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【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む、ブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器またはブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの血管組織を脱細胞化するエクスビボの方法：
細胞外マトリックスおよび該細胞外マトリックスに埋没した細胞を有するブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器を提供する段階、または細胞外マトリックス、血管樹、および該細胞外マトリックスに埋没した細胞を有するブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの血管組織を提供する段階；
1か所もしくは複数の腔、血管、および/または管において、カニューレを該臓器または該組織に挿入することで、カニューレが挿入された臓器または組織を作製する段階；ならびに
外表面および血管樹を有する細胞外マトリックスを含む、脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器、若しくは、細胞外マトリックスおよび血管樹を含む、ブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの組織を得る目的で、カニューレが挿入された該臓器または組織に第1の細胞破壊媒体を灌流する段階であって、ここで、該臓器または組織の該脱細胞化された細胞外マトリックスが、脱細胞化された細胞外マトリックス血管樹へ導入された液体の大半を保持する、前記灌流する段階。
【請求項２】
血管床の全体に第1の細胞破壊媒体を本質的に接触させる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
灌流が、カニューレが挿入された各々の腔、血管、および/または管から多方向へ向かい、特にカニューレが挿入された臓器に第2の細胞破壊媒体を、1もしくは複数のカニューレ挿入を介して灌流する段階をさらに含み、特にここで、該第2の細胞破壊媒体がDNaseを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
脱細胞化された臓器または組織の細胞外マトリックスを含む、脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器または組織であって、
該臓器の該細胞外マトリックスがインタクトな外表面と、血管樹とを含み、
ここで、該組織の該細胞外マトリックスが、血管樹を含み、さらにここで、該臓器または組織の該脱細胞化された細胞外マトリックスが、脱細胞化された細胞外マトリックス血管樹へ導入された液体の大半を保持し、
かつ、該臓器または組織が請求項1記載の方法により調製される、
脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器または組織。
【請求項５】
血管樹を含む脱細胞化された細胞外マトリックスを含む、脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器の一部であって、
該一部の該脱細胞化された細胞外マトリックスが、脱細胞化された細胞外マトリックスまたは血管樹へ導入された液体の大半を保持し、かつ
該一部が、請求項1記載の方法により調製される、
脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器の一部。
【請求項６】
請求項４または５記載の、灌流により脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器、灌流により脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器の血管を有する部分、灌流により脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの血管を有する組織を提供する段階であって、ここで、該臓器の該脱細胞化された細胞外マトリックスが、インタクトな外表面を含み、ここで、該臓器または該外部分の該脱細胞化されたマトリックスが、インタクトな血管床を含む血管樹の細胞外マトリックス成分を含み、かつ、ここで、該細胞外マトリックスが、脱細胞化された細胞外マトリックス血管樹へ導入された液体の大半を保持し、ならびに
再生細胞が、該脱細胞化された該臓器、部分、もしくは組織の内部または表面で生着、増殖、および/または分化する条件下で、該脱細胞化された該臓器、部分、もしくは組織に該再生細胞の集団を接触させる段階、または
再細胞化過程中に細胞を補助または刺激する1種類または複数の化合物と、該脱細胞化された該臓器または組織を接触させる段階
を含む、エクスビボで、ブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器、またはブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器または組織の血管を有する部分を作製する方法。
【請求項７】
脱細胞化された臓器または組織に付着する再生細胞の数が、約1,000細胞/mg組織〜約10,000,000細胞/mg組織である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
再生細胞が、多能性細胞、ヒト胚性細胞以外の胚性幹細胞もしくはそのサブセット、臍帯細胞もしくはそのサブセット、骨髄細胞もしくはそのサブセット、末梢血細胞もしくはそのサブセット、成体由来の幹細胞もしくは前駆細胞またはそのサブセット、組織由来の幹細胞もしくは前駆細胞またはそのサブセット、間葉系幹細胞(MSC)もしくはそのサブセット、骨格筋由来の幹細胞もしくは前駆細胞またはそのサブセット、多能性成体前駆細胞(MAPC)もしくはそのサブセット、心臓幹細胞(CSC)もしくはそのサブセット、または多能性成体心臓由来幹細胞もしくはそのサブセット、心臓線維芽細胞、心臓微小血管系内皮細胞、または大動脈内皮細胞である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
再生細胞が脱細胞化された臓器に対して同種または異種であるか、再生細胞が前記細胞外マトリックスに対して同種または異種であるか、臓器もしくは組織が機械的負荷または機械的圧力にさらされている、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記１つの化合物が成長因子であるか、凝固カスケードを調節する因子であるか、または免疫調節物質である、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
脱細胞化された細胞外マトリックスを含む、脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器であって、
該細胞外マトリックスが、インタクトな外表面および血管樹を含み、該臓器の該脱細胞化細胞外マトリックスが、脱細胞化された細胞外マトリックス血管樹へ導入された液体の大半を保持する、脱細胞化されたブタ、ウシ、ヒツジ、イヌまたはヒトの臓器。
【請求項１２】
前記臓器が、心臓、腎臓、肝臓、脾臓、膵臓、膀胱、骨格筋、小腸、大腸、胃、骨、脳、または肺である、請求項1１記載の脱細胞化された臓器。
【請求項１３】
心臓がヒトの心臓である、請求項１２記載の脱細胞化された臓器。
【請求項１４】
心臓が心臓全体の一部である、請求項１２記載の脱細胞化された臓器。
【請求項１５】
心臓全体の一部が、大動脈弁、僧帽弁、肺動脈弁、三尖弁、右心房、左心房、右心室、左心室、心臓パッチ(cardiac patch)、中隔、冠血管、肺動脈、および肺静脈である、請求項１４記載の脱細胞化された臓器。
【請求項１６】
前記腎臓が、実質的にインタクトな糸球体構造を含む、請求項１２記載の脱細胞化された臓器。
【請求項１７】
請求項1１記載の脱細胞化された臓器を提供する段階、ならびに
再生細胞が、該脱細胞化された臓器の内部もしくは表面で生着、増殖、および/または分化する条件下で、該脱細胞化された臓器に該再生細胞の集団を接触させる段階
を含む、臓器を作製する方法。
【請求項１８】
再生細胞が、脱細胞化された臓器または組織に注入または灌流される、請求項６または１６記載の方法。
【請求項１９】
脱細胞化された臓器が、心臓、腎臓、肝臓、脾臓、膵臓、膀胱、骨格筋、小腸、大腸、胃、骨、脳または肺である、請求項１、６または１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の乳房が載置される撮影台と、
Ｘ線を発生するためのＸ線管と、
前記Ｘ線管及び前記撮影台を保持するアームと、
前記被検体の乳房を透過したＸ線を検出するためのＸ線検出器と、
前記撮影台より前記Ｘ線管側に、前記被検体の五指で握る状態を排除して、前記被検体の指先を引っ掛ける状態を生成するために凸状に湾曲した表面を有するアームレストと、
を具備することを特徴とするマンモグラフィ装置。
【請求項２】
前記アームレストは、前記アームの外形に沿って備わることを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【請求項３】
前記アームレストは、前記被検体の立ち位置側から見てＵ字形に設けられることを特徴とする請求項２記載のマンモグラフィ装置。
【請求項４】
前記アームレストを前記アーム上に設置する台座部を更に有し、
前記台座部は、前記アームレストと前記アームとの間に間隙ないように前記アームレストと略等価な長さを有することを特徴とする請求項３記載のマンモグラフィ装置。
【請求項５】
前記台座部は前記アームレストの本体部分よりも短い幅を有することを特徴とする請求項４記載のマンモグラフィ装置。
【請求項６】
前記アームレストは、少なくとも１５ｍｍの厚さを有する湾曲部分と、前記湾曲部分を支える少なくとも１５ｍｍの厚さを有する平板部分とからなることを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【請求項７】
前記台座部は、少なくとも２４ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【請求項８】
前記アームレストは、１００〜１１０ｍｍから選択された半径で湾曲することを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【請求項９】
前記台座部は、一方の側が前記アームレストより凹み、他方の側がすそ野様に広がり前記アームレストより広い幅を有することを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【請求項１０】
前記アームレストは、少なくとも９０ｍｍの幅を有することを特徴とする請求項１記載のマンモグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力発生室を有する第１の基板と、
圧力発生室に液体を供給する貫通孔としての第１流路を有する第２の基板と、
前記第１流路に液体を供給する第２流路を前記第２基板側の表面の窪みとして有し、前記第２流路に液体を供給する貫通孔としての第３流路を有する第３の基板と、
が前記第１の基板と前記第３の基板との間に前記第２の基板が位置するように積層された液体噴射ヘッドであって、
前記第２流路は、前記第３流路から前記第３の基板の前記表面に対して沿う方向に流れる液体を、前記第３の基板の前記表面に交差する方向に供給する
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
第１の基板と、
第２の基板と、
第３の基板と、
が前記第１の基板と前記第３の基板との間に前記第２の基板が位置するように積層された液体噴射ヘッドであって、
前記第１の基板は圧力発生室を有し、
前記第２の基板は貫通孔としての第１流路を有し、
前記第３の基板は、前記第２基板側の窪みである第２流路と、前記第２流路と連続し前記第２流路よりも深さが深い第３流路と、を有し、
前記第２流路と前記第３流路との間で深さが切り替わり、
前記液体は、前記第３流路から前記第２流路に流れ、前記第２流路において流れの方向を変え、
前記液体は、前記第２流路から前記第１流路を経由して前記圧力発生室に流れる
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
圧力発生室を有する第１の基板と、
圧力発生室に液体を供給する貫通孔としての第１流路を有する第２の基板と、
前記第１流路に液体を供給する第２流路を有する第３の基板と、
が前記第１の基板と前記第３の基板との間に前記第２の基板が位置するように積層された液体噴射ヘッドであって、
前記第２流路は、前記第３の基板の窪みとして形成された下流部と、前記下流部の上流側に位置し前記下流部よりも深さが深い上流部と、を備え、
前記第２流路は、前記上流部と前記下流部との間で深さが切り替わり、
前記第２流路は、前記上流部から前記下流部に流れる液体を、前記下流部において流れの向きを変えて前記第１流路に液体を供給する
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記第３流路は、複数の前記第２流路に液体を供給することを特徴とする請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記第１の基板と前記第２の基板との間に積層された第４の基板をさらに備え、
前記第１流路は前記第４の基板を貫通し、前記第３の基板と前記第４の基板とを接着する接着剤層は前記第１流路の内側に露出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項６】
第１の基板に設けられた圧力発生室と、
接着剤層を介して接着された第２の基板と第３の基板とを貫通した第１流路と、
第４の基板の前記第３基板側の窪みであり、前記第１流路よりも流路断面積が小さい第２流路と、
を備えた液体噴射ヘッドであって、
前記第１の基板、前記第２の基板、前記第３の基板、前記第４の基板の順で積層され、
前記第２流路、前記第１流路、前記圧力発生室、ノズル開口の順で液体が流れ、
前記接着剤層は前記第１流路内に露出する
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドを備えることを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、型締装置１０の動作について説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
先ず、仮止め作業後、リニアモータ２８を駆動し、可動プラテン１２を可動金型１６に当接させる。このとき、電磁石４９と吸着部５１との間に形成されるギャップδ（＞０）は所定値δ０以下となり、ギャップ監視スイッチ２０４がオン状態となる。ギャップδが所定値δ０以下となるよう、リニアモータ２８の駆動後または駆動前に、型厚調整装置７０を用いて、吸着板２２と可動プラテン１２との間の距離を調整してよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波プラズマ処理装置であって、
内部にてプラズマ処理が行われる処理容器と、
マイクロ波を出力するマイクロ波源と、
前記マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝送する矩形導波管と、
前記矩形導波管を伝送したマイクロ波のモードを変換する同軸変換機と、
前記同軸変換機にてモードを変換されたマイクロ波を伝送する同軸導波管と、
前記スロット板に対して非接触の状態で前記同軸導波管の内部導体に取り付けられたテーパー状のコネクタ部と、
前記処理容器内へマイクロ波が導入される多数のスロットを有し、中心に開口を有するスロット板と、
前記スロット板の開口を貫通して前記テーパー状のコネクタ部の下面に連結する導電性の設置台と、
前記スロット板と前記設置台との間に配置され、前記設置台を通じて前記テーパー状のコネクタ部と前記スロット板とを電気的に接続する導電性弾性体とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記スロット板に隣接して設けられた遅波板及び前記遅波板に隣接して設けられた冷却ジャケットを有し、
少なくとも前記遅波板と前記冷却ジャケットとの間、及び前記テーパー状のコネクタ部と前記遅波板との間には隙間が形成されている請求項１に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導電性弾性体は、線材の金属シールド部材である請求項２に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項４】
昇温後において前記テーパー状のコネクタ部の被処理体に向かう面と、前記スロット板に隣接して設けられた遅波板の被処理体に向かう面とが同一面内に位置する請求項１に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記設置台は、外周につば部を有し、
前記導電性弾性体は、前記つば部と前記スロット板との間に設けられる請求項１に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記設置台のつば部は、段差を有し、
前記導電性弾性体は、前記つば部に設けられた最も内側の段差より外側に設けられる請求項５に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記設置台のつば部は、段差の角が丸く形成されている請求項６に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記設置台のつば部と前記スロット板との間隔は、前記導電性弾性体が、昇温によるテーパー状のコネクタ部の変位を吸収しながら、前記テーパー状のコネクタ部を介して前記スロット板を前記内部導体に電気的に接続する程度に離れている請求項５に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項９】
前記スロット板に隣接して設けられた遅波板及び前記遅波板に隣接して設けられた冷却ジャケットの少なくともいずれかの表面に絶縁材をコーティングする請求項１に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マイクロ波プラズマ処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に関する。特に、ラジアルラインスロットアンテナから放出されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスを励起させ、被処理体をプラズマ処理するマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある態様によれば、マイクロ波プラズマ処理装置であって、内部にてプラズマ処理が行われる処理容器と、マイクロ波を出力するマイクロ波源と、前記マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝送する矩形導波管と、前記矩形導波管を伝送したマイクロ波のモードを変換する同軸変換機と、前記同軸変換機にてモードを変換されたマイクロ波を伝送する同軸導波管と、前記スロット板に対して非接触の状態で前記同軸導波管の内部導体に取り付けられたテーパー状のコネクタ部と、前記処理容器内へマイクロ波が導入される多数のスロットを有し、中心に開口を有するスロット板と、前記スロット板の開口を貫通して前記テーパー状のコネクタ部の下面に連結する導電性の設置台と、前記スロット板と前記設置台との間に配置され、前記設置台を通じて前記テーパー状のコネクタ部と前記スロット板とを電気的に接続する導電性弾性体とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
なお、前記導電性弾性体は、線材の金属シールド部材であってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記設置台は、外周につば部を有し、前記導電性弾性体は、前記つば部と前記スロット板との間に設けられてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記設置台のつば部は、段差を有し、前記導電性弾性体は、前記つば部に設けられた最も内側の段差より外側に設けられてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記設置台のつば部と前記スロット板との間隔は、前記導電性弾性体が、昇温によるテーパー状のコネクタ部の変位を吸収しながら、前記テーパー状のコネクタ部を介して前記スロット板を前記内部導体に電気的に接続する程度に離れていてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第３の光電変換素子とを含む複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれにて生じた信号電荷を転送するための複数のトランジスタとが半導体基板に配された光電変換装置において、
前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、前記信号電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域が配され、
前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間に、前記第１の幅より狭い第２の幅の第１導電型の第２の半導体領域が配され、
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域の下部に設けられた、第３の幅の第１導電型の第３の半導体領域と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記信号電荷を転送するための複数のトランジスタの１つと、前記複数の光電変換素子の１つとが対応して配され、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間に前記信号電荷を転送するためのトランジスタの１つが配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の半導体領域と、前記第２の半導体領域と、前記第３の半導体領域とは、前記信号電荷に対してポテンシャルバリアとして機能することを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域はそれぞれ複数の半導体領域から構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第３の半導体領域は複数の半導体領域から構成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第３の幅は前記第２の幅と等しいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記複数の光電変換素子は、前記信号電荷を蓄積するための第２導電型の半導体領域をそれぞれ有し、
前記第３の半導体領域の上面は、前記第２導電型の半導体領域の底面と比べて、前記半導体基板の等しい位置あるいは深い位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１の半導体領域あるいは前記第２の半導体領域の上部に、絶縁体を含む素子分離構造が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記複数の光電変換素子の上部にカラーフィルタが配されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記カラーフィルタは複数の色のカラーフィルタであり、
前記第１の光電変換素子の上部には、前記複数の色のカラーフィルタのうち、最も長い波長の色に対応したカラーフィルタが配されたことを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記複数の光電変換素子は、第４の光電変換素子を有し、
前記カラーフィルタはベイヤー配列の赤、青、緑のカラーフィルタを有し、
前記第１の光電変換素子の上部に前記赤のカラーフィルタが配され、前記第２および第３の光電変換素子の上部に前記緑のカラーフィルタが配され、前記第４の光電変換素子の上部に前記青のカラーフィルタが配され、
前記第４の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間には、前記第１の半導体領域が配され、
前記第４の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間には、前記第２の半導体領域が配され、
前記第３の半導体領域は、少なくとも前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間の前記第１の半導体領域の下部と、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間の前記第２の半導体領域の下部に、配されていることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第３の半導体領域は、前記第４の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間の前記第１の半導体領域の下部と、前記第４の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間の前記第２の半導体領域の下部に、配されていることを特徴とする請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記複数の光電変換素子は２次元に配され、
前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子とは第１の方向に沿って配され、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子とは第２の方向に沿って配され、
前記第１の方向と前記第２の方向とは直交していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域とは等しい深さまで配されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記転送された信号電荷を読み出す増幅トランジスタと、前記転送された信号電荷をリセットするリセットトランジスタを更に有し、
前記増幅トランジスタと、前記リセットトランジスタは、前記第１の半導体領域の上部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理部とを有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の光電変換装置は、第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第３の光電変換素子とを含む複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子のそれぞれにて生じた信号電荷を転送するための複数のトランジスタとが半導体基板に配された光電変換装置において、前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、前記信号電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域が配され、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間に、前記第１の幅より狭い第２の幅の第１導電型の第２の半導体領域が配され、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域の下部に設けられた、第３の幅の第１導電型の第３の半導体領域と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検光学系の結像性能を測定する測定装置であって、
前記被検光学系の物体面に配置され、複数の物体高のそれぞれに応じて配置された周期パターンを有する第１の基準基板と、
前記被検光学系の像面に配置され、前記周期パターンからの光を透過する開口を有する第２の基準基板と、
前記開口を透過した前記周期パターンからの光の強度を検出する検出部と、
前記第１の基準基板及び前記第２の基準基板の少なくとも一方を駆動する駆動部と、
前記被検光学系の結像性能を求めるための処理を行う処理部と、
を有し、
前記処理部は、
前記周期パターンから前記被検光学系の瞳面上の２つの位置を通過する２つの回折光が生じる第１の回折条件において、前記駆動部によって前記第１の基準基板及び前記第２の基準基板の少なくとも一方を前記被検光学系の光軸に垂直な方向に駆動したときに前記検出部で検出される前記周期パターンからの光の強度の変化から前記２つの回折光間の位相差を前記複数の物体高に対応する複数の像高のそれぞれについて求め、
前記周期パターンから前記瞳面上の２つの位置を通過する２つの回折光が生じ、且つ、当該２つの回折光のうち少なくとも１つの回折光の前記瞳面に入射する位置が前記第１の回折条件において前記周期パターンから生じる２つの回折光のそれぞれの前記瞳面に入射する位置と異なる第２の回折条件において、前記駆動部によって前記第１の基準基板及び前記第２の基準基板の少なくとも一方を前記光軸に垂直な方向に駆動したときに前記検出部で検出される前記周期パターンからの光の強度の変化から前記２つの回折光間の位相差を前記複数の物体高に対応する複数の像高のそれぞれについて求め、
前記第１の回折条件における前記複数の像高での前記２つの回折光間の位相差と前記２つの回折光のそれぞれが前記瞳面に入射する位置、及び、前記第２の回折条件における前記複数の像高での前記２つの回折光間の位相差と前記２つの回折光のそれぞれが前記瞳面に入射する位置に基づいて、前記被検光学系の像面湾曲を含む結像性能を求めることを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記被検光学系の結像性能として、前記第１の回折条件における前記複数の像高での前記２つの回折光間の位相差と前記２つの回折光のそれぞれが前記瞳面に入射する位置、及び、前記第２の回折条件における前記複数の像高での前記２つの回折光間の位相差と前記２つの回折光のそれぞれが前記瞳面に入射する位置に基づいて、前記被検光学系のディストーションを更に求めることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記被検光学系の波面を検出する波面検出部を更に有し、
前記処理部は、
前記波面検出部で検出された波面からその波面のＲＭＳを最小化するティルト成分及びデフォーカス成分を除去して第１の波面を求める第１の処理と、
前記第１の回折条件及び前記第２の回折条件のそれぞれについて、前記２つの回折光のそれぞれが前記瞳面に入射する位置間における前記第１の波面の位相差を求める第２の処理と、
前記第１の回折条件及び前記第２の回折条件のそれぞれについて、前記第２の処理で求めた前記第１の波面の位相差と前記２つの回折光間の位相差とが一致するティルト成分及びデフォーカス成分を求める第３の処理と、
前記第１の処理で求めた前記第１の波面に前記第３の処理で求めたティルト成分及びデフォーカス成分を加えて前記被検光学系のディストーション及び像面湾曲を含む波面収差を求める第４の処理と、
を行うことを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
前記開口は、前記周期パターンを前記被検光学系の像面に投影した像の寸法よりも小さい寸法を有することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記周期パターンは、前記第１の回折条件において使用される第１の周期パターンと、前記第２の回折条件において使用される第２の周期パターンとを含み、
前記第１の周期パターンは、振幅透過率が一定であり、且つ、位相が０又はπとなる位相型の周期パターンであり、
前記第２の周期パターンは、振幅透過率が２値をとり、且つ、振幅透過率の変化の半周期ごとに位相が０からπの間で変化する位相振幅変調型の周期パターンであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の測定装置。
【請求項６】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系を被検光学系として結像性能を測定する測定装置と、
を有し、
前記測定装置は、請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の測定装置であることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子が配置された表示領域が設けられた基板と、
前記表示領域の基板を覆う有機保護膜と、
前記有機保護膜を覆う無機保護膜と、
を備える表示装置であって、
前記基板は、
前記基板の面に沿ってかつ前記表示領域を囲む辺と交差する方向に延びる溝が複数設けられ、前記溝が前記有機保護膜で覆われている領域と、
前記溝が複数設けられた領域の周囲に、前記溝が設けられておらず前記無機保護膜が前記表示領域から延在して形成されている領域と、
をさらに有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記溝の幅は、５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記溝の間隔は、５μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記溝の設けられていない領域の最表面は、無機材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
回路を備える基板の上に第１有機絶縁膜を形成する工程と、
前記第１有機絶縁膜の上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極のそれぞれに応じた複数の開口を有する第２有機絶縁膜を形成する工程と、
前記複数の開口を覆う有機化合物膜を形成する工程と、
前記有機化合物膜の上に第２電極を形成する工程と、
前記第２電極の上に有機保護膜を形成する工程と、
前記有機保護膜を覆う無機保護膜を形成する工程と、
を有する表示装置の製造方法であって、
前記第１有機絶縁膜を形成する工程、前記第１電極を形成する工程、第２有機絶縁膜を形成する工程のいずれかの工程が、
前記基板の面に沿って、前記複数の開口の最外周の開口と交差する方向に、所定位置まで複数の溝を設ける工程を含んでおり、
前記有機保護膜を形成する工程は、有機保護膜材料を塗布して形成する工程であって、前記有機保護膜材料の塗布端部が、前記複数の溝の一部にかかるように配置する工程と、
前記有機保護膜材料を前記所定位置まで広げる工程と、
を有していることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の溝を設ける工程は、フォトリソグラフィによって設けられることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜用基板及び発光素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の第１の面上に設けられ、発熱部を有する光吸収層と、
前記第１の基板の第１の面上に設けられ、断熱効果を有する光透過層と、
前記光透過層上に設けられ、前記発熱部と離れた位置に配置される反射層と、
前記第１の基板の第１の面の最表面に設けられた材料層と、を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
発熱部を有する光吸収層と、断熱効果を有する光透過層と、前記光透過層上に設けられた反射層と、最表面に設けられた材料層と、を有する第１の基板を用いた発光素子の作製方法であって、
第２の基板上に、陽極または陰極のいずれか一方である第１の電極を形成し、
前記被成膜用基板上に、前記第１の電極の端部と重なるように絶縁層を形成し、
前記第１の基板の前記材料層と、前記第２の基板とを対向させ、
前記材料層に、前記第１の基板側から光を照射して、前記第１の電極上の前記絶縁層で囲まれた領域にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に、前記陽極または前記陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを少なくとも有するスパッタリングチャンバー内に基板を設置し、該基板の上に下電極を形成することと、
前記銅ターゲットおよび前記シリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行い、前記下電極の表面にＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率が１〜１５％である可変抵抗層を沈積させることと、
前記可変抵抗層の上に上電極を形成することと
を含む抵抗メモリの製造方法。
【請求項２】
前記銅ターゲットおよび前記シリコン酸化物ターゲットに印加された直流電圧またはラジオ周波電圧の仕事率が、互いに異なる請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
銅（Ｃｕ）およびシリコン酸化物（ＳｉＯ2）から作られ、Ｃｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率が１〜１５％である複合ターゲットを少なくとも有するスパッタリングチャンバー内に基板を設置し、該基板の上に下電極を形成することと、
前記複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行い、前記下電極の表面に可変抵抗層を沈積させることと、
前記可変抵抗層の上に上電極を形成することと
を含む抵抗メモリの製造方法。
【請求項４】
前記可変抵抗層の厚さが、１０ｎｍ〜１００ｎｍの間である請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項５】
前記スパッタリングチャンバーが、さらに、前記基板を支持するための基板支持体を備えた請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項６】
前記同時スパッタリングプロセスを行っている間に、前記基板支持体を回転させることをさらに含む請求項５記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項７】
前記同時スパッタリング／スパッタリングプロセスを行っている間に、前記基板を加熱することをさらに含む請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項８】
前記同時スパッタリング／スパッタリングプロセスを行っている間、前記基板の温度が、２５℃〜１５０℃の間である請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項９】
前記同時スパッタリング／スパッタリングプロセスの圧力が、５×１０-3Ｔｏｒｒ〜５×１０-2Ｔｏｒｒの間である請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【請求項１０】
前記同時スパッタリング／スパッタリングプロセスのガスが、１００ｖｏｌ．％のアルゴンガス、または０ｖｏｌ．％よりも大きく２０ｖｏｌ．％以下の酸素ガスを含んだアルゴンガスを含む請求項１または３記載の抵抗メモリの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】抵抗メモリの製造方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明のある実施形態中、上述した同時スパッタリングプロセスのガスは、１００ｖｏｌ．％のアルゴンガス、または０ｖｏｌ．％よりも大きく２０ｖｏｌ．％以下の酸素ガスを含んだアルゴンガスを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明のある実施形態中、上述したスパッタリングプロセスのガスは、１００ｖｏｌ．％のアルゴンガス、または０ｖｏｌ．％よりも大きく２０ｖｏｌ．％以下の酸素ガスを含んだアルゴンガスを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本実施形態において、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットに印加されたＤＣ電圧またはＲＦ電圧の仕事率は、互いに異なる。上述したスパッタリングプロセスの圧力は、例えば、５×１０-3Ｔｏｒｒ〜５×１０-2Ｔｏｒｒの間である。上述したスパッタリングプロセスのガスは、例えば、１００ｖｏｌ．％のアルゴンガス、または０ｖｏｌ．％よりも大きく２０ｖｏｌ．％以下の酸素ガスを含んだアルゴンガスを含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
本実施形態において、操作条件は、以下の通りである。スパッタリングプロセスの圧力を、例えば、５×１０-3Ｔｏｒｒ〜５×１０-2Ｔｏｒｒとし、ガスは、例えば、１００ｖｏｌ．％のアルゴンガス、または０ｖｏｌ．％よりも大きく２０ｖｏｌ．％以下の酸素ガスを含んだアルゴンガスを用いる。また、スパッタリングプロセスの間、基板は、加熱してもしなくてもよい。基板の温度は、例えば、２５℃〜１５０℃である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、
各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各光電変換領域への入射光の波長をλとし、
前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであり、
前記複数の光電変換領域の各々は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域とＰＮ接合を構成し、信号電荷を収集する第２の半導体領域を含んで構成されており、
前記第２の半導体領域上にはコンタクトホールに金属を埋め込んで形成されたプラグが配され、前記第２の半導体領域は前記プラグを介して読み出し回路と電気的に接続されており、
前記第２の半導体領域は前記凹部には設けられていないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記光電変換領域の受光面及び前記凹部の表面に、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い反射防止膜を配することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記埋込領域は、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜に接して該第１の絶縁膜より屈折率が大きい第２の絶縁膜とにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記凹部及び前記埋込領域がＬＯＣＯＳ法で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記凹部は前記第１の半導体領域により囲まれていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記凹部は所定のピッチで繰り返し配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記凹部の深さはλ／４ｎ≦ｄ≦λであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
更に、前記光電変換領域に対応してカラーフィルタを有しており、前記入射光は、前記カラーフィルタを透過する光のピーク波長であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記カラーフィルタはベイヤパターンを有しており、前記入射光は、青色のカラーフィルタを透過する光のピーク波長であることを
特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の
光電変換装置。
【請求項１０】
シリコン基板に配された複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域上に配されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する可視光用光電変換装置において、
各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込むシリコン酸化埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは０．０６μｍ≧ｄ≧０．１５μｍであることを特徴とする可視光用光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月18日(2013.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非線形素子、及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上に接する領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接する領域を有する第２の電極と、
前記第１の電極、前記酸化物半導体層、及び前記第２の電極上のゲート絶縁層と、
前記第２の電極と電気的に接続された第３の電極と、を有し、
前記第１の電極の仕事関数φｍｄ、前記酸化物半導体層の電子親和力χ、前記第２の電極の仕事関数φｍｓが、φｍｓ≦χ≧φｍｄを満たすことを特徴とする非線形素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０１９／ｃｍ３以下であることを特徴とする非線形素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の非線形素子を有する保護回路が設けられた表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、電気陰性度が水素よりも低い金属を有しており、前記ソース電極及びドレイン電極中の水素濃度は、前記酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上である半導体装置。
【請求項２】
ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、積層された複数の導電膜を有し、
前記複数の導電膜のうち、前記酸化物半導体膜に接している導電膜は、電気陰性度が水素よりも低い金属を有しており、
前記酸化物半導体膜に接している前記導電膜中の水素濃度は、前記酸化物半導体膜中の水素濃度の１．２倍以上である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記電気陰性度が水素より低い金属は、チタン、マグネシウム、イットリウム、アルミニウム、タングステン、またはモリブデンである半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリ素子を有する装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御ゲートと、
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記制御ゲートと重なる領域を有する電荷蓄積層と、
第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して前記電荷蓄積層と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続された第１の電極および第２の電極と、
を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極のいずれか一方または両方は、前記第２の絶縁膜と接し、かつ、前記第２の絶縁膜を介して前記電荷蓄積層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル長方向の幅が前記電荷蓄積層の幅よりも大きいことを特徴とするメモリ素子を有する装置。
【請求項２】
メモリ素子とトランジスタとを有し、
前記メモリ素子は、
制御ゲートと、
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記制御ゲートと重なる領域を有する電荷蓄積層と、
第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して前記電荷蓄積層と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続された第１の電極および第２の電極と、
を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記第１の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続された第３の電極および第４の電極と、
を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極のいずれか一方または両方は、前記第２の絶縁膜と接し、かつ、前記第２の絶縁膜を介して前記電荷蓄積層と重なる領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、チャネル長方向の幅が前記電荷蓄積層の幅よりも大きいことを特徴とするメモリ素子を有する装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記メモリ素子は、前記トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とするメモリ素子を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光装置であって、
基板を保持し、ＸＹＺ座標におけるＸＹ平面上の第１位置から前記ＸＹ平面上の第２位置に至る第１経路を移動可能な基板ステージと、
基板を保持して前記ＸＹ平面上の第３位置から前記第２位置に至る第２経路を移動可能な搬送アームと、
前記基板ステージに配置され、前記第２位置で前記搬送アームとの間で基板を受け渡しするために、前記ＸＹＺ座標におけるＺ軸の方向に沿って昇降可能な昇降部材と、
制御部と、を備え、
昇降動作中の前記昇降部材によって保持されている基板と前記搬送アームとの衝突及び昇降動作中の前記昇降部材と前記搬送アームに保持されている基板との衝突を避けるために必要な前記基板ステージと前記搬送アームとの前記ＸＹ平面における間隔をａとするとき、
前記制御部は、前記搬送アームとの間で基板を受け渡しするために開始された前記昇降部材による昇降動作が終了する時点で、前記第２位置に向け移動を開始した前記基板ステージが前記第２位置より前記第１経路において前記間隔ａだけ手前側の第４位置に到着するか否かを判断し、前記基板ステージが前記第４位置に到着しないと判断したならば、前記昇降部材による昇降動作の終了よりも前に前記搬送アームが前記第２位置に向けて移動を開始するように前記基板ステージの移動、前記昇降部材の昇降及び前記搬送アームの移動を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記判断において、前記基板ステージが前記第４位置に到着しないと判断した場合に、前記搬送アームが前記基板ステージと同時又はそれよりも早く前記第２位置に到着するように前記基板ステージの移動、前記昇降部材の昇降及び前記搬送アームの移動を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記判断において、前記基板ステージが前記第４位置に到着すると判断したならば、前記昇降部材による昇降動作が終了する時点において、前記第２位置に向けて移動を開始した前記搬送アームと前記第２位置に向けて移動を開始した前記基板ステージとの前記ＸＹ平面における間隔が前記間隔ａよりも大きくなるように前記基板ステージの移動、前記昇降部材の昇降及び前記搬送アームの移動をさらに制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１位置は、前記基板ステージに保持された基板に対する露光処理が終了した状態または計測処理が終了した状態の当該基板ステージの位置であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
デバイスを製造する方法であって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記複合材料における前記Ｓｂの原子濃度の前記Ｇｅの原子濃度に対する比は０．０７から０．６８である、請求項２に記載の複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記複合材料における前記Ｓｂの原子濃度の前記Ｇｅの原子濃度に対する比は０．１４から０．５８である、請求項２に記載の複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源パターンが形成された電源層を内層に備えた多層からなるインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の一方の表面に設けられている複数の接続用端子と、前記インターポーザ基板の他方の表面に実装されている半導体チップとを有する半導体装置において、
前記複数の接続用端子は、電源用端子、グラウンド用端子、信号用端子からなり、前記電源用端子は電源用スルーホールにより前記電源層の電源パターンおよび前記半導体チップと接続されており、前記グラウンド用端子はグラウンド用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、
前記信号用端子は信号用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、前記電源パターンに形成されているスルーホールはすべて、前記電源パターンと接続された電源用スルーホールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記インターポーザ基板の内層にはさらにグラウンド層が備えられており、前記グラウンド用端子はグラウンド用スルーホールにより前記グラウンド層に設けられたグラウンドパターンおよび前記半導体チップと接続されており、前記グラウンドパターンに形成されるスルーホールは、すべて前記グラウンドパターンと接続された前記グラウンド用スルーホールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記グラウンドパターンは、前記電源パターンと隣接して配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
電源パターンが形成された電源層を内層に備えた多層からなるインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の一方の表面に設けられている複数の接続用端子と、前記インターポーザ基板の他方の表面に実装されている半導体チップとを有する半導体装置において、
前記複数の接続用端子は、少なくとも２種類の電源を供給する電源用端子、グラウンド用端子、信号用端子からなり、前記電源用端子は電源用スルーホールにより前記電源層の少なくとも２つ領域からなる電源パターン、および前記半導体チップと接続されており、前記グラウンド用端子はグラウンド用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、前記信号用端子は信号用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、
前記２つ領域からなる電源パターンに形成されているスルーホールはすべて、それぞれの電源パターンに接続された電源用スルーホールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記インターポーザ基板の内層にはさらにグラウンドパターンが形成されたグラウンド層が備えられており、前記グラウンド用端子はグラウンド用スルーホールにより前記グラウンドパターンおよび前記半導体チップと接続されており、前記グラウンドパターンに形成されるスルーホールは、すべて前記グラウンドパターンと接続された前記グラウンド用スルーホールであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記グラウンドパターンは、前記電源パターンと隣接して配置されていることを特徴と
する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記少なくとも２種類の電源は、電圧がそれぞれ異なっていることを特徴とする請求項
４ないし６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前述した課題を解決するために本発明では、電源パターンが形成された電源層を内層に備えた多層からなるインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板の一方の表面に設けられている複数の接続用端子と、前記インターポーザ基板の他方の表面に実装されている半導体チップとを有する半導体装置において、前記複数の接続用端子は、電源用端子、グラウンド用端子、信号用端子からなり、前記電源用端子は電源用スルーホールにより前記電源層の電源パターンおよび前記半導体チップと接続されており、前記グラウンド用端子はグラウンド用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、前記信号用端子は信号用スルーホールにより前記半導体チップと接続されており、前記電源パターンに形成されているスルーホールはすべて、前記電源パターンと接続された電源用スルーホールである半導体装置、を提供している。