Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錠機構部が扉に内設されるとともに、該錠機構部に付設して制御信号を送受する制御装置が内設され、
前記扉の表面に固定され、前記機構部に連動連結される杆状グリップの両端を支持する台座と、
前記台座に設けられる電池収納部と、
前記電池収納部に隣接し、前記制御装置からの電源線末端に接続したコネクタを収納するコネクタ収納部と、
前記台座の外側板の一部を構成し、前記電池収納部と前記コネクタ収納部とを開閉自在とする蓋体と、
を具備することを特徴とする電気錠の台座構造。
【請求項２】
請求項１記載の電気錠の台座構造であって、
前記扉の台座の取り付けによって覆われる表面に、前記コネクタ収納部に電源線を導出する電源線貫通穴が穿設され、
前記コネクタ収納部には、前記電源線貫通穴よりも高所位置に上端が起立配置する止水壁が設けられることを特徴とする電気錠の台座構造。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電気錠の台座構造であって、
前記電池収納部には、電池を保持する別体の電池収納箱が内設されることを特徴とする電気錠の台座構造。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタクリル酸エステル単量体単位８０−９９．５質量％及び少なくとも一種のメタクリル酸エステルに共重合可能な他のビニル単量体単位０．５〜２０質量％を含み、以下の条件を満足することを特徴とするアクリル系樹脂（Ａ）及び、ゴム質重合体（Ｂ）からなることを特徴とするアクリル系樹脂組成物。
Ｉ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量平均分子量が６万〜３０万、
ＩＩ）  ＧＰＣ溶出曲線から得られるピーク分子量（Ｍｐ）の１／５以下の分子量成分が、前記ＧＰＣ溶出曲線から得られるエリア面積比率にして７〜４０％。
【請求項２】
前記アクリル系樹脂（Ａ）１００質量部に対し、ゴム質重合体（Ｂ）１〜２００質量部からなることを特徴とする請求項１に記載のアクリル系樹脂組成物。
【請求項３】
前記ゴム質重合体（Ｂ）が、アクリル系ゴム質重合体であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂組成物。
【請求項４】
前記ゴム質重合体（Ｂ）が、三層構造以上の多層構造を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂組成物。
【請求項５】
該アクリル系樹脂組成物のアクリル不溶部含有量が１〜６５質量％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂組成物である成形体。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のアクリル系樹脂組成物である射出成形体。
【請求項８】
長尺成型品である請求項６乃至７のいずれか一項に記載の成形体。
【請求項９】
車両用部品である請求項６乃至８のいずれか一項に記載の成形体。
【請求項１０】
照明器具部品である請求項６乃至８のいずれか一項に記載の成形体。
【請求項１１】
弾球遊技機用部品である請求項６乃至８のいずれか一項に記載の成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】耐衝撃性アクリル系樹脂組成物及び成形体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、射出成型時にジェッティング等の成型不良を生じない耐衝撃性アクリル系樹脂組成物及び、それを用いた成形体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
〔１〕メタクリル酸エステル単量体単位８０−９９．５質量％及び少なくとも一種のメタクリル酸エステルに共重合可能な他のビニル単量体単位０．５〜２０質量％を含み、以下の条件を満足することを特徴とするアクリル系樹脂（Ａ）及び、ゴム質重合体（Ｂ）からなることを特徴とするアクリル系樹脂組成物。
Ｉ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量平均分子量が６万〜３０万、
ＩＩ）  ＧＰＣ溶出曲線から得られるピーク分子量（Ｍｐ）の１／５以下の分子量成分が、前記ＧＰＣ溶出曲線から得られるエリア面積比率にして７〜４０％。
〔２〕前記アクリル系樹脂（Ａ）１００質量部に対し、ゴム質重合体（Ｂ）１〜２００質量部からなることを特徴とする〔１〕に記載のアクリル系樹脂組成物。
〔３〕前記ゴム質重合体（Ｂ）が、アクリル系ゴム質重合体であることを特徴とする〔１〕乃至〔２〕のいずれかに記載のアクリル系樹脂組成物。
〔４〕前記ゴム質重合体（Ｂ）が、三層構造以上の多層構造を有することを特徴とする〔１〕乃至〔３〕のいずれかに記載のアクリル系樹脂組成物。
〔５〕該アクリル系樹脂組成物のアクリル不溶部含有量が１〜６５質量％であることを特徴とする〔１〕乃至〔４〕のいずれかに記載のアクリル系樹脂組成物。
〔６〕〔１〕乃至〔５〕のいずれかに記載のアクリル系樹脂組成物である成形体。
〔７〕〔１〕乃至〔５〕のいずれかに記載のアクリル系樹脂組成物である射出成形体。
〔８〕長尺成型品である〔６〕乃至〔７〕のいずれかに記載の成形体。
〔９〕車両用部品である〔６〕乃至〔８〕のいずれかに記載の成形体。
〔１０〕照明器具部品である請求項６乃至８のいずれかに記載の成形体。
〔１１〕弾球遊技機用部品である請求項６乃至８のいずれかに記載の成形体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気−機械エネルギー変換素子と、
前記電気−機械エネルギー変換素子に固定され、前記電気−機械エネルギー変換素子に電圧を印加することにより振動する振動体と、
前記振動体に接触し、前記振動により摩擦駆動する移動体と、
を有する回転型振動波駆動装置であって、
前記移動体は、該移動体の本体部から延出した支持部と、前記支持部から延出し前記振動体に摩擦接触する接触部と、を備え、
前記支持部と前記接触部とが、前記移動体の回転軸方向に夫々弾性変形可能に構成されていることを特徴とする回転型振動波駆動装置。
【請求項２】
電気−機械エネルギー変換素子と、
前記電気−機械エネルギー変換素子に固定され、前記電気−機械エネルギー変換素子に電圧を印加することにより振動する振動体と、
前記振動体に接触し、前記振動により摩擦駆動する移動体と、
を有する回転型振動波駆動装置であって、
前記移動体は、該移動体の本体部から内径側に延出した支持部と、前記支持部から外径側に延出し前記振動体に摩擦接触する接触部と、を備えることを特徴とする回転型振動波駆動装置。
【請求項３】
前記支持部と前記接触部とが、周方向に均一な厚みで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項４】
前記接触部は、該接触部の変位が内径側よりも外径側が大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項５】
前記接触部は、前記支持部の端部から外形側に延出していることを特徴とする請求項２に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項６】
前記支持部は、前記本体部から延出する第１の支持部と、前記第１の支持部の端部から延出する第２の支持部とを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項７】
前記支持部および前記接触部は、プレス加工により形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項８】
前記接触部の内径側の端部は、前記支持部よりも内径側に突出していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項９】
前記接触部は、前記支持部とは別部材で形成され、該支持部に結合されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項１０】
前記接触部は、前記振動体と接触する側に、少なくとも１つの突起を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項１１】
前記突起は、前記接触部と別部材で形成され、該接触部に結合されていることを特徴とする請求項１０に記載の回転型振動波駆動装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の回転型振動波駆動装置における支持部及び接触部を、少なくとも２つ備え、各々の前記接触部が同心軸上に設けられていることを特徴とする回転型振動波駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁層を有し、
前記第１のゲート電極と重なる領域の前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のゲート電極と重なる領域の前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続される第１のソース電極またはドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続される第２のソース電極またはドレイン電極を有し、
前記第１のソース電極またはドレイン電極は、第１の材料を含む第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の材料を含む第２の導電層とを有し、
前記第２のソース電極またはドレイン電極は、前記第１の材料を含む第３の導電層と、前記第３の導電層上の前記第２の材料を含む第４の導電層とを有し、
前記第１のソース電極またはドレイン電極の一部は、前記第１の酸化物半導体層上に設けられ、
前記第２のソース電極またはドレイン電極の一部は、前記ゲート絶縁層と前記第２の酸化物半導体層との間に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体層に接し、かつ、前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体層に接しておらず、
前記第３の導電層は、前記第２の酸化物半導体層に接し、かつ、前記第４の導電層は、前記第２の酸化物半導体層に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁層を有し、
前記第１のゲート電極と重なる領域の前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のゲート電極と重なる領域の前記ゲート絶縁層上に第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層に電気的に接続される第１のソース電極またはドレイン電極を有し、
前記第２の酸化物半導体層に電気的に接続される第２のソース電極またはドレイン電極を有し、
前記第１のソース電極またはドレイン電極は、第１の材料を含む第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の材料を含む第２の導電層とを有し、
前記第２のソース電極またはドレイン電極は、前記第２の材料を含む第３の導電層を有し、
前記第１のソース電極またはドレイン電極の一部は、前記第１の酸化物半導体層上に設けられ、
前記第２のソース電極またはドレイン電極の一部は、前記ゲート絶縁層と前記第２の酸化物半導体層との間に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体層に接し、かつ、前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体層に接しておらず、
前記第３の導電層は、前記第２の酸化物半導体層に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層の一部は、ｐチャネル型トランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第２の酸化物半導体層の一部は、ｎチャネル型トランジスタのチャネル形成領域として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の材料は前記第１の酸化物半導体層との間のショットキー障壁が０．５ｅＶ以下となる材料であり、
前記第２の材料は前記第２の酸化物半導体層との間のショットキー障壁が０．５ｅＶ以下となる材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の材料は仕事関数が５．０ｅＶより大きい材料であり、
前記第２の材料は仕事関数が４．８ｅＶより小さい材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に第１のゲート電極および第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上の前記第１のゲート電極と重なる領域に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層を覆うように、前記ゲート絶縁層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とを選択的にエッチングして、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続する第１のソース電極またはドレイン電極を形成すると共に、その一部が前記第２のゲート電極と重なる第２のソース電極またはドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁層上の前記第２のゲート電極と重なる領域に、前記第２のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続する第２の酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に第１のゲート電極および第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上の前記第１のゲート電極と重なる領域に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層を覆うように、前記ゲート絶縁層上に第１の導電層を形成し、
前記第２のゲート電極と重なる領域およびその周辺に存在する前記第１の導電層を選択的に除去し、
前記第１の導電層を覆うように、前記ゲート絶縁層上に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とを選択的にエッチングして、前記第１の導電層および前記第２の導電層の積層構造から前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続する第１のソース電極またはドレイン電極を形成すると共に、前記第２の導電層からその一部が前記第２のゲート電極と重なる第２のソース電極またはドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁層上の前記第２のゲート電極と重なる領域に、前記第２のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続する第２の酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第１の酸化物半導体層として、ｐチャネル型トランジスタのチャネル形成領域として機能する酸化物半導体層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層として、ｎチャネル型トランジスタのチャネル形成領域として機能する酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の導電層は前記第１の酸化物半導体層との間のショットキー障壁が０．５ｅＶ以下となる材料を含み、
前記第２の導電層は前記第２の酸化物半導体層との間のショットキー障壁が０．５ｅＶ以下となる材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の導電層は仕事関数が５．０ｅＶより大きい材料を含み、
前記第２の導電層は仕事関数が４．８ｅＶより小さい材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロキシ・モバイル・インターネット・プロトコル（ＰＭＩＰ）ネットワークに属するローカル・モビリティ・アンカ（ＬＭＡ）により実行される方法であって、
（ｉ）インターネット・プロトコル・バージョン４（ＩＰｖ４）ホストとして動作し、（ｉｉ）ホーム・ネットワークとして前記ネットワークに入ることを求める、モバイル・ノード（ＭＮ）のネットワーク・アクセス識別子（ＮＡＩ）を取得し、
（ｉ）前記ネットワーク内に配置され、（ｉｉ）少なくとも１つのネットワーク・アドレス変換（ＮＡＴ）にサービスする、ダイナミック・ホスト構成プロトコル（ＤＨＣＰ）サーバに、ＤＨＣＰ要求を送信することを含み、前記ＤＨＣＰ要求は、ＣｌｉｅｎｔＩＤフィールドを含み、前記ＣｌｉｅｎｔＩＤフィールドは前記ＮＡＩと等しく設定され、前記ＤＨＣＰサーバは、前記ＮＡＩによって決定された特定のＮＡＴにサービスし、さらに、
ＤＨＣＰ  Ａｃｋメッセージのプライベート・ホーム・アドレス（ＨｏＡ）を前記ＤＨＣＰサーバから受信し、そして、
前記プライベートＨｏＡを、プロキシ・バインディング確認応答（ＰＢＡ）メッセージで、前記ＭＮに接続されているモバイル・アクセス・ゲートウェイ（ＭＡＧ）に送信する、ことを含む方法。
【請求項２】
前記ＬＭＡは、プロキシ・バインディング更新（ＰＢＵ）メッセージにおける前記モバイル・ノード（ＭＮ）の前記ＮＡＩを前記ＭＡＧから取得する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モバイル・ノード（ＭＮ）へ及び前記モバイル・ノード（ＭＮ）からパケットを転送するために前記ＭＡＧとＩＰｖ４ジェネラル・ルーティング・カプセル化（ＧＲＥ）トンネルを確立することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記モバイル・ノード（ＭＮ）へ及び前記モバイル・ノード（ＭＮ）からパケットを転送するために前記ＭＡＧとインターネット・プロトコル・バージョン６（ＩＰｖ６）内ＩＰｖ４トンネルを確立することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プライベートＨｏＡは、プライベート・ホーム・ネットワーク・プレフィックスである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素系電解質を主成分として含む基材層と、
前記基材層に積層された層であり、高分子材料を主成分として含む表面層と、
を備え、
前記高分子材料が、水酸基を有する第１高分子と、スルホン酸基またはリン酸基を有する第２高分子とを含み、
前記第１高分子の分子同士が架橋することによってマトリクスを形成しており、
前記マトリクスに前記第２高分子が保持されている、固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項２】
前記マトリクスは、前記第１高分子の分子間に架橋剤由来の架橋構造を備えている、請求項１に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項３】
前記架橋剤は、前記第１高分子の水酸基と反応する官能基を分子内に複数有するものである、請求項２に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項４】
前記架橋剤は、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒドおよびスベロイルクロライドからなる群より選ばれる少なくとも１つである、請求項２に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項５】
前記第１高分子が、ビニル樹脂および／または多糖類である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項６】
前記ビニル樹脂が、ポリビニルアルコールおよび／またはエチレン-ビニルアルコール共重合体である、請求項５に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項７】
前記多糖類が、キチン、キトサンおよびセルロースからなる群より選ばれた少なくとも１つである、請求項５に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項８】
前記第２高分子が、水溶性を有するスルホン化ポリアリーレンである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項９】
前記第２高分子が、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、水溶性スルホン化ポリエーテルエーテルケトンおよび水溶性スルホン化ポリエーテルスルホンからなる群より選ばれた少なくとも１つである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項１０】
前記表面層が、前記基材層を挟むように当該基材層の上面および下面に設けられている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項１１】
前記基材層を構成する炭化水素系電解質が、スルホン化ポリイミドまたはスルホン化ポリアリーレンである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電解質膜と、
前記電解質膜を挟むように配置された一対の電極と、
を備えた、膜−電極接合体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の膜−電極接合体を発電要素として有する、燃料電池。
【請求項１４】
炭化水素系電解質を主成分として含む基材を準備する工程と、
水酸基を有する第１高分子と、スルホン酸基またはリン酸基を有する第２高分子とを含む溶液を調製する工程と、
前記溶液を用いて、前記第１高分子の分子同士を架橋することによって形成されたマトリクスに前記第２高分子が保持された高分子材料を主成分として含む表面層を前記基材上に形成する工程と、
を含む、固体高分子型燃料電池用の電解質膜の製造方法。
【請求項１５】
前記溶液が、前記第１高分子および前記第２高分子の水溶液であり、
前記表面層を形成する工程が、前記水溶液を前記基材に塗布する工程と、前記基材上で、前記第１高分子の分子同士を架橋する工程とを含む、請求項１４に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜の製造方法。
【請求項１６】
前記表面層を形成する工程において、架橋剤を用いて前記第１高分子の分子同士を架橋させる、請求項１４または１５に記載の固体高分子型燃料電池用の電解質膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムの傾斜コイルアセンブリ（５０）を冷却するためのシステムであって、
複数の導体を規定するとともに、その各々が該複数の導体の周回間に配置される複数の中間周回チャンネル（７８、７６）を規定する導体のパターンを備えた第１の表面を有する傾斜コイル（７０、７４）と、
前記中間周回チャンネル（７８、７６）を封止するために前記傾斜コイル（７０、７４）の前記導体のパターンの第１の表面に付着させた封止層（６８、７２）と、
前記中間周回チャンネル（７８、７６）内に配置された冷却用流体と、
を含むシステム。
【請求項２】
前記傾斜コイル（７０）はトランスバースＹ傾斜コイルである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記傾斜コイル（７４）はトランスバースＸ傾斜コイルである、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記傾斜コイルアセンブリ（５０）は内側傾斜コイルアセンブリ（５２）及び外側傾斜コイルアセンブリ（５４）を含み、かつ該内側傾斜コイルアセンブリ（５２）は傾斜コイル（７０、７４）、冷却用流体及び封止層（６８、７２）を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記封止層（６８、７２）はガラス−エポキシから製作されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システムの傾斜コイルアセンブリ（５０）において、複数の導体を規定するとともに、該複数の導体の周回間にある複数の中間周回チャンネル（７８、７６）を規定する導体のパターンを備えた第１の表面を有する傾斜コイル（７０、７４）を冷却するための装置であって、
前記傾斜コイル（７０、７４）の前記第１の表面の導体のパターンにより規定される複数の中間周回チャンネル（７８、７６）内に配置させた少なくとも１つの冷却用チューブ（８２、８４）を備える装置。
【請求項７】
前記傾斜コイル（７０）はトランスバースＹ傾斜コイルである、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記傾斜コイル（７４）はトランスバースＸ傾斜コイルである、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの冷却用チューブ（８２、８４）は前記中間周回チャンネル（７８、７６）に対してエポキシを用いて結合されている、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの冷却用チューブ（８２、８４）は薄壁の冷却用チューブである、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーレジストが成膜された第１フィルタ領域と、
前記第１フィルタ領域よりも光の透過率の高い高透過率領域を含む第２フィルタ領域と、
前記第１フィルタ領域を透過する光の透過量を印加される電圧により制御する第１画素電極と、
前記第２フィルタ領域を透過する光の透過量を印加される電圧により制御する第２画素電極と、
前記第１画素電極への階調電圧の印加を制御する第１画素トランジスタと、
前記第２画素電極への階調電圧の印加を制御する第２画素トランジスタと、を備え、
前記第１画素電極と前記第２画素電極とは、それぞれ前記第１画素トランジスタ及び前記第２画素トランジスタにより独立に階調電圧の印加が制御される、ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１画素トランジスタ及び前記第２画素トランジスタの制御において、明るい画面表示を行なうことを優先する輝度優先モードと、画面の書換時の液晶組成物の応答を優先する応答速度優先モードとを有し、
前記第２画素電極に印加される電圧の制御は、前記応答速度優先モードと、前記輝度優先モードとで異なる、ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記応答速度優先モードでは、前記第２画素電極には、常に黒を表示するための階調電圧が印加される、ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記応答速度優先モードでは、前記第２画素電極に設定される電圧範囲は、前記輝度優先モードで設定される前記電圧範囲より狭い範囲である、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタのゲート信号には、高い周波数のゲート信号が印加され、
前記輝度優先モードでは、前記第２画素電極に対して２回連続で同じ階調電圧を印加し、
前記応答速度優先モードでは、前記第２画素電極には、黒を表示するための階調電圧と、画像表示のための階調電圧とが順に印加される、ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記高透過率領域は、前記第１フィルタ領域に成膜された前記カラーレジストと同じ前記カラーレジストが、前記第１フィルタ領域の前記カラーレジストよりも薄く成膜されることにより形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２フィルタ領域は、表示面と平行な面に投影した視野において、前記第１フィルタ領域に成膜された前記カラーレジストと同じカラーレジストが、前記高透過率領域を囲むように、前記第１フィルタ領域と同じ厚さで成膜されることにより形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２フィルタ領域は、ブラックマトリクスを介して、前記第１フィルタ領域に隣接して配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２フィルタ領域の数は、前記第１フィルタ領域の数と同数であり、すべての前記第１フィルタ領域は対応する前記第２フィルタ領域を有している、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色剤と、樹脂と、有機溶剤とを含むカラーフィルタ用着色組成物において、
該着色剤が、酸性染料とカチオン部分の分子量が１９０〜９００の範囲である四級アンモニウム塩化合物とからなる造塩化合物（Ａ）を含み、
該有機溶剤が、７６０ｍｍＨｇにおける沸点が１２０〜２１０℃でありかつ溶解度パラメータ（＝ＳＰ値）が８．８（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２以上１３．０（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２未満の有機溶剤（Ｓ）を含み、
全溶剤量を基準としたときの有機溶剤（Ｓ）の含有量が、５〜１００重量％であることを特徴とするカラーフィルタ用着色組成物。
【請求項２】
有機溶剤（Ｓ）が、溶解度パラメータ（＝ＳＰ値）８．８（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２以上９．７（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２未満の有機溶剤（Ｓ１）を含むことを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ用着色組成物。
【請求項３】
有機溶剤（Ｓ）が、溶解度パラメータ（＝ＳＰ値）９．７（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２以上１３．０（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２未満の有機溶剤（Ｓ２）を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のカラーフィルタ用着色組成物。
【請求項４】
カチオン部分の分子量が１９０〜９００の範囲である四級アンモニウム塩化合物が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載のカラーフィルタ用着色組成物。
一般式（１）
【化１】
2012008421.tif 000001
［一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基またはベンジル基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも２つ以上がＣの数が５〜２０個である。Ｙ−は無機または有機のアニオンを表す。］
【請求項５】
着色剤が、さらにフタロシアニン系顔料および／またはトリアリールメタン系レーキ顔料を含むことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載のカラーフィルタ用着色組成物。
【請求項６】
基板上に、請求項１〜５いずれか１項に記載のカラーフィルタ用着色組成物を用いて形成されたフィルタセグメントを具備することを特徴とするカラーフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、撮影者のズーム操作に応じてズームレンズを移動させて光学的な変倍動作を行うズーム手段と、光学機器に加わる振れを検出する振れ検出手段と、前記振れに起因する画像の揺れを低減する像揺れ補正手段と、前記振れ検出手段による検出結果に基づいて前記像揺れ補正手段の移動目標位置を算出する算出手段と、
前記ズーム手段の駆動時の外乱の大きさを推定する外乱推定手段と、前記外乱推定手段により推定される外乱の大きさを示す外乱振動推定値が大きくなるほど、前記像揺れ補正の追従性を下げるように前記算出手段の特性を変更する特性変更手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、ズームモータ等の駆動による振動や磁気ノイズなどの外乱の大きさに応じて光学機器の振れ検出を精度良く行うことができ、過剰な補正動作による補正効果の低下を防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光学機器の概略構成を示すブロックである。
【図２】本発明の第１の実施形態における防振制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図２の防振制御部における防振制御動作の流れを示すフローチャートである。
【図４】シフトレンズ位置制御部とレンズ外乱推定部の制御系の概略を示すブロック線図である。
【図５】（ａ）は推定した振動加速度の信号波形、（ｂ）は振動加速度を絶対値変換した信号の波形、（ｃ）はＬＰＦを付加することで推定した外乱ｄの波形である。
【図６】（ａ）はフィルタカットオフ周波数と所定の閾値αとの関係を示す図、（ｂ）はズーム時の外乱振動に対する所定の閾値αの関係を示す図、（ｃ）はフィルタカットオフ周波数ｆｃを適用した場合のズーム時の外乱振動の波形の変化を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における防振制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の第３の実施形態における防振制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第４の実施形態における防振制御部の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態における防振制御部の概略構成を示すブロック図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影者のズーム操作に応じてズームレンズを移動させて光学的な変倍動作を行うズーム手段と、
光学機器に加わる振れを検出する振れ検出手段と、
前記振れに起因する画像の揺れを低減する像揺れ補正手段と、
前記振れ検出手段による検出結果に基づいて前記像揺れ補正手段の移動目標位置を算出する算出手段と、
前記ズーム手段の駆動時の外乱の大きさを推定する外乱推定手段と、
前記外乱推定手段により推定される外乱の大きさを示す外乱振動推定値が大きくなるほど、前記像揺れ補正の追従性を下げるように前記算出手段の特性を変更する特性変更手段とを備えることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記算出手段は、カットオフ周波数を変更可能なフィルタを含み、
前記特性変更手段は、前記外乱推定手段により推定される外乱の大きさを示す外乱振動推定値が大きくなるほど、前記算出手段に含まれるフィルタのカットオフ周波数を上げることを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記外乱推定手段は、前記像揺れ補正手段に加わる力外乱を推定し、推定した力外乱を前記外乱振動推定値として設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項４】
前記外乱推定手段は、前記ズーム手段のモータに加わる力外乱を推定し、推定した力外乱を前記外乱振動推定値として設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項５】
前記外乱推定手段は、前記振れ検出手段の出力信号を用いて前記外乱振動推定値を算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項６】
ズームレンズの位置を検出するズーム位置検出手段を更に備え、
前記外乱推定手段は、前記ズーム位置検出手段により検出されたズーム位置とあらかじめ記憶された前記ズーム速度と前記ズーム手段の駆動時の外乱の大きさとの関係から前記外乱振動推定値を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項７】
前記ズーム位置検出手段による検出結果からズーム速度を算出するズーム速度算出手段を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の光学機器。
【請求項８】
撮像手段から取り込んだ画像情報から動きベクトルを算出する動きベクトル算出手段と、
ズームレンズの位置を検出するズーム位置検出手段と、
前記ズーム位置検出手段による検出結果からズーム速度を算出するズーム速度算出手段と、
前記ズーム位置検出手段により検出されたズーム位置と前記ズーム速度算出手段により算出されたズーム速度から前記ズーム手段の駆動中の動きベクトルを予測する動きベクトル予測手段とを更に有し、
前記外乱推定手段は、前記動きベクトル算出手段による動きベクトル算出値と前記動きベクトル予測手段による動きベクトル予測値との差の大きさに基づいて、前記外乱振動推定値を設定することを特徴とする請求項７に記載の光学機器。
【請求項９】
撮影者のズーム操作に応じてズームレンズを移動させて光学的な変倍動作を行うズーム手段と、光学機器に加わる振れを検出する振れ検出手段と、前記振れに起因する画像の揺れを低減する像揺れ補正手段と、前記振れ検出手段による検出結果に基づいて前記像揺れ補正手段の移動目標位置を算出する算出手段とを備える光学機器の制御方法であって、
前記ズーム手段の駆動時の外乱の大きさを推定する外乱推定工程と、
前記外乱推定工程にて推定される外乱の大きさを示す外乱振動推定値が大きくなるほど、前記像揺れ補正の追従性を下げるように前記算出手段の特性を変更する特性変更工程とを備えることを特徴とする光学機器の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月19日(2013.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力して該画像データに基づいた映像を表示部に表示させる画像処理装置であって、
各フレームの画像データに対し該画像データの値に応じた補正を施して補正画像データを出力する補正手段と、
前記補正手段から出力された補正画像データからゲインを算出し、該ゲインを用いて映像全体の輝度を調整する輝度調整手段と、
映像シーンの変化を検出する検出手段と、
を有し、
前記輝度調整手段は、
前記補正画像データから第１のゲインを算出して、該第１のゲインを前記補正手段に入力される前の画像データに乗算する第１の輝度調整手段と、
前記検出手段によって映像シーンの変化が検出された場合に、前記補正画像データから算出される第１のゲインと、当該補正画像データの補正前の画像データに対して乗算された第１のゲインとの差に基づき、その差を補正するための第２のゲインを算出して、該第２のゲインを当該補正画像データに乗算する第２の輝度調整手段とを有する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第２の輝度調整手段は、前記補正画像データから算出される第１のゲインの値を、当該補正画像データの補正前の画像データに対して乗算された第１のゲインの値で除算することにより、前記第２のゲインを算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第２の輝度調整手段は、前記第２のゲインの値が１よりも小さい場合にのみ、前記第２のゲインを前記補正画像データに乗算する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記補正手段は、入力される画像データの値に対して非線形な出力特性をもつ補正を行うことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
複数フレームの画像データから１つの映像が構成されている場合に、前記輝度調整手段
は、１つの映像を構成する複数フレームの画像データに対して同じ値のゲインを乗算することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１の輝度調整手段は、
フレーム間での第１のゲインの変動を抑制するために、前記補正画像データから算出した第１のゲインに対してフィルタ処理を行う機能を有しており、
前記検出手段によって映像シーンの変化が検出された場合は、前記フィルタ処理を行わない
ことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像データを入力して該画像データに基づいた映像を表示部に表示させる画像処理装置の制御方法であって、
各フレームの画像データに対し該画像データの値に応じた補正を施して補正画像データを出力するステップと、
前記補正画像データからゲインを算出し、該ゲインを用いて映像全体の輝度を調整するステップと、
映像シーンの変化を検出するステップと、
を有し、
前記輝度を調整するステップは、
前記補正画像データから第１のゲインを算出して、該第１のゲインを補正前の画像データに乗算する第１の輝度調整ステップと、
映像シーンの変化が検出された場合に、前記補正画像データから算出される第１のゲインと、当該補正画像データの補正前の画像データに対して乗算された第１のゲインとの差に基づき、その差を補正するための第２のゲインを算出して、該第２のゲインを当該補正画像データに乗算する第２の輝度調整ステップとを有する
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、
前記面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して、前記面取り面を露出させる工程と、
前記外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、
を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記面取り面を露出させる工程および前記堆積膜の表面を研磨する工程を同一の研磨装置に前記基体をセットして実施し、かつ、前記研磨装置から前記基体を取り外すことなく前記面取り面を露出させる工程および前記堆積膜の表面を研磨する工程を順次実施する請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記面取り面を露出させる工程の際、前記基体の長手方向の断面で見たときに、前記堆積膜が除去された前記面取り面と前記外周面に形成された前記堆積膜とが直線をなすように、前記外周面に形成された前記堆積膜の一部も除去する請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記面取り面を露出させる工程の際、前記基体の長手方向の断面で見たときに、前記堆積膜が除去された前記面取り面と前記外周面に形成された前記堆積膜とが連続した曲面をなすように、前記外周面に形成された前記堆積膜の一部を除去し、かつ、前記基体の一部を研削する請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、円筒状の基体の外周面および面取り面に堆積膜を形成する工程と、前記面取り面に形成された堆積膜を前記面取り面の全周にわたって除去して、前記面取り面を露出させる工程と、前記外周面に形成された堆積膜の表面を研磨する工程と、を順次実施することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。面取り面は基体の外周面と端面との間に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（２）面取り面膜除去工程（ステップＳ２）
面取り面膜除去工程（面取り面を露出させる工程）では面取り面４に形成された堆積膜を面取り面４の全周にわたって除去して基体の表面（面取り面４）を露出させる。面取り面膜除去工程は外周面研磨工程の前に実施することが重要である。工程順序をこのようにすることにより、外周面の研磨時に面取り面から剥離した堆積膜が外周面の堆積膜最表面を傷つけることを抑制できる。また、面取り面の堆積膜を全周にわたって除去するので本発明の感光体を電子写真装置で使用している最中に面取り面から剥離した堆積膜が電子写真感光体の外周面を傷つけて画像欠陥を生起するということも抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、後述する研磨装置を使用して面取り面膜除去工程および外周面研磨工程（堆積膜の表面を研磨する工程）を同一の研磨装置で基体を取り外すことなく連続的に実施してもよい。この方法によればそれぞれの工程のための専用装置を必要としないので生産装置のコスト上昇を抑制できる。また面取り面膜除去工程から外周面研磨工程へ移行する際に、面取り面膜除去用の研磨装置から外周面研磨用の研磨装置へ基体を移動させる必要がないので生産性を低下させることがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
面取り面４に形成された堆積膜を面取り面の全周にわたって除去して面取り面を露出させる方法として、物理的な方法と化学的な方法を用いることができる。物理的な方法として砥石、スポンジ研磨剤、サンドペーパー、研磨フィルム、金属やすりなどの研削材を用いた研削、バイトを用いた旋削、ビーズなどを吹き付けるブラストなどの方法を利用することができる。化学的な方法としてエッチングガスを用いたドライエッチングを利用することができる。また物理的な方法と化学的な方法を併用する化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
面取り面４に形成された堆積膜を面取り面の全周にわたって除去して面取り面を露出させる方法として砥石を用いる場合に用いる研磨装置の一例を以下に示す。図４（Ａ）は研磨装置の模式的な断面図、図４（Ｂ）はその上面図である。研磨装置３０は基体１の面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去するための砥石３１と外周面に形成された球状突起を研磨して除去するための研磨テープ３３を備えている。
砥石３１は基体１の面取り面に沿うように砥石ホルダ３２に保持されている。面取り面の堆積膜を全周にわたって研削して除去する際には砥石３１が加圧機構４３によって基体の面取り面に押し当てられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
面取り面膜除去工程終了時の基体の状態を示す断面図を図２（Ｃ）に示す。面取り面４に形成された堆積膜は研削されて除去され、周方向の全周にわたって基体１が露出している。図２（Ｃ）に示すように、基体の長手方向の断面で見たときに、堆積膜が除去された面取り面４と外周面に形成された堆積膜の端面５ａとが直線をなすように外周面に形成された堆積膜の一部も研削されて除去されている。面取り面膜除去工程は面取り面４が露出した時点で終了してもよいし、研削をさらに進めて基体１まで研削してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
＜実施例２＞
面取り面を露出させる工程の際、基体の長手方向の断面で見たときに、堆積膜が除去された面取り面と外周面に形成された堆積膜とが連続した曲面をなすように、外周面に形成された堆積膜の一部を除去し、かつ、基体の一部を研削するようにした。堆積膜が除去された面取り面と外周面に形成された堆積膜とが連続した曲面をなすようにしたほかは実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。図６に示すように連続した曲面はその断面がほぼ楕円形状であり、長軸の長さＡが２ｍｍ、短軸の長さＢが１ｍｍとなるように砥石３１の表面形状を加工したものを用いて堆積膜５および基体の面取り面４を研削した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、記録媒体に画像を形成する画像形成装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明の画像形成装置は、複数の原稿から画像情報を連続して読み取る画像読取部と、前記画像読取部により読み取られた第１の原稿の画像情報に基づく画像を、第１の速度で記録媒体上に形成する画像形成部とを備え、前記画像形成部は、前記画像読取部が前記第１の原稿の後続の第２の原稿の画像情報の読み取りを終了する前に、前記第１の原稿の画像情報に基づく画像の形成が終了した場合は、前記画像形成部を前記第１の速度より遅い第２の速度に減速することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の原稿から画像情報を連続して読み取る画像読取部と、
前記画像読取部により読み取られた第１の原稿の画像情報に基づく画像を、第１の速度で記録媒体上に形成する画像形成部とを備え、
前記画像形成部は、前記画像読取部が前記第１の原稿の後続の第２の原稿の画像情報の読み取りを終了する前に、前記第１の原稿の画像情報に基づく画像の形成が終了した場合は、前記画像形成部を前記第１の速度より遅い第２の速度に減速することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成部には、像担持体が設けられており、
前記第１及び第２の速度は、前記像担持体の回転速度又は表面速度であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像形成部には、中間転写ベルトが設けられており、
前記第１及び第２の速度は、前記中間転写ベルトの表面速度であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像読取部には、原稿搬送部が設けられており、
前記原稿搬送部による原稿の搬送速度が、前記第１の速度より遅いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像形成部には、前記画像読取部からの前記画像情報を画像処理する画像処理制御部と、前記画像の形成を制御する画像形成制御部とが設けられており、
前記画像処理制御部は、前記画像情報の読み取りが終了間際であると判断した場合に、前記画像形成制御部に画像形成開始コマンドを送信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記画像形成部には、前記画像読取部からの前記画像情報を画像処理する画像処理制御部と、前記画像の形成を制御する画像形成制御部とが設けられており、
前記画像処理制御部は、前記画像情報が最終原稿の画像情報であると判断した場合に、前記画像形成制御部に最終原稿コマンドを送信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像情報が最終原稿の画像情報である場合は、前記画像形成部を前記第２の速度に減速せずに停止させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月16日(2013.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなり、
前記上層は、層中の遷移金属の含有量が１０原子％以下であり、
前記下層は、透光性基板に接して形成されており、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が１．０以上２０．０以下であることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記下層は、層中の窒素および酸素の合計含有量が１０原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記下層は、層中の遷移金属の含有量を遷移金属とケイ素の合計含有量で除した比率が１４％以上、３５％以下であることを特徴とする請求項２に記載のマスクブランク。
【請求項４】
前記上層は、層中の窒素および酸素の合計含有量が３０原子％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記遮光膜は、膜厚が６５ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項６】
前記上層は、膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項７】
前記遮光膜の上面には、エッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜は、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、該エッチングマスク膜中のクロムの含有量が５０原子％未満であり、かつ、膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項８】
前記下層は、層中の酸素の含有量が１０原子％未満であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項９】
前記下層は、さらに炭素および水素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項１０】
前記遮光膜は、２．３以上の光学濃度を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。
【請求項１２】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上に転写パターンが形成された遮光膜を有してなる転写用マスクであって、
前記遮光膜は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなり、
前記上層は、層中の遷移金属の含有量が１０原子％以下であり、
前記下層は、透光性基板に接して形成されており、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が１．０以上２０．０以下であることを特徴とする転写用マスク。
【請求項１３】
前記下層は、層中の窒素および酸素の合計含有量が１０原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする請求項１２に記載の転写用マスク。
【請求項１４】
前記下層は、層中の遷移金属の含有量を遷移金属とケイ素の合計含有量で除した比率が１４％以上、３５％以下であることを特徴とする請求項１３に記載の転写用マスク。
【請求項１５】
前記上層は、層中の窒素および酸素の合計含有量が３０原子％以上であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の転写用マスク。
【請求項１６】
前記下層は、層中の酸素の含有量が１０原子％未満であることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の転写用マスク。
【請求項１７】
前記下層は、さらに炭素および水素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料からなることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の転写用マスク。
【請求項１８】
前記遮光膜は、２．３以上の光学濃度を有することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の転写用マスク。
【請求項１９】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対してフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有し、
前記欠陥修正工程は、前記遮光膜の下層のエッチング時に水または酸化物系流体を供給して該下層のエッチングレートを低下させることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
しかし、前述したように、ＡＡＣＳの規定は、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（登録商標）等のディスク記録コンテンツを利用制御対象として想定しているものであり、ＵＳＢメモリなどを含むフラッシュメモリタイプ等のメモリカードに記録されるコンテンツについては十分な利用制御に関する規定がないという問題がある。