【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体基板および第２半導体基板を互いに重ね合わせて接合する基板接合装置であって、
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の間のずれを補正すべく、少なくとも前記第１半導体基板を変形させる変形部と、
前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送された前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに重ね合わせる重ね合わせ部と、
を備える基板接合装置。
【請求項２】
前記搬送部による搬送過程で前記変形を維持する維持部を備える請求項１に記載の基板接合装置。
【請求項３】
変形した前記第１半導体基板を保持する保持部を有し、前記搬送部により前記第１半導体基板と共に前記重ね合わせ部に搬送される基板ホルダを備え、
前記維持部は、前記保持部であり、前記保持部の保持力により前記変形が維持される請求項２に記載の基板接合装置。
【請求項４】
前記保持力は静電吸着力である請求項３に記載の基板接合装置。
【請求項５】
前記変形部は、少なくとも、前記基板ホルダに設けられ、保持した前記第１半導体基板に作用力を作用させる作用力発生部である請求項３または４に記載の基板接合装置。
【請求項６】
前記保持部は、前記作用力発生部により前記作用力を生じさせているときは、前記変形が生じる領域に隣接する領域において前記基板ホルダの吸着領域の保持を解除する請求項５に記載の基板接合装置。
【請求項７】
前記基板ホルダは、複数の領域に分割された保持面を有し、
前記作用力発生部は、前記複数の領域のそれぞれに対応して設けられ、それぞれ個別に制御される請求項５または６に記載の基板接合装置。
【請求項８】
前記変形部は、前記第１半導体基板に作用力を作用させる作用力制御部を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項９】
前記作用力制御部は、前記第１半導体基板の一部の領域に前記作用力を作用させる請求項８に記載の基板接合装置。
【請求項１０】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板にそれぞれ設けられた複数の位置合わせ指標の位置ずれが統計的に最小になる目標位置を算出する算出部を備え、
前記作用力制御部は、前記算出部による算出結果に基づいて前記一部の領域を決定する請求項９に記載の基板接合装置。
【請求項１１】
前記算出部は、前記複数の位置合わせ指標のうち前記一部の領域に含まれる位置合わせ指標、および、対応する前記第２半導体基板の位置合わせ指標を除いて前記目標位置を算出する請求項１０に記載の基板接合装置。
【請求項１２】
前記作用力制御部は、前記複数の位置合わせ指標のうち前記一部の領域に含まれる位置合わせ指標の、対応する前記第２半導体基板の位置合わせ指標に対する位置ずれ量に基づいて、前記作用力を決定する請求項１０または１１に記載の基板接合装置。
【請求項１３】
前記作用力制御部は、前記第１半導体基板の前記一部の領域を吸着しつつ伸長または収縮させることにより前記作用力を作用させる請求項９から１２のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項１４】
前記作用力制御部は、前記第２半導体基板の全体を吸着しつつ伸長または収縮させることにより前記作用力を作用させる請求項１３に記載の基板接合装置。
【請求項１５】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部を備え、
前記位置合わせ部は、前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の位置合わせおよび重ね合わせを行う請求項１から４および８から１４のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項１６】
前記変形部は、前記位置合わせ部による位置合わせ結果に基づいて変形量を設定し、前記位置合わせ部により前記第１半導体基板および前記第２半導体基板が互いに重ね合される前に前記変形を生じさせる請求項１５に記載の基板接合装置。
【請求項１７】
前記位置合わせ部は、前記第１半導体基板を保持する第１ステージと、前記第２半導体基板を保持する第２ステージとを備え、
前記第１ステージは、その保持力により前記第１半導体基板の前記変形を維持する請求項１５または１６に記載の基板接合装置。
【請求項１８】
前記第１ステージは、少なくとも前記変形部により前記変形を生じさせているときは、前記第１半導体基板の前記変形が生じる領域に対応する保持領域による保持を解除する請求項１７に記載の基板接合装置。
【請求項１９】
前記搬送部は、前記位置合わせ部により互いに重ね合された前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を前記重ね合わせ部に搬送し、
前記重ね合わせ部は、互いに重ね合された前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を接合する請求項１５から１８のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２０】
前記位置合わせ部は前記重ね合わせ部であり、
前記搬送部は、前記変形部により変形された前記第１半導体基板を前記変形部から前記位置合わせ部に搬送する請求項１５から１８のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２１】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部を備え、
前記位置合わせ部は、前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の位置合わせおよび重ね合わせを行う請求項５から７のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２２】
重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧して、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板を接合する接合部を備える請求項１から４および８から２０のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２３】
前記接合部は、前記変形を維持しつつ重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧した後、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加熱する請求項２２に記載の基板接合装置。
【請求項２４】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板が接合されるまで、前記変形が維持される請求項２２または２３に記載の基板接合装置。
【請求項２５】
前記第１半導体基板と前記第２半導体基板の間に温度差を生じさせる温度制御部を更に備え、
前記温度制御部は、前記温度差により前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の少なくとも一方に変形を生じさせる請求項１から２４のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２６】
前記接合部は前記重ね合わせ部であり、
前記搬送部は、前記変形部により変形された前記第１半導体基板を前記変形部から前記接合部に搬送する請求項２２から２４のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２７】
重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧して、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板を接合する接合部を備える請求項５から７のいずれか一項に記載の基板接合装置。
【請求項２８】
前記変形部は、前記第１半導体基板を温調することにより前記第１半導体基板を変形させ、
前記維持部は、前記第１半導体基板の温度を保つ保温部を有する請求項２に記載の基板接合装置。
【請求項２９】
基板を保持し、複数の領域に分割された保持面と、
前記複数の領域のそれぞれに対応して設けられ、前記基板を吸着する複数の吸着部と、
前記複数の領域のそれぞれに対応して設けられ、前記基板の面方向に伸縮する複数の作用力発生部と、
を備える基板ホルダ。
【請求項３０】
前記複数の吸着部による前記基板の吸着力は、前記複数の作用力発生部の少なくともひとつにより変形された前記基板の変形を維持する請求項２９に記載の基板ホルダ。
【請求項３１】
第１半導体基板および第２半導体基板を互いに重ね合わせて接合する基板接合方法であって、
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の間のずれを補正すべく、少なくとも前記第１半導体基板を変形させる変形ステップと、
前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板を搬送する搬送ステップと、
前記搬送ステップにより搬送された前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに重ね合わせる重ね合わせステップと、
を含む基板接合方法。
【請求項３２】
前記搬送ステップによる搬送過程で前記変形を維持する維持ステップを含む請求項３１に記載の基板接合方法。
【請求項３３】
前記搬送ステップで前記第１半導体基板と共に前記重ね合わせ部に搬送される基板ホルダに、変形した前記第１半導体基板を保持する保持ステップを含み、
前記維持ステップは、前記基板ホルダの保持力により前記変形を維持する請求項３２に記載の基板接合方法。
【請求項３４】
前記保持力は静電吸着力である請求項３３に記載の基板接合方法。
【請求項３５】
前記変形ステップは、前記基板ホルダに設けられた作用力発生部を制御することにより前記第１半導体基板に作用力を作用させる請求項３３または３４に記載の基板接合方法。
【請求項３６】
前記変形ステップで前記作用力を生じさせているときは、前記変形が生じる領域に隣接する領域において前記基板ホルダの吸着領域の保持を解除する請求項３５に記載の基板接合方法。
【請求項３７】
前記変形ステップは、複数の領域に分割された前記基板ホルダの保持面の前記複数の領域のそれぞれに対応して設けられた複数の前記作用力発生部をそれぞれ個別に制御する請求項３５または３６に記載の基板接合方法。
【請求項３８】
前記変形ステップは、前記第１半導体基板に作用力を作用させる作用力制御ステップを含む請求項３１から３４のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項３９】
前記作用力制御ステップは、前記第１半導体基板の一部の領域に前記作用力を作用させる請求項３８に記載の基板接合方法。
【請求項４０】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板にそれぞれ設けられた複数の位置合わせ指標の位置ずれが統計的に最小になる目標位置を算出する算出ステップを含み、
前記作用力制御ステップは、前記算出ステップによる算出結果に基づいて前記一部の領域を決定する請求項３９に記載の基板接合方法。
【請求項４１】
前記算出ステップは、前記複数の位置合わせ指標のうち前記一部の領域に含まれる位置合わせ指標、および、対応する前記第２半導体基板の位置合わせ指標を除いて前記目標位置を算出する請求項４０に記載の基板接合方法。
【請求項４２】
前記作用力制御ステップは、前記複数の位置合わせ指標のうち前記一部の領域に含まれる位置合わせ指標の、対応する前記第２半導体基板の位置合わせ指標に対する位置ずれ量に基づいて、前記作用力を決定する請求項４０または４１に記載の基板接合方法。
【請求項４３】
前記作用力制御ステップは、前記第１半導体基板の前記一部の領域を吸着しつつ伸長または収縮させることにより前記作用力を作用させる請求項３９から４２のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項４４】
前記作用力制御ステップは、前記第２半導体基板の全体を吸着しつつ伸長または収縮させることにより前記作用力を作用させる請求項４３に記載の基板接合方法。
【請求項４５】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせステップを含み、
前記位置合わせステップは、前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の位置合わせおよび重ね合わせを行う請求項３１から３４および３８から４４のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項４６】
前記変形ステップは、前記位置合わせステップによる位置合わせ結果に基づいて変形量を設定し、前記位置合わせステップにより前記第１半導体基板および前記第２半導体基板が互いに重ね合される前に前記変形を生じさせる請求項４５に記載の基板接合方法。
【請求項４７】
前記位置合わせステップは、前記第１半導体基板を保持する第１ステージの保持力により前記第１半導体基板の前記変形を維持する請求項４５または４６に記載の基板接合方法。
【請求項４８】
少なくとも前記変形ステップにより前記変形を生じさせているときは、前記第１半導体基板の前記変形が生じる領域に対応する保持領域による保持を解除する請求項４７に記載の基板接合方法。
【請求項４９】
前記搬送ステップは、互いに重ね合された前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を前記重ね合わせステップを行う重ね合わせ部に搬送し、
前記重ね合わせステップでは、互いに重ね合された前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を接合する請求項４５から４８のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５０】
前記位置合わせステップは前記重ね合わせステップであり、
前記搬送ステップは、前記変形ステップにより変形された前記第１半導体基板を、前記変形ステップを行う変形部から前記位置合わせステップを行う位置合わせ部に搬送する請求項４５から４８のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５１】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせステップを含み、
前記位置合わせステップは、前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の位置合わせおよび重ね合わせを行う請求項３５から３７のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５２】
重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧して、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板を接合する接合ステップを含む請求項３１から３４および３８から５０のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５３】
前記接合ステップは、前記変形を維持しつつ重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧した後、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加熱する請求項５２に記載の基板接合方法。
【請求項５４】
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板が接合されるまで、前記変形が維持される請求項５２または５３に記載の基板接合方法。
【請求項５５】
前記第１半導体基板と前記第２半導体基板の間に温度差を生じさせる温度制御ステップを更に含み、
前記温度制御ステップは、前記温度差により前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の少なくとも一方に変形を生じさせる請求項３１から５４のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５６】
前記接合ステップは前記重ね合わせステップであり、
前記搬送ステップは、前記変形ステップで変形された前記第１半導体基板を、前記変形ステップを行う変形部から前記接合ステップを行う接合部に搬送する請求項５２から５４のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５７】
重ね合わされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を加圧して、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板を接合する接合ステップを含む請求項３５から３７のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５８】
前記変形ステップは、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板が単層基板と積層基板であるときに、前記単層基板を変形させる請求項３１から５７のいずれか一項に記載の基板接合方法。
【請求項５９】
前記変形ステップは、前記第１半導体基板を温調することにより前記第１半導体基板を変形させ、
前記維持ステップは、前記第１半導体基板の温度を保つ保温部を有する請求項３２に記載の基板接合方法。
【請求項６０】
第１半導体基板と第２半導体基板を重ね合わせて接合することにより製造されるデバイスの製造方法であって、
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の間のずれを補正すべく、少なくとも前記第１半導体基板を変形させる変形ステップと、
前記変形が維持された状態で前記第１半導体基板を搬送する搬送ステップと、
前記搬送ステップにより搬送された前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに重ね合わせる重ね合わせステップと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項６１】
第１半導体基板および第２半導体基板を互いに位置合わせする位置合わせ装置であって、
前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の間のずれを補正すべく、少なくとも前記第１半導体基板を変形させる変形部と、
前記第１半導体基板に生じた変形が維持された状態で前記第１半導体基板および前記第２半導体基板の位置合わせを行う位置合わせ部と、
を備える位置合わせ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイス製造方法および位置合わせ装置