(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台（１０）の上に搭載された不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）を、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に重ねた状態で配置して線路と電気的に接続するようにした高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にコプレーナウェーブガイドを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの上に、非導電性接着剤（６１）を介して当該ＭＭＩＣ（２０）の代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項２】
基台（１０）の上に搭載された不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）を、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に重ねた状態で配置して線路と電気的に接続するようにした高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラインを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣでの配線のスルーホール部分（２１）と導通するように当該ＭＭＩＣ（２０）の上面の一部または全面に導電性ペースト（６２）を塗布し、この導電性ペースト（６２）の上に、代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項３】
基台（１０）の上に搭載された不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）を、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に重ねた状態で配置して線路と電気的に接続するようにした高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラインを用い、当該代わりをするＭＭＩＣ（７０）の裏面のグランド電極（７３）に導電性ペースト（６３）を塗布し、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの上に、前記導電性ペースト（６３）を塗布したＭＭＩＣ（７０）を、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの配線のスルーホール部分（２２）と導通する状態で接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項４】
基台（１０）の上に搭載された不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）を、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に重ねた状態で配置して線路と電気的に接続するようにした高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラインを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの上に導電性ペースト（６４）を塗布し、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に前記導電性ペースト（６４）を介して、代わりをするＭＭＩＣ（７０）のグランド電極（７４）を不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの側面を用いて不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの裏面のグランド電極（２３）または基台（１０）と導通する状態で接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項５】
基台（１０）の上に搭載された不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）を、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に重ねた状態で配置して線路と電気的に接続するようにした高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法であって、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣ（７０）の線路にグランド付コプレーナウェーブガイドまたはマイクロストリップラインを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣを砕き、その上面に当該ＭＭＩＣ（２０）の割れ目（２４）に滲み込むように導電性ぺ一スト（６５）を塗布し、当該ＭＭＩＣ（２０）の上に、代わりをするＭＭＩＣ（７０）を不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの裏面のグランド電極（２５）または基台（１０）と導通する状態で接着するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣと線路を接続しているボンディングワイヤー（８３，８４）を取り外した後に、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣの上に、当該ＭＭＩＣ（２０）の代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねた状態で配置し、このＭＭＩＣ（７０）と線路をボンディングワイヤー（８０，８１）で接続するようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
ＭＭＩＣ（２０，７０）は３０ＧＨｚ以上のミリ波帯を取り扱うものであることを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣにおける上面での高さ（Ｈ１）よりも、当該ＭＭＩＣ（２０）と接続する線路側部位の高さ（Ｈ２）を高くしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項９】
請求項８に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
基台（１０）の上面に凹部（１１）を形成し、この凹部（１１）の底面をＭＭＩＣ（２０）の配置領域とすることにより、不良箇所のあるＭＭＩＣ（２０）または故障したＭＭＩＣにおける上面での高さ（Ｈ１）よりも、当該ＭＭＩＣ（２０）と接続する線路側部位の高さ（Ｈ２）を高くするようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
ＭＭＩＣ（２０，７０）を二段重ねした状態で、ボンディングワイヤーの長さが最短になるようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
ＭＭＩＣ（７０）の信号入力部分と線路の接続部分、および、ＭＭＩＣ（７０）の信号出力部分と線路の接続部分の少なくともいずれか一方に、ボンディングワイヤー（８０，８１）の接続によるインピーダンス不整合を補償する整合回路（３２，３３）を設け、整合回路（３２，３３）に、代わりをするＭＭＩＣ（７０）を重ねたときのボンディングワイヤーの長さに対して広帯域設計を行ったことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
整合回路（３２，３３）に、代わりをするＭＭＩＣ（７０）を一段だけ重ねたときのボンディングワイヤーの損失が最小になるよう広帯域設計を行うようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法において、
広帯域設計は３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象にして行うようにしたことを特徴とする高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波やミリ波といった高周波信号を取り扱う素子等をワンチップ化し、当該チップをモジュール化することが行われている。このとき、歩留りを向上したい等の要求がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、モジュール構成部品の有効利用を図ることができる高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法においては、不良箇所のあるＭＭＩＣまたは故障したＭＭＩＣの上に、当該ＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣを重ねた状態で配置するようにしたことを特徴としている。従来、ＭＭＩＣが不良品であったり故障したりすると、そのモジュール全体が不良であるとして再生不可能であったが、本発明によればＭＭＩＣの上に該ＭＭＩＣの代わりをするＭＭＩＣを重ねた状態で配置することにより、モジュール構成部品の有効利用を図ることができる。さらに、上記代わりをするＭＭＩＣの線路にコプレーナウェーブガイドを用いて裏面にグランド電極を設置する必要性を無くしたため、接着強度・作業性等の良い非導電性接着剤を使用することができる。
【０００６】
請求項２〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、マイクロストリップラインまたはグランド付コプレーナウェーブガイドのグランド電極が安定した電位になる。特に請求項６のように、不良品であったり故障したりしたＭＭＩＣと線路を接続しているボンディングワイヤーを取り外した後に、不良品等であったＭＭＩＣの上に代わりのＭＭＩＣを重ねた状態で配置し、この代わりのＭＭＩＣと線路とをボンディングワイヤーで接続するようにすると、実用上好ましいものになる。
【０００７】
請求項７に記載のように、特に３０ＧＨｚ以上のミリ波帯用ＭＭＩＣの実装に適用すれば、製造コストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ましいものになる。
【０００８】
請求項８、９に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを重ねて配置する際に、ＭＭＩＣを、ある複数段積み重ねた時にボンディングワイヤーの長さが最短になるように設計することができ、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことによる損失の劣化を補うことができる。
【０００９】
請求項１０に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを二段重ねした際にボンディングワイヤーの長さが最短になるようにすると、統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個につき一回以内であることが多い。そのため、一回だけ不良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにすることがモジュールの歩留まり向上につながる。
【００１０】
請求項１１に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、通常時（ＭＭＩＣ一段実装時）のボンディングワイヤーの長さのバラツキに対してよりもＭＭＩＣ二段もしくはそれ以上の複数の段数を実装した場合のボンディングワイヤーの長さのバラツキに対しての方が特性が良くなるように設計されていると、ＭＭＩＣを重ねて配置する際にＭＭＩＣがある複数段積み重ねた時にボンディングワイヤーの損失が最小になるように設計することで、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことによる損失の劣化を補うことができる。
【００１１】
請求項１２に記載の高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法によれば、ＭＭＩＣを二段重ねした際にボンディングワイヤーの損失が最小になるようにすれば、統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個につき一回以内であることが多い。そのため、一回だけ不良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにすることがモジュールの歩留まり向上につながる。特に、請求項１３のように、３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象として行うと、製造コストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ましいものになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図１には本実施の形態における高周波モジュールの縦断面図を示す。本モジュールは、取り扱う高周波がミリ波帯である。
【００１４】
図１において、基台（キャリア）１０の上にはＭＭＩＣ２０と線路基板３０が搭載されている。ＭＭＩＣ２０には能動素子や整合回路等が形成され、ＭＭＩＣ２０中を流れるミリ波信号が処理される。例えば、能動素子による増幅等が行われる。線路基板３０に関して、同基板の材料としてテトラフルオロエチレン樹脂（フッ素樹脂）を用いている。また、線路基板３０にはマイクロストリップライン、コプレーナウェーブガイド、グランド付コプレーナウェーブガイド等の線路が形成されている。さらに、線路基板３０の上面にはチップ部品３１が搭載されている。
【００１５】
基台１０の上には蓋材５０が配置され、蓋材５０にてＭＭＩＣ２０と線路基板３０を気密封止している。また、基台１０の上には外部接続用コネクタ４０が搭載されている。線路基板３０の線路と外部接続用コネクタ４０の接続端子４１とはボンディングワイヤー８２により接続されている。
【００１６】
ここで、ＭＭＩＣ２０に関して、基台１０の上にはＭＭＩＣ２０が搭載されているが、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に、当該ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０が重ねた状態で配置されている。
【００１７】
図２には、ＭＭＩＣの配置部分の拡大図を示す。
図２において、線路基板３０の中央部分には四角穴部３０ａが形成され、この穴部３０ａにおいて不良箇所のあるＭＭＩＣ２０が搭載されている。ＭＭＩＣ２０の上には接着剤６０により、代わりをするＭＭＩＣ７０が固定されている。また、各ＭＭＩＣ２０，７０における基板厚ｔ１よりも線路基板３０の基板厚みｔ２が厚くなっている（ｔ２＞ｔ１）。一方、線路基板３０の上面において線路の端部には整合回路３２，３３が形成されている。ＭＭＩＣ７０のパッド７１，７２と線路基板３０の整合回路３２，３３とはボンディングワイヤー８０，８１により電気的に接続されている。
【００１８】
次に、高周波モジュールの製造工程を説明する。
図３は、製造の際の作業順序を示す図である。
まず、図４に示すように、基台１０を用意する。そして、基台１０の上面での所定領域に硬化前接着剤である導電性ペーストを印刷し（図３での符号１００）、図５に示すように、その上にフッ素樹脂製線路基板３０を配置し加熱・硬化して貼り合わせる（図３での符号１０１）。さらに、基台１０の上面での所定領域および線路基板３０の上面での所定領域に硬化前接着剤である導電性ペーストを塗布し（図３での符号１０２）、図６に示すように、その上にＭＭＩＣ２０とチップ部品３１とコネクタ４０を載置し加熱・硬化して固定する（図３での符号１０３）。引き続き、図７に示すように、ＭＭＩＣ２０と線路基板３０の線路の間、および線路基板３０の線路とコネクタ４０の接続端子４１の間を、ワイヤー８２，８３，８４にてボンディングする（図３での符号１０４）。
【００１９】
この状態で、図３で符号１０５で示すごとく、プローブピンを用いてＤＣバイアス電流の測定を行い、その値が所定の範囲に入っているか否か検査する。この検査にて不良が発生すると以下のようにする。
【００２０】
まず、図３での１０６において、ＭＭＩＣ２０と線路基板３０の線路との間のボンディングワイヤー８３，８４を図８に示すように取り外す。そして、図９に示すように、ＭＭＩＣ２０の上に接着剤６０を塗布した後、ＭＭＩＣ２０の上に代わりをするＭＭＩＣ７０を搭載する。さらに、図１０に示すように、ＭＭＩＣ７０と線路基板３０の線路との間をワイヤー８０，８１にてボンディングする（図３での符号１０７）。
【００２１】
この状態で、再び図３で符号１０５で示すごとく、プローブピンを用いてＤＣバイアス電流の測定を行い、その値が所定の範囲に入っているか否か検査する。この検査にて不良が発生しないと以下のようにする。
【００２２】
まず、図１１に示すように、基台１０の上に蓋材５０を配置し、蓋材５０における基台１０との接触部に樹脂５１を配置し、加熱・硬化させシールする（図３での符号１０８）。さらに、窒素雰囲気下にて蓋材５０の穴５２をろう封止する（図３での符号１０９）。これにより、蓋材５０の内部は窒素雰囲気となる。その結果、図１のモジュールを得る。
【００２３】
このように、高周波モジュールにおけるＩＣチップの実装方法として、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上にＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で配置するようにした。よって、従来、ＭＭＩＣが不良品であると、そのモジュール全体が不良であるとして再生不可能であったが、本実施形態によればＭＭＩＣ２０の上に代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で配置することにより、モジュールの構成部品を有効利用して歩留まりの向上を図ることが可能となる。また、モジュールを再生することができ、廃棄物を低減することができる。
【００２４】
特に、図６，７のごとく基台１０の上にＭＭＩＣ２０および線路基板３０を搭載するとともにＭＭＩＣ２０と線路基板３０の信号線路を電気的に接続し、モジュールの検査を行い、図８のごとく不良となったモジュールでのＭＭＩＣ２０における線路基板３０との電気的接続部材（ボンディングワイヤー８３，８４）を除去し、図９，１０のごとくＭＭＩＣ２０の上に、当該ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で配置するとともに、代わりをするＭＭＩＣ７０と線路基板３０の信号線路をボンディングワイヤー８０，８１にて電気的に接続した。このように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０と線路を接続しているボンディングワイヤー８３，８４を取り外した後に、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に、ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で配置し、このＭＭＩＣ７０と線路をボンディングワイヤー８０，８１で接続するようにしたので、実用上好ましい。
【００２５】
また、ＭＭＩＣ２０，７０は３０ＧＨｚ以上のミリ波帯を取り扱うものであるので（３０ＧＨｚ以上のミリ波帯用ＭＭＩＣの実装に適用すれば）、製造コストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ましいものになる。
【００２６】
次に、不良のＭＭＩＣ２０の上にその代わりをするＭＭＩＣ７０を搭載するとともに、線路と電気的に接続するための手法について説明を加える。
図１２に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にコプレーナウェーブガイドを用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に、非導電性接着剤６１を介して当該ＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で接着する。このように、コプレーナウェーブガイドの場合、裏面のグランド電極が必要無いので接着強度・作業性等の良い非導電性接着剤６１を使用することができる。
【００２７】
また、図１３に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にグランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロストリップライン）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０での配線のスルーホール部分２１と導通するように当該ＭＭＩＣ２０の上面の全面（または一部）に導電性ペースト（硬化前接着剤）６２を塗布し、この導電性ペースト６２の上に、代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねた状態で接着する。その結果、グランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロストリップライン）のグランド電極７３が安定した電位になる。
【００２８】
また、図１４に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にグランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロストリップライン）を用い、当該代わりをするＭＭＩＣ７０の裏面のグランド電極７３に導電性ペースト（硬化前接着剤）６３を塗布し、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に、導電性ペースト６３を塗布したＭＭＩＣ７０を、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の配線のスルーホール部分２２と導通する状態で接着する。その結果、グランド付コプレーナウェーブガイド（またはマイクロストリップライン）のグランド電極７３が安定した電位になる。
【００２９】
また、図１５に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にマイクロストリップライン（またはグランド付コプレーナウェーブガイド）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に導電性ペースト（硬化前接着剤）６４を塗布し、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上に導電性ペースト６４を介して、代わりをするＭＭＩＣ７０のグランド電極７４を不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の側面を用いて不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の裏面のグランド電極２３または基台１０と導通する状態で接着する。その結果、マイクロストリップライン（またはグランド付コプレーナウェーブガイド）のグランド電極７４が安定した電位になる。
【００３０】
また、図１６に示すように、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の代わりをするＭＭＩＣ７０の線路にマイクロストリップライン（またはグランド付コプレーナウェーブガイド）を用い、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０を砕き、その上面に当該ＭＭＩＣ２０の割れ目２４に滲み込むように導電性ぺ一スト（硬化前接着剤）６５を塗布し、当該ＭＭＩＣ２０の上に、代わりをするＭＭＩＣ７０を不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の裏面のグランド電極２５または基台１０と導通する状態で接着する。その結果、マイクロストリップライン（またはグランド付コプレーナウェーブガイド）のグランド電極７５が安定した電位になる。
【００３１】
また、図１７に示すように、基台１０の上面に凹部１１を形成し、この凹部１１の底面をＭＭＩＣ２０の配置領域とし、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０における上面での高さＨ１よりも、当該ＭＭＩＣ２０と接続する線路側部位の高さＨ２を高くする。よって、ＭＭＩＣを重ねて配置する際に、ＭＭＩＣを、ある複数段積み重ねた時にボンディングワイヤーの長さが最短になるように設計することができ、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことによる損失の劣化を補うことができる。
【００３２】
また、図１８に示すように、凹部１１を形成することにより、ＭＭＩＣ２０，７０を二段重ねした状態で、ボンディングワイヤーの長さが最短になるようにする。あるいは、図１９に示すように、線路基板３０の厚さを最適化することにより、ＭＭＩＣ２０，７０を二段重ねした状態で、ボンディングワイヤーの長さが最短になるようにする。ＭＭＩＣを二段重ねした際にボンディングワイヤーの長さが最短になるようにすると、統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個につき一回以内であることが多い。そのため、一回だけ不良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにすることがモジュールの歩留まり向上につながる。
【００３３】
また、図２に示すように、ＭＭＩＣ７０の信号入力部分と線路の接続部分、および、ＭＭＩＣ７０の信号出力部分と線路の接続部分の少なくともいずれか一方に、ボンディングワイヤー８０，８１の接続によるインピーダンス不整合を補償する整合回路３２，３３を設け、整合回路３２，３３に、代わりをするＭＭＩＣ７０を重ねたときのボンディングワイヤーの長さに対して広帯域設計を行う。通常時（ＭＭＩＣ一段実装時）のボンディングワイヤーの長さのバラツキに対してよりもＭＭＩＣ二段もしくはそれ以上の複数の段数を実装した場合のボンディングワイヤーの長さのバラツキに対しての方が特性が良くなるように設計されていると、ＭＭＩＣを重ねて配置する際にＭＭＩＣがある複数段積み重ねた時にボンディングワイヤーの損失が最小になるように設計することで、ＭＭＩＣを複数段積み重ねたことによる損失の劣化を補うことができる。
【００３４】
特に、整合回路３２，３３に、代わりをするＭＭＩＣ７０を一段だけ重ねたときのボンディングワイヤーの損失が最小（図２０参照）になるよう広帯域設計を行う（３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象とした広帯域設計を行う）。具体的には、例えば、図２での線路長Ｌや線路幅Ｗ１，Ｗ２を調整する。
【００３５】
このように、ＭＭＩＣを二段重ねした際にボンディングワイヤーの損失が最小になるようにすれば、前にも述べたように統計的にモジュール不良はＭＭＩＣ一個につき一回以内であることが多く、一回だけ不良が発生した時に一番特性が良く再生できるようにすることがモジュールの歩留まり向上につながる。特に、広帯域設計を３０ＧＨｚ帯以上のミリ波帯ＭＭＩＣを対象として行うと、製造コストに比べ部品原価が高いモジュールの実装として好ましいものになる。
【００３６】
これまでの説明においては不良箇所のあるＭＭＩＣ２０の上にそれに代わるＭＭＩＣ７０を重ねて配置する場合について説明してきたが、不良箇所のあるＭＭＩＣ２０ではなく故障したＭＭＩＣの上にそれに代わるＭＭＩＣを重ねて配置してもよい。即ち、一度出荷した高周波モジュールを回収して、故障したＭＭＩＣの上にそれに代わるＭＭＩＣを重ねて配置し検査を行った後に出荷するようにしてもよい。このようにしてもモジュール構成部品の有効利用を図ることができる。
【００３７】
また、基台１０と線路基板３０とを一体化して、基台１０に線路を形成しＭＭＩＣと接続するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態における高周波モジュールの縦断面図。
【図２】  線路基板とＭＭＩＣの詳細を説明するための図。
【図３】  実装工程図。
【図４】  実装工程を説明するための図。
【図５】  実装工程を説明するための図。
【図６】  実装工程を説明するための図。
【図７】  実装工程を説明するための図。
【図８】  実装工程を説明するための図。
【図９】  実装工程を説明するための図。
【図１０】  実装工程を説明するための図。
【図１１】  実装工程を説明するための図。
【図１２】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１３】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１４】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１５】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１６】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１７】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１８】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図１９】  ＭＭＩＣの実装を説明するための図。
【図２０】  整合回路の設計を説明するための図。
【符号の説明】
１０…基台、１１…凹部、２０…ＭＭＩＣ、２１…スルーホール部分、２２…スルーホール部分、２３…グランド電極、２４…割れ目、２５…グランド電極、３０…線路基板、３２…整合回路、３３…整合回路、４０…コネクタ、５０…蓋材、６１…非導電性接着剤、６２…導電性ペースト、６３…導電性ペースト、６４…導電性ペースト、７０…ＭＭＩＣ、８０，８１，８２，８３，８４…ボンディングワイヤー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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