【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の上方に、第１金属酸化物を含有する半導体からなる第１半導体膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１半導体膜上に第２金属酸化物を含有する半導体からなる第２半導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１半導体膜と前記第２半導体膜との積層膜を加工する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第２半導体膜上に、第１導電性膜を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２半導体膜上の第１領域の前記第１導電性膜をエッチングにより除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１領域の前記第２半導体膜をエッチングにより除去する工程と、
を有し、
前記（ｃ）工程と、前記（ｆ）工程との間に、
（ｇ）前記第１半導体膜に熱処理を施し、前記第１半導体膜を結晶化する工程を有し、
前記（ｅ）工程のエッチングは、ドライエッチングであり、
前記（ｆ）工程のエッチングは、ウェットエッチングであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｇ）工程により結晶化された前記第１半導体膜の前記（ｆ）工程のエッチングにおけるエッチングレートは、前記第２半導体膜の前記（ｆ）工程のエッチングにおけるエッチングレートより低いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｇ）工程により結晶化された前記第１半導体膜の結晶粒の平均粒径は、１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｏ）、または、インジウム（Ｉｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属酸化物は、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、および、アルミニウム（Ａｌ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）から選択されるいずれかの膜であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ）工程の前に、
（ｈ）前記基板上にトランジスタのゲート電極を形成した後、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程を有し、
前記（ａ）工程は、前記ゲート絶縁膜上に、前記第１半導体膜を形成する工程であり、
前記（ｅ）工程は、前記第１領域の前記第１導電性膜を除去することにより、前記第１領域を介して離間して配置される前記トランジスタのソース電極およびドレイン電極を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｅ）工程は、前記第１領域の前記第１導電性膜を除去することにより、前記第１領域を介して離間して配置されるトランジスタのソース電極およびドレイン電極を形成する工程であり、
（ｉ）前記（ｆ）工程の後に、前記ソース電極および前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート絶縁膜上に前記トランジスタのゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）基板の上方に、半導体層を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体層上に、第１金属酸化物を含有する半導体からなる第１半導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１半導体膜上に第２金属酸化物を含有する半導体からなる第２半導体膜を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体層、前記第１半導体膜および前記第２半導体膜との積層膜を加工する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２半導体膜上に、第１導電性膜を形成する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第２半導体膜上の第１領域の前記第１導電性膜をエッチングにより除去する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１領域の前記第２半導体膜をエッチングにより除去する工程と、
を有し、
前記（ｄ）工程と、前記（ｇ）工程との間に、
（ｈ）前記第１半導体膜に熱処理を施し、前記第１半導体膜を結晶化する工程を有し、
前記（ｆ）工程のエッチングは、ドライエッチングであり、
前記（ｇ）工程のエッチングは、ウェットエッチングであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｈ）工程により結晶化された前記第１半導体膜の前記（ｇ）工程のエッチングにおけるエッチングレートは、前記第２半導体膜の前記（ｇ）工程のエッチングにおけるエッチングレートより低いことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｈ）工程により結晶化された前記第１半導体膜の結晶粒の平均粒径は、１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｏ）、または、インジウム（Ｉｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２金属酸化物は、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、および、アルミニウム（Ａｌ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）から選択されるいずれかの膜であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）基板の上方に配置された第１金属酸化物を含有する多結晶の半導体からなる第１半導体膜と、
（ｂ）前記第１半導体膜の上方に配置され、前記第１半導体膜上の第１領域を挟んで離間して配置されたソース電極およびドレイン電極と、
（ｃ）ゲート電極と、
（ｄ）ゲート絶縁膜と、
を有するトランジスタを有し、
（ｅ）第２金属酸化物を含有する半導体からなる第２半導体膜であって、前記第１半導体膜と前記ソース電極、および前記第１半導体膜と前記ドレイン電極との間に配置された第２半導体膜と、を有し、
前記第２半導体膜の厚さが３０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記第１半導体膜のエッチングレートは、前記第２半導体膜のエッチングレートより低いことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１半導体膜の平均粒径は、１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１６】
（ｆ）前記第１半導体膜の下層に半導体層を有することを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｏ）、または、インジウム（Ｉｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２金属酸化物は、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、および、アルミニウム（Ａｌ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）から選択されるいずれかの膜であることを特徴とする請求項１７記載の半導体装置。