(57)【要約】  本明細書中に開示される技術は、比較的滑らかなプロファイルを有する高アスペクト比のフィーチャをエッチングする連続ガスパルスプロセスを用いて、深掘りシリコンフィーチャをエッチングするための方法を含む。そのような方法は、時間多重エッチング堆積プロセスよりも速いエッチング速度を提供する。技術は、交互の化学物質の循環ガスパルスプロセスを含む連続プロセスを使用することを含む。１つのプロセスガス混合物は、ハロゲン含有シリコンガスと、酸化物層を生成する酸素とを含む。第２プロセスガス混合物は、ハロゲン含有ガスと、酸化物及びシリコンをエッチングするフルオロカーボンガスとを含む。
2016537830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の深掘りシリコンフィーチャをエッチングするための方法であって、
プラズマプロセスシステム内の基板ホルダ上に基板を配置する工程であり、前記基板は、シリコン表面を暴露する開口を画定するパターン化されたマスク層を有する、工程と、
前記プラズマプロセスシステム内に第１プロセスガス混合物を流す工程であり、前記第１プロセスガス混合物は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲンを含む、工程と、
前記プラズマプロセスシステム内に第２プロセスガス混合物を流す工程であり、前記第２プロセスガス混合物は、ハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを含む、工程と、
前記シリコン表面が前記パターン化されたマスク層を介してプラズマへ暴露されるように、前記第１プロセスガス混合物及び前記第２プロセスガス混合物からプラズマを形成する工程と、
前記プラズマ及び前記第１ガス混合物からの生成物を用いて、前記基板内の１つ以上のシリコンフィーチャの側壁及び底面に酸化物層を形成する工程と、
前記プラズマ及び前記第２プロセスガス混合物からの生成物を用いて、前記基板内の前記１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングする工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
優勢な流速が前記第１プロセスガス混合物と前記第２プロセスガス混合物との間で交互になるように、前記第１プロセスガス混合物及び前記第２プロセスガス混合物の時間によって各流速を変化させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記各流速を変化させる工程は、流速間で勾配遷移を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングする前記工程の間、各ガス混合物の最小連続流量があるように、前記第１プロセスガス混合物を流す工程と、前記第２プロセスガス混合物を流す工程とは、所定量を超える各流速を維持することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１プロセスガス混合物は、ハロゲン含有シリコンガス及び酸素含有ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ハロゲン含有シリコンガスは、ＳｉＦｘ、ＳｉＣｌｘ及びＳｉＢｒｘから成る群から選択され、ｘは１以上である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸素含有ガスは、原子酸素、二原子酸素及びオゾンから成る群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化物層を形成する工程は、１つ以上のシリコンフィーチャの側壁及び底面に酸化堆積物をコンフォーマルに堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化堆積物は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２プロセスガス混合物からの前記ハロゲン含有ガスは、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２、塩素及び臭素から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２プロセスガス混合物からの前記ハロゲン含有ガスからの生成物は、前記基板内のシリコンをエッチングするように使用される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２プロセスガス混合物からの前記フルオロカーボンガスは、ＣｘＦｙＨｚであり、ｘ及びｙは１以上であり、ｚは０以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記プラズマ及び前記フルオロカーボンガスからの生成物は、前記１つ以上のシリコンフィーチャの底面上の酸化堆積物をエッチングするように使用される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板内の前記１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングする工程は、約２０マイクロより大きいエッチング深さによって特徴づけられ、かつ、約５対１より大きい深さ対幅のアスペクト比を有するフィーチャを形成するまでエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン中のフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅｓ）をエッチングすることを含む、半導体基板内のフィーチャをエッチングするための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業では、集積回路（ＩＣ）の製造は、通常、プラズマ反応器を用いて、基板から材料を除去する（そして、基板に材料を堆積させる）ように使用される表面化学物質の助けとなるプラズマの生成を伴う。ドライプラズマエッチングプロセスは、半導体基板上にパターン化された、微細なラインに沿ってか、あるいは、ビア内又はコンタクトにおいて、材料を除去又はエッチングするように慣例的に用いられる。首尾よいプラズマエッチングプロセスには、エッチング化学物質が必要とされ、エッチング化学物質は、ある材料を選択的にエッチングするのに適切な化学物質反応体を含む一方で、実質的に別の材料をエッチングしない。
【０００３】
例えば、半導体基板上で、保護層内に形成されるパターンは、プラズマエッチングプロセスを用いて、選択された材料の下部層に転写され得る。保護層は、リソグラフプロセスを用いて形成されるパターンを有するフォトレジスト層などの感光層を含む。いったんそのパターンが形成されると、半導体基板がプラズマプロセスチャンバ内に配置され、エッチング化学物質が形成され、保護層を最小限にエッチングしながら下部層を選択的にエッチングする。このエッチング化学物質は、親分子を有するイオン性で解離性のガス混合物を導入することによって生成される。親分子は、保護又はパターン層と最小限に反応しながら下部層と反応する分子成分を含む。存在するガス種の一部がエネルギー電子との衝突に続いてイオン化されるとき、エッチング化学物質の生成は、ガス混合物の導入とプラズマの形成を含む。加熱された電子は、ガス混合物の一部の種を解離させ、かつ、（親分子の）化学成分の反応混合物を生成するのに役立つことができる。
【０００４】
化学成分の反応混合物及びイオン化されたガス種が提供され、さまざまなフィーチャ（例えば、トレンチ、ビア、コンタクトなど）が、半導体基板の暴露された領域内でエッチングされ得る。エッチングされる典型的な材料は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｙ）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、単結晶シリコン（シリコン）並びにドープ及び非ドープシリコンを含む。
【発明の概要】
【０００５】
ボッシュプロセス（エッチング−堆積−エッチング−堆積）などの時間多重エッチングプロセスは、貫通シリコンビア（ＴＳＶ）などの高アスペクト比のフィーチャをエッチングするように使用されてきた。時間多重プロセスにおいて、深さの小さいフィーチャがエッチングされ、次いで、エッチングガスが停止され、パッシベーションガスが開始されてエッチングされた側壁上にポリマーを形成する。このプロセスは、所望の深さに達するまで繰り返される。しかしながら、時間多重エッチングプロセスの望ましくない副作用は、代替的な堆積及びエッチング工程の結果として所定のエッチングされたフィーチャの側壁の特徴的なスキャロップ（ｓｃａｌｌｏｐｉｎｇ）である。これらのようなプロファイルのむらは、複雑化につながり、最終的に、後続の金属化後の電気性能を低下させてしまう。
【０００６】
時間多重エッチングの代替は、ワンステップ（連続）プロセスであり、これは、エッチング及びパッシベーションメカニズムを同時に行い、特に、フッ素及び酸素系の化学物質を使用する。そのようなワンステッププロセスは、より連続したプロファイル（スキャロップなし）を生成することができるが、ワンステッププロセスは、アスペクト比の限界（特により小さな寸法で）や深さ限界を被る。
【０００７】
本明細書中に開示された技術は、高アスペクト比のフィーチャをエッチングし、比較的滑らかなプロファイルを残す連続ガスパルスプロセスを用いて、深掘りシリコンフィーチャ（ｄｅｅｐ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）をエッチングするための方法を含む。そのような方法では、ボッシュプロセスよりも速いエッチング速度を提供し、アンダーカットをほとんど又は全く有しないエッチングされたプロファイルを提供し、良好なマスク選択性を提供する化学物質を使用する。技術は、交互の化学物質の循環ガスパルスプロセスを含む連続プロセスを用いることを含む。
【０００８】
一実施形態は、基板上の深掘りシリコンフィーチャをエッチングするための方法を含む。この方法は、プラズマプロセスシステムにおいて、基板ホルダ上に基板を配置することを含む。基板は、シリコン表面を暴露する開口を画定するパターン化されたマスク層を有する。第１プロセスガス混合物をプラズマプロセスシステムに流入する。第１プロセスガス混合物は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲンを含む。第２プロセスガス混合物をプラズマ処理システムに流入する。この第２プロセスガス混合物は、ハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを含む。プラズマは、第１プロセスガス混合物から形成され、かつ、シリコン表面がパターン化されたマスク層を介してプラズマに暴露されるように第２プロセスガス混合物から形成される。プラズマ及び第１ガス混合物からの生成物を用いて、酸化物層が、基板内の１つ以上のシリコンフィーチャの側壁及び底面に形成される。方法は、プラズマ及び第２プロセスガス混合物からの生成物を用いて、基板内の１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングすることを含む。
【０００９】
専用のエッチング及び堆積工程を用いる時間多重プロセスとは対照的に、本明細書中の技術は、交互のストロングマイルドエッチングメカニズム（ｓｔｒｏｎｇ−ｍｉｌｄ  ｅｔｃｈ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）（少ないパッシベーション）に従うが、連続エッチングと共にガスパルスを提供する。そのような技術では、残留ポリマー残渣が増加することなく、より高いエッチング速度を維持することができる。
【００１０】
もちろん、本明細書中に記載されるような異なる工程の議論の順序は、簡明を期す目的で与えられている。一般的には、これらの工程は、任意の適切な順序で実行されて良い。それに加えて、本明細書中の各異なるフィーチャ、技術、構成などの各々が、本開示の各異なる箇所で論じられているが、各基本的概念は、互いに独立して実行されるか、あるいは、互いに組み合わせて実行されて良い。従って、本発明は、多くの異なる方法で実施及び観測されて良い。
【００１１】
ただし、「発明の概要」は、本開示又は請求項に係る発明の各実施形態及び／又は徐々に増大する新規の態様を特定しない。その代わりに、この「発明の概要」は、さまざまな実施形態の基本的な議論及び実施形態の従来方法に対する新規な対応する要点を供するだけである。本発明及び実施形態の更なる詳細及び／又は可能な視座については、後述する本開示の「発明を実施するための形態」及び対応する図面を参照されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明のさまざまな実施形態及びその付随する利点についてのより完全な諒解は、添付図面と併せて考慮されるべき以下の詳細な説明を参照することで容易に明らかになる。図面は必ずしも縮尺通りではなく、フィーチャ、原理及び基本概念を表す際には強調されている。
【図１Ａ】本明細書中の実施形態に従ったエッチングされているフィーチャの断面図である。
【図１Ｂ】本明細書中の実施形態に従ったエッチングされているフィーチャの断面図である。
【図２Ａ】本明細書中の実施形態に従った連続ガスパルスプロセスのグラフである。
【図２Ｂ】本明細書中の実施形態に従った連続ガスパルスプロセスのグラフである。
【図２Ｃ】本明細書中の実施形態に従った連続ガスパルスプロセスのグラフである。
【図３Ａ】さまざまなエッチング技術の成果物の断面図である。
【図３Ｂ】さまざまなエッチング技術の成果物の断面図である。
【図３Ｃ】さまざまなエッチング技術の成果物の断面図である。
【図４】本明細書中の実施形態に従った深掘りシリコンエッチングの方法のフローチャートである。
【図５】本明細書中の実施形態に従ったプラズマプロセスシステムの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本明細書中に開示される技術は、連続ガスパルスプロセスを用いて深掘りシリコンフィーチャをエッチングするための方法を含み、連続ガスパルスプロセスは、比較的滑らかなプロファイルを有する高アスペクト比のフィーチャをエッチングする。そのような方法は、ボッシュプロセスよりも速いエッチング速度を提供し、アンダーカットがほとんど又は全くないエッチングされたプロファイルを提供し、良好なマスク選択性を提供する化学物質を使用する。技術は、交互の化学物質の循環ガスパルスプロセスを含む連続プロセスを使用することを含む。
【００１４】
本明細書中の技術は、２つのガス化学物質又は混合物を使用し、次いで、混合物が優勢な流量を有することに応じて、各ガス化学物質間を循環する。従って、両ガス化学物質を同時に、かつ、連続して流す一方で、各流れの量は最大と最小との間で変化する。
【００１５】
図１Ａ及び図１Ｂは、シリコン基板１０５内にエッチングされている、貫通シリコンビアなどのフィーチャ１０７を示す。フィーチャの形成において使用されるガス化学物質は、パッシベーション／酸化化学物質１１０である。酸化化学物質は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲン（フッ素、クロム、臭素など）を含む。例えば、Ｏ２は、酸化形成のために使用され得る。シリコン及びハロゲンは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＢｒ４などに由来することができる。Ｏ２は独立して使用されることができるが、相当の時間がかかる。シリコン及びハロゲン添加物は、エッチングされているフィーチャの側壁及び底面に沿って薄くラインする（ｔｈｉｎｌｙ  ｌｉｎｅ）ハロゲン含有酸化堆積物１３５を形成するように使用され得る。
【００１６】
使用される別のガス化学物質は、エッチング化学物質１２０である。エッチング化学物質は、ハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを含む。例えば、ハロゲン含有ガスは、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２、Ｃｌ、Ｂｒなどを含むことができる。ハロゲン含有ガスは、シリコン基板１０５をエッチングするために主として機能する。フルオロカーボンガスは、ＣｘＦｙを含むことができ、ｘ及びｙは１以上である。フルオロカーボンガスは、ビアの底面から酸化物１３５を除去することによってエッチング強化のために主として使用される。パッシベーション化学物質がフィーチャの表面に酸化物を形成するので、この酸化物は、トレンチ又はビアのエッチングを続けるために除去される必要がある。
【００１７】
図２Ａ〜図２Ｂは、プロセス時間に対する各ガス化学物質の総流量を示すグラフである。図２Ａは、機能時間としてエッチング化学物質１２０の流量を示す。ただし、エッチング化学物質は、最小量の連続した流量を有し、また、増大した流量の循環又はパターンを有する。図２Ｂは、機能時間として酸化化学物質１１０の流量を示す。図に示すように、酸化化学物質１１０はまた、増大した流量の繰り返し周期と共に最小量の連続した流量を有する。図２Ａ及び図２Ｂの比較は、各ガス化学物質の増大した、あるいは、高い流量の周期が交互に起こるということを示す。言い換えると、エッチング化学物質及び酸化化学物質は、優勢な流量を有して交互に行う一方で、各々は、最小連続流量（ｍｉｎｉｍｕｍ  ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｆｌｏｗ）を提供する。図２Ｃは、両ガス化学物質の流量を示すグラフである。ただし、優勢なガス周期は、優勢な流量の間で勾配的又は段階的な変化を有することができる。従って、各工程においてエッチングの発生があり、勾配的な化学物質の変化は、より滑らかな側壁を生じさせることに役立つことができる。
【００１８】
従来のエッチングプロセスでは、一般的にポリマー層を生成して側壁を保護する。そのようなポリマーパッシベーションは、一般的にＣＦ２又は堆積される同様の材料を提供される。しかしながら、本明細書中の技術により、ＳｉＯ２又は同様の材料は、コンフォーマルな酸化物を生成するように使用され、従って、ポリマー／不動態化層の代わりに酸化物層を提供する。酸化物が堆積されるので、本明細書中の技術により、Ｃ４Ｆ８などのフルオロカーボンは、底部／水平の表面に堆積される酸化物を除去するように使用されて、下層シリコン材料内へとエッチングし続けることができる。
【００１９】
一部の実施形態において、多くのＣＦ２を生成しないエッチングレジームが選択される。ほとんど又は全くないＣＦ２は、大部分の適用において必要とされる。従って、Ｃ４Ｆ８は、いっそう多くのチューニングガスとして使用され得る。一例示的な化学物質において、ＳＦ６は、エッチングのために使用される一方で、ＳｉＦ４及びＯ２は、酸化物の生成／パッシベーションのために使用され得る。任意のＣＦｘイオンガスは、チューニングのために加えられ得る。これらのガスからの炭素は、フィーチャの底部から酸化物を除去するために使用され得る。従って、パッシベーション工程（酸化工程）において、シリコン酸化物様堆積／変形（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ−ｌｉｋｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ／ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が、所定のエッチングされたフィーチャの側部及び底部で生じ、次いで、優勢なエッチングの工程中、炭素が加えられ、フィーチャの底面から酸化物を除去し、下層シリコンのエッチングを容易にする。パッシベーション工程は、不動態ガス化学物質（酸化化学物質）を優勢に流すときを指し、次いで、エッチング工程は、不動態ガス化学物質に対してエッチングガスを優勢に流すときを指す。
【００２０】
本明細書中に記載のこれらの化学物質は、ガスパルス技術を伴い、従来技術に対する利点を提供する。例えば、図３Ａは、ワンステップ連続エッチングプロセスから生じるサンプルのエッチングされたフィーチャ３１０を示す。ただし、生じるプロファイルは撓み（ｂｏｗｅｄ）、次いで、終点にテーパが付き、これが連続プロセスのアスペクト比の限界を強調する。図３Ｂは、時間多重（ボッシュ）エッチングプロセスから生じる一般的なプロファイルを有するサンプルのエッチングされたフィーチャ３２０を示す。ボッシュプロセスはワンステッププロセスよりも深くエッチングすることができるが、プロファイルは、残念ながらスキャロップを有して（ｓｃａｌｌｏｐｅｄ  ｐｒｏｆｉｌｅ）現われる粗い側壁面を発達させてしまう。さらに、従来のフルオロカーボン含有パッシベーションを使用することは、フィーチャの上部をしばしば塞ぐ可能性があり、それ故、フィーチャのエッチングと干渉する。図３Ｃは、本明細書中の実施形態に従ったエッチングプロセスの実行から生じるプロファイルを有したサンプルのエッチングされたフィーチャ３３０を示す。形成されるコンフォーマルな酸化物は、スキャロップを低減させることができ、かつ、滑らかな側壁及び高アスペクト比を有するエッチングされたフィーチャを生み出すことができる。また、ポリマーがほとんど又は全く堆積されていないので、本明細書中の技術は、フィーチャの上部を塞ぐことを防ぐ。ポリマーを堆積することとは対照的に、本明細書中の技術は、表面を酸化させ、この酸化した表面は、横向きエッチングを防止する。ただし、時間多重プロセスでは、所定のフィーチャの側壁上に真に堆積物がある、つまり、ポリマーが堆積される。しかしながら、本明細書中のコンフォーマルな酸化物は、成長しているか、あるいは、飽和状態にあると考えられ得る。
【００２１】
図４を参照すると、フローチャートには、深掘りシリコンフィーチャをエッチングするための、本明細書中の実施形態を実行する例示的な方法が示される。
【００２２】
工程４１０では、プラズマプロセスシステム内の基板ホルダ上に、基板が配置又は設置される。基板は、例えば、シリコン基板又はウエハでよい。基板は、シリコン表面を暴露する開口を画定するパターン化されたマスク層を有する。層形成及びパターニングは、従来の半導体製造用工具を使用して実行され得る。パターン化されたマスク層は、１つ以上の層を含むことができる。
【００２３】
工程４２０では、基板上方の空間又はプラズマ処理領域などのプラズマ処理システムに第１プロセスガス混合物を流入する。第１プロセスガス混合物は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲンを含む。例えば、第１プロセスガス混合物は、ハロゲン含有シリコンガス及び酸素含有ガスを含む。ハロゲン含有シリコンガスは、ＳｉＦｘ、ＳｉＣｌｘ及びＳｉＢｒｘを含むいくつかの代替物から選択れることができ、ｘは１以上である。酸素含有ガスは、原子酸素、二原子酸素及びオゾンなどのいくつかの選択肢から選択され得る。特定の実施例により、ハロゲン含有シリコンガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣＳ４、ＳｉＣｌ４又はハロシランでよい。ハロゲン含有シリコンガスの使用は、酸化物だけを使用する場合と比べて酸化物層の成長を加速させることができる。従って、第１プロセスガス混合物は、ハロゲンに富む酸化膜（ｈａｌｏｇｅｎ  ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ  ｆｉｌｍｓ）又は酸化物様膜（ｏｘｉｄｅ  ｌｉｋｅ  ｆｉｌｍｓ）を生成する、ＳｉＯ堆積ガスである。
【００２４】
工程４３０では、プラズマ処理システムに第２プロセスガス混合物を流入する。第２プロセスガス混合物は、ハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを含む。例えば、第２プロセスガス混合物からのハロゲン含有ガスは、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２、塩素及び臭素から成る群から選択され得る。第２プロセスガス混合物（イオン化後）からのハロゲン含有ガスからの生成物は、基板内のシリコンをエッチングするように使用され得る。第２プロセスガス混合物からのフルオロカーボンガスは、ＣｘＦｙＨｚでよく、ｘ及びｙは１以上であり、ｚは０以上である。プラズマ及びフルオロカーボンガスからの生成物は、１つ以上のシリコンフィーチャの底面上で、（第１プロセスガス混合物からの）酸化堆積物をエッチングするように使用され得る。ただし、フルオロカーボンガス（Ｃ４Ｆ８でよい）をエッチング液から別々に流入するが、その代り、ポリマー形成ガスとしての代わりに酸化エッチング液として、エッチング液と共に流入する。従って、第２プロセスガス混合物は、ハロゲン含有エッチング液及び酸化エッチング液を含む。
【００２５】
工程４４０では、プラズマが、第１プロセスガス混合物から形成され、かつ、シリコン表面がパターン化されたマスク層を介してプラズマに暴露されるように第２プロセスガス混合物から形成される。そのようなプラズマ生成は、基板上方の領域におけるプラズマプロセスシステム内で起こり得る。
【００２６】
工程４５０では、酸化物層が、プラズマ及び第１ガス混合物からの生成物を用いて、基板内の１つ以上のシリコンフィーチャの側壁及び底面に形成される。酸化物層を形成することは、１つ以上のシリコンフィーチャの側壁及び底面に酸化物層をコンフォーマルに堆積又は成長させることを含む。酸化堆積物は、シリコン、酸素及び少なくとも１つのハロゲンを含む。
【００２７】
工程４６０では、基板内の１つ以上のシリコンフィーチャは、プラズマ及び第２プロセスガス混合物からの生成物を用いてエッチングされる。
【００２８】
一部の実施形態において、第１プロセスガス混合物及び第２プロセスガス混合物の各流速は、優勢な流速が第１プロセスガス混合物と第２プロセスガス混合物との間で交互に行われるように、時間によって変えられ得る。言い換えると、第１プロセスガス混合物及び第２プロセスガス混合物の両方は、所定の最小流量を有し、１つのガスの最小流量（０以上でよい）は、他のガスの流量が増大したか、あるいは、より大きな相対的な流量にある間、生じる。各流速を変化させることは、図２Ｃに図示したように、流速間で勾配遷移（ｇｒａｄｉｅｎｔ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）を有することを含むことができる。第１プロセスガス混合物を流すこと及び第２プロセスガス混合物を流すことは、１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングする工程中に、各ガス混合物の最小連続流量があるように所定量を超える各流速を維持することを含むことができる。各ガス混合物のデューティサイクルは、等しいか、あるいは、異なる。例えば、エッチング化学物質の時間は、酸化化学物質の時間よりも長く続くことができる。この重エッチングパルス（ｅｔｃｈ−ｈｅａｖｙ  ｐｕｌｓｉｎｇ）は、より深いエッチング長などのいくつかの利点を有することができ、それ故、特定のエッチングを適用するために選択され得る。
【００２９】
基板内の１つ以上のシリコンフィーチャをエッチングすることは、約２０マイクロより大きなエッチング深さによって特徴づけられ、かつ、約５対１より大きい深さ対幅のアスペクト比を有するフィーチャを形成するまで、エッチングプロセスを続けることを含むことができる。
【００３０】
さまざまな、異なる従来のプラズマプロセスシステムは、堆積及びエッチングのプロセス工程のために使用され得る。上述のさまざまな実施形態に従ったスペーサーエッチングプロセスシーケンスを実行するための方法のうちの１つ以上は、さまざまな従来のプラズマプロセスシステムのうちの任意の１つで行われ得る。図５は、１つの例示的なプラズマプロセスシステム５００を図示する。プラズマプロセスシステム５００は、上記のプロセス状態を行うように構成され、プラズマプロセスチャンバ５１０、処理される基板５２５が上に付けられる基板ホルダ５２０及び真空ポンプシステム５５０を含む。基板５２５は、半導体基板、ウエハ、平坦なパネルディスプレイ又は液晶ディスプレイでよい。プラズマプロセスチャンバ５１０は、基板５２５の表面の近傍において、プラズマプロセス領域５４５内にプラズマの生成を促すように構成され得る。イオン化可能ガス又はプロセスガスの混合物は、ガス分配システム５４０を介して導入される。プロセスガスの所定流量に関し、プロセス圧力は、真空ポンプシステム５５０を用いて調整される。プラズマは、所定材料のプロセスに特定した材料を形成するか、あるいは、基板５２５の暴露した表面から材料を除去することを援助するように利用され得る。プラズマプロセスシステム５００は、２００ｍｍの基板、３００ｍｍの基板、４５０ｍｍ以上などの、任意の所望サイズの基板を処理するように構成され得る。
【００３１】
基板５２５は、機械クランプシステム又は電気クランプシステム（例えば、静電気クランプシステム）などのクランプシステム５２８を介して基板ホルダ５２０に取り付けられ得る。更に、基板ホルダ５２０は、加熱システム（図示しない）又は冷却システム（図示しない）を含むことができ、これは、基板ホルダ５２０及び基板５２５の温度を調整及び／又は制御するように構成される。加熱システム又は冷却システムは、基板ホルダ５２０から熱を受容し、冷却するときに熱交換システム（図示しない）に熱を伝える、あるいは、加熱するときに熱交換システムから基板ホルダ５２０へと熱を伝える伝熱流体の流量を再循環させることを含むことができる。他の実施形態において、抵抗加熱要素などの加熱／冷却システム又は熱電加熱器／冷却器は、プラズマプロセスチャンバ５１０のチャンバ壁及びプラズマプロセスシステム５００内の任意の他の構成要素と同様に、基板ホルダ５２０に含まれることができる。
【００３２】
更に、基板５２５と基板ホルダ５２０との間のガスギャップ熱伝導性を向上させるために、伝熱ガスは、裏面ガス供給システム５２６を介して基板５２５の裏面に送られることができる。そのようなシステムは、基板の温度制御が昇温又は低温で必要とされるときに利用され得る。例えば、裏面ガス供給システムは、２ゾーンガス分配システムを含むことができ、ヘリウムガスギャップ圧力を、基板５２５の中心と縁部との間で独立して変えることができる。
【００３３】
基板ホルダ５２０は、電極５２２を含むことができ、これを介してＲＦ電力は、プラズマプロセス領域５４５内で処理プラズマに結合される。例えば、基板ホルダ５２０は、ＲＦ電圧で、ＲＦ発生器５３０から任意のインピーダンス整合ネットワーク（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｔｃｈ  ｎｅｔｗｏｒｋ）５３２を介して基板ホルダ５２０へとＲＦ電力を伝達することによって、電気的にバイアスされ得る。ＲＦ電気バイアスは、電子を加熱してプラズマを形成及び維持するように機能することができる。この構成において、システムは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）反応器として動作することができ、チャンバ及び上方ガス噴射電極は、接地面（ｇｒｏｕｎｄ  ｓｕｒｆａｃｅ）として機能する。ＲＦバイアスのための一般的な周波数は、約０．１ＭＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲でよい。プラズマプロセスのためのＲＦシステムは、当業者に周知である。
【００３４】
更に、ＲＦ電圧での電極５２２の電気バイアスは、パルス化されたバイアス信号コントローラ５３１を用いてパルス化され得る。ＲＦ発生器５３０から出力されるＲＦ電力は、例えば、オフ状態とオン状態との間でパルス化され得る。代替的に、ＲＦ電力は、多重周波数で基板ホルダ電極に印加される。また、インピーダンス整合ネットワーク５３２は、反射電力を低減することによって、プラズマプロセスチャンバ５１０におけるプラズマへのＲＦ電力の伝達を向上させることができる。整合ネットワークトポロジー（例えば、Ｌタイプ、  タイプ、Ｔタイプなど）及び自動制御方法は、当業者に周知である。
【００３５】
ガス分配システム５４０は、プロセスガスの混合物を導入するためのシャワーヘッド設計を含むことができる。代替的に、ガス分配システム５４０は、プロセスガスの混合物を導入するため、かつ、基板５２５上方にプロセスガスの混合物の分配を調整するためのマルチゾーンシャワーヘッド設計を含むことができる。例えば、マルチゾーンシャワーヘッド設計は、基板５２５上方の実質的に中心領域へのプロセスガスの流量又は組成物の量に対して、基板５２５上方の実質的に周辺領域へのプロセスガスの流量又は組成物を調整するように構成され得る。
【００３６】
真空ポンプシステム５５０は、毎秒最大約５０００リットルのポンプ速度を可能にするターボ分子真空ポンプ（ＴＭＰ）と、チャンバ圧力をスロットルで調整する（ｔｈｒｏｔｔｌｅ）ためのゲートバルブとを含むことができる。ドライプラズマエッチングのために利用される従来のプラズマプロセスデバイスにおいて、毎秒１０００〜３０００リットルでＴＭＰが用いられ得る。ＴＭＰは、低圧プロセスにとって有益であり、一般的に約５０ｍＴｏｒｒより小さい。高圧プロセス（つまり、約１００ｍＴｏｒｒより大きい）のために、機械式増圧ポンプ及び乾燥式粗引ポンプが使用され得る。更に、チャンバ圧力を監視するためのデバイス（図示しない）が、プラズマプロセスチャンバ５１０に結合され得る。
【００３７】
コントローラ５５５は、マイクロプロセッサと、メモリと、プラズマプロセスシステム５００からの出力を監視するだけでなくプラズマプロセスシステム５００への入力を通信及び活性化させるのに十分な制御電圧を発生させることができるデジタルＩ／Ｏポートとを含む。更に、コントローラ５５５は、基板加熱／冷却システム（図示しない）、裏面ガス供給システム５２６及び／又は静電気クランプシステム５２８と同様に、ＲＦ発生器５３０、パルス化されたバイアス信号コントローラ５３１、インピーダンス整合ネットワーク５３２、ガス分配システム５４０、真空ポンプシステム５５０に結合され、かつ、情報をそれらと交換することができる。例えば、プラズマエッチングプロセスなどのプラズマ支援プロセスを基板５２５上に実行するために、メモリに記憶されたプログラムは、プロセスレシピに従って、プラズマプロセスシステム５００の上述の構成要素への入力を活性化するように利用され得る。
【００３８】
コントローラ５５５は、プラズマプロセスシステム５００に対して局在することができるか、あるいは、プラズマプロセスシステム５００に対して遠隔に位置することができる。例えば、コントローラ５５５は、直接接続、イントラネット及び／又はインターネットを用いて、プラズマプロセスシステム５００とデータを交換することができる。コントローラ５５５は、例えば、カスタマーサイト（つまり、デバイスメーカーなど）でイントラネットに結合され得るか、あるいは、例えばベンダーサイト（つまり、機器製造者）でイントラネットに結合され得る。代替的に、あるいは、追加的に、コントローラ５５５はインターネットに結合され得る。更に、別のコンピュータ（つまり、コントローラ、サーバなど）は、コントローラ５５５にアクセスして直接接続、イントラネット及び／又はインターネットを介してデータを交換することができる。
【００３９】
プラズマプロセスシステム５００は、固定の、機械的な、あるいは、電気的な回転磁界システム（図示しない）を更に含んで、プラズマ密度を潜在的に増加させ、かつ／あるいは、プラズマプロセスの均一性を向上させることができる。更に、コントローラ５５５は、磁界システムに結合されて回転の速度及び電界強度を調整することができる。回転磁界の設計及び実装は、当業者に周知である。
【００４０】
プラズマプロセスシステム５００は、上方電極５７０を更に含むことができ、この上方電極５７０に、ＲＦ電力がＲＦ発生器５７２から任意のインピーダンス整合ネットワーク５７４を介して結合され得る。上方電極にＲＦ電力を印加するための周波数は、約０．１ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの範囲でよい。また、下方電極に電力を印加するための周波数は、約０．１ＭＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲でよい。更に、上方電極５７０へのＲＦ電力の印加を制御するために、コントローラ５５５は、ＲＦ発生器５７２及びインピーダンス整合ネットワーク５７４に結合される。上方電極の設計及び実装は当業者に周知である。図示するように、上方電極５７０及びガス分配システム５４０は、同一のチャンバアセンブリ内に設計され得る。代替的に、上方電極５７０は、基板５２５上方のプラズマに結合されるＲＦ電力分配を調整するために、マルチゾーン電極設計を含むことができる。例えば、上方電極５７０は中心電極及びエッジ電極に分割され得る。
【００４１】
プラズマプロセスシステム５００は、基板５２５に対向する上方電極５７０に結合される直流（ＤＣ）電力供給５５０を更に含むことができる。上方電極５７０は、電極プレートを含むことができる。電極プレートは、シリコン含有電極プレートを含むことができる。更に、電極プレートは、ドープされたシリコン電極プレートを含むことができる。ＤＣ電力供給５５０は、可変ＤＣ電力供給を含むことができる。また、ＤＣ電力供給５５０は、双極ＤＣ電力供給を含むことができる。ＤＣ電力供給５５０は、ＤＣ電力供給５５０の極性、電流、電圧又はオン／オフ状態の監視、調整又は制御のうちの少なくとも１つを行うように構成されるシステムを更に含むことができる。いったんプラズマが形成されると、ＤＣ電力供給５５０は、弾道電子ビームの形成を促進する。電気フィルタ（図示しない）は、ＤＣ電力供給５５０からのＲＦ電力を分離するように利用され得る。
【００４２】
例えば、ＤＣ電力供給５５０によって上方電極５７０に印加されるＤＣ電圧は、約−２０００Ｖ〜約１０００Ｖの範囲でよい。望ましくは、ＤＣ電圧の絶対値は、約１００Ｖ以上の値を有し、より望ましくは、ＤＣ電圧の絶対値は、約５００Ｖ以上の値を有する。また、ＤＣ電圧は負の極性を有することが望ましい。更に、ＤＣ電圧は、上方電極５７０の表面に発生する自己バイアス電圧よりも大きな絶対値を有する負の電圧であることが望ましい。基板ホルダ５２０に面する上方電極５７０の表面は、シリコン含有材料から構成され得る。
【００４３】
他のタイプの周知のプラズマプロセスシステムはまた、本明細書中に開示される技術を実行するように使用され得る。例えば、代替的なプラズマプロセスシステム（図示しない）は誘導コイルを更に含み、この誘導コイルに、ＲＦ電力が任意のインピーダンス整合ネットワークを通りＲＦ発生器を介して結合される。ＲＦ電力は、誘電ウィンドウを介してプラズマプロセス領域へと誘導コイルから誘導結合される。誘導コイルにＲＦ電力を印加するための周波数は、約１０ＭＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲でよい。同様に、チャック電極に電力を印加するための周波数は、約０．１ＭＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲でよい。加えて、スロット付きファラデーシールド（ｓｌｏｔｔｅｄ  Ｆａｒａｄａｙ  ｓｈｉｅｌｄ）は、プラズマプロセス領域における誘導コイルとプラズマとの間の容量結合を小さくするように用いられ得る。更に、コントローラがＲＦ発生器及びインピーダンス整合ネットワークに結合されて、誘導コイルへの電力の印加を制御することができる。
【００４４】
代替的な実施形態において、プラズマプロセスシステムは、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）反応器内でのように、上方からのプラズマプロセス領域と通信する「螺旋（ｓｐｉｒａｌ）」コイル又は「パンケーキ（ｐａｎｃａｋｅ）」コイルである誘導コイルを含むことができる。誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース又はトランス結合プラズマ（ＴＣＰ）ソースの設計及び実装は、当業者に周知である。代替的に、プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いて形成され得る。更に別の実施形態において、プラズマは、ヘリコン波の開始から形成される。また別の実施形態において、プラズマは、伝播表面波（ｐｒｏｐａｇａｔｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｗａｖｅ）から形成される。他のプラズマプロセスシステムは、図５の実施形態と同様のものでよく、表面波プラズマ（ＳＷＰ）ソースを更に含むことができる。ＳＷＰソースは、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）などのスロットアンテナを含むことができ、それに、マイクロ波電力が、電力結合システムを介して結合される。上記のエッチングプラズマソースは当業者に周知である。
【００４５】
前述の記載では、具体的詳細、例えば本願で用いられた処理システムの具体的幾何学構造及びさまざまな構成要素及び処理についての説明が記載された。しかし、本明細書中の方法は、これらの具体的詳細から逸脱する他の実施形態でも実施可能であり、かつ、係る詳細は、説明目的であって限定目的ではないことを理解されたい。本明細書中に開示された実施形態は、添付図面を参照しながら説明される。同様に説明目的で、具体的な数字、材料及び構成が、完全な理解を与えるために明記される。それでもなお、実施形態は、そのような具体的詳細が明らかにされなくても実施可能である。機能上、実質的に同一の構成を有する構成要素は、同様の参照符号で表される。よって、任意の冗長な説明は省略されて良い。
【００４６】
さまざまな方法が、さまざまな実施形態の理解の助けとなる、複数の別個の動作として記載されてきた。記載の順序は、これらの動作が必ず順序に依存することを示唆していると解釈されてはならない。特にこれらの動作は、提示順に実行される必要はない。記載された動作は、記載された実施形態とは異なる順序で実行されて良い。更なる実施形態では、さまざまな更なる動作が実行され良く、かつ／あるいは、記載された動作は省略されて良い。
【００４７】
本明細書中で用いられている「基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」又は「対象基板（ｔａｒｇｅｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」とは、概して、本発明に従って処理される対象物を指称する。基板は、具体的には半導体又は他の電子デバイスなどのデバイス任意の材料部分又は構造を含み、かつ、半導体ウエハなどの基礎となる基板構造か、あるいは、基礎となる基板構造上の層又はそれを覆う層であって良い。よって、基板は、任意の特定の基礎となる構造である下地層又は上地層、パターン化されたもの又はパターン化されないものに限定されず、むしろ、任意のそのような層又は基礎となる構造と、層及び／又は基礎となる構造の任意の組み合せとを含むと考えられる。記載は、特定のタイプの基板を参照しているが、これは例示目的に過ぎない。
【００４８】
当業者は、本発明と同一の目的を実現しつつ、上述の技術の動作に対する多くの変形が存在し得ることを理解している。そのような変形は、本開示の技術的範囲によって網羅されていると意図される。そのため、本発明の実施形態の上述の説明は、限定的と意図されてはならない。むしろ、本発明の実施形態への限定は、以下の特許請求の範囲で提示される。
【図１Ａ】
2016537830.tif 000003
【図１Ｂ】
2016537830.tif 000004
【図２Ａ】
2016537830.tif 000005
【図２Ｂ】
2016537830.tif 000006
【図２Ｃ】
2016537830.tif 000007
【図３Ａ】
2016537830.tif 000008
【図３Ｂ】
2016537830.tif 000009
【図３Ｃ】
2016537830.tif 000010
【図４】
2016537830.tif 000011
【図５】
2016537830.tif 000012
【国際調査報告】
2016537830.tif 000013