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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月13日(2013.11.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波変換器と超音波変換器保持部（３）とから成る、測定装置ケーシング（１）内に組み込むセットであって、
超音波変換器は変換器ケーシング（２）を有し、かつ組込み状態において送信側及び／又は受信側において、測定装置ケーシング（１）内を占める媒体圧で負荷可能である、超音波変換器と超音波変換器保持部（３）とから成る、測定装置ケーシング（１）内に組み込むセットにおいて、
変換器ケーシング（２）及び超音波変換器保持部（３）は、少なくとも間接的に共通の接触面（６）を有し、
変換器ケーシング（２）及び超音波変換器保持部（３）は、共通の接触面（６）の領域において、予負荷手段（１４）により、１０ＭＰａよりも小さく、０．００１ＭＰａよりも大きい面圧によって互いに押圧されていて、
予負荷手段（１４）は、測定装置ケーシング（１）内の媒体圧により弛緩されるように構成されていてかつ設けられていることを特徴とする、超音波変換器と超音波変換器保持部（３）とから成る、測定装置ケーシング（１）内に組み込むセット。
【請求項２】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、７ＭＰａよりも小さいことを特徴とする、請求項１記載のセット。
【請求項３】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、６ＭＰａよりも小さいことを特徴とする、請求項２記載のセット。
【請求項４】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、５ＭＰａよりも小さいことを特徴とする、請求項３記載のセット。
【請求項５】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、０．００５ＭＰａよりも大きいことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか一項記載のセット。
【請求項６】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、０．０１ＭＰａよりも大きいことを特徴とする、請求項５記載のセット。
【請求項７】
予負荷手段（１４）に起因する面圧は接触面（６）において、０．０５ＭＰａよりも大きいことを特徴とする、請求項６記載のセット。
【請求項８】
第１の保持エレメント（３ａ）と、第２の保持エレメント（３ｂ）とは、超音波変換器保持部（３）に属していて、変換器ケーシング（２）は第１の保持エレメント（３ａ）に侵入し、第１の保持エレメント（３ａ）の一方の側に設けられている第１の保持エレメント（３ａ）のショルダ（１１）と、変換器ケーシング（２）のショルダ（１２）とは相対しており、第１の保持エレメント（３ａ）の他方の側の領域において第２の保持エレメント（３ｂ）は、変換器ケーシング（２）に結合されており且つ第１の保持エレメント（３ａ）にロック式に相対していることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか一項記載のセット。
【請求項９】
第２の保持エレメント（３ｂ）は、形状接続式に作用するロッキングリングであることを特徴とする、請求項８記載のセット。
【請求項１０】
予負荷手段（１４）は第１の保持エレメント（３ａ）と第２の保持エレメント（３ｂ）との間に設けられており、第１の保持エレメント（３ａ）に支持される一方で、第２の保持エレメント（３ｂ）又は変換器ケーシング（２）に支持されることを特徴とする、請求項８又は９記載のセット。
【請求項１１】
予負荷手段（１４）はばね座金であることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか一項記載のセット。
【請求項１２】
第１の保持エレメント（３ａ）と、第２の保持エレメント（３ｂ）とは、超音波変換器保持部（３）に属し、組立て状態において第１の保持エレメント（３ａ）と第２の保持エレメント（３ｂ）との間に、自由スペース（９）を形成し、該自由スペース（９）に変換器ケーシング（２）の区分（１０）が係合し、変換器ケーシング（２）の区分（１０）は、合成圧力負荷の方向（Ｐ）及び該方向（Ｐ）とは逆方向で、間接的に又は直接的に第１の保持エレメント（３ａ）と第２の保持エレメント（３ｂ）とに支持されることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか一項記載のセット。
【請求項１３】
第１の保持エレメント（３ａ）と、第２の保持エレメント（３ｂ）とは、超音波変換器保持部（３）に属し、第１の保持エレメント（３ａ）は切欠きを備えた、測定機器ケーシング（１）の区分から形成されており、変換器ケーシング（２）は測定機器ケーシング（１）の切欠き内に挿入可能であり、第２の保持エレメント（３ｂ）は測定機器ケーシング（１）の区分の切欠き内に挿入可能で且つ測定機器ケーシング（１）の、切欠きを有する区分に結合可能なスリーブから形成されていることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか一項記載のセット。
【請求項１４】
変換器ケーシング（２）と超音波変換器保持部（３）とは互いに結合された状態において、合成圧力負荷の方向（Ｐ）で間隙（１５）により互いに離間されており、間隙（１５）には少なくとも１つの音響的な分離エレメント（７ａ）が配置されていることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか一項記載のセット。
【請求項１５】
変換器ケーシング（２）と超音波変換器保持部（３）との間の間隙（１５）に少なくとも２つの音響的な分離エレメント（７ａ，７ｂ，７ｃ）が配置されていることを特徴とする、請求項１４記載のセット。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
好ましくは、予負荷手段はばね座金として形成されており、特に湾曲されたばね座金として形成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
予負荷手段１４が第１の保持エレメント３ａと第２の保持エレメント３ｂとの間に設けられている別の実施の形態において、予負荷手段１４は一方で第１の保持エレメント３ａにおいて支持されており、他方で変換器ケーシング２に直接支持されている。しかしこの実施の形態は記載されていない。図４では予負荷手段１４はばね座金として形成されていて、この実施の形態では湾曲されたばね座金として形成されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図４】
2010081579.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】超音波変換器と超音波変換器保持部とから成るセット
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極を有し、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む酸化物半導体層を有し、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記Ｓｉ元素濃度は段階的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記Ｓｉ元素濃度は連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート電極を有し、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む酸化物半導体層を有し、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の膜厚方向における前記ゲート電極に近い側に、第１の酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の膜厚方向における前記ゲート電極に遠い側に、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、一定濃度のＳｉ元素を含み、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極を有し、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む酸化物半導体層を有し、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の膜厚方向における前記ゲート電極に近い側に、第１の酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の膜厚方向における前記ゲート電極に遠い側に、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含まず、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層はインジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層はガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月24日(2012.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の不純物半導体層と、
前記不純物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、
少なくとも前記半導体層を覆う保護層と、を有し、
前記半導体層は、結晶性半導体層と、バッファ層と、を有し、
前記結晶性半導体層は、前記ゲート絶縁層に接しており、
前記バッファ層は、前記結晶性半導体層よりもキャリア移動度が小さく、前記不純物半導体層に接しており、
前記ゲート絶縁層及び前記保護層は、前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分を含む絶縁材料を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の不純物半導体層と、
前記不純物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、
少なくとも前記半導体層を覆う保護層と、を有し、
前記半導体層は、結晶性半導体層と、一対のバッファ層と、を有し、
前記結晶性半導体層は、前記ゲート絶縁層に接し、且つ前記保護層と接する領域を有し、
前記一対のバッファ層は、前記結晶性半導体層よりもキャリア移動度が小さく、前記不純物半導体層に接し、前記保護層と接する領域を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記保護層は、前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分を含む絶縁材料を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、
前記結晶性半導体層は、前記一対のバッファ層及び前記保護層に接する側に頂点を有する錐形状の突起を複数有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分は、水酸基であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分を含む絶縁材料は、珪酸エチルを用いて形成された酸化シリコンであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法による結晶性半導体膜の作製方法であって、
希釈ガスに対する堆積性ガスの流量比を４０倍以上５０倍以下とし、成膜圧力を１Ｐａ−１０１３２５Ｐａとし、プラズマ発生周波数を１３ＭＨｚ−１００ＭＨｚとする第１の工程と、
前記希釈ガスに対する前記堆積性ガスの流量比を８０倍以上２００倍以下とし、成膜圧力を１Ｐａ−１０１３２５Ｐａとし、プラズマ発生周波数を１３ＭＨｚ−１００ＭＨｚとする第２の工程と、を有し、
前記第１の工程の後に前記第２の工程を行うことを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の工程における成膜速度は５ｎｍ／分以上であり、
前記第１の工程における成膜時間は１分以上であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
＜第２の回路部材＞
前記第２の回路部材は、前記第１の回路部材の配線材と対向する面に配線材又は電極が形成されたものであり、例えば配線材を有するフレキシブル基板、ＩＣチップなどが挙げられる。
前記第２の回路部材の配線材又は電極としては、例えば、ＮｉＳｎメッキが施されたＣｕ、ＮｉＡｕメッキが施されたＣｕなどが挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記第１の回路部材の配線材としては、例えばアルミニウム、クロム、チタン、銅、モリブデン等の金属；ＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物（透明電極材料）などが挙げられ、１種又は２種以上の金属、金属酸化物（透明電極材料）を積層させてもよい。
前記絶縁膜としては、例えばＳｉＮｘ、その他有機系絶縁膜などが挙げられる。
前記第２の回路部材の配線材又は電極としては、例えば、ＮｉＳｎメッキが施されたＣｕ、ＮｉＡｕメッキが施されたＣｕなどが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＲＦＩＤタグ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レギュレータ回路を有する半導体集積回路と、
前記半導体集積回路の少なくとも表面に設けられた支持体と、
前記支持体を介して、前記半導体集積回路の少なくとも表面に設けられた遮蔽体と、を有し、
前記レギュレータ回路は、
第１の端子と、
前記第１の端子に対して電位差を有する第２の端子と、
バイパスコンデンサを有するバイアス回路と、
電圧レギュレータと、を有し、
前記バイアス回路は、第１乃至第４のトランジスタ、抵抗、及びバイパスコンデンサを有し、
前記電圧レギュレータは、前記第１の端子と電気的に接続され、
前記電圧レギュレータは、前記第２の端子と電気的に接続され、
前記電圧レギュレータは、前記バイアス回路と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、ゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第２の端子と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第２の端子と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、ゲートが前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、ゲートが前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１の端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、ゲートが前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記抵抗は、一方の端子が前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、他方の端子が前記第１の端子と電気的に接続され、
前記バイパスコンデンサは、前記第１乃至第４のトランジスタのゲートの少なくとも一つに接続されているノードと、前記第１の端子又は前記第２の端子と、の間に設けられていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
請求項１において、
前記支持体は、樹脂膜、又は、繊維に樹脂を含浸させた構造体であることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記遮蔽体は、導電性材料によって設けられていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記バイパスコンデンサは、前記バイパスコンデンサが設けられたノードと前記遮蔽体との間に生ずる寄生容量よりも大きな容量値を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第６のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第６のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、且つゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第６のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第７のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、ゲートが前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続された第８のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置と、
筐体、スピーカー、操作スイッチ、センサ又はバッテリーと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上方に、ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上方に、酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上方に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層を形成する工程と、を有する半導体素子の作製方法であって、
前記基板を、室温以上６００℃以下の温度に加熱する工程と、
前記基板が保持された処理室内の水分を排出する工程と、
前記処理室内で前記ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記基板を、１００℃以上６００℃以下の温度に加熱する工程と、
金属酸化物をターゲットとして前記酸化物半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記水分の排出は、クライオポンプを用いて行うことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記金属酸化物は、亜鉛を含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記金属酸化物は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項５】
基板上方のゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層と前記酸化物絶縁層の界面において、水素濃度が１×１０１９ｃｍ−３以上５×１０２２ｃｍ−３以下の領域を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項６】
基板上方のゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層と前記酸化物絶縁層の界面における水素濃度は、前記酸化物半導体の前記界面から３０ｎｍ離れた領域における水素濃度の５倍以上１００倍以下であることを特徴とする半導体素子。
【請求項７】
基板上方のゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、水素濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下の領域を有することを特徴とする半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、加熱装置と、基板の固定治具とを有し、
前記処理室は、可動することができる第１の室と、可動することができる第２の室とが連結された構成を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
処理室と、加熱装置と、基板の固定治具とを有し、
前記処理室は、可動することができる第１の室と、可動することができる第２の室とが連結された連結部を有し、
前記基板の固定治具は、前記連結部に設けられていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記加熱装置は、抵抗加熱ヒータ、ランプ、または加熱されたガスによる手段から選ばれた一種を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基板の固定治具は、ベルヌーイチャックを有することを特徴とする熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層を覆う酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、前記第１の導電層と重畳しない領域の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層および前記第２の導電層を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上の、少なくとも前記第１の導電層および前記第２の導電層と重畳しない領域を含む領域の第３の導電層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層を覆い、上方の表層部に結晶領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、前記第１の導電層と重畳しない領域の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層および前記第２の導電層を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上の、少なくとも前記第１の導電層および前記第２の導電層と重畳しない領域を含む領域の第３の導電層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層の前記結晶領域以外の領域は非晶質であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の導電層は、その一部が前記第２の導電層と重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の導電層はソース電極またはドレイン電極の一方として、前記第２の導電層はソース電極またはドレイン電極の他方として、前記第３の導電層はゲート電極として、それぞれ機能することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に導入された基板を、４００℃未満に保持し、
前記処理室内の水分を除去しながら、前記基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、欠陥を含む酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜が形成された基板を、２００℃乃至４００℃に加熱して、前記酸化物半導体膜に含まれる水素若しくは水分を、前記酸化シリコン膜側に拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
処理室内に導入された基板を、４００℃未満に保持し、
前記処理室内の水分を除去しながら、前記基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、欠陥を含む酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜が形成された基板を、２００℃乃至４００℃に加熱して、前記酸化物半導体膜に含まれる水素若しくは水分を、前記酸化シリコン膜側に拡散させ、
前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記処理室を、クライオポンプを用いて排気することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に配された複数の光電変換素子と、
前記基板に配された、前記光電変換素子にて生じた信号電荷を転送するためのトランジスタと、を有する光電変換装置において、
前記複数の光電変換素子は、第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第３の光電変換素子とを有し、
前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間には、第１の幅の第１の領域を有し、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間には、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の第２の領域を有し、
前記第１の領域には、前記電荷が少数キャリアとなる第３の幅の第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の領域に比べて前記電荷に対するポテンシャルが低い第３の領域とが配され、
前記第２の領域には、第３の幅よりも狭い第４の幅の第１導電型の第２の半導体領域が配された第２の領域が配された光電変換装置。
【請求項２】
前記第３の領域には、前記第４の幅よりも狭い第５の幅の第１導電型の第３の半導体領域が配されている請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第３の領域には、前記第２の半導体領域よりも低い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域が配されている請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第３の領域には、前記第２の半導体領域よりも浅い第１導電型の第３の半導体領域が配されている請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第３の領域には、前記第４の幅よりも狭い第５の幅を有し、前記第２の半導体領域よりも低い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域が配されている請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
信号電荷が蓄積可能な第１導電型の半導体領域を有する第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子から第１方向に沿って隣に位置し、第１導電型の半導体領域を有する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子から前記第１方向と異なる方向の第２方向に沿って隣に位置し、第１導電型の半導体領域を有する第３の光電変換素子と、を有する光電変換装置において、
前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第２の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、第１の幅を有する、第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第３の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第２の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、前記第１の半導体領域から前記第１方向に交差する第３方向に沿って隣に位置し、前記第１の半導体領域に比べて前記電荷に対するポテンシャルが低い第３の半導体領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
前記第１方向と前記第２方向は直交することを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第３の半導体領域は、第２導電型の半導体領域であることを特徴とする請求項６または７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第３の半導体領域は、前記第１の幅よりも狭い第２の幅を有することを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第３の半導体領域は、前記第２導電型を構成するための不純物の濃度が前記第２の半導体領域よりも低いことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第３の半導体領域は、前記第２の半導体領域よりも浅いことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と、前記第２の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と、前記第１の半導体領域と、前記第２の半導体領域と、前記第３の半導体領域が設けられた第４の半導体領域を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第４の半導体領域と前記第３の半導体領域は連続した半導体領域であることを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
更に、前記第１の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子と、前記第３の光電変換素子のそれぞれに対応して設けられた複数色のカラーフィルタを有することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の光電変換装置は、基板と、前記基板に配された複数の光電変換素子と、前記基板に配された、前記光電変換素子にて生じた信号電荷を転送するためのトランジスタと、を有する光電変換装置において、前記複数の光電変換素子は、第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子に隣接する第３の光電変換素子とを有し、前記第１の光電変換素子と前記第２の光電変換素子との間には、第１の幅の第１の領域を有し、前記第１の光電変換素子と前記第３の光電変換素子との間には、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の第２の領域を有し、前記第１の領域には、前記電荷が少数キャリアとなる第３の幅の第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の領域に比べて前記電荷に対するポテンシャルが低い第３の領域とが配され、前記第２の領域には、第３の幅よりも狭い第４の幅の第１導電型の第２の半導体領域が配される。また、本発明の別の光電変換装置は、信号電荷が蓄積可能な第１導電型の半導体領域を有する第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子から第１方向に沿って隣に位置し、第１導電型の半導体領域を有する第２の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子から前記第１方向と異なる方向の第２方向に沿って隣に位置し、第１導電型の半導体領域を有する第３の光電変換素子と、を有する光電変換装置において、前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第２の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、第１の幅を有する、第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第３の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、前記第１の幅よりも狭い第２の幅の第２導電型の第２の半導体領域と、前記第１の光電変換素子の第１導電型の半導体領域と前記第２の光電変換素子の第１導電型の半導体領域との間に配され、前記第１の半導体領域から前記第１方向に交差する第３方向に沿って隣に位置し、前記第１の半導体領域に比べて前記電荷に対するポテンシャルが低い第３の半導体領域を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を有し、
ＢＴ試験によるしきい値の変動幅が２Ｖ以下であるすることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の粒子サイズを有する結晶を含む第２の領域と、を有し、
前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の粒子サイズを有する結晶、及び非晶質を含む第２の領域と、を有し、
前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
少なくとも一表面側に該表面と垂直な方向にｃ軸配向し、該表面に平行なａ−ｂ面を有する針状結晶を含む第１の領域と、
非晶質を含む第２の領域と、を有し、
前記針状結晶は、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さに対してｃ軸方向の長さが５倍以上あることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記針状結晶のａ軸方向またはｂ軸方向の長さは、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、またはＣｏのいずれか一を表す）と、を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路と、画素と、第１のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有する表示装置であって、
前記駆動回路は、前記第１の配線を介して前記画素に画像データを供給することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第１の電位を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのオンまたはオフを制御する信号を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域を含む酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタは、デプレッション型であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
駆動回路と、画素と、第１のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有する表示装置であって、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記駆動回路は、前記第１の配線を介して前記画素に画像データを供給することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第１の電位を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのオンまたはオフを制御する信号を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域を含む第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域を含む第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタは、デプレッション型であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の酸化物半導体層の膜厚よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第１のトランジスタのチャネル幅は、前記第２のトランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて前記第１の導電層をエッチングして、第１のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を脱水化または脱水素化し、
前記脱水化または脱水素化させた酸化物半導体層上に、液滴吐出法を用いて第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて前記酸化物半導体層をエッチングして、島状の酸化物半導体層を形成し、
前記島状の酸化物半導体層上に、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に、液滴吐出法を用いて第３のマスクを形成し、
前記第３のマスクを用いて前記第２の導電層をエッチングして、第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のゲート絶縁層、前記島状の酸化物半導体層、前記第１のソース電極層、及び前記第１のドレイン電極層上に前記島状の酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層上に前記第１のソース電極層または前記第１のドレイン電極層と電気的に接続する透光性を有する画素電極層を、印刷法により形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記脱水化又は前記脱水素化を行った後、
前記酸化物半導体層を、大気に触れさせることなく、酸素を含む雰囲気中で冷却することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記基板上に容量部を有し、
前記容量部は、容量配線及び該容量配線と重なる容量電極を有し、
前記容量配線及び前記容量電極は透光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料とＩＩＩ−Ｖ化合物との間にパッシベーション界面を製造する方法であって、
（ａ）第１のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む露出領域（２）を含む基板（１）を用意するステップと、
（ｂ）その上に、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む少なくとも１つの中間層（３）を形成するステップと、
（ｃ）その後、１００ｎＰａ未満の真空中で基板（１）に熱処理を施し、第１温度（Ｔ１）に到達する際、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物の表面再構成が生じて、ＩＩＩ族元素リッチの表面を形成するようにしたステップと、
（ｄ）ＩＩＩ族元素リッチ表面を含む基板（１）を第２温度（Ｔ２）にして、ＩＩＩ族元素リッチ表面をカルコゲナイドハイドライドガスを含む環境に曝して、カルコゲナイド・パッシベーション表面（４）を形成するステップと、
（ｅ）カルコゲナイド・パッシベーション表面（４）の上に誘電体層（５）を形成し、誘電体層と第２のＩＩＩ−Ｖ化合物との間にパッシベーション界面を形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）は、超高真空下で実施し、
ステップ（ｂ）〜ステップ（ｅ）において真空破壊を行わないようにした請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１のＩＩＩ−Ｖ化合物または第２のＩＩＩ−Ｖ化合物のいずれかは、Ａｓを含むＩＩＩ−Ｖ化合物およびこれらの任意の組合せまたは混合物からなるグループから選択され、好ましくは、ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓＳｂ，ＩｎＡｌＡｓＳｂ，ＩｎＡｌＡｓＰ，ＩｎＧａＡｓＰおよびこれらの任意の組合せまたは混合物からなるグループから選択され、より好ましくは、ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｓおよびこれらの任意の組合せまたは混合物からなるグループから選択され、さらにより好ましくは、第１のＩＩＩ−Ｖ化合物または第２のＩＩＩ−Ｖ化合物のいずれかは、ＧａＡｓを含むように選択される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
第１のＩＩＩ−Ｖ化合物および第２のＩＩＩ−Ｖ化合物は、同じ化学組成を有する請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
第１温度（Ｔ１）は、４００℃〜６００℃である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
第２温度（Ｔ２）は、１５℃〜４００℃である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）で得られるＩＩＩ族元素リッチ表面は、［１１０］アジマスに沿った（×４）対称性を持つ表面再構成を示す請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｄ）で得られるカルコゲナイド・パッシベーション表面は、（２×１）対称性を示す請求項１〜７のいずれかに記載の方法。。
【請求項９】
第２のＩＩＩ−Ｖ化合物は、ＧａＡｓ、好ましくはＧａＡｓ（００１）を含み、
第１温度（Ｔ１）は、５８０℃〜６００℃、好ましくは５８０℃〜５９５℃、より好ましくは５８５℃〜５９５℃、さらにより好ましくは５８５℃〜５９０℃であり、
第２温度（Ｔ２）は、３５０℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃、より好ましくは３６０℃〜３８０℃である、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
ＩＩＩ族元素リッチ表面をカルコゲナイドハイドライドを含む環境に曝すステップは、プラズマ支援されており、第２温度（Ｔ２）は、室温である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
カルコゲナイドハイドライドガスは、Ｈ２Ｓ，Ｈ２Ｓｅ，Ｈ２Ｔｅおよびこれらの任意の組合せまたは混合物からなるグループから選択され、より好ましくは、カルコゲナイドハイドライドは、硫化水素（Ｈ２Ｓ）を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
誘電体層は、Ａｌ２Ｏ３，ＨｆＯ２，ＤｙＳｃＯおよびこれらの任意の組合せまたは混合物からなるグループから好ましく選択される高誘電率(high-κ)誘電体を含み、より好ましくは、誘電体層は、Ａｌ２Ｏ３を含むように選択される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）は、
・露出領域（２）を覆い、これと接触する第１中間層（３ｉ）を形成するステップと、
・第１中間層（３ｉ）を覆い、これと接触する第２中間層（３ｉｉ）を形成するステップと、
・第２中間層（３ｉｉ）を覆い、これと接触する第３中間層（３ｉｉｉ）を形成するステップと、
・第３中間層（３ｉｉｉ）を覆い、これと接触する第４中間層（３ｉｖ）を形成するステップとを含み、
第１中間層（３ｉ）および第３中間層（３ｉｉｉ）は、広いバンドギャップを有するように選択された第３のＩＩＩ−Ｖ化合物を含み、第２中間層（３ｉｉ）および第４中間層（３ｉｖ）は、狭いバンドギャップを有するように選択された第２のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
誘電体材料とＩＩＩ−Ｖ化合物との間にパッシベーション界面を有する電子デバイスであって、
・第１のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む露出領域（２）を含み、第１のＩＩＩ−Ｖ化合物は（００１）配向ＧａＡｓ基板である基板と、
・その上に位置し、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物を含み、第２のＩＩＩ−Ｖ化合物はＧａＡｓである少なくとも１つの中間層（３）と、
・第２のＩＩＩ−Ｖ化合物を含む少なくとも１つの中間層を覆う誘電体層（５）と、
・第２のＩＩＩ−Ｖ化合物と誘電体との界面に位置し、Ｓ−Ｇａ結合から成るカルコゲナイド・パッシベーション層と、を備えるデバイス。
【請求項１５】
誘電体層は、３．９より大きい誘電定数を有する誘電体材料で形成され、好ましくはＡｌ２Ｏ３で形成される請求項１４記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部に内側の収容部と連通する第１の開口部が形成されており、この第１の開口部の周囲に基板支持部が設けられた中空状の熱伝導性の本体と；
一面側に半導体発光素子が実装され、他面側の周縁部が本体の基板支持部に熱伝導可能に取り付けられて本体の第１の開口部を覆うように配設される高熱伝導性の基板と；
本体内の収容部に収容され半導体発光素子を点灯する点灯装置と；
本体の他端部側に設けられ点灯装置に接続される口金部材と；
を具備していることを特徴とする口金付ランプ。
【請求項２】
本体の中空状の収容部は、基板支持部に基板が配置されることにより、その一端側が閉塞されることを特徴とする請求項１記載の口金付ランプ。
【請求項３】
本体は他端側に収容部と連通し、かつ第１の開口部の径よりも小さい第２の開口部を備え、収容部には絶縁ケースの少なくとも一部が収容され、絶縁ケースは内部に点灯回路を配置するとともに、他端側に口金取付部を備え、口金取付部は第２の開口部から突出し、口金部材が取り付けられていることを特徴とする請求項１または２記載の口金付ランプ。
【請求項４】
ソケットが設けられた器具本体と；
この器具本体のソケットに装着される請求項１ないし３のいずれか一記載の口金付ランプと；
を具備していることを特徴とする照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の口金付ランプの発明は、一端部に内側の収容部と連通する第１の開口部が形成されており、この第１の開口部の周囲に基板支持部が設けられた中空状の熱伝導性の本体と；一面側に半導体発光素子が実装され、他面側の周縁部が本体の基板支持部に熱伝導可能に取り付けられて本体の第１の開口部を覆うように配設される高熱伝導性の基板と；本体内の収容部に収容され半導体発光素子を点灯する点灯装置と；本体の他端部側に設けられ点灯装置に接続される口金部材と；を具備していることを特徴とする。本発明によれば、一面側に半導体発光素子が実装され、他面側の周縁部が本体の基板支持部に熱伝導可能に取り付けられて本体の開口部を覆うように配設される高熱伝導性の基板により、半導体発光素子と本体との間の熱抵抗を抑え、半導体発光素子の熱を本体に熱伝導し易くすることが可能な口金付ランプを構成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、金属製の基板は、同一面上に複数の発光ダイオードを実装したＣＯＢモジュールとして構成してもよい。本発明によれば、発光ダイオードと本体との間の熱抵抗を抑え、発光ダイオードの熱を本体に熱伝導し易くすることが可能になると共に、複数の発光ダイオードが集中して配設されているため、集中する多数の発光ダイオードの熱を本体に効率よく熱伝導させることができ、発光ダイオードの温度上昇をより一層抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、高熱伝導性の基板が金属製またはセラミックとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
その際、こう熱伝導性の基板を同一面上に複数の発光ダイオードを実装したＣＯＢモジュールとして構成すれば、発光ダイオードと本体との間の熱抵抗を抑え、発光ダイオードの熱を本体に熱伝導し易くすることが可能になると共に、複数の発光ダイオードが集中して配設されているため、集中する多数の発光ダイオードの熱を本体に効率よく熱伝導させることができ、発光ダイオードの温度上昇をより一層抑制することが可能な口金付ランプを提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、高熱伝導性の基板を金属製またはセラミック製とすれば、請求項１の発明と同様な効果を奏する口金付ランプを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接点（１０２）と；
実質的に金属材料から形成され且つ時間依存変形を抑止するように構成された導電性素子（１０４）とを具備し、前記導電性素子は、前記導電性素子が前記接点から離間される第１の位置と、前記導電性素子が前記接点と接触する第２の位置との間で変形可能であるように構成され、
前記金属材料は、前記金属材料の降伏強さの少なくとも約２５％の応力及び前記金属材料の溶融温度の１／２以下の温度にさらされた場合に１０-12ｓ-1未満の最大定常状態塑性歪み速度を示すように構成される、装置。
【請求項２】
前記導電性素子は、片持ち梁、両持ち梁、ねじり素子及びダイアフラムより成る群から選択された構造を含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記接点及び前記導電性素子は、超小型電気機械装置又はナノ電気機械装置の一部である、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記金属材料が７００℃以上の溶融温度を有する、請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記金属材料が４０℃を超える温度で時間依存変形を抑止するように構成される、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
基板（１０８）を更に具備し、前記接点及び前記導電性素子の各々は、前記基板の上に配設される、請求項１乃至５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記金属材料が少なくともニッケル及びタングステンの合金を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
異なる電位の第１の側（１１６）及び第２の側（１１８）を有する回路（１１４）を更に具備し、前記導電性素子が第１の位置と第２の位置との間で変形することにより、前記導電性素子に電流を流すか又は前記導電性素子を流れる電流を遮断するように、前記接点及び前記導電性素子のうち一方は、前記回路の第１の側及び第２の側のうち一方の側に接続され且つ前記接点及び前記導電性素子のうち他方は、前記回路の第１の側及び第２の側のうち他方の側に接続される、請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
第１の側は、１ｍＡ以上の大きさ及び約１ｋＨｚ以下の振動周波数を有する電流を供給するように構成された電源（１２０）を含む、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記導電性素子は、前記金属材料の溶融温度の３０％未満の周囲温度で前記導電性素子に電流を流すか又は前記導電性素子を流れる電流を遮断するために第１の位置と第２の位置との間で変形されるように構成される、請求項８記載の装置。