(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に共振導体を形成した共振導体形成孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記共振導体形成孔の少なくとも一方の開口部付近に、前記共振導体の端部に隣接して前記端部を開放端にする開放部を設けてなる誘電体共振器において、
前記共振導体から電気的に絶縁された浮き電極部と、該浮き電極部を周回して形成された浮き電極絶縁部とが、前記共振導体と前記開放部とで囲まれていて、
前記開放部と前記浮き電極絶縁部とがそれぞれの一部を共有している誘電体共振器。
【請求項２】
内面に共振導体を形成した共振導体形成孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記共振導体形成孔の少なくとも一方の開口部付近に、前記共振導体の端部に隣接して前記端部を開放端にする開放部を設けてなる誘電体共振器において、
前記共振導体から電気的に絶縁された浮き電極部と、該浮き電極部を周回して形成された浮き電極絶縁部とが、前記開放部付近の共振導体で囲まれていて、
前記開放部と前記浮き電極絶縁部とが分離形成されている誘電体共振器。
【請求項３】
１つの前記共振導体形成孔に設けられた前記開放部の付近に、２以上の前記浮き電極部を備えたことを特徴とする、請求項１または２に記載の誘電体共振器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体共振器と該誘電体共振器に結合する入出力手段とを備えた誘電体フィルタ。
【請求項５】
請求項４に記載の誘電体フィルタの製造方法であって、
前記共振導体の形成領域内に前記浮き電極絶縁部を形成することにより、前記共振導体から分離して前記浮き電極部を設ける共振導体除去工程によって、フィルタ特性を定めることを特徴とする誘電体フィルタの製造方法。
【請求項６】
前記共振導体除去工程が、前記浮き電極絶縁部のレーザー加工による導体の除去工程である、請求項５に記載の誘電体フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波回路に適用される誘電体共振器、誘電体フィルタおよび誘電体フィルタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は誘電体ブロックを用いた従来の誘電体共振器の構造例であり、その外観斜視図である。
【０００３】
図９に示すように、略直方体形状の誘電体ブロック１の内部には、内面に共振導体３を形成した共振導体形成孔２が設けられており、共振導体形成孔２の一方の端面を除く五面の外面には外導体４が形成されている。そして誘電体ブロック１の残りの一面を、前記外導体が形成されていない開放部５としている。これら外導体４と共振導体３とにより、開放部５を開放端面とする誘電体共振器１７を構成している。
【０００４】
また、前記誘電体共振器を備えた誘電体フィルタとして、複数の共振導体形成孔と入出力電極とを持つ構造のものもある。
【０００５】
これらの誘電体共振器の共振周波数、誘電体フィルタの周波数特性、各共振器同士の結合係数、入出力電極と共振導体形成孔との間の結合係数を調整する方法に、共振導体の一部を部分削除する方法がある（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
このような構成では、共振導体に削除部位を設けることにより、外導体に設けられた入出力電極や隣接する共振導体などの導体と、その導体に対向する削除部位との間で相互容量を調整して、結合係数を調整する。また、このような構成では、外導体と対向する位置に削除部位を形成することにより、等価的な共振器長を変化させて、共振周波数を調整する。
【０００７】
そして、このような共振導体を削除する際には、リュータのような加工器具が用いられる。
【特許文献１】特開平５−３４３９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで前記共振導体の部分削除による特性調整方法では、削除部位の位置、サイズ、個数により前記特性を調整できるが、前記リューター等の機械的加工器具による方法では、削除時に熱が発生する。そのため、熱による特性変化による調整精度の低下と、誘電体セラミックスが熱還元することによる無負荷Ｑ値の劣化とが伴う。
【０００９】
また、共振器の小型化に伴い、機械的加工器具を用いた削除部位の加工にも加工器具自体のサイズの限界により、共振導体形成孔の内部に挿入することに困難が伴う。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、上記の問題を解決し、特性調整の精度を向上させ、特性劣化を抑制し、小型化に対応した誘電体共振器、誘電体フィルタ、および誘電体フィルタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）  この発明の誘電体共振器は、内面に共振導体を形成した共振導体形成孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記共振導体形成孔の少なくとも一方の開口部付近に、前記共振導体の端部に隣接して前記端部を開放端にする開放部を設けており、さらに前記共振導体から電気的に絶縁された浮き電極部と、該浮き電極部を周回して形成された浮き電極絶縁部とが、前記開放部付近の共振導体で囲まれている、または、前記共振導体と前記開放部とで囲まれている。
【００１２】
このように、浮き電極および浮き電極絶縁部を設けることにより、これらが形成された共振器の共振導体の形状が変化して、共振器の特性が変化する。この際、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積が浮き電極絶縁部のみに抑えられる。ここで浮き電極絶縁部のみを削除した場合と、浮き電極部自体も含めて削除した場合とでは同じ調整効果が得られる。
【００１３】
（２）  また、この発明の誘電体共振器は、前記開放部と前記浮き電極絶縁部とが、それぞれの一部を共有していることを特徴としている。
【００１４】
この形状により、共有する部位の削除が不要となるので、削除面積を残りの浮き電極絶縁部のみに抑えられる。
【００１５】
（３）  また、この発明の誘電体共振器は、前記開放部と前記浮き電極絶縁部とが分離形成されていることを特徴としている。
【００１６】
この形状により、浮き電極部と浮き電極絶縁部の形成箇所に制約を受けない。
【００１７】
（４）  また、この発明の誘電体共振器は、１つの前記共振導体形成孔に設けられた前記開放部またはその付近に、２以上の前記浮き電極部を備えたことを特徴としている。
【００１８】
この形状により、複数回での調整による削除面積の増加においても、削除面積を最小限に抑えられる。
【００１９】
（５）  また、この発明の誘電体フィルタは、前述のいずれかの誘電体共振器と該誘電体共振器に結合する入出力手段とを備えたことを特徴としている。
【００２０】
この構成により、前述のように浮き電極部および浮き電極絶縁部が形成された共振器と、入出力電極との結合係数や、共振器間の結合係数や、共振器長に基づく各共振器の周波数を調整する場合に、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積が浮き電極絶縁部のみに抑えられ、この場合にも、前述の誘電体共振器と同様に、浮き電極部自体も含めて削除したときと同じ調整効果が得られる。
【００２１】
（６）  また、この発明の誘電体フィルタの製造方法は、前記共振導体の形成領域内に前記浮き電極絶縁部を形成することにより、前記共振導体から分離して前記浮き電極部を設ける共振導体除去工程によって、フィルタ特性を定めることを特徴としている。
【００２２】
この共振導体除去工程により、共振器間の結合係数や、共振器と入出力電極との外部結合の強さや、共振器長に基づく各共振器の共振周波数を調整する。この際、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑えることで、削除面積を抑制しながら、浮き電極部と浮き電極絶縁部を共に削除したときと同じ調整効果を実現する。
【００２３】
（７）  またこの発明の誘電体フィルタの製造方法は、共振導体除去工程が、前記浮き電極絶縁部のレーザー加工による導体の除去工程であることを特徴としている。
【００２４】
この加工法による工程により、共振導体形成孔のサイズにかかわらず、共振導体形成孔の外部からの照射によって加工を行う。
【発明の効果】
【００２５】
（１）  この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱による無負荷Ｑの劣化と特性変化を抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。
【００２６】
（２）  また、この発明によれば、削除面積を共有部位以外の浮き電極絶縁部のみにできるために、加工時に発生する熱がさらに抑制でき、無負荷Ｑの劣化と特性変化量の変化が抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。
【００２７】
（３）  また、この発明によれば、浮き電極部と浮き電極絶縁部の形成箇所の決定に制約を受けないので、誘電体共振器の設計の自由度を高くすることができる。
【００２８】
（４）  また、この発明によれば、複数回での調整による削除面積の増加においても、削除面積を最小限に抑えることができ、加工時に発生する熱による無負荷Ｑの劣化と特性変化が抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。
【００２９】
（５）  また、この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱による無負荷Ｑの劣化と特性変化が抑制でき、誘電体フィルタの調整精度を向上させることができる。
【００３０】
（６）  また、この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱と加工時間が抑制でき、誘電体フィルタの無負荷Ｑの劣化と特性変化が抑制でき、特性調整精度を向上させることができる。
【００３１】
（７）  また、この発明によれば、レーザー加工により削除部位を削除することにより、加工器具を共振導体形成孔内部に挿入することなく誘電体フィルタの特性調整用の加工を行うことができる。
また、誘電体をレーザー加工すると、リューター等の機械的加工器具による加工時以上の熱が発生し、機械的加工器具による加工に比べ無負荷Ｑの劣化量や特性変化量は大きくなってしまう場合がある。しかし、この発明によれば削除面積を浮き電極絶縁部の面積のみに抑制するために、熱の発生も抑制できる。これにより、無負荷Ｑの劣化量や特性変化量を大幅に抑制することができる。
また、無負荷Ｑの劣化を回復させる処理を行う場合の処理前後での特性変化量も、この発明の製造方法を採用することで小さくすることができる。これにより、無負荷Ｑの回復処理後の特性調整精度を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
〈第１の実施形態〉
図１は誘電体フィルタ１６の外観斜視図である。図２（Ａ）は図１におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。図２（Ｂ）は図１に記した誘電体フィルタの上面図である。
【００３３】
図１において、略直方体形状の誘電体ブロック１には、それぞれの内面に共振導体３Ａ、３Ｂ、３Ｃを備えた複数の共振導体形成孔２Ａ、２Ｂ、２Ｃを設けている。誘電体ブロック１の上端面を除く五面は外導体４を設けている。共振導体形成孔２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、図１上端面側と下端面側とに貫通するように設け、図１下端面側では共振導体３Ａ、３Ｂ、３Ｃと外導体４を導通させている。また、入出力電極６Ａ、６Ｂを形成している。また、共振導体形成孔２Ａ、２Ｂ、２Ｃの上端部には、それぞれ浮き電極部７Ａ、７Ｂ、７Ｃと浮き電極絶縁部１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃとを形成している。このような構成により誘電体フィルタ１６は、４分の１波長フィルタとなっている。
【００３４】
図２において、図１と同一部分には同一符号を付している。Ｃａｂは共振導体３Ａ−３Ｂ間の開放部付近に生じる容量を表している。また、Ｃｂｃは共振導体３Ｂ−３Ｃ間の開放部付近に生じる容量を表している。Ｃｅは共振導体３Ｃと入出力電極６Ｂとの間に生じる容量を表している。Ｃａは共振導体３Ａと外導体４の間に生じる自己容量を表している。
【００３５】
図１において、浮き電極部７Ａと浮き電極絶縁部１５Ａとを、外導体４に対向する部位に形成している。この構造により、共振導体３Ａから成る共振器の等価的な共振器長を短くするとともに、共振導体３Ａと外導体４との対向する面積を減らし、自己容量（図２中のＣａ）を小さくする。共振器長と自己容量の変化により、共振導体３Ａによる共振器の共振周波数は、相乗的に高くなる。
【００３６】
また、浮き電極部７Ｂと浮き電極絶縁部１５Ｂとを、隣り合う共振導体形成孔２Ａに対向する部位に形成している。この構造により、共振導体３Ｂから成る共振器の等価的な共振器長を短くし、共振周波数を高く調整している。また、該構造により共振導体３Ａ，３Ｂそれぞれの開放部側の対向する面積を減らし、共振器間の容量（図２中のＣａｂ）を小さくすることによって結合係数を調整している。
【００３７】
この周波数調整と結合係数調整は、浮き電極部７Ｂおよび浮き電極絶縁部１５Ｂが軸方向に長く幅方向に短い場合には、共振器間の結合係数と当該共振器の共振周波数を同時的に行うことができる。また、浮き電極部７Ｂおよび浮き電極絶縁部１５Ｂが軸方向に短く幅方向に長い場合には、共振器間の結合係数のみを略独立的に行うことができる。
【００３８】
また、浮き電極部７Ｃと浮き電極絶縁部１５Ｃとを、入出力電極６Ｂに対向する部位に形成している。この構造により、共振導体３Ｃから成る共振器の等価的な共振器長を短くし、共振周波数を高くなるように定めている。また、該構造により共振導体３Ｃによる共振器と入出力電極６Ｂとの間の容量（図２中の容量Ｃｅ）を減少させ、その共振器と入出力電極６Ｂとの間の外部結合の強さを、浮き電極７Ｃと浮き電極絶縁部１５Ｃが無い場合に比べて小さくなるように定めている。
【００３９】
また、図３（Ａ）は第１の実施形態における浮き電極部７Ａと浮き電極絶縁部１５Ａの拡大図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＹ−Ｙ断面における断面拡大図である。
【００４０】
図３（Ａ）において、９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄは浮き電極絶縁部の共振導体と接する角であり、８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄは浮き電極絶縁部の浮き電極部と接する角である。
【００４１】
当該実施形態においては共振導体に形成した浮き電極部７Ａと浮き電極絶縁部１５Ａとを、辺９Ａ−９Ｄにおいて一部共有させている。また、浮き電極絶縁部１５Ａの各辺の幅を０．０５ｍｍ、長さを辺８Ａ−８Ｂは０．４５ｍｍ、９Ｂ−９Ｃは０．５ｍｍとしている。また、図３（Ｂ）において浮き電極絶縁部１５Ａを深さ５μｍの溝形状として、外導体４と浮き電極部７Ａとを絶縁をしている。
【００４２】
ここで、浮き電極部７Ａおよび浮き電極絶縁部１５Ａがある場合と、浮き電極部７Ａが除去された場合とで、導体削除工程における削除面積を比べる。図２（Ａ）において、浮き電極部７Ａ及び浮き電極絶縁部１５Ａがある場合は、導体削除面積は０．０７平方ｍｍである。一方、浮き電極部７Ａも除去された場合には導体削除面積は、０．２５平方ｍｍである。浮き電極部７Ａを除去する場合に比べ当該実施形態は、削除面積を３．５分の１以下に抑制している。この削除面積の抑制により、加工熱の発生を低減し、誘電体共振器における無負荷Ｑの劣化と特性変化を抑えている。
【００４３】
次に、図１〜図３に示した誘電体フィルタの特性調整方法について、図４〜図６を基に説明する。これらの図において、図１・図２に示したものと同一部分には同一符号を付している。
【００４４】
図４〜図６はいずれも誘電体フィルタの特性調整工程における図である。図５は、図１に示した状態で誘電体フィルタを左側面から見た図であり、誘電体フィルタ部分は、図１に示したＡ−Ａ部分の断面図として示している。同様に図６は、図１に示した状態で誘電体フィルタを手前側面から見た図であり、誘電体フィルタ部分は、図１に示したＢ−Ｂ部分の断面図として示している。図４は、図１に示した状態で誘電体フィルタを上側から見た図である。
【００４５】
図４において、レーザー発生装置１３のレーザー出射口に、水平面での２次元動作をさせる。レーザー出射口から水平面と鉛直に出射させたレーザーを、反射鏡１１Ａ〜１１Ｄの反射点１０Ａ〜１０Ｄで反射させる。反射鏡でレーザーの軌道を水平面から鉛直面に座標変換することで、レーザーに、加工点１２Ａ〜１２Ｄでの鉛直面での２次元軌道を描かせる。
【００４６】
例えば、図５において、レーザーをレーザー反射鏡１１Ａで反射するように出射させて、加工点１２Ａを加工する場合、図４において、レーザーに反射点１０Ａで矢印のような軌道を描かせる。反射点１０Ａで反射させたレーザーに、加工点１２Ａで反射点１０Ａの矢印と相似の軌道を描かせて、共振導体を除去する。その際、レーザー加工点１２Ａでは、レーザーに図３の角９Ａから角９Ｂに進み、次いで角９Ｃ、角９Ｄへと進む軌道を描かせる。このレーザーの軌道に沿って、浮き電極絶縁部１５Ａを除去し、浮き電極部７Ａを形成する。
【００４７】
また、同様にレーザーをレーザー反射鏡１１Ｂで反射するように出射させて、加工点１２Ｂを加工する場合、加工点１２Ｂで反射点１０Ｂの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部１５Ｂを除去して、浮き電極部７Ｂを形成する。
【００４８】
また、同様にレーザーをレーザー反射鏡１１Ｃで反射するように出射させて、加工点１２Ｃを加工する場合、加工点１２Ｃで反射点１０Ｃの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部１５Ｃを除去する。そして同様に、レーザーをレーザー反射鏡１１Ｄで反射するように出射させて、加工点１２Ｄで反射点１０Ｄの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部１５Ｄを除去する。この浮き電極絶縁部１５Ｃの加工と浮き電極絶縁部１５Ｄの加工とによって浮き電極部７を形成する。
【００４９】
このように、レーザーにより加工を行うが、電極の削除面積は浮き電極絶縁部の面積のみであるため、熱の発生を大きく抑え、電極や誘電体セラミックスが還元されたり半導体化されたりすることを防ぐことができる。これにより無負荷Ｑの劣化量や特性変化量が大幅に抑制できる。
このように、無負荷Ｑの劣化を抑制できるため、以後に無負荷Ｑを回復させる処理を行う場合の処理前後での特性変化量を抑制でき、これにより、無負荷Ｑの回復処理後の特性調整精度も改善できる。
【００５０】
〈第２の実施形態〉
図７は、共振導体形成孔２Ａ〜２Ｃの両端面を開放部５Ａ、５Ｂとした、誘電体フィルタ１６の外観斜視図であり、誘電体フィルタ１６は、２分の１波長フィルタとなっている。
【００５１】
この実施形態においては開放部５Ａ、５Ｂに結合用電極１４Ａ〜１４Ｆを設けている。共振導体形成孔２Ａには、共振導体形成孔２Ａと結合用電極１４Ａとにまたがる形状である浮き電極部７Ａの一部、および共振導体形成孔２Ａと結合用電極１４Ｄとにまたがる形状である浮き電極７Ｅの一部を設けている。また共振導体形成孔２Ｂには、共振導体形成孔２Ａと結合用電極１４Ａとにまたがる形状である浮き電極部７Ｂを設けている。そして、共振導体形成孔２Ｃには、開放部と浮き電極絶縁部が分離形成された形状の浮き電極部７Ｃを設けている。
【００５２】
また結合用電極１４Ａには、共振導体形成孔２Ａと結合用電極１４Ａとにまたがる形状である浮き電極部７Ａの一部を設けている。この結合用電極１４Ａ側の一部と前記共振導体形成孔２Ａ側の一部とで、浮き電極部７Ａを構成している。
【００５３】
また結合用電極１４Ｂには、共振導体形成孔２Ｂと結合用電極１４Ｂとにまたがる形状である浮き電極部７Ｂの一部を設けている。この結合用電極１４Ｂ側の一部と前記共振導体形成孔２Ｂ側一部とで、浮き電極部７Ｂを構成している。それとともに結合用電極１４Ｂには、浮き電極７Ｄを結合用電極の端部を一部共有するような配置で設けている。
【００５４】
また、結合用電極１４Ｄには、共振導体形成孔２Ａと結合用電極１４Ｄとにまたがる形状である浮き電極部７Ｅの一部を設けている。この結合用電極１４Ｄ側の一部と前記共振導体形成孔２Ａ側の一部とで、浮き電極部７Ｅを構成している。
【００５５】
当該実施形態におけるレーザーによる導体除去工程では、浮き電極部７Ａ〜７Ｄを前記第１の実施形態の導体除去工程と同様に形成する。また浮き電極部７Ｅの導体除去工程では、誘電体フィルタ１６を上下反転させ、開放部５Ｂが図６のレーザー発生装置１３と対向するように配置し、前記第１の実施形態の導体除去工程と同様に形成する。
【００５６】
〈第３の実施形態〉
図８は、共振導体形成孔２Ａ〜２Ｃの両端面に共に外導体４を形成し、共振導体形成孔内面に環状に設けた共振導体非形成部５Ａ〜５Ｃを開放部とした共振器である。このような構成により誘電体フィルタ１６は、４分の１波長フィルタとなっている。共振導体形成孔２Ａにおいて、浮き電極部７Ａを、開放部５Ａと部分共有された形状としている。共振導体形成孔２Ｂにおいても、浮き電極絶縁部１５Ｂを、開放部５Ｂと部分共有された形状としており、二つの浮き電極部７Ｂ、７Ｃを同時に形成している。共振導体形成孔２Ｃにおいては、浮き電極絶縁部１５Ｃを、開放部５Ｃとは分離形成された形状としており、浮き電極部７Ｄ、７Ｅを同時に形成している。
【００５７】
浮き電極部７Ｂ、７Ｃと浮き電極部７Ｄ、７Ｅのように、浮き電極の数を増やすことにより、１回の調整で目標特性に達しなくても追加調整を行うことができる。
【００５８】
当該実施形態におけるレーザーによる導体除去工程では、浮き電極部７Ａ〜７Ｅを前記第１の実施形態の導体除去工程と同様に除去する。
【００５９】
〈第４の実施形態〉
請求項５の誘電体フィルタをから構成される誘電体デュプレクサの構造例としては、１つの誘電体ブロックに第１〜第３の実施形態で示したフィルタを二組備えた誘電体デュプレクサであって、それぞれのフィルタを結合する一つの励振孔をもち、共有の入出力電極を含めて三つの入出力電極を備えた構造のものが挙げられる。このように誘電体デュプレクサを構成する場合も、第１〜第３の実施形態で示した方法により浮き電極部と浮き電極絶縁部を形成することにより、無負荷Ｑ値の低下と調整精度の劣化とを抑制する。そのため通過周波数帯域の調整が容易にできる。
【００６０】
尚、上述の第１の実施形態と第２の実施形態とでは、共振導体形成孔を断面四角形状と断面円形状とのステップ孔として形成しているが、第３の実施形態のように単一断面形状の孔でもよい。また、断面形状は四角形状、円形状、楕円形状、もしくは長円形状でもよく、形を問わない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る誘電体フィルタにおいて（Ａ）は図１のＢ−Ｂ断面図で、（Ｂ）は図１の上側断面である。
【図３】第１の実施形態に係る、浮き電極部と浮き電極絶縁部の拡大図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る共振導体除去工程における外観図である。
【図５】第１の実施形態に係る共振導体除去工程におけるＡ−Ａ断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る共振導体除去工程におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜視図である。
【図８】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの断面図である。
【図９】従来の誘電体共振器の外観斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１−誘電体ブロック
２−共振導体形成孔
３−共振導体
４−外導体
５−開放部
６−入出力電極
７−浮き電極部
８−角
９−角
１０−レーザー反射点
１１−レーザー反射鏡
１２−レーザー加工点
１３−レーザー発生装置
１４−結合用電極
１５−浮き電極絶縁部
１６−誘電体フィルタ
１７−誘電体共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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