【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材上に剥離可能に積層された接着剤層とからなり、
該接着剤層が、基材面側から、第１接着剤層および第２接着剤層がこの順に積層されてなり、
該第１接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｃ）を含み、
該第２接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）およびゲッタリング剤（Ｄ）を含む接着シート。
【請求項２】
ゲッタリング剤（Ｄ）が、重金属不活性化剤（Ｄ１）、有機キレート剤（Ｄ２）および銅イオン捕捉金属化合物（Ｄ３）からなる群から選ばれる請求項１に記載の接着シート。
【請求項３】
下記により定義されるゲッタリング剤（Ｄ）の銅イオン吸着能が３０％以上である請求項１または２に記載の接着シート：
ゲッタリング剤１ｇを、銅イオン濃度が３ｐｐｍの塩化銅水溶液５０ｇに投入し、１２１℃、２気圧下、２４時間放置した後の該銅イオン水溶液の銅イオン濃度を測定し、
銅イオン吸着能＝（３ｐｐｍ−残留銅イオン濃度（ｐｐｍ））×１００／３ｐｐｍより銅イオン吸着能を求める。
【請求項４】
第２接着剤層を構成する全固形分１００重量部あたりゲッタリング剤（Ｄ）を１〜５０重量部含有する請求項１〜３の何れかに記載の接着シート。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の接着シートの第２接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に該第２接着剤層および第１接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該第１接着剤層を介して載置する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウエハが、裏面研削後、裏面研削により生じた破砕層を厚み５０ｎｍ以下にまで低減されたものである請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（３）下記により定義されるゲッタリング剤（Ｄ）の銅イオン吸着能が３０％以上である（１）または（２）に記載の接着シート：
ゲッタリング剤１ｇを、銅イオン濃度が３ｐｐｍの塩化銅水溶液５０ｇに投入し、１２１℃、２気圧下、２４時間放置した後の該銅イオン水溶液の銅イオン濃度を測定し、
銅イオン吸着能＝（３ｐｐｍ−残留銅イオン濃度（ｐｐｍ））×１００／３ｐｐｍより銅イオン吸着能を求める。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（Ｃ）熱硬化剤
熱硬化剤（Ｃ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤（Ｃ）としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
好ましい無機充填材としては、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｊ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｊ）の含有量は、接着剤層を構成する全固形分１００重量部に対して、通常０〜８０重量部の範囲で調整が可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜銅イオン吸着能および銅イオン吸着率＞、＜ゲッタリング性能＞、＜濡れ性および埋め込み性能＞、＜表面実装性＞および＜剪断強度測定＞の評価は次のように行った。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
ウエハ表面（ミラー面、接着シート非貼付面）をふっ酸にて事前洗浄し、表面に付着したコンタミと自然酸化膜（約１０ｎｍ）を除去した。その後、ウエハ外周１０ｍｍをテフロン（登録商標）製治具により挟み込む形でマスキングし、ウエハ表面から５μｍを硝酸／ふっ酸混合液（比率３：１）でエッチングした。得られたエッチング液の全量を蒸発皿に採取した。採取したエッチング液を加熱・蒸発乾固した後、残渣物を一定量の硝酸／ふっ酸混合液で溶解し、銅イオン濃度測定用試料とした。なお試料調製は、クリーンルーム（クラス１００）内に設置したクリーンドラフト（クラス１０）内で実施した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
＜接着剤組成物＞
接着剤組成物を構成する各成分を下記に示す。
（Ａ）アクリル重合体：ｎ−ブチルアクリレート５５重量部、メチルアクリレート１０重量部、グリシジルメタクリレート２０重量部、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート１５重量部からなる共重合体（重量平均分子量：９０万、ガラス転移温度：−２８℃）
（Ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂：
（Ｂ１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製：ｊＥＲ８２８、エポキシ当量２３５ｇ／ｅｑ）
（Ｂ２）ノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製：ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、エポキシ当量２１８ｇ／ｅｑ）
（Ｃ）熱硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ製：ＴＤ−２１３１、フェノール性水酸基当量１０３ｇ／ｅｑ）
（Ｄ）ゲッタリング剤：
（Ｄ１−１）3-(N-サリチロイル)アミノ-1,2,4-トリアゾール（ADEKA社製、CDA-1、CAS No. 36411-52-6）      （銅イオン吸着能９９．７％、銅イオン吸着率０．０１５％、粒径１μｍ）
【化４】
2011213875.tif 000001
（Ｄ１−２）デカメチレンジカルボキシジサリチロイルヒドラジド（ADEKA社製、CDA-6、CAS No.63245-38-5）      （銅イオン吸着能９５％、銅イオン吸着率０．０１４％、粒径０．５μｍ）
【化５】
2011213875.tif 000002
（Ｄ２）有機キレート剤：多価カルボン酸を官能基として有する有機キレート剤（ナガセケムテックス社製：テークランＤＯ、酸価２６０〜３３０ｍｇ／ｇ、質量減少開始温度２００℃）          （銅イオン吸着能９５．７％、銅イオン吸着率０．０１４％、粒径１μｍ）
（Ｄ３）協和化学工業社製KW-2200（マグネシウムとアルミニウムの酸化物からなるハイドロタルサイト）      （銅イオン吸着能９９．８％、銅イオン吸着率０．０１５％、粒径１μｍ）
（Ｅ）硬化促進剤：イミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール２ＰＨＺ）
（Ｆ）エネルギー線重合性化合物：多官能アクリレートオリゴマー（新中村化学社製、ＮＫエステルＡ−ＤＣＰ）
（Ｇ）光重合開始剤：１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製：イルガキュア１８４）
（Ｈ）カップリング剤：シランカップリング剤（信越化学社製：ＫＢＥ−４０３）
（Ｊ）無機充填材：シリカフィラー（アドマテックス社製：アドマファインＳＣ２０５０）
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
【表１】
2011213875.tif 000003
単位：重量部（固形分換算値）
（各実施例の接着剤層の構成：第２接着剤層／第１接着剤層）
実施例１：接着剤層用組成物１／接着剤層用組成物１０
実施例２：接着剤層用組成物２／接着剤層用組成物１０
実施例３：接着剤層用組成物３／接着剤層用組成物１０
実施例４：接着剤層用組成物４／接着剤層用組成物１０
実施例５：接着剤層用組成物５／接着剤層用組成物１０
実施例６：接着剤層用組成物６／接着剤層用組成物１０
実施例７：接着剤層用組成物７／接着剤層用組成物１０
実施例８：接着剤層用組成物８／接着剤層用組成物１０
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
なお、銅イオン汚染を行わなかったウエハ（参考例１）と銅イオン汚染を行ったウエハの接着シートを貼付しなかったもの（参考例２）のゲッタリング性能を測定した。