(57)【要約】  フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）内にフィンを作製するための方法は、ＦｉｎＦＥＴの基板に結合された単結晶フィン構造を露出させるステップを含む。単結晶フィン構造は第１の材料のものである。本方法はまた、第１の温度で、露出した単結晶フィン構造内に第２の材料をインプラントするステップをさらに含む。第１の温度は、単結晶フィン構造の非晶質化を低減させる。インプラントされた単結晶フィン構造は少なくとも２０％の第１の材料を含む。本方法はまた、第２の温度で、インプラントされたフィン構造をアニールするステップを含む。第２の温度は、インプラントされたフィン構造内の結晶欠陥を削減して、フィンを形成する。
2016537818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）内にフィンを作製するための方法であって、
前記ＦｉｎＦＥＴの基板に結合された単結晶フィン構造を露出させるステップであって、前記単結晶フィン構造が第１の材料のものである、露出させるステップと、
前記単結晶フィン構造の非晶質化を低減させる第１の温度で、前記単結晶フィン構造の露出した部分内に第２の材料をインプラントするステップであって、前記インプラントされた単結晶フィン構造が少なくとも２０％の前記第１の材料を含む、インプラントするステップと、
前記インプラントされたフィン構造内の結晶欠陥を削減して、前記フィンを形成する第２の温度で、前記インプラントされたフィン構造をアニールするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板がシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の材料がゲルマニウム（Ｇｅ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記インプラントするステップが、前記フィンのいずれの表面に対しても直角でない角度で生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の温度が前記第２の温度よりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の材料の第１の原子半径が、前記第２の材料の第２の原子半径とは１５％未満だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記単結晶フィン構造の非晶質化を低減させる第３の温度で、前記単結晶フィン構造の前記露出した部分に第３の材料をインプラントするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＦｉｎＦＥＴを、モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込むステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板と、
少なくとも２０％のインプラントされたゲルマニウムを含む単結晶フィン構造であって、傾斜接合を用いて前記基板に結合された単結晶フィン構造と
を含むシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）。
【請求項１０】
前記基板がシリコンを含む、請求項９に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１１】
前記単結晶フィン構造が低減した非晶質化を有する、請求項９に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１２】
前記ゲルマニウムが、前記単結晶フィン構造のいずれの表面に対しても直角でない角度でインプラントされる、請求項９に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１３】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項９に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１４】
電流チャネルをサポートするための手段と、
少なくとも２０％のインプラントされたゲルマニウムを含む電流を搬送するための手段であって、傾斜接合を用いて前記サポート手段に結合された、搬送するための手段と
を含む、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）。
【請求項１５】
前記サポート手段が結晶シリコンを含む、請求項１４に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１６】
前記電流搬送手段が低減した非晶質化を有する、請求項１４に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１７】
前記ゲルマニウムが、前記電流搬送手段のいずれの表面に対しても直角でない角度でインプラントされる、請求項１４に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１８】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１４に記載のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴ。
【請求項１９】
フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）内にシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィンを作製するための方法であって、
基板に結合された単結晶フィン構造を露出させるステップと、
前記単結晶フィン構造の非晶質化を低減させる第１の温度で、前記単結晶フィン構造の露出した部分内に第１の材料をインプラントするステップであって、前記インプラントされた単結晶フィン構造が少なくとも２０％の前記第１の材料を含む、インプラントするステップと、
前記インプラントされたフィン構造内の結晶欠陥を削減する第２の温度で、前記インプラントされたフィン構造をアニールするステップと
を含む、方法。
【請求項２０】
前記ＦｉｎＦＥＴを、モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込むためのステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、その開示の全体が参照により本明細書に明示的に組み込まれている、２０１３年１１月２２日に出願した、「ＳＩＬＩＣＯＮ  ＧＥＲＭＡＮＩＵＭ  ＦＩＮＦＥＴ  ＦＯＲＭＡＴＩＯＮ」という名称の米国仮特許出願第６１／９０８，００３号の、米国特許法第１１９（ｅ）条に基づく利益を主張するものである。
【０００２】
本開示の態様は、半導体デバイスに関し、より詳細には、フィン（ＦｉｎＦＥＴ）チャネルを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）構造内のシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）使用に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＳｉＧｅは、ｐチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイス用の有望な材料として広く検討されてきた。ＳｉＧｅは、材料内の正孔移動度を増大させる圧縮歪みを有する。標準ＦＥＴジオメトリでは、ＦＥＴのソース領域およびドレイン領域など、半導体チップ領域内に歪みを与えることが一般的である。しかしながら、ＦｉｎＦＥＴ構造では、歪み制御技術に関して利用可能なフィンの容量は小さい。１０ナノメートルデバイス設計においてなど、フィンジオメトリが削減されると、ＳｉＧｅフィンの作製を達成することは高価および困難である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）内にフィンを作製するための方法は、ＦｉｎＦＥＴの基板に結合された単結晶フィン構造を露出させるステップを含む。単結晶フィン構造は第１の材料で作られる。本方法はまた、第１の温度で、単結晶フィン構造の露出部分内に第２の材料をインプラントするステップを含む。第１の温度は、単結晶フィン構造の非晶質化を低減させる。インプラントされた単結晶フィン構造は少なくとも２０％の第１の材料を含む。本方法はまた、インプラントされたフィン構造内の結晶欠陥を削減して、フィンを形成する第２の温度で、インプラントされたフィン構造をアニールするステップを含む。
【０００５】
シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）は、基板と、少なくとも２０％のインプラントされたゲルマニウムを含む単結晶フィン構造とを含む。単結晶フィン構造は、傾斜接合を用いて基板に結合される。
【０００６】
シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）は、電流チャネルをサポートするための手段と、少なくとも２０％のインプラントされたゲルマニウムを含む電流を搬送するための手段とを含む。搬送手段は、傾斜接合を用いてサポート手段に結合される。
【０００７】
上記は、続く詳細な説明をよりよく理解することができるように、本開示の特徴および技術的利点について、かなり大まかに概説したものである。本開示のさらなる特徴および利点について、以下で説明する。本開示は、本開示と同じ目的を果たすための他の構造を修正または設計する基礎として容易に利用できることを、当業者には理解されたい。そのような等価な構造（ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）が、添付の特許請求の範囲に記載の本開示の教示から逸脱しないことも、当業者には理解されたい。本開示の特徴になると考えられる新規な特徴は、本開示の構成（ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ）と動作方法の両方に関して、さらなる目的および利点とともに、以下の説明を添付の図と併せ検討することからよりよく理解されるであろう。しかしながら、図の各々は、例示および説明を目的として提供されているに過ぎず、本開示の制限を定めるものではないことを、明確に理解されたい。
【０００８】
本開示のより完全な理解が得られるように、ここで、以下の説明を添付の図面と併せて参照する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】ＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図である。
【図１Ｂ】ＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図である。
【図１Ｃ】ＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図である。
【図１Ｄ】ＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図である。
【図２】本開示の一態様によるＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスのフィン構造の側面図である。
【図３】フィン構造をエッチングまたは除去する代わりに、絶縁材料をエッチングすることを示す図である。
【図４】本開示の一態様によるＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスのフィン構造内にドーパント原子をインプラントすることを示す図である。
【図５】本開示の一態様によるドープフィン構造の側面図である。
【図６】本開示の一態様によるドープフィン構造周囲の酸化物成長を示す図である。
【図７】本開示の一態様による最終的なフィン構造を生成するためにドープフィン構造から酸化物を除去することを示す図である。
【図８】本開示の一態様による、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）内にシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィンを作製するための方法を示すプロセスフロー図である。
【図９】本開示の一構成が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【図１０】一構成による、半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計に使用される設計用ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
添付の図面に関して以下に記載する詳細な説明は、様々な構成の説明として意図されており、本明細書で説明する概念が実践され得る構成のみを表すことは意図されていない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を与える目的で特定の詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしに実践され得ることが、当業者には明らかであろう。場合によっては、そのような概念を曖昧にすることを回避するために、よく知られている構造および構成要素がブロック図の形態で示されている。本明細書の説明では、「および／または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことを意図し、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことを意図する。
【００１１】
高性能トランジスタにとって高モビリティ伝導チャネルが望ましい。材料選択および歪み制御技術は、トランジスタのチャネル内の電荷キャリアの移動度を改変するために使用される設計特徴である。金属酸化物半導体（ＭＯＳ）電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）では、歪み制御技術が使用されるが、フィンベースの構造（ＦｉｎＦＥＴ）では、歪み材料の使用は困難である。ＦｉｎＦＥＴ構造内にはより多くの自由表面が存在し、歪み制御技術に関して利用可能なソース／ドレイン容量は、他のＦＥＴジオメトリおよび他のＦＥＴ技術と比較して小さい。
【００１２】
シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）は、１０ナノメートル以下のＰＭＯＳデバイス用の主要な候補と見なされる。関連技術におけるＳｉＧｅフィン形成は、Ｓｉフィンのエッチまたはリセスに続いて、リセス内のＳｉＧｅのエピタキシャル成長を利用する。化学機械平坦化（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）プロセスは、しばしば、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）材料上で過成長したＳｉＧｅを除去し、ＳｉＧｅフィンを形成するために使用される。この関連技術プロセスのコストは高く、結果として、コスト高のＦｉｎＦＥＴデバイスをもたらす。
【００１３】
さらに、シリコンテンプレート上のＳｉＧｅフィン成長は、しばしば、フィン長に沿って一軸圧縮歪み（ｕｎｉａｘｉａｌ  ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ  ｓｔｒｅｓｓ）を有するが、エピタキシャル成長したＳｉＧｅは、摂氏９００度を超える温度で熱アニールを使用して、エピタキシャル成長欠陥を取り除く。このアニールは、ＳｉＧｅ内の一軸歪みを緩和することになり、これはＳｉＧｅチャネル内の正孔移動度を削減し得る。
【００１４】
図１Ａ〜図１Ｄは、ＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図を示す。図１Ａは、基板１００と、絶縁材料１０２と、フィン構造１０４とを示す。基板１００は、シリコンなどの半導体材料であり得る。絶縁材料１０２は、シリコン酸化物もしくはシリコン窒化物、または他の材料など、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）材料であり得る。フィン構造１０４は結晶質であってよく、基板１００に沿った単結晶構造の一部であり得る。
【００１５】
関連技術手法では、フィン構造１０４は、図１Ｂに示すように、リセス１０６を作成するためにエッチングされるか、あるいは除去される。絶縁材料１０２は、リセス１０６用の形状として機能する。図１Ｃでは、材料１０８は、リセス１０６内に成長し、絶縁材料１０２の表面１１０上に成長し得る。材料１０８の過成長は、図１Ｄに示すように、フィン構造１１２を作成するために、エッチングまたはポリッシング（たとえば、ＣＭＰ）によって除去される。材料１０８はＳｉＧｅであってよい。材料１０８がＳｉＧｅであるとき、基板１００の全域およびリセス１０６内の成長は、均一割合のゲルマニウムのものであり、これは、材料１０８を使用する基板１００上のデバイスの電圧しきい値数を制限する。さらに、インターフェース１１４は急激境界を有する場合があり、これはフィン構造１１２の最小サイズを制限し得る。
【００１６】
図１Ｄに示すように、フィン構造１０４が形成されると、フィン構造１０４はアニールされて、フィン構造１０４内の成長欠陥を削減する。このアニーリングは、摂氏９００度を超える温度など、昇温時に発生し得、これは、フィン構造１１２を非晶質化し得、かつ／またはフィン構造１１２の長さに沿った圧縮歪みを緩和し得る。フィン構造１１２に沿った圧縮歪みを低減させること、または緩和することは、フィン構造１１２内のキャリア移動度を低減させ、フィン構造１１２内で材料１０８を使用する利点は結果として低減する。
【００１７】
図２から図７は、本開示の１つまたは複数の態様によるＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスの側面図を示す。図２は、本開示の一態様によるＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスのフィン構造の側面図を示す。この構成では、フィン構造１０４は、フィン構造１０４間に絶縁材料１０２を有する基板１００の一部として形成された単結晶構造として示される。基板１００は、シリコンなどの半導体材料であり得る。絶縁材料１０２は、シリコン酸化物もしくはシリコン窒化物、または他の類似の材料など、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）材料であり得る。
【００１８】
図３は、絶縁材料１０２をエッチングするエッチ３００を示す。この構成では、図１Ｂに示すように、フィン構造１０４をエッチングまたは除去するのではなく、絶縁材料がエッチングされる。エッチ３００は、フッ化水素酸（ＨＦ）エッチを使用して実行され得るか、または他のエッチング剤または他の類似のエッチプロセスを使用する、ケミカルウェット／蒸着エッチ（ＣＷＥ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｗｅｔ／ｖａｐｏｒ  ｅｔｃｈ）プロセスを使用して実行され得る。
【００１９】
図４は、本開示の一態様によるＦｉｎＦＥＴ半導体デバイスのフィン構造内にドーパント原子をインプラントすることを示す。本開示のこの態様では、インプラント４００はフィン構造１０４内にドーパント原子をインプラントする。インプラント４００は、本開示のこの態様では、フィン構造１０４内にゲルマニウムをインプラントする。このインプラントは、フィン構造１１２をドープするのではなく、フィン構造１１２内に化合物半導体材料を形成するために実行され得る。たとえば、インプラント４００がフィン構造１１２内に何らかの（たとえば、１％から９９％までの）割合のゲルマニウムをインプラントし得るときに、ゲルマニウムが使用される。ゲルマニウムは、少なくとも２０％の割合でインプラントされ得る。ゲルマニウムに関して説明するが、本開示の範囲から逸脱せずに、他の割合で他の材料をインプラントすることが可能である。１つの例示的な構成では、第１の材料の第１の原子半径は第２の材料の第２の原子半径とは１５％未満だけ異なる。さらに、二元化合物半導体に関して説明するが、本開示の範囲から逸脱せずに、フィン構造１１２内にいくつかの材料（たとえば、半導体、導電性材料、または絶縁材料）の第３級結合、第４級結合、または他の結合がインプラントされ得る。一構成では、単結晶フィンの非結質化を低減させる第３の温度で、フィン内に第３の材料をインプラントする。
【００２０】
インプラント４００は、フィン構造１０４の表面に対して直角または平行でない角度で実行され得る。さらに、指定された材料（たとえば、ゲルマニウム）のインプラント４００の量は、フィン構造１０４の各々の中のドーパント原子の割合を制御するために、フィン構造１０４の様々なフィン構造に関して制御され得る。本開示のこの態様は、所与の基板１００上にフィン構造１０４を用いるデバイスに関してより多くの数の電圧しきい値を可能にし得る。インプラント４００は、フィン構造１０４の非晶質化の可能性を低減させるために昇温（〜６００℃）で実行され得る。
【００２１】
図５は、本開示の一態様によるドープフィン構造の側面図を示す。図５では、ドープフィン構造５００を示し、ここでは、ドープフィン構造５００はフィン構造１０４よりも若干大きく、絶縁材料１０２に重複する。インプラント４００は材料（たとえば、インプラントからインプラントされた材料）をフィン構造１０４に加えるため、ドープフィン構造５００はフィン構造１０４よりも若干大きく示されている。
【００２２】
図６は、本開示の一態様によるドープフィン構造周囲の酸化物成長を示す。典型的に、酸化物６００はドープフィン構造５００の周囲に成長する。本開示の一態様では、ドープフィン構造５００がアニールされるとき、アニールプロセスにおける酸化物の存在はドープフィン構造５００（たとえば、ゲルマニウムドープシリコンフィン構造）内のシリコンの一部で酸化される。これは、本開示の一態様ではシリコン酸化物である酸化物６００を作成する。本開示のこの態様では、アニールは、およそ摂氏１０００〜１３００度であり得る高温で発生し、これは、ドープフィン構造５００内に酸化物６００を形成して、（たとえば、スタック欠陥、インプラント障害など）結晶格子欠陥を削減する。
【００２３】
図７は、本開示の一態様による最終的なフィン構造を生成するためにドープフィン構造から酸化物を除去することを示す。具体的には、酸化物６００がドープフィン構造５００から除去されて、最終的なフィン構造７００を生成する。ここで、酸化物６００の作成により、および酸化物６００を除去するためのエッチプロセスにより、一部の材料はドープフィン構造５００から除去されているため、フィン構造１０４の元の幅にさらに整合されているとして、最終的なフィン構造７００が示されている。さらに、インターフェース７０２は、図１Ａから図１Ｄに示すインターフェース１１４よりも急激さが低いが、これはそのインターフェース７０２は基板１００から生じた単結晶構造から形成されたためである。
【００２４】
図６のアニールはまたドーパント原子を基板１００内に押入れ、これはインターフェース７０２の異種特性を低減させる。本開示の一態様では、最終的なフィン構造７００は、フィン構造１０４の元のバージョンに対して自己整合される。さらに、上記で説明したように、最終的なフィン構造７００内のドーパント材料、たとえば、ゲルマニウムの濃度は、インプラント４００の間に異なる分量のドーパント材料を使用することによって制御可能である。したがって、本開示の一態様では、同じ基板１００上の異なるタイプのデイバスに関する複数のドーパント濃度が実現され得る。さらに、本開示は、エピタキシャル成長を使用して、従来のＳｉＧｅ−ＦｉｎＦＥＴの最終的なフィン構造よりも安価に生成することができる最終的なフィン構造を提供する。
【００２５】
図８は、本開示の一態様による、フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを作製するための方法８００を示すプロセスフロー図である。ブロック８０２で、基板に結合された単結晶フィン構造を露出させる。たとえば、図３に示したように、絶縁材料をエッチングするためにエッチ３００を実行する。ブロック８０４で、第１の温度で、露出された単結晶フィン構造内に第１の材料をインプラントする。たとえば、図４は、フィン構造１０４内へのドーパント原子のインプラント４００を示す。第１の温度は、単結晶フィン構造の非晶質化を低減するように選択される。この例では、インプラント４００は、フィン構造１０４の非晶質化の可能性を低減させるために昇温（〜６００℃）で実行され得る。
【００２６】
ブロック８０６で、図６に示したように、第２の温度で、インプラントされたフィン構造をアニールする。第２の温度は、インプラントされたフィン構造内の結晶欠陥を削減する。たとえば、本開示の態様この態様では、アニールは、およそ摂氏１０００〜１３００度であり得る高温で発生する。第２の温度でのアニールは、酸化物６００を形成し、ドープフィン構造５００内の（たとえば、スタック欠陥、インプラント障害など）結晶格子欠陥を削減する。
【００２７】
本開示のさらなる態様によれば、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）フィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）を説明する。一構成では、ＦｉｎＦＥＴは、電流チャネルをサポートするための手段を含む。このサポート手段は基板１００であり得る。ＦｉｎＦＥＴはまた、インプラントされたゲルマニウムを含む電流を搬送するための手段を含む。電流搬送手段は最終的なフィン構造７００であり得る。別の態様では、前述の手段は、前述の手段によって具陳された機能を実行するように構成された任意のモジュールまたは任意の装置であり得る。
【００２８】
図９は、本開示の一態様が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システム９００を示すブロック図である。説明のために、図９は、３つの遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０と、２つの基地局９４０とを示す。ワイヤレス通信システムは、より多くの遠隔ユニットおよび基地局を有し得ることを理解されよう。遠隔ユニット９２０、９３０および９５０は、ＩＣデバイス９２５Ａ、９２５Ｃおよび９２５Ｂを含み、これらは開示するＦｉｎＦＥＴデバイスを含む。基地局、スイッチングデバイス、ネットワーク機器などの他のデバイスも、開示するＦｉｎＦＥＴデバイスを含み得ることを認識されよう。図９は、基地局９４０から遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０への順方向リンク信号９８０、ならびに遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０から基地局９４０への逆方向リンク信号９９０を示す。
【００２９】
図９では、遠隔ユニット９２０はモバイル電話として示され、遠隔ユニット９３０はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット９５０は、ワイヤレスローカルループシステムにおける固定位置遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、モバイル電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、検針機器などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶する、もしくは取り出す他のデバイス、あるいはそれらの組合せとすることができる。図９は本開示の態様による遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの示された例示的なユニットに限定されない。本開示の態様は、開示したＦｉｎＦＥＴデバイスを含む多くのデバイスにおいて、適切に採用され得る。
【００３０】
図１０は、上記で開示したＦｉｎＦＥＴデバイスなどの半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計に使用される設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション１０００は、オペレーティングシステムソフトウェア、サポートファイル、およびＣａｄｅｎｃｅやＯｒＣＡＤなどの設計ソフトウェアを収容するハードディスク１００１を含む。設計用ワークステーション１０００はまた、回路１０１０の設計または、ＦｉｎＦＥＴデバイスなどの半導体構成要素１０１２の設計を容易にするために、ディスプレイ１００２を含む。記憶媒体１００４は、回路１０１０または半導体構成要素１０１２の設計を有形に記憶するために提供される。回路１０１０または半導体構成要素１０１２の設計は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットにおいて記憶媒体１００４に記憶され得る。記憶媒体１００４は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであり得る。さらに、設計用ワークステーション１０００は、記憶媒体１００４からの入力を受け入れるか、または記憶媒体１００４への出力を書き込むための駆動装置１００３を含む。
【００３１】
記憶媒体１００４上に記録されるデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスク用のパターンデータ、または電子ビームリソグラフィなどの連続描画ツール用のマスクパターンデータを指定することができる。データはさらに、論理シミュレーションに関連するタイミングダイアグラムまたはネット回路などの論理検証データをさらに含み得る。記憶媒体１００４にデータを提供すると、半導体ウエハを設計するためのプロセス数を削減させることによって、回路１０１０または半導体構成要素１０１２の設計が容易になる。
【００３２】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアによる実装の場合、本明細書において説明した機能を実行するモジュール（たとえば手続き、関数など）を用いて、方法を実装することができる。本明細書において説明した方法を実装する際に、命令を有形に具現化する機械可読媒体を使用することができる。たとえば、ソフトウェアコードをメモリに記憶させ、プロセッサユニットによって実行することができる。メモリは、プロセッサユニット内またはプロセッサユニットの外部に実装されていてよい。本明細書では、「メモリ」という用語は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのタイプを指し、特定のタイプのメモリもしくは特定の数のメモリ、またはメモリが格納される媒体のタイプに限定すべきではない。
【００３３】
機能は、ファームウェアおよび／またはソフトウェアとして実装する場合、１つもしくは複数の命令またはコードとしてコンピュータ可読媒体上に記憶させることができる。例として、データ構造を符号化したコンピュータ可読媒体、およびコンピュータプログラムを符号化したコンピュータ可読媒体がある。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータがアクセスすることのできる利用可能な媒体とすることができる。限定ではなく、例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形で記憶するのに使用することができ、かつコンピュータによってアクセスされ得る他の媒体を含むことができ、本明細書で使用されるディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザディスク（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）、およびＢｌｕ−ｒａｙ（登録商標）ディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再生するが、ディスク（ｄｉｓｃ）はデータをレーザによって光学的に再生する。上記のものの組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００３４】
コンピュータ可読媒体におけるストレージに加えて、命令および／またはデータは、通信装置内に含まれる伝送媒体における信号として提供することができる。たとえば、通信装置は、命令およびデータを示す信号を有するトランシーバを含むことができる。命令およびデータは、１つまたは複数のプロセッサに、特許請求の範囲において概説される機能を実装させるように構成される。
【００３５】
以上、本開示およびその利点について詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定められる本開示の技術から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、置換、および改変を行えることを理解されたい。たとえば、「上」および「下」などの関係性の用語が、基板または電子デバイスに関して使用される。当然、基板または電子デバイスが反転した場合、上は下に、下は上になる。加えて、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指す場合がある。さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明したプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の構成に限定されることは意図されない。当業者が本開示から容易に諒解するように、本明細書で説明した対応する構成と実質的に同じ機能を実行するか、もしくは実質的に同じ結果を実現する、現存するもしくは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをそれらの範囲内に含むものとする。
【００３６】
本明細書で本開示に関連して説明された様々な例示的論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得ることを当業者ならさらに理解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、様々な例示的構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、上記ではその機能に関して一般的に説明された。そのような機能がハードウェアとして実装されるか、それともソフトウェアとして実装されるかは、特定の応用分野およびシステム全体に対して課される設計制限に依存する。当業者は、説明された機能を各々の特定の応用分野について様々な方式で実装し得るが、そのような実装判断は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすと解釈されるべきではない。
【００３７】
本明細書の開示に関連して説明した様々な例示的論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書で説明した機能を実施するように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートもしくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェア構成要素、またはそれらの任意の組合せとともに実装あるいは実施され得る。汎用プロセッサはマイクロプロセッサでよいが、別の方法として、プロセッサは、任意の従来型プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラまたはステートマシンでよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装され得る。
【００３８】
本開示に関連して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアで直接的に、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、またはその２つの組合せで実施され得る。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体に常駐することができる。例示的記憶媒体がプロセッサに結合され、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ること、および記憶媒体に情報を書き込むことができるようにする。代替案では、記憶媒体は、プロセッサに一体とされ得る。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在し得る。ＡＳＩＣは、ユーザ端末内に存在し得る。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ端末内にディスクリート構成要素として存在し得る。
【００３９】
１つまたは複数の例示的設計では、説明される機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組合せで実装され得る。ソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読記憶媒体上に１つもしくは複数の命令またはコードとして格納あるいは送信され得る。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、コンピュータプログラムの１つの場所から別の場所への転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体との両方を含む。記憶媒体は、汎用または特殊用途コンピュータによってアクセスされ得る任意の使用可能な媒体であってもよい。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、もしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、あるいは命令またはデータ構造の形態の規定のプログラムコード手段を搬送もしくは格納するために使用され得、汎用もしくは専用コンピュータ、または汎用もしくは専用プロセッサによってアクセスされ得る任意の他の媒体を含み得る。また、任意の接続が適切にコンピュータ可読媒体と呼ばれる。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（「ＤＳＬ」）、もしくは赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術を使用してウェブサイト、サーバ、または他の遠隔ソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。本明細書で使用する場合、ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザディスク（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）およびＢｌｕ−ｒａｙ（登録商標）ディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）は、データをレーザで光学的に再生する。上記のものの組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００４０】
本開示の前述の説明は、いかなる当業者も本開示を作製または使用できるようにするために提供される。本開示に対する様々な修正形態が当業者には容易に明らかとなり、本明細書で定義する一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明する例および設計に限定されるものではなく、本明細書で開示する原理および新規の特徴に合致する最も広い範囲を与えられるべきである。
【符号の説明】
【００４１】
１００  基板
１０２  絶縁材料
１０４  フィン構造
１０６  リセス
１０８  材料
１１０  表面
１１２  フィン構造
１１４  インターフェース
３００  エッチ
４００  インプラント
５００  ドープフィン構造
６００  酸化物
７００  最終的なフィン構造
７０２  インターフェース
８００  方法
９００  ワイヤレス通信システム
９２０  遠隔ユニット
９２５Ａ  ＩＣデバイス
９２５Ｂ  ＩＣデバイス
９２５Ｃ  ＩＣデバイス
９３０  遠隔ユニット
９４０  基地局
９５０  遠隔ユニット
９８０  順方向リンク信号
９９０  逆方向リンク信号
１０００  設計用ワークステーション
１００１  ハードディスク
１００２  ディスプレイ
１００３  駆動装置
１００４  記憶媒体
１０１０  回路
１０１２  半導体構成要素
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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