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【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この負極集電体１０１の表面の十点平均粗さＲｚは、例えば１．５μｍ以上６．５μｍ以下の範囲内であるのが好ましい。負極集電体１０１と負極活物質層１０２との間の密着性がより高くなるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２は、負極活物質層１０２の詳細な断面構成を表すものである。図２に示したように、負極活物質層１０２は負極活物質繊維４を複数含んでいる。複数の負極活物質繊維４は負極集電体１０１の表面に沿って面内方向に並んでおり、それぞれ例えばＳ字形状を繰り返すように蛇行しながら負極活物質層１０２の厚さ方向に延在している。負極活物質繊維４は、さらに、負極活物質層１０２の厚さ方向において、他の領域よりも高い酸素含有率を有する層状の高濃度酸素含有領域３（以下、単に酸素含有領域３という。）を含んでいる。詳細には、負極活物質繊維４は、例えば互いに異なる方向（図２では反対向きの例を示す）に湾曲する一対の湾曲部４Ａ，４Ｂが、酸素含有領域３において連結されることによりＳ字形状となっている。すなわち、負極活物質層１０２は、湾曲部４Ａを含む層状の第１の領域１と、酸素含有領域３と、湾曲部４Ｂを含む層状の第２の領域２と、酸素含有領域３とが順に繰り返し積層された多層構造を有している。なお、この多層構造における第１の領域１および第２の領域２の積層数は、図２に示したものに限定されるものではなく、適宜選択可能なものである。また、図２では、負極活物質繊維４が、負極集電体１０１と接する位置から負極活物質層１０２の最上面に至るまで連続した紐状の組織を構成する場合を例示しているが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。負極活物質繊維４は、負極活物質層１０２の厚さ方向において途中で途切れていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この負極活物質層１０２は、例えば、塗布法、気相法、液相法、溶射法、焼成法あるいはそれらの２種以上の方法を用いて形成されている。特に、気相法を用いて負極活物質層１０２が形成されており、その負極活物質層１０２が負極集電体１０１との界面の少なくとも一部において合金化しているのが好ましい。具体的には、両者の界面において、負極集電体１０１の構成元素が負極活物質層１０２に拡散していてもよいし、負極活物質層１０２の構成元素が負極集電体１０１に拡散していてもよいし、両者の構成元素が互いに拡散しあっていてもよい。充放電時の膨張および収縮に起因して負極活物質層１０２が破損しにくくなると共に、負極集電体１０１と負極活物質層１０２との間において電子伝導性が向上するからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、負極活物質繊維４の形状は、蒸発源３０Ａ，３０Ｂから蒸発した蒸着物質３２Ａ，３２Ｂの負極集電体１０１への入射角度を主に調整することにより、適宜変化させることができる。その入射角度は、例えばキャンロール４０Ａ，４０Ｂの外周面のうちの部分４１Ａ，４１Ｂに対応する位置（以下、蒸着位置という。）での負極集電体１０１の曲率半径のほか、仕切板１８に設けられた開口１８Ａ，１８Ｂの大きさや、キャンロール４０Ａ，４０Ｂ、開口１８Ａ，１８Ｂおよび蒸発源３０Ａ，３０Ｂの相対位置によって調整される。蒸着位置での負極集電体１０１の曲率半径は、例えばキャンロール４０Ａ，４０Ｂの曲率半径、あるいはキャンロール４０Ａ，４０Ｂに対するガイドローラー１１〜１５の相対位置などを変更すればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
次に、負極１６２を作製した。具体的には、電解銅箔からなる負極集電体１６２Ａ（厚さ＝１０μｍ，十点平均粗さＲｚ＝４．０μｍ）を準備したのち、図３に示した蒸着装置を用い、電子ビーム蒸着法によって負極集電体１６２Ａの両面に負極活物質としての珪素を複数回に亘って堆積させることにより、第１の領域１および第２の領域２の合計が２０層となるように各々積層された負極活物質粒子６（図５参照）を複数形成し、負極活物質層１６２Ｂを得た。この際、蒸着処理槽２０の内部に間欠的に酸素ガスを導入しながら、所定の速度で走行する負極集電体１６２Ａの表面に負極活物質を蒸着させ、厚さ４μｍの負極活物質層１６２Ｂを形成した。このときの実質的な成膜レートは１〜１００ｎｍ／秒となった。蒸発源としては、純度９９．９％の単結晶珪素を用いた。ここでは、負極集電体１０１の表面に対して斜めの方向に蒸着物質３２Ａ，３２Ｂを入射し、第１の領域１を作製する際には負極集電体１０１を順方向（巻き取りローラー７から巻き取りローラー８へ進行する方向）に走行させ、第２の領域２を作製する際には逆方向（巻き取りローラー８から巻き取りローラー７へ進行する方向）に走行させた。また、蒸着位置での負極集電体１０１の曲率半径を変更することにより、負極活物質繊維４の曲率半径を調整した。負極活物質層１６２Ｂを形成したのち、負極集電体１６２Ａの一端に、ニッケル製の負極リード１６５を溶接して取り付けた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
これらの実験例２−１〜２−６についても、上記と同様にしてサイクル特性（放電容量維持率）、負極活物質中の酸素含有率（原子％）および負極活物質繊維４の最小曲率半径を測定した。それらの結果について表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この負極集電体１０１の表面の十点平均粗さＲｚは、例えば１．５μｍ以上６．５μｍ以下の範囲内であるのが好ましい。負極集電体１０１と負極活物質層１０２との間の密着性がより高くなるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２は、負極活物質層１０２の詳細な断面構成を表すものである。負極活物質層１０２は、図２に示したように、第１の層１と第２の層２とが繰り返し積層されてなる多層構造を有する。第１の層１および第２の層２は、いずれも珪素（Ｓｉ）および金属元素Ｘを構成元素とする負極活物質を各々含有する。但し、第１の層１と第２の層２とでは、負極活物質中の珪素含有率が互いに異なっている。例えば、第１の層１における負極活物質中の珪素含有率Ａおよび第２の層における負極活物質中の珪素含有率Ｂは、下記の条件式（１）を満足する関係にある。例えば、珪素含有率Ｂは１．８原子数％以上８８原子数％以下であり、第１の層における負極活物質中の珪素含有率Ａは７０原子数％以上９０原子数％以下が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（正極）
正極１２１は、例えば、一対の面を有する正極集電体１２１Ａの両面に正極活物質層１２１Ｂが設けられたものである。この正極集電体１２１Ａは、例えば、アルミニウム、ニッケル、あるいはステンレスなどの金属材料によって構成されている。なお、正極活物質層１２１Ｂは、正極活物質を含んでおり、必要に応じて結着剤や導電剤などの他の材料を含んでいてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
（負極）
負極１２２は、上記した負極１０もしくは負極１０Ａ〜１０Ｃと同様の構成を有しており、例えば、一対の面を有する負極集電体１２２Ａの両面に負極活物質層１２２Ｂが設けられたものである。負極集電体１２２Ａおよび負極活物質層１２２Ｂの構成は、それぞれ上記した負極における負極集電体１０１および負極活物質層１０２の構成と同様である。この負極１２２では、リチウムを吸蔵および放出することが可能な負極材料の充電容量が正極１２１の放電容量よりも大きくなっているのが好ましい。満充電時においても、負極１２２にリチウムがデンドライトとなって析出する可能性が低くなるからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
高分子化合物としては、例えば、以下の高分子材料うちの少なくとも１種などが挙げられる。ポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリフォスファゼン、ポリシロキサンあるいはポリフッ化ビニルである。ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、スチレン−ブタジエンゴム、ニトリル−ブタジエンゴム、ポリスチレンあるいはポリカーボネートである。フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体である。これらは単独でもよいし、複数種が混合されてもよい。中でも、ポリフッ化ビニリデン、あるいはフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体が好ましい。電気化学的に安定だからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
表５に示したように、組成比Ａ／Ｂが条件式（１）を満足する場合（実験例５−１〜５−７）には、それ以外の場合（実験例５−８〜５−１４）とそれぞれ比較して放電容量維持率の大きな向上が認められた。すなわち、金属元素Ｘとして、ニッケルの代わりにコバルト，鉄，マンガン，クロム，チタン，アルミニウム，マグネシウムおよびモリブデンを用いた場合においても、ニッケルを用いた場合と同様の傾向が見られることが確認できた。なお、本実験例では、単一種の金属元素Ｘを添加するようにしたが、複数種の金属元素Ｘを用いて珪素と共に負極活物質を構成するようにした場合においても、同様の効果が得られることを確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月5日(2013.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御を受けることでスイッチングし、スイッチングによって直流電圧を生成するスイッチング素子と、前記スイッチング素子によって生成された直流電圧に基づく電荷を充電し、充電された電荷に基づく直流の充電電圧を光源に供給する供給コンデンサと、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する制御部とを備えた光源用直流電圧生成部と、
前記供給コンデンサの前記充電電圧が所定の電圧以上になると、前記供給コンデンサに充電された電荷の放電を開始する放電部と、
前記放電部によって前記供給コンデンサの電荷の放電が開始されると、前記供給コンデンサの電荷が放電された状態を維持するように、前記制御部に前記スイッチング素子のスイッチングを停止させる放電記憶部と
を備えることを特徴とする光源用電源装置。
【請求項２】
前記光源用直流電圧生成部は、
一次側と二次側とを絶縁するトランスを有し、
前記放電記憶部は、
前記放電部とは絶縁された状態で前記充電電圧に基づく検出信号を受信し、受信した前記検出信号に基づき前記制御部を制御することを特徴とする請求項１に記載の光源用電源装置。
【請求項３】
前記光源は、
点灯するための所定の点灯電圧を有し、
前記放電部が電荷の放電を開始する前記所定の電圧は、
前記点灯電圧よりも所定の値以上高いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光源用電源装置。
【請求項４】
前記放電部が電荷の放電を開始する前記所定の電圧は、
前記点灯電圧よりも３Ｖ以上高いことを特徴とする請求項３記載の光源用電源装置。
【請求項５】
前記放電部は、
前記供給コンデンサに充電された電荷の放電により、電荷の放電の開始から所定の時間以内で、前記供給コンデンサの前記充電電圧を前記点灯電圧以下にすることを特徴とする請求項３または４のいずれかに記載の光源用電源装置。
【請求項６】
前記放電記憶部は、
電力供給を受けることで前記供給コンデンサの電荷が放電された状態を維持し、電力供給が無くなると前記供給コンデンサの電荷が放電された状態を解除する揮発性メモリであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光源用電源装置。
【請求項７】
前記放電部と、前記光源とは、
前記供給コンデンサに対して、前記供給コンデンサから前記放電部、前記光源の順で並列接続され、
前記光源用電源装置は、さらに、
前記供給コンデンサの前記充電電圧に基づいて前記光源に流れ込む流入電流の経路の途中と、前記供給コンデンサの前記充電電圧に基づいて前記光源から流れ出す流出電流の経路の途中との少なくともいずれかに配置され、規定範囲を超える過電流が流れると断線状態を作り出すと共に、過電流が規定範囲に戻ると断線状態を復帰する自己復帰型ヒューズを備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光源用電源装置。
【請求項８】
前記放電部と、前記光源とは、
前記供給コンデンサに対して、前記供給コンデンサから前記放電部、前記光源の順で並列接続され、
前記放電部は、
放電された前記電荷の流れを示す放電電流が通過し、前記放電電流が規定範囲を超える過電流になると断線状態を作り出すと共に、前記放電電流が規定範囲に戻ると断線状態を復帰する自己復帰型ヒューズを備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光源用電源装置。
【請求項９】
前記自己復帰型ヒューズとして、
ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタを用いたことを特徴とする請求項７または８のいずれかに記載の光源用電源装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の光源用電源装置を備えた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、制御を受けることでスイッチングし、スイッチングによって直流電圧を生成するスイッチング素子と、前記スイッチング素子によって生成された直流電圧に基づく電荷を充電し、充電された電荷に基づく直流の充電電圧を光源に供給する供給コンデンサと、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する制御部とを備えた光源用直流電圧生成部と、前記供給コンデンサの前記充電電圧が所定の電圧以上になると、前記供給コンデンサに充電された電荷の放電を開始する放電部と、前記放電部によって前記供給コンデンサの電荷の放電が開始されると、前記供給コンデンサの電荷が放電された状態を維持するように、前記制御部に前記スイッチング素子のスイッチングを停止させる放電記憶部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
実施の形態３．
図６は、実施の形態３のＬＥＤ照明装置１００３の回路構成図である。図６は実施の形態１のＬＥＤ照明装置１００１を示す図２に対して、
図２における放電部１０１−１の放電抵抗２３が、放電部１０１−３においてＰＴＣサーミスタ２３−１となった点のみが異なる。それ以外は、図２の構成と同じである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
互いに異なる方向を指定する複数の方向指定手段を有する操作部と、
前記操作部により所定の操作がされた場合に、文字及び数字の入力表示を前記表示部に行わせると共に、前記表示部に前記文字及び前記数字の入力表示が行われた状態で、前記方向指定手段によりいずれかの方向がさらに指定された場合に、前記表示部に入力表示された前記文字及び前記数字の少なくとも一方をそれぞれ他の文字及び他の数字に変更するための前記他の文字及び前記他の数字の選択を行い、選択された他の文字及び他の数字を前記表示部に表示させる制御部と、を備える電子機器。
【請求項２】
互いに異なる方向を指定する複数の方向指定手段を有する電子機器の表示方法であって、
前記方向指定手段によりいずれかの方向が指定された場合に、文字及び数字の入力表示を表示部に行わせると共に、前記表示部に前記文字及び前記数字の入力表示が行われた状態で、前記方向指定手段によりいずれかの方向がさらに指定された場合に、前記表示部に入力表示される前記文字及び前記数字の少なくとも一方をそれぞれ他の文字及び他の数字に変更するための前記他の文字及び前記他の数字の選択を行い、選択された他の文字及び他の数字を前記表示部に表示させる電子機器の表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に形成された一対の金属端子とを備え、前記一対の金属端子のそれぞれの先端部を３つの脚部に分割し、かつこれらの脚部をそれぞれ同じ方向に突出させるとともに互いに平行になるように配置して、前記脚部が電流通電方向と垂直な方向における同じ位置で分割されるようにし、さらに、前記一対の金属端子の先端部において、前記脚部のうち両端に位置する脚部を電圧測定用端子とし、他の脚部を電流用端子とした抵抗器。
【請求項２】
請求項１記載の抵抗器において、電圧測定用端子となる脚部、または電流用端子を下方に折り曲げるようにして実装基板に実装するようにした抵抗器の実装方法。
【請求項３】
請求項１記載の抵抗器において、一方の電圧測定用端子で検出された電圧と、他方の電圧測定用端子で検出された電圧を加算することによって、電流値を検出するようにした抵抗器の測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】抵抗器、抵抗器の実装方法、抵抗器の測定方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１に記載の発明は、金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に形成された一対の金属端子とを備え、前記一対の金属端子のそれぞれの先端部を３つの脚部に分割し、かつこれらの脚部をそれぞれ同じ方向に突出させるとともに互いに平行になるように配置して、前記脚部が電流通電方向と垂直な方向における同じ位置で分割されるようにし、さらに、前記一対の金属端子の先端部において、前記脚部のうち両端に位置する脚部を電圧測定用端子とし、他の脚部を電流用端子としたもので、この構成によれば、３つの脚部のうち２つを電圧測定用端子、１つを電流用端子とし、１つの電流用端子に対してその両側に２つの電圧測定用端子を配置することができるため、電流が一方の電圧測定用端子の遠い位置を流れる場合でも、他方の電圧測定用端子の近傍を流れることになり、これにより、電圧測定用端子が測定できる電流が大きくなったり小さくなったりすることはなくなるため、同じ電流を流した場合、電圧測定用端子で検出される電圧値が変動するということはなくなり、この結果、電流値を精度よく検出できるという作用効果が得られるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重ね合されて貼り合わされる複数の半導体基板の少なくとも一つを保持して搬送するための基板ホルダを除湿する除湿段階と、
前記除湿段階の後に、前記基板ホルダによって前記半導体基板を保持する保持段階と
を有する基板貼り合わせ方法。
【請求項２】
前記除湿段階において、前記基板ホルダは、ホルダラック内における、除湿部によって除湿された収容空間に収容されている請求項１に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３】
前記基板ホルダは、収納ケースに収納された状態で前記ホルダラック内の棚に収容されており、
前記収納ケースには、前記収納ケースの内部空間と外部空間を連通する吸気孔が形成されており、
前記除湿段階は、前記収納ケースが前記棚に載置された場合に、前記吸気孔に接続される通気部を介して、除湿のための気体を前記内部空間に送出することにより除湿する請求項２に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項４】
前記除湿段階は、
前記収納ケース内に前記基板ホルダが収納されているか否かを検知する検知段階と、
前記基板ホルダが前記収容空間内に収容されていると検知された場合に、前記気体を前記内部空間内に送出する送出段階と
を含む請求項３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項５】
前記除湿段階は、
前記気体が前記内部空間に充満したか否かを判断する判断段階と、
前記気体が前記内部空間に充満したと判断された場合に、前記気体の送出量を調整する調整段階と
を含む請求項４に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項６】
前記調整段階は、前記内部空間からの前記気体の漏れ量に応じて前記気体の送出量を調整する請求項５に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項７】
前記調整段階は、温調部により、前記気体の温度を制御する請求項３から６のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項８】
前記調整段階は、前記内部空間の温度が前記ホルダラックの設置環境の室温と等しくなるよう、前記温調部により、前記気体の温度を制御する請求項７に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項９】
前記気体は、乾燥Ｎ２である請求項３から８のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１０】
前記除湿段階は、前記内部空間の内圧を調整する請求項４に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１１】
前記除湿段階は、前記内部空間の内圧が外部よりも高くなるように調整する請求項１０に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１２】
前記除湿段階は、前記収納ケース内に前記基板ホルダが収納されている場合に前記内部空間を除湿する請求項３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１３】
前記除湿段階は、温調部により、前記内部空間の温度を調整する請求項３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１４】
前記除湿段階は、前記ホルダラック内に前記基板ホルダが収納されている場合に除湿する請求項２に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１５】
前記ホルダラックの着脱部を介して前記ホルダラックを他の装置に装着する装着段階を有する請求項２から１４のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１６】
前記着脱部により前記他の装置に装着されている場合には、前記収容空間は除湿されない請求項１５に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項１７】
基板ホルダに保持された少なくとも一つの半導体基板と他の半導体基板とを互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部と、
前記半導体基板が前記基板ホルダに保持された状態で、重ね合された前記半導体基板と前記他の半導体基板とを互いに接合する接合部と、
前記基板ホルダを除湿する除湿部と
を備え、
前記除湿部は、前記半導体基板が前記基板ホルダに保持される前に、前記基板ホルダを除湿する基板貼り合わせ装置。
【請求項１８】
前記基板ホルダを収容する収容ケースと、前記収納ケースの内部空間を除湿する前記除湿部とを有するホルダラックを内部に備え、または前記ホルダラックが着脱部を介して装着された請求項１７に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１９】
前記ホルダラックは、前記収容ケースを載置する棚を有し、
前記収容ケースには、前記収納ケースの内部空間と外部空間を連通する吸気孔が形成されており、
前記収納ケースが前記棚に載置された場合に、除湿のための気体を前記内部空間に送出する通気部が前記吸気孔に接続するよう構成されている請求項１８に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２０】
前記収納ケース内に前記基板ホルダが収納されているか否かを検知する検知部と、
前記基板ホルダが前記収容空間内に収容されていると検知された場合に、前記気体を前記内部空間内に送出する送出部と
を有する請求項１９に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２１】
前記気体が前記内部空間に充満したか否かを検出する検出部を有し、
前記送出部は、前記気体が前記内部空間に充満したと検出された場合に、前記気体の送出量を調整する請求項２０に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２２】
前記内部空間からの前記気体の漏れ量を測定する測定部を有し、
前記送出部は、前記気体の漏れ量に応じて前記気体の送出量を調整する請求項２１に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２３】
前記気体の温度を制御する温調部を有する請求項１９から２２のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２４】
前記温調部は、前記内部空間の温度が前記貼り合わせ装置の設置環境の室温と等しくなるよう、前記気体の温度を制御する請求項２３に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２５】
前記気体は、乾燥Ｎ２である請求項１９から１４のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２６】
前記内部空間の内圧を調整する調整部を備える請求項２０に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２７】
前記調整部は、前記内部空間の内圧が外部よりも高くなるように調整する請求項２６に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２８】
前記除湿部は、前記収納ケース内に前記基板ホルダが収納されている場合に前記内部空間を除湿する請求項１９に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２９】
前記内部空間の温度を調整する温調部を有する請求項１９から２２のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３０】
前記除湿部は、前記ホルダラック内に前記基板ホルダが収納されている場合に除湿する請求項１８に記載の基板貼り合わせ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板貼り合わせ方法および基板貼り合わせ装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの収集が行われない第１の期間と、前記第１の期間の後にデータの収集が行われる第２の期間とを有するパルスシーケンスを実行する磁気共鳴装置であって、
前記パルスシーケンスは、以下の条件を満たす、磁気共鳴装置。
（１）前記第１の期間は、隣接するＲＦパルスによって区切られたｎ個のサブ期間を含む
（２）前記ｎ個のサブ期間の各々は、１つ以上の勾配パルスを含む
（３）前記ｎ個のサブ期間に含まれている勾配パルスの極性は同じである
（４）前記ｎ個のサブ期間のうちのｐ番目のサブ期間は、ｘ個の勾配パルスＧｐｉ（ｉ＝１〜ｘ）を含み、前記ｎ個のサブ期間のうちのｑ番目のサブ期間は、ｙ個の勾配パルスＧｑｊ（ｊ＝１〜ｙ）を含み、以下の関係式が成り立つ
【数６】
2013070795.tif 000001
ここで、Ｓｐｉ：前記勾配パルスＧｐｉの面積
Δｔｐｉ：前記ｐ番目のサブ期間の開始時点に印加される第１のＲＦパルスと、前記勾配パルスＧｐｉとの間の時間
Ｓｑｊ：前記勾配パルスＧｑｊの面積
Δｔｑｊ：前記ｑ番目のサブ期間の開始時点に印加される第２のＲＦパルスと、前記勾配パルスＧｑｊとの間の時間
【請求項２】
前記ｘ個の勾配パルスは、前記第１のＲＦパルスから第１の時間だけ離れた第１の勾配パルスを含んでおり、
前記ｙ個の勾配パルスは、前記第２のＲＦパルスから第２の時間だけ離れた第２の勾配パルスを含んでおり、
前記第１の勾配パルスの面積と、前記第２の勾配パルスの面積は同じであり、
前記第１の時間と前記第２の時間は異なっている、請求項１に記載の磁気共鳴装置。
【請求項３】
前記第１の勾配パルスの高さおよび幅は、前記第２の勾配パルスの高さおよび幅に等しい、請求項２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項４】
前記第１の勾配パルスの高さおよび幅が、前記第２の勾配パルスの高さおよび幅とは異なっている、請求項２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項５】
前記ｘ個の勾配パルスは、前記第１のＲＦパルスから第１の時間だけ離れた第１の勾配パルスを含んでおり、
前記ｙ個の勾配パルスは、前記第２のＲＦパルスから前記第１の時間だけ離れた第２の勾配パルスを含んでおり、
前記第１の勾配パルスの面積と、前記第２の勾配パルスの面積は異なっている、請求項１に記載の磁気共鳴装置。
【請求項６】
前記ｐ番目のサブ期間には、１個の勾配パルスが含まれ、前記ｑ番目のサブ期間には、複数個の勾配パルスが含まれている、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項７】
前記ｐ番目のサブ期間には、１個の勾配パルスが含まれ、前記ｑ番目のサブ期間にも、１個の勾配パルスが含まれている、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項８】
前記ｐ番目のサブ期間には、前記第１のＲＦパルスと同時に印加される勾配パルスの一部が含まれている、請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項９】
前記ｑ番目のサブ期間には、前記第２のＲＦパルスと同時に印加される勾配パルスの一部が含まれている、請求項８に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１０】
前記条件を満たす勾配パルスは、周波数エンコード方向、又はスライスエンコード方向に印加される、請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、筐体内に支持され、内部に洗濯水を貯留する外槽と、前記外槽に内包され、洗濯物が収容される内槽と、前記内槽を回転駆動させる駆動装置と、前記外槽に給水する給水手段を備え、洗い工程、すすぎ工程及び脱水工程を有する洗濯コースを行うドラム式洗濯機において、前記洗濯コースの途中で、前記給水手段により前記外槽内の底部に所定量の水を溜めた状態で、前記洗い工程よりも高い回転数で前記駆動装置により前記内槽を回転させた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筐体内に支持され、内部に洗濯水を貯留する外槽と、
前記外槽に内包され、洗濯物が収容される内槽と、
前記内槽を回転駆動させる駆動装置と、
前記外槽に給水する給水手段を備え、
洗い工程、すすぎ工程及び脱水工程を有する洗濯コースを行うドラム式洗濯機において、
前記洗濯コースの途中で、前記給水手段により前記外槽内の底部に所定量の水を溜めた状態で、前記洗い工程よりも高い回転数で前記駆動装置により前記内槽を回転させたことを特徴とするドラム式洗濯機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理装置は、複数の画素を含んで構成される撮像素子を有し、前記複数の画素の各々の画素値を画像データとして生成する撮像手段と、前記撮像手段により生成された画像データにおいて、前記複数の画素における欠陥画素の位置を特定する位置特定手段と、前記位置特定手段により特定された位置に基づいて、前記画像データにおいて前記欠陥画素により画像ノイズが発生する領域を特定する領域特定手段と、前記領域特定手段により特定された前記画像データの領域に含まれる複数の画素のそれぞれの画素値について、当該領域の周囲に位置する複数の画素の画素値の加重平均に基づいて補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、精度よく、かつ、効率的に画像データの画素値（画像信号）を補正することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含んで構成される撮像素子を有し、前記複数の画素の各々の画素値を画像データとして生成する撮像手段と、
前記撮像手段により生成された画像データにおいて、前記複数の画素における欠陥画素の位置を特定する位置特定手段と、
前記位置特定手段により特定された位置に基づいて、前記画像データにおいて前記欠陥画素により画像ノイズが発生する領域を特定する領域特定手段と、
前記領域特定手段により特定された前記画像データの領域に含まれる複数の画素のそれぞれの画素値について、当該領域の周囲に位置する複数の画素の画素値の加重平均に基づいて補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記領域特定手段により特定された前記領域に含まれる複数の画素それぞれの画素値について、前記周囲に位置する複数の画素の画素値の加重平均に基づいて補正することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記領域特定手段により特定された前記領域に含まれる複数の画素それぞれの位置に応じて、補正に用いられる複数の画素の画素値それぞれの加重平均における重みを変化させることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記位置特定手段により特定された位置から所定範囲に位置する画素を、前記周囲に位置する複数の画素とすることを特徴とする請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正手段は、前記領域特定手段により特定された前記領域に含まれる複数の画素それぞれについて、画素値の補正に用いる画素を、当該領域の周囲の複数の画素から、補正対象となる画素それぞれの位置に応じて選択することを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記領域特定手段は、前記位置特定手段により特定された位置と、前記撮像手段による画像データの生成時の状態とに基づいて、前記領域の大きさを特定することを特徴とする請求項１乃至５のうち何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記補正手段は、前記撮像素子の周囲温度と露光時間とに応じて、補正を行うか否かを制御する請求項１乃至６のうち何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、当該撮像素子の周囲温度と露光時間とに応じて、前記領域が変化するＣＭＯＳセンサであることを特徴とする請求項１乃至７のうち何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記領域特定手段は、前記撮像素子の周囲温度と露光時間とを前記画像データの生成時の状態とし、前記位置特定手段により特定された位置と、当該画像データの生成時の状態に基づいて、前記領域を特定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
複数の画素を含んで構成される撮像素子を有し、前記複数の画素の各々の画素値を画像データとして生成する撮像ステップと、
前記撮像ステップにおいて生成された画像データにおいて、前記複数の画素における欠陥画素の位置を特定する位置特定ステップと、
前記位置特定ステップにおいて特定された位置に基づいて、前記画像データにおいて前記欠陥画素により画像ノイズが発生する領域を特定する領域特定ステップと、
前記領域特定ステップにより特定された前記画像データの領域に含まれる複数の画素のそれぞれの画素値について、当該領域の周囲に位置する複数の画素の画素値の加重平均に基づいて補正する補正ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
複数の画素を含んで構成される撮像素子を有し、前記複数の画素の各々の画素値を画像データとして生成する撮像手段を備える画像処理装置のコンピュータを、
前記撮像手段により生成された画像データにおいて、前記複数の画素における欠陥画素の位置を特定する位置特定手段、
前記位置特定手段により特定された位置に基づいて、前記画像データにおいて前記欠陥画素により画像ノイズが発生する領域を特定する領域特定手段、
前記領域特定手段により特定された前記画像データの領域に含まれる複数の画素のそれぞれの画素値について、当該領域の周囲に位置する複数の画素の画素値の加重平均に基づいて補正する補正手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、第７の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第８の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第６の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、第７の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタのＷ（Ｗはチャネル幅）／Ｌ（Ｌはチャネル長）は、前記第２のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第３のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第５のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第７のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有し、
前記第１のトランジスタのＷ／Ｌは、前記第８のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きい値を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
画素と、駆動回路と、を有し、
前記画素は、前記駆動回路と電気的に接続され、
前記画素は、表示素子を有し、
前記駆動回路は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記表示素子は、液晶素子又は発光素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
半導体装置又は表示装置と、
ＦＰＣと、を有し、
前記半導体装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された半導体装置であり、
前記表示装置は、請求項４又は請求項５に記載された表示装置であることを特徴とする表示モジュール。
【請求項７】
半導体装置、表示装置、又は表示モジュールと、
操作スイッチ、バッテリー、アンテナ又はスピーカと、を有し、
前記半導体装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された半導体装置であり、
前記表示装置は、請求項４又は請求項５に記載された表示装置であり、
前記表示モジュールは、請求項６に記載された表示モジュールであることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）のコードワードを用いて無線チャネルで情報信号を送信する方法であって、
１個のコードワードが少なくとも２個のレイヤにマッピングされるコードワード対レイヤ・マッピングを用いて１個のコードワードの送信又は再送を行う工程を有し、
１個のコードワードは、現在の伝送ランクに対応する個数のレイヤにマッピングされることを特徴とする方法。
【請求項２】
１個のコードワードは、２個のレイヤ又は３個のレイヤにマッピングされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝送ランクが４である第１の送信において、各コードワードが２個のレイヤにマッピングされるコードワード対レイヤ・マッピングを用いて２個のコードワードを送信する工程と、
前記２個のコードワードのうちの少なくとも１個に含まれる情報の再送の要求を受信する工程と、
１個のコードワードが少なくとも２個のレイヤにマッピングされるコードワード対レイヤ・マッピングを用いて、前記伝送ランクが４未満で、再送を要求された情報を含む１個のコードワードを再送する工程とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記再送のための伝送ランクは２であり、１個のコードワードは２個のレイヤにマッピングされることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記２個のコードワードのうちの１個だけに含まれる情報の再送の要求を受信する工程を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
使用されるコードワード対レイヤ・マッピングを受信機に伝える工程を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記使用されるコードワード対レイヤ・マッピングは、未使用のままであるべきコードワードに対応するトランスポート・フォーマット・サイズ・フィールドをゼロに設定することによって伝えられることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）のコードワードを用いて無線チャネルで情報信号を送信するための送信機であって、
１個のコードワードが少なくとも２個のレイヤにマッピングされるコードワード対レイヤ・マッピングを用いて１個のコードワードの送信又は再送を行うように構成された手段を有し、
１個のコードワードは、現在の伝送ランクに対応する個数のレイヤにマッピングされることを特徴とする送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動画像符号化装置、方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のイントラ予測モードのうちの選択モードに従ったイントラ予測を用いて、符号化対象の予測誤差信号を求める予測部と、
前記選択モードを、イントラ予測モードの中で予め定められた第１予測モードまたは第２予測モードに分類するイントラ予測分類部と、
前記選択モードが前記第１予測モードに分類された場合に、前記イントラ予測モードに依らず共通の第１変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得る第１直交変換部と、
前記選択モードが前記第２予測モードに分類された場合に、前記第１変換基底とは異なる第２変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得る第２直交変換部と、
前記複数のイントラ予測モードのそれぞれに対して予め定められたスキャン順のうち、前記選択モードに対応するスキャン順に従って、前記変換係数を並び替える係数順制御部と、
前記選択モードを示す情報と前記並べ替えられた変換係数とを符号化するエントロピー符号化部と、
を具備する動画像符号化装置。
【請求項２】
複数のイントラ予測モードのうちの選択モードに従ったイントラ予測を用いて、符号化対象の予測誤差信号を求め、
前記選択モードを、イントラ予測モードの中で予め定められた第１予測モードまたは第２予測モードに分類し、
前記選択モードが前記第１予測モードに分類された場合に、前記イントラ予測モードに依らず共通の第１変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得、
前記選択モードが前記第２予測モードに分類された場合に、前記第１変換基底とは異なる第２変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得、
前記複数のイントラ予測モードのそれぞれに対して予め定められたスキャン順のうち、前記選択モードに対応するスキャン順に従って、前記変換係数を並び替え、
前記選択モードを示す情報と前記並べ替えられた変換係数とを符号化すること、
を具備する動画像符号化方法。
【請求項３】
コンピュータを、
複数のイントラ予測モードのうちの選択モードに従ったイントラ予測を用いて、符号化対象の予測誤差信号を求める予測手段と、
前記選択モードを、イントラ予測モードの中で予め定められた第１予測モードまたは第２予測モードに分類するイントラ予測分類手段と、
前記選択モードが前記第１予測モードに分類された場合に、前記イントラ予測モードに依らず共通の第１変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得る第１直交変換手段と、
前記選択モードが前記第２予測モードに分類された場合に、前記第１変換基底とは異なる第２変換基底を用い、前記予測誤差信号を直交変換して変換係数を得る第２直交変換手段と、
前記複数のイントラ予測モードのそれぞれに対して予め定められたスキャン順のうち、前記選択モードに対応するスキャン順に従って、前記変換係数を並び替える係数順制御手段と、
前記選択モードを示す情報と前記並べ替えられた変換係数とを符号化するエントロピー符号化手段として機能させるため動画像符号化プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の所定の部位を含む撮影部位の画像データを作成する画像データ作成手段と、
前記画像データの投影データを作成する投影データ作成手段と、
前記投影データのピクセルと、前記ピクセルに隣接する隣接ピクセルとの信号値の差に基づいて、前記所定の部位の特徴点の所定方向の位置を検出する検出手段と、を有する画像データ処理装置。
【請求項２】
前記検出手段は、
前記信号値の差に基づいて、前記特徴点の所定方向の位置を検出するための候補点を決定する候補点決定手段を有する、請求項１に記載の画像データ処理装置。
【請求項３】
前記候補点決定手段は、前記投影データにカーネルを設定し、
前記信号値の差は、
前記カーネルに含まれているピクセルと、前記ピクセルに隣接する隣接ピクセルとの信号値の差である、請求項２に記載の画像データ処理装置。
【請求項４】
前記候補点決定手段は、
前記カーネルに含まれているピクセルの信号値と、前記信号値の差とに基づいて、前記候補点を決定する、請求項３に記載の画像データ処理装置。
【請求項５】
前記候補点決定手段は、
前記カーネルのピクセルの信号値と、前記信号値の差とに基づいて、前記カーネルの領域エネルギーを算出する、請求項４に記載の画像データ処理装置。
【請求項６】
前記候補点決定手段は、
前記カーネルを移動させ、前記カーネルの各移動位置において、前記カーネルの領域エネルギーを算出する、請求項５に記載の画像データ処理装置。
【請求項７】
前記候補点決定手段は、
前記カーネルのピクセルの信号値を変数とする第１の確率モデルと、前記信号値の差を変数とする第２の確率モデルとに基づいて、前記領域エネルギーを算出する、請求項６に記載の画像データ処理装置。
【請求項８】
前記検出手段は、
前記投影データにおいて前記所定の部位が投影された投影領域に、関心領域を設定する関心領域設定手段を有し、
前記第１の確率モデルは、前記関心領域に含まれるピクセルの信号値に基づいて決定され、
前記第２の確率モデルは、前記関心領域に含まれるピクセルと、前記ピクセルに隣接する隣接ピクセルとの信号値の差に基づいて決定される、請求項７に記載の画像データ処理装置。
【請求項９】
前記関心領域設定手段は、
前記所定の部位の輪郭の標準的な形状を表すテンプレートデータを用いて、前記関心領域を設定する、請求項８に記載の画像データ処理装置。
【請求項１０】
前記テンプレートデータは、
複数の被検体のデータを用いて作成された前記輪郭のデータを、スケールダウンすることによって得られる、請求項９に記載の画像データ処理装置。
【請求項１１】
前記候補点決定手段は、
前記カーネルを第１の領域と第２の領域に分け、前記第１の領域の領域エネルギーと、前記第２の領域の領域エネルギーとの差を算出し、領域エネルギーの差に基づいて、前記候補点を決定する、請求項６〜１０のうちのいずれか一項に記載の画像データ処理装置。
【請求項１２】
前記検出手段は、
前記候補点決定手段が決定した候補点の中から、一つの候補点を選択する候補点選択手段を有する、請求項２〜１１のうちのいずれか一項に記載の画像データ処理装置。
【請求項１３】
前記所定の部位は肝臓であり、前記特徴点は肝臓の下端である、請求項１〜１２のうちのいずれか一項に記載の画像データ処理装置。
【請求項１４】
前記所定方向はＳＩ方向である、請求項１〜１３のうちのいずれか一項に記載の画像データ処理装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の画像データ処理装置を有する磁気共鳴装置。
【請求項１６】
被検体の所定の部位を含む撮影部位の画像データを作成する画像データ作成ステップと、
前記画像データの投影データを作成する投影データ作成ステップと、
前記投影データのピクセルと、前記ピクセルに隣接する隣接ピクセルとの信号値の差に基づいて、前記所定の部位の特徴点の所定方向の位置を検出する検出ステップと、を有する画像データ処理方法。
【請求項１７】
被検体の所定の部位を含む撮影部位の画像データを作成する画像データ作成処理と、
前記画像データの投影データを作成する投影データ作成処理と、
前記投影データのピクセルと、前記ピクセルに隣接する隣接ピクセルとの信号値の差に基づいて、前記所定の部位の特徴点の所定方向の位置を検出する検出処理と、を計算機に実行させるためのプログラム。