(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが樹脂で封止される半導体素子において、
導電性を有する下面側端子と、
上面電極及び下面電極が設けられ、前記下面側端子の上面に電気的に接続されて配置される半導体チップと、
面積が縮少された電極接続部を有し、前記電極接続部が屈曲していることによって前記上面電極との電気的な接続を行う補助端子と、
前記補助端子と電気的に接続される補助端子側端子と、
を有し、
前記下面側端子は、導電性を有する板を上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させて互いに平行な段違いの２平面が形成された構成を有し、前記下面側端子の上段側の平面の上面に前記半導体チップの前記下面電極が第１の導電性接合媒体を介して電気的に接続され、
前記補助端子は、導電性を有する板の一部を上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させて互いに平行な段違いの２平面が形成された構成を有し、前記補助端子の下段側が前記電極接続部となり、前記電極接続部の下面に前記半導体チップの前記上面電極が第２の導電性接合媒体を介して電気的に接続され、
前記電極接続部及び前記第２の導電性接合媒体は、前記上面電極と同じ平面サイズで形成され、
前記補助端子側端子は、導電性を有する板を上面方向に１回屈曲させた構成を有し、一端側に前記補助端子が電気的に接続され、
前記下面側端子の下段側の平面の下面及び前記補助端子側端子の他端側の下面が同一平面上に配置され、前記下面側端子の前記下段側及び前記補助端子側端子の前記他端側を互いに外側に向け、前記下面側端子の前記下段側の末端部及び前記補助端子側端子の前記他端側の末端部を残して樹脂で封止されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記下面側端子と前記補助端子側端子とが前記樹脂内で各屈曲され、かつ、前記下面側端子の前記下段側の平面の下面及び前記補助端子側端子の前記他端側の下面が前記樹脂の下面と面一であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記補助端子は、前記上面電極と同じ幅の狭幅部を有する平面状の板を屈曲させることによって形成され、前記電極接続部は、前記狭幅部での屈曲によって設けられた前記狭幅部における１つの段差部であり、
前記補助端子は、前記電極接続部と反対側の端部において前記補助端子側端子の前記一端側と電気的に接続され、前記反対側の端部は、前記補助端子側端子よりも幅広に構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項４】
前記電極接続部は、平面状の板を、その一部においてコの字形に切り抜き、切り残した部分を屈曲させることによって設けられた１つの段差部であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項５】
前記補助端子は、前記電極接続部と反対側の端部に、下面方向に１回折り曲げられた折り曲げ部を有し、前記折り曲げ部の内側が前記補助端子側端子の前記一端に宛がわれた状態で、前記補助端子側端子に接続されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体チップが樹脂封止される半導体素子に関し、特に半導体チップの表裏面が導体と電気的に接続される半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップが樹脂封止される半導体素子においては、半導体チップと半導体素子の外部端子との電気的な接続をワイヤボンディングによって行うことが一般的であった。しかし、ワイヤボンディングによる接続では、サージ電流のような大電流が流れた際に断線してしまうという問題点があり、また、サージ電流のような大電流が流れなくても、素子の動作による温度変化を繰り返すことによってワイヤが伸縮し、その応力から生じる金属疲労によってワイヤが断線してしまうという問題点があった。また、これらの弊害を防止するためにワイヤ径を太くすると、ボンディング時におけるループ径を高く採らなければならず、製品外形が大きくなってしまうという問題点があった。さらにリード端子が半導体チップの搭載前に屈曲されているとリード端子にワイヤボンディングのボンディング時の超音波振動が伝わりにくくボンディングしにくいという問題もあった。
【０００３】
このようなワイヤボンディングによる接続の問題点を解決する従来技術として、図５に示す半導体素子１００がある。半導体素子１００は、半導体チップ１０４の下面が接続されるリード端子１０２、及び半導体チップの上面が接続されるリード端子１０１が一対で形成され、それらのリード端子１０１、１０２の間に半導体チップを配置し、半田１０３、１０５で接続するものである。リード端子１０１、１０２は、ワイヤボンディングに用いるワイヤに比べ、その厚み、幅とも十分大きく採ることが可能であるため、大電流が流れた場合、及び温度変化によって伸縮が繰り返された場合においても十分な強度を有し、また、その配置形状を自由に選択できるため、製品外形の小型化を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体素子１００では、リード端子１０１が半導体チップ１０４の上面全体を覆うように配置され、このリード端子１０１と半導体チップ１０４との間に配置された半田１０５が溶解し、これらの半田付けが行われることとなるため、半田１０５の溶解時に半田１０５が半導体チップ１０４の上面全体に拡がってしまい、半導体チップ１０１の電極部以外の酸化膜等にも半田が付着してしまう結果、半田成分が半導体チップ内部に浸透し、半導体チップの信頼性を低下させてしまうという問題点がある。
【０００５】
また、リード端子１０１は、リード端子１０２に比べて長く、熱膨張による伸縮が大きいため、この伸縮によって半導体チップ１０４に余計な応力を与えてしまうという問題点もある。
【０００６】
さらに、リード端子１０１を半田付けするには、上から加重をかけて行わないと充分な半田付けができず、このように加重をかけるとリード端子の変形も考えられる。そして、通常リードフレームで多数個連結されたものを同時に処理していくが、全ての素子に一応に加重をかけることは困難である。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体チップの電極部以外への半田付着を防止することによって、信頼性を向上させる半導体素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、半導体チップが樹脂で封止される半導体素子において、導電性を有する下面側端子と、上面電極及び下面電極が設けられ、前記下面側端子の上面に電気的に接続されて配置される半導体チップと、面積が縮少された電極接続部を有し、前記電極接続部が屈曲していることによって前記上面電極との電気的な接続を行う補助端子と、前記補助端子と電気的に接続される補助端子側端子と、を有し、前記下面側端子は、導電性を有する板を上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させて互いに平行な段違いの２平面が形成された構成を有し、前記下面側端子の上段側の平面の上面に前記半導体チップの前記下面電極が第１の導電性接合媒体を介して電気的に接続され、前記補助端子は、導電性を有する板の一部を上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させて互いに平行な段違いの２平面が形成された構成を有し、前記補助端子の下段側が前記電極接続部となり、前記電極接続部の下面に前記半導体チップの前記上面電極が第２の導電性接合媒体を介して電気的に接続され、前記電極接続部及び前記第２の導電性接合媒体は、前記上面電極と同じ平面サイズで形成され、前記補助端子側端子は、導電性を有する板を上面方向に１回屈曲させた構成を有し、一端側に前記補助端子が電気的に接続され、前記下面側端子の下段側の平面の下面及び前記補助端子側端子の他端側の下面が同一平面上に配置され、前記下面側端子の前記下段側及び前記補助端子側端子の前記他端側を互いに外側に向け、前記下面側端子の前記下段側の末端部及び前記補助端子側端子の前記他端側の末端部を残して樹脂で封止されていることを特徴とする半導体素子が提供される。
【０００９】
ここで、下面側端子は、半導体チップの下面電極と電気的に接続され、半導体チップは上面電極及び下面電極が設けられ、補助端子は接続位置を選択的に補正しつつ、半導体チップの上面電極と電気的に接続され、補助端子側端子は、補助端子と電気的に接続される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、本発明における第１の実施の形態について説明する。
【００１１】
図１は、本形態における半導体素子１の構造を示した構造図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。
【００１２】
半導体素子１は、例えば平均順電流ＩＦが１〜１０Ａのダイオードであり、導電性を有する下面側端子であるリード端子３、上面電極及び下面電極を有し、リード端子３の上面に電気的に接続されて配置される半導体チップ６、面積が縮少された電極接続部を有し、この電極接続部が屈曲していることによって半導体チップ６の上面電極と電気的に接続される補助端子である補助リード端子２、補助リード端子２と電気的に接続される補助端子側端子であるリード端子４、半導体チップ６等を封止する樹脂５、及び半田７、８、９によって構成されている。
【００１３】
半導体チップ６の上下面には、リード端子３、４を接続するための上面電極及び下面電極が形成されている。また、電極が形成されていない部分には絶縁層である酸化シリコン膜等の酸化膜が形成され、外部との耐圧を保っている。
【００１４】
リード端子３は、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．２〜０．３ｍｍの長方形の板を、上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させ、これにより、互いに平行な２平面が段違いに配置されるように構成される。
【００１５】
補助リード端子２も、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．１〜０．３ｍｍの板を、上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させ、これにより、互いに平行な２平面が段違いに配置されるように構成される。ただし、ここで使用される板は長方形ではなく、その一部の横幅が半導体チップ６の上面電極の幅と略同一、或いはそれ以下になるように構成された狭幅部２ａを有する形状の板が用いられる。補助リード端子２における上面方向への屈曲は狭幅部２ａで行われ、なおかつ、狭幅部２ａでの屈曲によって狭幅部２ａに形成された１つの段差部２ａａの形状が、半導体チップ６に形成された上面電極の領域に収まるように行われる。
【００１６】
この狭幅部２ａを屈曲することによって形成された段差部２ａａは、半導体チップ６に形成された上面電極に接続される電極接続部として機能することとなる。そのため、半導体チップ６で発生した熱の放熱効率、及び電気抵抗低減の面から、段差部２ａａの横幅は、半導体チップ６の上面電極の幅を越えない限度で、できるだけ広く採ることが望ましい。
【００１７】
リード端子４は、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．２〜０．３ｍｍの長方形の板を、上面方向に１回屈曲させることにより構成される。これらリード端子３，４は一つのリードフレーム中に多数個各対向させて形成し、樹脂で封止後にリード端子を切断するのが製造上好ましい。
【００１８】
なお、リード端子３、４、及び補助リード端子２に用いる材質としては、導電性を有し、ある程度の機械的強度が保持でき、酸化、半田のフラックス等による耐腐食性を有するものであれば、特に制限なく使用できる。
【００１９】
次に、半導体素子１の配置構成について説明する。
リード端子３、４は、リード端子３、４の各１平面が同一平面上に配置され、この同一平面上に配置される各平面の末端が互いに外側を向き、また、この同一平面上に配置される各平面の屈曲がそれぞれ上面方向で後述の樹脂５内となるように配置される。
【００２０】
このように配置することによって、リード端子３の１平面と同一平面上に配置されないリード端子４の１平面の末端は上面方向に向けられて配置されることとなる。そして、このように上面方向に向けられて配置された末端部には、補助リード端子２を構成する段違いに配置された２平面のうち、段差部２ａａではない１平面の下面が、半田９によって半田付けされる。なおここで、補助リード端子２の半田付けは、段差部２ａａが半導体チップ６の上部電極の領域内のみに配置されるよう補助リード端子２の位置を補正しつつ行う。
【００２１】
リード端子４の１平面と同一平面上に配置されないが、その平面と平行に配置されることとなるリード端子３の屈曲後の別平面上部には、半田８が塗布され、その上部には半導体チップ６が配置される。さらに、半導体チップ６の上部電極には半田７が塗布され、その上部には補助リード端子２の段差部２ａａが配置される。そして、半田７、８を溶解させることにより、リード端子３と半導体チップ６の下面電極、及び半導体チップ６の上面電極と補助リード端子２の段差部２ａａとの半田付けが行われる。
【００２２】
このように配置された半導体チップ６等は樹脂５によって封止される。この際、樹脂５下面と同一平面上に配置されるリード端子３、４の各１平面の末端部は、樹脂５の外部に配置され、この外部に配置された末端部によって、外部の配線パターン等との電気的な接続が行われる。
【００２３】
図２は、図１の（ｂ）に示したＢ部の拡大図である。
図２に示すように、半導体チップ６の上面には上面電極６ａ及び酸化膜６ｃが設けられ、下面には下面電極６ｂが設けられる。上述したように、上面電極６ａの上部には、上面電極６ａからはみ出さないように半田７が配置され、さらにその上部には段差部２ａａが同じく上面電極６ａからはみ出さないように配置される。このようにすることにより、半田７が酸化膜６ｃに接触することを回避しつつ、段差部２ａａを上面電極６ａに半田付けすることができる。また、上述したように、下面電極６ｂはリード端子３の上面に半田８によって半田付けされる。
【００２４】
このように、本形態の半導体素子では、リード端子３の上面に半導体チップ６を半田付けし、補助リード端子２を狭幅部２ａにおいて屈曲させて形成した段差部２ａａを、酸化膜６ｃとの接触を避けつつ、半導体チップ６の上面電極６ａに半田付けし、補助リード端子２をリード端子４と半田付けすることとしたため、酸化膜６ｃへの半田付着による半導体チップ６への半田成分の浸透を防止し、信頼性の向上を図ることが可能となる。この時、補助リード端子２は載せて自重のみで半田付けができるので、半田付けが容易であると共に半田付け時のリード端子の変形が生じない。
【００２５】
また、補助リード端子２をリード端子４と独立に設け、補助リード端子２をリード端子４に半田付けして接続することとしたため、半導体素子１の組み立て前にリード端子４が変形した場合であっても、組み立て時に補助リード端子２の位置を補正しつつリード端子４に半田付けすることが可能となり、補助リード端子２の段差部２ａａを上面電極６ａからはみ出すことなく配置できることとなるため、酸化膜６ｃへの半田付着による半導体チップ６への半田成分の浸透を防止し、信頼性の向上を図ることが可能となる。さらに、半田９が応力緩和の役目をするので、リード端子４の熱膨張による伸縮の応力が半導体チップ６に加わるのを低減できる。
【００２６】
なお、本形態では、半導体チップ６の上下面に電極が１カ所ずつ設けられ、それらに対応する補助リード端子２及びリード端子３、４が１つずつ配置される構成としたが、上下面の少なくとも一方に複数の電極が設けられた半導体チップ６を用い、各電極に対応する複数の補助リード端子２及びリード端子３、４を用い、半導体素子を構成することとしてもよい。
【００２７】
また、本形態では、本発明を半導体チップを内蔵した半導体素子に適用したが、半導体チップ以外の素子を用いた電子部品に適用することとしてもよい。
さらに、本形態では、各構成部品の接続を半田によって行うこととしたが、その他の導電性接合媒体を用いることとしてもよい。
【００２８】
また、本形態では、補助リード端子２の狭幅部２ａのみに段差部２ａａを形成することとしたが、リード端子３を屈曲させてリード端子３に段差部を設け、このリード端子３の段差部によって、半導体チップ６の下面電極６ｂに接続される構成としてもよい。
【００２９】
次に、本発明における第２の実施の形態について説明する。
本形態は、第１の実施の形態に対する変形例であり、補助リード端子の形状に相違がある。以下の説明では、第１の実施の形態との相違点を中心に説明を行い、共通する部分については、その説明を省略する。
【００３０】
図３は、本形態における半導体素子１０の構成を示した構成図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示している。なお、図３では、第１の実施の形態と共通する構成部分については、第１の実施の形態での説明に用いた符号と同じ符号を付してある。
【００３１】
半導体素子１０は、半導体チップ６、リード端子３、補助リード端子１１、リード端子４、樹脂５、半田７、８、９によって構成されている。
補助リード端子１１は、導電性を有する金属等の板によって構成され、その板の一部をコの字形に切り抜いて残した切り出し部１１ａを有している。切り出し部１１ａは、その付け根において下面方向に屈曲し、さらに、その中程で上面方向に屈曲することにより１つの段差部１１ａａを形成する。ここで、切り出し部１１ａの各屈曲部の角度は、切り出し部１１ａに形成された段差部１１ａａが、切り出し部１１ａが切り出された補助リード端子１１本体と平行に配置されるように選択される。また、切り出し部１１ａの切り出し寸法及び、切り出し部１１ａにおける上面方向への屈曲部の位置は、段差部１１ａａの形状が、半導体チップ６に形成された上面電極の領域に収まるように選択される。ここで、切り出し部１１ａの形成方法としては、切り出しやプレスでの打ち抜き、あるいは化学的エッチング等が採用できる。
【００３２】
この切り出し部１１ａを屈曲することによって形成された段差部１１ａａは、半導体チップ６に形成された上面電極に接続される電極接続部として機能することとなる。そのため、半導体チップ６で発生した熱の放熱効率、及び電気抵抗低減の面から、段差部１１ａａの横幅は、半導体チップ６の上面電極の幅を越えない程度で、できるだけ広く採ることが望ましい。
【００３３】
次に、半導体素子１０の配置構成について説明する。
リード端子３、４、半導体チップ６の配置構成については、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【００３４】
半導体チップ６の上面電極には半田７が塗布され、その上部には補助リード端子１１の段差部１１ａａが配置される。段差部１１ａａは、第１の実施の形態の場合と同様に半導体チップの上面電極の領域内のみに配置され、そこで半田付けされる。なお、補助リード端子１１の一端は、第１の実施の形態と同様に位置補正を行いつつ、リード端子４に半田付けされる。
【００３５】
このような補助リード端子１１を用いることとしても、第１の実施の形態と同様な効果を得られる。
なお、本形態では、半導体チップ６の上下面に電極が１カ所ずつ設けられ、それらに対応する補助リード端子１１及びリード端子３、４が１つずつ配置される構成としたが、上下面の少なくとも一方に複数の電極が設けられた半導体チップ６を用い、各電極に対応する複数の補助リード端子１１及びリード端子３、４を用い、半導体素子を構成することとしてもよい。
【００３６】
また、本形態では、本発明を半導体チップを内蔵した半導体素子に適用したが、半導体チップ以外の素子を用いた電子部品に適用することとしてもよい。
さらに、本形態では、各構成部品の接続を半田によって行うこととしたが、その他の導電性接合媒体を用いることとしてもよい。
【００３７】
また、本形態では、補助リード端子１１の切り出し部１１ａのみに段差部１１ａａを形成することとしたが、リード端子３を屈曲させてリード端子３に段差部を設け、このリード端子３の段差部によって、半導体チップ６の下面電極６ｂに接続される構成としてもよい。
【００３８】
次に、本発明における第３の実施の形態について説明する。
本形態は、第１の実施の形態に対する変形例であり、補助リード端子の形状に相違がある。以下の説明では、第１の実施の形態との相違点を中心に説明を行い、共通する部分については、その説明を省略する。
【００３９】
図４は、本形態における半導体素子２０の構成を示した構成図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図を示している。なお、図４では、第１の実施の形態と共通する構成部分については、第１の実施の形態での説明に用いた符号と同じ符号を付してある。
【００４０】
半導体素子２０は、半導体チップ６、リード端子３、補助リード端子２１、リード端子４、樹脂５、半田７、８、９によって構成されている。
補助リード端子２１は狭幅部２１ａの屈曲による段差部２１ａａを有し、第１の実施の形態における補助リード端子２とほぼ同様な形状となっているが、折り曲げ部２１ｂを有する点のみが異なる。折り曲げ部２１ｂは、補助リード端子２１の狭幅部２１ａ以外のエッジ部を狭幅部２１ａにおける屈曲と平行かつ下面方向に屈曲させることにより形成される。
【００４１】
補助リード端子２１の配置は、第１の実施の形態における補助リード端子２とほぼ同様であるが、折り曲げ部２１ｂをリード端子４に宛がった状態で、補助リード端子２１とリード端子４との接続を行う点のみが異なる。
【００４２】
このような構成としても、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
また、本形態では、補助リード端子２１に折り曲げ部２１ｂを形成し、折り曲げ部２１ｂをリード端子４に宛がった状態で、補助リード端子２１のリード端子４への接続を行うこととしたため、補助リード端子２１の位置決めが容易になり、組み立て作業の効率化を図ることが可能となる。
【００４３】
さらに、半田９は折り曲げ部２１ｂの内側とリード端子４にも回り込み、これらの接続を行うこととなるため、補助リード端子２１とリード端子４との接続強度、信頼性を向上させることができる。
【００４４】
なお、本形態では、半導体チップ６の上下面に電極が１カ所ずつ設けられ、それらに対応する補助リード端子２１及びリード端子３、４が１つずつ配置される構成としたが、上下面の少なくとも一方に複数の電極が設けられた半導体チップ６を用い、各電極に対応する複数の補助リード端子２１及びリード端子３、４を用い、半導体素子を構成することとしてもよい。
【００４５】
また、本形態では、本発明を半導体チップを内蔵した半導体素子に適用したが、半導体チップ以外の素子を用いた電子部品に適用することとしてもよい。
さらに、本形態では、各構成部品の接続を半田によって行うこととしたが、その他の導電性接合媒体を用いることとしてもよい。
【００４６】
また、本形態では、補助リード端子２１の狭幅部２１ａのみに段差部２１ａａを形成することとしたが、リード端子３を屈曲させ、リード端子３に段差部を設け、このリード端子３の段差部によって、半導体チップ６の下面電極６ｂに接続される構成としてもよい。
【００４７】
さらに、本形態では、補助リード端子として、第１の実施の形態における補助リード端子２に折り曲げ部を形成したものを用いたが、第２の実施の形態における補助リード端子１１に折り曲げ部を形成したものを用いることとしてもよい。
【００４８】
なお、これら第１〜第３の実施例における樹脂５の外形は縦×横が２．５ｍｍ×４．０ｍｍで厚さが１．２〜１．６ｍｍであり、リード端子３、４の突出部（各０．５ｍｍ）を含めた横の長さが５．０ｍｍである。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、導電性を有する下面側端子の上面に半導体チップを電気的に接続して配置し、半導体チップの上面電極に、面積を縮少させ屈曲させた電極接続部によって補助端子を電気的に接続し、補助端子に補助端子側端子を電気的に接続して半導体素子を構成することとしたため、小型化を図った上で半導体チップの酸化膜への半田の接触を避けつつ、補助端子を半導体チップの上面端子に半田付けすることが可能となり、半導体チップへの半田成分の浸透を防止し、半導体素子の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００５０】
また、補助端子を独立に設けることとしたため、半導体素子の組み立て前に端子が変形した場合であっても、組み立て時に補助端子の位置を補正しつつ半田付けすることが可能となり、半導体チップへの半田成分の浸透を防止し、高い信頼性を確保することが可能となる。さらに半導体チップに加わる応力の低減も図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体素子の構造を示した構造図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。
【図２】図１の（ｂ）に示したＢ部の拡大図である。
【図３】半導体素子の構成を示した構成図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示している。
【図４】半導体素子の構成を示した構成図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図を示している。
【図５】従来の半導体素子の構造を示した断面図である。
【符号の説明】
１、１０、２０、１００  半導体素子
２、１１、２１  補助リード端子
２ａ、２１ａ  狭幅部
２ａａ、１１ａａ、２１ａａ  段差部
３、４  リード端子
５  樹脂
６  半導体チップ
６ａ  上面電極
６ｂ  下面電極
７、８、９  半田
１１ａ  切り出し部
２１ｂ  折り曲げ部
【図１】
0004329187.tif 000002
【図２】
0004329187.tif 000003
【図３】
0004329187.tif 000004
【図４】
0004329187.tif 000005
【図５】
0004329187.tif 000006