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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
酸化物ガラスであって、
カチオン％表示にて、
Ｐ5+を16〜35％、
Ｂｉ3+を14〜35％、
Ｎｂ5+を10〜33％、
Ｔｉ4+を0〜18％、
Ｗ6+を0〜20％
含み、
Ｂｉ3+、Ｎｂ5+、Ｔｉ4+およびＷ6+の合計含有量が58％以上、
屈折率ｎｄが2.05を超え、アッベ数νｄが18.5以下であることを特徴とする光学ガラス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は以下のとおりである。
[１]
酸化物ガラスであって、
カチオン％表示にて、
Ｐ5+を16〜35％、
Ｂｉ3+を14〜35％、
Ｎｂ5+を10〜33％、
Ｔｉ4+を0〜18％、
Ｗ6+を0〜20％
含み、
Ｂｉ3+、Ｎｂ5+、Ｔｉ4+およびＷ6+の合計含有量が58％以上、
屈折率ｎｄが2.05を超え、アッベ数νｄが18.5以下であることを特徴とする光学ガラス。
[２]
液相温度における粘度が1.0dPa・s以上である[１]に記載の光学ガラス。
[３]
Ｌｉ+、Ｎａ+およびＫ+のうち、少なくとも１種以上のアルカリ金属成分を含み、
Ｌｉ+の含有量が7カチオン％以下、
Ｎａ+の含有量が20カチオン％以下、
Ｋ+の含有量が10カチオン％以下、
Ｌｉ+、Ｎａ+およびＫ+の合計含有量に対するＮａ+の含有量の比（Ｎａ+／（Ｌｉ+＋Ｎａ+＋Ｋ+））が0.2〜1である[１]または[２]に記載の光学ガラス。
[４]
Ｂ3+の含有量が0〜20カチオン％である[１]〜[３]のいずれか１項に記載の光学ガラス。
[５]
Ｐ5+、Ｂｉ3+、Ｎｂ5+、Ｔｉ4+、Ｗ6+、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｓｉ4+、Ｂａ2+およびＢ3+の合計含有量が90カチオン％以上である［１］〜［４］のいずれか１項に記載の光学ガラス。
[６]
液相温度が940℃以上である［１］〜［５］のいずれか１項に記載の光学ガラス。
[７]
［１］〜［６］のいずれか１項に記載の光学ガラスからなるプレス成形用ガラス素材。
[８]
［１］〜［６］のいずれか１項に記載の光学ガラスからなる光学素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月26日(2013.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、本実施例の折り下げ面７４の場合には、中央部分７４ｂの小口が支持材６の開口部Ｋの左右端縁に当接する。また、支持材上面部６１・６１に、両脇部分７４ａ・７４ａの下側端縁が当接する。
このため、締め付け具Ｓで支持材６が締め付けられたときには、支持材６と支持材固定具７とに、反発し合う力が働く。しかも、当接するのは小口である。
従って、図１（ア）に支持材６を破線で描いた通り、開口部Ｋの左右端縁に折り下げ面７４・７４が食い込むようになり、強固な固定構造となるのである。
たとえ、本実施例の支持材６の基底部６３に長穴があいていたとしても、倒コ字状である図６の支持部材１８とは構成が異なり、高い強度が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
練り歯磨きまたはゲルの調製においては、組成物の望ましい稠度を提供し、使用の際に望ましい活性放出特性を提供し、保存安定性を提供し、また組成物の安定性を提供する等のために、多少の増粘物質を加えることが必要である。好ましい増粘剤は、カルボキシビニルポリマー、カラギーナン、ヒドロキシエチルセルロース、ラポナイト（LAPONITE(登録商標)、Rockwood Additives Limited社）およびセルロースエーテルの水溶性塩(例えば、ナトリウムカルボキシメチルセルロースおよびナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロース)である。カラヤガム、キサンタンガム、アラビアガム、およびトラガカントガムなどの天然ガムも使用し得る。増粘剤の一部としてコロイド状ケイ酸マグネシウムアルミニウムまたは微粉シリカを使用して、質感をさらに改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の部品で生成されたデータをコントローラを介して間接的に収集する収集ユニットを備える処理システムであって、
前記収集ユニットは、
収集したデータを前記コントローラを介して収集される際に生じる遅延時間を吸収するために一定時間格納するバッファと、
前記バッファ内に格納される前記収集したデータを、収集時刻順に並べ換える手段と、を有し、
前記収集されたデータの前記収集時刻が、前記バッファ内の最新データ収集時刻から前記一定時間内の範囲に収まっていれば、前記バッファに格納し、前記範囲に収まっていなければ、新しいバッファを作成し、そのバッファに格納する処理システム。
【請求項２】
前記収集ユニットは、前記コントローラを経由して収集した前記データと前記各部品から直接収集した前記データとを一時的に蓄積して、各種データに添付される時刻データ順に並べ換える請求項１記載の基板処理システム。
【請求項３】
複数の部品で生成されるデータを各種コントローラを介して間接的に収集する収集ユニットであって、
収集されたデータを前記コントローラを介して収集される際に生じる遅延時間を吸収するために一定時間格納するバッファと、
前記バッファ内に格納される前記収集されたデータを、収集時刻順に並べ換える手段と
を備えた収集ユニット。
【請求項４】
複数の部品で生成されたデータをコントローラを介して間接的に収集する収集ユニットを備える基板処理装置のデータ処理方法であって、
前記収集ユニットは、
収集したデータを前記コントローラを介して収集される際に生じる遅延時間を吸収するために一定時間格納するバッファと、
前記バッファ内に格納される前記収集したデータを、収集時刻順に並べ換える手段と、を有し、
前記収集されたデータの前記収集時刻が、前記バッファ内の最新データ収集時刻から前記一定時間内の範囲に収まっていれば、前記バッファに格納し、前記範囲に収まっていなければ、新しいバッファを作成し、そのバッファに格納する基板処理装置のデータ処理方法。
【請求項５】
複数の部品で生成されたデータをコントローラを介して間接的に収集する収集ユニットを備える基板処理装置、
前記収集ユニットは、
収集したデータを前記コントローラを介して収集される際に生じる遅延時間を吸収するために一定時間格納するバッファと、
前記バッファ内に格納される前記収集したデータを、収集時刻順に並べ換える手段と、を有し、
前記収集されたデータの前記収集時刻が、前記バッファ内の最新データ収集時刻から前記一定時間内の範囲に収まっていれば、前記バッファに格納し、前記範囲に収まっていなければ、新しいバッファを作成し、そのバッファに格納する基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップゲート薄膜トランジスタであって、
（ａ）基板と、
（ｂ）ゲート電極と、
（ｃ）半導体層と、
（ｄ）低ｋ誘電体ポリマー及び高ｋ誘電体ポリマーを含む誘電体構造物と、
を含み、
前記半導体層は、前記基板に接触し、
前記誘電体構造物は、前記ゲート電極と前記半導体層との間にあり、
前記半導体層に最も近い前記誘電体構造物の領域において、前記低ｋ誘電体ポリマーは、前記高ｋ誘電体ポリマーよりも低濃度である薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記半導体を含む層に最も近い前記誘電体構造物の領域において、前記低ｋ誘電体ポリマーと前記高ｋ誘電体ポリマーとを合わせた重量を基準として、
前記低ｋ誘電体ポリマーは、約４０％〜０％の範囲の濃度であり、
前記高ｋ誘電体ポリマーは、約６０％〜１００％の範囲の濃度である薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記低ｋ誘電体ポリマーは、４．０未満の誘電率を有する薄膜トランジスタ。
【請求項４】
トップゲート薄膜トランジスタであって、
（ａ）基板と、
（ｂ）ゲート電極と、
（ｃ）有機半導体層と、
（ｄ）低ｋ誘電体ポリマー及び高ｋ誘電体ポリマーを含む誘電体構造物と、
を含み、
前記半導体層に最も近い前記誘電体構造物の領域において、前記低ｋ誘電体ポリマーと前記高ｋ誘電体ポリマーとを合わせた重量を基準として、
前記低ｋ誘電体ポリマーは、約４０％〜０％の範囲の濃度であり、
前記高ｋ誘電体ポリマーは、約６０％〜１００％の範囲の濃度である薄膜トランジスタ。
【請求項５】
トップゲート薄膜トランジスタであって、
（ａ）基板と、
（ｂ）ゲート電極と、
（ｃ）半導体層と、
（ｄ）多量の低ｋ誘電体ポリマー／少量の高ｋ誘電体ポリマーの第１の層、及び、多量の高ｋ誘電体ポリマー／少量の低ｋ誘電体ポリマーの第２の層を含むゲート絶縁膜と、
を含み、
前記第１の層は、前記半導体層に最も近い前記誘電体構造物の領域にある薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面光源を除く、面上に配列された光源と、該光源の発光面に対向して配置される入射面、該入射面に対向する第１の出射面及び該入射面と第１の出射面とをつなぐ第２の出射面を備えた光学素子と、を含む照明装置であって、
該発光面の中心を第１の点、該発光面の縁の点を第２の点とし、第１の点を通り、該発光面に垂直な軸を該光学素子の光軸として、該光学素子の第１の出射面は、周縁に対して該光軸付近が窪んだ形状を有し、該光軸及び第２の点を含む、該光学素子の断面において、第１の点に対して前記光軸から１５度の見込み角の位置にある第１の出射面上の点を第３の点とし、第２の点から射出して光軸に平行に進む光線が第１の出射面と交差する点を第４の点とし、第１の点を原点とし、第１の点と第２の点とを結ぶ軸をＸ軸として、第１の出射面の該光軸から最も離れた点のＸ座標は、第２の点の値の１．５倍以上であり、第１の出射面は、Ｘ座標が第３の点の値以上である領域の８０％以上の領域で、第１の点から射出した光の入射角が臨界角以上であり、Ｘ座標が第４の点の値以下である領域の８０％以上の領域で、第２の点から射出した光の入射角が臨界角より小さいように構成された照明装置。
【請求項２】
面光源を除く、面上に配列された光源と、該光源の発光面に対向して配置される入射面、該入射面に対向する第１の出射面及び該入射面と第１の出射面とをつなぐ第２の出射面を備えた光学素子と、を含む照明装置であって、
該発光面の中心を第１の点、該発光面の縁の点を第２の点とし、第１の点を通り、該発光面に垂直な軸を該光学素子の光軸として、該光学素子の第１の出射面は、周縁に対して該光軸付近が窪んだ形状を有し、該光軸及び第２の点を含む、該光学素子の断面において、第１の点に対して該光軸から２５度乃至６０度の見込み角の領域において、第１の出射面は、第１及び第２の点を結ぶ直線に対する角度が２０度以下の角度をなす領域を有し、第１の点に対して前記光軸から１５度の見込み角の位置にある第１の出射面上の点を第３の点とし、第２の点から射出して光軸に平行に進む光線が第１の出射面と交差する点を第４の点とし、第１の点から射出して第３の点に至る光線の第１の出射面への入射角をθ１３、第１の点から射出して第４の点に至る光線の第１の出射面への入射角をθ１４、第２の点から射出して第３の点に至る光線の第１の出射面への入射角をθ２３、第２の点から射出して第４の点に至る光線の第１の出射面への入射角をθ２４、臨界角をθｃとして、
【数１】
2011100134.tif 000001
である照明装置。
【請求項３】
面光源を除く、面上に配列された光源と、該光源の発光面に対向して配置される入射面、該入射面に対向する第１の出射面及び該入射面と第１の出射面とをつなぐ第２の出射面を備えた光学素子と、を含む照明装置であって、
第２の出射面の該入射面に近い領域は、該発光面に対して垂直の方向から外れた方向に射出された光線の一部を内部全反射により導光することで、該光学素子内部において、該発光面からの距離がＨであり、該発光面に平行な平面に該発光面を投射した形状の仮想発光面を形成するように構成され、Ｈは、該発光面の面積をＡとして、
【数２】
2011100134.tif 000002
を満たし、該仮想発光面の中心を通過する前記光軸から１５度の見込み角の光線が存在する範囲の値であり、
該仮想発光面の中心を第１の点、該仮想発光面の縁の点を第２の点とし、第１の点を通り、該仮想発光面に垂直な軸を該光学素子の光軸として、該光学素子の第１の出射面は、周縁に対して該光軸付近が窪んだ形状を有し、該光軸及び第２の点を含む、該光学素子の断面において、第１の点に対して前記光軸から１５度の見込み角の位置にある第１の出射面上の点を第３の点とし、第２の点を通過して光軸に平行に進む光線が第１の出射面と交差する点を第４の点とし、第１の点を原点とし、第１の点と第２の点とを結ぶ軸をＸ軸として、第１の出射面の該光軸から最も離れた点のＸ座標は、第２の点の値の１．５倍以上であり、第１の出射面は、Ｘ座標が第３の点の値以上である領域の８０％以上の領域で、第１の点を通過した光の入射角が臨界角以上であり、Ｘ座標が第４の点の値以下である領域の８０％以上の領域で、第２の点を通過した光の入射角が臨界角より小さいように構成された照明装置。
【請求項４】
第２の出射面は、該発光面に対して垂直の方向から外れた方向に射出された光線の一部を内部全反射により導光する、該入射面に近い第１の領域と、第１の出射面で全反射された光を外部に射出させる、第１の出射面に近い第２の領域とを備えた請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
面光源を除く、面上に配列された光源と、該光源の発光面に対向して配置される入射面、該入射面に対向する第１の出射面及び該入射面と第１の出射面とをつなぐ第２の出射面を備えた光学素子と、を含む照明装置であって、
第２の出射面の該入射面に近い領域は、該発光面に対して垂直の方向から外れた方向に射出された光線の一部を内部全反射により導光することで、該光学素子内部において、該発光面からの距離がＨであり、該発光面に平行な平面に該発光面を投射した形状の仮想発光面を形成するように構成され、Ｈは、該発光面の面積をＡとして、
【数３】
2011100134.tif 000003
を満たし、該仮想発光面の中心を通過する前記光軸から１５度の見込み角の光線が存在する範囲の値であり、
該仮想発光面の中心を第１の点、該仮想発光面の縁の点を第２の点とし、第１の点を通り、該仮想発光面に垂直な軸を該光学素子の光軸として、該光学素子の第１の出射面は、周縁に対して該光軸付近が窪んだ形状を有し、該光軸及び第２の点を含む、該光学素子の断面において、第１の点に対して該光軸から２５度乃至６０度の見込み角の領域において、第１の出射面は、第１及び第２の点を結ぶ直線に対する角度が２０度以下の角度をなす領域を有し、第１の点に対して前記光軸から１５度の見込み角の位置にある第１の出射面上の点を第３の点とし、第２の点を通過して光軸に平行に進む光線が第１の出射面と交差する点を第４の点とし、第１の点と第３の点を通る線分と、第２の点と第３の点を通る線分が成す角度をθ１３２、第１の点と第４の点を通る線分と、第２の点と第４の点を通る線分が成す角度をθ１４２、臨界角をθｃとして、
【数４】
2011100134.tif 000004
である照明装置。
【請求項６】
第２の出射面は、該発光面に対して垂直の方向から外れた方向に射出された光線の一部を内部全反射により導光する、該入射面に近い第１の領域と、第１の出射面で全反射された光を外部に射出させる、第１の出射面に近い第２の領域とを備えた請求項５に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボン酸成分とアルコール成分とを縮重合させて得られるトナー用ポリエステル系結着樹脂であって、式(I)：
【化１】
2011100101.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子又は水酸基を示し、Ｘは−ＣＯＯＲ3(Ｒ3は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である)又は−ＣＨ2ＯＨを示す。但し、Ｒ1及びＲ2がともに水素原子であるものを除く。）
で表される芳香族化合物を、前記カルボン酸成分及び／又は前記アルコール成分として用いて得られる、トナー用ポリエステル系結着樹脂。
【請求項２】
式(I)で表される芳香族化合物の含有量が、ポリエステル系結着樹脂を構成するカルボン酸成分とアルコール成分の総量中、0.5〜80モル％である、請求項１記載のトナー用ポリエステル系結着樹脂。
【請求項３】
式(I)で表される芳香族化合物が、クマル酸及びカフェー酸の少なくともいずれかを含む、請求項１又は２記載のトナー用ポリエステル系結着樹脂。
【請求項４】
式(I)で表される芳香族化合物が、クマル酸及びカフェー酸から選ばれた少なくともいずれかとクマリルアルコール及びカフェイルアルコールから選ばれた少なくともいずれかとを含む、請求項１又は２記載のトナー用ポリエステル系結着樹脂。
【請求項５】
アルコール成分が脂肪族ジオールを含む、請求項１〜４いずれか記載のトナー用ポリエステル系結着樹脂。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか記載の結着樹脂を含有してなる、電子写真用トナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナー用ポリエステル系結着樹脂
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月26日(2013.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な像担持体と、
導電性の磁性粒子を担持する第一の磁性粒子担持体と、前記像担持体の回転方向において前記第一の磁性粒子担持体の下流に配置され、前記磁性粒子を担持する第二の磁性粒子担持体と、を有し、前記磁性粒子を前記像担持体に接触させて前記像担持体の表面の帯電を行う帯電手段と、
前記帯電手段よりも前記像担持体の回転方向下流側において前記像担持体に潜像を形成する潜像形成手段と、
前記帯電手段よりも前記像担持体の回転方向下流側で前記像担持体の表面電位を検出する電位検出手段と、
前記第二の磁性粒子担持体の回転位相に関する情報を検出する位相検出手段と、
前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に印加される電圧を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記電位検出手段による検出結果と、前記位相検出手段による検出結果とに応じて前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に印加される電圧を制御する制御モードを実行することが可能であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御モードでは、
前記位相検出手段による検出結果から得られる、前記第二の磁性粒子担持体の外周面と前記像担持体の表面との距離が最大になるときの位相と、
前記電位検出手段による検出結果から得られる、前記表面電位の絶対値が最小値になるときの位相と、の位相差に応じて前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に印加される電圧を制御し、
前記位相差が所定の範囲内であれば、前記第二の磁性粒子担持体に印加する電圧を前記像担持体の電位の絶対値が下がるように制御する、または前記第一の磁性粒子担持体に印加する電圧を前記像担持体の電位の絶対値が上がるように制御する、の少なくとも一方の制御を行い、
前記位相差が所定の範囲外であれば、前記第二の磁性粒子担持体に印加する電圧を前記像担持体の電位の絶対値が上がるように制御する、または前記第一の磁性粒子担持体に印加する電圧を前記像担持体の電位の絶対値が下がるように制御する、の少なくとも一方の制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記所定の範囲とは、
前記位相差が−４５度以上＋４５度以下となる範囲であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体には、それぞれ直流電圧が印加されており、前記位相差に応じて前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に対して印加する電圧を制御する際は、前記直流電圧を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体には、それぞれ直流電圧と交流電圧とを重畳した重畳電圧が印加されており、前記位相差に応じて前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に対して印加する電圧を制御する際は、前記交流電圧の振幅成分を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記像担持体は、
アモルファスシリコン系の感光体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
回転可能な像担持体と、導電性の磁性粒子を担持する第一の磁性粒子担持体と、前記像担持体の回転方向において前記第一の磁性粒子担持体の下流に配置され、前記磁性粒子を担持する第二の磁性粒子担持体と、を有し、前記磁性粒子を前記像担持体に接触させて前記像担持体の表面の帯電を行う帯電手段と、前記帯電手段よりも前記像担持体の回転方向下流側において前記像担持体に潜像を形成する潜像形成手段と、前記帯電手段よりも前記像担持体の回転方向下流側で前記像担持体の表面電位を検出する電位検出手段と、前記第二の磁性粒子担持体の回転位相に関する情報を検出する位相検出手段と、前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に印加される電圧を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記電位検出手段による検出結果と、前記位相検出手段による検出結果とに応じて前記第一の磁性粒子担持体と前記第二の磁性粒子担持体に印加される電圧を制御する制御モードを実行することが可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタのゲートは、走査線として機能する第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線として機能する第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、前記第１の配線上にゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル幅方向において、前記酸化物半導体層は、ソース電極の端を超えて設けられた第１の領域を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル幅方向において、前記酸化物半導体層は、ドレイン電極の端を超えて設けられた第２の領域を有し、
前記第１の配線は、前記第１の領域と重ならない領域を有し、
前記第１の配線は、前記第２の領域と重ならない領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
トランジスタを有し、
前記トランジスタのゲートは、走査線として機能する第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、信号線として機能する第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、前記第１の配線上にゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の配線と重ならない領域において、前記ソース電極と重ならない第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の配線と重ならない領域において、前記ドレイン電極と重ならない第２の領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月15日(2013.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と、信号線と、第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の発光素子と、を有し、
前記第２の画素は、第２の発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記走査線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第１の発光素子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記走査線よりも幅の広い領域を有し、
前記信号線は、前記走査線の上方に設けられ、
前記信号線は、前記走査線に沿うような方向に延びた部分を有し、
前記第２の発光素子は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出するための発光部；
ベース部、該ベース部に延長された円筒形状のボディー部を含んで、前記発光部の一側に配置される放熱体；及び
前記放熱体の外郭面と所定間隔が離隔されて前記放熱体を取り囲む外部ケースを含むことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記放熱体は、前記ボディー部の外周面上に一つ以上の放熱ピンを含むことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記発光部が前記ベース部に固定されるように前記放熱ピンの外側下端を取り囲んで、
前記外部ケースと前記放熱体との間の空間と外部を連通させる一つ以上のホールを表面に有するガイド部材をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記発光部は前記ガイド部材の間が密閉されるように前記発光部のまわりを囲むリングをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記ガイド部材は開口部を有するベース部及び前記ベース部に垂直方向に延長されたカバー部を含んで、
前記ベース部及び/または前記カバー部に前記一つ以上のホールを有することを特徴とする請求項３または４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記発光部は複数の発光素子、前記複数の発光素子が配列された多層構造を有する基板を含んで、
前記基板は、
上側部と下側部にそれぞれ配置された導体層と該導体層の間に配置された絶縁層を含んで、
前記基板の中心軸から前記導体層の最外角端までの長さは前記基板の中心軸から前記絶縁層の最外角端までの長さより短いことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記導体層の最外角端までの長さで前記絶縁層の最外角端までの長さは少なくとも５mm以上であることを特徴とする請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記基板は、
前記複数の発光素子が配列される第１導体層；
前記第１導体層の下部に配置される第１絶縁層；
前記第１絶縁層の下部に配置されるＦＲ４銅箔積層板(Copper Clad Laminate sheet、ＣＣＬ)；
前記ＦＲ４銅箔積層板の下部に配置される第２絶縁層；
前記第２絶縁層の下部に配置されて、前記収納溝の底面上に配置される第２導体層；及び
前記第１導体層と前記第２導体層を電気的に連結するために前記第１絶縁層、前記ＦＲ４銅箔積層板及び前記第２絶縁層を貫通して形成されたビア、
を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記基板は、
前記第１絶縁層と前記ＦＲ４銅箔積層板との間に配置される第３導体層；及び
前記ＦＲ４銅箔積層板と前記第２絶縁層との間に配置される第４導体層、
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記基板は、
前記上側部に配置された導体層で前記複数の発光素子が配置される領域を除いた残りの領域と前記絶縁層で前記上側部に配置された導体層が配置された領域を除いた残りの領域上に形成されたショルダーマスクをさらに含むことを特徴とする請求項６または７に記載の照明装置。
【請求項１１】
端子部と該端子部の一側から延長された内部ボディー部、該内部ボディー部外周面に垂直方向に延長された第１ガイド部を有する内部ケースをさらに含んで、
前記外部ケースは、前記第１ガイド部と結合される突出部を含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
端子部と該端子部の一側から延長された内部ボディー部、該内部ボディー部外周面に垂直方向に延長された第１ガイド部を有する内部ケースをさらに含んで、
前記外部ケースは、前記放熱体と所定間隔を置いて前記放熱体を取り囲む外壁部、前記第１ガイド部に連結される環形状の第２ガイド部、前記外壁部と前記第２ガイド部を連結する少なくとも一つ以上の突出部を含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記放熱体と前記外部ケースとの間の距離は前記光が外部に放出する方向に増加するか、減少することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記発光部が前記ベース部に固定されるように前記放熱ピンの外側下端を取り囲むガイド部材をさらに含んで、
前記ガイド部材は開口部を有するベース部と該ベース部に垂直方向に延長されたカバー部を含んで、
前記カバー部は、前記外部ケースと前記放熱体との間の空間と外部を連通させる一つ以上の溝を有することを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記発光部と前記ガイド部材との間が密閉されるように前記発光部のまわりを囲む密閉手段をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板上部に配置された発光素子；
前記発光素子からの熱を放熱する放熱体；及び
前記基板と前記放熱体との間に介在されて前記発光素子からの熱を前記放熱体に伝達して、重量％(wt％)でシリコン１０〜３０wt％、充填剤７０〜９０wt％及びガラス繊維２〜７wt％を含むパッドを含むことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記パッドは触媒として白金属化合物(Platinum Compound)をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記充填剤は酸化アルミニウム(Aluminum Oxide)を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記パッドは、
前記シリコンと前記充填剤を含むシリコン混合層；及び
前記ガラス繊維を含む繊維層を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記繊維層は、前記シリコン混合層内に含まれたことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記シリコン混合層の一面上に接着剤が塗布されたことを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記パッドの厚さは、前記照明装置の消費電力が３.５ワット(Ｗ)〜８ワット(Ｗ)級である場合に０.４Ｔ〜０.７Ｔであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記パッドの厚さは、前記照明装置の消費電力が１５ワット(Ｗ)級である場合に０.７Ｔ〜１.０Ｔであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記パッドの面積は、前記基板の面積より大きいことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記放熱体は一側に前記基板と前記パッドが収納される収納溝を有することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記放熱体の外角面と所定間隔を置いて前記放熱体を取り囲む外部ケースをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記放熱体は、前記外角面に延長された一つ以上の放熱ピンを有することを特徴とする請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記基板が前記放熱体に固定されるように前記放熱体下端を囲むガイド部材をさらに含み、
前記ガイド部材は表面に外部空気が流入されるためのホールを有することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記基板は、前記基板の中心軸を基準に放射状に配置された複数の発光素子を含み、
前記パッドは、前記基板に配置された複数の発光素子領域に対応するように前記基板と前記放熱体との間に介在されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記パッドは、中央部が開口されることを特徴とする請求項１４に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板上に配置された発光素子；
前記発光素子で電源を提供し、前記基板と配線ラインを通じて接続された駆動部；
前記発光素子からの熱を放熱し、前記配線ラインが貫通するための貫通ホールを有する放熱体；及び
前記貫通ホールと連結されて開口部を有する絶縁体；
を含む照明装置。
【請求項２】
前記絶縁体は、前記放熱体と前記配線ラインを絶縁させることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記絶縁体は、リング形状を有し、前記リングの直径は、前記リングが前記貫通ホールに収容される収容方向に行くほど短くなって、前記貫通ホールの直径も前記収容方向に行くほど短くなることを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記貫通ホールの上部直径と下部直径とが異なることを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記絶縁体は、前記貫通ホールに収容されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記絶縁体の直径は、前記貫通ホールの直径と同一であるか、小さいことを特徴とする請求項1ないし５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記絶縁体は、弾性を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記絶縁体の側面は、傾いているか、段差を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記絶縁体の外周面は、前記貫通ホールの側壁と対応することを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記基板を前記放熱体に固定させるためのガイド部材をさらに含み、前記ガイド部材の一面は空気の流動ホールを有することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記放熱体の外面と所定の間隔を置いて取り囲む外部ケースをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記放熱体の外面は、一つ以上の放熱ピンを有することを特徴とする請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記絶縁体の外周面と前記放熱体の内周面とは、所定間隔に離隔されることを特徴とする請求項1ないし１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記絶縁体の数は、複数であることを特徴とする請求項1ないし１３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記放熱体は、前記基板下部に位置する上部面を有し、
前記貫通ホールは、前記放熱体の上部面に形成され、
前記絶縁体の上部面と前記放熱体の上部面が実質的に同一の面であることを特徴とする請求項1ないし１４のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Si基板上に形成されたhigh-k絶縁膜と仕事関数を制御するための物質とを含む堆積膜の上に、電極を構成する金属膜が配置されたメタルゲート構造を有する半導体素子の半導体素子加工方法において、
前記堆積膜をウエットエッチングし、
前記ウエットエッチングされた前記堆積膜をドライエッチングすることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記ウエットエッチングと前記ドライエッチングは、前記半導体素子の被処理面上における残渣がなくなるまで交互に繰り返されることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記high-k絶縁膜は、Hfの酸化物またはZrの酸化物であり、
前記仕事関数を制御するための物質は、Mg、Y、またはAlであることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記仕事関数を制御するための物質は、前記high-k絶縁膜に混合されていることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記仕事関数を制御するための物質を含む膜は、前記high-k絶縁膜の上方または前記high-k絶縁膜の下方に配置されていることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記high-k絶縁膜がHfの酸化物またはZrの酸化物であるとともに前記仕事関数を制御する物質がMgまたはAlの場合、前記ウエットエッチングはHF水溶液を用いて行われ、前記ドライエッチングはBCl３ガスとCl２ガスの混合ガスを用いて行われることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体素子加工方法において、
前記high-k絶縁膜がHfの酸化物またはZrの酸化物であるとともに前記仕事関数を制御する物質がYの場合、前記ウエットエッチングはHNO３水溶液を用いて行われ、前記ドライエッチングはBCl３ガスとCl２ガスの混合ガスを用いて行われることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体素子加工方法において、
前記メタルゲート構造を構成する材料がTiNまたはTaNの場合は、Cl２ガスを用いて前記TiNまたは前記TaNをドライエッチングし、
前記メタルゲート構造を構成する材料がTaSiNの場合は、CF４ガス、SF６ガスまたはNF３ガスを用いて前記TaSiNをドライエッチングすることを特徴とする半導体素子加工方法。
【請求項９】
Si基板上に形成されたhigh-k絶縁膜と仕事関数を制御するための物質とを含む堆積膜の上に、電極を構成する金属膜が配置されたメタルゲート構造を有する半導体素子の半導体素子加工方法において、
前記金属膜をドライエッチングした後、前記堆積膜をウエットエッチングし、
前記ウエットエッチングされた前記堆積膜をドライエッチングすることを特徴とする半導体素子加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の伝導体ラインと、
選択デバイスと、
第１の伝導体ラインと選択デバイスとの間に結合された磁気ビットと、
を有し、
前記選択デバイスが直列構成に配列された少なくとも第1のトランジスタ及び第２のトランジスタを包含し、
前記少なくとも第1のトランジスタ及び第２のトランジスタが第１の状態にあるとき、前記選択デバイスが、回転-トルク転送（ＳＴＴ）書き込みオペレーションのための磁気ビットを選択するように作用し、
前記第1の状態では、前記第1のトランジスタ及び第２のトランジスタが、完全に使用可能であり、
前記少なくとも第1のトランジスタ及び第２のトランジスタが第２の状態にあるとき、前記選択デバイスが、読み込みオペレーションのための磁気ビットを選択するように作用する、
ことを特徴とする回転-トルク転送磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)。
【請求項２】
前記選択デバイスが更に、
（ａ）少なくとも第1のトランジスタ及び第２のトランジスタが第１の状態にあるとき、書き込みアーキテクチャに所定のトランジスタを結合させ、
（ｂ）少なくとも第1のトランジスタ及び第２のトランジスタが第２の状態にあるとき、読み込みアーキテクチャに所定のトランジスタを結合させる
ように作用することを特徴とする請求項１に記載のSTT-MRAM。
【請求項３】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタが、第１の直列構成に配列され、
前記選択デバイスが、
第２の直列構成に配列された第３のトランジスタおよび第４のトランジスタと、
を有し、前記第１の直列構成および前記第２の直列構成が、並列構成に配置されることを特徴とする請求項１に記載のSTT-MRAM。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の信号線と、第２の信号線と、第３の信号線と、第４の信号線と、第１のフリップフロップと、第２のフリップフロップと、第３のフリップフロップと、第４のフリップフロップとを有し、
前記第１の信号線は、
第１の期間において、低電源電位及び高電源電位を周期的に繰り返すクロック信号を供給する配線として機能することができ、
前記第１の期間以外の期間において、前記低電源電位を供給する配線として機能することができ、
前記第２の信号線は、
第２の期間において、前記クロック信号を供給する配線として機能することができ、
前記第２の期間以外の期間において、前記低電源電位を供給する配線として機能することができ、
前記第３の信号線は、
第３の期間において、前記クロック信号の反転信号である反転クロック信号を供給する配線として機能することができ、
前記第３の期間以外の期間において、前記低電源電位を供給する配線として機能することができ、
前記第４の信号線は、
第４の期間において、前記反転クロック信号を供給する配線として機能することができ、
前記第４の期間以外の期間において、前記低電源電位を供給する配線として機能することができ、
前記第１のフリップフロップは、前記第１の信号線に電気的に接続され、前記第１の期間において前記高電源電位を出力することができ、
前記第２のフリップフロップは、前記第２の信号線に電気的に接続され、前記第２の期間において前記高電源電位を出力することができ、
前記第３のフリップフロップは、前記第１のフリップフロップ及び前記第３の信号線に電気的に接続され、前記第３の期間において前記高電源電位を出力することができ、
前記第４のフリップフロップは、前記第２のフリップフロップ及び前記第４の信号線に電気的に接続され、前記第４の期間において前記高電源電位を出力することができ、
前記第３の期間は、前記第１の期間と重畳する期間を有し、
前記第４の期間は、前記第２の期間と重畳する期間を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第ｎ（ｎは、４以下の自然数）のフリップフロップは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第ｎ（ｎは、４以下の自然数）のフリップフロップは、
ゲート端子が第１の制御端子に電気的に接続され、第１端子が前記第ｎの信号線に電気的に接続され、第２端子が前記第ｎのフリップフロップの出力端子に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート端子が第２の制御端子に電気的に接続され、第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子及び前記第ｎのフリップフロップの出力端子に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第ｎ（ｎは、４以下の自然数）のフリップフロップは、
ゲート端子が第１の制御端子に電気的に接続され、第１端子が前記高電源電位を供給する配線に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート端子が第２の制御端子に電気的に接続され、第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート端子が前記第２の制御端子に電気的に接続され、第１端子が前記高電源電位を供給する配線に電気的に接続された第３のトランジスタと、
ゲート端子が前記第１のトランジスタの第２端子及び前記第２のトランジスタの第１端子に電気的に接続され、第１端子が前記第３のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された第４のトランジスタと、
ゲート端子が前記第３のトランジスタの第２端子及び前記第４のトランジスタの第１端子に電気的に接続され、第１端子が前記第ｎの信号線に電気的に接続され、第２端子が前記第ｎのフリップフロップの出力端子に電気的に接続された第５のトランジスタと、
ゲート端子が前記第１のトランジスタの第２端子、前記第２のトランジスタの第１端子、及び前記第４のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、第１端子が前記第５のトランジスタの第２端子及び前記第ｎのフリップフロップの出力端子に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された第６のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタ乃至前記第６のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
第１端子が前記第１の信号線に電気的に接続され、第２端子が基準クロック信号線に電気的に接続された、前記第１の期間を通してオンする第７のトランジスタと、
第１端子が前記第２の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記基準クロック信号線に電気的に接続された、前記第２の期間を通してオンする第８のトランジスタと、
第１端子が前記第３の信号線に電気的に接続され、第２端子が基準反転クロック信号線に電気的に接続された、前記第３の期間を通してオンする第９のトランジスタと、
第１端子が前記第４の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記基準反転クロック信号線に電気的に接続された、前記第４の期間を通してオンする第１０のトランジスタと、を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
第１端子が前記第１の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された、前記第１の期間以外の期間を通してオンする第１１のトランジスタと、
第１端子が前記第２の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された、前記第２の期間以外の期間を通してオンする第１２のトランジスタと、
第１端子が前記第３の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された、前記第３の期間以外の期間を通してオンする第１３のトランジスタと、
第１端子が前記第４の信号線に電気的に接続され、第２端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続された、前記第４の期間以外の期間を通してオンする第１４のトランジスタと、を有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のシフトレジスタを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月15日(2013.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕを含む第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上方に、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上方に、半導体層を有し、
前記半導体層上方に、第３の導電層を有し、
前記第３の導電層上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第３の導電層と電気的に接する第４の導電層を有し、
前記第４の導電層上方に、Ｃｕを含む第５の導電層を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、トランジスタのゲートに信号を供給する第１の配線となることができる機能を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
前記半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極となることができる機能を有し、
前記第４の導電層と前記第５の導電層とは、前記トランジスタのソースまたはドレインに信号を供給する第２の配線となることができる機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面全体と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、Ｃｕよりも融点が高い元素を含み、
前記第４の導電層は、前記第５の導電層の下面全体と重なる領域を有し、
前記第５の導電層は、Ｃｕよりも融点が高い元素を含み、
前記第１の導電層と前記第５の導電層は、前記半導体層と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月16日(2013.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の定められた深さにイオンを注入する工程と、
前記第１の基板を分断して、第２の基板を得る工程と、
第３の基板上の親水性の領域に水を含む液体を滴下する工程と、
前記親水性の領域上に前記第２の基板を接着する工程と、
熱処理により前記第２の基板を前記定められた深さで劈開し、前記第３の基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を用いて回路を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に親水性の領域を形成する工程と、
前記親水性の領域に水を含む液体を滴下する工程と、
前記親水性の領域上に、定められた深さにイオンを照射された第２の基板を接着する工程と、
熱処理により前記第２の基板を前記定められた深さで劈開し、前記第１の基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を用いて回路を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を用いて回路を形成する工程と、
前記回路上に平坦な親水性の表面を形成する工程と、
第２の基板上に親水性の領域を形成する工程と、
前記親水性の領域に水を含む液体を滴下する工程と、
前記親水性の領域上に前記第１の基板を接着する工程と、
前記剥離層により前記第１の基板を剥離し、前記第２の基板上に前記回路を残す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に親水性の領域を形成する工程と、
前記親水性の領域に水を含む液体を滴下する工程と、
前記親水性の領域上に、剥離層と、前記剥離層上に設けられた半導体層を用いて形成された回路と、前記回路上に設けられた平坦な親水性の表面とを有する第２の基板を接着する工程と、
前記剥離層により前記第２の基板を剥離し、前記第１の基板上に前記回路を残す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記液体は、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール、弗化水素、過酸化水素、アンモニアのいずれかを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体層は単結晶珪素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムを含むゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層を形成し、
前記基板を加熱した状態で、スパッタリング法を用いて前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層上の一部と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上とに接する第１の酸化シリコン層を形成し、
前記第１の酸化シリコン層を形成後に、加熱処理を行い、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムを含むゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、膜厚１００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のゲート絶縁層を形成し、
前記基板を加熱した状態で、スパッタリング法を用いて前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層上の一部と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上とに接する第１の酸化シリコン層を形成し、
前記第１の酸化シリコン層上に第１の窒化シリコン膜を形成し、
前記ゲート絶縁層は積層でなり、前記ゲート電極層側に位置する第２の窒化シリコン層と、前記酸化物半導体層側に位置する第２の酸化シリコン層とを有し、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成した後であって、前記第１の酸化シリコン層を形成する前に、前記酸化物半導体層の表面をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。