Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材に画像を形成する画像形成装置であって、
第２制御部を制御する第１制御部と、
画像形成を実行するための制御対象を制御する前記第２制御部と、
第１電圧と、該第１電圧よりも高い第２電圧とを選択的に前記第２制御部へ供給する電源供給部と、
前記電源供給部から供給される電圧を検出する電圧検出部と
を備え、
前記第１制御部は、
省電力モード時は前記電源供給部から前記第１電圧を前記第２制御部へ供給させ、通常モード時は前記電源供給部から前記第２電圧を前記第２制御部へ供給させ、
前記第２制御部は、
前記電圧検出部が前記第１電圧を検出したときに前記省電力モードを実行し、前記電圧検出部が前記第２電圧を検出したときに前記通常モードを実行することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記電源供給部から供給される前記第１電圧または前記第２電圧を第３電圧に変換する電圧変換部をさらに備え、
前記電圧変換部により変換された前記第３電圧は、前記第２制御部に供給され、
前記第２電圧は、前記制御対象に供給されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御対象へ第２電圧を供給するか否かを切り替える第１切替部をさらに備え、
前記第２制御部は、
前記通常モードにおいては、前記制御対象へ第２電圧を供給するように前記第１切替部を制御し、前記省電力モードにおいては、前記制御対象へ第２電圧を供給しないように前記第１切替部を制御することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記電源供給部から供給される前記第１電圧または前記第２電圧を前記第１電圧よりも低い第３電圧に変換する電圧変換部と、
前記第２制御部により制御され、負荷を制御する第３制御部とをさらに備え、
前記電圧変換部により変換された前記第３電圧は、前記第２制御部及び前記第３制御部に供給され、
前記第２電圧は、前記負荷に供給されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記負荷へ第２電圧を供給するか否かを切り替える第２切替部をさらに備え、
前記第２制御部は、
前記通常モードにおいては、前記負荷へ第２電圧を供給するように前記第２切替部を制御し、前記省電力モードにおいては、前記負荷へ第２電圧を供給しないように前記第２切替部を制御することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１制御部は、前記省電力モードに遷移した後に予め定められた時間が経過すると、前記電源供給部による前記電圧の供給を停止することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記電源供給部からの電源電圧を出力する電源線として、単一の電源線が設けられ、
前記電源供給部は、
前記第１電圧と前記第２電圧とを混合して出力する混合部を備え、
前記第２制御部は、
前記単一の電源線を介して供給され、かつ、混合された電圧を前記第１電圧又は前記第２電圧として選択的に出力する出力部を備え、
前記第１制御部は、
初期電源投入時において、前記電源電圧を供給していない状態から前記第１電圧を供給させ、
前記省電力モードにおいて前記第１電圧の供給を停止させた状態からの復帰時において、前記電源電圧を供給していない状態から前記第２電圧を供給させることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電源供給部からの電源電圧を出力する電源線として、前記第１電圧を出力するための電源線と、前記第２電圧を出力するための電源線とが設けられ、
前記第１制御部は、
初期電源投入時において、前記電源電圧を供給していない状態から前記第１電圧を供給させ、
前記省電力モードにおいて前記第１電圧の供給を停止させた状態からの復帰時において、前記電源電圧を供給していない状態から前記第１電圧及び前記第２電圧を供給させることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記第１制御部は、
前記第１電圧の供給が開始されると、前記第２制御部との通信に異常があるか否かを診断し、
前記第２制御部との通信に異常がある場合、前記第２電圧の供給を禁止することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、記録材に画像を形成する画像形成装置であって、第２制御部を制御する第１制御部と、画像形成を実行するための制御対象を制御する前記第２制御部と、第１電圧と、該第１電圧よりも高い第２電圧とを選択的に前記第２制御部へ供給する電源供給部と、前記電源供給部から供給される電圧を検出する電圧検出部とを備え、前記第１制御部は、省電力モード時は前記電源供給部から前記第１電圧を前記第２制御部へ供給させ、通常モード時は前記電源供給部から前記第２電圧を前記第２制御部へ供給させ、前記第２制御部は、前記電圧検出部が前記第１電圧を検出したときに前記省電力モードを実行し、前記電圧検出部が前記第２電圧を検出したときに前記通常モードを実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シルトを含有し、ダイオキシン類で汚染されたダイオキシン類汚染土壌からシルトを分離するシルト分離工程と、分離したシルトを酸液と混合して酸処理する酸処理工程と、前記酸処理工程後の酸液中のシルトからシルト中に含まれている有機物を抽出剤によって抽出する第一の抽出工程と、を含むことを特徴とするダイオキシン類汚染土壌の浄化方法。
【請求項２】
前記抽出剤が非水溶性有機溶剤であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抽出剤が腐植質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第一の抽出工程後のシルトを含有する酸液と非水溶性有機溶剤とを混合してシルト中に残存する有機物を抽出する第二の抽出工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記非水溶性有機溶剤がｎ−ヘキサデカンであることを特徴とする請求項２又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記第一の抽出工程前に、前記酸処理工程後のシルトを含有する酸液にアルコールを混合して酸液中のシルトをアルコール処理するアルコール処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ダイオキシン類汚染土壌が、７０〜７５℃で乾燥処理された土壌であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ダイオキシン類汚染土壌から分離され、酸処理されたシルトに抽出剤として作用させた腐植質に、ダイオキシン類を分解する微生物又はその微生物に由来するダイオキシン類分解成分を作用させて、前記腐植質中のダイオキシン類を分解することを特徴とする、ダイオキシン類汚染土壌中のダイオキシン類の分解方法。
【請求項９】
ダイオキシン類汚染土壌から分離され、酸処理されたシルトに抽出剤として作用させた非水溶性有機溶剤中のダイオキシン類を、非水溶性有機溶剤に対してダイオキシン類の溶解性が高く、かつ水溶性の有機溶剤に抽出する第三の抽出工程を含み、前記第三の抽出工
程で回収された水溶性有機溶剤に、ダイオキシン類を分解する微生物又はその微生物に由来するダイオキシン類分解成分を作用させて、前記水溶性有機溶剤中のダイオキシン類を分解することを特徴とする、ダイオキシン類汚染土壌中のダイオキシン類の分解方法。
【請求項１０】
前記ダイオキシン類を分解する微生物又はその微生物に由来するダイオキシン類分解成分が、塩素化芳香族化合物で馴化されたバチルス・ミドウスジ又はその菌体膜を含む菌体破砕物若しくはその分画物であることを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダイオキシン類汚染土壌が、７０〜７５℃で乾燥処理された土壌であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載のダイオキシン類の分解方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面層（２、６１）、少なくとも一つの埋め込み層（４、３４）、及び支持体（６、７２）を有する構造体の作成方法であって、
−第一の支持体(６)の上に第一の材料からなる第一の層（４、３４）を形成し、この第一の層の内部に、第一の材料のエッチング速度とは異なるエッチング速度を有する第二の材料からなる少なくとも一つの領域（２６，２８，５６、５８）を作成することを含む、第一の構造体を形成する第一のステップであって、前記第一の層と前記少なくとも一つの領域の表面は、第一の支持体に向かい合っており、前記第一の層と前記少なくとも一つの領域の表面は、同じ高さである第一のステップと、その後に行われる
−第一の構造体の前記第一の層と前記少なくとも一つの領域の表面と第二の無地の支持体（３２、７２）を直接組み立てることによって表面層（２、６１）を形成する第二のステップとを含み、
第二の材料のエッチング速度が、第一の材料のエッチング速度より小さい方法。
【請求項２】
二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第一の層（４、３４）をエッチングすることにより少なくとも一つのキャビティ（２２、２４、５２、５４）を形成した後、第二の材料でキャビティを充填することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
組み立てを、分子結合又は接着によって行う、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
表面層（２、６１）に、最大のエッチング速度を用いて、埋め込み層（４、３４）の材料内部に開く少なくとも一つの開口（１２）を形成するステップを更に含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
最大のエッチング速度で材料をエッチングすることにより、埋め込み層（４、３４）内部に少なくとも一つのキャビティ（２２、２４、５２、５４）を形成することを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
キャビティの形状が、基層（４、３４）及び表面層（２、６１）の面と平行な面内において、円形、正方形、長方形、多角形、又は楕円形であるか、或いは少なくとも一つの直角を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
最大のエッチング速度を有する材料を、二酸化ケイ素、熱シリカ、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は窒化ケイ素から作成する、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
小さいエッチング速度を有する材料を、Ｓｉ３Ｎ４、或いはＢＰＳＧ又はＰＳＧタイプのドープされた二酸化ケイ素、又はＳｉＯ２から作成する、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
表面層（２、６１）を、半導体、又は半導体化合物から作成する、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
表面層（２、６１）を、シリコン、ゲルマニウム又はＳｉＧｅから作成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
表面層（２、６１）を、ＩＩＩ−Ｖ又はＩＩ−ＶＩ半導体から作成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
表面層（２、６１）を、圧電性材料、焦電性材料、又は磁性材料から作成する、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
表面層（２、６１）の内部に、電子部品、マイクロエレクトロニクス部品、電子−機械部品、又はＭＥＭＳ部品の少なくとも一部（１８）を形成するステップを更に含む、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
表面層（２、６１）の形成の前に研磨ステップを更に含む、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
換言すると、図２Ａで説明したように、開口１２を形成することにより、埋め込み層４の材料より大きなエッチング速度を有する領域２０を優先的にエッチングすることが可能となる。第一の材料と第二の材料のエッチング速度の比率は、例えば、１又は２より大きいか、２〜１０、又は１０〜１０００、場合によっては１０００より大きい。
幾つかの材料及び幾つかの化学エッチング溶液の代表的且つ例示的エッチング速度を、以下の表１に示す。
表１
2011098434.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無地の表面層（２）、第一の材料からなる埋め込み層（４）、及び半導体からなる支持体（６）を備えたデバイスであって、埋め込み層が、支持体と表面層との間に配置され、支持体と表面層とに接しており、埋め込み層が、第一の材料のエッチング速度とは異なるエッチング速度を有する第二の材料からなる少なくとも一つの領域（２６、２８）を含むデバイス。
【請求項２】
第二の材料からなる少なくとも一つの領域の形状が、埋め込み層（４）及び表面層（２）の平面に平行な面内において、円形、正方形、長方形、多角形、又は楕円形であるか、或いは、少なくとも一つの直角を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
エッチング速度の小さい材料が、二酸化ケイ素等の電気絶縁体、熱シリカ、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は窒化ケイ素である、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
エッチング速度の最も大きい材料が、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＰＳＧ又はＰＳＧタイプのドープされた二酸化ケイ素、或いはＳｉＯ２から作成されている、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
表面層（２、６１）が、半導体、或いは半導体化合物から作成される、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
表面層（２、６１）が、シリコン、ゲルマニウム又はＳｉＧｅから作成される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
表面層（２、６１）が、ＩＩＩ−Ｖ又はＩＩ−ＶＩ型半導体から作成される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項８】
表面層（２）が、圧電性材料、焦電性材料、又は磁性材料から作成される、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
第二の材料が、第一の材料より大きいエッチング速度を有する、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
第二の材料が、第一の材料より小さいエッチング速度を有する、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
最小エッチング速度に対する最大エッチング速度の比率が１０より大きい、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
表面層（２、６１）、第一の材料（５６、５８）領域と、埋め込み層（４）及び表面層（２）の平面に平行な平面内において、正方形、長方形、多角形、楕円形であるか、或いは少なくとも一つの直角を有する形状を持つ、少なくとも一つのキャビティとを含む埋め込み層（４）、及び半導体からなる支持体（６）を有し、
埋め込み層が、支持体と表面層との間に配置され、支持体と表面層とに接しているデバイス。
【請求項１３】
表面層（２）が、半導体、又は半導体化合物から作成される、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
表面層（２）が、シリコン、ゲルマニウム又はＳｉＧｅから作成される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
表面層（２）が、ＩＩＩ−Ｖ又はＩＩ−ＶＩ型半導体から作成される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
表面層（２）が、圧電性材料、焦電性材料、又は磁性材料から作成される、請求項１２ないし１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
埋め込み層の内部に形成されたキャビティの上方の、表面層（２）の内部に、電子部品、マイクロエレクトロニクス部品、電子−機械部品、又はＭＥＭＳ部品の一部又は全部（１８）を更に有する、請求項１２ないし１６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１８】
表面層（２）、第一の材料からなる埋め込み層（４）、及び半導体からなる支持体（６）を有するデバイスであって、埋め込み層が、支持体と表面層との間に配置され、支持体と表面層とに接しており、埋め込み層は、一方が第二の材料からなり、他方が前記第二の材料とは異なる第三の材料からなる少なくとも二つの領域（２６、２８）を有し、
前記第二の材料及び第三の材料は、第一の材料とは異なるエッチング速度を有する、デバイス。
【請求項１９】
前記第二の材料及び第三の材料のエッチング速度が第一の材料のエッチング速度より大きい、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記第二の材料及び第三の材料のエッチング速度が第一の材料のエッチング速度より小さい、請求項１８に記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
換言すると、図２Ａで説明したように、開口１２を形成することにより、埋め込み層４の材料より大きなエッチング速度を有する領域２０を優先的にエッチングすることが可能となる。第一の材料と第二の材料のエッチング速度の比率は、例えば、１又は２より大きいか、２〜１０、又は１０〜１０００、場合によっては１０００より大きい。
幾つかの材料及び幾つかの化学エッチング溶液の代表的且つ例示的エッチング速度を、以下の表１に示す。
表１
2011098435.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のケースが連結部から折り返し自在に連結されていると共に、これ等のケースが前記連結部から折り返されていない状態では長大なケースであるもこれ等のケースを前記連結部から折り返した時にはケースが互いに重なり合って包装し易い形状に纒められるように構成されていることを特徴とする、物品等の収容ケース。
【請求項２】
ケースの重なり合いを解いて広げて前記連結部から折り返されていない状態の長大なケースにした時に、この広げた状態を安定させるための安定化手段を備えている、請求項１に記載の物品等の収容ケース。
【請求項３】
前記連結部から折り返され互いに重なり合って包装し易い形状に纒められたケースが、これを保護するスリーブに納められている、請求項１に記載の物品等の収容ケース。
【請求項４】
重前記連結部から折り返され互いになり合って包装し易い形状に纒められたケースが包装紙によって包装されて成る、請求項１に記載の物品等の収容ケース。
【請求項５】
複数個のケースの各々がケースを保護するスリーブに納められており、これ等のケースを納めたスリーブが連結部から折り返し自在に連結されていると共に、これ等のスリーブが前記連結部から折り返されていない状態では長大なケースであるもこれ等のスリーブを前記連結部から折り返した時にはケースが互いに重なり合って包装し易い形状に纒められるように構成されていることを特徴とする、物品等の収容ケース。
【請求項６】
ケースを納めたスリーブの重なり合いを解いて広げて前記連結部から折り返されていない状態の長大なケースにした時に、この広げた状態を安定させるための安定化手段をケースまたはスリーブに備えている、請求項５に記載の物品等の収容ケース。
【請求項７】
各々独立した複数個のケースが互いに重なり合って包装し易い形状に纒め得るように構成されていると共に、ケースの重なり合いを解いた時に、各々独立しているケースを連結して長大なケースにしてこの状態を固定するための連結手段を前記ケースに備えていることを特徴とする、物品等の収容ケース。
【請求項８】
各々独立していると共に各々がケースを保護するスリーブに納められた複数個のケースが互いに重なり合って包装し易い形状に纒め得るように構成されていると共に、ケースを納めたスリーブの重なり合いを解いた時に、各々独立しているスリーブを連結して長大なケースにしてこの状態を固定するための連結手段を前記スリーブに備えていることを特徴とする、物品等の収容ケース。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材の一部に成型面を有する成形金型において、前記成型面に、金属チタンからなる層、窒化チタンアルミニウムからなる層、炭化珪素からなる層、テトラヘドラルアモルファスカーボンからなる層が順次積層されていることを特徴とする成形金型。
【請求項２】
前記金属チタンからなる層の厚さは０．１〜５μｍであり、前記窒化チタンアルミニウムからなる層の厚さは０．２〜５μｍであり、前記炭化珪素からなる層の厚さは１０〜１００ｎｍであり、前記テトラヘドラルアモルファスカーボンからなる層の厚さは５０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の成形金型。
【請求項３】
前記窒化チタンアルミニウムからなる層における、アルミニウムに対するチタンの割合は０．３〜０．７であることを特徴とする請求項１に記載の成形金型。
【請求項４】
母材の一部に成型面を有する成形金型の製造方法において、前記成型面に、金属チタンからなる層、窒化チタンアルミニウムからなる層、炭化珪素からなる層、テトラヘドラルアモルファスカーボンからなる層を順次成膜することを特徴とする成形金型の製造方法。
【請求項５】
前記金属チタンからなる層の厚さは０．１〜５μｍであり、前記窒化チタンアルミニウムからなる層の厚さは０．２〜５μｍであり、前記炭化珪素からなる層の厚さは１０〜１００ｎｍであり、前記テトラヘドラルアモルファスカーボンからなる層の厚さは５０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の成形金型の製造方法。
【請求項６】
前記テトラヘドラルアモルファスカーボン膜が、フィルタードアークカソーディックバキュームアーク法により成膜されることを特徴とする請求項４または５に記載の成型金型の製造方法。
【請求項７】
前記炭化珪素膜が、プラズマソースイオンインプラテーション法、もしくはスパッタ法により成膜されることを特徴とする請求項６に記載の成形金型の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（比較例３）
型母材に重ねて下地層にＴｉ、中間層にＴｉＡｌＮ、密着層にＳｉＣ、離型層にダイヤモンド状炭素層を順次備えた比較例２における光学素子成形金型の、中間層であるＴｉＡｌＮ層に代えて、剥離を抑えるためにＴｉＮ層にする以外は同様に成形金型を製造した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被観察物を観察可能である光学系と、所定の基本屈折力と該基本屈折力に差分屈折力を加えた付加屈折力の複数の屈折力を有する多焦点サンプルレンズを支持した被検レンズ支持手段とを有し、上記光学系において観察者の眼が配置されると想定された位置と瞳共役関係となる位置に上記被検レンズ支持手段が配置されていることを特徴とする多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項２】
略平行光で入射した光束を略平行光で射出するアフォーカル光学系を有し、該アフォーカル光学系の前方に、所定の基本屈折力と該基本屈折力に差分屈折力を加えた付加屈折力の複数の屈折力を有する多焦点サンプルレンズを収納する被検レンズ支持手段を配置し、上記アフォーカル光学系の後方から観察者が上記多焦点サンプルレンズとアフォーカル光学系を通して被観察物を観察可能であって、上記観察者の眼が配置されると想定された位置と瞳共役関係となる位置に上記被検レンズ支持手段が配置されていることを特徴とする多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項３】
請求項２記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系は、該アフォーカル光学系内で観察物の実像を作るケプラー式である多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系は双眼配置されることを特徴とする多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項５】
請求項３または４記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系内に作られる実像近傍に、該実像近傍の空間位置を示す指標を配置した多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系の角倍率は光学系全体で略等倍である多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項７】
請求項６記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系は、倍率が略等しい２つのアフォーカル光学系を対向させて配置して構成されている多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項８】
請求項７記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記２つのアフォーカル光学系はそれぞれ双眼鏡であり、上記被検レンズ支持手段は、該双眼鏡の対をなすアフォーカル光学系に対応させて、一対が備えられている多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項９】
請求項２ないし７のいずれか１項記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記アフォーカル光学系内に可変絞りを配置した多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記被検レンズ支持手段に支持される多焦点サンプルレンズは、肉眼内に水晶体の代わりに移植挿入可能な多焦点眼内レンズである多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記被検レンズ支持手段に支持される多焦点サンプルレンズは、基本屈折力がほぼゼロか、第１の屈折力及び第２の屈折力の一方がゼロであり、他方が差分屈折力を持つ屈折部分とを有する屈折型のテストピース、または回折型のテストピースであり、上記テストピースは切り替え可能である多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の多焦点レンズシミュレーション装置において、上記被検レンズ支持手段は、液体を保持する液体保持部を備え、この液体保持部はその内部に、上記多焦点眼内レンズと、該多焦点眼内レンズの基本屈折力を相殺する屈折力を有する相殺レンズとを保持する多焦点レンズシミュレーション装置。
【請求項１３】
略平行光で入射した光束を略平行光で射出するアフォーカル光学系を準備するステップ；
上記アフォーカル光学系の前方に、所定の基本屈折力と該基本屈折力に差分屈折力を加えた付加屈折力の複数の屈折力を有する多焦点サンプルレンズを配置するステップ；及び
上記アフォーカル光学系の射出瞳位置に観察者の眼を配置して、上記多焦点サンプルレンズと上記アフォーカル光学系を通して被観察物を観察するステップ；
を有することを特徴とする多焦点レンズシミュレーション方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の遊技機が配列された遊技島に設けられ、各遊技機で用いられる遊技球を搬送し、各遊技機に供給する遊技球供給装置において、
遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して配設され、遊技球が転動可能な第１傾斜流路と、
遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して前記第１傾斜流路の下流に配設され、その上流端部が前記第１傾斜流路の下流端部よりも高い位置に設けられる第２傾斜流路と、
前記第１傾斜流路の下流端部と前記第２傾斜流路の上流端部との間に配設され、前記第１傾斜流路から前記第２傾斜流路に遊技球を搬送する球搬送ユニットと、
前記第２傾斜流路の長手方向に設けられ、当該第２傾斜流路を転動する遊技球を遊技機へと導くための複数の補給シュートと、を備え、
前記球搬送ユニットは、
回転軸を中心に回転する回転体と、
前記回転体の外周縁に配設され、磁力によって遊技球を吸着する磁性体と、
前記回転体を回転駆動するための回転体駆動部と、を備え、
前記回転体は、遊技球を外周面に吸着させて前記第１傾斜流路から前記第２傾斜流路に搬送することを特徴とする遊技球供給装置。
【請求項２】
前記磁性体は、前記回転軸方向に延在し、かつ、前記回転体の周方向に複数配設される硬磁性体を含み、
隣接する前記硬磁性体は、Ｓ極とＮ極が対向するように配設されることを特徴とする請求項１に記載の遊技球供給装置。
【請求項３】
前記磁性体は、前記硬磁性体に吸着した遊技球と磁気回路を構成する軟磁性体を含み、
前記硬磁性体及び前記軟磁性体は、前記回転体の外周縁の周方向に交互に配設されることを特徴とする請求項２に記載の遊技球供給装置。
【請求項４】
前記第１傾斜流路は、
遊技球が自重によって転動可能な角度で傾斜して形成される上流側流路部と、
前記上流側流路部の下流側に配設され、前記上流側流路部より大きく傾斜して形成され、前記上流側流路部から供給された遊技球を前記回転体に導く供給ガイド流路部と、を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の遊技球供給装置。
【請求項５】
前記上流側流路部と、前記供給ガイド流路部とは、別体に形成され、
前記供給ガイド流路部は、その遊技球転動面が前記上流側流路部の下流端部の下方に遊技球一個分以上の段差を設けて配設され、
前記上流側流路部の球転動面の、前記供給ガイド流路部の上流端部より上流側となる位置には、遊技球が通過不可能な幅の複数の開口孔が形成されることを特徴とする請求項４に記載の遊技球供給装置。
【請求項６】
前記回転体は、前記供給ガイド流路部から供給される遊技球を前記回転軸の上方を経由して前記排出ガイド流路部へと搬送する方向に回転し、
前記供給ガイド流路部の球転動面は、前記回転体の外周面と遊技球が通過不可能な隙間をもって対向することを特徴とする請求項４又は５に記載の遊技球供給装置。
【請求項７】
遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して前記第１傾斜流路と並列に配設され、遊技球が転動可能な補給樋と、
前記補給樋の長手方向に設けられ、当該補給樋を転動する遊技球を遊技機へと導くための複数の補給シュートと、を備え、
前記第２傾斜流路を転動する遊技球は、前記球搬送ユニットよりも前記搬送方向の下流側に位置する遊技機に供給され、
前記第１補給樋を転動する遊技球は、前記球搬送ユニットよりも前記搬送方向の上流側に位置する遊技機に供給されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一つに記載の遊技球供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の発明は、複数の遊技機が配列された遊技島に設けられ、各遊技機で用いられる遊技球を搬送し、各遊技機に供給する遊技球供給装置において、遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して配設され、遊技球が転動可能な第１傾斜流路と、遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して前記第１傾斜流路の下流に配設され、その上流端部が前記第１傾斜流路の下流端部よりも高い位置に設けられる第２傾斜流路と、前記第１傾斜流路の下流端部と前記第２傾斜流路の上流端部との間に配設され、前記第１傾斜流路から前記第２傾斜流路に遊技球を搬送する球搬送ユニットと、前記第２傾斜流路の長手方向に設けられ、当該第２傾斜流路を転動する遊技球を遊技機へと導くための複数の補給シュートと、を備え、前記球搬送ユニットは、回転軸を中心に回転する回転体と、前記回転体の外周縁に配設され、磁力によって遊技球を吸着する磁性体と、前記回転体を回転駆動するための回転体駆動部と、を備え、前記回転体は、遊技球を外周面に吸着させて前記第１傾斜流路から前記第２傾斜流路に搬送することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第７の発明は、遊技球の搬送方向に向けて下り傾斜して前記第１傾斜流路と並列に配設され、遊技球が転動可能な補給樋と、前記補給樋の長手方向に設けられ、当該補給樋を転動する遊技球を遊技機へと導くための複数の補給シュートと、を備え、前記第２傾斜流路を転動する遊技球は、前記球搬送ユニットよりも前記搬送方向の下流側に位置する遊技機に供給され、前記第１補給樋を転動する遊技球は、前記球搬送ユニットよりも前記搬送方向の上流側に位置する遊技機に供給されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、特別図柄を変動表示する図柄表示装置と、遊技球が転動流下する遊技領域に設けられた、遊技球を流入する複数の球流入路と、特定の球流入路へ流入した遊技球を検知することにより、予め定められた上限記憶数まで始動記憶を発生し、該始動記憶を順次消化することにより、図柄表示装置で特別図柄を変動開始して、その停止図柄態様によって当り又はハズレを確定する遊技制御手段とを備えたパチンコ遊技機において、始動記憶の記憶数が上限記憶数である場合に、予め定めた球流入路に流入した遊技球を検知する毎に、流入個数を累積して流入累積個数を求める処理と、前記流入累積個数が所定個数に達することにより、当該流入累積個数に基づく累積出力信号を生成する処理とを実行する稼動率生成手段を備えていることを特徴とするパチンコ遊技機である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
特別図柄を変動表示する図柄表示装置と、
遊技球が転動流下する遊技領域に設けられた、遊技球を流入する複数の球流入路と、
特定の球流入路へ流入した遊技球を検知することにより、予め定められた上限記憶数まで始動記憶を発生し、該始動記憶を順次消化することにより、図柄表示装置で特別図柄を変動開始して、その停止図柄態様によって当り又はハズレを確定する遊技制御手段と
を備えたパチンコ遊技機において、
始動記憶の記憶数が上限記憶数である場合に、予め定めた球流入路に流入した遊技球を検知する毎に、流入個数を累積して流入累積個数を求める処理と、
前記流入累積個数が所定個数に達することにより、当該流入累積個数に基づく累積出力信号を生成する処理と
を実行する稼動率生成手段を備えていることを特徴とするパチンコ遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体片と、該第１の筐体片に嵌合部を介して取付けられ基板等の無線通信機能を搭載する第２の筐体片と、前記第１の筐体片と前記第２の筐体片との間に挾み込まれ密着するパッキンとを具備し、前記第２の筐体片の前記嵌合部には前記パッキンが嵌込まれる溝部が形成され、前記パッキンの断面の図形中心から偏心した位置に突部を形成したことを特徴とする無線端末。
【請求項２】
前記溝部の深さは、前記突部を完全に収納することができる深さとする請求項１に記載の無線端末。
【請求項３】
前記突部は前記パッキンの中心線に対して対称となる様２方向に形成された請求項１又は請求項２に記載の無線端末。
【請求項４】
前記突部が形成される方向は、前記パッキンが前記第１の筐体片及び第２の筐体片と密着する面に対して平行である請求項１乃至請求項３に記載の無線端末。
【請求項５】
前記パッキンの上端が前記第１の筐体片と全長に亘って密着し、前記パッキンの下端が前記溝部の底面と全長に亘って密着し、前記突部は前記第１の筐体片と密着しない請求項１乃至請求項４に記載の無線端末。
【請求項６】
前記パッキンの前記突部と前記溝部側壁面との間に隙間が形成されている請求項１乃至請求項５に記載の無線端末。
【請求項７】
前記突部の下面が前記溝部の底面と平行となる様に形成し、少なくとも何れか一方の前記突部の下面が前記溝部の底面と当接する請求項１乃至請求項６に記載の無線端末
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視対象物を含む監視領域を撮像した画像を取得する撮像部と、
前記撮像部が順次取得した入力画像を処理し、警報信号を生成する画像信号処理部と、
前記警報信号を出力する出力部と、
前記監視領域の管理者の識別情報を登録識別情報として予め記憶する記憶部と
を備え、
前記画像信号処理部は、
前記入力画像から人物像を抽出して追跡し、当該人物像の位置情報を出力する追跡手段と、
前記入力画像から人物の識別情報を抽出して前記人物像と対応づける対応付け手段と、
前記識別情報を前記登録識別情報と照合して、前記各人物像が前記管理者か否かを認証する認証手段と、
前記人物像のいずれもが前記管理者でないと前記人物像の追跡結果に応じて警報信号を前記出力部に出力させ、前記人物像に少なくとも一の前記管理者が含まれていると前記出力部に警報信号の出力を禁止させる制御手段
を有することを特徴とした画像監視装置。
【請求項２】
前記記憶部は、画像上における前記監視対象物の至近領域を更に記憶し、
前記制御手段は、前記人物像の位置が前記至近領域外から前記至近領域内に変化すると、前記出力部に前記管理者へ警報信号を出力させることを特徴とした請求項１に記載の画像監視装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記人物像の位置が前記至近領域内に継続的に含まれると、前記出力部に少なくとも外部へ警報信号を出力させることを特徴とした請求項１または請求項２のいずれか１つに記載の画像監視装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記至近領域内に前記管理者の人物像と前記管理者でない人物像とが所定時間継続して位置していると、前記出力部に警報信号の出力の禁止を解除させることを特徴とした請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の画像監視装置。
【請求項５】
前記識別情報が顔画像であり、前記認証手段が入力画像から抽出した顔画像を予め記憶した登録顔画像と照合することを特徴とした請求項１に記載の画像監視装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段の温度を検出する検出手段と、
前記撮像手段により連続的に撮像された画像を表示手段に逐次表示するスルー表示を行う表示制御手段と、
前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が複数の温度のいずれかを超えるごとに、前記複数の温度に対応付けられた予め定められた異なる通知を、前記スルー表示の最中に前記表示手段に表示させるように制御する制御手段と、を有する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の温度は、第１の温度、前記第１の温度よりも高い第２の温度、及び前記第２の温度よりも高い第３の温度のうち、少なくとも２つの温度で構成されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が、
前記第１の温度を超えると、静止画撮像を行うと撮像された静止画像に劣化が生じることを示す通知を前記表示手段に表示させ、
前記第２の温度を超えると、動画撮像を行うと撮像された動画像に劣化が生じることを示す通知を前記表示手段に表示させ、
前記第３の温度を超えると、前記表示手段に前記スルー表示を終了することを事前に示す通知を前記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の温度は、前記第１の温度を含むように構成されることを特徴とする請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が、前記第３の温度より高い第４の温度を超えると、前記スルー表示を終了させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記複数の温度が、前記第２の温度を含むように構成される場合、
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が前記第２の温度を超えると、前記撮像手段による動画撮像を禁止することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記複数の温度が、前記第１の温度を含むように構成される場合、
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が前記第１の温度を超えると、前記撮像手段による記録用の静止画の撮像を禁止することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が前記第１の温度を超えている場合はさらに、前記撮像手段による、マニュアルホワイトバランスの基準となる静止画像の撮像を禁止することを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記撮像手段の温度が前記第１の温度を超えている場合はさらに、前記撮像手段に含まれる撮像素子または光学系に付着した異物の位置を特定するための、該撮像手段による画像の撮像を禁止することを特徴とする請求項７または８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像手段を有する撮像装置の制御方法であって、
検出手段が、前記撮像手段の温度を検出する検出工程と、
表示制御手段が、前記撮像手段により連続的に撮像された画像を表示手段に逐次表示するスルー表示を行う表示制御工程と、
制御手段が、前記検出工程おいて検出された前記撮像手段の温度が複数の温度のいずれかを超えるごとに、前記複数の温度に対応付けられた予め定められた異なる通知を、前記スルー表示の最中に前記表示手段に表示させるように制御する制御工程と、を有する
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９に記載の撮像装置の撮像手段及び表示手段を除く各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述の目的を達成するために、本発明の撮像装置は、以下の構成を備える。
撮像手段と、撮像手段の温度を検出する検出手段と、撮像手段により連続的に撮像された画像を表示手段に逐次表示するスルー表示を行う表示制御手段と、検出手段により検出された撮像手段の温度が複数の温度のいずれかを超えるごとに、複数の温度に対応付けられた予め定められた異なる通知を、スルー表示の最中に表示手段に表示させるように制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図６（ｂ）は、圧電振動片３０を収納したベース２２０の平面図である。ベース２２０は、＋Ｚ軸側と、−Ｚ軸側とに主面を有している。＋Ｚ軸側の主面には収納部２２１が形成されており、収納部２２１内には圧電振動片３０が収納されている。圧電振動片３０は図２と同様であるため説明を省略する。収納部２２１の周囲には端領域２２２が形成されている。端領域２２２の表面には、端領域２２２を周回する環形状に二重に配置された第１金属環２２３が形成されている。第１金属環２２３は、端領域２２２上の外側に近づいたり内側に近づいたりする波形状に形成されている。また、ベース２２０の−Ｚ軸側の主面には、第１外部電極２２７及び第２外部電極２２８（いずれも図６（ｃ）参照）が形成されている。また、収納部２２１には、第１接続電極２２４及び第２接続電極２２５が形成されており、それぞれ圧電振動片３０の第１基部電極３３及び第２基部電極３４と導電性接着剤４０を通して接続されている。さらに、第１接続電極２２４及び第２接続電極２２５はスルーホール２２６を通して第１外部電極２２７及び第２外部電極２２８と電気的に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図９（ｂ）は、圧電振動板４８０の平面図である。圧電振動板４８０は、圧電振動片４３０と圧電振動片４３０を囲む枠体４８１とが形成されている。圧電振動片４３０は、振動周波数に応じて厚さが決まっており、必ずしも枠体４８１の厚さと同じではない。圧電振動片４３０には、＋Ｚ軸側の面に第２励振電極４３６及び−Ｚ軸側の面には第１励振電極４３５が形成されている。また、枠体４８１の＋Ｚ軸側の面には第２金属膜４８３が、−Ｚ軸側の面には第１金属膜４８２が形成されている。第２金属膜４８３は内周部と外周部とに二重に形成されており、接続金属膜４８５によって電気的に接続されている。図９（ｂ）に示している第２金属膜４８３は、リッド４１０に形成される第２金属環４１３と対応する位置に二重に形成されているが、幅広い一重に形成しても良い。これは、第２金属環４１３が二重に形成されているため、ウエハ同士を接合した時に結果的に二重の金属環を形成することができるためである。また、第２金属膜４８３が二重に形成されたとしても、内周側と外周側との第２金属膜４８３は接続金属膜４８５によって互いに電気的に接続される。これは、第２励振電極４３６を外周部の第２金属膜４８３と接続し、更に第１キャスタレーション４９２を通してベース４２０に形成される第１外部電極４２７と接続するためである。同様に、第１金属膜４８２（図８の−Ｚ軸側）も一重、または内周側と外周側との金属膜が電気的に接続されていれば何重に形成されても良い。第１金属膜４８２も第２金属膜４８３と同様に第１励振電極４３５を第２外部電極４２８に接続させるように形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
持点による遊技が可能であり、入賞の発生に応じて持点が加算される遊技機と、該遊技機と通信可能に接続され、遊技者所有の遊技用価値を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置とを備える遊技用システムであって、
前記遊技用装置は、
前記持点を記憶する持点記憶手段と、
遊技者所有の遊技用価値が対応付けられている記録媒体の挿入および排出を行なう１つの挿入排出口と、
該挿入排出口に挿入されて受付けられた前記記録媒体に対応付けられている遊技者所有の遊技用価値を引落として前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算するとともに、前記遊技機で入賞が発生することにより前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算し、さらに、遊技に使用される持点を減算する持点加減算手段と、
遊技終了操作に応じて前記持点記憶手段に記憶されている持点を記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する記録媒体処理手段とを含み、
該記録媒体処理手段は、前記挿入排出口に挿入された記録媒体が受付けられている状態で、前記持点記憶手段に記憶されている持点を共有する操作に応じて、前記共有する持点分を前記持点記憶手段に記憶されている持点から減算し、該減算分の持点を前記受付けられている記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する共有処理を実行し、遊技終了操作に応じて、前記持点記憶手段に記憶されている持点を他の記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する、遊技用システム。
【請求項２】
持点による遊技が可能であり、入賞の発生に応じて持点が加算される遊技機と通信可能に接続するための接続部を備え、遊技者所有の遊技用価値を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置であって、
前記持点を記憶する持点記憶手段と、
遊技者所有の遊技用価値が対応付けられている記録媒体の挿入および排出を行なう１つの挿入排出口と、
該挿入排出口に挿入されて受付けられた前記記録媒体に対応付けられている遊技者所有の遊技用価値を引落として前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算するとともに、前記遊技機で入賞が発生することにより前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算し、さらに、遊技に使用される持点を減算する持点加減算手段と、
遊技終了操作に応じて前記持点記憶手段に記憶されている持点を記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する記録媒体処理手段とを含み、
該記録媒体処理手段は、前記挿入排出口に挿入された記録媒体が受付けられている状態で、前記持点記憶手段に記憶されている持点を共有する操作に応じて、前記共有する持点分を前記持点記憶手段に記憶されている持点から減算し、該減算分の持点を前記受付けられている記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する共有処理を実行し、遊技終了操作に応じて、前記持点記憶手段に記憶されている持点を他の記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する、遊技用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  持点による遊技が可能であり、入賞の発生に応じて持点が加算される遊技機（パチンコ機２）と、該遊技機と通信可能に接続され、遊技者所有の遊技用価値（プリペイド残高、持玉数、あるいは貯玉数）を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置（カードユニット３）とを備える遊技用システムであって、
前記遊技用装置は、
前記持点を記憶する持点記憶手段（「遊技玉数」を記憶する制御部３２３のＲＡＭ）と、
遊技者所有の遊技用価値が対応付けられている記録媒体（カード）の挿入および排出を行なう１つの挿入排出口（カード挿入／排出口３０９）と、
該挿入排出口に挿入されて受付けられた前記記録媒体に対応付けられている遊技者所有の遊技用価値を引落として前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算するとともに、前記遊技機で入賞が発生することにより前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算し、さらに、遊技に使用される持点を減算する持点加減算手段（制御部３２３）と、
遊技終了操作に応じて前記持点記憶手段に記憶されている持点を記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する記録媒体処理手段（図２７のカード返却の処理）とを含み、
該記録媒体処理手段は、前記挿入排出口に挿入された記録媒体が受付けられている状態で、前記持点記憶手段に記憶されている持点を共有する操作（図５６；持玉共有指定）に応じて、前記共有する持点分を前記持点記憶手段に記憶されている持点から減算し、該減算分の持点を前記受付けられている記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する（図５６；カードＢ（持玉＝１０００）返却）共有処理を実行し、遊技終了操作に応じて、前記持点記憶手段に記憶されている持点を他の記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（５）  持点による遊技が可能であり、入賞の発生に応じて持点が加算される遊技機（パチンコ機２）と通信可能に接続するための接続部（コネクタ３３０、２０、接続配線）を備え、遊技者所有の遊技用価値（プリペイド残高、持玉数、あるいは貯玉数）を用いて該遊技機での遊技を可能にする遊技用装置（カードユニット３）であって、
前記持点を記憶する持点記憶手段（「遊技玉数」を記憶する制御部３２３のＲＡＭ）と、
遊技者所有の遊技用価値が対応付けられている記録媒体（カード）の挿入および排出を行なう１つの挿入排出口（カード挿入／排出口３０９）と、
該挿入排出口に挿入されて受付けられた前記記録媒体に対応付けられている遊技者所有の遊技用価値を引落として前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算するとともに、前記遊技機で入賞が発生することにより前記持点記憶手段に記憶されている持点に加算し、さらに、遊技に使用される持点を減算する持点加減算手段（制御部３２３）と、
遊技終了操作に応じて前記持点記憶手段に記憶されている持点を記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する記録媒体処理手段（図２７のカード返却の処理）とを含み、
該記録媒体処理手段は、前記挿入排出口に挿入された記録媒体が受付けられている状態で、前記持点記憶手段に記憶されている持点を共有する操作（図５６；持玉共有指定）に応じて、前記共有する持点分を前記持点記憶手段に記憶されている持点から減算し、該減算分の持点を前記受付けられている記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する（図５６；カードＢ（持玉＝１０００）返却）共有処理を実行し、遊技終了操作に応じて、前記持点記憶手段に記憶されている持点を他の記録媒体に対応付ける対応付け処理を行なって該記録媒体を前記挿入排出口から排出する。