【手続補正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有する基板と、
前記基板の上部に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に設けられ前記開口の中に位置し、前記光電変換部に対応して配された窒化シリコンかならなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
上部電極と下部電極とを有する高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記開口内に窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、
前記第２の工程は、前記第１の工程の後に、前記上部電極の高周波パワーに対する前記下部電極の高周波パワーの比率が前記第１の工程に比べて高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程及び前記第２の工程において、シリコン含有ガスと、窒素と、窒素含有ガスと、不活性ガスとを含む混合ガスが供給されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程で形成される膜の厚みは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１あるいは２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記窒化シリコンからなる膜を形成する工程は、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記上部電極の高周波パワーに対する前記下部電極の高周波パワーの割合が、前記第１の工程の値と前記第２の工程の値の間である条件で、前記開口内に前記窒化シリコンからなる膜を形成する第３の工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程の後に、前記窒化シリコンからなる膜の一部をエッチングにて除去する工程を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程で形成される前記窒化シリコンからなる膜は、Ｓｉ−Ｈ結合とＮ−Ｈ結合を有する窒化シリコンからなり、
前記窒化シリコンのＳｉ−Ｈ結合とＮ−Ｈ結合は、１．０≦Ｎ−Ｈ結合／Ｓｉ−Ｈ結合≦１０を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、前記膜は、前記基板の主面に平行な方向における前記開口の側面から前記開口中心への前記基板の主面に平行な方向への成膜速度に対して、前記基板の主面に垂直な方向における前記開口の底面から上方向への成膜速度が１．５倍以上１０倍以下となる条件で形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記開口は、幅Ｌ１の底面と、前記底面からの高さＨの幅Ｌ２の上面と、前記基板の主面から角度αの傾きを有する側面とを有し、Ｌ１＜Ｌ２、Ｈ／Ｌ２＜２、且つ７２．８°＜α＜９０°を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、
不活性ガスとして少なくともヘリウムを含み、
前記高密度プラズマＣＶＤ装置のチャンバーにおける圧力が３ｍＴｏｒｒ以上１０ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
光電変換部を有する基板と、
前記基板の上に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に配され、前記光電変換部に対応して前記開口に配された窒化シリコンからなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記開口に前記部材となる窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、
前記第１の工程は、平行平板プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記窒化シリコンからなる膜を形成し、
前記第２の工程は、上部電極と下部電極を有する高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて前記上部電極の高周波パワーに対する前記下部電極の高周波パワーの比率が前記第１の工程に比べて高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
光電変換部を有する基板と、
前記基板の上部に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に設けられ前記開口の中に位置し、前記光電変換部に対応して配された窒化シリコンかならなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、
高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記開口内に窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、
前記第２の工程は、前記第１の工程の後に、前記第１の工程に比べて成膜効果に対するスパッタ効果の割合が高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を有する基板と、前記基板の上部に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に設けられ前記開口の中に位置し、前記光電変換部に対応して配された窒化シリコンかならなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、上部電極と下部電極とを有する高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記開口内に窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、前記第２の工程は、前記第１の工程の後に、前記上部電極の高周波パワーに対する前記下部電極の高周波パワーの比率が前記第１の工程に比べて高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を有する基板と、前記基板の上に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に配され、前記光電変換部に対応して前記開口に配された窒化シリコンからなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、前記開口に前記部材となる窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、前記第１の工程は、平行平板プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記窒化シリコンからなる膜を形成し、前記第２の工程は、上部電極と下部電極を有する高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて前記上部電極の高周波パワーに対する前記下部電極の高周波パワーの比率が前記第１の工程に比べて高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の別の固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を有する基板と、前記基板の上部に配され、開口を有する複数の絶縁膜、及び前記基板の上に設けられ前記開口の中に位置し、前記光電変換部に対応して配された窒化シリコンかならなる部材とを有する導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、前記開口内に窒化シリコンからなる膜を形成する第１の工程、及び第２の工程を有し、前記第２の工程は、前記第１の工程の後に、前記第１の工程に比べて成膜効果に対するスパッタ効果の割合が高い条件で、前記窒化シリコンからなる膜を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本実施例の高屈折率部材の形成方法は、第１部材を形成する第１工程と、第２部材を形成する第２工程とを有する。前記第２の工程は、前記第１の工程と比較して、成膜効果に対するスパッタ効果の割合が高い条件で行う。ここで成膜効果とはＣＶＤ法により所望の膜種が成長している状態を示し、スパッタ効果とはプラズマもしくは成膜種が下地膜に衝突することでスパッタリングする状態をいう。