(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される、少なくとも分子中に１つ以上のＣ＝Ｃ二重結合（ａ１）とカルボキシル基がビニルエーテルに付加した基（ａ２）を有する不飽和カルボン酸誘導体（Ａ成分）と、下記式（６）で表されるリン含有化合物（Ｂ成分）とを用いて、Ｃ＝Ｃ二重結合にリン化合物を付加させることを特徴とする、下記式（３）で表されるリン含有カルボン酸誘導体（Ｃ成分）の製造方法。
【化１】
0004273696.tif 000023
【化２】
0004273696.tif 000024
【化３】
0004273696.tif 000025
（式（１）および（３）において、−ＣＯＯＶＥは、−ＣＯＯＨがビニルエーテルのＣ＝Ｃの二重結合に付加した基を示し、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３は、独立に水素原子、メチル基、または前記の−ＣＯＯＶＥから選ばれる基であり、ｇは０または１の数、Ｒ4はメチレン基である。）
【請求項２】
Ａ成分の式（１）で表される不飽和カルボン酸誘導体が、下記式（４）で表わされるイタコン酸のビニルエーテル付加体または（５）で表されるマレイン酸のビニルエーテル付加体である不飽和カルボン酸誘導体であり、Ａ成分のＣ＝Ｃの１モル等量に対して、Ｂ成分を０．５〜２．０モル等量の条件で付加反応させる請求項１記載の、式（８）または（１０）で表されるリン含有カルボン酸誘導体の製造方法。
【化４】
0004273696.tif 000026
【化５】
0004273696.tif 000027
【化６】
0004273696.tif 000028
【化７】
0004273696.tif 000029
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リン含有カルボン酸誘導体の製造方法に関する。更に詳しくは、融点が原料に比べて低温となり、有機溶剤に対する相溶性や溶解性に優れ、比較的に低温、短時間で、特に無溶媒で収率でよく容易に反応できるリン含有カルボン酸誘導体の製造方法に関する。さらにその精製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リン系難燃剤やハロゲン系難燃剤といった各種難燃剤が様々な樹脂系に配合されている。これらの難燃剤には、樹脂を成形加工する際、あるいは成形後の製品を使用する際に受ける熱への耐性が必要であり、また、耐水性や物理性能等本来の樹脂が持つ性能を損なわないことが望まれる。
しかしながら、これまで難燃剤として用いられてきたリン含有化合物に関しては、その多くが添加型難燃剤であったために、樹脂の特性を損なったり、安定性や耐水性に問題がある等の短所があった。
さらには、添加型難燃剤として用いられるリン含有化合物の多くは樹脂との相溶性が悪いため、樹脂へ均一に配合することが難しく、さらに、成形後の樹脂より難燃剤がブリードアウトしてしまうという問題もあった。
【０００３】
また、これらの問題点を解決するべく、リン含有エポキシ樹脂が合成された（特開平１１−２７９２５８号公報）。リン含有エポキシ樹脂は成形後にリン含有官能基が樹脂マトリックスと化学結合しているため、樹脂特性をある程度保ち耐水性、安定性に優れた難燃剤となり得る。
しかしながら、リン含有エポキシ樹脂は分子量が大きいため多くの有機溶剤に対する溶解性や各種樹脂に対する相溶性に優れていないこと、また、樹脂中に配合できるリン原子濃度が低くなる（２．５重量％以下）ために、単独では高い難燃性が必要とされる用途に用いることができないといった短所もあった。
【０００４】
一方、リン原子を有しさらにエポキシ基と反応するカルボキシル基等の官能基を有するリン含有カルボン酸化合物等も優れた反応性難燃剤として考えられるが、前記の様に多くの有機溶剤に対する溶解性や各種樹脂に対する相溶性が低いため汎用性に問題があった。さらには、カルボキシル基と反応性官能基とは反応しやすいため、リン含有カルボン酸化合物と前記の反応性官能基を含有する化合物とが共存する組成物においては、貯蔵中にゲル化を生じたり、可使用時間が短くなるなど、その安定性に問題があった。
【０００５】
そこで、本発明者らは、リン含有カルボン酸のカルボキシル基をビニルエーテルで保護することでリン含有カルボン酸誘導体とし、有機溶剤に対する溶解性や各種樹脂に対する相溶性を向上させる技術について提案している。さらには、このリン含有カルボン酸誘導体は、カルボキシル基をビニルエーテルで保護しているため、室温では反応せず可使時間の長い安定な化合物となることが判明している。このリン含有カルボン酸誘導体は熱や光などの刺激を受けて初めてビニルエーテルによる保護が外れ、カルボキシル基を再生し各種反応が開始するという潜在性の反応性の難燃剤となる。
【０００６】
このように有用であるリン含有カルボン酸誘導体ではあるが、その製造方法においては、収率が低い、溶解しにくく高温での反応になり不純物を多く含有するなど問題があった。すなわち、例えばリン化合物と不飽和カルボン酸とを反応させて、ついで、このカルボン酸とビニルエーテルと反応させて、目的とする化合物を得ていた。その際、リン含有カルボン酸誘導体は、融点が高く、取り扱い性が悪く、例えば特開平１１―８０３４０号公報の従来技術に記載されているようにイタコン酸に式（６）
【０００７】
【化１１】
0004273696.tif 000002
【０００８】
で示されるリン化合物を付加させる際には、生成物が、２００℃付近に融点を有するため、溶媒が存在しないと円滑に反応することが困難であり、生成物の溶剤に対する溶解性が低く、付加させるビニルエーテが限定され、低収率であるなど問題があった。
また一方、特開平８−１７６１７１号公報には、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸等のジカルボン酸に前記の式（６）と同様なリン化合物を付加させる反応が開示されているが、その反応の際には、酢酸やプロピオン酸等の炭素数１〜５の飽和脂肪属モノカルボン酸を、目的の生成物に対して、６／１〜１．５／１の重量比で、温度１００〜２００℃で反応し、収率８３％以上のものが得られることが開示されている。しかし実際の実施例では、反応温度が、プロピオン酸の還流温度（約１４１℃）と１５０℃の圧力下での反応が記載されている。しかし、この反応では、収率が高いが、過剰に使用する酸の溶媒の脱溶媒困難であり、また、反応温度が高く、反応時間が長いため着色が問題であった。
したがって、前記のように新たな難燃性などの機能を有するリン含有カルボン酸化合物を、有機溶媒に対する相溶性や溶解性に優れ、比較的低温で、短時間で反応でき、特に無溶媒で高収率で容易に製造できる方法が求められていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その第１の目的とするところは、有機溶剤に対する溶解性が優れるとともに、低温で短時間でかつ高収率で製造できるリン含有カルボン酸誘導体の製造方法を提供することにある。またさらに本発明の第２の目的とするところは、前記の得られた生成物を溶媒を用いて高純度に精製するリン含有カルボン酸誘導体の精製方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の問題点に鑑み、鋭意検討した結果、特定の分子中に少なくとも１つ以上のＣ＝Ｃ二重結合（ａ１）とカルボン酸がビニルエーテルに付加したヘミアセタールエステル基（ａ２）とを有するカルボン酸誘導体（Ａ成分）と、リン含有化合物（B成分）とを反応させることにより収率よくリン含有カルボン酸誘導体が得られることの知見を得て、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、次の〔１〕〜〔５〕である。
〔１〕下記式（１）で表される、少なくとも分子中に１つ以上のＣ＝Ｃ二重結合（ａ１）と、カルボキシル基がビニルエーテルに付加した基（ａ２）を有する不飽和カルボン誘導体（Ａ成分）と、下記式（２）で表されるリン含有化合物（Ｂ成分）とを用いて、Ｃ＝Ｃ二重結合にリン化合物を付加させることを特徴とする、下記式（３）で表されるリン含有カルボン酸誘導体（Ｃ成分）の製造方法。
【００１１】
【化１２】
0004273696.tif 000003
【００１２】
（式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ水素原子または有機基であり、ｇは０または１の数、Ｒ4は置換または無置換の二価の有機基であって、Ｒ1とＲ2とは互いに結合していてもよい。また−ＣＯＯＶＥは、−ＣＯＯＨがビニルエーテルのＣ＝Ｃの二重結合に付加した基を示す。）
【００１３】
【化１３】
0004273696.tif 000004
【００１４】
（式中のＲ5およびＲ6はそれぞれ水素原子または有機基であり、互いに結合していてもよい。）
【００１５】
【化１４】
0004273696.tif 000005
【００１６】
（式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ水素原子または有機基であり、ｇは０または１の数、Ｒ4は置換または無置換の二価の有機基であって、Ｒ1とＲ2とは互いに結合していてもよい。また−ＣＯＯＶＥは、−ＣＯＯＨ基がビニルエーテルのＣ＝Ｃの二重結合に付加した基を示し、またＲ5およびＲ6はそれぞれ水素原子または有機基であり、互いに結合していてもよい。）
【００１７】
〔２〕  Ａ成分の式（１）で表される不飽和カルボン酸誘導体が、下記式（４）で表わされるイタコン酸のビニルエーテル付加体または（５）で表されるマレイン酸のビニルエーテル付加体である不飽和カルボン酸誘導体であり、Ｂ成分の式（２）で表されるリン含有化合物が下記式（６）または（７）であり、Ａ成分のＣ＝Ｃの１モル等量に対して、Ｂ成分を０．５〜２．０モル等量の条件で付加反応させる前記〔１〕記載の、式（８）（９）または（１０）で表されるリン含有カルボン酸誘導体の製造方法。
【００１８】
【化１５】
0004273696.tif 000006
【００１９】
【化１６】
0004273696.tif 000007
【００２０】
【化１７】
0004273696.tif 000008
【００２１】
【化１８】
0004273696.tif 000009
【００２２】
【化１９】
0004273696.tif 000010
【００２３】
【化２０】
0004273696.tif 000011
【００２４】
【化２１】
0004273696.tif 000012
【００２５】
〔３〕  反応条件が次の条件である前記の〔１〕または〔２〕に記載のリン含有カルボン酸誘導体（Ｃ成分）の製造方法。
＜反応条件＞；
モル比がＣ＝Ｃ二重結合の１等量に対してリン化合物が０．５〜２．０等量、反応温度が室温〜１４０℃、
無溶媒もしくは溶媒が酢酸メトキシプロピルもしくはキシレンである、
無触媒もしくは反応触媒が、酸触媒、塩基触媒、金属触媒、よびラジカル発生剤よりなる群から選択される１種または２種以上を用いる。
【００２６】
〔４〕反応触媒が、塩基触媒または、金属触媒である前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のリン含有カルボン酸誘導体（Ｃ成分）の製造方法。
【００２７】
〔５〕  反応後、溶媒抽出してなる液体クラマトグラフィー純度が９０％以上であるリン含有カルボン酸誘導体（Ｃ成分）の精製方法。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の製造方法は、下記式（１）で表される、少なくとも分子中に１つ以上のＣ＝Ｃ二重結合（ａ１）とカルボキシル基がビニルエーテルに付加したヘミアセタール基（ａ２）を有する不飽和カルボン誘導体（Ａ成分）と、下記式（２）で表されるリン含有化合物（Ｂ成分）とを用いて、Ｃ＝Ｃ二重結合にリン化合物を付加させることを特徴とする方法である。
この反応を次式（１１）に示す。
【００２９】
【化２２】
0004273696.tif 000013
【００３０】
ここで、分子中に少なくとも１つ以上の、Ｃ＝Ｃ二重結合（ａ１）と、カルボキシル基がビニルエーテルの二重結合に付加したヘミアセタール基（ａ２）を有する不飽和カルボン酸誘導体は、便宜的に式（１）で表される。
【００３１】
【化２３】
0004273696.tif 000014
【００３２】
ここで、式中のＲ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ水素原子または有機基であり、ｇは０または１の数、Ｒ4は置換または無置換の二価の有機基であって、Ｒ1とＲ2とは互いに結合していてもよい。また−ＣＯＯＶＥは、−ＣＯＯＨ基がビニルエーテルのＣ＝Ｃの二重結合に付加したヘミアセタール基を示している。また、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の有機基は、それぞれ独立に−ＣＯＯＶＥ基を有していてもよい。また、ｇが０の場合には、Ｃ＝Ｃ結合の炭素に−ＣＯＯＶＥ基が直接結合していることを示す。
【００３３】
また、この不飽和カルボン酸誘導体の二重結合に付加させるリン含有化合物は、下記式（２）で表される。
【００３４】
【化２４】
0004273696.tif 000015
【００３５】
ここで、式中のＲ5およびＲ6はそれぞれ水素原子または有機基であり、互いに結合していてもよい。
【００３６】
また、得られるリン含有カルボン酸誘導体は、次式（３）で表される。
【００３７】
【化２５】
0004273696.tif 000016
【００３８】
ここで、式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、ｇ、−ＣＯＯＶＥ、Ｒ5およびＲ6は、前記と同じものを示す。
本発明で用いられる二重結合を有するカルボン酸誘導体の原料となる、カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、シクロヘキセンカルボン酸などの炭素数２〜１０の脂肪族不飽和カルボン酸またはその誘導体などが挙げられる。
さらに例えば、ジカルボン酸２モルが１モルのジアルコールにの両末端にエステル化している化合物等が挙げられる。
【００３９】
カルボキル基に付加させる（ブロック化という場合もある）ビニルエーエルとしては、脂肪族モノビニルエーテル、脂環式モノビニルエーテル、環状化合物ビニルエーテル、ヒドロキシビニルエーテル等が挙げられる。
脂肪族モノビニルエーテルとしては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル等が挙げられる。
脂環式ビニルエーテルとしては、例えば、シクロヘキシルモノビニルエーテルが挙げられる。
【００４０】
さらには、環状化合物ビニルエーテルとして、例えば、２，３−ジヒドロフラン、３，４−ジヒドロフラン、２，３−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、３，４−ジヒドロ−２−メトキシ−２Ｈ−ピラン、３，４−ジヒドロ−４，４−ジメチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、３，４−ジヒドロ−２−エトキシ−２Ｈ−ピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−カルボン酸ナトリウムなどの環状ビニルエーテル化合物が挙げられる。
これらのなかでも、原料の入手性や変性カルボン酸誘導体の解離温度等の点からｎ−プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテルが好ましく挙げられる。
また、ヒドロキシビニルエーテルとしては、ヒドロキシメチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシプロピルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ヒドロキシペンチルビニルエーテル、ヒドロキシヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシヘプチルビニルエーテル、ヒドロキシオクチルビニルエーテル、ヒドロキシノニルビニルエーテル、４−ヒドロキシシクロへキシルビニルエーテル、３−ヒドロキシシクロへキシルビニルエーテル、２−ヒドロキシシクロへキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、トリエチレングリコールモノビニルエーテル、テトラエチレングリコールモノビニルエーテルなどが挙げられる。
また、前記のビニルエーテルは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中では、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル等が入手性及びカルボン酸との反応性の点から好ましく挙げられる。
【００４１】
前記のＣ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体は、前記のＣ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸化合物と前記のビニルエーテルを１０℃から１７０℃の温度範囲で反応させることで容易にかつ収率良く得ることができる。
前記のブロック酸のなかでも、イタコン酸とのｎ−プロピルビニルエーテル付加物、マレイン酸とのｎ−プロピルビニルエーテル付加物が好ましく挙げられ、前記式（４）、（５）で表される。
【００４２】
その際の反応条件としては、カルボキシル基の１モル等量に対する、ビニルエーテルのモル比としては、０．５〜３．０モル等量、より好ましくは、０．７〜２．０モル等量が挙げられる。ここで、カルボン酸誘導体合成終了後にビニルエーテルが残存する条件の場合には、不純物低減のためリン化合物との合成反応の前にビニルエーテルを除去することが好ましい。
【００４３】
この際、反応を促進させる目的で、酸性リン酸エステルが挙げられる。より具体的には、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノールといった第一級アルコール類、及びイソプロパノール、２−ブタノール、２−ヘキサノール、２−オクタノール、シクロヘキサノールといった第二級アルコール類のリン酸モノエステル類あるいはリン酸ジエステル類が挙げられる。
これらの酸触媒は、１種又は２種以上を組合わせて用いることができる。酸触媒の使用量は、特に制限ないが、カルボン酸とビニルエーテルの合計量１００重量部に対して、通常０．０１〜５重量部が好ましく、特に０．１〜１重量部が好ましい。
【００４４】
また、反応系を均一にし、反応を容易にする目的で有機溶媒も使用することができる。そのような有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸アルキルエステル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
これらの有機溶媒は、１種又は２種以上を組合わせて用いることができる。
また、これらの溶媒量としては、特に限定されないが、原料であるカルボン酸とビニルエーテルの合計量１００部に対して、５〜９５重量部、より好ましくは２０〜８０重量部が挙げられる。
【００４５】
Ｂ成分のリン化合物としては、前記の式（２）で表される構造を有していればよく、Ｒ5、Ｒ6は、有機基であり、例えば、置換もしくは無置換の環状の炭化水素基、置換もしくは無置換の直鎖または分岐の炭化水素基、あるいはエーテル酸素に結合する置換もしくは無置換の環状の炭化水素基、（−Ｏ−Ｒ7、−Ｏ−Ｒ8基で表され、Ｒ7、Ｒ8とは互いに結合していてもよい。）、等が挙げられる。
【００４６】
式（２）で表されるリン含有化合物のＲ5あるいはＲ6としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｉｓｏ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｉｓｏ−オクチル基、ｎ−ドデシル基、ｉｓｏ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｉｓｏ−オクタデシル基等の分岐または直鎖の炭化水素基が挙げられ、さらにこれらの基がエーテル酸素の結合したアルキルオキシ基が挙げられる。またさらに、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基等の環状の基または芳香族の基が挙げられ、さらにこれら環状の基または芳香族の基がエーテル酸素に結合した基が挙げられる。さらに、Ｒ5とＲ6とが互いに結合していてもよい。
特に式（６）の化合物および式（７）の化合物がより好ましいものとして挙げられる。
【００４７】
【化２６】
0004273696.tif 000017
【００４８】
【化２７】
0004273696.tif 000018
【００４９】
本発明のリン含有カルボン酸誘導体は、上記カルボン酸誘導体とリン含有化合物とを室温ないし１４０℃の範囲の温度で反応させることにより得ることができる。反応温度は、好ましくは、４０〜１２０℃である。さらに好ましくは５０〜１００℃である。反応温度が室温より低いと反応速度が低くなるため反応に時間を要し好ましくなく、反応温度が１４０℃より高いと、着色が著しくなるので好ましくない。
この際、無触媒でも反応は起こるが、反応を促進させる目的で、酸触媒、塩基触媒、金属錯体触媒、あるいはラジカル発生剤等を使用することができ、また、これらの組み合わせによる混合触媒を用いてもよい。
【００５０】
前記の酸触媒としては、例えば、下記式（１２）
【００５１】
【化２８】
0004273696.tif 000019
【００５２】
（式中のＲ9は炭素数３〜１０のアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基、ｍは１又は２である。）で表される酸性リン酸エステル化合物が挙げられる。
【００５３】
さらに具体的には、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノールといった第一級アルコール類、及びイソプロパノール、２−ブタノール、２−ヘキサノール、２−オクタノール、シクロヘキサノールなどの第二級アルコール類のリン酸モノエステル類あるいはリン酸ジエステル類が挙げられる。好ましくは、ＡＰ−８（２−エチルヘキシルアッシドホスフェート；式（１３））が挙げられる。
【００５４】
【化２９】
0004273696.tif 000020
【００５５】
前記の塩基触媒としては、例えば、モノアミン類、ジアミン類、トリアミン類、ポリアミン類、環状アミン類、アルコールアミン類、エーテルアミン類等が挙げられるがこれに限るものではない。具体的にはトリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルプロパン−１，３−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルヘキサン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ''−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ''−ペンタメチルジプロピレントリアミン、テトラメチルグアニジン、Ｎ，Ｎ−ジ（ポリオキシエチレン）ステアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジポリオキシエチレン牛脂アルキルアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチル−Ｎ'−（２−ジメチルアミノ）−エチルピペラジン、Ｎ−メチルモルホリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン、ピリジン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−（Ｎ'，Ｎ'−ジメチルアミノエチル）−モルホリン、１，２−ジメチルイミダゾール、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリメチルアミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ'−（２−ヒドロキシエチル）−ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−モルホリン、ビス−（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、エチレングリコールビス−（３−ジメチルアミノプロピル）エーテル等が挙げられる。より好ましくは、ピリジン、１,８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エンが挙げられる。
【００５６】
前記の金属錯体触媒としては、中心金属に有機配位子が配位した有機金属錯体が挙げられる。中心金属としては、例えば鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、イリジウムが挙げられる。これらのうち、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金であり、より好ましくは、パラジウムである。
【００５７】
金属錯体としては種々の構造のものを用いることができるが、好適なものは、いわゆる低原子価の金属錯体であり、特に３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子とするゼロ価錯体が好ましい。また、反応系中で容易にゼロ価パラジウム錯体に変換される適当な前駆錯体を用いることも好ましい態様である。さらに、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子として含まない金属錯体と３級ホスフィンや３級ホスファイトを反応系中で混合し、３級ホスフィンまたは３級ホスファイトを配位子とする低原子価パラジウム錯体を発生させてそのまま触媒として用いる方法も好ましい態様である。これらのいずれかの方法で有利な性能を発揮する配位子としては、種々の３級ホスフィンや３級ホスファイトを挙げることができる。好適に用いることができる配位子を例示すると、トリフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、フェニルジシクロヘキシルホスフィン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、トリメチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等が挙げられる。これに組み合わせて用いられる、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子として含まない錯体としては、ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム、酢酸パラジウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、好適に用いられるホスフィンまたはホスファイト錯体としては、ジメチルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム｛ｃｉｓ−ＰｄMｅ2（Ｐ・ｐｈ2・Ｍｅ）2と略す｝、ジメチルビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等が挙げられる。また、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような２価錯体を、ブチルリチウムのような還元剤で処理してそのまま用いてもよい。より好ましくは、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム｛ｃｉｓ−ＰｄMｅ2（Ｐ・ｐｈ2・Ｍｅ）2と略す｝が挙げられる。
【００５８】
前記のラジカル発生剤としては、例えば、アセチルパーオキサイド，イソブチルパーオキサイド，オクタノイルパーオキサイド，デカノイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類；ジイソプロピルパーオキシジカルボネート，ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート類；ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート，ｔ−ブチルパーピバレート、１，１，３，３−テトラブチルパーオキシ−２−エチルへキサネート等のパーオキシエステル類；２，２´−アゾビス（２−メチルプロピルニトリル），２，２´−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル），ジメチル−２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオネイト）等のアゾビス類等が挙げられる。好ましくは、１，１，３，３−テトラブチルパーオキシ−２−エチルへキサネートが挙げられる。
【００５９】
また、反応系を均一にし、反応を容易にする目的で有機溶媒も使用してもよい。そのような有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、芳香族石油ナフタ、テトラリン、テレビン油、ソルベッソ＃１００（エクソン化学（株）登録商標）ソルベッソ＃１５０（エクソン化学（株）登録商標）等の芳香族炭化水素；ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸アミル、酢酸メトキシブチル、酢酸メトキシプロピル（PMAｃ）等のエステル及びエーテルエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メシチルオキサイド、メチルイソアミルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、エチルアミルケトン、ジイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジイソブチルケトン等のケトン類；トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル類；ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。より好ましくは、酢酸メトキシプロピル（PMAｃ）等のエステル、キシレン等の芳香族炭化水素が挙げられる。
前記の溶媒の使用量は、全仕込み量の０〜５０重量％が好ましい。前記のカルボン酸やビニルエーテルの種類などを選択することにより、ブロック化したカルボン酸の生成物が液状となる場合があり、無溶媒で反応できるので、１段で高濃度で目的物を得ることができる。
【００６０】
本発明のリン含有カルボン酸誘導体は、上記カルボン酸誘導体とリン含有化合物とを反応させることにより得られるが、カルボン酸誘導体とリン化合物との仕込み比は、カルボン酸誘導体のＣ＝Ｃ二重結合の１モル等量に対してリン化合物を０．５〜２モルにすることが好ましい。カルボン酸誘導体のＣ＝Ｃ二重結合の１モル等量に対してリン化合物が０．５モル未満の場合は反応終了後カルボン酸誘導体が過剰に残存するため好ましくない。一方、リン化合物が２モル等量より多い場合は反応終了後リン化合物が過剰に残存するため好ましくない。
【００６１】
反応に要する時間は、触媒の有無、触媒の種類、反応温度、カルボン酸誘導体とリン化合物との仕込み比等の反応条件に依存するが、触媒が存在する場合には８時間以内、触媒が存在しない場合には２４時間以内の反応が好ましい。これ以上反応を続けると、カルボン酸誘導体が分解しカルボン酸化合物が生成するため好ましくない。
【００６２】
【発明の効果】
以上の実施形態により発揮される効果を以下にまとめて記載する。
本発明の製造方法は、原料であるカルボン酸をビニルエーテルと反応させて誘導体とすることにより、原料の融点が下がり、液体となるために、従来のリン含有カルボン酸化合物を得てからビニルエーテルで変性させる合成法に比べ以下の優位性がある。
１）カルボン酸誘導体が液体であるため、合成系の粘度を低く設定できる。
２）カルボン酸誘導体が液体であるため、反応温度を低く設定することができる。
３）カルボン酸誘導体が液体であるため、反応速度が速く、短時間で反応が終了する。
４）カルボン酸誘導体が液体であるため、無溶剤系での反応が可能である。
５）反応温度を低く設定することができるため、副生成物の生成量が少なく、精製が容易であるという利点もある。
６）この合成法により、新規なリン含有カルボン酸誘導体を簡便に合成することが可能である。
【００６３】
【実施例】
次に、実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。
前記式（６）の化合物は、９，１０−デヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナンスレン−１０−オキシド（９,１０−Ｄｉｈｙｄｒｏ−９−ｏｘａ−１０−ｐｈｏｓｐｈａｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ−１０−ｏｘｉｄｅ）（三光（株）社製品、商品名、ＳＡＮＫＯ-ＨＣＡ）であり、以下ＨＣＡと略す。
以下に用いた測定方法、評価方法を示す。
１．〈ＩＲの測定条件〉
機種；日本分光（株）社製  ＦＴ／ＩＲ−６００
セル；臭化カリウムを用いた錠剤法
分解；４ｃｍ-1
積算回数；１６回
２．〈1Ｈ−ＮＭＲの測定条件〉
機種；日本ブルカー（株）社製  ４００ＭＨｚのＡｄｖａｎｃｅ４００
積算回数；１６回
溶媒；ＣＤＣｌ3、ＴＭＳ基準
３．〈酸価の測定〉
ＪＩＳ  Ｋ  ００７０−３（１９９２）の方法に準じて測定する。
４．〈生成率及び純度の測定〉
液クロマトグラフィー（以下ＬＣと略す）により定量し換算した。
ＬＣの測定条件；
機種：東ソー（株）社製、ＳＣ−８０１０、
カラム：ジーエルサイエンス（株）社製、イナートシルＯＤＳ−３、
溶離液：メチルイソブチルケトン、
検出器：ＵＶ。
５．溶解性試験；
バイヤル瓶にそれぞれの試料１重量部と各種溶媒９重量部を加え、ローターを用いて室温で１時間攪拌する。攪拌後、目視にて溶解性を確認する。結果の評価は、○は溶解したことを意味し、×は溶解しなかったことを意味する。
【００６４】
合成例１；イタコン酸誘導体（Ｂ−ＩＡ）の合成
還流冷却器、攪拌機、温度計を備えた４つ口フラスコに、Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸化合物としてイタコン酸  ３８．６重量部、ｎ−プロピルビニルエーテル（ｎ−ＰＶＥ）  ６１．４重量部を仕込み、これを８５℃で３時間反応させた。サンプリングし酸価を測定したところ２．８ｍｇＫＯＨ／ｇであり、その酸価より算出した反応率は９９％であった。
その後、エバポレーター（２０ｍｍＨｇ、６０℃、１時間）により未反応のｎ−プロピルビニルエーテルを除去した。得られた生成物（Ｂ−ＩＡ）は、淡黄色透明の液体であった。
【００６５】
合成例２；マレイン酸誘導体（Ｂ−ＭA）の合成
合成例１のＣ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸化合物としてイタコン酸  ３８．６重量部の代わりに、マレイン酸２５．２重量部、ｎ−プロピルビニルエーテル  ３８．６重量部の代わりに、７４．８重量部を用い、反応温度３５℃で４時間反応させた以外は合成例１と同様にして目的物を反応した。サンプリングし酸価を測定したところ２．５ｍｇＫＯＨ／ｇであり、その酸価より算出した反応率は９８％であった。
その後、エバポレーター（２０ｍｍＨｇ、６０℃、１時間）により未反応のｎ−プロピルビニルエーテルを除去した。得たれた生成物（Ｂ−ＭＡ）は、淡黄色透明の液体であった。
【００６６】
実施例１
還流冷却器、攪拌機、温度計を備えた４つ口フラスコに、Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＢ−ＩＡ  ５８．５重量部、ＨＣＡ４１．５重量部を仕込み、これを１２０℃で１６時間反応させた。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ、５４重量％であった。
【００６７】
実施例２
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として実施例１で得たＢ−ＩＡ  ６０．９重量部、ジブチルハイドロジエンホスファイト（以下ＤＢＰ）  ３９．１重量部を用い、これを１２０℃で１６時間反応させた以外は実施例１と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ、６１重量％であった。
【００６８】
実施例３
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例２で得たＢ−ＭＡ  ５７．１重量部、ＨＣＡ  ４２．９重量部を用いた以外は実施例２と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ６８重量％であった。
【００６９】
実施例４
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＢ−ＩＡ  ４６．７重量部、ＨＣＡ  ３３．３重量部、ＰＭＡｃ  ２０重量部を仕込み、これを１２０℃で１２時間反応させた以外は実施例  と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ７１重量％であった。
【００７０】
実施例５
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＢ−ＩＡ  ５８．５重量部、ＨＣＡ  ４１．５重量部、ＡＰ−８（酸性リン酸エステル：大八化学（株）社製）  ０．５重量部を仕込み、これを７０℃で４時間反応させた以外は実施例１と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ５８重量％であった。
【００７１】
実施例６
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＰ−ＩＡ  ５８．５重量部、ＨＣＡ  ４１．５重量部、ピリジン  ０．５重量部を仕込み、これを７０℃で３時間反応させた以外は実施例１と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ８７重量％であった。
【００７２】
実施例７
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＢ−ＩＡ  ５８．５重量部、ＨＣＡ  ４１．５重量部、ｃｉｓ−ＰｄＭｅ2（ＰＰｈ2Ｍｅ）2 ０．１重量部を仕込み、これを６０℃で３時間反応させた以外は実施例１と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ９２重量％であった。
【００７３】
実施例８
Ｃ＝Ｃ二重結合を有するカルボン酸誘導体として合成例１で得たＢ−ＩＡ  ５８．５重量部、ＨＣＡ  ４１．５重量部、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネート（ラジカル発生剤：日本油脂（株）社製、商品名パーオクタ―O）  5重量部を仕込み、これを７０℃で6時間反応させた以外は実施例１と同様にして目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。サンプリングし、ＬＣ分析によりリン含有カルボン酸誘導体の生成率を計算したところ５４重量％であった。
以下に、実施例１〜８の反応条件、及び生成率を表１に示す。
【００７４】
【表１】
0004273696.tif 000021
【００７５】
実施例９；＜精製方法＞
分液ロートに実施例６で得た反応生成物  ５０重量部、キシレン  １０重量部、１Ｎ−水酸化カリウム水溶液  ４０重量部を加えて十分に攪拌した後、有機層を抽出した。有機層にシリカゲル０．５重量部、無水硫酸マグネシウム  ２．５重量部を加え室温にて１０分間攪拌して乾燥した後、ポリフロンフィルター（アドバンテック東洋（株）社製、Ｎｏ．ＰＦ１００）によりろ過し、ろ液の重量を測定し換算したところ回収率は８４％であった。ＬＣにより純度を測定したところ、リン含有カルボン酸誘導体の純度は９６重量％であり、残り４重量％の不純物は原料であるＢ−ＩＡであった。これをエバポレーターで脱溶媒して、高純度の目的のリン含有カルボン酸誘導体を得た。
生成物のＩＲ及び1Ｈ−ＮＭＲ測定を行った。それぞれのチャートは図１および２に示す。実施例６および９で得られた生成物を用いて、前記の溶解性試験を行った。その結果を表２に示す。
【００７６】
【表２】
0004273696.tif 000022
【００７７】
以上の結果より本発明の実施例１〜８においては、高純度で、収率よく、目的物が得られ、また実施例９においては、生成物を９０重量％以上の高純度まで精製できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は実施例９で得たリン含有カルボン酸誘導体のＩＲスペクトルである。
【図２】  図２は実施例９で得たリン含有カルボン酸誘導体の1Ｈ−ＮＭＲのスペクトルである。
【図１】
0004273696.tif 000030
【図２】
0004273696.tif 000031