Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記管理部１Ｍは、端末装置２〜４が使用する伝送レートを記憶し、グラントに基づいて、次にバースト信号を受信する時期及びその伝送レートを特定する。すなわち管理部１Ｍは、信号受信のスケジュールを管理している。そして、特定された伝送レートは、光受信部１２及びＰＯＮ側受信部１４に通知される。光受信部１２及びＰＯＮ側受信部１４は、その時期に合わせて、受信機能を、特定された伝送レートに対応させることができる。
また、管理部１Ｍは、端末装置２〜４と通信するスケジュールがないときは、所定時間、端末装置２〜４のいずれかの機能を停止させ、省電力の状態とすることができる（詳細後述）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
バースト信号の伝送レートが高くなるほど、通常の水晶発振器等で与える参照クロックの周波数に対する比率が大きくなり、電圧制御型発振器２４３を、規格に適合する周波数に同期発振するようトレーニングする時間（周波数トレーニング時間）が長くなる（例えば１０Ｇｂｐｓで、参照クロックが１５６ＭＨｚ程度であれば、数百ナノ秒程度を要する。）。逓倍の比率を上げることにより、この時間を短縮することができる。但し、比率を上げるほど、参照クロック逓倍回路２４９の消費電力が大きくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式Ｌｉ１．１＋ｘＮｉａＭ１ｂＭ２ｃＯ２（式中、Ｍ１はＭｏ及びＷのうち少なくともいずれかを含み、Ｍ２はＭｎである。−０．０７≦ｘ≦０．１、０．９０≦ａ≦０．９８、０．０２≦ｂ≦０．０６、０．００≦ｃ≦０．０６である。）で表されることを特徴とする正極活物質。
【請求項２】
０．９４≦ａ≦０．９８であることを特徴とする請求項１記載の正極活物質。
【請求項３】
−０．０４≦ｘ≦０．０５であることを特徴とする請求項１又は２に記載の正極活物質。
【請求項４】
０．０３≦ｂ≦０．０５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の正極活物質。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の正極活物質と、バインダとを含むことを特徴とする正極合剤。
【請求項６】
請求項５記載の正極合剤と、この正極合剤を塗工した正極集電板とを含むことを特徴とする正極。
【請求項７】
リチウムを吸蔵放出可能な正極及び負極と、前記正極と前記負極との間に挟まれたセパレータと、非水電解質とを含み、前記正極は、請求項５記載の正極合剤を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記正極活物質は、−０．０４≦ｘ≦０．０５であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る誘導加熱調理器は、鍋を載置するトッププレートと、このトッププレートの下に設けられ、前記鍋を加熱する加熱コイルと、交流電圧を高周波電圧に変換して前記加熱コイルに高周波電流を流す駆動回路と、前記駆動回路を制御する制御回路と、前記トッププレートの下方で、前記加熱コイルの外側に設けられた電極と、を備え、前記電極でふきこぼれを判定する機能を備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍋を載置するトッププレートと、
このトッププレートの下に設けられ、前記鍋を加熱する加熱コイルと、
交流電圧を高周波電圧に変換して前記加熱コイルに高周波電流を流す駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御回路と、
前記トッププレートの下方で、前記加熱コイルの外側に設けられた電極と、
を備え、
前記電極でふきこぼれを判定する機能を備えたことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記電極と所定電位との間に電気信号を加え、前記電極と所定電位との間の前記電気信号の変化に基づきふきこぼれを判定することを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記電気信号の変化が静電容量の変化に起因することを特徴とする請求項２記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記制御回路は、前記電気信号の変化が所定値以上増加した場合、またはレベルが所定値以上となった場合にふきこぼれが発生したと判定することを特徴とする請求項２又は３に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記電極は、前記加熱コイルの外側に同心円状に複数個分散して配置されたことを特徴とする請求項１又は４記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記制御回路は、ふきこぼれが発生したと判定した場合、前記駆動回路を停止させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記制御回路は、ふきこぼれが発生したと判定した場合、前記加熱コイルに流す高周波電流を減少させるように前記駆動回路を制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
前記電極は非磁性材で構成されたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項９】
前記所定電位はアース電位であることを特徴とする請求項２乃至８のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
前記陽極上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第１の層と
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の陰極と、を有する発光素子であって、
前記第２の発光層は発光スペクトルのピーク波長は、前記第１の発光層の発光スペクトルのピーク波長より短く、
前記陰極は、前記陽極より反射率が大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層は、電子輸送性の物質と電子供与性の物質を含む薄膜であり、
前記第２の層は、正孔輸送性の物質とモリブデン酸化物を含む薄膜であることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記キャリア濃度ピーク位置のキャリア濃度は１×１０１８[atoms/cm３]以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２は図１のＩＩ−ＩＩ´破線におけるキャリア濃度を示す図である。ｎ-ドリフト層２０のキャリア濃度は層全体で均一であり、その値は１．０×１０１４[atoms/cm３]である。ｎ型バッファ層２６は、概ね層の中間位置にキャリア濃度のピーク位置（以後キャリア濃度のピーク位置を、キャリア濃度ピーク位置という）を有している。ｎ型バッファ層２６のキャリア濃度ピーク位置のキャリア濃度は、５．０×１０１６[atoms/cm３]程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ｐ型コレクタ層２８は、１．４μｍ程度の層厚を有している。ｐ型コレクタ層２８のキャリア濃度が最大となるキャリア濃度ピーク位置は、コレクタ電極１４から１μｍ以上離れた位置にある。すなわち、ｐ型コレクタ層２８のキャリア濃度が最大となるキャリア濃度ピーク位置は、その表面から1μｍ以上離れた位置にある。そして、ｐ型コレクタ層２８のキャリア濃度ピーク位置のキャリア濃度は、２．０×１０１７[atoms/cm３]程度である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このようにｐ型コレクタ層２８のキャリア濃度ピーク位置におけるキャリア濃度を下げると、キャリア濃度ピーク位置のキャリア濃度は製造環境雰囲気による汚染の影響を受けやすくなる。例えば、製造環境雰囲気による汚染の影響で、１．０×１０１２[atoms/cm２]程度のボロンが半導体基板の０．１um程度の深さまで拡散した場合、半導体基板中のボロン汚染ピーク濃度は１．０×１０１７[atoms/cm３]に達する。なお、この拡散は主としてアニール工程で促進される。そして、この汚染の影響がキャリア濃度ピーク位置にまで及ぶ場合、キャリア濃度ピーク位置における所望のキャリア濃度が得られなくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、ｐ型コレクタ層２８のキャリア濃度ピーク位置におけるキャリア濃度を低減することは、特に半導体装置の高速動作に有利である。キャリア濃度ピーク位置のキャリア濃度は１×１０１８[atoms/cm３]以下であれば、半導体装置の高速動作が可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012156207.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012156207.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2012156207.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの回路形成面及び側面を封止する封止絶縁層と、
前記封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に交互に積層された複数の配線層及び複数の絶縁層と、を有し、
前記第１面に形成された配線層は、前記半導体チップと電気的に接続されており、
最外層の絶縁層、又は最外層の絶縁層の次層の絶縁層が、織布又は不織布からなる補強部材を内蔵している半導体パッケージ。
【請求項２】
前記補強部材を内蔵する絶縁層が、織布又は不織布に絶縁性樹脂を含浸させてなる請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１面に積層された最外層の配線層に第１の電極パッドが設けられ、
前記最外層の絶縁層に、前記第１の電極パッドを露出する開口が設けられている請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記封止絶縁層に、前記半導体チップの電極を露出するビアホールが形成され、
前記封止絶縁層の第１面に形成されている配線層と前記電極とを接続するビアが、前記ビアホール内に形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記封止絶縁層の第１面の反対面である第２面から露出する第２の電極パッドと、
前記封止絶縁層を貫通し、前記第１面に形成されている配線層と前記第２の電極パッドとを電気的に接続する貫通配線と、を更に有する請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記半導体チップの裏面及び前記第２の電極パッドの露出面は、前記第２面と面一である請求項５記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記半導体チップの裏面は、前記第２面と面一であり、
前記第２の電極パッドの露出面は、前記第２面よりも窪んでいる請求項５記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
支持体の一方の面に半導体チップを回路形成面を上にして配置する第１工程と、
前記半導体チップの回路形成面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に封止絶縁層を形成する第２工程と、
前記封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に、複数の配線層及び複数の絶縁層を交互に積層する第３工程と、
前記支持体を除去する第４工程と、を有し、
前記第３工程では、前記第１面に前記半導体チップと電気的に接続するように配線層を形成し、更に、最外層の絶縁層、又は最外層の絶縁層の次層の絶縁層に織布又は不織布からなる補強部材を内蔵している絶縁層を積層する半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記第２工程よりも前に、前記支持体の一方の面に電極パッドを形成し、
前記第２工程では、前記半導体チップの回路形成面及び側面、並びに、前記電極パッドの上面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に封止絶縁層を形成し、
前記第２工程と前記第３工程との間に、前記封止絶縁層を貫通し、前記電極パッドの上面を露出する貫通孔を形成し、
前記第３工程で前記第１面に形成する配線層は、前記貫通孔内に形成され前記電極パッドと電気的に接続される貫通配線を含む請求項８記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体パッケージは、半導体チップの回路形成面及び側面を封止する封止絶縁層と、前記封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に交互に積層された複数の配線層及び複数の絶縁層と、を有し、前記第１面に形成された配線層は、前記半導体チップと電気的に接続されており、最外層の絶縁層、又は最外層の絶縁層の次層の絶縁層が、織布又は不織布からなる補強部材を内蔵していることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一方の面に半導体チップを回路形成面を上にして配置する第１工程と、前記半導体チップの回路形成面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に封止絶縁層を形成する第２工程と、前記封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に、複数の配線層及び複数の絶縁層を交互に積層する第３工程と、前記支持体を除去する第４工程と、を有し、前記第３工程では、前記第１面に前記半導体チップと電気的に接続するように配線層を形成し、更に、最外層の絶縁層、又は最外層の絶縁層の次層の絶縁層に織布又は不織布からなる補強部材を内蔵している絶縁層を積層することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、図２Ａ、図２Ｂ、図９、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、Ｖ字形ノズル６０の構成について説明する。Ｖ字形ノズル６０は、中央部分６０Ｃと、この中央部分６０Ｃに接続されるとともにＶ字形に配置された第１の棒状部分６０Ａおよび第２の棒状部分６０Ｂと、を有している。中央部分６０Ｃにおいて、Ｖ字形ノズル６０は処理流体供給管４０の上端に取り付けられている。中央部分６０Ｃは、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを覆うカバー部材としての役割をも果たす。棒状部分６０Ａ，６０Ｂは中央部分６０Ｃからリフトピンプレート２０の半径方向外側すなわちウエハＷの半径方向外側に延び、処理時にリフトピン２２と干渉しないように（処理時にＶ字形ノズル６０は回転しないがリフトピンプレート２０は回転する）、リフトピン２２が配置される仮想円周のわずかに手前で終端している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
特に図１１（ａ）および図１２（ａ）に示すように、棒状部分６０Ａ，６０Ｂは翼型に類似する断面形状を有している。この液処理装置では、棒状部分６０Ａ，６０Ｂに対してウエハＷが図１０Ａ、図１１（ａ）、図１２（ａ）に示す矢印Ｒ方向に回転するようになっている。このとき、ウエハＷの下面とリフトピンプレート２０との間には矢印Ｒ方向の気流が生じる。翼型断面を有する棒状部分６０Ａ，６０Ｂの上方を通過する気流により、液の流れが改善される。詳細には、気流は、棒状部分６０Ａ，６０Ｂの背面とウエハＷとの間を通過する際に、絞り効果により流速を増すとともにウエハＷの下面に向かうように整流される。このように棒状部分６０Ａ，６０Ｂの影響を受けた気流は、ウエハＷの下面上に衝突した処理液（例えば薬液）がウエハＷの下面に沿ってスムーズに拡散することを助ける。また、棒状部分６０Ａ，６０Ｂが翼型断面を有することにより、気流の影響による棒状部分６０Ａ，６０Ｂの振動が最小限に抑制される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、第１および第２の吐出口６１，６２およびこれに連なる吐出路（６７ａ，６７ｂ、６８ｂ）の径はかなり小さい（直径０．３〜０．５ｍｍ程度）のため、液が吐出口および吐出路を通過するときに、摩擦で帯電する。これを防止するため、Ｖ字型ノズル６０は、導電性のある材料、例えばカーボンファイバー入りのＰＦＡにより形成することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１４に示すように、Ｖ字形ノズル６０の中央部分６０Ｃと処理流体供給管４０の頭部４１が連結されると、処理流体供給管４０内を鉛直方向に延びるＤＩＷ供給路４０ｄと中央部分６０Ｃ内を鉛直方向に延びる吐出路６３ａが連通する。これにより、ＤＩＷ供給路４０ｄを介して送られてきたＤＩＷを第３の吐出口６３からウエハＷ下面に向けて吐出させることが可能となる。なお、第３の吐出口６３は、そこから吐出されるＤＩＷが確実にウエハＷ下面の中央Ｗｃに到達することが保証されるような形状に形成されている。また、中央部分６０Ｃと頭部４１が連結されると、処理流体供給管４０内を鉛直方向に延びる第２のＮ２ガス供給路４０ｅと中央部分６０Ｃ内を鉛直方向に延びる吐出路６４ａが連通する。これにより、第２のＮ２ガス供給路４０ｅを介して送られてきたＮ２ガスを第４の吐出口６４からウエハＷ下面に向けて吐出させることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
基板洗浄装置１０は、その全体の動作を統括制御するコントローラ１００を有している。コントローラ１００は、基板洗浄装置１０の全ての機能部品（例えば回転駆動部３９、昇降駆動部５０、第１〜第５流体供給機構７０ａ〜７０ｅ）の動作を制御する。コントローラ１００は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、或いはＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が参照符号１０６で示されている。プロセッサ１０７は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体１０６から呼び出して実行させ、これによってコントローラ１００の制御の下で基板洗浄装置１０の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。コントローラ１００は、図１に示す液処理システム全体を制御するシステムコントローラであってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
上記の実施形態によれば、ＩＰＡ置換工程におけるＩＰＡミストの供給が、ウエハＷの中心部に対向する位置とウエハＷの周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、ウエハＷの下方に設けられたノズルにより行われるため、ウエハＷの下面上にあるＤＩＷを、ウエハＷ全域において均一に、かつ迅速に、ＩＰＡに置換することができる。また、各工程、特にＮ２スピン乾燥工程において、ウエハＷの下方空間は、液処理装置の構成部材（特にリフトピンプレート２０、回転カップ３６）により囲まれるため、ウエハＷの下方空間を意図する雰囲気に維持することが容易である。すなわち、薬液処理工程であるＤＨＦ洗浄工程では、薬液雰囲気をウエハＷの下方空間に閉じこめておくことができ、また、Ｎ２スピン乾燥工程においては、ウエハＷの下方空間すなわちウエハの処理対象面に面する空間を低酸素低湿度の雰囲気に維持することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
２０  板状体（リフトピンプレート）
３０  基板保持部（保持プレート）
２２  リフトピン
３１、３７  保持部材（基板保持部材、固定保持部材）
３９  回転駆動部
３６  回転カップ
５６  外カップ
６０  ノズル（Ｖ字形ノズル）
６０Ａ  ノズルの第１の棒状部分
６０Ｂ  ノズルの第２の棒状部分
６０Ｃ  ノズルの中央部分
６１  第１の吐出口
６２  第２の吐出口
６３  第３の吐出口
６４  第４の吐出口
Ｗ    基板（半導体ウエハ）
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ａ】
2012156267.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2012156267.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2012156267.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無線通信システム、及び前記第１無線通信システムと異なり、複数の周波数帯域を使用する第２無線通信システムに接続可能な移動機と、
前記移動機の前記第１無線通信システムから前記第２無線通信システムへの切り替えを制御する通信制御装置と
を含む通信システムであって、
前記通信制御装置は、前記第１無線通信システムから前記第２無線通信システムへの切り替え及び前記第２無線通信システムが使用する周波数帯域に含まれる複数の切替先周波数を指示する切替指示を前記移動機に送信する切替指示送信部を備え、
前記移動機は、
前記切替指示に示されているRedirection先の前記第２無線通信システムの周波数帯域を判定し、判定した周波数帯域の中から、前記移動機が送受信可能な周波数帯域の周波数のみを抽出する周波数帯域判定部と、
前記通信制御装置から受信した前記切替指示に含まれる前記複数の切替先周波数に前記移動機が送受信不可能な不可能周波数が含まれている場合、前記複数の切替先周波数から前記不可能周波数を除外した切替先周波数のセルに対してのみサーチを実行する接続先セル処理部と
を備える通信システム。
【請求項２】
第１無線通信システム、及び前記第１無線通信システムと異なり、複数の周波数帯域を使用する第２無線通信システムに接続可能な移動機であって、
前記第１無線通信システムから前記第２無線通信システムへの切り替え及び前記第２無線通信システムが使用する周波数帯域に含まれる複数の切替先周波数を指示する切替指示を受信し、
前記切替指示に示されているRedirection先の前記第２無線通信システムの周波数帯域を判定し、判定した周波数帯域の中から、前記移動機が送受信可能な周波数帯域の周波数のみを抽出する周波数帯域判定部と、
前記複数の切替先周波数に前記移動機が送受信不可能な不可能周波数が含まれている場合、前記複数の切替先周波数から前記不可能周波数を除外した切替先周波数のセルに対してのみサーチを実行する接続先セル処理部を備える移動機。
【請求項３】
前記接続先セル処理部は、前記複数の切替先周波数の全てが前記不可能周波数である場合、前記複数の切替先周波数のセルに対してサーチを実行せず、前記第１無線通信システムの切替元のセルに対してサーチを実行する請求項２に記載の移動機。
【請求項４】
前記接続先セル処理部は、前記複数の切替先周波数の全てが前記不可能周波数である場合、前記複数の切替先周波数のセルに対してサーチを実行せず、前記移動機が送受信可能な周波数帯域の全てのセルに対してサーチを実行する請求項２に記載の移動機。
【請求項５】
第１無線通信システム、及び前記第１無線通信システムと異なり、複数の周波数帯域を使用する第２無線通信システムに接続可能な移動機の前記第１無線通信システムから前記第２無線通信システムへの切り替えを制御する切替制御方法であって、
通信制御装置が、前記第１無線通信システムから前記第２無線通信システムへの切り替え及び前記第２無線通信システムが使用する周波数帯域に含まれる複数の切替先周波数を指示する切替指示を前記移動機に送信するステップと、
前記移動機が、前記切替指示に示されているRedirection先の前記第２無線通信システムの周波数帯域を判定し、判定した周波数帯域の中から、前記移動機が送受信可能な周波数帯域の周波数のみを抽出するステップと、
前記移動機が、前記通信制御装置から受信した前記切替指示に含まれる前記複数の切替先周波数に前記移動機が送受信不可能な不可能周波数が含まれている場合、前記複数の切替先周波数から前記不可能周波数を除外した切替先周波数のセルに対してのみサーチを実行するステップと
を備える切替制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層（Ａ）と粘着剤層（Ｂ）をこの順に有する、少なくとも２層からなる非水系電池用積層体であって、
該基材層（Ａ）がポリオレフィン系熱可塑性樹脂を含み、
該ポリオレフィン系熱可塑性樹脂が、融点が１２０℃以上のポリプロピレンであり、
該粘着剤層（Ｂ）がα−オレフィン系熱可塑性樹脂を含む、
非水系電池用積層体。
【請求項２】
前記α−オレフィン系熱可塑性樹脂が、非晶質プロピレン−（１−ブテン）共重合体である、請求項１に記載の非水系電池用積層体。
【請求項３】
前記基材層（Ａ）中の前記ポリオレフィン系熱可塑性樹脂の含有割合が５０重量％〜１００重量％である、請求項１または２に記載の非水系電池用積層体。
【請求項４】
前記粘着剤層（Ｂ）中の前記α−オレフィン系熱可塑性樹脂の含有割合が４０重量％〜１００重量％である、請求項１から３までのいずれかに記載の非水系電池用積層体。
【請求項５】
前記基材層（Ａ）の厚みが１０μｍ〜１５０μｍである、請求項１から４までのいずれかに記載の非水系電池用積層体。
【請求項６】
前記粘着剤層（Ｂ）の厚みが１μｍ〜３００μｍである、請求項１から５までのいずれかに記載の非水系電池用積層体。
【請求項７】
前記基材層（Ａ）の前記粘着剤層（Ｂ）と反対側に表面層（Ｃ）を有する、請求項１から６までのいずれかに記載の非水系電池用積層体。
【請求項８】
前記表面層（Ｃ）が剥離剤を含む、請求項７に記載の非水系電池用積層体。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれかに記載の非水系電池用積層体を用いた非水系電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、発光素子とを含む発光デバイスであって、
前記支持基板は、２つの貫通電極と、複数の柱状ヒートシンクとを含み、一面に発光素子配置領域を有しており、
前記貫通電極のそれぞれは、前記支持基板を厚み方向に貫通し、一端が前記発光素子配置領域の面内に露出しており、
前記発光素子は、Ｐ型半導体層及びＮ型半導体層を積層した構造を含み、前記支持基板の前記凹部内に配置され、前記Ｐ型半導体層のＰ側電極が、前記貫通電極の一方の前記一端に接続され、前記Ｎ型半導体層のＮ側電極が、前記貫通電極の他方の前記一端に接続されており、
前記柱状ヒートシンクは、前記支持基板の厚み方向に設けられ、前記発光素子配置領域を取り囲んで、その周りに互いに間隔をおいて配置され、それぞれの一端が、前記支持基板の他面に付着して一体に設けられた放熱体に共通に接続されており、
前記支持基板は、Ｓｉを主成分とする基板である、
発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを有する試料に電子線を照射して画像を取得するパターン観察装置で使用されるレシピを作成するレシピ作成装置であって、
前記パターン観察装置における前記試料の観察条件を設定するレシピを作成するレシピ作成部を有し、
前記レシピ作成部は、前記レシピ作成装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項２】
パターンを有する試料に電子線を照射して画像を取得するパターン観察装置で使用されるレシピを作成するレシピ作成装置であって、
当該レシピ作成装置に接続可能な故障解析システムから入力される、故障位置を含む配線情報に基づき、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定するコンピュータを備えたことを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のレシピ作成装置において、
前記配線情報は、前記配線を構成する線分の始点，終点、または折曲がり点の座標であることを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のレシピ作成装置において、
前記撮像条件は、前記画像の撮像中心位置、または前記画像の撮像経路、または前記画像の視野領域であることを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項５】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、前記配線情報と前記画像の視野サイズから画像の撮像中心位置を決定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項６】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、さらに、
前記故障解析システムから入力される複数の配線情報のうち、ユーザが撮像対象とする配線を選択入力することができる入力部を有することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項７】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、前記配線情報と前記画像の視野サイズから画像の撮像中心位置を決定し、前記故障位置を含む配線に沿って複数の画像を順次撮像するように設定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項８】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記配線情報は、複数のレイヤーに跨って存在する配線に関して、上下のレイヤーの接続位置の情報を含み、
前記コンピュータは、前記複数のレイヤーおよび前記接続位置での配線情報を取得して、前記撮像位置を設定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項９】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、シミュレーションにより予め求められた危険箇所に応じて前記画像の撮像間隔を決定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項１０】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、前記配線と、シミュレーションにより予め求められた危険箇所との座標重ね合わせを行い、前記配線に含まれる前記危険箇所の数に基づいて画像の撮像位置を決定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項１１】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、前記画像の視野に含まれるパターンの密度に応じて、撮像倍率を設定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項１２】
請求項２に記載のレシピ作成装置において、
前記コンピュータは、前記パターンに沿った撮像領域に加えて、前記パターンに重なったセル領域または回路ブロックを撮像領域として設定することを特徴とするレシピ作成装置。
【請求項１３】
パターンを有する試料に電子線を照射して観察するパターン観察装置であって、
前記試料に前記電子線を照射して当該照射によって得られた二次荷電粒子を検出する電子光学系と、
前記二次荷電粒子から前記試料の画像を生成する画像演算部と、
前記試料の観察条件を設定するレシピを作成するレシピ作成部と、を有し、
前記レシピ作成部は、前記パターン観察装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定することを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記配線情報は、前記配線を構成する線分の始点，終点、または折曲がり点の座標であることを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記撮像条件は、前記画像の撮像中心位置、または前記画像の撮像経路、または前記画像の視野領域であることを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記レシピ作成部は、前記配線情報と前記画像の視野サイズから画像の撮像中心位置を決定し、前記故障位置を含む配線に沿って複数の画像を順次撮像するように設定することを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記配線情報は、複数のレイヤーに跨って存在する配線に関して、上下のレイヤーの接続位置の情報を含み、
前記レシピ作成部は、前記複数のレイヤーおよび前記接続位置での配線情報を取得して、前記撮像位置を設定することを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１８】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記レシピ作成部は、シミュレーションにより予め求められた危険箇所に応じて前記画像の撮像間隔を決定することを特徴とするパターン観察装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載のパターン観察装置において、
前記レシピ作成部は、前記配線と、シミュレーションにより予め求められた危険箇所との座標重ね合わせを行い、前記配線に含まれる前記危険箇所の数に基づいて画像の撮像位置を決定することを特徴とするパターン観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
第１液体を供給可能な第１供給口と前記第１液体を回収可能な第１回収口とを有し、前記第１供給口からの液体供給動作と前記第１回収口からの液体回収動作とによって、前記射出面側で移動可能な物体の表面の一部の領域が前記第１液体で覆われるように、前記物体との間に前記第１液体で第１液浸空間を形成可能な第１ノズル部材と、を備え、
前記第１供給口からの液体供給量及び前記第１回収口からの液体回収量の少なくとも一方の調整により、前記第１液浸空間の前記第１液体の界面を振動させる露光装置。
【請求項２】
前記第１ノズル部材は、前記射出面からの前記露光光が通過可能な開口と、前記開口の周囲に配置され前記物体が対向可能な第１下面と、を有し、
前記第１液体の界面は、前記第１下面と前記物体との間に配置され、
前記第１液体の界面の振動により、前記第１下面の少なくとも一部がクリーニングされる請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１ノズル部材は、前記開口を囲むように配置された平坦面と、前記平坦面を囲むように配置された前記第１回収口と、を含む請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１ノズル部材から離れて配置され、前記物体との間に第２液体で第２液浸空間を形成可能な第２ノズル部材を備える請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２ノズル部材は、前記第２液体を供給可能な第２供給口と、前記第２液体を回収可能な第２回収口と、を有する請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１液浸空間が形成された状態で、前記第１ノズル部材と前記物体とが相対移動する請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
第１物体と第２物体とが接近又は接触された状態で前記第１ノズル部材に対して前記第１物体及び前記第２物体が移動することにより、前記第１液浸空間が前記第１物体上及び前記第２物体上の一方から他方へ移動する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記物体は、前記基板を保持可能な第１ステージ、前記第１ステージに保持された前記基板、及び前記基板を保持しない第２ステージの少なくとも一つを含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２ステージは、露光に関する計測に用いられる計測器を搭載する請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記物体は、前記基板とは異なる、前記第１ステージに保持されたダミー基板を含む請求項８又は９に記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１２】
液浸露光装置で用いられるクリーニング方法であって、
露光光が射出される光学部材の射出面側で移動可能な物体の表面の一部の領域が第１液体で覆われるように、第１ノズル部材に設けられた第１供給口からの前記第１液体の供給動作と前記第１ノズル部材に設けられた第１回収口からの前記第１液体の回収動作とによって、前記第１ノズル部材と前記物体との間に前記第１液体で第１液浸空間を形成することと、
前記第１供給口からの液体供給量及び前記第１回収口からの液体回収量の少なくとも一方の調整により、前記第１液浸空間の前記第１液体の界面を振動させることと、を含むクリーニング方法。
【請求項１３】
前記第１ノズル部材は、前記射出面からの前記露光光が通過可能な開口と、前記開口の周囲に配置され、前記物体が対向可能な第１下面と、を有し、
前記第１液体の界面は、前記第１下面と前記物体との間に配置され、
前記第１液体の界面の振動により、前記第１下面の少なくとも一部がクリーニングされる請求項１２に記載のクリーニング方法。
【請求項１４】
前記第１液浸空間が形成された状態で、前記第１ノズル部材と前記物体とを相対移動することを含む請求項１２又は１３に記載のクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送波から、スクランブルされた第1のデータと前記第１のデータをデスクランブルするために前記第１のデータより所定時間前に送信される第1の鍵情報と第1の鍵更新情報とを含む、第1の放送信号を選局する第1のチューナと、
前記放送波から、スクランブルされた第２のデータと前記第２のデータをデスクランブルするために前記第２のデータより所定時間前に送信される第２の鍵情報と第２の鍵更新情報とを含む、第２の放送信号を選局する第２のチューナと、
前記放送波から、スクランブルされた第３のデータと前記第３のデータをデスクランブルするために前記第３のデータより所定時間前に送信される第３の鍵情報と第３の鍵更新情報とを含む、第３の放送信号を選局する第３のチューナと、
前記第1のデータ、または前記第２のデータ、または前記第３のデータをデスクランブルするデスクランブルモジュールを有する制御部と、
デスクランブルされた第1のデータ、またはデスクランブルされた第２のデータ、またはデスクランブルされた第３のデータを記録する記録部と、
前記デスクランブルされた第1のデータ、または前記デスクランブルされた第２のデータ、または前記デスクランブルされた第３のデータを外部機器に出力する出力部と、
前記第1の鍵情報と前記第２の鍵情報と前記第３の鍵情報と前記第1の鍵更新情報と前記第２の鍵更新情報と前記第３の鍵更新情報とをシリアルに処理可能な処理部と、
を備え、前記第１の鍵情報と前記第２の鍵情報と前記第３の鍵情報が未処理であれば前記第１の鍵情報と前記第２の鍵情報と前記第３の鍵情報の処理を前記第１の鍵更新情報と前記第２の鍵更新情報と前記第３の鍵更新情報の処理よりも前に前記処理部にて処理するように選択する、受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題は、以下の受信装置によって解決される。受信装置は、放送波から、スクランブルされた第1のデータと第１のデータをデスクランブルするために第１のデータより所定時間前に送信される第1の鍵情報と第1の鍵更新情報とを含む、第1の放送信号を選局する第1のチューナと、放送波から、スクランブルされた第２のデータと第２のデータをデスクランブルするために第２のデータより所定時間前に送信される第２の鍵情報と第２の鍵更新情報とを含む、第２の放送信号を選局する第２のチューナと、放送波から、スクランブルされた第３のデータと第３のデータをデスクランブルするために第３のデータより所定時間前に送信される第３の鍵情報と第３の鍵更新情報とを含む、第３の放送信号を選局する第３のチューナと、第1のデータ、または第２のデータ、または第３のデータをデスクランブルするデスクランブルモジュールを有する制御部と、デスクランブルされた第１のデータ、またはデスクランブルされた第２のデータ、またはデスクランブルされた第３のデータを記録する記録部と、デスクランブルされた第1のデータ、またはデスクランブルされた第２のデータ、またはデスクランブルされた第３のデータを外部機器に出力する出力部と、第1の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報と第1の鍵更新情報と第２の鍵更新情報と第３の鍵更新情報とをシリアルに処理可能な処理部と、を備える。制御部は、処理部が処理する情報を選択する選択部をさらに有し、選択部は、デスクランブルされた第1のデータが外部機器に出力され、デスクランブルされた第２のデータが記録部に記録され、デスクランブルされた第３のデータが記録部に記録される場合、処理部にて第１の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報が未処理であれば第１の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報の処理を第１の鍵更新情報と第２の鍵更新情報と第３の鍵更新情報の処理よりも前に処理部にて処理するように選択する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
［４．まとめ］
本実施の形態における受信装置１００は、放送波から、スクランブルされた第1のデータと第１のデータをデスクランブルするために第１のデータより所定時間前に送信される第1の鍵情報と第1の鍵更新情報とを含む、第1の放送信号を選局する第1のチューナ２０１と、放送波から、スクランブルされた第２のデータと第２のデータをデスクランブルするために第２のデータより所定時間前に送信される第２の鍵情報と第２の鍵更新情報とを含む、第２の放送信号を選局する第２のチューナ２０２と、放送波から、スクランブルされた第３のデータと第３のデータをデスクランブルするために第３のデータより所定時間前に送信される第３の鍵情報と第３の鍵更新情報とを含む、第３の放送信号を選局する第３のチューナ２０３と、第1のデータ、または第２のデータ、または第３のデータをデスクランブルするデスクランブルモジュールを有する制御部１０３と、デスクランブルされた第１のデータ、またはデスクランブルされた第２のデータ、またはデスクランブルされた第３のデータを記録する記録部であるＨＤＤ１０７と、デスクランブルされた第1のデータ、またはデスクランブルされた第２のデータ、またはデスクランブルされた第３のデータを外部機器に出力する出力部１０６と、第1の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報と第1の鍵更新情報と第２の鍵更新情報と第３の鍵更新情報とをシリアルに処理可能な処理部１０４と、を備える。制御部１０３は、処理部１０４が処理する情報を選択する選択部であるＣＰＵ２０５をさらに有し、ＣＰＵ２０５は、デスクランブルされた第1のデータが外部機器に出力され、デスクランブルされた第２のデータがＨＤＤ１０７に記録され、デスクランブルされた第３のデータがＨＤＤ１０７に記録される場合、処理部１０４にて第１の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報が未処理であれば第１の鍵情報と第２の鍵情報と第３の鍵情報の処理を第１の鍵更新情報と第２の鍵更新情報と第３の鍵更新情報の処理よりも前に処理部にて処理するように選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そのために本発明では、インクを収納するためのインク収納部を有するケース部材と、該ケース部材に支持される一端と、自由端である他端とを有し、前記ケース部材に近づく方向に変位可能な支持部材と、前記一端側の近傍に設けられた発光部と、を有するインクタンクであって、前記支持部材は、前記発光部の近傍に設けられ前記発光部からの光を受光可能で前記支持部材の前記変位に伴い前記発光部に近づいて対向するように変位する受光部と、前記他端側に設けられ前記受光部で受光した光を出射する出射部と、前記受光部で受光した光を前記出射部に導光する導光部と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを収納するためのインク収納部を有するケース部材と、
該ケース部材に支持される一端と、自由端である他端とを有し、前記ケース部材に近づく方向に変位可能な支持部材と、
前記一端側の近傍に設けられた発光部と、
を有するインクタンクであって、
前記支持部材は、
前記発光部の近傍に設けられ前記発光部からの光を受光可能で前記支持部材の前記変位に伴い前記発光部に近づいて対向するように変位する受光部と、
前記他端側に設けられ前記受光部で受光した光を出射する出射部と、
前記受光部で受光した光を前記出射部に導光する導光部と、を有することを特徴とするインクタンク。
【請求項２】
インクジェットプリンタの、係止部を有するホルダに着脱可能なインクタンクであって、
インクを収納するためのインク収納部を有するケース部材と、
該ケース部材に支持される一端と、自由端である他端とを有し、前記ホルダへの装着動作に伴い前記ケース部材に近づく方向に変位し、前記ホルダの前記係止部と係合する係合部が設けられた支持部材と、
前記一端側近傍に設けられた発光部と、
を有するインクタンクであって、
前記支持部材は、
前記発光部の近傍に設けられ前記発光部からの光を受光可能で前記ホルダへの装着に伴い前記発光部に近づいて対向するように変位する受光部と、
前記他端側に設けられ前記受光部で受光した光を出射する出射部と、
前記受光部で受光した光を前記出射部に導光する導光部と、を有することを特徴とするインクタンク。
【請求項３】
前記支持部材は、前記ケース部材から離れる方向に延在し、前記導光部は前記延在する方向に沿って配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のインクタンク。
【請求項４】
前記導光部の前記発光部側の端面が受光部であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインクタンク。
【請求項５】
前記導光部は前記支持部材に対して一体に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインクタンク。
【請求項６】
前記支持部材が前記ケース部材側に最大変位したとき、前記受光部と前記発光部には間隙があることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか1項に記載のインクタンク。
【請求項７】
前記支持部材の前記変位は、前記一端側を支点とした弾性変形であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか1項に記載のインクタンク。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトレンズパッケージ（１００）であって、
開口部（１８０）を画定する基材（１１０）を備え、
前記基材（１１０）が第１の材料（１３０）と第２の材料（１２０）とを含み、
前記第１の材料（１３０）がバリア材である、コンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項２】
前記基材（１１０）が第１の部分（１３０）と第２の部分（１２０）とを備え、
前記第１の部分（１３０）が前記開口部（１８０）に収納されるコンタクトレンズ（２００）に曝され、及び
前記第１の部分（１３０）が前記第１の材料（１３０）の層を含む、請求項１に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項３】
前記第１の材料（１３０）の前記層（１３０）が、前記コンタクトレンズ（２００）が前記開口部（１８０）内に配置されるときに前記コンタクトレンズ（２００）と前記第２の材料（１２０）との間にバリア層を作り出す、請求項２に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項４】
前記第１の材料（１３０）がホモポリマーポリプロピレンを含んでなる、請求項３に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項５】
前記第１の材料（１３０）の前記バリア層（１３０）が少なくとも５０ミクロン厚である、請求項３に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項６】
前記第１の材料（１３０）の前記バリア層（１３０）が７５ミクロン〜２５０ミクロン厚である、請求項３に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項７】
開口部（１８０）を画定する基材（１１０）の一方の側面に前記開口を覆うようにして取り外し可能に取り付けられる第１シート（１５０）と、
開口部（１８０）を画定する基材（１１０）の他方の側面に前記開口を覆うようにして取り付けられる第２シート（１６０）と、
を有する、請求項３に記載のコンタクトレンズパッケージ（１００）。
【請求項８】
コンタクトレンズパッケージ（１００）の製造方法であって、
第１の材料（１３０）と第２の材料（１２０）とを含む基材（１１０）をツーショット射出成形するステップであって、前記第１の材料（１３０）がバリア材であるステップと、
第１のシート（１５０）を前記基材（１１０）の第１の面に結合するステップと、
第２のシート（１６０）を前記基材（１１０）の第２の面に結合するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記第２のシート（１６０）を前記基材（１１０）の前記第２の面に結合する前に、前記第１のシート（１５０）を前記基材（１１０）の前面としての前記第１の面に結合する請求項９に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のシート（１５０）を剥がし可能にして前記第１の面に結合し、前記第２のシート（１６０）で前記基材（１１０）の第２の面を永久的に密閉する請求項９に記載の方法。