(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽光発電モジュールの結晶シリコン型やハイブリッド型またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール材を光線透過および透明性を有し、光電変換効率向上のシール材を提供する。【解決手段】シリコン系および有機系ヘテロ接合光電変換層１の太陽光発電において、Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層間に用いるシール材２を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させる。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
太陽光発電のシリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層において、
該モジュールの光電変換層間のシール材に、光線透過および透明性の樹脂を用いて、受光量の増加による光電変換効率向上を特徴とした光電変換層間のシール材。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案は、太陽光発電モジュールの光電変換層間に用いられるシール材に関する。
【背景技術】
【０００２】  太陽光発電の封止材としてのＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）は、光線透過率が高く、透明性に優れていることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特願２０１８−２４１７６６号
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】監修  杉本栄一「太陽光発電システム構成材料」１・２太陽光発電（ＰＶ）システムと構成材料ｐ．９、３・３封止樹脂ｐ．３９〜４６、２００８年版、株式会社  工業調査会。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】  太陽光発電モジュールの光電変換層表裏面の封止材（樹脂）は、光線透過率および透明性に優れている。しかしながら、結晶シリコン型またはハイブリット型などのシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール（樹脂）材は、光線透過および透明性が無く、光電変換効率向上に欠点があった。また、ウエハーに孔（スルーホール）を空ける手法もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  太陽光発電のシリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層において、
該モジュールの光電変換層間のシール材に、光線透過および透明性の樹脂を用いて受光量の増加による変換効率向上を特徴とした光電変換層間のシール材。
【考案の効果】
【０００７】  本考案に係るシール材を透明性の樹脂にし、日射または発光の受光量の増加による光電変換効率向上および実用性の光起電力である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係るモジュールの光電変換層間のシール断面図。
【図２】本考案に係る光電変換層間のシールの平面図。
【考案を実施するための形態】
【０００９】  図１に示す。シリコン系またはシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層１間のシール材２に、光線透過および透明性の樹脂を用いる。
【００１０】  図２に示す。光電変換層１間のシール材２を光線透過および透明性の樹脂を用いて、光電変換動作および光電変換効率を向上させる。
【００１１】  シール材２の光線透過および透明性樹脂は、封止樹脂（ＥＶＡのエチレン・酢酸ビニル共
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光線透過率９１％が基本特性である。シール材２には光線透過および透明性の樹脂を用いた光電変換効率向上の構成にする。
【００１２】  特願２０１８−２４１７６６号のシール材は、可視光線透過率９０％のナノ結晶ダイヤモンド薄膜を用いた構成。または従来のシール材に孔（スルーホール）を設けた光電変換効率向上の構成である。
【符号の説明】
【００１３】  １  光電変換層
２  シール材
３  封止材（ＥＶＡ樹脂）
４  表面ガラス（蓄光性蛍光粒子ドープ）
５  保護フィルム（バックシート）
【図１】
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【図２】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
シリコン系および有機系ヘテロ接合光電変換層の太陽光発電において、
Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層間に用いるシール材を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させ、光電変換効率向上を特徴としたモジュール光電変換層間のシール材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案は、太陽光発電のモジュール光電変換層間に用いられるシール材に関する。
【背景技術】
【０００２】  太陽光発電の封止材としてのＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）は、光線透過率が高く、透明性に優れていることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特願２０１８−２４１７６６号
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】監修  杉本栄一「太陽光発電システム構成材料」１・２太陽光発電（ＰＶ）システムと構成材料ｐ．９、３・３封止樹脂ｐ．３９〜４６、２００８年版、株式会社  工業調査会。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】  太陽光発電モジュールの光電変換層表裏面の封止材（樹脂）は、光線透過率および透明性に優れている。しかしながら、結晶シリコン型またはハイブリット型などのシリコン系と有機系のヘテロ接合の光電変換層間のシール（樹脂）材は、光線透過および透明性が無く、光電変換効率向上に欠点があった。また、ウエハーに孔（スルーホール）を空ける手法もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  シリコン系および有機系ヘテロ接合光電変換層の太陽光発電において、
Ｎ型ＣＺＳｉ半導体にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層を接合形成された光電変換層の間に用いるシール材を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加させ、光電変換効率向上を特徴としたモジュール光電変換層間のシール材。
【考案の効果】
【０００７】  本考案に係るシール材を光線透過の透明樹脂を用い、日射または発光の受光量を増加させ、光電変換効率および光起電力向上のモジュールの光電変換層である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係るモジュール光電変換層の断面図。
【図２】本考案に係る光電変換層間のシール材の平面図。
【考案を実施するための形態】
【０００９】  図１・図２に示す。シリコン系と有機系ヘテロ接合太陽光発電の光電変換層は、Ｎ型ＣＺＳｉ半導体１にｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層２・５を挟み、ａ−Ｓｉ薄膜半導体層３・６およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層４・７がｐｎ型またはｎｐ型であり、ｐｎ型またはｎｐ型のａ−Ｓｉ薄膜半導体層３・６およびＳＷＣＮＴ薄膜半導体層４・７を接合形成された光電変換層であり、この光電変換層１〜７間に用いるシール材１４を、光線透過の透明樹脂を用いて受光量を増加し、光電変換動作および光起電力を向上させる。したがって、モジュール光電変換層１〜７間のシール材１４を光線透過の透明樹脂を使用する。
【００１０】  シール材１４の光線透過率および透明性樹脂は、封止樹脂（ＥＶＡのエチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）などを用いるのが望ましい。例えば、三井化学ファブロ（株）のソーラーエ
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線透過率の透明樹脂を使用し、光電変換動作および変換効率を向上させる。
【００１１】  特願２０１８−２４１７６６号のシール材は、可視光線透過率９０％のナノ結晶ダイヤモンド薄膜を用いた構成。または従来のシール材に孔（スルーホール）を設けた光電変換効率向上の構成。
【符号の説明】
【００１２】  １  Ｎ型ＣＺＳｉ半導体
２  ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
３  ｎ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
４  ｐ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
５  ｉ型ａ−Ｓｉ薄膜層
６  ｐ型ａ−Ｓｉ薄膜半導体層
７  ｎ型ＳＷＣＮＴ薄膜半導体層
８  透明導電膜
９  集電極
１０  反射板
１１  保護フィルム
１２  蓄光性蛍光粒子
１３  透明基板
１４  シール材
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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