(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透過型液晶ディスプレイであって、それぞれが、反射型セル及び透過型セルを備える複数の画素からなり、
前記反射型セルは第一ストレージコンデンサ及び第一アクティブデバイスを備え、
前記第一アクティブデバイスは第一駆動電圧を受信すると共に、前記第一ストレージコンデンサに結合され、
前記透過型セルは第二ストレージコンデンサ及び第二アクティブデバイスを備え、前記第二アクティブデバイスは第二駆動電圧を受信すると共に、前記第二ストレージコンデンサに結合され、
前記第一アクティブデバイスは第一スキャンラインに結合された第一制御端を備え、前記第二アクティブデバイスは第二スキャンラインに結合された第二制御端を備えることを特徴とする半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項２】
前記第一駆動電圧は反射率ガンマ曲線に基づいて生成され、前記第二駆動電圧は透過率ガンマ曲線に基づいて生成されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【請求項３】
前記第一駆動電圧と前記第二駆動電圧は、異なる時間に、第一駆動ラインにより提供されることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半透過型液晶ディスプレイに関するもので、特に、biガンマ曲線により駆動される半透過型液晶ディスプレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
公知の半透過型液晶ディスプレイの画素は、透過型セル及び反射型セルを備える。反射型セルは透過型セルの二倍の位相差を備える。公知の方法は、反射型セルのセルギャップを低下させて、２つの部分の位相差を接近させていた。図７Ａは公知の半透過型液晶ディスプレイの画素の断面図である。画素は反射型セル１０と透過型セル２０とを備える。反射型セル１０は反射膜１２とセルギャップｄ１を備え、透過型セル２０はセルギャップｄ２を備える。等価回路図が図７Ｂで示される。反射型セル１０、透過型セル２０は共に、ストレージコンデンサＣｓ、薄膜トランジスタＴ１に結合されるので、一つの駆動電圧しか提供することができず、反転を防止するため、セルギャップｄ１とセルギャップｄ２が等しい位相差になるように調整する。セルギャップｄ１とセルギャップｄ２は、液晶ディスプレイの操作モードに適合するように最適化されなければならず、調整が困難である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、最適な反射率と透過率を達成する半透過型液晶ディスプレイを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上述の問題を達成するため、本発明は、反射型セルと透過型セルとを備える画素を提供する。反射型セルと透過型セルは共に、異なる駆動電圧のストレージコンデンサとTFTトランジスタを備える。反射型セルの駆動電圧は、半波長或いは四分の一波長といったセルギャップで、位相差を備えることが出来る。
透過型セルの駆動電圧は、半波長或いは四分の一波長といったセルギャップで、位相差を備えることが出来る。
【０００５】
半透過型液晶ディスプレイの駆動電圧は、フレーム期間で、まず、全反射型セルをスキャンし、その後、全透過型セルがスキャンされる。
【０００６】
半透過型液晶ディスプレイのもう一つの駆動電圧は、列のアクティブ期間で、まず、一列の全反射型セルをスキャンし、その後、一列の全透過型セルをスキャンする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【０００８】
（具体例）
図１Ａは本発明の半透過型液晶ディスプレイの画素構造を示す図である。画素は、反射型セル１０と透過型セル２０とからなる。反射型セル１０は反射膜１２とセルギャップｄ１を備える。透過型セル２０はセルギャップｄ２を備える。図１Ｂは画素の等価回路を示す図で、反射型セル１０において、等価コンデンサはＣ１ｃ１、ストレージコンデンサはＣｓ１、薄膜トランジスタはＴ１で表示される。透過型セル２０において、等価コンデンサはＣ１ｃ２、ストレージコンデンサはＣｓ２、薄膜トランジスタはＴ２で表示される。TFTトランジスタＴ２とTFTトランジスタＴ１は共に、反射膜１２下に配置される。
【０００９】
透過型セル２０の４分の１位相差で操作する時、反射型セル１０の駆動電圧ＶＲに対する反射率を示す反射率ガンマ曲線ＲＶ１は図２Ａで示される。反射型セル１０による位相差が、透過型セル２０の約２倍であるため、最大反射率は半波長である。透過型セル２０の駆動電圧ＶＴに対する透過率を示す透過率ガンマ曲線ＴＶ１は図２Ｂで示され、最大透過率は四分の一波長である。
【００１０】
透過型セル２０の２分の１位相差で操作する時、反射型セル１０の駆動電圧ＶＲに対する反射率を示す反射率ガンマ曲線ＲＶ２は図２Ｃで示される。反射型セル１０による位相差が、透過型セル２０の約２倍であるため、最大反射率は半波長である。位相差が半波長を超過した時、反射率は駆動電圧ＶＲと共に逓減する。透過型セル２０の駆動電圧ＶＴに対する透過率を示す透過率ガンマ曲線ＴＶ２は図２Ｄで示され、最大透過率は半波長である。
【００１１】
本発明の画素は二組のトランジスタＴ１、Ｔ２及びストレージコンデンサＣｓ１、Ｃｓ２を備え、駆動電圧ＶＲ、ＶＴをそれぞれ制御するため、反射型セル１０、透過型セル２０はセルギャップｄ１、ｄ２を特に調整することなく、同様の位相差を達成する。反射型セル１０の駆動電圧ＶＲは、４分の１波長ガンマ曲線ＲＶ１或いは半波長のガンマ曲線ＲＶ２により駆動することができる。透過型セル２０の駆動電圧ＶＴは、４分の１波長ガンマ曲線ＴＶ１或いは半波長のガンマ曲線ＴＶ２により駆動することができる。反射型セル１０と透過型セル２０は、反射率と透過率ガンマ曲線が補正されることにより、要求を満たす。
【００１２】
節電モードの下、反射型セル１０だけ、或いは透過型セル２０だけを駆動することができ、バックライト源をオフにする以外、透過型セル２０の駆動回路をオフにして、更に節電することができる。
【００１３】
（第一具体例）
図３Ｂは第一具体例による液晶ディスプレイを示す図である。液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタアレイ３００、イメージ信号駆動回路１００、スキャン信号駆動回路２００、２２０と、からなる。図３Ａは図３Ｂ中の画素Ｐ２２の回路図である。図３Ｂのもう一つの画素は、図３Ａと同様の構造を有する。画素Ｐ２２は反射型セル１０と透過型セル２０とを備えるので、二組の薄膜トランジスタとストレージコンデンサが必要である。
【００１４】
薄膜トランジスタＴ１は、列Ｇ２Ａと行Ｄ２Ａの交差地点に位置する。トランジスタＴ１のゲートは列Ｇ２Ａ、ドレインは行Ｄ２Ａ、ソースはＣ１ｃ１、ストレージコンデンサＣｓ１に結合される。薄膜トランジスタＴ２は、列Ｇ２Ｂと行Ｄ２Ａの交差地点に位置する。トランジスタＴ２のゲートは列Ｇ２Ｂ、ドレインは行Ｄ２Ａ、ソースはＣ１ｃ２、ストレージコンデンサＣｓ２に結合される。薄膜トランジスタアレイ３００の全画素は同様の配線機構を有する。
【００１５】
スキャン信号駆動回路２００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａにより、薄膜トランジスタＴ１のゲートに送られるスキャン信号を生成する。スキャン信号駆動回路２２０は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂにより、薄膜トランジスタＴ２のゲートに送られるスキャン信号を生成する。イメージ信号駆動回路１００は、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａ及び薄膜トランジスタアレイ３００により、反射型セルＣ１ｃ１或いは透過型セルＣ１ｃ２に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。
【００１６】
第一具体例の駆動方法は、まず全反射型セルをスキャンし、次に全透過型セルをスキャンする。図３Ｃは図３Ｂ中の全波形を示す図である。ＧＡＭＭＡ１は、反射率ガンマ曲線ＲＶ１或いはＲＶ２を選択し、イメージ信号を転送する。ＧＡＭＭＡ２は、透過率ガンマ曲線ＴＶ１或いはＴＶ２を選択し、イメージ信号を転送する。図３Ｃで示されるように、フレーム期間ｆｄ１は、ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１とＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２に分割される。ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する期間ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＡ３、ＴＡ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。ＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂが駆動する期間ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３、ＴＢ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を透過型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００１７】
第一具体例のもう一つの駆動方法は、一列のアクティブ期間で、まず一列の全反射型セルをスキャンし、次に、一列のアクティブ期間で、一列の全透過型セルをスキャンする。図３Ｄは図３Ｂ中の全波形を示す図である、図３Ｄで示されるように、フレーム期間ｆｄ１において、ＧＡＭＭＡ１は、期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４で駆動し、ＧＡＭＭＡ２は、期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４で駆動する。列は、連続期間Ｇ１Ａ−Ｇ１Ｂ−Ｇ２Ａ−Ｇ２Ｂ−Ｇ３Ａ−Ｇ３Ｂ−Ｇ４Ａ−Ｇ４Ｂの順で駆動し、ＧＡＭＭＡ１とＧＡＭＭＡ２が駆動する連続期間ＴＧＡ１−ＴＧＢ１−ＴＧＡ２−ＴＧＢ２−ＴＧＡ３−ＴＧＢ３−ＴＧＡ４−ＴＧＢ４に対応する。期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００１８】
図３Ｅの駆動方法は、図３Ｂと同様である。スキャン信号駆動回路２００及び２２０は、スキャン信号駆動回路２００、マルチプレクサ２５０により代替することができる。マルチプレクサ２５０は列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａ及びＧ１Ｂ−Ｇ４Ｂ間で転換する。
【００１９】
（第二具体例）
図４Ｂは第二具体例による液晶ディスプレイを示す図である。液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタアレイ３００、イメージ信号駆動回路１００及び１２０、スキャン信号駆動回路２００、からなる。図４Ａは図４Ｂ中の画素Ｐ２２の回路図である。図４Ｂのもう一つの画素は、図４Ａと同様の構造を有する。画素Ｐ２２は反射型セル１０と透過型セル２０とを備えるので、二組の薄膜トランジスタとストレージコンデンサが必要である。
【００２０】
薄膜トランジスタＴ１は、列Ｇ２Ａと行Ｄ２Ａの交差地点に位置する。トランジスタＴ１のゲートは列Ｇ２Ａ、ドレインは行Ｄ２Ａ、ソースはＣ１ｃ１、ストレージコンデンサＣｓ１に結合される。薄膜トランジスタＴ２は、列Ｇ２Ａと行Ｄ２Ｂの交差地点に位置する。トランジスタＴ２のゲートは列Ｇ２Ａ、ドレインは行Ｄ２Ｂ、ソースはＣ１ｃ２、ストレージコンデンサＣｓ２に結合される。薄膜トランジスタアレイ３００の全画素は同様の配線機構を有する。スキャン信号駆動回路２００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａにより、薄膜トランジスタＴ１或いはＴ２のゲートに送られるスキャン信号を生成する。イメージ信号駆動回路１００は、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａ及び薄膜トランジスタアレイ３００により、反射型セルＣ１ｃ１に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。イメージ信号駆動回路１２０は、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂ及び薄膜トランジスタアレイ３００により、透過型セルＣ１ｃ２に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。
【００２１】
第二具体例の駆動方法は、フレーム期間ｆｄ１で、まず全反射型セルをスキャンし、次に、透過型セルをスキャンする。図４Ｃは図４Ｂの全波形を示す図である。ＧＡＭＭＡ１は、反射率ガンマ曲線ＲＶ１或いはＲＶ２を選択し、イメージ信号を転送する。ＧＡＭＭＡ２は、透過率ガンマ曲線ＴＶ１或いはＴＶ２を選択し、イメージ信号を転送する。図４Ｃで示されるように、フレーム期間ｆｄ１は、ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１とＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２に分割される。ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する期間ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＡ３、ＴＡ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。ＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２において、イメージ信号駆動回路１２０は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する期間ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３、ＴＢ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を透過型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００２２】
第二具体例のもう一つの駆動方法は、列のアクティブ期間で、一列の全反射型セルをスキャンし、次に列のアクティブ期間で、一列の全透過型セルをスキャンする。図４Ｄは図４Ｂ中の全波形を示す図である。図４Ｄで示されるように、フレーム期間ｆｄ１において、ＧＡＭＭＡ１は、期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４で駆動し、ＧＡＭＭＡ２は、期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４で駆動する。列は連続期間Ｇ１Ａ−Ｇ２Ａ−Ｇ３Ａ−Ｇ４Ａの順で駆動する。列Ｇ１Ａは、二者択一的に駆動するＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２に対応する期間ＴＧＡ１、ＴＧＢ１で駆動する。列Ｇ２Ａは、二者択一的に駆動するＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２に対応する期間ＴＧＡ２、ＴＧＢ２で駆動する。列Ｇ３Ａは、二者択一的に駆動するＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２に対応する期間ＴＧＡ３、ＴＧＢ３で駆動する。列Ｇ４Ａは、二者択一的に駆動するＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２に対応する期間ＴＧＡ４、ＴＧＢ４で駆動する。期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４において、イメージ信号駆動回路１２０は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する時、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００２３】
図４Ｅの駆動方法は、図４Ｂと同様である。イメージ信号駆動回路１００及び１２０はイメージ信号駆動回路１００及びマルチプレクサ１５０により代替することが出来る。マルチプレクサ１５０は行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａと行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂ間を転換する。
【００２４】
（第三具体例）
図５Ｂは第三具体例による液晶ディスプレイを示す図である。液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタアレイ３００、イメージ信号駆動回路１００及び１２０、スキャン信号駆動回路２００及び２２０、からなる。図５Ａは図５Ｂ中の画素Ｐ２２の回路図である。図５Ｂの画素は図５Ａと同様の構造を有する。画素Ｐ２２は、反射型セル１０と透過型セル２０とを備えるので、二組の薄膜トランジスタとストレージコンデンサが必要である。
【００２５】
薄膜トランジスタＴ１は、列Ｇ２Ａと行Ｄ２Ａの交差地点に位置する。トランジスタＴ１のゲートは列Ｇ２Ａ、ドレインは行Ｄ２Ａ、ソースはＣ１ｃ１、ストレージコンデンサＣｓ１に結合される。
【００２６】
薄膜トランジスタＴ２は、列Ｇ２Ｂと行Ｄ２Ｂの交差地点に位置する。トランジスタＴ２のゲートは列Ｇ２Ｂに、ドレインは行Ｄ２Ｂ、ソースはＣ１ｃ２、ストレージコンデンサＣｓ２に結合される。薄膜トランジスタアレイ３００の全画素は同様の配線機構を有する。
【００２７】
スキャン信号駆動回路２００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａにより、薄膜トランジスタＴ１のゲートに送られるスキャン信号を生成する。スキャン信号駆動回路２２０は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂにより、薄膜トランジスタＴ２のゲートに送られるスキャン信号を生成する。イメージ信号駆動回路１００は、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａ及び薄膜トランジスタアレイ３００により、反射型セルＣ１ｃ１に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。イメージ信号駆動回路１２０は、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂ及び薄膜トランジスタアレイ３００により、透過型セルＣ１ｃ２に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。
【００２８】
第三具体例の駆動方法は、フレーム期間ｆｄ１において、まず全反射型セルをスキャンし、次に全透過型セルをスキャンする。図３Ｃは図５Ｂ中の全波形を示す図である。ＧＡＭＭＡ１は、反射率ガンマ曲線ＲＶ１或いは反射率ガンマ曲線ＲＶ２を選択することが出来、これにより、イメージ信号を転送する。ＧＡＭＭＡ２は、透過率ガンマ曲線ＴＶ１或いは透過率ガンマ曲線ＴＶ２を選択することが出来、これにより、イメージ信号を転送することが出来る。図３Ｃで示されるように、フレーム期間ｆｄ１はＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１とＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２に分割される。ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する期間ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＡ３、ＴＡ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。ＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２において、イメージ信号駆動回路１２０は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂが駆動する期間ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３、ＴＢ４の順で、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂにより、イメージ信号を透過型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００２９】
第三具体例のもう一つの駆動方法は、列のアクティブ期間で、まず一列の全反射型セルをスキャンし、次に、列のアクティブ期間内に、一列の全透過型セルをスキャンする。図３Ｄは図５Ｂ中の全波形を示す図である、図３Ｄで示されるように、フレーム期間ｆｄ１において、ＧＡＭＭＡ１は、期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４で駆動し、ＧＡＭＭＡ２は、期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４で駆動する。列は、期間ＧＡ１−ＧＢ１−ＧＡ２−ＧＢ２−ＧＡ３−ＧＢ３−ＧＡ４−ＧＢ４の順に駆動し、ＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２が駆動する期間ＴＧ１Ａ−ＴＧ１Ｂ−ＴＧ２Ａ−ＴＧ２Ｂ−ＴＧ３Ａ−ＴＧ３Ｂ−ＴＧ４Ａ−ＴＧ４Ｂに対応する。期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ―Ｇ４Ａが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４において、イメージ信号駆動回路１２０は、列Ｇ１Ｂ―Ｇ４Ｂが駆動する時、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂにより、イメージ信号を、反射型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００３０】
（第四具体例）
図６は第四具体例による液晶ディスプレイを示す図である。液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタアレイ３００、イメージ信号駆動回路１００、スキャン信号駆動回路２００、マルチプレクサ１５０、２５０、からなる。図５Ａは図６中の画素Ｐ２２の回路図である。図６のその他の画素は、図５Ａと同様の構造を有する。
【００３１】
スキャン信号駆動回路２００は、マルチプレクサ２５０により選択された列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａにより、薄膜トランジスタＴ１のゲート或いは、マルチプレクサ２５０により選択された列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂにより、薄膜トランジスタＴ２のゲートに送られるスキャン信号を生成する。イメージ信号駆動回路１００は、マルチプレクサ１５０と薄膜トランジスタアレイ３００により選択された行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、反射型セルＣ１ｃ１或いは、マルチプレクサ１５０と薄膜トランジスタアレイ３００により選択された行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂにより、透過型セルＣ１ｃ２に送られるスキャン信号に対応するイメージ信号を生成する。
【００３２】
第四具体例の駆動方法は、フレーム期間ｆｄ１において、まず全反射型セルをスキャンし、次に全透過型セルをスキャンする。図３Ｃは図６Ｂの全波形を示す図である。ＧＡＭＭＡ１は、反射率ガンマ曲線ＲＶ１或いは反射率ガンマ曲線ＲＶ２を選択することが出来、これにより、イメージ信号を転送する。ＧＡＭＭＡ２は、透過率ガンマ曲線ＴＶ１或いは透過率ガンマ曲線ＴＶ２を選択することが出来、これにより、イメージ信号を転送することが出来る。図３Ｃで示されるように、フレーム期間ｆｄ１はＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１とＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２に分割される。ＧＡＭＭＡ１期間ＴＧ１において、マルチプレクサ２５０のスイッチＳ２はポジション３で、マルチプレクサ１５０のスイッチＳ１はポジション１で、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａが駆動する期間ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＡ３、ＴＡ４の順で、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。ＧＡＭＭＡ２期間ＴＧ２において、マルチプレクサ２５０のスイッチＳ２はポジション４で、マルチプレクサ１５０のスイッチＳ１はポジション２で、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂが駆動する期間ＴＢ１、ＴＢ２、ＴＢ３、ＴＢ４の順で、行Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂにより、イメージ信号を透過型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００３３】
第四具体例のもう一つの駆動方法は、一列のアクティブ期間で、まず一列の全反射型セルをスキャンし、次に、一列のアクティブ期間で、一列の全透過型セルをスキャンする。図３Ｄは図６Ｂの全波形を示す図である、図３Ｄで示されるように、フレーム期間ｆｄ１において、ＧＡＭＭＡ１は期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４で駆動し、マルチプレクサ１５０のスイッチＳ１はポジション１、マルチプレクサ２５０のスイッチＳ２はポジション３である。ＧＡＭＭＡ２は期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４で駆動し、マルチプレクサ１５０のスイッチＳ１はポジション２、マルチプレクサ２５０のスイッチＳ２はポジション４である。列は、期間Ｇ１Ａ−Ｇ１Ｂ−Ｇ２Ａ−Ｇ２Ｂ−Ｇ３Ａ−Ｇ３Ｂ−Ｇ４Ａ−Ｇ４Ｂの順に駆動し、ＧＡＭＭＡ１及びＧＡＭＭＡ２が駆動する期間ＴＧＡ１―ＴＧＢ１−ＴＧＡ２―ＴＧＢ２−ＴＧＡ３―ＴＧＢ３−ＴＧＡ４―ＴＧＢ４に対応する。期間ＴＧＡ１、ＴＧＡ２、ＴＧＡ３、ＴＧＡ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ａ―Ｇ４Ａが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ１及びストレージコンデンサＣｓ１に送る。期間ＴＧＢ１、ＴＧＢ２、ＴＧＢ３、ＴＧＢ４において、イメージ信号駆動回路１００は、列Ｇ１Ｂ―Ｇ４Ｂが駆動する時、行Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａにより、イメージ信号を反射型セルＣ１ｃ２及びストレージコンデンサＣｓ２に送る。
【００３４】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００３５】
【発明の効果】
最適な反射率と透過率を達成する。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の半透過型液晶ディスプレイの画素構造を示す透視図である。
【図１Ｂ】図１Ａで示される画素の等価回路を示す図である。
【図２Ａ】透過型セルの四分の一波長位相差に対する反射率ガンマ曲線RV１を示す図である。
【図２Ｂ】透過型セルの四分の一波長位相差に対する反射率ガンマ曲線TV１を示す図である。
【図２Ｃ】透過型セルの半波長位相差に対する反射率ガンマ曲線RV１を示す図である。
【図２Ｄ】透過型セルの半波長位相差に対する反射率ガンマ曲線TV１を示す図である。
【図３Ａ】図３Ｂで示される画素Ｐ２２の回路図である。
【図３Ｂ】第一具体例による液晶ディスプレイを示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｂの全波形を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｂの全波形を示す図である。
【図３Ｅ】第一具体例による液晶ディスプレイを示すもう一つの図である。
【図４Ａ】図４Ｂで示される画素Ｐ２２の回路図である。
【図４Ｂ】第二具体例による液晶ディスプレイを示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの全波形を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｂの全波形を示す図である。
【図４Ｅ】第二具体例による液晶ディスプレイを示すもう一つの図である。
【図５Ａ】図５Ｂで示される画素Ｐ２２の回路図である。
【図５Ｂ】第三具体例による液晶ディスプレイを示す図である。
【図６】第四具体例による液晶ディスプレイを示す図である。
【図７Ａ】公知の半透過型液晶ディスプレイの画素を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａで示される画素の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
１０    反射型セル
１２    反射膜
２０    透過型セル
１００、１２０  スキャン信号駆動回路
１５０、２５０  マルチプレクサ
２００、２２０  イメージ信号駆動回路
Ｃｓ１、Ｃｓ２  ストレージコンデンサ
Ｃ１ｃ１  反射型セルの等価コンデンサ
Ｃ１ｃ２  透過型セルの等価コンデンサ
Ｄ１Ａ−Ｄ４Ａ、Ｄ１Ｂ−Ｄ４Ｂ  行
Ｇ１Ａ−Ｇ４Ａ、Ｇ１Ｂ−Ｇ４Ｂ  列
ｄ１、ｄ２  セルギャップ
Ｔ１、Ｔ２  薄膜トランジスタ
【図１Ａ】
0004340446.tif 000002
【図１Ｂ】
0004340446.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
0004340446.tif 000007
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
0004340446.tif 000009
【図３Ｃ】
0004340446.tif 000010
【図３Ｄ】
0004340446.tif 000011
【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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