Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報の変動表示を行ない表示結果を導出表示し、予め定められた特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
所定画像が表示されていることは視認可能であるが、当該所定画像の視認性を基準状態よりも低い視認困難状態に変化させる視認困難演出を実行する視認困難演出実行手段と、
通常表示態様、または、当該通常表示態様と一部が異なり当該通常表示態様よりも遊技者にとって有利な特典が付与される割合が高いことを示唆する特殊表示態様により前記所定画像を表示可能な予告演出実行手段と、
前記特殊表示態様による前記所定画像の表示と前記視認困難演出との同時発生を禁止する禁止手段とを備えることを特徴とする、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）  各々を識別可能な複数種類の識別情報（特別図柄、演出図柄）の変動表示を行ない表示結果を導出表示し、予め定められた特定表示結果（大当り表示結果）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（大当り遊技状態）に制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、
所定画像（第１ステップアップ予告演出、第２ステップアップ予告演出、ボタン予告演出等の画像）が表示されていることは視認可能であるが、当該所定画像の視認性を基準状態よりも低い視認困難状態に変化させる視認困難演出（ブラックアウト演出）を実行する視認困難演出実行手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００、図２５のＳ５０４，Ｓ５０６、図５０のＳ８４７、図５１のＳ１００１〜Ｓ１０１９、図５２のＳ１０３１〜Ｓ１０３３）と、
通常表示態様、または、当該通常表示態様と一部が異なり当該通常表示態様よりも遊技者にとって有利な特典（大当り、確変、時短等の特典）が付与される割合が高いことを示唆する特殊表示態様（唐草モチーフ態様）により前記所定画像を表示可能な予告演出実行手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００、図２５のＳ５０４，Ｓ５０６、図５０のＳ８４５，Ｓ８４８〜Ｓ８５６）と、
前記特殊表示態様による前記所定画像の表示と前記視認困難演出との同時発生を禁止する禁止手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００、図３０のＳ５０３４Ａでブラックアウト演出フラグがセットされているときはＳ５０３５〜Ｓ５０４９を実行せずにＳ５０３４Ｂに進む構成）とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成によれば、特殊表示態様による所定画像の表示と視認困難演出との同時発生が禁止されるので、たとえば、所定画像が特殊表示態様で表示されていないにもかかわらず特殊表示態様で表示されているものと遊技者が誤判断する場合のような、画像表示による演出が行なわれるときの演出内容を遊技者が誤解することを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（手段１）本発明による遊技機は、遊技媒体（例えば、遊技球）を用いて所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、遊技媒体が通過可能な複数の特定領域（例えば、可変入賞球装置２００内の特定口Ａ２０１および特定口Ｂ２０２）と、遊技領域に設けられた始動領域（例えば、第１始動入賞口１３、第２始動入賞口１４）を遊技媒体が通過したことにもとづいて所定条件が成立（例えば、大当りが発生）したか否かを判定する判定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ６１を実行する部分）と、判定手段によって所定条件が成立したと判定されたことを条件に、複数の特定領域のうちのいずれかの特定領域を遊技媒体が通過したことにもとづいて、獲得価値期待度が異なる複数種類の特定遊技状態のうちのいずれか１の特定遊技状態に制御する特定遊技状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１３０３，Ｓ１３０５でＹと判定したときにステップＳ１３０８を実行して見た目上のラウンド数を決定して、ステップＳ３０６〜Ｓ３０８を実行することにより見た目上のラウンド数が５ラウンド、１０ラウンド、または１５ラウンドの大当り遊技状態に制御する部分）と、始動領域を遊技媒体が通過したことにもとづいて、特定遊技状態を終了した後に所定条件が成立しやすい特別遊技状態（例えば、確変状態）に制御するか否かを決定する特別遊技状態決定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップ７３を実行することにより１５Ｒ確変大当りや確変大当りとするか否かを決定する部分）と、特別遊技状態決定手段によって特別遊技状態に制御すると決定された場合に、特定遊技状態を終了した後に特別遊技状態に制御する特別遊技状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１６７を実行する部分）とを備え、特定遊技状態制御手段は、複数の特定領域のうちのいずれの特定領域を遊技媒体が通過したかに応じて、異なる振り分けに従って複数種類の特定遊技状態のうちのいずれか１の特定遊技状態に制御し（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０は、ステップＳ１３０８を実行するときに、特定口Ａ２０１を遊技球が通過した場合には図１１（Ａ）に示す特定口Ａ用のラウンド数判定テーブル１３２ａを用いて１００パーセントの割合で見た目上のラウンド数を１０ラウンドに決定し、特定口Ｂ２０２を遊技球が通過した場合には図１１（Ｂ）に示す特定口Ｂ用のラウンド数判定テーブル１３２ｂを用いて見た目上のラウンド数を５ラウンド、１０ラウンド、または１５ラウンドのいずれかに決定し、その決定結果に従ってステップＳ３０６〜Ｓ３０８を実行する）、複数の特定領域のうちのいずれの特定領域に遊技媒体を通過させるかは、遊技者の操作に応じて選択可能である（例えば、可変入賞球装置２００内の振分部材２０３が特定口Ａ２０１と特定口Ｂ２０２とのいずれを選択しているかを認識して遊技球を打ち分けることが可能である）ことを特徴とする。そのような構成により、所定条件が成立した後に特定領域を遊技媒体が通過したことにもとづいて特定遊技状態に制御するように構成された遊技機において、遊技者の嗜好に合わせたゲーム性を実現することができる。また、特別遊技状態とするか否かの決定に関しては、いずれの特定領域を遊技媒体が通過したかに依存することなく、始動領域を遊技媒体が通過したことにもとづいて決定しているので、遊技者の射幸心を必要以上に煽りすぎることを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技媒体が始動領域を通過した後に、可変表示の開始条件が成立したことにもとづいて識別情報の可変表示を行い、当該識別情報の表示結果として特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
遊技媒体が所定領域を通過したことにもとづいて、可変入賞装置を遊技媒体が進入しやすい状態に制御する可変入賞装置制御手段と、
識別情報の可変表示の演出態様を、複数種類の演出態様のうちから選択する演出態様選択手段と、
前記演出態様選択手段が選択した演出態様にもとづいて、識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段と、
前記演出態様選択手段によって選択された演出態様を途中から別の演出態様に変更するか否かを決定する態様変更決定手段と、
識別情報の可変表示が行われているときに、当該識別情報の表示結果が前記特定表示結果になることを示唆する特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記可変入賞装置が遊技媒体が進入しやすい状態に制御されるか否かを報知するための所定演出を実行する所定演出実行手段と、
前記特定演出が実行される識別情報の可変表示中に前記所定演出の実行を制限する所定演出制限手段とを備え、
前記可変表示実行手段は、前記態様変更決定手段が前記別の演出態様に変更すると決定したときに、当該決定にもとづいて前記演出態様選択手段によって選択された演出態様による可変表示の途中から前記別の演出態様による可変表示を実行する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）本発明による遊技機は、遊技媒体（例えば、遊技球）が始動領域（例えば、第１始動入賞口１３および第２始動入賞口１４）を通過した後に、可変表示の開始条件（例えば、第１特別図柄および第２特別図柄のいずれの可変表示も実行されていない状態で、かつ大当り遊技状態でも小当り遊技状態でもないこと）が成立したことにもとづいて識別情報の可変表示を行い、識別情報の表示結果として特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、遊技媒体が所定領域（例えば、ゲート３２）を通過したことにもとづいて、可変入賞装置（例えば、可変入賞球装置１５）を遊技媒体が進入しやすい状態（例えば、開放状態）に制御する可変入賞装置制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ４５３〜Ｓ４５５の処理を実行する部分）と、識別情報の可変表示の演出態様を、複数種類の演出態様のうちから選択する演出態様選択手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ９２，Ｓ９４，Ｓ９７，Ｓ９８，Ｓ９９，Ｓ１０１〜Ｓ１０２の処理を実行する部分）と、演出態様選択手段が選択した演出態様にもとづいて、識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ８３１〜Ｓ８３３およびステップＳ８４１〜Ｓ８４４の処理を実行する部分）と、演出態様選択手段によって選択された演出態様を途中から別の演出態様に変更するか否かを決定する態様変更決定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１０７の処理を実行する部分）と、識別情報の可変表示が行われているときに、識別情報の表示結果が特定表示結果になることを示唆する特定演出（例えば、スーパーリーチ演出）を実行する特定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１，Ｓ８４４の処理を実行する部分）と、可変入賞装置が遊技媒体が進入しやすい状態に制御されるか否かを報知するための所定演出を実行する所定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ７７９の処理を実行する部分）と、特定演出が実行されるときに行われる識別情報の可変表示中では所定演出の実行を制限する所定演出制限手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ７５５，Ｓ７５６の処理を実行する部分）とを備え、可変表示実行手段は、態様変更決定手段が別の演出態様に変更すると決定したときに、当該決定にもとづいて演出態様選択手段によって選択された演出態様による可変表示の途中から別の演出態様による可変表示を実行する（図６１におけるＳ８５１〜Ｓ８５５参照）ことを特徴とする。
そのような構成によれば、特定演出に対する遊技者の注目度の低下を防止して、特定演出の演出効果を低減させないようにすることができる。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）上記の（１）の遊技機において、特定演出は、識別情報の表示態様がリーチ態様になった後に実行されるリーチ演出であり、態様変更決定手段は、演出態様選択手段によって選択された演出態様を途中からリーチ演出を伴う別の演出態様に変更すると決定し（図３４におけるステップＳ１０６参照）、所定演出制限手段は、別の演出態様による可変表示が実行される場合に所定演出の実行を制限する（図５２におけるステップＳ７４６参照）ように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、特定演出の演出効果を低減させないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイパネルに表示した複数の目標タッチマークをユーザにタッチパネルを介してタッチさせることにより、前記複数の目標タッチマークを表示した座標と前記タッチパネルでタッチが検知された座標とのズレを補正するための変換係数を更新する情報処理装置であって、
ディスプレイパネルにおける、予め定めた基準座標からの距離が等しい複数の座標のそれぞれに目標タッチマークを表示させる表示制御手段と、
前記目標タッチマークに対してのタッチが検知された座標を、予め定めた変換係数を用いて、前記ディスプレイパネルにおける座標に変換する変換手段と、
前記複数の目標タッチマークを表示した座標と、前記変換手段で変換した座標との差分を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出した差分の平均値を算出し、該平均値を用いて、前記基準座標と前記変換手段で変換した座標との間のそれぞれの距離が等しくなるように、前記変換手段で変換した座標を補正する補正手段と、
前記補正手段で補正した座標と前記複数の目標タッチマークを表示した座標とのズレを補正するための新たな変換係数を算出し、該新たな変換係数を以降の前記タッチパネルのタッチ位置検知で用いる変換係数として更新する更新手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記算出手段で算出した差分のうち、予め定めた除外条件を満たす差分を除く差分の平均値を用いて、前記変換手段で変換した座標を補正することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記算出手段で算出した差分のうち、少なくとも最大の差分を除く差分の平均値を用いて、前記変換手段で変換した座標を補正することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記算出手段で算出した差分のうち、予め定めた閾値よりも大きい差分を除く差分の平均値を用いて、前記変換手段で変換した座標を補正することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記補正手段は、前記算出手段で算出した差分のうち、該差分の平均値との差が予め定めた閾値よりも大きい差分を除く差分の平均値を用いて、前記変換手段で変換した座標を補正することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記ディスプレイパネルにおける座標が、前記基準座標を原点とするＸＹ座標であり、
前記補正手段は、前記変換手段で変換した座標が、前記複数の目標タッチマークを表示した座標に対して前記原点に近づく方向であるか、遠ざかる方向であるかを加味して、前記差分のＸ成分及びＹ成分の平均値を算出し、該平均値を用いて、前記基準座標と前記変換手段で変換した座標との間の距離が等しくなるように、前記変換手段で変換した座標を補正することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記基準座標が、前記ディスプレイパネルの表示範囲の中央の座標であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
ディスプレイパネルに表示した複数の目標タッチマークをユーザにタッチパネルを介してタッチさせることにより、前記複数の目標タッチマークを表示した座標と前記タッチパネルでタッチが検知された座標とのズレを補正するための変換係数を更新する情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の表示制御手段が、ディスプレイパネルにおける、予め定めた基準座標からの距離が等しい複数の座標のそれぞれに目標タッチマークを表示させる表示制御ステップと、
前記情報処理装置の変換手段が、前記目標タッチマークに対してのタッチが検知された座標を、予め定めた変換係数を用いて、前記ディスプレイパネルにおける座標に変換する変換ステップと、
前記情報処理装置の算出手段が、前記複数の目標タッチマークを表示した座標と、前記変換ステップで変換した座標との差分を算出する算出ステップと、
前記情報処理装置の補正手段が、前記算出ステップで算出した差分の平均値を用いて、前記基準座標と前記変換ステップで変換した座標との間のそれぞれの距離が等しくなるように、前記変換ステップで変換した座標を補正する補正ステップと、
前記情報処理装置の更新手段が、前記補正ステップで補正した座標と前記複数の目標タッチマークを表示した座標とのズレを補正するための新たな変換係数を算出し、該新たな変換係数を以降の前記タッチパネルのタッチ位置検知で用いる変換係数として更新する更新ステップと、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記憶した、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る情報処理装置は、ディスプレイパネルに表示した複数の目標タッチマークをユーザにタッチパネルを介してタッチさせることにより、前記複数の目標タッチマークを表示した座標と前記タッチパネルでタッチが検知された座標とのズレを補正するための変換係数を更新する情報処理装置であって、ディスプレイパネルにおける、予め定めた基準座標からの距離が等しい複数の座標のそれぞれに目標タッチマークを表示させる表示制御手段と、前記目標タッチマークに対してのタッチが検知された座標を、予め定めた変換係数を用いて、前記ディスプレイパネルにおける座標に変換する変換手段と、前記複数の目標タッチマークを表示した座標と、前記変換手段で変換した座標との差分を算出する算出手段と、前記算出手段で算出した差分の平均値を算出し、該平均値を用いて、前記基準座標と前記変換手段で変換した座標との間のそれぞれの距離が等しくなるように、前記変換手段で変換した座標を補正する補正手段と、前記補正手段で補正した座標と前記複数の目標タッチマークを表示した座標とのズレを補正するための新たな変換係数を算出し、該新たな変換係数を以降の前記タッチパネルのタッチ位置検知で用いる変換係数として更新する更新手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学データを記憶するための方法であって、当該方法が、
（ａ）ポリマーマトリックスと、三重項励起時に変化を起こして屈折率変化を引き起こすことができる反応体であってシンナメート、シンナメート誘導体、シンナムアミド誘導体又はこれらの組合せからなる反応体と、化学線を吸収して前記反応体への上位三重項エネルギー伝達を引き起こすことができる非線形増感剤とを含む光学データ記憶媒体を用意する段階と、
（ｂ）前記光学データ記憶媒体を干渉パターンで照射して前記非線形増感剤から反応体への上位三重項エネルギー伝達を生じさせて屈折率変化を引き起こすことによって、前記光学データ記憶媒体中にマイクロホログラムをビット単位方式で記録する段階
を含んでおり、前記光学データ記憶媒体の屈折率変化が０．００５以上である、方法。
【請求項２】
前記光学データ記憶媒体の屈折率変化が０．０５以上である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記反応体が、ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｍ）、ポリビニル４−クロロシンナメート（ＰＶＣｌＣｍ）、ポリビニル４−メトキシシンナメート（ＰＶＭｅＯＣｍ）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−フェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（４−クロロフェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（４−メトキシフェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−フェニルアクリルアミド）、（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−（４−クロロフェニル）アクリルアミド）、（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−（４−メトキシフェニル）アクリルアミド）又はこれらの組合せからなる、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記光学データ記憶媒体が、非線形増感剤と反応体との間でエネルギーを伝達し得る媒介物をさらに含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記媒介物が、アセトフェノン、ジメチルフタレート、ベンゾフェノン、９Ｈ−フルオレン、ビフェニル、フェナントレン、１−ナフトニトリル又はこれらの組合せを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記非線形増感剤が逐次二光子吸収型逆飽和吸収体を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記非線形増感剤がフタロシアニン染料、サブフタロシアニン染料又はアルキニル白金染料を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記光学データ記憶媒体が、光安定剤をさらに含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記光安定剤がビスジチオベンジルニッケルである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリマーマトリックスが、ポリビニルアルコール、ポリ（アルキルメタクリレート）、ポリ（アルキルアクリレート）、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（酢酸ビニル）又はこれらの組合せを含む、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
ポリマーマトリックスと、
三重項励起時に変化を起こして屈折率変化を引き起こすことができる反応体であってシンナメート、シンナメート誘導体、シンナムアミド誘導体又はこれらの組合せからなる反応体と、
化学線を吸収して前記反応体への上位三重項エネルギー伝達を引き起こすことができる逆飽和吸収体を含む非線形増感剤であってフタロシアニン染料、サブフタロシアニン染料又はアルキニル白金染料を含む非線形増感剤と、
を含んでなる光学データ記憶媒体であって、マイクロホログラムをビット単位方式で記録することのできる光学データ記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ポリビニルシンナメート、シンナメート誘導体及びシンナムアミド類似体の例には、特に限定されないが、ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｍ）、ポリビニル４−クロロシンナメート（ＰＶＣｌＣｍ）、ポリビニル４−メトキシシンナメート（ＰＶＭｅＯＣｍ）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−フェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（４−クロロフェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（４−メトキシフェニルアクリレート）、（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−フェニルアクリルアミド）、（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−（４−クロロフェニル）アクリルアミド）及び（２Ｅ，２’Ｅ）−Ｎ，Ｎ’−（（１Ｓ，２Ｓ）−シクロヘキサン−１，２−ジイル）ビス（３−（４−メトキシフェニル）アクリルアミド）がある。これらを以下に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を製造する方法であって、
膜が形成されていない光学面を有する光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された投影光学系を分解して前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する加工工程と、
前記加工工程で加工された光学面に膜を形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得る組立工程と、
前記膜形成工程において前記光学面に形成される膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、
を含み、
前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
投影光学系を製造する方法であって、
膜が形成されていない光学面を有する光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された投影光学系を分解して前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する加工工程と、
前記加工工程で加工された光学面に膜を形成する膜形成工程と、
前記複数の光学素子の間隔を調整する部材を準備する準備工程と、
前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子と前記準備工程で準備された部材とを組み立てて投影光学系を得る組立工程と、
前記膜形成工程において前記表面に形成される膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、
を含み、
前記準備工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記部材を準備する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量に基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子は光が反射する光学素子であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子は光が透過する光学素子であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記光が透過する光学素子の光学面のうち、双方の光学面に前記膜が形成されていないことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記双方の光学面に前記膜が形成されていない光学素子の、一方の光学面を加工することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記双方の光学面に前記膜が形成されていない光学素子の、双方の光学面を加工することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
製造すべき投影光学系に含まれる光学素子のうち、膜が形成されていない光学面を有する光学素子と同じ数で同じ場所に、膜が形成されていない光学面を有する光学素子を持ち該製造すべき投影光学系とは別の投影光学系について、光学素子の少なくとも一つの光学面に膜を形成せずに複数の光学素子を組み立てて得られた投影光学系の波面収差と、当該少なくとも一つの光学面に膜を形成して複数の光学素子を組み立てて得られた投影光学系の波面収差とをそれぞれ計測し、当該計測された投影光学系の波面収差の差から、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記膜形成工程において膜が形成される光学素子について、膜が形成される前と膜が形成された後とで透過波面を計測し、当該計測された光学素子の透過波面の差に基づいて、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記膜形成工程において膜が形成される光学素子について、膜が形成される前と膜が形成された後とで表面形状を計測し、当該計測された光学素子の表面形状の差に基づいて、前記膜形成工程において前記表面に形成された膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を推定する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の投影光学系を製造する方法によって製造されたことを特徴とする投影光学系。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の投影光学系を製造する方法によって製造された投影光学系と、
原版を保持する原版ステージと、
基板を保持する基板ステージと、を備え、
前記投影光学系は前記原版のパターンを前記基板上に投影することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光装置を使用して基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の1つの側面は、投影光学系を製造する方法であって、膜が形成されていない光学面を有する光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得て、当該投影光学系の波面収差を計測する計測工程と、前記計測工程で計測された投影光学系を分解して前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する加工工程と、前記加工工程で加工された光学面に膜を形成する膜形成工程と、前記膜形成工程で膜が形成された光学素子を含む複数の光学素子を組み立てて投影光学系を得る組立工程と、前記膜形成工程において前記光学面に形成される膜に起因する投影光学系の波面収差の変化量を前記加工工程の前に推定する推定工程と、を含み、前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記膜が形成されていない光学面を有する光学素子の前記膜が形成されていない光学面を加工する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上方の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の、絶縁層と、
前記絶縁層上方の、第３の導電層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第４の導電層と、
第５の導電層と、
前記第４の導電層及び前記第５の導電層上方の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上方の、前記絶縁層と、
前記絶縁層上方の、第６の導電層と、を有し、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第１の酸化物半導体層、前記絶縁層、前記第３の導電層は、透光性を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の導電層よりも抵抗が低く、
前記第５の導電層は、前記第２の導電層よりも抵抗が低く、
前記第６の導電層は、前記第３の導電層よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素部と、駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上方の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の、絶縁層と、
前記絶縁層上方の、第３の導電層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第４の導電層と、
前記第４の導電層上方の、第５の導電層と、
第６の導電層と、
前記第６の導電層上方の、第７の導電層と、
前記第５の導電層及び前記第７の導電層上方の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上方の、前記絶縁層と、
前記絶縁層上方の、第８の導電層と、
前記第８の導電層上方の、第９の導電層と、を有し、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第１の酸化物半導体層、前記絶縁層、前記第３の導電層は、透光性を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の導電層と同一の材料を有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層よりも抵抗が低く、
前記第６の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有し、
前記第７の導電層は、前記第２の導電層よりも抵抗が低く、
前記第８の導電層は、前記第３の導電層と同一の材料を有し、
前記第９の導電層は、前記第３の導電層よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタ上方の、窒化珪素を有する層と有機材料を有する層との積層構造を有する層と、
前記積層構造を有する層上方の、画素電極と、を有し、
前記積層構造を有する層及び前記画素電極は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上方の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の、第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、
前記第１の酸化物導電層又は前記第２の酸化物導電層上方の、導電層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のゲート電極層と、
前記第２のゲート電極層上方の、前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上方の、第３の酸化物導電層及び第４の酸化物導電層と、
前記第３の酸化物導電層上方の、第１の金属導電層と、
前記第４の酸化物導電層上方の、第２の金属導電層と、を有し、
前記第１のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体層、前記第１の酸化物導電層、前記第２の酸化物導電層は、透光性を有し、
前記第３の酸化物導電層及び前記第４の酸化物導電層は、前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層と同一の材料を有し、
前記第１の金属導電層及び前記第２の金属導電層は、前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層と接する領域と、前記第２の酸化物半導体層と接する領域と、を有する酸化物絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、又は酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成する工程と、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上方に、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上方に、酸化物導電膜を形成する工程と、
前記酸化物導電膜上方に、金属導電膜を形成する工程と、
前記酸化物導電膜及び前記金属導電膜をエッチングして、前記第１の酸化物半導体層上方の第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、前記第１の酸化物導電層又は前記第２の酸化物導電層上方の第１の導電層と、前記２の酸化物半導体層上方の第３の酸化物導電層及び第４の酸化物導電層と、前記第３の酸化物導電層上方の第１の金属導電層と、前記第４の酸化物導電層上方の第２の金属導電層と、を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体層と接する領域と、前記第２の酸化物半導体層と接する領域と、を有する酸化物絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物絶縁層上方に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をエッチングして、第２の導電層と、画素電極層と、を形成する工程と、を有し、
前記第１のゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記第１の酸化物半導体層、前記酸化物導電膜、前記酸化物絶縁層は、透光性を有し、
前記金属導電膜は、前記酸化物導電膜よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層の脱水化又は脱水素化を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記酸化物導電膜は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、または酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと構造の異なる第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上にあり、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上にあり、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート電極は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、
第３のゲート電極と、
前記第３のゲート電極上にあり、前記第３のゲート電極と重なる領域を有する第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第２のトランジスタ上に、赤色、緑色、または青色のカラーフィルタ層を有し、
前記カラーフィルタ層上に、発光層を有し、
前記第１の酸化物半導体層および前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光層を有する発光素子は、白色発光することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、ソース電極とドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒化珪素膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜を有し、
前記ゲート電極と同層の第１の導電層を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同層の第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記窒化珪素膜の第１のコンタクトホールと前記酸化珪素膜の第２のコンタクトホールとを介して電気的に接続されており、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールより大きく、
前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第３のコンタクトホールを介して前記ソース電極と電気的に接続されており、
前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第４のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、ソース電極とドレイン電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、窒化珪素膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜を有し、
前記ゲート電極と同層の第１の導電層を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同層の第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記窒化珪素膜の第１のコンタクトホールと前記酸化珪素膜の第２のコンタクトホールとを介して電気的に接続されており、
前記第２のコンタクトホールにおいて、前記第１の絶縁膜上の前記第２の絶縁膜の一部が除去されており、
前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第３のコンタクトホールを介して前記ソース電極と電気的に接続されており、
前記酸化物半導体層は、前記酸化珪素膜の第４のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とが交差する部分を有し、
前記交差する部分において、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に前記窒化珪素膜と前記酸化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子構造の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体でなる突起を絶縁表面上に形成することと、
前記絶縁表面および前記突起の表面に補強材を含む前記プリプレグを密着させて、前記プリプレグの上面に前記突起により隆起した部分を形成することと、
前記絶縁表面および前記突起の表面に密着された前記プリプレグを硬化して、前記補強材を含む絶縁膜を形成することと、
前記絶縁膜の上面が隆起している部分を前記補強材と共に除去して、前記絶縁膜に開口を形成することと、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁膜を研削することで、前記絶縁膜に開口を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記開口を形成した後、前記突起に密接する導電体を形成することを有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３において、
前記補強材を含む前記プリプレグの代わりに、補強材を含まない未硬化の樹脂膜を硬化することで前記絶縁膜を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端子構造、電子装置、端子構造の作製方法、及び電子装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電体と、
前記第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に設けられた開口と、
前記開口において、前記第１の導電体と電気的に接続された第２の導電体と、を有し、
前記開口において、前記第１の導電体上に前記補強材が設けられていることを特徴とする端子構造。
【請求項２】
請求項１において、
前記補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする端子構造。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする端子構造。
【請求項４】
少なくとも１つの電子素子と、
前記電子素子を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記電子素子の少なくとも１つと電気的に接続された第１の導電体と、
前記絶縁膜及び前記第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に設けられた開口と、を有し、
前記開口において、前記第１の導電体上に前記補強材が設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記開口において、前記第１の導電体と電気的に接続されている第２の導電体を有することを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項８】
絶縁表面に第１の導電体を形成し、
前記絶縁表面及び前記第１の導電体の表面に、補強材を含む樹脂膜を密着させて、前記樹脂膜の前記第１の導電体と密着している領域の厚さを他の領域の厚さよりも小さくし、
前記樹脂膜を硬化させ、
硬化した前記樹脂膜を薄くして、硬化した前記樹脂膜の前記第１の導電体と重なる領域に開口を形成し、
前記開口を介して前記第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を用いることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１１】
第１の絶縁膜に覆われている少なくとも１つの電子素子上に、前記電子素子の少なくとも１つと電気的に接続される第１の導電体を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面及び前記第１の導電体の表面に、補強材を含む樹脂膜を密着させて、前記樹脂膜の前記第１の導電体と密着している領域の厚さを他の領域の厚さよりも小さくし、
前記樹脂膜を硬化させ、
硬化した前記樹脂膜を薄くして、硬化した前記樹脂膜の前記第１の導電体と重なる領域に開口を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記開口を介して前記第１の導電体と電気的に接続される第２の導電体を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を用いることを特徴とする電子装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、第１の層と、第２の層とが、積層された領域を有し、
前記第１の層は、前記第２の層より光透過率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、第１の層と、第２の層とが、積層された領域を有し、
前記第１の層は、前記第２の層より光透過率が高く、
前記第２の層は、前記第１の層より導電率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、第１の層と、第２の層とが、積層された領域を有し、
前記第１の層は、金属酸化物を有し
前記第２の層は、モリブデンを有することを特徴とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、第１の層と、第２の層とが、積層された領域を有し、
前記第１の層の端部は、前記第２の層の端部より突出している領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続された第４の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタの第１のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第１の導電層乃至前記第４の導電層は、それぞれ第１の層と、第２の層とが、積層された領域を有し、
前記第１の層の端部は、前記第２の層の端部より突出している領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第１の導電型を示す半導体層と、光電変換機能を有する半導体層と、第２の導電型を示す半導体層と、を有するユニットセルと、
第２の電極と、を有し、
前記光電変換機能を有する半導体層中には、前記第１の導電型を示す半導体層から前記第２の導電型を示す半導体層にかけて、前記光電変換機能を有する半導体層の厚さより小さい粒径の結晶粒が、該半導体層の厚さ方向に連なって配置された領域を有する光電変換装置。
【請求項２】
第１の電極と、
第１の導電型を示す半導体層と、光電変換機能を有する半導体層と、第２の導電型を示す半導体層と、をそれぞれが有する複数のユニットセルと、
第２の電極と、を有し、
前記複数のユニットセルの一において、前記光電変換機能を有する半導体層中には、前記第１の導電型を示す半導体層から前記第２の導電型を示す半導体層にかけて、前記光電変換機能を有する半導体層の厚さより小さい粒径の結晶粒が、該半導体層の厚さ方向に連なって配置された領域を有する光電変換装置。
【請求項３】
前記結晶粒が連なって配置された領域を複数有する、請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記結晶粒が連なって配置された領域は局在化している、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記光電変換機能を有する半導体層の母体は、非晶質半導体を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の光電変換装置。