(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体基板と、該セラミック誘電体基板の表面に形成された信号伝送線路と、前記セラミック誘電体基板の前記信号伝送線路の終端部と対峙する裏面に設けられた前記信号伝送線路と導波管との接続部とを具備し、
前記接続部における前記セラミック誘電体基板の裏面に、有機樹脂を絶縁材料成分として含有する有機系絶縁体からなる接続部材を一体的に設け、該接続部材に、前記導波管の内径寸法と実質的に同じ寸法を有し内壁に導体層が形成された貫通穴を設けるとともに、
前記セラミック誘電体基板の内部または裏面に、前記信号伝送線路の終端部と対峙する位置にスロット孔を有するグランド層が形成され、該グランド層のスロット孔形成面に、第１の誘電体部と、該第１の誘電体部を介して前記スロット孔と対峙する位置に設けられた導体層と、該導体層の表面に設けられた第２の誘電体部とが積層されており、
前記スロット孔を介して前記信号伝送線路と前記導波管とを電磁的に結合することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の誘電体部、前記第２の誘電体部および前記導体層が前記セラミック誘電体基板内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記セラミック誘電体基板内部の前記スロット孔および前記導体層の周囲に、前記導波管の導体壁と電気的に接続される垂直導体が前記セラミック誘電体基板を貫通して複数個形成されており、前記垂直導体によって囲まれる領域内に前記第１の誘電体部および前記第２の誘電体部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板における前記接続部材に対して、前記貫通孔と前記導波管とを整合させて、前記導波管のフランジ部を前記接続部材に接続固定してなることを特徴とする配線基板と導波管との接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波用半導体素子や高周波用受動素子などの高周波素子等を収納する為の高周波用パッケージ、あるいはそれら素子を収納したパッケージを実装する回路基板、あるいは各種素子を直接表面実装した回路基板などに用いられ、導波管との接続が可能な配線基板に関し、信号伝送線路−導波管間で効率よく信号伝送できかつ軽量化、低コスト化した配線基板と、その導波管との接続構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、社会の情報化が進み、情報の伝達は携帯電話に代表されるように無線化、パーソナル化が進んでいる。このような状況の中、さらに高速大容量の情報伝達を可能にするために、ミリ波（３０〜３００ＧＨｚ）領域で動作する半導体素子の開発が進んでいる。最近ではこのような高周波半導体素子技術の進歩に伴い、その応用として車間レーダーや無線ＬＡＮのようなミリ波の電波を用いたさまざまな応用システムも提案されるようになってきた。例えば、ミリ波を用いた車間レーダー、高速無線ＬＡＮなどが提案されている。
【０００３】
このようにミリ波の応用が進むにつれ、それらの応用を可能とするための要素技術の開発も同時に進められており、特に、各種の電子部品においては、必要な伝送特性を有しながら、いかに小型化と低コスト化を図るかが、大きな課題となっている。
【０００４】
このような要素技術の中でも、高周波素子が収納された回路基板あるいはパッケージと、外部電気回路とをいかに簡単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素として位置づけられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載した回路基板あるいはパッケージなどの配線基板とをいかに接続するかが大きな問題であった。
【０００５】
従来におけるパッケージや回路基板と導波管とを接続する方法としては、高周波用パッケージからコネクタを用いて一旦同軸線路に変換した後に導波管と接続する方法、外部電気回路において、導波管を一旦マイクロストリップ線路等に接続した後、そのマイクロストリップ線路と高周波用パッケージとを接続する方法が採用される。
【０００６】
最近では、高周波素子を収納したパッケージを導波管と直接接続する方法も提案されている（１９９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、ＳＣ−７−５参照）。この提案では、素子をキャビティ内に気密封止する蓋体の一部に石英を埋め込み、その石英埋め込み部を通じて電磁波をキャビティ内に導入し、キャビティ内に設置した導波管−マイクロストリップ線路変換基板と接続したものである。
【０００７】
ところが、上記のように外部電気回路の導波管を一旦、コネクタやマイクロストリップ線路などの他の伝送線路形態を介して、パッケージと接続する方法では、接続構造自体が複雑化するとともに、コネクタや他の伝送線路を形成する領域を確保する必要があるために、接続構造自体が大型化してしまうという問題があった。しかも、他の線路形態やコネクタを介することにより伝送損失が増大する可能性もあった。
【０００８】
また、導波管から電磁波の形でパッケージのキャビテイ内部まで直接導入するパッケージとして、図６の概略断面図に示すものも知られている。かかるパッケージＡ３によれば、誘電体基板２１の表面に、終端部２２ａを有する信号伝送線路２２が被着形成されており、かかる誘電体基板２１の表面には、高周波素子２３が搭載され、信号伝送線路２２の一端と接続されている。そして、この誘電体基板２１を２つの金具２４、２５によって挟持して一体的に接着されており、誘電体基板２１の表面側の金具２４によってキャビティ２６が形成され、このキャビティ２６は導電性蓋体２７によって封止される。また、誘電体基板２１の裏面側の金具２５には、信号伝送線路２２の終端部２２ａと対向する部分には貫通孔２８が設けられている。そして、このパッケージの貫通孔２８と導波管Ｂを整合させて、導波管ＢのフランジＢ’から、金具２５、誘電体基板２１、金具２４まで貫通する螺子孔３０にて螺子３１によってパッケージＡ３と導波管２９とを接続固定し、信号伝送線路２２と導波管２９とが接続される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、導波管から電磁波の形でパッケージのキャビティ内部まで直接導入する方法は、信号伝送線路との接続構造を小型化できる点では有効的である。
【００１０】
ところが、蓋体などのキャビティ形成部材を通過する際に電磁波の損失を小さくするために、その通過部を誘電率および誘電正接が小さい材料を使用することが必要であり、そのために、前記文献に記載されるように、石英などの低誘電率、低損失材料を蓋の一部に埋め込む処理が必要となる。このような埋め込み処理は、気密封止性の信頼性を損なうばかりでなく、量産には全く不向きである。
【００１１】
また、キャビティ形成部材をすべて低誘電率、低損失材料によって構成することも考えられるが、パッケージを構成する材料として、それら電気特性以外にも機械的な強度や気密封止性、メタライズ性など各種の特性が要求され、それら特性をすべて満足し、且つ安価に製造できるような適切な材料は見当たらない。
【００１２】
さらに配線基板の誘電体基板をセラミックスのみで構成した場合、導波管のフランジと接続する際、ねじで固定する工程でトルクを過剰にかけるとセラミックスが破損するおそれがあり、信頼性に若干問題があった。
【００１３】
また、図６のように、導波管ＢとのパッケージＡ３への接続にあたり、導波管Ｂと誘電体基板２１との間に金具２５を介在させて、導波管Ｂを金具２５に接続することにより、セラミック誘電体基板２１への接続の負担が軽減されるが、金具２５の貫通孔２８や螺子孔３０の加工コストが非常に高く、量産化には不向きであり、製品のコスト削減が困難であった。さらに金具２５の比重が高いために製品の軽量化をすることが出来なかった。
【００１４】
また、セラミック誘電体基板２１と金具２５との接着にろう材を用いて組み立てるとパッケージＡ３に大きな反りが発生したり、場合によっては破壊することもあり、導波管Ｂとの接続性が損なわれたり、キャビティ２６の気密性が損なわれるなどの問題があった。
【００１５】
従って、本発明は、前記課題を解消せんとして成されたもので、前記高周波用パッケージなどの配線基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号の伝送を行う接続部を具備した配線基板において、導波管との接続を低損失、低反射にて反りの発生なく行なうことができる配線基板と、その導波管との接続構造を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、セラミック誘電体基板と、該セラミック誘電体基板の表面に形成された信号伝送線路と、前記セラミック誘電体基板の前記信号伝送線路の終端部と対峙する裏面に設けられた前記信号伝送線路と導波管との接続部を具備し、前記接続部における前記セラミック誘電体基板の裏面に、有機樹脂を絶縁材料成分として含有する有機系絶縁体からなる接続部材を一体的に設け、該接続部材に、接続される導波管の内径寸法と実質的に同じ大きさを有し内壁に導体層が形成された貫通穴を設けるとともに、前記セラミック誘電体基板の内部または裏面に、前記信号伝送線路の終端部と対峙する位置にスロット孔を有するグランド層が形成され、該グランド層のスロット孔形成面に、第１の誘電体部と、該第１の誘電体部を介して前記スロット孔と対峙する位置に設けられた導体層と、該導体層の表面に設けられた第２の誘電体部とが積層されており、前記スロット孔を介して前記信号伝送線路と前記導波管とを電磁的に結合することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、前記第１の誘電体部、前記第２の誘電体部および前記導体層がセラミック誘電体基板内に形成されていること、そして前記セラミック誘電体基板内部の前記スロット孔および前記導体層の周囲に、前記導波管の導体壁と電気的に接続される垂直導体が前記セラミック誘電体基板を貫通して複数個形成されており、前記垂直導体によって囲まれる領域内に前記第１の誘電体部および前記第２の誘電体部が形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の配線基板と導波管との接続構造は、前記接続部材に対して、前記貫通孔と前記導波管とを整合させて、前記導波管のフランジ部を前記接続部材に接続固定してなることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明によれば、セラミック誘電体基板と導波管との間に、有機系絶縁体からなる接続部材を介在させて固着することによって、金具を介して接続する場合のような、ロウ付けなどの高温での接合工程が不要であり、しかも熱膨張差等によって応力が発生しても、有機系絶縁体のヤング率が低いために、有機系絶縁体が応力を吸収してしまい、セラミック誘電体基板への応力の付加を低減し破損を防止することができる。そのために、セラミック誘電体基板や接続部材の反りなどを防止できることから、配線基板と導波管との固定を確実に行なうことができ、信号伝送を低損失かつ低反射で効率よく行うことが可能である。またセラミック誘電体基板の信号伝送線路形成面側に高周波素子などを導電性部材からなる蓋体によって確実に気密封止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の配線基板を図面をもとに説明する。まず、図１、図２は配線基板の一実施態様を説明するためのもので、図１（ａ）は配線基板の概略断面図、図１（ｂ）は、かかる配線基板に導波管を接続したときの概略断面図である。また、図２は、配線基板および接続部材における各層の導体パターン図である。
【００２２】
図１の配線基板Ａ１は、誘電体基板１と、導電性蓋体２と、有機系絶縁体からなる接続部材３とにより構成されており、誘電体基板１と、導電性蓋体２によって形成されたキャビティ４内において、高周波素子５が誘電体基板１表面に実装搭載され、キャビティ４内は導電性蓋体２によって気密に封止されている。
【００２３】
図１（ｂ）によれば、誘電体基板１のキャビティ４内の表面には、図２（ａ）の導体パターン図に示すように、高周波素子５と一端が接続され、且つ終端部６ａを有する信号伝送線路６が形成されている。そして、誘電体基板１の信号伝送線路６が形成された面とは反対の表面には、図２（ｂ）の導体パターン図に示すように、導波管の内径寸法形状とほぼ同じ寸法形状の開口７ａを有するグランド層７が形成されている。
【００２４】
この配線基板においては、信号伝送線路６は、これが中心導体をなし、グランド層７とともにマイクロストリップ構造の線路を形成している。なお、信号伝送線路６は上記マイクロストリップ線路に限らず、信号伝送線路６（中心導体）の両脇にグランド層を有するコプレーナ線路とし、またグランド層７とともにグランド付きコプレーナ構造の線路でも良い。
【００２５】
また、誘電体基板１表面の信号伝送線路６の先端６ａ周辺には、蓋体２を取り付けるための導体層８が形成されている。そしてこの導体層８によって形成される開口８ａ内に、信号伝導線路６の終端部６ａが信号波長の１／４長さ突出するように配置されている。
【００２６】
そして、誘電体基板１の表面側に形成された導体層８および裏面に形成されたグランド層７とは、開口８ａおよび開口７ａの周囲に所定の間隔をもって誘電体基板１を貫通して形成された複数の垂直導体９によって電気的に接続されている。この垂直導体９は隣接する垂直導体９、９間から信号がもれないように、信号波長の１／４以下の間隔に設定されている。それによって誘電体基板１内には複数の垂直導体９によって、高周波信号に対して疑似的な導体壁が形成されている。
【００２７】
また、導電性蓋体２は、信号伝送線路６からの距離ｘが信号波長の１／４となる位置に設けられており、また、導電性蓋体２の内側には、信号伝送線路６と接触せず、かつ信号がもれないように、信号伝送線路６との間隔が１／４波長以下の長さとなるように導電性壁体２ａが形成されている。
【００２８】
一方、接続部材３の導波管との接続部には、導波管Ｂの内径寸法と実質的に同一の寸法からなる貫通孔１０がドリル加工、レーザー加工等にて形成されており、さらにその内壁は、金、銀、銅、Ｍｏ、Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の金属からなる導体層１１がメッキ法などによって被着形成されている。また接続部材３の貫通孔１０の周囲にも図２（ｃ）に示すように、導体層１３が施されている。この接続部材３は誘電体基板１に対して、導電性接着材や接着シート等を用いて一体形成され、導体層１１、導体層１３、導体層７、垂直導体９、導電性蓋体２はすべて電気的に接続されて同電位に保たれ、これらによって疑似的な導波管を形成し、導電性蓋体２がいわゆる導波管の終端構造を形成しており、この終端構造の疑似的な導体壁から信号伝送線路６が所定の長さＹ突出するように配置することによって、この信号伝送線路６が、いわゆるモノポールアンテナとして機能することになる。
【００２９】
このような構造からなる配線基板Ａ１に対して、導波管Ｂをガイド孔１２を用いて、接続部材３の貫通孔１０に整合するように、導波管Ｂの開放端のフランジＢ’を接続部材３に当接させ、フランジＢ’を接続部材３に形成された螺子孔３ａ，３ｂに対して、螺子Ｃによってネジ止めするなどの機械的な接合手段により取り付けて、導波管Ｂの導体壁と貫通孔１０の導体層１１、１３とが電気的に接続され、グランド層７と導波管Ｂの導体壁は同電位に保たれる。
【００３０】
かかる接続構造において、キャビティ４内にて高周波素子５と接続された信号伝送線路６における信号は、終端部６ａからなるモノポールアンテナで励振され、導波管Ｂに伝達される。また、逆の経路にて信号が導波管Ｂから高周波素子５に伝達される。
【００３１】
図３、図４は、本発明の配線基板の一実施形態の構造を説明するためのものであって、図３（ａ）は配線基板Ａ２の概略断面図、図３（ｂ）はこの配線基板Ａ２に導波管を接続したときの概略断面図である。図４は、配線基板Ａ２における各導体層のパターン図である。
【００３２】
図３（ａ）によれば、配線基板Ａ２は、誘電体層１ａ、１ｂ、１ｃの積層体からなる誘電体基板１と、導電性蓋体２、接続部材３によって構成されており、誘電体基板１と、導電性蓋体２によって形成されたキャビティ４内において、高周波素子５が誘電体基板１表面に実装搭載され、キャビティ４内は導電性蓋体２によって気密に封止されている。
【００３３】
そして、誘電体基板１のキャビティ４内の表面には、図４（ａ）に示すように、図１、図２の配線基板Ａ１と同様に、高周波素子５と一端が接続され、且つ終端部６ａを有する信号伝送線路６が形成されている。また、その周囲には、導電性蓋体２を接着するための導体層８が形成されている。
【００３４】
また、誘電体基板１における誘電体層１ａの信号伝送線路６が形成された面とは反対の表面には、図４（ａ）に示すように、一面にグランド層１４が形成されており、そしてそのグランド層１４の信号伝送線路６の終端部６ａと対峙する部分には導体が形成されていない開口部（いわゆる、スロット孔）１５が形成されている。
【００３５】
上記の構成において、マイクロストリップ線路の信号伝送線路６は、スロット孔１５と電磁結合されている、言い換えれば電磁結合によりスロット孔１５に給電する。この電磁結合構造は、具体的には、特開平３−１２９９０３号に記載されており、図４（ａ）に示すように、マイクロストリップ線路の信号伝送線路６の終端部６ａがスロット孔１５中心から信号周波数の１／４波長の長さＬで突出するように形成することにより電磁結合することができる。但し、電磁結合は必ずしも前記寸法の組み合わせだけでなく、その他の組み合わせでも良好な結合は可能である。
【００３６】
なお、配線基板Ａ２では、信号伝送線路６は、これが中心導体をなし、グランド層１４とともにマイクロストリップ構造の線路を形成しているが、信号伝送線路６はマイクロストリップ線路に限らず、信号伝送線路（中心導体）の両脇にグランド層を形成したコプレーナ線路、あるいはこれにグランド層１４とともにグランド付きコプレーナ構造の線路でも良い。
【００３７】
また、配線基板Ａ２においては、グランド層１４のスロット孔１５形成表面には、誘電体層１ｂ，１ｃが積層されており、この誘電体層１ｂと誘電体層１ｃとの間には、図４（ｃ）に示すように、他の回路と非接続の独立した導体層１６が設けられており、その周囲には、接続される導波管の内径と同一寸法形状の開口１７ａを有する導体層１７が形成されている。
【００３８】
さらに、この導体層１６の表面には、誘電体層１ｃが積層されており、この誘電体層１ｃの裏面、即ち誘電体基板１の裏面には、図４（ｄ）に示すように、接続される導波管の内径と同一寸法形状の開口１８ａを有する導体層１８が形成されている。
【００３９】
そして、上記の導体層８、グランド層１４、導体層１７、導体層１８は、誘電体基板１を貫通して形成された垂直導体１９によって電気的に接続され、同電位に保たれている。また、この垂直導体１９は、開口８ａ、スロット孔１５、開口１７ａ、１８ａの周囲に信号波長長さの１／４波長以下の間隔をもって配置されている。
【００４０】
かかる構造によって、グランド層１４のスロット孔１５形成面に、第１の誘電体部である誘電体層１ｂと、第１の誘電体部である誘電体層１ｂ表面のスロット孔１５と対峙する位置に設けられた導体層１６と、導体層１６表面に形成された第２の誘電体部である誘電体層１ｃとが積層されている。
【００４１】
また、配線基板Ａ２において、接続部材３は、配線基板Ａ１の接続部材３と同じ構造体から構成されており、接続部材３の貫通孔１０と導体層１８の開口１８ａとは整合するように一体化されている。
【００４２】
そして、配線基板Ａ２に対しても、配線基板Ａ１と同様に、導波管Ｂを接続部材３の貫通孔１０に整合するように、導波管Ｂの開放端のフランジＢ’を接続部材３に当接させ、フランジＢ’を接続部材３に形成された螺子孔３ａ，３ｂに対して、螺子Ｃによってネジ止めするなどの機械的な接合手段により取り付けて、導波管Ｂ１の導体壁と貫通孔１０の導体層１１とを電気的に接続する。そして、導波管Ｂ１の導体壁は、導体層１８、垂直導体１９を介して、グランド層１４と電気的に接続され、グランド層７と導波管Ｂ１の導体壁とは同電位に保持されることになる。
【００４３】
かかる接続構造において、高周波素子５から信号伝送線路６に伝送された信号は、スロット孔１５と電磁結合され、導体層１６によって励振され、導波管Ｂに伝達される。また、逆の経路にて信号が導波管Ｂから高周波素子５に伝達される。
【００４４】
上記図１乃至図４に示した配線基板Ａ１およびＡ２においては、誘電体基板１は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４などを主成分とするセラミック材料や、ガラス粉末、またはガラスとＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯなどの無機フィラーとを焼成してなるセラミック材料によって形成される。
【００４５】
かかる誘電体基板１をセラミックスによって形成することによって、高周波素子５に対する気密封止の信頼性を確保することができ、パッケージの信頼性を高めることができる。
【００４６】
とりわけ、誘電体基板１は、熱膨張係数（４０〜４００℃）が５〜１５×１０-6／℃、抗折強度が１７０ＭＰａ以上、特に２００ＭＰａ以上であり、６０ＧＨｚにおける誘電損失が５０×１０-4以下、特に３０×１０-4以下のセラミックスからなることが望ましい。
【００４７】
また、導波管Ｂを取り付ける接続部材３は、有機樹脂を含有する有機系絶縁体によって形成されるものであるが、具体的には、含有される有機樹脂としては、エポキシ樹脂またはフッ素系樹脂が望ましく、さらには、前記有機樹脂とガラス、アラミドなどの繊維体やシリカ、アルミナなどの無機粉末との複合体からなることが望ましい。
【００４８】
とりわけ、接続部材３の特性としては、４０〜１００℃のＸ、Ｙ方向の熱膨張係数が８〜２５×１０-6／℃、特に１０〜２０×１０-6／℃であることが望ましい。
【００４９】
また、誘電体基板１における信号の伝達を担う各伝送線路、グランド層、導体層、垂直導体は、タングステン、モリブデンなどの高融点金属や、金、銀、銅などの低抵抗金属などにより形成することができ、これらは、用いる誘電体基板材料に応じて適宜選択して、従来の積層技術をもって一体的に形成することができる。
【００５０】
例えば、基板をＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4などのセラミック材料により形成する場合には、タングステン、モリブデン等の高融点金属を用いて未焼成体に印刷塗布、または未焼成の基板のスルーホールに導体ペーストを充填した後、積層し、１５００〜１９００℃の温度で焼成すればよく、基板をガラス材料、ガラスセラミック材料により形成する場合には、銅、金、銀などを用いて同様にして８００〜１１００℃の温度で焼成することにより作製できる。
【００５１】
さらに、前記誘電体基板に有機系絶縁体からなる接続部材を一体化に形成するには、導電性接着材、低融点半田などを少なくとも一方の表面に塗布し、接着する方法や、接着シートを介在させて熱圧着することによって一体化することができる。
【００５２】
【実施例】
実施例１
次に、上記の配線基板と導波管との接続による伝送特性について、図１の配線基板Ａ１、図３の配線基板Ａ２に対して、ネットワークアナライザーを用い、周波数７５ＧＨｚから１１０ＧＨｚで測定した。測定サンプルは、接続部構造が２ヶ所、接続部間のマイクロストリップ線路は２０ｍｍであった。なお、誘電体基板１としては周波数６０ＧＨｚに於ける誘電損失が２７×１０−４のアルミナセラミックスを用い、導体材料としてタングステンを用いた。また、接続部材を形成する有機系絶縁体としては、周波数１０ＧＨｚ以下に於ける誘電損失が８×１０−４のガラスクロスにフッ素系樹脂を含浸させたものを用いて、配線基板に接着シートを用いて２３０℃で熱圧着して一体化した。
【００５３】
その結果、配線基板Ａ１では、７７ＧＨｚにおいて、Ｓ２１（損失）が−４．８ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−１０．６ｄＢで接続された。配線基板Ａ２については、７７ＧＨｚにおいて、Ｓ２１（損失）が−３．４ｄＢ、Ｓ１１（反射）が−１５．４ｄＢで接続された。なお、配線基板Ａ２についての伝送特性図を図５に示した。
実施例２
配線基板におけるセラミック誘電体基板材料として、表１に示すように、特性の異なる２種のアルミナセラミックス１，２、ガラスセラミックス１，２を用いて図３の配線基板Ａ２を作製した。なお、誘電体基板表面の信号伝送線路などの配線は、アルミナセラミックスに対してはタングステンを、ガラスセラミックスに対して銅を用いて形成した。
【００５４】
一方、図３の配線基板Ａ２において、有機系絶縁体として、表１のガラスクロスエポキシ樹脂複合材料（ＦＲ−４）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いた。そして、上記有機系絶縁体を接着シートまたは導電性樹脂を用いて誘電体基板と有機系絶縁体からなる接続部材を接着一体化した。
【００５５】
作製した各試料について反りを測定するとともに、信頼性試験として、０〜１００℃の熱衝撃試験（ｍｉｌ−ＳＴＤ−８８３Ｄ）にて１５サイクルの熱衝撃試験を行い、配線基板の外観をチェックした。
【００５６】
また、比較のために、接続部材として上記の有機系絶縁体に代えて、コバールからなる金属体を用いて銀ロウを用いてセラミック誘電体基板に接合し同様の評価を行なった。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
表１から明らかなように、コバールを用いた試料Ｎｏ．７〜１０は、反りが大きく、ガラスセラミック誘電体基板にコバールを接着した試料Ｎｏ．９，１０は接合時に破損することがわかった。
【００５９】
また、熱衝撃試験においてもアルミナとコバールを９２０℃で固着した試料Ｎｏ．８では、熱衝撃試験においてセラミック誘電体基板に破損が認められた。
【００６０】
これらの比較例に対して、本発明品試料Ｎｏ．１〜６は、いずれも基板の反りが１００μｍ／２５ｍｍ以下であり、また熱衝撃試験後において優れた耐久性を示した。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、信号伝送線路と導波管との信号の伝送を行う接続部を具備した配線基板において、導波管との接続を低損失、低反射にて且つ反りの発生なく、容易に行なうことができ、しかも、熱衝撃性にも優れ、さらには低コスト、軽量化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  配線基板Ａ１を説明するためものであり、（ａ）は配線基板Ａ１の概略断面図、（ｂ）は配線基板Ａ１と導波管Ｂとの接続構造を示す概略断面図である。
【図２】  配線基板Ａ１における導体パターン図であり、（ａ）は、誘電体基板１表面のパターン図、（ｂ）は誘電体基板１の裏面のパターン図、（ｃ）は接続部材の導波管との接続面のパターン図を示す。
【図３】  本発明の一例である配線基板Ａ２を説明するためものであり、（ａ）は配線基板Ａ２の概略断面図、（ｂ）は配線基板Ａ２と導波管Ｂとの接続構造を示す概略断面図である。
【図４】  配線基板Ａ２における導体パターン図であり、（ａ）は、誘電体基板１表面のパターン図、（ｂ）はグランド層１４のパターン図、（ｃ）は、誘電体層１ｂ、誘電体層１ｃ間の導体層のパターン図、（ｄ）は誘電体層１ｃの裏面の導体層のパターン図を示す。
【図５】  図３の配線基板Ａ２と導波管Ｂとの接続による伝送特性を示す図である。
【図６】  従来の配線基板Ａ３と導波管Ｂとの接続構造を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ１，Ａ２  配線基板（パッケージ）
Ｂ  導波管
Ｂ’  フランジ
Ｃ  螺子
１    誘電体基板
２    導電性蓋体
３    接続部材
４    キャビティ
５    高周波素子
６    信号伝送線路
６ａ  終端部
７    グランド層
８    導体層
９    垂直導体
１０  貫通孔
１１  導体層
１２  ガイド穴
【図１】
0004261726.tif 000003
【図２】
0004261726.tif 000004
【図３】
0004261726.tif 000005
【図４】
0004261726.tif 000006
【図５】
0004261726.tif 000007
【図６】
0004261726.tif 000008