【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
該半導体チップの電極に形成されたバンプの側面を埋めるように形成された封止樹脂部と、
該封止樹脂部の上面に形成された再配線パターンと、
前記封止樹脂部の上面と前記再配線パターン上で、外部接続端子用パッドを除く部分に形成されたソルダレジスト層と、
前記封止樹脂部中に埋め込まれ、前記半導体チップを包囲するように枠形状を有する補強部材と
を有し、
前記補強部材の下面は、前記封止樹脂部の裏面から露出し、且つ前記半導体チップの背面と同一平面であることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体パッケージであって、
前記補強部材はシリコンにより形成されたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
複数の半導体チップを、互いに離間して整列した状態で、電極面を上にして支持体上の凹部に搭載し、
前記半導体チップを前記支持体上で絶縁樹脂により封止して封止樹脂部を形成し、
前記封止樹脂部の上面に再配線パターンを形成し、
前記再配線パターン上に外部接続端子を形成し、
前記支持体の補強部材を残して、前記支持体の前記凹部の底面を前記封止樹脂部からバックグラインドにより除去し、
前記半導体チップの背面が露出し、前記支持体の前記凹部の内側面を形成していた前記支持体の一部が前記半導体チップの周囲に枠状に残っている状態で前記バックグラインドを止め、
前記補強部材の外側に沿って前記封止樹脂部を切断し個片化する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体パッケージの製造方法であって、
シリコンウェハの表面に、前記複数の半導体チップを個別に収容する前記凹部を形成することで前記支持体を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記シリコンウェハにマスクを施してからウェットブラスト処理することにより前記凹部を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のうちいずれか一項記載の半導体パッケージの製造方法であって、
前記複数の半導体チップを前記支持体の前記凹部に搭載してから、前記半導体チップの電極上にメタルバンプを形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施態様によれば、半導体チップと、該半導体チップの電極に形成されたバンプの側面を埋めるように形成された封止樹脂部と、該封止樹脂部の上面に形成された再配線パターンと、前記封止樹脂部の上面と前記再配線パターン上で、外部接続端子用パッドを除く部分に形成されたソルダレジスト層と、前記封止樹脂部中に埋め込まれ、前記半導体チップを包囲するように枠形状を有する補強部材とを有し、前記補強部材の下面は、前記封止樹脂部の裏面から露出し、且つ前記半導体チップの背面と同一平面であることを特徴とする半導体パッケージが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の実施態様によれば、複数の半導体チップを、互いに離間して整列した状態で、電極面を上にして支持体上の凹部に搭載し、前記半導体チップを前記支持体上で絶縁樹脂により封止して封止樹脂部を形成し、前記封止樹脂部の上面に再配線パターンを形成し、前記再配線パターン上に外部接続端子を形成し、前記支持体の補強部材を残して、前記支持体の前記凹部の底面を前記封止樹脂部からバックグラインドにより除去し、前記半導体チップの背面が露出し、前記支持体の前記凹部の内側面を形成していた前記支持体の一部が前記半導体チップの周囲に枠状に残っている状態で前記バックグラインドを止め、前記補強部材の外側に沿って前記封止樹脂部を切断し個片化することを特徴とする半導体パッケージの製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
まず、本発明による製造方法が適用可能なファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージの構成について簡単に説明する。図１はファンアウト型のチップサイズ半導体パッケージの断面図である。シリコンよりなる半導体チップ１の回路形成面及び側面は封止樹脂２により覆われている。半導体チップ１の電極１ａは、封止樹脂２上に形成された再配線パターン３に接続され、再配線パターン３上に外部接続端子としてはんだバンプ４が形成されている。はんだバンプ４が接合された部分以外の再配線パターン３はソルダレジスト５により覆われている。封止樹脂２は半導体チップ１の周囲に延在し、その部分まで再配線パターン３が形成されることで、はんだバンプ４を半導体チップ１より外側の領域に配置することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ダミーウェハ２０上にドライフィルムジストを形成してからパターニングすることで、図３（ｂ）に示すようにマスク２２を形成する。続いて、ダミーウェハ２０の表面（マスク２２が設けられた側）にウェットブラスト処理を施す。マスク２２が形成された部分以外の部分がウェットブラストにより除去され、図３（ｃ）に示すようにダミーウェハ２０の表面に凹部２０ａが形成される。続いて、ドライレフィルムジストによるマスク２２をダミーウェハ２０から剥離し、図３（ｄ）に示すようにシリコンよりなる支持体２４が完成する。支持体２４の凹部２０ａの各々は、図２に示す個片化された半導体チップ１２を収容することができる形状及び大きさである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
続いて、図７に示すように、封止樹脂部３０の上面に再配線層として例えば銅よりなる再配線パターン３２を、既知のセミアディティブ法を用いて形成する。再配線パターン３２は、半導体チップ１２の外側まで延在した封止樹脂部３０まで延在している。そして、図８に示すように、再配線パターン３２上にソルダレジスト３４を形成する。ソルダレジスト３４は、外部接続用パッドとなる部分には設けられず、その部分では再配線パターン３２が露出して外部接続用パッドとなっている。そこで、図９に示すように、再配線パターン３２がソルダレジスト３４から露出した外部接続用パッド上に、外部接続用端子としてはんだバンプ３６を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
その後、図１０において点線で示すラインに沿って封止樹脂部３０をダイシング等で切断し、図１１に示すように、封止樹脂部３０の内部に半導体チップ１２が封止された半導体パッケージ４０を個片化する。図１２は半導体パッケージ４０の裏面を示す平面図である。半導体パッケージ４０の裏面には、中央部分に半導体チップ１２の背面が露出している。封止樹脂部３０は半導体チップ１２の外側まで延在し、その部分で図１１に示すように封止樹脂部３０の表面側にはんだバンプ３６が形成され、はんだバンプ３６以外の部分はソルダレジスト３４により覆われている。これにより、半導体パッケージ４０はファンアウト型の半導体パッケージとして形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１，１２  半導体
１ａ  電極
２，３０  封止樹脂部
３  再配線パターン
４  はんだバンプ
５  ソルダレジスト
１０  シリコンウェハ
１２  半導体チップ
１２ａ  電極
１４  メタルバンプ
１６  ダイアタッチフィルム
２０  ダミーウェハ
２０ａ  凹部
２２  マスク
２４  支持体
３０  封止樹脂部
３２  再配線パターン
３４  ソルダレジスト
３６  はんだバンプ
４０  半導体パッケージ