【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】局所露光方法及び局所露光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、感光膜が形成された被処理基板に対し局所的に露光処理を行う局所露光方法及び局所露光装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、基板の被処理面内で細かく設定したエリア毎の露光量を容易に調整することができ、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することのできる局所露光方法及び局所露光装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る局所露光方法は、被処理基板に形成された感光膜を複数の大ブロックに分割し、ライン状に配列された複数の発光素子の下方において、その配列方向に交差する方向に前記基板を相対的に移動させ、前記大ブロック毎に予め設定された照度に基づき、前記複数の発光素子を選択的に発光制御することによって、局所的に露光処理を施す局所露光方法であって、前記大ブロックを複数の小ブロックに分割するステップと、前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、前記発光素子の照射により露光処理された感光膜を現像処理するステップと、前記現像処理がなされた小ブロック毎に、前記感光膜の現像後のパターン線幅を測定し、前記小ブロックに設定された照度とパターン線幅との相関データを得るステップと、前記相関データに基づき、前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標パターン線幅から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含むことに特徴を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
尚、前記相関データに基づき、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップの後、被処理基板を前記複数の発光素子に対し相対的に移動させるステップと、前記基板上に形成された前記複数の大ブロックが、前記複数の発光素子の下方を相対的に移動する際、各大ブロックに対し、前記求められた必要照度に基づき前記複数の発光素子を選択的に発光制御するステップとを実行することが望ましい。
また、前記相関データに基づき、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップの後、被処理基板を前記複数の発光素子に対し相対的に移動させるステップにおいて、基板検出センサにより前記基板を検出し、前記基板検出センサからの前記基板の検出信号と、前記検出信号を取得後の時間と、前記基板の移動速度とに基づいて前記基板の位置情報を取得することが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップにおいて、前記発光素子から発光された光を、光拡散板を介して前記基板上の感光膜に対し放射することが望ましい。
このように発光素子から発光された光を、光拡散板を介し放射することによって、光は光拡散板によって適度に拡散され、隣接する発光素子の光をライン状に繋げて照射することができる。
また、前記発光素子は、ＵＶ光を発光するＵＶ−ＬＥＤ素子であることが望ましい。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る局所露光装置は、感光膜が形成された被処理基板に対し局所的に露光処理を施す局所露光装置であって、ライン状に配列された複数の発光素子と、前記複数の発光素子の下方において、その配列方向に交差する方向に前記基板を相対的に移動させる基板搬送手段と、前記複数の発光素子をそれぞれ独立して発光駆動する発光駆動部と、前記発光駆動部を制御し、前記基板搬送手段により相対的に移動される前記基板に対し、前記複数の発光素子を選択的に発光させる制御部とを備え、前記制御部は、前記基板に形成された感光膜を複数の大ブロックに分割し、前記大ブロック毎に予め設定された照度に基づき、前記複数の発光素子を選択的に発光させるよう前記発光駆動部を制御することに特徴を有する。
尚、前記制御部は、前記大ブロック毎に予め設定される照度を決定するための測定モードを実施し、前記測定モードの際、前記複数の大ブロック内の領域を、夫々複数の小ブロックに分割し、分割した小ブロック毎に所定間隔で異なる照度を割り当てて、前記複数の発光素子が前記小ブロック毎に割り当てられた照度で照射するよう前記発光駆動部を制御し、さらに、現像処理後の各小ブロックの残膜厚と、前記小ブロック毎に照射された照度との相関データを求め、前記相関データに基づき、現像処理後の感光膜の残膜厚が、目標膜厚に一致する前記小ブロックに照射された照度を、前記大ブロックの照度として設定することが望ましい。
或いは、前記制御部は、前記大ブロック毎に予め設定される照度を決定するための測定モードを実施し、前記測定モードの際、前記複数の大ブロック内の領域を、夫々複数の小ブロックに分割し、分割した小ブロック毎に所定間隔で異なる照度を割り当てて、前記複数の発光素子が前記小ブロック毎に割り当てられた照度で照射するよう前記発光駆動部を制御し、さらに、現像処理後の各小ブロックにおけるパターン線幅と、前記小ブロック毎に照射された照度との相関データを求め、前記相関データに基づき、現像処理後の感光膜に形成されたパターン線幅が、目標パターン線幅に一致する前記小ブロックに照射された照度を、前記大ブロックの照度として設定するようにしてもよい。
また、前記制御モードの際、前記制御部は、前記小ブロック毎に、１つまたは複数の発光素子を発光制御し、前記小ブロック毎に設定された照度で照射するよう前記発光駆動部を制御することが望ましい。
また、前記複数の発光素子と前記被処理基板との間に設けられた光拡散板を備え、前記発光素子から発光された光は、前記光拡散板を介して前記基板上の感光膜に対し放射されることが望ましい。
また、前記移動手段により移動される前記基板を検出する基板検出センサを備え、前記制御部は、前記基板検出センサによる検出信号と、前記検出信号を取得後の時間と、前記基板の移動速度とに基づいて前記基板の位置情報を取得することが望ましい。
また、前記複数の発光素子の夫々に対し、その下方位置に進退可能であって、前記発光素子から放射された光の照度を検出すると共に、検出した照度を前記制御部に出力する照度センサを備え、前記照度センサと前記発光素子との距離は、前記基板の上面と前記発光素との距離に等しくされ、前記制御部は、前記照度センサが検出した所定の照度に対する発光素子の駆動電流値を記憶し、前記発光素子の駆動電流値として用いることが望ましい。
また、前記発光素子は、ＵＶ光を発光するＵＶ−ＬＥＤ素子であることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によれば、基板の被処理面内で細かく設定したエリア毎の露光量を容易に調整することができ、現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制することのできる局所露光方法及び局所露光装置を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に形成された感光膜を複数の大ブロックに分割し、ライン状に配列された複数の発光素子の下方において、その配列方向に交差する方向に前記基板を相対的に移動させ、前記大ブロック毎に予め設定された照度に基づき、前記複数の発光素子を選択的に発光制御することによって、局所的に露光処理を施す局所露光方法であって、
前記大ブロックを複数の小ブロックに分割するステップと、
前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、
前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、
前記発光素子の照射により露光処理された感光膜を現像処理するステップと、
前記現像処理がなされた小ブロック毎に、前記感光膜の残膜厚を測定し、前記小ブロックに設定された照度と残膜厚との相関データを得るステップと、
前記相関データに基づき、前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標残膜厚から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含むことを特徴とする局所露光方法。
【請求項２】
被処理基板に形成された感光膜を複数の大ブロックに分割し、ライン状に配列された複数の発光素子の下方において、その配列方向に交差する方向に前記基板を相対的に移動させ、前記大ブロック毎に予め設定された照度に基づき、前記複数の発光素子を選択的に発光制御することによって、局所的に露光処理を施す局所露光方法であって、
前記大ブロックを複数の小ブロックに分割するステップと、
前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、
前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、
前記発光素子の照射により露光処理された感光膜を現像処理するステップと、
前記現像処理がなされた小ブロック毎に、前記感光膜の現像後のパターン線幅を測定し、前記小ブロックに設定された照度とパターン線幅との相関データを得るステップと、
前記相関データに基づき、前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標パターン線幅から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含むことを特徴とする局所露光方法。
【請求項３】
前記相関データに基づき、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップの後、
被処理基板を前記複数の発光素子に対し相対的に移動させるステップと、
前記基板上に形成された前記複数の大ブロックが、前記複数の発光素子の下方を相対的に移動する際、各大ブロックに対し、前記求められた必要照度に基づき前記複数の発光素子を選択的に発光制御するステップとを実行することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された局所露光方法。
【請求項４】
前記相関データに基づき、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップの後、被処理基板を前記複数の発光素子に対し相対的に移動させるステップにおいて、
基板検出センサにより前記基板を検出し、前記基板検出センサからの前記基板の検出信号と、前記検出信号を取得後の時間と、前記基板の移動速度とに基づいて前記基板の位置情報を取得することを特徴とする請求項３に記載された局所露光方法。
【請求項５】
前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップにおいて、
前記小ブロック毎に、１つまたは複数の発光素子を発光制御し、前記設定された照度で照射することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された局所露光方法。
【請求項６】
前記複数の発光素子に対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップにおいて、
前記発光素子から発光された光を、光拡散板を介して前記基板上の感光膜に対し放射することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された局所露光方法。
【請求項７】
前記発光素子は、ＵＶ光を発光するＵＶ−ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された局所露光方法。
【請求項８】
感光膜が形成された被処理基板に対し局所的に露光処理を施す局所露光装置であって、
ライン状に配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の下方において、その配列方向に交差する方向に前記基板を相対的に移動させる基板搬送手段と、
前記複数の発光素子をそれぞれ独立して発光駆動する発光駆動部と、
前記発光駆動部を制御し、前記基板搬送手段により相対的に移動される前記基板に対し、前記複数の発光素子を選択的に発光させる制御部とを備え、
前記制御部は、前記基板に形成された感光膜を複数の大ブロックに分割し、前記大ブロック毎に予め設定された照度に基づき、前記複数の発光素子を選択的に発光させるよう前記発光駆動部を制御することを特徴とする局所露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記大ブロック毎に予め設定される照度を決定するための測定モードを実施し、
前記測定モードの際、
前記複数の大ブロック内の領域を、夫々複数の小ブロックに分割し、分割した小ブロック毎に所定間隔で異なる照度を割り当てて、前記複数の発光素子が前記小ブロック毎に割り当てられた照度で照射するよう前記発光駆動部を制御し、
さらに、現像処理後の各小ブロックの残膜厚と、前記小ブロック毎に照射された照度との相関データを求め、
前記相関データに基づき、現像処理後の感光膜の残膜厚が、目標膜厚に一致する前記小ブロックに照射された照度を、前記大ブロックの照度として設定することを特徴とする請求項８に記載された局所露光装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記大ブロック毎に予め設定される照度を決定するための測定モードを実施し、
前記測定モードの際、
前記複数の大ブロック内の領域を、夫々複数の小ブロックに分割し、分割した小ブロック毎に所定間隔で異なる照度を割り当てて、前記複数の発光素子が前記小ブロック毎に割り当てられた照度で照射するよう前記発光駆動部を制御し、
さらに、現像処理後の各小ブロックにおけるパターン線幅と、前記小ブロック毎に照射された照度との相関データを求め、
前記相関データに基づき、現像処理後の感光膜に形成されたパターン線幅が、目標パターン線幅に一致する前記小ブロックに照射された照度を、前記大ブロックの照度として設定することを特徴とする請求項８に記載された局所露光装置。
【請求項１１】
前記測定モードの際、前記制御部は、前記小ブロック毎に、１つまたは複数の発光素子を発光制御し、前記小ブロック毎に設定された照度で照射するよう前記発光駆動部を制御することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載された局所露光装置。
【請求項１２】
前記複数の発光素子と前記被処理基板との間に設けられた光拡散板を備え、
前記発光素子から発光された光は、前記光拡散板を介して前記基板上の感光膜に対し放射されることを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載された局所露光装置。
【請求項１３】
前記移動手段により移動される前記基板を検出する基板検出センサを備え、
前記制御部は、前記基板検出センサによる検出信号と、前記検出信号を取得後の時間と、前記基板の移動速度とに基づいて前記基板の位置情報を取得することを特徴とする請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載された局所露光装置。
【請求項１４】
前記複数の発光素子の夫々に対し、その下方位置に進退可能であって、前記発光素子から放射された光の照度を検出すると共に、検出した照度を前記制御部に出力する照度センサを備え、
前記照度センサと前記発光素子との距離は、前記基板の上面と前記発光素との距離に等しくされ、
前記制御部は、前記照度センサが検出した所定の照度に対する発光素子の駆動電流値を記憶し、前記発光素子の駆動電流値として用いることを特徴とする請求項８乃至請求項１３のいずれかに記載された局所露光装置。
【請求項１５】
前記発光素子は、ＵＶ光を発光するＵＶ−ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項８乃至請求項１４のいずれかに記載された局所露光装置。