【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密な処理容器内にて複数種類の反応ガスを反応させて基板に薄膜を成膜する成膜装置において、
前記処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
基板の上方空間をプラズマ生成空間と排気空間とに横方向に分割するために設けられ、前記処理容器の天井部から下方に伸びると共にその下端と載置台上の基板との間に、前記プラズマ生成空間から排気空間にガスが流れるための隙間が形成された仕切り壁と、
前記プラズマ生成空間に第１の反応ガスを供給するための第１の反応ガス供給部と、
前記プラズマ生成空間に供給された第１の反応ガスを活性化してプラズマを生成するための活性化手段と、
前記プラズマ生成空間内の下部側または当該プラズマ生成空間よりも下方側に、第１の反応ガスの活性種と反応して基板上に薄膜を成膜する第２の反応ガスを供給するための第２の反応ガス供給部と、
前記排気空間を排気するための真空排気口と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記真空排気口は、前記仕切り壁の下端よりも高い位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記仕切り壁は互いに平行に複数設けられ、これら仕切り壁によりプラズマ生成空間及び排気空間が交互に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記仕切り壁は、横に直線状に伸びていることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
前記活性化手段は、
前記プラズマ生成空間を挟んで互いに対向する仕切り壁の一方及び他方に設けられ、夫々プラズマ生成空間に容量結合プラズマを生成するための平行電極であるアノード電極及びカソード電極と、
これらアノード電極及びカソード電極間に高周波電力を印加する高周波電源部と、を備えたことを特徴とする請求項３または４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第２の反応ガス供給部は、前記アノード電極及びカソード電極の少なくとも一方側の電極を貫通するガス流路を備え、当該ガス流路が形成された電極に設けられたガス供給孔を介して前記第２の反応ガスを供給することを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記活性化手段は、
前記プラズマ生成空間を挟んで互いに対向する仕切り壁の一方及び他方のうち、前記一方の仕切り壁に高周波電力を印加する第１の高周波電源部と、前記他方の仕切り壁に、前記第１の高周波電源部から印加される高周波電力とは位相の反転した高周波電力を印加する第２の高周波電源部と、を備えたことを特徴とする請求項３または４記載の成膜装置。
【請求項８】
前記活性化手段は、誘導結合プラズマまたはマイクロ波プラズマを生成するために前記プラズマ生成空間の上方に設けられたアンテナを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記仕切り壁はプラズマ生成空間を囲むように筒状に形成されると共に、当該筒状の仕切り壁が島状に複数設けられ、
前記活性化手段は、誘導結合プラズマまたはマイクロ波プラズマを生成するために前記プラズマ生成空間の各々の上方に設けられたアンテナを含むことを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記活性化手段は、
互いに対向する仕切り壁の一方及び他方に設けられ、夫々プラズマ生成空間に容量結合プラズマを生成するための平行電極である一方の電極及び他方の電極と、
これら電極間に高周波電力を印加する高周波電源部と、
前記プラズマ生成空間と排気空間との位置が予め設定した時間間隔で入れ替わるように、前記平行電極を構成する電極と高周波電源部の電源端子との接続を切り替える接続切り替え部と、を備えたことを特徴とする請求項３または４記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記第２の反応ガス供給部は、前記一方の電極及び他方の電極の少なくとも一方側の電極を貫通するガス流路を備え、当該ガス流路が形成された電極に設けられたガス供給孔を介して前記第２の反応ガスを供給することを特徴とする請求項１０に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記接続切り替え部は、前記高周波電源部の電源端子と接地点との間で前記平行電極を構成する電極の接続先を切り替えることにより、前記プラズマ生成空間と排気空間との位置を入れ替えること特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記高周波電源部は、互いに位相の反転した高周波電力を出力する第１の高周波電源部と第２の高周波電源部と、を備え、前記接続切り替え部は、これら第１の高周波電源部の電源端子と、第２の高周波電源部の電源端子との間で前記平行電極を構成する電極の接続先を切り替えることにより、前記プラズマ生成空間と排気空間との位置を入れ替えること特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記第１の反応ガス及び第２の反応ガスを前記プラズマ空間に供給し、前記排気空間には供給しないように、前記接続切り替え部の切り替え動作に同期してガスの供給を切り替えるためのガス供給切り替え部を備えたことを特徴とする請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記真空排気口は処理容器の側壁に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１６】
第１の反応ガスは水素ガスであり、第２の反応ガスはシリコン化合物ガスであることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記成膜装置は、以下の特徴を備えていてもよい。  
（ａ）前記真空排気口は、前記仕切り壁の下端よりも高い位置に形成されていること。
（ｂ）前記仕切り壁は互いに平行に複数設けられ、これら仕切り壁によりプラズマ生成空間及び排気空間が交互に配置されていること。  
（ｃ）前記仕切り壁は、横に直線状に伸びていること。  
（ｄ）前記活性化手段は、前記プラズマ生成空間を挟んで互いに対向する仕切り壁の一方及び他方に設けられ、夫々プラズマ生成空間に容量結合プラズマを生成するための平行電極であるアノード電極及びカソード電極と、これらアノード電極及びカソード電極間に高周波電力を印加する高周波電源部と、を備えたこと。さらに、前記第２の反応ガス供給部は、前記アノード電極及びカソード電極の少なくとも一方の電極を貫通するガス流路を備え、当該ガス流路が形成された電極に設けられたガス供給孔を介して前記第２の反応ガスを供給すること。 
（ｅ）前記活性化手段は、前記プラズマ生成空間を挟んで互いに対向する仕切り壁の一方及び他方のうち、前記一方の仕切り壁に高周波電力を印加する第１の高周波電源部と、前記他方の仕切り壁に、前記第１の高周波電源部から印加される高周波電力とは位相の反転した高周波電力を印加する第２の高周波電源部と、を備えたこと。
（ｆ）前記活性化手段は、誘導結合プラズマまたはマイクロ波プラズマを生成するために前記プラズマ生成空間の上方に設けられたアンテナを含むこと。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（ｇ）前記仕切り壁はプラズマ生成空間を囲むように筒状に形成されると共に、当該筒状の仕切り壁が島状に複数設けられ、前記活性化手段は、誘導結合プラズマまたはマイクロ波プラズマを生成するために前記プラズマ生成空間の各々の上方に設けられたアンテナを含むこと。  
（ｈ）前記活性化手段は、互いに対向する仕切り壁の一方及び他方に設けられ、夫々プラズマ生成空間に容量結合プラズマを生成するための平行電極である一方の電極及び他方の電極と、これら電極間に高周波電力を印加する高周波電源部と、前記プラズマ生成空間と排気空間との位置が予め設定した時間間隔で入れ替わるように、前記平行電極を構成する電極と高周波電源部の電源端子との接続を切り替える接続切り替え部と、を備えたこと。さらに、前記第２の反応ガス供給部は、前記一方の電極及び他方の電極の少なくとも一方側の電極を貫通するガス流路を備え、当該ガス流路が形成された電極に設けられたガス供給孔を介して前記第２の反応ガスを供給すること。
（ｉ）前記接続切り替え部は、前記高周波電源部の電源端子と接地点との間で前記平行電極を構成する電極の接続先を切り替えることにより、前記プラズマ生成空間と排気空間との位置を入れ替えること。または前記高周波電源部は、互いに位相の反転した高周波電力を出力する第１の高周波電源部と第２の高周波電源部と、を備え、前記接続切り替え部は、これら第１の高周波電源部の電源端子と、第２の高周波電源部の電源端子との間で前記平行電極を構成する電極の接続先を切り替えることにより、前記プラズマ生成空間と排気空間との位置を入れ替えること。
（ｊ）前記第１の反応ガス及び第２の反応ガスを前記プラズマ空間に供給し、前記排気空間には供給しないように、前記接続切り替え部の切り替え動作に同期してガスの供給を切り替えるためのガス供給切り替え部を備えたこと。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（ｋ）前記真空排気口は処理容器の側壁に形成されていること。  
（ｌ）第１の反応ガスは水素ガスであり、第２の反応ガスはシリコン化合物ガスであること。