Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主データと対応する管理データをそれぞれ含む複数のデータを記憶する記憶手段と、
上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の主データを再生する再生手段と、
当該再生装置をユーザが左手で把持しながら、ユーザの左手の親指だけで、回転操作と押圧操作の両方ができるユーザ操作のための操作手段と、
所定期間の間に出力されたパルスの数をカウントすることにより、上記操作手段の回転操作の速度を検出する操作速度検出手段と、
上記操作速度検出手段によって検出された操作手段の回転操作の速度が所定速度よりも速いか否かを判定する操作速度比較手段と、
上記操作速度比較手段の判定結果に基づいて、上記記憶手段に記憶されているデータの検索を制御する制御手段とを備え、
上記制御手段は、
上記操作速度比較手段が上記回転操作の速度が上記所定速度よりも速くないと判定する場合、上記管理データの中のインデックスを１つずつ増加又は減少させ、上記操作速度比較手段が上記回転操作の速度が上記所定速度よりも速いと判定する場合、上記管理データの中のインデックスを２つ以上増加又は減少させながら検索をする制御を行い、
上記操作手段の押圧操作に応じて、上記管理データの特定の部分を選択することを特徴とする再生装置。
【請求項２】
上記制御手段は、上記操作手段の回転操作の方向に基づいて、上記インデックスを増加させる方向に上記データを検索することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】
上記制御手段は、上記操作手段の回転操作の方向に基づいて、上記インデックスを減少させる方向に上記データを検索することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項４】
上記制御手段は、検索されたインデックスに対する主データの再生指示がある場合に、上記複数のデータの中の１つの主データが上記再生手段によって再生されるように制御することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項５】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の１つの主データが再生中のときに、上記操作手段の回転操作の方向に基づいて再生中の上記複数のデータの中の１つの主データをキュー再生することを特徴とする請求項２記載の再生装置。
【請求項６】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の１つの主データが再生中のときに、上記操作手段の回転操作の方向に基づいて再生中の上記複数のデータの中の１つの主データをレビュー再生することを特徴にする請求項２記載の再生装置。
【請求項７】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の１つの主データが再生中のときに、上記操作手段の回転操作の方向に基づいて間欠的に上記複数のデータの中の１つの主データを再生するように制御することを特徴とする請求項２記載の再生装置。
【請求項８】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の１つの主データが再生中のときに、上記操作手段の回転操作の速度に基づいて間欠的に上記複数のデータの中の１つの主データを再生するように制御することを特徴とする請求項６記載の再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述したような目的を達成するための提案される本発明に係る再生装置は、主データと対応する管理データをそれぞれ含む複数のデータを記憶する記憶手段と、上記記憶手段に記憶された上記複数のデータの中の主データを再生する再生手段と、当該再生装置をユーザが左手で把持しながら、ユーザの左手の親指だけで、回転操作と押圧操作の両方ができるユーザ操作のための操作手段と、所定期間の間に出力されたパルスの数をカウントすることにより、上記操作手段の回転操作の速度を検出する操作速度検出手段と、上記操作速度検出手段によって検出された操作手段の回転操作の速度が所定速度よりも速いか否かを判定する操作速度比較手段と、上記操作速度比較手段の判定結果に基づいて、上記記憶手段に記憶されているデータの検索を制御する制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この再生装置において、上記制御手段は、上記操作速度比較手段が上記回転操作の速度が上記所定速度よりも速くないと判定する場合、上記管理データの中のインデックスを１つずつ増加又は減少させ、上記操作速度比較手段が上記回転操作の速度が上記所定速度よりも速いと判定する場合、上記管理データの中のインデックスを２つ以上増加又は減少させながら検索をする制御を行い、上記操作手段の押圧操作に応じて、上記管理データの特定の部分を選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜中に形成された第１配線と、
前記第１絶縁膜中に前記第１配線と同層で形成された第２配線と、
前記第１絶縁膜、前記第１配線、及び、前記第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜中に形成された第３配線と、
前記第２絶縁膜及び前記第３配線上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッドを覆うように前記第３絶縁膜上に形成され、かつ、前記パッドの上部に開口部が形成された第４絶縁膜と、
を有し、
前記パッドは、最上の配線層に含まれ、
前記開口部内の前記パッドは第１領域と第２領域とを含み、
前記第３配線は、前記最上の配線層より１つ下の配線層に含まれ、かつ、前記第２領域の直下に配置されており、
前記第１領域の直下には、前記第３配線と同層の導体パターンは形成されておらず、
前記第１配線は、前記２領域の直下に配置されており、
前記第２配線は、前記第１領域の直下に配置されており、
前記第２配線は、前記第１配線よりも幅が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１領域は、プローブの接触領域であり、
前記第２領域は、ボンディングワイヤの接合領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記第１配線、前記第２配線、及び、前記第３配線は、銅を主原料として形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、または、前記第３絶縁膜は、酸化シリコンよりも誘電率が低い材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有するＳｉＣまたはＳｉからなる基材と、
前記基材の上にエピタキシャル形成された、少なくとも比抵抗が１×１０６Ωｃｍ以上の絶縁性を有する第１のIII族窒化物からなる下地層と、
前記下地層の上にエピタキシャル形成された、ＧａＮからなるチャネル層と、
前記チャネル層の上にエピタキシャル形成された、ＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなる障壁層と、
を備え、
前記下地層が表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有してなり、
前記下地層の表面の平均粗さが０．５μｍ以上１μｍ以下である、
ことを特徴とする高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板であって、
前記第１のIII族窒化物がＡｌＮである、
ことを特徴とする高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板。
【請求項３】
導電性を有するＳｉＣまたはＳｉからなる基材の上に、絶縁性を有する第１のIII族窒化物からなる下地層をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル形成する下地層形成工程と、
前記下地層の上に、ＧａＮからなるチャネル層をエピタキシャル形成するチャネル層形成工程と、
前記チャネル層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、
を備え、
前記下地層形成工程においては、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するように、かつ、表面の平均粗さが０．５μｍ以上１μｍ以下となるように、前記下地層を形成する、
ことを特徴とする高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３に記載の高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法であって、
前記第１のIII族窒化物がＡｌＮである、
ことを特徴とする高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板であって、前記第１のIII族窒化物がＡｌＮである、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３の発明は、導電性を有するＳｉＣまたはＳｉからなる基材の上に、絶縁性を有する第１のIII族窒化物からなる下地層をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル形成する下地層形成工程と、前記下地層の上に、ＧａＮからなるチャネル層をエピタキシャル形成するチャネル層形成工程と、前記チャネル層の上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、を備え、前記下地層形成工程においては、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するように、かつ、表面の平均粗さが０．５μｍ以上１μｍ以下となるように、前記下地層を形成する、ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４の発明は、請求項３に記載の高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法であって、前記第１のIII族窒化物がＡｌＮである、ことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１ないし請求項４の発明によれば、絶縁性のＳｉＣ基板を用いて作製したものと同程度に寄生容量が抑制された半導体素子が実現される。これにより、価格の高い絶縁性のＳｉＣ基板を用いる場合よりも低コストにて、高周波動作に適した半導体素子を得ることができる。また、下地層表面が凹凸であることにより、ＧａＮチャネル層の成長時に２次元的な成長モードが促進される（いわゆるＥＬＯ技術と同様な効果）ため、結果として平坦な下地層の上に形成するよりも高い結晶品質を有するＧａＮチャネル層が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超電導線材を巻回した内周側コイル本体部と、
前記内周側コイル本体部の外周を囲むように配置され、超電導線材を巻回した外周側コイル本体部とを備え、
前記内周側コイル本体部は、前記超電導線材の主表面と交差する端面側に位置する表面と、前記表面と反対側に位置する他方表面とを含み、
前記外周側コイル本体部は、前記超電導線材の主表面と交差する端面側に位置する表面と、前記表面と反対側に位置する他方表面とを含み、
前記内周側コイル本体部の前記表面と対向するように配置された第１対向面と、前記外周側コイル本体部の前記表面と対向するように配置された第１外周側対向面とを含み、磁性体からなる第１磁気回路部材と、
前記内周側コイル本体部の前記他方表面と対向するように配置された第２対向面と、前記外周側コイル本体部の前記他方表面と対向するように配置された第２外周側対向面とを含み、磁性体からなる第２磁気回路部材とを備える、超電導コイル体。
【請求項２】
前記第１磁気回路部材において、前記第１対向面の端部は、前記内周側コイル本体部の前記表面より外側に突出している、請求項１に記載の超電導コイル体。
【請求項３】
前記第１磁気回路部材は、前記第１対向面に連なり前記第１対向面と交差する方向に伸びる側面を含み、
前記側面は、前記内周側コイル本体部に近い側の端部に位置し、前記超電導線材の前記主表面の伸びる方向に対して傾斜する傾斜部を有する、請求項１または２に記載の超電導コイル体。
【請求項４】
前記第１磁気回路部材は、前記第１対向面に連なり前記第１対向面と交差する方向に伸びる側面を含み、
前記側面は、前記コイル本体部に近い側の端部に位置し、前記超電導線材の前記主表面の伸びる方向に沿って伸びる平面部を有する、請求項１または２に記載の超電導コイル体。
【請求項５】
前記第１磁気回路部材は、互いに間隙を隔てて配置された複数の磁性体部材からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の超電導コイル体。
【請求項６】
前記第２磁気回路部材において、前記第２対向面の端部は、前記内周側コイル本体部の前記他方表面より外側に突出している、請求項５に記載の超電導コイル体。
【請求項７】
前記第２磁気回路部材は、前記第２対向面に連なり前記第２対向面と交差する方向に伸びる第２側面を含み、
前記第２側面は、前記内周側コイル本体部に近い側の端部に位置し、前記超電導線材の前記主表面の伸びる方向に対して傾斜する傾斜部を有する、請求項６に記載の超電導コイル体。
【請求項８】
前記第２磁気回路部材は、前記第２対向面に連なり前記第２対向面と交差する方向に伸びる第２側面を含み、
前記第２側面は、前記内周側コイル本体部に近い側の端部に位置し、前記超電導線材の前記主表面の伸びる方向に沿って伸びる平面部を有する、請求項６に記載の超電導コイル体。
【請求項９】
前記第２磁気回路部材は、互いに間隙を隔てて配置された複数の磁性体部材からなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の超電導コイル体。
【請求項１０】
前記内周側コイル本体部は、
前記超電導線材を巻回した第１のコイルと、
前記第１のコイルに積層され、前記超電導線材を巻回した第２のコイルとを含み、
前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間に配置された中間磁気回路部材をさらに備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の超電導コイル体。
【請求項１１】
前記第１磁気回路部材において、前記第１外周側対向面の端部は、前記外周側コイル本体部の前記表面より外側に突出しており、
前記第２磁気回路部材において、前記第２外周側対向面の端部は、前記外周側コイル本体部の前記他方表面より外側に突出している、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の超電導コイル体。
【請求項１２】
前記外周側コイル本体部は、
前記超電導線材を巻回した第１の外周側コイルと、
前記第１の外周側コイルに積層され、前記超電導線材を巻回した第２の外周側コイルとを含み、
前記第１の外周側コイルと前記第２の外周側コイルとの間に配置された外周側中間磁気回路部材をさらに備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超電導コイル体。
【請求項１３】
請求項１に記載の超電導コイル体を備える、超電導機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に従った超電導コイル体は、超電導線材を巻回した内周側コイル本体部と、外周側コイル本体部と、第１磁気回路部材と、第２磁気回路部材とを備える。外周側コイル本体部は、内周側コイル本体部の外周を囲むように配置され、超電導線材を巻回したものである。内周側コイル本体部は、超電導線材の主表面と交差する端面側に位置する表面と、当該表面と反対側に位置する他方表面とを含む。外周側コイル本体部は、超電導線材の主表面と交差する端面側に位置する表面と、当該表面と反対側に位置する他方表面とを含む。第１磁気回路部材は、内周側コイル本体部の当該表面と対向するように配置された第１対向面と、外周側コイル本体部の当該表面と対向するように配置された第１外周側対向面とを含み、磁性体からなる。第２磁気回路部材は、内周側コイル本体部の他方表面と対向するように配置された第２対向面と、外周側コイル本体部の他方表面と対向するように配置された第２外周側対向面とを含み、磁性体からなる。
この発明に従った超電導コイル体は、超電導線材を巻回したコイル本体部と、磁気回路部材とを備える。磁気回路部材は、コイル本体部において、超電導線材の主表面と交差する端面側に位置する表面と対向するように配置され、磁性体からなる。磁気回路部材は、コイル本体部の表面と対向する対向面と、対向面に連なり対向面と交差する方向に伸びる側面とを含む。側面は、コイル本体部に近い側の端部に位置し、超電導線材の主表面の伸びる方向に沿って伸びる平面部を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手コネクタが挿入される嵌合口が前面に開口されたハウジングと、該ハウジングに支持され前記嵌合口内に露出した複数のコンタクトとを備え、
該ハウジングは、筒状のシールド部材と、前記コンタクトを支持する絶縁体とをもって構成され、
前記相手コネクタが前記嵌合口に挿入されることにより前記相手コネクタに支持された相手コンタクトと前記コンタクトとが接触されるようにしてなるコネクタであって、
前記絶縁体は、前記シールド部材の筒状外側面及び後側開口を覆う防水用被覆部を備え、一括成形により前記シールド部材及びコンタクトと一体化されたことを特徴としてなる防水機能付きコネクタ。
【請求項２】
前記シールド部材は、基板に接続される基板接続端子部を有する請求項１に記載の防水機能付きコネクタ。
【請求項３】
前記防水用被覆部は、前記基板接続端子部を露出させた状態で前記シールド部材の筒状外側面及び後側開口を覆う請求項２に記載の防水機能付きコネクタ。
【請求項４】
相手コネクタが挿入される嵌合口が前面に開口されたハウジングと、該ハウジングに支持され前記嵌合口内に露出した複数のコンタクトとを備え、
該ハウジングは、基板に接続される基板接続端子部を有する筒状のシールド部材と、前記コンタクトを支持する絶縁体とをもって構成され、
前記相手コネクタが前記嵌合口に挿入されることにより前記相手コネクタに支持された相手コンタクトと前記コンタクトとが接触されるようにしてなるコネクタであって、
前記絶縁体は、前記基板接続端子部を露出させた状態で前記シールド部材の筒状外側面及び後側開口を覆う防水用被覆部を備え、一体成形により前記シールド部材及びコンタクトと一体化されたことを特徴としてなる防水機能付きコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層（Ａ）を備えるダイシングシート用基材フィルムであって、
当該樹脂層（Ａ）は、芳香族系環および脂肪族系環の少なくとも一種を有する熱可塑性樹脂である環含有樹脂（ａ１）と、当該環含有樹脂（ａ１）以外のオレフィン系熱可塑性樹脂である非環式オレフィン系樹脂（ａ２）とを含有し、
前記樹脂層（Ａ）中の前記環含有樹脂（ａ１）の含有量は３．０質量％超であり、
前記環含有樹脂（ａ１）は流動化温度が２３５℃以下であることを特徴とするダイシングシート用基材フィルム。
【請求項２】
前記非環式オレフィン系樹脂（ａ２）はエチレン系重合体である請求項１記載のダイシングシート用基材フィルム。
【請求項３】
前記環含有樹脂（ａ１）は２３℃における引張弾性率が１．５ＧＰａ超である、請求項１または２に記載のダイシングシート用基材フィルム。
【請求項４】
前記樹脂層（Ａ）は前記環含有樹脂（ａ１）を３．０質量％超６０．０質量％以下で含有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のダイシングシート用基材フィルム。
【請求項５】
前記樹脂層（Ａ）における内部ヘーズ値が８０％以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載のダイシングシート用基材フィルム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載される基材フィルムと、当該基材フィルム上に配置された粘着剤層とを備えるダイシングシート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ多角形の平面形状を有し、中心部に前記多角形の辺により空間が形成されるように配列された６個のフォトダイオードと、これらのフォトダイオードにより光電変換され、蓄積された信号電荷を検出するために、前記中心部の空間内に配置されたフローティングジャンクションと、前記フォトダイオードに蓄積された信号電荷を前記フローティングジャンクションに読み出すために、前記中心部の空間内に配置された転送ゲートトランジスタと、を基本単位セルとして含み、この基本単位セルを２次元に複数個配置してなることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記中心部の空間内には、さらに、前記フローティングジャンクションの電位変化を検出するために配置されたアンプトランジスタと、前記フローティングジャンクションの電位をリセットするために配置されたリセットトランジスタと、を含む出力回路を備えたことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記フォトダイオードと、前記出力回路との間にはシャロートレンチを用いた素子分離領域が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記６個のフォトダイオードのうち、互いに隣接するフォトダイオード間にはイオン注入による素子分離領域が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記出力回路は、前記中心部の空間内に２組配置されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記２組の出力回路は、前記リセットトランジスタのドレイン電極を共用していることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記複数個の基本単位セルは市松状に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記各基本単位セルに含まれる前記フォトダイオード、前記リセットトランジスタあるいは前記アンプトランジスタは、それぞれ行および列からなる格子状に配列され、前記格子状に配列されたフォトダイオードのうち、同じ行に配列されたフォトダイオードに蓄積された信号電荷を読み出すための転送ゲートトランジスタの転送ゲート電極に共通接続された転送ゲート配線と、前記格子状に配列されたリセットトランジスタのうち、同じ行に配列されたリセットトランジスタのリセットゲート電極に共通接続されたリセット配線と、前記前記格子状に配列されたアンプトランジスタのうち、同じ列に配列されたアンプトランジスタのソース電極に共通接続された出力配線と、を備えることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施形態に係る固体撮像素子は、それぞれ多角形の平面形状を有し、中心部に前記多角形の辺により空間が形成されるように配列された６個のフォトダイオードと、これらのフォトダイオードにより光電変換され、蓄積された信号電荷を検出するために、前記中心部の空間内に配置されたフローティングジャンクションと、前記フォトダイオードに蓄積された信号電荷を前記フローティングジャンクションに読み出すために、前記中心部の空間内に配置された転送ゲートトランジスタと、を基本単位セルとして含み、この基本単位セルを２次元に複数個配置してなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ポートと、
前記光ポートから受け取った光ビームを、複数の波長成分に空間的に分散させるための分散要素と、
前記分散要素から受け取った前記波長成分を合焦するためのレンズ構成体と、
前記合焦された複数の波長成分を前記レンズ構成体から受け取り、前記波長成分のうちの少なくとも１つを前記光ポートのうちの１つに選択的に誘導するための光路変換系であって、前記光路変換系がデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を含み、少なくとも１つの波長成分が前記光ポートのうちの選択された１つに誘導される前に前記デジタルマイクロミラーデバイスから少なくとも２回反射され、前記デジタルマイクロミラーデバイスは、前記波長成分が前記デジタルマイクロミラーデバイスから１回目または２回目に反射されるとき前記波長成分に光処理を実行する、光路変換系と、
前記光ポートのうちの１つに選択的に誘導される前記波長成分が横切る光路長を調整して、前記波長成分に実行される前記光処理を改善するための光路長補償器と、
を備えることを特徴とする、光処理デバイス。
【請求項２】
実行される前記光処理が振幅フィルタ処理を含むことを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項３】
前記振幅フィルタ処理の分解能が、前記光路長を調整することによって改善されることを特徴とする、請求項２に記載の光処理デバイス。
【請求項４】
前記デジタルマイクロミラーデバイスが前記波長成分を選択的に反射するための別々に作動可能なミラー要素のアレイを含み、前記光路変換系は、前記デジタルマイクロミラーデバイスからの前記反射波長成分を受け取り、且つそれらを前記デジタルマイクロミラーデバイスの前記ミラー要素のうちの選択されたものに誘導して戻すための光学要素をさらに含み、前記レンズ構成体は、前記複数の波長成分が前記光学要素によって受け取られる前または後に前記複数の波長成分を前記ミラー要素上に合焦することを特徴とする、請求項３に記載の光処理デバイス。
【請求項５】
前記波長成分が前記光学要素で受け取られる前または後に前記ミラー要素上に誘導された前記波長成分の各々のビーム直径が、前記光学要素上に誘導された前記波長成分の各々のビーム直径よりも小さいことを特徴とする、請求項４に記載の光処理デバイス。
【請求項６】
前記レンズ構成体は、前記デジタルマイクロミラーデバイス上に前記複数の波長成分を合焦することを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項７】
前記光路長補償器は、前記光ポートのうちの１つによって受け取られ、且つ前記光路変換系に誘導される波長成分と、選択された出力部に前記光路変換系から選択的に誘導される波長成分との間の異なる光路長を生成することを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項８】
前記レンズ構成体が集光レンズを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項９】
前記光学要素が、反射表面を有する複数の平面ミラーを含み、該反射表面は、前記デジタルマイクロミラーデバイスの前記ミラー要素の反射表面と向き合っていることを特徴とする、請求項８に記載の光処理デバイス。
【請求項１０】
前記光路変換系が、前記波長成分の各々を、前記光ポートのうちの異なるものに選択的に誘導するように構成されることを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項１１】
前記光路長補償器がシリコンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項１２】
前記光路長補償器は複数の光学要素を含み、該複数の光学要素のそれぞれが前記光ポートのうちの１つに選択的に誘導される波長成分によって横切られる前記光路に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項１３】
前記光学要素が、選択された光ポートに隣接して配置されることを特徴とする、請求項１２に記載の光処理デバイス。
【請求項１４】
前記光路長補償器が反射防止膜を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の光処理デバイス。
【請求項１５】
前記光路長補償器が、前記光処理デバイス内の反射を最小にするように構成されることを特徴とする、請求項１に記載の光処理デバイス。
【請求項１６】
前記光路長補償器が、前記波長成分によって横切られる光路に対して傾斜した光軸を有することを特徴とする、請求項１５に記載の光処理デバイス。
【請求項１７】
光ビームを処理する方法であって、
光ポートから受け取った光ビームを、複数の波長成分に空間的に分散させる段階と、
前記波長成分を合焦する段階と、
前記光ポートのうちの選択された１つに誘導される前に前記合焦された波長成分をデジタルマイクロミラーデバイスから少なくとも２回反射することによって、前記光ポートのうちの１つに前記合焦された波長成分のうちの少なくとも１つを選択的に誘導する段階と、
前記合焦された波長成分が反射される他の場合を犠牲にして、前記合焦された波長成分が前記デジタルマイクロミラーデバイスから１回目または２回目に反射されるときに前記合焦された波長成分の分解能を最適化する段階と、
を含むことを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基体の片面又は両面に、直接又は他の層を介して、少なくとも透光性微粒子を含有する光学機能層を設けた光学積層体において、前記透光性微粒子の光学機能層中における面積分散バラツキの標準偏差が０．０４〜０．２０の範囲にあり、光学積層体は、次式（１）〜（４）を充足する内部ヘイズ値（Ｘ）と全ヘイズ値（Ｙ）を有することを特徴とする光学積層体。
Ｙ＞Ｘ        （１）
Ｙ≦Ｘ＋１１  （２）
Ｙ≦５０      （３）
Ｘ≧１５      （４）
【請求項２】
前記透光性微粒子が、その個数の９５％以上が電子顕微鏡による粒径の実測値で１〜２０μｍの範囲にある透光性球状樹脂微粒子である、請求項１記載の光学積層体。
【請求項３】
前記光学機能層が、少なくとも放射線硬化型樹脂と、１種又は複数種の低屈折性透光性微粒子及び１種又は複数種の高屈折性透光性微粒子とを含有する、請求項１又は２記載の光学積層体。
【請求項４】
前記放射線硬化型樹脂と前記低屈折性透光性微粒子の屈折率差が±０．０５以下の範囲にあり、且つ、前記放射線硬化型樹脂と前記高屈折性透光性微粒子の屈折率差が０．０５以上の範囲にある、請求項３記載の光学積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉのβ相安定化に寄与する第１の元素としてＣｒまたはＦｅを３．０ないし８．０モル％含み、
ω脆性の抑制とマルテンサイトの熱弾性化に寄与する第２の元素としてＳｎまたはＡｕを２．０ないし６．０モル％含み、
第１の元素と第２の元素とを合計で５．０モル％ないし１４．０モル％含み、
残部がＴｉおよび不可避的不純物からなる形状記憶合金。
【請求項２】
５．０ないし８．０モル％のＣｒと、
２．０ないし４．０モル％のＳｎとを含み、
ＣｒとＳｎとを合計で８．０ないし１１．０モル％含み、
残部がＴｉおよび不可避的不純物からなり、且つ、３３％≦（Ｓｎの含有量／Ｃｒの含有量）×１００（％）≦７３％である組成比を有する、請求項１に記載の形状記憶合金。
【請求項３】
３．０ないし８．０モル％のＣｒと、
２．０ないし６．０モル％のＡｕとを含み、
ＣｒとＡｕとを合計で５．０ないし１４．０モル％含み、
残部がＴｉおよび不可避的不純物からなり、且つ、２５％≦（Ａｕの含有量／Ｃｒの含有量）×１００（％）≦８０％である組成比を有する、請求項１に記載の形状記憶合金。
【請求項４】
４．０ないし６．０モル％のＦｅと、
３．０ないし６．０モル％のＳｎとを含み、
ＦｅとＳｎとを合計で７．０ないし１２．０モル％含み、
残部がＴｉおよび不可避的不純物からなり、且つ、６０％≦（Ａｕの含有量／Ｃｒの含有量）×１００（％）≦１００％である組成比を有する、請求項１に記載の形状記憶合金。
【請求項５】
３．０ないし７．０モル％のＦｅと、
４．０モル％のＡｕとを含み、
ＦｅとＡｕとを合計で７．０ないし１１．０モル％含み、
残部がＴｉおよび不可避的不純物からなり、且つ、５７％≦（Ａｕの含有量／Ｆｅの含有量）×１００（％）≦１３３％である組成比を有する、請求項１に記載の形状記憶合金。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飽和脂肪酸ビスアミドおよびポリオレフィン系樹脂を含有する成形原料Ａ、および
スチレン系エラストマーを含有する成形原料Ｂ
を共押出することによって製造される、
（Ａ）飽和脂肪酸ビスアミドから主としてなる、厚さが１〜１００ｎｍである離型層、
（Ｂ）基材層としてのポリオレフィン系樹脂層、および
（Ｃ）粘着剤層としてのスチレン系エラストマー層
が積層されたプリズムシート用表面保護フィルムであって、前記成形原料Ａがポリオレフィン系樹脂１００重量部に対して飽和脂肪酸ビスアミドを１〜４重量部含有し、
前記成形原料Ｂがスチレン系エラストマー１００重量部に対して粘着付与剤を５〜５０重量部含有するプリズムシート用表面保護フィルム。
【請求項２】
飽和脂肪酸ビスアミドが、エチレンビスステアリン酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、またはヘキサメチレンビスステアリン酸アミドである、請求項１に記載のプリズムシート用表面保護フィルム。
【請求項３】
飽和脂肪酸ビスアミドが、飽和脂肪酸芳香族ビスアミドである請求項１または２に記載のプリズムシート用表面保護フィルム。
【請求項４】
前記基材層、および前記粘着剤層の間に、中間層を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリズムシート用表面保護フィルム。
【請求項５】
前記中間層が、飽和脂肪酸ビスアミドを含有する、ポリオレフィン系樹脂とスチレン系エラストマーとの混合物である請求項４に記載のプリズムシート用表面保護フィルム。
【請求項６】
（Ａ）飽和脂肪酸ビスアミドから主としてなる厚さ１〜１００ｎｍの離型層、
（Ｂ）基材層となるポリオレフィン系樹脂層、
（Ｃ）粘着剤層となるスチレン系エラストマー層がこの順で積層されたプリズムシート用表面保護フィルムの製造方法であって、ポリオレフィン系樹脂１００重量部に対して飽和脂肪酸ビスアミドを１〜４重量部含有する成形原料Ａ、およびスチレン系エラストマー１００重量部に対して粘着付与剤を５〜５０重量部含有する成形原料Ｂを共押出する、プリズムシート用表面保護フィルムの製造方法。
【請求項７】
レンズ面に複数の三角柱状のプリズムを有するプリズムシート、および
前記レンズ面に貼り付けられた、（Ａ）飽和脂肪酸ビスアミドから主としてなる、厚さが１〜１００ｎｍである離型層、（Ｂ）基材層としてのポリオレフィン系樹脂層、および
（Ｃ）粘着剤層としてのスチレン系エラストマー層が積層されたプリズムシート用表面保護フィルム
を含み、
前記プリズムの前記粘着剤層への食い込み深さが０．３μｍ以上である
表面保護フィルムが貼り付けられたプリズムシート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
感熱材料を含む表面層と、
を備え、
前記感熱材料が、アクリルアミドポリマーのブロックおよびポリシルセスキオキサンのブロックを含むブロックコポリマーであることを特徴とする画像形成部材。
【請求項２】
熱供給源と、
インク供給源と、
（ｉ）基体と、（ｉｉ）感熱材料を含む表面層とを有する画像形成部材と、
を備え、
前記感熱材料が、アクリルアミドポリマーのブロックおよびポリシルセスキオキサンのブロックを含むブロックコポリマーであることを特徴とする印刷装置。
【請求項３】
請求項２に記載の印刷装置において、
前記アクリルアミドポリマーのブロックと前記ポリシルセスキオキサンのブロックとが、二価の連結子で隔てられている、印刷装置。
【請求項４】
請求項２に記載の印刷装置において、
前記基体と前記表面層との間に吸収層をさらに備え、
当該吸収層は、照射線又は音響エネルギーを吸収可能である、印刷装置。
【請求項５】
請求項２に記載の印刷装置において、
前記アクリルアミドポリマーのブロックは、モノマー（ａ）〜（ｄ）からなる群より選択されるモノマー成分を含有する、印刷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペイロードと、
無人航空機と、
前記無人航空機に前記ペイロードを取り付けるようになっている取り付け装置とを備え、
前記取り付け装置が、
前記無人航空機に取り付けられるようになっており、外周部を備える本体と、
前記本体の外周部から半径方向外方に延びる複数の腕と
を備える、システムであって、
前記複数の腕の各々が、前記本体の外周部から延び、前記本体の外周部に取り付けられる第１の区画と、前記第１の区画からゼロでない角度をなし、前記本体に対して可動である第２の区画とを備える、
取り付け装置。
【請求項２】
前記複数の腕のそれぞれの前記第２の区画が、第１の平面上の第１の部分と、第２の平面上の第２の部分と、前記第１の平面と前記第２の平面の間に延びる第３の部分と、第３の平面上の第４の部分と、前記第２の平面と前記第３の平面の間に延びる第５の部分とをさらに備え、前記第２の部分が、ペイロードから直角に延びるペイロードつまみを保持するように構成され、
前記複数の腕の各腕の前記第２の区画の第４の部分が、各ぺイロードつまみの下方への力で静止位置から押し下げ位置まで移行するように構成され、一旦静止位置に戻ると、各ペイロードつまみはもはや前記下方への力を加えなくなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
ペイロードを無人航空機に取り付けるための方法であって、
前記無人航空機に取り付け機構を固定する工程であって、
前記取り付け機構が、
外周部を備える本体と、
前記外周部から半径方向外方に延び、くぼみを形成する腕とを備える固定工程と、
前記取り付け機構に対して、ペイロードつまみを有する前記ペイロードを押し付ける工程と、
前記ペイロードのペイロードつまみが、前記取り付け機構の本体から前記取り付け機構のアームのくぼみ内へ延びる腕を越えて移動するまで、前記取り付け機構への圧力を維持しながら前記ペイロードを回転する工程と、
前記取り付け機構の腕のくぼみ内の所定位置に前記ペイロードつまみを固定する工程と
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＮ塊状単結晶（２）を製造するための方法であって、
ａ）中央中心長手軸線（１８）を有する単結晶ＡｌＮ種結晶（１５）が坩堝装置（３）の結晶成長領域（４）内に配置され、
ｂ）成長段階の間に前記結晶成長領域（４）内にＡｌＮ成長気相（１６）が生成され、前記成長気相は前記坩堝装置（３）の貯蔵領域（５）内にあるＡｌＮ原材料（１４、２１）から少なくとも一部を供給され、前記ＡｌＮ塊状単結晶（２）は前記ＡｌＮ成長気相（１６）から前記ＡｌＮ種結晶（１５）上に析出させることにより前記中心長手軸線（１８）と平行に向いた成長方向（１７）に成長し、
ｃ）浄化段階の間に前記ＡｌＮ原材料（１４、２１）の少なくとも酸素割合が減らされ、
ｄ）前記坩堝装置（３）が析出室（８）を含み、前記析出室内で前記浄化段階の間に前記ＡｌＮ原材料（１４、２１）から蒸発した酸素含有成分が析出され、
ｅ）前記ＡｌＮ原材料（１４、２１）は前記浄化段階の終了後、前記成長段階全体の間無酸素雰囲気内で保持される方法。
【請求項２】
前記浄化段階の間に前記ＡｌＮ原材料（１４、２１）から酸素含有成分の非調和蒸発が引き起こされる請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記浄化段階の終了後、前記析出室（８）と前記結晶成長領域（４）との間での気体交換を阻止するために、前記析出室（８）が前記貯蔵領域（５）および前記結晶成長領域（４）から機械的に分離される請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記中心長手軸線（１８）の方向に見て前記貯蔵領域（５）が前記結晶成長領域（４）と前記析出室（８）との間に配置される請求項１ないし３の１つに記載の方法。
【請求項５】
前記浄化段階の間にも前記析出室（８）内で析出温度（Ｔ3）が調整され、前記析出温度は前記貯蔵領域（５）内で調整された貯蔵温度（Ｔ2）よりも低い請求項１ないし４の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記浄化段階の間に前記ＡｌＮ種結晶（１５）における結晶温度（Ｔ1）が調整され、前記結晶温度は前記貯蔵領域（５）内で調整された貯蔵温度（Ｔ2）と少なくとも同じである請求項１ないし５の１つに記載の方法。
【請求項７】
前記成長段階の間、成長する前記ＡｌＮ塊状単結晶（２）の成長界面で結晶温度（Ｔ1）が調整され、前記結晶温度は前記貯蔵領域（５）内で調整された貯蔵温度（Ｔ2）より低い請求項１ないし６の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記坩堝装置（３）に付加的プロセスガスが供給され、前記浄化段階の間、前記プロセスガスのプロセスガス分圧は前記成長段階の間よりも低く調整される請求項１ないし７の１つに記載の方法。
【請求項９】
前記坩堝装置（３）に付加的プロセスガスが供給され、前記浄化段階の間、前記プロセスガスのプロセスガス分圧は２×１０2〜１０5Ｐａの範囲内の値に調整される請求項１ないし８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記成長段階は前記浄化段階に直接続いて実行される請求項１ないし９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記貯蔵領域（５）は前記坩堝装置（３）の内部坩堝挿入体（６）として形成されており、後に前記成長段階用に必要となる前記ＡｌＮ原材料（１４、２１）は前記浄化段階の開始前に前記内部坩堝挿入体（６）内に完全に導入される請求項１ないし１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
酸素濃度が最高５×１０16ｃｍ-3である円盤状の単結晶ＡｌＮ基板。
【請求項１３】
前記酸素濃度が最高１×１０15ｃｍ-3である請求項１２記載のＡｌＮ基板。
【請求項１４】
前記ＡｌＮ基板が基板主表面を有し、前記基板主表面は直径が少なくとも７５ｍｍである請求項１２又は１３記載のＡｌＮ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
アクリルゴムの加硫成形方法としては、一般に型成形(射出成形、圧縮成形、トランスファー成形等)と押出成形とが用いられており、その加硫系としては現在は成形時の加硫速度とスコーチタイムとのバランスをとるために、下記２つの加硫系の流れがある。
(1) 脂肪族ジアミン(加硫剤)／グアニジン(加硫促進剤)／加硫遅延剤
(2) 芳香族ジアミン(加硫剤)／グアニジン(加硫促進剤)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
その後、一般式 NH2R1NH2で表わされるジアミン化合物との縮合反応が、トリクロロメタン等を溶媒として用い、トリエチルアミン等の三級アミン触媒の存在下で行われ、所望のジウレタン化合物が形成される。ここで、R1はC1〜C12の直鎖状または分岐状構造の2価の脂肪族アルキレン基、2価の脂環式シクロアルキル基または2価の芳香族基である。2価の脂肪族アルキレン基としては、例えば-(CH2)l- (l=2〜12)、-CH2C(CH3)2CH2-等が挙げられ、2価の脂環式シクロアルキル基としては、例えば
2010241706.tif 000001
等が挙げられ、2価芳香族基としては例えば
2010241706.tif 000002
2010241706.tif 000003
2010241706.tif 000004
等が挙げられるが、好ましくはC4〜C10の直鎖状アルキレン基が用いられ、特に好ましくは-(CH2)6-基が用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
式
2010241706.tif 000005
(ここで、Phはフェニル基である)で表わされる請求項１記載のジウレタン化合物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ジウレタン化合物が
2010241706.tif 000006
(ここで、Phはフェニル基である)である請求項４記載のアクリルゴム組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
しかしながら、硬化剤として用いられる芳香族トリボロン酸エステルである1,3,5-トリス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3-ジオキサボロラン-イル)ベンゼンは融点が200℃以上と高く、硬化性組成物中へ分散性が懸念され、そのためその硬化温度以下、具体的には150℃以下の融点を有するボロン酸エステル化合物が望まれている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これらの含フッ素ボロン酸エステル化合物は、例えば以下の反応式に示されるように、両末端ジハロゲノハイドロフルオロカーボン化合物(X：Br、I)にヒドロキシフェニルボロン酸エステル化合物を、炭酸カリウム等の無機塩基性化合物触媒の存在下で反応させることにより製造することができる。
2010241705.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施例１
(1) 1,10-ビス〔3,5-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノキシ〕-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンの製造
2010241705.tif 000002
3,5-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノール 3.6g(10ミリモル)のジメチルホルムアミド(60ml)溶液に、65℃で炭酸カリウム4.3g(31ミリモル)を加え、10分間攪拌した。次いで、1,10-ジブロモ-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカン 2.1g(4.7ミリモル)を滴下し、その後3時間反応させた。反応混合物を室温まで冷却した後、通常の反応後処理を行い、粗生成物5.9gを得た。これをn-ヘキサン／ジエチルエーテル(1/1(v/v))を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行った後、エタノールから再結晶を行い、目的とする1,10-ビス〔3,5-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノキシ〕-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンを、無色の結晶として3.3g(1,10-ジブロモ-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンを基準とした収率72％)を得た。
融点：103〜110℃
IR(KBr)：2,980cm-1、1,603cm-1、1,456cm-1、1,381cm-1、1,330cm-1、
1,167cm-1、1,143cm-1、1,031cm-1、967cm-1、849cm-1、713cm-1
CDCl3中で測定した、19F-NMR(ケミカルシフトはCFCl3基準)および1H-NMR(ケミカ
ルシフトはTMS基準)のケミカルシフト(s：singlet、d：doublet、t：triplet、
m：multiplet、J：カップリング定数(Hz))：
2010241705.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
(2) また、この含フッ素ボロン酸エステル化合物の1,3-ビス(トリフルオロメチルベンゼン)(後記各参考例で使用した含フッ素有機溶媒)の溶解度は、0.85g/10ml・溶媒であった。ここでの溶解度は、25℃において上記含フッ素有機溶媒10mlに含フッ素ボロン酸エステル化合物を添加して攪拌した後、均一な溶液状態となり得る最大添加量を目測で測定して決定した値である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
(3) これに対して、芳香族ジボロン酸エステル化合物である1,4-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゼン(融点240℃)の上記含フッ素溶媒に対する溶解度は0.17g/10ml・溶媒であり、また芳香族トリボロン酸エステル化合物である1,3,5-トリス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゼン(融点は200℃以上であるが、明確な融点を示さない)の溶解度は0.20g/10ml・溶媒である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例２
(1) 1,10-ビス〔3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノキシ〕-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンの製造
2010241705.tif 000004
3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノール 0.34g(1.5ミリモル)のジメチルホルムアミド(20ml)溶液に、65℃で炭酸カリウム0.80g(5.8ミリモル)を加え、10分間攪拌した。次いで、1,10-ジブロモ-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカン 0.33g(0.74ミリモル)を滴下し、その後3時間反応させた。反応混合物を室温まで冷却した後、通常の反応後処理を行い、粗生成物0.50gを得た。これをn-ヘキサン／ジエチルエーテル(1/1(v/v))を溶出液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行った後、エタノールから再結晶を行い、目的とする1,10-ビス〔3-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)フェノキシ〕-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンを、無色の結晶として0.31g(1,10-ジブロモ-1H,1H,2H,2H,3H,3H,8H,8H,9H,9H,10H,10H-パーフルオロデカンを基準とした収率53％)を得た。
融点：124〜127℃
IR(KBr)：2,981cm-1、1,575cm-1、1,490cm-1、1,437cm-1、1,359cm-1、
1,226cm-1、1,166cm-1、1,144cm-1、1,028cm-1、967cm-1、852cm-1、
709cm-1
CDCl3中で測定した、19F-NMR(ケミカルシフトはCFCl3基準)および1H-NMR(ケミカ
ルシフトはTMS基準)のケミカルシフト(s：singlet、d：doublet、t：triplet、
m：multiplet、J：カップリング定数(Hz))：
2010241705.tif 000005
(2) この含フッ素ボロン酸エステル化合物の1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンに対する溶解度(25℃)は、0.20g/10ml・溶媒であった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小腸粘膜障害の予防または治療薬剤としてのアズレン誘導体を有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項２】
小腸粘膜障害の予防または治療薬剤としてのアズレン誘導体とグルタミンを有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項３】
アズレン誘導体がアズレンスルホン酸ナトリウム又はそのプロドラッグ或はその薬理上許容される塩である、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
アズレン誘導体がエグアレンナトリウム又はそのプロドラッグ或はその薬理上許容される塩である、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
グルタミンとアズレンスルホン酸ナトリウムの配合割合（グルタミン：アズレンスルホン酸ナトリウム）が質量比で２００〜４００：１である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記小腸粘膜障害が、アスピリンによる小腸粘膜障害である、請求項１〜５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
アスピリン投与と併せて用いるための、請求項１〜６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
経口投与用である、請求項１〜７のいずれかに記載の医薬組成物。