【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，ψ）の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられた複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記電極指間溝の深さＧ及び前記電極指の膜厚Ｈが、前記弾性表面波の波長をλとして、１％≦Ｇ／λ≦４％、及び１％≦Ｈ／λ≦４％の関係をそれぞれ満足することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記ＩＤＴのライン占有率ηを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記ＩＤＴのライン占有率ηが、該ライン占有率ηを縦軸、前記電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
前記電極指の膜厚Ｈが１．０％λ≦Ｈ＜１．５％λで、各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが１．５％λ≦Ｈ＜２．０％λで、各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．０％λ≦Ｈ＜２．５％λで、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．５％λ≦Ｈ＜３．０％λで、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．０％λ≦Ｈ＜３．５％λで、各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．５％λ≦Ｈ≦４．０％λで、各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、かつ、
前記水晶基板のオイラー角ψが、該オイラー角ψ（°）を縦軸、前記電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
前記電極指の膜厚Ｈが１．０％λ≦Ｈ＜１．５％λで、各点（１．０，４３．６３）、（２．０，４３．６８）、（３．０，４３．７２）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７１）、（３．０，４３．６７）、（２．０，４３．６６）、（１．０，４３．６２）、（１．０，４３．６３）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが１．５％λ≦Ｈ＜２．０％λで、各点（１．０，４３．５８）、（２．０，４３．６２）、（３．０，４３．６９）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７２）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．６０）、（１．０，４３．５７）、（１．０，４３．５８）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．０％λ≦Ｈ＜２．５％λで、各点（１．０，４３．５６）、（２．０，４３．６０）、（３．０，４３．６８）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７６）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．５７）、（１．０，４３．５４）、（１．０，４３．５６）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．５％λ≦Ｈ＜３．０％λで、各点（１．０，４３．５０）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．６８）、（３．０，４３．６６）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．５０）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．０％λ≦Ｈ＜３．５％λで、各点（１．０，４３．４９）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．７０）、（３．０，４３．６９）、（２．０，４３．５４）、（１．０，４３．４５）、（１．０，４３．４９）を結ぶ多角形で表される範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．５％λ≦Ｈ≦４．０％λで、各点（１．０，４３．４２）、（２．０，４３．５５）、（３．０，４３．７２）、（３．０，４３．７３）、（２．０，４３．５９）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．４２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060417.tif 000001
を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記電極指に直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記ＩＤＴの少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
第1の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，ψ）の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられた複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記電極指間溝の深さＧ及び前記電極指の膜厚Ｈが、前記弾性表面波の波長をλとして、１％≦Ｇ／λ≦４％、及び１％≦Ｈ／λ≦４％の関係をそれぞれ満足することを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上となるようにしたことを特徴とする第１の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第３の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、該ライン占有率ηを縦軸、前記電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
前記電極指の膜厚Ｈが１．０％λ≦Ｈ＜１．５％λで、各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが１．５λ≦Ｈ＜２．０％λで、各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．０λ≦Ｈ＜２．５％λで、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．５λ≦Ｈ＜３．０％で、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．０λ≦Ｈ＜３．５％λで、各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．５λ≦Ｈ≦４．０％λで、各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、かつ、
前記水晶基板のオイラー角ψが、該オイラー角ψ（°）を縦軸、前記電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
前記電極指の膜厚Ｈが１．０λ≦Ｈ＜１．５％λで、各点（１．０，４３．６３）、（２．０，４３．６８）、（３．０，４３．７２）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７１）、（３．０，４３．６７）、（２．０，４３．６６）、（１．０，４３．６２）、（１．０，４３．６３）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが１．５λ≦Ｈ＜２．０％λで、各点（１．０，４３．５８）、（２．０，４３．６２）、（３．０，４３．６９）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７２）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．６０）、（１．０，４３．５７）、（１．０，４３．５８）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．０λ≦Ｈ＜２．５％λで、各点（１．０，４３．５６）、（２．０，４３．６０）、（３．０，４３．６８）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７６）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．５７）、（１．０，４３．５４）、（１．０，４３．５６）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが２．５λ≦Ｈ＜３．０％λで、各点（１．０，４３．５０）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．６８）、（３．０，４３．６６）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．５０）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．０λ≦Ｈ＜３．５％λで、各点（１．０，４３．４９）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．７０）、（３．０，４３．６９）、（２．０，４３．５４）、（１．０，４３．４５）、（１．０，４３．４９）を結ぶ多角形で表される範囲内にあり、
前記電極指の膜厚Ｈが３．５λ≦Ｈ≦４．０％λで、各点（１．０，４３．４２）、（２．０，４３．５５）、（３．０，４３．７２）、（３．０，４３．７３）、（２．０，４３．５９）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．４２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあることを特徴とする第１の形態又は第２の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第４の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060417.tif 000002
を満足することを特徴とする第１の形態乃至第３の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第５の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする第１の形態乃至第４の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第６の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指に直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記ＩＤＴの少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることを特徴とする第１の形態乃至第５の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第７の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第１の形態乃至第６の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
本発明のＳＡＷデバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，ψ）の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
該ＩＤＴの隣り合う電極指間の水晶基板の表面に凹設した複数の電極指間溝とを有し、  電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚Ｈが、ＳＡＷの波長をλとしたとき、１％≦Ｇ／λ≦４％、及び１％≦Ｈ／λ≦４％の関係をそれぞれ満足することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
先ず、Ｈ／λ＝１．０％、１．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表２の通りである。
【表２】
2012060417.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図１０（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表２の各点をそれぞれプロットしたものである。図１０（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝１．０〜１．５％の場合に、図１０（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、Ｈ／λ＝１．５％、２．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表３の通りである。
【表３】
2012060417.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図１１（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表３の各点をそれぞれプロットしたものである。図１１（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝１．５〜２．０％の場合に、図１１（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
Ｈ／λ＝２．０％、２．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表４の通りである。
【表４】
2012060417.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図１２（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表４の各点をそれぞれプロットしたものである。図１２（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝２．０〜２．５％の場合に、図１２（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
Ｈ／λ＝２．５％、３．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表５の通りである。
【表５】
2012060417.tif 000006
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図１３（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表５の各点をそれぞれプロットしたものである。図１３（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝２．５〜３．０％の場合に、図１３（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
Ｈ／λ＝３．０％、３．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表６の通りである。
【表６】
2012060417.tif 000007
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図１４（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表６の各点をそれぞれプロットしたものである。図１４（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝３．０〜３．５％の場合に、図１４（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
更に、Ｈ／λ＝３．５％、４．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率ηとを算出した。この計算結果は、次の表７の通りである。
【表７】
2012060417.tif 000008
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
図１５（Ｂ）は、ライン占有率ηを縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表７の各点をそれぞれプロットしたものである。図１５（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝３．５〜４．０％の場合に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012060417.tif 000009
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012060417.tif 000010
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012060417.tif 000011
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2012060417.tif 000012
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2012060417.tif 000013
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2012060417.tif 000014