Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを模した複数の第１画像と、印刷対象の画像である複数の第２画像とを表示する表示部と、
前記表示部の表示領域のうち、ユーザが指定した位置の情報を取得する入力部と、
前記入力部で取得される位置情報に基づき、前記複数の第２画像のうちの１つまたは複数が選択されることを検知し、前記複数の第１画像のうちの１つの第１画像の上に、選択された前記第２画像がリリースされるとき、リリースされる前記第２画像が同じグループとなるように設定し、グループごとに、印刷設定を行う制御部と、
前記制御部による印刷設定に従い、シートに前記第２画像を印刷する印刷部と、
を有する画像形成装置。
【請求項２】
シートを模した複数の第１画像と、前記第１画像上に配置された、印刷対象の画像である複数の第２画像と、マーキング画像である少なくとも１つの第３画像とを表示する表示部と、
前記表示部の表示領域のうち、ユーザが指定した位置の情報を取得する入力部と、
前記入力部で取得される位置情報に基づき、第３画像が選択されることを検知し、前記複数の第１画像のうちの１つの第１画像の上に、選択された前記第３画像がリリースされるとき、リリースされた前記第１画像上に配置される第２画像が、同じグループに属するようにグループを設定し、グループごとに、印刷設定を行う制御部と、
前記制御部による印刷設定に従い、シートに前記第２画像を印刷する印刷部と、
を有する画像形成装置。
【請求項３】
シートを模した複数の第１画像と、印刷対象の画像である複数の第２画像とを表示する表示部と、
前記表示部の表示領域のうち、ユーザが指定した位置の情報を取得する入力部と、
前記入力部で取得される位置情報に基づき、前記複数の第２画像のうちの１つまたは複数が選択されることを検知し、前記複数の第１画像のうちの１つの第１画像の上に、選択された前記第２画像がリリースされるとき、リリースされる前記第２画像が同じグループとなるように設定し、グループごとに、印刷設定を行う制御部と、
を有する印刷設定装置。
【請求項４】
請求項３に記載の印刷設定装置において、
前記表示部は、さらに、前記第１画像上に配置される第２画像のうちの１つが選択される場合、該第２画像の属するグループの印刷設定画面を表示する印刷設定装置。
【請求項５】
シートを模した複数の第１画像と、前記第１画像上に配置された、印刷対象の画像である複数の第２画像と、マーキング画像である少なくとも１つの第３画像とを表示する表示部と、
前記表示部の表示領域のうち、ユーザが指定した位置の情報を取得する入力部と、
前記入力部で取得される位置情報に基づき、第３画像が選択されることを検知し、前記複数の第１画像のうちの１つの第１画像の上に、選択された前記第３画像がリリースされるとき、リリースされた前記第１画像上に配置される第２画像が、同じグループに属するようにグループを設定し、グループごとに、印刷設定を行う制御部と、
を有する印刷設定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタするモニタ部と、
前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する変更部と、
を備えたことを特徴とするメモリシステム。
【請求項２】
前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性は、前記書き込み処理の回数、前記消去処理の回数、前記書き込み処理に要する時間、前記消去処理に要する時間、前記書き込み処理における書き込み動作及びベリファイ動作の繰り返し回数、及び前記消去処理における消去動作及びベリファイ動作の繰り返し回数の少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記変更部は、
前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間を目標値に一致させるための、書き込み開始電圧の値及び書き込み電圧の増加幅の少なくとも一方の変更量を演算する演算部と、
前記演算された変更量を用いて、前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値及び書き込み電圧の増加幅の少なくとも一方を変更する変更処理部と、
を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、前記書き込み処理におけるベリファイ電圧をさらに変更する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【請求項５】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタするモニタ部と、
前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記消去処理に要する時間が目標値以下になるように、前記消去処理における少なくとも消去開始電圧の値を変更する変更部と、
を備えたことを特徴とするメモリシステム。
【請求項６】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタするモニタ部と、
前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における前記ベリファイ動作の方式を、第２のベリファイ電圧により行う第１の方式から前記第２のベリファイ電圧より低い第１のベリファイ電圧と前記第２のベリファイ電圧とにより２段階で行う第２の方式へ変更する変更部と、
を備えたことを特徴とするメモリシステム。
【請求項７】
前記変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する書き込み時間が目標値に一致するように、前記第２の方式の前記ベリファイ動作における前記第１のベリファイ電圧のレベルとビット線の充電電圧との少なくとも一方を変更する
ことを特徴とする請求項６に記載のメモリシステム。
【請求項８】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスの有する複数のメモリセルにデータの書き込み／消去を行う不揮発性メモリデバイスの制御方法であって、
データ更新を前記不揮発性メモリデバイス内で均等化させるウェアレベリングを行うとともに、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み／消去回数に応じて、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する
ことを特徴とする不揮発性メモリデバイスの制御方法。
【請求項９】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスの有する複数のメモリセルにデータの書き込み／消去を行う不揮発性メモリデバイスの制御方法であって、
前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み／消去回数に応じて、消去動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される消去処理における消去開始電圧の値を変更する
ことを特徴とする不揮発性メモリデバイスの制御方法。
【請求項１０】
データを記憶する不揮発性メモリデバイスの有する複数のメモリセルにデータの書き込み／消去を行う不揮発性メモリデバイスの制御方法であって、
データ更新を前記不揮発性メモリデバイス内で均等化させるウェアレベリングを行うとともに、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み／消去回数に応じて、消去動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される消去処理における消去開始電圧の値を変更する
ことを特徴とする不揮発性メモリデバイスの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリシステム、及び不揮発性メモリデバイスの制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルの上に液晶レンズが配置された液晶表示装置であって、
前記液晶表示パネルは、第１画素と第２画素を有し、
前記液晶レンズは、第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された構成であり、
前記第１の基板は、前記液晶表示パネルと前記液晶との間に配置され、
前記第１の基板には、複数のストライプ状の電極が第１の方向に延在し、所定の間隔を持って第２の方向に配列し、
前記第２の基板には前記複数のストライプ状の電極と重畳する平面状の電極が形成されており、
前記液晶表示パネルからの出射光の偏光軸の方向は、前記第２の方向であり、
前記第１の基板における前記液晶の分子の第１の初期配向方向は、前記第２の方向であり、
前記第２の基板における前記液晶の分子の第２の初期配向方向と、前記第１の初期配向方向とがなす角は、９０度±５度であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の初期配向方向と前記第２の初期配向方向とがなす角は、９０度であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の方向と前記第２の方向とがなす角は、９０度±５度であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１画素と前記第２画素とは、複数のサブ画素を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数のサブ画素は、赤色を表示するサブ画素、緑色を表示するサブ画素、青色を表示するサブ画素から成ることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
液晶表示パネルの上に液晶レンズが配置された液晶表示装置であって、
前記液晶表示パネルは、第１画素と第２画素を有し、
前記液晶レンズは、第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された構成であり、
前記第１の基板は、前記液晶表示パネルと前記液晶との間に配置され、
前記第１の基板には、複数のストライプ状の電極が第１の方向に延在し、所定の間隔を持って第２の方向に配列し、
前記第２の基板には前記複数のストライプ状の電極と重畳する平面状の電極が形成されており、
前記液晶表示パネルからの出射光の偏光軸の方向は、前記第２の方向であり、
前記第１の基板における前記液晶の分子の第１の初期配向方向は、前記第２の方向であり、
前記第２の基板における前記液晶の分子の第２の初期配向方向と、前記第１の初期配向方向とがなす角は、４５度乃至９０度であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の初期配向方向と前記第２の初期配向方向とがなす角は、４５度であることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１の方向と前記第２の方向とがなす角は、９０度±５度であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１画素と前記第２画素とは、複数のサブ画素を有することを特徴とする請求項６から請求項８の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記複数のサブ画素は、赤色を表示するサブ画素、緑色を表示するサブ画素、青色を表示するサブ画素から成ることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
液晶表示パネルの上に液晶レンズが配置された液晶表示装置であって、
前記液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記液晶レンズは、第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された構成であり、
前記第１の基板には、第１の幅を有するストライプ状の複数の第１の電極が第１の方向に延在し、第１の間隔で第２の方向に配列し、
隣接する前記第１の電極の間隙には、前記第１の幅よりも大きい第2の幅を有するストライプ状の第２の電極が前記第１の方向に延在し、
前記第２の基板には、第３の幅を有するストライプ状の複数の第３の電極が第２の方向に延在し、第２の間隔で第１の方向に配列し、
隣接する前記第３の電極の間隙には、前記第３の幅よりも大きい第４の幅を有するストライプ状の第４の電極が前記第２の方向に延在し、
前記第１の基板における前記液晶の分子の第１の初期配向方向は、前記第２の方向であり、
前記第２の基板における前記液晶の分子の第２の初期配向方向は、前記第１の方向であり、
前記第１の電極の幅をも含む隣接する前記第１の電極の間には、前記複数の画素のうち、前記第２の方向に2つの画素が隣接し、前記第１の方向に複数の画素が隣接する第１の画素群が重畳し、
前記第３の電極の幅をも含む隣接する前記第３の電極の間には、前記複数の画素のうち、前記第１の方向に2つの画素が隣接し、前記第２の方向に複数の画素が隣接する第２の画素群が重畳することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１の基板は、前記液晶表示パネルと前記液晶との間に配置され、
前記液晶表示パネルからの出射光の偏光軸の方向は、前記第２の方向であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１の電極と前記第２の電極と前記第３の電極と前記第４の電極は、各々独立した電圧が印加されることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第２の電極と前記第３の電極との間に電位差をつけて３次元画像を表示する駆動と、
前記第１の電極と前記第４の電極との間に電位差をつけて３次元画像を表示する駆動とを有することを特徴とする請求項１１から請求項１３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記複数の画素の各々は、複数のサブ画素を有することを特徴とする請求項１１から請求項１４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記複数のサブ画素は、赤色を表示するサブ画素、緑色を表示するサブ画素、青色を表示するサブ画素から成ることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
２次元画像の表示と３次元画像の表示とを切り替え可能なことを特徴とする請求項１から請求項１６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、スペクトル生成部７６は、このときのＡ／Ｄ変換部６６ｂの出力信号とプリアンプ６６ａにおける電流−電圧変換のゲインから蛍光検出器６６の出力電流を逆算し、各波長における蛍光検出器６６の出力電流値を示すスペクトル（以下、「蛍光検出器の電流スペクトル」と呼ぶ）を生成して記憶部７３に格納する。また同様に、Ａ／Ｄ変換部５９ｂの出力信号とプリアンプ５９ａにおける電流−電圧変換のゲインから対照光検出器５９の出力電流を逆算し、各波長における対照光検出器５９の出力電流値を示すスペクトル（以下、「対照光検出器の電流スペクトル」と呼ぶ）を作成して記憶部７３に格納する。なお、以上で取得された溶媒の蛍光側スペクトル、蛍光検出器の電流スペクトル、及び対照光検出器の電流スペクトルが前記本発明の第２の態様のものにおける第１の測定データに相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
以下、本発明に係る吸光度測定装置の実施例について説明する。図６は、本実施例に係る吸光度測定装置の光学系の概略的構成を示す。なお、本実施例に係る吸光度測定装置は図１と同様のＬＣシステムにおいて、カラム４１から溶出した試料成分を順次検出するための検出器５０として用いられるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
データ処理部１０４は、吸光度算出部１０５、スペクトル生成部１０６、最適波長決定部１０７、及びクロマトグラム生成部１０８を備えている。吸光度算出部１０５は、前記の透過光検出器９１側の出力信号を対照光検出器８９側の出力信号で除算し、その対数をとった値に負の符号をつけることで吸光度を算出し（後述の［数１６］参照）、得られた吸光度データを順次、スペクトル生成部１０６又はクロマトグラム生成部１０８に送出する。クロマトグラム生成部１０８は、前記吸光度データに基づき吸光度の時間変化を表すクロマトグラムを作成する。一方、スペクトル生成部１０６は、前記吸光度データに基づき各波長における吸光度を示す吸収スペクトルを作成する。また、詳細は後述するが、スペクトル生成部１０６は各波長における透過光検出器９１及び対照光検出器８９の出力電流を示すスペクトルの生成も行う。スペクトル生成部１０６で生成された各種スペクトルは記憶部１０３に格納される。最適波長決定部１０７は、記憶部１０３に格納されたスペクトルに基づいて所定の演算を行う（詳細は後述する）。なお、この例では記憶部１０３が本発明における記憶手段に相当し、最適波長決定部１０７、吸光度算出部１０５、及びスペクトル生成部１０６が協同して本発明における感度指標推定手段として機能する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
次に、最適波長決定部１０７が、上記溶媒の測定におけるマルチチャンネル型光検出器１１７の出力信号（ステップＳ３１で取得され記憶部１０３に格納される）から該マルチチャンネル型光検出器１１７を構成する各受光素子の出力電流を逆算し、これに基づいて各波長における溶媒由来の吸光度のノイズ推定値を算出する。ここで、溶媒測定時におけるマルチチャンネル型光検出器１１７の各受光素子の出力電流をIsとすると、各素子におけるショットノイズΔIsは、ΔIs＝√(2qIsB)で表される（q：電子の電荷、B：周波数帯域幅）。また、本実施例では、対照光検出器を装備していないので吸光度のノイズは［数１８］の対照光検出器に関する項を除いたものになり、溶媒由来のノイズΔAは、以下の式で推定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012220472.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２に示すように、窪み２０２は、第１プレート３４側の第１面２０２ｃと、第２プレート４０側の第２面２０２ｄとを有し、光電変換基板７６の第１プレート３４側の面７６ｃと窪み２０２の第１面２０２ｃとの最短距離ｄ１、及び光電変換基板７６の第２プレート４０側の面７６ｄと窪み２０２の第２面２０２ｄとの最短距離ｄ２がそれぞれ１〜５ｍｍとなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012220659.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012220659.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁導線を内部に受け入れるようにされ、上面が開放された少なくとも１つの溝を有する本体と、
前記溝を横切るように配向された、互いに対向する刃により形成された絶縁材排除用の第１端部と、前記本体の底面から延びてプリント回路基板と電気的接続するようにされる第２端部とを有する、前記本体に固定された接触要素と、
前記本体上に係合する大きさと形状を有する蓋と、
からなり、
該蓋が、本体に嵌合した状態で本体の溝と整列される底が開放された凹部を有し、該凹部は、前記絶縁されたコア線を最初に受け入れるように形成されており、
前記蓋を本体に押し付けて係合させることによって、前記絶縁導線が前記対向する刃間の前記溝に押し付けられるようにされた
ことを特徴とする電気的絶縁圧接端子コネクタ組立体。
【請求項２】
請求項１のコネクタ組立体であって、前記蓋が本体に嵌合した状態で、前記蓋と本体との間に係合して、不用意に蓋が本体から外れることを防ぐ固定構造を更に含み、前記本体は、両側の縦方向に延びる側壁を含んでおり、前記溝は該側壁内に形成され、前記蓋は、上面と、縦方向に延びる側壁を含み、前記凹部は、前記蓋の側壁の少なくとも１方に形成され、該蓋が本体と嵌合した状態で、前記蓋の側壁が本体の側壁上を滑動して、前記凹部が溝と整列されるようにすることを特徴とする組立体。
【請求項３】
請求項２のコネクタ組立体であって、線貫通型コネクタとして構成され、該線が前記コネクタ組立体を貫通することができるように、前記凹部が蓋の各側壁に形成されていることを特徴とする組立体。
【請求項４】
請求項２のコネクタ組立体であって、線が本体内で端末部を構成するコネクタとして形成され、該線が前記コネクタ組立体を貫通することが出来ないように前記凹部が前記蓋の側壁の一方のみに形成されていることを特徴とする組立体。
【請求項５】
請求項２のコネクタ組立体であって、前記係合する固定構造が、前記本体に形成された隆起の下に係合する、蓋に形成された弾性突起を含むことを特徴とする組立体。
【請求項６】
請求項２のコネクタ組立体であって、前記蓋は、更に、前記側壁の間で該蓋の上面から下方に延びる内側リブを含み、前記蓋が本体に嵌合した状態で、該リブが前記線を溝内に押すように配置されていることを特徴とする組立体。
【請求項７】
請求項１のコネクタ組立体であって、前記本体は、前記溝内にある前記刃の深さに対して、前記溝内に挿入されて、前記蓋によって前記刃の間に押し付けられた前記線の絶縁部分が、該保持構造の下に押しこまれるようになる位置まで、該溝内に延びる保持構造を含み、更に、前記蓋が本体に嵌合した状態で係合して、不用意に本体から蓋が外れることを防ぐ、前記蓋と本体との間の係合固定構造を含むことを特徴とする組立体。
【請求項８】
請求項７のコネクタ組立体であって、前記本体は、ほぼＴ字型の輪郭断面を有し、前記保持構造が、前記Ｔ字型輪郭の両側の頭部にあるＶ字型受け口と、前記Ｖ字型受け口の間に形成された溝とによって形成され、更に、前記係合固定構造が本体に形成された隆起の下部に係合する、前記蓋に形成された弾性突起を含むことを特徴とする組立体。
【請求項９】
請求項１のコネクタ組立体であって、前記接触要素の第２端部は、プリント回路基板上のパッドに表面実装されるようにされた足部を有することを特徴とする組立体。
【請求項１０】
請求項１のコネクタ組立体であって、前記コネクタは複数線コネクタであり、前記本体と前記蓋は、複数の対応した溝及び凹部を含むことを特徴とする組立体。
【請求項１１】
接触パッドフットプリントが形成されたプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に実装され、少なくとも１つの電気絶縁圧接端子コネクタと、を含むプリント回路基板（ＰＣＢ）組立体であって、
前記圧接端子コネクタが、
絶縁導線をその内部に受け入れるようにされ、上面が開放された少なくとも１つの溝を有する本体と、
前記溝を横切るように互いに対向して配向された刃により形成された絶縁材排除用の第１端部と、前記本体の底面から延びてプリント回路基板と電気的接続するようにされる第２端部とを有する、前記本体に固定された接触要素と、
前記本体上に係合する大きさと形状を有する蓋と、
からなり、
該蓋が、本体に嵌合した状態で前記本体の溝と整列されるように底が開放された凹部を有し、該凹部は、前記絶縁されたコア線が最初に押し込まれるように形成されており、
前記蓋を本体に押し付けて係合させることによって、前記絶縁導線が前記対向する刃の間で前記溝に押し付けられ、
前記蓋が本体に嵌合した状態で、前記蓋と本体との間に係合して、不用意に本体から蓋が外れることを防ぐ固定構造を更に含み、前記係合固定構造が、前記本体に形成された隆起の下部に係合するように、前記蓋に形成された弾性突起を含む
ことを特徴とするプリント回路基板（ＰＣＢ）組立体。
【請求項１２】
請求項１１のＰＣＢ組立体であって、前記本体は、両側で縦方向に延びる側壁を含み、前記溝は該側壁内に形成され、前記蓋は、上面と、縦方向に延びる側壁とを含み、前記凹部は、前記蓋の前記側壁の少なくとも１方に形成され、該蓋が本体と嵌合した状態で、前記蓋の側壁が本体の側壁上を滑動して、前記凹部が溝と整列されるようにすることを特徴とする組立体。
【請求項１３】
請求項１２のＰＣＢ組立体であって、線貫通型コネクタとして構成され、前記線が前記コネクタ組立体を貫通することができるように、前記凹部が蓋の前記側壁の各々に形成されていることを特徴とする組立体。
【請求項１４】
請求項１２のＰＣＢ組立体であって、線が本体内で末端部を形成するコネクタとして構成され、前記線が前記コネクタ組立体を貫通することが出来ないように前記凹部が前記蓋の前記側壁の一方のみに形成されていることを特徴とする組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月16日(2013.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム（２０８）を発生するように構成された複数のコイル巻き線を有する少なくとも１つの熱電子陰極（２０６）と、
熱電子陰極（２０６）から放出された電子ビーム（２０８）が入射したときにＸ線を発生するように構成されたターゲットアセンブリ（２１０）と、
熱電子陰極（２０６）とターゲットアセンブリ（２１０）の間に加速電界を確立するために熱電子陰極（２０６）とターゲットアセンブリ（２１０）にまたがる出力電圧を確立するための高電圧供給ユニット（２１２）と、
前記少なくとも１つの熱電子陰極（２０６）の前記複数のコイル巻き線に対応する複数のグリッド部材を有するメッシュグリッド（２１４）と、を備え、
前記メッシュグリッド（２１４）は、前記熱電子陰極（２０６）と前記ターゲットアセンブリ（２１０）の間に配置され、熱電子陰極（２０６）の表面位置に加えられる電界を低下させるような電圧で動作するように構成され、
前記複数のコイル巻き線が連続するコイル巻き線間の複数のギャップを備え、
前記メッシュグリッド（２１４）の前記複数のグリッド部材は、前記連続するコイル巻き線間の前記複数のギャップと整列し、
前記熱電子陰極（２０６）から前記ターゲットアセンブリ（２１０）への電子ビームの放出の間、前記熱電子陰極（２０６）の電圧よりも小さい電圧が前記複数のグリッド部材の全てのグリッド部材に同時に供給されるように、前記メッシュグリッド（２１４）全体の電圧は熱電子陰極（２０６）の電圧を基準として負にバイアスされる、Ｘ線管（２００）。
【請求項２】
前記熱電子陰極（２０６）は、電子ビーム特性を制御するように所定の形状に機械加工されている、請求項１に記載のＸ線管（２００）。
【請求項３】
前記メッシュグリッド（２１４）は、熱電子陰極（２０６）から受け取った電子ビーム（２０８）を所望のスポットサイズに集束させるように構成された１次元グリッドを備えており、該１次元グリッド（２１４）は熱電子陰極（２０６）から約０．１ｍｍ〜１ｍｍの範囲の間隔が置かれている、請求項１に記載のＸ線管（２００）。
【請求項４】
前記メッシュグリッド（２１４）は互いに平行に位置決めされた複数のグリッド部材（３０２）を備えており、かつ前記１次元グリッド（２１４）はさらに、該複数のグリッド部材（３０２）と直交して位置決めされた少なくとも１つのグリッド部材（３０４）を備え、これによりメッシュグリッド（２１４）内部に複数の開口部を形成しており、該少なくとも１つのグリッド部材（３０４）は複数のグリッド部材（３０２）に対する機械的支持を提供するように構成されている、請求項３に記載のＸ線管（２００）。
【請求項５】
前記メッシュグリッド（２１４）の位置の電圧の振幅は熱電子陰極（２０６）の位置の電圧に対して約＋１００Ｖ〜−５０００Ｖの範囲にある、請求項４に記載のＸ線管（２００）。
【請求項６】
スキャン対象（１１０）を受け容れるための開口部を有する回転自在のガントリ（１０２）と、
ガントリ（１０２）に結合されると共に開口部を通ってＸ線を投射するように構成された請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線管（２００）と、
ガントリ（１０２）に結合されると共に開口部を通過するＸ線を受け取るように位置決めされた検出器アセンブリ（１０６）と、
受け取ったＸ線に基づいて画像再構成を実行するように構成された画像再構成装置（１１２）と、を備えたＣＴシステム（１００）。
【請求項７】
前記Ｘ線管（２００）はさらにメッシュグリッド（２１４）と熱電子陰極（２０６）の間に結合されたこれらの間に電圧差を確立するためのグリッド・陰極間電圧供給ユニット（２１６）を備えており、該グリッド・陰極間電圧供給ユニット（２１６）はメッシュグリッド（２１４）の位置に加えられる電圧の振幅の時間変動を制御するように構成されている、請求項６に記載のＣＴシステム（１００）。
【請求項８】
前記Ｘ線管（２００）はさらに、グリッド・陰極間電圧供給ユニット（２１６）に結合されている、熱電子陰極（２０６）からターゲットアセンブリ（２１０）への電子流の流れを所定の値に維持するように熱電子陰極（２０６）とメッシュグリッド（２１４）の間の電圧差の大きさを選択的に変更するための入力制御ユニット（２１８）を備える、請求項７に記載のＣＴシステム（１００）。
【請求項９】
前記Ｘ線管（２００）はさらに、入力制御ユニット（２１８）に結合されている、熱電子陰極（２０６）からターゲットアセンブリ（２１０）への電子流の流れの大きさを表す制御信号を発生させるための制御信号発生ユニット（２１９）を備える、請求項８に記載のＣＴシステム（１００）。
【請求項１０】
Ｘ線撮像の方法であって、該方法は、
熱電子陰極（２０６）とメッシュグリッド（２１４）をこれらの間でグリッド・陰極間電圧を支持するように配列させ、熱電子陰極（２０６）から複数の電子を取り出し電子ビーム（２０８）を形成させるステップであって、前記グリッド・陰極間電圧が前記メッシュグリッド（２１４）の電圧と前記熱電子陰極（２０６）の電圧との電圧の差により規定され、前記熱電子陰極（２０６）は複数のコイル巻き線を有し、前記複数のコイル巻き線が連続するコイル巻き線間の複数のギャップを備え、前記メッシュグリッド（２１４）は、前記連続するコイル巻き線間の前記複数のギャップと対応する複数のグリッド部材を有している、前記ステップと、
前記熱電子陰極（２０６）から前記ターゲットアセンブリ（２１０）への電子流の流れの大きさを表す制御信号を発生するステップと、
電子ビーム（２０８）のアンペア値を制御するために前記制御信号に基づいてグリッド・陰極間電圧を変調するステップと、
Ｘ線が対象に向けて放出されるように位置決めされたターゲットアセンブリ（２１０）に向けて電子ビーム（２０８）を加速させそこからＸ線を発生させるように熱電子陰極（２０６）とターゲットアセンブリ（２１０）にまたがる出力電圧を確立するステップと、
対象を通過した後のＸ線の減衰量を示す１組の撮像データを受け取るステップと、
受け取った撮像データに基づいて対象の画像を再構成するステップと、
を含み、前記メッシュグリッド（２１４）の位置の電圧は熱電子陰極（２０６）の位置の電圧を基準として負にバイアスされ、
前記熱電子陰極（２０６）から前記ターゲットアセンブリ（２１０）への電子ビームの加速の間、前記熱電子陰極（２０６）の電圧よりも小さい電圧が前記複数のグリッド部材の全てのグリッド部材で維持される、Ｘ線撮像方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）電気機器を収容する閉鎖容器内部の温度を測定できる温度センサと、
（ｂ）前記閉鎖容器内に空気を押し込むことができるファンと、
（ｃ）前記ファンを制御できるファン・コントローラと、
（ｄ）前記温度センサ及びファン・コントローラと通信する内部温度モジュールとからなり、
前記内部温度モジュールは、
(i)前記温度センサから温度データを受信し、
(ii)前記ファンがクリーニング・サイクルを実施すべきか否か決定し、
(iii)前記ファン・コントローラにクリーニング・サイクルを命令し、
前記クリーニング・サイクルは前記閉鎖容器内の気流を変化させるために前記ファンを逆回転及び脈動させる、
ことを特徴とする温度管理システム。
【請求項２】
第２のファンを更に有し、前記ファン・コントローラは各ファンを別々に制御する、
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項３】
前記第２のファンはクリーニング・サイクル中、第１のファンと異なる動作をする、
ことを特徴とする請求項２記載の温度管理システム。
【請求項４】
（ｅ）オンチップ温度センサを更に有する、
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項５】
（ｆ）ダストセンサを更に有する、
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項６】
（ｇ）風量センサを更に有する、
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項７】
（ｈ）気流の方向を変化させる羽根と、
（ｉ）前記内部温度モジュールと通信する羽根コントローラと
を更に有し、
前記羽根コントローラは前記内部温度モジュールからの信号に応答して、前記羽根の向きを変化させる
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項８】
前記内部温度モジュールは、
(a)命令を記憶できるメモリと、
(b)前記温度センサ及びファン・コントローラと通信できる入力／出力ポートと、
(c)前記メモリ及び入力／出力ポートと通信するロジック・コントローラと
からなり、
前記ロジック・コントローラは、前記閉鎖容器内部の温度の異常の障害探索を実行し、かつ、クリーニング・サイクルを実施する
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【請求項９】
前記メモリは温度履歴データを含む温度データを記憶できる、
ことを特徴とする請求項８記載の温度管理システム。
【請求項１０】
前記内部温度モジュールは、更に、２個以上のクリーニング・サイクルのうちの一つを前記ファン・コントローラに命令する
ことを特徴とする請求項１記載の温度管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、温度範囲を維持するために、一般的に、電気機器のシャーシ（電気機器を収容する閉鎖容器）内にファンを配設し、温風を排気し、冷風を吸気する。運悪く、一般的に、ファンはダストや微小な粒子類も吸気する。ダスト及び微小粒子は電気機器のシャーシ内に堆積する。或る場合には、ダストは、シャーシ内に熱又は短絡物質を閉じ込めることができるダストボールを形成する。ダストと戦うために、多くの電気機器シャーシは、取り込み空気からダスト又は粒子を除去するためにフィルタを有する。運悪く、フィルタは定期的にメンテナンス及び交換しなければならず、電気機器ユーザに追加コストを課すこととなる。詳細は特許文献７に記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記の課題を解決するために、電気機器シャーシ内部からダスト又はクズを除去する温度制御システム及び方法を提供する。１個以上のファンをシャーシ内又はシャーシの外側付近に配置する。ファンは逆回転、正回転、脈動回転又は逆脈動回転の何れかのモードにより動作され、シャーシ内に空気の乱流を発生させる。気流パターンの変更はダスト及び粒子類の除去を促進する。乱気流でダスト及び粒子類が浮揚されると、ファンはダスト及び粒子類をシャーシ外へ排出することができる。更に、別の実施態様では、気流を更に管理するために羽根又はその他の機素を配設する。
以上述べたように、本発明の温度制御システムはファンで換気される全ての電気機器で使用できる。また、本発明の温度制御システムにより、ダストがシャーシ内の構成部品上に堆積しないようにする低コストで効率的な方法が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６８４０９７４号公報
【特許文献２】米国特許第７４５５７０６号公報
【特許文献３】米国特許第７５２０４４４号公報
【特許文献４】米国特許第７５２２８３４号公報
【特許文献５】米国特許出願第２００２／０１０１７１４号明細書
【特許文献６】米国特許出願第２００６／００９２６０９号明細書
【特許文献７】米国特許出願第２００７／００９５５２２号明細書
【特許文献８】米国特許出願第２００７／０１３１４０９号明細書
【特許文献９】米国特許出願第２００９／０００９９６０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この配線回路基板の製造方法によれば、第２の絶縁層の第４の面が第１の絶縁層の第１の面に接するように、第２の絶縁層が第１の絶縁層上に形成される。第１および第２の配線パターンにより信号線路対が構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
サスペンション本体部１００の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１００の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
線路ＬＡ１，ＬＢ１が配置されるサスペンション基板１の一端部の領域を第１の領域Ｄ１と呼ぶ。線路ＬＡ２，ＬＡ３，ＬＢ２，ＬＢ３が配置されるサスペンション基板１の略中央部の領域を第２の領域Ｄ２と呼ぶ。線路ＬＡ４，ＬＢ４が配置されるサスペンション基板１の他端部の領域を第３の領域Ｄ３と呼ぶ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
線路ＬＡ１，ＬＢ１は、サスペンション基板１の第１の領域Ｄ１（図２参照）において平行に配置される。図７（ａ），（ｂ）に示すように、線路ＬＡ１，ＬＢ１は、支持基板１０から第２の高さｈ２に位置する。図７（ｂ），（ｃ）に示すように、線路ＬＡ５は、支持基板１０から第１の高さｈ１に配置される。図７（ｂ）に示すように、線路ＬＡ１と線路ＬＡ５との間のカバー絶縁層４２ａの部分に貫通孔が形成され、その貫通孔内の導電材料を通して線路ＬＡ１と線路ＬＡ５とが電気的に接続される。同様に、図２の線路ＬＢ５は、支持基板１０から第１の高さｈ１に配置される。線路ＬＢ４と線路ＬＢ５との間のカバー絶縁層４２ａの部分に貫通孔が形成され、その貫通孔内の導電材料を通して線路ＬＢ４と線路ＬＢ５とが電気的に接続される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１の上面上に例えば銅からなる線路ＬＡ３，ＬＡ５，ＬＢ３，ＬＢ５を形成する。なお、図１０（ｂ）には線路ＬＢ５は表れていない。貫通孔Ｈ２内には、例えば銅からなる導電材料が充填される。それにより、線路ＬＢ３は、貫通孔Ｈ２内の導電材料を通してジャンパー配線ＪＬ１と電気的に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
第１透明電極を有する第１基板部と、
前記第１透明電極に対向する第２透明電極を有する第２基板部と、
前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に設けられた第１液晶層と、
を含む第１シャッタ部を備え、
前記第１液晶層の液晶配列は、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間の第１電位差が第１電圧に設定されたときにスプレイ配列であり、前記第１電位差が前記第１電圧よりも実効値が大きい第２電圧に設定されたときにベンド配列へ転移し、
前記第１基板部は、前記第１液晶層における前記スプレイ配列から前記ベンド配列への前記転移を促進させる複数の第１転移核部を有し、
前記第１基板部は、前記第１基板部のうちで前記第１液晶層の前記液晶配列において液晶分子の一端が前記第１基板部から離れている側の第１部分と、前記第１基板部のうちで前記第１部分とは異なる第２部分と、を有し、
前記第２部分における前記複数の第１転移核部の密度は、前記第１部分における前記複数の第１転移核部の密度よりも高いことを特徴とする液晶シャッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記複数の第１転移核部は、前記第１透明電極に設けられた複数の孔部を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の液晶シャッタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このように、初期化処理が行われた後に、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に表した動作が行われる。すなわち、ベンド配列状態において、例えば第１ベンド電圧ＶＢ１を印加した状態（図５（ｃ）の状態）と、例えば第２ベンド電圧ＶＢ２を印加した状態（図５（ｄ）の状態）と、のスイッチングが行われる。例えば、第１ベンド電圧ＶＢ１は、０Ｖである。第２ベンド電圧ＶＢ２は、例えば±５Ｖである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
以下、スプレイ配列からベンド配列への転移に関して発明者が行った実験の結果について説明する。  
発明者は、液晶材料、シール部の材料、配向膜材料、及び、プロセス条件などを変えて、各種の液晶シャッタの試料を作製した。この試料においては、第１転移核部１１４ａ（第１孔１１２ｈ）が設けられていない。または、この試料においては、第１転移核部１１４ａ（第１孔１１２ｈ）が均一な密度で設けられている。そして、スプレイ配列からベンド配列への転移に関して評価した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
一方、第１パターン（転移の時間が長い領域が周縁部において発生する状態）の場合は、上述した不純物が所定の領域に押しやられ、不純物がその場所に滞留するのではなく、逃げ場がなく周縁で滞留するものと思われ、このことが周縁全体にわたって転移の時間を長くしていると考えられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
例えば、第１基板部１１０ａは、第１部分と、第２部分と、を有する。第１部分は、第１基板部１１０ａのうちで、第１液晶層１３０ａの液晶配列において液晶分子１３０ｌの一端が第１基板部１１０ａから離れている側（チルト側）である。第２部分は、第１基板部１１０ａのうちで、第１部分とは異なる部分である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
特に、第１基板部１１０ａの周縁部ＰＰにおける複数の第１転移核部１１４ａの密度を、内側部ＣＰにおける複数の第１転移核部１１４ａの密度よりも高く設定することが望ましい。これにより、上記の第１〜第３パターンが特に効果的に抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体供給路上に取り付けられるバルブボディと、
このバルブボディに設けられ、流体導入口と前記流体供給路の流体受容側を連通する連通路と、
前記連通路内に設けられた弁座と、
この弁座に対し、前記連通路内の流体供給路の流体受容側で離接して前記連通路を開閉する弁体と、
この弁体を前記弁座方向に付勢するスプリングと、を備え、
前記流体供給路の流体受容側への流体の導入時に、前記弁体が前記流体導入口から導入される流体の圧力を受けて開弁する高圧流体用逆止弁であって、
前記弁体には、前記流体の導入時に、導入流体の通過抵抗を受ける抵抗受け手段が設けられ、
前記抵抗受け手段は、前記弁体の先端部に設けられた非貫通の凹部を備えていることを特徴とする高圧流体用逆止弁。
【請求項２】
前記抵抗受け手段は、前記弁体の弁頭部に隣接して設けられ、前記弁体の側面から突出した突出部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の高圧流体用逆止弁。
【請求項３】
前記突出部には、少なくとも一つの貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の高圧流体用逆止弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る高圧流体用逆止弁では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
請求項１に係る発明は、流体供給路上に取り付けられるバルブボディ（例えば、実施形態のバルブボディ１２）と、このバルブボディに設けられ、流体導入口（例えば、実施形態のガス導入口１４）と前記流体供給路の流体受容側を連通する連通路（例えば、実施形態の連通路１３）と、前記連通路内に設けられた弁座（例えば、実施形態の弁座１９）と、この弁座に対し、前記連通路内の流体供給路の流体受容側で離接して前記連通路を開閉する弁体（例えば、実施形態の弁体１６）と、この弁体を前記弁座方向に付勢するスプリング（例えば、実施形態のスプリング２０）と、を備え、前記流体供給路の流体受容側への流体の導入時に、前記弁体が前記流体導入口から導入される流体の圧力を受けて開弁する高圧流体用逆止弁であって、前記弁体には、前記流体の導入時に、導入流体の通過抵抗を受ける抵抗受け手段が設けられ、前記抵抗受け手段は、前記弁体の先端部に設けられた非貫通の凹部（例えば、実施形態の非貫通の穴２１）を備えていることを特徴とするものである。
これにより、流体導入口に導入装置が接続され、流体導入口から流体が導入されると、弁体が導入流体の圧力を受けて弁座から離間し、それによって連通路が開口する。このとき、弁体は、導入流体と流体供給路の流体受容側流体との圧力差による推力がスプリングの反力に打ち勝ったところで開弁する。こうして、流体導入口を通した流体の導入が開始されると、連通孔を流れる導入流体が弁体の先端部の凹部に入り込み、弁体が大きな通過抵抗を受け、その通過抵抗が弁体の開弁保持力として加算される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る高圧流体用逆止弁において、前記抵抗受け手段は、前記弁体の弁頭部に隣接して設けられ、前記弁体の側面から突出した突出部（例えば、実施形態の傾斜フランジ３０）を備えていることを特徴とするものである。
これにより、流体の導入が開始された後には、連通路を流れる導入流体が突出部に当たり、弁体が大きな通過抵抗を受けるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の高圧流体用逆止弁において、前記突出部には、少なくとも一つの貫通孔（例えば、実施形態の貫通孔３１）が設けられていることを特徴とするものである。
これにより、流体の導入が開始された後には、連通路を流れる導入流体が貫通孔に向かって流れ、このとき導入流体が突出部に当たって弁体がより大きな通過抵抗を受けるようになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明によれば、導入流体の通過抵抗を受ける抵抗受け手段である非貫通の凹部が弁体の先端部に設けられているため、流体の導入が開始された後には、凹部で受ける通過抵抗が開弁保持力として加算され、流体供給路の流体受容側での流体圧力が増大しても、弁体が安定しつつスプリングの反力にさらに抗して開弁状態に維持され易くなる。
したがって、この発明によれば、流体供給路で許容方向に流体が流れた後、自動的に閉弁する際の弁前後の圧力差を小さくすることができるとともに、弁体と弁座の当接頻度を少なくして騒音の発生を抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
２…水素タンク（流体供給路の流体受容側容器）
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…逆止弁（高圧流体用逆止弁）
１２…バルブボディ
１３…連通路
１４…ガス導入口
１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…弁体
１９…弁座
２０…スプリング
２１…非貫通の穴（抵抗受け手段，非貫通の凹部）
３０…傾斜フランジ（突出部，抵抗受け手段）
３０Ｂ…フランジ（突出部，抵抗受け手段）
３１…貫通孔
４０…フランジ（突出部，抵抗受け手段）