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【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極と、青色蛍光発光層及び緑色蛍光発光層を含む第一発光ユニットと、中間層と、赤色リン光発光層及び緑色リン光発光層を含む第二発光ユニットと、反射電極とを備えて形成され、前記第一発光ユニットと前記第二発光ユニットとが前記中間層を介して積層され、前記第一発光ユニットからの発光が、二つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象を利用したものであり、前記緑色蛍光発光層に含有される緑色蛍光発光材料の極大発光波長が４６０〜５４０ｎｍの間に存在し、前記緑色リン光発光層に含有される緑色リン光発光材料の極大発光波長が５４０〜６１０ｎｍの間に存在することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記緑色蛍光発光材料の前記極大発光波長と前記緑色リン光発光材料の前記極大発光波長との差が３５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記青色蛍光発光層に含有される青色蛍光発光材料の極大発光波長が４６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記赤色リン光発光層に含有される赤色リン光発光材料の極大発光波長が６１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記第一発光ユニットが前記透明電極の側に配置され、前記第二発光ユニットが前記反射電極の側に配置されて形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明電極と、青色蛍光発光層及び緑色蛍光発光層を含む第一発光ユニットと、中間層と、赤色リン光発光層及び緑色リン光発光層を含む第二発光ユニットと、反射電極とを備えて形成され、前記第一発光ユニットと前記第二発光ユニットとが前記中間層を介して積層され、前記第一発光ユニットからの発光が、二つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象を利用したものであり、前記有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記緑色蛍光発光層に含有される緑色蛍光発光材料の極大発光波長が４６０〜５４０ｎｍの間に存在し、前記緑色リン光発光層に含有される緑色リン光発光材料の極大発光波長が５４０〜６１０ｎｍの間に存在することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１軸に沿って積層された複数の第１電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第１電極膜の間に設けられた第１電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第１貫通ホールが設けられた第１積層体と、
前記第１貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する第１半導体ピラーと、
前記第１軸に対して直交する第２軸に沿って前記第１積層体と並置され、前記第１軸に沿って積層された複数の第２電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第２電極膜の間に設けられた第２電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第２貫通ホールが設けられた第２積層体と、
前記第２貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する第２半導体ピラーと、
前記第１半導体ピラーと前記第２半導体ピラーとを電気的に接続する接続部と、
前記複数の第１電極膜と前記第１半導体ピラーとの間、及び、前記複数の第２電極膜と前記第２半導体ピラーとの間、に設けられたメモリ膜と、
前記第１積層体と前記第２積層体との間に設けられ、前記複数の第１電極膜と前記複数の第２電極膜とを分断する分断絶縁層と、
を備え、
前記第１貫通ホールの前記分断絶縁層の側の側面、及び、前記第２貫通ホールの前記分断絶縁層の側の側面の少なくともいずれかは、前記第１軸と前記第２軸とに直交する第３軸を含み前記第１軸を含む平面に対して平行な部分を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記複数の第１電極膜の前記分断絶縁層の側の端と前記分断絶縁層との間の前記第２軸に沿った距離は、
前記複数の第２電極膜の前記分断絶縁層の側の端と前記分断絶縁層との間の前記第２軸に沿った距離と同じであることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１貫通ホールの前記分断絶縁層とは反対側の側面、及び、前記第２貫通ホールの前記分断絶縁層とは反対側の側面は、前記第１軸に対して平行な曲面形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
第１軸に沿って積層された複数の第１電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第１電極膜の間に設けられた第１電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第１貫通ホールが設けられた第１積層体と、前記第１貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する第１半導体ピラーと、前記第１軸に対して直交する第２軸に沿って前記第１積層体と並置され、前記第１軸に沿って積層された複数の第２電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第２電極膜の間に設けられた第２電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第２貫通ホールが設けられた第２積層体と、前記第２貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する第２半導体ピラーと、前記第１半導体ピラーと前記第２半導体ピラーとを電気的に接続する接続部と、前記第１積層体と前記第２積層体との間に設けられ、前記複数の第１電極膜と前記複数の第２電極膜とを分断する分断絶縁層と、前記複数の第１電極膜と前記第１半導体ピラーとの間、及び、前記複数の第２電極膜と前記第２半導体ピラーとの間、に設けられたメモリ膜と、を含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第１積層体及び前記第２積層体となる積層母体に前記分断絶縁層を形成し、
前記分断絶縁層の一部の側壁に側壁マスク層を形成し、
前記側壁マスク層をマスクの一部として用いて、前記積層母体に前記第１貫通ホール及び前記第２貫通ホールを形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１貫通ホール及び前記第２貫通ホールの前記形成は、
前記第１貫通ホールの前記分断絶縁層とは反対側の側面の形状に対応した曲面形状、及び、前記第２貫通ホールの前記分断絶縁層とは反対側の側面の形状に対応した曲面形状、を有する開口部を有するマスクを用いて前記積層母体を加工することを含むことを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、第１積層体と、第１半導体ピラーと、第２積層体と、第２半導体ピラーと、接続部と、メモリ膜と、分断絶縁層と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。前記第１積層体は、第１軸に沿って積層された複数の第１電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第１電極膜の間に設けられた第１電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第１貫通ホールが設けられる。前記第１半導体ピラーは、前記第１貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する。前記第２積層体は、前記第１軸に対して直交する第２軸に沿って前記第１積層体と並置され、前記第１軸に沿って積層された複数の第２電極膜と、前記第１軸に沿って隣り合う２つの前記第２電極膜の間に設けられた第２電極間絶縁膜と、を含み、前記第１軸に沿って延在する第２貫通ホールが設けられる。前記第２半導体ピラーは、前記第２貫通ホールの内側に埋め込まれ、前記第１軸に沿って延在する。前記接続部は、前記第１半導体ピラーと前記第２半導体ピラーとを電気的に接続する。前記メモリ膜は、前記複数の第１電極膜と前記第１半導体ピラーとの間、及び、前記複数の第２電極膜と前記第２半導体ピラーとの間、に設けられる。前記分断絶縁層は、前記第１積層体と前記第２積層体との間に設けられ、前記複数の第１電極膜と前記複数の第２電極膜とを分断する。前記第１貫通ホールの前記分断絶縁層の側の側面、及び、前記第２貫通ホールの前記分断絶縁層の側の側面の少なくともいずれかは、前記第１軸と前記第２軸とに直交する第３軸を含み前記第１軸を含む平面に対して平行な部分を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子径が１００ｎｍ以上の第１の銅粒子を分散させた第１の分散液を塗布し、基板上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、
前記配線パターンを１５０℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、
前記乾燥工程後の前記配線パターンと同じ位置に、前記第１の銅粒子より粒子径の小さい第２の銅粒子を分散させた第２の分散液を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程後の配線パターンの第１の銅粒子および第２の銅粒子間の空隙を埋める緻密化工程と、
前記緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法。
【請求項２】
前記緻密化工程が加圧処理であることを特徴とする請求項１に記載の銅配線の形成方法。
【請求項３】
前記パターン形成工程、および、前記塗布工程をインクジェットにより行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の銅配線の形成方法。
【請求項４】
前記インクジェットによる吐出時の、前記第１の分散液の液滴サイズが前記第２の分散液の液滴サイズより大きいことを特徴とする請求項３に記載の銅配線の形成方法。
【請求項５】
前記第１の分散液の塗布と前記第２の分散液の塗布とで、異なるインクジェットヘッドを用いることを特徴とする請求項３又は４に記載の銅配線の形成方法。
【請求項６】
前記第２の銅粒子の粒子径が前記第１の銅粒子の粒子径の１／１０以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の銅配線の形成方法。
【請求項７】
前記第２の分散液の粘度が、前記第１の分散液の粘度より小さいことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の銅配線の形成方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の銅配線の形成方法を用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項に記載の銅配線の形成方法により得られた銅配線を備えることを特徴とする配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の光電変換素子と、第１乃至第４のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１乃至第４のトランジスタは、それぞれ、チャネルが単結晶シリコンに形成され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の光電変換素子は、第１のスイッチを介して、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の光電変換素子は、第２のスイッチを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第１の配線と平行に配置されている配線を有し、
前記第４の配線は、前記第２の配線と平行に配置されている配線を有し、
前記第３の配線は、前記第４の配線と平行に配置されている配線を有し、
前記第１の配線に供給される第１の信号の電圧の振幅値は、前記第３の配線に供給される第２の信号の電圧の振幅値よりも小さく、
前記第２の配線に供給される第３の信号の電圧の振幅値は、前記第４の配線に供給される第４の信号の電圧の振幅値よりも小さく、
前記第１の信号と前記第３の信号とは、異なる信号であり、
前記第２の信号と前記第４の信号とは、異なる信号であり、
前記第２の信号が有する電位の数は、２つであり、
前記第４の信号が有する電位の数は、２つであり、
前記第３のトランジスタは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方から、第５の配線へ信号を出力することができる機能を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方から、前記第５の配線へ信号を出力することができる機能を有し、
前記第２の信号は、前記第１の信号が変化するよりも前に変化して、前記第１のトランジスタを非導通状態にすることができる機能を有し、
前記第４の信号は、前記第３の信号が変化するよりも前に変化して、前記第２のトランジスタを非導通状態にすることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置と、
操作スイッチ、シャッター又はアンテナと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションサーバ（ＡＳ）ノードのための方法であって、前記方法は、
モバイル通信デバイスから第１のＳＩＰ招待要求を受信することであって、前記第１のＳＩＰ招待要求は、コール情報を有し、前記コール情報は、コールされたパーティのユニフォームリソースインジケータ（ＵＲＩ）と、前記第１のＳＩＰ招待要求が回路交換（ＣＳ）ネットワーク上のベアラに対するものであることを示すデータとを含む、ことと、
Ｅ．１６４番号を前記第１のＳＩＰ招待要求の前記コール情報に関連付けることと、
前記第１のＳＩＰ招待要求を受信したことに応答して、ＳＩＰ応答を前記モバイル通信デバイスに送信することであって、前記ＳＩＰ応答は、前記Ｅ．１６４番号を含む、ことと、
前記ＳＩＰ応答を送信した後に、前記ＣＳネットワークからコール設定メッセージを受信することであって、前記コール設定メッセージは、前記Ｅ．１６４番号を有する、ことと、
前記受信されたＥ．１６４番号が有効のままであることを検証することと、
前記Ｅ．１６４番号に基づいて前記コール情報を識別することと、
前記コール情報を含む第２のＳＩＰ招待要求を前記コールされたパーティに送信することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１のＳＩＰ招待要求のＴＡＲＧＥＴフィールドにおいて前記コールされたパーティの前記ＵＲＩを識別することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＳＩＰ招待要求のＵＲＩフィールドは、インターネットプロトコル（ＩＰ）マルチメディアサブシステム（ＩＭＳ）ネットワークの前記ＡＳノードのパブリックサービス識別子（ＰＳＩ）で占められている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データを読み取ることと、
前記データに基づいて、前記第１のＳＩＰ招待要求が前記ＣＳネットワーク上の前記ベアラに対するものであることを決定することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アプリケーションサーバ（ＡＳ）ノードであって、
前記ＡＳノードは、プロセッサを含み、
前記プロセッサは、
モバイル通信デバイスから第１のＳＩＰ招待要求を受信することであって、前記第１のＳＩＰ招待要求は、コール情報を有し、前記コール情報は、コールされたパーティのユニフォームリソースインジケータ（ＵＲＩ）と、前記第１のＳＩＰ招待要求が回路交換（ＣＳ）ネットワーク上のベアラに対するものであることを示すデータとを含む、ことと、
Ｅ．１６４番号を前記第１のＳＩＰ招待要求の前記コール情報に関連付けることと、
前記第１のＳＩＰ招待要求を受信したことに応答して、ＳＩＰ応答を前記モバイル通信デバイスに送信することであって、前記ＳＩＰ応答は、前記Ｅ．１６４番号を含む、ことと、
前記ＳＩＰ応答を送信した後に、前記ＣＳネットワークからコール設定メッセージを受信することであって、前記コール設定メッセージは、前記Ｅ．１６４番号を有する、ことと、
前記受信されたＥ．１６４番号が有効のままであることを検証することと、
前記Ｅ．１６４番号に基づいて前記コール情報を識別することと、
前記コール情報を含む第２のＳＩＰ招待要求を前記コールされたパーティに送信することと
を行うように構成されている、ＡＳノード。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記第１のＳＩＰ招待要求のＴＡＲＧＥＴフィールドにおいて前記コールされたパーティの前記ＵＲＩを識別するようにさらに構成されている、請求項５に記載のＡＳノード。
【請求項７】
前記プロセッサは、複数のＥ．１６４番号から、前記Ｅ．１６４番号を割り当てることによって前記Ｅ．１６４番号を選択するようにさらに構成されている、請求項５に記載のＡＳノード。
【請求項８】
前記プロセッサは、
前記データを読み取ることと、
前記データに基づいて、前記第１のＳＩＰ招待要求が前記ＣＳネットワーク上の前記ベアラに対するものであることを決定することと
を行うようにさらに構成されている、請求項５に記載のＡＳノード。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおける物理ダウンリンク制御チャンネルを受信する方法であって、
物理ダウンリンク制御チャンネルを受信するステップと、
前記受信した物理ダウンリンク制御チャンネルを復号化するステップと、
前記受信した物理ダウンリンク制御チャンネルに含まれたスケジューリングタイプに関連した情報を用いてスケジューリングタイプを決定するステップと、
前記決定されたスケジューリングタイプによってデータチャンネルのためのスケジューリング情報を決定するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記スケジューリングタイプは、非持続的スケジューリング又は持続的スケジューリングであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スケジューリング情報は、前記データチャンネルに対するリソースを指示するリソース情報と、前記データチャンネルの変調及び符号化方式(ＭＣＳ)とＨＡＲＱ情報とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記決定されたスケジューリング情報を用いて前記データチャンネルを受信するステップと、
前記決定されたスケジューリングタイプによって前記データチャンネルに対してＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信するステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信するステップは、
前記スケジューリングタイプが非持続的スケジューリングである場合、制御チャンネル要素(ＣＣＥ)インデックスに基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信し、
前記スケジューリングタイプが持続的スケジューリングである場合、上位階層により構成される情報に基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
無線通信システムにおける物理ダウンリンク制御チャンネルを受信する装置であって、
物理ダウンリンク制御チャンネルを受信する受信器と、
前記受信した物理ダウンリンク制御チャンネルを復号化し、前記受信した物理ダウンリンク制御チャンネルに含まれたスケジューリングタイプに関連した情報を用いてスケジューリングタイプを決定し、前記決定されたスケジューリングタイプによってデータチャンネルのためのスケジューリング情報を決定するデコーダと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記スケジューリングタイプは非持続的スケジューリング又は持続的スケジューリングであることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記スケジューリング情報は、前記データチャンネルに対するリソースを指示するリソース情報と、前記データチャンネルの変調及び符号化方式(ＭＣＳ)とＨＡＲＱ情報を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の装置。
【請求項９】
前記受信器は前記決定されたスケジューリング情報を用いて前記データチャンネルを受信し、
前記決定されたスケジューリングタイプによって前記データチャンネルに対してＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信する送信器をさらに含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記送信器は、
前記スケジューリングタイプが非持続的スケジューリングである場合、制御チャンネル要素(ＣＣＥ)インデックスに基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信し、
前記スケジューリングタイプが持続的スケジューリングである場合、上位階層により構成される情報に基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを送信することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
無線通信システムにおける物理ダウンリンク制御チャンネルを送信する方法であって、
物理ダウンリンク制御チャンネルを送信するステップを有し、
前記物理ダウンリンク制御チャンネルは、スケジューリングタイプを指示するスケジューリング情報とデータチャンネルに対するスケジューリング情報を含み、
前記スケジューリングタイプを指示するスケジューリング情報は前記物理ダウンリンク制御チャンネルを復号化するために使用されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記スケジューリングタイプは非持続的スケジューリング又は持続的スケジューリングであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スケジューリング情報は、前記データチャンネルに対するリソースを指示するリソース情報と、前記データチャンネルの変調及び符号化方式(ＭＣＳ)とＨＡＲＱ情報とを含むことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記スケジューリング情報を用いて前記データチャンネルを送信するステップと、
前記スケジューリングタイプによって前記データチャンネルからＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信するステップは、
前記スケジューリングタイプが非持続的スケジューリングである場合、制御チャンネル要素(ＣＣＥ)インデックスに基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信し、
前記スケジューリングタイプが持続的スケジューリングである場合、上位階層により構成される情報に基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
無線通信システムにおける物理ダウンリンク制御チャンネルを送信する装置であって、
物理ダウンリンク制御チャンネルを送信する送信器を含み、
前記物理ダウンリンク制御チャンネルは、スケジューリングタイプを指示するスケジューリング情報とデータチャンネルに関するスケジューリング情報を含み、
前記スケジューリングタイプを指示するスケジューリング情報は前記物理ダウンリンク制御チャンネルを復号化するために使用されることを特徴とする装置。
【請求項１７】
前記スケジューリングタイプは非持続的スケジューリング又は持続的スケジューリングであることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記スケジューリング情報は、前記データチャンネルに対するリソースを指示するリソース情報と、前記データチャンネルの変調及び符号化方式(ＭＣＳ)とＨＡＲＱ情報とを含むことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記送信器は前記スケジューリング情報を用いて前記データチャンネルを送信し、
前記スケジューリングタイプによって前記データチャンネルからＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信する受信器をさらに含むことを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
前記受信器は、
前記スケジューリングタイプが非持続的スケジューリングである場合、制御チャンネル要素(ＣＣＥ)インデックスに基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信し、
前記スケジューリングタイプが持続的スケジューリングである場合、上位階層により構成される情報に基づいて前記ＡＣＫ/ＮＡＣＫを受信することを特徴とする請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月30日(2012.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレベータ設備（１）を有する建物において、ユーザを案内する方法であって、
ユーザがエレベータ設備（１）に１度目に接近した場合、第１の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第１の連絡信号を該ユーザが携行する第２の通信装置に送信するステップと、
第１の通信装置（１０、１１、１２）から第２の通信装置（２０）に、自動車の位置情報を含む位置データを伝達するステップと、
ユーザがエレベータ設備（１）に２度目に接近した場合、第３の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第２の連絡信号を第２の通信装置（２０）に送信するステップと、
第３の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第２の通信装置（２０）から位置情報の少なくとも一部を受信するステップと、
受信された位置情報に基づいて、第３の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第２の通信装置（２０）にユーザ案内データを送信するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
第１の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、エレベータの割り当てを第２の通信装置（２０）に送信するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
自動車の位置情報は、駐車建物の指示、階の指示、および駐車位置の指示の１つまたは複数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第２の通信装置（２０）にアクセスコードを送信するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１の通信装置（１０、１１、１２）を使用して、第２の通信装置（２０）から目的地の指示を受信するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第２の通信装置（２０）は、携帯電話である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第２の通信装置（２０）は、ＰＤＡ（パーソナルデジタルアシスタント）である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の通信装置（１０、１１、１２）は、エレベータの端末である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
エレベータ（２、３、４）と、第１の端末（１０、１１、１２）と、第２の端末（１０、１１、１２）とを備えるエレベータ設備であって、
第１の端末（１０、１１、１２）は、ユーザが移動通信装置（２０）とともに第１の端末（１０、１１、１２）に接近した場合、移動通信装置（２０）に第１の連絡信号を送信し、自動車の位置情報を備える位置データを移動通信装置（２０）に伝達するように構成され、
第２の端末（１０、１１、１２）は、移動通信装置（２０）とともにユーザが第２の端末（１０、１１、１２）に接近した場合、第２の連絡信号を移動通信装置（２０）に送信し、移動通信装置（２０）から位置データの少なくとも一部を受信し、受信された位置データに基づき、移動通信装置（２０）にユーザ案内データを送信するように構成された、エレベータ装置。
【請求項１０】
エレベータ（２、３、４）は第１のエレベータであり、エレベータ設備はさらに第２のエレベータ（２、３，４）を備える、請求項９に記載のエレベータ設備。
【請求項１１】
第１の端末（１０、１１、１２）は、エレベータの割り当てを、移動通信装置（２０）に送信するようにさらに構成される、請求項１０に記載のエレベータ設備。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセスネットワークを介して、ユーザ機器からの接続性を確立する方法であって、
接続性のためのリクエストを、前記ユーザ機器から前記アクセスネットワークへ送信するステップと、
前記アクセスネットワークにおけるノードにおいて、前記リクエストを受信し、その応答として、前記ユーザ機器に関連するノードである認証サーバへメッセージを送信することによって、前記ユーザ機器に対する認証手順を開始するステップと、
前記ユーザ機器に関連する前記ノードが、前記認証手順を実行するステップと、
リクエストされた前記接続性を確立するステップとを備え、
前記認証手順において、前記ユーザ機器に関連する前記ノードから前記ユーザ機器へ送信されるメッセージの１つは、前記アクセスネットワークの少なくとも１つのネットワークのプロパティに関連する特別条件の情報を含む、あるいは指示するものであり、
前記ユーザ機器は、前記確立するステップにおいて、前記アクセスネットワークを介して前記リクエストされた接続性を確立する適切なあるいは適正な方法を選択するために、受信した前記特別条件の情報あるいは指示を使用する
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動端末が隣接基地局から受信する電力が接続基地局から受信する電力よりも閾値以上大きい電力差を有することが当該接続セルから当該隣接セルへハンドオーバする条件であるセルラシステムにおいて、セルごとに設けるハンドオーバパラメータ調整装置であり、
前記閾値を大きくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第１のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、
前記閾値を小さくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第２のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、を用いて、
ハンドオーバ失敗を少なくするための前記閾値の調整方向を示す閾値調整重みを計算する閾値調整重み計算部と、
前記閾値調整重みに基づいて前記閾値を決定する閾値決定部と、
を備えたことを特徴とするハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項２】
前記第１のハンドオーバ失敗事象は、「Too Early HO」、及び、隣接セルを「Target Cell」とした「HO to Wrong Cell」であり、
前記第２のハンドオーバ失敗事象は、「Too Late HO」、及び、隣接セルを「Reconnection Cell」とした「HO to Wrong Cell」である、
ことを特徴とする請求項１に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項３】
前記第１のハンドオーバ失敗事象は、「Too Early HO」、隣接セルを「Target Cell」とした「HO to Wrong Cell」、及び、「ピンポン・ハンドオーバ」であり、
前記第２のハンドオーバ失敗事象は、「Too Late HO」、及び、隣接セルを「Reconnection Cell」とした「HO to Wrong Cell」である、
ことを特徴とする請求項１に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項４】
前記第１又は第２のハンドオーバ失敗事象の発生回数に対してハンドオーバ失敗事象毎に重み係数を乗じ、前記閾値調整重みの計算を行う、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項５】
前記閾値調整重み計算部は、
前記第１のハンドオーバ失敗事象に関する閾値の調整方向別の第１の重みと、
前記第２のハンドオーバ失敗事象に関する閾値の調整方向別の第２の重みと、を隣接セルごとに計算し、
全ての隣接セルを対象にした前記閾値の調整方向の組合せごとに、全ての隣接セルの前記第１の重みと前記第２の重みを総合し、
全ての隣接セルを対象にした前記閾値の調整方向の組合せの中から、前記総合結果の重み付けが最大となる組合せを選択する、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項６】
ハンドオーバ失敗率が大きい隣接セルから順番に前記閾値を調整してゆき、
前記閾値調整重み計算部は、
第１の隣接セルと「HO to Wrong Cell」のペアとなる第２の隣接セルに関し、
前記第１の隣接セルの閾値の調整方向に応じた「HO to Wrong Cell」に関する調整規則に従って、前記第２の隣接セルの閾値調整重みを計算する、
ことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項７】
前記閾値調整重み計算部は、
前記第２のハンドオーバ失敗事象のうち、隣接セルを「Reconnection Cell」とした「HO to Wrong Cell」の発生回数を０として閾値調整重みを計算する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項８】
前記閾値決定部は、前記閾値調整重みが閾値を大きくする調整方向である場合にのみ、ピンポン・ハンドオーバを少なくするための閾値更新を行う、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項９】
ピンポン・ハンドオーバ発生回数が大きい隣接セルから順番に、ピンポン・ハンドオーバを少なくするための閾値を調整してゆき、
前記閾値調整重み計算部は、
第１の隣接セルと「HO to Wrong Cell」のペアとなる第２の隣接セルに関し、
前記第１の隣接セルの閾値の調整方向に応じた「HO to Wrong Cell」に関する調整規則に従って、前記第２の隣接セルの閾値調整重みを計算する、
ことを特徴とする請求項８に記載のハンドオーバパラメータ調整装置。
【請求項１０】
移動端末が隣接基地局から受信する電力が接続基地局から受信する電力よりも閾値以上大きい電力差を有することが当該接続セルから当該隣接セルへハンドオーバする条件であるセルラシステムにおいて、セルごとにハンドオーバパラメータを調整する方法であり、
閾値調整重み計算部が、
前記閾値を大きくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第１のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、
前記閾値を小さくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第２のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、を用いて、
ハンドオーバ失敗を少なくするための前記閾値の調整方向を示す閾値調整重みを計算するステップと、
閾値決定部が、前記閾値調整重みに基づいて前記閾値を決定するステップと、
を含むことを特徴とするハンドオーバパラメータ調整方法。
【請求項１１】
移動端末が隣接基地局から受信する電力が接続基地局から受信する電力よりも閾値以上大きい電力差を有することが当該接続セルから当該隣接セルへハンドオーバする条件であるセルラシステムにおいて、セルごとにハンドオーバパラメータを調整する処理を行うためのコンピュータプログラムであって、
前記閾値を大きくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第１のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、
前記閾値を小さくするとハンドオーバ失敗が少なくなる第２のハンドオーバ失敗事象の発生回数と、を用いて、
ハンドオーバ失敗を少なくするための前記閾値の調整方向を示す閾値調整重みを計算するステップと、
前記閾値調整重みに基づいて前記閾値を決定するステップと、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に振動膜および固定膜が形成され、該振動膜における振動電極と上記固定膜における固定電極との間の静電容量の変化により、音波を検出して電気信号に変換し出力する音響トランスデューサにおいて、
上記基板は、上記上面にて開口した開口部を有しており、
上記振動電極および上記固定電極の少なくとも一方が、上記開口部の上方にて分割されており、
分割された複数の電極から複数の上記電気信号をそれぞれ出力することを特徴とする音響トランスデューサ。
【請求項２】
上記分割された複数の電極の少なくとも２つは、上記音波を検出する感度が異なることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項３】
上記分割された複数の電極の少なくとも２つは、面積が異なることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項４】
上記面積が異なる電極のうち、広い方の電極に対応する上記振動膜の領域は、狭い方の電極に対応する上記振動膜の領域よりも、上記音波による振動の振幅の平均値が大きいことを特徴とする請求項３に記載の音響トランスデューサ。
【請求項５】
上記分割された複数の電極は、２つに分割された２つの電極であることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項６】
上記２つの電極は、第１の電極と、第１の電極の周辺または側方に設けられ、かつ、第１の電極よりも狭い第２の電極とであることを特徴とする請求項５に記載の音響トランスデューサ。
【請求項７】
上記振動膜が静止しているときの上記振動電極および上記固定電極の間隔は一定であることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項８】
上記振動電極および上記固定電極は、一方が分割され、他方が分割されていないことを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項９】
上記振動電極および上記固定電極は両方が分割されており、上記振動電極および上記固定電極の一方は、分割された電極が電気的に短絡していることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１０】
上記振動電極および上記固定電極のそれぞれは、均一の厚さであることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１１】
上記振動膜は、基部が矩形であることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１２】
上記振動膜は、基部が円形であることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１３】
上記振動膜は、上記基部から外側に延在した延在部を備えており、該延在部にて上記基板または上記固定膜に固定されることを特徴とする請求項１１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１４】
上記振動膜は、分割された振動電極の境界領域、或いは、分割された固定電極の境界領域に対向する領域にスリットが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１５】
上記スリットの幅は１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１６】
上記振動膜は、上記スリットにより部分的に分離していることを特徴とする請求項１４に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１７】
上記振動膜は、上記スリットにより完全に分離していることを特徴とする請求項１４に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１８】
上記振動膜および上記基板の間には空隙が存在することを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項１９】
上記振動膜に関して、上記分割された複数の電極に対応する複数の領域の少なくとも２つは、上記基板または上記固定膜に固定される固定部分の当該領域に対する面積比が異なることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項２０】
上記開口部は、上記振動膜の中央部に対向する領域に設けられており、
該開口部から音波が入射するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の音響トランスデューサ。
【請求項２１】
基板の上面に振動膜および固定膜が形成され、該振動膜における振動電極と上記固定膜における固定電極との間の静電容量の変化により、音波を検出して電気信号に変換し出力する音響トランスデューサと、該音響トランスデューサに電力を供給すると共に、上記音響トランスデューサからの電気信号を増幅して外部に出力するＩＣとを備えるマイクロフォンにおいて、
上記音響トランスデューサは、請求項１から２０までの何れか１項に記載の音響トランスデューサであることを特徴とするマイクロフォン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本実施形態の音響センサ１１は、図７〜図１０に示す音響センサ１１に比べて、固定電極２３０の中央電極２３０ａおよび延在電極２３０ｃが接続されている一方、振動電極２２０が、上記基部および上記側方延在部にて中央電極２２０ａおよび延在電極２２０ｂにそれぞれ分離している点が異なり、その他の構成は同様である。このように、振動電極２２０を分離することもできる。この場合、中央電極２２０ａおよび延在電極２２０ｂが、ＡＳＩＣ１２のアンプ１２１・１２２に接続されることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
１０  ＭＥＭＳマイクロフォン
１１  音響センサ
１２  ＡＳＩＣ
１３  配線基板
１４  カバー
１５  金ワイヤ
１６  接続端子
１７  貫通孔
２１  半導体基板
２２  振動膜
２３  固定膜
２４  コンタクト部
２５  配線
２６  接続端子
２７  コンタクト部
２８  配線
２９  接続端子
３０  絶縁層
３１  開口部
３２  音孔部
５０  隅部
５１  延在部
５１ａ  固定部
５２  端部
５２ａ  固定部
１１０  低感度可変コンデンサ
１１１  高感度可変コンデンサ
１２０  チャージポンプ
１２１  低感度用アンプ
１２２  高感度用アンプ
１２３・１２４  ＡＤＣ
１２５  バッファ
２２０  振動電極
２２０ａ  中央電極
２２０ｂ  延在電極
２２１  スリット
２３０  固定電極
２３０ａ  中央電極
２３０ｂ  周辺電極
２３０ｃ  延在電極
２３１  保護膜
２３２  突起部
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012147115.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極層と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上の第２の絶縁層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に、前記第２の絶縁層に設けられた開口を介して電気的に接続された表示素子と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸化珪素を含み、かつ１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のアルミニウム、又はボロンを含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ネットワークシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の移動端末と、前記各移動端末と無線を介して接続される複数の基地局と、前記各基地局と複数の第１のネットワーク装置を介して接続される第１のゲートウェイと、前記第１のゲートウェイと複数の第２のネットワーク装置を介して接続される第２のゲートウェイと、前記各基地局及び前記第１のゲートウェイに接続される管理サーバと、を備えるネットワークシステムであって、
第１の前記移動端末が第１の前記基地局に接続され、前記第１の基地局が前記第１の移動端末の接続要求を、前記管理サーバに送信した後、
前記第１のゲートウェイは、
前記第１の移動端末と前記第２のゲートウェイとを接続するための要求と、前記第２のゲートウェイの識別子と、前記第１の移動端末の識別子とを含む第１の信号を、前記管理サーバから受信し、
前記第１の信号に含まれる第１の移動端末の識別子と、前記第１のゲートウェイの識別子と、を含む第２の信号を、前記第１の信号に含まれる第２のゲートウェイの識別子によって特定される宛先に送信し、
前記第２のゲートウェイは、前記第１の移動端末と第２のゲートウェイとの間の経路にＭＰＬＳパスを割当てることを示すＭＰＬＳ割当フラグと、前記第２のゲートウェイの識別子と、を含む第３の信号を、前記第２の信号に含まれる第１のゲートウェイの識別子によって特定される宛先に送信し、
前記第１のゲートウェイは、前記第３の信号に含まれるＭＰＬＳ割当フラグに基づいて、前記第１の移動端末の識別子を含む、ＭＰＬＳパスを割当てるための第４の信号を、前記第３の信号に含まれる第２のゲートウェイによって特定される宛先に、前記各第２のネットワーク装置を介して送信し、
前記第１の基地局は、
前記第１のゲートウェイの識別子と、前記ＭＰＬＳ割当フラグとを含む第５の信号を、前記管理サーバを介して前記第１のゲートウェイから受信し、
前記第５の信号に含まれるＭＰＬＳ割当フラグに基づいて、前記第１の移動端末の識別子を含む、ＭＰＬＳパスを割当てるための第６の信号を、前記第５の信号に含まれる第１のゲートウェイの識別子によって特定された宛先に、前記各第１のネットワーク装置を介して送信し、
前記第１の移動端末が、第２の前記基地局に接続された後、当該第２の基地局は、当該第２の基地局と前記第１のゲートウェイと通信するための経路に配置される複数の第３のネットワーク装置に、前記第１の移動端末の識別子を含む、ＭＰＬＳパスを割当てるための第７の信号を送信することを特徴とするネットワークシステム。
【請求項２】
前記第１の移動端末は、複数のベアラによって通信し、
前記第１の移動端末の識別子は、前記各ベアラの識別子を含み、
前記第１のネットワーク装置は、前記第１の基地局と前記第１のゲートウェイとが端点であり、前記各ベアラに対応する第１のＩＰトンネルが用いられる経路に配置され、
前記第２のネットワーク装置は、前記第１のゲートウェイと前記第２のゲートウェイとが端点であり、前記各ベアラに対応する第２のＩＰトンネルが用いられる経路に配置されることを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステム。
【請求項３】
前記第２のゲートウェイは、前記第２の信号に含まれる第１の移動端末の識別子に基づいて、前記第１の移動端末から送信される信号に適用するＱｏＳポリシーを取得し、
前記取得されたＱｏＳポリシーが、所定の閾値よりも高い場合、前記第２のゲートウェイは、前記第２のゲートウェイの識別子と、前記ＭＰＬＳ割当フラグとを、前記第２の信号に含まれる第１のゲートウェイの識別子によって特定される宛先に送信することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステム。
【請求項４】
前記第１のネットワーク装置、及び、前記第２のネットワーク装置は、
前記第４の信号、及び、前記第６の信号に含まれる第１の移動端末の識別子を抽出し、
前記抽出された第１の移動端末の識別子を保持することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステム。
【請求項５】
前記各第３のネットワーク装置は、
前記第７の信号に含まれる前記第１の移動端末の識別子を抽出し、
当該第３のネットワーク装置が前記抽出された第１の移動端末の識別子を既に保持し、かつ、前記第７の信号が下り通信のＭＰＬＳパスを割当てるための信号である場合、当該第３のネットワーク装置は、前記第７の信号を、前記第１のゲートウェイに送信せず、
当該第３のネットワーク装置が前記抽出された第１の移動端末の識別子を既に保持し、かつ、前記第７の信号が上り通信のＭＰＬＳパスを割当てるための信号である場合、当該第３のネットワーク装置は、前記第７の信号を、前記第１のゲートウェイに送信せず、前記第２の基地局に送信することを特徴とする請求項４に記載のネットワークシステム。
【請求項６】
前記第１の移動端末が、前記第２の基地局に接続された後、前記第１の基地局は、前記第１のゲートウェイの識別子を前記第２の基地局に送信し、
前記第２の基地局は、前記第７の信号を、前記送信された第１のゲートウェイの識別子によって特定される宛先に、前記第３のネットワーク装置を介して送信することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
有機金属前駆体は、テトラメチルスズ（Ｍｅ４Ｓｎ）、ジブチルジメチルスズ、水素化トリブチルスズ、テトラアルキルスズ、水素化トリアルキルスズ、二水素化ジアルキルスズ、アルキルアルコキシスズ、テトラアルコキシスズ、テトラキス（ジアルキルアミノ）スズ、水素化スズ（ＳｎＨ４）、重水素化スズ（ＳｎＤ４）、シクロペンタジエニルコバルトジカルボニル（ＣｐＣｏ（ＣＯ）２）、ニトロシルコバルトペンタカルボニル、シクロペンタジエニルマンガントリカルボニル（ＣｐＭｎ（ＣＯ）３）、ビス（エチルシクロペンタジエニル)ニッケル（（ＥｔＣｐ）２Ｎｉ）、ジエチル亜鉛（Ｅｔ２Ｚｎ）、ジエチル亜鉛トリメチルアミン付加物、ジメチル亜鉛、ジアルキル亜鉛、ジアルキル亜鉛のアミン付加物、ニッケルヘキサカルボニル（Ｎｉ（ＣＯ）６）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）６）、トリメチルアルミニウム、ジメチルエチルアミンアラン（ＤＭＥＡＡ）、およびタングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）からなる群から選ばれる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物質粉末、熱可塑性樹脂、補助剤を配合して混練し、成形し、延伸して、薄膜シートに仕上げる無機物質粉末高配合薄膜シートの製造方法において、
前記無機物質粉末、熱可塑性樹脂、補助剤を準備する工程と、ここで、前記無機物質粉末が、０．５〜１５μｍの平均粒子径を有すると共に粒子径５０μｍ以上の粒子を含有せず；
原料として、前記無機物質粉末と前記熱可塑性樹脂との重量比を６０：４０〜８２：１８とし、補助剤を前記無機物質粉末及び前記熱可塑性樹脂の合計量１００重量％を基準として、０．０５重量％〜４．０重量％配合して、二軸のスクリューを装備した押出成形機に投入することにより、前記原料に対して高い剪断応力を作用させて混練し、混練した原料をダイスをとおしてＴダイ方式により押し出し、直後に５０℃以上のロールに接触させて成形し、無機物質粉末高配合薄膜シート中間体を成形する工程と；
縦方向、横方向の延伸倍率をいずれも１．１倍〜３．０倍に抑えて、延伸後の薄膜シートが所望の見かけ比重を有するように縦延伸および／もしくは横延伸を行う工程と；
を有する無機物質粉末高配合薄膜シートの製造方法であって；
前記熱可塑性樹脂が、延伸倍率を１．１倍から３．０倍としたとき前記無機物質粉末高配合薄膜シートの見かけ比重を０．５５〜１．４０に低下させることができるように選択され、
前記延伸を行う工程において、前記熱可塑性樹脂を上記のように選択することにより、白く、不透明で、０．５５〜１．４０の範囲の前記所望の見かけ比重に調整することを特徴とする無機物質粉末高配合薄膜シートの製造方法。
【請求項２】
前記無機物質粉末高配合薄膜シート中間体を成形する工程において、リップの開口幅を前記無機物質粉末高配合薄膜シート中間体の厚さで除した値が、１０以下となるようにすることを特徴とする、請求項１に記載の無機物質粉末高配合薄膜シートの製造方法。
【請求項３】
前記延伸倍率が、縦方向、横方向の延伸倍率のいずれも１．１倍〜２．５倍であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記所望の見かけ比重が、０．５５〜１．２５の範囲にある、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレンおよびポリエチレンテレフタレートからなる群から選択される樹脂であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂が、ポリエチレン樹脂であり、前記ポリエチレン樹脂の６０重量％以上が、０．０２〜１．２ｇ／１０分のメルトマスフローレイトを有する高密度ポリエチレン樹脂であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂が、高密度ポリエチレン樹脂からなり、前記高密度ポリエチレン樹脂の５０重量％〜１００重量％が、０．０２〜０．５ｇ／１０分のメルトマスフローレイトを有し、前記高密度ポリエチレン樹脂の残りが、０．５〜１．２ｇ／１０分のメルトマスフローレイトを有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記無機物質粉末が、炭酸カルシウム、クレー、シリカ、酸化チタン、タルク、カオリン、水酸化アルミニウムからなる群から選択される一種類以上の無機物質粉末であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記無機物質粉末高配合薄膜シートに対し平滑度の向上のためにカレンダー処理を行うことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
熱可塑性樹脂と無機物質粉末とを有する印刷用薄膜シートであって、
前記熱可塑性樹脂と前記無機物質粉末との重量比は１８：８２〜４０：６０であり、前記無機物質粉末が、０．５〜１５μｍの平均粒子径を有すると共に粒子径５０μｍ以上の粒子を含有せず、見かけ比重が０．５５〜１．４０である印刷用薄膜シート。
【請求項１１】
前記無機物質粉末の平均粒子径４．３〜１５μｍである請求項１０に記載の印刷用薄膜シート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、及びトリエチレングリコールジメチルエーテルからなる群から選ばれた１種又は２種以上のグリコールエーテル類を有効成分としたことを特徴とする、エムペントリンを含有しない衣類害虫の卵の殺卵剤。
【請求項２】
ジエチレングリコールジブチルエーテルを有効成分としたことを特徴とする衣類害虫の卵の殺卵剤。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の衣類害虫の卵の殺卵剤を蒸散させることを特徴とする衣類害虫の卵の殺卵方法。
【請求項４】
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、及びトリエチレングリコールジメチルエーテルからなる群から選ばれた１種又は２種以上のグリコールエーテル類を殺卵剤の有効成分として用いることを特徴とする衣類害虫の卵を殺卵する方法。