(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるＢｉ−２２２３相の結晶と同じ組成を有し、
下記式（２）で表される組成を有する低温相の結晶と、Ｂｉ−２２０１相及び／又はＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａもしくはＣｕの少なくとも１種以上の酸化物からなる非超電導物質とからなる、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法であって、
当該Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造工程における１次仮焼工程において、
１次仮焼の際の最高温度を７２０℃〜８４０℃の間にある、第１の１次仮焼温度に設定して、第１の１次仮焼粉を得、
次に、１次仮焼の際の最高温度は７２０℃〜８４０℃の間にあるが、前記第１の１次仮焼粉とは１次仮焼の際の最高温度が１℃以上異なるｎ種類の１次仮焼粉を得、
前記第１の１次仮焼粉と、前記ｎ種類の１次仮焼粉とを混合粉砕して、１次仮焼粉の混合物を得、
当該１次仮焼粉の混合物へ、温度７２０〜８４０℃、０．１〜１００時間の２次仮焼を行った後、混合粉砕して、２次仮焼粉を得、
当該２次仮焼粉へ、温度７００〜８００℃、０．１〜１００時間の熱処理を行って、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉を得る、ことを特徴とする、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法。
但し、
Ｂｉａ−Ｐｂｂ−Ｓｒｃ−Ｃａｄ−Ｃｕ３−Ｏｘ…（１）
但し、（ｌ）式中の各成分のモル数ａ〜ｘは、Ｃｕのモル数を３として規格化したとき、次の値を有する。
１．２０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．８０
１．２０≦ｃ≦３．００
１．２０≦ｄ≦３．００
９．００≦ｘ≦ｌ０．００
Ｂｉａ−Ｐｂｂ−Ｓｒｃ−Ｃａｄ−Ｃｕ２−Ｏｘ  …（２）
但し、（２）式中の各成分のモル数ａ〜ｘはＣｕのモル数を２として規格化したとき、次の値を有する。
ｌ．５０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．０５
１．５０≦ｃ≦２．５０
０．５０≦ｄ≦１．５０
７．００≦ｘ≦８．００
ｎは１以上の正の整数である。
【請求項２】
請求項１で製造されたＢｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉を、所望の形状に１軸成形した後、温度８２０〜８６０℃、大気雰囲気で焼結して焼結体を得、
次いで、この焼結体を中間圧縮し、さらに温度８２０〜８６０℃、大気雰囲気で焼結して、再度中間圧縮する、ことを特徴とするＢｉ系２２２３酸化物超電導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い臨界電流密度（Ｊｃ）特性が得られるＢｉ系２２２３相多結晶体を有するＢｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法及びＢｉ系２２２３酸化物超電導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｂｉ系２２２３相多結晶体を有するＢｉ系酸化物超電導体は、Ａｇシース法を用いた方法によれば、短い線材試料ではあるが、Ｊｃ（臨界電流密度）≧６００００Ａ／ｃｍ２の特性を有するものも報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一般的な焼結法を用いた方法では一桁以上低い１０００〜２５００Ａ／ｃｍ２のレベルにとどまっており、大幅な特性改善が望まれている。
【０００４】
ところで、一般に、酸化物超電導体の臨界電流密度は、その製造工程によって特性が大きく左右されることが知られている。例えば、「粉体及び粉末治金」３５（１９８８）、Ｐｌ０２０、または「粉体及び粉末治金」３９（１９９２）、Ｐ３７８には、原料粉を焼結して超電導焼結体を製造する際に、中間圧縮工程を挿人すると、臨界電流密度が大きく向上すると報告されている。
【０００５】
また、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）の状態を調べる分析方法の研究もな  されている。例えば、仮焼粉の２種類の結晶のＸ線回折強度比と仮焼温度との関係曲線図（ＸＲＤ図）を求める方法や、ＴＧ−ＤＴＡ（示差熱天秤）装置を用いて、仮焼粉の吸熱ピーク等を求め、そのピーク温度や形状から仮焼粉の結晶形態や熱反応性を求める研究等がなされている（例えば  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ．，２８（１９８９）．Ｌ２１９６等参照）。
【０００６】
しかし、焼結に適用する原料粉（仮焼紛）の状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響についての報告例は少なく、十分な解析はなされていなかった。
【０００７】
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、焼結法を用いて高い臨界電流密度特性を有するＢｉ系酸化物超電導体を得ることができるＢｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法及びＢｉ系２２２３酸化物超電導体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決する手段として第１の発明は、
下記式（１）で表されるＢｉ−２２２３相の結晶と同じ組成を有し、
下記式（２）で表される組成を有する低温相の結晶と、Ｂｉ−２２０１相及び／又はＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａもしくはＣｕの少なくとも１種以上の酸化物からなる非超電導物質とからなる、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法であって、
当該Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造工程における１次仮焼工程において、
１次仮焼の際の最高温度を７２０℃〜８４０℃の間にある、第１の１次仮焼温度に設定して、第１の１次仮焼粉を得、
次に、１次仮焼の際の最高温度は７２０℃〜８４０℃の間にあるが、前記第１の１次仮焼粉とは１次仮焼の際の最高温度が１℃以上異なるｎ種類の１次仮焼粉を得、
前記第１の１次仮焼粉と、前記ｎ種類の１次仮焼粉とを混合粉砕して、１次仮焼粉の混合物を得、
当該１次仮焼粉の混合物へ、温度７２０〜８４０℃、０．１〜１００時間の２次仮焼を行った後、混合粉砕して、２次仮焼粉を得、
当該２次仮焼粉へ、温度７００〜８００℃、０．１〜１００時間の熱処理を行って、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉を得る、ことを特徴とする、Ｂｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法である。
但し、
Ｂｉａ−Ｐｂｂ−Ｓｒｃ−Ｃａｄ−Ｃｕ３−Ｏｘ…（１）
但し、（ｌ）式中の各成分のモル数ａ〜ｘは、Ｃｕのモル数を３として規格化したとき、次の値を有する。
１．２０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．８０
１．２０≦ｃ≦３．００
１．２０≦ｄ≦３．００
９．００≦ｘ≦ｌ０．００
Ｂｉａ−Ｐｂｂ−Ｓｒｃ−Ｃａｄ−Ｃｕ２−Ｏｘ  …（２）
但し、（２）式中の各成分のモル数ａ〜ｘはＣｕのモル数を２として規格化したとき、次の値を有する。
ｌ．５０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．０５
１．５０≦ｃ≦２．５０
０．５０≦ｄ≦１．５０
７．００≦ｘ≦８．００
ｎは１以上の正の整数である。
【０００９】
第２の発明は、
第１の発明で製造されたＢｉ系２２２３酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉を、所望の形状に１軸成形した後、温度８２０〜８６０℃、大気雰囲気で焼結して焼結体を得、
次いで、この焼結体を中間圧縮し、さらに温度８２０〜８６０℃、大気雰囲気で焼結して、再度中間圧縮する、ことを特徴とするＢｉ系２２２３酸化物超電導体の製造方法である。
【００１２】
上述の解決手段は、本発明者等の以下の研究・考察及び試行錯誤に基づいて案出されたものである。すなわち、本発明者等の研究によれば、主超電導相であるＢｉ系２２２３相焼結体は多結晶体であるため、結晶粒界間の弱結合により超電導電流が阻害され、これがために臨界電流密度特性が制限されているものと考えられる。しかし、数万Ａ／ｃｍ２以上の高いＪｃが得られているＡｇシース線材も多結晶体である。したがって、多結晶体であること自体がＪｃ特性を制限する本質的要因ではなく、粒界の性状の違いがＪｃ特性を左右する要因であろうと推定される。
【００１３】
また、高Ｊｃが得られる多結晶体とするには、仮焼粉を焼結する際にＢｉ系２２２３相が成長しやすく、粒界間に不純物が出来るだけ存在しない様な、仮焼粉の段階での適切な結晶形態とその割合があると考えられる。ここで、Ｂｉ系２２２３相は、Ｂｉ−２２１２相と、Ｂｉ−２２０１相及び／又はＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の複数の酸化物とが反応して成長することがわかってきた。しかもそれらの結晶相や複数の酸化物は、多様な反応経路をたどってはじめてＢｉ系２２２３相に成長することができることもわかってきた。以上の解明結果から、仮焼粉としては、多様な反応経路をとることが可能な複数の結晶相や酸化物が分布していることが必要であることが解明された。
【００１４】
ところで、Ｂｉ系２２２３相の結晶の組成と実質的に同じ組成を有し、その結  晶相はＢｉ−２２１２相と、Ｂｉ−２２０１相及び／又はＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の酸化物である仮焼粉は、一般的に、電気炉にて最高温度７２０℃〜８４０℃で、少なくとも０．1時間以上仮焼（熱負荷が与えられて）して得られている。その場合、得
られる仮焼粉は、仮焼条件（熱負荷）に依存して、Ｂｉ−２２１２相結晶と、Ｃａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相と、Ｂｉ−２２０１相との割合、状態が微妙に変動することが知られている。
【００１５】
そこで、異なる仮焼条件（熱負荷）で仮焼した複数の仮焼粉を混合して用いることにより単一の条件で製造した仮焼粉と比較して、Ｂｉ−２２１２相結晶と、Ｃａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相と、Ｂｉ−２２０１相との割合、状態に分布を、Ｂｉ系２２２３相が主成分となる多結晶体になる化学反応に、多様な経路をもたすための最適な条件に近づけるものと考えられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態にかかるＢｉ系酸化物超電導体製造用仮焼粉及びＢｉ系酸化物超電導体を説明する。なお、以下の説明では、仮焼粉及びこの仮焼粉を用いた多結晶体（Ｂｉ系酸化物超電導体）を製造する製造工程を説明しながらＢｉ系酸化物超電導体製造用仮焼粉及びＢｉ系酸化物超電導体を説明する。
【００１７】
仮焼粉及びこの仮焼粉を用いた多結晶体（Ｂｉ系酸化物超電導体）の製造工程の大略は次の通りである。原料調製→混合又は共沈→１次仮焼→粉砕→複数の１次仮焼粉の混合  →２次仮焼（→粉砕→粒度調整→不純物除去）→仮焼粉完成→１軸成形→焼結→中間圧縮→焼結→中間圧縮→多結晶体。以下、この製造工程の詳細を説明する。なお、（  ）内の工程は必要に応じて実施する。
【００１８】
Ｂｉａ−Ｐｂｂ−Ｓｒｃ−Ｃａｄ−Ｃｕ３−Ｏｘ（ただし、式中の各成分のモル数ａ〜ｘ  は、Ｃｕのモル数を３として規格化したとき、１．２０≦ａ≦２．５０、０≦ｂ≦０．８０、１．２０≦ｃ≦３．００、１．２０≦ｄ≦３．００、９．００≦ｘ≦１０．００の値を有する）の焼結体（超電導体）を得るには、その組成比に限りなく近い組成比をもつ高純度の仮焼粉を準備する必要がある。このような仮焼粉を得るための出発原料としては、Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕの高純度の金属やその酸化物を用意し、それら各元素のモル比が、上記焼結体におけると同じモル比になるようにそれぞれ秤量して準備する。
【００１９】
例えば、Ｂｉ１．８５Ｐｂ０．３５Ｓｒ１．９０Ｃａ２．０５Ｃｕ３．０５Ｏｘの焼結体を得るには、Ｂｉ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ３，ＣａＯ，ＣｕＯの各高純度原料粉末を、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．８５：０．３５：１．９０：２．０５：３．０５のモル比となるように秤量してこれらを出発原料として用意する。次に、これらを混合して均一にし、あるいはこれらを共沈することによって均一性維持と不純物の含有防止を図る。
【００２０】
次に、１次仮焼を行う。この仮焼は、混合した原料を複数に分けてそれぞれ異なる仮焼温度で仮焼する。仮焼温度が異なると、仮焼によって生成されるＢｉ−２２１２相やＢｉ−２２０１相等の結晶相、Ｃａ２ＰｂＯ４やＣｕＯ等の超電導相以外の酸化物等の生成割合が異なる。例えば、仮焼温度７８０℃で１０時間仮焼した場合と、仮焼温度８００℃で１０時間仮焼した場合とでは、Ｂｉ−２２１２相やＢｉ−２２０１相等の結晶相、Ｃａ２ＰｂＯ４やＣｕＯ等の超電導相以外の酸化物相が生成される点では同じであるが、Ｂｉ−２２１２相とＢｉ−２２０１相との生成割合が異なる。
【００２１】
図１は種々の仮焼温度におけるＢｉ−２２１２相とＢｉ−２２０１相との生成割合を示すグラフである。図１において、縦軸はＢｉ−２２１２相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値とＢｉ−２２０１相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値との比の値（実線部）、及び、Ｂｉ−２２１２相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値とＢｉ−２２２３相の結晶の００１０面のＸ線回折ピーク値との比の値（点線部）であり、横軸は仮焼温  度である。Ｘ線回折ピーク値の比が、それぞれのピークに対応する結晶相の含有量の比に対応する。図１に示されるように、仮焼温度が７６０℃の場合に、Ｂｉ−２２１２相に対するＢｉ−２２０１相の生成比の値が約１．３であり、この温度が高くなるにしたがってその比の値がしだいに小さくなり、約８００℃でほぼ０になる。すなわち、８００℃近傍では、Ｂｉ−２２０１相はほとんどなくなり、Ｂｉ−２２１２相のみとなる。なお、７６０℃以下の仮焼温度では、温度が低くなるにしたがって次第にＢｉ−２２１２相の生成割合が少なくなっていくが、７２０℃以下では、結晶相自体の生成がほとんどなくなるので、これ以下の温度での１次仮焼は行わない。
【００２２】
一方、８００℃より高温になると、Ｂｉ−２２０１相の代わりに、Ｂｉ−２２２３相が生成され、温度が高くなるにしたがって次第にその生成割合を増すが、約８２０℃まではＢｉ−２２２３相に対するＢｉ−２２１２相の生成比の値が０．３を越えることはなく好ましい。なお、８４０℃を越えると、Ｂｉ−２２２３相の生成割合が大きくなり過ぎるので、８４０℃以上での１次仮焼は行わない。
【００２３】
以上の事実を踏まえて、上記混合した原料から、例えば、Ａ粉、Ｂ粉、Ｃ粉の３種類の１次仮焼粉を作成する。この場合、例えば、Ａ粉の１次仮焼温度を７６０℃±１０℃、Ｂ粉の１次仮焼温度を７８０℃±１０℃、Ｃ粉の１次仮焼温度を８００℃±１０℃と、それぞれ設定する。こうして作成したＡ粉、Ｂ粉、Ｃ粉を適宜組み合わせて均一に混合する。例えば、Ａ粉＋Ｂ粉、Ａ粉＋Ｃ粉、Ｂ粉＋Ｃ粉、Ａ粉＋Ｂ粉＋Ｃ粉、の４通りの組  み合わせが考えられる。しかも、Ａ粉、Ｂ粉、Ｃ粉のそれぞれの混合比の組み合わせを考えると、無数の組み合わせが考えられる。これにより、Ｂｉ系２２２３相に成長することができる多様な反応経路をとることが可能な複数の結晶相や酸化物が分布している状態を任意につくりだすことができる。
【００２４】
本発明者等の研究によれば、Ａ粉、Ｂ粉、Ｃ粉の少なくとも２種類を等量混合したものでも十分であることがわかった。勿論、混合比を変えても、いずれかが極端に少なくなければ、一定の効果が得られることが分かった。さらに、Ａ粉、Ｂ粉、Ｃ粉以外にも、仮焼の際の最高温度を７２０℃〜８４０℃、より望ましくは７６０℃〜８２０℃とし、その温度内で少なくとも１℃以上異なる仮焼条件で仮焼して得た複数の１次仮焼粉を２種類以上混合したものであれば、一定の効果が  得られることが確認されている。これは、仮焼条件が１℃以上異なると、生成する複数の結晶相が異なるためであると考えられ、結晶相が異なることはＸＲＤ（Ｘ線回折）測定で確認できる。すなわち、いま、Ｉ１をＢｉ−２２０１相の１１５面のＸＲＤピーク値、Ｉ２をＢｉ−２２１２相の１１５面のＸＲＤピーク値、Ｉ３をＢｉ−２２２３相の００１０面のＸＲＤピーク値、とそれぞれしたとき、Ｉ１／Ｉ２及び／又はＩ３／Ｉ２の値が異なる。
【００２５】
次に、これら１次仮焼粉をより均一に混合すると共に１次仮焼時に発生した偏析を取り除くことを目的として、極性有機溶媒と非極性有機溶媒との混合液を溶媒に用い、２次仮焼後の粒子径が２〜１０μｍになる条件を前以て規定し、その条件を目安に粉砕を行う。
【００２６】
次に、必要に応じて上記粉砕混合した１次仮焼粉を２次仮焼する。２次仮焼温度は７２０〜８４０℃、より望ましくは７６０〜８２０℃とし、仮焼時間は０．１〜１００時間とする。
【００２７】
次に、上記２次仮焼した試料を均一に混合すると共に２次仮焼時に発生した偏析を取り除くことを目的として、極性有機溶媒と非極性有機溶媒との混合液を溶媒に用い、２次仮焼後の粒子径が２〜１０μｍになる条件を前以て規定し、その条件を目安に粉砕を行う。
【００２８】
次いで、上記粉砕した試料を温度７００〜８００℃、時間０．１〜１００時間として、有機溶媒等の不純物を除去し、仮焼粉を得る。
【００２９】
次に、こうして得られた仮焼粉を、通常の酸化物超電導体製造の工程にしたがって所望の形状に１軸成形する。１軸成形は、例えば、１．０〜５．０Ｔｏｎ／ｃｍ２の  プレス成形で行う。次に、この成形体を焼結する。焼結条件は、例えば、温度８２０〜８６０℃、大気雰囲気である。次いで、この焼結体を中間圧縮し、さらに  上記と同様の焼結をして再度中間圧縮することによって多結晶体の超電導体を得る。中間圧縮はＣｌＰ装置を用いｌ〜３Ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力をかけ、必要に応じて数回行う。
【００３０】
なお、こうして得られた超電導体多結晶体のＪｃ測定にあたっては、上記プロセスにて得られた多結晶体を短冊状に切り出し、電極を作成し測定用試料とした。この試料を４端子通電法にてＪｃを測定した。
【００３１】
以下、上述の製造工程にしたがい、特定の工程の条件を定めて製造した例を実施例として説明する。
（実施例１）
１次仮焼は乾燥空気中７８０℃で１０時間行ったものと、８００℃で１０時間行ったものとを用意した。この二つの仮焼粉を均等に混合し、粉砕した。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒とを５：１００（重量比）の割合で混合した混合液を溶媒に用い、平均粒子径が２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾燥は減圧乾燥法で密閉系で行い、大気中の水分やカーボンが吸着しないようにした。
【００３２】
再び仮焼を乾燥空気中７９０℃で１０時間行い仮焼粉を得た。平均粒径は２．５μｍ以下であり、ＸＲＤにて確認したところＢｉ−２２１２相及びＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていた。この時の仮焼粉の炭素含有量は１８０ｐｐｍであった。この仮焼粉を用いて、上述した焼結条件にて焼結体を作製した。ただし、１軸成形、焼結及び中間圧縮の条件は、以下の通りとした。１軸成形…プレス成型：直径２０φｍｍ、厚さ２ｍｍの円盤状圧粉体に３．０Ｔｏｎ／ｃｍ２焼結…８５０℃にて５０時問（大気中）中間圧縮…ＣｌＰ法で３．０Ｔｏｎ／ｃｍ２
【００３３】
こうして得られた試料を短冊状に切り出し、Ａｇ電極を作製し、４端子通電法により７７Ｋで臨界電流密度Ｊｃを測定したところ、１０５００Ａ／ｃｍ２の値か得られた。この試料を劈開し、日本電子株式会社製走査型電子顕微鏡ＪＳＭ−５２００型にて観察したところ、Ｃ軸方向の厚みが０．５μｍ以上の結晶を含んでいた。
【００３４】
（実施例２）
１次仮焼は乾燥空気中７６０℃で１０時間行ったものと、８００℃で１０時間行ったものとを用意した。この二つの仮焼紛を均等に混合し扮砕した。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒とを５：１００（重量比）の割合で混合した混合液を溶媒に用い、平均粒子径が２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾燥は減圧乾燥法にて密閉系で行い、大気中の水分やカーボンが吸着しないようにした。
【００３５】
再び仮焼を乾操空気中７８０℃で１０時間行い仮焼粉を得た。平均粒径は２．５μｍ以下であり、ＸＲＤにて確認したところＢｉ−２２１２相及びＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていた。この試料のＪＣは、９０００Ａ／ｃｍ２の値を示した。この時の仮焼粉の炭素含有量は２８０ｐｐｍであった。
【００３６】
（比較例ｌ）
仮焼は乾燥空気中７９０℃で１０時間行った。この反焼粉を粉砕した。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒とを５：１００（重量比）の割合で混合した混合液を溶媒に用い、平均粒子径が２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾操は減圧乾操法で密閉系で行い、大気中の水分やカーボンが吸着しないようにした。再び仮焼を乾燥空気中７９０℃でｌ０時間行い、仮焼粉を得た。Ｂｉ−２２０１相・Ｂｉ・２２１２相及びＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていた。この試料のＪｃは、５０００Ａ／ｃｍ２の値を示した。この時の仮焼粉の炭素含有量は２２０ｐｐｍであった。
【００３７】
（比較例２）
比較例１において仮焼粉作製時に、仮焼温度度を７８０℃とした以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。Ｂｉ−２２０１相・Ｂｉ・２２１２  相及びＣａ２ＰｂＯ４，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていた。この時の仮焼粉の炭素含有量は３８０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、５５００Ａ／ｃｍ２の値を示した。
【００３８】
図２は上述の実施例１〜２及び比較例１〜２の結果をまとめて表にして示した図である。なお、実施例１，２、比較例１，２における仮焼粉の炭素含有量は、８０〜３８０ｐｐｍのバラツキがあるが、４００ｐｐｍ以下の炭素含有量ではＪｃに影響を与えることはなく、したがって、実施例と比較例におけるＪｃの違いは炭素含有量の差によるものではないと考えられる。
【００３９】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明は、仮焼の際の最高温度を７２０℃〜８４０℃、より望ましくは７６０℃〜８２０℃とし、その温度内で仮焼して得た複数の１次仮焼粉を少なくとも２種類以上混合して、再度２次仮焼して得たことを特徴とするもので、これにより、焼結法を用いて高い臨界電流密度特性を有するＢｉ系酸化物超電導体を得ることができるＢｉ系酸化物超電導体製造用仮焼粉及びこの仮焼粉を用いて製造したＢｉ系酸化物超電導体を得ているものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々の仮焼温度におけるＢｉ−２２１２相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値とＢｉ−２２０１相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値との比の値（実線部）、及び、Ｂｉ−２２１２相の結晶の１１５面のＸ線回折ピーク値とＢｉ−２２２３相の結晶の００１０面のＸ線回折ピーク値との比の値（点線部）を示すグラフである。
【図２】実施例と比較例との結果をまとめて表にして示した図である。
【図１】
0004215180.tif 000002
【図２】
0004215180.tif 000003