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【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、空気ベアリング面（ＡＢＳ）に位置付けられ、第１の磁化自由層と第２の磁化自由層とを有して構成される三層スタックを備え、磁化自由層の各々は、ＡＢＳに対して傾斜した一軸異方性を有する、装置。
【請求項２】
ＡＢＳから遠位の位置において三層スタックに隣接して配置されるバイアス磁石をさらに備え、バイアス磁石は、ＡＢＳに対して直交する軸に沿ったバイアス長さを有して構成され、バイアス長さはストライプ高さよりも大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各磁化自由層の傾斜した一軸異方性は、異なる大きさを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
第１の磁化自由層の傾斜した一軸異方性は、１５度または１０度で傾斜する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
第２の磁化自由層の傾斜した一軸異方性は、１５度で傾斜する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
各磁化自由層の傾斜した一軸異方性は同じである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
三層スタックは、ＡＢＳに対して直交する軸に沿ったストライプ高さを有し、ストライプ高さは、三層スタックのスタック幅よりも大きく、ＡＢＳに対して設定され、スタックの幅の２倍よりも小さい、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの磁化自由層の傾斜した一軸異方性は、１０００Ｏｅである、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
傾斜した一軸異方性は、各磁化自由層を実質的に横切る方向に配向される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
第１の磁化自由層および第２の磁化自由層は、非磁気スペーサ層により分離されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
方法であって、
三層スタックを空気ベアリング面（ＡＢＳ）に設置するステップを備え、三層スタックは、ＡＢＳに対して直交する軸に沿ったストライプ高さを有し、方法はさらに、
ＡＢＳに対して傾斜した一軸異方性を有する三層スタックの第１の磁化自由層および第２の磁化自由層を構成するステップを備える、方法。
【請求項１２】
各自由層の傾斜した一軸異方性は、それぞれ第１の角度および第２の角度で静的な斜め堆積によって形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第２の角度は、第１の磁化自由層の傾斜した一軸異方性に対して選択され、外部データビットに応答して所定のトンネル磁気抵抗比を付与する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの磁化自由層がアニーリングされ、傾斜した一軸異方性が所定の角度配
向に向けて遷移する、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
センサであって、バイアス磁石によって所定のデフォルト磁化が加えられる三層スタックを備え、三層スタックは、ＡＢＳに対して直交するバイアス軸に沿ったストライプ高さを有し、ストライプ高さは、バイアス軸に沿ったバイアス磁石のバイアス長さよりも小さく、三層スタックは、第１および第２の磁化自由層を有し、磁化自由層の各々は、ＡＢＳに対して異なる角度で傾斜する一軸異方性を有する、センサ。
【請求項１６】
第１の厚さは、ＡＢＳに対して平行であり、第１の磁化自由層から第２の磁化自由層に向けてＡＢＳ軸に沿って設定され、ＡＢＳに沿ったバイアス磁石の第２の厚さよりも大きい、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１７】
バイアス磁石は、第１および第２の磁化自由層の間に配置された非磁気スペーサと整列する、請求項１６に記載のセンサ。
【請求項１８】
バイアス磁石は、第１および第２の磁気自由層をデフォルト磁化に設定するように構成される、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１９】
各磁化自由層の一軸異方性の異なる角度は、余角である、請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電スタンドより伸びる充電ケーブルに装着される充電ケーブルの中間把持具であって、
前記充電ケーブルにより貫通されるように形成され、かつ、前記充電ケーブルの軸周りに回転可能に設けられ、かつ、前記充電スタンドに設けられたフックに掛止される筒部と、
前記筒部より延在して把持されるグリップ部と、を備える充電ケーブルの中間把持具。
【請求項２】
前記筒部が、前記筒部を前記フックに掛止したときに前記フックに係合される環状凹凸部を備える請求項１に記載の充電ケーブルの中間把持具。
【請求項３】
前記環状凹凸部を複数備え、
複数の前記環状凹凸部が、互いに間隔をもって前記充電スタンドに設けられた複数本の前記フックにそれぞれ係合するように配置される請求項２に記載の充電ケーブルの中間把持具。
【請求項４】
前記筒部が、前記充電ケーブルの軸方向に移動不能に設けられている請求項１〜３のいずれか一項に記載の充電ケーブルの中間把持具。
【請求項５】
前記筒部と前記充電ケーブルとの間の摩擦力を調整する調整手段をさらに備え、
前記調整手段により前記摩擦力を調整することで、前記充電ケーブルの軸方向への前記筒部の移動が規制され、かつ、前記筒部の前記充電ケーブルの軸周りの回転が許可される請求項１〜４のいずれか一項に記載の充電ケーブルの中間把持具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、充電スタンドより伸びる充電ケーブルに、充電ケーブルが貫通する筒部とグリップ部とを有する中間把持具を設け、充電作業を行う際はグリップ部を把持して充電ケーブルの途中を支持する一方、充電作業を行わない場合は筒部を充電スタンドに設けられたフックに掛止することによって、上記課題を解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月24日(2013.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）においてセル再選択を制御するための方法であって、
前記ＷＴＲＵが割り当てられた共通拡張専用チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）リソースを有しているとき、新しいセルへの再選択を止めるステップと、
前記ＷＴＲＵが前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースを有している間、前記ＷＴＲＵが測定を行うこと、および隣接セルをランク付けすることを継続するステップと、
前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースの解放、および時間間隔の間に前記新しいセルがサービングセルと比べてより良好にランク付けされていることに基づいて、前記新しいセルに再選択するステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記新しいセルへの再選択を止めることは、非再選択期間であり、
前記非再選択期間の開始は、前記ＷＴＲＵが第１のプリアンブルを送信したこと、拡張専用チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）リソース割当てを含む肯定応答を前記ＷＴＲＵにおいて受信したこと、又は、競合解決段階が成功裏に終了したというインジケーションの受信、のうちの１つまたは複数によってトリガされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
再選択基準に基づいてセルをランク付けするステップと、
前記再選択基準に基づいて現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされるセルを検出するステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記セルの前記ランク付けを追跡するステップをさらに具えたことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記非再選択期間中、前記セルが前記現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされる条件で、再選択タイマを再始動するステップと、
新しい最良のセルを、より良好にランク付けされた前記セルに更新するステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
１つまたは複数の再選択条件を検出するステップであって、前記再選択条件は、前記非再選択期間の終了をトリガする、ステップをさらに具えたことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記非再選択期間の前記終了をトリガする再選択条件は、前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースの解放、又は、Ｅ−ＤＣＨリソース要求に応答しての否定応答の受信、のうちの１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記非再選択期間が終了しており、前記新しい最良のセルが前記現行の最良のセルと異なるセルであり、および前記新しい最良のセルが、所定の期間の間、前記現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされている条件で、
前記新しい最良のセルへの再選択を実行するステップと、
前記新しい最良のセルにおいてセル更新メッセージを送信するステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
セル再選択を制御するための無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
前記ＷＴＲＵが割り当てられた共通拡張専用チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）リソースを有しているとき、新しいセルへの再選択を止め、
前記ＷＴＲＵが前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースを有している間、測定を行うこと、および隣接セルをランク付けすることを継続し、ならびに
前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースの解放、および時間間隔の間に前記新しいセルがサービングセルと比べてより良好にランク付けされていることに基づいて、前記新しいセルに再選択する
ように構成されたプロセッサを具えることを特徴とするＷＴＲＵ。
【請求項１０】
前記新しいセルへの再選択を止めることは、非再選択期間であり、
前記非再選択期間の開始は、前記ＷＴＲＵによる第１のプリアンブルの送信、リソース割当てを含む肯定応答の前記ＷＴＲＵにおける受信、又は、競合解決段階が成功裏に終了したというインジケーションの前記ＷＴＲＵによる受信、のうちの１つまたは複数によってトリガされることを特徴とする請求項９記載のＷＴＲＵ。
【請求項１１】
前記プロセッサは、さらに、再選択基準に基づいて現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされるセルを検出するように構成されたことを特徴とする請求項１０記載のＷＴＲＵ。
【請求項１２】
前記プロセッサは、さらに、
前記非再選択期間中、前記セルが前記現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされる条件で、再選択タイマをリセットし、
新しい最良のセルを、より良好にランク付けされた前記セルに更新する
ように構成されたことを特徴とする請求項１１記載のＷＴＲＵ。
【請求項１３】
前記プロセッサは、さらに、再選択条件を検出するように構成され、前記再選択条件は、前記非再選択期間の終了をトリガすることを特徴とする請求項１２記載のＷＴＲＵ。
【請求項１４】
前記非再選択期間の前記終了をトリガする前記再選択条件は、前記割り当てられた共通Ｅ−ＤＣＨリソースの解放、又はＥ−ＤＣＨリソース要求に応答しての否定応答の受信、のうちの１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項１３記載のＷＴＲＵ。
【請求項１５】
前記非再選択期間が終了しており、前記新しい最良のセルが前記現行の最良のセルと異なるセルであり、および前記新しい最良のセルが、所定の期間の間、前記現行の最良のセルと比べてより良好にランク付けされている条件で、
前記プロセッサは、さらに、前記新しい最良のセルへの再選択を実行するように構成されており、
前記新しい最良のセルにおいてセル更新メッセージを送信するように構成された送信器をさらに具えたことを特徴とする請求項１４記載のＷＴＲＵ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第１の導電層及び第２の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面及び前記第１の導電層の側面に接する領域を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面及び前記第２の導電層の側面に接する領域を有する第４の導電層と、
前記酸化物半導体層、前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層及び前記第４の導電層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
前記第１の導電層は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記第３の導電層と重なる領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記第４の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、マグネシウム、ジルコニウムまたはベリリウムを含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、チタン、アルミニウムまたはタングステンを含むことを特徴とする半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月1日(2013.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲率を有する支持体と、
曲率を有する転写体と、
発光素子を含む素子層と、を有し、
前記素子層は、前記支持体と前記転写体の間に狭持され、
前記転写体の曲率は、乗物の内壁、ドア、窓またはシートの曲率と合致した曲率を有し、
湾曲させることなくそのまま乗物に貼り付けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記素子層は、平面状の基板から剥離された層であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記支持体は、弾性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記転写体は、弾性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記素子層は、前記転写体と接着剤を介して直接貼り合わされていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記素子層は、前記支持体と接着剤を介して直接貼り合わされていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の前記発光装置を、表示装置の表示部に用いることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の前記発光装置を、照明に用いることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換領域を有する画素部と、周辺回路とを有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板を準備する工程と、
前記光電変換領域を形成するための第１導電型の第１ウエルを前記半導体基板に形成する工程と、前記周辺回路を形成するための第１導電型の第２ウエルを前記半導体基板に形成する工程と、を有し、
前記第１ウエルを形成する工程において、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域より深い位置に配置され前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークよりも低い不純物濃度ピークを有する第２の不純物領域と、前記第２の不純物領域よりも深い位置に配置され前記第１の半導体領域の不純物濃度ピークおよび前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークよりも高い不純物濃度ピークを有する第３の半導体領域とを含むように前記第１ウエルを形成し、
前記第２ウエルを形成する工程において、第４の不純物領域と、前記第４の不純物領域よりも深い位置に配置された第５の不純物領域とを含むように前記第２ウエルを形成し、
前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークは、前記第４の不純物領域および前記第５の不純物領域のそれぞれの不純物濃度ピークよりも前記半導体基板の深くに位置し、前記第４の不純物領域および前記第５の不純物領域の不純物濃度ピークよりも不純物濃度が高いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１ウエルに第２導電型の蓄積領域を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１ウエルを形成する工程および前記第２ウエルを形成する工程において、前記第１ウエルおよび前記第２ウエルは、前記半導体基板にボロンあるいはフッ化ボロンを注入することによって形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、第２導電型の領域を含み、前記第１ウエルおよび前記第２ウエルは、前記第２導電型の領域に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークは、前記第４の不純物領域および前記第５の不純物領域のそれぞれの不純物濃度ピークよりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光電変換装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、光電変換領域を有する画素部と、周辺回路とを有する光電変換装置の製造方法であって、半導体基板を準備する工程と、前記光電変換領域を形成するための第１導電型の第１ウエルを前記半導体基板に形成する工程と、前記周辺回路を形成するための第１導電型の第２ウエルを前記半導体基板に形成する工程と、を有し、前記第１ウエルを形成する工程において、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域より深い位置に配置され前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークよりも低い不純物濃度ピークを有する第２の不純物領域と、前記第２の不純物領域よりも深い位置に配置され前記第１の半導体領域の不純物濃度ピークおよび前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークよりも高い不純物濃度ピークを有する第３の半導体領域とを含むように前記第１ウエルを形成し、前記第２ウエルを形成する工程において、第４の不純物領域と、前記第４の不純物領域よりも深い位置に配置された第５の不純物領域とを含むように前記第２ウエルを形成し、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークは、前記第４の不純物領域および前記第５の不純物領域のそれぞれの不純物濃度ピークよりも前記半導体基板の深くに位置し、前記第４の不純物領域および前記第５の不純物領域の不純物濃度ピークよりも不純物濃度が高いことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次入力電圧を入力し、二次電圧を出力する安定器と、
電気的に直列接続された複数本の発光管を外球内部に有し、前記安定器からの二次電圧を入力して点灯するランプとを備えた、高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置であって、
前記安定器からの二次出力電圧は、
(a)実効値が、各発光管のグロー放電維持電圧の総和以上あり、
(b)最大値が、各発光管のアーク放電移行電圧の総和以上であり、
(c)その波形が、最大値／実効値の比率（Ｖmax／Ｖeff）＞２0.5を満たすものである、照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、
前記安定器からの二次出力電圧は、その波形が、最大値／実効値の比率（Ｖmax／Ｖeff）＞３0.5を満たすものである、照明装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、更に、
前記安定器からの二次出力電圧は、
(a)実効値が、各発光管のアーク放電移行電圧の総和未満であり、
(b)最大値が、各発光管の絶縁破壊電圧の総和未満である、照明装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、
前記発光管は、各々、２７０〜４４０Ｗの汎用タイプの発光管から選択された発光管である、照明装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、
前記安定器からの二次出力電圧は、三角波交流電圧である、照明装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、
前記複数本の発光管として、高ワットタイプの７００Ｗ用発光管の代わりに、２本の汎用タイプの３６０Ｗ用発光管を電気的に直列接続して用いる場合、
前記三角波交流電圧は、最大値で表示すると、５００Ｖ≦Ｖmax（三角波）となり、
実効値で表示すると、２６０Ｖ≦Ｖeff（三角波）となる、照明装置。
【請求項７】
請求項６に記載の高ワットタイプのセラミックメタルハライドランプ照明装置において、
前記三角波交流電圧は、実効値で表示すると、２６０Ｖ≦Ｖeff（三角波）≦３００Ｖである、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲラニルゲラニルアセトンを含有する液体状、流動状、ゲル状、又は半固形状の眼科用組成物が眼科用容器に収容された眼科用組成物キットであって、眼科用容器は、少なくとも、眼科用組成物と接触する面の一部又は全部が、テレフタル酸エステル、ポリメチルテルペン、フッ素樹脂、及び２，６−ナフタレンジカルボン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種の容器材料で構成されている眼科用組成物キット。
【請求項２】
容器材料が、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルテルペン、ポリテトラフルオロエチレン、及びポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の眼科用組成物キット。
【請求項３】
眼科用組成物のゲラニルゲラニルアセトンの含有量が、組成物の全量に対して、０．００００１〜１０重量％である請求項１又は２に記載の眼科用組成物キット。
【請求項４】
眼科用組成物のｐＨが６〜８である請求項１〜３の何れかに記載の眼科用組成物キット。
【請求項５】
眼科用組成物が、さらにリン酸緩衝剤を含む請求項１〜４の何れかに記載の眼科用組成物キット。
【請求項６】
眼科用組成物が、さらに脂溶性抗酸化剤を含む請求項１〜５の何れかに記載の眼科用組成物キット。
【請求項７】
眼科用組成物が、点眼剤、洗眼剤、コンタクトレンズ装着液、コンタクトレンズ用液、移植用の角膜の摘出眼組織の保存剤、手術時潅流液、眼軟膏、又は眼内注射剤である請求項１〜６の何れかに記載の眼科用組成物キット。
【請求項８】
眼科用組成物が点眼剤であり、眼科用容器が点眼容器である請求項７に記載の眼科用組成物キット。
【請求項９】
眼科用組成物が水性組成物、又は油性組成物である請求項１〜８の何れかに記載の眼科用組成物キット。
【請求項１０】
ゲラニルゲラニルアセトンを含有する液体状、流動状、ゲル状、又は半固形状の眼科用組成物を眼科用容器に収容する工程を含み、眼科用容器として、少なくとも、眼科用組成物と接触する面の一部又は全部が、テレフタル酸エステル、ポリメチルテルペン、フッ素樹脂、及び２，６−ナフタレンジカルボン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種の容器材料で構成されている容器を用いることにより、眼科用組成物中のゲラニルゲラニルアセトンの含有率の低下を抑制する、眼科用組成物中のゲラニルゲラニルアセトンの含有率の低下抑制方法。
【請求項１１】
眼科用組成物のゲラニルゲラニルアセトンの含有量が、組成物の全量に対して、０．００００１〜１０重量％である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
眼科用組成物が、点眼剤、洗眼剤、コンタクトレンズ装着液、コンタクトレンズ用液、移植用の角膜の摘出眼組織の保存剤、手術時潅流液、眼軟膏、又は眼内注射剤である請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
ゲラニルゲラニルアセトンを含有する液体状、流動状、ゲル状、又は半固形状の眼科用組成物を眼科用容器に収容する工程を含み、眼科用容器として、少なくとも、眼科用組成物と接触する面の一部又は全部が、テレフタル酸エステル、ポリメチルテルペン、フッ素樹脂、及び２，６−ナフタレンジカルボン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種の容器材料で構成されている容器を用いることにより、眼科用容器へのゲラニルゲラニルアセトンの吸着を抑制する、眼科用容器へのゲラニルゲラニルアセトンの吸着抑制方法。
【請求項１４】
眼科用組成物のゲラニルゲラニルアセトンの含有量が、組成物の全量に対して、０．００００１〜１０重量％である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
眼科用組成物が、点眼剤、洗眼剤、コンタクトレンズ装着液、コンタクトレンズ用液、移植用の角膜の摘出眼組織の保存剤、手術時潅流液、眼軟膏、又は眼内注射剤である請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のテトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４）を含む組成物の噴射剤としての使用。
【請求項２】
前記組成物が霧化しうる組成物である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記霧化しうる組成物がエアゾールである、請求項２に記載の使用。
【請求項４】
前記テトラフルオロプロペンが１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）である、請求項１〜３のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
前記組成物が少なくとも１種のテトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４）からなる、請求項１〜３のいずれかに記載の使用。
【請求項６】
前記組成物が不活性成分及び溶剤の１種以上をさらに含む、請求項２〜４のいずれかに記載の使用。
【請求項７】
少なくとも１種のテトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４）及び噴射されるべき材料を含む霧化しうる組成物。
【請求項８】
前記噴射されるべき材料が化粧品又は医薬物質を含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記化粧品が消臭剤、香料、ヘアスプレー、クレンザー及び磨き剤からなる群から選ばれる、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記医薬物質が抗喘息薬品及び口臭除去薬品からなる群から選ばれる、請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物がエアゾールである、請求項７〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が１５０以下の地球温暖化係数（ＧＷＰ）を有する、請求項７〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が０．０５以下のオゾン破壊係数（ＯＤＰ）を有する、請求項７〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
前記エアゾールが個人用ケア製品である、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記組成物がテトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４）を少なくとも５重量％の量で含む、請求項７〜１４のいずれかに記載の組成物。
【請求項１６】
前記テトラフルオロプロペンが１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ）である、請求項７〜１５のいずれかに記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオプトエレクトロニック撮像セル（１１０；２１０）；
センサ面を規定する支持基板（１０１、１０２；２０１）であって、前記複数のオプトエレクトロニック撮像セル（１１０；２１０）を支持及び当接するために及び画像防振撮像センサを他のエレメントに結合するために適合された支持基板（１０１、１０２；２０１）；及び
前記オプトエレクトロニック撮像セル（１１０；２１０）を前記支持基板（１０１、１０２；２０１）に対し相対的に運動させるための少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）
を含む、画像防振撮像センサ。
【請求項２】
前記複数のオプトエレクトロニック撮像セル（１１０）の少なくとも１つは、前記支持基板（１０１、１０２）に対し相対的に運動可能なように、前記少なくとも１つの運動手段（１２０）によって個別に支持されること
を特徴とする請求項１に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項３】
前記支持基板（１０１、１０２）は、横及び縦ストリップ（１０２）を有する格子状部分を有すること；及び
前記複数のオプトエレクトロニック撮像セル（１１０）の少なくとも１つは、少なくとも１つの対応する運動手段（１２０）によって、前記支持基板の少なくとも１つの横ストリップ及び少なくとも１つの縦ストリップ（１０２）に取付けられること
を特徴とする請求項１又は２に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項４】
前記複数のオプトエレクトロニック画像撮像セル（２１０）は、連続平面上に配置され、かつ、全体として、前記支持基板（２０１）に対し相対的に運動可能なように、前記少なくとも１つの運動手段（２２０）によって保持されること
を特徴とする請求項１に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）は、微小機械デバイス、電気活性高分子、圧電アクチュエータ、熱アクチュエータ及び容量性アクチュエータの少なくとも１つを含むこと
を特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）は、前記センサ面内において前記オプトエレクトロニック撮像セル（１１０；２１０）を運動させるよう適合されること
を特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）は、前記センサ面に対し垂直な方向において前記オプトエレクトロニック撮像セル（１１０；２１０）を運動させるよう適合されること
を特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項８】
前記センサ面内の方向における及び／又は前記センサ面に対し垂直な方向における加速度を検出するための少なくとも１つの加速度センサが設けられ、該加速度センサは前記少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）に接続ないし結合されること；及び
前記少なくとも１つの加速度センサの出力信号が、該センサの検出方向に対応する方向において前記少なくとも１つの運動手段（１２０；２２０）を駆動するために使用されること
を特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の画像防振撮像センサ。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の画像防振撮像センサ（１００；２００）を収容するハウジングを含む、撮像システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の撮像システム（４２５）を含む、手術顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一視点により、画像防振（安定化：stabilization）撮像センサが提供される。この装置は、
とりわけアレイ状に配置された複数のオプトエレクトロニック撮像セル；
センサ面を規定する支持基板であって、前記複数のオプトエレクトロニック撮像セルを支持及び当接するために及び画像防振撮像センサを他のエレメントに結合するために適合された支持基板；及び
前記オプトエレクトロニック撮像セルを前記支持基板に対し相対的に運動させるための少なくとも１つの運動手段
を含むことを特徴とする（形態１・基本構成）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を示すが、これらは従属請求項の対象でもある：
（形態１）  上掲。
（形態２）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記複数のオプトエレクトロニック撮像セルの少なくとも１つは、前記支持基板に対し相対的に運動可能なように、前記少なくとも１つの運動手段によって個別に（互いに独立に）支持されることが好ましい。
（形態３）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記支持基板は、横及び縦ストリップを有する格子（グリッド）状部分を有すること；及び
前記複数のオプトエレクトロニック撮像セルの少なくとも１つは、少なくとも１つの対応する運動手段によって、前記支持基板の少なくとも１つの横ストリップ及び少なくとも１つの縦ストリップに取付けられることが好ましい。
（形態４）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記複数のオプトエレクトロニック撮像セルは、連続平面（continuous surface）上に配置され、かつ、全体として、前記支持基板に対し相対的に運動可能なように、前記少なくとも１つの運動手段によって保持されることが好ましい。
（形態５）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記少なくとも１つの運動手段は、微小機械（マイクロメカニカル）デバイス、電気活性高分子、圧電アクチュエータ、熱アクチュエータ及び容量性（capacitive）アクチュエータの少なくとも１つを含むことが好ましい。
（形態６）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記少なくとも１つの運動手段は、前記センサ面内において前記オプトエレクトロニック撮像セルを運動させるよう適合されることが好ましい。
（形態７）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記少なくとも１つの運動手段は、前記センサ面に対し垂直な方向において前記オプトエレクトロニック撮像セルを運動させるよう適合されることが好ましい。
（形態８）  上記の画像防振撮像センサにおいて、前記センサ面内の方向における及び／又は前記センサ面に対し垂直な方向における加速度を検出するための少なくとも１つの加速度センサが設けられ、該加速度センサは前記少なくとも１つの運動手段に接続ないし結合されること；及び
前記少なくとも１つの加速度センサの出力信号が、該センサの検出方向に対応する方向において前記少なくとも１つの運動手段を駆動するために使用されることが好ましい。
（形態９）  上記形態１〜８の何れかの画像防振撮像センサを収容するハウジングを含む撮像システムも有利に使用することができる。
（形態１０）  上記の撮像システムを含む手術顕微鏡も有利に使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、該露光装置を用いるデバイス製造方法、及び露光用マスク
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に移動する基板上にパターンの像を転写する露光装置であって、
所定の回転中心軸から一定半径の円筒状の外周面の周方向に沿って前記パターンが形成されるパターン形成領域と、該パターン形成領域の周方向、又は前記回転中心軸に沿った方向に関する位置を計測する為のマーク又はスケールが形成されるマーク形成領域とを備えた円筒状マスクを保持して、前記回転中心軸の回りに回転可能なマスク保持部材を備え、
該マスク保持部材は、前記円筒状マスクの側面を着脱可能に保持する為に前記回転中心軸と交差した保持面を有する露光装置。
【請求項２】
前記露光装置は、前記マーク形成領域に形成される前記スケールを光学的に検知して、前記円筒状マスクの周方向又は前記回転中心軸に沿った方向の位置情報を取得するエンコーダシステムを備える請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記露光装置は、前記基板とのアライメントの為に前記マーク形成領域に形成されるアライメントマーク、又は前記円筒状マスクの回転開始位置を表す為に前記マーク形成領域に形成される基準マークを光学的に検知する受光装置を備える請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光装置は、前記回転中心軸の方向を長手方向とした矩形状の露光光を、前記円筒状マスクのパターン形成領域に照射する照明光学系と、前記露光光の照射によって前記円筒状マスクのパターン形成領域から発生する光を入射して、前記円筒状マスクのパターン形成領域又は前記マーク形成領域の像を投影倍率βで前記基板上に投影する投影光学系とを備える請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記露光装置は、前記露光光が照射される前記円筒状マスクの外周面の部分と前記投影光学系とのフォーカス方向の位置関係を計測するフォーカス検出システムを備える請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記露光装置は、前記マスク保持部材の保持面と前記円筒状マスクの側面との間に吸着力を与える吸着装置を備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光装置は、前記マスク保持部材を前記回転中心軸の回りに回転可能に支持するベース部材と、前記マスク保持部材の側と前記ベース部材の側に設けられたマグネットユニットとコイルユニットとで構成される回転モータとを備える請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
パターンの像で基板を露光する露光装置において、
前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有する円筒状のマスクの側面を着脱可能に保持するマスク保持部材を備えた露光装置。
【請求項９】
前記基板はディスプレイデバイス用のガラス基板又はフィルム部材であり、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記ガラス基板又はフィルム部材上に前記ディスプレイデバイスのパターンを形成するデバイス製造方法。
【請求項１０】
所定方向に移動する基板上にパターンの像を転写する露光装置に取り付けられ、前記基板上に転写されるパターンを備えた露光用マスクであって、
所定の中心軸から一定の半径の円筒状の外周面の周方向に沿って前記パターンが形成されるパターン形成部と、該パターン形成部の周方向、又は前記中心軸に沿った方向に関する位置を計測する為のエンコーダ計測用のスケールが、前記中心軸から所定半径の周方向に沿って設けられるスケール形成部とを備え、前記パターン形成部と前記スケール形成部とが共に前記中心軸の回りに回転するように前記露光装置に取り付けられる円筒状の露光用マスク。
【請求項１１】
前記スケールは、前記周方向、または前記中心軸に沿った方向に沿って一定ピッチで線状パターンを形成した格子である請求項１０に記載の露光用マスク。
【請求項１２】
前記スケール形成部は、前記中心軸に沿った方向に関して、前記パターン形成部の両側に設けられる請求項１１に記載の露光用マスク。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【図１】この発明の実施形態１のエバポレータの全体構成を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】図１のエバポレータの構成を概略的に示すとともに冷媒の流れを示す斜視図である。
【図３】図１のエバポレータの構成を概略的に示す図１のＡ−Ａ線断面に相当する図である。
【図４】図１のエバポレータの構成を概略的に示す図１のＢ−Ｂ線断面に相当する図である。
【図５】図１のエバポレータの風上側下ヘッダ部の第１の変形例を示す図３の一部に相当する図である。
【図６】図１のエバポレータの風上側下ヘッダ部の第２の変形例を示す図３の一部に相当する図である。
【図７】この発明の実施形態２のエバポレータの構成を概略的に示すとともに冷媒の流れを示す斜視図である。
【図８】図７のエバポレータの構成を概略的に示す風下側上下両ヘッダ部の部分での後方から前方を見た一部省略垂直断面に相当する図である。
【図９】図７のエバポレータの構成を概略的に示す風上側上下両ヘッダ部の部分での後方から前方を見た一部省略垂直断面に相当する図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
第２区画(62)内に入った冷媒は、連通部(72)を通って風上側上ヘッダ部(6)の第３区画(65)に入り、第３パス(75)を構成する第３チューブ群(12D)の熱交換チューブ(9)内に流入する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材に未定着画像を形成する画像形成部と、
加熱手段と、表面層の下層に弾性体を有する定着回転体であり前記加熱手段と前記表面層が接触して加熱ニップ部を形成する定着回転体と、を有し、前記加熱ニップ部で前記定着回転体を前記加熱手段により加熱して、記録材に形成された未定着画像を前記定着回転体により記録材に加熱定着する定着部と、
を有し、前記定着回転体の表面層形状回復モードを選択可能な画像形成装置において、
前記表面層形状回復モードが選択されると、前記加熱手段は前記定着回転体の表面層の材料の融点よりも低い所定の目標温度で前記表面層の加熱を行ない、前記加熱手段により前記表面層の加熱を行うときの単位面積当りの熱量が記録材に未定着画像を加熱定着するときよりも大きくなるように前記定着回転体の周速度の切り替えを行なうことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記定着回転体の周速度は、記録材に未定着画像を加熱定着するときに比べて、前記表面層形状回復モードが選択されたときの方が遅いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記表面層形状回復モードが選択されたときは、前記定着回転体の回転と停止を繰り返し行ないつつ、前記加熱手段により前記表面層の加熱を行なうことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記表面層形状回復モードが選択されたときは、前記定着回転体を静止した状態で、前記加熱手段により前記表面層の加熱を行なうことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記表面層は、コーティングによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記表面層の材料は、フッ素化合物を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本実施例の画像形成装置の画像形成動作を、図１を参照して説明する。制御部１００は、プリント指令に応じて実行される画像形成シーケンスに従い各画像形成部Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ，Ｐｄを順次駆動する。先ず、各感光ドラム１が所定の周速度（プロセススピード）で矢印方向へ回転されると共に、駆動ローラ８ａにより中間転写ベルト７が各感光ドラム１の回転周速度と対応した周速度で矢印方向へ回転される。１色目のシアンの画像形成部Ｐａにおいて、感光ドラム１表面はドラム帯電器２によって所定の極性・電位に一様に帯電される。次に走査露光装置３が外部装置から出力される画像データ（画像情報）に応じたレーザ光を感光ドラム１の帯電面に対し走査露光する。これにより感光ドラム１表面の帯電面に画像データに応じた静電潜像（静電像）が形成される。そしてこの静電潜像が現像器４によってシアンのトナーを用いて現像される。これによって感光ドラム１表面上にシアンのトナー画像（現像像）が形成される。同様の帯電、露光、現像の各工程が、２色目のマゼンタの画像形成部Ｐｂ、３色目のイエローの画像形成部Ｐｃ、４色目のブラックの画像形成部Ｐｄにおいても行われる。各感光ドラム１表面に形成された各色のトナー画像は感光ドラム表面と中間転写ベルト７表面との間の一次転写ニップ部で一次転写ローラ５によって中間転写ベルト７表面上に順番に重ねて転写される。これにより中間転写ベルト７表面にフルカラーのトナー画像が担持される。トナー画像転写後の感光ドラム１表面は、感光ドラム１表面に残留する転写残トナーがドラムクリーナ６により除去され次の画像形成に供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この加熱ユニット２２は定着ローラ２０の上方で定着ローラ２０と並列に配置されている。そしてヒータホルダ２４の長手方向両端部は加圧バネ（不図示）により所定の加圧力をもって可撓性フィルム２５の径方向で定着ローラ２０に向けて付勢されている。これによって定着ローラ２０表面には可撓性フィルム２５を挟んでヒータ２３が加圧される。これによって定着ローラ２０の弾性層２０Ｂを弾性変形させ、定着ローラ２０表面と可撓性フィルム２５の外周面（表面）との間に所定幅の加熱ニップ部Ｎｋを形成している。加熱手段は加熱ユニット２２に限られずハロゲンヒータを内包した加熱ローラを用いてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上説明したように、定着ローラ回復モードでは、定着ローラ２０の離型層２０Ｃに優れたシワ伸ばし効果が得られた。シワ伸ばし効果は一時的なものではなく、定着ローラ回復モードを行ったときから離型層２０Ｃに平滑な形状を保とうとする応力が働かなくなるまでの一定期間維持される。定着ローラ２０の離型層２０Ｃに再びシワが発生したとしても、再び定着ローラ回復モードを選択すれば良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012032502.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012032502.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012032502.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置の動作を制御するための制御情報の入力を受け付ける入力部と、
前記入力部に入力される制御情報を画像データに付加する付加部と、
前記制御情報が付加された画像データを保存する記録部と、
を有する画像処理装置であって、
前記制御情報は、表示装置が画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報である画像処理装置。
【請求項２】
前記画像データはＲＡＷ画像データを含み、
前記制御情報は、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像する際の現像パラメータと、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像して生成される画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報と、を含む請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像データは動画像データを含み、
前記制御情報は、動画像データの全編の表示に共通に適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、動画像データのフレーム又はシーンごとに適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、を含む請求項１又は２のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
画像データが入力される画像入力部と、画像データを表示する表示部と、前記表示部が画像データを表示する際に表示画質に関連する処理を行う画像処理部と、前記画像処理部が行う処理を制御するための制御情報が画像データに付加されているか否か判定する判定部と、を有し、画像データに制御情報が付加されていると判定される場合に前記画像処理部が前記制御情報に基づいて表示画質に関連する処理を実行する表示装置と、
を有する画像処理システム。
【請求項５】
画像データに付加されている制御情報のうちに前記画像処理部が実行不可能な処理の制御情報が含まれている場合、前記画像処理部は、当該実行不可能な処理を除いた実行可能な処理を前記制御情報に基づいて実行する請求項４に記載の画像処理システム。
【請求項６】
画像データに付加されている制御情報のうちに前記画像処理部が実行不可能な処理の制
御情報が含まれている場合、前記画像処理部は、制御情報に基づく処理を実行しない請求項４に記載の画像処理システム。
【請求項７】
前記表示装置は、前記画像処理部が実行可能な処理に関する情報である処理能力情報を前記画像処理装置に送信する送信部を有し、
前記画像処理装置は、前記処理能力情報を受信する受信部を有し、
前記入力部は、前記受信部が受信した処理能力情報に基づいて、前記画像処理部が実行可能な処理の制御情報の入力を受け付ける請求項６に記載の画像処理システム。
【請求項８】
表示装置の動作を制御するための制御情報の入力を受け付けるステップと、
入力される制御情報を画像データに付加するステップと、
前記制御情報が付加された画像データを記録部に保存するステップと、
を有する画像処理装置の制御方法であって、
前記制御情報は、表示装置が画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報である画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
前記画像データはＲＡＷ画像データを含み、
前記制御情報は、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像する際の現像パラメータと、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像して生成される画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報と、を含む請求項８に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
前記画像データは動画像データを含み、
前記制御情報は、動画像データの全編の表示に共通に適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、動画像データのフレーム又はシーンごとに適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、を含む請求項８又は９に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
画像処理装置と、画像処理装置から入力される画像データを表示する表示装置と、を有する画像処理システムの制御方法であって、
画像処理装置が、表示装置の動作を制御するための制御情報の入力を受け付ける入力ステップと、
画像処理装置が、入力される制御情報を画像データに付加するステップと、
画像処理装置が、前記制御情報が付加された画像データを記録部に保存するステップと、
を有し、
前記制御情報は、表示装置が画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報である画像処理システムの制御方法。
【請求項１２】
前記画像データはＲＡＷ画像データを含み、
前記制御情報は、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像する際の現像パラメータと、表示装置が前記ＲＡＷ画像データを現像して生成される画像データを表示する際に行う表示画質に関連する処理を制御するための情報と、を含む請求項１１に記載の画像処理システムの制御方法。
【請求項１３】
前記画像データは動画像データを含み、
前記制御情報は、動画像データの全編の表示に共通に適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、動画像データのフレーム又はシーンごとに適用する表示画質に関連する処理の制御情報と、を含む請求項１１又は１２に記載の画像処理システムの制御方法。
【請求項１４】
表示装置が、画像データの入力を受け付ける画像入力ステップと、
表示装置が、画像データを表示する表示ステップと、
表示装置が、前記表示ステップで画像データを表示する際に表示画質に関連する処理を行う画像処理ステップと、
表示装置が、前記画像処理ステップで行う処理を制御するための制御情報が画像データに付加されているか否かを判定する判定ステップと、
を有し、
画像データに制御情報が付加されていると判定される場合に、表示装置が、前記画像処理ステップで前記制御情報に基づいて表示画質に関連する処理を実行する請求項１１から１３のいずれか１項に記載の画像処理システムの制御方法。
【請求項１５】
画像データに付加されている制御情報のうちに前記画像処理ステップで実行不可能な処理の制御情報が含まれている場合、前記画像処理ステップでは、当該実行不可能な処理を除いた実行可能な処理を前記制御情報に基づいて実行する請求項１４に記載の画像処理システムの制御方法。
【請求項１６】
画像データに付加されている制御情報のうちに前記画像処理ステップで実行不可能な処理の制御情報が含まれている場合、前記画像処理ステップでは、制御情報に基づく処理を実行しない請求項１４に記載の画像処理システムの制御方法。
【請求項１７】
前記表示装置が、前記画像処理ステップで実行可能な処理に関する情報である処理能力情報を前記画像処理装置に送信する送信ステップと、
前記画像処理装置が、前記処理能力情報を受信する受信ステップと、を有し、
前記入力ステップでは、前記受信ステップで受信した処理能力情報に基づいて、前記画像処理ステップで実行可能な処理の制御情報の入力を受け付ける請求項１６に記載の画像処理システムの制御方法。