(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重量子井戸層を構成する井戸層として、前記多重量子井戸層を構成する障壁層との間の伝導帯のエネルギーギャップΔＥｃが０．３ｅＶ〜０．５ｅＶになる組成のＧａＡｓＮＳｂを用いるとともに、前記多重量子井戸層を分離してアレイ化する際に、Ｃｌを含む反応性ガスを用いたドライエッチングにより前記多重量子井戸層をエッチングする工程を有することを特徴とする量子井戸型赤外線センサの製造方法。
【請求項２】
上記ＧａＡｓＮＳｂの組成比が、ＧａＡｓとの格子定数の差が０．１％以下になる組成比であることを特徴とする請求項１記載の量子井戸型赤外線センサの製造方法。
【請求項３】
多重量子井戸層を構成する井戸層として、前記多重量子井戸層を構成する障壁層との間の伝導帯のエネルギーギャップΔＥｃが０．３ｅＶ〜０．５ｅＶになる組成のＧａＡｓＮを用いるとともに、前記多重量子井戸層を分離してアレイ化する際に、Ｃｌを含む反応性ガスを用いたドライエッチングにより前記多重量子井戸層をエッチングする工程を有することを特徴とする量子井戸型赤外線センサの製造方法。
【請求項４】
上記多重量子井戸層を構成する障壁層として、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）を用いたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の量子井戸型赤外線センサの製造方法。
【請求項５】
上記多重量子井戸層に接するコンタクト層に、乱反射構造を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の量子井戸型赤外線センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は量子井戸型赤外線センサの製造方法に関するものであり、特に、多重量子井戸に生じたサブレベルと伝導帯下端の連続帯との間の遷移による赤外線吸収を利用した赤外線センサにおけるエッチング加工性を向上するための多重量子井戸層に特徴のある量子井戸型赤外線センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、１０μｍ帯近傍の赤外線を検知する赤外線検知装置としては、ＨｇＣｄＴｅを用いたフォトダイオードアレイが用いられているが、近年この様なＨｇＣｄＴｅ系赤外線検知装置に代わるものとして、結晶性の良好な大面積基板の入手が容易であるＧａＡｓ系半導体を用い、且つ、多重量子井戸におけるサブレベル間の遷移による光吸収を利用することにより１０μｍ帯近傍の赤外線の検知を可能にした量子井戸型赤外線センサ（ＱＷＩＰ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ）が注目を集めている。
【０００３】
ここで、図８を参照して従来の量子井戸型赤外線センサ（ＱＷＩＰ）を説明する。
図８（ａ）参照
図８（ａ）は、従来のＱＷＩＰの概略的断面図であり、まず、共通電極層となるｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層４２上に、ＭＱＷ層４４を感光層とする複数の赤外線センサ素子を設けたもので、各赤外線センサ素子のｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層４５には乱反射構造を形成するための凹凸を形成し、部分的に設けたオーミック電極４７を介してＡｕ反射電極４８を設けたものである。
【０００４】
なお、ｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層４２の上下には、製造工程上の理由でエッチングストッパ層となるｉ型ＩｎＧａＰ層４１及びｎ型ＩｎＧａＰ層４３を設けており、ｉ型ＩｎＧａＰ層４１の他方の面には反射防止膜５２が設けられており、この反射防止膜を介して赤外線５３を入射させるものである。
【０００５】
各赤外線センサ素子にはｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層４２側からほぼ垂直入射した入射赤外線がＭＱＷ層４４において吸収されやすいように、凹凸及びＡｕ反射電極４８からなる乱反射構造が設けられており、この乱反射構造によって入射赤外線を斜め方向に偏向させる。
【０００６】
この様な赤外線センサ素子を１次元アレイ状或いは２次元アレイ状に配置することによって赤外線検知アレイを構成しており、各赤外線センサ素子に対する共通バイアスはｎ型ＩｎＧａＰ層４３に接するオーミック電極４７を介して印加することになり、また、各赤外線センサ素子からの出力は、各赤外線センサ素子に設けたＩｎバンプ５１から取り出すことになる。
【０００７】
この様な量子井戸型赤外線センサにおいては、量子井戸内に閉じ込められたキャリア、この場合には、電子を赤外線５３によって励起し、ＭＱＷ層４４を構成するｉ型ＡｌＧａＡｓバリア層の伝導帯側のバンド端を越えて外部に流出させて光誘起電流として検知しており、量子井戸での光吸収効率を高めるためには、ＭＱＷ層３３を構成するｎ型ＧａＡｓウエル層のドーピング濃度を大きくして量子井戸内のキャリア濃度、即ち、電子濃度を増加させれば良い。
【０００８】
しかし、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸系を用いた場合には、５μｍ以下の短い波長の赤外線については、感度が落ちるという問題がある。
即ち、５μｍ以下の短波長を吸収するためには、量子井戸に形成された基底準位と伝導帯下端との間の遷移を利用することになるが、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの伝導帯のエネルギーギャップ、即ち、伝導帯下端の差ΔＥC に上限があるため、吸収効率が落ちることになる。
【０００９】
図８（ｂ）参照
図８（ｂ）は、ＭＱＷ層４４の伝導帯側のバンドダイヤグラムであり、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸系を用いた場合には、エネルギーギャップΔＥC を０．２５ｅＶ以上にすることができない。
【００１０】
そこで、５μｍ以下の短波長を吸収するために、井戸層としてＧａＡｓの代わりに電子親和力χの大きなＩｎＧａＡｓを用い、ＡｌＧａＡｓとの間の伝導帯下端の差ΔＥC をより大きくすることが試みられている。
【００１１】
図８（ｃ）参照
図８（ｃ）は、ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸系の伝導帯側のバンドダイヤグラムであり、伝導帯のエネルギーギャップΔＥC はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸系を用いた場合よりも大きくすることができ、それによって、５μｍ以下の波長に対して充分な感度を持たせることができる。
【００１２】
図９参照
図９は、ΔＥC と検出波長の相関の説明図であり、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ／ＧａＡｓ量子井戸の場合には、ΔＥC ≒０．２ｅＶとなり、検出波長は約８．４μｍとなる。
また、図から明らかなように、５μｍ以下の短波長に対して感度を持たせるためには、ΔＥC を０．３ｅＶ以上にする必要があることが理解される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ウエル層としてＩｎＧａＡｓを用いた場合には、アレイ化のために素子分離溝４９を形成する際のドライエッチング工程においてエッチング速度が非常に小さくなり、加工制御性が極端に悪くなるという問題がある。
【００１４】
即ち、この様なドライエッチング工程においてはＣｌを含む反応性ガスを用いるのが一般的であるが、Ｉｎを含む系ではＩｎとＣｌとが反応して、加工表面に蒸気圧の低いＩｎＣｌx が形成されるためである。
【００１５】
したがって、本発明は、ドライエッチング工程における加工制御性を改善することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１（ａ）は、量子井戸型赤外線センサの要部断面図であり、また、図１（ｂ）は量子井戸層の伝導帯側のバンドダイヤグラムである。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
上記の目的を達成するために、本発明においては、多重量子井戸層１を構成する井戸層２として、前記多重量子井戸層を構成する障壁層との間の伝導帯のエネルギーギャップΔＥｃが０．３ｅＶ〜０．５ｅＶになる組成のＧａＡｓＮＳｂを用いるとともに、多重量子井戸層１を分離してアレイ化する際に、Ｃｌを含む反応性ガスを用いたドライエッチングにより多重量子井戸層１をエッチングする工程を有することを特徴とする。
【００１７】
この様に、井戸層２としてＧａＡｓＮまたＧａＡｓＮＳｂを用いることによって、井戸層２と障壁層３との間の伝導帯のエネルギーギャップΔＥC を０．３〜０．５ｅＶとすることができ、それによって、５μｍより短い波長の赤外線８に対する感度を高めることができるとともに、多重量子井戸層１のドライエッチング工程において、Ｃｌを含む反応性ガスを用いることによって、ＧａＡｓと同程度のエッチング速度で加工することができる。
【００１８】
特に、ＧａＡｓＮＳｂを用いることによって、ほぼ同じΔＥC を保ったままで、ＧａＡｓとの格子定数ａの差Δａを０．１％以下に、即ち、Δａ／ａを０．１％以下にすることができ、それによって、井戸層２を成長基板或いは障壁層３に対して格子整合させることができる。
【００１９】
また、本発明においては、多重量子井戸層１を構成する障壁層３として、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）を用いたことを特徴とする。
【００２０】
この様に、障壁層３として、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）を用いることによって、ＧａＡｓＮまたＧａＡｓＮＳｂからなる井戸層２に対するΔＥC を大きくすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、多重量子井戸層１に接するコンタクト層６に乱反射構造を設けたことを特徴とする。
【００２２】
この様に、乱反射構造、例えば、凹凸と反射電極７を利用した乱反射構造を設けることによって、乱反射した入射赤外線８が多重量子井戸層１に対して斜め方向から入射するので、サブレベル４間の遷移、或いは、サブレベル４と連続帯５との間の遷移を効率的に行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の実施の形態のＱＷＩＰを説明するが、まず、図２乃至図５を参照してＱＷＩＰの製造工程を説明する。
図２（ａ）参照
まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）によって、ｉ型ＧａＡｓバッファ層１２及びエッチングストッパ層となるｉ型ＩｎＧａＰ層１３を介して、厚さが、０．５〜３．０μｍ、例えば、２．０μｍで、キャリア濃度が１×１０17〜５×１０18ｃｍ-3、例えば、１×１０18ｃｍ-3のｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層１４、エッチングストッパ層となるｎ型ＩｎＧａＰ層１５、ＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６、及び、厚さが、１．０〜３．０μｍ、例えば、１．０μｍで、キャリア濃度が１×１０17〜５×１０18ｃｍ-3、例えば、２×１０17ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７を順次エピタキシャル成長させる。
【００２４】
なお、この場合のＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６は、例えば、厚さが５０ｎｍのｉ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層と、厚さが５．５ｎｍでキャリア濃度が２×１０17ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓ0.95Ｎ0.01Ｓｂ0.04ウエル層とを、ｎ型ＧａＡｓ0.95Ｎ0.01Ｓｂ0.04ウエル層が２０層になるように交互に堆積させて形成するものである。
また、この場合のｉ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層は、隣接するｎ型ＧａＡｓ0.95Ｎ0.01Ｓｂ0.04ウエル層間において電子がトンネルしないように、且つ、量子井戸内に基底準位のみが形成されるように十分に厚く形成しておく。
【００２５】
図２（ｂ）参照
次いで、レジストパターン１８をマスクとして、各赤外線センサ素子に乱反射構造を形成するために、深さが、例えば、０．６μｍの凹部１９をｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７に形成する。
【００２６】
図３（ｃ）参照
次いで、レジストパターン１８を除去したのち、全面にＳｉＯＮ膜２０を設け、通常のフォトリソグラフィー工程によって、共通電極を形成するための開口部をＳｉＯＮ膜２０に形成し、このＳｉＯＮ膜２０をマスクとしてウェット・エッチングを施すことによってｎ型ＩｎＧａＰ層１５に達するコンタクト用開口２１を形成する。
【００２７】
この場合、エッチャントとしてＨＦ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏを用いることによって、ｎ型ＩｎＧａＰ層１５がエッチングストッパ層となってＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、及び、ＧａＡｓＮＳｂが選択的にエッチングされ、ｎ型ＩｎＧａＰ層１５の表面においてエッチングは自動的に停止する。
【００２８】
図３（ｄ）参照
次いで、ＳｉＯＮ膜２０を除去したのち、全面に新たにＳｉＯＮ膜２２を設け、レジストパターン（図示せず）を用いて共通電極形成部及びセンサ電極形成部のＳｉＯＮ膜２２を選択的に除去し、次いで、Ａｕ・Ｇｅ／Ｎｉからなるオーミック電極２３を部分的に設けたのち、Ａｕ反射電極２４を設けて共通電極及びセンサ電極を選択的に形成する。
【００２９】
図４（ｅ）参照
次いで、レジストパターン（図示せず）を除去したのち、新たにフォトレジストを塗布し、素子分離溝２５に対応する開口部を有するレジストマスク（図示せず）を設け、このレジストマスクをマスクとしてドライエッチングを施すことによって、ＳｉＯＮ膜２２の一部を除去し、引き続いて、Ｃｌ系ガスを用いてドライエッチングを施すことによってｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７及びＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６を除去してｎ型ＩｎＧａＰ層１５に達する素子分離溝２５を形成する。
【００３０】
なお、この場合のＣｌ系ガスとしては、ＳｉＣｌ4 ＋ＳＦ6 を用いるが、ＧａＡｓＮＳｂはこの様なＣｌ系ガスに対しＧａＡｓと同程度のエッチング速度を有するので、加工制御性が劣化することがない。
【００３１】
図４（ｆ）参照
次いで、レジストパターンを除去したのち、新たに保護絶縁膜となるＳｉＯＮ膜２６を堆積させ、通常のフォトリソグラフィー工程により共通電極部及びセンサ電極部のＡｕ反射電極２４の一部を露出させ、露出部にバリア層及び密着性改善層となるＴｉ／Ａｕ膜２７を介してＩｎバンプ２８を蒸着法により形成する。
【００３２】
図５（ｇ）参照
次いで、エッチャントとしてＨＦ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏを用いて半絶縁性ＧａＡｓ基板１１及びｉ型ＧａＡｓバッファ層１２を選択的に除去する。
この場合のｉ型ＩｎＧａＰ層１３がエッチングストッパ層となるので、エッチングはｉ型ＩｎＧａＰ層１３で自動的に停止する。
次いで、ｉ型ＩｎＧａＰ層１３の表面に反射防止膜２９を設けることによって、ＱＷＩＰの基本構成が完成する。
【００３３】
この様なＱＷＩＰにおいて、反射防止膜２９に対し垂直に近い方向から入射した赤外線の大半はＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６で吸収されずに透過してしまうが、ｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７の表面に設けた凹部１９による凹凸構造及びＡｕ反射電極２４によって乱反射されて斜め方向に偏向されて、再びＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６に対して斜め方向に入射されることになり、斜め方向から入射することによって効果的に吸収される。
【００３４】
また、ＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６に吸収されずに透過した斜め方向の赤外線は、ｎ型ＩｎＧａＰ層１５或いはｉ型ＩｎＧａＰ層１３の界面で全反射されてＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６に、再び斜め方向から入射して吸収されることになる。
なお、この場合のＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６における吸収波長帯は、約４μｍとなる。
【００３５】
図６（ａ）参照
図６（ａ）は、無バイアス状態のＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層１６における伝導帯側のバンドダイヤグラムであり、量子井戸に、基底準位３３のみしか存在しないように、ＡｌＧａＡｓバリア層３１の混晶比及び膜厚を制御している。
【００３６】
図６（ｂ）参照
図６（ｂ）は、ｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層１４とｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７との間に、ｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７が正になるように、例えば、５．０Ｖの電圧を印加した状態の伝導帯側のバンドダイヤグラムである。
【００３７】
この状態で、赤外線３５がＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層に対し斜め方向から入射した場合、基底準位３３と伝導帯側の連続帯３６との間の遷移によって赤外線３５が吸収され、連続帯３６に励起された電子３４は光誘起電流３７としてｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層１７を介して取り出されることになる。
【００３８】
図７参照
図７は、ＧａＡｓＮＳｂ組成と検出波長の相関の説明図であり、ウエル層としてＧａＡｓＮＳｂを用いることによって、Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓバリア層に対し、ΔＥC を０．２〜０．６５ｅＶとすることができ、８．４〜３μｍの赤外線に対応させることができる。
因に、ＡｌＧａＡｓバリア層３１の混晶比をＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ、ＧａＡｓＮＳｂウエル層３２の混晶比をＧａＡｓ0.95Ｎ0.01Ｓｂ0.04とした場合には、ΔＥC ≒０．３８ｅＶとなり、約４μｍの赤外線に対する感度を持たせることができる。
【００３９】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に記載した構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、一個の凹凸によって乱反射構造を形成しているが、より多くの凹凸或いは複雑な形状の凹凸によって乱反射構造を形成しても良く、さらには、回折格子を利用しても良いものである。
【００４０】
また、上記の実施の形態の説明においては、５μｍ帯より短波長に対する感度を問題としているため、量子井戸における量子準位を基底準位のみとして、基底準位−連続帯間の遷移を利用しているが、本発明はこの様な基底準位−連続帯間の遷移に限られるものではない。
即ち、量子井戸内に複数の量子準位（サブレベル）が形成されるよう多重量子井戸層を構成し、サブレベル間の遷移を利用しても良いし、或いは、上位の量子準位と−連続帯間の遷移を用いても良いものである。
【００４１】
また、上記の実施の形態においては、ウエル層が基板或いはバリア層に格子整合するように、Ｓｂの組成比を制御して、ＧａＡｓの格子定数ａに対する差Δａを、Δａ／ａ≦０．１％としているが、必ずしも格子整合する必要はなく、ウエル層をＧａＡｓＮによって形成しても良いものである。
【００４２】
即ち、ΔＥC はＧａＡｓＮＳｂのＮ組成比に大きく依存し、Ｓｂ組成比にはあまり依存しないので、ＧａＡｓＮ、例えば、ＧａＡｓ0.99Ｎ0.01を用いても良いものである。
このＧａＡｓ0.99Ｎ0.01はＧａＡｓに対し、Δａ／ａ≒０．２５％となるが、この様なＧａＡｓＮを用いて多重量子井戸を結晶成長させることは可能である。
【００４３】
また、上記の実施の形態においては、バリア層としてＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓを用いているが、この様な混晶比に限られるものではなく、必要とする特性に応じて適宜変更されるものであり、極端な場合にはＧａＡｓを用いても良いものである。
【００４４】
また、上記の実施の形態においては、成長基板を最終的には除去しているが、必ずしも除去する必要はなく、成長基板を残存した状態で赤外線センサとして使用しても良いものである。
【００４５】
ここで、再び、図１を参照して、本発明の付記を説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
（付記１）  多重量子井戸層１を構成する井戸層２として、ＧａＡｓＮＳｂを用いたことを特徴とする量子井戸型赤外線センサ。
（付記２）  上記ＧａＡｓＮＳｂの組成比が、ＧａＡｓとの格子定数の差が０．１％以下になる組成比であることを特徴とする付記１記載の量子井戸型赤外線センサ。
（付記３）  多重量子井戸層１を構成する井戸層２として、ＧａＡｓＮを用いたことを特徴とする量子井戸型赤外線センサ。
（付記４）  上記多重量子井戸層１を構成する障壁層３として、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）を用いたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の量子井戸型赤外線センサ。
（付記５）  上記多重量子井戸層１に接するコンタクト層６に、乱反射構造を設けたことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の量子井戸型赤外線センサ。
（付記６）  上記多重量子井戸層１における、サブレベル４間の遷移、或いは、サブレベル４と連続帯５との間の遷移のいずれかを用いたことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の量子井戸型赤外線センサ。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、多重量子井戸層を構成する井戸層としてＧａＡｓＮＳｂ或いはＧａＡｓＮを用いているので、ΔＥC を大きくした状態で、エッチング工程の加工制御性を高めることができ、それによって、５μｍより短い波長の赤外線に感度を有する量子井戸型赤外線センサを精度良く形成することができ、ひいては、大面積の高集積度で且つ高解像度の赤外線固体撮像装置の実用化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態のＱＷＩＰの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態のＱＷＩＰの図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態のＱＷＩＰの図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態のＱＷＩＰの図４以降の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態のＱＷＩＰの検出動作の説明図である。
【図７】ＧａＡｓＮＳｂ組成と検出波長の相関の説明図である。
【図８】従来のＱＷＩＰの説明図である。
【図９】ΔＥC と検出波長の相関の説明図である。
【符号の説明】
１  多重量子井戸層
２  井戸層
３  障壁層
４  サブレベル
５  連続帯
６  コンタクト層
７  反射電極
８  赤外線
１１  半絶縁性ＧａＡｓ基板
１２  ｉ型ＧａＡｓバッファ層
１３  ｉ型ＩｎＧａＰ層
１４  ｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層
１５  ｎ型ＩｎＧａＰ層
１６  ＧａＡｓＮＳｂ系ＭＱＷ層
１７  ｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層
１８  レジストパターン
１９  凹部
２０  ＳｉＯＮ膜
２１  コンタクト用開口
２２  ＳｉＯＮ膜
２３  オーミック電極
２４  Ａｕ反射電極
２５  素子分離溝
２６  ＳｉＯＮ膜
２７  Ｔｉ／Ａｕ膜
２８  Ｉｎバンプ
２９  反射防止膜
３１  ＡｌＧａＡｓバリア層
３２  ＧａＡｓＮＳｂウエル層
３３  基底準位
３４  電子
３５  赤外線
３６  連続帯
３７  光誘起電流
４１  ｉ型ＩｎＧａＰ層
４２  ｎ+ 型ＧａＡｓ下部コンタクト層
４３  ｎ型ＩｎＧａＰ層
４４  ＭＱＷ層
４５  ｎ型ＧａＡｓ上部コンタクト層
４６  ＳｉＯＮ膜
４７  オーミック電極
４８  Ａｕ反射電極
４９  素子分離溝
５０  Ｔｉ／Ａｕ膜
５１  Ｉｎバンプ
５２  反射防止膜
５３  赤外線
【図１】
0004331386.tif 000002
【図２】
0004331386.tif 000003
【図３】
0004331386.tif 000004
【図４】
0004331386.tif 000005
【図５】
0004331386.tif 000006
【図６】
0004331386.tif 000007
【図７】
0004331386.tif 000008
【図８】
0004331386.tif 000009
【図９】
0004331386.tif 000010