【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、
前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、
前記セクションバーの下面に形成された凹部と、
前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、
を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記開口部は、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなり、
前記樹脂層は、前記第１凹部及び前記第２凹部及び前記凹部を充填するように埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記開口部は、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなり、
前記樹脂層は、前記凹部と前記第１凹部を充填するように埋め込まれ、
前記第２凹部の内壁面は、前記樹脂層から露出されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、
前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定するとともに、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなる開口部と、
前記セクションバーの下面に形成された凹部と、
前記第２凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
前記粗面めっき層に接するように、前記第２凹部を充填するように埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有し、
前記第１凹部及び前記凹部の内壁面は外部に露出されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
前記粗面めっき層の表面粗さＲａが１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記ダイパッドの下面は前記ダイパッドの上面よりも幅が狭いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のリードフレームの前記単位リードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を有し、
前記リードの外側面と、前記凹部に充填された前記樹脂層の外側面とが面一に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４に記載のリードフレームの前記単位リードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、
前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を、前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込む樹脂埋め込み工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記基板形成工程は、前記開口部が空間的に連続して形成されるように前記基板フレームを形成し、
前記樹脂埋め込み工程は、
前記粗化工程後の基板フレームを金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の前記樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記開口部に充填することを特徴とする請求項９に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記基板形成工程は、
前記導電性基板の両面に前記開口部及び前記凹部の形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記導電性基板を両面からエッチングする工程と、を含み、
前記粗面めっき層を形成する工程は、前記レジスト層をマスクとした電解めっきにより前記粗面めっき層を形成し、
前記樹脂埋め込み工程は、前記開口部及び前記凹部を充填するように、前記樹脂を前記開口部及び前記凹部に埋め込むことを特徴とする請求項９又は１０に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１２】
セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部を構成する第１凹部を導電性基板の下面に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成する第１基板加工工程と、
前記第１凹部の内壁面及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記凹部を充填するように、絶縁性の樹脂を前記第１凹部及び前記凹部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、
前記導電性基板の上面に、前記第１凹部と連通する第２凹部を形成して前記開口部を形成する第２基板加工工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
前記第１基板加工工程は、前記第１凹部が空間的に連続して形成されるように前記導電性基板を加工し、
前記樹脂埋め込み工程は、
前記粗化工程後の導電性基板を金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記第１凹部に充填することを特徴とする請求項１２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部を構成する第２凹部を導電性基板の上面に形成する第１基板加工工程と、
前記第２凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第２凹部を充填するように、絶縁性の樹脂を前記第２凹部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、
前記導電性基板の下面に、前記第２凹部と連通する第１凹部を形成して前記開口部を形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成する第２基板加工工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームの各ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極と前記リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、
所定の位置における前記封止樹脂と、前記セクションバーと、前記凹部に充填された樹脂を切断して、各半導体装置単位に分割する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームの各ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極と前記リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、
所定の位置における前記封止樹脂と、前記セクションバーとを切断して、各半導体装置単位に分割する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、前記セクションバーの下面に形成された凹部と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を、前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込む樹脂埋め込み工程と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次に、図１３（ｃ）に示すように、ダイシングソーにより、矢印の位置のセクションバー１１及び封止樹脂７３を切断し、個別の半導体装置７０に個片化する。このような工程により、図１３（ｄ）に示す個別の半導体装置７０が製造される。