【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線モニタであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、複数の電荷トラップを含む、前記埋め込み絶縁体層と、
前記埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、
前記半導体層上に配置された第２の絶縁体層と、
前記第２の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された１つ又は複数の側面コンタクトと、
前記半導体基板に電気的に接続された裏面コンタクトであって、前記裏面コンタクトは放射線曝露中、バックゲート電圧を受け取るように構成されており、前記バックゲート電圧は前記放射線曝露に応答して、前記埋め込み絶縁体層における前記電荷トラップの量をトラップするように構成されている前記埋め込み絶縁体層にわたる正のバイアスを含み、前記埋め込み絶縁体層における前記荷電トラップ中にトラップされた正電荷の量が前記放射線曝露の量を決定するために使用される、前記裏面コンタクトと
を備えている、前記放射線モニタ。
【請求項２】
前記埋め込み絶縁体層の１ｃｍ３当たりの電荷トラップ数は、１×１０１７〜１×１０１８である、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項３】
前記半導体基板の厚さは、８００ミクロンより薄い、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項４】
前記半導体基板は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、又はヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のうちの１つを含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項５】
前記埋め込み絶縁体層の厚さは、５００オングストローム〜２０００オングストロームである、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項６】
前記埋め込み絶縁体層の厚さは、１４００オングストローム〜１６００オングストロームである、請求項５に記載の放射線モニタ。
【請求項７】
前記埋め込み絶縁体層は、酸化シリコン又は窒化シリコンのうちの一方を含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項８】
前記第２の絶縁体層の厚さは、５オングストローム〜５０オングストロームである、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項９】
前記第２の絶縁体層の誘電率は４を下回る、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１０】
前記第２の絶縁体層は、酸化物、酸化シリコン、又は窒化シリコンのうちの１つを含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１１】
前記ゲート導体層は、ポリシリコン、金属、又はシリサイドのうちの１つを含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１２】
前記１つ又は複数の側面コンタクトは、注入シリコン、シリサイド、又は金属のうちの１つを含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１３】
前記ゲート導体と前記１つ又は複数の側面コンタクトのうちの少なくとも１つとの間の容量をさらに含み、前記容量は、前記埋め込み絶縁体層内にトラップされた電荷量の関数として変化する、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１４】
前記放射線は、イオン化放射線、陽子ビーム、Ｘ線、光子、ガンマ線、又は中性子ビーム放射線のうちの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１５】
前記ゲート導体層に電気的に接続された１つ又は複数のインダクタをさらに備えており、前記１つ又は複数のインダクタ、並びに前記１つ又は複数の側面コンタクトのうちの少なくとも１つは、共振周波数を有する共振回路を形成する、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１６】
前記共振周波数は、前記埋め込み絶縁体層においてトラップされた電荷量の関数として変化する、請求項１５に記載の放射線モニタ。
【請求項１７】
前記半導体デバイスを身体内に配置して、前記身体が被曝した放射線量を求める、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項１８】
前記半導体デバイスは、医用画像形成の際に受けた放射線量を求める、請求項１７に記載の放射線モニタ。
【請求項１９】
前記半導体デバイスは、前記身体内の腫瘍が被曝した放射線量を求める、請求項１７に記載の放射線モニタ。
【請求項２０】
放射線の空間的分布を求めるための、アレイ状に配置された複数の半導体デバイスをさらに含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項２１】
前記アレイは、線形アレイ、２次元アレイ、又は３次元アレイのうちの１つである、請求項２０に記載の放射線モニタ。
【請求項２２】
前記複数の半導体デバイスの第１のものは、前記複数の半導体デバイスの第２のものとは異なる方向からの放射線を検出するように構成される、請求項２０に記載の放射線モニタ。
【請求項２３】
前記異なる方向は、直角である、請求項２２に記載の放射線モニタ。
【請求項２４】
前記半導体デバイスと前記放射線の供給源との間に配置された１つ又は複数のフィルタ層をさらに含み、前記フィルタ層は、前記放射線の一部が前記半導体デバイスを透過するのを防止するか、或いは入射放射線のタイプに対する前記半導体デバイスの感度をより大きく又は小さくするように構成される、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項２５】
前記半導体基板上に配置された第２のデバイスをさらに含む、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項２６】
前記半導体デバイスは、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、コンピュータ、電子機器の一部分、自動車、建物、エアフィルタ、クレジットカード、パスポート、運転免許証、紙、封筒、食物、食品雑貨店、又はセキュリティ・バッジのうちの１つの中に組み込まれる、請求項１に記載の放射線モニタ。
【請求項２７】
放射線モニタリングのための方法であって、
放射線モニタにバックゲート電圧を印加するステップであって、前記放射線モニタは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及び埋め込み絶縁体層を備えており、前記バックゲート電圧は前記埋め込み絶縁体層にわたる正のバイアスを含む、前記印加するステップと、
前記放射線モニタを放射線に曝露するステップと、
前記放射線曝露に応答して、前記バックゲート電圧による前記埋め込み絶縁体層における複数の荷電トラップにおける正電荷の量をトラップするステップと、
前記放射線モニタの閾値電圧の変化を求めるステップと、
前記閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めるステップと
を含む、前記方法。
【請求項２８】
前記閾値電圧の変化を求めるステップは、負のバイアスを含む読み出し電圧を前記放射線モニタのゲート導体に印加するステップを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記バックゲート電圧は、前記放射線モニタの半導体基板に電気的に接続された裏面コンタクトに印加される、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記放射線モニタは、半導体層によって分離された埋め込み絶縁体層及びゲート絶縁体層を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記半導体層の厚さは、４０ナノメートルより薄い、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記半導体層は、非ドープ・シリコンを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記閾値電圧は、前記埋め込み絶縁体層においてトラップされた前記正電荷の量に基づいて変化する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記ＦＥＴ放射線モニタは、ｎチャネルＦＥＴを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記放射線モニタのゲート導体と側面コンタクトとの間の容量の変化を求めるステップと、
前記容量の変化に基づいて前記閾値電圧の変化を求めるステップと
をさらに含む、請求項２７に記載の方法。