(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶が滴下された第１基板とシール剤が形成されている第２基板を合着機チャンバ内にローディングする工程と、
圧力を可変して前記第１、第２基板を合着する工程と、また、
前記合着された第１，第２基板をアンローディングする工程と
からなり、
ここで、該ローディング工程は、前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を真空吸着させる工程と、
前記合着機の基板レシーバを前記上部ステージに固定された第２基板下側に位置させる工程と、
前記合着機チャンバを真空させる工程と、
前記合着機チャンバを真空させる工程の後、前記第１，第２基板を前記ステージが各々静電吸着法で固定する工程とからなり、
該合着機チャンバを真空させる工程は、前記合着機内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を吸着させた後１次真空し、前記基板レシーバを前記上部ステージに固定された第２基板下側に位置させた後２次真空するという２回に亘って真空させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記静電吸着法は導電層が形成された基板の面が前記ステージ側に位置される場合は約０．１ないし１ＫＶの電圧を印加し、導電層が形成された面が前記ステージに対向される側に位置される場合は３ないし４ＫＶを印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を吸着させる工程は、
シール剤が塗布された部分が下向きになるように第２基板を前記合着機チャンバ内に位置させる工程と、
前記合着機チャンバ内の上部ステージが降下して前記第２基板を真空吸着法で固定した後上昇する工程と、
前記第１基板を前記合着機チャンバ内の下部ステージに位置させる工程と
からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板と第２基板を吸着させる工程は、静電吸着法で吸着することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記上部ステージを降下して位置させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記基板レシーバを上昇して位置させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記第２基板を前記基板レシーバに戴置させることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記チャンバを真空させる工程は、液晶モードがＩＰＳの場合１．０×１０-３Ｐａないし１Ｐａにし、ＴＮモードの場合１．１×１０-３ないし１０２Ｐａにすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ローディング工程は、前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を静電吸着法で吸着させる工程と、
前記合着機チャンバを真空させる工程とからなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ローディング工程は、液晶が滴下されている第１基板を合着機チャンバ内の下部ステージにローディングし、シール剤が塗布された第２基板を合着機チャンバ内の上部ステージにローディングすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は、上部ステージ又は下部ステージを移動させて合着することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ステージ移動速度は両基板が接触される時点までは一定速度でステージを移動させ、接触された後には前記速度を可変して前記ステージを移動させることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は、上部ステージを多軸に加圧することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記圧力を可変して第１，第２基板を合着する工程は、前記上部ステージが降下して基板を加圧し、前記上部ステージは各軸ごとに別のロードセルが取り付けられて独立的に加圧できる多数の軸によって基板を加圧することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１基板は複数のパネルが設計されて各パネルに薄膜トランジスタアレイが形成されている基板であり、前記第２基板は複数のパネルが設計されて各パネルにカラーフィルターアレイが形成されている基板であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２基板をローディングする前に第２基板を洗浄する工程を更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２基板をＵＳＣ（Ｕｌｔｒａ  Ｓｏｎｉｃ  Ｃｌｅａｎｅｒ）で洗浄することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は圧力を少なくとも２段階に可変することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１段階は圧力を０．１ｔｏｎ以上にし、第２段階は圧力を０．３ｔｏｎ以上にすることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は、第１、第２基板が接触時点までは０．１ｔｏｎ、中間段階では０．３ｔｏｎ、その次の段階では０．４ｔｏｎ、また最終段階では０．５ｔｏｎの圧力を可変する
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関するもので、特に、液晶滴下方式の液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の発達と共に、表示装置に対する要求も様々な形態に求められており、これに応じて最近ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  ＤｉｓｐｌａｙＤｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など多数の平板表示装置が研究されてきて一部は既に各種装置の表示装置に活用されている。
【０００３】
そのうち、現在画質が鮮明で軽薄型、低消費電力の特長によって移動型画像表示装置の用途でＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）を切り替えながらＬＣＤが多用されており、ノ−トブックコンピューターのモニターのような移動型の用途以外にも放送信号を受信してディスプレイするテレビ及びコンピューターのモニターなどに多様に開発されている。
【０００４】
このように、液晶表示装置が多数分野において画面表示装置として役割をするために多数の技術的な発展が成されていることにも関わらず画面表示装置として画像の品質を高める作業は前記特長と背馳される面が多かった。従って、液晶表示装置が一般の画面表示装置として多用されるためには、軽薄型、低消費電力の特長を維持しながら高精細、高輝度、大面積などのように上品の画像を実現できるかどうかによって決められるといっても過言ではないだろう。
【０００５】
このような液晶表示装置は、画像を表示する液晶パネルと前記液晶パネルに駆動信号を印加するための駆動部から大きく分けられ、前記液晶パネルは一定空間を有し合着された第１、第２ガラス基板と、前記第１、第２ガラス基板の間に注入された液晶層から構成される。
【０００６】
ここで、前記第１ガラス基板（ＴＦＴアレイ基板）には、一定間隔を有し一方向に配列される複数のゲートラインと、前記各ゲートラインと垂直な方向に一定した間隔で配列される複数のデータラインと、前記各ゲートラインとデータラインとが交差されて定義された各画素領域にマトリックス状に形成される複数の画素電極と前記ゲートラインの信号によってスイッチングされて前記データラインの信号を前記各画素電極に伝える複数の薄膜トランジスタが形成される。
【０００７】
また、第２ガラス基板（カラーフィルター基板）には、前記画素領域を除外した部分の光を遮断するためのブラックマトリックス層と、カラー色を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター層と画像を実現するための共通電極が形成される。
このような前記第１、第２基板はスペーサによって一定空間を有し液晶注入口を有するシール剤によって合着されて前記両基板の間に液晶が注入される。
【０００８】
この時、液晶注入方法は前記シール剤によって合着された両基板の間を真空状態を維持して液晶液に前記液晶注入口が浸すようにすると毛管現象によって液晶が両基板の間に注入される。このように液晶が注入されると前記液晶注入口をシール剤に封止する。
【０００９】
しかしながら、このような一般的な液晶注入式の液晶表示装置の製造方法において次のような問題があった。
第一、単位パネルでカッティングした後、両基板サイクルを真空状態に維持して液晶注入口を液晶液に浸して液晶を注入するので液晶注入するのに長時間が所要されるため歩留まりが劣る。
【００１０】
第二、大面積の液晶表示装置を製造する場合、液晶注入式で液晶を注入するとパネル内に液晶が完全に注入されないから不良パネルの原因となっていた。
第三、前記のように工程が複雑で時間が多く所要されるので多数の液晶注入装置が要求されて多くの空間を必要とする。
【００１１】
従って、最近液晶を滴下する方法を用いた液晶表示装置の製造方法に対して盛んに工夫されている。そのうち、日本特許公報２０００−１４７５２８号に次のような液晶滴下方式を用いた技術が開示されている。
【００１２】
このような液晶滴下方式を用いた従来の液晶表示装置の製造方法を説明すると次のようである。
図１Ａないし図１Ｆは従来の液晶滴下方式による液晶表示装置の工程断面図である。
図１Ａのように、薄膜トランジスタアレイが形成された第１ガラス基板３に紫外線硬化型シール剤１を約３０μｍ厚さで塗布し、前記シール剤１の内側（薄膜トランジスタアレイ部分）に液晶２を滴下する。この時前記シール剤１は液晶注入口がなく形成される。
【００１３】
前記のような第１ガラス基板３を水平方向に移動可能な真空容器Ｃ内のテーブル４上に搭載し、前記第１ガラス基板３の下部表面の全面を第１吸着機構５に真空吸着して固定させる。
図１Ｂのようにカラーフィルターアレイが形成された第２ガラス基板６の下部表面の全面を第２吸着機構７に真空吸着して固定し、真空容器Ｃを閉じて真空させる。また、前記第２吸着機構７を直交方向に降下させて前記第１ガラス基板３と第２ガラス基板６の間隔を１ｍｍにし、前記第１ガラス基板３を搭載した前記テーブル４を水平方向に移動させて前記第１ガラス基板３と第２ガラス基板６を予備に位置を合わせる。
【００１４】
図１Ｃのように、前記第２吸着機構７を直交方向に降下させて前記第２ガラス基板６と液晶２又はシール剤１を接触させる。
図１Ｄのように、前記第１ガラス基板３を搭載した前記テーブル４を水平方向に移動させて前記第１ガラス基板３と第２ガラス基板６との位置合わせを行う。
図１Ｅのように、前記第２吸着機構７を直交方向に降下させて第２ガラス基板６を前記シール剤１で第１ガラス基板３に接合し、５μｍまで加圧する。
図１Ｆのように、前記真空容器Ｃから前記接合された第１、第２ガラス基板３、６を取り出して前記シール剤１に紫外線照射して前記シール剤１を硬化させて液晶表示装置を完成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の液晶滴下方式の液晶表示装置の製造方法では次のような問題があった。
第一、同一基板にシール剤を塗布し、液晶を滴下するので両基板を合着する前までの工程時間が多く所要される。
第二、前記第１基板にはシール剤が塗布され液晶が滴下された反面前記第２基板には如何なる工程も行われていないから第１基板と第２基板の工程の間に不均衡が発生されて生産ラインを効率的に作動するのが容易ではない。
第三、前記第１基板にシール剤が塗布され液晶が滴下されるので合着するために洗浄装備（ＵＳＣ）でシール剤が塗布された基板を洗浄することができない。
従って、上下基板を合着するシール剤を洗浄できなくてパーティクルを除去することができず、合着時シール剤の接触不良が伴う。
【００１６】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、工程時間を短縮させ効率を極大化して歩留まりを向上することができる液晶滴下方式の液晶表示装置の製造方法を提供することが目的である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶が滴下された第１基板とシール剤が形成されている第２基板を合着機チャンバ内にローディングする工程と、圧力を可変して前記第１、第２基板を合着する工程と、また、前記合着された第１，第２基板をアンローディングする工程とからなることを特徴とする。
【００１８】
前記ローディング工程は、前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を吸着させる工程と、前記合着機チャンバの基板レシーバを前記上部ステージに固定された第２基板下側に位置させる工程と、前記合着機チャンバを真空させる工程と、前記第１，第２基板を前記ステージが各々静電吸着法で固定する工程とからなることが望ましい。
【００１９】
前記合着機チャンバを真空させる工程は２回に亘って真空させることが望ましい。
前記合着機チャンバを真空させる工程は、前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を吸着させた後１次真空し、前記基板レシーバを前記上部ステージに固定された第２基板下側に位置させた後２次真空することが望ましい。
【００２０】
前記静電吸着法は導電層が形成された基板の面が前記ステージ側に位置される場合は約０．１ないし１ＫＶの電圧を印加し、導電層が形成された面が前記ステージに対向される側に位置される場合は３ないし４ＫＶを印加することが望ましい。
【００２１】
前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を吸着させる工程は、シール剤が塗布された部分が下向きになるように第２基板を前記合着機チャンバ内に位置させる工程と、前記合着機チャンバ内の上部ステージが降下して前記第２基板を真空吸着法で固定した後上昇する工程と、前記第１基板を前記合着機チャンバ内の下部ステージに位置させる工程とからなることが望ましい。
【００２２】
前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板と第２基板を吸着させる工程は、合着機チャンバを大気状態に維持し前記ステージが真空吸着法で基板を固定することが望ましい。
前記チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板と第２基板を吸着させる工程は、静電吸着法で吸着することが望ましい。
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記上部ステージを降下して位置させることが望ましい。
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記基板レシーバを上昇して位置させることが望ましい。
前記基板レシーバを第２基板下側に位置させる工程は、前記第２基板を前記基板レシーバに戴置させることが望ましい。
【００２３】
前記チャンバを真空させる工程は、液晶モードがＩＰＳの場合１．０×１０-３Ｐａないし１Ｐａにし、ＴＮモードの場合１．１×１０-３ないし１０２Ｐａにすることが望ましい。
前記ローディング工程は、前記合着機チャンバ内の下部ステージと上部ステージに各々第１基板及び第２基板を静電吸着法で吸着させる工程と、前記合着機チャンバを真空させる工程とからなることが望ましい。
前記ローディング工程は、液晶が滴下されている第１基板を合着機チャンバ内の下部ステージにローディングし後にシール剤が塗布された第２基板を合着機チャンバ内の上部ステージにローディングすることが望ましい。
【００２４】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は、上部ステージ又は下部ステージを移動させて合着することが望ましい。
前記ステージ移動速度は両基板が接触される時点までは一定速度でステージを移動させ、接触された後には前記速度を可変して前記ステージを移動させることが望ましい。
【００２５】
前記圧力を可変して第１、第２基板を合着する工程は、上部ステージを多軸に加圧することが望ましい。
前記圧力を可変して第１，第２基板を合着する工程は、前記上部ステージが降下して基板を加圧し、前記上部ステージは各軸ごとに別のロードセルが取り付けられて独立的に加圧できる多数の軸によって基板を加圧することが望ましい。
【００２６】
前記第１基板は複数のパネルが設計されて各パネルに薄膜トランジスタアレイが形成されている基板であり、前記第２基板は複数のパネルが設計されて各パネルにカラーフィルターアレイが形成されている基板であることが望ましい。
前記第２基板をローディングする前に第２基板を洗浄する工程を更に含んでいることが望ましい。
前記第２基板をＵＳＣで洗浄することが望ましい。
前記圧力を可変して第１、第２基板を吸着する工程は圧力を少なくとも２段階に可変することが望ましい。
前記第１段階は圧力を０．１ｔｏｎ以上にし、第２段階は圧力を０．３ｔｏｎ以上にすることが望ましい。
【００２７】
前記圧力を可変して第１、第２基板を吸着する工程は、第１、第２基板が接触時点までは０．１ｔｏｎ、中間段階では０．３ｔｏｎ、その次の段階では０．４ｔｏｎ、また最終段階では０．５ｔｏｎの圧力を可変することが望ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
【００２９】
図２は本発明による液晶表示装置の概略的な工程順序図であり、図３Ａないし３Ｅは本発明による液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
第１ガラス基板１１に複数のパネルを設計して各パネルに薄膜トランジスタアレイを形成し（１１Ｓ）、第１ガラス基板１１の全面に第１配向膜を形成してラービングを行う（１２Ｓ）。
前記第１ガラス基板１１に形成された各パネルに応ずるように第２ガラス基板１３に複数のパネルを設計して各パネルにブラックマトリックス層、カラーフィルター層及び共通電極などを備えたカラーフィルターアレイを形成し（１５Ｓ）、第２ガラス基板１３の全面に第２配向膜を形成しラービングを行う（１６Ｓ）。
【００３０】
このように形成された前記第１，第２ガラス基板１１，１３を各々洗浄する（１３Ｓ、１７Ｓ）
図３Ａに示すように、前記洗浄された第１ガラス基板１１に液晶１２を滴下する（１４Ｓ）。
前記洗浄された第２ガラス基板１３にＡｇドットを形成し（１８Ｓ）更にシール剤１４を塗布する（１９Ｓ）。
【００３１】
前記第１、第２ガラス基板１１、１３を真空合着機チャンバ１０にローディングして前記滴下された液晶が均一に各パネルに満たされるように、前記第１、第２ガラス基板１１，１３を合着し前記シール剤を硬化させる（２０Ｓ）。
前記合着された第１，第２ガラス基板１１，１３を各パネル別にカッティングする（２１Ｓ）。
カッティングされた各パネルを錬磨加工して最終品質検査して液晶表示装置を完成する（２２Ｓ）。
【００３２】
ここで、前記合着工程を更に具体的に説明する。
図４は本発明による液晶表示装置の合着工程順序図である。
本発明による合着工程は真空合着機チャンバに両基板をローディングする工程、前記両基板を合着する工程、また、前記合着された両基板を真空合着機チャンバからアンローディングする工程からなる。
【００３３】
先ず、ローディングする前に、前記シール剤が塗布された第２ガラス基板１３はＵＳＣ（Ｕｌｔｒａ  Ｓｏｎｉｃ  Ｃｌｅａｎｅｒ）で洗浄されて工程中に発生されたパーティクルを除去することもできる。即ち、第２ガラス基板１３は液晶が滴下されずシール剤及びＡｇドットが塗布されているので洗浄できる。
【００３４】
また、ローディングする工程は図３Ｂのようにシール剤１４が塗布された第２ガラス基板１３をシール剤１４が塗布された部分が下方に向けて真空合着機チャンバ１０の上部ステージ１５に真空合着法に固定させ（３１Ｓ）、液晶１２が滴下された第１ガラス基板１１を真空合着機チャンバ１０の下部ステージ１６に真空吸着法で固定させる（３２Ｓ）。
この時前記真空合着機チャンバ１０は大気状態を維持する。
【００３５】
これを具体的に説明すると、シール剤１４が塗布された第２ガラス基板１３をシール剤１４が塗布された部分が下方に向かうようにロボット（図示せず）のローダー（loader）が第２ガラス基板を取り付けて真空合着機チャンバ１０内に位置させる。
該状態で前記真空合着機チャンバ１０の上部ステージ１５は降下して前記第２ガラス基板１３を真空吸着法に固定した後上昇する。この時真空吸着法に代えて静電吸着法で固定できる。
また、前記ロボットのローダーは真空合着機チャンバ１０を出て、更にロボットのローダーによって液晶１２が滴下された第１ガラス基板１１を前記真空合着機チャンバ１０内の下部ステージ１６上側に位置させる。
【００３６】
前記薄膜トランジスタアレイが形成された前記第１ガラス基板１１に液晶１２を滴下しカラーフィルターアレイが形成された第２ガラス基板１３にシール剤を形成していると言及しているが、前記第１ガラス基板１１にシール剤を塗布し、前記第２基板に液晶を滴下でき、前記両ガラスの基板のうちいずれかの一つのガラス基板に液晶も滴下させシール剤も塗布することができる。但し液晶が滴下された基板は下部ステージに位置させ、他の基板を上部ステージに位置させればよい。
【００３７】
この時、前記のように第１、第２基板が前記下部ステージ及び上部ステージに真空吸着された後、前記第１、第２基板を整列する工程を行うこともできる。
また、基板レシーバ（図示せず）を第２ガラス基板１３の直下に位置させる（３３Ｓ）。
この時、前記基板レシーバを第２基板に位置させる方法は次のようである。
【００３８】
第一、前記上部ステージを降下させたり前記基板レシーバを上昇させ前記第２ガラス基板と前記基板レシーバを近接させた後上部ステージが第２ガラス基板１３を離し、前記第２ガラス基板１３の底部表面が前記基板レシーバと接触する。第二、前記上部ステージを１次的に一定距離降下し、前記基板レシーバを２次的に上昇させて前記第第２ガラス基板１３と基板レシーバを近接させた後上部ステージ１５が第２ガラス基板１３を離し、前記第２ガラス基板１３の底面表面が前記基板レシーバと接触する。
第三、前記上部ステージを降下するか、前記基板レシーバを上昇するか、又は前記上部ステージを１次降下し、基板レシーバを２次上昇して前記第２ガラス基板１３と前記基板レシーバが一定間隔を有するように近接させた後上部ステージが第２ガラス基板を吸着している。
【００３９】
この時前記基板レシーバを前記第２ガラス基板１３の下側に位置させる理由は、前記各ステージ１５，１６が真空吸着法で第１，第２ガラス基板を吸着している状態で前記合着機チャンバ１０を真空状態にする間前記各ステージの真空より合着機チャンバ内の真空度が更に高くなるので前記ステージが取っている第１、第２ガラス基板１１，１３の吸着力を失うことになり、特に上部ステージに吸着された第２ガラス基板が離脱されて前記第１ガラス基板１１上に落ちることを防止しようとするためである。
【００４０】
従って、前記合着機チャンバを真空状態にする前に上部ステージに吸着された第２ガラス基板１３を前記基板レシーバに載置するか、第２ガラス基板を吸着した上部ステージと前記基板レシーバを一定間隔隔てて位置させておいたままチャンバ内を真空状態にする間第２ガラス基板１３を前記上部ステージから前記基板レシーバに自然的に位置されるようにできる。また、前記合着機チャンバを真空状態にし始めると初期段階でチャンバ内の流動によって基板が動く虞があるのでこれを固定する手段をさらに与えることもできる。
【００４１】
前記真空合着機チャンバ１０を真空状態にする（３４Ｓ）。ここで、真空合着機チャンバ１０の真空度は合着しようとする液晶モードによって差があるが、ＩＰＳモードは１．０×１０-３Ｐａないし１Ｐａ程度にし、ＴＮモードは約１．１×１０-３Ｐａないし１０２Ｐａにする。
【００４２】
前記において真空合着機チャンバ１０を２段階に真空できる。即ち、前記上下部ステージに各々基板を吸着させチャンバのドアを閉じた後、１次真空を開始する。また、前記基板レシーバを上部ステージ下側に位置させて上部ステージに吸着された基板を前記基板レシーバに載置されるか基板を吸着した状態で上部ステージと前記基板レシーバが一定間隔を維持した後、前記真空合着機チャンバを２次真空する。この時１次真空時より２次真空時更に早く真空され、１次真空は前記真空合着機チャンバの真空度が上部ステージの真空吸着力より高くないようにする。
【００４３】
又、真空を１次、２次に区分せず前記各ステージに基板を吸着させチャンバのドアを閉じた後、真空を一定に開始して真空中に前記基板レシーバを上部ステージ１５に固定された第２ガラス基板１３の下側に位置させることができる。この時前記基板レシーバが第２ガラス基板１３の下側に位置される時点は真空合着機チャンバの真空度が上部ステージの真空吸着力より高くなる前に位置されるべきである。
【００４４】
このように、真空合着機チャンバの真空を２回に亘って行う理由は、前記真空合着機チャンバが急に真空になるとチャンバ内の基板が調整不良となり流動されるおそれがあってこれを防止するためである。
【００４５】
前記真空合着機チャンバ１０が一定状態の真空に至ることになると前記上下部各ステージ１５，１６が静電吸着法で前記第１、第２ガラス基板１１、１３を固定させ（３５Ｓ）、前記基板レシーバを元の位置に戻して（３６Ｓ）ローディング工程を終了する。
【００４６】
ここで、静電吸着法はステージに形成された少なくとも２個以上の平板電極を備えて前記平板電極に陰／陽の直流電源を供給して吸着する。即ち、各平板電極に陽又は陰の電圧が印加されると、前記ステージに陰又は陽の電荷が誘起されそれら電荷によってガラス基板に導電層（共通電極又は画素電極など透明電極が形成される）が形成されているので前記導電層と前記ステージ間に発生するクーロン力で基板が吸収される。
この時導電層が形成された面が前記ステージ側に位置される場合は約０．１ないし１ＫＶの電圧を印加し、基板の導電層が形成された面が前記ステージに対向される側に位置される場合は３ないし４ＫＶを印加する。ここで、前記上部ステージ上に弾性シートを形成することもできる。
【００４７】
図３Ｃに示すように、両ガラス基板１１、１３が静電吸着法で各ステージ１５、１６にローディングされた状態で前記上部ステージ１５を降下して前記第１ガラス基板１１と第２ガラス基板１３を合着するために加圧する（３７Ｓ）。この時加圧する方法は上部ステージ１５又は下部ステージ１６を直交方向に移動させて両基板を加圧し、この時ステージの移動速度及び圧力を可変して加圧する。即ち、第１ガラス基板１１の液晶１２と第２ガラス基板１３が接触される時点又は第１ガラス基板１１と第２ガラス基板のシール剤１４が接触される時点までは一定速度又は一定圧力でステージを移動させ、接触される時点から希望の最終圧力までは次第に段階別に圧力を上昇させる。
即ち、前記移動ステージの軸にロードセルが取り付けられて接触時点を認識し、接触される時点には０．１ｔｏｎ、中間段階では０．３ｔｏｎ、その次の段階では０．４ｔｏｎ又最終段階では０．５ｔｏｎの圧力で前記両ガラス基板１１、１３を合着する（図３Ｄ参照）
【００４８】
この時上部ステージは一つの軸によって基板を加圧したり、多数の軸を取り付けて各軸ごとに別のロードセルが取り付けられて各軸ごとに独立的に加圧するように取り付けられる。従って、前記下部ステージと上部ステージの水平が合わなくてシール剤が均一に合着されない場合には、該当部分の軸を相対的に更に高い圧力で加圧したり更に低い圧力で加圧してシール剤が均一に合着できるようにする。
【００４９】
加圧することで前記両基板の合着が完了されると、前記静電吸着法で吸着することを停止した後（ＥＳＣオフ）、図３Ｅに示すように前記上部ステージ１５を上昇させて上部ステージ１５を前記合着された両ガラス基板１１、１３から分離させる。その後、合着された両ガラス基板をアンロードさせる（３８Ｓ）。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置の製造方法によると、次のような効果がある。
第一、第１基板には液晶を滴下し第２基板にはシール剤を形成することで両基板を合着する前までの工程時間が短縮されてＬＣＤの生産性を向上させることができる。
第二、前記第１基板には液晶が滴下され、前記第２基板にはシール剤が塗布されて第１基板と第２基板の工程がバランスよく行われるので生産ラインを効率的に作動できる。
【００５１】
第三、前記第１基板には液晶が滴下され、第２基板には液晶が滴下されないので合着直前に洗浄装置（ＵＳＣ）で液晶が滴下されない基板（シール剤が塗布された基板）を洗浄することができるので、シール剤がパーティクルから汚染されることを最大に防ぐことができる。
第四、前記基板レシーバを基板下側に位置させ、合着機チャンバを真空状態にするから前記上部ステージに吸着された基板が落ちて基板が破損されることを防止することができる。
【００５２】
第五、両基板が接触される時点を認識して圧力を可変しながら両基板を合着するので滴下された液晶が配向膜に影響を与える損傷を最小化することができる。第六、前記上部ステージが各軸ごとに独立的に加圧できる多数の軸によって基板を加圧するので前記下部ステージと上部ステージとの水平が合わなくてシール剤が均一に合着されない場合該当部分の軸を相対的に更に高い圧力で加圧したり更に低い圧力で加圧してシール剤が均一に合着できる。
第七、合着機チャンバを真空するとき２回に亘って真空するのでチャンバの急真空を防止することができるので急真空による基板の変形及び流動を防止することができる。
【００５３】
以上本発明の好適な一実施形態に対して説明したが、前記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図１Ｂ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図１Ｃ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図１Ｄ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図１Ｅ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図１Ｆ】従来液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図２】本発明による概略的な液晶表示装置の工程順序図である。
【図３Ａ】本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図３Ｂ】本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図３Ｃ】本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図３Ｄ】本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図３Ｅ】本発明による液晶滴下方式の液晶表示装置の工程を示した模式的な断面図である。
【図４】本発明による合着工程順序図である。
【符号の説明】
１０  真空合着機チャンバ
１１，１３  ガラス基板
１２  液晶
１４  シール剤
１５  上部ステージ
１６  下部ステージ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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