【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のゲートフィールドプレートを製造する方法であって、該方法は、
デバイスの活性領域上およびゲート上に誘電性材料を提供することと、
該誘電性材料をエッチングすることと、
該誘電性材料上に金属を蒸着することにより、少なくとも１つのフィールドプレートを生成することと
を含み、
（ｉ）該デバイスの該活性領域上に提供された誘電性材料のいずれも、該活性領域を曝すように除去されることはなく、
（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該電性材料上に生成され、
（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直接的に上にある、方法。
【請求項２】
前記ステップの各々は、フィールドプレートの動作を制御を可能とし、所望の絶縁破壊電圧または無線周波数（ＲＦ）性能の達成するために、前記ゲートおよび他のフィールドプレートに対するフィールドプレートのオフセットと、該フィールドプレートの数と、該フィールドプレートの長さと、前記誘電性材料の厚さと、該フィールドプレートと該ゲートとの間の電気接続とを含む１つ以上のパラメータを変化させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ゲート抵抗を減少させるために、マルチフィールドプレートを用いてマルチ接続を生成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィールドプレートをゲートドレインアクセス領域に配置することにより、前記活性領域の調節能力を提供し、その結果、大きな無線周波数（ＲＦ）信号下での適切なデバイス動作を妨げる表面トラッピングの影響を減少させる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記デバイスにダメージを与えうる乾式または湿式エッチングプロセスに、前記活性領域の表面を曝さないようにすることをさらに含み、該デバイスは、ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果型トランジスタ、または、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であり、該ＨＥＭＴは、ＧａＮチャネル層およびＡｌｘＧａ１−ｘＮバリア層を含み、０＜ｘ≦１である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
外因性領域上の少なくとも２つの平行なフィールドプレートを電気的に接続することによって、ゲート抵抗を著しく減少させるために前記誘電性材料の厚さを適切に調整することによって、該誘電性材料のトップに平行なフィールドプレートを堆積させることをさらに含み、該誘電性材料の厚さは、該フィールドプレートによって追加される寄生容量が真性デバイスの寄生容量に比べて無視できる程度になるように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記デバイスが、電界効果型トランジスタであり、該電界効果型トランジスタは、ソースオーミックコンタクトとドレインオーミックコンタクトと前記ゲートと前記活性領域とを含み、
該ソースオーミックコンタクトと該ドレインオーミックコンタクトとは、前記少なくとも１つのフィールドプレートを生成する前に形成され、
該活性領域の上方で、該少なくとも１つのフィールドプレートは、少なくとも部分的に該ゲートにオーバーレイし、
該ゲートおよび該少なくとも１つのフィールドプレートは、少なくとも該デバイスの外因性領域において電気的に接続されている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（１）前記提供するステップは、前記デバイスの真性領域上および外因性領域上に前記誘電性材料を堆積または成長させることを含み、
（２）前記エッチングするステップは、該誘電性材料が、主として前記デバイスの前記活性領域上に残るように、該誘電性材料をパターニングすることを含み、
（３）前記蒸着するステップは、該パターニングされた誘電性材料上に該フィールドプレートを生成することを含み、前記ゲートコンタクトとフィールドプレートコンタクトとは、両コンタクト間に低抵抗接続を提供するように、前記デバイスの外因性領域の少なくとも片側で電気的に接続されている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイスの適切な無線周波数（ＲＦ）動作を達成するために、前記フィールドプレート間の前記誘電性材料の厚さを制御することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチングするステップ（２）は、乾式または湿式エッチングプロセス、あるいは、リフトオフプロセスによって、前記誘電性材料をパターニングすることを含み、前記少なくとも１つのフィールドプレートおよび前記ゲートは、少なくとも前記外因性領域において電気的に接続されている、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成するステップ（３）は、前記ゲートコンタクトと前記フィールドプレートコンタクトが電気的に短絡される前に、前記パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
複数のフィールドプレートを生成するために、前記ステップ（１）〜（３）が繰り返される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記フィールドプレートが、ゲート抵抗Ｒｇに等価な抵抗Ｒｆを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記フィールドプレートが、前記デバイスの真性領域の両側に接続されている、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
ゲート抵抗を減少させるために、前記ゲートと前記フィールドプレートとの間に、マルチ接続を生成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記マルチ接続を生成するステップは、前記ゲートと前記フィールドプレートとの間に該マルチ接続を生成するための該ゲートの堆積の前に、前記活性領域の一部分をエッチングすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記デバイスの熱インピーダンスを設計するために、前記活性領域を複数の活性領域に分割し、該複数の活性領域の間隔をあけることをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記デバイスは、マルチ接続を用いずに、主として前記活性領域上に残る前記誘電性材料を用いずに、前記電気的に短絡されたゲートコンタクトとフィールドプレートコンタクトとを用いずに、デバイスと比較してエアブリッジの数を減少させた、より大きい周辺デバイスを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記マルチ接続を生成するステップは、ゲート抵抗を低くするために、Ｔ字型を用いずに、前記マルチ接続を生成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記マルチ接続を生成するステップは、平行なフィールドプレートを用いて、前記マルチ接続を生成することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記マルチ接続を生成するステップは、デバイスの線形性能を向上させるため、ソースアクセス抵抗を調節するために、ゲートソースアクセス領域をカバーする前記フィールドプレートを生成することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記提供するステップは、前記デバイスの真性領域上および外因性領域上に前記誘電性材料を堆積または成長させることを含み、
前記エッチングするステップは、前記ゲートの一部または該ゲートへの電気的コンタクトを曝し、
前記蒸着するステップは、該誘電性材料上に金属を蒸着し、該ゲートの一部または該ゲートへの電気的コンタクト上に金属を蒸着することにより、該ゲートに電気的に接続される少なくとも１つのフィールドプレートを生成し、
該誘電性材料は、主として、該デバイスの活性領域上に残る、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記デバイスは、ＩＩＩ族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）である、請求項１に記載の方法。