【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサ部材を介し接続された上基板及び下基板と、
該上基板と該下基板の間に配置され、前記下基板に実装された半導体素子と、
前記上基板と前記下基板との間の空間に充填されたモールド樹脂と
を有する半導体パッケージを複数個一括して製造する製造方法であって、
前記上基板を含みその周囲に延在部を有する上基板用基板材を準備し、前記上基板に形成された接合パッドに前記スペーサ部材として導電性コアボールを接合し且つ前記延在部に形成された接合パッドにコアボールを接合するとともに、前記下基板を含みその周囲に延在部を有する下基板用基板材を準備し、
前記上基板用基板材の前記延在部に形成された接合パッドを前記コアボールを介して前記下基板用基板材の前記延在部に形成された接合パッドに接合し、且つ前記上基板用基板材の前記上基板に相当する領域に形成された接合パッドを前記導電性コアボールを介して前記下基板用基板材の前記下基板に相当する領域に形成された接合パッドに電気的に接続することで、前記上基板用基板材を前記コアボール及び前記導電性コアボールを介して前記下基板用基板材に接続し、
前記上基板用基板材と前記下基板用基板材との間にモールド樹脂を充填して固定し、
前記上基板用基板の前記延在部と前記下基板用基板の前記延在部とを含む部分を除去し、
半導体パッケージを個片化し、
前記上基板用基板材のうち前記上基板に相当する領域に設けられた接合パッドに前記導電性コアボールを接合するためのはんだの量を、前記上基板用基板材の前記延在部に設けられた接合パッドに前記コアボールを接合するためのはんだの量より少なくする
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記上基板用基板材のうち前記上基板に相当する領域に設けられた接合パッドに前記導電性コアボールを接合するために、前記導電性コアボールの外周にはんだが設けられた第１のコア入りはんだボールを用い、
前記上基板用基板材の前記延在部に設けられた接合パッドに前記コアボールを接合するために、前記コアボールの外周にはんだが設けられた第２のコア入りはんだボールを用い、
前記第１のコア入りはんだボールのはんだの量は、前記上基板用基板材の接合パッドに前記導電性コアボールをはんだ接合するだけの量とし、
前記第２のコア入りはんだボールのはんだの量は、前記上基板用基板材の接合パッドを前記下基板用基板材の接合パッドにはんだ接合するだけの量とする
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記上基板用基板材に設けられた接合パッドに前記導電性コアボール及び前記コアボールを接合するために導電性ペーストを用い、且つ前記下基板用基板材の前記延在部に設けられた接合パッドに前記コアボールを接合するためにはんだペーストを用いることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記上基板用基板材の前記上基板に相当する領域に設けられた接合パッドに接合された前記導電性コアボールを、前記下基板基板材の前記下基板に相当する領域に設けられた接合パッドに圧接させた状態で、前記モールド樹脂により前記上基板基板材を前記下基板基板材に固定することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記上基板用基板材の前記延在部と前記下基板用基板材の前記延在部とを含む部分をダイシングにより切断して除去することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一実施態様によれば、スペーサ部材を介し接続された上基板及び下基板と、該上基板と該下基板の間に配置され、前記下基板に実装された半導体素子と、前記上基板と前記下基板との間の空間に充填されたモールド樹脂とを有する半導体パッケージを複数個一括して製造する製造方法であって、前記上基板を含みその周囲に延在部を有する上基板用基板材を準備し、前記上基板に形成された接合パッドに前記スペーサ部材として導電性コアボールを接合し且つ前記延在部に形成された接合パッドにコアボールを接合するとともに、前記下基板を含みその周囲に延在部を有する下基板用基板材を準備し、前記上基板用基板材の前記延在部に形成された接合パッドを前記コアボールを介して前記下基板用基板材の前記延在部に形成された接合パッドに接合し、且つ前記上基板用基板材の前記上基板に相当する領域に形成された接合パッドを前記導電性コアボールを介して前記下基板用基板材の前記下基板に相当する領域に形成された接合パッドに電気的に接続することで、前記上基板用基板材を前記コアボール及び前記導電性コアボールを介して前記下基板用基板材に接続し、前記上基板用基板材と前記下基板用基板材との間にモールド樹脂を充填して固定し、前記上基板用基板の前記延在部と前記下基板用基板の前記延在部とを含む部分を除去し、半導体パッケージを個片化し、前記上基板用基板材のうち前記上基板に相当する領域に設けられた接合パッドに前記導電性コアボールを接合するためのはんだの量を、前記上基板用基板材の前記延在部に設けられた接合パッドに前記コアボールを接合するためのはんだの量より少なくすることを特徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上で、上基板２０を形成するための上基板用基板材４０の準備が完了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
半導体素子１４を基板材５０の各領域５０ｂに実装したら、図７に示すように、延在部５０ａの表面に形成されている接合パッド１２ｄ（ダミーボール３２が接合されるパッド）にフラックス５２を塗布する。図７（ａ）は基板材５０の断面図であり、図７（ｂ）は基板材５０の表面を示す平面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図８（ａ）に示すように、基板材４０は、ダミーボール３２と銅コアはんだボール３４とを間に挟んだ状態で基板材５０の上に配置され、基板材５０と基板材４０との間にはダミーボール３２と銅コアはんだボール３４とにより間隙が形成される。基板材５０の各領域５０ｂに搭載された半導体素子１４は、この間隙内に収容された状態となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
そして、以上のようにして組み合わされた基板材５０と基板材４０とをリフロー炉で加熱する。これにより、ダミーボール３２のはんだ１８ａが溶融し、基板材４０の接合パッド２０ｄと基板材５０の接合パッド１２ｄとがはんだ接合される。この際、銅コアはんだボール３４のはんだも溶融するが、はんだの量が少ないため、溶融したはんだは基板材４０の接合パッド２０ｂと銅コアボール１８との間に付着して保持されたままとなり、基板材５０の接合パッド１２ｃには移動しない。したがって、銅コアはんだボール３４が介在している部分では、銅コアボール１８は接合パッド１２ｃにはんだ接合されず、銅コアボール１８が接合パッド１２ｃに圧接した状態となる。一方、ダミーボール３２が介在している部分では、はんだの量が多いため、銅コアボールの表面を伝わってはんだが接合パッド１２ｄと接合パッド２０ｄとに接触し、接合パッド１２ｄと接合パッド２０ｄとははんだ接合される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
以上のようにして、基板材４０を基板材５０に固定する。すなわち、基板材４０の延在部４０ａと基板材５０の延在部５０ａとの間において、接合パッド２０ｄと接合パッド１２ｄとがダミーボール３２のはんだ１８ａによりはんだ接合されるため、基板材４０を基板材５０に確実に固定することができる。この状態で、基板材４０が固定された基板材５０を樹脂封止装置まで運ぶ。基板材４０は薄くて割れやすいが、基板材５０に固定されているため、基板割れ等の問題無く、容易に持ち運ぶことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
なお、本実施形態では、銅コアはんだボール３４のはんだ１８ａは、リフローにより溶融しても基板材５０側の接合パッド１２ｃまで流れ込まない程度の量としたが、僅かな量であれば接合パッド１２ｃまで流れるようなはんだ量としてもよい。この場合、銅コアボール１８は接合パッド１２ｃにもはんだ接合されることになるが、ダミーボール３２のはんだ量より少なくすることで封止樹脂部６４の中に埋め込まれても問題を引き起こさないようにすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
半導体素子１４を基板材５０の各領域５０ｂに実装したら、図１６に示すように、延在部５０ａの表面に形成されている接合パッド１２ｄにはんだペースト７４を塗布する。図１６（ａ）は基板材５０の断面図であり、図１６（ｂ）は基板材５０の表面を示す平面図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図１７（ａ）に示すように、基板材４０は、銅コアボール１８を間に挟んだ状態で基板材５０の上に配置され、基板材５０と基板材４０との間には銅コアボール１８により間隙が形成される。基板材５０の各領域５０ｂに搭載された半導体素子１４は、この間隙内に収容された状態となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
そこで、ダミー部３０を切り離し、且つ、これら４つの半導体パッケージ８０を分離して個片化する。すなわち、図２０に示すように、まずダミー部３０と半導体パッケージ８０との間のライン（領域４０ｂと延在部４０ａとの間の境界に相当する）をダンシングにより切断してダミー部３０を取り除く。基板材４０と基板材５０とは、封止樹脂部６４により強固に固定されているので、ダミー部３０を切断しても離れることはない。そして、４つの半導体パッケージ８０の間のライン（４つ領域４０ｂの境界）に沿って同様にダイシングにより切断することで、図２０に示すように４つの半導体パッケージ８０を個片化する。