【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる装置であって、
重ね合わせた前記複数の半導体基板を接合する接合部を備え、
前記接合部は、
前記重ね合わせた半導体基板が搬入される搬入位置から、接合された前記重ね合わせた半導体基板が搬出される搬出位置に前記重ね合わせた半導体基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部による搬送過程で前記複数の半導体基板を接合する接合装置と、
を有する基板貼り合わせ装置。
【請求項２】
前記接合装置は、前記搬送部による搬送過程で前記重ね合わせた半導体基板を加熱することにより、前記重ね合わせた半導体基板を互いに貼り合わせる加熱部を有する請求項１に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３】
前記加熱部は、前記搬送部により搬送される前記重ね合わせた半導体基板を加熱しながら移動する請求項２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項４】
前記搬送部は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記加熱部は、前記複数の重ね合わせた半導体基板を個別に加熱する請求項２または３に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項５】
前記加熱部は、前記複数の重ね合わせた半導体基板のそれぞれに対応して配置され、個別に制御される請求項４に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項６】
前記加熱部による加熱温度は、前記重ね合わせた半導体基板の位置が前記搬入位置から遠ざかるにしたがって上昇する請求項２から５のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項７】
前記加熱部による加熱温度は、前記複数の半導体基板が接合される温度まで上昇した後、前記搬出位置に向けて移動するに従って下降する請求項６に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項８】
前記接合装置は、前記搬送部による搬送過程で前記重ね合わせた半導体基板を加圧する加圧部を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項９】
前記加圧部は、前記搬送部により搬送される前記重ね合わせた半導体基板を加圧しながら移動する請求項８に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１０】
前記搬送部は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記加圧部は、前記複数の重ね合わせた半導体基板を個別に加圧する請求項８または９に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１１】
前記加圧部は、前記複数の重ね合わせた半導体基板のそれぞれに対応して配置され、個別に制御される請求項１０に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１２】
前記加圧部は、外部からの流体の出し入れにより前記重ね合わせた半導体基板を加圧する請求項８から１１のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１３】
前記搬送部を収容する真空チャンバーをさらに備え、
前記加圧部は、大気圧と前記真空チャンバーの真空圧との差圧を用いて前記重ね合わせた半導体基板を加圧する請求項８から１２のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１４】
前記搬送部は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記接合装置は、前記搬送部による搬送過程で前記複数の重ね合わせた半導体基板を加圧する加圧部を有し、
前記加圧部は、前記搬送部の搬送経路に対応する形状を有し、前記複数の重ね合わせた半導体基板を一括して加圧する加圧板を有する請求項１または２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１５】
前記搬送部は、前記加圧部によって前記複数の重ね合わせた半導体基板が加圧されているときは搬送せず、前記加圧が行われていないときに搬送する請求項１４に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１６】
前記搬送部の搬送経路は円周である請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１７】
前記接合部での接合前に、前記重ね合わせた半導体基板を第１の時間で加熱して、前記複数の半導体基板を仮接合する仮接合部を備え、
前記搬送部は、前記仮接合部により仮接合された前記重ね合わせ基板を、前記第１の時間よりも長い第２の時間かけて搬送する請求項１から１６のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１８】
前記重ね合わせた半導体基板を保持する基板ホルダを備え、
前記重ね合わせた半導体基板は、前記基板ホルダに保持された状態で前記仮接合部により前記複数の半導体基板が仮接合される請求項１７に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１９】
前記基板ホルダと前記重ね合わせた半導体基板とを分離する分離部を備え、
前記接合部は、前記基板ホルダから分離された前記重ね合わせ基板の前記複数の半導体基板を接合する請求項１８に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２０】
前記搬出位置から搬出された前記重ね合わせた半導体基板を前記第２の時間よりも短い第３の時間かけて冷却する冷却部をさらに備える請求項１７から１９のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置を用いた積層半導体の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の製造方法により製造された積層半導体。
【請求項２３】
それぞれに回路が形成された複数の半導体基板を貼り合わせる方法であって、
重ね合わせた前記複数の半導体基板を、接合部の搬入位置から搬出位置に搬送する搬送工程と、
前記搬送工程による搬送過程で前記複数の半導体基板を前記接合部で接合する接合工程と、
を含む基板貼り合わせ方法。
【請求項２４】
前記接合工程は、前記搬送工程で前記重ね合わせた半導体基板を加熱することにより、前記重ね合わせた半導体基板を互いに貼り合わせる加熱工程を含む請求項２３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２５】
前記搬送工程は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記加熱工程は、前記複数の重ね合わせた半導体基板を個別に加熱する請求項２４に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２６】
前記加熱工程による加熱温度は、前記重ね合わせた半導体基板の位置が前記搬入位置から遠ざかるにしたがって上昇する請求項２４または２５に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２７】
前記加熱工程による加熱温度は、前記複数の半導体基板が接合される温度まで上昇した後、前記搬出位置に向けて移動するに従って下降する請求項２６に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２８】
前記接合工程は、前記搬送工程における搬送過程で前記重ね合わせた半導体基板を加圧する加圧工程を含む請求項２３から２７のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項２９】
前記搬送工程は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記加圧工程は、前記複数の重ね合わせた半導体基板を個別に加圧する請求項２８に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３０】
前記搬送工程は、複数の前記重ね合わせた半導体基板を搬送し、
前記加圧工程は、前記複数の重ね合わせた半導体基板を一括して加圧する請求項２８に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３１】
前記搬送工程は、前記加圧工程によって前記複数の重ね合わせた半導体基板が加圧されているときは搬送せず、前記加圧が行われていないときに搬送する請求項３０に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３２】
前記接合工程の前に、前記重ね合わせた半導体基板を第１の時間で加熱して、前記複数の半導体基板を仮接合する仮接合工程を含み、
前記搬送工程は、前記仮接合工程で仮接合された前記重ね合わせ基板を、前記第１の時間よりも長い第２の時間かけて搬送する請求項２３から３１のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３３】
前記重ね合わせた半導体基板を基板ホルダに保持する保持工程を含み、
前記仮接合工程は、前記重ね合わせた半導体基板が前記基板ホルダに保持された状態で仮接合する請求項３２に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３４】
前記基板ホルダと前記重ね合わせた半導体基板とを分離する分離工程を含み、
前記接合工程は、前記基板ホルダから分離された前記重ね合わせた半導体基板の前記複数の半導体基板を接合する請求項３３に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３５】
前記搬出位置から搬出された前記重ね合わせた半導体基板を第２の時間よりも短い第３の時間かけて冷却する冷却工程をさらに含む請求項２３から３４のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【請求項３６】
前記接合工程は、複数の前記重ね合わせた半導体基板のそれぞれの前記複数の半導体基板を接合し、
少なくとも一つの前記重ね合わせた半導体基板に対して前記接合工程が行われている間に、他の前記重ね合わせた半導体基板の搬入工程、前記接合工程、及び、搬出工程が行われる請求項２３から３５のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板貼り合わせ装置、積層半導体の製造方法、積層半導体及び基板貼り合わせ方法