【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記基板を移動するためのステージと、
前記投影光学系の光軸に直交する第１の方向に長手方向を有する第１のパターン、及び、前記第１の方向と平行ではなく、且つ、前記投影光学系の光軸に直交する第２の方向に長手方向を有する第２のパターンのそれぞれを前記投影光学系の物体面に配置したときの、前記第１のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第１の結像位置、及び、前記第２のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第２の結像位置のそれぞれのデータを取得する取得部と、
前記マスクのパターンを前記基板に投影するときの前記基板の前記光軸に沿った方向の目標位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記マスクのパターンとして前記第１の方向に長手方向を有するパターンと前記第２の方向に長手方向を有するパターンとが混在する混在パターンを前記基板に投影する場合には、前記取得部で取得された前記第１の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第２の結像位置における焦点深度に含まれる端点と、前記取得部で取得された前記第２の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第１の結像位置における焦点深度に含まれる端点との間の位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第２の結像位置における焦点深度に含まれる端点と、前記第２の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第１の結像位置における焦点深度に含まれる端点との中点の位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１の結像位置における焦点深度の下端点又は上端点のうち前記第２の結像位置における焦点深度に含まれる端点を前記第１のパターンの線幅の関数ｆ（ＬＷ＿Ｈ）として、前記第２の結像位置における焦点深度の下端点又は上端点のうち前記第１の結像位置における焦点深度に含まれる端点を前記第２のパターンの線幅の関数ｆ（ＬＷ＿Ｖ）として規定し、
前記第１の結像位置をＨ＿Ｃ、前記第２の結像位置をＶ＿Ｃとすると、
前記制御部は、前記混在パターンを前記基板に投影する場合には、｛Ｈ＿Ｃ＋ｆ（ＬＷ＿Ｈ）＋Ｖ＿Ｃ−ｆ（ＬＷ＿Ｖ）｝／２に対応する位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記基板を移動するためのステージと、
前記投影光学系の光軸に直交する第１の方向に長手方向を有する第１のパターン、及び、前記第１の方向と平行ではなく、且つ、前記投影光学系の光軸に直交する第２の方向に長手方向を有する第２のパターンのそれぞれを前記投影光学系の物体面に配置したときの、前記第１のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第１の結像位置、及び、前記第２のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第２の結像位置のそれぞれのデータを取得する取得部と、
前記マスクのパターンを前記基板に投影するときの前記基板の前記光軸に沿った方向の目標位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御する制御部と、
を有し、
前記第１の結像位置をＨ＿Ｃ、前記第２の結像位置をＶ＿Ｃとすると、
前記制御部は、前記マスクのパターンとして前記第１の方向に長手方向を有するパターンと前記第２の方向に長手方向を有するパターンとが混在する混在パターンを前記基板に投影する場合には、前記第１の結像位置及び前記第２の結像位置のそれぞれに予め定められた比率Ｈｒａｔｉｏ及びＶｒａｔｉｏ（Ｈｒａｔｉｏ＋Ｖｒａｔｉｏ＝１００％）を乗じたＨ＿Ｃ×Ｈｒａｔｉｏ＋Ｖ＿Ｃ×Ｖｒａｔｉｏに対応する位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記マスクのパターンとして前記第１の方向に長手方向を有するパターンのみを有するパターンを前記基板に投影する場合には、前記取得部で取得された前記第１の結像位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御し、
前記マスクのパターンとして前記第２の方向に長手方向を有するパターンのみを有するパターンを前記基板に投影する場合には、前記取得部で取得された前記第２の結像位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記基板を移動するためのステージと、
前記投影光学系の光軸に直交する第１の方向に長手方向を有する第１のパターン、及び、前記第１の方向と平行ではなく、且つ、前記投影光学系の光軸に直交する第２の方向に長手方向を有する第２のパターンのそれぞれを前記投影光学系の物体面に配置したときの、前記第１のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第１の結像位置、及び、前記第２のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第２の結像位置のそれぞれのデータを取得する取得部と、
前記マスクのパターンを前記基板に投影するときの前記基板の前記光軸に沿った方向の目標位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御する制御部と、
を有し、
前記マスクのパターンを前記基板に投影するジョブを開始してからの積算時間に応じて、前記ジョブを行う期間を時間順に第１の時間領域、第２の時間領域及び第３の時間領域とすると、
前記第１の時間領域では、前記第１の結像位置における焦点深度の下端点と上端点との間の焦点深度領域の全てが前記第２の結像位置における焦点深度の下端点と上端点との間の焦点深度領域に重なり、
前記第２の時間領域では、前記第１の結像位置における焦点深度領域の一部が前記第２の結像位置における焦点深度領域に重なり、
前記第３の時間領域では、前記第１の結像位置における焦点深度領域と前記前記第２の結像位置における焦点深度領域とが重ならず、
前記制御部は、前記マスクのパターンとして前記第１の方向に長手方向を有するパターンと前記第２の方向に長手方向を有するパターンとが混在する混在パターンを前記基板に投影する場合に、前記第１の時間領域及び前記第２の時間領域では、前記第１の結像位置及び前記第２の結像位置に基づいて前記基板の前記光軸に沿った方向の位置を前記目標位置として決定し、前記第３の時間領域では、前記マスクのパターンの前記基板への投影を中断することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記第１の時間領域では、前記第１の結像位置を前記基板の前記光軸に沿った方向の位置として決定し、
前記第２の時間領域では、前記第１の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第２の結像位置における焦点深度に含まれる端点と、前記第２の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第１の結像位置における焦点深度に含まれる端点との間に含まれる位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１の結像位置をＨ＿Ｃ、前記第２の結像位置をＶ＿Ｃとすると、
前記制御部は、前記混在パターンを前記基板に投影する場合に、前記第１の時間領域と前記第２の時間領域では、前記第１の結像位置及び前記第２の結像位置のそれぞれに予め定められた比率Ｈｒａｔｉｏ及びＶｒａｔｉｏ（Ｈｒａｔｉｏ＋Ｖｒａｔｉｏ＝１００％）を乗じたＨ＿Ｃ×Ｈｒａｔｉｏ＋Ｖ＿Ｃ×Ｖｒａｔｉｏに対応する位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項９】
前記取得部は、
前記投影光学系の像面に配置され、前記第１のパターン及び前記第２のパターンのそれぞれに相当するパターンが形成された基準プレートと、
前記基準プレートに形成されたパターンを通過した光の光量を検出する検出部と、
を含み、
前記基準プレートを前記光軸に沿った方向に移動したときに前記検出部で検出される前記第１のパターンからの光の光量が最大となる前記基準プレートの前記光軸に沿った位置を前記第１の結像位置として、前記第２のパターンからの光の光量が最大となる前記基準プレートの前記光軸に沿った位置を前記第２の結像位置としてデータを取得することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記取得部は、前記第１のパターンの線幅及びピッチ、前記第２のパターンの線幅及びピッチ、前記第１のパターン及び前記第２のパターンのそれぞれを照明するときの照明条件、及び、前記投影光学系に関する情報に基づいて、前記第１のパターン及び前記第２のパターンのそれぞれから前記投影光学系の像面までの光線追跡によって、前記第１の結像位置及び前記第２の結像位置のデータを取得することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記基板を移動するためのステージと、前記投影光学系の光軸に直交する第１の方向に長手方向を有する第１のパターン、及び、前記第１の方向と平行ではなく、且つ、前記投影光学系の光軸に直交する第２の方向に長手方向を有する第２のパターンのそれぞれを前記投影光学系の物体面に配置したときの、前記第１のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第１の結像位置、及び、前記第２のパターンからの光が前記投影光学系を介して結像する第２の結像位置のそれぞれのデータを取得する取得部と、前記マスクのパターンを前記基板に投影するときの前記基板の前記光軸に沿った方向の目標位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記マスクのパターンとして前記第１の方向に長手方向を有するパターンと前記第２の方向に長手方向を有するパターンとが混在する混在パターンを前記基板に投影する場合には、前記取得部で取得された前記第１の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第２の結像位置における焦点深度に含まれる端点と、前記取得部で取得された前記第２の結像位置における焦点深度の下端点と上端点のうち前記第１の結像位置における焦点深度に含まれる端点との間の位置に前記基板が位置決めされるように前記ステージを制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
露光装置１は、図１（ａ）に示すように、光源１０から射出される光でレチクル３０（の所定領域）を照明する照明光学系２０と、レチクル３０を保持すると共にレチクル３０を駆動（移動）するレチクルステージ４０とを有する。また、露光装置１は、レチクル３０のパターンをウエハ（基板）６０に投影する投影光学系５０と、ウエハ６０を保持すると共にウエハ６０を駆動（移動）するウエハステージ７０とを有する。また、露光装置１は、計測用パターン８０及び９０と、検出部１００と、制御部１１０とを有する。