(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響により振動する振動板と、前記振動板に光を入射する発光素子と、前記振動板からの反射光を受光し、前記振動板の音響による変位を電気信号の変化に変換して出力する受光素子と、前記発光素子と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動板からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備えた音響電気変換装置において、
前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置との間に収束された前記発散反射光の一部を遮蔽する遮蔽手段を設け、前記発散反射光を前記光軸に対して２分して受光し、受光した光信号の大きさを差信号として取り出すことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の音響電気変換装置において、
前記発光素子を前記遮蔽手段とほぼ同位置の前記光軸上に設けたことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項３】
請求項１に記載の音響電気変換装置において、
前記受光素子が前記光軸に対して２分されて構成されることを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の音響電気変換装置において、
前記発光素子が垂直共振器型面発光レーザ素子であることを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の音響電気変換装置において、
前記遮蔽手段が前記光軸に対してほぼ直角に設けられたナイフエッジからなることを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項６】
音響により振動する振動板と、前記振動板に光を入射する発光素子と、前記振動板からの反射光を受光し、前記振動板の音響による変位を電気信号の変化に変換して出力する受光素子と、前記発光素子と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動体からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備えた音響電気変換装置において、
前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置とにそれぞれ収束する前記発散反射光をさらに反射させて前記受光素子に導くミラー手段を設けたことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項７】
請求項６に記載の音響電気変換装置において、
前記発光素子を前記ミラー手段とほぼ同位置の前記光軸上に設けたことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項８】
発光面の発光強度分布が同心円状にほぼ均一で、前記発光面から所定の角度で立下るミラー面を有した台形状の垂直共振器型面発光レーザ発光素子を中心部に配置し、前記発光素子を取囲むように受光素子を配置した基板と、
前記基板に対向する位置にほぼ平行に、かつ近接して設置され、音響により振動する振動板と、
前記基板と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動板からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備え、
前記発光素子の前記発光面を前記光軸上の前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置との間に配置し、収束された前記発散反射光を前記ミラー面で反射させて前記受光素子に導くことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項９】
請求項８に記載の音響電気変換装置において、
前記発光素子と前記受光素子とを同一基板上に同一工程で作製したことを特徴とする音響電気変換装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の音響電気変換装置において、
前記発光素子と前記受光素子とを異なる基板上に異なる工程で作製したことを特徴とする音響電気変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は音響電気変換装置に係り、特に発光素子として垂直共振器型面発光レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）を用いた音響電気変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＶＣＳＥＬを用いた超小型音響電気変換装置として光マイクロホン装置が知られている。
図６は光マイクロホン装置の基本構造を示す図である。
図６（ａ）は断面形状を示したもので、筐体１の底面８に電子回路基板１２を設置し、この基板１２上に発光素子ＬＤと受光素子ＰＤとを配置した基板９を取り付ける。
発光素子としては面発光レーザダイオードＬＤを、受光素子としてはフォトダイオードＰＤを用いている。基板９の中央に円形形状の面発光レーザダイオードＬＤを配置し、この面発光レーザダイオードＬＤを取り巻くように同心円状に受光素子ＰＤを配置する。
【０００３】
図６（ｂ）は、図６（ａ）中に点線で囲んで示した受発光素子が搭載された基板９の受発光部を拡大して示した平面図である。図に示すように中央部に円形形状の発光素子ＬＤを配置し、これを取り囲むように同心円状に受光素子ＰＤ１，ＰＤ２，…，ＰＤｎを配置する。なおここで用いられる発光素子ＬＤとしては垂直共振器型面発光レーザを用いることができる。この発光素子ＬＤと受光素子ＰＤとはガリウムヒ素ウエハ上に同時に半導体製造工程により作製することができる。
従って発光素子ＬＤと受光素子ＰＤとの位置合わせ精度は半導体製造工程に用いられるマスクの精度によって決められるため、その合わせ精度を１μｍ以下とすることができ、従来の光マイクロホン素子の受発光素子の位置合わせ精度に比べ百分の一以下の高精度で実現が可能である。
【０００４】
一般に、垂直共振器型面発光レーザ発光素子は発光強度分布が同心円状にほぼ均一な特性を持っている。従って、中央部に設置された発光素子ＬＤから所定の角度で振動板２に向かって放射された放射光は、同心円状に同一強度を持って反射し、音波７の受波により振動板２が振動することにより反射角度が変化し、受光素子ＰＤの同心円状に到達する。
したがって、同心円状に配列された受光素子ＰＤ１〜ＰＤｎの受光光量の変化を検出し、これを電気信号の変化に変換して出力することにより振動板２の振動変位を検出することができる。これにより入射音波７の強弱を検知することができるため、光マイクロホン素子として使用可能となる。
なお発光素子ＬＤや受光素子ＰＤを駆動、もしくは入射光量の検出のために電極１１が形成されている。
【０００５】
受光素子ＰＤから検出される電気信号の変化を差動増幅器または除算器等の増幅器で増幅することにより振動板２の変位を検出する。ここで増幅器の出力を実用的なレベルまで大きくしようとすれば増幅器の増幅率を大きくする必要があり、増幅器の設計を複雑にしてしまう。また増幅率を大きくするとそれに伴って電子回路上で発生する雑音も一緒に大きくすることになってしまい、信号／雑音（Ｓ／Ｎ）比を高くすることが困難になる。そこで増幅器の増幅率を上げることなく、Ｓ／Ｎ比の高い信号を得るためには受光素子で反射光を受ける際の反射光の移動幅の変化を大きくする必要がある。
【０００６】
図７は反射光の移動幅を拡大させるために基板９と振動板２との光路上にレンズ素子３を配置した構造を示している。発光素子ＬＤと振動板２との間の距離（Ｌ０）を１．３ｍｍとし、レンズ径を０．２５ｍｍ、拡大倍率を６．５とするレンズ素子３を光路上に配置する。このレンズ素子３の焦点位置近傍に振動板２を配置し、これを基準位置とする。図７のａ点は結像位置を示す。またｂ点は振動板２で反射し、折り返した位置での結像点を示す。図７に示す状態は振動板２が高圧の音響により凹んだ状態である。角θはレンズ素子３の収束角で定まり、図７に示す状態ではθ＝１２°である。なお振動板２は当初２ｃの位置にあり、振動により所定の変奇量δだけ振動して２ｄの位置に移動する。また振動板２が静止していた時の反射光の到達距離の直径を２Ａ、振動板２が変奇量δだけ移動したときの反射光の到達距離の直径を２Ｂとする。
図７に示すような構成ではレンズ素子３によって収束した反射光が受光素子ＰＤに到達する際の移動幅が大きくなり、受光感度が高くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし図７に示す改良された光マイクロホン装置の構造によってもなお感度が必ずしも充分高いとはいえなかった。
そこで本発明は図７に示すようなレンズ素子を用いた音響電気変換装置においてさらに受光感度の高い装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、音響により振動する振動板と、前記振動板に光を入射する発光素子と、前記振動板からの反射光を受光し、前記振動板の音響による変位を電気信号の変化に変換して出力する受光素子と、前記発光素子と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動体からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備えた音響電気変換装置において、前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置との間に収束された前記発散反射光の一部を遮蔽する遮蔽手段を設け、前記発散反射光を前記光軸に対して２分して受光し、受光した光信号の大きさを差信号として取り出すことを特徴とする。
【０００９】
前記音響電気変換装置において、前記発光素子を前記遮蔽手段とほぼ同位置の前記光軸上に設けることが出来る。
また、前記音響電気変換装置において、前記受光素子は前記光軸に対して２分されて構成することが出来る。
さらに、前記音響電気変換装置において、前記発光素子を垂直共振器型面発光レーザ素子とすることが出来る。
前記音響電気変換装置において、前記遮蔽手段を前記光軸に対してほぼ直角に設けられたナイフエッジとすることが出来る。
【００１０】
また、本発明は、音響により振動する振動板と、前記振動板に光を入射する発光素子と、前記振動板からの反射光を受光し、前記振動板の音響による変位を電気信号の変化に変換して出力する受光素子と、前記発光素子と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動体からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備えた音響電気変換装置において、前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置とにそれぞれ収束する前記発散反射光をさらに反射させて前記受光素子に導くミラー手段を設けたものである。
前記音響電気変換装置において、前記発光素子を前記ミラー手段とほぼ同位置の前記光軸上に設けることが出来る。
【００１１】
さらに本発明は、発光面の発光強度分布が同心円状にほぼ均一で、前記発光面から所定の角度で立下るミラー面を有した台形状の垂直共振器型面発光レーザ発光素子を中心部に配置し、前記発光素子の両側に光軸４からｄ＝ｈ・ｔａｎ（１８０−２・α）ただし、α＞４５°の距離で２分された受光素子を配置した基板と、前記基板に対向する位置にほぼ平行に、かつ近接して設置され、音響により振動する振動板と、前記基板と前記振動板との間の光路上に配置され前記発光素子からの入射光を収束して前記振動板に導き、前記振動板からの発散反射光を光軸上の第１の焦点位置と第２の焦点位置との間に収束させて前記受光素子に導くレンズ素子とを備え、前記発光素子の前記発光面を前記光軸上の前記第１の焦点位置と前記第２の焦点位置との間に配置し、収束された前記発散反射光を前記ミラー面で反射させて前記受光素子に導くようにしたものである。
前記音響電気変換装置において、前記発光素子と前記受光素子とを同一基板上に同一工程で作製することが出来る。
また、前記音響電気変換装置において、前記発光素子と前記受光素子とを異なる基板上に異なる工程で作製することも出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の構成を説明するための原理図である。
本発明ではレンズ素子３と受光素子ＰＤとの間に収束された発散反射光の一部を遮蔽する遮蔽手段を設ける。図１に示す例では遮蔽手段としてナイフエッジ１０を設けている。振動板２で反射し発散された反射光はレンズ素子３により収束されて光軸４上の２つの焦点位置ｆ１，ｆ２に収束するように集光される。そこで本発明ではナイフエッジ１０を短焦点位置ｆ１と長焦点位置ｆ２との間に設ける。これにより振動板３からの戻り光が片側の光束が遮られ、焦点前後の光束が受光素子ＰＤの光軸に対して２分されて構成された領域Ａ及び領域Ｂに分割されて到達する。したがってＡ領域から検出される光信号とＢ領域から検出される光信号との差信号をとることにより、図７に示すような構造のものに比較してより感度の高い受光量変調をおこなうことができる。
ナイフエッジ１０と受光素子ＰＤとの間の距離Δを変えることにより最適な受光素子のサイズと感度とを得ることができる。
【００１３】
図２は図１に示す構成の動作原理を説明するための図である。
図２（ａ）に示す例ではレンズ３からの戻り光がナイフエッジ１０に対して短焦点位置ｆ１側に収束した例である。この場合には、レンズ３の上側からの戻り光はナイフエッジ１０に遮られて受光素子ＰＤのＢ領域に到達することはなく、Ａ領域のみにレンズ素子３からの戻り光が照射される。
図２（ｂ）の場合には、レンズ３からの戻り光は短焦点位置ｆ１と長焦点位置ｆ２の間のナイフエッジ１０の位置に収束している。この例では受光素子ＰＤのＡ領域で受光される受光量とＢ領域で受光される受光量とは等しくなる。
図２（ｃ）の例では、戻り光はナイフエッジ１０に対して長焦点位置ｆ２側に収束している。この場合には、レンズ３の上側からの戻り光のみが受光素子ＰＤのＢ領域で受光される。
受光素子ＰＤのＡ領域とＢ領域とで受光した光信号の大きさを差信号として取り出すことにより図７に示す場合に比べて大きな差信号を得ることができる。
【００１４】
なお図１（ａ）〜（ｃ）に示す図は受光素子ＰＤでの戻り光の受光状態を示す図で図２（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ対応している。なお、図１に示す実施の形態において、ナイフエッジ１０と受光素子ＰＤとの間の距離をΔ、振動板２の振動変位を±δとし、発光素子ＬＤと振動板との間の距離を１．３９ｍｍ、レンズ径を０．２５ｍｍ、拡大倍率を６．５とすると、発光素子ＬＤとレンズとの間の距離Ｌは１．２ｍｍ、またレンズ３と振動板２の距離Ｆは０．１９ｍｍとなる。なお図１に示す例では発光素子ＬＤは光軸４上にあって、ナイフエッジ１０の設置位置と同位置にある。さらに、振動板２の変位ｄは基準位置からのオフセット量である。さらにＨａｐをレンズ上での戻り光の光束高さとした場合、振動板２の変位±δによる受光素子ＰＤ上での光束高さＡ，Ｂを示しており、表１に示す結果が得られる。
【００１５】
【表１】
0004249875.tif 000002
【００１６】
図３は本発明の他の実施の形態を示す図で、本実施の形態では図１に示すような遮蔽手段を用いて一方の戻り光を遮蔽するのではなく、戻り光をさらに反射させて受光素子に導くようにミラー手段２０ａ，２０ｂを設けている。このミラー手段２０ａ，２０ｂにより短焦点位置ｆ１に収束する戻り光は受光素子Ａ１，Ａ２に反射されて導かれ、長焦点位置ｆ２に収束する戻り光は受光素子Ｂ１，Ｂ２に導かれる。このようなミラー手段により戻り光の光束が２つの受光素子にそれぞれ分離されて受光される。そこで両側にある受光素子の差信号の和をとることにより受光量変調を増幅して出力することができる。すなわち図３に示す例では受光出力信号は受光素子Ａ１とＢ１との差と、Ａ２とＢ２との差の和信号として取り出すことができる。なお、ミラー手段２０ａ，２０ｂは光軸４に対して対称に所定の角度だけ傾けて配置される。また発光素子はこのミラー手段２０ａ，２０ｂの先端部の光軸４上に設置することができる。
図３に示す例では、発光素子ＬＤは光軸４上にあって短焦点位置ｆ１と長焦点位置ｆ２との間に位置するように設置されている。またミラー手段２０ａ，２０ｂの頂点に位置し、これによりほぼ台形状の形状が形成される。
【００１７】
図４は図３に示す第２の実施の形態の詳細動作原理を説明する図である。発光面から所定の角度αで立下るミラー面２０ａ，２０ｂを有した台形状の垂直共振器型面発光レーザ発光素子ＬＤを中心部に配置し、この発光素子ＬＤの両側に光軸４からｄ＝ｈ・ｔａｎ（１８０−２・α）（ただしα＞４５°）の距離で２分された受光素子Ａ１，Ｂ１を配置した基板が用いられる。
ここでｈは台形の高さで、ミラー面２０ａ，２０ｂの端を傾きαのまま延長し、光軸４との交点から基板までの高さである。またｄは光軸４から２分された受光素子の分割点までの距離である。光軸４に沿った、レンズ３からの戻り光は、入射角、反射角がαとなり、ｄ＝ｈ・ｔａｎ（１８０−２・α）の関係が成立する。
図２（ｄ）はこのようなミラー手段２０ａ，２０ｂを用いたときの戻り光の反射状態を示す図である。
【００１８】
図５は図３に示す実施の形態における発光素子とミラー手段との作製方法を説明する図で、（ａ）はガリウムヒ素基板に受発光素子並びにミラー手段を同一工程で製造する方法を示し、（ｂ）は受光素子をシリコン基板上に作製したのち、別途形成した発光素子とミラー手段との複合体をこの受光素子と組合せる方法を示している。
【００１９】
図５（ａ）に示す同一工程で製造する方法は、工程数を減らすことが可能であるが、ガリウムヒ素基板が高価であるという欠点がある。この方法ではガリウムヒ素基板を用意し（ステップ４０）、発光素子が形成される部分を中央に残してその周辺部をエッチング除去する（ステップ４１）。ついで全面に結晶成長を行なう（ステップ４２）。ついで中央部に形成される発光素子ＬＤの側壁を所定の角度でエッチングし、斜面に形成する（ステップ４３）。次にこの斜面に鏡面コートを行ない、光が反射するようにしてミラー手段の形成を行なう。
【００２０】
図５（ａ）による製造方法では発光素子、受光素子及びミラー手段が同一基板上に一体として形成されるため精度の高い超小型の音響電気変換装置を実現することができる。しかし前述したようにガリウムヒ素基板が高価なため、コストが上昇するという欠点がある。図５（ｂ）に示す方法は、基板価格の安価なシリコン基板を用いて受光素子のみを形成し、発光素子ならびにミラー手段は高価なガリウムヒ素基板に形成してこれをダイボンドにより一体に形成したものである。
【００２１】
ステップ５０に示すようにシリコン基板を用意し、基板エッチングと結晶成長とを行なうことにより（ステップ５１，５２）、受光素子部分を形成する。一方ガリウムヒ素基板を用意し、これに結晶成長を行い（ステップ６０，６１）、発光素子を形成する。ついでステップ６１により形成された結晶面に所定の角度で斜面形成を行い、この斜面に鏡面コートを行なうことにより（ステップ６２）、発光素子とこの発光素子に一体化されたミラー手段とを形成する。次にこれをダイシングにより分離し（ステップ６３）、分離された発光素子とミラー手段とからなるチップをダイボンドによりシリコン基板からなる受光素子に結合することにより（ステップ５３）、受発光素子並びにミラー手段を形成する。本製造方法は工程数が増えるものの、シリコン基板がガリウムヒ素基板に比べて安価であるため、装置のコストを減少させることができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上の実施の形態に基づいて詳細に説明したように、本発明では戻り光の一部を遮蔽する遮蔽手段あるいは戻り光をさらに反射させるミラー手段を設けたことにより戻り光の検出信号の差が大きくなるか、あるいは戻り光の移動幅を大幅に増大することができるため、高Ｓ／Ｎの再生音を実現することができる。
なお、本発明は光マイクロホン装置に利用できるだけでなく音響センサ等にも利用することができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る音響電気変換装置の構成原理を示す図。
【図２】図１及び図３に示す構成の動作原理を説明するための図。
【図３】本発明の第２の実施の形態の動作原理を説明するための図。
【図４】図３に示す第２の実施形態の詳細動作原理を説明するための図。
【図５】受発光素子の製造方法を示す工程図。
【図６】従来の電気音響変換装置の一例を示す図。
【図７】従来のレンズ素子を用いた音響電気変換装置の動作原理を説明するための図。
【符号の説明】
２    振動板
３    レンズ素子
ＬＤ    発光素子
ＰＤ    受光素子
１０    ナイフエッジ
２０ａ，２０ｂ    ミラー手段
【図１】
0004249875.tif 000003
【図２】
0004249875.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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