【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
アミノビニルシラン前駆体としては、特に限定されないが、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（ＢＩＰＡＶＮＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（ＢＩＰＡＤＶＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）ジアリルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジアリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノジビニルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノジビニルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジエチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）アリルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、トリピペリジノビニルシラン、トリピペリジノアリルシラン、トリピロリジノビニルシラン、トリピロリジノアリルシラン、１，３，５−トリビニル−１，３，５−トリメチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリビニルシクロトリシラザン、１，１，３，３，５，５−ヘキサビニルシクロトリシラザン、１，３，５−トリアリル−１，３，５−トリメチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリアリルシクロトリシラザン、１，１，３，３，５，５−ヘキサアリルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシラザン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタビニルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラアリル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラアリルシクロテトラシラザン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタアリルシクロテトラシラザンが挙げられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための低圧熱化学気相成長方法であって、
ａ．ケイ素源を提供する第１の前駆体を低圧熱化学気相成長反応器に供給する工程であって、前記第１の前駆体が、Ｒ1nＲ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）4-n-m、及び（Ｒ1Ｒ2ＳｉＮＲ3）pの環状シラザンからなる群より選択され、式中、Ｒ1がＣ2〜Ｃ10のアルケニル又は芳香族であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＨ、Ｃ1〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ2〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である工程、
ｂ．酸素源を提供する第２の前駆体を前記反応器に供給する工程、
ｃ．１００ｍＴ〜１Ｔの圧力下において４００℃〜７００℃の温度で前記第１及び第２の前駆体を反応させる工程
を含む、低圧熱化学気相成長方法。
【請求項２】
Ｒ1がビニル、アリル及びフェニルからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の前駆体がビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシランである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
酸素の前駆体が酸素、オゾン及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための原子層堆積方法であって、
ａ．ケイ素源を提供する第１の前駆体を原子層堆積反応器に供給する工程であって、前記第１の前駆体が、Ｒ1nＲ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）4-n-m、及び（Ｒ1Ｒ2ＳｉＮＲ3）pの環状シラザンからなる群より選択され、式中、Ｒ1がＣ2〜Ｃ10のアルケニル又は芳香族であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＨ、Ｃ1〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ2〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である工程、
ｂ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｃ．酸素源を提供する第２の前駆体を前記反応器に供給する工程、
ｄ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｅ．所望の膜厚が得られるまで工程ａから工程ｄを繰り返す工程
を含む、原子層堆積方法。
【請求項６】
Ｒ1がビニル、アリル及びフェニルからなる群より選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の前駆体がビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシランである、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
酸素の前駆体が酸素、オゾン及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
ＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するためのサイクリック化学気相成長方法であって、
ａ．ケイ素源を提供する第１の前駆体をサイクリック化学気相成長反応器に供給する工程であって、前記第１の前駆体が、Ｒ1nＲ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）4-n-m、及び（Ｒ1Ｒ2ＳｉＮＲ3）pの環状シラザンからなる群より選択され、式中、Ｒ1がＣ2〜Ｃ10のアルケニル又は芳香族であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＨ、Ｃ1〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ2〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である工程、
ｂ．前記反応器を０．１〜１秒間にわたり不活性ガスでパージする工程、
ｃ．酸素源を提供する第２の前駆体を前記反応器に供給する工程、
ｄ．前記反応器を０．１〜１秒間にわたり不活性ガスでパージする工程、
ｅ．所望の膜厚が得られるまで工程ａから工程ｄを繰り返す工程
を含む、サイクリック化学気相成長方法。
【請求項１０】
Ｒ1がビニル、アリル及びフェニルからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の前駆体がビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシランである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
酸素の前駆体が酸素、オゾン及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
二酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜から選択される膜を形成するための原子層堆積方法であって、
ａ．ケイ素源を提供する第１の前駆体を原子層堆積反応器に供給する工程であって、前記第１の前駆体が、式Ｒ1nＲ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）4-n-mを有する化合物を含み、式中、Ｒ1がＣ2〜Ｃ10のアルケニル又は芳香族であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＨ、Ｃ1〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ2〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２である工程、
ｂ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｃ．酸素源を提供する第２の前駆体を前記反応器に供給する工程、
ｄ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｅ．所望の膜厚が得られるまで工程ａから工程ｄを繰り返す工程
を含む、原子層堆積方法。
【請求項１４】
前記第１の前駆体が、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（ＢＩＰＡＶＮＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（ＢＩＰＡＤＶＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）ジアリルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジアリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノジビニルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノジビニルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジエチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）アリルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、トリピペリジノビニルシラン、トリピペリジノアリルシラン、トリピロリジノビニルシラン、及びトリピロリジノアリルシランからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
二酸化ケイ素膜又は酸化ケイ素膜から選択される膜を形成するためのサイクリック化学気相成長方法であって、
ａ．ケイ素源を提供する第１の前駆体をサイクリック化学気相成長反応器に供給する工程であって、前記第１の前駆体が、式Ｒ1nＲ2mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）4-n-mを有する化合物を含み、式中、Ｒ1がＣ2〜Ｃ10のアルケニル又は芳香族であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＨ、Ｃ1〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ2〜Ｃ10の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２である工程、
ｂ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｃ．酸素源を提供する第２の前駆体を前記反応器に供給する工程、
ｄ．前記反応器を不活性ガスでパージする工程、
ｅ．所望の膜厚が得られるまで工程ａから工程ｄを繰り返す工程
を含む、サイクリック化学気相成長方法。
【請求項１６】
前記第１の前駆体が、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルメチルシラン（ＢＩＰＡＶＮＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ジビニルシラン（ＢＩＰＡＤＶＳ）、ビス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）ジアリルシラン、ビス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ビニルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）ジアリルシラン、ビス（ｔ−ブチルアミノアミノ）アリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジエチルアミノ）アリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（ジメチルアミノ）アリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルメチルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）ジアリルシラン、ビス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、ジピペリジノビニルメチルシラン、ジピペリジノジビニルシラン、ジピペリジノビニルシラン、ジピペリジノアリルメチルシラン、ジピペリジノジアリルシラン、ジピペリジノアリルシラン、ジピロリジノビニルメチルシラン、ジピロリジノジビニルシラン、ジピロリジノビニルシラン、ジピロリジノアリルメチルシラン、ジピロリジノジアリルシラン、ジピロリジノアリルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）ビニルシラン、トリス（イソプロピルアミノ）アリルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ｔ−ブチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジエチルアミノ）アリルシラン、トリス（ジメチルアミノ）ビニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）アリルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）ビニルシラン、トリス（メチルエチルアミノ）アリルシラン、トリピペリジノビニルシラン、トリピペリジノアリルシラン、トリピロリジノビニルシラン、及びトリピロリジノアリルシランからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１５に記載の方法。