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【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
複数の記録素子を有する記録ヘッドの各記録素子の特性に起因する出力画像の濃度ムラを補正するためのムラ補正値を算出する補正値算出プログラムにおいて、
前記記録ヘッドの各記録素子により記録媒体上に出力された複数の階調値からなる濃度測定用テストパターンの測定結果であって、前記複数の階調値に対する測定値を取得する取得機能と、
前記濃度測定用テストパターンの複数の階調値と前記取得機能により取得された前記複数の階調値に対する測定値とから、階調値を入力、測定値を出力とする記録素子毎の特性関数を算出する特性関数算出機能と、
前記特性関数の逆関数から、任意の複数の値を入力測定値として記録素子毎の出力階調値を取得し、取得した記録素子毎の出力階調値の平均値である平均出力階調値を算出することで、測定値を入力、平均出力階調値を出力とする基準特性関数を算出する基準特性関数算出機能と、
前記基準特性関数の逆関数から任意の複数の値を入力階調値として出力測定値を取得し、前記記録素子毎の特性関数の逆関数から前記取得した出力測定値を入力として記録素子毎の出力階調値を取得することで、前記取得した記録素子毎の出力階調値を前記入力階調値における前記記録素子毎のムラ補正値として算出する補正値算出機能と、
をコンピュータに実現させるための補正値算出プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記目的を達成するために請求項７に記載の補正値算出プログラムは、複数の記録素子を有する記録ヘッドの各記録素子の特性に起因する出力画像の濃度ムラを補正するためのムラ補正値を算出する補正値算出プログラムにおいて、前記記録ヘッドの各記録素子により記録媒体上に出力された複数の階調値からなる濃度測定用テストパターンの測定結果であって、前記複数の階調値に対する測定値を取得する取得機能と、前記濃度測定用テストパターンの複数の階調値と前記取得機能により取得された前記複数の階調値に対する測定値とから、階調値を入力、測定値を出力とする記録素子毎の特性関数を算出する特性関数算出機能と、前記特性関数の逆関数から、任意の複数の値を入力測定値として記録素子毎の出力階調値を取得し、取得した記録素子毎の出力階調値の平均値である平均出力階調値を算出することで、測定値を入力、平均出力階調値を出力とする基準特性関数を算出する基準特性関数算出機能と、前記基準特性関数の逆関数から任意の複数の値を入力階調値として出力測定値を取得し、前記記録素子毎の特性関数の逆関数から前記取得した出力測定値を入力として記録素子毎の出力階調値を取得することで、前記取得した記録素子毎の出力階調値を前記入力階調値における前記記録素子毎のムラ補正値として算出する補正値算出機能と、をコンピュータに実現させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月16日(2013.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
吸気口フランジ５６は、クライオポンプ１０の吸気口１２をゲートバルブ開口６４に適合させるよう構成されている。吸気口フランジ５６は、ゲートバルブ開口６４を囲む弁箱６２の外周部分に装着される。軸方向に見たときに、吸気口フランジ５６の形状がゲートバルブ５８の装着部分の形状に符合しており、当該装着部分に吸気口フランジ５６が当接されて内部の気密性が保たれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
スカート部７８は、入口クライオパネル３２が拡張プレート５２を有しない場合に、冷却プレート５０に設けられていてもよい。また、スカート部７８を冷却プレート５０に設ける代わりに、入口クライオパネル３２がシールド開口端３６に固定されて間隙Ｓが埋められていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
流体を給排する給排ポートが形成されたシリンダチューブと、前記シリンダチューブ内に移動可能に収容されるピストンと、該ピストンと一体のピストンロッドとを備え、前記流体が給排されることで前記ピストンロッドが移動可能とされるとともに、前記ピストンロッドがストロークエンドへ到達する際の衝撃を緩衝させるクッション機構を搭載する流体圧シリンダにおいて、
前記クッション機構は、
前記シリンダチューブ内の前記ピストンロッドの同軸上に設けられ、前記ピストンによって該同軸上に移動可能な移動体と、
前記シリンダチューブ内の前記移動体における前記ピストンの逆側に形成され、前記流体を貯留可能な流体室と、
前記流体室内に貯留した流体を排出可能な排出孔と、を含んで構成されており、
前記ピストンの前記流体室側への移動に伴って前記移動体により該流体室の容積を縮小させるように構成されたことを特徴とする流体圧シリンダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、流体を給排する給排ポートが形成されたシリンダチューブと、前記シリンダチューブ内に移動可能に収容されるピストンと、該ピストンと一体のピストンロッドとを備え、前記流体が給排されることで前記ピストンロッドが移動可能とされるとともに、前記ピストンロッドがストロークエンドへ到達する際の衝撃を緩衝させるクッション機構を搭載する流体圧シリンダにおいて、前記クッション機構は、前記シリンダチューブ内の前記ピストンロッドの同軸上に設けられ、前記ピストンによって該同軸上に移動可能な移動体と、前記シリンダチューブ内の前記移動体における前記ピストンの逆側に形成され、前記流体を貯留可能な流体室と、前記流体室内に貯留した流体を排出可能な排出孔と、を含んで構成されており、前記ピストンの前記流体室側への移動に伴って前記移動体により該流体室の容積を縮小させるように構成されたことを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
マトリクス状に配置された複数の液晶画素と、
前記複数の液晶画素を駆動する駆動回路と、
前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第１光源と、
前記第１光源から出射した光を第１方向へ導く第１導光体と、
前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第２光源と、
前記第２光源から出射した光を前記第１方向と異なる第２方向へ導く第２導光体と、
前記複数の第１光源および前記複数の第２光源を、独立して点灯および消灯可能な光源駆動部と、を備え、
第１サブフレーム期間において、前記光源駆動部は前記複数の第１光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯し、前記第１サブフレーム期間に続く第２サブフレーム期間において前記光源駆動部は前記複数の第２光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯し、
前記光源駆動部は、次のサブフレーム期間における映像信号書き込みの開始前に全ての第１光源および第２光源を消灯する、液晶表示装置。
【請求項２】
各フレーム期間において、前記光源駆動部は前記複数の第１光源および前記複数の第２光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯する、請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の第１光源および前記複数の第２光源のそれぞれは、前記走査方向に並ぶ複数の光源を含む請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記光源駆動部は、前記複数の第１光源および前記複数の第２光源の、前記走査方向に隣り合う光源を異なる駆動信号により駆動する請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶層はＯＣＢモード液晶を含み、
前記駆動部は、各フレーム期間又は各サブフレーム期間において逆転移防止電圧を前記複数の液晶画素へ書き込む、請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
実施形態による液晶表示装置は、一対の基板と、一対の基板間に挟持された液晶層と、マトリクス状に配置された複数の液晶画素と、前記複数の液晶画素を駆動する駆動回路と、前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第１光源と、前記第１光源から出射した光を第１方向へ導く第１導光体と、前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第２光源と、前記第２光源から出射した光を前記第１方向と異なる第２方向へ導く第２導光体と、前記複数の第１光源、および、前記複数の第２光源を、独立して点灯および消灯可能な光源駆動部と、を備える。第１サブフレーム期間において、前記光源駆動部は前記複数の第１光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯し、前記第１サブフレーム期間に続く第２サブフレーム期間において前記光源駆動部は前記複数の第２光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯する。前記光源駆動部は、次のサブフレーム期間における映像信号書き込みの開始前に全ての第１光源および第２光源を消灯する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
マトリクス状に配置された複数の液晶画素と、
前記複数の液晶画素を駆動する駆動回路と、
前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第１光源と、
前記第１光源から出射した光を第１方向へ導く第１導光体と、
前記駆動回路が前記複数の液晶画素を走査する走査方向に並んで配置された複数の第２光源と、
前記第２光源から出射した光を前記第１方向と異なる第２方向へ導く第２導光体と、
前記複数の第１光源および前記複数の第２光源を、独立して点灯および消灯可能な光源駆動部と、を備えた液晶表示装置。
［２］第１サブフレーム期間において、前記光源駆動部は前記複数の第１光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯し、前記第１サブフレーム期間に続く第２サブフレーム期間において前記光源駆動部は前記複数の第２光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯する、［１］記載の液晶表示装置。
［３］前記光源駆動部は、次のサブフレーム期間における映像信号書き込みの開始前に全ての第１光源および第２光源を消灯する、［２］記載の液晶表示装置。
［４］各フレーム期間において、前記光源駆動部は前記複数の第１光源および前記複数の第２光源を走査方向に沿って順次点灯および消灯する、［１］記載の液晶表示装置。
［５］前記複数の第１光源および前記複数の第２光源のそれぞれは、前記走査方向に並ぶ複数の光源を含む［１］乃至［４］のいずれか１記載の液晶表示装置。
［６］前記光源駆動部は、前記複数の第１光源および前記複数の第２光源の、前記走査方向に隣り合う光源を異なる駆動信号により駆動する［５］記載の液晶表示装置。
［７］前記液晶層はＯＣＢモード液晶を含み、
前記駆動部は、各フレーム期間又は各サブフレーム期間において逆転移防止電圧を前記複数の液晶画素へ書き込む、［１］乃至［６］のいずれか１記載の液晶表示装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013190739.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方に第一の電解質溶液を有する第一の対のチャンバと、双方に前記第一の電解質溶液とは異なる第二の電解質溶液を有する第二の対のチャンバとを有し、実質的にシールされている少なくとも４つのチャンバと、
前記少なくとも４つのチャンバ内にそれぞれ対応して形成され、前記少なくとも４つのチャンバと前記複合電極イオンプローブの外部との間のイオン相互作用を可能とするように構成された少なくとも４つのイオン感応領域と、
前記少なくとも４つのチャンバ内にそれぞれ対応して位置する少なくとも４つの測定電極と
を備え、
前記チャンバのうちの２つに、第一のイオン感応特性を有するイオン感応領域が形成され、前記チャンバのうちの２つに、第一のイオン可能特性とは異なるイオン感応領域が形成され、
前記第一のイオン感応特性を有するイオン感応領域が形成されたチャンバの一方と、前記第二のイオン感応特性を有するイオン感応領域が形成されたチャンバの一方とは、前記第一の電解質溶液を有し、
前記第一のイオン感応特性を有するイオン感応領域が形成されたチャンバの他方と、前記第二のイオン感応特性を有するイオン感応領域が形成されたチャンバの他方とは、前記第二の電解質溶液を有し、
前記少なくとも４つのチャンバは、少なくとも４つの測定電極チャンバとして構成される、複合電極イオンプローブ。
【請求項２】
前記少なくも４つの測定電極は、それぞれ、少なくとも１つの外部のサンプル液体の電圧を測定するよう構成される、請求項１に記載の複合電極イオンプローブ。
【請求項３】
接地電極をさらに備えてなる、請求項１に記載の複合電極イオンプローブ。
【請求項４】
前記少なくとも４つの電極チャンバを収容するハウジングをさらに備えてなる、請求項１に記載の複合電極イオンプローブ。
【請求項５】
前記第二の電解質溶液が前記第一の電解質溶液とは異なるイオンのタイプまたはイオン濃度を有してなる、請求項１に記載の複合電極イオンプローブ。
【請求項６】
前記第二の電解質溶液が前記第一の電解質溶液とは異なるｐＨレベルを有してなる、請求項１に記載の複合電極イオンプローブ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子に電気的に接続する第１のトランジスタと、
ソース配線に電気的に接続する第２のトランジスタと、
容量素子と、を有する画素を複数有し、
前記第１のトランジスタは、第１の配線から前記ＥＬ素子へ流す電流量を制御する機能を有し、
前記容量素子は、半導体領域と、前記半導体領域上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の第１の電極とを有し、
前記半導体領域は、前記第１のトランジスタの半導体層及び前記第２のトランジスタの半導体層と同層で設けられ、
前記絶縁膜は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜及び前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜と同層で設けられ、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極及び前記第２のトランジスタのゲート電極と同層で設けられ、
前記第１の配線と前記第１の電極とは電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に形成された画素電極下に選択的に設けられた凸部と、
前記画素電極において前記凸部の上端部に重なって形成された画素電極の第１の領域と、前記凸部の側部に形成された画素電極の第２の領域と、
前記画素電極の第２の領域に接する画素電極の第３の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極及び第１の配線を有し、
前記ゲート電極及び前記第１の配線上に、第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜上に、半導体膜を有し、
前記半導体膜上に、第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜上に、第２の配線を有し、
トランジスタは、前記ゲート電極と、前記第１の絶縁膜と、前記半導体膜と、を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有する第１の電極層と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有する第２の電極層と、
前記第１の電極層と接する領域を有する第１の配線層と、
前記第２の電極層と接する領域を有する第２の配線層と、
前記第１の配線層と接する領域を有し、かつ前記第２の配線層と接する領域を有する酸化物半導体層とを有し、
前記第１の電極層は、前記第１の配線層から延在した第１の領域を有し、
前記第２の電極層は、前記第２の配線層から延在した第２の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極層は、モリブデン、チタン、又はタングステンを有し、
前記第２の電極層は、モリブデン、チタン、又はタングステンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の電極層と、前記酸化物半導体層との間に第１の混合層を有し、
前記第２の電極層と、前記酸化物半導体層との間に第２の混合層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域は、０．２μｍ以上５μｍ以下の幅を有し、
前記第２の領域は、０．２μｍ以上５μｍ以下の幅を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面を有する光電変換部と、
前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、
前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、
前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、可視光領域の最大波長以下の寸法を有する部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜は、開口を有するとともに前記平面に沿って延びており、
前記第１の絶縁膜は、前記開口を満たしている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記集光構造では、さらに、前記第１の絶縁膜が前記第２の絶縁膜の前記上面を覆うように配され、前記第２の絶縁膜の屈折率より低い屈折率を有する第３の絶縁膜が前記第２の絶縁膜の前記下面を覆うように配されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記レイアウトパターンでは、複数の円又は複数の多角形が、前記中心領域の中心に対してセンタリングされるように前記第１の平面に沿って配されている
ことを特徴とした請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記レイアウトパターンでは、複数のホール又はドットが前記中心領域の中心に関して対称に分布するように前記第１の平面に沿って配されている
ことを特徴とした請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記集光構造の上方に配され、前記光電変換部に対応する開口領域を規定している第１の配線層と、
前記集光構造の下に配され、前記光電変換部に対応する前記開口領域を規定している第２の配線層と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記中心領域および前記周辺領域は、前記開口領域の中に配されている
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の配線層は、銅を主成分とする材料で形成されており、
前記第２の絶縁膜は、前記銅を主成分とする材料の拡散を抑制するように、前記第２の配線層を覆っている
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第２の配線層は、アルミニウムを主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、前記第２の配線層の上方で研磨を停止するように、前記第２の配線層の上方に配されている
ことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化物で形成されており、
前記第２の絶縁膜は、炭素、酸素、窒素のいずれかを含むシリコン系化合物で形成されている
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記開口領域の中心は、前記受光面の中心を通る法線からオフセットしていて、
前記中心領域の中心は、前記受光面の中心と前記開口領域の中心とを通る直線が通る領域である
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
受光面を有する光電変換部と、
前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、
前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、
前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、７５０ｎｍ以下の寸法を有する部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の１つの側面は、光電変換装置に係り、該光電変換装置は、受光面を有する光電変換部と、前記光電変換部へ光を集める集光構造と、を備え、前記集光構造は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第２の絶縁膜とを含み、前記第２の絶縁膜は、前記受光面に平行な第１の平面に沿って配され、前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面を含む第２の平面と前記第２の絶縁膜の下面を含む第３の平面との間に配され、前記第２の絶縁膜の密度が、前記第１の平面における中心領域において前記第１の平面における周辺領域よりも大きく、前記第１の平面における前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とのレイアウトパターンは、可視光領域の最大波長以下の寸法を有する部分を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平らな上面を有し、基板上に第１方向に複数個形成されて下部電極カラムを定義する下部電極であって、前記下部電極カラムは、前記第１方向に垂直する第２方向に複数個形成されて下部電極マトリックスを形成し、
少なくとも隣接する２つの下部電極の上部の側壁上に形成される複数個の支持構造物と、
前記下部電極及び支持構造物の表面に沿って具備される誘電膜と、
前記誘電膜上に具備される上部電極と、を含むことを特徴とするキャパシタ構造物。
【請求項２】
前記下部電極は、前記第１方向に沿って前記第１間隔で配置され、前記第２方向に鋭角を成す第３方向に沿って第３間隔で配置されることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造物。
【請求項３】
前記各支持構造物は、前記第３方向に延伸していることを特徴とする請求項２に記載のキャパシタ構造物。
【請求項４】
前記各支持構造物は、前記第３方向に隣接する少なくとも２つの下部電極の上部側壁に接触していることを特徴とする請求項２に記載のキャパシタ構造物。
【請求項５】
前記各支持構造物は、前記第２方向に沿って延伸していることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造物。
【請求項６】
前記各支持構造物は、前記第１方向に隣接する少なくとも２つの下部電極の上部側壁に接触していることを特徴とする請求項５に記載のキャパシタ構造物。
【請求項７】
前記各支持構造物は、隣接する少なくとも２つの下部電極と接触し、部分的に包んでいることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造物。
【請求項８】
前記下部電極は金属を含み、シリンダーまたは柱状を有することを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造物。
【請求項９】
前記下部電極及び支持構造物の上面は同一平面上にあることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造物。
【請求項１０】
基板上に、モールド膜を形成する段階と、
前記モールド膜上部を覆って、水平方向に平行に複数個の犠牲膜パターン及び支持構造物を形成する段階と、
前記犠牲膜パターン、支持構造物及びモールド膜の一部をエッチングして、前記基板の上部を露出させるホールを形成し、このとき、第１方向に配置される複数個のホールは、ホールカラムを定義し、前記第１方向に垂直する第２方向に配置する複数個のホールカラムは、ホールマトリックスを定義する段階と、
前記基板の露出された上面及び前記ホール内に複数個の下部電極を形成して、前記下部電極が平らな上面を有し、複数個の支持構造物を少なくとも隣接する下部電極の上部の側壁上に形成する段階と、
前記犠牲膜パターンを除去する段階と、
前記下部電極側壁の表面が露出するように前記モールド膜を除去する段階と、
前記下部電極及び支持構造物上に誘電膜を形成する段階と、
前記誘電膜上に上部電極を形成する段階と、を含むことを特徴とするキャパシタ構造物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層と、
前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層上の絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層は、アモルファス構造であり、
前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層と、
前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層上にバッファ層と、
前記バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層上の絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層は、アモルファス構造であり、
前記バッファ層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率より高く、
前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは前記バッファ層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記バッファ層は、酸化物半導体からなる非単結晶膜を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記絶縁性酸化物は、酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層及び前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層は、インジウム、スズまたは亜鉛のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間に、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる領域よりも膜厚の薄い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の端部が前記絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷可能な画像を表わす画像データを含む画像記述をユーザから受領するステップと、
前記ユーザがグロスマークを付加することを選択するグロスマーキング選択を前記ユーザから受領するステップと、
印刷可能なグロスマークを表わすマークデータを含むグロスマーク記述を取得するステップと、
前記画像記述及び前記グロスマーク記述を評価して、該画像記述と該グロスマーク記述との間の適合性を示す適合性尺度を算出し、前記適合性尺度を前記ユーザに報告するステップと、
前記グロスマークの付加をキャンセルするオプションを提供するステップと、
前記ユーザに画像強化オプションを提供するステップと、
前記画像記述を、前記グロスマーク記述とより適合性がある強化された画像記述を生成する画像強化モジュールに提出するステップと、
前記マーク付き画像記述を、前記グロスマーク記述と前記強化された画像記述から生成するステップと、
前記マーク付き画像記述を印刷エンジンを用いて印刷し、マーク付き画像を生成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記マーク付き画像の映像表現であるプレビュー画像を前記ユーザに提供するステップと、
自動画像強化をキャンセルするオプションを前記ユーザに提供するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
印刷可能な画像を表わす画像データを含む画像記述をユーザから受領するステップと、
前記ユーザが相関マークを付加することを選択する相関マーキング選択を受領するステップと、
印刷可能な相関マークを表わすマークデータを含む相関マーク記述を取得するステップと、
前記画像記述及び前記相関マーク記述を評価して、該画像記述と該相関マーク記述との間の適合性を示す適合性尺度を算出し、前記適合性尺度を前記ユーザに報告するステップと、
前記相関マークの付加をキャンセルするオプションを提供するステップと、
前記ユーザに画像強化オプションを提供するステップと、
前記画像記述を、前記相関マーク記述とより適合性がある強化された画像記述を生成する画像強化モジュールに提出するステップと、
前記マーク付き画像記述を、前記相関マーク記述と前記強化された画像記述から生成するステップと、
前記マーク付き画像記述を印刷エンジンを用いて印刷し、マーク付き画像を生成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記相関マークを付加することをキャンセルするオプションを取り除く前に、ユーザに、前記マーク付き画像の映像表現であるプレビュー画像を提供することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各々が印刷可能なマークを表わすマークデータを含む複数のマーク記述を取得するステップと、
印刷可能な画像を表わす画像データを含む画像記述をユーザから受領するステップと、
前記画像記述と前記マーク記述の各々とを評価して複数の適合性尺度を算出す求めるステップであって、該マーク記述の各々は前記印刷可能な画像との適合性を示す適合性尺度と関連している、ステップと、
前記マーク記述に対応する複数のマーキングオプションと、さらに該マーク記述と関連する前記適合性尺度とを含むマーク選択を提示するステップと、
前記ユーザからの選択されたマーク記述を受領するステップであって、前記選択されたマーク記述は前記マーク記述の１つであり、該選択されたマーク記述は、選択されたマークを表わすマークデータを含む、ステップと、
前記画像記述と前記相関マーク記述を、前記画像記述よりも前記相関マーク記述とより適合性がある強化された画像記述を生成する画像強化モジュールに提供するステップと、
前記ユーザに、前記マーク選択内で前記強化された画像記述を使用するオプションを提供するステップと、
マーク付き画像記述を、前記強化された画像記述と前記選択されたマーク記述から生成するステップと、
前記マーク付き画像記述を印刷エンジンを用いて印刷し、マーク付き画像を生成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記マーク記述は、グロスマーク記述を含み、前記グロスマーク記述と前記画像記述との間のより高い適合性尺度は、適切に視認されたときに前記マーク付き画像において前記グロスマークがより見やすことを示すことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣモータを制御するモータ制御装置において、
前記ＤＣモータの角速度を検知する検知手段と、
前記ＤＣモータの駆動を制御する制御値を目標角速度より小さい角速度に対応する第１の制御値から前記目標角速度より大きい角速度に対応する第２の制御値まで段階的に増加させる生成手段と、
前記検知手段によって検知された結果に基づくフィードバック制御によって前記ＤＣモータの駆動を制御する制御値を生成するフィードバック制御手段と、
前記ＤＣモータを起動させてから前記検知手段によって検知された角速度が前記目標角速度に達するまでは前記生成手段によって生成された制御値を選択し、前記検知手段によって検知された角速度が前記目標速度に達した後は前記フィードバック制御手段によって生成された制御値を選択する選択手段とを有することを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記フィードバック制御手段は、
前記検知手段によって検知された角速度と前記目標角速度との差分およびフィードバックゲイン値とに基づき第３の制御値を算出し、該第３の制御値と前記目標角速度に対応する制御値を加算する
ことを特徴とする請求項１記載のモータ制御装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記第１の制御値から前記第２の制御値まで、時間経過に基づき一定比率で線形的に増加させることを特徴とする請求項１または２記載のモータ制御装置。
【請求項４】
さらに、前記選択手段によって選択された制御値に基づいて、前記ＤＣモータをパルス幅変調制御するための信号を生成する信号生成手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のモータ制御装置。
【請求項５】
請求項１に記載のモータ制御装置を有し、
用紙に画像形成を行うための感光ドラムまたは中間転写ベルトを前記ＤＣモータにより駆動することを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記検知手段は前記感光ドラムまたは前記中間転写ベルトの駆動軸の角速度を検知するエンコーダであることを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
うず電流探触子（１）とテスト対象の導電性試料（２）の表面の間の分離の影響を補償するための方法であって、
試料（２）内にうず電流を発生させるように励起（２３）を受けると共に既知の基準分離（２２）において試料内に生成されたうず電流によって発生した時間変動する基準信号を検知するうず電流探触子（１）を実質的に無欠陥エリアでかつ試料の表面から既知の基準分離で配置（２１）することによって少なくとも１つの基準データ組を取得し、かつ検知した時間変動する信号の傾斜値を決定（２４）する工程と、
前記うず電流探触子を励起してうず電流を発生させるように該探触子を試料の表面から未知の基準分離に配置（３１）して後続のテスト信号に関する対応する傾斜値を決定（３３）することによって後続のテスト計測を実行する工程と、
前記テスト信号のものと最も類似する傾斜ピークまたは最も近いピーク微分をもつ基準信号を特定し、特定された基準信号から前記テスト信号から差し引くことにより、テスト計測内のうず電流探触子と試料の表面の間の分離の影響を補償（３４）する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
各基準信号及びテスト信号の最大規模傾斜が決定されかつテスト信号に最も近い最大規模傾斜をもつ基準信号が補償に用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の基準信号及びテスト信号のそれぞれに関して１次微分ピークが取得され、かつテスト信号に最も近い１次微分ピークをもつ基準信号を用いて補償が実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
テスト信号の微分と選択された基準信号のピーク振幅の比から補償パラメータが決定される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
検知信号、微分、ピーク微分のうちの少なくとも１つが平滑化されている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの基準信号に関するデータは前記１つまたは複数の基準データ組から補間されている、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の方法を実行するように配列させたうず電流探触子（１）及び処理手段（４２）を備えるうず電流検査デバイス。
【請求項８】
その探触子が、コイルまたは電子センサを用いたシングル構成、マルチ構成またはアレイ構成とした、絶対探触子、微分探触子、反射探触子、非遮蔽探触子、遮蔽探触子、あるいはこれらの任意の組み合わせである、請求項７に記載のうず電流検査デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子炉を検査する検査装置（２００）において、
第１の軌道（２０４）と、
１つ以上の第２の軌道を含むアーム（２０２）と、
固定装置（２０６）と、
エフェクタ（２０８）と、
を具備し、
前記アーム（２０２）は前記第１の軌道（２０４）に動作自在に結合され、
前記１つ以上の第２の軌道のうちの少なくとも１つは少なくとも３つの軌道部分を含み、
前記固定装置（２０６）は前記第１の軌道（２０４）に動作自在に結合され、
前記エフェクタ（２０８）は前記アーム（２０２）に動作自在に結合され、
前記アーム（２０２）は収縮長さを有し、
前記アーム（２０２）は伸長長さを有し、
前記伸長長さは前記収縮長さの２倍を超えること、
を特徴とする検査装置（２００）。
【請求項２】
前記第１の軌道（２０４）は、前記第１の軌道（２０４）に対して前記アーム（２０２）を移動するように構成される１つ以上のモータ（１２００、１２０２、１２０４）を具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項３】
前記第１の軌道（２０４）は、前記第１の軌道（２０４）に沿って前記アーム（２００）を移動するように構成される１つ以上のモータ（１２００、１２０２、１２０４）を具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項４】
前記第１の軌道（２０４）は、前記アーム（２０２）と前記第１の軌道（２０４）との動作自在の結合部に対して前記アーム（２０２）を移動するように構成される１つ以上のモータ（１２００、１２０２、１２０４）を具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項５】
前記第１の軌道（２０４）は、前記第１の軌道（２０４）に対して前記アーム（２０２）を回転するように構成される１つ以上のモータ（１２００、１２０２、１２０４）を具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項６】
ケーブル管理システムを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【請求項７】
前記エフェクタ（２０８）は１つ以上のセンサを具備することを特徴とする請求項１に記載の装置（２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ読取値を正規化する方法であって、
（ｉ）基材から反射した光線を検出するように構成されたセンサから読取値を受信するステップと、
（ｉｉ）検出された前記基材上の質量の関数に基づいてプロセッサにより前記センサ読取値を正規化するステップと、
を含み、
前記正規化する関数は、
【数１】
2011039054.tif 000001
であり、式中、
ｘはプロセス方向における前記基材の位置であり、
Ｖｓｐｅｃ＿ｒｅａｄ（ｘ）は前記センサの読取値であり、
ＤａｒｋＯｆｆｓｅｔは前記センサのバイアスであり、
Ｖｓｐｅｃ＿Ｃｌｅａｎ＿ｒｅａｄ（ｘ）は、前記基材に質量が載っていない状態で前記基材から取得されたセンサ読取値であり、
βは０より大きい指数であり、及び
δ（ｘ）は前記基材における質量偏差の関数である、
方法。
【請求項２】
前記δ（ｘ）は、
【数２】
2011039054.tif 000002
で定義され、上記において
【数３】
2011039054.tif 000003
である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
βは、実験にもとづき最適化される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
βは、約０．７である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記センサは、
前記基材上の点に光線のビームを放射することにより、鏡面角の略鏡面反射と拡散角の略拡散反射とを発生させるように構成された照射器と、
前記鏡面角の前記略鏡面反射を検出するように構成された鏡面検出器と、
前記拡散角の前記略拡散反射を検出するように構成された拡散検出器と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
センサの読取値を正規化するためのプロセッサであって、
前記センサは、
前記基材上の点に光線のビームを放射することにより、鏡面角の略鏡面反射と拡散角の略拡散反射とを発生させるように構成された照射器と、
前記鏡面角の前記略鏡面反射を検出するように構成された鏡面検出器と、
前記拡散角の前記略拡散反射を検出するように構成された拡散検出器と、
を含み、
前記プロセッサは、
（ｉ）前記鏡面検出器から読取値を受信し、
（ｉｉ）検出された前記基材上の質量の関数に基づいて前記鏡面センサ読取値を正規化する、
ように構成され、
前記正規化する関数は、
【数４】
2011039054.tif 000004
であり、式中、
ｘはプロセス方向における前記基材の位置であり、
Ｖｓｐｅｃ＿ｒｅａｄ（ｘ）は前記センサの読取値であり、
ＤａｒｋＯｆｆｓｅｔは前記センサのバイアスであり、
Ｖｓｐｅｃ＿Ｃｌｅａｎ＿ｒｅａｄ（ｘ）は、前記基材に質量が載っていない状態で前記基材から取得されたセンサ読取値であり、
βは０より大きい指数であり、
δ（ｘ）は前記基材における質量偏差の関数である、
プロセッサ。
【請求項７】
前記δ（ｘ）は、
【数５】
2011039054.tif 000005
で定義され、上記において
【数６】
2011039054.tif 000006
である、請求項６に記載のプロセッサ。
【請求項８】
βは、実験にもとづき最適化される、請求項６に記載のプロセッサ。
【請求項９】
βは、約０．７である、請求項６に記載のプロセッサ。
【請求項１０】
プロセッサによりセンサ読取値を正規化するための方法が実行されるように構成された、記憶されたコンピュータ読取可能な命令を含む、コンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記方法は、
（ｉ）基材から反射した光線を検出するように構成されたセンサからの読取値を受信するステップと、
（ｉｉ）検出された前記基材上の質量の関数に基づいて前記鏡面センサ読取値を正規化するステップと、
を含み、
前記正規化する関数は、
【数７】
2011039054.tif 000007
であり、式中、
ｘはプロセス方向における前記基材の位置であり、
Ｖｓｐｅｃ＿ｒｅａｄ（ｘ）は前記センサの読取値であり、
ＤａｒｋＯｆｆｓｅｔは前記センサのバイアスであり、
Ｖｓｐｅｃ＿Ｃｌｅａｎ＿ｒｅａｄ（ｘ）は、前記基材に質量が載っていない状態で前記基材から取得されたセンサ読取値であり、
βは０より大きい指数であり、
δ（ｘ）は前記基材における質量偏差の関数である、
非一時的なコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）軸受構成要素であって、
シャフト（４００，４４０）と、
前記シャフト（４００，４４０）に結合された第１の軸受レース（２０２，２４２，３５４）と、
複数の軸受玉（２０６，２４６）と、
前記複数の軸受玉（２０６，２４６）を介して前記第１の軸受レース（２０２，２４２，３５４）に結合された第２の軸受レース（２０４，２４４，３５８）と、
を備え、
前記シャフト（４００，４４０）、前記第１の軸受レース（２０２，２４２，３５４）、および前記第２の軸受レース（２０４，２４４，３５８）のうちの１つの材料が、残留磁化を有する符号化された磁界を有する、
当該軸受構成要素と、
Ｂ）符号化された磁界を有する構成要素に近接して位置決めされ且つ磁界を測定するように構成された磁界センサ（２１４，２５４，３６０）と、
Ｃ）前記符号化された磁界を有する構成要素の変化に基づいて電動機軸受の故障を予測するために、符号化された磁界を有する構成要素の変化を前記磁界センサ（２１４，２５４，３６０）によって検出する処理ユニット（２１５，２４９，３６１）と、
を備える、電動機軸受状態監視システム。
【請求項２】
前記磁界が永久的に符号化されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記磁界センサ（２１４，２５４，３６０）は、概して平行な磁力線の磁化を持つ面（２０８，２５１）に対して垂直に位置決めされている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記磁界センサ（２１４）は、概して平行な磁力線の磁化を持つ面（２１７，２５１）に対して接戦方向に位置決めされている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記磁化は本質的に唯一つの方向に分極されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記変化の発生が、前記軸受玉を通る電流路に起因して検出され、
前記磁界が、該電流の電流密度ベクトルに対して実質的に垂直である、
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の軸受レース（２０２，２４２）が内側の軸受レースを構成し、前記第２の軸受レースが外側の軸受レース（２０４，２４４）を構成し、また前記複数の軸受玉（２０６，２４６）が前記内側の軸受レースと前記外側の軸受レースとの間に半径方向に位置決めされている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記組立体は更に、前記外側の軸受レース（２０４，２４４）及び前記内側の軸受レース（２０２，２４２）の内の一方に取り付けられた磁気的に符号化されたリング（２０８，２４８）を有し、前記磁気的に符号化されたリング（２０８，２４８）は、それについて永久的に符号化された磁界を持つ前記組立体の部分を構成している、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１の軸受レースが第１のスラスト軸受レース（３５４）を構成し、前記第２の軸受レース（３５８）が第２のスラスト軸受レースを構成し、前記軸受玉が前記第１のスラスト軸受レース（３５４）と前記第２のスラスト軸受レース（３５８）との間に軸方向に位置決めされている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記システムは、前記第１のスラスト軸受レース（３５４）及び前記第２のスラスト軸受レース（３５８）の内の一方に取り付けられた磁気的に符号化されたリング（３００）を有し、前記磁気的に符号化されたリング（３００）は、それについて永久的に符号化された磁界を持つ前記組立体の部分を構成している、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）光重合可能な組成物の層と、前記光重合可能な層上に配置された赤外線感応層とを含み、平坦な領域を有する１つの感光性要素を提供する工程と、
ｂ）前記要素を、前記要素の配置のためのマーキングおよびインジケータのないキャリアに隣接して配置する工程であって、前記キャリアは平坦な領域を有し、前記１つの感光性要素の前記平坦な領域が前記キャリアの平坦な領域の少なくとも７０％である工程と、
ｃ）前記要素を前記キャリアに固定する工程と、
ｄ）前記赤外線感応層を、赤外線レーザー放射線により像様露光して、前記要素にマスクを形成する工程と、
ｅ）前記マスクを通して、前記要素を化学線に全体露光する工程と、
ｆ）ｅ）の前記要素を処理して、前記キャリア上にレリーフ構造を形成する工程と、
を含む複合印刷版を製造する方法。
【請求項２】
マウンティングバーを、前記キャリアの先端に取り付けることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ）補強エラストマー層を含み、平坦な領域を有する１つのレーザー彫刻可能な要素を提供する工程と、
ｂ）前記要素を、前記要素の配置のためのマーキングおよびインジケータのないキャリアに隣接配置する工程であって、ここで、前記キャリアは平坦な領域を有し、前記１つの要素の前記平坦な領域が前記キャリアの平坦な領域の少なくとも７０％である工程と、
ｃ）前記要素を前記キャリアに固定する工程と、
ｄ）前記補強層をレーザー放射線に露光して、前記補強層を深さ方向に選択的に除去し、前記キャリア上にレリーフ構造を形成する工程と、
を含む複合印刷版を製造する方法。
【請求項４】
前記レーザー彫刻可能な要素は感光性要素であり、前記エラストマー層は化学線への全体露光により補強される請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
感光性要素の露光（および処理）後の複合印刷版の感光性要素のデュロメータは約２０〜約８０ショアＡである。ある実施形態において、複合印刷版の（露光および処理）感光性要素のデュロメータは、３０〜５０ショアＡである。ショアデュロメータは、圧入に対する材料の抵抗性の尺度である。ショアＡのデュロメータは、軟性ゴムまたはエラストマー材料に典型的に用いられる基準であり、高い値の方が、貫入に対する抵抗がより大きい。印刷版のデュロメータは、ＤＩＮ５３，５０５またはＡＳＴＭ  Ｄ２２４０−００に記載された標準化手順に従って測定することができる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．ａ）光重合可能な組成物の層と、前記光重合可能な層上に配置された赤外線感応層とを含み、平坦な領域を有する１つの感光性要素を提供する工程と、
ｂ）前記要素を、前記要素の配置のためのマーキングおよびインジケータのないキャリアに隣接して配置する工程であって、前記キャリアは平坦な領域を有し、前記１つの感光性要素の前記平坦な領域が前記キャリアの平坦な領域の少なくとも７０％である工程と、
ｃ）前記要素を前記キャリアに固定する工程と、
ｄ）前記赤外線感応層を、赤外線レーザー放射線により像様露光して、前記要素にマスクを形成する工程と、
ｅ）前記マスクを通して、前記要素を化学線に全体露光する工程と、
ｆ）ｅ）の前記要素を処理して、前記キャリア上にレリーフ構造を形成する工程と、
を含む複合印刷版を製造する方法。
２．前記キャリアが先端を有し、前記配置工程が、前記１つの要素の先端を、前記キャリアの先端からある距離をおいて配置することをさらに含む前記１．に記載の方法。
３．前記距離が、マウンティングバーを前記キャリアに取り付けるのに十分な距離である前記２．に記載の方法。
４．マウンティングバーを、前記キャリアの先端に取り付けることをさらに含む前記１．に記載の方法。
５．前記要素が、前記キャリアの長さおよび幅より短い長さおよび狭い幅を有する前記１．に記載の方法。
６．前記配置工程が、前記キャリア上に前記要素を囲むオープンスペースの縁部を提供することをさらに含む前記１．に記載の方法。
７．前記キャリアの前記平坦な領域の７０％〜約９９％が、前記１つの感光性要素でカバーされている前記１．に記載の方法。
８．前記１つの感光性要素の前記平坦な領域が、前記キャリアの平坦な領域の７０％〜９８％である前記１．に記載の方法。
９．前記１つの感光性要素の前記平坦な領域が、前記キャリアの前記平坦な領域の７５％〜９５％である前記１．に記載の方法。
１０．  前記キャリアの先端に少なくとも２つの位置合わせ穴を穿孔することをさらに含む前記１．に記載の方法。
１１．工程ｄ）の前に、前記キャリアの前記先端にマウンティングバーを取り付け、前記マウンティングバーを前記キャリアと共にレジスタのドラム上に像様露光までに固定することをさらに含む前記１．に記載の方法。
１２．像様露光工程ｄ）が、前記赤外線感応層を、前記光重合可能な層からアブレートすることを含む前記１．に記載の方法。
１３．工程ｆ）の後、前記要素を前記キャリアから除去し、工程ｂ）〜ｆ）に従い第２の感光性要素で第２の複合印刷版を製造するのに、前記キャリアを再使用することをさらに含む前記１．に記載の方法。
１４．ａ）補強エラストマー層を含み、平坦な領域を有する１つのレーザー彫刻可能な要素を提供する工程と、
ｂ）前記要素を、前記要素の配置のためのマーキングおよびインジケータのないキャリアに隣接配置する工程であって、ここで、前記キャリアは平坦な領域を有し、前記１つの要素の前記平坦な領域が前記キャリアの平坦な領域の少なくとも７０％である工程と、
ｃ）前記要素を前記キャリアに固定する工程と、
ｄ）前記補強層をレーザー放射線に露光して、前記補強層を深さ方向に選択的に除去し、前記キャリア上にレリーフ構造を形成する工程と、
を含む複合印刷版を製造する方法。
１５．前記レーザー彫刻可能な要素は感光性要素であり、前記エラストマー層は化学線への全体露光により補強される前記１４．に記載の方法。