【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下部電極上に絶縁層を形成するステップと、
（ｂ）前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造が形成されるように開口部を形成するステップと、
（ｃ）前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、
（ｄ）前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、
（ｅ）前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップと、
を含む有機発光素子の製造方法であって、
前記絶縁層は、前記下部電極上に形成された下部絶縁層および前記下部絶縁層上に形成されて前記下部絶縁層よりもエッチング速度が遅い上部絶縁層を含み、
前記ｂ）ステップでは、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をエッチングし、前記上部絶縁層から前記下部絶縁層を経て前記下部電極に至る前記開口部を形成するステップであり、前記開口部のうちで前記上部絶縁層に形成された上部開口部の周囲よりも前記下部絶縁層に形成された下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造が形成されるように前記開口部を形成し、
前記オーバーハング構造は、直径が前記下部開口部の下部から前記下部開口部の上部に移動するにつれて徐々に増加する湾曲面を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層はシリコン絶縁層であり、
前記ｂ）ステップで、前記絶縁層のエッチングはドライエッチングであることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン絶縁層は、非晶質シリコンで形成することを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）ステップでは、前記シリコン絶縁層の上部面のうちで前記開口部を形成するためのドライエッチング領域を除いた領域にフォトレジストをパターニングし、前記ドライエッチング領域をドライエッチングした後、前記フォトレジストを除去して前記開口部を形成することを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）ステップで、前記シリコン絶縁層は、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、およびＳＦ６のうちから選択された１種以上のガスとＨｅ、Ｏ２、およびＨ２のうちから選択された１種以上のガスを混合した混合ガス、またはＣｌ２、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、およびＳＦ６のうちから選択された１種以上のガスでドライエッチングされることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ）ステップの前に前記下部電極上に酸化膜を形成するステップと、
前記（ｂ）ステップで、前記シリコン絶縁層をドライエッチングした後、前記酸化膜をドライエッチングするステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記酸化膜は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、およびＴａ２Ｏ５のうちのいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記酸化膜は、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、およびＨＢｒのうちから選択された１種以上のガスとＨｅ、Ｏ２、およびＨ２のうちから選択された１種以上のガスを混合した混合ガス、またはＣＦ４、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、およびＨＢｒのうちから選択された１種以上のガスでドライエッチングされることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記下部絶縁層は、ＳｉＯＮ、非晶質Ａｌ２Ｏ３、およびＳｉＯ２のうちから選択されたいずれか１つで形成し、前記上部絶縁層は、Ｓｉ３Ｎ４で形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）ステップでは、前記上部絶縁層をドライエッチングして前記上部開口部を形成した後、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層がエッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なることを利用して前記下部絶縁層をウエットエッチングすることにより、前記上部開口部の周囲よりも前記下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）ステップでは、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をドライエッチングした後、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層がエッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なることを利用して前記下部絶縁層をウエットエッチングすることにより、前記上部開口部の周囲よりも前記下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）ステップで、ドライエッチング時のエッチングガスは、ＣＨＦ３ガス、Ｏ２ガス、およびＣＦ４ガスが混合した混合ガス、またはＯ２ガス、Ｈ２ガス、およびＨｅガスのうちから選択された１つ以上のガスとＣＦ４ガスの混合ガス、またはＣＦ４ガス、ＣＨＦ３ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、およびＮＦ３ガスのうちから選択された１種以上のガスであることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記エッチング溶液は、フッ酸（ＨＦ）、ＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈａｎｔ）、およびＢＨＦ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ＨＦ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）のうちから選択された１つ以上であることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）ステップでは、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層がエッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なることを利用して前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をすべてウエットエッチングすることにより、前記上部開口部の周囲よりも前記下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造を形成することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記上部絶縁層はリン酸（Ｈ３ＰＯ４）でウエットエッチングし、前記下部絶縁層はフッ酸（ＨＦ）でウエットエッチングすることを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記（ｃ）ステップで、前記導電層は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる金属グループから選択された１つ以上または導電性を有する有機物質で形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１７】
下部電極と、
前記下部電極上に形成され、前記下部電極の板面に対して垂直な方向に形成された開口部を有する絶縁層であり、前記開口部の最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）構造が形成された絶縁層と、
前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に形成された導電層と、
前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に形成された有機物層と、
前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に形成された上部電極と、
を含む有機発光素子であって、
前記オーバーハング構造が形成された前記絶縁層は、前記下部電極上に形成された下部絶縁層および前記下部絶縁層上に形成された上部絶縁層を含み、
前記オーバーハング構造が形成されるように、前記開口部は、前記下部絶縁層に形成された下部開口部および前記下部開口部と連通するように前記上部絶縁層に形成され、前記下部開口部の周囲よりも小さい周囲を有する上部開口部を含み、
前記オーバーハング構造は、直径が前記下部開口部の下部から前記下部開口部の上部に移動するにつれて徐々に増加する湾曲面を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１８】
前記絶縁層は、シリコン絶縁層であることを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項１９】
前記シリコン絶縁層は、非晶質シリコンで形成されたことを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光素子。
【請求項２０】
前記下部電極と前記シリコン絶縁層の間に形成された酸化膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光素子。
【請求項２１】
前記酸化膜は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、およびＴａ２Ｏ５のうちのいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光素子。
【請求項２２】
前記下部絶縁層は、ＳｉＯＮ、非晶質Ａｌ２Ｏ３、およびＳｉＯ２のうちから選択されたいずれか１つで形成され、前記上部絶縁層は、Ｓｉ３Ｎ４で形成されたことを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項２３】
前記下部絶縁層と前記上部絶縁層は、エッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なり、
前記下部絶縁層は、前記上部絶縁層よりもエッチング速度が速いことを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項２４】
前記オーバーハング構造は、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をすべてウエットエッチングして形成されたことを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項２５】
前記上部絶縁層のウエットエッチングに用いられたエッチング溶液はリン酸（Ｈ３ＰＯ４）であり、前記下部絶縁層のウエットエッチングに用いられたエッチング溶液はフッ酸（ＨＦ）であることを特徴とする、請求項２４に記載の有機発光素子。
【請求項２６】
前記オーバーハング構造は、前記上部絶縁層をドライエッチングした後、前記下部絶縁層をエッチング溶液でウエットエッチングして形成されたことを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項２７】
前記オーバーハング構造は、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をドライエッチングした後、前記下部絶縁層をエッチング溶液でウエットエッチングして形成されたことを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項２８】
前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、ＣＨＦ３ガス、Ｏ２ガス、およびＣＦ４ガスが混合した混合ガス、またはＯ２ガス、Ｈ２ガス、およびＨｅガスのうちから選択された１つ以上のガスとＣＦ４ガスの混合ガス、またはＣＦ４ガス、ＣＨＦ３ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、ＳＦ６ガス、およびＮＦ３ガスのうちから選択された１種以上のガスであることを特徴とする、請求項２６または２７に記載の有機発光素子。
【請求項２９】
前記エッチング溶液は、フッ酸（ＨＦ）、ＢＯＥ（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈａｎｔ）、およびＢＨＦ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ＨＦ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）のうちから選択された１つ以上であることを特徴とする、請求項２６または２７に記載の有機発光素子。
【請求項３０】
前記導電層は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる金属グループから選択された１つ以上または導電性を有する有機物質で形成されることを特徴とする、請求項１７または１８に記載の有機発光素子。
【請求項３１】
請求項１７または１８に係る有機発光素子を含むことを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
また、開口部１３２ａ、１３２ｂのうちで上部絶縁層１４０に形成された上部開口部１３２ｂの周囲よりも下部絶縁層１３０に形成された下部開口部１３２ａの周囲が大きいオーバーハング構造１３１が形成されている。オーバーハング構造１３１において、下部開口部１３２ａの周囲が上部開口部１３２ｂの周囲よりも大きいようにエッチングすることにより形成された周囲面は、開口部１３２ａ、１３２ｂの中心にて、直径が下部開口部の下部から下部開口部の上部に移動するにつれて徐々に増加するように湾曲された湾曲面である。