(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半田バンプが形成され、下面に導電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する工程と：
（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する工程と：
（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するように導電性接続ピンを位置決めする工程と：
（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程。
【請求項２】
上面に半田バンプが形成され、下面に導電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する工程と：
（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する工程と：
（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するように導電性接続ピンを位置決めする工程と：
（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程：
（Ｅ）プリント配線板の前記半田バンプに電子部品を載置し、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田の溶融しない温度を加え、当該電子部品を半田バンプに取り付ける工程。
【請求項３】
前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、
前記高融点の半田の溶融は２００℃以上、２５０℃未満であることを特徴とする請求項１又は２のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、
前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田の溶融しない温度として、２００℃以上、２５０℃未満を加えることを特徴とする請求項２のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、上面に半田バンプが形成され、下面に導電性接続ピンが配設されたプリント配線板の製造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＧＡパッケージ基板においては、プリント配線板の表層の片面に半田ペーストなどを印刷し、リフローをしてＩＣチップなどの電子部品を実装するための半田バンプを形成する。その後、もう一方の片面に、半田ペーストなどの導電性接着剤を印刷し、マザーボードやドータボードヘ接続するための導電性接続ピンを、導電性接着剤に取り付けてリフローをして接続固定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した方法では、半田バンプ形成と導電性接続ピンの取り付けとを、別々にリフローをして行っているため、リフローの回数が増えてしまい、リフロー時の熱の影響による基板の反りが生じ易くなっていた。基板に反りが生じた場合、基板中の配線が断線もしくは断線し易くなってしまい、基板の信頼性を低下させていた。また、導電性接続ピンは傾くこともあり、ソケットへ挿入できないことや、半田部分の応力により導電性接続ピンが剥がれることがあり、電気的接続が取れないことがあった。
【０００４】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、信頼性を高めたプリント配線板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明では、上面に半田バンプが形成され、下面に導電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とするプリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する工程と：
（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する工程と：
（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するように導電性接続ピンを位置決めする工程と：
（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程。
【０００６】
請求項１では、プリント配線板の上面に低融点の半田を用い、下面には、高融点の半田を用いている。そして、プリント配線板の上面の半田バンプの形成と、プリント配線板の下面の半田を介して導電性接続ピンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田が溶融する最低の温度でリフローすることにより、同時に行っている。それにより、リフローの回数を１回にすることができ、リフロー時の熱による基板の影響を最小にすることができ、プリント配線板の信頼性を高めることが可能となる。
【０００７】
請求項２の発明では、上面に半田バンプが形成され、下面に導電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを技術的特徴とするプリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する工程と：
（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する工程と：
（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するように導電性接続ピンを位置決めする工程と：
（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける工程：
（Ｅ）プリント配線板の前記半田バンプに電子部品を載置し、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田の溶融しない温度を加え、当該電子部品を半田バンプに取り付ける工程。
【０００８】
請求項２では、プリント配線板の上面に低融点の半田を用い、下面には、高融点の半田を用いている。そして、プリント配線板の上面の半田バンプの形成と、プリント配線板の下面の半田を介して導電性接続ピンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田が溶融する最低の温度でリフローすることにより、同時に行っている。これにより、リフロー時の熱による基板の影響を小さくすることができ、プリント配線板の信頼性を高めることが可能となる。
その後、プリント配線板に電子部品を実装する際に、高融点の半田が溶融しない温度でリフローをして、プリント配線板の上面の半田バンプに電子部品を実装している。それにより、導電性接続ピン側の半田の溶融による、導電性接続ピンの脱落および傾きを起こすことなく、半田バンプに電子部品を実装することができる。
【０００９】
請求項３の発明では、前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、
前記高融点の半田の溶融は２００℃以上、２５０℃未満であることを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項３では、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなる高融点の半田が、溶融する最低の温度として、２００℃以上２５０℃未満を加えている。それによって、Ｓｎ／Ｐｂからなる低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田も溶融するので、同時に半田バンプの形成と導電性接続ピンの取り付けとを行うことが可能となる。なお、２００℃未満では、高融点の半田が溶融しないので、導電性接続ピンの取り付けができない。また、２５０℃以上では、低融点の半田が液状に溶けてしまい、半田バンプを形成することができない。さらに、プリント配線板を構成する樹脂層である樹脂絶縁層、ソルダーレジスト層が変質する恐れがある。
【００１１】
請求項４の発明では、前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、
前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田の溶融しない温度として、２００℃以上２５０℃未満を加えることを技術的特徴とする。
【００１２】
請求項４では、半田バンプに電子部品を実装する際に要する熱の温度を２００℃以上２５０℃未満とすることで、高融点の半田の溶融を防いでいる。それにより、半田バンプに電子部品を実装する際に要する熱の影響による導電性接続ピンの脱落、傾きを防ぐことが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０の構成について、図８を参照して説明する。図８は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０の断面図を示している。
【００１４】
図８に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には、導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。該上層層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側の該開口７１Ｕには、半田バンプ７６が配設されている。また、底面側の該開口７１Ｄには、導電性接続ピン８０の固定部８４が、導電性接着剤８６によって接続固定されている。
【００１５】
本発明に用いられる半田バンプ７６としては、低融点のＳｎ／Ｐｂからなる半田が好ましい。また、導電性接着剤８６としては、高融点のＳｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂなどからなる半田を使用することができ、Ｓｎ／Ｐｂで形成するのが最も好ましい。また、高融点の半田の融点は、２００〜２５０℃のものが好ましく、低融点の半田の融点は、高融点の半田の融点より低いものを用いる。それにより、後述するように半田バンプ７６の形成と導電性接続ピン８０の取り付けとを同時に行い、リフローの回数を１回にする。
【００１６】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程について図１〜図９を参照して説明する。この第１実施形態では、多層プリント配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００１７】
多層プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤、Ｃ．ソルダーレジスト用樹脂について説明する。
【００１８】
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９，油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５，大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０，大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００１９】
Ｂ．樹脂充填剤の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００２０】
Ｃ．ソルダーレジスト用樹脂の調製
ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。
【００２１】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図９を参照して説明する。
【００２２】
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に導体回路３４とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００２３】
（２）スルーホール３６および導体回路３４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール３６を含む導体回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１（Ｃ）参照）。
【００２４】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板３０の片面の導体回路３４非形成部と導体回路３４の外縁部とに樹脂充填剤４０の層を形成する。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹脂充填剤４０を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、導体回路３４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させる（図１（Ｄ）参照）。
【００２５】
（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化する（図２（Ａ）参照）。
【００２６】
このようにして、スルーホール３６や導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填材４０の表層部および導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材４０と導体回路３６の側面とが粗化面３４αを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填材４０とが粗化面３８αを介して強固に密着した絶縁性基板を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と導体回路３４の表面とが同一平面となる。
【００２７】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路３８の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａと内壁とをエッチングすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ｂ）参照）。
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。
【００２８】
（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図２（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させる。
【００２９】
（７）次に、層間樹脂絶縁層５０上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔４７ａが形成されたマスク４７を介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径８０μｍのバイアホール用開口４８を形成する（図２（Ｄ）参照）。樹脂フィルムとしては、ＰＰＥ、ポリオレフィン、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂でもよい。インク状にした接着剤として塗布してもよい。
【００３０】
（８）バイアホール用開口４８を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化面５０αとする（図３（Ａ）参照）。過マンガン酸以外にもクロム酸やクロム硫酸等の強酸を用いてもよい。
【００３１】
（９）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付着させる。
【００３２】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗化面５０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５２を形成する（図３（Ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【００３３】
（１１）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜５２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｃ）参照）。
【００３４】
（１２）次いで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図３（Ｄ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００３５】
（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００３６】
（１４）（５）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８αを形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００３７】
（１５）上記（６）〜（１４）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図４（Ｃ）参照）。
【００３８】
（１６）次に、多層配線基板の両面に、Ｃで調製したソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液または準水現像液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬化させ、開口７１Ｕ、７１Ｄを有する、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図４（Ｄ）参照）。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【００３９】
（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００４０】
（１８）この後、基板の開口７１Ｕ側の面の上に、開口７１Ｕに相当している部分に通孔７５ａが形成された半田印刷用マスク７５を載置する。そして、マスク７５を介して、低融点のスズ−鉛を含有する半田ペースト７６αを印刷する（図５（Ｂ）参照）。
【００４１】
（１９）次に、基板を裏返して、半田ペースト７６αに触れないように基板を、支持治具７８に載置する（図６（Ａ）参照）。その後、（１８）と同様に、基板に開口７１Ｄに相当している部分に通孔７９ａが形成された半田印刷用マスク７９を、基板の開口７１Ｄ側の面に載置する。そして、マスク７９を介して開口７１Ｄ内に導電性接着剤８６として高融点のスズ−アンチモンを含有する半田ペーストを印刷する（図６（Ｂ）参照）。
【００４２】
（２０）さらに、接続部８２と固定部８４からなる導電性接続ピン８０を、ピン保持装置８８に取り付けて支持し（図７（Ａ）参照）、導電性接続ピン８０の固定部８４を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤８６に当接させる（図７（Ｂ）参照）。
【００４３】
（２１）その後、２００〜２５０℃でリフローすることで、開口部７１Ｕに半田バンプ７６を形成し、同時に開口部７１Ｄ内の導電性接着剤８６に導電性接続ピン８２を接続固定させる。これにより、半田バンプ７６および導電性接続ピン８２を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図８参照）。
高融点の半田（スズ−アンチモン）が溶融する最低の温度である２００〜２５０でリフローすることによって、低融点の半田（スズ−鉛）が溶融すると共に高融点の半田も溶融し、同時に半田バンプ７６の形成と導電性接続ピン８０の取り付けとを行うことができる。そのため、リフローの回数を１回にすることができ、リフロー時の熱による基板の影響を小さくすることが可能となり、これにより、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００４４】
（２２）次に、完成した多層プリント配線板１０の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置する。その後、２００〜２５０℃でリフローを行い、ＩＣチップ９０の取り付けを行う。これにより、ＩＣチップ９０を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図９参照）。
半田バンプ７６にＩＣチップ９０を実装する際に要する熱の温度を２００〜２５０℃とすることで、ＩＣチップ９０を実装する際に要する熱の影響による、導電性接着剤８６の溶融が原因の、導電性接続ピン８０の脱落および傾きを防ぐことが可能となる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明では上述したように、プリント配線板の上面に低融点の半田を用い、下面に高融点の半田を用いている。そして、プリント配線板上面の半田バンプの形成と、プリント配線板の下面の半田を介して導電性接続ピンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田が溶融する最低の温度でリフローすることにより同時に行っている。そのため、リフローの回数を一回にすることができ、リフロー時の熱による基板の影響を小さくすることが可能となる。よって、プリント配線板の信頼性を高めることができる。また、導電性接続ピンの傾きがなくソケットに収まるため、電気接続性を向上させれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  導体回路
３６  バイアホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口部
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７６  半田バンプ
８０  導電性接続ピン
８２  接続部
８４  固定部
８６  導電性接着剤
９０  ＩＣチップ
９２  半田パッド
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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