【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｎ型領域と、
前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、
前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含み、
前記第１のｎ型領域、前記ｐ型領域および前記第２のｎ型領域によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さく、
前記ｐ型領域は、第１領域と、少なくとも一部が前記第１領域と前記第２のｎ型領域との間に配置された第２領域とを含み、
前記第１領域のｐ型不純物の濃度が前記第２領域のｐ型不純物の濃度よりも高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１のｎ型領域の主要不純物が砒素であり、前記第２のｎ型領域の主要不純物が燐であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
浮遊拡散部を構成するｐ型の第３領域と、
前記第１領域と前記第３領域との間の領域の上に配置されたゲートとを更に備え、
前記第１領域、前記第３領域および前記ゲートによって、前記ｐ型領域に蓄積された正孔を前記浮遊拡散部に転送するための転送トランジスタが構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２領域と前記第３領域とを分離する第３のｎ型領域を含み、前記第３のｎ型領域に前記転送トランジスタのチャネルが形成されることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２のｎ型領域は、チャネリング現象を利用したイオン注入によって形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
裏面照射型の光電変換装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記フォトダイオードと隣り合って配された素子分離領域と、
前記素子分離領域の下面、および、前記素子分離領域の少なくとも一部の側面を覆う第４のｎ型領域と、を含み、
前記第４のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記フォトダイオードの周囲に配されたｎ型のポテンシャルバリア領域を含み、
前記ポテンシャルバリア領域は、第１の部分と、前記第１の部分の下に配された第２の部分とを含み、
前記第１の部分の主要不純物の拡散係数が、第２の部分の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
第１のｎ型領域と、
前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、
前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域と、
絶縁体を含んで構成された素子分離領域とを含み、
前記第１のｎ型領域、前記ｐ型領域および前記第２のｎ型領域によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さく、
前記素子分離領域は、前記フォトダイオードが配される活性領域を規定することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１１】
第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含んで構成された埋め込み型のフォトダイオードを有する光電変換装置の製造方法であって、
ｐ型の半導体基板の表面に前記第２のｎ型領域を形成する工程と、
前記第２のｎ型領域の上にｐ型の半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記半導体層の中に前記ｐ型領域および前記第１のｎ型領域を形成する工程と、
を含み、
前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含んで構成された埋め込み型のフォトダイオードを有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板に前記第１のｎ型領域を形成する工程と、
前記半導体基板へのチャネリングを利用したイオン注入により前記第２のｎ型領域を形成する工程と、を含み、
前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の側面は、光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含み、前記第１のｎ型領域、前記ｐ型領域および前記第２のｎ型領域によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さく、前記ｐ型領域は、第１領域と、少なくとも一部が前記第１領域と前記第２のｎ型領域との間に配置された第２領域とを含み、前記第１領域のｐ型不純物の濃度が前記第２領域のｐ型不純物の濃度よりも高い。
本発明の第２の側面は、光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域と、絶縁体を含んで構成された素子分離領域とを含み、前記第１のｎ型領域、前記ｐ型領域および前記第２のｎ型領域によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さく、前記素子分離領域は、前記フォトダイオードが配される活性領域を規定する。
本発明の第３の側面は、カメラに係り、前記カメラは、上記の光電変換装置と、前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部とを備える。
本発明の第４の側面は、第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含んで構成された埋め込み型のフォトダイオードを有する光電変換装置の製造方法に係り、前記製造方法は、ｐ型の半導体基板の表面に前記第２のｎ型領域を形成する工程と、前記第２のｎ型領域の上にｐ型の半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体層の中に前記ｐ型領域および前記第１のｎ型領域を形成する工程と、を含み、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さい。
本発明の第５の側面は、第１のｎ型領域と、前記第１のｎ型領域の下に配されたｐ型領域と、前記ｐ型領域の下に配された第２のｎ型領域とを含んで構成された埋め込み型のフォトダイオードを有する光電変換装置の製造方法に係り、前記製造方法は、半導体基板に前記第１のｎ型領域を形成する工程と、前記半導体基板へのチャネリングを利用したイオン注入により前記第２のｎ型領域を形成する工程と、を含み、前記第１のｎ型領域の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域の主要不純物の拡散係数より小さい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】