(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明な部材からなるパッケージベースに半導体チップが搭載され、前記パッケージベースに設けられた外部接続用電極と前記半導体チップとが電気接続されてなる半導体装置であって、
遮光性を有している樹脂からなり、前記半導体チップの側面を封止する保護部が設けられ、
前記半導体チップの前記パッケージベースと対向する面には、光を受光する受光部あるいは発光する発光部が設けられ、
前記半導体チップの前記パッケージベースと対向する面には、前記パッケージベースに設けられた外部接続用電極と電気接続されるボンディングパッドが設けられ、
前記半導体チップと前記パッケージベースとの間に所定幅の間隙を形成した状態で、前記ボンディングパッドと前記外部接続用電極とが電気接続され、
前記半導体チップと前記パッケージベースとの間に形成された所定幅の間隙には、光学的に透明な絶縁性樹脂が充填されて、硬化されており、
前記保護部は、前記パッケージベースと同一平面外側形状及び平面外側寸法を有すると共に、前記絶縁性樹脂を封止するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護部は、更に、前記半導体チップの前記パッケージベースと対向する面の裏面を封止するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護部は、更に、前記パッケージベースの側面の一部までを含んで封止するように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記外部接続用電極は、前記パッケージベースにおける、前記半導体チップの前記受光部あるいは前記発光部が設けられた領域に対向する領域の外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、前記半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されていると共に光学的に透明な部材からなるパッケージ基板に該パッケージ基板との間に所定幅の間隙を形成して搭載し、前記半導体基板と前記パッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、
前記間隙に、光学的に透明な絶縁性樹脂を充填して硬化する工程と、
前記半導体基板側から前記半導体基板及び硬化した前記絶縁性樹脂を切断し、前記素子の周囲に所定幅の切溝を形成する工程と、
前記切溝に遮光性を有している樹脂を充填し、硬化する工程と、
前記切溝の位置において、切断面の両側に前記樹脂を残した状態で前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含み、
各前記半導体チップの一方面側には光を受光する受光部あるいは発光する発光部が設けられており、前記半導体基板を前記パッケージ基板に搭載する際に、前記半導体チップの前記受光部あるいは前記発光部が設けられている前記一方面側を前記パッケージ基板に対向させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記切溝に前記樹脂を充填した際に、前記半導体基板の前記パッケージ基板と対向する面の裏面を前記樹脂にて被覆することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記切溝を形成する前記工程より前に、前記半導体基板の前記パッケージ基板と対向する面の裏面を樹脂にて被覆する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記切溝を形成する前記工程より後に、外部基板と電気接続するためのバンプを前記外部接続用電極に形成する工程を含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記切溝を形成する前記工程において、前記切溝を、第１の厚さを有する切刃にて半導体基板を切断することにより形成する一方、
複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する前記工程において、前記第１の厚さより薄い第２の厚さを有する切刃にて前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断することを特徴とする請求項５〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記切溝を形成する前記工程において、前記切溝を、前記半導体基板側から前記半導体基板を切断し、前記パッケージ基板の一部を切削して形成することを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パッケージ基板の前記半導体基板と対向する面で、前記半導体基板に対向する部分の外側に位置する部分に目印パターンを形成し、
前記目印パターンを基準として前記切溝を形成することを特徴とする請求項５〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記パッケージ基板の前記半導体基板と対向する面の裏面に目印パターンを形成し、
前記目印パターンを基準として前記半導体基板と前記パッケージ基板とを一体的に切断することを特徴とする請求項５〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板の前記パッケージ基板と対向する面の一部にアライメントパターンを形成し、
前記パッケージ基板の前記半導体基板と対向する面あるいはその裏面の一部にアライメントパターンを形成し、
前記半導体基板を前記パッケージ基板に搭載する際に、これらのアライメントパターンを利用して両者の位置決めを行うことを特徴とする請求項５〜１２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをワイヤボンディングを用いることなくパッケージする半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップのパッケージ構造として、ワイヤボンディングを用いない構造が提案されている。例えば、特許第２８００８０６号公報には、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続し、その後半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して、パッケージベースと半導体チップとが同一平面形状及び平面寸法に形成された半導体装置が開示されている。
【０００３】
また、上述した特許第２８００８０６号公報においては、切断分離された半導体チップとパッケージベースに対し樹脂モールドを施し、各半導体チップを封止して、半導体チップの耐湿性を向上させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、切断分離された半導体チップ及びパッケージベースに対し樹脂モールドを施していたのでは、切断分離された半導体チップ及びパッケージベースをそれぞれ樹脂モールドする必要があるために、切断分離された半導体チップ及びパッケージベースをハンドリングする工程も含め、半導体チップ（パッケージベース）の数だけの工程が必要であり、工程数が極めて多く複雑なものとなる。また、パッケージベースと半導体チップとが同一平面形状及び平面寸法に形成されていたのであれば、切断分離された半導体チップ及びパッケージベースをハンドリングして外部基板に搭載する際に、半導体チップあるいは半導体チップを封止している樹脂モールドが他の部品と接触する等し、半導体チップ、樹脂モールドあるいは接触した他の部品等が破損し、製造歩留まりが低下してしまうという問題も存在する。
【０００５】
以上のように、従来の半導体装置は生産性に関する問題点を有しており、生産性向上には限界があった。
【０００６】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置において生産性をより向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、パッケージベースに半導体チップが搭載され、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続されてなる半導体装置であって、樹脂からなり、半導体チップの側面を封止する保護部が設けられ、保護部は、パッケージベースと同一平面外側形状及び平面外側寸法を有していることを特徴としている。
【０００８】
このような構成を採用した場合、半導体チップの側面を封止する保護部は、パッケージベースと同一平面外側形状及び平面外側寸法を有しているので、半導体チップ及びパッケージベースを備えた半導体装置をハンドリングして外部基板等に搭載する際に、保護部が他の部品と接触することが抑制され、半導体チップ、保護部あるいは他の部品等の破損による製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、半導体装置を外部基板等に搭載する際に、パッケージベースを基準として搭載することが可能となり、搭載精度を向上させることができる。以上のことから、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置を外部基板等に搭載する際の生産性をより向上させることが可能となる。
【０００９】
また、保護部は、更に、半導体チップのパッケージベースと対向する面の裏面を封止するように設けられていることが好ましい。このような構成を採用した場合、半導体チップのパッケージベースと対向する面の裏面が、保護部により封止されるので、半導体チップのパッケージベースと対向する面の裏面を保護して、半導体チップの耐湿性をより向上させることが可能である。
【００１０】
また、保護部は、更に、パッケージベースの側面の一部までを含んで封止するように設けられていることが好ましい。このような構成を採用した場合、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される部位が封止され、この電気接続される部位の耐湿性を向上させることが可能である。
【００１１】
また、パッケージベースは、光学的に透明な部材からなり、半導体チップのパッケージベースと対向する面には、光を受光する受光部あるいは発光する発光部が設けられていることが好ましい。このような構成を採用した場合、半導体装置自体を、半導体チップのパッケージベースに対向する面を発光面あるいは受光面とする光半導体装置として機能させることが可能である。ここで、光学的に透明とは、所定波長の光に対して透過性の極めて高い状態のことをいう。
【００１２】
また、樹脂は、遮光性を有していることが好ましい。このような構成を採用した場合、受光部が設けられた半導体装置（受光素子）においては、受光部に対して装置側方あるいは裏側から回り込んで入射する迷光が低減され、受光部に対向する部分のパッケージベースから入射する光を確実に受光でき、受光部の受光方向性の低下を抑制し、ノイズの低減を図ることが可能となる。また、発光部が設けられた半導体装置（発光素子）においては、発光部から装置側方に向って発せられる光が低減され、指向特性を鋭くすることが可能となると共に、所定波長の光を反射する樹脂の場合、発光部から側方に発せられる光は半導体装置内で内部反射し、発光面より発せられるため高出力化が可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る半導体装置は、パッケージベースに半導体チップが搭載され、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続されてなる半導体装置であって、半導体チップは、パッケージベースと略相似形状で且つパッケージベースより小さい平面寸法に形成されていることを特徴としている。
【００１４】
このような構成を採用した場合、半導体チップは、パッケージベースと略相似形状で且つパッケージベースより小さい平面寸法に形成されているので、半導体チップ及びパッケージベースを備えた半導体装置をハンドリングして外部基板等に搭載する際の他の部品との接触が抑制され、半導体チップあるいは他の部品等の破損による製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、半導体装置を外部基板等に搭載する際に、パッケージベースを基準として搭載することが可能となり、搭載精度を向上させることができる。以上のことから、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置を外部基板等に実装する際の生産性をより向上させることが可能となる。
【００１５】
また、半導体チップのパッケージベースと対向する面には、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と電気接続されるボンディングパッドが設けられ、半導体チップとパッケージベースとの間に所定幅の間隙を形成した状態で、ボンディングパッドと外部接続用電極とが電気接続されており、半導体チップとパッケージベースとの間に形成された所定幅の間隙には、絶縁性樹脂が充填されて、硬化されていることが好ましい。このような構成を採用した場合、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される部位を確実に保護することができると共に、半導体チップとパッケージベースとが絶縁性樹脂により接着され、機械的強度を増大させることができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップに相当する素子が形成されている半導体基板を、半導体チップを個々に搭載可能な電極及び外部接続用電極が形成されているパッケージ基板に搭載し、半導体基板とパッケージ基板とを相互に電気接続する工程と、半導体基板側から半導体基板を切断し、素子の周囲に所定幅の切溝を形成する工程と、切溝に樹脂を充填する工程と、切溝の位置において、切断面の両側に樹脂を残した状態で半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１７】
このような構成を採用した場合、半導体基板をパッケージ基板に搭載した後に、半導体基板側から半導体基板を切断して素子の周囲に形成した所定幅の切溝に樹脂を充填し、この切溝の位置において、切断面の両側に樹脂を残した状態で半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断して、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離して個々の半導体装置を形成しているので、上述した従来の技術のように、切断分離された個々の半導体装置をハンドリングして樹脂モールドを施すことが不要となり、素子の周囲に形成した所定幅の切溝に樹脂を充填し、この切溝の位置において切断するという工程で、半導体チップを樹脂にて封止し得る構成の半導体装置が形成され、半導体装置の製造工程を短縮することができる。また、樹脂モールドを施すために切断分離された個々の半導体装置をハンドリングすることも不要となり、半導体装置にハンドリングする際の破損等の問題が生じることはなく、製造歩留まりの低下を抑制することができる。以上のことから、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置の生産性をより向上させることが可能となる。
【００１８】
また、切溝に樹脂を充填した際に、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を樹脂にて被覆することが好ましい。このような構成を採用した場合、切溝に樹脂を充填する際に、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面が樹脂にて被覆されるので、新たな工程を追加することなく、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を樹脂にて被覆できるので、製造工程を複雑化することなく、半導体チップの保護が可能となる。
【００１９】
また、切溝を形成する工程より前に、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を樹脂にて被覆する工程を含むことが好ましい。このような構成を採用した場合、切溝への樹脂の充填とは別に、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を樹脂にて被覆するので、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を被覆する樹脂の厚さ、樹脂表面の平滑さ等の製造上の工程管理を確実に行うことが可能となる。
【００２０】
また、半導体基板をパッケージ基板に搭載する際に、半導体基板とパッケージ基板との間に所定幅の間隙を形成し、間隙に、絶縁性樹脂を充填する工程を含むことが好ましい。このような構成を採用した場合、パッケージ基板に設けられた外部接続用電極と半導体基板とが電気接続される部位を確実に保護することができると共に、半導体基板とパッケージ基板とが絶縁性樹脂により接着され、機械的強度を増大させることができる。
【００２１】
また、切溝を形成する工程より後に、外部基板と電気接続するためのバンプを外部接続用電極に形成する工程を含むことが好ましい。このような構成を採用した場合、バンプが形成されていない状態のパッケージ基板の半導体基板と対向する面の裏面を下面とした状態で、切溝を形成でき、切溝の加工精度の低下を抑制することが可能となる。
【００２２】
また、切溝を形成する工程において、切溝を、第１の厚さを有する切刃にて半導体基板を切断することにより形成する一方、複数個の半導体チップとパッケージベースとに分離する工程において、第１の厚さより薄い第２の厚さを有する切刃にて半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断することが好ましい。このような構成を採用した場合、第１の厚さを有する切刃と第１の厚さより薄い第２の厚さを有する切刃とにより切断するという、極めて簡易な手法により、半導体装置を製造することができ、半導体装置の製造工程を簡略化することが可能となる。
【００２３】
また、切溝を形成する工程において、切溝を、半導体基板側から半導体基板を切断し、パッケージ基板の一部を切削して形成することが好ましい。このような構成を採用した場合、樹脂を充填した際に、この樹脂が、パッケージベースに相当する部位の側面の一部までを含んで被覆するので、個々の半導体装置に分割された際に、パッケージベースに設けられた外部接続用電極と半導体チップとが電気接続される部位が樹脂により封止され、この電気接続される部位の耐湿性を向上させることが可能となる。
【００２４】
また、パッケージ基板の半導体基板と対向する面で、半導体基板と対向する部分の外側に位置する部分に目印パターンを形成し、目印パターンを基準として切溝を形成することが好ましい。このような構成を採用した場合、パッケージ基板の半導体基板と対向する面の裏面を下面とした状態でも、目印パターンを基準として切溝を形成でき、切溝の加工精度を向上することが可能となる。
【００２５】
また、パッケージ基板の半導体基板と対向する面の裏面に目印パターンを形成し、目印パターンを基準として半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断することが好ましい。このような構成を採用した場合、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の裏面を下面とした状態でも、目印パターンを基準として半導体基板とパッケージ基板とを一体的に切断でき、半導体基板及びパッケージ基板の切断の加工精度を向上することが可能となる。
【００２６】
また、パッケージ基板は、光学的に透明な部材からなり、半導体基板のパッケージ基板と対向する面の一部にアライメントパターンを形成し、パッケージ基板の半導体基板と対向する面あるいはその裏面の一部にアライメントパターンを形成し、半導体基板をパッケージ基板に搭載する際に、これらのアライメントパターンを利用して両者の位置決めを行うことが好ましい。このような構成を採用した場合、パッケージ基板が光学的に透明であることを利用して、パッケージ基板側に位置決め用窓等を新たに形成することなく、半導体基板とパッケージ基板との位置決めを行うことができ、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることが可能となる。ここで、光学的に透明とは、所定波長の光に対して透過性の極めて高い状態のことをいう。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、本発明による半導体装置の第１実施形態を、製造工程順に説明する説明図であり、図２は半導体基板の平面図、図４はパッケージ基板の平面図である。図１（ａ）に示されるように、シリコン等の半導体基板１０は、一方の面１０ａに、ボンディングパッド１１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第１アライメントパターン１２が形成されている。ボンディングパッド１１上には、電気接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ１３が設けられている。半導体基板１０の他方の面１０ｂには、ポリイミド樹脂膜１４がスピンコート技術あるいは印刷技術等を用いて成膜されている。
【００２９】
半導体基板１０は、図２に示されるように、後に切断分離される多数個の半導体チップ１を含んでいる。各半導体チップ１は、図３に示されるように、所定波長（例えば、近紫外から近赤外までの波長）の光を受光する受光部１５を有しており、受光部１５の外側にボンディングパッド１１（本実施形態においては、４箇所）が設けられている。第１アライメントパターン１２は、図２に示されるように、半導体基板１０の直径方向の外周部分の２箇所に設けられており、フォトエッチング技術等を用いて「＋」字状に形成されている。この第１アライメントパターン１２は、ボンディングパッド１１と同じ配線を利用して形成することも可能である。
【００３０】
先ず、この半導体基板１０を、図１（ｂ）に示されるように、半導体基板１０より大きい面積を有した矩形のパッケージ基板２０上に搭載し、一体化する。パッケージ基板２０は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明な、透光性ガラスからなる。パッケージ基板２０の一方の面２０ａには、第１配線電極２１と、パッケージ基板２０に対する半導体基板１０の位置合わせを行うための第２アライメントパターン２２と、後に半導体基板１０を切断し切溝４０を形成する際に基準となる第１目印パターン２３とが形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂには、外部基板（図示せず）と接続される第２配線電極２４と、後に半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断する際の基準となる第２目印パターン２５とが形成されている。ここで、第１配線電極２１及び第２配線電極２４は、各請求項における外部接続用電極を構成している。
【００３１】
第１配線電極２１は、図４に示されるように、半導体基板１０のバンプ１３（ボンディングパッド１１）と対応する位置に設けられており、パッケージ基板２０を貫通して設けられたスルーホール２６内部の配線電極（図示せず）を介して第２配線電極２４と導通されている。第２アライメントパターン２２は、同じく図４に示されるように、半導体基板１０の第１アライメントパターン１２が形成された位置に対応する位置の、２箇所に設けられており、フォトエッチング技術等を用いて第１アライメントパターン１２より大きい「＋」字状に形成されている。
【００３２】
第１目印パターン２３は、図６に示されるように、パッケージ基板２０の半導体基板１０に対向する部分の外側部分に位置する角部近傍に、フォトエッチング技術等を用いて４箇所形成されている。第２目印パターン２５は、図５に示されるように、半導体基板１０の半導体チップ１の切断軌跡に対応する位置上に、等間隔で、フォトエッチング技術等を用いて１４行１５列の２１０箇所に形成されている。
【００３３】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１５及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の第２アライメントパターン２２が形成された一方の面２０aとを対向させた状態で、パッケージ基板２０に形成された第２アライメントパターン２２と半導体基板１０に形成された第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う（図５に示された状態）。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図１（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。
【００３４】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図１（ｃ）に示されるように、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填し、硬化させる。アンダーフィル樹脂３１は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明で且つ絶縁性を有しており、例えば、シリコーン樹脂等にて構成される。
【００３５】
次いで、公知のダイシング技術等を用いて、図１（ｄ）に示されるように、切溝４０を形成する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、パッケージ基板２０の第２配線電極２４が形成された他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１（ｄ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の４箇所に形成された第１目印パターン２３を基準として、図６に示されるように、半導体基板１０の各受光素子（半導体チップ１）の周囲に切溝４０が形成される。この切溝４０は、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、図１（ｄ）に示されるように、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０の厚さの半分程度の深さまで切削することにより形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体チップ１と対向する面の裏面）側の一部は切断されずに残っている。
【００３６】
一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０に切溝４０が形成されると、図１（ｅ）及び図７に示されるように、各種印刷技術あるいはポッティング技術を用いて、切溝４０に樹脂５０を充填する。切溝４０に充填される樹脂５０は、受光部１５が受光する波長の光を遮光する特性を有し、例えば、黒色に着色されたエポキシ樹脂からなる。切溝４０に充填された樹脂５０が硬化した後に、図１（ｆ）に示されるように、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂに形成された第２配線電極２４に、外部基板（図示せず）との接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ２７を設ける。
【００３７】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を同時に切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０のポリイミド樹脂膜１４が形成された他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１（ｆ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成された第２目印パターン２５を基準として、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて、図１（ｇ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａ１に分離される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、切溝４０の幅方向で略中央部を切断軌跡として、切溝４０に充填された樹脂５０を切断面の両側に残した状態で切断される。
【００３８】
上述したようにして製造された半導体装置Ａ１は、図１（ｇ）及び図８に示されるように、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１と、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形のパッケージベース２とを有することになる。半導体チップ１の一方の面を１ａ、他方の面を１ｂ、パッケージベース２の一方の面を２ａ、他方の面を２ｂとする。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には受光部１５が設けられており、この受光部１５がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１５からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２６内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２４及びバンプ２７を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）にはポリイミド樹脂膜１４からなる保護部３ａ、及び、半導体チップ１、アンダーフィル樹脂３１及びパッケージベース２の一部の側面には充填された樹脂５０からなる保護部３ｂが形成されており、保護部３ａ，３ｂにより、半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）及び側面、アンダーフィル樹脂３１の側面、及び、パッケージベース２の一部の側面が封止されている。半導体装置Ａ１は一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて個々に分離されるために、保護部３ｂは、パッケージベース２と同一平面外側形状及び外側寸法を有している。半導体チップ１は、パッケージベース２と略相似形状で且つパッケージベース２より小さい平面寸法を有している。
【００３９】
上述した第１実施形態によれば、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載して一体化した後に、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０厚さの半分程度の深さまで切削することにより各受光部１５の周囲に形成した切溝４０に樹脂５０を充填し、この切溝４０の位置において、切断面の両側に樹脂５０を残した状態で半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断して、複数個の半導体チップ１及びパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ１を形成しているので、上述した従来の技術のように、切断分離された個々の半導体装置Ａ１をハンドリングして樹脂モールド等を施すことが不要となり、素子の周囲に形成した切溝４０に樹脂５０を充填し、この切溝４０の位置において切断するという工程で、半導体チップ１を樹脂５０にて封止し得る構成の半導体装置Ａ１が製造されることになり、半導体装置Ａ１の製造工程を短縮することができる。また、樹脂モールド等を施すために切断分離された個々の半導体装置Ａ１をハンドリングすることも不要となり、半導体装置Ａ１にハンドリングする際の破損等の問題が生じることはなく、製造歩留まりの低下を抑制することができる。以上のことから、パッケージベース２と半導体チップ１とが一体化された半導体装置Ａ１の生産性を更に向上させることが可能となる。
【００４０】
また、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）に、予めポリイミド樹脂膜１４を成膜しているので、このポリイミド樹脂膜１４の厚さ、ポリイミド樹脂膜１４表面の平滑さ等の製造上の工程管理を確実に行うことが可能となる。
【００４１】
また、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際に、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に所定幅の間隙３０を形成し、この間隙３０にアンダーフィル樹脂３１を充填するので、アンダーフィル樹脂３１によりパッケージ基板２０に形成された第１配線電極２１と半導体基板１０に形成されたバンプ１３との接続部位、及び、バンプ１３とボンディングパッド１１との接続部位を確実に保護することができると共に、半導体基板１０とパッケージ基板２０とがアンダーフィル樹脂３１により接着され、機械的強度を増大させることができる。
【００４２】
また、切溝４０を形成し、切溝４０に樹脂５０を充填した後に、外部基板（図示せず）と電気接続するためのバンプ２７を第２配線電極２４に形成しているので、バンプ２７が形成されていない状態のパッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とした状態で、切溝４０を形成でき、切溝４０の加工精度の低下を抑制することが可能となる。
【００４３】
また、切溝４０を形成する際に、切溝４０を、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて半導体基板１０を切断することにより形成する一方、複数個の半導体チップ１とパッケージベース２とに分離する際に、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断するので、厚さの異なる２つの切刃による切断するという、極めて簡易な手法により、半導体装置Ａ１を製造することができ、半導体装置Ａ１の製造工程を簡略化することが可能となる。
【００４４】
また、切溝４０を形成する際に、切溝４０を、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０の厚さの半分程度の深さまで切削して形成しているので、切溝４０に樹脂５０を充填した際に、この充填される樹脂５０が、パッケージベース２に相当する部位の側面の一部までを含んで被覆するので、アンダーフィル樹脂３１が充填されている部分（パッケージ基板２０に形成された第１配線電極２１と半導体基板１０に形成されたバンプ１３との接続部位、及び、バンプ１３とボンディングパッド１１との接続部位）が充填される樹脂５０により封止され、また、個々の半導体装置Ａ１に分離した際にも、アンダーフィル樹脂３１が充填されている部分が充填される樹脂５０により封止され、これらの部分の耐湿性を向上させることが可能となる。
【００４５】
また、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の、パッケージ基板２０の半導体基板１０に対向する部分の外側部分に位置する角部近傍に、第１目印パターン２３を形成し、この第１目印パターン２３を基準として切溝４０を形成するので、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とした状態でも、第１目印パターン２３を基準として切溝４０を形成でき、切溝４０の加工精度を向上することが可能となる。
【００４６】
また、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に第２目印パターン２５を形成し、第２目印パターン２５を基準として半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断するので、半導体基板１０の他方の面１０ｂ側（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とした状態でも、第２目印パターン２５を基準として半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断でき、半導体基板１０及びパッケージ基板２０の切断の加工精度を向上することが可能となる。
【００４７】
また、パッケージ基板２０は、所定波長の光に対して光学的に透明な透光性ガラスからなり、半導体基板１０の一方の面１０ａ（パッケージ基板２０と対向する面）の直径方向の外周部分に第１アライメントパターン１２を形成し、パッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）の第１アライメントパターン１２と対応する位置に第２アライメントパターン２２を形成し、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際に、第１アライメントパターン１２及び第２アライメントパターン２２を利用して両者の位置決めを行うので、パッケージ基板２０が所定波長の光に対して光学的に透明であることを利用して、パッケージ基板２０側に位置決め用窓等を新たに形成することなく、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置決めを行うことができ、半導体装置Ａ１の製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００４８】
一方、半導体装置Ａ１については、特に、樹脂５０からなる保護部３ｂがパッケージベース２と同一平面外側形状及び平面外側寸法を有しているので、半導体チップ１とパッケージベース２とが一体化された半導体装置Ａ１をハンドリングして外部基板（図示せず）に搭載する際に、保護部３ｂが他の部品と接触することが抑制され、接触時の半導体チップ１、保護部３ｂあるいは他の部品等の破損による製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、半導体装置Ａ１を外部基板（図示せず）に搭載する際に、パッケージベース２を基準として搭載することが可能となり、半導体装置Ａ１の搭載精度を向上させることができる。以上のことから、パッケージベース２と半導体チップ１とが一体化された半導体装置Ａ１の生産性をより向上させることが可能となる。
【００４９】
また、半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２と対向する面の裏面）はポリイミド樹脂膜１４からなる保護部３ａにより封止されるので、半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２と対向する面の裏面）を保護して、半導体チップ１の耐湿性をより向上させることが可能となる。
【００５０】
また、半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には所定波長の光を受光する受光部１５が設けられ、パッケージベース２を受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明な透光性ガラスとしているので、半導体装置Ａ１自体を、半導体チップ１の一方の面１ａ側を受光面とする光半導体装置として機能させることが可能である。
【００５１】
また、樹脂５０からなる保護部３ｂは、受光部１５が受光する波長の光を遮光するので、受光部１５に対して装置側方から回り込んで入射する光が低減され、受光部１５に対向する部分のパッケージベース２から入射する光を確実に受光でき、受光素子として用いられる半導体装置Ａ１（受光部１５）の受光方向性の低下を抑制するとともに、ノイズの低減を図ることが可能となる。
【００５２】
（第２実施形態）
図９は、本発明による半導体装置の第２実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。図９（ａ）に示されるように、シリコン等の半導体基板１０は、後に切断分離される多数個の半導体チップ１を含み、第１実施形態と同様に、受光部１５、ボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１アライメントパターン１２が形成されている。先ず、この半導体基板１０を、図９（ｂ）に示されるように、半導体基板１０より大きい面積を有した矩形のパッケージ基板２０上に搭載し、一体化する。パッケージ基板２０は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明な、透光性ガラスからなり、第１実施形態と同様に、第１配線電極２１、第２アライメントパターン２２、第１目印パターン２３、第２配線電極２４及び第２目印パターン２５が形成されている。ここで、第１配線電極２１及び第２配線電極２４は、各請求項における外部接続用電極を構成している。
【００５３】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１５及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の第２アライメントパターン２２が形成された一方の面２０ａとを対向させた状態で、第２アライメントパターン２２と第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図９（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。
【００５４】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図９（ｃ）に示されるように、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填し、硬化させる。アンダーフィル樹脂３１は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明で且つ絶縁性を有しており、例えば、シリコーン樹脂等にて構成される。
【００５５】
次いで、公知のダイシング技術等を用いて、図９（ｄ）に示されるように、切溝４０を形成する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、パッケージ基板２０の第２配線電極２４が形成された他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図９（ｄ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、第１目印パターン２３を基準として、半導体基板１０の各受光素子（半導体チップ１）の周囲に切溝４０が形成される。この切溝４０は、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０の厚さの半分程度の深さまで切削することにより形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体チップ１と対向する面の裏面）側の一部は切断されずに残っている。
【００５６】
一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０に切溝４０が形成されると、図９（ｅ）に示されるように、各種印刷技術あるいはポッティング技術を用いて、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を被覆するように、切溝４０に樹脂５０を充填する。切溝４０に充填される樹脂５０は、受光部１５が受光する波長の光を遮光する特性を有し、例えば、黒色に着色されたエポキシ樹脂からなる。切溝４０に充填された樹脂５０が硬化した後に、図９（ｆ）に示されるように、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂに形成された第２配線電極２４に、外部基板（図示せず）との接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ２７を設ける。
【００５７】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０を同時に切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０の充填された樹脂５０により被覆された他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図９（ｆ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、第２目印パターン２５を基準として、一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて、図９（ｇ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａ２に分離される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、切溝４０の幅方向で略中央部を切断軌跡として、切溝４０に充填された樹脂５０を切断面の両側に残した状態で切断される。
【００５８】
上述したようにして製造された半導体装置Ａ２は、図９（ｇ）に示されるように、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１と、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形のパッケージベース２とを有することになる。半導体チップ１の一方の面を１ａ、他方の面を１ｂ、パッケージベース２の一方の面を２ａ、他方の面を２ｂとする。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には、受光部１５が設けられており、この受光部１５がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１５からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２６内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２４及びバンプ２７を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）と、半導体チップ１、アンダーフィル樹脂３１及びパッケージベース２の一部の側面とは樹脂５０からなる保護部３ｃが形成されており、第１実施形態と同様に、保護部３ｃにより、半導体チップ１の他方の面１ｂ（パッケージベース２に対向する面の裏面）及び側面、アンダーフィル樹脂３１の側面、及び、パッケージベース２の一部の側面が封止されている。半導体装置Ａ２は一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０が一体的に切断されて個々に分離されるために、保護部３ｃは、パッケージベース２と同一平面外側形状及び外側寸法を有している。半導体チップ１は、パッケージベース２と略相似形状で且つパッケージベース２より小さい平面寸法を有している。
【００５９】
上述した第２実施形態においても第１実施形態と同様の作用効果を奏し、半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載して一体化した後に、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０の厚さの半分程度の深さまで切削することにより、各受光部１５の周囲に形成した切溝４０に樹脂５０を充填し、この切溝４０の位置において、切断面の両側に樹脂５０を残した状態で半導体基板１０とパッケージ基板２０とを一体的に切断して、複数個の半導体チップ１及びパッケージベース２とに分離して個々の半導体装置Ａ２を形成しているので、切断分離された個々の半導体装置Ａ２をハンドリングして樹脂モールド等を施すことが不要となり、半導体装置Ａ２の製造工程を短縮することができる。また、半導体装置Ａ２にハンドリングする際の破損等の問題が生じることはなく、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００６０】
また、半導体装置Ａ２についても、充填された樹脂５０からなる保護部３ｃがパッケージベース２と同一平面外側形状及び平面外側寸法を有しているので、半導体チップ１とパッケージベース２とが一体化された半導体装置Ａ２をハンドリングして外部基板（図示せず）に搭載する際に、保護部３ｃが他の部品と接触することが抑制され、接触時の半導体チップ１、保護部３ｃあるいは他の部品等の破損による製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、半導体装置Ａ２を外部基板（図示せず）に搭載する際に、パッケージベース２を基準として搭載することが可能となり、半導体装置Ａ２の搭載精度を向上させることができる。
【００６１】
また、特有の効果としては、切溝４０に樹脂５０を充填する際に、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を樹脂５０にて被覆するので、新たな工程を追加することなく、半導体基板１０（半導体チップ１）の保護が可能となる。
【００６２】
（第３実施形態）
図１０は、本発明による半導体装置の第３実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。図１０（ａ）に示されるように、シリコン等の半導体基板１０は、後に切断分離される多数個の半導体チップ１を含み、第１及び第２実施形態と同様に、受光部１５、ボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１アライメントパターン１２が形成されている。先ず、この半導体基板１０を、図１０（ｂ）に示されるように、半導体基板１０より大きい面積を有した矩形のパッケージ基板２０上に搭載し、一体化する。パッケージ基板２０は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明な、透光性ガラスからなり、第１及び第２実施形態と同様に、第１配線電極２１、第２アライメントパターン２２、第１目印パターン２３、第２配線電極２４及び第２目印パターン２５が形成されている。ここで、第１配線電極２１及び第２配線電極２４は、各請求項における外部接続用電極を構成している。
【００６３】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載する際には、半導体基板１０の受光部１５及び第１アライメントパターン１２が形成された一方の面１０ａとパッケージ基板２０の第２アライメントパターン２２が形成された一方の面２０ａとを対向させた状態で、第２アライメントパターン２２と第１アライメントパターン１２とを合致させて、位置合わせを行う。半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせが終わった後、パッケージ基板２０の第１配線電極２１と半導体基板１０のバンプ１３とを公知の熱圧着等の接続技術を用いて接続（フリップチップ接続）する。半導体基板１０とパッケージ基板２０とが電気接続された状態（図１０（ｂ）に示された状態）において、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間には所定幅（例えば、１００μm程度）の間隙３０が形成されており、この間隙３０の幅はボンディングパッド１１、バンプ１３及び第１配線電極２１の厚さにより規定、管理されることになる。
【００６４】
半導体基板１０をパッケージ基板２０に搭載し一体化すると、図１０（ｃ）に示されるように、半導体基板１０とパッケージ基板２０との間に形成された間隙３０に、アンダーフィル樹脂３１を充填し、硬化させる。アンダーフィル樹脂３１は、受光部１５が受光する光の波長に対して光学的に透明で且つ絶縁性を有しており、例えば、シリコーン樹脂等にて構成される。
【００６５】
次いで、公知のダイシング技術等を用いて、図１０（ｄ）に示されるように、切溝４０を形成する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、パッケージ基板２０の第２配線電極２４が形成された他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１０（ｄ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、第１目印パターン２３を基準として、半導体基板１０の各受光素子（半導体チップ１）の周囲に切溝４０が形成される。この切溝４０は、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０厚さの半分程度の深さまで切削することにより形成されている。パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体チップ１と対向する面の裏面）側の一部は切断されずに残っている。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０に切溝４０が形成されると、図１０（ｅ）に示されるように、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂに形成された第２配線電極２４に、外部基板（図示せず）との接続用に、Ａｕあるいは半田等によるバンプ２７を設ける。
【００６６】
しかる上で、公知のダイシング技術等を用いて、パッケージ基板２０の切断されていない、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体チップ１と対向する面の裏面）側の一部を切断する。一体化された半導体基板１０及びパッケージ基板２０は、半導体基板１０の他方の面１０ｂ（パッケージ基板２０と対向する面の裏面）を下面とされた状態（図１０（ｅ）に示される状態）で、ダイシング装置（図示せず）に固定される。半導体基板１０及びパッケージ基板２０がダイシング装置に固定されると、第２目印パターン２５を基準として、パッケージ基板２０が切断されて、図１０（ｆ）に示されるように、複数個の半導体装置Ａ３に分離される。パッケージ基板２０は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて、切溝４０の幅方向で略中央部を切断軌跡として、切断される。
【００６７】
上述した第３実施形態における半導体装置Ａ３によれば、図１０（ｆ）に示されるように、パッケージ基板２０から分割された平面視矩形のパッケージベース２と、半導体基板１０から分割された平面視矩形の半導体チップ１とを有することになる。半導体チップ１の一方の面を１ａ、他方の面を１ｂ、パッケージベース２の一方の面を２ａ、他方の面を２ｂとする。半導体チップ１の一方の面１ａ（パッケージベース２と対向する面）には、受光部１５が設けられており、この受光部１５がパッケージベース２を透過した所定波長の光を受光することにより生成される信号は、受光部１５からボンディングパッド１１、バンプ１３、第１配線電極２１、スルーホール２６内部の配線電極（図示せず）、第２配線電極２４及びバンプ２７を介して、外部基板の電極（図示せず）に送られる。半導体装置Ａ３は、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて切断された切断面と、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて切断された切断面とを有し、半導体チップ１は、１００μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて切断された切断面をその側面１ｃとし、パッケージベース２の他方の面２ｂ（半導体チップ１と対向する面の裏面）側の一部は、２５μｍ程度の厚さを有する切刃を用いて切断された切断面をその側面２ｃとしている。このため、半導体チップ１は、パッケージベース２と略相似形状で且つパッケージベース２より小さい平面寸法を有する。
【００６８】
上述した第３実施形態によれば、半導体チップ１は、パッケージベース２と略相似形状で且つパッケージベース２より小さい平面寸法に形成されているので、半導体装置Ａ３をハンドリングして外部基板（図示せず）に搭載する際の他の部品との接触が抑制され、接触時の半導体チップ１あるいは他の部品等の破損による、製造歩留まりの低下を抑制することができる。また、半導体装置Ａ３を外部基板（図示せず）に搭載する際に、パッケージベース２を基準として搭載することが可能となり、搭載精度を向上させることもできる。
【００６９】
なお、第１〜第３実施形態において、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される受光部１５は、上述した波長範囲を受光するものに限られるものではなく、狭帯域の波長を選択的に受光するものでもよい。また、半導体基板１０（半導体チップ１）には、受光部１５に限られず、所定波長の光を発光する発光部を始め、演算回路等が形成されてもよい。
【００７０】
また、第２アライメントパターン２２をパッケージ基板２０の一方の面２０ａ（半導体基板１０と対向する面）に形成しているが、パッケージ基板２０は透光性ガラスからなるため、パッケージ基板２０の他方の面２０ｂ（半導体基板１０と対向する面の裏面）に形成してもよい。
【００７１】
また、半導体基板１０（半導体チップ１）に形成される素子が受光素子あるいは発光素子でない場合等には、パッケージ基板２０を透光性ガラスとする必要はなく、透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いてもよい。透光性を有さないセラミック基板等をパッケージ基板２０として用いる場合には、第２アライメントパターン２２を形成する代わりに、パッケージ基板２０を貫通する位置決め用窓を形成し、この位置決め用窓と第１アライメントパターン１２とにより、半導体基板１０とパッケージ基板２０との位置合わせを行うことになる。
【００７２】
また、切溝４０を、半導体基板１０側から半導体基板１０を切断し、パッケージ基板２０をパッケージ基板２０の厚さの半分程度の深さまで切削することにより形成しているが、必ずしもパッケージ基板２０に到達するまで切削する必要はなく、少なくとも、半導体基板１０を切断しておけばよい。
【００７３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、パッケージベースに半導体チップが搭載され、このパッケージベースに設けられた外部接続用電極と前記半導体チップとが電気接続される構成の半導体装置の生産性をより向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の第１実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【図２】本発明による半導体装置の第１実施形態に含まれる、半導体基板の平面図である。
【図３】本発明による半導体装置の第１実施形態に含まれる、半導体基板の要部拡大平面図である。
【図４】本発明による半導体装置の第１実施形態に含まれる、パッケージ基板の平面図である。
【図５】図１（ｃ）の状態における平面図である。
【図６】図１（ｄ）の状態における平面図である。
【図７】図１（ｅ）の状態における平面図である。
【図８】本発明による半導体装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図９】本発明による半導体装置の第２実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【図１０】本発明による半導体装置の第３実施形態を、製造工程順に説明する説明図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…パッケージベース、３ａ，３ｂ，３ｃ…保護部、１０…半導体基板、１１…ボンディングパッド、１２…第１アライメントパターン、１４…ポリイミド樹脂膜、１５…受光部、２０…パッケージ基板、２１…第１配線電極、２２…第２アライメントパターン、２３…第１目印パターン、２４…第２配線電極、２５…第２目印パターン、３０…間隙、３１…アンダーフィル樹脂、４０…切溝、５０…樹脂、Ａ１，Ａ２，Ａ３…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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