(57)【要約】この方法は、ａ）複数の構造体（Ｓ）を受容するために適したチャンバー（１０）の用意、ｂ）チャンバー（１０）が非酸化性雰囲気を有するように、チャンバー（１０）内でのガス流れ（Ｆ）の循環、ｃ）絶縁体の酸化物中に存在する酸素が活性層を通して拡散し、活性層の半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での、複数の構造体（Ｓ）の熱処理の工程を含み、方法は、ガス流れ（Ｆ）が、ガス流れへの揮発性物質の拡散速度より大きい、複数の構造体間の循環速度を有するように、工程ｂ）が実行されることにおいて注目されるべきである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、基板、酸化物を含む絶縁体、半導体材料を含む活性層を連続的に含む、複数の構造体（Ｓ）を製造するための方法であって、該方法は、
ａ）前記複数の構造体（Ｓ）を受容するために適したチャンバー（１０）の用意、
ｂ）前記チャンバー（１０）が非酸化性雰囲気を有するように、前記チャンバー（１０）内でのガス流れ（Ｆ）の循環、
ｃ）前記絶縁体の前記酸化物中に存在する酸素が前記活性層を通して拡散し、前記活性層の前記半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での、前記複数の構造体（Ｓ）の熱処理の工程を含み、前記方法は、工程ｂ）および工程ｃ）が、ガス流れＦが、Ｖｄで表されるガス流れＦ中への前記揮発性物質の拡散速度より大きい、Ｖｆで表される前記複数の構造体（Ｓ）間の循環速度を有するように実行されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、前記工程ｂ）および工程ｃ）は、Ｖｆ／Ｖｄ≧１００、好ましくは、Ｖｆ／Ｖｄ≧１０００であるように実行されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２の方法であって、前記工程ｂ）は、前記ガス流れ（Ｆ）が、前記各構造体（Ｓ）の前記活性層の近傍に循環するように実行されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３の方法であって、前記工程ａ）中に用意される前記チャンバー（１０）は、長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に沿って延び、前記工程ｂ）は、前記チャンバー１０内への前記ガス流れ（Ｆ）の注入を含み、注入は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に平行に向けられ、前記工程ａ）は、前記各構造体（Ｓ）の活性層の近傍に注入される前記ガス流れ（Ｆ）を案内するために配置される案内手段を備える前記チャンバー（１０）を用意することにある工程を含み、前記案内手段は、好ましくは、前記チャンバー（１０）の周囲の周りに配置されたフィン（５０）を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３の方法であって、前記工程ａ）中に用意される前記チャンバー（１０）は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に沿って延び、前記工程ｂ）は、前記チャンバー（１０）内への前記ガス流れ（Ｆ）の注入を含み、注入は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に平行に向けられ、前記工程ａ）は、前記複数の構造体（Ｓ）を支持するために配置される支持部材（４０）を備える前記チャンバー（１０）を用意することにある工程を含み、そして、前記支持部材（４０）は、前記ガス流れ（Ｆ）が、前記各構造体（Ｓ）の前記活性層の近傍に循環するように前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）の周りで前記チャンバー（１０）に対して回転移動可能であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５の方法であって、前記構造体（Ｓ）の前記支持部材（４０）は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）の周りを部分的に曲がる螺旋を形成し、前記構造体（Ｓ）の前記支持部材（４０）の各々は、螺旋のブレードを形成することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項３の方法であって、前記工程ａ）の間に用意される前記チャンバー（１０）は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に沿って延び、そして、前記工程ｂ）は、その注入が、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に垂直に向けられ、前記ガス流れ（Ｆ）が前記各構造体（Ｓ）の前記活性層の近傍において循環するように、前記各構造体（Ｓ）に向けて方向づけられた、前記チャンバーへの前記ガス流れ（Ｆ）の注入を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７の方法であって、該方法は、前記各構造体（Ｓ）の前記活性層の近傍に循環する前記ガス流れ（Ｆ）を排出する工程を含み、前記チャンバー（１０）からの前記ガス流れ（Ｆ）の排出は、前記長手方向軸（Ｚ’−Ｚ）に直角に向けられることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項３の方法であって、前記工程ｂ）は、前記チャンバー（１０）への前記ガス流れ（Ｆ）の注入の工程を含み、注入は、前記各構造体（Ｓ）の中心に向けられることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９の方法であって、前記工程ａ）は、前記複数の構造体（Ｓ）を支持するために配置された支持部材（４０）を備えた前記チャンバー（１０）を用意することからなる工程を含み、前記支持部材（４０）は、前記構造体（Ｓ）の中心に注入される前記ガス流れ（Ｆ）を案内するために配置されたダクト（２０）を形成することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つの方法であって、方法は、前記チャンバー（１０）から前記ガス流れ（Ｆ）を排出する工程を含み、排出された前記ガス流れ（Ｆ）の一部は、前記チャンバー（１０）に再注入されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つの方法であって、前記各構造体（Ｓ）の前記活性層は、自由表面を有し、前記工程ａ）は、前記複数の構造体（Ｓ）を支持するために配置された支持手段を備えた前記チャンバー（１０）を用意する工程を含み、前記方法は、前記各構造体（Ｓ）の活性層の自由表面に垂直な軸の周りを回転運動する前記支持手段を位置づけることを含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１つの方法であって、前記絶縁体は二酸化ケイ素を含み、前記活性層の前記半導体材料は、ケイ素を含み、生成された前記揮発性物質は、一酸化ケイ素を含むことを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つの方法であって、前記複数の構造体の熱処理は、１１５０℃を超える温度で、４時間以下の期間、実行されることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各々が、基板、酸化物を含む絶縁体、および、半導体材料を含む活性層を、連続的に含む、複数の構造体を製造するための方法に関する。
【０００２】
「活性層」なる表現は、特に、マイクロエレクトロニクス、光学、および、光電子工学の分野における適用のために意図される成分が、その上に、又は、その中に製造されるであろう、層（または、複数の副層）を意味する。
【背景技術】
【０００３】
図１Ａに示された、従来技術から公知の製造方法は、
ａ）複数の構造体Ｓを受容するのに適したチャンバー１０の用意、
ｂ）チャンバー１０が非酸化性雰囲気を有するように、チャンバー１０内へのガス流れＦ（矢印で示される）の循環、
ｃ）絶縁体の酸化物中に存在する酸素が活性層を通して拡散し、活性層の半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での、複数の構造体Ｓの熱処理の工程を含む。
【０００４】
工程ａ）の間に用意されるチャンバーは、装置１の一部であり、構造体Ｓを支持するために適した支持システム４を装備する。
【０００５】
非酸化性雰囲気は、不活性ガス（例えばアルゴン）または還元ガスの連続的なガス流れＦによって、工程ｂ）中に得られ得る。用語「非酸化性」は、１０ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する雰囲気を意味するように解釈される。ガス流れＦは、入口２を通してチャンバー１０に注入され、出口３を通してチャンバー１０から排出される。
【０００６】
熱処理は、通常は、約１２００℃の高温で、工程ｃ）中に実行される。
【０００７】
工程ｂ）および工程ｃ）は、好ましくは、同時に行われることが、留意されるべきである。
【０００８】
そのような従来方法は、特に、絶縁体が二酸化ケイ素を含み、活性層の半導体材料がケイ素を含むときに用いられる。その際生成される揮発性物質は、一酸化ケイ素を含む。したがって、工程ｃ）は、特に、絶縁体を部分的に分解することを可能にする。そのような先行方法は、特に、２００ｎｍ以下の絶縁体厚みを要求する構造体の製造に有利である。
【０００９】
当業者は、コノンチュク（Kononchuk）による論文（非特許文献１、また、非特許文献２）に、そのような方法の専門的説明を見出すであろう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】コノンチュク等、「ＣＭＯＳ用途のためのＳＯＩ技術における新たな動向」、ソリッドステートフェノミナ（Solid State Phenomena）、１５６〜１５８巻（２０１０年）、６９〜７６頁
【非特許文献２】コノンチュク等、「ＳＯＩウェーハーにおける埋め込み酸化物の内部分解」、ソリッドステートフェノミナ、１３１〜１３３巻（２００８年）、１１３〜１１８頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、そのような先行技術の方法は、出願人が、工程ｃ）の間における、絶縁体の分解が均一でなく、製造された構造体における絶縁体の厚みが不均一となることを観察した限りにおいて、完全に満足のいくものではない。この不均一は、絶縁体の所望の厚みが小さく（例えば、２０ｎｍまたは１０ｎｍ以下）、構造体の直径が大きい（３００ｍｍ、４５０ｍｍ）とき、さらに有害である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上述の欠点を解消することを目的とし、各々が、基板、酸化物を含む絶縁体、および、半導体材料を含む活性層を、連続的に含む、複数の構造体を製造するための方法に関し、方法は、
ａ）複数の構造体を受容するのに適したチャンバーの用意、
ｂ）チャンバーが非酸化性雰囲気を有するように、チャンバー内でのガス流れの循環、
ｃ）絶縁体の酸化物中に存在する酸素が活性層を通して拡散し、活性層の半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での、複数の構造体の熱処理の工程を含み、方法は、ガス流れが、Ｖｄで示される、ガス流れへの揮発性物質の拡散速度より大きい、Ｖｆで示される、複数の構造体間での循環速度を有するように、前記工程ｂ）およびｃ）が実行されることにおいて注目すべきである。
【００１３】
出願人は、工程ｃ）の間の絶縁体の分解の不均一が、構造体の端部より構造体の中心でより大きい、活性層の近傍での揮発性物質の蓄積に本質的に依存することを観察した。揮発性物質のこの濃度勾配は、構造体の中心で絶縁体の過剰厚みをもたらす。具体的には、複数の構造体間のガス流れの循環速度は、ガス流れへの揮発性物質の拡散速度に対して非常に遅く、典型的には、Ｖｆ／Ｖｄ＜１０である。揮発性物質の排出は、したがって、構造体の端部に向いた拡散（ｍｍ／ｓのオーダーの速度）によって、主として行われる。活性層の近傍における揮発性物質の濃度勾配は、したがって、構造体の端部に対する構造体の中心での絶縁体の分解の減速をもたらす。
【００１４】
本発明は、ガス流れが、Ｖｄで示される、ガス流れへの揮発性物質の拡散速度より大きい、Ｖｆで示される、複数の構造体間での循環速度を有することで、この問題を解決する。したがって、構造体間の揮発性物質の濃度勾配は、揮発性物質の強制循環を生成することによって防止され、工程ｃ）の間の絶縁体の分解は、均一に行われ、製造された構造体における絶縁体の均一な厚みをもたらす。
【００１５】
工程ｂ）およびｃ）は、好ましくは同時に実行されることが、留意されるべきである。
【００１６】
有利には、工程ｂ）およびｃ）は、Ｖｆ／Ｖｄ≧１００、好ましくは、Ｖｆ／Ｖｄ≧１０００であるように実行される。
【００１７】
したがって、チャンバー内のガス流れの循環速度とガス流れへの揮発性物質の拡散速度の間のそのような比率は、各構造体間の有用な層の近傍における揮発性物質の濃度勾配が、大幅に減少させられることをもたらす。
【００１８】
一具体例によれば、工程ｂ）は、ガス流れが、各構造体の活性層の近傍に循環するように実行される。
【００１９】
したがって、揮発性物質の強制循環は、複数の構造体間に生成される。
【００２０】
一具体例によれば、工程ａ）中に用意されるチャンバーは、長手方向軸に沿って延び、工程ｂ）は、その注入が長手方向軸に平行に向けられた、チャンバーへのガス流れの注入を含み、そして、工程ａ）は、各構造体の活性層の近傍に注入されるガス流れを案内するために配置された案内手段を備えるチャンバーを用意することからなる工程を含み、案内手段は、好ましくは、チャンバーの周囲に配置されたフィンを含む。
【００２１】
一変形具体例によれば、工程ａ）中に用意されるチャンバーは、長手方向軸に沿って延び、工程ｂ）は、その注入が長手方向軸に平行に向けられた、チャンバーへのガス流れの注入を含み、工程ａ）は、複数の構造体を支持するために配置された支持部材を備えたチャンバーを用意することからなる工程を含み、そして、支持部材は、ガス流れが、各構造体の活性層の近傍に循環するように、長手方向軸の周りでチャンバーに対して回転移動可能である。
【００２２】
一態様によれば、構造体の支持部材は、長手方向軸の周りを部分的に曲がる螺旋を形成し、各構造体の支持部材は、螺旋のブレードを形成する。
【００２３】
したがって、そのような支持部材は、ガス流れを撹拌することによって、各構造体間の有用な層の近傍における揮発性物質の濃度勾配を大幅に減少させる。
【００２４】
一変形具体例によれば、工程ａ）の間に用意されるチャンバーは、長手方向軸に沿って延び、そして、工程ｂ）は、その注入が、長手方向軸に垂直に向けられ、ガス流れが、各構造体の活性層の近傍において循環するように、各構造体に向けて方向づけられた、チャンバーへのガス流れの注入を含む。
【００２５】
有利には、方法は、各構造体の活性層の近傍に循環するガス流れを排出する工程を含み、チャンバーからガス流れの排出は、チャンバーの長手方向軸に直角に向けられる。
【００２６】
したがって、そのような各構造体に専用とされた排出は、長手方向軸に沿った揮発性物質の濃度勾配を防止することを可能にする。
【００２７】
他の変形具体例によれば、工程ｂ）は、その注入が各構造体の中心に向けられた、チャンバーへのガス流れの注入の工程を含む。
【００２８】
したがって、揮発性物質の強制循環は、構造体の中心から構造体の端部に向けて生成され、これは、各構造体間の有用な層の近傍における揮発性物質の濃度勾配を防止するためである。
【００２９】
有利には、工程ａ）は、複数の構造体を支持するために配置された支持部材を備えるチャンバーを用意することからなる工程を含み、支持部材は、構造体の中心に注入されたガス流れを案内するために配置されたダクトを形成する。
【００３０】
したがって、そのような支持部材は、二つの役割、構造体の支持とガス流れの注入、を実行する。
【００３１】
一具体例によれば、方法は、チャンバーからガス流れを排出する工程を含み、排出されたガス流れの一部は、チャンバーに再注入される。
【００３２】
したがって、揮発性物質の濃度は、構造体の中心および端部間の濃度の均一性に加えて、チャンバーに沿って均一化される。
【００３３】
有利には、各構造体の活性層は、自由表面を有し、工程ａ）は、複数の構造体を支持するために配置された支持手段を備えたチャンバーを用意することからなる工程を含み、方法は、各構造体の活性層の自由表面に垂直な軸の周りを回転運動する支持手段を位置づける工程を含む。
【００３４】
したがって、そのような運動での位置づけは、各構造体の活性層の近傍に循環するガス流れの不均整を防止することを可能にする。
【００３５】
一具体例によれば、絶縁体は二酸化ケイ素を含み、活性層の半導体材料は、ケイ素を含み、生成された揮発性物質は、一酸化ケイ素を含む。
【００３６】
他の態様および利点は、添付図面を参照した、非限定的な例による、本発明による製造方法の具体例に従う説明において明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１Ａ】（すでに述べた）従来技術による一具体例を実施するための装置の長手方向断面図である。
【図１Ｂ】本発明の第一具体例を実施するための装置の縦方向断面図である。
【図２】本発明の第二具体例を実施するための装置の横方向断面図である。
【図３】本発明の第二具体例を実施するための装置の縦方向断面図である。
【図４】本発明の第三具体例を実施するための装置の横方向断面図である。
【図５】本発明の第四具体例を実施するための装置の横方向断面図である。
【図６】本発明の別の具体例を実施するための装置の横方向断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
種々の具体例に対して、記述の簡素化の目的で、同一の参照は、同一の構成要素または同一の役割を実行する構成要素に対して用いられるであろう。
【００３９】
図１Ｂに示された装置１は、各々が、基板、酸化物を含む絶縁体、および、半導体材料を含む活性層を連続的に含む、複数の構造体Ｓを製造するための装置である。
【００４０】
装置１は、
複数の構造体Ｓを受容するのに適したチャンバー１０、
チャンバー１０が非酸化性雰囲気を有し得るように、チャンバー１０内にガス流れＦを循環させるための手段、
絶縁体の酸化物中に存在する酸素が活性層を通して拡散し、活性層の半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での複数の構造体Ｓの熱処理を生じさせ得る加熱手段を含む。
【００４１】
用語「非酸化性」は、１０ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する雰囲気を意味するように解釈される。
【００４２】
チャンバー１０は、構造体Ｓを支持するために適した支持システム４を備える。チャンバー１０は、垂直な長手方向軸Ｚ’−Ｚ軸に沿って延びる。
【００４３】
循環手段は、チャンバー１０にガス流れを注入する注入ダクト２０を含む。注入ダクト２０は、ガス流れＦの入口２によって互いに接続される。各注入ダクト２０は、１つの構造体Ｓに専用とされる。注入ダクト２０は、ガス流れＦが、Ｖｄで表されるガス流れＦ中への揮発性物質の拡散速度より大きい、Ｖｆで表される構造体Ｓ間の循環速度を有する。より具体的には、各注入ダクト２０は、その値未満において、Ｖｆ／Ｖｄ≧１００、好ましくは、Ｖｆ／Ｖｄ≧１０００となる、所定値より小さい直径を有し得る。各注入ダクト２０の直径は、一定であり得、好ましくは、０．５ｍｍと１．５ｍｍの間、より好ましくは、実質的に１ｍｍに等しい。チャンバー１０内へのガス流れＦの注入は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに垂直に向けられ、ガス流れＦが、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環するように、各構造体Ｓに向けて方向づけられる。
【００４４】
循環手段は、チャンバー１０からガス流れＦを排出するための、複数の排出ダクト３０を含む。複数の排出ダクト３０は、複数の注入ダクト２０に対向して配置される。排出ダクト３０は、ガス流れＦの出口３によって互いに接続される。
【００４５】
図２および３に示された具体例において、装置１は、図１Ｂに示された装置とは異なっており、
チャンバー１０へのガス流れＦの注入は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに平行に向けられ、
チャンバー１０は、各構造体Ｓの活性層の近傍に注入されるガス流れＦを案内するために配置された案内手段を備える。
【００４６】
案内手段は、チャンバー１０の周囲に位置づけられたフィン５０を含む。フィン５０は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに垂直で、構造体Ｓに平行に延びる。フィン５０は、各フィンが、構造体Ｓと同一平面にあるように、長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って分布させられる。構造体Ｓ（図２の点線）が、支持システム４に属する支持部材４０によって支持され場合、対応するフィン５０は、構造体Ｓの周囲の第一部分７０に追従する。対応するフィン５０は、構造体Ｓの周囲の第二部分７１と装置１のハウジング１１と共に、開口６を定める。ガス流れＦの循環は、したがって、開口６を通して強制される。フィン５０は、ガス流れＦが、各構造体Ｓの活性層の近傍を循環するように、構造体Ｓに対し、長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って配置される。
【００４７】
図４に示された具体例において、装置１は、循環手段が、構造体Ｓの中心に向けられた、チャンバー１０にガス流れＦを注入するための複数の注入ダクト２０を含む点で、図１Ｂに示された装置、および、図２および３に示された装置とは異なる。各注入ダクト２０は、構造体Ｓ上に配置される、構造体Ｓを支持するための支持手段を形成し、対応する注入ダクト２０が、構造体Ｓの中心に向けられる。図４の点線は、ガス流れＦの注入を示す。
【００４８】
図５に示された具体例において、装置１は、チャンバー１０からガス流れＦを排出するための排出ダクト３０を含む。装置１は、注入ダクト２０を排出ダクト３０に接続するために配置された接続チャネル８を含む。接続チャネル８は、ベンチュリ効果を可能にするために、注入ダクト２０および排出ダクト３０の直径に対して十分に小さい直径を有する。
【００４９】
図６に示された具体例において、装置１は、支持部材４０が、長手方向軸Ｚ’−Ｚの周りをチャンバー１０に対して（図６に示された回転方向Ωで）回転移動可能である点で、図２および図３に示された装置１とは異なり、ガス流れＦは、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環する。構造体Ｓの支持部材４０は、長手方向軸Ｚ’−Ｚの周りを部分的に巻きつく螺旋を形成する。対応する構造体Ｓの各々の支持部材４０は、螺旋の羽根板を形成する。
【００５０】
一具体例によれば、本発明の方法は、各々が、基板、酸化物を含む絶縁体、半導体材料を含む活性層を連続的に含む、複数の構造体Ｓを製造するための方法であって、方法は、
ａ）複数の構造体Ｓを受容するために適したチャンバー１０の用意、
ｂ）チャンバー１０が非酸化性雰囲気を有するよう、チャンバー１０内でのガス流れＦの循環、
ｃ）絶縁体の酸化物中に存在する酸素が活性層を通して拡散し、活性層の半導体材料と反応し、揮発性物質を生成する、しきい値以上の温度での、複数の構造体Ｓの熱処理を含む。
【００５１】
工程ｂ）および工程ｃ）は、ガス流れＦが、Ｖｄで表されるガス流れＦ中への揮発性物質の拡散速度より大きい、Ｖｆで表される構造体Ｓ間の循環速度を有するように実行される。工程ｂ）および工程ｃ）は、Ｖｆ／Ｖｄ≧１００、好ましくは、Ｖｆ／Ｖｄ≧１０００であるように実行され得る。工程ｂ）は、ガス流れＦが、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環するように実行される。熱処理は、通常は、約１２００℃の高温で、工程ｃ）中に実行される。有利には、熱処理は、１１５０℃を超える温度で、４時間以下の期間、実行される。例えば、熱処理は、１２００℃で１時間以下で、または、３０分以下でも実行され、さもなければ、熱処理は、１１７５℃で３時間以下で実行され得る。
【００５２】
一具体例によれば、工程ａ）中に用意されるチャンバー１０は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って延びる。工程ｂ）は、チャンバー１０内へのガス流れＦの注入を含み、注入は、長手方向軸に平行に向けられる（図３参照）。工程ａ）は、各構造体Ｓの活性層の近傍に注入されるガス流れＦを案内するために配置された案内手段を備えるチャンバー１０を用意することにある工程を含む。案内手段は、好ましくは、チャンバー１０の周囲の周りに配置されたフィン５０を含む。図２および図３に示されるように、フィン５０は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに垂直に、構造体Ｓに平行に延びる。フィン５０は、各フィン５０が、構造体Ｓと同一平面にあるように、長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って分配される。構造体Ｓ（図２の点線）が支持システム４に属する支持部材４０によって支持されるとき、対応するフィン５０は、構造体Ｓの周囲の第一部分７０に付き従う。対応するフィン５０は、構造体Ｓの周囲の第二部分７１と装置１のハウジング１１と共に、開口６を定める。ガス流れＦの循環は、したがって、開口６を通って強制される。フィン５０は、ガス流れＦが、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環するように、構造体Ｓに対し長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って配置される。
【００５３】
図１Ｂに示された一変形具体例によれば、工程ａ）中に用意されるチャンバー１０は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに沿って延び、そして、工程ｂ）は、注入ダクト２０を通したチャンバー１０内へのガス流れＦの注入を含む。注入ダクト２０は、ガス流れＦの入口２によって、互いに接続される。注入は、ガス流れＦが、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環するように、長手方向軸Ｚ’−Ｚに垂直に向けられ、および、各構造体に向けて方向づけられる。
【００５４】
図１Ｂに示されるように、方法は、各構造体Ｓの活性層の近傍に循環するガス流れＦを、排出ダクト３０を通して排出する工程を含む。チャンバー１０からのガス流れＦの排出は、長手方向軸Ｚ’−Ｚに垂直に向けられる。複数の排出ダクト３０が、複数の注入ダクト２０に対向して配置される。排出ダクト３０は、ガス流れＦの出口３によって、互いに接続される。
【００５５】
図４に示された一具体例によれば、工程ｂ）は、チャンバー１０へのガス流れＦの注入工程を含み、注入は、各構造体Ｓの中心に向けられる。工程ａ）は、複数の構造体Ｓを支持するために配置された支持部材４０を備えるチャンバーを用意してなる工程を含む。少なくとも１つの支持部材４０は、構造体Ｓの中心に注入されたガス流れＦを案内するために配置された注入ダクト２０を形成する。
【００５６】
図５に示された一具体例によれば、方法は、チャンバー１０から、排出ダクト３０を通して、ガス流れＦを排出する工程を含む。排出されたガス流れＦの一部は、注入ダクト２０を介してチャンバー１０へ再注入される。接続チャネル８が、注入ダクト２０を排出ダクト３０に接続するために配置される。接続チャネル８は、ベンチュリ効果を可能にするために、注入ダクト２０および排出ダクト３０の直径に対して十分に小さい直径を有する。
【００５７】
表されない一具体例によれば、各構造体Ｓの活性層は、自由表面を有し、方法は、各構造体Ｓの活性層の自由表面に垂直な軸の回りの回転運動に、複数の構造体Ｓの支持システム４を位置づける工程を含む。この具体例は、特に、図１Ｂ、図２、図３および図６に示された具体例との組み合わせにおいて有利である。
【００５８】
一具体例において、絶縁体は、二酸化ケイ素を含み、活性層の半導体材料は、ケイ素を含み、そして、生成される揮発性材料は、一酸化ケイ素を含む。
【００５９】
もちろん、上述した本発明の具体例は、何の制限的性質も有しない。詳細化および改良が、本発明の範囲から実際に逸脱することなく、他の変形例において、それになされ得る。
【００６０】
特に、長手方向軸Ｚ’−Ｚが、水平であり得ることは、このような方法である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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