(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基含有量が０．０６〜０．２重量％で、平均粒径が０．５〜３．４μｍである球状シリカを含有する半導体用接着剤。
【請求項２】
該球状シリカの含有量が、０．１〜５０容量％であることを特徴とする請求項１に記載の半導体用接着剤。
【請求項３】
該球状シリカが、その粒径分布がＣＶ値で６０％以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の半導体用接着剤。
【請求項４】
ベースとなる接着剤が、柔軟性接着剤であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体用接着剤。
【請求項５】
柔軟性接着剤が、下記のＡ、Ｂ、Ｃから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項４に記載の半導体用接着剤。
Ａ：シリコーン系柔軟性接着剤
Ｂ：エポキシ系柔軟性接着剤
Ｃ：エラストマー系柔軟性接着剤
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、特に高密度半導体用の接着剤に関するものである。ここで接着剤というのは、半導体装置を組み立てるに際し、半導体チップ、マウント、放熱板、回路基板等を取り付けるため異種素材同士を接着するとともに衝撃緩衝の役目をするものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報及び通信分野に於ける技術の急速な進歩に呼応して、電子機器の性能向上、小型化、軽量化及び低コスト化が強く求められている。これらの要望を満たすため、電子機器の心臓部である半導体装置の高密度化が必須のものとなっている。半導体装置の高密度化は、例えば、半導体ベアチップを基板に直接取り付けるフリップチップ・ボンデイング加工法、更には、電極を面状に配置したＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）加工法やＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）加工法等の技術によりその実現が図られている。
【０００３】
半導体装置の高密度化に当たって、接着剤を使用して半導体チップ、マウント、放熱板、回路基板等を取り付ける技術が進展している。この技術は、異種素材同士を接着するとともに半導体装置の熱応力による衝撃を緩和する役目もするものである。半導体装置を接着剤を用いて組み立てるに際しては、半導体を精密に基板等に接着させる必要がある。このため接着剤には品質の均一性及び安定性が求められる。従来の接着剤は液状接着成分を主に構成されているので、部分的に組成変動を生じ高精度接着用途には不向きであった。接着力がバラツク、不均一に滲み出すといった問題を生じていた。また、半導体装置の組立に当たっては、異種素材を接着しなければならず、従来の液状の接着剤では接着力が必然的に不足するという問題がある。
【０００４】
半導体装置には半導体装置の組立時及び使用時に熱がかかり、これが半導体に熱応力を生じさせ、この応力を緩和しなければならないという問題がある。熱がかかった場合、半導体チップ自身の熱膨張は小さく、接着剤の熱膨張が大きいので、接着剤は膨張しようとし、半導体チップがその膨張を抑えようとするので応力が発生し、それが半導体装置の信頼性低下の原因になり、また最悪の場合半導体装置自身の破壊の原因になる。
【０００５】
従来の接着剤は、硬化すると柔軟性を失い応力緩和の役目を果たさなくなるという問題があった。接着剤の熱膨張を小さくするためにセラミック等が添加されるが、セラミック類を５０容量％以上添加すると柔軟性や強度の低下を招く。粒径の大きな異方性セラミック類は、局部応力を発生するという問題がある。補強剤として超微粒子異方性シリカを用いることも知られているが、微量添加で粘度が上昇し流動性を失って加工性が悪くなるという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高密度化する半導体装置を、低コストで組み立て可能とする半導体用接着剤を提供しようとするものである。この接着剤は、寸法精度、保存性及び接着力に優れ、かつ、半導体装置の組立時及び使用時にかかる熱によって半導体装置に生じる熱応力を緩和することのできるものである。即ち、表面に水酸基を有する球状セラミックを接着成分として用いることで、均一性、安定性及び加工性に優れる接着剤を提供しようとするものである。接着性官能基である水酸基を有する粉体を固形接着成分として用い、更に球状とすることにより増粘を防ぐものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、水酸基含有量が０．０６〜０．２重量％で、平均粒径が０．５〜３．４μｍである球状シリカを含有する半導体用接着剤である。請求項２の発明は、該球状シリカの含有量が、０．１〜５０容量％であることを特徴とする請求項１に記載の半導体用接着剤である。請求項３の発明は、該球状シリカが、その粒径分布がＣＶ値で６０％以下であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体用接着剤である。
【０００９】
請求項４の発明は、ベースとなる接着剤が、柔軟性接着剤であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体用接着剤である。請求項５の発明は、柔軟性接着剤が、下記のＡ、Ｂ、Ｃから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項４に記載の半導体用接着剤である。
Ａ：シリコーン系柔軟性接着剤
Ｂ：エポキシ系柔軟性接着剤
Ｃ：エラストマー系柔軟性接着剤
【００１０】
本発明は、表面に水酸基を有する球状セラミックを含有する半導体用接着剤を提供するものである。表面に水酸基を有するセラミック粒子を含有する接着剤は、保存性、加工性、接着力に優れたものである。そして、本発明の接着剤を用いて組み立てた半導体装置は、熱応力の緩和に優れ、高密度化が可能で、信頼性が高く、製造コストも低いものである。
【００１１】
本発明は、球状セラミックとして球状シリカ粒子を使用する。接着剤に無機系粒子を添加した場合、一般に、接着剤の粘度が高くなり接着加工性が極端に悪くなる。この点、球状シリカ粒子を使用すると、粘度の上昇を抑えることができ、接着剤の接着加工性を高めることができる。
【００１３】
セラミック粒子の含有量が多いと、接着剤の粘度上昇により接着加工性が低下する、接着剤層の耐湿性が低下する等の問題がある。一方、セラミック粒子の含有量が少ないと、接着力が小さいという問題がある。これらの観点から、セラミック粒子の接着剤に於ける含有量は０．１〜５０容量％とするのが好ましい。
【００１４】
セラミック粒子の粒径が大きいと、セラミック粒子と接着剤とを混合した場合にボイドを発生し、接着剤の加工性が損なわれ、また、局部的に応力が集中するという問題がある。一方、粒径が小さいと、空気中の水分をセラミック粒子が吸着しやすく、組み立てられた半導体装置の耐湿性が低下するほか、接着剤の流動性が低下しその加工性が悪くなり、また、セラミックを含有する接着剤の熱伸縮が大きくなるという問題がある。このような観点から、本発明では、球状シリカ粒子の平均粒径は０．５〜３．４μｍとし、また、最大粒径は２０μｍ以下が好ましい。
【００１５】
セラミックの粒径分布は、該セラミックを混合した接着剤の流動性、即ち、加工性に影響を与える。粒径分布が狭いものほど、該セラミックを含有する接着剤の粘度は小さく、加工性がよい。この観点から、セラミックの粒径分布は、ＣＶ値で６０％以下が好ましい。ここでＣＶ値というのは、下記式から求められるものである。
0004249824.tif 000002
上式中Ｄ２は累計１６重量％のときの粒径を、Ｄ１は累計８４重量％のときの粒径を、Ｄｐは平均粒径、即ち、累計５０重量％のときの粒径を表す。
【００１６】
更に、本発明に使用するセラミックスは、その表面に有する水酸基の量が、セラミックに対し５重量％以下であるものが好ましい。水酸基の量が多いと、空気中の水分を吸着し、接着剤の加工性に影響を与え、組み立てられた半導体装置の吸湿性が大きくなり半導体装置の信頼性にも影響を与えるようになる。この様な観点から、セラミックがその表面に含有する水酸基の量は、セラミックに対し５重量％以下のものが好ましい。また、セラミック粒子の接着剤中に於ける含有量は、該セラミックス粒子がその表面に有する水酸基の量との兼ね合いで最適な含有量を決めるのがよい。
【００１７】
表面に有する水酸基の量に下限値を明記しなかったのは、粒子表面の水酸基の数が同じでも水酸基の量をセラミックに対する重量百分率で表わすと、水酸基の量は粒子径の大きさにより極端に異なった値になるためである。ちなみに、粒子径が２ｎｍのとき水酸基がシリカ粒子の表面に粒子１個当たり１個あるとして、水酸基の量は０．３重量％程度であるが、粒径が２μｍでは３×１０−１０重量％になる。
【００１８】
本発明に使用する接着剤は通常の接着剤を使用することができるが、応力の緩和に有効に作用することから柔軟性接着剤を使用するのが好ましい。柔軟性接着剤は、具体的には、Ａ：シリコーン系柔軟性接着剤、Ｂ：エポキシ系柔軟性接着剤、Ｃ：エラストマー系柔軟性接着剤から選択される少なくとも一種の接着剤が好ましく使用することができる。そして、各柔軟性接着剤は、エポキシ基、カルボン酸基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ビニル基、エステル基等の官能基を少なくとも一種有する化合物から選ばれたものを接着成分として含有させることもできる。
【００１９】
シリコーン系接着剤としては、ビニル型シリコーンゴムが好ましく使用することができる。ビニル型シリコーンゴムは、各種添加剤を加えることができ、加硫剤の存在下に加熱することにより、硬化させることのできるシリコーンゴムである。該シリコーンゴムはゴム弾性があるため、半導体装置の組立時又は使用時に発生する熱による応力を緩和することができる。
【００２０】
ビニル型シリコーンは単独又は硬化剤を使用することにより硬化する。いずれの場合も、触媒として、過酸化物・白金類・錫類が用いられる。これは、シリコーンメーカーのＲＴＶ・ＬＴＶ・ＨＴＶのカタログ等に記載の通りである。
【００２１】
エポキシ樹脂はビスフェノール型又はノボラック型のものが多く、一般的に硬化後は柔軟性を持たない硬質なものである。本発明においては、柔軟性を有するエポキシ樹脂を使用するのが好ましい。好ましい柔軟性エポキシ樹脂として具体的には、シクロペンタジエン変性エポキシ樹脂やナフタレン変性エポキシ樹脂等の炭化水素変性エポキシ樹脂、エラストマー変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等から誘導されるものである。これらのエポキシ樹脂に、各種添加剤を加えることができ、また触媒の存在下に加熱することにより、硬化させることができる。当該エポキシはゴム弾性があるため、半導体装置の組立時又は使用時に発生する熱応力を緩和することができる。
【００２２】
硬化剤としては、ビスフェノール、フェノールノボラック、酸無水物、アミン化合物が一般的であるが、これらは硬質なものであり、本発明では柔軟性の硬化剤を使用するのが好ましい。柔軟性硬化剤としては、具体的にはシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂やキシレン変性フェノール樹脂等の炭化水素変性フェノール樹脂、アクリロニトリルゴム分散酸無水物、シリコーン変性アミン化合物、シリコーン樹脂等から誘導されるものである。
【００２３】
次に、エラストマー系接着剤としては、スチレン系エラストマー、塩化ビニール系エラストマー、オレフィン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、フッ素系エラストマー又はウレタン系エラストマー等のエラストマー及びこれらの中間体を使用することができる。本発明で使用する反応性官能基を有するエラストマーは、上記エラストマーに官能基を付与したものである。ここでいう反応性官能基は、二重結合、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アミノ基やイソシアナート基等である。
【００２４】
本発明に使用する反応性官能基を有するエラストマーに於いて、鎖伸長剤を用いることもできる。鎖伸長剤は、該反応性官能基を有するエラストマーの官能基と反応する官能基を有する化合物である。例えば、エラストマーの末端にイソシアナート基を有するポリウレタンの場合は、ポリブタジエンジオールやポリエチレングリコールのような末端に水酸基を有する化合物を使用することができる。
【００２５】
半導体装置の組立に際しては、接着剤を使用して半導体自身、放熱板、マウントや回路基板等異種素材同士を接着させる。この接着剤に接着成分を更に混合してもよい。接着成分としては、エポキシ基、カルボン酸基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ビニル基、エステル基等の官能基を少なくとも一種有する化合物等から選ばれたものである。具体的な例として、エポキシ基、カルボン酸基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ビニル基、エステル基等の官能基を有するポリシロキサン、ポリブタジエン、テルペン重合体等を挙げることができる。但し、これらに限定されるものではない。
【００２６】
従来の接着剤は、液状接着成分や超微粒子異方性シリカを用いるため、加工性が悪い、接着力がバラツク、不均一に滲み出すといった問題を有している。
【００２７】
特に、最先端の半導体装置に於いては、接着精度が要求される。従来の接着剤はこうした観点からの接着精度が悪く、製品の歩留まりが低い原因ともなっている。これに対して本発明の接着剤は、固形状で使用することができ、更には、テープ状等に加工することもできる。従来知られている粘着テープ類は、接着力が小さく、温度が上昇すると粘着力が極度に低下し剥離してしまう欠点がある。これに対して、本発明の接着剤は、高温度に於いても高い接着力を保持するものである。
【００２８】
本発明の接着剤は、接着すべき素材間に該接着剤を付けて、その後加熱して硬化させるものである。即ち、接着剤本体が未だ硬化していない状態で、半導体チップ等を装着し装置を組み立て、その上で加熱することにより、接着剤を硬化させ、半導体装置を完成させるものである。その際、表面に水酸基を有する球状セラミックを接着剤に含有させることにより、接着剤の効果を一層安定化しかつ大きいものにすることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態の例を示すものである。即ち、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）に本発明の接着剤を適用したものである。半導体チップ１７は、フイルムキャリヤテープ２１にバンプ１９を介して取り付けられている。フイルムキャリヤテープ２１は、接着剤１８によって支持体２０に取り付けられている。半導体チップ１７からの配線は、フイルムキャリヤテープ２１を介して、半田ボール１２に接続されている。そうしてこれら全体が、基板１１に搭載されている。支持体２０と半導体チップ１７は、更に接着剤２３を介して接着させることもできる。勿論、支持体２０と半導体チップ１７とは必ずしも接着させなくてもよい。フイルムキャリヤテープ２１と支持体２０との間の領域は、そのままでもよいが、樹脂封止２２をすることもできる。
【００３０】
図２は、本発明の他の実施形態の例を示すものである。即ち、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）に本発明の接着剤を適用したものである。半導体チップ２５は、接着剤２６を介して基板２８に取り付けられている。２９は半田ボールである。半導体チップ２５が接着剤２６を介して基板２８に取り付けられているが、これら全体は、フレーム３０で囲まれている。外部への配線のために配線２７が接続されている。接着剤２６は、半導体チップ２５を基板２８に接着させるとともに、半導体装置に熱がかかったときに発生する応力を緩和する機能をもつ。
【００３１】
図３は、本発明の接着剤を従来からのワイヤー・ボンディング方式に適用したものである。半導体チップ４７は、接着剤４３を介して基板４４に取り付けられている。４２は半田ボールである。外部への配線のために配線４５が接続されている。接着剤４３は、半導体チップ４７を基板４４に接着させるとともに、半導体装置に熱がかかったときに発生する応力を緩和する機能をもつ。
【００３２】
以下、本発明を実施例について具体的に説明する。ここで、部は全て重量部である。
【実施例１】
高活性球状シリカ４０部、シクロペンダジエン変性エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製品品番ＸＤ−１０００）１００部、フェノール樹脂（三井化学株式会社製品品番ＸＬ−２２５）２０部及び触媒（北興化学工業株式会社製品、品番ＴＰＰ−Ｋ）１部を混合し２本ロールにて５分間混練し、接着剤を製造した。この接着剤を模擬ＢＧＡに於いて、ＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）上に厚み１５０μｍでスクリーン印刷し、半導体チップを装着した。その後１８０℃で５分加熱した。出来上がったものの厚み精度は±１０μｍ以下であり基板との実装は全く問題なかった。又、この模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを３回行つたところ、クラックやポップコーン等の発生は認められなく不良品の発生は認められなかった。吸湿半田テストＡを３回行った後、更に、吸湿半田テストＢを行ったが、腐食等の欠陥品は少なく不良品は５％以下であった。柔軟性接着剤の最終的な硬度は、ＪＩＳＡで３０であった。
【００３３】
本実施例で使用した高活性球状シリカは、珪酸ナトリウムの水溶液を有機溶剤中に分散又は乳化させ塩酸を加えることにより球状シリカを得、これを濾過、乾燥した後、９００℃で焼成し製造したものである。該高活性球状シリカは、平均粒径３．４μｍ、最大粒径１２μｍ、ＣＶ値３６％で、水酸基含有量０．０６重量％の特性値を有するものである。
【００３４】
試験方法は、以下の通りである。
吸湿半田テストＡ試験方法：湿度１００％、温度１２５℃の条件下に於いて２０時間保持した後、ＩＲリフロー（赤外線炉）内で、２４０℃の温度で１０秒間加熱し、更に，２６０℃で１０秒間加熱する。
吸湿半田テストＢ試験方法：吸湿半田テストＡを施したものにつき、更に湿度、１００％、温度１２５℃の条件下に、１０００時間保持する。
【００３５】
シリカ粒子表面の水酸基の量の測定方法：検体をＫＢｒ錠剤とよく混合して測定用試料とする。並行してＫＢｒ錠剤と標準品（富士デビソン株式会社製品、品番サイロイド２４４）とを混合し対照試料とする。これら二者の試料をＦＴ−ＩＲ測定を行う。測定条件は、分解能４ｃｍ−１以上、積算回数１００回以上、ＴＧＳ又ＭＣＴで検出、である。３７４０ｃｍ−１に於けるピークの吸光度を求め定法に基づいて水酸基の量を求める。
【００３８】
【実施例２】
高活性シリカ３０部、ＳＩＳ系エラストマー（シェルジャパン株式会社製品、品番Ｄ−１１１７．官能基として二重結合を含む）１００重量部、ポリブタジエン（日本曹達株式会社製品、品番Ｂ−１０００．官能基として二重結合を含む）１０重量部及びベンゾイルパーオキサイド０．３重量部を３本ロールを用いて混練し接着剤を製造した。ここで使用した高活性シリカは、特開平１０−２２６５１１号中の実施例３に記載されている方法に基づき、テトラメチルシリケートをキシレン中、水、アンモニア及び炭酸アンモニウムで加水分解し、加水分解物を１０００℃で焼成して製造したもので、平均粒径０．５μｍ、ＣＶ値５２％で水酸基含有量は０．２重量％であった。
【００３９】
次に、当該接着剤を実施例１と同様に模擬ＢＧＡに於いて、ＦＰＣ上にスクリーン印刷し、更に、半導体チップを装着して１８０℃で５分加熱した。出来上がったものの厚み精度は±１０μｍ以下であり基板との実装は全く問題なかった。この模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを行つたところ不良品は発生しなかった。また、吸湿半田テストＢに於いて、腐食等の欠陥品は認められなかった。
【００４３】
【実施例３】
実施例２で使用したものと同じ高活性シリカ３０部、通常のエポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製品、品番ＥＳＣＮ−２２０）１００部に、通常のフェノール樹脂（明和化成株式会社製品、品番ＨＦ−２）２０部及び触媒（北興化学工業株式会社製品、品番ＴＰＰ−Ｋ）１部を２本ロールにて５分間混練し、接着剤を得た。
【００４４】
これを模擬ＢＧＡに於いて、チップとＦＰＣの上にスクリーン印刷し、半導体チップを装着して、１８０℃で５分加熱した。出来上がったものの厚み精度は±１０μｍ以下であり基板との実装は全く問題なかった。又、この模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを１回行つたところ不良品は、２０個につき１個の割合で発生した。また、吸湿半田テストＢでは、不良率は１０％であった。この実施例は、通常のエポキシ樹脂と通常の硬化剤を使用したものであるにもかかわらず、かなり不良品の発生を抑えることができる。
【００４５】
比較例１
実施例２に於いて、高活性シリカの代わりに、不活性シリカ、即ち、表面に水酸基を持たない平均粒径が０．５μｍで粒径分布の狭いシリカ（株式会社龍森製品、商標「アドマファイン」品番ＳＯ−２）３０部を用いて、同様に処理した。この接着剤を用いて、同様に模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを３回行つたところ、８０％以上にクラックが発生し、続く吸湿半田テストＢでは全数が腐食等の欠陥品となった。この様に、表面に水酸基を有しない不活性シリカを使用した接着剤は、接着剤自身の接着力が小さいことにより、性能の優れた接着剤は得られないのである。
【００４６】
【比較例２】
実施例１に於いて、高活性球状シリカの代わりに、熔射型シリカ（電気化学工業株式会社製品、品番ＦＢ−６Ｓ）、即ち、表面に水酸基を持たず、平均粒径が６μｍでＣＶ値が８３％の粒径分布の広い不活性球状シリカを４０部使用して、同様に処理した。得られた接着剤は、不均一で粘度が高く流動性の悪いものであった。このため、当該接着剤はＦＰＣ上のスクリーン印刷に於いて既に１８％の不良品を出した。良品につき、実施例１と同様に模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを行つたところ、１回目のテストで全数にクラックが発生した。この様に、粒径が大きく、粒径分布の広くしかも表面に水酸基のないシリカは、スクリーン印刷を困難にし、接着力も従って小さいものであった。
【００４８】
比較例３
実施例２に於いて、高活性シリカに代えて、水酸基の量が８重量％の高活性シリカ３０部を使用して、実施例２と同様に処理した。水酸基量の多い高活性シリカは、実施例２に於いて使用した高活性シリカで、焼成を行うことなくシリケートを加水分解した後乾燥するだけで製造したものである。その特性値は、平均粒径０．５μｍ、ＣＶ値５２％で水酸基含有量は８重量％であった。
【００４９】
次に、該接着剤を実施例１と同様に模擬ＢＧＡに於いて、ＦＰＣ上にスクリーン印刷し、更に、半導体チップを装着して１８０℃で５分加熱した。この模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを行つたところホップコーンによる不良品が６０％発生した。更に、吸湿半田テストＡで良品であったものにつき吸湿半田テストＢを行ったところ、５００時間で全数腐食等の欠陥品を認めた。このように、水酸基含有量が高いと、逆に不良品が増加する結果になることが分かる。
【００５０】
比較例４
実施例１に於いて、高活性球状シリカ４０部に代えて、シランカップリング剤（日本ユニカー株式会社製品、品番Ａ−１８６）５部を使用して、実施例１と同様に処理した。吸湿半田テストＡを３回行った。第２回のテストで７％が不良品となり、第３回のテストで不良率は３２％にのぼった。更に、３回吸湿半田テストＡで良品であったものにつき、吸湿半田テストＢを行った。腐食等の欠陥品が多く不良品は８６％であった。また、吸湿半田テストＢ後の模擬ＢＧＡを開封し調べたところ、剥離や腐食が部分的に不均一に発生していることを認めた。シランカップリング剤のような液状の接着性成分を使用する場合は、接着力が小さく、かつ接着力がバラツキ、吸湿半田テストＡを行う毎に、不良品が増加していくことが判明した。また、模擬ＢＧＡ作製時に接着剤の不均一な滲み出し現象が見られた。
【００５１】
比較例５
実施例３に於いて、高活性シリカを使用せず、通常のエポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製品、品番ＥＳＣＮ−２２０）１００部、通常のフェノール樹脂（明和化成株式会社製品、品番ＨＦ−２）２０部、シランカップリング剤（日本ユニカー株式会社製品、品番Ａ−１８６）１部及び触媒（北興化学工業株式会社製品、品番ＴＰＰ−Ｋ）１部を使用し接着剤を得た。
【００５２】
これを模擬ＢＧＡに於いて、同様にＦＰＣにスクリーン印刷し半導体チップを装着し１８０℃で５分加熱した。出来上がったものの厚み精度は±１０μｍ以上のものとなり基板との実装が問題であった。また、この模擬ＢＧＡの吸湿半田テストＡを行つたところ１回のテストで全てのものが不良品となった。このように高活性シリカを使用せず、通常のエポキシ系接着剤を適用する場合には、不良品しか得られないことがわかる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明は、小型、かつ高性能で低コストの半導体装置を実現するための接着剤を提供するものである。即ち、半導体チップ、マウント、放熱板等を回路基板等を接着させるための、半導体用接着剤である。更に、本接着剤は、半導体装置の組立時及び使用時に半導体に生じる熱応力を緩和することができ、本発明によって製造した半導体装置は、その作動が安定し、かつ、信頼性が高いものである。
【００５４】
また、本接着剤は、保存性に優れており、安定性に優れており、作業性に優れたものとなっている。更に、本接着剤は、接着力に優れており、必要な部品を互いに強力に接着するものである。このため、作業性が良く、でき上がった半導体装置は構造的に堅固なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態の一例を示す図である。
【図２】  本発明の他の実施形態の例を示す図である。
【図３】  本発明をワイヤーボンディングに適用した例である。
【符号の説明】
１７、２５、４７            半導体チップ
１１、４１、２８、４４      基板
２９、４２                  半田ボール
１８、２３、２６、４３      接着剤
１９                        バンプ
２０                        支持体
２１                        フイルムキャリヤテープ
２２、４６                  樹脂封止
２７、４５                  配線
３０                        フレーム
【図１】
0004249824.tif 000003
【図２】
0004249824.tif 000004
【図３】
0004249824.tif 000005