【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子と第２の光電変換素子を有する光電変換装置であって、
前記第１の光電変換素子を構成し、半導体基板に設けられた第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板に設けられた、第１導電型の第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第１の電極と、
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第２の電極と、
前記第２の半導体領域と電気的に接続する増幅部と、
前記第２の光電変換素子を構成し、前記半導体基板に設けられ、第１導電型の第４の半導体領域と、
前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第３の電極と、
前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第５の半導体領域と、
前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第４の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記第３の半導体領域の上に位置し、
前記第３の電極は、前記第５の半導体領域の上に位置することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の電極は、前記第３の半導体領域を覆い、
前記第３の電極は、前記第５の半導体領域を覆うことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の電極は、前記第１の半導体領域と前記第３の半導体領域との間の導通を制御し、
前記第３の電極は、前記第４の半導体領域と前記第５の半導体領域との間の導通を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の電極は、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の導通を制御し、
前記第４の電極は、前記第５の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の導通を制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の半導体領域と、前記第３の半導体領域と、前記第５の半導体領域と、前記第２の電極と、前記第４の電極は、第１の直線上に位置することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記増幅部は、前記第２の半導体領域と電気的に接続するゲート電極を有するＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の半導体領域をリセットするための第２のＭＯＳトランジスタを更に有することを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１の半導体領域の底面は、前記第３の半導体領域の底面よりも、前記半導体基板の深くに位置し、
前記第４の半導体領域の底面は、前記第５の半導体領域の底面よりも、前記半導体基板の深くに位置することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第３の半導体領域の不純物濃度は、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高く、
前記第５の半導体領域の不純物濃度は、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１の光電変換素子を構成し、前記第１の半導体領域の上に位置し、第１導電型とは異なる第２導電型の第６の半導体領域と、
前記第２の光電変換素子を構成し、前記第４の半導体領域の上に位置し、第２導電型の第７の半導体領域を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
更に、第３の光電変換素子を構成し、半導体基板に設けられた第１導電型の第８の半導体領域と、
前記第８の半導体領域と前記第３の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第５の電極と、
前記第８の半導体領域と前記第３の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第９の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第６の電極と、
第４の光電変換素子を構成し、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第１０の半導体領域と、
前記第１０の半導体領域と前記第５の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第７の電極と、
前記第１０の半導体領域と前記第５の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第１１の半導体領域と、
前記第１１の半導体領域と前記第５の半導体領域との間の、前記半導体基板の上に設けられた第８の電極と、を有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１の電極と前記第３の半導体領域とは、第１電荷保持素子を構成し、
前記第３の電極と前記第５の半導体領域とは、第２電荷保持素子を構成することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理回路と、を有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の光電変換装置は、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子を有する光電変換装置であって、前記第１の光電変換素子を構成し、半導体基板に設けられた第１導電型の第１の半導体領域と、前記半導体基板に設けられた、第１導電型の第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第１の電極と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第２の電極と、前記第２の半導体領域と電気的に接続する増幅部と、前記第２の光電変換素子を構成し、前記半導体基板に設けられ、第１導電型の第４の半導体領域と、前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第３の電極と、前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板に設けられた第１導電型の第５の半導体領域と、前記第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間であって、前記半導体基板の上に設けられた第４の電極と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以下、本発明に関して具体的な実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。発明の要旨を逸脱しない限り、適宜変更、組み合わせは可能である。例えば実施形態においては、信号電荷を電子として説明したが、ホールとすることも可能である。この場合には各半導体領域の導電型が逆導電型となり、供給する電圧の極性が逆になるのみである。更には、第１のゲート電極や第２のゲート電極に供給する電圧のローレベルを負電圧としたが、これを正電圧にすればよい。