(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物質にレーザ光を用いて除電する方法であって、前記レーザ光を前記被処理物質の除電面に対して平行に、かつ、除電面から一定の距離を設けた空間に照射し、前記レーザ光により電離プラズマを発生させ、前記除電面に帯電した電荷を前記電離プラズマにより除電を行うことを特徴とするレーザによる除電方法。
【請求項２】
前記レーザ光を光軸に対して略直角方向に移動させ、前記電離プラズマ発生部を移動させることを特徴とする請求項１記載のレーザによる除電方法。
【請求項３】
前記レーザ光を集光レンズにより電離プラズマ発生部に集光させ、前記集光レンズまたは前記レーザ光の出射口を光軸方向に移動させて前記電離プラズマ発生部を移動させることを特徴とする請求項１または２記載のレーザによる除電方法。
【請求項４】
前記レーザ光は少なくても第１レーザ光および第２レーザ光からなり、前記第１レーザ光が光学偏向素子を介して前記空間に照射されてから所定期間経過後、前記第２のレーザ光が前記光学偏向素子を介して前記空間に照射されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のレーザによる除電方法。
【請求項５】
前記レーザ光の照射を、少なくとも２回とし、照射毎に波長の異なるレーザ光としたことを特徴とする請求項４記載のレーザによる除電方法。
【請求項６】
所定のギャップを介して設けた一対の電極のいずれか一方の電極に被処理物質を接続し、前記一対の電極間に高電圧を印加し、前記被処理物質の表面に対して平行で、かつ、表面から一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射し、発生する電離プラズマのドリフト作用により前記被処理物質を帯電させることを特徴とするレーザ光による帯電方法。
【請求項７】
前記レーザ光を光軸に対して略直角方向に移動させ、前記電離プラズマ発生部を移動させることを特徴とする請求項６記載のレーザによる帯電方法。
【請求項８】
前記レーザ光を集光レンズにより電離プラズマ発生部に集光させ、前記集光レンズまたは前記レーザ光の出射口を光軸方向に移動させて前記電離プラズマ発生部を移動させることを特徴とする請求項６または７記載のレーザによる帯電方法。
【請求項９】
前記レーザ光は少なくても第１レーザ光および第２レーザ光からなり、前記第１レーザ光が光学偏向素子を介して前記空間に照射されてから所定期間経過後、前記第２のレーザ光が前記光学偏向素子を介して前記空間に照射されることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載のレーザによる帯電方法。
【請求項１０】
前記レーザ光の照射を、少なくとも２回とし、照射毎に波長の異なるレーザ光としたことを特徴とする請求項９記載のレーザによる帯電・除電方法。
【請求項１１】
所定のギャップを介して設けた一対の電極と、前記一対の電極のいずれか一方の電極に接続された被処理物質と、前記一対の電極間に高電圧を印加する電源と、前記被処理物質の表面から一定の距離を設けた空間に前記被処理物質の表面に対して平行なレーザ光を照射するレーザ装置とを備えた除電・帯電装置において、
前記レーザ光を前記被処理物質の除電面に対して平行に、かつ、除電面から一定の距離を設けた空間に照射し、前記レーザ光により電離プラズマを発生させ、前記除電面に帯電した電荷を前記電離プラズマにより除電を行い、
前記一対の電極間に高電圧を印加し、前記被処理物質の表面に対して平行で、かつ、表面から一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射し、発生する電離プラズマのドリフト作用により前記被処理物質を帯電させることを特徴とする除電・帯電装置。
【請求項１２】
前記被処理物質に接続する電極を低電圧電極とし、かつ前記電源に電圧の極性を切替える切替え手段を設けたことを特徴とする請求項１１記載の除電・帯電装置。
【請求項１３】
前記電源は、電圧の立ち上がり時間がnsecオーダのパルス電源であることを特徴とする請求項１１または１２記載の除電・帯電装置。
【請求項１４】
前記レーザ装置は、前記レーザ光をプラズマ部に集光させる集光レンズを備えたことを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の除電・帯電装置。
【請求項１５】
前記レーザ装置に前記レーザ光を伝送する光ファイバーを設け、前記光ファイバーの出射口に前記集光レンズを含むレーザヘッドと、前記レーザヘッドを前記レーザ光の光軸方向または光軸に対して直角方向に移動させる駆動装置とを備えたことを特徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載の帯電・除電装置。
【請求項１６】
前記被処理物質と前記レーザ光の出射口との間に、前記レーザ光を前記被処理物質の表面に対して平行方向に移動させる全反射型ミラーと、前記全反射型ミラーを駆動する駆動装置とを備えたことを特徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載の帯電・除電装置。
【請求項１７】
前記全反射型ミラーは、正転と逆転を繰り返し前記レーザ光を扇状に移動させるガルバノミラーであり、前記駆動装置はガルバノモータであることを特徴とする請求項１６記載の帯電・除電装置。
【請求項１８】
前記全反射型ミラーは、回転するポリゴンミラーであることを特徴とする請求項１６記載のレーザによる帯電・除電装置。
【請求項１９】
前記全反射型ミラーの後段に前記レーザ光の焦点を直線上に整列させるｆθレンズを配置したことを特徴とする請求項１６から１８のいずれかに記載の帯電・除電装置。
【請求項２０】
前記レーザ装置を少なくとも２台配置し、これに位相調整装置を接続し、光学偏向素子を介して全てのレーザ光が電離プラズマ発生部に照射されることを特徴とする請求項１１から１９のいずれかに記載の除電・帯電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスにおける残留電荷の除去や集塵装置の帯電処理など、被処理物質の除電または帯電を行う除電・帯電方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の除電・帯電方法及び装置においては、主に放電プラズマを用いた方法が用いられており、コロナ放電を用いたものが多数を占めている（例えば、非特許文献１）。
【０００３】
【非特許文献１】
（社）電気学会 発行、「新版電気工学ハンドブック」、竹田印刷、 昭和６３年２月２０日、ｐ．１８５１−１８６２
【０００４】
除電装置に関しては、図15に示されるように、放電プラズマ中にガスを導通させることでイオン群を発生させ、これを被処理物質に吹き付けることで行われている（以降、開示例1とする）。図15において10は高電圧電極、11は低電圧電極、12は電源、13は被処理物質、16は表面電荷、20はイオンシャワー、21は台座である。
以上の構成において、台座21の上に帯電した被処理物質13をのせ、高電圧電極10と低電圧電極11間に電源12より電圧を印加することでコロナ放電を発生させ、前記両電極間にガスを導通させることでイオン群を発生させ、帯電している被処理物質13に前記イオン群をイオンシャワー20として吹き付けることで、表面電荷16を中和し、除電できるようになっている。
上記のような除電方法及び装置では、風量および風速、印加電圧を調整することで前記被処理物質の表面電荷を除去できるとともに、容易に装置を構成することができ、メンテナンスが容易にできるようになっている。
また、帯電方法及び装置に関しては、例えば図16に示されるように、被処理物質を放電プラズマ中に直接暴露することで行われている（以降、開示例2とする）。図16において10は高電圧電極、11は低電圧電極、12は電源、13は被処理物質、16は表面電荷、22が放電プラズマである。
以上の構成において、低電圧電極11上に帯電させる被処理物質13を配置し、所定のギャップ長を介して高電圧電極10を前記低電圧電極と対向配置させ、前記両電極間に電源12より単極性の電圧を印加することで放電プラズマ22を発生させ、印加した電圧と同極性の電荷を被処理物質13の上に帯電させることができるようになっている。
上記のような帯電方法及び装置では、一様な放電プラズマを形成させることで大面積の帯電処理が可能であるとともに、装置構成を単純にすることができるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前述の開示例1で示される除電方法及び装置においては、放電により生成したイオン群をイオンシャワーとして用いるため、局部的な除電または広範囲に渡っての一様な除電を行うことが難しい。また、正負のイオンバランスが均等ではないため除電漏れが起き、イオンシャワーの風量等によっては集塵作用が発生していた。さらに、イオン群発生に金属電極を用いた場合は、電極のスパッタリング、酸化等により放電くずが発生し、被処理物質の除電面への不純物（荷電したダスト）付着を抑えることができなかった。
前述の開示例2で示される帯電方法及び装置においては、大気圧のような高気圧下では放電空間に一様な放電プラズマを生成させることが難しく、場合によっては真空中での処理となるため装置が大型化となる。また、被処理物質は放電プラズマ中に介在しているため、前記放電プラズマの活性種により被処理物質表面が改質されやすく、雰囲気ガス圧力の増加により、安定した前記放電プラズマの発生が難しかった。
そこで、本発明は上記の点を考慮してなされたもので、一様な除電・帯電ができ、荷電ダストの付着がなく、大気圧の雰囲気でも除電および帯電の容易なレーザによる除電・帯電方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、つぎの構成にしている。
（1）被処理物質にレーザ光を用いて除電する方法であって、前記レーザ光を前記被処理物質の除電面に対して平行に、かつ、除電面から一定の距離を設けた空間に照射し、前記レーザ光により電離プラズマを発生させ、前記除電面に帯電した電荷を前記電離プラズマにより除電を行うものである。
本構成によれば、均一で一様な除電を行うことができるとともに、正負の荷電粒子は極性的にほぼ等しいため、荷電したダストの付着を抑制しクリーンな除電処理を行うことができる。
（2）所定のギャップを介して設けた一対の電極のいずれか一方の電極に被処理物質を接続し、前記一対の電極間に高電圧を印加し、前記被処理物質の表面に対して平行で、かつ、表面から一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射し、発生する電離プラズマのドリフト作用により前記被処理物質を帯電させるものである。
本構成によれば、均一で一様な帯電を行うことができ、バイアス電圧の電圧値および極性を変えることで容易に帯電電荷の特性を調整することができるとともに、除電時と同様にダストの付着を防止することができる。また、従来に比べて高い帯電量を得ることができる。
（3）前記レーザ光を光軸に対して略直角方向に移動させ、前記電離プラズマ発生部を移動させるものである。
本構成によれば、電離プラズマ発生部が被処理物質表面から一定の距離を設けた空間を移動するため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。また、レーザ光軸の移動を行うことで高速処理が可能となる。
（4）前記レーザ光を集光レンズにより電離プラズマ発生部に集光させ、前記集光レンズまたは前記レーザ光の出射口を光軸方向に移動させて前記電離プラズマ発生部を移動させるものである。
本構成によれば、電離プラズマ発生部が被処理物質表面から一定の距離を設けた空間を移動するので、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。また、集光させるレンズを帯電・除電処理条件により取り替える必要がなく、レーザ光軸の移動を行うことで高速処理が可能となる。
（5）前記レーザ光を、光学偏向素子を介して前記電離プラズマ発生部に照射するものである。
本構成によれば、複数のレーザ光を同一部分に容易に照射することができる。
（6）前記レーザ光の照射を、少なくとも２回とし、照射毎に波長の異なるレーザ光としたものである。
本構成によれば、規定内の波長帯域で自由に波長を選択できるため、被処理物質の処理状況によって適する波長を変更でき、装置構成を簡略化することができる。
（7）所定のギャップを介して設けた一対の電極と、前記一対の電極のいずれか一方の電極に接続された被処理物質と、前記一対の電極間に高電圧を印加する電源と、前記被処理物質の表面から一定の距離を設けた空間に前記被処理物質の表面に対して平行なレーザ光を照射するレーザ装置とを備えたものである。
本構成によれば、均一で一様な電離プラズマを発生できるので均一で一様な帯電処理ができる。また、帯電した被処理物質の表面空間に高電圧電極に電圧を加えずレーザ光のみを照射すれば、除電処理を施すことができ、ダストの付着を防止することができる。
（8）前記被処理物質に接続する電極を低電圧電極として接地し、かつ前記電源に高電圧の極性を切替える切替え手段を設けたものである。
本構成によれば、レーザ光が被処理物質表面に直接照射されないため、被処理物質の表面の改質を抑え、レーザ照射方向に対して平行に均一な除電および帯電処理を施すことができる。また、印加電圧の電圧値および極性を変えることで容易に帯電電荷の特性を調整することができ、従来に比べて高い帯電量を得ることができる。
（9）前記電源は、電圧の立ち上がり時間がnsecオーダのパルス電源としている。
本構成によれば、バイアス電圧から投入される電力を効率よく電子に供給することができ、電子エネルギー密度を高めることができるため、低出力のレーザ光で十分な処理効果を得ることができる。またパルス的なバイアス電圧の印加となるため、レーザ発振時間と同期または調整することで効率よく電離プラズマを形成することができる。
（10）前記レーザ装置は、前記レーザ光をプラズマ部に集光させる集光レンズを備えたものである。
本構成によれば、焦点近傍に電離プラズマを容易に発生させることができるとともに、集光レンズの焦点距離を変化させることで電離プラズマの形状を変えることが可能となり除電および帯電の処理面積を可変とすることができる。
（11）前記レーザ装置に前記レーザ光を伝送する光ファイバーを設け、前記光ファイバーの出射口に前記集光レンズを含むレーザヘッドと、前記レーザヘッドを前記レーザ光の光軸方向または光軸に対して直角方向に移動させる駆動装置とを備えたものである。
本構成によれば、光ファイバーによりレーザ光を伝送し、レーザヘッドでレーザ光の方向を決めることができるため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に前記レーザ光を伝送し、電離プラズマを発生させることができる。また、駆動装置により被処理物質の表面を二次元基準平面としてレーザ光の光軸方向および被処理物質の表面と平行方向の帯電・除電処理を行うことができるため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。
（12）前記被処理物質と前記レーザ光の出射口との間に、前記レーザ光を前記被処理物質の表面に対して平行方向に移動させる全反射型ミラーと、前記全反射型ミラーを駆動する駆動装置とを備えたものである。
本構成によれば、レーザ光伝送経路の媒質による光減衰を抑え、かつレーザ光の方向を自由に選定できるため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に前記レーザ光を伝送し、電離プラズマを発生させることができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマを発生することができれば、前記レーザ光の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができるため、容易にレーザ照射毎の帯電量、除電量を調整することができる。
（13）前記全反射型ミラーは、正転と逆転を繰り返し前記レーザ光を扇状に移動させるガルバノミラーとし、前記駆動装置はガルバノモータとしたものである。本構成によれば、レーザ光伝送経路の媒質による光減衰を抑え、かつレーザ光の方向を自由に選定できるため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に扇状の前記レーザ光を伝送し、電離プラズマを容易に発生することができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマを発生することができれば、前記レーザ光の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができるため、容易にレーザ照射毎の帯電量、除電量を調整することができる。
（14）前記全反射型ミラーをモータ駆動により回転するポリゴンミラーとしたものである。
本構成によれば、レーザ光伝送経路の媒質による光減衰を抑え、かつレーザ光の方向を自由に選定できるため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に扇状の前記レーザ光を伝送し、電離プラズマを容易に発生することができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマを発生することができれば、前記レーザ光の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができるため、容易にレーザ照射毎の帯電量、除電量を調整することができる。
（15）前記全反射型ミラーの後段に前記レーザ光の焦点を直線上に整列させるｆθレンズを配置したものである。
本構成によれば、全反射型ミラーを用いてレーザ光を移動させる場合に発生する扇状のレーザ光を被処理物質の表面を基準として焦点を直線上に保つことができるため、効率よく長方形状の被処理物質を処理することができる。
（16）前記レーザ装置を少なくとも２台配置し、これに位相調整装置を接続し、光学偏向素子を介して全てのレーザ光が電離プラズマ発生部に照射されるものである。
本構成によれば、複数台のレーザで同一位置の電離プラズマ発生部にレーザ光を照射するため電離プラズマ密度を容易に調整することができる。また、各レーザ装置の出力を低く抑えることができるため装置の小型化およびコストダウンを図ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の技術の中心となるレーザは、一般に利用される効果や特性として、レーザ光を照射することで微粒子から電子が放出され他の微粒子を帯電させるような光電子効果や、レーザの集光等によりエネルギー密度が大きくなることによる電離プラズマ生成、前記エネルギー密度がさらに大きくなり気体分子の吸収したエネルギーが気体加熱に移行することにより起こる高電離度のレーザによる破壊プラズマ生成といった現象がある。処理対象である除電及び帯電では、光電子効果や破壊プラズマ生成による効果を利用する場合が多いが、均一でかつ一様な処理を行うためには、比較的エネルギー密度が高く、多数個の高エネルギーの光子が直接原子や分子へ吸収され、光電離によって電子を生成することで発生する電離プラズマを利用する方が有利である。
本発明では、前述の特性の中で電離プラズマ生成による効果を利用したもので、表面電荷を有する被処理物質表面から垂直方向に所定の距離を介した位置にレーザ光を被処理物質表面に平行に照射し、被処理物質表面上で電離プラズマを発生させることで前記表面電荷が前記電離プラズマからの荷電粒子を吸収し電位的に中和することにより除電処理を行う。帯電処理では帯電電荷と同じ極性のバイアス電圧を印加するための一対の対向電極内の低電圧電極上に被処理物質を配置し、電離プラズマを発生させるためのレーザ光を除電処理時と同様に照射し、前記バイアス電圧を印加することにより前記電離プラズマ中の荷電粒子のドリフト作用を利用して前記被処理物質面上を帯電させる。
このとき、レーザのパワー密度と照射回数を調整することにより、除電量および帯電量を容易に調整できるとともに、被処理物質表面からレーザを照射する位置までの距離と電離プラズマ発生部のプラズマ幅により、レーザ照射1回当たりの除電および帯電処理面積を変えることができる。
同じ被処理物質に対して除電と帯電を繰り返し行うことも容易にできるとともに、帯電部の中で一部分のみ除電を行うことも可能である。したがって、これまでの放電プラズマでは見られない均一で一様かつ任意の除電および帯電形状を形成することができる。その際には、高い除電性能を有する処理を行うことができる。
除電及び帯電処理では、処理雰囲気中のダストが荷電することによる除電面および帯電面へのダスト付着（集塵効果）が発生し、表面のクリーン度を低下させることがあるが、レーザにより生成される電離プラズマではプラズマ中で発生する電荷量が極性的にほぼ等しいため、除電面および帯電面をクリーンに保つことができ、室空気程度の雰囲気ガス中に含まれるダスト程度であればダスト付着の影響は少ない。また、除電処理ではレーザ光の電離プラズマによる帯電は発生しない。
使用するレーザ光の波長は600nmよりも短い波長域であれば高い効果が得られる。
除電および帯電処理の処理雰囲気は空気である必要はなく、圧力は低気圧（真空）から大気圧以上の高気圧のいずれの場合でもよく、前記処理雰囲気は気体であればレーザによる電離プラズマの生成が可能である。
本発明では、放電電極によるプラズマを用いずレーザによる電離プラズマを利用しているため、電極のスパッタや酸化等による腐食によって発生する放電くずが除電および帯電処理に影響を与えることはない。
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳述する。
（第１実施例）
本発明の第１実施例を図1に示す。図1は、本発明のレーザによる除電装置を示す断面図、図2は図1のレーザ発振方向に対する側断面図である。図において、共通する部分には同一符号を用いてあり、13は被処理物質、14はレーザ光、15は電離プラズマ、16は表面電荷、17はレーザ装置、18は集光レンズ、21は台座である。
被処理物質13は、厚さ1mm、直径100mmのアクリル板とし、レーザ装置17としてNd:YAGレーザ（3倍波、λ=355nm）を用いた。雰囲気ガスは室空気とし、圧力を大気圧（〜0.1MPa）とした。被処理物質13の帯電面は、あらかじめ電圧15ｋＶを印加しコロナ放電処理により均一に帯電させた。
次に、本実施例の動作について図１および図２を参照して説明する。
レーザ装置17より発振されたレーザ光14を帯電した被処理物質13の帯電表面に対して1mmの距離を有した位置に平行に照射する。この時、集光レンズ18の焦点近傍に被処理物質13を配置しているので、集光されたレーザ光はパワー密度が高められ焦点近傍で電離プラズマ15が発生する。電離プラズマは密度が高いプラズマであるため、被処理物質13の表面に蓄積している表面電荷16が電離プラズマの逆極性荷電粒子を吸収することにより表面電位を中和し除電が行われる。
レーザ光14を10回照射した後、ダストフィギュア（粉末図形）により視覚的に観測した。その結果、レーザ光14に沿った方向に一様に除電されていることを確認した。
【０００９】
（第2実施例）
本発明の第2実施例を図３、４に示す。図３は、本発明のレーザによる除電・帯電装置を示す断面図、図４は図３のレーザ発振方向に対する側断面図である。図において、10は高電圧電極、11は低電圧電極である。高電圧電極10と低電圧電極11は、所定のギャップ長を介して対向配置されており、低電圧電極11は接地されている。被処理物質13は、厚さ1mm、直径160mmのアクリル板とし、低電圧電極11上に保持されている。レーザ装置17および雰囲気ガスは、第１実施例と同じである。
次に、本実施例の動作について図３および図４を参照して説明する。
帯電を行う場合は、被処理物質13の表面から2mmの空間に、レーザ装置17より発振されたレーザ光14を被処理物質表面と平行に照射する。照射されるレーザ光は第1実施例の除電時と同様に集光レンズ18の焦点近傍に電離プラズマ15を発生させる。このとき、高電圧電極10と低電圧電極11間には電源12より正極の単極性のバイアス電圧5〜20kVを印加することで、電離プラズマ中の荷電粒子はバイアス電圧により形成される電界によりドリフト作用が引き起こされる。荷電粒子のドリフト作用によりバイアス電圧と同極性の荷電粒子が被処理物質の表面に蓄積され、帯電が行われる。電源12より5〜20kVの正極性のバイアス電圧を高電圧電極10と低電圧電極11間に印加し、被処理物質の帯電面より2mmの位置に平行にレーザ装置よりレーザ光14を照射することで、レーザ光14に沿った方向に一様に帯電を行うことができた。レーザ光14の照射回数により帯電量ならびに帯電面積を調整することが可能となった。また、レーザにより帯電させた後に除電することも可能であり、レーザ光14の照射方向に対して横にスキャニングを行うことで帯電面および除電面を広く取る事ができる。除電および帯電状態はダストフィギュアにより視覚的に観測した。
なお、本実施例では被処理物質13としてアクリル板を用いたが、他の有機材質ならびに無機材質においても同様の効果が得られる。また、レーザ光14の照射位置は実施例に示される値に設定する必要は無く、ガス圧力や処理面積等に応じて任意に設定することで、希望する除電量または帯電量を得ることができる。
除電および帯電処理の雰囲気ガス圧力は、0.2〜0.5MPa程度の大気圧以上の高い値にすることで、雰囲気ガスの絶縁破壊電圧を上昇させることができ、レーザによる電離プラズマと被処理物質表面間の火花破壊による性能低下を防ぐことができる。また、このような高気圧下では低いレーザ出力で容易に高密度のレーザ光電離プラズマを生成することができる。
【００１０】
（第３実施例）
本発明の第３実施例を図５および図６に示す。
図５は、本発明のレーザによる帯電・除電装置を示す側断面図、図６は図５を上から見た上断面図である。図において、２３は光ファイバー、２４はレーザヘッド、２５は帯電面、２６は除電面、２７はテーブル、２８は駆動装置、２９は移動レールである。
低電圧電極11は所定のギャップ長を介して高電圧電極１０と対向配置しており、かつ接地されている。被処理物質１３は、厚さ１ｍｍ、１５０ｍｍ角のアクリル板とした。被処理物質１３は、テーブル２７に保持されており、テーブル２７は低電圧電極11に接続されている。レーザ装置１７および雰囲気ガスは、第１実施例と同じであるが、レーザパワーは光ファイバ２３の内部絶縁破壊電界以下のエネルギー密度で用いた。駆動装置２８は、レーザヘッド２４を移動レール２９に沿って移動させてレーザ光１４の軸方向に対して直角方向（横方向）に移動させることができる。
次に、本実施例の動作について図５および図６を参照して説明する。
▲１▼帯電処理
まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間に電源１２より単極性のバイアス電圧を印加して、被処理物質１３に電圧を印加する。つぎに、レーザ装置１７よりレーザ光１４を出射する。レーザ光１４は、光ファイバ２３を介してレーザヘッド２４へ伝送され、集光レンズ１８によってテーブル２７上に配置した被処理物質１３表面から約１ｍｍの位置に集光する。焦点を中心としてレーザ光１４の軸に沿った方向に電離プラズマ１５が発生する。そうすると、形成される電界により電離プラズマ１５は、ドリフト作用が起こり、バイアス電圧と同極性の荷電粒子が被処理物質１３の表面の一部に蓄積される。
ついで、駆動装置２８によってレーザヘッド２４を移動レール２９に沿って帯電方向30へ移動させ、電離プラズマ１５をレーザ光１４の軸方向に対して直角方向（横方向）に移動させ、被処理物質１３の全表面に均一かつ一様に帯電処理を行う。さらに、被処理物質１３の形状が大きい場合は、レーザヘッド２４を焦点方向３２へ移動させて焦点を中心とした電離プラズマ１５をレーザ光１４の軸方向（縦方向）に移動させ、被処理物質１３の全表面に均一かつ一様に帯電処理を行う。 なお、ここでは、バイアス電圧印加後にレーザ光を照射したが、レーザ光照射時にバイアス電圧を印加してもよい。
▲２▼除電処理
まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間のバイアス電圧を除く。つぎに、レーザ光１４を帯電処理と同様にして、帯電した被処理物質１３の帯電表面に対して平行に照射し、電離プラズマ１５を発生させる。電離プラズマ１５は密度が高いため、被処理物質１３の表面に蓄積している表面電荷が電離プラズマ１６の逆極性荷電粒子を吸収して被処理物質１３の表面電位を中和し、除電処理が行われる。
このようにして、帯電処理および除電処理した被処理物質１３の表面をダストフィギュアにより視覚的に観測した。その結果、レーザ光１４を移動させた範囲全面は、一様に除電・帯電していることを確認した。
本実施例によれば、光ファイバ２３によりレーザ光１４を伝送し、レーザヘッド２４でレーザ光１４の方向を容易に決めることができるため、レーザ装置１７および被処理物質１３を位置固定した状態で様々な方向にレーザ光１４を伝送することができる。また、駆動装置２８により被処理物質１３表面を二次元基準平面として、移動レール２９を用いてレーザ光１４発振軸方向の直角方向（横方向）と軸方向（縦方向）の帯電・除電処理を行うことができるため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。また、軸方向の帯電・除電処理が可能であるため、集光レンズ１８の焦点を処理条件に応じて替える必要がなく、操作性を向上することができる。
【００１１】
（第４実施例）
本発明の第４実施例を図７〜９に示す。
図７は、本発明のレーザによる帯電・除電装置を示す上断面図、図８は通常の全反射ミラーを用いたときのレーザ光のスキャン範囲を示す上断面図、図９は図７のレーザ光のスキャン範囲を示す上断面図である。図において、３３はガルバノミラー、３４はガルバノモータ、３５はガルバノスキャナ、３６はｆθレンズ、３８は焦点位置である。
被処理物質１３、レーザ装置１７および雰囲気ガスの条件は、第３実施例と同じである。
次に、本実施例の動作について図７および図８を参照して説明する。
▲１▼帯電処理
帯電処理はレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第３実施例と同様である。最初に第３実施例と同様に被処理物質１３に電圧を印加する。つぎに、レーザ装置１７よりレーザ光１４を出射する。レーザ光１４は、直接ガルバノミラー３３へ伝送される。レーザ光１４はガルバノミラー３３への入射角度によりレーザ光１４方向を変えられテーブル２７上に配置した被処理物質１３表面から１〜２ｍｍの位置に伝送され、レーザ光１４の光軸の方向に電離プラズマ１５を発生させ帯電する。このとき、ガルバノモータ３４によってレーザ光１４の入射角度を調整することで入射点を基点として扇状にレーザ光１４を伝送し、均一かつ一様に帯電処理を行う。
また、ガルバノスキャナ３５より出力されたレーザ光１４をｆθレンズ３６に透過させることで、直線状に移動する焦点を中心とした電離プラズマ１５をレーザ光１４の軸方向（焦点方向３２）へ前後移動させ、縦方向への帯電・除電処理を行う。
▲２▼除電処理
除電処理もレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第３実施例と同様である。まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間のバイアス電圧を除く。つぎに、レーザ光１４を帯電処理と同様にして、帯電した被処理物質１３の帯電表面に対して位置に平行に照射し、電離プラズマ１５を発生させる。
このようにして、帯電処理および除電処理した被処理物質１３の表面をダストフィギュアにより視覚的に観測した。その結果、第３実施例と同様にレーザ光１４を移動させた範囲全面は、一様に除電・帯電していることを確認した。
本実施例によれば、レーザ光１４の光減衰を防ぎながらレーザ光１４のスキャン方向を決めることができるため、レーザ装置１７および被処理物質１３を位置固定した状態で様々な方向にレーザ光１４を伝送することができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマ１５を発生することができれば、レーザ光１４の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができる。ガルバノモータ３４を含むガルバノスキャナ３５により被処理物質１３表面を二次元基準平面として、扇状に帯電・除電処理を行うことができるため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を行うことができる。また、通常の全反射ミラーでは回転方向３７へミラーを左右へ回転させることで焦点位置３８がレーザ光１４のガルバノミラー３３への入射点を基点として扇状に広がる（図８）。しかし、ｆθレンズ３６を用いることにより、図９に示すようにレーザ光１４の焦点位置３８を一定にすることができるため、長方形のような形をした被処理物質１３の帯電・除電処理を行う場合は有効である。また、レーザ光１４軸の方向（焦点方向３２）の帯電・除電の位置を容易に変えることができるため、操作性を向上することができる。
【００１２】
（第５実施例）
本発明の第５実施例を図１０に示す。
図１０は、本発明のレーザによる帯電・除電装置を示す上断面図である。図において、３９はポリゴンミラーである。
被処理物質１３、レーザ装置１７および雰囲気ガスの条件は、第３実施例と同じである。
次に、本実施例の動作について図１０を参照して説明する。
▲１▼帯電処理
帯電処理はレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第３実施例と同様である。最初に第３実施例と同様に被処理物質１３に電圧を印加する。つぎに、レーザ装置１７よりレーザ光１４を出射する。レーザ光１４は、直接ポリゴンミラー３９へ伝送される。レーザ光１４はポリゴンミラー３９への入射角度によりレーザ光１４方向を変えられテーブル２７上に配置した被処理物質１３の表面から１〜２ｍｍの位置に伝送され、レーザ光１４軸に沿った方向に電離プラズマ１５を発生させ、帯電処理を行う。
このとき、駆動装置２８によってレーザ光１４の入射角度を調整することで入射点を基点として扇状にレーザ光１４を伝送し、均一かつ一様に帯電・除電処理を連続的に行う。また、ポリゴンミラー３９より出力されたレーザ光１４をｆθレンズ３６に透過させることで焦点を中心とした電離プラズマ１５をレーザ光１４の軸方向（焦点方向３２）へ移動させ、全表面の帯電処理を行う。
▲２▼除電処理
除電処理もレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第３実施例と同様である。まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間のバイアス電圧を除く。つぎに、レーザ光１４を帯電処理と同様に、帯電した被処理物質１３の帯電表面に対して位置に平行に照射し、電離プラズマ１５を発生させる。
このようにして、帯電処理および除電処理した被処理物質１３の表面をダストフィギュアにより視覚的に観測した。その結果、第３実施例と同様にレーザ光１４を移動させた範囲全面は、一様に除電・帯電していることを確認した。
本実施例によれば、レーザ光１４の光減衰を防ぎながらレーザ光１４のスキャン方向を決めることができるため、レーザ装置１７および被処理物質１３を位置固定した状態で様々な方向にレーザ光１４を伝送することができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマ１５を発生することができれば、レーザ光１４の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができる。ポリゴンミラー３９の回転により被処理物質１３表面を二次元基準平面として、扇状に帯電・除電処理を行うことができるため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を行うことができる。また、通常の全反射ミラーでは回転方向３７へミラーを一方向に回転させることで焦点位置３８がレーザ光１４のガルバノミラー３３への入射点を基点として扇状に広がるが、ｆθレンズ３６を用いることでレーザ光１４の焦点位置を一定にすることができるため、長方形のような形をした被処理物質１３の帯電・除電処理を行う場合は有効である。また、レーザ光１４軸方向（焦点方向３２）の帯電・除電処理の位置を容易に変えることができるため、操作性を向上することができる。
【００１３】
（第６実施例）
本発明の第６実施例を図１１および図１２に示す。
図１１は、本発明のレーザによる帯電・除電装置を示す側断面図、図１２はレーザ発振のタイムチャートである。図において、１７１は第１レーザ装置、１７２は第２レーザ装置、１４１は第１レーザ光、１４２は第２レーザ光、４１は光学偏向素子、４２は位相調整装置、４３は光アブソーバである。なお、ｈ１は第１レーザ光による波頭値、ｈ２は第２レーザ光による波頭値、Ｓ１は第１レーザ光の出射指令の信号、Ｓ２は第２レーザ光の出射指令の信号、ΔＴはＳ１とＳ２の指令間隔、Ｔｄ１は第１レーザ光の発振遅れ時間、Ｔｄ２は第２レーザ光によるの発振遅れ時間、Ｔｄは第１レーザ光と第２レーザ光との出射のレーザ遅れ時間である。
被処理物質13は、厚さ1mm、直径100mmのアクリル板とし、第１レーザ装置171及び第２レーザ装置172としてNd:YAGレーザ（3倍波、λ=355nm）を用いた。雰囲気ガスは室空気とし、圧力を大気圧（〜0.1MPa）とした。また、光学偏向素子４１として50%ハーフミラーを用いた。
次に、本実施例の動作について説明する。
▲１▼帯電処理
帯電処理はレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は基本的に第２実施例と同様である。最初に電源１２よりバイアス電圧を印加する。つぎに、位相調整装置４２より第１レーザ光の出射指令の信号Ｓ１が出力され、第１レーザ光の発振遅れ時Ｔｄ１を経て第１レーザ装置171から第１レーザ光141が出射され、第１レーザ光141は光学偏向素子４１を介して電離プラズマ１５発生部へ発振される。このとき位相調整装置４２より指令間隔ΔＴを有した第２レーザ光の出射指令の信号Ｓ２が第２レーザ装置172に伝送され、第２レーザ光の発振遅れ時Ｔｄ２を経て第２レーザ光142が出射する。この第２レーザ光142は光学偏向素子４１により光軸が変更され、第１レーザ光141と同一の軌道となり、電離プラズマ１５発生部へ発振される。第１レーザ光141により集光レンズ１８の焦点付近で極めて弱い電離状態を発生させ、この状態で第２レーザ光142を発振することで帯電処理に必要な密度を有する電離プラズマ１５が形成される。
電源１２としてパルス電源を用いる場合は、位相調整装置４２とパルス電源のトリガ信号を同期させることで帯電処理を行うことができる。
▲２▼除電処理
除電処理もレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第１実施例と同様である。まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間のバイアス電圧を除く。つぎに、第１レーザ光141および第２レーザ光142を帯電処理と同様に、帯電した被処理物質１３の帯電表面に対して位置に平行に照射し、電離プラズマ１５を発生させる。
このようにして、帯電処理および除電処理した被処理物質１３の表面をダストフィギュアにより視覚的に観測した。その結果、電離プラズマ１５を形成した範囲全面は、一様に除電・帯電していることを確認した。
本実施例によれば、初段階のレーザ照射で極めて弱い電離状態とすることができるので後段階のレーザ照射で容易に電離プラズマを形成することができる。また電離プラズマ発生部近傍の雰囲気条件に応じて最初のレーザ照射による弱電離状態が分かるため、後段階のレーザ照射までの時間間隔を位相調整装置でコントロールすることにより発生する電離プラズマの密度を容易に変更することができる。更に、電源をパルス電源とすることでレーザ出力を抑えながら電離プラズマ密度を高めることができる。また、小型の低出力レーザ装置を用いることができるため、装置の小型化とコストダウンを実現することができる。
【００１４】
（第７実施例）
本発明の第７実施例を図１３および図１４に示す。
図１３は、本発明のレーザによる帯電・除電装置を示す側断面図、図１４はレーザ発振のタイムチャートである。図において、４４はQスイッチ、４５はダイクロイックミラー、４６は全反射ミラーである。１４ａ、１４ｂは、ダイクロイックミラー４５を透過した透過光、１４ｃはダイクロイックミラー４５から分岐した分岐光、Ｓ３はレーザ光の出射指令の信号、Ｓ４は分岐光１４ｃをQスイッチ４４により出射させる出射指令の信号である。
被処理物質13は、厚さ1mm、直径100mmのアクリル板とし、レーザ装置17としてNd:YAGレーザ（λ=532nm、355nm）を用いた。雰囲気ガスは室空気とし、圧力を大気圧（〜0.1MPa）とした。
次に、本実施例の動作について説明する。
▲１▼帯電処理
帯電処理はレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は基本的に第６実施例と同様である。最初に電源１２よりバイアス電圧を印加する。つぎに、位相調整装置４２より透過光１４ａの出射指令の信号Ｓ３が出力されてレーザ装置１７から複数の波長帯域を有するレーザ光が出射される。レーザ光はダイクロイックミラー４５で透過光と回折光に分離され、透過光１４ａは集光レンズ１８を介して電離プラズマ１５発生部へ発振され、極めて弱い電離状態を形成する。このとき指令間隔ΔＴを経てQスイッチ４４が作動すると回折光である分岐光１４ｃが発振され、集光レンズ１８を介して透過光１４ａと同一部へ照射される。すでに透過光１４ａによって弱電離状態となっているため、分岐光１４ｃの照射により集光レンズ１８の焦点部付近を中心として電離プラズマが形成される。
電源１２としてパルス電源を用いる場合は、位相調整装置４２とパルス電源のトリガ信号を同期させることで帯電処理を行うことができる。
▲２▼除電処理
除電処理もレーザ光の照射手段が異なるだけで、方法は第６実施例と同様である。まず、低電圧電極１１と高電圧電極１０間のバイアス電圧を除く。つぎに、透過光１４ａおよび分岐光１４ｃを帯電処理と同様に、帯電した被処理物質１３の帯電表面に対して位置に平行に照射し、電離プラズマ１５を発生させる。
このようにして、帯電処理および除電処理した被処理物質１３の表面をダストフィギュアにより視覚的に観測した。その結果、電離プラズマ１５を形成した範囲全面は、一様に除電・帯電していることを確認した。
本実施例によれば、初段階のレーザ照射で極めて弱い電離状態とすることができるので後段階のレーザ照射で容易に電離プラズマを形成することができる。また電離プラズマ発生部近傍の雰囲気条件に応じて最初のレーザ照射による弱電離状態が分かるため、後段階のレーザ照射の時間間隔を位相調整装置でコントロールすることにより発生する電離プラズマの密度を容易に変更することができる。更に、電源をパルス電源とすることでレーザ出力を抑えながら電離プラズマ密度を高めることができる。また、複数台のレーザ装置は必要がなく、複数の波長を有するレーザ装置であればよいため省スペース化を図ることができる。
使用するレーザ光の波長は単一波長にする必要はなく、好ましくは600nmより低い波長域であれば組み合わせによって除電・帯電処理を変更することができる。例えばレーザ光の組み合わせとして、ひとつは、透過光１４ａを連続発振させ分岐光１４ｃと混在させるパターンと、もう一つは透過光１４ｂの発振を止めた後、分岐光１４ｃを照射するパターンがある。
Qスイッチ４４は、図１３中の位置のみに配置する必要はなく、場合によっては透過光１４ａ、１４ｂが通過する位置に配置してもよい。また、レーザ光の照射を制限し照射時間を調整できるものであればQスイッチに替わって利用してもよい。
光学偏向素子としてプリズムを利用することもでき、波長選択性のあるミラーであればダイクロイックミラー４５の替わりに利用できる。
位相調整装置４２はPLL（Phase Locked Loop）回路を利用してもよく、レーザ照射タイミングを微調整できるものであればよい。
なお、本実施例では被処理物質１３としてアクリル板を用いたが、他の有機材質ならびに無機材質においても同様の効果が得られる。また、レーザ光１４のスキャン速度は希望する帯電量または除電量により任意に設定してもよく、好ましくは一回の処理においてはレーザ光移動速度は一定とする方がよい。
【００１５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のレーザによる除電・帯電方法及び装置によれば、次の効果がある。
（1）レーザ光を被処理物質の除電面に対して平行に、かつ、除電面から一定の距離を設けた空間に照射し、レーザ光により発生した電離プラズマにより、除電面に帯電した電荷を除くので、均一で一様な除電を行うことができ、荷電したダストの付着を抑制しクリーンな除電処理を行うことができる。
（2）一対の電極のいずれか一方の電極に被処理物質を接続して高電圧を印加し、被処理物質の表面に対して平行で、かつ、表面から一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射し、発生する電離プラズマのドリフト作用により被処理物質を帯電させたので、均一で一様な帯電を行うことができる。
また、バイアス電圧の電圧値および極性を変えることで容易に帯電電荷の特性を調整することができ、ダストの付着を防止することができる。
（3）レーザ光を光軸に対して略直角方向に移動させ、電離プラズマ発生部を移動させるので、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。
（4）レーザ光を集光レンズにより電離プラズマ発生部に集光させ、集光レンズまたはレーザ光の出射口を光軸方向に移動させて電離プラズマ発生部を移動させるので、レーザ光の軸方向に均一で一様な帯電・除電ができる。
（5）レーザ光を、光学偏向素子を介して電離プラズマ発生部に照射するので、複数のレーザ光を同一部分に容易に照射することができる。
（6）レーザ光の照射を、少なくとも２回とし、照射毎に波長の異なるレーザ光としたので、被処理物質の処理状況によって適する波長を変更でき、装置構成を簡略化することができる。
（7）所定のギャップを介して設けた一対の電極と、この一対の電極のいずれか一方の電極に接続された被処理物質と、一対の電極間に高電圧を印加する電源と、被処理物質の表面から一定の距離を設けた空間に被処理物質の表面に対して平行なレーザ光を照射するレーザ装置とを備えたので、均一で一様な電離プラズマを発生することができる。また、帯電した被処理物質の表面空間に高電圧電極に電圧を加えずレーザ光のみを照射することにより、除電処理を施すことができ、ダストの付着を防止することができる。
（8）被処理物質に接続する電極を低電圧電極として接地し、かつ電源に高電圧の極性を切替える切替え手段を設けたもので、レーザ光が被処理物質の表面に直接照射されないため、被処理物質の表面の改質を抑え、レーザ照射方向に対して平行に均一な除電および帯電処理を施すことができる。また、印加電圧の電圧値および極性を変えることで容易に帯電電荷の特性を調整することができ、従来に比べて高い帯電量を得ることができる。
（9）電源は、電圧の立ち上がり時間がnsecオーダのパルス電源としたので、バイアス電圧から投入される電力を効率よく電子に供給することができ、かつ電子エネルギー密度を高めることができるため、低出力のレーザ光で十分な処理効果を得ることができる。またパルス的なバイアス電圧の印加となるため、レーザ発振時間と同期または調整することで効率よく電離プラズマを形成することができる。
（10）レーザ装置にレーザ光をプラズマ部に集光させる集光レンズを備えたので、焦点近傍に電離プラズマを容易に発生させることができ、集光レンズの焦点距離を変化させることで電離プラズマの形状を変えることが可能となり除電および帯電の処理面積を可変とすることができる。
（11）レーザ光を伝送するための光ファイバーと、光ファイバーのレーザ光出口に設けたレンズとで構成されるレーザヘッドと、被処理物質の帯電面または除電面から一定の距離を設けた空間に被処理物質の帯電面または除電面に対して平行なレーザ光を照射する駆動装置とを備えたので、レーザヘッドでレーザ光の方向を決めることができるため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向にレーザ光を伝送し、電離プラズマを発生させることができる。また、駆動装置により被処理物質の表面を二次元基準平面としてレーザ光の光軸方向および光軸と直角でかつ表面と平行方向の帯電・除電処理を行うことができるため、広面積に渡って均一で一様な帯電・除電を容易に行うことができる。
（12）被処理物質とレーザ光の出射口との間に、レーザ光を被処理物質の表面に対して平行方向に移動させる全反射型ミラーと、全反射型ミラーを駆動する駆動装置とを備えたので、レーザ光伝送経路の媒質による光減衰を抑え、かつレーザ光の方向を自由に決めることができる。このため、レーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向にレーザ光を伝送し、電離プラズマを発生させることができる。また、雰囲気ガス圧力に依存する絶縁破壊電界よりも低い電離プラズマを発生することができるので、レーザ光の強度（エネルギー）はいずれの値でも使うことができ、容易にレーザ照射毎の帯電量、除電量を調整することができる。
（13）駆動装置の全反射型ミラーとしてガルバノミラーを用い、駆動させるためのガルバノモータとを含むガルバノシステムを備えたので、ガルバノモータの左右回転によりレーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に扇状のレーザ光を伝送し、電離プラズマを容易に発生することができる。
（14）駆動装置の全反射型ミラーとしてポリゴンミラーを用いたので、ポリゴンミラーの一方向回転によりレーザ装置および被処理物質を位置固定した状態で様々な方向に扇状のレーザ光を伝送し、電離プラズマを容易に発生することができる。
（15）全反射型ミラーの後段にレーザ光の焦点を直線上に整列させるｆθレンズを配置したので、効率よく長方形状の被処理物質を処理することができる。
（16）レーザ装置を少なくとも２台配置し、これに位相調整装置を接続し、光学偏向素子を介して全てのレーザ光を電離プラズマ発生部に照射するので、電離プラズマ密度を容易に調整することができる。また、各レーザ装置の出力を低く抑えることができるため装置の小型化およびコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すレーザ光による除電装置の断面図。
【図２】図1のレーザ光による除電装置の側断面図。
【図３】本発明の第２実施例を示すレーザ光による除電・帯電装置の断面図。
【図４】図3のレーザ光による除電・帯電装置の側断面図。
【図５】本発明の第３実施例を示すレーザ光による帯電・除電装置の側断面図。
【図６】図５のレーザ光による帯電・除電装置の上断面図。
【図７】本発明の第４実施例を示すレーザ光による帯電・除電装置の上断面図。
【図８】全反射ミラーのみを用いたときのレーザ光のスキャン範囲を示す説明図。
【図９】図７のｆθレンズを用いたときのレーザ光のスキャン範囲を示す説明図。
【図１０】本発明の第５実施例を示すレーザ光による帯電・除電装置の上断面図。
【図１１】本発明の第６実施例を示すレーザ光による帯電・除電装置の上断面図。
【図１２】本発明の第６実施例のタイミングチャート図。
【図１３】本発明の第７実施例を示すレーザ光による帯電・除電装置の上断面図。
【図１４】本発明の第７実施例のタイミングチャート図。
【図１５】従来の除電方法および装置を示す断面図。
【図１６】従来の他の帯電方法および装置を示す断面図。
【符号の説明】
１０  高電圧電極
１１  低電圧電極
１２  電源
１３  被処理物質
１４  レーザ光
１４１  第１レーザ光
１４２  第２レーザ光
１４ａ、１４ｂ  透過光
１４ｃ  分岐光
１５  電離プラズマ
１６  表面電荷
１７  レーザ装置
１７１  第１レーザ装置
１７２  第２レーザ装置
１８  集光レンズ
２０  イオンシャワー
２１  台座
２２  放電プラズマ
２３  光ファイバー
２４  レーザヘッド
２５  帯電面
２６  除電面
２７  テーブル
２８  駆動装置
２９  移動レール
３０  帯電方向
３１  除電方向
３２  焦点方向
３３  ガルバノミラー
３４  ガルバノモータ
３５  ガルバノスキャナ
３６  ｆθレンズ
３７  回転方向
３８  焦点位置
３９  ポリゴンミラー
４０  ミラー駆動装置
４１  光学偏向素子
４２  位相調整装置
４３  光アブソーバ
４４  Ｑスイッチ
４５  ダイクロイックミラー
４６  全反射ミラー
ｈ１  波頭値（第１レーザ光）
ｈ２  波頭値（第２レーザ光）
Ｓ１  信号（第１レーザ光の出射指令）
Ｓ２  信号（第２レーザ光の出射指令）
Ｓ３  信号（レーザ光の出射指令）
Ｓ４  信号（分岐レーザ光の出射指令）
ΔＴ  指令間隔
Ｔｄ  レーザ遅れ時間
Ｔｄ１  発振遅れ時間（第１レーザ光）
Ｔｄ２  発振遅れ時間（第２レーザ光）
【図１】
0004221755.tif 000002
【図２】
0004221755.tif 000003
【図３】
0004221755.tif 000004
【図４】
0004221755.tif 000005
【図５】
0004221755.tif 000006
【図６】
0004221755.tif 000007
【図７】
0004221755.tif 000008
【図８】
0004221755.tif 000009
【図９】
0004221755.tif 000010
【図１０】
0004221755.tif 000011
【図１１】
0004221755.tif 000012
【図１２】
0004221755.tif 000013
【図１３】
0004221755.tif 000014
【図１４】
0004221755.tif 000015
【図１５】
0004221755.tif 000016
【図１６】
0004221755.tif 000017