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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが設けられた基板と、
前記基板の一方の主面に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子と
を備え、
前記基板は、前記半導体発光素子から該基板に向けて放射された光の少なくとも一部を前記一方の主面に対して直交する方向に反射させる凹凸構造を前記一方の主面に有する、半導体発光装置。
【請求項２】
前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心円状に複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心矩形状に複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心状に位置し、内側は矩形状、外側は円状に位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記基板は、平面視において略長方形状の外形を有し、かつ、縁を囲むようにリフレクター部をさらに有し、
前記凹凸構造は、前記基板の長手方向に直交する方向に延在し、前記長手方向において互いに間隔を置いて複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記凹凸構造が、前記半導体発光素子を囲むように矩形状にさらに位置する、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記凹凸構造は、前記配線パターンと前記半導体発光素子との接続位置と重ならないように位置する、請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記凹凸構造は、前記半導体発光素子の周側面から該半導体発光素子の厚さの１倍以上１．５倍以下の距離だけ離間した位置より離れて形成されている、請求項１から７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記凹凸構造は、横断面鋸歯状の外形を有し、かつ、前記半導体発光素子から放射された光を反射する反射面となる複数の傾斜面を有し、
前記半導体発光素子の厚さをＨ、前記複数の傾斜面のうち最も前記半導体発光素子に近接する近接傾斜面と前記一方の主面との交差線と、前記半導体発光素子の周側面との間の最短距離をＬ、前記近接傾斜面と前記一方の主面とのなす内角をθとすると、
前記近接傾斜面は、２θ＝９０°−ｔａｎ-1(Ｈ／Ｌ)の関係を満たす、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
３０°≦θ≦４５°である、請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記凹凸構造の横断面において、互いに隣接する凸部の頂点同士の間隔をＬp、前記頂
点の高さをｈ、前記頂点同士の間に位置する前記傾斜面の前記内角をθpとすると、
Ｌp＝ｈ／ｔａｎθpの関係を満たす、請求項９または１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記凹凸構造は、セラミックスで構成されている、請求項１から１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記凹凸構造は、金属で構成されている、請求項１から１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記凹凸構造の表面が鏡面加工されている、請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記凹凸構造の表面が銀で構成されている、請求項１４に記載の半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線と、
前記配線上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の端子電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層と前記端子電極とは、前記第２の絶縁層を介して重なっており、
前記端子電極は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記配線と電気的に接続され、
前記配線と電気的に接続される機能回路を有し、
前記機能回路は、前記端子電極から前記配線を介して信号が入力され、入力された前記信号に応じて動作が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
配線と、
前記配線上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の端子電極と、を有し、
前記配線と前記第１の酸化物半導体層とは、前記第１の絶縁層を介して重なっており、
前記端子電極は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記配線と電気的に接続され、
前記配線と電気的に接続される機能回路を有し、
前記機能回路は、前記端子電極から前記配線を介して信号が入力され、入力された前記信号に応じて動作が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層は、電源電圧が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記機能回路は、第２の酸化物半導体層を半導体層として用いた半導体素子を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
容量素子１１３１及び容量素子１１３２は、入力信号の電圧に応じて容量値が変化する。入力信号の電圧の絶対値が一定値以下の場合、容量素子１１３１及び容量素子１１３２の端子間に印加される電圧は一定値より小さく、容量素子１１３１及び容量素子１１３２の容量は一定値より小さいため、フィルタ回路の入力信号に対する出力信号の遅延時間は一定値より小さい。よってフィルタリング効果が小さくなる。なお、容量素子に印加される電圧、容量素子の容量、及び遅延時間は、半導体装置の仕様に応じて適宜設定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
また、入力信号の電圧が一定の負の値より小さい場合、容量素子１１３２の端子間に印加される電圧は一定の負の値より小さく、入力信号に応じて容量素子１１３２の容量が一定値より大きくなるため、フィルタ回路の入力信号に対する出力信号の遅延が大きくなる。これにより入力信号の電圧が一定の正の値以下または一定の負の値以上の場合よりノイズに対するフィルタリングの効果が大きくなる。以上が、等価回路が図８（Ｂ）に示す構成である半導体装置の動作である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2010251721.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上に設けられ且つ前記炭化シリコン層と重なる第１の導電層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上の第２のゲート絶縁層と、前記第２のゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる第２の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にダイオードとトランジスタとを有し、
前記ダイオードは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第１の電極層と、前記第１の電極上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第２の電極層と、を有し、
前記トランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上にダイオードとトランジスタとを有し、
前記ダイオードは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第１の電極層と、前記炭化シリコン層上の第２の電極層と、を有し、
前記炭化シリコン層は、ｐ型を示す不純物領域とｎ型を示す不純物領域とを有し、
前記第１の電極層は前記ｐ型を示す不純物領域と電気的に接続され、前記第２の電極層は前記ｎ型を示す不純物領域と電気的に接続され、
前記トランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
炭化シリコン基板に第１のイオンを照射して、前記炭化シリコン基板中に第１の脆化領域を形成する工程と、
単結晶シリコン基板に第２のイオンを照射して、前記単結晶シリコン基板中に第２の脆化領域を形成する工程と、
第１の絶縁層を介して前記炭化シリコン基板と、第２の絶縁層を介して前記単結晶シリコン基板とに、前記ベース基板を貼り合わせる工程と、
前記第１の脆化領域において前記炭化シリコン基板を分離して、前記ベース基板上に前記第１の絶縁層を介して炭化シリコン層を形成する工程と、
前記第２の脆化領域において前記単結晶シリコン基板を分離して、前記ベース基板上に前記第２の絶縁層を介して単結晶シリコン層を形成する工程と、
前記炭化シリコン層を用いて、トランジスタ又はダイオードを形成する工程と、
前記単結晶シリコン層を用いて、トランジスタを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することで、前記単結晶半導体基板に脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを、バッファ層を介して貼りあわせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層を境として前記単結晶半導体基板の一部を分離させ、
前記支持基板上に、前記バッファ層を介して前記単結晶半導体を選択的且つ部分的に形成し、
前記単結晶半導体上に非単結晶半導体層を形成し、
レーザビームを照射することにより、前記単結晶半導体を種結晶として前記非単結晶半導体層を結晶化させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
支持基板上に、バッファ層を介して非単結晶半導体層を形成し、
単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することで、前記単結晶半導体基板に脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを、前記非単結晶半導体層を介して貼りあわせ、
熱処理を行うことにより、前記脆化層を境として前記単結晶半導体基板の一部を分離させ、
前記支持基板上に、前記バッファ層及び前記非単結晶半導体層を介して単結晶半導体を選択的且つ部分的に形成し、
レーザビームを照射することにより、前記単結晶半導体を種結晶として前記非単結晶半導体層を結晶化させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板表面に炭化処理を施して炭化シリコン層を形成し、
前記シリコン基板にイオンを添加することにより、前記シリコン基板中に脆化領域を形成し、
前記シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、
前記シリコン基板を加熱して、前記脆化領域において前記シリコン基板を分離することにより、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して前記炭化シリコン層とシリコン層の積層構造を形成し、
前記シリコン層を除去して前記炭化シリコン層の表面を露出させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記シリコン層の除去は、前記シリコン層を酸化した後に行われることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の第２の配線層と、を有し、
前記第１の配線層は、ゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の配線層は、ソース電極又はドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第１の半導体層は、トランジスタのチャネルとして機能することができる第１の領域と、前記第２の半導体層と重なる第２の領域と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記トランジスタのチャネル幅方向と平行な方向に、前記第１の領域が位置する領域を含む第１の幅と、前記第２の領域が位置する領域を含む第２の幅と、を有し、
前記第２の半導体層は、前記チャネル幅方向と平行な方向に、第３の幅を有し、
前記第３の幅は前記第２の幅より小さく、
前記第１の幅は前記第２の幅より大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
第１の配線層と、
前記第１の配線層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の第２の配線層と、を有し、
前記第１の配線層は、ゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記第２の配線層は、ソース電極又はドレイン電極として機能することができる領域を有し、
前記第１の半導体層は、トランジスタのチャネルとして機能することができる第１の領域と、前記第２の半導体層と重なる第２の領域と、前記第２の半導体層と重なる第３の領域と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記トランジスタのチャネル幅方向と平行な方向に、前記第１の領域及び前記第３の領域が位置する領域を含む第１の幅と、前記第２の領域が位置する領域を含む第２の幅と、を有し、
前記第２の半導体層は、前記チャネル幅方向と平行な方向に、第３の幅を有し、
前記第３の幅は前記第２の幅より小さく、
前記第１の幅は前記第２の幅より大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の半導体層は、前記第１の配線層に全面が重なるように設けられていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、結晶性半導体層と非晶質を含む半導体層との積層構造を有し、
前記結晶性半導体層は、前記非晶質を含む半導体層に延びた錐状の結晶粒を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続される画素電極層と、を有する表示装置であって、
前記第２の配線層は、前記第１の配線層と交差する領域を有し、
前記交差する領域において、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間に第３の半導体層と第４の半導体層とが設けられており、
前記第３の半導体層と、前記第１の半導体層とは、同一の半導体膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第４の半導体層と、前記第２の半導体層とは、同一の半導体膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続される画素電極層と、を有する表示装置であって、
前記第１の配線層は、前記第２の配線層と重なる領域に第１の幅と、前記第２の配線層と重ならない領域に第２の幅とを有し、
前記第１の配線層の第１の幅は、前記第１の配線層の第２の幅より小さいことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜、絶縁膜、第１の半導体膜を順に積層して形成し、
前記第１の半導体膜を結晶化して第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に導電性を付与する元素を含む第３の半導体膜、第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、少なくとも前記絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第３の半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行い、
前記第１の導電膜にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行って第１の配線層を形成し、
前記第１のレジストマスクを縮小させることで前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する前記第２の導電膜を露出させつつ第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記第３の半導体膜及び前記第２の半導体膜に第３のエッチングを行って第２の配線層、前記導電性を付与する元素を含む半導体層及び上部がエッチングされた前記第２の半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
第１の導電膜、絶縁膜、第１の半導体膜を順に積層して形成し、
前記第１の半導体膜を結晶化して第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に導電性を付与する元素を含む第３の半導体膜、第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、少なくとも前記絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第３の半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行い、
前記第１のレジストマスクを縮小させることで前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する前記第２の導電膜を露出させつつ第２のレジストマスクを形成し、
前記第１の導電膜にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行って第１の配線層を形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記第３の半導体膜及び前記第２の半導体膜に第３のエッチングを行って第２の配線層、前記導電性を付与する元素を含む半導体層及び上部がエッチングされた前記第２の半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の導電膜、絶縁膜、第１の半導体膜を順に積層して形成し、
前記第１の半導体膜を結晶化して第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクに覆われていない領域に一導電型を付与する不純物元素を導入し、
前記第１のレジストマスクを除去した後、第２の半導体膜の不純物元素の活性化を行い、
前記第２の半導体膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有する第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、少なくとも前記絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第２の導電膜に第１のエッチングを行い、
前記第１の導電膜にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行って第１の配線層を形成し、
前記第２の導電膜上に第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜及び前記第２の半導体膜に第３のエッチングを行って第２の配線層及び半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電膜は基板上に下地絶縁膜を介して形成され、
前記第１のエッチングにより前記下地絶縁膜の上部もエッチングされることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のエッチングはドライエッチングであり、
前記第２のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記結晶化する工程は、前記第１の導電膜のエッチングが行われる前のレーザー光の照射または熱結晶化法によって行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板に、前記第１導電型のドーパントガスを導入して第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程と、
前記第１エピタキシャル層にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記第１エピタキシャル層及び前記トレンチ内に、所定の第１温度の雰囲気中において、前記第１導電型とは異なる第２導電型のドーパントガスを所定の第１のドーパントガス流量で導入して第２エピタキシャル層を形成する第２エピタキシャル層形成工程と、
前記第２エピタキシャル層に、前記第１温度よりも温度が低い第２温度の雰囲気中において、前記第２導電型のドーパントガスを前記第１のドーパントガス流量よりも多い第２のドーパントガス流量で導入して前記トレンチ内を埋めるように第３エピタキシャル層を形成する第３エピタキシャル層形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２エピタキシャル層及び前記第３エピタキシャル層に、前記第２温度よりも温度の高い第３温度の雰囲気中において、前記第２導電型のドーパントガスを前記第２のドーパントガス流量よりも少ない第３のドーパントガス流量で導入して第４エピタキシャル層を形成する第４エピタキシャル層形成工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記第３エピタキシャル層形成工程に代えて、前記第２エピタキシャル層に、前記第１温度よりも温度が高い第２温度の雰囲気中において、前記第２導電型のドーパントガスを前記第１のドーパントガス流量よりも少ない第２のドーパントガス流量で導入して前記トレンチ内を埋めるように第３エピタキシャル層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２エピタキシャル層、前記第３エピタキシャル層及び前記第４エピタキシャル層のドーパント量は、前記第２導電型のドーパントガスの流量を変動させることにより、変化することを特徴とする請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２エピタキシャル層、前記第３エピタキシャル層及び前記第４エピタキシャル層のドーパント量は、前記第２導電型のドーパントガスの濃度が異なる複数のガスボンベを用いることにより、変化することを特徴とする請求項２又は４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２エピタキシャル層、前記第３エピタキシャル層及び前記第４エピタキシャル層のうちの一又は複数は、前記雰囲気中において、原料ガス及びハロゲン化物ガスを同時に供給して形成されることを特徴とする請求項２、４又は５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２エピタキシャル層、前記第３エピタキシャル層及び前記第４エピタキシャル層のドーパント量は、実質的に同一であることを特徴とする請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記第３エピタキシャル層形成工程では、前記第２エピタキシャル層形成工程及び前記第４エピタキシャル層形成工程に対して、前記雰囲気中におけるハロゲン化物ガスの流量が多いことを特徴とする請求項２又は４から７に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８に記載の半導体基板の製造方法により製造された半導体基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体基板を用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層を介してゲート電極上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に前記チャネル形成領域を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた透光性を有する導電材料で形成された電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記樹脂層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に側壁面が曲面状に傾斜した第１の開口部を有し、
前記無機絶縁層は、前記樹脂層上から前記第１の開口部の前記側壁面を覆い、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に第２の開口部を有し、
前記透光性を有する導電材料で形成された電極は、前記第２の開口部において前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート絶縁層を介してゲート電極上に設けられたチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上において前記チャネル形成領域を覆うチャネル保護層と、
前記チャネル保護層を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極、並びに前記チャネル保護層を覆う樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた透光性を有する導電材料で形成された電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記樹脂層は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に側壁面が曲面状に傾斜した第１の開口部を有し、
前記無機絶縁層は、前記樹脂層上において、前記第１の開口部と開口領域が略一致する第２の開口部を有し、
前記透光性を有する導電材料で形成された電極は、前記無機絶縁層上から前記第１の開口部の前記側壁面を覆い、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記無機絶縁層が窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体層との間に、前記酸化物半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス噴射システム（２）であって、イオン源（４）にガスを導き入れる第１の導管（８）と、分離された２つのガス流のための第２および第３の導管（１０，１２）と、多方切替弁（６）とを有しており、前記第２および第３の導管（１０，１２）はそれぞれ前記多方切替弁（６）の入口（１７ａ）に開口しており、前記第１の導管（８）は前記多方切替弁（６）の出口（１７ｂ）に接続されており、前記多方切替弁（６）は前記入口（１７ａ）の一方または他方を前記出口（１７ｂ）と選択的に接続するように形成されており、これにより前記第２または第３の導管（１０，１２）は流体技術的に前記第１の導管（８）と接続される、ことを特徴とするガス噴射システム（２）。
【請求項２】
前記多方切替弁（６）は第２の出口（１７ｂ）を有しており、前記第１の導管（８）と流体技術的に連通していない前記導管（１０，１２）が前記第２の出口（１７ｂ）と接続されている、請求項１記載のガス噴射システム（２）。
【請求項３】
前記第２の出口（１７ｂ）には、ポンプ（１６）が接続されている、請求項２記載のガス噴射システム（２）。
【請求項４】
前記ポンプ（１６）は真空ポンプである、請求項３記載のガス噴射システム（２）。
【請求項５】
前記多方切替弁（６）は２位置４方弁である、請求項１から４のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項６】
前記多方切替弁（６）の一方の入口（１７ａ）に流体技術的に接続された付加的な多位置弁が設けられている、請求項５記載のガス噴射システム（２）。
【請求項７】
前記第２の導管（１０）と前記第３の導管（１２）は、ガス体積流を形成するために、少なくとも部分的に毛管（Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4）から形成されている、請求項１から６のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項８】
制御システム（４４）が設けられており、該制御システム（４４）が、前記毛管（Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4）の幾何学的データから、前記第１の導管（８）を通って前記イオン源（４）に供給されるガスの流量を求める、請求項１から６のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項９】
混合ガスを形成するために、少なくとも２つの前置導管（２０，２２）が前記第２の導管（１０）に開口しており、前記少なくとも２つの前置導管（２０，２２）は前記第２の導管（１０）と接続されている、請求項１から８のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１０】
前記前置導管（２０，２２）はＹ型ジョイントを介して前記第２の導管（１０）と接続されている、請求項９記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１１】
前記前置導管（２０，２２）内にそれぞれ１つのストップバルブ（３２，３４）が設けられている、請求項９または１０記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１２】
前記多方切替弁（６）の入口（１７ａ）の前にストップバルブ（３５，３８）が設けられている、請求項１から１１のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１３】
前記多方切替弁（６）と前記イオン源（４）の間にストップバルブ（４２）が設けられている、請求項１から１２のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１４】
前記制御システム（４４）は前記ストップバルブ（３２，３４，３５，３８，４２）を集中制御するために設けられている、請求項９から１２のいずれか１項記載のガス噴射システム（２）。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項記載のガス噴射システムとイオン源（４）とを含んだ粒子線治療設備であって、前記ガス噴射システムによって前記イオン源（４）に作動ガスが供給されることを特徴とする粒子線治療設備。
【請求項１６】
前記粒子線治療設備はシンクロトロンリングを含んでおり、前記イオン源（４）によって発生させられたイオンは前記シンクロトロンリングに供給される、請求項１５記載の粒子線治療設備。
【請求項１７】
ガス噴射システムを作動させる方法において、前記ガス噴射システム（２）は多方切替弁（６）を有しており、該多方切替弁（６）から第１の導管（８）を介してイオン源（４）にガスが導き入れられ、前記多方切替弁（６）には第２の導管（１０）と第３の導管（１２）が接続されており、前記第２の導管（１０）からのガス流または前記第３の導管（１２）からのガス流のいずれかが前記第１の導管（８）を介して前記イオン源（４）に導き入れられるようにしたことを特徴とする、ガス噴射システムを作動させる方法。
【請求項１８】
前記ガス噴射システム（２）は、動作中、前記第２の導管（１０）からのガス流が前記イオン源（４）に導き入れられている間は前記第３の導管（１２）からのガス流を前記多方切替弁（６）を介してポンプ（１６）により吸い込み、前記多方切替弁（６）の切替時には前記第３の導管（１２）からのガス流を前記イオン源（４）に導き入れ、前記第２の導管（１０）からのガス流を前記多方切替弁（６）を介して前記ポンプ（１６）により吸い込む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記ガス噴射システム（２）をイオン源（４）とシンクロトロンリングとを有する粒子線治療設備において使用し、その際、前記ガス噴射システムが作動ガスを前記イオン源に供給し、前記イオン源によって発生させられたイオンは前記シンクロトロンリングに供給される、請求項１７又は１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、分離層を形成し、
前記分離層上に、複数の半導体素子を含む半導体素子層を形成し、
前記半導体素子層上に、前記半導体素子と電気的に接続される複数の第１の電極を形成し、
前記半導体素子層上に、前記複数の第１の電極のそれぞれの端部を覆う隔壁を形成し、
前記複数の第１の電極上に、発光層を含む有機物層を形成し、
前記有機物層上に、前記複数の第１の電極間上において前記隔壁に接する第２の電極を形成し、
前記基板から、前記分離層を前記基板に残して、前記半導体素子層、前記複数の第１の電極、前記隔壁、前記有機物層及び前記第２の電極を含む積層構造を分離することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、分離層を形成し、
前記分離層上に、複数の半導体素子を含む半導体素子層を形成し、
前記半導体素子層上に、前記半導体素子と電気的に接続される複数の第１の電極を形成し、
前記半導体素子層上に、前記複数の第１の電極のそれぞれの端部を覆う隔壁を形成し、
前記複数の第１の電極上に、発光層を含む有機物層を形成し、
前記有機物層上に、前記複数の第１の電極間上において前記隔壁に接する第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に、封止層を形成し、
前記封止層上に、保護材を形成し、
前記保護材上に、支持体を形成し、
前記基板から、前記分離層を前記基板に残して、前記半導体素子層、前記複数の第１の電極、前記隔壁、前記有機物層、前記第２の電極、封止層及び保護材を含む積層構造を分離し、
前記積層構造の前記半導体素子層側を、基体に貼り付け、
前記基体から、前記積層構造を前記基体に残して、前記支持体を分離することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記基体は、シート状繊維体に有機樹脂を含浸させた構造体であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記隔壁は、ポリイミドを含み、
前記第２の電極は、アルミニウムを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月15日(2012.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを記憶する外部記憶媒体から前記画像データを読み出し表示部に表示する画像を抽出する画像抽出部と、
前記画像抽出部により抽出された前記画像を所定時間間隔で順次切替えて表示部に表示する表示制御部と、
所定の記憶部に記憶させない画像として、前記表示部に表示中の前記画像を選択する画像選択部と、
前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択された画像及び前記画像選択部により選択されなかった画像の前記所定の記憶部に対する記憶をそれぞれ制御する記憶制御部と
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
画像データを記憶する記憶部と、
前記記憶部から前記画像データを読み出し表示部に表示する画像を抽出する画像抽出部と、
前記画像抽出部により抽出された前記画像を所定時間間隔で順次切替えて表示部に表示する表示制御部と、
所定の記憶部に記憶させない画像として、前記表示部に表示中の前記画像を選択する画像選択部と、
前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択された画像及び前記画像選択部により選択されなかった画像の前記所定の記憶部に対する記憶をそれぞれ制御する記憶制御部と
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記記憶制御部は、前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択されなかった画像を前記所定の記憶部に記憶させることを特徴とする請求項１または２記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記記憶制御部は、前記画像選択部により選択された画像を、前記所定の記憶部とは異なる記憶部へ記憶させることを特徴とする請求項３記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記記憶制御部は、前記画像抽出部において抽出された画像から、前記画像選択部により選択された画像が属するグループの画像を除いた画像を前記所定の記憶部に記憶させることを特徴とする請求項１または２記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記記憶制御部は、前記画像選択部により選択された画像が属するグループの画像を、前記所定の記憶部とは異なる記憶部へ記憶させることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記記憶制御部は、前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択されなかった画像を前記所定の記憶部に記憶させる際に所定の保存形式で記憶させることを特徴とする請求項１または２記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記記憶制御部は、前記画像選択部により選択された画像を前記所定の記憶部に記憶させる際に、前記所定の保存形式とは異なる保存形式で記憶させることを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記記憶制御部は、前記画像抽出部において抽出された画像から、前記画像選択部により選択された画像が属するグループの画像を除いた画像を前記所定の記憶部に記憶させる際に、所定の保存形式で記憶させることを特徴とする請求項１または２記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記記憶制御部は、前記画像選択部により選択された画像が属するグループの画像を前記所定の記憶部に記憶させる際に、前記所定の保存形式とは異なる保存形式で記憶させることを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記所定の記憶部は、ネットワークを介して接続された外部記憶装置、内部記憶部及び外付け記憶部の中の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記表示制御部は、前記画像抽出部により抽出された前記画像を、観賞用スライドショー表示よりも短時間で画像を切り換える確認用スライドショー表示により、前記表示部に表示することを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記グループは、撮影日、撮影場所及び撮影シーンの中の少なくとも１つが同一である画像グループであることを特徴とする請求項５、６、９及び１０の何れか一項に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像表示装置は、画像データを記憶する外部記憶媒体から前記画像データを読み出し表示部に表示する画像を抽出する画像抽出部と、前記画像抽出部により抽出された前記画像を所定時間間隔で順次切替えて表示部に表示する表示制御部と、所定の記憶部に記憶させない画像として、前記表示部に表示中の前記画像を選択する画像選択部と、前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択された画像及び前記画像選択部により選択されなかった画像の前記所定の記憶部に対する記憶をそれぞれ制御する記憶制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像表示装置は、画像データを記憶する記憶部と、前記記憶部から前記画像データを読み出し表示部に表示する画像を抽出する画像抽出部と、前記画像抽出部により抽出された前記画像を所定時間間隔で順次切替えて表示部に表示する表示制御部と、所定の記憶部に記憶させない画像として、前記表示部に表示中の前記画像を選択する画像選択部と、前記画像抽出部において抽出され、かつ前記画像選択部により選択された画像及び前記画像選択部により選択されなかった画像の前記所定の記憶部に対する記憶をそれぞれ制御する記憶制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明に係る電磁波シールド用ガスケットの一態様の平面図(a)およびそのI-I線断面図(b)である。
【図２】本発明の電磁波シールド用ガスケットの成形工程(a)〜(d)を順次示した断面図である。
【図３】本発明の電磁波シールド用ガスケットを筐体および蓋体に装着した際の圧縮過程(a)〜(c)を順次示した断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ゴムまたは樹脂を含浸させた導電性の不織布または織布としては、カーボン繊維、黄銅繊維、ステンレス鋼繊維、アルミニウム繊維等の不織布または織布が用いられ、好ましくはカーボン繊維製または電磁波シールド用ガスケットが装着される製品の筐体部と同一の金属からなる繊維製のものが用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
かかる構造を有する環状ガスケットの製造は、図２の断面図に示される如く、所定形状の成形面を有する下金型１１に導電性シート状体１３を載せ(a)、さらに所定形状の成形面を有する上金型１２を導電性シート状体１３の上方に設置し(b)、これら金型を閉じることによって、シート状体の薄肉部１４を形成させた後(c)、リップ部形成用空間１５にゴムまたは樹脂を射出してリップ部４を形成させる。ここで、リップ部形成用空間１５に対応する位置のシート状体には、金型により圧縮される力は働かないが、周囲の圧縮に引きずられた形で圧縮され、薄肉部を形成させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
すなわち、厚さ0.6mmのカーボン繊維不織布の幅方向中央部を、図２に示される如き金型を用いて0.28mm迄圧縮し、液状シリコーンゴムを不織布に含浸させた。リップ部形成空間に対応する位置のシート状体には、金型により圧縮される力は働かないが、周囲の圧縮に引きずられた形で圧縮され、その部分も薄肉部を形成させる。この状態で、リップ部形成空間に液状シリコーンゴムを射出し、厚み0.9mm、高さ0.15mmのリップ部を、リップ先端角度45°で形成させた。含浸された液状シリコーンゴムおよび射出された液状シリコーンゴムは、130℃で2分間加硫され、シート状体との一体化が図られる。成形後型を開放し、図１(b)に示されるような断面形状に固定化され、バリ部を打抜き、ガスケットに加工した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
導電性不織布または織布が、カーボン繊維製または電磁波シールド用ガスケットが装着される製品の筐体部と同一の金属からなる繊維製である請求項１乃至６のいずれかに記載の電磁波シールド用ガスケット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板上に設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極を覆うように形成され、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体多層膜と、
前記複数の画素電極が設けられた画素領域の周囲に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを互いに貼り合わせるシール材と、
を備え、
前記複数の誘電体層のうち少なくとも一の誘電体層は、前記第１基板上における前記シール材が配置されたシール領域に重ならないように形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２基板上に、前記複数の画素電極に対向するように設けられた対向電極と、
前記対向電極を覆うように且つ前記シール領域に重ならないように形成された第２基板側誘電体層と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の誘電体層の全ては、前記シール領域に重ならないように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の画素電極の各々は、入射光を反射する反射画素電極であり、
前記誘電体多層膜は、前記複数の画素電極の反射率を向上させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板が配列された第１及び第２大型基板の各々の上に、斜方蒸着法により配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記第１大型基板に配列された複数の基板を、その位置情報を保持して、夫々分割する分割工程と、
前記保持された位置情報に応じて、前記分割された複数の基板のうち一の基板と、前記第２大型基板に配列された基板と、を貼り合わせる貼合工程と
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記位置情報は、蒸着源を基準として定められていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記位置情報は、前記第１大型基板において前記蒸着源を基準にして左右いずれかの側に配置されていたかの情報であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記位置情報は、前記第１大型基板において前記蒸着源を基準にして左右いずれかの側の端に配置されていたかの情報であることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記貼合工程においては、前記保持された位置情報に応じて、前記一の基板を、前記一の基板の基板面に沿って回転させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、部品点数の削減とレンズ鏡筒の小型化を達成することができるとともに、バリア駆動ばねの張力によるバリア羽根の変形を防止することができるレンズ鏡筒及び撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のレンズ鏡筒は、撮影用開口部を開閉自在に覆う一対のバリア羽根と、前記バリア羽根を開閉方向に回転動作させるバリア駆動部材と、前記バリア羽根及び前記バリア駆動部材にそれぞれ掛止され、前記バリア羽根の開閉に伴ってチャージ量が変化するバリア駆動ばねと、を備え、前記バリア駆動ばねは、前記バリア羽根が全閉状態から全開状態に移動するときに、チャージ量が減少し、前記バリア羽根が全開状態から全閉状態に移動するときに、チャージ量が増加するレンズ鏡筒であって、前記バリア駆動部材における前記バリア駆動ばねの掛止位置と前記バリア羽根における前記バリア駆動ばねの掛止位置とを光軸方向にずらして配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このとき、バリア駆動ばね１３は、開きばねとして機能し、図３に示すように、そのチャージ量を漸次的に減少させながらバリア駆動部材１４を矢印Ａ方向に回転させる。これにより、バリア羽根１２の当接部１２ｃが当接部１４ａにより押されてバリア羽根１２が開方向に回転し、バリア羽根１２が全開状態となって撮影用開口部１１ａが開放される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影用開口部を開閉自在に覆う一対のバリア羽根と、前記バリア羽根を開閉方向に回転動作させるバリア駆動部材と、前記バリア羽根及び前記バリア駆動部材にそれぞれ掛止され、前記バリア羽根の開閉に伴ってチャージ量が変化するバリア駆動ばねと、を備え、
前記バリア駆動ばねは、前記バリア羽根が全閉状態から全開状態に移動するときに、チャージ量が減少し、前記バリア羽根が全開状態から全閉状態に移動するときに、チャージ量が増加するレンズ鏡筒であって、
前記バリア駆動部材における前記バリア駆動ばねの掛止位置と前記バリア羽根における前記バリア駆動ばねの掛止位置とを光軸方向にずらして配置したことを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項２】
前記バリア駆動部材における前記バリア駆動ばねの掛止位置を前記バリア羽根における前記バリア駆動ばねの掛止位置よりも像面側にずらして配置したことを特徴とする請求項１に記載のレンズ鏡筒。
【請求項３】
前記バリア駆動ばねが掛止される前記バリア羽根のばね掛け部が、前記バリア羽根の回転中心に向かって鋭角に曲がって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のレンズ鏡筒。
【請求項４】
前記ばね掛け部は、基端側よりも先端側の幅が広く形成されていることを特徴とする請求項３に記載のレンズ鏡筒。
【請求項５】
前記バリア羽根は、回転中心に軸穴が設けられ、前記軸穴は、他の部材に設けられた回転軸に回転可能に支持されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒。
【請求項６】
撮影位置と収納位置との間を光軸方向に移動して撮影倍率を変更するズーム機構を備えるレンズ鏡筒を有する撮像装置であって、
前記レンズ鏡筒は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒であることを特徴とする撮影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明は、安定したズーム動作を確保することができると共に、簡単な構造のレンズ鏡筒を用いて撮像装置の撮影倍率の高倍率化及び薄型化を実現することができるレンズ鏡筒及び該レンズ鏡筒を備える撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明のレンズ鏡筒は、ズーム駆動機構により撮影位置と収納位置との間を光軸方向に移動して撮影倍率を変更すると共に、被写体側と当該被写体側に対向する像面側とを有するレンズ鏡筒であって、レンズを保持しフォロア部を有するレンズ保持部と、前記レンズ保持部の相対的な回転を規制する筒であって、前記被写体側に凸部及び前記像面側に直進リブを有する直進規制部と、前記フォロア部が係合するカム溝と前記凸部に係合する溝とが内周部に設けられ、像面側の端部から延伸して内周部に前記カム溝の一部が設けられたカム片を有するカム筒と、を備え、前記直線規制部は、前記凸部と溝との係合により前記カム筒と共に光軸方向に移動し、かつ、前記撮像位置において前記カム筒の周方向に互いに回転する前記直進リブと前記カム片によって、前記カム筒に対して相対的に光軸方向に移動し、前記直進規制部及び前記カム筒は、前記収納位置において前記周方向に対して回転する前記直進リブと前記カム片によって、前記光軸方向に移動することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ズーム駆動機構により撮影位置と収納位置との間を光軸方向に移動して撮影倍率を変更すると共に、被写体側と当該被写体側に対向する像面側とを有するレンズ鏡筒であって、
レンズを保持しフォロア部を有するレンズ保持部と、
前記レンズ保持部の相対的な回転を規制する筒であって、前記被写体側に凸部及び前記像面側に直進リブを有する直進規制部と、
前記フォロア部が係合するカム溝と前記凸部に係合する溝とが内周部に設けられ、像面側の端部から延伸して内周部に前記カム溝の一部が設けられたカム片を有するカム筒と、を備え、
前記直線規制部は、前記凸部と溝との係合により前記カム筒と共に光軸方向に移動し、かつ、前記撮像位置において前記カム筒の周方向に互いに回転する前記直進リブと前記カム片によって、前記カム筒に対して相対的に光軸方向に移動し、前記直進規制部及び前記カム筒は、前記収納位置において前記周方向に対して回転する前記直進リブと前記カム片によって、前記光軸方向に移動することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項２】
前記カム片は、前記直進規制部に設けられた直進リブに対して前記周方向に係合し、前記直進規制部が前記カム筒に対して光軸方向に相対的に移動する際に、前記直進リブが前記カム片に乗り上げる位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載のレンズ鏡筒。
【請求項３】
前記撮影位置は、望遠位置と広角位置を含み、前記カム筒と前記直進規制部とは、前記収納位置では、円筒部分が重複し、前記望遠位置では、円筒部分が重複し、前記広角位置では、円筒部分が光軸方向にずれることを特徴とする請求項１又は２に記載のレンズ鏡筒。
【請求項４】
前記撮影位置は、望遠位置と広角位置を含み、前記レンズ保持部のフォロア部は、前記広角位置で前記カム片の裏面側に延長して設けられた前記カム溝に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒。
【請求項５】
撮影位置と収納位置との間を光軸方向に移動して撮影倍率を変更するズーム駆動機構を備えるレンズ鏡筒を有する撮像装置であって、
前記レンズ鏡筒は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒であることを特徴とする撮影装置。