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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた画素部と、前記基板に設けられた駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートには、少なくとも第１の信号が入力され、
前記第２のトランジスタのゲートには、少なくとも第２の信号が入力され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方には、少なくとも第１の電位又は第２の電位が切り替えられて入力され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方からは、少なくとも第３の信号が前記画素部に出力されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板に設けられた画素部と、前記基板に設けられた駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートには、少なくとも第１の信号が入力され、
前記第２のトランジスタのゲートには、少なくとも第２の信号が入力され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方には、少なくとも第１の電位又は第２の電位が切り替えられて入力され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方からは、少なくとも第３の信号が前記画素部に出力されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板に設けられた画素部と、前記基板に設けられた駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記第１乃至第４のトランジスタの少なくとも一は、酸化物半導体にチャネル形成領域を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートには、少なくとも第１の信号が入力され、
前記第２のトランジスタのゲートには、少なくとも第２の信号が入力され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方には、少なくとも第１の電位又は第２の電位が切り替えられて入力され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方からは、少なくとも第３の信号が前記画素部に出力されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板に設けられた画素部と、前記基板に設けられた駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、を有し、
前記第１乃至第５のトランジスタの少なくとも一は、酸化物半導体にチャネル形成領域を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートには、少なくとも第１の信号が入力され、
前記第２のトランジスタのゲートには、少なくとも第２の信号が入力され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方には、少なくとも第１の電位又は第２の電位が切り替えられて入力され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方からは、少なくとも第３の信号が前記画素部に出力されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記酸化物半導体は、キャリア濃度が１×１０１４未満である領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１乃至第４のトランジスタの少なくとも一のチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１×１０−１７Ａ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記駆動回路は、走査線駆動回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の表示装置と、
加速度センサ、筐体、光センサ、スピーカ又は操作ボタンと、
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１のキースイッチ構造を示す平面図である。
【図２】実施例１のキースイッチ構造を示す側面図である。
【図３】実施例１の第１支持部とその周辺を示す側面図である。
【図４】実施例１の第１支持部材とその周辺を示す拡大平面図である。
【図５】第２支持部とその周辺を示す側面図である。
【図６】第２摺動保持部を示す側面図である。
【図７】第３支持部材とその周辺を示す側面図である。
【図８】第１ホルダーを示す平面図である。
【図９】第２ホルダーを示す平面図である。
【図１０】第１ホルダーおよび第２ホルダーの固定状態を示す説明図である。
【図１１】第１支持部材、第２支持部材及び第３支持部材とラバードームの大きさの関係を示す説明図である。
【図１２】第１支持部材の動作を示す説明図である。
【図１３】第２支持部材の動作を示す説明図である。
【図１４】第３支持部材の動作を示す説明図である。
【図１５】実施例２のキースイッチを示す平面図である。
【図１６】リンク機構を備えた従来のキースイッチ構造を示す断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面にしたがって説明する。図１は本発明の実施例１のキースイッチ構造を示す平面図、図２は実施例１のキースイッチ構造を示す側面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１、図２において、実施例１のキースイッチ２０は、キートップ２１と、キートップ２１を上下動可能に支持する第１支持部材２２、第２支持部材２３および第３支持部材２４、第１支持部材２２および第３支持部材２４を保持する第１ホルダー２５、第２支持部材２３および第３支持部材２４を保持する第２ホルダー２６、キートップ２１が押下されると屈曲し、押下力が排除されるとキートップ２１を元の位置に復帰させるラバードーム（復帰部材）２７、ラバードーム２７の直下に図示しない接点部を有するメンブレンシート２８およびバックプレート２９とを有する。なお図１においてキートップ２１は説明の都合上破線で示してある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第１支持部材２２の他方の端部両側面には回転ピン２２ｄ、２２ｅが形成され、回転ピン２２ｄ、２２eは第１ホルダー２５に形成された溝部２５ａ、２５ｂにそれぞれ回転可能に嵌入している。回転ピン２２ｄ、２２ｅの先端部がそれぞれ溝部２５ａ、２５ｂの奥壁２５ａａ、２５ｂａにより位置規制されることにより、第１支持部材２２が図１に示す矢印Ｙ方向に位置規制される。第１支持部材２２の他方の端部先端側には突起部２２ｆが設けられている。突起部２２ｆは、図３に示すように第１支持部材２２の回転角度を規制するもので、第１支持部材２２が所定の角度まで回転した際にメンブレンシート２８に面接触するテーパ面２２ｆａが形成されている。突起部２２ｆは、図４に示すように、第１ホルダー２５の溝部２５ｃに回転可能に入り込んでいる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１、図５において、第２支持部材２３の他方の端部両側面には回転ピン２３ｅ、２３ｆが形成され、回転ピン２３ｅ、２３ｆは第２ホルダー２６に形成された溝部２６ａ、２６ｂにそれぞれ回転可能に嵌入している。回転ピン２３ｅ、２３ｆの先端部がそれぞれ溝部２６ａ、２６ｂの奥壁により位置規制されることにより、第２支持部材２３が図１に示す矢印Ｙ方向に位置規制される。第２支持部材２３の他方の端部には面取り部２３ｇが形成されている。面取り部２３ｇは、図５に示すように第２支持部材２３の回転角度を規制するもので、第２支持部材２３が所定の角度まで回転した際にメンブレンシート２８に面接触する。第２支持部材２３の他方の端部は、第２ホルダー２６の溝部２６ｃに回転可能に入り込んでいる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に実施例２について説明する。図１５は実施例２のキースイッチを示す平面図である。図１５において、実施例２のキースイッチ４０は、キートップ４１、キートップ４１上下動可能に支持する第１支持部材４２、第２支持部材４３および第３支持部材２４、第１支持部材４２および第３支持部材２４を保持する第１ホルダー４５、第２支持部材４３および第３支持部材２４を保持する第２ホルダー４６、キートップ４１が押下されると屈曲し、押下力が排除されるとキートップ４１を元の位置に復帰させるラバードーム２７、ラバードーム２７の直下に図示しない接点部を有するメンブレンシートおよびバックプレートとを有する。（メンブレンシートとバックプレートは図示していない。）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
２０、４０  キースイッチ
２１、４１  キートップ
２１ａ、２１ｂ  固定壁
２２、４２  第１支持部材
２２ｃ  面取り部
２２ｆ  突起部
２３、４３  第２支持部材
２３ｇ  面取り部
２４  第３支持部材
２５、４５  第１ホルダー
２５ｂ  溝部
２６、４６  第２ホルダー
２６ｅ  壁部
２７  ラバードーム
２８  メンブレンシート
３１ａ、３１ｂ  第１摺動保持部
３２ａ、３２ｂ  第２摺動保持部
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラス基材と、該第１のガラス基材と接合され、該第１のガラス基材と共に気密容器の少なくとも一部を形成する第２のガラス基材と、を含む気密容器の製造方法であって、
第１のガラス基材と第２のガラス基材との間に、粘度が負の温度係数を有し、前記第１および第２のガラス基材よりも軟化点が低い接合材を、不連続部分を介して枠状に延びるように設ける工程と、
該接合材をその厚み方向に押圧した状態で、局所加熱光を、該局所加熱光の前記接合材への照射領域を前記接合材の枠状に延びる方向に沿って走査しながら、前記接合材に照射することで、前記接合材を加熱溶融させて前記第１のガラス基材と前記第２のガラス基材とを接合する工程と、を有し、
前記局所加熱光の前記接合材への照射は、前記不連続部分を挟んで対向する前記接合材の２つの領域の一方の領域に前記局所加熱光を照射して当該領域を加熱溶融させた後に、他方の領域に前記局所加熱光を照射して当該領域を加熱溶融させて、前記他方の領域から前記一方の領域に向かって、溶融した接合材によって、前記不連続部分を塞ぐことで、前記第１のガラス基材と前記第２のガラス基材との間の連続した接合部を形成するように行われることを特徴とする、気密容器の製造方法。
【請求項２】
前記局所加熱光は、前記接合材の前記一方の領域から前記接合材への照射が開始され、その後、前記不連続部分から離れる方向に走査されることを特徴とする、請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項３】
前記局所加熱光は、前記接合材の前記一方の領域に照射された後で、前記他方の領域に照射されるように走査されることを特徴とする、請求項１または２に記載の気密容器の製造方法。
【請求項４】
前記接合材は、前記接合材の、前記一方の領域の前記不連続部分に面する端部が、前記不連続部分に向かって突出する凸部を備え、前記接合材の、前記他方の領域の前記不連続部分に面する端部が、前記凸部に対応する凹部を備えることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項５】
前記接合材は矩形状であって、当該矩形の頂点に相当する部分に、前記不連続部分が位置することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項６】
気密容器を備える画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器が請求項１乃至５のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする、画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、第１のガラス基材と第２のガラス基材との間に、粘度が負の温度係数を有し、第１および第２のガラス基材よりも軟化点が低い接合材を、不連続部分を介して枠状に延びるように設ける工程と、接合材をその厚み方向に押圧した状態で、局所加熱光を、局所加熱光の接合材への照射領域を接合材の枠状に延びる方向に沿って走査しながら、接合材に照射することで、接合材を加熱溶融させて第１のガラス基材と第２のガラス基材とを接合する工程と、を有し、局所加熱光の接合材への照射は、不連続部分を挟んで対向する接合材の２つの領域の一方の領域に局所加熱光を照射してこの領域を加熱溶融させた後に、もう一方の領域に局所加熱光を照射してこの領域を加熱溶融させて、他方の領域から一方の領域に向かって、溶融した接合材によって、不連続部分を塞ぐことで、第１のガラス基材と第２のガラス基材との間の連続した接合部を形成するように行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に実装される電子部品と、
前記電子部品を封止して前記基板上に形成される封止樹脂と、
前記封止樹脂の一部を覆うように、平面視において第１の所定パターンの開口部を有するシールド層と、
を含み、
前記封止樹脂は、一面に平面視において第２の所定パターンの凹部を有し、
前記シールド層は、前記凹部内に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シールド層は、前記凹部の内壁面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板上に形成された接地端子を含み、
前記封止樹脂は、前記電子部品及び前記接地端子を封止するように形成され、
前記凹部の少なくとも一部は、前記接地端子の一側面を露出するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記第２の所定パターンとして平面視において網目状に形成され、
前記シールド層は、平面視において網目状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板と、前記基板に実装された電子部品と、前記電子部品を封止する封止樹脂とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記封止樹脂の一部を覆うように、平面視において第１の所定パターンの開口部を有するシールド層を形成するシールド層形成工程を含み、
前記シールド層形成工程は、
前記封止樹脂の一面に前記第１の所定パターンの凸部と第２の所定パターンの凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記シールド層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部内にシールド層を形成する工程は、
前記凸部と前記凹部が形成された前記封止樹脂の一面側を金属層で被覆する工程と、
前記金属層を研磨して前記封止樹脂の凸部を露出させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記シールド層形成工程の前に、前記基板上に接地端子を形成する工程を含み、
前記シールド層形成工程は、
前記封止樹脂の一側面に、第２の所定パターンを有し、少なくとも一部が前記接地端子の一側面を露出する凹部を形成する工程と、
前記凹部内にシールド層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板に実装される電子部品と、前記電子部品を封止して前記基板上に形成される封止樹脂と、前記封止樹脂の一部を覆うように、平面視において第１の所定パターンの開口部を有するシールド層と、を有し、前記封止樹脂は、一面に平面視において第２の所定パターンの凹部を有し、前記シールド層は、前記凹部内に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板に実装された電子部品と、前記電子部品を封止する封止樹脂とを含む半導体装置の製造方法であって、前記封止樹脂の一部を覆うように、平面視において第１の所定パターンの開口部を有するシールド層を形成するシールド層形成工程を含み、前記シールド層形成工程は、前記封止樹脂の一面に前記第１の所定パターンの凸部と第２の所定パターンの凹部を形成する工程と、前記凹部内に前記シールド層を形成する工程と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図５に従って説明する。なお、図１（ａ）は、本実施形態の半導体装置１０の概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体装置１０のＡ−Ａ概略断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）に示す半導体装置１０のＢ−Ｂ線概略断面図である。また、図２は、半導体装置１０の一部を示す概略斜視図である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月24日(2013.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部を有する発熱体と、
前記発熱体の外周を囲うように設けられ、内壁に前記固定部が固定される断熱体と、
を備えた加熱装置であって、
少なくとも前記発熱体が室温状態の時に、前記発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が、前記固定部から離れるにつれて大きくなるように設定されていることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記固定部が前記発熱体の周方向に沿って複数設けられ、
少なくとも前記発熱体が室温状態の時に、前記発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が、隣接する前記固定部間の中央位置から前記固定部に近づくにつれて小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
固定部を有する発熱体と、前記発熱体の外周を囲うように設けられ、内壁に前記固定部が固定される断熱体と、を備えた加熱装置と、
前記加熱装置の前記発熱体の内側に設けられた処理室と、
を有し、前記加熱装置は、少なくとも前記発熱体が室温状態の時に、前記発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が、前記固定部から離れるにつれて大きくなるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
固定部を有する発熱体と、前記発熱体の外周を囲うように設けられ、内壁に前記固定部が固定される断熱体と、を備え、少なくとも前記発熱体が室温状態の時に前記発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が前記固定部から離れるにつれて大きくなるように設定された加熱装置の前記発熱体の内側に設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、
前記発熱体を昇温させて前記処理室内の基板を加熱して処理する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
固定部を有する発熱体と、前記発熱体の外周を囲うように設けられ、内壁に前記固定部が固定される断熱体と、を備え、少なくとも前記発熱体が室温状態の時に前記発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が前記固定部から離れるにつれて大きくなるように設定された加熱装置の前記発熱体の内側に設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、
前記発熱体を昇温させて前記処理室内の基板を加熱して処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホルダ基板にウェハ支持部材が設けられ、このウェハ支持部材のウェハ支持面にウェハを載置することにより、当該ウェハおよび前記ホルダ基板に包囲された密閉空間を形成するとともに、この密閉空間を負圧にすることにより、前記ウェハ支持部材に前記ウェハを吸着保持しうるウェハホルダであって、
前記ウェハ支持面は、当該ウェハ支持面にウェハが載置されたときに前記ウェハ支持部材と当該ウェハとの接触面積が減少するように凹み加工されていることを特徴とするウェハホルダ。
【請求項２】
ホルダ基板にウェハ支持部材が設けられ、このウェハ支持部材のウェハ支持面にウェハを載置することにより、当該ウェハおよび前記ホルダ基板に包囲された密閉空間を形成するとともに、この密閉空間を負圧にすることにより、前記ウェハ支持部材に前記ウェハを吸着保持しうるウェハホルダであって、
前記ウェハ支持面に溝が設けられていることを特徴とするウェハホルダ。
【請求項３】
前記溝は、前記密閉空間に開口していることを特徴とする請求項２に記載のウェハホルダ。
【請求項４】
前記ウェハ支持部材は、複数の突起を含み、前記各突起の頂部には、それぞれ前記ウェハ支持面が平坦に形成され、これらのウェハ支持面に前記ウェハが接触することにより、当該ウェハが支持されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のウェハホルダ。
【請求項５】
前記ホルダ基板には、前記密閉空間内の気体を排気して当該密閉空間を負圧にするための通気手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のウェハホルダ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のウェハホルダを有することを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る第１のウェハホルダは、ホルダ基板（２）にウェハ支持部材（３、４、６）が設けられ、このウェハ支持部材のウェハ支持面（３ａ、４ａ、６ａ）にウェハ（Ｗ）を載置することにより、当該ウェハおよび前記ホルダ基板に包囲された密閉空間（Ｓ）を形成するとともに、この密閉空間を負圧にすることにより、前記ウェハ支持部材に前記ウェハを吸着保持しうるウェハホルダ（１）であって、前記ウェハ支持面は、当該ウェハ支持面にウェハが載置されたときに前記ウェハ支持部材と当該ウェハとの接触面積が減少するように凹み加工されているウェハホルダとしたことを特徴とする。
本発明に係る第２のウェハホルダは、ホルダ基板（２）にウェハ支持部材（３、４、６）が設けられ、このウェハ支持部材のウェハ支持面（３ａ、４ａ、６ａ）にウェハ（Ｗ）を載置することにより、当該ウェハおよび前記ホルダ基板に包囲された密閉空間（Ｓ）を形成するとともに、この密閉空間を負圧にすることにより、前記ウェハ支持部材に前記ウェハを吸着保持しうるウェハホルダ（１）であって、前記ウェハ支持面に溝（６ｂ）が設けられているウェハホルダとしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る露光装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載のウェハホルダ（１）を有する露光装置（３０）としたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、ウェハホルダのウェハ支持面は、このウェハ支持面にウェハが載置されたときにウェハ支持部材とウェハとの接触面積が減少するように凹み加工されているため、ウェハ支持部材とウェハとの接触面積が減少する。その結果、ウェハ支持面にパーティクルが付着していた場合であっても、ウェハホルダでウェハを吸着保持する際に、両者間にパーティクルを挟み込む事態の発生頻度を減らすことができる。したがって、露光エラーの原因になるウェハの吸着歪みを低減することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられたアンダーフィル樹脂層と、
主面とその反対の裏面とを有し、前記アンダーフィル樹脂層を介して前記基板上に前記主面を対向させてフリップチップ実装された半導体チップと、
前記半導体チップの裏面上に設けられた樹脂層と、
を備えており、
前記半導体チップが、前記主面および該主面から前記裏面の縁部にかけて、前記アンダーフィル樹脂層で覆われており、
前記樹脂層が、前記縁部の前記アンダーフィル樹脂層で囲まれた前記裏面の中央部を埋め込むように設けられており、
前記アンダーフィル樹脂層および前記樹脂層によって、前記半導体チップが封止されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージにおいて、
前記アンダーフィル樹脂層と、前記樹脂層とは、熱膨張係数が異なることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体パッケージにおいて、
下側基板としての前記基板に積み重ねられた上側基板を備えており、
前記下側基板の前記上側基板側に設けられた外部接続パッドに、前記上側基板の前記下側基板側に設けられた外部接続バンプが接続されて、前記下側基板と前記上側基板との間にギャップが形成されており、
前記ギャップには、前記半導体チップ、前記アンダーフィル樹脂層が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
（ａ）主面とその反対の裏面を有する半導体チップを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体チップを実装する基板を準備する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記裏面と対向する対向面と、該対向面から突起して前記半導体チップの前記裏面と接触し、前記半導体チップのチップサイズより小さい接触面とを有するボンディングツールを準備する工程と、
（ｄ）前記基板上にアンダーフィル樹脂層を形成する工程と、
（ｅ）前記裏面の中央部に前記接触面を接触させて、前記半導体チップを前記ボンディングツールに吸着させる工程と、
（ｆ）前記ボンディングツールに前記半導体チップを吸着させた状態で、前記アンダーフィル樹脂層を介して前記基板上に前記半導体チップをフリップチップ実装する工程と、
を含んでおり、
前記（ｆ）工程では、前記アンダーフィル樹脂層に前記半導体チップが押し込まれて、前記主面から前記裏面の縁部にかけて前記アンダーフィル樹脂層を回り込ませることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｆ）工程では、前記裏面に回り込んだ前記アンダーフィル樹脂層を、前記ボンディングツールの前記対向面で押さえることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記（ｆ）工程の後、前記縁部の前記アンダーフィル樹脂層で囲まれた前記裏面の中央部を、ポッティングによって樹脂で埋め込み、樹脂層を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項４、５または６記載の半導体パッケージの製造方法において、
前記半導体チップがフリップチップ実装された前記基板を下側基板として上側基板を積み重ねて、前記下側基板に形成された外部接続パッドに前記上側基板に形成された外部接続バンプをリフロー処理によって接続することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一実施形態における半導体パッケージは、基板と、基板上に設けられたアンダーフィル樹脂層と、主面とその反対の裏面とを有し、前記アンダーフィル樹脂層を介して前記基板上に前記主面を対向させてフリップチップ実装された半導体チップと、前記半導体チップの裏面上に設けられた樹脂層とを備えている。ここで、前記半導体チップが、前記主面および該主面から前記裏面の縁部にかけて、前記アンダーフィル樹脂層で覆われており、前記樹脂層が、前記縁部の前記アンダーフィル樹脂層で囲まれた前記裏面の中央部を埋め込むように設けられており、前記アンダーフィル樹脂層および前記樹脂層によって、前記半導体チップが封止されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用いて基板を露光する露光装置であって、
前記荷電粒子線を前記基板の上に導く電子光学系と、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージを駆動する電磁アクチュエータと、
前記電磁アクチュエータを取り囲むように前記ステージに配置された磁気シールドと、
前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記電子光学系と前記基板との間の前記荷電粒子線の経路上に第１の振幅の磁場を発生させる第１のコイルと、前記荷電粒子線の経路上に前記第１の振幅よりも小さい第２の振幅の磁場を発生させる第２のコイルとを含むコイル部と、
前記荷電粒子線の経路上での磁場を検出する検出部と、
前記ステージの駆動によって生じる前記荷電粒子線の経路上での磁場変動を低減させるように、前記コイル部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記ステージの位置と、前記荷電粒子線の経路上での磁場変動との関係を表すテーブルを参照して、前記計測部で計測された前記ステージの位置に対応する前記荷電粒子線の経路上での磁場変動を求め、前記第１のコイルが発生する前記第１の振幅の磁場をフィードフォワード制御し、
前記検出部で検出された前記荷電粒子線の経路上での磁場に基づいて、前記第２のコイル部が発生する前記第２の振幅の磁場をフィードバック制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記荷電粒子線の経路の外側に配置された検出器を含み、
前記荷電粒子線の経路上での磁場は、前記検出器からの出力に基づいて求められることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
荷電粒子線を用いて基板を露光する露光装置であって、
電磁アクチュエータによって駆動され、磁気シールドが配置され、前記基板を保持するステージと、
前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記荷電粒子線の経路上での磁場を検出する検出部と、
磁場を発生させるコイル部と、
前記コイル部を制御する制御部と、を有し、
前記荷電粒子線の経路上での磁場は、前記ステージの駆動によって変動し、
前記制御部は、前記計測部で計測された前記ステージの位置に基づいて前記コイル部を制御して、前記検出部の検出レンジよりも大きい振幅の磁場変動を低減させることを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出部で検出された前記荷電粒子線の経路上での磁場に基づいて前記コイル部を制御して、前記検出部の検出レンジよりも小さい振幅の磁場変動を低減させることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置によって、荷電粒子線を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及びデバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、荷電粒子線を用いて基板を露光する露光装置であって、前記荷電粒子線を前記基板の上に導く電子光学系と、前記基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する電磁アクチュエータと、前記電磁アクチュエータを取り囲むように前記ステージに配置された磁気シールドと、前記ステージの位置を計測する計測部と、前記電子光学系と前記基板との間の前記荷電粒子線の経路上に第１の振幅の磁場を発生させる第１のコイルと、前記荷電粒子線の経路上に前記第１の振幅よりも小さい第２の振幅の磁場を発生させる第２のコイルとを含むコイル部と、前記荷電粒子線の経路上での磁場を検出する検出部と、前記ステージの駆動によって生じる前記荷電粒子線の経路上での磁場変動を低減させるように、前記コイル部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記ステージの位置と、前記荷電粒子線の経路上での磁場変動との関係を表すテーブルを参照して、前記計測部で計測された前記ステージの位置に対応する前記荷電粒子線の経路上での磁場変動を求め、前記第１のコイルが発生する前記第１の振幅の磁場をフィードフォワード制御し、前記検出部で検出された前記荷電粒子線の経路上での磁場に基づいて、前記第２のコイル部が発生する前記第２の振幅の磁場をフィードバック制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上層配線と、前記最上層配線を覆う絶縁層とを有し、前記最上層配線の一部が前記絶縁層からパッドとして露出された配線基板であって、
前記絶縁層は、少なくとも隣接する前記パッド間に形成され、上面が前記各パッドの上面よりも高くなるように形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層よりも外側領域に形成され、前記第１の絶縁層よりも厚く形成され、前記第１の絶縁層と一体に形成された第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層には、前記隣接するパッド間で湾曲状に凹む湾曲部が形成され、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とによって段差部が形成され、
前記段差部には、傾斜部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記傾斜部は曲面形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記段差部が、平面視において、当該配線基板に実装される被実装体の外形枠よりも外側に位置するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記段差部の前記第２の絶縁層側のエッジが、平面視において、当該配線基板に実装される被実装体の外形枠よりも外側に位置するように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記段差部のエッジは平面視で枠状形状に形成され、前記エッジの四隅は曲線状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項の配線基板と、
前記パッドにフリップチップ接続された半導体素子と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
最上層配線を覆う絶縁層から前記最上層配線の一部がパッドとして露出された配線基板の製造方法であって、
少なくとも前記パッドの形成される領域に対応する部分の前記絶縁層を薄化することにより、前記絶縁層に凹部を形成するとともに、前記パッドを露出する薄化工程と、
前記パッドの上面が薄化された第１の絶縁層の上面よりも低くなるまで前記パッドをエッチングするエッチング工程と、を含み、
前記薄化工程では、隣接する前記パッド間に前記第１の絶縁層が形成されるとともに、前記第１の絶縁層と前記凹部よりも外側領域に形成された第２の絶縁層とによって第１の段差部が形成され、
前記薄化工程は、
前記絶縁層の上に、前記凹部に対応する領域を開口する開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口部を通じて前記絶縁層にサンドブラスト処理を施すサンドブラスト工程と、を含み、
前記サンドブラスト工程では、
前記パッド間に形成される前記第１の絶縁層に湾曲状に凹む湾曲部が形成されるように、且つ前記第１の段差部に傾斜部が形成されるように、前記絶縁層の薄化が行われ、
前記パッドがペリフェラル状に形成され、
前記凹部は、前記パッドの形成される領域およびその領域よりも内側の領域を含む四角形状の領域に形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記薄化工程の前に、
前記最上層配線のうち前記パッドとして露出される部分の第１の最上層配線を、他の最上層配線よりも厚く形成する工程と、
前記最上層配線を覆う前記絶縁層を形成する工程と、を含み、
前記薄化工程では、前記凹部に対応する前記絶縁層を、前記第１の最上層配線が露出するまで薄化することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
配線パターン２０は、基板本体１０の上面側に設けられている。この配線パターン２０は、半導体チップ５０のバンプ５１が接続されるパッド２１を有する。
ソルダレジスト層９０は、基板本体１０の上面側に設けられている。このソルダレジスト層９０には、上記パッド２１を露出させるために、パッド形成領域に開口部９０ａが形成されている。具体的には、半導体チップ５０のバンプ５１の配設形態に応じてパッド２１が配線基板５の外周に沿って環状に配列されているため（図１４（ａ）参照）、上記開口部９０ａも環状に形成され、且つ帯状に形成されている。そして、この開口部９０ａは、パッド形成領域に対応する部分のソルダレジスト層９０を貫通することで形成されている。これにより、開口部９０ａは、パッド形成領域に配置された配線パターン２０をパッド２１として露出するとともに、パッド２１以外の部分では、配線パターン２０の下層に形成された絶縁層１２を露出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の一観点によれば、最上層配線と、前記最上層配線を覆う絶縁層とを有し、前記最上層配線の一部が前記絶縁層からパッドとして露出された配線基板であって、前記絶縁層は、少なくとも隣接する前記パッド間に形成され、上面が前記各パッドの上面よりも高くなるように形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層よりも外側領域に形成され、前記第１の絶縁層よりも厚く形成され、前記第１の絶縁層と一体に形成された第２の絶縁層とを含み、前記第１の絶縁層には、前記隣接するパッド間で湾曲状に凹む湾曲部が形成され、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とによって段差部が形成され、前記段差部には、傾斜部が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の一観点によれば、最上層配線を覆う絶縁層から前記最上層配線の一部がパッドとして露出された配線基板の製造方法であって、少なくとも前記パッドの形成される領域に対応する部分の前記絶縁層を薄化することにより、前記絶縁層に凹部を形成するとともに、前記パッドを露出する薄化工程と、前記パッドの上面が薄化された第１の絶縁層の上面よりも低くなるまで前記パッドをエッチングするエッチング工程と、を含み、前記薄化工程では、隣接する前記パッド間に前記第１の絶縁層が形成されるとともに、前記第１の絶縁層と前記凹部よりも外側領域に形成された第２の絶縁層とによって第１の段差部が形成され、前記薄化工程は、前記絶縁層の上に、前記凹部に対応する領域を開口する開口部を有するマスクを形成する工程と、前記マスクの開口部を通じて前記絶縁層にサンドブラスト処理を施すサンドブラスト工程と、を含み、前記サンドブラスト工程では、前記パッド間に形成される前記第１の絶縁層に湾曲状に凹む湾曲部が形成されるように、且つ前記第１の段差部に傾斜部が形成されるように、前記絶縁層の薄化が行われ、前記パッドがペリフェラル状に形成され、前記凹部は、前記パッドの形成される領域およびその領域よりも内側の領域を含む四角形状の領域に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月24日(2013.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料が載置される測定ステージと、
４探針プローブと、
回転軸を有するモーターと、
前記モーターの前記回転軸に連結された偏心カムと、
前記４探針プローブを保持するとともに、前記偏心カムの回転に従動して前記４探針プローブを前記測定ステージに対して接近する側及び離間する側にそれぞれ移動させる保持体と、
前記保持体に設けられた重りと、を備え、
前記保持体は、前記４探針プローブが前記試料に接触するときに前記偏心カムとの接触が絶たれることを特徴とする抵抗率測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、
各絶縁層は、同一組成のフィラーを含有し、
前記各絶縁層の前記フィラーの含有量は、何れも５５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下の範囲にあり、
前記各絶縁層の熱膨張係数は、何れも１２ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下の範囲にある配線基板。
【請求項２】
配線基板の第１の主面を形成する第１の絶縁層と、
前記第１の主面の反対面である配線基板の第２の主面を形成する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記第２の主面とは反対側に隣接する第３の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に埋設され、表面が前記第１の絶縁層から露出する第１の電極パッドと、
前記第３の絶縁層の前記第２の絶縁層側に設けられ、前記第２の絶縁層の開口部から露出する第２の電極パッドと、を有する請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２の電極パッドのピッチは、前記第１の電極パッドのピッチよりも広く、
前記第２の絶縁層は、補強部材を備えている請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２の電極パッドのピッチは、前記第１の電極パッドのピッチよりも広く、
前記第３の絶縁層は、補強部材を備えている請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
前記補強部材は、繊維束を格子状に織り込んだ構造を有する請求項３又は４項記載の配線基板。
【請求項６】
前記開口部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記開口部の底部に露出する前記第２の電極パッド部分に凹部が設けられている請求項３又は４記載の配線基板。
【請求項７】
前記凹部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
前記凹部の側壁の最外縁部は、前記開口部の側壁の最内縁部と一致している請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記開口部の側壁の面粗度は、前記第２の絶縁層の前記第２の主面側の面の面粗度よりも大きい請求項６又は７記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本配線基板は、複数の配線層と、同一組成の絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、各絶縁層は、同一組成のフィラーを含有し、前記各絶縁層の前記フィラーの含有量は、何れも５５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下の範囲にあり、前記各絶縁層の熱膨張係数は、何れも１２ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下の範囲にあることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体を備えた加熱装置であって、
側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、前記発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている加熱装置。
【請求項２】
筒状の側壁内に基板を処理する処理室に基板が装填されたボードを挿入する工程と、
側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている、前記処理室の外周に配置された加熱装置で前記基板を加熱して熱処理する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項３】
前記第二の空間には、前記側壁中層と前記側壁外層との間を連通する第一の領域と、前記断熱材が封入される第二の領域とが形成される請求項１記載の加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱装置及び基板処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、加熱装置、特に、半導体製造における被処理基板を処理室に収容して発熱体により加熱した状態で処理を施す熱処理用の加熱装置及び基板処理方法に関する。さらに詳しくは、筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に前記基板を加熱する発熱体を備えた加熱装置及び基板処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる従来の実情に鑑みて、本発明は、加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
上記実施形態において、インナシェル５０の裏面には、図３に示すように、水冷管５９が螺旋状に巻き付けられて溶着される。しかし、図６に示すように、水冷管５９を用いずに、断熱ブランケット５０ａを挟むように第一フランジ５０ｔを一対対向して設けてもよい。
また、上記実施形態において、第二の空間Ｓ２には、側壁中層としてのアウタシェル６０と側壁外層としての化粧パネル７０との間を連通する第一の領域としてのパイプ６１と、断熱材６３が封入される第二の領域とが形成される。
本発明に係る基板処理方法として、筒状の側壁内に基板を処理する処理室に基板が装填されたボードを挿入する工程と、側壁内層、側壁中層及び側壁外層で区切られた二つの空間が形成され、発熱体を取り付ける前記側壁内層と前記側壁中層との間の第一の空間には冷却媒体流通通路が形成され、前記側壁中層と前記側壁外層との間の第二の空間には断熱材が封入されている、前記処理室の外周に配置された加熱装置で前記基板を加熱して熱処理する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の図柄が表示された複数の回転リールと、
操作手段の操作に基づいて前記回転リールの回転及び停止を制御する遊技制御装置と、
演出を行う演出装置と、
演出データに基づいて前記演出装置の作動を制御する演出制御装置とを少なくとも備えた遊技機において、
前記回転リールの回転速度に対応付けられた、実行テンポがそれぞれ異なる複数の演出データを設け、
前記演出制御装置は、前記回転リールの回転速度に基づいて、前記回転リールの回転速度が速くなるほど、前記演出装置により実行される演出の実行テンポが速くなるように、前記演出装置を作動させることができるように形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
表面に複数の図柄が表示された複数の回転リールと、
操作手段の操作に基づいて前記回転リールの回転及び停止を制御する遊技制御装置と、
音声を出力するスピーカと、
音声データに基づいて前記スピーカの作動を制御する演出制御装置とを少なくとも備えた遊技機において、
前記回転リールの回転速度に対応付けられた、音程がそれぞれ異なる複数の音声データを設け、
前記演出制御装置は、前記回転リールの回転速度に基づいて、前記回転リールの回転速度が速くなるほど、前記スピーカから出力される音声の音程が高くなるように、前記スピーカから出力させる音声を制御することができるように形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
表面に複数の図柄が表示された複数の回転リールと、
操作手段の操作に基づいて前記回転リールの回転及び停止を制御する遊技制御装置と、
音声を出力するスピーカと、
音声データに基づいて前記スピーカの作動を制御する演出制御装置とを少なくとも備えた遊技機において、
前記回転リールの回転速度に対応付けられた、音量がそれぞれ異なる複数の音声データを設け、
前記演出制御装置は、前記回転リールの回転速度に基づいて、前記回転リールの回転速度が速くなるほど、前記スピーカから出力される音声の音量が大きくなるように、前記スピーカから出力させる音声を制御することができるように形成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかし、従来の遊技機には、回転リールの回転速度に応じてスピーカから音声を出力させるというものは無かった。そこで、本願発明は、回転している回転リールの回転速度に応じて演出を変更することで、今までにない斬新な報知態様や、臨場感のある演出態様を提供し、遊技性を高めることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記した目的を達成するためになされたものであり、本発明の特徴点を図面に示した発明の実施の形態を用いて、以下に説明する。
なお、括弧内の符号は、発明の実施の形態において用いた符号を示し、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
（特徴点）
（請求項１）
請求項１記載の発明は、次の点を特徴とする。
すなわち、請求項１記載の発明は、表面に複数の図柄が表示された複数の回転リール(40)と、操作手段（スタートスイッチ30、ストップスイッチ50）の操作に基づいて前記回転リール(40)の回転及び停止を制御する遊技制御装置(21)と、演出を行う演出装置（液晶表示装置67、ランプ68、スピーカ69）と、演出データに基づいて前記演出装置の作動を制御する演出制御装置(22)とを少なくとも備えた遊技機において、前記回転リール(40)の回転速度に対応付けられた、実行テンポがそれぞれ異なる複数の演出データを設け、前記演出制御装置(22)は、前記回転リール(40)の回転速度に基づいて、前記回転リール(40)の回転速度が速くなるほど、前記演出装置により実行される演出の実行テンポが速くなるように、前記演出装置を作動させることができるように形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（請求項２）
請求項２記載の発明は、表面に複数の図柄が表示された複数の回転リール(40)と、操作手段の操作に基づいて前記回転リール(40)の回転及び停止を制御する遊技制御装置(21)と、音声を出力するスピーカ(69)と、音声データに基づいて前記スピーカ(69)の作動を制御する演出制御装置(22)とを少なくとも備えた遊技機において、前記回転リール(40)の回転速度に対応付けられた、音程がそれぞれ異なる複数の音声データを設け、前記演出制御装置(21)は、前記回転リール(40)の回転速度に基づいて、前記回転リール(40)の回転速度が速くなるほど、前記スピーカ(69)から出力される音声の音程が高くなるように、前記スピーカ(69)から出力させる音声を制御することができるように形成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（請求項３）
請求項３記載の発明は、表面に複数の図柄が表示された複数の回転リール(40)と、操作手段の操作に基づいて前記回転リール(40)の回転及び停止を制御する遊技制御装置(21)と、音声を出力するスピーカ(69)と、音声データに基づいて前記スピーカ(69)の作動を制御する演出制御装置(22)とを少なくとも備えた遊技機において、前記回転リール(40)の回転速度に対応付けられた、音量がそれぞれ異なる複数の音声データを設け、前記演出制御装置(22)は、前記回転リール(40)の回転速度に基づいて、前記回転リール(40)の回転速度が速くなるほど、前記スピーカ(69)から出力される音声の音量が大きくなるように、前記スピーカ(69)から出力させる音声を制御することができるように形成されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】