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【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン加工された回路基板上にラミネートするためのボンディングシートであって（Ａ）末端カルボン酸ウレタンイミドオリゴマーと、（Ｂ）常温において液体であるエポキシ樹脂とを含有する熱硬化性樹脂組成物が、支持ベースフィルム上に積層されていることを特徴とする多層プリント配線板用ボンディングシート。
【請求項２】
上記熱硬化性樹脂組成物中に、さらに（Ｃ）平均粒径が０．１〜１０μｍの無機充填材を含有することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【請求項３】
上記（Ａ）末端カルボン酸ウレタンイミドオリゴマーはテトラカルボン酸ウレタンイミドオリゴマーであることを特徴とする請求項１または２記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【請求項４】
上記（Ａ）末端カルボン酸ウレタンイミドオリゴマーは、（ａ）下記一般式（１）で示されるジオール化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で示されるジイソシアネート化合物とを反応させて末端イソシアネート化合物を合成し、次いで（ｃ）下記一般式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物を反応させて末端酸無水物ウレタンイミドオリゴマーを合成し、更に（ｄ）水及び／または１級アルコールを反応させて得られることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【化１】
2011181628.tif 000001
（式中、Ｒは２価の有機基を示し、ｌは１〜２０の整数である。）
【化２】
2011181628.tif 000002
（式中、Ｘは２価の有機基を示す。）
【化３】
2011181628.tif 000003
（式中、Ｙは４価の有機基を示す。）
【請求項５】
上記（ａ）ジオール化合物は、少なくとも下記一般式（４）で示されるポリカーボネートジオールを含むことを特徴とする請求項４に記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【化４】
2011181628.tif 000004
（式中、複数個のＲ1はそれぞれ独立に２価の有機基を示し、ｍは１〜２０の整数である。）
【請求項６】
上記（Ａ）末端カルボン酸ウレタンイミドオリゴマーは、更に側鎖にもカルボキシル基を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【請求項７】
上記（Ｂ）常温において液体であるエポキシ樹脂の配合割合が、（Ａ）末端カルボン酸ウレタンイミドオリゴマー１００重量部に対して、１〜１００重量部となるように配合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層プリント配線板用ボンディングシート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
〔合成例４〕
＜ポリアミドイミド樹脂の合成＞
撹拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた５リットルの四つ口フラスコに、ジフェニルメタン−２，４′−ジイソシアネート２２７．５ｇ（０．９０９モル）、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート２２７．５ｇ（０．９０９モル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物６４４．９ｇ（１．８モル）及びγ−ブチロラクトン１６４９．９ｇを仕込み、１７０℃まで昇温した後、６時間反応させて、数平均分子量が１５，０００の樹脂を得た。得られた樹脂をγ−ブチロラクトンで希釈し、さらに、２−ブタノンオキシム２２．８ｇを添加して、９０℃で３時間加熱し、不揮発分３０重量％のポリアミドイミド樹脂溶液を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
〔実施例１〜４〕〔比較例１〜２〕
合成例１〜４で得られた樹脂溶液の樹脂分１００重量部に対して、表１に記載される配合組成により熱硬化性樹脂組成物溶液を得た。本溶液を支持ベースフィルムである膜厚３９μｍのポリエステルフィルム（パナック株式会社製:パナピールＳＧ−１）に最終乾燥厚みが１５μｍになるようにバーコーターを用いて流延・塗布し、８０℃で２０分乾燥してボンディングシートを得た。このようにして得られたボンディングシートの各種評価を行い、その結果を表１に記載した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
【表１】
2011181628.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが実装される配線基板であって、
厚さ方向に互いに並行して延在する複数の貫通孔が形成された陽極酸化層と、
前記複数の貫通孔のうち導体で充たすように設けられた第１貫通導体部および第２貫通導体部と、
前記陽極酸化層の第１面上に形成された第１絶縁層と、
前記陽極酸化層の第１面とは反対側の第２面上に形成され、前記第１貫通導体部と電気的に接続された第１配線層と、
前記第１配線層を覆うように前記第２面上に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記第２貫通導体部と電気的に接続された第２配線層と、
前記第２絶縁層に形成され、前記第２貫通導体部および前記第２配線層と電気的に接続された接続部と、
前記第１絶縁層に前記陽極酸化層を露出して形成された複数の開口部と、
前記複数の開口部のうち導体で充たすように設けられた第１端子部および第２端子部とを備えており、
前記第１絶縁層の表面は、前記半導体チップが実装される面であり、
前記第１端子部は、前記半導体チップの電源用または接地用の端子部と接合されるものであり、
前記第２端子部は、前記半導体チップの信号用の端子部と接合されるものであり、
前記第１貫通導体部は、一端部が前記第１端子部と接合され、他端部が第１配線層と接合されており、
前記第２貫通導体部は、一端部が前記第２端子部と接合され、他端部が前記接続部と接合されている構成を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記第１配線層は、電源用または接地用の配線層としてベタにパターニングされていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板において、
前記接続部が、パターニングされた前記第１配線層で囲まれていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板において、
前記第１絶縁層上に前記半導体チップの実装領域が設けられており、
前記第１および第２端子部は、前記実装領域でペリフェラル状に設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板において、
前記第１配線層は、ペリフェラル状に設けられた前記第１および第２端子部で囲まれる領域内側に前記電源用の配線層がベタにパターニングされており、領域外側に前記接地用の配線層がベタにパターニングされていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項４または５記載の配線基板において、
ペリフェラル状に設けられた前記第１および第２端子部が千鳥状に配置されていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
半導体チップが実装される配線基板であって、厚さ方向に互いに並行して延在する複数の貫通孔が形成された陽極酸化層と、前記複数の貫通孔のうち導体で充たすように設けられた第１貫通導体部および第２貫通導体部と、前記陽極酸化層の第１面上に形成された第１絶縁層と、前記陽極酸化層の第１面とは反対側の第２面上に形成され、前記第１貫通導体部と電気的に接続された第１配線層と、前記第１配線層を覆うように前記第２面上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、前記第２貫通導体部と電気的に接続された第２配線層と、前記第２絶縁層に形成され、前記第２貫通導体部および前記第２配線層と電気的に接続された接続部と、前記第１絶縁層に前記陽極酸化層を露出して形成された複数の開口部と、前記複数の開口部のうち導体で充たすように設けられた第１端子部および第２端子部とを備えている。ここで、前記第１絶縁層の表面側は、前記半導体チップが実装される側である。前記第１端子部は、前記半導体チップの電源用または接地用の端子部と接合されるものである。前記第２端子部は、前記半導体チップの信号用の端子部と接合されるものである。前記第１貫通導体部は、一端部が前記第１端子部と接合され、他端部が第１配線層と接合されており、前記第２貫通導体部は、一端部が前記第２端子部と接合され、他端部が前記接続部と接合されている構成を含む。なお、配線基板における「貫通導体」は、その形状が線状であるため、以下では「線状導体」として記す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このようにして、配線基板１を製造（形成）することができる。本実施形態では、端子部３５および接続部２２は、陽極酸化層１２（配線基板１）の平面視で同位置となるようにしている。このため、端子部３５が形成される開口部３２および接続部２２が形成される開口部３７ａは、同じフォトマスクを用いることができる。このため、配線基板１を形成するにあたり製造コストを低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
配線基板１では、図１５に示すように、配線層１８が配線基板１面に広がってパターニング（ベタにパターニング）されている。この配線層１８のうち、電源用の配線パターン１８ａがベタにパターニングされており、接地用の配線パターン１８ｂもベタにパターニングされている。また、配線基板１では、図１６に示すように、配線層２３のうち、信号用の配線パターン２３ｃが接続部２２から基板外側へ引き回されるようにパターニングされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
配線基板１に実装される半導体チップの動作周波数がマイクロ波の場合、例えば、図１４に示したように、接地用の配線パターン１８ｂ上に、信号用の配線パターン２３ｃが配置されてマイクロストリップラインが構成される。本実施形態では、配線パターン１８ｂが形成される配線層１８と、配線パターン２３ｃが形成される配線層２３とは別の層であるため、接地用の配線パターン１８ｂと信号用の配線パターン２３ｃとの距離をある程度保つことができ、特性インピーダンスの影響を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2011181642.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2011181642.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2011181642.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置において、
前記基板の半径をＲ１、前記基板にバイアスを印加する電極の半径をＲ２とするとき、（Ｒ２−Ｒ１）を少なくとも１ｍｍ以上とし、前記電極の大きさを、前記基板より大きくしたことを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ成膜装置において、
前記（Ｒ２−Ｒ１）を９ｍｍ以上とすることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項３】
原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜方法において、
前記基板の半径をＲ１、前記基板にバイアスを印加する電極の半径をＲ２とするとき、（Ｒ２−Ｒ１）を少なくとも１ｍｍ以上とし、前記基板の大きさより大きい前記電極を用いて、前記基板にバイアスを印加することを特徴とするプラズマ成膜方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ成膜方法において、
前記（Ｒ２−Ｒ１）を９ｍｍ以上とすることを特徴とするプラズマ成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する第１の発明に係るプラズマ成膜装置は、
原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置において、
前記基板の半径をＲ１、前記基板にバイアスを印加する電極の半径をＲ２とするとき、（Ｒ２−Ｒ１）を少なくとも１ｍｍ以上とし、前記電極の大きさを、前記基板より大きくしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する第２の発明に係るプラズマ成膜装置は、
上記第１の発明に記載のプラズマ成膜装置において、
前記（Ｒ２−Ｒ１）を９ｍｍ以上とすることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する第３の発明に係るプラズマ成膜方法は、
原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜方法において、
前記基板の半径をＲ１、前記基板にバイアスを印加する電極の半径をＲ２とするとき、（Ｒ２−Ｒ１）を少なくとも１ｍｍ以上とし、前記基板の大きさより大きい前記電極を用いて、前記基板にバイアスを印加することを特徴とする。
上記課題を解決する第４の発明に係るプラズマ成膜方法は、
上記第３の発明に記載のプラズマ成膜方法において、
前記（Ｒ２−Ｒ１）を９ｍｍ以上とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを用いてＥＵＶマスクの欠陥を修正するＥＵＶマスク修正装置において、
水素イオンビームを発生する電界電離型イオン源と、
前記水素イオンビームを前記ＥＵＶマスク上に集束させるイオン光学系と、
前記ＥＵＶマスクを載置する試料台と、
前記ＥＵＶマスクから発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、
前記検出器の出力信号に基づいて前記ＥＵＶマスクの観察像を形成する像形成部と、を有するＥＵＶマスク修正装置。
【請求項２】
前記電界電離型イオン源に水素ガスを供給する水素ガス供給源と、
前記電界電離型イオン源と前記水素ガス供給源との間に設置され、前記水素ガスを純化する純化器と、を有する請求項１に記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項３】
前記水素イオンビームを発生させるイオン発生室と、
前記イオン発生室と前記試料台を収容する真空試料室との間に配置された中間室と、を有する請求項１または２のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項４】
前記電界電離型イオン源と前記イオン光学系は、前記ＥＵＶマスク上にビーム径５ｎｍ以下の前記水素イオンビームを照射する請求項１から３のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項５】
前記ＥＵＶマスクへの前記水素イオンビームの照射量の上限値を４×１０16個／ｃｍ2とする請求項１から４のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項６】
前記電界電離型イオン源と前記集束レンズ電極との間に前記水素イオンビームの電流量を測定するための電流測定電極を有する請求項１から５のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項７】
前記ＥＵＶマスクにデポジションガスを供給するデポジションガス供給系を有する請求項１から６のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項８】
前記ＥＵＶマスクにエッチングガスを供給するエッチングガス供給系を有する請求項１から７のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正装置。
【請求項９】
イオンビームを用いてＥＵＶマスクの欠陥を修正するＥＵＶマスク修正方法において、
前記ＥＵＶマスクに水素イオンビームを走査照射し観察像を取得する観察工程と、
前記観察像から欠陥修正位置を設定する修正位置設定工程と、
前記欠陥修正位置に前記水素イオンビームを照射し欠陥を修正する欠陥修正工程と、
を有するＥＵＶマスク修正方法。
【請求項１０】
前記ＥＵＶマスクへの前記水素イオンビームの照射量の上限値を４×１０16個／ｃｍ2とする請求項９に記載のＥＵＶマスク修正方法。
【請求項１１】
前記欠陥修正工程において、前記欠陥にデポジションガスを供給する請求項９または１０に記載のＥＵＶマスク修正方法。
【請求項１２】
前記欠陥修正工程において、前記欠陥にエッチングガスを供給する請求項９から１１のいずれか一つに記載のＥＵＶマスク修正方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離型テープに貼着された粘着テープを電子部品へ貼着する貼着装置であって、
上記粘着テープを電子部品に貼着する貼着手段と、
上記離型テープを所定ピッチで間欠的に送る送り手段と、
を具備し、
上記送り手段は、
上記離型テープを挟持する一対の挟持片を開閉駆動する固定チャックと、上記離型テープを挟持する一対の挟持片を開閉駆動及び上記離型テープの送り方向に移動駆動する引き出しチャックを有し、
上記固定チャックの一対の挟持片が、上記離型テープを一対の挟持片を閉じて挟持する上記引き出しチャックの挟持片が通過できる間隔まで開放し、上記引き出しチャックの一対の挟持片が、所定ピッチ送られた上記離型テープを一対の挟持片を閉じて挟持する上記固定チャックの挟持片が通過できる間隔まで開放可能に構成されている
ことを特徴とする粘着テープの貼着装置。
【請求項２】
上記離型テープを挟持する上記引き出しチャックの一対の挟持片が閉じた位置から上記固定チャックの開放した一対の挟持片までの距離は、上記引き出しチャックが移動する所定ピッチの距離の半分より短いことを特徴とする請求項１記載の粘着テープの貼着装置。
【請求項３】
上記引き出しチャックが上記離型テープを一対の挟持片で挟持して送り方向へ移動を開始する際に、送り方向とは逆方向に移動してから上記固定チャックの開放された一対の挟持片の間を通過することを特徴とする請求項１記載の粘着テープの貼着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この発明は、離型テープに貼着された粘着テープを電子部品へ貼着する貼着装置であって、
上記粘着テープを電子部品に貼着する貼着手段と、
上記離型テープを所定ピッチで間欠的に送る送り手段と、
を具備し、
上記送り手段は、上記離型テープを挟持する一対の挟持片を開閉駆動する固定チャックと、上記離型テープを挟持する一対の挟持片を開閉駆動及び上記離型テープの送り方向に移動駆動する引き出しチャックを有し、上記固定チャックの一対の挟持片が、上記離型テープを一対の挟持片を閉じて挟持する上記引き出しチャックの挟持片が通過できる間隔まで開放し、上記引き出しチャックの一対の挟持片が、所定ピッチ送られた上記離型テープを一対の挟持片を閉じて挟持する上記固定チャックの挟持片が通過できる間隔まで開放可能なように構成されていることを特徴とする粘着テープの貼着装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層の上方に第２の半導体層を形成する第１の工程と、
前記第２の半導体層の上方に第３の半導体層を形成する第２の工程と、
前記第３の半導体層の上方に、少なくとも第１の領域と第２の領域と第３の領域とを有する第１のフォトレジスト層を形成する第３の工程と、
前記第１の領域と前記第２の領域とにマスクが重なり、前記第３の領域に前記マスクが重ならないように、前記マスクを配置した状態で、前記第１のフォトレジスト層に対して第１の光を照射する第４の工程と、
前記第１の領域と前記第３の領域とに前記マスクが重なり、前記第２の領域に前記マスクが重ならないように、前記マスクを配置した状態で、前記第１のフォトレジスト層に対して第２の光を照射する第５の工程と、
前記第１のフォトレジスト層に対して第１の現像を行うことによって、前記第１の光及び前記第２の光が照射されていない箇所に、第１のレジストマスクを形成する第６の工程と、
前記第３の半導体層をエッチングして第３の島状半導体層を形成する第７の工程と、
前記第１のレジストマスクを除去する第８の工程と、
前記第３の島状半導体層の上方に第２のフォトレジスト層を形成する第９の工程と、
前記マスクの外周よりも内側に前記第３の島状半導体層の外周が位置するように前記マスクを配置した状態で、前記第２のフォトレジスト層に対して第３の光を照射する第１０の工程と、
前記第２のフォトレジスト層に対して第２の現像を行うことによって、前記第３の光が照射されていない箇所に第２のレジストマスクを形成する第１１の工程と、
前記第２の半導体層をエッチングして第２の島状半導体層を形成し、前記第１の半導体層をエッチングして第１の島状半導体層を形成する第１２の工程と、
前記第２のレジストマスクを除去する第１３の工程と、を少なくとも有し、
前記第１の半導体層は、少なくとも第１の元素を有し、
前記第３の半導体層は、少なくとも第２の元素を有し、
前記第１の元素は、前記第１の半導体層にｎ型又はｐ型の一方の導電型を付与することができる元素であり、
前記第２の元素は、前記第３の半導体層にｎ型又はｐ型の他方の導電型を付与することができる元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データを反復復号し、該反復復号されたデータをビット単位で累算し、該累算された値と複数の基準値とをそれぞれ比較し、該比較結果によって決定された決定データと指示データとを出力するための第１デコーダと、
前記指示データによって、前記決定データを含むシンボルに対してエラー訂正を行う第２デコーダと、
を含むことを特徴とするデコーダ。
【請求項２】
前記第１デコーダは、
前記入力データを反復復号して、前記反復復号されたデータを出力するための反復デコーダと、
前記反復復号されたデータを前記ビット単位で累算し、前記累算された値が、前記複数の基準値のうちから第１基準値より小さい時、第１データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値より大きい第２基準値より大きい時、第２データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値と前記第２基準値との間の値である時、前記指示データとともに第３データを前記決定データとして出力するための決定回路と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のデコーダ。
【請求項３】
前記第１デコーダは、
前記第２デコーダから出力された制御信号に応答して、前記反復復号されたデータを前記第２デコーダに伝送するか、または前記決定回路に伝送するためのスイッチング回路をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のデコーダ。
【請求項４】
前記第１デコーダは、
前記反復復号されたデータを出力するための反復デコーダと、
前記反復デコーダの出力端に接続されたデマルチプレクサと、
前記デマルチプレクサの第２出力端から出力された前記反復復号されたデータを前記ビット単位で累算して、前記累算された値を出力するための累算器と、
前記累算された値が、前記複数の基準値のうちから第１基準値より小さい時、第１データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値より大きい第２基準値より大きい時、第２データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値と前記第２基準値との間の値である時、第３データを前記決定データとして出力するための決定ユニットと、
前記デマルチプレクサの第１出力端から出力される前記反復復号データまたは前記決定データを前記第２デコーダに伝送するためのマルチプレクサと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のデコーダ。
【請求項５】
前記第１デコーダから出力された前記反復復号されたデータにアンコレクタブルエラーが存在する時、前記第２デコーダは、前記反復復号されたデータをビット単位で累算する前に、前記第１デコーダの反復復号回数を増加させるための制御信号を前記第１デコーダに伝送し、
前記第１デコーダは、前記制御信号に応答して増加した反復復号回数だけ前記反復復号データをビット単位で累算することを特徴とする請求項１に記載のデコーダ。
【請求項６】
デコーダと、
前記デコーダによってエラー訂正されたデータを処理するためのプロセッサとを備え、
前記デコーダは、入力データを反復復号し、該反復復号されたデータをビット単位で累算し、該累算された値と複数の基準値とをそれぞれ比較し、該比較結果によって決定された決定データと指示データとを出力するための第１デコーダと、
前記指示データによって、前記決定データを含むシンボルに対してエラー訂正を行う第２デコーダを含むことを特徴とするデータ処理システム。
【請求項７】
入力データを反復復号し、該反復復号されたデータをビット単位で累算し、該累算された値と複数の基準値とをそれぞれ比較し、該比較結果によって決定された決定データと指示データとを出力するための第１デコーダと、
前記指示データによって、前記決定データを含むシンボルに対してエラー訂正を行う第２デコーダと、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブの動作を制御するためのコントローラ。
【請求項８】
ディスクと、
前記ディスクにライトされたアナログ信号をリードするためのヘッドと、
前記ヘッドによってリードされたアナログ信号を増幅するための前置増幅器と、
コントローラと、を含み、前記コントローラは、
前記前置増幅器から出力されたアナログ信号に相応する入力データを反復復号し、該反復復号されたデータをビット単位で累算し、該累算された値と複数の基準値とをそれぞれ比較し、該比較結果によって決定された決定データと指示データとを出力するための第１デコーダと、
前記指示データによって、前記決定データを含むシンボルに対してエラー訂正を行う第２デコーダと、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項９】
ハードディスクドライブと、
前記ハードディスクドライブの第２デコーダによってエラー訂正されたデータを処理することができるホストとを備え、
前記ハードディスクは、
ディスクと、
前記ディスクにライトされたアナログ信号をリードするためのヘッドと、
前記ヘッドによってリードされたアナログ信号を増幅するための前置増幅器と、
コントローラと、を含み、
前記コントローラは、
前記前置増幅器から出力されたアナログ信号に相応する入力データを反復復号し、該反復復号されたデータをビット単位で累算し、該累算された値と複数の基準値とをそれぞれ比較し、該比較結果によって決定された決定データと指示データとを出力するための第１デコーダと、
前記指示データによって、前記決定データを含むシンボルに対してエラー訂正を行う前記第２デコーダとを含むことを特徴とするコンピュータシステム。
【請求項１０】
前記第１デコーダは、
前記入力データを反復復号して、前記反復復号されたデータを出力するための反復デコーダと、
前記反復復号されたデータを前記ビット単位で累算し、前記累算された値が、前記複数の基準値のうちから第１基準値より小さい時、第１データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値より大きい第２基準値より大きい時、第２データを前記決定データとして出力し、前記第１基準値と前記第２基準値との間の値である時、前記指示データとともに第３データを前記決定データとして出力するための決定回路と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載のコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振波長の異なるレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、
前記複数のレーザ光源から出射された発散光の状態の各レーザ光を、直接光ディスクの記録面に集光するための複数の対物レンズと
を備え、
前記複数のレーザ光源のうち、所定の発振波長のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光を反射して前記複数の対物レンズの一つに導き、他のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光を透過する打ち上げミラーをさらに備え、
前記打ち上げミラーは、
前記他のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光が前記打ち上げミラーを透過する場合には、当該レーザ光にその非点収差を補正する収差を付与し、
前記所定の発振波長のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光が前記打ち上げミラーで反射される場合には、当該レーザ光に収差を付与しない
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記所定の発振波長のレーザ光源は、前記複数のレーザ光源のうち、最も短い発振波長のレーザ光源であることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記打ち上げミラーは、平板ミラーであること
を特徴とする請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記打ち上げミラーは、ダイクロイックミラーであること
を特徴とする請求項１から３までの何れか１項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を選択的に透過、反射することにより合成して共通の光路に導く光合成手段をさらに備え、
前記光合成手段は、前記複数のレーザ光源のうち、所定の発振波長のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光を反射し、他のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光を透過するミラーを有し、当該ミラーを前記他のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光が透過することにより発生する非点収差によって、当該他のレーザ光源から出射されたレーザ光の非点収差を補正すること
を特徴とする請求項１から４までの何れか１項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記打ち上げミラーおよび前記光合成手段の前記ミラーは、前記共通の光路の光軸を中心とした回転方向に互いに９０度異なる方向を向いた反射面を有することを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記光合成手段の前記ミラーは、平板ミラーであること
を特徴とする請求項５または６に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記光合成手段の前記ミラーは、ダイクロイックミラーであること
を特徴とする請求項５から７までの何れか１項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記複数の対物レンズの少なくとも１つは、有限系対物レンズであることを特徴とする請求項１から８までの何れか１項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
請求項１から９までの何れか１項に記載の光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の光ピックアップ装置は、発振波長の異なるレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、複数のレーザ光源から出射された発散光の状態の各レーザ光を、直接光ディスクの記録面に集光するための複数の対物レンズとを備え、さらに、複数のレーザ光源のうち所定の発振波長のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光を反射して複数の対物レンズの一つに導き、他のレーザ光源から出射されたレーザ光を透過する打ち上げミラーを備える。打ち上げミラーは、前記他のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光が打ち上げミラーを透過する場合には、当該レーザ光にその非点収差を補正する収差を付与し、前記所定の発振波長のレーザ光源から出射された発散光の状態のレーザ光が打ち上げミラーで反射される場合には、当該レーザ光に収差を付与しない。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
こうしたデュアル・アクチュエータ方式を用いたヘッドサスペンションにおいて、薄型化の要請に応えるためには、特許文献２の図６〜図８のように、ベースプレートとアクチュエータベースを一体の部材から形成するのが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【特許文献１】特開２００２−１８４１４０号公報
【特許文献２】特開２００２−５０１４０号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のベースプレートとロードビームとの間に設けられて前記ベースプレート側に導通する取付部に、電圧の印加状態に応じて変形する圧電素子を設け、前記圧電素子の変形に従って前記ベースプレートに対し前記ロードビームをスウェイ方向に変位させるヘッドサスペンションであって、
前記取付部は、前記ベースプレートと一体のアクチュエータベースと、前記アクチュエータベースに対向する補助プレート部とからなり、
前記補助プレート部は、前記圧電素子の一側平面部の周縁に対向する平面受け部とこの平面受け部に設けられスウェイ方向で前記圧電素子の側面に対向する側面受け部とを有し、
前記取付部と前記圧電素子との間に介在させ前記圧電素子を前記取付部に取り付ける非導電性接着剤層と、
前記圧電素子の電極面と前記側面受け部との間を導通接続する導電性部材と、
を備えたことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項２】
請求項１記載のヘッドサスペンションであって、
前記取付部は、前記圧電素子の周縁部を囲む形状であり、
前記非導電性接着剤層は、前記取付部と前記圧電素子の周縁部との間に介在させ前記圧電素子の周縁部を囲むようにして設けられ、
前記導電性部材は、前記非導電性接着剤層を渡って前記圧電素子の電極面と前記側面受け部との間を導通接続する、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヘッドサスペンションであって、
前記平面受け部及び側面受け部をスウェイ交差方向前後部間で不連続として前記変位を許容する変位許容部を備えた、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のヘッドサスペンションであって、
前記取付部は、前記スウェイ方向で一対形成され、
前記圧電素子は、前記各取付部にそれぞれ固定された、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のヘッドサスペンションであって、
前記取付部は、前記側面受け部の外方にそれぞれ突出した一対の可撓連結部を備え、
前記圧電素子は、前記取付部に固定された、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のヘッドサスペンションであって、
前記側面受け部は、前記導電性部材を受ける接続面を前記圧電素子の電極面に対し面一に備えた、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のヘッドサスペンションであって、
前記側面受け部は、その表面に良導電性の金属層を備えた、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のヘッドサスペンションであって、
前記側面受け部は、前記導電性部材の収容部を備えた、
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のヘッドサスペンションを製造するためのヘッドサスペンションの製造方法であって、
前記ベースプレート及び前記ロードビームに前記取付部を含む半製品ワークを形成する取付部形成工程と、
前記取付部に前記圧電素子を前記非導電性接着剤層を介在させて取り付ける実装工程と、
前記導電性部材を塗布する塗布工程と、
を備えたことを特徴とするヘッドサスペンションの製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載のヘッドサスペンションを製造するためヘッドサスペンションの製造方法であって、
前記ベースプレート及び前記ロードビームに前記取付部を含む半製品ワークを形成する取付部形成工程と、
前記取付部に前記圧電素子を前記非導電性接着剤層を介在させて取り付ける実装工程と、
前記導電性部材を塗布する塗布工程とを備え、
前記取付部形成工程に、前記側面受け部となる部分にパーシャルエッチング処理を施して前記収容部となる部分を形成する収容部形成工程を備えた、
ことを特徴とするヘッドサスペンションの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性体で付勢した可動導体と、一対のリード端子と、前記可動導体と前記リード端子とを接合して前記可動導体を固着する可溶体と、前記可動導体に熱結合させた発熱素子と、前記発熱素子に通電するための第３のリード端子と、これらを収納する絶縁ケースとを有し、前記可溶体の溶融温度で前記接合が溶融することで、前記弾性体の付勢力で前記可動導体を動かして回路を遮断する温度ヒューズであって、前記可動導体と前記リード端子の表面が平坦であり、それぞれの平坦面を互いに重ね合わせて接合したことを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記弾性体は、コイルばね、板ばね、皿ばね、リングスパンからなるばね材、および、耐熱エラストマースプリングの群から選ばれる少なくとも１つのスプリングであることを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項３】
前記発熱素子は、抵抗素子またはＰＴＣサーミスタを使用したことを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項４】
前記弾性体は、導電性ばね材であることを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項５】
前記絶縁ケースは絶縁台座と絶縁カバーとからなり、前記絶縁台座のリード端子取り付け部と、前記絶縁台座のばね取り付け部とに、位置決めのための突起部またはアライメント突起を設け、さらに前記絶縁カバー側面にリード端子を固定するためのガイドスカートを設けたことを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項６】
前記絶縁ケースは絶縁台座と絶縁カバーとからなり、前記リード端子と前記絶縁台座と前記絶縁カバーとに貫通孔を設け、前記リード端子と前記絶縁台座および前記絶縁カバー、または前記リード端子と前記絶縁台座とを、前記貫通孔にリベットを挿通し鋲着して一体に組み立てたことを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
色素増感型太陽電池の電解液は、原理的に酸化還元対が必須であるとされている。ヨウ素とヨウ化物（Ｉ−／Ｉ３−）系以外の酸化還元対を使用する方法では、充分なエネルギー変換効率を得ることが困難である。
特許文献２は、何らかの構成要素が異なる複数の色素増感型太陽電池を組み合わせたモジュールを提案している（請求項１）。構成要素が異なる例は、電解質中のヨウ素濃度の違いが含まれる（請求項６、７）。さらにヨウ素濃度に関する予備実験として、固体状のイミダゾリウム塩と４−ｔ−ブチルピリジンとを併用、あるいは液体イミダゾリウム塩と４−ｔ−ブチルピリジンとを併用して、ヨウ素濃度０．０１〜０．０５Ｍの範囲で変化させた例が報告されている（段落番号００３９〜００５０）。実施例においては、ヨウ素濃度の低い方の太陽電池では０．０２Ｍまたは０．０３Ｍとのヨウ素濃度、ヨウ素濃度の高い方の太陽電池では０．０５Ｍとのヨウ素濃度が採用されている（段落番号００７９の表１）。その報告によると、ヨウ素を全く添加しないと、太陽電池として機能しないことが記載されており、ヨウ素添加量は０．０４Ｍ〜０．２Ｍが必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
[１]電解液
本願発明の電解液は、基本的に、イオン液体と溶媒、からなる。以下、電解液構成成分について説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
電解液中にチオシアン酸イオン（Ｓ−−Ｃ≡Ｎ）またはイソチオシアン酸イオン（Ｎ−＝Ｃ＝Ｓ）を添加する場合、電解液中のチオシアン酸イオンおよびイソチオシアン酸イオンの合計の濃度は０．０１乃至１Ｍが好ましく、０．０２乃至０．５Ｍがさらに好ましく、０．０５乃至０．２Ｍが最も好ましい。
電解液の調製において、イソチオシアン酸イオンは塩として添加することが好ましい。塩の対イオンは、後述するグアニジウムイオンが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（Ｃ）電解液層
電解液層は色素の酸化体に電子を補充する機能を有する層である。電解液層に前記本願発明の電解液を用いる。
光電極層は、その多孔構造中の空孔が電解液により充填されていることが好ましい。具体的に、光電極層が有する空孔が電解液によって充填されている割合は、２０体積％以上が好ましく、５０体積％以上がさらに好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
好ましい態様によれば、光電極層中の空隙を完全に埋める量より多い電解質液を塗布するので、図１に示すように得られる電解液層は光電極層の透明導電層との境界から対向電極層の透明導電層との境界までの間に存在する。
ここで、電解液層の厚さ（半導体粒子層を含まない）は０．００１〜２００μｍであるのが好ましく、０．１〜１００μｍであるのが更に好ましく、０．１〜５０μｍであるのが特に好ましい。
電解液層が０．００１μｍより薄いと光電極層の半導体微粒子が対向電極層の透明導電層に接触するおそれがあり、また２００μｍより厚いと電荷の移動距離が大きくなりすぎ、素子の抵抗が大きくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
（５）色素増感型光電変換素子の作製
色素吸着した半導体層をＩＴＯ−ＰＥＮフィルムから掻き落として、受光面積４０ｃｍ２（５ｃｍ×８ｃｍ）の長方形の受光層を形成した。
この電極に対して、対向電極の透明型銀パターン化ＩＴＯ−ＰＥＴフィルムもしくは不透明型の白金蒸着ＩＴＯ−ＰＥＴフィルムを、上記のセパレータフィルムを挿入して重ね合わせ、セパレータフィルムが挿入された間隙に毛管効果によって５０℃のもとで電解液を注液した。
電解液として、表１のＮｏ．１〜Ｎｏ．３１に示すものを用いた。
このように作製したサンドイッチ型のフィルム電池のエッジ部にエポキシ系の熱効果型シール材を注入し、１１０℃で２０分間硬化処理を行った。
このようにして組み立てた名刺サイズのフィルム型光電池は厚さが３８０μｍ、重さが２．２ｇとなった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
分子量が１，０００以上１００，０００未満でかつＨＬＢ値が１７以上のノニオン活性剤、塩基性化合物及び水を含有し、ノニオン活性剤の含有量が０．０００１重量％以上０．０５重量％未満であることを特徴とする研磨用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、分子量が１，０００以上１００，０００未満でかつＨＬＢ値が１７以上のノニオン活性剤、塩基性化合物及び水を含有し、ノニオン活性剤の含有量が０．０００１重量％以上０．０５重量％未満である研磨用組成物を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する複数の処理室と、
前記処理室に連通可能に接続された搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、前記搬送室と前記処理室との間で前記基板を搬送する搬送機構と、
前記各処理室に接続されて前記各処理室内の基板処理を制御する処理制御部と、
前記処理制御部に接続され、前記搬送機構の動作を制御する統合制御部と、
前記統合制御部及び前記処理制御部に接続され、前記統合制御部及び前記制御部に処理命令を送信すると共に、前記統合制御部を介して前記搬送機構から動作報告を受信する操作部と、
を備えた基板処理装置であって、
前記統合制御部は、指定された処理室内への生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板を搬送すると共に、前記指定された処理室以外の処理室へ生産用の基板を搬送するように前記搬送機構を制御する基板処理装置。
【請求項２】
前記操作部は、処理室の保守点検を行うメンテナンスモード、保守点検後の前記処理室で品質管理用の基板を処理するＱＣモード、および生産用の基板を処理する生産モードをそれぞれ選択し、各処理室に設定する設定画面を表示する表示部を備え、
前記統合制御部は、
所定の処理室が前記ＱＣモードに設定されると、前記所定の処理室に前記生産用の基板の搬送を禁止しつつ、前記品質管理用の基板を搬送し、
所定の処理室が前記生産モードに設定されると、前記所定の処理室に前記品質管理用の基板の搬送を禁止しつつ、前記生産用の基板を搬送する請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
品質管理用の基板を処理するＱＣモードに処理室を設定し、前記処理室に生産用の基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板の搬送する工程と、
処理した品質管理用の基板の品質を検査し、前記品質が所定の品質を満たしていた場合に、前記処理室を前記ＱＣモードから生産用の基板を処理する生産モードに移行し、前記処理室に品質管理用の基板の搬送を禁止しつつ生産用の基板を搬送する工程と、
を有する基板搬送方法。
【請求項４】
品質管理用の基板を処理するＱＣモードに処理室を設定し、前記処理室に生産用の前記基板の搬送を禁止しつつ品質管理用の基板の搬送し、前記処理室内で品質管理用の基板を処理する工程と、
品質管理用の基板の品質を検査し、前記品質が所定の品質を満たしていた場合に、前記処理室を前記ＱＣモードから生産用の前記基板を処理する生産モードに移行し、前記処理室に品質管理用の基板の搬送を禁止しつつ生産用の基板を搬送し、前記処理室内で生産用の前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型金属酸化物よりなる圧電薄膜であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物の結晶系が少なくとも菱面体晶構造と正方晶構造を有する混在系であり、かつ前記正方晶構造のａ軸長とｃ軸長の比が１．１５≦ｃ／ａ≦１．３０であることを特徴とする圧電薄膜。
【請求項２】
前記ペロブスカイト型金属酸化物が、下記一般式（１）で表される金属酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜。
【化１】
2011181776.tif 000001
（式中、ＭはＦｅおよびＡｌより選ばれる少なくとも一種の金属を表し、０．９５≦ｘ≦１．２５、０．０５≦ｙ≦０．１５である。）
【請求項３】
前記一般式（１）の金属ＭがＦｅであることを特徴とする請求項２に記載の圧電薄膜。
【請求項４】
前記圧電薄膜の正方晶構造は膜面方向に対して（００１）面に配向しており、前記圧電薄膜の菱面体晶構造は膜面方向に対して（１００）面に配向していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧電薄膜。
【請求項５】
前記圧電薄膜の正方晶構造の部分と菱面体晶構造の部分の少なくとも一方が柱状構造を形成していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電薄膜。
【請求項６】
前記圧電薄膜の膜厚が、５０ｎｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧電薄膜。
【請求項７】
前記圧電薄膜の表面の二乗平均平方根粗さＲｑと前記一般式（１）のｙが、下記一般式（２）の関係を満たすことを特徴とする請求項２または３に記載の圧電薄膜。
一般式（２）    ０＜Ｒｑ≦２５ｙ＋２
【請求項８】
前記圧電薄膜が基板上に設けられており、前記基板が（１００）面に配向した単結晶基板であり、前記単結晶の単位格子の基板表面における面内格子長が０．３６０ｎｍ以上０．３８５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の圧電薄膜。 
【請求項９】
基板上に、圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを有する圧電素子であって、前記圧電薄膜が請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧電薄膜であることを特徴とする圧電素子。
【請求項１０】
前記基板が（１００）面に配向した単結晶基板であり、前記単結晶の単位格子の基板表面における面内格子長が０．３６０ｎｍ以上０．３８５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の圧電素子。
【請求項１１】
前記基板が、ＬａＡｌＯ３単結晶を少なくとも含むことを特徴とする請求項１０に記載の圧電素子。
【請求項１２】
前記一対の電極の少なくとも一方がＭ１ＲｕＯ３（Ｍ１はＳｒ、Ｂａ、およびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種を表す）、またはＳｒ（１−ｚ）Ｍ２ｚＣｏＯ３（Ｍ２はＬａ、Ｐｒ、ＳｍおよびＮｄからなる群より選ばれた少なくとも１種を表し、ｚは０≦ｚ＜１である）で表されるペロブスカイト型金属酸化物よりなることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の圧電素子。
【請求項１３】
前記一対の電極の一方が、圧電薄膜と基板の両方に接するように設けられており、Ｓｒ（１−ｚ）ＬａｚＣｏＯ３（ｚは０≦ｚ＜１である。）よりなることを特徴とする請求項１２に記載の圧電素子。
【請求項１４】
基板上に、圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを有する圧電素子の製造方法であって、基板が（１００）面に選択的に配向した単結晶の基板であり、前記基板の表面における前記単結晶の単位格子の面内格子長が０．３６０ｎｍ以上０．３８５ｎｍ以下である基板上に第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に圧電薄膜を形成する工程と、前記圧電薄膜上に第２の電極を形成する工程とを有し、前記圧電薄膜を形成する工程が、有機金属化合物からなる前駆体溶液を塗布し、乾燥した後に、反応炉内において過剰酸素雰囲気で４３０℃以下の温度で加熱して結晶化した金属酸化物からなる薄膜を得る工程を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項１５】
前記圧電薄膜を形成する工程が化学溶液堆積法によることを特徴とする請求項１４に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１６】
前記化学溶液堆積法が多層コーティングにより行なわれ、１層あたりのコーティング膜厚が８ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１７】
前記過剰酸素雰囲気は、前記反応炉内の酸素濃度が大気雰囲気中の酸素濃度よりも高い雰囲気であることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１８】
前記過剰酸素雰囲気は、前記反応炉内の酸素濃度が２１体積％以上の雰囲気であることを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１９】
前記過剰酸素雰囲気がオゾン成分を含有していることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の電極が、Ｓｒ（１−ｚ）ＬａｚＣｏＯ３（ｚは０≦ｚ＜１である）よりなり、パルスレーザ堆積法により形成されることを特徴とする請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項９〜１３のいずれか一項に記載の圧電素子を用いた液体吐出ヘッド。
【請求項２２】
請求項９〜１３のいずれか一項に記載の圧電素子を用いた超音波モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題を解決する圧電素子の製造方法は、基板上に、圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを有する圧電素子の製造方法であって、基板が（１００）面に選択的に配向した単結晶の基板であり、前記基板の表面における前記単結晶の単位格子の面内格子長が０．３６０ｎｍ以上０．３８５ｎｍ以下である基板上に第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に圧電薄膜を形成する工程と、前記圧電薄膜上に第２の電極を形成する工程とを有し、前記圧電薄膜を形成する工程が、有機金属化合物からなる前駆体溶液を塗布し、乾燥した後に、反応炉内において過剰酸素雰囲気で４３０℃以下の温度で加熱して結晶化した金属酸化物からなる薄膜を得る工程を含むことを特徴とする。