(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部であるフローティングゲートまたはゲート絶縁膜中のＳｉＮ膜に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記金属配線表面に膜厚が３．０ｎｍ以上の保護膜を形成し、前記保護膜の上から前記紫外線を照射して、前記電荷を消去し、
前記金属配線の材料はアルミニウムであり、前記保護膜はアルミニウムの酸化被膜であり、前記保護膜を、前記ボンディングパッド部形成時に前記ボンディングパッド部を形成するために用いたレジストを除去する工程において、前記レジスト表面および前記金属配線表面上に形成されたレジスト硬化層を除去し前記金属配線表面を露出させるウェットアッシング処理を行った後に酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作製することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置に関し、特にボンディングパッド部の金属配線の表面に紫外線を照射してフローティングゲートなどの電荷蓄積部に蓄積した電荷を消去する工程を有する不揮発性の半導体記憶装の製造方法及び半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デジタルデータを記憶するメモリにおいて、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Type Field Effect Transistor）による半導体メモリが一般的に用いられている。
【０００３】
中でも、電気的に書き換え可能なＲＯＭ（Read Only Memory）であるＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュメモリは、携帯電話のプログラムコードの格納や、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）のマザーボードのシステムＢＩＯＳ（Basic Input Output System）を格納するためなどに用いられている。
【０００４】
上記のような書き換え可能なＲＯＭは、その記憶構造としてフローティングゲートなどの電荷蓄積部に電荷を貯えることで情報を記憶する。
フローティングゲートを有する半導体記憶装置の製造プロセスでは、エッチング工程やアッシング工程で用いられるプラズマの影響などにより、ホットエレクトロンなどが発生して、電荷がフローティングゲートに注入されてしまうことが知られている。これは、メモリ動作の誤作動を生じさせるのみならず、蓄積が過剰になると、フローティングゲートに接した絶縁膜を破壊してしまう可能性がある。これを防止するため、フローティングゲートに蓄積した電荷をＵＶ−Ｒａｙｓ（紫外線）により消去する工程が追加される。
【０００５】
一方、書き換え可能なＲＯＭを含めた一般の半導体記憶装置の製造工程において、絶縁薄膜または金属薄膜の堆積・レジスト塗布・フォトリソグラフィーによるパターンの転写・エッチングによる選択的薄膜除去・レジスト除去の組み合わせで多層配線を作成することが知られている。それら多層配線製造技術とＭＯＳトランジスタ製造技術を組み合わせて、メモリ素子を形成する。さらに、メモリ素子機能の経時劣化の防止及び、入出力機能を持たせるために素子のパッケージングを行う。パッケージングの入出力端子と基板上のメモリ入出力信号を配線するために、基板のメモリ素子から入出力信号を取り出すためのボンディングパッド部を作成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の製造方法では以下に示すような問題があった。
上記のように、基板上での最後の工程は、ボンディングパッド部の形成工程になり、そのボンディングパッド形成後に紫外線照射によりフローティングゲートに蓄積した電荷を消去する。ボンディングパッド部の形成工程では、レジスト除去のため、酸素系のガスを用いたプラズマアッシングなどのドライアッシングを行い、その後、ヒドロキシルアミンなどを含んだ薬液を用いてウェットアッシングを行い、レジストを完全に除去していた。この際、金属配線上に形成されている金属酸化膜も除去され、金属配線部分がむき出しの状態になる。
【０００７】
この場合、ボンディングパッド部のエッチング工程時にむき出しになった金属配線部分に塩素（Ｃｌ）やその他のイオンが付着し、大気中の水分と反応し、エッチング後にアルミニウム配線などを腐食（コロージョン）させることが問題となっている。例えば、Ａｌ＋４Ｃｌ-→ＡｌＣｌ4-＋３ｅ-、ＡｌＣｌ4-＋３Ｈ2Ｏ→Ａｌ（ＯＨ）3＋３Ｈ+＋４Ｃｌ-のような反応でコロージョンが発生する。
【０００８】
クリーンルーム内であっても、Ｃｌの濃度が汚染の危険性があるｗａｆｅｒ２４時間放置して３００×Ｅ１０［molecule/cm2］のイオンが付着する状況を超えていることは多く、さらにウェットアッシングに用いる薬液にもわずかながらＣｌが含まれていることがあり、コロージョンが発生する可能性が高い。
【０００９】
また、ボンディングパッド部のエッチング処理後から、紫外線によるフローティングゲートに蓄積した電荷を消去する工程の開始までにレジスト剥離装置やそれ以外の環境からウェハーに付着したＣｌ-イオンや反応生成物が、紫外線照射時に紫外線の高い光エネルギーを活性化エネルギーとして大気中の酸素などと反応をおこし、コロージョン作用を増進させることが問題となっている。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、配線材料にコロージョンを発生させない半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、図１に示すように、ボンディングパッド部１７の金属配線１３の表面に酸化被膜１６を形成し、酸化被膜１６の上から紫外線を照射して、フローティングゲート３ｂに蓄積した電荷を消去することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法が提供される。
【００１２】
ボンディングパッド部１７の金属配線１３の表面に酸化被膜１６を形成させることによって、ボンディングパッド部１７の金属配線１３にはＣｌやフッ素（Ｆ）などの腐食性元素やイオンの付着を防止する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の半導体記憶装置の構成図である。
【００１４】
なお、以下に説明する半導体記憶装置１の構成はフラッシュメモリのものである。
半導体記憶装置１の構成を説明する。
【００１５】
シリコン（Ｓｉ）基板２上にはゲート３が形成されており、ゲート３を覆うように平坦化膜４が形成されている。さらに、シリコン基板２と金属配線６を接続するためのビア配線５が形成され、金属配線６上には層間絶縁膜７が形成されている。また、金属配線６と上層の金属配線９と電気的に接続するためのビア配線８が形成されている。また、層間絶縁膜７上には金属配線９を覆うように平坦化膜１０が形成されている。平坦化膜１０上には再び層間絶縁膜１１が形成され、金属配線９と上層の金属配線１３とを電気的に接続させるためのビア配線１２が形成されている。また層間絶縁膜１１上には、金属配線１３を覆うように平坦化膜１４が形成されている。平坦化膜１４上には、パッシベーション膜１５が形成され、パッシベーション膜１５はボンディングパッド部１７で開口され、ボンディングパッド部１７の金属配線１３の上には酸化被膜１６が形成されている。
【００１６】
ここで、例えば、ビア配線５、８、１２の材料はタングステン（Ｗ）であり、平坦化膜４、１０、１４はＳＯＧ（Spin On Glass）、ＨＳＱ（Hydrogen SilseQuioxane）またはＢＰＳＧ（Boron PhospoSilicate Glass）であり、金属配線６、９、１３の材料はアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、Ｗなどがあり、層間絶縁膜７、１１はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で得られる酸化シリコン膜であり、パッシベーション膜１５は、窒化シリコン膜であり、酸化被膜１６は、金属配線１３を酸化して形成した膜であり、金属配線１３としてＡｌを用いた場合、酸化アルミである。
【００１７】
さらに、ゲート３は、シリコン基板２に接する面からトンネル酸化膜３ａ、フローティングゲート３ｂ、ポリ間絶縁膜３ｃ、コントロールゲート３ｄ、電極３ｅと下から順に積層されている構造を有する。ここで、例えば、フローティングゲート３ｂはポリシリコンであり、ホットキャリアやトンネル効果などにより、電荷をこのフローティングゲート３ｂに貯えることで、メモリの機能を発現させる。また例えば、コントロールゲート３ｄはポリシリコンであり、電極３ｅはタングステンシリサイド（ＷＳＩ）である。
【００１８】
また、ボンディングパッド部１７の金属配線１３上に形成する酸化被膜１６は、３．０ｎｍ以上が望ましい。
上記の構造のように、ボンディングパッド部１７の金属配線１３の表面に酸化被膜１６を形成することによって、Ｃｌや、Ｃｌ-イオンなどが金属配線１３へ付着することを防止し、コロージョンの発生を防止することができる。
【００１９】
また上記の構造において、プラズマエッチングなどの製造工程の段階でフローティングゲート３ｂに注入されてしまう電荷を消去するために、紫外線をボンディングパッド部１７の金属配線１３上から照射する。このとき、金属配線１３の表面は、酸化被膜１６によって保護されているため、ＣｌやＣｌ―イオンなどのコロージョンの発生を加速する元素やイオン種が付着することがなくなり、コロージョンの発生を促す紫外線照射工程でもその発生を抑制することができる。
【００２０】
なお、平坦化膜４、１０、１４はＳＯＧ、ＨＳＱまたはＢＰＳＧとしたが、これに限定されることない。しかし、平坦化膜４、１０、１４として配線容量の低減のため比誘電率の低い絶縁膜を利用することが望ましい。
【００２１】
また、上記の説明ではボンディングパッド部１７の金属配線１３上に形成する保護膜として金属配線１３を酸化させた酸化被膜１６を用いたが、窒化被膜を用いてもよい。
【００２２】
次に、本発明の実施の形態の半導体記憶装置の製造方法を説明する。
図２は半導体記憶装置の製造工程の一部を示す図であり、半導体記憶装置のボンディングパッド部及び配線となる金属配線材料を成長させた様子を示す図である。
【００２３】
図２の構造を説明すると、まず、シリコン基板２上にはゲート３が形成されており、ゲート３を覆うように平坦化膜４が形成されている。さらに、シリコン基板２と金属配線６を接続するためのビア配線５が形成され、金属配線６上には層間絶縁膜７が形成されている。また、金属配線６と上層の金属配線９とを電気的に接続するためのビア配線８が形成されている。また、層間絶縁膜７上には金属配線９を覆うように平坦化膜１０が形成されている。平坦化膜１０上には再び層間絶縁膜１１が形成され、金属配線９と上層の配線とを電気的に接続させるためのビア配線１２が形成されている。さらに、ゲート３は、シリコン基板２に接する面からトンネル酸化膜３ａと、フローティングゲート３ｂと、ポリ間絶縁膜３ｃと、コントロールゲート３ｄと、電極３ｅとが下から順に積層されている構造を有する。ここで、例えば、フローティングゲート３ｂはポリシリコンであり、ホットキャリアやトンネル効果などにより、電荷をフローティングゲート３ｂに貯えることで、メモリの機能を発現させる。また例えば、コントロールゲート３ｄはポリサイドであり、電極３ｅはＷである。
【００２４】
以上の構造は従来のフォトリソグラフィー技術などを用いて得られる。
図２の工程は、上記で説明した構造の層間絶縁膜１１に、配線となる金属配線材料１３ａを成長させた工程である。
【００２５】
ここでは、金属配線材料１３ａとしてエレクトロ・マイグレーション（ＥＭ）や、ストレスマイグレーション（ＳＭ）の改善のためＣｕが微量に添加されたＡｌを用いる。金属配線材料１３ａの成長はＣＶＤなどで行われる。また、露光反射防止のために、Ａｌの間にチタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）を挟んだり、Ａｌ膜の下部または上下にバリアメタルとしてＴｉＮや、Ｗを形成するようにしたりしてもよい。
【００２６】
図３は図２の次の工程を示し、配線パターン形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
図２のようにして成長させた金属配線材料１３ａにおいて、配線パターンを形成するために、レジスト２０を金属配線材料１３ａの上に塗布する。
【００２７】
図４は図３の次の工程を示し、配線パターンを焼き付けた後にエッチングした様子を示す図である。
ここでは、フォトリソグラフィー技術により、マスクを用いて図３におけるレジスト２０を所望のパターンに現像する。その後形成したレジストパターン２０ａをマスクとして図３における金属配線材料１３ａをエッチングして図４のような構造を得る。
【００２８】
エッチングは、Ｃｌ系ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などの方法で行われる。
図５は図４の次の工程を示し、レジストを除去し金属配線を形成した様子を示す図である。
【００２９】
図４の工程でエッチング時のマスクとして用いたレジストパターン２０ａを、酸素系のプラズマアッシングなどにより灰化して除去する。その結果、図５のような金属配線１３を形成する。
【００３０】
図６は図５の次の工程を示し、平坦化膜及びパッシベーション膜を形成する工程を示す図である。
図５の工程で、金属配線１３を形成した後、金属配線１３を覆うように、平坦化膜１４を形成する。平坦化膜１４は例えば、ＳＯＧ、ＨＳＱ、ＢＰＳＧなど、比誘電率が低い材料が望ましい。また、表面はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により平坦化する。さらにその上部に表面保護のために窒化シリコンからなるパッシベーション膜１５ａを形成する。
【００３１】
図７は図６の次の工程を示し、ボンディングパッド形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
パッシベーション膜１５ａ上にボンディングパッド形成のためのレジスト２１を塗布する。
【００３２】
図８は図７の次の工程を示し、ボンディングパッド部のエッチング工程を示す図である。
図７までの工程で得た構造において、レジスト２１をパターンニングしてレジストパターン２１ａを形成する。その後形成したレジストパターン２１ａをマスクにして、パッシベーション膜１５ａをＲＩＥ法などでエッチングする。エッチングされたパッシベーション膜１５ａはパッシベーション膜１５のような構造になり、金属配線１３がむき出しの状態になりボンディングパッド部１７が形成される。このとき、金属配線１３の表面と、パッシベーション膜１５ａのエッチング部の側壁と、レジストパターン２１ａの表面と側壁にエッチングによって硬化したレジスト硬化部２２が発生する。
【００３３】
図９は図８の次の工程を示し、レジスト硬化部をウェットアッシングで取り除く工程を示す図である。
レジスト硬化部２２はウェットアッシングにより除去され、図９のような構造が得られる。ウェットアッシングはスピン洗浄装置などを用い、レジスト硬化部２２を除去する。このウェットアッシングで用いる薬液は例えば、ヒドロキシルアミンが主成分のものを用いる。この薬液には塩素などの腐食元素がわずかながら含まれているので、原子・分子レベルでは薬液残が金属配線１３の表面に付着する。
【００３４】
図１０は図９の次の工程を示し、酸素ガス系のプラズマアッシングの工程を示す図である。
プラズマアッシング時において、Ｏ２ガスの圧力は１Ｔｏｒｒ、流量は１０００ｓｃｃｍ、ＲＦ（Radio Frequency）のパワーは１ＫＷ、アッシング時間は１２０分行う。
【００３５】
図１１はプラズマアッシング後の状態を示す図である。
これにより、レジスト２１を完全に除去し、さらに、金属配線１３の表面に付着している塩素などの腐食元素を除去する。加えて、アルミニウムの金属配線１３が酸化することによって酸化被膜１６を形成する。上記のアッシング条件では、アルミニウムによる酸化被膜１６は３０Å以上形成可能である。
【００３６】
上記のようにして作成したボンディングパッド部１７上からフローティングゲート３ｂに蓄積した電荷を消去するための、紫外線照射を行う。ここで、照射する紫外線の最低照度は２５ｍＷ／ｃｍ2以上、照射線量は１０８Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ2以上であることが望ましい。
【００３７】
以下、金属配線１３の表面の状態を観測するため、２次イオン質量分析を行った結果を示す。
２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary ion-mass spectrography）は、真空中において、収束された高速のイオンビームを固体試料の表面に照射し、スパッタリング現象により試料表面に存在する元素を叩き出し、イオン化したもののうち２次イオンを検出する分析法であり、主に、半導体試料などの表面に存在する元素の定性・定量分析に用いられる他、スパッタリングにより試料が削られることを利用して深さ方向の元素濃度分布の分析にも用いられる。
【００３８】
図１２は、２次イオン質量分析の結果を示す図であり、図１２（ａ）はプラズマアッシング後にウェットアッシングを行い、大気中に放置して自然酸化膜を成長させたもので、図１２（ｂ）はウェットアッシング後にプラズマアッシングを行ったものである。
【００３９】
測定した試料は、シリコン基板上にＡｌを堆積させその上にパッシベーション膜を形成して、図１２（ａ）は従来のように図８までの工程の後に、プラズマアッシング、ウェットアッシングの順でレジストの除去工程を行ったもので、図１２（ｂ）は図７から図１１で示した工程によって作成したものである。
【００４０】
また、横軸は深さで右端が表面で、左端がシリコン基板方向である。
図１２（ａ）と図１２（ｂ）とを比較すると、深さが、１．５μｍから３μｍまでの範囲にプロセスによる違いが見られる。
【００４１】
まず、２次イオン信号から形成したアルミニウムの酸化被膜の膜厚を換算すると、図１２（ａ）では２９Å、図１２（ｂ）では３１Åで、３ｎｍ以上の酸化被膜１６を形成することが可能である。
【００４２】
このように、３ｎｍ以上の酸化被膜１６を形成することによって、紫外線照射時のコロージョンの発生を防止することが可能である。
また、Ｃｌイオンのピークを比較すると、図１２（ａ）のＣｌイオンより、図１２（ｂ）のＣｌイオンが減少していることがわかる。これにより、ウェットアッシング処理後にプラズマアッシングを行うことで、ウェットアッシング薬液や、その後の大気から付着するＣｌの量を減少させることができ、フローティングゲート３ｂに蓄積してしまった電荷を消去するために、金属配線１３の上から紫外線を照射したときのコロージョン効果の低減が期待できる。
【００４３】
なお、上記では、酸素ガス系のプラズマアッシングにて酸化被膜を形成するプロセスを説明したが、金属配線１３にアルミニウムを用いた場合、これに限定されることはなく、酸素ガスを含む環境での高温アニールなどの方法でも可能で、大気中にウェハーを放置してできる自然酸化膜より迅速に酸化被膜を形成できる処理であればなんでも良い。ただし、ボンディングパッド部形成工程での絶縁膜エッチング処理直後からＣｌイオンや反応生成物の金属配線１３への付着が始まるので、ボンディングパッド部形成工程のレジストはく離工程などに絡めて、酸化被膜の形成を行う方法が望ましい。これにより、無駄な待機時間がなくなり、金属配線材料表面に不純物が少ない状態で酸化被膜を形成可能なため、コロージョン防止効果が高い。
【００４４】
また、上記では、金属配線１３の材料にＡｌを用いたが、配線材料としてＡｌより低抵抗であり優れているＣｕを主成分とする金属材料を用いてもよい。Ｃｕは、その化学的性質からＡｌ以上にコロージョンを発生しやすいが、上記で説明したように、プラズマアッシングにより表面に酸化被膜を形成することで、紫外線照射によるコロージョンの発生を抑制することができる。この場合、酸化被膜はＣｕ酸化被膜となる。
【００４５】
同様に、金属配線１３の材料としてＡｕ、Ｐｔ、Ｗを用いてもよい。
また、上記では、酸化被膜１６を形成する工程にプラズマアッシングを用いたがこれに限定されることはなく、酸素を用いたアッシングで同様の酸化被膜１６を形成する方法であればよい。
【００４６】
また、上記では、フローティングゲート３ｂに蓄積した電荷を消去するための紫外線照射工程を有する半導体記憶装置の製造工程について説明したが、これに限定されることはない。例えば、ＭＯＳ型ＦＥＴのゲート絶縁膜にＯＮＯ（ＳｉＯ2／ＳｉＮ／ＳｉＯ2）膜を用い、ＳｉＮ中のトラップ順位に電子を注入して不揮発メモリとする構造の半導体記憶装置の製造工程において、紫外線照射工程時のコロージョン発生の防止に本発明を適用してもよい。
【００４７】
また、上記の説明では、金属配線１３上に形成する保護膜として酸化被膜１６を用いたが、窒化被膜を用いてもよい。
窒化被膜の形成には、Ｎ*（窒素ラジカル）雰囲気または、Ｎ*（窒素ラジカル）とＨ*（水素ラジカル）の混合雰囲気中に金属配線材の表面をさらすことで、金属配線材表面を窒化させる方法を用いることができる。
【００４８】
（付記１）  ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記金属配線表面に保護膜を形成し、
前記保護膜の上から前記紫外線を照射して、前記電荷を消去することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【００４９】
（付記２）  前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの酸化被膜であることを特徴とする付記１記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５０】
（付記３）  前記保護膜の膜厚は３．０ｎｍ以上であることを特徴とする付記１記載の半導体記憶装置の製造方法。
（付記４）  前記保護膜を、酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作成することを特徴とする付記２または３記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５１】
（付記５）  前記保護膜を、前記ボンディングパッド部形成時のレジスト除去工程において、ウェットアッシング処理後に酸素ガスを用いたドライアッシング処理により作成することを特徴とする付記２または３記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５２】
（付記６）  前記ドライアッシング処理はプラズマアッシング処理であることを特徴とする付記４または５記載の半導体記憶装置の製造方法。
（付記７）  前記アルミニウムの酸化被膜は、前記アルミニウムを主成分の材料とする金属配線表面上に酸素ガス雰囲気中で高温アニール処理して作成することを特徴とする付記２記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５３】
（付記８）  前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの窒化被膜であることを特徴とする付記１記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５４】
（付記９）  前記窒化被膜を、Ｎ*（窒素ラジカル）雰囲気または、Ｎ*（窒素ラジカル）とＨ*（水素ラジカル）の混合雰囲気中で前記金属配線材を窒化させて方法としたことを特徴とする付記８記載の半導体記憶装置の製造方法。
【００５５】
（付記１０）  ボンディングパッド部の金属配線上から紫外線を照射して、電荷蓄積部に蓄積した不要な電荷を消去する工程を有して作成する半導体記憶装置において、
前記金属配線表面に保護膜を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【００５６】
（付記１１）  前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの酸化被膜であることを特徴とする付記１０記載の半導体記憶装置。
【００５７】
（付記１２）  前記保護膜の膜厚は３．０ｎｍ以上であることを特徴とする付記１０記載の半導体記憶装置。
（付記１３）  前記金属配線の材料は、アルミニウム、銅、金、白金またはタングステンを主成分とする金属材料であり、前記保護膜はアルミニウム、銅、金、白金またはタングステンの窒化被膜であることを特徴とする付記１０記載の半導体記憶装置。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、ボンディングパッド部の金属配線上に保護膜を形成するようにしたので、金属配線にコロージョンの原因となる、塩素やフッ素などの腐食性元素や、紫外線照射時にコロージョンの発生を助長する塩素イオンなどの付着を防止することができる。これにより、コロージョンの発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体記憶装置の構成図である。
【図２】半導体記憶装置の製造工程の一部を示す図であり、ボンディングパッド部及び配線となる金属配線材料を成長させた様子を示す図である。
【図３】図２の次の工程を示し、配線パターン形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
【図４】図３の次の工程を示し、配線パターンを焼き付けた後にエッチングした様子を示す図である。
【図５】図４の次の工程を示し、レジストを除去し金属配線を形成した様子を示す図である。
【図６】図５の次の工程を示し、平坦化膜及びパッシベーション膜を形成する工程を示す図である。
【図７】図６の次の工程を示し、ボンディングパッド形成のためのレジストを塗布した様子を示す図である。
【図８】図７の次の工程を示し、ボンディングパッド部のエッチング工程を示す図である。
【図９】図８の次の工程を示し、レジスト硬化部をウェットアッシングで取り除く工程を示す図である。
【図１０】図９の次の工程を示し、酸素ガス系のプラズマアッシングの工程を示す図である。
【図１１】プラズマアッシング後の状態を示す図である。
【図１２】２次イオン質量分析の結果を示す図であり、図１２（ａ）はプラズマアッシング後にウェットアッシングを行い、大気中に放置して自然酸化膜を成長させたもので、図１２（ｂ）はウェットアッシング後にプラズマアッシングを行ったものである。
【符号の説明】
１  半導体記憶装置
２  シリコン基板
３  ゲート
３ａ  トンネル酸化膜
３ｂ  フローティングゲート
３ｃ  ポリ間絶縁膜
３ｄ  コントロールゲート
３ｅ  電極
４、１０、１４  平坦化膜
５、８、１２  ビア配線
６、９、１３  金属配線
７、１１  層間絶縁膜
１５  パッシベーション膜
１６  酸化被膜
１７  ボンディングパッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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