【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を果たすため、本発明の薄膜のパターニング方法の一態様は、所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する、ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記目的を果たすため、本発明の薄膜のパターニング方法の一態様は、所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、前記段差部に対応する領域と他の領域との間で結晶構造が異なるように前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記目的を果たすため、本発明の薄膜のパターニング方法の一態様は、所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、前記段差部に対応する領域と他の領域との間でドライエッチングでのエッチング速度が異なるように前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、を前記ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記目的を果たすため、本発明の表示パネルの製造方法の一態様は、クロムまたはクロム合金からなる金属層を有したソース・ドレイン電極を形成する工程と、所定の段差部が形成されるように且つ前記段差部のうちの少なくとも一部が前記ソース・ドレイン電極に重なるように絶縁層を形成する工程と、モリブデンまたはモリブデンを含有する合金からなる犠牲層をスパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層上に成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をフッ素系ガスと酸素とが混合されたガスをエッチングガスにしたドライエッチングにより連続して行う程と、燐酸と硝酸と酢酸と水とが混合された液をエッチング液にしたウェットエッチングにより、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部を除去する工程と、を有する、ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】液晶表示パネルの説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図。
【図２】薄膜トランジスタアレイの等価回路的平面図。
【図３】第１の基板に形成される多層膜における画素部分の拡大平面図。
【図４】図３におけるＡ―Ａ’線に沿う断面図。
【図５】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第１の基板に第１の導電層を成膜した状態の断面図。
【図６】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第１の導電層をパターニングした状態の断面図。
【図７】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第１の絶縁層、半導体層及びエッチング防止層を成膜した状態の断面図。
【図８】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、エッチング防止層をパターニングした状態の断面図。
【図９】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、オーミックコンタクト層及び第２の絶縁層を成膜した状態の断面図。
【図１０】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の導電層をパターニングした状態の断面図。
【図１１】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の絶縁膜上にフォトレジストをパターニングした状態の断面図。
【図１２】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の絶縁膜上にフォトレジストをパターニングした状態の平面図。
【図１３】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の絶縁層に段差を形成した状態の断面図。
【図１４】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の絶縁層上に犠牲層を成膜した状態の断面図。
【図１５】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、犠牲層上にフォト    レジストをパターニングした状態の断面図。
【図１６】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、犠牲層上にフォト    レジストをパターニングした状態の平面図。
【図１７】犠牲層における結晶構造の説明図。
【図１８】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、フォトレジスト及    び犠牲層をマスクにして第２の絶縁膜にコンタクトホールが形成された状態の断面図    。
【図１９】第１の基板に形成する薄膜の形成方法の説明図であり、第２の絶縁膜上に    第３の導電層を成膜した状態の断面図。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照して説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、アクティブマトリクス型の液晶表示パネル１は、第１の基板２と第２の基板３とが互いに対向するように配置されている。第１の基板２と第２の基板３とは、枠形状に形成されたシール材４により貼りあわされている。また、第１の基板２と第２の基板３との間には、シール材４に囲まれた領域に液晶が充填されることにより、液晶層５が形成されている。そして、液晶表示パネル１は、表示領域６に、複数の表示画素がマトリクス状に配列されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ここで、薄膜トランジスタ８は、スイッチング素子として機能し、例えばｎＭＯＳ型の薄膜トランジスタを用いることができる。走査線９は、薄膜トランジスタ８のゲート電極Ｇ１に対して薄膜トランジスタ８をオン／オフ制御するための走査信号を供給するためのものである。信号線１０は、薄膜トランジスタ８を介して画素電極７にデータ信号を供給するためのものである。そして、走査線９は第１の外部接続端子１２を介して走査ドライバに電気的に接続される。信号線１０は第２の外部接続端子１３を介して信号ドライバに電気的に接続される。補助容量線１１は第３の外部接続端子１４を介して対向電極駆動回路に電気的に接続されるとともにトランスファ電極１５を介して第２の基板３に形成された対向電極１６に電気的に接続される。即ち、補助容量線１１と対向電極１６とは互いに等しい電位に設定される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、第１の基板２に成膜される各薄膜の層構成について説明する。図３は、画素部分の拡大平面図であり、図４は、図３におけるＡ―Ａ’線に沿う断面図である。ガラス等の透明な部材からなる第１の基板２上には、第１の導電層として、走査線９及び補助容量線１１が形成されている。走査線９のうちの薄膜トランジスタ８に対応する領域は該薄膜トランジスタ８におけるゲート電極Ｇ１として形成されている。第１の導電層は、例えば、クロム、アルミニウム、モリブデン、チタン等の遮光性金属を材料にして形成されている。そして、第１の導電層は、透明な絶縁性の材料からなる第１の絶縁層２０により覆われている。第１の絶縁層２０は、ゲート絶縁膜としても機能するものであり、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ3Ｎ4）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料で形成されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第２の導電層は、透明な絶縁性の材料からなる第２の絶縁層２５により覆われている。第２の絶縁層２５は、薄膜トランジスタ８や信号線１０等によって生じる段差を平坦化する平坦化層としても機能し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ3Ｎ4）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料、または、ポリイミド系の樹脂またはアクリル系の樹脂等の有機材料で形成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、第１の導電層４０上にフォトレジストを塗布するとともに、露光及び現像によりこの塗布したフォトレジストをパターニングする。そして、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてこのフォトレジストから露出された部分の第１の導電層４０をエッチングし、その後、フォトレジストを剥離することにより、図６に示すように、パターニングされた第１の導電層４０として、走査線９及び補助容量線１１が形成される。なお、走査線９のうちの薄膜トランジスタ８に対応する領域は該薄膜トランジスタ８におけるゲート電極Ｇ１として形成される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、パターニングされた第１の導電層４０を覆うようにして、第１の基板２上に、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ3Ｎ4）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機絶縁材料をプラズマＣＶＤ法等により第１の絶縁層２０として成膜する。ここで、例えば、第１の絶縁層２０を窒化シリコンにより形成する場合、プロセスガスは、主原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）、副原料ガスとしてアンモニア（ＮＨ3）、希釈ガスとして窒素（Ｎ2）が用いられる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図７に示すように、第１の絶縁層２０上にプラズマＣＶＤ法等によりアモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半導体層２１を成膜し、その後、半導体層２１上に窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ3Ｎ4）等の無機絶縁材料をプラズマＣＶＤ法等によりエッチング防止層２４として成膜する。なお、第１の絶縁層２０、半導体層２１及びエッチング防止層２４は、連続的に成膜されることが好ましい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、パターニングされた第２の導電層４１を覆うようにして、第１の基板２上に、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ3Ｎ4）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機絶縁材料をプラズマＣＶＤ法等により第２の絶縁層２５として成膜する。本実施形態では、第２の絶縁層２５として窒化シリコン膜を成膜した場合について説明する。なお、第２の絶縁層２５は、無機材料で形成する場合に限定するものではなく、ポリイミド系の樹脂またはアクリル系の樹脂等の有機材料で形成してもよい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
そして、このようなドライエッチングの次に、フォトレジスト５１を剥離するとともに、残存している犠牲層２８をウェットエッチングにより除去する。このウェットエッチングでは、エッチング液として、燐酸、硝酸、酢酸及び水の混合液を用いれば、窒化シリコンからなる第２の絶縁層２５及びクロムからなる金属膜２３に対して影響を与えることなく犠牲層２８を除去することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、
スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、
前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をドライエッチングにより連続して行う工程と、
前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、
を有する、
ことを特徴とする薄膜のパターニング方法。
【請求項２】
前記犠牲層は、モリブデンまたはモリブデンを含有する合金からなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項３】
フッ素系ガスと酸素とが混合されたガスをエッチングガスにして前記ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項２に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングを行う工程の前に、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部がレジストマスクから露出するように前記犠牲層上に前記レジストマスクを形成する工程を有し、
前記ドライエッチングは、前記レジストマスクから露出された領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部が残存するように行うことを特徴とする請求項３に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項５】
前記絶縁層を形成する工程の前に、クロムまたはクロム合金からなる金属層を形成する工程を有し、
前記段差部は、少なくとも一部が前記金属層と重なるように形成されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項６】
燐酸と硝酸と酢酸と水とが混合された液をエッチング液にして前記ウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項５に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項７】
前記絶縁膜が窒化シリコンからなることを特徴とする請求項６に記載の薄膜のパターニング方法。
【請求項８】
所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、
前記段差部に対応する領域と他の領域との間で結晶構造が異なるように前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、
前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をドライエッチングにより連続して行う工程と、
前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、
を有する、
ことを特徴とする薄膜のパターニング方法。
【請求項９】
所定の段差部を有した絶縁層を形成する工程と、
前記段差部に対応する領域と他の領域との間でドライエッチングでのエッチング速度が異なるように前記絶縁層上に犠牲層を成膜する工程と、
前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、を前記ドライエッチングにより連続して行う工程と、
前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、
を有する、
ことを特徴とする薄膜のパターニング方法。
【請求項１０】
クロムまたはクロム合金からなる金属層を有したソース・ドレイン電極を形成する工程と、
所定の段差部が形成されるように且つ前記段差部のうちの少なくとも一部が前記ソース・ドレイン電極に重なるように絶縁層を形成する工程と、
モリブデンまたはモリブデンを含有する合金からなる犠牲層をスパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層上に成膜する工程と、
前記段差部に対応する領域における前記犠牲層のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層から露出された領域における前記絶縁層の除去と、をフッ素系ガスと酸素とが混合されたガスをエッチングガスにしたドライエッチングにより連続して行う程と、
燐酸と硝酸と酢酸と水とが混合された液をエッチング液にしたウェットエッチングにより、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層の少なくとも一部を除去する工程と、を有する、
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2011222688.tif 000001
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2011222688.tif 000002