【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を生じる光電変換部と、
前記光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を読み出すための少なくとも１つの画素トランジスタと、を含む画素を複数有し、
第１の光電変換部が配される第１の活性領域と、
第２の光電変換部が配される第２の活性領域と、
前記第１及び第２の活性領域にフィールド領域を介して隣接し、前記画素トランジスタが配される第３の活性領域と、を含む固体撮像装置の製造方法であって、
前記第３の活性領域に、前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる半導体領域を形成するための第１導電型の不純物イオンをイオン注入する第１の工程と、
前記第３の活性領域内の前記画素トランジスタのチャネル部となる領域に、前記第１の工程のイオン注入の注入エネルギーよりも低エネルギーで、第２導電型の不純物イオンをイオン注入する第２の工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の工程のイオン注入は同一マスクを用いて行なわれることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程のイオン注入を行なう際のマスクは、前記フィールド領域から、前記第３の活性領域の前記フィールド領域側の端部へ延在していることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程のイオン注入を行なう際のマスクの厚さをＨ、前記マスクの前記第３の活性領域に対応した開口部の最小幅をＷとした時、Ｈ／Ｗ≧２．８であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の活性領域の中心と前記第２の活性領域の中心とを結ぶ方向は、前記第３の活性領域に配される画素トランジスタのチャネル幅方向に平行な方向であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記フィールド領域が絶縁体を含んで構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁体の下にチャネルストップ領域を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁体はＬＯＣＯＳ構造あるいはＳＴＩ構造のいずれかを有することを特徴とする請求項６または７に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素が、フローティングディフュージョン領域と、前記光電変換部で生じた前記信号電荷を前記フローティングディフュージョン領域へ転送する転送トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素トランジスタは、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、および、リセットトランジスタのいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の工程において、少なくともイオン注入エネルギーが互いに異なる複数回の、第１導電型の不純物イオンのイオン注入を行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の半導体領域の不純物濃度ピーク位置Ｄは、前記第３の活性領域の絶縁膜界面からＤ≧１μｍであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
信号電荷を生じる光電変換部と、
前記光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を読み出すための少なくとも１つのトランジスタと、
前記光電変換部が配される領域と、前記トランジスタが配される領域とを、電気的に分離するための分離領域とを含む固体撮像装置の製造方法であって、
前記トランジスタが配される領域に、前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる半導体領域を形成するための第１導電型の不純物イオンをイオン注入する工程と、
前記トランジスタのチャネル部となる領域に、前記第１導電型の不純物イオンのイオン注入の注入エネルギーよりも低エネルギーで、第２導電型の不純物イオンをイオン注入する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
信号電荷を生じる光電変換部と、
前期光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を読み出すための少なくとも１つのトランジスタと、を含む固体撮像装置の製造方法であって、
前記光電変換部が配される領域を覆い、かつ、前記トランジスタが配される領域に開口を有するマスクを用いて、第１導電型の不純物イオンをイオン注入する工程と、
前記マスクを用いて、前記第１導電型の不純物イオンのイオン注入の注入エネルギーよりも低エネルギーで、第２導電型の不純物イオンをイオン注入する工程と、
前記トランジスタのソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入の工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
信号電荷を生じる光電変換部と、
前記光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を読み出すための少なくとも１つの画素トランジスタと、を含む画素を複数有し、
第１の光電変換部が配される第１の活性領域と、
第２の光電変換部が配される第２の活性領域と、
前記第１及び第２の活性領域にフィールド領域を介して隣接し、前記画素トランジスタが配される第３の活性領域と、を含む固体撮像装置であって、
前記第３の活性領域に、前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる第１導電型の第１の半導体領域が配されており、
前記第１の半導体領域よりも浅い位置であって、前記第３の活性領域内に配される画素トランジスタのチャネル部に、第２導電型の不純物イオンが配されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第１の半導体領域の不純物濃度ピーク位置Ｄは、前記第３の活性領域の絶縁膜界面からＤ≧１μｍであることを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記フィールド領域が絶縁体を含んで構成されることを特徴とする請求項１５または１６に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記絶縁体の下にチャネルストップ領域が配されたことを特徴とする請求項１７に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
前記絶縁体はＬＯＣＯＳ構造あるいはＳＴＩ構造のいずれかを有することを特徴とする請求項１７または１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
前記画素が、フローティングディフュージョン領域と、前記光電変換部で生じた前記信号電荷を前記フローティングディフュージョン領域へ転送する転送トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２１】
前記画素トランジスタは、増幅トランジスタ、選択トランジスタ、および、リセットトランジスタのいずれかを含むことを特徴とする請求項１５〜２０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題に鑑み、本発明は、信号電荷を生じる光電変換部と、前記光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を読み出すための少なくとも１つの画素トランジスタと、を含む画素を複数有し、第１の光電変換部が配される第１の活性領域と、第２の光電変換部が配される第２の活性領域と、前記第１及び第２の活性領域にフィールド領域を介して隣接し、前記画素トランジスタが配される第３の活性領域と、を含む固体撮像装置の製造方法であって、前記第３の活性領域に、前記信号電荷に対するポテンシャルバリアとなる半導体領域を形成するための第１導電型の不純物イオンをイオン注入する第１の工程と、前記第３の活性領域内の前記画素トランジスタのチャネル部となる領域に、前記第１の工程のイオン注入の注入エネルギーよりも低エネルギーで、第２導電型の不純物イオンをイオン注入する第２の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本実施例が特に有効な構成は、レジストマスク４０１の開口部の最小幅Ｗが、Ｗ≦１．４μｍの場合である。ここでの最小幅とは、第１の光電変換部と第２の光電変換部との中心を結ぶ方向に平行な方向の幅である。つまりレジストマスク４０１の開口部のアスペクト比として、レジストマスクの厚さＨとレジストマスクの開口部の最小幅Ｗの比がＨ／Ｗ≧２．８において特に効果が高い。