【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された歪調整層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え、
前記発光部は、組成式（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、前記歪調整層は、発光波長に対して透明であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、
前記化合物半導体層の光取り出し面と反対側の面に、反射構造体を介して機能性基板が接合されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記機能性基板が、金属基板であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記金属基板は、積層された複数の金属層により構成されることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記機能性基板の材料が、ＧａＰ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記光取り出し面に対して９０°の角度を成す方向に放射される放射照度が、前記光取り出し面に対して４５°の角度を成す方向に放射される放射照度の１．０倍以上であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記歪発光層の組成式が、ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）であることを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記歪発光層の厚さが、８〜３０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記歪発光層が８〜４０層含まれていることを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記バリア層の組成式が、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であることを特徴とする請求項１ないし８のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記発光部は、前記歪発光層とバリア層との前記積層構造の上面及び下面の一方又は両方にクラッド層を有し、
前記クラッド層の組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．５≦Ｘ≦１、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であることを特徴とする請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記歪調整層の組成式を、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）にしたことを特徴とする請求項１ないし１０のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記歪調整層の組成式を、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ１−ＹＰＹ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）にしたことを特徴とする請求項１ないし１０のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記歪調整層が、ＧａＰ層であることを特徴とする請求項１ないし１２のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記歪調整層の厚さが、０．５〜２０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし１３のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする請求項１ないし１４のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、
前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし１５のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記発光スペクトルの半値幅が、１０〜４０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１６記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記発光スペクトルの発光波長７００ｎｍにおける発光強度が、前記ピーク発光波長における発光強度の１０％未満であることを特徴とする請求項１６または１７記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記発光部の応答速度（Ｔｒ）が、１００ｎｓ以下であることを特徴とする請求項１ないし１８のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
表面に電極端子が形成されたマウント基板と、
請求項１ないし１９のうち、いずれか１項記載の発光ダイオードと、を備え、
前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、
前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は以下に関する。
（１）  ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された歪調整層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え、前記発光部は、組成式（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、前記歪調整層は、発光波長に対して透明であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、前記化合物半導体層の光取り出し面と反対側の面に、反射構造体を介して機能性基板が接合されていることを特徴とする発光ダイオード。
（２）  前記機能性基板が、金属基板であることを特徴とする前項（１）記載の発光ダイオード。
（３）  前記金属基板は、積層された複数の金属層により構成されることを特徴とする前項（２）記載の発光ダイオード。
（４）  前記機能性基板の材料が、ＧａＰ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかであることを特徴とする前項（１）記載の発光ダイオード。
（５）  前記光取り出し面に対して９０°の角度を成す方向に放射される放射照度が、前記光取り出し面に対して４５°の角度を成す方向に放射される放射照度の１．０倍以上であることを特徴とする前項（１）ないし（４）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（６）  前記歪発光層の組成式が、ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）であることを特徴とする前項（１）ないし（５）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（７）  前記歪発光層の厚さが、８〜３０ｎｍの範囲であることを特徴とする前項（１）ないし（６）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（８）  前記歪発光層が８〜４０層含まれていることを特徴とする前項（１）ないし（７）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（９）  前記バリア層の組成式が、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であることを特徴とする前項（１）ないし（８）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１０）  前記発光部は、前記歪発光層とバリア層との前記積層構造の上面及び下面の一方又は両方にクラッド層を有し、前記クラッド層の組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．５≦Ｘ≦１、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であることを特徴とする前項（１）ないし（９）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１１）  前記歪調整層の組成式を、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）にしたことを特徴とする前項（１）ないし（１０）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１２）  前記歪調整層の組成式を、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ１−ＹＰＹ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）にしたことを特徴とする前項（１）ないし（１０）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１３）  前記歪調整層が、ＧａＰ層であることを特徴とする前項（１）ないし（１２）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１４）  前記歪調整層の厚さが、０．５〜２０μｍの範囲であることを特徴とする前項（１）ないし（１３）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１５）  前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする前項（１）ないし（１４）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１６）  植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であることを特徴とする前項（１）ないし（１５）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（１７）  前記発光スペクトルの半値幅が、１０〜４０ｎｍの範囲であることを特徴とする前項（１６）記載の発光ダイオード。
（１８）  前記発光スペクトルの発光波長７００ｎｍにおける発光強度が、前記ピーク発光波長における発光強度の１０％未満であることを特徴とする前項（１６）または（１７）記載の発光ダイオード。
（１９）  前記発光部の応答速度（Ｔｒ）が、１００ｎｓ以下であることを特徴とする前項（１）ないし（１８）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオード。
（２０）  表面に電極端子が形成されたマウント基板と、（１）ないし（１９）のうち、いずれか１項記載の発光ダイオードと、を備え、前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
＜歪調整層＞
図１を参照するに、歪調整層１３は、発光部３の下方に設けられている。この歪調整層１３は、ＧａＡｓ基板（図示せず）上に化合物半導体層１１をエピタキシャル成長させる際に、歪発光層３１によって生じた歪を緩和させるための層である。また、歪調整層１３は、発光部３の発光波長に対して透明である。
さらに、歪調整層１３は、歪発光層３１及びバリア層３２の格子定数よりも小さい格子定数を有している。また、歪調整層１３は、化合物半導体層１１の形成（エピタキシャル成長による形成）に用いたＧａＡｓ基板（図示せず）の格子定数よりも小さい格子定数を有する。
より具体的には、後述する組成から得られる歪調整層１３の格子定数をＡ、バリア層３２の格子定数をＢ、歪発光層３１の格子定数をＣとした場合に、Ａ＜Ｂ＜Ｃとなる関係を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
その後、４５０℃で１０分間熱処理を行って合金化し、低抵抗の第１及び第２の電極（ｎ型及びｐ型オーミック電極）を形成した。