【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁区領域及びそれらの間に磁区壁領域を有する磁性トラックと、
前記磁性トラックの第１領域に備わり、両端に第１電極及び第２電極を有する書込み／読取りユニットと、
前記磁性トラックの両端にそれぞれ連結された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記書込み／読取りユニットの前記第１電極に連結された第３スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御し、前記磁性トラックと前記書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに電流を印加するための回路部とを含み、
前記第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子のゲートは、第１ワードラインに連結され、
前記第３スイッチング素子のゲートは、第２ワードラインに連結されたことを特徴とする情報保存装置。
【請求項２】
前記第１ワードライン及び前記第２ワードラインと交差する第１ビットラインないし第４ビットラインがさらに備わり、
前記第１スイッチング素子は、前記第１ワードラインと前記第１ビットラインとに連結され、
前記第２スイッチング素子は、前記第１ワードラインと前記第４ビットラインとに連結され、
前記第３スイッチング素子は、前記第２ワードラインと前記第２ビットラインとに連結され、
前記第３ビットラインは、前記書込み／読取りユニットの前記第２電極に連結されたことを特徴とする請求項１に記載の情報保存装置。
【請求項３】
前記回路部は、
前記第１ワードライン及び第２ワードラインに連結された第１回路部と、
前記第１ビットラインないし第４ビットラインに連結された第２回路部とを含むことを特徴とする請求項1又は２に記載の情報保存装置。
【請求項４】
前記第２回路部は、前記第１ビットラインないし第４ビットラインにそれぞれ連結される第１信号発生器ないし第４信号発生器を含み、
前記書込み／読取りユニットの備わった前記第１領域に対する読取り動作は、前記第１信号発生器及び第２信号発生器によって制御され、
前記第１領域に対する書込み動作は、前記第２信号発生器及び第３信号発生器によって制御され、
前記磁性トラックの磁区壁を移動させる磁区壁移動の動作は、前記第１信号発生器及び第４信号発生器によって制御されることを特徴とする請求項３に記載の情報保存装置。
【請求項５】
前記第１信号発生器は、
前記第１ビットラインに連結される第１連結配線に連結された第１移動電流源と、
前記第１移動電流源と前記第１連結配線との間に備わった第１トランジスタと、
前記第１連結配線に並列に連結され、一端が接地された第２トランジスタ及び第３トランジスタと、
前記第２トランジスタに連結された出力端と、第１入力端及び第２入力端とを有する第１ ＡＮＤゲートと、
前記第１トランジスタに連結された出力端と、前記第１ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端にそれぞれ連結された第１入力端及び第２入力端とを有する第２ ＡＮＤゲートと、
前記第１ ＡＮＤゲートの第２入力端と前記第２ ＡＮＤゲートの第２入力端との間に備わった第１インバータとを具備し、
前記第１ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端に磁区壁移動信号が入力され、前記第３トランジスタのゲート端子に読取り信号が入力されることを特徴とする請求項４に記載の情報保存装置。
【請求項６】
前記第２信号発生器は、
前記第２ビットラインに連結される第２連結配線に並列に連結された読取り電流源及び第１書込み電流源と、
前記読取り電流源と前記第２連結配線との間に備わった第４トランジスタと、
前記第１書込み電流源と前記第２連結配線との間に備わった第５トランジスタと、
前記第２連結配線に連結され、一端が接地された第６トランジスタと、
前記第６トランジスタに連結された出力端と、第１入力端及び第２入力端とを有する第３ ＡＮＤゲートと、
前記第５トランジスタに連結された出力端と、前記第３ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端にそれぞれ連結された第１入力端及び第２入力端とを有する第４ ＡＮＤゲートと、
前記第３ ＡＮＤゲートの第２入力端と前記第４ ＡＮＤゲートの第２入力端との間に備わった第２インバータとを具備し、
前記第３ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端に書込み信号が入力され、前記第４トランジスタのゲート端子に読取り信号が入力されることを特徴とする請求項４に記載の情報保存装置。
【請求項７】
前記第３信号発生器は、
前記第３ビットラインに連結される第３連結配線に連結された第２書込み電流源と、
前記第２書込み電流源と前記第３連結配線との間に備わった第７トランジスタと、
前記第３連結配線に連結され、一端が接地された第８トランジスタと、
前記第７トランジスタに連結された出力端と、第１入力端及び第２入力端とを有する第５ ＡＮＤゲートと、
前記第８トランジスタに連結された出力端と、前記第５ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端にそれぞれ連結された第１入力端及び第２入力端とを有する第６ ＡＮＤゲートと、
前記第５ ＡＮＤゲートの第１入力端と前記第６ ＡＮＤゲートの第１入力端との間に備わった第３インバータとを具備し、
前記第５ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端に書込み信号が入力されることを特徴とする請求項４に記載の情報保存装置。
【請求項８】
前記第４信号発生器は、
前記第４ビットラインに連結される第４連結配線に連結された第２移動電流源と、
前記第２移動電流源と前記第４連結配線との間に備わった第９トランジスタと、
前記第４連結配線に連結され、一端が接地された第１０トランジスタと、
前記第９トランジスタに連結された出力端と、第１入力端及び第２入力端とを有する第７ ＡＮＤゲートと、
前記第１０トランジスタに連結された出力端と、前記第７ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端にそれぞれ連結された第１入力端及び第２入力端とを有する第８ ＡＮＤゲートと、
前記第７ ＡＮＤゲートの第１入力端と前記第８ ＡＮＤゲートの第１入力端との間に備わった第４インバータとを具備し、
前記第７ ＡＮＤゲートの第１入力端及び第２入力端に磁区壁移動信号が入力されることを特徴とする請求項４に記載の情報保存装置。
【請求項９】
前記第１回路部は、
前記第１領域に対する読取り動作時に、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子をターンオンさせ、前記第１領域に対する書込み動作時に、前記第３スイッチング素子をターンオンさせ、前記磁気トラックの磁区壁を移動させる磁区壁移動の動作時に、前記第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子をターンオンさせるように構成されたことを特徴とする請求項３〜８のいずれか１項に記載の情報保存装置。
【請求項１０】
前記第１回路部は、
前記第１ワードラインに出力端が連結された第１ ＯＲゲートと、
前記第２ワードラインに出力端が連結された第２ ＯＲゲートとを含み、
前記第１ ＯＲゲートの第１入力端及び第２入力端に、それぞれ移動信号及び読取り信号が入力され、前記第２ ＯＲゲートの第１入力端及び第２入力端に、それぞれ書込み信号及び前記読取り信号が入力されることを特徴とする請求項３〜９のいずれか１項に記載の情報保存装置。
【請求項１１】
前記磁性トラック、前記第１ワードライン及び第２ワードライン、前記第１ビットラインないし第４ビットライン、並びに前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子は、１つの単位メモリ領域を構成し、
複数の前記単位メモリ領域がメモリアレイをなすことを特徴とする請求項1〜１０のいずれか1項に記載の情報保存装置。
【請求項１２】
前記第１回路部と前記メモリアレイとの間に、第１デコーダが備わり、
前記第２回路部と前記メモリアレイとの間に、第２デコーダとが備わったことを特徴とする請求項１１に記載の情報保存装置。
【請求項１３】
前記書込み／読取りユニットは、ＴＭＲ素子またはＧＭＲ素子であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報保存装置。
【請求項１４】
前記書込み／読取りユニットは、前記磁性トラックの中央部に備えられたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の情報保存装置。
【請求項１５】
複数の磁区領域及びそれらの間に磁区壁領域を有する磁性トラックと、
前記磁性トラックの第１領域に備わり、両端に第１電極及び第２電極を有する書込み／読取りユニットと、
前記磁性トラックの両端にそれぞれ連結された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記書込み／読取りユニットの前記第１電極に連結された第３スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御し、前記磁性トラックと前記書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに電流を印加するための回路部とを含み、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子のゲートは、互いに異なるワードラインに連結されたことを特徴とする情報保存装置。
【請求項１６】
複数の磁区領域及びそれらの間に磁区壁領域を有する磁性トラックと、
前記磁性トラックの第１領域に備わり、両端に第１電極及び第２電極を有する書込み／読取りユニットと、
前記磁性トラックの両端にそれぞれ連結された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記書込み／読取りユニットの前記第１電極に連結された第３スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御し、前記磁性トラックと前記書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに電流を印加するための回路部とを含み、
第１ワードライン及び第２ワードライン、及びそれと交差する第１ビットラインないし第４ビットラインがさらに備わり、
前記第１スイッチング素子は、前記第１ワードラインと前記第１ビットラインとに連結され、
前記第２スイッチング素子は、前記第１ワードラインと前記第４ビットラインとに連結され、
前記第３スイッチング素子は、前記第２ワードラインと前記第２ビットラインとに連結され、
前記第３ビットラインは、前記書込み／読取りユニットの前記第２電極に連結されたことを特徴とする情報保存装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の情報保存装置の動作方法であって、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子のうちいずれか一つをターンオンさせる段階と、
前記磁性トラック及び前記書込み／読取りユニットのうちいずれか一つに電流を印加する段階と、を含む情報保存装置の動作方法。
【請求項１８】
前記電流は、読取り電流または書込み電流であるか、または前記磁性トラックの磁区壁を移動させるための移動電流であることを特徴とする請求項１７に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項１９】
前記第１ワードライン及び第２ワードラインと交差する第１ビットラインないし第４ビットラインをさらに含み、
前記第１ビットラインは、前記第１スイッチング素子に連結され、
前記第２ビットラインは、前記第３スイッチング素子に連結され、
前記第３ビットラインは、前記書込み／読取りユニットの前記第２電極に連結され、
前記第４ビットラインは、前記第２スイッチング素子に連結されたことを特徴とする請求項１７または１８に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項２０】
前記回路部は、
前記第１ワードライン及び第２ワードラインに連結された第１回路部と、
前記第１ビットラインないし第４ビットラインに連結された第２回路部とを含むことを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項２１】
前記第２回路部は、前記第１ビットラインないし第４ビットラインにそれぞれ連結される第１信号発生器ないし第４信号発生器を含み、
前記書込み／読取りユニットの備わった前記第１領域に対する読取り動作は、前記第１信号発生器及び第２信号発生器によって制御され、
前記第１領域に対する書込み動作は、前記第２信号発生器及び第３信号発生器によって制御され、
前記磁性トラックの磁区壁を移動させる磁区壁移動の動作は、前記第１信号発生器及び第４信号発生器によって制御されることを特徴とする請求項２０に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項２２】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子をターンオンさせる段階と、
前記第２信号発生器から、前記書込み／読取りユニットを経て、前記第１信号発生器に読取り電流を印加する段階と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項２３】
前記第３スイッチング素子をターンオンさせる段階と、
前記第２信号発生器及び第３信号発生器のうち一つから、前記書込み／読取りユニットを経て、前記第２信号発生器及び第３信号発生器のうち、他の一つに、書込み電流を印加する段階とを含むことを特徴とする請求項２１に記載の情報保存装置の動作方法。
【請求項２４】
前記第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子をターンオンさせる段階と、
前記第１信号発生器及び第４信号発生器のうち一つから、前記磁性トラックを経て、前記第１信号発生器及び第４信号発生器のうち、他の一つに、移動電流を印加する段階とを含むことを特徴とする請求項２１に記載の情報保存装置の動作方法。