Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガルバノメータスキャナであって、
光学素子の遠位端と係合される機械支持ユニットを備え、該光学素子の近位端は回転式電動モータの出力シャフトに接続され、該機械支持ユニットは、前記光学素子の回転軸と、前記回転式電動モータの回転軸との位置合わせを維持し、
ねじれモードは、
【数１】
2011039501.tif 000001
であり、ただし、Ｊｍｔは前記モータの慣性であり、Ｊ０は前記光学素子の慣性であり、θは回転角であり、Ｋは前記ねじれモードの剛性であり、“・・”は時間に対する二次導関数を示す、ガルバノメータスキャナ。
【請求項２】
前記光学素子は、ミラー、波長板、又はレンズである、請求項１に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項３】
前記機械支持ユニットは、前記モータのＸ回転軸に対して固定され、前記光学素子の回転中のＹ軸及びＺ軸に沿った変位を制限する、請求項１に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項４】
前記光学素子の振動は、
【数２】
2011039501.tif 000002
であり、ただし、Ｍは曲げモードのモード慣性であり、ｙはＹ軸に沿った前記光学素子の変位であり、Ｋｂは曲げモードのモード剛性であり、ＫＭＳＵｙはＹ軸に沿った前記機械支持ユニットの剛性であり、“・・”は時間に対する二次導関数を示す、請求項３に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項５】
前記曲げモードの共振周波数は、
【数３】
2011039501.tif 000003
である、請求項４に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項６】
前記ねじれモードの共振周波数は、
【数４】
2011039501.tif 000004
である、請求項１に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項７】
Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に沿った前記機械支持ユニットの機械剛性と、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に沿った機械振動の低減と、位置合わせ不良に起因する、Ｘ軸を中心とする回転の抵抗との間にトレードオフが存在する、請求項３に記載のガルバノメータスキャナ。
【請求項８】
前記光学素子の前記遠位端を前記機械支持ユニットの軸受と係合させるように構成されるシャフトと、
前記シャフトの遠位端に螺入され、前記光学素子に対し好ましい負荷をもたらすねじと、
をさらに備える、請求項１に記載のガルバノメータスキャナ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロメカニカル素子（５２）において、
ミラー素子（１０）の第１の外面（１２）上に反射面（１２ａ，５４）を備えたミラー素子（１０）を有し、該ミラー素子（１０）は、前記第１の外面（１２）とは反対方向に向けられている前記ミラー素子（１０）の第２の外面（１４）上の第１の電極面（１４ａ）に第１の電位が印加されるように構成されており、
対向電極（２０）を有し、該対向電極（２０）は前記ミラー素子（１０）の前記第２の外面（１４）の近傍に配置されており、該対向電極（２０）の第２の電極面（２２ａ）に第２の電位が印加されるように構成されており、
電圧制御装置（２４）を有し、該電圧制御装置（２４）は第１のコンタクト素子（２６）を介して前記ミラー素子（１０）の前記第１の電極面（１４ａ）と接続されており、第２のコンタクト素子（２８）を介して前記対向電極（２０）の前記第２の電極面（２２ａ）に接続されており、且つ、前記電圧制御装置（２４）によって、時間的に変化する電圧信号を前記第１の電極面（１４ａ）と前記第２の電極面（２２ａ）との間に印加するよう構成されていることを特徴とする、マイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項２】
前記ミラー素子（１０）は前記対向電極（２０）に関して、前記第１の電極面（１４ａ）と前記第２の電極面（２２ａ）との間に印加される前記時間的に変化する電圧信号によって、前記反射面（１２ａ，５４）に対して垂直な方向において調整される、請求項１記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項３】
前記ミラー素子（１０）は前記対向電極（２０）に関して、前記第１の電極面（１４ａ）と前記第２の電極面（２２ａ）との間に印加される前記時間的に変化する電圧信号によって、共振的な振動運動状態に移行される、請求項１または２記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項４】
前記ミラー素子（１０）は、研磨されたプレート電極、および前記第１の外面（１２）における反射面（１２ａ）としての反射性コーティング部を有するプレート電極の内の少なくとも１つである、請求項１から３までのいずれか１項記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項５】
前記ミラー素子（１０）は該ミラー素子（１０）を少なくとも部分的に縁取っている少なくとも１つのダイヤフラム（１６）を介して保持部（１８）と接続されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項６】
前記対向電極（２０）は、前記第２の電極面（２２ａ）が前記第１の電極面（１４ａ）と対向して配置されるよう前記保持部（１８）に結合されている、請求項５記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項７】
前記電圧制御装置（２４）は、該電圧制御装置（２４）によって、前記時間的に変化する電圧信号として１００ｋＨｚ〜１ＧＨｚの範囲の周波数を有する交流電圧を前記第１の電極面（１４ａ）と前記第２の電極面（２２ａ）との間に印加するよう構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のマイクロメカニカル素子（５２）。
【請求項８】
光偏向装置（５０）において、
請求項１から７までのいずれか１項記載のマイクロメカニカル素子（５２）と、
少なくとも１つの回転軸（６６）について調整されるミラー面（６２）とを有し、該ミラー面（６２）は前記マイクロメカニカル素子（５２）の反射面（１２ａ，５４）において反射された光線（６８）が前記ミラー面（６２）に入射するよう配置されていることを特徴とする、光偏向装置（５０）。
【請求項９】
マイクロメカニカル素子（５２）の製造方法において、
ミラー素子（１０）の第１の外面（１２）上に反射面（１２ａ，５４）を備えたミラー素子（１０）を形成し、前記第１の外面（１２）とは反対方向に向けられている前記ミラー素子（１０）の第２の外面（１４）上に第１の電極面（１４ａ）を形成するステップ（Ｓ１）と、
第２の電極面（２２ａ）を備えた対向電極（２０）を前記ミラー素子（１０）の前記第２の外面（１４）の近傍に配置するステップ（Ｓ２）と、
電圧制御装置（２４）によって、マイクロメカニカル素子（５２）の動作時に、時間的に変化する電圧信号を前記第１の電極面（１４ａ）と前記第２の電極面（２２ａ）との間に印加する電圧制御装置（２４）を形成し、該電圧制御装置（２４）を、第１のコンタクト素子（２６）を介して前記ミラー素子（１０）の前記第１の電極面（１４ａ）に接続し、第２のコンタクト素子（２８）を介して前記対向電極（２０）の前記第２の電極面（２２ａ）に接続するステップ（Ｓ３）とを有することを特徴とする、マイクロメカニカル素子（５２）の製造方法。
【請求項１０】
前記ミラー素子（１０）を形成するステップは、
半導体層および金属層（３２）の内の少なくとも１つの層の構造化により、ミラー素子領域と、該ミラー素子領域を少なくとも部分的に縁取っている保持部領域を形成し、前記ミラー素子領域を、該ミラー素子領域を少なくとも部分的に縁取っているダイヤフラム（１６）を介して前記保持部領域と接続させることにより、半導体層および金属層（３２）の内の少なくとも１つの層内に少なくとも１つの分割溝（３０）を形成するステップ（Ｓ１１）を有する、請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記対向電極（２０）を前記ミラー素子（１０）の前記第２の外面（１４）の近傍に配置するために、前記第２の電極面（２２ａ）が前記第１の電極面（１４ａ）と対向して配置されるように前記対向電極（２０）を前記保持部領域に接続する、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
光偏向装置（５０）の製造方法において、
請求項９から１１までのいずれか１項記載のマイクロメカニカル素子（５２）を製造するステップと、
前記マイクロメカニカル素子（５２）を光偏向装置（５０）のケーシング（５１）内に配置するステップ（Ｓ４）と、
少なくとも１つの回転軸（６６）について調整されるミラー面（６２）を、前記マイクロメカニカル素子（５２）の反射面（１２ａ，５４）において反射された光線（６８）が前記ミラー面（６２）に入射するよう光偏向装置（５０）のケーシング内に配置するステップとを有することを特徴とする、光偏向装置（５０）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体上に形成された画像形成材料による可視的な像に第１のレーザ光を照射する第１の照射部と、前記第１のレーザ光を照射した後に前記可視的な像に第２のレーザ光を照射する第２の照射部とを含み、
Ｗ１＜Ｗ２，ｔ１＞ｔ２
ここで、Ｗ１：第１のレーザ光の単位領域あたりの光出力、
Ｗ２：第２のレーザ光の単位領域あたりの光出力、
ｔ１：第１のレーザ光の単位領域あたりの照射時間、
ｔ２：第２のレーザ光の単位領域あたりの照射時間、
の条件を満たしてレーザ光を照射し前記可視的な像を前記記録媒体上に定着させることを特徴とする定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に係る定着装置は、記録媒体上に形成された画像形成材料による可視的な像に第１のレーザ光を照射する第１の照射部と、前記第１のレーザ光を照射した後に前記可視的な像に第２のレーザ光を照射する第２の照射部とを含み、
Ｗ１＜Ｗ２，ｔ１＞ｔ２
ここで、Ｗ１：第１のレーザ光の単位領域あたりの光出力、
Ｗ２：第２のレーザ光の単位領域あたりの光出力、
ｔ１：第１のレーザ光の単位領域あたりの照射時間、
ｔ２：第２のレーザ光の単位領域あたりの照射時間、
の条件を満たしてレーザ光を照射し前記可視的な像を前記記録媒体上に定着させるものである。
請求項２に係る発明は、前記第１のレーザ光照射部と前記第２のレーザ光照射部が、一つのレーザ光源から出射されたレーザ光を利用していることを特徴とする請求項１記載の定着装置である。
請求項３に係る発明は、前記第１のレーザ光照射部と前記第２のレーザ光照射部が、一つのレーザ光源から出射された、前記記録媒体の前記可視的な像が形成される面に対して傾けられたレーザ光からなることを特徴とする請求項１記載の定着装置である。
請求項４に係る発明は、前記レーザ光源からのレーザ光を一旦集束させて拡散させる光学系を備えたことを特徴とする請求項３記載の定着装置である。
請求項５に係る画像形成装置は、記録媒体にトナー像を形成する画像形成部と、前記画像形成部で形成されたトナー像を前記記録媒体上に定着させる請求項１から４のいずれかに記載の定着装置とを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月26日(2013.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配電バスバー（ＭＶＡＣ１）、
第２配電バスバー（ＬＶＡＣ１）、
第１配電バスバー（ＭＶＡＣ１、ＭＶＡＣ２）に電気的に接続した端子をもつ多重パルス整流器、および
第１および第２のガルバーニ隔離固定子巻き線を形成した多重出力発電装置（ＤＯＧ１）を有する配電システムであって、第１の固定子巻き線が第１の、ｎ個の位相をもつ多相交流出力を出力するとともに、第１配電バスバー（ＭＶＡＣ１）に接続され、第１配電バスバー（ＭＶＡＣ１）に第１配電電圧を供給し、そして第２の固定子巻き線が第２の、ｍ個の位相をもつ多相交流出力を出力するとともに、第２配電バスバー（ＬＶＡＣ１）に接続され、第２配電バスバー（ＬＶＡＣ１）に第２配電電圧を供給し、第１交流出力のｎ個の位相が、第２交流出力のｍ個の位相に対して位相シフトし、
第１交流出力のｎ個の位相の第１部分が、第１交流出力のｍ個の位相に対して所定の正の角度だけ位相シフトし、そして第１交流出力のｎ個の位相の第２部分が、第２交流出力のｍ個の位相に対して所定の負の角度だけ位相シフトすることを特徴とする配電システム。
【請求項２】
第１固定子巻き線を２つかそれ以上の副固定子巻き線に分割し、各固定子巻き線が、第１交流出力のｎ個の位相の部分を出力する請求項１に記載の配電システム。
【請求項３】
上記所定の正の角度および上記所定の負の角度は、実質的に大きさが同じである請求項１に記載の配電システム。
【請求項４】
ｎがｍに等しくない請求項１〜３のいずれか１項に記載の配電システム。
【請求項５】
第１交流出力が、６相交流出力であり、そして第２交流出力が、３相交流出力であり、
第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して所定の正の角度だけ位相シフトし、そして第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して所定の負の角度だけ位相シフトしている請求項１〜４のいずれか１項に記載の配電システム。
【請求項６】
上記所定の正の角度がおよそ＋１５°で、そして上記所定の負の角度がおよそ−１５°である請求項５に記載の配電システム。
【請求項７】
上記多重パルス整流器が、１２パルス整流器である請求項５または６に記載の配電システム。
【請求項８】
第１交流出力が１２相交流出力であり、そして第２交流出力が３相交流出力であり、
第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して第１の所定の正の角度だけ位相シフトし、第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して第２の所定の正の角度だけ位相シフトし、第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して第１の所定の負の角度だけ位相シフトし、そして第１交流出力の３つの位相が、第２交流出力に対して第２の所定の負の角度だけ位相シフトしている請求項１〜４のいずれか１項に記載の配電システム。
【請求項９】
上記第１の所定の正の角度がおよそ＋２２．５°であり、上記第２の所定の正の角度がおよそ＋７．５°であり、上記第１の所定の負の角度がおよそ−７．５°であり、そして上記第２所定の負の角度がおよそ−２２．５°である請求項８に記載の配電システム。
【請求項１０】
上記多重パルス整流器が、２４パルス整流器である請求項８または９に記載の配電システム。
【請求項１１】
さらにコンデンサーバンクを第２交流出力に接続した請求項１〜１０のいずれか１項に記載の配電システム。
【請求項１２】
第１配電バスバー（ＭＶＡＣ１）が、交流配電電圧を搬送し、
多重パルス整流器（ＰＣ）を、第１配電バスバー（ＭＶＡＣ）と電気負荷装置（例えば、推進モータ）との間に電気的に接続した請求項１〜１１のいずれか１項に記載の配電システム。
【請求項１３】
第１配電バスバー（ＭＶＤＣ１）が直流配電電圧を搬送し、第１固定子巻き線と第１配電バスバー（ＭＶＤＣ１）との間に多重パルス整流器（Ｒ）を電気的に接続して第１交流出力を整流する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の配電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の属性を示すオブジェクトの色を示す色情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記色情報に応じて、前記オブジェクトのエッジ部の内部の領域である非エッジ部に対して付与する記録材の量を低減する低減率を決定する決定手段と、
前記決定手段によって決定された前記低減率に基づいて、前記非エッジ部に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成手段と、
を備え、
前記オブジェクトの色が黒ではない所定の色である場合に前記決定手段により決定される前記低減率は、前記オブジェクトの色が黒である場合に前記決定手段により決定される前記低減率よりも低いことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記所定の属性を示すオブジェクトは、文字または線画であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記オブジェクトの色が黒である場合、前記非エッジ部に対して黒の記録材を付与するためのデータを生成し、前記オブジェクトの色が黒ではない色である場合、前記非エッジ部に対して前記黒の記録材とは異なる色の記録材を付与するためのデータを生成することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処置装置。
【請求項４】
前記記録材はインクであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記決定手段により決定された前記低減率に対応するマスクパターンを用いて前記非エッジ部に対して前記記録材を付与するためのデータを生成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
所定の属性を示すオブジェクトの色を示す色情報を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記色情報に応じて、前記オブジェクトのエッジ部の内部の領域である非エッジ部に対して付与する記録材の量を低減する低減率を決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された前記低減率に基づいて、前記非エッジ部に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成手段と、
を備え、
前記オブジェクトの色が黒ではない所定の色である場合に前記決定手段により決定される前記低減率は、前記オブジェクトの色が黒である場合に前記決定手段により決定される前記低減率よりも低いことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像処置装置は、所定の属性を示すオブジェクトの色を示す色情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記色情報に応じて、前記オブジェクトのエッジ部の内部の領域である非エッジ部に対して付与する記録材の量を低減する低減率を決定する決定手段と、前記決定手段によって決定された前記低減率に基づいて、前記非エッジ部に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成手段と、を備え、前記オブジェクトの色が黒ではない所定の色である場合に前記決定手段により決定される前記低減率は、前記オブジェクトの色が黒である場合に前記決定手段により決定される前記低減率よりも低いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このような撮影ボタン（第３入力手段）および安全ボタン（第４入力手段）を用いることで、露光動作における手ぶれを防止することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも低い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶｒｅｓＨと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧ＳＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆと、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓとが、次の二つの式を満足することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置：
【数１】
2011135515.tif 000001
【数２】
2011135515.tif 000002
【請求項３】
入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＰチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも高い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶｒｅｓＨと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧ＳＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆと、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓとが、次の二つの式を満足することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置：
【数３】
2011135515.tif 000003
【数４】
2011135515.tif 000004
【請求項５】
入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓと、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧ＳＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆとが、次の式を満足することを特徴とする固体撮像装置：
【数５】
2011135515.tif 000005
【請求項６】
入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＰチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓと、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧ＳＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆとが、次の式を満足することを特徴とする固体撮像装置：
【数６】
2011135515.tif 000006
【請求項７】
前記リセットＭＯＳトランジスタが埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧が負電圧であることを特徴とする請求項１、請求項２、または請求項５のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記リセットＭＯＳトランジスタが埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧が正電圧であることを特徴とする請求項３、請求項４、または請求項６のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が負電圧であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項７のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が正電圧であることを特徴とする請求項３、請求項４、請求項６、請求項８のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記画素にさらに転送ＭＯＳトランジスタと、フローディングディフュージョンとが含まれ、
前記転送ＭＯＳトランジスタは前記光電変換部で発生した電荷を前記フローティングディフュージョンに転送することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインと、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインとが、画素領域内に配された１本の電源配線に接続されたことを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力された撮像信号を処理する信号処理部と、を有したことを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る固体撮像装置は、入射光が光電変換される光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型トランジスタであり、前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも低いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向した結晶を有する第１の領域と、前記結晶を有さない第２の領域と、を有する第１の酸化物半導体層を、絶縁層の上方に形成する工程と、
前記基板に熱を加えた状態で成膜を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層上に結晶性を有する第２の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とを加熱処理する工程と、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とを有する積層体を有するトランジスタを形成する工程と、を有し、
前記積層体は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の酸化物半導体層と前記絶縁層との界面を含み、
前記第２の領域上に前記第１の領域はあり、
前記加熱処理の途中で、加熱雰囲気を第１の雰囲気から第２の雰囲気に切り替えを行い、
前記第１の雰囲気は不活性雰囲気であり、
前記第２の雰囲気は酸素雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
表面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向した結晶を有する第１の領域と、前記結晶を有さない第２の領域と、を有する第１の酸化物半導体層を、絶縁層の上方に形成する工程と、
前記基板に熱を加えた状態で成膜を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層上に結晶性を有する第２の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とを加熱処理する工程と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続する第１の導電層と第２の導電層とを形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とを有する積層体を有するトランジスタを形成する工程と、を有し、
前記積層体は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、前記トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層として機能し、
前記第２の領域は、前記第１の酸化物半導体層と前記絶縁層との界面を含み、
前記第２の領域上に前記第１の領域はあり、
前記加熱処理の途中で、加熱雰囲気を第１の雰囲気から第２の雰囲気に切り替えを行い、
前記第１の雰囲気は不活性雰囲気であり、
前記第２の雰囲気は酸素雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記加熱処理は、４５０℃以上８５０℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層の表面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上及び前記ゲート電極上に接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に接する領域を有する第３の絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々は、
Ｃｕを含む第１の導電層と、
前記第１の導電層上で、導電性を有する金属窒化物を含む第２の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に第３の導電層を有し、
前記第３の導電層は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、又はＷを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に第３の導電層を有し、
前記第３の導電層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｓｃ、又はＹを含むＡｌ層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に第３の導電層を有し、
前記第３の導電層は、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｙ、Ａｌ、Ｗ、又はＭｏを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜上の第４の導電層を有し、
前記第４の導電層は、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上及び前記ゲート電極上に接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に接する領域を有する第３の絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々は、
前記第２の絶縁層と接し、導電性を有する第１の金属窒化物を含む第１の導電層と、
前記第１の導電層上で、Ｃｕを含む第２の導電層と、
前記第２の導電層上で、導電性を有する第２の金属窒化物を含む第３の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間、及び、前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に、第４の導電層を有し、
前記第４の導電層は、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｙ、Ａｌ、Ｗ、又はＭｏを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第３の絶縁膜上の第５の導電層を有し、
前記第５の導電層は、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、
前記第１の金属窒化物又は前記第２の金属窒化物は、窒化チタン、窒化タンタル、又は窒化タングステンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上及び前記ゲート電極上に接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上に接する第３の絶縁膜と、
前記前記第３の絶縁膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上に接する領域を有する第４の絶縁膜と、を有し、
前記ゲート電極、ソース電極、及び前記ドレイン電極の少なくとも一は、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々は、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層はＣｕを含み、
前記第２の導電層は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、又はＷを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々は、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層はＣｕを含み、
前記第２の導電層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｓｃ、又はＹを含むＡｌ層ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記酸化物半導体層と前記ソース電極との間、及び、前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極との間に、第３の導電層を有し、
前記第３の導電層は、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｙ、Ａｌ、Ｗ、又はＭｏを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜上に第４の導電層を有し、
前記第４の導電層は、Ｃｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜は、Ａｌ、Ｔａ、Ｙ、又はＨｆの酸化物、窒化物、酸化窒化物、又は窒化酸化物を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一において、
前記ゲート電極は、第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を有し、
前記第１のゲート電極層はＣｕを含み、
前記第２のゲート電極層は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、又はＷを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一において、
前記ゲート電極は、第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を有し、
前記第１のゲート電極層はＣｕを含み、
前記第２のゲート電極層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｓｃ、又はＹを含むＡｌからなる導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか一において、
前記ゲート電極は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に挟まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に挟まれていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ波（３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数の電磁波）を発振させるための発振素子であって、
サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、
前記活性層から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部と、
前記活性層に歪を生じさせるための歪発生部と、
前記歪発生部を制御する制御部と、を備え
前記活性層に生じる歪に応じて該活性層の微分負性抵抗が変わることにより、前記共振部で共振されるテラヘルツの発振特性が変わる
ることを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記発振特性は、テラヘルツ波の周波数あるいはパワーであることを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項３】
前記活性層は、少なくとも２種類の半導体のヘテロ接合により構成され、
前記歪発生部は、前記ヘテロ接合の界面の方向、あるいは該界面に対して略垂直な方向に、前記活性層に歪を生じさせることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の発振素子。
【請求項４】
前記歪発生部は、たわみ可能に構成され、
前記活性層は、前記歪発生部によるたわみによって、該活性層の面内方向に歪む位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項５】
前記歪発生部は、ピエゾ電界を発生可能に構成され、
前記活性層は、前記歪発生部により発生されるピエゾ電界によって、該活性層の面内方向に対して略垂直な方向に歪む位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項６】
前記歪発生部により前記活性層に歪を生じさせることで、該活性層おける電子の有効質量を変えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項７】
前記活性層は、共鳴トンネルダイオードであり、
前記共鳴トンネルダイオードに電圧を印加可能に構成され、前記共振部で共振されたテラヘルツ波を放射可能に構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項８】
前記共振部は、前記共振されたテラヘルツ波を放射するための放射部を含むことを特徴とする請求項７に記載の発振素子。
【請求項９】
前記活性層にバイアス電圧を入力するための電源を備え、
前記電源は、前記制御部に接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項１０】
前記制御部は、前記活性層に入力する電圧と前記歪発生部とを制御することで、前記発振特性を制御することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発振素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係るテラヘルツ波を発振させるための発振素子は、テラヘルツ波（３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数の電磁波）を発振させるための発振素子であって、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、前記活性層から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部と、前記活性層に歪を生じさせるための歪発生部と、前記歪発生部を制御する制御部と、を備え、前記活性層に生じる歪に応じて該活性層の微分負性抵抗が変わることにより、前記共振部で共振されるテラヘルツの発振特性が変わることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ波を発振させるための発振素子であって、
基板と、
前記基板の上部に設けられ、サブバンド間でキャリアを遷移するように構成された多重量子井戸層を含む活性層と、
前記基板の上部に設けられ、バンド間でのキャリアの遷移により光を発生させる発光層と、を備え、
前記発光層が、該発光層で発生した光を、前記活性層に照射可能な位置に配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記活性層の上部に設けられる第１の電気接点層と、
前記基板の上部に設けられ、前記活性層の下部に設けられる第２の電気接点層と、を備え、
前記発光層が、前記第２の電気接点層におけるバンドギャップエネルギーよりも大きいエネルギーの光を発生可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項３】
前記発光層は、該発光層で発生した光を前記第２の電気接点層を介して前記活性層に照射可能な位置に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発振素子。
【請求項４】
前記第１の電気接点層の上部に設けられ、該第１の電気接点層にキャリアを注入するための電極を備え、
前記第１の電気接点層に注入されたキャリアを前記第２の電気接点層から抽出されるように構成されることを特徴とする請求項２又は３に記載の発振素子。
【請求項５】
前記基板の上部に設けられ、前記活性層から発生したテラヘルツ波を共振させる共振部を備え、
前記共振されたテラヘルツ波を放射するように構成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項６】
前記活性層は、サブバンド間でキャリアを遷移するように構成された多重量子井戸層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項７】
前記発光層が、ｐ型半導体とｎ型半導体との互いに接する界面で発光可能に構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上部に設けられ、サブバンド間でキャリアを遷移するように構成される多重量子井戸層と、
前記多重量子井戸層の上部に設けられる第１の電気接点層と、
前記基板の上部に設けられ、前記多重量子井戸層の下部に設けられる第２の電気接点層と、
前記基板の上部に設けられ、バンド間でのキャリアの遷移により光を発生させる発光層と、を備え、
前記発光層が、該発光層で発生した光を前記多重量子井戸層に照射可能な位置に配置され、且つ前記第２の電気接点層におけるバンドギャップエネルギーよりも大きいエネルギーの光を発生可能に構成されることを特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るテラヘルツ波を発振させるための発振素子は、テラヘルツ波を発振させるための発振素子であって、基板と、前記基板の上部に設けられ、サブバンド間でキャリアを遷移するように構成された多重量子井戸層を含む活性層と、前記基板の上部に設けられ、バンド間でのキャリアの遷移により光を発生させる発光層と、を備え、前記発光層が、該発光層で発生した光を、前記活性層に照射可能な位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層と重なる領域を有する、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極層と重なる領域を有する、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ソース電極層と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する、酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶化率９０％以上の領域を有し、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度が１×１０１２／ｃｍ３未満であり、
前記酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、
前記ゲート絶縁層の厚さが２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層と重なる領域を有する、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極層と重なる領域を有する、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ソース電極層と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、ドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する、酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶化率９０％以上の領域を有し、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度が１×１０１２／ｃｍ３未満であり、
前記酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記ゲート絶縁層の厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記酸化物半導体層に形成されるチャネルの長さが０．２μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記チャネルの長さの範囲内におけるしきい値電圧の変動量の最大値が０．５Ｖ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記キャリア濃度は、水素および酸素欠損によるものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部が形成された半導体基板に、イオンを照射して前記半導体基板中に脆化領域を形成し、
絶縁層を介して前記半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、前記溝部によって前記半導体基板と前記ベース基板とが貼り合わない領域を形成し、
熱処理を施すことにより、前記脆化領域において前記半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
溝部が形成された半導体基板に、イオンを照射して前記半導体基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、
絶縁層を介して前記半導体基板とベース基板とを貼り合わせると共に、前記溝部によって前記半導体基板と前記ベース基板とが貼り合わない領域を形成する第２の工程と、
前記脆化領域において前記半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、
前記脆化領域で分離された半導体基板を、前記第１の工程における前記半導体基板として再び使用するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
半導体基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層が形成された前記半導体基板中にイオンを照射して脆化領域を形成し、
前記半導体基板に溝部を形成し、
前記絶縁層を介して前記半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、前記溝部によって前記半導体基板と前記ベース基板とが貼り合わない領域を形成し、
熱処理を施すことにより、前記脆化領域において前記半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記溝部は、円錐形状又は多角錐形状のいずれかであるＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記溝部の形状は、前記半導体基板表面から内部に向かって徐々に幅が狭くなる多角錐形状であるＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記溝部は、円柱形状又は多角柱形状のいずれかであるＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記溝部の深さは、前記半導体基板の厚さの１／１００以上であるＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記溝部は、前記半導体基板に形成される前記脆化領域よりも深く設けられているＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記溝部は、前記半導体基板の表面からその裏面まで貫通しているＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスを希釈しないで用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、前記第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスのみを用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、前記第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスを希釈しないで用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させることにより、前記第１の単結晶半導体層及び前記非晶質半導体層から第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
絶縁層を介して基板上に設けられた第１の単結晶半導体層を用意し、
成膜温度１００℃以上２７５℃以下で、且つシラン系ガスのみを用いた雰囲気下でＣＶＤ法により、前記第１の単結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させることにより、前記第１の単結晶半導体層及び前記非晶質半導体層から第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は３において、前記第２の単結晶半導体層を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項２又は４において、前記第２の単結晶半導体層のうち、固相エピタキシャル成長した部分を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は２において、前記第１の単結晶半導体層は、前記熱処理により結晶性が向上することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項３又は４において、前記第２の単結晶半導体層は前記第１の単結晶半導体層よりも結晶性が向上していることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類化合物を含む磁性粉末と、油及びゴムを含有する油展ゴムと、を含む混合物を成形して成形体を作製する成形工程と、
前記成形体から前記油展ゴムを除去する脱溶媒工程と、
前記油展ゴムを除去した前記成形体を焼成して希土類焼結磁石を得る焼成工程と、を有し、
前記ゴムが、ポリイソブチレン、エチレンプロピレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム及びジエン含有エチレンプロピレンゴムからなる群より選択される少なくとも一種である、希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２】
前記成形工程において、前記混合物を押出成形して前記成形体を作製する、請求項１に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項３】
前記ゴムは構成元素として酸素を含まない高分子からなる、請求項１又は２に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項４】
前記ゴムは炭素間の結合が単結合のみである高分子からなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項５】
前記混合物における前記磁性粉末の含有率は８０〜９５質量％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項６】
前記脱溶媒工程は、前記成形体を加熱して前記成形体から主に前記油を除去する脱油工程と、前記成形体を加熱して前記成形体から主に前記ゴムを除去する脱脂工程とを有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高周波成分は、１３．５６ＭＨｚであり、前記低周波成分は、３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記高周波成分で供給される電力は、前記低周波成分で供給される電力の２倍である請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
堆積された膜にＨ2プラズマ処理を施すことを更に含む請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｈ2プラズマ処理を真空破壊後に施す請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記Ｈ2プラズマ処理は、前記膜の表面にＳｉ−Ｈ結合を形成し又は再形成する請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
ＴＥＯＳ前駆体及び前駆体を含む酸素を用いたＳｉＯ2膜のＰＥＣＶＤの方法であって、堆積された膜にＨ2プラズマ処理を施すことを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積されるＴＥＯＳ前駆体及び前駆体を含む酸素を用いた２５０℃より下の温度でのＳｉＯ2膜のＰＥＣＶＤの方法であって、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動することを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記高周波成分は、１３．５６ＭＨｚであり、前記低周波成分は、３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記膜を、１５０℃−２００℃の範囲の温度で堆積する請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｈ2プラズマ処理に対して単一の無線周波数を用いる請求項５から７のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記単一の無線周波数は１３．５６ＭＨｚである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記プラズマ温度は、１２５℃−２５０℃の範囲である請求項５から７のうちのいずれか１項に記載の方法。