Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂組成物又は該エポキシ樹脂組成物が多孔質基材に含浸されているプリプレグが予備硬化され、次に粗化処理された予備硬化体を最終硬化させた硬化体であって、
前記エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂と、硬化剤と、シリカ粒子がシランカップリング剤により表面処理されているシリカ成分とを含有し、
前記エポキシ樹脂組成物が、硬化促進剤を含有しないか、又は前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計１００重量部に対して硬化促進剤を３．５重量部以下の含有量で含有し、
前記シリカ粒子の平均粒子径が１μｍ以下であり、
前記シリカ成分における前記シリカ粒子１ｇ当たりの前記シランカップリング剤の表面処理量Ｂ（ｇ）が、下記式（Ｘ）により算出されるシリカ粒子１ｇ当たりの値Ｃ（ｇ）に対して１０〜８０％の範囲内にあり、
予備硬化時の動的粘弾性装置により測定されたガラス転移温度をＴｇ（１）、最終硬化時の動的粘弾性装置により測定されたガラス転移温度をＴｇ（２）としたときに、Ｔｇ（１）／Ｔｇ（２）が０．６以上であるように予備硬化されかつ最終硬化されている、硬化体。
Ｃ（ｇ）／シリカ粒子１ｇ＝［シリカ粒子の比表面積（ｍ２／ｇ）／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）］    ・・・式（Ｘ）
【請求項２】
前記エポキシ樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計１００重量部に対して、前記シリカ成分を１０〜４００重量部の範囲内で含有する、請求項１に記載の硬化体。
【請求項３】
前記硬化剤が、ビフェニル構造を有するフェノール化合物、ナフタレン構造を有するフェノール化合物、ジシクロペンタジエン構造を有するフェノール化合物、アミノトリアジン構造を有するフェノール化合物、活性エステル化合物及びシアネートエステル樹脂からなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１または２に記載の硬化体。
【請求項４】
前記硬化促進剤が、イミダゾール化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項５】
前記硬化促進剤が、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾールからなる群から選択された少なくとも１種である、請求項４に記載の硬化体。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計１００重量部に対して、イミダゾールシラン化合物を０．０１〜３重量部の範囲内でさらに含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項７】
前記エポキシ樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂及び前記硬化剤の合計１００重量部に対して、有機化層状珪酸塩を０．０１〜３重量部の範囲内でさらに含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項８】
前記エポキシ樹脂組成物が、多孔質基材に含浸されているプリプレグが予備硬化され、次に粗化処理された硬化体である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項９】
粗化処理された表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以下であり、かつ十点平均粗さＲｚが３．０μｍ以下である粗化処理された予備硬化体を最終硬化させた硬化体である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項１０】
前記予備硬化の後、かつ前記粗化処理される前に、膨潤処理されており、さらに粗化処理の後に硬化されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の硬化体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の硬化体が、シート状に成形されている、シート状成形体。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシート状成形体と、該シート状成形体の少なくとも片面に積層されている金属層とを備える、積層板。
【請求項１３】
前記金属層が、回路として形成されている、請求項１２に記載の積層板。
【請求項１４】
積層された複数の請求項１１に記載のシート状成形体と、該シート状成形体の間に配置された少なくとも１つの金属層とを備える、多層積層板。
【請求項１５】
最表層の前記シート状成形体の外側の表面に積層された金属層をさらに備える、請求項１４に記載の多層積層板。
【請求項１６】
前記金属層が、回路として形成されている、請求項１４または１５に記載の多層積層板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】硬化体、シート状成形体、積層板及び多層積層板
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）（式中、Ｒは低級アルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ＹはＣＨ２又はＣＯを表す。）
で示される化合物。
【化１】
2011174710.tif 000001
【請求項２】
試料中エストロン類のＬＣ−ＭＳによる測定法であって、
１）試料からステロイドを抽出する工程、
２）上記１）で得られた抽出物に対して下記式（２）
【化２】
2011174710.tif 000002
（式中、Ｘはハロゲン原子を表し、ＹはＣＨ２又はＣＯを表し、Ｌは脱離基を表す。）
で示されるペンタハロゲン化ベンジル化合物又はペンタハロゲン化ベンゾイル化合物をアルカリ条件下で反応させる工程、
３）上記２）で得られた反応物に含まれるエストロン類のペンタハロゲン化ベンジル誘導体又はペンタハロゲン化ベンゾイル誘導体にヒドラジノ−１−低級アルキルピリジンを酸性条件下で反応させる工程、及び
４）上記３）で得られた反応物に含まれるエストロン類のペンタハロゲン化ベンジル−又はペンタハロゲン化ベンゾイル−１−低級アルキルピリジニウムヒドラゾンをＬＣ−ＭＳで測定する工程、
を含むことを特徴とする、測定方法。
【請求項３】
以下の工程：
１）ペンタハロゲン化ベンジル化合物又はペンタハロゲン化ベンゾイル化合物をアルカリ条件下で反応させた後、順相カラムを用いてエストラジオール類のペンタハロゲン化ベンジル又はペンタハロゲン化ベンゾイル誘導体とエストロン類のペンタハロゲン化ベンジル又はペンタハロゲン化ベンゾイル誘導体を分離する工程、
２）上記１）で得られたエストラジオール類のペンタハロゲン化ベンジル又はペンタハロゲン化ベンゾイル誘導体にハロゲノ−１−低級アルキルピリジンを反応させる工程、及び
３）エストロン類のペンタハロゲン化ベンジル−又はペンタハロゲン化ベンゾイル−１−低級アルキルピリジニウムヒドラゾンをＬＣ−ＭＳで測定する際に、上記２）で得られたエストラジオール類のペンタハロゲン化ベンジル−又はペンタハロゲン化ベンゾイル−１−低級アルキルピリジニウム誘導体を合わせて同時に測定する工程、
を更に含む、請求項２に記載の測定方法。
【請求項４】
固相抽出カラムを用いて試料から中性ステロイドを除去する工程を更に含む、請求項２又は３に記載の測定方法。
【請求項５】
ヒドラジノ−１−低級アルキルピリジンが２−ヒドラジノ−１−低級アルキルピリジンである、請求項２〜４のいずれかに記載の測定方法。
【請求項６】
ＬＣ−ＭＳ測定において、イオン化が正イオン検出エレクトロスプレーイオン化で行われる請求項２〜５のいずれかに記載の測定方法。
【請求項７】
試料が、ヒトを含む動物の血液、唾液、尿、組織及び生体細胞又は廃水、河川水又は医薬品からなる群より選択される、請求項２〜６のいずれかに記載の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線のタルボ効果を用いて被検査物を撮像するＸ線撮像装置であって、
Ｘ線源からのＸ線で周期的な明暗パターンを形成する第１の格子と、
前記明暗パターンが形成される位置に配置され、該明暗パターンの一部を遮光する第２の格子と、
前記第２の格子からのＸ線を検出するＸ線強度検出器と、を備え、
前記第２の格子は、第１の遮光パターンが形成された第１の領域と第２の遮光パターンが形成された第２の領域とを有し、
前記第１の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向と、前記第２の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向とが、異なることを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項２】
前記第１の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向と、前記第２の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向とが、逆方向であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像装置。
【請求項３】
前記Ｘ線強度検出器による検出結果に基づいて前記Ｘ線の位相情報を算出する演算装置を備え、
前記演算装置は、
前記検出器によって検出された、前記第１の領域からのＸ線の強度情報と前記第２の領域からのＸ線の強度情報とを用いて、前記位相情報を算出することを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線撮像装置。
【請求項４】
前記演算装置は、
前記第１の領域からのＸ線の強度情報と前記第２の領域からのＸ線の強度情報とを用いて、前記被検査物によるＸ線の透過率分布への影響を低減する演算を行なうことを特徴とする請求項３に記載のＸ線撮像装置。
【請求項５】
前記演算装置は、
前記第１の領域からのＸ線の強度情報と前記第２の領域からのＸ線の強度情報との和および差を用い、前記位相情報を算出することを特徴とする請求項３または４に記載のＸ線撮像装置。
【請求項６】
前記位相情報は、
前記被検査物の透過波面の傾き及び透過波面の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【請求項７】
前記第２の格子は、前記第１の格子の第１の遮光パターンが前記明暗パターンを遮光する方向と直交する方向に前記明暗パターンを遮光する第３の遮光パターンを有する第３の領域と、
該第３の遮光パターンとは前記明暗パターンの遮光する方向が逆方向の第４の遮光パターンを有する第４の領域とを備え、
前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域と、前記第４の領域とが、互いに隣接していることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【請求項８】
前記第１の領域と、前記第２の領域とは、前記Ｘ線強度検出器の画素のサイズとされていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、Ｘ線のタルボ効果を用いて被検査物を撮像するＸ線撮像装置であって、
Ｘ線源からのＸ線で周期的な明暗パターンを形成する第１の格子と、
前記明暗パターンが形成される位置に配置され、該明暗パターンの一部を遮光する第２の格子と、
前記第２の格子からのＸ線を検出するＸ線強度検出器と、を備え、
前記第２の格子は、第１の遮光パターンが形成された第１の領域と第２の遮光パターンが形成された第２の領域とを有し、
前記第１の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向と、前記第２の遮光パターンが前記明暗パターンの明部を遮光する方向とが、異なることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【数２】
2011174785.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
実像および虚像からなる積分空間における、半球部１の曲率の中心Ｏからの全立体角は４πであるから，積分空間の内面積に対する非鏡面反射領域による影Ｓ（Ａの反射光によってできる影の球帽）の割合Ｒは、ωＳ／４πとなる。したがって、平面部１０の非鏡面反射領域の鉛直方向に対して角度βにある半球部１の壁面上の点Ａ’で生じた反射光による影Ｓ’の割合Ｒ（β）は、（３）式のように表わすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め保持された対象物体の三次元形状モデルを構成する幾何特徴のずれの統計量を算出する統計量算出手段と、
前記ずれの統計量に基づいて、前記幾何特徴ごとの信頼度を算出する信頼度算出手段と、
撮像手段によって撮像された撮像画像の画像特徴を抽出する画像特徴抽出手段と、
前記幾何特徴と前記画像特徴とを対応付けする対応付け手段と、
前記幾何特徴と前記画像特徴とのずれ量を算出するずれ量算出手段と、
前記信頼度及び前記ずれ量に基づいて、前記対象物体の位置姿勢を推定する位置姿勢推定手段と
を有することを特徴とする位置姿勢推定装置。
【請求項２】
前記統計量算出手段は、
前記三次元形状モデルの公差データに基づいて、前記統計量を算出することを特徴とする請求項１に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項３】
前記統計量算出手段は、
前記三次元形状モデルを構成する線分を抽出するモデル特徴抽出手段と、
前記線分のずれの要因となる公差を抽出する公差抽出手段と、
前記線分の所定間隔ごとの前記公差の値を算出する公差値算出手段と、
前記公差の値の最大値における公差のベクトルを生成し、前記ベクトルを統計量とする統計量決定手段と
を有することを特徴とする請求項２に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項４】
前記統計量は、確率分布で表現されることを特徴とする請求項２に記載の位置姿勢推定
装置。
【請求項５】
前記統計量算出手段は、
前記三次元形状モデルを構成する線分を抽出するモデル特徴抽出手段と、
前記線分のずれの要因となる公差を抽出する公差抽出手段と、
前記線分の所定間隔ごとの前記公差の値を算出する公差値算出手段と、
前記公差の値に基づく正規分布のベクトルを生成し、前記ベクトルを統計量とする統計量決定手段と
を有することを特徴とする請求項４に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項６】
前記統計量算出手段は、
前記三次元形状モデルを構成する面を抽出するモデル特徴抽出手段と、
前記面の重心における前記公差の値を算出する公差値算出手段と、
前記公差の値の最大値における公差のベクトルを生成し、前記ベクトルを統計量とする統計量決定手段と
を有することを特徴とする請求項２に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項７】
前記対象物体の形状を構成する幾何特徴を計測する物体計測手段とを更に有し、
前記統計量算出手段は、前記計測した結果と前記三次元形状モデルとのずれに基づいて、前記統計量を算出することを特徴とする請求項１に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項８】
前記物体計測手段は、複数の物体ごとに複数回計測することを特徴とする請求項７に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項９】
前記物体計測手段は、複数の計測位置ごとに複数回計測することを特徴とする請求項７又は８に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１０】
前記幾何特徴が、点、若しくは、線分、若しくは、面であることを特徴とする請求項１
乃至９の何れか１項に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１１】
前記信頼度算出手段は、前記統計量が小さいほど信頼度を高く算出することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１２】
前記信頼度算出手段は、尤度関数を用いることにより、信頼度を算出することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１３】
前記対象物体の位置姿勢の概略値を入力する概略値入力工程と、を更に有し、
前記位置姿勢推定手段は、
前記信頼度及び前記ずれ量及び前記概略値に基づいて、前記対象物体の位置姿勢の補正値を算出する位置姿勢補正値算出手段と、
前記補正値に基づいて、前記対象物体の位置姿勢の概略値を補正する位置姿勢補正手段と
を有することを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１４】
前記対象物体を撮像する撮像手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１５】
前記撮像手段が、現実空間の距離画像を撮像画像として撮像することを特徴とする請求
項１４に記載の位置姿勢推定装置。
【請求項１６】
対象物体の位置姿勢を求める位置姿勢推定方法であって、
統計量算出手段が、予め保持された前記対象物体の三次元形状モデルを構成する幾何特徴のずれの統計量を算出する統計量算出工程と、
信頼度算出手段が、前記ずれの統計量に基づいて、前記幾何特徴ごとの信頼度を算出す
る信頼度算出工程と、
画像特徴抽出手段が、撮像手段によって撮像された撮像画像の画像特徴を抽出する画像
特徴抽出工程と、
対応付け手段が、前記幾何特徴と前記画像特徴とを対応付けする対応付け工程と、
ずれ量算出手段が、前記幾何特徴と前記画像特徴とのずれ量を算出するずれ量算出工程
と、
位置姿勢推定手段が、前記信頼度及び前記ずれ量に基づいて、前記対象物体の位置姿勢を推定する位置姿勢推定工程と
を有することを特徴とする位置姿勢推定方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の位置姿勢推定方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置姿勢推定装置、位置姿勢推定方法、プログラム、記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の位置姿勢推定装置は、例えば、予め保持された対象物体の三次元形状モデルを構成する幾何特徴のずれの統計量を算出する統計量算出手段と、前記ずれの統計量に基づいて、前記幾何特徴ごとの信頼度を算出する信頼度算出手段と、撮像手段によって撮像された撮像画像の画像特徴を抽出する画像特徴抽出手段と、前記幾何特徴と前記画像特徴とを対応付けする対応付け手段と、前記幾何特徴と前記画像特徴とのずれ量を算出するずれ量算出手段と、前記信頼度及び前記ずれ量に基づいて、前記対象物体の位置姿勢を推定する位置姿勢推定手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体に、可視域の光及び可視域外の光を含む光を照射する光照射工程と、
前記光照射工程により照射された前記光の前記媒体からの拡散反射光を、複数の領域に分割する領域分割工程と、
前記領域分割工程により前記複数の領域に分割された拡散反射光を、前記可視域及び前記可視域外で分光する分光工程と、
可視光受光領域と可視外光受光領域とを備えた分光センサが前記複数の領域に対応して複数個配列された分光センサアレイにより、前記可視域で分光された前記拡散反射光を可視光受光領域で受光し、前記可視域外で分光された前記拡散反射光を可視外光受光領域で受光する受光工程と、を有し、
前記受光工程で受光した前記可視域の前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の色を計測し、
前記受光工程で受光した前記可視域外の前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の透明を呈する色材の状態を計測する画像特性計測方法。
【請求項２】
更に、前記光の前記媒体からの拡散反射光を、前記領域分割工程を実行する領域分割手段に集光する第１の結像工程と、
前記領域分割工程により前記複数の領域に分割された前記拡散反射光を、それぞれ対応する前記分光センサに集光する第２の結像工程と、を有する請求項１記載の画像特性計測方法。
【請求項３】
前記可視外光受光領域は、赤外光を受光する赤外光受光領域であり、
前記可視光受光領域に照射される紫外光の２次回折像を遮断する紫外光遮断工程と、
前記赤外光受光領域に照射される可視光の２次回折像を遮断する可視光遮断工程と、を更に有する請求項１又は２記載の画像特性計測方法。
【請求項４】
前記領域分割工程により前記複数の領域に分割された前記拡散反射光を分岐する光路分岐工程を更に有し、
前記分光工程は、前記光路分岐工程により分岐された一方の前記拡散反射光を前記可視域で分光する第１の分光工程と、前記光路分岐工程により分岐された他方の前記拡散反射光を前記可視域外で分光する第２の分光工程と、を含み、
前記受光工程は、前記第１の分光工程により前記可視域で分光された前記拡散反射光を、分光センサが前記複数の領域に対応して複数個配列された第１の分光センサアレイで受光する第１の受光工程と、前記第２の分光工程により前記可視域外で分光された前記拡散反射光を、分光センサが前記複数の領域に対応して複数個配列された第２の分光センサアレイで受光する第２の受光工程と、を含み、
前記第１の受光工程で受光した前記可視域で分光された前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の色を計測し、
前記第２の受光工程で受光した前記可視域外の前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の透明を呈する色材の状態を計測する請求項１乃至３の何れか一項記載の画像特性計測方法。
【請求項５】
前記光照射工程により照射された前記光の前記領域分割工程を実行する領域分割手段に相当する位置の正反射光量を、受光素子アレイにより取得する正反射光量取得工程を更に有する請求項１乃至４の何れか一項記載の画像特性計測方法。
【請求項６】
前記媒体上の画像形成領域外で反射し分光された拡散反射光の受光強度、及び前記媒体上の画像形成領域外で反射した正反射光の受光強度を取得する請求項１乃至５の何れか一項記載の画像特性計測方法。
【請求項７】
媒体に、可視域の光及び可視域外の光を含む光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段により照射された前記光の前記媒体からの拡散反射光を、複数の領域に分割する領域分割手段と、
前記領域分割手段により前記複数の領域に分割された拡散反射光を、前記可視域及び前記可視域外で分光する分光手段と、
前記可視域で分光された前記拡散反射光を受光する可視光受光領域と、前記可視域外で分光された前記拡散反射光を受光する可視外光受光領域とを備えた分光センサが、前記複数の領域に対応して複数個配列された分光センサアレイと、を有する画像特性計測装置。
【請求項８】
請求項７記載の画像特性計測装置と、
前記画像特性計測装置と計測対象物との相対的な位置関係を変える移動手段と、を有する画像評価装置。
【請求項９】
請求項７記載の画像特性計測装置と、
前記画像特性計測装置に対し画像形成装置内で相対的に移動する計測対象物の全面を計測し、色変動量及び透明画像形成変動がある場合はフィードバック補正する画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本画像特性計測方法は、媒体に、可視域の光及び可視域外の光を含む光を照射する光照射工程と、前記光照射工程により照射された前記光の前記媒体からの拡散反射光を、複数の領域に分割する領域分割工程と、前記領域分割工程により前記複数の領域に分割された拡散反射光を、前記可視域及び前記可視域外で分光する分光工程と、可視光受光領域と可視外光受光領域とを備えた分光センサが前記複数の領域に対応して複数個配列された分光センサアレイにより、前記可視域で分光された前記拡散反射光を可視光受光領域で受光し、前記可視域外で分光された前記拡散反射光を可視外光受光領域で受光する受光工程と、を有し、前記受光工程で受光した前記可視域の前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の色を計測し、前記受光工程で受光した前記可視域外の前記拡散反射光の受光強度により、前記複数の領域の透明を呈する色材の状態を計測することを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本画像特性計測装置は、媒体に、可視域の光及び可視域外の光を含む光を照射する光照射手段と、前記光照射手段により照射された前記光の前記媒体からの拡散反射光を、複数の領域に分割する領域分割手段と、前記領域分割手段により前記複数の領域に分割された拡散反射光を、前記可視域及び前記可視域外で分光する分光手段と、前記可視域で分光された前記拡散反射光を受光する可視光受光領域と、前記可視域外で分光された前記拡散反射光を受光する可視外光受光領域とを備えた分光センサが、前記複数の領域に対応して複数個配列された分光センサアレイと、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
詳しく説明すると、図７に示す断面において、第二の柱部３２に近い領域、具体的には、仮想の円の外形線３５と仮想の柱部３８の外形線３９との交点４１から、第二の柱部３２にさらに移動方向に隣り合う第三の柱部４２において、第三の柱部４２の中心４３を中心として第二の柱部３２の外形線３４に接する仮想の円の外形線４４と仮想の柱部３８の外形線３９との交点４５までの長さ方向の領域においては、側壁２３を構成する線は、仮想の柱部３８の外形線３９となる。この第二の柱部３２に近い領域、具体的には、交点４１から交点４５までの長さ方向の領域において、側壁２３は、柱部３８の外形面に沿った曲面となる。また、交点４１の下流側であって第一の柱部３１に近い領域では、側壁２３を構成する線は、仮想の円の外形線３５に沿った線となる。交点４７の上流側であって第三の柱部４２に近い領域においては、側壁２３を構成する線は、仮想の円の外形線４４に沿った線となる。そして、仮想の柱部３８の中心３７を通り、長さ方向に真直ぐに延びる線を図７中の二点鎖線で示す基準線４６とすると、図７に示す断面において側壁２３を構成する線は、この基準線４６に対して凹凸を繰り返す形状、すなわち、流路１２の中心側、この場合、図７における紙面上方向に向かって基準線４６から突出する部分と、流路１２の中心から離れる側、この場合、図７における紙面下方向に向かって基準線４６から凹む部分とが、長さ方向において交互に繰り返し出現する形状である。繰り返す側壁形状の単位については、描いた仮想の円の外形線３５と同様にして作図される仮想の柱部の外形線（図示せず）との交点４７から交点４５までの長さ方向の領域Ａ５が繰り返す側壁形状の単位であり、この領域において形成される側壁形状を、設けられる複数の柱部２６の数に応じて繰り返す形状となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、図１０は、従来における第二のカラムの流路の構成を示す図である。図１１は、図１０中のＸＩで示す部分の拡大図である。図１０は、図５に対応し、図１１は、図６に対応する。図１０および図１１は、非特許文献１のＦｉｇｕｒｅ  １．（ｃ）に開示された流路のモデルである。具体的には、従来の第二のカラム５６は、側壁５７を長さ方向に真直ぐ連ねた構成である。図１１中で示す第一の柱部に該当する柱部５８と側壁５７との最短距離である幅方向の長さ寸法Ｃ２は、１μｍであり、図１１中で示す第二の柱部に該当する柱部５９と側壁５７との最短距離である幅方向の長さ寸法Ｃ１は、４μｍである。なお、柱部間の最短距離は、２μｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱センサー素子と、
前記熱センサー素子の一端のノードである検出ノードの電圧を検出する検出回路と、
前記検出回路の読み出しノードに接続される読み出し回路とを含み、
前記検出回路は、前記検出ノードによりゲートが制御される駆動トランジスターを含み、
プログラム期間において、前記検出ノードが前記駆動トランジスターのしきい値電圧に設定され、
前記プログラム期間の後の読み出し期間において、前記読み出し回路が前記検出回路の検出結果の読み出し動作を行うことを特徴とする検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記検出回路は、前記駆動トランジスターのドレインと前記検出ノードとの間に設けられるプログラミング用トランジスターを含み、
前記プログラミング用トランジスターは、前記プログラム期間においてオン状態であり、前記読み出し期間においてオフ状態であることを特徴とする検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記読み出しノードは、前記駆動トランジスターのソースノードであり、
前記読み出し回路は、前記駆動トランジスターの前記ソースノードの電圧を読み出すことを特徴とする検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記読み出しノードと第１の電源ノードとの間に設けられ、前記駆動トランジスターの電流供給能力のばらつきを補償する補償回路を含むことを特徴とする検出装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記補償回路は、前記読み出しノードと前記第１の電源ノードとの間に設けられる抵抗素子又はトランジスターを含むことを特徴とする検出装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記検出回路は、
前記駆動トランジスターのゲートと前記検出ノードとの間に設けられるスイッチ用トランジスターと、
前記検出ノードと前記第１の電源ノードとの間に設けられるリセット用トランジスターとを含み、
前記スイッチ用トランジスターは、前記プログラム期間においてオフ状態であり、前記読み出し期間においてオン状態であり、
前記リセット用トランジスターは、前記プログラム期間においてオン状態であり、前記読み出し期間においてオフ状態であることを特徴とする検出装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記読み出し回路は、前記読み出しノードと前記第１の電源ノードとの間に設けられる電流パス用トランジスターを含み、
前記電流パス用トランジスターは、前記プログラム期間においてオン状態であり、前記読み出し期間においてオフ状態であることを特徴とする検出装置。
【請求項８】
複数のセンサーセルを有するセンサーアレイと、
１又は複数の行線と、
１又は複数の列線と、
前記１又は複数の行線に接続される行選択回路と、
前記１又は複数の列線に接続される読み出し回路とを含み、
前記複数のセンサーセルの各センサーセルは、熱センサー素子と、前記熱センサー素子の一端のノードである検出ノードの電圧を検出する検出回路とを含み、
前記検出回路は、前記検出ノードによりゲートが制御される駆動トランジスターを含み、
プログラム期間において、前記検出ノードが前記駆動トランジスターのしきい値電圧に設定され、
前記プログラム期間の後の読み出し期間において、前記読み出し回路が、前記１又は複数の列線の各列線に接続される前記検出回路の検出結果の読み出し動作を行うことを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の検出装置を含む電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載のセンサーデバイスを含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱センサー素子の一端のノードである検出ノードと第１の電源ノードとの間に設けられる放電回路と、
前記検出ノードと第２の電源ノードとの間に設けられる充電回路とを含み、
前記放電回路は、前記検出ノードと前記第１の電源ノードとの間に直列に設けられる放電用抵抗素子及び放電用トランジスターを有することを特徴とする熱センサー用検出回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記充電回路は、前記第２の電源ノードと前記検出ノードとの間に設けられる充電用トランジスターを含み、
充電期間では、前記充電用トランジスターはオン状態になり、前記放電用トランジスターはオフ状態になり、
放電期間では、前記充電用トランジスターはオフ状態になり、前記放電用トランジスターはオン状態になることを特徴とする熱センサー用検出回路。
【請求項３】
請求項２において、
制御回路と、
前記検出ノードの電圧を検出する電圧検出回路とを含み、
前記制御回路は、
前記充電期間では、前記充電用トランジスターをオン状態にし、前記放電用トランジスターをオフ状態にする制御を行い、
前記放電期間では、前記充電用トランジスターをオフ状態にし、前記放電用トランジスターをオン状態にする制御を行い、
前記放電期間の後の読み出し期間では、前記充電用トランジスターをオフ状態にし、前記放電用トランジスターをオフ状態にする制御を行い、前記電圧検出回路に対して前記検出ノードの電圧をサンプリングする指示を行うことを特徴とする熱センサー用検出回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記制御回路は、前記熱センサー素子の測定モードに応じて、前記放電用トランジスターをオフ状態にするタイミングを切り換えることを特徴とする熱センサー用検出回路。
【請求項５】
請求項４において、
前記制御回路は、前記熱センサー素子の測定モードが低温測定モードである場合には、前記放電用トランジスターをオフ状態にするタイミングを、前記測定モードが高温測定モードである場合よりも早いタイミングに設定することを特徴とする熱センサー用検出回路。
【請求項６】
複数のセンサーセルを有するセンサーアレイと、
１又は複数の行線と、
１又は複数の列線と、
前記１又は複数の行線に接続される行選択回路と、
前記１又は複数の列線に接続される読み出し回路と、
制御回路とを含み、
前記複数のセンサーセルの各センサーセルは、
熱センサー素子と、
前記熱センサー素子の一端のノードである検出ノードと第１の電源ノードとの間に設けられる放電回路と、
前記検出ノードと第２の電源ノードとの間に設けられる充電回路と、
前記検出ノードと前記１又は複数の列線のいずれかとの間に設けられる選択用スイッチ素子とを含むことを特徴とする熱センサーデバイス。
【請求項７】
複数のセンサーセルを有するセンサーアレイと、
１又は複数の行線と、
１又は複数の列線と、
前記１又は複数の行線に接続される行選択回路と、
前記１又は複数の列線に接続される読み出し回路と、
制御回路とを含み、
前記複数のセンサーセルの各センサーセルは、
熱センサー素子と、
前記熱センサー素子の一端のノードである検出ノードと第２の電源ノードとの間に設けられる充電回路と、
前記検出ノードと前記１又は複数の列線のいずれかとの間に設けられる選択用スイッチ素子とを有し、
前記読み出し回路は、前記１又は複数の列線のいずれかと第１の電源ノードとの間に設けられる放電用抵抗素子を有し、
充電期間では、前記充電回路により充電を行い、前記充電期間の後の放電期間では、前記選択用スイッチ素子をオン状態にして、前記放電用抵抗素子を介して放電を行うことを特徴とする熱センサーデバイス。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれかに記載の熱センサー用検出回路を含む電子機器。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の熱センサーデバイスを含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層の側の表面に有機配向層を結合した無機配向膜を備える液晶表示装置の、前記基板の前記有機配向層の除去領域にエネルギー線を照射し、前記有機配向層を除去する液晶表示装置の製造方法であって、
前記除去領域に対応する開口部を備え、前記開口部の前記液晶表示装置の表示部との境界線に直交する方向の開口長さの５倍以上の板厚を有するマスクを前記基板面に対向配置し、エネルギー線を照射する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスクと前記基板との隙間δは
０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍ
の範囲に離間させて配置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記エネルギー線が紫外線である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクがステンレススチールである、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去領域が、前記基板間に液晶を注入する注入口形成領域である、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層の側の表面に有機配向層を結合した無機配向膜を備える液晶表示装置の、マスクによって前記基板の前記有機配向層の除去領域に限定してエネルギー線を照射し、前記有機配向層を除去する液晶表示装置の製造装置であって、
前記マスクと前記基板とに予め設けたアライメントマークを基準に位置合わせを行い、対向配置し、前記マスクの開口部からエネルギー線を照射する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記マスクと前記基板との隙間δは
０ｍｍ＜δ≦０．５ｍｍ
の範囲に離間させて配置する、
ことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記エネルギー線がＵＶ光源からの紫外線である、
ことを特徴とする請求項６または７に記載の液晶表示装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置の製造装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の凸部と、前記凸部を囲む連続した凹部とを有する微細構造体を有し、前記微細構造の凹部の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、
微細構造体の凹部の底部からめっきして前記微細構造体の凹部に第１のめっき層を形成する工程と、
前記第１のめっき層上の全部または少なくとも一部に中間めっき層を形成する工程と、
前記中間めっき層上に第２のめっき層を形成する工程と、
前記モールドと前記中間めっき層との少なくとも一部を、前記第１のめっき層と前記第２のめっき層とから分離して、前記第１のめっき層と前記第２のめっき層の全部または少なくとも一部分が分離されたマイクロ構造体を得る工程と、を有することを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記マイクロ構造体を得る工程において、
前記中間めっき層と前記モールドをエッチングによって除去することで、前記モールドと前記中間めっき層との少なくとも一部を、前記第１のめっき層と前記第２のめっき層とから分離し、
前記エッチングの際に、選択的に前記第１および第２のめっき層を残すことができる材料の組み合わせで、前記第１のめっき層、前記第２のめっき層、前記中間めっき層および前記モールドが構成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第１のめっき層を形成する工程と、前記第１のめっき層上の全部または少なくとも一部に中間めっき層を形成する工程と、前記中間めっき層上に第２のめっき層を形成する工程と、を複数回繰り返し行うことを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項４】
前記マイクロ構造体において、前記第１のめっき層と前記第２のめっき層とが連結部により連結されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第１のめっき層上の一部に中間めっき層を形成し、前記中間めっき層及び前記中間めっき層が形成されていない第１のめっき層上に第２のめっき層を形成することで、前記連結部を形成することを特徴とする請求項４に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項６】
前記連結部は、蝶番構造を有することを特徴とする請求項４に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第１のめっき層および第２のめっき層の材料が同一または異なることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの項に記載のマイクロ構造体の製造方法。
【請求項８】
第１のめっき層と第２のめっき層とを有し、
前記第１のめっき層と前記第２のめっき層とは連結部により連結され、
前記連結部は、前記第１のめっき層と前記第２のめっき層との少なくともいずれかの一部を有することを特徴とするマイクロ構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とを含む酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）であって、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、ｐ型の導電性を有する、
酸化物膜。
【請求項２】
前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．５以上３未満である、
請求項１に記載の酸化物膜。
【請求項３】
前記酸化物膜が、微結晶の集合体又は微結晶を含むアモルファス状であって、１Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する、
請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
【請求項４】
４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光線の透過率が、４０％以上である、
請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
【請求項５】
表面の二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、
請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
【請求項６】
前記銅（Ｃｕ）の価数が１である、
請求項１又は請求項２に記載の酸化物膜。
【請求項７】
ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）のターゲットの構成原子を飛散させることにより、基板上に微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であってｐ型の導電性を有する第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む、
酸化物膜の製造方法。
【請求項８】
前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．５以上３未満となる、
請求項７に記載の酸化物膜の製造方法。
【請求項９】
前記第１酸化物膜を、酸素濃度が１％未満の環境下において２００℃以上５００℃以下で加熱することにより第２酸化物膜を形成する工程をさらに含む、
請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
【請求項１０】
前記第１酸化物膜を、酸素濃度が１％未満の環境下において２００℃以上４００℃未満で加熱することにより第２酸化物膜を形成する工程をさらに含む、
請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
【請求項１１】
第１酸化物膜を形成するときの前記基板の温度が０℃以上５００℃以下である、
請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
【請求項１２】
前記ターゲットの構成原子を、スパッタリング又はパルスレーザーの照射により飛散させることによって前記第１酸化物膜を形成する、
請求項７又は請求項８に記載の酸化物膜の製造方法。
【請求項１３】
ニオブ（Ｎｂ）と銅（Ｃｕ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）であって、
前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．２５以上４以下である、
ターゲット。
【請求項１４】
前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．６６以上１．５以下である、
請求項１３に記載のターゲット。
【請求項１５】
前記ターゲットが、焼結されたものであって、相対密度が５５％以上である、
請求項１３又は請求項１４に記載のターゲット。
【請求項１６】
ニオブ（Ｎｂ）の酸化物（不可避不純物を含み得る）と銅（Ｃｕ）の酸化物（不可避不純物を含み得る）とを、前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．２５以上４以下となる割合で混合することにより混合物を得る混合工程と、
前記混合物を圧縮成形することにより成形体を得る成形工程と、
前記成形体を加熱することによって焼結させる焼結工程とを含む、
酸化物焼結体の製造方法。
【請求項１７】
前記銅（Ｃｕ）に対する前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数比が、前記銅（Ｃｕ）の原子数を１とした場合に前記ニオブ（Ｎｂ）の原子数が０．６６以上１．５以下である、
請求項１６に記載の酸化物焼結体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーであって、
少なくとも１つの線状ポリエステルと、
少なくとも１つの結晶性ポリエステルと、
１５，０００を上回るＭwと、４を上回る多分散指数とを有する、少なくとも１つの分枝高分子量ポリエステルと
を含み、前記線状ポリエステルと前記分枝高分子量ポリエステルとが、０．１から１までの溶解度パラメータの差を有し、
前記分枝高分子量ポリエステルの少なくとも一部は、１００ナノメートルから３００ナノメートルまでの直径を有する粒子として前記トナーの表面上に配置され、前記粒子は、前記トナーの表面の１０％から９０％までを被覆する
ことを特徴とするトナー。
【請求項２】
前記トナーが、上にシェルを備えたコアを含み、前記分枝高分子量ポリエステルが、前記トナーの１重量％から３０重量％までの量で存在することを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
トナーであって、
少なくとも１つの線状ポリエステルと、
少なくとも１つの結晶性ポリエステルと、
１５，０００を上回るＭwと、４を上回る多分散指数とを有する、少なくとも１つの高分子量ポリエステルと
を含み、
前記線状ポリエステルと前記高分子量ポリエステルとが、０．１から１までの溶解度パラメータの差を有し、
前記少なくとも１つの線状ポリエステルが、次式：
【化１】
2010128500.tif 000001
（式中、ｍは５から１，０００までであってよい。）
で表されるポリ（プロポキシル化ビスフェノールＡ−フマレート）共重合体樹脂を含み、
前記少なくとも１つの結晶性ポリエステルが、次式：
【化２】
2010128500.tif 000002
（式中、ｂは５から２，０００までであり、ｄは５から２，０００までである。）
で表される
ことを特徴とするトナー。
【請求項４】
前記トナーが、上にシェルを備えたコアを含み、前記高分子量ポリエステルが、コア、シェル、又はその両方の中に存在することを特徴とする請求項３に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の事象に対する注意を喚起するための注意喚起情報を、一つ又は複数の車両に配信する情報配信装置であって、
前記車両情報と前記気象情報のうちの少なくとも一つを取得する第１情報取得手段と、
前記第１情報取得手段が取得した前記車両情報と前記気象情報のうちの少なくとも一つに基づいて、前記画像情報の送信を車両に対して要求するか否かを判定する画像送信要求判定手段と、
前記画像送信要求判定手段が前記画像情報の送信を要求すると判定した場合、前記画像情報の送信要求を車両に対して出力する出力手段と、
前記画像情報の送信要求に応じた車両から前記画像情報を取得する第２情報取得手段と、
前記第２情報取得手段が取得した画像情報に基づいて、前記注意喚起情報を車両に配信するか否かを判定する注意喚起情報配信判定手段と、
前記注意喚起情報配信判定手段が前記注意喚起情報を車両に配信すると判定した場合、前記注意喚起情報を車両に配信する注意喚起情報配信手段と、
を有することを特徴とする情報配信装置。
【請求項２】
所定の事象に対する注意を喚起するための注意喚起情報を、一つ又は複数の車両に配信する情報配信装置であって、
車両の挙動に関する車両情報と気象情報のうちの少なくとも一つに基づいて、画像情報の送信要求を車両に対して出力する出力手段と、
前記画像情報の送信要求に応じた車両から取得した画像情報に基づいて、前記注意喚起情報を車両に配信するか否かを判定する注意喚起情報配信判定手段と、
前記注意喚起情報配信判定手段が前記注意喚起情報を車両に配信すると判定した場合、前記注意喚起情報を車両に配信する注意喚起情報配信手段と、
を有することを特徴とする情報配信装置。
【請求項３】
前記注意喚起情報配信判定手段が前記注意喚起情報を車両に配信しないと判定した場合、前記注意喚起情報を車両に配信するのを中止する注意喚起情報配信中止手段を更に有する請求項１又は２に記載の情報配信装置。
【請求項４】
前記注意喚起情報を配信すべき車両を、前記車両情報の発信源及び車両の位置に基づいて判別する第１配信対象車両判別手段を更に有する請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の情報配信装置。
【請求項５】
前記注意喚起情報を配信すべき車両を、前記車両情報の発信源及び車両の走行経路に基づいて判別する第２配信対象車両判別手段を更に有する請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の情報配信装置。
【請求項６】
前記車両の走行経路に発生した事象を回避するための手段の有無を知らせる回避情報を、前記車両位置情報及び前記走行経路情報に基づいて作成する回避情報作成手段と、
前記回避情報を車両に配信する回避情報配信手段と、
を更に有する請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の情報配信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置およびその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元の領域内に存在するオブジェクトと、基準となる面との距離を示す距離画像を取得する取得手段と、
前記距離画像に基づいて、前記距離が極値となる前記領域内の第１の位置を特定する第１の特定手段と、
前記第１の位置から、前記オブジェクトが存在している方向に所定距離離れた第２の位置を特定する第２の特定手段と、
前記第２の位置に基づいて、音源の位置を決定する決定手段とを有する情報処理装置。
【請求項２】
前記第２の特定手段は、前記第１の位置から、前記基準となる面の法線方向であって、前記オブジェクトが存在している方向に所定距離離れた第２の位置を特定し、
前記決定手段は、前記第２の位置を含む面であり、かつ前記基準となる面と平行な面を、音源の位置が存在する面であると決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
更に、前記第２の位置を含む面であって、前記基準となる面と平行な面上に存在する複数の点であって、前記第２の位置から所定距離離れた複数の点の位置を、前記音源が存在する位置の候補として設定する設定手段を有することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
音源の位置を推定する情報処理装置の制御方法であって、
取得手段が、三次元の領域内に存在するオブジェクトと、基準となる面との距離を示す距離画像を取得する取得工程と、
第１の特定手段が、前記距離画像に基づいて、前記距離が極値となる前記領域内の第１の位置を特定する第１の特定工程と、
第２の特定手段が、前記第１の位置から、前記オブジェクトが存在している方向に所定距離離れた第２の位置を特定する第２の特定工程と、
決定手段が、前記第２の位置に基づいて、音源の位置を決定する決定工程とを有する制御方法。
【請求項５】
前記第２の特定工程は、前記第１の位置から、前記基準となる面の法線方向であって、前記オブジェクトが存在している方向に所定距離離れた第２の位置を特定し、
前記決定工程は、前記第２の位置を含む面であり、かつ前記基準となる面と平行な面を、音源の位置が存在する面であると決定することを特徴とする請求項４に記載の制御方法。
【請求項６】
更に、設定手段が、前記第２の位置を含む面であって、前記基準となる面と平行な面上に存在する複数の点であって、前記第２の位置から所定距離離れた複数の点の位置を、前記音源が存在する位置の候補として設定する設定工程を有することを特徴とする請求項５に記載の制御方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。