(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下に示す４つの方法のいずれかの手法又は複数の手法を含んでなる製造方法によって得られる、
高分子フィルムからなる基材（Ａ）の少なくとも一面に、インジウム−スズ系酸化物を主成分とする厚さ１０ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電性薄膜（Ｂ）を積層した透明導電性積層体であって、
前記透明導電性積層体の電気抵抗値をＲ０とし、前記透明導電性積層体を２５℃の５重量％塩酸水溶液にて６０分浸漬させた後の電気抵抗値Ｒとした場合、Ｒ／Ｒ０値が５以上となり、
かつ、
ガラス板上にＩＴＯを形成した該ＩＴＯ面に対し、前記透明導電性積層体の前記透明導電性薄膜（Ｂ）面に両端部のみ８０μｍ厚さの粘着テープを介して（Ｂ）面を貼り合わせることにより、ガラス板／ＩＴＯ層／（Ｂ）／高分子フィルム基材、という構成の疑似積層体を構成し、かかる積層体の高分子フィルム基材表面に対し、先端部が０．８ｍｍφのポリアセタール製のペンを使用して、ペン圧２．５Ｎ、ペンスピード１５０ｍｍ／秒で、直線４０ｍｍを往復摺動させて、その後、該直線４０ｍｍ部を挟む５ｍｍの位置における電気抵抗値ｒ０を測定し、かかる試験前の電気抵抗値ｒとの関係がｒ／ｒ０が１．１より大となるのに要する前記往復摺動の回数が１０万回以上である、
という条件を満たすこと、
を特徴とする、耐久性に優れかつ可撓性に優れた透明導電性積層体。
手法１
基材（Ａ）の上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時にインジウム−錫の金属ターゲットを用い、雰囲気ガスにおける酸素分圧を１５モル％以下にする。
手法２
インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時に、基材（Ａ）の温度を５０℃以上とする。
手法３
基材（Ａ）上に透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング薄膜形成速度を５０ｎｍ／分以上にする。
手法４
基材（Ａ）上に、透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、基材（Ａ）を水分が０．１重量％以下となるように乾燥して、スパッタリング薄膜形成する。
【請求項２】
請求項１に記載の透明導電性積層体であって、
透明導電性薄膜（Ｂ）の他に、さらに
アンカーコート層、ハードコート層、防汚層、反射防止層、透明なプラスチック薄膜層、の何れか若しくは複数の層が積層されてなること、
を特徴とする、透明導電性積層体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は透明導電性薄膜の耐久性、可撓性に優れた透明導電性積層体に関し、さらにタッチパネルにおいて使用される時に筆記耐久性に優れ、耐撓み性に優れた各種デイスプレイ等特にタッチパネルにおいて使用される透明導電性積層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、透明導電性フイルムを使用した透明タッチパネル等透明導電性フイルムを使用したデイスプレイが多用されている。そのなかで透明タッチパネルは、指やペンによって所定位置を押圧することで、コンピューター などに所定の情報等を入力するものであり、基材フイルム上にインジウム−錫系酸化物薄膜を形成した透明導電性フイルムが多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
タッチパネルにおいては、指やペンによって所定位置を押圧する際、上基材の透明導電性フイルムの透明導電層と、スペーサーを介して対向する下基材の透明導電層とで、接触、非接触が繰り返し行われることにより、上基材の透明導電性フイルムの透明導電層において歪み等が発生し、透明導電層の破壊に到る障害が発生することになる。
近年益々小型化する表示体やタッチパネルにおいては、耐久性と同時に繰り返し歪みに耐えうる可撓性が要求されるようになってきた。
また、アンカーコート層等のコーテイング層と透明導電膜との密着性が不十分であることや、有機樹脂のコーティング層の膜硬度が弱い等の理由で、入力耐久性に劣り、特に表面粗さが特定以上のもでは耐擦傷性や入力耐久性、耐溶剤性に劣るなどの課題を有するものが殆どであった。
従って本発明は、透明導電性は勿論、耐久性や可撓性に優れ、タッチパネル等に使用されたときに筆記耐久性等に優れた可撓性透明導電性積層体（フイルム）を提供せんとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、本願発明の請求項１に記載の発明は、特定された４つの方法のいずれかの手法又は複数の手法を含んでなる製造方法によって得られる、高分子フィルムからなる基材（Ａ）の少なくとも一面に、インジウム−スズ系酸化物を主成分とする厚さ１０ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電性薄膜（Ｂ）を積層した透明導電性積層体であって、前記透明導電性積層体の電気抵抗値をＲ０とし、前記透明導電性積層体を２５℃の５重量％塩酸水溶液にて６０分浸漬させた後の電気抵抗値Ｒとした場合、Ｒ／Ｒ０値が５以上となり、かつ、ガラス板上にＩＴＯを形成した該ＩＴＯ面に対し、前記透明導電性積層体の前記透明導電性薄膜（Ｂ）面に両端部のみ８０μｍ厚さの粘着テープを介して（Ｂ）面を貼り合わせることにより、ガラス板／ＩＴＯ層／（Ｂ）／高分子フィルム基材、という構成の疑似積層体を構成し、かかる積層体の高分子フィルム基材表面に対し、先端部が０．８ｍｍφのポリアセタール製のペンを使用して、ペン圧２．５Ｎ、ペンスピード１５０ｍｍ／秒で、直線４０ｍｍを往復摺動させて、その後、該直線４０ｍｍ部を挟む５ｍｍの位置における電気抵抗値ｒ０を測定し、かかる試験前の電気抵抗値ｒとの関係がｒ／ｒ０が１．１より大となるのに要する前記往復摺動の回数が１０万回以上である、という条件を満たすこと、を特徴とする、耐久性に優れかつ可撓性に優れた透明導電性積層体とした。
手法１
基材（Ａ）の上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時にインジウム−錫の金属ターゲットを用い、雰囲気ガスにおける酸素分圧を１５モル％以下にする。
手法２
インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時に、基材（Ａ）の温度を５０℃以上とする。
手法３
基材（Ａ）上に透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング薄膜形成速度を５０ｎｍ／分以上にする。
手法４
基材（Ａ）上に、透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、基材（Ａ）を水分が０．１重量％以下となるように乾燥して、スパッタリング薄膜形成する。
また本願発明の請求項２に記載された透明導電性積層体に関する発明は、請求項１に記載の透明導電性積層体であって、透明導電性薄膜（Ｂ）の他に、さらにアンカーコート層、ハードコート層、防汚層、反射防止層、透明なプラスチック薄膜層、の何れか若しくは複数の層が積層されてなること、を特徴とする。
【０００５】
本発明は、耐久性、可撓性に優れ、タッチパネル等に使用したとき筆記耐久性が１０万回をこえる透明導電性積層体を得んとして検討した結果、予想外のことに耐塩酸性において、５重量％塩酸（ＨＣｌ）水溶液の２５℃、６０分処理における、抵抗値の変化率Ｒ／Ｒ０値が５以上であるもの、すなわち５％塩酸、２５℃、６０分処理でのＲが処理前の初期抵抗値Ｒ０に比べて５倍以上に変化してしまうものが、耐久性、可撓性に優れ、タッチパネル使用したとき筆記耐久性が１０万回をこえる透明導電性積層体となることを見出した。
かかる（筆記耐久性が１０万回を越える）５％塩酸、２５℃、６０分処理でのＲが処理前の初期抵抗値Ｒ０に比べて５倍以上に変化する透明導電性積層体を得るための検討をなし、例えば▲１▼高分子フイルムからなる基材（Ａ）上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際しスパッタリング時にインジウム−錫の金属ターゲットを用い、雰囲気ガスにおける酸素分圧を１５モル％以下好ましくは１３モル％以下にする、▲２▼インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際しスパッタリング時に、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の温度を５０℃以上好ましくは６０℃以上にする▲３▼高分子フイルムからなる基材（Ａ）上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング薄膜形成速度を５０ｎｍ／分以上好ましくは６０ｎｍ／分以上にする▲４▼高分子フイルムからなる基材（Ａ）上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、高分子フイルムからなる基材（Ａ）を水分が０．１重量％以下好ましくは０．０５重量％以下に乾燥して、スパッタリング薄膜形成する、等の方法によって、本発明の透明導電性積層体が得られることを見出した。これらの方法は単独で用いてもよく、また選択した複数の方法を併用してもよく、これらの方法以外の方法を併用してもよい。
【０００６】
【発明の実施態様】
本発明における、高分子フイルムからなる基材（Ａ）としては、透明であってかつ透明導電性薄膜（Ｂ）を形成することのできるものであれば特に限定されるものではないが、好ましい例としては、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレンナフタレートフイルム、ポリ（メタ）アクリレートフイルム、ポリカーボネートフイルム、ポリイミドフイルム、ポリスルフォンフイルム、トリアセチルセルロースフイルム等のセルロース系フイルム等が挙げられる、その中でも透明性、耐熱性、強度や伸度等の機械的性質などから、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリカーボネートフイルム、トリアセチルセルロースフイルムのフイルムが特に好ましいものであり、これらが多層押し出し、接着剤を使用してのまたは使用しないでの積層体等の形態をとってもよいものである。積層体は、透明導電性薄膜（Ｂ）を形成する前後のいずれにおいて積層されたものであってもよい。
また、これらのフイルムは、その形成に際しフイルムの加工性、耐候性、滑り性、難燃性、抗菌性や帯電性などの電気的性質を改良するために、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、充填剤、帯電防止剤、難燃剤、抗菌剤、染料等の色材等を添加せしめてもよく、これらの添加剤を他樹脂等に含有せしめてフイルム表面に塗布せしめてもよいものである。
【０００７】
また、前記フイルムに透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するにあたり、予め低温プラズマ処理、コロナ処理、グロー放電処理、前洗浄等の表面清浄化処理等の前処理を施してもよく、透明導電性薄膜（Ｂ）と基材フイルムとの密着性などを向上せしめるために、該基材フイルムの表面に、アンカーコート層を形成せしめてもよく、透明導電性薄膜（Ｂ）を形成する基材フイルムの反対面にアンカーコート層を形成せしめてもよいものである。
これらのフイルムの厚さとしては３〜５００μｍ程度であり好ましくは１２〜３００μｍである。
本発明に用いるアンカーコート層は、その層構成の樹脂等が特に限定されるものではないが、好ましくは形成後の層としては、透明導電性フイルムとの密着性向上や透明性の向上に寄与し、かつ微粒子との親和性にもすぐれたものであるものが好ましい。
【０００８】
前記アンカーコート層を形成する樹脂等構成成分としては、主として熱硬化型樹脂、若しくは電離放射線硬化型樹脂があり、特に限定されないがメラミン系樹脂、アクリレート系アルコール変性多官能化合物、トリメチロールプロパンアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリストールトリアクリレート、１，６−へキサンジオールアクリレート、チタネート系化合物、アルコキシシラン加水分解縮合系樹脂（シロキサン結合含有樹脂）が挙げられる。なかでもアルコキシシラン加水分解縮合系成分（シロキサン結合含有樹脂）が好ましく使用できる。
これらのアンカーコート層は、単層でもよく、異種の層を積層した複層でもよい。アンカーコート層の総厚みは、特に限定されないが、透明性と耐久性とのバランスから、０．０２〜１０μｍの範囲である。
【０００９】
電離放射線硬化型樹脂は、少なくとも電子線あるいは紫外線照射により硬化される樹脂を含有する塗料から形成される。具体的には、光重合性プレポリマー、光重合性モノマー、光重合開始剤を含有し、さらに必要に応じて増感剤、非反応性樹脂、レベリング剤等の添加剤、溶剤を含有するものである。
前記アンカーコート層には、本発明の透明導電性積層体の「くっつき」防止のためや、ニュウートンリング防止効果のため等にシリカやジルコニア等の平均粒子径１〜３０ｎｍの微粒子や平均粒子径２０ｎｍ〜１０μｍ径の粒子を添加含有せしめてもよい。
前記の微粒子や粒子は、後記のハードコート層等に添加含有せしめてもよい。
本発明における透明導電性薄膜（Ｂ）としては、インジウム・スズの酸化物を主成分とするものであり、ＣＶＤ、ＥＢ蒸着、イオンプレーティグ、スパッタリング、等によって形成されるものであり、インジウム・スズの酸化物を主成分とするものとしては、所謂ＩＴＯ（インジウム−錫系酸化物）があり、このものに、ＺｎＯ２、ＣｄＯ、ＳｎＯ２等が適宜微量に、例えば金属として５モル％以下選択し、含有せしめたものでもよい。
【００１０】
なかでも、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）が好ましく、インジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）における錫の含有量が３〜１５モル％であるものが特に好ましく、成膜時のターゲットとしては、インジウム−錫の金属ターゲットやインジウム−錫の酸化物ターゲットを使用してもよいが、好ましくはインジウム−錫の金属ターゲットである。このインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）においては、結晶性のものでもよく勿論非結晶性−結晶性の中間性（混合タイプ）のものでもよいが、本発明においては結晶性のものが好ましく、成膜後に熱処理して結晶化させて得られるものもよい。結晶性は、ＸＲＤ（Ｘ線回析法による、２２２面の測定）等によって確認できる。
本発明における透明導電性薄膜（Ｂ）の薄膜厚さは透明性、耐久性など本発明の主旨を損なわないかぎりにおいては、限定されないが、５〜３００ｎｍ程度が好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００１１】
本発明においては、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の透明導電性薄膜（Ｂ）を形成する側の反対側にＳｉＯｘ層を設けてもよくまたは、高分子フイルムからなる基材（Ａ）にアンカーコート層、ＳｉＯｘ層、透明導電性薄膜（Ｂ）を順に設けてもよく、ＳｉＯｘ層は本発明の透明導電性積層体の透明性、筆記耐久性などの向上に寄与するものである。
ＳｉＯｘ層のｘとしては１．５〜２．０が好ましく、その厚さは２〜５０ｎｍが好ましく更に好ましくは５〜１５ｎｍである。２ｎｍに満たないときは前記のＳｉＯｘ層の形成効果が僅かであり、５０ｎｍを超えるときは透明導電層（Ｂ）の透明性の向上等のための後熱処理などの効果を得難いなどの問題が生じ、経済的にも得策でない。
【００１２】
このＳｉＯｘ層の形成法は特に限定されず電子ビーム蒸着法、加熱蒸着法、スパッタリング法、等公知の方法が適宜選択採用される。このＳｉＯｘ層の形成によって、得られる透明導電性フイルムの透明性が向上しかつ、ペン入力等に耐えられる、さらに該ＳｉＯｘ層の水蒸気バリヤー性によると考えられる透明導電性薄膜（Ｂ）の劣化を抑制する等、耐久性も向上する。
本発明の透明導電性積層体は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）に、アンカーコート層、ＳｉＯｘ層、透明導電性薄膜（Ｂ）を設けたことで得られる場合もあるが、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の透明導電性薄膜（Ｂ）を設ける側の他の一面にハードコート層を設けてもよく、さらに該ハードコート層上にシリコン−フッ素系等の防汚層を設けてもよいし、また高分子フイルムからなる基材（Ａ）とアンカーコート層との間にハードコート層を設けてもよく、さらに、高分子フイルムからなる基材（Ａ）、透明導電性薄膜（Ｂ）以外に、アンカーコート層、ハードコート層、防汚層、反射防止層、透明なプラスチック薄膜層や、さらに他の金属透明導電性薄膜例えば金属パラジウムや、金，銀，銅，白金，ロジウム等の金属薄膜を設けてもよいものである。
【００１３】
本発明でいうハードコート層とは鉛筆硬度がＨ以上のものであり、ハードコート層形成としては、特に限定されないが、熱硬化型樹脂、若しくは電離放射線硬化型樹脂が挙げられ、メラミン系樹脂、アクリレート系アルコール変性多官能化合物、トリメチロールプロパンアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリストールトリアクリレート、１，６−へキサンジオールアクリレート、チタネート系化合物、アルコキシシラン加水分解縮合系樹脂（シロキサン結合含有樹脂）が例示できる。例えば電離放射線塗料を用いたハードコート層の形成方法としては、通常の塗工方法、例えば、リバースロール、バー、ブレード、スピン、グラビア、スプレー等のコーティングで行うことができる。
本発明でいう防汚層とは、フッ素含有化合物等公知の撥水、撥油性の機能を有するものを厚さ０．１〜１００ｎｍ程度で、好ましくは透明導電性積層体の透明導電性薄膜形成面の反対側のハードコート層の最表層に形成する場合が挙げられる。
【００１４】
本発明における反射防止層とは、高屈折率層および低屈折率層を使用して本発明の透明導電性積層体に必要に応じて適用されるものであり、高屈折率層としては、屈折率が１．６５以上の例えばＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＣｅＯ２，ＳｎＯ２，ＺｒＯ２，ＩＴＯ等を蒸着、スパッタリング等で形成してもよく、前記金属酸化物等の微粒子（粒子径１〜５０ｎｍ）を透明バインダー樹脂に分散せしめ塗布形成してもよく、その厚さは２０ｎｍ〜２μｍである。
低屈折率層としては、ＭｇＦ２，ＳｉＯ２等の低屈折率の蒸着、スパッタリング等で形成したものでもよく、ＳｉＯ２等のゾルを塗布して形成してもよいもので、その厚さは５０ｎｍ〜２μｍである。
本発明における透明なプラスチック薄膜層とは、本発明における透明導電性積層体に必要に応じて形成することのできる接着剤層、粘着剤層、離形フイルム等が挙げられる。
【００１５】
本発明の、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の少なくとも片面に透明導電性薄膜（Ｂ）を積層した透明導電性積層体において、該積層体が少なくとも耐塩酸性がＲ／Ｒ０値で６０分処理において５以上であることが必須であり、耐塩酸性の測定は、「５重量％のＨＣｌ水溶液の温度２５℃で、透明導電性積層体の５×１０ｃｍの大きさに切り取ったサンプルを、浸漬し、一定時間毎に取り出して表面（シート）抵抗値を４端子計（三菱化学製）の装置で測定した。５重量％のＨＣｌ水溶液に浸漬処理する前の抵抗値をＲ０とし、５重量％のＨＣｌ水溶液に６０分浸漬処理した後の抵抗値をＲとしたときのＲ／Ｒ０値を評価する」ものである。
このＲ／Ｒ０値が５以上であることが、耐久性、可撓性に優れた透明導電性積層体となり、該透明導電性積層体をタッチパネル使用した時、筆記耐久性が１０万回を越えるものとなる作用の詳細は不明であるが、塩酸処理によってＲ／Ｒ０値がより大きく変化することは、結晶や粒子の界面の多さによるものと考えられ、その界面の多さは結晶や粒子の小ささに大きく依存しているものと考えられる。
【００１６】
透明導電性積層体を使用してタッチパネルを製造した際に要求される筆記耐久性の測定は、「透明導電性積層体の１０×１０ｃｍの大きさに切り取ったサンプルを、ガラス板上にインジウム−錫系酸化物（ＩＴＯ）を形成した基板のＩＴＯ面に、両端部のみ８０μｍ厚さの粘着テープを介して透明導電性積層体の透明導電性薄膜部をもって貼り合わせ、下からガラス板、ＩＴＯ層、透明導電性薄膜部、高分子フイルムからなる基材となる構成となし、擬似タッチパネル状物とし、該高分子フイルムからなる基材面を、先端部が０．８ｍｍφであるポリアセタール製のペンを使用して、ペン圧２．５Ｎ、ペンスピード１５０ｍｍ／秒で直線４０ｍｍを往復摺動させて、一定往復数後の直線４０ｍｍ部を挟む５ｍｍの位置における、４端子計（三菱化学製）の装置による抵抗値を測定し、該筆記耐久性測定前（往復摺動前）の抵抗値をｒ０、一定往復数後の直線４０ｍｍ部を挟む５ｍｍの４端子計（三菱化学製）の装置による抵抗値をｒとし、ｒ／ｒ０が１．１より大となる往復の数を測定する」ものであり、その往復の数を筆記耐久性の判定に用いた。
以下に実施例を挙げて説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
＊実施例１、２、３
厚さ１７５μｍの透明ポリエチレンテレフタレートフイルムを透明導電性薄膜（Ｂ）形成用の高分子フイルムからなる基材（Ａ）として採用した。
この基材（Ａ）フイルムの一面に、６官能アクリレートモノマー５０部、２官能ウレタンアクリレート３１部、光開始剤３部、トルエン１００部からなる塗料をハードコート樹脂バインダー部分の硬化後の厚みが３μｍになるようにメイヤーバーにて塗布し、溶剤乾燥後、高圧水銀灯にて紫外線を３００ｍＪ／ｃｍ２照射し硬化させてハードコート層を形成した（該ハードコート層の鉛筆硬度は２Ｈであった）。
ポリエチレンテレフタレートフイルムの該ハードコート層を設けた面の反対面上に、アルコキシシランの加水分解物（シロキサン結合含有樹脂成分）、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、平均粒径１２ｎｍのオルガノシリカゾルメチルイソブチルケトン分散液の混合液（固形分比、シロキサン結合含有樹脂成分：オルガノシリカゾル成分＝５．２：４．８重量比）を、キスコートで塗布し乾燥厚さ０．０２μｍのアンカー層を形成した。該アンカー層のＲａは７．５７ｎｍ（Ｒｚは５６．３ｎｍ、測定レンジ５００μｍ）であった。
このアンカーコート層上に、ＳｉＯ２の１０ｎｍスパッタリングによる薄膜を形成し、このＳｉＯ２薄膜上に、該基板を５０℃に保ち、透明導電性薄膜としてＩＴＯ膜を、インジウム：錫＝９５：５（金属、モル比）のターゲットを使用し、真空室内を１０−３Ｐａとし、ＡｒとＯ２の混合ガスを導入しながら２×１０−１ＰａとしてＤＣスパッタリングで厚さ２０ｎｍに形成した。このその後１５０℃で２４時間熱処理し、透明導電性積層体を得た。この透明導電性薄膜形成速度を実施例１として５０ｎｍ／分、実施例２として６０ｎｍ／分、実施例３として７０ｎｍ／分、とした以外は、各実施例は同条件で各透明導電性積層体を作成した。
得られた透明導電性積層体の全光線透過率は、実施例１が８８．３％、実施例２が８８．０％、実施例３が８８．２％であった。
これらの透明導電性積層体の耐塩酸性におけるＲ／Ｒ０値は、実施例１が１０、実施例２が１１、実施例３が１１であった。
また得られた各透明導電性積層体を使用してタッチパネルを製造した筆記耐久性は、実施例１が１０万回、実施例２、実施例３共に１０万回以上であった。
【００１７】
＊実施例４、５、６
実施例４として基板温度を基５５℃、実施例５として基板温度を基６５℃、実施例６として基板温度を基７５℃として、アンカー層のＲａが７．１２ｎｍ（Ｒｚは６６．３ｎｍ、測定レンジ５００μｍ）であること以外は実施例１と同様にして透明導電性積層体を得た。この透明導電性積層体の全光線透過率は実施例４が８８．６％、実施例５が８８．２％、実施例６が８８．５％であった。
これらの透明導電性積層体の耐塩酸性におけるＲ／Ｒ０値は、実施例４が１１、実施例５が１１、実施例６が１２であった。
また得られた各透明導電性積層体を使用してタッチパネルを製造した筆記耐久性は、実施例４、実施例５、実施例６共に１０万回以上であった。
【００１８】
＊比較例１
実施例１における基板温度を４０℃、透明導電性薄膜形成速度を３０ｎｍ／分とした以外は、実施例１と同様にして比較例１の透明導電性積層体を得た。
この透明導電性積層体の全光線透過率は８７．６％であった。
この透明導電性積層体の耐塩酸性におけるＲ／Ｒ０値は、３．０であった。
また得られた透明導電性積層体を使用してタッチパネルを製造した筆記耐久性は、３万回であった。
【００１９】
＊比較例２
実施例１における基板温度を３０℃、透明導電性薄膜形成速度を３０ｎｍ／分とした以外は実施例１と同様にして比較例２の透明導電性積層体を得た。
この透明導電性積層体の全光線透過率は８７．０％であった。
この透明導電性積層体の耐塩酸性におけるＲ／Ｒ０値は、２．０であった。
また得られた透明導電性積層体を使用してタッチパネルを製造した筆記耐久性は、１．５万回であった。
【００２０】
【発明の効果】
以上の通り、後記する特定された４つの方法のいずれかの手法又は複数の手法を含んでなる製造方法によって得られる、高分子フィルムからなる基材（Ａ）の少なくとも一面に、インジウム−スズ系酸化物を主成分とする厚さ１０ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電性薄膜（Ｂ）を積層した透明導電性積層体であって、前記透明導電性積層体の電気抵抗値をＲ０とし、前記透明導電性積層体を２５℃の５重量％塩酸水溶液にて６０分浸漬させた後の電気抵抗値Ｒとした場合、Ｒ／Ｒ０値が５以上となり、かつ、ガラス板上にＩＴＯを形成した該ＩＴＯ面に対し、前記透明導電性積層体の前記透明導電性薄膜（Ｂ）面に両端部のみ８０μｍ厚さの粘着テープを介して（Ｂ）面を貼り合わせることにより、ガラス板／ＩＴＯ層／（Ｂ）／高分子フィルム基材、という構成の疑似積層体を構成し、かかる積層体の高分子フィルム基材表面に対し、先端部が０．８ｍｍφのポリアセタール製のペンを使用して、ペン圧２．５Ｎ、ペンスピード１５０ｍｍ／秒で、直線４０ｍｍを往復摺動させて、その後、該直線４０ｍｍ部を挟む５ｍｍの位置における電気抵抗値ｒ０を測定し、かかる試験前の電気抵抗値ｒとの関係がｒ／ｒ０が１．１より大となるのに要する前記往復摺動の回数が１０万回以上である、という条件を満たすこと、を特徴とする、透明導電性積層体とすることで、これが耐久性に優れかつ可撓性に優れたものとなり、またかかる透明導電性積層体をタッチパネル等に有効に利用出来ることが分かった。
手法１
基材（Ａ）の上に、インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時にインジウム−錫の金属ターゲットを用い、雰囲気ガスにおける酸素分圧を１５モル％以下にする。
手法２
インジウム・スズの酸化物を主成分とする透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング時に、基材（Ａ）の温度を５０℃以上とする。
手法３
基材（Ａ）上に透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、スパッタリング薄膜形成速度を５０ｎｍ／分以上にする。
手法４
基材（Ａ）上に、透明導電性薄膜（Ｂ）を形成するに際し、基材（Ａ）を水分が０．１重量％以下となるように乾燥して、スパッタリング薄膜形成する。