(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子スイッチ（Ｔ１）と直列に電源電圧（Ｕａ）の端子に接続された少なくとも１つのコイル（２）と、電源電圧を表している第１電圧（Ｕ２）を測定する手段と、前記第１電圧を測定する手段及び前記電子スイッチ（Ｔ１）の制御電極に接続され、第１電圧を突入閾値及びドロップアウト閾値と比較する比較手段を有する電磁石の制御手段（１４）とを備えた遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置において、
前記比較手段は、第１電圧（Ｕ２）が突入閾値（Ｓａ１、Ｓａ２）の一つに達したとき、事前設定期間の突入相の間コイル内の突入電流（Ｉｃａ）の流れを監視するために、第１電圧（Ｕ２）と別個の第１及び第２突入閾値（Ｓａ１、Ｓａ２）、並びにドロップアウト閾値（Ｓｒ）と比較する（Ｆ５、Ｆ１０、Ｆ４）こと、
を特徴とする遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項２】
第１突入閾値（Ｓａ１）が電磁石の定格電源電圧の約４０％から５０％の電圧を表し、第２突入閾値（Ｓａ２）が電磁石の定格電源電圧の７０％から８５％の電圧を表していることを特徴とする、請求項１に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項３】
電磁石が不足電圧引き外し装置に属していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項４】
電磁石が分流引き外し装置に属していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項５】
突入相の終わった時点で、前記制御手段（１４）は、保持相の間、突入電流より弱い保持電流をコイル（２）内に流すように制御し、
前記制御装置は、コイルに流れている電流（ｌｂ）を測定する手段を有し、
前記制御手段（１４）は、事前設定点値（Ｉｃｍ）に電流を比較する手段により保持電流を調整するための手段を含む第１電圧（Ｕ２）を測定するための手段と、保持相の間、電流（ｌｂ）が第２事前設定期間（ｔｂ）の間に設定点値の事前設定分数を下回るか、それに等しいときに新しい突入相への切替えを命ずるための手段とを備えた、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載された遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置装置。
【請求項６】
前記設定分数が、設定値（Ｉｃｍ）の１／４と１／２の間で構成されていることを特徴とする、請求項５に記載遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置される装置。
【請求項７】
前記第２事前設定期間（ｔｂ）が約数ミリ秒であることを特徴とする、請求項５又は６に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項８】
実効値電圧を求めるための数値手段が、サンプリング手段、及び以下の形式の等式を有している有限インパルス応答フィルタを備え、
【数１】
0004282852.tif 000005
この場合、Ｕ２ｉが第１電圧のサンプルであり、ｎ≧２、ｍ≧１、加重係数ａｊはすべて同一ではないことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項９】
ｎ＝３、ａ１＝ａ３＝１及びａ２＝２であることを特徴とする、請求項８に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【請求項１０】
ｍ＝８であることを特徴とする、請求項９に記載の遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子スイッチと直列に電源電圧の端子に接続された少なくとも１つのコイルと、電源電圧を表している第１電圧を測定する手段と、第１電圧を測定する手段及び電子スイッチの制御電極に接続され、第１電圧を突入閾値及びドロップアウト閾値と比較する比較手段を有する電磁石の制御手段とを備えた遮断器の開放又は閉鎖電磁石の制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
遮断器は、一般的には、一定数の電気的な補助機械、さらに特定すると閉鎖電磁石（ＸＦ）又は開放電磁石、特に分流引き外し装置（ＭＸ）又は不足電圧引き外し装置（ＭＮ）を備える。不足電圧引き外し装置で使用されている電磁石は、分流引き外し装置（ＭＸ）又は閉鎖電磁石（ＸＦ）で使用されている動作特性とは異なる動作特性を有している。結果的に、それに関連している制御装置は異なる。
【０００３】
本発明の目的は、前記３種類の補助機械と無関係に使用することができ、すべての場合で満足のゆく動作安全性を保証している標準的な制御装置を提供するにある。
【０００４】
この目的は、比較手段が、第１電圧が突入閾値のうちの１つに達すると、事前設定されている期間の突入相の間、コイルでの突入電流の流れを監視するために、第１電圧を別個の第１突入閾値、第２突入閾値及びドロップアウト閾値と比較するという事実により達成される。
【０００５】
本発明の他の観点によれば、突入相の最後に、制御手段は、保持相の間、突入電流より弱い保持電流のコイルでの流れを制御し、装置は、コイルを流れている電流を測定するための手段と、電流を事前設定されている設定ポイント値と比較するための手段で保持電流を調整するための手段を備える制御手段と、保持相中に、電流が、第２事前設定期間中の設定ポイント値の事前設定分数より少ない又はそれに等しいときに、新しい突入相への切替えを命じるための手段とを備える。
【０００６】
本発明の別の観点によれば、第１電圧を測定するための手段は、サンプリング手段及び以下の形式の等式を有している有限インパルス応答フィルタを備えている、電圧実効値を求めるための数値手段を備える。
【数２】
0004282852.tif 000002
この場合、Ｕ２ｉは第１電圧のサンプルであり、ｎ≧２、ｍ≧１、加重係数ａｊはすべて同一ではない。
【０００７】
【発明の実施の形態】
他の優位点及び特徴は、制約的ではない例としてだけ示され、添付図面で表されている特定の実施形態に関する以下の説明からさらに明らかになるであろう。
【０００８】
電磁石は、従来、電磁石が作動されている位置へのその移動が、突入電流の流れにより引き起こされる可動コアを備える。その場合、それは、弱い方の保持電流の流れによりこの位置に保持される。
【０００９】
図１に示されている型の電磁石は、従来、不足電圧引き外し装置（ＭＮ）で使用されている。それは、その内側にコイル２が装着されている電機子１を備える。コイル２は、電機子１に固定されている固定コア３、及び可動コア４を取り囲む。ばね５は、可動コア４を固定コア３から分離するために、固定コアと可動コアの間に取り付けられる。図１に示されている電磁石の休止位置においては、可動コア４に固着されているプランジャ６が、電機子から突出している。電源電圧をコイル１の端子間に印加すると、電磁石が励磁される。コイル１内での突入電流の流れは、ばね５に逆らった、固定コア３の方向での可動コア４の移動を引き起こす。コアが接触すると、プランジャ６は電機子１から突出しなくなる。突入相は、固定コア３と接触する可動コア４の完全な移動を可能にするほど十分に長く続く。それ以降、高い突入電流の流れは、電磁石の作動位置で可動コアを保持するためには必要なく、従来、弱い方の保持電流がコイル１で維持される。電源電圧が不十分であると、コイル１での電流の流れは中断される。その場合、ばね５のエネルギーが、可動コア４を図１に表されている位置に押しやり、可動コアに固着されているプランジャ６が、不足電圧引き外し装置の場合の関連遮断器の開放を引き起こす。ばね５の動作により実行されている遮断器の開放は後半に相対的に強力でなければならない。その結果、電磁石の励起が起きたときにコアを接触させ、このようにして遮断器の閉鎖を可能とするために必要とされているエネルギーは、相対的に高い。その結果、電磁石の電源電圧は、電磁石動作が実行されるときに、コアがすべての場合に接触することを保証するほど十分でなければならない。従来、１００Ｖの定格電圧Ａを有している不足電圧引き外し装置の場合、約７０Ｖの突入閾値、及び約３０Ｖのドロップアウト閾値が使用される。
【００１０】
図２に示されている型の電磁石は、従来、分流引き外し装置（ＭＸ）内で、遮断器の閉鎖電磁石（ＸＦ）として使用される。また、それは電機子１内にコイル２を備える。可動コア８に固着されているプランジャ７は、電機子１に固定されている固定コア９を通り抜ける。図２に示されている電磁石の休止位置では、ばね１０が、コアを互いから分離した状態に保ち、その場合、プランジャは電機子の外側に突出していない。電磁石の作動の場合、コイル２の中に流れている突入電流により、可動コアと共に、外向きに突出するプランジャ７の移動が引き起こされ、このようにして分流引き外し装置（ＭＸ）の場合には関連遮断器の開放又は閉鎖電磁石（ＸＦ）の場合にはその閉鎖のどちらかを可能にする。したがって、コイルによって供給されている電磁エネルギーにより、遮断器の作動を引き起こす。前記のように、突入相の後には、その間コイル内を流れている電流が弱くなる保持相が続く。電圧がドロップアウト閾値より低いとき、コイル内の電流の流れは中断され、可動コア８は、ばね１０の作用によって固定コア９から離される。遮断器に対してまったく作用していないこの位置へ切り替えると、ばね１０は強力である必要はない。したがって、ばね５と比較するとばね１０は相対的に弱いばねである。その結果、電磁石の作動に必要な電源電圧は、図１に従った電磁石の場合に必要な電源電圧を下回る。従来、１００Ｖの定格電源電圧Ａのある分流引き外し装置のコイルの場合、約２０Ｖの突入閾値及び約１０Ｖのドロップアウト閾値が使用される。
【００１１】
図３に示されている制御装置は、不足電圧引き外し装置の場合の図１に従った電磁石の制御のため、あるいは分流引き外し装置又は遮断器の閉鎖電磁石の場合の図２に従った電磁石の制御のために使用することができる。
【００１２】
コイル２は、好ましくはトランジスタＴ１、及び測定抵抗器Ｒ１で形成されている電磁スイッチと直列で、電源電圧Ｕａの端子間に接続されている。通常、フリーホィールダイオードＤ１は、コイル２と並列に接続されている。電源電圧Ｕａは、遮断器が接続されており、遮断器の開閉をコイル２によって制御することができる、電力システム１２の導体によって供給されているＡＣ電圧Ｕ１のダイオードブリッジ整流器１１による整流により得られる。制御回路１４、好ましくはマイクロプロセッサを基本の構成要素とする回路の出力端子Ｓ１は、それが制御信号を加えるトランジスタＴ１の制御電極に接続される。制御回路１４の入力端子Ｅ１は、電源電圧Ｕａの端子間に直列に接続されている２つの抵抗Ｒ２とＲ３によって形成されている抵抗デバイダーの中間点に接続される。入力端子Ｅ１に供給されている信号は抵抗Ｒ３の端子電圧Ｕ２である、それ自体電力システム１２の電圧Ｕ１を表し、かつ、電磁石の電源電圧Ｕａを表している。制御回路１４は、トランジスタＴ１がオンにされると、コイル内を流れている電流を表している信号ｌｂを入力端子Ｅ２で受信するために、抵抗Ｒ１の端子にも接続されている。分流引き外し装置（ＭＸ）又は遮断器閉鎖電磁石（ＸＦ）の場合、制御手段は、制御命令を電磁石に供給できるようにする。電磁石は、電源電圧Ｕａが十分であるならばこの命令の受信時に作動される。図３では、制御手段は、電力システム導体の１つと整流器１１の入力端子の１つの間に装置されているプッシュボタン１５によって形成されている。制御手段は、マイクロプロセッサを基本の構成要素とする制御回路１４の、図示されていない制御入力端子に直接的に制御命令を供給してよい。この場合、不足電圧引き外し装置（ＭＮ）用に、整流器１１は、電力システム１２に恒久的に接続されている。
【００１３】
図４は、二重コイルのある実施形態の補足要素を示す。突入コイル１６は、トランジスタＴ２及び測定抵抗Ｒ４と直列に、電源電圧Ｕａの端子に接続されている。フリーホィールダイオードＤ２は、突入コイル１６と並列に接続されている。トランジスタＴ２の制御電極は、制御回路１４の出力端子Ｓ２に接続されている。突入コイル１６の電流が突入相の間に調整されなければならない場合、Ｒ４とＴ２に共通の接続点は、制御回路１４の入力端子Ｅ３に接続されている。
【００１４】
制御回路１４は、任意の適切なアナログ手段又はデジタル手段によって達成することができる。好ましい実施形態においては、制御回路１４は入力端子Ｅ１、Ｅ２及びＥ３に供給されている信号のサンプリング周期Ｔｅでのサンプリング、これらの信号のアナログ信号からデジタル信号への変換、これらの信号の保持相と突入相中の設定値との比較、及びトランジスタＴ１とＴ２の制御を実行するマイクロプロセッサを備える。
【００１５】
本発明に従った装置の制御回路１４は、２つの別個の突入閾値、及び１つのドロップアウト閾値を使用する。したがって、それは、異なる型の電磁石と無関係に使用することができる。選択されている突入閾値及びドロップアウト閾値は、既存の電磁石と、関与している遮断器補助機械の両方に適合できる。
【００１６】
図５に示されている本発明に従ったマイクロプロセッサを基本の構成要素とする装置の動作のフローチャートの特定の実施形態は、電圧Ｕ２が、定格値Ｕ２ｎまでゆっくりと上昇する図７（ａ）及び図７（ｂ）に表されている、信号Ｕ２及びｌｂの波形に関して、これ以降さらに詳細に説明されるだろう。
【００１７】
初期化ステップＦ１では、インジケータＭは、図５の第１論理状態０に設定される。次に、ステップＦ２では、時間インジケータｔａが０に設定される。次に、制御回路１４のマイクロプロセッサは、入力端子Ｅ１に印加されている測定のステップ３（サンプリング及び変換）へ続いていく。
【００１８】
次に、マイクロプロセッサは、ドロップアウト閾値Ｓｒと電圧Ｕ２を比較するステップＦ４に進む。電圧Ｕ２が閾値Ｓｒ（Ｆ４のＹＥＳ出力）を上回るか又はそれに等しい場合、ステップＦ５にて電圧Ｕ２は第１突入閾値Ｓａ１と比較される。電圧Ｕ２が閾値Ｓａ１（Ｆ５のＮＯ出力）を下回る場合、マイクロプロセッサは新しい電圧サンプルの監視のためのＵ２の測定のステップＦ３の入力に戻る。これは、図７（ａ）では、時刻ｔ１の前の瞬間に対応する。他方、電圧Ｕ２が閾値Ｓａ１（Ｆ５のＹＥＳ出力）を上回るか、又はそれに等しい場合、マイクロプロセッサは、インジケータＭが依然としてゼロにあるかどうかをチェックするステップＦ６に進む。これが当てはまる場合（Ｆ６のＹＥＳ出力）、マイクロプロセッサは、突入相に対応しているステップＦ７に進む。その場合、トランジスタＴ１、又は図４の二重コイルのある実施形態のＴ２は、その値が設定ポイント値Ｉｃａに等しい電流ｌｂがコイル２、又は突入相の間の二重コイルの場合には突入コイル１６の中を流れるように、制御回路１４によって制御される。図７（ｂ）においては、この相は時刻ｔ２で終わる。突入相の期間は、すべての場合で、電磁石の固定コア及び可動コアの正しい接触を保証するために、例えば８０ｍｓが事前設定される。突入相の終わりに、ステップＦ８では、インジケータＭが論理状態１に設定され、マイクロプロセッサは、保持相に対応しているステップＦ９に進む。保持相の間、トランジスタＴ１がそれを通って流れている、その値が、電磁石のコアを接触した状態に保つために十分なＩｃａを下回る設定点値Ｉｃｍ（図７（ｂ））に等しい電流ｌｂを有するように制御される。
【００１９】
保持相中、マイクロプロセッサは、ステップＦ９に移るのと平行して、ステップＦ２の入力に戻ることにより電圧Ｕ２の監視を続行する。
【００２０】
ステップＦ６において、インジケータＭがゼロではない場合（Ｆ６のＮＯ出力）、これは、電磁石が保持相にあることを意味する。それから、マイクロプロセッサはステップＦ１０で電圧Ｕ２が第２突入閾値Ｓａ２に等しいのか、それともそれを上回っているのかをチェックする。これが当てはまらない場合（Ｆ１０のＮＯ出力）、したがってこれは電圧Ｕ２が閾値Ｓａ１とＳａ２の間に含まれており、コイルがそれを流れている保持電流を有していることを意味する。この状態は、図７（ａ）及び図７（ｂ）で時刻ｔ２とｔ３の間で表されている状態に対応する。それから、マイクロプロセッサはステップＦ３の入口に戻り、端子Ｕ２の監視を続行する。他方、ステップＦ１０でＵ２がＳａ２を上回るか、それに等しい場合（Ｆ１０のＹＥＳ出力）、マイクロプロセッサはステップＦ７に移動し、時刻ｔ３とｔ４の間の新しい突入相を引き起こし、時刻ｔ４の後に保持相に移動する。
【００２１】
ステップＦ４で、電圧Ｕ２がドロップアウト閾値Ｓｒを下回る場合（Ｆ４のＮＯ出力）、インジケータｔａは、ステップ１１で増分される（ｔａ＝ｔａ＋△ｔａ）。それから、ステップＦ１２では、ｔａは図５で１５ｍｓである事前設定時間と比較される。時間インジケータｔａが１５ｍｓに等しくない場合（Ｆ１２のＮＯ出力）、マイクロプロセッサはステップＦ３の入口に戻る。他方、ｔａが１５ｍｓに等しい場合（Ｆ１２のＹＥＳ出力）、これは、電圧Ｕ２が１５ｍｓのドロップアウト閾値を下回っていたことを意味する。それから、マイクロプロセッサはアンラッチ相への切替えを引き起こし（Ｆ１３）、その期間中、コイル又は二重コイルの場合には複数のコイルを通り抜ける電流が無効にされる。ドロップアウト閾値Ｓｒ及び最大時間ｔａは、電子制御回路が、電磁石が独力で低下する前にアンラッチ順序を指定するように選択される。
【００２２】
好ましい実施形態においては、第１突入閾値Ｓａ１は、４０％と５０％の間に設定されている電圧、好ましくは電磁石の定格電源電圧の４５％を表し、第２突入閾値Ｓａ２は、７０％と８５％の間に設定されている電圧、好ましくは電磁石の定格電源電圧の８０％を表す。その部分のドロップアウト閾値Ｓｒは、定格電源電圧の約３０％の電圧に対応する。
【００２３】
図７（ａ）に示されているように、電源電圧がゆっくりと上昇する場合、電圧Ｕ２が時刻ｔ１で第１閾値Ｓａ１に到達すると、突入相（ｔ１−ｔ２）への切り替えは、電磁石のコアを弱いばね、つまり分流引き外し装置（ＭＸ）又は閉鎖電磁石（ＸＦ）に使用されている種類のものに自動的に接触させる。他方、強力なばねの電磁石が、不足電圧引き外し装置（ＭＮ）に使用されている型である場合、この突入相は不十分である。電圧Ｕ２が時刻ｔ３で第２閾値Ｓａ２に達すると、制御回路は突入相への新しい切替えを引き起こす（ｔ３−ｔ４）。この新しい突入相は、電磁石のコアが第１突入相の間にすでに接触されていた場合には、影響を及ぼさない。他方、これが当てはまらなかった場合、コアはこの第２突入相中に接触する。電源電圧が速く上昇する場合、第１突入相はすべての場合で十分である可能性がある。
【００２４】
制御装置の信頼性を増すために、後者は、好ましくは、電源電圧Ｕａのマイクロブレークを検出するための手段も備える。このようなマイクロブレーク又は過渡電圧中断は、実際には、後者が保持相にあるときに電磁石をドロップアウトさせることがある。前述されたように、アンラッチ相は、電圧Ｕ２が少なくとも１５ｍｓの間ドロップアウト閾値Ｓｒを下回ったままになる場合、マイクロプロセッサによってのみ導入される。例えば、１０〜１１ｍｓという短い中断は、アンラッチ相への切替えにつながってはならない。ただし、電磁石の予定されていないアンラッチを防ぐためには、このようなマイクロブレークを検出する制御回路１４が、新しい突入相へ切り替わる。
【００２５】
図６、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示されている特定の実施形態においては、保持相中のマイクロブレークの検出は、コイル２の保持電流ｌｂの監視に基づいている。電流ｌｂが、事前設定期間、好ましくは約数ミリ秒の間、好ましくは設定点値である１ｃｍの１／４と１／２の間から成り立っている事前設定関数を下回ると、新しい突入相が引き起こされる。
【００２６】
図６のサブルーチンにおいては、保持相は初期化ステップＦ１４で始まり、その間、時間インジケータｔｂはゼロに設定される。それから、ステップＦ１５で、電流ｌｂが測定される。このため、トランジスタＴ１は一時的にオンにされ、制御回路１４の入力端子Ｅ２に供給されている信号のサンプリング及びアナログからデジタルへの変換を可能にする。次に、マイクロプロセッサは、マイクロブレークの並列検出、及びステップＦ１５の入力時に折り返して戻るステップＦ１６では電流ｌｂの設定点値である１ｃｍへの調整を実行する。マイクロブレークを検出するために、マイクロプロセッサは、電流ｌｂを、ステップＦ１７での１ｃｍ／２（又は１ｃｍ／４）に等しい閾値と比較する。（Ｆ１７のＮＯ出力）電流ｌｂが（図８（ｂ）の時刻ｔ５の前に）閾値を上回る場合、マイクロプロセッサはステップＦ１４の入力に戻る。他方、（ｔ６とｔ７の間で）電流ｌｂがこの閾値を下回るか又はそれに等しい場合、マイクロプロセッサは、その間に時間インジケータｔｂが増分される（ｔｂ＝ｔｂ＋△ｔｂ）ステップＦ１８に移動する（Ｆ１７のＹＥＳ出力）。次に、ステップＦ１９で、時間インジケータｔｂが５ｍｓと比較される。ｔｂが５ｍｓを下回る場合（Ｆ１９のＮＯ出力）、マイクロプロセッサは、ｌｂの新しい測定の間ステップＦ１５の入口に折り返して戻る。他方、ｔｂ＝５ｍｓの場合（Ｆ１９のＹＥＳ出力）、これは電流ｌｂが５ｍｓの間閾値Ｉｃｍ／２を下回り、マイクロプロセッサが時刻ｔ７で新しい突入相（ステップ７）を引き起こすことを意味する。マイクロブレークが実際に含まれていた場合、電圧Ｕ２はすでにその定格電圧に戻ったか、あるいは時刻ｔ８で突入相の始めでそこに戻り、電流が、時刻ｔ９での保持相への新しい切替えの前に、突入相が続く時間の間に値Ｉｃａを取ることがある。他方、図８（ａ）に表されているように、時刻ｔ１０で始まる電圧低下が１５ｍｓを超えて続くと、この電圧低下は、まず突入相への切替えを引き起こしているマイクロブレークとして、ｔ１１で５ｍｓの値に検出される電流低下を引き起こす。ただし、電圧が再確立し直されると、電流ｌｂは低下を続け、電圧Ｕ２を少なくとも１５ｍｓドロップアウト閾値Ｓｒ以下に維持すると（図８（ｂ））、マイクロプロセッサに、コイル内の電流が無視される時刻ｔ１２でのアンラッチ相を引き起こさせる（図５のステップＦ１３）。
【００２７】
制御回路１４による電圧Ｕ２の測定は、電源電圧ＵａがＤＣ電圧であるのか、それとも図３の実施形態のように、全波整流済みＡＣ電圧であるるのか、満足の行く精度を有していなければならない。さらに、整流済みＡＣ電圧の場合、ＡＣ電圧の周波数は、４５と６５Ｈｚの間、及び３６０と４４０Ｈｚの間で構成されている周波数範囲で変わることができなければならない。遮断器の場合、電圧は、高調波によって乱されることがあり、開放電磁石を使用すると、遮断器は４０ミリ秒以内に開放しなければならないため、測定は高速でなければならない。さらに、要求されている運転温度は−４０℃から＋１２５℃の範囲になる。
【００２８】
既知の遮断器開閉電磁石においては、電圧の測定は、一般的には、低域アナログフィルタによって実行される。このフィルタは、不十分な精度（一般的には１０％以上）で測定される電圧の平均値を指定し、高価でかさばった非常に正確で温度の変化に対して安定した特性をの有するコンデンサの使用を必要とする。
【００２９】
これらの欠点を克服するため、電圧の測定は、好ましくは、有限インパルス応答（ＦＩＲ）フィルタによって電圧Ｕ２の実効値を指定している数値電子処理によって達成される。好ましい実施形態においては、電圧Ｕ２は、サンプリング期間Ｔｃ＝６２５μｓでサンプリングされる。好ましくは、新しい計算は、８サンプルごと、つまり５ミリ秒ごとに実行される。マイクロプロセッサは、計算ごとに２４のサンプルを使用する。
【００３０】
図９に示されている特定の実施形態においては、電圧Ｕ２の測定は、初期化ステップＦ２０で開始し、その間、インジケータｉは０に設定される。それから、制御回路１４のマイクロプロセッサはサンプルＵ２ｉの測定及び記憶のステップＦ２１に進む。次に、ステップＦ２２で、インジケータｉが値７に達したのかどうかをチェックする。これが当てはまらない場合（Ｆ２２のＮＯ出力）、それは新しい電圧サンプルの測定のためにステップＦ２１の入口に折り返し戻る前にｉを増分する（ｉ＝ｉ＋１）のステップＦ２３に進む。ステップＦ２２で、ｉ＝７の場合、これはＵ２の８つの連続サンプルが記憶されたことを意味する。この場合（Ｆ２２のＹＥＳ出力）、マイクロプロセッサは、最後の８つの測定済みサンプルの自乗の第１の部分的な総計
【数３】
0004282852.tif 000003
の計算のステップＦ２３に進む。その場合、ステップＦ２４では、マイクロプロセッサは、３つの連続する部分的な総計Ａ１、Ａ２、及びＡ３の加重総計によって得られているＵ２の値を計算する（Ｕ２＝Ａ１＋２Ａ２＋Ａ３）。最初に、総計Ａ１、Ａ２、及びＡ３がステップＦ１の間にゼロに設定された（図５）ことに注意する必要がある。ステップＦ２５では、新しい部分的な総計Ａ３が、Ａ２の値を取り、その新しい部分的な総計Ａ２がＡ１の値を取る。それから、マイクロプロセッサがステップＦ２０の入力に折り返して戻り、８つの新しいサンプルが測定された後に、Ｕ２の新しい計算が、測定された最後の２４のサンプルを考慮に入れて実行できるようにする。
【００３１】
このようにして得られたＵ２の値は、以下の型の等式を有している有限インパルス応答フィルタによって数値的に測定されている、そのｒｍｓ値を表している。
【数４】
0004282852.tif 000004
この場合、加重係数ａｊは異なり、ｎ≧２及びｍ≧１である。電圧Ｕ２の実効値は、このようにしてサンプルＵ２ｉのｍ自乗のｎ個の部分的な総計の加重総計から計算される。
【００３２】
図９の好ましい実施形態においては、ｎ＝３、ｍ＝８、ａ１＝ａ３＝１及びａ２＝２である。
【００３３】
ＦＩＲフィルタは、サンプルの数、加重係数、及びサンプリング周波数が必要とされている精度及び速度に応じている別の型であってよい。例えば、ハニング（Hanning）、ハミング（Hamming）、矩形等の窓関数を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】不足電圧引き外し装置（ＭＮ）のために、遮断器の閉鎖電磁石のために使用されている電磁石の既知の種類の特定の実施形態の断面図。
【図２】分流引き外し装置（ＭＸ）のために、遮断器の閉鎖電磁石のために使用されている電磁石の既知の種類の特定の実施形態を断面図。
【図３】本発明をの一実施形態の制御装置の構成を示す回路図。
【図４】二重コイルつき電磁石の場合に、図３に従った装置の追加要素を示す回路図。
【図５】本発明に従った制御装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図６】図５に従ったフローチャートの保持相に対応しているサブルーチンを示した図。
【図７】電圧Ｕ２がゆっくりと上昇するとき、図３に従った装置での信号Ｕ２及び１ｂの、時間に対する変動を示すタイムチャート。
【図８】マイクロブレーク（ｍｉｃｒｏ−ｂｒｅａｋ）の場合、及び電源電圧低下の場合に、図３に従った装置での信号Ｕ２及びｌｂの、時間に対する変動を示すタイムチャート。
【図９】電圧Ｕ２を測定するためのサブルーチンを示した図。
【符号の説明】
１  電機子
２  コイル
３，９  固定コア
４，８  可動コア
５  ばね
６，７  プランジャ
１０  ばね
１１  整流器
１２  電力システム
１４  制御回路
１５  プッシュボタン
【図１】
0004282852.tif 000006
【図２】
0004282852.tif 000007
【図３】
0004282852.tif 000008
【図４】
0004282852.tif 000009
【図５】
0004282852.tif 000010
【図６】
0004282852.tif 000011
【図７】
0004282852.tif 000012
【図８】
0004282852.tif 000013
【図９】
0004282852.tif 000014