【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と、
前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と、
前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え、
前記第１領域と前記第３領域とは、前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト領域を共有しており、
前記第１領域と前記第３領域とは、前記第２主面に位置し、かつ前記ドリフト領域より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第５領域を共有しており、
前記第３領域における前記ドリフト領域のキャリアライフタイムが、前記第１領域における前記ドリフト領域のキャリアライフタイムよりも短くなるように、前記第３領域の前記ドリフト領域中の単位体積あたりの結晶欠陥の数が、前記第１領域の前記ドリフト領域中の単位体積あたりの結晶欠陥の数より多い、半導体装置。
【請求項２】
前記エッジターミネーション領域における前記キャリアライフタイムの平均値は１．０μｓｅｃ以下である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１領域と前記第３領域とは、前記ドリフト領域と前記第５領域との間に位置し、かつ前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く、前記ドリフト領域より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有している、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と、
前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と、
前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え、
前記第１領域と前記第３領域とは、前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト領域を共有しており、
前記第１領域は前記ドリフト領域よりも第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第５領域を有しており、
前記エッジターミネーション領域では前記第２主面に前記ドリフト領域が形成されており、前記ダイオード活性領域では前記第２主面に前記第５領域が形成されている、半導体装置。
【請求項５】
前記ダイオード活性領域の前記第２主面において前記第５領域と隣り合うように形成された第２導電型の逆導電型領域をさらに備え、
前記第１領域は、前記第５領域および前記逆導電型領域と前記ドリフト領域との間に位置し、かつ前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く、前記ドリフト領域より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を有している、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第５領域の直上に位置する前記第６領域の領域と前記逆導電型領域の直上に位置する前記第６領域の領域とは異なる第１導電型不純物の濃度を有している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２主面における前記ダイオード活性領域の総面積に対して前記逆導電型領域の面積が占める割合は２０％以上９５％以下である、請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と、
前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と、
前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と、
前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え、
前記第１領域と前記第３領域とは、前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト領域を共有しており、
前記第１領域は前記ドリフト領域よりも第１導電型不純物の濃度が高い第５領域を有しており、さらに
前記ダイオード活性領域の前記第２主面において前記第５領域と隣り合うように形成された第２導電型の第１逆導電型領域と、
前記エッジターミネーション領域の前記第２主面に形成された第２導電型の第２逆導電型領域とを備え、
前記第１領域と前記第３領域とは、前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く、かつ前記ドリフト領域より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有しており、
前記第６領域は、前記ダイオード活性領域においては前記第５領域および前記第１逆導電型領域と前記ドリフト領域との間に位置し、かつ前記エッジターミネーション領域においては前記第２逆導電型領域と前記ドリフト領域との間に位置している、半導体装置。
【請求項９】
前記第２主面における前記ダイオード活性領域の総面積に対して前記第１逆導電型領域の面積が占める割合は２０％以上９５％以下である、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第４領域は、前記第１主面において互いに間隔をあけて形成された複数の第２導電型領域を有している、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第４領域は、前記第２領域と接触するように形成されている、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第４領域における第２導電型不純物の濃度は、前記第２領域における第２導電型不純物の濃度よりも低い、請求項１１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のさらに他の局面にしたがう半導体装置は、半導体基板と、第１導電型の第１領域と、第２導電型の第２領域と、第１導電型の第３領域と、第２導電型の第４領域とを備える。半導体基板は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する。第１領域は、ダイオード活性領域において半導体基板内に形成される。第２領域は、ダイオード活性領域において第１領域とともにダイオードを構成するように半導体基板の第１主面に形成される。第３領域は、エッジターミネーション領域において半導体基板内に形成される。第４領域は、エッジターミネーション領域において半導体基板の第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる領域である。上記第１領域と第３領域とは第１導電型のドリフト領域を共有している。上記第１領域はドリフト領域よりも第１導電型不純物の濃度が高い第５領域を有している。上記ダイオード活性領域の第２主面において第５領域と隣り合うように形成された第２導電型の第１逆導電型領域と、エッジターミネーション領域の第２主面に形成された第２導電型の第２逆導電型領域とを備える。上記第１領域と第３領域とは、第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く、ドリフト領域より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有している。上記第６領域は、ダイオード活性領域においては第５領域および第１逆導電型領域とドリフト領域との間に位置し、かつエッジターミネーション領域においては第２逆導電型領域とドリフト領域との間に位置している。