(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、前記ソルダーレジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、前記半田バンプ形成用パッド上にマスクを用いて半田ペーストを印刷する印刷処理を行い、半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
形成された全半田バンプ形成用パッドのうちの一部の半田バンプ形成用パッドに対向する部分にのみ開口部が形成され、隣り合う半田バンプ形成用パッドの間隔と比べて隣り合う開口部同士の間隔が広くとられた開口部を有するマスクを用いて１回目の印刷処理を行い、２回目の印刷処理で、１回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口部が形成されるとともに、１回目の印刷処理で半田ペーストが充填された半田バンプ形成用パッドに対向する部分には、１回目の印刷処理で形成した開口部よりも小さな開口部が形成されたマスクを用いて印刷処理を行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソルダーレジスト層に形成した半田バンプ形成用パッド上に半田ペーストを印刷する方法に特徴を有するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施した後、半田ペーストを印刷してＩＣチップ等の電子部品側に半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも、半田バンプを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＩＣチップなどの電子部品の高密度化、高集積化に伴い、電子部品のバンプの狭ピッチ化、ファイン化が進行しており、それに伴い、基板側の半田バンプも同様に狭ピッチ化、ファイン化が要望されている。
【０００６】
しかしながら、従来では、ソルダーレジストに形成した半田バンプ形成用パッドに対向する部分が開口されたマスクを用い、このマスクをソルダーレジスト層に載置した後に半田ペーストを印刷し、リフローすることにより半田バンプを形成していたため、半田バンプ形成用パッドが狭ピッチ化、ファイン化されると、以下のような不都合が生じた。
【０００７】
すなわち、上記半田バンプ形成用パッドに対応した開口を形成しようとすると、マスクの開口部間の距離が狭くなるためマスク自体の強度が低下してしまい、半田印刷中にマスクの破損や反りが生じることがある。この場合、マスクの寿命（使用できるショット数）が極めて短くなったり、反りにより半田ペーストの抜け性が悪くなり、形成された半田バンプとＩＣチップ等とを接続させた場合、未接続部分が発生したり、バンプ間が狭いため半田ペーストのニジミにより、半田バンプ間での短絡が生じ、半田バンプの形成歩留りが悪くなっていた。
【０００８】
また、反り等がない場合でも、半田バンプ間の距離が狭いため、印刷時に半田ペーストがにじむと半田バンプ間での短絡が生じ、一方、ニジミをなくすために開孔径を小さくし、マスクの厚みを厚くすると、半田ペーストの抜け性が低下するという問題が発生していた。
このように、従来のマスクを用いた半田ペーストの印刷方法では、狭ピッチ、ファイン化に対応した半田バンプの形成が困難になるという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑み、狭ピッチ化、ファイン化に対応した半田バンプを形成することができ、半田バンプ間の短絡を起こさず、半田バンプの形状、高さを均一にして、ＩＣチップなどの電子部品との接続を確実に行うことができる接続性、信頼性に優れたプリント配線板を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
発明者は上記課題に鑑みて鋭意研究した結果、複数のマスクを用い、半田バンプ形成用パッドに対する半田ペーストの印刷を複数回に分けて行うことにより、狭ピッチ化、ファイン化した半田バンプ形成用パッドに半田ペーストを印刷する際にも、マスクに形成する開口部間の間隔を比較的広くとることができ、形成する半田バンプの形状、高さを均一にすることができ、その結果、半田バンプ間の短絡のないプリント配線板を製造することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【００１３】
即ち、本発明のプリント配線板の製造方法は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、上記半田バンプ形成用パッド上にマスクを用いて半田ペーストを印刷する印刷処理を行い、半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
形成された全半田バンプ形成用パッドのうちの一部の半田バンプ形成用パッドに対向する部分にのみソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成され、隣り合う半田バンプ形成用パッドの間隔よりも隣り合う開口部同士の間隔が広くとられた開口部を有するマスクを用いて１回目の印刷処理を行い、２回目の印刷処理で、１回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッドに対向する部分にソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成されるとともに、１回目の印刷処理で半田ペーストが充填された半田バンプ形成用パッドに対向する部分には、１回目の印刷処理で形成した開口部よりも小さな開口部が形成されたマスクを用いて印刷処理を行うことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線板の製造方法は、形成した導体回路上に層間絶縁層を形成する工程を繰り返して、絶縁性基板上に層間絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成した後、最上層の導体回路上にソルダーレジスト層を設け、上記ソルダーレジスト層の一部を開口して複数の半田バンプ形成用パッドを形成し、上記半田バンプ形成用パッド上にマスクを用いて半田ペーストを印刷する印刷処理を行い、半田バンプを形成するプリント配線板の製造方法であって、
形成された全半田バンプ形成用パッドのうちの一部の半田バンプ形成用パッドに対向する部分にのみソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成され、隣り合う半田バンプ形成用パッドの間隔よりも隣り合う開口部同士の間隔が広くとられた開口部を有するマスクを用いて１回目の印刷処理を行い、２回目の印刷処理で、１回目に印刷されなかった半田バンプ形成用パッドに対向する部分にソルダーレジスト層側に拡径する開口部が形成されるとともに、１回目の印刷処理で半田ペーストが充填された半田バンプ形成用パッドに対向する部分には、１回目の印刷処理で形成した開口部よりも小さな開口部が形成されたマスクを用いて印刷処理を行うことを特徴とする。
【００１６】
ここで、「開口部同士の間隔が広くとられた」とは、マスクの全半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口部が形成された場合と比較して、マスクの開口部同士の間隔が広くとられていることを意味する。
【００１７】
上記プリント配線板の製造方法によれば、マスクの開口部同士の間隔を広くとることができるので、マスクの開口に機械的な問題は発生せず、マスク自体の強度を保つことができ、半田印刷中にマスクの破損や反りが生じることもないため、マスクの寿命が長くなり、反りによる半田ペーストの抜け不良やニジミ不良がなくなり、半田バンプ形成の歩留りが向上する。
【００１８】
また、マスク開口部の間隔が広くなるため、開口径を小さくする必要がなく、半田ペーストの抜け性は良好となり、半田バンプの高さ、形状を均一に保つことができ、ＩＣチップなどの電子部品とバンプとの接続を確実に行うことができる。そのため、従来よりも狭ピッチで半田バンプを形成しても、接続性、信頼性に優れたプリント配線板を製造することができる。
【００１９】
次に、本発明のプリント配線板の製造方法における半田バンプの形成方法について説明する。
本発明では、種々の工程の後、導体回路上にソルダーレジスト層を形成し、半田バンプ形成用パッドとなる部分を開口する。この半田バンプ形成用パッドの開口は、フォトリソグラフィーを用いた方法、レーザを用いた方法、パンチングなどで行われる。平面視した開口部の形状は特に限定されず、例えば、円形、長円形、正方形、長方形などが挙げられるが、ソルダーレジスト層の開口形状の安定性、設計の自由度（バンプ形成用パッド間のスペースが広くなり、配線を通すことができる）、半田バンプ形状の安定性等の点から円形が望ましい。
【００２０】
なお、導体回路上には粗化層が形成されており、その粗化層により、ソルダーレジスト層と導体回路との密着が確保されている。この粗化層は、平均粗度で０．５〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍがより望ましい。上記粗化層は、無電解めっき、エッチング、酸化−還元処理や研磨処理などにより形成されることが望ましい。また、ソルダーレジスト層の厚みは、５〜７０μｍが望ましい。５μｍ未満である場合は、ソルダーレジスト層の剥がれ、クラックの発生等が起こり、７０μｍを越えると開口部を形成しにくくなるからである。
【００２１】
開口により露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属で被覆する。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金などの金属により被覆層を形成する。上記被覆層は、例えば、めっき法、蒸着法、電着法などによって形成するが、これらのなかでは、膜の均一性という点からめっき法が望ましい。
【００２２】
次に、マスクを用いた半田ペーストの印刷により、金属被覆層が形成された半田バンプ形成用パッド上に半田ペースト層を形成する。
【００２３】
上記マスクの開口部は、ソルダーレジスト層に対して平行な壁面を有するように形成されていてもよく、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテーパが形成されてもよいが、半田ペーストがマスクにひっかからないようにするためには、テーパが形成されていることが望ましい。開口部のテーパは、マスクのソルダーレジスト層側の最も広い部分の幅と半田ペースト入口の最も狭い部分幅との差が、０〜２５μｍであることが望ましく、５〜１５μｍがより望ましい。このようなテーパを設けることにより、半田ペーストのマスクからの抜け性が向上するので、半田バンプ形成用パッドへの充填性が改善され、形成される半田バンプの形状、大きさを均一に保持することができる。また、テーパが形成されたマスクを使用すると、半田バンプ形成用パッドへの充填性もよくなり、半田バンプ形成用パッド底部への充填不足による隙間がなくなり、信頼性試験におけるプリント配線板の性能、品質が向上する。
【００２４】
２回目以降の半田ペーストの印刷に用いるマスクには、ソルダーレジストに当接する側（以下、裏側という）の、前に形成した半田バンプ形成用パッドに対向する部分に凹部（以下、ザグリともいう）が形成されたマスクを用いることが望ましい。
マスクによる半田バンプの損傷をなくすとともに、半田ペーストがマスクの裏側に付着し、続いてソルダーレジスト表面に付着することに起因する短絡を防止することができるからである。
【００２５】
ただし、テーパおよびザグリの両方を設けたマスクを作製する場合は、マスクの強度の劣化を防止するために、テーパとザグリ間の距離を開けておく必要がある。
【００２６】
マスクの種類としては特に限定されず、プリント配線板の製造用印刷マスクやその他の印刷マスクで用いられている材質すべてのものを用いることができる。具体的には、例えば、ニッケル合金、ニッケル−コバルト合金、ＳＵＳ等からなるメタルマスク；エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチックマスク等が挙げられる。マスクの製造方法としてはエッチング、アディテイブ加工、レーザ加工等が挙げられる。
【００２７】
マスクの厚みは、２０〜７０μｍが望ましく、３０〜５０μｍがより望ましい。上記範囲の厚みに設定することにより、半田ペーストの開口部の抜け性がよくなり、適正な半田バンプの高さを設定することができ、ザグリを設けても機械的な強度に問題が生じないからある。
【００２８】
マスク厚みが２０μｍ未満であると、形成されるバンプの高さが低くなりすぎたり、均一になりにくく、半田バンプ形成における望ましい幅のテーパ、ザグリを形成するのが難しくなる。また、逆にマスクの厚みが７０μｍを超えると、半田ペーストの抜け性が低下してしまい、開口部内にペーストが残留してしまうために、半田バンプの形状、高さが均一でなくなることがあり、半田バンプが狭ピッチ化、ファイン化されるにつれて、半田バンプの形成が難しくなる。
【００２９】
印刷の際に用いる半田ペーストとしては特に限定されず、一般にプリント配線板の製造で使用されているものすべてを用いることができる。具体的には、例えば、Ｓｎ：Ｐｂ（重量比）＝６３：３７、Ｓｎ：Ｐｂ：Ａｇ＝６２：３６：２、Ｓｎ：Ａｇ＝９６．５：３．５等からなるものが挙げられる。半田粒子径は、５〜４０μｍが好ましく、印刷時の半田ペーストの粘度は、２３℃のおいて、１００〜４００Ｐａ．ｓが望ましい。半田ペーストの粘度が１００Ｐａ．ｓより低いと、半田バンプの形状を保持することができず、４００Ｐａ．ｓを超えると、半田ペーストを半田バンプ形成用パッド部分に効率よく充填することができないからである。
【００３０】
半田ペーストを印刷する際には、通常、印刷用スキージを用いる。この印刷形成用スキージの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレンなどのゴム；鉄、ステンレスなどの金属；セラミックなど一般にプリント配線板の印刷に用いられる材質を使用することができる。
【００３１】
上記スキージの形状に関しては、平型、角型などの種々の形状のものが挙げられる。上記形状のスキージに、適時切れ込みを入れることにより半田ペーストの充填性を向上させてもよい。
上記スキージの厚みは、１０〜３０ｍｍが望ましく、１５〜２５ｍｍがより望ましい。繰り返し印刷を行っても、反りやたわみがないからである。
【００３２】
しかし、スキージの目減り、摩耗による再現性や半田ペーストへの異物混入を考慮すると、金属製のものが望ましい。金属製の場合には、スキージの厚みは、５０〜３００μｍが望ましい。
また、密閉式のスキージユニットによる印刷を行ってもよい。このようなスキージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧入型、ピストン圧入型等が挙げられる。
【００３３】
上記マスク等を用いて半田ペーストを印刷する際には、以下のような方法を用いる。
図１は、プリント配線板上のソルダーレジスト層に形成された半田バンプ形成用パッドの配列状態の一例を模式的に示した平面図であり、図２は、半田バンプ形成用パッドの配列状態の他の一例を模式的に示した平面図である。
【００３４】
図１に示したように、半田バンプ形成用パッドが縦横に整列した状態で形成されている場合には、１回目に、隣り合った半田バンプ形成用パッド１８のうちの一つの半田バンプ形成用パッド（○印）のみに半田ペーストを印刷し、２回目に他の半田バンプ形成用パッド（◎印）を印刷する。
【００３５】
また、図２に示したように、半田バンプ形成用パッド１８が縦一列に整列した状態で形成されておらず、横の一列おきに形成位置が半田バンプ形成用パッド１８の間隔の１／２づつ横にづれている場合には、１回目に横の奇数列の半田バンプ形成用パッド（○印）のみに半田ペーストを印刷し、２回目に他の偶数列の半田バンプ形成用パッド（◎印）を印刷する。
従って、マスクは、その半田バンプ形成用パッドに対向する部分に開口が形成されたマスクをそれぞれ用いる。
【００３６】
ただし、形成する半田バンプ間の距離や半田バンプの高さ、半田バンプ形成用パッドの形状、半田ペーストの組成、粘度、粒径などによっては、３回以上半田ペーストの印刷を行ってもよい。これらに依存して、マスクに形成する開口間の距離を変化させた方がよい場合もあるからである。
また、１回目の印刷では、ソルダーレジスト層の表面より高くなるように、半田ペースト層を充填せず、半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面と略同一となるように半田ペーストを充填することが望ましい。
１回目の印刷後であっても、ソルダーレジスト表面は平坦であり、２回目の印刷で、マスクを載置しても、半田ペースト層に変形等が発生しないためである。
１回目の印刷で、半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面よりも高くなるように半田ペースト層を形成した場合には、２回目以降の半田ペーストの印刷に用いるマスクには、図３に示すように、裏側にザグリ２１ａを入れたマスク２１を用いて半田ペースト層２２ａを形成することが望ましい。
【００３７】
また、２回目以降の印刷においては、図４（ａ）に示すように、前に印刷することにより形成された半田ペースト層または半田バンプ部分２２ａに対向する部分に小さな開口部２１ｂが形成されたマスク２１を用い、この半田ペースト層または半田バンプ部分２２ａに、さらに半田ペースト層２２ｃを形成させてもよい。それにより、半田ペースト量が不足する部分を補うことができ、また、所望の高さにした半田バンプを形成することができる。
また、図４（ｂ）は、１回目の印刷で半田ペースト層の上面がソルダーレジスト層の表面より高くなるように半田ペースト層２２ａを充填した場合であり、この場合には、開口部２１ｂの形状を半田ペースト層２２ａに当たらないように工夫することにより、支障なく半田ペーストの印刷を行うことができる。
【００３８】
前に印刷した半田バンプ形成用パッドに対向する部分に、小さな開口部を設けたのは、開口部間の距離を広く保つためであるが、前の回で、ある程度半田ペーストが印刷されているため、このような小さな開口部であっても、充分に必要な量のペーストを供給することができる。
【００３９】
また、半田バンプ形成用パッドは、フラットな導体回路上に形成され、平坦なものと、バイアホール上に形成され、その中心に１０〜１２０μｍの径の凹部を有するものの２種類があり、半田ペーストの印刷量も、その種類により少し異なるため、種類別に開口部を形成したマスクを用いて印刷を行ってもよい。
【００４０】
１回の印刷で半田バンプを形成させる場合、マスクの開口部の形状はソルダーレジスト層の半田バンプ形成用パッドの形状より大きくするのが望ましい。半田バンプ形成用パッド内へ充分に半田ペーストを供給するためである。
２回の印刷で半田バンプを形成する場合には、マスクの開口部の形状はソルダーレジスト層の半田バンプ形成用パッドの形状とほぼ同じにするが、テーパがつけられた開口部を形成する場合には、最も狭い開口部分（半田ペースト入口側）の形状が半田バンプ形成用パッドの形状とほぼ同じであることが望ましい。
【００４１】
上記したように、半田ペーストの印刷工程を全て終了した後、リフロー工程を行っても半田バンプ形成用パッドを形成してもよいが、形成した半田ペースト層にメタルマスクが当たり、半田ペースト層の変形、マスクへの付着等による量の減少等の影響が出ないようにするため、１回の半田ペーストの印刷工程に続いてリフロー工程を行い、一定形状の半田バンプを形成した後、次の半田ペーストの印刷工程を行ってもよい。
１回毎に、リフローを行うか否かは、形成する半田バンプの径や高さ、半田バンプ形成用パッド開口径、ソルダーレジスト層の厚みや半田ペーストの組成、粘度、粒径などによって異なる。
【００４２】
本発明の半田バンプの形成方法で形成する半田バンプの形状は半円球状で、その高さは５〜５０μｍとなり、均一な高さや形状を有する半田バンプを形成することができる。
リフローは、窒素などの不活性雰囲気下、１５０〜３００℃の温度範囲で行うことが望ましい。リフローの温度は、半田組成により設定を行う。
【００４３】
次に、本発明のプリント配線板の製造方法について、簡単に説明する。
(1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。
【００４４】
絶縁性基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げられる。
本発明では、この絶縁性基板にドリル等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およびスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
【００４５】
この無電解めっきの後、通常、スルーホール内壁および電解めっき膜表面の粗化形成処理を行う。粗化形成処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４６】
(2) 次に、無電解めっきが施された基板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完全硬化する。
【００４７】
(3) 次に、導体回路上に粗化層を形成する。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４８】
(4) ついで、形成された粗化層表面に、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等からなる被覆層を無電解めっき、蒸着などにより形成する。上記被覆層を０．０１〜２μｍの範囲で析出させることにより、層間絶縁層から露出した導体回路を粗化液やエッチング液から保護し、内層パターンの変色、溶解を確実に防止することができるからである。
【００４９】
(5) この後、粗化層が形成された導体回路上に層間樹脂絶縁層を設ける。
層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
層間絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができる。
【００５０】
上記層間絶縁層を形成する際に、無電解めっき用接着剤層を使用することができる。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。
【００５１】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(c) 平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【００５２】
上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００５３】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することができる。また、感光化した樹脂としては、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリレート化したものが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００５４】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用することができる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保できるからである。
【００５５】
上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などが望ましい。
【００５６】
(6) 次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口を設ける。
層間絶縁樹脂層の開口は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。
充分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化させることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【００５７】
(7) 次に、バイアホ−ル用開口を設けた層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化する。通常、粗化は、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより行う。
酸処理等により形成する粗化面の高さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去することができるからである。
【００５８】
上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００５９】
(8) 次に、粗化した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきが好ましく、その厚みは、１〜５μｍが望ましく、２〜３μｍがより望ましい。
【００６０】
(9) さらに、この上にめっきレジストを配設する。めっきレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
そして、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
【００６１】
(10)ついで、上記処理を行った基板を電気めっき液に浸漬した後、無電解めっき層をカソードとし、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、上層導体回路を形成する。
電解めっきとしては、電解銅めっきが好ましく、その厚みは、１０〜２０μｍが好ましい。
【００６２】
(11)ついで、めっきレジストを強アリカリ水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき層を除去することにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする。
上記エッチング液としては、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液が使用される。
なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去する。
【００６３】
(12)この後、必要により、(3) 〜(11)の工程を繰り返し、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきを施し、最上層の導体回路上に粗化層を形成する。
【００６４】
次に、最上層の導体回路を含む基板面にソルダーレジスト層を形成し、上記した方法により半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００６５】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．無電解めっき用接着剤の調製（上層用接着剤）
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【００６６】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【００６７】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバガイギー社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【００６８】
Ｂ．無電解めっき用接着剤の調製（下層用接着剤）
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【００６９】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【００７０】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバガイギー社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【００７１】
Ｃ．樹脂充填材の調製
(i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００７２】
Ｄ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図５（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００７３】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図５（ｂ）参照）。
【００７４】
(3) 上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール９内、および、下層導体回路４間に樹脂充填材１０を塗布することにより充填した（図５（ｃ）参照）。
この際、塗布方法としては、スキージを用いた印刷法を採用し、１回目の印刷塗布においては、主にスルーホール９を充填し、１００℃で２０分間乾燥させた。また、２回目の印刷塗布では、主に下層導体回路４の形成で生じた凹部を充填し、１００℃で２０分間乾燥させた。
【００７５】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００７６】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図５（ｄ）参照）。
【００７７】
(5) 次に、上記工程により導体回路を形成した絶縁性基板を、絶縁性基板同士が３ｃｍの間隔があくようにラックに収納し、アルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した。
【００７８】
次に、硫酸銅（３．９×１０-2ｍｏｌ／ｌ）、硫酸ニッケル（３．８×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（７．８×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．３×１０-1 ｍｏｌ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（１．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬１分後に、４秒あたりに１回の割合で縦および横方向に振動させて、下層導体回路およびスルーホールのランドの表面に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の粗化層を設けた。さらに、ホウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）、チオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ）を含む温度３５℃、ｐＨ＝１．２のめっき浴を用い、Ｃｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（図６（ａ）参照）。
【００７９】
(6) さらに、ホウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）、チオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ）を含む温度３５℃、ｐＨ＝１．２のスズ置換めっき液を用い、浸漬時間１０分でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。ただし、このＳｎ層については、図示しない。
【００８０】
(7) 基板の両面に、上記Ｂにおいて記載した下層用の無電解めっき用接着剤（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行った。次いで、上記Ａにおいて記載した上層用の無電解めっき用接着剤（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、厚さ３５μｍの無電解めっき用接着剤の層２ａ、２ｂを形成した（図６（ｂ）参照）。
【００８１】
(8) 上記(7) で無電解めっき用接着剤の層を形成した基板の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口６を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した（図６（ｃ）参照）。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【００８２】
(9) バイアホール用開口６を形成した基板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（図６（ｄ）参照）。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間絶縁材層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
【００８３】
(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図７（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              ０．０８  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．０３  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ              ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
α、α’−ビピリジル      ８０  ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１０  ｇ／ｌ
（ポリエチレングリコール）
〔無電解めっき条件〕
６５℃の液温度で２０分
【００８４】
(11)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図７（ｂ）参照）。
【００８５】
(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図７（ｃ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                      ６５  分
温度                  ２２±２  ℃
【００８６】
(13)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図７（ｄ）参照）。
【００８７】
(14)導体回路を形成した基板に対し、上記(5) と同様の処理を行い、導体回路の表面に厚さ２μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金粗化層１１を形成した（図８（ａ）参照）。
(15)続いて、上記 (6)〜(14)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。（図８（ｂ）〜図９（ｂ）参照）。
【００８８】
(16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００８９】
(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００９０】
(18)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００９１】
(19)次に、ＩＣチップ等の電子部品を接続するファインピッチ側のみに半田バンプを形成するため、半田ペーストの印刷を行った。この際、２枚のマスクを用い、半田ペーストの印刷を２回に分けて行った。
まず、１回目の半田ペーストの印刷は、図２に示した半田バンプ形成用パッド１８の○印の部分、すなわち横に並んだ半田バンプ形成用パッドに対して１列おきに印刷することができるように構成されたマスクを用い、このマスクをソルダーレジスト１４上に載置し、硬度７５°のゴムスキージを用いて、半田バンプ形成用パッド部に半田ペーストを充填した。マスクの開口径は、全て１７０μｍであった。
【００９２】
また、半田ペーストは、Ｓｎ／Ｐｂを重量比６３：３７で配合させた主として粒径５〜２５μｍの半田を含むもので、その粘度が２００Ｐａ．ｓに調整されたものである。
【００９３】
次に、２回目の半田ペーストの印刷を行ったが、この際、図２に示した半田バンプ形成用パッドの◎印の部分のみに印刷することができるように構成され、かつ、１回目に半田バンプを形成した部分に対向する部分にはザグリ２１ａが入れられた図３に示したようなマスクを使用した。印刷条件は、１回目の場合と同様であり、マスクの開口径は、全て１７０μｍであった。この後、１回目及び２回目で形成された半田ペースト層を２００℃でリフローすることにより、半田バンプを形成した（図９（ｃ））。
【００９４】
(21)次に、フラックス洗浄を行い、ルーターを持つ装置で、基板を適当な大きさに分割切断した後、プリント配線板の短絡、断線を検査するチェッカー工程を経て、プリント配線板を得た。
(20)上記方法により、複数のプリント配線板を製造し、製造したプリント配線板の他の一部を用い、ＩＣチップとの接合を行った。すなわち、所定の取り付け装置を用い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準として、プリント配線板の半田バンプとＩＣチップに設けられたバンプとの位置合わせを行い、半田をリフローさせることによりプリント配線板の半田バンプとＩＣチップのバンプとを接合させた。そして、フラックス洗浄後、該ＩＣチップと多層プリント配線板との間にアンダーフィルを充填し、これによってＩＣチップが接続したプリント配線板を得た。
【００９５】
（実施例２）
１回目の半田印刷後、形成された半田ペースト層を２００℃でリフローすることにより、半田バンプを形成し、その後、２回目の半田ペーストの印刷を行って、半田バンプを形成させたほかは実姉例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００９６】
（比較例１）
１回の半田ペーストの印刷で全半田バンプに半田ペーストを充填し、半田バンプを形成したほかは、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００９７】
次に、実施例１、２および比較例１で製造されたプリント配線板について、ソルダーレジスト層の汚染を観察し、半田バンプ高さと形状、信頼性試験前と後の性能試験等の評価を下記の方法により行い、また、マスクの損傷の有無についても比較評価を行った。その結果を表１に示した。
【００９８】
評価方法
（１）半田バンプの形状と高さ
プリント配線板を半田バンプが形成されている部分で切断し、切断した断面を顕微鏡で観察してソルダーレジスト層からの半田バンプの高さを測定し、形状を観察した。形状については、半球状になっているものを○、そうでないものを×とした。
【００９９】
（２）信頼性試験（ヒートサイクル試験）
１３５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間放置した後、下記する導通試験を行い、プリント配線板を半田バンプ部分が形成されている部分で切断して半田バンプの状態を観察した。信頼性試験前と変わらないものを○、クラック等が観察されたものを×としている。
【０１００】
（３）導通試験
プリント配線板製造後上記信頼性試験の前、または、上記信頼性試験後に導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。短絡、断線がないものを○、短絡、断線があったものを×としている。
【０１０１】
（５）マスクの状態
マスクを目視で観察した。損傷が認められたものを×、損傷が認められないものを○としている。
【０１０２】
【表１】
0004233172.tif 000002
【０１０３】
表１に記載したように、実施例１、２で製造されたプリント配線板では、半田バンプには高さ、形状ともほぼ均一であり、半田ペーストのニジミに起因する半田バンプ間の短絡もなかった。また、マスク間の距離が適切であったため、連続印刷を行ってもマスクの破れや開口部の破壊など、マスクへの損傷も起こらなかった。さらに、信頼性試験の前後で導通試験を行っても全く問題がなく、半田バンプのクラック、剥がれも見当たらなかった。
【０１０４】
一方、比較例１で製造されたプリント配線板は、半田バンプ内にボイドが形成され、高さも実施例１と比べてもバラツキが大きく、形状も一様でなかった。また、半田ペーストのニジミに起因する半田バンプ間の短絡がみられた。導通試験に関しては、上記半田バンプ形成時の半田バンプ間の短絡を除くと、半田バンプ形成後は特に問題がなかったが、信頼性試験後に断線、短絡が生じた。また、断線と確認された部分の半田バンプの断面を切断すると、クラック、剥がれを引き起こしていた。半田バンプ内のボイドから誘発されたものであると推定された。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明のプリント配線板の製造方法によれば、ＩＣチップなどの電子部品の狭ピッチ化、ファイン化に対応した半田バンプを形成することができ、半田バンプ間の短絡を起こさず、半田バンプの形状、高さを均一にして、ＩＣチップなどの電子部品との接続を確実に行うことができる接続性、信頼性に優れたプリント配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プリント配線板上のソルダーレジスト層に形成された半田バンプ形成用パッドの配列状態の一例を模式的に示した平面図である。
【図２】半田バンプ形成用パッドの配列状態の他の一例を模式的に示した平面図である。
【図３】本発明のプリント配線板の製造方法における半田バンプの形成方法の一例を示した断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明のプリント配線板の製造方法における半田バンプの形成方法の他の例を示した断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２（２ａ、２ｂ）  層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）
３  めっきレジスト層
４  下層導体回路
４ａ  粗化面
５  上層導体回路
７  バイアホール
８  銅箔
９  スルーホール
９ａ  粗化面
１０ 樹脂充填材
１１  粗化層
１２  無電界めっき層
１３  電界めっき層
１４  ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）
１５  ニッケルめっき膜
１６  金めっき膜
１７  半田バンプ
１８  半田バンプ形成用パッド
２１  マスク
２１ａ  ザグリ
２１ｂ  開口部
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ  半田ペースト層
【図１】
0004233172.tif 000003
【図２】
0004233172.tif 000004
【図３】
0004233172.tif 000005
【図４】
0004233172.tif 000006
【図５】
0004233172.tif 000007
【図６】
0004233172.tif 000008
【図７】
0004233172.tif 000009
【図８】
0004233172.tif 000010
【図９】
0004233172.tif 000011