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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む、少なくとも1つの治療剤の制御放出のための薬学的製剤を生産するための方法：
a．絹フィブロイン溶液と治療剤を接触させる段階；
b.治療剤を含む絹フィブロイン製品を形成する段階；および
c．絹フィブロイン製品からの該少なくとも一つの治療剤の制御放出がもたらされるように該製品のコンフォメーションを改変する段階であって、コンフォメーションの改変が、
(i)  該製品を剪断（sheer）応力で処理すること；
(ii)  該製品を電場で処理すること；
(iii)  該製品を圧力で処理すること；または
(iv)  該製品と塩を接触させること
によって誘導される、段階。
【請求項２】
少なくとも一つの治療剤の制御放出が約２〜９０日の期間にわたって起こる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
治療剤が、タンパク質、ペプチド、核酸、PNA、アプタマー、抗体、および小分子からなる群より選択される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
治療剤が、10キロダルトンに等しいかまたはそれ以上である、請求項１〜３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
絹フィブロイン溶液が水性絹フィブロインを含む、請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
絹フィブロイン溶液が有機溶媒中の絹フィブロインを含む、請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
有機溶媒がHFIPである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
絹フィブロイン製品が、糸、繊維、フィルム、泡、メッシュ、ヒドロゲル、三次元骨格、錠剤充填材料、錠剤コーティング、およびマイクロスフェアからなる群より選択される、請求項１〜７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
剪断応力が、製品を針に通すことにより加えられる、請求項１〜８のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
薬学的製剤が少なくとも2つの層を含み、少なくとも1つの層は、少なくとも1つの他の層とは異なる誘導されたコンフォメーション変化を含む、請求項１〜９のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
薬学的製剤が生物分解性である、請求項１〜１０のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
薬学的製剤が、製剤を特定の細胞または組織型に特異的に標的化するターゲティング薬剤をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
ターゲティング薬剤が、糖、ペプチド、および脂肪酸からなる群より選択される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
絹フィブロイン溶液が、溶解したカイコ絹、クモ絹、または遺伝的に操作された絹を含む溶液より得られる、請求項１〜１３のいずれか一項記載の方法。
【請求項１５】
カイコ絹がカイコガ(Bombyx mori)より得られる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
クモ絹がアメリカジョロウグモ(Nephila clavipes)より得られる、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
遺伝的に操作された絹が治療剤を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一項記載の方法によって生産された、少なくとも1つの治療剤の制御放出のための薬学的製剤。
【請求項１９】
治療剤を伴う絹フィブロイン製品を含む、少なくとも1つの治療剤の制御放出のための薬学的製剤であって、該製品のコンフォメーションの改変が、
(i)  該製品を剪断（sheer）応力で処理すること；
(ii)  該製品を電場で処理すること；
(iii)  該製品を圧力で処理すること；または
(iv)  該製品と塩を接触させること
によって誘導される、薬学的製剤。
【請求項２０】
少なくとも一つの治療剤の制御放出が約２〜９０日の期間にわたって起こる、請求項１９記載の薬学的製剤。
【請求項２１】
治療剤が、タンパク質、ペプチド、核酸、PNA、アプタマー、抗体、および小分子からなる群より選択される、請求項１９または２０記載の薬学的製剤。
【請求項２２】
治療剤が、10キロダルトンに等しいかまたはそれ以上である、請求項１９〜２１のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項２３】
絹フィブロイン製品が、糸、繊維、フィルム、泡、メッシュ、ヒドロゲル、三次元骨格、錠剤充填材料、錠剤コーティング、およびマイクロスフェアからなる群より選択される、請求項１９〜２２のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項２４】
剪断応力が、製品を針に通すことにより加えられる、請求項１９〜２３のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項２５】
薬学的製剤が、複数の絹フィブロイン製品をさらに含み、少なくとも1つの絹フィブロイン製品は、少なくとも1つの他の絹フィブロイン製品とは異なる誘導されたコンフォメーション変化を含む、請求項１９〜２４のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項２６】
生物分解性である、請求項１９〜２５のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項２７】
デバイスを特定の細胞または組織型に特異的に標的化するターゲティング薬剤をさらに含む、請求項１９〜２６記載の薬学的製剤。
【請求項２８】
ターゲティング薬剤が、糖、ペプチド、および脂肪酸からなる群より選択される、請求項２７記載の薬学的製剤。
【請求項２９】
絹フィブロイン製品が、溶解したカイコ絹、クモ絹、または遺伝的に操作された絹を含む溶液より得られる、請求項１９〜２８のいずれか一項記載の薬学的製剤。
【請求項３０】
カイコ絹がカイコガ(Bombyx mori)より得られる、請求項２９記載の薬学的製剤。
【請求項３１】
クモ絹がアメリカジョロウグモ(Nephila clavipes)より得られる、請求項２９記載の薬学的製剤。
【請求項３２】
遺伝的に操作された絹が治療剤を含む、請求項２９記載の薬学的製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月29日(2012.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式（Ｉ）で表される化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体：
【化１】
2012144537.tif 000001
式中、Ｒ１は、アルキル、シクロアルキル又はＣ（Ｏ）Ｒ７であり、
Ｒ２及びＲ３は、独立して、水素、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキル、シクロアルキル、ハロ又はＯＣ（Ｏ）Ｒ７であり、但し、Ｒ２及びＲ３がともに水素であることはなく、
Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、独立して、水素、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキル、シクロアルキル、アシル又はＯＣ（Ｏ）Ｒ７であり、そして
Ｒ７は、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル又はアミノである。
【請求項２】
次の式（ＩＩ）の化合物の４−ケト基を
【化２】
2012144537.tif 000002
（式中、Ｒ１は、アルキル又はＳｉ(ＲＡ)３であり、
Ｒ２及びＲ３は、独立して、水素、アルコキシ、ハロ又はＯＳｉ（ＲＡ）３であるが、但し、Ｒ２及びＲ３がともに水素であることはなく、そして
ＲＡは、独立してアルキル又はアリールである。）
アリール化剤Ｗ−Ｍ＋と反応して、
（ここで、Ｗ−は所望により置換されたアリールラジカルであり、そして
Ｍ＋は１つ又は複数の対イオン、好ましくは[ＭｇＢｒ]＋である。）
次の中間体第三級アルコール（ＩＩＩ）又はその塩を形成し、
【化３】
2012144537.tif 000003
そしてこれは脱水されて、次の式（ＩＶ）の化合物を形成し：
【化４】
2012144537.tif 000004
次いで、これは水素化され、所望により脱保護化されて、式（Ｉ）の化合物を生成する、
工程を含む請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物の調製方法。
【請求項３】
化学療法薬としての１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物の使用。
【請求項４】
１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体を、所望により担体及び／又は賦形剤とともに、被験者に投与することを含む疾患の治療、予防又は改善方法。
【請求項５】
疾患又は障害の治療のための薬剤の製造における１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体の使用。
【請求項６】
１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体を含む疾患又は障害の治療、予防又は改善のための作用物質。
【請求項７】
１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体を、１つ又は複数の薬学的担体、賦形剤、助剤及び／又は希釈剤とともに含む薬学的組成物。
【請求項８】
１つ又は複数の式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩あるいは誘導体を含有する飲料又は食料品。
【請求項９】
実施例及び／又は添付の図面を参照して本明細書中に記載されるような式（Ｉ）の化合物又はその薬学的に許容可能な塩。
【請求項１０】
本明細書中に記載されるような式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）の化合物、その薬学的に許容可能な塩及び／又はその使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月26日(2012.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍と診断された患者に、有効量の化学療法剤と、該化学療法剤によって対応の正常細胞と比較して上記腫瘍において発現が選択的にアップレギュレートされることが測定された遺伝子によってコードされる遺伝子産物のアンタゴニストとを投与することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式を有する化合物：
【化１】
2012144574.tif 000001
ここで、ＡまたはＢは二重結合であって、Ａが二重結合である場合には、Ｃ11は有機あるいは無機の置換部分＝Ｘを有し、またＢが二重結合である場合には、Ｃ12は有機あるいは無機の置換部分＝Ｘを有し、Ｒ1は１から１０により表される６員環のいずれかの位置で置換されていてもよい有機あるいは無機の部分であり、Ｒ2及びＲ3は水素または有機あるいは無機部分であって、ここでＲ2基は式（Ｉ）で表される構造のいずれかの位置で置換されていてもよく、且つｎは０から１００の数である。
【請求項２】
下記式を有する化合物を、疾患を防止し、治療するために、対象に、医薬として有効な量で投与することを含んでなる、疾患を防止又は治療する方法：
【化１】
2012144574.tif 000002
式中、ＡまたはＢは二重結合であって、Ａが二重結合である場合には、Ｃ11は有機あるいは無機の置換部分＝Ｘを有し、またＢが二重結合である場合には、Ｃ12は有機あるいは無機の置換部分＝Ｘを有し、Ｒ1は１から１０により表される６員環のいずれかの位置で置換されていてもよい有機あるいは無機の部分であり、Ｒ2及びＲ3は水素または有機あるいは無機部分であって、Ｒ2基は式（Ｉ）で表される構造のいずれかの位置で置換されていてもよく、且つｎは０から１００の数である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体のタンパク質混合物を濾過する方法であって、
第１の圧力（Ｐ１）で液体混合物を提供するステップであって、該液体混合物は、担体液体と、該担体液体に対して第１の濃度（Ｃ１）のタンパク質と、分散した混入物とを含む、ステップと、
該液体混合物をデッドエンドフィルタに通過させて、第２の圧力（Ｐ２）で濾液を形成するステップであって、該濾液は、該担体液体と、該担体液体に対して第２の濃度（Ｃ２）のタンパク質とを含み、Ｐ１およびＰ２は周囲圧力より高く、該フィルタは、該液体混合物から該分散した混入物の少なくとも一部を除去するサイズである、ステップと、
濾液の平均流速が少なくともフィルタ表面積の少なくとも３００ｇ／ｍｉｎ・ｍ２となり、かつ／または該第１の圧力と第２の圧力との圧力差（Ｐ１−Ｐ２）が０ｍｂａｒより大きく３００ｍｂａｒ以下にする逆圧を、濾液に対して加えるステップと
を含み、該液体混合物中に存在するタンパク質の少なくとも８５％が、該濾液中に回収される、方法。
【請求項２】
前記タンパク質が剪断に感受性のあるタンパク質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記タンパク質が血液凝固カスケードのタンパク質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記圧力差が、９０ｍｂａｒ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液体混合物中に存在するタンパク質の少なくとも９５％が前記濾液中に回収される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記液体混合物中に存在するタンパク質の少なくとも９９％が前記濾液中に回収される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の圧力（Ｐ１）は、少なくともゲージ圧２００ｍｂａｒである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記担体液体は水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記タンパク質は、フォンウィルブランド因子（ｖＷＦ）、第ＶＩＩＩ因子、第ＸＩＩＩ因子、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記分散した混入物は、微生物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記濾液は、前記分散した混入物を実質的に含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記フィルタは、多孔性メンブレンであり、該多孔性メンブレンは０．１μｍ〜０．５μｍのサイズの孔を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記孔は０．２μｍまたは０．２２μｍのサイズである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記液体混合物はさらに微生物個体群を含み、該個体群の少なくとも一部が、前記多孔性メンブレンフィルタによって水性混合物から除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記デッドエンドフィルタが逆圧調節バルブを含み、前記逆圧は該バルブを用いて加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記圧力差は、１５０ｍｂａｒ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記逆圧の付加は、低剪断性の環境を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記タンパク質はｖＷＦである、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
前記タンパク質は第ＶＩＩＩ因子である、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
前記タンパク質は第ＸＩＩＩ因子である、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以上の高Ｔｇポリマー（Ａ）と、この高Ｔｇポリマーよりも低いＴｇを有し、感圧接着性を示す低Ｔｇポリマー（Ｂ）および溶剤を含む溶剤型再剥離用粘着剤組成物であって、
上記粘着剤組成物中の高Ｔｇポリマー（Ａ）と低Ｔｇポリマー（Ｂ）の合計量を不揮発分で３０質量％に調整した後、密封して２５℃で２４時間放置した場合に、高Ｔｇポリマー（Ａ）と低Ｔｇポリマー（Ｂ）とが相分離し、
上記粘着剤組成物から得られる粘着剤層において、高Ｔｇポリマー（Ａ）と低Ｔｇポリマー（Ｂ）とが相溶することなく海島構造を形成していることを特徴とする溶剤型再剥離用粘着剤組成物。
【請求項２】
上記粘着剤組成物を架橋させずに得られた塗膜について動的粘弾性を測定した場合、上記高Ｔｇポリマー（Ａ）に由来するｔａｎδのピークと、上記低Ｔｇポリマー（Ｂ）に由来するｔａｎδのピークとが別々に観察されるものである請求項１に記載の溶剤型再剥離用粘着剤組成物。
【請求項３】
上記高Ｔｇポリマー（Ａ）と上記低Ｔｇポリマー（Ｂ）との合計量を１００質量％としたときに、高Ｔｇポリマー（Ａ）が４〜２０質量％、低Ｔｇポリマー（Ｂ）が８０〜９６質量％である請求項１または２に記載の溶剤型再剥離用粘着剤組成物。
【請求項４】
上記低Ｔｇポリマー（Ｂ）が連続相であって、上記高Ｔｇポリマー（Ａ）が島状に分散して存在しているものである請求項３に記載の溶剤型再剥離用粘着剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の溶剤型再剥離用粘着剤組成物から得られた粘着剤層が支持基材の少なくとも片面に形成されていることを特徴とする再剥離用粘着製品。
【請求項６】
ヘイズが３％以下である請求項５に記載の再剥離用粘着製品。
【請求項７】
厚み２０μｍの粘着剤層が厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基材上に形成された粘着製品を用いてアクリル板に対する１８０゜粘着力を測定した場合に、０．３ｍ／分の低速剥離では０．０５〜０．３Ｎ／２５ｍｍ、３０ｍ／分の高速剥離では０．５〜３Ｎ／２５ｍｍであり、かつ高速剥離における粘着力を低速剥離における粘着力で除した値が１５．０以下である請求項５または６に記載の再剥離用粘着製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートベルトリトラクタ用モータと、ＭＯＳＦＥＴを有するＨブリッジ回路とを備えるシートベルトリトラクタの制御装置であって、
前記制御装置は、前記Ｈブリッジ回路を複数の駆動モードで制御することで、前記モータの駆動を制御し、
前記駆動モードは、緊急時の駆動モードとそれ以外の場合の駆動モードとを備えているシートベルトリトラクタの制御装置。
【請求項２】
シートベルトリトラクタ用モータと、ＭＯＳＦＥＴを有するＨブリッジ回路とを備えるシートベルトリトラクタの制御装置であって、
前記制御装置は、前記Ｈブリッジ回路を複数の駆動モードで制御することで、前記モータの駆動を制御し、
前記Ｈブリッジ回路は、複数のＭＯＳＦＥＴを有しており、
少なくとも２つの前記ＭＯＳＦＥＴのゲート部にフェライトビーズが設けられているシートベルトリトラクタの制御装置。
【請求項３】
シートベルトリトラクタ用モータと、ＭＯＳＦＥＴを有するＨブリッジ回路とを備えるシートベルトリトラクタの制御装置であって、
前記制御装置は、前記Ｈブリッジ回路を複数の駆動モードで制御することで、前記モータの駆動を制御し、
前記Ｈブリッジ回路は、複数のＭＯＳＦＥＴを有しており、
少なくとも２つの前記ＭＯＳＦＥＴのゲート部とソース部との間にコンデンサが設けられているシートベルトリトラクタの制御装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のシートベルトリトラクタの制御装置であって、
前記駆動モードは、シートベルトの巻き取り動作の駆動モードと引き出し動作の駆動モードとを備えているシートベルトリトラクタの制御装置。
【請求項５】
請求項２または３に記載のシートベルトリトラクタの制御装置であって、
前記駆動モードは、緊急時の駆動モードとそれ以外の場合の駆動モードとを備えているシートベルトリトラクタの制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の前方の障害物を検知する前方センサを有し、前記車両の前進時に前記前方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記車両の走行を制御する前進接触防止手段と、
前記車両の後方の障害物を検知する後方センサを有し、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記車両の走行を制御する後退接触防止手段と、
を備え、
前記前進接触防止手段の前記前方センサは、前記後退接触防止手段の前記後方センサとは異なる種類のセンサであり、前記後方センサよりも前記車両から長距離に位置する前記障害物を検知することが可能であり、
前記車両から等距離において、前記後方センサの検知可能な範囲は前記前方センサの検知可能な範囲以上である、走行支援装置。
【請求項２】
車両の前方の障害物を検知する前方センサとしてレーダ、カメラ及びレーザレーダのいずれかを有し、車両の前進時に前記前方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記車両の走行を制御する前進接触防止手段と、
前記車両の後方の障害物を検知する後方センサとしてソナーを有し、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記車両の走行を制御する後退接触防止手段とを備えた、走行支援装置。
【請求項３】
前記後退接触防止手段は、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように、前記車両のドライバーの操作によらずに前記車両の速度の制限及び減速の少なくともいずれかの走行制御を行ない、その後に前記走行制御の操作量を小さくする、請求項１又は２に記載の走行支援装置。
【請求項４】
前記後退接触防止手段は、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された前記障害物が前記車両に接近したときは、前記障害物と前記車両との接触を防止するように、前記車両のドライバーの操作によらずに前記車両の速度の制限及び減速の少なくともいずれかの走行制御を行ない、その後に前記走行制御の操作量を小さくする、請求項１又は２に記載の走行支援装置。
【請求項５】
前記後退接触防止手段は、前記走行制御を行なった後に所定の条件を満たした場合は前記走行制御を中止する、請求項３又は４に記載の走行支援装置。
【請求項６】
前記後退接触防止手段は、前記走行制御を行なった後に前記走行制御の操作量を徐々に小さくしつつ前記走行制御を中止する、請求項３〜５のいずれか１項に記載の走行支援装置。
【請求項７】
前記後退接触防止手段は、前記走行制御を行なっているときに前記車両のドライバーによるアクセルペダル操作に応じて前記走行制御の操作量を小さくする、請求項３〜６のいずれか１項に記載の走行支援装置。
【請求項８】
前記後退接触防止手段は、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された第１の前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記走行制御を行なった後に、前記後方センサにより第２の前記障害物が検知されたときは、第２の前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記走行制御を行なう、請求項３〜７のいずれか１項に記載の走行支援装置。
【請求項９】
前記後退接触防止手段は、前記車両の後退時に前記後方センサにより検知された前記障害物と前記車両との接触を防止するように前記走行制御を行なった後は、前記障害物についての前記走行制御を行なわない、請求項３〜８のいずれか１項に記載の走行支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＭｎに由来する成分が含有されてなり、Ｍｎの含有率がＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して１．８〜３０原子％であり、さらに前記酸化物からなる粒子内にはＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して１原子％以下のＩｎも含有されている、微粒子状金属酸化物。
【請求項２】
Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＣｕ、ＡｇおよびＭｎからなる群より選ばれた１種以上に由来する成分が含有されてなり、Ｃｕ、Ａｇの含有率はＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して０．０１〜１０原子％であり、Ｍｎの含有率はＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して０．０１〜３０原子％であり、かつＣｕ、Ａｇ、Ｍｎ以外の金属元素からなる金属アルコキシドで表面処理されている、微粒子状金属酸化物。
【請求項３】
前記粒子の１次粒子径が３〜５０ｎｍである、請求項１または２に記載の微粒子状金属酸化物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の微粒子状金属酸化物からなる、紫外線吸収体。
【請求項５】
金属酸化物粒子が媒体中に分散してなり、分散粒径が１μｍ以下であり、前記金属酸化物粒子が請求項１〜３のいずれかに記載の微粒子状金属酸化物を必須とする、組成物。
【請求項６】
金属酸化物粒子と溶媒および／またはバインダーとを必須構成成分とし、前記金属酸化物粒子が請求項１〜３のいずれかに記載の微粒子状金属酸化物を必須とする、紫外線吸収材料。
【請求項７】
金属酸化物粒子と溶媒および／またはバインダーとを必須構成成分とし、前記金属酸化物粒子が請求項１〜３のいずれかに記載の微粒子状金属酸化物を必須とする、高屈折率膜形成材料。
【請求項８】
金属酸化物粒子が媒体中に分散してなり、分散粒径が１μｍ以下であり、前記金属酸化物粒子が、Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＣｕ、Ａｇの少なくとも一方に由来する成分が含有されてなり、Ｃｕ、Ａｇの含有率がＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して０．０１〜１０原子％である微粒子状金属酸化物を必須とする、組成物。
【請求項９】
金属酸化物粒子と溶媒および／またはバインダーとを必須構成成分とし、前記金属酸化物粒子が、Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＣｕ、Ａｇの少なくとも一方に由来する成分が含有されてなり、Ｃｕ、Ａｇの含有率がＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して０．０１〜１０原子％である微粒子状金属酸化物を必須とする、紫外線吸収材料。
【請求項１０】
金属酸化物粒子と溶媒および／またはバインダーとを必須構成成分とし、前記金属酸化物粒子が、Ｚｎ、ＴｉおよびＣｅからなる群より選ばれる少なくとも１種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にＣｕ、Ａｇの少なくとも一方に由来する成分が含有されてなり、Ｃｕ、Ａｇの含有率がＺｎ、ＴｉおよびＣｅの総原子数に対して０．０１〜１０原子％である微粒子状金属酸化物を必須とする、高屈折率膜形成材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアサポート構造物を加圧および通気する方法であって、
外部風流および外部風圧を機械的フロー手段の中に方向付けて、空気流を生成する工程と、
上記空気流を上記エアサポート構造物の内部空間の中に方向付ける工程と、
上記空気流を上記エアサポート構造物の内部空間を通るように方向付ける工程と、
上記空気流を、内圧を調節する排気手段によって、上記エアサポート構造物の内部空間から外へ方向付ける工程とを含み、
上記エアサポート構造物の内部空間を、外部の風と上記機械的フロー手段の信頼性との支援によって通気および加圧する方法。
【請求項２】
上記機械的フロー手段は、上記空気流を制御する手段を含む、請求項１に記載のエアサポート構造物を加圧および通気する方法。
【請求項３】
上記空気流を制御する上記手段は、上記エアサポート構造物内の空気の温度、日射、または、湿度レベルによって調節される、請求項２に記載のエアサポート構造物を加圧および通気する方法。
【請求項４】
上記空気流を制御する上記手段は、上記エアサポート構造物内の圧力によって調節される、請求項２に記載のエアサポート構造物を加圧および通気する方法。
【請求項５】
構造物の内部の静圧を調節する方法であって、
外部全圧を移動可能な表面の側部の一部に方向付け、上記側部の一部は残りの部分を補償している工程と、
外部の静圧を上記移動可能な表面の側部における残りの部分に方向付けて、力を生成する工程と、
上記力を、上記構造物の排気ポートを主として覆っている第２の移動可能な表面に方向付け、上記第２の移動可能な表面を上記構造物の排気ポートの上に押し付ける工程と、
上記第２の移動可能な表面に、所定の外部閉鎖力を加える工程とを含み、
上記構造物の内部の静圧が、上記外部の静圧と上記外部の動圧のある割合とを足したものを、所定の量だけ上回った場合にのみ、上記排気ポートを通って空気が排気される方法。
【請求項６】
通路と構造物における内部の静圧の調節とを結びつける方法であって、
出入り口手段を提供する工程と、
上記構造物の内圧を調節する手段を提供する工程であって、
上記内部の静圧が所望の圧力を上回った場合に、上記出入り口手段を開放し、
上記内部の静圧が所望の圧力よりも下に降下した場合に、上記出入り口手段を閉鎖する工程と、
上記内部の静圧の調節を短時間無効にする手段を提供する工程であって、
出入りのために上記出入り口手段を短時間全開する工程とを含み、
上記内部の静圧を、実質的に所望の圧力に調節すると共に、出入りを可能にする方法。
【請求項７】
通路と構造物における内部の静圧の調節とを結びつける方法であって、
出入り口手段を提供する工程と、
上記構造物の内部の静圧を調節する手段を提供する工程であって、
上記内部の静圧が所望の圧力を上回った場合に、上記出入り口手段を開放し、
上記内部の静圧が所望の圧力よりも下に降下した場合に、上記出入り口手段を閉鎖する工程と、
上記内部の静圧の調節を短時間無効にする手段を提供する工程であって、
出入りのために上記出入り口手段を短時間全開し、
当該短時間の間、吸気空気流を増大させ、増大した排気流を補償する工程とを含み、
上記内部の静圧を、実質的に所望の圧力に調節すると共に、出入りを可能にする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面張力が２０．０ｍＮ／ｍ以下で、沸点が９５〜２００℃である有機溶剤で、下記一般式[１]で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シラン、又は、下記一般式[２]で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シランを溶解してなる、蒸気下で使用される防汚性物品の防汚層形成用塗布剤。
【化１】
2012144695.tif 000001
（式中、Ｗはフッ素原子又は下記式の構造で表される置換基を表し、
【化２】
2012144695.tif 000002
Ｘは、式：−（Ｏ）ｇ−（ＣＦ２）ｈ−（ＣＨ２）ｉ−（ここで、ｇ、ｈおよびｉはそれぞれ独立して、０〜５０の整数を表し、かつ、ｇとｈの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。）で示される基を表す。Ｙは水素原子又は炭素数１〜５の低級アルキル基を表し、Ｚはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、クロロ基、及びイソシアネート基からなる群から選ばれる少なくとも１つの加水分解可能な官能基を表し、Ｒは炭素数が１〜１０のアルキル基を表す。ａは０〜５０の整数を表し、ｂは１〜２００の整数を表し、ｃは１〜３の整数を表し、ｄは１〜１０の整数を表し、ｅおよびｆはそれぞれ独立して、０〜５の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立して、０〜５０の整数であり、かつ、ｍとｎの和は１以上である。）
2012144695.tif 000003
（式中、Ｒｆ１は炭素数が１〜１００の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、ｐは１〜１００の整数、ｑは０〜２の整数を表す。Ｙ、Ｒ、ｄは一般式［１］と同じである。）
【請求項２】
前記有機溶剤１００質量％中にフッ素系溶剤が６０〜１００質量％含有されることを特徴とする、請求項１に記載の前記防汚層形成用塗布剤。
【請求項３】
前記フッ素系溶剤が、ハイドロフルオロカーボン、パーフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、及びハイドロクロロフルオロカーボンからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２に記載の前記防汚層形成用塗布剤。
【請求項４】
前記フッ素系溶剤が、パーフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項３に記載の前記防汚層形成用塗布剤。
【請求項５】
前記防汚層形成用塗布剤１００質量％中に前記一般式[１] 、又は、前記一般式［２］で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シランが０．０１〜５質量％含有されることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の前記防汚層形成用塗布剤。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の防汚層形成用塗布剤を用いる蒸気下で使用される防汚性物品の製造方法であって、
（１）前記塗布剤を保持した保持部材を基材表面に接触させて、該保持部材を基材表面上で特定の一方向に往復させて塗布剤を全面に塗布する塗布Ａ、次いで前記保持部材を再度基材表面に接触させて、該保持部材を基材表面上で前記塗布Ａでの塗布方向とは異なる一方向に往復させて塗布剤を全面になじませる塗布Ｂ、最後に基材の端部に沿って塗布する塗布Ｃを有する工程、
（２）前記塗布された塗布剤を乾燥する工程を含むことを特徴とする、蒸気下で使用される防汚性物品の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の製造方法によって製造され、蒸気下で使用される防汚性物品。
【請求項８】
前記防汚性物品が、浴室用もしくは洗面化粧用の防汚性鏡、又は、キッチンや洗面台などの水周りのパーティーションのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の防汚層形成塗布剤。
【請求項９】
前記防汚性物品が、浴室用もしくは洗面化粧用の防汚性鏡、又は、キッチンや洗面台などの水周りのパーティーションのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の防汚性物品の製造方法。
【請求項１０】
前記防汚性物品が、浴室用もしくは洗面化粧用の防汚性鏡、又は、キッチンや洗面台などの水周りのパーティーションのいずれかである請求項７に記載の防汚性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月12日(2013.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一般式（１）において、ａは２０〜１００００の数を表わす。ａが２０よりも小さい場合には得られる硬化物の耐熱性が不充分となり、１００００より大きい場合には粘度が大きくなり、ハンドリングに支障をきたす。ａは、１００〜５０００が好ましく、２００〜２０００がより好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
本発明のケイ素含有硬化性樹脂組成物は、室温（２５℃）で良好な流動性があり、ハンドリング性に優れる。流動性に関しては、金属酸化物微粉末を含まない状態で、室温（２５℃）においてＥ型粘度計で測定した粘度が５０Ｐａ・ｓ以下であるのが好ましく、１０Ｐａ・ｓ以下であるのがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を、水分又は水素を含まない酸素雰囲気下で加熱し、
前記加熱後に、前記酸化物半導体層を不活性気体雰囲気下で冷却し、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後、酸素雰囲気下又は不活性気体雰囲気下で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を、水分又は水素を含まない酸素雰囲気下で加熱し、
前記加熱後に、前記酸化物半導体層を不活性気体雰囲気下で冷却し、
前記冷却後に、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記酸化物半導体層上に、前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層形成後、酸素雰囲気下又は不活性気体雰囲気下で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層を、水分又は水素を含まない酸素雰囲気下で加熱する温度は、２００℃以上前記基板の歪み点未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層を、水分又は水素を含まない酸素雰囲気下で加熱することで、前記酸化物半導体層の脱水化又は脱水素化をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
水分などの不純物を低減するため、酸化物半導体層を形成後、露出した状態の酸化物半導体層を酸素雰囲気下で加熱処理し、酸化物半導体層の含有水分を低減すると共に、酸化物半導体層を酸化する。加熱処理温度は、２００℃以上基板の歪み点未満、好ましくは４００℃以上７００℃以下で行う。また、加熱処理後は、酸素雰囲気下、若しくは窒素または希ガス（ヘリウム、アルゴンなど）の不活性気体雰囲気下で保持して、徐冷することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、ヒーターをオフ状態にし、加熱装置のチャンバー６０２を酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下で保持して、徐々に冷却する（徐冷する）ことが好ましい。例えば、加熱処理後は、加熱処理の温度から室温以上１００℃未満にまで徐冷すれば良い。この結果、後に形成される薄膜トランジスタの信頼性を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上に金属酸化物からなる画素電極層とを有し、
前記ゲート電極層、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記保護絶縁層、及び前記画素電極層は透光性を有し、
前記画素電極層は、前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極層と重なることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上方に、第２の電極層及び第３の電極層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上の第２の電極層及び第３の電極層と、第４の電極層と、を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、
前記酸化物絶縁層上方に、第１の配線、第２の配線、及び第３の配線を形成する工程と、を有し、
前記第１の配線は、前記第１の電極層と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上の第２の電極層及び第３の電極層と、第４の電極層と、を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、
前記酸化物絶縁層上方に、第１の配線、第２の配線、及び第３の配線を形成する工程と、を有し、
前記第１の配線は、前記第１の電極層と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２の電極層と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記処理は、酸素若しくは不活性ガスを含む雰囲気下、又は減圧下での加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記処理の後、酸素を含む雰囲気下で冷却を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子をポーリングするためのシステムであって、
ダイス路によって分離されてアレイを形成する複数の薄膜構成部品と、
前記複数の薄膜構成部品上に形成された複数の圧電素子と、
前記複数の圧電素子をポーリングするためのポーリングパッドと、
前記ダイス路を横切って前記複数の圧電素子を前記ポーリングパッドに並列接続する複数のトレースと、
電流に関連した故障をきたす個々の圧電素子への電流を制限するために、各々が前記複数の圧電素子の１つに直列接続される、複数の電流制限要素とを備える、システム。
【請求項２】
各電流制限要素は、前記個々の圧電素子の１つが電流に関連した故障をきたすと開回路を形成するヒューズを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ヒューズに直列接続された犠牲パッドをさらに備え、前記ヒューズは、前記犠牲パッドに強制電位が印加されると前記開回路を形成する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
各電流制限要素は、前記個々の圧電素子の１つが電流に関連した故障をきたすと電流制限抵抗を与える抵抗器を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
各圧電素子は、シングルエンドの電極パッドと各薄膜構成部品上の共通接地パッドとの間に接続される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
前記複数のトレースは、単一クシ形並列トレース構成において、各圧電素子を前記ポーリングパッドに接続する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
各圧電素子は、各薄膜構成部品上の第１の差動電極パッドと第２の差動電極パッドとの間に接続される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記複数のトレースは、交互配置された二重クシ形並列トレース構成において、各圧電素子を前記ポーリングパッドに接続する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記アレイ内の各薄膜構成部品は、磁気媒体上で動作するデータ記憶システムと共に用いるためのスライダを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
各圧電素子は、前記スライダと前記磁気媒体との接触を検出するための圧電センサを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
強誘電体素子のアレイをポーリングするための方法であって、
ウェハにスライス路およびダイス路を規定するステップと、
前記ウェハ上に、前記スライス路および前記ダイス路によってアレイ内で分離されるように強誘電体素子のアレイを形成するステップと、
前記スライス路および前記ダイス路に形成された並列トレースネットワークを介して、前記強誘電体素子をポーリングパッドに接続するステップと、
電流制限要素を各強誘電体素子に直列接続することによって、電流に関連した故障をきたす個々の強誘電体素子への電流を制限するステップと、
前記強誘電体素子内のドメインがポーリング電圧に従って整合するように、前記ポーリングパッドにポーリング電圧を印加するステップとを備える、方法。
【請求項１２】
個々の強誘電体素子への電流を制限する前記ステップは、電流に関連した故障をきたす
各強誘電体素子に対して回路を開放するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
回路を開放する前記ステップは、電流に関連した故障をきたす各強誘電体素子に直列接続された犠牲パッドに強制電位を印加するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
個々の強誘電体素子への電流を制限する前記ステップは、電流制限抵抗器を前記アレイ内の各強誘電体素子に直列接続するステップを含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記強誘電体素子をポーリングパッドに接続する前記ステップは、各強誘電体素子の第１の電極を前記ポーリングパッドに接続する、単一マスクの単一クシ形並列トレースネットワークを形成するステップを含む、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記強誘電体素子をポーリングパッドに接続する前記ステップは、各強誘電体素子の第１の電極を前記ポーリングパッドに接続し、かつ各強誘電体素子の第２の電極を第２のポーリングパッドに接続する、単一マスクの二重クシ形交互配置並列トレースネットワークを形成するステップを含む、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ポーリング電圧を印加する前記ステップは、少なくとも１０Ｖのポーリング電圧を前記ポーリングパッドに印加するステップを含み、スライダを少なくとも１分間少なくとも１００℃に加熱するステップをさらに含む、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
スライダであって、
スライダ本体と、
前記スライダ本体内の応力に応じて圧電信号を発生する強誘電性材料を含むセンサと、
前記センサに接続された、ポーリング電圧を印加するためのポーリングパッドと、
前記センサが前記ポーリング電圧のせいで電流に関連した故障をきたすと前記センサを流れる電流を制限するように、前記センサと前記ポーリングパッドとの間に直列接続された電流制限要素とを含む、スライダ。
【請求項１９】
前記電流制限要素は、前記センサが短絡または絶縁破壊故障をきたすと開回路を形成するように構成されたヒューズを含む、請求項１８に記載のスライダ。
【請求項２０】
前記ヒューズと前記センサとの間に直列接続された犠牲パッドをさらに含み、前記ヒューズは、前記犠牲パッドに強制電圧が印加されると開回路を形成する、請求項１９に記載のスライダ。
【請求項２１】
前記電流制限要素は、前記センサを流れるリーク電流を制限するように構成された電流制限抵抗器を含む、請求項１８に記載のスライダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図７Ａは、圧電素子１５の共通ポーリングのためのバーレベルの配線図であり、抵抗器型電流制限要素５５Ｒの代替の位置を示す。図７Ａの実施例では、抵抗要素５５Ｒはダイス路５２上ではなくスライス路５１に設置される。代替的に、抵抗要素５５Ｒはダイス路５２に設置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
犠牲パッド５４Ｂまたは５４Ｅ（Ｓ）は、高リーク電流を有する電流制限要素５５をポーリング回路から除去するために、ヒューズまたは回路ブレーカ型の実施例の電流制限要素５５に直列接続される。たとえば図７Ｂの実施例では、犠牲パッド５４Ｂは構成部品６０の表面６１に設置され、電流制限要素５５と圧電素子１５との間に直列接続される。図７Ｃの実施例では、犠牲パッド５４Ｅは構成部品外に配置され、たとえば（示されるように）スライス路５１内に、またはダイス路５２内に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月8日(2013.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光学系により形成された第１画像を撮像可能な第１撮像部と、
前記第１画像を表示可能な表示画面と、
前記表示画面に対向する物体の像を形成可能な第２光学系と、
前記第２光学系により形成された第２画像を撮像する第２撮像部と、
前記第２画像を用いて撮影者に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記表示画面の表示を制御する制御部と、
前記第１撮像部を用いて撮像をするために撮影者が操作可能な操作部と、を含み、
前記制御部は、前記操作部が操作される前か後かに応じて前記表示画面の表示を異ならせるように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載された撮像装置であって、
前記制御部は、前記操作部が操作される前に取得された前記第２画像に、前記撮影者の顔が含まれていたとき、前記第１撮像部に取得させた動画像を前記表示画面に表示するように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載された撮像装置であって、
前記制御部は、前記操作部が操作される前に取得された前記第２画像に、前記撮影者の顔が含まれていたとき、撮影の設定に関する情報を前記表示画面に表示するように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までの何れか１項に記載された撮像装置であって、
前記制御部は、前記第１画像が撮像された後に取得された前記第２画像に、前記撮影者の顔が含まれていたとき、前記表示画面に前記第１画像を表示するように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までの何れか１項に記載された撮像装置であって、
前記制御部は、前記第２画像を用いて前記表示画面と前記撮影者の顔との距離を演算し、前記距離に応じて前記表示画面の輝度を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までの何れか１項に記載された撮像装置であって、
装置の姿勢を検出する姿勢検出部を有し、
前記制御部は、前記姿勢検出部により検出された姿勢、及び、前記第２画像を用いて前記表示画面の表示を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
第１光学系により形成された第１画像を撮像可能な第１撮像部と、
前記第１画像を表示可能な表示画面と、
前記表示画面を駆動させる駆動部と、
前記表示画面に対向する物体の像を形成可能な第２光学系と、
前記第２光学系により形成された第２画像を撮像する第２撮像部と、
前記第２画像を用いて撮影者に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記駆動部を制御する制御部とを含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載された撮像装置であって、
前記制御部は、前記第２画像を用いて前記撮影者の動きを検出し、前記撮影者の動きに応じて前記表示画面が駆動するように前記駆動部を制御することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力を有するシフトレジスタ素子と、
複数の画素と、
第１および第２ビデオラインと、
それぞれが前記複数画素の各１つの画素に電気的に接続され、前記第１および第２ビデオラインの両方に電気的に接続された、複数の中間回路と、
を備えるセンサアレイであって、
前記シフトレジスタ素子は、複数の前記画素グループの各グループに前記第１または第２ビデオラインのうちの１つにのみ信号の同時送信を実行させ、前記複数グループのそれぞれの同時送信の開始は異なるタイミングで実行される、
センサアレイ。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサアレイにおいて、
前記シフトレジスタ素子は、前記複数の入力で受信した信号に応じて前記それぞれの同時送信を実行させる、センサアレイ。
【請求項３】
請求項２に記載のセンサアレイにおいて、
前記各中間回路はそれぞれの画素増幅器を含み、前記画素増幅器は前記それぞれの画素に接続されると共に、前記第１および第２ビデオラインに電気的に接続されたそれぞれのスイッチ素子を含み、
前記シフトレジスタ素子は、
それぞれが前記少なくとも１つのシフトレジスタ素子の前記複数の入力に電気的に接続された複数の論理素子と、
それぞれがそれぞれの論理素子およびそれぞれの画素増幅器に電気的に接続された複数のシフトレジスタを含み、
前記各論理素子は、前記シフトレジスタ素子の前記入力の信号に応じて、前記それぞれのシフトレジスタに、前記それぞれのスイッチ素子により前記それぞれの画素増幅器を前記第１または第２ビデオラインのうちの１つに電気的に接続させることを特徴とするセンサアレイ。
【請求項４】
請求項３に記載のセンサアレイにおいて、
前記各シフトレジスタは、第１及び第２出力を備えるそれぞれのラッチ素子を含み、
各ラッチ素子は、クロック立ち上りエッジにて前記第１の出力をアクティブにし、クロック立ち下りクエッジにて前記第２の出力をアクティブにし、
前記第１の出力がアクティブになることで、それぞれの画素増幅器が前記第１ビデオラインに送信し、
前記第２の出力がアクティブになることで、それぞれの画素増幅器が前記第２ビデオラインに送信する、
センサアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室外熱交換器およびこの室外熱交換器に送風する室外ファンを有する熱源機を複数備えた冷凍サイクル装置において、
前記室外ファンの回転数を、前記各熱源機の配置状況に応じて調整することを特徴とする冷凍サイクル装置。
【請求項２】
前記各室外熱交換器の温度を検出する複数の温度検出手段と、
試運転時、前記各温度検出手段の検出温度のうち最低値を検出する最低値検出手段と、
前記各温度検出手段の検出温度のうち前記最低値検出手段により検出された最低値を除く他の検出温度が同最低値となるように、その最低値が検出された室外熱交換器を除く他の室外熱交換器に対応する室外ファンの回転数を調整する回転数調整手段と、
前記回転数調整手段により調整された室外ファンの回転数を前記試運転後の同室外ファンの回転数として設定する回転数設定手段と、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の冷凍サイクル装置。
【請求項３】
前記試運転は、当該冷凍サイクル装置の据付け時に行われる前記室外熱交換器を凝縮器として利用する運転であることを特徴とする請求項２に記載の冷凍サイクル装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、室外熱交換器およびこの室外熱交換器に送風する室外ファンを有する熱源機を複数備えた冷凍サイクル装置において、前記室外ファンの回転数を、前記各熱源機の配置状況に応じて調整する。