを生成し、その生成比率を電流値によって任意に調整してオゾンおよびＯＨラジカルを生成するようにしたことを特徴とするＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理法。
【請求項７】
オゾン水を外部又は内部別系統のオゾナイザーで生成し、そのオゾン水に対して請求項１乃至５の何れか１項に記載のＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置を用いて促進酸化を発生させた液体浄化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に係る発明は、少なくともＯＨラジカル生成側の陰極が粒状電極であり、この粒状電極が多重化されて充填されているＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７に係る発明は、オゾン水を外部又は内部別系統のオゾナイザーで生成し、そのオゾン水に対してＯＨラジカルおよびオゾンを生成する電気化学的促進酸化処理装置を用いて促進酸化を発生させた液体浄化装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に係る発明によると、オゾンの移動速度が向上してオゾンとＯＨラジカルの同時生成が容易となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項７に係る発明によると、オゾン水を外部又は内部別系統のオゾナイザーで生成し、これに促進酸化を発生させることによって、オゾン水に促進効果を発生させるためのその他の手段であるＵＶ照射の場合のように、処理水の濁りや着色がある際に極端に透過率が落ちて促進酸化できなかったり、γ線を照射する場合のように一般的でなく危険性が高くなったり、Ｈ２Ｏ２の添加、光触媒、高アルカリの添加のように実用性が低い等の問題がなく、オゾナイザーによる電気分解によって外部からの電流値、電圧値の調整が容易になり、濁りや着色にも影響を受けにくくなって、容易にかつ効率的に促進酸化効果を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
その他の防草対策として、自然土や真砂土にセメントなどの無機固化物を添加し、対象路面に透水性を有する固化層を形成し、雑草の発芽を防ぐ方法（例えば、特許文献１、２参照。）や、貝殻粉粒体のセメンと固化層の形成（例えば、特許文献３参照。）や、火山灰と塩の混合物層の敷設により雑草の繁茂を防除する方法（例えば、非特許文献１参照。）など、景観及び環境に配慮した防草方法も多数考え出されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分(A)、(B)、(C)及び(D)並びに水を含有し、水で20質量倍に希釈したときの25℃におけるpHが２〜５である、水性毛髪洗浄剤。
(A) アニオン界面活性剤
(B) 下記一般式(1)で表されるアンヒドログルコース由来の主鎖を有し、かつカチオン化エチレンオキシ基による置換度が0.01〜2.9であり、プロピレンオキシ基による置換度が0.1〜4.0であるカチオン化ヒドロキシプロピルセルロース
【化１】
2012246288.tif 000001
（一般式(1)中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に下記一般式(2)で表される置換基を示し、ｎは前記アンヒドログルコースの平均重合度を示し、ｎ＝50〜5000である。）
【化２】
2012246288.tif 000002
（一般式(2)中、Ｙ1及びＹ2は、一方が水素原子を、他方が下記一般式(3)で表されるカチオン性基を示し、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐはカチオン化エチレンオキシ基（−ＣＨ(Ｙ1)−ＣＨ(Ｙ2)−Ｏ−）の数を、ｑはプロピレンオキシ基（−ＰＯ−）の数を示し、それぞれ０又は正の整数である。ただし、ｎ個のＲ1、ｎ個のＲ2及びｎ個のＲ3のうち、少なくとも１つは、一般式(2)中のｐが０ではなく、また、少なくとも１つは、一般式(2)中のｑが０ではない。また、ｐ及びｑのいずれもが０でない場合、前記カチオン化エチレンオキシ基と前記プロピレンオキシ基の付加順序は問わず、更にｐ及びｑのいずれもが０でなくｐ及び／又はｑが２以上である場合、ブロック結合及びランダム結合のいずれであってもよい。）
【化３】
2012246288.tif 000003
（一般式(3)中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に炭素数１〜３の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示し、Ｘ-はアニオン性基を示す。）
(C) 下記(C1)及び(C2)からなる群より選択される一又は二以上の有機溶剤
(C1) 下記一般式(4)で表される芳香族アルコール
【化４】
2012246288.tif 000004
（一般式(4)中、Ｒ7は水素原子、メチル基又はメトキシ基を示し、Ｙ3は単結合又は炭素数１〜３の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基若しくはアルケニレン基を示し、Ｚ1は水素原子又は水酸基を示し、ｒ及びｓはそれぞれ０〜５の数を示す。）
(C2) 分子量200〜1000のポリプロピレングリコール
(D) ヒドロキシモノカルボン酸及びジカルボン酸からなる群より選択される一又は二以上の有機カルボン酸
【請求項２】
前記成分(B)の含有量が、水性毛髪洗浄剤全体に対して0.01〜10質量％である、請求項１に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項３】
前記成分(A)に対する前記成分(B)の質量割合が、成分(B)／成分(A)＝0.0005〜0.5である、請求項１又は２に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項４】
前記成分(C)に対する前記成分(B)の質量割合が、成分(B)／成分(C)＝0.01〜５である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項５】
前記成分(C)の含有量が、水性毛髪洗浄剤全体に対して0.01〜20質量％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項６】
前記一般式(1)中のＲ1、Ｒ2及びＲ3のいずれについても、前記一般式(2)において、ｐ及びｑが０又は１である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項７】
前記一般式(2)中のＹ1及びＹ2のいずれについても、前記一般式(3)において、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6が、それぞれ独立にメチル基又はエチル基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の水性毛髪洗浄剤。
【請求項８】
前記成分(D)が、乳酸、グリコール酸、リンゴ酸及び酒石酸からなる群より選択される一種以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の水性毛髪洗浄剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
〔各成分の好ましい含有量〕
本発明の水性毛髪洗浄剤において、成分(A)〜(D)の配合は、成分(A)の含有量が５〜18質量％、成分(B)の含有量が0.02〜５質量％、成分(C)の含有量が0.05〜10質量％、成分(D)の含有量が0.5〜３質量％であることが好ましい。
また、水の含有量は、本発明の水性毛髪洗浄剤中50質量％以上、更には60質量％以上が好ましく、95質量％以下、更には90質量％以下が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性化合物の体内における動態を検出する検出システムであって、
前記磁性化合物は磁性キャリアを用いることなく自身で磁性を有するものであり、かつ、体内に投与後体温下で磁性を維持し、
前記システムは、体外から前記体内の磁性化合物の磁気を検出可能な磁気検出器を有し、
前記磁性化合物をトレーサーとして利用し、
前記磁気検出器が前記磁性化合物を体内に投与後当該磁性化合物の磁気をトレースして、前記磁性化合物を体内に投与後患部に到達するまでの時間を測定して、前記磁性化合物の前記体内の動態を調べる、
ことを特徴とする検出システム。
【請求項２】
前記磁性化合物は、フォルスコリン誘導体、有機金属錯体、又は、シスプラチン誘導体である、請求項１記載の検出システム。
【請求項３】
前記検出器は磁気共鳴画像診断装置、又は、超電導量子干渉素子である、請求項１又は２記載の検出システム。
【請求項４】
前記有機金属錯体は鉄錯体である、請求項２記載の検出システム。
【請求項５】
前記鉄錯体は次の化合物の少なくとも一つである、請求項４記載の検出システム。
【化１】
2012246307.tif 000001
【化２】
2012246307.tif 000002
【化３】
2012246307.tif 000003
【化４】
2012246307.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と正極活物質を含む正極合剤層とを有する正極と、負極と、前記正極と負極の間に配置されるセパレータとからなる電極群を備えるリチウムイオン二次電池において、
前記正極合剤層は、前記集電体の一部の領域に形成されており、かつ、前記集電体の前記正極合剤層が形成されていない領域との境界部に沿って、前記正極合剤層のプレスにより潰された圧潰部を被覆する絶縁層が形成されており、
前記正極の前記絶縁層で被覆された部分の厚さは、前記正極の前記絶縁層が形成されていない部分の厚さ以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】
集電体と正極活物質を含む正極合剤層とを有する正極と、負極と、前記正極と負極の間に配置されるセパレータとからなる電極群を備えるリチウムイオン二次電池において、
前記正極合剤層は、前記集電体の一部の領域に形成され、帯状の絶縁層によって、前記集電体の前記正極合剤層が形成されていない領域との境界部および前記境界部の近傍が、前記境界部に沿って被覆されており、
前記正極の前記絶縁層で被覆された部分の厚さは、前記正極の前記絶縁層が形成されていない部分の厚さ以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
請求項２記載のリチウムイオン二次電池において、
帯状の前記絶縁層の幅は、１ｍｍ以上であるリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
請求項１または２記載のリチウムイオン二次電池において、
前記絶縁層の厚さは、前記正極合剤層の厚さの１／１０以下であるリチウムイオン二次電池。
【請求項５】
集電体と正極活物質を含む正極合剤層とを有する、リチウムイオン二次電池の正極において、
前記正極合剤層は、前記集電体の一部の領域に形成されており、かつ、前記集電体の前記正極合剤層が形成されていない領域との境界部に沿って、前記正極合剤層のプレスにより潰された圧潰部を被覆する絶縁層が形成されており、
前記正極の前記絶縁層で被覆された部分の厚さは、前記正極の前記絶縁層が形成されていない部分の厚さ以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の正極。
【請求項６】
集電体と正極活物質を含む正極合剤層とを有する、リチウムイオン二次電池の正極において、
前記正極合剤層は、前記集電体の一部の領域に形成され、帯状の絶縁層によって、前記集電体の前記正極合剤層が形成されていない領域との境界部および前記境界部の近傍が、前記境界部に沿って被覆されており、
前記正極の前記絶縁層で被覆された部分の厚さは、前記正極の前記絶縁層が形成されていない部分の厚さ以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の正極。
【請求項７】
請求項６記載のリチウムイオン二次電池の正極において、
帯状の前記絶縁層の幅は、１ｍｍ以上であるリチウムイオン二次電池の正極。
【請求項８】
請求項５または６記載のリチウムイオン二次電池の正極において、
前記絶縁層の厚さは、前記正極合剤層の厚さの１／１０以下であるリチウムイオン二次電池の正極。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、スイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記スイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記スイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の配線は、信号を供給することができる機能を有し、
前記信号は、第１の電位と、第２の電位と、を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに入力された場合に、前記第１のトランジスタがオンになる値であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに入力された場合に、前記第１のトランジスタがオフになる値であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、スイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記スイッチの第１の端子は、第５の配線と電気的に接続され、
前記スイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の配線は、信号を供給することができる機能を有し、
前記信号は、第１の電位と、第２の電位と、を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに入力された場合に、前記第１のトランジスタがオンになる値であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに入力された場合に、前記第１のトランジスタがオフになる値であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
第４のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
第４のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
第５のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第７の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
第５のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
第６のトランジスタを有し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記スイッチの第１の端子又は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
第２のスイッチを有し、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記スイッチの第１の端子又は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一項において、
容量素子を有し、
前記容量素子の第１の端子は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項１１若しくは請求項１２に記載の表示装置、又は請求項１３に記載の液晶表示装置と、
ＦＰＣと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項１１若しくは請求項１２に記載の表示装置、請求項１３に記載の液晶表示装置、又は請求項１４に記載の表示モジュールと、
操作スイッチ、バッテリー又はスピーカと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して接続されるユーザ端末からＷｅｂ会議室への入室要求を受付け可能なＷｅｂ会議サーバであって、
前記Ｗｅｂ会議室への入室要求をユーザ端末より受付ける入室要求受付手段と、
前記入室要求を受付けたＷｅｂ会議室にパスワードが設定されているかどうかを判定するパスワード設定判定手段と、
前記パスワード設定判定手段によりパスワードが設定されていないと判定された場合に、当該Ｗｅｂ会議室の最初の入室者であるとして当該ユーザ端末にパスワードの設定要求を行うパスワード設定要求手段と、
前記パスワード設定要求手段により受付けたパスワードを前記Ｗｅｂ会議室に設定するパスワード設定手段と、
前記パスワード設定手段により設定されたパスワードの入力を受付けることにより、前記最初の入室者より後の入室者に対して前記会議室への入室を許可する入室許可手段と、
を有することを特徴とするＷｅｂ会議サーバ。
【請求項２】
前記Ｗｅｂ会議室からの退出者を検出する退出者検出手段と、
前記退出者検出手段により検出された退出者が前記Ｗｅｂ会議室の最終退出者であった場合、前記パスワードを初期化するパスワード初期化手段と、
を有することを特徴とする請求項１記載のＷｅｂ会議サーバ。
【請求項３】
前記Ｗｅｂ会議室として、事前に設定された内容で利用する第１のＷｅｂ会議室と、利用時にパスワードを設定して利用する第２のＷｅｂ会議室を登録可能であって、
前記第１のＷｅｂ会議室への入室要求を受付けた場合には、前記パスワードの初期化を行わないことを特徴とする請求項１または２記載のＷｅｂ会議サーバ。
【請求項４】
ユーザが利用可能なＷｅｂ会議室を表示させるＷｅｂ会議室表示制御手段を更に有し、
前記Ｗｅｂ会議室表示制御手段は、前記Ｗｅｂ会議室にパスワードが設定されている場合には、パスワードが設定されていることが識別可能なように前記Ｗｅｂ会議室を表示制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＷｅｂ会議サーバ。
【請求項５】
ネットワークを介して接続されるユーザ端末からＷｅｂ会議室への入室要求を受付け可能なＷｅｂ会議サーバの制御方法であって、
前記Ｗｅｂ会議室への入室要求をユーザ端末より受付ける入室要求受付ステップと、
前記入室要求を受付けたＷｅｂ会議室にパスワードが設定されているかどうかを判定するパスワード設定判定ステップと、
前記パスワード設定判定ステップによりパスワードが設定されていないと判定された場合に、当該Ｗｅｂ会議室の最初の入室者であるとして当該ユーザ端末にパスワードの設定要求を行うパスワード設定要求ステップと、
前記パスワード設定要求ステップにより受付けたパスワードを前記Ｗｅｂ会議室に設定するパスワード設定ステップと、
前記パスワード設定ステップにより設定されたパスワードの入力を受付けることにより、前記最初の入室者より後の入室者に対して前記会議室への入室を許可する入室許可ステップと、
を有することを特徴とするＷｅｂ会議サーバの制御方法。
【請求項６】
ネットワークを介して接続されるユーザ端末からＷｅｂ会議室への入室要求を受付け可能なＷｅｂ会議サーバを、
前記Ｗｅｂ会議室への入室要求をユーザ端末より受付ける入室要求受付手段と、
前記入室要求を受付けたＷｅｂ会議室にパスワードが設定されているかどうかを判定するパスワード設定判定手段と、
前記パスワード設定判定手段によりパスワードが設定されていないと判定された場合に、当該Ｗｅｂ会議室の最初の入室者であるとして当該ユーザ端末にパスワードの設定要求を行うパスワード設定要求手段と、
前記パスワード設定要求手段により受付けたパスワードを前記Ｗｅｂ会議室に設定するパスワード設定手段と、
前記パスワード設定手段により設定されたパスワードの入力を受付けることにより、前記最初の入室者より後の入室者に対して前記会議室への入室を許可する入室許可手段と、
を有することを特徴とするＷｅｂ会議サーバとして機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
Ｗｅｂ会議室への入室要求をユーザ端末より受付ける入室要求受付手段と、入室要求を受付けたＷｅｂ会議室にパスワードが設定されているかどうかを判定するパスワード設定判定手段と、パスワード設定判定手段によりパスワードが設定されていないと判定された場合に、当該Ｗｅｂ会議室の最初の入室者であるとして当該ユーザ端末にパスワードの設定要求を行うパスワード設定要求手段と、パスワード設定要求手段により受付けたパスワードを前記Ｗｅｂ会議室に設定するパスワード設定手段と、パスワード設定手段により設定されたパスワードの入力を受付けることにより、前記最初の入室者より後の入室者に対して前記会議室への入室を許可する入室許可手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を有する発光素子と、
前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底部に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記発光素子の一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
前記封止材料中の前記粒状添加物の添加量は、前記遮光部より下側の第１領域では、光の散乱を高める量に調整されており、かつ、前記遮光部より上側の第２領域では、光の散乱を抑制する量に調整されており、
前記遮光部が部分的に切り欠かれた切欠き部を備えており、前記切欠き部に対応する前記凹部の底部に、前記発光素子を電気的に保護するための保護素子が固定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
一対の電極を有する発光素子と、
前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底部に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記発光素子の一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
前記封止材料の前記凹部の底部側は、前記粒状添加物を含有する第１封止層であり、
前記第１封止層の厚さが前記封止材料の厚さの１０％〜８０％で、且つ前記第１封止層の上面が前記遮光部の上端よりも下側にあり、
前記遮光部が部分的に切り欠かれた切欠き部を備えており、前記切欠き部に対応する前記凹部の底部に、前記発光素子を電気的に保護するための保護素子が固定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
一対の電極を有する発光素子と、
前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底部に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記発光素子の一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
前記封止材料中における粒径２．０μｍ以上の前記粒状添加物の最大密度が、前記遮光部より下側の第１領域に比べて、前記遮光部より上側の第２領域で低く、
前記第２領域の前記粒状添加物の前記最大密度が、前記第１領域の前記粒状添加物の前記最大密度の８０％以下であり、
前記遮光部が部分的に切り欠かれた切欠き部を備えており、前記切欠き部に対応する前記凹部の底部に、前記発光素子を電気的に保護するための保護素子が固定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記封止樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記切欠き部を設けなかった場合の前記遮光部の長さに対して、前記切欠き部の長さの割合が５０％以下になるように、切欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、画像処理システムが提供される。画像処理システムは、複数の撮像装置と、前記撮像装置で撮影された画像に複数の箇所の範囲を設定し、より輝度変化の大きな範囲の輝度関数の一致度にもとづいて、撮影時刻のずれ量を検出して時刻補正を行う画像処理装置とを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像装置と、
前記撮像装置で撮影された画像に複数の箇所の範囲を設定し、より輝度変化の大きな範囲の輝度関数の一致度にもとづいて、撮影時刻のずれ量を検出して時刻補正を行う画像処理装置と、
を有することを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
前記画像処理装置は、
第１の撮像装置の撮影画像から計測した輝度関数を正規化して、第１の正規化輝度関数を生成し、
第２の撮像装置の撮影画像から計測した輝度関数を正規化して、第２の正規化輝度関数を生成し、
前記第１の正規化輝度関数に対して、前記第２の正規化輝度関数の時刻パラメータをずらしながら、ずらした時刻における前記一致度を算出し、
前記一致度が最大となるときの時刻ずれ量を、前記第１の撮像装置と前記第２の撮像装置との間の前記撮影時刻のずれ量として検出する、
ことを特徴とする請求項１記載の画像処理システム。
【請求項３】
前記画像処理装置は、検出した前記撮影時刻のずれ量で補正した時刻情報を、前記撮像装置に設定することを特徴とする請求項１記載の画像処理システム。
【請求項４】
前記画像処理装置は、
第１の撮像装置の撮影画像に複数の前記範囲を設定し、前記範囲から計測した複数の輝度関数を正規化して、複数の第１の正規化輝度関数を生成し、
第２の撮像装置の撮影画像に複数の前記範囲を設定し、前記範囲から計測した複数の輝度関数を正規化して、複数の第２の正規化輝度関数を生成し、
前記複数の第１の正規化輝度関数の中から、輝度値の最小値と最大値との差分が最も大きな第１の正規化輝度関数を選択し、
前記複数の第２の正規化輝度関数の中から、輝度値の最小値と最大値との差分が最も大きな第２の正規化輝度関数を選択し、
選択した前記第１の正規化輝度関数と前記第２の正規化輝度関数との前記一致度を算出することを特徴とする請求項１記載の画像処理システム。
【請求項５】
前記画像処理装置は、
第１の撮像装置の撮影画像に複数の前記範囲を設定し、前記範囲から計測した複数の輝度関数を正規化して、複数の第１の正規化輝度関数を生成し、
第２の撮像装置の撮影画像に複数の前記範囲を設定し、前記範囲から計測した複数の輝度関数を正規化して、複数の第２の正規化輝度関数を生成し、
前記第１の正規化輝度関数と前記第２の正規化輝度関数との組合せの中から、前記第１の正規化輝度関数の輝度変化量と、前記第２の正規化輝度関数の輝度変化量との差が最も小さな組合せを選択し、選択した組合せに対して前記一致度を算出することを特徴とする請求項１記載の画像処理システム。
【請求項６】
複数の撮像装置で撮影された画像を取得する画像取得部と、
取得した前記画像に複数の箇所の範囲を設定し、より輝度変化の大きな範囲の輝度関数の一致度にもとづいて、撮影時刻のずれ量を検出して時刻補正を行う制御部と、
を有することを特徴とする画像処理装置。