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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延出されている一対の振動腕と、
前記一対の振動腕が接続されている一方の端部、平面視で前記一方の端部とは反対側に配置されている他方の端部、及び前記一方の端部と前記他方の端部との間に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に沿った断面の面積が前記一方の端部よりも小さい領域を有する断面減少部、を含む基部と、
前記基部の他方の端部に接続されている支持腕と、
を含み、
前記断面減少部の前記第１方向に沿った長さをＬ、
前記振動腕の前記第２方向に沿った幅をＷ１としたとき、
２×Ｗ１≦Ｌ≦６×Ｗ１
を満足することを特徴とする振動片。
【請求項２】
請求項１において、
前記断面減少部が、前記基部の前記第１方向に沿った両側部に、切欠きを形成することによって設けられていることを特徴とする振動片。
【請求項３】
請求項２において、
前記一対の振動腕の外側の側辺間の前記第２方向に沿った幅をＷ２、
前記断面減少部の前記第２方向に沿った幅をＷ３としたとき、
Ｗ３＜Ｗ２
を満足することを特徴とする振動片。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記支持腕が、
前記振動腕の前記延出方向に延出されている支持腕部と、
前記基部から延出され、前記支持腕部に接続されている連結部と、
を含み、
前記支持腕部と前記連結部とが接続されている隅部に曲線を含むことを特徴とする振動片。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片が収容されているパッケージと、
を備えていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項６】
請求項５において、
前記支持腕が、前記パッケージに取り付けられていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振動片と、
回路と、
を備えていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動片、振動デバイス子及び電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに、他の出力端子が自らの入力端子に接続されることで、データの保持を行う第１の論理値を反転させる論理素子及び第２の論理値を反転させる論理素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項２】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項３】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記容量素子との接続を制御するトランジスタと、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項４】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位の出力を制御する第３のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、
前記容量素子に書き込まれた前記データを含む電位が、入力端子に与えられる第３の論理値を反転させる論理素子と、
前記第３の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位の出力を制御する第４のスイッチング素子と、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項５】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子とデータを含む信号が入力されるノードとの接続を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位の出力を制御する第３のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記ノードと前記容量素子との接続を制御するトランジスタと、
前記容量素子に書き込まれた前記データを含む電位が、入力端子に与えられる第３の論理値を反転させる論理素子と、
前記第３の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位の出力を制御する第４のスイッチング素子と、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記トランジスタのオフ電流密度は、１００ｚＡ／μｍ以下である記憶装置。
【請求項７】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
第１の容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記第１の容量素子への前記データの書き込みを制御する第１のトランジスタと、
第２の容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記第２の容量素子への前記データの書き込みを制御する第２のトランジスタと、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項８】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
第１の容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第１の容量素子との接続を制御する第１のトランジスタと、
第２の容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子と前記第２の容量素子との接続を制御する第２のトランジスタと、
を複数の各記憶素子に有する記憶装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのオフ電流密度は、１００ｚＡ／μｍ以下である記憶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記論理値を反転させる論理素子は、インバータまたはクロックドインバータである記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体である記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域の水素濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以下である記憶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の記憶装置を用いた、ＣＰＵ、ＤＳＰ、またはマイクロコントローラを含むＬＳＩである半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の記憶装置を用いた、ゲーム機、画像再生装置、またはパーソナルコンピュータを含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
所定のパケットから分割された第１のフラグメントパケットを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された前記第１のフラグメントパケットの、前記所定のパケットにおける位置を示す第１の下端アドレス情報と第１の上端アドレス情報とを取得する取得手段と、
前記受信手段により前記第１のフラグメントパケットを受信する前に、既に受信済みの第２のフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置示す第２の下端アドレス情報と第２の上端アドレス情報とを記憶する記憶手段と、
前記取得手段により取得された前記第１の下端アドレス情報と前記第１の上端アドレス情報、および、前記記憶手段により記憶された前記第２の下端アドレス情報と前記第２の上端アドレス情報とに基づいて、前記記憶手段に記憶させる受信済みのフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置を示すアドレス情報を変更する変更手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
他の通信装置から受信したパケットが前記第１のフラグメントパケットであるか否かを、当該パケットのヘッダ情報に基づいて判定する第１の判定手段を更に有することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記第１の判定手段の判定結果に応じて、前記第１のフラグメントパケットの前記第１の下端アドレス情報と前記第１の上端アドレス情報とを取得することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１のフラグメントパケットのヘッダ情報に前記所定のパケットのパケット長を示す長さ情報が含まれていた場合、前記長さ情報と、前記変更手段により変更されたアドレス情報とに基づいて、前記所定のパケットの受信が完了したことを判定する第２の判定手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
通信装置の処理方法であって、
所定のパケットから分割された第１のフラグメントパケットを受信する受信工程と、
前記受信工程において受信された前記第１のフラグメントパケットの、前記所定のパケットにおける位置を示す第１の下端アドレス情報と第１の上端アドレス情報とを取得する取得工程と、
前記受信工程において前記第１のフラグメントパケットを受信する前に、既に受信済みの第２のフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置示す第２の下端アドレス情報と第２の上端アドレス情報とを記憶手段に記憶する記憶工程と、
前記取得工程において取得された前記第１の下端アドレス情報と前記第１の上端アドレス情報、および、前記記憶工程において記憶された前記第２の下端アドレス情報と前記第２の上端アドレス情報とに基づいて、前記記憶手段に記憶させる受信済みのフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置を示すアドレス情報を変更する変更工程と、  を有することを特徴とする処理方法。
【請求項６】
コンピュータを、
所定のパケットから分割された第１のフラグメントパケットを受信する受信手段、
前記受信手段により受信された前記第１のフラグメントパケットの、前記所定のパケットにおける位置を示す第１の下端アドレス情報と第１の上端アドレス情報とを取得する取得手段、
前記受信手段により前記第１のフラグメントパケットを受信する前に、既に受信済みの第２のフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置示す第２の下端アドレス情報と第２の上端アドレス情報とを記憶する記憶手段、
前記取得手段により取得された前記第１の下端アドレス情報と前記第１の上端アドレス情報、および、前記記憶手段により記憶された前記第２の下端アドレス情報と前記第２の上端アドレス情報とに基づいて、前記記憶手段に記憶させる受信済みのフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置を示すアドレス情報を変更する変更手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の通信装置は、所定のパケットから分割された第１のフラグメントパケットを受信する受信手段と、前記受信手段により受信された前記第１のフラグメントパケットの、前記所定のパケットにおける位置を示す第１の下端アドレス情報と第１の上端アドレス情報とを取得する取得手段と、前記受信手段により前記第１のフラグメントパケットを受信する前に、既に受信済みの第２のフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置示す第２の下端アドレス情報と第２の上端アドレス情報とを記憶する記憶手段と、前記取得手段により取得された前記第１の下端アドレス情報と前記第１の上端アドレス情報、および、前記記憶手段により記憶された前記第２の下端アドレス情報と前記第２の上端アドレス情報とに基づいて、前記記憶手段に記憶させる受信済みのフラグメントパケットの前記所定のパケットにおける位置を示すアドレス情報を変更する変更手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
ジンバルアセンブリと、
ジンバルアセンブリに備えられ、データを収集するためのセンサであって、ジンバルアセンブリにより照準が制御されるセンサであって、当該ジンバルアセンブリが、データ収集のための当該センサに対する可動域を有するものと、
ジンバルアセンブリに備えられ、センサによって収集されたデータを含む少なくとも１つの方向性電磁信号を送信するように構成される通信モジュールと、
少なくとも１つの方向性電磁信号を受信するよう位置する、少なくとも１つのトランスデューサと、
センサが前記データを収集するために、ジンバルアセンブリの可動域で、前記少なくとも１つの方向性電磁信号を、前記少なくとも１つのトランスデューサ上に集束する、少なくとも１つの集束（focusing）素子と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、ジンバルアセンブリは第１の方向にセンサの照準を合わせるよう制御可能であり、通信モジュールは第１の方向とは反対方向である第２の方向に方向性電磁信号を送信するよう構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項３】
ジンバルを作動させるための方法であって、
ジンバルアセンブリの可動域で、ジンバルアセンブリによって、当該ジンバルアセンブリに配置されたセンサに照準を合わせるステップと、
前記センサによってデータを収集するステップと、
収集されたデータを含む少なくとも１つの方向性電磁信号を、当該少なくとも１つの方向性電磁信号を受信するように配置された少なくとも１つのトランスデューサに送信するステップと、
センサが前記データを収集するために、前記ジンバルアセンブリの可動域で、少なくとも１つのレンズによって、前記少なくとも１つの方向性電磁信号を、前記少なくとも１つのトランスデューサ上に集束させるステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容した処理室に、複数の処理ガスを交互に供給することで前記基板上に成膜する半導体装置の製造方法であって、
前記基板上に第１の処理ガスを供給する第１ステップと、
前記第１の処理ガスを除去する第２ステップと、
前記基板上に第２の処理ガスを供給する第３ステップと、
前記第２の処理ガスを除去する第４ステップと、
を有し、前記第２ステップと、前記第４ステップのいずれかまたは両方で前記処理ガスを基板上に所定の濃度だけ残留させる半導体装置の製造方法。

【請求項２】
前記第２ステップの時間と、前記第４ステップの時間のいずれか又は両方は、
前記第１ステップの時間と前記第３ステップの時間のいずれか又は両方より短い
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２ステップの排気量と、前記第４ステップの排気量のいずれか又は両方は、
前記第１ステップの排気量と前記第３ステップの排気量のいずれか又は両方よりも少ない
請求項１の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の処理ガスはＴｉ原料ガスである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項５】
前記Ｔｉ原料ガスは、ＴｉＣｌ４、ＴＤＭＡＴ、ＴＤＥＡＴの少なくとも１つ以上を有する請求項４の半導体装置の製造方法。

【請求項６】
前記第２の処理ガスは、窒化原料ガスである請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項７】
前記窒化原料ガスは、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、ＣＨ６Ｎ２の少なくとも１つ以上を有する請求項６の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２ステップと、前記第４ステップのいずれかまたは両方では、
前記基板上に成膜される膜の結晶方位面の内、（２００）面が優位になるように前記処理ガスを所定濃度だけ基板上に残留させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項９】
前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスのいずれか又は両方が分解する温度以上に前記基板を加熱する加熱工程と、
を有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板を収容する処理室と、
前記基板上に第１の処理ガスを供給する第１流量制御装置と、
前記基板上に第２の処理ガスを供給する第２流量制御装置と、
前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスを排気する排気バルブと、
前記基板上に第１の処理ガスを供給する第１ステップと、前記第１の処理ガスを除去する第２ステップと、前記基板上に第２の処理ガスを供給する第３ステップと、前記第２の処理を除去する第４ステップと、を有し、前記第２ステップと、前記第４ステップのいずれかまたは両方で前記処理ガスを前記基板上に所定の濃度だけ残留させるように、前記第１流量制御装置と前記第２流量制御装置と前記排気バルブとを制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板を収容する処理室は、反応管と内部管で構成され、
前記内部管は、前記基板の側方から前記処理ガスを供給し、前記基板の側方から前記処理ガスを排気するように構成されている請求項１０に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および基板処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池セルの受光面側に設けられた表面電極及び裏面側に設けられた裏面電極に、導電性接続材料を介して配線部材をそれぞれ接続する配線接続工程を含む太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記配線接続工程における前記配線部材の接続温度が２０℃以上かつ前記裏面電極に塑性変形が生じる塑性変形温度未満であり、
配線接続前の前記太陽電池セルについて温度に対する反り量の変化を予め測定し、低温領域における測定結果に最小二乗法を適用して求まる近似直線と、高温領域における測定結果に最小二乗法を適用して求まる近似直線との交点に基づいて、前記塑性変形温度を決定することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
太陽電池セルの受光面側に設けられた表面電極及び裏面側に設けられた裏面電極に、導電性接続材料を介して配線部材をそれぞれ接続する配線接続工程を含む太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記配線接続工程における前記配線部材の接続温度が２０℃以上かつ前記裏面電極に塑性変形が生じる塑性変形温度未満であり、
前記塑性変形温度は、配線接続前の前記太陽電池セルについて温度に対する反り量の変化の測定結果において、低温領域における測定結果に最小二乗法を適用して求まる近似直線と、高温領域における測定結果に最小二乗法を適用して求まる近似直線との交点に基づく温度であることを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記導電性接続材料として、絶縁樹脂に導電粒子を分散して含有させた導電性フィルム又は導電性ペーストを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記導電性接続材料として、低融点合金に導電粒子を分散して含有させた導電性フィルム又は導電性ペーストを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備えたコア基板と、
前記一方の面及び前記他方の面に形成され、前記線状導体の一部を介して電気的に接続された配線層と、を有し、
前記配線層は、前記一方の面に形成され、前記一方の面から露出する前記複数の線状導体の一部と電気的に接続された第１配線層と、
前記他方の面に形成され、前記他方の面から露出する前記複数の線状導体の一部と電気的に接続された第２配線層と、を含み、
前記一方の面には、前記第１配線層を覆うように形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、かつ、前記第１絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層が形成され、
前記他方の面には、前記第２配線層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、かつ、前記第２絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記第２配線層と電気的に接続された第４配線層が形成され、
前記第１配線層と前記第２配線層とは、前記線状導体の一部を介して電気的に接続されている配線基板と、
前記配線基板の両面に実装されている半導体素子と、を備え、
前記配線基板の一方の側に実装された前記半導体素子の電極パッドの少なくとも一部と、前記配線基板の他方の側に実装された前記半導体素子の電極パッドの少なくとも一部とは、単軸状に導電接続されている半導体装置。
【請求項２】
前記線状導体は、信号配線と接続される線状導体と、前記信号配線と接続される線状導体の周囲に位置する線状導体と、を有し、
前記周囲に位置する線状導体は、グラウンド配線と接続される請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
１つの前記貫通孔を充填する導体に対して、複数の前記線状導体が電気的に接続されている請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記線状導体は、電気的に接続されていない孤立した線状導体を含む請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記線状導体の径は、３０ｎｍ〜２０００ｎｍである請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板の前記一方の側及び前記他方の側の少なくとも一方には、複数の前記半導体素子が実装されている請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体装置を複数個積層し、相互に電気的に接続した半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は、上記の点に鑑みて、両面に実装された半導体素子同士を狭ピッチ及び短距離で接続することが可能な低コストの配線基板の両面に半導体素子を実装した半導体装置を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本半導体装置は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備えたコア基板と、前記一方の面及び前記他方の面に形成され、前記線状導体の一部を介して電気的に接続された配線層と、を有し、前記配線層は、前記一方の面に形成され、前記一方の面から露出する前記複数の線状導体の一部と電気的に接続された第１配線層と、前記他方の面に形成され、前記他方の面から露出する前記複数の線状導体の一部と電気的に接続された第２配線層と、を含み、前記一方の面には、前記第１配線層を覆うように形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、かつ、前記第１絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記第１配線層と電気的に接続された第３配線層が形成され、前記他方の面には、前記第２配線層を覆うように形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、かつ、前記第２絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記第２配線層と電気的に接続された第４配線層が形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とは、前記線状導体の一部を介して電気的に接続されている配線基板と、前記配線基板の両面に実装されている半導体素子と、を備え、前記配線基板の一方の側に実装された前記半導体素子の電極パッドの少なくとも一部と、前記配線基板の他方の側に実装された前記半導体素子の電極パッドの少なくとも一部とは、単軸状に導電接続されていることを要件とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
開示の技術によれば、両面に実装された半導体素子同士を狭ピッチ及び短距離で接続することが可能な低コストの配線基板の両面に半導体素子を実装した半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上にハロゲンを含むガスでパターンをエッチングする工程と、
エッチングされた前記シリコン基板を大気中に放置する工程と、
放置により前記パターンの間に形成された異物が成長する工程と、
形成された前記パターンの間に成長した前記異物を除去する工程と、
を有し、
当該異物を除去する工程は、前記シリコン基板をチャンバー内に収容し、前記シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有することを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項２】
請求項１記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記パターンの線幅が３２ｎｍ以下であることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記加熱工程における加熱温度が２００℃以上５００℃以下であることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記シリコン基板をＨＦガス雰囲気に晒す工程をさらに有することを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項５】
請求項４記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記シリコン基板をＨＦガス雰囲気に晒す工程と、前記加熱工程とを同時に行うことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記異物がケイフッ化アンモニウムを含むことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載のシリコン基板上のパターン修復方法であって、
前記異物が二酸化ケイ素を含むことを特徴とするシリコン基板上のパターン修復方法。
【請求項８】
シリコン基板上にハロゲンを含むガスでパターンをエッチングする工程と、
エッチングされた前記シリコン基板を大気中に放置する工程と、
放置により前記パターンの間に形成された異物が成長する工程と、
を有する処理が行われた前記シリコン基板上の前記パターンの間に形成された前記異物を除去するシリコン基板上のパターン修復装置であって、
前記シリコン基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内にＨＦガスを供給して前記シリコン基板をＨＦガス雰囲気に晒すＨＦガス供給機構と
を具備し、
前記シリコン基板を、前記加熱機構によって加熱し、前記ＨＦガス供給機構によってＨＦガス雰囲気に晒すことにより、前記シリコン基板上にエッチングによって形成された前記パターンの間に成長した前記異物を除去して当該パターンの形状を回復させることを特徴とするシリコン基板上のパターン修復装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係るシリコン基板上のパターン修復方法は、シリコン基板上にハロゲンを含むガスでパターンをエッチングする工程と、エッチングされた前記シリコン基板を大気中に放置する工程と、放置により前記パターンの間に形成された異物が成長する工程と、形成された前記パターンの間に成長した前記異物を除去する工程と、を有し、当該異物を除去する工程は、前記シリコン基板をチャンバー内に収容し、前記シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係るシリコン基板上のパターン修復装置は、シリコン基板上にハロゲンを含むガスでパターンをエッチングする工程と、エッチングされた前記シリコン基板を大気中に放置する工程と、放置により前記パターンの間に形成された異物が成長する工程と、を有する処理が行われた前記シリコン基板上の前記パターンの間に形成された前記異物を除去するシリコン基板上のパターン修復装置であって、前記シリコン基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に収容された前記シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱機構と、前記チャンバー内にＨＦガスを供給して前記シリコン基板をＨＦガス雰囲気に晒すＨＦガス供給機構とを具備し、前記シリコン基板を、前記加熱機構によって加熱し、前記ＨＦガス供給機構によってＨＦガス雰囲気に晒すことにより、前記シリコン基板上にエッチングによって形成された前記パターンの間に成長した前記異物を除去して当該パターンの形状を回復させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックライトを備えた表示部と、加速度センサと、前記加速度センサの出力に基づいて前記バックライトを消灯するか否か決定する制御部とを有し、前記表示部が観察中の姿勢にあるときバックライトが不用意に消されることがないようにしたことを特徴とするモバイル装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記加速度センサの出力に基づいて前記表示部の向きを判断し、前記表示部の向きが前記バックライトの消灯に不適なときは前記バックライトを消灯しないことを特徴とする請求項１記載のモバイル装置。
【請求項３】
所定時間無操作が検知されたとき、前記バックライト部を消灯させることを特徴とする請求項1または２記載のモバイル装置。
【請求項４】
対象物への近接を検知する近接検知部を有し、前記制御部は、前記加速度センサの出力および前記近接検知部の出力に基づいてバックライトを消灯するか否かを決定することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のモバイル装置。
【請求項５】
前記モバイル装置は携帯電話として構成されるとともに、前記制御部は前記加速度センサと近接検知部に基づいて前記携帯電話が通話のために顔に近づけられるときバックライトを消灯するとともに前記表示部が観察中の姿勢にあるときは前記バックライトを消灯しないことを特徴とする請求項４記載のモバイル装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄積電荷に応じた画素信号を出力する開口領域及び遮光領域からなる画素領域と、前記画素信号を加算する加算手段とを備えた撮像素子から出力される画素信号に所定の処理を施す信号処理装置であって、
前記遮光領域の画素信号と所定の黒基準レベルとの差分値を算出する差分値算出手段と、
前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に乗じることで補正値を算出する補正値算出手段と、
前記補正値を用いて前記開口領域から出力される画素信号を補正する補正手段と、
を有することを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記加算手段による加算画素数に応じたタップ数で前記差分値に対するタップ処理を行うタップ処理手段を有することを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記補正値算出手段は、前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に含まれる高周波成分に乗じることを特徴とする請求項１または２に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記補正値算出手段は、前記開口領域の画素信号の加算画素数と前記遮光領域の画素信号の加算画素数との比に応じた係数を前記差分値に乗じることで前記補正値を算出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の信号処理装置。
【請求項５】
前記撮像素子と、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の信号処理装置とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
蓄積電荷に応じた画素信号を出力する開口領域及び遮光領域からなる画素領域と、前記画素信号を加算する加算手段とを備えた撮像素子から出力される画素信号に所定の処理を施す信号処理方法であって、前記遮光領域の画素信号と所定の黒基準レベルとの差分値を算出し、前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に乗じることで補正値を算出し、前記補正値を用いて前記開口領域から出力される画素信号を補正することを特徴とする信号処理方法。
【請求項７】
前記加算手段による加算画素数に応じたタップ数で前記差分値に対するタップ処理を行うことを特徴とする請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項８】
前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に含まれる高周波成分に乗じることを特徴とする請求項６または７に記載の信号処理方法。
【請求項９】
前記開口領域の画素信号の加算画素数と前記遮光領域の画素信号の加算画素数との比に応じた係数を前記差分値に乗じることで前記補正値を算出することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の信号処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の信号処理装置は、蓄積電荷に応じた画素信号を出力する開口領域及び遮光領域からなる画素領域と、前記画素信号を加算する加算手段とを備えた撮像素子から出力される画素信号に所定の処理を施す信号処理装置であって、前記遮光領域の画素信号と所定の黒基準レベルとの差分値を算出する差分値算出手段と、前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に乗じることで補正値を算出する補正値算出手段と、前記補正値を用いて前記開口領域から出力される画素信号を補正する補正手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の信号処理方法は、蓄積電荷に応じた画素信号を出力する開口領域及び遮光領域からなる画素領域と、前記画素信号を加算する加算手段とを備えた撮像素子から出力される画素信号に所定の処理を施す信号処理方法であって、前記遮光領域の画素信号と所定の黒基準レベルとの差分値を算出し、前記加算手段による加算画素数に応じた係数を前記差分値に乗じることで補正値を算出し、前記補正値を用いて前記開口領域から出力される画素信号を補正することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の画像が分割されて生成された複数のブロックの各々毎に、参照画像に設定された探索範囲窓の中から最も類似する領域を探索して、当該探索結果に基づいて動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、
前記動きベクトル検出手段により動きベクトルを検出する対象となるブロックに対して、それより前に処理するブロックについて前記動きベクトル検出手段により検出された動きベクトルに基づいて、予測される動き方向のブロックを前記探索範囲窓内に確保するように予め設定された規定に従って、前記動きベクトル検出手段により使用される前記探索範囲窓を設定する探索範囲窓設定手段と、
を備えた画像処理装置において、
マクロブロックの横方向の並びであるマクロブロックライン１つ分を１スライスとし、
参照画像をフレーム単位で保持する参照画像データ保持メモリと、
参照画像データ保持メモリから転送された複数スライス分の参照画像データをキャッシュするラインメモリと、
ラインメモリから前記探索範囲窓を構成する複数のマクロブロック分の参照画像データを保持する探索範囲画像データ保持メモリと、を別個に備え、
前記動きベクトル検出手段は、前記探索範囲画像データ保持メモリから読み出した参照画像データから前記動きベクトルの検出を行い、
前記探索範囲窓設定手段は、前記動きベクトル検出手段により１つのスライスにおいて検出された複数の動きベクトルに基づいて、該１つのスライスの次のスライスにおける前記予測される動きを定め、前記ラインメモリがキャッシュすべきスライスを適応的に制御することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像処理装置を備えてフレーム間予測符号化を行なう動画像符号化装置であって、
前記処理対象の画像を保持する入力画像データ保持メモリと、
入力画像データ保持メモリが保持する前記処理対象の画像から切り出された予測対象のマクロブロックをマクロブロック単位で保持する予測対象ブロックデータ保持メモリと、を更に有し、
前記参照画像データ保持メモリから前記ラインメモリに書き込む処理は、前記入力画像データ保持メモリから予測対象ブロックデータ保持メモリに書き込む処理と並行して行われ、
前記探索範囲窓設定手段は、前記１つのスライスにおいて検出された複数の動きベクトルの縦方向成分の平均を、前記次のスライスにおける前記予測される動きと定め、前記探索範囲窓の縦方向の中央位置と、予測対象のマクロブロックの位置関係を、当該予測される動きに一致させる制御を行なう動画像符号化装置。
【請求項３】
前記探索範囲窓は、横長の矩形とすることを特徴とする請求項２記載の動画像符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び動画像符号化装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
局所復号化を行う局所復号化部１０は、入力された符号化データ（符号化された画像データ）を復号化する。これにより得られた画像データが、参照画像データとして、参照画像データ保持メモリ４に書き込まれて保持される。
参照画像データ保持メモリ４に書き込まれたデータは、必要に応じて適宜、ラインメモリ５へ転送される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を読み込む読み込み手段と、
前記読み込み手段で読み込み可能な複数の動画のサムネイルを一覧表示する画面に、前記複数の動画のうち、記録時間が所定時間より長い第１の動画を表すサムネイルを第１の大きさで表示するとともに、前記複数の動画のうち、前記記録時間が前記所定時間以下である第２の動画を表すサムネイルを、前記第１の大きさより小さい第２の大きさで表示するように制御する表示制御手段
とを有することを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記表示制御手段によって表示された複数の動画のサムネイルのうち、前記第２の大きさで表示されたサムネイルのみを一括して選択する選択手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記選択手段で一括して選択した複数のサムネイルが表す動画を連続的に再生する再生手段を更に有することを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示制御手段によって表示された複数の動画のサムネイルのうち、前記第１の大きさで表示されたサムネイルのみを一括して選択する選択手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記選択手段で一括して選択した複数のサムネイルが表す動画に対して、削除、保護、属性情報付加、印刷指定、送信指定の少なくとも１つを行う処理手段を更に有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記表示制御手段によって表示された複数の動画のサムネイルのうち、前記第１の大きさで表示されたサムネイルのみを順次選択する第１の選択手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記表示制御手段によって表示された複数の動画のサムネイルのうち、前記第２の大きさで表示されたサムネイルのみを順次選択する第２の選択手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は、前記第１の大きさと前記第２の大きさとを含む３段階以上の異なるサイズのうち、動画の記録時間に応じて、記録時間が長いほど大きいサイズで動画のサムネイルを表示するように制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記表示制御手段は、前記第２の動画の前記第１の大きさでのサムネイルの一部を切り出したものを前記第２の大きさのサムネイルとして表示するように制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示制御手段は、前記第２の動画の前記第１の大きさでのサムネイルの画素を間引いたものを前記第２の大きさのサムネイルとして表示するように制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
動画を読み込む読み込みステップと、
前記読み込みステップで読み込み可能な複数の動画のサムネイルを一覧表示する画面に、前記複数の動画のうち、記録時間が所定時間より長い第１の動画を表すサムネイルを第１の大きさで表示するとともに、前記複数の動画のうち、前記記録時間が前記所定時間以下である第２の動画を表すサムネイルを、前記第１の大きさより小さい第２の大きさで表示するように制御する表示制御ステップ
とを有することを特徴とする表示制御装置の制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載された表示制御装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る表示制御装置は、動画を読み込む読み込み手段と、前記読み込み手段で読み込み可能な複数の動画のサムネイルを一覧表示する画面に、前記複数の動画のうち、記録時間が所定時間より長い第１の動画を表すサムネイルを第１の大きさで表示するとともに、前記複数の動画のうち、前記記録時間が前記所定時間以下である第２の動画を表すサムネイルを、前記第１の大きさより小さい第２の大きさで表示するように制御する表示制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る表示制御装置の制御方法は、動画を読み込む読み込みステップと、前記読み込みステップで読み込み可能な複数の動画のサムネイルを一覧表示する画面に、前記複数の動画のうち、記録時間が所定時間より長い第１の動画を表すサムネイルを第１の大きさで表示するとともに、前記複数の動画のうち、前記記録時間が前記所定時間以下である第２の動画を表すサムネイルを、前記第１の大きさより小さい第２の大きさで表示するように制御する表示制御ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、短い動画カットがたくさんあっても、インデックス画面の記録時間に対する一覧性が向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらに、インデックス画面のサムネイルを見るだけで、その動画が５秒以下の短いカットか、それより長いカットか判別することが可能になった。また、各動画カットの記録時間表示をせずに、記録時間の長いカットと短いカットを判別可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
小さいサムネイル（短いカット）のみを連続再生する。短いカットを一つ一つ再生すると、短いためすぐに再生が終了してしまうが、連続再生をデフォルトとすることで、このような面倒が無くなる。複数カットを視聴するには何度も再生指示が必要だが、この機能を提供することでこの手間を省くことができる。短ければ連続してもすぐ見終わる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
負荷試験実施部１１２は、試験項目ファイル、リモートシェルファイルまたはＴＣＰ常時接続設定ファイルに基づいて、ファイルの設定を元に自動試験実施部１２１に試験を実施させる。そして、負荷試験結果ログおよび信号ログを出力する。これにより、設定した負荷条件に合わせてユーザの作成したシーケンスを繰り返し送受信することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（パケットログ変換）
次に、パケットログ変換の動作を説明する。図１５は、試験用端末１００によるパケットログ変換の動作を示すフローチャートである。パケットログ変換が開始されると、まず、パケットキャプチャが指定される（ステップＳ５０１）。パケットキャプチャの指定の詳細は後述する。そして、指定されたパケットキャプチャのデータを利用してシーケンス図を表示する（ステップＳ５０２）。次に、ＴＣＰノードの設定（ステップＳ５０３）、試験対象ノードの設定（ステップＳ５０４）、除外信号の選択（ステップＳ５０５）の操作を並列で受け付ける。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有し、
前記記憶層は、
陰イオン成分としてテルル（Ｔｅ）を最も多く含み、前記第１電極側に設けられる高抵抗層と、
少なくとも１種の金属元素を含むと共に、テルル（Ｔｅ）、硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうちの少なくとも１種のカルコゲン元素を含み、前記第２電極側に設けられるイオン源層と
を備えた記憶素子。
【請求項２】
前記高抵抗層は、ＡｌＴｅ、ＭｇＴｅまたはＺｎＴｅを含む、請求項１に記載の記憶素子。
【請求項３】
前記高抵抗層はＡｌＴｅを含み、前記高抵抗層中のＡｌの含有量は２０原子％以上６０原子％以下である、請求項２に記載の記憶素子。
【請求項４】
第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有し、
前記記憶層は、
前記第１電極側に設けられると共に複数の層よりなり、そのうちの少なくとも１層が陰イオン成分としてテルル（Ｔｅ）を最も多く含む層である高抵抗層と、
少なくとも１種類の金属元素を含むと共に、テルル（Ｔｅ）、硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうちの少なくとも１種のカルコゲン元素を含み、前記第２電極側に設けられるイオン源層と
を備えた記憶素子。
【請求項５】
前記高抵抗層は、テルル（Ｔｅ）を含む第１高抵抗層と、前記第１高抵抗層とは異なる組成および／または元素を有する第２高抵抗層とを含む、請求項４に記載の記憶素子。
【請求項６】
前記第１高抵抗層は前記第１電極側、前記第２高抵抗層は前記イオン源層側にそれぞれ設けられている、請求項５に記載の記憶素子。
【請求項７】
前記第１高抵抗層は前記イオン源層側、前記第２高抵抗層は前記第１電極側にそれぞれ設けられている、請求項５に記載の記憶素子。
【請求項８】
前記第１高抵抗層はＡｌ−Ｔｅ化合物、Ｍｇ−Ｔｅ化合物またはＺｎ−Ｔｅ化合物を主成分とし、前記第２高抵抗層は、酸素（Ｏ）または窒素（Ｎ）を主成分とする、請求項５に記載の記憶素子。
【請求項９】
前記高抵抗層は、前記第１電極および第２電極を介して所定の電圧パルスあるいは電流パルスが印加された場合に前記イオン源層よりも高い抵抗値を示す
請求項１または４に記載の記憶素子。
【請求項１０】
前記イオン源層は、金属元素としてアルミニウム（Ａｌ）を含有する、請求項１または４に記載の記憶素子。
【請求項１１】
前記第１電極および前記第２電極への電圧印加によって前記高抵抗層内に前記金属元素を含む伝導パスが形成されることにより抵抗値が変化する、請求項１または４に記載の記憶素子。
【請求項１２】
第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有する複数の記憶素子と、前記複数の記憶素子に対して選択的に電圧または電流のパルスを印加するパルス印加手段とを備え、
前記記憶層は、
陰イオン成分としてテルル（Ｔｅ）を最も多く含み、前記第１電極側に設けられる高抵抗層と、
少なくとも１種類の金属元素を含むと共に、テルル（Ｔｅ）、硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうちの少なくとも１種のカルコゲン元素を含み、前記第２電極側に設けられるイオン源層と
を備えた記憶装置。
【請求項１３】
第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有する複数の記憶素子と、前記複数の記憶素子に対して選択的に電圧または電流のパルスを印加するパルス印加手段とを備え、
前記記憶層は、
前記第１電極側に設けられると共に複数の層よりなり、そのうちの少なくとも１層が陰イオン成分としてテルル（Ｔｅ）を最も多く含む層である高抵抗層と、
少なくとも１種類の金属元素を含むと共に、テルル（Ｔｅ）、硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）のうちの少なくとも１種のカルコゲン元素を含み、前記第２電極側に設けられるイオン源層と
を備えた記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る記憶素子の構成を表す断面図である。
【図２】図１の記憶素子を用いたメモリセルアレイの構成を表す断面図である。
【図３】同じくメモリセルアレイの平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る記憶素子の構成を表す断面図である。
【図５】実験１に係る記憶素子の消去特性およびデータ保持特性を表す図である。
【図６】同じく消去特性およびデータ保持特性を表す図である。
【図７】同じく消去特性およびデータ保持特性を表す図である。
【図８】実験２に係る記憶素子のデータ保持特性を表す図である。
【図９】実験２に係る記憶素子の消去特性を表す図である。
【図１０】実験２に係る記憶素子の抵抗率を表す特性図である。
【図１１】実験３に係る記憶素子の消去特性およびデータ保持特性を表す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（実施例１〜６）
上記実施の形態と同様にして図１に示した記憶素子１を作製した。まず、タングステン（Ｗ）よりなる下部電極１０上に、スパッタリング装置を用いて記憶層２０および上部電極３０を形成した。電極径は５０〜３００ｎｍφとした。また、合金からなる層は、構成元素のターゲットを用いて同時に成膜した。続いて、上部電極３０の表面に対してエッチングを行い、中間電位（Ｖｄｄ／２）を与えるための外部回路接続用のコンタクト部分に接続されるように厚さ２００ｎｍの配線層（Ａｌ層）を形成した。そののち、ポストアニール処理として真空熱処理炉において、２時間、２００℃の加熱処理を施した。このようにして、図２および図３に示したメモリセルアレイ２を作製して組成および膜厚の異なる実施例１〜５とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（実験１）
実施例１〜５および比較例１〜３の記憶素子のセルアレイに対して、上部電極３０に接続された上部配線をＶｄｄ／２の中間電位に設定し、選択するメモリセルのゲート電極、すなわちワード線ＷＬに電圧を印加してオン状態にした。そして、トランジスタＴｒのソース／ドレイン領域４３のうち、記憶素子１０に接続されていない方に接続されている電極、すなわちビット線ＢＬに、パルス幅１００ｎｓ、電流１３０μＡ、電圧３．０Ｖを印加する「書き込み動作」をメモリセルアレイ中の１０素子×２列で合計２０素子に対して行った。次いで、ゲート電極に「書き込み」とは逆の電圧を０から３．０Ｖまで０．０５Ｖ刻みで上昇させながら印加して「消去動作」を行い、各電圧における抵抗値を測定した。その結果を後述するデータ保持特性の結果と合わせて図５〜図７に示す。なお、特性図の各値は６０ビット測定した結果の平均値である。