(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フタリド合成で得られる反応混合物からフタリドを回収する方法であって、
（ａ）前記反応混合物中に、沸点がフタリドの沸点未満の化合物が存在する場合、それを前記反応混合物から蒸留し、搭底生成物として粗フタリドを得る工程、
（ｂ）前記粗フタリドの溶融物からフタリドを結晶化させる工程
を含むことを特徴とする回収方法。
【請求項２】
前記結晶化が、結晶が成長する冷却表面で行われる請求項１に記載の回収方法。
【請求項３】
前記結晶化が、懸濁液結晶化として行われる請求項１に記載の回収方法。
【請求項４】
前記結晶化が、分別結晶化として、多段階で行われる請求項１〜３のいずれかに記載の回収方法。
【請求項５】
工程（ｂ）で得られた結晶を、さらに洗浄又は浸出により精製する請求項１〜４のいずれかに記載の回収方法。
【請求項６】
工程（ｂ）で得られた結晶を、さらに洗浄及び浸出により精製する請求項１〜４のいずれかに記載の回収方法。
【請求項７】
前記反応混合物が、電解還元により得られる請求項１〜６のいずれかに記載の回収方法。
【請求項８】
前記反応混合物が、溶剤、導電性塩、陽極復極剤、媒介物質又はこれらの混合物を含む請求項７に記載の回収方法。
【請求項９】
前記反応混合物が、フタル酸誘導体の均一触媒水素化により得られる請求項１〜６のいずれかに記載の回収方法。
【請求項１０】
前記反応混合物が、フタル酸誘導体の不均一触媒水素化により得られる請求項１〜６のいずれかに記載の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、フタリド合成で得られる反応混合物からフタリドを回収する方法に関する。
【０００２】
フタリド、即ち２−（ヒドロキシメチル）安息香酸の置換ラクトン、及びそのフタリドそれ自体（イソベンゾフラン−１（３Ｈ）−オン）が、特に栽培作物の保護剤或いは薬剤の合成用の中間体として必要とされている。
【０００３】
フタリドを製造する種々の方法が知られている。フタリドは、均一又は不均一触媒水素化による電気化学的方法によって主に製造される。
【０００４】
ＤＥ−Ａ２１４４４１９には、フタリドの電気化学的製造方法が記載されている。アンモニウムフタラマート(ammonium phthalamate)の水溶液を、銅より大きい水素過電圧を有する金属の上で、６５℃までの電解温度で陽極還元する。特に、高純度の鉛が陰極材料として使用される。後処理のために、過剰のアンモニア及び溶剤、そしていくらかの水が留去される。初期の反応生成物、ｏ−アミノエチル安息香酸の溶液は、無視され、強酸で処理してフタリドを沈殿させる。フタリドは蒸留により単離される。溶液中にまだある生成物は、ベンゼンで抽出することができる。得られる生成物は、熱水から再結晶化され、さらに精製される。
【０００５】
ＤＥ−Ａ２５１０９２０には、フタリドの電気化学的製造方法が記載されている。フタル酸無水物又は酸のアンモニア性水溶液は、銅より大きい水素過電圧を有する金属の上で、１００℃までの温度で陽極還元される。反応混合物は、過剰のアンモニア及び／又は水を電解混合物から留去してフタリドを分離し、そして残渣を３５〜１００℃で酸化することにより、後処理される。
【０００６】
先願のＤＥ−Ａ１９６１８８５４（本発明の優先権主張日には公開されていない）には、フタル酸誘導体の陽極還元によりフタリドの製造方法が記載されている。還元は、分割されていない電解セルにおいて、５０重量％未満の水を含む有機溶剤中で行われる。後処理は、蒸留、沈殿又は再結晶により行うことができる。さらに、フタリドを、アンモニア性水溶液中で溶解し、水相を分離し、水相を酸性にすることによりフタリドを再沈殿することができる。実施例の後処理は、溶剤混合物の蒸留除去及びフタリドの真空蒸留を含むものである。
【０００７】
蒸留は、フタリドの沸点範囲で、高い温度で行わなければならないため、生成物は長期間の相当の熱負荷を受ける。さらに、蒸留は、純粋なフタリドを得る全ての場合に適当というものではない。特に、メチルフタラートから出発するフタリドの電気化学的製法の場合、未変換のメチルフタラート及びフタリドが、蒸留で分離することができない共沸混合物を形成する。生成物に残存するメチルフタラートの割合を、反応を行う方法により最小限にとされた場合、フタリドの収率が減少し、別の２次生成物が出現し得る。
【０００８】
フタリドの再結晶では、溶剤にそれらを溶解し、溶液を冷却してそれらを再び結晶化させることが行われる。従って、溶剤を供給し、それを不都合にも純粋なフタリドから再び分離することが必要となる。閉ループシステムにおける溶剤処理には、複雑な処理技術が要求される。即ち、結晶化物を母液から分離した後、母液をさらに処理するために濃縮しなければならない。得られた生成物は乾燥により除去する必要のある残留溶剤を含むことがある。
【０００９】
本発明の目的は、フタリド合成で得られる反応混合物を不利な後処理を行うことなく回収する方法を提供することにある。更に特に、この方法では、溶剤の使用、或いは助剤の使用の必要がなく、フタリドの熱負荷が最小限に保持され、実施がエネルギーの点から経済的である。
【００１０】
本発明者等は、上記目的が、フタリド合成で得られる反応混合物からフタリドを回収する方法であって、
（ａ）前記反応混合物中に、沸点がフタリドの沸点未満の化合物が存在する場合、それを前記反応混合物から蒸留し、搭底生成物として粗フタリドを得る工程、
（ｂ）前記粗フタリドの溶融物からフタリドを結晶化させる工程
を含むことを特徴とする回収方法、により達成されることを見出した。
【００１１】
フタリドを粗フタリドの溶融物から結晶化、即ち例えば再結晶に必要とされる他の溶剤又は他の助剤を用いることなく結晶化させる。
【００１２】
溶剤非含有粗フタリドを、所望のフタリドより低い沸点を有する化合物を蒸留除去することにより、反応混合物から得られる。従って、このような化合物が反応混合物中に存在する場合、それらは結晶化前に蒸留除去される。蒸留の搭底生成物は、粗フタリドであり、低沸点化合物除去の際の熱負荷は、更なる次のフタリドの蒸留で発生する熱負荷より相当少ない。従って、結晶化で使用される粗フタリドは、実質的に、或いは好ましくは完全に、溶剤又は低沸点化合物を含んでいない。
【００１３】
発明の一態様において、結晶化は、結晶が成長する冷却表面で行われる。
【００１４】
このため、液体の粗フタリドを冷却表面に接触させ、フタリド結晶をその上に形成させる。結晶相の形成完了時、残留液体（母液）を除去する。冷却表面に残留するフタリドの結晶の純度は、結晶の比較的不純な部分を部分的に溶融除去する（浸みださせる）ことにより増加させることができる。更に、冷却表面の結晶の純度は、例えば供給される粗フタリド又はより高純度の液体フタリドで洗浄することにより増加させることができる。最後に、精製結晶を加熱により液化し、得られた純粋なフタリドの溶融物を冷却表面から取り除く。
【００１５】
結晶化が行われる冷却表面はどのような限定もされることはなく、所望の適当な形状を有することができる。結晶化中の溶融温度は、−１０〜７５℃、特に２０〜７０℃の範囲内が好ましい。結晶化装置(crystallizer)中の固形分は、供給粗フタリド１００ｇに対して、１０〜９０ｇ、好ましくは３０〜８０ｇの範囲である。
【００１６】
結晶化は、連続又はバッチで、１段階又は複数段階で行うことができる。
【００１７】
冷却表面での結晶化は、静的結晶化又は動的結晶化として行うことができる。最初の場合、使用される粗フタリド溶融物は、静止している。このような静止的結晶化方法は、例えばBEFS/Prokem(France)又はSulzer Chemtech(Swizerland)から入手できる。動的層結晶化では、粗フタリドの溶融物は強制対流を受ける。このような方法は、例えばSulzer Chemtech(Swizerland)から入手できる。両方の変法においては、冷却表面が結晶化装置の内部に配置され、これにより形成する結晶は装置内部に固定される。粗フタリドの溶融物は静止的であって且つ自然な対流のみが起こる静止的結晶化を用いることが好ましい。
【００１８】
この方法の利点は、生成物が極めて低い熱負荷のみを受け、そして要求する温度のレベルは低く、必要なエネルギーを比較的低く保つことである。母液からの結晶の分離は、追加の装置を要求されることなく実施することができる。
【００１９】
冷却表面上の結晶化は、分別結晶化として複数の段階で実施することが好ましい。分別結晶化は、他の適当な結晶化方法、例えば懸濁結晶化、の場合にも使用することができる。
【００２０】
１段階の精製工程が所望の最終純度に達しない場合、分別結晶化により、フタリドの純度を上げることができる。その後液化される各製造された純粋なフラクションを、繰り返し結晶化する方法は、所望の最終純度を達成するために使用される。
【００２１】
分別結晶化において、供給される粗フタリドより純度の高い結晶を製造する全ての段階は、通常精製段階と呼ばれ、一方他の全ての段階はストリップ段階として知られている。多段階法は、向流原理に従って操作される場合に有利であり、これにより、各段階で、結晶化物は、結晶化後母液から分離され、そしてこの結晶化物は、次の純度の程度の最も高い段階のどこかに給送され、一方、結晶化残渣は次の純度の程度が最も低い特定段階に給送される。
【００２２】
分別結晶化は、好ましくは２〜１０段階、特に好ましくは２〜４段階、とりわけ３段階で行われる。
【００２３】
懸濁結晶化では、粗フタリドの溶融物を熱の除去により結晶化させる。形成する結晶は、残存液層（母液）の懸濁液中にある。所望の結晶含有量、通常１０〜４０重量％の範囲に達した場合、結晶は母液から分離される。分離後、結晶は他の段階で液化及び結晶化させることができる。
【００２４】
熱の除去は、熱移動体(heat transferor)中で冷却することにより、好ましくは懸濁液を通す、好ましくは管側で通す、管束熱移動体中で冷却することにより、実施することができる。冷却表面の外被が複数の熱移動体、好ましくは３個の熱移動体である場合、それは平行に連結することができる。熱移動体の１個は常に使用停止にされており、付着フタリド結晶が加熱により溶融される。これは連続作業を可能にする。例えば、熱移動体の熱伝導率は作業中に測定することができる。熱伝導率が、結晶層形成のために、過度に低くなった場合、操作は第２熱移動体等にスイッチが変換される。付着結晶を溶融除去することに加えて、付着結晶は供給されるフタリドの溶液で熱移動体を清浄にすることにより除去することもできる。これにより、同時に供給物を予備冷却することもできる。
【００２５】
結晶の成長に必要な滞留時間は、結晶化装置、好ましくは強制循環結晶化装置において利用できるようにされ、その懸濁液の回路は熱移動体を調節する。
【００２６】
さらに、懸濁液からの熱の除去は、擦り落とされた冷却表面を有する熱移動体により行うことができる。熱は、攪拌タンク又は攪拌機の無い容器に接続された擦り落とし冷却機(scrape cooler)を介して除去される。結晶の循環は、この場合、ポンプにより保証される。あるいは、精密隙間(close-clearance)攪拌機を有する攪拌タンクの壁を介して熱を除去することも屡々可能である。他の可能性として、熱除去と滞留時間制御の組合せを１基の装置で実施することである。例えば、これは、例えばGoudsche Machinefabrik B.V.(Netherland)から入手できる冷却ディスク結晶化装置を用いる場合である。熱は、外被の使用を回避するために、両側を擦る冷却板を介して除去される。冷却板は、立方形状容器に配置されるが、その際冷却板がその容器を等しい寸法のセグメントに分割され、それぞれが両側で冷却表面により境界をなすようにされる。懸濁液は、セグメントからセグメントへ移動し、滞留時間範囲は極めて狭いものである。冷却板内を流れる冷却媒体が、懸濁液の流方向と反対方向に流れる。その結果、装置内を通過する懸濁液が、実質的に連続の温度低下を受け、結果として結晶含有量が増加する。
【００２７】
母液及び結晶化されたフタリドは、公知の固体−液体分離法を用いて適当に分離することができる。例えば、結晶を、遠心分離機、特にプッシャー遠心分離機、又はフィルター、特にベルトフィルター若しくは回転盤フィルター、により懸濁液から分離し得る。濾過又は遠心分離は、懸濁液の予備濃縮化、例えばヒドロサイクロン(hydrocyclones)の前に置くことができる。単一段又は多段プッシャー遠心分離機と同様、スクリュー遠心分離機又はスクリュー排出遠心分離機（デカンター）も使用することができる。濾過は、過圧下又は減圧下に、バッチで又は連続的に行うことができる。吸引濾過を使用する場合、それらは攪拌機を付けることができる。
【００２８】
固−液分離は、結晶又は結晶ケーキの純度の増加のための更なる製造工程を伴う及び／又は続くこともある。段階（ｂ）で得られた結晶は、更に例えば洗浄及び／又は浸出により精製され得る。洗浄では、洗浄液の量が結晶化物１００ｇに対して１０〜５００ｇの範囲、特に３０〜２００ｇが好ましい。好適な洗浄液としては、例えば、得られた結晶を溶融することにより得られる液体の純粋な生成物、又は液体の粗フタリドである。洗浄媒体は、結晶化物を除去した母液より高純度であるべきである。洗浄又は浸出は、環境によっては、更なる精製又は結晶化工程を省略することができる。
【００２９】
洗浄は、慣用洗浄装置で行うことができる。母液の除去及び洗浄が、１個のそして同一の装置で行われる洗浄カラム、１段階以上で操作し得る遠心分離機、又は吸引フィルター又はベルトフィルターを用いることが有利である。洗浄は、遠心分離機又はベルトフィルターで、１段階以上で行うことができる。洗浄液は、結晶ケーキに対して向流で通すことができる。
【００３０】
浸出は、結晶の不純な領域を部分的に溶融除去するものと言える。浸出量としては、浸出前の結晶化物１００ｇに対して溶融除去された結晶化物が５〜３５ｇの範囲であること有利である。ベルトフィルター上での浸出を実施することが特に好ましい。一装置内で洗浄と浸出を組み合わせて行うことも好適であり得る。
【００３１】
純度を増加させる別の方法は、除去した結晶化物をスラリー状にし、このスラリーを別の分離操作に付すことである。スラリーは、純粋な生成物又は粗フタリドの溶融物で形成され得る。
【００３２】
得られるフタリドの純度は、９７〜９９．９重量％、特に９８．５〜９９．５重量％の範囲が好ましい。
【００３３】
工程（ｂ）の、粗フタリドの溶融物からフタリドの結晶化は、３段階静的溶融結晶化により行うことが特に好ましい。
【００３４】
フタリドが単離される反応混合物は、フタリド合成のどのような製造工程にも由来し得るものでもよい。例えば、それは、ＤＥ−Ａ２１４４４１９及びＤＥ−Ａ２５１０９２０又はＤＥ−Ａ１９６１８８５４等に記載される電解還元で製造され得る。反応混合物は、ここでは溶剤、電解質塩、陽極復極剤、媒介物質又はこれらの混合物を含むことができる。
【００３５】
電解還元において、特にフタル酸、又はカルボキシル基が縮合反応でカルボキシル基から誘導される単位で置換され、フタル酸のｏ−フェニレン単位の１個以上の水素が不活性基により置換されていても良いフタル酸誘導体が、電解質に溶解され、分割されていない電解セルの陽極上で還元される。
【００３６】
フタリドを製造するために使用される出発化合物は、一般式（Ｉ）で表されるものが特に好ましい。
【００３７】
【化１】
0004297608.tif 000002
上式において、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が、それぞれ相互に独立して水素、Ｃ1〜Ｃ4アルキル又はハロゲンを表し、
Ｒ5及びＲ6が、
（ａ）それぞれ相互に独立して−ＣＯＯＨ又はＣＯＯＸ（但しＸはＣ1〜Ｃ4アルキル）を表すか、
（ｂ）置換基Ｒ5及びＲ6の１個が、−ＣＯＯＮＹ2（但しＹはＣ1〜Ｃ4アルキル又は水素）で、他の置換基がＣＯＮＨ2を表すか、或いは
（ｃ）Ｒ5及びＲ6が、合体して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−を表す。
【００３８】
特に、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が、それぞれ水素を表す場合のフタル酸誘導体が好ましく、これらの中で特にジ（Ｃ1〜Ｃ3アルキル）フタラート、なかでもジメチルフタラートが好ましい。
【００３９】
これらの出発材料の電気化学的変換は、例えばＤＥ−Ａ１９６１８８５４に記載の方法によって実施することができる。
【００４０】
この方法では、使用される電極材料（陽極及び陰極の両方）は、特にグラファイト又は炭素から構成される電極で、市販され、入手できるものである。
【００４１】
電解質は、通常、２〜４０重量％濃度のフタル酸若しくはフタル酸誘導体の、有機溶剤溶液或いは有機溶剤と水の混合物溶液であり、そしてこの混合物は一般に水を、５０重量％未満、好ましくは２５重量％未満、特に５重量％未満含む。
【００４２】
有用な有機溶剤は、特に脂肪族Ｃ1〜Ｃ4アルコール、特にメタノール又はエタノール、又はこのようなアルコールとジメチルホルムアミド又はｔｅｒｔ−ブチルホルムアミド等のカルボキシアミドとの混合物が好ましい。
【００４３】
電解質の導電性塩の例としては、第４級アンモニウム塩、例えばテトラ（Ｃ1〜Ｃ4アルキル）アンモニウムハロゲン化物又はテトラフルオロホウ素酸塩、好ましくはメチルトリブチルアンモニウム又はメチルトリエチルアンモニウムメトスルファートであり、その慣用量は電解質に対して０．４〜１０重量％である。
【００４４】
陽極の共同製造方法(anodic coproduction process)について、陽極復極剤として、電気化学酸化への適合性が当該技術において常識である慣用の有機化合物を使用することが賢明である。陽極の共同製造方法は、媒介物質の存在下に行うことが好ましい場合がある。好適な陽極の共同製造方法は、例えばD. Kyriakou, Modern Electroorganic Chemistry, Springer, Berlin 1994, 第4.2章に記載されている。
【００４５】
好適な陽極の共同製造方法は、特にＣ−Ｏ又はＣ−Ｎの単結合又は２重結合の酸化であり、例えばカルボン酸の酸化、或いは特にナフタレン又は活性化ＣＨ基の酸化Ｃ−Ｃカップング、そしてアルデヒドを与える芳香族核に結合したメチル基の酸化である。
【００４６】
メチルベンゼン又はメチルベンゼンの環−置換誘導体を用いることが特に有利である；この場合、フェニル基の１〜３個の水素がＣ1〜Ｃ4アルコキシ又はＣ1〜Ｃ6アルキルで置換されていてもよい。このような陽極の媒介物質の例としては、ｐ−キシレン及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトルエンである。
【００４７】
副産物としてアルデヒドを製造する場合、アルデヒドはアセタール化され、更なる酸化に対して防御することから、溶剤として上記アルコールを用いることが賢明である。
【００４８】
好適な媒介物質は、特にハロゲン化合物、特に臭素化物又はヨウ素化物である。
【００４９】
他の製造パラメータ、例えば温度及び電流密度は、有機化合物の電気化学的変換のための慣用的骨組みが維持される限り、決定的に重要ではない。これらはさらに、特にＤＥ−Ａ２５１０９２０に規定されている。
【００５０】
反応を、電解質中の、フタリド部分の、フタリドとフタル酸又はフタル酸誘導体の割合の合計に対するモル比（Ｍ）が０．８：１〜０．９９：１の範囲、好ましくは０．８８：１〜０．９５：１の範囲になる段階まで進めた場合、電解質は電荷セルから排出される。
【００５１】
反応は、バッチでも連続的でも行うことができる。
【００５２】
反応工程を連続的に行った場合、電解質の連続的排出及び電解質の不活性成分の連続的補充を、溶剤及び電解質塩、及び電解化学的反応の出発材料のように相互に調節し、そして電解質の全組成の濃度が実質的に一定に成るようにして反応速度を調節することが有利である。これは特に規定された範囲内で変化するモル比（Ｍ）に特に適用される。
【００５３】
一般に、排出された電解質、即ち反応混合物は、上述のように、結晶化する前に、蒸留で後処理される。
【００５４】
本発明の精製方法で形成された母液及び得られるいかなる洗浄液も、更なる後処理を行うことなく電解セルに回収することができる。なぜなら、これらは、実質的にフタリドの混合物と対応する出発化合物から構成されているためである。
【００５５】
精製に使用される反応混合物は、フタル酸誘導体の均一又は不均一触媒水素化により得ることができる。
【００５６】
反応混合物の組成、基本反応及び使用される触媒は、例えば、ＥＰ−Ａ−０５４２０３７、ＥＰ−Ａ−００８９４１７及びＤＥ−Ａ−３２４５５４４に記載されている。