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【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】被成膜基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収層と、前記吸収層上の成膜材料を含む材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、下地層を有する第２の基板の被成膜面とが対向するように配置し、
前記第１の基板の他方の面側から加熱処理を施すことにより、前記材料層に含まれる前記成膜材料を用いて、前記下地層に接する成膜材料層を形成する被成膜基板の作製方法であって、
前記下地層は、前記成膜材料層に含まれる物質を含むことを特徴とする被成膜基板の作製方法。
【請求項２】
開口部を有する反射層と、前記反射層と重なる位置に設けられた断熱層と、前記反射層及び前記断熱層を覆い、かつ、前記開口部を覆うように設けられた吸収層と、前記吸収層上に設けられた、成膜材料を含む材料層と、を有する第１の基板の一方の面と、下地層を有する第２の基板の被成膜面とが対向するように配置し、
前記第１の基板の他方の面側から加熱処理を施すことにより、前記材料層に含まれる前記成膜材料を用いて、前記下地層に接する成膜材料層を形成する被成膜基板の作製方法であって、
前記下地層は、前記成膜材料層に含まれる物質を含むことを特徴とする被成膜基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記吸収層と前記材料層との間に、前記吸収層の劣化を抑制する機能を有する保護層が設けられていることを特徴とする被成膜基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
なお、（Ｂ）エチレンと炭素原子数３〜２０のα−オレフィンとからなるエチレン・α−オレフィン系ブロック共重合体、（Ｃ）官能基含有オレフィン系共重合体、（Ｄ）無機充填材およびその他添加剤としては、それぞれ下記のものを使用した。
Ｂ１ エチレン・１−オクテンブロック共重合体（ダウケミカル社製インフューズ９１０７、密度８６６ｋｇ／ｍ３、融点１２１℃、ガラス転移点−６２℃）
Ｂ２ エチレン・１−オクテンブロック共重合体（ダウケミカル社製インフューズ９１００、密度８７７ｋｇ／ｍ３、融点１２０℃、ガラス転移点−６２℃）
Ｂ３ エチレン・１−オクテンブロック共重合体（ダウケミカル社製インフューズ９８０７、密度８６６ｋｇ／ｍ３、融点１１８℃、ガラス転移点−６２℃）
ｂ１（比較例） エチレン・１−ブテンランダム共重合体（三井化学（株）社製タフマーＴＸ６５０、密度８６４ｋｇ／ｍ３、融点無し、ガラス転移点−６４℃）
ｂ２（比較例） エチレン・１−ヘキセンランダム共重合体（三井化学（株）社製エクセレンＦＸ ＣＸ２００１、密度８９８ｋｇ／ｍ３、融点９４℃、ガラス転移点不明）
ｂ３（比較例） エチレン・１−オクテンランダム共重合体（ダウケミカル社製エンゲージ８１００、密度８７０ｋｇ／ｍ３、融点無し、ガラス転移点−５５℃）
Ｃ１ エチレン・グリシジルメタクリレート共重合体（住友化学（株）社製ボンドファーストＥ、密度９４０ｋｇ／ｍ３、融点１０３℃、ガラス転移点−２６℃）
Ｄ１ チョップドストランド（日本電気硝子（株）社製Ｔ−７４７ ３ｍｍ長、平均繊維径１３μｍ）
その他添加剤Ｅ１ 脂肪酸エステルワックス（クラリアントジャパン社製リコワックスＥ）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）エチレンと炭素原子数３〜２０のα−オレフィンとからなるエチレン・α−オレフィン系ブロック共重合体１〜１００重量部を配合してなることを特徴とするポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｂ）の融点が１００℃以上かつガラス転移点が−５０℃以下であることを特徴とする請求項１記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
【請求項３】
（Ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂１００重量部に対し、（Ｃ）エポキシ基、酸無水物基、カルボキシル基およびその塩、カルボン酸エステルから選ばれる少なくとも１種の官能基を含有する官能基含有オレフィン系共重合体１〜１００重量部を配合してなる請求項１または２記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）ポリフェニレンスルフィド樹脂１００重量部に対し、（Ｄ）無機充填材１〜４００重量部を配合してなる請求項１〜３のいずれか記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）の無機充填材がガラス繊維、ガラスビーズ、ガラスフレーク、炭酸カルシウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品。
【請求項７】
成形品が水廻り部品である請求項６記載の成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、かかる課題を解決するために鋭意検討した結果、次のような手段を採用するものである。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
１．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）１００重量部に対して、芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）から選ばれる少なくとも１種の構造単位と３官能以上の有機残基（Ｄ）とを含み、かつ、Ｄの含有量が樹状ポリエステルを構成する全単量体に対して７．５〜５０モル％の範囲である樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）０．０１〜１８０重量部、および酸無水物（Ｃ）０．０１〜３０重量部を配合してなるポリアミド樹脂組成物。
２．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）１００重量部に対して、芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）から選ばれる少なくとも１種の構造単位と３官能以上の有機残基（Ｄ）とを含み、かつ、Ｄの含有量が樹状ポリエステルを構成する全単量体に対して７．５〜５０モル％の範囲である樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）０．０１〜３０重量部、および酸無水物（Ｃ）０．０１〜５重量部を配合してなる１に記載のポリアミド樹脂組成物。
３．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）１００重量部に対して、芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）から選ばれる少なくとも１種の構造単位と３官能以上の有機残基（Ｄ）とを含み、かつ、Ｄの含有量が樹状ポリエステルを構成する全単量体に対して７．５〜５０モル％の範囲である樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）０．０１〜２．５重量部、および酸無水物（Ｃ）０．０１〜３重量部を配合してなる１または２に記載のポリアミド樹脂組成物。
４．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）がポリアミド樹脂（Ａ１）と反応性官能基を有する樹脂（Ａ２）を配合してなり、電子顕微鏡で観察されるモルホロジーにおいて、ポリアミド樹脂（Ａ１）が連続相、反応性官能基を有する樹脂（Ａ２）が分散相を形成し、かつ分散相（Ａ２）中に（Ａ１）と（Ａ２）の反応により生成した化合物よりなる粒子径１〜１００ｎｍの微粒子を含有し、更に分散相（Ａ２）中における前記微粒子の占める面積が２０％以上であることを特徴とする１〜３のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
５．反応性官能基を有する樹脂（Ａ２）が、反応性官能基を有するゴム質重合体であることを特徴とする４に記載のポリアミド樹脂組成物。
６．反応性官能基を有する樹脂（Ａ２）の反応性官能基が、アミノ基、カルボキシル基、カルボキシル金属塩、エポキシ基、酸無水物基、オキサゾリン基から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする４または５に記載のポリアミド樹脂組成物。
７．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）が、引張速度Ｖ１、Ｖ２のときの引張弾性率をＥ（Ｖ１）、Ｅ（Ｖ２）とすると、Ｖ１＜Ｖ２のとき、Ｅ（Ｖ１）＞Ｅ（Ｖ２）であることを特徴とする１〜６のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
８．ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）が、引張速度Ｖ１、Ｖ２のときの引張破断伸度をε（Ｖ１）、ε（Ｖ２）とすると、Ｖ１＜Ｖ２のとき、ε（Ｖ１）＜ε（Ｖ２）であることを特徴とする１〜６のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
９．酸無水物（Ｃ）が無水フタル酸または無水コハク酸であることを特徴とする１〜８のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
１０．酸無水物（Ｃ）が無水フタル酸であることを特徴とする１〜８のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
１１．樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）の芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）が、それぞれ下式（１）で表される構造単位から選ばれる少なくとも１種の構造単位であることを特徴とする１〜１０のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）１００重量部に対して、芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）から選ばれる少なくとも１種の構造単位と３官能以上の有機残基（Ｄ）とを含み、かつ、Ｄの含有量が樹状ポリエステルを構成する全単量体に対して７．５〜５０モル％の範囲である樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）０．０１〜３０重量部、および酸無水物（Ｃ）０．０１〜５重量部を配合してなる請求項１に記載のポリアミド樹脂組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
ポリアミド樹脂を含む樹脂（Ａ）１００重量部に対して、芳香族オキシカルボニル単位（Ｓ）、芳香族および／または脂肪族ジオキシ単位（Ｔ）、および芳香族ジカルボニル単位（Ｕ）から選ばれる少なくとも１種の構造単位と３官能以上の有機残基（Ｄ）とを含み、かつ、Ｄの含有量が樹状ポリエステルを構成する全単量体に対して７．５〜５０モル％の範囲である樹状ポリエステル樹脂（Ｂ）０．０１〜２．５重量部、および酸無水物（Ｃ）０．０１〜３重量部を配合してなる請求項１または２に記載のポリアミド樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
〔実施例２〕
反応器入り口において、エチレンと水との合計１００質量％中、水が３９．７質量％になるように、エチレンおよび水を反応器に流通させて、反応を行った以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
エチレン転化率は９９．７％であった。得られた生成物を実施例１と同様にして定量した。表１に結果を示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
〔実施例３〕
反応器入り口において、エチレンと水との合計１００質量％中、水が１４．８質量％になるように、エチレンおよび水を反応器に流通させて、反応を行った以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
エチレン転化率は１００％であった。得られた生成物を実施例１と同様にして定量した。表１に結果を示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
〔実施例５〕
反応器入り口において、エチレンと水との合計１００質量％中、水が６．５質量％になるように、エチレンおよび水を反応器に流通させて、反応を行った以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
エチレン転化率は１００％であった。得られた生成物を実施例１と同様にして定量した。表１に結果を示した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
〔比較例１〕
水を反応器に流通させない以外は、実施例１と同様にして反応を行った。
エチレン転化率は１００％であった。得られた生成物を実施例１と同様にして定量した。表１に結果を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される共役芳香族化合物を含有する光学材料を成形してなることを特徴とする光学素子。
【化１】
2011195549.tif 000001
（式中、Ａｒ１は水素原子または置換基を有しても良いアリール基である。Ａｒ２、Ａｒ３は、どちらか一方が置換基を有しても良いアリール基、もう一方が水素原子、もしくは両方とも置換基を有しても良いアリール基より選ばれる一つである。Ａは芳香族炭化水素基である。）
【請求項２】
前記Ａｒ１は水素原子であることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記Ａが、下記一般式（２）で示される構造からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光学素子。
【化２】
2011195549.tif 000002
【請求項４】
前記Ａが、下記一般式（３）で示される構造からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光学素子。
【化３】
2011195549.tif 000003
（式中、Ｒ１からＲ５はそれぞれ独立にＹ、水素原子、炭素数１から４のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基であり、前記Ｙは下記一般式（４）で示される構造からなる基または水酸基である。
【化４】
2011195549.tif 000004
Ｒ６は、水素原子またはメチル基であり、ｎは０または１である。）
【請求項５】
前記一般式（３）におけるＲ１からＲ５は、Ｒ１、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１がメチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４がメチル基、Ｒ２、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２がメチル基、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がイソプロピル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３がＹ、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２はＹ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、Ｒ４がメチル基、もしくは、Ｒ１、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、Ｒ３がＹ、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ４がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５がＹ、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がＹ、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がメチル基、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がＸ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がＸ、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、Ｒ４がメチル基、より選ばれる一つであり、Ｘは同一分子内に一般式（１）で表される構造を二つ以上もつ分子において、二つ目以降の一般式（１）で表される構造が結合する位置であることを特徴とする請求項４に記載の光学素子。
【請求項６】
前記光学素子が光学レンズであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光学レンズ。
【請求項７】
下記一般式（１）で示されることを特徴とする共役芳香族化合物。
【化５】
2011195549.tif 000005
（式中、Ａｒ１は水素原子または置換基を有しても良いアリール基である。Ａｒ２、Ａｒ３は、どちらか一方が置換基を有しても良いアリール基、もう一方が水素原子、もしくは両方とも置換基を有しても良いアリール基より選ばれる一つである。Ａは芳香族炭化水素基である。）
【請求項８】
前記Ａｒ１は水素原子であることを特徴とする請求項７に記載の共役芳香族化合物。
【請求項９】
前記Ａが、下記一般式（２）で示される構造からなることを特徴とする請求項７または８に記載の共役芳香族化合物。
【化６】
2011195549.tif 000006
【請求項１０】
前記Ａが、下記一般式（３）で示される構造からなることを特徴とする請求項７または８に記載の共役芳香族化合物。
【化７】
2011195549.tif 000007
（式中、Ｒ１からＲ５はそれぞれ独立にＹ、水素原子、炭素数１から４のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基であり、前記Ｙは下記一般式（４）で示される構造からなる基または水酸基である。
【化８】
2011195549.tif 000008
Ｒ６は、水素原子またはメチル基であり、ｎは０または１である。）
【請求項１１】
前記一般式（３）におけるＲ１からＲ５は、Ｒ１、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１がメチル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４がメチル基、Ｒ２、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２がメチル基、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がイソプロピル基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３がＹ、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２はＹ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、Ｒ４がメチル基、もしくは、Ｒ１、Ｒ５がメチル基、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、Ｒ３がＹ、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２、Ｒ４がｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５がＹ、Ｒ２、Ｒ４が水素原子、もしくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がＹ、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がメチル基、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がＸ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素原子、もしくは、Ｒ１がＹ、Ｒ２がＸ、Ｒ３、Ｒ５が水素原子、Ｒ４がメチル基、より選ばれる一つであり、Ｘは同一分子内に一般式（１）で表される構造を二つ以上もつ分子において、二つ目以降の一般式（１）で表される構造が結合する位置であることを特徴とする請求項１０に記載の共役芳香族化合物。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の共役芳香族化合物を含有することを特徴とする光学材料。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表示器で表示スケールを切り換えて表示する車両用表示装置において、前記表示器をドットマトリクス型の表示器とし、前記表示器で表示する描画用データは、少なくともバーグラフ画像と、前記バーグラフ画像を透過するセグメント状の透過部を備えるとともに表示スケール毎に複数備えた背景画像とからなり、前記描画用データを格納する描画用データ記憶部と、車両情報に基づいて前記描画用データを用いて前記表示器で表示する描画データを生成し前記表示器に出力する制御手段とを備えたことを特徴とする車両用表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の車両用表示装置は、表示器で表示スケールを切り換えて表示する車両用表示装置において、前記表示器をドットマトリクス型の表示器とし、前記表示器で表示する描画用データは、少なくともバーグラフ画像と、前記バーグラフ画像を透過するセグメント状の透過部を備えるとともに表示スケール毎に複数備えた背景画像とからなり、前記描画用データを格納する描画用データ記憶部と、車両情報に基づいて前記描画用データを用いて前記表示器で表示する描画データを生成し前記表示器に出力する制御手段とを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前輪用ブレーキ装置１０１は、油圧制動装置を構成する油圧ディスクブレーキであり、図１に示すように、前輪１９の側方（右側方）に取り付けられて前輪１９と一体に回転するブレーキディスク１２１と、このブレーキディスク１２１を挟んで制動させるブレーキキャリパ１２２とを備える。この自動二輪車１は、前輪１９の片側（右側）だけに油圧ディスクブレーキを備えたシングルディスク式に構成されている。
ブレーキキャリパ１２２内には、図５に示すように、ブレーキディスク１２１にブレーキパッドを押し付けるピストンが移動自在に挿入されたシリンダ１２２ａ，１２２ｂが形成され、各シリンダ１２２ａ，１２２ｂには、配管９２，１０９が接続される。
ここで、前輪用ブレーキ装置１０１に接続される配管９２，１０９は、前輪１９の操向に追従できるように、ゴムホース等の可撓性を有するブレーキホースが用いられる。これらブレーキホースの配管９２，１０９は、車体フレーム２側に設けられた前側ブレーキ出力側ジョイント部２００を介して車体フレーム２側に配索された金属パイプである配管９１，１０７に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前輪車輪速センサ１１３は、前輪１９の側方（右方）に取り付けられたパルサーリング１１４（図２参照）を用いて前輪速度を検出するセンサであり、この前輪車輪速センサ１１３から延びる配線１３１は、制御装置１１８及びＡＢＳモジュレータ８８に接続され、このセンサ１１３の出力信号が制御装置１１８及びＡＢＳモジュレータ８８に出力される。
後輪車輪速センサ１１６は、後輪２６の側方（右側）に取り付けられたパルサーリング１１７（図２参照）を用いて後輪速度を検出するセンサであり、この後輪車輪速センサ１１６から延びる配線１３２は、制御装置１１８に接続され、このセンサ１１６の出力信号が制御装置１１８に出力される。
制御装置１１８は、前輪車輪速センサ１１３と後輪車輪速センサ１１６からの信号に基づいて前輪速度と後輪速度とを取得し、前輪速度と後輪速度との差に基づいて前後輪がスリップしないように前輪用ブレーキ装置１０１及び後輪用ブレーキ装置１０２を制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図６は、車体後部を右側から見た図であり、図７は上方から見た図である。
図６及び図７に示すように、後輪用ブレーキ装置１０２に接続される可撓性ゴムホースからなる配管１０３は、左右一対のスイングアーム３５のうち、後輪用ブレーキ装置１０２が配設される側（右側）のスイングアーム３５の上面３５Ｔに配索される。
この配管１０３が接続される後輪用ブレーキ装置１０２のブレーキキャリパ１２５は、右側のスイングアーム３５の上方かつ後輪軸２６Ａの前方に配置されており、配管１０３が接続されるジョイント部１２５Ａは、ブレーキキャリパ１２５から前上方に向けて突出する配置とされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本構成の自動二輪車１では、上記配管１０３の外観露出を回避するために後輪２６の前上部を覆う前側リヤフェンダ１５１を、配管１０３を覆うカバー形状に形成している。
この前側リヤフェンダ１５１は、合成樹脂製のカバー部品であり、図６及び図７に示すように、後輪２６の接地面２６Ｓに対抗して後輪２６からの水や泥が車体側に付着するのを遮断する後輪カバー部１５２と、この後輪カバー部１５２から車幅方向右側に膨出して右側のスイングアーム３５上方の配管１０３を覆う配管カバー部として機能する右側カバー部１５４と、この後輪カバー部１５２から車幅方向左側に膨出する左側カバー部１５６とを一体に有している。
この前側リヤフェンダ１５１は、右側カバー部１５４を右側のスイングアーム３５に取り付け、左側カバー部１５６を左側のスイングアーム３５に取り付けることによって、左右のスイングアーム３５に取り付けられ、スイングアーム３５と一体的に上下に揺動する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリビニルエステルと有機溶媒とからなる鹸化原料溶液が通流する流路中央部に鹸化触媒を導入する導入工程と、
前記鹸化原料溶液と導入された鹸化触媒とをスタティックミキサーで混合する混合工程と、
を有するポリビニルアルコール樹脂の製造方法。
【請求項２】
前記混合工程により得られた混合物をベルト上に載置して鹸化反応を進行させることを特徴とする請求項１に記載のポリビニルアルコール樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記鹸化原料溶液におけるポリビニルエステル濃度を２０〜６０質量％、粘度を０．０１〜３０Ｐａ・ｓとし、
該鹸化原料溶液に、鹸化触媒を、濃度が０．２〜１０質量％となるように導入する請求項１又は２に記載のポリビニルアルコール樹脂の製造方法。
【請求項４】
ポリビニルエステルと有機溶媒とからなる鹸化原料溶液が通流する流路中央部に鹸化触媒を導入する触媒導入機構と、
該触媒導入機構よりも下流側に配置され、前記鹸化原料溶液と導入された鹸化触媒とを混合する１又は２以上のスタティックミキサーと、
を有するポリビニルアルコール樹脂の製造装置。
【請求項５】
前記スタティックミキサーは、１エレメントあたりの圧力損失が０．０５ＭＰａ未満であることを特徴とする請求項４に記載のポリビニルアルコール樹脂の製造装置。
【請求項６】
一方向に移動するベルトを有し、該ベルトに、前記スタティックミキサーから排出された混合物を載置して鹸化反応を進行させることを特徴とする請求項４又は５に記載のポリビニルアルコール樹脂の製造装置。
【請求項７】
前記触媒導入機構は、前記流路の中心部を通り、通流方向に対して垂直に貫通するように配設され、触媒を含む溶液が通流する導入管と、該導入管の前記流路中心部に相当する位置に設けられ、前記スタティックミキサー側に開口する導入口と、を有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載のポリビニルアルコール樹脂の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るポリビニルアルコール樹脂の製造方法は、ポリビニルエステルと有機溶媒とからなる鹸化原料溶液が通流する流路中央部に鹸化触媒を導入する導入工程と、前記鹸化原料溶液と導入された鹸化触媒とをスタティックミキサーで混合する混合工程と、を有する。
本発明においてはスタティックミキサーで混合しているため、混合に要するエネルギーが不要となる。また、スタティックミキサーでの混合は発熱しないため、混合中に鹸化反応が進行することがない。これにより、製造されるポリビニルアルコール樹脂の品質が安定する。更に、鹸化原料溶液が通流する流路の中央部に鹸化触媒を導入しているため、混合効率に優れ、短時間で鹸化原料溶液と触媒とを混合することができる。
この製造方法では、混合工程により得られた混合物をベルト上に載置して鹸化反応を進行させてもよい。
また、鹸化原料溶液におけるポリビニルエステル濃度を２０〜６０質量％、粘度を０．０１〜３０Ｐａ・ｓとし、この鹸化原料溶液に、鹸化触媒を、濃度が０．２〜１０質量％となるように導入してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このスタティックミキサー２で混合した混合物４は、所定の温度条件下で所定時間保持し、鹸化反応を進行させる。例えば、図１に示すベルト型反応器の場合は、ベルト３を移動させながら、２０〜５０℃の温度条件下で保持する。このときの保持時間は、目的とする鹸化度に応じて設定することができ、例えば平均鹸化度を９０モル％程度にしたいときは、３０分程度保持すればよい。なお、本発明は、ベルト型反応器を使用するものに限定されるものではなく、ベルト型反応器以外に、例えばニーダー型反応器及び塔型反応器などにも適用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【表１】
2011195672.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011195672.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（実施例１）
市販品（和光純薬工業株式会社製）のイットリウム、バリウム及び銅のアセチルアセトナト粉末を、金属成分のモル比で１：２：３となるように秤量し、これらを混合して粉体混合物を得た。この混合物にピリジンおよびプロピオン酸を、粉体混合物がすべて溶解するまでの量を添加した。これを加熱処理し、過剰な前記溶媒成分（ピリジンおよびプロピオン酸）を除去し、非晶質乾固物のアセチルアセトナト基−プロピオン酸基−ピリジン配位金属錯体を得た。次に、これをメタノールに溶解させて、金属元素の割合がＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３の液体状の金属錯体（配位子としてアセチルアセトナト基、ピリジン、プロピオン酸基の３種類を含む）からなる塗布溶液を得た。溶液の濃度は、溶液１ｇあたり希土類金属種が０．１〜０．２ミリモル含まれる量とした。
この溶液を、あらかじめ酸化セリウムを表面に蒸着させた２ｃｍ角のチタン酸ストロンチウム（１００）基板の上にスピンコート法で塗布した。この塗布膜に対して、室温、大気中でＫｒＣｌエキシマランプを照射する（エム・ディ・エキシマ社製MEIR-S-1-200-222、照度：２０ｍＷ／ｃｍ２、照射時間：１８分）。次に、このランプ照射した試料を、酸素気流中で５００℃まで昇温して有機成分を除去する仮焼成を行った。
また、同一基板上に、上記スピンコート塗布工程、ランプ照射工程および仮焼成工程を最大３回（製造されるＹ１２３膜として最大膜厚１μｍ）繰り返す実験を行ったところ、膜厚は塗布回数に比例して増加することを確認した。また、工程を繰り返した後の塗布膜も良好な平滑性を有することを確認した。
すなわち、塗布溶液が下地仮焼成膜を溶解することがなく、スピンコート塗布工程、ランプ照射工程および仮焼成工程の繰り返しにより厚膜が形成できることを確認した。
この仮焼成膜は、淡褐色かつ透明で良好な平滑性を有していた。この仮焼成膜について、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）−エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）による断面の組成分析を行ったところ、非常に均一な元素分布を有することが示された。この結果を図２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
2009001551.tif 000001
〔式中、
Ｒ1は少なくとも１個のフッ素原子を有するＣ１−Ｃ５ハロアルキル基を表し、
Ｒ2は少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ４アルキル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ４アルコキシ基又は少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１−Ｃ４アルキルチオ基を表し、
Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｒ4はシアノ基、Ｃ(＝Ｑ)ＯＲ7又はＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ8)2を表し、
Ｒ5は水素原子、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｒ6はＣ１−Ｃ５フルオロアルキル基を表し、
Ｑは酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｒ7はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｒ8は各々独立して水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表すか、２つのＲ8が末端で結合してＣ２−Ｃ７アルキレン基を表し、
ｍは１〜４の整数を表し、
ｎは０、１又は２を表す。〕
で示される有機硫黄化合物。
【請求項２】
ｎが２である請求項１記載の有機硫黄化合物。
【請求項３】
Ｑが酸素原子であるである請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項４】
Ｒ4がシアノ基である請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項５】
Ｒ4がＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ8)2であり、Ｒ8が各々独立して水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基である請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項６】
Ｒ4がＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ8)2であり、Ｒ8が水素原子である請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項７】
Ｒ5がハロゲン原子である請求項１〜６いずれか一項記載の有機硫黄化合物。
【請求項８】
ｍが２である請求項１〜７いずれか一項記載の有機硫黄化合物。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか一項記載の有機硫黄化合物を有効成分として含有することを特徴とする有害節足動物防除剤。
【請求項１０】
請求項１〜８いずれか一項記載の有機硫黄化合物の有効量を有害節足動物又は有害節足動物の生息場所に施用することを特徴とする有害節足動物の防除方法。
【請求項１１】
Ｒ1がトリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基であり、
Ｒ2がＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基又はＣ１−Ｃ４アルキルチオ基であり、
Ｒ3が水素原子であり、
ｍが２であり、
Ｒ4がＣ(＝Ｏ)ＯＣＨ３又はＣ(＝Ｏ)ＮＨ2であり、
Ｒ5が水素原子、フッ素原子、塩素原子又はメチル基であり、
Ｒ6がトリフルオロメチル基であり、
ｎが２である請求項１記載の有機硫黄化合物。
【請求項１２】
下記式で示される（３，３，３−トリフルオロプロピルスルホニル）酢酸メチル。
2009001551.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
2009001552.tif 000001
〔式中、Ｒ1は少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１０アルケニル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１３アルケニルオキシアルキル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１３アルケニルチオアルキル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１０アルキニル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１３アルキニルオキシアルキル基、少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１３アルキニルチオアルキル基を表し、
Ｒ2はシアノ基、Ｃ(＝Ｑ)ＯＲ5又はＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ6)2を表し、
Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｒ4はＣ１−Ｃ５フルオロアルキル基を表し、
Ｑは酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｒ5はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｒ6は各々独立して水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表すか、２つのＲ6が末端で結合してＣ２−Ｃ７アルキレン基を表し、
ｎは０、１又は２を表す。〕
で示される有機硫黄化合物。
【請求項２】
ｎが２である請求項１記載の有機硫黄化合物。
【請求項３】
Ｒ1が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されているＣ３−Ｃ１０アルケニル基である請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項４】
Ｒ1が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１０アルキニル基である請求項１又は２記載の有機硫黄化合物。
【請求項５】
Ｑが酸素原子である請求項１〜４いずれか記載の有機硫黄化合物。
【請求項６】
Ｒ2がシアノ基である請求項１〜４いずれか記載の有機硫黄化合物。
【請求項７】
Ｒ2がＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ6)2であり、Ｒ6が各々独立して水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基である請求項１〜４いずれか記載の有機硫黄化合物。
【請求項８】
Ｒ2がＣ(＝Ｑ)Ｎ(Ｒ6)2であり、Ｒ6が水素原子である請求項１〜４いずれか記載の有機硫黄化合物。
【請求項９】
Ｒ3がハロゲン原子である請求項１〜８いずれか一項記載の有機硫黄化合物。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか一項記載の有機硫黄化合物を有効成分として含有することを特徴とする有害節足動物防除剤。
【請求項１１】
請求項１〜９いずれか一項記載の有機硫黄化合物の有効量を有害節足動物又は有害節足動物の生息場所に施用することを特徴とする有害節足動物の防除方法。
【請求項１２】
Ｒ1が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよいＣ３−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ３−Ｃ１０アルキニル基又はＣ３−Ｃ１３アルキニルオキシアルキル基であり、
Ｒ2がシアノ基であり、
Ｒ3が水素原子、フッ素原子、塩素原子又はメチル基であり、
Ｒ4がトリフルオロメチル基であり、
ｎが２である請求項１記載の有機硫黄化合物。
【請求項１３】
下記式で示される（３，３，３−トリフルオロプロピルスルホニル）アセトニトリル。
2009001552.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域、ドレイン領域となる第２非晶質領域、及び前記第１非晶質領域と前記第２非晶質領域との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に前記結晶性領域と直接接触することなく形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体膜のうちの前記結晶性領域の部分上に形成された透光性絶縁膜と、
前記第１非晶質領域上から前記透光性絶縁膜上の一部にかけての領域と、前記第２非晶質領域上から前記透光性絶縁膜上の一部にかけての領域とにそれぞれ形成された非晶質半導体層と、
前記ソース電極と前記非晶質半導体層との間、及び前記ドレイン電極と前記非晶質半導体層との間にそれぞれ形成されたオーミックコンタクト層と、をさらに備える請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体膜のうちの前記結晶性領域の部分上に形成された透光性絶縁膜をさらに備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記第１非晶質領域及び前記第２非晶質領域上にそれぞれ直接形成され、
前記第１非晶質領域及び前記第２非晶質領域は、それぞれ不純物を含む請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記結晶性領域は、前記半導体膜のうち、前記透光性絶縁膜下のみに形成されている請求項２又は３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記半導体膜上に形成された非晶質半導体層をさらに備え、
前記ソース電極と前記非晶質半導体層との間、及び前記ドレイン電極と前記非晶質半導体層との間にそれぞれ形成されたオーミックコンタクト層と、をさらに備える請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第１非晶質領域又は前記第２非晶質領域の端面と接するように形成されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体膜と接する部分に形成された酸化膜を含む
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタを有する半導体装置。
【請求項９】
基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、
前記非晶質半導体膜上に、所定の形状の透光性絶縁膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、前記透光性絶縁膜を介して前記レーザー光を前記非晶質半導体膜に吸収させることにより、前記透光性絶縁膜の下の部分の前記非晶質半導体膜を結晶化するレーザーアニール工程と、を備える非晶質半導体膜の結晶化方法。
【請求項１０】
前記レーザーアニール工程における前記レーザー光の照射エネルギー密度は、
前記透光性絶縁膜の下の部分の前記非晶質半導体膜が、前記透光性絶縁膜を介して前記非晶質半導体膜に吸収される前記レーザー光により、結晶粒径１００ｎｍ以下の微結晶を有する微結晶半導体膜に変換される条件よりも高く、
前記透光性絶縁膜の外側の部分の前記非晶質半導体膜が、前記透光性絶縁膜を介さずに直接前記非晶質半導体膜に吸収される前記レーザー光により、結晶化される条件よりも低い請求項９に記載の非晶質半導体膜の結晶化方法。
【請求項１１】
基板上に所定の形状のゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質の第１半導体膜を形成する工程と、
前記第１半導体膜上に、所定の形状の透光性絶縁膜を形成する工程と、
前記第１半導体膜にレーザー光を照射し、前記透光性絶縁膜を介して前記レーザー光を前記第１半導体膜に吸収させることにより、前記透光性絶縁膜の下の部分の前記第１半導体膜を結晶化するレーザーアニール工程と、
前記第１半導体膜を、前記レーザーアニール工程にて結晶化された結晶性領域と、前記結晶性領域を介して対向配置された非晶質領域とを含む形状にパターニングする工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記レーザーアニール工程における前記レーザー光の照射エネルギー密度は、
前記透光性絶縁膜の下の部分の前記第１半導体膜が、前記透光性絶縁膜を介して前記第１半導体膜に吸収される前記レーザー光により、結晶粒径１００ｎｍ以下の微結晶を有する微結晶半導体膜に変換される条件よりも高く、
前記透光性絶縁膜の外側の部分の前記第１半導体膜が、前記透光性絶縁膜を介さずに直接前記第１半導体膜に吸収される前記レーザー光により、結晶化される条件よりも低い請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記第１半導体膜と接する部分に酸化膜を含むよう形成されている請求項１１又は１２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記レーザーアニール工程後、前記透光性絶縁膜を覆うよう、前記第１半導体膜上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程と、
前記第２半導体膜の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとし、前記透光性絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて、前記透光性絶縁膜上の前記第２半導体膜をエッチング除去する工程と、をさらに備える請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記透光性絶縁膜を形成後、かつ前記レーザーアニール工程前に、前記透光性絶縁膜をマスクとして用いて、前記第１半導体膜に不純物を導入する工程と、
前記レーザーアニール工程後、前記第１半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、をさらに備える請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記レーザーアニール工程後、前記透光性絶縁膜をエッチングする工程と、
前記透光性絶縁膜のエッチング後、前記第１半導体膜上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程と、
前記第２半導体膜の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記第２半導体膜を膜厚方向に一部エッチングする工程と、をさらに備える請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
具体的には、記録媒体が複数のタイトルを格納し、これらのタイトルの中からユーザが選択することができ、または、自動的に付加されるか、つなぎ合わされることができると仮定すると、これらの条件として、タイトルが変更されると常にアプリケーションを終了する、従前のタイトルが特定の次のタイトルをリクエストし、次のタイトルがリクエストされたタイトルでなかったときにアプリケーションを終了する、媒体の取り出しがあったときに無条件にアプリケーションが終了する、媒体の取り出しがユーザによって、例えば、（ハードウエアまたは、ソフトウエア、即ち、画面上に表示される）取り出しボタンを押すなどして行われた場合のみにアプリケーションを終了する、媒体取り出しおよび別の媒体の挿入があったときにアプリケーションを終了する、並びに、アプリケーションが特定の次の媒体をリクエストし、実際に挿入された媒体がそのリクエストされた次の媒体と異なる場合は媒体取り出しおよび別の媒体の挿入があったときにアプリケーションを終了する、といったものが挙げられる。換言すれば、着脱可能な記録媒体からロードされる本発明のソフトウエア・アプリケーションは、所定のライフタイムを有し、特定の他の記録媒体をリクエストし、リクエストされた記録媒体が挿入されたときに実行を継続し、他の、リクエストされない記録媒体が挿入されたときに実行を終了することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表示画面を有する第１表示ユニットと、
第２表示画面を有する第２表示ユニットと、
前記第１表示ユニットおよび第２表示ユニットの表示を制御する表示制御部と、を備える情報処理装置において、
２つの前記表示画面のうち前記第１表示画面のみが外部に臨む第１画面状態と前記第１表示画面と前記第２表示画面の双方が外部に臨む第２画面状態とに切り替え可能なように前記第１表示ユニットおよび前記第２表示ユニットが関連付けられ、
前記表示制御部は、前記第１表示画面がユーザによって視認可能なように外部に臨む状態を維持したまま、当該ユーザによって前記第１表示ユニットの移動を含む切り替え操作が行われることにより、前記第１画面状態が前記第２画面状態に切り替わると、前記第１画面状態において前記第１表示画面に表示された画像を、前記第１表示画面には前記画像が天地逆さまになって表示されるとともに、前記第２表示画面には前記第１画面状態で表示されていた画像と同じ向きで前記画像が表示されるよう制御する情報処理装置。
【請求項２】
請求項１における情報処理装置において
分割画面の表示が設定される場合には、前記表示制御部は、前記第１表示画面には前記画像が天地逆さまになって表示されるとともに、前記第２表示画面には前記第１画面状態で表示されていた画像と同じ向きで前記画像が表示されるよう制御し、
分割画面の表示が設定されていない場合には、前記表示制御部は、前記第１画面状態において前記第１表示画面に表示された画像を、前記第２画面状態に切り替わると、前記第１表示画面と前記第２表示画面が一体化された画面上に前記画像が表示されるよう制御することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
第１表示画面を有する第１表示ユニットと、第２表示画面を有する第２表示ユニットと、を備え、２つの前記表示画面のうち前記第１表示画面のみが外部に臨む第１画面状態と前記第１表示画面と前記第２表示画面の双方が外部に臨む第２画面状態とに切り替え可能なように前記第１表示ユニットおよび前記第２表示ユニットが関連付けられた情報処理装置のコンピュータに、
前記第１表示画面がユーザによって視認可能なように外部に臨む状態を維持したまま、当該ユーザによって前記第１表示ユニットの移動を含む切り替え操作が行われることにより、前記第１画面状態が前記第２画面状態に切り替わると、前記第１画面状態において前記第１表示画面に表示された画像を、前記第１表示画面には前記画像が天地逆さまになって表示されるとともに、前記第２表示画面には前記第１画面状態で表示されていた画像と
同じ向きで前記画像が表示される機能を付与するプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新することにより、前記記録媒体からファイルを削除する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録手段による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録されたファイルの削除を可能とすることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新することにより、前記記録媒体に記録されたファイルのファイル名を変更する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録手段による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録されたファイルのファイル名の変更を可能とすることを特徴とする記録装置。
【請求項３】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録手段と、
記録停止の指示に応じて、記録中のデータの記録を停止して前記記録中のデータを含むファイルをクローズすると共に、前記前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新するように前記記録手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録手段による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報の更新を可能とすることを特徴とする記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新するために必要なデータ量に基づいて前記閾値を決めることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記記録媒体からファイルを削除したことに応じて前記代替ブロックの残量を検出し、検出された代替ブロックの残量が前記閾値以下である場合、前記記録媒体から更にファイルを削除することを禁止することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
前記データは、動画データまたは音声データであることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項７】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対してデータを記録する記録装置の制御方法であって、
記録手段が、前記記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録工程と、
制御手段が、前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新することにより、前記記録媒体からファイルを削除する制御工程とを有し、
前記制御工程では、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録工程による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録されたファイルの削除を可能とすることを特徴とする記録装置の制御方法。
【請求項８】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対してデータを記録する記録装置の制御方法であって、
記録手段が、前記記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録工程と、
制御手段が、前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新することにより、前記記録媒体に記録されたファイルのファイル名を変更する制御工程とを有し、
前記制御工程では、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録工程による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録されたファイルのファイル名の変更を可能とすることを特徴とする記録装置の制御方法。
【請求項９】
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対してデータを記録する記録装置の制御方法であって、
記録手段が、前記記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録工程と、
制御手段が、記録停止の指示に応じて、記録中のデータの記録を停止して前記記録中のデータを含むファイルをクローズすると共に、前記前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新するように前記記録工程を制御する制御工程とを備え、
前記制御工程では、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録工程による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報の更新を可能とすることを特徴とする記録装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による記録装置は以下の構成を備える。すなわち、
不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報を更新することにより、前記記録媒体からファイルを削除する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録媒体における代替ブロックの残量に基づき、前記代替ブロックの残量が閾値よりも大きい場合に、前記記録手段による前記記録媒体に対する前記データの記録を禁止して前記記録媒体に記録されたファイルの削除を可能とする。