【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された半導体基板を保持するステージと、
前記半導体基板の表面を観察する観察部と、
前記半導体基板の厚さである基板厚情報を取得する取得部と、
前記ステージに保持された前記半導体基板の表面が前記観察部の観察可能な範囲に入るように、前記取得部で取得された前記基板厚情報に基づいて前記ステージと前記観察部との相対位置を調整する調整部と
を備える基板観察装置。
【請求項２】
前記調整部は、前記観察部による前記半導体基板の観察前に、前記ステージと前記観察部との相対位置を調整する請求項１に記載の基板観察装置。
【請求項３】
前記取得部は、前記基板厚情報として、前記観察部による観察が開始される前に実測された前記半導体基板の厚さの実測値を取得する請求項１または２に記載の基板観察装置。
【請求項４】
前記取得部は、前記半導体基板の前記表面の周縁部に対して斜めに投光される光を観察して取得される画像情報に基づいて算出される前記実測値を前記基板厚情報として取得する請求項３に記載の基板観察装置。
【請求項５】
前記取得部は、同一条件で形成された同一ロットの複数の前記半導体基板に対して、前記実測値を適用する請求項３または４に記載の基板観察装置。
【請求項６】
前記取得部は、前記半導体基板の複数の箇所における前記厚さの平均値を前記実測値として取得する請求項３から５のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項７】
前記取得部は、前記半導体基板の規格に基づく厚さである規格基準厚に基づいて前記基板厚情報を取得する請求項１から６のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項８】
前記半導体基板が、積層された複数の半導体基板からなる場合、前記取得部は、前記半導体基板の積層数に基づいて前記基板厚情報を取得する請求項１から７のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項９】
前記取得部は、薄化された半導体基板の基準厚さである薄化基準厚に基づいて前記基板厚情報を取得する請求項８に記載の基板観察装置。
【請求項１０】
前記取得部は、前記基板厚情報として、ユーザが入力する基板厚入力値を取得する請求項１から９のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項１１】
前記ステージは基板ホルダを介して前記半導体基板を保持し、
前記取得部は、前記基板ホルダの厚さであるホルダ厚情報を併せて取得する請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項１２】
前記取得部は、前記ホルダ厚情報として、ユーザが入力するホルダ厚入力値を併せて取得する請求項１１に記載の基板観察装置。
【請求項１３】
前記取得部は、前記基板ホルダの管理ＩＤに対応付けられて管理されている前記ホルダ厚情報を取得する請求項１１に記載の基板観察装置。
【請求項１４】
前記ホルダ厚情報は、前記基板ホルダをメンテナンスしたときに更新される請求項１１から１３のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項１５】
前記ステージは、第１半導体基板を保持する第１ステージと、前記第１半導体基板に対向する第２半導体基板を保持する第２ステージを有し、
前記観察部は、前記第２半導体基板の表面を観察する第１観察部と、前記第２ステージに相対的に固定され、前記第１半導体基板の表面を観察する第２観察部とを有し、
前記取得部は、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板のそれぞれの前記基板厚情報を取得し、
前記調整部は、前記第１ステージと前記第２観察部との相対位置、および、前記第２ステージと前記第１観察部との相対位置を、前記第２ステージを移動させることにより調整する請求項１から１４のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項１６】
回路が形成された半導体基板を基板ホルダを介して保持するステージと、
前記半導体基板の表面を観察する観察部と、
前記基板ホルダの厚さであるホルダ厚情報を取得する取得部と、
前記ステージに保持された前記半導体基板の表面が前記観察部の観察可能な範囲に入るように、前記取得部で取得された前記ホルダ厚情報に基づいて前記ステージと前記観察部との相対位置を調整する調整部と、
を備える基板観察装置。
【請求項１７】
前記調整部は、前記観察部による前記半導体基板の観察前に、前記ステージと前記観察部との相対位置を調整する請求項１６に記載の基板観察装置。
【請求項１８】
前記取得部は、前記ホルダ厚情報として、前記観察部による観察が開始する前に実測された前記基板ホルダの厚さの実測値を取得する請求項１６または１７に記載の基板観察装置。
【請求項１９】
前記取得部は、前記ホルダ厚情報として、ユーザが入力する基板ホルダ厚入力値を取得する請求項１６または１７に記載の基板観察装置。
【請求項２０】
前記取得部は、前記基板ホルダの管理ＩＤに対応付けられて管理されている前記ホルダ厚情報を取得する請求項１６または１７に記載の基板観察装置。
【請求項２１】
前記取得部は、前記半導体基板の厚さである基板厚情報を併せて取得する請求項１６から２０のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項２２】
前記ステージは、第１基板ホルダを介して第１半導体基板を保持する第１ステージと、第２基板ホルダを介して、前記第１半導体基板に対向する第２半導体基板を保持する第２ステージを有し、
前記観察部は、前記第２半導体基板の表面を観察する第１観察部と、前記第２ステージに相対的に固定された、前記第１半導体基板の表面を観察する第２観察部を有し、
前記取得部は、前記第１基板ホルダと前記第２基板ホルダのそれぞれの前記ホルダ厚情報を取得し、
前記調整部は、前記第１ステージと前記第２観察部との相対位置、および、前記第２ステージと前記第１観察部との相対位置を、前記第２ステージを移動させることにより調整する請求項１６から２１のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項２３】
前記観察部は顕微鏡を有し、
前記観察可能な範囲は、前記顕微鏡の焦点深度の範囲である請求項１から２２のいずれか１項に記載の基板観察装置。
【請求項２４】
前記顕微鏡は、前記半導体基板の厚さ方向の焦点調整を行う焦点調整機構を有し、
前記観察可能な範囲は、前記焦点調整機構による焦点調整が可能な範囲である請求項２３に記載の基板観察装置。
【請求項２５】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を重ね合わせて製造されるデバイスの製造方法であって、
前記複数の半導体基板を重ね合わせる工程は、
前記複数の半導体基板の一の半導体基板の厚さである基板厚情報を取得する取得ステップと、
前記一の半導体基板をステージに保持する保持ステップと、
前記一の半導体基板の表面を観察する観察部と前記ステージとの相対位置を、前記取得ステップで取得された前記基板厚情報に基づいて調整する調整ステップと、
前記観察部により前記表面を観察する観察ステップと
を含むデバイスの製造方法。
【請求項２６】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を重ね合わせて製造されるデバイスの製造方法であって、
前記複数の半導体基板を重ね合わせる工程は、
前記複数の半導体基板の一の半導体基板が載置される基板ホルダの厚さであるホルダ厚情報を取得する取得ステップと、
前記一の半導体基板を載置した前記基板ホルダをステージに保持する保持ステップと、
前記一の半導体基板の表面を観察する観察部と前記ステージとの相対位置を、前記取得ステップで取得された前記ホルダ厚情報に基づいて調整する調整ステップと、
前記観察部により前記表面を観察する観察ステップと
を含むデバイスの製造方法。