【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
対向する第１の主表面及び第２の主表面を備える基板を準備する工程と、
前記基板の第１の主表面における所定の領域を前記第２の主表面の方向に研削して、凹部を形成する研削工程と、
前記凹部の底面に対し、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングをさらに行い、所定深さの凹部を形成するエッチング工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程は、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項５】
前記所定量は、１μｍ以上１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項６】
前記所定深さは、前記凹部の底面と前記第２の主表面との間の距離が０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下となる深さであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程の後に、前記凹部の底面の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３ｎｍ以下にまで平坦化する平坦化工程を更に備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項８】
前記凹部は、前記第２の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板を準備する工程は、第１の主表面および第２の主表面がともに、基板の中心を基準とした１３２ｍｍ角内の領域での平坦度が０．３μｍ以下であり、かつ二乗平均平方根粗さＲｑで０．２５ｎｍ以下である基板を準備することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、石英ガラスまたはＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第２の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか一項に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法によって製造されたインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜及びマスクブランク用基板をエッチング加工するエッチング工程を備えることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
具体的には、例えば、研削による凹部加工で、第２の主表面の平坦度悪化に影響を与えるだけの残留応力が残るような、第１の主表面側の凹部底面から第２の主表面までの間における基板内部の領域を、凹部底面から基板内部に向かう方向の厚さ（深さ）の所定量で予め求めておく。次に、研削工程で行う第１の主表面に対する凹部形成の掘り込みを、所定深さから予め求めていた所定量を少なくとも差し引いた深さで行う。その後、エッチング工程で、凹部底面から予め求めていた所定量の深さをエッチングで除去し、残留応力が残っている基板内部の領域を除去する。これによって、基板内部の残留応力を確実に排除し、第２の主表面の平坦度を維持することができ、かつ所定深さの凹部を形成することができる。
ここで、第１の発明の特徴において、エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが好ましい。あるいは、エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うか、若しくは、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第２の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、凹部は、第２の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されていることが望ましい。これにより、モールドパターンの総ての部分を変形させることができる。また、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部と第１の主表面との境界部分がモールドパターン形成領域に掛からないため、第２の主表面のモールドパターン形成領域の全体に光が入射して、光硬化樹脂の全体を硬化させることができる。
さらに、第１の発明の特徴において、基板を準備する工程は、第１の主表面および第２の主表面がともに、基板の中心を基準とした１３２ｍｍ角内の領域での平坦度が０．３μｍ以下であり、かつ二乗平均平方根粗さＲｑで０．２５ｎｍ以下である基板を準備することが好ましい。この場合、基板は、石英ガラスまたはＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第２の特徴は、第１の特徴に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第２の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法であることを要旨とする。ここで、前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることが好ましい。あるいは、前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることが望ましい。