【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、
前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、
前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、
前記開口の形状は、第１方向に沿った部分と前記第１方向に交差する第２方向に沿った部分とを有する十字型の部分を含み、
前記光電変換素子は、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に配されており、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の内側に配されており、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第３半導体領域と、を含み、
前記第３半導体領域は、平面視において前記十字型の部分の交差部に重なる第１部分と、平面視において前記第１部分から前記第１方向と前記第２方向とのそれぞれに向かって前記開口に重なって延びている複数の第２部分とを含む
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路をさらに有し、
前記光電変換素子は、前記第３半導体領域の内側に配されて前記画素内読出回路に接続されており、前記第３半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第４半導体領域を含み、
前記第３半導体領域の前記第１部分の内側に前記第４半導体領域が配される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の第２部分のそれぞれは、前記第１部分から離れるほど幅が細くなることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第４半導体領域と前記画素内読出回路とを接続する配線パターンの一部は、平面視において前記開口に重なる位置に配される
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路をさらに有し、
前記光電変換素子と前記画素内読出回路とを接続する配線パターンの一部は、平面視において前記開口に重なる位置に配される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、
前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、
前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、
各開口は周期的に配置された複数の開口を含む
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、
前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、
前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、
前記開口の形状は、第１方向に沿った部分と前記第１方向に交差する第２方向に沿った部分とを有する十字型の部分を含み、
前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路をさらに有し、
前記光電変換素子と前記画素内読出回路とを接続する配線パターンの一部は、平面視において前記開口に重なる位置に配される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記光電変換素子の上にシンチレータをさらに備え、
前記シンチレータで変換された光は前記光電変換素子へ集光するためのマイクロレンズを介さずに前記光電変換素子へ照射される
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの側面に係る固体撮像装置は、光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、前記開口の形状は、第１方向に沿った部分と前記第１方向に交差する第２方向に沿った部分とを有する十字型の部分を含み、前記光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の上に配されており、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域の内側に配されており、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第３半導体領域と、を含み、前記第３半導体領域は、平面視において前記十字型の部分の交差部に重なる第１部分と、平面視において前記第１部分から前記第１方向と前記第２方向とのそれぞれに向かって前記開口に重なって延びている複数の第２部分とを含むことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る固体撮像装置は、光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、各開口は周期的に配置された複数の開口を含むことを特徴とする。
本発明のさらに別の側面に係る固体撮像装置は、光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、前記遮光層は、互いに隣接する前記光電変換素子の間の領域の少なくとも一部を覆い、前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口とを有し、前記開口の形状は、第１方向に沿った部分と前記第１方向に交差する第２方向に沿った部分とを有する十字型の部分を含み、前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路をさらに有し、前記光電変換素子と前記画素内読出回路とを接続する配線パターンの一部は、平面視において前記開口に重なる位置に配されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
画素２０１は、隣接する複数の画素２０１の光信号を加算する加算スイッチ３４６を有してもよい。加算モード時には、加算モード信号ＡＤＤがアクティブレベルになり、加算スイッチ３４６がオン状態になる。これにより、隣接する画素２０１の容量３４２が加算スイッチ３４６によって相互に接続されて、光信号が平均化される。同様に、画素２０１は、隣接する複数の画素２０１のノイズ信号を加算する加算スイッチ３６６を有してもよい。加算スイッチ３６６がオン状態になると、隣接する画素２０１の容量３６２が加算スイッチ３６６によって相互に接続されて、ノイズが平均化される。