(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に電気光学物質を配置してなる電気光学装置であって、
前記第１基板には、所定方向に延在する第１配線と、該第１配線に対してアクティブ素子を介して接続された画素電極と、前記第２基板より側方にはみ出した第１張出部と、該第１張出部に引き出された前記第１配線に導電接続される半導体回路と、該半導体回路に導電接続されると共に前記張出部の外縁部に形成された入力端子とを有し、
前記第２基板には、前記第１配線と交差する対向電極と、前記第１基板より側方にはみ出した第２張出部と、該第２張出部に引き出され前記対向電極に接続する第２配線とが設けられ、
前記第１基板には、前記第２配線が配置されている側とは反対側において前記第１配線に沿って延在するダミー電極部と、前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部とが連続的に形成されてなるダミー電極が設けられてなり、
前記ダミー電極は、前記第１基板の前記第２配線が配置されている側において当該第２配線と対向する領域には設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ダミー電極の前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部は、前記第１配線と前記入力端子との間の各々の距離はほぼ等しいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１基板の前記第２配線側において前記データ線に沿って伸びるダミー電極部と、前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部とが連続的に形成されてなる第２ダミー電極が前記ダミー電極とは分離されて設けられており、該第２ダミー電極における前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部は、前記ダミー電極における前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部よりも前記入力端子側に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記２基板の第２張出部において、前記第２配線に導電接続される第２半導体回路と、該第２半導体回路に導電接続されると共に前記張出部の外縁部に形成された第２入力端子とが設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置及び電子機器に係り、特に、アクティブ素子を備えた液晶表示装置として構成する場合に好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルは、２枚の基板間に液晶が封入され、相互に対向する２枚の基板の内面にそれぞれ複数の電極が設けられ、対向する一対の電極及びその間に配置された液晶からなる画素領域毎に、電極間に付与される電圧に応じた光学的な変調態様を実現するように構成されている。
【０００３】
液晶表示パネルのうち、もっとも高品位な画質が得られるものとしてアクティブマトリクス型の液晶表示パネルが現在主流となっている。このアクティブマトリクス型のパネルにおいては、上記画素領域毎に形成された画素電極が、非線形な電流−電圧特性を示す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等のアクティブ素子を介して配線に接続される。
【０００４】
また、液晶表示パネルには、上記液晶をシール材等によって封入した液晶封入領域の外側の基板表面部分に、液晶封入領域内の複数の電極に所定の電位を供給するための半導体回路を形成する場合がある。この半導体回路は、基板端部に形成された入力端子と、電極に接続された配線とに接続され、入力端子に供給された電源電位や制御信号に基づいて複数の電極に駆動電位を出力するようになっている。半導体回路は、基板の表面上に実装された半導体ＩＣによって構成される場合と、基板表面上に直接に薄膜形成技術を用いて形成された回路パターンによって構成される場合とがある。
【０００５】
上記のアクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、一般にアクティブ素子の静電耐圧が低いことから、液晶パネル製造工程において生じた静電気によってアクティブ素子が容易に静電破壊を起こし、アクティブ素子として機能しなくなるという問題点がある。
【０００６】
図８には、上記のアクティブ素子の静電破壊を防止するための構造を備えた液晶表示パネル１００を示す。この液晶表示パネル１００は、素子基板１１０と、対向基板１２０とを図示しないシール材を介して貼り合わせ、シール材の内側に液晶を封入してなる。素子基板１１０の表面上にはストライプ状に複数並列するデータ線１１１が形成され、このデータ線１１１には、それぞれ複数の画素電極１１２が図示しないＭＩＭ素子（金属−絶縁体−金属構造を有する非線形な電流−電圧特性を備えたダイオード（２端子）素子）を介して接続されている。
【０００７】
素子基板１１０には対向基板１２０の外縁部からはみ出した基板張出部１１０ａが設けられ、この基板張出部１１０ａの表面上にデータ線１１１が引き出され、データ線１１１の先端には図示一点鎖線で示す半導体ＩＣ１１５に接続される接続部１１１ａが設けられている。また、基板張出部１１０ａの外縁部には複数の入力端子１１３が形成され、この入力端子１１３もまた半導体ＩＣ１１５に接続されるようになっている。
【０００８】
一方、対向基板１２０には、複数並列に形成された走査線１２１と、これらの走査線１２１に接続されデータ線１１１と直交する方向に伸びる複数並列した対向電極１２２とが形成されている。対向電極１２２は上記画素電極と交差し、その交差した部分が画素領域となる。ここで、図９に示す複数の画素領域Ｐがマトリクス状に配列された領域を液晶駆動領域Ｓという。走査線１２１の先端に設けられた接続部１２５ａは、対向基板１２０の基板張出部１２０ａ上に実装される半導体ＩＣ１２５に接続される。また、基板張出部１２０ａの外縁部には上記半導体ＩＣ１２５に接続される複数の入力端子１２３が形成されている。
【０００９】
この液晶表示パネル１００では、上記素子基板１１０の表面上に平面視コ字状に構成されたダミー電極１１７が設けられている。このダミー電極１１７においては、液晶駆動領域Ｓの図示左右両側においてそれぞれデータ線１１１と平行に伸びるように形成された一対のダミー電極部１１７ａ，１１７ｂと、データ線１１１の接続部１１１ａと入力端子１１３との間を横切るように形成されたダミー電極部１１７ｃとからなる。ダミー電極１１７は、各ダミー電極部１１７ａ，１１７ｂ，１１７ｃが相互に連続するように一体に形成されている。
【００１０】
この液晶表示パネル１００においては、ダミー電極１１７が形成されていることによって、製造工程中において付与された静電気がダミー電極１１７に沿って流れるので、データ線１１１に静電気が伝達されにくくなり、ＭＩＭ素子の静電破壊を低減することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のダミー電極１１７を形成した場合にＭＩＭ素子が静電破壊を起こす確率は小さくなるものの、図９に示すようにダミー電極部１１７ｂ側のデータ線１１１に沿って画素欠陥Ｑ（ＭＩＭ素子の短絡不良に起因する白色欠陥）が生ずる場合がある。この画素欠陥Ｑは、データ線１１１の延長方向に見るとダミー電極部１１７ｃ寄りの部分に発生し、ダミー電極部１１７ｂにより近い部分であるほど、ダミー電極部１１７ｃの反対側に向けてより広い範囲で発生する。このような画素欠陥Ｑは、パネル組み立て工程後の点灯検査を行うまで発見することができないので、製品の歩留まりに大きな影響を与える。
【００１２】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、上記のような画素欠陥の発生を従来よりも低減することのできる静電気対策を施した電気光学装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置は、第１基板と第２基板との間に電気光学物質を配置してなる電気光学装置であって、前記第１基板には、所定方向に延在する第１配線と、該第１配線に対してアクティブ素子を介して接続された画素電極と、前記第２基板より側方にはみ出した第１張出部と、該第１張出部に引き出された前記第１配線に導電接続される半導体回路と、該半導体回路に導電接続されると共に前記張出部の外縁部に形成された入力端子とを有し、前記第２基板には、前記第１配線と交差する対向電極と、前記第１基板より側方にはみ出した第２張出部と、該第２張出部に引き出され前記対向電極に接続する第２配線とが設けられ、前記第１基板には、前記第２配線が配置されている側とは反対側において前記第１配線に沿って延在するダミー電極部と、前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部とが連続的に形成されてなるダミー電極が設けられてなり、前記ダミー電極は、前記第１基板の前記第２配線が配置されている側において当該第２配線と対向する領域には設けられていないことを特徴とする。
また、前記ダミー電極の前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部は、前記第１配線と前記入力端子との間の各々の距離はほぼ等しいことを特徴とする。
【００１４】
尚、前記ダミー電極は、前記駆動領域の前記第２配線側には形成されていない。
【００１５】
本発明において、前記第１基板の前記第２配線側において前記データ線に沿って伸びるダミー電極部と、前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部とが連続的に形成されてなる第２ダミー電極が前記ダミー電極とは分離されて設けられており、該第２ダミー電極における前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部は、前記ダミー電極における前記第１配線と前記入力端子との間を横切るダミー電極部よりも前記入力端子側に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記２基板の第２張出部において、前記第２配線に導電接続される第２半導体回路と、該第２半導体回路に導電接続されると共に前記張出部の外縁部に形成された第２入力端子とが設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたものである。
【００１８】
上記の図８及び図９に示す従来の液晶表示パネルでは、第２配線に静電気が付与された場合、第２配線から対向配置されているダミー電極部１１７ｂに放電し、ダミー電極１１７に沿って電荷が移動し、その後、ダミー電極１１７のダミー電極部１１７ｃから第１配線の接続部１１１ａに放電するという電荷経路によって、第１配線１１１に接続されたアクティブ素子が静電破壊に至るものと考えられ、これにより上記の画素欠陥Ｑが発生したものと思われる。
【００１９】
一方、本発明によれば、駆動領域の第２配線側の周囲部分において第２配線とダミー電極とが対向配置されていないので、上記経路に沿った電荷の移動が発生せず、その結果、アクティブ素子の静電破壊の発生確率が低減され、画素欠陥を低減することができる。
【００２０】
また、上記のダミー電極に加えて、さらに第２のダミー電極を設けることによって、第２配線に付与された静電気を、対向配置された第２のダミー電極に放電させることができるので、上記経路以外の電荷経路に起因する、例えば対向電極から第１配線や画素電極への直接放電に起因する静電破壊などをも低減できる。ここで、第２のダミー電極における第１配線と入力端子との間を横切るダミー電極部は、ダミー電極における第１配線と入力端子との間を横切るダミー電極部よりも入力端子側に配置されているので、第１配線と第２のダミー電極との間に直接に放電が生ずる恐れはない。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る液晶表示パネル２００の平面透視図である。この液晶表示パネル２００は、ガラスやプラスチック等からなる透明な素子基板２１０と対向基板２２０とを図示しないシール材を介して貼り合わせ、シール材の内側に液晶を注入して、封止したものである。
【００２３】
素子基板２１０の表面上にはＴａ等の金属からなり、図示上下方向に伸びるデータ線２１１がストライプ状に複数並列して形成され、これらのデータ線２１１に対してそれぞれ複数のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極２１２が後述するＭＩＭ素子を介して接続されている。データ線２１１は基板張出部２１０ａに引き出されるように延在し、その先端部は半導体ＩＣ２１５のバンプ電極等に導電接続される接続部２１１ａとなっている。基板張出部２１０ａの外縁部には、接続部２１１ａと対向する複数の入力端子２１３が形成されている。
【００２４】
対向基板２２０には、素子基板２１０の外形よりも側方にはみ出した基板張出部２２０ａが設けられている。この基板張出部２２０ａには接続部２２１ａを備えた走査線２２１が複数形成されている。また、液晶封入領域内には、上記データ線２１１と直交する方向に伸び、透明導電体からなる対向電極２２２がストライプ状に複数並列して形成されている。そして、上記の走査線２２１はそれぞれ対応する対向電極２２２に接続されている。
【００２５】
基板張出部２２０ａ上には、上記走査線２２１の接続部２２１ａに対向する複数の入力端子２２３が形成されている。そして、半導体ＩＣ２２５は接続部２２１ａと入力端子２２３とに導電接続される。
【００２６】
上記画素電極２１２と、これに対向する対向電極２２２とが相互に平面的に交差する領域（すなわち、対向する両電極部分及びその間の液晶とからなる領域）は画素領域Ｐを構成し、複数の画素領域Ｐはマトリクス状に配列されて液晶駆動領域Ｓを構成している。
【００２７】
素子基板２１０の表面上には、上記液晶駆動領域Ｓの外側であって液晶駆動領域Ｓの走査線２２１が形成されている側とは反対側に配置され、データ線２１１に沿ってデータ線２１１とほぼ平行に伸びるダミー電極部２１７ａと、データ線２１１の接続部２１１ａと入力端子２１３との間を横切るダミー電極部２１７ｃとが連続し、全体として平面視Ｌ字状に構成されたダミー電極２１７が形成されている。このダミー電極２１７は、液晶駆動領域Ｓの走査線２２１側には形成されていない。
【００２８】
このダミー電極２１７は、例えばデータ線２１１と同じ材質でデータ線２１１と同時に形成されることが好ましい。また、ダミー電極２１７は図示例では１本のＬ字状パターンで形成されているが、幅方向に分離した複数本のパターンで形成されていてもよい。この場合、当該複数本のパターンの幅及び間隔はデータ線２１１のストライプ形状パターンとほぼ同様の寸法になっていることが好ましい。
【００２９】
図５は本実施形態における素子基板２１０の１画素領域に対応する部分を示す拡大部分平面図であり、図６は、図５のVI−VI線に沿って切断した様子を示す拡大部分断面図である。本実施形態の素子基板２１０においては、基板表面上にスパッタリング法等を用いて酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜を形成し、その上にデータ線２１１をスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法等を用いてＴａで形成する。このデータ線２１１は、側方に突出する突出部２１１ｂを上記画素領域Ｐ毎に備えた形状にパターニングされる。次に、データ線２１１の表面を陽極酸化法等によって酸化し、データ線２１１の表面に薄い絶縁膜２１６（図６参照）を形成する。さらに、突出部２１１ｂの上に一部が重なるようにＣｒからなる電極層２１４を形成する。最後に、電極層２１４の一部に重なるように、スパッタリング法及びフォトリソグラフィ法等を用いて上記の画素電極２１２をＩＴＯ等の透明導電体で形成する。
【００３０】
このパターン構造においては、Ｔａからなる突出部２１１ｂ、Ｔａ2Ｏ5からなる絶縁膜２１６、及び、Ｃｒからなる電極層２１４によってＭＩＭ素子Ｒが形成される。ＭＩＭ素子は上記絶縁膜２１６の存在によって非線形な電流−電圧特性を示す２端子非線形素子である。
【００３１】
図２には上記基板張出部２１０ａの一部を拡大して示す。ダミー電極２１７のダミー電極部２１７ｃは、データ線２１１の先端に設けられた接続部２１１ａと、入力端子２１３との間を横切るように伸びている。ここで、ダミー電極部２１７ｃから接続部２１１ａまでの距離Ｌ１と、ダミー電極部２１７ｃから入力端子２１３の端部までの距離Ｌ２とは、本実施形態においてはほぼ等しくなるように形成されている。
【００３２】
上記のように距離Ｌ１を距離Ｌ２とほぼ等しくする理由は、ダミー電極２１７に静電気が付与されたとき、ダミー電極２１７と接続部２１１ａとの間、及び、ダミー電極２１７と入力端子２１３の端部との間の放電の発生確率を共に最も小さくするためである。
【００３３】
図１に示すような液晶表示パネル２００の状態においては、ダミー電極２１７と入力端子２１３との間に放電が発生しても、入力端子２１３にはＭＩＭ素子が接続されていないので、ＭＩＭ素子の静電破壊は発生しない。したがって、図示の状態においては上記距離Ｌ１を距離Ｌ２よりも大きくすることが好ましい。
【００３４】
しかしながら、一般に小型の液晶表示パネルを製造する場合においては、複数のパネル相当部分を含む大判パネルを形成し、この大判パネルを分割して複数の液晶表示パネル２００を形成する場合がある。この場合、図７に示すように、大判パネルを構成する大判の母基板２０には上記素子基板２１０上に形成された配線パターンが上下左右に連続するように形成されるため、この母基板２０上においては、或る配線パターンに属する入力端子２１３がその図示下方に隣接する配線パターンに属するデータ線２１１の一部と連続するように形成される。ここで、図７において、母基板２０は上記大判パネル分割時に分割線Ｎ，Ｍに沿って破断され、上記の素子基板２１０が形成されるようになっている。
【００３５】
このような場合には、ダミー電極部２１７ｃと入力端子２１３との間に放電が発生しても、入力端子２１３に連続した隣接する配線パターンに属するデータ線２１１に接続されたＭＩＭ素子に静電破壊が生ずる可能性がある。つまり、このような母基板２０を形成する製造工程を採用する場合には、ダミー電極部２１７ｃからデータ線２１１と入力端子２１３のいずれに放電が生じても、ＭＩＭ素子の静電破壊が発生する可能性がある。したがって、このように大判パネルの分割前における静電破壊を防止するには、本実施形態のように距離Ｌ１と距離Ｌ２とをほぼ等しくすることが好ましい。
【００３６】
なお、図７に示す母基板２０においては、図示点線で示すように、ダミー電極２１７が隣接する配線パターン間において相互に連結され、格子状に繋がった状態で形成されていても構わない。
【００３７】
本実施形態のダミー電極２１７は、液晶駆動領域Ｓの走査線２２１が形成されている側には形成されていないため、走査線２２１との間に基板厚さ方向に対向する部分が存在しないから、走査線２２１に静電気が付与されても、ダミー電極２１７へは電荷が移動（放電）することがなく、その結果、ダミー電極２１７からデータ線２１１への電荷の移動（放電）も低減される。したがって、走査線２２１からダミー電極２１７を介してデータ線２１１に移動する電荷経路に起因するＭＩＭ素子の静電破壊を防止することができ、図９に示すような態様の画素欠陥Ｑは発生しない。
【００３８】
［第２実施形態］
次に、図３を参照して本発明に係る第２実施形態の液晶表示パネル３００について説明する。この実施形態においては、上記第１実施形態と同様の素子基板３１０、対向基板３２０を備えている。また、第１実施形態と同様に、素子基板３１０には、データ線３１１、画素電極３１２、入力端子３１３が形成され、半導体ＩＣ３１５が実装される。一方、対向基板３２０には、走査線３２１、対向電極３２２、入力端子３２３が形成され、半導体ＩＣ３２５が実装される。
【００３９】
素子基板３１０の表面上には、第１実施形態のダミー電極２１７と同様に、液晶駆動領域Ｓに対して走査線３２１の形成位置とは反対側においてデータ線３１１に沿ってデータ線３１１とほぼ平行に伸びるダミー電極部３１７ａと、データ線３１１の接続部３１１ａと入力端子３１３との間を横切るダミー電極部３１７ｃとからなる略Ｌ字状の第１ダミー電極３１７が形成されている。
【００４０】
本実施形態の素子基板３１０には、上記第１ダミー電極３１７に加えて、さらにもう一つの第２ダミー電極３１９が形成されている。この第２ダミー電極３１９は、液晶駆動領域Ｓに対して走査線３２１の形成側においてデータ線３１１に沿ってデータ線３１１とほぼ平行に伸びるダミー電極部３１９ｂと、データ線３１１の接続部３１１ａと入力端子３１３との間を横切るダミー電極部３１９ｃとが連続してなり、全体として略逆Ｌ字状に形成されている。第１ダミー電極３１７と第２ダミー電極３１９とは、相互に分離した状態、すなわち電気的に接触していない状態に形成されている。
【００４１】
第１ダミー電極３１７と第２ダミー電極３１９とは、データ線３１１の接続部３１１ａと入力端子３１３との間を横切る部分で相互に幅方向に隣接している。ダミー電極部３１７ｃとダミー電極部３１９ｃとは相互に間隔を隔ててほぼ平行に伸びる。そして、この両電極部の隣接部分においては、第２ダミー電極３１９のダミー電極部３１９ｃは、第１ダミー電極部３１７のダミー電極部３１７ｃよりも入力端子３１３側に配置されている。
【００４２】
図４は、上記液晶表示パネル３００における素子基板３１０の基板張出部３１０ａの一部を拡大して示すものである。本実施形態では、ダミー電極部３１７ｃと接続部３１１ａとの距離Ｌ１がダミー電極部３１９ｃと入力端子３１３の先端との距離Ｌ２にほぼ等しく、ダミー電極部３１７ｃとダミー電極部３１９ｃとの距離Ｌ３が距離Ｌ１，Ｌ２よりも小さくなるように形成されている。
【００４３】
このように距離Ｌ１と距離Ｌ２が相互にほぼ等しくなるように構成した理由は、上記第１実施形態と同様に、これら接続部３１１ａとダミー電極部３１７ｃとの間、及び、ダミー電極部３１９ｃと入力端子３１３との間の放電の発生確率を共に最も小さくするためである。これに対して、ダミー電極部３１７ｃとダミー電極部３１９ｃとの間に放電が生じてもデータ線３１１や入力端子３１３には直接影響しないため、距離Ｌ３を距離Ｌ１，Ｌ２よりも小さくしている。このように距離Ｌ３を小さくした分だけ距離Ｌ１，Ｌ２を大きくすることができるので、データ線３１１や入力端子３１３に対する放電の発生確率を低減することができる。
【００４４】
本実施形態において、第２ダミー電極３１９には、走査線３２１と対向（交差）するダミー電極部３１９ｂが設けられているので、走査線３２１に静電気が付与された場合、走査線３２１と第２ダミー電極３１９との間に放電が生じ、第２ダミー電極３１９に電荷が移動する可能性がある。しかし、第２ダミー電極３１９のダミー電極部３１９ｃは、第１ダミー電極３１７のダミー電極部３１７ｃの入力端子３１３側に配置されているので、第２ダミー電極３１９とデータ線３１１との間には直接の放電が生ずることはなく、したがって、図３に示すように独立したパネル構造になっている状態では、第２ダミー電極３１９の帯電に起因するＭＩＭ素子の静電破壊はほとんど発生しない。
【００４５】
一方、本実施形態では、第２ダミー電極３１９が形成されていることにより、走査線３２１が帯電した場合、対向する第２ダミー電極３１９へ放電により電荷が移動することはあっても、第２ダミー電極３１９との対向部分を通過してさらに対向電極３２２に電荷が移動し、対向電極３２２とこれに対向する画素電極３１２との間に放電が発生し、画素電極３１２へ移動した電荷によってＭＩＭ素子が破壊されることはほとんどなくなる。したがって、第２ダミー電極３１９の存在によって画素欠陥をさらに低減することができる。
【００４６】
上記各実施形態の液晶表示パネルは、その必要に応じて、偏光板、バックライト又はフロントライト、ケース体等と組み合わされて液晶表示装置を構成する。このように構成された液晶表示装置は、各種の電子機器に組み込まれて使用される。電子機器としては、例えば、携帯電話、ページャー、テレビジョン装置、携帯型情報端末、コンピュータ装置、ナビゲーションシステム等が挙げられる。
【００４７】
尚、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００４８】
例えば、上記実施形態はいずれも液晶表示装置であり、この液晶表示装置に組み込まれる液晶表示パネルについて説明したが、本発明は液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルなどの種々の電気光学物質を用いる電気光学装置についても同様に適用できるものである。
【００４９】
また、上記いずれの実施形態においても、ＭＩＭ素子をアクティブ素子（スイッチング素子）として用いているが、アクティブ素子としては、ＭＩＭ素子に限らず、ＴＦＴその他の各種素子を用いることが可能である。また、上記実施形態のようにマトリクス型のパネル構造である必要はなく、例えばセグメント型のパネル構造など、任意の画素構造を有する電気光学装置にも適用できる。
【００５０】
さらに、上記ダミー電極、第１ダミー電極及び第２ダミー電極はいずれも液晶駆動領域の外側においてＬ字状に形成されているが、必ずしもＬ字上である必要はない。例えば、液晶駆動領域の外側においてデータ線に沿って形成されているダミー電極部はデータ線に対して厳密に平行である必要はなく、また、データ線に沿って形成されているダミー電極部と、データ線と入力端子との間を横切っているダミー電極部との接続部分が、両電極部のいずれに対しても傾斜した方向に伸びるもの、或いは、曲線状に伸びるものであっても構わない。
【００５１】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、駆動領域の第２配線側の周囲部分において第２配線とダミー電極とが対向配置されていないので、上記経路に沿った電荷の移動が発生せず、その結果、アクティブ素子の静電破壊の発生確率が低減され、画素欠陥を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電気光学装置の第１実施形態における液晶表示パネルの平面構造を示す平面透視図である。
【図２】第１実施形態における素子基板の基板張出部の一部表面を拡大して示す拡大部分平面図である。
【図３】本発明に係る電気光学装置の第２実施形態における液晶表示パネルの平面構造を示す平面透視図である。
【図４】第２実施形態における素子基板の基板張出部の一部表面を拡大して示す拡大部分平面図である。
【図５】第１実施形態における素子基板の１画素領域内の表面構造を示す拡大部分平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿って切断した様子を示す拡大断面図である。
【図７】大判パネルを分割して液晶表示パネルを構成する製造方法において、大判パネルを構成する一方の母基板（素子基板となるもの）における一部の表面構造を拡大して示す拡大部分平面図である。
【図８】従来の液晶表示パネルの構造を示す平面透視図である。
【図９】従来の液晶表示パネルの画素欠陥を示す平面説明図である。
【符号の説明】
２０  母基板
２００，３００  液晶表示パネル
２１０，３１０  素子基板
２１１，３１１  データ線
２１２，３１２  画素電極
２１３，３１３  入力端子
２２１，３２１  走査線
２２２，３２２  対向電極
２２３，３２３  入力端子
Ｎ，Ｍ  分割線
Ｐ  画素領域
Ｑ  画素欠陥
Ｒ  ＭＩＭ素子
【図１】
0004238469.tif 000002
【図２】
0004238469.tif 000003
【図３】
0004238469.tif 000004
【図４】
0004238469.tif 000005
【図５】
0004238469.tif 000006
【図６】
0004238469.tif 000007
【図７】
0004238469.tif 000008
【図８】
0004238469.tif 000009
【図９】
0004238469.tif 000010