(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電吸着ステージに基板を配置しない状態で、処理チャンバーへガスを導入し、高周波電源を動作させて処理チャンバー内の静電吸着ステージに高周波電圧を印加して前記ガスでプラズマを形成し、該静電吸着ステージを前記プラズマからのイオンでクリーニングする第一のステップと、
第一のステップの後に、前記静電吸着ステージに基板を配置しない状態で前記静電吸着ステージを治具で覆いながらターゲットに電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる第二のステップと
を含むことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
前記第二のステップでは、前記第一のステップにおいてターゲットに付着したパーティクルが前記スパッタ放電によって除去されることを特徴とする請求項１記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記第一のステップにおいて、前記静電吸着ステージの自己バイアス電圧を−２００V〜−５００Vに調整することを特徴とする請求項１又は２記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記自己バイアス電圧の調整は、静電吸着ステージが備えた電極と前記高周波電源との間に設けられたキャパシタンスを調整することにより行なわれることを特徴とする請求項３記載のクリーニング方法。
【請求項５】
処理チャンバーと、
基板を保持するために処理チャンバー内に設けられた静電吸着ステージと、
前記静電吸着ステージ内に設けられた第一吸着電極及び第二吸着電極と、
第一吸着電極が第一の吸着電源に接続される際、当該第一の吸着電源と第一吸着電極との間の線路上に位置する第一可変容量コンデンサと、
第二吸着電極が第二の吸着電源に接続される際、当該第二の吸着電源と第二吸着電極との間の線路上に位置する第二可変容量コンデンサと
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記静電吸着ステージに高周波電源が接続される際、当該高周波電源と前記第一第二の吸着電源との間の線路上に位置するフィルタ回路を具備することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記静電吸着ステージの表面は、凹凸の大きさが０．０３μｍ以下となるように鏡面加工されていることを特徴とする請求項５又は６記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造において使用される基板処理装置に関し、特に、基板を静電吸着ステージに吸着しながら処理する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ等の半導体デバイスは、基板に対する多くの表面処理を経て製造される。このような処理を行う装置は、処理中に基板を所定の位置に保持するため、静電吸着ステージを備えている場合が多い。
図４は、このような静電吸着ステージを備えた従来の基板処理装置を示した正面概略図である。この図４には、一例としてスパッタリング装置の概略構成が示されている。
【０００３】
図４に示す装置は、排気系１１を備えた処理チャンバー１と、処理チャンバー１内に所定のガスを導入するガス導入系２と、処理チャンバー１内に被スパッタ面を露出させて設けられたターゲット３と、ターゲット３に電圧を印加してターゲット３をスパッタするスパッタ電源４と、スパッタによってターゲット３から放出された材料（以下、スパッタ粒子）が到達する処理チャンバー１内の位置に基板９を配置するための静電吸着ステージ５とを備えている。
【０００４】
ガス導入系２によって所定のガスを導入しながらスパッタ電源４によってターゲット３に電圧を印加すると、スパッタ放電が生じてターゲット３がスパッタされる。スパッタによってターゲット３から放出されたスパッタ粒子は、基板９の表面に達してターゲット３の材料からなる薄膜が作成される。
静電吸着ステージ５は、誘電体からなる誘電体ブロック５１と、誘電体ブロック５１内に設けられた一対の吸着電極５２とから構成されている。そして、吸着電極５２に直流電圧を印加する吸着電源５３が設けられている。吸着電極５２に直流電圧が印加されると、誘電体ブロック５１が誘電分極して表面に静電気が誘起される。この静電気によって、基板９が静電吸着されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の基板処理装置において、静電吸着ステージの表面は完全な平坦面ではなく凹凸がある。基板は、静電気によって静電吸着ステージに押し付けられるため、基板の裏面が静電吸着ステージの表面の凹凸によって傷付けられる問題がある。基板の裏面が傷付けられると、剥がれた基板の材料がパーティクルとなる。パーティクルは処理チャンバー内を漂う微粒子の総称であるが、パーティクルが基板の表面に達すると、表面に形成されている回路をショートさせたりする重大な不良を生ずる恐れがある。
このような静電吸着ステージの表面の凹凸による問題を解決するものとして、特開平７−２４５３３６号公報の発明がある。この公報の発明では、静電吸着ステージの表面にプラズマを照射し、凹凸を丸くしてパーティクルの発生を抑制している。
【０００６】
しかしながら、この発明の方法によると、静電吸着ステージの表面をスパッタしているのと同じであるので、静電吸着ステージの材料の微粒子が処理チャンバー内に放出されてパーティクルとなってしまう。そして、このような静電吸着ステージの材料のパーティクルが基板に付着すると、回路の断線等の不良がやはり生じる恐れがある。
本願の発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、静電吸着ステージと基板との接触に起因するパーティクルの発生の問題を効果的に解決することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、静電吸着ステージに基板を配置しない状態で、処理チャンバーへガスを導入し、高周波電源を動作させて処理チャンバー内の静電吸着ステージに高周波電圧を印加して前記ガスでプラズマを形成し、該静電吸着ステージを前記プラズマからのイオンでクリーニングする第一のステップと、
第一のステップの後に、前記静電吸着ステージに基板を配置しない状態で前記静電吸着ステージを治具で覆いながらターゲットに電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる第二のステップとを含むという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記第二のステップでは、前記第一のステップにおいてターゲットに付着したパーティクルが前記スパッタ放電によって除去されるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２の構成において、前記第クリーニングステップにおいて、前記静電吸着ステージの自己バイアス電圧を−２００V〜−５００Vに調整するという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、上記請求項３の構成において、前記自己バイアス電圧の調整は、静電吸着ステージが備えた電極と前記高周波電源との間に設けられたキャパシタンスを調整することにより行なわれるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、処理チャンバーと、
基板を保持するために処理チャンバー内に設けられた静電吸着ステージと、
前記静電吸着ステージ内に設けられた第一吸着電極及び第二吸着電極と、
第一吸着電極が第一の吸着電源に接続される際、当該第一の吸着電源と第一吸着電極との間の線路上に位置する第一可変容量コンデンサと、
第二吸着電極が第二の吸着電源に接続される際、当該第二の吸着電源と第二吸着電極との間の線路上に位置する第二可変容量コンデンサと
を具備するという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、上記請求項５の構成において、前記静電吸着ステージに高周波電源が接続される際、当該高周波電源と前記第一第二の吸着電源との間の線路上に位置するフィルタ回路を具備するという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、上記請求項５又は６の構成において、前記静電吸着ステージの表面は、凹凸の大きさが０．０３μｍ以下となるように鏡面加工されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図１は、本願発明の実施形態に係る基板処理装置を示す正面概略図である。図１には、図４に示す装置と同様、基板処理装置の一例としてスパッタリング装置の構成が示されている。
図１に示す装置は、排気系１１を備えた処理チャンバー１と、処理チャンバー１内に所定のガスを導入するガス導入系２と、処理チャンバー１内に被スパッタ面を露出させて設けられたターゲット３と、ターゲット３に電圧を印加してターゲット３をスパッタするスパッタ電源４と、スパッタによってターゲット３から放出されたスパッタ粒子が到達する処理チャンバー１内の位置に基板９を配置するための静電吸着ステージ５とを備えている。
【０００９】
排気系１１は、クライオポンプ等の真空ポンプを備えて処理チャンバー１内を１０-8Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気可能に構成される。ガス導入系２は、スパッタ率の高いアルゴン等のガスを所定の流量で処理チャンバー１内に導入できるよう構成される。
ターゲット３は、絶縁材３１を介して処理チャンバー１に取り付けられている。スパッタ電源４は、負の直流電圧又は高周波電圧をターゲット３に印加するよう構成される。
ターゲット３の背後（被スパッタ面とは反対側）には、磁石機構６が設けられている。磁石機構６は、中心磁石６１と中心磁石６１を取り囲むリング状の周辺磁石６２とから構成されている。磁石機構６によって設定された磁場内に電子が閉じこめられ、高効率のスパッタリングが行える。
【００１０】
静電吸着ステージ５は、金属製のステージ本体５０と、ステージ本体５０に固定された誘電体ブロック５１と、誘電体ブロック５１内に設けられた一対の吸着電極５２とから構成されている。そして、吸着電極５２に直流電圧を印加する吸着電源５３が設けられており、誘電体ブロック５１の表面に静電気を誘起して基板９を静電吸着するようになっている。
金属製のステージ本体５０の内部には、ヒータ５４が設けられている。ヒータ５４は、通電によりジュール熱を発生する抵抗発熱方式のものである。赤外線ランプ等の輻射加熱方式のものもヒータ５４として使用できる。
ステージ本体５０と誘電体ブロック５１とは、熱接触性良く接合されており、ヒータ５４からの熱が誘電体ブロック５１を経由して基板９に伝えられる。ヒータ５４は、不図示のヒータ電源によって制御され、この結果、基板９が所定の温度に加熱維持されるようになっている。
【００１１】
この実施形態の基板処理装置の大きな特徴点の一つは、静電吸着ステージ５の表面が０．０３μｍ以下の凹凸となるように鏡面加工されている点である。図２は、この静電吸着ステージ５の鏡面加工について説明する断面図である。
基板９が載置される静電吸着ステージ５の表面は、誘電体ブロック５１の表面になっている。誘電体ブロック５１の材質は、本実施形態ではＡｌＮとなっている。この誘電体ブロック５１は、まず切削加工又は射出成型等の方法で所定の形状に成形される。そして、次に基板９が載置される表面が鏡面加工される。鏡面加工は、機械研磨やポリッシングの方法によって行われる。これによって、図２に示すように、表面の凹凸が０．０３μｍ以下となる。
【００１２】
このように、本実施形態では、静電吸着ステージ５の表面が０．０３μｍ以下の凹凸に鏡面加工されているので、凹凸によって基板９の裏面が傷付けられる問題は解消されている。従って、前述した公報の発明のように、プラズマの照射によって凹凸を削って丸くする必要はない。前述したヒータ５４による基板９の温度制御を精度良く行うためには、静電吸着ステージ５の表面にある程度静電気を誘起して基板９を吸着する必要があるが、静電吸着力を誘起させた場合でも、０．０３μｍ以下の凹凸であれば、基板９の裏面が傷付く問題が無いことが確認されている。
【００１３】
しかしながら、前述の公報の明細書では言及されていないが、基板９の裏面の傷は、静電吸着ステージ５の表面の凹凸だけが原因で発生するものではない。誘電体ブロック５１の成形加工時や静電吸着ステージ５の組立時に発生したゴミが静電吸着ステージ５の表面に残留付着していたり、処理チャンバー１の浮遊パーティクルや他のチャンバーから進入したパーティクルが静電吸着ステージ５の表面に付着していたりすると、このゴミやパーティクル（以下、加工時のゴミもパーティクルに含める）との接触によって基板９の裏面が傷付けられる恐れがある。
【００１４】
このような静電吸着ステージ５へのパーティクルの付着に起因した傷の発生は、静電吸着ステージ５の表面を鏡面加工しておくだけでは解決されない。このため、本実施形態では、静電吸着ステージ５の表面のパーティクルをプラズマによって弾き飛ばす構成を採用している。即ち、本実施形態の装置は、プラズマによって静電吸着ステージ５の表面のパーティクルを弾き飛ばすプラズマ形成手段７を有している。
プラズマ形成手段７は、静電吸着ステージ５に高周波電圧を印加してプラズマを形成するものである。具体的には、整合回路７２を介して静電吸着ステージ５に接続された高周波電源７１によってプラズマ形成手段７が構成されている。高周波電源７１は、吸着電源５３の直流電圧に重畳させて高周波電圧を吸着電極５２に与えている。即ち、高周波電源７１からの伝送線路は、吸着電源５３と静電吸着ステージ５とを結ぶ線路に結線されている。
【００１５】
吸着電極５２に高周波電圧が与えられると、静電吸着ステージ５を臨む空間に高周波電界が設定される。設定された高周波電界は、ガス導入系２によって導入されたガスにエネルギーを与え、ガスをプラズマ化させる。
尚、高周波電源７１からの伝送線路の結線箇所よりも吸着電源５３側の線路上には、フィルタ回路５５が設けられている。フィルタ回路５５は、高周波が吸着電源５３の方に回り込んで吸着電源５３を損傷しないようにするためのものである。
【００１６】
本実施形態の装置の大きな特徴点は、プラズマ形成手段７が、前掲の公報のように静電吸着ステージ５の表面を削るのでなく、静電吸着ステージ５の表面に付着したパーティクルを弾き飛ばすようプラズマを形成する点である。この構成は、プラズマと高周波との相互作用によって静電吸着ステージ５に与えられる自己バイアス電圧の大きさを調整することで達成されている。
静電吸着ステージ５に高周波電圧を印加してプラズマを形成する際、静電吸着ステージ５と高周波電源７１との間に適当なキャパシタンスが存在すると、高周波とプラズマとの相互作用により、静電吸着ステージ５に自己バイアス電圧が与えられる。図３は、自己バイアス電圧の説明図である。
【００１７】
図３において、高周波電源７１が設定する高周波電界の変化が点線で示されている。この高周波電界によって、プラズマ中の荷電粒子（電子及び正イオン）は周期的に静電吸着ステージ５に引き寄せられる。この際、移動度の大きな電子は素早く静電吸着ステージ５に引き寄せられるのに対し、移動度の小さな正イオンはゆっくりと引き寄せられる。この移動度の違いによって、静電吸着ステージ５の表面は、図３中実線で示すように電位が変化する。この電位の変化は、高周波電界に対して負の直流分の電圧を重畳したような変化である。この負の直流分の電圧を自己バイアス電圧Ｖｂと呼んでいる。
この負の自己バイアス電圧は、プラズマ中の正イオンを引き出して静電吸着ステージ５に到達させる作用を有している。そして、自己バイアス電圧の大きさを調整することにより、正イオンが静電吸着ステージ５の表面を削ることなく静電吸着ステージ５の表面に存在するパーティクルを弾き飛ばすようにすることが可能である。
【００１８】
自己バイアス電圧の大きさは、高周波電源７１が与える高周波電圧の大きさや周期にも影響を受けるが、大きな因子は高周波電源７１と静電吸着ステージ５との間に存在するキャパシタンスである。このキャパシタンスは、整合回路７２やフィルタ回路５５中のコンデンサを含む。本実施形態では、可変容量コンデンサ７３が設けられており、これを調節することによって、自己バイアス電圧の大きさを調整している。
【００１９】
自己バイアス電圧の大きさをどの程度にしておけば、静電吸着ステージ５の表面を削ることなくパーティクルのみを弾き飛ばすことができるかは、静電吸着ステージ５の材質によって異なる。前述したように静電吸着ステージ５の表面がアルミナである場合、自己バイアス電圧の大きさは、−２００Ｖ〜−５００Ｖ程度であることが好ましい。−２００Ｖより小さいと、パーティクルを弾き飛ばす程の正イオンの加速エネルギーが得られない。また、−５００Ｖより大きいと、静電吸着ステージ５の表面をエッチングして削ってしまう恐れがある。これは静電吸着ステージ５の基板保持面が直径８インチであり、高周波電源７１の周波数が４００ｋＨｚの場合である。
【００２０】
尚、自己バイアス電圧は、上述した通り、移動度の大きな電子が静電吸着ステージ５の表面に集まり易い性質を利用しているが、自己バイアス電圧が生ずると、プラズマ電位が正方向にシフトする性質がある。これは、プラズマ中の電子が静電吸着ステージ５に集まる結果、プラズマ中の正イオンが相対的に多くなるためである。但し、プラズマ電位が正方向にシフトすると、電子が逆にプラズマに引き戻されるように作用するから、静電吸着ステージ５への電子の集まりと引き戻しのバランスが取れた状態でプラズマ電位の正方向へのシフトが平衡に達する。
プラズマ電位の正方向へのシフトは、自己バイアス電圧に重畳する形で正イオンの加速電界を与えるから、静電吸着ステージ５をエッチングしないようにしてパーティクルのみを弾き飛ばすためには、この正方向へのシフトの大きさも調整する必要がある。
【００２１】
次に、図１に戻り、処理チャンバー１内の他の部材について説明する。
図１に示すように、処理チャンバー１の内面の内側には、防着シールド８が設けられている。この防着シールド８は、上述したプラズマによって弾き出された静電吸着ステージ５の表面のパーティクルが処理チャンバー１の内面に付着するのを防止するものである。防着シールド８が無いと、パーティクルは処理チャンバー１の内面に付着する。そして、自重等によって剥離して再度処理チャンバー１内を浮遊し、基板９に付着する可能性がある。防着シールド８は、この問題を防止している。
【００２２】
尚、防着シールド８は、基板９へのスパッタ成膜の際に飛来するスパッタ粒子が処理チャンバー１の内面に到達するのも防止している。このようなスパッタ粒子の付着があると、スパッタ粒子は薄膜に成長する。そして、ある程度の膜厚になると、内部応力等により剥離してパーティクルの元になる。
【００２３】
防着シールド８は、静電吸着ステージ５とターゲット３との間の空間を取り囲む形状の円筒状の部材である。防着シールド８の内側面は、パーティクルの付着や薄膜の堆積があっても容易に剥離しないような表面処理が施されている。また、防着シールド８は、着脱自在な状態で処理チャンバー１に設けられている。処理チャンバー１は、不図示の構造にて分割可能となっており、防着シールド８の交換は処理チャンバー１を分割して行う。
【００２４】
次に、本実施形態に係る基板処理装置の動作について説明する。
まず、不図示のゲートバルブを通して基板９が処理チャンバー１内に搬入され、静電吸着ステージ５の上に載置される。この際、静電吸着ステージ５内のヒータ５４が動作しており、ヒータ５４の熱が基板９に伝えられる。そして、吸着電源５３が動作して一対の吸着電極５２に直流電圧を与えて誘電体ブロック５１を誘電分極させる。この結果、基板９が静電吸着ステージ５に静電吸着される。
【００２５】
処理チャンバー１内が所定圧力まで排気されている状態でゲートバルブを閉め、ガス導入系２を動作させる。処理チャンバー１内へのガスの導入量を調整しながら、スパッタ電源４を動作させる。この結果、ターゲット３がスパッタされ、スパッタ粒子が基板９に達して所望の薄膜が基板９の表面に作成される。
スパッタを所定時間継続して所定の厚さで薄膜を作成した後、スパッタ電源４及びガス導入系２の動作を止めて、スパッタを停止させる。そして、吸着電源５３の動作を停止させ、静電吸着を解除する。そして、排気系１１によって処理チャンバー１内を再度排気した後、ゲートバルブを開けて基板９を取り出す。このような動作を繰り返して、次々に基板９を処理チャンバー１に搬入して成膜処理を行う。
【００２６】
上記動作において、必要に応じて、以下のようなパーティクル除去のオペレーションを行う。
まず、基板９を処理チャンバー１に搬入することなく、処理チャンバー１内を所定圧力まで排気した後、ガス導入系２を動作させ、アルゴン等のガスを導入する。そして、プラズマ形成手段７を動作させる。即ち、高周波電源７１を動作させて静電吸着ステージ５に高周波電圧を印加し、プラズマを形成する。高周波電源７１とプラズマとの間のキャパシタンスを可変容量コンデンサ７３によって調整して所定の自己バイアス電圧を静電吸着ステージ５に与える。この結果、プラズマ中の正イオンが静電吸着ステージ５を衝撃して表面のパーティクルを弾き飛ばす。しかし、静電吸着ステージ５の表面をスパッタエッチングして削る程には至らない。
【００２７】
このような構成により、静電吸着ステージ５の表面のパーティクルが除去され清浄な表面となる。しかし、弾き飛ばされたパーティクルは、防着シールド８に到達するものもあるが、ターゲット３に付着するものもある。パーティクルが付着したままのターゲット３をスパッタすると、パーティクルがターゲット３から弾き出されて基板９に付着してしまう恐れがある。そこで、次にターゲット３からのパーティクルの除去を以下の動作で行う。
【００２８】
まず、静電吸着ステージ５の表面を所定の治具９０で覆う。この治具９０は、ターゲット３から弾き出されたパーティクルが再び静電吸着ステージ５の表面に付着してしまうのを防止するためのものである。治具９０には、例えば、処理する基板９と同じ材質で同じ形状のものを採用することができる。そして、通常の基板９の搬入動作と同じ動作で静電吸着ステージ５に載置することで、静電吸着ステージ５の必要な領域を覆うことができる。尚、搬送系が許容する限り、治具９０は出来るだけ大きなものを使用した方が静電吸着ステージ５の表面の大きな領域を覆えるので好適である。
【００２９】
このようにして治具９０で静電吸着ステージ５の表面を覆った後、ガス導入系２を動作させる。処理チャンバー１内は予め所定の圧力に排気されており、導入するガスの量を調整して、処理チャンバー１内をさらに所定の圧力に保つ。この状態で、スパッタ電源４を動作させて、ターゲット３をスパッタする。この結果、ターゲット３に付着していたパーティクルが弾き出される。尚、この場合のスパッタは、静電吸着ステージ５の表面のパーティクルを弾き出すだけで良いので、通常のスパッタの際の電力に比べて小さな電力で行われる。
【００３０】
上記スパッタによって弾き出されたパーティクルは、防着シールド８に付着したり、静電吸着ステージ５を覆う治具９０に付着したりする。そして、防着シールド８は、所定の期間パーティクルを保持した後、交換される。また、治具９０は、このオペレーションの後に処理チャンバー１の外に取り出される。従って、静電吸着ステージ５の表面に当初存在していたパーティクルが基板９に付着することはなくなる。
【００３１】
上述したパーティクル除去のオペレーションは、装置の出荷時、装置の日々の稼働開始時、所定の枚数の基板９の処理を終わった時、１枚の基板９の処理の度毎等に行われる。例えば、装置の出荷時には、静電吸着ステージ５を構成する部材の加工時や静電吸着ステージ５の組立時に生じたパーティクルの除去に上記オペレーションが用いられる。また、処理チャンバー１を大気に開放してメンテナンスを行った後、装置を新たに稼働開始させる時には、大気開放によって処理チャンバー１に持ち込まれたパーティクルの除去のために上記オペレーションが行われる。さらに、基板９の搬送等によって生じたパーティクルを定期的に除去する必要がある場合、毎回や所定の回数の処理のたびに上記オペレーションが行われる。
【００３２】
いずれにしても、静電吸着ステージ５の表面が鏡面加工されていて基板９の裏面の傷付きによるパーティクル発生が抑制されている上、表面に付着したパーティクルがプラズマによって弾き飛ばされるので、従来に比べてパーティクル低減の効果が著しい。そして、前掲の公報のように、静電吸着ステージ５の表面を削ってしまうことがないので、これによるパーティクルの発生も無い。
【００３３】
さらに、パーティクルが静電吸着ステージ５から弾き飛ばされてターゲット３に付着しても、スパッタによって除去されるので、基板９に作成する膜質を汚損することがない。そして、この際、治具９０が静電吸着ステージ５の表面を覆うので、パーティクルが静電吸着ステージ５に戻ってしまうこともない。パーティクルは、排気系１１によって排出されるか、又は、防着シールド８に付着して防着シールド８の交換とともに大気側に取り出される。このため、基板９に付着することがない。
【００３４】
以上の説明では、基板処理装置の例としてスパッタリング装置を採り上げたが、請求項５の場合を除いて、化学蒸着装置やエッチング装置等の他の基板処理装置の場合も同様に本願発明の考え方は適用できる。
尚、静電吸着の方式として、複数対の吸着電極を用いる場合もある。また、前述した自己バイアス電圧を利用して静電吸着する場合もある。この場合は、一又は複数の吸着電極に高周波電圧を印加し、自己バイアス電圧によって誘電体ブロックを誘電分極させる。
また、請求項５の発明の実施に際しては、基板９と同様のものを治具９０として用いる構成の他、静電吸着ステージ５の表面を覆うことが可能なシャッタ機構を採用しても良い。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１記載の発明によれば、静電吸着ステージから弾き飛ばされたパーティクルがターゲットに付着しても、基板に作成する薄膜がこれによって汚損されることがない。
また、請求項３記載の発明によれば、上記効果に加え、プラズマ中のイオンによって静電吸着ステージの表面がエッチングされない程度のエネルギーで表面のパーティクルが弾き飛ばされるので、新たなパーティクルを作ることなく効果的にパーティクルを除去できる。
また、請求項５記載の発明によれば、プラズマによって静電吸着ステージをクリーニングする際、静電吸着ステージの自己バイアス電圧を可変容量コンデンサの調節によって調整することができる。
また、請求項７記載の発明によれば、上記効果に加え、静電吸着ステージの表面との接触による基板の裏面の傷付きに起因したパーティクル発生が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態に係る基板処理装置を示す正面概略図である。
【図２】静電吸着ステージの鏡面加工について説明する断面図である。
【図３】自己バイアス電圧の説明図である。
【図４】静電吸着ステージを備えた従来の基板処理装置を示した正面概略図である。
【符号の説明】
１  処理チャンバー
２  ガス導入系
３  ターゲット
４  スパッタ電源
５  静電吸着ステージ
５０  ステージ本体
５１  誘電体ブロック
５２  吸着電極
５３  吸着電源
５４  ヒータ
５５  フィルタ回路
６  磁石機構
７  プラズマ形成手段
７１  高周波電源
７２  整合回路
７３  可変容量コンデンサ
８  防着シールド
９  基板
９０  治具
【図１】
0004355046.tif 000002
【図２】
0004355046.tif 000003
【図３】
0004355046.tif 000004
【図４】
0004355046.tif 000005