【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面に内層回路層が設けられ、前記内層回路層に電気的に接続される複数の内層導電ビアが設けられる第１の補助誘電体層と、
前記第１の補助誘電体層の他方の表面の上に設けられ、前記内層導電ビアの各々に接続された金属バンプであって、前記内層導電ビアの、前記内層回路層に電気的に接続された一端の孔径が、前記内層導電ビアの、金属バンプに電気的に接続された一端の孔径より大きい複数の金属バンプと、
前記第１の補助誘電体層と前記内層回路層の上に設けられ、少なくとも一つの第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上に設けられる第１の回路層と、前記第１の誘電体層に設けられ前記第１の回路層と前記内層回路層に電気的に接続される複数の第１の導電ビアと、を含むビルドアップ構造であって、前記ビルドアップ構造の最外層の前記第１の回路層が複数の第１の電気接触パッドを有するビルドアップ構造と、
前記ビルドアップ構造の上に設けられ、前記第１の電気接触パッドの各々を露出させるための複数の第１の絶縁保護層開孔を有する第１の絶縁保護層と、
を含むことを特徴とするパッケージ基板。
【請求項２】
前記金属バンプはソルダーバンプパッドであり、フリップチップパッケージの電気的接続に用いられることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項３】
前記金属バンプはヒートシンク及びその周囲に設けられる複数のボンディングパッドであり、前記ボンディングパッドはボンディングパッケージの電気的接続に用いられることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項４】
前記第１の補助誘電体層の上に設けられる金属支持フレームをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項５】
対向してラミネートされ、それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で相互いに結合される二つの第１の金属層と、
前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられ、二つの前記第１の金属層を覆う二つの第１の補助誘電体層と、
前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層と、
を含むことを特徴とする基材。
【請求項６】
対向してラミネートされ、対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で相互に結合される二つの第１の金属層と、
前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられ、二つの前記第１の金属層を覆う二つの第１の補助誘電体層と、
前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つのコア層と、
前記コア層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の補助誘電体層と、
前記第２の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層と、
を含むことを特徴とする基材。
【請求項７】
それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で対向してラミネートされる二つの第１の金属層と、前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられる二つの第１の補助誘電体層と、前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層と、からなるラミネート体であって、二つの前記第１の補助誘電体層が二つの前記第１の金属層を覆う基材を用意する工程と、
前記第２の金属層をパターニングすることにより内層回路層を形成する工程と、
前記第１の補助誘電体層と前記内層回路層の上にビルドアップ構造を形成することにより全体構造を形成する工程であって、前記ビルドアップ構造は、少なくとも一つの第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上に形成される第１の回路層と、前記第１の誘電体層に形成され前記第１の回路層と前記内層回路層に電気的に接続される複数の第１の導電ビアと、を含む工程と、
を含むことを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項８】
切断ラインが前記第１の金属層を通るように前記全体構造のエッジを切断し、前記第１の金属層の各々を分離させることにより、二つの基礎基板を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属層をパターニングすることにより第２の回路層を形成し、前記第１の補助誘電体層には前記内層回路層と前記第２の回路層に電気的に接続される複数の第２の導電ビアを形成する工程をさらに含み、
前記第２の回路層はさらに複数の第２の電気接触パッドを有し、前記第１の補助誘電体層の上には第２の絶縁保護層を形成し、前記第２の絶縁保護層には前記第２の電気接触パッドの各々を露出させるための複数の第２の絶縁保護層開孔が形成されることを特徴とする請求項８に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ビルドアップ構造の最外層の前記第１の回路層はさらに複数の第１の電気接触パッドを有し、
前記ビルドアップ構造の上に第１の絶縁保護層を形成し、前記第１の絶縁保護層には前記第１の電気接触パッドの各々を露出させるための複数の第１の絶縁保護層開孔を形成する工程と、
切断ラインが前記第１の金属層を通るように前記全体構造のエッジを切断する工程と、  前記第１の金属層の各々を分離させることにより、二つの基礎基板を形成する工程と、  をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属層を除去することにより前記第１の補助誘電体層を露出させ、前記第１の補助誘電体層には前記内層回路層の一部を露出させる複数の開孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で対向してラミネートされる二つの第１の金属層を提供する工程と、
前記第１の金属層の前記第２の表面の上に前記第１の補助誘電体層をラミネートする工程と、
前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上に前記第２の金属層をラミネートし、これらの前記第１の金属層、前記第１の補助誘電体層、及び前記第２の金属層を圧着させることにより、二つの前記第１の補助誘電体層を一体に結合させ、二つの前記第１の金属層を覆う工程と、
を含むことを特徴とする基材の製造方法。
【請求項１３】
それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で対向してラミネートされる二つの第１の金属層と、前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられる二つの第１の補助誘電体層と、前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層と、からなるラミネート体であであって、二つの前記第１の補助誘電体層が二つの前記第１の金属層を覆う基材を用意する工程と、
前記第２の金属層をパターニングすることにより内層回路層を形成し、前記第１の補助誘電体層には前記内層回路層と前記第１の金属層に電気的に接続される複数の内層導電ビアを形成する工程と、
前記第１の補助誘電体層と前記内層回路層の上にビルドアップ構造を形成し、前記ビルドアップ構造が、少なくとも一つの第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上に形成される第１の回路層と、前記第１の誘電体層に形成され前記第１の回路層と前記内層回路層に電気的に接続される複数の第１の導電ビアと、を含み、前記ビルドアップ構造の最外層の前記第１の回路層が複数の第１の電気接触パッドを有する工程と、
前記ビルドアップ構造の上に第１の絶縁保護層を形成することにより全体構造を形成し、前記第１の絶縁保護層には前記第１の電気接触パッドの各々を露出させるための複数の第１の絶縁保護層開孔を形成する工程と、
切断ラインが前記第１の金属層を通るように前記全体構造のエッジを切断する工程と、
前記第１の金属層の各々を分離させることにより、二つの基礎基板を形成する工程と、
を含むことを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の金属層の一部を除去することにより、前記導電内層ビアの各々に接続される複数の金属バンプを形成することを特徴とする請求項１３に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の金属層の一部を除去することにより、前記第１の補助誘電体層の上に金属支持フレームを形成することを特徴とする請求項１４に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１６】
それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で対向してラミネートされる二つの第１の金属層と、前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられる二つの第１の補助誘電体層と、前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つのコア層と、前記コア層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の補助誘電体層と、前記第２の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層と、からなるラミネート体であって、二つの前記第１の補助誘電体層が二つの前記第１の金属層を覆い、前記コア層の両表面にはそれぞれ第１の電気接触パッドと第２の電気接触パッドを複数有し、前記第２の電気接触パッドが前記第１の補助誘電体層の上にあるようにする基材を用意する工程と、
前記第２の金属層をパターニングすることにより内層回路層を形成し、前記第２の補助誘電体層には前記内層回路層と前記第１の電気接触パッドに電気的に接続される複数の内層導電ビアを形成する工程と、
前記第２の補助誘電体層と前記内層回路層の上にビルドアップ構造を形成することにより全体構造を形成し、前記ビルドアップ構造が、少なくとも一つの第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層の上に形成される第１の回路層と、前記第１の誘電体層に形成され前記第１の回路層と前記内層回路層に電気的に接続される複数の第１の導電ビアと、を含む工程と、
切断ラインが前記第１の金属層を通るように前記全体構造のエッジを切断する工程と、
前記第１の金属層の各々を分離させることにより、二つの基礎基板を形成する工程と、
を含むことを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の金属層をパターニングすることにより第２の回路層を形成し、前記第１の補助誘電体層には前記第２の電気接触パッドと前記第２の回路層に電気的に接続される複数の第２の導電ビアを形成し、前記第２の回路層が複数の第２の電気接触パッドを有し、前記第１の補助誘電体層の上に第２の絶縁保護層を形成し、前記第２の絶縁保護層に前記第２の電気接触パッドの各々を露出させるための複数の第２の絶縁保護層開孔を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１８】
それぞれ対向する第１の表面と第２の表面を有し、前記第１の表面で対向してラミネートされる二つの第１の金属層と、前記第１の金属層の前記第２の表面の上にそれぞれ設けられる二つの第１の補助誘電体層と、前記第１の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つのコア層と、前記コア層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の補助誘電体層と、前記第２の補助誘電体層が露出した表面の上にそれぞれ設けられる二つの第２の金属層を提供する工程と、
これらの前記第１の金属層、前記第１の補助誘電体層、前記コア層、前記第２の補助誘電体層、及び前記第２の金属層を圧着することにより、二つの前記第１の補助誘電体層を一体に結合させ二つの前記第１の金属層を被覆させ、前記第２の電気接触パッドを前記第１の補助誘電体層の表面に嵌め込む工程と、
を含むことを特徴とする基材の製造方法。