(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、
前記半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第１の封止用樹脂が塗布された、前記半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第１の補強用金属板の上に載置するとともに、第２の封止用樹脂が塗布された前記半導体集積回路チップの上に、前記半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第２の補強用金属板を配する工程と、
前記第１及び第２の補強用金属板と前記半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、前記第１及び第２の補強用金属板を介して前記第１及び第２の封止用樹脂を加圧することによって、前記第２の封止用樹脂を前記半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第１及び第２の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、
前記半導体集積回路チップの周面に流し込まれた前記第２の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成する工程
を有することを特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。
【請求項２】
回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、
前記半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第１の封止用樹脂が塗布された、前記半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第１の補強用金属板の上に載置するとともに、第２の封止用樹脂が塗布された前記半導体集積回路チップの上に、前記半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第２の補強用金属板を配する工程と、
前記第１及び第２の補強用金属板と前記半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、前記第１及び第２の補強用金属板を介して前記第１及び第２の封止用樹脂を加圧することによって、前記第２の封止用樹脂を前記半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第１及び第２の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、
前記半導体集積回路チップの周面に流し込まれた前記第２の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成して半導体集積回路チップを封止する工程と、
前記封止された半導体集積回路チップをカード基板間に装填する工程
を有することを特徴とする半導体集積回路カードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路チップの封止方法、及び半導体集積回路カードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路カード（ＩＣカード）に装填されている半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）は、樹脂のスクリーン印刷によって封止されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来のＩＣカードに装填されているＩＣチップは、樹脂のスクリーン印刷によって封止されていたため、強度が低く、しかも、その封止形状や封止厚のばらつきが大きいと言う欠点があった。ＩＣチップの強度が低いと、ＩＣカードが外圧によって曲げられたときに、ＩＣチップが破損したり、ＩＣチップの電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがあった。ＩＣチップの封止形状や封止厚のばらつきが大きいと、ＩＣカードの品質や歩留りの制御が困難となる。
【０００４】
斯かる点に鑑み、本発明は、強度が頗る高く、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封止方法を提案しようとするものである。
【０００５】
また、本発明は、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体集積回路カードの製造方法を提案しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体集積回路チップを接着する工程と、その半導体集積回路チップが接着されたフィルム基板を、第１の封止用樹脂が塗布された、半導体集積回路チップの下面より広い面積を有する第１の補強用金属板の上に載置するとともに、第２の封止用樹脂が塗布された半導体集積回路チップの上に、半導体集積回路チップの上面より広い面積を有する第２の補強用金属板を配する工程と、第１及び第２の補強用金属板と半導体集積回路チップ間の平行状態を保持しつつ、第１及び第２の補強用金属板を介して第１及び第２の封止用樹脂を加圧することによって、第２の封止用樹脂を半導体集積回路チップの周面に流れ込ませて、前記第１及び第２の補強用金属板をそれぞれ前記フィルム基板及び前記半導体集積回路チップに接着する工程と、半導体集積回路チップの周面に流し込まれた第２の封止用樹脂を硬化させることによって前記半導体集積回路チップの周面を被覆する封止用樹脂部を形成する工程により、半導体集積回路チップを封止するものである。
また、その封止された半導体集積回路チップをカード基板間に装填する工程を経て半導体集積回路カードを製造するものである。
【０００７】
斯かる本発明によれば、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第２の補強用金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることのできる半導体集積回路チップの封止方法を得ることができる。従って、斯かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
【００１１】
〔発明の実施の形態の具体例〕
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態の具体例の半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）の封止方法、半導体集積回路チップ装置（ＩＣチップ装置）及び半導体集積回路カード（ＩＣカード）並びに半導体集積回路カードの製造方法を説明する。
【００１２】
先ず、図１及び図２を参照して、具体例のＩＣチップの封止方法及びＩＣチップ装置（図１Ｂ）を説明する。図２Ａに示す如く、複数の回路パターンＫＰが形成されたフィルム基板ＦＢを用意する。図２Ｂに示す如く、図２Ａのフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰ又は各回路パターンＫＰ内のフィルム基板ＦＢ上に、ディスペンサを用いて、少量（一定量）の接着剤ＢＤ１を塗布する。図２Ｃに示す如く、フィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰの接着剤ＢＤ１上に各ＩＣチップＣＰを載置し、その各ＩＣチップＣＰを加圧すると共に、各ＩＣチップＣＰ及びフィルム基板ＦＢを加熱して、各ＩＣチップＣＰをフィルム基板ＦＢの各回路パターンＫＰの所定部分に接着（固着）すると共に、各ＩＣチップＣＰの電極を、それぞれ対応する回路パターンＫＰの所定の部分に、半田を用いて接続する。
【００１３】
図１Ａ及び図２Ｄに示す如く、ＩＣチップＣＰの下面（矩形）と相似で、その下面より面積の広い第１の補強金属板ＭＰ１（矩形）を複数設け、その上に、ディスペンサを用いて封着用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ２）を所定量（一定量）塗布する。この工程は、図２Ａ〜Ｃについて上述した工程の前後及びその工程の途中のいずれでも良い。
【００１４】
図２Ｅに示す如く、ＩＣチップＣＰが接着されたフィルム基板ＦＢを、塗布された封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ２）を介して、各第１の補強用金属板ＭＰ１上に載置する。
【００１５】
そして、図２Ｅ及び図１Ａに示す如く、各ＩＣチップＣＰ上に、ディスペンサを用いて所定量（一定量）の封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を塗布し、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射して仮硬化する。図２Ｅ並びに図１Ａ及び図１Ｂに示す如く、各ＩＣチップＣＰの上面（矩形）と相似で、その上面より面積の広い複数の第２の補強金属板（矩形）ＭＰ２を治具に取り付けて水平に移動させて、仮硬化された封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）上に配し、加圧治具を用いて、各第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２及び各ＩＣチップＣＰ間の平行状態を保持しつつ、各第１及び第２の補強金属板ＭＰ１、ＭＰ２間を均一に加圧して、図１Ｂに示す如く封止厚を一定にすると共に、封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）を各ＩＣチップＣＰの周面に流れ込ませて、各第１の補強金属板ＭＰ１をフィルム基板ＦＢ上に、各第２の補強金属板ＭＰ２をＩＣチップＣＰ上に、それぞれ接着すると共に、各ＩＣチップＣＰの周面を被覆する。そして、その封止用樹脂ＳＰ′（接着剤ＢＤ３）に紫外線を照射して硬化して、封止用樹脂部ＳＰとなし、図１Ｂに示す如き、形状が一定で、封止厚が一定の複数のＩＣチップ装置ＣＰＤを得る。
【００１６】
この複数のＩＣチップ装置ＣＰＤは、図示せずも、各回路パターンＫＰ毎に打ち抜かれた後、ロールフィルム上に載置されると共に、その各ＩＣチップ装置ＣＰＤ及びロールフィルム上に亘って、薄膜コーティングが行われた後、加熱ローラ間を通過させて、多数のＩＣカードが一列に連結されたカード連結板が得られ、このカード連結板が定尺切断されて、所定枚数のＩＣカードが一列に連結された定尺カード連結板が複数得られ、その定尺カード連結板が各ＩＣカード毎に打ち抜かれて、個別のＩＣカードが得られる。
【００１７】
次に、図３を参照して、ＩＣチップＣＰの封入されたＩＣカード（半導体集積回路カード）の構造を説明する。ＩＣチップ装置ＣＰＤがカード基板内に装填されている。即ち、ＩＣチップ装置ＣＰＤが、例えば、エポキシ樹脂からなる充填樹脂層ＩＰ内に装填され、その充填樹脂層ＩＣＰの表裏にそれぞれ、例えば、ポリエチレンテレフタレートからなる外装樹脂基板ＯＰ、ＯＰが接着されて、ＩＣカードが構成される。
【００１８】
【発明の効果】
本発明の半導体集積回路チップの封止方法によれば、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第２の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、表裏両面からの曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきの少ない半導体集積回路チップ装置を得ることができる。従って、斯かる半導体集積回路チップ装置を半導体集積回路カードに装填して頗る好適なものとなる。
【００１９】
本発明の半導体集積回路カードの製造方法によれば、上記半導体集積回路チップの封止方法により生成された半導体集積回路チップ装置を、カード基板間に装填して半導体集積回路カードを製造している。その半導体集積回路カード内に装填されている半導体集積回路チップ装置は、半導体集積回路チップ、その半導体集積回路チップを挟持する第１及び第２の補強金属板並びに封止用樹脂が一体構造となって、強度が頗る高く、即ち、曲げ、荷重、衝撃等の外力に対する耐久力が頗る大きく、封止形状や封止厚のばらつきが少ない。このため、半導体集積回路チップ装置が破損したり、その電極の基板の回路パターンに対する接続が外れたりするおそれがなく、しかも、品質や歩留りの制御の容易な半導体集積回路カードを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封止方法の具体例の主要部を示す工程図である。
【図２】本発明の実施の形態の具体例のＩＣチップの封止方法の具体例の工程図である。
【図３】本発明の実施の形態の具体例のＩＣカードを示す断面図である。
【符号の説明】
ＦＢ  フィルム基板、ＣＰ  ＩＣチップ、ＭＰ１、ＭＰ２  第１及び第２の補強金属板、ＳＰ′  封止用樹脂、ＳＰ  封止用樹脂部、ＣＰＤ  ＩＣチップ装置、ＩＰ  充填樹脂層、ＯＰ  外装樹脂板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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