(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に溝を形成する工程と、
前記溝底面と側面を覆うように窒化タングステンからなる第１の薄膜を形成する工程と、
前記第１の薄膜上全域に窒化タングステンからなる第２の薄膜を形成する工程と、
前記第１の薄膜と前記第２の薄膜を介して銅を形成して前記溝内に前記銅からなる配線を形成する工程と
を備え、
前記第１の薄膜は６弗化タングステンよりなるタングステンのソースガスよりアンモニアよりなる窒素のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成し、
前記第２の薄膜は前記第１の薄膜形成時よりタングステンのソースガスの比率を多くした熱化学気相成長法により形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記層間絶縁膜下に予め下層配線層を形成する工程を新たに備え、
前記層間絶縁膜に溝を形成する工程では、この溝底部に前記下層配線層に到達するスルーホールを同時に形成し、
前記第１の薄膜と第２の薄膜は前記スルーホール側面および底面にも形成し、
前記銅は前記スルーホール内も形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記銅の形成は電解メッキ法により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
電解メッキ法による前記銅の形成の前に、前記第２の薄膜表面にシード層を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅配線が用いられる半導体装置の製造方法に関し、特に、銅の拡散を抑制する銅配線の下地膜に窒化タングステンを用いる半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化と動作の高速化が要求される中、集積回路に用いられている配線は、幅や配線間隔の微細化が進んでいる。このような状況の中で、アルミニウム配線を用いたシリコン半導体集積回路においては、配線遅延の回路性能への影響や、配線のエレクトロマイグレーションによる信頼性の低下が深刻な問題となってきている。まず、配線による信号の遅延としては、配線抵抗に起因するものがある。この信号遅延の解消には、電気抵抗の低い材料を用いるようにすればよい。
【０００３】
また、高密度に集積された配線間における配線容量に起因する信号遅延もある。信号遅延の原因となる配線容量の低減のためには、配線の横だけでなく厚さ方向の微細化が必要となる。したがって、配線容量に起因する信号遅延を抑制しようとすると、配線に流れる電流が増大することになり、エレクトロマイグレーションが起きやすい状態となる。
【０００４】
以上の問題点を解消するために、アルミニウムに変わる配線材料として、電気抵抗が低くマイグレーション耐性を有する銅が有望とされている。
ところで、銅はシリコン酸化物中を拡散してトランジスタ素子に悪影響を与えることや、絶縁膜との密着性が弱いことなどから、銅による配線を形成する場合は、下地膜を配置して銅の拡散を防止し、配線と絶縁膜（層間絶縁膜）との密着性を向上させるようにしていた。
【０００５】
以下、従来より用いられている銅を用いた配線構造の形成方法に関して説明する。ここでは、いわゆるダマシン法による銅配線の形成方法に関して説明する。
まず、図９（ａ）に示すように、図示していないＭＯＳトランジスタなどの素子が形成されたシリコン基板９０１上に、層間絶縁膜９０２を形成し、所定の箇所に溝９０３を形成する。
つぎに、図９（ｂ）に示すように、溝９０３の底面，側面を含めて層間絶縁膜９０２上に、上述した銅の拡散防止などのための下地膜９０４を形成する。
【０００６】
つぎに、下地膜９０４上に溝９０３を埋めるように銅の膜を形成することで、図９（ｃ）に示すように、金属膜９０５を形成する。この銅膜の形成は、例えばメッキ法により行う。
次いで、たとえば化学的機械的研磨法などにより、層間絶縁膜９０２上の金属膜９０５および下地膜９０４を除去し、溝９０３の側面および底面に下地膜９０４ａを形成するとともに、図９（ｄ）に示すように、下地膜９０４ａを介して銅からなる配線９０５ａが形成された状態とする。
【０００７】
上記の下地膜に用いる材料として、つぎに示す理由により窒化タングステンが有望視されている。下地膜は、溝などの凹凸がある表面に、段差被覆性よく形成する必要がある。上記の場合、溝の底部だけでなく溝の側面にもなるべく均一な膜厚に下地膜が形成される必要がある。このため、段差被覆性に優れた化学的気相成長（ＣＶＤ）法により形成できる材料が、下地膜には適している。上記の観点から、ＣＶＤ法で形成でき、銅の拡散を抑制するバリア特性の優れた窒化タングステンが、下地膜として注目されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、窒化タングステンは、段差被覆性に優れ、かつ銅の拡散抑制性能（バリア特性）が優れているという利点があるが、層間絶縁膜に用いられる絶縁膜との密着性が悪いという問題があった。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、銅配線構造に用いられる窒化タングステンからなる下地膜の密着性を向上させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に溝を形成する工程と、溝底面と側面を覆うように窒化タングステンからなる第１の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜上全域に窒化タングステンからなる第２の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜と第２の薄膜を介して銅を形成して溝内に銅からなる配線を形成する工程とを備え、第１の薄膜は６弗化タングステンよりなるタングステンのソースガスよりアンモニアよりなる窒素のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成し、前記第２の薄膜は第１の薄膜形成時よりタングステンのソースガスの比率を多くした熱化学気相成長法により形成しようとしたものである。
この発明によれば、第１の薄膜は結晶性よく形成され、第２の薄膜は段差被覆性よく形成される。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に溝を形成する工程と、溝底面と側面を覆うように窒化タングステンからなる第１の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜上全域にタングステンからなる第２の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜と第２の薄膜を介して銅を形成して溝内に銅からなる配線を形成する工程とを備え、第１の薄膜はタングステンのソースガスより窒素のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成しようとしたものである。
この発明によれば、第１の薄膜は結晶性よく形成される。
【００１１】
上記の発明において、層間絶縁膜下に予め下層配線層を形成する工程を新たに備え、層間絶縁膜に溝を形成する工程では、この溝底部に下層配線層に到達するスルーホールを同時に形成し、第１の薄膜と第２の薄膜はスルーホール側面および底面にも形成し、銅はスルーホール内にも形成する。また、銅の形成は電解メッキ法により行う。この電解メッキ法による銅の形成の前には、第２の薄膜表面にシード層を形成しておく。
また、スルーホールを備える場合、銅の形成は窒化タングステンおよびタングステンが溶解する条件の電解メッキ法により行う。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
（実施の形態１）
はじめに、本発明の第１の実施の形態における製造方法について説明すると、図１（ａ）に示すように、まず、シリコン基板１０１上に形成した酸化シリコンからなる層間絶縁膜１０２に溝１０３を形成する。なお、図示していないが、層間絶縁膜１０２下のシリコン基板１０１の他の領域には、ＭＯＳＦＥＴなどのトランジスタやダイオードなどの素子がすでに形成されている。
【００１３】
つぎに、図１（ｂ）に示すように、溝１０３の側面および底面を含めて層間絶縁膜１０２上に窒化タングステン膜からなる下部下地膜（第１の薄膜）１０４を膜厚５ｎｍ程度に形成する。下部下地膜１０４は、熱ＣＶＤ法により形成し、タングステンのソースガスに６弗化タングステン，窒素のソースガスにアンモニアを用いる。アンモニアガス（窒素のソースガス）の供給量を６弗化タングステン（タングステンのソースガス）の１０倍以上と多くし、下部下地膜１０４を形成する。この結果、結晶性のよい下部下地膜１０４が形成され、層間絶縁膜１０２との密着性がよい状態が得られる。なお、上記のように結晶性のよい状態で膜を形成すると、段差被覆性はやや劣るが、段差被覆性のよい上部下地膜に比較してあまり厚く形成しなければ、段差被覆性の観点では問題とならない。
引き続いて、図１（ｃ）に示すように、下部下地膜１０４上に窒化タングステンからなる上部下地膜（第２の薄膜）１０５を、熱ＣＶＤ法により膜厚１５ｎｍ程度に形成する。
【００１４】
この上部下地膜１０５の形成では、下部下地膜１０４形成時に比較し、窒素のソースガスの供給量をタングステンのソースガスの供給量の４倍以下と減らす。この結果、段差被覆性よく上部下地膜１０５が形成される。段差被覆性よく形成した場合、絶縁膜との密着性が劣るが、上部下地膜１０５の下には窒化タングステンからなる下部下地膜１０４が存在し、上部下地膜１０５と下部下地膜１０４との密着性は良好である。このように、密着性のよい状態で形成した下部下地膜１０４を介して上部下地膜１０５を形成すれば、上部下地膜１０５を段差被覆性のよりよい状態で形成しても、上部下地膜１０５が剥離するなどの問題が発生しない。
【００１５】
つぎに、図１（ｄ）に示すように、溝１０３内が埋め込まれた状態となるように、上部下地膜１０５上に電解メッキ法により銅膜１０６を形成する。なお、電解メッキ法による銅膜１０６の形成に当たって、予め上部下地膜１０５表面にシード層（図示せず）を形成しておく。
最後に、図２（ｅ）に示すように、たとえば化学的機械的研磨法などにより、層間絶縁膜１０２上の銅膜１０６と上部下地膜１０５および下部下地膜１０４の一部を除去し、溝１０３の側面および底面の下部下地膜１０４と上部下地膜１０５とともに、これら下地膜を介し、銅からなる配線１０７が溝１０３内に形成された状態とする。
【００１６】
（実施の形態２）
つぎに、本発明の第２の実施の形態について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１０１上に形成した酸化シリコンからなる層間絶縁膜１０２に溝１０３を形成し、図３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０２上に溝１０３内を含めて窒化タングステン膜からなる下部下地膜１０４を熱ＣＶＤ法により形成する。下部下地膜１０４の形成は、タングステンのソースガスに６弗化タングステン，窒素のソースガスにアンモニアを用いる。このとき、アンモニアガスの供給量を６弗化タングステンの１０倍以上と多くし、下部下地膜１０４を形成する。この結果、結晶性のよい下部下地膜１０４が形成され、層間絶縁膜１０２との密着性がよい状態が得られる。ただし、良好な段差被覆性は得られない。
【００１７】
引き続いて、図３（ｃ）に示すように、下部下地膜１０４上にタングステンからなる上部下地膜３０５を熱ＣＶＤ法により形成し、この後、図４（ｄ）に示すように、溝１０３内が埋め込まれた状態となるように、上部下地膜３０５上に電解メッキ法により銅膜１０６を形成する。この実施の形態の場合、導電性のよいタングステンからなる上部下地膜３０５上に銅を電解メッキするようにしたので、上部下地膜３０５上にシード層を形成しておく必要が無く銅膜１０６を形成できる。
【００１８】
つぎに、図４（ｅ）に示すように、たとえば化学的機械的研磨法などにより、層間絶縁膜１０２上の銅膜１０６と上部下地膜３０５および下部下地膜１０４の一部を除去し、溝１０３の側面および底面の下部下地膜１０４と上部下地膜３０５とともに、これら下地膜を介し、銅からなる配線１０７が溝１０３内に形成された状態とする。
以上説明したように、この実施の形態では、下地膜を窒化タングステンからなる下部下地膜とほぼタングステンからなる上部下地膜とから構成した。この結果、上部下地膜は電気抵抗が低いので、上部下地膜上に銅を電解メッキするときに、予めシード層を形成しておく必要が無くなる。
【００１９】
なお、つぎに示すように上部下地膜を形成し、上部下地膜が部分的に窒化タングステンから構成されているようにしてもよい。上部下地膜の形成において、まず膜形成時間の中で徐々にタングステンのソースガスの存在比を上昇させ、最表面に行くほどタングステンの存在比が多い状態に形成する。このように形成することで、上部下地膜の最表面はほぼタングステンのみで構成された状態となるので、このように形成した上部下地膜においても、シード層を形成することなく銅を電解メッキできるようになる。
【００２０】
（実施の形態３）
つぎに、本発明の第３の実施の形態について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、銅からなる下層配線層５０１上に、酸化シリコンからなる層間絶縁膜５０２を形成した後、層間絶縁膜５０２に溝５０３およびスルーホール５０４を形成する。スルーホール５０４は、下層配線層５０１上の溝５０３が通過する領域に形成する。
【００２１】
つぎに、図５（ｂ）に示すように、層間絶縁膜５０２上に、スルーホール５０４内および溝５０３内を含めて、窒化タングステン膜からなる下部下地膜５０５を形成する。この窒化タングステン膜は、熱ＣＶＤ法により形成し、タングステンのソースガスに６弗化タングステン，窒素のソースガスにアンモニアを用いる。アンモニアガス（窒素のソースガス）の供給量を６弗化タングステン（タングステンのソースガス）の１０倍以上と多くして形成することで、結晶性のよい下部下地膜５０５が形成され、層間絶縁膜５０２との密着性がよい状態が得られる。ただし、良好な段差被覆性は得られない。なお、溝５０３に比較して開口領域の小さいスルーホール５０４内は、ソースガスの供給量が減少するため、下部下地膜５０５の特にスルーホール５０４底部における膜厚が薄く形成される。
【００２２】
引き続いて、図６（ｃ）に示すように、下部下地膜５０５上に上部下地膜５０６を形成する。
この上部下地膜５０６の形成では、下部下地膜５０５形成時に比較して、窒素のソースガスの供給量をタングステンのソースガスの供給量の４倍以下と減らすことで、段差被覆性よく上部下地膜５０６を形成する。段差被覆性よく形成した場合、絶縁膜との密着性が劣るが、上部下地膜５０６の下には窒化タングステンからなる下部下地膜５０５が存在し、上部下地膜５０６と下部下地膜５０５との密着性は良好である。このように、密着性のよい状態で形成した下部下地膜５０５を介して上部下地膜５０６を形成すれば、上部下地膜５０６を段差被覆性のよりよい状態で形成しても、上部下地膜５０６が剥離するなどの問題が発生しない。また、上部下地膜５０６の形成においても、溝５０３に比較して開口領域の小さいスルーホール５０４内は、ソースガスの供給量が減少するため、上部下地膜５０６の特にスルーホール５０４底部における膜厚が薄く形成される。
【００２３】
つぎに、図６（ｄ）に示すように、溝５０３内およびスルーホール５０４内が埋め込まれた状態となるように、上部下地膜５０６上に電解メッキ法により銅膜５０７を形成する。なお、電解メッキ法による銅膜５０７の形成に当たって、予め上部下地膜５０６表面にシード層（図示せず）を形成しておく。
最後に、図６（ｅ）に示すように、たとえば化学的機械的研磨法などにより、層間絶縁膜５０２上の銅膜５０７と上部下地膜５０６および下部下地膜５０５の一部を除去し、銅からなる配線５０８が溝５０３内に下地膜を介して形成され、配線５０８がスルーホール５０４内に充填された銅によるプラグを介して下層配線層５０１に接続された状態とする。
【００２４】
以上示したことにより、本実施の形態によれば、配線５０８が溝５０３内に下地膜を介して形成された状態となり、また、配線５０８と下層配線層５０１とを接続するプラグも、下地膜を介してスルーホール５０４内に形成された状態となる。ここで、スルーホール５０４内において、プラグは下層配線層５０１と上部下地膜５０６と下部下地膜５０５を介して接続することになるが、上記のように、スルーホール５０４底部の各下地膜は薄く形成されるため、下地膜が窒化タングステンから構成されていても、下層配線層５０１と配線５０８との間の抵抗が高くなることがない。
【００２５】
（実施の形態４）
つぎに、本発明の第４の実施の形態について説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、銅からなる下層配線層７０１上に、酸化シリコンからなる層間絶縁膜７０２を形成した後、層間絶縁膜７０２に溝７０３およびスルーホール７０４を形成する。スルーホール７０４は、下層配線層７０１上の溝７０３が通過する領域に形成する。
【００２６】
つぎに、図８（ｂ）に示すように、層間絶縁膜７０２上に、スルーホール７０４内および溝７０３内を含めて、窒化タングステン膜からなる下部下地膜７０５を形成する。この窒化タングステン膜は、熱ＣＶＤ法により形成し、タングステンのソースガスに６弗化タングステン，窒素のソースガスにアンモニアを用いる。アンモニアガスの供給量を６弗化タングステンの１０倍以上と多くし、下部下地膜７０５を形成することで、結晶性のよい下部下地膜７０５が形成され、層間絶縁膜７０２との密着性がよい状態が得られる。ただし、良好な段差被覆性は得られない。なお、溝７０３に比較して開口領域の小さいスルーホール７０４内は、ソースガスの供給量が減少するため、下部下地膜７０５の特にスルーホール７０４底部における膜厚が薄く形成される。
【００２７】
引き続いて、下部下地膜７０５上に上部下地膜７０６を形成する。
この上部下地膜７０６の形成では、下部下地膜７０５形成時に比較して、窒素のソースガスの供給量をタングステンのソースガスの供給量の４倍以下と減らすことで、段差被覆性よく上部下地膜７０６を形成する。上部下地膜７０６の形成においても、溝７０３に比較して開口領域の小さいスルーホール７０４内は、ソースガスの供給量が減少するため、上部下地膜７０６の特にスルーホール７０４底部における膜厚が薄く形成される。
【００２８】
つぎに、上記の実施の形態と同様に、上部下地膜７０６上に電解メッキ法により銅を析出させるが、本実施の形態では、窒化タングステンを溶解させながら銅を析出させる。窒化タングステンを溶解させながら銅を析出させるようにすることで、まず、図８（ｃ）に示すように、スルーホール７０４底部の薄く形成されている上部下地膜７０６と下部下地膜７０５が溶解し、スルーホール７０４底部に下の下層配線層７０１表面が露出する。ただし、溝７０３底面と側面やスルーホール７０４側面は、スルーホール７０４底部に比較して下地膜が厚く形成されているので、これらの領域の上部下地膜７０６は無くならない。
【００２９】
この後、銅の析出が始まることで、溝７０３内およびスルーホール７０４内が銅で埋め込まれた状態となり、図８（ｄ）に示すように、銅膜７０７が形成される。
最後に、図８（ｅ）に示すように、たとえば化学的機械的研磨法などにより、層間絶縁膜７０２上の銅膜７０７と上部下地膜７０６および下部下地膜７０５の一部を除去し、銅からなる配線７０８が溝７０３内に下地膜を介して形成され、配線７０８がスルーホール７０４内に充填された銅によるプラグを介して下層配線層７０１に接続された状態とする。
【００３０】
以上示したことにより、本実施の形態によれば、配線７０８が溝７０３内に下地膜を介して形成された状態となり、また、配線７０８と下層配線層７０１とを接続するプラグが、下地膜を介してスルーホール７０４内に形成された状態となる。本実施の形態によれば、スルーホール７０４内に充填されたプラグは、下面の銅が下層配線層７０１と直接接触した状態に形成されるので、配線７０８と下層配線層７０１とが非常に低抵抗な状態で接続される。
【００３１】
上述した実施の形態において特徴づけられかつ共通に用いられる技術として、第１の薄膜はタングステンのソースガスより他のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成し、第２の薄膜は第１の薄膜形成時よりタングステンのソースガスの比率を多くして熱化学気相成長法により形成するようにした。
例えばタングステンのソースガスとしてＷＦ6を使用し、他のソースガスとしてアンモニア（ＮＨ3）を使用し、段差被覆特性を求めると、図１０に示されるような特性が得られる。図１０は、段差被覆性を示しており、ＮＨ3とＷＦ6の流量比（ＮＨ3／ＷＦ6）が小さいとき、すなわち図１０の左側に行くほど、段差被覆性が優れていることを示している。本発明では、この技術を用いて第２の薄膜を形成するようにした。
【００３２】
また、以下の表１は、第１の薄膜の層間絶縁膜に対する密着性を示している。表中において、流量比は、ＷＦ6／ＮＨ3である。また、試験後とは、６５０℃の加熱を加える試験を行った後のことであり、また、「○」は、密着性が極めて良好であったことを示し、「△」は密着性が良好であったことを示し、「×」は密着性が不良であったことを示している。
【００３３】
【表１】
0004331414.tif 000002
【００３４】
この表１から、ＷＦ6とＮＨ3の流量比（ＷＦ6／ＮＨ3）が小さい試料Ａ，Ｂ、すなわちＷＦ6の流量が少ないほど、密着性が良好であることが判る。これらに対し、ＷＦ6の流量が多い試料Ｃでは、膜を形成した時点では密着性がよいが、加熱すると密着性が不良になることが判る。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に溝を形成する工程と、溝底面と側面を覆うように窒化タングステンからなる第１の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜上全域に窒化タングステンからなる第２の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜と第２の薄膜を介して銅を形成して溝内に銅からなる配線を形成する工程とを備え、第１の薄膜はタングステンのソースガスより窒素のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成し、第２の薄膜は第１の薄膜形成時よりタングステンのソースガスの比率を多くして熱化学気相成長法により形成するようにした。
この発明によれば、第１の薄膜は結晶性よく形成され、第２の薄膜は段差被覆性よく形成され、結晶性のよい窒化タングステンは絶縁体からなる層間絶縁膜とも密着性よく形成されるので、銅配線構造に用いられる窒化タングステンからなる下地膜の密着性が向上するという優れた効果が得られる。
【００３６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に溝を形成する工程と、溝底面と側面を覆うように窒化タングステンからなる第１の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜上全域にタングステンからなる第２の薄膜を形成する工程と、第１の薄膜と第２の薄膜を介して銅を形成して溝内に銅からなる配線形成する工程とを備え、第１の薄膜はタングステンのソースガスより窒素のソースガスを多く供給する熱化学気相成長法により形成しようとしたものである。
この発明によれば、第１の薄膜は結晶性よく形成され、結晶性のよい窒化タングステンは絶縁体からなる層間絶縁膜とも密着性よく形成されるので、銅配線構造に用いられる窒化タングステンからなる下地膜の密着性が向上するという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】  図１に続く、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】  本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】  図３に続く、本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】  本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】  図５に続く、本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】  本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】  図７に続く、本発明の他の実施の形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】  従来よりある半導体装置の製造方法の一部を示す説明図である。
【図１０】  タングステンのソースガスとしてＷＦ6，他のソースガスとしてＮＨ3を使用したときの段差被覆特性を示す特性図である。
【符号の説明】
１０１…シリコン基板、１０２…層間絶縁膜、１０３…溝、１０４…下部下地膜（第１の薄膜）、１０５…上部下地膜（第２の薄膜）、１０６…銅膜、１０７…配線。
【図１】
0004331414.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004331414.tif 000012