Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場内に置かれた被検体に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイルと、
前記傾斜磁場コイルに設けられ、管内に冷媒を流通させることで前記傾斜磁場コイルを冷却するコイル冷却管とを備え、
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びた後に屈曲し、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って前記一端まで戻るように設けられる、磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びて前記他端に達した後に屈曲し、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って前記一端まで戻るように設けられる、
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記傾斜磁場コイルは、前記一端から他端へ向かう方向に沿って形成された溝部を有し、
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルが有する前記溝部内に配置されて前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びた後に屈曲し、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って螺旋状に巻回されながら前記一端まで戻るように設けられる、
請求項１または２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記傾斜磁場コイルは、前記傾斜磁場コイルの両端面に開口を形成する貫通穴であって、前記静磁場の不均一性を補正する鉄シムを収容するシムトレイが挿入されるシムトレイ挿入ガイドを複数有し、
前記溝部は、前記複数のシムトレイ挿入ガイドの間に形成される、
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記コイル冷却管は、並列に配置された複数の冷却管を含み、
冷却装置から供給される冷媒を分岐し、分岐した冷媒を前記複数の冷却管それぞれに流入させる分岐管をさらに備える、
請求項１〜４のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記複数の冷却管と前記分岐管とは、絶縁材で形成された管を介してそれぞれ接続される、
請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記コイル冷却管は、第１の冷却管と、前記第１の冷却管と並列に設けられた第２の冷却管とを含み、
前記第２の冷却管は、前記第１の冷却管が冷媒を流通させる方向と反対の方向に冷媒を流通させる、
請求項１〜６のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って巻回されながら前記一端まで戻った後にさらに屈曲し、前記傾斜磁場コイルの前記他端まで伸びるように設けられる、
請求項１〜７のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記傾斜磁場コイルは、
前記静磁場内に置かれた被検体に傾斜磁場を印加するメインコイルと、
前記メインコイルの外周側に設けられ、前記メインコイルによって発生する傾斜磁場を遮蔽するシールドコイルとを含み、
前記コイル冷却管は、
前記シールドコイルに近接して設けられ、管内に冷媒を流通させることで前記シールドコイルを冷却するシールドコイル側冷却管を含み、
前記シールドコイル側冷却管は、前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びた後に屈曲し、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って巻回されながら前記一端まで戻るように設けられる、
請求項１〜８のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
前記コイル冷却管は、前記メインコイルに近接して設けられ、管内に冷媒を流通させることで前記メインコイルを冷却するメインコイル側冷却管をさらに含み、
前記メインコイル側冷却管は、前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びた後に屈曲し、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って巻回されながら前記一端まで戻るように設けられる、
請求項９に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
前記傾斜磁場コイルは、概略円筒状に形成され、円筒内に発生した静磁場内に置かれた被検体に前記傾斜磁場を印加し、
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルの円筒形状に沿って螺旋状に巻回されながら前記一端まで戻るように設けられる、
請求項１〜１０のいずれか一つに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】
静磁場内に置かれた被検体に傾斜磁場を印加する傾斜磁場コイルと、
前記傾斜磁場コイルに設けられ、管内に冷媒を流通させることで前記傾斜磁場コイルを冷却するコイル冷却管とを備え、
前記コイル冷却管は、前記傾斜磁場コイルの一端から他端へ向かう方向に伸びて、前記他端で、又は、前記傾斜磁場コイルの長さの中央付近で折り返して、前記傾斜磁場コイルの形状に沿って螺旋状に巻回されながら前記一端まで戻るように設けられる、磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像した画像データと、撮影時の該被写体の位置または撮像装置の位置の少なくとも一方を表す位置情報と、を含む画像ファイルを読み出す画像表示制御装置であって、
前記位置情報に基づいて地理情報を取得し、前記画像データと合わせて少なくとも該地理情報の一部を表示させる制御部を備え、
前記制御部は、
第１の地名、および、該第１の地名で示される領域に属する第２の地名を前記地理情報から取得し、
前記画像ファイルに含まれる前記画像データをウィンドウ内に表示させる際に、該ウィンドウのメインタイトルに前記第１の地名を表示させ、該ウィンドウ内において該表示させる画像データの周辺に前記第２の地名を表示させる、
ことを特徴とする画像表示制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像表示制御装置であって、
前記第１の地名は、国、都道府県、都市のいずれか１つであって、前記第２の地名は、都道府県、都市、ポイントのいずれか１つである、
ことを特徴とする画像表示制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像表示制御装置であって、
前記第２の地名は、前記取得した地理情報の中で最も狭い領域を示す地名である、
ことを特徴とする画像表示制御装置。
【請求項４】
画像表示制御装置における画像表示制御方法であって、
読み出し手段が、被写体を撮像した画像データと、撮影時の該被写体の位置または撮像装置の位置の少なくとも一方を表す位置情報と、を含む画像ファイルを読み出す工程と、
取得手段が、前記位置情報に基づいて地理情報を取得する工程と、
表示制御手段が、前記画像データと合わせて少なくとも前記地理情報の一部を表示させる工程と、を備え、
前記取得する工程は、第１の地名、および、該第１の地名で示される領域に属する第２の地名を前記地理情報からさらに取得し、
前記表示させる工程は、前記画像ファイルに含まれる前記画像データをウィンドウ内に表示させる際に、該ウィンドウのメインタイトルに前記第１の地名を表示させ、該ウィンドウ内において該表示させる画像データの周辺に前記第２の地名を表示させる、
ことを特徴とする画像表示制御方法。
【請求項５】
被写体を撮像した画像データと、撮影時の該被写体の位置または撮像装置の位置の少なくとも一方を表す位置情報と、を含む画像ファイルを読み出す機能をコンピュータに実現させるコンピュータプログラムであって、
前記位置情報に基づいて地理情報を取得させる機能と、前記画像データと合わせて少なくとも該地理情報の一部を表示させる機能をコンピュータに実現させ、
前記取得させる機能は、第１の地名、および、該第１の地名で示される領域に属する第２の地名を前記地理情報からさらに取得させる機能であり、
前記表示させる機能は、前記画像ファイルに含まれる前記画像データをウィンドウ内に表示させる際に、該ウィンドウのメインタイトルに前記第１の地名を表示させ、該ウィンドウ内において該表示させる画像データの周辺に前記第２の地名を表示させる機能である、
ことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、本発明の画像表示制御装置は、被写体を撮像した画像データと、撮影時の該被写体の位置または撮像装置の位置の少なくとも一方を表す位置情報と、を含む画像ファイルを読み出す画像表示制御装置であって、前記位置情報に基づいて地理情報を取得し、前記画像データと合わせて少なくとも該地理情報の一部を表示させる制御部を備え、前記制御部は、第１の地名、および、該第１の地名で示される領域に属する第２の地名を前記地理情報から取得し、前記画像ファイルに含まれる前記画像データをウィンドウ内に表示させる際に、該ウィンドウのメインタイトルに前記第１の地名を表示させ、該ウィンドウ内において該表示させる画像データの周辺に前記第２の地名を表示させる、ことを特徴とする画像表示制御装置であってもよい。
さらに、前記第１の地名は、国、都道府県、都市のいずれか１つであって、前記第２の地名は、都道府県、都市、ポイントのいずれか１つである、画像表示制御装置であってもよい。
さらに、前記第２の地名は、前記取得した地理情報の中で最も狭い領域を示す地名である、画像表示制御装置であってもよい。
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、たとえば画像ファイル表示制御方法や表示ファイル生成方法、画像表示装置、それらの方法または装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体、そのコンピュータプログラムを含み搬送波内に具現化されたデータ信号、等の態様で実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張された絶対許可値チャネルテーブル選択情報を示す信号を受信するステップと、
前記信号に基づいて、複数のテーブルから絶対許可値マッピング情報を含むテーブルを選択するステップと、
前記選択されたテーブルに基づいて、絶対許可値を決定するステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記信号は、上位のレイヤから受信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数のテーブルの各々は、複数のインデックスおよび対応する絶対許可値を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記複数のテーブルは、無線送信受信ユニット（ＷＴＲＵ）において前もって構成されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記複数のテーブルは、無線送信受信ユニット（ＷＴＲＵ）において格納されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
無線送信受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
拡張された絶対許可値チャネルテーブル選択情報を示す信号を受信するために構成された受信機と、
前記信号に基づいて、複数のテーブルから絶対許可値マッピング情報を含むテーブルを選択し、および、
前記選択されたテーブルに基づいて、絶対許可値を決定するように構成されたプロセッサと
を備えたことを特徴とする無線送信受信ユニット（ＷＴＲＵ）。
【請求項７】
前記信号は、上位のレイヤから受信されることを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項８】
前記複数のテーブルの各々は、複数のインデックスおよび対応する絶対許可値を含むことを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項９】
前記複数のテーブルは、前記ＷＴＲＵにおいて前もって構成されていることを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項１０】
前記複数のテーブルは、前記ＷＴＲＵにおいて格納されていることを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項１１】
前記絶対許可値マッピング情報を含むテーブルは、変調型に基づいて選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記変調型は、直交振幅変調（ＱＡＭ）型であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ＱＡＭ型は、二値位相偏移符号化（ＢＰＳＫ）および１６シンボルのＱＡＭ（１６ＱＡＭ）のうちの１つであることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記信号は、無線リソース制御（ＲＲＣ）シグナリングを介した無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）において受信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記絶対許可値は、拡張された個別チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）の個別物理制御チャネル（Ｅ−ＤＰＣＣＨ）の振幅に対するＥ−ＤＣＨの個別物理データチャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の振幅の比の二乗であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記プロセッサは、変調型に基づいて前記テーブルを選択するように構成されたことを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項１７】
前記変調型は、直交振幅変調（ＱＡＭ）型であることを特徴とする請求項１６記載のＷＴＲＵ。
【請求項１８】
前記ＱＡＭ型は、二値位相偏移符号化（ＢＰＳＫ）および１６シンボルのＱＡＭ（１６ＱＡＭ）のうちの１つであることを特徴とする請求項１７記載のＷＴＲＵ。
【請求項１９】
前記受信機は、無線リソース制御（ＲＲＣ）シグナリングを介した無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）において前記信号を受信するために構成されたことを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【請求項２０】
前記絶対許可値は、拡張された個別チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）の個別物理制御チャネル（Ｅ−ＤＰＣＣＨ）の振幅に対するＥ−ＤＣＨの個別物理データチャネル（Ｅ−ＤＰＤＣＨ）の振幅の比の二乗であることを特徴とする請求項６記載のＷＴＲＵ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る照明装置は、照明部と、照明部を制御するための制御部と、制御部の処理に対する指示を受け付けるための操作部とを備え、操作部は、設定された時刻又は時間に従って照明部の点消灯制御を実行する処理の設定の指示を受け付けるための第１の指示手段と、照明部を制御するその他の処理の指示を受け付けるための第２の指示手段とを含み、制御部は、設定された時刻又は時間に従って照明部の点消灯制御を実行する処理の開始前に、第２の指示手段からの指示を受け付けた場合は、設定された時刻又は時間に従って照明部の点消灯制御を実行する処理を終了しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る照明装置は、照明部と、照明部を制御するための制御部と、制御部の処理に対する指示を受け付けるための操作部とを備え、操作部は、設定された時刻又は時間に従って照明部を点消灯制御する留守タイマモードの設定の指示を受け付けるための第１の指示手段と、照明部を制御するその他の処理の指示を受け付けるための第２の指示手段とを含み、制御部は、留守タイマモードの動作開始前に、第２の指示手段からの指示を受け付けた場合は、留守タイマモードの設定を解除しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
好ましくは、設定された時刻は、点灯時刻又は消灯時刻が１日ごとに異なる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明部と、
前記照明部を制御するための制御部と、
前記制御部の処理に対する指示を受け付けるための操作部とを備え、
前記操作部は、
設定された時刻又は時間に従って前記照明部の点消灯制御を実行する処理の設定の指示を受け付けるための第１の指示手段と、
前記照明部を制御するその他の処理の指示を受け付けるための第２の指示手段とを含み、
前記制御部は、前記設定された時刻又は時間に従って前記照明部の点消灯制御を実行する処理の開始前に、前記第２の指示手段からの指示を受け付けた場合は、前記設定された時刻又は時間に従って前記照明部の点消灯制御を実行する処理を終了しない、照明装置。
【請求項２】
照明部と、
前記照明部を制御するための制御部と、
前記制御部の処理に対する指示を受け付けるための操作部とを備え、
前記操作部は、
設定された時刻又は時間に従って前記照明部を点消灯制御する留守タイマモードの設定の指示を受け付けるための第１の指示手段と、
前記照明部を制御するその他の処理の指示を受け付けるための第２の指示手段とを含み、
前記制御部は、前記留守タイマモードの動作開始前に、前記第２の指示手段からの指示を受け付けた場合は、前記留守タイマモードの設定を解除しない、照明装置。
【請求項３】
前記設定された時刻は、点灯時刻又は消灯時刻が１日ごとに異なる請求項１又は２に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、反射防止層２０の受光面側に形成されている表面電極としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕまたはこれらの金属を含む合金を用いることが好ましいが、この限りではない。また集電性向上のため、前記表面電極は反射防止層２０を貫通して、光電変換層３０と直接接触していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリと、プロセッサと、論理回路と、ＲＦ回路と、アンテナとを備え、マスターまたはスレーブを示す信号を付さずにデータを送信する第１の通信モードで通信を行うＲＦＩＤ無線通信機器において、
前記第１の通信モードと同じ前記メモリ、前記プロセッサ、前記論理回路、前記ＲＦ回路及び前記アンテナを用いて、マスターを示す信号と共にデータを送信する第２の通信モードと、スレーブを示す信号と共にデータを送信する第３の通信モードとを、前記第１の通信モードの通信周波数帯及び通信フレームフォーマットにて通信を行うことを特徴とするＲＦＩＤ無線通信機器。
【請求項２】
請求項１に記載のＲＦＩＤ無線通信機器において、
前記第１の通信モードの通信と前記第２の通信モードの通信とを選択的に送信し、前記第２の通信モードの通信を受信した場合に、前記第３の通信モードで返信を行うことを特徴とするＲＦＩＤ無線通信機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＲＦＩＤ無線通信機器において、
前記第1の通信モードの通信周波数帯及び通信フレームフォーマットに係る通信を受信した場合に、当該通信に含まれる前記マスターを示す信号の有無及びスレーブの選択・非選択の識別符号に基づいて、返信要否を判断することを特徴とするＲＦＩＤ無線通信機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のＲＦＩＤ無線通信機器において、
前記第２の通信モード及び前記第３の通信モードでは、前記データのバイト数及びＣＲＣを送信し、前記第１の通信モードでは当該バイト数及びＣＲＣを送信しないことを特徴とするＲＦＩＤ無線通信機器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のＲＦＩＤ無線通信機器において、
前記第１の通信モードは、パッシブ型ＲＦＩＤと通信するための国際標準規格ISO/IEC 18000-6 Type Cであることを特徴とするＲＦＩＤ無線通信機器。
【請求項６】
マスターまたはスレーブを示す信号を付さずにデータを送信する第1の通信モードを行うＲＦＩＤ無線通信機器が、
前記第1の通信モードの通信周波数帯及び通信フレームフォーマットにて、マスターを示す信号と共にデータを送信する第２の通信モードと、
前記第１の通信モード及び前記第２の通信モードの通信周波数帯および通信フレームフォーマットにて、スレーブを示す信号と共にデータを送信する第３の通信モードとを、
前記第１の通信モードで通信を行う際と同一のメモリ、プロセッサ、論理回路、ＲＦ回路及びアンテナを用いて行うことを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載の無線通信制御方法において、
前記第１の通信モードの通信と前記第２の通信モードの通信とを選択的に送信し、前記第２の通信モードの通信を受信した場合に、前記第３の通信モードで返信を行うことを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の無線通信制御方法において、
前記第1の通信モードの通信周波数帯及び通信フレームフォーマットにかかる通信を受信した場合に、当該通信に含まれる前記マスターを示す信号の有無及びスレーブの選択・非選択の識別符号に基づいて、返信要否を判断することを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載の無線通信制御方法において、
前記第２の通信モード及び前記第３の通信モードでは、前記データのバイト数及びＣＲＣを送信し、前記第１の通信モードでは当該バイト数及びＣＲＣを送信しないことを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれかに記載の無線通信制御方法において、
前記第１の通信モードは、パッシブ型ＲＦＩＤと通信するための国際標準規格ISO/IEC 18000-6 Type Cであることを特徴とする無線通信制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＲＦＩＤ無線通信機器及び無線通信制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックメタルハライドランプと駆動回路とを備えた照明装置において、
前記セラミックメタルハライドランプは、１つの外球内に複数本の発光管を有し、常に点灯し易い１本の発光管のみが点灯するランプであり、
点灯中の一方の発光管から消灯中の他方の発光管への熱伝達を抑制するため、前記複数本の発光管の相互間に透光性熱遮蔽部材が配置され、
前記駆動回路は、再始動の際に２．５〜４．５ｋＶのパルス電圧を前記ランプに印加する、照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の照明装置において、
前記駆動回路は、再始動の際に３．０〜４．５ｋＶのパルス電圧を前記ランプに印加する、照明装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の照明装置において、
前記透光性熱遮蔽部材は、石英ガラスから成る、照明装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明装置において、
前記透光性熱遮蔽部材は、各々の前記発光管を取り巻く円筒形部材である、照明装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明装置において、
前記透光性熱遮蔽部材の胴体は、各々の前記発光管を取り巻く円筒形であり、両端部はリード線が通る開孔を除き閉塞されている、照明装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の照明装置において、
前記透光性熱遮蔽部材は、各々の前記発光管を取り巻く部材であって、口径の僅かに異なる２個の試験管形状のガラス管を相互に組み合わせて形成した胴体は円筒形であり、両端部は丸く形成されている、照明装置。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明装置において、
前記透光性熱遮蔽部材は、板状体である、照明装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の照明装置において、
前記ランプは、出力１９０Ｗのランプである、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発するレーザ光源が載置されたレーザマウントと、
上記レーザ光を受ける光ファイバが載置されたファイバマウントと、
上記レーザマウント及び上記ファイバマウントの両方が載置されるサブマウントと、
上記サブマウントが載置される基板と、を備え、
上記サブマウントの四隅に、上記サブマウントと上記基板との間に介在する、上記サブマウントを上記基板から離間させるための４つのスペーサが配設されており、
上記サブマウントは、上記基板との間に広がった半田によって、上記基板に接合されている、ことを特徴とするレーザモジュール。
【請求項２】
上記半田は、ヤング率が５０Ｇｐａ以下の軟質半田である、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザモジュール。
【請求項３】
上記半田は、ヤング率が上記サブマウントよりも小さい半田である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザモジュール。
【請求項４】
上記スペーサは、上記基板に一体成型されたものである、
ことを特徴とする請求項１から３までの何れか１項に記載のレーザモジュール。
【請求項５】
上記スペーサの形状は、上記サブマウントに当接する面が平坦な柱状である、
ことを特徴とする請求項１から４までの何れか１項に記載のレーザモジュール。
【請求項６】
上記スペーサの高さは、４０μｍよりも高い、
ことを特徴とする請求項１から５までの何れか１項に記載のレーザモジュール。
【請求項７】
上記サブマウントは、上記基板に対向する面の一部がメタライズ加工されており、該面のメタライズ加工されていない部分が上記スペーサに当接するように上記基板に載置されている、
ことを特徴とする請求項１から６までの何れか１項に記載のレーザモジュール。
【請求項８】
上記サブマウントは、熱膨張率が上記レーザマウントの材料と同一又は略同一の材料により構成されている、
ことを特徴とする請求項１から７までの何れか１項に記載のレーザモジュール。
【請求項９】
請求項１に記載のレーザモジュールの製造方法であって、
当該製造方法は、上記半田によって上記サブマウントを上記基板に接合する接合工程を含んでおり、
上記接合工程は、上記半田が溶融してから上記半田が硬化するまでの間に、上記サブマウントを上記基板の上面と平行な面内で摺動させるスクラブ工程を含んでいる、ことを特徴とする製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザモジュール、及び、その製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
例えば、サブマウント２０として図３に示すもの（軟質半田６２が濡れ広がる面積Ｓ＝８．７×５．０−０．６２×３．１４≒４２．４ｍｍ２）を用い、軟質半田６２としてＡｕＳｎ９０％半田（熱伝導率κ＝２０Ｗ／ｍ・Ｋ）を用いた場合、厚さｄ＝１８０μｍの軟質半田６２の熱抵抗ｒ＝（κ×Ｓ／ｄ）−１は、ｒ≒０．２１２℃／Ｗとなり、上述した条件（熱抵抗ｒが０．２２℃／Ｗ以下）を満たす。なお、許容される軟質半田６２の熱抵抗ｒの上限値（本実施形態においては０．２２℃／Ｗ）は、ＣｏＳ３０の構成、並びに、半導体レーザチップ３１の消費電力及びジャンクション温度に基づいて決まる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そして、具体的な接続板として、（３）本体板に設けた本体スリットと区画スリットに挟まれて形成される変形梁と、前記変形梁から延びて接面板に繋がれる架橋板とから構成される例を挙げることができる。本体スリットは、接続板による本体板及び接面板の接続方向に直交し、架橋板の幅より長く、接続板を囲む区画スリットの最大外形幅より短く設けるとよい。これにより、変形梁は架橋板より長く、また接続板を囲む区画スリットの最大外形幅より短くなり、本体板の強度の低下を抑えながら、変形梁が十分に弾性変形又は塑性変形できるようになる。こうして、（３）変形梁と架橋板とから構成される接続板は、前記変形梁を弾性変形又は塑性変形させることにより、接面板と取付部位との隙間をなくしたり、接面板に固着した締結ナットとボルト孔との位置ズレをなくす。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、別例の接続板26は、図20に見られるように、左右の幅方向に一様で、厚み方向に屈曲した架橋板261から構成できる。左右の幅方向に一様で、厚み方向に屈曲した架橋板261は、一端が本体板21に、他端が接面板22に繋がれる。本体板21、接面板22及び接続板25（架橋板261）は、連続した一枚の板材から構成されているので、上述同様、例えばプレス加工に際して区画スリット24を打ち抜くことによりそれぞれを一度に形成できる。厚み方向に屈曲した架橋板261は、前記プレス加工と同時に、型に倣って変形させるか、プレス加工による打ち抜き後、別のプレス加工等により変形させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ステアリング支持フレームは、左右の車体フレームに架け渡されたデッキクロスメンバにより構成される。デッキクロスメンバは、左右両端に取り付けた締結ブラケットを、車体フレームの取付部位に対してボルト止めされる。このとき、締結ブラケットが取付部位にきっちりと接面すれば問題ない。しかし、どうしても締結ブラケットと取付部位との隙間や締結ナットとボルト孔との位置ズレをなくすことができず、そのまま締結ブラケットを取付部位にボルト止めすると、締結ブラケットが変形してしまい、強度（機械的強度）を低下させてしまう問題がある。締結ブラケットと取付部位との隙間は、スペーサを介装することで解消できるが、部品点数や工程数が増える問題が発生する。そこで、特許文献１や特許文献２に見られる締結ブラケットが提案されるに至っている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本体板21は、周縁を正面方向（図２及び図３中右方向、図４及び図５中図面手前方向）に折り曲げて環状フランジを形成し、全体として剛性を高めた正面視長方形外形の板材で、前記環状フランジに囲まれた平面の範囲で、上下対称に一対の接面板22を設けている。本体板21は、接続板23が弾性変形又は塑性変形する際の基部になる部材で、助手席側の車体フレーム４に接面板22を締結した段階で前記車対フレーム４に対して隙間を残して宙に浮いた状態になる（図９参照）ことから、前記接続板23に対して変形せず、平面が形状を保つ程度の剛性が求められる。このため、本体板21は、本例のように周縁に環状フランジを設けたり、前記環状フランジと別に又は併せて平面内にビードを形成して断面係数を大きくしたりして、剛性を高める。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本例の締結ブラケット２は、上下方向に点対称の位置関係で接面板22を一対設けた構成で、左右共通に使用している。また、本例のデッキクロスメンバ３は、軸線が一致しながら外径のみが異なる大径の運転席側端部31及び小径の助手席側端部32を有する直管である。この場合、デッキクロスメンバ３は、運転席側端部31を運転席側の締結ブラケット２が有する上段の接面板22の下縁と下段の接面板22の上縁とを結ぶ最短距離（直交距離）以上の外径とし、助手席側端部32を助手席側の締結ブラケット２が有する接面板の前記最短距離より小さな外径とすることにより、運転席側及び助手席側の締結ブラケット２を左右対称の同じ位置関係で車体フレーム４に締結するようにしても、運転席側の締結ブラケット２には本体板21と接面板22とにわたって運転席側端部31を溶接し、助手席側の締結ブラケット２には本体板21にのみ運転席側端部31を溶接して、両者の強度差を設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるカチオン性ビニル系単量体（Ａ）に相当する構成単位と、下記一般式（ＩＩ）及び／又は（ＩＩＩ）であらわされるノニオン性ビニル系単量体（Ｂ）に相当する構成単位とを含む共重合体（１）と金属のピリチオン塩とを含有し、前記共重合体を構成する全構成単位に対するカチオン性ビニル系単量体（Ａ）に相当する構成単位の割合が１０〜８０重量％であり、かつ前記共重合体の重量平均分子量が１０，０００〜２，０００，０００である化粧料用組成物。
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）−ＣＯ（Ｏ）ａ−（ＮＨ）１−ａ−（ＣＨ２）ｂ−Ｎ＋Ｒ２Ｒ３Ｒ４・Ｘ−
・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基をあらわし、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基又は炭素数１〜２４のアラルキル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基、炭素数１〜２４のアラルキル基又は−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−Ｎ+Ｒ５Ｒ６Ｒ７・Ｙ-を表し、Ｒ５〜Ｒ７はそれぞれ独立して炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基又は炭素数１〜２４のアラルキル基を表し、Ｘ-及びＹ-はそれぞれ独立して陰イオンを表し、ａは０又は１、ｂは１〜１０の整数を表す。）
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ８）−ＣＯ（Ｏ）−Ｘ−Ｈ  ・・・  （ＩＩ）
（式中、Ｒ８は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは２個以上のヒドロキシル基を含む２価の連結基を表す。）
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ９）−ＣＯ−ＮＲ１０Ｒ１１   ・・・  （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ９は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記金属のピリチオン塩がジンクピリチオンである、請求項１に記載の化粧料用組成物。
【請求項３】
さらに、アニオン界面活性剤を含有する、請求項１又は２に記載の化粧料用組成物。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の化粧料用組成物を用いてなる毛髪洗浄料。
【請求項５】
カチオン性基と、ヒドロキシル基およびノニオン性置換基のみを有するアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基とを有し、且つ該カチオン性基の量が０．１〜１０．０ｍｅｑ／ｇであり、且つ前記ヒドロキシル基の量として１．５〜２０．０ｍｅｑ／ｇ、前記ノニオン性置換基のみを有するアミド基の量として１．５〜１０．０ｍｅｑ／ｇの少なくとも一方を満たす、カチオン性重合体と、金属のピリチオン塩とを含有する化粧料用組成物であって、毛髪に対する金属のピリチオン塩の吸着量が２０μｇ／ｇ以上である、化粧料用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化１】
2010215613.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２の少なくとも一方は、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。また、Ａｒ１は置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ２）で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化２】
2010215613.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２の少なくとも一方は、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。また、Ｒ１１〜Ｒ１５はそれぞれ、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数が６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項３】
一般式（Ｇ３）で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化３】
2010215613.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２の少なくとも一方は、置換または無置換の炭素数が６〜１０のアリール基を表す。）
【請求項４】
構造式（Ｇ４）で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化４】
2010215613.tif 000004
【請求項５】
構造式（Ｇ５）で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化５】
2010215613.tif 000005
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のオキサジアゾール誘導体と発光物質とを含む発光層を備えた発光素子。
【請求項７】
前記発光物質が燐光性化合物である請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のオキサジアゾール誘導体を含む層を発光層に接して備えた発光素子。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維が引き出される繊維スプールに使用する繊維張力調整装置であって、
支柱と、
支柱に回転可能に取り付けられたハブであって、支柱上でハブとともに回転する繊維スプールが取り付けられ、シャフトの周りに回転するために回転可能に取り付けられ、シャフトはハブのシャフト周りの回転に対して動かない、ハブと、
スプールから引き出されている繊維に抗力を加えるための手段であって、ハブ上に位置して、バイアス手段を含んでおり、バイアス手段の一部分がシャフトに固定されている、手段と
を備える装置。
【請求項２】
抗力を加える手段が、
スプールから引き出される繊維に抗力が加わるような方向にハブを偏向させるバイアス手段と、
バイアス手段によってハブに加えられる抗力を制限する手段と
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
バイアス手段がハブとシャフトの間に取り付けられたバネを含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
バネがシャフトをスリーブ状に覆う、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
力を制限する手段がクラッチを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
クラッチが、
クラッチディスクと、
クラッチディスクと摩擦係合する摩擦パッドと
を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
バイアス手段がバネを含み、
クラッチディスクがバネに接続され、
摩擦パッドがハブに取り付けられている、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
クラッチを解除するハブ上の手段
をさらに含む、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
自動繊維配置機上の繊維供給スプールから引き出されている繊維の張りを維持する方法であって、
スプールをハブ上に配置するステップ、及び
ハブ内部でバネを使用して、スプールから引き出されている繊維の張りを維持するハブに回転力を加えるステップであって、ハブはシャフトの周りに回転するために回転可能に取り付けられ、シャフトはハブのシャフト周りの回転に対して動かず、バネの一部分がシャフトに固定されている、ステップ
を含む方法。
【請求項１０】
ハブ内部でスリップクラッチを使用して、バネによってハブに加えられる回転力を制限するステップ
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
クラッチを選択的に解除して、スプールから引き出されている繊維の張りを緩和するステップ
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
クラッチを選択的に解除するステップが、ハブ上でクラッチ解除装置を変位させることによって行われる、請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の実施形態は、特定の例示された実施形態に関して説明されているが、当然ながら、特定の実施形態は図示目的であり限定するものではなく、当業者が他の変形例を発想することが可能である。
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
繊維が引き出される繊維スプールに使用する繊維張力調整装置であって、
支柱と、
支柱に回転可能に取り付けられたハブであって、支柱上でハブとともに回転する繊維スプールが取り付けられたハブと、
スプールから引き出されている繊維に抗力を加えるためのハブ上の手段と
を備える装置。
（態様２）
抗力を加える手段が、
スプールから引き出される繊維に抗力が加わるような方向にハブを偏向させるバイアス手段と、
バイアス手段によってハブに加えられる抗力を制限する手段と
を含む、態様１に記載の装置。
（態様３）
支柱がシャフトを含み、
バイアス手段がハブとシャフトの間に取り付けられたバネを含む、
態様２に記載の装置。
（態様４）
バネがシャフトをスリーブ状に覆う、態様３に記載の装置。
（態様５）
力を制限する手段がクラッチを含む、態様１に記載の装置。
（態様６）
クラッチが、
クラッチディスクと、
クラッチディスクと摩擦係合する摩擦パッドと
を含む、態様５に記載の装置。
（態様７）
バイアス手段がバネを含み、
クラッチディスクがバネに接続され、
摩擦パッドがハブに取り付けられている、
態様５に記載の装置。
（態様８）
クラッチを解除するハブ上の手段
をさらに含む、態様５に記載の装置。
（態様９）
自動繊維配置機上の繊維供給スプールから引き出されている繊維の張りを維持する方法であって、
スプールをハブ上に配置するステップ、及び
ハブ内部でバネを使用して、スプールから引き出されている繊維の張りを維持するハブに回転力を加えるステップ
を含む方法。
（態様１０）
ハブ内部でクラッチを使用して、バネによってハブに加えられる回転力を制限する
ステップ
をさらに含む、態様９に記載の方法。
（態様１１）
クラッチを選択的に解除して、スプールから引き出されている繊維の張りを緩和するステップ
をさらに含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
クラッチを選択的に解除するステップが、ハブ上でクラッチ解除装置を変位させることによって行われる、態様１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記第１の単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
第１の基板と所定の深さに脆化層が形成された単結晶半導体基板とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、
前記単結晶半導体基板と前記第１の基板とを前記脆化層から分離して、前記第１の基板上に第１の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記第１の単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第２の単結晶半導体層を設ける工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に単結晶半導体層を設ける工程と、
前記単結晶半導体層上に、気相エピタキシャル成長法を用いて、光電変換層を設ける工程と、
前記光電変換層上に第１の導電膜を設ける工程と、
前記第１の基板と第２の基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記第１の基板と第２の基板との間に、前記単結晶半導体層、前記光電変換層、及び前記第１の導電層を設ける工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記単結晶半導体層と前記光電変換層との界面で分離して、前記第１の基板上に前記単結晶半導体層を設け且つ前記第２の基板上に前記第１の導電層及び前記光電変換層を設ける工程と、
前記光電変換層上に第２の導電層を設ける工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＰＥＣＶＤを用いた流動性誘電体による間隙の充填の方法、及び電子デバイスの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電材料で基板上の間隙を充填する方法であって、
前記基板を反応チャンバ内に載置する段階と、
シリコン含有化合物および酸化剤を含む処理ガスを前記反応チャンバに導入する段階と、
容量結合プラズマ支援反応によって、前記間隙を部分的に充填するべく、アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜が堆積されるような条件で、前記基板を前記処理ガスに暴露する段階と、
インサイチュ処理プロセスによって前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜を誘導材料へと変換する段階と、
前記暴露する段階および前記変換する段階を少なくとも１回繰り返して前記間隙を充填する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記基板を硬化チャンバに移動してエクサイチュ処理プロセスを実行する段階をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インサイチュ処理プロセスおよび前記エクサイチュ処理プロセスは、堆積された前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜から炭素を全て除去する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エクサイチュ処理プロセスは、少なくとも摂氏４００度の基板温度において実行される紫外線熱処理動作を含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記エクサイチュ処理プロセスは、少なくとも摂氏７００度の基板温度において実行される熱処理動作を含む請求項２から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
容量結合プラズマ支援反応によって、前記間隙を部分的に充填するべく、アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜が堆積されるような条件で、前記基板を前記処理ガスに暴露する段階は、前記暴露する段階において、前記基板の温度を摂氏０度から摂氏１００度の範囲内に維持する段階を有する、請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン含有化合物は、有機シランまたは有機シロキサンである請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの間隙のアスペクト比が少なくとも１０：１である請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの間隙のアスペクト比が少なくとも１５：１である請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記インサイチュ処理プロセスは、前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜を不活性プラズマに暴露することを含む請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記インサイチュ処理プロセスは、前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜を酸化プラズマに暴露することを含む請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記インサイチュ処理プロセスは、前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜から、炭素の少なくとも一部を除去する請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
容量結合プラズマ支援反応によって、前記間隙を部分的に充填するべく、流動性有機ケイ素ポリマー膜が堆積されるような条件で、前記基板を前記処理ガスに暴露する段階は、ＲＦ周波数パルス状に変化させる段階を有する、請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記間隙に堆積された前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜は、前記間隙に順次堆積させられた複数の層の界面を含む請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
それぞれの前記間隙に堆積させられた前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜は、少なくとも４つの界面を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜の誘電率は、２．７から３．０の間である請求項１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
堆積時の前記流動性有機ケイ素ポリマーのＳ−ＣＨＸピークとＳｉ−Ｏピークとの比は、４％である請求項１から請求項１６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
堆積時の前記流動性有機ケイ素ポリマーのＳ−ＣＨ３ピークとＳｉ−Ｏピークとの比は、７％である請求項１から請求項１７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記アモルファス流動性有機ケイ素ポリマー膜を堆積させる段階の前に、前記基板に対して前処理を実行する段階をさらに備える、請求項１から請求項１８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
基板を準備する段階と、
請求項１から１９の何れか１項に記載の方法によって前記基板上の間隙を誘電材料で充填する段階と
を備える電子デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にタングステンを堆積させる方法であって、
タングステン含有前駆体および還元剤による第１の化学気相成長反応によって、前記基板に第１のタングステン層を堆積させる段階と、
前記基板が配置されている堆積チャンバの上流に設けられている遠隔プラズマ生成器において生成されたフッ素原子に暴露することにより堆積させた前記第１のタングステン層の上部分を除去して、エッチング済みタングステン層を形成して、前記エッチング済みタングステン層を形成した後で、第２の化学気相成長反応によって、前記基板に第２のタングステン層を堆積させる段階と
を備え、
除去の間、前記堆積チャンバに含まれるイオンの量は大きくない、方法。
【請求項２】
前記基板は、凹状特徴部分を有するパターニング基板であり、前記第１のタングステン層および前記第２のタングステン層は、前記凹状特徴部分内に堆積させて、前記凹状特徴部分をタングステンで完全に、または、部分的に充填する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積させた前記第１のタングステン層の前記上部分を除去する段階は、前記堆積させた前記第１のタングステン層の上部５％から８０％の厚みをエッチングする段階を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積させた前記第１のタングステン層の前記上部分を除去する段階は、前記堆積させたタングステン層の上部少なくとも１０％の厚みをエッチングする段階を有する請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積チャンバの上流に設けられている遠隔プラズマ生成器に、フッ素含有化合物を導入する段階と、
前記遠隔プラズマ生成器においてフッ素原子を生成する段階と、
前記遠隔プラズマ生成器から前記堆積チャンバにフッ素原子を流入させて、前記堆積させた前記第１のタングステン層の前記上部分を除去する段階と
をさらに備える、請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記凹状特徴部分は、少なくとも１０ｎｍの幅を持つ開口を有する請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積させた前記第１のタングステン層の上部分を除去する段階は、タングステン粒子が堆積させられた面に対して垂直に配向されている、前記タングステン粒子の一部分を選択的に除去する段階を有する請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
タングステンで凹状特徴部分を充填する方法であって、前記凹状特徴部分は堆積チャンバ内に設けられる基板にあり、前記方法は、
化学気相成長反応によってタングステン層を堆積させて、前記凹状特徴部分を部分的に充填する段階と、
堆積させた前記タングステン層の上部分を除去して、エッチング済みタングステン層を形成する段階と、
前記上部分を除去した後、化学気相成長反応によってタングステンを堆積させて、前記凹状特徴部分をさらに充填する段階と
を備える方法。
【請求項９】
前記上部分は、前記凹状特徴部分の全体にわたって、均一に除去される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
化学気相成長反応によってタングステンを堆積させて、前記凹状特徴部分をさらに充填する段階は、堆積−除去のサイクルを少なくとも１回さらに実行する段階を有する請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記凹状特徴部分をさらに充填する段階は、前記凹状特徴部分を完全に充填する段階を有する請求項８から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記凹状特徴部分は、幅が１０ｎｍから１μｍである請求項８から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
堆積させた前記タングステン層の上部分を除去する段階は、反応速度が制限されたエッチングプロセスを有する請求項８から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記上部分を除去する段階は、タングステン含有揮発性生成物を生成および除去する化学反応を行う段階を有する請求項８から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチング済み層の平均厚み、及び前記凹状特徴部分を有する開口は、前記凹状特徴部分内での前記エッチング済み層の平均厚みの１０％以内である請求項８から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
堆積させた前記タングステン層の上部分を除去して、エッチング済みタングステン層を形成する段階は、前記凹状特徴部分の側壁をエッチングする段階を有する請求項８から１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は、タングステンで充填された別の特徴部分を有し、前記別の特徴部分からタングステンを除去することなく、前記凹状特徴部分の側壁から選択的にタングステンを除去する請求項８から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
堆積チャンバにおいて基板に、厚みがＴｄであるタングステン層を堆積させる方法であって、
タングステン含有前駆体および還元剤を前記堆積チャンバに導入する段階と、
前記タングステン含有前駆体および前記還元剤による化学気相成長反応によって、前記基板にタングステン層を堆積させる段階と、
堆積させた前記タングステン層の上部約５％から２５％の厚みをエッチングする段階を有し、堆積させた前記タングステン層の上部分を除去して、厚みがＴｄであるタングステンバルク層を形成する段階と
を備える方法。
【請求項１９】
前記堆積チャンバの上流に設けられている遠隔プラズマ生成器に、フッ素含有化合物を導入する段階と、
前記遠隔プラズマ生成器においてフッ素原子を生成する段階と、
前記遠隔プラズマ生成器から前記堆積チャンバにフッ素原子を流入させて、前記堆積させたタングステン層の前記上部分を除去する段階と
をさらに備え、
前記遠隔プラズマ生成器に導入された前記フッ素含有化合物の分圧は、少なくとも０．７Ｔｏｒｒである
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
厚みがＴｄである前記タングステンバルク層の反射率は、ベアシリコンウェハの反射率よりも１５％高い請求項１８または１９に記載の方法。