【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の第１半田粒子を付与する工程と、回路基板の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の第２半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と前記回路基板の電極、または前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子と前記電子部品の電極、または前記第１半田粒子と前記第２半田粒子を当接させる工程と、前記第１半田粒子および前記第２半田粒子を加熱する工程と、からなり、
前記第１半田粒子と前記第２半田粒子のうち少なくとも一方の粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子とは粒子間隔が異なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子とは粒子径が異なることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品の電極表面に形成した第１半田粒子の粒子間隔が、前記回路基板の電極表面に形成した第２半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記回路基板の電極表面に形成した第２半田粒子の粒子間隔が、前記電子部品の電極表面に形成した第１半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
電子部品の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した半田粒子と前記回路基板の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、
前記半田粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
回路基板の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の半田粒子を付与する工程と、前記回路基板の電極と電子部品の電極とを対向して配置する工程と、前記回路基板の電極表面に付与した半田粒子と前記電子部品の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、
前記半田粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
電子部品の電極と、該電極に対向して配置された回路基板の電極が、半田を介して接合される半導体装置において、
前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とが対向して配置された少なくとも１つの電極組は、前記半田を溶融した２個以上の微小半田接合体を介して接合されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とが対向して配置された電極組は、前記電極組の複数の中で間隔の最も大きい電極同士は２個以上の微小半田接合体を介して接合されたことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記の目的を達成するために、本発明の請求項６に係る半導体装置の製造方法は、電子部品の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した半田粒子と前記回路基板の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、前記半田粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項７に記載した半導体装置の製造方法は、回路基板の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の半田粒子を付与する工程と、前記回路基板の電極と電子部品の電極とを対向して配置する工程と、前記回路基板の電極表面に付与した半田粒子と前記電子部品の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、前記半田粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項１に記載した半導体装置の製造方法は、電子部品の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の第１半田粒子を付与する工程と、回路基板の複数の電極の少なくとも１つの電極に対して２個以上の第２半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と前記回路基板の電極、または前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子と前記電子部品の電極、または前記第１半田粒子と前記第２半田粒子を当接させる工程と、前記第１半田粒子および前記第２半田粒子を加熱する工程と、からなり、
前記第１半田粒子と前記第２半田粒子のうち少なくとも一方の粒子が溶融した２個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項２に記載した発明は、請求項１の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子とは粒子間隔が異なることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項３に記載した発明は、請求項１，２の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に付与した第１半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第２半田粒子とは粒子径が異なることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項４に記載した発明は、請求項１〜３の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に形成した第１半田粒子の粒子間隔が、前記回路基板の電極表面に形成した第２半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、請求項５に記載した発明は、請求項１〜３の半導体装置の製造方法であって、前記回路基板の電極表面に形成した第２半田粒子の粒子間隔が、前記電子部品の電極表面に形成した第１半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする。