【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板であって、
半導体素子が実装される一方の面及びその反対側の他方の面と、
前記他方の面となる前記絶縁層もしくはその近傍の前記絶縁層に埋め込まれ、開口部を備えたシート状部材と、
前記開口部を貫通して配置され、前記配線層に接続されたビアと、
前記開口部の側面と前記ビアとの間に形成された前記絶縁層とを備え、
前記シート状部材は、前記半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記一方の面となる前記絶縁層に前記半導体素子の実装用のパッドを備え、
前記パッドの表面が前記一方の面となる前記絶縁層の表面から露出し、前記パッドの側面及び裏面が前記絶縁層で被覆され、前記パッドの裏面にビアが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記他方の面となる前記絶縁層の上に形成された前記配線層が外部接続用のパッドを備え、
前記他方の面となる前記絶縁層の上に、前記外部接続用のパッドを露出するソルダレジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記シート状部材の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記シート状部材は、４２合金、３６合金、コバール、カーボンファイバクロス、セラミック材、及び石英ガラスのいずれかから形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記シート状部材は、前記半導体素子が実装された後の基板面と直交する方向での弾性率及び熱膨張係数の分布をほぼ対称系とするのに十分な弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線層及び前記絶縁層の材料としてそれぞれ銅及びエポキシ系樹脂が使用されたときに、前記シート状部材は、弾性率が１３０ＧＰａよりも大きく５００ＧＰａ以下の範囲内で、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内から選択された材料からなることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
支持基材上にパッドを形成する工程と、
前記支持基材上に、前記パッドを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドの位置に対応する絶縁層部分に形成されるビアホールを介して当該パッドに電気的に接続される配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層し、第１の絶縁層を露出させる工程と、
前記第１の絶縁層上に、実装される半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなり、所要の箇所に開口部を有するシート状部材を積層する工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記開口部を有するシート状部材を被覆するように第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上に、前記開口部の位置に対応する絶縁層部分に形成されるビアホールを介して下層の配線層に電気的に接続される最外層の配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記最外層の配線層を形成する工程において、前記最外層の配線層は外部接続用のパッドを備え、
前記支持基材を除去する工程の前に、前記外部接続用のパッドを露出するソルダレジスト層を前記第２の絶縁層上に形成する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
シート状部材を積層する工程は、前記前記シート状部材の表面を粗化することを含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シート状部材を積層する工程において、前記シート状部材は、４２合金、３６合金、コバール、カーボンファイバクロス、セラミック材、及び石英ガラスのいずれかから形成されることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有し、
一方の面及びその反対側の他方の面と、
前記他方の面となる前記絶縁層もしくはその近傍の前記絶縁層に埋め込まれ、開口部を備えたシート状部材と、
前記開口部を貫通して配置され、前記配線層に接続されたビアと、
前記開口部の側面と前記ビアとの間に形成された前記絶縁層とを
備えた配線基板と、
前記配線基板の一方の面側の最外層の絶縁層に、その電極端子が形成された面の裏面が当該絶縁層の表面に露出して埋め込まれた半導体素子と
を備え、
前記シート状部材は、前記半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体素子の前記電極端子が形成された面と側面とが前記一方の面となる前記絶縁層に被覆され、前記半導体素子の裏面が前記一方の面となる前記絶縁層から露出していることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記他方の面となる前記絶縁層の上に形成された前記配線層が外部接続用のパッドを備え、
前記他方の面となる前記絶縁層の上に、前記外部接続用のパッドを露出するソルダレジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記シート状部材の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記シート状部材は、４２合金、３６合金、コバール、カーボンファイバクロス、セラミック材、及び石英ガラスのいずれかから形成されることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記シート状部材は、前記半導体素子が実装された後の基板面と直交する方向での弾性率及び熱膨張係数の分布をほぼ対称系とするのに十分な弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記配線層及び前記絶縁層の材料としてそれぞれ銅及びエポキシ系樹脂が使用されたときに、前記シート状部材は、弾性率が１３０ＧＰａよりも大きく５００ＧＰａ以下の範囲内で、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内から選択された材料からなることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
支持基材上に、半導体素子をその電極端子が形成されている側の面を上にして搭載する工程と、
前記支持基材上に、前記半導体素子を封止するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記電極端子の位置に対応する絶縁層部分に形成されるビアホールを介して当該電極端子に電気的に接続される配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層し、第１の絶縁層を露出させる工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなり、所要の箇所に開口部を有するシート状部材を積層する工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記開口部を有するシート状部材を被覆するように第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上に、前記開口部の位置に対応する絶縁層部分に形成されるビアホールを介して下層の配線層に電気的に接続される最外層の配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記最外層の配線層を形成する工程において、前記最外層の配線層は外部接続用のパッドを備え、
前記支持基材を除去する工程の前に、前記外部接続用のパッドを露出するソルダレジスト層を前記第２の絶縁層の上に形成する工程を有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記シート状部材を積層する工程は、前記前記シート状部材の表面を粗化することを含むことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
シート状部材を積層する工程において、前記シート状部材は、４２合金、３６合金、コバール、カーボンファイバクロス、セラミック材、及び石英ガラスのいずれかから形成されることを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板であって、半導体素子が実装される一方の面及びその反対側の他方の面と、
前記他方の面となる前記絶縁層もしくはその近傍の前記絶縁層に埋め込まれ、開口部を備えたシート状部材と、前記開口部を貫通して配置され、前記配線層に接続されたビアと、前記開口部の側面と前記ビアとの間に形成された前記絶縁層とを備え、前記シート状部材は、前記半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有することを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の他の形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有し、一方の面及びその反対側の他方の面と、前記他方の面となる前記絶縁層もしくはその近傍の前記絶縁層に埋め込まれ、開口部を備えたシート状部材と、前記開口部を貫通して配置され、前記配線層に接続されたビアと、前記開口部の側面と前記ビアとの間に形成された前記絶縁層とを備えた配線基板と、前記配線基板の一方の面側の最外層の絶縁層に、その電極端子が形成された面の裏面が当該絶縁層の表面に露出して埋め込まれた半導体素子とを備え、前記シート状部材は、前記半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有することを特徴とする半導体装置が提供される。