(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（８）
ＡｒＬｉ          （８）
（式中、Ａｒは、アリール基及び置換アリール基を示す。）
で示されるアリールリチウム化合物又は下記一般式（９）
ＡｒＭＸ          （９）
（式中、Ａｒは、アリール基及び置換アリール基を示し、Ｍは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ又はＳｎを示し、Ｘは、ハロゲン又はアルコキシ基を示す。）
で示される有機金属化合物と、下記一般式（１０）
ＲＸ          （１０）
（式中、Ｒはビニル基、アリール基又は置換アリール基を示し、Ｘはハロゲンを示す。）
で示されるハロゲン化炭化水素を、ハロゲン化鉄化合物、ハロゲン化コバルト化合物又はハロゲン化ニッケル化合物から選ばれる少なくとも一種の周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物と、有機アルミニウム化合物又は有機亜鉛化合物から選ばれる少なくとも一種の金属ヒドリド構造をもたない周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物からなる触媒の存在下反応させることを特徴とする置換スチレン誘導体又は置換ビアリール誘導体の製造方法。
【請求項２】
下記一般式（８）
ＡｒＬｉ          （８）
（式中、Ａｒは、アリール基及び置換アリール基を示す。）
で示されるアリールリチウム化合物又は下記一般式（９）
ＡｒＭＸ          （９）
（式中、Ａｒは、アリール基及び置換アリール基を示し、Ｍは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ又はＳｎを示し、Ｘは、ハロゲン又はアルコキシ基を示す。）
で示される有機金属化合物と、下記一般式（１０）
ＲＸ          （１０）
（式中、Ｒはビニル基、アリール基又は置換アリール基を示し、Ｘはハロゲンを示す。）
で示されるハロゲン化炭化水素を、ハロゲン化鉄化合物、ハロゲン化コバルト化合物又はハロゲン化ニッケル化合物から選ばれる少なくとも一種の周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物、有機アルミニウム化合物又は有機亜鉛化合物から選ばれる少なくとも一種の金属ヒドリド構造をもたない周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物と、アミン化合物又はホスフィン化合物から選ばれる少なくとも一種の電子供与性化合物からなる触媒の存在下反応させることを特徴とする置換スチレン誘導体又は置換ビアリール誘導体の製造方法。
【請求項３】
置換フェニルブロミドと塩化ビニルを反応させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
単一のエーテル溶媒中で反応を行なうことを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶等の電子材料、医農薬中間体、機能性高分子用モノマー等を製造をするため有機合成上重要なクロスカップリング反応に対し、極めて有効な触媒及びそれを用いた有機化合物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
クロスカップリング反応用触媒としては、これまでに種々のものが知られている。殊に、有機マグネシウム化合物とハロゲン化有機化合物とを触媒存在下、クロスカップリング反応を行う方法については、数多くの提案があり、中でも近年、ホスフィン配位子を有するＮｉ種やＰｄ種を用いたクロスカップリング反応の提案が数多くなされている。例えば、
（１）Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，４９，１９５８（１９７６）やＯｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ５８，１２７には、種々のホスフィン配位子を有するニッケル錯体を用いたアルキルマグネシウム化合物、アルケニルマグネシウム化合物、アリールマグネシウム化合物とアルキルハライド、アルケニルハライド、アリールハライドとのカップリング反応について記載されており、この応用技術として、
（２）特公昭５７−２６９２号公報及び特公昭６２−１９２７号公報において、触媒としてニッケル・ホスフィン錯体を用いたアルキルベンゼン誘導体やスチレン誘導体の製造方法が開示されている。しかしながら、特公昭６２−１９２７号公報にも明確に記載されている様に、ＴＨＦ単独溶媒系では、収率が低下するか、クロスカップリング反応が全く進行しない場合があったり、使用溶媒、触媒種が極めて限定される等の問題点を有していた。
【０００３】
また、有機マグネシウム化合物以外にも、有機亜鉛化合物や有機ホウ素化合物と有機ハライド化合物とのクロスカップリング反応に関する研究及び応用技術が提案されている。例えば、
（３）Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）には、Ｐｄ又はＮｉ触媒下に、アリール亜鉛化合物とアリールハライドとのクロスカップリング反応させる方法が開示されており、
（４）Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１１，５１３（１９８１）には、Ｐｄ触媒によるアリールホウ酸化合物とアリールハライドとのクロスカップリング反応が提案されている。
【０００４】
しかしながら、これら方法は、活性種としてＰｄを用いる為、経済性の面で問題点を有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の技術は、現在でも、液晶等の電子材料、医農薬中間体、機能性高分子用モノマー等の製造に応用されているものの、更に効果的で、汎用性があり、経済的なクロスカップリング反応用触媒及びそれを用いたクロスカップリング反応が望まれていた。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、本発明は、触媒効率が高く、目的物を溶媒種類等の反応条件によらず高収率かつ高選択率で得ることを可能とし、安価な成分によって構成されるクロスカップリング反応用触媒を提供すること、及びこれを用い置換スチレン誘導体や置換ビアリール誘導体等の有機化合物を効率的に製造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、周期律表第四周期ＶＩＩＩ属金属化合物に、金属ヒドリド構造をもたない周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物の群より選ばれた少なくとも一種を含有する触媒が、上記したクロスカップリング反応に極めて有効であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物と、金属ヒドリド構造をもたない周期律表ＩＩＢ及びＩＩＩＢ族有機金属化合物からなる群より選ばれた少なくとも一種を含有するクロスカップリング反応用触媒、及びそれを用いた置換スチレン誘導体又は置換ビアリール誘導体の製造方法である。
【０００９】
以下の本発明を更に詳細に説明する。
【００１０】
本発明において使用する周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物としては、Ｆｅ（０）、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩＩ）、Ｃｏ（０）、Ｃｏ（Ｉ）、Ｃｏ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩＩ）、Ｎｉ（０）、Ｎｉ（ＩＩ）を金属種として有する無機化合物、有機化合物及び有機金属錯体を使用することができる。
【００１１】
Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩＩ）を有する化合物としては、具体的には、弗化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、沃化鉄（ＩＩ）、弗化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、沃化鉄（ＩＩＩ）等のハロゲン化物を挙げることができる。これらの水和物の使用も、本発明の範囲に含まれる。
【００１２】
また、一般式（１）
ＬｎＦｅＸｍ          （１）
（式中、Ｌは、置換ホスフィン配位子、カルボニル配位子又はアミン配位子を示し、各々同一であっても異なっても良く、置換ホスフィン配位子の場合、架橋されていても良い。ｎは配位数を示し０〜６の整数である。Ｆｅは、零価、一価、二価又は三価である。Ｘは、ハロゲン原子であり、各々同一であっても異なっても良い。ｍはＦｅの価数に相当する数を示す。）
で示される有機鉄錯体、例えば、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二沃化ビス（トリフェニルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、二塩化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）鉄（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）、塩化（シクロペンタジエニル）［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］鉄（ＩＩ）、ブロモトリカルボニル（アリール）鉄（ＩＩ）、二塩化（２，２’−ビピリジル）鉄（ＩＩ）、二臭化（２，２’−ビピリジル）鉄（ＩＩ）、二沃化（２，２’−ビピリジル）鉄（ＩＩ）等を挙げることができる。また、これらの二種以上の混合物の使用も本発明の範囲に含まれる。
【００１３】
Ｃｏ（ＩＩ）、Ｃｏ（ＩＩＩ）を有する化合物としては、具体的には、弗化コバルト（ＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩ）、沃化コバルト（ＩＩ）、弗化コバルト（ＩＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩＩ）、沃化コバルト（ＩＩＩ）等のハロゲン化物を挙げることができる。これらの水和物の使用も、本発明の範囲に含まれる。
【００１４】
また、一般式（２）
ＬｎＣｏＸｍ          （２）
（式中、Ｌは、置換ホスフィン配位子、カルボニル配位子又はアミン配位子を示し、各々同一であっても異なっても良く、置換ホスフィン配位子の場合、架橋されていても良い。ｎは配位数を示し０〜６の整数である。Ｃｏは、零価、一価、二価又は三価である。Ｘは、ハロゲン原子であり、各々同一であっても異なっても良い。ｍはＦｅの価数に相当する数を示す。）
で示される有機コバルト錯体、例えば、塩化トリス（トリフェニルホスフィン）コバルト（Ｉ）、臭化トリス（トリフェニルホスフィン）コバルト（Ｉ）、沃化トリス（トリフェニルホスフィン）コバルト（Ｉ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二沃化ビス（トリフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二塩化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］コバルト（ＩＩ）、二塩化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二沃化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二塩化ビス（トリエチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（トリエチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二沃化ビス（トリエチルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二塩化ビス（トリプロピルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（ジエチルフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（エチルジフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二臭化ビス（ジヘキシルホスフィン）コバルト（ＩＩ）、二塩化（２，２’−ビピリジル）コバルト（ＩＩ）、二臭化（２，２’−ビピリジル）コバルト（ＩＩ）、二沃化（２，２’−ビピリジル）コバルト（ＩＩ）、沃化（シクロペンタジエニル）（シクロヘキサジエニル）コバルト（ＩＩＩ）、二沃化（シクロペンタジエニル）（トリフェニルホスフィン）コバルト（ＩＩＩ）等を挙げることができる。また、これらの二種以上の混合物の使用も本発明の範囲に含まれる。
【００１５】
Ｎｉ（ＩＩ）を有する化合物としては、具体的には、弗化ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）、沃化ニッケル（ＩＩ）等のハロゲン化物を挙げることができる。これらの水和物の使用も、本発明の範囲に含まれる。
【００１６】
また、一般式（３）
ＬｎＮｉＸｍ          （３）
（式中、Ｌは、置換ホスフィン配位子、カルボニル配位子又はアミン配位子を示し、各々同一であっても異なっても良く、置換ホスフィン配位子の場合、架橋されていても良い。ｎは配位数を示し０〜６の整数である。Ｎｉは、零価、一価又は二価である。Ｘは、ハロゲン原子であり、各々同一であっても異なっても良い。ｍはＦｅの価数に相当する数を示す。）
で示される有機ニッケル錯体、例えば、塩化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ）、臭化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ）、沃化トリス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（Ｉ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリ−ｔ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二臭化［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二沃化［１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリメチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリｉ−プロピルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（トリｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（トリｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（トリｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（メチルジフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化ビス（ジメチルフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二臭化ビス（ジメチルフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二沃化ビス（ジメチルフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、臭化（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、沃化（フェニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化（シクロペンタジエニル）（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、塩化（ヒドリド）ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化（２，２’−ビピリジル）ニッケル（ＩＩ）、二臭化（２，２’−ビピリジル）ニッケル（ＩＩ）、二沃化（２，２’−ビピリジル）ニッケル（ＩＩ）等を挙げることができる。また、これらの二種以上の混合物及び二臭化ビス［２−（エトキシカルボニル）アリール］二ニッケル塩の如き、複核錯体の使用も本発明の範囲に含まれる。
【００１７】
触媒成分である、金属ヒドリド構造をもたないＩＩＢ族有機金属化合物、ＩＩＩＢ族有機金属化合物としては、有機亜鉛化合物、有機アルミニウム化合物である。
【００１８】
有機亜鉛化合物としては、例えば、下記一般式（４）
Ｒ1aＺｎＹ2-a      （４）
（式中、Ｒ1は、アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｙはハロゲンを示す。ａは、２≧ａ＞１なる数である。）
及び下記一般式（５）
Ｒ23ＺｎＭ      （５）
（式中、Ｒ2は、アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムである。）
で示される有機亜鉛化合物を使用することができる。具体的には、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛、ジフェニル亜鉛、塩化メチル亜鉛、臭化メチル亜鉛、沃化メチル亜鉛、塩化エチル亜鉛、臭化エチル亜鉛、沃化エチル亜鉛、塩化ｎ−プロピル亜鉛、臭化ｎ−プロピル亜鉛、沃化ｎ−プロピル亜鉛、塩化ｉ−プロピル亜鉛、臭化ｉ−プロピル亜鉛、沃化ｉ−プロピル亜鉛、塩化ｎ−ブチル亜鉛、臭化ｎ−ブチル亜鉛、沃化ｎ−ブチル亜鉛、塩化ｉ−ブチル亜鉛、臭化ｉ−ブチル亜鉛、沃化ｉ−ブチル亜鉛、塩化ｓｅｃ−ブチル亜鉛、臭化ｓｅｃ−ブチル亜鉛、沃化ｓｅｃ−ブチル亜鉛、塩化ｔ−ブチル亜鉛、臭化ｔ−ブチル亜鉛、沃化ｔ−ブチル亜鉛、塩化フェニル亜鉛、臭化フェニル亜鉛、沃化フェニル亜鉛、トリメチル亜鉛リチウム、トリエチル亜鉛リチウム、トリｎ−プロピル亜鉛リチウム、トリｉ−プロピル亜鉛リチウム、トリｎ−ブチル亜鉛リチウム、トリｉ−ブチル亜鉛リチウム、トリｓｅｃ−ブチル亜鉛リチウム、トリｔ−ブチル亜鉛リチウム、ジエチルｎ−ブチル亜鉛リチウム、トリメチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリエチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｎ−プロピル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｉ−プロピル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｎ−ブチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｉ−ブチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｓｅｃ−ブチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリｔ−ブチル亜鉛マグネシウムクロリド、ジエチルｎ−ブチル亜鉛マグネシウムクロリド、トリメチル亜鉛マグネシウムブロミド、トリエチル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｎ−プロピル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｉ−プロピル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｎ−ブチル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｉ−ブチル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｓｅｃ−ブチル亜鉛マグネシウムブロミド、トリｔ−ブチル亜鉛マグネシウムブロミド、ジエチルｎ−ブチル亜鉛マグネシウムブロミド、エチル亜鉛アイオダイド等を挙げることができる。
【００１９】
有機アルミニウム化合物としては、例えば、下記一般式（６）
Ｒ3bＡｌＺ3-b      （６）
（式中、Ｒ3はアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｚはハロゲン原子又はアルコキシ基を示す。ｂは、３≧ｂ＞０なる数である。）
又は下記一般式（７）
Ｒ44ＡｌＭ      （７）
（式中、Ｒ４は、アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｍはリチウム又はハロゲン化マグネシウムである。）
の有機アルミニウム化合物を使用することができる。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、メチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミニウムセスキクロリド、ジメチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、イソブチルアルミニウムジクロリド、イソブチルアルミニウムセスキクロリド、ジイソブチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジブロミド、メチルアルミニウムセスキブロミド、ジメチルアルミニウムブロミド、エチルアルミニウムジブロミド、エチルアルミニウムセスキブロミド、ジエチルアルミニウムブロミド、イソブチルアルミニウムジブロミド、イソブチルアルミニウムセスキブロミド、ジイソブチルアルミニウムブロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、メチルアルミニウムジエトキシド、メチルアルミニウムセスキエトキシド、ジメチルアルミニウムエトキシド、エチルアルミニウムジエトキシド、エチルアルミニウムセスキエトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、イソブチルアルミニウムジエトキシド、イソブチルアルミニウムセスキエトキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムメトキシド、テトラメチルアルミニウムリチウム、テトラエチルアルミニウムリチウム、テトライソブチルアルミニウムリチウム、テトラフェニルアルミニウムリチウム、メチルトリエチルアルミニウムリチウム、トリエチルｎ−ブチルアルミニウムリチウム、トリエチルｉ−ブチルアルミニウムリチウム、トリエチルｔ−ブチルアルミニウムリチウム、メチルトリｉ−ブチルアルミニウムリチウム、ｎ−ブチルトリｉ−ブチルアルミニウムリチウム、トリｉ−ブチルｔ−ブチルアルミニウムリチウム、トリメチルフェニルアルミニウムリチウム、トリエチルフェニルアルミニウムリチウム、テトラメチルアルミニウムマグネシウムクロリド、テトラエチルアルミニウムマグネシウムクロリド、テトライソブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、テトラフェニルアルミニウムマグネシウムクロリド、メチルトリエチルアルミニウムマグネシウムクロリド、トリエチルｎ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、トリエチルｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、トリエチルｔ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、メチルトリｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルトリｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、トリｉ−ブチルｔ−ブチルアルミニウムマグネシウムクロリド、トリメチルフェニルマグネシウムクロリド、トリエチルフェニルアルミニウムマグネシウムクロリド、テトラメチルアルミニウムマグネシウムブロミド、テトラエチルアルミニウムマグネシウムブロミド、テトライソブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、テトラフェニルアルミニウムマグネシウムブロミド、メチルトリエチルアルミニウムマグネシウムブロミド、トリエチルｎ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、トリエチルｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、トリエチルｔ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、メチルトリｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、ｎ−ブチルトリｉ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、トリｉ−ブチルｔ−ブチルアルミニウムマグネシウムブロミド、トリメチルフェニルマグネシウムブロミド、トリエチルフェニルアルミニウムマグネシウムブロミド、メチルトリエチルアルミニウムマグネシウムアイオダイド等を挙げることができる。これら周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物からなる群より選ばれるの二種以上の混合物の使用も本発明の範囲に含まれる。
【００２０】
本発明においては触媒成分として更に電子供与性化合物を使用することが好ましい。電子供与性化合物としては、窒素原子、燐原子、酸素原子又は硫黄原子を分子内に有する化合物が好ましく、これらのうちアミン化合物、ホスフィン化合物が特に好ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、トリフェニルアミン、ピリジン、２，２’−ビピリジル、トリフェニルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｉ−プロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィンホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィンを挙げることができる。これら電子供与性化合物の二種以上の混合物の使用も本発明の範囲に含まれる。
【００２１】
本発明においてクロスカップリング反応は、下記一般式（８）、
ＡｒＬｉ      （８）
で示されるアリールリチウム化合物又は下記一般式（９）
（式中、Ａｒはアリール基及び置換アリール基を示す。）
ＡｒＭＸ      （９）
（式中、Ａｒはアリール基及び置換アリール基を示し、Ｍは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ又はＳｎを示し、Ｘは、ハロゲン原子又はアルコキシ基を示す。）
で示される有機金属化合物と、下記一般式（１０）
ＲＸ      （１０）
（式中、Ｒは、ビニル基、アリール基又は置換アリール基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
で示されるハロゲン化炭化水素との間で行うことができる。
【００２２】
本発明においては、上記一般式（９）で示される有機金属化合物のうち、ＭがＭｇ又はＺｎであるアリール金属化合物と、上記一般式（１０）で示されるビニルハライド、アリールハライド又は置換アリールハライドとの間でクロスカップリング反応を行うことが特に好ましい。ＭがＭｇ又はＺｎであるアリール有機金属化合物としては、具体的には、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、２−ジクロロベンゼン、２−ジブロモベンゼン、２−ジヨードベンゼン、３−ジクロロベンゼン、３−ジブロモベンゼン、３−ジヨードベンゼン、４−ジクロロベンゼン、４−ジブロモベンゼン、４−ジヨードベンゼン、２−ブロモクロロベンゼン、３−ブロモクロロベンゼン、４−ブロモクロロベンゼン、２−ヨードクロロベンゼン、３−ヨードクロロベンゼン、４−ヨードクロロベンゼン、２−ヨードブロモベンゼン、３−ヨードブロモクロロベンゼン、４−ヨードブロモベンゼン、４−フルオロクロロベンゼン、４−フルオロブロモベンゼン、４−フルオロヨードベンゼン、４−トリルクロライド、４−トリルブロマイド、４−トリルアイオダイド、２−メトキシクロロベンゼン、２−メトキシブロモベンゼン、２−メトキシヨードベンゼン、３−メトキシクロロベンゼン、３−メトキシブロモベンゼン、３−メトキシヨードベンゼン、４−メトキシクロロベンゼン、４−メトキシブロモベンゼン、４−メトキシヨードベンゼン、２−ｔ−ブトキシクロロベンゼン、２−ｔ−ブトキシブロモベンゼン、２−ｔ−ブトキシヨードベンゼン、３−ｔ−ブトキシクロロベンゼン、３−ｔ−ブトキシブロモベンゼン、３−ｔ−ブトキシヨードベンゼン、４−ｔ−ブトキシクロロベンゼン、４−ｔ−ブトキシブロモベンゼン、４−ｔ−ブトキシヨードベンゼン、２−アセトキシクロロベンゼン、２−アセトキシブロモベンゼン、２−アセトキシヨードベンゼン、３−アセトキシクロロベンゼン、３−アセトキシブロモベンゼン、３−アセトキシヨードベンゼン、４−アセトキシクロロベンゼン、４−アセトキシブロモベンゼン、４−アセトキシヨードベンゼン、４−ｎ−オクチル−２，３−ジフルオロフェニルクロライド、４−ｎ−オクチル−２，３−ジフルオロフェニルブロマイド、４−ｎ−オクチル−２，３−ジフルオロフェニルアイオダイド、４−ｎ−ペンチルビフェニルクロライド、４−ｎ−ペンチルビフェニルブロマイド、４−ｎ−ペンチルビフェニルアイオダイド等を原料ハライドとする有機マグネシウム化合物及び有機亜鉛化合物を挙げることができる。これらの有機金属化合物とクロスカップリング反応させるビニルハライド、アリールハライド又は置換アリールハライドとしては、ビニルクロライド、ビニルブロマイド、ビニルアイオダイド、４−クロロベンゾニトリル、４−ブロモベンゾニトリル、４−ヨードベンゾニトリル、２−フルオロ−４−クロロベンゾニトリル、２−フルオロ−４−ブロモベンゾニトリル、２−フルオロ−４−ヨードベンゾニトリル、３，４−ジフルオロクロロベンゼン、３，４−ジフルオロブロモベンゼン、３，４−ジフルオロヨードベンゼン、３，３，４−トリフルオロクロロベンゼン、３，３，４−トリフルオロブロモベンゼン、３，３，４−トリフルオロフェニルヨードベンゼン、４−トリフルオロメトキシクロロベンゼン、４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン、４−トリフルオロメトキシヨードベンゼン、４−エトキシクロロベンゼン、４−エトキシブロモベンゼン、４−エトキシヨードベンゼン、２，３−ジフルオロ−４−エトキシクロロベンゼン、２，３−ジフルオロ−４−エトキシブロモベンゼン、２，３−ジフルオロ−４−エトキシヨードベンゼン、４−（２−ブテノキシ）クロロベンゼン、４−（２−ブテノキシ）ブロモベンゼン、４−（２−ブテノキシ）ヨードベンゼン等を挙げることができ、更に、上記の有機マグネシウム化合物及び有機亜鉛化合物有機金属化合物の原料であるハライドを使用することもできる。
【００２３】
本発明においてクロスカップリング反応の反応条件は、特に限定されるものではないが、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機反応及び錯体合成で一般的な溶媒、例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−デカン、ベンゼン、トルエン、アセトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｎ−ブチルメチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シメチルスルホキシド、トリエチルアミン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の溶媒中で、−５０〜２００℃、好ましくは、−２０〜１５０℃の温度範囲で行うことができる。
【００２４】
クロスカップリング反応の際に使用する触媒量は、特に限定されるものではないが、上記一般式（８）で示されるアリールリチウム化合物又は一般式（９）で示される有機金属化合物１．０ｍｏｌに対し、周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物が０．０００１〜１．０ｍｏｌとなるような範囲で使用することが好ましく、特に好ましくは、０．００１〜０．１ｍｏｌの範囲である。
【００２５】
また、触媒成分である周期律表ＩＩＢ族及びＩＩＩＢ族有機金属化合物の使用量は、周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物１．０ｍｏｌに対し、０．０１ｍｏｌ〜１００ｍｏｌとなるような範囲で使用することが好ましく、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ〜５０ｍｏｌの範囲である。
【００２６】
また、電子供与性化合物は、周期律表第四周期ＶＩＩＩ族金属化合物１．０ｍｏｌに対し、０．０１ｍｏｌ〜１００ｍｏｌとなるような範囲で使用することが好ましく、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ〜５０ｍｏｌの範囲である。
【００２７】
触媒系の反応系への投入の条件は特に限定されないが、上記溶媒中で予め触媒成分を溶媒中で予め混合し、投入する方法、上記三成分を反応系に別々に投入する方法等の如何なる投入形態をも使用できる。
【００２８】
以下に実施例を示すが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００２９】
【実施例】
実施例１
＜有機マグネシウム化合物の合成＞
窒素雰囲気下、還流冷却器、滴下濾斗、攪拌装置を備えた１Ｌのフラスコに、マグネシウムの３８．３ｇ（１．５８ｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１２９．８ｇ（１．８０ｍｏｌ）を仕込み、攪拌開始後、これに滴下濾斗より、パラブロモクロロベンゼン２８７．２ｇ（１．５０ｍｏｌ）とエチルブロマイド８．２０ｇ（０．０７５３ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２５９．６ｇ（３．６０ｍｏｌ）で希釈した溶液を、内温が４０℃以下となるように水浴にて冷却しつつ、２時間かけて滴下した。滴下終了の後、室温にて２時間攪拌し、ｐ−クロロフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液を得た。
【００３０】
＜クロスカップリング反応＞
このｐ−クロロフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液に、テトラヒドロフラン２５９．６ｇ（３．６０ｍｏｌ）を加え希釈し、塩化第二鉄（ＩＩＩ）１．２２ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリエチルアルミニウムの０．９４ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液４０．０ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を混合した触媒を加えた。室温で５分間攪拌の後、塩化ビニル９３．８ｇ（１．５０ｍｏｌ）を積算流量計により、反応系が４０℃以下となるように、氷浴により冷却しつつ、２時間で吹き込んだ。吹き込み終了後、室温にて更に１時間攪拌した。
【００３１】
反応終了後、反応液を塩化アンモニウム水溶液１Ｌに加え反応を停止させた。この反応混合液にｎ−ヘキサン１Ｌを加え、目的物であるｐ−クロロスチレンを抽出した。得られたヘキサン溶液を硫酸マグネシウムによる乾燥の後、生成したｐ−クロロスチレン量をガスクロマトグラフィーによる内部標準法により定量したところ、ｐ−クロロスチレンは、１２９．５ｇ（０．９３４ｍｏｌ）であり、これは、収率６２．３％に相当した。結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
0004238405.tif 000002
【００３３】
実施例２
実施例１のクロスカップリング反応において、ｐ−クロロフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液の希釈溶媒をテトラヒドロフラン２５９．６ｇ（３．６０ｍｏｌ）に代えて、トルエン２５２．６ｇ（２．７４ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率７１．６％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００３４】
比較例１
実施例１のクロスカップリング反応において、トリエチルアルミニウムの０．９４ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液４０．０ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を触媒成分として添加せず、塩化第二鉄（ＩＩＩ）１．２２ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）のみを触媒成分とした以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率２５．８％であり、更にポリ（ｐ−クロロスチレン）が、ｐ−クロロスチレンユニット換算で７１．３％の収率で回収された。結果を表１にあわせて示す。
【００３５】
比較例２
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）１．２２ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリエチルアルミニウムの０．９４ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液８０．０ｍｌ（７５．２０ｍｍｏｌ）を混合し、室温にて１時間攪拌の後、ヘキサンでトリエチルアルミウムが検出されなくなるまで洗浄した鉄触媒系を用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率１９．９％であり、更にポリ（ｐ−クロロスチレン）が、ｐ−クロロスチレンユニット換算で７７．５％の収率で回収され、トリエチルアルミニウムの共存が必須であることが示された。結果を表１にあわせて示す。
【００３６】
実施例３
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）４．０５ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリイソブチルアルミニウムの０．９６ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液３９．２ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を混合した触媒系を用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率５９．０％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００３７】
比較例３
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］鉄（ＩＩ）４．０５ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）のみを用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率１１．６％であった。更にポリ（ｐ−クロロスチレン）が、ｐ−クロロスチレンユニット換算で６９．６％の収率で回収され、トリイソブチルアルミニウムの共存が必須であることが示された。結果を表１にあわせて示す。
【００３８】
実施例４
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）３．９７ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリエチルアルミニウムの０．９４ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液４０．０ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を混合した触媒系を用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率６４．２％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００３９】
比較例４
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］コバルト（ＩＩ）３．９７ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）のみを用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率５５．６％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００４０】
実施例５
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）４．０８ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリイソブチルアルミニウムの０．９６ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液３９．２ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を混合した触媒系を用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率７９．９％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００４１】
実施例６
実施例１のクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）３．９７ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）にトリイソブチルアルミニウムの０．９６ｍｏｌ／Ｌのへキサン溶液３９．２ｍｌ（３７．６０ｍｍｏｌ）を混合した触媒系を用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率６９．０％であった。結果を表１にあわせて示す。
【００４２】
比較例５
実施例１の有機マグネシウム化合物の合成において、パラブロモクロロベンゼンに変えてパラジクロロベンゼンを用い、更にクロスカップリング反応において、触媒成分として、塩化第二鉄（ＩＩＩ）及びトリエチルアルミウムに変えて、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）４．０８ｇ（７．５２ｍｍｏｌ）のみを用いたこと以外は、実施例１と同様にｐ−クロロスチレンの合成を行った。結果は、ｐ−クロロスチレン収率９．６％であり、未反応ｐ−クロロフェニルマグネシウムクロリドに由来するクロロベンゼンを収率７８．８％で回収した。
【００４３】
このように、テトラヒドロフラン単一溶媒及び二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）触媒を用いたクロスカップリング反応は、進行し難いことが確認された。結果を表１にあわせて示す。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の第一の効果は、ビニル−アリールクロスカップリング反応及びアリールアリールクロスカップリング反応を高効率かつ高選択的に行うことができることにあり、副生成物であるホモカップリング物や重合体を低減できることにある。よって、機能性高分子用モノマー、液晶等の電子材料、医農薬中間体を製造するに極めて有利である。
【００４５】
第二の効果は、触媒系が従来技術のそれよりも、安価にかつ大量に調達でき、経済的に極めて有利なことである。殊に、ハロゲン化鉄とアルキルアルミニウムとから成る触媒系は、工業的に極めて有利である。
【００４６】
第三の効果は、従来困難であったテトラヒドロフラン単一溶媒中でのビニル−アリールクロスカップリング反応を円滑に進行させることが可能なことであり、機能性高分子用モノマー製造に殊に有効なことにある。