【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下である室温で液状のエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物。
【請求項２】
前記炭素−炭素二重結合を有する化合物が、アリルエーテル結合を有する化合物である請求項１に記載の液状硬化性組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）エポキシ化合物が一分子中に少なくとも平均２個以上のグリシジル基を有する請求項１または２に記載の液状硬化性組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）エポキシ化合物がビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの少なくとも１種類を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項５】
（Ｄ）硬化促進剤をさらに含む請求項１〜４のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項６】
２５℃での粘度が１〜５０Ｐａ・ｓである請求項１〜５のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項７】
前記過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応が、ニトリル化合物、塩基性塩化合物、及びアルコールを用いて行われる請求項１〜６のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項８】
前記（Ｃ）充填材が絶縁性充填材である請求項１〜７のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項９】
前記（Ｃ）充填材が導電性充填材である請求項１〜７のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
【請求項１０】
前記絶縁充填材が非晶質シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッ化アルミニウム、チッ化ケイ素からなる群より選択されるいずれかの無機充填材である請求項８に記載の半導体封止用液状硬化性組成物。
【請求項１１】
前記導電性充填材が金属、カーボン、グラファイト、絶縁性核材の表面に金属被覆層を有する複合粒子、からなる群から選択されるいずれかである請求項９に記載のダイボンド材、導電性接着剤、異方導電性接着ペースト用液状硬化性組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は、以下の通りのものである。
[１] （Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下である室温で液状のエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物。
[２] 前記炭素−炭素二重結合を有する化合物が、アリルエーテル結合を有する化合物である[１]に記載の液状硬化性組成物。
[３] 前記（Ａ）エポキシ化合物が一分子中に少なくとも平均２個以上のグリシジル基を有する[１]または[２]に記載の液状硬化性組成物。
[４] 前記（Ａ）エポキシ化合物がビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの少なくとも１種類を含有する[１]〜[３]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[５]（Ｄ）硬化促進剤をさらに含む[１]〜[４]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[６] ２５℃での粘度が１〜５０Ｐａ・ｓである[１]〜[５]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[７] 前記過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応が、ニトリル化合物、塩基性塩化合物、及びアルコールを用いて行われる[１]〜[６]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[８] 前記（Ｃ）充填材が絶縁性充填材である[１]〜[７]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[９] 前記（Ｃ）充填材が導電性充填材である[１]〜[７]のいずれかに記載の液状硬化性組成物。
[１０] 前記絶縁性充填材が非晶質シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッ化アルミニウム、チッ化ケイ素からなる群より選択されるいずれかの無機充填材である[８]に記載の半導体封止用液状硬化性組成物。
[１１] 前記導電性充填材が金属、カーボン、グラファイト、絶縁性核材の表面に金属被覆層を有する複合粒子、からなる群から選択されるいずれかである[９]に記載のダイボンド材、導電性接着剤、異方導電性接着ペースト用液状硬化性組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
具体的には、ビスフェノールＡジアリルエーテル、ビスフェノールＦジアリルエーテル、2,2’‐ジアリルビスフェノール‐Ａジアリルエーテル、2,2’‐ジ‐t‐ブチルビスフェノール‐Ａジアリルエーテルなどの芳香族アリルエーテル；
1,5‐ペンタンジオールジアリルエーテル、1,6‐ヘキサンジオールジアリルエーテル、1,9‐ノナンジオールジアリルエーテル、1,10‐デカンジオールジアリルエーテル、ネオペンチルグリコールジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、グリセリントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテルなどの脂肪族アリルエーテル；
1,4‐シクロヘキサンジメタノールジアリルエーテル、トリシクロ［5.2.1.02,6］デカンジメタノールジアリルエーテルなどの脂環式アリルエーテル等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノールＡジアリルエーテル、ビスフェノールＦジアリルエーテル、1,4‐シクロヘキサンジメタノールジアリルエーテルが好ましい。なお、これらのアリルエーテル化合物は単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、これらの一分子中に少なくとも平均２個以上のジアリルエーテル結合を有する化合物の全てのアリル基の炭素−炭素二重結合をエポキシ基に酸化させる必然性はない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
〔測定方法〕
前記エポキシ化合物のエポキシ当量および全塩素量は以下の方法で測定した。
＜エポキシ当量＞
エポキシ当量はJIS‐K7236に準拠して求めた。試料を0.1〜0.2g秤量し、三角フラスコに入れた後、クロロホルム10mlを加えて溶解させた。次に、酢酸20mlを加え、続いて臭化テトラエチルアンモニウム酢酸溶液（臭化テトラエチルアンモニウム100gを酢酸400mlに溶解させたもの）10mlを加えた。
この溶液にクリスタルバイオレット指示薬を4〜6滴加え、0.1mol/L過塩素酸酢酸溶液で滴定し、滴定結果に基づいて、下記式に従ってエポキシ当量を求めた。
エポキシ当量(g/eq)＝(1000×m)／｛(V1−V0)×c}
m：試料の重量(g) 
V0：空試験における終点までの滴定に消費した過塩素酸酢酸溶液の量(ml)
V1：終点までの滴定に消費した過塩素酸酢酸溶液の量(ml)
c：過塩素酸酢酸溶液の濃度(0.1mol/L) 
＜全塩素量＞
全塩素量測定の分析は、試料を800℃以上の高温で燃焼・分解させ、その分解ガスを超純水等に吸収し、イオンクロマトグラフィーで定量した。イオンクロマトフィーは、メトローム社製 861 Advanced Compact IC、Shodex SI-90 4Eカラムから構成され、溶離液は1.7mM NaHCO３/1.8mMNa２CO３水溶液、1.3ml/minで測定した。
前記エポキシ化合物（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材（Ｃ）および硬化促進剤（Ｄ）を含む液状半導体封止用組成物の粘度は東機産業(株)RE-80U型粘度計、回転速度10rpmにて２５℃で測定した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
〔硬化物の作製と特性評価〕
実施例１〜８及び比較例１〜８の液状樹脂組成物を各々120℃,2時間＋180℃,2時間の条件で硬化して、特性評価用の硬化物を作製した。硬化物特性は、以下の測定法により評価した。
＜ガラス転移温度（Tg）＞
熱機械測定（TMA）により測定した。セイコー電子工業株式会社製SSC5200H熱分析システムを使用し、温度範囲40〜180℃、昇温速度10℃/min、荷重3gの条件で4×4×10mmの試験片を用いて測定を行った。得られた膨張曲線における転移に基づく変曲点前後の直線領域で各々引いた２本の直線の外挿線の交点の温度をガラス転移温度とした。
＜線膨張係数（CTE）＞
Tgと同様に、TMAにより測定した。セイコー電子工業株式会社製SSC5200H熱分析システムを使用し、温度範囲40〜180℃、昇温速度10℃/min、荷重3gの条件で4×4×10mmの試験片を用いて測定を行い、Ｚ軸方向の膨張率より線膨張係数を求めた。得られた膨張曲線におけるTg前後の直線部分の平均値として、α1を（Tg-40℃）〜（Tg-20℃）の範囲、α2を（Tg＋20℃）〜（Tg＋40℃）の範囲で各々求めた。
＜強度測定＞
曲げ強度、曲げ弾性率測定には株式会社オリエンテック製テンシロン材料試験機UCT‐1Tを使用した。測定には3×10×80mmの試験片を用い、試験速度１．５ｍｍ／ｍｉｎ．で試験を行った。
＜長期信頼性評価＞
長期信頼性の指標としてHHBT試験を実施した。試験用基板上に樹脂層を作製し、硬化させることにより、HHBT試験用基板を作製した。試験条件は、温度85℃、相対湿度85%RHの高温高湿下、L/S＝50/50μｍ、印加電圧 DC100Vで実施した。絶縁抵抗の急激な低下が見られた時点を導体間に短絡が発生した時点とみなし、絶縁不良発生とした。