【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記レイリー波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
2012060420.tif 000001
及び、
2012060420.tif 000002
の関係を満足し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
ａ(Ｔc−30)６＋ｂ(Ｔc−30)５＋ｃ(Ｔc−30)４＋ｄ(Ｔc−30)３＋ｅ(Ｔc−30)２＋ｆ(Ｔc−30)＋0.606≦η≦ａ(Ｔc＋30)６＋ｂ(Ｔc＋30)５＋ｃ(Ｔc＋30)４＋ｄ(Ｔc＋30)３＋ｅ(Ｔc＋30)２＋ｆ(Ｔc＋30)＋0.606、
（但し、ａ＝−2.60×10−１２、ｂ＝4.84×10−１０、ｃ＝−2.13×10−８、ｄ＝1.98×10−７、ｅ＝1.42×10−５、ｆ＝1.48×10−４）
を満足することを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記水晶基板のオイラー角ψが、４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°の範囲内にあることを特徴とする請求項２又は３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060420.tif 000003
を満足することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記水晶基板のオイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び前記反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
【請求項１１】
オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表される弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波デバイスの動作温度範囲を設定する工程と、
前記変曲点の温度が前記動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率を設定する工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性表面波デバイス、電子機器、センサー装置および弾性表面波デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
第1の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記レイリー波の波長λと前記電極指間溝の深さＧとが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λの関係を満足し、
前記ＩＤＴのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さＧとが、
2012060420.tif 000004
及び、
2012060420.tif 000005
の関係を満足し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表され、前記変曲点の温度が動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率によって制御されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第３の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
ａ(Ｔc−30)６＋ｂ(Ｔc−30)５＋ｃ(Ｔc−30)４＋ｄ(Ｔc−30)３＋ｅ(Ｔc−30)２＋ｆ(Ｔc−30)＋0.606≦η≦ａ(Ｔc＋30)６＋ｂ(Ｔc＋30)５＋ｃ(Ｔc＋30)４＋ｄ(Ｔc＋30)３＋ｅ(Ｔc＋30)２＋ｆ(Ｔc＋30)＋0.606、
（但し、ａ＝−2.60×10−１２、ｂ＝4.84×10−１０、ｃ＝−2.13×10−８、ｄ＝1.98×10−７、ｅ＝1.42×10−５、ｆ＝1.48×10−４）
を満足することを特徴とする第２の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第４の形態の弾性表面波デバイスは、前記水晶基板のオイラー角ψが、４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°の範囲内にあることを特徴とする第２の形態又は第３の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第５の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚をＨとし、前記ＩＤＴのライン占有率ηが、
2012060420.tif 000006
を満足することを特徴とする第２の形態乃至第４の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第６の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さＧと前記電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することを特徴とする第２の形態乃至第５の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第７の形態の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波の伝播方向に沿ってＩＤＴを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第１の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記水晶基板のオイラー角ψであり、
前記ＩＤＴ及び前記反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内に設定されていることを特徴とする第２の形態乃至第６の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第８の形態の弾性表面波デバイスは、前記ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第１の形態乃至第７の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイス。
第９の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第１０の形態は、第１の形態乃至第８の形態のいずれか１形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
第１１の形態の弾性表面波デバイスの製造方法は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴと、を有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、前記極大値と前記極小値との間に変曲点とを有する曲線で表される弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波デバイスの動作温度範囲を設定する工程と、
前記変曲点の温度が前記動作温度範囲の中心温度Ｔc から±３０℃の範囲内にあるように前記ＩＤＴのライン占有率を設定する工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
本発明のＳＡＷデバイスは、或る側面において、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードのレイリー波を励振するＩＤＴとを有し、
周波数温度特性が極大値と、極小値と、それらの間に変曲点とを有する曲線で表され、変曲点の温度が所望の動作温度範囲内にあるようにＩＤＴのライン占有率によって調整可能であることを特徴とする。