【手続補正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置に関するリマップ情報を表すデジタル信号を受信するためのポートと；
前記リマップ情報を表す前記デジタル信号を記憶する内容参照可能メモリ（ＣＡＭ）であって、読み出し／書き込みプロセスにおいて個別にアドレス指定可能なメモリセルを有する不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを有するＣＡＭと；
前記ＣＡＭに記憶された前記リマップ情報が更新されたことに応答して、前記ＣＡＭに記憶されたリマップ情報の少なくとも一部を、バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリに記憶するように、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを制御するコントローラと
を備えていることを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
請求項１記載のメモリ装置において、さらに、
前記メモリ装置から読み出したデータを表すデジタル信号を受信し、前記データを表す前記デジタル信号に関連するビット誤り率および／またはビット誤り数を決定する誤り訂正コーディング（ＥＣＣ）デコーダを備え、
前記コントローラは、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数がエラー閾値に一致するか越えるかに、少なくとも部分的に基づいて、前記リマップ情報を記憶するよう構成されている、メモリ装置。
【請求項３】
請求項１記載のメモリ装置において、前記ＣＡＭは、相変化メモリ（ＰＣＭ）を有する、メモリ装置。
【請求項４】
請求項１記載のメモリ装置において、前記リマップ情報は、１つ以上のリマップアドレステーブルを有する、メモリ装置。
【請求項５】
請求項１記載のメモリ装置において、前記コントローラは、前記メモリ装置を対象とした読み出し／書き込みプロセスの実行中に、前記リマップ情報の少なくとも一部を前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリにオン・ザ・フライで記憶するように、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを制御するように構成されている、メモリ装置。
【請求項６】
請求項１記載のメモリ装置において、前記ＣＡＭと前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリとは、互いにほぼ同期する、メモリ装置。
【請求項７】
請求項１記載のメモリ装置において、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリは、第２ＣＡＭを有する、メモリ装置。
【請求項８】
メモリ装置から読み出したデータを表すデジタル信号に関連するビット誤り率および／またはビット誤り数を決定するステップと；
前記メモリ装置に関するリマップ情報を表すデジタル信号を、読み出し／書き込みプロセスにおいて個別にアドレス指定可能なメモリセルを有する不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを有する内容参照可能メモリ（ＣＡＭ）に記憶するステップであって、前記リマップ情報は、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数がエラー閾値に一致するまたは越えるかに、少なくとも部分的に基づくステップと；
前記ＣＡＭに記憶された前記リマップ情報が更新されたことに応答して、前記ＣＡＭに記憶されたリマップ情報の少なくとも一部を、バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリに記憶するステップと
を有する、方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを有する前記ＣＡＭは、相変化メモリ（ＰＣＭ）を有する、方法。
【請求項１０】
請求項８記載の方法において、前記リマップ情報は、１つ以上のリマップアドレスを有する、方法。
【請求項１１】
請求項８記載の方法において、前記ＣＡＭに記憶されたリマップ情報の少なくとも一部を記憶するステップを、前記メモリ装置を対象とした読み出し／書き込みプロセスの実行中にオン・ザ・フライで実行する、方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法において、前記メモリ装置は、メインメモリ部分およびスペアメモリ部分を有し、前記リマップアドレスは、前記スペアメモリ部分中のメモリ位置に対応する、方法。
【請求項１３】
請求項８記載の方法において、前記リマップ情報の少なくとも一部を記憶するステップは、さらに、前記リマップ情報を前記不揮発性離散的アドレス指定可能メモリの一部に書き込むステップを有し、前記不揮発性離散的アドレス指定可能メモリの一部は前記リマップ情報とほぼ同じサイズである、方法。
【請求項１４】
メモリ装置に対して読み出し／書き込みを行い、１つ以上のアプリケーションを実行するホストと；
前記メモリ装置から読み出したデータを表すデジタル信号を受信し、前記データを表す前記デジタル信号に関連するビット誤り率および／またはビット誤り数を決定する、誤り訂正コーディング（ＥＣＣ）デコーダと；
前記ビット誤り率および／またはビット誤り数がエラー閾値と一致するか越えるかに、少なくとも部分的に基づいて、前記メモリ装置のリマップアドレスを表すデジタル信号を内容参照可能メモリ装置（ＣＡＭ）に記憶するリマップコントローラとを備え、
前記ＣＡＭは、読み出し／書き込みプロセスにおいて個別にアドレス指定可能なメモリセルを有する不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを有し、
前記リマップコントローラは、前記ＣＡＭに記憶された前記リマップ情報が更新されたことに応答して、前記ＣＡＭに記憶されたリマップアドレスの少なくとも一部をバックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリに記憶するように、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを制御するように構成されている
ことを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１４記載のシステムにおいて、前記ＣＡＭは、読み出しアドレスを表すデジタル信号を受信し、前記読み出しアドレスが前記ＣＡＭ内に記憶された前記リマップアドレスに対応するか否かに、少なくとも部分的に応じた応答信号を表すデジタル信号を伝送するよう構成されている、システム。
【請求項１６】
請求項１５記載のシステムにおいて、さらに、
前記メモリ装置から読み出しを行うためのアドレスとして用いるべき、前記読み出しアドレスまたは前記リマップアドレスのいずれかを選択する選択部を備え、この選択は、少なくとも部分的に、前記応答信号に基づく、システム。
【請求項１７】
請求項１４記載のシステムにおいて、前記メモリ装置は、メインメモリ部分およびスペアメモリ部分を有し、前記リマップアドレスは、前記スペアメモリ部分中のメモリ位置に対応する、システム。
【請求項１８】
請求項１７記載のシステムにおいて、前記メモリ装置は、さらに、前記ＥＣＣデコーダおよび相変化メモリ部分を有する、システム。
【請求項１９】
請求項１４記載のシステムにおいて、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数は、少なくとも部分的に、前記メモリ装置の物理的劣化に応じた値である、システム。
【請求項２０】
請求項１記載のメモリ装置において、前記ＣＡＭに記憶されたリマップ情報の少なくとも一部を、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリに記憶することを、同期式で実行する、メモリ装置。
【請求項２１】
請求項１４記載のシステムにおいて、前記リマップコントローラは、前記メモリ装置を対象とした読み出し／書き込みプロセスの実行中に、前記リマップ情報の少なくとも一部を前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリにオン・ザ・フライで記憶するように、前記バックアップ用不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを制御するように構成されている、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そのような不揮発性メモリ装置は、時間が経つにつれ徐々に劣化するメモリセルから構成されるため、メモリセルへのアクセス時に読み出しおよび／または書き込みにおけるエラーが起こる可能性が高まる。エラーは、数例を挙げるなら、製造上の不具合および／またメモリ装置構成の限界に起因する。このようなエラーは、例えばメモリ装置内で後に訂正されるものの、エラーの数が増加するにつれ、そのようなエラー訂正は困難または不可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一実施形態において、メモリ装置は、時間と共に徐々に劣化するメモリセルを有し、メモリセルは、このようなメモリ装置の読み出し中に１回以上のエラーが起こる可能性を高まる。メモリ装置はまた、製造に起因する、欠陥があるおよび／またはわずかにしか機能しないメモリセルを有することがある。そのようなエラーは、例えばエラー訂正コード（ＥＣＣ）または他の技術を用いるコンピュータシステム内の幾つかの領域で訂正される。システムの観点から、このようなエラー傾向があるセルの使用を継続するか否かについて決定することができる。以下に詳細に説明するように、このような決定は、少なくとも部分的にはエラーの数と、例えばメモリ装置の設計段階で定義されるエラー閾値との比較に基づく。ある実施において、特定のメモリセルの使用は、そのようなセルが過剰な数のエラーを表示する前に中止する。言い換えれば、エラー傾向があるメモリセルの使用は、そのようなメモリセルが、エラー閾値に近づいていく程の多数回のエラーを引き起こした場合に中止される。このような閾値には、例えばメモリセルの使用を中止する決定を行うために到達する必要はない。従って、エラー閾値に近づいていく数のエラー回数を観測することが、特定のメモリが間もなく過剰に多い数のエラーを引き起こすということを予測する方法であり、このようにして、例えばメモリセルが実際に重篤な機能不全を発症する前に、そのようなエラー傾向があるメモリセルの使用を中止する。特定メモリセルの使用を中止する場合、全メモリ装置容量を維持するように、代替メモリセルを選択する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一実施形態において、上記のようなプロセスは、装置より構成されるメモリ装置に関連する。従って、ＰＣＭが古くなると、ＰＣＭの一部分により引き起こされるビット誤り率および／またはビット誤り数は増加する。このようなエラーは、ある程度までは、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術を用いて訂正することができる。しかし、エラー数はそのようなエラー訂正技術の許容量を越えて増加することもある。従って、メモリ部分が過剰な数のエラーを引き起こしている、もしくは引き起こし始めたという兆候を示した時に、そのようなメモリ部分を退役させることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この結果、ブロック２５０において、プロセッサによって伝送された読み出し／書き込みアドレスを使用して、メモリ装置のメインメモリ部分に対して読み出し／書き込みを行う。つぎに、ブロック２６０において、メモリ装置の読み出しアドレスから読み出されたデータを、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術に供給する。メモリ装置にデータを書き込む場合、書き込みプロセスがうまく行われたかを確認する二次読み出しプロセスを行う。このような読み出しデータを、その後、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術に供給する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この結果、ブロック２５５において、当初はメインメモリ部分のアドレスに向かうようプロセッサによって伝送された読み出し／書き込みアドレスを、メモリ装置のスペアメモリ部分にリダイレクトする。つぎに、ブロック２６０において、スペアメモリ部分に対して読み出されたまたは書き込まれたデータを、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術に供給する。メモリ装置にデータを書き込む場合、書き込みプロセスがうまく行われたかを確認する二次読み出しプロセスを行う。このような読み出しデータはその後、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術に供給する。もちろん、このようなメモリ読み出しプロセスの詳細は単なる一例に過ぎず、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図３は、一実施例によるメモリ読み出し／書き込みプロセス３００のフローチャートである。ブロック３１０において、メモリ装置の一部に対して読み出しまたは書き込みを行う読み出し／書き込みプロセスの開始は、例えば、記憶されたデータの読み出しまたは書き込みを行う１つ以上のメモリ位置をそれぞれ識別する１つ以上の読み出し／書き込みアドレスを供給するシステムアプリケーションによって開始する。例えば、読み出しデータをパリティチェックすることによる、ＥＣＣハードウエアおよび／またはソフトウエアを使用して、読み出しデータにおけるエラーをチェックおよび／または訂正する。その後、ブロック３２０において、最初に読み出したデータを訂正したデータと比較し、これによりメモリ読み出し／書き込みプロセスで発生したエラーの数を決定する。このようなエラー数は、ビット誤り率（ＢＥＲ）として表すことができ、このビット誤り率（ＢＥＲ）は、例えば読み出しビットの合計数に対する誤りビットの割合である。メモリ装置の一部からの読み出しによるＢＥＲまたはエラー数は、例えばそれ以上のさらなるエラーはうまく訂正できない最高許容ＢＥＲもしくは最高許容エラー数等の値で構成したエラー閾値と比較し、このようなエラー閾値は、例えば図１に示すメモリ装置１００のような特定のメモリ装置が許容可能なＢＥＲまたはエラー数のほぼ上限値またはエラー数を示す数で構成される。このようなエラー閾値またはそれ以下では、ＥＣＣハードウエアおよび／またはソフトウエアは、読み出しデータを訂正できる。しかし、エラー閾値を越えると、全ての読み出しエラーが訂正されない可能性が比較的高くなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５は、一実施形態による、メモリ読み出し／および書き込みプロセス５００のフローチャートである。ブロック５０５において、メモリ装置の一部に対する読み出し／書き込みを行う読み出し／書き込みプロセスの開始は、例えば、記憶されたデータを読み出すべきまたは書き込むべき１つ以上のメモリ位置のそれぞれを識別する１つ以上の読み出し／書き込みアドレスを提供するシステムアプリケーションによって開始する。ブロック５１０において、１つ以上の読み出し／書き込みアドレスを、例えば内容参照可能（連想）メモリ装置（content addressable memory：ＣＡＭ）に供給し、このＣＡＭにおいて、供給された読み出し／書き込みアドレスと対応するあり得るリマップしたリマップアドレスの候補のサーチを実施する。ある実施例では、ＣＡＭはＰＣＭのような不揮発性離散的アドレス指定可能メモリを有する。このようなＣＡＭは、元アドレスを対応するリマップアドレスに関連付けるデータベースおよび／またはテーブルを代表するデジタル信号を記憶する。したがって、このようなＣＡＭをサーチすることで、ブロック５３０において、入来する元の読み出し／書き込みアドレスが、ＣＡＭ内の対応リマップアドレスと関連付けられているか否かを決定する。もし関連付けられておらず、特定の元の読み出し／書き込みアドレスに関連付けられたリマップアドレスが否定的な結果を返した場合、読み出し／書き込みプロセス５００はブロック５４０に進み、元の読み出し／書き込みアドレスを出力する。その結果、ブロック５５０において、元の読み出し／書き込みアドレスを使用して、メモリ装置の読み出しまたは書き込みを行う。その後、ブロック５６０で、メモリ装置の元の読み出し／書き込みアドレスから読み出された、または元の読み出し／書き込みアドレスに書き込まれたデータは、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他の誤り訂正技術に供給する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一方、ブロック５３０において、入来する元の読み出し／書き込みアドレスが対応するリマップしたリマップアドレスを有すると決定された場合、読み出し／書き込みプロセス５００はブロック５４５へ進み、特定の元の読み出し／書き込みデータに対応するリマップアドレスを伝送する。この結果、ブロック５５５において、リマップした読み出し／書き込みアドレスを使用して、メモリ装置からの読み出し／書き込みを行う。ある実施例において、メモリ装置のスペア部分は、リマップアドレスが使用される場合には読み出し／書き込み可能とするが、このような限定は単なる例に過ぎない。つぎに、ブロック５６０において、メモリ装置のリマップした読み出し／書き込みアドレスに対して読み出しを行った、または書き込みを行ったデータを、エラーチェックするハードウエアおよび／またはソフトウエア、例えばＥＣＣデコーダおよび／または他のエラー訂正技術に供給する。もちろん、そのようなメモリ読み出し／書き込みプロセスの詳細は単なる例であり、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図６は、一実施例によるメモリ読み出しプロセス６００のフローチャートである。ブロック６０５において、メモリ装置の一部に記憶された情報を表す信号の読む読み出しプロセスの開始は、例えば、記憶されたデータを表す信号を読み出そうとする記憶されている場所から１つ以上のメモリ位置をそれぞれ識別するための１つ以上の読み出しアドレスを提供するシステムアプリケーションによって開始する。例えば読み出しデータをパリティチェックすることによる、ＥＣＣハードウエアおよび／またはソフトウエアを使用して、読み出しデータにおけるエラーをチェックおよび／または訂正する。その後、ブロック６１０において、最初に読み出したデータを訂正した読み出しデータと比較し、これによりメモリ読み出しプロセスにおいて発生したエラー数を決定する。このようなエラー数は、ビット誤り率（ＢＥＲ）として表すことができ、このビット誤り率（ＢＥＲ）は、例えば、読み出しビットの合計数に対する誤りビットの割合である。ブロック６２０において、メモリ装置の一部からの読み出しによるＢＥＲまたはエラー数は、例えばそれ以上のさらなるエラーはうまく訂正できない最高許容ＢＥＲもしくは最高許容エラー数等の値から構成されるエラー閾値と比較し、このようなエラー閾値は、例えば図１に示すメモリ装置１００のような特定のメモリ装置が許容可能なＢＥＲのほぼ上限値またはエラー数を示す数で構成される。このようなエラー閾値またはそれ以下では、ＥＣＣのハードウエアおよび／またはソフトウエアは、読み出しデータを訂正できる。しかし、エラー閾値を越えると、少なくともいくつかの読み出しエラーが訂正されない可能性が比較的高くなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図８は、一実施形態による、メモリシステム８００のブロック図である。コントローラ８１０は、データが読み出されるメモリ装置８２５の位置を特定するアドレスを含む読み出しリクエスト８０５を示す１つ以上の信号を受け取るよう構成する。メモリ装置８２５は、例えば上述のように、メインメモリ８２０およびスペアメモリ８３０により構成する。読み出しリクエストを伴う入来するアドレスはＣＡＭ８１５を通過し、このＣＡＭ８１５において、このようなアドレスは、ＣＡＭ８１５に記憶された内容（コンテンツ）と比較され、これら内容（コンテンツ）は、元アドレスと関連付けられたリマップアドレスを有する。ある特定の実施例において、リマッピングプロセスは、システムレベルでユーザによって生成された特別な命令および／または信号なしで生じ、これにより、読み出しリクエストを伴う入来したアドレスが常に元アドレスから構成され、このようなアドレスはＣＡＭのサーチ後にのみ、関連するリマップアドレスに関連付けすることができる。このようにして、コントローラ８１０は、読み出しリクエスト８０５がリマップされたアドレスを含むか否かを決定する。この決定に従って、コントローラ８１０は読み出しリクエスト８０５をメインメモリ８２０またはスペアメモリ８３０に命令してデータを読み出す。例えば、読み出しリクエスト８０５のアドレスがリマップされていない場合、コントローラ８１０は読み出しリクエストをメインメモリ８２０に転送し、一方、アドレスがリマッピングされている場合、コントローラ８１０は、スペアメモリ８３０に向けられる読み出しリクエスト８０５がリマップされたアドレスから構成されるよう変更する。その後、メインメモリ８２０または８３０は読み出しデータ８３５を、例えばエラーカウンタおよび／またはＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック８４０に供給する。一実施例において、ＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック８４０は、メモリ装置８２５のダイ素子内に配置する。他の実施例では、ＥＣＣデコーダから構成されるエラー検出ブロック８４０は、例えば、アプリケーション内のようなシステムレベルに配置する。エラー検出ブロック８４０は、読み出しデータ８３５に存在するいかなるエラーも検出および／または訂正することができ、検出されたエラーをＢＥＲおよび／またはビット誤り数として表す。従って、エラー検出ブロック８４０は、アプリケーションおよび／またはホストシステムのような、読み出しリクエスト８０５を発生させる構成要素に、訂正された読み出しデータ８４５を供給することができる。エラー検出ブロック８４０はまた、読み出しデータ８３５に存在するエラーの数に関する情報を、比較エンジン８５０に供給する。エラー検出ブロック８４０をメモリ装置８２５のダイ素子内に配置したＥＣＣデコーダで構成する場合、このようなエラー情報は、システムレベルの比較エンジンアプリケーションによりアクセス可能である。ある実施において、たとえば、ＥＣＣデコーダは、検出されたエラー数とエラー閾値とを比較する比較エンジン８５０がアクセスできるエラー情報レジスタを含む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上述のように、このようなエラー閾値は許容可能なＢＥＲまたはエラー数の限定値で構成する。比較エンジン８５０は、このような比較の結果８６０をコントローラ８１０に供給する。少なくとも部分的にはこの比較結果に基づいて、コントローラ８１０はメモリ装置８２５の特定部分を退役させるか否かを決定する。この比較が、メモリ装置８２５の特定部分が例えば読み出しプロセス中に過多数のビット誤りを引き起こしたことを示す場合、コントローラ８１０はメモリのエラー傾向がある部分を退役させるプロセスを開始する。この退役プロセスは、メモリの退役部分に記憶されたデータをメモリの他の部分へ移転するステップを有する。例えば、データを表すデジタル信号はメインメモリ８２０の特定部分から移動されスペアメモリ８３０に記憶される。従って、コントローラ８１０はメモリの退役部分を認識するアドレスを、移転されたデータを含むメモリの新たな部分を識別するアドレスに変更する。このような補正されたリマップしたリマップアドレスを、その後ＣＡＭ８１５に書き込み、このＣＡＭ８１５において上述のように元アドレスと関連付けすることができる。このメモリ退役プロセスは、例えば読み出しリクエスト８０５を発生するアプリケーションおよび／またはホストシステムに関してシームレスに起こる。ある実施例において、例えばＰＣＭのような不揮発性離散的アドレス指定可能メモリ８１８は、時々、時折、周期的に、および／またはＣＡＭ８１５が新しいリマップ情報で更新される度に、更新される。ある実施形態において、不揮発性離散的アドレス指定可能メモリ８１８は、例えば読み出しリクエストにより起動された読み出しプロセスのようなランタイムプロセス中に、オン・ザ・フライで更新される。そのような不揮発性離散的アドレス指定可能メモリ８１８の更新がＣＡＭ８１５のほぼ更新毎に行われる場合、不揮発性離散的アドレス指定可能メモリおよびＣＡＭは、互いにほぼ同期する。つまり、このようなメモリはそれぞれほぼ類似したリマップ情報を含む。このような同期は、メモリシステム８００に供給される電源遮断中、つまり不揮発性離散的アドレス指定可能メモリ８１８がリマップ情報を保持し、揮発性ＣＡＭ８１５がリマップ情報を失った時に、役に立つ。もちろん、メモリシステムのこのような実施は単なる一例に過ぎず、特許請求の範囲の要旨を限定するものではない。