【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板をもたないコアレスタイプの配線基板であって、
一方の面側に最外層として形成され、黒色又は灰色を呈する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層から露出して形成された第１接続パッドと、
他方の面側に最外層として形成され、黒色又は灰色を呈する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層から露出して形成された第２接続パッドとを有し、
前記第２絶縁層に曲面状の側壁面を有する接続ホールが形成され、前記接続ホールの底部に前記第２接続パッドが露出しており、かつ、
前記第１接続パッドの外面が前記第１絶縁層の外面から露出しており、前記第１接続パッドの側面と前記外面の反対面とが前記第１絶縁層に接していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接続ホールの底部において前記第２接続パッドに凹部が設けられており、前記接続ホールの側壁面と前記第２接続パッドの凹部の側面とは連続する同一面を構成していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１接続パッド及び前記第２接続パッドのいずれか一方が半導体チップをフリップチップ接続するためのチップ接続用パッドであり、他方が外部接続端子を接続するための外部接続用パッドであり、
前記チップ接続用パッドの配列ピッチは前記外部接続用パッドの配列ピッチより狭いことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２絶縁層はガラスクロスを含むことを特徴する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
接続パッドを備えた配線基板の上に、前記接続パッドを被覆する黒色又は灰色を呈する絶縁層を形成する工程と、
前記接続パッドの上に開口部が配置されたレジストを前記絶縁層の上に形成する工程と、
ウェットブラスト法によって、前記レジストの開口部を通して前記絶縁層に、前記接続パッドに到達する接続ホールを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記接続パッドを備えた配線基板は、
支持体の上に下側接続パッドを形成する工程と、
前記下側接続パッドの上に黒色又は灰色を呈する下側絶縁層を形成する工程と、
前記下側絶縁層を加工して前記下側接続パッドに到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記下側接続パッドに接続され、最上層として前記接続パッドを含むｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を前記下側絶縁層の上に形成する工程とを含む方法から得られ、
前記接続ホールを形成する工程の後に、前記支持体を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
両面側の前記接続パッドのいずれか一方が半導体チップを接続するためのチップ接続用パッドであり、他方が外部接続端子を接続するための外部接続用パッドであり、前記チップ接続用パッドの配列ピッチは前記外部接続用パッドの配列ピッチより狭く設定される特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続ホールを形成する工程において、
前記ウェットブラスト法で前記接続パッドがさらに除去されて前記接続ホールに連通する凹部が形成され、
前記接続ホールの側壁面と前記接続パッドの凹部の側面とが連続する同一面として形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記ウェットブラスト法で接続ホールが形成される前記絶縁層はガラスクロスを含むことを特徴する請求項５乃至８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【図１】図１は関連技術の配線基板の問題点を説明するための断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の第1実施形態の配線基板に半導体チップを実装する方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の第1実施形態の配線基板の製造方法において接続ホールを形成する際のウェットブラスト法の優位性を説明する断面図である。
【図８】図８は本発明の第1実施形態の変形例の配線基板を示す断面図である。
【図９】図９は本発明の第1実施形態の変形例の配線基板の製造方法において接続ホールを形成する際のウェットブラスト法の優位性を説明する断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法においてはんだボールを振り込みやすくする接続ホールを得るための製法を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法においてはんだボールを振り込みやすくする接続ホールを得るための製法を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は本発明の第２実施形態の変形例の配線基板を示す断面図である。
【図１４】図１４は本発明の第２実施形態の配線基板に半導体チップが実装された様子を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の配線基板にチップキャパシタが実装される様子を示す平面図及び断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は本発明の第３実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図１８】図１８は本発明の第３実施形態の配線基板に半導体チップが実装された様子を示す断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
あるいは、支持体５上に下から順に、金（Ａｕ）層／ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層、金（Ａｕ）層／パラジウム（Ｐｄ）層／ニッケル（Ｎｉ）層、又は金（Ａｕ）層／パラジウム（Ｐｄ）層／ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層などの各種の積層膜を形成して、チップ接続用パッドＰ１としてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
その後に、図５（ｂ）に示すように、レジスト２８が除去される。さらに、必要に応じて、接続ホールＣＨ内の外部接続用パッドＰ２に無電解めっきによってＮｉ層／Ａｕ層を順に形成するなどしてコンタクト層（不図示）を形成する。コンタクト層として、下から順に、ニッケル（Ｎｉ）層／パラジウム（Ｐｄ）層／金（Ａｕ）層を積層して形成してもよく、めっきによって形成される各種の積層膜を採用してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
しかも、デスミア処理によって第２黒色絶縁層２６の表面がエッチングされて凹凸が形成されてしまう（表面粗さ（Ｒａ）：５００ｎｍ程度）。第２黒色絶縁層２６の表面に凹凸が形成されると、外部接続用パッドＰ２に無電解めっきによってコンタクト層（Ｎｉ／Ａｕ層など）を形成する際に、めっきの選択成長が損なわれ、第２黒色絶縁層２６の上にもめっきが析出する場合がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
さらに、第１実施形態と同様に、第１層間絶縁層２２の第２ビアホールＶＨ２を介して第１配線層３０に接続される第２配線層３２を第１層間絶縁層２２の上に形成する。その後に、第１実施形態と同様に、第２層間絶縁層２４の第３ビアホールＶＨ３を介して第２配線層３２に接続されるチップ接続用パッドＰ１（第２接続パッド）を第３配線層として第２層間絶縁層２４の上に形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
図１３には第２実施形態の変形例の配線基板２ａが示されている。図１３に示すように、前述した第１実施形態の変形例の配線基板１ａ（図８）と同様に、図１２（ｂ）の配線基板２において第１黒色絶縁層２６の代わりに黒色樹脂２７ａの中央部にガラスクロスＧが形成されたガラスクロス含有黒色絶縁層２７を使用してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
また、コア基板５０の上面側の層間絶縁層７０の上に、ビアホールＶＨ（ビア導体）を介して第１配線層６０に接続されるチップ接続用パッドＰ１（第２接続パッド）を第２配線層として形成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
続いて、図１６（ｃ）に示すように、コア基板５０の下面側に、外部接続用パッドＰ２を被覆する第１黒色絶縁層２０を形成する。さらに、コア基板６０の上面側に、チップ接続用パッドＰ１を被覆する第２黒色絶縁層２６を形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
次いで、図１６（ｄ）に示すように、コア基板５０の上面側に、チップ接続用パッドＰ１上に開口部２８ａが設けられたドライフィルムレジストなどのレジスト２８を形成する。同様に、コア基板５０の下面側に、外部接続用パッドＰ２上に開口部２８ａが設けられたレジスト２８を形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
次いで、図１７に示すように、コア基板５０の両面側において、ウェットブラスト法によってレジスト２８の開口部２８ａを通して第１、第２黒色絶縁層２０，２６をそれぞれ研削して除去する。その後に、レジスト２８が除去される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
これにより、コア基板５０の下面側の第１黒色絶縁層２０に、外部接続用パッドＰ２（第１接続パッド）に到達する接続ホールＣＨが形成される。また、コア基板６０の上面側の第２黒色絶縁層２６に、チップ接続用パッドＰ１（第２接続パッド）に到達する接続ホールＣＨが形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
第３実施形態の配線基板３では、実装基板（マザーボードなど）の接続部に対応する外部接続用パッドＰ２の比較的広いピッチが、コア基板５０の両面に形成された第１配線層６０を介してチップ接続用パッドＰ１の比較的狭いピッチにピッチ変換される。