Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを格納する記憶手段と、
前記記憶手段から前記画像データを複数の画像データに分割して読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段により読み出された画像データに対してそれぞれ画像処理を行う複数の画像処理手段と、
前記複数の画像処理手段により処理された複数の処理済の画像データを受け取って不要画素を削除した後に結合する画像結合手段と、
前記複数の画像処理手段による画像処理がシフト処理を含む場合、前記複数の画像データを当該シフト処理に対応してシフトさせ、かつ前記複数の画像データの一部を重複させた重複領域を含んで読み出すように前記読み出し手段に指示し、前記シフト処理に応じて前記画像結合手段に前記不要画素を削除するよう指示する制御手段と、
前記画像結合手段により結合された画像データを出力する出力手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理は、主走査方向の複数の参照画素を要する画像処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記読み出し手段は、前記画像データを複数のブロックに分割した各ブロックごとに読み出し、前記重複領域の幅は前記ブロックの幅であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像結合手段は、前記複数の画像処理手段により処理された複数の処理済の画像データの重複領域を結合したとき、前記重複領域の合計幅が前記ブロックの幅と等しくなるように前記不要画素を削除することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像データを格納するメモリから前記画像データを複数の画像データに分割して読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された複数の画像データに対して、それぞれ並行して画像処理を行う画像処理工程と、
前記画像処理工程で処理された複数の処理済の画像データを受け取って不要画素を削除した後に結合する画像結合工程と、
前記画像処理工程の画像処理がシフト処理を含む場合、前記読み出し工程において前記複数の画像データを当該シフト処理に対応してシフトさせ、かつ前記複数の画像データの一部を重複させた重複領域を含んで読み出すように指示し、前記画像結合工程において前記シフト処理に応じて前記不要画素を削除するよう指示する制御工程と、
前記画像結合工程で結合された画像データを出力する出力工程と、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記画像処理は、主走査方向の複数の参照画素を要する画像処理を含むことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記読み出し工程において、前記画像データを複数のブロックに分割した各ブロックごとに読み出し、前記重複領域の幅は前記ブロックの幅であることを特徴とする請求項５又は６に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記画像結合工程において、前記複数の画像処理工程により処理された複数の処理済の画像データの重複領域を結合したとき、前記重複領域の合計幅が前記ブロックの幅と等しくなるように前記不要画素を削除することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図１１（Ｅ）及び図１１（Ｆ）を拡大し、更に、原画像データにおける元の位置を考慮して両者を並べて配した状態を図１１（Ｇ）に示す。図１１（Ｇ）に示すように、左側の分割画像１１０１の重複領域１１０３における有効画像部分１１２２と、右側の分割画像１１０２の重複領域１１０４における有効画像部分１１２３とでは、領域１１２４が重複している。左側の分割画像の重複領域における有効画像部分１１２２の画素幅は５画素で、右側の分割画像の重複領域における有効画像部分１１２３の画素幅は２９画素であるため、これら有効画像部分１１２２，１１２３の重複画素数は２９＋５−３２＝２画素となる。従って、この重複領域１１２４の画素数分画素を削除して、左側の分割画像１１０５と右側の分割画像１１０６とを結合する。これにより、左右の分割画像１１０５，１１０６の境界部を過不足なく結合することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
又、本実施形態２において、Ｓ＝２６の場合にはＬ＋Ｒ＝６となり、左側の分割画像の不要画素部分１１２０の画素数と、右側の分割画像の不要画素部分１１２１の画素数との和と一致する。この場合、削除すべき画素数はＬ＝Ｒ＝３となり、Ｓの上限値は「２６」となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してサーバに接続された制御装置と、
前記制御装置に接続された筆記情報をキャプチャするキャプチャ装置と、
を含むシステムであって、
前記キャプチャ装置は、筆記情報をキャプチャし、対応するデジタル情報を生成し、
前記制御装置は、
前記キャプチャ装置が生成したデジタル情報を受信し、
当該デジタル情報を記憶装置に記憶させる手段と、
ユーザに前記サーバへログインさせる手段と、
当該ログインに関連する情報に基づいて、前記記憶させたデジタル情報を前記サーバに送信する手段とを有する
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記制御装置は、前記サーバに、前記送信したデジタル情報を、ログインに関連する情報に対応させて、記憶させることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記制御装置は、前記ユーザをログインさせなくても、前記キャプチャ装置からデジタル情報を受信することを特徴とする、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記制御装置は、前記ログインに関連する情報に基づいて、前記デジタル情報を電子メールで送信することを特徴とする、請求項１乃至３いずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記制御装置は、定期的に前記記憶装置に記憶されたデジタル情報の前記サーバへの送信するように実行することを特徴とする、請求項１乃至４いずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
ネットワークを介してサーバに接続され、さらにデジタル情報を生成するキャプチャ装置に接続された制御装置であって、
前記キャプチャ装置からデジタル情報を受信し、
当該デジタル情報を記憶装置に記憶させる手段と、
ユーザを前記サーバにログインさせる手段と、
当該ログインに関連する情報に基づいて、前記記憶されたデジタル情報をサーバに送信する手段と
を有することを特徴とする制御装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記サーバに、前記送信したデジタル情報を、ログインに関連する情報に対応させて、記憶させることを特徴とする、請求項６に記載の制御装置。
【請求項８】
前記制御装置は、
前記ユーザをログインさせなくても、前記デジタル情報を受信することを特徴とする、請求項６又は７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記送信する手段は、前記ログインに関連する情報に基づいて、前記デジタル情報を電子メールで送信することを特徴とする、請求項６乃至８いずれか一項に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記送信する手段は、当該ログインに関連する情報に基づく前記記憶させたデジタル情報の前記サーバへの送信を、定期的に実行することを特徴とする、請求項６乃至９いずれか一項に記載の制御装置。
【請求項１１】
ネットワークを介してサーバに接続され、さらにデジタル情報を生成するキャプチャ装置に接続されたコンピュータにより実行されると、前記コンピュータを、
前記キャプチャ装置からデジタル情報を受信し、
当該デジタル情報を記憶装置に記憶させる手段と、
ユーザを前記サーバにログインさせる手段と、
当該ログインに関連する情報に基づいて、前記記憶されたデジタル情報をサーバに送信する手段と
して機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注文が買いタイプ又は売りタイプからなり、各注文が物品についての価格と量で特定され、電子商取引所から受けた物品についての売買情報であるマーケット情報をクライアント端末に表示し、容易に物品の注文をクライアント端末から電子商取引所への送信する方法であって、
物品の価格と量を表すマーケット情報を電子商取引所から受信し、受信したマーケット情報をクライアント端末におけるキャプチャー手段で取り込むステップ、
マーケット情報から決定される数値軸をクライアント端末の表示手段に表示するステップ、
物品の買い注文量に対応した買い注文インジケータを前記表示手段の数値軸に沿った買い注文価格に対応する位置に表示するステップ、
物品の売り注文量に対応した売り注文インジケータを前記表示手段の数値軸に沿った売り注文価格に対応する位置に表示するステップ、
ユーザ入力装置からユーザコマンドを受け、表示手段の数値軸に沿った位置を選択するステップ、
買いタイプ又は売りタイプのいずれかを特定するパラメータと、物品について特定された量を表すパラメータと、ユーザが数値軸に沿って選択した位置に対応する価格を表すパラメータとを含む注文を電子商取引所に送信するステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記送信は、ユーザコマンドを受けたことに応答して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、注文と関連づけされた注文アイコンを表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記注文アイコンは、ユーザコマンドを受けたことに応答して数値軸に沿って移動し、位置を選択する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記注文アイコンは、移動及び位置選択が行われる前に、ユーザコマンドを受けたことに応答して、量に応じたアイコンサイズに変更する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
更に、注文アイコンを表示手段の数値軸に沿った位置に表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、数値軸に沿って表示されている注文アイコンを、取引の成立に基づき変異させるステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記数値軸に沿って表示された注文アイコンは、その注文アイコンで示されている注文を、買い注文インジケータや売り注文インジケータから識別するため、視覚的な特徴を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記数値軸に沿って表示された注文アイコンのサイズは、注文の量に関連づけされている、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
更に、買い注文インジケータ及び売り注文インジケータの少なくとも一方について、数値軸の目盛りに向かって尖ったエッジを有するように、表示手段で表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記買い注文インジケータ及び売り注文インジケータの少なくとも一方は、そのサイズが取引量に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
更に、前記買い注文インジケータ及び売り注文インジケータを、視覚的に識別可能に表示する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記数値軸の価格は、少なくとも、物品の価格、価格から引き出される値、債券コスト、利率、債券に付けられる利率、のいずれかである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記物品は、商品である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記数値軸は、価格を表す複数の指標を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
値及び数量の情報を含む買い注文及び売り注文が電子商取引所に送られる電子取引システムで用いられるユーザインターフェスであって、
目盛りが付与された数値軸と、数値軸に沿った位置に配置され、有る量の物品を有る値で売る売りタイプ注文に対応する売り注文インジケータと、数値軸に沿った位置に配置され、有る量の物品を有る値で買う買いタイプ注文に対応する買い注文インジケータとの少なくともいずれか一方のインジケータ、を有する表示部と、ここで、売りタイプ注文と買いタイプ注文は、電子取引所に送られ、約定待ちの状態である、
位置を選択するためのユーザ入力装置により選択した所望の値に対応する、数値軸に沿った位置を特定する手段、
所定の注文量を所望の値で電子商取引所に送る注文を生成する手段、
を含むユーザインターフェス。
【請求項１７】
前記位置を特定する手段は、表示された注文インジケータを前記位置に配置する手段を有する、請求項１６に記載のインターフェス。
【請求項１８】
前記所定の注文量は、数値軸に沿った位置に表示された注文インジケータを配置する前に決定される、請求項１７に記載のインターフェス。
【請求項１９】
前記注文インジケータは、所定の注文量を表すように調整可能である、請求項１７に記載のインターフェス。
【請求項２０】
前記ユーザインターフェスは、数値軸に沿った位置に、更なる注文インジケータを生成する、請求項１６に記載のインターフェス。
【請求項２１】
前記表示部は、更に
数値軸に沿った位置で買い価格に対応した位置に、買いインジケータを複数個と、
数値軸に沿った位置で売り価格に対応した位置に、売りインジケータを複数個と、
を表示する、請求項１６に記載のインターフェス。
【請求項２２】
電子商取引所からの注文情報を受けて、前記表示部は更新され、更に新たなインジケータを表示する、請求項２１に記載のインターフェス。
【請求項２３】
コンピュータに請求項１に記載の方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２４】
コンピュータに請求項１に記載の方法を実行させるためのプログラム。
【請求項２５】
図５に示すステップの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体の一方の面に設けられた易接着層と、
前記支持体の他方の面に設けられた透光性樹脂からなる透明層を備え、
前記透明層は、少なくとも体積平均粒子径の異なる２種類の透光性粒子を含み、
前記透光性粒子の総和Ｓが、３０ｍｇ／ｍ２≦Ｓ≦５００ｍｇ／ｍ２を満たすことを特徴とする光学積層フィルム。
【請求項２】
前記透光性粒子として、最も体積平均粒子径の小さな透光性粒子と最も体積平均粒子径の大きな透光性粒子の体積平均粒子径の差を1μｍ以上とすることを特徴とする、請求項１記載の光学積層フィルム。
【請求項３】
前記透光性粒子全体の体積平均粒子径ｒが、
１．０μｍ≦ｒ≦３．０μm
を満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の光学積層フィルム。
【請求項４】
前記透明層の平均膜厚ｔが前記透光性粒子全体の体積平均粒子径ｒに対し、
ｒ／４≦ｔ＜ｒ
を満たすことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項５】
ヘイズ値が２０％以上６０％以下を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項６】
前記透光性粒子の少なくとも一つの体積平均粒子径のＣＶ値が３０％以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項７】
前記透光性粒子の少なくとも一つの体積平均粒子径が１μｍ未満であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項８】
前記透明層が、支持体側から第１の透明層、及び第２の透明層の２層からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項９】
前記第２の透明層がシリカ系化合物から形成される無機層である請求項８記載の光学積層フィルム。
【請求項１０】
前記透明層は、電子導電により導電性を発現する金属酸化物粒子及びπ電子共役系の導電性ポリマーのいずれかを含み、前記透明層の表面抵抗が１０１２Ω／□以下である請求項１から９のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項１１】
前記易接着層は、電子導電により導電性を発現する金属酸化物粒子及びπ電子共役系の導電性ポリマーのいずれかを含み、前記易接着層の表面抵抗が１０１２Ω／□以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項１２】
前記易接着層上にレンズ層をさらに備える請求項１から１１のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項１３】
前記透明層の１０点平均粗さＲｚが、０．５μｍ≦Ｒｚ≦１．０μｍを満たす請求項１から１２のいずれか１項に記載の光学積層フィルム。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光学積層フィルムを搭載する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楕円曲線暗号システムにおいて、第１のスカラーｋを楕円曲線Ｅ上の第１の点Ｐに掛ける第１の乗算と、第２のスカラーｓを楕円曲線Ｅ上の第２の点Ｑに掛ける第２の乗算とを実行することを含む方法であって、
前記実行することは、
ｋおよびｓが同じ数のビットを含む場合に、初期の計算対（Ｐ＋Ｑ，２Ｐ＋２Ｑ）を生成することと、
残りのビット対（ｋｉ，ｓｉ）に対して、第１の対から開始して、各ビット対（ｋｉ，ｓｉ）においてそれぞれ示される値に従って前記第１および第２の乗算において少なくとも１回の繰り返し演算を同時に実行することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記スカラーのうちの一方における最上位ビットを破棄することと、前記スカラーのうちの他方における最上位ビットを破棄することとを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２の乗算は、計算対［ｍＰ＋ｎＱ，（ｍ＋１）Ｐ＋（ｎ＋１）Ｑ］によって各ステップにおいて同時に表され、ここで、ｍは前の計算対の前記第１の点Ｐの係数を表し、ｎは前の計算対の前記第２の点Ｑの係数を表し、各対に対し、第２の成分は第１の成分とは（Ｐ＋Ｑ）だけ異なるようにする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（０，０）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ，（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ］となる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（１，１）のとき、次の計算対は［（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ，（２ｍ＋２）Ｐ＋（２ｎ＋２）Ｑ］となる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（０，１）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ＋Ｑ，（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ＋Ｑ］となる、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（１，０）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ＋Ｐ，（２ｍ＋１）Ｐ＋Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ］となる、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
プロセッサと、プログラムを格納するためのメモリとを含む暗号システムであって、
前記プロセッサによって前記メモリ内の前記プログラムを実行することは、第１のスカラーｋを楕円曲線Ｅ上の第１の点Ｐに掛ける第１の乗算と、第２のスカラーｓを楕円曲線Ｅ上の第２の点Ｑに掛ける第２の乗算とを実行することを前記暗号システムに行わせ、
前記実行することは、
ｋおよびｓが同じ数のビットを含む場合に、初期の計算対（Ｐ＋Ｑ，２Ｐ＋２Ｑ）を生成することと、
残りのビット対（ｋｉ，ｓｉ）に対して、第１の対から開始して、各ビット対（ｋｉ，ｓｉ）においてそれぞれ示される値に従って前記第１および第２の乗算において少なくとも１回の繰り返し演算を同時に実行することと
を含む、暗号システム。
【請求項９】
前記スカラーのうちの一方における最上位ビットを破棄することと、前記スカラーのうちの他方における最上位ビットを破棄することとを行うように更に構成されている、請求項８に記載の暗号システム。
【請求項１０】
前記第１および第２の乗算は、計算対［ｍＰ＋ｎＱ，（ｍ＋１）Ｐ＋（ｎ＋１）Ｑ］によって各ステップにおいて同時に表され、ここで、ｍは前の計算対の、前記第１の点Ｐの係数を表し、ｎは前の計算対の、前記第２の点Ｑの係数を表し、各対に対して、第２の成分は第１の成分とは（Ｐ＋Ｑ）だけ異なるようにする、請求項８に記載の暗号システム。
【請求項１１】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（０，０）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ，（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ］となる、請求項８に記載の暗号システム。
【請求項１２】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（１，１）のとき、次の計算対は［（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ，（２ｍ＋２）Ｐ＋（２ｎ＋２）Ｑ］となる、請求項８に記載の暗号システム。
【請求項１３】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（０，１）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ＋Ｑ，（２ｍ＋１）Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ＋Ｑ］となる、請求項８に記載の暗号システム。
【請求項１４】
前記ビット対（ｋｉ，ｓｉ）が（１，０）のとき、次の計算対は［２ｍＰ＋２ｎＱ＋Ｐ，（２ｍ＋１）Ｐ＋Ｐ＋（２ｎ＋１）Ｑ］となる、請求項８に記載の暗号システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係るナビゲーション装置は、案内対象地点が撮影された画像から、所定の対象物の画像の特徴に合致する特徴画像を抽出する画像処理部と、画像処理部により抽出された特徴画像から、案内対象地点における退出経路と経路外道路との差異を示す特徴画像を抽出して、当該特徴画像による退出道路と経路外道路との差異を用いて経路案内を出力する出力部とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内対象地点が撮影された画像から、所定の対象物の画像の特徴に合致する特徴画像を抽出する画像処理部と、
前記画像処理部により抽出された前記特徴画像から、前記案内対象地点における退出道路と経路外道路との差異を示す前記特徴画像を抽出して、当該特徴画像による前記退出道路と前記経路外道路との差異を用いて経路案内を出力する出力部
とを備えたナビゲーション装置。
【請求項２】
外部装置と通信を行い、案内対象地点に関する画像情報を含む特徴情報を取得する通信部と、
前記通信部により取得された前記画像情報から、前記案内対象地点における退出道路と経路外道路との差異を示す特徴画像を抽出して、当該特徴画像による前記退出道路と前記経路外道路との差異を用いて経路案内を出力する出力部
とを備えたナビゲーション装置。
【請求項３】
前記出力部が用いる前記退出道路と前記経路外道路との差異は、前記特徴画像が示す対象物の有無に関するものであることを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【請求項４】
前記出力部は、前記経路案内の案内音声を出力することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のナビゲーション装置。
【請求項５】
前記出力部は、前記経路案内の案内図を出力することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のナビゲーション装置。
【請求項６】
前記出力部は、前記案内対象地点の周囲の判定エリア内に前記経路外道路が存在する場合のみ、前記特徴画像による前記退出道路と前記経路外道路との差異があるか否かを判定することを特徴とする請求項１または請求項２記載のナビゲーション装置。
【請求項７】
前記出力部は、前記判定エリア内に前記特徴画像が示す対象物が存在する場合のみ、当該特徴画像が示す対象物と前記案内対象地点との位置関係を算出し、当該位置関係に基づいて、前記特徴画像が示す対象物の有無に関する前記退出道路と前記経路外道路との差異があるか否かを判定することを特徴とする請求項６記載のナビゲーション装置。
【請求項８】
前記案内対象地点への進入道路と当該進入道路に道なりの道路とを境として当該案内対象地点の周囲を二分割したエリアのうち、前記退出道路が存在するエリアを前記判定エリアとすることを特徴とする請求項６または請求項７記載のナビゲーション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料を含むチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域に接し、前記半導体材料を含む導電性領域と、
前記導電性領域に接する金属領域と、
前記チャネル形成領域に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接するゲート電極と、
前記金属領域を一部に含むソース電極またはドレイン電極と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁層と前記チャネル形成領域の接触界面が、前記金属領域と前記導電性領域との接触界面より上方に存在する半導体装置。
【請求項３】
半導体材料を含むチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域に接し、前記半導体材料を含む導電性領域と、
前記導電性領域に接し、前記半導体材料の金属化合物を含む金属化合物領域と、
前記金属化合物領域に接する金属領域と、
前記チャネル形成領域に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層に接するゲート電極と、
前記金属領域を一部に含むソース電極またはドレイン電極と、を有し、
前記金属化合物を構成する金属元素と、前記金属領域を構成する金属元素とは同一である半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ゲート電極の一部に、前記金属化合物を含む領域を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記導電性領域に添加された導電型を付与する不純物元素の濃度は、１×１０１９ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記導電性領域は、前記チャネル形成領域に接する低導電性領域と、前記低導電性領域に接する高導電性領域を有し、
前記低導電性領域に添加された導電型を付与する不純物元素の濃度は１×１０１９ｃｍ−３以上１×１０２１ｃｍ−３以下であり、前記高導電性領域に添加された導電型を付与する不純物元素の濃度より小さい濃度である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記金属領域が、前記導電性領域と重畳しない領域にも存在する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記チャネル形成領域は、絶縁層上に存在する半導体層中に形成された半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
上部に前記絶縁層が設けられたべース基板を有する半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ベース基板は、ガラス基板、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、又は太陽電池グレードシリコン基板のいずれか一である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に脆化領域を形成する第１の工程と、
絶縁層を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる第２の工程と、
熱を加え、前記脆化領域において前記第１の基板を分離して、前記第２の基板上方に半導体層を形成する第３の工程と、
を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第２の工程の後、且つ前記第３の工程の前において、前記第１の基板と前記第２の基板の間には空間があり、
前記空間は、前記絶縁層によって囲まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記空間が前記第１の基板上において占める面積は、１．０ｍｍ２以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁性粒子と、
前記複数の磁性粒子を結着する結着剤と、
結着された前記磁性粒子の集合体に内含され、かつ１００℃以下の融点を有する潤滑剤とを備えた、軟磁性材料。
【請求項２】
前記潤滑剤は脂肪酸モノアミドまたは脂肪酸モノエステルを含む、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項３】
前記潤滑剤は不飽和脂肪酸モノアミドまたは不飽和脂肪酸モノエステルを含む、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の軟磁性材料を加圧成形して作製された、成形体。
【請求項５】
請求項４に記載の成形体を熱処理して作製された、圧粉磁心。
【請求項６】
請求項５に記載の圧粉磁心と、
前記圧粉磁心に巻かれるコイルとを備えた、電磁部品。
【請求項７】
結着剤と、１００℃以下の融点を有する潤滑剤とを混合して、添加剤を形成する工程と、
前記添加剤により複数の磁性粒子を結着する工程とを備えた、軟磁性材料の製造方法。
【請求項８】
前記添加剤を形成する工程では、脂肪酸モノアミドまたは脂肪酸モノエステルを含む前記潤滑剤を用いる、請求項７に記載の軟磁性材料の製造方法。
【請求項９】
前記添加剤を形成する工程では、不飽和の脂肪酸モノアミドまたは不飽和の脂肪酸モノエステルを含む前記潤滑剤を用いる、請求項７に記載の軟磁性材料の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の軟磁性材料の製造方法により、軟磁性材料を製造する工程と、
前記軟磁性材料を加圧成形して、成形体を形成する工程と、
前記成形体を熱処理する工程とを備えた、圧粉磁心の製造方法。
【請求項１１】
前記成形体を形成する工程では、前記潤滑剤の融点以上で加圧成形する、請求項１０に記載の圧粉磁心の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
（比較例１）
比較例１の圧粉磁心の製造方法は、基本的には本発明例１の圧粉磁心の製造方法と同様の構成を備えていたが、結着剤と潤滑剤とを混合するステップＳ２０を備えていない点において異なっていた。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔で積層された複数の基板を処理する反応室と、
少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
少なくとも還元ガスを供給する第２のガス供給系と、少なくとも炭素原子含有ガスを供給する第３のガス供給系と、
前記第１のガス供給系に接続されるか、若しくは該第１のガス供給系及び前記第３のガス供給系に接続されると共に、前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルと、
前記第２のガス供給系に接続されるか、若しくは該第２のガス供給系及び前記第３のガス供給系に接続されると共に、前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルと、
前記第１のガス供給系が前記第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくとも前記シリコン原子含有ガスと前記塩素原子含有ガス、若しくは前記シリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第２のガス供給系が前記第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも前記還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第３のガス供給系が前記第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも前記炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する様制御するコントローラと
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記反応管の外部に設けられ、磁場を発生する磁場発生部と、
前記反応管と前記磁場発生部との間に設けられ、前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱し前記反応管内を加熱する被加熱体をさらに有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数の基板を所定の間隔で配列し処理する反応管と、
前記反応管の外部に設けられ磁場を発生する磁場発生部と、
前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられ、前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱し前記反応管内を加熱する被加熱体と、
少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを供給する第１のガス供給系と、
少なくとも還元ガスを供給する第２のガス供給系と、
少なくとも炭素原子含有ガスを供給する第３のガス供給系と、
前記第１のガス供給系と接続され、前記基板の配列領域に１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルと、
前記第２と第３のガス供給系に接続されるとともに、前記基板の配列領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルと、
前記第１のガス供給系が少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応管内に前記第１ガス供給ノズルの前記第１ガス供給口を通して供給し、前記第２のガス供給系が少なくとも還元ガスを前記第２のガス供給ノズルの第２のガス供給口から前記反応管内に供給し、前記第３のガス供給系が少なくとも炭素原子含有ガスを前記第２のガスノズルの前記第２のガス供給口を通して前記反応室内に供給し、基板上に炭化ケイ素膜を形成するように制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項４】
所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
該反応室内の前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に少なくとも１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記反応室内の前記基板の積層方向に延在され該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する工程と、
前記反応室から前記基板を搬出する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
所定の間隔で配列された複数枚の基板を反応管内に搬送する工程と、
前記反応管外に設けられて磁場を発生する磁場発生部と、前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられて前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱する被加熱体によって前記反応管内を加熱する工程と、
前記反応管内に設けられた第１のガス供給ノズルは、前記反応管内の基板の配列領域に１以上設けられる第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第２のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板上に炭化ケイ素膜を成膜する工程と、
前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
所定の間隔で積層された複数の基板を反応室内に搬入する工程と、
該反応室内の前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に少なくとも１以上の第１のガス供給口を有する第１のガス供給ノズルの前記第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガス、若しくはシリコン原子及び塩素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記反応室内の前記基板の積層方向に延在され該基板の積層領域に１以上の第２のガス供給口を有する第２のガス供給ノズルの前記第２のガス供給口から少なくとも還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に炭化ケイ素膜を形成する工程と、
前記反応室から前記基板を搬出する工程と
を有する基板製造方法。
【請求項７】
所定の間隔で配列された複数枚の基板を反応室内に搬送する工程と、
前記反応管外に設けられて磁場を発生する磁場発生部と、前記反応管と前記磁場発生部の間に設けられて前記磁場発生部により発生した磁場によって発熱する被加熱体によって前記反応管内を加熱する工程と、
前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第１のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第１のガス供給口から少なくともシリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記反応室内に設けられ、前記基板の配列領域にその一部が設けられる第２のガス供給ノズルの基板の配列領域に１以上設けられる第２のガス供給口から少なくとも炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板上に炭化ケイ素膜を成膜する工程と、
前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、
を有する基板製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月8日(2013.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第１の導電層は前記酸化物半導体層より幅が広い領域を有し、前記第２の導電層は前記酸化物半導体層より幅が狭い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第４の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能することができる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第１の導電層は前記酸化物半導体層より幅が広い領域を有し、前記第２の導電層は前記酸化物半導体層より幅が狭い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第４の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能することができる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と重なる領域と、前記第４の導電層と重なる領域と、を有し、
前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第１の導電層は前記酸化物半導体層より幅が広い領域を有し、前記第２の導電層は前記酸化物半導体層より幅が狭い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第４の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極として機能することができる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記トランジスタのドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と重なる領域と、前記第４の導電層と重なる領域と、を有し、
前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第１の導電層は前記酸化物半導体層より幅が広い領域を有し、前記第２の導電層は前記酸化物半導体層より幅が狭い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された溝；
前記溝内の基板表面の一部に直接成長された発光構造物；
前記基板上に電極；及び
前記電極と前記発光構造物を連結するワイヤボンディングを含む発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光構造物が成長される前記溝内の基板表面の一部を除いた前記基板の表面に形成される絶縁層を含む請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記発光構造物はバッファー層を含み、
前記バッファー層は前記発光構造物が成長される前記溝内の基板表面の一部の真上に存在する請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記バッファー層はシリコンカーバイド層を含む請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記溝内に充填材を含む請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記溝内に蛍光物質をさらに含む請求項５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記電極は反射層を含む請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
基板に溝を形成する段階；
前記溝内に存在する前記基板表面の一部の真上に発光構造物を形成する段階；
前記基板上に電極を形成する段階；及び
前記電極と前記発光構造物の間のワイヤボンディングする段階を含む発光素子パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記溝を形成した後、前記発光構造物が成長される前記溝内に存在する前記基板表面の一部を除いた前記基板の表面上に絶縁層を形成する段階を含む請求項８に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記基板表面の一部の真上に発光構造物を形成する段階は、
前記発光構造物が成長される前記溝内に存在する前記基板表面の一部の真上にバッファー層を形成する段階を含む請求項８または９に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記バッファー層はシリコンカーバイド層を含む請求項１０に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記溝内に充填材を形成する段階を含む請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記溝内に蛍光物質をさらに形成する段階を含む請求項１２に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記基板上に電極を形成する段階は、
前記絶縁層上に少なくとも部分的に電極を形成する請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記電極は反射層を含む請求項８ないし１４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、脆化層と、絶縁層と、前記脆化層と前記絶縁層とに挟まれた半導体層と、が選択的に配置された基板の処理方法であって、
前記脆化層は、半導体に水素イオンを注入する工程を経て形成されたものであり、
第１のエッチングによって、前記絶縁層を除去し、
第２のエッチングによって、前記脆化層と前記半導体層とを除去し、
前記第２のエッチングは、半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む溶液をエッチャントとすることを特徴とする基板の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を、脱水化または脱水素化し、
前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を、窒素を有する雰囲気で加熱して、前記酸化物半導体層から酸素と水素とを放出させ、
前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を、窒素を有する雰囲気で加熱して、前記酸化物半導体層から酸素と水素とを放出させ、
前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却することを特徴とする酸化物半導体層の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に熱を加え、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に熱を加えた後、徐冷し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層に熱を加える雰囲気は、窒素を有する雰囲気、希ガスを有する雰囲気、または減圧下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に熱を加え、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に、不活性ガスを有する雰囲気で熱を加えた後、徐冷し、
前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する領域を有する酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記不活性ガスを有する雰囲気は、窒素、または希ガスを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記酸化物半導体層は、前記不活性ガスを有する雰囲気であって、４００℃以上の熱が加えられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記徐冷は、不活性ガスを有する雰囲気または酸素を有する雰囲気で、前記雰囲気の温度が室温以上１００℃未満となるまで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に熱を加え、
前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に、減圧下で熱を加えた後、徐冷し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する領域を有する酸化物絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記酸化物半導体層を前記減圧下で、４００℃以上の熱を加えた後、不活性ガスを有する雰囲気または酸素を有する雰囲気で、前記雰囲気の温度が室温以上１００℃未満となるまで前記徐冷を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層に熱を加える雰囲気は、窒素を有する雰囲気、希ガスを有する雰囲気、または減圧下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層との間に第１のｎ型領域を有し、
前記酸化物半導体層と、前記ドレイン電極層との間に第２のｎ型領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のｎ型領域と、前記第２のｎ型領域との間に凹部を有し、
前記凹部側において、前記ソース電極の端部は、前記第１のｎ型領域の端部と一致する領域を有し、
前記凹部側において、前記ドレイン電極の端部は、前記第２のｎ型領域の端部と一致する領域を有し、
前記第１のｎ型領域は、前記酸化物半導体層の端部を超えた領域を有し、
前記第２のｎ型領域は、前記酸化物半導体層の端部を超えた領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に、ゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上方に、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を加熱する工程と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気下で冷却する工程と、
前記第２の酸化物半導体層上方に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層の一部と接する領域と、前記第２の酸化物半導体層の一部と接する領域と、を有する酸化物絶縁層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上方に、ゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上方に、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を加熱する工程と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気下で冷却する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、微結晶半導体を含む半導体層と、を有し、
前記ゲート絶縁層と前記半導体層の界面における窒素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記半導体層における窒素濃度は深さ方向において極小値を有し、該極小値は、３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、微結晶半導体を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた、錐形状の結晶領域及び非晶質領域を有する第２の半導体層と、を有し、
前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層の界面における窒素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１の半導体層における窒素濃度は深さ方向において極小値を有し、該極小値は、３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第２の半導体層における窒素濃度は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層の界面における酸素濃度は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第２の半導体層における酸素濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の半導体層は、ＮＨ基またはＮＨ２基を含むことを特徴とする半導体装置。