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【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の芯線を有する撚り線と、線材とを接続する接続方法において、
前記撚り線を、加振ツールを押し当て加圧した状態で超音波加振して固める第1の工程と、
前記固めた撚り線の前記第１の工程で前記加振ツールを押し当てた面を線材に当てた状態で超音波を印加し、前記撚り線と前記線材とを接続する第2の工程と、
を有する接続方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第1の工程で、前記撚り線に加圧する前記加振ツールの面は略平面であり、
前記線材の前記撚り線と接続される部分は略平面であることを特徴とする接続方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第2の工程では、前記撚り線の固めた面と反対側に加振ツールを加圧して超音波を印加することを特徴とする接続方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第1の工程で用いる加振ツールは、前記撚り線の軸方向の根元側の端部に曲率を有することを特徴とする接続方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第1の工程で用いる加振ツールは、前記撚り線の軸方向の根元側は、先端側に比べて引っ込んでいることを特徴とする接続方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第1の工程は、前記加振ツールとアンビルとの間に前記撚り線を挟んで行い、
前記アンビルの前記撚り線を挟む部分は、矩形形状を有することを特徴とする接続方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第1の工程は、前記加振ツールとアンビルとの間に前記撚り線を挟んで行い、
前記アンビルの前記撚り線を挟む部分は、円形または楕円形状を有することを特徴とする接続方法。
【請求項８】
請求項３において、
前記第１の工程と前記第２の工程とで同一の加振ツールを用い、
前記第１の工程の後であり、前記第２の工程の前に、前記撚り線を反転させることを特徴とする接続方法。
【請求項９】
ステータコアと、
前記ステータコアに巻かれた線材と、
前記線材を外部と電気的に接続するために、当該線材に接続された撚り線と、
を備え、電動機または発電機に用いられるステータにおいて、
前記撚り線は、前記線材に接続される断面では、
前記線材に接続される第1の面及びその反対側の第2の面では、撚り線を構成する複数の芯線が接合されて固められており、前記第１の面及び前記第２の面の間の領域では、前記第１の面及び前記第２の面よりも、前記芯線が接合が小さいことを特徴とするステータ。
【請求項１０】
複数の芯線を有する撚り線と、線材とを接続する接続方法において、
前記撚り線を、加振ツールを押し当て加圧した状態で超音波加振して固める第1の工程と、
前記固めた撚り線を線材に当てた状態で超音波を印加し、前記撚り線と前記線材とを接続する第2の工程と、
を有し、
前記撚り線は、前記線材に接続される断面では、
前記線材に接続される第1の面及びその反対側の第2の面では、撚り線を構成する複数の芯線が接合されて固められており、前記第１の面及び前記第２の面の間の領域では、前記第１の面及び前記第２の面よりも、前記芯線が接合が小さいことを特徴とする接続方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地板と、
前記接地板に絶縁して形成された給電部と、
前記給電部と前記接地板とに接続する短絡部に接続し、前記接地板と平行で、且つ、前記接地板と所定の間隔で離間して延伸された放射導体部と、を備え、
前記放射導体部は、折り曲げ角度が９０度の折り曲げ部分を有する、
アンテナ装置。
【請求項２】
接地板と、
前記接地板に絶縁して形成された給電部と、
前記給電部と前記接地板とに接続する短絡部に接続し、前記接地板と平行で、且つ、前記接地板と所定の間隔で離間して延伸された放射導体部と、を備え、
前記放射導体部は、円弧状の折り曲げ部分を有する、
アンテナ装置。
【請求項３】
接地板と、
前記接地板に絶縁して形成された給電部と、
前記給電部と前記接地板とに接続する短絡部に接続し、前記接地板と平行で、且つ、前記接地板と所定の間隔で離間して延伸された放射導体部と、を備え、
前記放射導体部は、９０度未満の角度で複数回折り曲げられた折り曲げ部分を有する、アンテナ装置。
【請求項４】
前記接地板は、正方形形状である
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記接地板は、円形形状である
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記放射導体部を支持する誘電体部をさらに備える、
請求項１に記載のアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、第１の態様は、
接地板と、
前記接地板に絶縁して形成された給電部と、
前記給電部と前記接地板とに接続する短絡部に接続し、前記接地板と平行で、且つ、前記接地板と所定の間隔で離間して延伸された放射導体部と、を備え、
前記放射導体部は、折り曲げ角度が９０度の折り曲げ部分を有する、
アンテナ装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
そこで、本実施の形態では、図９に示すようにｐ型接地領域ＰＧＤが、１対の注入元素子ＤＲ１、ＤＲ２に挟まれる領域に隣り合う領域において分断されている。このとき上記隣り合う領域にはｐ型接地領域ＰＧＤが配置されないため、当該領域は注入元素子ＤＲ１からの電子を引き寄せない。注入元素子ＤＲ１に隣り合う領域に配置されるｐ型接地領域ＰＧＤ１は、注入元素子ＤＲ１からの電子を引き寄せる。しかしこれが注入元素子ＤＲ２の方へ迂回する可能性は低く、その多くはｐ型接地領域ＰＧＤ１に取り込まれる。このため本実施の形態のようにｐ型接地領域が分断された構成とすることにより、ｐ型接地領域ＰＧＤ１、ＰＧＤ２が注入元素子ＤＲ１、ＤＲ２からの電子の進行方向を高精度に制御することができる。したがって注入元素子に電子が進入することに起因する注入元素子の誤動作などを、より確実に抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記表面から前記炭化珪素基板中へイオン注入を行なうことにより不純物領域を形成する工程と、
前記不純物領域を活性化するためのアニールを行なう工程とを備え、
前記アニールを行なう工程は、前記炭化珪素基板の前記表面へ第１の波長を有する第１のレーザ光を照射する工程と、前記炭化珪素基板の前記表面へ第２の波長を有する第２のレーザ光を照射する工程とを含み、
前記炭化珪素基板は前記第１および第２の波長のそれぞれにおいて第１および第２の消衰係数を有し、前記第１の波長に対する前記第１の消衰係数の比は５×１０5／ｍよりも大きく、前記第２の波長に対する前記第２の消衰係数の比は５×１０5／ｍよりも小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不純物領域を形成する工程は、
第１の不純物濃度を有し、前記炭化珪素基板の前記表面を基準に第１の深さに達する第１の不純物層を形成する工程と、
第２の不純物濃度を有し、前記炭化珪素基板の前記表面を基準に第２の深さに達する第２の不純物層を形成する工程とを含み、
前記第１の深さに比して前記第２の深さは小さく、前記第１の不純物濃度に比して前記第２の不純物濃度は大きい、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のレーザ光を照射する工程は、前記炭化珪素基板の前記表面の一部である第１の領域にのみ前記第１のレーザ光を照射する工程である、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のレーザ光を照射する工程は前記炭化珪素基板の前記表面の第２の領域に前記第２のレーザ光を照射する工程であり、前記第１の領域は前記第２の領域よりも狭い、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１および第２のレーザ光を照射する工程は、一方が行なわれた後に他方が行われる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１および第２のレーザ光を照射する工程は同時に行なわれる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記アニールを行なう工程は、前記炭化珪素基板をヒータによって加熱する工程を含む、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記アニールを行なう工程は、不活性ガス雰囲気中、および、大気圧よりも減圧された雰囲気中のいずれかで行われる、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１および第２のレーザ光の各々の光子エネルギーは前記炭化珪素基板のバンドギャップエネルギーよりも大きい、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法においても、シリコン基板を用いた半導体装置の製造方法と同様に、不純物領域を活性化するアニール工程が必要となる。しかしながら、基板の材料が異なれば、最適なアニール工程も相違してくる。たとえば特開２００２−２８９５５０号公報（特許文献１）によれば、アニール工程として、炭化珪素などのワイドバンドギャップ半導体に対してバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光を照射することが開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012124263.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割するための溝を形成するダイシングラインの加工方法であって、
ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、
それぞれのチップ部およびダイシングライン部を覆うように、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出された金属層を覆う表面保護膜を残しながら、半導体層を覆う表面保護膜を除去する表面保護膜エッチング工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出した半導体層を掘り下げて溝を形成する半導体層エッチング工程をとを含む、ダイシングラインの加工方法。
【請求項２】
半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割して個片化された半導体チップを製造する方法であって、
ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、
それぞれのチップ部およびダイシングライン部を覆うように、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出された金属層を覆う表面保護膜を残しながら、半導体層を覆う表面保護膜を除去する表面保護膜エッチング工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出した半導体層を掘り下げる半導体層エッチング工程と、
半導体ウェハの表面保護膜の配置側とは逆側の表面より、半導体層の研磨加工を行い、それぞれのチップ部を個々の半導体チップに分割する研磨工程とを含む、半導体チップの製造方法。
【請求項３】
半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割するための溝を形成するダイシングラインの加工方法であって、
ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、
それぞれのチップ部およびダイシングライン部を覆うように、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出された金属層を覆う表面保護膜を残しながら、半導体層を覆う表面保護膜を除去する表面保護膜エッチング工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出した半導体層を掘り下げて溝を形成する半導体層エッチング工程と、
ダイシングライン部に形成された溝に沿って半導体ウェハを劈開することで、それぞれのチップ部を個々の半導体チップに分割する劈開工程とを含む、半導体チップの製造方法。
【請求項４】
表面保護膜形成工程において、化学蒸着法（ＣＶＤ）により表面保護膜としてＳｉＯ２膜を形成し、
表面保護膜エッチング工程において、フロロカーボン系ガス主体のガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、ダイシングライン部において、配線形成層の端縁に形成されたＳｉＯ２膜を残しながら、半導体層の層面に形成されたＳｉＯ２膜の除去を行う、請求項２または３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割して個片化された半導体チップを製造する方法であって、
ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、
それぞれのチップ部およびダイシングライン部を覆うように、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出された金属層を覆う表面保護膜を残しながら、半導体層を覆う表面保護膜を除去する表面保護膜エッチング工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出した半導体層を除去して、それぞれのチップ部を個々の半導体チップに分割する半導体層エッチング工程とを含む、半導体チップの製造方法。
【請求項６】
表面保護膜形成工程において、化学蒸着法（ＣＶＤ）により表面保護膜としてＳｉＯ２膜を形成し、
表面保護膜エッチング工程において、フロロカーボン系ガス主体のガスを用いたプラズマエッチングにより、ダイシングライン部において、配線形成層の端縁に形成されたＳｉＯ２膜を残しながら、半導体層の層面に形成されたＳｉＯ２膜の除去を行う、請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第３態様によれば、半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割するための溝を形成するダイシングラインの加工方法であって、
ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、
それぞれのチップ部およびダイシングライン部を覆うように、表面保護膜を形成する表面保護膜形成工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出された金属層を覆う表面保護膜を残しながら、半導体層を覆う表面保護膜を除去する表面保護膜エッチング工程と、
半導体ウェハに対してプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、露出した半導体層を掘り下げて溝を形成する半導体層エッチング工程と、
ダイシングライン部に形成された溝に沿って半導体ウェハを劈開することで、それぞれのチップ部を個々の半導体チップに分割する劈開工程とを含む、半導体チップの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された活性領域と、前記活性領域内に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、を備え、前記分離領域は、前記活性領域に完全に囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板の主面に配置された複数の分離領域と、それぞれの分離領域上に一つずつ配置された抵抗素子と、前記分離領域を完全に囲むように配置された活性領域と、を備え、前記分離領域は、互いに近接して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記分離領域は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の分離領域は、その分離領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の表面に形成された所定領域の絶縁膜上に抵抗素子が形成された半導体装置であって、
前記抵抗素子と近接する位置に活性領域を設け、
前記絶縁膜上の前記抵抗素子の下側の前記絶縁膜が前記活性領域によって所定幅に規定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、前記半導体基板の主面に配置された溝内に埋まった酸化膜からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記活性領域によって所定幅に規定されている前記絶縁膜の領域は、その領域の長手方向と垂直な方向に、互いに平行に複数配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記抵抗素子は、一定の長さと幅と膜厚で均一に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記抵抗素子は複数である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記抵抗素子は前記絶縁膜の内側に形成されている請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記抵抗素子の下側の前記絶縁膜の幅は前記絶縁膜の幅に起因する前記抵抗素子の抵抗値のシフト量に基づいて規定されている請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記抵抗素子の下側の前記絶縁膜を所定幅に規定する前記活性領域は、前記絶縁膜の所定幅の両側において前記絶縁膜と接している請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１７】
半導体基板上の所定領域において、並べられた複数の矩形領域の内部をエッチングにより除去して溝を配置する第１の工程と、
前記半導体基板上に絶縁膜を配置して前記溝を埋め込む第２の工程と、
前記絶縁膜の表面を研磨して、前記溝以外の領域における前記絶縁膜を除去して前記溝上の前記絶縁膜の表面を平坦化し、前記絶縁膜を取囲む領域を活性領域として画定する第３の工程と、
前記半導体基板上に所定の抵抗値を有する材料からなる導電膜を配置する第４の工程と、
前記導電膜を前記絶縁膜上でパターニングして抵抗素子を配置する第５の工程とからなる半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
隣接する前記活性領域間の間隔を前記第５の工程で配置する抵抗素子の抵抗値の許容範囲に基づいて設定する請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第５の工程において、隣接する前記活性領域間において複数の前記抵抗素子を配置することを特徴とする請求項１７又は１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面に配置された活性領域と、
前記活性領域内に配置され前記活性領域に完全に囲まれている複数の絶縁膜と、
前記絶縁膜の上にそれぞれ配置された複数の抵抗素子を備え、
前記各抵抗素子は互いに並べて配置され、前記抵抗素子の下層の前記絶縁膜の幅が前記活性領域によって所定幅に規定されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる積層体を備え、該積層体中には、下側から順に、第一伝導型層、発光層、第二伝導型層が含まれている窒化物半導体発光素子であって、
該積層体の上面には凹部が複数形成され、各凹部内には第一伝導型層が露出しており、該第一伝導型層の露出面には第一電極が設けられ、
該積層体の上面の残された領域には第二電極が設けられ、
該第二電極上を超えて該凹部内の該第一電極同士を互いに接続する導体層が、該積層体の上を、該第二電極を外部に接続するために用いられる端子部分を残してそれ以外を覆っており、それによって該導体層と該端子部分とが重なる部分が存在しない構成となっている、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
上記積層体の上面への上記凹部の配置パターンが、正三角形を最小構成単位とする細密の網状パターンの各正三角形の頂点に、上記凹部が形成された配置パターンである、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
上記導体層が、上記第一電極自体が延伸したものである、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
上記第一伝導型層がｎ型層、上記第一電極がｎ電極であり、上記第二伝導型層がｐ型層、上記第二電極がｐ電極である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
上記ｎ電極がＡｌまたはＡｇを含む、請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
上記第二電極は、上記積層体内から発せられる光が透過し得る電極であり、
上記積層体内から発せられ上記第二電極を透過する光を、上記導体層が反射させて上記積層体側に戻す、請求項１〜５のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月5日(2013.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界を捉える撮像面を有して被写界像を出力する撮像手段、
前記被写界に向けて第１報知を発生する第１発生手段、
基準を上回るサイズを各々が有する１または２以上の顔画像を前記撮像手段から出力された被写界像から探索する探索手段、および
前記探索手段によって検出された１または２以上の顔画像の各々の属性を参照して前記第１発生手段の発生態様を制御する制御手段を備える、電子カメラ。
【請求項２】
前記第１発生手段はカメラ筐体の前面に設けられた複数の発光素子を含み、
前記制御手段は、前記１または２以上の顔画像の各々の位置を前記属性の一部として検出する位置検出手段、および前記複数の発光素子のうち前記位置検出手段によって検出された１または２以上の位置にそれぞれ対応する１または２以上の発光素子を発光させる発光手段を含む、請求項１記載の電子カメラ。
【請求項３】
前記制御手段は前記１または２以上の顔画像に順位を割り当てる割り当て手段をさらに含み、
前記発光手段は前記１または２以上の発光素子の各々を前記割り当て手段によって割り当てられた順位によって異なる態様で発光させる、請求項２記載の電子カメラ。
【請求項４】
前記割り当て手段は前記顔画像の数が２以上のとき前記顔画像のサイズ，位置，傾き，向き，および笑顔度の少なくとも一部に基づいて前記順位を割り当てる、請求項３記載の電子カメラ。
【請求項５】
手振れを検知する検知手段、および
前記検知手段の検知に応答して前記被写界に向けて第２報知を発生する第２発生手段をさらに備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子カメラ。
【請求項６】
前記複数の発光素子の各々は前記発光手段の発光処理に基づいて複数の色相のいずれかの色相に発光し、
前記発光手段は前記１または２以上の発光素子の各々を前記割り当て手段によって割り当てられた順位によって異なる色相で発光させる、請求項３または４記載の電子カメラ。
【請求項７】
前記探索手段によって検出された顔画像の数に応じて異なる周期の振動により第３報知を発生する第３発生手段をさらに備える、請求項１ないし６のいずれかに記載の電子カメラ。
【請求項８】
外部制御プログラムを受信する受信手段、および
前記受信手段によって受信された外部制御プログラムとメモリに保存された内部制御プログラムとに従う処理を実行するプロセッサを備える電子カメラであって、
前記外部制御プログラムは、
被写界を捉える撮像面を有して被写界像を出力する撮像ステップ、
前記被写界に向けて第１報知を発生する第１発生ステップ、
基準を上回るサイズを各々が有する１または２以上の顔画像を前記撮像ステップから出力された被写界像から探索する探索ステップ、および
前記探索ステップによって検出された１または２以上の顔画像の各々の属性を参照して前記第１発生ステップの発生態様を制御する制御ステップを前記内部制御プログラムと協働して実行するプログラムに相当する、電子カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）を含有する最表面としての接着剤層（１’）と、一方の主面が前記接着剤層（１’）を支持したプラスチックフィルム（２）とを具備し、前記接着剤層（１’）は、水酸基を有し、カルボキシル基を実質的に有していない、エポキシ樹脂以外の樹脂（Ｂ）と、ポリイソシアネート化合物（Ｃ）とを更に含有し、前記樹脂（Ｂ）は、ポリエステル系樹脂（Ｂ１）、アクリル系樹脂及びウレタン系樹脂からなる群より選ばれる太陽電池用裏面保護シート（Ｖ’）（但し、エポキシ当量が５０００ｇ／ｅｑ以下であるエポキシ樹脂（Ａ）を含有した最表面層としての接着剤層（１’）と、一方の主面が前記接着剤層（１’）を支持したプラスチックフィルム（２）とを具備し、前記接着剤層（１’）は、水酸基を有し、カルボキシル基を実質的に有していない、エポキシ樹脂以外の樹脂（Ｂ）と、ポリイソシアネート化合物（Ｃ）とを更に含有し、前記樹脂（Ｂ）は、ガラス転移温度が２０乃至１００℃の範囲内のポリエステル系樹脂（Ｂ１）であり、前記接着剤層（１’）中のエポキシ基の量は０．０５乃至２ｍｍｏｌ／ｇの範囲内にあり、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリエステル系樹脂（Ｂ１）との合計量に占める前記エポキシ樹脂（Ａ）の割合は１乃至５０質量％の範囲内にある太陽電池用裏面保護シート（Ｖ’）を除く）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンエンジン（ＧＴ）（１６）、熱回収蒸気発生器（ＨＲＳＧ）（１８）及び少なくとも１つの蒸気タービン（ＳＴ）（２０）を含みかつ公称作動制約条件を有する複合サイクル発電システム（１０）のための制御システムであって、
オペレータに前記発電システムの予測作動パラメータに関する情報を提供するディスプレイ（９２）と、
オペレータから
（ａ）前記発電システムの付加的作動制約条件、および
（ｂ）始動させるＧＴの数、それらＧＴを始動させる順序、前記ＳＴに対する前記ＨＲＳＧの融合形式、前記ＧＴの融合のための負荷レベル、又はそれらの組合せに関する作動命令
を受け取るユーザインタフェース（９４）と、
（ａ）あらゆる付加的作動制約条件に対応する入力を受信し、
（ｂ）センサを使って、前記発電システムの構成要素作動パラメータを取得し、
（ｃ）前記公称制約条件及びあらゆる付加的制約条件を満たす前記ＧＴ、ＨＲＳＧ及びＳＴの入力プロフィールを生成し、
（ｄ）前記入力プロフィールおよび前記構成要素作動パラメータに基づいて、前記発電システムの予測作動パラメータに関する情報を生成し、
（ｅ）前記複合サイクル発電システムの始動に必要な複数の構成要素を制御する
制御装置（８４）と、
を含む、制御システム。
【請求項２】
前記制御装置が、前記入力プロフィールを生成している間に、少なくとも１つの発電システム作動パラメータを最適化するようにさらに構成される、請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記ユーザインタフェースが、性能要件に関する命令をオペレータが提供することができるように構成され、
前記制御装置が、前記性能要件を受信し、かつ前記入力プロフィールを生成する時に前記性能要件を使用するように構成される、
請求項１に記載の制御システム。
【請求項４】
ガスタービン（ＧＴ）（１６、１１６）、熱回収蒸気発生器（ＨＲＳＧ）（１８、１１８）及び少なくとも１つの蒸気タービン（ＳＴ）（２０）を含む複合サイクル発電システム（１０）のための制御システムであって、
始動させるＧＴの数、それらＧＴを始動させる順序、前記ＳＴに対する前記ＨＲＳＧの融合形式、又はそれらの組合せに関する命令をオペレータから受け取るユーザインタフェースと、
複数のパラメータを使用してダイナミックス及び制約条件を表すように構成された、前記ＧＴ、ＨＲＳＧ及びＳＴのためのモデルと、
前記パラメータに対応する入力を受信し、また前記制約条件を満たす前記ＧＴ、ＨＲＳＧ及びＳＴの入力プロフィールを生成しかつ少なくとも１つの発電システム作動パラメータを最適化するように構成されたオプティマイザと、
を含み、
前記オプティマイザが、センサからの情報により発電システム作動の段階移行を検出し、検出された段階移行を用いて前記入力プロフィールを更新するようにさらに構成され、
前記段階移行は、ＨＲＳＧを前記ＳＴに連結し又は遮断する、
制御システム。
【請求項５】
ガスタービン（ＧＴ）（１６、１１６）、熱回収蒸気発生器（ＨＲＳＧ）（１８、１１８）及び少なくとも１つの蒸気タービン（ＳＴ）（２０）を含む複合サイクル発電システム（１０）のための制御システムであって、
（ａ）センサから前記発電システムの構成要素パラメータを取得し、
（ｂ）始動させるＧＴの数、それらＧＴを始動させる順序、前記ＳＴに対する前記ＨＲＳＧの融合形式、又はそれらの組合せに関する作動命令をオペレータから受け取り、
（ｃ）前記構成要素パラメータと前記作動命令を利用して、前記ＧＴ、ＨＲＳＧ及び前記少なくとも１つのＳＴの入力プロフィールを生成し、
（ｄ）前記ＧＴの少なくとも１つ、前記ＨＲＳＧの少なくとも１つ、前記ＳＴ、又は前述のもののいずれかの組合せの作動制約条件に対する代替制御動作をマップ化することによって代替作動シナリオを生成する、
制御装置（８４）を備える、
制御システム。
【請求項６】
前記制御装置が、
前記代替制御動作をシミュレートし、
前記作動制約条件に対する前記複数代替制御動作の効果を予測し、かつ
前記複数代替制御動作のどれが前記作動制約条件に違背することになりまた違背しないことになるかを識別する、ように構成される、
請求項５に記載の制御システム。
【請求項７】
前記発電システムの代替作動シナリオ及び前記代替制御動作の予測効果を表示するように構成されたディスプレイをさらに含む、請求項６に記載の制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて、強誘電性を示す相に帰属される回折ピークと、反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークが同時に観測されることを特徴とする圧電材料。
【請求項２】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて４５＜２θ＜５０°にＡＢＯ3型構造由来の回折ピークが観測され、前記ＡＢＯ3型構造由来の回折ピークにおける強誘電性を示す相に帰属される回折ピークの面積強度ＡFと反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークの面積強度ＡAFとの比ＡAF／ＡFが、０．１以上であることを特徴とする請求項１に記載の圧電材料。
【請求項３】
Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物の圧電材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電材料。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電材料からなる圧電体層と、前記圧電体層に設けられた複数の電極と、を具備することを特徴とする圧電素子。
【請求項５】
請求項４の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項６】
請求項４の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射装置。
【請求項７】
請求項４の圧電素子を備えることを特徴とする超音波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせる第１電極、圧電体層及び第２電極からなる圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイスに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく、強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイスを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、粉末Ｘ線回折パターンにおいて、強誘電性を示す相に帰属される回折ピークと、反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークが同時に観測されることを特徴とする圧電材料にある。
かかる態様では、反強誘電相と強誘電相を同時に示すため、歪み量の大きな圧電素子とすることができる。
ここで、粉末Ｘ線回折パターンにおいて４５＜２θ＜５０°にＡＢＯ3型構造由来の回折ピークが観測され、前記ＡＢＯ3型構造由来の回折ピークにおける強誘電性を示す相に帰属される回折ピークの面積強度ＡFと反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークの面積強度ＡAFとの比ＡAF／ＡFが、０．１以上であることが好ましい。これによれば、より確実に歪み量の大きな圧電素子とすることができる。
また、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物の圧電材料であることが好ましい。これによれば、鉛の含有量を抑えられるため環境への負荷を低減でき、且つ歪み量の制御が容易な圧電材料を提供することができる。
本発明の他の態様は、上述した態様の圧電材料からなる圧電体層と、前記圧電体層に設けられた複数の電極と、を具備することを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、反強誘電相と強誘電相を同時に示すため、歪み量の大きな圧電素子とすることができる。
また、本発明の他の態様は、上述した態様の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、歪み量の大きな圧電素子を具備する液体噴射ヘッドを実現できる。
また、本発明の他の態様は、上述した態様の圧電素子を備えることを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、歪み量の大きな圧電素子を具備する液体噴射装置を実現できる。
また、本発明の他の態様は、上述した態様の圧電素子を備えることを特徴とする超音波デバイスにある。かかる態様では、歪み量の大きな圧電素子を具備する超音波デバイスを実現できる。
さらに、本発明は、以下に示す態様を包含する。
かかる態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、第１電極と、前記第１電極上に形成された圧電体層と、前記圧電体層上に形成された第２電極と、を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物であって、強誘電体である圧電材料を用いることにより、鉛の含有量を抑えられるため環境への負荷を低減でき、歪み量の制御が容易となり、例えば、吐出する液滴サイズの制御が容易な圧電素子を有する液体噴射ヘッドとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層および前記圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であり、
前記圧電体層は、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で０．０１以上０．１３以下含むことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記圧電体層は、さらに、ランタンを含むことを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は、ランタンを、ビスマスとセリウムとランタンの総量に対してモル比で０．０５以上０．２０以下含むことを特徴とする請求項２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記圧電体層は、電界誘起相転移を示すことを特徴とする請求項２または３に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記圧電体層は、強誘電体であることを特徴とする請求項２または３に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項６】
前記圧電体層は、粉末Ｘ線回折パターンにおいて、強誘電性を示す相に帰属される回折ピークと、反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークが同時に観測されることを特徴とする請求項５に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項８】
圧電体層および前記圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であり、
前記圧電体層は、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で０．０１以上０．１３以下含むことを特徴とする圧電素子。
【請求項９】
ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であって、
セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で０．０１以上０．１３以下含むことを特徴とする焦電素子。
【請求項１０】
請求項９に記載する焦電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びＩＲセンサー
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせ、圧電体層と圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びＩＲセンサーに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ環境負荷の少ない圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びＩＲセンサーを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の態様は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であって、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で０．０１以上０．１３以下含むことを特徴とする焦電素子にある。これによれば、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる焦電素子となる。また、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減できる。
また、本発明の他の態様は、上記態様の焦電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサーにある。かかる態様では、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる焦電素子を有するため、絶縁破壊が防止され信頼性に優れたＩＲセンサーとなる。また、鉛の含有量を抑え環境への負荷が低減されたＩＲセンサーを提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトセンサと、読み出し制御回路と、を有し、
前記フォトセンサは、フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記読み出し制御回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記フォトダイオードの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの少なくとも一方、及び前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第３のトランジスタのゲートに印加される電位を入射光に応じて変更し、前記第３のトランジスタの抵抗値を変更し、
前記フォトセンサは、複数設けられており、
前記フォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び読み出し動作を行う機能を有し、
複数設けられた前記フォトセンサは、前記リセット動作を共通して行い、前記累積動作を共通して行い、前記読み出し動作を順次行う機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を噴射するノズル開口に連通した圧力発生室と、
圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物及びマンガン酸ビスマスを含む固溶体からなることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記マンガン酸ビスマスは、前記ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して０．２５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下含まれることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は、ジルコン酸カルシウムをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記ジルコン酸カルシウムは、前記ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して１ｍｏｌ％以上４ｍｏｌ％以下含まれることを特徴とする請求項３に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
【請求項６】
圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を有し、前記圧電体層は、ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物及びマンガン酸ビスマスを含む固溶体からなることを特徴とする圧電素子。
【請求項７】
前記圧電体層は、ジルコン酸カルシウムをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の圧電素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記マンガン酸ビスマスは、前記ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して０．２５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下含まれることが好ましい。これによれば、より耐久性に優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記ジルコン酸カルシウムは、前記ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して１ｍｏｌ％以上４ｍｏｌ％以下含まれることが好ましい。これによれば、より耐久性に優れ、誘電率が高く且つ温度安定性に優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｂ及びＴａを含むペロブスカイト型酸化物、マンガン酸ビスマス、必要に応じて含有させるジルコン酸カルシウムの割合も特に限定されず、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｂ及びＴａを含むペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して、マンガン酸ビスマスやジルコン酸カルシウムは微量添加でよい。例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｂ及びＴａを含むペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して、マンガン酸ビスマスは０．２５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下とすればよい。また、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｂ及びＴａを含むペロブスカイト型酸化物１００ｍｏｌ％に対して、ジルコン酸カルシウムは１ｍｏｌ％以上４ｍｏｌ％以下とすればよい。このような組成比の圧電材料は、例えば、下記式（１）で表される。勿論、ＣａＺｒＯ３を含有しない場合は、下記式（１）において、ｎは零である。
(Kx,Nay,Li1-x-y)(Nbz,Ta1-z)O3-m[BiMnO3]-n[CaZrO3] (1)
(0.420≦x≦0.480、0.475≦y≦0.520、0.80≦z≦0.85、0.0025≦m≦0.01、0.01≦n≦0.04)
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部とスライドモジュールを内蔵する第１筐体と、
操作部を有する第２筐体と、
外部と通信を行う通信部とを備え、
前記第１筐体と前記第２筐体とは、前記スライドモジュールにより開状態及び閉状態にスライド可能に連結されており、
前記スライドモジュールは、導電性を有し、前記開状態から前記閉状態に遷移した場合に収縮し、かつ前記閉状態から前記開状態に遷移した場合に伸張するスプリングコイルと、該スプリングコイルの内側に挿入されて、該スプリングコイルを支持するスプリングコイルガイドの組み合わせにより構成されており、
前記スプリングコイルは、一方端部が前記通信部の給電点に接続され、
前記通信部は、外部と通信を行う際に、前記給電点に接続されている前記スプリングコイルをアンテナのエレメントとして利用する携帯通信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メディアデータを受信装置に送信すると共に、当該受信装置が正常に受信しなかったメディアデータを復元するための冗長データを送信する送信装置であって、
受信装置におけるメディアデータの受信から再生処理開始までの時間に応じたバッファリング時間を取得すると共に、前記送信装置と前記受信装置との間におけるデータの伝達時間を取得する取得手段と、
前記バッファリング時間と前記伝達時間に基づいて前記メディアデータのデータ量に対する前記冗長データのデータ量を決定する決定手段と、
前記決定手段の決定に応じて冗長データを生成する生成手段と
を有することを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記バッファリング時間から前記伝達時間を差し引いて猶予時間を取得し、
前記決定手段は、第１の猶予時間が取得された場合、前記第１の猶予時間より短い第２の猶予時間が取得された場合よりも、前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量を少なくすることを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項３】
前記メディアデータは符号化された動画データであり、
前記決定手段は、
前記第１の猶予時間が取得された場合、前記動画データのフレームのうち他のフレームを参照せずに復号可能なインターフレームの冗長データと、他のフレームを参照せずに復号可能なイントラフレームの冗長データを生成することを決定し、
前記第１の猶予時間より短い前記第２の猶予時間が取得された場合、前記インターフレームの冗長データを生成せず、前記イントラフレームの冗長データを生成することを決定することを特徴とする請求項２に記載の送信装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記受信装置が正常に受信しなかったエラーデータ量に応じたエラー情報を取得し、
前記決定手段は、
第１のエラーデータ量に応じた第１のエラー情報と、前記第１の猶予時間が取得された場合、
前記第１のエラーデータ量よりも多い第２のエラーデータ量に応じた第２のエラー情報と、前記第１の猶予時間が取得された場合よりも、
前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量が少なくなるように、前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量を決定することを特徴とする請求項２記載の送信装置。
【請求項５】
前記取得手段は、前記送信装置が送信したメディアデータのパケットの受信装置による受信時刻のばらつきに応じたジッタ情報を取得し、
前記決定手段は、
第１のばらつきに応じた第１のジッタ情報と、前記第１の猶予時間が取得された場合、
前記第１のばらつきよりもばらつきが大きい第２のばらつきに応じた第２のジッタ情報と、前記第１の猶予時間が取得された場合よりも、
前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量が少なくなるように、前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量を決定することを特徴とする請求項２又は４記載の送信装置。
【請求項６】
前記取得手段は、前記受信装置からの通知に応じて前記受信装置において変更された後のバッファリング時間を取得し、
前記決定手段は、前記伝達時間と、前記変更された後のバッファリング時間とに基づいて、前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量を変更することを特徴とする請求項１又は２記載の送信装置。
【請求項７】
メディアデータを受信装置に送信すると共に、当該受信装置が正常に受信しなかったメディアデータを復元するための冗長データを送信する送信装置が行う送信方法であって、
受信装置におけるメディアデータの受信から再生処理開始までの時間に応じたバッファリング時間を取得すると共に、前記送信装置と前記受信装置との間におけるデータの伝達時間を取得する取得工程と、
前記バッファリング時間と前記伝達時間に基づいて前記メディアデータのデータ量に対する前記冗長データのデータ量を決定する決定工程と、
前記決定工程の決定に応じて冗長データを生成する生成工程と
を有することを特徴とする送信方法。
【請求項８】
前記取得工程では、前記バッファリング時間から前記伝達時間を差し引いて猶予時間を取得し、
前記決定工程では、第１の猶予時間が取得された場合、前記第１の猶予時間より短い第２の猶予時間が取得された場合よりも、前記メディアデータのデータ量に対する冗長データのデータ量を少なくすることを特徴とする請求項７記載の送信方法。
【請求項９】
前記メディアデータは符号化された動画データであり、
前記決定工程では、
前記第１の猶予時間が取得された場合、前記動画データのフレームのうち他のフレームを参照せずに復号可能なインターフレームの冗長データと、他のフレームを参照せずに復号可能なイントラフレームの冗長データを生成することを決定し、
前記第１の猶予時間より短い前記第２の猶予時間が取得された場合、前記インターフレームの冗長データを生成せず、前記イントラフレームの冗長データを生成することを決定することを特徴とする請求項８に記載の送信方法。
【請求項１０】
メディアデータを受信装置に送信すると共に、当該受信装置が正常に受信しなかったメディアデータを復元するための冗長データを送信するコンピュータに、
受信装置におけるメディアデータの受信から再生処理開始までの時間に応じたバッファリング時間を取得すると共に、前記送信装置と受信装置との間におけるデータの伝達時間を取得する取得手順と、
前記バッファリング時間と前記伝達時間に基づいて前記メディアデータのデータ量に対する前記冗長データのデータ量を決定する決定手順と、
前記決定手順の決定に応じて冗長データを生成する生成手順と
を実行させることを特徴とするプログラム。