【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間にある再結合層と、
前記第１電極と前記再結合層の間にある第１光活性層と、
前記第２電極と前記再結合層の間にある第２光活性層とを備えるシステムであって、
前記第１光活性層または前記第２光活性層は、電子供与体材料および電子受容体材料を含み、
前記電子供与体材料または前記電子受容体材料は、第１のコモノマー繰り返し単位と、第１のコモノマー繰り返し単位とは異なる第２のコモノマー繰り返し単位とを有するポリマーを含み、
前記第１のコモノマー繰り返し単位は、シクロペンタジチオフェン部分、シラシクロペンタジチオフェン部分、シクロペンタジチアゾール部分、チアゾロチアゾール部分、チアゾール部分、ベンゾチアジアゾール部分、チオフェンオキシド部分、シクロペンタジチオフェンオキシド部分、ポリチアジアゾロキノキサリン部分、ベンゾイソチアゾール部分、ベンゾチアゾール部分、チエノチオフェン部分、チエノチオフェンオキシド部分、ジチエノチオフェン部分、ジチエノチオフェンオキシド部分、またはテトラヒドロイソインドール部分を含み、
前記再結合層は第３、第４および第５の層を含み、
前記第５の層は前記第３の層と前記第４の層の間にあり、
前記システムは光起電力システムとして構成されており、
前記第１光活性層または前記第２光活性層は、厚さが少なくとも０．０５ミクロンであるシステム。
【請求項２】
前記第５の層は金属酸化物を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記金属酸化物は、酸化チタン、酸化インジウム錫、酸化錫、および酸化亜鉛からなる群から選択される酸化物を含む請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第５の層は金属粒子を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第３の層はｎ型半導体材料を含み、前記第４の層はｐ型半導体材料を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ｐ型半導体材料は金属酸化物を含む請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記金属酸化物は、酸化銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ストロンチウムチタン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化物を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ｐ型半導体材料は、ｐドープされた金属酸化物を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記ｐドープされた金属酸化物はｐドープ酸化亜鉛またはｐドープ酸化チタンを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ｎ型半導体材料は金属酸化物を含む請求項５に記載のシステム。
【請求項１１】
前記金属酸化物は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化モリブデン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化物を含む請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ｎ型半導体材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、炭素ナノロッド、無機ナノロッド、ＣＮ基を含むポリマー、ＣＦ３基を含むポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項５に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第３の層は前記第１光活性層と前記第５の層の間にある請求項５に記載のシステム。
【請求項１４】
前記システムはタンデム型光電池からなる請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第２のコモノマー繰り返し単位は、ベンゾチアジアゾール部分、チアジアゾロキノキサリン部分、シクロペンタジチオフェンオキシド部分、ベンゾイソチアゾール部分、ベンゾチアゾール部分、チオフェンオキシド部分、チエノチオフェン部分、チエノチオフェンオキシド部分、ジチエノチオフェン部分、ジチエノチオフェンオキシド部分、テトラヒドロイソインドール部分、フルオレン部分、シロール部分、シクロペンタジチオフェン部分、フルオレノン部分、チアゾール部分、セレノフェン部分、チアゾロチアゾール部分、シクロペンタジチアゾール部分、ナフトチアジアゾール部分、チエノピラジン部分、シラシクロペンタジチオフェン部分、オキサゾール部分、イミダゾール部分、ピリミジン部分、ベンズオキサゾール部分、またはベンズイミダゾール部分を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
第２のコモノマー繰り返し単位は、式（２）のベンゾチアジアゾール部分、式（３）のチアジアゾロキノキサリン部分、式（４）のシクロペンタジチオフェンジオキシド部分、式（５）のシクロペンタジチオフェンモノオキシド部分、式（６）のベンゾイソチアゾール部分、式（７）のベンゾチアゾール部分、式（８）のチオフェンジオキシド部分、式（９）のシクロペンタジチオフェンジオキシド部分、式（１０）のシクロペンタジチオフェンテトラオキシド部分、式（１１）のチエノチオフェン部分、式（１２）のチエノチオフェンテトラオキシド部分、式（１３）のジチエノチオフェン部分、式（１４）のジチエノチオフェンジオキシド部分、式（１５）のジチエノチオフェンテトラオキシド部分、式（１６）のテトラヒドロイソインドール部分、式（１７）のチエノチオフェンジオキシド部分、式（１８）のジチエノチオフェンジオキシド部分、式（１９）のフルオレン部分、式（２０）のシロール部分、式（２１）のシクロペンタジチオフェン部分、式（２２）のフルオレノン部分、式（２３）のチアゾール部分、式（２４）のセレノフェン部分、式（２５）のチアゾロチアゾール部分、式（２６）のシクロペンタジチアゾール部分、式（２７）のナフトチアジアゾール部分、式（２８）のチエノピラジン部分、式（２９）のシラシクロペンタジチオフェン部分、式（３０）のオキサゾール部分、式（３１）のイミダゾール部分、式（３２）のピリミジン部分、式（３３）のベンズオキサゾール部分、または式（３４）のベンズイミダゾール部分を含み、
【化１】
2013080962.tif 000001
2013080962.tif 000002
2013080962.tif 000003
ＸとＹの各々は独立して、ＣＨ２、Ｏ、またはＳであり、Ｒ５とＲ６の各々は独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ２０ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ハロ、ＣＮ、ＯＲ、Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）ＯＲ、またはＳＯ２Ｒであり、Ｒは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、Ｃ３−Ｃ２０シクロアルキル、またはＣ１−Ｃ２０ヘテロシクロアルキルであり、Ｒ７とＲ８の各々は独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、Ｃ３−Ｃ２０シクロアルキル、またはＣ３−Ｃ２０ヘテロシクロアルキルである請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記再結合層がｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料を含むか、ｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が１つの層に混合されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記電子供与体材料は、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタネン、ポリシクロペンタジチオフェン、ポリシラシクロペンタジチオフェン、ポリシクロペンタジチアゾール、ポリチアゾロチアゾール、ポリチアゾール、ポリベンゾチアジアゾール、ポリ（チオフェンオキシド）、ポリ（シクロペンタジチオフェンオキシド）、ポリチアジアゾロキノキサリン、ポリベンゾイソチアゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリチエノチオフェン、ポリ（チエノチオフェンオキシド）、ポリジチエノチオフェン、ポリ（ジチエノチオフェンオキシド）、ポリテトラヒドロイソインドール、およびそれらの共重合体からなる群から選択されるポリマーを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
電子受容体材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、炭素ナノロッド、無機ナノロッド、ＣＮ基を含むポリマー、ＣＦ３基を含むポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１のコモノマー繰り返し単位は、式（１）のシクロペンタジチオフェン部分または式（２９）のシラシクロペンタジチオフェン部分を含み、
【化２】
2013080962.tif 000004
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８の各々は独立して、Ｈ、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ、Ｃ３−Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ１−Ｃ２０ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ハロ、ＣＮ、ＯＲ、Ｃ（Ｏ）Ｒ、Ｃ（Ｏ）ＯＲ、またはＳＯ２Ｒであり、Ｒは、Ｈ、Ｃ１−Ｃ２０アルキル、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ、アリール、ヘテロアリール、Ｃ３−Ｃ２０シクロアルキル、またはＣ１−Ｃ２０ヘテロシクロアルキルである請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間にある第１光活性層と、
前記第２電極と前記第１光活性層の間にある第２光活性層と、
前記第１光活性層と前記第２光活性層の間にある第３、第４および第５の層とを備えるシステムであって、前記第５の層は前記第３の層と前記第４の層の間にあり、
前記第１光活性層または前記第２光活性層は、電子供与体材料および電子受容体材料を含み、
前記電子供与体材料または前記電子受容体材料は、第１のコモノマー繰り返し単位と、第１のコモノマー繰り返し単位とは異なる第２のコモノマー繰り返し単位とを有するポリマーを含み、
前記第１のコモノマー繰り返し単位は、シクロペンタジチオフェン部分、シラシクロペンタジチオフェン部分、シクロペンタジチアゾール部分、チアゾロチアゾール部分、チアゾール部分、ベンゾチアジアゾール部分、チオフェンオキシド部分、シクロペンタジチオフェンオキシド部分、ポリチアジアゾロキノキサリン部分、ベンゾイソチアゾール部分、ベンゾチアゾール部分、チエノチオフェン部分、チエノチオフェンオキシド部分、ジチエノチオフェン部分、ジチエノチオフェンオキシド部分、またはテトラヒドロイソインドール部分を含み、
前記システムは光起電力システムとして構成され、
前記第３、第４および第５の層は、使用時、前記第１光活性層と前記第２光活性層のうち一方で生成する電子と、前記第１光活性層と前記第２光活性層のうち他方で生成する正孔とが、前記第５の層で再結合するように構成されているシステム。