(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上主面と下主面とを規定する半導体基板（２０）と、
前記上主面に接続された第１主電極（４）と、
前記下主面に接続された第２主電極（５）と、を備え、
前記半導体基板は、
前記上主面から前記下主面へ向かって順に積層する第１および第２半導体層（１，２１）を備え、
前記第１半導体層（１）は、第１導電型であって、前記上主面に露出し、
前記第２半導体層（２１）は、第２導電型であって、前記第１半導体層との間にＰＮ接合を形成し、
前記第２半導体層は、第１、第２、および、第３領域（６，７，２）に分割され、
前記第１領域（６）は、前記第１半導体層に面しており、
前記第２領域（７）と前記第３領域（２）は、前記第２半導体層の中で、前記第１領域に隣接し前記下主面に近い部分を占め、それぞれ前記第１領域から当該第２半導体層の下面にわたって当該部分を貫通するように形成され、しかも、当該部分を互いに分割し合っており、
前記第２半導体層におけるキャリアのライフタイムが、前記第３領域よりも、前記第１領域および前記第２領域において、短く設定されており、且つ、前記第１領域よりも前記第２領域において、長く設定されているダイオード。
【請求項２】
前記半導体基板は、前記第２半導体層に隣接し前記下主面に露出する第３半導体層（３）を、さらに備え、
当該第３半導体層は、第２導電型であって、前記第２半導体層よりも不純物濃度が高い、請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記第２領域が前記第３領域に対して占める比率が、５０％以上である請求項１に記載のダイオード。
【請求項４】
前記第２領域が、前記上主面に平行な方向に沿って、複数の単位領域（７）に分割されている請求項１に記載のダイオード。
【請求項５】
前記上主面に平行な方向に沿って、一つがつぎの一つに順に包囲されるように、中心から外側へ向かって配列する複数の領域へと、前記第２半導体層の前記部分が分割され、前記第２領域と前記第３領域が、前記複数の領域の各々へと交互に配置されている請求項１に記載のダイオード。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、あるいは、GCT（Gate Commutated Turn-off Thyristor）などの高耐圧スイッチング素子に付随して使用されるフリーホイールダイオード、あるいは、高耐圧クランプダイオードなどに好適なダイオードに関する。
背景技術
第３６図および第３７図は、それぞれ、この発明の背景となる従来のダイオードを示す正面断面図、および、平面図である。第３６図は、第３７図のＥ−Ｅ切断線に沿った断面図である。このダイオード１５１は、シリコンを母材とする半導体基板８０を主要部として備えている。そして、半導体基板８０には、上主面から下主面へと向かって順に、Ｐ層８１、Ｎ-層８２、および、Ｎ+層８３が備わっている。
また、半導体基板８０の上主面、すなわち、Ｐ層８１の露出面には、アノード電極８４が接続され、下主面、すなわち、Ｎ+層８３の露出面には、カソード電極８５が接続されている。これらの電極８４，８５は、電気良導性の金属で構成されている。さらに、半導体基板８０には、キャリアの再結合中心としてキャリアの消滅を促進する結晶欠陥であるライフタイムキラーが導入されており、それによって、キャリアのライフタイムが制御されている。
第３８図は、半導体基板８０に導入されるライフタイムキラーの密度のプロフィールを示すグラフである。従来のダイオード１５１において、二通りのプロフィールが知られている。第３８図において曲線Ｐｒ１で表示される従来例１では、半導体基板８０の全体にわたって、均一にライフタイムキラーが導入されており、したがって、Ｎ-層８２におけるライフタイムは、一様に制御されている。
これに対して、曲線Ｐｒ２に対応する従来例２では、Ｎ-層８２の中のＰ層８１との接合面に隣接する領域にライフタイムキラーが選択的に導入されており、それによって、Ｎ-層８２の中で、Ｐ層８１との接合面に隣接する領域のライフタイムが、局部的に短く制御されている。この従来例２に相当するダイオードは、国際会議PCIM’97（International POWER CONVERSION’97 CONFERENCE NURNBERG, GERMANY June 10-12, 1997）において開示された装置である。
ダイオードに順方向に電流が流れている状態から、外部回路の切換え動作によって、逆バイアスが印加される状態へと、動作条件が瞬時に切り替えられた直後において、ダイオードには、過渡的に逆電流が流れる。第３９図は、この過渡的な状態において、従来例１，２の双方に関して、ダイオードを流れる電流の波形を示すグラフである。時刻ｔ0において、順電流ＩFが定常的に流れている状態から、逆バイアスが印加される状態へと切換えが行われると、電流は減少を開始する。電流は減少を続ける中で、やがてマイナスの値となる。すなわち、ダイオードに逆電流（マイナスの電流）が流れるようになる。
逆バイアスを印加すべく切換が行われても、Ｐ層８１とＮ-層８２の間のＰＮ接合部の近傍に残留する過剰なキャリアのために、ＰＮ接合部に空乏層が直ちには形成されない。このため、ダイオードは過渡的に導通状態となり、その結果、逆電流が流れることとなる。初期における逆電流の増加率、すなわち、第３９図において、符号di/dtで表示される電流減少率（の絶対値）は、外部回路に負荷として備わるインダクタンスの大きさによって規定される。インダクタンスが大きいほど、電流減少率di/dtは大きくなり、逆電流はそれだけ急速に増大することとなる。
逆電流が増加する過程の中で、ある時刻ｔ1において、空乏層が発生する。空乏層は、第４０図に示すように、ＰＮ接合部において形成される。この空乏層９１のフロント９２は、時間とともに、Ｎ+層８３へと向かって前進し、それにともない、空乏層９１は拡大し、やがてＮ-層８２の全体を覆うこととなる。
第３９図に戻って、空乏層９１が発生し、成長するのにともなって、アノード電極８４とカソード電極８５の間には、時刻ｔ1において逆電圧ｖが発生し、その後、逆電圧ｖは増加し、やがて、外部から印加される逆バイアスの値へと収束してゆく。すなわち、空乏層９１が成長するのにともなって、ダイオードの本来の機能である逆電圧素子能力が回復してゆく。なお、第３９図には、代表として、従来例２に関する逆電圧ｖのみが描かれている。
逆電圧ｖが増加するのにともない、逆電流は、増加の速度を緩めてゆき、やがてピークを経て、その後、減少へと転じる。電流減少率di/dtが大きいほど、ピークは大きくなる。このピークの値は、逆回復電流Ｉrrと称され、ダイオードにおける逆回復特性を評価するパラメータの一つとされている。逆電流は、減少を続けながら、０へと収束して行く。このようにして、過渡状態すなわち逆回復動作は終息し、逆電圧ｖが逆バイアスに等しく、逆電流が流れない定常状態が実現する。
逆回復特性を評価するパラメータとして、上記した逆回復電流Ｉrrの他に、逆回復電流の減衰の早さ、di/dt耐量、および、逆回復損失が知られている。逆回復電流の減衰の早さは、第３９図のグラフにおいて、逆電流がピークを経た後に、０へと収束する早さとして規定される。di/dt耐量は、ダイオードに損傷を生じることなく付与することのできる電流減少率di/dtの最大値である。また、逆回復損失は、逆回復動作の過程で、ダイオードに生じる損失の大きさである。
逆回復電流Ｉrrが小さいほど、より大きな電流減少率di/dtに耐えることができる。したがって、逆回復電流Ｉrrと電流減少率di/dtとの間には、単純な関係が成立する。また、逆回復損失は、第３９図のグラフにおいて、逆電流と逆電圧ｖの積の時間積分に相当する。したがって、逆回復電流Ｉrrが小さいほど、また、逆回復電流の減衰が早いほど、逆回復損失は小さくなる。言うまでもなく、逆回復電流Ｉrrは小さいほど望ましく、逆回復電流の減衰は早いほど望ましく、di/dt耐量は高いほど望ましい。また、逆回復損失は小さいほど望ましい。
ところで、従来例１のダイオードでは、半導体基板８０の全体にわたってライフタイムキラーが導入されているために、第３９図の曲線Ｐｒ１が示すように、逆回復電流の減衰は早く、そのために、逆回復損失は小さいという利点がある。しかしながら、逆回復電流Ｉrrが大きく、その結果、di/dt耐量が低いという問題点があった。これに加えて、順方向特性を評価する重要なパラメータである順電圧が高いという問題点があった。
他方の従来例２のダイオードでは、ライフタイムキラーは、ＰＮ接合の近傍において局部的に、従来例１よりも高い密度で導入されている。それによって、ＰＮ接合の近傍におけるキャリアのライフタイムが短く制御されているために、ＰＮ接合の近傍における過剰キャリアの再結合が速やかに行われる。このため、空乏層９１の形成が促進されるので、第３９図の曲線Ｐｒ２が示すように、逆回復電流Ｉrrが小さく、その結果、di/dt耐量が高いという利点が得られる。
さらに、Ｎ-層８２の中で、ＰＮ接合の近傍を除いた領域では、ライフタイムキラーが導入されないので、順電圧も低くなる。すなわち、従来例２のダイオードでは、di/dt耐量だけでなく、順方向特性においても、従来例１に対して改善が加えられている。
しかしながら、Ｎ-層８２の中で、ＰＮ接合の近傍を除いた領域では、ライフタイムキラーが導入されないために、逆回復動作の中で、空乏層９１が発生した後において、空乏層９１の成長が遅くなる。このため、従来例２のダイオードでは、第３９図の曲線Ｐｒ２が示すように、逆回復電流の減衰が遅く、その結果、逆回復損失が大きいという、別の問題点が存在していた。
さらに、以下に述べるように、従来例１，２の双方を通じて、逆回復動作の最終段階において、発振が現れ易いという共通の問題点があった。この発振は、第３９図に示すように、発振領域Ｏscにおける逆電圧ｖの振動として現れる。第３９図では、逆電庄ｖは従来例２についてのみ描かれるが、発振は従来例１の方において、さらに顕著に現れる。
逆回復動作の過程で、時刻ｔ1を経過すると、第４０図に示したように、空乏層９１が発生し、その後成長する。このとき、ダイオード１５１は、第４１図に示すように、空乏層９１を挟んで一対の電極が対向するコンデンサと、空乏層９１におけるリーク抵抗との直列回路で、等価的に表現することができる。したがって、逆回復動作の過程では、コンデンサのキャパシタンスＣ、リーク抵抗に相当する抵抗Ｒ、および、外部回路に存在するインダクタンスＬの組み合わせによって、直列共振回路が等価的に構成されることとなる。第４１図には、この共振回路のＱ値が、数式で表現されている。Ｑ値が低い間は、発振現象は起こらない。
キャパシタンスＣは、空乏層９１の厚さと、過剰キャリアの密度とによって規定され、抵抗Ｒは、空乏層９１におけるリーク電流と、過剰キャリアの再結合電流とによって規定される。その結果、空乏層９１が拡大するのにともなって、コンデンサＣと抵抗Ｒは、第４２図のグラフに示すような波形を描いて変化する。すなわち、キャパシタンスＣは、空乏層９１の発生とともに発生し、その後増加するが、やがてピークを描いて減少へと転じる。その後、キャパシタンスＣは、定常値としての０へと収束する。一方、抵抗Ｒは、空乏層９１の発生とともに発生し、その後、増加の一途を辿り、特に逆回復動作の最終段階では、急速に上昇する。
第４１図に示されたように、Ｑ値は、抵抗ＲおよびキャパシタンスＣが大きいほど小さい。したがって、逆回復動作の最終段階において、キャパシタンスＣが０へと収束するときに、抵抗Ｒがそれに見合って十分に大きくない場合には、Ｑ値は大きな値となり、電圧の振動が引き起こされる。このような機構にもとづいて、従来例１，２のダイオードでは、いずれも、逆回復動作の最終段階において電圧振動が発生し易いという問題点があった。発振は、順電流が小さく、逆回復電流Ｉrrが大きいときに、特に発生し易い。電圧振動が発生すると、ダイオードは、その周辺回路に対して、ノイズ源となる。
このように、従来のダイオードにおいては、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧を、同時に実現することが困難であるという問題点があった。さらに、逆回復動作のある段階において、電圧振動が発生し易いという問題点があった。
発明の開示
本発明は、上記のような問題点を解決し、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧を、同時に実現するとともに、電圧振動の発生を抑えることを目的とする。
本発明に係るダイオードの第１の態様は、上主面と下主面とを規定する半導体基板と、前記上主面に接続された第１主電極と、前記下主面に接続された第２主電極と、を備えている。そして、前記半導体基板は、前記上主面から前記下主面へ向かって順に積層する第１および第２半導体層を備えている。
また、前記第１半導体層は、第１導電型であって、前記上主面に露出し、前記第２半導体層は、第２導電型であって、前記第１半導体層との間にＰＮ接合を形成し、しかも、前記第２半導体層は、第１、第２、および、第３領域に分割されている。
さらに、前記第１領域は、前記第１半導体層に面しており、前記第２領域と前記第３領域は、前記第２半導体層の中で、前記第１領域に隣接し前記下主面に近い部分を占め、しかも、当該部分を前記上主面に平行な方向に沿って、互いに分割し合っており、前記第２半導体層におけるキャリアのライフタイムが、前記第３領域よりも、前記第１領域および前記第２領域において、短く設定されている。
本発明に係るダイオードの第２の態様では、第１の態様において、前記半導体基板が、前記第２半導体層に隣接し前記下主面に露出する第３半導体層（３）を、さらに備え、当該第３半導体層は、第２導電型であって、前記第２半導体層よりも不純物濃度が高く設定されている。
本発明に係るダイオードの第３の態様では、第１の態様において、前記ライフタイムが、前記第１領域よりも前記第２領域において、長く設定されている。
本発明に係るダイオードの第４の態様では、第１の態様において、前記第２領域が前記第３領域に対して占める比率が、５０％以上である。
本発明に係るダイオードの第５の態様では、第１の態様において、前記第２領域が、前記上主面に平行な方向に沿って、複数の単位領域に分割されている。
本発明に係るダイオードの第６の態様では、第１の態様において、前記上主面に平行な方向に沿って、一つがつぎの一つに順に包囲されるように、中心から外側へ向かって配列する複数の領域へと、前記第２半導体層の前記部分が分割され、前記第２領域と前記第３領域が、前記複数の領域の各々へと交互に配置されている。
本発明に係るダイオードの第７の態様は、上主面と下主面とを規定する半導体基板と、前記上主面に接続された第１主電極と、前記下主面に接続された第２主電極と、を備えている。そして、前記半導体基板は、前記上主面から前記下主面へ向かって順に積層する第１、第２、および、第３半導体層を備えている。
また、前記第１半導体層は、第１導電型であって、前記上主面に露出し、前記第２半導体層は、第２導電型であって、前記第１半導体層との間にＰＮ接合を形成し、前記第３半導体層は、第２導電型であって、前記第２半導体層よりも不純物濃度が高く、しかも、前記下主面に露出し、前記第２半導体層は、前記第１半導体層から前記第３半導体層へ向かって順に、第１、第２、および、第３領域へと分割されている。
さらに、前記第２半導体層と前記第３半導体層との境界面が、前記下主面へ向かって後退した部分を含み、それによって、前記第３半導体層が、厚い部分と薄い部分とを含んでおり、前記第２半導体層におけるキャリアのライフタイムが、前記第３領域よりも前記第２領域において短く設定され、当該第２領域よりも前記第１領域において短く設定されている。
本発明に係るダイオードの第８の態様では、第７の態様において、前記下主面の中で、前記薄い部分が投影された領域が占める面積の比率が、５０％以下に設定されている。
本発明に係るダイオードの第９の態様では、第７の態様において、前記薄い部分が、前記下主面に沿って等間隔で均一に配列する複数部分に分割されている。
本発明に係るダイオードの第１０の態様では、第７の態様において、前記複数部分の各々の前記下主面に沿った最大径が、５０μm以下に設定されている。
本発明に係るダイオードの第１１の態様では、第７の態様において、前記第２領域と前記第３領域との間の境界から前記下主面までの距離は、前記厚い部分の厚さよりも、小さく設定されている。
本発明に係るダイオードの第１２の態様は、上主面と下主面とを規定する半導体基板と、前記上主面に接続された第１主電極と、前記下主面に接続された第２主電極と、を備えている。そして、前記半導体基板は、前記上主面から前記下主面へ向かって順に積層する第１、第２、および、第３半導体層を備えている。
また、前記第１半導体層は、第１導電型であって、前記上主面に露出し、前記第２半導体層は、第２導電型であって、前記第１半導体層との間にＰＮ接合を形成し、前記第３半導体層は、第２導電型であって、前記第２半導体層よりも不純物濃度が高く、しかも、前記下主面に露出し、前記第２半導体層は、前記第１半導体層から前記第３半導体層へ向かって順に、第１、第２、および、第３領域へと分割されている。
さらに、前記第１半導体層と前記第２半導体層との境界面が、前記上主面へ向かって後退した部分を含み、それによって、前記第１半導体層が、厚い部分と薄い部分とを含んでおり、前記第２半導体層におけるキャリアのライフタイムが、前記第３領域よりも前記第２領域において短く設定され、当該第２領域よりも前記第１領域において短く設定されている。
本発明に係るダイオードの第１３の態様では、第１２の態様において、前記上主面の中で、前記薄い部分が投影された領域が占める面積の比率が、５０％以下に設定されている。
本発明に係るダイオードの第１４の態様では、第１２の態様において、前記薄い部分が、前記下主面に沿って等間隔で均一に配列する複数部分に分割されている。
本発明に係るダイオードの第１５の態様では、第１２の態様において、前記複数部分の各々の前記上主面に沿った最大径が、５０μm以下に設定されている。
本発明に係るダイオードの第１６の態様では、第１２の態様において、前記第１領域と前記第２領域との間の境界から前記上主面までの距離は、前記厚い部分の厚さよりも、大きく設定されている。
本発明に係るダイオードの第１７の態様では、第１２の態様において、前記第２半導体層と前記第３半導体層との境界面が、前記下主面へ向かって後退した部分を含み、それによって、前記第３半導体層が、厚い部分と薄い部分とを含んでいる。
本発明に係るダイオードの第１の態様によれば、第１半導体層に隣接する第１領域においてライフタイムが短く設定されているので、逆回復電流が低く抑えられる。また、ライフタイムが短く設定された第２領域のために、逆回復電流の減衰が促進される。さらに、ライフタイムが長く設定された第３領域のために、順電圧は比較的低い値に維持される。すなわち、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧が、同時に実現する。また、逆電流は、ライフタイムの短い第２領域よりもライフタイムの長い第３領域に集中し易いので、逆回復動作の最終段階において、キャリアの消滅が起こり難い。その結果、発振が効果的に抑制される。
本発明に係るダイオードの第２の態様によれば、第３半導体層が備わるので、半導体基板を薄くしつつ、パンチスルーを抑えて、耐圧を高めることができる。
本発明に係るダイオードの第３の態様によれば、第２領域のライフタイムが、第１領域よりも長く設定されているので、順電圧がさらに低く抑えられる。
本発明に係るダイオードの第４の態様によれば、第２領域が第３領域に対して占める比率が、５０％以上であるので、逆回復損失がより効果的に低く抑えられる。
本発明に係るダイオードの第５の態様によれば、第２領域が、上主面に平行な方向に沿って、複数の単位領域に分割されているので、半導体基板に発生する損失熱が効果的に分散する。すなわち、損失熱の均一性が高められる。
本発明に係るダイオードの第６の態様によれば、第２領域と第３領域とが、内側から外側へ向かって配列する複数の領域の各々に、交互に配置されているので、損失熱の分布に偏りがなく、その結果、均一性が高められる。また、複数の領域が３個以上の領域であって、第２領域と第３領域の少なくともいずれかが、分割して配置されるときには、損失熱の分散が促進され、損失熱の均一性がさらに高められる。
本発明に係るダイオードの第７の態様によれば、第１半導体層に隣接する第１領域においてライフタイムが短く設定されているので、逆回復電流が低く抑えられる。また、ライフタイムが短く設定された第２領域のために、逆回復電流の減衰が促進される。さらに、第２領域のライフタイムは、第１領域よりも長く設定されているので、順電圧は比較的低い値に維持される。すなわち、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧が、同時に実現する。また、第２半導体層と第３半導体層との境界面が、半導体基板の下主面へ向かって後退した部分が存在するので、この部分において、逆回復動作の最終段階において、キャリアの消滅が起こり難い。その結果、発振が効果的に抑制される。
本発明に係るダイオードの第８の態様によれば、半導体基板の下主面の中で、第３半導体層の薄い部分が投影された領域が占める面積の比率が、５０％以下に設定されているので、順電圧がより効果的に低く抑えられる。
本発明に係るダイオードの第９の態様によれば、第３半導体層の薄い部分が、半導体基板の下主面に沿って等間隔で均一に配列する複数部分に分割されているので、逆電流の集中を緩和し、局所的な損失の増大に起因する素子能力の低下を防ぐことができる。
本発明に係るダイオードの第１０の態様によれば、複数部分に分割された第３半導体層の薄い部分の各々の最大径が、５０μm以下に設定されているので、逆電圧が印加されたときの定常状態において流れるリーク電流が、効果的に抑えられる。
本発明に係るダイオードの第１１の態様によれば、第２領域と第３領域との間の境界から半導体基板の下主面までの距離が、第３半導体層の厚い部分の厚さよりも、小さく設定されているので、逆回復損失がさらに低く抑えられる。
本発明に係るダイオードの第１２の態様によれば、第１半導体層と第２半導体層の間に形成されるＰＮ接合面に凹凸が設けられるので、ＰＮ接合面の面積が大きく、順電圧が低く抑えられる。また、第１半導体層に隣接する第１領域においてライフタイムが短く設定されているので、ＰＮ接合面の凹凸に起因する逆回復電流の増加が緩和される。また、ライフタイムが短く設定された第２領域のために、逆回復電流の減衰が促進される。すなわち、di/dt耐量および逆回復損失の増大を緩和ないし抑制しつつ、低い順電圧を実現することができる。
本発明に係るダイオードの第１３の態様によれば、半導体基板の上主面の中で、第１半導体層の薄い部分が投影された領域が占める面積の比率が、５０％以下に設定されているので、逆電圧が印加されたときの定常状態において流れるリーク電流が、効果的に抑えられる。
本発明に係るダイオードの第１４の態様によれば、第１半導体層の薄い部分が、半導体基板の上主面に沿って等間隔で均一に配列する複数部分に分割されているので、逆電流の集中を緩和し、局所的な損失の増大に起因する素子能力の低下を防ぐことができる。
本発明に係るダイオードの第１５の態様によれば、複数部分に分割された第１半導体層の薄い部分の各々の最大径が、５０μm以下に設定されているので、逆電圧が印加されたときの定常状態において流れるリーク電流が、効果的に抑えられる。
本発明に係るダイオードの第１６の態様によれば、第１領域と第２領域との間の境界から半導体基板の上主面までの距離が、第１半導体層の厚い部分の厚さよりも、大きく設定されているので、ＰＮ接合面に凹凸が設けられたことに起因するdi/dt耐量の増加が、より効果的に抑えられる。
本発明に係るダイオードの第１７の態様によれば、第６の態様と第１１の態様のそれぞれの特徴が、兼ね備わっているので、di/dt耐量、逆回復電流の減衰の早さ、順電圧、および、発振の抑制効果において、それぞれの平均的な特性が得られる。それにより、設計における選択の幅を拡大することができる。
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、実施の形態１のダイオードの正面断面図である。
第２図は、実施の形態１のダイオードの平面断面図である。
第３図は、実施の形態１のライフタイムキラー密度のプロフィールを示すグラフである。
第４図は、実施の形態１の逆回復動作を示すグラフである。
第５図は、実施の形態１の逆回復動作を示すグラフである。
第６図は、実施の形態１のシミュレーションの結果を示すグラフである。
第７図は、実施の形態１の変形例を示す正面断面図である。
第８図は、実施の形態１の変形例を示す平面断面図である。
第９図は、実施の形態１の別の変形例を示す正面断面図である。
第１０図は、実施の形態１の別の変形例を示す平面断面図である。
第１１図は、実施の形態１のさらに別の変形例を示す正面断面図である。
第１２図は、実施の形態１のさらに別の変形例を示す平面断面図である。
第１３図は、実施の形態１のさらに別の変形例を示す正面断面図である。
第１４図は、実施の形態１のさらに別の変形例を示す平面断面図である。
第１５図は、実施の形態２のダイオードの正面断面図である。
第１６図は、実施の形態２のダイオードの平面断面図である。
第１７図は、実施の形態２のライフタイムキラー密度のプロフィールを示すグラフである。
第１８図は、実施の形態２の逆回復動作を示すグラフである。
第１９図は、実施の形態２のダイオードの部分拡大断面図である。
第２０図は、実施の形態２のシミュレーションの結果を示すグラフである。
第２１図は、実施の形態２のシミュレーションの結果を示すグラフである。
第２２図は、実施の形態２の変形例を示す部分拡大断面図である。
第２３図は、実施の形態２の別の変形例を部分拡大断面図である。
第２４図は、実施の形態２の別の変形例の逆回復動作を示すグラフである。
第２５図は、実施の形態３のダイオードの正面断面図である。
第２６図は、実施の形態３のダイオードの平面断面図である。
第２７図は、実施の形態３のライフタイムキラー密度のプロフィールを示すグラフである。
第２８図は、実施の形態３の逆回復動作を示すグラフである。
第２９図は、実施の形態３のダイオードの部分拡大断面図である。
第３０図は、実施の形態３のシミュレーションの結果を示すグラフである。
第３１図は、実施の形態３のシミュレーションの結果を示すグラフである。
第３２図は、実施の形態３の変形例を示す部分拡大断面図である。
第３３図は、実施の形態１〜３の特性の良否を示す説明図である。
第３４図は、実施の形態４のダイオードの正面断面図である。
第３５図は、変形例のライフタイムキラー密度のプロフィールを示すグラフである。
第３６図は、従来技術のダイオードの正面断面図である。
第３７図は、従来技術のダイオードの平面図である。
第３８図は、従来技術のライフタイムキラー密度のプロフィールを示すグラフである。
第３９図は、従来技術の逆回復動作を示すグラフである。
第４０図は、従来技術の逆回復動作を説明する正面断面図である。
第４１図は、従来技術の逆回復動作を説明する回路図である。
第４２図は、従来技術の逆回復動作を示すグラフである。
発明を実施するための最良の形態
＜1.実施の形態１＞
はじめに、実施の形態１のダイオードについて説明する。
＜1-1.装置の構成＞
第１図および第２図は、それぞれ、実施の形態１のダイオードを示す正面断面図、および、平面断面図である。第１図の切断面は、第２図のＢ−Ｂ切断線に沿っており、第２図の切断面は、第１図のＡ−Ａ切断線に沿っている。このダイオード１１０は、主要な部材として、ダイオード素子１０１を備えている。ダイオード素子１０１には、半導体基板２０、アノード電極（第１主電極）４、および、カソード電極（第２主電極）５が備わっている。
半導体基板２０は、上主面および下主面を規定する平板形状をなし、例えばシリコンを母材としている。半導体基板２０には、上主面から下主面へと向かって順に、Ｐ層（第１半導体層）１、Ｎ-層（第２半導体層）２１、および、Ｎ+層（第３半導体層）３が備わっている。Ｐ層１は、Ｐ型導電型（第１導電型）であり、Ｎ-層２１およびＮ+層３は、Ｎ型導電型（第２導電型）である。また、不純物濃度は、Ｎ-層２１よりもＮ+層３において、高く設定されている。
これらのＰ層１、Ｎ-層２１、および、Ｎ+層３は、いずれも平板状であり、互いに一体的に積層することによって、半導体基板２０を構成している。そして、アノード電極４は、上主面、すなわち、Ｐ層１の露出面に接続され、カソード電極５は、下主面、すなわち、Ｎ+層３の露出面に接続されている。これらの電極４，５は、電気良導性の金属で構成されている。
さらに、半導体基板２０には、ライフタイムキラーが選択的に導入されており、それによって、キャリアのライフタイムが制御されている。その結果、Ｎ-層２１には、ライフタイムが短い第１領域６と第２領域７、および、それら以外の領域でありライフタイムが長い第３領域２が規定されている。
第１領域６は、Ｎ-層２１の中で、ＰＮ接合の近傍の領域を占めている。すなわち、第１領域６は、Ｐ層１に面してＰＮ接合を形成し、Ｎ+層３から離れた層状の領域として規定される。Ｎ-層２１の中で、第１領域６を除いた部分、すなわち、Ｎ+層３に面し、Ｐ層１には面しない部分を、互いに分割し合うように、第２領域７と第３領域２とが規定されている。
第２領域７と第３領域２の各々は、第１領域６からＮ+層３にわたって上記した部分を貫通するように、同一の平面断面形状を有する柱状に形成されている。第２領域７の平面形状、言い換えると半導体基板２０の主面（上主面と下主面とを単に「主面」と総称する）に投影された第２領域７の形状は、第１図および第２図の例では、Ｎ-層２１の外周端面に沿った環状である。そして、第３領域２は、環状体の第２領域７に包囲された円柱状の領域として規定されている。
アノード電極４とカソード電極５には、それぞれ、平板状の熱緩衝板１０、８が接触しており、これらの熱緩衝板１０、８には、さらにアノードポスト電極１１およびカソードポスト電極９が接触している。ダイオード１１０を使用する際には、ダイオード素子１０１は、熱緩衝板１０、８を介して、アノードポスト電極１１およびカソードポスト電極９によって押圧され、それによって良好な電気的および熱的な接触が実現する。
ポスト電極１１，９は、例えば銅材を母材とする電気良導性および電気良導性の金属で構成され、熱緩衝板１０，８は、熱膨張率がポスト電極１１，９とダイオード素子１０１（主として半導体基板２０）との中間の大きさである金属で構成される。それによって、ポスト電極１１，９とダイオード素子１０１との間に発生する熱歪が緩和され、電気的および熱的な接触が良好に保たれる。
第３図は、半導体基板２０に導入されているライフタイムキラーの密度のプロフィールを示すグラフである。このグラフには、第３領域２を貫通する垂直な切断線Ｘ１−Ｘ１、および、第２領域７を貫通する垂直な切断線Ｘ２−Ｘ２の双方に沿ったプロフィールが、同時に描かれている。
切断線Ｘ１−Ｘ１に沿ったプロフィールは、第３８図に示した従来例２に関する曲線Ｐｒ２と同等の曲線で描かれる。すなわち、ライフタイムキラーの密度は、ＰＮ接合面をも含めて、第１領域６において選択的に高くなっている。Ｐ層１における密度も高くなっているが、これは、第１領域６のＰＮ接合面の上での密度を高くする必要があるために、ライフタイムキラーを選択的に導入する技術上、第１領域６に隣接するＰ層１においても付随的に密度が高くなることに起因する。
導電型がｎ型として共通し、しかも、ｎ型不純物の濃度も均等であるＮ-層２１の中では、ライフタイムのプロフィールは、ライフタイムキラーの密度のプロフィールに対応する。すなわち、ライフタイムキラーの密度が高いほど、ライフタイムは短くなる。第３領域２では、ライフタイムキラーは実質的に導入されない。すなわち、第３領域２の実質的な部分では、Ｎ-層２１の本来のライフタイムτ0が実現する。これに対して、第１領域６のライフタイムは、ライフタイムτ0よりも短くなっており、ＰＮ接合面におけるライフタイムτ1も、ライフタイムτ0より短く設定されている。
切断線Ｘ２−Ｘ２に沿ったプロフィールが示すように、第２領域７にも、ライフタイムキラーは導入されている。すなわち、第２領域７のライフタイムは、ライフタイムτ0よりも短く設定されている。好ましくは、第３図のグラフが示すように、第２領域７におけるライフタイムキラーの密度は、第１領域６における密度よりも低く設定される。すなわち、Ｎ-層２１の中の３個の領域の間でのライフタイムの関係は、望ましくは、つぎの数式１で与えられる。
（第１領域６）＜（第２領域７）＜（第３領域２）  ・・・・（数式１）
第２領域７のライフタイムが第１領域６よりも長く設定されるのは、第３領域２を流れる順電流の密度が、過度に高くならないようにして、順電圧の上昇を抑えるためである。
ライフタイムキラーを選択的に導入するには、例えば、金、白金などの重金属を所定の領域へ選択的に拡散させるとよい。あるいは、電子線などの放射線を所定の領域へ選択的に照射してもよい。特に、第２領域７へライフタイムキラーを選択的に導入するためには、電子線を第２領域７へと選択的に照射するのが望ましい。選択的な照射を行うには、第２領域７の平面形状に対応したパターン形状を有するマスクを用いると良い。
＜1-2.装置の動作＞
第４図は、第１図〜第３図に示した実施の形態１のダイオードの逆回復動作を示すグラフである。このグラフにおいて、曲線Ｅｍ１が、実施の形態１のダイオードの電流波形を表している。また、比較のために、従来例２のダイオードに関する曲線Ｐｒ２も重ねて描かれている。さらに、実施の形態１のダイオードの逆電圧ｖの波形が、点線で描かれている。
実施の形態１のダイオードにおいても、逆回復動作の基本的な流れは従来例１，２と同様である。すなわち、時刻ｔ0において、順電流ＩFが定常的に流れている状態から、逆バイアスが印加される状態へと切換えが行われると、電流がマイナス方向へと減少し、その結果、逆電流が流れる。逆電流が増加する過程の中で、時刻ｔ1において、空乏層がＰＮ接合面に発生し、その後成長し、やがてＮ-層２１の全体を覆うこととなる。それにともなって、時刻ｔ1において逆電圧ｖが発生し、その後、逆電圧ｖは増加し、やがて、外部から印加される逆バイアスの値へと収束してゆく。
また、逆電圧ｖが増加するのにともない、逆電流は、増加の速度を緩めてゆき、やがてピークを経て、その後、減少へと転じる。逆電流は、減少を続けながら、０へと収束して行く。このようにして、過渡状態すなわち逆回復動作は終息し、逆電圧ｖが逆バイアスに等しく、逆電流が流れない定常状態が実現する。以上のように、逆回復動作の基本的な流れは従来例１，２と同様であるが、実施の形態１のダイオードでは、第１領域６と第２領域７におけるキャリアのライフタイムが短く設定されているので、その逆回復特性において、以下のような特徴が現れる。
すなわち、第１領域６においてライフタイムが短く設定されているために、逆回復電流Ｉrrが、従来例２と略同等に低く抑えられる。さらに、ライフタイムが短く設定された第２領域７が存在するために、空乏層が第１領域６を超えて拡大してゆく過程においても、残留キャリアの再結合が促進される。このため、第４図の曲線Ｅｍ１が示すように、従来例２に比べて、逆回復電流の減衰が促進される。その結果、逆回復損失が、従来例２に比べて小さい値へと抑えられる。
半導体基板２０の主面に投影された第２領域７の面積の、同じく主面に投影された第３領域２の面積に対する割合として、定義される第２領域７の面積率が高いほど、逆回復損失は小さくなる。第６図は、この関係について、シミュレーションにもとづいて得られたグラフである。このグラフから、第２領域７の面積率が、５０％を超えたときに、逆回復損失の低減効果が顕著に現れることが理解される。したがって、第２領域７の面積率は、５０％以上の大きさに設定されるのが望ましい。
さらに、逆電流は、ライフタイムが短い第２領域７よりもライフタイムの長い第３領域２に集中し易くなるので、第３領域２を流れる逆電流の密度が、第２領域７がないときに比べて高くなる。このため、逆回復動作の最終段階において、キャリアが消滅し難くなる。その結果、第５図に示すように、半導体基板２０に等価的に形成されるキャパシタンスＣ（Ｅｍ１）が、逆回復動作の最終段階においては、従来例２のキャパシタンスＣ（Ｐｒ２）に比べて、逆転して高くなり、より長い期間にわたって有限の値を保つこととなる。
したがって、半導体基板２０に等価的に形成される抵抗Ｒ（Ｅｍ１）が、従来例２の抵抗Ｒ（Ｐｒ２）に比べて高いことと相俟って、逆回復動作の最終段階において、実施の形態１のダイオードのＱ値が、従来例２に比べて、低く抑えられる。その結果、逆回復動作の最終段階においても、発振が抑えられ、第４図の曲線ｖ（Ｅｍ１）が示すように、逆電圧は大きく振動することなく低常値へと、滑らかに収束する。
また、第３領域２を流れる逆電流の密度が、第２領域７がないときに比べて高いために、第４図の曲線Ｅｍ１が示したように、逆回復電流Ｉrrは、従来例２に比べて、幾分大きくなる。しかしながら、従来例２に比べて、di/dt耐量を、無視できない程度に引き下げるほどの影響はなく、di/dt耐量は従来例２と略同等の高さに維持される。
さらに、逆電流だけでなく、順電流に関しても、第３領域２における電流密度が、第２領域７がないときに比べて高くなるために、順電圧は従来例２に比べて幾分高い値となる。しかしながら、第２領域７の面積率を過度に高くしない限り、順電圧として、従来例１に比べて十分に低い値を得ることができる。
以上のように、実施の形態１のダイオードでは、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧が同時に実現する。さらに、逆回復動作の過程において、電圧振動の発生が抑えられる。
また、既述のように、第３領域２と第２領域７の平面形状（半導体基板２０の主面へ投影された形状）は、主面の中心に対して対称であり、しかも、円形の第３領域２を環状の第２領域７が包囲するように形成されている。このため、順電流および逆電流によって生じる損失熱の分布に偏りがなく、しかも、損失熱が、ダイオード素子１０１から、その外部のポスト電極１１，９等へと、効果的に分散される。
さらに、アノード電極４およびカソード電極５が、半導体基板２０の主面の中で、第２領域７が投影される部分をも含むように、主面の略全体を覆うように形成されている。このため、半導体基板２０の中で発生する損失熱が、ダイオード素子１０１から、その外部のポスト電極１１，９等へと、さらに効果的に分散される。
＜1-3.第２領域の平面形状に関する変形例＞
第７図〜第１４図は、第２領域７の平面形状に関する様々な変形例を示している。第７図、第９図、第１１図、および、第１３図は、それぞれ、第８図、第１０図、第１２図、および、第１４図のＢ−Ｂ切断線に沿った断面図である。また、第８図、第１０図、第１２図、および、第１４図は、それぞれ、第７図、第９図、第１１図、および、第１３図のＡ−Ａ切断線に沿った断面図である。
第７図と第８図に示されるダイオード素子１０１ａでは、第２領域７は、それぞれの平面形状が円形である複数個（図では５個）の単位領域に分割され、しかも、半導体基板２０の中心に対して対称に配置されている。また、第９図と第１０図に示されるダイオード素子１０１ｂでは、第２領域７の平面形状は円形であり、第３領域２の平面形状は第２領域７を包囲する環状に規定されている。すなわち、第１図および第２図に示されたダイオード素子１０１とは、あたかも、第２領域７と第３領域２との配置が逆になっている。
第１１図と第１２図に示されるダイオード素子１０１ｃでは、主面の中心から外側へと向かって順に、同心円を境界とするように、第２領域７、第３領域２、および、第２領域７が配置されている。また、第１３図と第１４図に示されるダイオード素子１０１ｄでは、主面の中心から外側へと向かって順に、同心円を境界とするように、第３領域２、第２領域７、第３領域２、および、第２領域７が配置されている。
ダイオード素子１０１、１０１ｂ〜１０１ｄは、主面の中心から外側へと向かって順に、同心円を境界とするように、第２領域７と第３領域２とが交互に配置されている点で共通している。そして、電流および逆電流による損失熱の分布に偏りがなく、しかも、損失熱が、ダイオード素子から、その外部のポスト電極１１，９等へと、効果的に分散される点も共通する。
第２領域７または第１領域６が複数の領域に分割されるほど、損失熱は、より効果的に分散する。すなわち、損失熱の均一性は、より一層高められる。したがって、例えば、ダイオード素子１０１よりはダイオード素子１０１ｄの方が、損失熱の均一性の点では、より優れている。また、ダイオード素子１０１ａでは、主面の中心に対する対称性の点では、ダイオード素子１０１等に劣るが、第２領域７が分割配置されているために、損失熱の均一性は、なお良好である。
＜2.実施の形態２＞
つぎに実施の形態２のダイオードについて説明する。
＜2-1.装置の構成＞
第１５図および第１６図は、それぞれ、実施の形態２のダイオードの主要部をなすダイオード素子を示す正面断面図、および、平面断面図である。第１５図の切断面は、第１６図のＢ−Ｂ切断線に沿っており、第１６図の切断面は、第１５図のＣ−Ｃ切断線に沿っている。このダイオード素子１０２にも、ダイオード素子１０１と同様に、半導体基板２０、アノード電極４、および、カソード電極５が備わっている。
また、半導体基板２０には、上主面から下主面へと向かって順に、Ｐ層１、Ｎ-層２１、および、Ｎ+層３が備わっている。しかしながら、ダイオード素子１０１とは異なり、Ｎ-層２１とＮ+層３の境界面は、平面ではなく、凹凸を有している。すなわち、Ｎ+層３とＮ-層２１との境界面は、複数の部位３０において、Ｎ+層３の側（すなわち、半導体基板２０の下主面の方向に）へと後退している。
それにともなって、Ｎ+層３には、厚い部分３３と薄い部分３４とが備わっている。Ｎ-層２１は、逆に、薄い部分３４に接する部分において突出し、厚い部分３３に接する部分では後退する。薄い部分３４の平面形状、すなわち、半導体基板２０の主面に投影された形状は、望ましくは、第１６図に示すように円形である。また、薄い部分３４は、第１６図に示されるように、互いに同一の平面形状に設定され、しかも、半導体基板２０の下主面に沿って、均一に分布するように、等間隔で配列されるのが望ましい。
ダイオード素子１０２においても、半導体基板２０には、ライフタイムキラーが選択的に導入されており、それによって、キャリアのライフタイムが制御されている。その結果、Ｎ-層２１には、ライフタイムが異なる３つの領域、すなわち、第１領域６、第２領域３１、および、第３領域３２が規定されている。
第１領域６は、実施の形態１の第１領域６と同等に、Ｎ-層２１の中で、ＰＮ接合の近傍の領域を占めている。すなわち、第１領域６は、Ｎ-層２１の中で、Ｎ-層２１とＰ層１との間のＰＮ接合に面し、Ｎ+層３から離れた層状の領域として規定される。
第２領域３１は、第１領域６のＰＮ接合面とは反対側に隣接する領域として規定される。さらに、第３領域３２は、第２領域３１の第１領域６との境界面とは反対側に隣接し、さらに、Ｎ+層３に接している。すなわち、第１領域６、第２領域３１、および、第３領域３２は、この順に、Ｐ層１とのＰＮ接合面からＮ+層３との境界面へと向かって、互いに一体的に積層している。
第１５図および第１６図に示す例では、第２領域３１と第３領域３２との間の境界面は、厚い部分３３の先端から、Ｐ層１の方へ離れた位置に設定されている。したがって、３つの領域６，３１，３３の中で、Ｎ+層３に接触するのは第３領域３２に限られている。
第１７図は、半導体基板２０に導入されているライフタイムキラーの密度のプロフィールを示すグラフである。このグラフには、薄い部分３４を貫通する垂直な切断線Ｘ３−Ｘ３に沿ったプロフィールが描かれている。ライフタイムキラーの密度は、ＰＮ接合面をも含めて、第１領域６において選択的に高くなっている。Ｐ層１における密度も高くなっている理由は、実施の形態１で説明した通りである。
ライフタイムキラーは、第２領域３１にも導入されている。ただし、第２領域３１におけるライフタイムキラーの密度は、第１領域６よりも低く設定される。第３領域２では、ライフタイムキラーは実質的に導入されない。既述のように、Ｎ-層２１の中では、ライフタイムのプロフィールは、ライフタイムキラーの密度のプロフィールに対応する。したがって、Ｎ-層２１の中の３個の領域の間でのライフタイムの関係は、つぎの数式２で与えられる。
（第１領域６）＜（第２領域３１）＜（第３領域３２）  ・・・・（数式２）
ライフタイムキラーが導入されない第３領域３２の実質的な部分では、Ｎ-層２１の本来のライフタイムτ0が実現する。これに対して、第１領域６では、ライフタイムはライフタイムτ0よりも短くなっており、ＰＮ接合面におけるライフタイムτ1も、ライフタイムτ0より短く設定されている。
ライフタイムキラーの選択的な導入は、実施の形態１と同様の方法で遂行可能である。ただし、半導体基板２０の主面に沿った方向のライフタイムキラーの分布は一様であるので、実施の形態１とは異なり、マスクパターンを用いる必要はない。
特に、第２領域３１へのライフタイムキラーの導入には、局所ライフタイム制御技術を適用するのが望ましい。この技術では、加速された軽イオンなどの荷電粒子が、半導体基板２０へ照射される。その結果、加速エネルギーで定まる荷電粒子の飛程の付近に、ライフタイムキラーが局所的に導入される。
＜2-2.装置の動作＞
第１８図は、第１５図〜第１７図に示した実施の形態２のダイオードの逆回復動作を示すグラフである。このグラフにおいて、曲線Ｅｍ２が、実施の形態２のダイオードの電流波形を表している。また、比較のために、従来例２のダイオードに関する曲線Ｐｒ２も重ねて描かれている。ダイオードの逆電圧ｖの波形は、実施の形態１と略同等であるので、省略されている。
実施の形態２のダイオードでは、第１領域６と第２領域３１におけるキャリアのライフタイムが短く設定されているので、その逆回復特性において、以下のような特徴が現れる。すなわち、第１領域６においてライフタイムが短く設定されているために、逆回復電流Ｉrrが、従来例２と同等に低く抑えられる。さらに、ライフタイムが短く設定された第２領域３１が存在するために、空乏層が第１領域６を超えて拡大してゆく過程においても、残留キャリアの再結合が促進される。
このため、第１８図の曲線Ｅｍ２が示すように、従来例２（曲線Ｐｒ２）に比べて、逆回復電流の減衰が促進される。その結果、逆回復損失が、従来例２に比べて小さく抑えられる。また、実施の形態１とは異なり、逆電流が一部の領域に集中しないので、第１領域６の条件が従来例２と同等であれば、逆回復電流Ｉrrは、従来例２の逆回復電流Ｉrrを超えて大きくなることはない。したがって、di/dt耐量に関しても、従来例２と同等に高い値が得られる。
さらに、Ｎ+層３に隣接する第３領域３２では、ライフタイムキラーが導入されていないために、この第３領域３２では過剰キャリアが消滅し難い。このため、空乏層がＮ+層３へと接近する段階、すなわち、逆回復動作の最終段階では、キャリアが消滅し難くなる。特に、Ｎ+層３の中で薄い部分３４、すなわち、Ｎ+層３と第３領域３２との境界面の中で半導体基板２０の下主面の側へと後退した部分が、存在するために、半導体基板２０の厚さが同一の条件下で比較したときに、半導体基板２０に等価的に形成されるキャパシタンスＣが、より長い期間にわたって、有限の値を維持する。
その結果、キャパシタンスＣが、第５図に示したキャパシタンスＣ（Ｅｍ１）と同様に、逆回復動作の最終段階においては、従来例２のキャパシタンスＣ（Ｐｒ２）に比べて、逆転して高くなり、より長い期間にわたって有限の値を保つこととなる。したがって、逆回復動作の最終段階においても、発振が抑えられ、第４図に示した曲線ｖ（Ｅｍ１）と同様に、逆電圧は大きく振動することなく低常値へと、滑らかに収束する。
半導体基板２０は、順電圧を低く抑える上で、できるだけ薄いことが望ましい。実施の形態２のダイオードでは、半導体基板２０を厚くすることなく、すなわち、順電圧を犠牲にすることなく、発振を効果的に抑制することが可能となる。
また、Ｎ+層３が、その全体にわたって薄くなると、逆回復動作の後の定常状態におけるリーク電流が大きくなる。実施の形態２のダイオードでは、Ｎ+層３が部分的に薄いために、リーク電流を高めることなく、発振を効果的に抑えることが可能となっている。この事実は、以下に述べるように、シミュレーションによっても確認されている。
第１９図は、Ｎ+層３とその近傍を拡大して示す部分拡大断面図である。薄い部分３４の平面形状は、すでに述べたように円形であり、その直径がｗ１で表現されている。第２０図は、直径ｗ１と、定常状態におけるリーク電流（もれ電流）との間の関係について、シミュレーションにもとづいて得られたデータを示すグラフである。
このグラフが示すように、直径ｗ１が０〜５０μmの範囲では、リーク電流は、ほぼ一定であり、薄い部分３４が設けられた影響は、リーク電流には、ほとんど現れない。これに対して、直径ｗ１が略５０μmを超えると、リーク電流が急増する。したがって、リーク電流を大きくしないためには、薄い部分３４の直径ｗ１は、５０μm以下に設定することが望ましい。薄い部分３４の平面形状が円形でないときには、その最大径が５０μm以下に設定されれば、同様にリーク電流の増大を防ぐことができる。
Ｎ+層３の中で薄い部分３４が占める割合が大きくなると、順電圧への影響が現れる。第２１図は、このことをシミュレーションにもとづいて確認したデータを示すグラフである。薄い部分３４の面積率とは、半導体基板２０の下主面の中で、薄い部分３４が投影された領域が占める面積の比率を意味している。
このグラフが示すように、薄い部分３４の面積率が、０〜５０％の範囲では、順電圧への薄い部分３４の影響は、ほとんど現れない。これに対して、面積率が５０％を超えると、順電圧が目立つほどに上昇する。したがって、順電圧を高くしないためには、薄い部分３４の面積率は、５０％以下に設定することが望ましい。
なお、実施の形態２のダイオードでは、第１領域６だけでなく、第３領域３２においても、ライフタイムが短く設定されているために、順電流に対する抵抗は、従来例２に比べて、幾分高くなる。その結果、順電圧は、第３領域３２の影響によって、従来例２よりも幾分高い値となる。しかしながら、第３領域３２のライフタイムは第１領域６ほどに高くする必要はなく、第３領域３２のライフタイムを過度に高くしない限り、順電圧として、従来例２に近い値が得られる。
以上のように、実施の形態２のダイオードでは、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、比較的低い順電圧が同時に実現する。さらに、逆回復動作の過程において、電圧振動の発生が抑えられる。
＜2-3.Ｎ+層３のさらに最適な条件＞
第１９図に戻って、Ｎ+層３の形状に関して、さらに望ましい条件について説明する。薄い部分３４の付近に比べて厚い部分３３の付近では、Ｎ-層２１が薄くなっており、それだけＮ-層２１の抵抗成分が低くなっている。したがって、順方向電流が流れるときには、電流密度は、薄い部分３４よりも厚い部分３３において高くなる。この状態から、逆回復動作への移行が開始されると、逆電流も薄い部分３４に比べて厚い部分３３へと集中し易い。
第１６図に例示したように、薄い部分３４が互いに同一の平面形状をもって、半導体基板２０の下主面に沿って、均一に分布するように、等間隔で配列されることによって、逆電流の集中を緩和することができる。それによって、局所的な損失の増大に起因する素子能力の低下を防ぐことができる。
また、既述のように、第２領域３１と第３領域３２との間の境界面は、厚い部分３３の先端から、Ｐ層１の方へ離れた位置に設定されている。すなわち、第１９図に示すように、第２領域３１と第３領域３２の境界面と半導体基板２０の下主面との間の間隔ｄ１が、厚い部分３３の厚さｄ２よりも、大きく設定されている。これによって、半導体基板２０に等価的に形成されるキャパシタンスＣが、逆回復動作の最終段階において、より長い期間にわたって有限の値を保つので、発振がより効果的に抑制されることとなる。
Ｎ+層３における不純物濃度は、半導体基板２０の下主面の中で、厚い部分３３が露出する範囲である露出面３７において、１×１０18n/cm3以上となるように設定されるのが望ましい。それによって、Ｎ+層３とカソード電極５との間で、良好なオーミックコンタクトが実現する。さらに、Ｎ+層３を形成する際に、半導体基板２０の下主面の中で、露出面３７にのみ、Ｎ型不純物を選択的に導入した後に、Ｎ型不純物を拡散させるだけで、厚い部分３３と薄い部分３４とを形成するという、簡単な製造方法を採用することも可能となる。
薄い部分３４の厚さｄ３は、過度に小さく設定されると、リーク電流の増大を招く恐れがある。しかしながら、直径ｗ１が５０μm以下に設定され、露出面３７における不純物の表面濃度が、１×１０18n/cm3以上に設定されるときには、リーク電流の増大をもたらすことなく、厚さｄ３を、例えば５μm以下に設定することも可能となる。特に、第２２図に示すように、厚さｄ３を０に設定することも可能となる。
これは、不純物濃度の高い厚い部分３３から、その周囲３８へとキャリアが拡散し、この拡散キャリアによって、薄い部分３４が被覆され、十分に高い電圧保持能力が発揮されるからである。厚さｄ３を０とすることによって、半導体基板２０を厚くすることなく、発振を抑える効果を最大限に引き出すことが可能となる。なお、厚い部分３３の厚さｄ２は、５０μm以上の大きさに設定されるのが望ましい。
＜2-4.第３領域３２の厚さに関する変形例＞
第２３図は、第３領域３２の厚さに関する変形例を示す部分拡大断面図である。この図が示すように、第２領域３１の一部が厚い部分３３に接触するように、間隔ｄ１を厚さｄ２よりも小さく設定することも可能である。この例では、第１９図の例に比べて、第２領域３１が厚くなる。このため、第２４図の曲線Ｅｍ２ａで示されるように、逆回復電流の減衰が、より早くなり、逆回復損失を一層低減することが可能となる。
ただし、第３領域３２は、第１９図に示した例の方が、より厚いので、発振を抑える効果については、第１９図の例の方が、より優れている。使用の目的に応じて、間隔ｄ１を幅広く選択することが可能である。
＜3.実施の形態３＞
つぎに実施の形態３のダイオードについて説明する。
＜3-1.装置の構成＞
第２５図および第２６図は、それぞれ、実施の形態３のダイオードの主要部をなすダイオード素子を示す正面断面図、および、平面断面図である。第２５図の切断面は、第２６図のＢ−Ｂ切断線に沿っており、第２６図の切断面は、第２５図のＤ−Ｄ切断線に沿っている。この実施の形態のダイオード素子１０３の構造は、以下に説明するように、あたかも、ダイオード素子１０２において、ライフタイムキラーのプロフィールをそのままに維持し、Ｐ層１とＮ+層３との間で、形状を置き換えることによって得られる構造と類似している。
ダイオード素子１０３にも、ダイオード素子１０１，１０２と同様に、半導体基板２０、アノード電極４、および、カソード電極５が備わっている。また、半導体基板２０には、上主面から下主面へと向かって順に、Ｐ層１、Ｎ-層２１、および、Ｎ+層３が備わっている。しかしながら、ダイオード素子１０１とは異なり、Ｐ層１とＮ-層２１の間のＰＮ接合面は、平面ではなく、凹凸を有している。すなわち、ＰＮ境界面は、複数の部位５０において、Ｐ層１の側（すなわち、半導体基板２０の上主面の方向に）へと後退している。
それにともなって、Ｐ層１には、薄い部分５１と厚い部分５２とが備わっている。Ｎ-層２１は、逆に、薄い部分５１に接する部分において突出し、厚い部分５２に接する部分では後退する。薄い部分５１の平面形状、すなわち、半導体基板２０の主面に投影された形状は、望ましくは、第２６図に示すように円形である。また、薄い部分５１は、第２６図に示されるように、互いに同一の平面形状に設定され、しかも、半導体基板２０の上主面に沿って、均一に分布するように、等間隔で配列されるのが望ましい。
ダイオード素子１０３においても、半導体基板２０には、ライフタイムキラーが選択的に導入されており、それによって、キャリアのライフタイムが制御されている。その結果、Ｎ-層２１には、ライフタイムが異なる３個の領域、すなわち、第１領域５３、第２領域５４、および、第３領域５５が規定されている。
第１領域５３は、実施の形態１，２の第１領域６と同等に、Ｎ-層２１の中で、ＰＮ接合の近傍の領域を占めている。すなわち、第１領域５３は、Ｎ-層２１の中で、Ｎ-層２１とＰ層１との間のＰＮ接合に面し、Ｎ+層３から離れた層状の領域として規定される。
第２領域５４は、第１領域５３のＰＮ接合面とは反対側に隣接する領域として規定される。さらに、第３領域５５は、第２領域５４の第１領域５３との境界面とは反対側に隣接し、さらに、Ｎ+層３に接している。すなわち、第１領域５３、第２領域５４、および、第３領域５５は、この順に、Ｐ層１とのＰＮ接合面からＮ+層３との境界面へと向かって、互いに一体的に積層している。
第２５図および第２６図に示す例では、第１領域５３と第２領域５４との間の境界面は、厚い部分５２の先端から、Ｎ+層３の方へと離れた位置に設定されている。したがって、第１領域５３と第２領域５４の双方が、Ｐ層１へ接触して、ＰＮ接合面を形成している。
第２７図は、半導体基板２０に導入されているライフタイムキラーの密度のプロフィールを示すグラフである。このグラフには、薄い部分５１を貫通する垂直な切断線Ｘ４−Ｘ４に沿ったプロフィールが描かれている。ライフタイムキラーの密度は、ＰＮ接合面をも含めて、第１領域５３において選択的に高くなっている。Ｐ層１における密度も高くなっている理由は、実施の形態１で説明した通りである。
ライフタイムキラーは、第２領域５４にも導入されている。ただし、第２領域５４におけるライフタイムキラーの密度は、第１領域５３よりも低く設定される。第３領域５５では、ライフタイムキラーは実質的に導入されない。したがって、Ｎ-層２１の中の３個の領域の間でのライフタイムの関係は、つぎの数式３で与えられる。
（第１領域５３）＜（第２領域５４）＜（第３領域５５）  ・・・・（数式３）
ライフタイムキラーが導入されない第３領域５５の実質的な部分では、Ｎ-層２１の本来のライフタイムτ0が実現する。これに対して、第１領域５３では、ライフタイムはライフタイムτ0よりも短くなっており、ＰＮ接合面におけるライフタイムも、ライフタイムτ0より短く設定されている。ライフタイムキラーの選択的な導入は、実施の形態２と同様の方法で遂行可能である。
＜3-2.装置の動作＞
第２８図は、第２５図〜第２７図に示した実施の形態２のダイオードの逆回復動作を示すグラフである。このグラフにおいて、曲線Ｅｍ３が、実施の形態３のダイオードの電流波形を表している。また、比較のために、従来例２のダイオードに関する曲線Ｐｒ２も重ねて描かれている。
実施の形態３のダイオードでは、ＰＮ接合面に凹凸が設けられているので、ＰＮ接合面の面積が大きくなっている。このため、Ｎ-層２１へ注入されるキャリアの量が大きく、その結果、順電圧が低く抑えられるという利点が得られる。一方、キャリアの量が大きいために、逆回復動作において、残留キャリアの消滅に遅れが生じる。その結果、逆回復電流Ｉrrは、従来例２に比べると大きくなる。
しかしながら、従来例１においてＰ層１とＮ-層２１の間のＰＮ接合面を、実施の形態３と同様の形状に設定することによって、低い順電圧を実現したダイオードを仮に想定すると、その電流波形は、第２８図において、曲線Ｃｍによって表現される。この仮想的なダイオードでは、曲線Ｃｍが示すように、逆回復電流Ｉrrが著しく大きくなり、その結果、逆回復損失が大きな値となる。すなわち、ＰＮ接合面に凹凸を設けるのみでは、順方向特性は改善されるものの、逆回復特性に関しては、得るところが少ない。
これに対して、実施の形態３のダイオードでは、ＰＮ接合面に凹凸が設けられると同時に、ＰＮ接合面に隣接する第１領域５３において、ライフタイムが短く設定されることによって、逆回復特性の劣化が抑えられる。すなわち、曲線Ｅｍ３と曲線Ｃｍとを比較すれば明瞭であるように、逆回復電流Ｉrrが低く抑えられる。このように、実施の形態３のダイオードでは、ＰＮ接合面に凹凸を設けることによって副次的に生じたマイナス面が、緩和ないし解消され、di/dt耐量などの逆回復特性の劣化を抑えつつ、順方向特性を改善することができる。
さらに、ライフタイムが短く設定された第２領域５４が存在するために、空乏層が第１領域５３を超えて拡大してゆく過程においても、残留キャリアの再結合が促進される。その結果、曲線Ｅｍ３が示すように、従来例２（曲線Ｐｒ２）に比べて、逆回復電流の減衰が促進される。このため、逆回復電流Ｉrrが大きくなることが、そのまま逆回復損失の増加へと結びつかない。すなわち、逆回復損失については、従来例２に比べて、それほど大きな値にはならない。
以上のように、実施の形態３のダイオードでは、di/dt耐量および逆回復損失の増大を抑えつつ、低い順電圧を実現することができる。
＜3-3.ＰＮ接合面の最適な条件＞
第２９図は、Ｐ層１とその近傍を拡大して示す部分拡大断面図である。薄い部分５１の平面形状は、すでに述べたように円形であり、その直径がｗ２で表現されている。薄い部分５１の付近に比べて厚い部分５２の付近では、Ｎ-層２１が薄くなっており、それだけＮ-層２１の抵抗成分が低くなっている。したがって、順方向電流が流れるときには、電流密度は、薄い部分５１よりも厚い部分５２において高くなる。この状態から、逆回復動作への移行が開始されると、逆電流も薄い部分５１に比べて厚い部分５２へと集中し易い。
第２６図に例示したように、薄い部分５１が互いに同一の平面形状をもって、半導体基板２０の上主面に沿って、均一に分布するように、等間隔で配列されることによって、逆電流の集中を緩和することができる。それによって、局所的な損失の増大に起因する素子能力の低下を防ぐことができる。
また、既述のように、第１領域５３と第２領域５４との間の境界面は、厚い部分５２の先端よりも、半導体基板２０の上主面の方へと後退した位置に設定されている。すなわち、第２９図に示すように、第１領域５３と第２領域５４の境界面と半導体基板２０の上主面との間の間隔ｄ４が、厚い部分５２の厚さｄ５よりも、小さく設定されている。このため、順電圧が効果的に低減される。また、厚さｄ５は、５０μm以上の大きさに設定されるのが望ましい。
薄い部分５１の平面形状は、定常状態におけるリーク電流（もれ電流）および順電圧に対しても、影響を及ぼす。第３０図は、リーク電流および順電圧と、直径ｗ２との間の関係について、シミュレーションにもとづいて得られたデータを示すグラフである。このグラフが示すように、直径ｗ２が０〜５０μmの範囲では、リーク電流は、ほぼ一定であり、薄い部分５１が設けられた影響は、リーク電流には、ほとんど現れない。
これに対して、直径ｗ２が略５０μmを超えると、リーク電流が急増する。したがって、リーク電流を大きくしないためには、薄い部分５１の直径ｗ２は、５０μm以下に設定することが望ましい。薄い部分５１の平面形状が円形でないときには、その最大径が５０μm以下に設定されれば、同様にリーク電流の増大を防ぐことができる。
また、順電圧は、直径ｗ２が略３０μmのときに最小となり、直径ｗ２が、略２０μm〜略４０μmの範囲にあるときには、直径ｗ２の変化の影響をほとんど受けずに、略最小値を保持する。したがって、順電圧とリーク電流の双方を考慮すれば、直径ｗ２は、略２０μm〜略４０μmの範囲に設定されるのが望ましいと言える。
Ｐ層１の中で薄い部分５１が占める割合も、リーク電流および順電圧へ影響を及ぼす。第３１図は、このことをシミュレーションにもとづいて確認したデータを示すグラフである。薄い部分５１の面積率とは、半導体基板２０の上主面の中で、薄い部分５１が投影された部分が占める面積の比率を意味している。
このグラフが示すように、薄い部分５１の面積率が、０〜５０％の範囲では、リーク電流への薄い部分５１の影響は、ほとんど現れない。これに対して、面積率が５０％を超えると、リーク電流が目立つほどに上昇する。したがって、リーク電流を大きくしないためには、薄い部分５１の面積率を、５０％以下に設定することが望ましい。
また、順電圧は、薄い部分５１の面積率が、略３５％のときに最小となり、面積率が、略２５％〜略４５％の範囲にあるときには、面積率の変化の影響をほとんど受けずに、略最小値を保持する。したがって、順電圧とリーク電流の双方を考慮すれば、薄い部分５１の面積率は、略２５％〜略４５％の範囲に設定されるのが望ましいと言える。
第２９図に戻って、Ｐ層１における不純物濃度は、半導体基板２０の上主面の中で、厚い部分５２が露出する範囲である露出面５７において、１×１０17n/cm3以上となるように設定されるのが望ましい。それによって、Ｐ層１とアノード電極４との間で、良好なオーミックコンタクトが実現する。さらに、Ｐ層１を形成する際に、半導体基板２０の上主面の中で、露出面５７にのみ、Ｐ型不純物を選択的に導入した後に、Ｐ型不純物を拡散させるだけで、厚い部分５２と薄い部分５１とを形成するという、簡単な製造方法を採用することも可能となる。
＜3-4.第１領域５３の厚さに関する変形例＞
第２領域３１と第３領域３２との間の境界面は、厚い部分３３の先端から、Ｎ+層３の方へ離れた位置に設定されてもよい。すなわち、第３２図に示すように、間隔ｄ４が、厚い部分５２の厚さｄ５よりも、大きく設定されてもよい。これによって、第２９図の例に比べて、順電圧は幾分劣化するものの、逆回復電流Ｉrrが低減され、di/dt耐量が改善される。
＜4.実施の形態４＞
第３３図は、以上に説明した各実施の形態について、ダイオードの特性を評価するパラメータの良否を、表形式でまとめた説明図である。比較のために、従来例１，２についても、同時に記載されている。第３３図では、好ましい特性が得られる項目については、ハッチングが付されている。上記した各実施の形態は、適宜、互いに組み合わせて実施することが可能であり、それによって、各パラメータについて、平均された値を得ることが可能となる。すなわち、組み合わせを考慮することによって、設計の自由度が拡大される。
例えば、第３４図に示すように、ダイオード素子１０２と１０３の特徴を兼ね備えるダイオード素子を構成することが可能である。このダイオード素子１０４では、半導体基板２０に備わるＰ層１は、ダイオード素子１０３のＰ層１と同等である。また、Ｎ-層２１、および、Ｎ+層３は、それぞれ、ダイオード素子１０２の対応する半導体層と同等に構成される。
すなわち、Ｐ層１には薄い部分５１と厚い部分５２とが含まれており、Ｎ+層３にも厚い部分３３と薄い部分３４とが含まれている。また、Ｎ-層２１には、第１領域６、第２領域３１、および、第３領域３２が形成されており、これらの３領域におけるライフタイムのプロフィールは第１７図で与えられる。ダイオード素子１０４では、このように、ダイオード素子１０２，１０３の双方の特徴が兼ね備わるために、第３３図に示す各パラメータについて、それぞれの値の平均値が得られる。
＜5.変形例＞
実施の形態１のダイオードに関して、半導体基板２０がＮ+層３を備えない形態を採用することも可能である。このとき、Ｎ-層２１が、半導体基板２０の下主面に露出し、カソード電極５は、Ｎ-層２１へ直接に接続される。第３５図は、このように構成された半導体基板２０に関して、その断面構造と、導入されるライフタイムキラーの密度の分布とを、同時に示している。
第３５図が示すように、Ｎ-層２１におけるライフタイムキラーの密度の分布は、第３図に示した実施の形態１のＮ-層２１における分布と同等である。その結果、Ｎ-層２１には、ダイオード素子１０１のＮ-層２１と同様に、第１領域６、第２領域７、および、第３領域２が形成される。
このように構成された装置においても、Ｎ+層３を備えない従来装置に比べると、実施の形態１の装置と同様に、高いdi/dt耐量、低い逆回復損失、および、低い順電圧が同時に実現する。さらに、逆回復動作の過程において、電圧振動の発生が抑制される。ただし、実施の形態１の装置は、Ｎ+層３が備わるので、半導体基板２０を薄く設定したままで、パンチスルーを抑えて、耐圧を高めることができるという点で、より優れている。
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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