(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一方主面側に、反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
前記反射防止層に第１レーザ光を照射して開口部を形成する反射防止層開口部形成工程と、
前記反射防止層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層に開口部を形成するマスク層開口部形成工程と、
前記マスク層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に厚さ１〜４μｍの薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
前記薄膜層形成工程の後段に、透明基板の他方主面側から前記マスク層に第３レーザ光を照射して、前記マスク層を前記透明基板から剥離する剥離工程とを備え、
前記反射防止層形成工程の前段、前記反射防止層開口部形成工程の後段または前記剥離工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に、透明層を形成する透明層形成工程と、
前記透明層形成工程の後段に、前記透明層に第２レーザ光を照射して開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、パターン形成方法。
【請求項２】
前記マスク層形成工程は、
前記透明基板の該一方主面側に紫外線硬化樹脂を塗布する紫外線硬化樹脂塗布工程と、
前記紫外線硬化樹脂に対して、前記透明基板の他方主面側から紫外線を照射して、前記紫外線硬化樹脂を硬化する紫外線樹脂硬化工程とを備える、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第３レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ2以上１Ｊ／ｃｍ2未満である、請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記反射防止層が、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンを含有する第２反射防止層とを備える、請求項１〜３のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記マスク層は、有機材料を用いて形成される、請求項１〜４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記マスク層は、黒色顔料および／または黒色染料を含有する、請求項１〜５のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第１レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ2以上２Ｊ／ｃｍ2未満である、請求項１〜６のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記マスク層開口部形成工程では、前記反射防止層をマスクとして前記マスク層に前記透明基板の他方主表面側から紫外線を照射し、その後現像を行い開口部を形成する、請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記第２レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ2である、請求項１〜８のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記薄膜層は、金属クロムおよび／または金属チタンと、金属銅とを含有する、請求項１〜９のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える、請求項１〜１０のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
前記透明層の厚さが０．１〜３μｍである請求項１〜１１のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
前記マスク層の厚さが６〜２５μｍである請求項１〜１２のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記マスク層の中に、前記黒色顔料および／または前記黒色染料を３０〜９５質量％含む請求項６に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
透明基板の一方主面側に、反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
前記反射防止層に第１レーザ光を照射して開口部を形成する反射防止層開口部形成工程と、
前記反射防止層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層に開口部を形成するマスク層開口部形成工程と、
前記マスク層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に厚さ１〜４μｍの薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
前記薄膜層形成工程の後段に、透明基板の他方主面側から前記マスク層に第３レーザ光を照射して、前記マスク層を前記透明基板から剥離する剥離工程とを備え、
前記剥離工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に、透明層を形成する透明層形成工程と、
前記透明層形成工程の後段に、前記透明層に第２レーザ光を照射して開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、パターン形成方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されるパターンを備える電子回路。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子回路を有する電子機器。
【請求項１８】
請求項１〜１５のいずれかに記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を含む、プラズマディスプレイ基板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、電子回路などに備えられるパターンの形成方法、ならびに、プラズマディスプレイ基板などの電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】  プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）は、薄型化が可能で、かつ大型化が容易であり、さらに軽量、高解像度等の特徴を有するため、表示装置としてＣＲＴに替わる有力候補として注目されている。
ＰＤＰはＤＣ型とＡＣ型に大別されるが、その動作原理は、ガス放電に伴う発光現象を利用したものである。例えばＡＣ型では、図１３に示すように、対向して配置された透明な前面基板１と背面基板２との間に形成した隔壁３によりセル空間を区画してセルを画定し、セル内には可視発光が少なく紫外線発光効率が高いＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅなどのペニング混合ガスを封入する。そして、セル内でプラズマ放電を発生させ、セル内壁の蛍光体層９Ａを発光させて表示画面上に画像を形成する。【０００３】  ＰＤＰは、一般的に、前面基板１上に、プラズマ放電を発生させるための表示電極５と、表示電極５の一部の上に設けられており表示電極５の抵抗を低減するバス電極６と、表示電極５およびバス電極６がプラズマに侵食されることや、背面基板２上に形成されている電極に接触することを防ぐ誘電体層８およびＭｇＯ層９と、また、必要に応じて、外光の反射を低減するブラックストライプ４とを備えたプラズマディスプレイ基板を有している。また、背面基板２上に、情報を書き込むためのアドレス電極７を備えている。【０００４】  ＰＤＰを製造するときには、前面基板１上に、透明な導電性材料を用いて表示電極５を形成した後に、表示電極５の一部の上に、導電材料を用いてバス電極６を形成する。また、ブラックストライプ４を備える場合には、さらにブラックストライプ４を形成する。ついで、誘電体層８とＭｇＯ層９を形成する（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２参照）。【０００５】  ところで、表示電極５やバス電極６などを形成する場合には、導電材料を用いて形成された薄層を、所定の形状に加工する。薄層の形状を加工する方法としては、レジストを用いたウェットエッチングが採用されている。
しかしながら、ウェットエッチングによる薄層の加工は、最初に、薄層上にレジスト層を形成した後に、レジスト層の露光および現像を行ってレジスト層に開口部を形成し、ついで、エッチング液を用いて開口部に露出した薄層をエッチングし、最後にレジスト層を剥離することによってなされるために、多くの工程を必要とする。【０００６】  また、ウェットエッチングは、表示電極５やバス電極６など、各部材を形成する毎に行うために、１つのＰＤＰを製造するに際して、複数回行う。
したがって、ウェットエッチングによって薄膜を所定の形状に加工する場合には、ＰＤＰの製造に必要となる工程数が膨大になる。工程数が多いと、製造に必要となる作業が増えるために、煩雑な作業の増加やコストの上昇などの不都合が生じる。【０００７】  また、コントラストをさらに向上させて、画像を鮮明にするために、前面基板１上に、ブラックストライプ４を形成することが提案されている。
しかしながら、ブラックストライプ４は、表示電極５やバス電極６などとは別工程で形成される。また、ブラックストライプ４を形成するときにも、ウェットエッチングによって所定の形状にする必要がある。したがって、ＰＤＰは、ブラックストライプ４を形成することによって、製造に必要となる工程数がさらに増加する。【０００８】  また、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、強酸性や強アルカリ性を示すために、例えばそのまま廃棄すると環境負荷が大きいなどの問題点を有し、取り扱いが困難である。したがって、ＰＤＰを製造するときにウェットエッチングを行う場合には、エッチング液の取り扱いに伴った煩雑な作業を行う必要がさらに生じ、製造に必要となる工程数がさらに増加する。【０００９】  さらに、ウェットエッチングは、上述したＰＤＰ以外の電子回路のパターンを形成するときにも用いられる。
電子回路のパターンは、近年、急速に進展する高度情報化社会に対応するために、より複雑化している。したがって、パターンの複雑化に伴い、電子回路を作製する場合にも、ウェットエッチングを行うことによる工程数が大幅に増加し、上述したような煩雑な作業の増加や、コストの上昇などの不都合が生じる。
【特許文献１】特開平７―６５７２７号公報
【非特許文献１】内田龍男、内池平樹著、「フラットパネル・ディスプレイ大辞典」、工業調査会、２００１年１２月２５日、ｐ．５８３−５８５
【非特許文献２】奥村健史著、「フラットパネル・ディスプレイ２００４実務編」、日経ＢＰ社、ｐ．１７６−１８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】  本発明は、以上説明した従来の実情を鑑みて提案されたものであり、ウェットエッチングを行うことなく、工程数を少なくしかつコストの低減を図ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。また、この形成方法により形成されるパターンを備える電子回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明は、上記の課題を解決するために、以下の（１）〜（１７）に示すパターン形成方法、および電子回路などを提供するものである。【００１２】（１）透明基板の一方主面側に、反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、前記反射防止層に第１レーザ光を照射して開口部を形成する反射防止層開口部形成工程と、前記反射防止層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層に開口部を形成するマスク層開口部形成工程と、前記マスク層開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、前記薄膜層形成工程の後段に、前記マスク層を前記透明基板から剥離する剥離工程とを備え、前記反射防止層形成工程の前段、前記反射防止層開口部形成工程の後段または前記剥離工程の後段に、前記透明基板の該一方主面側に、透明層を形成する透明層形成工程と、前記透明層形成工程の後段に、前記透明層に第２レーザ光を照射して開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、パターン形成方法。【００１３】（２）前記マスク層形成工程は、前記透明基板の該一方主面側に紫外線硬化樹脂を塗布する紫外線硬化樹脂塗布工程と、前記紫外線硬化樹脂に対して、前記透明基板の他方主面側から紫外線を照射して、前記紫外線硬化樹脂を硬化する紫外線樹脂硬化工程とを備える、前記（１）に記載のパターン形成方法。【００１４】（３）前記剥離工程では、前記マスク層に第３レーザ光を照射して、前記マスク層を前記透明基板上から剥離する、前記（１）または（２）に記載のパターン形成方法。【００１５】（４）前記第３レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満である、前記（３）に記載のパターン形成方法。【００１６】（５）前記反射防止層が、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンを含有する第２反射防止層とを備える、前記（１）〜（４）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００１７】（６）前記マスク層は、有機材料を用いて形成される、前記（１）〜（５）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００１８】（７）前記マスク層は、黒色顔料または黒色染料を含有する、前記（１）〜（６）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００１９】（８）前記第１レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ２以上２Ｊ／ｃｍ２未満である、前記（１）〜（７）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００２０】（９）前記第２レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２である、前記（１）〜（８）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００２１】（１０）前記薄膜層は、金属クロムおよび／または金属チタンと、金属銅とを含有する、前記（１）〜（９）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００２２】（１１）前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える、前記（１）〜（１０）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００２３】（１２）前記（１）〜（１１）のいずれかに記載のパターン形成方法に���り形成されるパターンを備える電子回路。【００２４】（１３）前記（１２）に記載の電子回路を有する電子機器。【００２５】（１４）前記（１）〜（１１）のいずれかに記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を含む、プラズマディスプレイ基板の形成方法。【００２６】（１５）透明基板の一方主面側に、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、金属銅からなる薄膜層と、ＳｎＯ２からなる透明層とを有するパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。【００２７】（１６）前記電極および／または前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側から入射した可視光反射率が５０％以下である前記（１５）に記載のプラズマディスプレイ基板。【００２８】（１７）前記（１５）または（１６）に記載のプラズマディスプレイ基板を具備するプラズマディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００２９】  本発明のパターン形成方法によれば、反射防止層がマスク層に開口部を形成するときのマスクとしての役割も果たすために、マスク層に開口部を形成するためのマスクを形成することなく、マスク層に開口部を形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、ウェットエッチングを行うことがないため、透明基板上に、透明層と薄膜層とを有するパターンを、従来より少ない工程数で形成することが可能となる。
したがって、本発明によれば、透明基板上に、透明層と薄膜層とを有するパターンを、低コストで効率よく形成することが可能となる。また、透明層と薄膜層とを有するパターンが形成された透明基板を備える電子回路を、低コストで効率よく形成することが可能となる。【００３０】  また、従来法では、薄膜層の厚さが厚い場合には、レーザ出力と透明基板の破壊エネルギー密度との関係から、薄膜層にレーザ光を照射して直接パターニングすることは困難であるが、本発明によれば、薄膜層の厚さが厚い場合にも直接パターニングすることが可能である。【００３１】  また、本発明によれば、透明層が用いられたパターンと薄膜層が用いられたパターンを、ウェットエッチングを施すことなく形成することが可能となる。
したがって、本発明によれば、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング液を用いる必要がなくなるために、透明層が用いられたパターンと薄膜層が用いられたパターンを備える電子回路を形成するときに、エッチング液の取り扱いに伴って生じる煩雑な作業を、削減することが可能となる。また、ウェットエッチングを施すことによる工程数の増加を、抑制することが可能となる。【００３２】  また、本発明のパターン形成方法により、プラズマディスプレイ用基板を形成する場合には、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極（表示電極およびバス電極）とを、同時に形成することができる。
また、透明基板上に反射防止層を形成することで、プラズマディスプレイ基板をＰＤＰとして画像を表示するときに、バス電極やブラックストライプが映し出されることを回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明のパターン形成方法のうち、透明層形成工程と透明層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図２】図２（Ｅ）〜（Ｈ）は、本発明のパターン形成方法のうち、反射防止層形成工程と、反射防止層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図３】図３（Ｉ）〜（Ｎ）は、本発明のパターン形成方法のうち、マスク層形成工程と、マスク層開口部形成工程と、薄膜層形成工程と、剥離工程とを示す概略図である。
【図４】図４は、マスク層と透明基板との間に、光吸収薄膜を形成した状態を示す断面図である。
【図５】図５は、薄膜層上に保護層を形成した状態を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は反射層と透明層と薄膜層とをこの順に形成した状態を示す断面図であり、図６（Ｂ）は反射層と薄膜層と透明層とをこの順に形成した状態を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法の好適実施例により形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを備える基板の概略平面図である。
【図８】図８は、図７に示す基板のＡ−Ａ’線断面概略図である。
【図９】図９（Ａ）および（Ｂ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、透明層形成工程と透明層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図１０】図１０（Ｃ）〜（Ｅ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、反射防止層形成工程と反射防止層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図１１】図１１（Ｆ）〜（Ｈ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、マスク層形成工程とマスク層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図１２】図１２（Ｉ）〜（Ｋ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、薄膜層形成工程と保護層形成工程と剥離工程とを示す概略図である。
【図１３】図１３は従来のＰＤＰの概略構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３４】  １  前面基板
２  背面基板
３  隔壁
４  ブラックストライプ
５  表示電極
６  バス電極
７  アドレス電極
８  誘電体層
９  ＭｇＯ層
１１  蛍光体層
２０  透明基板
２１  透明層
２２  フォトマスク
２３  第１反射防止層
２４  第２反射防止層
２５  フォトマスク
２７  反射防止層
２８  薄膜層
３０  マスク層
３１  光吸収薄膜
３４  保護層
４１  バス電極
４２  ブラックストライプ
４３  表示電極
７０  ガラス基板
８０  スパッタ成膜装置
８１  透明層
８２  フォトマスク
８３  第１反射防止層
８４  第２反射防止層
８５  反射防止層
８６  フォトマスク
８８  マスクフィルム
９０  フィルムラミネータ
９２  紫外線硬化装置
９４  薄膜層
９５  保護層
Ｌ１  第１レーザ光
Ｌ２  第２レーザ光
Ｌ３  第３レーザ光
ＵＶ  紫外線
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】  以下、本発明について詳細に説明する。なお、以下の説明は本発明の一例であり、本発明はこれに限定されない。【００３６】  本発明のパターン形成方法について、図１および図２を用いて説明する。まず、透明基板２０の一方主面側に、透明層２１を形成し（図１（Ａ）・（Ｂ）：透明層形成工程）、その後、透明層２１に、フォトマスク２２を介して第２レーザ光Ｌ２を照射して、透明層２１に開口部を形成する（図１（Ｃ）・（Ｄ）：透明層開口部形成工程）。【００３７】  ついで、透明基板２０の該一方主面側に、第１反射防止層２３と、第２反射防止層２４とを順次形成することで反射防止層２７を形成し（図２（Ｅ）・（Ｆ）：反射防止層形成工程）、その後、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４に、フォトマスク２５を介して第１レーザ光Ｌ１を照射して、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４に開口部を形成する。（図２（Ｇ）・（Ｈ）：反射防止層開口部形成工程）。【００３８】  ついで、透明層２１上および第２反射防止層２４上に、マスク層３０を形成し（図３（Ｉ）：マスク層形成工程）、その後、マスク層３０に、透明基板２０の他方主面側から紫外線ＵＶを照射して露光して現像し、マスク層３０に開口部を形成する（図３（Ｊ）・（Ｋ）：マスク層開口部形成工程）。【００３９】  ついで、第２反射防止層２４上およびマスク層３０上に、薄膜層２８を形成（図３（Ｌ）：薄膜層形成工程）した後、マスク層３０に他方主面側から第３レーザ光Ｌ３を照射して、透明基板２０の該一方主面側からマスク層３０を剥離する（図３（Ｍ）・（Ｎ）：剥離工程）。【００４０】  このような形成工程により、透明基板２０の該一方主面側に、透明層２１と、第１反射防止層２３と、第２反射防止層２４と、薄膜層２８がパターニングされたパターンを形成することが可能となる。【００４１】＜透明基板＞
透明基板２０は、透明材料（本発明においては、ＪＩＳＲ３１０６（１９９８年）規定の可視光透過率が８０％以上の材料）を用いて形成されていれば特に限定されない。透明基板２０の具体例としては、ガラス基板が好適に挙げられる。特に、ＰＤＰ用のガラス基板として用いられている厚さが０．７〜３ｍｍのガラス基板が好ましい。【００４２】  なお、本発明では、透明基板２０の両主面のうち、透明層２１、第１反射防止層２３、第２反射防止層２４、および薄膜層２８などが形成される側の主面を一方主面といい、透明層２１、第１反射防止層２３、第２反射防止層２４、および薄膜層２８などが形成されない側の主面を他方主面という。【００４３】＜透明層形成工程＞
透明層形成工程では、透明基板２０の該一方主面側に透明層２１を形成する。この透明層２１の形成に用いられる材料は、透明性を有する導電性の材料であれば特に限定されず、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や酸化錫（ＳｎＯ２）などの錫酸化物を用いることができる。誘電体による侵食の防止の観点から、ＳｎＯ２を用いることが好ましく、特にＳｂを２〜８質量％含有するＳｎＯ２を用いることが好ましい。透明層は、後述する第２レーザ光によりレーザアブレーションにより剥離されることが好ましい。透明層は、ＪＩＳＲ３１０６（１９９８年）規定の可視光透過率が８０％以上であることが好ましい。【００４４】  透明層２１は、スパッタリング法や蒸着法によって形成されることが好ましい。透明層２１の厚さは、パターニングのしやすさから、０．１〜３μｍ、０．１〜１μｍ、特に０．１〜０．５μｍであることが好ましい。表示電極として用いる場合には、その導電性や透明性の点で、透明層２１の厚さは０．１〜３μｍであることが好ましい。透明層２１が、上記の厚さとなるようにするには、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。
透明層２１は、例えば、ＩＴＯやＳｎＯ２などの透明層形成材料をターゲットとして用いて、Ａｒ等にＯ２などのスパッタガスを混合させてスパッタリングを行うことにより形成される。【００４５】＜透明層開口部形成工程＞
透明層開口部形成工程では、例えばエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等の第２レーザ光Ｌ２を用いて、アブレーションと熱エネルギーとを併用することによって、形成した透明層２１を蒸発除去して開口部を形成する。【００４６】  第２レーザ光Ｌ２は、透明層２１に対して、フォトマスク２２を介して照射される。これにより、フォトマスク２２に設けられた開口部を透過した第２レーザ光Ｌ２のみが透明層２１に照射され、透明層２１は、フォトマスク２２の形状どおりに加工される。【００４７】  本発明の透明層開口部形成工程において開口部を形成するにあたり、用いる第２レーザ光Ｌ２は、波長が５００〜１５００ｎｍであることが好ましく、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましく、２〜５Ｊ／ｃｍ２であることがより好ましい。第２レーザ光Ｌ２は、パルスであっても、ＣＷ（連続光）であってもよい。
このようなレーザ光として、具体的には、波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光、波長が５３２ｎｍのＹＡＧレーザ光等が挙げられる。
このような第２レーザ光Ｌ２を、透明層２１に照射すれば、極短時間の照射のみで、開口部に露出した透明基板２０の表面に透明層２１が残存することなく、確実に開口部を形成することができる。【００４８】＜反射防止層形成工程＞
反射防止層形成工程では、透明基板２０の該一方主面側に反射防止層を形成する。反射防止層は、その光学的な低反射条件の要求により、第１反射防止層２３および第２反射防止層を有することが好ましい。特に、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層２３と、金属クロム（以下、「Ｃｒ」ともいう。）および／または金属チタン（以下、「Ｔｉ」ともいう。）からなる第２反射防止層２４とを順次形成して、反射防止層２７を形成することが好ましい。また、反射防止層は、後述する第１レーザ光Ｌ１を用いて、アブレーションと熱エネルギーとを併用することにより剥離されるような層であることが好ましい。
上記反射防止層を形成することにより、第１反射防止層２３によって反射された可視光と第２反射防止層２４によって反射された可視光とが互いに干渉するために、可視光の反射率が低くなり、ＰＤＰとして画像を表示するときに、バス電極やブラックストライプが画像に映し出されることを回避できる。【００４９】＜第１反射防止層＞
本発明において、第１反射防止層２３の材料はクロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第１反射防止層２３の材料はクロム酸化物であることが好ましい。第１反射防止層２３を形成する材料の全体に対して、クロム酸化物および／またはチタン酸化物が９５質量％以上含有されれば、本発明における反射防止層として好ましい。【００５０】  ここで、クロム酸化物とは、酸素が欠損していないＣｒ２Ｏ３などや酸素欠損型のＣｒＯＸ（１．０≦Ｘ＜１．５）なども含む。クロム酸化物が酸素欠損型のＣｒＯＸ（１．０≦Ｘ＜１．５）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。
また、チタン酸化物とは、酸素が欠損していないＴｉＯ２などや酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）なども含む。チタン酸化物が酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。【００５１】  また、第１反射防止層２３は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。炭素および／または窒素を、第１反射防止層２３を形成する材料に含有させることにより、消衰係数や膜の屈折率を微調整できるため、第２反射防止層２４の光学特性と整合させることで可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止特性を容易に良好とできる点で好ましい。クロム酸化物に窒素を含有している場合、第１反射防止層２３の組成は、Ｃｒ１−Ｙ−ＺＯＹＮＺと表す場合に、０．３≦Ｙ≦０．５５、０．０３≦Ｚ≦０．２であることが好ましく、クロム酸化物には、こうした窒素含有クロム酸化物も含まれる。【００５２】  第１反射防止層２３の厚さは、３０〜１００ｎｍとすることが好ましい。３０〜１００ｎｍであれば反射防止特性を良好とできる。また、厚さは、該範囲で、膜の屈折率および消衰係数などから適宜調整されればよい。【００５３】  また、第１反射防止層２３は、実質的に透明であることが好ましく、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９〜２．８であることが好ましく、１．９〜２．４であることがより好ましい。この範囲内であれば、第１反射防止層２３からの反射光と第２反射防止層２４からの反射光とが干渉することにより、反射防止層２７に入射された可視光の反射率が低くなる。
なお、実質的に透明であるとは、消衰係数が１．５以下、より好ましくは０．７以下であることをいう。これにより、十分な光の干渉を生じさせることができるようになる。
また、第１反射防止層２３は複数の膜を積層した構成であってもよい。具体的には、基板から酸化クロム、窒化クロムを順に積層したものが例示される。【００５４】＜第２反射防止層＞
本発明において、第２反射防止層２４は、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第２反射防止層２４の材料はＣｒであることが好ましい。第２反射防止層２４を形成する材料の全体に対して、Ｃｒおよび／またはＴｉが９５質量％以上含有されれば、反射防止特性を良好とできる。
第２反射防止層２４は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。炭素および／または窒素を、第２反射防止層２４を形成する材料に含有させることにより、消衰係数や膜の屈折率を微調整できるため、第２反射防止層２４の光学特性と整合させることで可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止特性を容易に良好とできる点で好ましい。【００５５】  本発明における第２反射防止層２４は光透過率が低いことが好ましく、可視光領域で実質的に不透明であることが好ましい。実質的に不透明であるとは、可視光透過率が０．０００１〜０．１％であることを意味する。第２反射防止層２４の厚さは、反射防止特性とパターニング性の点で１０〜２００ｎｍ、特に２０〜１００ｎｍであることが好ましい。また、第２反射防止層２４がＣｒを含有することで、第２反射防止層２４が第２反射防止層２４上に形成される薄膜層の保護層の役割を果たすため、より好ましい。薄膜層の材料が銅であると、Ｃｒを含有する第２反射防止層２４が保護層としてより有効に機能するため、さらに好ましい。【００５６】  本発明における第１反射防止層２３および第２反射防止層２４は、透明層２１と同様に、スパッタリング法や蒸着法によって形成される。スパッタリング法により、第２反射防止層２４であるＣｒ層を形成するためには、Ｃｒターゲットを用い、Ａｒ等の不活性雰囲気下でスパッタリングを行えばよい。Ｔｉ層を形成する場合も同様である。ここでＡｒ等にＮ２やＣＨ４などを混合させてスパッタリングを行ってもよい。
また、第１反射防止層２３であるクロム酸化物層を形成するためには、Ｃｒターゲットを用い、酸素を含む雰囲気下でスパッタリングを行う方法のほか、クロム酸化物ターゲットを用いることも可能である。チタン酸化物層を形成する場合も同様である。ここでＡｒ等にＮ２、ＣＨ４やＣＯ２などを混合させてスパッタリングを行ってもよい。【００５７】  第１反射防止層２３および第２反射防止層２４の厚さは、透明層２１と同様に、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整できる。【００５８】  なお、本発明における反射防止層形成工程では、上記の好適実施例に例示した第１反射防止層２３と第２反射防止層２４との２層のみを形成する態様に限定されず、この２層の他に、さらに１層以上の層を形成してもよい。【００５９】＜反射防止層開口部形成工程＞
反射防止層開口部形成工程では、例えばエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等の第１レーザ光Ｌ１を用いて、アブレーションと熱エネルギーとを併用することによって、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４を蒸発除去して開口部を形成する。
第１レーザ光Ｌ１は、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４に対して、フォトマスク２５を介して照射される。これにより、フォトマスク２５に設けられた開口部を透過した第１レーザ光Ｌ１のみが第１反射防止層２３および第２反射防止層２４に照射され、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４は、フォトマスク２５の形状どおりに加工される。
なお、図１（Ｇ）では、第１反射防止層２３および第２反射防止層２４に対して、第１レーザ光Ｌ１を、透明基板２０の他方主面側から照射しているが、該一方主面側から照射してもよい。【００６０】  第１レーザ光Ｌ１は、エキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等であって、後述するマスク層の剥離に用いる第３レーザ光（例えば、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満のレーザ光）よりもエネルギー密度が高く、例えば、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ２以上２Ｊ／ｃｍ２未満であることが好ましい。レーザ光のエネルギー密度を上記の範囲とすることにより、透明層２１に影響を与えることなく、開口部を形成することができる。なお、エネルギー密度は、レーザパルス数が複数の場合は、照射したパルスの合計のエネルギー密度であり、以下同様である。【００６１】  また、反射防止層２７のパターン幅は、反射防止層開口部形成工程で用いるフォトマスク２５の形状（幅）により決まる。したがって、パターン幅は目的のコントラストと輝度とのバランスを考慮して決めることが好ましい。パターン幅が太すぎると、ＰＤＰとして用いる場合は、ＰＤＰから発する光そのものが遮光されるために、ＰＤＰに表示される映像は、十分な輝度を確保できなくなる。【００６２】＜マスク層形成工程＞
マスク層形成工程では、透明基板２０の該一方主面側にマスク層３０を形成する。【００６３】  マスク層３０は、後述する紫外線ＵＶの照射（露光）により光重合して硬化し、その硬化物が現像液に溶解しない材料、例えば、紫外線硬化樹脂を用いて形成されることが好ましい。また、後述する第３レーザ光Ｌ３の照射によってレーザアブレーションを起こし、透明基板２０から容易に剥離できることが好ましい。【００６４】  このようなマスク層３０に用いられる材料（以下、「マスク層形成材料」ともいう。）としては、有機材料が好ましい。有機材料を用いてマスク層３０を形成することにより、マスク層３０は、エネルギー密度の低い第３レーザ光Ｌ３を照射した場合にも十分に剥離ができる。【００６５】  このような有機材料として、例えば、エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、四フッ化エチレン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
このような有機材料を用いることで、後述する剥離工程において、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満である第３レーザ光Ｌ３によって、第１反射防止層２３、第２反射防止層２４および薄膜層２８等にダメージを与えることなく、確実にマスク層３０を透明基板２０から剥離することができる。【００６６】  ところで、マスク層３０を、後述する剥離工程で透明基板２０から確実に剥離させるためには、マスク層３０でレーザアブレーションを生じさせることが好ましいが、そのためには、マスク層３０がレーザ光を十分に吸収することが好ましい。【００６７】  マスク層３０の厚さは、６〜２５μｍであることが好ましく、７〜１５μｍであることがより好ましく、７〜１０μｍであることがさらに好ましい。
このようなマスク層３０は、通常用いられる方法、例えば、コータ等を用いて透明基板２０の該一方主面側にマスク層形成材料を塗布する方法によって形成できるが、容易に所望の厚さとするためには、フィルム状のマスク層形成材料を、フィルムラミネータ等を用いて透明基板２０の表面に貼り付ける方法が好ましい。【００６８】  マスク層３０にレーザ光を十分に吸収させるためには、第１の方法としてマスク層３０に顔料または染料を含有させることや、第２の方法として、図４に示すように、マスク層３０と透明基板２０との間に、顔料または染料を含有する有機材料を用いて形成された光吸収薄膜３１を形成することが好ましい。【００６９】  第１の方法として、マスク層３０に顔料または染料を含有させることにより、後述するような第３レーザ光Ｌ３に対する吸収率が増加することから、レーザアブレーションが生じやすくなり、透明基板２０からのマスク層３０の剥離が容易となる。マスク層３０および光吸収薄膜３１に含有させる顔料としては、吸収性の点で黒色顔料が好ましく、染料としては黒色染料が好ましい。
また、マスク層３０にエネルギー密度が低い（例えば、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満程度）第３レーザ光Ｌ３を照射してもレーザアブレーションが生じ、透明基板２０からマスク層３０が容易に剥離される。【００７０】  マスク層３０に黒色顔料または黒色染料を含有させる場合、その含有量は、吸収性およびマスクとしての機能の点から１０〜９５質量％であるのが好ましく、２０〜９０質量％であるのがより好ましい。
マスク層３０は、黒色顔料または黒色染料をこのような範囲で含有する材料によって形成されていれば、レーザアブレーションが生じやすくなるために、透明基板２０からの剥離が容易となる。【００７１】  また、第２の方法として、図４に示すように、マスク層３０と透明基板２０との間に光吸収薄膜３１を形成することにより、光吸収薄膜３１がレーザ光を効率よく吸収するために、マスク層３０では、光吸収薄膜３１との界面でのレーザ光の吸収が増加してレーザアブレーションが生じやすくなる。したがって、透明基板２０からマスク層３０が容易に剥離される。
また、エネルギー密度の低い（例えば、０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ２程度）第３レーザ光Ｌ３を照射してもレーザアブレーションが生じ、透明基板２０からマスク層３０が容易に剥離される。なお、光吸収薄膜３１自体も、レーザアブレーションによって、透明基板２０から剥離する。【００７２】  光吸収薄膜３１中の黒色顔料または黒色染料の含有量は、吸収性の点で、３０〜９５質量％であるのが好ましく、５０〜９０質量％であるのがより好ましい。
光吸収薄膜３１が黒色顔料または黒色染料をこのような範囲で含有する材料によって形成されていれば、マスク層３０は、光吸収薄膜３１との界面でのレーザ光の吸収が増加する。したがって、マスク層３０は、光吸収薄膜３１との界面でレーザアブレーションが生じやすくなるために、透明基板２０からの剥離が容易となる。【００７３】  また、光吸収薄膜３１の厚さは、０．５〜３μｍであるのが好ましく、１〜１．５μｍであるのがより好ましい。このような厚さであれば、紫外線ＵＶが光吸収薄膜３１を透過するため、マスク層３０は、後述するマスク層開口部形成工程において十分に硬化される。【００７４】  マスク層３０および光吸収薄膜３１に含有させる黒色顔料または黒色染料は、マスク層３０の第１レーザ光Ｌ１に対する吸収率を上昇させる化合物であれば特に限定されず、その具体例としては、カーボンブラック、チタンブラック、硫化ビスマス、酸化鉄、アゾ系酸性染料（例えば、Ｃ．Ｉ．Ｍｏｒｄａｎｔ  Ｂｌａｃｋ１７）、分散系染料およびカチオン系染料等が好適に挙げられる。これらのうち、カーボンブラックおよびチタンブラックが、全てのレーザ光に対して高い吸収率を有するために、より好ましい。【００７５】  このような黒色顔料または黒色染料を含有する材料をマスク層形成材料として使用することにより、後述する剥離工程において、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満である第３レーザ光Ｌ３を１〜５パルス照射するだけで、透明基板２０上に残存させる第１反射防止層２３、第２反射防止層２４、および薄膜層２８等にダメージを与えることなく、確実にマスク層３０を透明基板２０から剥離することができる。【００７６】  また、このような黒色顔料または黒色染料を含有する前記有機材料をマスク層形成材料として使用すれば、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ２という低いエネルギー密度を有する第３レーザ光Ｌ３であっても、同様な効果を奏する。【００７７】＜マスク層開口部形成工程＞
マスク層開口部形成工程では、マスク層３０に透明基板２０の他方主面側から紫外線ＵＶを照射して露光し、その後現像を行い開口部を形成する。第１反射防止層２３および第２反射防止層２４は紫外線ＵＶを透過しないので、第２反射防止層２４上に形成されたマスク層３０は、露光によって光重合して硬化することはない。したがって、露光の後の現像によって、第２反射防止層２４上のマスク層３０に開口部が形成される。【００７８】＜薄膜層形成工程＞
薄膜層形成工程では、透明基板２０の該一方主面側に薄膜層２８を形成する。【００７９】  この薄膜層２８を形成する薄膜層形成材料は、電極としての機能を果たすものであれば特に限定されない。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ等を用いることが好ましく、Ｃｕを用いることが特に好ましい。薄膜層２８は、導電性が高く材料として安価である点で、Ｃｕを主成分とすることが好ましく、具体的には、Ｃｕが８５質量％以上含有されることが好ましい。【００８０】  このような薄膜層形成材料を用いた薄膜層２８は、透明層２１と同様に、通常のスパッタリング法や蒸着法によって形成される。薄膜層２８の厚さは、パターニング性の点で１〜４μｍ、特に２〜４μｍとすることが好ましい。厚さが上記範囲であれば、本発明で形成されるパターンをＰＤＰ用に使用する場合であっても導電性を良好とでき好ましい。また、薄膜層２８の厚さは、透明層２１と同様に、スパッタリング法や蒸着法等の成膜時間等を制御することで調整できる。【００８１】  薄膜層２８および反射防止層２７を、プラズマディスプレイ基板用電極および／またはプラズマディスプレイ用ブラックストライプとして使用するにあたり、薄膜層２８および反射防止層２７を誘電体によって被覆する場合がある。本発明の電極および／またはブラックストライプの誘電体に対する耐性は、以下に例示する２つの方法により、さらに向上するため好ましい。【００８２】  第１の方法は、図５に示すように、薄膜層形成工程の後に、薄膜層２８の上面に保護層３４を形成する保護層形成工程を備えることである。保護層３４は、Ｃｒおよび／またはＴｉを主成分とすることが好ましく、具体的には、Ｃｒおよび／またはＴｉが９５質量％以上含有されることが好ましい。この方法により誘電体が薄膜層２８に直接接することがなくなるので、薄膜層２８が侵食されにくくなるため好ましい。【００８３】  保護層３４は、透明層２１と同様にスパッタリング法や蒸着法によって形成される。また、保護層３４の厚さは、０．０５〜０．２μｍとすることが好ましい。この厚さであれば、薄膜層２８が誘電体により侵食されるのを防止または抑制することができる。保護層３４の厚さは、透明層２１と同様に、スパッタリング法や蒸着法等の成膜時間等を制御することで調整できる。【００８４】  第２の方法は、薄膜層２８にＣｒおよび／またはＴｉを含有させる方法である。ＣｒやＴｉは誘電体に対する耐性が高いからである。薄膜層２８は、具体的には、Ｃｒおよび／またはＴｉと、Ｃｕとを含有する層が挙げられる。
Ｃｒおよび／またはＴｉが薄膜層２８を構成する材料全体に対して５〜１５質量％含有されていると、薄膜層２８は誘電体に対して十分な耐性を有し、かつ導電性が保たれるので好ましい。
Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する薄膜層２８は、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する前記薄膜層形成材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法により形成される。【００８５】＜剥離工程＞
剥離工程では、マスク層３０に第３レーザ光Ｌ３を照射して、マスク層３０を透明基板２０から剥離する。マスク層３０に第３レーザ光Ｌ３を照射すると、アブレーションと熱エネルギーとの併用によってマスク層３０が蒸発する。この結果、マスク層３０は透明基板２０から剥離する。【００８６】  第３レーザ光Ｌ３の種類は、前述の反射防止層開口部形成工程と同様にエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等を用いることができる。
また第３レーザ光Ｌ３は、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満であることが好ましい。第３レーザ光Ｌ３の波長およびエネルギー密度が上記範囲であれば、透明基板２０上に残存させる第１反射防止層２３、第２反射防止層２４、および薄膜層２８等にダメージを与えることなく、確実にマスク層３０を透明基板２０から剥離することができる。【００８７】  また、図３（Ｍ）に示されているように、マスク層３０上に、薄膜層２８が形成されている場合は、透明基板２０の他方主面側から第３レーザ光Ｌ３を照射する方が、透明基板２０の該一方主面側から第３レーザ光Ｌ３を照射するのと比較して、より確実に、かつ、残渣が少なくマスク層３０を透明基板２０から剥離することができる。したがって、透明基板２０の他方主面側から第３レーザ光Ｌ３を照射することが好ましい。
以上説明した方法により、透明基板から順に透明層／反射防止層／薄膜層がパターニングされたパターンを形成することができる。また、パターニングの順序を考慮すると、各レーザのエネルギー密度は、第２レーザ光＞第１レーザ光＞第３レーザ光の順番になることが好ましい。また、各レーザ光のエネルギー密度は、パターニング精度を考慮すれば、お互いに０．８Ｊ／ｃｍ２以上の差異があることが好ましい。【００８８】＜接着力低下工程＞
なお、剥離工程の直前にマスク層３０と透明基板２０との接着性を低下させる、または無くす（以下、これらをまとめて単に「接着性を低下させる」という）ために、光を照射してこれらの接着性を低下させる工程（以下、「接着力低下工程」という）を設けてもよい。【００８９】  マスク層３０上に薄膜層２８を成膜した後、マスク層３０に対して、透明基板２０の他方主面側から光を照射する。マスク層３０に対して照射する光は紫外光が好ましい。これにより、マスク層形成材料が分解・劣化する。その結果、マスク層３０と透明基板２０との接着性が低下する。したがって、この場合、マスク層形成材料としては、光の照射により分解・劣化を起こす成分を含む材料を用いることが好ましい。【００９０】  さらに、マスク層形成材料の種類が異なる場合には、それら各マスク層形成材料に対応した波長の光を用いて照射すればよい。これにより、マスク層３０を透明基板２０から剥離しやすくするとともに、剥離した後の残渣を減少させることができる。【００９１】  なお、上記の第１反射防止層２３、第２反射防止層２４、および薄膜層２８の他に、さらに１層以上の他の薄膜層を形成してもよい。例えば、第１反射防止層２３の形成前、第１反射防止層２３の形成と第２反射防止層２４の形成との間、第２反射防止層２４の形成後であってマスク層３０の形成前、または、マスク層３０の剥離後に、さらに他の薄膜層を形成してもよい。【００９２】  また、本発明は、例えば、上記好適実施例における各工程の順番を適宜入れ換えたり、さらに別の薄膜を形成する工程を加えてもよい。【００９３】  本発明のパターン形成方法により、透明基板の一方主面側に、第１反射防止層と、第２反射防止層と、薄膜層と、透明層とを有するパターンを形成することができる。特に好ましくは、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、金属銅からなる薄膜層と、ＳｎＯ２からなる透明層とを有するパターンを形成することができる。なお、図１〜５においては、透明層が、透明基板と第１反射防止層との間に形成される場合について説明したが、透明層は、反射防止層開口部形成工程の後段に形成することにより第２反射防止層と薄膜層との間に形成されていてもよく（図６（Ａ））、剥離工程の後段に形成することにより薄膜層の該一方主面側に形成されてもよい（図６（Ｂ））。なお、「第１反射防止層と、第２反射防止層と、薄膜層と、透明層とを有するパターン」とは、図６（Ａ）や図６（Ｂ）に対応する構成も含まれる。【００９４】  図６（Ａ）に示すように、透明層２１は、反射防止層２７と薄膜層２８との間に形成されていてもよい。この場合は、透明基板から順に反射防止層／透明層／薄膜層がパターニングされたパターンを形成することができる。特に、透明層２１の材料としてＳｎＯ２を用いた場合には、透明層２１が反射防止層２７と薄膜層２８との間に形成されることにより、反射防止層２７は、透明層２１によって保護され、誘電体により侵食されにくくなり好ましい。【００９５】  また、図６（Ｂ）に示すように、透明層２１は、薄膜層２８の該一方主面側に形成されていてもよい。この場合���、透明基板から順に反射防止層／薄膜層／透明層がパターニングされたパターンを形成することができる。特に、透明層２１の材料として透明電極の材料であるＳｎＯ２を用いた場合には、透明層２１が反射防止層２７と薄膜層２８との積層体上に形成されることにより、反射防止層２７と薄膜層２８との積層体は、透明層２１によって保護され、誘電体により侵食されにくくなり好ましい。また、反射防止層／薄膜層がこの順に接して形成されるため、反射特性がより良好となり好ましい。また、本発明のパターンをＰＤＰとして用いる場合には、薄膜層と透明層との導通を有効にとることができる点で好ましい。また、透明層を薄膜層の形成後に形成することにより、反射防止層をパターニングする場合には透明層が存在していないため、第１レーザ光Ｌ１のエネルギー密度を、図５の場合と比較して、高くとることができる。具体的には、第１レーザ光Ｌ１はエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等であって、波長が５００〜１５００ｎｍであり、エネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。なお、第２レーザ光Ｌ２や第３レーザ光Ｌ３には、前述したような波長やエネルギー密度を使用することができる。
なお、図６Ａおよび図６Ｂに示す態様において第２レーザ光Ｌ２の照射により透明層２１に開口部を形成する際には、反射防止層２７あるいは反射防止層２７と薄膜層２８との積層体はフォトマスクにより覆われるため、これらにダメージを与えることなく透明層２１に開口部を形成することができる。【００９６】  本発明では、レジスト膜を用いたウェットエッチングによる薄膜の加工を行わないため、より少ない形成工程数で、より安価にプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを形成することができる。
また、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング剤を使用しないために、エッチング剤を取り扱うことによって必要となる煩雑な作業を行う必要がなくなり、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成に必要となる工程が削減される。
また、本発明では、前記パターン形成方法により形成されるパターンを備える電子回路、および前記電子回路を用いてなる電子機器を形成することができる。前記電子回路としては、ＬＣＤ用の電極付き基板、有機ＥＬ用の電極付き基板、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ付き基板等が例示され、前記電子機器としては、ＬＣＤ、有機ＥＬ、ＰＤＰ等が例示される。ＰＤＰとして用いる場合は、前面基板および背面基板のうち、特に前面基板として用いることが好ましい。
また、本発明のパターン形成方法により形成されたパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして、プラズマディスプレイ基板を形成することができる。ここで電極とは、プラズマディスプレイ基板における表示電極およびバス電極を意味する。この方法により、プラズマディスプレイ基板に対して電極およびブラックストライプを設ける場合には、ブラックストライプと電極とを同時に形成することができるため、工程を短縮できる。なお、ＰＤＰの場合、透明層が表示電極となり、薄膜層がバス電極となる。【００９７】  つぎに、図７および図８を用いて、以上説明したパターン形成方法により形成された、ブラックストライプ４２、バス電極４１、および表示電極４３が備えられているプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプについて説明する。なお、図８は図７のＡ−Ａ’線断面図を示している。【００９８】  図８に示すように、ブラックストライプ４２は、透明基板２０の上面に順次形成された第１反射防止層２３と、第２反射防止層２４と、薄膜層２８とから形成される。第１反射防止層２３と第２反射防止層２４とを備えていることにより、透明基板２０の他方主面側から入射した可視光の反射が防止される。【００９９】  表示電極４３は、透明層２１から形成される。表示電極４３は、電極および／またはブラックストライプがＰＤＰに装着されたときに電流が流れ、対応する位置に封入されているプラズマを放電させる。【０１００】  バス電極４１は、透明基板２０の上面に順次形成された透明層２１と、第１反射防止層２３と、第２反射防止層２４と、薄膜層２８とから形成される。バス電極４１は、表示電極４３に電流を供給するとともに、表示電極４３の抵抗値を低減する。
また、バス電極４１は、第１反射防止層２３と第２反射防止層２４とを備えるために、ブラックストライプ４２と同様に、透明基板２０の他方主面側から入射した可視光の反射が防止される。また、本発明のＰＤＰ上に鮮明な画像を表示することができる。【０１０１】  電極および／またはブラックストライプ部において、透明基板２０の他方主面側から入射した可視光の反射率（ＪＩＳ−Ｒ３１０６（１９９８年）に規定）は５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。５０％以下の反射率となるようにすれば、ＰＤＰ上により鮮明な画像が形成される。【０１０２】  なお、本発明のパターン形成方法により、アドレス電極を備えるプラズマディスプレイ背面基板を形成することもできる。さらに、このプラズマディスプレイ背面基板を用いて、ＰＤＰを形成することもできる。
【実施例】
【０１０３】  以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法を図９〜図１２に基づき説明する。【０１０４】  本実施例においては、透明層を形成するターゲットとしてＳｂを５質量％含むＳｎＯ２を用い、マスク層を形成する材料としてカーボンブラックを４０質量％含有するアクリル樹脂からなるフィルム（以下、単に「マスクフィルム」という。）を用い、第１反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒターゲット（純度：９９．９９％以上）を用い、第２反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒターゲット（純度：９９．９９％以上）、薄膜層形成材料として金属Ｃｕターゲット（純度：９９．９９％以上）を用いる。【０１０５】  図９〜図１２に示すように、実施例に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法は、（１）透明層形成工程（図９（Ａ））、（２）透明層開口部形成工程（図９（Ｂ））、（３）反射防止層形成工程（図１０（Ｃ）・（Ｄ））、（４）反射防止層開口部形成工程（図１０（Ｅ））、（５）マスクフィルムの貼り付け工程（図１１（Ｆ））、（６）紫外線照射・現像によるマスク層開口部形成工程（図１１（Ｇ）・（Ｈ））、（７）薄膜層形成工程（図１２（Ｉ））、（８）保護層形成工程（図１２（Ｊ））、（９）レーザ光照射によるマスク層の剥離工程（図１２（Ｋ））を具備する。【０１０６】  具体的には、まず、ガラス基板７０をスパッタ成膜装置８０に装着し、Ｓｂを５質量％含むＳｎＯ２を用いたスパッタ成膜を行うことにより、ガラス基板７０の一方主面側に、透明層８１を形成する（図９（Ａ））。透明層８１の厚さは０．２μｍである。【０１０７】  ついで、第２レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が２．５Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の他方主面側から、フォトマスク８２を介して透明層８１に照射して、透明層８１に開口部を形成する（図９（Ｂ））。【０１０８】  ついで、同じスパッタ成膜装置８０を用いて、ＡｒとＯ２の混合ガス中で金属Ｃｒターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、透明層８１上に、消衰係数が０．３のＣｒＯ１．３層からなる第１反射防止層８３を形成し（図１０（Ｃ））、さらに、Ａｒガス中で金属Ｃｒターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第１反射防止層８３上に可視光透過率が０．０５％のＣｒ層からなる第２反射防止層８４を形成することで、反射防止層８５を形成する（図１０（Ｄ））。第１反射防止層８３の厚さは約５０ｎｍであり、第２反射防止層８４の厚さは８０ｎｍである。【０１０９】  ついで、第１レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が１．２Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の他方主面側から、フォトマスク８６を介して反射防止層８５に照射して、反射防止層８５に開口部を形成する（図１０（Ｅ））。【０１１０】  ついで、ガラス基板７０の該一方主面側に、厚さ１０μｍのマスクフィルム８８を、フィルムラミネータ９０で均一に貼り付ける（図１１（Ｆ））。そして、ガラス基板７０の他方主面側から、紫外線硬化装置９２を用いて、マスクフィルム８８に、紫外線を照射する（図１１（Ｇ））。
ついで、現像して、第２反射防止層８４上に形成されたマスクフィルム８８を除去した後（図１１（Ｈ））、再度、ガラス基板７０をスパッタ成膜装置８０に入れ、第２反射防止層８４およびマスクフィルム８８上に、Ａｒガス中で金属Ｃｕターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、Ｃｕからなる薄膜層９４を形成する（図１２（Ｉ））。薄膜層９４の厚さは３μｍである。【０１１１】  ついで、薄膜層９４上に、Ａｒガス中で金属Ｃｒターゲットを用いてスパッタ成膜をすることにより、Ｃｒからなる保護層９５を形成する（図１２（Ｊ））。保護層９５の厚さは１０ｎｍである。【０１１２】  レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が０．２５Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の他方主面側からマスクフィルム８８に照射して、マスクフィルム８８をガラス基板７０から剥離する（図１２（Ｋ））。【０１１３】  以上の工程により、図７および図８に示したものと同様の電極および／またはブラックストライプを有するプラズマディスプレイ基板を形成することができる。また、形成されたプラズマディスプレイ基板はＰＤＰとして有用である。【０１１４】  本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２００４年１２月２７日出願の日本特許出願２００４−３７６１７４に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】  本発明によれば、ウェットエッチングを行うことないため、透明基板上に、透明層と薄膜層とを有するパターンを、従来より少ない工程数で形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、透明基板上に、透明層と薄膜層とを有するパターンを、低コストで効率よく形成することが可能となる。また、透明層と薄膜層とを有するパターンが形成された透明基板を備える電子回路を、低コストで効率よく形成することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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