(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画像の最小単位となる画素を複数個備えているとともに、
前記各画素として複数の有機発光素子を備え、
前記基板上に、第一の電流供給線と接続され、前記有機層を駆動するための駆動素子を含む駆動層が積層されており、
前記有機発光素子は、
前記基板上に配置された第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置された透明導電膜よりなる第２の電極と、を有し、
前記基板と前記第１の電極間に配置され、且つ前記第一の電流供給線と前記第２の電極との間に設けられた層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを給電点として、前記第２の電極と前記各画素の表示領域において接続された金属層よりなる第二の電流供給線を有する有機発光表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記複数の有機発光素子は、前記各画素として発光色の相異なるものである有機発光表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記層間絶縁膜は、２つの層間絶縁膜が積層されて形成された有機発光表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記第二の電流供給線は、前記各画素に沿って網目状に形成されてなる有機発光表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記第二の電流供給線は、前記各画素間に沿って形成されてなる有機発光表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記第二の電流供給線は、前記各画素に重畳して形成されてなる有機発光表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の有機発光表示装置において、
前記第１の電極は、陽極として電源のプラス端子に接続され、
前記第２の電極は、陰極として前記電源のマイナス端子に接続されてなる有機発光表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の有機発光表示装置において、
前記第２の電極は、光を透過し透明性を有する材料で構成されてなる有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光表示装置に係り、特に、有機発光素子を用いて画像を表示するに好適な有機発光表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本格的なマルチメディア時代の到来に伴い、マン・マシンインターフェイスとして用いられる平面型の表示装置がクローズアップされている。
【０００３】
平面型表示装置としては、従来、液晶ディスプレイが用いられている。しかしながら液晶表示装置には、狭視野角，低速応答性と言った問題点が挙げられる。
【０００４】
近年、有機発光表示装置が次世代平面型表示装置として注目されている。すなわち、有機発光表示装置は、自発光，広視野角，高速応答特性といった優れた特性を有している。
【０００５】
この種の有機発光表示装置においては、有機発光素子を用いて画素が構成されており、有機発光素子は、ガラス基板上に、ＩＴＯ等の第１電極と、正孔輸送層，発光層，電子輸送層等からなる有機層と、および低仕事関数の第２電極が形成された構造となっている。
【０００６】
上記の両電極間に数Ｖ程度の電圧を印加すると、第１電極に正孔が注入され、第２電極に電子が注入され、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層または電子輸送層を経由して発光層で結合し、エキシトンが生成される。このエキシトンが基底状態に戻る際に発光する。発光光は透明性を有する第１電極を透過して基板側裏面から取り出される。
【０００７】
有機発光素子を画素に用いた表示装置には、単純マトリクス有機発光表示装置とアクティブマトリクス有機発光表示装置がある。
【０００８】
単純マトリクス有機発光表示装置は、複数の陽極ラインと陰極ラインが交差した位置に正孔輸送層，発光層，電子輸送層等の有機層が形成されており、各画素は１フレーム期間中、選択時間のみ点灯する。選択時間は、１フレーム期間を陽極ライン数で除した時間幅となる。
【０００９】
単純マトリクス有機発光表示装置は構造が単純であるという利点を有する。
【００１０】
しかし、画素数が多くなると選択時間が短くなるので、駆動電圧を高くし、選択時間中瞬間輝度を高くし１フレーム期間中の平均輝度を所定の値にする必要がある。そのため、有機発光素子の寿命が短くなる問題がある。また、有機発光素子は電流駆動であるため、特に大画面では、配線抵抗による電圧降下が生じ、各画素に均一に電圧が印加できず、その結果表示装置内で輝度ばらつきが発生する。以上のことより、単純マトリクス有機発光表示装置では高精細，大画面化に限界がある。
【００１１】
一方、アクティブマトリクス有機発光表示装置では、各画素を構成する有機
ＥＬ（発光）素子に、２〜４個の薄膜トランジスタのスイッチング素子及び容量から構成される駆動素子が接続されており、１フレーム期間中の全点灯が可能となる。そのため、輝度を高くする必要がなく、有機発光素子の寿命を長くすることが可能となる。よって、高精細，大画面化において、アクティブマトリクス有機発光表示装置が有利であると考えられている。
【００１２】
従来の有機発光表示装置では、発光光を基板裏側から取出すようになっているので、基板と有機発光素子との間に駆動部を設けたアクティブマトリクス有機発光表示装置では、開口率が制限される。
【００１３】
以上の問題点を解決するために、上部第２電極を透明化し、発光光の取出しを上部電極側から行う試みがある。
【００１４】
例えば、ＵＳＰ第５,７０３,４３６号公報には、上部電極を２層構成にし、第１層にＭｇ，Ａｇ等の注入層，第２層にＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透明電極を用い、上部電極から光を取出す有機ＥＬ素子が開示されている。
【００１５】
また、特開平６−１６３１５８号公報には、透明であるアルカリ土類金属酸化物で構成された電子注入層と、透明陰極材料からなる有機ＥＬ素子が開示されている。
【００１６】
また、特開２００１−１４８２９１号公報には、アクティブマトリクス有機発光表示装置において、駆動素子の電極と画素となる有機発光素子の下部電極を接続する位置の上部に隔壁を形成した画素構造が開示されている。また、この構造は上部電極側から光を取出す表示装置においても適用可能である事も開示されている。
【００１７】
【特許文献１】
特開平６−１６３１５８号公報（第２頁，図１−６）
【特許文献２】
特開２００１−１４８２９１号公報（第３−４頁，図１）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術においては、上部電極側から光を取り出すに際して、第２電極に透明導電膜を用いている。この場合、下地層となる有機層にダメージを与えないためには低温成膜が必須である。その結果、Ａｌなどの金属膜と比べて、抵抗率で３００倍以上と高抵抗となる。また第２電極を金属膜にした場合でも、下地層となる有機層に対するダメージを低くするためには、金属膜の膜厚を厚くすることはできない。そのため、パネルの大型化に伴い、電極の高抵抗が問題となる。
【００１９】
また、従来のアクティブマトリクス有機発光表示装置では、有機発光素子の有機層を挟む第１電極（陽極）と第２電極（陰極）を電源に接続するための電流供給線が駆動層の金属膜を用いて形成されている。この場合、電源のマイナス端子に接続された電流供給線と有機発光素子の第２電極（陰極）との接続は、画素のない領域、例えば、パネルエッジ付近の層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して行われるようになっている。
【００２０】
すなわち、各画素に属する有機発光素子の第２電極と電流供給線とをコンタクトホールを介して接続するようになっている。この場合、コンタクトホールを給電点として、給電点と各有機発光素子の第２電極とが電流供給線で接続されるため、コンタクトホールから画素までの距離に応じて配線抵抗値が変化する。そのため、画素を構成する有機発光素子に印加される実効電圧は配線抵抗値に応じて変化し、画素の位置によって輝度値が変化する。
【００２１】
本発明の課題は、有機発光素子の電極に接続される配線の抵抗による輝度のばらつきを低減することができる有機発光表示装置および有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【００２２】
また、本発明の課題は配線の抵抗による画質劣化を低減することができる有機発行表示装置及び有機発行表示装置の製造方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、画像の最小単位となる画素を複数個備えているとともに、前記各画素として複数の有機発光素子を備え、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち少なくとも前記各画素に属する一つの有機発光素子の一方の電極は各画素の表示領域において電流供給線に接続されてなる有機発光表示装置を構成したものである。
【００２４】
前記有機発光表示装置を構成するに際しては、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極を各画素の表示領域において電流供給線に接続したり、複数の発光素子として発光色の相異なるものを用いてカラー画像を形成することもできる。
【００２５】
また、発光色の相異なる複数の有機発光素子を用いてカラー画像を形成する場合には、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち前記各画素の特定の発光色の有機発光素子の一方の電極を各画素の表示領域において電流供給線に接続する構成を採用することもできる。
【００２６】
さらに、各画素を含む表示領域内に少なくとも１本以上の電流供給線を備え、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち少なくとも前記各画素に属する一つの有機発光素子の一方の電極を各画素の表示領域において前記電流供給線に接続する構成を採用することもできる。
【００２７】
前記各有機発光表示装置を構成するに際しては、以下の要素を付加することができる。
【００２８】
（１）基板上に前記有機層を駆動するための駆動素子を含む駆動層が積層されているとともに、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を含む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配線層に配置されて層間絶縁膜を介して前記一方の電極に接続されてなる。
【００２９】
（２）基板上に前記有機層を駆動するための駆動素子を含む駆動層が積層されているとともに、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を含む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配線層と前記有機層との間の層に配置されて層間絶縁膜を介して前記一方の電極に接続されてなる。
【００３０】
（３）前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層下部に形成された第１電極に対して、第２電極として基板上の有機層上部に形成され、前記第２電極上部に前記電流供給線が接続されてなる。
【００３１】
（４）基板上に前記有機層を駆動する駆動素子を含む駆動層が積層されているとともに、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を含む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配線層上に積層され、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層下部に形成された第１電極に対して、第２電極として基板上の有機層上部に形成され、前記第２電極上部に前記電流供給線が形成されてなる。
【００３２】
（５）前記電流供給線は、各画素に沿って網目状に形成されてなる。
【００３３】
（６）前記電流供給線は、前記各画素の各有機発光素子に対応して複数本に分割され、分割された複数本の電流供給線はそれぞれ専用電流供給線として前記各画素の各有機発光素子に接続されてなる。
【００３４】
（７）前記電流供給線は、前記各画素間に沿って形成されてなる。
【００３５】
（８）前記電流供給線は、前記各画素に重畳して形成されてなる。
【００３６】
（９）前記特定の発光色の有機発光素子は他の発光色の有機発光素子よりも高効率あるいは高寿命のもので構成されてなる。
【００３７】
（１０）前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層下部に形成された第１電極に対して、第２電極として基板上の有機層上部に形成され、前記第１電極は陽極として電源のプラス端子に接続され、前記第２電極は陰極として前記電源のマイナス端子に接続されてなる。
【００３８】
（１１）前記第２電極は、光を透過し透明性を有する材料で構成されてなる。
【００３９】
また、本発明は、前記いずれかの有機発光表示装置を製造するに際して、基板上に複数の有機発光素子を含む有機層を形成する工程と、前記複数の有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層を形成する工程と、前記駆動素子に接続される信号線および走査線を含む配線層を形成する工程と、前記有機層上部側または前記有機層下部側に電流供給線を形成する工程と、前記電流供給線の周囲に形成された層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極と前記電流供給線とを前記コンタクトホールを介して接続する工程とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を採用したものである。
【００４０】
前記した手段によれば、少なくとも各画素に属する一つの有機発光素子の一方の電極を各画素の表示領域において電流供給線に接続するようにしたため、有機発光素子の一方の電極と電源とを結ぶ電流供給線の配線抵抗は各画素で一様になり、しかも各画素における配線抵抗値は無視できる程小さくなるので、有機発光素子の電極と電源とを結ぶ配線抵抗による輝度のばらつきを低減することができ、表示領域内の輝度のばらつきを抑制することができる。
【００４１】
ここで画素とは、表示装置の画面の縦横に多数配置されて、表示領域において文字やグラフィックを表示する最小単位のものをいう。また、サブ画素とは、カラー表示を行う表示装置において、画素をさらに分割する最小単位のものをいう。カラー画像では、緑，赤，青の３色のサブ画素で構成される構造が一般的である。また、表示領域とは、表示装置において、画像が表示される領域をいう。
【００４２】
ここで有機発光素子とは、基板上に第１電極，第１注入層，第１輸送層，発光層，第２輸送層，第２注入層，第２電極、及び保護層或いは封止（対向）基板が形成された構造をとるものをいう。
【００４３】
上記有機発光素子としては、大きく分けて以下の２通りの構造をとる。
【００４４】
まず、第１電極が陽極、第２電極が陰極の構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層は、それぞれ、正孔注入層，正孔輸送層となる。また、第２輸送層，第２注入層は、それぞれ、電子輸送層，電子注入層となる。
【００４５】
次の構成は、第１電極が陰極、第２電極が陽極の構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層は、それぞれ、電子注入層，電子輸送層となる。また、第２輸送層，第２注入層は、それぞれ、正孔輸送層，正孔注入層となる。
【００４６】
上記構成において、第１注入層、或いは第２注入層を有さない構造も考えられる。また、第１輸送層、或いは第２輸送層が発光層に兼ねられる構造を有する。
【００４７】
ここで言う陽極とは、正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、金，白金、が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００４８】
また、陽極として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウム亜鉛
（ＩＺＯ），酸化インジウムゲルマニウム等の２元系、或いは酸化インジウムスズ亜鉛等の３元系であってもよい。又、酸化インジウム以外にも酸化スズ，酸化亜鉛等を主成分とした組成であってもよい。又、ＩＴＯであれば、酸化インジウムに対して５−１０ｗｔ％の酸化スズを含む組成が良く用いられる。酸化物半導体の製造法は、スパッタ法，ＥＢ蒸着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００４９】
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2 系透明導電膜，Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電膜の仕事関数は、それぞれ、４.６ ｅＶ，４.６ ｅＶであるが、ＵＶオゾン照射，酸素プラズマ処理、等により、５.２ｅＶ 程度まで増大させることが可能である。
【００５０】
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2 系透明導電膜では、スパッタ法において、基板温度を200℃程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒により、表面平坦性が悪いため、表面を研磨したものが望ましい。又、他の方法として、アモルファス状態で形成したものを加熱して多結晶状態にしたものが望ましい。
【００５１】
また、陽極は、前記正孔注入層を設けることにより、仕事関数を大きい材料を用いる必要がなくなり、通常の導電膜でよくなる。
【００５２】
具体的には、アルミニウム，インジウム，モリブテン，ニッケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコン，錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が望ましい。
【００５３】
また、形成プロセスが簡便な塗布法を用いたポリアニリン，ポリチオフェン等の有機材料，導電性インクが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５４】
ここで言う正孔注入層とは、陽極と正孔輸送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。また、下地層の表面凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。具体的には、銅フタロシアニン，スターバーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリブテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム、等が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。
【００５５】
ここで言う正孔輸送層とは、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移動度が高いことが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、イオン化ポテンシャルが小さいことが望ましい。また、電子親和力が小さいことが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−(１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル(α−ＮＰＤ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５６】
ここで言う発光層とは、注入された正孔，電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーパント材料が発光する場合がある。具体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体(ＥＭ２），フェナンスレン基を有するペリノン誘導体(Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），ペリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリパラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリパラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５７】
次に、具体的なドーパント材料としては、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルブレン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５８】
ここで言う電子輸送層とは、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５９】
前述した正孔注入層，正孔輸送層，発光層、及び電子輸送層の形成方法として、真空蒸着法，電子ビーム（ＥＢ）蒸着法，スバッタ法，スピンコート法，キヤスト法，インクジェット法が挙げられる。
【００６０】
蒸着法における各層のパターニングは以下の通りに行うことが望ましい。すなわち、基板にパターン形状に対応した開口部を有するマスクを密着或いは近づけた配置を取り、蒸発源から材料を蒸着し、パターン形状を形成する。
【００６１】
スピンコート法，キャスト法におけるパターニングは以下の通りに行う事が望ましい。すなわち、基板全面に形成された薄膜の内、パターンとして残す部分以外をレーザアブレーション等で剥離させてしまう。インクジェット法における各層のパターニングは以下の通りに行うことが望ましい。すなわち、可溶性の有機材料を溶媒に溶かし、同溶液を移動ノズルから吐出することにより、基板上に、パターン形状を形成する。
【００６２】
ここで言う電子注入層とは、陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させるために用いる。具体的には、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００６３】
ここで言う陰極は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、マグネシウム・銀合金，アルミニウム・リチウム合金，アルミニウム・カルシウム合金，アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウムが挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００６４】
また、前述の電子注入層を設ければ、陰極の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくなり、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体的には、アルミニウム，インジウム，モリブテン，ニッケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコンが望ましい。
【００６５】
また、本発明において、陰極を第２電極（透明電極）として用いる場合、陰極下部に電子注入層を設けることが望ましい。電子注入層を設けることにより、仕事関数の透明導電膜を陰極に用いることが可能となる。具体的には、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2 系透明導電膜，Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電膜が挙げられる。特に、
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2 系透明導電膜は液晶表示装置の画素電極に用いられている。
【００６６】
ここで言う保護層とは、第２電極上に形成され、大気内Ｈ2Ｏ ，Ｏ2 が第２電極、或いはその下の有機層に入りこむことを防ぐことを目的とする。
【００６７】
具体的に、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料やポリクロロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００６８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明に係る有機発光表示装置の実施形態１を図面に基づいて説明する。図１は有機発光表示装置の画素の平面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿う断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。図１および図２において、ガラス基板１１６上には、複数の走査線１０６，１０６′が一定の間隔で配置されているとともに、各走査線に対して直交する方向に、画像情報を伝送するための信号線１０９，１０９′，１０９″などが一定の間隔で配置されている。すなわち、各走査線と各信号線は格子状に配置され、各走査線と各信号線で囲まれた領域が１画素分の表示領域になっている。さらにガラス基板１１６上には、電源のプラス端子に接続された複数の第１電流供給線１１０が信号線１０９と平行になって配置されているとともに、電源のマイナス端子に接続された複数の第２電流供給線１１１が信号線１０９、第１電流供給線１１０と平行になって配置されている。各走査線１０６，信号線１０９，第１電流供給線１１０，第２電流供給線１１１は配線層に属する配線として層間絶縁膜を介してガラス基板116上に形成されている。
【００６９】
配線層の上部側にはカラー画像の最小単位となる画素を構成する複数の有機発光素子が配置されている。各有機発光素子はサブピクセル（サブ画素）として、正孔輸送層１２１，発光層１２２，電子輸送層１２３，電子注入層１２４を含む有機層と、有機層を挟む第１電極（陽極）１１５，第２電極（陰極）１２５を備えて構成されている。各画素に属する有機発光素子の第１電極１１５は駆動素子としてのトランジスタを介して第１電流供給線１１０に接続され、各画素に属する有機発光素子の第２電極１２５は、各画素の表示領域において、第２層間絶縁膜１１９，第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール１１４を介して第２電流供給線１１１に接続されている。すなわち、各画素に属する有機発光素子の第２電極１２５はコンタクトホール１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続されている。
【００７０】
また、ガラス基板１１６上には、各画素の有機層を駆動するための駆動層が形成されている。この駆動層は駆動素子としての第１トランジスタ１０１，第２トランジスタ１０２，容量１０４を備えて構成されている。第１トランジスタ101のゲートは走査線１０６に接続され、ソースは信号線１０９に接続され、ドレインは第２トランジスタのゲートと容量１０４の上部電極１０８に接続されている。第２トランジスタ１０２のドレインは容量１０４の下部電極１０５と第１電流供給線１１０に接続され、ソースは第１電極１１５に接続されている。なお、図１および図２では１画素分の構成のみを示している。
【００７１】
次に、上記構成による有機発光表示装置の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)膜を形成する。原料はＳｉ2Ｈ6であり、基板温度は４５０℃に設定されている。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、膜全面をレーザアニール処理する。このレーザアニール処理は２段階に分けて行い、１回目，２回目の照射エネルギーは、それぞれ１８８ｍＪ／cm2 ，２９０ｍＪ／cm2 であった。これにより、アモルファスシリコンが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、多結晶シリコンを、ＣＦ4 を用いたドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタ１０１の活性層１０３，第２トランジスタ１０２の活性層１０３′、および容量下部電極１０５を形成する。
【００７２】
次に、ゲート絶縁膜１１７として、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成する。ＳｉＯ2 膜はテトラエキシラン（ＴＥＯＳ）を原料として、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成した。
【００７３】
次に、ゲート電極１０７，１０７′として、膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製してパターンニングした。このとき併せて、走査線１０６および容量上部電極１０８もパターンニングした。
【００７４】
次に、イオン注入法により、ゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化された多結晶シリコン層に４×１０15イオン／cm2 ，エネルギー８０ｋｅＶのＰイオンを注入する。このとき、上部にゲート電極１０７，１０７′がある領域にはＰイオンは注入されず、活性層１０３，１０３′となる。
【００７５】
次に、基板１１６を不活性Ｎ2雰囲気下で、３００℃，３時間加熱し、イオンを活性化してドーピングが有効に行われるようにする。多結晶シリコン（Ｐ−Ｓｉ）のイオン注入された領域は２ｋΩ／□の面抵抗値となる。その上に、第１層間絶縁膜１１８として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を成膜する。この膜厚は２００ｎｍである。
【００７６】
次に、活性層１０３，１０３′の両端上部のゲート絶縁膜１１７および第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホール（図示省略）を形成する。さらに、第２トランジスタ１０２のゲート電極１０７′上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホール（図示省略）を形成する。
【００７７】
その上に、スパッタリング法にて、膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフィ工程により、信号線１０９，第１電流供給線１１０および第２電流供給線１１１を形成する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２およびドレイン電極１１３，第２トランジスタ１０２のソース電極１１２′およびドレイン電極１１３′を形成する。
【００７８】
次に、容量下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続し、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続する。また第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を第２トランジスタ１０２のゲート電極１０７′に接続し、第２トランジスタ１０２のドレイン電極113′を第１電流供給線１１０に接続する。また容量１０４の上部電極１０８を第１電流供給線１１０に接続する。
【００７９】
次に、第２層間絶縁膜１１９を通してＳｉＮｘ膜を成膜する。この膜厚は500ｎｍである。第２トランジスタ１０２のドレイン電極１１３′上部にコンタクトホール（図示省略）を形成し、その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、ホトリソグラフィ法を用いて第１電極１１５を形成する。
【００８０】
次に、第３層間絶縁膜１２０として、ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成する。この場合、スピンコート法で１０００rpm／３０ 秒の塗布条件で成膜し、ホットプレート上に基板１１６を置き、９０℃／２分の条件でプレベークした。
【００８１】
次に、ホトマスクを用いてｇｈｉ線混合で露光し、ストライプ状にコンタクトホール１１４を形成する。次いで、ＪＳＲ社製現像液ＰＤ−５２３を用いて、室温／４０秒の条件で現像し、現像後、室温／６０秒の条件で純水の流水でリンスする。このリンス後、波長３６５ｎｍにおいて、３００ｍＪ／cm2 となる強度でポスト露光し、クリーンオープンで２２０℃／１時間の条件でポストベークを行った。
【００８２】
ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚２μｍで、第１電極115のエッジを６μｍで覆った。
【００８３】
次に、画素となる有機発光素子の構造を図２（ｂ）にしたがって説明する。第１電極１１５まで形成したガラス基板１１６を、アセトン，純水の順にそれぞれ超音波洗浄を３分間行い、超音波洗浄後、スピン乾燥させたあと、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させる。
【００８４】
次に、Ｏ2 プラズマクリーニングを行う。プラズマクリーニング室の真空度は３Ｐａ、Ｏ2 の流入量は２２ｍｌ／分、ＲＦパワーは２００Ｗ、クリーニング時間は３分である。Ｏ2 プラズマクリーニング後、基板１１６を大気に曝すことなく、真空蒸着チャンバにセットする。
【００８５】
次に、第１電極１１５上に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−(１−ナフチル)−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と称する。）を形成する。
【００８６】
Ｍｏ製昇華ボードに原料を約６０mg入れ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制御して蒸着する。このときのパターンはシャドウマスクを用いて形成した。また蒸着領域は第１電極１１５の各辺の１.２ 倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
【００８７】
その上に、２元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれＡｌｑ，Ｑｃと称する。）を形成する。
【００８８】
２個のＭｏ製昇華ボードにＡｌｑ，Ｑｃの原料を、それぞれ約４０mg，約１０mgずつ入れ、蒸着速度を、それぞれ０.４０±０.０５ｎｍ／sec，０.０１±０.００５ｎｍ／secに制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は発光層１２２として機能する。その上に真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成する。このとき、Ｍｏ製昇華ボードに原料を約４０mg入れ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／secに制御して蒸着した。Ａｌｑ膜は電子輸送層１２３として機能する。
【００８９】
電子輸送層１２３の上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの混合膜を形成する。この場合、２元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度を、それぞれ０.１４±０.０５ｎｍ／ｓ ，０.０１±０.００５ｎｍ／ｓに設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着した。
【００９０】
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と称する。）を形成する。この膜は第２電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／(Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として、真空度０.２Ｐａ ，スパッタリング出力を２Ｗ／cm2 とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ積層膜からなる第２電極１２５は、陰極として機能し、その透過率は６５％であった。この場合、第２電極１２５は、図２（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜１１９および第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続される。すなわち、各画素の有機発光素子の第２電極１２５はコンタクトホール１１４を給電点として各画素の領域において第２電流供給線１１１に接続される。
【００９１】
次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＮｘ膜を第２電極１２５上に形成する。この膜は保護層１２６として機能する。
【００９２】
本実施形態における有機発光表示装置では、保護層１２６側から発光光を取り出すようにしているため、第２電極１２５にＩＺＯ膜を用いている。このＩＺＯ膜は、シート抵抗が８０Ω／□となる。
【００９３】
第２電極１２５にＩＺＯ膜を用い、この第２電極１２５と第２電流供給線111とを接続するに際して、図３（ａ）に示すように、各画素の第２電極１２５に対する給電点をパネルの表示領域の端部に設け、この給電点と各画素の第２電極１２５とを第２電流供給線１１１を介して接続すると、パネルの表示領域の端部に配置されたものとパネルの表示領域の中央部に配置された画素においてはIZO膜による配線抵抗値に差が生じ、各画素に印加される電圧にばらつきが生じ、パネル内の輝度にばらつきが生じることになる。
【００９４】
これに対して、本実施形態における有機発光表示装置では、図２(ａ），(ｂ）および図３（ｂ）に示すように、各画素の有機発光素子の第２電極１２５と第２電流供給線１１１とをコンタクトホール１１４を給電点として各画素の表示領域において接続するようにしているため、各画素におけるＩＺＯ膜による配線抵抗値が一様になり、各画素に印加される電圧にばらつきが生じるのを防止することができ、パネル内の輝度のばらつきが発生するのを防止することができる。
【００９５】
また、本実施形態における第２電流供給線１１１は、トータルの配線抵抗が０.２Ω 程度となっているため、各画素における配線抵抗値は無視できる程小さく、パネル内に輝度のばらつきが発生するのを抑制することができる。
【００９６】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２として、高効率であって長寿命を有する緑色発光画素領域下部に第２電流供給線および給電点を有するフルカラー有機発光表示装置を図４および図５にしたがって説明する。図４は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図５は図４に示した画素領域Ａ−Ａ′２線に沿う断面図である。
【００９７】
本実施形態は、カラー画像を表示するに際して、カラー画像の最小単位となる画素を複数個備えているとともに、各画素を構成するサブピクセルとして、緑色用，赤色用，青色用の有機発光素子を備え、各画素の有機発光素子の第２電極１２５を、緑色用の有機発光素子の表示領域において第２電流供給線１１１と接続したものであり、他の構成は実施形態１とほぼ同様である。
【００９８】
具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，第１層間絶縁膜１１８，第２層間絶縁膜１１９およびコンタクトホール１１４が形成されており、これらの形成方法は実施形態１と同様である。
【００９９】
緑画素，赤画素および青画素を構成する有機発光素子は以下の方法で形成されるようになっている。
【０１００】
具体的には、第２層間絶縁膜１１９上に緑画素用第１電極２０１，赤画素用第１電極２０２および青画素用第１電極２０３を形成する。この形成方法は実施形態１において第１電極１１５を形成するときと同様である。各第１電極２０１，２０２，２０３は第２層間絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介して、第２トランジスタ２０６，２０９，２１２のソース電極に接続され、緑画素用第１電極２０１はコンタクトホール１１４による給電点で覆わない形状になっている。
【０１０１】
次に、実施形態１と同様に、第３層間絶縁膜１２０を形成し、この第３層間絶縁膜１２０も、コンタクトホール１１４による給電点で覆わない形状とされている。
【０１０２】
次に、第１電極２０１，２０２，２０３上に各画素共通の正孔輸送層１２１としてα−ＮＰＤ層を形成する。作製条件は実施形態１と同様であり、膜厚を５０ｎｍ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制御した。また、給電点を正孔輸送層１２１が覆わないよう、マスク蒸着を行った。
【０１０３】
次に、各画素の発光層２１３，２１４，２１５を形成した。緑画素の発光層２１３としてＡｌｑとＱｃの共蒸着層を形成した。作製条件は実施形態１と同様である。
【０１０４】
次に、赤画素の発光層２１４を形成した。二元同時真空蒸着法にて、膜厚４０ｎｍのＡｌｑとナイルレッドの共蒸着膜（以下、Ｎｒと略記）を形成した。
【０１０５】
２個のＭｏ製昇華ボートにＡｌｑ，Ｎｒの原料を、それぞれ約１０mg，約５mg入れ、蒸着速度をそれぞれ０.４０±０.０５ｎｍ／sec ，０.０１±０.００５ｎｍ／sec に制御して蒸着した。
【０１０６】
次に、青画素の発光層２１５を形成した。真空蒸着法にて、膜厚４０ｎｍのジスチリアリーレン誘導体膜（以下、ＤＰＶＢｉと略記）を形成した。Ｍｏ製昇華ボートにＤＰＶＢｉの原料を、それぞれ約４０mg入れ、蒸着速度をそれぞれ0.40±０.０５ｎｍ／sec に制御して蒸着した。
【０１０７】
次に、各画素の共通の電子輸送層１２３を形成した。真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。このときＭｏ製昇華ボートに原料を約４０mg入れ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制御して蒸着した。
【０１０８】
次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜を形成した。形成条件は実施形態１と同様である。その上に、第２電極１２５としてＩＺＯ膜を形成した。形成条件は実施形態１と同様である。
【０１０９】
第２電極１２５は第２層間絶縁膜１１９及び第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続される。
【０１１０】
次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＮｘ膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。
【０１１１】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、各画素の表示領域において、第２電極１２５と第２電流供給線１１１とを接続するためのコンタクトホール１１４を有するため、第２電極１２５による配線抵抗のばらつきが抑制され、パネル内輝度のばらつきを低減することができる。
【０１１２】
また、本実施形態では、第２電流供給線１１１を緑画素領域に形成し、赤画素および青画素領域には形成していないため、緑画素領域では開口率の低下が起こるが、赤画素，青画素の領域ではコンタクトホール１１４の形成による開口率の低下は生じない。この場合、緑画素領域における開口率の低下を１０％とすると、輝度値を１０％増加させることで開口率の低下に対応させることができる。すなわち、電流密度と輝度値は比例関係にあるため、電流密度を１０％増加させることで、開口率の低下に対応することができる。ただし、電流密度を１０％増加させても開口率が１０％低下することから、緑画素に流れる電流値は変化しない。
【０１１３】
一方、電圧と非線系の関係にある輝度値を１０％増加させた場合、電圧は１〜２％増大する。よって、輝度値を１０％増加させた場合には電力は１〜２％の増大となる。なお、緑画素に用いる有機発光素子は効率が他の赤，青の素子の材料に比べて数倍大きいため、フルカラーパネルでは、電力上昇は問題とならない。
【０１１４】
よって、本実施形態における構造を採用することで、フルカラーパネルの効率を低下させずに、パネル内輝度のばらつきを抑えることができる。
【０１１５】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３として、高効率で、長寿命を有する緑色発光画素領域下部に第２電流供給線および給電点を有し、基板裏面から光を取り出すフルカラー有機発光表示装置を図６および図７にしたがって説明する。図６は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図７は図６に示すＡ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１１６】
本実施形態は、各画素の第２電極１２５の上部側に、大気中の水，酸素等のガスが第２電極１２５，第２電極下部の有機層、或いは第２電極と有機層との界面に浸入するのを防止する目的の封止基板３０９を形成したものであり、他の構成は実施形態２とほぼ同様である。
【０１１７】
具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，第１層間絶縁膜１１８、及び第２層間絶縁膜１１９を形成する方法は実施形態２と同様である。
【０１１８】
次に、第２層間絶縁膜上に、緑画素，赤画素，青画素の第１電極３０１，302,３０３を形成する。形成条件は、実施形態２と同様である。実施形態２との相違点は、緑画素用第１電極３０１が容量２０５と第１電流供給線１１０並びに第２電流供給線１１１と重畳されないサイズに小さくしたことである。
【０１１９】
次に、実施形態２同様、第２層間絶縁膜１１９、及び第３層間絶縁膜１２０にコンタクトホール１１４を形成し、このコンタクトホール１１４を給電点とする。
【０１２０】
その上に、緑，赤，青画素共通の正孔輸送層１２１を形成する。形成方法は、実施形態２と同様である。
【０１２１】
次に、各画素の発光層３０４，３０５，３０６を形成する。形成方法は、実施形態２と同様である。
【０１２２】
各画素の発光層３０４，３０５，３０６の上に、緑，赤，青画素共通の電子輸送層１２３を形成する。形成方法は、実施形態２と同様である。
【０１２３】
次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を形成する。真空蒸着法を用いて蒸着速度を０.０５±０.０１ｎｍ／ｓに設定し、膜厚0.5ｎｍを蒸着した。
【０１２４】
次に、電子注入層１２４の上に、第２電極１２５としてＡｌ膜を形成する。真空蒸着法を用いて、蒸着速度を１±０.０５ｎｍ／ｓ に設定し、膜厚１５０ｎｍを蒸着した。
【０１２５】
第２電極１２５は第２層間絶縁膜１１９及び第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続される。
【０１２６】
次に、駆動部並びに有機発光素子を形成した基板（有機ＥＬ基板）１１６を大気に曝すことなく、乾燥窒素ガスを循環させて、露点を−９０℃以下に保った封止室に移動させる。
【０１２７】
次に、封止室にガラス基板を導入した。このガラス基板は封止基板(対向基板)３０９となる。ガラス基板による封止基板３０９のエッジ部分に、シールディスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画した。
【０１２８】
光硬化樹脂のシール幅は２００μｍとした。光硬化樹脂の中には、直径１０μｍのガラスビーズを１重量％混入させた。この封止基板３０９と有機ＥＬ基板３１０を封止室内で貼り合せ、０.５kg重／cm2の荷重で圧着させた。封止基板３０９外側に、表示領域全体にＵＶ光が当たらないよう遮光板を置き、封止基板３０９側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させた。
【０１２９】
ＵＶ光には、アルカリメタハライドランプを用い、照射強度は４０００ｍＪ／cm2、照射時間は４分である。
【０１３０】
有機ＥＬ基板３１０と封止基板３０９のギャップ長は、光硬化樹脂に含有されたガラスビーズの直径で規定されており１０μｍである。
【０１３１】
本実施形態では、実施形態１同様、画素内部に第２電極１２５と第２電流供給線１１とを接続する給電点を有するため、第２電極１２５の抵抗による配線抵抗ばらつきが抑制され、パネル内輝度ばらつきが低減された。
【０１３２】
また、本実施形態では、実施形態２同様に、第２電流供給線１１１を緑画素領域下部のみに形成したので、緑画素の開口率が５０％程度になった場合でも、画素あたりの電流値は変らない。一方、電圧上昇は７％程度増加する。よって、本実施形態においては、電力は７％程度増加するが、実施形態２同様、フルカラーパネルの性能を低下させることはない。
【０１３３】
（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４として、第２電極上部側に第２電流供給線を有するフルカラー有機発光表示装置を図８および図９にしたがって説明する。図８は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図９は図８に示したＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【０１３４】
本実施形態は、第２電流供給線１１１を信号線１０９と同一の層に形成する代わりに、各画素に属する有機発光素子の第２電極１２５を覆う保護層１２６の上部側に第２電流供給線としてのＡｌ膜４０２を形成し、発光光を基板裏面側から取り出すようにしたものであり、他の構成は実施形態１とほぼ同様である。
【０１３５】
具体的には、ガラス基板１１６上に、第１トランジスタ１０１，容量１０４，第２トランジスタ１０２，信号線１０９，１０９′，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１０，１１０′，第２層間絶縁膜１１９，第１電極１１５、及び第３層間絶縁膜１２０を形成する方法は実施形態１と同様である。
【０１３６】
その上に、正孔輸送層１２１，発光層１２２，電子輸送層１２３の形成方法は、実施形態１と同様である。
【０１３７】
次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を形成する。作製条件は実施形態３と同様である。
【０１３８】
次に、電子注入層１２４の上に、第２電極１２５としてＡｌ膜を形成する。作製条件は実施形態３と同様である。
【０１３９】
次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍのＳｉＮｘ膜を形成する。ホトリソグラフィ法を用いて、第１電極１１５と第２電極１２５とが重なる画素領域の上部を残して除去する。図８および図９では、除去された領域が４０１，４０１′となる。この場合ＳｉＮｘ膜は画素領域の保護層１２６として機能することになる。
【０１４０】
保護層１２６の上に、スパッタ法により、Ａｌ膜を形成する。膜厚は５００ｎｍとした。同層は第２電流供給線として機能する。また、画素領域に保護層１２６があることにより、下層の電子輸送層１２３，発光層１２２，正孔輸送層１２１のＡｌ膜形成ダメージが低減される。
【０１４１】
本実施形態の有機発光表示装置は、各画素の第２電極１２５上部に形成した第２電流供給線と第２電極１２５とを、各画素近傍の保護層１２６と領域４０１，４０１′に形成されたコンタクトホール（図示省略）で接続するため、第２電極１２５の配線抵抗ばらつきが少なくなり、その結果、パネル面内での輝度ばらつきを低減することができる。
【０１４２】
また、保護層１２６の上に形成した第２電流供給線が保護機能を有することにより、有機発光装置の長寿命化が可能となる。
【０１４３】
（実施形態５）
次に、本発明の実施形態５として、第２電流供給線が網目状（格子状）に形成された構造の有機発光表示装置を図１０および図１１にしたがって説明する。図１０は本実施形態における有機発光表示素子の画素の平面図、図１１は図１０に示すＡ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１４４】
本実施形態は、第２電流供給線を網目状に形成するに際して、第２電流供給線５０１，５０１′を信号線１０９，１０９′と平行に形成するとともに、第２電流供給線５０２を走査線１０６，１０６′と平行に形成し、第２電流供給線全体の面積を増大させて、第２電流供給線の低抵抗化を図るようにしたものであり、他の構成は実施形態１および３とほぼ同様である。
【０１４５】
具体的には、ガラス基板１１６上に、第１トランジスタ１０１の活性層１０３，第２トランジスタ１０２の活性層１０３′、及び容量下部電極１０５を形成する。作製方法は実施形態１と同様である。
【０１４６】
次に、ゲート絶縁膜１１７を形成する。形成方法は実施形態１と同様である。その上に、ゲート電極１０７,走査線１０６,１０６′、及び容量上部電極１０８もパターニングした。同層に、第２電流供給線５０２を形成する。
【０１４７】
その上に、第１層間絶縁層１１８を形成する。作製条件は実施形態１と同様である。
【０１４８】
次に、活性層１０３及び１０３′の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホールを形成する。さらに、第２トランジスタ１０２のゲート電極上部の第１層間絶縁膜１２７にコンタクトホールを形成した。さらに第２電流供給線５０２上にコンタクトホール５０４′を形成する。
【０１４９】
その上に、実施形態１同様、信号線１０９，第１電流供給線１１０、及び第２電流供給線５０１，５０１′を形成する。第２電流供給線５０２は、給電点５０４′において、第２電流供給線５０１′と接続される。
【０１５０】
また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３，第２トランジスタ１０２のソース電極１１２′及びドレイン電極１１３′を形成する。
【０１５１】
容量下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続し、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続し、第１トランジスタのドレイン電極１１３を第２トランジスタのゲート電極１０７′に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極１１３′を第１電流供給線110に接続し、容量の上部電極１０８を第１電流供給線１１０に接続する。
【０１５２】
次に、実施形態１同様、第２層間絶縁膜層１１９，第１電極１１５、及び第３層間絶縁膜１２０を形成する。その上に、正孔輸送層１２１，発光層１２２，電子輸送層１２３，電子注入層１２４、及び第２電極１２５を形成する。形成方法は、実施形態１と同様である。
【０１５３】
第２電極１２５は、給電点５０３′，５０４′において、第２電流供給線５０１′と接続される。
【０１５４】
このあと、実施形態３同様、駆動層，有機発光素子を形成した基板と封止基板３０９を接着させる。
【０１５５】
本実施形態の有機発光表示装置は、各画素の表示領域において第２電極１２５と第２電流供給線５０１′，５０２とを接続するようにしたため、第２電極125の配線抵抗のばらつきが少なくなる。特に、第２電流供給線５０１′，５０２が網目状に形成されているため、第２電流供給線の配線抵抗が更に低減され、その結果、パネル面内での輝度ばらつきをより低減することができる。
【０１５６】
本実施形態では、サブ画素毎に、第２電流供給線が信号線の方向（縦方向）と走査線の方向（横方向）に配置された網目構造をとっている。配線抵抗のばらつきを低減するためには、全てのサブ画素において第２電流供給線を縦方向及び横方向に配置する必要はない。例えば、本実施形態同様、サブ画素毎に縦方向に第２電流供給線を配置し、表示領域中央部のサブ画素に対してのみ横方向の第２電流供給線を配置するようにする。この配置では、縦方向のみの第２電流供給線を配置した形態と比べて、配線抵抗のばらつきが低減される。また、本実施形態と比べた場合、配線低抗のばらつきは増大するが、縦方向第２電流供給線と横方向第２電流供給線を接続するコンタクトホールの数が減少し、プロセス不良率が低下する。横方向の第２電流供給線の配置は、サブ画素２個おき，３個おき、或いは４個おきでも可能である。また、横方向と縦方向の第２電流供給線の配置を変えても効果は同じである。このように、信号線の方向に配置した少なくとも２本の第２電流供給線を、この第２電流供給線と交差するように配置した配線（横方向第２電流供給線）により接続することでも効果を得ることができるというものである。
【０１５７】
（実施形態６）
次に、本発明の実施形態６として、画素を形成する複数のサブピクセルに第２電流供給線への給電点を有するフルカラー有機発光表示装置を図１２および図１３にしたがって説明する。図１２は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図１３は図１２に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１５８】
本実施形態は、各カラー画像の各画素を形成するサブピクセルごとに第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″への給電点を形成するために、赤画素，緑画素，青画素の表示領域にそれぞれ第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を形成し、各サブピクセルの表示領域においてコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を介して第２電極１２５と第２電流供給線１１１,１１１′,１１１″とを接続したものであり、他の構成は実施形態２と同様である。
【０１５９】
具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″，第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９を実施形態２と同様な方法で形成する。
【０１６０】
次に、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″，上部の第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９にコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を形成し、各コンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点とする。
【０１６１】
次に、緑画素用，赤画素用，青画素用の第１電極２０１，２０２，２０３を形成する。この形成条件は実施形態２と同様であり、各第１電極２０１，２０２，２０３の形状を図１２に示す。
【０１６２】
次に、第３層間絶縁膜１２０を形成する。この形成方法は実施形態２と同様である。
【０１６３】
次に、各サブピクセルの第１電極２０１，２０２，２０３の上に、正孔輸送層６０１，６０３，６０５を形成する。この形成条件は実施形態２と同様である。正孔輸送層６０１，６０３，６０５は給電点としてのコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を覆わないパターンとする。
【０１６４】
次に、正孔輸送層６０１，６０３,６０５の上にそれぞれ発光層２１３,２１４，２１５を形成する。この形成方法は実施形態２と同様である。
【０１６５】
次に、発光層２１３，２１４，２１５の上に電子輸送層６０２,６０４,６０５を形成する。この形成方法は実施形態２と同様である。
【０１６６】
次に、各電子輸送層６０２，６０４，６０５の上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜を形成する。この形成条件は実施形態２と同様である。電子注入層１２４の上に、第２電極１２５としてＩＺＯ膜を形成する。この形成条件は実施形態２と同様である。
【０１６７】
第２電極１２５は、第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を介して第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″に接続される。すなわち、各サブピクセルの第２電極１２５は各サブピクセルの表示領域においてコンタクトホール１１４，114′，１１４″を給電点として第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″に接続される。
【０１６８】
次に、熱ＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍのＳｉＮｘ膜を形成する。この膜は保護層１２６として機能する。
【０１６９】
本実施形態によれば、各画素のサブピクセルの表示領域において第２電極125と第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″とが接続されるため、各画素の第２電極１２５の抵抗による配線抵抗のばらつきを抑制することができ、パネル内輝度のばらつきを低減することができる。
【０１７０】
（実施形態７）
次に、本発明の実施形態７として、有機層を含む駆動層に新しい金属層並びに層間絶縁膜を設け、新たな金属層で第２電流供給線を形成するフルカラー有機発光表示装置を図１４および図１５にしたがって説明する。図１４は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図１５は図１４に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１７１】
本実施形態は、信号線１０９，１０９′，１０９″，第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″を含む配線層と、有機層を含む駆動層との間に金属層および層間絶縁層を設け、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を形成したものであり、他の構成は実施形態６と同様である。
【０１７２】
具体的には、ガラス基板１１６上に、第２層間絶縁膜１１９を形成するまでの工程は、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を信号線１０９，１０９′，１０９″および第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″を含む配線層とは異なる層に形成する他は実施形態６と同様である。
【０１７３】
次に、第２層間絶縁膜１１９の上に、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を形成する。この形成方法は実施形態６と同様である。
【０１７４】
次に、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″の上に、第４層間絶縁膜７０１として、ポリイミド塗布膜を形成する。ポリイミド膜は（株）日立化成デュポンマイクロシステムズ社製の自己(薄膜)非感光性ポリイミド（型番：ＰＩＸ−１４００）を用いて形成した。膜の作製法にはスピンコート法を用い、ＮＭＰを溶媒として２倍希釈した溶液を用いた。初めに５００rpm ，回転時間１０秒の条件で溶液を基板全面に拡散させ、次に、本成膜として、回転数６０００rpm ，回転時間３０秒の条件でポリイミド膜を形成した。そのあと、基板を大気下のホットプレート上に置き、ベーク温度（焼成時間）を、１１０℃（３分），１９０℃（３分），２７０℃（３分），３５０℃（５分）の順に昇温して焼成した。ポリイミド膜の膜厚は５００ｎｍであった。第４層間絶縁膜７０１にも給電点としてのコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を形成する。
【０１７５】
次に、第４層間絶縁膜７０１の上に、緑画素，赤画素，青画素の第１電極，第３層間絶縁膜１２０，正孔輸送層６０１，６０３，６０５,発光層２１３,２１４，２１５，電子輸送層６０２，６０４，６０６，電子注入層１２４，第２電極１２５，保護層１２６を形成する。この形成方法は実施形態６と同様である。
【０１７６】
本実施形態によれば、各サブピクセルの表示領域において第２電極１２５と第２電流供給線１１１，１１１′,１１１″とがコンタクトホール１１４,１１４′，１１４″を給電点として接続されているため、第２電極１２５による配線抵抗のばらつきを抑制することができるとともに、パネル内輝度のばらつきを低減することができる。
【０１７７】
また本実施形態によれば、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″とは異なる層に形成しているため、配線幅を広くすることが可能になり、第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″の低抵抗化を図ることができる。
【０１７８】
（実施形態８）
次に、本発明の実施形態８として、有機層を含む駆動層に金属層並びに層間絶縁層を設け、金属層で第２電流供給線を形成するフルカラー有機発光表示装置を図１６および図１７にしたがって説明する。図１６は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図１７は図１６に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１７９】
本実施形態は、信号線１０９，１０９′，１０９″，第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″を含む配線層と有機層を含む駆動層との間に金属層並びに層間絶縁層を設け、この金属層で第２電流供給線を形成するに際して、実施形態７では第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を信号線１０９，１０９′，１０９″と平行に形成しているのに対して、本実施形態においては、第２電流供給線８０１を走査線１０６，１０６″と平行に形成し、第２電流供給線８０１にコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を形成した他は実施形態７と同様の構成である。
【０１８０】
具体的には、ガラス基板１１６上に、第２層間絶縁膜１１９を形成するまで工程は実施形態７と同様である。
【０１８１】
次に、第２層間絶縁膜１１９の上に、第２電流供給線８０１を形成する。第２電流供給線８０１は走査線１０６，１０６′と平行な向きに形成する。この形成方法は実施形態７と同様である。これ以降の工程は実施形態７と同様である。
【０１８２】
本実施形態によれば、各サブピクセルごとに第２電極１２５と第２電流供給線８０１とがコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接続されているため、第２電極１２５による配線抵抗のばらつきを抑制することができるとともに、パネル内輝度のばらつきを低減することができる。
【０１８３】
また、本実施形態によれば、第２電流供給線８０１を第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″を含む配線層とは異なる層に形成しているため、第２電流供給線８０１の配線幅を広くすることが可能になり、第２電流供給線の低抵抗化を図ることができる。
【０１８４】
（実施形態９）
次に、本発明の実施形態９として、各色のサブピクセルに各サブピクセル専用の第２電流供給線を接続したフルカラー有機発光表示装置を図１８および図１９にしたがって説明する。図１８は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図１９は図１８に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【０１８５】
本実施形態は、各画素のサブピクセルごとに信号線と平行な第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を形成し、各サブピクセルの表示領域において各サブピクセルの第２電極９０１，９０２,９０３と第２電流供給線１１１,１１１′，１１１″とをコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接続したものであり、緑画素，赤画素，青画素をそれぞれ１列に並んだストライプ形状にするとともに第２電極９０１，９０２，９０３の上部側に、大気中の水，酸素等のガスが第２電極或いは第２電極下部の有機層、或いは第２電極と有機層との界面に浸入するのを防ぐ目的の封止基板３０９を設けた他は実施形態６と同様である。
【０１８６】
具体的には、ガラス基板１１６上に、第１トランジスタ２０４,２０７,２１０から電子注入層３０７，３０７′，３０７″までを形成する工程は実施形態６と同様であり、緑画素，赤画素，青画素はそれぞれ１列に並んだストライプ形状に形成されている。
【０１８７】
電子注入層３０７，３０７′，３０７″の上に、メタルマスクを用いて、ストライプ状の第２電極９０１，９０２，９０３を形成する。この形成条件は実施形態６と同様である。
【０１８８】
第２電極９０１，９０２，９０３を形成するに際しては、パターンニングにメタルマスクを用いているが、これに限定されるものではない。例えば、第３層間絶縁膜１２０のエッジ部分を逆テーパ形状に形成してマスクを用いずに、第２電極９０１，９０２，９０３を断切れにすることで、ストライプ状に形成することも可能である。
【０１８９】
次に、実施形態３と同様に封止基板３０９を用いて封止を行う。
【０１９０】
本実施形態によれば、各画素のサブピクセルの表示領域において第２電極901，９０２，９０３と第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″とがコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接続されているため、第２電極９０１，９０２，９０３による配線抵抗のばらつきを抑制することができ、パネル内輝度のばらつきを低減することができる。
【０１９１】
また、本実施形態によれば、各画素のサブピクセルを構成する緑画素，赤画素，青画素が専用の第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を介してコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接続されているため、各サブピクセルに印加される電圧あるいは電流値を独立に制御することが可能になる。
【０１９２】
（実施形態１０）
次に実施形態１０として、第１電流配線および第２電流配線を網目状に配置した例を示す。図２１および図２２にしたがって説明する。図２１は本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図を示す。図２２は図２１に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。信号線１０９，１０９′と同層の配線層をもちいて形成した第１電流供給線１１０′，１１０および第２電流供給線５０１′，５０１と、ゲート配線５０３′と同層の配線層を用いて形成した横方向第１電流配線６０３および横方向第２電流配線６０４が配置され、交叉部において、各々別のコンタクトホール６０１′，６０１および６０２′，６０２を介して縦横の配線が相互接続されており、第１電流配線，第２電流配線のいずれもが網目状に形成している。また第２電極はコンタクトホール６０６，６０６′を給電点として第２電流配線５０１′，５０１と接続している。この部分のほかは第５実施形態同様である。この構成をとることにより第１電流配線および第２電流配線の抵抗のいずれもを低減することができるため、配線抵抗のばらつきを抑制することができ、パネル内輝度のばらつきをよりよく低減することができる。特に第１電流配線での電圧降下は画素の表示輝度を決定する第２トランジスタ１０２，１０２′の基準電圧を変動させることになり、微細な電圧変動が大きな電流変動となるため、第１電流配線での電圧降下のばらつきを抑えることはパネル面内輝度ばらつきにより効果的である。
【０１９３】
たとえば、第１電流配線での０.５Ｖ の電圧変動はトランジスタのゲートバイアス電圧の変動に概ね相当するので、トランジスタのｓ値が０.５Ｖ／decであれば、１０倍もの電流変動を引き起こす。また、第２電流配線での０.５Ｖ 変動は、ＥＬ駆動電圧の変動として輝度に影響するので、ＶＤＳ＝８Ｖで、電圧一電流特性が指数関数として、指数が、Ｉ＝Ioeo・８ｖとすれば電流比は１.５ 倍であり、輝度もほぼ１.５ 倍変動する。このように第１電流配線，第２電流配線の１Ｖ以下の微小な電圧降下であっても、いずれも大きな輝度変動の原因となる。特に第１電流配線の電圧変動はより大きな輝度ばらつきの原因となるので、本実施例のような抵抗ばらつきの低減降下を得ることができる。
【０１９４】
また、かような網目状の配線構成をとることにより、横方向の隣接する画素，サブピクセル間の電圧変動を低くすることができ、スメアを低減する効果がある。スメアの発生は、これまでの実施形態で説明したように、第１電流配線を信号線と並行にストライプ状に配列した場合では、同じ第１電流配線に接続した縦列のサブピクセルの平均輝度に応じて配線の電流が変化し、電圧降下が縦列ごとに任意の変動となるため、たとえば、パネルの中央部付近で同一輝度のパターンを表示しても、各々の縦列方向のパネル周辺の表示パターンに応じて中央部のパターンの輝度ばらつきを生じる現象である。
【０１９５】
本実施形態のように、電流配線が横方向にも相互接続されていると縦，横、いずれの方向にも電圧のばらつきは軽減され、スメアの発生を防ぐことができる。
【０１９６】
（実施形態１１）
次に、実施形態１１について図２３および図２４を用いて説明する。本実施形態は新たに追加した低抵抗のアルミ配線層および層間絶縁層を追加し、格子状に形成し、第１電流配線層として用いたものである。図２３は平面図、図２４は断面構造である。追加するアルミ配線６０５および層間絶縁膜６１０は実施例３と同様のプロセスを用いて形成した。第２層間絶縁膜１１９を形成し、第２電流配線コンタクト６０２，６０２′および第１電流線コンタクト６１４，６１４′を形成後にアルミ配線６０５を形成し、追加層間絶縁膜６１０を形成し、コンタクトホール６０８を形成した。その後、ＥＬ素子を形成し、最上層として第２電極１２５を形成した。アルミ配線６０５には画素ごとに開口部６１１を設けており基板面から発光を取り出すことができ、最上層に形成した第２電極１２５と、第２電流配線５０１,５０１′とはアルミ配線のコンタクト開口部６１２,６１２′の下のコンタクト６０２，６０２′を介して接続した。また第１電流配線としてのアルミ配線６１５と第２トランジスタ１０２，１０２′は第１電流配線コンタクト６１４，６１４′を介して接続した。この構成を用いることにより輝度変動に影響が大きい第１電流配線の面積を飛躍的に増大させ、電圧降下を低減し、輝度の変動を低減することができる。また、スメア低減にも大きな効果がある。これは低抵抗のアルミ配線を格子状に用いたためである。特に電流駆動素子である有機ＥＬパネルにおいては格子状配線による画質向上効果は液晶よりも格段に大きい。液晶表示装置でも各画素を共通に同一電位を供給する配線があるが、液晶は動作原理が電圧駆動であり素子の駆動は電気的には容量性負荷であるので画素の選択期間と、配線の過渡応答の時定数を整合させることにより、表示画質を向上させる必要があるが、有機ＥＬなどの電流駆動素子においては走査期間後の表示期間中に電流が定常的に流れるため、配線抵抗そのものによる電圧降下を抑えて表示輝度のばらつきを抑えることが必要でありこの点が配線抵抗効果の現れかたが大きく異なる。電流配線を比抵抗が低いアルミを用い、配線面積を格子状に形成することにより低抵抗化することができ、輝度ばらつき，スメアとが解消できる利点がある。
【０１９７】
（実施形態１２）
次に実施形態１２について図２５及び図２６を用いて説明する。本実施形態では第１電流配線および第２電流配線をいずれも信号線と並行に配置した配線と、走査配線と並行に配置し、格子状に相互接続した構成である。特に、信号線と並行に配置した電流配線には実施形態１１と同様に新たに追加した低抵抗のアルミ配線層および層間絶縁層を追加して用いた。この構成により、第１電流配線と第２電流配線のいずれも配線幅を広げ、抵抗を低減し、さらにスメアを低減することができる効果が有る。
【０１９８】
プロセスは実施形態１１と同様であり、第１電流供給線１１０，１１０′および第２電流配線５０１，５０１′はアルミ配線により形成し、信号線１０９，１０９′と並行に配置した。各々電流配線は走査配線と平行に配置し、走査配線層を用いて形成した横方向第１電流配線６０３と横方向第２電流配線６０４とをコンタクトホール６０１，６０１′，６０２，６０２′により縦横に相互接続したものである。なお、第２電極１２５と第２電流配線５０１，５０１′とはコンタクトホール６０６を介して接続し、給電点として作用する。また、第１電流供給線１１０′，１１０と第２のトランジスタ１０２，１０２′とは接続パターン６０９，６０９′およびコンタクトホール６０７，６０７′を介して接続している。
【０１９９】
【発明の効果】
本発明によれば、有機発光素子の電極と電源とを結ぶ配線抵抗による輝度のばらつきを低減することができ、表示領域内の輝度のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図、（ｂ）は図１に示す画素領域Ｂ−Ｂ′の断面図である。
【図３】（ａ）は、従来の有機発光表示装置における第２電流供給線と給電点との関係を示す模式図、（ｂ）は、本発明に係る有機発光表示装置における第２電流供給線と給電点との関係を示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図５】図４に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図７】図６に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図９】図８に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１０】本発明の実施形態５を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図１１】図１０に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１２】本発明の実施形態６を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図１３】図１２に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１４】本発明の実施形態７を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図１５】図１４に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１６】本発明の実施形態８を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図１７】図１６に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図１８】本発明の実施形態９を示す有機発光表示装置における画素領域の平面図である。
【図１９】図１８に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施形態を示す有機発光表示装置の画素回路図である。
【図２１】本発明の第１０の実施形態を示す有機発光表示装置の画素領域の平面図である。
【図２２】図２１に示す画素領域のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図２３】本発明の第１１の実施形態を示す有機発光表示装置の画素領域の平面図である。
【図２４】図２３に示す画素領域のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図２５】実施形態１２の平面図である。
【図２６】図２５のＡ−Ａ′断面図である。
【符号の説明】
１０１…第１トランジスタ、１０２…第２トランジスタ、１０３，１０３′…活性層、１０４…容量、１０５…容量下部電極、１０６，１０６′…走査線、１０７，１０７′…ゲート電極、１０８…容量上部電極、１０９，１０９′，１０９″…信号線、１１０，１１０′，１１０″…第１電流供給線、１１１…第２電流供給線、１１２，１１２′…ソース電極、１１３，１１３′…ドレイン電極、１１４…コンタクトホール、１１５…第１電極、１１６…ガラス基板、117…ゲート絶縁膜、１１８…第１層間絶縁膜、１１９…第２層間絶縁膜、１２０…第３層間絶縁膜、１２１…正孔輸送層、１２２…発光層、１２３…電子輸送層、１２４，３０７，３０７′，３０７″…電子注入層、１２５，３０８″…第２電極、１２６…保護層、２０１，３０１…緑画素用第１電極、２０２，３０２…赤画素用第１電極、２０３，３０３…青画素用第１電極、２０４…緑画素用第１トランジスタ、２０５…緑画素用容量、２０６…緑画素用第２トランジスタ、207…赤画素用第１トランジスタ、２０８…赤画素用容量、２０９…赤画素用第２トランジスタ、２１０…青画素用第１トランジスタ、２１１…青画素用容量、212…青画素用第２トランジスタ、２１３，３０４…緑発光層、２１４，３０５…赤発光層、２１５，３０６…青発光層、３０９…封止基板、４０２…Ａｌ膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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