(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画面上に複数の焦点検出領域が予め設けられ、各焦点検出領域に到達する被写体光束を分割して再結像し、各焦点検出領域ごとに一組の光像を形成する焦点検出用光学系と、
前記焦点検出用光学系を介して形成された一組の光像ごとに光電変換を行う複数の光電変換手段と、
前記複数の光電変換手段の出力レベルに応じて、前記複数の光電変換手段の電荷蓄積時間を個別に制御する制御手段と、
前記複数の光電変換手段の出力が与えられ、像パターンの位相差に基づいて、焦点調節状態に対応する焦点情報を算出する焦点算出手段と、
前記複数の焦点検出領域の中から、焦点調節に使用する焦点検出領域を選択する選択手段と
を備えた焦点検出装置において、
前記制御手段は、
その他の光電変換手段における電荷蓄積時間の上限を、前記選択手段により選択された焦点検出領域に対応する光電変換手段の電荷蓄積時間と、前記選択された焦点検出領域に対する前記焦点情報の算出に要する時間との和に制限する
ことを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の焦点検出装置において、
前記光電変換手段の出力に対する増幅ゲインを相対的に高いゲインと低いゲインとに設定可能な増幅手段をさらに備え、
前記制御手段は、
前記選択手段により選択された焦点検出領域に対応する前記光電変換手段の電荷蓄積時間が、その他の焦点検出領域に対応する前記光電変換手段の電荷蓄積時間よりも所定時間以上短く、且つ前記その他の焦点検出領域に対応する光電変換手段における次回の増幅ゲインが高ゲインの場合に、前記選択された焦点検出領域に対する前記焦点情報を算出する時刻を制限時刻として、その他の光電変換手段の電荷蓄積時間の終了時刻を定める
ことを特徴とする焦点検出装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の焦点検出装置において、
前記制御手段は、
前記選択手段により選択された焦点検出領域に対応する焦点情報が合焦近傍を示す場合に限って、その他の光電変換手段の電荷蓄積時間を制限する
ことを特徴とする焦点検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の焦点検出領域について焦点検出を行う焦点検出装置に関し、特に、焦点検出サイクルを効率的に短縮した焦点検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のカメラでは、撮影画面上の特定箇所に焦点を合わせたり、撮影画面上を動く被写体像を追い続けて焦点を合わせるものが知られている。
この種のカメラには、撮影画面の焦点状態を細部にわたって検出するために、複数箇所の焦点検出領域について焦点検出を行う焦点検出装置が搭載されている。
【０００３】
図８は、この種の焦点検出装置の構成を示す図である。
図において、カメラの撮影光学系１３の光軸上に、サブミラー（図示せず）が配置され、このサブミラーの反射方向に、視野マスク７１が配置される。この視野マスク７１には、撮影画面上の２つの焦点検出領域に対応して、２つの開口部７０Ａ，７０Ｂが設けられる。
【０００４】
視野マスク７１の後方には、２つのコンデンサレンズ７２Ａ，７２Ｂを一体に形成した複合レンズが配置され、この複合レンズの後方に絞りマスク７５が配置される。絞りマスク７５には、開口部７０Ａの通過光束を瞳分割する開口部７３Ａ，７４Ａと、開口部７０Ｂの通過光束を瞳分割する開口部７３Ｂ，７４Ｂとが設けられる。
【０００５】
絞りマスク７５の後方にレンズ板７８が配置され、レンズ板７８の上には、瞳分割された分割光束をそれぞれ再結像させるセパレータレンズ７６Ａ，７７Ａ，７６Ｂ，７７Ｂが形成される。このレンズ板７８の後方に電荷蓄積型センサ７９が配置され、電荷蓄積型センサ７９の上には、再結像される光像に位置を合わせて、２対の受光素子列８０，８１と受光素子列８２，８３が設けられる。
【０００６】
この電荷蓄積型センサ７９の入出力は、カメラ内のマイクロプロセッサ８５に接続される。
図９は、従来の焦点検出サイクルを示す図である。
以下、これらの図を用いて、従来の焦点検出動作を説明する。
まず、撮影光学系１３を通過した被写体光は、サブミラーを介して反射され、視野マスク７１の近辺に光像を結像する。視野マスク７１は、開口部７０Ａ，７０Ｂを介して光像を部分的に抜き出す。このように抜き出された範囲が、焦点検出領域となる。
【０００７】
視野マスク７１の近辺に一旦収束した被写体光は、視野マスク７１の後方で拡散光束となる。絞りマスク７５は、この拡散光束を焦点検出領域ごとに瞳分割する。
このように瞳分割された分割光束は、同一の焦点検出領域から出発しているため、再結像面上で一箇所に収束し、かつ、その前後で位置が入れ代わる光束となる。
【０００８】
レンズ板７８は、これらの分割光束を個別にアオリ結像し、受光素子列８０〜８３の上に、光像を形成する。
受光素子列８０〜８３は、ほぼ同時に光電荷の蓄積を開始する。マイクロプロセッサ８５は、これら受光素子列８０〜８３の電荷蓄積時間を、対応する焦点検出領域の明るさに応じて独立に制御する。すなわち、マイクロプロセッサ８５は、前回における受光素子列８０〜８３の出力ピーク値が、後処理（例えば、ＡＤ変換など）のダイナミックレンジを超えない範囲に、次回の電荷蓄積時間を設定する。
【０００９】
このような電荷蓄積時間の制御により、受光素子列８０〜８３の出力レベルは適正レベルに自動調整される。
マイクロプロセッサ８５は、電荷蓄積時間が経過するたびに、公知の焦点算出処理を行って、デフォーカス量を順次に算出する。
【００１０】
マイクロプロセッサ８５は、これら複数のデフォーカス量の中から所定の条件（例えば最至近）を満足するデフォーカス量を選択したり、予め手動選択された焦点検出領域のデフォーカス量を選択することにより、焦点調節などに主として使用する焦点検出領域を決定する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような焦点検出装置では、撮影画面内の明暗差が大きい場合、受光素子列ごとの電荷蓄積時間は、数倍〜数百倍の範囲で大幅に異なってしまう。
【００１２】
例えば、図９に示すような場合は、一対の受光素子列８０，８１で捉えた被写体が明るく、一対の受光素子列８２，８３で捉えた別の被写体が暗いケースである。
このようなケースでは、一対の受光素子列８０，８１における電荷蓄積時間は短いが、一対の受光素子列８２，８３における電荷蓄積時間は長くなる。
【００１３】
そのため、全ての焦点検出領域について光電荷の蓄積を終了して、デフォーカス量を検出するまでの時間（以下「焦点検出サイクル」という）が長くなり、焦点調節の応答時間が遅くなるという問題点があった。
また、焦点検出サイクルが長くなることにより、像面位置が高速に変動する被写体については、デフォーカス量の動向を正確に捉えることができず、見当違いの方向に焦点調節（予測駆動）を行ってしまうという問題点があった。
【００１４】
そこで、本発明は、上述の問題点を解決するために、焦点検出サイクルを効率的に短縮した焦点検出装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
図１は、本発明を説明する原理ブロック図である。以下、図１に対応付けて、上述の問題点を解決するための手段を説明する。
【００１７】
本発明は、撮影画面上に複数の焦点検出領域が予め設けられ、各焦点検出領域に到達する被写体光束を分割して再結像し、各焦点検出領域ごとに一組の光像を形成する焦点検出用光学系１と、焦点検出用光学系１を介して形成された一組の光像ごとに光電変換を行う複数の光電変換手段２と、複数の光電変換手段２の出力レベルに応じて、複数の光電変換手段２の電荷蓄積時間を個別に制御する制御手段３と、複数の光電変換手段２の出力が与えられ、像パターンの位相差に基づいて、焦点調節状態に対応する焦点情報を算出する焦点算出手段４と、複数の焦点検出領域の中から、焦点調節に使用する焦点検出領域を選択する選択手段５とを備えた焦点検出装置において、制御手段３は、選択手段５により選択された焦点検出領域に対応する光電変換手段２の電荷蓄積時間と、選択された焦点検出領域に対する焦点情報の算出に要する時間とに応じて、その他の光電変換手段２における電荷蓄積時間の上限を制限することを特徴とする。
【００１９】
（作用）
本発明にかかわる焦点検出装置では、選択手段５は、複数の焦点検出領域の中から、焦点調節に使用する焦点検出領域を手動選択もしくは自動選択する。
制御手段３は、選択手段５により選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間と、選択された焦点検出領域に対する焦点情報の算出に要する時間とに応じて、その他の電荷蓄積時間の上限を制限する。
【００２０】
このような作用により、その他の電荷蓄積時間が上限値以下の場合には、時間制限は実行されず、従来通りの動作となる。
この場合、焦点検出サイクルは本来短いため、上述した問題点は生じない。
一方、その他の電荷蓄積時間が上限値を超えた場合には、時間制限が実行される。その結果、焦点検出サイクルは短縮される。
【００２１】
このような場合においても、選択された焦点検出領域については、電荷蓄積時間が制限されない。そのため、選択された焦点検出領域については、光電変換手段２の出力レベルが適正レベルに維持され、焦点情報を高い検出精度で検出することができる。
その他の焦点検出領域については、電荷蓄積時間が制限されるため、光電変換手段２の出力レベルは適正レベルを下回る。しかし、その他の焦点検出領域については、焦点調節に直接使用されないので、焦点情報の検出精度を直接的に低下させることがない。
特に、選択された焦点検出領域について焦点情報が算出されるまで、その他の光電変換手段２では光電荷の蓄積を行うことができる。
したがって、焦点検出サイクルを短縮しつつ、その他の光電変換手段２については、電荷蓄積時間をできるだけ長く設定することができる。
【００２２】
また、選択された焦点検出領域の焦点情報が合焦近傍を示す場合に限って、その他の光電変換手段２の電荷蓄積時間を制限するようにしてもよい。
これによれば、撮影対象以外の物体が焦点検出領域内に一時的に位置し、選択手段５が誤ってその物体を主要被写体として選択するようなケースでは、その物体に合焦するまで、電荷蓄積時間は制限されない。したがって、その物体が焦点検出領域を外れると共に、本来の主要被写体に対して即座に焦点調節を再開することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明における実施の形態を説明する。
図２は、実施形態を示す図である。
図２において、カメラボディ１１の前面には鏡筒１２が取り付けられ、カメラボディ１１の後面には、焦点検出領域を手動選択するための操作部材１１ａが配置される。この鏡筒１２の内部には撮影光学系１３が配置される。
【００２５】
撮影光学系１３の光軸上には、メインミラー１４およびサブミラー１５が順に配置され、メインミラー１４の反射方向に沿ってマット面１６およびペンタプリズム１７が配置される。
ペンタプリズム１７の後面側には、接眼レンズ１８および測光部１９が配置され、サブミラー１５の反射方向には焦点検出部２０が配置される。
【００２６】
操作部材１１ａ，測光部１９および焦点検出部２０は、カメラボディ１１内部に配置されたマイクロプロセッサ２１に接続される。
なお、焦点検出部２０の内部構造については、図８に示した構造と同一なので、図８に示す参照番号をそのまま用いて説明を行う。
また、本発明と本実施形態との対応関係については、焦点検出用光学系１は、視野マスク７１，絞りマスク７５およびレンズ板７８に対応し、複数の光電変換手段２は受光素子列８０，８１および受光素子列８２，８３に対応し、制御手段３はマイクロプロセッサ２１における「電荷蓄積時間の制御機能」に対応し、焦点算出手段４はマイクロプロセッサ２１における「デフォーカス量の算出機能」に対応し、選択手段５はマイクロプロセッサ２１における「デフォーカス量の選択機能」に対応する。
【００２７】
図３は、本実施形態の動作を説明する流れ図である。
以下、図２，図３，図８に基づいて、本実施形態の動作を説明する。
まず、ミラーダウン時には、メインミラー１４を介して被写体光が反射され、マット面１６上に被写体像が形成される。この被写体像は、マット面１６を介して散乱された後、ペンタプリズム１７、接眼レンズ１８を介して観察される。
【００２８】
またマット面１６で散乱された光の一部は、測光部１９において測光され、後述する２つの焦点検出領域について輝度を算出する。これらの輝度はマイクロプロセッサ２１に伝達される。
一方、メインミラー１４の光透過部分を透過した光束は、サブミラー１５に反射されて、焦点検出部２０に照射される。
【００２９】
ここで、マイクロプロセッサ２１は、測光部１９において測光された輝度値に基づいて、電荷蓄積時間を焦点検出領域ごとに初期設定する（図３Ｓ１）。
すなわち、図４に示されるように、対数化された輝度値Ｌｉが、輝度Ｌ１を超えると、対応する受光素子列の増幅ゲインを低ゲイン（以下「Ｌ側」という）に設定した後、
Ｔｉ＝Ｋ１−Ｌｉ      ・・・（１）
を算出して、対数化された電荷蓄積時間Ｔｉを求める。ここで、定数Ｋ１は、増幅ゲインをＬ側に設定した状態において、受光素子列の適正な出力レベルを対数値で表した数値である。
【００３０】
また、対数化された輝度値Ｌｉが、輝度Ｌ２を下回ると、対応する受光素子列の増幅ゲインを高ゲイン（以下「Ｈ側」という）に設定した後、
Ｔｉ＝Ｋ２−Ｌｉ      ・・・（２）
を算出して、対数化された電荷蓄積時間Ｔｉを求める。ここで、定数Ｋ２は、増幅ゲインをＨ側に設定した状態において、受光素子列の適正な出力レベルを対数値で表した数値である。
【００３１】
さらに、（２）式で求めた電荷蓄積時間Ｔｉが、所定時間ＴＭＡＸを越える場合には、Ｔｉを所定時間ＴＭＡＸに置換する。なお、この所定時間ＴＭＡＸによる置換は、選択された焦点検出領域であるか否かにかかわらず、一律に実施される。
次に、マイクロプロセッサ２１は、受光素子列８０，８１と受光素子列８２，８３とについて光電荷の蓄積をほぼ同時に開始する。マイクロプロセッサ２１は、焦点検出領域ごとに設定された電荷蓄積時間Ｔｉに応じて、受光素子列ごとに光電荷の蓄積を終了させる（図３Ｓ２）。
【００３２】
マイクロプロセッサ２１は、光電荷の蓄積が終了されるたびに、受光素子列の出力を取り込み、設定済みの増幅ゲインに基づいて出力を増幅した後、Ａ／Ｄ変換を施して、デジタルデータに変換する。
このデジタルデータに対して像ズレ量を算出するための周知の相関演算処理を施し、デフォーカス量を算出する（図３Ｓ３）。
【００３３】
ここで、マイクロプロセッサ２１は、焦点検出領域ごとに求めたデフォーカス量の中から、最至近を示すデフォーカス量に対応する焦点検出領域を選択する（図３Ｓ４）。
このように選択された焦点検出領域のデフォーカス量に応じて、マイクロプロセッサ２１は、焦点検出状態の表示、および焦点調節のためのレンズ駆動などを行う（図３Ｓ５）。
【００３４】
この状態で、マイクロプロセッサ２１は、次回の電荷蓄積時間を次のように決定する。
まず、前回の電荷蓄積時間Ｔｉと、該当する受光素子列の出力ピーク値Ｐｉと前回の増幅ゲインに対応する定数Ｋｉを用いて、
Ｌｉ＝Ｋｉ−Ｔｉ−ＬＯＧ（Ｐ／Ｐｉ）    ・・・（３）
を算出し、前回の輝度値Ｌｉを求める。ここで、定数Ｐの値は、被写体輝度が変化しても増幅後の出力ピーク値ＰｉがＡ／Ｄ変換器の飽和入力レベルを超えない範囲（例えばＡＤ変換範囲の２／３程度）に選択される。
【００３５】
次に、前回の増幅ゲインがＬ側で、（３）式で求められた輝度Ｌｉが輝度Ｌ１を超えた場合は、次回の増幅ゲインをＬ側に設定するとともに、
Ｔｉ＝Ｋ１−Ｌｉ    ・・・（４）
を算出し、次回の蓄積時間Ｔｉを求める。
また、前回の増幅ゲインがＬ側で、（３）式で求められた輝度Ｌｉが輝度Ｌ１以下の場合は、次回の増幅ゲインをＨ側に設定するとともに、
Ｔｉ＝Ｋ２−Ｌｉ    ・・・（５）
を算出し、次回の蓄積時間Ｔｉを求める。
【００３６】
さらに、（５）式で求めた電荷蓄積時間Ｔｉが所定時間ＴＭＡＸを越える場合には、ＴｉをＴＭＡＸに置換する。なお、この所定時間ＴＭＡＸによる置換は、選択された焦点検出領域であるか否かにかかわらず、一律に実施される。
さらに、前回の増幅ゲインがＨ側で、（３）式で求められた輝度Ｌｉが輝度Ｌ２より高い場合は、次回の増幅ゲインをＬ側に設定するとともに、（４）式を算出して、次回の蓄積時間Ｔｉを決定する。
【００３７】
また、前回の増幅ゲインがＨ側で、（３）式で求められた輝度Ｌｉが輝度Ｌ２より低い場合は、次回の増幅ゲインをＨ側に設定するとともに、（５）式を算出して、次回の蓄積時間Ｔｉを決定する。
このようにして、焦点検出領域ごとに次回の電荷蓄積時間Ｔｉが算出される（図３Ｓ６）。
【００３８】
次に、マイクロプロセッサ２１は、選択された焦点検出領域について、デフォーカス量の絶対値が所定値以下（すなわち合焦点近傍）か否かを判定する（図３Ｓ７）。
ここで、非合焦状態と判定されると、電荷蓄積時間の制限を行わずにステップＳ２に戻って、次回の光電荷の蓄積を実行する。
【００３９】
一方、合焦状態と判定されると、その他の焦点検出領域における電荷蓄積時間と、選択された焦点検出領域における電荷蓄積時間とを比較する（図３Ｓ８）。
ここで、選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間の方が所定時間以上長い場合は、ステップＳ２に戻って、次回の光電荷の蓄積を実行する。
このような場合には、図５に示すように、選択された焦点検出領域の電荷蓄積動作中に、その他の焦点検出領域の電荷蓄積動作が終了する。そのため、その他の焦点検出領域の電荷蓄積時間は全体の焦点検出サイクルに影響を与えない。
【００４０】
一方、選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間の方が短くて、その他の焦点検出領域における次回の増幅ゲインがＬ側のときは（図３Ｓ９）、増幅ゲインをＨ側に設定変更して、電荷蓄積時間を再計算した後（図３Ｓ１０）、ステップＳ８に戻る。
また、選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間の方が短くて、その他の焦点検出領域における次回の増幅ゲインがＨ側のときは（図３Ｓ９）、その他の焦点検出領域の電荷蓄積時間Ｔｉを
（選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間）＋（焦点算出処理の所要時間）
に置換する（図３Ｓ１１）。この状態で、ステップＳ２に戻って、次回の光電荷の蓄積を実行する。
【００４１】
このような場合には、図６に示されるように、その他の焦点検出領域について電荷蓄積動作が終了すると共に、選択された焦点検出領域の電荷蓄積動作と焦点算出動作が終了する。そのため、時間間隔を空けずに、その他の焦点検出領域について焦点検出の演算処理を開始することができる。その結果、その他の焦点検出領域における電荷蓄積時間は全体の焦点検出サイクルに影響を与えず、焦点検出動作の応答性が悪化することはない。
【００４２】
以上説明した動作により、本実施形態では、選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間に応じて、その他の電荷蓄積時間の上限が適宜に制限されるので、焦点検出サイクルを効率的に短縮することができる。
そのため、撮影画面の明暗差にかかわらず、焦点検出サイクルが必要以上に長くなることがなく、焦点調節の応答時間を短縮することができる。
【００４３】
また、焦点検出サイクルが短縮されることにより、単位時間当たりに検出される焦点情報が増加する。したがって、像面位置が急激に変化する被写体についても、焦点情報の動向を正確かつ綿密に捉えることができ、焦点調節（予測駆動）を的確に行うことが可能となる。
さらに、選択された焦点検出領域については、電荷蓄積時間は一切制限されないので、受光素子列の出力レベルは適正レベルに保持される。そのため、選択された焦点検出領域については、高い検出精度で焦点情報が検出され、焦点調節の位置精度などを高く維持することができる。
【００４４】
また、その他の焦点検出領域については、電荷蓄積時間が時間制限されるため、出力レベルは適正レベルを下回る場合がある。しかし、その他の焦点検出領域は、焦点調節に直接使用されないので、焦点調節の位置精度などを直接的に低下させることがない。
さらに、その他の焦点検出領域については、出力レベルが飽和することが格段に少なく、適正レベルを得るために必要な電荷蓄積時間を確実かつ安定に算出することができる。
【００４５】
また、選択された焦点検出領域の焦点情報が合焦近傍を示す場合に限って、その他の焦点検出領域の電荷蓄積時間を制限する。
そのため、撮影対象以外の物体が焦点検出領域内に一時的に位置し、その物体が誤って主要被写体と判断されるようなケースにおいても、その物体に合焦するまで、電荷蓄積時間は一切制限されない。したがって、その物体が焦点検出領域を外れると共に、本来の主要被写体に対して即座に焦点調節を再開することができる。
【００４６】
さらに、選択された焦点検出領域について焦点情報が算出されると同時に、その他の焦点検出領域について光電荷蓄積が終了する。そのため、焦点検出サイクルが長くならない範囲で、その他の焦点検出領域について電荷蓄積時間を極力長く設定することができる。
また、主要被写体が別の焦点検出領域に移動するようなケースでは、主要被写体の輝度はほとんど変化しない。そのため、前回選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間で焦点検出を行っていれば、移動先の焦点検出領域においても、出力レベルを適正レベルに調節することができる。したがって、このようなケースにおいても、焦点情報を高い精度で検出することが可能となる。
【００４７】
なお、上述した実施形態では、焦点検出領域を自動選択する場合について述べたが、本発明はそれに限定されるものではなく、図７に示すように、焦点検出領域を手動選択する場合に適用してもよい。
また、上述した実施形態では、２つの焦点検出領域について焦点検出を行う場合について述べたが、本発明は、それに限定されるものではなく、２つ以上の焦点検出領域について焦点検出を行う焦点検出装置に適用してもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかわる焦点検出装置では、選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間と、選択された焦点検出領域に対する焦点情報の算出に要する時間とに応じて、その他の電荷蓄積時間の上限を制限するので、焦点検出サイクルを短縮することができる。
そのため、「焦点検出領域の設定数」や「撮影画面の明暗差」にかかわらず、焦点調節の応答時間を効率的に短縮することができる。
特に、選択された焦点検出領域について焦点情報が算出されるまで、その他の光電変換手段では光電荷の蓄積が行われる。
したがって、焦点検出サイクルが長くならない範囲で、その他の光電変換手段について電荷蓄積時間を極力長く設定することができる。
【００４９】
また、焦点検出サイクルが短縮されることにより、単位時間当たりに検出される焦点情報が増加するため、像面位置が急激に変化する被写体についても、焦点情報の動向を正確かつ綿密に捉えることができる。したがって、焦点調節（予測駆動）を正確に行うことが可能となる。
さらに、選択された焦点検出領域については、電荷蓄積時間は一切制限されない。そのため、選択された焦点検出領域については、光電変換手段の出力レベルは適正レベルに維持され、焦点情報を高い検出精度で検出することができる。
【００５０】
また、その他の焦点検出領域については、電荷蓄積時間が時間制限されるため、光電変換手段の出力レベルは適正レベルを下回る。しかし、その他の焦点検出領域については、焦点調節に直接使用されないので、焦点情報の検出精度を直接的に低下させることがない。
さらに、その他の焦点検出領域については、電荷蓄積時間が制限されるので、光電変換手段の出力レベルが、突発的に飽和レベルを超えるおそれが大幅に低減される。したがって、その他の焦点検出領域については、出力レベルのピーク値を正しく検出することが可能となり、「適正レベルを得るために必要な電荷蓄積時間」を確実かつ安定に算出することができる。
【００５１】
また、主要被写体が別の焦点検出領域に移動するようなケースでは、主要被写体の輝度はほとんど変化しない。そのため、前回選択された焦点検出領域の電荷蓄積時間で焦点検出を行っていれば、移動先の焦点検出領域においても、出力レベルを適正レベルに調節することができる。したがって、このように主要被写体が移動するケースにおいても、焦点情報を高い精度で検出することが可能となる。
【００５２】
さらに、焦点検出装置では、選択された焦点検出領域の焦点情報が合焦近傍を示す場合に限って、その他の焦点検出領域の電荷蓄積時間を制限する。
そのため、撮影対象以外の物体が焦点検出領域内に一時的に位置し、かつ、その物体が主要被写体として誤って選択されたようなケースでは、その物体に合焦するまで、電荷蓄積時間は制限されない。したがって、本来の主要被写体について精度良く焦点情報を検出し続けることができ、その物体が焦点検出領域を外れると共に、本来の主要被写体に対して即座に焦点調節を再開することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１〜３に記載の発明を説明する原理ブロック図である。
【図２】実施形態（請求項１〜３に対応する）を示す図である。
【図３】本実施形態の動作（焦点検出領域を自動選択する場合）を説明する流れ図である。
【図４】電荷蓄積時間の算出処理を説明する図である。
【図５】実施形態の焦点検出サイクルを示す図である。
【図６】実施形態の焦点検出サイクルを示す図である。
【図７】実施形態の動作（焦点検出領域を手動選択する場合）を説明する流れ図である。
【図８】焦点検出部の内部構成を示す図である。
【図９】従来の焦点検出サイクルを示す図である。
【符号の説明】
１  焦点検出用光学系
２  光電変換手段
３  制御手段
４  焦点算出手段
５  選択手段
１１  カメラボディ
１１ａ  操作部材
１２  鏡筒
１３  撮影光学系
１４  メインミラー
１５  サブミラー
１６  マット面
１７  ペンタプリズム
１８  接眼レンズ
１９  測光部
２０  焦点検出部
２１  マイクロプロセッサ
７０Ａ  開口部
７１  視野マスク
７２Ａ  コンデンサレンズ
７５  絞りマスク
７８  レンズ板
７９  電荷蓄積型センサ
８５  マイクロプロセッサ
【図１】
0004310815.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004310815.tif 000008
【図８】
0004310815.tif 000009
【図９】
0004310815.tif 000010