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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転機械（１２、１４、２４）を備えるシステムであって、前記回転機械が、
底面（８４）と、該底面（８４）から離れる第１の方向（６６）で互いに向かって収束して開口を形成する第１のテーパ側部（８６）とを有する溝（７６）を含む回転構成部品（６２）と、
前記溝（７６）内に配置されるバランスウェイト（７８）であって、本体と、前記第１の方向（６６）で互いに向かって収束するともに第１の距離（９８）で互いにオフセットしている第１の対のバランスウェイトテーパ側部（９４）と、前記第１の方向（６６）で互いに向かって収束するともに前記第１の距離（９８）よりも大きい第２の距離（１０１）で互いにオフセットしている第２の対のバランスウェイトテーパ側部（１００）とを含むバランスウェイト（７８）と
を備えており、前記第１の対のバランスウェイトテーパ側部（９４）の各々が、前記底面（８４）と垂直に延在する平坦部分（９６）であって、前記第１の対のバランスウェイトテーパ側部を互いに前記第１の距離（９８）でオフセットするように構成されている平坦部分（９６）を有しており、前記バランスウェイトが、前記開口を介して前記溝（７６）内に入り、回転して前記溝（７６）の第１のテーパ側部（８６）と第２の対のバランスウェイトテーパ側部（１００）を係合するよう構成されている、システム。
【請求項２】
前記バランスウェイト（７８）がその回転軸の回りに対向するカム面（１１０）を含んでおり、前記カム面（１１０）が、前記第２の対のバランスウェイトテーパ側部（１００）を前記第１のテーパ側部（８６）に略垂直な第１の位置から、前記第１のテーパ側部（８６）に略平行な第２の位置まで回転させるように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の距離（９８）が前記開口の幅（９２）よりも小さく、前記第２の距離（１００）が前記開口の幅（９２）よりも大きい、請求項１又は請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記バランスウェイトの本体が、本体を貫通する少なくとも１つのアパーチャ（１０８）であって、前記バランスウェイト（７８）を前記溝（７６）に固定するための締結具（１１４）を受けるように構成された少なくとも１つのアパーチャ（１０８）を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のシステム。
【請求項５】
前記締結具（１１４）が、前記溝（７６）の底面（８４）から前記バランスウェイト（７８）の後面（１０２）をオフセットさせるように、前記アパーチャ（１０８）内に配置される、請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記底面（８６）が前記第１のテーパ側部の間に延在していて、前記溝（７６）が、前記底面（８４）に周方向に延在するスロット（８８）を含んでおり、前記スロット（８８）が、前記締結具（１１４）を受けて前記バランスウェイト（７８）の回転を防ぐように構成されている、請求項４又は請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記バランスウェイト（７８）が、かしめることなく前記溝（７６）内に固定される、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のシステム。
【請求項８】
前記開口が前記回転構成部品（６２）の周方向で均一な幅（９２）を有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のシステム。
【請求項９】
タービンエンジン（１２、１４）の回転構成部品（６２）の溝（７６）内に装着するように構成されたバランスウェイト（７８）を備えるシステムであって、
前記バランスウェイト（７８）が、ベース（８４）と、該ベースから延在する回転軸と、該回転軸の回りの対向するカム面（１１０）を有する外周面とを含み、前記対向するカム面（１１０）が、前記回転軸に沿って前記ベース（８４）から離れる方向で互いに向かって少なくとも部分的に傾斜しており、前記バランスウェイト（７８）が、第１の幅（９８）で隔てられた第１の対の対向する平坦側部（９６）と、前記第１の幅（９８）よりも大きい第２の幅（１０１）で隔てられた第２の対の対向するテーパ側部（１００）とを含んでおり、前記対向するカム面（１１０）の各々が、前記外周面に沿って前記平坦側部（９６）の一方と前記テーパ側部（１００）の一方の間に位置しており、対向するテーパ側部（１００）の少なくとも一方が、前記外周面に沿って延在する陥凹部（１２６）を含んでいて該テーパ側部と前記溝との間に複数の接触点を生じる、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機（１０６）、燃焼器（１１２）及びタービン（１１０）を備えたタービンエンジン（１００）において可変抽出流を制御する方法であって、
抽出流が、１以上の抽出導管（２０４）を通って燃焼器（１１２）を迂回しながら圧縮機（１０６）から抽出されてタービン（１１０）に供給される供給加圧空気を含み、抽出導管（２０４）の少なくとも１つが、制御ユニット（２１０）により制御される複数の設定を有する可変抽出オリフィス（２０８）を含んでおり、当該方法が、
少なくとも、タービン（１１０）内の温度に関連する動作パラメータ、可変抽出オリフィス（２０８）の設定に関連する動作パラメータ、抽出流のレベルに関連する動作パラメータ及び燃焼器（１１２）の供給燃料に関連する動作パラメータを含む、複数のタービンエンジン動作パラメータを測定するステップと、
燃焼タービンエンジン（１００）の測定された動作パラメータを制御ユニット（２１０）により監視するステップと、
抽出流のほぼ最大レベルを可能にする設定に少なくとも１つの可変抽出オリフィス（２０８）を設定するステップと、
モデルベース制御と、少なくとも現在のタービン入口温度及び最大タービン入口温度を含む測定動作パラメータとに基づいて少なくとも１つの計算された動作パラメータを制御ユニット（２１０）により計算するステップと、
現在のタービン入口温度及び最大タービン入口温度についての値を比較することによりエンジン出力の増大及び／又はほぼ最大レベルが決定されるように、燃焼器（１１２）への供給燃料についての設定を操作するステップと、
システムオペレータがエンジン出力の増大及び／又はほぼ最大化を望むかどうかを判断するステップと、
抽出流のほぼ最大レベルを可能にする設定に少なくとも１つの可変抽出オリフィス（２０８）を設定するステップと、
少なくとも１つの可変抽出オリフィス（２０８）について抽出流のほぼ最大レベルを可能にする設定から生じる測定動作パラメータの何らかの変化を所与として、現在のタービン入口温度及び最大タービン入口温度を計算するステップであって、最大タービン入口温度の計算が、高温ガス通路部品の温度限界と、少なくとも１つの可変抽出オリフィス（２０８）についての抽出流のほぼ最大レベルを可能にする設定で抽出流の近似レベルとを所与として、タービンエンジン（１００）が動作することができるほぼ最大燃焼器出口温度に基づくステップと、
現在のタービン入口温度と最大タービン入口温度とを比較するステップと
を含む方法。
【請求項２】
現在のタービン入口温度が現在のタービン入口温度を含み、最大タービン入口温度が、所与の高温ガス通路部品の温度限界及び抽出流のレベルでタービンエンジン（１００）が動作することができる、ほぼ最大タービン入口温度を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
可変抽出流が、可変抽出オリフィス（２０８）の設定に応じて変化する抽出流レベルを含み、可変抽出オリフィス（２０８）が、該可変抽出オリフィス（２０８）を通る低減レベルの抽出流が許容されたより少ない開放設定と、可変抽出オリフィス（２０８）を通る増大レベルの抽出流が許容されたより多い開放設定である、少なくとも２つの別個の設定を有する、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
モデルベース制御が、タービンエンジン（１００）のコンピュータに実装された動作モデルに基づいてタービンエンジン（１００）を制御する方法を含み、タービンエンジン（１００）の制御が、複数の測定動作パラメータ及び計算動作パラメータに基づいており、計算動作パラメータが、コンピュータに実装された動作モデルと測定動作パラメータに基づいて計算される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
抽出流の少なくとも一部が、タービン（１１０）内の高温ガス通路部品に供給されて、運転中に抽出流が部品を冷却する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
測定動作パラメータの測定ステップが、可変抽出オリフィスの下流側に配置された少なくとも１つの圧力トランスデューサを含む複数のセンサによって行われ、センサが、動作パラメータを収集して制御ユニット（２１０）に送信する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
現在のタービン入口温度が最大タービン入口温度よりも所定量上回るときは、燃焼器への燃料の供給を減少させるステップと、
最大タービン入口温度が現在のタービン入口温度よりも所定量上回るときは、燃焼器への燃料の供給を増大させるステップと
をさらに含む、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンエンジン（１０）を備えるシステムであって、該タービンエンジン（１０）に備わる燃焼器（１６）が、
燃焼室（５２）と、
燃焼室（５２）の周囲に設けられたライナ（４４）と、
ライナ（４４）の周囲に設けられたスリーブ（４２）と、
ライナ（４４）とスリーブ（４２）の間の空気供給経路（３８）と、
空気室（６８）と、
燃焼器の長手軸に関して軸方向に燃焼室（５２）と空気室（６８）との間に設けられた仕切板（１２６）と、
仕切板（１２６）を通って延在する燃料ノズル（１２）であって、空気室（６８）内の空気入口と燃焼室（５２）内の出口とを有する燃料ノズル（１２）と、
空気室（６８）への空気供給経路（３８）に沿って空気室（６８）に配置された空気流整流器（５０）であって、長手軸を中心として空気供給経路（３８）と重なる半径方向位置で周方向に延在する第１の有孔転向壁（７０）を備える空気流整流器（５０）と
を備えており、第１の有効転向壁（７０）が、燃焼室（５２）から上流方向に向かって空気供給経路（３８）を流れる空気流の第１の部分（８４）を通過させるように構成された第１の複数の開口を有しているとともに、第１の有効転向壁（７０）が空気供給経路（３８）から上流に長手軸に向かって内側に傾斜していていて空気供給経路（３８）からの空気流の第２の部分（８８）を空気室（６８）の中央部に向けて内側に転向させる、システム。
【請求項２】
有孔転向壁（７０）が、燃焼器（１６）の長手軸（４６）の周りに配置された第１の有孔環状壁（７２）を備え、第１の有孔環状壁（７２）の直径が長手軸（４６）に沿って燃焼室（５２）から上流方向に向かって減少する、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
第１の有孔環状壁（７２）が、長手軸（４６）の周囲に設けられた１以上の有孔円錐壁（７８、８０、１４２、１４４、１４８、１５０、１５２）を備える、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
第１の有孔環状壁（７２）が長手軸（４６）に沿って凸面又は凹面状に曲がる、請求項２記載のシステム。
【請求項５】
空気流整流器（５０）が、燃焼器（１６）の長手軸（４６）の周りに配置された第２の有孔環状壁を有する有孔円筒（８２）を備え、第２の有孔環状壁が長手軸（４６）に沿って略一定の直径を有する、請求項２記載のシステム。
【請求項６】
第１及び第２の有孔環状壁が互いに同心である、請求項５記載のシステム。
【請求項７】
燃料ノズル（１２）が空気入口に吸気流整流器を備え、吸気流整流器がノズル穿孔（４８）を備え、吸気流整流器が空気流整流器（５０）とは別体である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のシステム。
【請求項８】
空気流整流器（５０）が燃料ノズル（１２）の空気入口に空気流を均一に供給するように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項９】
仕切板（１２６）を通って延在する複数の燃料ノズル（１２）を備え、空気流整流器（５０）が複数の燃料ノズル（１２）の間に空気流を均一に分配するように構成される、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気及び未燃焼の炭化水素を含有する高炉排気流（１７）から窒素を除去してガスタービンエンジン（３１）への補助供給原料を形成するための方法であって、
前記高炉排気流（１７）中に混入した固体微粒子を実質的に全て除去して実質的に微粒子を含まないガス流（１９）を形成する工程と、
前記実質的に微粒子を含まないガス流（１９）を、並列に作動する複数の分離器床（２２）であって、前記微粒子を含まないガス流（１９）中の空気から窒素を吸着することができる吸着材にして、ゼオライト、活性炭、シリカゲル又はアルミナのビーズを含有する分子篩を形成する吸着材を各々含んでいる複数の分離器床（２２）の最初の分離器床に通過させる工程と、
前記微粒子を含まないガス流（１９）中の窒素の実質的に全てを、間質性の窒素として、前記複数の分離器床（２２）の最初の分離器床内の固体上に吸着させる工程と、
前記複数の分離器床（２２）の最初の分離器床によって窒素を吸着した後で、前記実質的に微粒子を含まないガス流（１９）中の吸着しなかった炭化水素燃料及び酸素成分を前記ガスタービンエンジン（３１）に供給する工程と、同時に、
前記複数の分離器床（２２）の第２の分離器床から吸着した窒素を排出する
工程を含む、方法。
【請求項２】
混入した固体微粒子を除去する工程が、微粒子を８．１ｇ／Ｎｍ3から５ｍｇ／Ｎｍ3のレベルに低減する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記高炉排気流（１７）から窒素を除去する工程を連続的プロセスとして行う、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記高炉排気流（１７）中に存在する窒素の量が４５〜５０体積％である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記ガス流を前記ガスタービンエンジン（３１）に供給する前に、前記微粒子を含まないガス流（１９）をアミン又は膜分離ユニットに通す工程を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
混入した微粒子を除去する工程が、最初に前記高炉排気をサイクロン分離器に通すことを含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記分離器床（２２、２３）の少なくとも１つが窒素を吸着するように作動し、残りの分離器床（２２、２３）の少なくとも１つが吸着した窒素を床から排出するように作動する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記残りの分離器床（２２、２３）の１つを、前記床の作動圧力を低下させて窒素を放出させることにより周期的に再生する、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバセンサであって、
光ループと、
前記ループに光結合されたレーザ源とを備え、前記レーザ源はあるコヒーレンス長を有し、前記レーザ源からの光は、第１の信号および第２の信号として前記ループに伝達され、前記第１の信号および前記第２の信号は、互いにほぼ可逆的である光路にそって逆伝播し、前記第１の信号および前記第２の信号は、前記ループを通って逆伝播した後で互いに合成され、第３の信号を生成し、前記コヒーレンス長は、１メートルより大きいか、または２００ミクロン〜１０センチメートルの範囲である、光ファイバセンサ。
【請求項２】
前記コヒーレンス長は、５００ミクロン〜１０センチメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記コヒーレンス長は、１ミリメートル〜１０センチメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記コヒーレンス長は、１ミリメートル〜１センチメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記コヒーレンス長は、１センチメートル〜１０センチメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
前記コヒーレンス長は、１メートル〜１キロメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項７】
前記コヒーレンス長は、１メートル〜１００メートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
前記コヒーレンス長は、１０メートル〜１００メートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項９】
前記コヒーレンス長は、１０メートル〜１キロメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記コヒーレンス長は、１００メートル〜１０キロメートルの範囲である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記コヒーレンス長は、前記ループの長さ未満である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記センサは、コヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、前記位相ノイズは、所定値のコヒーレンス長においてピーク値を有し、前記コヒーレンス長についての前記位相ノイズは、前記位相ノイズのピーク値のせいぜい２分の１未満である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１３】
前記センサは、コヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、前記位相ノイズは、所定値のコヒーレンス長においてピーク値を有し、前記レーザ源の前記コヒーレンス長は、所定値未満である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１４】
前記センサは、コヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、前記コヒーレンス長の位相ノイズは、約２μｒａｄ／√Ｈｚとなる、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１５】
前記センサは、コヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、前記コヒーレンス長の位相ノイズは、約１μｒａｄ／√Ｈｚ未満となる、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１６】
前記センサは、コヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、前記コヒーレンス長の位相ノイズは、約０．５μｒａｄ／√Ｈｚ未満となる、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記第１の信号および前記第２の信号は、前記レーザ源からの光と同じ周波数を有する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１８】
前記レーザ源の平均波長安定度は、１ｐｐｍより大きい、請求項１に記載のセンサ。
【請求項１９】
前記センサは、前記ループを有する標準的なサニャックループを含む光ファイバジャイロスコープである、請求項１に記載のセンサ。
【請求項２０】
光センサを作動させる方法であって、前記方法は、
ある長さを有する光ループを備える光センサを提供するステップと、
前記センサのＤＣオフセットを安定化させるステップと、
前記ループに光結合されたレーザ源から第１の信号および第２の信号として前記ループによって光を受取るステップとを含み、前記第１の信号および前記第２の信号は、互いにほぼ可逆的である光路にそって逆伝播し、前記レーザ源は、前記センサが所定値未満の位相ノイズを有するようなコヒーレンス長を有し、前記コヒーレンス長は前記ある長さ未満であり、さらに、
前記第１の信号および前記第２の信号を互いに合成して、第３の信号を生成するステップを含む、方法。
【請求項２１】
前記ループの長さに対する前記コヒーレンス長の比率は、０．１より大きい、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記コヒーレンス長は、１メートルより大きいか、または２００ミクロン〜１０センチメートルの範囲である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
光センサを構成する方法であって、前記方法は、
光ループを備える光センサを提供するステップを含み、前記センサはレーザ源のコヒーレンス長の関数として変動する位相ノイズを有し、さらに、
レーザ源から第１の信号および第２の信号として前記ループによって光を受取るステップを含み、前記第１の信号および前記第２の信号は、互いにほぼ可逆的である光路にそって逆伝播し、前記レーザ源は、前記センサが広帯域源によって駆動される場合に生じる位相ノイズ未満の位相ノイズを前記センサが有するようなコヒーレンス長を有し、さらに、
前記ループを通って逆伝播した後で前記第１の信号および前記第２の信号を互いに合成して第３の信号を生成するステップを含む、方法。
【請求項２４】
前記コヒーレンス長は、前記ループの長さ未満である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ループの長さに対する前記コヒーレンス長の比率は、０．１より大きい、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記コヒーレンス長は、１メートルより大きいか、または２００ミクロン〜１０センチメートルの範囲である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記コヒーレンス長は、約２μｒａｄ／√Ｈｚ未満の位相ノイズをもたらす、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記コヒーレンス長は、約１μｒａｄ／√Ｈｚ未満の位相ノイズをもたらす、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記コヒーレンス長は、約０．５μｒａｄ／√Ｈｚ未満の位相ノイズをもたらす、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
前記第１の信号および前記第２の信号は、前記レーザ源からの光と同じ周波数を有する、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
前記光ループは、ある長さを有する光ファイバコイルを備え、前記第１の信号は前記コイルに沿って第１の方向に伝播し、前記第２の信号は前記コイルに沿って第１の方向と反対の第２の方向に伝播する、請求項１に記載の光センサ。
【請求項３２】
前記コヒーレンス長は、前記ある長さ未満である、請求項３１に記載のセンサ。
【請求項３３】
前記光ループは光ファイバコイルを備え、前記第１の信号は前記コイルに沿って第１の方向に伝播し、前記第２の信号は前記コイルに沿って第１の方向と反対の第２の方向に伝播する、請求項２０に記載の方法。
【請求項３４】
前記光ループは光ファイバコイルを備え、前記第１の信号は前記コイルに沿って第１の方向に伝播し、前記第２の信号は前記コイルに沿って第１の方向と反対の第２の方向に伝播する、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ装置において、
前記ディスプレイ装置の外部に位置した客体のモーションを認識するモーション認識部と、
前記客体のモーションが認識されると、前記客体のモーション速度またはモーション距離に応じて多様に決定される変更単位量だけ、前記客体のモーションに対応する動作を行なう制御部と
を含み、
前記制御部は、
前記モーション認識部で予め設定された第３モーションが認識されると、モーション認識モードを終了させるディスプレイ装置。
【請求項２】
放送チャネルを選局するチューナ部と、
前記チューナ部で選局された放送チャネルを通じて受信される放送信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部で処理された放送データを出力する出力部と
を更に含み、
放送チャネル変更を指示する第１モーションが認識されると、前記制御部は前記第１モーションのモーション速度またはモーション距離に応じて多様に決定される変更単位量だけ、前記第１モーションのモーション方向に前記放送チャネルを変更して選局するように、前記チューナ部を制御することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記モーション速度または前記モーション距離が予め設定された閾値以上である場合、第１変更単位量で前記放送チャネルを変更し、前記閾値未満である場合、前記第１変更単位量より小さい第２変更単位量で前記放送チャネルを変更することを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記変更単位量を前記モーション速度または前記モーション距離に比例して漸進的にまたは段階的に増大するように調整することを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
複数のページを含むコンテンツを表示する出力部を更に含み、
前記制御部は、
ページ切替を指示する第２モーションが認識されると、前記第２モーションのモーション速度またはモーション距離に比例して多様に決定される変更単位量だけ、前記第２モーションのモーション方向へページを切り替えるように、前記出力部を制御することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記モーション速度または前記モーション距離が閾値以上である場合、第１変更単位量で前記コンテンツページを切り替え、前記モーション速度または前記モーション距離が前記閾値未満である場合、前記第１変更単位量より小さい第２変更単位量で前記コンテンツページを切り替えることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記変更単位量を前記モーション速度または前記モーション距離に比例して漸進的にまたは段階的に増大するように調整することを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
ディスプレイ装置のモーション制御方法において、
前記ディスプレイ装置の外部に位置した客体のモーションを認識するステップと、
前記客体のモーション速度またはモーション距離に応じて変更単位量を決定するステップと、
前記客体のモーションに対応する動作を前記変更単位量だけ行なう実行ステップと
予め設定された第３モーションが認識されると、モーション認識モードを終了させるステップと
を含むモーション制御方法。
【請求項９】
放送チャネルを選局して放送データを出力するステップを更に含み、
前記実行ステップは、
前記認識されたモーションが放送チャネル変更を指示するための第１モーションである場合、前記第１モーションのモーション速度またはモーション距離の大きさに応じて多様に決定される変更単位量だけ、前記第１モーションのモーション方向に前記放送チャネルを変更して選局することを特徴とする請求項８に記載のモーション制御方法。
【請求項１０】
前記実行ステップは、
前記モーション速度または前記モーション距離が閾値以上である場合、第１変更単位量で前記放送チャネルを変更し、前記モーション速度または前記モーション距離が前記閾値未満である場合、前記第１変更単位量より小さい第２変更単位量で前記放送チャネルを変更することを特徴とする請求項９に記載のモーション制御方法。
【請求項１１】
前記変更単位量を決定するステップは、
前記変更単位量を前記モーション速度または前記モーション距離に比例して漸進的にまたは段階的に増大するように調整することを特徴とする請求項９に記載のモーション制御方法。
【請求項１２】
複数のページを含むコンテンツを表示するステップを更に含み、
前記実行ステップは、
前記認識されたモーションがページ切替を指示する第２モーションである場合、前記第２モーションのモーション速度またはモーション距離に比例して調整された変更単位量だけ、前記第２モーションのモーション方向へページを切り替えることを特徴とする請求項８に記載のモーション制御方法。
【請求項１３】
前記実行ステップは、
前記モーション速度または前記モーション距離が閾値以上である場合、第１変更単位量で前記ページを切り替え、前記モーション速度または前記モーション距離が前記閾値未満である場合、前記第１変更単位量より小さい第２変更単位量で前記ページを切り替えることを特徴とする請求項１２に記載のモーション制御方法。
【請求項１４】
前記変更単位量を決定するステップは、
前記変更単位量を前記モーション速度または前記モーション距離に比例して漸進的にまたは段階的に増大するように調整することを特徴とする請求項１２に記載のモーション制御方法。
【請求項１５】
前記第３モーションは、前記モーション認識モードを終了させるモーションであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記第３モーションは、前記モーション認識モードを終了させるモーションであることを特徴とする請求項８に記載のモーション制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この際、ディスクはその内周面がディスクチャッキング装置のセンタリングベース（ｃｅｎｔｅｒｉｎｇ  ｂａｓｅ）の外周面に圧入して装着され、ディスクの中心とセンタリングベースの中心とが一致しなければディスクの記録や再生性能の信頼性が維持されない。
特許文献１  韓国登録特許第１０−０９４６３７６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本願発明に使用する有機チタンモノマーは、金属チタンと、有機リガントの有機配位錯体である。有機基は一般に脂肪族部分または芳香族部分にカップリングされた反応性基、例えば、アミン基（ＮＨ２）、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）、シアネート基（ＣＮ）、ホスフェート基（ＰＯ３Ｈ）、スルフェート基（ＳＯ３Ｈ）、チオール基（ＳＨ）、ヒドロキシル基（ＯＨ）、ビニル基（Ｃ＝Ｃ）、ニトレート基（ＮＯ２ ）、アルデヒド基、エポキシド基、スクシンアミド基または酸無水物基である。
有機モノマーの具体例としては、例えば、チタン−テトラ−イソブロポキノト、アミノ−へキシル−チタン−トリ−イソプロポキシド、アミノ−プロピル−チタン−トリ−イソプロポキシド及びカルボキシル−へキンル−チタン−トリ−イソプロポキシドがある
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本発明の素子シール部の厚みは、酸化物半導体層の厚みと実質的に同一である必要である。酸化物半導体層の厚みは８μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましいことから、素子シール部の厚みは、かかる範囲にする必要がある。
また、前記素子シール部の幅としては、特に限定されるものではないが、例えば０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲内、中でも０．８ｍｍ〜３ｍｍの範囲内であることが好ましい。素子シール部の幅が小さすぎると、電解質に対して充分な耐久性を発揮できない可能性があり、素子シール部の幅が大きすぎると、色素増感型太陽電池素子において発電に寄与する素子面積が減少するため、モジュール面積に対して有効な面積が低下し、有効発電効率が減少してしまう可能性があるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光態様で発光可能な発光部と、
上演される複数の演目それぞれに対応づけられた発光態様を示す情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された情報に基づき、前記発光部が、前記複数の演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御する発光制御手段と、
を備えることを特徴とする発光制御装置。
【請求項２】
利用者の操作を受け付ける受付手段をさらに備え、
前記発光制御手段は、前記受付手段により操作を受け付けると、つぎの演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御することを特徴とする請求項１に記載の発光制御装置。
【請求項３】
前記発光部を発光させてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記発光制御手段は、前記計時手段により計時された経過時間が所定時間となったときに、つぎの演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の発光制御装置。
【請求項４】
上演される複数の演目それぞれに対応づけられた発光態様を示す情報を送信する情報送信装置と、
複数の発光態様で発光可能な発光部を備えて、前記情報送信装置から送信される情報に基づき、前記発光部を発光させる発光制御装置と、を備える発光制御システムであって、
前記発光制御装置は、
前記発光部と、
前記情報送信装置から送信された情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された情報に基づき、前記発光部が、前記複数の演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御する発光制御手段と、
を備えることを特徴とする発光制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前述の課題を解決し、目的を達成するため、本発明は以下の構成を採用した。本発明にかかる発光制御装置は、複数の発光態様で発光可能な発光部と、上演される複数の演目それぞれに対応づけられた発光態様を示す情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された情報に基づき、前記発光部が、前記複数の演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御する発光制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記の発明において、利用者の操作を受け付ける受付手段をさらに備え、前記発光制御手段は、前記受付手段により操作を受け付けると、つぎの演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記の発明において、前記発光部を発光させてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、前記発光制御手段は、前記計時手段により計時された経過時間が所定時間となったときに、つぎの演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明にかかる発光制御システムは、上演される複数の演目それぞれに対応づけられた発光態様を示す情報を送信する情報送信装置と、複数の発光態様で発光可能な発光部を備えて、前記情報送信装置から送信される情報に基づき、前記発光部を発光させる発光制御装置と、を備える発光制御システムであって、前記発光制御装置は、前記発光部と、前記情報送信装置から送信された情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された情報に基づき、前記発光部が、前記複数の演目に対応づけられた発光態様で発光するように制御する発光制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明における誘導加熱調理器は、被加熱物と磁気結合する加熱コイルと、前記加熱コイルに高周波電流を供給するインバーター回路と、前記インバーター回路への入力電力又は前記インバーター回路からの出力電力の少なくとも一方を検出する電力検出手段と、前記被加熱物を加熱する電力を選択する操作入力手段と、少なくとも前記インバーター回路を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記操作入力手段により選択された電力を目標電力として定め、前記インバーター回路の動作状態に応じて、連続加熱モードと間欠加熱モードとの何れかを選択し、前記連続加熱モードが選択された場合は、前記目標電力での加熱を継続し、前記間欠加熱モードが選択された場合は、前記インバーター回路の動作状態に応じて定めた所定電力を前記目標電力として加熱を行う加熱動作期間と、加熱を休止する加熱休止期間とを、平均加熱電力が前記操作入力手段により選択された電力となるように長さを定めて交互に繰り返すものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物と磁気結合する加熱コイルと、
前記加熱コイルに高周波電流を供給するインバーター回路と、
前記インバーター回路への入力電力又は前記インバーター回路からの出力電力の少なくとも一方を検出する電力検出手段と、
前記被加熱物を加熱する電力を選択する操作入力手段と、
少なくとも前記インバーター回路を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記操作入力手段により選択された電力を目標電力として定め、
前記インバーター回路の動作状態に応じて、連続加熱モードと間欠加熱モードとの何れかを選択し、
前記連続加熱モードが選択された場合は、前記目標電力での加熱を継続し、
前記間欠加熱モードが選択された場合は、前記インバーター回路の動作状態に応じて定めた所定電力を前記目標電力として加熱を行う加熱動作期間と、加熱を休止する加熱休止期間とを、平均加熱電力が前記操作入力手段により選択された電力となるように長さを定めて交互に繰り返す
ことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記目標電力が、前記インバーター回路が所定の動作状態における前記電力検出手段により検出された検出電力より小さい場合は、前記間欠加熱モードを選択し、
前記目標電力が前記検出電力以上である場合は、前記連続加熱モードを選択し、
前記間欠加熱モードが選択された場合は、前記検出電力に応じて前記所定電力を定める
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記目標電力が前記検出電力より小さく、かつ、前記インバーター回路の動作が、下限の電力を出力させる動作状態のとき、
前記間欠加熱モードを選択し、前記検出電力以上の前記所定電力を定めることを特徴とする請求項２に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記インバーター回路は、
スナバコンデンサと、前記スナバコンデンサを流れる電流を検出するスナバ電流検出手段とを有し、
前記制御手段は、
前記スナバ電流検出手段が検出したスナバ電流が、スナバ電流閾値より大きい場合には前記間欠加熱モードを選択し、
前記スナバ電流が、前記スナバ電流閾値以下の場合には前記連続加熱モードを選択する
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記インバーター回路は、
前記加熱コイルに流れる電流を検出する負荷電流検出手段を備え、
前記負荷電流検出手段が検出した負荷電流が、負荷電流閾値以下の場合には前記間欠加熱モードを選択し、
前記負荷電流が、前記負荷電流閾値より大きい場合には前記連続加熱モードを選択する
ことを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極をセパレータを介して捲回した電極群と、
開口を有し、前記電極群を収納する電池容器と、
前記電池容器の開口を塞ぐ電池蓋と、
前記電池容器の側面部を覆う樹脂フィルムと、
を有する電池において、
前記電池容器の側面部には電池容器内側に突出する凹部を有し、
前記電池蓋は、前記電池容器の開口部側をかしめることによって前記凹部と前記電池容器の開口部側との間で保持され、
前記凹部には充填材が充填されていることを特徴とする電池。
【請求項２】
請求項１に記載の電池において、
前記充填材と樹脂フィルムの間にはコーティング層を有することを特徴とする電池。
【請求項３】
請求項２に記載の電池において、
前記電池容器と前記樹脂フィルムとの間には、前記充填材と樹脂フィルムの間に設けられたコーティング層と同一のコーティング層を有することを特徴とする電池。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の電池において、
前記コーティング層はアクリル系塗料によって形成されることを特徴とする電池。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載の電池において、
前記コーティング層の厚さは２０μｍ以上であることを特徴とする電池。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電池において、
前記充填材は、前記凹部の全体に充填されていることを特徴とする電池。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電池において、
前記充填材は、前記電池容器の表面と同一の表面を形成するように充填されることを特徴とする電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に積層され、一方の側の最外絶縁層から電極パッド及び最外配線層が露出している配線基板であって、
前記電極パッドは、前記最外絶縁層を貫通する貫通配線の一方の端部であり、
前記貫通配線は、前記一方の端部が他方の端部より小径となる円錐台状であり、
前記最外配線層の一部は、前記貫通配線の一方の端部を通って引き回されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記最外配線層の露出面、及び、前記貫通配線の一方の端部の露出面は、前記最外絶縁層の一方の面から配線基板の内方に後退して位置することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記最外配線層の露出面、及び、前記貫通配線の一方の端部の露出面は、前記最外絶縁層の一方の面と面一であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記最外配線層の露出面、及び、前記貫通配線の一方の端部の露出面に、ＯＳＰ処理による有機膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
隣接する前記貫通配線の一方の端部間には、前記最外配線層の一部が引き回されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
他方の側には他の電極パッドが露出し、
前記一方の側から露出する電極パッドは、半導体チップと電気的に接続するための電極パッドであり、
前記他方の側から露出する電極パッドは、他の基板と電気的に接続するための電極パッドであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に積層され、一方の側の最外絶縁層から電極パッド及び最外配線層が露出している配線基板の製造方法であって、
支持体の一方の面に前記最外配線層を形成する第１工程と、
前記最外配線層を覆うように前記支持体の一方の面に前記最外絶縁層を形成する第２工程と、
前記最外絶縁層に、前記最外絶縁層を貫通し、前記最外配線層の一部を露出する貫通孔を形成する第３工程と、
前記最外絶縁層上に、前記貫通孔内に充填された貫通配線、及び前記最外絶縁層上に形成された配線パターンを含んで構成される他の配線層を形成する第４工程と、
前記支持体を除去し、前記最外絶縁層から電極パッドとなる前記貫通配線の端部、及び、前記貫通配線の端部を通って引き回されている前記最外配線層を露出させる第５工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第５工程の後に、エッチングにより、前記最外配線層の露出面、及び、前記貫通配線の端部の露出面を、前記最外絶縁層の一方の面から配線基板の内方に後退して位置させることを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第５工程では、前記最外配線層の露出面及び前記貫通配線の端部の露出面と、前記最外絶縁層の前記支持体の除去面とが、面一となることを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記最外配線層の露出面、及び、前記貫通配線の端部の露出面に、ＯＳＰ処理による有機膜を形成することを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第３工程では、前記支持体側の開口径が、前記最外絶縁層の内層側の開口径よりも小さくなるように前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通配線及び前記最外配線層と、前記支持体とは異なる材料からなり、
前記第５工程では、前記支持体を選択的に除去するエッチング液を用いて、前記支持体をエッチングにより除去することを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１工程よりも前に、前記支持体の一方の面にエッチング停止層を形成する工程を更に有し、
前記貫通配線、前記最外配線層、及び前記支持体と、前記エッチング停止層とは異なる材料からなり、
前記第１工程では、前記支持体の一方の面に前記エッチング停止層を介して前記最外配線層を形成し、
前記第５工程では、前記支持体を選択的に除去するエッチング液を用いて、前記支持体をエッチングにより除去し、
前記第５工程の後に、前記エッチング停止層を選択的に除去するエッチング液を用いて、前記エッチング停止層をエッチングにより除去することを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本配線基板は、複数の絶縁層と複数の配線層とが交互に積層され、一方の側の最外絶縁層から電極パッド及び最外配線層が露出している配線基板であって、前記電極パッドは、前記最外絶縁層を貫通する貫通配線の一方の端部であり、前記貫通配線は、前記一方の端部が他方の端部より小径となる円錐台状であり、前記最外配線層の一部は、前記貫通配線の一方の端部を通って引き回されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２面のうち少なくとも一方の面に半導体素子が実装される第１の基板と、
２面のうち少なくとも一方の面に半導体素子が実装され、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
基端が前記第１の基板に固定され、先端側が前記第１の基板から離間する方向に延びるとともに平面部を有する第１の接続端子板と、
基端が前記第２の基板に固定され、先端側が前記第２の基板から離間する方向に延びるとともに平面部を有する第２の接続端子板と、
前記第１の接続端子板の平面部と前記第２の接続端子板の平面部の少なくとも一方に形成したねじ挿通部を通して、前記第１の接続端子板の平面部と前記第２の接続端子板の平面部とが当接する状態で前記第１の接続端子板と前記第２の接続端子板を締結するためのねじ部材と、
を備えたことを特徴とする基板間接続構造。
【請求項２】
前記第１の接続端子板と第２の接続端子板のうちの一方の接続端子板には前記ねじ部材が通るねじ挿通部が形成され、他方の接続端子板は前記ねじ部材が螺入するねじ孔を有し、
前記ねじ挿通部は、前記ねじ孔よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の基板間接続構造。
【請求項３】
前記第１の接続端子板と第２の接続端子板の少なくとも一方は、前記第１の基板と第２の基板が接近する方向に変形して公差を吸収する公差吸収部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の基板間接続構造。
【請求項４】
前記公差吸収部は、接続端子板に切り欠きを形成することにより構成したことを特徴とする請求項３に記載の基板間接続構造。
【請求項５】
前記第１の接続端子板は、前記基端から、前記第２の基板に対し接離する方向に延びる第１の部位と、第１の部位の先端から前記第１の基板に対向する方向に延び前記平面部を構成する第２の部位を有し、
前記第２の接続端子板は、前記基端から、前記第１の基板に対し接離する方向に延びる
第１の部位と、第１の部位の先端から前記第２の基板に対向する方向に延び前記平面部を構成する第２の部位を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板間接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明では、２面のうち少なくとも一方の面に半導体素子が実装される第１の基板と、２面のうち少なくとも一方の面に半導体素子が実装され、前記第１の基板に対向する第２の基板と、基端が前記第１の基板に固定され、先端側が前記第１の基板から離間する方向に延びるとともに平面部を有する第１の接続端子板と、基端が前記第２の基板に固定され、先端側が前記第２の基板から離間する方向に延びるとともに平面部を有する第２の接続端子板と、前記第１の接続端子板の平面部と前記第２の接続端子板の平面部の少なくとも一方に形成したねじ挿通部を通して、前記第１の接続端子板の平面部と前記第２の接続端子板の平面部とが当接する状態で前記第１の接続端子板と前記第２の接続端子板を締結するためのねじ部材と、を備えたことを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液を供給することにより乾燥処理する基板処理方法において、
前記基板に処理液を供給して処理する工程と、
前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、
前記処理液の液膜が形成された基板へ揮発性処理液を供給する工程と、
前記基板への前記揮発性処理液の供給を停止する工程と、
前記揮発性処理液を除去して基板を乾燥する工程と、
を有し、
前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記処理液は、基板上面に供給した薬液を除去してリンスする工程のためのリンス液であり、前記リンスする工程の前に前記基板を薬液で処理する工程をさらに有し、
前記基板を加熱する工程は、高温のリンス液を用いて基板を加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板を加熱する工程は、前記基板の上面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記基板を加熱する工程は、前記基板の上面及び下面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記高温のリンス液として３０℃〜７０℃のリンス液を用いたことを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記揮発性処理液として２０℃〜７０℃の揮発性処理液を用い、高温のリンス液として３０℃〜７０℃のリンス液を用いたことを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の上面に前記揮発性処理液を供給する工程の間に前記基板の下面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項８】
基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液を供給することにより乾燥処理する基板処理装置において、
前記基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記基板に揮発性処理液を供給するための揮発性処理液供給手段と、
前記基板を加熱するための基板加熱手段と、
前記揮発性処理液供給手段及び前記基板加熱手段を制御するための制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、
前記処理液供給手段から前記基板に処理液を供給して前記基板を処理する工程と、
前記基板加熱手段によって前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、
前記揮発性処理液供給手段から前記処理液の液膜が形成された前記基板へ揮発性処理液を供給する工程と、
前記揮発性処理液供給手段から前記基板への揮発性処理液の供給を停止する工程と、
前記揮発性処理液を除去して前記基板を乾燥する工程と、
を実行し、
前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように、前記基板加熱手段が前記基板を加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理装置は、
前記基板に薬液を供給するための薬液供給手段と、
前記薬液を除去するためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、をさらに有し、
前記制御手段は、
前記薬液供給手段から前記基板に薬液を供給して前記基板を処理する工程と、
前記リンス液供給手段から前記基板にリンス液を供給して前記基板をリンス処理する工程と、をさらに実行し、
前記基板を加熱する工程は、高温のリンス液を用いて前記基板を加熱させることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板を加熱する工程は、前記基板の上面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板を加熱する工程は、前記基板の上面及び下面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記高温のリンス液として３０℃〜７０℃のリンス液を用いたことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記揮発性処理液として２０℃〜７０℃の揮発性処理液を用い、高温のリンス液として３０℃〜７０℃のリンス液を用いたことを特徴とする請求項９〜請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板の上面に前記揮発性処理液を供給する工程の間に前記基板の下面に前記高温のリンス液を供給することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液を供給することにより乾燥処理する基板処理装置において、
前記基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記基板に揮発性処理液を供給するための揮発性処理液供給手段と、
前記基板を加熱するための基板加熱手段と、
基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、
を有し、
前記基板処理プログラムは、
前記処理液供給手段から前記基板に処理液を供給して前記基板を処理する工程と、
前記基板加熱手段によって前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、
前記揮発性処理液供給手段から前記処理液の液膜が形成された前記基板へ揮発性処理液を供給する工程と、
前記揮発性処理液供給手段から前記基板への揮発性処理液の供給を停止する工程と、
前記揮発性処理液を除去して前記基板を乾燥する工程と、
を実行し、
前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように、前記基板加熱手段が基板を加熱することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記基板処理装置は、前記基板に薬液を供給するための薬液供給手段と、前記薬液を除去するためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段とをさらに有し、前記制御手段は、前記薬液供給手段から前記基板に薬液を供給して前記基板を処理する工程と、前記リンス液供給手段から前記基板にリンス液を供給して前記基板をリンス処理する工程とをさらに実行し、前記基板を加熱する工程は、高温のリンス液を用いて前記基板を加熱させることにした。