(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス布にエポキシ樹脂、イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂の何れか１つを含浸させたガラス基板、もしくは、短繊維状のガラス糸を絡み合わせてシート状にしたものにエポキシ樹脂を含浸させたガラス不織布からなる絶縁基板の第１主面上に第１導体配線が設けられ、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面上に第２導体配線が設けられ、前記第１導体配線と前記第２導体配線とがスルーホールにより電気的に接続された配線基板において、前記絶縁基板は、前記スルーホールが設けられた部分が陥没していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基板は、前記第１主面側が陥没していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板は、前記第１主面側及び前記第２主面側が陥没していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
ガラス布にエポキシ樹脂、イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂の何れか１つを含浸させたガラス基板、もしくは、短繊維状のガラス糸を絡み合わせてシート状にしたものにエポキシ樹脂を含浸させたガラス不織布からなる絶縁基板の第１主面上に第１薄膜導体を形成するとともに、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面上に第２薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体及び前記第２薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程と、前記絶縁基板の陥没した領域内を開口する工程と、前記絶縁基板の開口部にスルーホールめっきを形成する工程と、前記第１薄膜導体をパターニングして第１導体配線を形成するとともに、前記第２薄膜導体をパターニングして第２導体配線を形成する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
ガラス布にエポキシ樹脂、イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂の何れか１つを含浸させたガラス基板、もしくは、短繊維状のガラス糸を絡み合わせてシート状にしたものにエポキシ樹脂を含浸させたガラス不織布からなる絶縁基板の一主面上に第１薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程と、前記絶縁基板の陥没した領域内を開口する工程と、前記絶縁基板の前記第１薄膜導体が形成された主面と対向する主面に第２薄膜導体を形成する工程と、前記絶縁基板の開口部にスルーホールめっきを形成する工程と、前記第１薄膜導体をパターニングして第１導体配線を形成するとともに、前記第２薄膜導体をパターニングして第２導体配線を形成する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１薄膜導体及び前記第２薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程は、前記絶縁基板の第１主面側から、柱状の押し込み治具を押し当てて陥没させることを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１薄膜導体及び前記第２薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程は、前記絶縁基板の第１主面側及び第２主面側のそれぞれから、柱状の押し込み治具を押し当てて陥没させることを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程は、柱状の押し込み治具を押し当てて陥没させることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁基板を所定の温度に過熱し軟化させ、前記押し込み治具を押し当てて陥没させることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁基板として半硬化状態の樹脂材料を用い、前記絶縁基板の所定位置を陥没させた後、前記樹脂材料を完全硬化させることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、特に、絶縁基板の両面に形成された導体配線がスルーホールで接続されている配線基板に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップ、あるいはＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid Array）などの半導体装置（半導体パッケージ）を実装するために用いられている配線基板は、絶縁基板上に導電性の配線パターン（以下、導体配線と称する）が形成されている。
【０００３】
近年、前記配線基板は、実装する半導体装置の高集積化、高機能化により、前記絶縁基板上に形成する導体配線の数が増加するとともに、前記配線基板の小型化により前記導体配線の配線密度が高くなってきており、前記導体配線を効率よく形成するために、例えば、前記絶縁基板の両面に導体配線を形成した両面配線基板や、前記絶縁基板の両面及び前記絶縁基板の内部にも配線層を形成した多層配線基板が利用されている。
【０００４】
前記絶縁基板の両面に導体配線を形成した両面配線基板に前記半導体装置を実装した電子装置は、例えば、図２３及び図２４に示すように、前記絶縁基板１上に複数個の半導体チップ、半導体装置あるいは抵抗素子やコンデンサなどの電子部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５が実装されており、前記絶縁基板１上には、前記各実装領域に実装された各電子部品の接続端子間を接続する導体配線や前記半導体チップあるいは半導体装置に直接信号あるいは電源電圧等を入出力するための導体配線（接続端子）が設けられている。このとき、例えば、図２５及び図２６に示したように、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ上に形成された第１導体配線２０１と前記第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂ上に形成された第２導体配線２０２をスルーホール２０３Ａにより接続することで、導体配線の数が増えた場合でも、配線長が短く効率のよい配線パターンにすることができる。
【０００５】
前記両面配線基板の製造方法を簡単に説明すると、まず、例えば、テープ状の絶縁基板１の第１主面１Ａ上及び第２主面１Ｂ上に、例えば、銅箔などの薄膜導体２Ａ，２Ｂを形成する。前記絶縁基板１は、例えば、ポリイミドテープや、ガラス布にエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂を含浸させたガラスエポキシ系基板などが用いられる。また、前記薄膜導体２Ａ，２Ｂは、例えば、電解銅箔や圧延銅箔を接着する方法や、前記絶縁基板１上にスパッタリング等で銅を薄く堆積させる方法で形成される。
【０００６】
次に、図２７（ａ）に示すように、前記薄膜導体２Ａ，２Ｂが形成された絶縁基板１の所定位置にビア穴１Ｃを形成する。前記ビア穴１Ｃは、例えば、金型による打ち抜き加工や、炭酸ガスレーザあるいはエキシマレーザ等を照射するレーザ加工により形成される。
【０００７】
次に、例えば、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側及び前記第２主面１Ｂ側の各薄膜導体２Ａ，２Ｂ上に銅めっき層（パターンめっき）２０３を形成した後、図２７（ｂ）に示すように、前記パターンめっき２０３及び各薄膜導体２Ａ，２Ｂをエッチング処理して第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成する。またこのとき、前記パターンめっき２０３は前記ビア穴１Ｃの内壁にも形成されており、前記ビア穴１Ｃ内に形成された部分がスルーホール２０３Ａとなる。
【０００８】
前記銅めっき層（パターンめっき）２０３は、まず、無電解めっき法を用いて前記ビア穴１Ｃの内壁及び前記薄膜導体２Ａ，２Ｂの表面に、銅めっき層（図示しない）などの薄膜導体を薄く形成した後、例えば、無電解めっき法あるいは電気めっき法を用いて約７μｍから８μｍ程度の厚さの銅めっき層２０３を形成する。
【０００９】
無電解めっき法を用いて前記ビア穴の内壁に薄い銅めっき層を形成する工程は、まず、めっき処理の前工程として、例えば、前記ビア穴１Ｃの内壁に、前記金型による打ち抜き加工の際の破断やかえり、あるいは前記金型と前記絶縁基板の摩擦により発生した樹脂汚れ、もしくはレーザ加工の際に残留した樹脂などの樹脂スミア（汚れ）を除去する工程（デスミア）の後、無電解めっき法で用いる触媒（パラジウム金属）を付着させるために前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂの表面の皮膜を除去する工程を行い、前記ビア穴及び前記薄膜導体の表面処理を行う。
【００１０】
その後、前記ビア穴１Ｃの内壁及び前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂの表面に、無電解めっきの触媒として、例えば、Ｐｄ−Ｓｎ合金などのパラジウム金属のコロイド粒子を吸着させ、前記コロイド粒子の表面を除去して触媒活性種として機能する合金核を露出させた後、めっき浴に浸し、パラジウム（Ｐｄ）を触媒として前記ビア穴１Ｃの内壁及び前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂの表面に銅（Ｃｕ）を析出させる。
【００１１】
次に、前記銅めっき層２０３上に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっきを下地として金（Ａｕ）めっきを積層させためっき層３を形成する。このとき、前記パターンめっき２０３及びスルーホール２０３Ａの表面には、例えば、厚さ約３μｍのニッケルめっき層及び厚さ約０．１μｍの金めっき層を積層させる。
【００１２】
またこのとき、前記めっき層３は、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の酸化による電気的特性の劣化の防止や、実装する半導体チップあるいは半導体装置の接続端子との接続性を向上させるために設けられ、例えば、前記ニッケルめっき層と金めっき層を積層させためっき層３の他に、例えば、錫（Ｓｎ）めっきや錫鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金などのめっき層が用いられる。
【００１３】
また、前記手順の他に、例えば、前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂをエッチング処理する前に前記めっき層３を形成し、前記めっき層３をエッチングマスクとして前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂをエッチングする方法もある。この場合、エッチング処理の際に前記めっき層３の下部がアンダーカットされて、オーバーハングが生じるため、エッチング処理の後にヒュージングを行う。このときのめっき層３には、例えば、錫（Ｓｎ）めっきや錫鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）合金などのめっき層が用いられる。
【００１４】
その後、前記絶縁基板１上の第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２の所定領域上にソルダーレジスト７を形成し、半導体装置や抵抗素子、容量素子等の電子部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５を実装すると、図２３及び図２４に示したような電子装置を得ることができる。このとき、例えば、図２４に示したように、バンプ６を用いて半導体チップＣ３の外部端子Ｃ３Ａと前記第１配線導体２０１を接続したときには、前記半導体チップＣ３と前記配線基板の間に封止絶縁体８を流し込んでアンダーフィル封止をする。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記絶縁基板１として、ガラスエポキシ系の基板を用いた場合には、図２８（ａ）及び図２８（ｂ）に示すように、繊維状のガラス糸１０１を織ったガラス布にエポキシ系樹脂１０２を含浸させているため、例えば、金型による打ち抜き加工で前記ビア穴１Ｃを形成した際に、前記ガラス糸１０１がきれいに切断されずに、図２９（ａ）及び図２９（ｂ）に示すように、前記ガラス糸の先端１０１Ａが前記ビア穴１Ｃ内に突出して残る場合や、前記エポキシ系樹脂１０２の内部で折れて前記ビア穴１Ｃの内壁に小さい空洞ができる場合が多い。
【００１６】
前記ビア穴１Ｃの内壁からガラス糸の先端１０１Ａが突出していたり、ビア穴１Ｃの内壁に小さい空洞ができていると、無電解めっき法を用いて前記ビア穴１Ｃの内壁に薄い銅めっき層を形成し、銅めっき層２０３を形成するときに、図３０に示したように、突出したガラス糸の先端１０１Ａにより前記スルーホールめっき２０３Ａに穴（ピンホール）が開いたり、前記ビア穴１Ｃの内壁の空洞部分に空気が残ってしまう。このようにピンホールができたり空洞内に空気が残ってしまうと、その後の工程で前記めっき層３を形成するときなどに、前記スルーホールめっき２０３Ａやめっき層３Ａに割れが生じたり前記スルーホールめっき２０３Ａが剥離して、前記スルーホール２０３Ａの接続信頼性が低下するという問題があった。
【００１７】
また、前記ガラスエポキシ系の基板を用いた場合に限らず、例えば、ポリイミドテープなどの単一材料の基板を用いた場合でも、金型による打ち抜き加工で前記ビア穴１Ｃを形成したときに、破断やかえり、あるいは前記金型と前記ポリイミドテープの間の摩擦で前記ビア穴１Ｃの内壁にスミアが発生するため、無電解めっきを行う前の表面処理の際に前記スミアを十分に除去できていないと、無電解銅めっき層にピンホールや割れが生じて前記スルーホール２０３Ａの接続信頼性が低下するという問題があった。
【００１８】
また、例えば、前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂを形成した絶縁基板１にビア穴１Ｃを形成した後、スルーホールめっき２０３Ａを形成する際に、無電解めっき法を用いて前記ビア穴１Ｃの内壁に薄い銅めっき層を形成する工程が必要であり、前記ビア穴１Ｃの内壁及び前記薄膜導体２Ａ，２Ｂの表面処理を行う工程や、触媒を付与する工程が増えるとともに、各工程で使う材料（薬品）の種類が多くなるため、前記両面配線基板の製造コストが増大するという問題があった。
【００１９】
本発明の目的は、絶縁基板の両面に導体配線が形成され、前記導体配線がスルーホールにより接続された配線基板において、前記スルーホールの接続信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、絶縁基板の両面に導体配線が形成され、前記導体配線がスルーホールにより接続された配線基板において、前記配線基板の製造工程を簡単にすることが可能な技術を提供することにある。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００２３】
（１）絶縁基板の第１主面上に第１導体配線が設けられ、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面上に第２導体配線が設けられた配線基板において、前記絶縁基板は、所定位置が陥没しており、前記陥没した部分で前記第１導体配線と前記第２導体配線が電気的に接続されている配線基板である。
【００２４】
前記（１）の手段によれば、前記第１導体配線と前記第２導体配線が電気的に接続される部分、例えば、スルーホールを設ける部分の前記絶縁基板が陥没して薄くなっているため、前記スルーホールを設けるために開口したビア穴の内壁にスミアが発生しにくい。そのため、前記スルーホールに前記スミアによるピンホールや割れが生じにくく、前記スルーホールを介した前記第１導体配線と前記第２導体配線の接続信頼性が低下することを防げる。
【００２５】
また、前記（１）の手段では、例えば、陥没させた部分の前記絶縁基板の厚さを薄くしていくと、前記絶縁基板の第１主面と第２主面が接触して開口する。その場合には、前記スルーホールを用いることなく、前記第１導体配線と前記第２導体配線を直接接続でき、スルーホールを介した場合に比べて接続信頼性が向上する。
【００２６】
また、前記（１）の手段において、前記絶縁基板は第１主面側のみが陥没していてもよいし、前記第１主面側及び前記第２主面側の両面が陥没していてもよい。前記絶縁基板の第１主面側及び前記第２主面側の両面が陥没している場合、同じ厚さの絶縁基板で見ると、前記第１主面側のみが陥没している場合よりも、陥没している部分の深さが浅くでき、陥没させる部分の面積を小さくすることができる。そのため、前記スルーホールを設ける部分の面積を小さくでき、前記配線基板の小型化させる、あるいは配線密度を増加させることができる。また、前記第１導体配線あるいは第２導体配線の前記陥没している部分の外周部での変形によるストレス（応力）が小さくなり、クラックによる断線などが防げる。
【００２７】
また、前記スルーホールが設けられた部分の前記絶縁基板の厚さが薄くなっているため、前記絶縁基板の板厚方向に対する熱膨張の度合いが小さくなる。そのため、前記絶縁基板の熱膨張によりスルーホールにかかる負荷がなくなり、前記導体配線の表面に設けられる前記めっき層により前記スルーホールを設けることができる。そのため、前記スルーホールを設ける際に必要となるビア穴を開口するときの穴径を小さくすることができ、前記スルーホールを設ける部分の面積を小さくし、前記配線基板を小型化させる、あるいは配線密度を増加させることができる。またこのとき、前記導体配線の表面に設けられる前記めっき層は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき層及び金（Ａｕ）めっき層を積層させたものなどが用いられる。
【００２８】
また、前記（１）の手段によれば、前記絶縁基板の前記スルーホールが設けられた部分が陥没しており、前記スルーホールを設けた部分の厚さが、前記スルーホールを設けた部分の外側の領域の厚さよりも薄くなっているため、無電解めっき法を用いて前記ビア穴の内壁に導電性の薄いめっき層を設けることなく前記スルーホールを設けることができるため、製造工程及び使用する材料（薬品）を少なくし、前記配線基板の製造コストを低減させることができる。
【００２９】
また、前記絶縁基板として、例えば、ガラスエポキシ系基板のように、エポキシ系樹脂の内部に繊維状のガラス糸が設けられている基板を用いた場合には、前記スルーホールを設けるビア穴内に前記ガラス糸が突出することを防げ、前記スルーホールにピンホールや割れが発生することを防げる。そのため、前記スルーホールを介した接続信頼性を向上させることができる。
【００３０】
（２）絶縁基板の第１主面上に第１薄膜導体を形成するとともに、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面上に第２薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体及び前記第２薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程と、前記絶縁基板の陥没した領域内を開口する工程と、前記絶縁基板の開口部にスルーホールめっきを形成する工程と、前記第１薄膜導体をパターニングして第１導体配線を形成するとともに、前記第２薄膜導体をパターニングして第２導体配線を形成する工程とを備える配線基板の製造方法である。
【００３１】
前記（２）の手段によれば、前記絶縁基板の開口する領域を陥没させておくことにより、前記絶縁基板を開口したときに、前記第１薄膜導体と前記第２薄膜導体の距離が近くなる。そのため、前記スルーホールめっきを形成する工程において、従来のように、無電解めっき法を用いて前記開口部の内壁に銅めっき層を形成することなく前記スルーホールを形成することができ、前記配線基板の製造工程を簡単することができ、製造コストを低減させることができる。このとき、前記スルーホールめっきを形成する工程と前記第１導体配線及び前記第２導体配線を形成する工程は、製造方法により順序を入れ替えることができ、例えば、電気めっき法を用いて前記スルーホールめっきを形成した後、前記第１導体配線及び前記第２導体を形成する方法や、前記第１導体配線及び前記第２導体配線を形成した後、前記第１導体配線及び前記第２導体配線の表面に形成するめっき層と同時に前記スルーホールめっきを形成する方法などが考えられる。
【００３２】
また、前記絶縁基板を陥没させることにより、前記ビア穴周辺での前記絶縁基板の板厚方向に対する熱膨張の度合いが小さくなる。そのため、前記絶縁基板の熱膨張により前記スルーホールにかかる負荷を低減でき、従来の電気銅めっき層を形成する工程を省略し、前記配線基板の製造コストを低減させることができる。
【００３３】
前記第１導体配線及び前記第２導体配線の表面に形成するめっき層と同時に前記スルーホールめっきを形成する場合、前記スルーホールめっきは、例えば、ニッケルめっきを下地として金めっきを積層させて形成するのが好ましい。
【００３４】
また、前記絶縁基板の開口する部分を陥没させて薄くすることにより、例えば、金型による打ち抜き加工やレーザ加工で開口する際に、前記開口部の内壁にスミアが発生しにくくなり、前記スルーホールめっきを形成したときに前記スミアによるピンホールや割れが生じない。そのため、前記スルーホールめっきを介した接続信頼性を向上させることができる。
【００３５】
また、前記各薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる方法には、例えば、前記第１主面側から柱状の押し込み治具を押し当てる方法や、前記第１主面側及び前記第２主面側のそれぞれから押し込み治具を押し当てる方法がある。このとき、前記押し込み治具を押し当てることにより、前記押し込み治具が接触した部分の絶縁基板が外側に押し出されることにより、前記絶縁基板は陥没する。また、前記絶縁基板をガラス転移温度Ｔｇ付近に加熱して軟化させておくことにより、絶縁体（絶縁基板）の流動性が高くなるため、前記押し込み治具を押し当てたときに、前記絶縁体を押し出しやすくなり、弱い力で陥没させることができる。
【００３６】
また、前記絶縁基板を陥没させる方法は、前記絶縁基板を加熱して軟化させた状態で前記押し込み治具を押し当てる方法の他に、例えば、前記絶縁基板に、硬化反応の中間段階の熱硬化性樹脂（Ｂステージ樹脂）、を用い、前記押し込み治具で所定位置を陥没させた後、前記Ｂステージ樹脂を完全硬化させる方法も考えられる。この場合、前記Ｂステージ樹脂は、硬化反応の中間段階で流動性が高いため、加熱する必要もなく、容易に陥没させることができる。前記Ｂステージ樹脂には、例えば、エポキシ形樹脂が用いられる。
【００３７】
また、前記絶縁基板として、例えば、ガラスエポキシ系などの内部に繊維状のガラス糸が設けられている基板を用いた場合には、前記金型を押し当てて前記絶縁基板を陥没させる際に、前記金型が当たる部分にある前記ガラス糸が、前記金型の先端部の球面に沿って前記陥没させた領域の外側に押し出されるため、前記陥没した領域内を開口したときに、前記開口部内にガラス糸が突出することがない。そのため、前記開口部内に突出したガラス糸（ガラスバリ）により前記スルーホールにピンホールや割れが発生することを防げ、前記スルーホールを介した接続信頼性を向上させることができる。
【００３８】
（３）絶縁基板の一主面上に第１薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程と、前記絶縁基板の所定位置を陥没させた後、前記絶縁基板の前記第１薄膜導体が形成された主面と対向する主面に第２薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体をパターニングして第１導体配線を形成するとともに、前記第２薄膜導体をパターニングして第２導体配線を形成する工程とを備える配線基板の製造方法である。
【００３９】
前記（３）の手段によれば、前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させた後に、前記第２薄膜導体を形成するため、前記絶縁基板に前記第２薄膜導体を形成する工程で前記絶縁基板の表面処理（研磨）をしたときに、前記陥没した部分の第１薄膜導体が露出し、前記第２薄膜導体を形成したときに、前記陥没した部分で前記第１薄膜導体と前記第２薄膜導体が直接接触する。そのため、従来のように、前記ビア穴を形成し、スルーホールめっきを形成することなく、前記第１導体配線及び前記第２導体配線を電気的に接続することができ、前記配線基板の製造工程を少なくして配線基板の製造コストを低減させることができる。
【００４０】
また、前記（３）の手段においても、前記（２）の手段と同様に、前記絶縁基板を、例えば、ガラス転移温度Ｔｇ付近に加熱し軟化させた状態で前記金型を押し当て加圧することにより、前記絶縁基板を容易に陥没させることができる。
【００４１】
また、前記絶縁基板を陥没させる方法は、前記絶縁基板を加熱して軟化させた状態で前記押し込み治具を押し当てる方法の他に、例えば、前記絶縁基板に、硬化反応の中間段階の熱硬化性樹脂（Ｂステージ樹脂）、を用い、前記押し込み治具で所定位置を陥没させた後、前記Ｂステージ樹脂を完全硬化させる方法も考えられる。
【００４２】
（４）絶縁基板の一主面上に第１薄膜導体を形成する工程と、前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させる工程と、前記絶縁基板の陥没した領域内を開口する工程と、前記絶縁基板の陥没した領域内を開口した後、前記絶縁基板の前記第１薄膜導体が形成された主面と対向する主面の第２薄膜導体及び前記絶縁基板の開口部のスルーホールめっきを形成する工程と、前記第１薄膜導体をパターニングして第１導体配線を形成するとともに、前記第２薄膜導体をパターニングして第２導体配線を形成する工程とを備える配線基板の製造方法である。
【００４３】
前記（４）の手段によれば、前記第１薄膜導体が形成された絶縁基板の所定位置を陥没させておくことにより、前記絶縁基板を開口してビア穴を形成したときに前記ビア穴の内壁にスミアが発生しにくくなり、前記（２）の手段と同様に、前記スルーホールめっきを形成したときに、前記スミアにより接続信頼性が低下することを防げる。
【００４４】
また、前記（４）の手段のように、前記絶縁基板の所定位置を陥没させた後、前記陥没させた領域内にビア穴を形成することにより、前記第２薄膜導体を形成したときに、前記第２薄膜導体と前記第１薄膜導体の接触面積を均一にすることができ、前記（３）の手段に比べ、前記第１導体配線と前記第２導体配線の接続信頼性、前記配線基板の電気的特性を向上させることができる。
【００４５】
また、前記（４）の手段においても、前記（２）の手段と同様に、前記絶縁基板を、例えば、ガラス転移温度Ｔｇ付近に加熱し軟化させた状態で前記金型を押し当て加圧することにより、前記絶縁基板を容易に陥没させることができる。
【００４６】
また、前記絶縁基板を陥没させる方法は、前記絶縁基板を加熱して軟化させた状態で前記押し込み治具を押し当てる方法の他に、例えば、前記絶縁基板に、硬化反応の中間段階の熱硬化性樹脂（Ｂステージ樹脂）、を用い、前記押し込み治具で所定位置を陥没させた後、前記Ｂステージ樹脂を完全硬化させる方法も考えられる。
【００４７】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００４８】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００４９】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
図１乃至図４は、本発明による実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線基板全体の平面図、図２は図１の領域Ｘの部分拡大平面図、図３は図２のＡ−Ａ’線での断面図であり、図４は図３のスルーホール周辺の部分拡大図である。
【００５０】
図１、図２、図３、及び図４において、１は絶縁基板、１Ａは絶縁基板の第１主面、１Ｂは絶縁基板の第２主面、１Ｃは開口部（ビア穴）、２０１は第１導体配線、２０２は第２導体配線、３はめっき層、３Ａはスルーホール（スルーホールめっき）、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５はそれぞれ電子部品を搭載する領域、Ｔ１は絶縁基板の厚さ、Ｔ２は絶縁基板のスルーホールが設けられた部分の厚さである。
【００５１】
本実施例１の配線基板は、図１、図２、及び図３に示すように、絶縁基板１の第１主面１Ａ上に第１導体配線２０１が設けられ、前記絶縁基板１の前記第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂ上に第２導体配線２０２が設けられた両面配線基板であり、前記第１導体配線２０１と前記第２導体配線２０２は、所定位置に設けられたビア穴１Ｃの内壁に設けられたスルーホールめっき３Ａにより電気的に接続されている。また、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面には、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の酸化防止や、電子部品の接続性をよくするためのめっき層３が設けられており、本実施例の配線板では、前記めっき層３の前記ビア穴１Ｃの内壁に設けられた部分がスルーホール３Ａとなっている。
【００５２】
また、本実施例１の配線基板において、前記絶縁基板１は、例えば、ガラスエポキシ系基板やポリイミド基板などであり、図３及び図４に示すように、前記スルーホール３Ａが設けられた部分、言い換えると、ビア穴１Ｃが設けられた部分が陥没している。なお、図３及び図４では、構成をわかりやすくするため、前記絶縁基板１の陥没した部分の厚さを強調して示しているが、実際には、前記スルーホール３Ａが設けられた部分の外側、言い換えると、前記絶縁基板１の本来の厚さＴ１は約０．１ｍｍから０．３ｍｍであり、前記スルーホール３Ａが設けられた部分の厚さＴ２は０．０５ｍｍ以下であるとする。
【００５３】
また、本実施例１の配線基板では、前記第１導体配線２０１と前記第２導体配線２０２とを電気的に接続するスルーホール３Ａは、図３及び図４に示したように、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面に設けられた前記めっき層３と同一の材料（めっき層）からなり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっきを下地として金（Ａｕ）めっきを積層させたものである。また、前記めっき層３及び前記スルーホール３Ａの厚さは、例えば、前記ニッケルめっき層が約３μｍ、前記金めっき層が約０．１μｍである。なお、図３及び図４では、前記スルーホール３Ａが設けられた部分の構成をわかりやすくするために、前記絶縁基板１の厚さ、前記第１配線導体２０１及び前記第２配線導体２０２の厚さ、及び前記めっき層３の厚さを実際の厚さとは変えて示している。
【００５４】
本実施例１の配線基板は、例えば、半導体チップ、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid Array）等の半導体装置（半導体パッケージ）、コンデンサや抵抗等の電子部品を実装してマルチチップモジュール（ＭＣＭ）のような電子装置を製造するための配線基板であり、前記各電子部品の接続端子は、図１に示した各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５内で前記第１導体配線２０１と接続される。
【００５５】
また、前記第１導体配線２０１は、図１に示すように、前記各電子部品同士の端子間の接続用、あるいは前記各電子部品に電源電圧や入力信号の印加、または出力用の外部端子として用いられるが、実装する電子部品の端子数が多く配線数が増加した場合には、例えば、図２及び図３に示したように、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂ上に第２導体配線２０２を設けて効率のよい配線パターンとしている。
【００５６】
図５乃至図７は、本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は本実施例１の配線基板の製造に用いる両面銅箔付きのテープ材料の模式平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’線での模式断面図、図６（ａ）は本実施例１の配線基板の一製造工程の模式平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ’線での模式断面図、図７（ａ）、図７（ｂ）はそれぞれ、各製造工程での模式断面図で、図６（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図に相当する。また、図５乃至図７において、２Ａは第１薄膜導体、２Ｂは第２薄膜導体、２Ａ’はバリ、４０１は平板、４０２は押し込み治具、５０１は下金型（ダイ）、５０２は上金型（パンチ）、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３はそれぞれ、ビア穴を形成する位置である。
【００５７】
以下、図５乃至図７に沿って、本実施例１の配線基板の製造方法について説明する。
【００５８】
まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すような、絶縁基板１の第１主面１Ａ上に第１薄膜導体２Ａを形成し、前記絶縁基板１の第１主面と対向する第２主面１Ｂ上に第２薄膜導体２Ｂを形成した両面銅張積層板を準備する。
【００５９】
本実施例１の配線基板では、前記両面銅張積層板として、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板のようなガラス布基材銅張積層板を用い、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、繊維状のガラス糸１０１を織ったガラス布を基材とし、前記ガラス布にエポキシ樹脂１０２を含浸させた前記絶縁基板１（ガラスエポキシ系基板）の第１主面１Ａ及び第２主面１Ｂのそれぞれに銅箔等の薄膜導体２を接着したものを準備する。このとき、前記絶縁基板１の厚さは約０．３ｍｍであるものとする。
【００６０】
なお、本実施例１では、前記ガラス糸１０１を織ったガラス布基材にエポキシ樹脂１０２を含浸させたガラスエポキシ系の絶縁基板１を用いているが、この他にも、例えば、前記ガラス布にイミド樹脂、ＢＴ樹脂（Bismaleimide Triazine樹脂）、ＰＰＥ樹脂（Poly Phenylene Ethel樹脂）等を含浸させたガラス布基材のものや、前記ガラス布の代わりに短繊維状のガラス糸を絡み合わせてシート状にしたものにエポキシ樹脂１０２等を含浸させたガラス不織布を基材としたものなどが用いられる。また、その他にも、基材として紙を用いたものや、ポリイミド樹脂などの内部に基材を持たない単一材料のもの用いられる。
【００６１】
次に、例えば、図６（ａ）に示すような、前記絶縁基板１の両主面に第１薄膜導体２Ａ及び第２薄膜導体２Ｂを形成した前記両面銅張積層板の所定位置、言い換えると、ビア穴を開口する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３を陥没させる。
【００６２】
このとき、例えば、前記両面銅張積層板を、図６（ｂ）に示すように、平板状の金型４０１上に配置し、例えば、先端部４０２Ａが半球状に加工された金型（押し込み治具）４０２を、前記ビア穴を開口する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３のそれぞれに押し当て加圧することにより、前記押し込み治具４０２の下部のエポキシ樹脂１０２が外側に押し出されて陥没する。
【００６３】
このとき、前記絶縁基板１としてガラスエポキシ系基板を用いた場合には、例えば、前記ガラスエポキシ系基板１の温度を１７０度から１８０度に加熱して、例えば、１００ＭＰａ程度の圧力で前記押し込み治具４０２を押し込み陥没させる。また、前記押し込み治具４０２を用いて陥没させた各位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３部分の前記絶縁基板１の厚さは約０．０５ｍｍ、もしくはそれ以下になるようにする。
【００６４】
また、このとき、前記両面銅張積層板を所定の温度、例えば、前記エポキシ樹脂１０２のガラス転移温度付近である１７０℃から１８０℃に加熱しておくことにより、前記エポキシ樹脂１０２が軟化し、流動性が高くなるため、前記押し込み治具４０２を押し込んだときに、容易に前記エポキシ樹脂１０２を押し出して陥没させることができる。
【００６５】
また、前記押し込み治具４０２を用いて陥没させる各位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は、前記図１あるいは図２に示したような、スルーホール３Ａ、言い換えると、前記スルーホール３Ａを形成するためのビア穴１Ｃを形成する位置であるため、図６（ａ）に示すように、例えば、位置Ｂ１のように前記ガラス糸１０１が無い領域、位置Ｂ２のように部分的に前記ガラス糸１０１にかかる場合、あるいは位置Ｂ３のように前記ガラス糸１０１上にある場合が出てくる。そこで、例えば、図６（ｂ）に示したように、前記押し込み治具４０２の先端部４０２Ａを半球状に加工しておくと、図６（ａ）に示した各位置Ｂ２，Ｂ３のように、前記絶縁基板１内のガラス糸１０１上に前記押し込み治具４０２を押し当てたときに、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示したように、前記ガラス糸１０１が前記押し込み治具４０２の先端部４０２Ａの球面に沿って前記押し込み治具４０２の外側、言い換えると、前記陥没させる位置Ｂ２，Ｂ３の外側に押し出される。そのため、前記絶縁基板１の陥没した位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は、図６（ａ）に示したように、前記ガラス糸１０１がなく、前記エポキシ樹脂１０２のみの状態になる。
【００６６】
次に、図７（ａ）に示すように、例えば、所定位置が開口された下金型（ダイ）５０１上に、前記押し込み治具で所定位置を陥没させた前記両面銅張積層板を配置して、前記陥没した位置と前記下金型５０１の開口部の位置合わせをした後、上金型（パンチ）５０２を下降させて前記両面銅張積層板（絶縁基板１）の陥没した領域内にビア穴１Ｃを形成する。このとき、前記絶縁基板１の前記ビア穴１Ｃを形成する部分の厚さが約０．０５ｍｍと非常に薄いため、前記上金型５０２を用いて打ち抜いたときに生じる前記第１薄膜導体２Ａのバリ２Ａ’により、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側の第１薄膜導体２Ａと前記第２主面１Ｂ側の第２薄膜導体２Ｂが部分的に接触した状態になる。
【００６７】
また、前記絶縁基板１の前記ビア穴１Ｃを形成する領域を薄くすることにより、弱い力で打ち抜き加工をできるとともに、前記絶縁基板１と前記上金型５０２の摩擦により前記ビア穴１Ｃの内壁にスミアが発生することを防げる。また、本実施例１のように前記絶縁基板１としてガラスエポキシ系の基板を用いた場合、図６（ａ）に示すように、前記押し込み治具４０２を用いて陥没させたときに、前記ガラス糸１０１を、前記ビア穴１Ｃを形成する領域の外側に押し出しているため、前記ビア穴１Ｃを形成したときに、図２９（ａ）及び図２９（ｂ）に示したように、前記ビア穴１Ｃ内に前記ガラス糸１０１が突出してバリになったり、前記ガラス糸１０１が内部で折れて空洞ができたりすることを防げる。
【００６８】
また、前記ビア穴１Ｃを形成する工程は、前記上金型５０２、下金型５０２を用いた打ち抜き加工により形成する方法に限らず、例えば、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等を用いたレーザ加工により形成してもよい。
【００６９】
次に、図７（ｂ）に示すように、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂ上に、配線パターン形成用のレジスト膜（図示しない）を形成し、前記レジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い、第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成する。
【００７０】
その後、前記レジスト膜を除去して、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線の表面にめっき層３を形成する。このとき、前記めっき層３は前記ビア穴１Ｃの内壁にもスルーホールめっき３Ａとして形成され、図３に示したような前記スルーホール３Ａ部分が陥没した配線基板を得ることができる。前記めっき層３及び前記スルーホール３Ａは、例えば、前記無電解めっき法、あるいは電解めっき法などを用いてニッケルめっき層と金めっき層を積層させたものであり、前記ニッケルめっき層は約３μｍ程度の厚さに、前記金めっき層は約０．１μｍ程度の厚さに形成される。
【００７１】
図８は、本実施例１の配線基板の作用効果を説明するための模式図であり、図８（ａ）は本実施例１の配線基板のスルーホール周辺の拡大断面図、図８（ｂ）は従来の配線基板のスルーホール周辺の拡大断面図である。
【００７２】
従来の配線基板は、図８（ｂ）に示すように、スルーホールを設ける部分、言い換えるとビア穴１Ｃを形成する部分の板厚が０．３ｍｍ程度あるため、無電解めっき法を用いて、前記ビア穴１Ｃの内壁に薄い銅めっき層を形成してから行わなければ、前記ビア穴１Ｃの内壁の絶縁領域にスルーホールめっき２０３Ａを形成できなかったが、本実施例１のように、前記ビア穴１Ｃ部分の板厚を薄くしておくことにより、図７（ａ）に示したような第１薄膜導体２Ａのバリ２Ａ’を利用して前記ビア穴１Ｃ内にスルーホール３Ａを形成することができる。そのため、従来のように無電解銅めっきを形成する工程を省略でき、製造コストを低減させることができる。
【００７３】
また、従来の配線基板では、前記ビア穴１Ｃを形成する部分の板厚が０．３ｍｍ程度あり、前記絶縁基板１が板厚方向に熱膨張した際に前記スルーホールめっき２０３Ａにかかる応力が大きくなり、前記スルーホールめっき２０３Ａに割れやはがれが生じやすいため、例えば、約７μｍから８μｍの厚さの銅めっき層２０３Ａを形成してスルーホールとしていたが、本実施例１の配線基板のように、前記ビア穴を形成した部分の前記絶縁基板１の厚さを０．０５ｍｍ程度と非常に薄くすることにより、例えば、前記ガラスエポキシ系基板の板厚方向の熱膨張による影響を受けにくくすることができる。そのため、従来のように、無電解銅めっき及び電気めっきを行ってスルーホールめっきを厚くしなくても、前記絶縁基板１の板厚方向の熱膨張による接続信頼性の低下を防ぐことができる。
【００７４】
また、図８（ａ）に示した、本実施例１の配線基板のように、前記ビア穴１Ｃを形成する部分の厚さを薄くすることにより、熱膨張の影響を受けにくいため、例えば、従来の配線基板のように、銅めっき層２０３を形成することなく、前記めっき層３でスルーホールめっき３Ａを形成できる。そのため、本実施例１の配線基板のビア穴１Ｃの直径ｄ１を、図８（ｂ）に示した従来の配線基板のビア穴１Ｃの直径ｄ３に比べて小さくできる。また、前記ビア穴１Ｃの直径を小さくできるため、前記スルーホールを形成するのに必要な領域ｄ２を従来のスルーホールを形成する領域ｄ４よりも小さくでき、配線の微細化、配線密度の高密度化、配線基板の小型化ができる。
【００７５】
図９及び図１０は、本実施例１の配線基板を用いた電子装置の概略構成を示す模式図であり、図９は電子装置の模式平面図、図１０は図９のＤ−Ｄ’線での模式断面図である。
【００７６】
図１に示したような、本実施例１の配線基板は、例えば、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）等の電子装置の製造に用いられ、図９及び図１０に示すように、複数個の半導体チップ、半導体パッケージ等の電子部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５を前記配線基板上の各領域に搭載して、例えば、前記半導体チップＣ３の接続端子Ｃ３Ａと前記第１導体配線２０１を、例えば、金バンプ６により接続し、前記第１導体配線２０１、及び前記第１導体配線２０１と前記スルーホール２０３Ｂで接続された前記第２導体配線２０２により、搭載された各電子部品間で信号の入出力を行い、一つのまとまった機能を持たせている。
【００７７】
このとき、例えば、前記配線基板１の第１主面上の前記電子部品を搭載する領域の外部及び前記第２主面には、例えば、ソルダーレジストのような配線保護膜（永久マスク）７を形成し、前記各電子部品と前記配線基板の間には、例えば、エポキシ系樹脂のような熱硬化性樹脂８を流し込んでアンダーフィル封止する。
【００７８】
以上説明したように、本実施例１によれば、絶縁基板１の両主面に薄膜導体が形成された両面銅張積層板の所定位置にビア穴１Ｃを形成する前に、前記ビア穴１Ｃを形成する位置を陥没させることにより、前記ビア穴１Ｃを形成する部分の絶縁基板１が薄くなるため、前記ビア穴１Ｃを形成したときに、前記ビア穴１Ｃの内壁にスミアが発生することを防げる。そのため、前記ビア穴１Ｃに前記スルーホールめっき２０３Ｂを形成したときに、前記スミアによるめっき不良が防げ、前記スルーホール２０３Ｂの接続信頼性を向上させることができる。
【００７９】
また、前記ビア穴１Ｃを形成する位置に、例えば、前記押し込み治具４０２を前記両面銅張積層板に押し当て、加圧することにより、前記絶縁基板１を前記押し込み治具４０２の外側に押し出しながら容易に陥没させることができる。また、前記絶縁基板１を所定の温度、例えば、前記絶縁基板１を構成する絶縁体のガラス転移温度付近に加熱することにより、前記絶縁体が軟化し流動性が高くなるため、前記押し込み治具４０２を押し込んだときに弱い力で容易に陥没させることができる。
【００８０】
また、本実施例１の配線基板のように、ガラス布にエポキシ樹脂１０２を含浸させたガラスエポキシ系の絶縁基板１を用いた場合でも、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示したように、前記押し込み治具４０２を用いてビア穴１Ｃを形成する位置のガラス糸１０１を外側に押し出すことにより、ビア穴１Ｃを形成した時に、前記ビア穴１Ｃ内にガラスバリが残るのを防げる。そのため、前記ビア穴１Ｃ内にスルーホールめっき２０３Ｂを形成するときに、前記ガラスバリによりピンホールが開いたり割れが生じたりするのを防げ、前記スルーホール２０３Ｂの接続信頼性を向上させることができる。
【００８１】
また、前記ビア穴１Ｃを形成する位置の外側にガラス糸１０１を押し出しているため、前記スルーホールめっき２０３を形成したときに、前記めっき導体が前記ガラス糸１０１に沿って析出するマイグレーションが起きにくく、導体配線間のショートによる電気的な信頼性の低下を防げる。
【００８２】
また、前記絶縁基板１を陥没させて薄くすることにより、前記ビア穴１Ｃを形成したときにできる薄膜導体（銅箔）のバリ２’により、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側の薄膜導体２Ａと前記第２主面１Ｂ側の薄膜導体２Ｂが部分的に接触した状態になり、従来のように、無電解めっき法を用いてあらかじめ前記ビア穴１Ｃの内壁に薄いめっき層を形成しなくても、前記バリ２’の部分からめっき層が成長して前記ビア穴１Ｃの内壁にスルーホールめっき２０３Ｂを形成することができる。そのため、前記配線基板の製造工程を少なくすることができる。
【００８３】
また、前記絶縁基板１を陥没させて薄くすることにより、前記ビア穴１Ｃの周辺での絶縁基板１の熱膨張が小さくなり、前記絶縁基板１の板厚方向の熱膨張により前記スルーホール２０３Ｂにかかる負荷が小さくなるため、例えば、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面に形成するめっき層２０３Ａによりスルーホール接続をすることができる。この場合、従来のように、厚さ７μｍから８μｍの銅めっき層でスルーホール接続をしなくてよいため、配線基板の製造工程を少なくすることができ、製造コストを低減させることができる。
【００８４】
また、前記実施例１の配線基板では、前記絶縁基板１として、ガラス布にエポキシ系樹脂１０２を含浸させたガラスエポキシ系の基板を用いたが、これに限らず、ガラス布あるいはガラス不織布に、絶縁性の樹脂を含浸させた複合材料からなる絶縁基板、あるいはポリイミドテープのような単一材料からなる絶縁基板の場合でも、前記ビア穴を形成する位置を陥没させることにより、本実施例１の配線基板と同様に、前記スルーホールの接続信頼性が低下することを防げるとともに、前記配線基板の製造工程を少なくし、製造コストを低減することができる。
【００８５】
また、前記実施例１の配線基板では、前記絶縁基板１上に前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２が設けられた２層の配線基板（両面配線基板）を例にあげて説明したが、これに限らず、例えば、前記実施例１で説明したような手順に沿って両面配線基板を製造した後、前記両面配線基板の表面にさらに絶縁体層及び導体配線層を形成し、導体配線層が３層以上の多層配線基板を形成することもできる。
【００８６】
また、前記実施例１の配線基板の製造方法では、先端部４０２Ａが半球状に加工された押し込み治具４０２を用いて前記両面銅張積層板（絶縁基板１）の所定位置を陥没させたが、これに限らず、前記押し込み治具４０２の先端部は任意の形状であってよいことは言うまでもない。
【００８７】
図１１は、前記実施例１の配線基板の変形例を示す模式断面図であり、図８（ａ）の断面図と対応する断面図を示している。
【００８８】
前記実施例１の配線基板では、図３あるいは図８（ａ）に示したように、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面に形成する、ニッケルめっき層及び金めっき層を積層しためっき層３によりスルーホール３Ａを形成しているが、これに限らず、例えば、図１１に示すように、前記めっき層３を形成する前に電気めっき法を用いた銅めっき層２０３を形成し、前記銅めっき層２０３によりスルーホール２０３Ａを形成し、前記スルーホール２０３Ａの表面にめっき層３Ａを形成した構成になっていてもよい。この場合、図７（ａ）に示したように、両面銅張積層板の陥没した部分にビア穴を形成した後、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂの表面、ならびに前記ビア穴１Ｃの内壁に、例えば、電気めっき法を用いて銅めっき層２０３（２０３Ａ）を形成し、前記銅めっき層２０３及び第１薄膜導体２Ａ、ならびに第２薄膜導体２Ｂをエッチング処理してから、前記めっき層３を形成する。このとき、前記ビア穴１Ｃの直径ｄ４は前記実施例１の配線基板のビア穴１Ｃの直径ｄ１よりも大きくなるが、前記ビア穴１Ｃを形成する部分の前記絶縁基板１を陥没させて薄くしておくことにより、前記実施例１の配線基板と同様に、前記ビア穴１Ｃの内壁にスミアが発生するのを防げ、前記スルーホール２０３Ａの接続信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、従来のように、無電解めっき法を用いて薄い銅めっき層を形成することなしに前記銅めっき層２０３を形成することができ、製造工程を簡単にし、前記配線基板の製造コストを低減させることができる。
【００８９】
（実施例２）
図１２は、本発明による実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図である。なお、本実施例２の配線基板の全体的な構成は前記実施例１の配線基板と同様であり、図１２ではスルーホール周辺の拡大断面図を示している。
【００９０】
本実施例２の配線基板の全体的な概略構成は、前記実施例１で説明した配線基板と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９１】
本実施例２の配線基板において、前記実施例１の配線基板と異なる点は、図１２に示したように、前記絶縁基板１のスルーホール３Ａが設けられた部分の、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側及び第２主面１Ｂ側の両側が陥没している点である。
【００９２】
図１３は、本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）はそれぞれ各工程における図１２と対応する断面図である。
【００９３】
以下、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を用いて、本実施例２の配線基板の製造方法について説明するが、前記実施例１の配線基板の製造方法と同じ工程については、前記実施例１で用いた図を使用するとともに、その詳細な説明を省略する。
【００９４】
まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示したように、前記絶縁基板１の第１主面１Ａに第１薄膜導体２Ａを形成し、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂに第２薄膜導体２Ｂを形成した両面銅張積層板を準備する。なお、本実施例２の配線基板においても、前記絶縁基板１は、前記実施例１と同様に、ガラス糸１０１を織ったガラス布にエポキシ系樹脂１０２を含浸させたガラスエポキシ系の基板を用いるものとする。
【００９５】
次に、図１３（ａ）に示すように、前記両面銅張積層板の第１主面側及び第２主面側のそれぞれに配置された押し込み治具４０２，４０３を前記両面銅張積層板に押し込んで所定位置を陥没させる。
【００９６】
このとき、前記各押し込み治具４０２，４０３は、互いに向かい合うように配置されており、前記各押し込み治具４０２，４０３は、図６（ａ）に示したように、エポキシ系樹脂１０２のみの位置Ｂ１、ガラス糸１０１が部分的にかかる位置Ｂ２、ガラス糸１０１上の位置Ｂ３のいずれかの状態で押し込まれる。そのため、前記実施例１で説明したように前記各押し込み治具４０２，４０３のそれぞれの先端部を半球状に加工しておくことにより、前記各押し込み治具４０２，４０３を押し込んだときに、陥没させる位置にある前記ガラス糸１０１が外側に押し出され、前記陥没させた位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は前記エポキシ系樹脂１０２のみの状態になる。
【００９７】
次に、前記両面銅張積層板の陥没させた位置に、例えば、金型による打ち抜き加工や、レーザ加工などでビア穴１Ｃを形成し、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂをエッチング処理して、図１３（ｂ）に示すように、第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成する。
【００９８】
その後、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面に、例えば、ニッケルめっき層及び金めっき層を積層させためっき層３を形成する。このとき、前記めっき層３は前記ビア穴１Ｃの内壁にも形成され、前記ビア穴１Ｃの内壁に形成されためっき層はスルーホール３Ａとして用いられる。
【００９９】
以上説明したように、本実施例２の配線基板においても、前記実施例１の配線基板と同様に、前記ビア穴１Ｃを形成する位置を陥没させておくことにより、前記ビア穴１Ｃの内壁にスミアが発生するのを防げ、前記スミアによる前記スルーホール３Ａの接続信頼性の低下を防ぐことができる。
【０１００】
また、前記ビア穴１Ｃを形成する位置を陥没させて、前記絶縁基板１を薄くすることにより、前記絶縁基板１のビア穴周辺における板厚方向の熱膨張の影響を小さくすることができるため接続信頼性が向上するとともに、前記めっき層３でスルーホール３Ａを形成することが可能になり、従来のように無電解めっき法及び電気めっき法を用いて銅めっき層２０３Ａを形成しなくてもよく、製造工程が簡単になり、配線基板の製造コストを低減させることができる。
【０１０１】
図１４は、本実施例２の配線基板の他の作用効果を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は本実施例２の配線基板のスルーホール周辺の断面図、図１４（ｂ）は前記実施例１の配線基板のスルーホール周辺の断面図である。
【０１０２】
前記実施例１の配線基板では、前記絶縁基板１（両面銅張積層板）の第１主面１Ａ側のみを陥没させたが、本実施例２の配線基板では、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側及び第２主面１Ｂ側の両側を陥没させているため、図１４（ａ）に示したように、陥没させた部分の深さ、言い換えると、前記各押し込み治具４０２，４０３の押し込み量を図１４（ｂ）に示したように片側から陥没させた場合に比べて浅くすることができる。そのため、本実施例２の配線基板では、図１４（ａ）に示した陥没部分の外周の直径ｄ６を、図１４（ｂ）に示した前記実施例１の配線基板の陥没部分の外周の直径ｄ７に比べて小さくすることができ、前記実施例１の配線基板よりもさらに小型化、配線の微細化をすることができる。
【０１０３】
また、前記両面銅張積層板の第１主面側１Ａ及び第２主面１Ｂ側から陥没させるため、前記実施例１のように片側から陥没させた場合に比べ、陥没した部分が浅くなる。そのため、押し込んだときに前記各薄膜導体２Ａ，２Ｂの前記陥没部分の外周部での変形が少なくなり、押し込み時の変形により前記薄膜導体２Ａ，２Ｂに微小クラックが入り接続信頼性が低下することを防げる。
【０１０４】
（実施例３）
図１５は、本発明による実施例３の配線基板の概略構成を示す模式断面図である。なお、本実施例３の配線基板の全体的な構成は前記実施例１の配線基板と同様であり、図１３ではスルーホール部分の拡大断面図を示している。
【０１０５】
本実施例３の配線基板の全体的な概略構成は、前記実施例１で説明した配線基板と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０６】
本実施例３の配線基板において、前記実施例１及び前記実施例２の配線基板と異なる点は、図１５に示すように、前記絶縁基板１の第１主面１Ａ側を陥没部分が対向する第２主面１Ｂ側に達しており、前記第１導体配線２０１と前記第２導体配線２０２が直接接続されている点である。すなわち、本実施例３の配線基板では、前記実施例１及び前記実施例２の配線基板のように、前記絶縁基板１のビア穴１Ｃ及び前記第１導体配線２０１と前記第２導体配線２０２を接続するスルーホール３Ａは設けられていない。
【０１０７】
図１６乃至図１８は、本実施例３の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１６（ａ）は本実施例３の配線基板の製造に用いる片面銅張積層板の模式平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＥ−Ｅ’線での模式断面図、図１７（ａ）、図１７（ｂ）、図１８（ａ）、及び図１８（ｂ）はそれぞれ、各製造工程での模式断面図で、図１６（ａ）のＥ−Ｅ’線における断面図に相当する。
【０１０８】
以下、図１６乃至図１８に沿って、本実施例３の配線基板の製造方法について説明する。
【０１０９】
本実施例３の配線基板は、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板のようなガラス布基材銅張積層板を用いて製造される。ただし、本実施例３で用いるガラス布基板エポキシ樹脂銅張積層板は、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、繊維状のガラス糸１０１を織ったガラス布を基材とし、前記ガラス布にエポキシ樹脂１０２を含浸させた前記絶縁基板１の一主面、例えば、第１主面１Ａ上に銅箔等の第１薄膜導体２Ａを接着した片面銅張積層板である。このとき、前記絶縁基板１の厚さは約０．３ｍｍであるものとする。
【０１１０】
また、前記絶縁基板１としては、前記実施例１で説明したように、ガラス布基材にエポキシ樹脂１０２を含浸させたガラスエポキシ系の基板を用いているが、この他にも、例えば、前記ガラス布にイミド樹脂、ＢＴ樹脂（Bismaleimide Triazine樹脂）、ＰＰＥ樹脂（PolyPhenylene Ethel樹脂）等を含浸させたガラス布基材のものや、前記ガラス布の代わりに短繊維状のガラス糸を絡み合わせてシート状にしたものにエポキシ樹脂１０２等を含浸させたガラス不織布を基材としたものなどが用いられる。また、その他にも、基材として紙を用いたものや、内部に基材を持たないポリイミド樹脂のテープなどが用いられる。
【０１１１】
次に、図１７（ａ）に示すように、例えば、前記実施例１で説明したような押し込み治具４０２を用いて前記片面銅張積層板の所定位置を陥没させる。このとき、前記押し込み治具４０２は、例えば、前記第１薄膜導体２Ａが形成されている第１主面１Ａ側から陥没させる。またこのとき、前記絶縁基板１としてガラスエポキシ系基板を用いた場合には、例えば、前記絶縁基板１の温度を１７０度から１８０度にして、例えば、１００ＭＰａ程度の圧力で前記押し込み治具４０２を押し込み陥没させる。また、このとき、前記押し込み治具４０２を用いて陥没させた部分の前記絶縁基板１の厚さは約０．０５ｍｍ、もしくはそれ以下になるようにする。
【０１１２】
前記押し込み治具４０２を用いて陥没させる位置は、スルーホールを形成する位置であるため、前記図６（ａ）に示しめしたように、例えば、前記ガラス糸１０１が無い場合、部分的に前記ガラス糸１０１にかかる場合、あるいは前記ガラス糸１０１上にある場合が生じるが、図１７（ａ）に示したように、前記押し込み治具４０２の先端部４０２Ａを半球状に加工しておくと、前記ガラス糸１０１が前記押し込み治具の先端部の球面に沿って前記押し込み治具の外側に押し出され、前記絶縁基板１の陥没した部分は前記ガラス糸がなく、前記エポキシ樹脂１０２のみの状態にすることができる。
【０１１３】
次に、例えば、前記絶縁基板１の第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂ側に第２薄膜導体を形成するための前処理として、例えば、化学研磨あるいは機械研磨等で前記絶縁基板の第２主面１Ｂを研磨する。このとき、前記絶縁基板１の陥没させた部分の厚さは約０．０５ｍｍ以下であるため、図１７（ｂ）に示したように、前記絶縁基板１の陥没した部分が開口されて、前記第１薄膜導体２Ａが第２主面１Ｂ側から露出する。また、部分的には、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂを研磨する前から露出している場合もある。
【０１１４】
次に、図１８（ａ）に示すように、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂ側に第２薄膜導体２Ｂを形成する。前記第２薄膜導体２Ｂは、例えば、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂ上に薄く無電解銅めっき層（図示しない）を形成した後、前記無電解銅めっき層を電極として電気銅めっき層２Ｂを形成する。このとき、前記絶縁基板１の陥没した部分では、前記第１薄膜導体２Ａが前記第２主面１Ｂ側に露出しているため、前記実施例１あるいは実施例２のように、ビア穴１Ｃ及びスルーホールめっきを形成することなしに前記第１薄膜導体２Ａと前記第２薄膜導体２Ｂを電気的に接続することができる。
【０１１５】
次に、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂをエッチング処理して、図１８（ｂ）に示すように、第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成した後、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２の表面に、例えば、ニッケルめっき層と金めっき層を積層させためっき層３を形成すると、図１５に示したようなスルーホール形状の配線基板を得ることができる。前記配線基板は前記実施例１の配線基板と同様で、例えば、図９及び図１０に示したように、複数個の半導体チップを実装してマルチチップモジュールを製造するのに用いられる。
【０１１６】
以上説明したように、本実施例３の配線基板によれば、絶縁基板１の第１主面１Ａに第１薄膜導体２Ａが形成された片面銅張積層板の所定位置を陥没させて薄くし、前記絶縁基板１の第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂを研磨して第１薄膜導体２Ａを露出させることにより、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂに第２薄膜導体２Ｂを形成する際に前記第１薄膜導体２Ａと第２薄膜導体２Ｂが電気的に接続される。そのため、従来の配線基板、あるいは前記実施例１及び実施例２の配線基板のように、前記ビア穴１Ｃ及び前記スルーホール３Ａを形成する工程を省略でき、前記配線基板の製造コストをさらに低減させることができる。
【０１１７】
また、前記実施例１及び実施例２の配線基板では、前記ビア穴１Ｃを形成するため、若干ではあるがスミアが発生する。そのため、前記スミアによる接続信頼性が低下する可能性があるが、本実施例３の配線基板では、前記ビア穴１Ｃを形成しないため、前記スミアは発生しない。そのため、前記スルーホール３Ａ（ビア穴１Ｃ）を介した接続に比べ、接続信頼性が向上する。
【０１１８】
図１９は、前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例を示す模式断面図である。
【０１１９】
前記実施例３の配線基板では、前記押し込み治具４０２を用いて片面銅張積層板を陥没させた後に、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂ側を研磨して前記第１薄膜導体２Ａを露出させていたが、これに限らず、例えば、前記押し込み治具４０２の押し込み量及び荷重を大きくして、図１９に示すように、前記押し込み治具４０２の下部のエポキシ系樹脂１０２をすべて外側に押し出すことも可能である。ただし、この場合は前記押し込み治具４０２の精度により、複数の陥没させる位置での露出面積にばらつきが生じたり、露出しないことも考えられるが、前記実施例３で説明したように、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂに第２薄膜導体２Ｂを形成する際の前処理として行う研磨で所定の面積だけ露出させることができる。
【０１２０】
図２０は、前記実施例３の配線基板の製造方法の他の変形例を説明するための模式図であり、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）はそれぞれ各工程における断面図である。
【０１２１】
前記実施例３の配線基板は、図１７に示すように、前記片面銅張積層板の前記第１薄膜導体２Ａが形成された面を陥没させているが、これに限らず、例えば、図２０（ａ）に示すように、前記絶縁基板１の前記第１薄膜導体２Ａが形成された第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂ側を陥没させてもよい。この場合も、前記押し込み治具４０２で陥没させた後、前記絶縁基板１の第２主面１Ｂに第２薄膜導体を形成する前処理で前記絶縁基板１を研磨した際に、陥没した位置で前記第１薄膜導体２Ａを露出させることにより、前記ビア穴１Ｃ及びスルーホール３Ａを形成することなしに前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線２０２を接続することができ、製造コストを低減できるとともに、接続信頼性が向上する。
【０１２２】
図２１及び図２２は、前記実施例３の配線基板の製造方法の他の変形例を説明するための模式図であり、図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）、及び図２２（ｂ）はそれぞれ各工程における断面図である。
【０１２３】
前記実施例３の配線基板は、図１７に示すように、前記片面銅張積層板の前記第１薄膜導体２Ａが形成された面を陥没させているが、これに限らず、例えば、図２１（ａ）に示すように、前記絶縁基板１の前記第１薄膜導体２Ａが形成された第１主面１Ａと対向する第２主面１Ｂ側を陥没させてもよい。この場合、前記押し込み治具４０２で陥没させた後、例えば、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いたレーザ加工により、図２１（ｂ）に示すように、前記絶縁基板１の陥没した位置にビア穴１Ｃを形成し、図２２（ａ）に示すように、無電解めっき法及び電気めっき法を用いて前記絶縁基板１の第２主面１Ｂに第２薄膜導体２Ｂを形成するとともに、前記ビア穴１Ｃの内部に薄膜導体を埋め込み、前記第１薄膜導体２Ａと接続した後、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂをエッチング処理して第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成し、図２２（ｂ）に示すように、前記第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２の表面にめっき層３を形成してもよい。
【０１２４】
この場合、前記実施例３とは異なり、ビア穴１Ｃを形成しなければならないが、前記ビア穴内に薄膜導体を埋め込み、前記第１導体配線２０１と前記第２導体配線２０２を接続するため、前記実施例１及び実施例２で説明したように、前記めっき層３によるスルーホール３Ａのみで接続した場合に比べて接続信頼性が向上する。
【０１２５】
（実施例４）
前記実施例１乃至前記実施例３では、前記絶縁基板１のスルーホールを形成する領域を陥没させる方法として、前記絶縁基板１を加熱して軟化させておいて、柱状の押し込み治具４０２を押し込む方法を説明したが、本実施例４では、他の方法を用いて前記絶縁基板１を陥没させる例について説明する。
【０１２６】
なお、本実施例４では、前記実施例１の配線基板を例にあげ、その製造方法について説明するが、前記実施例１の配線基板の製造方法と同様の部分については、その説明を省略する。
【０１２７】
本実施例４の配線基板では、例えば、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、繊維状のガラス糸１０１を織ったガラス布を基材とし、前記ガラス布にエポキシ樹脂１０２を含浸させた前記絶縁基板１（ガラスエポキシ系基板）の第１主面１Ａ及び第２主面１Ｂのそれぞれに銅箔等の薄膜導体２を接着したガラス布基材銅張積層板が用いられるが、このとき、前記ガラス布に含浸させたエポキシ系樹脂１０２は完全に硬化させず、硬化反応の中間段階にとどめておく。
【０１２８】
次に、例えば、図６（ａ）に示すような、前記絶縁基板１の両主面に第１薄膜導体２Ａ及び第２薄膜導体２Ｂを形成した前記両面銅張積層板の所定位置、言い換えると、ビア穴を開口する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３を陥没させる。
【０１２９】
このとき、例えば、前記両面銅張積層板を、図６（ｂ）に示すように、平板状の金型４０１上に配置し、例えば、先端部４０２Ａが半球状に加工された金型（押し込み治具）４０２を、前記ビア穴を開口する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３のそれぞれに押し当て加圧することにより、前記押し込み治具４０２の下部のエポキシ樹脂１０２が外側に押し出されて陥没する。
【０１３０】
またこのとき、前記絶縁基板１のエポキシ樹脂１０２は硬化反応の中間段階（Ｂステージ樹脂）であるため、流動性が高く、前記実施例１乃至実施例３で説明したように前記絶縁基板１を加熱することなく、前記押し込み治具４０２を押し当てて加圧するだけで陥没させることができる。また、完全に硬化させたエポキシ樹脂を加熱した場合に比べても流動性がよいため、前記実施例１乃至実施例３で説明した方法に比べ、さらに弱い荷重で陥没させることができる。
【０１３１】
前記絶縁基板１の所定位置を陥没させた後、例えば、前記両面銅張積層板を１７０℃から１８０℃で約９０分間加熱して前記エポキシ樹脂を完全硬化させる。
【０１３２】
次に、図７（ａ）に示すように、例えば、所定位置が開口された下金型（ダイ）５０１上に、前記押し込み治具で所定位置を陥没させた前記両面銅張積層板を配置して、前記陥没した位置と前記下金型５０１の開口部の位置合わせをした後、上金型（パンチ）５０２を下降させて前記両面銅張積層板（絶縁基板１）の陥没した領域内にビア穴１Ｃを形成する。
【０１３３】
次に、図７（ｂ）に示すように、前記第１薄膜導体２Ａ及び前記第２薄膜導体２Ｂ上に、配線パターン形成用のレジスト膜（図示しない）を形成し、前記レジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い、第１導体配線２０１及び第２導体配線２０２を形成する。
【０１３４】
その後、前記レジスト膜を除去して、前記第１導体配線２０１及び前記第２導体配線の表面にめっき層３を形成する。このとき、前記めっき層３は前記ビア穴１Ｃの内壁にもスルーホールめっき３Ａとして形成され、図３に示したような前記スルーホール３Ａ部分が陥没した配線基板を得ることができる。前記めっき層３及び前記スルーホール３Ａは、例えば、前記無電解めっき法、あるいは電解めっき法などを用いてニッケルめっき層と金めっき層を積層させたものであり、前記ニッケルめっき層は約３μｍ程度の厚さに、前記金めっき層は約０．１μｍ程度の厚さに形成される。
【０１３５】
以上説明したように、本実施例４の配線基板の製造方法によれば、前記絶縁基板のビア穴１Ｃを形成する位置を陥没させることにより、前記実施例１で説明した配線基板と同様に、スルーホールの接続信頼性が高い配線基板を製造することができるとともに、製造工程を簡単にして前記配線基板の製造コストを低減させることができる。
【０１３６】
また、本実施例４の配線基板の製造方法のように、前記絶縁基板に熱硬化性樹脂を用い、前記熱硬化性樹脂の硬化反応を中間段階で止めておき、その状態で前記押し込み治具４０２により所定位置を陥没させることにより、前記実施例１で説明した製造方法に比べ、低温かつ弱い荷重で陥没させることができる。
【０１３７】
また、本実施例４では、前記実施例１で説明した配線基板を例にあげて説明しているが、これに限らず、前記実施例２及び実施例３で説明したような配線基板の製造方法に適用できることは言うまでもない。また、前記絶縁基板もガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたものに限らず、例えば、エポキシ樹脂のみ、あるいは変性エポキシ樹脂などを用いた単一基板のものでもよい。
【０１３８】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【０１３９】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０１４０】
（１）絶縁基板の両面に導体配線が形成され、前記導体配線がスルーホールにより接続された配線基板において、前記スルーホールの接続信頼性を向上させることができる。
【０１４１】
（２）絶縁基板の両面に導体配線が形成され、前記導体配線がスルーホールにより接続された配線基板において、前記配線基板の製造工程を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施例１の配線基板の概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１の部分拡大図である。
【図３】本実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図２のＡ−Ａ’線での模式断面図である。
【図４】本実施例１の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図３の部分拡大図である。
【図５】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図５（ａ）は本実施例１の配線基板の製造に用いるテープ材料の概略構成を示す模式平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’線での模式断面図である。
【図６】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）は一製造工程での模式平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ’線での模式断面図である。
【図７】本実施例１の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）はそれぞれ、各製造工程における模式断面図である。
【図８】本実施例１の配線基板の作用効果を説明するための模式断面図である。
【図９】本実施例１の配線基板を用いた電子装置の概略構成を示す模式平面図である。
【図１０】本実施例１の配線基板を用いた電子装置の概略構成を示す模式図であり、図９のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図１１】前記実施例１の配線基板の変形例を示す模式断面図である。
【図１２】本発明による実施例２の配線基板の概略構成を示す模式図であり、スルーホール周辺の拡大断面図である。
【図１３】本実施例２の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）はそれぞれ、各工程における断面図である。
【図１４】本実施例２の配線基板の作用効果を説明するための模式図であり、図１４（ａ）は本実施例２の配線基板のスルーホール周辺の拡大断面図、図１４（ｂ）は前記実施例１の配線基板のスルーホール周辺の拡大断面図である。
【図１５】本発明による実施例３の配線基板の概略構成を示す模式断面図である。
【図１６】本実施例３の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１６（ａ）は本実施例３の配線基板の製造に用いる片面銅張積層板の概略構成を示す模式平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＥ−Ｅ’線での模式断面図である。
【図１７】本実施例３の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）はそれぞれ、各工程における模式断面図である。
【図１８】本実施例３の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）はそれぞれ、各工程における模式断面図である。
【図１９】前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例を示す模式断面図である。
【図２０】前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式断面図であり、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）はそれぞれ、各工程における断面図である。
【図２１】前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式断面図であり、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）はそれぞれ、各工程における断面図である。
【図２２】前記実施例３の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式断面図であり、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）はそれぞれ、各工程における断面図である。
【図２３】従来の電子装置の概略構成を示す模式平面図である。
【図２４】従来の電子装置の概略構成を示す模式図であり、図２３のＦ−Ｆ’線での断面図である。
【図２５】従来の電子装置に用いられる配線基板の部分拡大平面図である。
【図２６】従来の電子装置に用いられる配線基板の概略構成を示す模式図であり、図２５のＧ−Ｇ’線での断面図である。
【図２７】従来の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）はそれぞれ、各製造工程における模式断面図である。
【図２８】従来の配線基板の製造方法における課題を説明するための模式図であり、図２８（ａ）は配線基板の製造に用いる両面銅張積層板の模式平面図、図２８（ｂ）は図２８（ａ）のＨ−Ｈ’線での断面図である。
【図２９】従来の配線基板の製造方法における課題を説明するための模式図であり、図２９（ａ）はビア穴形成後の模式平面図、図２９（ｂ）は図２９（ａ）のＩ−Ｉ’線での断面図である。
【図３０】従来の配線基板の製造方法における課題を説明するための模式図であり、スルーホール形成後の断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１Ａ  絶縁基板の第１主面
１Ｂ  絶縁基板の第２主面
１Ｃ  ビア穴
１０１  ガラス糸
１０２  絶縁樹脂（エポキシ樹脂）
２０１  第１導体配線
２０２  第２導体配線
２０３  銅めっき層
３  めっき層
２０３Ａ，３Ａ  スルーホール（スルーホールめっき）
４０１  平板上の金型
４０２，４０３  押し込み治具
４０２Ａ，４０３Ａ  押し込み治具の先端部
５０１  下金型（ダイ）
５０２  上金型（パンチ）
６  ボール端子
７  配線保護膜（ソルダーレジスト）
８  封止絶縁体
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５  電子部品搭載領域
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３  ビア穴形成領域
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５  電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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