【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、入射光のうち紫外線波長帯域に含まれる所定の波長帯域の光を検出するとともに、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる第１の受光部を有する第一センサーと、紫外線よりも長い波長帯域の光であって前記第一センサーを透過した光を検出する複数の第２の受光部を有し、該複数の第２の受光部がマトリクス状に配置された第二センサーと、を備え、前記第一センサーの前記第１の受光部は前記第二センサーの前記複数の第２の受光部の上部に重ねて設けられていることを特徴とする光センサーが提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記第一センサーの受光部は２つの電極を備え、前記電極の少なくとも１つは紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させることが好ましい。
前記電極は前記第一センサーのカソード及びアノードを含むことが好ましい。
前記第一センサーの前記第１の受光部または前記第二センサーの前記複数の第２の受光部は、受光面が光の入射方向と直交するように配置されていることが好ましい。
前記第一センサーは、前記第１の受光部を複数備えることが好ましい。
前記複数の第１の受光部は光の入射方向と交差する面内においてマトリクス状に配列されていることが好ましい。
前記第一センサーの前記各第１の受光部は前記第二センサーの前記各第２の受光部と対応するように重ねて設けられていることが好ましい。
前記第一センサーの前記第１の受光部は、紫外線波長帯域に含まれる前記所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体基板と、前記ワイドバンドギャップ半導体基板の一方の面に成膜されたオーミック電極と、前記ワイドバンドギャップ半導体基板の他方の面に成膜されたショットキー電極と、を備えることが好ましい。
前記第一センサーの前記第１の受光部は、紫外線波長帯域に含まれる前記所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体層と、前記ワイドバンドギャップ半導体層の一方の面に成膜されたオーミック電極と、前記ワイドバンドギャップ半導体層の一方の面に前記オーミック電極と離間して成膜されたショットキー電極と、を備えることが好ましい。
前記ワイドギャップ半導体は、ＺｎＯ、Ｇａ2Ｏ3、ＧａＮ、ＭｇxＺｎ1-xＯ（０＜ｘ＜１）、ダイヤモンドまたはＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなることが好ましい。
前記オーミック電極は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、ＡｕまたはＣｒからなることが好ましい。
前記ショットキー電極は、導電性高分子膜、ＰｔまたはＡｕからなることが好ましい。
前記第一センサーの前記第１の受光部は、前記第二センサーの前記各第２の受光部上に成膜された、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる平坦化膜上に形成されていることが好ましい。
前記平坦化膜はＳｉＯ2からなることが好ましい。
前記第一センサーの受光部は、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる透明基板上に形成されていることが好ましい。
前記透明基板はサファイアまたはＳｉＣであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の態様によれば、紫外線よりも長い第一の所定の波長帯域の光を検出し、マトリクス状に配置された複数の第２の受光部を有する第二センサーの受光面に、紫外線よりも長い前記第一の所定の波長帯域を含む波長帯域の光を透過させる平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に紫外線波長帯域に含まれる第二の所定の波長帯域の光を検出するとともに、紫外線よりも長い前記第一の所定の波長帯域を含む波長帯域の光を透過させる第１の受光部を有する第一センサーを形成する工程とからなり、前記第一センサーを形成する工程は、紫外線波長帯域に含まれる前記第二の所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体層を前記透明平坦化膜上に成膜する工程と、前記ワイドバンドギャップ半導体層上にオーミック電極を形成する工程と、前記ワイドバンドギャップ半導体層上にショットキー電極を形成する工程とからなることを特徴とする光センサーの製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光のうち紫外線波長帯域に含まれる所定の波長帯域の光を検出するとともに、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる第１の受光部を有する第一センサーと、
紫外線よりも長い波長帯域の光であって前記第一センサーを透過した光を検出する複数の第２の受光部を有し、該複数の第２の受光部がマトリクス状に配置された第二センサーと、を備え、
前記第一センサーの前記第１の受光部は前記第二センサーの前記複数の第２の受光部の上部に重ねて設けられていることを特徴とする光センサー。
【請求項２】
前記第一センサーの受光部は２つの電極を備え、前記電極の少なくとも１つは紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させることを特徴とする請求項１に記載の光センサー。
【請求項３】
前記電極は前記第一センサーのカソード及びアノードを含むことを特徴とする請求項２に記載の光センサー。
【請求項４】
前記第一センサーの前記第１の受光部または前記第二センサーの前記複数の第２の受光部は、受光面が光の入射方向と直交するように配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項５】
前記第一センサーは、前記第１の受光部を複数備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項６】
前記複数の第１の受光部は光の入射方向と交差する面内においてマトリクス状に配列されていることを特徴とする請求項５に記載の光センサー。
【請求項７】
前記第一センサーの前記各第１の受光部は前記第二センサーの前記各第２の受光部と対応するように重ねて設けられていることを特徴とする請求項６に記載の光センサー。
【請求項８】
前記第一センサーの前記第１の受光部は、紫外線波長帯域に含まれる前記所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の一方の面に成膜されたオーミック電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の他方の面に成膜されたショットキー電極と、を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項９】
前記第一センサーの前記第１の受光部は、紫外線波長帯域に含まれる前記所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層の一方の面に成膜されたオーミック電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層の一方の面に前記オーミック電極と離間して成膜されたショットキー電極と、を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項１０】
前記ワイドギャップ半導体は、ＺｎＯ、Ｇａ2Ｏ3、ＧａＮ、ＭｇxＺｎ1-xＯ（０＜ｘ＜１）、ダイヤモンドまたはＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする請求項８または９に記載の光センサー。
【請求項１１】
前記オーミック電極は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、ＡｕまたはＣｒからなることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項１２】
前記ショットキー電極は、導電性高分子膜、ＰｔまたはＡｕからなることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項１３】
前記第一センサーの前記第１の受光部は、前記第二センサーの前記各第２の受光部上に成膜された、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる平坦化膜上に形成されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項１４】
前記平坦化膜はＳｉＯ2からなることを特徴とする請求項１３に記載の光センサー。
【請求項１５】
前記第一センサーの受光部は、紫外線よりも長い波長帯域の光を透過させる透明基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光センサー。
【請求項１６】
前記透明基板はサファイアまたはＳｉＣであることを特徴とする請求項１５に記載の光センサー。
【請求項１７】
紫外線よりも長い第一の所定の波長帯域の光を検出し、マトリクス状に配置された複数の第２の受光部を有する第二センサーの受光面に、紫外線よりも長い前記第一の所定の波長帯域を含む波長帯域の光を透過させる平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜上に紫外線波長帯域に含まれる第二の所定の波長帯域の光を検出するとともに、紫外線よりも長い前記第一の所定の波長帯域を含む波長帯域の光を透過させる第１の受光部を有する第一センサーを形成する工程とからなり、
前記第一センサーを形成する工程は、紫外線波長帯域に含まれる前記第二の所定の波長帯域の光を吸収することで導電性が変化するワイドバンドギャップ半導体層を前記透明平坦化膜上に成膜する工程と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層上にオーミック電極を形成する工程と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層上にショットキー電極を形成する工程とからなることを特徴とする光センサーの製造方法。
【請求項１８】
前記透明平坦化膜にＳｉＯ2を用いることを特徴とする請求項１７に記載の光センサーの製造方法。