Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報処理装置が参加するセッションを記述し、画面提供をする共有サーバと前記画面提供を受ける共有クライアントとの関係を多対多で定義可能なセッション情報を記憶する記憶手段と、
前記セッションに参加する情報処理装置に対し、前記セッション情報を提供することで、前記共有サーバとして動作する情報処理装置を通知する提供手段と、
前記セッションに参加する情報処理装置から画面共有の依頼を受信した場合に、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に前記画面共有の依頼を転送する転送手段と、
前記画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に前記セッション情報を更新する更新手段とを含み、
前記セッションに参加する情報処理装置は、前記セッション情報に従って、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に対する前記画面共有の依頼を送信する依頼送信手段を含む、画面共有システム。
【請求項２】
前記更新手段は、共有クライアントとして動作する情報処理装置からの追加の画面提供の申し出があった場合に、該情報処理装置が共有クライアントおよび共有サーバの両方として動作する旨前記セッション情報を更新し、前記共有クライアントおよび共有サーバの両方として動作する情報処理装置は、共有クライアントとして画像データを受信するとともに、前記追加の画面提供の申し出による共有関係が成立したことに応答して、該共有関係の共有クライアントの情報処理装置に向けた画面データの送信を開始する、請求項１に記載の画面共有システム。
【請求項３】
前記転送手段は、前記共有クライアントとして動作する情報処理装置から画面切替の依頼を受信した場合に、指定された共有サーバとして動作する情報処理装置に前記画面切替の依頼を転送し、前記更新手段は、前記画面切替の依頼による共有関係の変更があった場合に前記セッション情報を更新する、請求項１または２に記載の画面共有システム。
【請求項４】
前記更新手段は、前記セッションに参加する情報処理装置からの画面提供の申し出があった場合に、該情報処理装置が共有サーバとして動作する旨前記セッション情報を更新し、前記提供手段は、前記セッションに参加する情報処理装置に対し、更新されたセッション情報または更新部分を配信することで前記申し出を通知する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の画面共有システム。
【請求項５】
前記セッション情報に事前指定されたセッション開始時刻が到来したことに応答して、前記セッションに参加する情報処理装置に対して当該セッションへ招待する手段をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の画面共有システム。
【請求項６】
前記セッション情報に事前指定されたセッション終了時刻が到来したことに応答して、前記セッションに参加している情報処理装置に対し、当該セッションの終了を通知する手段をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の画面共有システム。
【請求項７】
前記セッションに参加する情報処理装置の前記依頼送信手段は、前記セッション情報の提供に応答して前記共有サーバとして動作する情報処理装置をユーザ通知し、ユーザからの明示の許諾を受けた場合、または前記セッション情報が所与の条件を満たす場合に、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に対する前記画面共有の依頼を送信する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の画面共有システム。
【請求項８】
複数の情報処理装置間の画面共有を管理する管理サーバであって、前記管理サーバは、
前記複数の情報処理装置が参加するセッションを記述し、画面提供をする共有サーバと前記画面提供を受ける共有クライアントとの関係を多対多で定義可能なセッション情報を記憶する記憶手段と、
前記セッションに参加する情報処理装置に対し、前記セッション情報を提供することで、前記共有サーバとして動作する情報処理装置を通知する提供手段と、
前記セッションに参加する情報処理装置から画面共有の依頼を受信した場合に、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に前記画面共有の依頼を転送する転送手段と、
前記画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に前記セッション情報を更新する更新手段とを含む、管理サーバ。
【請求項９】
請求項８に記載の管理サーバと通信する情報処理装置であって、更新された情報に従って、共有サーバとして動作する情報処理装置に対し、画面共有の依頼を送信する依頼送信手段を含む、情報処理装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の管理サーバと通信する情報処理装置であって、画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に、共有サーバとして、対応する共有クライアントとして動作する情報処理装置に向けた画面データの送信を開始する画面送信手段を含む、情報処理装置。
【請求項１１】
複数の情報処理装置間の画面共有を管理する管理サーバが実行する方法であって、
前記管理サーバが、前記複数の情報処理装置が参加するセッションを記述し、画面提供をする共有サーバと前記画面提供を受ける共有クライアントとの関係を多対多で定義可能なセッション情報を記憶するステップと、
前記管理サーバが、前記セッションに参加する情報処理装置に対し、前記セッション情報を提供することで、前記共有サーバとして動作する情報処理装置を通知するステップと、
前記管理サーバが、前記セッションに参加する情報処理装置から画面共有の依頼を受信するステップと、
前記管理サーバが、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に前記画面共有の依頼を転送するステップと、
前記管理サーバが、前記画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に前記セッション情報を更新するステップと
を含む、画面共有管理方法。
【請求項１２】
複数の情報処理装置と、装置間の画面共有を管理する管理サーバとを含む画面共有システムで実行される方法であって、
前記管理サーバが、前記複数の情報処理装置が参加するセッションを記述し、画面提供をする共有サーバと前記画面提供を受ける共有クライアントとの関係を多対多で定義可能なセッション情報を記憶するステップと、
前記管理サーバが、前記セッションに参加する情報処理装置に対し、前記セッション情報を提供することで、前記共有サーバとして動作する情報処理装置を通知するステップと、
前記管理サーバが、前記セッションに参加する情報処理装置が、前記セッション情報に従って、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に対し、画面共有の依頼を送信するステップと、
前記管理サーバが、前記共有サーバとして動作する情報処理装置に前記画面共有の依頼を転送するステップと、
前記管理サーバが、前記画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に前記セッション情報を更新するステップと、
前記共有サーバとして動作する情報処理装置が、前記画面共有の依頼による共有関係が成立した場合に、該共有関係の共有クライアントの情報処理装置に向けた画面データの送信を開始するステップと
を含む、画面共有管理方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の各手段として管理サーバを動作させるコンピュータ実行可能なプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピュータ実行可能なプログラムを格納するコンピュータ可読な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示部と、
前記表示部に重畳して配置され、操作者のタッチ入力を検出する入力検出部と、
前記表示部にソフトウェアキーボードを表示させ、前記入力検出部でソフトウェアキーボードの１つのキーの画像がタッチされたことを検出したら、当該１つのキーの画像及びその周囲のキーの内の少なくとも１つの画像を拡大して表示させる第１の拡大キー表示を行う制御部と、
を備えることを特徴とする文字入力装置。
【請求項２】
画像を表示する表示部と、前記表示部に重畳して配置され、操作者のタッチ入力を検出する入力検出部と、を備える文字入力装置で実行される方法であって、
前記表示部にソフトウェアキーボードを表示させるステップと、
前記入力検出部でソフトウェアキーボードの１つのキーの画像がタッチされたことを検出したら、当該１つのキーの画像及びその周囲のキーの内の少なくとも１つの画像を拡大して表示させる拡大キー表示を行うステップと、
を含むことを特徴とする文字入力方法。
【請求項３】
画像を表示する表示部と、前記表示部に重畳して配置され、操作者のタッチ入力を検出する入力検出部と、を備える文字入力装置で実行されるプログラムであって、
前記表示部にソフトウェアキーボードを表示させるステップと、
前記入力検出部でソフトウェアキーボードの１つのキーの画像がタッチされたことを検出したら、当該１つのキーの画像及びその周囲のキーの内の少なくとも１つの画像を拡大して表示させる拡大キー表示を行うステップと、
を含むことを特徴とする文字入力プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のストレージ装置上に記憶されているデータを復元する方法であって、
１又は複数の物理ストレージ装置のアドレスを仮想レイド（RAID）の１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクにマッピングするステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む復元リストを生成する復元リスト生成ステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む仮想レイドの１又は複数の仮想データスライスの１又は複数の仮想スライス冗長性レベルに従って、復元リストの優先順位を決定するステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクのデータを、復元リストに従って、少なくとも１つの代替物理ストレージ装置に再構築するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、仮想レイドは、物理ストレージ装置の数よりも少ない数の仮想ドライブを有していることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、復元リスト生成ステップは、障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置上に記憶されたデータチャンクへの参照のリストをメタデータからコピーするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、復元リスト生成ステップは、仮想レイドの１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクへの１又は複数の物理ストレージ装置の１又は複数のアドレスのマッピングと関連するマッピングアルゴリズムを適用し、障害の生じた１又は複数の物理ストレージ装置上に仮想レイドのどのデータチャンクが記憶されていたのかを決定するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
複数のストレージ装置上に記憶されているデータを復元する方法であって、
１又は複数の物理ストレージ装置のアドレスを仮想レイド（RAID）の１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクにマッピングするステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む復元リストを生成するステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む仮想レイドの１又は複数の仮想データスライスの１又は複数の仮想スライス冗長性レベルに従って、復元リストの優先順位を決定するステップであって、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置と関連する第１の仮想スライスの仮想ボリュームデータチャンクの数と第２の仮想スライスの仮想ボリュームデータチャンクの数とを比較するステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置と関連する仮想ボリュームデータチャンクの最大数を有する仮想ボリュームスライスの少なくとも１つの仮想ボリュームチャンクに、復元リストにおける最高の優先順位を割り当てるステップと
を含む優先順位決定ステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクのデータを、復元リストに従って、少なくとも１つの代替物理ストレージ装置に再構築するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、仮想レイドの１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクは、ミラーされた仮想ボリュームを形成することを特徴とする方法。
【請求項７】
複数のストレージ装置上に記憶されているデータを復元するハードウェアシステムであって、
１又は複数の物理ストレージ装置のアドレスを仮想レイドの１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクにマッピングする手段と、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む復元リストを生成する手段と、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む仮想レイドの１又は複数の仮想データスライスの１又は複数の仮想スライス冗長性レベルに従って、復元リストの優先順位を決定する手段と、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクのデータを、復元リストに従って、少なくとも１つの代替物理ストレージ装置に再構築する手段と
を含むことを特徴とするハードウェアシステム。
【請求項８】
コンピュータ上で方法を実行するための命令を記憶した、コンピュータ読取可能な記憶媒体であって、該方法は、
１又は複数の物理ストレージ装置のアドレスを仮想レイドの１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクにマッピングするステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む復元リストを生成するステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクを含む仮想レイドの１又は複数の仮想データスライスの１又は複数の仮想スライス冗長性レベルに従って、復元リストの優先順位を決定するステップと、
障害が生じた１又は複数の物理ストレージ装置にマッピングされた１又は複数の仮想ボリュームデータチャンクのデータを、復元リストに従って、少なくとも１つの代替物理ストレージ装置に再構築するステップと
を含むことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物を加工する工具を、刃先が前記加工対象物に対して傾くように旋回可能に支持し、前記工具による前記加工対象物の加工を行う際に、前記工具の刃先が前記加工対象物の表面に近接する加工待機位置に位置するように前記工具を待機させ、前記加工待機位置から前記工具を移動開始させて前記加工対象物の加工を行う工作機械において、
前記工具を旋回状態で前記加工待機位置に待機させる際に、前記工具の直径と前記工具の旋回角度とに応じて、前記工具が前記加工対象物に干渉しないように、前記加工待機位置を補正する加工待機位置補正手段を備えたことを特徴とする工作機械。
【請求項２】
前記工具は、前記工具の軸線に直交するとともに前記工具の刃先を通過する直線と前記工具の軸線とが交差する点が、前記加工待機位置に位置するように待機し、
前記加工対象物の加工面に直交する方向に対して前記工具の軸線が傾斜するように旋回支持され、
前記加工待機位置補正手段は、各旋回角度に対して前記工具の直径の１／２の長さだけ、前記加工待機位置を、前記加工対象物の加工面に直交して前記加工対象物から離れる方向に補正することを特徴とする請求項１に記載の工作機械。
【請求項３】
前記工具は、前記工具の軸線に直交するとともに前記工具の刃先を通過する直線と前記工具の軸線とが交差する点が、前記加工待機位置に位置するように待機し、
前記加工対象物の加工面に直交する方向に対して前記工具の軸線が傾斜するように旋回支持され、
前記加工待機位置補正手段は、前記工具の直径の１／２に前記工具の前記旋回角度の正弦値を乗じた距離だけ、前記加工待機位置を、前記加工対象物の加工面に直交して前記加工対象物から離れる方向に補正することを特徴とする請求項１に記載の工作機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明に係る工作機械は、加工対象物を加工する工具を、刃先が前記加工対象物に対して傾くように旋回可能に支持し、前記工具による前記加工対象物の加工を行う際に、前記工具の刃先が前記加工対象物の表面に近接する加工待機位置に位置するように前記工具を待機させ、前記加工待機位置から前記工具を移動開始させて前記加工対象物の加工を行う工作機械において、前記工具を旋回状態で前記加工待機位置に待機させる際に、前記工具の直径と前記工具の旋回角度とに応じて、前記工具が前記加工対象物に干渉しないように、前記加工待機位置を補正する加工待機位置補正手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
すなわち、制御装置７０は、読み込まれた制御プログラムにより、下記手段（１１）〜（１６）（図８参照）として動作する。
（１１）複数の工具４０のうち、ワーク２００の加工を行う１つの工具４０を選択する工具選択手段７１
（１２）工具４０ごとに、その工具４０の直径ｄを記憶する記憶手段７３
（１３）記憶手段から、選択された工具４０の直径ｄを取得する工具直径取得手段７２
（１４）工具４０に対するＢ軸回りの旋回の有無（旋回角度θが０［度］以外か否か）を、取得した旋回角度θに基づいて判定する旋回加工判定手段７５
（１５）旋回加工判定手段７５による判定結果が旋回有りのときは、工具直径取得手段７２により取得された工具の直径ｄおよび旋回加工判定手段７５により取得された旋回角度θに基づいて補正量Δｘを算出し、算出された補正量Δｘおよび加工待機位置ｘ２に基づいて、補正後加工待機位置ｘ３を算出する補正後加工待機位置算出手段７４
（１６）加工待機位置ｘ２を補正後加工待機位置ｘ３に置き換える加工待機位置補正手段７６
そして、制御装置７０を（１１）〜（１６）の各手段として動作させる制御プログラムにより、制御装置７０は、図７に示す手順を実行することができるハードウェアを構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して搬送され、前記基板が他の基板と貼り合わされるときに用いられる基板ホルダであって、
前記基板を保持するホルダ本体と、
前記ホルダ本体に設けられ、少なくとも前記基板が前記他の基板と貼り合わされるときに前記ホルダ本体の温度を検出する温度検出部と
を備える基板ホルダ。
【請求項２】
前記ホルダ本体内に配され、前記基板を前記ホルダ本体に静電的に吸着する静電用電極をさらに備え、
前記温度検出部は、前記静電用電極間の電気的特性により前記ホルダ本体の温度を検出する請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記温度検出部は、前記静電用電極のリーク電流に基づいて前記ホルダ本体の温度を検出する請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記ホルダ本体内に配され、前記基板を前記ホルダ本体に静電的に吸着する静電用電極をさらに備え、
前記温度検出部は、前記静電用電極とは別個に設けられる電極を有する請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
前記電極は、前記ホルダ本体における前記基板を吸着する吸着面側に配置される請求項４に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記電極は、前記ホルダ本体における前記基板を吸着する領域の外側に配置される請求項４又は５に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
前記温度検出部は、複数の前記基板を間に挟んで保持する２枚の前記基板ホルダの前記ホルダ本体の温度差を検出する請求項１から６の何れか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
前記温度検出部は、熱電対である請求項１から７の何れか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項９】
第１基板と第２基板とを互いに貼り合せる基板貼り合せ装置であって、
基板ホルダに保持された前記第１基板と、前記第２基板とを互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ部と、
前記位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板とを互いに接合する接合部と、
少なくとも前記接合部による接合時に、前記基板ホルダからの電気的な出力に基づいて前記基板ホルダの温度を検出する温度検出部と、
を備える基板貼り合せ装置。
【請求項１０】
前記温度検出部は、前記第１基板を前記基板ホルダに静電的に吸着すべく前記基板ホルダに配された静電用電極に電気的に接続されることにより、前記基板ホルダからの電気的な出力を取得する端子を有する請求項９に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１１】
前記基板ホルダを搬送する搬送部を更に備え、
前記温度検出部は、前記搬送部に配され、前記第１基板を前記基板ホルダに静電的に吸着すべく前記基板ホルダに配された静電用電極に電気的に接続されることにより、前記基板ホルダからの電気的な出力を取得する端子を有する請求項９または１０に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１２】
前記温度検出部は、前記静電用電極のリーク電流に基づいて前記基板ホルダの温度を検出する請求項１０または１１に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１３】
前記温度検出部は、前記第２基板を保持する他の基板ホルダと前記基板ホルダとの間に互いに重ね合された前記第１基板および前記第２基板を挟んだ状態で、前記基板ホルダと前記他の基板ホルダとの温度差を検出する請求項９から１２の何れか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１４】
前記接合部は、互いに重ね合された前記第１基板および前記第２基板を加熱するヒータを有する加熱部を備え、
前記ヒータは、前記温度検出部の検出結果に基づいて制御される請求項９から１３のいずれか一項に記載の基板貼り合せ装置。
【請求項１５】
請求項９から１４の何れか一項に記載の基板貼り合せ装置により基板を貼り合せることを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図６の（ｃ）は、減速モードの例を示す。減速モードの場合には、中間電極Ｌには、引出電極Ｔの電位および加速電極Ａの電位よりも高い電圧を印加すると共に、ベルシェ効果（空間電荷制限）による電子線ビームの横方向広がりを少なくするために、試料ＳＰに入射する電子線ビームの電位よりも加速電極Ａにおける印加電圧を大幅に低くする。以上の条件を満たすようにしたものを図６の（ｃ）の直線の点線で連結した折れ線で模式的に示す。尚、折れ線は、実際は、各電極の形状、配置位置に対応した形状となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図６の（ｄ）は、加速モードの例を示す。加速モードの場合には、中間電極Ｌには、引出電極Ｔの電位および加速電極Ａの電子よりも低い電圧を印加すると共に、ベルシェ効果（空間電荷制限）による電子線ビームの横方向広がりを少なくするために、試料ＳＰに入射する電子線ビームの電位よりも加速電極Ａにおける印加電圧を大幅に低くする。以上の条件を満たすようにしたものを図６の（ｄ）の直線の点線で連結した折れ線で模式的に示す。尚、折れ線は、実際は、各電極の形状、配置位置に対応した形状となる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源を点灯させる点灯装置において、
前記光源の点灯出力を指示する点灯出力指示信号を入力し、入力した前記点灯出力指示信号に従った点灯出力で前記光源を点灯させる光源点灯回路と、
前記点灯装置が固有のインピーダンスを有する照明器具本体に電気的に接続されると、前記固有のインピーダンスに応じた対応信号を出力する対応信号出力部と、
前記対応信号出力部から前記対応信号を入力し、入力した前記対応信号が所定の値の場合に、前記対応信号に応じた前記点灯出力指示信号を生成し、生成した前記点灯出力指示信号を前記光源点灯回路に出力する制御部と
を備えたことを特徴とする点灯装置。
【請求項２】
前記対応信号出力部は、
前記点灯装置が前記照明器具本体に電気的に接続されていない非接続状態の場合には、前記非接続状態に応じた信号を前記対応信号として出力し、
前記制御部は、
前記対応信号出力部から前記非接続状態に応じた前記対応信号を入力し、入力した前記対応信号に応じた前記点灯出力指示信号を生成し、生成した前記点灯出力指示信号を前記光源点灯回路に出力することを特徴とする請求項１記載の点灯装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記対応信号の信号値と前記点灯出力指示信号の信号値との組が複数登録されたテーブルを不揮発的に記憶する記憶部を備えると共に、前記対応信号出力部から前記対応信号を入力すると、前記テーブルを対象として、入力された前記対応信号の信号値に対応する前記点灯出力指示信号の信号値を検索し、検索の結果ヒットした場合には、ヒットした信号値の前記点灯出力指示信号を生成することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項４】
前記点灯装置が電気的に接続される前記照明器具本体は、
前記固有のインピーダンスが、特定のインピーダンス素子の有するインピーダンスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項５】
前記点灯装置が電気的に接続される前記照明器具本体は、
前記固有のインピーダンスが、前記照明器具本体自体のインピーダンスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項６】
点灯装置を備えた照明器具において、
固有のインピーダンスを有する照明器具本体を備え、
前記点灯装置は、
光源の点灯出力を指示する点灯出力指示信号を入力し、入力した前記点灯出力指示信号に従った点灯出力で前記光源を点灯させる光源点灯回路と、
前記点灯装置が前記照明器具本体に電気的に接続されると、前記固有のインピーダンスに応じた対応信号を出力する対応信号出力部と、
前記対応信号出力部から前記対応信号を入力し、入力した前記対応信号が所定の値の場合に、前記対応信号に応じた前記点灯出力指示信号を生成し、生成した前記点灯出力指示信号を前記光源点灯回路に出力する制御部と
を備えたことを特徴とする照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、前記直流電源から出力される直流電力を交流電圧に変換するインバータ回路と、前記交流電圧を昇圧する高電圧変圧器と、前記昇圧した交流電圧を直流高電圧に変換し、Ｘ線管に該直流高電圧を供給する整流器と、を備えたＸ線高電圧装置において、
前記高電圧変圧器に備えられた一次巻線の両入力端子部にそれぞれ直列に挿入したキャパシタを備えることを特徴とするＸ線高電圧装置。
【請求項２】
前記高電圧変圧器の一次巻線の両入力端子部と基準電位間に、変圧器入力サージ電圧保護回路を備えることを特徴とする請求項１に記載のＸ線高電圧装置。
【請求項３】
サージアブソーバを用いて構成される前記変圧器入力サージ電圧保護回路を備えることを特徴とする請求項２に記載のＸ線高電圧装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＸ線高電圧装置と、前記交流電圧を伝送する一次巻線と二次巻線とからなる非接触給電装置と、を備えたＸ線ＣＴ装置において、
前記非接触給電装置に備えられた一次巻線の両入力端子部は、前記キャパシタにそれぞれ直列に接続されることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項５】
前記非接触給電装置の二次巻線の両出力端子部と、前記高電圧変圧器に備えられた一次巻線の両入力端子部との間にそれぞれ直列に挿入した第二のキャパシタを備えることを特徴とする請求項４に記載のＸ線ＣＴ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタと容量素子を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上に選択的にＬＯＣＯＳ膜を形成することでアクティブ領域を形成する工程と、
前記アクティブ領域の表面にゲート絶縁膜を成膜する工程と、
前記ゲート絶縁膜上および前記ＬＯＣＯＳ膜上に第１のポリシリコン膜を成膜する工程と、
前記第１のポリシリコン膜を前記容量素子の下部電極及び前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極にパターニングする工程と、
前記第１のポリシリコン膜をパターニングする工程の後に前記ＭＯＳトランジスタのうちでＬＤＤ型としないＭＯＳトランジスタの領域および容量素子の下側電極となる領域にＮ型の高濃度不純物注入を５×１０14〜２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2のドーズ量で行う第１の不純物注入工程と、
前記第１のポリシリコン膜をパターニングする工程の後に前記ＭＯＳトランジスタのうちでＬＤＤ型とするＭＯＳトランジスタにおいて、Ｎ型不純物によりＮ型ＬＤＤ領域を形成し、Ｐ型不純物によりＰ型ＬＤＤ領域を形成する工程と、
前記第１の不純物注入工程と、前記Ｎ型不純物によりＮ型ＬＤＤ領域を形成し、Ｐ型不純物によりＰ型ＬＤＤ領域を形成する工程の後に容量膜を成膜する工程と、
第２のポリシリコン膜を前記容量膜の上に成膜する工程と、
前記第２のポリシリコン膜を前記容量素子の上部電極および第２の抵抗素子となるようにパターニングする工程と、
前記第２のポリシリコン膜をパターニングする工程の後に、Ｎ型の高濃度不純物注入を５×１０14〜２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2のドーズ量で行う第２の不純物注入工程と、
前記第２のポリシリコン膜をパターニングする工程の後に、Ｐ型の高濃度不純物注入を５×１０14〜２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2のドーズ量で行う第３の不純物注入工程と、を少なくとも有する半導体回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記Ｎ型不純物によりＮ型ＬＤＤ領域を形成し、Ｐ型不純物によりＰ型ＬＤＤ領域を形成する工程の後にサイドウォールを形成する工程を有する請求項１記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のポリシリコン膜は前記第１のポリシリコン膜より薄く形成される請求項１記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の抵抗素子は不純物濃度の異なるコンタクト領域を有する請求項１記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記ＬＤＤ型とするＭＯＳトランジスタはサイドウォールを有さず、フォトマスクによりＬＤＤ領域の長さが決定される請求項１記載の半導体回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記Ｎ型の高濃度不純物注入を５×１０14〜２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2のドーズ量で行う工程と、前記Ｐ型の高濃度不純物注入を５×１０14〜２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2のドーズ量で行う工程との間に熱処理する工程を有する請求項１記載の半導体回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成すると同時に分離溝を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜および露出した前記半導体基板上にプラグ金属膜を堆積し、少なくとも前記コンタクトホールの中に前記プラグ金属膜を完全充填する工程と、
前記プラグ金属膜をエッチバックして前記分離溝の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォール上に第２の絶縁膜を堆積する工程と、
少なくとも前記分離溝の上方にある前記第２の絶縁膜を覆うようにエッチング用レジスト膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記エッチング用レジスト膜をマスクとして下地の前記第２の絶縁膜をドライエッチングする工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜は、パッシベーション膜であることを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング用レジスト膜が感光性ポリイミドであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
スクライブ領域とＩＣ領域とからなる半導体装置であって、
半導体基板と、
前記スクライブ領域と前記ＩＣ領域とに亘って前記半導体基板上に配置された第１の絶縁膜と、
前記スクライブ領域の前記第１の絶縁膜に設けられた分離溝と、
前記分離溝の側壁に形成されたプラグ金属膜からなるサイドウォールと、
前記サイドウォールを覆う第２の絶縁膜と、
を有する半導体装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜は、パッシベーション膜であることを有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記プラグ金属膜からなるサイドウォールは、前記分離溝内の対向する前記サイドウォールの底部が互いに接触していることを特徴とする請求項４または請求項５記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続端子と内部回路領域との間に前記内部回路領域に形成された内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するための、素子分離にシャロートレンチ分離領域を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置であって、
前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域とゲート電極とはチャネル幅方向の一部の領域でのみゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の重畳部の下で重なり合い、チャネル幅方向のその他の領域では前記ゲート電極の下のチャネル領域と前記ドレイン領域とはオフセット領域を介して離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記重畳部は、前記ゲート電極のドレイン側の一部が突出したゲート電極突出部が前記ゲート絶縁膜を介して前記ドレイン領域と重なり合うことによって形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記重畳部は、前記ドレイン領域のゲート側の一部が突出したドレイン領域突出部が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なり合うことによって形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記重畳部は、前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタに隣接する前記シャロートレンチ分離領域から離間して形成されている請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極突出部は、前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタ内に複数個設置された請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ドレイン領域突出部は、前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタの他のドレイン領域に比べて、濃いＮ型の不純物濃度の領域にて形成されている請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ドレイン領域突出部は、前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタ内に複数個設置された請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】
シリコン基板の上にゲート絶縁膜を介して配置された、ドレイン領域側にゲート電極突出部を有するゲート電極と、
前記ゲート電極の下方のチャネル領域と接して前記シリコン基板に配置されたソース領域と、
前記ゲート電極突出部でのみ前記ゲート絶縁膜を介して重なり合い、前記ゲート電極の重畳部を構成する、前記シリコン基板の表面から内部にかけて配置されたドレイン領域と、
前記ゲート電極突出部の下を除き前記チャネル領域と前記ドレイン領域とを離間するオフセット領域と、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記チャネル領域および前記オフセット領域を取り囲んで配置されたシャロートレンチ分離領域と、
からなるＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置。
【請求項９】
シリコン基板の上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極の下方のチャネル領域と接して前記シリコン基板に配置されたソース領域と、
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜を介して重なり合うドレイン領域突出部を有し、前記ドレイン領域突出部が前記ゲート電極の下部に突出することで前記ゲート電極に重畳部を構成する、前記シリコン基板の表面から内部にかけて配置されたドレイン領域と、
前記ドレイン領域突出部の下を除き前記チャネル領域と前記ドレイン領域とを離間するオフセット領域と、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記チャネル領域および前記オフセット領域を取り囲んで配置されたシャロートレンチ分離領域と、
からなるＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマを用いてエッチング処理するプラズマ処理装置であって、
前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、
前記処理室内にコーティング用のガスを供給してプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆するコーティング工程を実施し、このコーティング工程の後に前記処理室内にアフタートリートメント用のガスを供給してプラズマを形成して前記皮膜の表面の凹凸を低減するアフタートリートメント工程を実施し、このアフタートリートメント工程の後に前記ウエハ上面の前記マスク膜の下方の前記ポリシリコン膜をエッチング処理するエッチング処理工程を実施するプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記コーティング工程において前記処理室内にＳｉまたはＳｉとＯ或いはＳｉとＣの少なくとも何れか一つを成分として含むガスを供給するプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記アフタートリートメント用のガスがＦを含むプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置であって、
前記膜構造が金属材料を含む膜を有したものであって、
前記処理室内の前記部材の表面に前記皮膜が残存している状態で、且つ前記ウエハが前記処理室内に配置されていない状態で、前記処理室内にプラズマを形成して前記皮膜の前記金属を低減するメタルクリーニング工程を実施するプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置であって、
前記メタルクリーニング工程において、ＣｌまたはＦとＢ，Ｈ，Ｃ，Ｓｉの何れかとの組み合わせを含むガスが供給されるプラズマ処理装置。
【請求項６】
真空容器内部に配置され減圧された処理室内の下部に配置された試料台の上面に処理対象のウエハを載置し、前記試料台の上方に配置された導入孔から前記処理室に処理用ガスを導入してプラズマを形成して前記ウエハの上面に配置された膜構造をエッチング処理するプラズマ処理方法であって、
前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、
前記処理室内にコーティング用のガスを供給してプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆するコーティング工程と、このコーティング工程の後に前記処理室内にアフタートリートメント用のガスを供給してプラズマを形成して前記皮膜の表面の凹凸を低減するアフタートリートメント工程と、このアフタートリートメント工程の後に前記ウエハ上面の前記マスク膜の下方の前記ポリシリコン膜をエッチング処理するエッチング処理工程とを備えた処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理方法であって、
前記コーティング工程において前記処理室内にＳｉまたはＳｉとＯ或いはＳｉとＣの少なくとも何れか一つを成分として含むガスを供給するプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載のプラズマ処理方法であって、
前記アフタートリートメント用のガスがＦを含むプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理方法であって、
前記膜構造が金属材料を含む膜を有したものであって、
前記処理室内の前記部材の表面に前記皮膜が残存している状態で、且つ前記ウエハが前記処理室内に配置されていない状態で、前記処理室内にプラズマを形成して前記皮膜の前記金属を低減するメタルクリーニング工程を備えたプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理方法であって、
前記メタルクリーニング工程において、ＣｌまたはＦとＢ，Ｈ，Ｃ，Ｓｉの何れかとの組み合わせを含むガスが供給されるプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマを用いてエッチング処理するプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法であって、前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、前記処理室内にコーティング用のガスを供給してプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆するコーティング工程を実施し、このコーティング工程の後に前記処理室内にアフタートリートメント用のガスを供給してプラズマを形成して前記皮膜の表面の凹凸を低減するアフタートリートメント工程を実施し、このアフタートリートメント工程の後に前記ウエハ上面の前記マスク膜の下方の前記ポリシリコン膜をエッチング処理するエッチング処理工程を実施することにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記コーティング工程において前記処理室内にＳｉまたはＳｉとＯ或いはＳｉとＣの少なくとも何れか一つを成分として含むガスを供給することにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらにまた、前記アフタートリートメント用のガスがＦを含むことにより達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらにまた、前記膜構造が金属材料を含む膜を有したものであって、前記処理室内の前記部材の表面に前記皮膜が残存している状態で、且つ前記ウエハが前記処理室内に配置されていない状態で、前記処理室内にプラズマを形成して前記皮膜の前記金属を低減するメタルクリーニング工程を実施することにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着膜が回路基板と接合する基板接合面に形成された半導体チップを、半導体チップが供給されるチップ供給部から回路基板に実装する回路基板実装部まで、搬送するチップ搬送装置であって、
チップ搬送装置が、半導体チップを吸着保持するチップ保持部材を備え、
チップ保持部材が、チップ供給部から回路基板実装部まで、移動することにより半導体チップを搬送する機構であって、
チップ保持部材に設けられた、半導体チップの基板接合面と接触するチップ吸着面に、凸形状をした突起が形成されているチップ搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、
凸形状の突起が、円筒部材から形成されているチップ搬送装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、
チップ搬送装置が、チップ保持部材のチップ吸着面を清掃する清掃手段を備えているチップ搬送装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の発明において、
チップ搬送装置が、チップ保持部材のチップ吸着面を冷却する冷却手段を備えているチップ搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
粘着膜が回路基板と接合する基板接合面に形成された半導体チップを、半導体チップが供給されるチップ供給部から回路基板に実装する回路基板実装部まで、搬送するチップ搬送装置であって、
チップ搬送装置が、半導体チップを吸着保持するチップ保持部材を備え、
チップ保持部材が、チップ供給部から回路基板実装部まで、移動することにより半導体チップを搬送する機構であって、
チップ保持部材に設けられた、半導体チップの基板接合面と接触するチップ吸着面に、凸形状をした突起が形成されているチップ搬送装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を有し、
室温以上１８０℃以下の温度範囲において、しきい値の変動幅が３Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を有し、
−２５℃以上１５０℃以下の温度範囲において、しきい値の変動幅が３Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を形成した後、第１の熱処理を行い、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層を形成した後、第２の熱処理を行い、
前記第２の熱処理は、前記第１の熱処理より低い温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の熱処理は、窒素雰囲気または希ガス雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第２の熱処理は、大気雰囲気、酸素雰囲気、窒素雰囲気または希ガス雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理領域を有する第１基板と第２処理領域を有する第２基板とを位置合わせする第１工程と、
第１基板と第２基板とが互いに交差する位置において、前記第１基板の前記第１処理領域と前記第２基板の前記第２処理領域とを貼り合わせる第２工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第１工程は、前記第１基板の第１余長部と前記第２基板の第２余長部とのうち少なくとも一方を用いて、位置合わせすることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記第１工程は、前記第１基板の諸元値に関する諸元情報と前記第２基板の諸元値に関する諸元情報とのうち少なくとも一方を用いて、前記第１基板の第１余長部を調整することを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理方法において、
前記第１工程は、前記第１基板の諸元値に関する諸元情報と前記第２基板の諸元値に関する諸元情報とのうち少なくとも一方を用いて、前記第２基板の第２余長部を調整することを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第１工程は、前記第１基板の諸元値に関する諸元情報と前記第２基板の諸元値に関する諸元情報とのうち少なくとも一方を用いて、位置合わせすることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項３から５のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第１工程は、前記第１基板の諸元情報に基づく第１プロセス情報と前記第２基板の諸元情報に基づく第２プロセス情報とのうち少なくとも一方を用いて、位置合わせすることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項３から６のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第１、第２基板の諸元値は、前記第１、第２基板の材質、可撓性、耐熱性、磨耗性、伸縮性、厚さ、膨張係数、摩擦係数及び耐テンション性のうち少なくとも１つをそれぞれ含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第２工程は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる際に、前記第１基板と前記第２基板との間に不活性気体を供給すること、又は当該第１基板及び第２基板を負圧吸引で保持することを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第２工程は、前記第１基板の処理状態に基づいて、選択的に貼り合わせることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第１基板の搬送路を並行して複数設け、
前記第２工程は、複数の前記第１処理領域と複数の前記第２処理領域とを貼り合わせることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記複数の第１処理領域の間に前記第１基板の第１余長部を形成することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第２基板の搬送路を並行して複数設け、
前記第２工程は、複数の前記第１処理領域と複数の前記第２処理領域とを貼り合わせることを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理方法において、
前記複数の第２処理領域の間に前記第２基板の第２余長部を形成すること
を特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板処理方法と、
前記第１基板に表示素子を形成する素子形成工程と、
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１５】
第１処理領域を有する第１基板と第２処理領域を有する第２基板とを位置合わせする位置合わせ装置と、
第１基板と第２基板とが互いに交差する位置において、前記第１基板の前記第１処理領域と前記第２基板の前記第２処理領域とを貼り合わせる貼り合わせ装置と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理装置において、
前記位置合わせ装置は、前記第１基板の第１余長部と前記第２基板の第２余長部とのうち少なくとも一方を用いて位置合わせすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置において、
前記第１基板の諸元値に関する諸元情報と前記第２基板の諸元値に関する諸元情報とのうち少なくとも一方を用いて、前記第１基板の第１余長部、または前記第２基板の第２余長部を調整する余長調整装置を備えることを特徴とする基板処理装置
【請求項１８】
請求項１５に記載の基板処理装置において、
前記位置合わせ装置は、前記第１基板の諸元値に関する諸元情報と前記第２基板の諸元値に関する諸元情報との少なくとも一方を用いて、位置合わせする状態、又は前記第１基板の諸元情報に基づく第１プロセス情報と前記第２基板の諸元情報に基づく第２プロセス情報との少なくとも一方を用いて、位置合わせする状態を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の基板処理装置において、
前記第１、第２基板の諸元値は、前記第１、第２基板の材質、可撓性、耐熱性、磨耗性、伸縮性、厚さ、膨張係数、摩擦係数及び耐テンション性のうち少なくとも１つをそれぞれ含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１５から１９のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる際に、前記第１基板と前記第２基板との間に不活性気体を供給する気体供給装置、又は前記第１基板及び第２基板を負圧吸引で保持する保持装置を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
請求項１５から２０のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記第１基板の搬送路、又は前記第２基板の搬送路は並行して複数設けられ、
前記貼り合わせ装置は、前記第１処理領域と前記第２処理領域との複数の貼り合わせ位置にそれぞれ設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
請求項１５から２１のいずれか一項に記載の基板処理装置と、
前記第１基板に表示素子を形成する素子形成部と、
を備えることを特徴とする表示素子の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって金属を含有する材料からなる層とケイ素を含有する材料からなる層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体に置換する工程、
前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって金属を含有する材料からなる層とケイ素を含有する材料からなる層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体に置換する工程、
前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。