【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを接合膜を介して接合する接合方法であって、
シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合し、有機基からなる脱離基とを含む接合膜を、プラズマ重合により前記第１の基板上に形成することにより接合膜付き基材を得る第１の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の少なくとも表面および表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離することにより、前記接合膜の表面に前記第２の基板との接着性を発現させる第２の工程と、
前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせることにより仮接合体を得る第３の工程と、
前記仮接合体を、前記第２の工程における前記接合膜にエネルギーを付与する際の雰囲気の温度よりも高温で加熱することによって接合体を得る第４の工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、前記接合膜にエネルギーを付与する際の雰囲気の温度は、２５℃以上、８０℃未満である請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記第１の基板上に前記接合膜を成膜する際の成膜温度は、前記第４の工程における仮接合体の加熱温度よりも低い請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記接合膜を成膜する成膜温度は、２５℃以上、８０℃未満である請求項３に記載の接合方法。
【請求項５】
前記第３の工程において、前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせる際の雰囲気の温度は、前記第４の工程における仮接合体の加熱温度よりも低い請求項１ないし４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項６】
前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせる際の雰囲気の温度は、２５℃以上、８０℃未満である請求項５に記載の接合方法。
【請求項７】
前記第４の工程において、前記仮接合体を加熱する温度は、８０℃以上、２００℃以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記接合膜は、該接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０原子％以上、９０原子％以下のものである請求項１ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７以上、７：３以下である請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
前記接合膜は、Ｓｉ−Ｈ結合を含んでいる請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１２】
前記Ｓｉ−Ｈ結合を含む接合膜についての赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピーク強度を１としたとき、Ｓｉ−Ｈ結合に帰属するピーク強度が０．００１以上、０．２以下である請求項１１に記載の接合方法。
【請求項１３】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１４】
前記脱離基としてメチル基を含む接合膜についての赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピーク強度を１としたとき、メチル基に帰属するピーク強度が０．０５以上、０．４５以下である請求項１３に記載の接合方法。
【請求項１５】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを含む請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１６】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を含む請求項１５に記載の接合方法。
【請求項１７】
前記接合膜の平均厚さは、１ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である請求項１ないし１６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１８】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１９】
前記第１の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板の双方に前記接合膜を形成する請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記第２の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板に形成された前記接合膜の双方にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面に前記第２の基板との接着性を発現させる請求項１９に記載の接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、第１の基板と第２の基板とを接合膜を介して接合する接合方法であって、
シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合し、有機基からなる脱離基とを含む接合膜を、プラズマ重合により前記第１の基板上に形成することにより接合膜付き基材を得る第１の工程と、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の少なくとも表面および表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離することにより、前記接合膜の表面に前記第２の基板との接着性を発現させる第２の工程と、
前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせることにより仮接合体を得る第３の工程と、
前記仮接合体を、前記第２の工程における前記接合膜にエネルギーを付与する際の雰囲気の温度よりも高温で加熱することによって接合体を得る第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板（基板）と第２の基板（対向基板）とを、プラズマ重合により形成された接合膜を介して、高い寸法精度で強固に、かつ短時間で効率よく接合することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の接合方法では、前記第１の工程において、前記第１の基板上に前記接合膜を成膜する際の成膜温度は、前記第４の工程における仮接合体の加熱温度よりも低いことが好ましい。
これにより、第４の工程において仮接合体を加熱した際に、接合膜中に形成されている活性手が失活することに起因して、このものの接合強度が向上する接合膜を確実に形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の接合方法では、前記第３の工程において、前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせる際の雰囲気の温度は、前記第４の工程における仮接合体の加熱温度よりも低いことが好ましい。
これにより、接合膜付き基材と第２の基板（対向基板）とを貼り合わせる前に、接合膜の表面に活性化させることにより生じた活性手が、膜中に存在するもの同士で結合し、失活化してしまうことに起因して、接合膜の表面に発現した接着性が消失するのを的確に防止または抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の接合方法では、前記接合膜付き基材と前記第２の基板とを貼り合わせる際の雰囲気の温度は、２５℃以上、８０℃未満であることが好ましい。
これにより、接合膜付き基材と第２の基板（対向基板）とを貼り合わせる前に、接合膜の表面に活性化させることにより生じた活性手が、膜中に存在するもの同士で結合し、失活化してしまうことに起因して、接合膜の表面に発現した接着性が消失するのを的確に防止または抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の接合方法では、前記第２の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板に形成された前記接合膜の双方にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面に前記第２の基板との接着性を発現させることが好ましい。
これにより、第１の基板（基板）および第２の基板（対向基板）の種類によらず、２つの接合膜を介して確実に第１の基板（基板）と第２の基板（対向基板）とを強固に接合することができる。