Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法及びトランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜方法であって、
下部電極上に基板を配して第１の膜を成膜し、
前記第１の膜の形成時よりも上部電極と下部電極の間の距離を長くし、
前記第１の膜上に第２の膜を成膜し、
前記第２の膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を変化させずに前記第２の膜上に第３の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜方法であって、
下部電極上に基板を配して第１の膜を成膜し、
前記第１の膜の形成時よりも上部電極と下部電極の間の距離を変化させずに前記第１の膜上に第２の膜を成膜し、
前記第２の膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を短くし、
前記第２の膜上に第３の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜方法であって、
下部電極上に基板を配して第１の膜を成膜し、
前記第１の膜の形成時よりも上部電極と下部電極の間の距離を長くし、
前記第１の膜上に第２の膜を成膜し、
前記第２の膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を短くし、
前記第２の膜上に第３の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置の下部電極上に、少なくともゲートを構成する第１の導電層が設けられた基板を配して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の距離を長くし、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を変化させずに前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、
前記半導体膜及び前記不純物半導体膜を加工して積層半導体層を形成し、
前記積層半導体層中の不純物半導体層に接して、少なくともソース及びドレインを構成する第２の導電層を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項５】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置の下部電極上に、少なくともゲートを構成する第１の導電層が設けられた基板を配して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の距離を変化させずに前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を短くし、
前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、
前記半導体膜及び前記不純物半導体膜を加工して積層半導体層を形成し、
前記積層半導体層中の不純物半導体層に接して、少なくともソース及びドレインを構成する第２の導電層を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項６】
上部電極と下部電極が設けられた成膜装置の下部電極上に、少なくともゲートを構成する第１の導電層が設けられた基板を配して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の距離を長くし、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の形成時よりも前記上部電極と前記下部電極の間の前記距離を短くし、
前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、
前記半導体膜及び前記不純物半導体膜を加工して積層半導体層を形成し、
前記積層半導体層中の不純物半導体層に接して、少なくともソース及びドレインを構成する第２の導電層を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）
【化１】
2012015251.tif 000001
(式中、Ｒは、互いに独立してＣ２〜Ｃ18の直鎖又は分岐を有するアルキル基、Ｃ２〜Ｃ18の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、Ｃ２〜Ｃ18の直鎖又は分岐を有するアルキニル基、Ｃ２〜Ｃ18の直鎖又は分岐を有するアルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ18の直鎖又は分岐を有するアルキルチオ基、である。)
で表されるフタロシアニン誘導体をπ電子ドナーとすることを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
π電子アクセプターとしてＣ６０フラーレンまたはその類縁体を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
式（Ｉ）で表されるπ電子ドナーが正電荷と負電荷の両方の輸送について10-１ cm2 V-1 s-1以上の高速のキャリヤ移動度を示すことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
式（Ｉ）の化合物が、ゲル、高分子中に含まれる組成物であることを特徴とする光電変換素子。
【請求項５】
π電子ドナーが重合性官能基を有し、重合性官能基を光重合してなる薄膜を含む請求項１〜４のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項６】
式（Ｉ）の化合物とπ電子アクセプターが混合組成物を形成し、それを活性相として持つ請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記組成物を有機溶媒に溶かされた溶液を塗布または印刷してなることを特徴とする請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の光電変換素子を含む薄膜太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化１】
2012015251.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【化３】
2012015251.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部及び前記光電変換部で生じた信号を処理もしくは前記信号を読み出すための読み出し回路を有する画素を複数有し、前記複数の画素のうち所定数の画素からの信号を並列処理する複数の並列処理回路と、を有し、
前記複数の光電変換部は第１の基板に配され、前記読み出し回路及び前記並列処理回路が第２の基板に配されて、前記光電変換部からの信号を前記読み出し回路が受けるように、前記光電変換部と前記読み出し回路とが電気的に接続された固体撮像装置であって、
前記複数の並列処理回路に直流電圧を供給する直流電圧供給配線を有し、
前記直流電圧供給配線は、
前記第１の基板に配された第１の導電パターンと、前記第２の基板に配された第２の導電パターンとを、電気的に接続することにより構成されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の導電パターンは前記複数の画素が配される画素領域外に配されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素は、
フローティングディフュージョンと、
前記光電変換部の信号を前記フローティングディフュージョンへ転送する転送部と、
前記フローティングディフュージョンとゲートが電気的に接続された画素増幅部と、前記画素増幅部の入力ノードの電位をリセットする画素リセット部と、を含み、
前記フローティングディフュージョン及び前記転送部とが前記第１の基板に配され、前記画素増幅部と前記画素リセット部とが前記第２の基板に配されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記並列処理回路は、前記画素増幅部にバイアス電流を供給するための電流源回路を含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記並列処理回路は、前記画素から出力された信号を更に増幅する列増幅部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記並列処理回路は、複数の前記画素から並列に出力された後の信号を、並列に保持する信号保持部を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の導電パターンの面積は、前記第２の導電パターンの面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載に固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１の導電パターン及び前記第２の導電パターンは、前記第１及び第２の導電パターンとは異なる配線層に含まれる導電パターンを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
複数の画素と、前記複数の画素のうち所定数の画素からの信号を並列処理する複数の並列処理回路と、を有する固体撮像装置であって、
前記複数の画素の各々は、
光電変換部と、
フローティングディフュージョンと、
前記光電変換部の信号を前記フローティングディフュージョンへ転送する転送部と、
前記フローティングディフュージョンとゲートが電気的に接続された画素増幅部と、
前記画素増幅部の入力ノードの電位をリセットする画素リセット部と、を含み、
前記複数の画素からの信号は共通出力線に出力され、
前記光電変換部、前記フローティングディフュージョン、前記転送部、前記画素増幅部、前記画素リセット部とが第１の基板に配され、
前記共通出力線及び前記複数の並列処理回路は前記第２の基板に配され、
前記複数の並列処理回路に直流電圧を供給する直流電圧供給配線を有し、
前記直流電圧供給配線は、
前記第１の基板に配された第１の導電パターンと、前記第２の基板に配された第２の導電パターンとを、電気的に接続することにより構成されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の導電パターンは前記複数の画素が配される画素領域外に配されることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
複数の前記光電変換部で、前記画素増幅部、前記画素リセット部を共有することを特徴とする請求項９または１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記並列処理回路は、前記画素増幅部にバイアス電流を供給するための電流源回路を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記並列処理回路は、前記画素から出力された信号を更に増幅する列増幅部を含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記並列処理回路は、複数の前記画素から並列に出力された後の信号を、並列に保持する信号保持部を含むことを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第１の導電パターンの面積は、前記第２の導電パターンの面積よりも大きいことを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載に固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第１の導電パターン及び前記第２の導電パターンは、前記第１及び第２の導電パターンとは異なる配線層に含まれる導電パターンを介して電気的に接続されることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１（ａ）の配線基板のように、外部接続用パッドＰ２の径や配列ピッチがチップ接続用パッドＰ１に比べてかなり大きい場合は、人間が目視によってチップ搭載面Ａを容易に識別して特定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、近年、配線基板のさらなる高密度化が進められており、チップ接続用パッドＰ１と外部接続用パッドＰ２との間で径や配列ピッチに大きな差がなくなりつつある。そのような配線基板では、表裏面のパターン模様の違いがはっきりしないため、人間が目視によってチップ搭載面Ａと外部接続面Ｂとを識別することは困難である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
感光性樹脂層２６ａは透視性を有することから、感光性樹脂層２６ａを透視してその下の位置合わせマークＭを鮮明に画像認識できるので、高精度な位置合わせを安定して行うことができる。そして、フォトマスク４０を介して感光性樹脂層２６ａを露光した後に、現像を行う。その後に、感光性樹脂層２６ａを加熱処理して硬化させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
その後に、図６において、必要に応じて、外部接続用パッドＰ２に無電解めっきによってニッケル（Ｎｉ）層／金（Ａｕ）層を順に形成するなどしてコンタクト層（不図示）を形成する。コンタクト層として、下から順に、ニッケル（Ｎｉ）層／パラジウム（Ｐａ）層／金（Ａｕ層）を積層して形成してもよく、めっきによって形成される各種の積層膜を採用してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2012015158.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このため、配線基板上に複数の半導体チップを積層して搭載する構造を有する半導体パッケージに関して様々な構造が提案されている。また、このような半導体パッケージの製造方法に関しても、様々な技術が提案されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかし、半導体パッケージに関しては、２段目の半導体チップ以降は順次、外形サイズを小さくしていく必要があり、積層される半導体チップの外形寸法に制約がある点が課題であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここで、本願出願人において半導体パッケージ１００と同様の構造を有する半導体パッケージ２００（図９参照）の試作・検討を行ったところ、下記の点が課題として生じた。
先ず、半導体パッケージ２００の製造方法の概略を説明すると、第１の半導体チップ２１０の電極部に金（Ａｕ）バンプ２１１を形成し、第１の半導体チップ２１０が接続される配線基板２３０の電極部２３２にははんだコート２３７を形成する。次いで、ＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）に例示されるフィルム状の熱硬化性樹脂（以下、「熱硬化性樹脂フィルム」という）２０３を配線基板２３０に貼り付ける。次いで、第１の半導体チップ２１０の金（Ａｕ）バンプ２１１と、熱硬化性樹脂フィルム２０３を貼り付けた配線基板２３０のはんだコート部２３７とを加熱圧着によって接続を行う。その際に熱硬化性樹脂フィルム２０３が同時に硬化される。次いで、熱硬化性樹脂フィルム２０３を所定の温度、時間により完全に硬化させる。次いで、第１の半導体チップ２１０の上に、第２の半導体チップ２２０をダイボンディングにより接合するというものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体パッケージにおいて上層の半導体チップが、下層の半導体チップより外形が大きい場合に、上層の半導体チップの外縁部の下に空隙が発生することを防止して、接続の安定性およびモールドボイド発生の抑制を図ることが可能な半導体パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
開示の半導体パッケージによれば、上層の半導体チップが、下層の半導体チップより外形が大きい場合に、製造工程中において、上層の半導体チップの外縁部の下に空隙が発生することを防止することができる。
その結果、第２の半導体チップ上面の外縁部に設けられた電極部と配線基板上の電極部とをワイヤボンディングによって接続する際に、第２の半導体チップの外縁部の撓みが防止でき、接続の安定化を図ることができる。また、モールドを行う際に、モールドボイド発生の抑制を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
半導体パッケージ１は、配線基板３０上に第１の半導体チップ１０が搭載され、さらにその上に、第２の半導体チップ２０が搭載されて形成される半導体パッケージである。より具体的には、配線基板３０上に、熱硬化性樹脂フィルム３を介して加熱圧着によって第１の半導体チップ１０がフリップチップ接続されて、さらに、第１の半導体チップ１０上に、ダイボンディングによって第２の半導体チップ２０が接合されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以上の通り、開示の半導体パッケージおよびその製造方法によれば、熱硬化性樹脂フィルムを介して配線基板上に搭載される第１の半導体チップよりも、当該第１の半導体チップ上に搭載される第２の半導体チップの方が外形が大きい場合に、第２の半導体チップの外縁部（特にコーナー部）の直下まで、熱硬化性樹脂フィルムを充填させることができ、空隙の発生を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動遮断器定格設定を行う回路遮断器用の電子制御器（２２５、３２５）であって、
複数の回路遮断器定格を格納するメモリ（２０８、３０８）と、
前記メモリ（２０８、３０８）に格納された前記回路遮断器定格を選択する遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）と、
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）及び前記メモリ（２０８、３０８）に適切に作用可能に結合されたマイクロプロセッサ（２１２、３１２）と、を備え、
前記複数の回路遮断器定格の各々は、前記回路遮断器を通ることが許される最大電流の異なるアンペア定格であり、
前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）は、
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）により設定された前記回路遮断器定格内の定格を解釈し、
前記選択された回路遮断器定格に基づいて、前記回路遮断器に対する増幅利得調整を設定し、
前記選択された回路遮断器定格を前記メモリ（２０８、３０８）へ送信する、電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項２】
更に、
前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）に作用可能に結合され、前記増幅利得調整を設定する電子ポテンショメータ（２００）を備える、請求項１記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項３】
更に、
前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）に作用可能に結合され、前記増幅利得調整を設定する抵抗スイッチネットワーク（３００）を備える、請求項１記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項４】
更に、
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）及び前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）に作用可能に結合され、回路遮断器定格選択中に前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）に電力を供給する電池（２０７、３０７）を備える、請求項１乃至３のいずれか1項に記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項５】
前記電池（２０７、３０７）は、前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）の状態変化時に起動される、請求項４記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項６】
前記電池（２０７、３０７）は、前記回路遮断器に供給される外部電力が存在しない場合に起動される、請求項４記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項７】
前記電池（２０７、３０７）は、前記選択された回路遮断器定格の格納時に停止される、請求項４記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項８】
更に、
前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）に作用可能に結合され、前記回路遮断器により制御される負荷電流から導出された電流レベル示度を提供するアナログ−デジタル変換器（２１４、３１４）を備える、請求項１乃至７のいずれか1項に記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項９】
前記メモリ（２０８、３０８）は、不揮発性メモリである、請求項１乃至８のいずれか1項に記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項１０】
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）は、前記回路遮断器定格内の一組の所定定格の手動選択用スイッチバンクである、請求項１乃至９のいずれか1項に記載の電子制御器（２２５、３２５）。
【請求項１１】
回路遮断機の自動遮断器定格設定を行う方法であって、
マイクロプロセッサ（２１２、３１２）により遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）に入力された所望の回路遮断器定格であって、回路遮断器を通ることが許される最大
電流の異なるアンペア定格である前記所望の回路遮断器定格を検出する段階と、
前記所望の回路遮断器定格に基づいて前記回路遮断器の増幅利得の調整を設定する段階と、
前記回路遮断器のメモリ（２０８、３０８）に前記所望の回路遮断器定格を格納する段階とを含む方法。
【請求項１２】
回路遮断器用の電子制御器（２２５、３２５）であって、
複数の回路遮断器定格を格納するメモリ（２０８、３０８）と、
前記メモリ（２０８、３０８）に格納された前記回路遮断器定格を選択する遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）と、
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）及び前記メモリ（２０８、３０８）に適切に作用可能に結合されたマイクロプロセッサ（２１２、３１２）と、を備え、
前記複数の回路遮断器定格の各々は、前記回路遮断器を通ることが許される最大電流の異なるフルアンペア定格であり、
前記マイクロプロセッサ（２１２、３１２）は、
前記遮断器定格設定スイッチ（２０５、３０５）により設定された回路遮断器定格定格を解釈し、
前記選択された回路遮断器定格に対する前記回路遮断器のフルアンペア定格を設定し、
前記解釈された回路遮断器定格を前記メモリ（２０８、３０８）へ送信する、電子制御器（２２５、３２５）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレントな光を出射する少なくとも１つの光源と、
前記光源からの光を変調して画像光を出射する画像形成領域を持つライトバルブと、
前記光源からの光を前記画像形成領域に導く照明光学系と、
前記画像形成領域から出射された前記画像光を拡大投写する投写光学系と、
拡散素子と
を備え、
前記照明光学系は、前記光源からの光の光強度を均一化する光強度均一化素子を有し、
前記拡散素子は、前記光強度均一化素子の光出射端面の近傍に配置された
ことを特徴とする投写型表示装置。
【請求項２】
前記拡散素子は、前記光源からの光の進行方向に垂直な面内に複数の微細光学素子が規則的に配列された構造を持つことを特徴とする請求項１に記載の投写型表示装置。
【請求項３】
前記拡散素子は、前記複数の微細光学素子を該拡散素子の入射面及び出射面の少なくとも一方の面に配列した構造を有することを特徴とする請求項２に記載の投写型表示装置。
【請求項４】
前記拡散素子は、前記複数の微細光学素子を該拡散素子の入射面及び出射面の両方の面に配列した構造を有し、前記入射面側の微細光学素子と前記出射面側の微細光学素子は異なる形状であることを特徴とする請求項２に記載の投写型表示装置。
【請求項５】
前記複数の微細光学素子の各々は、プリズム形状の微細光学素子であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項６】
前記複数の微細光学素子の各々は、プリズム形状の微細光学素子の頂角側を切り欠いた形状に相当する断面が台形形状の微細光学素子であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項７】
前記拡散素子は、前記複数の微細光学素子としての複数のレンズ素子を２次元的に配列したレンズアレイであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項８】
前記光強度均一化素子は、内側に光反射面を有する断面多角形状の管状部材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項９】
前記光強度均一化素子は、側壁内側に光束を反射する全反射面を有し透明材料で構成された断面多角形状の柱状部材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項１０】
前記光源は、レーザ光源であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【請求項１１】
前記光強度均一化素子の当該光出射端面は、前記画像形成領域と光学的に共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の投写型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る投写型表示装置は、少なくとも１つの光源と、前記光源からの光を変調して画像光を出射する画像形成領域を持つライトバルブと、前記光源からの光を前記画像形成領域に導く照明光学系と、前記画像形成領域から出射された前記画像光を拡大投写する投写光学系と、拡散素子とを備え、前記照明光学系は、前記画像形成領域を均一に照明する光強度均一化素子を有し、前記拡散素子は、前記光強度均一化素子の光出射端面の近傍に配置されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図４（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態１に係る投写型表示装置における拡散素子５の形状を概略的に示す図である。図４（ａ）に示されるように、拡散素子５は、入射光束の進行方向に直交するＸ方向に長いプリズム形状の微細光学素子５１が、Ｘ方向及び入射光束の進行方向の両方に直交するＹ方向に多数配列された光入射面と、Ｙ方向に長いプリズム形状の微細光学素子５２がＸ方向に多数配列された光出射面とを有する拡散板である。レーザ光源１１からの伝搬光は、図２の光強度均一化素子４１により一方向に指向されて面状の拡散素子５に略垂直に入射する。図４（ａ）に示されるように、Ｘ方向に伸長する微細光学素子５１は、拡散素子５の基準面（レーザ光源１１からの伝搬光の進行方向に垂直な面）においてＹ方向（第１の方向）に繰り返し配列されている。拡散素子５の基準面は、Ｘ方向及びＹ方向の双方を含む面（Ｘ方向及びＹ方向の双方と平行な面）である。図４（ｂ）は、Ｙ方向を含み基準面ＢＰに垂直な面（第１の垂直面）と微細光学素子５１との交線を概略的に示す図である。図４（ｂ）に示されるように、各微細光学素子５１は、拡散素子５の基準面ＢＰから鋭角γ１１（反時計回りの角度）で傾斜する第１の側面５１ａと、基準面ＢＰから鈍角γ１２（反時計回りの角度）で傾斜（又は、時計回りの角度γ１３＝１８０°−γ１２で傾斜）する第２の側面５１ｂとを有している。すなわち、第１の側面５１ａと第１の垂直面との交線はＹ方向（Ｙが増加する＋Ｙ方向）に対して鋭角γ１１をなし、第２の側面５１ｂと第１の垂直面との交線はＹ方向に対して鈍角γ１２をなす。レーザ光源１１から伝搬した入射光は、これら第１及び第２の側面５１ａ，５１ｂの各々で屈折する。一方、Ｙ方向に伸長する微細光学素子５２は、拡散素子５の基準面においてＸ方向（第２の方向）に繰り返し配列されている。図４（ｃ）は、Ｘ方向を含み基準面ＢＰに垂直な面（第２の垂直面）と微細光学素子５２との交線を概略的に示す図である。図４（ｃ）に示されるように、各微細光学素子５２は、基準面ＢＰから鋭角γ１４（時計回りの角度）で傾斜する第１の側面５２ａと、基準面ＢＰから鈍角γ１５（時計回りの角度）で傾斜（又は、反時計回りの角度γ１６＝１８０°−γ１５で傾斜）する第２の側面５２ｂとを有している。すなわち、第１の側面５２ａと第２の垂直面との交線はＸ方向（Ｘが増加する＋Ｘ方向）に対して鋭角γ１４をなし、第２の側面５２ｂと第２の垂直面との交線はＸ方向に対して鈍角γ１５をなす。拡散素子５内部からの出射光は、これら第１及び第２の側面５２ａ，５２ｂの各々で屈折する。なお、本明細書において、全ての実施の形態でＸ方向とＹ方向は互いに直交しているが、これに限定されるものでなく、Ｘ方向とＹ方向は互いに異なる方向であればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施の形態２．
図１１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る投写型表示装置における拡散素子６の形状を概略的に示す図である。図１１（ａ）に示されるように、実施の形態２に係る投写型表示装置においては、拡散素子６の形状が、実施の形態１に係る投写型表示装置の拡散素子５（図４）の形状と相違する。図１１（ａ）に示されるように、実施の形態２における拡散素子６は、断面が台形状である四角柱状の微細光学素子をプリズム形状ではなく断面台形形状の構造を有している。配置場所に関しては実施の形態１と同様に、拡散素子６を光強度均一化素子４１の出射面４１ｂに配置するものとしたが、両面に異なる方向に配列してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウェア開発ライフ・サイクルにおけるソフトウェア試験方法であって、
デーモンが、ターゲットのコンピュータに対して少なくとも１つの自動化試験用システムを割り当て、
コード・リポジトリ同期化モジュールが、少なくとも１つの自動化試験の対象となるコードを情報源管理サーバから取得し、
リフレッシュ・モジュールが、クラスタ情報データベースをポーリングすることによって前記コードの試験に使用されるファイル情報を取得し、
構成インストーラ・モジュールが、分散コマンド・ハンドラー・モジュールを利用することによって、必要な設定スクリプトを含む、前記ターゲットのコンピュータ全域の構成をインストールし、
試験実行モジュールが、前記インストールされた構成及び、取得されたファイル情報に基づいて、前記コードに対して前記自動化試験用システムの実行を行い、
結果ハンドラー・モジュールが、前記自動化試験用システムの実行によって得られた試験結果を結果データベース・システムに記憶する、
ことを特徴とするソフトウェア試験方法。
【請求項２】
前記リフレッシュ・モジュールが、前記自動化試験用システムの実行前に前記クラスタ情報データベースをポーリングすることで必要情報を取得し、要求されている試験の位置とその試験をリフレッシュすべきかどうかを、すべてのリポジトリのリフレッシュを扱う前記コード・リポジトリ同期化モジュールに教えるステップ、
をも含むことを特徴とする請求項１に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項３】
スナップショット・モジュールが、前記自動化試験用システムのノードのすべてからログを取得し、前記自動化試験用システム中のすべてのノードにおける現在のデータベースのイメージであるスナップショットを取得し、前記スナップショットを試験実行のためのログとを一緒に記憶するステップ、
をも含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項４】
前記コード・リポジトリ同期化モジュールによって取得されたコードが複数あり、
前記複数のコードを融合するステップ、
をも含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項５】
機能試験すべてに利用できる共通機能を識別し、前記共通機能を共用ライブラリへ移動するステップ
をも含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項６】
共通機能のコンポーネントを共用ライブラリへ移すステップをも含むことを特徴とする請求項５に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項７】
実行のステップにおいて識別される統合コード中のエラーを識別し、修正するステップ
をも含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項８】
実行のステップにおいて自動化試験フレームワークを使用して少なくとも１つの試験スイートを実行する
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項９】
実行ステップ中に収集されるデータに応じて試験スイートを調整するステップを
も含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの自動化試験を含む自動化フレームワークを作成させるステップを
も含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項１１】
自動化フレームワークが共通ライブラリと、少なくとも１つの自動化試験を含む一連のサンプル試験ケースを
も含むことを特徴とする請求項１０に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項１２】
所与のソフトウェア機能に関して一組の機能試験に亘って使用すべき共通機能を識別することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のソフトウェア試験方法。
【請求項１３】
ソフトウェア開発ライフ・サイクルにおけるソフトウェア試験を行う装置であって、
ターゲットのコンピュータに対して少なくとも１つの自動化試験用システムを割り当てるデーモンと、
少なくとも１つの自動化試験の対象となるコードを情報源管理サーバから取得するコード・リポジトリ同期化モジュールと、
クラスタ情報データベースをポーリングすることによって前記コードの試験に使用されるファイル情報を取得するリフレッシュ・モジュールと、
分散コマンド・ハンドラー・モジュールを利用することによって、必要な設定スクリプトを含む、前記ターゲットのコンピュータ全域の構成をインストールする、構成インストーラ・モジュールと、
前記インストールされた構成及び、取得されたファイル情報に基づいて、前記コードに対して前記自動化試験用システムの実行を行う試験実行モジュールと、
前記自動化試験用システムの実行によって得られた試験結果を結果データベース・システムに記憶する結果ハンドラー・モジュールと
を有することを特徴とするソフトウェア試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実行中のアプリケーションをアクティブアプリケーションとして表示する第１表示部と、
前記第１表示部に重ねられるタッチセンサと、
前記タッチセンサへの接触が狭領域である場合には、前記アクティブアプリケーションに対する処理を行うと共に、
前記タッチセンサへの接触が広領域であり、当該接触が摺動される場合には、前記アクティブアプリケーションを他のアプリケーションに替える処理を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記タッチセンサへの接触の数に基づいて前記狭領域と前記広領域とを判断することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記制御部は、
前記タッチセンサへの接触が単一箇所の場合は前記狭領域にて接触されたと判断し、
前記タッチセンサへの接触が複数箇所の場合は前記広領域にて接触されたと判断することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１表示部に、前記アクティブアプリケーションとして実行中のアプリケーション、および前記他のアプリケーションの双方を切替の方向に配列された帯として表示させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記アクティブアプリケーションを表す帯は、前記他のアプリケーションを表す帯よりも幅広であることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記制御部は、前記接触の摺動を検知した場合に、前記アクティブアプリケーションとして実行中のアプリケーションを前記他のアプリケーションに切り替える処理を行うと共に、
前記他のアプリケーションを実行し、前記アクティブアプリケーションとする処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御部は、前記アクティブアプリケーションを表す帯に隣接する帯に対応する他のアプリケーションを実行し、前記アクティブアプリケーションとする処理を行うことを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記制御部は、前記摺動の基点にて表示される帯に対応する他のアプリケーションを実行し、前記アクティブアプリケーションとする処理を行なうことを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１表示部とは異なる面に配置される第２表示部をさらに備え、
前記制御部は、少なくとも前記アクティブアプリケーションを前記第１表示部に表示させ、少なくとも前記他のアプリケーションを前記第２表示部に表示させることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１表示部とは異なる面に配置される第２表示部をさらに備え、
前記制御部は、少なくとも前記アクティブアプリケーションを前記第１表示部に表示さ
せ、少なくとも前記他のアプリケーションの一部を前記第２表示部にも表示させることを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
実行中のアプリケーションを表示する第１表示部と、
前記第１表示部に重ねられるタッチセンサと、
前記タッチセンサへの接触の数と当該接触の摺動に基づいて、前記アクティブアプリケーションに対する処理、または前記アクティブアプリケーションを他のアプリケーションに替える処理を行う制御部と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続した製造方法で作られたワイヤグリッド偏光板であって、透過軸に直交方向の直線偏光を入射した時に、前記ワイヤグリッド偏光板の全体の透過光に対し、前記透過光中の透過軸方向の成分が５０％以下であることを特徴とするワイヤグリッド偏光板。
【請求項２】
ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続した製造方法で作られたワイヤグリッド偏光板であって、透過軸に直交方向の直線偏光を入射した時に、透過光として透過軸方向の成分が存在する部位のうち、その最少外接円の直径が２μｍ以上の領域が存在しないことを特徴とするワイヤグリッド偏光板。
【請求項３】
偏光度が９９％以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項４】
フィルム基材を用いることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項５】
投射型液晶表示装置用の偏光板であって、請求項１から請求項４のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項６】
光源と、その光源からの光を偏光分離する請求項１から請求項５のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板と、そのワイヤグリッド偏光板により偏光された光を透過または反射する、画素サイズが１〜２０μｍである液晶表示素子と、その液晶表示素子を透過または反射した光をスクリーンに投射する投射光学系と、を具備することを特徴とする投射型液晶表示装置。
【請求項７】
ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続したワイヤグリッド偏光板の製造方法であって、金属ワイヤを形成後に、前記金属ワイヤが塑性変形する力で加圧しないことを特徴とするワイヤグリッド偏光板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のワイヤグリッド偏光板は、ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続した製造方法で作られたワイヤグリッド偏光板であって、透過軸に直交方向の直線偏光を入射した時に、前記ワイヤグリッド偏光板の全体の透過光に対し、前記透過光中の透過軸方向の成分が５０％以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のワイヤグリッド偏光板は、ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続した製造方法で作られたワイヤグリッド偏光板であって、透過軸に直交方向の直線偏光を入射した時に、透過光として透過軸方向の成分が存在する部位のうち、その最少外接円の直径が２μｍ以上の領域が存在しないことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のワイヤグリッド偏光板の製造方法は、ロール状フィルム基材上に格子状凹凸形状を付与する工程と、前記格子状凹凸形状上に金属を成膜する工程を含む連続したワイヤグリッド偏光板の製造方法であって、金属ワイヤを形成後に、前記金属ワイヤが塑性変形する力で加圧しないことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のワイヤグリッド偏光板は、透過軸直交方向の直線偏光を入射した時に、ワイヤグリッド偏光板の全体の透過光に対し、透過光中の透過軸方向の成分が５０％以下であるために、高解像度液晶プロジェクターなど微細な画素で構成される装置に用いる場合であってもコントラストが高く、黒表示時の白抜けなどの画素欠陥を生じないものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイに用いる共通電極駆動回路であって、
前記液晶ディスプレーの共通電極層の複数の共通電圧入力端に接続し、前記複数の共通電圧入力端に共通電圧を入力する複数の出力端を備え、
入力した前記共通電圧が前記液晶ディスプレーのデータライン信号入力初端からデータライン信号入力終端へと次第に減少し、
前記共通電極層が前記液晶ディスプレーの画素電極と一緒に液晶を駆動するものである。
【請求項２】
請求項1に記載の共通電極駆動回路において、
前記複数の出力端は、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力初端に隣接する複数の第１の共通電圧入力端に接続し、前記複数の第１の共通電極入力端に第１の共通電圧を印加する第１の出力端と、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力終端に隣接する第2の共通電圧入力端に接続し、前記第2の共通電極入力端に第2の共通電圧を印加する第2の出力端と、を更に備え、
前記複数の第１の共通電圧入力端は、前記共通電極層のデータライン信号入力初端に隣接する側に分散に形成され、
前記複数の第２の共通電圧入力端は、前記共通電極層のデータライン信号入力終端に隣接する側に分散に形成され、
前記第２の共通電圧が前記第１の共通電圧より小さい。
【請求項３】
請求項1または２に記載の共通電極駆動回路において、入力した前記共通電圧がゲートライン開閉信号入力初端からゲートライン開閉信号入力終端へと次第に増大する。
【請求項４】
請求項３に記載の共通電極駆動回路において、
前記複数の出力端は、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力初端とゲートライン開閉信号入力終端との交差点に隣接する第3の共通電圧入力端に接続し、前記第3の共通電極入力端に第１の共通電圧を印加する第１の出力端と、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力終端ゲートライン開閉信号入力初端との交差点に隣接する第4の共通電圧入力端に接続し、前記第4の共通電極入力端に第2の共通電圧を印加する第2の出力端と、を更に備え、
前記第２の共通電圧が前記第１の共通電圧より小さい。
【請求項５】
請求項4に記載の共通電極駆動回路において、
前記複数の出力端は、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力初端とゲートライン開閉信号入力初端との交差点に隣接する第5の共通電圧入力端に接続し、前記第5の共通電極入力端に第3の共通電圧を印加する第3の出力端と、
共通電極層におけると共にデータライン信号入力終端とゲートライン開閉信号入力終端との交差点に隣接する第6の共通電圧入力端に接続し、前記第6の共通電極入力端に第4の共通電圧を印加する第4の出力端と、を更に備え、
前記第3の共通電圧と前記第4の共通電圧とがそれぞれ前記第2の共通電圧より大きく、且つそれぞれ前記第1の共通電圧より小さく、前記第３の共通電圧が前記第４の共通電圧より小さい。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の共通電極駆動回路において、前記第１の共通電圧入力端と第２の共通電圧入力端とのいずれかは、演算増幅器を介して対応する出力端に接続されている。
【請求項７】
請求項４または５に記載の共通電極駆動回路において、前記第3の共通電圧入力端と第4の共通電圧入力端とのいずれかは、演算増幅器を介して対応する出力端に接続されている。
【請求項８】
請求項５に記載の共通電極駆動回路において、前記第3の共通電圧入力端、第4の共通電圧入力端、第5の共通電圧入力端と第6の共通電圧入力端いずれかは、演算増幅器を介して対応する出力端に接続されている。
【請求項９】
液晶ディスプレイであって、
対向して配置されたアレイ基板とカラーフィルム基板とを備え、その中に液晶層が充填される液晶パネルと、
前記ゲートラインにゲート電極開閉信号を出力し、前記ゲートラインの片側に設置されて各ゲートラインに接続し、ゲート電極開閉信号を入力するゲート電極駆動器と、
前記データラインにデータ信号を出力するデータ駆動器と、
請求項１に記載の共通電極駆動回路と、を備え、
前記アレイ基板が第１の基板と、前記第１の基板に従横交差に形成された複数のゲートライン、データラインと、複数の画素電極と、を有する。
【請求項１０】
請求項9に記載の液晶ディスプレイにおいて、
前記共通電極駆動回路において、入力した前記共通電圧が更にゲートライン開閉信号入力初端からゲートライン開閉信号入力終端へと次第に増大する。
【請求項１１】
請求項9または１０に記載の液晶ディスプレイにおいて、
前記ゲートラインの他側に設置される他方のゲート電極駆動器を更に備え、
各ゲートラインが前記ゲート電極駆動器と前記他方のゲート電極駆動器に同時に連続される。
【請求項１２】
請求項9または１０に記載の液晶ディスプレイにおいて、
前記ゲートラインの他側にそれぞれスイッチによって各ゲートラインに接続するゲート電極導通電圧入力線とゲート電極オフ電圧入力線とが更に設置され、前記ゲート電極駆動器がゲートラインの一端からゲート電極導通電圧を入力するとき、前記ゲート電極導通電圧入力線をオンにさせ、該ゲートラインの他端からゲート電極導通電圧を同時に入力し、前記ゲート電極駆動器がゲートラインの一端からゲート電極オフ電圧を入力するとき、前記ゲート電極オフ電圧入力線をオンにさせ、該ゲートラインの他端からゲート電極オフ電圧を同時に入力し、前記共通電極駆動回路が前記液晶ディスプレーにおける共通電極層に接続する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の生産目標を実現できる設備で生産システムの動作を制御する制御システムであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサと動作可能に接続されたメモリと、
前記少なくとも１つのプロセッサを使用して、前記設備内の１つ以上の設備資源の利用の実行計画を提供するように動作する計画装置と、
前記設備のモデルと、
診断システムと、を備え、
前記診断システムは、
前記メモリに記憶される複数の診断抽象化要素であって、前記診断抽象化要素毎に複雑性が異なる前記設備の資源に関する１つ以上の障害仮定を表し、前記設備の資源に関する永続的な障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素と、断続的な障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素とを含み、それぞれ連続してより複雑な障害仮定を有する、複数の診断抽象化要素と、
前記設備の少なくとも１つの資源に対する少なくとも１つの障害状態表示と、前記設備の良好なまたは疑いのない資源のリストと、前記設備の不良のまたは疑わしい資源のリストと、前記設備の未知の資源のリストと、を含む信念モデルと、
診断装置と、を含み、
前記診断装置は、
前記少なくとも１つのプロセッサを使用して、前記複数の診断抽象化要素のうち、１つ以上の最も複雑でない障害仮定を有する第１の診断抽象化要素を最初に選択するように動作し、かつ、続いて、最後に選択された診断抽象化要素が前記信念モデル内の現在の障害状態表示と論理的に整合しないとき、前記診断抽象化要素のうち、より複雑な障害仮定を有する別の診断抽象化要素を選択するように動作する、抽象化診断構成要素と、
前記少なくとも１つのプロセッサを使用して、現在の設備状況を判定するように動作し、かつ、現在選択されている診断抽象化要素、前に実行された計画、前記設備からの少なくとも１つの対応する観察、および前記設備モデルに少なくとも部分的に基づいて、前記信念モデルを更新するように動作する領域診断構成要素と、を含み、
前記計画装置は、障害が有ることが判明しているまたは高い確率で障害があると推定される１つ以上の資源の使用を回避するために、前記信念モデルに基づいて生産性を改善するためのジョブをスケジュールする計画を少なくとも１つ生成する、
ことを特徴とする制御システム。
【請求項２】
請求項１に記載の制御システムであって、
前記複数の診断抽象化要素は、前記設備の資源に関する単一の障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素と、多重障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素とを含み、それぞれ連続してより複雑な障害仮定を有する、
ことを特徴とする制御システム。
【請求項３】
請求項１に記載の制御システムであって、
前記複数の診断抽象化要素は、前記設備の資源に関する相互作用障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素と、相互作用でない障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素とを含み、それぞれ連続してより複雑な障害仮定を有する、
ことを特徴とする制御システム。
【請求項４】
請求項３に記載の制御システムであって、
前記領域診断構成要素は、前記設備の２つ以上の相互作用に関係する少なくとも１つの相互作用障害を識別するように動作する、
ことを特徴とする制御システム。
【請求項５】
生産設備の資源の現在の状況を決定する方法であって、
プロセッサが、
複数の診断抽象化要素をメモリに記憶させるステップであって、前記診断抽象化要素毎に複雑性が異なる前記設備の資源に関する１つ以上の障害仮定を表し、前記設備の資源に関する永続的な障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素と、断続的な障害仮定を表す少なくとも１つの診断抽象化要素とを含み、それぞれ連続してより複雑な障害仮定を有する、複数の診断抽象化要素をメモリに記憶させるステップと、
前記設備の資源に関する１つ以上の最も複雑でない障害仮定を有する第１の診断抽象化要素を選択するステップと、
現在選択されている診断抽象化要素、前に実行された計画、設備からの少なくとも１つの対応する観察、および設備モデルに少なくとも部分的に基づいて、現在の設備状況を決定するステップと、
最後に選択された診断抽象化要素が現在の障害状態表示と論理的に整合しないとき、より複雑な障害仮定を有する別の診断抽象化要素を選択的に選択するステップと、
前記設備の少なくとも１つの資源に対する少なくとも１つの障害状態表示と、前記設備の良好なまたは疑いのない資源のリストと、前記設備の不良のまたは疑わしい資源のリストと、前記設備の未知の資源のリストとを含む信念モデルを前記メモリに維持するステップと、
現在選択されている診断抽象化要素、前に実行された計画、設備からの少なくとも１つの対応する観察、および設備モデルに少なくとも部分的に基づいて、信念モデルを更新するステップと、
障害が有ることが判明しているまたは高い確率で障害があると推定される１つ以上の資源の使用を回避するために、前記信念モデルに基づいて生産性を改善するためのジョブをスケジュールする計画を少なくとも１つ生成するステップと、
を実行することを特徴とする方法。