(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容した反応容器内に四塩化チタン、水素、窒素、シラン系ガスを導入してプラズマを生成し、前記基板上にシリコンを含有する窒化チタン膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法において、
前記窒化チタン膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを前記反応容器に導入して放電を生成し、前記基板以外の前記反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、前記膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、前記反応容器の内部圧力を０．００５〜１０Torrの範囲で低圧から高圧に変化するように制御したことを特徴としたプラズマＣＶＤによる成膜方法。
【請求項２】
基板を収容した反応容器内に四塩化チタン、水素を導入してプラズマを生成し前記基板上にチタン膜を形成し、続いて四塩化チタン、水素に加えて窒素とシラン系ガスを導入して同様にプラズマを生成し、連続してシリコンを含有する窒化チタン膜を形成することによって、前記チタン膜と前記窒化チタン膜からなる積層膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法において、
前記積層膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを前記反応容器に導入して放電を生成し、前記基板以外の前記反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、前記膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、前記反応容器の内部圧力を０．００５〜１０Torrの範囲の範囲で低圧から高圧に変化するように制御したことを特徴としたプラズマＣＶＤによる成膜方法。
【請求項３】
基板を収容した反応容器に四塩化チタン、シラン系ガスを導入してプラズマを生成して前記基板上にチタンシリサイド膜を形成し、続いて四塩化チタン、水素、シラン系ガスに加えて窒素を導入してプラズマを生成し、連続してシリコンを含有する窒化チタン膜を形成することによって、前記チタンシリサイド膜と前記窒化チタン膜からなる積層膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法において、
前記積層膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを前記反応容器に導入して放電を生成し、前記基板以外の前記反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、前記膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、前記反応容器の内部圧力を０．００５（５mTorr）〜１０Torrの範囲で低圧から高圧に変化するように制御したことを特徴としたプラズマＣＶＤによる成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマＣＶＤによる成膜方法に関し、特に、半導体装置製造工程でプラズマと化学反応による気相成長とＴｉＣｌ4 を利用して基板上に薄膜を形成する成膜方法で塩素によって生じる問題を解消した技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体装置製造の分野において、素子の集積化と微細化はますます進んでいる。素子の微細化は製造工程に新しい技術を要求する。すなわち微細ホール内への十分な膜の埋込み、素子内の段差を軽減する工夫、および電流密度を原因とした発熱やエレクトロマイグレーションによる断線の予防などの技術である。これらの要求に応える新しい製造工程として、熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）によるブランケットタングステン膜（以下「Ｂ−Ｗ膜」と略称する）の形成が行われている。またスパッタリング法によるＡｌ膜の形成も引続き行われている。
【０００３】
上記のＢ−Ｗ膜やＡｌ膜の形成では、下地層との導電性の確保、接着性の確保、浸食の防止（バリア性の確保）のため、下地層との間において、バリア膜であるチタン（Ｔｉ）膜とＴｉＮ膜が積層される。このチタン膜および窒化チタン膜の形成は、従来からスパッタリング法が用いられてきた。また後のアニール工程では、チタン膜と下地層（Ｓｉ）を反応させチタンシリサイド層を形成することによって、良好な導電性（オーミックコンタクト）を得るようにしていた。
【０００４】
しかしながら、ホールの微細化に伴ってスパッタリング法では十分な段差被覆性を得ることが困難になってきたため、近年では、プラズマと化学反応を用いた気相成長を利用して薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法が注目されている。
【０００５】
次にチタン膜、チタンシリサイド膜、窒化チタン膜の成膜について、プラズマＣＶＤによる従来の成膜方法を説明する。
【０００６】
チタン膜に関して、基板を加熱する加熱機構を内部に備えた反応容器内に水素（Ｈ2 ）ガスを導入してプラズマを生成し、続いて四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）を導入することによって基板上にチタン膜が成膜される。またチタンシリサイド膜に関しても、上記と同様にしてプラズマを生成し、続いて四塩化チタンとシラン（ＳｉＨ4 ）を導入することによって基板上にチタンシリサイド膜が成膜される。窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）に関しても、上記と同様にしてプラズマを生成し、続いて四塩化チタンと窒素（Ｎ2 ）を導入することによって基板上にＴｉＮ膜が成膜される。さらに、四塩化チタンと窒素の導入の代わりに、四塩化チタンと窒素とシランを導入することによってシリコンを含有する窒化チタン膜が成膜される。上記において、ＳｉＨ4 を導入するのは膜中に残留する塩素（Ｃｌ）を減少させるためであり、本発明者らが独自に見出した方法である。さらにチタン膜またはチタンシリサイド膜の成膜後に、四塩化チタン、水素、シランに加え、さらに窒素を加えることで、チタン膜またはチタンシリサイド膜とシリコンを含有する窒化チタン膜との積層膜を同一の反応容器内で形成することも可能である。
【０００７】
次に、前述のプラズマＣＶＤを利用したチタン膜等の従来の成膜方法の処理工程を概略的に示すと、図３のごときフローチャートで示すことができる。図３から明らかなように、上記処理工程は、「ガス（Ｈ2 ）導入・放電開始ステップ」である第１ステップ５１と、「成膜ステップ」である第２ステップ５２と、「排気ステップ」である第３ステップ５３から構成されている。図３中には、第１ステップ５１と第２ステップ５２に関して、各ステップを実行するための条件の一例がブロック５１ａ，５２ａの中に示されている。
【０００８】
上記ステップ５１〜５３の前には、通常、前処理として、基板加熱や基板ホール底部の自然酸化膜のエッチングの工程が必要である。従ってプラズマＣＶＤを利用したチタン膜等の従来の成膜方法を実施する基板処理装置では、一般的に、前処理工程と成膜工程の各処理が真空一貫で行うことが可能な、搬送室によって各処理室が連結されたマルチチャンバ式装置が採用されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のプラズマＣＶＤを利用したチタン膜等の従来の成膜方法では、次のような問題が生じる。まず成膜処理時に、基板以外の反応容器内の低温部におけるプラズマと接触する部分においてＴｉＣｌ4 の分解が不十分となり、当該部分に、Ｃｌが多量に含まれた膜（ＴｉやＴｉＳｉx の成膜の場合は、ＴｉＣｌx やＴｉＳｉx Ｃｌy など、ＴｉＮの成膜の場合はＴｉＮx Ｃｌy など）が付着する。低温部に付着したこの膜はＣｌ系ガスの発生源となる。そのため、成膜後、反応容器内がポンプによって排気されても、反応容器内には多量のＣｌ系ガスが残留する。この反応容器中に残留したＣｌ系ガスは、成膜および排気の後、基板の入れ替えのため、反応容器と搬送室との間のゲートバルブを開けた際に、搬送室内に拡散し、さらに他の前処理室などに拡散することによって、搬送機械の腐食を引き起こし、装置稼働率を低下させたり、成膜前の基板を汚染し基板処理の歩留まりを低下させるといった問題を生じさせる。そこで、成膜後に残留する反応容器内の低温である部分に付着したＣｌ系の膜を除去することが技術的に要求される。
【００１０】
本発明に関連する先行技術文献として例えば特開平９−６４０３５号公報、特開平８−２１３３４３号公報、特開平８−２２２５４４号公報を挙げることができる。これらの文献では、基板上に形成された膜に含まれる、または膜に付着した塩素を除去する技術を開示している。特開平９−６４０３５号公報ではプラズマを利用して膜中の塩素を除去し、特開平８−２１３３４３号公報ではＨ2 の供給を増大させてＣｌの離脱が容易なＴｉＣｌ2 の生成を促進し、Ｃｌ含有量を低減し、特開平８−２２２５４４号公報ではプラズマ照射等を利用してエッチングを行い、処理表面等に吸着された塩素を除去し、塩素の残留を防止している。いずれも、基板に形成される膜についての塩素の除去技術である。
【００１１】
本発明の目的は、従来のプラズマＣＶＤによるチタン膜等の成膜における問題点を解決することにあり、ＴｉＣｌ4 を原料としたプラズマＣＶＤによってチタン膜等を成膜するとき、反応容器内の低温部の付着膜が原因となる搬送室や前処理室および基板へのＣｌ汚染を防止し、信頼性の高い素子を製造するプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係るプラズマＣＶＤによる成膜方法は、次のように構成される方法である。
【００１５】
第１の成膜方法は、基板を収容した反応容器内に四塩化チタン、水素、窒素、シラン系ガスを導入してプラズマを生成し、基板上にシリコンを含有する窒化チタン膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法であり、窒化チタン膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを反応容器に導入して放電を生成し、基板以外の反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、反応容器の内部圧力を０．００５〜１０Torrの範囲で低圧から高圧に変化するように制御した方法である。
【００１６】
第２の成膜方法は、基板を収容した反応容器内に四塩化チタン、水素を導入してプラズマを生成し基板上にチタン膜を形成し、続いて四塩化チタン、水素に加えて窒素とシラン系ガスを導入して同様にプラズマを生成し、連続してシリコンを含有する窒化チタン膜を形成することによって、チタン膜と窒化チタン膜からなる積層膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法であり、積層膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを反応容器に導入して放電を生成し、基板以外の反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、反応容器の内部圧力を０．００５〜１０Torrの範囲で低圧から高圧に変化するように制御した方法である。
【００１７】
第３の成膜方法は、基板を収容した反応容器に四塩化チタン、シラン系ガスを導入してプラズマを生成して基板上にチタンシリサイド膜を形成し、続いて四塩化チタン、水素、シラン系ガスに加えて窒素を導入してプラズマを生成し、連続してシリコンを含有する窒化チタン膜を形成することによって、チタンシリサイド膜と窒化チタン膜からなる積層膜を形成するプラズマＣＶＤによる成膜方法であり、積層膜を形成する成膜工程に続いて、窒素と水素を含むガスを反応容器に導入して放電を生成し、基板以外の反応容器内の低温部に付着した膜を窒化し、膜中の塩素を除く窒化処理工程を設け、反応容器の内部圧力を０．００５〜１０Torrの範囲で低圧から高圧に変化するように制御した方法である。
【００１９】
上記の各成膜方法では、成膜工程の後に、基板の入れ替えを行うことなく、成膜が実行された反応容器内において、四塩化チタンまたはシラン系ガスの反応容器内への導入を停止し、かつ窒素と水素を含むガスの導入を行って放電を生成し、この放電によって、基板以外の反応容器の壁面などの低温部に付着した膜、すなわち還元が不十分で塩素（Ｃｌ）が多量に含まれたＴｉＣｌx 、ＴｉＣｌx Ｓｉy 、ＴｉＣｌx Ｎy 、ＴｉＣｌx Ｎy Ｓｉz 等の膜を窒化処理し、これにより安定な物質に還元し、膜中のＣｌをＨＣｌとしてガス化し、その後の排気工程でＣｌを速やかに反応容器の外に排気することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係るプラズマＣＶＤによる成膜方法を実施する処理工程を概略的に示したフローチャートであり、従来の処理工程（図３）と対比できるように示されている。この成膜方法によれば、反応容器内に導入される反応ガスに応じて、チタン膜、チタンシリサイド膜、窒化チタン膜のいずれか、およびチタン膜とチタンシリサイド膜と窒化チタン膜のいずれかを任意に組み合わせて形成される積層膜が成膜される。本実施形態による成膜の処理工程は、「ガス（Ｈ2 ）導入および放電開始ステップ」である第１ステップ（第１工程）１１、「成膜ステップ」である第２ステップ（第２工程）１２、「窒化処理ステップ」である第３ステップ（第３工程）１３、「排気ステップ」である第４ステップ（第４工程）１４とから構成される。なお当然のことながら、第１ステップ１１の前には基板を反応容器内に搬入するための基板搬送ステップ１０、第４ステップ１４の後には成膜を完了した基板を反応容器内に搬出するための基板搬送ステップ１５が設けられている。処理工程の全体を大きく捉えると、第１ステップ１１と第２ステップ１２によって成膜処理の工程１００が形成され、第３ステップ１３によって窒化処理の工程２００が形成される。成膜処理工程１００の後に窒化処理工程２００が設けられている。図３に示した処理工程と比較すると、第１ステップ１１と第２ステップ１２と第４ステップ１４はそれぞれ第１ステップ５１と第２ステップ５２と第３ステップ５３に対応している。第３ステップ１３である窒化処理ステップは新たに付加されたステップであり、本発明に係る成膜方法の特徴工程の部分である。
【００２２】
プラズマＣＶＤによる上記の成膜方法は図２に示した成膜装置で実施される。成膜装置において、反応容器２１は気密な金属製真空容器で形成され、排気ポート２２および排気管２３を介して排気機構２４が付設されている。反応容器２１の内部は排気機構２４によって所要の減圧状態に保持される。また排気管２３の途中には反応容器２１の内部圧力を制御する制御バルブ２５が付設されている。反応容器２１の底部２６には基板ホルダ２７が設けられ、基板ホルダ２７の上に基板２８が搭載されている。基板ホルダ２７の内部には基板２８を加熱するためのヒータ２９と、温度を検出する熱電対３０が配置されている。基板２８は基板ホルダ２７の上で水平に保持され、成膜される面が上方を向いている。反応容器２１の天井部３１の側には反応ガスを内部空間に導入するためのシャワーヘッド式の反応ガス導入機構３２が設けられる。反応ガス導入機構３２は、反応容器２１の外部に設けられた反応ガス供給機構３３とガス配管３４で接続されている。また反応ガス供給機構３３が形成された板状部材３５は上部電極である。上部電極３５は、下部電極としても機能する基板ホルダ２７に対向し、かつ高周波電力供給機構３６に接続され、所要の高周波が給電されるように構成されている。上部電極３５は、リング状の絶縁体３７を介して天井部３１の中央開口部３１ａの周囲下面に固定されている。高周波電力供給機構３６は整合回路３８と高周波電源３９から構成される。他方、下部電極である基板ホルダ２７は図示のごとく接地されている。なお反応容器２１自体も接地されている。以上の構成を有する成膜装置に関し、その動作に関する具体的な内容は、以下の実施例の中で説明される。
【００２３】
図１と図２を参照しながら本発明に係るプラズマＣＶＤによる成膜方法と成膜装置の実施例を詳細に説明する。
【００２４】
排気ポート２２および排気管２３を通して排気機構２４により減圧状態に維持された反応容器２１において、その基板ホルダ２７の上に基板２８が載置される。基板２８の温度は、ヒータ２９と、熱電対３０と、関連する制御部とによる温度制御に基づいて３００〜６５０℃の範囲に含まれる或る一定温度に維持されている。代表的な基板温度は４００℃である。基板２８の表面における成膜すなわち薄膜形成は、図１に示した各ステップに従って行われる。
【００２５】
第１ステップ１１である「ガス（Ｈ2 ）導入および放電開始ステップ」においては、まず反応ガス供給機構３３から水素（Ｈ2 ）を、１００〜１０００sccmの範囲に含まれる一定流量、好ましくは５００sccm供給し、反応ガス導入機構３２を通して反応容器２１の内部に当該水素ガスを導入する。反応容器２１の内部を０．０１〜１Torrの範囲に含まれる一定圧力、好ましくは０．１Torrに保った後、高周波電力を高周波電力供給機構３６から上部電極３５に供給・印加して反応容器２１内の基板２８の直上にプラズマを生成する。本実施例における印加高周波電力は２００〜１０００Ｗの範囲に含まれる一定電力、好ましくは５００Ｗであり、印加高周波電力の周波数は１３．５６〜２００ＭＨｚの範囲に含まれる一定周波数、好ましくは６０ＭＨｚである。
【００２６】
次に第２ステップ１２である「成膜ステップ」では、反応ガス供給機構３３から、形成しようとする膜に応じて原料となる必要な反応ガスが供給される。例えば、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）を導入してチタン膜が形成され、または、ＴｉＣｌ4 とシラン系ガス（例えばＳｉＨ4 、一般的にはＳｉn Ｈ2n+2）を導入してチタンシリサイド膜が形成される。本実施例におけるＴｉＣｌ4 の流量は１〜５sccmの範囲に含まれる一定流量、ＳｉＨ4 の流量は０．１〜２．５sccmの範囲に含まれる一定流量であり、基板２８の温度、反応容器２１の内部圧力、Ｈ2 の流量、高周波電力は第１ステップ１１の場合と同じである。代表的な流量条件は、ＴｉＣｌ4 が３．５sccm、ＳｉＨ4 が１．０sccmである。
【００２７】
第２ステップ１２では、その他に、同様にして、ＴｉＣｌ4 とＮ2 を導入することによって窒化チタン膜を形成すること、またはＴｉＣｌ4 とＮ2 とＳｉＨ4 を導入することによってシリコンを含有した窒化チタン膜を形成することができる。本実施例におけるＴｉＣｌ4 の流量は１〜５sccmの範囲に含まれる一定流量、Ｎ2 の流量は１０〜３０sccmの範囲に含まれる一定流量、ＳｉＨ4 の流量は０．１〜２．５sccmの範囲に含まれる一定流量である。代表的な流量条件は、ＴｉＣｌ4 が３．５sccm、ＳｉＨ4 が１．０sccm、Ｎ2 が２０sccmである。また基板２８の温度、反応容器２１の内部圧力、Ｈ2 の流量、および高周波電力は第１ステップ１１の場合と同じである。
【００２８】
さらに第２ステップ１２では、同様な成膜条件で、チタン膜またはチタンシリサイド膜を形成した後に連続して窒化チタン膜を形成することもでき、これにより積層膜を形成することもできる。
【００２９】
第２ステップ１２である「成膜ステップ」では、上記のごとく基板２８上に所望の薄膜が形成されると同時に、基板２８以外の反応容器２１内の低温部でプラズマが照射される部分、例えば反応容器２１の内壁面などには、ＴｉＣｌ4 の分解が不十分であるために生じたＣｌが多量に含まれた膜、すなわち、例えばＴｉやＴｉＣｌx やＴｉＳｉx Ｃｌy の膜、ＴｉＮ成膜の場合はＴｉＮx Ｃｌy の膜が付着する。この壁面などに付着したかかる膜は、Ｃｌ系ガス（例えばＨＣｌ）の発生源となる。そのため、成膜後に反応容器２１を排気しても、その後において反応容器内には多量のＣｌ系ガスが残留することになる。そのため、従来技術に関連して説明した問題が生じる。
【００３０】
そこで成膜ステップの第２ステップ１２に続いて「窒化処理ステップ」である第３ステップ１３が実施される。窒化処理ステップでは、基板は交換されることなく、成膜が完了した基板２８は反応容器２１内に置かれたままである。かかる窒化処理ステップにおいて、基板２８以外の反応容器２１の内部に壁面などに付着したＣｌが多量に含まれた膜の窒化が行われる。すなわち、第３ステップ１３では、ＴｉＣｌ4 またはＳｉＨ4 の導入が停止され、他方、Ｈ2 とＮ2 の導入が行われる。第３ステップ１３においてＨ2 とＮ2 による放電が生成され、放電が継続され、反応容器内の基板以外の低温部に付着した膜の窒化処理を行うためのプラズマが生成される。第３ステップ１３によって基板２８以外の壁面などに付着した膜、すなわち還元不十分でＣｌが多量に含まれたＴｉＣｌx 、ＴｉＣｌx Ｓｉy 、ＴｉＣｌx Ｎy 、ＴｉＣｌx Ｎy Ｓｉz 等の膜は、ＴｉＮ、ＴｉＮx Ｓｉy などの安定な物質に還元され、膜中のＣｌはＨＣｌとしてガス化することができる。これによって、反応容器２１の内部のＣｌを速やかに反応容器の外へ排気することができる。なお基板上に形成された膜は表面に保護膜が形成されるため、窒化処理されることはなく、反応容器内の基板以外の低温部に付着した膜のみが窒化処理される。
【００３１】
以上から明らかなように、第３ステップ１３では、多量のＣｌを含む付着膜の窒化を起こり易いようにするため、できる限り多くＮ2 を導入し、またＨＣｌを生成するために適度なＨ2 を混合することが望ましい。さらに反応容器２１の内部の壁部の隅々にまで放電が行き渡るように、内部圧力も低圧から高圧と変化させるような制御を行うことが望ましい。従って第３ステップ１３の条件は、Ｈ2 の導入流量は１００〜１０００sccmの範囲に含まれる一定流量、Ｎ2 の導入流量は１００〜１０００sccmの範囲に含まれる一定流量、反応容器２１の内部圧力は０．００５（５mTorr)〜１０Torrの範囲に含まれる圧力、高周波電力は２００〜１０００Ｗの範囲に含まれる一定電力であり、印加周波数は１３．５６〜２００ＭＨｚの範囲に含まれる一定周波数である。またほ実施例に係る装置では、制御バルブ２５でコンダクタンスを変化させ、反応容器２１の内部圧力を制御している。以上において代表的な条件は、Ｈ2 が５００sccm、Ｎ2 が５００sccm、内部圧力が０．３Torr、高周波電力が１０００Ｗ、および印加周波数が６０ＭＨｚである。
【００３２】
最後の第４ステップ１４では、反応容器２１内へのすべてのガスの導入を停止し、排気機構２４によって排気が行われる。
【００３３】
以上のごとく、本実施形態によるプラズマＣＶＤによる成膜方法では、第３ステップ１３である窒化処理ステップを導入したため、これによって１分間の排気処理による反応容器２１の内部圧力に関する到達圧力は、従来の場合の１／１０以下となった。これは、成膜時に反応容器２１の内部の低温である内壁面等に付着した多量にＣｌを含む膜を窒化し当該Ｃｌをなくしたことによって、付着膜からのＣｌ系ガス（ＨＣｌなど）の放出が激減したからである。
【００３４】
なお前述の実施形態によれば、基板２８の交換時に反応容器２１から搬送室へのＣｌ系ガスの拡散量が１／１０に低下した結果、搬送機械の腐食も激減し、成膜装置の稼働率が従来の場合よりも非常に向上した。また前処理室などへのＣｌ系ガスの拡散量も減少したため、基板処理の歩留まりも従来の場合より向上させることができた。
【００３５】
以上の説明において、本発明による成膜方法および成膜装置は平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて説明されたが、本発明は、他のプラズマＣＶＤ装置、例えば、ＥＣＲ型プラズマＣＶＤ装置、誘導結合型プラズマＣＶＤ装置などに用いることも可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、プラズマＣＶＤを利用してＴｉＣｌ4 を原料としてチタン膜、チタンシリサイド膜、窒化チタン膜、またはこれらの任意の積層膜等を成膜するにあたり、成膜ステップの後の基板を交換する前の段階で窒化処理ステップを設け、この窒化処理ステップによって基板以外の反応容器の低温部に付着するＣｌを多量に含む膜を窒化し、当該膜からのＣｌ系ガスの放出を防止したため、搬送室や前処理室および基板へのＣｌ汚染を防止し、搬送機械の腐食を防止し、成膜装置の稼働率を高くでき、信頼性の高い素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤによる成膜方法の工程を示す図である。
【図２】本発明に係る成膜装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図３】従来の成膜方法の工程を示す図である。
【符号の説明】
２１                  反応容器
２４                  排気機構
２７                  基板ホルダ
２８                  基板
３２                  反応ガス導入機構
【図１】
0004312291.tif 000002
【図２】
0004312291.tif 000003
【図３】
0004312291.tif 000004