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【手続補正書】
【提出日】平成25年6月21日(2013.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その各々が回転子巻き線、固定子巻き線及び駆動電動機を含んだ複数のロータリ式変成器（３４、３６、３８、４０）と、
並列に配列されたロータリ式変成器のうちの少なくとも２つを含んだ第１の並列回路（４２、１０４）であって、該第１の並列回路内のロータリ式変成器の少なくとも２つの各々の第１の巻き線（５２）に接続された分離用回路遮断器（４８）と、該第１の並列回路内のロータリ式変成器の各変成器ごとに第２の巻き線（５３）のそれぞれに接続された別々の同期用回路遮断器（５４）と、を有しており、該第１の巻き線が回転子巻き線または固定子巻き線でありかつ該第２の巻き線が第１の巻き線ではない回転子巻き線または固定子巻き線である第１の並列回路（４２、１０４）と、
第１の電力網（１４）に接続可能な第１の巻き線と前記第１の並列回路内の分離用回路遮断器に接続可能な少なくとも１つの２次巻き線とを有する第１の主変成器（２６、１０２）と、
第２の電力網（１６）に接続可能な第１の巻き線と前記第１の並列回路内の同期用回路遮断器の各々に接続可能な少なくとも１つの２次巻き線とを有する第２の主変成器（１０２）と、
ロータリ式変成器の各変成器ごとに同期用回路遮断器（５４）、分離用回路遮断器（４８）及び駆動電動機（５６）の各々に動作可能に接続させた制御システム（５０）と、
を備える可変周波数変成器（１２、３２、１００）。
【請求項２】
前記第１の主変成器（２６、１０２）の少なくとも１つの２次巻き線が第２の並列回路（４４、１０６）内の分離用回路遮断器（４８）に接続可能であること、
前記第２の主変成器の少なくとも１つの２次巻き線が第２の並列回路（４４、１０６）内の同期用回路遮断器（５４）の各々に接続可能であること、
をさらに特徴とする請求項１に記載の可変周波数変成器。
【請求項３】
前記第１の主変成器（２６、１０２）及び前記第２の主変成器（２６、１０２）の各々は前記少なくとも１つの２次巻き線の第１の巻き線と第２の巻き線を含んでおり、前記第１の並列回路（４２）は第１及び第２の主変成器の各々の第１の２次巻き線に接続されており、かつ前記第２の並列回路（４４、１０６）は第１及び第２の主変成器の各々の第２の２次巻き線に接続されている、請求項２に記載の可変周波数変成器。
【請求項４】
前記制御システム（５０）は該制御システム内のコンピュータ読み取り可能媒体上に保存されたプログラムを実行するようにプログラムされたコンピュータを含んでおり、該プログラムは各ロータリ式変成器ごとに駆動電動機を制御しかつ分離用と同期用の回路遮断器を切り換えることによってロータリ式変成器の各々を順次同期（６０）させている、請求項１に記載の可変周波数変成器。
【請求項５】
前記第１の巻き線（５２）はロータリ式巻き線でありかつ前記第２の巻き線（５３）は固定子巻き線である、請求項１に記載の可変周波数変成器。
【請求項６】
ロータリ式変成器（３４、３６、３８、４０）の各々の定格パワー出力は実質的に同じである、請求項１に記載の可変周波数変成器。
【請求項７】
前記第１の並列回路（４２、１０４）内のロータリ式変成器（３４、３６、３８、４０）用の駆動電動機（５６）は第１の主変成器（２６）の少なくとも１つの２次巻き線に電気的に接続可能であり、かつ前記第２の並列回路（４４、１０６）内のロータリ式変成器用の駆動電動機は第２の主変成器（２６）の少なくとも１つの２次巻き線に電気的に接続可能である、請求項２に記載の可変周波数変成器。
【請求項８】
前記第１の電力網（１４）は、パワーレベル、周波数及び位相の少なくとも１つが第２の電力網（１６）が動作するＡＣパワーと異なるＡＣパワーで動作する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の可変周波数変成器。
【請求項９】
第１の電力網（１４）内の交流（ＡＣ）パワーを第２の電力網（１６）用のＡＣパワーに変換する可変周波数変成器（２８、３２、１００）内のロータリ式変成器（３４、３６、３８、４０）を同期させるための方法であって、
第１の電力網を第１の並列回路（４２、１０４）に接続するために第１の分離用回路遮断器（４８）を閉じると共に第１の並列回路内の複数のロータリ式変成器（３４、３６）の各々を順次同期させる工程であって、各ロータリ式変成器は該ロータリ式変成器の回転子（５２）に付けられた駆動電動機（５６）の制御によって同期させており、かつ各ロータリ式変成器が同期したときに同期用回路遮断器（５４）を閉じて該同期したロータリ式変成器を第２の電力網（１６）に接続している閉鎖同期工程と、
第１の並列回路内のロータリ式変成器を第２の電力網に対して同期させた後で、第１の電力網を第２の並列回路（４４、１０６）に接続するために第２の分離用回路遮断器（４８）を閉じると共に第２の並列回路内の複数のロータリ式変成器（３８、４０）の各々を順次同期させる工程であって、各ロータリ式変成器はロータリ式変成器の回転子に付けられた駆動電動機の制御によってかつ各ロータリ式変成器が同期したときに同期用回路遮断器（５２）を閉じて該同期したロータリ式変成器を第２の電力網に接続している閉鎖同期工程と、
を含む方法。
【請求項１０】
前記制御システム（５０）は該制御システム内のコンピュータ読み取り可能媒体上に保存されたプログラムを実行するようにプログラムされたコンピュータを含んでおり、該プログラムは各ロータリ式変成器ごとに駆動電動機を制御しかつ分離用と同期用の回路遮断器を切り換えることによってロータリ式変成器の各々を順次同期（６０）させている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
分離用回路遮断器（５８）の各々を閉じることによって、第１の電力網に接続された主変成器（２６、１０２）の第２次巻き線が第１及び第２の並列回路のうちの一方内のロータリ式変成器の各々の回転子巻き線に接続されており、かつ同期用回路遮断器（５４）の各々を閉じることによって、それぞれのロータリ式変成器の固定子巻き線が第２の電力網に接続された主変成器の巻き線に接続されている、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
第１の電力網（１４）は、パワーレベル、周波数及び位相の少なくとも１つが第２の電力網（１６）が動作するＡＣパワーと異なるＡＣパワーで動作する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を複数の領域に分割する分割手段と、
前記分割された領域毎に特徴量を算出する算出手段と、
前記算出された特徴量に基づき、前記領域毎にカテゴリを判別する領域カテゴリ判別手段と、
前記カテゴリ判別結果から前記画像のカテゴリを判別する画像カテゴリ判別手段と、
前記画像カテゴリ判別手段で判別した結果に基づいて、前記画像の補正処理を行う処理手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像カテゴリ判別手段において、前記画像のカテゴリは、前記領域カテゴリ判別手段によって判別されたカテゴリと前記領域毎に判別されたカテゴリの信頼度から判別されることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記領域カテゴリ判別手段によって判別されたカテゴリと前記判別された各カテゴリの信頼度から、前記画像における露出不足割合を算出し、該算出された露出不足割合と前記画像のカテゴリに基づき、前記画像の明るさを補正する量を算出することを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記領域カテゴリ判別手段は、前記領域毎に判別するカテゴリの信頼度を算出する手段を有し、
前記画像カテゴリ判別手段は、前記領域毎のカテゴリ判別結果と前記算出された該領域毎のカテゴリの信頼度とに基づき、前記画像におけるカテゴリ毎の信頼度が最も大きい１つまたは２つのカテゴリを画像カテゴリとして判別することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記算出された前記領域毎の信頼度をカテゴリ毎に集計した値から、前記画像におけるカテゴリ毎の信頼度を算出することを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像においてカテゴリ毎の信頼度が最も大きい２つのカテゴリを、それぞれ第一カテゴリ、第二カテゴリとした場合、前記第一カテゴリと前記第二カテゴリの組み合わせと、該第一カテゴリの信頼度と該第二カテゴリの信頼度とに基づき、前記画像の明るさを補正する量を算出することを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像カテゴリ判別手段において、前記画像のカテゴリは、前記領域カテゴリ判別手段によって判別されたカテゴリと前記領域毎に判別されたカテゴリの前記画像全体に占める割合から判別されることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記領域カテゴリ判別手段によって判別されたカテゴリと前記判別されたカテゴリ毎の前記画像に占める割合から、前記画像における露出不足割合を算出し、該算出された露出不足割合と前記画像のカテゴリに基づき、前記画像の明るさを補正する量を算出することを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記画像カテゴリ判別手段は、前記領域毎のカテゴリ判別結果から、前記画像に占める割合が最も大きい１つまたは２つのカテゴリを全体カテゴリとして判別することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記画像に占める割合が最も大きい２つのカテゴリを、それぞれ第一カテゴリ、第二カテゴリとした場合、前記第一カテゴリと前記第二カテゴリの組み合わせと、該第一カテゴリと該第二カテゴリがそれぞれ該画像に占める割合とに基づき、前記画像の明るさを補正する量を算出することを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記第一カテゴリが夜景、前記第二カテゴリが露出不足と判別された場合、前記第一カテゴリが夜景、前記第二カテゴリが風景と判別された場合よりも、前記画像の明るさを補正する量を小さくすることを特徴とする請求項６または請求項１０記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記特徴量は、前記画像の明度成分と色のばらつき成分であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記明度成分は輝度であり、前記色のばらつき成分は色差であることを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記補正処理は、明るさに関する補正処理であること特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記明るさに関する補正処理は、覆い焼き処理であること特徴とする請求項１４に記載の画像処理装置。
【請求項１６】
画像を複数の領域に分割する分割ステップと、
前記分割された領域毎に特徴量を算出する算出ステップと、前記算出された特徴量に基づき、前記領域毎にカテゴリを判別する領域カテゴリ判別ステップと、
前記カテゴリ判別結果から前記画像のカテゴリを判別する画像カテゴリ判別ステップと、
前記画像カテゴリ判別ステップで判別した結果に基づいて、前記画像の補正処理を行う処理ステップとを備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至１５の何れか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像処理装置は、上記課題を解決するために、以下の手段を有する。画像を複数の領域に分割する分割手段と、前記分割された領域毎に特徴量を算出する算出手段と、前記算出された特徴量に基づき、前記領域毎にカテゴリを判別する領域カテゴリ判別手段と、前記カテゴリ判別結果から前記画像のカテゴリを判別する画像カテゴリ判別手段と、前記画像カテゴリ判別手段で判別した結果に基づいて、前記画像の補正処理を行う処理手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に、第１のトランジスタを含む駆動回路部と、第２のトランジスタを含む画素部とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極層と、前記第１のゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極層と、前記第２のゲート電極層上の前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層上、前記第１及び前記第２のソース電極層上、及び前記第１及び前記第２のドレイン電極層上に、前記第１の酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を有し、
前記第２のソース電極層又は前記第２のドレイン電極層と電気的に接続された画素電極層を有し、
前記酸化物絶縁層上に、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なる導電層を有し、
前記画素電極層上及び前記導電層上に、液晶層を有し、
前記液晶層上に対向電極層を有し、
前記駆動回路部において、前記対向電極層は開口を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素部において、前記対向電極層は平板状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記駆動回路部において、前記対向電極層は、前記導電層と前記液晶層を介して重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記対向電極層は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記導電層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記第１の酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一基板上に、第１のトランジスタを含む駆動回路部と、第２のトランジスタを含む画素部とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極層と、前記第１のゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極層と、前記第２のゲート電極層上の前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層上、前記第１及び前記第２のソース電極層上、及び前記第１及び前記第２のドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を有し、
前記第２のソース電極層又は前記第２のドレイン電極層と電気的に接続された画素電極層を有し、
前記酸化物絶縁層上に、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なる導電層を有し、
前記画素電極層上及び前記導電層上に、液晶層を有し、
前記画素部において、前記液晶層上に第１の対向電極層を有し、
前記駆動回路部において、前記液晶層上に前記第１の対向電極層と同電位の第２の対向電極層を有し、
前記第２の対向電極層は、開口を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記１の対向電極層は平板状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記第２の対向電極層は、前記導電層と前記液晶層を介して重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１の対向電極層及び前記第２の対向電極層は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記導電層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記第２の対向電極層の幅の方が前記第１の酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンから選択される、１種以上の合金形成金属イオン源、１種以上のフラボン化合物、並びに２，４−ジチア−１，５−ペンタンジオール、２，５−ジチア−１，６−ヘキサンジオール、２，６−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、２，７−ジチア−１，８−オクタンジオール、２，８−ジチア−１，９−ノナンジオール、２，９−ジチア−１，１０−デカンジオール、２，１１−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、５，８−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、２，１５−ジチア−１，１６−ヘキサデカンジオール、２，２１−ジチア−１，２２−ドエイカサンジオール、３，５−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、３，６−ジチア−１，８−オクタンジオール、３，８−ジチア−１，１０−デカンジオール、３，１０−ジチア−１，８−ドデカンジオール、３，１３−ジチア−１，１５−ペンタデカンジオール、３，１８−ジチア−１，２０−エイコサンジオール、４，６−ジチア−１，９−ノナンジオール、４，７−ジチア−１，１０−デカンジオール、４，１１−ジチア−１，１４−テトラデカンジオール、４，１５−ジチア−１，１８−オクタデカンジオール、４，１９−ジチア−１，２２−ドデエイコサンジオール、５，７−ジチア−１，１１−ウンデカンジオール、５，９−ジチア−１，１３−トリデカンジオール、５，１３−ジチア−１，１７−ヘプタデカンジオール、５，１７−ジチア−１，２１−ウンエイコサンジオール、および１，８−ジメチル−３，６−ジチア−１，８−オクタンジオールから選択される１種以上の化合物を含む組成物。
【請求項２】
１種以上の粒子微細化剤／安定化剤化合物をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記合金形成金属のイオンが銀である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記１種以上のフラボン化合物が、ペンタヒドロキシフラボン、クリシン、フィセチン、ルチン、クエルセチン、ミリセチンおよびクエルシトリンから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
１種以上の抑制剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ａ）１種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される、１種以上の合金形成金属イオン源、１種以上のフラボン化合物、並びに２，４−ジチア−１，５−ペンタンジオール、２，５−ジチア−１，６−ヘキサンジオール、２，６−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、２，７−ジチア−１，８−オクタンジオール、２，８−ジチア−１，９−ノナンジオール、２，９−ジチア−１，１０−デカンジオール、２，１１−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、５，８−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、２，１５−ジチア−１，１６−ヘキサデカンジオール、２，２１−ジチア−１，２２−ドエイカサンジオール、３，５−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、３，６−ジチア−１，８−オクタンジオール、３，８−ジチア−１，１０−デカンジオール、３，１０−ジチア−１，８−ドデカンジオール、３，１３−ジチア−１，１５−ペンタデカンジオール、３，１８−ジチア−１，２０−エイコサンジオール、４，６−ジチア−１，９−ノナンジオール、４，７−ジチア−１，１０−デカンジオール、４，１１−ジチア−１，１４−テトラデカンジオール、４，１５−ジチア−１，１８−オクタデカンジオール、４，１９−ジチア−１，２２−ドデエイコサンジオール、５，７−ジチア−１，１１−ウンデカンジオール、５，９−ジチア−１，１３−トリデカンジオール、５，１３−ジチア−１，１７−ヘプタデカンジオール、５，１７−ジチア−１，２１−ウンエイコサンジオール、および１，８−ジメチル−３，６−ジチア−１，８−オクタンジオールから選択される１種以上の化合物を含む組成物と基体とを接触させ；並びに
ｂ）前記組成物に電流を流して、スズ合金を前記基体上に堆積させる；
ことを含む方法。
【請求項７】
ａ）複数の相互接続バンプパッドを有する半導体ダイを提供し；
ｂ）前記相互接続バンプパッド上にシード層を形成し；
ｃ）１種以上のスズイオン源、金属イオンが銀イオン、銅イオンおよびビスマスイオンからなる群から選択される、１種以上の合金形成金属イオン源、１種以上のフラボン化合物、並びに２，４−ジチア−１，５−ペンタンジオール、２，５−ジチア−１，６−ヘキサンジオール、２，６−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、２，７−ジチア−１，８−オクタンジオール、２，８−ジチア−１，９−ノナンジオール、２，９−ジチア−１，１０−デカンジオール、２，１１−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、５，８−ジチア−１，１２−ドデカンジオール、２，１５−ジチア−１，１６−ヘキサデカンジオール、２，２１−ジチア−１，２２−ドエイカサンジオール、３，５−ジチア−１，７−ヘプタンジオール、３，６−ジチア−１，８−オクタンジオール、３，８−ジチア−１，１０−デカンジオール、３，１０−ジチア−１，８−ドデカンジオール、３，１３−ジチア−１，１５−ペンタデカンジオール、３，１８−ジチア−１，２０−エイコサンジオール、４，６−ジチア−１，９−ノナンジオール、４，７−ジチア−１，１０−デカンジオール、４，１１−ジチア−１，１４−テトラデカンジオール、４，１５−ジチア−１，１８−オクタデカンジオール、４，１９−ジチア−１，２２−ドデエイコサンジオール、５，７−ジチア−１，１１−ウンデカンジオール、５，９−ジチア−１，１３−トリデカンジオール、５，１３−ジチア−１，１７−ヘプタデカンジオール、５，１７−ジチア−１，２１−ウンエイコサンジオール、および１，８−ジメチル−３，６−ジチア−１，８−オクタンジオールから選択される１種以上の化合物を含む組成物と前記半導体ダイとを接触させることにより、前記相互接続バンプパッド上にスズ−合金相互接続バンプ層を堆積させ；
ｄ）前記組成物に電流を流して前記基体上にスズ合金相互接続バンプ層を堆積させ；並びに
ｅ）前記相互接続バンプ層をリフローする；
ことを含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３００】
VII.  医薬組成物
薬学上許容される担体または希釈剤の存在において活性化合物またはその薬学上許容される誘導体または塩を有効量で患者に投与することによって、本明細書に記載する障害を患うヒトを治療することができる。任意の適当な経路、例えば、経口的、静脈内に、皮内に、皮下に、または局所に、液体または固体の形成で、活性物質を投与することができる。前述のすべての症状のために化合物の好ましい投与量は、約1 〜50mg/kg 、好ましくは1 〜20mg/kg 、体重／日、より一般に0.1 〜約100mg/kg受容体体重／日の範囲であろう。薬学上許容される誘導体の有効投与量範囲は、送出すべき親ヌクレオシドの重量に基づいて計算することができる。誘導体それ自体が活性を示す場合、有効投与量は前述したように誘導体の重量を使用するか、あるいは他のこの分野において知られている手段により推定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力調節弁（４０）からタービンエンジン（１０）の水多岐管（６６）へ水導管を介して水を供給するよう構成された水注入システム（３６）と、
前記水多岐管（６６）へ水を移動させるように構成された少なくとも１つの水注入ポンプと、
前記少なくとも１つの水注入ポンプの上流のドレインラインに配設されたドレイン弁と、
少なくとも安定した水圧が前記圧力調節弁（４０）の下流で達成されるまで、前記水注入システム（３６）の始動期間中に、前記圧力調節弁（４０）から水の少なくとも一部分を排出するように前記ドレイン弁を制御するように構成されたコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記コントローラは、前記ドレイン弁が、前記水注入システム（３６）が起動する前に開放し、かつ前記始動期間中に徐々に閉鎖するように、指示するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ドレイン弁はソレノイド弁を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、
水注入システム起動基準が満たされた後に、前記ドレイン弁を開放し、
前記水注入システム（３６）への入口（５３）における水圧が安定した後に、前記水注入システム（３６）を起動し、
前記水注入システム（３６）を通る水流量が所望のレベルに達した後に、前記ドレイン弁を閉鎖する
ように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記タービンエンジン（１０）を備え、前記タービンエンジン（１０）は、液体燃料または液体燃料とガス燃料の組合せで作動するよう構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記水注入システム（３６）は内蔵式ユニットを備え、前記内蔵式ユニットは、
少なくとも１つの水注入ポンプと、
前記少なくとも１つの水注入ポンプに流体連通し、かつ、前記少なくとも１つの水注入ポンプから下流に配置される複数の流量計（６２）と、
前記流量計（６２）に流体連通し、かつ、前記流量計（６２）から下流に配置される止め弁（６４）と、
を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記圧力調節弁（４０）に流体連通し、かつ、前記圧力調節弁（４０）の上流に配置される水供給部（３８）を備える、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運動ニューロン栄養因子（ＭＮＴＦ）ペプチドを含む、インスリン受容体及び/又はインスリン様成長因子（IGF）受容体を活性化させるための組成物。
【請求項２】
前記ＭＮＴＦペプチドが配列番号：１又は配列番号：４の配列を有する、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
前記インスリン受容体及び/又はインスリン様成長因子受容体が、インスリン受容体、ＩＧＦ−１受容体及びＩＧＦ−２受容体からなる群より選択されるいずれか１つ以上である、請求項1又は2に記載の組成物。
【請求項４】
前記活性化は、インスリン受容体のＴｙｒ９７２およびＴｙｒ１１６２／１１６３の自己リン酸化である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項５】
前記インスリン受容体又はインスリン様成長因子受容体が、胚性幹細胞に存在するものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記インスリン受容体又はインスリン様成長因子受容体の活性化により、前記胚性幹細胞が胚様体の形成を介して神経幹細胞へ分化する、請求項5に記載の組成物。
【請求項７】
前記インスリン受容体又はインスリン様成長因子受容体の活性化により、前記胚性幹細胞が胚様体の形成を介して運動ニューロンへ分化する、請求項5に記載の組成物。
【請求項８】
前記胚様体が前記ＭＮＴＦペプチド及びレチノイン酸の存在下で形成される、請求項6又は7に記載の組成物。
【請求項９】
前記胚性幹細胞が哺乳動物由来の胚性幹細胞である、請求項5〜8のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記胚性幹細胞がヒト胚性幹細胞である、請求項5〜9のいずれか一項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅または銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とを接合する際に使用される銅部材接合用ペーストであって、
Ａｇおよび窒化物形成元素を含む粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、
前記粉末成分の組成は、窒化物形成元素の含有量が０．４質量％以上７５質量％以下とされ、残部がＡｇ及び不可避不純物とされており、
前記粉末成分を構成する粉末の粒径が４０μｍ以下とされ、
前記粉末成分の含有量が、４０質量％以上９０質量％以下とされていることを特徴とする銅部材接合用ペースト。
【請求項２】
前記窒化物形成元素は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素であることを特徴とする請求項１に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項３】
前記粉末成分は、前記窒化物形成元素の水素化物を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項４】
前記粉末成分は、前記Ａｇ及び前記窒化物形成元素以外に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｍｎ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の添加元素を含有し、Ａｇの含有量が少なくとも２５質量％以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項５】
前記粉末成分、前記樹脂及び前記溶剤に加えて、分散剤を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項６】
前記粉末成分、前記樹脂及び前記溶剤に加えて、可塑剤を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項７】
前記粉末成分、前記樹脂及び前記溶剤に加えて、還元剤を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の銅部材接合用ペースト。
【請求項８】
銅または銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる接合体の製造方法であって、
前記銅部材と前記セラミックス部材との間に、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の銅部材接合用ペーストを介在させた状態で加熱処理を行い、前記銅部材と前記セラミックス部材とを接合することを特徴とする接合体の製造方法。
【請求項９】
前記銅部材と前記セラミックス部材との間に、活性金属の換算平均膜厚が０．０３μｍ以上６．１５μｍ以下となるよう前記銅部材接合用ペーストを介在させることを特徴とする請求項８記載の接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の銅部材接合用ペーストは、銅または銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とを接合する際に使用される銅部材接合用ペーストであって、Ａｇおよび窒化物形成元素を含む粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記粉末成分の組成は、窒化物形成元素の含有量が０．４質量％以上７５質量％以下とされ、残部がＡｇ及び不可避不純物とされており、前記粉末成分を構成する粉末の粒径が４０μｍ以下とされ、前記粉末成分の含有量が、４０質量％以上９０質量％以下とされていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記粉末成分を構成する粉末の粒径が４０μｍ以下とされているので、この銅部材接合用ペーストを薄く塗布することが可能となる。よって、接合後（凝固後）に形成されるＡｇ−Ｃｕ共晶組織層の厚さをさらに薄くすることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、粉末成分の含有量が４０質量％以上とされているので、Ａｇを銅部材へと拡散させて確実に溶融金属領域を形成することができ、銅部材とセラミックス部材とを接合することができる。また、セラミックス部材の表面に確実に窒化物層を形成することができる。一方、粉末成分の含有量が９０質量％以下とされているので、樹脂及び溶剤の含有量が確保されることになり、銅部材とセラミックス部材との接合部に確実に塗布することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この場合、前述の銅部材接合用ペーストを介在させた状態で加熱処理を行っていることから、銅部材接合用ペーストに含有されたＡｇを銅部材側に拡散させることで、溶融金属領域を形成することができ、この溶融金属領域を凝固させることにより銅部材とセラミックス部材とを接合できる。よって、硬いＡｇ−Ｃｕ共晶組織層の厚さが薄く形成されることから、セラミックス部材における割れの発生を抑制することができる。
また、セラミックス部材の表面に窒化物層を形成することができ、銅部材とセラミックス部材との接合強度の向上を図ることができる。
ここで、本発明の接合体の製造方法においては、前記銅部材と前記セラミックス部材との間に、活性金属の換算平均膜厚が０．０３μｍ以上６．１５μｍ以下となるよう前記銅部材接合用ペーストを介在させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）を含む硬化性のポリマー組成物：
（ａ）ポリマーの総重量に基づき１〜９９重量％の、シラン基を含む有機ポリマーの少なくとも１種を含む相溶化剤であって、前記相溶化剤がポリウレタンであって、前記有機ポリマーが、１０００ｇ／ｍｏｌより大きな分子量を有し、かつ、シラン基によって部分的又は完全にエンドキャップされている脂肪族又は芳香族ポリウレタンであり、前記シランエンドキャッピング基が（ｉ−１）、（ｉ−２）、（ｉ−３）、（ｉ−４）又は（ｉ−５）から得られるものである：
（ｉ−１）次の化学式（１）のシラン
Ｈ−ＮＲ１−Ｒ２−Ｓｉ−（ＯＲ３）２（Ｒ４）  ・・・（１）
（式中、Ｒ１は水素、置換した脂肪族、脂環式、又は、１〜１０の炭素原子、第２の−Ｒ２−Ｓｉ（ＯＲ３）２（Ｒ４）、若しくは−ＣＨＲ５−ＣＨＲ６ＣＯＯＲ７を含む芳香族炭化水素ラジカルを表し、Ｒ５及びＲ６は、Ｈ又はＣ１〜６の有機部分であり、Ｒ７はＣ１〜１０の有機部分であり、
Ｒ２は１〜８の炭素原子を含む直鎖状又は分岐鎖のアルキレンラジカルを表し、
Ｒ３はＣ１〜６のアルキル基を表し、
Ｒ４は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又はＯＲ３である）
（ｉ−２）メルカプトシラン
（ｉ−３）メルカプトシランとモノエポキシドとの反応物
（ｉ−４）エポキシシランと第２級アミンとの反応物
（ｉ−５）次の構造を有するシラン
ＯＣＮ−Ｒ２−Ｓｉ（ＯＲ３）２（Ｒ４）
（式中、Ｒ２は１〜８の炭素原子を含む直鎖状又は分岐鎖のアルキレンラジカルを表し、Ｒ３はＣ１〜６のアルキル基を表し、Ｒ４は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又はＯＲ３である）
（ｂ）ポリマーの総重量に基づき１〜４５重量％の有機ポリシロキサンポリマーの少なくとも１種であって、２０，０００〜１００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の分子量を有し、以下の化学式（２）又は（３）の反応性有機ポリシロキサンポリマーから選択されるもの
［（Ｒ１）Ｓｉ（−Ｒ２）−Ｏ］ｎ−（Ｘ）ｍ−Ｒ  ・・・（２）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、独立して、１〜８の炭素原子を有するアルキル、又は６〜１０の炭素原子を有する芳香族基若しくは置換した芳香族基であり、
Ｒは、１〜８の炭素原子を有するアルキル又は６〜２０の炭素原子を有する芳香族若しくはアルキル芳香族であり、
Ｘは、ＯＨ、ＯＲ３、Ｎ（Ｒ４）２、エノキシ基：−Ｏ−Ｃ（＝ＣＨ２）−Ｒ７、アシルオキシ基：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８、オキシモ基：−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ９）−Ｒ１０、アミノキシ基：−Ｏ−Ｎ（−Ｒ１１）−Ｒ１２、アミド基：−Ｎ（−Ｒ５）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ６、及びアミノ基：−Ｎ（−Ｒ１３）−Ｒ１４からなる群より独立して選択されるケイ素結合した官能基であって、式中、Ｒ３〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、１〜８の炭素原子を有するアルキル又はシクロアルキルであり、
ｍは２以上であり、
ｎは、有機ポリシロキサンの重量平均分子量が２０，０００〜１００，０００となる数である）
（Ｒ）３−ｍ（Ｘ）ｍＳｉ−Ｏ［（Ｒ４）Ｓｉ（−Ｒ２）−Ｏ］ｎ−Ｓｉ（Ｘ）ｍ（Ｒ）３−ｍ  ・・・（３）
（式中、１又は複数のＲ基は、それぞれ独立に、１〜８の炭素原子を有するアルキル、又は６〜２０の炭素原子を有する芳香族又はアルキル芳香族であり、
Ｘは、ＯＨ、ＯＲ’、Ｎ（Ｒ’）２、エノキシ、アシルオキシ、オキシモ、アミノキシ、及びアミドからなる群より選択される１又は複数のケイ素結合した官能基であり、Ｒ’は１〜８の炭素原子を有するアルキル、６〜２０の炭素原子を有する芳香族、アルキル芳香族からなる群から選択されるものであり、Ｒ’はアミン及びヒドロキシルから選択される１又は複数の官能基を任意に含んでいてもよく、
ｍは、１、２又は３である）
（ｃ）ポリマーの総重量に基づき０〜９８重量％の、シラン基を含まない有機ポリマーの少なくとも１種であって、１，０００ｇ／ｍｏｌより大きい分子量を有するもの。
【請求項２】
前記相溶化剤は、末端ＮＣＯ基を有するポリマーを、シランのキャップ剤と反応させることによって、ＮＣＯ基の５０〜１００％をシラン基でエンドキャップすることにより作成されるポリウレタンである、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項３】
前記ポリウレタンの前記末端ＮＣＯ基のうちの１００％未満がシラン基でエンドキャップされることにより、未反応の末端ＮＣＯ基を含有する部分的にシリル化したポリウレタンが生成され、そしてさらに、これらの末端ＮＣＯ基が非立体障害の（ノンヒンダードな）芳香族又は脂肪族アルコールと反応することによって、完全にエンドキャップされたポリウレタンが生成される、請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項４】
前記反応性有機ポリシロキサンが前記式（２）の有機ポリシロキサンである、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項５】
前記反応性有機ポリシロキサンが前記式（３）の有機ポリシロキサンである、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項６】
前記反応性有機ポリシロキサンがシラノール末端ジメチルポリシロキサンである、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項７】
前記反応性有機ポリシロキサンがトリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサンである、請求項１〜３の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項８】
前記有機ポリシロキサンの重量に基づき０．２重量％〜４重量％の量のシリコーン官能性架橋剤をさらに含む、請求項１〜７の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項９】
総重量の０．０１％〜２％の触媒をさらに含む、請求項１〜８の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項１０】
可塑剤をさらに含む、請求項１〜９の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【請求項１１】
総重量の３％〜６０％の補強剤、半補強剤、又はこれらの組み合わせをさらに含む、請求項１〜１０の何れか１項に記載のポリマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合触媒として四価の遷移金属を含むメタロセン化合物を用いて得られたポリエチレン系樹脂を４０重量％以上含有するポリオレフィン系樹脂及び熱分解型発泡剤からなる発泡性樹脂組成物を押出機に供給して溶融混練し押出機から押出して得られた発泡性樹脂シートを架橋させた後に、発泡させながら延伸させることにより、架橋度が５〜６０重量％であり、且つ、シート押出方向の平均気泡径とシート厚さ方向の平均気泡径との比（シート押出方向の平均気泡径／シート厚さ方向の平均気泡径）が２．５〜７であると共に、シート押出方向の平均気泡径とシート幅方向の平均気泡径との比（シート押出方向の平均気泡径／シート幅方向の平均気泡径）が２〜６である架橋ポリオレフィン系樹脂発泡シートを製造することを特徴とする架橋ポリエチレン系樹脂発泡シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、柔軟で機械的強度に優れ、粘着テープ基材として好適に使用される架橋ポリオレフィン系樹脂発泡シートの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、優れた柔軟性及び圧縮回復性を有すると共に、少なくともシート押出方向において優れた引張強さを有し、粘着テープ基材として好適に使用することができる架橋ポリオレフィン系樹脂発泡シートの製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡シートの製造方法は、重合触媒として四価の遷移金属を含むメタロセン化合物を用いて得られたポリエチレン系樹脂を４０重量％以上含有するポリオレフィン系樹脂及び熱分解型発泡剤からなる発泡性樹脂組成物を押出機に供給して溶融混練し押出機から押出して得られた発泡性樹脂シートを架橋させた後に、発泡させながら延伸させることにより、架橋度が５〜６０重量％であり、且つ、シート押出方向の平均気泡径とシート厚さ方向の平均気泡径との比（シート押出方向の平均気泡径／シート厚さ方向の平均気泡径）が２．５〜７であると共に、シート押出方向の平均気泡径とシート幅方向の平均気泡径との比（シート押出方向の平均気泡径／シート幅方向の平均気泡径）が２〜６であるである架橋ポリオレフィン系樹脂発泡シートを製造することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記シート押出方向（ＭＤ）への延伸は、発泡性樹脂シートを発泡させながら行う。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、本発明においては、
（１）フッ化物溶射に先立つ前記基材の表面に、炭化物サーメット粒子を飛行速度１５０〜６００ｍ／ｓｅｃ．の吹き付け速度の溶射を行なうことにより、膜状の炭化物サーメットのアンダーコート層を被覆形成すること、
（２）基材表面に、炭化物サーメットの膜状のアンダーコート層を形成するには、予め基材表面に対して、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣなどの研削材粒子を吹き付けて粗面化処理した後、市販のＣｒ３Ｃ２−Ｎｉ−Ｃｒなどの炭化物サーメット材料を、溶射ガンへの供給量１００〜２００ｇ／ｍｉｎ、溶射ガンの移動の速度３００〜１０００ｍｍ／ｓｅｃ．、溶射回数（溶射ガンの移動の数）を６回以上の条件で吹き付けて、３０〜２００μｍの略均一な粗い表面を有する膜厚になるように施工すること、
（３）前記フッ化物溶射皮膜の植毛構造は、フッ化物の溶射粒子の少なくとも一部の溶射粒子が、基材表面または炭化物サーメットのアンダーコート層表面の凹部に食い込むか凹部を覆うように付着した構造であること、
（４）前記前処理は、脱脂、脱スケール、粗面化および予熱のうちのいずれか１以上を行なう処理であること、
（５）前記基材は、Ａｌおよびその合金、Ｔｉおよびその合金、炭素を含む鋼鉄、各種ステンレス鋼、Ｎｉ及びその合金、酸化物、窒化物、炭化物、珪化物、炭素焼結体のいずれかを用いること、
（６）前記フッ化物溶射皮膜は、周期律表IIａ族のＭｇ、周期律表IIIｂ族のＡｌ、周期律表IIIａ族Ｙ、原子番号５７〜７１のランタノイド系金属であるランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロビウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジズプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のフッ化物から選ばれる１種以上の、粒径が５μｍ〜８０μｍのフッ化物粒子を吹き付けて、２０μｍ〜５００μｍの膜厚に形成された皮膜であること、
（７）前記基材は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣなどの研削材を吹き付ける前処理によって、表面粗さをＲａ：０．０５〜０．７４μｍ、Ｒｚ：０．０９〜２．０μｍに粗面化すること、
（８）前記不活性ガスを成膜用作動ガスとして用いる溶射法では、フッ化物粒子を噴射するときの噴射ノズル先端と基材表面との距離は、５〜５０ｍｍの間隔に保持されること、
（９）フッ化物溶射粒子の飛行速度は、６００ｍ／ｓｅｃ．以上８００ｍ／ｓｅｃ．以下の速さにすること、
（１０）フッ化物溶射粒子の飛行速度は、６５０ｍ／ｓｅｃ．以上１０００ｍ／ｓｅｃ．以下の速さにすること、
（１１）作動ガスおよび溶射雰囲気の温度は、６００℃以上１３００以下にすること、
が、より好ましい解決手段となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記のような構成を有する本発明によれば、つぎのような効果が期待できる。
（１）成膜用のフッ化物溶射用粒子を加熱するための溶射熱源が、ＡｒやＮ２、Ｈｅなどの不活性ガスを用いているため、溶射熱源中を飛行するフッ化物粒子が酸化、変質することなく被着面に達して溶射皮膜となる。従って、無酸化雰囲気下での溶射になるため酸化反応が抑制され、フッ化物本来の性能を損ねるようなことがなく、安定した品質のものが得られる。
（２）フッ化物粒子を加熱するための前記不活性ガスの溶射熱源温度が、一般的なプラズマ溶射法の熱源温度：５０００℃〜７０００℃、高速フレーム溶射法の熱源温度：１８００℃〜２８００℃に比べて、はるかに低温の６００℃〜１３００℃であるため、フッ化物粒子の熱分解反応を抑えて化学的質量変化とそれに伴う物理化学的性質の劣化を起こさないような溶射皮膜が成膜できる。
（３）さらに、不活性ガス中を飛行するフッ化物溶射粒子の速度を毎秒５００ｍ以上に設定しているため、粒子の温度被曝時間が短く（１／１０００秒）、前記（１）、（２）の効果を一段と高めると共に、フッ化物粒子に大きな運動エネルギーを付与することで得られる基材表面への衝突エネルギーの増大によって、炭化物サーメットのアンダーコート層の存在と相俟って、溶射皮膜の密着力の向上を果すことができる。
（４）低温度、不活性ガス熱源、高速度飛行粒子など前述した条件を揃えることにより、現在のプラズマ溶射法などでは成膜できなかった高温下で高蒸気圧性のフッ化物粒子（例えば、ＡｌＦ３）などの成膜が容易となる。
（５）前記溶射法の条件に加え、溶射皮膜を被成するための基材表面をブラストによる粗面化処理と炭化物サーメットのアンダーコートの施工、ならびに基材を８０℃〜７００℃に予熱するので、基材表面に衝突するフッ化物粒子の付着力（密着力）を向上させることができる。
（６）とくに、粗面化（Ｒａ：０．０５〜０．７４μｍ、Ｒｚ：０．０９〜２．０μｍ）した前記基材表面に対し、高速フレーム溶射法によって形成した、ＷＣ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｒ３Ｃ２−Ｎｉ−Ｃｒなどの硬質の炭化物サーメットのアンダーコート層の表面もまた、Ｒａ：０．１〜０．８５μｍ、Ｒｚ：０．１０〜２．０μｍ程度の粗面となるので、その上に吹き付けられたフッ化物粒子の一部が凹凸部に食い込んで投錨効果（粒子が基材の粗面（凹部）に機械的に噛み合うことによって、皮膜とアンダーコート層の密着度を向上させる働き）が一段と向上してフッ化物溶射材料粒子の付着堆積率の向上と密着力の向上とが図れる。
（７）フッ化物は、表面エネルギーが小さいため、皮膜を構成するフッ化物粒子の相互結合力や基材との密着性が低く、しばしば剥離する欠点がある。この点、本発明によれば、トップコートであるフッ化物とアンダーコート層である炭化物サーメット（主成分は炭素）とは、互いの化学的親和力が強くかつよく濡れ合うため、前記粗面化によるフッ化物粒子の物理的付着作用に加え、化学的親和力とが相乗的に作用して、皮膜の密着力が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１】図１は、ロッドが搬送システムの外側に排斥される場合の本発明による搬送システムを示す図である。
【図２】図２は、ロッドが搬送システムの外側に排斥されない場合の本発明による搬送システムを示す図である。