Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2010254685.tif 000001
（式中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜３０の有機基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一若しくは異なって、水素原子又は炭素数１〜３０の有機基を表す。）で表されるα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートとともに、酸化防止剤を含有する組成物であって、
該酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤及び／又はリン系酸化防止剤を含み、
該酸化防止剤の含有量は、該α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート１００質量％に対して０．０３〜０．５質量％であることを特徴とするα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物。
【請求項２】
前記α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートは、α−（アリルオキシメチル）アクリレートを含むことを特徴とする請求項１に記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物。
【請求項３】
前記組成物は、不飽和アルキルエステル含有量が、前記α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート１００質量％に対して１質量％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物。
【請求項４】
前記組成物は、窒素含有量が、前記α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート１００質量％に対して１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物。
【請求項５】
前記組成物は、過酸化物量が、前記α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート１００質量％に対して５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物。
【請求項６】
下記一般式（Ｉ）：
【化２】
2010254685.tif 000002
（式中、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜３０の有機基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一若しくは異なって、水素原子又は炭素数１〜３０の有機基を表す。）で表されるα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートを含有する組成物を製造する方法であって、
該製造方法は、粗α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートから精製α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートを得る精製工程後に、精製α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレートに酸化防止剤を添加する工程を含むことを特徴とするα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項７】
前記製造方法は、α−（ヒドロキシメチル）アクリレートと、下記一般式（ＩＩＩ）：
【化３】
2010254685.tif 000003
（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記一般式（Ｉ）における各記号と同様である。）で表される不飽和アルコールとを反応させる工程を含むことを特徴とする請求項６に記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項８】
前記不飽和アルコールは、アリルアルコールを含むことを特徴とする請求項７に記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項９】
前記製造方法は、アミン系触媒の存在下で反応させる工程を含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記製造方法により得られる組成物は、不飽和アルキルエステル含有量が、前記α−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート１００質量％に対して１質量％以下であることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤及び／又はリン系酸化防止剤を含むことを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれかに記載のα−（不飽和アルコキシアルキル）アクリレート組成物を含む重合原料を環化重合して得られることを特徴とする環構造含有重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トリアゾール誘導体、発光素子、及び発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表されるトリアゾール誘導体。
【化１】
2010254679.tif 000001
（式中、Ａｒ１〜Ａｒ３は、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、置換基を有していても良い。また、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、又は、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１が環を形成する炭素数６〜１０のアリール基の場合、置換基を有していても良い。また、Ａｒ１とαの炭素、又は、Ａｒ１とＡｒ２はそれぞれ互いに結合してカルバゾール骨格を形成していても良い。）
【請求項２】
式（Ｇ２）で表されるトリアゾール誘導体。
【化２】
2010254679.tif 000002
（式中、Ａｒ３は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、置換基を有していても良い。また、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、又は、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１が環を形成する炭素数６〜１０のアリール基の場合、置換基を有していても良い。また、Ｒ１１〜Ｒ２０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は、環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、αの炭素、βの炭素、及びγの炭素のいずれか２は、それぞれ互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【請求項３】
式（Ｇ４）で表されるトリアゾール誘導体。
【化３】
2010254679.tif 000003
（式中、Ｒ１１〜Ｒ３０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、αの炭素、βの炭素、及びγの炭素のいずれか２は、それぞれ互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【請求項４】
式（Ｇ４）で表されるトリアゾール誘導体。
【化４】
2010254679.tif 000004
（式中、Ｒ１１〜Ｒ３０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、βの炭素とγの炭素は、互いに結合してカルバゾール骨格を形成している。）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のトリアゾール誘導体と、発光物質とを含む発光層を有する発光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複素環化合物、及び発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物。
【化１】
2010254680.tif 000001
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、置換基を有していても良い。また、Ｈｅｔは下記一般式（Ｓ１−１）又は一般式（Ｓ１−２）で表される置換基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１とαの炭素原子、又は、Ａｒ１とＡｒ２は互いに結合してカルバゾール骨格を形成していても良い。）
【化２】
2010254680.tif 000002
（一般式（Ｓ１−１）、又は一般式（Ｓ１−２）において、Ａｒ３〜Ａｒ６はそれぞれ独立に、環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基を表し、置換基を有していても良い。また、一般式（Ｓ１−２）において、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ２）で表される複素環化合物。
【化３】
2010254680.tif 000003
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｈｅｔは下記一般式（Ｓ１−１）又は一般式（Ｓ１−２）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【化４】
2010254680.tif 000004
（一般式（Ｓ１−１）、又は一般式（Ｓ１−２）において、Ａｒ３〜Ａｒ６はそれぞれ独立に、環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基を表し、置換基を有していても良い。また、一般式（Ｓ１−２）において、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項３】
一般式（Ｇ２）で表される複素環化合物。
【化５】
2010254680.tif 000005
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｈｅｔは下記一般式（Ｓ２−１）又は一般式（Ｓ２−２）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【化６】
2010254680.tif 000006
（一般式（Ｓ２−１）、または一般式（Ｓ２−２）において、Ｒ１、Ｒ３１〜Ｒ５０はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項４】
一般式（Ｇ２）で表される複素環化合物。
【化７】
2010254680.tif 000007
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。また、Ｈｅｔは下記構造式（Ｓ３−１）、又は一般式（Ｓ４−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【化８】
2010254680.tif 000008
【化９】
2010254680.tif 000009
（一般式（Ｓ４−１）中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項５】
一般式（Ｇ３）で表される複素環化合物。
【化１０】
2010254680.tif 000010
（式中、Ｈｅｔは下記構造式（Ｓ３−１）、又は一般式（Ｓ４−１）で表される置換基のいずれか一を表す。また、αの炭素原子、βの炭素原子、及びγの炭素原子のいずれか２が互いに結合してカルバゾール骨格を形成していてもよい。）
【化１１】
2010254680.tif 000011
【化１２】
2010254680.tif 000012
（一般式（Ｓ４−１）中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、環を形成する炭素数が６〜１０のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の複素環化合物と発光物質とを含む発光層を有する発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カルバゾール誘導体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体。
【化１】
2010254671.tif 000001
（式中、Ａｒ１は置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、α、βはそれぞれ独立に置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１２のアリーレン基を表し、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項２】
一般式（２）で表されるカルバゾール誘導体。
【化２】
2010254671.tif 000002
（式中、Ａｒ１は置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、α、βはそれぞれ独立に置換または無置換のフェニレン基を表し、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項３】
一般式（３）で表されるカルバゾール誘導体。
【化３】
2010254671.tif 000003
（式中、Ａｒ１は置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４４はそれぞれ独立に水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【請求項４】
一般式（４）で表されるカルバゾール誘導体。
【化４】
2010254671.tif 000004
（式中、Ａｒ１は置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項５】
一般式（５）で表されるカルバゾール誘導体。
【化５】
2010254671.tif 000005
（式中、Ａｒ１は置換または無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１７、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ５１〜Ｒ５５はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項６】
一般式（６）で表されるカルバゾール誘導体。
【化６】
2010254671.tif 000006
（式中、Ｒ６１〜Ｒ６５はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜４のアルキル基、または、置換若しくは無置換の環を形成する炭素数６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のカルバゾール誘導体を用いた発光素子。
【請求項８】
請求項７に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段とを備えた発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を表示部に備えた電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置を備えた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像印刷システムのコンポーネントまたはサブシステムにおけるばらつきを同期化する方法およびシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像印刷システムのコンポーネントまたはサブシステムにおけるばらつきを同期化する方法であって、
前記画像印刷システムの画像担持面に形成された画像についての画像反射プロファイルデータおよび色データをコントローラによって受信するステップと、
前記画像印刷システムにより印刷される複数の画質欠陥を、受信した前記画像反射プロファイルデータを用いて前記コントローラによって特定するステップであって、前記画質欠陥はそれぞれ個々の周波数で発生し、また前記画質欠陥の各々が前記画像印刷システムの中の少なくとも１つのコンポーネントまたはサブシステムに関連付けられている、ステップと、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムを、受信した前記色データを用いて前記コントローラによって特定するステップと、
前記画質欠陥の位相差を前記コントローラによって測定するステップと、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムの動作を調整して、前記画質欠陥が同相となるようにするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
画像印刷システムのコンポーネントまたはサブシステムにおけるばらつきを同期化する方法であって、
前記画像印刷システムにより印刷される複数の画質欠陥をコントローラによって特定するステップであって、前記画質欠陥はそれぞれ個々の周波数で発生し、また前記画質欠陥の各々が前記画像印刷システム中のあるコンポーネントまたはサブシステムに関連付けられている、ステップと、
前記画質欠陥の位相差を前記コントローラによって測定するステップと、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムの動作を調整して、前記画質欠陥が同相となるようにするステップと、
前記画像印刷システムにおける内側位置または外側位置またはそれらの両位置にて、ばらつきを整列させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
画像印刷システムのコンポーネントまたはサブシステムにおけるばらつきを同期化するシステムであって、
画像担持面と、
前記画像担持面の上に形成されるべき画像を生成するように構成されたマーキングエンジンと、
前記画像担持面の上の画像を感知して画像反射プロファイルデータおよび色データを取得するように構成されたセンサと、
コントローラとを備え、前記コントローラは、
前記画像印刷システムによって印刷された複数の画質欠陥を、受信した前記画像反射プロファイルデータを用いて特定するように構成され、前記画質欠陥はそれぞれ個々の周波数で発生し、また前記画質欠陥の各々が前記画像印刷システムの中の少なくとも１つのコンポーネントまたはサブシステムに関連付けられ、
前記コントローラはさらに、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムを、受信した前記色データを用いて特定し、
前記画質欠陥の位相差を測定し、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムの動作を調整して、前記画質欠陥が同相となるようにする、ように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、
各コンポーネントまたはサブシステムが１つまたは複数の回転ユニットを備えることを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムであって、
前記回転ユニットがラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）システムの回転ポリゴンであることを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステムであって、
前記回転ユニットが回転現像装置であることを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項３に記載のシステムであって、
前記コントローラがさらに、前記コンポーネントまたはサブシステムにおいて主なばらつきを特定するように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項３に記載のシステムであって、
前記コントローラが、前記画像反射プロファイルデータをプロセッサから受信するように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項３に記載のシステムであって、
各コンポーネントまたはサブシステムが、密接統合型並行印刷システム内の１つまたはそれ以上の装置に配置されていることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
画像印刷システムのコンポーネントまたはサブシステムにおけるばらつきを同期化するシステムであって、
画像担持面と、
前記画像担持面の上に形成されるべき画像を生成するように構成されたマーキングエンジンと、
前記画像担持面の上の画像を感知するように構成されたセンサと、
コントローラとを備え、前記コントローラは、
前記画像印刷システムによって印刷された複数の画質欠陥を特定するように構成され、前記画質欠陥はそれぞれ個々の周波数で発生し、また前記画質欠陥の各々が前記画像印刷システム中のあるコンポーネントまたはサブシステムに関連付けられ、
前記コントローラはさらに、
前記画質欠陥の位相差を測定し、
前記画質欠陥に関連付けられる各コンポーネントまたはサブシステムの動作を調整して、前記画質欠陥が同相となるようにする、ように構成され、
前記コントローラがさらに、前記画像印刷システムにおける内側位置または外側位置またはそれらの両位置にて、ばらつきを整列させるように構成されていることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月16日(2013.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）（１４０）を光ガイド（１５０）にカップリングし、電球型蛍光ランプ（ＣＦＬ）組立体のベース部分に装着するための装置であって、
少なくとも第１の方向に光を放出するＬＥＤ（１４０）と、
前記ＬＥＤに隣接して位置付けられて該ＬＥＤから放出される光を受けるための近位端（１５２）と、前記近位端から遠隔に配置され、前記光ガイドから光が出射する遠位端（１５４）とを有する光ガイド（１５０）と、
前記ＬＥＤと前記光ガイドの近位端との間に配置され、前記ＬＥＤからの高い割合の光を前記光ガイドに伝送するためのカプラ（２２０、３２０、４５０）と、
を備え、
前記カプラが、前記ＬＥＤを少なくとも部分的に囲む狭い第１の端部（２２４）と、前記光ガイドの近位端を少なくとも部分的に囲む幅広の第２の端部（２２６）とを有する放物又は非球面曲線の内側反射器（２２２）表面の１つを含む、
装置。
【請求項２】
前記カプラの第１の端部（４６０）が、ベアＬＥＤチップ（１４０）を囲む、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記内側反射器表面（２２２）が、前記ベアＬＥＤチップの基板表面から延びる、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記内側反射器表面（４５２）が、前記基板（２１２）上に受けられる前記チップ（１４０）の外周を囲む、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記内側反射器表面によって形成されるキャビティ（４６２）が、前記ベアＬＥＤチップ（１４０）と前記光ガイドの近位端との間にゲルで充填される、
請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ゲルが、前記ＬＥＤから前記光ガイドに放出される光の光ガイドの屈折率（１．５）に厳密に適合する屈折率（１．５２）を有する、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記光カプラと、前記光ガイド（１５０）の近位端の限定される軸方向長さを密接に収容する寸法を有するキャビティを有する取付具（１９０）を備える、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
発光ダイオード（ＬＥＤ）（１４０）を光ガイド（１５０）にカップリングするための装置であって、
少なくとも第１の方向に光を放出するＬＥＤ（１４０）と、
前記ＬＥＤに隣接して位置付けられて該ＬＥＤから放出される光を受けるための近位端（１５２）と、前記近位端から遠隔に配置され、前記光ガイドから光が出射する遠位端（１５４）とを有する光ガイド（１５０）と、
前記光ガイド（１５０）の前記遠位端（１５４）に統合されて形成され、前記ＬＥＤからの高い割合の光を前記光ガイドに伝送するためのカプラ（２２０、３２０、４５０）と、
を備え、
前記光ガイドの横方向の寸法が、前記ＬＥＤの横方向の寸法よりも大きく、
前記カプラが、前記ＬＥＤを少なくとも部分的に囲む狭い第１の端部（２２４）と、前記光ガイドの近位端を少なくとも部分的に囲む幅広の第２の端部（２２６）とを有する放物又は非球面曲線の内側反射器（２２２）表面の１つを含む、
装置。
【請求項９】
電球型蛍光ランプ（ＣＦＬ）組立体のベース部分に装着されるように適合している、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
発光ダイオード（ＬＥＤ）（１４０）を光ガイド（１５０）にカップリングするための装置であって、
少なくとも第１の方向に光を放出するＬＥＤ（１４０）と、
前記ＬＥＤに隣接して位置付けられて該ＬＥＤから放出される光を受けるための実質的に平面の近位端（１５２）と、前記近位端から遠隔に配置され、前記光ガイドから光が出射する遠位端（１５４）とを有する光ガイド（１５０）と、
前記ＬＥＤを第１の表面の中央凹部に受け入れる支持体と、
前記光カプラと、前記光ガイド（１５０）の近位端の限定される軸方向長さを密接に収容する寸法を有するキャビティを有する取付具と、
を備え、
前記支持体の前記第１の表面は、前記光ガイドの前記実質的に平面の近位端（１５２）に対向するように配置され、
前記支持体は、前記ＬＥＤからの高い割合の光を前記光ガイドに伝送する反射面を有している、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷に有用な装置用の圧力ロールであって、
シリコーンゴムを含み、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を含む第一層と、
前記第一層の上に設けられたポリマーを含み、第二外面、前記第一端面と同一平面上にある第三端面、及び、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面を含む第二層と、
シリコーンオイルを含む剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーを含み、前記第一、第二、第三、第四端面に固着され、且つこれらを被覆するシーリング材と、
を備えることを特徴とする圧力ロール。
【請求項２】
前記第一層がコアの外面を被覆し、
前記シーリング材が、前記コアの外面、及び、前記第一、第二、第三、第四端面に対する液シールを構成する
ことを特徴とする請求項１に記載の圧力ロール。
【請求項３】
印刷に有用な装置であって、
第一の外面を含む第一ロール、及び、
金属コアの上に設けられたシリコーンゴムを有し、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を有する第一層と、
前記第一層の上に設けられたポリマーを有し、前記第一ロールの前記第一の外面とともにニップを形成する第二外面、前記第一端面と同一平面上にある第三端面、及び、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面を有する第二層と、
前記第一、第二、第三、第四端面に固着され、且つこれらを被覆するシーリング材であって、シリコーンオイルを有する剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーシーリング材と、を含む第二ロール
を備えることを特徴とする装置。
【請求項４】
前記第一層がコアの外面を被覆し、
前記シーリング材が、前記コアの外面、及び、前記第一、第二、第三、第四端面に対する液シールを構成する
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
印刷に有用な装置用の圧力ロールを製造する方法であって、
シリコーンゴムを含み、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を含む第一層を形成し、
ポリマーを含む第二層が、前記第一層の前記第一外面上に設けられ、該第二層が前記圧力ロールの外面を形成する第二外面と、前記第一端面と同一平面上にある第三端面と、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面とを含んでおり、
シリコーンオイルを含む剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーシーリング材を付けて前記第一、第二、第三、及び第四端面を被覆する
ことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明に係る印刷に有用な装置用の圧力ロールは、シリコーンゴムを含み、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を含む第一層と、前記第一層の上に設けられたポリマーを含み、第二外面、前記第一端面と同一平面上にある第三端面、及び、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面を含む第二層と、シリコーンオイルを含む剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーを含み、前記第一、第二、第三、第四端面に固着され、且つこれらを被覆するシーリング材と、を備えることを特徴とする圧力ロールである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明に係る印刷に有用な装置は、第一の外面を含む第一ロール、及び、金属コアの上に設けられたシリコーンゴムを有し、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を有する第一層と、前記第一層の上に設けられたポリマーを有し、前記第一ロールの前記第一の外面とともにニップを形成する第二外面、前記第一端面と同一平面上にある第三端面、及び、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面を有する第二層と、前記第一、第二、第三、第四端面に固着され、且つこれらを被覆するシーリング材であって、シリコーンオイルを有する剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーシーリング材と、を含む第二ロールを備えることを特徴とする装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る印刷に有用な装置用の圧力ロールを製造する方法は、シリコーンゴムを含み、第一外面、第一端面、及び反対側の第二端面を含む第一層を形成し、ポリマーを含む第二層が、前記第一層の前記第一外面上に設けられ、該第二層が前記圧力ロールの外面を形成する第二外面と、前記第一端面と同一平面上にある第三端面と、前記第二端面と同一平面上にある反対側の第四端面とを含んでおり、シリコーンオイルを含む剥離剤に対して不浸透性であって化学的耐性を有するポリマーシーリング材を付けて前記第一、第二、第三、及び第四端面を被覆することを特徴とする方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数のアドレスを格納するためのメモリ・デバイスであって、
一致ラインと、
第１のメモリ・セルであって、第２のメモリ素子と前記一致ラインとに結合した第１のメモリ素子を含み、さらに、前記第１のメモリ素子に結合し、かつ第１のアクセス・ラインを有する第１のアクセス・デバイスと、前記第２のメモリ素子に結合し、かつ第２のアクセス・ラインを有する第２のアクセス・デバイスとを含み、第１の値を格納するように構成された、第１のメモリ・セルと、
第２のメモリ・セルであって、第４のメモリ素子と前記一致ラインとに結合した第３のメモリ素子を含み、さらに、前記第３のメモリ素子に結合し、かつ第３のアクセス・ラインを有する第３のアクセス・デバイスと、前記第４のメモリ素子に結合し、かつ第４のアクセス・ラインを有する第４のアクセス・デバイスとを含み、第２の値を格納するように構成された、第２のメモリ・セルと、を含み、
前記アクセス・ラインの各々は、前記第１及び第２の値の異なる組み合わせである信号を受信する、メモリ・デバイス。
【請求項２】
前記メモリ・デバイスが連想メモリであり、前記第１の値は論理値１又は論理値０とすることができ、前記第２の値は論理値１又は論理値０とすることができる、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項３】
前記メモリ・デバイスが三値連想メモリであり、前記第１の値は論理値１、論理値０、又は「ドントケア」とすることができ、前記第２の値は論理値１、論理値０、又は「ドントケア」とすることができる、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項４】
前記第１、第２、第３、及び第４のメモリ素子が、抵抗メモリ素子である、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項５】
前記第１、第２、第３、及び第４のメモリ素子が、相変化材料で形成される、請求項４に記載のメモリ・デバイス。
【請求項６】
全ての前記アクセス・ラインが、前記第１及び第２の値の組み合わせに結合する、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項７】
前記第１のアクセス・ラインが、前記第１の値の補数と前記第２の値の補数との組み合わせに結合し、
前記第２のアクセス・ラインが、前記第１の値の前記補数と前記第２の値との組み合わせに結合し、
前記第３のアクセス・ラインが、前記第１の値と前記第２の値の前記補数との組み合わせに結合し、
前記第４のアクセス・ラインが、前記第１の値と前記第２の値とに結合する、請求項６に記載のメモリ・デバイス。
【請求項８】
前記第１、第２、第３、及び第４のアクセス・デバイスが全て、ゲート端子を含むトランジスタである、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項９】
前記アクセス・ラインの各々がゲート端子に結合する、請求項８に記載のメモリ・デバイス。
【請求項１０】
前記一致ラインに結合した第３のメモリ・セルをさらに含む、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項１１】
連想メモリを動作させる方法であって、
入力ベクトルを復号器において受信するステップと、
前記入力ベクトルを復号するステップであって、前記復号が、前記入力ベクトルを複数の２ビット・グループに分割すること、及び前記グループの各々に対して論理演算を実施して複数のアドレス指定値を作成することを含む、復号するステップと、
前記アドレス指定値を、前記連想メモリ内のメモリ・セルに結合されたアクセス・ラインに送信するステップと、
前記連想メモリ内の、前記メモリ・セルに結合された一致ラインの抵抗値を測定するステップと、を含む方法。
【請求項１２】
前記一致ラインをプリチャージするステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記復号するステップが、
前記複数の２ビット・グループのうちの最初のグループの第１ビットの前記補数と、前記複数の２ビット・グループのうちの最初のグループの第２ビットの前記補数とのＡＮＤ演算を行うことによって、第１のアクセス信号を形成するステップと、
前記第１ビットの前記補数と前記第２ビットとのＡＮＤ演算を行うことによって、第２のアクセス信号を形成するステップと、
前記第１ビットと前記第２ビットの前記補数とのＡＮＤ演算を行うことによって、第３のアクセス信号を形成するステップと、
前記第１ビットと前記第２ビットとのＡＮＤ演算を行うことによって、第４のアクセス信号を形成するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記形成するステップが、ハードウェア復号器によって行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記送信するステップが、
前記第１、第２、第３、及び第４のアクセス信号を、前記アクセス・ラインのうちの異なる１つずつに与えるステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
一致ラインに結合した複数のメモリ・セルを含む連想メモリと、
前記連想メモリに与えられた特定の入力が前記連想メモリ内に含まれているかどうかを前記一致ラインの抵抗レベルを監視することによって判定する、前記連想メモリに結合された一致チェック・デバイスと、
入力アドレスを受信し、前記アドレス由来のビットのうちの少なくとも二つを四つの一意的出力に復号する、前記連想メモリに結合された復号器と
を含む、メモリ・システム。
【請求項１７】
第１の一意的出力が第１のアクセス・ラインに結合され、かつ第２の一意的出力が第２のアクセス・ラインに結合され、前記第１のアクセス・ライン及び前記第２のアクセス・ラインの両方が前記連想メモリ内の第１のメモリ・セルに接続される、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
第３の一意的出力が第３のアクセス・ラインに結合され、かつ第４の一意的出力が第４のアクセス・ラインに結合され、前記第３のアクセス・ライン及び前記第４のアクセス・ラインの両方が前記連想メモリ内の第２のメモリ・セルに接続される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記複数のメモリ・セルが、相変化材料によって形成される、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２０】
前記連想メモリが、三値連想メモリである、請求項１７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の光軸上に配置された、固浸レンズ及び多焦点レンズを備える対物レンズであって、前記多焦点レンズは、中央区域と、前記中央区域の周辺である周辺区域とを備え、前記周辺区域は、ファーフィールドモード用の光学系を構成するように適合され、前記多焦点レンズの前記中央区域は、前記固浸レンズとともに、ニアフィールドモード用の光学系を構成するように適合され、前記固浸レンズ及び前記多焦点レンズは、同時に移動するように適合される、前記対物レンズ。
【請求項２】
前記中央区域の焦点距離は、前記周辺区域の焦点距離より短い、請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項３】
前記多焦点レンズの前記中央区域と前記周辺区域との間に、環状の開口部が配置される、請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項４】
ファーフィールドモード及びニアフィールドモードにおける動作のための光ピックアップであって、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の対物レンズを備えた、前記光ピックアップ。
【請求項５】
信号ビームの第１の部分は、第１の解析用ビーム経路に向けられ、前記信号ビームの第２の部分は、第２の解析用ビーム経路に向けられ、前記第１の解析用ビーム経路は、焦点制御のために設けられる、請求項４に記載の光ピックアップ。
【請求項６】
前記固浸レンズ、及び前記多焦点レンズの前記中央区域を通る信号ビームの第１の部分は、第１の解析用ビーム経路に結合され、前記多焦点レンズの前記周辺区域を通る前記信号ビームの第２の部分は、第２の解析用ビーム経路に結合され、前記第２の解析用ビーム経路は、焦点制御のために設けられる、請求項４に記載の光ピックアップ。
【請求項７】
光ピックアップを操作するための方法であって、前記光ピックアップは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の対物レンズを備え、
ファーフィールドモードにおいて機能する光学系を用いる焦点制御を有する前記対物レンズにより、光記憶媒体の表面に近接し、前記対物レンズと前記光記憶媒体の前記表面との間のファーフィールド作動距離に達するステップであって、前記ファーフィールド作動距離は、少なくとも前記多焦点レンズの前記周辺区域の焦点距離にほぼ等しい、ステップと、
前記対物レンズにより前記光記憶媒体の前記表面にさらに近接し、前記ファーフィールド作動距離より短いニアフィールド作動距離に達するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項８】
前記対物レンズを前記ニアフィールド作動距離まで近接させる前記ステップは、前記対物レンズを前記ファーフィールド作動距離から所定の値だけ移動させることにより実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記所定の値は、前記多焦点レンズの前記周辺区域の焦点距離と前記ニアフィールド作動距離との間の差に少なくともほぼ等しい、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
信号ビームの第１の部分を、第１の解析用ビーム経路に結合するステップであって、前記第１の解析用ビーム経路は焦点制御のために設けられる、ステップと、
前記信号ビームの第２の部分を、第２の解析用ビーム経路に結合するステップと、をさらに含み、
前記光記憶媒体の前記表面に前記ファーフィールド作動距離まで近接する前記ステップは、前記第１の解析用ビーム経路を用いた焦点制御により実施される、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ファーフィールドの動作中は、前記第１の解析用ビーム経路は、前記ファーフィールド作動距離を制御するために用いられ、それに対して、ニアフィールドの動作中は、前記第２の解析用ビーム経路は前記ニアフィールド作動距離を制御するために用いられる一方、前記第１の解析用ビーム経路はデータを検索するために用いられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記固浸レンズ及び前記多焦点レンズの前記中央区域を通る信号ビームの第１の部分を、第１の解析用ビーム経路に結合するステップと、
前記多焦点レンズの前記周辺区域を通る前記信号ビームの第２の部分を、第２の解析用ビーム経路に結合するステップであって、前記第２の解析用ビーム経路は焦点制御のために設けられる、ステップと、をさらに含み、
前記光記憶媒体の前記表面に前記ファーフィールド作動距離まで近接する前記ステップは、前記第２の解析用ビーム経路を用いる焦点制御によって実施される、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の解析用ビーム経路は、ファーフィールドの動作中及びニアフィールドの動作中、前記作動距離を制御するために用いられる一方、前記第１の解析用ビーム経路はデータを検索するために用いられる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月1日(2012.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）であって、
第一の電流センサ（５２）と、
該第一の電流センサ（５２）に電気的に結合された第一のプロセッサ（５０）であって、前記第一のプロセッサ（５０）は、実行可能なコンピュータ命令に応答して、前記第一の電流センサ（５２）により第一の障害状態を検出したことに応じてインタロック信号を送信し、実行可能なコンピュータ命令に応答して、前記第一の電流センサ（５２）により第二の障害状態を検出したことに応じて前記インタロック信号を送信し、実行可能なコンピュータ命令に応答して、前記第一の障害状態を検出したことに応じて第一の回路遮断器（２６）をトリップさせる、前記第一のプロセッサ（５０）と、
第二の電流センサ（５２）と、
該第二の電流センサ（５２）に電気的に結合され、前記第一のプロセッサ（５０）と通信可能に結合した第二のプロセッサ（５０）であって、前記第二のプロセッサ（５０）は、実行可能なコンピュータ命令に応答して、前記第一の障害状態に基づく前記インタロック信号に応じてトリップ曲線パラメータをユーザ定義トリップ曲線パラメータに変更し、前記第二の障害状態に基づく前記インタロック信号に応じてトリッピング応答を遅延させ、実行可能なコンピュータ命令に応答して、前記第二の電流センサが瞬間トリップ閾値パラメータ以上の電流レベルを検出したことに応じて第二の回路遮断器をトリップさせる、前記第二のプロセッサ（５０）と、
を備え、
前記第二の障害状態が前記トリップ曲線パラメータの瞬間領域における電流値を有する障害である、
回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）。
【請求項２】
前記第一の障害状態は、短時間ＲＭＳ電流閾値である、請求項１記載の回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）。
【請求項３】
前記第二のプロセッサ（５０）は、実行可能なコンピュータ命令に応答して、トリッピング応答の前記遅延の長さを変更する信号をユーザインタフェースから受ける、請求項１記載の回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）。
【請求項４】
前記第二のプロセッサ（５０）は、実行可能なコンピュータ命令に応答して、ユーザインタフェース（４６）から前記第一の障害状態又は前記第二の障害状態を起動する信号を受ける、請求項３に記載の回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）。
【請求項５】
前記第二のプロセッサ（５０）は、実行可能なコンピュータ命令に応答して、ユーザインタフェース（４６）から前記第一の障害状態及び前記第二の障害状態を起動する信号を受ける、請求項３記載の回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路遮断器ゾーン選択インタロックシステム（２０）を動作させる方法であって、
第一の回路遮断器内の第一のトリップユニットにより電気的障害を検出（１２２）するステップと、
前記電気的障害が第一の閾値パラメータを満たすかを判断（１０６）するステップと、
前記電気的障害が第二の閾値パラメータを満たすかを判断（１１１）するステップと、
前記電気的障害が第一の瞬間トリップレベルパラメータを上回るかを判断（１１１）するステップと、
前記第一の閾値パラメータ又は前記第二の閾値パラメータを満たしていた場合に第二の回路遮断器（４２、４４）内の第二のトリップユニット（５４）へインタロック信号を送信（１１０）するステップと、
前記保護回路への電流を遮断するために前記第一の回路遮断器（２６）をトリッピング（１１２）させるステップと、
第二の回路遮断器（４２、４４）内の第二のトリップユニット（５４）により前記インタロック信号（１１０）を受信（１２０）するステップと、
前記第一の閾値パラメータを満たしていた場合に前記第二のトリップユニット（５４）において第一のインタロックシーケンスを開始（１０８）するステップと、
前記第二の閾値パラメータを満たしていた場合に前記第二のトリップユニット（５４）において第二のインタロックシーケンスを開始（１０８）するステップと、を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記配信サービスの従来の一形態を、図１５に示す（特許文献１）。
図１５に示すように、従来のコンテンツ提供システム７０は、特定のコンテンツ配信事業者７１が保有する、コンテンツ管理サーバ７２と、上記コンテンツ７６を視聴する視聴者クライアント７３と、上記コンテンツ管理サーバ７２と上記視聴者クライアント７３を接続するインターネット等の広域ネットワーク７４とから構成されている。
新規のコンテンツ７７の登録は、上記広域ネットワーク７４に接続されたコンテンツの原保有者が所有するクライアント端末７５から、上記コンテンツ管理サーバ７１に、登録対象のコンテンツ７６をアップロードすることによって行われ、アップロードされた上記コンテンツ７７は上記コンテンツ管理サーバ７２のコンテンツデータベース７７に格納される。
上記構成の場合、上記登録コンテンツの公開レベルの設定及び管理、コンテンツ視聴者に対する視聴者識別情報とパスワード等の視聴者情報の登録は、上記コンテンツ配信事業者にて行われていることから、コンテンツの登録者は視聴者情報の登録及び管理を直接行うことができず、視聴者制限等をコンテンツ７６に対して行う場合は、コンテンツ７６の登録者から上記コンテンツ配信事業者７１に依頼して個別に対応してもらう必要が有り、非常に煩わしいという不具合を有していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、近年においては、特定の視聴者に対して、プレゼンテーション用コンテンツ、学習用コンテンツ（所謂ｅラーニング）の配信を行う形態も増加している。
上記形態の場合は、コンテンツの製作者自身で配信するコンテンツの作成・登録及び管理を行い、且つ対象となる視聴者について視聴者情報の登録及び管理を全て行う必要があることから、コンテンツ登録用のサーバ等のハードウェア及びコンテンツ管理、視聴者管理を行う為、ソフトウェアを準備する必要があり、導入に当たってのコスト及び導入後のメンテナンスのコストが非常に大きくなるという不具合を有していた。
【特許文献１】特許第４１７７０３３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に本発明の実施の形態について、試験栽培例との対比に基づいて説明する。実施形態は杉の挿し木による育苗で、使用した汚泥コンポストは、食品汚泥（含水率約８０％以上）に、稲藁の粉砕物（４５〜２５ｃｍに切断した後に粉砕もの：ポーラス構造形成材）を混入して、好ましくは含水率７５％以下まで水分調整し、所定の容器に収納して、容器底面側から温風（３０℃）の供給を行って発酵処理して製出したもので、約１０日間の発酵処理で完熟の汚泥コンポスト（Ｎ４．１％、Ｐ２．３％、Ｋ０．６％）が得られるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実施形態としては、前記の稲藁混入処理の汚泥コンポスト、裁断古紙混入処理の汚泥コンポストを使用したが、本発明が使用する汚泥コンポストの種類は、特定の植物に対して使用が特定されるものではなく、汚泥に混入するポーラス構造形成材は、稲藁以外にも裁断古紙、紙製ペレット体、麦藁粉砕物等のその他の繊維性バイオマス等任意のものを使用することができるものであり、その組み合わせや施肥濃度については当該育苗対象植物に対応して任意に選択使用されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また汚泥コンポストのポーラス構造形成材の種類による相違があるか否かを確認するために、ポーラス構造形成材に裁断古紙を採用して製出した汚泥コンポストと、稲藁粉砕物を採用して製出した汚泥コンポストについてのＥＣ値を測定したところ、近似していることが確認できた（図９）。尚標準量は、施肥量が全窒素量で５０ｍｇ／ポット（＝０．１ｇ／培土１Ｌ）を意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に杉の挿し木以外にも適用できることを確認するためにカルミアの挿し木による育苗生産試験栽培（第三試験栽培）を行った。第三試験栽培は、ポーラス構造形成材に裁断古紙を採用して製出した汚泥コンポストを、所定量（２Ｌのポットに対して汚泥コンポスト３ｇ：６０ｍｇ窒素／Ｌ培土）を施肥して６カ月栽培したもので、対比としてＩＢ化成肥料（同６ｇ／ポット）を施肥して栽培した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸音層と、
前記吸音層の上に形成される電極部と、
前記電極部に接合される圧電体と、
前記吸音層の外部で前記電極部に接合される単方向伝導部と、
前記吸音層の外部で前記単方向伝導部に接合されるプリント基板と、
を備えることを特徴とする超音波診断装置用プローブ。
【請求項２】
前記圧電体は、並んで配列された複数の圧電物質を含み、
前記単方向伝導部は、前記複数の圧電物質に接合される請求項１に記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項３】
前記単方向伝導部は、異方性伝導物質を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項４】
前記超音波診断装置用プローブは、第１の電極及び第２の電極をさらに備え、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記圧電体上に形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項５】
前記第１の電極及び前記第２の電極はそれぞれ、相互に対称形状になるように形成されることを特徴とする請求項４に記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項６】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記圧電体を包むようなＪ形状になるように形成されることを特徴とする請求項４または５に記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項７】
前記電極部は、前記第１の電極及び前記第２の電極に接合するように、前記第１の電極及び前記第２の電極に対応する形状を有することを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項８】
前記圧電体は、アレイ形状に配列されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブ。
【請求項９】
吸音層と、電極部と、第１の電極及び第２の電極を有する圧電体とを備える超音波診断装置用プローブの製造方法であって、
前記吸音層の上に前記電極部を形成する過程と、
前記電極部に前記圧電体を接合する過程と、
前記吸音層の外部で前記電極部に単方向伝導部を接合する段階と、
前記吸音層の外部で前記単方向伝導部にプリント基板を接合する段階と、を含むことを特徴とする超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１０】
前記電極部をパターニングする過程を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１１】
前記電極部をパターニングする過程は、前記電極部が複数の電極部に分離されるようにパターニングすることを特徴とする請求項１０に記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１２】
前記電極部は、並んで配列された複数の電極部を含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記圧電体上で相互対称形状に形成されることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記圧電体を包むようなＪ形状に形成されることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【請求項１５】
前記吸音層に電極部を形成する過程は、前記吸音層上に前記吸音層と前記電極部との接着力を向上させる補強物質部を形成した後、前記電極部を前記補強物質部に形成する過程を含むことを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載の超音波診断装置用プローブの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体分注サブアセンブリであって、
トランスデューサの動作により作用されるように配置された膜と、
前記膜の動作により作用されるように配置された本体圧力チャンバと、
前記膜と前記本体圧力チャンバの間に配置された接着剤付着層と、
を備え、
前記接着剤層は、ポリマコアと、前記ポリマコアの両側の薄い接着剤層を有するテープである、
ことを特徴とする流体分注サブアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の流体分注サブアセンブリであって、
前記本体圧力チャンバは１枚のプレートまたは相互に接合されたプレート群から形成されることを特徴とする流体分注サブアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の流体分注サブアセンブリであって、
前記接着剤層は、エポキシ系、ビスマレイミド系、ポリイミド系、アクリル系、シアミラアクリレート系、フェノール系、シリコン系からなるグループから選択された熱硬化性接着剤であることを特徴とする流体分注サブアセンブリ。
【請求項４】
流体分注サブアセンブリであって、
１枚のプレートまたはプレート群から形成された本体圧力チャンバと、
前記本体圧力チャンバにより作用されるように配置された膜と、
前記本体圧力チャンバと前記膜の間に配置された接着剤付着層と、
を備え、
前記接着剤層は、ポリマコアと、前記ポリマコアの両側の薄い接着剤層を有するテープであることを特徴とする流体分注サブアセンブリ。