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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムアルコキシドまたはアルミニウム塩化合物の加水分解物および／またはその縮合物、
溶媒および
下記一般式（１）で表される有機アルミニウム化合物を含むことを特徴とする酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【数１】
2011251890.tif 000001
Ｒ１、Ｒ２は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、またはアリル基であり、Ｒ３は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリル基、またはアリール基であり、ｎは１以上３以下の整数である。
【請求項２】
前記アルミニウムアルコキシドまたはアルミニウム塩化合物の加水分解物および／またはその縮合物を、金属酸化物に換算して２．５重量％以上６重量％以下含むことを特徴とする請求項１に記載の酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【請求項３】
前記溶媒が炭素数５以上８以下の一価のアルコールであることを特徴とする請求項１または２記載の酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【請求項４】
前記溶媒を、６０重量％以上９３重量％以下含むことを特徴とする請求項３に記載の酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【請求項５】
酸または塩基を含むことを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【請求項６】
前記酸または塩基を、０．０００１重量％以上０．０６重量％未満含むことを特徴とする請求項５記載の酸化アルミニウム前駆体ゾル。
【請求項７】
（ａ）基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、請求項１に記載の酸化アルミニウム前駆体ゾルを供給する工程と、
（ｂ）前記供給された酸化アルミニウム前駆体ゾルを乾燥および／または焼成し、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
（ｃ）前記酸化アルミニウム膜を６０℃以上１００℃以下の温水と接触させて酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造を形成する工程と、
を有することを特徴とする光学用部材の製造方法。
【請求項８】
基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造が形成された酸化アルミニウムを主成分とする層を有し、
前記酸化アルミニウムを主成分とする層は、下記一般式２を満たすことを特徴とする光学用部材。
Ｙ−Ｘ≦０．４    （一般式２）
ここで、
Ｘは、前記酸化アルミニウムを主成分とする層の表面を、光電子の検出角度を４５°に設定してＸ線光電子分光法で分析したときの、アルミニウムの原子の数を１とした時の酸素の原子の数の比（Ｏ／Ａｌ）
Ｙは、前記酸化アルミニウムを主成分とする層の表面を、光電子の検出角度を７５°に設定してＸ線光電子分光法で分析したときの、アルミニウムの原子の数を１とした時の酸素の原子の数の比（Ｏ／Ａｌ）
【請求項９】
前記Ｘは、２．０より大きいことを特徴とする請求項８記載の光学用部材。
【請求項１０】
基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造が形成された酸化アルミニウムを主成分とする層を有する光学用部材であって、
前記酸化アルミニウムを主成分とする層の厚みは２４０ｎｍ以上であり、かつ、微小光散乱度が６．０以下であることを特徴とする光学用部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の酸化アルミニウム前駆体ゾルは、アルミニウムアルコキシドまたはアルミニウム塩化合物の加水分解物および／またはその縮合物、溶媒および下記一般式（１）で表される有機アルミニウム化合物を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【数１】
2011251890.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
Ｒ１、Ｒ２は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、またはアリル基であり、Ｒ３は炭素数１以上６以下のアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリル基、またはアリール基であり、ｎは１以上３以下の整数である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の光学用部材の製造方法は、（ａ）基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、請求項１に記載の酸化アルミニウム前駆体ゾルを供給する工程と、（ｂ）前記供給された酸化アルミニウム前駆体ゾルを乾燥および／または焼成し、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、（ｃ）前記酸化アルミニウム膜を６０℃以上１００℃以下の温水と接触させて酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の光学用部材は、基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造が形成された酸化アルミニウムを主成分とする層を有し、前記酸化アルミニウムを主成分とする層は、下記一般式２を満たすことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の光学用部材は、基材上、あるいは基材上に形成された一層または複数の層上に、酸化アルミニウムの結晶による凹凸構造が形成された酸化アルミニウムを主成分とする層を有する光学用部材であって、前記酸化アルミニウムを主成分とする層の厚みは２４０ｎｍ以上であり、かつ、微小光散乱度が６．０以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
このため、シート搬送ローラ対２１によるシートＰの引き抜き方向は、図１０に示すように給送コロ１６と分離パッド１７の当接部と第２シートガイド部材２５の先端とを結ぶ直線Ｂ３の方向になる。そして、引き抜き方向が直線Ｂ３の方向になると、シート搬送ローラ対２１がシートＰを引き抜く時、シートＰによって分離パッド１７には直線Ｂ３の方向の力Ｆ３が働く。この力Ｆ３は、接線Ａ方向の力Ｆｔ３と、法線Ｃ方向の力Ｆｎ３に分解されるが、この法線方向の力Ｆｎ３は給送コロ中心１６ａから離れる方向になる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ケイ素、酸化ホウ素及びアルカリ金属酸化物を含む相分離されたガラス体を、酸溶液が収容された浴中に浸漬する工程と、
前記ガラス体の優先的に多孔質化される面と浴液面とのなす角度を１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記ガラス体をエッチングする工程と、を有することを特徴とする多孔質ガラスの製造方法。
【請求項２】
前記超音波を発生する超音波源が、前記浴の底部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多孔質ガラスの製造方法。
【請求項３】
前記酸溶液の濃度が、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上５ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の多孔質ガラスの製造方法。
【請求項４】
前記超音波の発振周波数が２８ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下であり、前記超音波の出力電力が１００Ｗ以上２０００Ｗ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多孔質ガラスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
酸溶液による浸漬処理の後、多孔質ガラス中に付着した酸や溶出せずに残った可溶相を除去する目的で、水によるリンスを行うのが好ましい。
表面変質層が除去され、選択エッチングが完了して得られたガラスの多孔質構造はＳＥＭなどの観察手法、水銀圧入法などの細孔分布測定で確認できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ケイ素、酸化ホウ素及びアルカリ金属酸化物を含有するガラス体を相分離させて相分離ガラスを作成する工程と、
前記相分離ガラスの表面に、多孔質支持体に保持されたアルカリ性溶液を接触させる工程と、
前記アルカリ性溶液を接触させた相分離ガラスを酸溶液に接触させて前記分相ガラスに空孔を形成する工程と、を有することを特徴とするガラスの製造方法。
【請求項２】
酸化ケイ素、酸化ホウ素及びアルカリ金属酸化物を含有するガラス体の表面に、多孔質支持体に保持されたアルカリ性溶液を接触させる工程を有することを特徴とするガラスの製造方法。
【請求項３】
前記多孔質支持体の孔径が１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のガラスの製造方法。
【請求項４】
前記多孔質支持体は、金属、天然繊維または合成繊維のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの１項に記載のガラスの製造方法。
【請求項５】
前記アルカリ性溶液のアルカリ成分の濃度は１０重量％以上４０重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの１項に記載のガラスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【非特許文献１】泉谷徹郎監修、“新しいガラスとその物性”、第２章、ｐ．４７−５７、経営システム研究所、１９８４年発行
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ガラス表面に変質層が発生すると、相分離現象を起こした部分を固体シリカが覆っていることとなり、例えば、酸溶液による相分離ガラスの可溶相の溶出や多孔質化に悪影響が出る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
相分離したホウケイ酸塩ガラスにおいて、主に酸化ホウ素かつナトリウムの酸化物より形成される相は酸溶液に対して可溶である。よって酸処理を施すことでこの可溶相が反応し、主にシリカより形成される相のみが骨格として残り、多孔質が形成される。表面に変質層が形成されていると、酸溶液が相分離を起こしたガラス内部に浸透していかず、また浸透しても可溶相の溶出が阻害される。これにより多孔質が得られない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
酸溶液による浸漬処理の後、多孔質ガラス中に付着した酸や溶出せずに残った可溶相を除去する目的で、水によるリンスを行うのが好ましい。
変質層が除去され、エッチングが完了して得られたガラスの多孔質構造はＳＥＭなどの観察手法、水銀圧入法などの空孔分布測定で確認できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（実施例４）
前記製造例４のガラスを用いて、実施例１と同様の実験を行った。変質層は１００ｎｍであった。実験後のガラスはＳＥＭによる観察により、変質層が完全に除去され、且つ、多孔質骨格が侵食されることなく残り、サンプル全体で多孔質ガラスとなっていた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（実施例５）
前記製造例５のガラスを用いて、実施例１と同様の実験を行った。変質層は５０ｎｍであった。実験後のガラスはＳＥＭによる観察により、変質層が完全に除去され、且つ、多孔質骨格が侵食されることなく残り、サンプル全体で多孔質ガラスとなっていた。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月21日(2013.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子発振器の光学モジュールであって、
基本波と、前記基本波の強度よりも小さい強度を有する前記基本波の側帯波と、を含む第１光を発生させる光源と、
前記第１光が入射され、前記側帯波と前記側帯波よりも強度が小さい前記基本波とを含む第２光を射出させる波長選択手段と、
アルカリ金属ガスを封入し、前記第２光が照射されるガスセルと、
前記ガスセルを透過した前記第２光の強度を検出する光検出手段と、を含む、光学モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記波長選択手段は、エタロンである、光学モジュール。
【請求項３】
請求項２において、
前記エタロンは、
前記第１光を反射させ、互いに対向する第１ミラーおよび第２ミラーと、
前記第１ミラーと前記第２ミラーとの間に配置された基板と、を有し、
前記基板の材質は、化合物半導体である、光学モジュール。
【請求項４】
請求項３において、
さらに、基体を含み、
前記基体の材質は、化合物半導体であり、
前記光源は、半導体レーザーであり、
前記エタロンおよび前記光源は、基体に形成されている、光学モジュール。
【請求項５】
請求項４において、
前記エタロンの前記基板は、前記基体側から順に形成された第１層、第２層、および第３層を有し、
前記第１層の屈折率および前記第３層の屈折率は、前記第２層の屈折率より小さく、
前記第２層は、前記第１光を伝播させる、光学モジュール。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記光源は、端面発光型レーザーである、光学モジュール。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記光源は、面発光型レーザーである、光学モジュール。
【請求項８】
請求項１において、
前記波長選択手段は、ファイバーグレーティングである、光学モジュール。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光学モジュールを含む、原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
このような構成の原子発振器１において、半導体レーザー１１０が発生させる第１光Ｌ１の第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２の周波数差がガスセル１３０に含まれるアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と正確に一致しなければ、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こさないため、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２の周波数に応じて光検出器１４０の検出量は極めて敏感に変化する。そのため、半導体レーザー１１０、波長選択素子１２０、ガスセル１３０、光検出器１４０、および変調回路１６０を通るフィードバックループにより、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。その結果、変調周波数は極めて安定した周波数になるので、変調信号を原子発振器１の出力信号（クロック出力）とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ここでは、波長選択素子１２０がエタロンである場合について説明したが、波長選択素子１２０は、光ファイバーのコアに長手方向に周期的な屈折率変化を与えたファイバーグレーティングであってもよい。ファイバーグレーティングは、光ファイバーを用いているため、変形が容易であり、設計の自由度を向上できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
半導体レーザー１１０として端面発光型レーザーを用いることで、半導体レーザー１１０の各層１１２，１１４，１１６の積層方向に対して垂直にレーザー光を出射することができる。したがって、各層１１２，１１４，１１６の膜厚の制御によって、半導体レーザー１１０と波長選択素子１２０との間のアライメントができる。さらに、例えば、同じ基体１７０上に形成された波長選択素子１２０にレーザー光を入射させるためのプリズム等の光学素子が不要となる。したがって、半導体レーザー１１０と波長選択素子１２０との間のアライメント精度を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にメモリセル部と周辺回路部を有する半導体装置の製造方法において；
（ａ）前記メモリセル部及び前記周辺回路部の前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記メモリセル部及び前記周辺回路部の前記第１絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程、
（ｃ）前記周辺回路部の前記第１導電膜は残し、前記メモリセル部の前記第１導電膜を選択的にパターニングすることにより、前記メモリセル部に第１ゲート電極を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記メモリセル部及び前記周辺回路部上に電荷蓄積領域を有する第２絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記メモリセル部及び前記周辺回路部の前記第２絶縁膜上に、第２導電膜を形成する工程、
（ｆ）前記第２導電膜をエッチバックすることにより、前記周辺回路部において前記第２導電膜を除去し、前記メモリセル部において前記第１ゲート電極の側壁上に前記第２絶縁膜を介して第２ゲート電極を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記周辺回路部の前記第１導電膜をパターニングすることにより、前記周辺回路部に第３ゲート電極を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程においては、前記第１ゲート電極の両側の側壁上に前記第２導電膜からなるスペーサゲートが形成され、
前記（ｇ）工程の前に、前記第１ゲート電極の一方の側壁上に形成された不要部分の前記スペーサゲートを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程後に、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極、及び、前記第３ゲート電極をマスクとして、不純物をドーピングすることにより、
前記メモリセル部の前記半導体基板中に、前記メモリセル部に形成されるメモリセルのソース、ドレインとして機能する第１不純物拡散層を形成し、
前記周辺回路部の前記半導体基板中に、前記周辺回路部に形成されるＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインとして機能する第２不純物拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程の前に、前記メモリセル部の前記半導体基板中に、第１導電型の不純物を注入することにより、第１ウエルを形成する工程と、
前記（ａ）工程の前に、前記第１ウエル中に前記第１導電型の不純物を注入することにより、第１チャネル領域を形成する工程と、
前記（ｃ）工程の後で前記（ｄ）工程の前に、前記第１ウエル中に前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の不純物を注入することにより、第２チャネル領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１チャネル領域の不純物の電荷密度は、前記第２チャネル領域の不純物の電荷密度よりも高く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記電荷蓄積領域は、窒化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、前記半導体基板上に形成された第１酸化シリコン膜と、前記第１酸化シリコン膜上に形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された第２酸化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層と第２層と表面層が積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されている半導体装置であり、
第１層は、第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されており、
第２層は、第２導電型の第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されており、
表面層は、第１導電型のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されており、
第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップよりも第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップの方が大きく、
ゲート電極にオン電圧が印加されていないときに、少なくとも第２層が実質的に空乏化されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面層は、第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１層と第２層と表面層が積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されており、ゲート電極にオン電圧が印加されていないときに、少なくとも第２層が実質的に空乏化される半導体装置の製造方法であり、
第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる第１層上に、第２導電型であって第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる第２層をエピタキシャル成長させる第２層成長工程と、
その第２層上に、第１導電型のIII-Ｖ族化合物半導体からなる表面層をエピタキシャル成長させる表面層成長工程と、
その表面層の表面側にゲート電極を形成するゲート電極形成工程を有することを特徴とする製造方法。
【請求項４】
表面層成長工程では、第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる表面層をエピタキシャル成長させる請求項３に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明を具現化した一つの半導体装置は、第１層と第２層と表面層が積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されている。
第１層は、第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されている。第２層は、第２導電型の第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されている。表面層は、第１導電型のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されている。表面層は、第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体で構成されているのが好ましい。第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップよりも第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップの方が大きいものが選択されている。この半導体装置では、ゲート電極にオン電圧が印加されていないときに、少なくとも第２層が実質的に空乏化される。
第１層は、実質的に不純物が含有されていない真性半導体の層でもよく、あるいは第１導電型又は第２導電型の不純物が含有されている層でもよい。
ここで、表面層の表面側に形成されているゲート電極は、表面層の表面側に直接的(典型的にはショットキー接続)、又は間接的(典型的には絶縁材を介在させて対向させる)に形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明を具現化した一つの製造方法では、第１層と第２層と表面層が積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されており、ゲート電極にオン電圧が印加されていないときに、少なくとも第２層が実質的に空乏化される半導体装置を製造する。この製造方法は、第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる第１層上に、第２導電型であって第１種類のIII-Ｖ族化合物半導体のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる第２層をエピタキシャル成長させる第２層成長工程と、第２層上に第１導電型のIII-Ｖ族化合物半導体からなる表面層をエピタキシャル成長させる表面層成長工程を備えている。表面層成長工程では、第２種類のIII-Ｖ族化合物半導体からなる表面層をエピタキシャル成長させるのが好ましい。
上記の製造方法を採用すると、表面層から第２層に空乏層が伸びることでノーマリオフが実現され易い半導体装置を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするマッピング部と、
前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信する送信部と、を有し、
前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする無線基地局装置。
【請求項２】
前記無線リソースは、enhanced  Control  Channel  Element（ｅＣＣＥ）であることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局装置。
【請求項３】
前記ｅＣＣＥは、前記enhanced  ＰＤＣＣＨ用に割り当てられる特定のリソースブロックに局所的マッピングされることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局装置。
【請求項４】
前記無線リソースは、enhanced  Control  Channel  Element（ｅＣＣＥ）を分割して構成されることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局装置。
【請求項５】
前記ｅＣＣＥは、前記enhanced  ＰＤＣＣＨ用に割り当てられる複数のリソースブロックに分散マッピングされることを特徴とする請求項４に記載の無線基地局装置。
【請求項６】
enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースにマッピングされたenhanced  ＰＤＣＣＨを受信する受信部と、
前記enhanced  ＰＤＣＣＨを復調する復調部と、を有し、
前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とするユーザ端末。
【請求項７】
enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするマッピング部と、前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信する送信部と、を備えた無線基地局装置と、
前記enhanced  ＰＤＣＣＨを受信する受信部と、前記enhanced  ＰＤＣＣＨを復調する復調部と、を備えたユーザ端末と、を有し、
前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする無線通信システム。
【請求項８】
enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）を送信する無線基地局装置における無線通信方法であって、
前記enhanced  ＰＤＣＣＨ用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするステップと、
前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信するステップと、を有し、
前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の無線基地局装置は、enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするマッピング部と、前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信する送信部と、を有し、前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のユーザ端末は、enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースにマッピングされたenhanced  ＰＤＣＣＨを受信する受信部と、前記enhanced  ＰＤＣＣＨを復調する復調部と、を有し、前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の無線通信システムは、enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするマッピング部と、前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信する送信部と、を備えた無線基地局装置と、前記enhanced  ＰＤＣＣＨを受信する受信部と、前記enhanced  ＰＤＣＣＨを復調する復調部と、を備えたユーザ端末と、を有し、前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の無線通信方法は、enhanced  Physical  Downlink  Control  Channel（enhanced  ＰＤＣＣＨ）を送信する無線基地局装置における無線通信方法であって、前記enhanced  ＰＤＣＣＨ用の無線リソースに対して、ユーザ端末に対するenhanced  ＰＤＣＣＨをマッピングするステップと、前記無線リソースにマッピングされた前記enhanced  ＰＤＣＣＨを送信するステップと、を有し、前記無線リソースと、DeModulation-Reference  Signal（ＤＭ−ＲＳ）のアンテナポートと、が関連付けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置であって、
生成した一のデータリンク層制御情報から、複数のデータリンク層制御情報を生成するデータリンク層制御情報生成手段と、
前記データリンク層制御情報生成手段により生成されたデータリンク層制御情報に基づいて、複数のアンテナで送信する、前記データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成する第１のデータユニット生成手段と、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う物理層処理手段と
を有する無線通信装置。
【請求項２】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置であって、
一のデータリンク層制御情報から生成された複数のデータリンク層制御情報に基づいて、該データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成する第１のデータユニット生成手段と、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う物理層処理手段と、
前記第１のデータユニットに、データリンク層制御情報が含まれない他の第１のデータユニットよりも高い送信電力を割り当てる送信電力制御手段と
を有する無線通信装置。
【請求項３】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置であって、
一のデータリンク層制御情報から生成された複数のデータリンク層制御情報に基づいて、該データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成する第１のデータユニット生成手段と、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う物理層処理手段と
を有し、
前記第１のデータユニット生成手段は、第２のデータユニットに含まれる優先度情報に基づいて第２のデータユニットにデータリンク層制御情報を付加することにより第１のデータユニットを生成する無線通信装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の無線通信装置において、
前記データリンク層制御情報には、MAC制御エレメントが含まれる無線通信装置。
【請求項５】
請求項１に記載の無線通信装置において、
前記データリンク層制御情報生成手段は、生成したデータリンク層制御情報を複製することにより、複数のデータリンク層制御情報を生成する無線通信装置。
【請求項６】
請求項１に記載の無線通信装置において、
前記データリンク層制御情報生成手段は、生成したデータリンク層制御情報を分割することにより、複数のデータリンク層制御情報を生成する無線通信装置。
【請求項７】
請求項１に記載の無線通信装置において、
前記物理層処理手段は、前記複数のアンテナで送信する第１のデータユニットのうち、データリンク層制御情報のみが含まれる第１のデータユニットに、他の第１のデータユニットよりも低い符号化率で符号化処理を行う無線通信装置。
【請求項８】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置における通信方法であって、
生成した一のデータリンク層制御情報から、複数のデータリンク層制御情報を生成し、
該生成されたデータリンク層制御情報に基づいて、複数のアンテナで送信する、前記データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成し、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う
通信方法。
【請求項９】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置における通信方法であって、
一のデータリンク層制御情報から生成された複数のデータリンク層制御情報に基づいて、該データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成し、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行い、
前記第１のデータユニットに、データリンク層制御情報が含まれない他の第１のデータユニットよりも高い送信電力を割り当てる
無線通信方法。
【請求項１０】
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置における通信方法であって、
一のデータリンク層制御情報から、複数のデータリンク層制御情報を生成し、
第２のデータユニットに含まれる優先度情報に基づいて、優先度が高い第２のデータユニットに該データリンク層制御情報を付加することにより、該データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成し、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う
通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
開示の無線通信装置は、
複数のアンテナを用いてデータの送信を行う無線通信装置であって、
生成した一のデータリンク層制御情報から、複数のデータリンク層制御情報を生成するデータリンク層制御情報生成手段と、
前記データリンク層制御情報生成手段により生成されたデータリンク層制御情報に基づいて、複数のアンテナで送信する、前記データリンク層制御情報が含まれる第１のデータユニットを生成する第１のデータユニット生成手段と、
前記第１のデータユニットに対して適用変調符号化処理を行う物理層処理手段と
を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
バルブ収装筒２内には、その先端側から順に、インク貯留部材５とバルブユニットケース６とが装填される。インク貯留部材５は、基板７の中央に延設されて芯４の後半部が摺動可能に挿入される芯挿入筒８と、芯挿入筒８の外周面にその全長に亘って狭間隔置きに配設される円形の環状板９とから成っていて（図６、７参照）、後述するようにしてインク貯留部材５に導入されたインクが、各環状板９間の隙間とバルブ収装筒２の内周面とに囲まれるインク貯留空間１１を満たすように構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記構成において、インクタンク軸１内のインクは、芯４を下向きにすることにより、自重で蓋部材１６のインク通流孔１７を自由に通り抜けてバルブユニットケース６内に流入し、そこを満たす。このバルブユニットケース６内に入り込んだインクは、芯４がバルブ収装筒２内に押し込まれてインク供出口１２が開放されるまで、そこに留まる。そして、芯４がバルブ収装筒２内に押し込まれてインク供出口１２が開放されると同時にインク貯留部材５内に流入し（図３）、流入したインクは、上述したように、環状板９間の狭い間隙とバルブ収装筒２の内周面との間のインク貯留空間１１を充填すると共に、随時芯４に染み込んでいく。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
１      インクタンク軸
２      バルブ収装筒
３      縮径部
４      芯
５      インク貯留部材
６      バルブユニットケース
７      基板
８      芯挿入筒
９      環状板
１０      縦溝
１１      インク貯留空間
１２      インク供出口
１３      弁体
１４      開閉ピース
１４ａ    支持部
１４ｂ    鍔部
１４ｃ    ストッパー
１５      リターンスプリング
１６      蓋部材
１７      インク通流孔
１８      芯挿入孔
１９      フランジ
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービン（１２）から排熱回収ボイラシステム（３２）に至る排気ガス（３４）の経路内で動作するよう構成された可変形状分流装置（８２、８４）であって、
一次排気経路（８６）内に前記排気ガス（３４）を流入させ、この時の流量を制限するよう構成された一次分流装置（８２）と、
二次排気経路（８８）内に前記排気ガス（３４）を流入させ、この時の流量を制限するよう構成された二次分流装置（８４）と、
を有する可変形状分流装置（８２、８４）と、
前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）を少なくとも１つの燃料原料（１０４）と混合して、前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）を燃焼させ、その結果加熱されたガス（１０６）を半径方向内側に前記一次排気経路（８６）内に再噴射するよう構成された燃焼システム（９８）と、
を有するシステム（７６、１０８）。
【請求項２】
前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）を、前記燃焼システム（９８）を介して送るよう構成されたブロワ（９６）を更に有する、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの燃料原料（１０４）と前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）との化学量論的流量比に基づいて、前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）の流量及び組成を制御するよう構成された制御装置（９２）を更に有する、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項４】
前記可変形状分流装置（８２、８４）を作動させることにより、前記制御装置（９２）が、前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）の流量及び組成を制御するように構成された、請求項３に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項５】
前記制御装置（９２）が、前記燃焼システム（９８）からの排気に基づいて、前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）の流量及び組成を制御するよう構成された、請求項３に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項６】
前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）中に空気（９４）を添加するよう構成された補助空気噴射器を更に有する、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項７】
前記二次排気経路（８８）内の前記排気ガス（３４）中に加熱空気又はその他の酸化剤を添加するよう構成された加熱空気又は加熱酸化剤システム（１００）を更に有する、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項８】
前記可変形状分流装置（８２、８４）が、ルーバ付き分流ダンパ、収束／拡散ノズル機構又はこれらを組み合わせたものから成る、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【請求項９】
前記ガスタービン（１２）と前記排熱回収ボイラシステム（３２）との間で、ダクト（６６、８０）内に取り付けられるよう構成されたモジュール式装置であって、
前記可変形状分流装置（８２、８４）、前記一次排気経路（８６）、前記二次排気経路（８８）、前記燃焼システム（９８）又はこれらを組み合わせたものからなるモジュール式装置を更に有する、請求項１に記載のシステム（７６、１０８）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンにおけるアスファルテン沈殿または「ブラックペイント」を減少させる方法であって、
（Ａ）過半量の潤滑粘度の油、および
（Ｂ）サリチレート清浄剤系が、アルカリ金属サリチレートを含まないという条件で、１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートを含む少量のサリチレート清浄剤系
を含むか、またはそれらを混合することによって製造される、潤滑油組成物でエンジンを潤滑にする工程を含み、
前記サリチレート清浄剤系における前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートのモル数が、前記サリチレート清浄剤系中に存在する他の１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属ヒドロカルビル置換サリチレート各々のモル数を超える、方法。
【請求項２】
前記サリチレート清浄剤系が、１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレートから本質的になる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記潤滑粘度の油がグループＩＩベースストックを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートが、１つまたは複数の中性または過塩基性の金属モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性の金属モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートが、３−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレート、５−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートまたはそれらの混合物を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートが、前記サリチレート清浄剤系中に存在する前記１つまたは複数の中性または過塩基性の金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレートの総モル数に対して、１０モル％以上の量で存在する、請求項２から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記サリチレート清浄剤系が本質的に、前記潤滑油組成物中に存在する唯一の清浄剤系である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレートが、１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレート、および１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20、Ｃ24、Ｃ26、Ｃ28もしくはＣ30のヒドロカルビル置換サリチレートを含む、請求項２から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレートが、１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ26のヒドロカルビル置換サリチレートを含む、請求項２から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレート中のヒドロカルビル基が、アルキル基を含む、請求項２から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ20〜Ｃ30ヒドロカルビル置換サリチレート中の前記ヒドロカルビル基が表すことができる前記アルキル基が、主に第１級アルキル基である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレート中のＣ22ヒドロカルビル基が、Ｃ22アルキル基を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレート中の前記Ｃ22ヒドロカルビル基が表すことができる前記Ｃ22アルキル基が、主にＣ22第１級アルキル基である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートが、前記サリチレート清浄剤系中に存在する前記１つまたは複数の中性または過塩基性の金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレートの総モル数に対して、３−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートと５−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートとの混合物６５モル％超を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つまたは複数の中性または過塩基性のアルカリ土類金属Ｃ22ヒドロカルビル置換サリチレート中に存在する前記３−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートと前記５−モノ置換Ｃ22ヒドロカルビルサリチレートとのモル比が、１．２以上である、請求項５から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属がカルシウムである、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記潤滑油組成物が、摩擦調整剤、摩耗防止剤、分散剤、酸化防止剤、粘度調整剤、流動点降下剤、防錆剤、腐食防止剤、解乳化剤および泡制御剤から選択される、前記清浄剤系（ｂ）以外の少量の１種または複数の共添加剤をさらに含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記潤滑油組成物が、トランクピストンエンジン油である、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面上に配置された電気光学層を有するパネルと、
前記電気光学層上に配置された第１の樹脂フィルムと、
前記第１の樹脂フィルム上に設けられた第１の補強部材と、を備え、
前記第１の補強部材は、前記パネルの発光領域に重なる開口部と、前記パネルの第１の面に対向する第３の面と、前記第３の面と対向する第４の面と、を有し、
前記第１の補強部材の前記第３の面および前記第４の面の少なくとも一方には、反射層が形成されていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記第１の補強部材の前記第３の面および前記第４の面に反射層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記パネルの第２の面上に配置された第２の樹脂フィルムと、
前記第２の樹脂フィルム上に設けられた第２の補強部材と、をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第２の補強部材は、前記パネルの第２の面に対向する第５の面と、前記第５の面と対向する第６の面と、を有し、
前記補強部材の第５の面に反射層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記補強部材は、平面的に第１方向に延在する複数本の炭素繊維を含む第１炭素繊維層と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数本の炭素繊維を含む第２炭素繊維層とによる積層構造を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記第１炭素繊維層、および前記第２炭素繊維層は、炭素繊維に樹脂を含浸させたプリプレグで形成され、
前記補強部材は、前記第１炭素繊維層と、前記第２炭素繊維層とを３層以上積層、および硬化させた積層体であることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記補強部材は、インバー、またはチタン、若しくはチタン合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第１の補強部材の開口形状は、前記発光領域と同じ形状で設けられるとともに、
前記第１の補強部材は、平面的に前記パネルの端部までを覆う大きさであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記パネルの周縁部において、
前記樹脂フィルム、および前記補強部材を貫通する取付け穴が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記取付け穴は、前記パネルの辺に沿って、長穴状に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記パネルは、一対のガラス基板間に、前記電気光学層を挟持してなり、
前記ガラス基板の厚さは、それぞれ１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記樹脂フィルムは、ポリエチレン系共重合材料であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記電気光学層は、有機発光層を含む有機ＥＬ層であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面上に配置された電気光学層を有するパネルと、
前記電気光学層上に配置された樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルム上に設けられた補強部材と、を備え、
前記補強部材は、前記パネルの発光領域に重なる開口部と、前記パネルの第１の面に対向する第３の面と、前記第３の面と対向する第４の面と、を有し、
前記補強部材の前記第３の面および前記第４の面の少なくとも一方には、反射層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理を行う処理部と、
表示を行う表示部と、
使用者の生体情報の変化を取得したときに、前記表示部に、前記処理部の処理に関する設定画面およびガイド画面の少なくも一方である表示画面を表示させる制御部と
を備える電子装置。
【請求項２】
前記電子装置の姿勢を検出する姿勢センサを備え、
前記制御部は、前記電子装置が定められた姿勢であることを前記姿勢センサが検出したときに、前記表示部に前記表示画面を表示させる請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記使用者の生体情報の変化を検出したときに前記表示部に表示させる表示と、前記使用者の生体情報の変化を検出しないときに前記表示部に表示させる表示とを異ならせる請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記ガイド画面は、ガイドする機能の内容に従って階層的に構成されており、
前記制御部は、前記生体情報の変化を検出して前記表示部に前記ガイド画面を表示させる場合に階層を異ならせて表示する請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記生体情報の変化を検出したときに前記表示部に前記設定画面を表示させる場合に、設定する機能に対する選択肢の数を異ならせて表示させる請求項３または４の記載の電子装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記表示部に前記表示画面を表示させても前記生体情報に再度変化が生じないときに、前記表示画面の表示を変更させる請求項１から５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記電子装置の使用環境を検出する環境センサを備え、
前記制御部は、前記環境センサによって検出された前記使用環境に基づいて、前記表示部に表示させる前記表示画面を変更する請求項１から６のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
入射される光学像を光電変換する撮像部を備え、
前記環境センサは前記電子装置の位置を検出する位置検出部であって、
前記制御部は、前記位置検出部の検出結果に応じて変更される撮影条件について前記表示部に表示させる請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
入射される光学像を光電変換する撮像部を備え、
前記環境センサは時に関する情報を検出する検出部であって、
前記制御部は、前記検出部の検出結果に応じて変更される撮影条件について前記表示部に表示させる請求項７または８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記変化を検出したときに前記使用者が行っていた操作とは異なる操作に関する前記表示画面を前記表示部に表示させる請求項１から９のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記設定画面および前記ガイド画面の使用履歴を記憶する履歴記憶部を備え、
前記制御部は、前記履歴記憶部から読み出される前記使用履歴に基づいて、前記表示部に表示させる前記表示画面を変更する請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１２】
前記表示部に重ねて配置されるタッチセンサを備え、
前記制御部は、前記表示部に表示画面を表示させているときに、前記タッチセンサからの入力を受け付ける請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１３】
入射される光学像を光電変換する撮像部と、
前記撮像部により撮影された撮影画像を分析する分析部と
を備え、
前記制御部は、前記分析部の分析結果に基づいて、前記表示部に表示させる前記表示画面を変更する請求項１から１２のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１４】
入射される光学像を光電変換する撮像部を備え、
前記制御部は、前記撮像部による撮影が静止画撮影に設定されているときは、前記表示部に前記静止画撮影に関する前記表示画面を表示させ、前記撮像部による撮影が動画撮影に設定されているときは、前記表示部に前記動画撮影に関する前記表示画面を表示させる請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記制御部は、前記撮像部によって撮影されて逐次表示される被写体像と共に、前記表示画面を前記表示部に表示させる請求項１４に記載の電子装置。
【請求項１６】
被写体光束を透過させる光学系を含む光学系ユニットと、
前記光学系ユニットに配設され、少なくとも前記光学系ユニットに電力を供給する電力供給部と、を備える請求項１から１５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１７】
前記使用者の表情を検出する表情検出部を備え、
前記制御部は、前記表情検出部の検出結果に応じて、前記設定画面およびガイド画面の少なくとも一方を表示させる請求項１から１６のいずれか１項に記載の電子装置。