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【手続補正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
当該撮像装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、
前記撮像手段による撮影画像を表示する表示手段と、
前記撮像手段による撮影画像から直線を抽出する直線抽出手段と、
前記表示手段に表示する撮影画像に、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線と、前記直線抽出手段により抽出した直線とを合成して表示する制御手段と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
操作手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記操作手段からの入力に応じて、前記撮影画像に重畳表示される前記姿勢検出手段の出力に基づく直線を回転させ、前記直線を回転させた回転角度に基づいて、前記姿勢検出手段の出力を補正することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
操作手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記操作手段からの入力に応じて、前記撮影画像を回転させ、前記撮影画像を回転させた回転角度に基づいて、前記姿勢検出手段の出力を補正することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記撮影画像中における、前記直線抽出手段により抽出した直線の傾きと前記姿勢検出手段の出力との相対角を求め、前記相対角に基づいて前記姿勢検出手段の出力を補正することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線を前記相対角だけ回転させて前記表示手段に表示することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記撮影画像を前記相対角だけ回転させて前記表示手段に表示することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記直線抽出手段は撮影画像中において最も長い直線成分を抽出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記直線抽出手段により抽出した直線の撮影画像中における中心を求め、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線が、前記中心を通るように表示することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像手段と、当該撮像装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、前記撮像手段による撮影画像を表示する表示手段とを備えた撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段による撮影画像から直線を抽出するステップと、
前記表示手段に表示する撮影画像に、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線と、前記抽出した直線とを合成して表示するステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
撮像手段と、当該撮像装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、前記撮像手段による撮影画像を表示する表示手段とを備えた撮像装置を制御するためのプログラムであって、
前記撮像手段による撮影画像から直線を抽出する処理と、
前記表示手段に表示する撮影画像に、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線と、前記抽出した直線とを合成して表示する処理とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の撮像装置は、撮像手段と、当該撮像装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、前記撮像手段による撮影画像を表示する表示手段と、前記撮像手段による撮影画像から直線を抽出する直線抽出手段と、前記表示手段に表示する撮影画像に、前記姿勢検出手段の出力に基づく直線と、前記直線抽出手段により抽出した直線とを合成して表示する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム帯域内に少なくとも一つのシングルキャリアスペクトルを割り当てると共に、前記シングルキャリアスペクトルの送信電力制御を行なう無線送信装置であって、
前記無線送信装置は、前記シングルキャリアスペクトルを割り当てる周波数帯域に含まれる第１の周波数帯域と第２の周波数帯域において、前記シングルキャリアスペクトルの周波数当りの送信電力を異なる値に設定する電力制御量決定部を備えることを特徴とする無線送信装置。
【請求項２】
前記第1の周波数帯域と前記第２の周波数帯域は連続しない周波数帯域であって、
前記無線送信装置は、前記シングルキャリアスペクトルの一つを複数の部分スペクトルに分割し、前記複数の部分スペクトルの少なくとも１つを前記第1の周波数帯域へ割り当て、他の前記部分スペクトルの少なくとも１つを前記第２の周波数帯域へ割り当てる割当部を備えることを特徴とする請求項1記載の無線送信装置。
【請求項３】
帯域割り当て情報に基づいて、シングルキャリアスペクトルを非連続なクラスタに分割する分割部と、
前記シングルキャリアスペクトルまたはクラスタを割り当てる周波数帯域に応じて、前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタの送信電力を決定する電力制御量決定部と、
前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタに対して、前記決定された送信電力で送信電力制御を行なう電力制御部と、
前記送信電力制御されたシングルキャリアスペクトルまたは各クラスタを前記帯域割り当て情報に基づいて、いずれかの周波数帯域に割り当てる割当部と、を備えることを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項４】
前記シングルキャリアスペクトルを割り当てる周波数帯域が、前記システム帯域の端部に近づくほど、送信電力を下げることを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項５】
システム帯域であるコンポーネントキャリア内に、前記シングルキャリアスペクトルを複数に分割したクラスタを非連続的に割り当てる場合、前記クラスタを割り当てる周波数帯域またはリソースブロック毎に、送信電力を決定することを特徴とする請求項４記載の無線送信装置。
【請求項６】
システム帯域であるコンポーネントキャリアを複数用いるキャリアアグリゲーションを行なう場合であって、前記シングルキャリアスペクトルを複数に分割したクラスタを非連続的 に割り当てる場合、クラスタを割り当てる周波数帯域が、コンポーネントキャリアに含まれない周波数帯域に近づくほど、送信電力を下げることを特徴と する請求項４記載の無線送信装置。
【請求項７】
システム帯域であるコンポーネントキャリアを複数用いるキャリアアグリゲーションを行なう場合であって、前記シングルキャリアスペクトルを連続的に割り当てる場合、スペクトルを割り当てる周波数帯域が、コンポーネントキャリアに含まれない周波数帯域に近づくほど、送信電力を下げることを特徴とする請求項４記載の無線送 信装置。
【請求項８】
同一スペクトルで送信電力の下げ幅が異なることを特徴とする請求項７記載の無線送信装置。
【請求項９】
前記送信電力制御を、データ信号または参照信号の少なくとも一方に対して行なうことを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項１０】
システム帯域内に少なくとも一つのシングルキャリアスペクトルを割り当てると共に、送信電力制御を行なう無線送信装置の制御プログラムであって、 
帯域割り当て情報に基づいて、前記シングルキャリアスペクトルを非連続なクラスタに分割する処理と、
前記シングルキャリアスペクトルまたはクラスタを割り当てる周波数帯域に応じて、前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタの送信電力を決定する処理と、
前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタに対して、前記決定された送信電力で送信電力制御を行なう処理と、
前記送信電力制御されたシングルキャリアスペクトルまたは各クラスタを前記帯域割り当て情報に基づいて、いずれかの周波数帯域に割り当てる処理と、
前記システム帯域内で、前記シングルキャリアスペクトルを割り当てる周波数帯域に応じて、それぞれ異なる送信電力制御を行なう処理と、の一連の処理を、コンピュータに読み取り可能および実行可能にコマンド化したことを特徴とする制御プログラム。
【請求項１１】
無線送信装置に実装されることによって、前記無線送信装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
帯域割り当て情報に基づいて、シングルキャリアスペクトルを非連続なクラスタに分割する機能と、
前記シングルキャリアスペクトルまたはクラスタを割り当てる周波数帯域に応じて、前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタの送信電力を決定する機能と、
前記シングルキャリアスペクトルまたは各クラスタに対して、前記決定された送信電力で送信電力制御を行なう機能と、
前記送信電力制御されたシングルキャリアスペクトルまたは各クラスタを前記帯域割り当て情報に基づいて、いずれかの周波数帯域に割り当てる機能と、
前記システム帯域内で、前記シングルキャリアスペクトルを割り当てる周波数帯域に応じて、それぞれ異なる送信電力制御を行なう機能と、の一連の機能を、前記無線送信装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
研磨面と一体型窓とを有する研磨層を含む化学機械研磨パッドであって；
一体型窓が研磨層に一体化されており；
一体型窓が硬化剤とイソシアナート末端プレポリマーポリオールとのポリウレタン反応生成物であり；
前記硬化剤が４，４’−メチレン−ビス−ｏ−クロロアニリン、４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）；ジメチルチオトルエンジアミン；トリメチレングリコール  ジ−ｐ−アミノベンゾアート；ポリテトラメチレンオキシド  ジ−ｐ−アミノベンゾアート；ポリテトラメチレンオキシド  モノ−ｐ−アミノベンゾアート；ポリプロピレンオキシド  ジ−ｐ−アミノベンゾアート；ポリプロピレンオキシド  モノ−ｐ−アミノベンゾアート；１，２−ビス（２−アミノフェニルチオ）エタン；４，４’−メチレン−ビス−アニリン；ジエチルトルエンジアミン；５−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−トルエンジアミン；３−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−トルエンジアミン；５−ｔｅｒｔ−アミル−２，４−トルエンジアミン；３−ｔｅｒｔ−アミル−２，６−トルエンジアミン；クロロトルエンジアミンおよびこれらの混合物からなる群から選択され；
前記イソシアナート末端プレポリマーポリオールがポリオールと多官能性芳香族イソシアナートとの反応生成物であり；
前記ポリオールがポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリプロピレンエーテルグリコール、エステルベースのポリオール、これらのコポリマー並びにこれらの混合物からなる群から選択され；
前記多官能性芳香族イソシアナートが２，４−トルエンジイソシアナート、２，６−トルエンジイソシアナート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、ナフタレン−１，５−ジイソシアナート、トリジンジイソシアナート、パラ−フェニレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナートおよびこれらの混合物からなる群から選択され；
イソシアナート末端プレポリマーポリオール中に含まれる未反応ＮＣＯ部分と反応して一体型窓を形成する硬化性アミン部分を硬化剤が含み；
硬化剤およびイソシアナート末端プレポリマーポリオールが、アミン部分：未反応ＮＣＯ部分の化学量論量比１：１〜１：１．２５で提供され；
一体型窓が０．１容積％未満の空隙率を有しており；
一体型窓が５〜２５％の圧縮永久歪みを示し；
研磨面が、磁性基体、光学基体および半導体基体から選択される基体を研磨するのに適合されている；
化学機械研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に機能を付加するために当該電子機器に装着される基板モジュールであって、
第１基板と、
前記第１基板から直角に延在し、前記第１基板に突き当てた突当て端部で前記第１基板に係止された第２基板と、
前記突当て端部に平行な前記第２基板の固定端部を挟持固定すると共に、前記第１基板に平行に配設した板状の基板固定部材と、を備え、
前記基板固定部材は、
前記固定端部が臨むスリット状の開口部と、
前記開口部の開口縁から突出し、前記固定端部を表裏両側から挟持する一対の挟持突起と、
前記挟持突起の背面側に位置し、前記開口部に平行な一対のスリットと、を有していることを特徴とする基板モジュール。
【請求項２】
前記基板固定部材を保持すると共に、前記基板モジュールが前記電子機器に装着された状態において前記電子機器に固定される導電性の機器固定フレームを、更に備え、
前記第２基板の前記固定端部には、接地配線が形成され、
前記基板固定部材は、導電性材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板モジュール。
【請求項３】
前記一対の挟持突起は、前記開口部の延在方向において相互に位置ずれして配設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板モジュール。
【請求項４】
前記基板固定部材は、前記開口部の延在方向に分散して、前記一対の挟持突起を複数組有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板モジュール。
【請求項５】
前記第２基板の表裏一方の面にマウントされたコネクターを、更に備え、
前記基板固定部材は、前記開口部の前記開口縁から突出し、間隙を存して前記固定端部に対峙する一対の受け突起を、更に有していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板モジュール。
【請求項６】
前記基板固定部材は、前記開口部の延在方向に分散して、前記一対の受け突起を複数組有していることを特徴とする請求項５に記載の基板モジュール。
【請求項７】
前記基板固定部材は、前記開口部と平行に延在すると共に、前記基板固定部材の一端を前記第１基板側に折曲げて形成された補強リブを、更に有していることを特徴とする請求項５または６に記載の基板モジュール。
【請求項８】
前記第１基板には、マイクロコンピューターが搭載されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板モジュール。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板モジュールを備えたことを特徴とするプリンター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の基板モジュールは、電子機器に機能を付加するために電子機器に装着される基板モジュールであって、第１基板と、第１基板から直角に延在し、第１基板に突き当てた突当て端部で第１基板に係止された第２基板と、突当て端部に平行な第２基板の固定端部を挟持固定すると共に、第１基板に平行に配設した板状の基板固定部材と、を備え、基板固定部材は、固定端部が臨むスリット状の開口部と、開口部の開口縁から突出し、固定端部を表裏両側から挟持する一対の挟持突起と、挟持突起の背面側に位置し、開口部に平行な一対のスリットと、を有していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この場合、基板固定部材を保持すると共に、基板モジュールが電子機器に装着された状態において電子機器に固定される導電性の機器固定フレームを、更に備え、第２基板の固定端部には、接地配線が形成され、基板固定部材は、導電性材料で形成されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この場合、第２基板の表裏一方の面にマウントされたコネクターを、更に備え、基板固定部材は、開口部の開口縁から突出し、間隙を存して固定端部に対峙する一対の受け突起を、更に有していることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この場合、基板固定部材は、開口部と平行に延在すると共に、基板固定部材の一端を第１基板側に折曲げて形成された補強リブを、更に有していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明によるレジストパターン形成方法は、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成させるものであって、レジスト層の基板側に、前記の方法によりシリコンオキシナイトライドからなる底面反射防止膜を形成させることを含むことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの一方の面に配線領域が形成された第１の基板と第２の基板とを積層して半導体デバイスを製造する方法であって、
前記第１の基板および前記第２の基板に前記配線領域を形成する前処理ステップと、
前記第２の基板の前記一方の面とは反対の面を、前記第２の基板の前記配線領域の電極が露出するまで除去することにより前記第２の基板を薄化する薄化ステップと、
前記第１の基板の前記配線領域と前記第２の基板の露出した前記電極とを互いに接合する接合ステップと、
を有し、
前記前処理ステップは、前記薄化ステップにより前記電極に生じる位置ずれに対応して、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の前記配線領域を形成する半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記第１の基板は第１のウェハであり、前記第２の基板は第２のウェハであり、
前記前処理ステップは、前記電極の位置ずれ状態に応じて、前記第１のウェハおよび前記第２のウェハの少なくとも一方の前記配線領域を形成する露光制御を変更する請求項１に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項３】
前記配線領域は前記第１のウェハに形成された複数の回路領域であり、
前記前処理ステップは、前記配線領域を形成する前記露光制御の変更として、前記第１のウェハの前記複数の回路領域のパターンを露光する露光倍率および露光位置の少なくとも一方を変更する請求項２に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項４】
前記露光倍率および前記露光位置は、前記薄化ステップにより前記第２のウェハの前記電極が薄化前の位置に対してずれるずれ量およびずれ方向の少なくとも一方に基づいて決定される請求項３に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項５】
前記配線領域は前記第１のウェハに形成された複数の回路領域であり、
前記前処理ステップは、前記第１のウェハの前記複数の回路領域のパターンを複数回に分けて露光する場合に、露光中心をシフトする請求項２から４のいずれか一項に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項６】
前記シフトのシフト量は、前記薄化ステップにより前記第２のウェハの前記電極が薄化前の位置に対してずれるずれ量およびずれ方向の少なくとも一方に基づいて決定される請求項５に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項７】
前記第１の基板は、電極位置を変更する再配線層が形成されたウェハであり、前記配線領域は、前記第１の基板の前記再配線層の配線領域であり、
前記前処理ステップは、前記第１の基板上に前記再配線層を形成するパターンを露光する露光倍率および露光位置の少なくとも一方を変更する請求項１に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項８】
前記第１の基板は、前記第２の基板に積層される第３の基板と前記第２の基板との間に介在されるインターポーザであり、前記配線領域は、前記インターポーザに形成され、前記薄化ステップで露出された前記第２の基板の前記電極に向かい合う配線領域であり、
前記前処理ステップは、前記インターポーザの前記配線領域のパターンを露光する露光倍率および露光位置の少なくとも一方を変更する請求項１に記載の半導体デバイスを製造する方法。
【請求項９】
半導体デバイスを製造する方法であって、
互いに積層される第１の基板および第２の基板のそれぞれの一方の面に回路のパターンを露光する露光ステップを有し、
前記露光ステップは、前記第２の基板の前記一方の面とは反対の面が研磨されたときに前記第２の基板の前記回路に含まれる電極に生じる位置ずれに基づいて、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の露光位置および露光倍率の少なくとも一方を変更することを特徴とする半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１０】
それぞれの一方の面に配線領域が形成された第１の基板と第２の基板とを互いに積層して半導体デバイスを製造する方法であって、
前記第１の基板の前記配線領域と、前記第２の基板の前記一方の面とは反対の面を研磨することにより露出した前記配線領域の電極とを、互いに接合する接合ステップを有し、
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の前記配線領域は、前記研磨により前記電極に生じる位置ずれに対応して形成されていることを特徴とする半導体デバイスを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブラックを積み重ねてラックに収納するサブラックであって、前記サブラックの前面に空気を吸気する複数の前面吸気口を設け、前記サブラックの上面に熱を排出する複数の上部排出口を設け、前記サブラックの下部に形成される空間が後方に向かう程に大きくなるよう排熱誘導板を設けたことを特徴とするサブラック。
【請求項２】
前記サブラックの側面に側面吸気口を設けたことを特徴とする請求項１に記載のサブラック。
【請求項３】
前記側面吸気口は、前記排熱誘導板が支点から後方に対して斜め上方向に傾斜を持たせて形成されている請求項２に記載のサブラック。  
【請求項４】
前記排熱誘導板は、後方に向かう程スペースが大きくなるよう三角錐構造の空間を形成し、熱を後方に誘導する請求項１乃至請求項３に記載のサブラック。
【請求項５】
前記排熱誘導板は、上方向に対して１〜５°の傾きを有することを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のサブラック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サブラック
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロレンズの製造において、基板上の感光性のマイクロレンズ材料に、パターン化された光線を照射するためのマスクであって、
メインレイアウト、および、該メインレイアウトの周囲に設けられたサブレイアウトを有し、
前記メインレイアウトは開口を有さない遮光領域からなり、前記サブレイアウトは少なくとも１重のライン状の遮光領域からなり、
該マスクに光線を照射したときに、前記メインレイアウトによってマイクロレンズの中央部に相当する位置に第１の光線パターンが得られ、前記サブレイアウトによって前記第１の光線パターンの周囲に前記第１の光線パターンとは分離された第２の光線パターンが得られることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記メインレイアウトおよび前記サブレイアウトが、遮光領域からなり、
前記第１の光線パターンおよび前記第２の光線パターンが、光線の照射されない領域からなる、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマスクを用いて、基板上の感光性のマイクロレンズ材料に、パターン化された光線を照射する工程を含む、マイクロレンズの製造方法。
【請求項４】
感光性のマイクロレンズ材料を基板上に塗布する工程、
前記マイクロレンズ材料に前記パターン化された光線を照射する工程、
前記マイクロレンズ材料を現像する工程、
前記マイクロレンズ材料の全面に光線を照射する工程、および、
前記マイクロレンズ材料を加熱する工程をこの順で含む、
請求項３に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項５】
マイクロレンズ材料を基板上に塗布する工程、
前記マイクロレンズ材料の上に感光性のフォトレジスト材料を塗布する工程、
前記フォトレジスト材料に、請求項１に記載のマスクを用いてパターン化された光線を照射する工程、
前記フォトレジスト材料を現像する工程、
前記フォトレジスト材料の全面に光線を照射する工程、
前記フォトレジスト材料を加熱する工程、および、
エッチングにより、前記フォトレジスト材料から得られたフォトレジストの形状を前記マイクロレンズ材料に転写する工程をこの順で含む、
マイクロレンズの製造方法。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一つに記載のマイクロレンズの製造方法により製造されたマイクロレンズを備えた撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
次に、パターン２２が形成された基板１の全面に、光線４２（例えば、Ｉ線を含む光線）を照射する（図１１（ｄ））。この処理により、パターン２２は、内部にある感光基が反応して耐熱性が低下する。次に、パターン２２に加熱処理（ベーク処理）を行うことにより、熱だれ（材料が軟化し、その軟化のレベルに応じて、重力と表面張力が均衡するような形状に変化すること）がおこり、マイクロレンズ２４の形状となる（図１１（ｅ））。熱だれ後のマイクロレンズ２４を冷却することにより、基板の上に複数のマイクロレンズが製造される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次に、パターン５２，５３が形成された基板１の全面に、光線４２（例えば、Ｉ線を含む光線）を照射する（図６（ｄ））。この処理により、パターン５２，５３は、内部にある感光基が反応して耐熱性が低下する。次に、パターン５２，５３に加熱処理を行うことにより熱だれを起こさせ、所望のマイクロレンズと同じ形状のフォトレジスト５４が形成される（図６（ｅ））。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
このとき、体積の大きいパターン５２が先に熱だれを起こすため、熱だれを起こしにくいパターン５３によって、パターン５２の熱だれの範囲が一定の範囲に制限される。これにより、熱だれの範囲を厳密に制御することができるため、従来よりも狭い間隔のレイアウトを有するマイクロレンズと同じ形状のフォトレジストを製造することが可能となる。なお、体積の小さいパターン５３の熱だれがパターン５２の熱だれよりも遅くなる原因は
、体積の小さいパターンの場合、基板界面での材料の流動にかかる力（押し出す力）が体積の大きいパターンと比較して小さいことが挙げられる。また、加熱の初期の段階でパターン５３の表面に皮膜のようなものが形成されることが観察されることより、さらに流動に対して保護されていると推測されるが、これについては詳細は明らかではない。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合わされた複数の基板を加圧して貼り合わせる加圧ユニットを備え、
前記加圧ユニットは、
前記複数の基板が載置される載置部と、
前記載置部を介して前記複数の基板を加圧する加圧部と、
を有し、
前記複数の基板の外周部における前記加圧部の加圧力が、前記外周部より内側の領域における前記加圧部の加圧力よりも小さいことを特徴とする基板貼り合わせ装置。
【請求項２】
前記加圧部は、前記内側の領域に配置されている請求項１に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３】
前記加圧部が前記載置部を加圧する領域は、前記複数の基板に素子が形成された素子形成領域内である請求項１または２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項４】
前記載置部を介して前記複数の基板を加熱する加熱部を備え、
前記加圧部は、前記加熱部および前記載置部を介して前記複数の基板を加圧する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項５】
前記加熱部は、素子形成領域外まで配されている請求項４に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項６】
前記加熱部は、前記複数の基板の外側まで配されている請求項５に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項７】
前記加熱部は、前記載置部よりも外側まで配されている請求項５または６に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項８】
前記載置部の外縁は、前記複数の基板の外縁またはその外側に位置する請求項７に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項９】
前記加圧ユニットは、前記加熱部に当接して配され、前記複数の基板を冷却する冷却部をさらに有し、
前記冷却部は、前記複数の基板の外縁またはその外側まで配される請求項８に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１０】
前記加圧ユニットと、
前記加圧ユニットに向かい合った他の加圧ユニットとを備え、
前記加圧ユニットと前記他の加圧ユニットとの間で前記複数の基板を加圧する請求項１から９のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置により基板を貼り合せることを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するステージと、複数の荷電粒子線を前記基板の表面に投影する投影系と、前記ステージの上に形成された基準マークと、前記基板上のマークに光を照射し前記マークからの反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器と、前記投影系を介して前記基準マークに荷電粒子線を照射し前記基準マークからの荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第２計測器と、前記投影系の軸に沿う第１方向及び前記軸に直交する第２方向における前記ステージの位置を検出する検出器と、を備え、前記複数の荷電粒子線を用いて前記基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線のうち少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記基準マークに入射する荷電粒子線の前記第１方向に対する角度を取得し、前記取得された角度が許容範囲内である一つの荷電粒子線を決定し、前記決定された荷電粒子線を用いて前記第２計測器により計測された前記基準マークの位置と前記第１計測器により計測された前記基準マークの位置とから第１計測器に関するベースラインを求める制御部を備える、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記ステージを駆動することによって前記基準マークを前記第１方向に沿って移動させ、当該移動前後の前記ステージの前記第１方向における位置それぞれにおいて前記第２計測器により計測された前記基準マークの位置に基づいて前記角度を得る、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記少なくとも一つの荷電粒子線の一部の荷電粒子線のそれぞれについて、前記ステージを駆動することによって前記基準マークを前記第１方向に沿って移動させ、当該移動前後の前記ステージの前記第１方向における位置それぞれにおいて前記第２計測器により計測された前記基準マークの位置に基づいて前記角度を得、前記少なくとも一つの荷電粒子線の残りの荷電粒子線のそれぞれについて、前記得られた角度に基づいて前記第１方向に対する角度を推定する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記ステージの前記第１方向の駆動に対する位置決め精度をＥ、前記ベースラインの目標精度をＡとしたとき、前記許容範囲を定める前記角度の絶対値の上限値は、（Ａ／Ｅ）である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は、基板を保持するステージと、複数の荷電粒子線を前記基板の表面に投影する投影系と、前記ステージの上に形成された基準マークと、前記基板上のマークに光を照射し前記マークからの反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器と、前記投影系を介して前記基準マークに荷電粒子線を照射し前記基準マークからの荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第２計測器と、前記投影系の軸に沿う第１方向及び前記軸に直交する第２方向における前記ステージの位置を検出する検出器と、を備え、前記複数の荷電粒子線を用いて前記基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のうち少なくとも一つの荷電粒子線のそれぞれについて、前記基準マークに入射する荷電粒子線の前記第１方向に対する角度を取得し、前記取得された角度が許容範囲内である一つの荷電粒子線を決定し、前記決定された荷電粒子線を用いて前記第２計測器により計測された前記基準マークの位置と前記第１計測器により計測された前記基準マークの位置とから第１計測器に関するベースラインを求める制御部を備える、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月21日(2013.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属原子と、
前記第１の金属原子の同位体である第２の金属原子と、
前記第１の金属原子と前記第の２の金属原子に、電磁誘起透過現象を発生させる２つの共鳴光対を含む光を照射する光源と、
前記前記第１の金属原子または前記第の２の金属原子を透過した光を検出する光検出部と、
前記光検出部が検出した光の強度に基づいて、前記２つの共鳴光対夫々の周波数を制御する周波数制御部と、を備えていることを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記第１の金属原子が質量数８５のルビジウムであり、前記第２の金属原子が質量数８７のルビジウムであることを特徴とする請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記周波数制御部は、
電圧制御水晶発振器の出力信号を所定の周波数により位相変調する位相変調部と、
前記位相変調部により位相変調された信号を前記第１の金属原子の遷移周波数に逓倍する第１の周波数逓倍部と、
前記位相変調部により位相変調された信号を前記第２の金属原子の遷移周波数に逓倍する第２の周波数逓倍部と、
前記第１の周波数逓倍部により逓倍された周波数と前記第２の周波数逓倍部により逓倍
された周波数とを混合する周波数混合器と、
を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の原子発振器。
【請求項４】
前記第１の周波数逓倍部及び前記第２の周波数逓倍部に夫々前記位相変調部を備え、何
れか一方の前記位相変調部に位相をシフトする移相器を備えていることを特徴とする請求項３に記載の原子発振器。
【請求項５】
前記第１の周波数逓倍部及び前記第２の周波数逓倍部に夫々前記位相変調部を備え、何
れか一方の前記位相変調部に信号の振幅を調整する振幅調整器を備えていることを特徴とする請求項３に記載の原子発振器。
【請求項６】
前記２つの共鳴光対を含む光を変調する電気光学変調器を備えていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の原子発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに図６を参照して、上記の堆積により、隙間ＧＰの開口ＣＲ（図５）を塞ぐように側面Ｓ１およびＳ２をつなぐ接合部ＢＤａが形成される。この結果、隙間ＧＰ（図５）は、接合部ＢＤａによって開口ＣＲ（図５）が閉塞された隙間ＶＤａ（図６）となる。接合部ＢＤａの結晶構造は、開口ＣＲを挟む材料基板１１および１２の結晶構造の影響を受けて材料基板１１および１２とほぼ同様のものとなる。たとえば材料基板１１および１２の各々が蓋７０に面する面の面方位が（０００−１）の場合、接合部ＢＤａが蓋７０に面する面の面方位も（０００−１）となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図８および図９を参照して、上記の工程によって、材料基板群１０から、接合部ＢＤａが設けられた材料基板群１０ａ（図８および図９）が得られる。すなわち材料基板群１０の代わりに材料基板群１０ａを有する種基板８０ａが得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に比較例（図１５）について説明する。本比較例では、種基板８０ａ（図８および図９）の代わりに種基板８０Ｐ（図１および図２）を用いて炭化珪素単結晶がエピタキシャル成長させられる。種基板８０Ｐは塞がれていない開口ＣＲを有するので、エピタキシャル成長の際にこの開口ＣＲの上に多くの欠陥ＤＦが生じてしまう。よって得られる炭化珪素単結晶５２ｚの結晶欠陥密度が大きくなってしまう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に本実施の形態の変形例について説明する。本変形例においては、蓋７０（図４）を形成するために塗布される流動体として、レジスト液７０Ｐ（図３）の代わりに、接着剤が用いられる。この接着剤は、炭素粉末を含有する懸濁液（カーボン接着剤）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
好ましくは基板温度は原料温度よりも低くされ、より好ましくは両温度の差は１℃以上１００℃以下とされる。また好ましくは、基板温度は１８００℃以上２５００℃以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
（実施の形態４）
以下に、本実施の形態の種基板の製造方法およびその変形例について説明する。なお以下において説明を簡略化するために材料基板１１〜１９（図１）のうち材料基板１１および１２に関してのみ言及する場合があるが、材料基板１３〜１９も材料基板１１および１２と同様に扱われる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素半導体装置を製造する方法であって、
少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、
前記炭化珪素半導体の前記第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する工程と、
前記第２の表面上に珪素元素を含む膜を形成する工程と、
前記珪素元素を含む膜を酸化することにより、前記炭化珪素半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備え、
前記第１の表面は、水素ガスと塩化水素ガスとを混合した混合ガスを用い、かつ混合ガス中の塩化水素ガスの含有率（塩化水素ガス／（塩化水素ガス＋水素ガス）×１００）が１０％以下であるドライエッチング処理、および、酸素を含む溶液、酸素ガスを含む雰囲気での熱酸化、酸素プラズマの少なくともいずれかを用いて、第１の表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を除去する処理、の少なくとも一方の処理により、洗浄される、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記珪素元素を含む膜が炭化珪素である、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記珪素元素を含む膜が珪素である、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記珪素元素を含む膜を形成する工程は、
前記炭化珪素半導体装置を構成する前記酸化膜の厚みを決定する工程と、
前記珪素元素を含む膜をすべて酸化したときに、決定した前記酸化膜の厚みになるように、前記珪素元素を含む膜の厚みを制御する工程とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素半導体装置を製造する方法であって、
炭化珪素半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程と、
前記第１の酸化膜を除去する工程と、
前記炭化珪素半導体において前記第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、前記炭化珪素半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程とを備え、
前記第１の酸化膜を除去する工程と、前記第２の酸化膜を形成する工程との間において、前記炭化珪素半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置され、
前記第１の酸化膜を除去する工程は、８００℃以上炭化珪素の昇華温度以下で水素ガス、塩化水素ガス、フッ化硫黄ガスおよびフッ化炭素ガスからなる群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いてエッチングする工程を含む、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の酸化膜を形成する工程と、前記第１の酸化膜を除去する工程との間において、前記炭化珪素半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の酸化膜を形成する工程では、前記炭化珪素半導体の前記第１の表面に形成されたダメージ層を酸化する、請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の酸化膜を除去する工程は、酸素を含まない雰囲気で１２００℃以上炭化珪素の昇華温度以下で前記第１の酸化膜を熱分解する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の酸化膜を除去する工程と前記第２の酸化膜を形成する工程との間において、前記炭化珪素半導体の温度差を５００℃以下に保持する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の酸化膜を形成する工程では、前記第１の酸化膜を除去する工程で用いる装置を用いて、前記第２の酸化膜を形成する、請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の酸化膜を形成する工程と、前記第１の酸化膜を除去する工程と、前記第２の酸化膜を形成する工程とのそれぞれの間において、前記炭化珪素半導体の温度差を５００℃以下に保持する、請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の酸化膜を形成する工程で用いる装置と、前記第１の酸化膜を除去する工程で用いる装置と、前記第２の酸化膜を形成する工程で用いる装置とが同一である、請求項７に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
炭化珪素半導体装置を製造する装置であって、
炭化珪素半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成するための第１の形成部と、
前記第１の酸化膜を除去するための除去部と、
前記除去部で、前記炭化珪素半導体において前記第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、前記炭化珪素半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成するための第２の形成部と、
前記炭化珪素半導体を搬送可能に前記除去部と前記第２の形成部とを接続する第１の接続部とを備え、
前記第１の接続部における前記炭化珪素半導体を搬送させる領域は、大気の遮断が可能である、炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記炭化珪素半導体を搬送可能に前記第１の形成部と前記除去部とを接続する第２の接続部をさらに備え、
前記第２の接続部における前記炭化珪素半導体を搬送させる領域は、大気の遮断が可能である、請求項９に記載の炭化珪素半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
炭化珪素半導体装置を製造する装置であって、
炭化珪素半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成するための第１の形成部と、
前記第１の酸化膜を除去し、かつ前記炭化珪素半導体において前記第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、前記炭化珪素半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成するための第２の形成部と、前記炭化珪素半導体を搬送可能に前記第１の形成部と前記第２の形成部とを接続する接続部とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
炭化珪素半導体装置を製造する方法であって、
少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、
前記炭化珪素半導体の前記第１の表面を、水素ガスを含むガスを用いてドライエッチングすることにより、第２の表面を形成する工程と、
前記第２の表面上に、前記炭化珪素半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備え、
前記第２の表面を形成する工程後に、液相を用いた洗浄をせずに、前記酸化膜を形成する工程を実施する、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ドライエッチングにおいて、水素ガスと塩化水素ガスとを混合した混合ガスを用い、かつ混合ガス中の塩化水素ガスの含有率（塩化水素ガス／（塩化水素ガス＋水素ガス）×１００）が１０％以下である、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合された複数の基板を保持し、前記複数の基板を接合すべく加熱し、接合された複数の基板を冷却する温度調節部を有する基板貼り合せ装置を制御する制御方法であって、
前記温度調節部を、前記複数の基板を加熱して接合させる加熱専用とするのか、すでに接合された前記複数の基板を冷却する冷却専用とするのかを決定する決定ステップを含む制御方法。
【請求項２】
前記決定ステップにおいて、前記複数の基板を加熱するのに要する時間と前記複数の基板を冷却するのに要する時間とを比較して、加熱に要する時間の方が長い場合に前記温度
調節部を加熱専用とし、冷却に要する時間の方が長い場合に前記温度調節部を冷却専用とすることを決定する請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記基板貼り合せ装置は、複数の前記温度調節部を有し、
前記決定ステップは、前記複数の温度調節部のうちのいずれを加熱専用とし、前記複数の温度調節部のうちのいずれを冷却専用とするのかを決定する請求項１または２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記決定ステップにおいて、前記複数の基板を加熱するのに要する時間と前記複数の基板を冷却するのに要する時間の時間比を求めて、加熱専用とする前記温度調節部の個数と冷却専用とする前記温度調節部の個数の比を前記時間比に近づける請求項３に記載の制御方法。
【請求項５】
加熱および冷却の少なくとも一方に関する情報の入力を受け付ける入力ステップをさらに含み、
前記入力ステップにより加熱および冷却の少なくとも一方に関する新たな情報の入力が受け付けられた場合に、前記決定ステップが実行される請求項３または４に記載の制御方法。
【請求項６】
前記決定ステップによる決定に基づいて、前記複数の基板を加熱して接合させるべく加熱専用とされた前記温度調節部を制御し、または、接合された前記複数の基板を冷却すべく冷却専用とされた前記温度調節部を制御する制御ステップをさらに含む請求項３から５のいずれか１項に記載の制御方法。
【請求項７】
前記制御ステップにおいて、加熱専用とされた前記温度調節部を制御する場合に、前記複数の基板を加熱して接合させ、その後、冷却専用とされた前記温度調節部による冷却温度より高い温度まで前記複数の基板を冷却する請求項６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記決定ステップは、前記温度調節部を、加熱専用とするか、冷却専用とするか、または、前記複数の基板を加熱して接合しかつ接合した前記複数の基板を冷却するのに用いるかを決定する請求項１または２に記載の制御方法。
【請求項９】
前記基板貼り合せ装置は、複数の前記温度調節部を有し、
前記決定ステップは、複数の前記温度調節部のいずれを加熱専用とし、いずれを冷却専用とし、さらに、いずれを前記複数の基板を加熱してかつ冷却するのに用いるか、を決定する請求項８に記載の制御方法。
【請求項１０】
前記決定ステップによる決定に基づいて、前記複数の基板を加熱して接合させるべく加熱専用とされた前記温度調節部を制御するステップ、接合された前記複数の基板を冷却するべく冷却専用とされた前記温度調節部を制御するステップ、または、前記複数の基板を加熱して接合させてかつ接合された前記複数の基板を冷却するべく前記温度調節部を制御するステップをさらに備える請求項８または９に記載の制御方法。
【請求項１１】
重ね合された複数の基板を接合すべく加熱する加熱部、および、接合した前記複数の基板を冷却する冷却部を有する温度調節部と、
前記温度調節部を、前記複数の基板を加熱して接合させる加熱専用とするのか、すでに接合された前記複数の基板を冷却する冷却専用とするのかを決定し、その決定に基づいて前記温度調節部を制御する制御部と、
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の制御方法により制御される、請求項１１に記載の基板貼り合せ装置により基板を貼り合せることを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コード画像をデコードして、当該コード画像に含まれたバージョン情報を得る手段と、
前記得られたバージョン情報が既定するバージョンに画像処理装置が対応していない場合、前記コード画像に埋め込まれた情報の出力を行わず、対応している場合、前記埋め込まれた情報の出力を行う制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記バージョン情報は、前記コード画像に含まれた情報のフォーマットのバージョンを既定する情報であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記画像処理装置の仕様バージョン情報が、前記得られたバージョン情報より上位又は前記得られたバージョン情報と同じ場合に前記埋め込まれた情報の出力を行い、前記仕様バージョン情報が、前記得られたバージョン情報より下位である場合に前記埋め込まれた情報の出力を行わず、
前記仕様バージョン情報は、前記埋め込まれた情報を解釈するための前記画像処理装置の機能に関する前記フォーマットのバージョン情報であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記コード画像には、前記コード画像に埋め込まれた情報のフォーマットのリビジョンを既定するリビジョン情報が埋め込まれており、
前記制御手段は、前記仕様バージョン情報が前記得られたバージョン情報と同じであり、前記画像処理装置の仕様リビジョン情報が、前記埋め込まれたリビジョン情報より下位である場合、前記埋め込まれた情報のうち、フォーマットが同じである項目のみ出力し、
前記仕様リビジョン情報は、前記画像処理装置が前記埋め込まれた情報を解釈する機能に関する前記フォーマットのリビジョン情報であることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記リビジョン情報は、
前記フォーマットのバージョンが同じでリビジョンが異なる場合、前記リビジョンの新しいフォーマットに含まれる情報項目のうち前記リビジョンの古いフォーマットにも含まれる情報項目のフォーマットは、前記リビジョンの古いフォーマットと同じであることを示す情報であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記コード画像に複数セットの情報が埋め込まれていた場合、前記埋め込まれた情報の出力を行わないことを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記コード画像に複数セットの情報が埋め込まれていた場合、前記画像処理装置が対応しているバージョンの前記埋め込まれた情報のセットのみ出力することを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記コード画像に複数セットの情報が埋め込まれていた場合、前記出力する情報のセットを埋め込んでいた前記コード画像の原稿における位置を表示する表示手段を備えることを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記得られたバージョン情報が既定するバージョンに前記画像処理装置が対応していない場合、前記画像処理装置の機能を更新するためのデータを外部装置から取得可能であるかを判断する第１の判断手段と、
前記第１の判断手段により取得可能であると判断された場合、データを外部装置から取得して、前記画像処理装置の機能を更新する手段と
を備え、
前記第１の判断手段により取得可能でないと判断された場合、前記制御手段は前記埋め込まれた情報の出力を行わないことを特徴とする請求項１から８のいずれか１つに記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記仕様バージョン情報が前記得られたバージョン情報と同じであり、前記画像処理装置の仕様リビジョン情報が、前記埋め込まれたリビジョン情報より下位である場合、前記画像処理装置の機能を更新するためのデータを外部装置から取得可能であるかを判断する第２の判断手段と、
前記第２の判断手段により取得可能であると判断された場合、データを外部装置から取得して、前記画像処理装置の機能を更新する手段と
を備え、
前記第２の判断手段により取得可能でないと判断された場合、前記埋め込まれた情報のうち、フォーマットが同じである項目のみ出力することを特徴とする請求項４から９のいずれか１つに記載の画像処理装置。
【請求項１１】
画像処理装置で実施される画像処理方法であって、
コード画像をデコードして、当該コード画像に含まれたバージョン情報を得るステップと、
前記得られたバージョン情報が既定するバージョンに前記画像処理装置が対応していない場合、前記コード画像に埋め込まれた情報の出力を行わず、対応している場合、前記埋め込まれた情報の出力を行う制御ステップと、
を備えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
コンピュータを請求項１から１０のいずれか１つに記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。