(57)【要約】  その上にセリア粒子及び化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからその粒子及び汚染物質を浄化するための除去組成物及びプロセスである。この除去組成物は少なくとも１つの界面活性剤を含む。この組成物は、ローｋ誘電体、窒化シリコン、又はタングステン含有材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質材料の非常に効果的な除去を達成する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む、水性除去組成物。
【請求項２】
前記少なくとも１つの界面活性剤が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル及びポリアクリル酸エステルの相似物、ポリアラニン、ポリロイシン、ポリグリシン、ポリアミドヒドロキシウレタン、ポリラクトン、ポリアクリルアミド、ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）、ポリ（アクリルアミド）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、アセトグアナミン、ポリグルタミン酸、ヒアルロン酸、アルギン酸、カルボキシメチルセルロース、酢酸ビニル及びクロトン酸の共重合体、硫酸デキストラン、ヘパラン硫酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミド、エチレンジアミンテトラキス（エトキシレート−ブロック−プロポキシレート）テトロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールエーテル、ポリプロピレングリコールエーテル、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドを基礎とするブロック共重合体、ポリオキシプロピレンスクロースエーテル、ｔ−オクチルフェノキシポリエトキシエタノール、１０−エトキシ−９，９−ジメチルデカン−１−アミン、ポリオキシエチレン（９）ノニルフェニルエーテル（枝分れ）、ポリオキシエチレン（４０）ノニルフェニルエーテル（枝分れ）、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、ノニルフェノールアルコキシレート、ポリオキシエチレンソルビトールヘキサオレアート、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレアート、ポリエチレングリコールソルビタンモノオレアート、ソルビタンモノオレアート、Ｔｗｅｅｎ８０とＳｐａｎ８０の組み合わせ、アルコールアルコキシレート、アルキル−ポリグルコシド、エチルパーフルオロブチラート、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス［２−（５−ノルボルネン−２−ｙｌ）エチル］トリシロキサン、単量体オクタデシルシラン誘導体、シロキサン修飾ポリシラザン、シリコーン−ポリエーテル共重合体、エトキシ化フッ素系界面活性剤、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された１つの種を含む、請求項１記載の水性除去組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１つの界面活性剤が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルの相似物、並びにそれらの組み合わせを含む、請求項１記載の水性除去組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つの錯化剤が、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、イソブタノールアミン、トリエチレンジアミン、１−メトキシ−２−アミノエタン、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン（ＨＥＭ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−ＡＥＰ）、１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ｍ−キシレンジアミン（ＭＸＤＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、２−（ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿素誘導体、尿酸、グリシン、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、乳酸、マレイン酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸、フマル酸、コハク酸、シュウ酸、マロン酸、マンデル酸、無水マレイン酸、フタル酸、グルタル酸、グリコール酸、グリオキシル酸、イタコン酸、フェニル酢酸、キナ酸、ピロメリト酸、酒石酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、グルコン酸、グリセリン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、アジピン酸、イタコン酸、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された１つの種を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つの錯化剤が、モノエタノールアミン、ＥＤＴＡ、又はモノエタノールアミンとＥＤＴＡとの組み合わせを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第四塩基が、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、トリブチルメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＭＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、コリンヒドロキシド、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された１つの種を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１つの第四塩基がテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１つの還元剤が、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、没食子酸、グリオキサール、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された１つの種を含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１つの還元剤がアスコルビン酸を含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの還元剤が没食子酸を含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの還元剤がアスコルビン酸及び没食子酸を含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１２】
前記組成物が少なくとも１つの腐食防止剤を更に含む、請求項１乃至１１のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１３】
前記組成物のｐＨが約７〜約１４の範囲内である、請求項１乃至１２のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１４】
前記水性浄化組成物が、マイクロ電子デバイスからの残渣物質の除去前に、酸化剤；フッ化物含有ソース；化学的機械的研磨用研磨材（例えば、シリカ、アルミナなど）；アルカリ及び／又はアルカリ土類金属ベース；並びにシアヌル酸、バルビツル酸及びその誘導体、グルクロン酸、スクエア酸、α−ケト酸、アデノシン及びその誘導体、リボシルプリン及びその誘導体、プリン化合物及びその誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、トリアミノピリミジン及びその他の置換ピリミジン、プリンサッカリド錯体、ホスホン酸及びその誘導体、フェナントロリン、グリシン、ニコチンアミド及びその誘導体、フラボノール並びにアントシアニン及びその誘導体などのフラボノイド、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された腐食防止剤のうちの少なくとも１つが実質的に欠けている、請求項１乃至１３のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１５】
前記組成物が、マイクロ電子デバイス構造からセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を除去するために有用である、請求項１乃至１４のいずれかに記載の水性除去組成物。
【請求項１６】
その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから前記粒子及び汚染物質を除去する方法であって、前記方法が、前記マイクロ電子デバイスから前記粒子及び汚染物質を少なくとも部分的に浄化するために、十分な時間の間、前記マイクロ電子デバイスを、請求項１乃至１５のいずれかに記載の除去組成物と接触させることを含む、方法。
【請求項１７】
前記ＣＭＰ汚染物質が、ＣＭＰスラリー、研磨スラリーの反応副生成物、ＣＭＰ後残渣、ウェットエッチング組成物内に存在する化学物質、前記ウェットエッチング組成物の反応副生成物、並びにＣＭＰプロセス、ウェットエッチング、プラズマエッチング、又はプラズマ灰化プロセスの副生成物である任意のその他の物質からなるグループから選択された物質を含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
使用の時点で又はその前に前記除去組成物を溶媒で希釈することを更に含み、前記溶媒が水を含む、請求項１６乃至１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
水性除去組成物と、マイクロ電子デバイス・ウェーハと、セリア粒子、ＣＭＰ汚染物質、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料とを含む製品であって、前記浄化組成物が、少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む、製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、一般に、その上にそれらを有するマイクロ電子デバイスからセリア粒子（ｃｅｒｉａ  ｐａｒｔｉｃｌｅ）及びその他の化学的機械的研磨スラリー汚染物質を除去するための組成物（ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  マイクロ電子デバイス・ウェーハは集積回路を形成するために使用される。マイクロ電子デバイス・ウェーハはシリコンなどの基板を含み、絶縁性、導電性、又は半導性を有する種々の材料の付着のための領域がその中にパターン形成される。
【０００３】
[0003]  正確なパターン形成を得るために、基板上に層を形成する際に使用された過剰な材料を除去しなければならない。更に、機能的で信頼できる回路を製作するために、その後の処理の前に平坦又は平面のマイクロ電子ウェーハ表面を準備することが重要である。従って、マイクロ電子デバイス・ウェーハの特定の表面を除去及び／又は研磨することが必要である。
【０００４】
[0004]  化学的機械的研磨又は平坦化（「ＣＭＰ」）は、マイクロ電子デバイス・ウェーハの表面から材料が除去されるプロセスであり、その表面は摩耗などの物理的プロセスと酸化又はキレート化などの化学的プロセスを結合することにより研磨（より具体的には、平坦化）される。その最も初歩的な形式では、ＣＭＰは、除去、平坦化、及び研磨プロセスを達成するために、マイクロ電子デバイス・ウェーハの表面をバフで磨く研磨パッドにスラリー、例えば、研磨材と活性薬品（ａｃｔｉｖｅ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）の溶液を塗布することを伴う。除去又は研磨プロセスにとっては、純粋に物理的作用又は純粋に化学的作用からなることは望ましくなく、むしろ高速で均一な除去を達成するために両方を相乗的に組み合わせることが望ましい。また、集積回路の製作では、ＣＭＰスラリーは、その後のフォトリソグラフィ又はパターン形成、エッチング、及び薄膜処理のために非常に平坦な表面を生成できるように、金属及びその他の材料の複合層を含む薄膜を優先的に除去できるものでなければならない。
【０００５】
[0005]  次に、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスを使用してシリコン基板内に分離領域を形成するためのフロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）方法について説明する。
【０００６】
[0006]  まず、パッド酸化膜及びパッド窒化膜を半導体基板上に付着させ、分離領域に対応する基板上の一部分を露出するようにパターン形成する。次に、基板の露出領域をエッチングしてトレンチを形成する。その後、基板に対して犠牲酸化プロセスを施して、基板エッチングによって引き起こされた損傷を除去し、次に、トレンチの表面上に壁面酸化膜を形成する。次に、トレンチ埋め込み酸化膜、例えば、高密度プラズマ化学蒸着法によって形成された酸化膜（以下、ＨＤＰ酸化膜という）を、トレンチ内に埋め込まれるように基板の表面上に付着させる。次に、パッド窒化膜が露出するまで、ＨＤＰ酸化膜の表面に対して化学的機械的研磨（以下、ＣＭＰという）を施す。次に、結果として得られる基板を浄化し、その後、トレンチ・エッチング中にエッチング・バリアとして使用されたパッド窒化膜を除去し、それにより分離領域の形成が完了する。
【０００７】
[0007]  セリア粒子を使用するＣＭＰスラリーは、シリカ含有スラリーに比べて絶縁体についてより速い研磨速度を達成するという特徴を有する。その上、セリアベースのスラリーは、最小限の酸化膜侵食でＳＴＩパターン平坦化を達成できるので、最も頻繁に使用される。不利なことに、セリアベースのスラリーは、酸化シリコン及び窒化シリコンの表面に比べてセリア粒子のゼータ電位が反対に帯電しているので、ＳＴＩ構造から除去するのが難しい。これらの残渣がウェーハ上に残存する状態でデバイスが製造される場合、その残渣は短絡及び電気抵抗の増加をもたらすことになる。また、セリア粒子は、セリア・スラリーを使用するＣＭＰ処理後のＦｉｎＦＥＴ構造の問題にもなる。
【０００８】
[0008]  現在、最も効率的な湿式浄化調合物は希フッ化水素酸（ＤＨＦ）であるが、ＤＨＦは不利なことに酸化シリコン及びその他のローｋ誘電体材料をエッチングする。
【０００９】
[0009]  当技術分野では、窒化シリコン、ローｋ誘電体（例えば、酸化シリコン）、及びタングステン含有層などの基礎をなす材料に損傷を加えずに、マイクロ電子デバイスの表面からセリア粒子を効果的に除去するセリア粒子除去組成物及びプロセスの必要性が依然として残っている。また、このセリア粒子除去組成物は、マイクロ電子デバイスの表面からＣＭＰスラリー汚染物質を有効に除去しなければならない。
【発明の概要】
【００１０】
[0009]  本発明は、一般に、その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからその粒子及びＣＭＰ汚染物質を浄化するための組成物及びプロセスに関する。
【００１１】
[0010]  一態様では、水性除去組成物が記載され、この組成物は少なくとも１つの第四塩基（ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ  ｂａｓｅ）と、少なくとも１つの錯化剤（ｃｏｍｐｌｅｘｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）と、少なくとも１つの還元剤（ｒｅｄｕｃｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）と、少なくとも１つの界面活性剤（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ）とを含む。
【００１２】
[0011]  他の態様では、その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからその粒子及び汚染物質を除去する方法が記載され、この方法は、マイクロ電子デバイスからその粒子及び汚染物質を少なくとも部分的に浄化するために、十分な時間の間、マイクロ電子デバイスを除去組成物と接触させることを含み、この除去組成物は少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。
【００１３】
[0012]  更に他の態様では、製品（ａｒｔｉｃｌｅ  ｏｆ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ）が記載され、この製品は、水性除去組成物と、マイクロ電子デバイス・ウェーハと、セリア粒子、ＣＭＰ汚染物質、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料とを含み、この浄化組成物は少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。
【００１４】
[0013]  その他の態様、特徴、及び利点は、以下に続く開示内容及び付加された特許請求の範囲からより完全に明らかになるであろう。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0014]  本発明は、一般に、その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからこのような材料（複数も可）を除去するのに有用な組成物に関する。有利なことに、セリア粒子及びＣＭＰ汚染物質は、依然として窒化シリコン及びローｋ誘電体（例えば、酸化シリコン）層と親和性がある間に有効に除去される。加えて、本明細書に記載されている組成物は、タングステンなどの導電性金属と親和性がある。
【００１６】
[0015]  参照しやすくするため、「マイクロ電子デバイス」は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、ソーラーパネル、並びにマイクロエレクトロニクス、集積回路、又はコンピュータチップの適用例で使用するために製造されたソーラー基板、光電装置、及び微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）を含むその他の製品に相当する。ソーラー基板は、シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ＣｄＴｅ、セレン化インジウム銅、硫化インジウム銅、及びガリウム上ガリウムヒ素を含むが、これらに限定されない。ソーラー基板は、ドープ又はアンドープのものにすることができる。「マイクロ電子デバイス」という用語は、いずれかの点で限定的であることを意味するものではなく、最終的にマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子組立品になる任意の基板を含むことを理解すべきである。
【００１７】
[0016]  本明細書で使用される「セリア粒子」は、化学的機械的研磨スラリー内で使用される研磨剤粒子、例えば、Ｃｅ２Ｏ３及びＣｅＯ２という式を有する酸化セリウムに相当する。「セリア粒子」は、酸化セリウムを含むか、酸化セリウムからなるか、又は本質的に酸化セリウムからなる可能性があることを認識されたい。
【００１８】
[0017]  本明細書で使用される「汚染物質」は、ＣＭＰスラリー内に存在する化学物質、研磨スラリーの反応副生成物、ＣＭＰ後残渣、ウェットエッチング組成物内に存在する化学物質、ウェットエッチング組成物の反応副生成物、並びにＣＭＰプロセス、ウェットエッチング、プラズマエッチング、又はプラズマ灰化プロセスの副生成物である任意のその他の物質に相当する。
【００１９】
[0018]  本明細書で使用される「ＣＭＰ後残渣」は、研磨スラリーからの粒子、例えば、スラリー内に存在する化学物質、研磨スラリーの反応副生成物、炭素を多量に含む粒子、研磨パッド粒子、ブラシ装脱粒子、構成粒子の機器材料、金属、有機残渣、並びにＣＭＰプロセスの副生成物である任意のその他の物質に相当する。加えて、ＣＭＰプロセス中にタングステンが除去された場合、ＣＭＰ後残渣はタングステン含有粒子を更に含むことができる。
【００２０】
[0019]  本明細書で定義される「ローｋ誘電体材料」は、層状マイクロ電子デバイス内で誘電体材料として使用される任意の材料に相当し、その材料は約３．５未満の誘電率を有する。好ましくは、ローｋ誘電体材料は、シリコン含有有機重合体、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料、オルガノシリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ化シリケートガラス（ＦＳＧ）、二酸化シリコン、及び炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料を含む。ローｋ誘電体材料は可変密度及び可変多孔性を有することができることを認識すべきである。
【００２１】
[0020]  本明細書で定義される「錯化剤」は、錯化剤、キレート剤、及び／又は金属イオン遮閉剤であると当業者によって理解されている化合物を含む。錯化剤は、本明細書に記載されている組成物を使用して除去すべき金属原子及び／又は金属イオンと化学的に結合するか又はこれらを物理的に保持することになる。
【００２２】
[0021]  「実質的に欠けている」とは、２ｗｔ％未満、好ましくは１ｗｔ％未満、より好ましくは０．５ｗｔ％未満、最も好ましくは０．１ｗｔ％未満として本明細書で定義される。「欠けている」とは、環境汚染について説明するために０．００１ｗｔ％未満に相当するものである。
【００２３】
[0022]  本明細書で使用される「約」は、規定された値の±５％に相当するものである。
【００２４】
[0023]  本明細書で使用される「酸化剤」は、露出した金属（複数も可）を酸化させ、その結果、金属の腐食又は金属上の酸化物形成を引き起こす化合物に相当する。酸化剤は、過酸化水素；ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、及び過酢酸塩アニオンを含有する塩及び酸などのその他の過化合物；並びにアミン−Ｎ−オキシドを含むが、これらに限定されない。
【００２５】
[0024]  本明細書で使用される「フッ化物含有化合物」は、他の原子にイオン結合されるフッ化物イオン（Ｆ−）を含む塩又は酸の化合物に相当する。
【００２６】
[0025]  本明細書で定義される「バリア材」という用語は、誘電体材料への金属、例えば、銅の拡散を最小限にするために、金属線、例えば、銅相互接続部を密封するために当技術分野で使用される任意の材料に相当する。好ましいバリア層材料としては、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム、タングステン、及びその他の耐火金属、並びにそれらの窒化物及びシリサイドを含む。
【００２７】
[0026]  本開示内容のため、「アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物」は、アデニン（Ｃ５Ｈ５Ｎ５）、メチル化アデニン（例えば、Ｎ−メチル−７Ｈ−プリン−６−アミン、Ｃ６Ｈ７Ｎ５）、ジメチル化アデニン（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチル−７Ｈ−プリン−６−アミン、Ｃ７Ｈ９Ｎ５）、Ｎ４，Ｎ４−ジメチルピリミジン−４，５，６−トリアミン（Ｃ６Ｈ１１Ｎ５）、４，５，６−トリアミノピリミジン、アラントイン（Ｃ４Ｈ６Ｎ４Ｏ３）、ヒドロキシル化Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃ二量体（（Ｃ５Ｈ４Ｎ５Ｏ２）２）、Ｃ−Ｃ架橋二量体（（Ｃ５Ｈ４Ｎ５）２又は（Ｃ５Ｈ４Ｎ５Ｏ）２）、リボース（Ｃ５Ｈ１０Ｏ５）、メチル化リボース（例えば、５−（メトキシメチル）テトラヒドロフラン−２，３，４−トリオール、Ｃ６Ｈ１２Ｏ５）、テトラメチル化リボース（例えば、２，３，４−トリメトキシ−５−（メトキシメチル）テトラヒドロフラン、Ｃ９Ｈ１８Ｏ５）、及びメチル化加水分解ジリボース化合物などのその他のリボース誘導体を含むが、これらに限定されない。
【００２８】
[0027]  本明細書で使用される、その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからその粒子及び汚染物質を除去するための「適性」は、マイクロ電子デバイスからのその粒子／汚染物質の少なくとも部分的な除去に相当する。浄化効力は、マイクロ電子デバイス上のオブジェクトの低減によって評価される。例えば、浄化前及び浄化後の分析は、原子間力顕微鏡を使用して実行することができる。試料上の粒子は、ある範囲のピクセルとして登録することができる。特定の強度、例えば、２３１〜２３５内のピクセル並びにカウントされた粒子の数をフィルタで抽出するためにヒストグラム（例えば、ＳｉｇｍａＳｃａｎＰｒｏ）を適用することができる。粒子低減は、以下の式を使用して計算することができる。
浄化効力＝（浄化前のオブジェクト数−浄化後のオブジェクト数）÷浄化前のオブジェクト数×１００
とりわけ、この浄化効力の決定方法は例としてのみ提供されており、これに限定するためのものではない。代わって、浄化効力は、粒子状物質によって覆われた表面全体のパーセントと見なすことができる。例えば、ｚ面スキャンを実行して特定の高さしきい値より上の関心のある地形的エリアを識別し、次に関心のあるこのエリアによって覆われた表面全体の面積を計算するように、ＡＦＭをプログラミングすることができる。当業者であれば、浄化後に関心のあるこのエリアによって覆われた面積が小さいほど、除去組成物が効果的であることを容易に理解できるであろう。好ましくは、本明細書に記載されている組成物を使用して粒子／汚染物質の少なくとも７５％がマイクロ電子デバイスから除去され、より好ましくは粒子／汚染物質の少なくとも９０％、更により好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％が除去される。
【００２９】
[0028]  以下により完全に記載されているように、本明細書に記載されている組成物は、多様な特定の調合物で実施することができる。
【００３０】
[0029]  すべてのこのような組成物では、組成物の特定の成分はゼロ下限を含む重量パーセント範囲に関して述べるが、このような成分は組成物の様々な特定の実施形態において存在する場合もあれば存在しない場合もあり、このような成分が存在する事例では、このような成分が使用される組成物の全重量を基礎として０．００１重量パーセント程度の低い濃度で存在する可能性があることが理解されるであろう。
【００３１】
[0030]  第１の態様では、除去組成物が記載され、この水性除去組成物は少なくとも１つの第四塩基と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの錯化剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。更に他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの還元剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの第四塩基と少なくとも１つの錯化剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。更に他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの還元剤と少なくとも１つの錯化剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。更に他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの第四塩基と少なくとも１つの還元剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。他の実施形態では、この水性除去組成物は少なくとも１つの第四塩基と少なくとも１つの錯化剤と少なくとも１つの還元剤と少なくとも１つの界面活性剤とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。それぞれの実施形態は、少なくとも１つの腐食防止剤を更に含むことができる。
【００３２】
[0031]  それぞれの実施形態では、この除去組成物は、マイクロ電子デバイスからの残渣物質の除去前に、酸化剤；フッ化物含有ソース；化学的機械的研磨用研磨材（例えば、シリカ、アルミナなど）；アルカリ及び／又はアルカリ土類金属ベース；並びにシアヌル酸、バルビツル酸及びその誘導体、グルクロン酸、スクエア酸、α−ケト酸、アデノシン及びその誘導体、リボシルプリン及びその誘導体、プリン化合物及びその誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、トリアミノピリミジン及びその他の置換ピリミジン、プリンサッカリド錯体、ホスホン酸及びその誘導体、フェナントロリン、グリシン、ニコチンアミド及びその誘導体、フラボノール並びにアントシアニン及びその誘導体などのフラボノイド、並びにそれらの組み合わせからなるグループから選択された腐食防止剤のうちの少なくとも１つが実質的に欠けている。加えて、この除去組成物は、高分子固体、例えば、フォトレジストを形成するように固体化してはならない。
【００３３】
[0032]  本明細書に記載されている水性浄化組成物は、水、好ましくは脱イオン水を含むことが当業者によって理解されている。
【００３４】
[0033]  企図されている錯化剤はＮＲ１Ｒ２Ｒ３という一般式を有する種を含み、ここで、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに同じであるか又は互いに異なることができ、水素、直鎖又は枝分れＣ１−Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）、直鎖又は枝分れＣ１−Ｃ６アルコール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、及びヘキサノール）、並びにＲ４−Ｏ−Ｒ５という式を有する直鎖又は枝分れエーテルからなるグループから選択され、ここで、Ｒ４及びＲ５は、互いに同じであるか又は互いに異なることができ、上記で定義されるＣ１−Ｃ６アルキルからなるグループから選択される。最も好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３のうちの少なくとも１つは直鎖又は枝分れＣ１−Ｃ６アルコールである。例としては、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、１−アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、イソブタノールアミン、トリエチレンジアミン、その他のＣ１−Ｃ８アルカノールアミン、並びにそれらの組み合わせなどのアルカノールアミンを無制限に含む。このアミンがエーテル成分を含む場合、このアミンはアルコキシアミン、例えば、１−メトキシ−２−アミノエタンと見なすことができる。代わって、又はＮＲ１Ｒ２Ｒ３アミンに加えて、錯化剤は、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン（ＨＥＭ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−ＡＥＰ）、１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ｍ−キシレンジアミン（ＭＸＤＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、２−（ヒドロキシエチル）イミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸、チオ尿素、１，１，３，３−テトラメチル尿素、尿素、尿素誘導体、尿酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン酸、グルタミン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、並びにそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない多機能アミンにすることができる。代わって、又はＮＲ１Ｒ２Ｒ３アミン及び／又は多機能アミンに加えて、錯化剤は、乳酸、マレイン酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸、フマル酸、コハク酸、シュウ酸、マロン酸、マンデル酸、無水マレイン酸、フタル酸、グルタル酸、グリコール酸、グリオキシル酸、イタコン酸、フェニル酢酸、キナ酸、ピロメリト酸、酒石酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、グルコン酸、グリセリン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、アジピン酸、イタコン酸、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸、その他の脂肪族及び芳香族カルボン酸、その塩並びに上記酸の組み合わせを含むがこれらに限定されない、その塩内に少なくとも１つのＣＯＯＨ基又はカルボン酸塩基を含む有機酸を含むことができる。好ましくは、少なくとも１つの錯化剤は、モノエタノール���ミン、トリエタノールアミン、ＥＤＴＡ、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された１つの種を含む。この除去組成物は実質的にアミンを含まないものであり、即ち、少なくとも１つの錯化剤は本明細書に記載されている少なくとも１つの有機酸を含むことが企図されている。
【００３５】
[0034]  本明細書で企図されている第四塩基はＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＯＨという式を有する化合物を含み、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、互いに同じであるか又は互いに異なることができ、水素、直鎖又は枝分れＣ１−Ｃ６アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及びヘキシル）、並びに置換又は非置換Ｃ６−Ｃ１０アリル、例えば、ベンジルからなるグループから選択される。市販されているテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドとしては、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、トリブチルメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＭＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、並びにそれらの組み合わせを含み、使用することができる。市販されていないテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、当業者に知られているＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＰＡＨ、ＴＢＡＨ、ＴＢＭＡＨ、及びＢＴＭＡＨを調製するために使用され公表されている合成方法と類似した方法で調製することができる。他の広く使用されている第四アンモニウム塩基はコリンヒドロキシドである。好ましくは、第四塩基はＴＭＡＨを含む。
【００３６】
[0035]  還元剤は、アスコルビン酸、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、没食子酸、グリオキサール、並びにそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。特に好ましい一実施形態では、浄化組成物はアスコルビン酸を含む。特に好ましい他の実施形態では、浄化組成物はアスコルビン酸及び没食子酸を含む。
【００３７】
[0036]  界面活性剤は非イオン界面活性剤及びアニオン重合体を含み、その重合体はアニオン重合反応によって調製された重合体を含む。アニオン重合体としては、ポリアクリル酸；ポリアクリル酸エステル及びポリアクリル酸エステルの相似物；ポリアラニン、ポリロイシン、ポリグリシンなどのポリアミノ酸；ポリアミドヒドロキシウレタン；ポリラクトン；ポリアクリルアミド；ポリ（アクリルアミド−コ−ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）；ポリ（アクリルアミド）；ポリ（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）；ジアリルジメチルアンモニウムクロライド；アセトグアナミン；ポリグルタミン酸；ヒアルロン酸；アルギン酸；カルボキシメチルセルロース；酢酸ビニル及びクロトン酸の共重合体；硫酸デキストラン；ヘパラン硫酸；並びにそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。企図されている非イオン界面活性剤は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル（Ｅｍａｌｍｉｎ  ＮＬ−１００（三洋）、Ｂｒｉｊ３０、Ｂｒｉｊ９８、Ｂｒｉｊ３５）、ドデセニルコハク酸モノジエタノールアミド（ＤＳＤＡ、三洋）、エチレンジアミンテトラキス（エトキシレート−ブロック−プロポキシレート）テトロール（Ｔｅｔｒｏｎｉｃ９０Ｒ４）、ポリエチレングリコール（例えば、ＰＥＧ４００）、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン又はポリプロピレングリコールエーテル、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドを基礎とするブロック共重合体（Ｎｅｗｐｏｌｅ  ＰＥ−６８（三洋）、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  Ｌ３１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  ３１Ｒ１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  Ｌ６１、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ  Ｆ−１２７）、ポリオキシプロピレンスクロースエーテル（ＳＮ００８Ｓ、三洋）、ｔ−オクチルフェノキシポリエトキシエタノール（Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ１００）、１０−エトキシ−９，９−ジメチルデカン−１−アミン（ＴＲＩＴＯＮ（登録商標）  ＣＦ−３２）、ポリオキシエチレン（９）ノニルフェニルエーテル、枝分れ、ポリオキシエチレン（４０）ノニルフェニルエーテル、枝分れ（例えば、ＩＧＥＰＡＬ  Ｃｏ  ８９０）、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、ノニルフェノールアルコキシレート（例えば、ＳＵＲＦＯＮＩＣ  ＬＦ−４１）、ポリオキシエチレンソルビトールヘキサオレアート、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレアート、ポリエチレングリコールソルビタンモノオレアート（Ｔｗｅｅｎ  ８０）、ソルビタンモノオレアート（Ｓｐａｎ  ８０）、Ｔｗｅｅｎ  ８０とＳｐａｎ  ８０の組み合わせ、アルコールアルコキシレート（例えば、Ｐｌｕｒａｆａｃ  ＲＡ−２０）、アルキル−ポリグルコシド、エチルパーフルオロブチラート、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス［２−（５−ノルボルネン−２−ｙｌ）エチル］トリシロキサン、ＳＩＳ６９５２．０（Ｓｉｌｉｃｌａｄ、Ｇｅｌｅｓｔ）などの単量体オクタデシルシラン誘導体、ＰＰ１−ＳＧ１０  Ｓｉｌｉｃｌａｄ  Ｇｌｉｄｅ  １０（Ｇｅｌｅｓｔ）などのシロキサン修飾ポリシラザン、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７７（Ｓｅｔｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ）、Ｓｉｌｗｅｔ  ＥＣＯ  Ｓｐｒｅａｄｅｒ（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ）などのシリコーン−ポリエーテル共重合体、並���にエトキシ化フッ素系界面活性剤（ＺＯＮＹＬ（登録商標）  ＦＳＯ、ＺＯＮＹＬ（登録商標）  ＦＳＮ−１００）を含むが、これらに限定されない。好ましくは、少なくとも１つの界面活性剤は、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルの相似物、並びにそれらの組み合わせを含む。
【００３８】
[0037]  この水性除去組成物は少なくとも１つの腐食防止剤を更に含むことができ、この腐食防止剤成分は、金属、例えば、銅、アルミニウム、タングステン、バリア材の腐食度を低下するため、並びに浄化性能を高めるために、水性浄化組成物に添加される。企図されている腐食防止剤は、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン、タンニン酸、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール（ＭＢＩ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、イミダゾリンチオカルボニル基、メルカプトベンゾイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、トリトリル燐酸、イミダゾール、インジアゾール、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ピロガロール、レソルシノール、ヒドロキノン、プロパンチオール、ベンゾヒドロキサム酸、複素環式窒素抑制剤、エチルキサントゲン酸カリウム、並びにそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。存在する場合、腐食防止剤の量は、組成物の全重量を基礎として約０．００１ｗｔ％〜約２ｗｔ％の範囲内である。
【００３９】
[0038]  この水性除去組成物は、マイクロ電子デバイス構造からセリア粒子及び汚染物質、例えば、ＣＭＰ後残渣及び汚染物質を除去するために特に有用である。本明細書に記載されている水性除去組成物のｐＨは、７より高く、好ましくは約７〜約１４の範囲内であり、より好ましくは約１０〜約１４の範囲内である。
【００４０】
[0039]  特に好ましい一実施形態では、この水性除去組成物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、ポリアクリル酸と、水とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなる。例えば、この水性除去組成物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと、モノエタノールアミンと、アスコルビン酸と、ポリアクリル酸と、水とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなることができる。代わって、この除去組成物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドと、モノエタノールアミンと、ＥＤＴＡと、アスコルビン酸と、ポリアクリル酸と、水とを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなることができる。
【００４１】
[0040]  組成物の量に関しては、それぞれの成分の重量パーセント比は好ましくは、第四塩基（複数も可）に対する錯化剤（複数も可）が約０．１：１〜約５０：１、好ましくは約０．５：１〜約１０：１、最も好ましくは約０．５：１〜約５：１であり、第四塩基（複数も可）に対する還元剤（複数も可）が約０．１：１〜約３０：１、好ましくは約０．５：１〜約１０：１、最も好ましくは約０．５：１〜約５：１であり、第四塩基（複数も可）に対する重合体種（複数も可）が約０．０１：１〜約２０：１、好ましくは約０．１：１〜約１０：１、最も好ましくは約０．１：１〜約１：１である。最も好ましくは、この除去組成物のｐＨは１２より高い。
【００４２】
[0041]  諸成分の重量パーセント比の範囲は、この組成物について可能なすべての濃縮又は希釈した実施形態を包含することになる。その目的に向かって、一実施形態では、浄化液として使用するために希釈可能な濃縮した除去組成物が提供される。濃縮した組成物又は「濃縮物」は、有利なことに、ユーザ、例えば、ＣＭＰプロセス技術者が使用の時点で所望の強度及びｐＨになるように濃縮物を希釈することができる。濃縮した水性除去組成物の希釈は、約１：１〜約２５００：１、好ましくは約５：１〜約２００：１、最も好ましくは約１０：１〜約６０：１の範囲内にすることができ、この水性除去組成物は、そのツールにおいて又はその直前に溶媒、例えば、脱イオン水で希釈される。希釈後に、本明細書に開示されている諸成分の重量パーセント比の範囲は不変でなければならないことを認識すべきである。
【００４３】
[0042]  本明細書に記載されている組成物は、エッチング後残渣除去、灰化後残渣除去表面処理、メッキ後の浄化、及びＣＭＰ後残渣除去を含むがこれらに限定されない適用例における有用性を有することができる。加えて、本明細書に記載されている水性浄化組成物は、装飾用金属、金属ワイヤボンディング、プリント回路基板、及び金属又は合金を使用するその他の電子実装を含むがこれらに限定されないその他の金属（例えば、銅含有及びタングステン含有）製品の浄化及び保護に有用である可能性があることが企図されている。
【００４４】
[0043]  更に他の好ましい実施形態では、本明細書に記載されている水性除去組成物は、セリア粒子及び／又はＣＭＰ汚染物質を更に含む。セリア粒子及び汚染物質は、浄化が始まった後に除去組成物の一成分になり、組成物内で溶解及び／又は懸濁することになる。
【００４５】
[0044]  この水性除去組成物は、それぞれの成分を単純に加え、均質状態になるまで混合することにより、容易に調合される。更に、この組成物は、単一パッケージの調合物又は使用の時点で又はその前に混合される複数パートの調合物として容易に配合することができ、例えば、複数パートの調合物の個々のパートはそのツールにおいて又はそのツールの上流の貯蔵タンク内で混合することができる。それぞれの成分の濃度は、その組成物の特定の倍量で、例えば、より希釈するか又はより濃縮して、広範に変化させることができ、本明細書に記載されている組成物は様々にかつ選択的に、本明細書の開示内容と一貫した成分の任意の組み合わせを含むか、これらからなるか、又は本質的にこれらからなることができることが認識されるであろう。
【００４６】
[0045]  従って、他の態様は、１つ以上の容器において、本明細書に記載されている組成物を形成するように適合させた１つ以上の成分を含むキットに関する。このキットは、マイクロチップ製作時又は使用の時点で追加の溶媒、例えば、水と結合するために、１つ以上の容器において、少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含むことができる。このキットの容器は、この浄化組成物を貯蔵し出荷するのに適したもの、例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器（米国コネチカット州ダンベリーのＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社）でなければならない。
【００４７】
[0046]  この水性除去組成物の諸成分を収容する１つ以上の容器は、この１つ以上の容器内の諸成分を混合及び計量分配のために流体連絡させるための手段を含む。例えば、ＮＯＷＰａｋ（登録商標）容器について言及すると、ライナーの中身の少なくとも一部分を放出させ、それにより混合及び計量分配のための流体連絡を可能にするように、この１つ以上の容器内のライナーの外側にガス圧力を加えることができる。代わって、従来の加圧可能容器の上部空間にガス圧力を加えるか、又はポンプを使用して流体連絡を可能にすることができる。加えて、このシステムは好ましくは、混合した除去組成物をプロセス・ツールに計量分配するための計量分配ポートを含む。
【００４８】
[0047]  この１つ以上の容器のためのライナーを製作するために、好ましくは、高密度ポリエチレンなどの実質的に化学的に不活性で不純物を含まず柔軟で弾力性のある重合体薄膜材料が使用される。望ましいライナー材料は、共有押し出し成形又はバリア層を必要とせずに、ライナー内に計量分配すべき成分に関する純度要件に悪影響を及ぼす可能性のある任意の顔料、ＵＶ抑制剤、又は処理剤なしに処理される。望ましいライナー材料のリストとしては、バージン（添加物なし）ポリエチレン、バージン・ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリブチレンなどを含む薄膜を含む。このようなライナー材料の好ましい厚さは、約５ミル（０．００５インチ）〜約３０ミル（０．０３０インチ）の範囲内であり、例としては２０ミル（０．０２０インチ）の厚さである。
【００４９】
[0048]  このキット用の容器に関しては、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＭＩＮＩＭＩＺＩＮＧ  ＴＨＥ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＰＡＲＴＩＣＬＥＳ  ＩＮ  ＵＬＴＲＡＰＵＲＥ  ＬＩＱＵＩＤＳ」という名称の米国特許第７１８８６４４号、「ＲＥＴＵＲＮＡＢＬＥ  ＡＮＤ  ＲＥＵＳＡＢＬＥ，  ＢＡＧ−ＩＮ−ＤＲＵＭ  ＦＬＵＩＤ  ＳＴＯＲＡＧＥ  ＡＮＤ  ＤＩＳＰＥＮＳＩＮＧ  ＣＯＮＴＡＩＮＥＲ  ＳＹＳＴＥＭ」という名称の米国特許第６６９８６１９号、及びＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社の名義で２００８年５月９日に出願された「ＳＹＳＴＥＭＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＢＬＥＮＤＩＮＧ  ＡＮＤ  ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮ」という名称のＰＣＴ／米国特許出願第０８／６３２７６号という特許及び特許出願の開示内容が参照によりそれぞれ全体として本明細書に取り入れられる。
【００５０】
[0049]  マイクロエレクトロニクスの製造作業に適用されるように、本明細書に記載されている水性除去組成物は、マイクロ電子デバイスの表面からセリア粒子及び／又はＣＭＰ汚染物質（例えば、ＣＭＰ後残渣及び汚染物質）を浄化するために有益に使用される。この水性除去組成物は、デバイス表面上のローｋ誘電体材料（例えば、酸化シリコン）、窒化シリコン層、又はタングステン含有層に損傷を加えない。好ましくは、この水性除去組成物は、粒子除去前にデバイス上に存在するセリア粒子の少なくとも８５％、より好ましくは少なくとも９０％、更により好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％を除去する。
【００５１】
[0050]  ＣＭＰ後の粒子及び汚染物質除去の適用例では、この水性除去組成物は、Ｖｅｒｔｅｑのシングルウェーハ・メガソニックＧｏｌｄｆｉｎｇｅｒ、ＯｎＴｒａｋのＤＤＳ（両面スクラバ）システム、ＳＥＺ又はその他のシングルウェーハ・スプレーリンス、Ａｐｐｌｉｅｄ  ＭａｔｅｒｉａｌｓのＭｉｒｒａ−Ｍｅｓａ（商標）／Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ（商標）／Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ  ＬＫ（商標）、及びＭｅｇａｓｏｎｉｃのバッチ式ウェットベンチシステムを含むがこれらに限定されないメガソニック及びブラシスクラビングなどの多くの種類の従来の浄化ツールとともに使用することができる。
【００５２】
[0051]  その上にそれらを有するマイクロ電子デバイスからセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を除去するために本明細書に記載されている組成物を使用する際に、この水性除去組成物は典型的に、約５秒〜約１０分、好ましくは約１秒〜２０分、好ましくは約１５秒〜約５分という時間の間、約２０℃〜約９０℃、好ましくは約２０℃〜約５０℃の範囲内の温度でデバイスと接触する。このような接触時間及び温度は例示的なものであり、この方法の広範な実践の範囲内で、デバイスからセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を少なくとも部分的に除去するのに効果的である任意のその他の適切な時間及び温度条件を使用することもできる。「少なくとも部分的に浄化すること」及び「実質的な除去」はどちらも、粒子除去前にデバイス上に存在するセリア粒子の少なくとも８５％、より好ましくは少なくとも９０％、更により好ましくは少なくとも９５％、最も好ましくは少なくとも９９％を除去することに相当する。
【００５３】
[0052]  所望の粒子除去作用の達成後、この水性除去組成物は、本明細書に記載されている組成物の所与の最終用途適用例において望ましくかつ効果的である可能性があるように、それが前に適用されていたデバイスから容易に除去することができる。好ましくは、リンス液は脱イオン水を含む。その後、デバイスは、窒素又は遠心脱水サイクルを使用して乾燥させることができる。
【００５４】
[0053]  更に他の態様は、本明細書に記載されている方法により作られた改良されたマイクロ電子デバイス及びこのようなマイクロ電子デバイスを含む製品に関する。
【００５５】
[0054]  他の態様は、再生利用された水性除去組成物に関し、この除去組成物は、当業者によって容易に判断されるように、粒子及び／又は汚染物質処理量がこの水性除去組成物によって対処可能な最大量に達するまで再生利用することができる。
【００５６】
[0055]  更に他の態様は、マイクロ電子デバイスを含む製品を製造する方法に関し、この方法は、本明細書に記載されている除去組成物を使用して、その上にセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を有するマイクロ電子デバイスからその粒子及び汚染物質を除去するために、十分な時間の間、マイクロ電子デバイスを水性除去組成物と接触させることと、そのマイクロ電子デバイスをその製品に取り入れることとを含む。
【００５７】
[0056]  他の態様では、その上にそれらを有するマイクロ電子デバイスからセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を除去する方法が記載され、この方法は、
ＣＭＰスラリーでそのマイクロ電子デバイスを研磨することであって、ＣＭＰスラリーがセリア粒子を含むことと、
そのマイクロ電子デバイスからセリア粒子及びＣＭＰ汚染物質を除去してＣＭＰ後粒子含有組成物を形成するために、十分な時間の間、そのマイクロ電子デバイスを、少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む水性除去組成物と接触させることと、
そのマイクロ電子デバイスの実質的な浄化を実施するために、十分な時間の間、そのマイクロ電子デバイスをＣＭＰ後粒子含有組成物と連続的に接触させることと、
を含む。
【００５８】
[0057]  他の態様は、水性除去組成物と、マイクロ電子デバイス・ウェーハと、セリア粒子、ＣＭＰ汚染物質、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料とを含む製品に関し、その除去組成物は、少なくとも１つの第四塩基と、少なくとも１つの錯化剤と、少なくとも１つの還元剤と、少なくとも１つの界面活性剤とを含む。
【００５９】
[0058]  本発明は例示的な諸実施形態及び特徴に関連して本明細書に様々に開示されているが、上記の諸実施形態及び特徴は本発明を制限するためのものではなく、その他の変形例、変更例、及びその他の実施形態は、本明細書の開示内容に基づいて、当業者の念頭に浮かぶことは認識されるであろう。従って、本発明は、以下に明記されている特許請求の範囲の精神及び範囲内でこのような変形例、変更例、及び代替の諸実施形態をすべて包含するものとして広く解釈すべきものである。
【国際調査報告】
2016526070.tif 000002
2016526070.tif 000003
2016526070.tif 000004
2016526070.tif 000005