【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを具備するＲＦ制御システム。
【請求項２】
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路をさらに具備する請求項１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３】
前記電力検出回路により決定された電力にしたがって、電力補償信号を発生させる電力増幅器電力調整回路をさらに具備する請求項２記載のＲＦ制御システム。
【請求項４】
前記電力検出回路からの出力信号と、電力セットポイント信号とを受け取って合計する電力加算器回路をさらに具備し、
前記電力加算器回路の出力は、前記電力調整回路に入力され、
前記電力補償信号は、前記電力加算器回路の出力にしたがって変化する請求項３記載のＲＦ制御システム。
【請求項５】
前記エネルギー検出回路からの出力信号と、エネルギーセットポイント信号とを受け取って合計するエネルギー加算器回路をさらに具備し、
前記エネルギー加算器回路の出力は、前記電力増幅器エネルギー調整回路に入力され、
前記電力増幅器エネルギー調整回路からの前記制御信号は、前記エネルギー加算器回路の出力にしたがって変化する請求項２記載のＲＦ制御システム。
【請求項６】
前記エネルギー加算器回路は、外部のエネルギー測定信号を受け取り、前記外部のエネルギー測定信号は、前記電力供給制御システムの外部のセンサにより出力される信号にしたがって変化する請求項５記載のＲＦ制御システム。
【請求項７】
前記電力供給制御システムの外部のセンサは、マッチングネットワークと前記負荷との間に位置付けられている請求項６記載のＲＦ制御システム。
【請求項８】
前記センサは、前記負荷に接続されているマッチングネットワークの前にある請求項１記載のＲＦ制御システム。
【請求項９】
前記ＲＦ信号は、連続波信号である請求項１記載のＲＦ制御システム。
【請求項１０】
前記ＲＦ信号は、パルス信号である請求項１記載のＲＦ制御システム。
【請求項１１】
前記ＲＦ信号は、シヌソイド信号と、前記シヌソイド信号を変調する変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記変調信号のエネルギーを決定して、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定する請求項１０記載のＲＦ制御システム。
【請求項１２】
前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される請求項１１記載のＲＦ制御システム。
【請求項１３】
前記変調信号は、方形波、のこぎり波、シヌソイド信号、または、これらの組み合わせのうちの少なくとも１つの形状を有する請求項１１記載のＲＦ制御システム。
【請求項１４】
高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーと、前記電力検出回路により決定された電力とにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを具備し、
前記ＲＦ信号は、第１の信号と、前記第１の信号を変調する第１の変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記第１の変調信号のエネルギーを決定して、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するＲＦ制御システム。
【請求項１５】
前記第１の変調信号は、第１の特徴的な部分と、第２の特徴的な部分とを含む請求項１４記載のＲＦ制御システム。
【請求項１６】
前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記第１の変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される請求項１５記載のＲＦ制御システム。
【請求項１７】
前記第１の特徴的な部分は、第１の数のブロックを含み、
前記第１の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第１の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される請求項１６記載のＲＦ制御システム。
【請求項１８】
前記第２の特徴的な部分は、第２の数のブロックを含み、
前記第２の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第２の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される請求項１７記載のＲＦ制御システム。
【請求項１９】
前記ＲＦ信号は、合成変調信号を規定するために前記第１の変調信号を変調する第２の変調信号をさらに含み、
前記合成変調信号は、前記第１の信号を変調する請求項１４記載のＲＦ制御システム。
【請求項２０】
前記合成変調信号は、第１の特徴的な部分と、第２の特徴的な部分とを含む請求項１９記載のＲＦ制御システム。
【請求項２１】
前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記合成変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される請求項２０記載のＲＦ制御システム。
【請求項２２】
前記第１の特徴的な部分は、第１の数のブロックを含み、
前記第１の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第１の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される請求項２１記載のＲＦ制御システム。
【請求項２３】
前記第２の特徴的な部分は、第２の数のブロックを含み、
前記第２の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第２の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される請求項２２記載のＲＦ制御システム。
【請求項２４】
高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
それぞれのＲＦ信号を負荷に出力する、複数の電力増幅器と、
ＲＦ供給調整モジュールとを具備し、
各電力増幅器は、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを備え、
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記それぞれのＲＦ電源間の位相を制御するＲＦ制御システム。
【請求項２５】
前記複数の電力増幅器のうちの少なくとも１つは、前記それぞれのセンサ信号にしたがって、前記それぞれのＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路をさらに備える請求項２４記載のＲＦ制御システム。
【請求項２６】
少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれの電力検出回路により決定された電力にしたがって、電力補償信号を発生させる電力増幅器電力調整回路をさらに備える請求項２５記載のＲＦ制御システム。
【請求項２７】
少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれの電力検出回路からの出力信号と、電力セットポイント信号とを受け取って合計する電力加算器回路をさらに備え、
前記電力加算器回路の出力は、前記それぞれの電力調整回路に入力され、
前記それぞれの電力補償信号は、前記それぞれの電力加算器回路の出力にしたがって変化する請求項２６記載のＲＦ制御システム。
【請求項２８】
少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれのエネルギー検出回路からの出力信号と、エネルギーセットポイント信号とを受け取って合計するエネルギー加算器回路をさらに備え、
前記それぞれのエネルギー加算器回路の出力は、前記それぞれの電力増幅器エネルギー調整回路に入力され、
前記それぞれの電力増幅器エネルギー調整回路からの前記制御信号は、前記それぞれのエネルギー加算器回路の出力にしたがって変化する請求項２５記載のＲＦ制御システム。
【請求項２９】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御する請求項２５記載のＲＦ制御システム。
【請求項３０】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、タイミング信号にしたがって、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御し、前記位相は、前記タイミング信号を基準として決定される請求項２５記載のＲＦ制御システム。
【請求項３１】
高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
それぞれのパルスＲＦ信号を負荷に出力する、複数の電力増幅器と、
ＲＦ供給調整モジュールとを具備し、
各電力増幅器は、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを備え、
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記それぞれのＲＦ電源を同期させるＲＦ制御システム。
【請求項３２】
それぞれのＲＦ信号は、それぞれの第１の信号と、前記それぞれの第１の信号を変調する、それぞれの変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記それぞれの変調信号のエネルギーを決定して、前記それぞれのＲＦ信号のエネルギーを決定する請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３３】
前記それぞれのエネルギー検出回路は、ブロックにおける前記それぞれの変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記それぞれのＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される請求項３２記載のＲＦ制御システム。
【請求項３４】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記複数の電力増幅器のそれぞれに対して、前記変調信号を同期させる請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３５】
前記変調信号は、方形波、のこぎり波、シヌソイド信号、指数、ガウス、または、これらの組み合わせのうちの少なくとも１つの形状を有する請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３６】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御する請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３７】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、タイミング信号にしたがって、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御し、前記位相は、前記タイミング信号を基準として決定される請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３８】
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記ＲＦ信号と、前記制御信号との間の位相をさらに制御する請求項３１記載のＲＦ制御システム。
【請求項３９】
前記制御信号は、前記ＲＦ信号の適用をやめて、前記ＲＦ信号の再始動は、予め定められているレベルか、または、前記制御信号が前記ＲＦ信号の適用をやめたときのレベルに戻っているレベルのうちの１つにおいて開始する請求項３８記載のＲＦ制御システム。
【請求項４０】
前記ＲＦ信号が再始動されるレベルは、前記ＲＦ信号の適用をやめたときに先立つ、予め定められている時間に対する前記ＲＦ信号のエネルギーにしたがって変化する請求項３９記載のＲＦ制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
これらの問題点は、改善されたプラズマ状態およびそれに続く表面反応の潜在的な利益にかかわらず、パルスＲＦシステムおよび大量生産の使用を限定し続ける。
【特許文献１】米国特許第５，１７５，４７２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，８５９，５０１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，４７２，８２２号明細書
【特許文献４】米国特許第６，７００，０９２号明細書
【特許文献５】米国特許第６，９７０，７００号明細書
【特許文献６】米国特許第７，１１５，１８５号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００９／０２１８３２４号明細書
【特許文献８】米国特許出願公開第２００９／０２９４０６１号明細書
【特許文献９】米国特許出願公開第２００９／０２９４２７５号明細書
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００９／０２９４４１４号明細書
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００９／０２９５２９５号明細書
【特許文献１２】米国特許出願公開第２００９／０２９５２９６号明細書
【特許文献１３】米国特許出願公開第２００９／０２９７４０４号明細書
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００９／０２９８２８７号明細書
【非特許文献１】M.Schaepkens, GS Oehrlein, JM Cook; "Effects of RF bias frequency and RF bias pulsing on SiO2 feature etching in IC fluorocarbon plasmas"; J.Vac.Sci.Tech B18(2) Mar/Apr 2000, pp.856-863
【非特許文献２】TL Vincent, LL Raja; "Optimal pulse shaping for plasma processing"; IEEE Trans on Control System Technology, Vol 12, No1, Jan 2004, pp.75-86.
【非特許文献３】A. Agarwal, P.Stout, S. Banna, S Rauf, K. Tokashiki, J-Y Lee, K.Collins, "Effect of simultaneous source and bias pulsing in inductively coupled plasma etching"; J. Applied Physics 106, 2009
【非特許文献４】S. Banna, A. Agarwal, K. Tokashiki, H. Cho, S. Rauf, V. Todorow, K. Ramaswamy, K. Collins, P. Stout, J.-Y. Lee, J. Yoon, K. Shin, S. Choi, H. Cho, H.-J. Kim, C. Lee, and D. Lymberopoulos; "Inductively-coupled pulsed plasmas in the presence of synchronous pulsed substrate bias for robust, reliable and fine conductor etching"; IEEE Trans. Plasma Sci. 37, 1730, 2009
【非特許文献５】Tomoyuki Kuroki, Shingo Tanaka, Masaaki Okubo, and Toshiaki Yamamoto; "CF4 Decompositon Using Low-Pressure Pulse-Modulated Radio Frequency Plasma"; JSME International Journal Series B Vol. 48(2005), No.3 Special Issue on Advanced Fusion of Functional Fluids Engineering pp. 440-447
【非特許文献６】O. Joubert; "Synchronized pulsed plasmas: potential process improvements for patterning technologies"; Proceedings of the 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7th International Conference on Reactive Plasmas; Paris France, October4-8 2010
【非特許文献７】M. Haass et al.: "Synchronous Plasma Pulsing for Etch Applications"; Proceedings of the 63rd Annual Gaseous Electronics Conference and 7the International Conference on Reactive Plasmas; Paris France, October 4-8 2010
【非特許文献８】Overzet, L.J., Leong-Rousey, F.Y.; "Time-resolved power impedance measurements of pulsed radio frequency discharges"; Plasma Sources Sci. Technology; 1995, Vol. 4, p.432-443
【非特許文献９】J.T. Verdeyen; J. Beberman, and L. Overset; "Modulated discharges: Effect on plasma parameters and deposition"; J. Vac. Sci. Technol. A:1990, Vol.8, No. 3, p. 1851-1856
【非特許文献１０】S. Samukaway and T. Mienoz; "Pulse-time modulated plasma discharge for highly selective, highly anisotropic and charge-free etching"; Plasma Sources Sci. Technology; 1996, Vol.5, p.132-138
【非特許文献１１】S. Ashida, M.R.Shim, and M.A.Lieberman; "Measurements of pulsed-power modulated argon plasmas in an inductively coupled plasma source"; J. Vac. Sci. Technol.A; 1996, Vol.14, No.2, p.391-397
【非特許文献１２】S Voronin, M Alexander, and JW Bradley: "Time-resolved RF-driven probe measurements of the plasma parameters in a pulsed RF argon discharge"; Meas. Sci. Tecnol. 15(2004)2375-2380
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
上述の実施形態は、実例および説明のために提供されている。それは、網羅的であるように、または開示を限定するように向けられていない。特定の実施形態の個々の要素または特徴は、一般に、その特定の実施形態に限定されないが、該当する場合、交換可能であり、たとえ、特に示されていなくても、または、特に説明されていなくても、選択される実施形態において使用され得る。同じものはまた、多くの方法で変化してもよい。このような変化は、本開示からの逸脱と考えるべきではなく、すべてのそのような修正は、本開示の範囲内に含まれるように向けられている。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを具備するＲＦ制御システム。
［２］前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路をさらに具備する上記［１］記載のＲＦ制御システム。
［３］前記電力検出回路により決定された電力にしたがって、電力補償信号を発生させる電力増幅器電力調整回路をさらに具備する上記［２］記載のＲＦ制御システム。
［４］前記電力検出回路からの出力信号と、電力セットポイント信号とを受け取って合計する電力加算器回路をさらに具備し、
前記電力加算器回路の出力は、前記電力調整回路に入力され、
前記電力補償信号は、前記電力加算器回路の出力にしたがって変化する上記［３］記載のＲＦ制御システム。
［５］前記エネルギー検出回路からの出力信号と、エネルギーセットポイント信号とを受け取って合計するエネルギー加算器回路をさらに具備し、
前記エネルギー加算器回路の出力は、前記電力増幅器エネルギー調整回路に入力され、
前記電力増幅器エネルギー調整回路からの前記制御信号は、前記エネルギー加算器回路の出力にしたがって変化する上記［２］記載のＲＦ制御システム。
［６］前記エネルギー加算器回路は、外部のエネルギー測定信号を受け取り、前記外部のエネルギー測定信号は、前記電力供給制御システムの外部のセンサにより出力される信号にしたがって変化する上記［５］記載のＲＦ制御システム。
［７］前記電力供給制御システムの外部のセンサは、マッチングネットワークと前記負荷との間に位置付けられている上記［６］記載のＲＦ制御システム。
［８］前記センサは、前記負荷に接続されているマッチングネットワークの前にある上記［１］記載のＲＦ制御システム。
［９］前記ＲＦ信号は、連続波信号である上記［１］記載のＲＦ制御システム。
［１０］前記ＲＦ信号は、パルス信号である上記［１］記載のＲＦ制御システム。
［１１］前記ＲＦ信号は、シヌソイド信号と、前記シヌソイド信号を変調する変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記変調信号のエネルギーを決定して、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定する上記［１０］記載のＲＦ制御システム。
［１２］前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される上記［１１］記載のＲＦ信号。
［１３］前記変調信号は、方形波、のこぎり波、シヌソイド信号、または、これらの組み合わせのうちの少なくとも１つの形状を有する上記［１１］記載のＲＦ信号。
［１４］高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーと、前記電力検出回路により決定された電力とにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを具備し、
前記ＲＦ信号は、第１の信号と、前記第１の信号を変調する第１の変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記第１の変調信号のエネルギーを決定して、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するＲＦ制御システム。
［１５］前記第１の変調信号は、第１の特徴的な部分と、第２の特徴的な部分とを含む上記［１４］記載のＲＦ制御システム。
［１６］前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記第１の変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される上記［１５］記載のＲＦ信号。
［１７］前記第１の特徴的な部分は、第１の数のブロックを含み、
前記第１の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第１の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される上記［１６］記載のＲＦ信号。
［１８］前記第２の特徴的な部分は、第２の数のブロックを含み、
前記第２の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第２の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される上記［１７］記載のＲＦ信号。
［１９］前記ＲＦ信号は、合成変調信号を規定するために前記第１の変調信号を変調する第２の変調信号をさらに含み、
前記合成変調信号は、前記第１の信号を変調する上記［１４］記載のＲＦ信号。
［２０］前記合成変調信号は、第１の特徴的な部分と、第２の特徴的な部分とを含む上記［１９］記載のＲＦ制御システム。
［２１］前記エネルギー検出回路は、ブロックにおける前記合成変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記ＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される上記［２０］記載のＲＦ信号。
［２２］前記第１の特徴的な部分は、第１の数のブロックを含み、
前記第１の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第１の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される上記［２１］記載のＲＦ信号。
［２３］前記第２の特徴的な部分は、第２の数のブロックを含み、
前記第２の数のブロックに対して決定されるエネルギーは、前記第２の特徴的な部分に対するエネルギーを決定するために加算される上記［１７］記載のＲＦ信号。
［２４］高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
それぞれのＲＦ信号を負荷に出力する、複数の電力増幅器と、
ＲＦ供給調整モジュールとを具備し、
各電力増幅器は、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを備え、
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記それぞれのＲＦ電源間の位相を制御するＲＦ制御システム。
［２５］前記複数の電力増幅器のうちの少なくとも１つは、前記それぞれのセンサ信号にしたがって、前記それぞれのＲＦ信号の電力を決定する電力検出回路をさらに備える上記［２４］記載のＲＦ制御システム。
［２６］少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれの電力検出回路により決定された電力にしたがって、電力補償信号を発生させる電力増幅器電力調整回路をさらに備える上記［２５］記載のＲＦ制御システム。
［２７］少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれの電力検出回路からの出力信号と、電力セットポイント信号とを受け取って合計する電力加算器回路をさらに備え、
前記電力加算器回路の出力は、前記それぞれの電力調整回路に入力され、
前記それぞれの電力補償信号は、前記それぞれの電力加算器回路の出力にしたがって変化する上記［２６］記載のＲＦ制御システム。
［２８］少なくとも１つの電力増幅器は、前記それぞれのエネルギー検出回路からの出力信号と、エネルギーセットポイント信号とを受け取って合計するエネルギー加算器回路をさらに備え、
前記それぞれのエネルギー加算器回路の出力は、前記それぞれの電力増幅器エネルギー調整回路に入力され、
前記それぞれの電力増幅器エネルギー調整回路からの前記制御信号は、前記それぞれのエネルギー加算器回路の出力にしたがって変化する上記［２５］記載のＲＦ制御システム。
［２９］前記ＲＦ供給調整モジュールは、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御する上記［２５］記載のＲＦ制御システム。
［３０］前記ＲＦ供給調整モジュールは、タイミング信号にしたがって、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御し、前記位相は、前記タイミング信号を基準として決定される上記［２５］記載のＲＦ制御システム。
［３１］高周波（ＲＦ）制御システムにおいて、
それぞれのパルスＲＦ信号を負荷に出力する、複数の電力増幅器と、
ＲＦ供給調整モジュールとを具備し、
各電力増幅器は、
ＲＦ信号を負荷に出力する電力増幅器と、
前記ＲＦ信号を監視し、前記ＲＦ信号に基づいて、センサ信号を発生させるセンサと、
前記センサ信号にしたがって、前記ＲＦ信号のエネルギーを決定するエネルギー検出回路と、
前記エネルギー検出回路により決定されたエネルギーにしたがって、前記ＲＦ信号を変化させるための制御信号を発生させる電力増幅器エネルギー調整回路とを備え、
前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記それぞれのＲＦ電源を同期させるＲＦ制御システム。
［３２］それぞれのＲＦ信号は、それぞれの第１の信号と、前記それぞれの第１の信号を変調する、それぞれの変調信号とを含み、
前記エネルギー検出回路は、前記それぞれの変調信号のエネルギーを決定して、前記それぞれのＲＦ信号のエネルギーを決定する上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３３］前記それぞれのエネルギー検出回路は、ブロックにおける前記それぞれの変調信号のエネルギーを決定し、
各ブロックは、予め定められている時間長であり、前記それぞれのＲＦ信号に対するエネルギーは、各ブロックに対して決定された前記エネルギーを加算することによって決定される上記［３２］記載のＲＦ制御システム。
［３４］前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記複数の電力増幅器のそれぞれに対して、前記変調信号を同期させる上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３５］前記変調信号は、方形波、のこぎり波、シヌソイド信号、指数、ガウス、または、これらの組み合わせのうちの少なくとも１つの形状を有する上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３６］前記ＲＦ供給調整モジュールは、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御する上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３７］前記ＲＦ供給調整モジュールは、タイミング信号にしたがって、それぞれの対のＲＦ電源間の位相を制御し、前記位相は、前記タイミング信号を基準として決定される上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３８］前記ＲＦ供給調整モジュールは、前記ＲＦ信号と、前記制御信号との間の位相をさらに制御する上記［３１］記載のＲＦ制御システム。
［３９］前記制御信号は、前記ＲＦ信号の適用をやめて、前記ＲＦ信号の再始動は、予め定められているレベルか、または、前記制御信号が前記ＲＦ信号の適用をやめたときのレベルに戻っているレベルのうちの１つにおいて開始する上記［３８］記載のＲＦ制御システム。
［４０］前記ＲＦ信号が再始動されるレベルは、前記ＲＦ信号の適用をやめたときに先立つ、予め定められている時間に対する前記ＲＦ信号のエネルギーにしたがって変化する上記［３９］記載のＲＦ制御システム。