【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重なり合った複数の半導体基板を接合すべく加圧する加圧装置であって、
前記複数の半導体基板を支持する第１ステージと、
前記第１ステージとの間で前記複数の半導体基板を挟持可能な第２ステージと、
前記複数の半導体基板を挟持すべく前記第１ステージを前記第２ステージに向けて移動させる駆動部と、
前記駆動部により前記第１ステージが所定位置に達する過程で前記第１ステージに押圧力を与え、前記第１ステージと前記第２ステージとの間で前記複数の半導体基板を加圧する加圧部と
を備える加圧装置。
【請求項２】
前記加圧部が前記第１ステージに与える前記押圧力は、前記駆動部が前記第１ステージに与える押圧力よりも大きい請求項１に記載の加圧装置。
【請求項３】
前記所定位置は、前記第１ステージに支持された前記複数の半導体基板が前記第２ステージに挟持される位置である請求項１または２に記載の加圧装置。
【請求項４】
前記第１ステージには、前記複数の半導体基板を有する積層体が載置され、
前記所定位置は、前記積層体が前記第１ステージの移動により前記第２ステージに接触する位置である請求項１または２に記載の加圧装置。
【請求項５】
前記所定位置は、前記第１ステージに支持された前記複数の半導体基板が前記第２ステージに挟持される直前の位置である請求項１または２に記載の加圧装置。
【請求項６】
前記第１ステージには、前記複数の半導体基板を有する積層体が載置され、
前記所定位置は、前記積層体が前記第１ステージの移動により前記第２ステージに接触する直前の位置である請求項１または２に記載の加圧装置。
【請求項７】
前記駆動部は、
第１のピストンと、
前記第１のピストンに外嵌する第１のシリンダと、
前記第１のピストンと前記第１のシリンダによって形成される第１の空間に流体を出入させる第１の制御弁と
を有し、
前記加圧部は、
前記第１ステージを支持する支持面を有し、前記第１のピストンに固定される第２のピストンと、
前記第２のピストンに外嵌する第２のシリンダと、
前記第２のピストンと前記第２のシリンダによって形成される第２の空間に流体を出入させる第２の制御弁と
を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項８】
前記第１のピストンは、前記第２の空間に前記第２のシリンダの外側から挿通される請求項７に記載の加圧装置。
【請求項９】
前記第１のシリンダは、前記第２のシリンダに対して固定されている請求項７または８に記載の加圧装置。
【請求項１０】
前記第２の空間が、前記第１の空間より大きい請求項７から９のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１１】
前記第１の制御弁を制御して前記第１のピストンを移動させることにより前記第１のシリンダを移動させるときには、前記第２の制御弁を開放する請求項７から１０のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１２】
前記第２の制御弁を制御して前記第２のピストンを移動させるときには、前記第１の制御弁を開放する請求項７から１１のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１３】
前記第１のピストン及び前記第１のシリンダの組を複数備える請求項７から１２のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１４】
前記第２のピストンを所定の速度以上の速さで移動させるときには前記第１の制御弁を制御し、前記所定の速度未満の速さで移動させるときには前記第２の制御弁を制御する請求項７から１３のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１５】
前記支持面に加えられる圧力を検出する圧力センサを更に備え、
前記圧力センサにより、所定圧力以上の圧力を検出したときには、前記第２の制御弁を制御する請求項７から１４のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１６】
前記第１のシリンダ内に前記第１の空間とは別の第３の空間を有し、
前記第１の制御弁と共に協調制御され、前記第３の空間に流体を出入させる第３の制御弁を更に備える請求項７から１５のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１７】
前記第２の空間が、前記第１の空間と前記第３の空間を合わせた空間より大きい請求項１６に記載の加圧装置。
【請求項１８】
前記第２のピストンを移動させるときには少なくとも前記第１の制御弁を制御し、前記複数の半導体基板を接合するときには少なくとも前記第２の制御弁を制御する請求項７から１７のいずれか１項に記載の加圧装置。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか１項に記載の加圧装置を備え、前記複数の半導体基板を接合する基板接合装置。
【請求項２０】
互いに重なり合った複数の半導体基板を接合すべく加圧する加圧方法であって、
駆動部が、前記複数の半導体基板を支持する第１ステージを、前記第１ステージとの間で前記複数の半導体基板を挟持可能な第２ステージに向けて移動させる移動ステップと、
加圧部が、前記第１ステージが所定位置に達する過程で前記第１ステージに押圧力を与えることにより前記第１ステージと前記第２ステージとの間で前記複数の半導体基板を加圧する加圧ステップと
を含む加圧方法。
【請求項２１】
前記加圧部が前記第１ステージに与える前記押圧力は、前記駆動部が前記第１ステージに与える押圧力よりも大きい請求項２０に記載の加圧方法。
【請求項２２】
前記所定位置は、前記第１ステージに支持された前記複数の半導体基板が前記第２ステージに挟持される位置である請求項２０または２１に記載の加圧方法。
【請求項２３】
前記第１ステージには、前記複数の半導体基板を有する積層体が載置され、
前記所定位置は、前記積層体が前記第１ステージの移動により前記第２ステージに接触する位置である請求項２０または２１に記載の加圧方法。
【請求項２４】
前記所定位置は、前記第１ステージに支持された前記複数の半導体基板が前記第２ステージに挟持される直前の位置である請求項２０または２１に記載の加圧方法。
【請求項２５】
前記第１ステージには、前記複数の半導体基板を有する積層体が載置され、
前記所定位置は、前記積層体が前記第１ステージの移動により前記第２ステージに接触する直前の位置である請求項２０または２１に記載の加圧方法。
【請求項２６】
前記加圧ステップは、第１ステップと第２ステップを含み、
前記第１ステップは、
第１のピストンと、前記第１のピストンに外嵌する第１のシリンダと、前記第１のピストンと前記第１のシリンダによって形成される第１の空間に流体を出入させる第１の制御弁とを有する第１加圧部により実施され、
前記第２ステップは、
前記第１ステージを支持する支持面を有し、前記第１のピストンに固定される第２のピストンと、前記第２のピストンに外嵌する第２のシリンダと、前記第２のピストンと前記第２のシリンダによって形成される第２の空間に流体を出入させる第２の制御弁とを有する第２加圧部により実施される請求項２０から２５のいずれか１項に記載の加圧方法。
【請求項２７】
前記第１の制御弁を制御して前記第１のピストンを移動させることにより前記第１のシリンダを移動させるときには、前記第２の制御弁を開放する請求項２６に記載の加圧方法。
【請求項２８】
前記第２の制御弁を制御して前記第２のピストンを移動させるときには、前記第１の制御弁を開放する請求項２６または２７に記載の加圧方法。
【請求項２９】
前記第２のピストンを所定の速度以上の速さで移動させるときには前記第１の制御弁を制御し、前記所定の速度未満の速さで移動させるときには前記第２の制御弁を制御する請求項２６から２８のいずれか１項に記載の加圧方法。
【請求項３０】
前記支持面に加えられる圧力を検出する圧力センサにより所定圧力以上の圧力を検出したときには、前記第２の制御弁を制御する請求項２６から２９のいずれか１項に記載の加圧方法。
【請求項３１】
前記第２のピストンを移動させるときには少なくとも前記第１の制御弁を制御し、前記複数の半導体基板を接合するときには少なくとも前記第２の制御弁を制御する請求項２６から３０のいずれか１項に記載の加圧方法。
【請求項３２】
前記複数の半導体基板を互いに位置合わせする位置合わせステップと、
前記位置合わせステップで位置合わせされた前記複数の半導体基板を請求項２０から３１のいずれか１項に記載の加圧方法を用いて加圧することにより前記複数の半導体基板を接合する接合ステップと
を含む基板接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加圧装置、基板接合装置、加圧方法および基板接合方法