(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂モールドパッケージによって封止され、
リードフレーム作成工程における外部リード間に設けられるタイバーの位置を、パッケージと前記タイバー間の距離を０．５５ｍｍよりも短く０．２ｍｍよりも大きくして設け、リード加工時のタイバー切断工程にて、タイバーの内側のパッケージよりの樹脂バリをカットせずに前記タイバーとは分離してそのまま残すようにした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記リード加工時のタイバー切断工程にて、タイバー切断工具の反対側の下部のタイバーの内側のパッケージよりに受けを設けるようにした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にプラスチックモールドパッケージの半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラスチックモールドパッケージの半導体装置の外部リードのタイバーの内側には、通常、樹脂成形材料が出て固形化したリードフレーム板厚分の厚バリが残る。ことに、透明プラスチックモールドパッケージの受光素子等では、プラスチック素材自身に弾性がありバリが残りやすい。成形材料の流れ出しを防ぐために、外部リード間にタイバーとは別にダムを設けることが用いられているが、このためには金型を専用にする必要があり、モールドボディを共通にしてピン数だけを変更することはできず、効率が悪くなる。
【０００３】
このタイバーの内側に厚バリが残ると、実装時に半田接続不良になったり、タイバーカット時に厚バリが垂れ下がったりし、受光素子などではバリがパッケージの受光部分に動いて特性不良を起こすなどの問題になる。また、リード加工時には垂れ下がったバリが打痕となって金型を破損させたり、リード上に打痕を作るなどの原因となる。
これを除去するためにレジンパンチを行い、そのクリアランスを小さくしてバリを完全に除く試みが行われているが、モールド金型の型ずれなどによって、パッケージ欠けの原因になるなどの問題を生じやすい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のごとく、従来の半導体装置、その製造方法および製造装置では、外部リード間に厚バリが残り、これが半田不良の原因になったり、金型を破損させたり、リード上の打痕の原因になったりするという問題があった。
本発明は、比較的簡単な方法でこの問題を解決して、外部リード間の厚バリが不具合を発生することがないモールドパッケージの半導体装置の製造方法の実現を課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するため、本発明は、透明樹脂モールドパッケージによって封止され、リードフレーム作成工程における外部リード間に設けられるタイバーの位置を、パッケージと前記タイバー間の距離を０．５５ｍｍよりも短く０．２ｍｍよりも大きくして設け、リード加工時のタイバー切断工程にて、タイバーの内側のパッケージよりの樹脂バリをカットせずに前記タイバーとは分離してそのまま残すようにした。
これにより、比較的簡単に厚バリが不具合を発生することがないモールドパッケージの半導体装置の製造方法を実現することができる。
【０００７】
さらにまた、前記リード加工時のタイバー切断工程にて、タイバー切断工具の反対側の下部のタイバーの内側のパッケージよりに受けを設けるようにした。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる半導体装置の製造方法を添付図面を参照にして詳細に説明する。
【０００９】
図２は、従来の半導体装置の製造方法におけるリード加工工程を示したものである。ウェーハからダイシングされた半導体チップは、ボンディングされた後に樹脂封止され、その後、このリード加工工程に入る。図２において、符号１１はゲートカット工程、符号１２はレジンパンチ工程、符号１３はタイバーカット工程、符号１４はリードカット工程である。
【００１０】
プラスチックモールドパッケージの半導体装置は、一般に樹脂成形を行う金型として成形材料の供給口が１か所のコンベンショナル金型を用いたコンベンショナルモールドで成形される。このタイプのモールドは一回で製造することのできる取り個数は大きいがフレームとパッケージの間およびパッケージ上下の型ずれがどうしても大きくなり、モールド樹脂の各キャビティへの注入口であるゲート部分の樹脂が残るゲート残りが発生し、また、外部リードの間にはリードフレ
ーム板厚分の厚バリが残る。
【００１１】
従来のリード加工工程では、まず、ゲート部分の樹脂を除去するゲートカット工程１１が行われる。続いて、レジンパンチ工程１２で、リードのタイバーの内側に残っている厚バリを取り除く。さらに、タイバーカット工程１３でリードフレームのリード同士を連結して保持していたタイバーを切断して取り除き、さらにリードカット工程１４でリード先端をカットする。
【００１２】
従来のリード加工工程を図４の説明図で説明する。図４において、符号１はパッケージ、符号２はリード、符号３はタイバー、符号４はレジンパンチ、符号５はタイバーカットパンチである。図４（ａ）で示すように、従来の半導体装置では、リード２のパッケージ１から０．５５ｍｍのところから約０．４ｍｍ幅のタイバー３が設けられており、レジンパンチ工程１２で図４（ｂ）に示すようにレジンパンチ４によってパッケージ１からタイバー３までの間の厚バリが取り除かれ、その後、図４（ｃ）に示すようにタイバー３がタイバーカットパンチ５でカットされて除去される。
【００１３】
図１は、本発明の半導体装置の製造方法におけるリード加工工程を示したものである。図１で符号１１はゲートカット工程、符号１３はタイバーカット工程、符号１４はリードカット工程であり、本発明では、図２に示した従来のリード加工工程のレジンパンチ工程１２がなくなっている。
【００１４】
図３は、本発明のリード加工工程の説明図である。また、図５に、本発明のパッケージとタイバーの関係を示し、図６にそれと比較して従来の場合を示した。さらに、図７に本発明の半導体装置の外観平面図を、図８に従来の半導体装置の外観平面図を示した。図３、図５、図６、図７および図８において、符号１はパッケージ、符号２はリード、符号３はタイバー、符号５はタイバーカットパンチ、符号６はタイバーカット受け、符号７はパッケージ間ダム、符号８は残った厚バリである。
【００１５】
図３（ａ）および図５に示すように、本発明の半導体装置では、タイバー３は外側ピンの外部のパッケージ間部分を除き、図４（ａ）および図６に示す従来の場合よりも近付け、リード２のパッケージ１から０．２ｍｍの距離のところから約０．４ｍｍ幅で設けられている。このため、タイバー３の内側に生じる厚バリはパッケージ１から０．２ｍｍ迄となる。実装時のリード２の半田付けの位置は、現行のタイバー３のパッケージ１から０．５５ｍｍの位置よりも外側になるので、０．２ｍｍ迄厚バリが残っていてもとくに問題とならない。したがって、０．２ｍｍ迄の厚バリを除去する必要はとくになくなり、本発明の半導体装置の製造方法では、この部分の厚バリをそのまま残すようにする。
この０．２ｍｍという距離は、タイバー３が樹脂止めとしての機能を果たし得るに十分な距離であり、かつ、従来の０．５５ｍｍよりも短く半田付けの問題にならない位置である。
【００１６】
パッケージ１相互間にはパッケージ間ダム７があるため、外側ピンの外部ではタイバー３を従来のままとする。このため、モールド金型は従来のものをそのまま変更なしで用いることができる。
【００１７】
従来の製造方法では、レジンパンチ工程１２で中途半端に残った厚バリは実装時などに脱落する可能性があるが、本発明のように残すことで、バリがフレーム全体の狭い範囲に密着するため、実装時に脱落する心配は全く無い。また、タイバーカット工程１３でこの厚バリが垂れ下がることを防止するため、厚バリのある部分にタイバーカット受け６を設けてこれを防止するようにしている。
【００１８】
図８の従来の半導体装置ではリード２間の厚バリ８を除去しているが、この方法によって、図７に示すようにリード２間の厚バリ８を完全に残し、かつ残った厚バリが不具合を発生することがない半導体装置を製造することができる。これにより、
１）リード側面のバリの管理が不要になる。
２）打痕によってリード加工金型が破損する虞がなくなる。
３）受光素子や撮像素子等の製造においては実装時にバリ脱落によって機能障害が起きることを回避することができる。
４）リード加工時の打痕管理が不要になる。
等の利点が生まれる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、タイバーの位置をパッケージに近接して従来の０．５５ｍｍよりも短くすることで厚バリを残り易くし、かつ残った厚バリがはんだ付けの際などに不具合を発生することをなくすことができ、リード側面のバリの管理が不要で、打痕によってリード加工金型が破損する虞がなく、受光素子や撮像素子等の製造においては実装時にバリ脱落によって機能障害が起きることを回避することができ、リード加工時の打痕管理が不要な半導体装置の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法でのリード加工工程を示すフローチャート。
【図２】従来の半導体装置の製造方法でのリード加工工程を示すフローチャート。
【図３】本発明でのリード加工工程の説明図。
【図４】従来のリード加工工程の説明図。
【図５】本発明のリード加工時でのパッケージとタイバーの位置関係を示す説明図。
【図６】従来でのリード加工時でのパッケージとタイバーの位置関係を示す説明図。
【図７】半導体装置の外観を示す平面図。
【図８】従来の半導体装置の外観を示す平面図。
【符号の説明】
１…パッケージ、２…リード、３…タイバー、４…レジンパンチ、５…タイバーカットパンチ、６…タイバーカット受け、７…パッケージ間ダム、８…残った厚バリ、１１…ゲートカット工程、１２…レジンパンチ工程、１３…タイバーカット工程、１４…リードカット工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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