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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）で表されるフラン構造を有する成分、脂肪族及び／又は脂環式ジオール、及び脂肪族及び／又は脂環式ジオール以外の該フラン構造を有する成分と重合可能な成分を反応させて得られ、
還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）が０．４８ｄＬ／ｇ以上、末端酸価が２００μｅｑ／ｇ未満であることを特徴とするポリエステル。
【化１】
2013155389.tif 000001
【請求項２】
前記フラン構造を有する成分と重合可能な成分が、芳香族ジヒドロキシ化合物、ビスフェノール、脂肪族（脂環式も含む）ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、ジアミン、およびこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１に記載のポリエステル。
【請求項３】
前記フラン構造を有する成分と重合可能な成分が、脂肪族（脂環式も含む）ジカルボン酸及びその誘導体、並びに、ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体を有する請求項２に記載のポリエステル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［１］  下記構造式（１）で表されるフラン構造を有する成分、脂肪族及び／又は脂環式ジオール、及び脂肪族及び／又は脂環式ジオール以外の該フラン構造を有する成分と重合可能な成分を反応させて得られ、還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）が０．４８ｄＬ／ｇ以上、末端酸価が２００μｅｑ／ｇ未満であることを特徴とするポリエステル。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
［２］  前記フラン構造を有する成分と重合可能な成分が、芳香族ジヒドロキシ化合物、ビスフェノール、脂肪族（脂環式も含む）ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、ジアミン、およびこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする［１］に記載のポリエステル。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［３］  前記フラン構造を有する成分と重合可能な成分が、脂肪族（脂環式も含む）ジカルボン酸及びその誘導体、並びに、ヒドロキシカルボン酸及びその誘導体を有する［２］に記載のポリエステル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半製品であり、前記半製品は：
ニッケルチタン合金と１以上の元素Ｙをある含有量含み：
ニッケル含有量が４０と５２原子％の間であり、Ｙの含有量が１と１０原子％の間であり、残りがＴｉであり；
前記１以上の追加元素がＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ及びＷを含む群から選択され；かつ
Ｙの含有量が又は１以上の追加の元素が、前記半製品の異なる点にわたりＹの含有量の変動が設定パーセント未満である、半製品。
【請求項２】
請求項１に記載の半製品であり：前記１以上の元素が、Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅを含む群から選択され；かつ前記１以上の元素のそれぞれの含有量が１と４原子％の間である、半製品。
【請求項３】
請求項１に記載の半製品であり、前記半製品がワイヤ形状製品である、半製品。
【請求項４】
請求項１に記載の半製品であり、前記半製品がチューブ形状製品である、半製品。
【請求項５】
請求項１に記載の半製品であり、前記半製品がロッド形状製品である、半製品。
【請求項６】
請求項１に記載の半製品であり、前記半製品が金属シート形状製品である、半製品。
【請求項７】
請求項１に記載の半製品であり、前記設定パーセントが約２０％である、半製品。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半製品により得られ得る、最終製品。
【請求項９】
ニッケルーチタン合金と１以上の元素Ｘ及びＹを含む組成物であり、ＸがＡｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｙ及びＺｒを含む群から選択される１以上であり、０．１と１原子％の間であり、かつＹがＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ及びＷを含む群から選択される１以上であり、１と１０原子％の間である、組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の半製品であり、前記１以上の追加元素がＡｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ及びＮｂから選択される、半製品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原水から前処理水を製造する前処理ユニットと、
前処理水を透過水と濃縮水とに分離する膜分離装置と、
透過水を貯留する貯留タンクと、
前処理水の水質を検知する水質検知手段と、
前記貯留タンクの水位を検出する水位検出手段と、
入力された駆動周波数に応じた回転速度で駆動され、前処理水を吸入して前記膜分離装置に向けて吐出する加圧ポンプと、
入力された演算値信号に対応する駆動周波数を前記加圧ポンプに出力するインバータと、
前記膜分離装置から排出する濃縮水の排水流量が第１排水流量又は当該第１排水流量よりも少ない第２排水流量となるように調節可能な排水弁と、
透過水の流量が予め設定された第１目標流量値又は当該第１目標流量値よりも少ない第２目標流量値となるように、系内の物理量を用いて前記加圧ポンプの駆動周波数を演算し、当該駆動周波数の演算値に対応する演算値信号を前記インバータに出力する駆動制御部と、
前記水質検知手段の検知水質が予め設定された許容水質値超過の場合に、（ｉ）前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準水位未満であれば、透過水の流量を前記第１目標流量値に設定すると共に、濃縮水の実際排水流量が前記第１排水流量となるように前記排水弁を制御し、（ｉｉ）前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準水位以上であれば、透過水の流量を前記第２目標流量値に設定すると共に、濃縮水の実際排水流量が前記第２排水流量となるよう前記排水弁を制御する流量制御部と、
を備える水処理システム。
【請求項２】
前記流量制御部は、前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準貯留水位以上であれば、前記膜分離装置への前処理水の供給を停止するように前記駆動制御部を制御し、前記水質検知手段の検知水質が予め設定された許容水質値超過となる状態が予め設定された時間以上継続する場合に、前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準貯留水位以上であれば、前記膜分離装置への前処理水の供給を停止するように前記駆動制御部を制御した後、前記膜分離装置の一次側を洗浄するためのフラッシング運転を実行する、
請求項１に記載の水処理システム。
【請求項３】
前記流量制御部は、前記水質検知手段として機能する場合において、前記前処理ユニットで処理能力の回復動作が実行できないこと又は処理能力の回復動作に必要な条件が満たされないことが検知されたときに、前処理水の水質が予め設定された許容水質値超過であると判定する、
請求項１又は２に記載の水処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、原水から前処理水を製造する前処理ユニットと、前処理水を透過水と濃縮水とに分離する膜分離装置と、透過水を貯留する貯留タンクと、前処理水の水質を検知する水質検知手段と、前記貯留タンクの水位を検出する水位検出手段と、入力された駆動周波数に応じた回転速度で駆動され、前処理水を吸入して前記膜分離装置に向けて吐出する加圧ポンプと、入力された演算値信号に対応する駆動周波数を前記加圧ポンプに出力するインバータと、前記膜分離装置から排出する濃縮水の排水流量が第１排水流量又は当該第１排水流量よりも少ない第２排水流量となるように調節可能な排水弁と、透過水の流量が予め設定された第１目標流量値又は当該第１目標流量値よりも少ない第２目標流量値となるように、系内の物理量を用いて前記加圧ポンプの駆動周波数を演算し、当該駆動周波数の演算値に対応する演算値信号を前記インバータに出力する駆動制御部と、前記水質検知手段の検知水質が予め設定された許容水質値超過の場合に、（ｉ）前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準水位未満であれば、透過水の流量を前記第１目標流量値に設定すると共に、濃縮水の実際排水流量が前記第１排水流量となるように前記排水弁を制御し、（ｉｉ）前記水位検出手段の検出水位が予め設定された基準水位以上であれば、透過水の流量を前記第２目標流量値に設定すると共に、濃縮水の実際排水流量が前記第２排水流量となるよう前記排水弁を制御する流量制御部と、を備える水処理システムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【表２】
2013071140.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
これに対して、表２に示すように、試験番号１１〜１７、１９、２０の比較例においては、溶接止端部形状及びピーニング条件が本発明の請求項１の範囲を外れているため、溶接止端部に折れ込み傷が生じるか、あるいは、疲労寿命が低い結果となった。
試験番号１１〜１７は、ピーニング処理を施す前の溶接止端部の半径ρ（ｍｍ）、フランク角度θ（°）、及び、ピーニング処理に用いた振動端子の先端部の曲率半径ｒの各々の関係が、請求項１で規定する上記（１）式、即ち、次式｛ρ／θ  ≧  ｒ／１００｝を満たしていない。このため、何れの例においても、溶接止端部に折れ込み疵が発生し、また、疲労寿命の評価が全て６０万サイクル以下であり、本発明例に比べて劣っていることが判る。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鰹、鰹荒節、鰹枯節、宗田鰹、宗田鰹節、鰯、鰯節、鯵、鯵節、鯖、鯖節、煮干またはその他雑節の魚肉性タンパク質由来の、アンジオテンシン変換酵素阻害活性を有するジペプチドを含有する組成物であって、
Ｔｒｐ−Ｌｅｕのアミノ酸配列から成るジペプチド、
Ｌｅｕ−Ｔｒｐのアミノ酸配列から成るジペプチド、
Ｔｒｐ−Ｉｌｅのアミノ酸配列から成るジペプチド、
Ｖａｌ−Ｔｙｒのアミノ酸配列から成るジペプチド及び
Ｔｒｐ−Ａｓｎのアミノ酸配列から成るジペプチド及び／又は
それらの酸付加塩
を含有する組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物を含有する加工食品又は特定保健用食品。
【請求項３】
Ｔｒｐ−Ｌｅｕのアミノ酸配列から成るジペプチド、Ｌｅｕ−Ｔｒｐのアミノ酸配列から成るジペプチド、Ｔｒｐ−Ｉｌｅのアミノ酸配列から成るジペプチド、Ｖａｌ−Ｔｙｒのアミノ酸配列から成るジペプチド及びＴｒｐ−Ａｓｎのアミノ酸配列から成るジペプチド及び／又はそれらの酸付加塩を含有する組成物の製造方法であって、
１）鰹、鰹荒節、鰹枯節、宗田鰹、宗田鰹節、鰯、鰯節、鯵、鯵節、鯖、鯖節、煮干またはその他雑節の魚肉性タンパク質を熱水で抽出し、
２）その熱水抽出後に残留する水不溶性タンパク質を粉砕し、得られた粉砕物を水分に分散して該水不溶性タンパク質の水分散液を作り、該水分散液中で、分散された水不溶性タンパク質の粒子に、プロテアーゼをｐＨ５．０〜９．０の至適条件下に４０〜６０℃の温度で反応させ、これにより該水不溶性タンパク質の酵素的加水分解を行い、その後、酵素反応を停止させ、そして得られた含水の加水分解反応混合物から水不溶性の粒子を除去し、これにより、疎水性・親水性高分子・低分子プチドおよび水溶性アミノ酸を含む水溶液を収得し、
３）該水溶液から疎水性樹脂カラム法により得られた吸着画分をさらに限外ろ過（分子量１０００）に負荷し透過画分の組成物を分離することから成る、製造方法。
【請求項４】
前記プロテアーゼは、食品工業用のプロテアーゼである、請求項３に記載のジペプチドの製造方法。
【請求項５】
前記プロテアーゼは、プロチンＮＹ１００（天野エンザイム）及びサモアーゼＰＣ１０Ｆ（大和化成）より選択される、請求項３又は４に記載のジペプチドの製造方法。
【請求項６】
経口単回投与実験で１単位中０．０００１ｍｇ〜１ｍｇ／ｋｇの投与量で請求項１に記載の組成物を含むアンジオテンシン変換酵素阻害剤と血圧降下剤。
【請求項７】
請求項１に記載される組成物を配合してあることを特徴とする、飲食料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  当該風力発電船は、喫水線以下の進行方向と平行な面の表面積を広くして進行方向と直角の方向の水の抵抗を非常に大きくしているので、風力発電機の向きを進行方向と直角にすれば、風による船の移動は殆どなく、さらに海上では障害物がないので、風の向きは略一定しており、変化してもゆっくりした変化であるので、船の向きを変えることによって対応できる。従って風の力を陸上の場合と略同程度の効率で電力に変換できる。また、海流及び風によって多少流されるが、進行方向の水の抵抗は非常に小さく、推進機を各胴船に装備できることにより方向転換が容易となるので、元の場所に、非常に少ないエネルギーで戻れる。また、一般に海上の方が陸上より風が強く、さらにより風の強い適切な場所に移動できるので、総合的に陸上の場合より効率が高くなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013071726.tif 000001
【図２】
2013071726.tif 000002
【図３】
2013071726.tif 000003
【図４】
2013071726.tif 000004
【図５】
2013071726.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月28日(2013.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
実施例では、筒状フィルムＦの上側に位置する第１シール体１０側に、カッタ２６、エアシリンダ２８および圧縮コイルバネ２２を配設したので、横形製袋充填機の如く下方に配置した駆動系等の各機構に妨げられることなくカッタ２６、エアシリンダ２８、圧縮コイルバネ２２のメンテナンスを容易に行ない得る。また、エアシリンダ２８よってカッタ２６を動作するようにしたので、簡単な構成でカッタ２６を退避位置と切断位置との間で移動し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された酸化珪素薄膜を有し、前記ポリエチレンテレフタレートは、位相差測定法によるＺ方向の屈折率Ｎｚが１．５５５以上であることを特徴とするガスバリア積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
レーザ彫刻により凸版印刷版を作成する凸版印刷版作成装置であって、
印刷画像を表す多値画像データに基づいて２値画像データを生成する２値画像データ生成手段と、
前記２値画像データから彫刻目標となる目標立体形状データを生成する彫刻目標形状データ生成手段と、
前記目標立体形状データに基づいてレーザ彫刻機によるレーザ光の出力を制御するための露光量データを算出する露光量データ生成手段と、
前記２値画像データの画像部に対応するＯＮ画素に近接する所定画素の範囲の画像外近接画素に所定の露光量を与えるエッジ露光量設定手段と、
前記露光量データに基づいて、版上における前記２値画像データの非画像部に対応するＯＦＦ画素の領域にレーザ光を照射して前記画像部として前記版上に残す領域の周囲を彫刻するとともに、前記エッジ露光量設定手段で設定された前記所定の露光量に基づいて版上における前記画像外近接画素にレーザ光を照射することにより前記画像部に対応したレリーフの頂面の縁部のうち少なくとも一部の角部が面取りされた凸形状を有するレリーフを形成するレーザ彫刻手段と、
を備えることを特徴とする凸版印刷版作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記レーザ彫刻手段における前記画像外近接画素へのレーザ光の照射によって、前記２値画像データにおけるＯＮ画素の面積よりも、前記版上における前記レリーフの頂面の面積を小さくすることを特徴とする請求項１１に記載の凸版印刷版作成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
コンピュータに、
前記画像部に対応したレリーフの頂面に対応する画素領域に対してランダムに露光量を与えるランダム露光量付与工程を実行させるための請求項２１に記載のプログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、前記目的を達成するために、本発明に係る凸版印刷版作成装置は、レーザ彫刻により凸版印刷版を作成する凸版印刷版作成装置であって、印刷画像を表す多値画像データに基づいて２値画像データを生成する２値画像データ生成手段と、前記２値画像データから彫刻目標となる目標立体形状データを生成する彫刻目標形状データ生成手段と、前記目標立体形状データに基づいてレーザ彫刻機によるレーザ光の出力を制御するための露光量データを算出する露光量データ生成手段と、前記２値画像データの画像部に対応するＯＮ画素に近接する所定画素の範囲の画像外近接画素に所定の露光量を与えるエッジ露光量設定手段と、前記露光量データに基づいて、版上における前記２値画像データの非画像部に対応するＯＦＦ画素の領域にレーザ光を照射して前記画像部として前記版上に残す領域の周囲を彫刻するとともに、前記エッジ露光量設定手段で設定された前記所定の露光量に基づいて版上における前記画像外近接画素にレーザ光を照射することにより前記画像部に対応したレリーフの頂面の縁部のうち少なくとも一部の角部が丸められ又は面取りされた凸形状を有するレリーフを形成するレーザ彫刻手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月2日(2013.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸と、
前記回転軸に設けられ、外周表面を加工面とする円盤状の第１の研磨体と、
前記第１の研磨体に隣接して前記回転軸に設けられ、外周表面を加工面とする円盤状の第２の研磨体とを備え、
前記第１の研磨体は、前記第２の研磨体よりも外周表面が空孔率の高い形状に形成され、
前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体よりも剛性の高い材質からなることを特徴とする被加工物の表面を研磨加工する研磨工具。
【請求項２】
前記第１の研磨体及び前記第２の研磨体のうち、少なくとも一方の研磨体の側面に設けられる変形防止用の支持部材を備えたことを特徴とする請求項１に記載の研磨工具。
【請求項３】
前記第１の研磨体は、発泡樹脂からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨工具。
【請求項４】
前記第２の研磨体の外周表面には、送り方向と平行に複数の溝が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨工具。
【請求項５】
被加工物の表面を研磨加工し光学素子を製造する光学素子の製造方法であって、
同一の回転軸に隣接して取付けられた外周表面を加工面とする円盤状の第１の研磨体及び第２の研磨体を、前記被加工物に圧接させて、前記第１の研磨体及び前記第２の研磨体を前記回転軸と平行な方向に、前記被加工物に対して相対的に移動させ、
前記第１の研磨体は、前記第２の研磨体よりも外周表面が空孔率の高い形状に形成され、
前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体よりも剛性の高い材質からなり、
前記第２の研磨体によって、前記第１の研磨体による加工により形成されたうねりを除去することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体に対して移動させる方向の上流に配置されていることを特徴とする請求項５記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
被加工物の表面を研磨加工し光学素子成形用金型を製造する光学素子成形用金型の製造方法であって、
同一の回転軸に隣接して取付けられた外周表面を加工面とする円盤状の第１の研磨体及び第２の研磨体を、前記被加工物に圧接させて、前記第１の研磨体及び前記第２の研磨体を前記回転軸と平行な方向に、前記被加工物に対して相対的に移動させ、
前記第１の研磨体は、前記第２の研磨体よりも外周表面が空孔率の高い形状に形成され、
前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体よりも剛性の高い材質からなり、
前記第２の研磨体によって、前記第１の研磨体による加工により形成されたうねりを除去することを特徴とする光学素子成形用金型の製造方法。
【請求項８】
前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体に対して移動させる方向の上流に配置されていることを特徴とする請求項７記載の光学素子成形用金型の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】研磨工具、光学素子の製造方法及び光学素子成形用金型の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レンズやミラー等の光学素子あるいは光学素子成形用金型等の被加工物の加工に使用される研磨工具、光学素子の製造方法及び光学素子成形用金型の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、高品位な被加工物表面を短時間で形成できる研磨工具、光学素子の製造方法及び光学素子成形用金型の製造方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、被加工物の表面を研磨加工し光学素子を製造する光学素子の製造方法であって、同一の回転軸に隣接して取付けられた外周表面を加工面とする円盤状の第１の研磨体及び第２の研磨体を、前記被加工物に圧接させて、前記第１の研磨体及び前記第２の研磨体を前記回転軸と平行な方向に、前記被加工物に対して相対的に移動させ、前記第１の研磨体は、前記第２の研磨体よりも外周表面が空孔率の高い形状に形成され、前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体よりも剛性の高い材質からなり、前記第２の研磨体によって、前記第１の研磨体による加工により形成されたうねりを除去することを特徴とする。
また、本発明は、被加工物の表面を研磨加工し光学素子成形用金型を製造する光学素子成形用金型の製造方法であって、同一の回転軸に隣接して取付けられた外周表面を加工面とする円盤状の第１の研磨体及び第２の研磨体を、前記被加工物に圧接させて、前記第１の研磨体及び前記第２の研磨体を前記回転軸と平行な方向に、前記被加工物に対して相対的に移動させ、前記第１の研磨体は、前記第２の研磨体よりも外周表面が空孔率の高い形状に形成され、前記第２の研磨体は、前記第１の研磨体よりも剛性の高い材質からなり、前記第２の研磨体によって、前記第１の研磨体による加工により形成されたうねりを除去することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高負荷されるねじを締め付け且つ取り外すための液圧式のねじ山付ボルト緊締装置（１）であって、ねじ山付ボルトとナットとを用いて緊締しようとする機械部分に支持されたシリンダ（２４）と、ねじ山付ボルトのねじ山端部に螺合可能な交換ブシュ（１８）と、前記シリンダ（２４）内でシールされて案内され、ナットを越えて突出したねじ山付ボルトのねじ山端部に螺合された交換ブシュ（１８）の延長部を支持する、前記シリンダ（２４）と一緒に環状室を形成する圧力負荷可能な緊締ピストン（２３）と、圧力媒体供給部（２）と、目標予荷重に対応する目標圧力を調節するための調節装置（５，６）と、ねじ山付ボルト緊締装置（１）の放圧のための装置（１３）と、圧力センサ（１４）とを備えている形式のものにおいて、
ねじ山付ボルト緊締中に降伏点に到達したことを検知するための装置（１０）と、緊締しようとするねじ山付ボルトの降伏点の到達時又は到達直後にねじ山付ボルト緊締装置（１）を放圧するための制御装置（７，１１）とが設けられていることを特徴とする、液圧式のねじ山付ボルト緊締装置。
【請求項２】
降伏点に到達したことを検知するための前記装置（１０）が、ねじ山付ボルト緊締装置（１）の圧力負荷中の圧力勾配を決定するための微分装置（１０）であり、前記圧力勾配が目標圧力到達前に、予め規定された値を下回って低下すると、前記制御装置（７，１１）がねじ山付ボルト緊締装置（１）の放圧を生ぜしめる、請求項１記載の液圧式のねじ山付ボルト緊締装置。
【請求項３】
断続的に作用する圧力負荷において、前記微分装置（１０）が、圧力勾配を圧力上昇段階中にのみ決定し且つ圧力勾配が目標圧力到達前の圧力上昇段階中に、予め規定された値を下回って低下した場合にのみ放圧を生ぜしめる、請求項２記載の液圧式のねじ山付ボルト緊締装置。
【請求項４】
圧力勾配が目標圧力到達前にゼロになると、前記微分装置（１０）が放圧を生ぜしめる、請求項２又は３記載の液圧式のねじ山付ボルト緊締装置。
【請求項５】
圧力勾配が目標圧力到達前に突然負になると、前記微分装置（１０）が放圧を生ぜしめる、請求項２又は３記載の液圧式のねじ山付ボルト緊締装置。
【請求項６】
ねじ山付ボルト緊締装置の圧力負荷を、緊締しようとするねじ山付ボルトの降伏点到達時又は到達直後に放圧により終了させることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の液圧式のねじ山付ボルト緊締装置の圧力負荷を制御するための方法。
【請求項７】
ねじ山付ボルト緊締装置の圧力負荷中の圧力勾配を微分装置によって求め、前記圧力勾配が目標圧力到達前に、予め規定された値を下回って低下した場合は、ねじ山付ボルト緊締装置の迅速な放圧を発動するための信号を発生させる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
圧力勾配を、断続的な圧力負荷の最中の、圧力上昇段階中にのみ決定し、前記圧力勾配が、目標圧力到達前の圧力上昇段階中に、予め規定された値を下回って低下した場合にのみ、迅速な放圧を発動するための信号を発生させる、請求項６記載の方法。
【請求項９】
目標圧力到達前の圧力勾配がゼロである場合に迅速な放圧を生ぜしめる、請求項６から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
圧力勾配が目標圧力到達前に突然負になると迅速な放圧を生ぜしめる、請求項６から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
迅速な放圧の発動に際してエラーメッセージを出す、請求項６から１０までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤と、水と、アルカリと、前記界面活性剤によって形成されるミセルの体積を増大させる疎水部を備えた疎水部含有添加物と、シリカ源とを混合して界面活性剤複合シリカ微粒子を作製する界面活性剤複合シリカ微粒子作製工程と、前記界面活性剤複合シリカ微粒子と、酸と、分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物とを混合することにより、前記界面活性剤複合シリカ微粒子に含まれる前記界面活性剤及び前記疎水部含有添加物の除去と、シリカ微粒子表面への有機官能基付与とを行うメソポーラス化工程と、を含む工程により製造することを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項２】
前記メソポーラス化工程が、前記界面活性剤複合シリカ微粒子作製工程によって生成した前記界面活性剤複合シリカ微粒子を含有する反応液に、酸と、分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物とを混合する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項３】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物は、分子中でのシロキサン結合の数が一つであることを特徴とする請求項１又は２に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項４】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物が、疎水性官能基を有するものであり、前記メソポーラス化工程により、シリカ微粒子表面に疎水性官能基を付与することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物としてヘキサメチルジシロキサンを含むことを特徴とする請求項４に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項６】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物が、二つ以上の炭素が連結したアルキル鎖を有していることを特徴とする請求項４に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項７】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物が、親水性官能基を有するものであり、前記メソポーラス化工程により、シリカ微粒子表面に親水基を付与することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項８】
前記分子中にシロキサン結合を含んだ有機ケイ素化合物が、反応性の官能基を有するものであり、前記メソポーラス化工程により、シリカ微粒子表面に反応性の官能基を付与することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法によって得られることを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子。
【請求項１０】
メソポーラスシリカ微粒子の粒子表面に複数の凸状部を備えて成ることを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子。
【請求項１１】
前記凸状部がケイ素酸化物を主成分として形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のメソポーラスシリカ微粒子。
【請求項１２】
前記凸状部の突出高さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のメソポーラスシリカ微粒子。
【請求項１３】
粒子径が１００ｎｍ以下であり、粒子内部に孔径３．５ｎｍ以上の複数のメソ孔を等間隔で配置して備え、表面が有機官能基で修飾されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子が媒質中に分散されたことを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子分散液。
【請求項１５】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載のメソポーラスシリカ微粒子がマトリクス形成材料中に含有されたことを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子含有組成物。
【請求項１６】
請求項１５に記載のメソポーラスシリカ微粒子含有組成物を成型して成ることを特徴とするメソポーラスシリカ微粒子含有成型物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
あるいは、メソポーラスシリカ微粒子の発明は、次の特徴を備えた発明である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
メソポーラスシリカ微粒子の粒子表面に複数の凸状部を備えて成る特徴。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記凸状部の突出高さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、粒子径が１００ｎｍ以下であり、粒子内部に孔径３．５ｎｍ以上の複数のメソ孔を等間隔で配置して備え、表面が有機官能基で修飾されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結されて耐環境コーティング（１２）を形成するための水系スラリー組成物であって、
約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水、
希土類二ケイ酸塩、ドープ希土類二ケイ酸塩、希土類−ケイ酸塩、ドープ希土類−ケイ酸塩、バリウム−ストロンチウム−アルミン酸塩、および希土類ドープバリウム−ストロンチウム−アルミン酸塩からなる群から選択された、約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要材料、及び
前記主要材料と反応して二次材料を形成する、約０．１ｗｔ％〜約２５ｗｔ％の少なくとも１つのスラリー焼結助剤
からなり、
前記主要材料が、希土類二ケイ酸塩、ドープ希土類二ケイ酸塩、希土類−ケイ酸塩、またはドープ希土類−ケイ酸塩の場合には、前記少なくとも１つのスラリー焼結助剤が、鉄、アルミニウム、チタン、ガリウム、ニッケル、ホウ素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びＬｎｂ希土類からなる群から選択された、前記スラリー組成物を焼結する際に前記主要材料をドープ可能なドープ組成物を少なくとも１つ含み、
前記主要材料が、バリウム−ストロンチウム−アルミン酸塩、または希土類ドープバリウム−ストロンチウム−アルミン酸塩の場合には、前記少なくとも１つのスラリー焼結助剤が、希土類硝酸塩、希土類酢酸塩、希土類塩化物、希土類酸化物、リン酸アンモニウム、リン酸、ポリビニルリン酸、又はこれらの組み合わせである
ことを特徴とする、スラリー組成物。
【請求項２】
前記主要材料は、主要遷移材料、主要外部材料、又は主要柔軟材料である、請求項１に記載のスラリー組成物。
【請求項３】
前記主要遷移材料は希土類二ケイ酸塩又はドープ希土類二ケイ酸塩であり、前記主要外部材料は希土類一ケイ酸塩又はドープ希土類一ケイ酸塩、及び前記主要柔軟材料はＢＳＡＳ又は希土類ドープＢＳＡＳである、請求項１又は２のいずれかに記載のスラリー組成物。
【請求項４】
前記遷移層の前記ドープ希土類二ケイ酸塩及び前記外層の前記ドープ希土類一ケイ酸塩は、鉄、アルミニウム、チタン、ガリウム、ニッケル、ホウ素、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属、並びにＬｎｂ希土類金属から選択された１以上のドープ組成物からなる、請求項１、２、又は３のいずれかに記載のスラリー組成物。
【請求項５】
前記主要遷移材料及び主要外部材料で使用される前記スラリー焼結助剤は、鉄酸化物、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、酸化チタン、酸化ホウ素、アルカリ土類酸化物、カルボニル鉄、鉄金属、アルミニウム金属、ホウ素、ニッケル金属、水酸化鉄、水酸化ガリウム、水酸化アルミニウム、水酸化ニッケル、水酸化チタン、アルカリ土類水酸化物、炭酸鉄、炭酸ガリウム、炭酸アルミニウム、炭酸ニッケル、炭酸ホウ素、アルカリ土類炭酸塩、シュウ酸鉄、シュウ酸ガリウム、シュウ酸アルミニウム、シュウ酸ニッケル、シュウ酸チタン、溶剤可溶性鉄塩、溶剤可溶性ガリウム塩、溶剤可溶性アルミニウム塩、溶剤可溶性ニッケル塩、溶剤可溶性チタン塩、溶剤可溶性ホウ素塩、及び溶剤可溶性アルカリ土類塩からなる群から選択され、
前記主要柔軟材料で使用される前記スラリー焼結助剤は、希土類硝酸塩、希土類酢酸塩、希土類塩化物、希土類酸化物、リン酸アンモニウム、リン酸、ポリビニルリン酸、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載のスラリー組成物。
【請求項６】
焼結されて耐環境コーティング（１２）を形成するための水系スラリー組成物であって、
約１ｗｔ％〜約９９．９ｗｔ％の水、
希土類二ケイ酸塩、ドープ希土類二ケイ酸塩、希土類−ケイ酸塩、およびドープ希土類−ケイ酸塩からなる群から選択された、約０．１ｗｔ％〜約７２ｗｔ％の主要材料、
約０．１ｗｔ％〜約５９．３ｗｔ％の少なくとも１つのＬｎｂ希土類金属スラリー焼結助剤、及び
約０．１ｗｔ％〜約２０．６ｗｔ％のＳｉＯ２スラリー焼結助剤を有する、請求項１、２、３、又は４のいずれかに記載のスラリー組成物。
【請求項７】
前記Ｌｎｂ希土類金属スラリー焼結助剤は、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、及びイッテルビウムからなる群から選択された１以上の金属である、請求項６に記載のスラリー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つ印刷シート及び／又は少なくとも一つの折丁から形成した本ブロックを周期的に加工する装置であって、装置が引渡装置に対する本ブロック用の供給手段間の結合部材として中間に配置された少なくとも一つの引渡装置から成り、引渡装置から少なくとも一つの加工ステーションまでこの本ブロックを移送し、引渡装置が本ブロックを引渡す手段を有する装置において、引渡装置（１０、３０、４０、８０）が少なくとも一つ回転式或いは準回転式並進を有し、並進が本ブロック（６１）の移送の際に少なくとの二次元に作用し、並進が均一な或いは変更可能な運動速度を有し、並進の中心軸（１２）が他の加工ステーション（９０）に対して空間中の任意の位置を取ることを特徴とする装置。
【請求項２】
本ブロックが個別シート或いは折り畳まれた折丁から成る印刷シートから成り、ディジタル印刷機によって製造でき、連続的に印刷されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
本ブロックが堆積体として形成されていて、印刷シート及び／又は折り畳まれた折丁から成り、それらがばらばらに、或いは位置中間に及び／又は一時的にずれないように固定され、互いに堆積されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
折丁はオフセット印刷機或いは凹版印刷機のような伝統的印刷機によって製造できることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
運動速度は、一つの或いは複数の単一に延びている或いは互いに重ねられた曲線機能から成り且つ／或いは滞在時間或いは停止時間を有する運動プロフィールに従うことを特徴とする請求項１に記載の装置。  
【請求項６】
並進と本ブロック（６１）と関係する輸送手段との運動速度は適応的に変更できることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。  
【請求項７】
並進の中心軸（１２）が上から眺めると、空間中で本ブロック供給部（６０）、本通路（７０）、加工ステーション（９０）に対して垂直或いはほぼ垂直に配置することを特徴とする請求項１に記載の装置。  
【請求項８】
並進の中心軸（１２）が空間中で本ブロック供給部（６０）、本通路（７０）、加工ステーション（９０）に対して斜角に存在することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
空間中の中心軸線（１２）の位置が固定され、或いは移動的に或いは動力学的に変更できることを特徴とする請求項１或いは請求項７或いは８に記載の装置。
【請求項１０】
引渡装置（１０）が少なくとも一つの引渡要素（１６）から成り、この引渡要素（１６）が支持平面（１７）と作用結合している少なくとも一つの停止壁（１８、１９）を備えている少なくとも一つの支持平面（１７）を有し、引渡要素（１６）が遊星歯車伝動ロータ（１４）に対して軸を中心に回転し、特に水平位置に実行する並進を実施することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
引渡要素（１６）が回転式並進位相中に局部的に配置された連結リンク（２４）と作用結合しており、この連結リンク（２４）は引渡要素（１６）が単軸或いは多軸傾斜を受けるように構成されていて、この傾斜が引渡要素（１６）の支持平面（１７）の少なくとも一つの斜角位置を誘導することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
連結リンクは波形を付けた表面或いは歯部を有し、その走査が揺動運動或いは振動を支持平面（１７）に誘導し、本ブロックの的確な位置安定化を最高にすることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
引渡装置の回転方向と本通路の走行方向との間の一致した運動方向では、両運動の相対速度が引渡装置から本通路へ本ブロックを引き渡す際に零に近づくことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
引渡装置の回転方向と本通路の走行方向との間の反対運動方向では、支持平面（１７）がまず最初に本ブロックを本通路（７０）の上部の中間位置に引き渡し、この位置から加速が下降軌道に沿って本通路（７０）の表面方向に実施し、支持平面が経過の最終位相に減少され且つ適合された速度で本通路（７０）に対してほぼ非漸近位置を取ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
引渡要素（１６）の回転式並進の一周期の最終位相において、本通路への本ブロック（６１）の引き渡しが連行フィンガー（２３）或いは連行要素の使用によって補充されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
引渡装置（１０、３０、４０、８０）の前に測定／制御ステーション（５０）が設けられていて、測定／制御ステーション（５０）が少なくとも本ブロック（６１）の高さ、幅、と厚さを測定することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
引渡装置（３０）が実質的に本ブロック供給部（６０）と本通路（７０）に対して重ねられ且つ平行に回転するメリーゴーランド状ロータ（３１）であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
メリーゴーランド状ロータ（３１）は本ブロック（６１）を引き渡して移送するために少なくとも一つ垂直下方に或いは垂直上方に作用するクラップ装置（３２）を有することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
回転式並進が羽根車状流入スター（８０）によって形成されていて、流入スター（８０）が本ブロック（６１）を引き渡して移送する中間空間（８１）を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
引渡装置の前に本ブロック（６１）の中間的貯蔵として少なくとも一つ緩衝システムが配置することを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】  半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト、および、その製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト、および、その製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、半導体素子などとの電気的接触が良好である、または、位置決め精度が高い
半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決することのできる本発明の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法は、プレス加工またはエッチング加工により、金属板にコンタクトの形状の一部を形成する工程と、ワイヤ放電加工またはレーザ加工により、前記コンタクトの形状の一部が形成された前記金属板に、前記コンタクトの形状の一部に連なる未加工の残りの形状を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法において、前
記コンタクトは、弾性変形する本体部を有し、前記残りの形状は、前記本体部を含むこと
が好ましい。
本発明の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトは、上述の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法により製造される。また、本発明の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトは、プレス加工またはエッチング加工により、金属板に第１の寸法精度で形成された半導体素子の端子に電気的に接触する接触部と、該接触部の位置を移動させる操作部と、前記半導体素子を収容する部材に固定されて位置決めされる位置決め部と、前記プレス加工またはエッチング加工された金属板に、ワイヤ放電加工またはレーザ加工により、前記第１の部分に連なり前記第１の寸法精度よりも低い第２の寸法精度で形成されたバネ部であって、前記接触部および操作部と前記位置決め部とを連結するバネ部と、を備えて構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト、および、その製造方法によれば、高い寸法精度を要するコンタクトの形状の一部を、プレス加工やエッチング加工によって高精度に、金属板に形成し、形状の一部に連なる未加工の残りの形状の部分を、金型や製版マスクを用いずに安価に加工できるワイヤ放電加工やレーザ加工でその金属板に形成する。これにより、寸法のばらつきが少なく、半導体素子の端子などとの電気的接触が良好な位置決め精度が高いコンタクトを安価に製造することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法であって、
プレス加工またはエッチング加工により、金属板にコンタクトの形状の一部を形成する工程と、
前記コンタクトの形状の一部が形成された前記金属板に、ワイヤ放電加工またはレーザ加工により、前記コンタクトの形状の一部に連なる未加工の残りの形状を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法。
【請求項２】
前記コンタクトは、他の部品と電気的に接触する接触部を有し、
前記形状の一部は、前記接触部を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法。
【請求項３】
前記コンタクトは、他の部品と接触することで前記接触部の位置を移動させる操作部を有し、
前記形状の一部は、前記操作部を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトは、他の部品に固定されて位置決めされる位置決め部を有し、
前記形状の一部は、前記位置決め部を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちのいずれか一項に記載の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法。
【請求項５】
前記コンタクトは、弾性変形する本体部を有し、
前記コンタクトの形状の一部に連なる未加工の残りの形状は、前記本体部を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちのいずれか一項に記載の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のうちのいずれかに一項に記載の半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクトの製造方法により製造された半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト。
【請求項７】
プレス加工またはエッチング加工により、金属板に第１の寸法精度で形成された半導体素子の端子に電気的に接触する接触部と、該接触部の位置を移動させる操作部と、前記半導体素子を収容する部材に固定されて位置決めされる位置決め部と、
前記プレス加工またはエッチング加工された金属板に、ワイヤ放電加工またはレーザ加工により、前記第１の部分に連なり前記第１の寸法精度よりも低い第２の寸法精度で形成されたバネ部であって、前記接触部および操作部と前記位置決め部とを連結するバネ部と、
を具備して構成される半導体素子用ソケットまたはコネクタ用のコンタクト。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月24日(2013.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
前記表示パネルよりも外面に配置されるユニットと、
前記表示パネルと前記ユニットとの間に、前記表示パネルと前記ユニットとのそれぞれに接して配置される接着層と、
を備え、
前記表示パネルに接着する前記接着層の接着面の縁部と、前記ユニットに接着する前記接着層の接着面の縁部と、が接着面方向において相互にずれていることを特徴とする表示モジュール。
【請求項２】
前記接着層は、複数の接着シートが積層された構成であり、
前記表示パネルに接着する接着シートの縁部と、前記ユニットに接着する接着シートの縁部とが接着面方向において相互にずれていることを特徴とする請求項１に記載の表示モジュール。
【請求項３】
前記接着層は、第一の接着層と第二の接着層とを有し、
前記第一の接着層の端部と、前記第二の接着層の端部とが異なる位置になるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示モジュール。
【請求項４】
前記接着層の端部が、前記表示パネルに対して斜めに配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第３の実施形態は、基本的には第１の実施形態と同様の作用効果を奏し、第１の実施形態と同様に取り外し作業の自由度が大きい。特に第３の実施形態によれば、１枚構成の接着層３０であるので、構造が簡単であり、製造コストを低減することができるという優れた効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層が、フェノール性水酸基およびカルボニル基を有する化合物とハロゲン化ホウ素との反応生成物であるホウ素錯体を含有し、
該ホウ素錯体が下記式（２）〜（５）のいずれかで示される化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2011065143.tif 000001
（一般式（２）〜（５）中、Ｒ８〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、または、トリル基を示す。あるいは、Ｒ８〜Ｒ３０は、Ｒ８〜Ｒ３０中の他の隣接する基と共同して、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−で示される２価の基を形成してもよい。）
【請求項２】
前記ハロゲン化ホウ素が、三フッ化ホウ素である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層が、ホウ素錯体を含有し、
該ホウ素錯体が下記式（２）〜（５）のいずれかで示される化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
【化２】
2011065143.tif 000002
（一般式（２）〜（５）中、Ｒ８〜Ｒ３０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、または、トリル基を示す。あるいは、Ｒ８〜Ｒ３０は、Ｒ８〜Ｒ３０中の他の隣接する基と共同して、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−で示される２価の基を形成してもよい。）
【請求項４】
前記感光層が、電荷発生物質としてフタロシアニン顔料を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電荷発生層における前記ホウ素錯体の含有量が、前記フタロシアニン顔料に対して０．５〜５質量％である請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記感光層が、前記ホウ素錯体および電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像して該電子写真感光体の表面にトナー像を形成するための現像手段、および、トナー像が転写された後に該電子写真感光体の表面のトナーを除去するためのクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、帯電された該電子写真感光体の表面に像露光光を照射して該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成するための像露光手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像して該電子写真感光体の表面にトナー像を形成するための現像手段、および、該電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写するための転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に用いられるホウ素錯体は、下記式（２）〜（５）のいずれかで示される化合物である。