(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（１１）と反応開始剤を含む紫外線硬化性の有機物である粘着剤（１２）とからなり、前記粘着剤によって半導体基板（２０）の表面に貼り付けられた保護キャップ（１０）を、前記半導体基板の表面から剥離する剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記剥離工程は、前記半導体基板の表面に貼り付けられた前記保護キャップ上を、紫外線にて露光することにより、前記粘着剤を硬化させるとともに、前記反応開始剤をラジカルにして、前記粘着剤と前記紫外線によって発生する酸素ラジカル及びオゾンとを反応させ、前記粘着剤の一部を気化させて除去するとともに、前記保護キャップを剥離して前記粘着剤の一部を未硬化として前記半導体基板上に転写する硬化工程と、
この硬化工程の後、前記紫外線を照射して、前記半導体基板上に転写された前記粘着剤の一部を前記半導体基板の表面から除去する粘着剤除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基材（１１）と反応開始剤を含む紫外線硬化性の有機物である粘着剤（１２）とからなり、前記粘着剤によって半導体基板（２０）の表面に貼り付けられた保護キャップ（１０）を、前記半導体基板の表面から剥離する剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記剥離工程は、紫外線を照射して、前記保護キャップを前記半導体基板の表面から除去する保護キャップ除去工程と、
この除去工程の後、前記半導体基板の表面上を前記紫外線にて露光することにより、前記半導体基板の表面に残存する前記粘着剤（６０、６１）と前記紫外線によって発生する酸素ラジカル及びオゾンとを反応させ、前記残存する粘着剤を気化させて除去する残存粘着剤気化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記硬化工程を、オゾン濃度が１０００ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍの間の雰囲気にて実行することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記残存粘着剤気化工程を、オゾン濃度が１００００ｐｐｍ〜８００００ｐｐｍの雰囲気にて実行することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記残存粘着剤気化工程を、オゾンガス中にて実行することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記残存粘着剤気化工程を、オゾンガスを前記半導体基板に対して垂直方向に吹き付けながら実行することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記紫外線として、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの２つの主波長を有するものを用いることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記紫外線の照射源として水銀ランプを用いることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記紫外線の照射源としてキセノンランプを用いることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、静電容量型加速度センサやヨーレートセンサのように１チップ内に可動部を有する半導体装置やエアーブリッジ配線構造などのように機械的強度の低い構造体を持つ半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコンウェハ等の半導体基板（半導体ウェハ）上に、例えば、静電容量型加速度センサやヨーレートセンサのように１チップ内に可動部を有する素子やエアーブリッジ配線構造などのように機械的強度の低い構造体が存在する場合、これらの素子を複数のチップに分割する方法として、特開平９−２７４６６号公報に記載のものが提案されている。
【０００３】
これは、粘着シートをドーム状に塑性変形させた保護キャップを機械的強度の低い部分（可動部）上に覆い被せることにより、研削水から機械的強度の低い部分を保護して半導体基板と共にダイシングカットし、カット後に、チップ化された半導体基板から保護キャップを剥離する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、保護キャップである粘着シートにより研削水から機械的強度の低い構造体（可動部）を保護することは可能であるが、保護キャップとして、シート基材と紫外線（ＵＶ）硬化性の有機物よりなる粘着剤とを有する粘着シート（ＵＶ硬化性粘着シート）を用いた場合、ダイシングカット後に保護キャップを剥離する際に、保護キャップの粘着剤が残存するという問題がある。
【０００５】
この粘着剤残りは２つのモードを持ち、▲１▼チップ化された半導体基板（以下、チップという）表面上の保護キャップの内側に生じる場合と、▲２▼粘着剤がチップ表面上に一部転写される場合とがある。
▲１▼のモードについては、剥離させるためにＵＶ照射して粘着剤を硬化させる際に、保護キャップ内壁で露出した粘着剤が雰囲気中の酸素によって酸素阻害を起こして未硬化となり、チップ表面に残るものである。また、▲２▼のモードについては、保護キャップを剥離する際の力と粘着力との関係によって、粘着剤の未硬化部分がチップ表面に転写されることによる。特に、この現象は表面に段差部があると顕著になる。
【０００６】
これら▲１▼及び▲２▼のモードによる粘着剤残りにおいて、粘着剤が多量に残る場合には、後工程においてパッケージング時にかかる熱処理等により粘着剤が炭化する。その炭化物が何らかの外力（例えば外部からの振動）が与えられると、チップにおける上記の可動部（センシング部）や構造体に付着してしまい、センサ特性に多大な影響を与える等、装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。
【０００７】
また、チップがワイヤボンディング用の電極パッドを有する場合、上記炭化物が電極パッド上に残るとワイヤボンディング性が悪化する。これを防止するために、パッドの位置を接着剤（糊）残りが生じる場所から離すことで回避できるが、パッド位置で対応しようとするとパターンの制約を受けることになり、必然的にチップサイズが不必要に大きくなってしまい、１枚のウェハからの取れ数が少なくなり、チップコストが結果的に増大してしまう。
【０００８】
さらに、チップ表面に凹凸がある場合も接着剤（糊）残りが生じやすく、その場合も同様で、凹凸部を粘着剤の糊代に入れないようにすると、チップサイズは大きくなる。
また、粘着剤のような有機物の除去は、一般的にはキャロス洗浄（硫酸と過酸化水素との混合液）があるが、キャロス洗浄後に水洗浄が必要となり、その工程途中あるいは工程後に、可動電極と固定電極との付着に代表されるスティッキングを引き起こす。さらに、ドライ洗浄としてプラズマによる酸素アッシングがあるが、スパッタリング効果で電極表面が活性になったり、プラズマ中の電子やイオンにより可動電極と固定電極間で静電気力が発生し、除去後にスティッキングを起こし、信頼性を低下させる可能性がある。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑み、ＵＶ硬化性の有機物よりなる粘着剤によって半導体基板表面に貼り付けられた保護キャップを剥離する工程を有する半導体装置の製造方法において、装置の低コスト化及び信頼性低下の防止を実現しつつ、半導体基板表面での粘着剤残りを低減することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明では、基材（１１）と反応開始剤を含む紫外線硬化性の有機物である粘着剤（１２）とからなり、粘着剤によって半導体基板（２０）の表面に貼り付けられた保護キャップ（１０）を、半導体基板の表面から剥離する剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、保護キャップ（１０）を半導体基板（２０）から剥離する剥離工程において、該半導体基板の表面に貼り付けられた該保護キャップ上を紫外線にて露光することにより、粘着剤（１２）を硬化させるとともに、反応開始剤をラジカルにして、該粘着剤と該紫外線によって発生する酸素ラジカル及びオゾンとを反応させ、該粘着剤の一部を気化させて除去するとともに、該保護キャップを剥離して該粘着剤の一部を未硬化として半導体基板上に転写する硬化工程を実行した後、該紫外線を照射して、半導体基板上に転写された粘着剤の一部を該半導体基板の表面から除去する粘着剤除去工程を実行するようにしたことを特徴としている。
【００１１】
本製造方法によれば、紫外線による粘着剤の硬化時に、該紫外線によって酸素ラジカル及びオゾンを発生させる。これら酸素ラジカル及びオゾンは化学的に活性であるため、保護キャップの内側に露出する粘着剤（有機物）の一部と反応し、反応した粘着剤が気化、除去される。従って、本来粘着剤残りとなる根源の粘着剤が減少するため、結果として、粘着剤残りを低減することができる。
【００１２】
そのため、電極パッド等を含む基板表面の凹凸の位置を考慮する必要もなくなると共に、粘着剤残り部分から必要な距離だけ可動部等を離すという制約を受けることもなくなり、結果的にチップサイズを小さくすることが可能となる。
また、紫外線照射による粘着剤の気化という化学反応を利用した粘着剤の除去方法を採用しているため、上記した従来のキャロス洗浄や酸素アッシング等のようにスティッキングが発生しない。従って、本発明によれば、装置の低コスト化及び信頼性低下の防止を実現しつつ、半導体基板表面での粘着剤残りを低減することができる。
【００１３】
また、請求項２記載の発明では、基材（１１）と反応開始剤を含む紫外線硬化性の有機物である粘着剤（１２）とからなり、粘着剤によって半導体基板（２０）の表面に貼り付けられた保護キャップ（１０）を、半導体基板の表面から剥離する剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、剥離工程において、紫外線を照射して、保護キャップ（１０）を半導体基板（２０）の表面から除去する保護キャップ除去工程を実行した後、該半導体基板の表面上を該紫外線にて露光することにより、該半導体基板の表面に残存する粘着剤（６０、６１）と該紫外線によって発生する酸素ラジカル及びオゾンとを反応させ、該残存する粘着剤を気化させて除去する残存粘着剤気化工程を実行することを特徴としている。
【００１４】
本製造方法によれば、保護キャップ除去後に半導体基板の表面に残存する粘着剤に対して、紫外線露光を行い、酸素ラジカル及びオゾンを発生させ、上記請求項１の製造方法と同様の作用により、残存する粘着剤を気化して除去する。
それによって、半導体基板の表面の粘着剤残りを無くすことが可能であり、請求項１の製造方法と同様の理由から、装置の低コスト化及び信頼性低下の防止を実現しつつ、半導体基板表面での粘着剤残りを低減することができる。
【００１６】
ここで、本発明者等の実験検討によれば、上記硬化工程はオゾン濃度が１０００ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍの間の雰囲気にて実行すること（請求項３の発明）が好ましく、上記残存粘着剤気化工程は、オゾン濃度が１００００ｐｐｍ〜８００００ｐｐｍの雰囲気での実行（請求項４の発明）、オゾンガス中での実行（請求項５の発明）、オゾンガスを半導体基板（２０）に対して垂直方向に吹き付けながらの実行（請求項６の発明）が好ましい。
【００１７】
また、上記紫外線としては、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの２つの主波長を有するものを用いること（請求項７の発明）が好ましく、その照射源としては、水銀ランプ（請求項８の発明）やキセノンランプ（請求項９の発明）を用いることが好ましい。
【００２１】
ところで、上記請求項１〜請求項９に記載の発明において、半導体基板とは、ウェハ状態だけでなく、カットされてチップ化された状態、更にはカット途中の状態も含むものである。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の実施形態において、半導体基板とは、ウェハ状態だけでなく、カットされてチップ化された状態、更にはカット途中の状態も含むものである。
（第１実施形態）
まず、実施形態の概略を説明する。図１は本実施形態に用いられる半導体装置１００と保護キャップ１０及びＵＶ（紫外線）照射時に発生する粘着剤残りとの位置関係を示す概略断面図である。なお、図１中のＫはダイシングカット後のカット溝である。
【００２３】
本実施形態の半導体装置は静電容量型半導体加速度センサ１００であり、半導体基板２０に、半導体製造技術を利用した周知のマイクロマシン加工を施すことにより、チップ単位毎に複数個形成されたものである。このセンサ１００は、センシング部３０が、櫛歯状の梁構造体であって例えば可動電極（可動部）及び固定電極を備えた容量検出型のものである。
【００２４】
センシング部３０は、半導体基板２０の表面（一面）２１に露出して形成された機械的強度の低い構造体であり、本発明の露出構造部に相当する。また、半導体基板２０の裏面（他面）２２側は、センシング部３０の部分にて異方性エッチング液等によりエッチングされて開口部を形成しており、センシング部３０は半導体基板２０の両面２１、２２に露出した形となっている。なお、半導体基板２０の表面２１には、Ａｌ（アルミニウム）等よりなるワイヤボンディング用の電極パッド２３がチップ毎に形成されている。
【００２５】
保護キャップ１０は、基材１１と粘着剤１２との２層構造を成し、基材１１が例えばポリオレフィン系樹脂等からなり、粘着剤１２が例えばアクリル系樹脂等のＵＶ硬化性の有機物からなるＵＶ硬化性粘着シートであり、紫外線が照射された領域の粘着剤１２の粘着力が低下するタイプである。
保護キャップ１０は上記特開平９−２７４６６号公報に記載のものと同様に、ドーム状に塑性変形したドーム部１３を有し、このドーム部１３がセンシング部３０を覆うように、半導体基板２０の表面２１に粘着剤１２によって貼り付けられ、センシング部３０を保護している。
【００２６】
なお、半導体基板２０の裏面２２に貼り付けられているダイシング用粘着シート４０は、図１の状態の前工程であるダイシングカット工程において、裏面２２から露出するセンシング部３０を保護するためのものである。このダイシング用粘着シート４０も基材４１及び粘着剤４２の２層構造であり、基材４１及び粘着剤４２は、それぞれ、保護キャップ１０の基材１１及び粘着剤１２と同様の材質を採用できる。
【００２７】
図１は、まさに保護キャップ１０を剥離させるべく、保護キャップ１０上を紫外線（ＵＶ光）で露光して、保護キャップ１０の粘着剤１２の粘着力を低下させているところである。
ここで、粘着剤１２の残り（粘着剤残り）は、保護キャップ１０のドーム部１３内壁と、半導体基板２０の凹凸部２４に残りやすい。なお、図示例では凹凸部２４は基板表面に形成されたセンサチップ内の基板電位を絶縁分離するためのエアアイソレーションである。
【００２８】
保護キャップ１０内壁の粘着剤残りは、上記の紫外線露光時（紫外線照射時）に粘着剤（例えばアクリル系樹脂）１２中の反応開始剤がラジカルになり、このラジカルがキャップ内部に混入している酸素と反応する。この反応により、粘着剤１２には架橋が形成されず、その部分では粘着剤１２は未硬化となり、未硬化である粘着剤１２は、保護キャップ１０を剥離したときに半導体基板２０の表面２１上に転写される。
【００２９】
一方、半導体基板２０の表面２１の凹凸部２４においては、保護キャップ１０である粘着シートを貼り付けるときの加圧力（粘着シートと基板表面間に入り込む気泡を除去するための加圧力）によって、凹部あるいは段差部の角に、粘着剤１２が埋め込まれる。埋め込まれた粘着剤１２は、紫外線により硬化はするが、保護キャップ１０（粘着シート）を除去する際に粘着剤１２が引きちぎられ、結果として粘着剤残りとなる。なお、この現象は凹部のアスペクト比が大であるほど顕著になる。
【００３０】
本実施形態は、上記の未硬化となる粘着剤１２を低減あるいは除去するための半導体装置１００の製造方法を提供するものである。次に、その製造方法について述べる。図２〜図４は本製造方法を工程順に示す概略断面図である。
図２（ａ）に示すのは、上述した本実施形態の半導体装置としての静電容量型半導体加速度センサ（以下、半導体センサという）１００であり、ダイシングカットによってチップ化される前のウェハ状態の半導体基板２０にチップ単位毎に複数個形成されている。
【００３１】
次に、後述のダイシングカット時に研削水により可動電極と固定電極とが付着する（スティッキング現象）のを防止するために、図２（ｂ）に示す貼付工程を行う。即ち、半導体基板２０の表面２１に、上述のＵＶ硬化性粘着シートをドーム状に変形させた保護キャップ１０を、大気中で貼り付け、半導体基板２０の表面２１（特にセンシング部３０）を保護する。また、半導体基板２０の裏面２２に、上述のダイシング用粘着シート４０を貼り付ける。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すダイシングカット工程では、ダイシングブレード５０を用いて、スクライブライン（図では省略）に沿ってダイシングカットを実施し、保護キャップ１０及び半導体基板２０をチップ状に分割する。このとき、ダイシング用粘着シート４０はハーフカットすることで、チップ化された各半導体センサ１００を離散させずに一体化している。
【００３３】
このように、各半導体センサ１００を一体化することで、後工程におけるチップの取り扱いが容易になる等、作業性が向上する。次に、粘着剤１２によって半導体基板２０の表面２１に貼り付けられた保護キャップ１０を、該表面２１から剥離する剥離工程を行う。この剥離工程は、図３（ａ）及び（ｂ）に示す硬化工程、図３（ｃ）に示す保護キャップ除去工程としての除去工程、及び図４（ａ）に示す粘着剤除去工程としての残存粘着剤気化工程の各工程を有する。
【００３４】
まず、硬化工程では、チップサイズに分割された保護キャップ１０を半導体基板２０における各チップから除去するために、保護キャップ１０上を紫外線（ＵＶ光）にて露光することにより、粘着剤１２を硬化させる。このときの紫外線の波長は、雰囲気中の酸素から酸素ラジカル及びオゾンが発生する光化学反応を生じさせるような波長とする。具体的には、紫外線光源として低圧水銀ランプを用い、このときの主波長は１８５ｎｍと２５４ｎｍである。
【００３５】
このような紫外線の波長とすることにより、図５に示す光化学反応が生じる。つまり、保護キャップ１０は大気中で貼り付けられているため、ドーム部１３内には酸素（Ｏ2 ）が存在する。この酸素は１８５ｎｍのＵＶ光により活性な酸素ラジカル（Ｏ* ）になる。さらに、２５４ｎｍのＵＶ光により、酸素ラジカルと酸素とでオゾン（Ｏ3 ）になる。次に、オゾンは１８５ｎｍのＵＶ光により酸素と酸素ラジカルを形成する。
【００３６】
この反応途中で生成される、非常に活性な酸素ラジカルとオゾンは、有機物である粘着剤１２中のカーボンと反応することで、ＣＯ、ＣＯ2 となり、保護キャップ１０のドーム部１３内の粘着剤１２が一部気化する。従って、本来粘着剤残りとなる根源の粘着剤１２が減少し、結果として粘着剤残りが低減される。このときのオゾン濃度は、例えば１５００ｐｐｍ程度である。
【００３７】
ここで、図３（ｂ）において、黒塗りで示す６０は、保護キャップ１０（ドーム部１３）の内壁に僅かに残存する未硬化の粘着剤であり、黒塗りで示す６１は、凹凸部２４としての上記エアアイソレーション内に残存する粘着剤である。
次に、除去工程では、図３（ｃ）に示す様に、保護キャップ１０を真空吸着可能な治具や人手等により、半導体基板２０の表面２１から除去する。除去後においては、半導体基板２０の表面２１には、上記僅かに残存する未硬化の粘着剤６０及びエアアイソレーション内に残存する粘着剤６１が、粘着剤残りとして存在する。
【００３８】
次に、残存粘着剤気化工程では、半導体基板２０の表面２１上を、上記硬化工程と同様の波長の紫外線にて露光することにより、上記の粘着剤残り６０、６１を除去する。具体的には、図４（ａ）に示す様に、再度、低圧水銀ランプを用いて１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの主波長を有するＵＶ光を照射する。本工程における粘着剤を除去するメカニズムも、上記硬化工程と同一である。
【００３９】
ただし、この時の雰囲気あるいはガスの流し型が重要で、オゾン濃度はできる限り高い方が有効である（例えば５００００ｐｐｍ程度）。
なお、この残存粘着剤気化工程では、雰囲気は酸素でもオゾンでも良いが、できればオゾンの方が望ましい。酸素では或程度の濃度で、酸素ラジカルもオゾンも平衡状態になってしまい、除去するのに時間がかかってしまう。処理時間が長くなると、必要以上に基板表面温度が高くなり、素子によっては特性に影響を与える。
【００４０】
この残存粘着剤気化工程において、最も有効な方法は、オゾン生成器から生成されるオゾンを半導体基板２０が入った処理チャンバ内に導入し、オゾンを半導体基板２０の表面２１に対し垂直方向に吹き出し、ＵＶ光を照射することである。この方法であれば、基板２０の表面２１は５００００ｐｐｍ以上のオゾン濃度となり、処理時間を短くできると共に、粘着剤残り６０、６１を効率的に除去できる。
【００４１】
こうして、剥離工程が終了し、図４（ｂ）に示す様に、半導体基板２０の表面２１において粘着剤残りが除去された半導体センサ１００が出来上がる。この後各チップ（半導体センサ１００）は、ダイシング用粘着シート４０から取り外され、適所に実装される。
このように、上記製造方法によれば、硬化工程によって保護キャップ１０の内側に露出する粘着剤１２即ち粘着剤残りとなる根源の粘着剤６０を減少でき、更に、残存粘着剤気化工程によって保護キャップ１０の除去後に半導体基板２０の表面２１に残存する粘着剤６０、６１を除去できる。
【００４２】
そのため、半導体基板２０の表面２１において、電極パッド２３や凹凸部２４の位置を考慮する必要もなくなると共に、粘着剤残り部分から必要な距離だけセンシング部３０を離すという制約を受けることもなくなるため、結果的にチップサイズを小さくでき、装置の低コスト化を実現できる。
また、上記製造方法では、紫外線照射による粘着剤１２の気化という化学反応を利用した粘着剤の除去方法を採用しているため、上記した従来のキャロス洗浄や酸素アッシング等のようにスティッキングが発生せず、装置の信頼性低下の防止を実現できる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、一つの低圧水銀ランプで粘着剤残りを除去することができるのであるが、波長が異なるキセノンランプを用いても、上記の酸素ラジカル及びオゾンによる略同様な効果を得ることができる。
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、保護キャップの貼付工程を大気中で行い、その大気中に存在する酸素の光化学反応を利用して粘着剤残りを低減するようにしたが、本第２実施形態は、保護キャップの内部を不活性雰囲気にした後、粘着剤硬化を行うことで、粘着剤残りの原因となる酸素阻害を生じさせないようにしたものである。
【００４４】
図６及び図７は、本実施形態の半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図であり、上記第１実施形態と同一部分には、図中、同一符号を付してある。
まず、本実施形態の製造方法では、上記図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）と同様の工程を行う。
次に、置換工程では、チップ状に分割された半導体基板２０の表面２１に粘着剤１２によって貼り付けられた保護キャップ１０に対して、ドーム部１３の一部に、保護キャップ１０の内外を連通する開口部を形成し、この開口部を介して保護キャップ１０の内部を不活性ガスで置換する。
【００４５】
具体的には、図６（ａ）に示す様に、保護キャップ１０の一部を溶かす（穴を開ける）ための針状突起７１を有する治具（剣山のようなもの）７０を用意し、各チップ毎に針状突起７１とドーム部１３とが対向するように、治具７０を保護キャップ１０上に配置する。
次に、治具７０を保護キャップ１０が溶けるような温度まで加熱し、針状突起７１をドーム部１３に押し当て、図６（ｂ）に示す様に、熱によって保護キャップ１０のドーム部１３の一部に保護キャップ１０の内外を連通する開口部としての穴１４を開ける。そして、この穴１４を通して、保護キャップ１０内の酸素を窒素等の不活性ガスに置換する。以上が置換工程である。
【００４６】
上記置換工程の後、図６（ｃ）に示す本実施形態の硬化工程では、高圧水銀ランプ（波長３６５ｎｍ）を用いて保護キャップ１０上を紫外線で露光することにより、粘着剤１２を硬化する。このとき、粘着剤１２の周辺に酸素が存在せず、粘着剤１２は酸素阻害を起こさないため、ドーム部１３内壁に位置する粘着剤１２の未硬化を防止することができる。
【００４７】
次に、図７（ａ）に示す除去工程では、保護キャップ１０を半導体基板２０の表面２１から除去する。保護キャップ１０の除去後において、ドーム部１３の内壁に対応した基板表面には、粘着剤残りは無くなる。つまり、上記粘着剤残り６０に相当する粘着剤残りが無くなる。
次に、図７（ｂ）に示す様に、低圧水銀ランプを用いて、上記同様に、残存粘着剤気化工程を行い、エアアイソレーションに残存する粘着剤残り６１を除去する。図７（ｃ）は残存粘着剤気化工程後の半導体基板２０即ち半導体センサ１００を示す図である。
【００４８】
このように、本実施形態によれば、置換工程によって保護キャップ１０の内部を不活性雰囲気にしているため、硬化工程において酸素阻害が生じない。そのため、保護キャップ１０内の粘着剤残り（上記粘着剤残り６０に相当）を無くすことができ、また、硬化工程を安価な高圧水銀ランプにて実行可能である。また、残存粘着剤気化工程による上記第１実施形態と同様の効果も奏する。
【００４９】
また、本実施形態の他の手法として、不活性ガス中でセンシング部３０を覆うように半導体基板２０に保護キャップ１０を貼り付ける（貼付工程）ことにより、ドーム部１３内を不活性雰囲気にしてから高圧水銀ランプで粘着剤１２を硬化（硬化工程）させ、その後、半導体基板２０から保護キャップ１０を除去する（除去工程）ようにしても良い。
【００５０】
この場合も、粘着剤周辺に酸素が存在しないために、粘着剤残りの原因となる酸素阻害は生じないことから、保護キャップ１０の除去後において、ドーム部１３の内壁に対応した基板表面には、粘着剤残りは無くなる。
ところで、オゾンあるいは酸素ラジカルによるセンシング部３０における容量電極（可動及び固定電極）の酸化が懸念されるが、基板温度は最高でも１５０℃程度であるため（それ以上になると酸素の生成が促進され、オゾン濃度が低下する）、表面反応での酸化のみで、拡散による酸化はほとんど生じないために、特性を悪化させるほどの酸化膜は形成されない。
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、剥離工程において、硬化工程、除去工程及び残存粘着剤気化工程を実行したが、剥離工程を硬化工程及び除去工程のみ実行するものとしてもよいし、また、除去工程及び残存粘着剤気化工程のみ実行するものとしてもよい。これらの場合においても、上記酸素ラジカル及びオゾンの作用によって粘着剤残りを気化して除去できるため、従来に比べて粘着剤残りを低減することが可能である。
【００５１】
また、上記第２実施形態において、残存粘着剤気化工程を行わないものとしても、置換工程の効果によって保護キャップ１０内壁の未硬化粘着剤を無くすことは可能であるから、従来に比べて粘着剤残りを低減することが可能である。
また、半導体装置の製造方法にとして、上記各実施形態では、ウェハ状態の半導体基板２０に保護キャップ１０を貼り付け、ダイシングカットを行い半導体基板をチップ化した後、保護キャップ１０を剥離させるものとしているが、ウェハ状態の半導体基板に保護キャップ１０を貼り付けた後、チップ化せずにウェハ状態の半導体基板から保護キャップ１０を剥離させるような工程を有する半導体装置の製造方法であっても、本発明は適用可能である。
【００５２】
また、上記実施形態に示した製造方法の適用は、図示したような半導体基板２０を有する半導体センサ１００に限定されるものではなく、半導体基板を加工することにより形成され１チップ内に可動部を有するヨーレートセンサや、エアーブリッジ配線構造などのように機械的強度の低い構造体が露出した構造を持つ半導体装置に用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に用いられる半導体装置と保護キャップ及び紫外線照射時に発生する粘着剤残りとの位置関係を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の紫外線による光化学反応を示す説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】図６に続く製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１０…保護キャップ、１１…基材、１２…粘着剤、１４…穴、
２０…半導体基板、
６０…保護キャップの内壁に僅かに残存する未硬化の粘着剤、
６１…エアアイソレーション内に残存する粘着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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