Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された構造化文書の所定の階層に含まれている第１の要素と第２の要素のそれぞれの内容を解析する解析手段と、
前記解析手段による解析結果に基づき、前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを出力候補の要素として選択する選択手段と、
前記第１の要素と前記第２の要素のうちの前記選択手段により選択された出力候補の要素を、当該第１の要素と当該第２の要素のうちの前記選択手段により選択されていない要素と区別して出力する出力手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、２つの階層のそれぞれに含まれている前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを、出力候補の要素として選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記構造化文書に含まれる前記第１の要素は前記第２の要素よりも上位の階層に割り当てられ、且つ当該第１の要素に対応する領域が当該第２の要素に対応する領域を含み、
前記選択手段は、前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを選択することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、同一階層に割り当てられた前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを出力候補の要素として選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記構造化文書における複数の階層から出力候補の複数の要素を選択することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
ユーザによる指示に応じて、前記選択手段により選択された要素から、前記構造化文書に含まれている他の要素に出力候補を変更する変更手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記変更手段は、前記選択手段により選択された出力候補の要素に対する上位階層の要素、または下位階層の要素に、出力候補を変更することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記出力手段は、前記第１の要素と前記第２の要素のうちの、前記選択手段により選択された要素と前記選択手段により選択されていない要素との両方を、区別して出力することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記出力手段は、前記第１の要素と前記第２の要素のうちの前記選択手段により選択された要素のみを出力することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記出力手段は、前記選択手段により選択された要素に対応する画像を印刷装置に印刷させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記出力手段は、前記選択手段により選択された要素に対応する画像を表示装置に表示させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記出力手段は、前記要素に対応する表示に基づくユーザの指示に応じて、当該要素に対応する画像を印刷装置に印刷させることを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記解析手段は、前記第１の要素と前記第２の要素のそれぞれに対応する領域の大きさと当該要素に含まれるテキストの少なくとも一方を、当該第１の要素と当該第２の要素のそれぞれの内容として解析することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記選択手段は、前記解析手段により解析された大きさが所定のサイズよりも大きな前記第１の要素を出力候補の要素として選択することを特徴とする請求項１３に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記所定のサイズは前記第２の要素に対応する大きさであることを特徴とする請求項１４に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記選択手段は、前記解析手段により解析された前記第１の要素と前記第２の要素のそれぞれの内容を比較することにより、当該第１の要素と当該第２の要素のいずれかを出力候補の要素として選択することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記出力手段は、前記構造化文書に含まれている前記第１の要素と前記第２の要素のうちの前記選択手段により選択された出力候補の要素を、当該選択により選択されなかった要素と、当該第１の要素と当該第２の要素と内容の比較が行われなかった当該構造化文書に含まれている第３の要素との両方と区別して出力することを特徴とする請求項１６に記載の情報処理装置。
【請求項１８】
前記構造化文書は、Ｗｅｂページに対応する構造化文書であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１９】
複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された構造化文書の所定の階層に含まれている第１の要素と第２の要素のそれぞれの内容を解析する解析工程と、
前記解析工程における解析結果に基づき、前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを出力候補の要素として選択する選択工程と、
前記第１の要素と前記第２の要素のうちの前記選択工程において選択された出力候補の要素を、当該第１の要素と当該第２の要素のうちの前記選択工程において選択されていない要素と区別して出力する出力工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を鑑みて本発明の情報処理装置は、複数の要素のそれぞれが階層構造で定義された構造化文書の所定の階層に含まれている第１の要素と第２の要素のそれぞれの内容を解析する解析手段と、前記解析手段による解析結果に基づき、前記第１の要素と前記第２の要素のいずれかを出力候補の要素として選択する選択手段と、前記第１の要素と前記第２の要素のうちの前記選択手段により選択された出力候補の要素を、当該第１の要素と当該第２の要素のうちの前記選択手段により選択されていない要素と区別して出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月7日(2012.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
乳化重合法によって得られたアクリル系エラストマーは、得られた水性ラテックスを塩化ナトリウム水溶液等で共凝析させ、水洗、乾燥させたポリマーをブレンドさせ、ブレンド物を得ることもできるが、水性ラテックスの段階でラテックスブレンドした後凝析させ、水洗、乾燥させて、ブレンド物として得ることもできる。なお、ポリマーブレンドは、オープンロールやニーダ等の密閉型混練機を用いて混練することによって行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
これらのジアミン化合物は、加硫促進剤が必要に応じて併用され、加硫促進剤としては特にグアニジン化合物が好んで用いられる。グアニジン化合物としては、グアニジンまたはその置換体、例えばアミノグアニジン、1,1,3,3-テトラメチルグアニジン、n-ドデシルグアニジン、メチロールグアニジン、ジメチロールグアニジン、1-フェニルグアニジン、1,3-ジフェニルグアニジン、1,3-ジ-o-トリルグアニジン、トリフェニルグアニジン、1-ベンジル-2,3-ジメチルグアニジン、シアノグアニジン等が用いられ、この他1,6-グアニジノヘキサン、グアニジルウレア、ビグアニジド、1-o-トリルビグアニジド等が用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ，Ｎ’−エチレンビス（テトラブロモフタルイミド）、エポキシ化テトラブロモビスフェノールＡ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡオリゴカーボネート、ペンタブロモポリアクリレート、ポリペンタブロモベンジルアクリレート、臭素化ポリスチレン、デカブロモジフェニルエーテルまたはデカブロモジフェニルエタンの群からの少なくとも１種の有機臭素化合物と組み合わせて、
亜クロム酸銅（ＣｕＣｒ２Ｏ４）と、
アンチモン酸ナトリウム、三酸化アンチモンまたは五酸化アンチモンの群からの少なくとも１種のアンチモン含有機能性添加剤と
を含む耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項２】
亜クロム酸銅と、三酸化アンチモンと、テトラブロモビスフェノールＡエポキシオリゴマー、テトラブロモビスフェノールＡオリゴカーボネート、ポリペンタブロモベンジルアクリレートまたはＮ，Ｎ’−エチレンビス（テトラブロモフタルイミド）の群からの有機臭素化合物とを含む、請求項１に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項３】
亜クロム酸銅と、アンチモン酸ナトリウムと、テトラブロモビスフェノールＡエポキシオリゴマー、テトラブロモビスフェノールＡオリゴカーボネート、ポリペンタブロモベンジルアクリレートまたはＮ，Ｎ’−エチレンビス（テトラブロモフタルイミド）の群からの有機臭素化合物とを含む、請求項１に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項４】
成分Ａとして４０〜９０重量％のポリエステル、成分Ｂとして０．１〜４０重量％の亜クロム酸銅、成分Ｃとして０．１〜１５重量％のアンチモン含有機能性添加剤、および成分Ｄとして０．１〜２０重量％の有機臭素化合物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項５】
４５〜６５重量％の量の成分Ａを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項６】
０．５〜２０重量％の量の成分Ｂを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項７】
０．５〜１０重量％の量の成分Ｃを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項８】
０．５〜１８重量％の量の成分Ｄを含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の耐グローワイヤ性ポリエステル成形組成物を射出成形し、その後、レーザー直接構造化を行うことによって得られる、３次元射出成形回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素と、第１の導電層と、を有し、
前記第１の画素は、第１の酸化物半導体層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２の画素は、第２の酸化物半導体層と、第３の導電層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、光を透過することができる機能と、第１のトランジスタのチャネルを形成することができる機能と、を有し、
前記第２の領域は、光を透過することができる機能と、第１の容量素子の電極となることができる機能と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも導電率が高く、
前記第２の導電層は、光を透過することができる機能と、第１の液晶素子の電極となることができる機能と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第３の領域は、光を透過することができる機能と、第２のトランジスタのチャネルを形成することができる機能と、を有し、
前記第４の領域は、光を透過することができる機能と、第２の容量素子の電極となることができる機能と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも導電率が高く、
前記第３の導電層は、光を透過することができる機能と、第２の液晶素子の電極となることができる機能と、を有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層よりも抵抗率が低く、且つ、前記第３の導電層よりも抵抗率が低く、前記第１の画素と前記第２の画素とを電気的に接続することができる機能を有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層と前記第３の導電層の間の領域と重なる領域を有するように設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも水素濃度が高く、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも水素濃度が高いことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を有し、
前記第１の導電層の上方に半導体層を有し、
前記半導体層の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
前記第２の導電層の上方と前記第３の導電層の上方とに第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に第４の導電層を有し、
前記第２の導電層の少なくとも一部と、前記半導体層の少なくとも一部と、は重なり、
前記第１の導電層の少なくとも一部と、前記第３の導電層の少なくとも一部と、前記第４の導電層の少なくとも一部と、は重なり、
前記第１の導電層は、透光性を有し、
前記第３の導電層は、透光性を有し、
前記第４の導電層は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、互いに離間する導電部材を複数形成する第１の工程と、
光半導体素子を載置可能な複数の凹部と、隣接する凹部の間に溝と、を有する第１の樹脂からなる基体を形成する第２の工程と、
前記溝内に、前記第１の樹脂よりも光吸収係数の大きい第２の樹脂を充填する第３の工程と、
前記支持基板を除去後、前記第２の樹脂を含む領域を切断して光半導体装置を個片化する第４の工程と、
を有する光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程は、前記凹部の形成後に、溝が形成される請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記溝は、前記支持基板に近い側の幅が広い溝である請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程は、先端部の直径が大きいドリルを、前記支持基板上を水平方向に移動させて溝を形成する請求項３記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基体の線膨張係数は、５〜２５×１０−５／Ｋである請求項１乃至請求項４記載のいずれか１項に記載の光半導体装置及びその製造方法。
【請求項６】
前記基体は、熱硬化性樹脂を含む請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光半導体装置及びその製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の層と、
前記層上の第１の導電層と、
前記層上の第２の導電層と、を有するトランジスタを有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域として機能することができる第１の領域を有し、
前記層は、前記第１の領域と重なる第２の領域を有し、
前記層は、前記第１の導電層と接する第３の領域を有し、
前記層は、前記第２の導電層と接する第４の領域を有し、
前記第２の領域は、酸化金属を有し、
前記第３の領域は、金属を有し、
前記第４の領域は、金属を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられたショットキーバリアダイオードとアンテナとを含む電磁波を検出する検出素子であって、
前記アンテナが、分割された第一導電要素と第二導電要素、分割された第三導電要素と第四導電要素、前記第一導電要素と前記第三導電要素を電気的に接続する第一接続部、及び前記第二導電要素と前記第四導電要素を電気的に接続する第二接続部を含み、
前記第一導電要素と前記第二導電要素、及び前記第三導電要素と前記第四導電要素が、夫々、前記電磁波の入射方向に沿って隔たった前記基板上の複数の面に形成され、前記ショットキーバリアダイオードが、前記第一導電要素と前記第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられていることを特徴とする検出素子。
【請求項２】
前記第一導電要素と前記第二導電要素、及び前記第三導電要素と前記第四導電要素は、夫々、誘電体層により前記電磁波の入射方向に沿って隔てられていることを特徴とする請求項１に記載の検出素子。
【請求項３】
前記第一導電要素と前記第二導電要素が、ダイポールアンテナを構成することを特徴とする請求項１又は２に記載の検出素子。
【請求項４】
前記第一導電要素と前記第二導電要素が、夫々、前記電磁波の共振方向に沿って前記電磁波の波長の４分の１の長さを有し、前記ダイポールアンテナを構成することを特徴とする請求項３に記載の検出素子。
【請求項５】
前記第一導電要素と前記第二導電要素が、夫々、前記電磁波の共振方向に沿って前記電磁波の波長の８分の１以上８分の３以下の範囲の長さを有し、前記ダイポールアンテナを構成することを特徴とする請求項３に記載の検出素子。
【請求項６】
前記アンテナが設けられた前記基板の面とは反対側の面上に、第五導電要素を備えることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の検出素子。
【請求項７】
前記第一導電要素と前記第二導電要素に電気的に夫々接続された第一スタブと第二スタブを備え、前記第一スタブと前記第二スタブが容量結合していることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の検出素子。
【請求項８】
複数の請求項１から７の何れか１項に記載の検出素子をアレイ状に配し、
前記複数の検出素子が夫々検出する被検出電磁波の電界に基づいて電界分布の画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜法により形成された圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を含む圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッドであって、
前記圧電体層は、チタン酸ビスマスナトリウムと、銅とを含み、
前記チタン酸ビスマスナトリウム１００モル％に対する前記銅の含有量が、０．２モル％以上８．０モル％以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１において、
前記圧電体層は、前記チタン酸ビスマスナトリウム１００モル％に対する前記銅の含有量が、０．２モル％以上４．０モル％以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
薄膜法により形成された圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を含む圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッドであって、
前記圧電体層は、チタン酸ビスマスナトリウム及びチタン酸バリウムを含む混晶系のペロブスカイト型酸化物と、銅とを含み、
前記混晶系のペロブスカイト型酸化物１００モル％に対する前記銅の含有量が、０．２モル％以上８．０モル％以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項３において、
前記混晶系のペロブスカイト型酸化物は、前記チタン酸ビスマスナトリウム１００モル％未満８５モル％以上と、前記チタン酸バリウム０モル％超１５モル％以下と、を含む、液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項３において、
前記混晶系のペロブスカイト型酸化物は、さらにチタン酸ビスマスカリウムを含む、液体噴射ヘッド。
【請求項６】
請求項５において、
前記混晶系のペロブスカイト型酸化物は、前記チタン酸ビスマスナトリウム１００モル
％未満６７モル％以上と、前記チタン酸ビスマスカリウム０モル％超３０モル％以下と、前記チタン酸バリウム０モル％超３モル％以下と、を含む、液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドを備えた、液体噴射装置。
【請求項８】
薄膜法により形成された圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を含む圧電素子であって、
前記圧電体層は、チタン酸ビスマスナトリウムと、銅とを含み、
前記チタン酸ビスマスナトリウム１００モル％に対する前記銅の含有量が、０．２モル％以上８．０モル％以下であることを特徴とする圧電素子。
【請求項９】
薄膜法により形成された圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を含む圧電素子であって、
前記圧電体層は、チタン酸ビスマスナトリウム及びチタン酸バリウムを含む混晶系のペロブスカイト型酸化物と、銅と、を含み、
前記混晶系のペロブスカイト型酸化物１００モル％に対する前記銅の含有量が、０．２モル％以上８．０モル％以下であることを特徴とする圧電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに回路が形成された第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに位置合わせする基板位置合わせ装置であって、
前記第１半導体基板を保持する第１テーブルと、
前記第２半導体基板が前記第１半導体基板に対向するように、前記第２半導体基板を保持する第２テーブルと、
前記第１半導体基板または第２半導体基板の少なくとも一方が前記第１テーブルまたは前記第２テーブルに保持される保持工程が開始してから、前記第１テーブルに保持された前記第１半導体基板および前記第２テーブルに保持された前記第２半導体基板が位置合わせされて前記第１テーブルおよび前記第２テーブルから搬出される搬出工程が完了する間に、次に位置合わせされる第３半導体基板を受け取る第３テーブルと、
を備える基板位置合わせ装置。
【請求項２】
前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに位置合わせすべく、前記第１半導体基板の位置および前記第２半導体基板の位置に基づいて、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルのいずれか一方の移動を制御する制御部を更に備え、
前記保持工程と前記搬出工程との間に、前記３テーブルに保持された前記第３半導体基板の位置が検出される請求項１に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項３】
前記第３テーブルは、前記第２テーブルに対向する向きに配され、
前記制御部は、前記第２テーブルを前記第１テーブルに対して移動させ、
前記第２テーブルは、前記第１テーブルとの間での位置合わせ、および、前記第３テーブルとの間での位置合わせに共用される請求項２に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項４】
前記第１半導体基板に設けられた第１指標を観察する第１顕微鏡と、前記第２半導体基板に設けられた第２指標を観察する第２顕微鏡とを備え、
前記制御部は、前記第１指標の位置と前記第２指標の位置とに基づいて前記第２テーブルを移動させ、
前記第３テーブルは、前記第１テーブルに隣接して配され、前記第３半導体基板の第３指標は、前記第１顕微鏡により観察される請求項３に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項５】
前記第３テーブルに保持された前記第３半導体基板は、前記第１半導体基板および前記第２半導体基板が搬出された後に前記第２テーブルに保持された第４半導体基板と位置合わせされる請求項４に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項６】
前記第２テーブルに保持された前記第４半導体基板に設けられた第４指標を観察する第３顕微鏡を備え、
前記制御部は、前記第３指標の位置と前記第４指標の位置とに基づいて前記第２テーブルを移動させる請求項５に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項７】
前記第２テーブルは、前記第１テーブルに近接および離間して、前記第２半導体基板を前記第１半導体基板に重ね合わせる昇降機構を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項８】
前記第２テーブルは、前記第２半導体基板の面方向を前記第１半導体基板の面方向に平行に調整する調整機構をさらに備える請求項７に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項９】
前記第１テーブルは、前記第１半導体基板が下方に向くように保持し、
前記第３テーブルは、前記第２テーブルに隣接して前記第１テーブルに対向する向きに配され、前記第３半導体基板を受け取り、前記第１テーブルへ向けて上昇する請求項１に記載の基板位置合わせ装置。
【請求項１０】
それぞれに回路が形成された第１半導体基板と第２半導体基板とを互いに位置合わせする基板位置合わせ方法であって、
前記第１半導体基板を第１テーブルに保持する第１保持ステップと、
前記第２半導体基板が前記第１半導体基板に対向するように、前記第２半導体基板を第２テーブルに保持する第２保持ステップと、
前記位置合わせされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を前記第１テーブルおよび前記第２テーブルから搬出する搬出ステップと、
前記第１保持ステップおよび前記第２保持ステップの少なくとも一方が開始してから前記搬出ステップが完了する間に、次に位置合わせされる第３半導体基板を第３テーブルに保持する第３保持ステップと、
を含む基板位置合わせ方法。
【請求項１１】
前記第１テーブルおよび前記第２テーブルのいずれか一方を移動させることにより前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とを互いに位置合わせする位置合わせステップを更に含み、
前記位置合わせステップは、前記第１半導体基板の位置および前記第２半導体基板の位置に基づいて、前記第１テーブルおよび前記第２テーブルのいずれか一方の移動を制御し、
前記第１保持ステップおよび前記第２保持ステップの少なくとも一方が開始してから前記搬出ステップが完了する間に、前記３テーブルに保持された前記第３半導体基板の位置が検出される請求項１０に記載の基板位置合わせ方法。
【請求項１２】
前記搬出ステップの後に、第４半導体基板を前記第２テーブルに保持する第４保持ステップと、
前記第３テーブルに保持された前記第３半導体基板と前記第２テーブルに保持された第４半導体基板とを互いに位置合わせする第２位置合わせステップと、
を含む請求項１０または１１に記載の位置合わせ方法。
【請求項１３】
前記位置合わせステップは、
前記第１半導体基板に設けられた第１指標を第１顕微鏡で観察する第１観察ステップと、
前記第２半導体基板に設けられた第２指標を第２顕微鏡で観察する第２観察ステップと、
を含み、
前記位置合わせステップは、前記第１指標の位置と前記第２指標の位置とに基づいて前記第２テーブルを移動させ、
前記第２位置合わせステップは、
前記第３半導体基板に設けられた第３指標を観察する第３観察ステップを含み、前記第３観察ステップは、前記第１顕微鏡により前記第３指標を観察する請求項１２に記載の基板位置合わせ方法。
【請求項１４】
前記第２テーブルに保持された前記第４半導体基板に設けられた第４指標を第３顕微鏡で観察する第４観察ステップを含み、
前記第２位置合わせステップは、前記第３指標の位置と前記第４指標の位置とに基づいて前記第２テーブルを移動させる請求項１３に記載の位置合わせ方法。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板位置合わせ装置と、
位置合わせされた前記第１半導体基板および前記第２半導体基板を接合する接合部と、
を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板貼り合わせ装置により基板を貼り合わせることを含む積層半導体装置製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の積層半導体装置製造方法により製造された積層半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法、基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
真空容器内にプロセスガスを供給するとともに、当該真空容器に設置されたプラズマ生成部の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給してプラズマを生成する一方、被エッチング材の基板に高周波のバイアス電圧を印加し、前記基板のエッチングを行うドライエッチング方法において、
前記基板に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源と当該トランスの二次側に直列接続されたバイアス用直流電源とを用い、これら電源から前記トランスを介して高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を前記基板に印加する構成によって、前記基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcが０ボルト［Ｖ］以上である高周波のバイアス電圧を印加しながら前記エッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれか１項において、
前記誘電体部材の内側表面は、フッ素基を含有する膜で覆われていることを特徴とするドライエッチング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】特許第２８４５１６３号公報
【特許文献２】特開平９−１６２１６９号公報
【特許文献３】特開２００７−９６２５６号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（発明１）：発明１に係るドライエッチング方法は、真空容器内にプロセスガスを供給するとともに、当該真空容器に設置されたプラズマ生成部の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給してプラズマを生成する一方、被エッチング材の基板に高周波のバイアス電圧を印加し、前記基板のエッチングを行うドライエッチング方法において、前記基板に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源と当該トランスの二次側に直列接続されたバイアス用直流電源とを用い、これら電源から前記トランスを介して高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を前記基板に印加する構成によって、前記基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcが０ボルト［Ｖ］以上である高周波のバイアス電圧を印加しながら前記エッチングを行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（発明１７）：発明１７に係るドライエッチング装置は、発明１０乃至１６のいずれか１項において、前記誘電体部材の内側表面は、フッ素基を含有する膜で覆われていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
図７に示したドライエッチング装置１００は、基板サイズの大サイズ化に対応した例であり、真空チャンバー１２に複数のプラズマ源１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ・・・が設けられている。図８はドライエッチング装置１００を上から見た平面図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2011222859.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜上の、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、金属酸化膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜の誘電率よりも低い誘電率を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜の水素濃度と同じ水素濃度の領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記ソース電極と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記ドレイン電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上で、前記ゲート電極と重畳する領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜上の、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、金属酸化膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜の誘電率よりも低い誘電率を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜の水素濃度より低い水素濃度の領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記ソース電極と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、前記ドレイン電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜より厚い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、電池用隔離膜の厚みは１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。１μｍ未満であると隔離膜としての欠点となる穴が開きやすくショートする可能性がでてき、また、１００μｍを越えると電極間の抵抗が大きくなり、電池性能が低下するからである。
また、電池用隔離膜の厚みは１０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。１０μｍ未満であると隔離膜としての欠点となる穴が開きやすくショートする可能性を完全に無くすことができず、また、１００μｍを越えると電極間の抵抗が大きくなり、電池性能が低下するからである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る電池冷却装置は、電池を収容する電池収容体と、電池収容体に接続され、熱媒体を蒸発させて電池収容体を介し電池を伝熱により冷却する蒸発器と、この蒸発器において蒸発した熱媒体を冷却凝縮する凝縮器と、この蒸発器において蒸発された熱媒体を吸着する吸着器と、この吸着器の冷却を制御して前記吸着器における熱媒体の温度および圧力を、前記蒸発器における熱媒体の蒸発温度が電池の冷却目標温度になるように制御する制御装置と、を含み、前記蒸発器において蒸発された熱媒体を前記吸着器に供給して吸着し、その後吸着器に熱を供給して熱媒体の蒸気を放出させて吸着器を再生し、かつ吸着器からの蒸気を前記凝縮器において凝縮し、凝縮器で凝縮した液体の熱媒体を前記蒸発器において蒸発する、ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、電池を収容する電池収容体と、電池収容体に接続され、熱媒体を蒸発または凝縮させて電池収容体を介し電池を伝熱により冷却または加熱する第１凝縮／蒸発器と、この第１凝縮／蒸発器において蒸発した熱媒体を吸着する吸着器と、吸着器から放出された熱媒体の蒸気を冷却して凝縮するか、または前記第１凝縮／蒸発器において凝縮された液体の熱媒体を蒸発させる第２凝縮／蒸発器と、前記電池を冷却する場合には、前記吸着器における熱媒体の温度および圧力を、前記第１凝縮／蒸発器における熱媒体の蒸発温度が電池の冷却目標温度となるように制御し、前記電池を加熱する場合には第２凝縮／蒸発器における熱媒体の温度および圧力を、前記第１凝縮／蒸発器における熱媒体の凝縮温度が電池の加熱目標温度となるように制御する制御装置と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池を収容する電池収容体と、
電池収容体に接続され、熱媒体を蒸発させて電池収容体を介し電池を伝熱により冷却する蒸発器と、
この蒸発器において蒸発した熱媒体を冷却凝縮する凝縮器と、
この蒸発器において蒸発された熱媒体を吸着する吸着器と、
この吸着器の冷却を制御して前記吸着器における熱媒体の温度および圧力を、前記蒸発器における熱媒体の蒸発温度が電池の冷却目標温度になるように制御する制御装置と、
を含み、
前記蒸発器において蒸発された熱媒体を前記吸着器に供給して吸着し、その後吸着器に熱を供給して熱媒体の蒸気を放出させて吸着器を再生し、かつ吸着器からの蒸気を前記凝縮器において凝縮し、凝縮器で凝縮した液体の熱媒体を前記蒸発器において蒸発する、電池冷却装置。
【請求項２】
電池を収容する電池収容体と、
電池収容体に接続され、熱媒体を蒸発または凝縮させて電池収容体を介し電池を伝熱により冷却または加熱する第１凝縮／蒸発器と、
この第１凝縮／蒸発器において蒸発した熱媒体を吸着する吸着器と、
吸着器から放出された熱媒体の蒸気を冷却して凝縮するか、または前記第１凝縮／蒸発器において凝縮された液体の熱媒体を蒸発させる第２凝縮／蒸発器と、
前記電池を冷却する場合には、前記吸着器における熱媒体の温度および圧力を、前記第１凝縮／蒸発器における熱媒体の蒸発温度が電池の冷却目標温度となるように制御し、前記電池を加熱する場合には第２凝縮／蒸発器における熱媒体の温度および圧力を、前記第１凝縮／蒸発器における熱媒体の凝縮温度が電池の加熱目標温度となるように制御する制御装置と、
を含む電池温調装置。
【請求項３】
前記熱媒体は、水である、
請求項１に記載の電池冷却装置または請求項２に記載の電池温調装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面が開口した凹部を有する収納器と、
前記凹部の内側に配置され、半導体から成る発光層を備えた発光素子と、
前記凹部の内側において、前記発光素子と前記凹部の上面との間に配置され、前記発光素子の発光の一部を吸収して異なる波長の光を発光する波長変換部材と、を備え、前記発光素子の発光と前記波長変換部材の発光とを混合して前記凹部の上面から出射する発光装置であって、
前記凹部は、その側面の少なくとも一部に前記発光素子の発光と前記波長変換部材の発光とを散乱可能な散乱面を有し、
前記発光素子と前記波長変換部材とは、前記凹部の側面から離間しており、
前記発光素子の側面が、前記波長変換部材から露出しており、
前記波長変換部材が、少なくとも、前記発光素子から離間して、前記発光素子から前記凹部の上面へ向かう経路の途中に配置されたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記凹部の上面を覆う透光性部材が設けられており、
前記波長変換部材は、前記透光性部材の前記発光素子側に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記凹部には透光性の封止部材が充填されており、
前記透光性部材は、前記封止部材よりも熱伝導率が高い部材であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記散乱面は、蛍光体粒子を該蛍光体粒子と屈折率が異なる蛍光体保持部材中に分散して成る面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記散乱面が、透光性の粒子を該粒子と屈折率が異なる母材中に分散してなる面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記波長変換部材が、前記発光素子と前記凹部の上面との間にのみ配置されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記波長変換部材として板状の波長変換部材を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子から出射した光が、前記波長変換部材又は前記散乱面のいずれかを経てから、前記凹部の上面から取り出されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記収納器が、実装基板と、前記実装基板の上に形成された側壁とを備え、前記実装基板に前記発光素子が実装されており、前記側壁に前記散乱面が形成されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面の上方に第１の絶縁層を有し、
前記絶縁表面の上方に第１の導電層を有し、
前記絶縁表面の上方に第２の導電層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第１の導電層の上方と前記第２の導電層の上方と前記第２の絶縁層の上方とに酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の水素濃度を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の水素濃度を有し、
前記第２の水素濃度は、前記第１の水素濃度よりも小さく、
前記第１の絶縁層の上面と前記第１の導電層の上面との高低差は５ｎｍ未満であり、
前記第１の絶縁層の上面と前記第２の導電層の上面との高低差は５ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面の上方に第１の絶縁層を有し、
前記絶縁表面の上方に第１の導電層を有し、
前記絶縁表面の上方に第２の導電層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第１の導電層の上方と前記第２の導電層の上方と前記第２の絶縁層の上方とに酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層の上方に第３の導電層を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の水素濃度を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の水素濃度を有し、
前記第２の水素濃度は、前記第１の水素濃度よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
単位画素１２０は、光電変換素子として例えばフォトダイオード（ＰＤ）１２１を有している。フォトダイオード１２１は、例えば、Ｎ型基板１３１に形成された第１のＰ型ウェル層１３２−１に対して、Ｐ型層１３３（Ｐ＋）を基板表面側に形成してＮ型埋め込み層１３４（Ｎ＋）を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。本実施の形態では、Ｎ型を第１の導電型、Ｐ型を第２の導電型とする。また、本実施の形態では、Ｎ−，Ｎ，Ｎ＋，Ｎ＋＋の順にＮ型の不純物濃度が濃いことを表しており、同様に、Ｐ，Ｐ＋の順にＰ型の不純物濃度が濃いことを表している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
例えば、単位画素１２０の基板では、Ｎ型のシリコン基板にＰ型の不純物を注入することにより、Ｐ型ウェル層が形成される。このため、低濃度Ｎ型層領域１４０を形成するには、低濃度Ｎ型層領域１４０が形成される領域以外の領域に、Ｐ型の不純物を注入して深さＺ２のＰ型ウェル層を形成し、その後、全面にＰ型の不純物を注入することにより低濃度Ｎ型層領域１４０を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に初期層を介して形成された歪み抑制層と、
前記歪み抑制層の上に形成された動作層とを備え、
前記歪み抑制層は、
第１の窒化物半導体からなる第１のスペーサ層と、
前記第１のスペーサ層の上に接して形成され、前記第１の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第２の窒化物半導体からなる第２のスペーサ層と、
前記第２のスペーサ層の上に接して形成され、第３の窒化物半導体からなる第１の層及び前記第３の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第４の窒化物半導体からなる第２の層が交互に積層された超格子層とを有し、
前記超格子層は、平均の格子定数が前記第１のスペーサ層の格子定数よりも小さく且つ前記第２のスペーサ層の格子定数よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記初期層と前記第１のスペーサ層との間に設けられた中間層をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記第１のスペーサ層のＡｌ組成は、前記第２のスペーサ層及び前記中間層のＡｌ組成よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記第１のスペーサ層は、ＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記第１のスペーサ層は、膜厚が４０ｎｍ以上且つ５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記第２のスペーサ層は、ＡｌＮからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記第２のスペーサ層は、膜厚が５ｎｍ以上且つ３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記第１の層は、ＡｌxＧａ1-xＮからなり、
前記第２の層は、ＡｌyＧａ1-yＮ（ｘ＜ｙ≦１）からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記第１の層は、格子定数が前記第１のスペーサ層よりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記超格子層の最下層は、前記第１の層であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記第１の層は、膜厚が前記第１のスペーサ層よりも薄いことを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
前記第２の層は、膜厚が前記第２のスペーサ層よりも薄いことを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１３】
前記第１の層の膜厚は、２０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、
前記第２の層の膜厚は、３ｎｍ以上、６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１４】
前記第１の層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜０．５）からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１５】
前記歪み抑制層は、前記基板と前記動作層との間に複数組形成されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１６】
トランジスタであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１７】
前記動作層は、チャネル層を含むことを特徴とする請求項１６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１８】
前記チャネル層は、ＧａＮ層であることを特徴とする請求項１７に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１９】
前記チャネル層の膜厚は、０．５μｍよりも大きく、６μｍよりも小さいことを特徴とする請求項１７に記載の窒化物半導体素子。
【請求項２０】
ダイオードであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品をはんだ付け処理する生産モードとはんだ付け装置本体内を搬送される前記基板の温度を測定する温度プロファイルモードを含む運転モードを有するはんだ付け装置において、
該はんだ付け装置は、
警報を発生させる報知手段と、
この報知手段により警報を発生させる際の発生時間を設定する操作部と、
前記はんだ付け装置本体の搬入口付近に設けられ、前記はんだ付け装置本体に搬入される前記基板を検出するセンサ部と、
前記センサ部により検出された検出結果に基づいて、前記操作部により設定された前記報知手段により警報を発生させる前記発生時間になったか否かを判断する制御部とを備え、
前記温度プロファイルモードにおいて、前記制御部は前記報知手段を制御して、前記警告を発生させる前記発生時間になったと前記制御部が判断した場合に警報を発生させるようにした
ことを特徴とするはんだ付け装置。
【請求項２】
前記報知手段により発生される警報の発生時間が、前記基板が前記はんだ付け装置本体の前記搬出口に到達するどのくらい前に警報を発生させるかを示す基板搬出前警報発生時間を含み、
前記制御部が、前記基板搬出前警報発生時間と、基板の搬送速度と、前記はんだ付け装置本体の搬送距離とに基づいて前記警報音を発生させる前記発生時間を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記運転モードが、前記生産モード若しくは前記温度プロファイルモードの何れであるかを判断し、
前記制御部が前記生産モードであると判断したとき、前記制御部は前記はんだ付け装置本体の前段に設けられる装置から供給される前記基板の搬送許可の可否を示すReady信号をオン状態とし、
前記制御部が前記温度プロファイルモードであると判断したとき、前記制御部は前記Ready信号をオフ状態とする
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のはんだ付け装置。
【請求項４】
前記はんだ付け装置本体の各部の設定を行うための運転制御画面を表示する表示部をさらに備え、
前記制御部は、前記表示部を制御して、前記表示部に表示される前記運転制御画面として、前記生産モードまたは前記温度プロファイルモードをユーザに選択させえるための運転モード変更画面を表示させる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のはんだ付け装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記生産モード時に、前記基板が前記はんだ付け装置本体の内部に停滞したときに、前記基板が前記はんだ付け装置本体内部に停滞したことをユーザに報知する基板停滞検出機能を有し、
前記はんだ付け装置本体の運転モードが前記温度プロファイルモードに変更されたとき、前記基板停滞検出機能をオフにする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のはんだ付け装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記生産モード時に、前記基板が前記はんだ付け装置本体の内部において搬送路から落下したときに、前記基板が前記搬送路から落下したことをユーザに報知する基板落下検出機能を有し、
前記はんだ付け装置本体の運転モードが前記温度プロファイルモードに変更されたとき、前記基板落下検出機能をオフにする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のはんだ付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
報知手段としての報知部６６は、例えばスピーカ等から構成され、制御部５０からの出力指示に基づいてブザー音や音声等の警告音を発生する。例えば、生産モードでは、基板３０がリフロー装置本体１０内で停滞した場合や、基板３０がリフロー装置本体１０内で落下した場合に警告音を発生する。また、温度プロファイルモードでは、基板３０が搬出口１０ｂに到達する前に、基板３０が搬出口１０ｂに接近していることをユーザに報知するための警告音を発生する。なお、報知手段としての報知部６６としては、スピーカ以外にも、例えば、パトライト（登録商標）などの発光により報知する光発生器や、画面上に警告表示をして報知する表示装置を用いることができる。表示装置には、後述する表示部６４を用いることができる。また、報知部６６として振動装置を用いることもできる。この場合には、振動装置をユーザに所持させて、基板３０が搬出口１０ｂに接近したときに制御部５０から振動装置に駆動信号を送信して振動装置を振動させることによりユーザに基板３０の搬出口への接近を報知する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
制御部５０は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）５２、ＲＯＭ（Read Only Memory）５４およびＲＡＭ（Random Access Memory）５６等を有する。ＣＰＵ５２は、ＲＯＭ５４に格納されている制御プログラム等を読み出してＲＡＭ５６に展開し、展開した制御プログラム等を実行することでリフロー装置１００の各部を制御する。制御部５０は、表示部６４に表示される後述するリフロー装置制御画面６４ａの入力情報（操作信号）に基づいてヒータやモータ等の駆動を制御する。また、制御部５０は、表示部６４に表示されるモード変更画面７０ａのモード変更操作に基づいて、生産モードや温度プロファイルモードを実行する。ここで、生産モードとは、リフロー処理を行う通常のモードである。温度プロファイルモードとは、生産モードの開始前や実行中の合間において、基板３０の温度プロファイルを測定するモードである。