(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板の導体層に導電性接着剤を用いて接合されるＴ型の導体ピンであって、前記導体ピンの頭部の上面に溝が形成されているとともに、その溝の一端は前記頭部の側面にまで到達され、前記溝の深さは前記頭部の中心部から外周部に行くに従って深くなるように形成されていることを特徴とするプリント配線板用導体ピン。
【請求項２】
前記頭部の上面は粗化面になっていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項３】
前記溝は複数本であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項４】
前記複数本の溝のうちの少なくとも１本は、前記頭部の上面の中心を通っていることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項５】
前記複数本の溝は、前記頭部の上面の中心を起点として放射状に延びていることを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項６】
前記溝は直線的にかつ等しい幅となるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項７】
前記溝の最大深さは前記頭部の肉厚の半分以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項８】
前記溝の幅は０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項９】
前記導体ピンは、銅を主成分とするコバールや鉄を主成分とする４２アロイの合金であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプリント配線板用導体ピン。
【請求項１０】
導体層を有する樹脂製のコア基板の最外層にソルダーレジスト層を設け、そのソルダーレジスト層の一部に開口部を形成し、その開口部に前記導体層の一部に形成した複数のパッドを配置し、それらのパッドに対し、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の導体ピンを、導電性接着剤層を介してそれぞれ接合したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項１１】
前記導体層と樹脂絶縁層とからなる積層構造のビルドアップ層を前記コア基板上に備えることを特徴とする請求項１０に記載の多層プリント配線板。
【請求項１２】
前記導電性接着剤層の融点は１８０℃〜２８０℃であることを特徴とする請求項１１に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板用導体ピン、及びそのピンを用いて製造された多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータは数多くの電子部品を用いて構成されている。そのなかでも、コンピュータの性能を決定する重要な電子部品として、ＣＰＵ等の機能を有する半導体チップをプリント配線板上に実装した構造のパッケージが知られている。
【０００３】
近年、信号の高周波化に伴って、パッケージ用のプリント配線板を構成する基板の材料には、低誘電率かつ低誘電正接であることが要求されるようになってきている。そのため、パッケージ基板用材料の主流は、次第にセラミックから樹脂へと移行しつつある。
【０００４】
このような背景の下、樹脂基板を用いたプリント配線板に関する技術が、例えば特公平４−５５５５５号公報に開示されている。この公報において開示されたプリント配線板は、いわゆるビルドアップ多層プリント配線板であって、以下の手順を経て作製される。まず、ガラスエポキシ基板に所定パターンの導体回路を形成する。このようなガラスエポキシ基板上に、エポキシアクリレートからなる樹脂絶縁層を形成する。フォトリソグラフィの手法を用いて、樹脂絶縁層の所定箇所にバイアホール形成用孔を設ける。次いで、樹脂絶縁層の表面を粗化した後、樹脂絶縁層上にめっきレジストを設ける。この状態で無電解めっきを施すことにより導体回路及びバイアホールを形成した後、ソルダーレジスト層を形成する。
【０００５】
このようにして作製されたビルドアップ多層プリント配線板は、通常、マザーボードやドータボードと呼ばれる別の基板に外部接続端子を介して接続される。よって、この種のプリント配線板では、ソルダーレジスト層の開口部からパッドを露出させ、そのパッドに対して外部接続端子としてのバンプを接合している。なお、プリント配線板側の外部接続端子であるバンプは、マザーボードやドーターボード側の被接続用構造に対して、例えばはんだ付け等により電気的に接続される。
【０００６】
ところで、ここ数年におけるパッケージ形態の主流は、上記のようにバンプを端子とするＢＧＡ（Bump Grid Array）タイプであった。しかし、最近では、パッケージ形態を導体ピンを端子とするＰＧＡ（Pin Grid Array）タイプに変更したいとする要求が増えつつある。その理由は、基板に反りが生じていても高い接続信頼性を得るとともに、アライメント作業の困難性を解消して実装コストを低減するためには、バンプよりもピンのほうが構造的に有利だからである。
【０００７】
ＰＧＡタイプのパッケージへの導体ピンのピン立て作業は、例えば下記のようにして行われる。まず、略釘状をしたＴ型の導体ピンを準備しておく。次いで、あらかじめパッド上に導電性接着剤としてのはんだペーストを印刷しておく。この後、そのはんだ印刷層に導体ピンの頭部を位置決めして仮固定する。そして、リフローを行ってはんだ印刷層を溶融させ、平坦な頭部上面とパッドとを接合する。
【０００８】
また、マザーボード等にはソケットがはんだ付けされていて、ピン立て作業が完了したパッケージの備える各導体ピンは、そのソケットのピン挿入穴に挿入された状態で固定される。その結果、パッケージ側とボード側とが電気的に接続されるようになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、はんだ等のような導電性接着剤を用いて導体ピンを接合した場合、導体ピンに傾きや位置ずれが起こりやすくなる。そのため、導体ピンをソケットのピン挿入穴内へ挿入することができなくなり、ボード側との電気的接続に支障を来してしまう。また、信頼性試験を行なうと導電性接着剤層が破壊しやすく、導体ピンの脱落につながる場合があった。
【００１０】
なお、導体ピンの頭部上面に突起を設け、この突起をビルドアップ層の樹脂絶縁層に設けられたバイアホール内に挿入してはんだ付けするという構造も従来提案されている。しかし、ビルドアップ多層プリント配線板にはガラスクロスのような強化材が入っていないことから、ヒートサイクルに遭遇するとバイアホール部分の樹脂が溶け出して、導体ピンが位置ずれするという問題があった。
【００１１】
また、このような構成であると、導体ピンの突起を挿入固定するためのバイアホールを配設しなければならず、ビルドアップ層内における配線可能エリアが減少してしまう。このため、高密度化・ファイン化の要請に反する結果となる。
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、傾きや位置ずれを起こすことなく正しく配設することが可能なプリント配線板用導体ピンを提供することにある。
【００１３】
本発明の別の目的は、導体ピンの接続信頼性に優れかつ高密度化・ファイン化に対応可能な多層プリント配線板を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、プリント配線板の導体層に導電性接着剤を用いて接合されるＴ型の導体ピンであって、前記導体ピンの頭部の上面に溝が形成されているとともに、その溝の一端は前記頭部の側面にまで到達され、前記溝の深さは前記頭部の中心部から外周部に行くに従って深くなるように形成されていることを特徴とするプリント配線板用導体ピンをその要旨とする。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記頭部の上面は粗化面になっているとした。
請求項３に記載の発明は、請求項１において、前記溝は複数本であるとした。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項３において、前記複数本の溝のうちの少なくとも１本は、前記頭部の上面の中心を通っているとした。
請求項５に記載の発明は、請求項４において、前記複数本の溝は、前記頭部の上面の中心を起点として放射状に延びているとした。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか１項において、前記溝は直線的にかつ等しい幅となるように形成されているとした。
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項において、前記溝の最大深さは前記頭部の肉厚の半分以下であるとした。
請求項８に記載の発明は、請求項６において、前記溝の幅は０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内であるとした。
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１項において、前記導体ピンは、銅を主成分とするコバールや鉄を主成分とする４２アロイの合金であるとした。
【００１８】
請求項１０に記載の発明では、導体層を有する樹脂製のコア基板の最外層にソルダーレジスト層を設け、そのソルダーレジスト層の一部に開口部を形成し、その開口部に前記導体層の一部に形成した複数のパッドを配置し、それらのパッドに対し、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の導体ピンを、導電性接着剤層を介してそれぞれ接合したことを特徴とする多層プリント配線板をその要旨とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、請求項１０において、前記導体層と樹脂絶縁層とからなる積層構造のビルドアップ層を前記コア基板上に備えるとした。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１において、前記導電性接着剤層の融点は１８０℃〜２８０℃であることとした。
【００２０】
以下、本発明の「作用」について説明する。
発明者が鋭意研究したところ、導電性接着剤層内には空気に起因するボイドがあることが確認された。そして、そのボイドの存在が原因となって、加熱溶融時に導体ピンに傾きや位置ずれが起こり、さらには信頼性試験のときに導電性接着剤層が破壊しやすくなることがわかった。以上の知見に基づいて、発明者らがさらに鋭意研究した結果、以下の導体ピンによれば上述の課題を解決しうることが明らかとなった。
【００２１】
即ち、請求項１〜９に記載の発明によると、導体ピンをプリント配線板に接合したときに、導電性接着剤層内に存在する空気が、凹部を通過して頭部上面以外の面から外部に抜け出すことができる。このため、導電性接着剤層内にボイドが生じにくくなり、導体ピンの傾きや位置ずれ及び導電性接着剤層の破壊が回避される。従って、本来の正しい位置に導体ピンを配設することが可能となる。
【００２２】
請求項１に記載の発明によると、導電性接着剤層内に存在する空気が、その溝の延びる方向に沿って通過し、頭部の側面から外部にスムーズに抜け出すことができる。よって、ボイドがより生じにくくなる。また、このような溝であれば、比較的簡単に形成することができるため、導体ピンの製造コスト増を回避することができる。
請求項２に記載の発明によると、被接合面である頭部の上面を粗化面にしておくと、ある程度のアンカー効果が期待できるため、導体ピンの傾きや位置ずれのいっそうの防止につながる。
【００２３】
請求項３に記載の発明によると、複数本の溝がある場合、例えば同じ幅・深さの溝が１本のみしかない場合に比べて、空気の抜け路が増えることになる。このため、ボイドの発生を確実に防止することができる。
【００２４】
請求項４に記載の発明によると、頭部上面の中心付近に空気が存在していたとしても、その空気は、頭部の上面の中心を通る溝を通過して確実に外部に抜け出すことができる。従って、頭部の上面の中心を通る溝が全くないものに比較して、ボイドの発生をより確実に防止することができる。
【００２５】
請求項５に記載の発明によると、頭部上面の中心付近に空気が存在していたとしても、その空気は、頭部の上面の中心を起点とした複数の方向に抜け出すことが可能となる。従って、複数本の溝が放射状に延びていないものに比較して、ボイドの発生をより確実に防止することができる。
【００２６】
請求項６に記載の発明によると、直線的でない溝や幅が等しくない溝に比べて、簡単に形成することができるため、導体ピンの製造コスト増を回避することができる。
【００２７】
請求項７に記載の発明によると、溝の最大深さは頭部の肉厚の半分以下になっているため、溝を形成した部位の肉薄化に起因する導体ピン自体の強度低下を防止することができる。
請求項８に記載の発明によると、この幅が小さすぎると、溝の形成が困難になることに加え、溝の断面積が小さくなり、空気を確実に通過させることができなくなるおそれがある。逆に、この幅が大きすぎると、頭部の直径を大きくしないと、かえって溝の形成が困難になってしまう。
請求項９に記載の発明によると、これらの合金は、ピン用金属材料として信頼性が高く、溝を設けたとしても電気特性や強度に悪影響がでにくい。
【００２８】
請求項１０〜１２に記載の発明によると、上述したとおり導体ピンの傾きや位置ずれ及び導電性接着剤層の破壊が回避される結果、正しい位置に導体ピンを配設することが可能となる。従って、複数ある導体ピンの接続信頼性に優れた多層プリント配線板とすることができる。
【００２９】
この多層プリント配線板において使用される導体ピンは、頭部上面に突起を持たないＴ型ピンであることから、突起を挿入固定するためのバイアホールをプリント配線板側に配設する必要がない。従って、孔形成に起因する配線可能エリアの減少が回避され、高密度化・ファイン化に対応可能なプリント配線板とすることができる。
【００３０】
請求項１１に記載の発明によると、高密度化・ファイン化・薄層化等といったビルドアップ層の利点を最大限に得ることができ、付加価値の高い多層プリント配線板を実現することができる。
【００３１】
請求項１２に記載の発明によると、導電性接着剤層の融点を１８０℃〜２８０℃という好適範囲に設定しているため、プリント配線板を構成する樹脂材料に与えるダメージを最小限に抑えつつ、導電性接着剤層に十分な接着強度を確保することができる。
【００３２】
この融点が低すぎると、導体ピンの接合後の加熱によって導電性接着剤が再溶融・軟化しやすくなるため、導電性接着剤層に十分な接着強度を確保することが困難になる。従って、導体ピンの傾きや位置ずれ、導電性接着剤層の破壊を回避できなくなる場合が生じる。逆に、この融点が高すぎると、熱がソルダーレジスト層のような樹脂材料に与えるダメージが大きくなり、絶縁性等の性質が低下するおそれがある。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態のビルドアップ多層プリント配線板を、その製造手順に沿って詳細に説明する。
（樹脂絶縁層用の樹脂組成物の調製）
粗化面を有する樹脂絶縁層形成用の樹脂組成物は、酸、アルカリ及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリ及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものが望ましい。
【００３４】
ここでは説明の便宜上、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に相対的に溶解速度の早いものを「難溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを「難溶性」と呼んでいる。
【００３５】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、例えば、熱硬化性樹脂が使用可能であるほか、熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部を感光化したものも含む）と熱可塑性樹脂との複合体等を使用することもできる。
【００３６】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。上記熱硬化性樹脂を感光化する場合には、メタクリル酸やアクリル酸などを用いて、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させる。この場合、特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが最適である。
【００３７】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミドなどを使用することができる。
【００３８】
上記酸、アルカリ及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂及び液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
【００３９】
上記無機粒子としては、例えば、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、タルク、ドロマイトなどが挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。
【００４０】
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトは、アルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００４１】
上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂など）、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂など挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。
【００４２】
なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化剤に溶解するものや、これらに溶解しにくいものを、オリゴマーの種類や硬化剤を選択することにより任意に製造することができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム酸に非常によく溶ける。その反面、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂をイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム酸には溶解しにくい。
【００４３】
上記樹脂粒子はあらかじめ硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと、上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまう。ゆえに、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去できないからである。
【００４４】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウムなどが挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。
【００４５】
上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。
【００４６】
上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴマーとアミン系硬化剤との混合液などが挙げられる。
【００４７】
上記液相ゴムとしては、例えば、上記ゴムの未硬化溶液などを使用することができる。
上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分離するように）ように、これらの物質を選択する必要がある。
【００４８】
上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂または液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製することができる。
【００４９】
そして、このような状態の感光性樹脂組成物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂または液相ゴムを除去することにより、樹脂絶縁層に粗化面を形成することができる。
（樹脂絶縁層用の樹脂フィルムの調製）
次に、樹脂絶縁層の形成に用いられる樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性樹脂粒子、硬化剤及びその他の成分が含有されている。それぞれの成分について、以下に説明する。「難溶性」「可溶性」という用語の意味は、先に述べたとおりである。
【００５０】
前記樹脂粒子の粒径は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが望ましい。なお、樹脂粒子は同一粒径のものであってもよく、粒径の異なる複数種を組み合わせたものであってもよい。後者を選択した場合、例えば０．１μｍ〜０．５μｍの粒径のものと、１μｍ〜３μｍの粒径のものとを、１：２の比で含有させること等によって、複雑な形状を有するアンカー凹部を粗化面に形成することができるからである。また、これにより樹脂絶縁層上の金属導体層との密着性が向上するからである。
【００５１】
前記難溶性樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはそれら樹脂の複合体などを用いることができる。前記樹脂または複合体に感光性を付与しておいてもよい。それによって、フォトプロセスでバイアホールなどを開口できるようになるからである。
【００５２】
使用できる難溶性樹脂としては、酸あるいは酸化剤で溶解させたときでも、表層に形成された粗化面における凹凸形状が保持されるものであればよく、例えば熱硬化性樹脂を含有しているものの使用が好ましい。その理由は、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても、凹凸形状が保持されるからである。
【００５３】
この場合、前記樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等を用いることができ、それらを１種類以上含有させて樹脂絶縁層を構成してもよい。その中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。エポキシ樹脂を使用すれば、前述の粗化面を形成することができるからである。そればかりでなく、エポキシ樹脂は耐熱性にも優れていて、ヒートサイクル条件下においても金属導体層に応力が集中せず、そこに剥離が起きにくいからである。
【００５４】
好適なエポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型樹脂エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基とを有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂などがある。これらのものは単独で使用されてもよいほか、２種以上組み合わせて使用されてもよい。後者のようにすると、耐熱性や耐熱性等に優れた樹脂とすることができる。
【００５５】
そして、樹脂絶縁層形成用の樹脂フィルムは、これらの酸あるいは酸化剤に難溶性樹脂に、可溶性樹脂粒子を分散させることにより形成されることがよい。この場合、可溶性樹脂粒子は、樹脂フィルム内にほぼ均一に存在させるのがよい。それにより、樹脂フィルムにバイアホールやめっきスルーホールを形成したとき、その上に形成される金属導体層に高い密着性を確保できるからである。また、粗化面が形成される表層にのみ樹脂粒子を含有する樹脂フィルムを形成してもよい。このようにすれば、酸あるいは酸化剤から樹脂フィルムが防御されるため、金属導体層の絶縁性が確実に保たれる。
【００５６】
前述の酸あるいは酸化剤に可溶性の樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を用いることができる。樹脂粒子としては、難溶性樹脂よりも酸あるいは酸化剤による溶解速度が速いものを用いることができる。
【００５７】
使用できる樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。それらの樹脂は、球状、破砕状などの一様な形状に成形された状態で、難溶性樹脂中に１種以上配合されることが好ましい。
【００５８】
樹脂粒子の径は０．１μｍ〜５μｍの範囲内であることがよい。このような好適範囲内であれば、２種類以上の異なる径の樹脂粒子を含有させてもよい。それにより、粗化面に複雑な形状の凹凸、即ち好適なアンカーを形成することができ、金属導体層との密着性を向上させることができる。
【００５９】
なお、先に列挙した樹脂以外のものとして、例えばゴムを用いてもよい。ゴムの例としては、ポリブタジエンゴム、各種変性ポリブタジエンゴム（例えばエポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等）、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴムなどが挙げられる。そのようなゴムを使用する理由は、ゴムは酸あるいは酸化剤によって完全に溶解しうるからである。つまり、ゴムは、比較的酸化力の弱い過マンガン酸や、低濃度のクロム酸などを用いた場合でも溶解することができるからである。
【００６０】
硬化剤成分としては、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、またはこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したものを用いることができる。さらに、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等も使用可能である。
【００６１】
硬化剤成分の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５重量％〜１０重量％であることがよい。０．０５重量％未満であると、硬化が不十分となり、酸や酸化剤の侵入度合いが大きくなる結果、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれる。逆に、１０重量％を越えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招くおそれがある。
【００６２】
前記樹脂フィルム中には、主要成分（即ち、難溶性樹脂、可溶性樹脂粒子及び硬化剤）以外の他の成分として、樹脂等に悪影響を与えない金属あるいは樹脂等のフィラーが含有されていてもよい。
【００６３】
使用可能な金属としては、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。使用可能な樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。それらのフィラーを含有させた場合、熱膨張係数の整合や、耐熱性、耐薬品性の向上などが図られるため、プリント配線板の性能が向上する。
【００６４】
また、前記他の成分として、溶剤が含有されていてもよい。この種の溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等といったケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート等といったカルボン酸類、トルエンやキシレン等といった芳香族炭化水素などがある。これらのものは、単独であるいは２種類以上組み合わせて使用することができる。
（プリント配線板の製造）
次に、前記樹脂フィルムを用いた場合を例に採り、それを用いたプリント配線板の製造手順を述べる。
【００６５】
コア基板は銅張積層板等を出発材料として作製される。銅張積層板とは、絶縁基板の片面または両面に銅箔を貼り付けたものを指す。絶縁基板としては、ガラスエポキシ樹脂、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板などを使用することができる。なお、銅張積層板の代わりにＲＣＣ基板を用いてもよい。
【００６６】
銅張積層板等を選択した場合、絶縁基板には、セミアディティブ法等によってあらかじめ導体回路等を形成する必要がある。いわゆる両面板を形成したい場合には、めっきスルーホールを形成することにより絶縁基板の表裏を導通させておくことがよい。その場合、めっきスルーホールとなる孔は、直径１００μｍ〜３００μｍのドリル、またはレーザなどを用いて開口される。
【００６７】
形成された導体回路などの金属導体層には、その表層部に粗化面が設けられていてもよい。粗化面の形成方法としては、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金層などからなる無電解めっき、酸化（黒化）−還元処理、あるいは有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング処理等が挙げられる。酸化（黒化）−還元処理について具体的にいうと、酸化浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／Ｌ）、ＮａＣｌＯ2（４０ｇ／Ｌ）、Ｎａ3ＰＯ4（６ｇ／Ｌ）が用いられ、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／Ｌ）、ＮａＢＨ4（６ｇ／Ｌ）が用いられる。
【００６８】
粗化面はＲａ（平均粗度）で０．１μｍ〜５μｍの範囲であることが望ましい。なお、密着性及び金属導体層のエッチング性という２点を考慮に入れると、粗化面のＲａは２μｍ〜４μｍの範囲内に設定されることが望ましい。なお、場合によっては、Ｓｎ，Ｎｉなどの被覆層を形成してもよい。
【００６９】
樹脂絶縁層の形成にあたっては、金属導体層を備える絶縁基板上に前述の樹脂フィルムが貼り付けられる。樹脂フィルムの貼り付けには、例えば真空ラミネータ等の装置が用いられる。真空ラミネータを使用した場合、圧力は２．５ｋｇ／ｃｍ2〜１０ｋｇ／ｃｍ2に、温度は４０℃〜７０℃に、真空度は０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒに、圧着時間は１０秒〜１２０秒にそれぞれ設定される。
【００７０】
形成された樹脂絶縁層には、フォト法またはレーザ法などによって、バイアホール用開口部が形成される。レーザ法を選択した場合における穴あけは、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ等によって行われる。これらのレーザのなかでも、特に炭酸ガスレーザやエキシマレーザを使用することが好ましい。炭酸ガスレーザを用いる場合には、短パルスかつ少ないショット数にすることがよく、それによれば樹脂絶縁層の損傷を最小限に抑えることができる。エキシマレーザを用いた場合には、バイアホール用開口部となるべき箇所に開口部を有するマスクを配置し、この状態でエキシマレーザを照射させることによって、一括して穴あけを行うことができる。フォト法の場合には、露光後にＤＭＴＧなどによって現像することにより、穴あけを行うことができる。
【００７１】
バイアホール用開口部を形成した後、スミアを除去するために、コア基板を過マンガン酸等に浸漬する等のウェット処理や、酸素プラズマ処理等のドライ処理を行ってもよい。また、この段階でドリル、レーザ光等を用いてめっきスルーホール用の孔を設けてもよい。スルーホール用の孔内には、樹脂充填材で充填されていることがよい。この場合、樹脂充填材としては絶縁性の樹脂が好ましい。ただし、充填可能な性状のものであれば必ずしも絶縁性でなくてよく、例えば導電性ペースト等であっても構わない。充填は樹脂充填剤を用いて形成されてもよいほか、樹脂絶縁層の形成時に同層を形成するための樹脂材料を同時に充填させることにより形成されてもよい。
【００７２】
コア基板上の樹脂絶縁層の表層部には、酸あるいは酸化剤を処理することによって粗化面が形成される。酸としては硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸などが用いられる。酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸ナトリウムなど）が用いられる。酸を使用する場合にはアルカリなどの水溶液で、また、酸化剤を使用する場合には中和液で、絶縁層あるいはめっきスルーホール内を中和させる必要がある。それによって酸や酸化剤の成分を除去し、次工程以降に影響を与えないようにする。
【００７３】
この後、粗化面には触媒が付与される。触媒としては、塩化パラジウムなどを用いることがよい。触媒の付与を確実にするためには、酸素、窒素などのプラズマを処理したり、あるいはコロナを処理したりするなどのドライ処理によって、前述の酸あるいは酸化剤の残さを除去しておくことがよい。このようにすると樹脂絶縁層の表層が改質されて、触媒が確実に付与される結果、金属が析出しやすくなる。前記ドライ処理は、特にバイアホール用開口部の底部の残さを除去するときに有利である。
【００７４】
粗化面に触媒を付与した後、無電解めっきによって薄付け金属層が形成される。薄付け金属層の形成方法としては、無電解銅めっきや無電解ニッケルめっきなどがある。ただし、電気特性や経済性を考慮すると、むしろ無電解銅めっきを選択することが好ましい。薄付け無電解銅めっき層の厚さは、０．３ｍｍ〜２．０μｍの範囲内に設定されることがよい。この厚さが０．３μｍ未満であると、金属導体層を粗化面に確実に追従させることができない。一方、この厚さが２．０μｍを越えると、粗化面に金属導体層が残ってしまい、短絡を引き起こす原因になる。
【００７５】
薄付け金属層が形成されたコア基板上には、感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）がラミネートされる。この感光性樹脂フィルム上には、めっきレジストパターンが描画されたフォトマスクが密着した状態で配置される。そして、この状態で露光・現像をすることにより、めっきレジストパターンを配設した非導体部分が形成される。
【００７６】
めっきレジスト非形成部分には、電解めっき膜が形成される。電解めっきとしては電解銅めっきが望ましい。電解銅めっき膜の厚さは５μｍ〜２０μｍに設定されることがよい。
【００７７】
電解めっき膜を形成した後、めっきレジストはアルカリ水溶液などを用いて除去される。この後、さらに硫酸と過酸化水素との混合液や、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて、薄付け金属層が除去される。その結果、薄付け金属層と電解めっき膜とからなる２層の独立した導体回路と、同様の構造のバイアホールとが得られる。
【００７８】
樹脂絶縁層上の触媒は、場合によっては酸あるいは酸化剤によって除去されてもよい。このようにすれば、パラジウムなどの金属がなくなるため、電気特性の悪化が防止される。また、バイアホールに導電性ペーストなどを充填し、さらに蓋状にめっきを施すことにより、バイアホール上面を埋めて平坦にしてもよい。
【００７９】
さらに、樹脂絶縁層を形成させることによって、その上層に導体回路を設けてもよい。
ビルドアップ層を構成する樹脂絶縁層の最外層には、ソルダーレジスト層が設けられる。ソルダーレジスト層の所定箇所には、フォト法あるいはレーザ法によって開口部が形成される。
【００８０】
ここで、また、コア基板の一方の面（即ちチップ搭載面）における開口部に位置する金属導体層上には、導電性金属ペーストの印刷によってバンプが形成される。また、コア基板の他方の面（即ち外部基板接続面）における開口部に位置する金属導体層上には、Ｎｉ／Ａｕなどの耐食金属からなる層が、めっき法、スパッタ法、または蒸着法によって形成される。その結果、下記のような導体ピンを接合するためのパッドが前記開口部に形成される。
（導体ピンの構造の説明）
図２には、本実施形態において使用されるべき好適な導体ピン２１の一例が示されている。
【００８１】
この導体ピン２１は、基本的に頭部２２と脚部２３とからなる。脚部２３は断面円形状の棒状体であり、一般的にはマザーボード等の外部基板側に設けられたソケットのピン挿入穴に挿入可能になっている。頭部２２は脚部２３の上端面側に位置している。より詳細にいうと、頭部２２の下面２２ｃは脚部２３の上端面に対して一体的に連結されている。円盤状をなす頭部２２は、脚部２３よりも大径になっている。また、頭部２２の肉厚の大きさは、脚部２３の長さよりも相当小さいものとなっている。以上のことから、本実施形態の導体ピン２１はＴ型ピン（または釘状ピン）と呼ばれるべき形態を有している。
【００８２】
また、本実施形態の導体ピン２１は、銅、銅合金、鉄、スズ、亜鉛、アルミニウム、貴金属から選ばれる１種類または２種類以上の導電性金属を用いて形成される。そのなかでも、特に銅を主成分とするコバールや、鉄を主成分とする４２アロイ等の合金を選択することが望ましい。その理由は、これらの合金は、ピン用金属材料として信頼性が高く、後述する凹部を設けたとしても電気特性や強度に悪影響がでにくいからである。
【００８３】
導体ピン２１の頭部２２の上面２２ａは、ピン接合時にパッドに対面するように配置され、かつ導電性接着剤層内に完全に埋没した状態となる。つまり、頭部２２の上面２２ａは導体ピン２１における被接合面である。そして、頭部２２の上面２２ａには、空気抜き用の凹部としての溝２４が形成されている。
【００８４】
この導体ピン２１の場合、上面２２ａに複数本（具体的には４本）の溝２４が形成されている。各溝２４の内端は上面２２ａの中心に位置し、外端は上面２２ａ以外の面（具体的には頭部２２の側面２２ｂ）にまで到達している。つまり、この導体ピン２１の場合、上面２２ａの中心を起点として溝２４が放射状にかつ十字状に延びている（図２（ｃ）参照）。なお、これらの溝２４は回転対称となるように配置されている。
【００８５】
本実施形態では、各溝２４は直線的にかつ等しい幅となるように形成されている。具体的には、各溝２４の幅は０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲内で形成されることがよい。この幅が小さすぎると、溝２４の形成が困難になることに加え、溝２４の断面積が小さくなり、空気を確実に通過させることができなくなるおそれがある。逆に、この幅が大きすぎると、頭部２２の直径を大きくしないと、かえって溝２４の形成が困難になってしまう。
【００８６】
本実施形態では、各溝２４の断面形状は矩形状になっている。なお、溝２４の断面形状を、例えば略Ｕ字状や略Ｖ字状などにしても勿論よい。
各溝２４の深さは一様に等しく、頭部２２の厚さの半分以下となるように形成されている。具体的には、溝２４の最大深さは頭部２２の厚さの１／１０〜１／２に設定されることがよく、さらには１／５〜１／２に設定されることがよい。最大深さが小さすぎると、溝２４の断面積が小さくなり、空気を確実に通過させることができなくなるおそれがある。逆に、最大深さが大きすぎると、頭部２２において溝２４を形成した部位の肉薄化に起因して、導体ピン２１自体の強度が低下するおそれがある。また、各溝２４の最大深さは０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍ程度であることが好ましい。これも同様の理由による。
【００８７】
ここで、導体ピン２１の頭部２２の直径は、パッドの直径の０．８倍〜１．２倍であることがよい。そのような条件に設定すれば、パッド内における接合エリアが確保されるため、多層プリント配線板に対して導体ピン２１を垂直に立てることができるからである。
【００８８】
頭部２２の直径は、具体的には７０μｍ〜８００μｍの範囲内、特には３００μｍ〜７００μｍの範囲内に設定されることがよい。直径が７０μｍ未満であると、溝２４を形成するスペースが減り、溝２４の形成が困難になる。逆に、直径が８００μｍを越えるものについては、特にスペース的な問題は生じない反面、近年の高密度化・ファイン化という流れの中においてそのニーズに乏しいという状況にある。
【００８９】
そして、上記構成の導体ピン２１は、専用のピン整列治具により複数個立設させた状態で整列される。この後、頭部２２の上面２２ａを導電性接着剤層に仮固定した状態でリフローを行うことにより、導電性接着剤層を再溶融させ、複数の導体ピンをパッドに対して一括的に接合する。
【００９０】
導電性接着剤層の融点は１８０℃〜２８０℃に設定されることがよく、特には２００℃〜２５０℃に設定されることがよい。この融点が低すぎると、導体ピン２１の接合後の加熱によって導電性接着剤層が再溶融・軟化しやすくなるため、導電性接着剤層に十分な接着強度を確保することが困難になる。従って、導体ピン２１の傾きや位置ずれ、導電性接着剤層の破壊を回避できなくなる場合が生じる。逆に、この融点が高すぎると、熱がソルダーレジスト層のような樹脂材料に与えるダメージが大きくなり、絶縁性等の性質が低下するおそれがある。
【００９１】
また、導電性接着剤層は、スズ、鉛、アンチモン、銀、金から選ばれる１種または２種以上の金属により構成されていることがよい。特に、スズ−鉛（Ｓｎ／Ｐｂ：即ち最も一般的な組成のはんだ合金）あるいはスズ−アンチモン（Ｓｎ／Ｓｂ）を少なくとも含む導電性接着剤層を使用することが望ましい。
【００９２】
その理由は、これらのものによれば、前述の好適融点温度範囲を達成することができるからである。また、熱溶融しても再び固化しやすいため、導体ピン２１の位置ずれ、傾き、脱落を引き起こしにくいからである。さらに、ピン接合強度も高くなり、かつその強度バラツキも小さくなるからである。
【００９３】
上記のようなはんだ合金等のほか、金、銀等のロウ材や、金、銀、銅等の金属フィラーを含む導電性ペーストや、前記金属フィラーを含む絶縁性樹脂などを、導電性接着剤として用いてもよい。
【００９４】
【実施例及び比較例】
［実施例１］
図１には、実施例１のビルドアップ多層プリント配線板Ｐ１が示されている。この多層プリント配線板Ｐ１は、金属導体層と樹脂絶縁層２とからなる積層構造のビルドアップ層Ｂ１を、樹脂製のコア基板１の上下両面に備えている。コア基板１には、コア基板１の上面及び下面にある金属導体層同士を電気的に接続するめっきスルーホール９が複数個形成されている。なお、めっきスルーホール９内の空間には、図１に示されるように樹脂充填材１０のような絶縁材料が充填されていてもよい。ビルドアップ層Ｂ１の最外層には、絶縁性樹脂材料からなるソルダーレジスト層１５が設けられている。そのソルダーレジスト層１５の一部には、開口部１５ａが形成されている。それらの開口部１５ａには、金属導体層の一部に形成した複数のパッド１６が配置されている。そして、コア基板１の上面側にあるビルドアップ層Ｂ１については、各パッド１６に対してバンプ３０がそれぞれ接合されている。一方、コア基板１の下面側にあるビルドアップ層Ｂ１については、各パッド１６に対して、導体ピン２１が導電性接着剤層１７を介してそれぞれ接合されている。
【００９５】
次に、多層プリント配線板Ｐ１の製造方法を詳細に説明するに先立ち、樹脂材料の調製方法について述べる。
Ａ．上層粗化面形成用の樹脂組成物の調製
１）まず、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を、８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液を用意した。そして、この樹脂液４００重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）５重量部及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容器にとって、攪拌混合することにより、混合組成物を調製した。
【００９６】
２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７２重量部及び平均粒径０．５μｍのもの３１重量部を別の容器にとり、攪拌混合した。この後、さらに前記混合物にＮＭＰ２５７重量部を添加した後、これをビーズミルで攪拌混合することにより、別の混合組成物を調製した。
【００９７】
３）イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフェノン）２０重量部、光増感剤（チバガイギー社製、ＥＡＢ）４重量部及びＮＭＰ１６重量部をさらに別の容器にとって、攪拌混合することにより、混合組成物を調製した。
【００９８】
そして、１）、２）及び３）で調製した３種の混合組成物をさらに混合することにより、樹脂絶縁層２の上層における粗化面形成用の樹脂組成物を得た。
Ｂ．下層粗化面形成用の樹脂組成物の調製
１）まず、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を、８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液を用意する。この樹脂液４００重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）５重量部及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容器にとって、攪拌混合することにより、混合組成物を調製した。
【００９９】
２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０量部、及びエポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４５重量部を別の容器にとり、攪拌混合した。その後、前記混合物にさらにＮＭＰ２８５重量部を添加した後、ビーズミルで攪拌混合することにより、別の混合組成物を調製した。
【０１００】
３）イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフェノン）２０重量部、光増感剤（チバガイギー社製、ＥＡＢ）４重量部及びＮＭＰ１６重量部をさらに別の容器にとって、攪拌混合することにより、混合組成物を調製した。
【０１０１】
そして、１）、２）及び３）で調製した３種の混合組成物をさらに混合することにより、無電解めっき用接着剤である下層の粗化面形成用の樹脂組成物を得た。
Ｃ．樹脂充填材１０の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）及びレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）それぞれを用意する。そして、前記ビスフェノールＦ型エポキシモノマー１００重量部、前記ＳｉＯ2 球状粒子１７０重量部及び前記レベリング剤１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１０２】
引き続き、下記の工程を経てプリント配線板Ｐ１を製造した。
１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなるコア基板１の両面に、１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図３（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板の所例箇所をドリルを用いて穴あけする。この後、めっきレジストを形成した状態で無電解めっき処理を施し、銅箔をパターン状にエッチングする。これにより、コア基板１に最も内層の導体回路４とめっきスルーホール９とを形成した。
【０１０３】
２）めっきスルーホール９及び内層導体回路４が形成されたコア基板１を水洗いし、乾燥する。その後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （１６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理を行う。さらに、この黒化処理の後、ＮａＯＨ（１９ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （５ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う。その結果、めっきスルーホール９を含む内層導体回路４の表面全体に、粗化面４ａ，９ａを形成した（図３（ｂ）参照）。
【０１０４】
３）コア基板１の一方の面にロールコータを用いて樹脂充填材１０を塗布することにより、その樹脂充填材１０を導体回路４間あるいはめっきスルーホール９内に充填させる。次に、加熱乾燥を行った後、他方の面についても同様に樹脂充填材１０を塗布し、かつ加熱乾燥を行った（図３（ｃ）参照）。
【０１０５】
４）上記３）の処理を終えたコア基板１の一方の面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により研磨した。このとき、導体回路４の表面やめっきスルーホール９のランド表面に、樹脂充填材１０が残らないような条件を設定した。次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨をコア基板１の他方の面についても同様に行った。次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って、樹脂充填材１０を硬化した。
【０１０６】
このようにして、めっきスルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部を平坦化した。その結果、樹脂充填材１０と内層導体回路４とが、粗化面４ａを介して強固に密着していた。また、めっきスルーホール９の内壁面と樹脂充填材１０とが、粗化面９ａを介して強固に密着していた（図３（ｄ）参照）。そしてこの工程により、樹脂充填材１０の表面と導体回路４の表面とが、同一の平面に属した状態となる。なお、充填した硬化樹脂のＴｇ点は１５５．６℃、線熱膨張係数は４４．５×１０-6／℃であった。
【０１０７】
５）上記４）の処理で露出した導体回路４及びめっきスルーホール９のランド上面に、厚さ２．５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）１１を形成した（図４（ａ）参照）。さらに、その粗化層１１の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。その形成方法を以下に記す。
【０１０８】
まず、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）０．１ｇ／ｌを含む水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴を用意した。そして、このめっき浴に前記コア基板１を浸漬した。浸漬を開始してから１分後に、１回／４秒の頻度で縦及び横方向に振動を加えるようにした。その結果、導体回路４及びめっきスルーホール９のランドの表面に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の粗化層１１を設けた。さらに、ホウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）、チオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ）を含む温度５０℃、ｐＨ＝１．２のめっき浴を用い、Ｃｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層１１の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。
【０１０９】
６）「Ｂ．下層粗化面形成用の樹脂組成物の調製」にて説明した無電解めっき用接着剤（粘度１．５Ｐａ・ｓ）を、コア基板１の両面にロールコータを用いて塗布した。この後、コア基板１を水平にして２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行うことにより、無電解めっき用接着剤層２ａを形成した。
【０１１０】
さらに、この無電解めっき用接着剤層２ａの上に、「Ａ．上層粗化面形成用の樹脂組成物の調製」にて説明した無電解めっき用接着剤（粘度：７Ｐａ・ｓ）をロールコータを用いて塗布した。この後、コア基板１を水平にして２０分間放置してから６０℃で３０分の乾燥を行うことにより、さらに別の接着剤層２ｂを形成し、全体として厚さ３５μｍにした（図４（ｂ）参照）。
【０１１１】
７）上記６）で無電解めっき用接着剤層２ａを形成したコア基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させた。この状態で、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液を用いてスプレー現像した。さらに、このコア基板１を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光した後、１００℃で１時間、１５０℃で５時間の加熱処理を施した。その結果、寸法精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口部６を有する厚さ３５μｍの樹脂絶縁層２を形成した（図４（ｃ）参照）。
【０１１２】
８）バイアホール用開口部６を形成したコア基板１を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９分間浸漬することにより、樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。その結果、樹脂絶縁層２の表面及びバイアホール用開口部６の内壁面を、深さ３μｍ程度の粗化面にした（図４（ｄ）参照）。
【０１１３】
９）次に、上記のような粗化処理を終えたコア基板１を、２０重量％の塩酸に３分間浸漬し、露出した導体回路４の表面のＳｎ層をエッチングにより除去した。その後、前記コア基板１を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。なお、図面作成の便宜上、Ｓｎ層を除去した状態は示されてない。
【０１１４】
さらに、粗化処理後のコア基板１の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、樹脂絶縁層２の表面及びバイアホール用開口部６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１１５】
１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき浴中にコア基板１を浸漬することにより、粗化面全体に厚さ０．８μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図５（ａ）参照）。ここでは浴の温度を７０℃に設定するとともに、浸漬時間を１５分に設定した。
【０１１６】
〔無電解めっき浴〕
ＥＤＴＡ                ４０ｇ／ｌ
硫酸銅                    ８ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                １０ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ                １０ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル    ８０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１ｇ／ｌ
１１）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２上に貼り付けた後、所定のフォトマスクを設けた。この状態で１００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光を行い、さらに０．８％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像処理することにより、めっきレジスト３を形成した（図５（ｂ）参照）。
【０１１７】
１２）次いで、コア基板１を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗した後、さらに硫酸で洗浄した。そして、以下の組成の浴を用いて電解銅めっきを施すことにより、めっきレジスト３の非形成部分に厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図５（ｃ）参照）。ここでは、電流密度を１Ａ／ｄｍ2に設定し、浴温を室温に設定し、かつ浸漬時間を３０分に設定した。
【０１１８】
〔電解めっき浴〕
硫酸                  １８０  ｇ／ｌ
硫酸銅                  ８０  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）  １  ｍｌ／ｌ
１３）めっきレジスト３を５％ＫＯＨを用いて剥離・除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を、硫酸と過酸化水素とからなるエッチャントを用いて溶解・除去した。その結果、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３とからなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール７を含む）５を形成した（図５（ｄ）参照）。さらに、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液にコア基板１を３分間浸漬することにより、導体回路非形成部分に位置する導体回路５間の樹脂絶縁層２の表面を１μｍだけエッチング処理した。その結果、樹脂絶縁層２の表面に残存するパラジウム触媒を除去した。
【０１１９】
１４）ここで、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）０．１ｇ／ｌを含む水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴を用意した。そして、このめっき浴に前記コア基板１を浸漬した。浸漬を開始してから１分後に、１回／４秒の頻度で縦及び横方向に振動を加えるようにした。その結果、導体回路５及びめっきスルーホール９のランドの表面に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の粗化層１１を設けた。このとき、形成した粗化層１１をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ：９８モル％、Ｎｉ：１．５モル％、Ｐ：０．５モル％の組成比であった。
【０１２０】
さらに、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌを含む温度５０℃、ｐＨ＝１．２のめっき浴を用い、Ｃｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。ただし、Ｓｎ層については図示しない。
【０１２１】
１５）上記６）〜１４）の工程を繰り返すことにより樹脂絶縁層２上に、さらに外層の導体回路を形成し、ビルドアップ層Ｂ１を完成させた。
１６）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）６．６７重量部、同じくビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコートＥ−１００１−Ｂ８０）６．６７重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、アクリル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄化学社製、商品名：ポリフローＮｏ．７５）０．３６重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製した。
【０１２２】
この混合組成物に対して、光重合開始剤としてのイルガキュアＩ−９０７（チバガイギー社製）２．０重量部、光増感剤としてのＤＥＴＸ−Ｓ（日本化薬社製）０．２重量部、及びＤＭＤＧ０．６重量部を加えた。これにより、２５℃における粘度を１．４±０．３Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
【０１２３】
なお、粘度の測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）を用いて行った。この場合、６０ｒｐｍにおいてローターＮｏ．４を使用し、６ｒｐｍにおいてローターＮｏ．３を使用した。
【０１２４】
１７）次に、コア基板１の両面にあるビルドアップ層Ｂ１の上面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った。その後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを、前記レジスト組成物からなる層に密着させた。この状態で、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度の紫外線で露光を行い、さらにＤＭＴＧ溶液で現像処理することにより、直径２００μｍの開口部１５ａを形成した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理を行い、前記層を硬化させた。その結果、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層１５を形成した。
【０１２５】
１８）次に、ソルダーレジスト層１５を形成したコア基板１を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含むｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬した。その結果、開口部１５ａの底部に位置する金属導体層部分に、厚さ５μｍのニッケルめっき層１４を形成した。さらに、そのコア基板１をシアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含む無電解めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬した。その結果、ニッケルめっき層１４上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層２６を形成した。
【０１２６】
１９）次に、コア基板１の上面側におけるソルダーレジスト層１５の開口部１５ａにはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることにより、多数のはんだバンプ３０を形成した。
【０１２７】
２０）続いて、専用のピン整列治具を用い、複数のＴ型の導体ピン２１を立てた状態で整列させた。本実施例１では、上述のように溝２４を４本有するコバール製の導体ピン２１を用いることとした。
【０１２８】
さらに、コア基板１の下面側におけるソルダーレジスト層１５の開口部１５ａに、Ｓｎ／Ｐｂ＝９５：５という組成のはんだペースト（融点２２０℃）を印刷によって塗布した。次いで、ピン整列治具内にて整列している各導体ピン２１の頭部２２の上面２２ａを、そのはんだペーストに接触させるようにして仮固定した。
【０１２９】
この状態で、２２０℃でリフローすることにより、各導体ピン２１をパッド１６に導電性接着剤層（ここでははんだ層）１７を介してはんだ付けし、最終的に所望のビルドアップ多層プリント配線板Ｐ１を完成させた。
［実施例２］
次に、実施例２のプリント配線板Ｐ１の製造方法を詳細に説明するに先立ち、樹脂充填剤調製用の原料組成物の調製方法について述べる。
【０１３０】
ここでは、あらかじめ樹脂組成物と硬化剤組成物とをそれぞれ作製しておいた。
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310、YL983U） １００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ2球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、最大粒子の大きさは１５μｍ以下とする）１７０重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１．５重量部を攪拌混合した。そして、この混合物の粘度を２３±１℃で４５０００cps〜４９０００cpsに調整し、樹脂組成物を得た。
【０１３１】
また、硬化剤組成物は、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）６．５重量部とした。
引き続き、下記の工程を経てプリント配線板Ｐ１を製造した。
【０１３２】
１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなるコア基板１の両面に、１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした。まず、この銅貼積層板の所例箇所をドリルを用いて穴あけした。この後、めっきレジストを形成した状態で無電解めっき処理を施し、銅箔をパターン状にエッチングする。これにより、コア基板１に導体回路４とめっきスルーホール９とを形成した。
【０１３３】
２）めっきスルーホール９及び導体回路４が形成されたコア基板１を水洗いし、乾燥する。その後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理を行う。さらに、この黒化処理の後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う。このような酸化−還元処理の結果、めっきスルーホール９を含む内層導体回路４の表面全体に、粗化面４ａ，９ａを形成した。
【０１３４】
３）次に、上記の樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填材１０を得た。
４）前記３）で得た樹脂充填材１０を、調製後２４時間以内に導体回路４間あるいはめっきスルーホール９内に塗布、充填した。塗布はスキージを用いた印刷法により行った。１回目の印刷塗布工程では、主にめっきスルーホール９内の空間の充填を行い、その後１００ ℃で２０分間の乾燥を行った。
【０１３５】
また、２回目の印刷塗布工程では、マスクを配置した状態で主に導体回路４の形成によって生じた凹部への充填を行った。そして、導体回路４間及びめっきスルーホール９内の空間を充填した後、前述の乾燥条件で乾燥を行った。
【０１３６】
５）上記４）の処理を終えたコア基板１の一方の面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により研磨した。このとき、内層導体回路４の表面やめっきスルーホール９のランド表面に、樹脂充填材１０が残らないような条件を設定した。次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨をコア基板１の他方の面についても同様に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って、樹脂充填材１０を硬化した。
【０１３７】
このようにして、めっきスルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部を平坦化した。その結果、樹脂充填材１０と導体回路４とが、粗化面４ａを介して強固に密着していた。また、めっきスルーホール９の内壁面と樹脂充填材１０とが、粗化面９ａを介して強固に密着していた。そしてこの工程により、樹脂充填材１０の表面と導体回路４の表面とが、同一の平面に属した状態となる。
【０１３８】
６）イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液、及びメック社商品名「メックエッチボンド」を用いてスプレーを施しながら、コア基板１を搬送ロールで送ることにより、エッチング処理を行った。その結果、導体回路４に厚さ３μｍの粗化面４ａを形成した。
【０１３９】
７）あらかじめ用意しておいた前述の樹脂フィルムをコア基板１に対し真空ラミネータを用いて貼り付けた。このようなラミネート時の条件として、真空度を０．５Ｔｏｒｒ、ラミネート圧力を４ｋｇ／ｃｍ2、温度を８０℃、圧着時間を６０秒に設定した。その後、１００℃／３０分＋１５０℃／１時間、樹脂フィルムを熱硬化させた。
【０１４０】
８）次いで、前記樹脂フィルムに由来する樹脂絶縁層２にバイアホール用開口部６を設けた。本実施例では、炭酸ガスレーザを選択するとともに、バイアホール用開口部６の内径を６０μｍに設定した。なお、炭酸ガスレーザについては、波長を１０．４μｍ、ビーム径を５ｍｍ、パルス幅を５．０μ秒、マスクの穴径を０．５ｍｍにそれぞれ設定し、ワンショットにて照射を行った。
【０１４１】
９）バイアホール用開口部６が形成されたコア基板１を、クロム酸に１９分間浸漬し、樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。このような粗化処理により、当該樹脂絶縁層２の表面を粗化面とした。その後、コア基板１を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【０１４２】
さらに、粗化処理（粗化深さ６μｍ）を行ったコア基板１の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、樹脂絶縁層２の表面及びバイアホール用開口部６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１４３】
１０）以下に示す組成の無電解銅めっき浴中にコア基板１を浸漬して、粗化面全体に厚さ０．６μｍ〜０．９μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した。ここでは浴の温度を３５℃に設定するとともに、浸漬時間を４０分に設定した。
【０１４４】
〔無電解めっき浴〕
ＮｉＳＯ4             ０．００３  mol ／ｌ
酒石酸                ０．２００  mol ／ｌ
硫酸銅                ０．０３０  mol ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．０５０  mol ／ｌ
ＮａＯＨ              ０．１００  mol ／ｌ
α、α’−ビピリジル  ４０    ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１０  ｇ／ｌ
１１）前記１０）で形成した無電解銅めっき膜１２上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付けた後、所定のマスクを形成した。この状態で１００mJ／cm2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理することにより、無電解銅めっき膜１２上に厚さ１５μｍのめっきレジストを設けた。
【０１４５】
１２）次いで、レジストの非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１３を形成した。ここでは、電流密度を１Ａ／ｄｍ2に設定し、浴温を２２±２℃に設定し、かつ浸漬時間を６５分に設定した。
【０１４６】
〔電解めっき浴〕
硫酸                 ２．２４  mol ／ｌ
硫酸銅               ０．２６  mol ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） １９．５  ml／ｌ
１３）めっきレジスト３を５％ＫＯＨを用いて剥離・除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を、硫酸と過酸化水素とからなるエッチャントを用いて溶解・除去した。その結果、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３とからなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール７を含む）５を形成した。
【０１４７】
１４）前記６）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって粗化面を形成し、さらにその粗化面へのＳｎ置換を行った。
１５）前記７） 〜１４）の工程を繰り返すことにより、樹脂絶縁層２上にさらに導体回路を形成し、ビルドアップ層Ｂ１を完成させた。
【０１４８】
１６）一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A）１．５ｇ、に分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
【０１４９】
なお、粘度の測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）を用いて行った。この場合、６０ｒｐｍにおいてローターＮｏ．４を使用し、６ｒｐｍにおいてローターＮｏ．３を使用した。
【０１５０】
１６）次に、ＤＭＤＧに６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５ｇ、イミダゾール硬化剤１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、Ｒ604）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A）１．５ｇに、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）０．７１ｇを混合した。さらにこの混合物に対して、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２ｇを加えた。これにより、２５℃における粘度を２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。粘度測定は前記１５）と同じ方法にて行った。
【０１５１】
１７）次に、コア基板１の両面にあるビルドアップ層Ｂ１の上面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った。その後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを、前記レジスト組成物からなる層に密着させた。この状態で、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度の紫外線で露光を行い、さらにＤＭＴＧ溶液で現像処理することにより、直径２００μｍの開口部１５ａを形成した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理を行い、前記層を硬化させた。その結果、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層１５を形成した。
【０１５２】
１８）次に、コア基板１を塩化ニッケル２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬した。その結果、開口部１５ａにある導体回路５上に、厚さ５μｍのニッケルめっき層１４を形成した。さらに、そのコア基板１を、シアン化金カリウム７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に、８０℃の条件で７．５分間浸漬した。その結果、ニッケルめっき層１４上に厚さ０．０３μｍの金めっき層２６を形成した。
【０１５３】
１９）次に、コア基板１の上面側におけるソルダーレジスト層１５の開口部１５ａにはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることにより、多数のはんだバンプ３０を形成した。
【０１５４】
２０）続いて、専用のピン整列治具を用い、複数のＴ型の導体ピン２１を立てた状態で整列させた。なお、本実施例２においても、実施例１と同じ形状・寸法の導体ピン２１を用いた。
【０１５５】
さらに、コア基板１の下面側におけるソルダーレジスト層１５の開口部１５ａに、Ｓｎ／Ｐｂ系の前記はんだペースト（融点２２０℃）を印刷によって塗布した。次いで、ピン整列治具内にて整列している各導体ピン２１の頭部上面２２ａを、そのはんだペーストに接触させるようにして仮固定した。
【０１５６】
この状態で、２２０℃でリフローすることにより、各導体ピン２１をパッド１６に導電性接着剤層１７を介してはんだ付けし、最終的に所望のビルドアップ多層プリント配線板Ｐ１を完成させた。
（比較例１）
比較例１では、頭部２２の上面２２ａに溝２４が全く形成されておらず、当該上面２２ａが平坦になっている導体ピンを用いた。それ以外の事項については、基本的に実施例１と同様にして、ビルドアップ多層プリント配線板を作製した。
（比較例２）
比較例２においても、頭部２２の上面２２ａに溝２４が全く形成されておらず、当該上面２２ａが平坦になっている導体ピンを用いた。それ以外の事項については、基本的に実施例２と同様にして、ビルドアップ多層プリント配線板を作製した。
（評価試験の方法及び結果）
実施例１，２及び比較例１，２で形成された多層プリント配線板Ｐ１を以下のような方法により評価した。
【０１５７】
ボイドの有無：リフロー後に多層プリント配線板Ｐ１を切断して、その切断面における導電性接着剤層１７を顕微鏡観察することにより調査した。
導体ピン２１の立設状態：同じくリフロー後に肉眼観察することにより、傾きや位置ずれの有無を調査した。
【０１５８】
電気導通性：導通試験を実施して断線の有無を調査した。
ピン強度：１０本の導体ピン２１について常法によりピール強度試験を行い、その平均値（ｋｇｆ／ピン）を求めた。
【０１５９】
これらの評価試験は、いずれもバイアホール７上に位置している導体ピン２１を対象として行った。その結果を表１に示す。
なお、このような位置にある導体ピン２１を対象としたのは、以下の理由による。即ち、バイアホール７は中心が窪んだ構造をしているため、その窪み部分に充填された導電性接着剤やフラックスに、ボイドの原因となる空気が溜まりやすいからである。
【０１６０】
【表１】
0004343390.tif 000002
実施例１，２については、ボイドが認められることもなく、導体ピン２１の立設状態も極めて良好であった。また、特に断線も認められず、電気的な導通も図られていた。さらに、目標値である２．０ｋｇｆ／ピンを越える十分なピン強度が達成されていた。
【０１６１】
これに対し、比較例１，２については、導電性接着剤層中に少なからずボイドが認められた。また、多くの導体ピンに傾きや位置ずれが見られ、立設状態がよいとは言い難かった。さらに、導通試験の結果、一部のものについて断線が認められた。また、ピン強度については、目標値である２．０ｋｇｆ／ピンを下回っていた。
【０１６２】
即ち、実施例１，２のほうが比較例１，２よりも優れていることが、以上の結果から明らかとなった。
従って、本実施形態の実施例によれば以下のような効果を得ることができる。
【０１６３】
（１）前記実施例では、導電性接着剤層内に存在する空気が、リフロー時に溝２４の延びる方向に沿って通過し、頭部２２の側面２２ｂから外部にスムーズに抜け出すことができる（図６の矢印Ａ１参照）。特に実施例では４本の溝２４を設けていることから、空気は、頭部２２の上面２２ａの中心を起点とした４方向に抜け出すことができる。このため、導電性接着剤層１７内やフラックス内にボイドが生じにくくなり、導体ピン２１の傾きや位置ずれ及び導電性接着剤層１７の破壊が回避される。従って、本来の正しい位置に導体ピン２１を配設することが可能となる。
【０１６４】
（２）また、実施例のような単純形状の溝２４であれば、比較的簡単に形成することができるため、導体ピン２１の製造コスト増を回避することができる。
（３）前記実施例では、溝２４の最大深さが頭部２２の肉厚の半分になっている。そのため、頭部２２において溝２４を形成した部位がそれほど肉薄にならず、導体ピン２１自体の強度低下を防止することができる。
【０１６５】
（４）前記実施例のビルドアップ多層プリント配線板Ｐ１は、上述したとおりの優れた導体ピン２１を複数個用いて構成されているため、導体ピン２１の接続信頼性に優れたものとなっている。
【０１６６】
また、各導体ピン２１は、頭部２２の上面２２ａに突起を持たないＴ型ピンである。ゆえに、突起を挿入固定するためのバイアホールを多層プリント配線板Ｐ１側に配設する必要がない、という利点がある。従って、孔形成に起因する配線可能エリアの減少が回避され、高密度化・ファイン化に対応可能な多層プリント配線板Ｐ１とすることができる。さらに、実施例の構成によれば、高密度化・ファイン化・薄層化等といったビルドアップ層Ｂ１の利点を最大限に得ることができ、付加価値の高い多層プリント配線板Ｐ１を実現することができる。
【０１６７】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・  溝２４の数は実施形態のように４つに限定されることはなく、それ以上の数であってもよい。例えば、図７（ａ）に示す別例では８つの溝２４が放射状に形成され、図７（ｂ）に示す別例では６つの溝２４が放射状に形成されている。逆に、溝２４の数は４つ未満であってもよい。例えば、図７（ｃ）に示す別例では３つの溝２４が放射状に形成されている。また、図７（ｅ）に示す別例や、図７（ｇ）に示す別例のように構成してもよい。
【０１６８】
・  溝２４の深さは、前記実施形態のように一定であってもよいほか、図７（ｄ），図７（ｆ），図８（ａ），図８（ｂ）に示す別例のように、頭部２２の中心部から外周部に行くに従って深くなっていてもよい。言い換えると、溝２４の底面は、頭部２２の中心部から外周部に向かって若干傾斜していてもよい。
【０１６９】
・  溝２４は必ずしも実施形態のように放射状に配置されていなくてもよく、例えば図８（ｃ），図８（ｄ）に示す別例のように、複数の溝２４を格子状に配置されていてもよい。
【０１７０】
・  頭部２２の上面２２ａに形成されるべき空気抜き用の凹部は、前記実施形態や前記別例のように細長くて溝状のものに限定されることがなく、一見して溝状ではないものであっても構わない。即ち、図８（ｅ）〜図９（ｄ）の別例では、そのような溝状ではない凹部３２が１つまたは２つ以上形成されている。
【０１７１】
・  空気抜き用の凹部は貫通孔であってもよい。この場合、貫通孔の一端を頭部２２の上面２２ａにて開口させ、他端を側面２２ｂまたは下面２２ｃにて開口させればよい。
【０１７２】
・  頭部２２の形状は実施形態のような円形状に限定されず、例えば楕円、三角形、四角形などでも構わない。
・  頭部２２の上面２２ａは粗化面になっていることが望ましく、具体的には、粗化面の表面粗さをＲａ＝０．００１μｍ〜０．１μｍに設定することがよい。被接合面である頭部２２の上面２２ａを粗化面にしておくと、ある程度のアンカー効果が期待できるため、導体ピン２１の傾きや位置ずれのいっそうの防止につながるからである。
【０１７３】
・  本発明の導体ピン２１は、樹脂製のコア基板１からなる多層プリント配線板Ｐ１に使用されるばかりでなく、例えば樹脂製でないコア基板（例えば金属基板やセラミックス基板）からなる多層配線板に使用されることが勿論可能である。また、ビルドアップ層を備える多層配線板に使用されるばかりでなく、ビルドアップ層を備えていない多層配線板に使用されることが勿論可能である。
【０１７４】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１） 請求項１乃至９のいずれか１つにおいて、前記導体ピンは、棒状の脚部と、その脚部の上端に位置するとともに前記脚部よりも大径であってかつ短い頭部とからなること。
【０１７５】
（２）  請求項１０乃至１２のいずれか１つにおいて、前記導体ピンの頭部の直径は、前記パッドの直径の０．８倍〜１．２倍であること。従って、この技術的思想２に記載の発明によれば、パッド内にて接合エリアが確保され、導体ピンを垂直に立設できる。
【０１７８】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜９に記載の発明によれば、傾きや位置ずれを起こすことなく正しく配設することが可能なプリント配線板用導体ピンを提供することができる。
【０１７９】
請求項１に記載の発明によれば、傾きや位置ずれの発生を確実に防止することができるとともに、製造コスト増を回避することができる。
請求項３，４，５に記載の発明によれば、傾きや位置ずれの発生を確実に防止することができる。
【０１８０】
請求項６に記載の発明によれば、導体ピンの製造コスト増を回避することができる。
請求項７に記載の発明によれば、導体ピン自体の強度低下を防止することができる。
【０１８１】
請求項１０〜１２に記載の発明によれば、導体ピンの接続信頼性に優れかつ高密度化・ファイン化に対応可能な多層プリント配線板を提供することができる。
請求項１１に記載の発明によれば、高付加価値化を図ることができる。
【０１８２】
請求項１２に記載の発明によれば、さらなる信頼性の向上を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した実施形態のビルドアップ多層プリント配線板の部分断面図。
【図２】（ａ）は実施形態の導体ピンの斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は底面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は実施形態の多層プリント配線板の製造工程を説明するための部分断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は実施形態の多層プリント配線板の製造工程を説明するための部分断面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は実施形態の多層プリント配線板の製造工程を説明するための部分断面図。
【図６】導体ピンとパッドとの接合部分を示す要部拡大断面図。
【図７】（ａ）〜（ｇ）は別例の導体ピンを示す部分斜視図。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は別例の導体ピンを示す部分斜視図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は別例の導体ピンを示す部分斜視図。
【符号の説明】
１…コア基板、２…樹脂絶縁層、４…（金属）導体層の一部である内層導体回路、５…（金属）導体層の一部である外層導体回路、１５…ソルダーレジスト層、１５ａ…開口部、１６…パッド、１７…導電性接着剤層としてのはんだ、２１…プリント配線板用導体ピン、２２…頭部、２２ａ…頭部の上面、２２ｂ…頭部の側面、２４…凹部としての溝、３２…凹部、Ｐ１…（ビルドアップ）多層プリント配線板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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