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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁金属の多孔質体からなる陽極と、陽極表面が酸化されて形成された誘電体層と、誘電体層表面に形成された固体電解質層とを具備するキャパシタにおいて、
固体電解質層は、
カチオン化された導電性高分子（ａ）と、
ポリマーアニオン塩（ｂ）、又はポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）と、
エーテル化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物及びアクリル化合物から選ばれる１種以上の導電性向上剤（ｄ）と、
融点が４０℃以上２８０℃以下であり、分子内に４個以上の水酸基を有する脂肪族性化合物（ｅ）と、を含み、
固体電解質層は、導電性高分子（ａ）及びポリマーアニオン塩（ｂ）、又は導電性高分子（ａ）、ポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）の総量１００質量部に対して、５０質量部以上の脂肪族性化合物（ｅ）を含むことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記脂肪族性化合物（ｅ）は、マルトース、グルコース及びキシロースの少なくとも１つを含む糖類であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記脂肪族性化合物（ｅ）は、キシリトール、エリスリトール、マンニトール及びペンタエリスリトールの少なくとも１つを含む糖アルコール類であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記導電性向上剤（ｄ）は、下記式Ｉに示すエーテル化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のキャパシタ。
（Ｉ）  Ｘ−（Ｒ−Ｏ）ｎ−Ｙ
（式（Ｉ）中、Ｒは、置換又は未置換のアルキレン、置換又は未置換のアルケニレン、置換又は未置換のフェニレンからなる群より選ばれる１種以上を表す。Ｘは、水素原子、ヒドロキシル基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアルコキシル基からなる群より選ばれる１種以上を表す。Ｙは、水素原子、置換又は未置換のアルキル基からなる群より選ばれる１種以上を表す。ｎは、２〜２，０００の整数である。）
【請求項５】
前記エーテル化合物は、Ｙが水素又はアルキルであることを特徴とする請求項４に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記固体電解質層は、前記エーテル化合物と、前記アミド基を有する化合物、前記イミド基を有する化合物、前記ラクタム化合物、前記グリシジル基を有する化合物及び前記アクリル化合物から選ばれる１種以上の化合物とを含むことを特徴とする請求項４または５に記載のキャパシタ。
【請求項７】
さらに、ポリエステル類、ポリウレタン類、アクリル類、エポキシ類、ポリアミド類、ポリアクリルアミド類及びシランカップリング剤類から選ばれる１種類以上のバインダ樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記固体電解質層は、前記誘電体層と接することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項９】
前記陽極と前記陰極との間に、セパレータを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１０】
さらに、電解液を有することを特徴とする請求項９に記載のキャパシタ。
【請求項１１】
さらに、７質量％以下の水分（ｆ）を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１２】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の４質量％以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１３】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の０．１質量％より多いことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１４】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の０．８５質量％以上であり、２．４質量％以下であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１５】
弁金属の多孔質体からなる陽極と、陽極表面が酸化されて形成された誘電体層と、誘電体層表面に形成された固体電解質層とを具備するキャパシタの製造方法において、
固体電解質層は、
カチオン化された導電性高分子（ａ）と、
ポリマーアニオン塩（ｂ）、又はポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）と、
エーテル化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物及びアクリル化合物から選ばれる１種以上の導電性向上剤（ｄ）と、
融点が４０℃以上２８０℃以下であり、分子内に４個以上の水酸基を有する脂肪族性化合物（ｅ）と、
水を主成分とする溶媒とを含み、
固体電解質層は、導電性高分子（ａ）及びポリマーアニオン塩（ｂ）、又は導電性高分子（ａ）、ポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）の総量１００質量部に対して、５０質量部以上の脂肪族性化合物（ｅ）を含み、ｐＨ３〜１２に調整された導電性高分子（ａ）溶液を、浸漬または塗布し、乾燥することによって、７質量％以下の水分（ｆ）を含むように形成されたことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項１６】
前記乾燥は、１５０℃以上の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１５に記載のキャパシタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁金属の多孔質体からなる陽極と、陽極表面が酸化されて形成された誘電体層と、誘電体層表面に形成された固体電解質層とを具備するキャパシタにおいて、
固体電解質層は、
カチオン化された導電性高分子（ａ）と、
ポリマーアニオン塩（ｂ）、又はポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）と、
ポリエステル類、ポリウレタン類、アクリル類、エポキシ類、ポリアミド類、ポリアクリルアミド類及びシランカップリング剤類から選ばれる１種類以上の結合剤（ｄ）と、
糖類及び／または糖アルコール類からなる酸化阻害成分（ｅ）と、
を含み、固体電解質層は、導電性高分子（ａ）とポリマーアニオン塩（ｂ）、又は導電性高分子（ａ）、ポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）の総量１００質量部に対して、１０〜２００質量部の結合剤（ｄ）、５０質量部以上の酸化阻害成分（ｅ）を含むことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記酸化阻害成分（ｅ）は、キシロース、グルコース及びマルトースの少なくとも１つを含む糖類であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記酸化阻害成分（ｅ）は、キシリトール、エリスリトール、マンニトール及びペンタエリスリトールの少なくとも１つを含む糖アルコール類であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項４】
さらに、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物、アクリル化合物から選ばれる１種以上の導電性向上剤を含み、該導電性向上剤が、前記導電性高分子（ａ）及び前記ポリマーアニオン塩（ｂ）、又は前記導電性高分子（ａ）、前記ポリマーアニオン塩（ｂ）及び前記アニオン塩（ｃ）の総量より多く含まれることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記固体電解質層は、前記誘電体層と接することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記陽極と前記陰極との間に、セパレータを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項７】
さらに、電解液を有することを特徴とする請求項６に記載のキャパシタ。
【請求項８】
さらに、７質量％以下の水分（ｆ）を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項９】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の４質量％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１０】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の０．１質量％より多いことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１１】
前記水分（ｆ）は、前記固体電解質の０．８４質量％以上であり、３．４質量％以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のキャパシタ。
【請求項１２】
弁金属の多孔質体からなる陽極と、陽極表面が酸化されて形成された誘電体層と、誘電体層表面に形成された固体電解質層とを具備するキャパシタの製造方法において、
固体電解質層は、
カチオン化された導電性高分子（ａ）と、
ポリマーアニオン塩（ｂ）、又はポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）と、
ポリエステル類、ポリウレタン類、アクリル類、エポキシ類、ポリアミド類、ポリアクリルアミド類及びシランカップリング剤類から選ばれる１種類以上の結合剤（ｄ）と、
糖類及び／または糖アルコール類からなる酸化阻害成分（ｅ）と、
溶媒とを含み、
固体電解質層は、導電性高分子（ａ）とポリマーアニオン塩（ｂ）、又は導電性高分子（ａ）、ポリマーアニオン塩（ｂ）及びアニオン塩（ｃ）の総量１００質量部に対して、
１０〜２００質量部の結合剤（ｄ）、５０質量部以上の酸化阻害成分（ｅ）を含み、ｐＨ３〜１２に調整された導電性高分子溶液を、浸漬または塗布し、乾燥することによって、
７質量％以下の水分（ｆ）を含むように形成されたことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項１３】
前記乾燥は、１５０℃以上の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１２に記載のキャ
パシタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
枠部と前記枠部から延びたリードとを含むリードフレームと、前記リードに結合した樹脂部材と、前記枠部と前記樹脂部材とを連結する連結部材とを備える部品を準備する第１工程と、
前記樹脂部材に半導体素子を搭載し、前記半導体素子のパッドを前記リードに接続する第２工程と、
前記リードを切断することによって、前記リードと前記枠部とを切り離す第３工程と、
前記第３工程の後に、前記半導体素子を封止するように透明部材を前記樹脂部材に接着する第４工程と、
前記第４工程の後に、前記連結部材を切断することによって、前記リード、前記樹脂部材、前記透明部材及び前記半導体素子を備える半導体装置を前記枠部から分離する第５工程と
を有し、
前記連結部材の切断に要する荷重は、前記リードの切断に要する荷重よりも小さいことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記リードフレームは金属で形成されており、
前記連結部材と前記樹脂部材とは同じ種類の樹脂で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームは前記枠部と前記樹脂部材とを連結する支持部をさらに含み、
前記第４工程の前に、前記支持部を切断する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂部材はくびれ部を有し、
前記第５工程において、前記連結部材の前記くびれ部を切断する
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第４工程の前に、前記リードのうち前記樹脂部材から露出した部分を曲げる工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記部品は一つの前記リードフレームに対して複数の前記樹脂部材を備え、
前記第５工程において、前記一つのリードフレームから複数の前記半導体装置を分離する
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記半導体素子は固体撮像素子であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
半導体装置の製造方法において用いられる部品であって、
枠部と前記枠部から延びたリードとを含むリードフレームと、
前記リードに結合した樹脂部材と、
前記枠部と前記樹脂部材とを連結する連結部材と
を備え、
前記連結部材の切断に要する荷重は、前記リードの切断に要する荷重よりも小さいことを特徴とする部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一つの側面に係る半導体装置の製造方法は、枠部と前記枠部から延びたリードとを含むリードフレームと、前記リードに結合した樹脂部材と、前記枠部と前記樹脂部材とを連結する連結部材とを備える部品を準備する第１工程と、前記樹脂部材に半導体素子を搭載し、前記半導体素子のパッドを前記リードに接続する第２工程と、前記リードを切断することによって、前記リードと前記枠部とを切り離す第３工程と、前記第３工程の後に、前記半導体素子を封止するように透明部材を前記樹脂部材に接着する第４工程と、前記第４工程の後に、前記連結部材を切断することによって、前記リード、前記樹脂部材、前記透明部材及び前記半導体素子を備える半導体装置を前記枠部から分離する第５工程とを有し、前記連結部材の切断に要する荷重は、前記リードの切断に要する荷重よりも小さいことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る部品は、半導体装置の製造方法において用いられる部品であって、枠部と前記枠部から延びたリードとを含むリードフレームと、前記リードに結合した樹脂部材と、前記枠部と前記樹脂部材とを連結する連結部材とを備え、前記連結部材の切断に要する荷重は、前記リードの切断に要する荷重よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の強磁性素材に内空間部が形成され、前記強磁性素材の外周側に、前記内空間部により幅が狭められ、且つ、非溶融の弱磁性部が形成された複数の連結部を有する複合磁性部材の製造方法において、前記強磁性素材を６００〜９００℃の温度に予熱し、次いで、前記強磁性素材の外周を囲んで配置した高周波コイルより高周波を印加して、前記複数の連結部を自己発熱させて、前記連結部に非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織を有する弱磁性部を形成することを特徴とする複合磁性部材の製造方法。
【請求項２】
弱磁性部の形成は、強磁性素材を回転させながら行うことを特徴とする請求項１に記載の複合磁性部材の製造方法。
【請求項３】
強磁性素材は、質量％でＣ：０．３０〜１．２０％、Ｓｉ：０．１０〜３．０％、Ｍｎ：０．１０〜４．０％、Ｎｉ：４．０％以下（０を含む）、Ｃｒ：４．０〜２０．０％、Ａｌ：２．０％以下（０を含む）、残部がＦｅ及び不純物の組成でなることを特徴とする請求項１または２に記載の複合磁性部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
更に本発明者は、上述の特許文献１に記載するような単一の素材で強磁性部と弱磁性部を具備する複合磁性部材の製造方法として、例えば、特開２００４−２８１７３７号（特許文献２）では、強磁性素材の外周側に外周からの幅が他の部分よりも狭い連結部を形成し、次に、強磁性素材の外周側より高周波を印加して、前記連結部を発熱させて、強磁性素材の一部に弱磁性部を形成する複合磁性部材の製造方法を提案した。
この特許文献２で提案した複合磁性部材の製造方法によれば、複合磁性部材の弱磁性部における巨視的な割れや変形、寸法精度の悪さの問題を改善することができ、しかも、複数の連結部を同時且つ優先的に自己発熱させて、該連結部に非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織を有する弱磁性部を形成することができる複合磁性部材の製造方法として画期的なものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、板状の強磁性素材に内空間部が形成され、前記強磁性素材の外周側に、前記内空間部により幅が狭められ、且つ、非溶融の弱磁性部が形成された複数の連結部を有する複合磁性部材の製造方法において、前記強磁性素材を６００〜９００℃の温度に予熱し、次いで、前記強磁性素材の外周を囲んで配置した高周波コイルより高周波を印加して、前記複数の連結部を自己発熱させて、前記連結部に非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織を有する弱磁性部を形成する複合磁性部材の製造方法である。
上述の複合磁性部材の製造方法において、弱磁性部の形成は、強磁性素材を回転させながら行うと良い。
また、本発明で用いる強磁性素材は、質量％でＣ：０．３０〜１．２０％、Ｓｉ：０．１０〜３．０％、Ｍｎ：０．１０〜４．０％、Ｎｉ：４．０％以下（０を含む）、Ｃｒ：４．０〜２０．０％、Ａｌ：２．０％以下（０を含む）、残部がＦｅ及び不純物の組成でなるものを用いると良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、予熱した強磁性素材に弱磁性部を形成する。
予熱した強磁性素材の外周を囲んで配置した高周波コイルより高周波を印加すると、被加熱体である強磁性素材には、誘起電流が発生するが、外周側、すなわち高周波を印加される側に、内空間部により強磁性素材の幅が狭められた連結部が形成される如き形状となっているため、誘起電流は空間部部分を流れることができない。そのため、連結部を流れる電流密度が、他の部分を流れる電流密度よりも高くなり、連結部のみを同時かつ優先的に自己発熱させて、連結部を非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織の弱磁性部にすることができる。
なお、本発明で言う非溶融のオーステナイトを主体とする金属組織とは、弱磁性部の金属組織を光学顕微鏡で観察した際、デンドライト等の溶融凝固組織が認めらない非溶融の組織であり、かつオーステナイトの結晶粒界が明瞭に観察される組織を指す。また、本発明で言う弱磁性の好ましい範囲は、振動試料型磁束計を用いて外部磁場１Ｔ（テスラ）の条件で弱磁性部を磁化した際の飽和磁化（Ｊ値）が０．１Ｔ以下の範囲である。更に好ましくは、Ｊ値が０．０５Ｔ以下であるとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、脱水化又は脱水素化のための加熱処理を行う工程を経て形成されたものであることを特徴とする電圧調整回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層の上方に酸化物絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物絶縁層へ水素、水分、水酸基又は水素化物を拡散させる工程を経て形成されたものであることを特徴とする電圧調整回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタのオフ電流は１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする電圧調整回路。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方に向かって放射状に白色光を出射させる光源と、
前記光源の前方に配置され、光軸を中心とする同心円状の複数のプリズムを一面に有して前記光源から出射される前記白色光の配向を制御するレンズシートと、を備える照明装置において、
前記光源は、所定の波長の光を発光する発光素子と、前記発光素子から出射される前記所定の波長の光を受けて蛍光を発する蛍光体が分散され前記発光素子を覆う封止体と、を有し、
前記レンズシートは、隣接する前記プリズムとは焦点距離が互いに異なる前記プリズムを含むことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記レンズシートは、前記複数のプリズムの少なくとも一部のプリズムが、前記光軸からの距離に応じて焦点距離が変化するように形成された領域を含む請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
光軸寄りの領域に、屈折作用を有する複数の屈折プリズムが、前記光軸から離れるほど焦点距離が大きくなるように形成されている請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記複数の屈折プリズムが形成される領域の外周側の領域に、反射作用を有する複数の反射プリズムが形成されている請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記複数の反射プリズムは、前記光軸に近づくほど焦点距離が大きくなるように形成されている請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記複数の反射プリズムは、前記光軸からの距離に関係なく焦点距離がランダムに変化するように形成されている請求項４に記載の照明装置。
【請求項７】
前記レンズシートは、前記複数のプリズムの少なくとも一部のプリズムが、前記光軸からの距離に関係なく焦点距離がランダムに変化するように形成された領域を含む請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
前記レンズシートは、前記複数のプリズムの全てが、前記光軸からの距離に応じた領域ごとの態様で焦点距離が変化するように形成されている請求項１に記載の照明装置。
【請求項９】
前記レンズシートは、前記複数のプリズムの中に、隣接するプリズムとの間に平坦面が形成されているプリズムを含む請求項１から８のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記光源は、青色系の光を発光する青色発光ダイオードと、青色系の光を受光して黄色系の光に変換する蛍光体により構成されている請求項１から９のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる発明によれば、白色光源の前方に配置されるレンズシートは、隣接するプリズムとは焦点距離が互いに異なる焦点距離のプリズムを含んでいる。ところで、複数のプリズムの各々に入射した光は、各プリズムの焦点距離に応じた角度で光軸に対して傾いて前方に導かれる。したがって、焦点距離が互い異なるプリズムに入射した光の各々は、互いに交差（混合）するように前方に進行する。このため、発光素子と蛍光体とからなる擬似白色光源から出射された色むらを有する光を同レンズシートに入射させた場合には、各プリズムの焦点距離の大きさに応じて混色（平均化）され、この結果、色むらが低減された照明光を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この場合、前記レンズシートは、前記複数のプリズムの少なくとも一部のプリズムが、前記光軸からの距離に応じて焦点距離が変化する領域を含むように形成されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このように、所定の領域に存在する複数のプリズムの焦点距離を、光軸からの距離に応じて変化させることにより、色むらの低減効果が有効に発揮されるとともに、レンズシートの設計および作製が容易になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この場合、光軸寄りの領域に、屈折作用を有する複数の屈折プリズムが、前記光軸から離れるほど焦点距離が大きくなるように形成されているのが好ましい。
かかる発明によれば、光軸寄りの領域である中心部に形成された屈折作用を有する複数の屈折プリズムに入射した光は、入射した位置に応じて光軸に対して様々な角度で外周側に傾く（複数の屈折プリズムの各々が中心部において外周側に位置するほど光軸に対する傾き角が大きくなる）ようにして進行する。これにより、中心部から出射した光と中心部の外周側（中心部よりも外周側）の領域である外周部から出射した光とが互いに混合され、色むらの低減効果がより一層有効に発揮される。また、後述する理由により（段落００４７）、より一層高効率な照明光を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記複数の屈折プリズムが形成される領域の外周側の領域に、反射作用を有する複数の反射プリズムが形成されていてもよい。
この場合、前記複数の反射プリズムは、前記光軸に近づくほど焦点距離が大きくなるように形成されていてもよいし、前記光軸からの距離に関係なく焦点距離がランダムに変化するように形成されていてもよい。
かかる発明によれば、レンズシートは、中心部（光軸寄りの領域）に屈折プリズムが形成され、外周部（中心部の外周側）に反射作用を有する複数の反射プリズムが形成されている。このため、従来技術で説明したように、高効率で強度の均一性に優れた出射光を得ることができるとともに、色むらの低減効果がより一層有効に発揮される。
また、前記レンズシートは、前記複数のプリズムの少なくとも一部のプリズムが、前記光軸からの距離に関係なく焦点距離がランダムに変化するように形成された領域を含んでいてもよい。
また、前記レンズシートは、前記複数のプリズムの全てが、光軸からの距離に応じた領域ごとの態様で焦点距離が変化するように形成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アルミニウム基板と、
前記酸化アルミニウム基板の厚み方向に貫通して形成された多数の貫通導体と、
前記酸化アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成され、接続パッドが配置される部分に開口部が設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の開口部に形成されて、複数の前記貫通導体の一端側に接続され、かつ無電解めっきにより形成された錫又は錫合金層からなる前記接続パッドとを有し、
少なくとも前記絶縁層の開口部内において、前記貫通導体が前記酸化アルミニウム基板の外面から突出するか又は沈み込むことで凹凸が設けられており、
前記貫通導体又は前記酸化アルミニウム基板が上側に突出している部分が前記接続パッドの中に埋め込まれていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム基板の両面側に、前記絶縁層の開口部が対向した状態で前記絶縁層がそれぞれ形成されており、
前記両面側の絶縁層の開口部に前記接続パッドがそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記一端側が前記接続パッドに接続された前記複数の貫通導体の他端側に接続されたｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記接続パッドに半導体チップのバンプ電極が接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板の上面側の前記接続パッドに接続部が接続された第１配線部材と、
前記配線基板の下面側の前記接続パッドに接続部が接続された第２配線部材とをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項６】
厚み方向に貫通する多数の貫通導体が設けられた酸化アルミニウム基板を用意する工程と、
前記酸化アルミニウム基板の少なくとも一方の面に、接続パッドが配置される部分に開口部が設けられた絶縁層が形成され、かつ、少なくとも前記絶縁層の開口部の前記貫通導体が前記酸化アルミニウム基板の外面から突出するか又は沈み込むことで凹凸が設けられた構造を得る工程と、
前記絶縁層の開口部に、前記貫通導体の露出面に錫又は錫合金からなる置換めっき層を形成した後に、前記置換めっき層に接続される錫層又は錫合金層を無電解めっきにより形成することにより、複数の前記貫通導体の一端側に接続される前記接続パッドを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記凹凸は、前記酸化アルミニウム基板の表面をエッチングするか、又は前記貫通導体をエッチングする工程により得られることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸は、前記絶縁層を形成する前に形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記凹凸は、前記絶縁層を形成した後に形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、酸化アルミニウム基板と、前記酸化アルミニウム基板の厚み方向に貫通して形成された多数の貫通導体と、前記酸化アルミニウム基板の少なくとも一方の面に形成され、接続パッドが配置される部分に開口部が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口部に形成され、複数の前記貫通導体の一端側に接続され、かつ無電解めっきにより形成された錫又は錫合金層からなる前記接続パッドとを有し、少なくとも前記絶縁層の開口部内において、前記貫通導体が前記酸化アルミニウム基板の外面から突出するか又は沈み込むことで凹凸が設けられており、前記貫通導体又は前記酸化アルミニウム基板が上側に突出している部分が前記接続パッドの中に埋め込まれていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メールを受信する受信部と、
表示部と、
当該受信部が受信した前記メールを、前記表示部へ表示させるプログラム実行部と、
前記メールに付加情報が付加されている場合において、前記プログラム実行部が終了したとき、前記表示部に前記付加情報の存在を通知する通知表示を行う表示制御部と、
を備える通信機器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号をＤ級増幅するデジタルアンプであって、
前記入力信号のデジタルパルス信号に基づく駆動信号によってスイッチング動作するスイッチング素子と、
前記駆動信号を前記スイッチング素子に供給する駆動回路と、
前記スイッチング素子の出力部に接続されるローパスフィルタを含む出力フィルタと、
前記スイッチング素子の出力部に設けられ、前記スイッチング素子からの出力電流の異常状態を検出して異常状態検出信号を出力する異常状態検出部とを備え、
前記異常状態検出部は、前記スイッチング素子からの出力電流における所定値以上の過電流検出信号を検出し前記異常状態検出信号として過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、前記出力フィルタにおいて共振が発生した際の出力電流に関する所定値以上の共振電流を検出し前記異常状態検出信号として共振電流検出信号を出力する共振電流検出回路と、前記過電流検出信号の位相を進める進相回路とを有し、
前記駆動回路は、前記異常状態検出部が、前記異常状態検出信号として過電流検出信号または共振電流検出信号の少なくとも一方を検出した場合に、前記駆動信号をオフして前記スイッチング素子のスイッチング動作を停止させ、前記異常状態検出信号が検出されなくなった場合に、前記駆動信号をオンして前記スイッチング素子のスイッチング動作を再開する制御を繰り返し行うことで、前記スイッチング素子の電流制限動作を行い、前記電流制限動作を行う際に、前記デジタルパルス信号の基準発振周波数の１周期単位または１周期単位内の任意のタイミングで前記駆動信号をオン／オフさせるデジタルアンプ。
【請求項２】
請求項１に記載のデジタルアンプであって、
前記共振電流検出回路の共振電流検出信号が所定時間継続して出力されていることを判断するとともに前記所定時間継続していた場合にその旨の信号を出力する制御部を有したデジタルアンプ。
【請求項３】
請求項１に記載のデジタルアンプであって、
前記スイッチング素子またはその周囲の温度を検出する温度検出部と、
前記スイッチング素子の出力を遮断する出力遮断部と、
前記入力信号を所定レベル以下の無音状態または微小状態にする入力信号ミュート部と、
前記出力遮断部と前記入力信号ミュート部とを連動させる連動制御部とを備え、
前記連動制御部は、前記温度検出部により所定値以上の高温状態が検出された場合に、前記出力遮断部及び前記入力信号ミュート部を連動させて作動させるデジタルアンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツを記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶されているコンテンツに係る処理を実行するコンテンツ実行部と、
前記コンテンツ実行部にて処理実行される所定のコンテンツに係る継続的な情報を取得する継続情報取得部と、
前記継続情報取得部にて取得された継続情報を保持する継続情報保持部と、を備え、
前記コンテンツ実行部は、前記所定のコンテンツを処理実行する場合に、前記継続情報保持部にて保持されている前記所定のコンテンツに係る継続情報を用いた継続処理を実行する
ことを特徴とする携帯電子機器。
【請求項２】
記憶部に記憶されているコンテンツに係る処理を実行するステップと、
処理が実行される所定のコンテンツに係る継続的な情報を取得するステップと、
取得された継続情報を保持するステップと、
前記所定のコンテンツを処理実行する場合に、保持されている前記所定のコンテンツに係る前記継続情報を用いた継続処理を実行するステップと、
を有する
ことを特徴とする携帯電子機器における制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載されると共に、外部接続用のパッドが一面側に形成された半導体パッケージと、
前記半導体パッケージのパッド形成面に対向する面に、前記パッドと電気的な接続を行うためのコンタクトが設けられたソケットと、を備え、
前記ソケットを介して前記半導体パッケージと実装基板とが接続されて形成される半導体装置であって、
前記半導体パッケージをパッド形成面に平行な方向に押動する押動手段を備え、
前記ソケットは、配線基板上に前記コンタクトが固定されて形成されており、
前記コンタクトは、後端部が前記配線基板に固定されて、該後端部と先端部との間に前記パッド形成面に沿う方向に延出する延出部を有しており、
前記押動手段によって、前記半導体パッケージが、前記ソケットに対して所定の一方向に押動されて、前記パッドと前記コンタクトとが当接して、前記半導体パッケージと前記ソケットとが電気的に接続され、
前記コンタクトは、前記押動手段による押動力を受けて前記先端部が前記パッドに当接すると共に前記延出部が弾性変形すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体パッケージのパッドは、前記パッド形成面から窪んだ凹部を有し、
前記パッドと前記コンタクトとの当接は、前記凹部の内側面と前記コンタクトの先端部との当接であること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コンタクトと当接する前記凹部の内側面は、前記押動手段による押動方向に対して垂直な面として形成されていること
を特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ソケットは、配線基板上に前記コンタクトがはんだもしくは導電性接着剤により固定されて形成されていること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記延出部は、略Ｕ字状に形成されていること
を特徴とする請求１〜４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記コンタクトの先端部は、曲面状もしくは球面状に形成されていること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ソケットに対して、前記半導体パッケージを前記パッド形成面に垂直な方向において位置決めを行う位置決め手段を備えること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記押動手段は、付勢部材であって、
前記付勢部材は、前記実装基板に固定されたフレーム体に設けられていること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記フレーム体は、前記ソケットが前記パッド形成面に平行な方向に移動することを規制する移動規制手段を備えること
を特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
外部接続用のパッドが一面側に形成された電子装置と、
前記電子装置のパッド形成面に対向する面に、前記パッドと電気的な接続を行うためのコンタクトが設けられたソケットと、の接続構造であって、
前記ソケットは、配線基板上に前記コンタクトが固定されて形成されており、
前記コンタクトは、後端部が前記配線基板に固定されて、該後端部と先端部との間に前記パッド形成面に沿う方向に延出する延出部を有しており、
押動手段によって、前記電子装置および前記ソケットのいずれか一方が、前記パッド形成面に対して平行な方向に押動されて、前記パッドと前記コンタクトとが当接して、前記電子装置と前記ソケットとが電気的に接続され、
前記コンタクトは、前記押動手段による押動力を受けて前記先端部が前記パッドに当接すると共に前記延出部が弾性変形すること
を特徴とする接続構造。
【請求項１１】
前記電子装置のパッドは、前記パッド形成面から窪んだ凹部を有し、
前記パッドと前記コンタクトとの当接は、前記凹部の内側面と前記コンタクトの先端部との当接であること
を特徴とする請求項１０記載の接続構造。
【請求項１２】
基板上に配設された接続端子にコンタクトが固定されたソケットであって、
前記コンタクトは、一端が前記基板に固定されて、該一端と他端との間に前記接続端子形成面に沿う方向に延出して該方向に弾性変形可能な延出部を有すると共に、下端が該延出部の該他端に接続され、上端が前記接続端子形成面に対して垂直方向に延出する立ち上がり部を有し、
前記立ち上がり部の上端が、他の電子装置のパッドとの接続部となること
を特徴とするソケット。
【請求項１３】
前記延出部および前記立ち上がり部の少なくとも一方は、曲折部を有すること
を特徴とする請求項１２記載のソケット。
【請求項１４】
前記延出部は、前記基板に固定された前記一端から遠ざかる方向に延出し、途中に略Ｕ字状の曲折部が設けられ、前記他端が該一端に近づく方向に延出する形状を有すること
を特徴とする請求項１２または請求項１３記載のソケット。
【請求項１５】
前記延出部の一端、前記延出部の他端、前記立ち上がり部の下端、および前記立ち上がり部の上端は、直線上に配置されていること
を特徴とする請求項１４記載のソケット。
【請求項１６】
前記延出部は、前記基板に固定された前記一端から遠ざかる方向に延出する形状を有すること
を特徴とする請求項１２または請求項１３記載のソケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
開示の半導体装置は、半導体チップが搭載されると共に、外部接続用のパッドが一面側に形成された半導体パッケージと、前記半導体パッケージのパッド形成面に対向する面に、前記パッドと電気的な接続を行うためのコンタクトが設けられたソケットと、を備え、前記ソケットを介して前記半導体パッケージと実装基板とが接続されて形成される半導体装置であって、前記半導体パッケージをパッド形成面に平行な方向に押動する押動手段を備え、前記ソケットは、配線基板上に前記コンタクトが固定されて形成されており、前記コンタクトは、後端部が前記配線基板に固定されて、該後端部と先端部との間に前記パッド形成面に沿う方向に延出する延出部を有しており、前記押動手段によって、前記半導体パッケージが、前記ソケットに対して所定の一方向に押動されて、前記パッドと前記コンタクトとが当接して、前記半導体パッケージと前記ソケットとが電気的に接続され、前記コンタクトは、前記押動手段による押動力を受けて前記先端部が前記パッドに当接すると共に前記延出部が弾性変形することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記容量の第１の電極は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量の第２の電極は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記容量は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域の面積の２倍未満の面積を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記容量の誘電体及び前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜は、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化イットリウム、又は酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタは、シリコン半導体を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタ上に配置され、かつ酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのチャネル幅の０．５倍以上１．５倍以下の幅を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】信号処理回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算回路と、前記演算回路からのデータを記憶する記憶回路と、を有し、
前記記憶回路は、帰還ループを構成してデータを記憶することができる機能を有し、
前記帰還ループ中のノードの一つは、トランジスタを介して容量素子と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体にチャネルが形成されることを特徴とする信号処理回路。
【請求項２】
演算回路と、前記演算回路からのデータを記憶する記憶回路と、を有し、
前記記憶回路は、帰還ループを構成してデータを記憶することができる機能を有し、
前記帰還ループ中のノードの一つは、第１のトランジスタを介して容量素子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体にチャネルが形成され、
前記演算回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、シリコンにチャネルが形成されることを特徴とする信号処理回路。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のトランジスタの上方に、前記第１のトランジスタが設けられていることを特徴とする信号処理回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月16日(2013.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第１の信号が入力され、前記ゲートに第２の信号が入力され、チャネル形成層として酸化物半導体層を有し、オフ電流が１０ａＡ／μｍ以下であるトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記トランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続され、前記第２の電極に高電源電圧及び低電源電圧が交互に与えられる容量素子と、を有し、
第１の期間において、
前記第２の信号により前記トランジスタをオンにし、
前記第２の電極に前記低電源電圧が印加され、
前記第１の電極には前記第１の信号が印加され、
第２の期間において、
前記第２の信号により前記トランジスタをオフにし、
前記第２の電極に前記高電源電圧が印加され、
前記第１の電極の前記第１の信号は昇圧されて第３の信号となり、
前記第３の信号を出力信号として前記トランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力することを特徴とする電圧調整回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする電圧調整回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、５×１０１４／ｃｍ３以下であることを特徴とする電圧調整回路。
【請求項４】
互いに直列接続で電気的に接続されたｎ段（ｎは２以上の自然数）の単位昇圧回路と、
前記ｎ段の単位昇圧回路により昇圧された電圧を出力信号として出力する出力回路と、を有し、
前記ｎ段の単位昇圧回路のそれぞれは、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第１の信号が入力される第１のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記第１のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第１の容量素子と、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの他方が前記容量素子の第２の電極に電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記容量素子の第２の電極に電気的に接続された第３のトランジスタと、を含み、
前記出力回路は、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が第ｎ段目の単位昇圧回路における前記第１のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第４のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記第４のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第２の容量素子と、を含み、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタのそれぞれは、チャネル形成層として酸化物半導体層を備え、オフ電流が１０ａＡ／μｍ以下であり、
２Ｋ―１段目（Ｋは１乃至ｎ／２であり、２Ｋは自然数）の単位昇圧回路における前記第１のトランジスタのゲート及び前記第３のトランジスタのゲート、並びに２Ｋ段目の単位昇圧回路における前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、クロック信号が入力される第１のクロック信号線と、
２Ｋ―１段目の単位昇圧回路における前記第２のトランジスタのゲート、並びに２Ｋ段目の単位昇圧回路における前記第１のトランジスタのゲート及び前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記クロック信号の反転クロック信号が入力される第２のクロック信号線と、をさらに有することを特徴とする電圧調整回路。
【請求項５】
互いに直列接続で電気的に接続されたｎ段（ｎは２以上の自然数）の単位降圧回路と、
前記ｎ段の単位降圧回路により降圧された電圧を出力信号として出力する出力回路と、を有し、
前記ｎ段の単位降圧回路のそれぞれは、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方に第１の信号が入力される第１のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記第１のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第１の容量素子と、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの他方が前記容量素子の第２の電極に電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が前記容量素子の第２の電極に電気的に接続された第３のトランジスタと、を含み、
前記出力回路は、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方が第ｎ段目の単位降圧回路における前記第１のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第４のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記第４のトランジスタのソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続された第２の容量素子と、を含み、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタのそれぞれは、チャネル形成層として酸化物半導体層を備え、オフ電流が１０ａＡ／μｍ以下であり、
２Ｋ―１段目（Ｋは１乃至ｎ／２であり、２Ｋは自然数）の単位降圧回路における前記第１のトランジスタのゲート及び前記第２のトランジスタのゲート、並びに２Ｋ段目の単位降圧回路における前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、クロック信号が入力される第１のクロック信号線と、
２Ｋ―１段目の単位降圧回路における前記第３のトランジスタのゲート、並びに２Ｋ段目の単位降圧回路における前記第１のトランジスタのゲート及び前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記クロック信号の反転クロック信号が入力される第２のクロック信号線と、をさらに有することを特徴とする電圧調整回路。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタのそれぞれのオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする電圧調整回路。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタのそれぞれの前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、５×１０１４／ｃｍ３以下であることを特徴とする電圧調整回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載した基板を炉内を搬送しながら、炉内の加熱室で加熱雰囲気気体を循環して電子部品を基板に半田付けするリフロー半田付け装置において、
雰囲気圧力を減少でき、基板の加熱溶融した半田部を脱泡できる減圧室が、炉の加熱室の内部に設けられ、
前記加熱室はヒータと送風機を有し、前記ヒータで加熱された雰囲気気体が、前記加熱室の外側に配置されたモータで駆動される前記送風機により加熱室内を循環し、
前記減圧室はヒータと送風機を有し、前記ヒータで加熱された雰囲気気体が、前記加熱室の外側に配置されたモータで駆動される前記送風機により減圧室内を循環することを特徴とするリフロー半田付け装置。
【請求項２】
前記減圧室が、加熱された雰囲気気体を前記基板に吹き出すための熱風噴出手段と、前記送風機の吐出口と前記熱風噴出手段とを接続する導風ダクトとを備えることを特徴とする請求項１記載のリフロー半田付け装置。
【請求項３】
前記加熱室の送風機を駆動するモータと前記減圧室の送風機を駆動するモータとが、前記加熱室の上下面に対向して配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のリフロー半田付け装置。
【請求項４】
炉の入口側から減圧室の手前位置まで配設されている基板搬送コンベヤと、減圧室に配設されている基板搬送コンベヤと、減圧室の直後から炉の出口まで配設されている基板搬送コンベヤとが設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のリフロー半田付け装置。
【請求項５】
炉の入口側から減圧室の手前位置まで配設されている基板搬送コンベヤと、前記基板搬送コンベヤ上の基板を減圧室に送り込む移載手段と、減圧室の直後から炉の出口まで配設されている基板搬送コンベヤと、減圧室の基板を前記基板搬送コンベヤに移載する移載手段とが設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のリフロー半田付け装置。
【請求項６】
電子部品を搭載した基板を炉内を搬送しながら、炉内の加熱室で加熱雰囲気気体を循環して電子部品を基板に半田付けするリフロー半田付け方法において、
雰囲気圧力を減少でき、基板の加熱溶融した半田部を脱泡できる減圧室が、炉の加熱室の内部に設けられ、
前記加熱室内でヒータにより加熱され送風機により加熱室内を循環する加熱雰囲気気体で前記基板を加熱し、更に、前記減圧室内でヒータにより加熱され送風機により減圧室内を循環する加熱雰囲気気体で前記基板を加熱後、基板の加熱溶融した半田部の脱泡処理を行なうことを特徴とするリフロー半田付け方法。