【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、
周期的な引き上げ速度を、目標引き上げ速度と修正速度との和を含む平均引き上げ速度に重ね合わせることによって、前記引き上げ速度を調節するステップと、
前記重ね合わせた周期的な引き上げ速度への応答に一部基づいて、前記半導体結晶中および前記融液中の温度勾配を評価するステップと、
を具えることを特徴とする半導体結晶成長方法。
【請求項２】
前記結晶の直径の変調として、前記周期的な引き上げ速度の変調への応答を検出するステップをさらに具える請求項１に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項３】
所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、
周期的な引き上げ速度を、目標引き上げ速度と修正速度との和を含む平均引き上げ速度に重ね合わせることによって、前記引き上げ速度を調節するステップと、
前記結晶の直径の変化として、前記周期的な引き上げ速度の変調への応答を検出するステップと、
前記結晶の直径の変化に基づいて、前記融液中および前記結晶中の結晶成長フロントに対する熱勾配を決定するステップと、
を具えることを特徴とする半導体結晶成長方法。
【請求項４】
前記決定された熱勾配に基づいて、前記目標引き上げ速度または融液ギャップの少なくとも一つを含む、関連するプロセスパラメータを調整するステップをさらに具える請求項３に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項５】
前記検出された直径の変調から推測される前記融液中のメニスカス高さの変化として、前記周期的な引き上げ速度の変調への応答を検出するステップをさらに具える請求項２に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項６】
所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、
周期的な引き上げ速度を、目標引き上げ速度と修正速度との和を含む平均引き上げ速度に重ね合わせることによって、前記引き上げ速度を調節するステップと、
検出された直径の変調から推測される前記融液中のメニスカス高さの変化として、前記周期的な引き上げ速度の変調への応答を検出するステップと、
前記メニスカス高さの変化に基づいて、前記融液中および前記結晶中の結晶成長フロントに対する熱勾配を決定するステップと、
を具えることを特徴とする半導体結晶成長方法。
【請求項７】
前記決定された熱勾配に基づいて、前記目標引き上げ速度または融液ギャップの少なくとも一つを含む、関連するプロセスパラメータを調整するステップをさらに具える請求項６に記載の半導体結晶成長方法。
【請求項８】
融液を保持するためのルツボと、
該ルツボから所定の引き上げ速度で結晶を引き上げるよう配置された結晶引き上げユニットと、
該結晶引き上げユニットと連結された制御ユニットであって、周期的な引き上げ速度を、目標引き上げ速度と修正速度との和を含む平均引き上げ速度に重ね合わせることによって、前記引き上げ速度が前記平均引き上げ速度に関して調節されるよう、前記結晶引き上げユニットに制御信号を適用することによって、前記引き上げ速度を制御するための制御ユニットと、
を具え、前記制御ユニットは、前記重ね合わせた周期的な引き上げ速度への応答に一部基づいて、前記半導体結晶中および前記融液中の温度勾配を評価するように構成されることを特徴とする半導体結晶成長装置。
【請求項９】
前記制御ユニットに連結され、前記結晶の直径を測定するよう構成された結晶直径センサであって、前記結晶の直径の変化として、前記引き上げ速度の変調への応答を検出することを含む結晶直径センサをさらに具える請求項８に記載の半導体結晶成長装置。
【請求項１０】
融液を保持するためのルツボと、
該ルツボから所定の引き上げ速度で結晶を引き上げるよう配置された結晶引き上げユニットと、
該結晶引き上げユニットと連結された制御ユニットであって、周期的な引き上げ速度を、目標引き上げ速度と修正速度との和を含む平均引き上げ速度に重ね合わせることによって、前記引き上げ速度が前記平均引き上げ速度に関して調節されるよう、前記結晶引き上げユニットに制御信号を適用することによって、前記引き上げ速度を制御するための制御ユニットと、
該制御ユニットに連結され、前記結晶の直径を測定するよう構成された結晶直径センサであって、前記結晶の直径の変化として、前記引き上げ速度の変調への応答を検出することを含む結晶直径センサと、
を具え、
前記制御ユニットは、前記結晶の直径の変化に基づいて前記融液中および前記結晶中の結晶成長フロントに対する熱勾配を決定するよう構成されることを特徴とする半導体結晶成長装置。
【請求項１１】
前記制御ユニットは、前記決定された熱勾配に基づいて、前記引き上げ速度を調整するよう構成される請求項１０に記載の半導体結晶成長装置。
【請求項１２】
前記制御ユニットは、
データおよび命令をストアするためのメモリと、
前記ストアされたデータおよび命令に応答して動作可能な処理ユニットであって、前記引き上げ速度および該引き上げ速度の変調を決定し、前記結晶引き上げユニットに対する前記制御信号を作り出すための処理ユニットと
を具える請求項８に記載の半導体結晶成長装置。
【請求項１３】
前記制御ユニットとデータ通信する１以上のセンサであって、引き上げ速度変調応答を検出し、該引き上げ速度調節応答のデータ表示を前記制御ユニットへ提供するためのセンサをさらに具える請求項１２に記載の半導体結晶成長装置。
【請求項１４】
前記メモリにストアされた適用であって、前記目標引き上げ速度または融液ギャップの少なくとも一つを含む、関連するシステムパラメータへの修正を決定するための前記引き上げ速度変調応答の前記データ表示に応答する命令を含む適用をさらに具える請求項１３に記載の半導体結晶成長装置。
【請求項１５】
公称引き上げ速度信号を発生するステップと、
該公称引き上げ速度信号に応答して、ルツボ中の融液から公称引き上げ速度で結晶を引き上げるステップと、
該結晶の直径を測定するステップと、
該測定された直径に基づいて引き上げ速度修正信号を発生し、該引き上げ速度修正信号を前記公称引き上げ速度信号と組み合わせるステップと、
前記公称引き上げ速度を所定の周波数の周期的な信号と重ね合わせるステップと、
前記所定の周波数の重ね合わせた周期的な信号への応答に一部に基づいて、前記結晶中および前記融液中の温度勾配を評価するステップと、
ルツボ持ち上げ信号を調整することによって前記結晶中の前記温度勾配を修正するステップと、
を具えることを特徴とする半導体結晶成長方法。
【請求項１６】
前記測定された直径に基づいて、前記所定の周波数の周期的な信号に基づく周期的な要素を有する直径測定信号を作り出すステップと、
直径制御入力信号を作り出すために、前記直径測定信号から前記所定の周波数の周期的な信号の前記所定の周波数をフィルタリングするステップと、
前記直径制御入力信号に基づいて、前記引き上げ速度修正信号を作り出すステップと、
をさらに具える請求項１５に記載の半導体結晶製造方法。
【請求項１７】
前記直径測定信号に基づいて、信号の振幅および時間的推移を評価するステップと、
前記所定の周波数の周期的な信号の前記所定の周波数および振幅、並びに、前記評価された信号の振幅および時間的推移に基づいて、前記温度勾配を評価するステップと、
前記評価された温度勾配に基づいて、前記ルツボ持ち上げ信号への修正を作り出すステップと、
をさらに具える請求項１６に記載の半導体結晶製造方法。