【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム・システム（１０）であって、
プラズマ室ガス圧のプラズマ・ガスを含むプラズマ室（１０２）と、
前記プラズマ室からイオンまたは電子を抽出するために電圧を印加することができる抽出電極（２０２）と、
前記プラズマ室内のプラズマを維持するために前記プラズマ室に電力を供給する電源と（１１３）、
前記プラズマ室にプラズマ・ガスを供給するガス供給源（５０１）と、
前記プラズマ室から抽出されたイオンまたは電子を集束させる複数のレンズ（３１０、３１１、７００５、７０１４、８００５、８０１４、８０４０、９００５、９０１４）を備える集束カラムと、
を備えており、
前記システムが前記プラズマ室内の同じガスを用いる少なくとも二つの動作モードを有し、
前記少なくとも二つの動作モードのそれぞれに対する動作パラメータ値のセットを記憶したコンピュータ可読記憶装置であり、前記動作パラメータが、
プラズマ室ガス圧、
前記プラズマに供給する電力、および
前記抽出電極に供給する電圧
のうちの１つまたは複数を含む、コンピュータ可読記憶装置と、
前記荷電粒子ビーム・システムの動作モードを選択的に切り換えるようにプログラムされたコントローラ（８００、９００、９５０）であり、選択されたモードに対する前記記憶された動作パラメータに従って、前記荷電粒子ビーム・システムの前記動作パラメータのうちの少なくとも１つの動作パラメータが設定されるようにするコントローラと
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２】
前記コントローラが、高分解能画像化動作モード（１０３０）とより低分解能のミリング動作モード（１０５０）との間で、前記荷電粒子ビーム・システムを選択的に切り換えるようにプログラムされた、請求項１に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項３】
前記コントローラが、高電流ミリング動作モードとより低電流の画像化動作モードとの間で、前記荷電粒子ビーム・システムを選択的に切り換えるようにプログラムされた、請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項４】
前記高電流ミリング動作モードが、少なくとも２００ｐＡのビーム電流を有する請求項３に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項５】
前記コントローラが、前記プラズマ室ガス圧および前記プラズマに供給する前記電力を変化させることによって、動作モードを選択的に切り換えるようにプログラムされた、請求項１から４のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項６】
１つまたは複数のビーム制限アパーチャ（３０５、７０１１、７０１２、８０２３、８０２４）とアパーチャ配置アクチュエータ（３０６）とをさらに備え、前記コントローラが、選択された動作モードに必要なビーム電流に応じて、選択された動作モードに対応する前記ビーム制限アパーチャを、荷電粒子ビームの経路上に選択的に配置するようにプログラムされた、請求項１から５のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項７】
１つまたは複数のビーム制限アパーチャとアパーチャ選択偏向器システム（８０１１、８０１２、８０１３、８０１４）とをさらに備え、前記コントローラが、選択された動作モードに対応するアパーチャを通過するようビームを偏向させるようにプログラムされた、請求項１から６のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項８】
ビーム制限アパーチャをさらに備え、前記コントローラが、前記ビーム制限アパーチャにおける荷電粒子ビームのサイズを選択された動作モードに従って制御するために、前記カラム内の前記レンズの強度を選択的に調整するようにプログラムされた、請求項１から７のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項９】
前記コントローラが、前記プラズマ室内にプラズマが存在するかどうかを判定するようにプログラムされた、請求項１から８のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項１０】
荷電粒子ビーム・システム（１０）を複数のモードで動作させる方法であって、前記荷電粒子ビーム・システムが、プラズマ源（１００）と、荷電粒子集束カラムとを含み、第１の動作モードが、加工物（４０２）表面に第１のビーム電流を供給し、第２の動作モードが、前記加工物表面に第２のビーム電流を供給し、前記第２の電流が、前記第１の電流に等しいか、または前記第１の電流よりも小さく、前記方法が、
前記第１のモードでの動作が選択されたことに応答して、少なくとも１つのプラズマ源動作パラメータを、前記第１のモードに対する所定の値に設定することにより、前記第１のモードで動作するように、前記集束荷電粒子ビーム・システムを自動的に構成するステップと、
前記第１のモードで動作している前記荷電粒子ビーム・システムによって生成された荷電粒子ビームを、前記加工物表面に向かって導くステップと、
前記第２のモードでの動作が選択されたことに応答して、前記プラズマ源動作パラメータのうちの少なくとも１つを、前記第２のモードに対する所定の値に変更することにより、前記第２のモードで動作するように、前記集束荷電粒子ビーム・システムを自動的に構成するステップと、
前記第２のモードで動作している荷電粒子ビーム・システムによって生成された荷電粒子ビームを、前記加工物表面に向かって導くステップと
を含み、
前記荷電粒子ビーム・システムが、前記第１および第２のモードの両方の荷電粒子の前記源と同じガスを用いる方法。
【請求項１１】
前記プラズマ源が抽出電極（２０２）を含み、プラズマ室（１０２）がガスを含み、
少なくとも１つのプラズマ源動作パラメータを、前記第１のモードに対する所定の値に設定することが、以下のプラズマ源動作パラメータのうちの少なくとも１つを設定することを含み、
（ａ）前記プラズマ室内のガス圧
（ｂ）前記プラズマ源に供給する電力
（ｃ）前記抽出電極に供給する電圧
前記プラズマ源に対する少なくとも１つの動作パラメータを、前記第２のモードに対する所定の値に変更することが、前記プラズマ源動作パラメータ（ａ）、（ｂ）または（ｃ）のうちの少なくとも１つを変更することを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記集束荷電粒子ビーム・システムが、前記加工物表面を改変するために前記第１のモードで動作し、前記集束荷電粒子ビーム・システムを前記第２のモードで動作させている間に取得した画像が、前記改変の終点確認を提供する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビーム集束カラムが複数の静電レンズ（３１０、３１１、７００５、７０１４、８００５、８０１４、８０４０、９００５、９０１４）を含み、
第１のモード動作パラメータが、前記複数の静電レンズのそれぞれに印加する電圧の第１の値を含み、
第２のモード動作パラメータが、前記複数の静電レンズのそれぞれに印加する電圧の第２の値を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記荷電粒子集束カラムが複数のビーム画定アパーチャ（３０５、７０１１、７０１２、８０２３、８０２４）を備え、荷電粒子ビームが通過するアパーチャが、前記動作モードに従って選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
第３のモードでの動作をユーザが選択したことに応答して、前記プラズマ源動作パラメータのうちの少なくとも１つを、前記第３のモードに対する所定の値に従って変更することにより、前記第３のモードで動作するように、前記集束荷電粒子ビーム・システムを自動的に構成するステップと、前記第３のモードで動作している荷電粒子ビーム・システムによって生成された荷電粒子ビームを、前記加工物表面に向かって導くステップとをさらに含む、請求項１０に記載の方法。