【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜によるデータ線と、
前記第２導電膜から前記半導体層へ向かう方向から見て、前記接合領域に沿うように前記第２絶縁膜に配置された開口と、
前記開口の内部に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが配置されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜と、
前記第２導電膜から前記半導体層へ向かう方向から見て、前記接合領域に沿うように前記第２絶縁膜に配置された開口と、
前記開口の内部に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが配置されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記開口の内部に配置された第１導電膜及び第２導電膜は、前記半導体層に向かう光を遮ることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口は、前記第２絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記開口は、さらに前記第１絶縁膜を貫通することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に第３絶縁膜が配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１導電膜と前記第２導電膜とは接するように配置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記開口は、前記第２導電膜から前記半導体層へ向かう方向から見て、前記接合領域を挟むように配置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１導電膜の材料と前記第２導電膜の材料とは、異なることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
前記接合領域に沿うように前記第１絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の開口に重なるように前記第２絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜によるデータ線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
前記接合領域に沿うように前記第１絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の開口に重なるように前記第２絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜の開口に重なるように前記第２絶縁膜に開口を形成する工程の後に、前記第１導電膜を覆う第３絶縁膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２導電膜はアルミニウムであり、
前記第２導電膜を融点近傍まで加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２絶縁膜を覆って第４絶縁膜を形成する工程と、
前記ドレイン領域と重なる位置に前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜ならびに前記第４絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第３絶縁膜を覆って第３導電膜を形成する工程と、
前記第３導電膜をパターニングして前記ドレイン領域と画素電極とを電気的に接続させる導通部を形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置、または請求項１０乃至１４のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明の一態様の電気光学装置は、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜によるデータ線と、前記第２導電膜から前記半導体層へ向かう方向から見て、前記接合領域に沿うように前記第２絶縁膜に配置された開口と、前記開口の内部に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが配置されたことを特徴とする。
本発明の別の一態様の電気光学装置は、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜と、前記第２導電膜から前記半導体層へ向かう方向から見て、前記接合領域に沿うように前記第２絶縁膜に配置された開口と、前記開口の内部に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とが配置されたことを特徴とする。
本発明の一態様の電気光学装置の製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層を形成する工程と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、前記接合領域に沿うように前記第１絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜の開口に重なるように前記第２絶縁膜に開口を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜によるデータ線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の別の一態様の電気光学装置は、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ソース領域及び／または前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された接合領域と、を含む半導体層を形成する工程と、前記半導体層を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、前記接合領域に沿うように前記第１絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第１絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向する第１導電膜によるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜の開口に重なるように前記第２絶縁膜に開口を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うように配置され、前記半導体層に電気的に接続された第２導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。