(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス基板又は多結晶配線上にＭｇＯアモルファス層とＭｇＯ（００１）結晶層の二重層からなる下地層を有することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項２】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯアモルファス層の膜厚を３から１０ｎｍ、前記ＭｇＯ（００１）結晶層の膜厚を３から１０ｎｍとすることで表面の凹凸を小さく抑えることを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項３】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで強磁性層の凹凸を小さくし、強磁性層間の静磁的結合を小さくすることを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項４】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで１５原子層以下の超薄強磁性電極層の凹凸を小さくし、磁気抵抗効果を大きくすることを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項５】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで２０原子層以下の平坦な非磁性層をバリヤ層と強磁性電極層の間に挿入して、磁気抵抗効果のバイアス依存性を制御することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項６】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで強磁性電極層を体心立方格子、面心立方格子あるいは正方格子の（００１）方位に配向させ、バリヤ層としてＭｇＯ（００１）結晶層を用いて大きな磁気抵抗効果を得ることを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【請求項７】
請求項１記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層と磁気抵抗素子の間にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを組み合わせた（００１）配向層を挟むことによって平坦性を改善し、かつ電極抵抗を低減することを特徴とする平坦化トンネル磁気抵抗素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トンネル磁気抵抗素子および巨大磁気抵抗効果素子に関し、特にその素子の結晶方位を体心立方格子、面心立方格子あるいは正方格子の（００１）方向に制御したトンネル磁気抵抗素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
トンネル磁気抵抗効果とは、絶縁体を強磁性金属の電極で挟んだトンネル接合において、その電気抵抗が二つの強磁性電極の磁化の相対的な向きによって変化する現象である。また、巨大磁気抵抗効果とは、非磁性層を強磁性層で挟んだ多層構造において、その電気抵抗が二つの強磁性電極の磁化の相対的な向きによって変化する現象である。
【０００３】
磁気抵抗の大きさは以下の式で表される。
【０００４】
【数１】
0004304568.tif 000002
【０００５】
この現象は、ハード磁気ディスクの読み出し用ヘッドのセンサーとして、また、磁気ランダムアクセスメモリの磁気記録セルの読み出しのために用いられる。高速で信頼性の高い読み出しを実現するためには、大きな磁気抵抗効果を得ることが重要である。
【０００６】
これまでに、大きな磁気抵抗効果を得るために、巨大磁気抵抗効果素子では、界面を平滑にし、その電子に対する反射率を増大することが有効であることが分かっている。しかし、これまでの素子は多結晶であるために界面を平滑にすることが困難だった。これまでは、面心立方格子の（１１１）面および体心立方格子の（１１０）面を配向させることが使われていたがその配向性は必ずしも完全ではなかった。
【０００７】
一方、トンネル磁気抵抗素子では、強磁性電極を（００１）方位の単結晶にし、その膜厚を１５原子層以下にするとトンネル磁気抵抗が増大すること（特願２００１−１６３７５７）、また、２０原子層以下の平坦な単結晶非磁性層をバリヤ層と単結晶強磁性電極層の間に挿入すると、磁気抵抗効果のバイアス依存性を制御出来ること（特願２００１−２７９２８９）が分かっている。
【０００８】
しかし、これらの素子の作製にはＭｇＯやＧａＡｓといった単結晶基板が不可欠であり、シリコンＬＳＩ上へのトンネル磁気抵抗素子の作製が不可能であった（Ｔ．Ｎａｇａｈａｍａ，ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌｕｍｅ  ７９，ｎｕｍｂｅｒ  ２６（２００１），ｐａｇｅ  ４３８１−４３８３）。
【０００９】
さらに、バリヤ層としてＭｇＯ（００１）単結晶を用いると、巨大なトンネル磁気抵抗効果が得られることが理論的に指摘され〔Ｊ．Ｍａｔｈｏｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｂ，ｖｏｌｕｍｅ  ６３（２００１）、ｐａｇｅ  ２２０４０３（Ｒ）−１−４〕、実験的にも６０％を超える大きなトンネル磁気抵抗効果が得られている（Ｍ．Ｂｏｗｅｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌｕｍｅ  ７９，ｎｕｍｂｅｒ，１１（２００１），ｐａｇｅ  １６５５−１６５７）。
【００１０】
しかし、この場合にも、素子の作製にはＭｇＯやＧａＡｓといった単結晶基板が不可欠であり、シリコンＬＳＩ上へのトンネル磁気抵抗素子の作製は不可能であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、磁気抵抗素子を記録担体として用いる磁気ランダムアクセスメモリ（Ｍ−ＲＡＭ）の実現には大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗素子、バイアスに対して非線形な応答をすることにより素子選択性を確保できる素子などが必要である。
【００１２】
これまで、単結晶電極を有するトンネル磁気抵抗素子では、トンネル磁気抵抗が膜厚を薄くすると大きくなる効果（特願２００１−１６３７５７）や、非磁性層の挿入により磁気抵抗効果のバイアス電圧依存性を制御した素子の作製（特願２００１−２７９２８９）が可能であることが示され、Ｍ−ＲＡＭへの応用が期待されている。
【００１３】
しかしながら、これらの素子は、単結晶基板を必要とするのでシリコンＬＳＩ上への作製が困難である。そこで、単結晶トンネル磁気抵抗素子をＳｉＯ2 などのアモルファス基板および多結晶配線上に作製できるようにする必要がある。
【００１４】
そこで、ＳｉＯ2 のようなアモルファスや金属配線のような多結晶体の上に高配向で平坦性のよい磁気抵抗素子を開発することが望まれる。
【００１５】
本発明は、上記状況に鑑みて、適当な種物質を探し、その結晶を高配向、かつ平坦に成長する技術を開発することにより、アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく、高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕平坦化トンネル磁気抵抗素子において、アモルファス基板又は多結晶配線上にＭｇＯアモルファス層とＭｇＯ（００１）結晶層の二重層からなる下地層を有することを特徴とする。
【００１７】
〔２〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯアモルファス層の膜厚を３から１０ｎｍ、前記ＭｇＯ（００１）結晶層の膜厚を３から１０ｎｍとすることで表面の凹凸を小さく抑えることを特徴とする。
【００１８】
〔３〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで強磁性層の凹凸を小さくし、強磁性層間の静磁的結合を小さくすることを特徴とする。
【００１９】
〔４〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで１５原子層以下の超薄強磁性電極層の凹凸を小さくし、磁気抵抗効果を大きくすることを特徴とする。
【００２０】
〔５〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで２０原子層以下の平坦な非磁性層をバリヤ層と強磁性電極層の間に挿入して、磁気抵抗効果のバイアス依存性を制御することを特徴とする。
【００２１】
〔６〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層を用いることで強磁性電極層を体心立方格子、面心立方格子あるいは正方格子の（００１）方位に配向させ、バリヤ層としてＭｇＯ（００１）結晶層を用いて大きな磁気抵抗効果を得ることを特徴とする。
【００２２】
〔７〕上記〔１〕記載の平坦化トンネル磁気抵抗素子において、前記ＭｇＯ下地層と磁気抵抗素子の間にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを組み合わせた（００１）配向層を挟むことによって平坦性を改善し、かつ電極抵抗を低減することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明にかかる平坦化トンネル磁気抵抗素子の模式図である。
【００２５】
この図において、１は基板（ＳｉＬＳＩ，ＳｉＯ2 など）、４はＭｇＯアモルファス層２とＭｇＯ（００１）結晶層３の二重層からなる下地層、５は高配向で平坦な界面を持つ磁気抵抗素子である。
【００２６】
かかる平坦化トンネル磁気抵抗素子を以下の手順で作製する。
【００２７】
（１）基板（ＳｉＬＳＩ，ＳｉＯ2 など）１を超純水で洗浄する。
【００２８】
（２）スパッタチャンバ内でアルゴン逆スパッタクリーニングにより、表面吸着水を飛ばす。
【００２９】
（３）ＭｇＯ（１０ｎｍ）をスパッタ成膜する。
【００３０】
これだけの手順により、ＭｇＯは初期にはアモルファスとして成長し、ＭｇＯアモルファス層２と、その後、ＭｇＯ（００１）配向の結晶層３となる。その膜厚はＭｇＯアモルファス層２が３〜１０ｎｍ、ＭｇＯ（００１）結晶層３も３〜１０ｎｍとすることが望ましい。
【００３１】
このように、ＭｇＯアモルファス層２とＭｇＯ（００１）結晶層３からなる下地層４を持つ高配向で平坦な強磁性トンネル磁気抵抗素子を形成することにより、これまで単結晶基板上にしか形成できなかった量子サイズ効果などの特性を示す平坦化トンネル磁気抵抗素子を、ＳｉＯ2 などのアモルファス基板および多結晶配線上に作製することができる。
【００３２】
図２は本発明の実施例を示す平坦化トンネル磁気抵抗素子の断面図である。
【００３３】
この図において、１１は酸化膜の付いたＳｉ基板、１２はＭｇＯ膜（１０ｎｍ）、１３はＦｅ（００１）層（２０ｎｍ）、１４はアモルファスＡｌ−Ｏ層、１５は上部電極（多結晶Ｎｉ−Ｆｅ）層、１６はＡｕキャップ層である。
【００３４】
かかる平坦化トンネル磁気抵抗素子の製造方法について説明する。
【００３５】
（１）酸化膜の付いたＳｉウエハ（基板）１１を超純水で洗浄する。
【００３６】
（２）スパッタチャンバ内でアルゴン逆スパッタクリーニングにより、表面吸着水を飛ばす。
【００３７】
（３）ＭｇＯ１２（１０ｎｍ）をスパッタ成膜する。
【００３８】
（４）一度大気中に出して、ＭＢＥチャンバに搬送する。
【００３９】
（５）ＵＨＶ中で加熱し、表面吸着水を飛ばす。
【００４０】
（６）Ｆｅ１３（２０ｎｍ）を成膜する。
【００４１】
（７）アニールし、表面を平滑化する。
【００４２】
（８）基板温度を室温に戻してから、Ａｌを成長・自然酸化してＡｌ−Ｏトンネルバリヤ層（アモルファスＡｌ−Ｏ層）１４を作製する。
【００４３】
（９）上部電極（多結晶Ｎｉ−Ｆｅ）層１５、Ａｕキャップ層１６を成膜する。
【００４４】
上記のようにして製造した平坦化トンネル磁気抵抗素子を、大気中に出して、Ｘ線回折（図３）、断面透過電子顕微鏡線像（図４、図５）、デバイスに加工して磁気抵抗効果を測定した。
【００４５】
図３は本発明の実施例を示す酸化膜の付いたＳｉ基板上にＭｇＯアモルファス／（００１）高配向複合下地層を成長し、その上に高品質トンネル磁気抵抗素子を作製した例のＸ線回折を示す図である。この図において、縦軸はＸ線回折強度（ｃｐｓ）を示し、試料表面に平行な結晶面が試料中に多く存在し、かつその結晶性がよいほど回折強度は大きくなる。横軸は回折角度（度）を示しており、結晶面の間隔に対応するので、異なる結晶面は異なる回折角度にピークを作る。
【００４６】
この図３から、ＭｇＯからの回折線は（００２）ピークのみなので（００１）配向が良好であることが分かる。また、Ｆｅの回折も（００２）のみであり、かつその強度が大きいことから、良質の結晶が（００１）方位に成長していることが分かる。
【００４７】
回折角をＦｅ（００２）ピークのそれに合わせて、試料を回転させながらＸ線回折を測定することにより原子面の平行度を測定した結果、Ｆｅ層の原子面は、（００１）面から±１度以内に揃っていることが分かった。このように本発明のＭｇＯ二重下地膜を用いることにより、強磁性電極層の面方位を（００１）面から±１度以内に揃えることができる。さらに、この試料のＦｅ層表面の凹凸を原子間力顕微鏡で評価した結果、凹凸はＲＭＳ値（有効平均偏差）にして、０．１５ｎｍ以下であった。このように、本発明のＭｇＯ二重下地膜を用いることにより強磁性電極層表面の凹凸を小さく、即ち、０．１５ｎｍ以下に抑えることができる。特に、ＭｇＯアモルファス層の膜厚を３から１０ｎｍ、ＭｇＯ高配向膜の膜厚を３から１０ｎｍとすることによりこの結果を得た。
【００４８】
また、図４および図５に示す様に断面透過電子顕微鏡線像から、ＭｇＯ層１２の下部約４／１０はアモルファス層１２−１に、上部約６／１０は（００１）配向の結晶層１２−２となっていることが分かる。また、ＭｇＯ上に非常に平坦な表面を持つＦｅ層１３が形成されていることが分かる。また、上記の膜の平坦性の結果、凹凸に起因する静磁結合によるヒステリシス曲線のシフトを、特別なバイアス磁場を利用することなく、２Ｏｅ以下に抑えることができた。このように、ＭｇＯ二重下地膜を用いて平坦なトンネル磁気抵抗素子を作製することにより静磁結合を小さくすることができた。
【００４９】
本発明のＭｇＯ二重下地膜の上に、Ｃｒ（００１）バッファー層２０ｎｍを成長させた後に、下部強磁性層としてＦｅＣｏ合金強磁性層を電子層のオーダーで薄く成長させた。さらに、その上にアモルファスアルミナを成長させてバリヤとし、最後にＦｅＣｏ多結晶合金を上部電極とした。その結果、単結晶下地の場合と同様に、磁気抵抗効果が増大した。特に、下部強磁性層の膜厚を１５原子層以下にしたとき、磁気抵抗効果が厚膜の場合の二倍以上に増加した。特に、６原子層のものを、熱処理した結果、室温で７０％を越える磁気抵抗効果を得た。
【００５０】
このように、ＭｇＯ二重下地膜を用いて１５原子層以下の平坦な強磁性電極層を形成することにより、これまでにない大きな磁気抵抗効果を実現できた。
【００５１】
本発明のＭｇＯ二重下地膜の上に、Ｐｔ（００１）バッファ層、ｆｃｃ−Ｃｏ（００１）バッファ層、Ｃｕ（００１）バッファ層の順に成長した。その上にＣｏ（００１）下部強磁性電極、原子層オーダーの膜厚の非磁性挿入層、アモルファスアルミナバリヤ、ＦｅＣｏ上部強磁性電極からなるトンネル磁気抵抗素子を作製した。
【００５２】
その結果、下地が単結晶の場合と同様に、Ｃｕ（００１）非磁性挿入層の膜厚を２０原子層以下で調整することにより、トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性を制御ことができた。特に、Ｃｕ（００１）非磁性挿入層の膜厚を約３原子層とすると、１３０ｍＶのバイアス電圧では磁気抵抗効果を示さないが、バイアス電圧が４００ｍＶでは１３０ｍＶの場合に比べて１０倍以上の大きな磁気抵抗効果を示す素子を作製することができた。このことより本発明の磁気抵抗効果素子はｘ，ｙマトリックス状に配線された強磁性ランダムアクセスメモリの配線の交点上に位置して、パストランジスタがなくても、その記憶内容を他の記憶セルとのクロストークなしに読み出すことに利用できる。
【００５３】
このようにＭｇＯ二重下地膜を用いて２０原子層以下の平坦な非磁性挿入層を強磁性電極層とバリヤ層の間に挿入することにより、磁気抵抗のバイアス依存性を制御することができた。
【００５４】
本発明のＭｇＯ二重下地膜の上に、（００１）高配向下部強磁性電極層、高配向バリヤ層としてのＭｇＯ（００１）結晶層、（００１）高配向上部強磁性電極層からなるトンネル磁気抵抗素子を作製した。
【００５５】
その結果、熱処理との組み合わせにより、９０％を超える非常に大きな、トンネル磁気抵抗効果を得た。このように、ＭｇＯ二重下地膜を用いて、ＭｇＯ（００１）高配向バリヤ層を含むトンネル磁気抵抗素子を作製することにより大きな磁気抵抗効果を得た。
【００５６】
図６は本発明の実施例を示す表面に凹凸のある多結晶金属電気配線上にＭｇＯアモルファス（００１）高配向複合下地膜を有する、高品質トンネル磁気抵抗素子の断面図である。
【００５７】
この図において、２１は下部電気配線、２２はＭｇＯ二重下地層、２３は下部強磁性電極、２４はバリヤ層、２５は上部強磁性電極、２６は電気絶縁層、２７は上部電気配線である。
【００５８】
多結晶金属配線上に本発明のＭｇＯ下地膜を有する高品位トンネル磁気抵抗素子を作製し、かつ、金属配線と下部強磁性電極の電気的接触が必要な場合は、図６に示すように、ＭｇＯ下地膜２２を加工した上で下部強磁性金属膜２３を形成することにより、下部電気配線２１との電気的接触を確保できる。
【００５９】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００６１】
（１）請求項１記載の発明では、下地層をＭｇＯアモルファス層とＭｇＯ（００１）結晶層の二重層とすることにより、アモルファス基板又は多結晶配線などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく平坦化されたトンネル磁気抵抗素子を形成することができる。
【００６２】
（２）請求項２記載の発明では、ＭｇＯ下地層のＭｇＯアモルファス層の膜厚を３から１０ｎｍ、ＭｇＯ（００１）層の膜厚を３から１０ｎｍとすることにより表面の凹凸を特に小さく抑えることができる。
【００６３】
（３）請求項３記載の発明では、下地層の上に磁気抵抗素子を作製することにより強磁性層の凹凸を小さくし、強磁性層間の静磁的結合を小さくすることができる。
【００６４】
（４）請求項４記載の発明では、下地層の上に１５原子層以下の膜厚の超薄強磁性電極層を有するトンネル磁気抵抗効果素子を作製し、その電極の凹凸を小さく、配向性を非常によくして磁気抵抗効果を大きくすることができる。
【００６５】
（５）請求項５記載の発明では、下地層の上に２０原子層以下の平坦な非磁性層をバリヤ層と強磁性電極層の間に挿入したトンネル磁気抵抗素子を作製することにより磁気抵抗効果のバイアス依存性を制御することができる。
【００６６】
（６）請求項６記載の発明では、下地層の上に強磁性電極層を体心立方格子、面心立方格子あるいは正方格子の（００１）方位に配向させ、さらにバリヤ層としてＭｇＯ（００１）結晶層を用いることにより大きな磁気抵抗効果を得ることができる。
【００６７】
（７）請求項７記載の発明では、前記のＭｇＯ下地層と磁気抵抗素子の間にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを組み合わせた（００１）配向層を挟むことによって平坦性を改善し、かつ電極抵抗を低減することができる。
【００６８】
したがって、ＭｇＯアモルファス層／ＭｇＯ（００１）結晶層の複合下地を持つ高配向で平坦な強磁性トンネル磁気抵抗素子を形成することにより、これまで単結晶基板上にしか形成できなかった、量子サイズ効果などの特性を示す高性能磁気抵抗素子をＳｉＯ2 などのアモルファス基板および多結晶配線上に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明にかかる平坦化トンネル磁気抵抗素子の模式図である。
【図２】  本発明の実施例を示す平坦化トンネル磁気抵抗素子の断面図である。
【図３】  本発明の実施例を示す酸化膜の付いたＳｉ基板上にＭｇＯアモルファス／（００１）高配向複合下地層を成長し、その上に高品質トンネル磁気抵抗素子を作製した例のＸ線回折を示す図である。
【図４】  本発明の実施例を示す酸化膜の付いたＳｉ基板上にＭｇＯアモルファス／（００１）高配向複合下地層を成長し、その上に高品質トンネル磁気抵抗素子を作製した例の断面電子顕微鏡像を示す図である。
【図５】  本発明の実施例を示す酸化膜の付いたＳｉ基板上にＭｇＯアモルファス／（００１）高配向複合下地層を成長し、その上に高品質トンネル磁気抵抗素子を作製した例の高分解断面電子顕微鏡像を示す図である。
【図６】  本発明の実施例を示す表面に凹凸のある多結晶金属電気配線上にＭｇＯアモルファス（００１）高配向複合下地膜を有する、高品質トンネル磁気抵抗素子の断面図である。
【符号の説明】
１    基板（ＳｉＬＳＩ，ＳｉＯ2 など）
２    ＭｇＯアモルファス層
３    ＭｇＯ（００１）結晶層
４    ＭｇＯアモルファス層とＭｇＯ（００１）結晶層からなる下地層
５    高配向で平坦な界面を持つ磁気抵抗素子
１１    酸化膜の付いたＳｉ基板
１２    ＭｇＯ膜（１０ｎｍ）
１２−１    アモルファス層
１２−２    （００１）配向の結晶層
１３    Ｆｅ（００１）層（２０ｎｍ）
１４    アモルファスＡｌ−Ｏ層
１５    上部電極（多結晶Ｎｉ−Ｆｅ）層
１６    Ａｕキャップ層
２１    下部電気配線
２２    ＭｇＯ二重下地層
２３    下部強磁性電極
２４    バリヤ層
２５    上部強磁性電極
２６    電気絶縁層
２７    上部電気配線
【図１】
0004304568.tif 000003
【図２】
0004304568.tif 000004
【図３】
0004304568.tif 000005
【図４】
0004304568.tif 000006
【図５】
0004304568.tif 000007
【図６】
0004304568.tif 000008