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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記パルス信号生成手段は、前記ブリッジの前記接続点から前記三相電力系統に電流が流れている場合で、当該ブリッジの正極側の主スイッチを開放状態から導通状態に切り替えるオンスイッチング時、および、前記三相電力系統から前記ブリッジの前記接続点に電流が流れている場合で、当該ブリッジの正極側の主スイッチを導通状態から開放状態に切り替えるオフスイッチング時に、当該ブリッジの前記接続点と負極側の電位に固定されている相のブリッジの前記接続点とを前記リアクトルを介して互いに接続させるように前記補助回路を制御するパルス信号を生成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
各スイッチング素子Ｓ７〜Ｓ９はオン状態になったときに各相の出力ラインと各相の補助回路２２ｕ，２２ｖ，２２ｗとを導通させ、２以上のスイッチング素子がオン状態になったときに共振用リアクトルと共振用コンデンサとによる共振回路を形成する。各スイッチング素子Ｓ７〜Ｓ９のベース端子には、制御回路３から出力される補助回路パルス信号Ｐ’（後述）がそれぞれ入力される。各スイッチング素子Ｓ７〜Ｓ９は、各補助回路パルス信号Ｐ’に基づいて、オン状態とオフ状態とを切り替えられる。本実施形態では、補助回路パルス信号Ｐ’がローレベルの場合にスイッチング素子がオフ状態になり、補助回路パルス信号Ｐ’がハイレベルの場合にスイッチング素子がオン状態になる。例えば、スイッチング素子Ｓ７およびＳ８がオン状態になった場合、Ｕ相の出力ラインとＶ相の出力ラインとが、直列接続された共振用リアクトルＬ７および共振用リアクトルＬ８で接続された状態となる。この場合、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ４，またはＣ５と、直列接続された共振用リアクトルＬ７およびＬ８とで共振回路が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
補助回路２２は、制御回路３から入力される補助回路パルス信号Ｐ’に基づいて共振回路を形成して共振電流を流すことで、共振用コンデンサＣ１〜Ｃ６を放電させて各スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６の端子間電圧（スイッチング素子のエミッタ端子とコレクタ端子との間の電圧）をゼロにする。これにより、各スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６のスイッチングがゼロ電圧スイッチングとなり、ソフトスイッチングを実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
同図においては、Ｕ相がケース１−２でスイッチングする場合、すなわち、Ｕ相の出力電流の向きが正の向き（系統Ｂ側に向かう向き）のときに、オンスイッチング（正極側のスイッチング素子Ｓ１がオフ状態で負極側のスイッチング素子Ｓ４がオン状態から、スイッチング素子Ｓ１がオン状態でスイッチング素子Ｓ４がオフ状態に切り替えるスイッチング）を行うケースであり、当該オンスイッチングを行う時点で、すべての相の負極側のスイッチング素子Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６がオン状態である場合を示している。なお、Ｖ相が負極固定相の場合（すなわち、スイッチング素子Ｓ５がオン状態で固定されている場合）について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
なお、期間ｔ１の初めの方ではＰＷＭ信号Ｐｗのハイレベル期間がとても短くなり、立ち上がりと立ち下がりの間隔が狭くなるが、立ち上がり時には共振動作を行なう必要がないので、立ち下がり時のみ補助回路２２を制御すればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
なお、期間ｔ４の後ろの方ではＰＷＭ信号Ｐｕのハイレベル期間がとても短くなり、立ち上がりと立ち下がりの間隔が狭くなるが、立ち上がり時には共振動作を行なう必要がないので、立ち下がり時のみ補助回路２２を制御すればよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記パルス信号生成手段は、前記ブリッジの前記接続点から前記三相電力系統に電流が流れている場合で、当該ブリッジの正極側の主スイッチを開放状態から導通状態に切り替えるオンスイッチング時、および、前記三相電力系統から前記ブリッジの前記接続点に電流が流れている場合で、当該ブリッジの正極側の主スイッチを導通状態から開放状態に切り替えるオフスイッチング時に、当該ブリッジの前記接続点と負極側の電位に固定されている相のブリッジの前記接続点とを前記リアクトルを介して互いに接続させるように前記補助回路を制御するパルス信号を生成する、
請求項１または２に記載のインバータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源回路であって、
電源から負荷へ電力を供給する経路に配置され、前記経路を導通／遮断するためにオン状態とオフ状態との間で切り替わるスイッチ手段と、
前記スイッチ手段がオフ状態からオン状態へまたはオン状態からオフ状態へ切り替わるよう駆動する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、前記スイッチ手段をオフ状態からオン状態に移行させた直後の第１期間において、前記負荷に対する突入電流のピーク値を抑制するように予め定められたパルス状の駆動信号を前記スイッチ手段に供給し、前記第１期間に続く第２期間において、前記スイッチ手段をオン状態に維持するための駆動信号を前記スイッチ手段に供給することを特徴とする電源回路。
【請求項２】
前記第２期間における、前記スイッチ手段をオン状態に維持するための駆動信号とは、電圧値が一定の駆動信号であることを特徴とする請求項１に記載の電源回路。
【請求項３】
前記第１期間において前記制御手段から供給される前記パルス状の駆動信号はオンデューティ比が変更可能なＰＷＭ信号であり、該ＰＷＭ信号のオンデューティ比は、前記負荷が備える容量成分の容量値によって決定されることを特徴とした請求項１または２に記載の電源回路。
【請求項４】
前記制御手段は、前記負荷が備える容量成分の容量値が増加すると、前記ＰＷＭ信号のオンデューティ比を低下させるとともに、前記第１期間の長さを延長することを特徴とした請求項３に記載の電源回路。
【請求項５】
前記第１期間において前記制御手段から供給される前記パルス状の駆動信号はオンデューティ比が変更可能なＰＷＭ信号であり、前記制御手段は、前記第１期間において、前記オンデューティ比を時間の経過とともに段階的に増加させることを特徴とした請求項１に記載の電源回路。
【請求項６】
前記制御手段は、前記第１期間をｎ（ｎは２以上の自然数）個の期間に分割し、ｉ（ｉ＝２ないしｎの自然数）番目の期間のオンデューティ比は、ｉ−１番目の期間のオンデューティ比よりも大きくなるように、各期間のオンデューティ比を決定することを特徴とする請求項５に記載の電源回路。
【請求項７】
前記スイッチ手段は、
電源からの直流電圧が入力される入力電極と、
前記入力電極から入力された直流電圧を出力する出力電極と、
前記制御手段から出力された駆動信号が入力される制御電極と
を備え、
前記電源回路は、
前記入力電極と前記制御電極との間に接続されたコンデンサをさらに備え、
前記第１期間において前記制御手段から供給される前記パルス状の駆動信号はオンデューティ比が変更可能なＰＷＭ信号であり、
前記コンデンサの容量は、前記突入電流を抑制可能な前記コンデンサの容量と前記オンデューティ比との組み合わせのうちで最も小さい容量に設定されることを特徴とする請求項１に記載の電源回路。
【請求項８】
前記第１期間において前記制御手段から供給される前記パルス状の駆動信号はオンデューティ比が変更可能なＰＷＭ信号であり、
前記制御手段は、
前記負荷が備える容量成分の容量値を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された容量が相対的に大きければ前記オンデューティ比を相対的に小さく設定し、前記測定手段により測定された容量が相対的に小さければ前記オンデューティ比を相対的に大きく設定する設定手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電源回路。
【請求項９】
前記設定手段は、予め想定された最大の負荷容量に対応したオンデューティ比に対して、前記測定手段により測定された容量の逆数を乗算することで、前記駆動信号のオンデューティ比を決定することを特徴とする請求項８に記載の電源回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の電源回路は、
電源から負荷へ電力を供給する経路に配置され、前記経路を導通／遮断するためにオン状態とオフ状態との間で切り替わるスイッチ手段と、
前記スイッチ手段がオフ状態からオン状態へまたはオン状態からオフ状態へ切り替わるよう駆動する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、前記スイッチ手段をオフ状態からオン状態に移行させた直後の第１期間において、前記負荷に対する突入電流のピーク値を抑制するように予め定められたパルス状の駆動信号を前記スイッチ手段に供給し、前記第１期間に続く第２期間において、前記スイッチ手段をオン状態に維持するための駆動信号を前記スイッチ手段に供給することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ前記絶縁層の表面から露出する電極パッドが形成された配線基板であって、
前記絶縁層には、前記絶縁層の表面に形成された凹部と、前記凹部に埋め込むように形成された前記電極パッドと、前記電極パッドに接続される配線層が形成され、
前記電極パッドは、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部は平坦面を有し、前記平坦面の外縁から傾斜する傾斜面を有する突出部が形成され、前記平坦面と前記傾斜面との境界は角部を有している
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記凹部の壁面側の前記突出部の先端は略平坦な形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記電極パッドは、パッド本体と表面めっき層とを有し、前記配線層に接続される側の前記パッド本体の面は粗化面であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、
前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記支持体上に、前記電極パッドを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記電極パッドに接続される配線層を形成する工程と、
前記支持体及び前記調整層を除去する工程と、
を有し、
前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有し、前記平坦面と前記傾斜面との境界は角部を有する調整層を形成し、
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部の平坦面と、前記平坦面の外縁から傾斜する傾斜面を有する突出部と、を有し、前記絶縁層に形成された配線層に接続された電極パッドを形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持体及び前記調整層を除去する工程後、前記電極パッドに表面めっき層を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層上に表面めっき層を形成し、前記表面めっき層を含む前記電極パッドを形成することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する工程の前に、前記電極パッドの表面に粗化処理を施すことを特徴とする請求項４〜６の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記調整層は、めっきにより形成されることを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ前記絶縁層の表面から露出する電極パッドが形成された配線基板であって、前記絶縁層には、前記絶縁層の表面に形成された凹部と、前記凹部に埋め込むように形成された前記電極パッドと、前記電極パッドに接続される配線層が形成され、前記電極パッドは、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部は平坦面を有し、前記平坦面の外縁から傾斜する傾斜面を有する突出部が形成され、前記平坦面と前記傾斜面との境界は角部を有している。
また、配線基板の製造方法は、支持体上に配線基板の電極パッドの形成位置と対応する位置に開口を有するレジストを形成する工程と、前記レジストの開口に調整層を形成する工程と、前記調整層上に、電極パッドを形成する工程と、前記支持体上に、絶縁層と配線層を積層し、配線部材を形成する工程と、前記支持体及び前記調整層を除去する工程とを有する。前記調整層を形成する工程では、前記支持体に略平行な平坦面と、前記平坦面の外縁から前記支持体側の前記開口の側壁に向かって伸びる傾斜面とを有する調整層を形成し、前記電極パッドを形成する工程では、前記調整層に対応して、中央部が外縁部よりも窪んでいるとともに、前記中央部に平坦面を有する電極パッドを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
前記複数の画素の各々は、
半導体基板に形成された第１導電型の第１ウェルと前記第１ウェルの中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物領域とを含む光電変換素子と、
前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、
前記画素内読出回路は、前記第１導電型の第２ウェルに配置された回路素子を含み、
前記第１ウェルと前記第２ウェルとが前記第２導電型の半導体領域によって分離されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記回路素子は、容量素子を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記回路素子は、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記容量素子に供給する増幅回路を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記容量素子は、前記第２ウェルに形成された第１電極と、前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成された第２電極とを有する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１ウェルの最大深さは、前記第２ウェルの最大深さよりも深い、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１ウェルは、複数の前記第１導電型の半導体領域を積層した積層構造部を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１ウェルは、前記積層構造部の周囲を囲むように配置されていて前記積層構造部の最大深さよりも浅い最大深さを有する前記第１導電型の半導体領域を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
前記複数の画素の各々は、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域の中に配置された第１導電型の第３半導体領域とを含む光電変換素子と、
前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、
前記画素内読出回路は、前記第１半導体領域中に配置される前記第２導電型の第４半導体領域に配置された回路素子を含み、
前記第２半導体領域と前記第４半導体領域とが、前記第１半導体領域によって分離されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
前記回路素子は、容量素子を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記回路素子は、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記容量素子に供給する増幅回路を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置に係り、前記複数の画素の各々は、半導体基板に形成された第１導電型の第１ウェルと前記第１ウェルの中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物領域とを含む光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、前記画素内読出回路は、前記第１導電型の第２ウェルに配置された回路素子を含み、前記第１ウェルと前記第２ウェルとが前記第２導電型の半導体領域によって分離されている。
本発明の第２の側面は、複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置であって、前記複数の画素の各々は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域の中に配置された第１導電型の第３半導体領域とを含む光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、前記画素内読出回路は、前記第１半導体領域中に配置される前記第２導電型の第４半導体領域に配置された回路素子を含み、前記第２半導体領域と前記第４半導体領域とが、前記第１半導体領域によって分離されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
前記画素アレイは、固定電位に維持される導電体を有し、
各画素は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、
前記電荷電圧変換部の電圧を正のゲインで増幅した信号を出力線に出力する増幅部とを含み、
前記出力線は、前記導電体に対して前記電荷電圧変換部の少なくとも一部分を隠すように配置された遮蔽部を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、半導体基板に形成され、
前記導電体は、前記半導体基板に形成された不純物領域を含み、
前記出力線は、前記遮蔽部の少なくとも一部分を構成するように配置された第１配線パターンを含み、
前記電荷電圧変換部は、前記第１配線パターンの上に前記第１配線パターンに沿って配置された第２配線パターンを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記出力線は、前記遮蔽部の少なくとも一部分を構成するように第１層の配線層に配置された第１配線パターンを含み、
前記電荷電圧変換部は、前記第１層の配線層よりも上の層である第２層の配線層に前記第１配線パターンに沿って配置された第２配線パターンを含み、
前記固体撮像装置は、前記第２層の配線層よりも上の層である第３層の配線層に、開口部を有する第３配線パターンを含み、前記第２配線パターンは、平面視において前記開口部の中に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換素子は、半導体基板に形成され、
前記電荷電圧変換部は、第１層の配線層に配置された第１配線パターンと、前記光電変換素子と前記第１配線パターンとを接続するコンタクトとを含み、
各画素は、前記光電変換素子から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する転送部を更に含み、
前記出力線は、前記第１層の配線層に配置され前記第１配線パターンの少なくとも一部分と平行な部分を含む第２配線パターンと、前記第１層の配線層よりも上の層である第２層の配線層に配置された第３配線パターンと、前記第２配線パターンと前記第３配線パターンとを接続するビアとを含み、
前記導電体は、前記第２層の配線層よりも上の層である第３層の配線層に配置された第４配線パターンを含み、前記第３配線パターンが前記遮蔽部の少なくとも一部分を構成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置であって、
前記画素アレイは、固定電位に維持される導電体を有し、
各画素は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、
前記電荷電圧変換部の電圧を正のゲインで増幅した信号を出力ノードに出力する増幅部と、を含み、
前記出力ノードを構成する第１配線パターンの一部は、前記導電体の少なくとも一部と前記電荷電圧変換部の少なくとも一部との間に配置される、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
前記光電変換素子は、半導体基板に配され、
前記導電体は、前記半導体基板に配された不純物領域を含み、
前記電荷電圧変換部は、前記第１配線パターンの上に前記第１配線パターンに沿って配置された第２配線パターンを含む、ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１配線パターンは第１層の配線層に配置され、
前記電荷電圧変換部は前記第１層の配線層よりも上の層である第２層の配線層に前記第１配線パターンに沿って配置された第２配線パターンを含み、
前記固体撮像装置は、前記第２層の配線層よりも上の層である第３層の配線層に、開口部を有する第３配線パターンを含み、前記第２配線パターンは、平面視において前記開口部の中に配置されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記光電変換素子は、半導体基板に配され、
前記電荷電圧変換部は、第１層の配線層に配置された第２配線パターンと、前記光電変換素子と前記第２配線パターンとを接続するコンタクトとを含み、
前記第１配線パターンは、前記第１層の配線層に配置され前記第２配線パターンの少なくとも一部分と平行な部分を含む第３配線パターンと、前記第１層の配線層よりも上の層である第２層の配線層に配置された第４配線パターンと、前記第３配線パターンと前記第４配線パターンとを接続するビアとを含み、
前記導電体は、前記第２層の配線層よりも上の層である第３層の配線層に配置された第５配線パターンを含み、
前記第４配線パターンが前記第２配線パターンの少なくとも一部と前記第５配線パターンの少なくとも一部分との間に配される、
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記増幅部はソースフォロワ回路を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
放射線を可視光に変換するシンチレータを更に備え、
前記可視光は前記光電変換素子によって光電変換される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記画素アレイは、固定電位に維持される導電体を有し、各画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、
前記電荷電圧変換部の電圧を正のゲインで増幅した信号を出力線に出力する増幅部とを含み、前記出力線は、前記導電体に対して前記電荷電圧変換部の少なくとも一部分を隠すように配置された遮蔽部を有する。
本発明の第２の側面は、複数の画素が配列された画素アレイを有する固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記画素アレイは、固定電位に維持される導電体を有し、各画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記電荷電圧変換部の電圧を正のゲインで増幅した信号を出力ノードに出力する増幅部と、を含み、前記出力ノードを構成する第１配線パターンの一部は、前記導電体の少なくとも一部と前記電荷電圧変換部の少なくとも一部との間に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、現像処理用ブロック４の現像用熱処理部４１には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられている。さらに、インターフェースブロック５のエッジ露光部ＥＥＷの下方に基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
次に、図３を用いて、基板処理装置１００の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック２の反射防止膜用塗布処理部２００には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用処理ブロック３のレジスト膜用塗布処理部３００には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理用ブロック４の現像処理部４００には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理用ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック５の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出し、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
なお、現像処理装置ＤＥＶ（図３）の故障等により、現像処理用ブロック４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、現像処理用ブロック４の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部４００に搬入する。現像処理部４００においては、露光された基板Ｗに対して現像処理装置ＤＥＶ（図３）により現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部４００から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部４０に搬入する。現像用熱処理部４０において所定の熱処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部４０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック３に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
本実施の形態において、リンス液は純水であり、不活性ガスは窒素（Ｎ２）ガスである。なお、リンス液として、例えば純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）または有機系の液体等を用いてもよいし、不活性ガスとして、例えば窒素（Ｎ２）ガス、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を用いてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
時点ｔ３で基板Ｗの回転速度が例えば２００ｒｐｍに下降し、時点ｔ４で基板Ｗの回転速度が例えば５０ｒｐｍに下降する。続いて、時点ｔ５で、基板Ｗの回転が停止される。また、時点ｔ６で、現像液ノズル４２１からの現像液の吐出が停止される。なお、時点ｔ２〜ｔ６の期間において、現像液ノズル４２１は、現像液を吐出しながら基板Ｗの中心部の上方と周縁部の上方との間を移動する。現像液の吐出流量は、例えば４００ｍＬ／ｍｉｎで維持される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
具体例としては、処理対象となる基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合、液位置Ｐ１が中心部ＷＣから周縁部に向かって基板Ｗ半径の約半分の距離（７０ｍｍ程度）を移動するまでの間は、基板Ｗの回転速度を２０００ｒｐｍ以上に維持する。一方、液位置Ｐ１が中心部ＷＣから基板Ｗ半径の約半分の距離（７０ｍｍ程度）を超えて周縁部まで移動する間は、基板Ｗの回転を１５００ｒｐｍ以下まで減速する。これにより、リンス液と不活性ガスとを確実に干渉させるとともに安定して境界Ｂを形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置であって、
前記電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、
前記素子分離領域は、バンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜と、絶縁体膜
と、素子分離電極と、を含み、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記素子分離電極は、前記絶縁体膜によって前記素子分離領域に含まれる半導体膜と隔てられ、
前記素子分離電極は、電圧を印加することで、前記素子分離領域に含まれる半導体膜を電界効果を利用して高抵抗化させ、前記電子素子間を電気的に分離させるための電極であることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分とは、それぞれ、共通の半導体膜から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記素子分離領域に含まれる半導体膜は、金属酸化物半導体からなる膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記電子素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記素子分離領域に含まれる半導体膜と、前記薄膜トランジスタのチャネルを構成する半導体膜と、が同一の主成分材料及び同一の極性を有することを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置の素子分離方法であって、
前記電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、
前記素子分離領域は、バンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜と、絶縁体膜と、素子分離電極と、を含み、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記絶縁体膜によって前記素子分離領域に含まれる半導体膜と隔てられた前記素子分離電極に一定電圧を印加することにより、前記素子分離領域に含まれる半導体膜を電界効果を利用して高抵抗化し、前記電子素子間を電気的に分離することを特徴とする電子装置の素子分離方法。
【請求項７】
前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分とは、それぞれ、共通の半導体膜から構成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置の素子分離方法。
【請求項８】
それぞれが半導体膜を含む複数の電子素子と、前記複数の電子素子の間に位置する素子分離領域と、を備える電子装置の製造方法であって、
ゲート用端子を形成する工程と、
前記ゲート用端子の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にソース端子を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ソース端子の上にバンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の上に絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜の上であって前記ゲート用端子及び前記ソース端子が設けられていない素子分離領域に素子分離電極を形成する工程と、
を備え、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記電子素子に含まれる半導体膜と、前記素子分離領域に含まれる半導体膜と、は一体形成されることを特徴とする、電界効果型素子分離領域を有する電子装置の製造方法。
【請求項９】
表示素子と、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置と、を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子はエレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示素子は液晶セルであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明に係る電子装置は、
半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置であって、
前記電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、
前記素子分離領域は、バンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜と、絶縁体膜
と、素子分離電極と、を含み、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記素子分離電極は、前記絶縁体膜によって前記素子分離領域に含まれる半導体膜と隔てられ、
前記素子分離電極に電圧を印加して、電界効果を利用して前記素子分離領域に含まれる半導体膜を高抵抗化することで、前記電子素子間を電気的に分離させることを特徴とする電子装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る電子装置の素子分離方法は、
半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置の素子分離方法であって、
前記電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、
前記素子分離領域は、バンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜と、絶縁体膜と、素子分離電極と、を含み、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記絶縁体膜によって前記素子分離領域に含まれる半導体膜と隔てられた前記素子分離電極に一定電圧を印加することにより、前記素子分離領域に含まれる半導体膜を電界効果を利用して高抵抗化し、前記電子素子間を電気的に分離することを特徴とする電子装置の素子分離方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明に係る電子装置の製造方法は、
それぞれが半導体膜を含む複数の電子素子と、前記複数の電子素子の間に位置する素子分離領域と、を備える電子装置の製造方法であって、
ゲート用端子を形成する工程と、
前記ゲート用端子の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にソース端子を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ソース端子の上にバンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の上に絶縁体膜を形成する工程と、
前記絶縁体膜の上であって前記ゲート用端子及び前記ソース端子が設けられていない素子分離領域に素子分離電極を形成する工程と、
を備え、
前記半導体膜は、前記電子素子に含まれる部分と、前記素子分離領域に含まれる部分と、を有し、
前記電子素子に含まれる半導体膜と、前記素子分離領域に含まれる半導体膜と、は一体形成されることを特徴とする、電界効果型素子分離領域を有する電子装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原稿読取装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原稿台上に載置された原稿を読み取る原稿読取装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の目的は、読取手段を所定位置に移動させる時間を短縮することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明による原稿読取装置は、原稿台上に載置された原稿を読み取る原稿読取装置において、前記原稿台の下を所定方向に移動可能であり、前記原稿からの光を受光し画像信号を出力する読取手段と、前記所定方向における前記読取手段の位置を検出する検出手段と、前記読取手段を移動させるための駆動手段と、前記検出手段で検出された前記読取手段の位置に応じた速度により前記読取手段の位置を所定位置に移動せるように前記駆動手段を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記検出手段で検出された前記読取手段の位置が第１の位置である場合は、前記検出手段で検出された前記読取手段の位置が第２の位置である場合に比べて速い速度により前記読取手段を移動させ、前記所定位置から前記第１の位置までの距離は、前記所定位置から前記第２の位置までの距離より長いことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、検出手段で検出された読取手段の位置に応じた速度により読取手段の位置を所定位置に移動させることができる。よって、読取手段を所定位置に移動させる時間を短縮することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿台上に載置された原稿を読み取る原稿読取装置において、
前記原稿台の下を所定方向に移動可能であり、前記原稿からの光を受光し画像信号を出力する読取手段と、
前記所定方向における前記読取手段の位置を検出する検出手段と、
前記読取手段を移動させるための駆動手段と、
前記検出手段で検出された前記読取手段の位置に応じた速度により前記読取手段の位置を所定位置に移動せるように前記駆動手段を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記検出手段で検出された前記読取手段の位置が第１の位置である場合は、前記検出手段で検出された前記読取手段の位置が第２の位置である場合に比べて速い速度により前記読取手段を移動させ、
前記所定位置から前記第１の位置までの距離は、前記所定位置から前記第２の位置までの距離より長い
ことを特徴とする原稿読取装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記読取手段が原稿外領域に設けられた位置検出用目印を読み取ることにより得られた信号に基づき前記読取手段の位置を検出することを特徴とする請求項１記載の原稿読取装置。
【請求項３】
さらに、
基準部材と、
前記読取手段が前記基準部材を読み取ることにより得られた信号に基づきシェーディング補正条件を設定する設定手段とを有し、
前記制御手段は、前記読取手段が所定位置に移動された後に、該読取手段を前記基準部材の位置に移動させ、
前記読取手段は、前記読取手段が前記基準部材の位置に移動した後に、前記基準部材を読み取ることを特徴とする請求項１又は２記載の原稿読取装置。
【請求項４】
前記位置検出用目印は、前記所定方向に延びる平行線と、前記平行線分と交差する線とを有することを特徴とする請求項２記載の原稿読取装置。
【請求項５】
前記位置検出用目印は前記所定方向に延び、前記所定方向における位置に応じて濃度レベルが異なることを特徴とする請求項２記載の原稿読取装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記所定位置から前記検出手段で検出された前記読取手段の位置までの距離が所定距離より長い場合は、前記所定位置から前記検出手段で検出された前記読取手段の位置までの距離が所定距離より短い場合に比べて速い速度により前記読取手段を移動させ、
前記所定位置から前記第１の位置までの距離は、前記所定距離より長く、
前記所定位置から前記第２の位置までの距離は、前記所定距離より短い
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の原稿読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、所望のスルー画像を所望のテンプレートの枠に挿入して表示することにより、撮影時において、簡単な操作で撮影者にスルー画像を確認させることができる撮像装置とその制御方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る撮像装置は、撮像処理を実行することにより画像ファイルを生成する生成手段と、前記生成された画像ファイルを、テンプレートの複数の枠のうちの１つの枠に関連付けて記憶する記憶手段と、被写体を撮像することにより得られるスルー画像を、いずれの画像ファイルも未だ関連付けられていない前記複数の枠のすべてに挿入することにより、前記スルー画像を表示する表示手段と、所定の撮影者の操作に応答して、前記スルー画像が挿入されている前記複数の枠のうちから１つの枠を選択する選択手段とを備え、前記生成手段は、前記所定の撮影者の操作に応答して前記画像ファイルを生成し、前記記憶手段は、前記生成された画像ファイルを前記選択された１つの枠に関連付けて記憶することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、所望のスルー画像を所望のテンプレートの枠に挿入して表示することにより、撮影時において、簡単な操作で撮影者にスルー画像を確認させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像処理を実行することにより画像ファイルを生成する生成手段と、
前記生成された画像ファイルを、テンプレートの複数の枠のうちの１つの枠に関連付けて記憶する記憶手段と、
被写体を撮像することにより得られるスルー画像を、いずれの画像ファイルも未だ関連付けられていない前記複数の枠のすべてに挿入することにより、前記スルー画像を表示する表示手段と、
所定の撮影者の操作に応答して、前記スルー画像が挿入されている前記複数の枠のうちから１つの枠を選択する選択手段とを備え、
前記生成手段は、前記所定の撮影者の操作に応答して前記画像ファイルを生成し、
前記記憶手段は、前記生成された画像ファイルを前記選択された１つの枠に関連付けて記憶することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示手段は、前記記憶手段により記憶された画像ファイルを、前記画像ファイルに関連付けられた枠に挿入することにより、更に表示することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像処理は、フォーカス処理又は露出調整処理を含む請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記選択された１つの枠のアスペクト比に基づいて、前記画像ファイルに対してトリミング処理を実行するトリミング手段を更に備え、
前記記憶手段は、前記画像ファイルのトリムされた領域も更に関連付けて記憶することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記選択された１つの枠のアスペクト比に基づいて、前記撮像処理により得られる前記画像ファイルにアスペクト比を設定する設定手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記選択手段による前記枠の選択が所定時間内に行われないとき、警告を実行する警告手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像装置の制御方法であって、
撮像処理を実行することで画像ファイルを生成する生成工程と、
前記生成された画像ファイルを、テンプレートの複数の枠のうちの１つの枠に関連付けて記憶する記憶工程と、
被写体を撮像することで得られるスルー画像を、いずれの画像ファイルも未だ関連付けられていない前記複数の枠のすべてに挿入することで、前記スルー画像を表示する表示工程と、
所定の撮影者の操作に応答して、前記スルー画像が挿入されている前記複数の枠のうちから１つの枠を選択する選択工程とを備え、
前記生成工程は、前記所定の撮影者の操作に応答して前記画像ファイルを生成し、
前記記憶工程は、前記生成された画像ファイルを前記選択された１つの枠に関連付けて記憶することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項８】
撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記制御方法は、
撮像処理を実行することで画像ファイルを生成する生成工程と、
前記生成された画像ファイルを、テンプレートの複数の枠のうちの１つの枠に関連付けて記憶する記憶工程と、
被写体を撮像することで得られるスルー画像を、いずれの画像ファイルも未だ関連付けられていない前記複数の枠のすべてに挿入することで、前記スルー画像を表示する表示工程と、
所定の撮影者の操作に応答して、前記スルー画像が挿入されている前記複数の枠のうちから１つの枠を選択する選択工程とを備え、
前記生成工程は、前記所定の撮影者の操作に応答して前記画像ファイルを生成し、
前記記憶工程は、前記生成された画像ファイルを前記選択された１つの枠に関連付けて記憶することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、
前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口部とを有し、
前記複数の画素は、第１画素及び第２画素を含み、
前記第１画素の前記光電変換素子の平面視における面積は、前記第２画素の前記光電変換素子の平面視における面積よりも大きく、
前記第１画素の前記遮光部の面積は、前記第２画素の前記遮光部の面積よりも大きい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対する前記開口部の面積は互いに等しいことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記開口部は周期的に配置された複数の開口であることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記開口部の形状は十字型であることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記開口部の形状は矩形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記固体撮像装置は前記複数の画素から出力される信号を読み出すための走査回路を備え、
前記走査回路は前記第２画素に配されており、前記第１画素に配されていない
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素において、前記光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど前記遮光部の面積が大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一つの側面に係る固体撮像装置は、光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、前記光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置であって、前記遮光層は、前記複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、前記入射光の別の一部分を通すための開口部とを有し、前記複数の画素は、第１画素及び第２画素を含み、前記第１画素の前記光電変換素子の平面視における面積は、前記第２画素の前記光電変換素子の平面視における面積よりも大きく、前記第１画素の前記遮光部の面積は、前記第２画素の前記遮光部の面積よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
画素２０１は、隣接する複数の画素２０１の光信号を加算する加算スイッチ３４６を有してもよい。加算モード時には、加算モード信号ＡＤＤがアクティブレベルになり、加算スイッチ３４６がオン状態になる。これにより、隣接する画素２０１の容量３４２が加算スイッチ３４６によって相互に接続されて、光信号が平均化される。同様に、画素２０１は、隣接する複数の画素２０１のノイズ信号を加算する加算スイッチ３６６を有してもよい。加算スイッチ３６６がオン状態になると、隣接する画素２０１の容量３６２が加算スイッチ３６６によって相互に接続されて、ノイズが平均化される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの呼を受けるＣＴＩサーバと、ＲＤＢサーバと、操作端末と接続されるＷｅｂサーバと、を含むコールセンタシステムであって、
前記ＣＴＩサーバは受けた呼に含まれる発呼者番号を抽出したのち、前記発呼者番号を前記操作端末に出力し、
前記操作端末から前記発呼者番号の送信を受けた前記ＲＤＢサーバが蓄積している支店情報テーブルから前記発呼者番号に関わる支店情報を抽出し、前記発呼者番号の送信を行った前記操作端末に抽出した前記支店情報を出力することを特徴とするコールセンタシステム。
【請求項２】
外部からの呼を受けるＣＴＩサーバと、ＲＤＢサーバと、操作端末と接続されるＷｅｂサーバと、を含むコールセンタシステムであって、
前記操作端末から前記発呼者番号の送信を受けた前記ＲＤＢサーバが蓄積している支店情報テーブルから前記発呼者番号に関わる支店情報を抽出し、前記発呼者番号の送信を行った前記操作端末に抽出した前記支店情報を出力するために、受けた呼に含まれる前記発呼者番号を抽出したのち、前記発呼者番号を前記操作端末に出力することを特徴とするＣＴＩサーバ。
【請求項３】
外部からの呼を受けるＣＴＩサーバと、ＲＤＢサーバと、操作端末と接続されるＷｅｂサーバと、を含むコールセンタシステムであって、
前記ＣＴＩサーバが受けた呼に含まれる発呼者番号を抽出したのち、前記発呼者番号が出力され、
前記発呼者番号の送信を受けた前記ＲＤＢサーバが蓄積している支店情報テーブルから前記発呼者番号に関わる支店情報を抽出し、該抽出した前記支店情報が出力されることを特徴とする操作端末。
【請求項４】
外部からの呼を受けるＣＴＩサーバと、ＲＤＢサーバと、操作端末と接続されるＷｅｂサーバと、を含むコールセンタシステムにおいて、
前記ＣＴＩサーバが受けた呼に含まれる発呼者番号を抽出する手段と、
前記発呼者番号を前記操作端末に出力する手段と、
前記操作端末から前記発呼者番号の送信を受けた前記ＲＤＢサーバが蓄積している支店情報テーブルから前記発呼者番号に関わる支店情報を抽出する手段と、
前記発呼者番号の送信を行った前記操作端末に前記抽出した前記支店情報を出力する手段と、
を有することを特徴とするコールセンタシステムの情報取得方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コールセンタシステム、CTIサーバ、操作端末及びコールセンタシステムの情報取得方法