(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持手段に保持された基板に処理液を供給して基板に処理を施す基板処理装置に備えられて、上記基板保持手段の上方に設けられており、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向して配置される回転板の上面、およびこの回転板の側方を取り囲むように設けられた周囲部材を洗浄する方法であって、
上記周囲部材は、上記基板処理装置が配置された処理室の隔壁と、上記基板保持手段の周囲を取り囲むスプラッシュガードとを含み、
上記回転板をほぼ鉛直な軸線を中心に回転させる工程と、
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも上方の退避位置に配置された状態で、回転状態の上記回転板の上面に洗浄液を供給して、この洗浄液を上記回転板の周縁から外方に向けて飛散させ、上記回転板の上面および上記処理室の隔壁の内面を洗浄する工程と、
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端と上記退避位置との間の位置に配置された状態で、上記スプラッシュガードの上端部に取り付けられた下面洗浄ノズルから、回転状態の上記回転板の下面に洗浄液を供給して、上記回転板の下面を洗浄する工程とを含むことを特徴とする、回転板および周囲部材の洗浄方法。
【請求項２】
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも下方の近接位置に配置された状態で、回転状態の上記回転板の上面に洗浄液を供給して、この洗浄液を上記回転板の周縁から外方に向けて飛散させ、上記回転板の上面および上記スプラッシュガードの内面を洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の回転板および周囲部材の洗浄方法。
【請求項３】
隔壁に囲まれた処理室内に配置され、基板に処理液を供給して基板に処理を施す基板処理装置において、
基板を下方からほぼ水平に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段の上方に設けられており、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向して配置され、ほぼ鉛直な軸線を中心に回転する回転板と、
この回転板の上面に洗浄液を供給する上面洗浄ノズルと、
上記回転板の下面に洗浄液を供給する下面洗浄ノズルと、
上記基板保持手段の周囲を取り囲むスプラッシュガードとを含み、
上記回転板は、当該回転板の回転軸線に沿って設けられた回転軸の下端に取り付けられて、昇降可能に構成されており、
上記下面洗浄ノズルは、上記スプラッシュガードの上端部に取り付けられており、
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも上方の退避位置に配置された状態で、上記上面洗浄ノズルから回転状態の上記回転板の上面に洗浄液が供給されて、この洗浄液が上記回転板の周縁から外方に向けて飛散することにより、上記回転板の上面および上記処理室の隔壁の内面の洗浄が行われ、
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端と上記退避位置との間の位置に配置された状態で、上記下面洗浄ノズルから回転状態の上記回転板の下面に洗浄液が供給されることにより、上記回転板の下面の洗浄が行われることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項４】
上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも下方の近接位置に配置された状態で、上記上面ノズルから回転状態の上記回転板の上面に洗浄液が供給されて、この洗浄液が上記回転板の周縁から外方に向けて飛散することにより、上記回転板の上面および上記スプラッシュガードの内面の洗浄が行われることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記回転板は、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理時に、その回転状態の基板の上面に近接して対向する近接位置に配置されることを特徴とする、請求項３または４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記上面洗浄ノズルは、上記回転板の上面と上記回転軸の外周面との境界部付近に洗浄液を供給するものであることを特徴とする、請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの各種基板に対して、処理液を用いた処理を施すための基板処理装置、ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に処理液（薬液または純水）を供給して基板の表面処理を行うための基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックが備えられていて、このスピンチャックによって基板が水平面内で回転される一方で、その基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。また、処理液による処理後は、スピンチャックによって基板を高速回転させて、基板の表面に付着している処理液を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥処理が行われる。
【０００３】
このような枚葉型の基板処理装置において、基板に良好な処理を施すため、スピンチャックに保持された基板の上面に近接した位置に、その基板の上面に対向して遮断板が配置される場合がある。この遮断板は、鉛直軸まわりに回転可能な回転軸の下端に取り付けられており、基板に対する処理を行っている間、スピンチャックによって回転される基板とほぼ同じ速さで同じ方向に回転させられる。これにより、基板の上面付近の気流が乱れることが防止され、基板の上面に対して良好な処理を施すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、遮断板を有する基板処理装置では、基板の表面から飛散して遮断板に付着した処理液が乾燥して結晶化し、この処理液の結晶がパーティクルとなって基板汚染の原因となるおそれがある。この処理液の結晶は、とくに、処理液の液滴がかからない遮断板の上面（基板に対向する面と反対側の面）において生じやすい。
【０００５】
また、基板の表面から飛散した処理液は、遮断板だけでなく、スピンチャックの周囲に配設された部材（たとえば、処理液の飛散を防止するためのスプラッシュガードや処理室を区画する隔壁等）にも付着して結晶化し、この処理液の結晶がパーティクルとなって基板を汚染するおそれもある。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、遮断板（回転板）や周囲部材に付着した処理液および処理液の結晶を洗い流すことができる構成の基板処理装置を提供することである。
【０００６】
また、この発明の他の目的は、遮断板や周囲部材に付着した処理液および処理液の結晶を洗い流す方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板保持手段（１）に保持された基板（Ｗ）に処理液を供給して基板に処理を施す基板処理装置に備えられて、上記基板保持手段の上方に設けられており、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向して配置される回転板（２）の上面、およびこの回転板の側方を取り囲むように設けられた周囲部材を洗浄する方法であって、上記周囲部材は、上記基板処理装置が配置された処理室の隔壁と、上記基板保持手段の周囲を取り囲むスプラッシュガード（４）とを含み、上記回転板をほぼ鉛直な軸線を中心に回転させる工程と、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも上方の退避位置に配置された状態で、回転状態の上記回転板の上面に洗浄液を供給して、この洗浄液を上記回転板の周縁から外方に向けて飛散させ、上記回転板の上面および上記処理室の隔壁の内面を洗浄する工程と、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端と上記退避位置との間の位置に配置された状態で、上記スプラッシュガードの上端部に取り付けられた下面洗浄ノズル（４６）から、回転状態の上記回転板の下面に洗浄液を供給して、上記回転板の下面を洗浄する工程とを含むことを特徴とする、回転板および周囲部材の洗浄方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、回転板の上面を洗浄液で洗浄することができるとともに、回転板の周縁から外方に向けて飛散する洗浄液で周囲部材、とくに処理室の隔壁の内面を洗浄することができる。よって、定期的に回転板の上面および周囲部材の内面の洗浄を行うことにより、回転板の上面や周囲部材の内面に付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
また、回転板の下面を洗浄液で洗浄することができる。
請求項２に記載の発明は、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも下方の近接位置に配置された状態で、回転状態の上記回転板の上面に洗浄液を供給して、この洗浄液を上記回転板の周縁から外方に向けて飛散させ、上記回転板の上面および上記スプラッシュガードの内面を洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の回転板および周囲部材の洗浄方法である。
この発明によれば、回転板の上面を洗浄液で洗浄することができるとともに、回転板の周縁から外方に向けて飛散する洗浄液で周囲部材、とくにスプラッシュガードの内面を洗浄することができる。よって、定期的に回転板の上面および周囲部材の内面の洗浄を行うことにより、回転板の上面や周囲部材の内面に付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）に処理液を供給して基板に処理を施す基板処理装置において、基板を下方からほぼ水平に保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段の上方に設けられており、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向して配置され、ほぼ鉛直な軸線を中心に回転する回転板（２）と、この回転板の上面に洗浄液を供給する上面洗浄ノズル（２８）と、上記回転板の下面に洗浄液を供給する下面洗浄ノズル（４６）と、上記基板保持手段の周囲を取り囲むスプラッシュガード（４）とを含み、上記回転板は、当該回転板の回転軸線に沿って設けられた回転軸の下端に取り付けられて、昇降可能に構成されており、上記下面洗浄ノズルは、上記スプラッシュガードの上端部に取り付けられており、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも上方の退避位置に配置された状態で、上記上面洗浄ノズルから回転状態の上記回転板の上面に洗浄液が供給されて、この洗浄液が上記回転板の周縁から外方に向けて飛散することにより、上記回転板の上面および上記処理室の隔壁の内面の洗浄が行われ、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端と上記退避位置との間の位置に配置された状態で、上記下面洗浄ノズルから回転状態の上記回転板の下面に洗浄液が供給されることにより、上記回転板の下面の洗浄が行われることを特徴とする、基板処理装置である。
【０００８】
この発明によれば、上面洗浄ノズルから回転板の上面に洗浄液を供給することができ、これにより回転板の上面を洗浄液で洗浄することができる。また、このとき回転板の周縁から外方に向けて飛散する洗浄液で周囲部材、とくに処理室の隔壁の内面を洗浄することができる。よって、定期的に回転板の上面および周囲部材の内面の洗浄を行うことにより、回転板の上面や周囲部材の内面に付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
また、下面洗浄ノズルから回転板の下面に洗浄液を供給することができ、これにより回転板の下面を洗浄液で洗浄することができる。
請求項４記載の発明は、上記回転板が上記スプラッシュガードの上端よりも下方の近接位置に配置された状態で、上記上面ノズルから回転状態の上記回転板の上面に洗浄液が供給されて、この洗浄液が上記回転板の周縁から外方に向けて飛散することにより、上記回転板の上面および上記スプラッシュガードの内面の洗浄が行われることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、回転板の上面を洗浄液で洗浄することができるとともに、回転板の周縁から外方に向けて飛散する洗浄液で周囲部材、とくにスプラッシュガードの内面を洗浄することができる。よって、定期的に回転板の上面および周囲部材の内面の洗浄を行うことにより、回転板の上面や周囲部材の内面に付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
請求項５記載の発明は、上記回転板は、基板を回転させて乾燥させる乾燥処理時に、その回転状態の基板の上面に近接して対向する近接位置に配置されることを特徴とする、請求項３または４に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、回転板が基板の上面に近接して対向する近接位置に配置された状態で、たとえば、その回転板と基板の上面との間の空間に窒素ガスを供給すれば、その空間に窒素ガスの安定した気流が生じるので、基板の上面に処理液の跡などを残すことなく、基板を良好に乾燥させることができる。
【０００９】
請求項６記載の発明は、上記上面洗浄ノズルは、上記回転板の上面と上記回転軸の外周面との境界部付近に処理液を供給するものであることを特徴とする、請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、回転板の上面と回転軸の外周面との境界部付近に付着した処理液まで洗浄液で洗い流すことができる。また、上面洗浄ノズルから回転板の上面への洗浄液の供給時に回転板が回転される場合、上面洗浄ノズルから回転板の上面と回転軸の外周面との境界部付近に供給された洗浄液は、回転板の回転に伴って受ける遠心力により、回転板の上面と回転軸の外周面との境界部付近から回転板の上面を伝って回転板の周縁に向けて流れる。これにより、回転板の上面のほぼ全域に洗浄液を隈無く行き渡らせることができ、回転板の上面のほぼ全域を良好に洗浄することができる。
【００１１】
この発明のように、基板処理装置が基板保持手段の側方を取り囲むように設けられた周囲部材をさらに含む場合、上記上面洗浄ノズルから上記回転板の上面への洗浄液の供給時に上記回転板を回転させることが好ましい。こうすれば、回転板の上面に供給された洗浄液は、回転板の回転に伴って受ける遠心力により、回転板の上面を伝って回転板の周縁に向けて流れて、その回転板の周縁から回転板の回転半径方向外方へ振り飛ばされるから、周囲部材の内面に洗浄液を供給することができ、周囲部材の内面に付着した処理液を洗浄液で洗い流すことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１、図２および図３は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成および動作を説明するための概念図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して処理液による表面処理を施すためのものであり、図示しない隔壁に囲まれた処理室内に配置されている。ウエハＷに対する表面処理は、たとえば、ウエハＷの表面を薬液または純水で洗浄する洗浄処理であってもよい。
【００１６】
この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線まわりにウエハＷを回転させるためのスピンチャック１を備えている。スピンチャック１は、チャック回転駆動機構１１によって回転される回転軸１２の上端に固定されている。この回転軸１２は、中空軸となっていて、回転軸１２の内部には、処理液としての薬液または純水が選択的に供給される下面処理液供給管１３が挿通されている。下面処理液供給管１３は、スピンチャック１に保持されたウエハＷに近接する位置まで延びており、その先端には、ウエハＷの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル１４が形成されている。
【００１７】
スピンチャック１の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板２が設けられている。遮断板２の上面には、スピンチャック１の回転軸１２と共通の軸線に沿う回転軸２１が固定されている。この回転軸２１は中空に形成されていて、その内部には、ウエハＷの上面に処理液を供給するための処理液ノズル２２が挿通されている。また、回転軸２１の内面と処理液ノズル２２との間は、ウエハ乾燥用の窒素ガスが流通する窒素ガス流通路２３となっている。
【００１８】
回転軸２１は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム２４の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このアーム２４に関連して、遮断板２をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した近接位置（図１に示す位置）とスピンチャック１の上方に大きく退避した退避位置（図２に示す位置）との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構２５と、遮断板２をスピンチャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構２６とが設けられている。
【００１９】
また、アーム２４の先端には、ノズル保持部材２７が取り付けられており、このノズル保持部材２７には、遮断板２の上面に洗浄液を供給するための上面洗浄ノズル２８が保持されている。上面洗浄ノズル２８は、基端部がノズル保持部材２７に保持されて、先端（洗浄液吐出口）が遮断板２の上面と回転軸２１の外周面との境界部付近に位置するように斜め下方に延びている。これにより、上面洗浄ノズル２８から吐出される洗浄液は、遮断板２の上面と回転軸２１の外周面との境界部付近に供給される。なお、洗浄液としては、たとえば、純水、有機溶剤、過酸化水素水、希塩酸等を例示することができる。
【００２０】
スピンチャック１は、処理カップ３内に収容されている。この処理カップ３の底部には、スピンチャック１の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用いられた後の処理液を排液するための排液溝３１が形成されており、さらに、この排液溝３１を取り囲むように、ウエハＷの処理のために用いられた後の処理液を回収するための回収溝３２が形成されている。排液溝３１と回収溝３２とは、筒状の仕切壁３３によって区画されている。また、排液溝３１には、図外の排液処理設備へと処理液を導くための排液ライン３４が接続され、回収溝３２には、図外の回収処理設備へと処理液を導くための回収ライン３５が接続されている。
【００２１】
処理カップ３の上方には、ウエハＷからの処理液が外部に飛散することを防止するためのスプラッシュガード４が設けられている。このスプラッシュガード４は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、上方部の内面は、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた断面く字状の排液捕獲部４１となっている。また、スプラッシュガード４の下方部には、ウエハＷの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜面の形態をなした回収液捕獲部４２が形成されている。回収液捕獲部４２の上端付近には、処理カップ３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００２２】
スプラッシュガード４に関連して、たとえば、ボールねじ機構などを含むスプラッシュガード昇降駆動機構４４が設けられている。スプラッシュガード昇降駆動機構４４は、スプラッシュガード４を、回収液捕獲部４２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する回収位置（図１に実線で示す位置）と、排液捕獲部４１がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降駆動機構４４は、スピンチャック１に対するウエハＷの搬入／搬出の際に、スプラッシュガード４を排液位置よりも下方の退避位置（図１に仮想線で示す位置）に退避させる。
【００２３】
また、スプラッシュガード４の外周面には、ノズル保持部材４５が取り付けられており、このノズル保持部材４５には、遮断板２の下面に洗浄液を供給するための下面洗浄ノズル４６が保持されている。下面洗浄ノズル４６は、基端部がノズル保持部材４５に保持されて、遮断板２の回転軸線に向かう斜め上方に延びている。なお、下面洗浄ノズル４６から吐出される洗浄液は、たとえば、上面洗浄ノズル２８から吐出される洗浄液と同じものである。
【００２４】
ウエハＷに対する表面処理は、図示しない搬送ロボットによって搬入されてくるウエハＷがスピンチャック１に受け渡された後、遮断板２およびスプラッシュガード４が図１の状態にされて開始される。すなわち、スピンチャック１にウエハＷが保持されると、遮断板２が、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置まで下降される。また、スプラッシュガード４が、図１に実線で示す回収位置まで上昇されて、スプラッシュガード４の回収液捕獲部４２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する。
【００２５】
なお、スピンチャック１へのウエハＷの受け渡し時には、ウエハＷの搬入を阻害しないように、遮断板２はスピンチャック１の上方に大きく離れた待避位置にあり、スプラッシュガード４は図１に仮想線で示す待避位置にある。
この図１に示す状態で、スピンチャック１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める回転速度で回転される。また、遮断板２が、ウエハＷの上面に近接した状態で、ウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で回転される。そして、スピンチャック１とともに回転するウエハＷに向けて、処理液ノズル２２および下面ノズル１４から同じ薬液が吐出される。処理液ノズル２２から吐出される薬液は、ウエハＷの上面の中央部に供給され、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、そのウエハＷの上面の中心付近からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。一方、下面ノズル１４から吐出される薬液は、ウエハＷの下面の中心付近に供給されて、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、そのウエハＷの下面の中心付近からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。これにより、ウエハＷの上下面のほぼ全域に薬液が隈無く行き渡り、ウエハＷの上下面に対して薬液による処理を良好に行うことができる。
【００２６】
この薬液処理の際に、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散した薬液は、スプラッシュガード４の回収液捕獲部４２に捕獲される。そして、この回収液捕獲部４２を伝い、回収液捕獲部４２の下端縁から処理カップ３の回収溝３２へと落下する。こうして回収溝３２に集められた薬液は、回収ライン３５を介して回収され、以降の薬液処理に再利用される。これにより、薬液を使い捨てる構成に比べて、薬液の消費量を格段に低減することができる。
【００２７】
ウエハＷを予め定める時間にわたって薬液で処理した後は、処理液ノズル２２および下面ノズル１４からの薬液の吐出が停止される。そして、スプラッシュガード４が、図１に実線で示す回収位置から、スプラッシュガード４の排液捕獲部４１がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置まで下降される。このとき、スピンチャック１によるウエハＷの回転は続けられており、この回転しているウエハＷの上下面に向けて、処理液ノズル２２および下面ノズル１４から純水が吐出される。処理液ノズル２２から吐出される純水は、ウエハＷの上面の中央部に供給され、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、そのウエハＷの上面の中心付近からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。一方、下面ノズル１４から吐出される純水は、ウエハＷの下面の中心付近に供給されて、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、そのウエハＷの下面の中心付近からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。これにより、ウエハＷの上下面のほぼ全域に純水が隈無く行き渡り、ウエハＷの上下面に付着した薬液を洗い流すためのリンス処理が行われる。
【００２８】
ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散したリンス処理後の純水は、スプラッシュガード４の排液捕獲部４１に捕獲された後、この排液捕獲部４１を伝って、回収液捕獲部４２の下端縁から処理カップ３の回収溝３２へと落下し、排液ライン３４を介して排液される。
こうしてリンス処理が終了すると、処理液ノズル２２および下面ノズル１４からの純水の吐出が停止される。そして、スピンチャック１によるウエハＷの回転速度が上げられて、ウエハＷの表面に付着している液滴を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。この乾燥処理の際、遮断板２は、ウエハＷと同じ方向にほぼ同速度で高速回転される。また、遮断板２の中心部の開口から、ウエハＷと遮断板２との間の空間に窒素ガスが供給される。これにより、ウエハＷと遮断板２との間の空間に窒素ガスの安定した気流が生じ、ウエハＷの表面に処理液の跡などを残すことなく、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。
【００２９】
乾燥処理の終了後は、遮断板２が近接位置から退避位置に戻されるとともに、スピンチャック１によるウエハＷの回転が停止される。また、スプラッシュガード４が排液位置から退避位置まで下降される。そして、図示しない搬送ロボットの働きによって、スピンチャック１に保持されている処理後のウエハＷが搬出されていく。
上述のように、ウエハＷの処理時には、ウエハＷから処理液が飛散して、遮断板２の下面、処理カップ３およびスプラッシュガード４の内面に付着する。また、処理液ノズル２２および下面ノズル１４から吐出された処理液がウエハＷの表面で跳ね返ってミストとなり、この処理液のミストが飛散して、遮断板２の上面やこの基板処理装置が配置された処理室の隔壁に付着する。遮断板２などに付着した処理液が乾燥して結晶化すると、その処理液の結晶がパーティクルとなってウエハＷを汚染するおそれがある。そこで、この実施形態に係る基板処理装置では、所定枚数のウエハＷに対して処理を行う度に、遮断板２およびスピンチャック１の周囲に配設された部材の洗浄処理が行われる。
【００３０】
遮断板２の上面および図示しない処理室の隔壁を洗浄するための処理は、図２に示す状態で行われる。すなわち、遮断板２が退避位置まで上昇された状態で行われる。退避位置に上昇した遮断板２が回転されるとともに、この回転する遮断板２の上面に向けて、上面洗浄ノズル２８から洗浄液が吐出される。上面洗浄ノズル２８から吐出される洗浄液は、遮断板２の上面と回転軸２１の外周面との境界部付近に供給され、遮断板２の回転に伴って受ける遠心力により、その遮断板２の上面と回転軸２１の外周面との境界部付近から遮断板２の回転半径方向外方側へと導かれる。これにより、遮断板２の上面のほぼ全域に洗浄液を隈無く行き渡らせることができ、遮断板２の上面に付着している処理液を洗浄液で洗い流すことができる。
【００３１】
また、遮断板２の上面を回転半径方向外方側へ向けて流れる洗浄液は、遮断板２の周縁から振り切られて側方に飛散して、図示しない処理室の隔壁の内面にかかる。処理室の隔壁の内面にかかった洗浄液は、その隔壁を伝って流下し、このとき、隔壁の内面に付着している処理液が洗浄液によって洗い流される。隔壁の内面から処理液を洗い流した洗浄液は、図示しない排液ラインを介して排液されるようになっている。
【００３２】
遮断板２の下面を洗浄するための処理は、図３に示す状態でおこなわれる。すなわち、遮断板２が下面洗浄ノズル４６の先端よりも少し高い位置まで下降された状態で行われる。この状態で遮断板２が回転されるとともに、この回転する遮断板２の下面に向けて、下面洗浄ノズル４６から洗浄液が吐出される。遮断板２が回転していることにより、遮断板２の下面のほぼ全域に洗浄液が供給され、遮断板２の下面に付着している処理液が洗浄液で洗い流される。
【００３３】
遮断板２の上面、ならびに処理カップ３およびスプラッシュガード４の内面を洗浄するための処理は、遮断板が図１に示す近接位置まで下降された状態で行われる。この状態で遮断板２が回転されるとともに、この回転する遮断板２の上面に向けて、上面洗浄ノズル２８から洗浄液が吐出される。また、上面洗浄ノズル２８から洗浄液が吐出されている間、スプラッシュガード４が図１に実線で示す回収位置と図１に仮想線で示す退避位置との間で繰り返し上下動される。上面洗浄ノズル２８から吐出される洗浄液は、遮断板２の回転に伴って受ける遠心力により、その遮断板２の上面と回転軸２１の外周面との境界部付近から遮断板２の回転半径方向外方側へ流れ、遮断板２の上面に付着している処理液を洗い流す。また、遮断板２の上面を回転半径方向外方側へ向けて流れる洗浄液は、遮断板２の周縁から振り切られて側方に飛散して、スプラッシュガード４の内面にかかり、このスプラッシュガード４の内面を伝って流下する。このとき、スプラッシュガード４に付着している処理液が洗浄液で洗い流される。
【００３４】
スプラッシュガード４から流下する洗浄液は、スプラッシュガード４が繰り返し上下動されていることにより、排液溝３１の内面と回収溝３２の内面とに交互に導かれる。これにより、排液溝３１および回収溝３２（処理カップ３）の内面に付着している処理液を洗浄液で洗い流すことができる。
以上のように、この実施形態に係る基板処理装置は、遮断板２およびスピンチャック１の周囲に配設された部材（処理カップ、スプラッシュガード４および処理室の隔壁）に付着した処理液を洗浄液で洗い流すことができる構成になっている。ゆえに、定期的に遮断板２およびスピンチャック１の周囲に配設された部材の洗浄処理を行うことにより、遮断板２およびスピンチャック１の周囲に配設された部材に付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、処理液の結晶によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００３５】
この発明の一実施形態の説明は以上のとおりであるが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、スプラッシュガード４の洗浄時において、上面洗浄ノズル２８から洗浄液が吐出されている間、スプラッシュガード４が図１に実線で示す回収位置と図１に仮想線で示す退避位置との間で繰り返し上下動されるとしたが、この上下動は連続した動作であってもよいし、スプラッシュガード４の位置が所定時間ごとに変わるような段階的な動作であってもよい。
【００３６】
また、スプラッシュガード４の洗浄時において、上面洗浄ノズル２８から洗浄液が吐出されている期間の前半は、スプラッシュガード４が図１に実線で示す回収位置で停止され、当該期間の後半は、スプラッシュガード４がその排液捕獲部４１がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置で停止されるようにしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための概念図であり、基板処理時の状態を示している。
【図２】遮断板の上面および図示しない処理室の隔壁を洗浄するための処理時における上記基板処理装置の状態を示す概念図である。
【図３】遮断板の上面、ならびに処理カップおよびスプラッシュガードの内面を洗浄するための処理時における上記基板処理装置の状態を示す概念図である。
【符号の説明】
１      スピンチャック
２      遮断板
３      処理カップ
４      スプラッシュガード
２１    回転軸
２８    上面洗浄ノズル
４４    スプラッシュガード昇降駆動機構
４６    下面洗浄ノズル
Ｗ      ウエハ
【図１】
0004325831.tif 000002
【図２】
0004325831.tif 000003
【図３】
0004325831.tif 000004