(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒鉛製の容器（１）内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板（３）を配置し、前記炭化珪素単結晶基板に昇華させた炭化珪素原料（６）を供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶（４）を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記容器に、ガスを該容器の外部から流入させる流入口を設けると共に、前記ガスを該容器の外部に流出させる流出口を設け、前記流入口から前記ガスを前記容器内に流入させたのち、流速０．１〜１０ｍ／ｓで前記流出口から前記ガスを前記容器外に流出させることにより、前記容器の内壁面に沿ってガス（５）を流動させ、前記内壁面の表面に前記ガスによるガス流体層（５ａ）を形成させつつ、前記炭化珪素単結晶基板上に前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記ガスの流速が安定した後に、前記昇華させた炭化珪素原料を供給することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記ガスを、不活性ガス、若しく不活性ガスと前記炭化珪素単結晶内に導入したいドーパントとの混合ガスとすることを特徴とする請求項１又は２に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
【請求項４】
黒鉛製の容器（１）内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板（３）を配置し、前記炭化珪素単結晶基板に昇華させた炭化珪素原料（６）を供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶（４）を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記容器には、上面および底面が開口する筒状のるつぼ本体（１ａ）と、前記るつぼ本体（１ａ）内に配置され中央部が最も底面側に突出させられた蓋材（１ｂ）と、前記炭化珪素原料（６）を収容するコップ形状の原料容器（１ｃ）とが備えられ、前記るつぼ本体（１ａ）と前記原料容器（１ｃ）との間の第１の隙間（Ｓ２）によって構成され該容器の外部からガス（５）が流入できる流入口と、前記るつぼ本体（１ａ）と前記蓋材（１ｂ）との間の第２の隙間（Ｓ１）にて構成され前記流入口を通じて流入された前記ガスを外部に流出させる流出口とが備えられており、該容器の内壁面に沿って前記ガスが流動し、前記ガスによって前記内壁面の表面にガス流体層（５ａ）が形成されるように構成されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項５】
前記第１の隙間は１〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項６】
前記第２の隙間は、前記第１の隙間よりも大きく、かつ５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項７】
前記蓋部材は、前記炭化珪素単結晶が取り付けられる中央部が最も前記底面側に突出するような断面放物線形状を成していることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項８】
前記るつぼ本体が円筒形状を成していることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項９】
前記るつぼ本体が、前記ガスの流路の下流側に広がる円錐形状を成していることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【請求項１０】
前記るつぼ本体が中空形状の六角柱を成していることを特徴とする請求項４乃至９のいずれか１つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体や発光ダイオードなどの素材に利用することができる炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶の製造方法及びその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の基板等に使用されるＳｉＣ単結晶の製造方法として、昇華法が広く採用されている。この昇華法に使用される結晶成長装置の断面構成を図４に示す。
【０００３】
図４に示されるように、黒鉛製るつぼ１１の底部にＳｉＣ原料粉末１２を配置すると共に、原料粉末１２に対向するように蓋材１１ａにＳｉＣ結晶基板１３を固定し、加熱処理を施してＳｉＣ原料粉末１２を昇華させることによって、原料ガス１４を供給し、ＳｉＣ単結晶基板１３上で再結晶させることによって、ＳｉＣ単結晶１５を成長させるようにしている。
【０００４】
昇華法における成長に関する気相種としては、Ｓｉ、ＳＩＣ2、Ｓｉ2Ｃ等が挙げられる。これらの気相種は平衡蒸気圧がそれぞれ異なり、また、成長温度によってもその割合が変化する。このため、欠陥が少ない均質な高品質単結晶を得ようとした場合、Ｓｉ／Ｃ比の揺らぎや、黒鉛容器の表面が荒らされることによる黒鉛微粒子、黒鉛容器に含まれる不純物の混入を防ぎ、安定した条件下で結晶成長を行なうことが重要となる。
【０００５】
ところが、上記したように、黒鉛製るつぼ１１内でＳｉＣ単結晶１５を成長させると、ＳｉＣ単結晶１４の成長中にＳｉまたはＳｉを含む気相種がるつぼ材料である黒鉛（Ｃ）と反応するために、Ｓｉ／Ｃ比の変動、黒鉛微粒子や黒鉛容器に含まれる不純物の単結晶への混入を避けることが困難であった。そして、ＳｉＣ単結晶１５に到達するＳｉとＣの原子数の違いや上記混入物は、各種欠陥を誘発する原因となり、欠陥の少ない高品質なＳｉＣ単結晶１５の製造を困難にしていた。
【０００６】
これに対し、特開平１０−１３９５８９号公報において、単結晶が成長する空間を取り囲むように、黒鉛製るつぼの内壁表面を炭化珪素多結晶で被覆することが提案されている。
【０００７】
しかしながら、上記公報の方法では、Ｓｉ／Ｃ比の変動はある程度緩和できるものの、黒鉛製るつぼの表面を完全に被覆できないないため、黒鉛微粒子や黒鉛容器に含まれる不純物の混入を防ぐことが依然として困難である。また、単結晶成長を行なう前に、予め、炭化珪素多結晶を成長させる手間を要するという問題もある。
【０００８】
一方、特開平１１−１１６３９９号公報において、黒鉛製るつぼの内壁表面を炭化タンタルでコーティングすることにより、ＳｉまたはＳｉを含む気相種と黒鉛製るつぼの黒鉛との反応を防止することが提案されている。
【０００９】
しかしながら、この場合においても単結晶成長を行なう前に、予め炭化タンタルでのコーティングを行なう手間を要するという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記点に鑑みて、予め炭化珪素多結晶を形成したり炭化タンタルでのコーティングを行なわなくても、昇華ガス中のＳｉ／Ｃ比の変動を抑制でき、黒鉛微粒子や黒鉛容器に含まれる不純物を取り込まず、欠陥の少ない高品質な単結晶が製造できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、黒鉛製の容器（１）内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板（３）を配置し、炭化珪素単結晶基板に昇華させた炭化珪素原料（２）を供給することにより、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶（４）を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、容器の内壁面に沿ってガス（５）を流動させ、内壁面の表面にガスによるガス流体層（５ａ）を形成させつつ、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴としている。
【００１２】
これにより、容器の内壁が被覆され、Ｓｉ又はＳｉを含む気相種が容器を構成する黒鉛と反応することを抑制できる。これにより、予め炭化珪素多結晶を形成したり炭化タンタルでのコーティングを行なわなくても、昇華ガス中のＳｉ／Ｃ比の変動を抑制でき、黒鉛微粒子や黒鉛容器に含まれる不純物を取り込まず、欠陥の少ない高品質な単結晶が製造できる。
【００１３】
具体的には、容器にガスを該容器の外部から流入させる流入口を設けると共に、容器にガスを該容器の外部に流出させる流出口を設け、流入口からガスを容器内に流入させたのち、流出口からガスを容器外に流出させる。
【００１４】
そして、ガスの流速を０．１〜１０ｍ／ｓとする。この程度の流速とすれば、ガスが成長空間内にあまり拡散することなく流動するようにできる。
【００１５】
請求項２に記載の発明においては、ガスの流速が安定した後に、昇華させた炭化珪素原料を供給することを特徴としている。このようにすれば、昇華させた炭化珪素原料を供給する際にすでにガス流体層が形成されているため、炭化珪素単結晶の成長初期段階から高品質な結晶が得られるようにできる。
【００１６】
請求項１に示すガスとしては、例えば、請求項３に示すように、不活性ガス、若しく不活性ガスと炭化珪素単結晶内に導入したいドーパントとの混合ガスとすることができる。不活性ガスは黒鉛や炭化珪素原料の昇華ガスと反応しないため、Ｓｉ／Ｃ比を変動させないし、ドーパントを混合しておけば炭化珪素単結晶にドーパントを導入するための工程を後で施さなくてもよくなる。
【００１７】
なお、容器のうちガスの流入口とは異なる位置に導入口を設け、昇華させた炭化珪素原料を導入口（１ｅ）を介して容器内に導入することもできる。
【００１８】
このように、ガスの流入口とは異なる位置に設けた導入口を介して昇華させた炭化珪素原料を導入するようにすれば、炭化珪素原料が枯渇することなく連続的に炭化珪素単結晶を成長させることができる。
【００１９】
この場合、炭化珪素単結晶を成長させる結晶成長空間が囲まれるようにガスを流動させ、ガスが囲む周の内側から昇華させた炭化珪素原料を導入するようにすれば、昇華させた炭化珪素原料がガスに運ばれてしまうことを防止することができる。
【００２０】
また、導入口を介して供給する昇華した炭化珪素原料の流速を、ガスの流速よりも遅くすると好ましい。これにより、昇華した炭化珪素原料の流れによってガス流体層が乱れないようにできる。
【００２１】
なお、請求項４〜１０に記載の発明は、上記請求項１乃至３に記載の炭化珪素単結晶の製造方法の実施に使用される製造装置の発明である。
【００２２】
請求項４に記載の発明においては、容器（１）は、底面が開口する筒形状のるつぼ本体（１ａ）と、るつぼ本体の内周面から第１の隙間（Ｓ２）を設けて配置されたコップ状の原料容器（１ｃ）とを有しており、第１の隙間によって流入口が構成されていることを特徴としている。
【００２３】
このように、るつぼ本体と底面部との間に第１の隙間を設けることにより、流入口を構成することができる。そして、炭化珪素原料を収容するコップ形状の原料容器を用いれば、新たな構成を付加することなく第１の隙間を形成することができる。
さらに、請求項４に記載の発明においては、るつぼ本体の上面側にるつぼ本体の外周面から第２の隙間（Ｓ１）を設けて炭化珪素単結晶基板が取り付けられる蓋材（１ｂ）が配置されており、第２の隙間によって流出口が構成されていることを特徴としている。
このように、るつぼ本体と蓋材との間に第２の隙間を設けることにより、新たな構成を付加することなく流出口を構成することができる。
【００２４】
請求項５に記載の発明においては、第１の隙間を１〜２０ｍｍにすることを特徴としている。第１の隙間をこの程度とすることにより、ガスの流量を確保でき、安定した厚さのガス流体層が形成されるようにできる。
【００２７】
請求項６に記載の発明においては、第２の隙間は、第１の隙間よりも大きく、かつ５０ｍｍ以下であることを特徴としている。このようにすることで、流入されたガスの大部分を容器外部に流出させることができるため、炭化珪素原料の昇華ガスの圧力を変動させることなく、安定したＳｉ／Ｃ比を保持することができる。
【００２８】
請求項７に記載の発明においては、蓋材は、炭化珪素単結晶が取り付けられる中央部が最も底面側に突出するような断面放物線形状を成していることを特徴としている。このように、蓋材を断面放物線形状で構成すれば、蓋材の外壁が滑らかな曲線となるため、蓋材がガスの流動の妨げとならないようにできる。
【００２９】
請求項８に記載の発明においては、るつぼ本体が円筒形状を成していることを特徴としている。このような円筒形状は内壁に凹凸がないため、ガス流体層が確実にるつぼ本体の内壁と接触した状態で形成されるようにできる。
【００３０】
請求項９に記載の発明においては、るつぼ本体が、ガスの流路の下流側に広がる円錐形状を成していることを特徴としている。このように、るつぼ本体を円錐形状で構成すれば、よりガスが流動し易くなり、ガスが炭化珪素単結晶の成長空間に拡散することを防止することができる。
【００３１】
請求項１０に記載の発明においては、るつぼ本体が中空形状の六角柱を成していることを特徴としている。この場合、成長させたい炭化珪素単結晶の結晶形と等しいため、結晶欠陥が誘発されにくく、高品質な炭化珪素単結晶とすることが可能である。
【００３２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００３３】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１に本発明の第１実施形態で用いる結晶成長装置を示す。この結晶成長装置の容器として用いられる黒鉛製るつぼ１は、黒鉛製るつぼ１の底部に備えられたＳｉＣ原料粉末（ＳｉＣ原料）２を熱処理によって昇華させ、種結晶であるＳｉＣ単結晶基板３上にＳｉＣ単結晶４を結晶成長させるものである。
【００３４】
この黒鉛製るつぼ１は、上面及び底面が開口している略円筒状のるつぼ本体１ａと、るつぼ本体１ａの上面側に配置される黒鉛製の蓋材１ｂと、るつぼ本体１ａの底面側に配置され底面部を構成する黒鉛製の原料容器１ｃとを備えて構成されている。
【００３５】
黒鉛製るつぼ１の蓋材１ｂは、上面が円形で、この円形の中央部が最も底面側に突出するようにした断面略放物線形状を成している。このような形状とすることにより、蓋材１ｂの外壁が滑らかな面となり、後述するガス５の流動の妨げとならないようにできる。この蓋材１ｂの上面の外周壁とるつぼ本体１ａの内壁との間にはほぼ均等間隔の隙間（第２の隙間）Ｓ１が設けられるようになっている。本実施形態では、この隙間Ｓ１を約５０ｍｍ以下としている。そして、この蓋材１ｂを台座として、蓋材１ｂの中央部に接着剤等を介してＳｉＣ単結晶基板３が接合される。
【００３６】
一方、黒鉛製るつぼ１の原料容器１ｃは、底面が円形のコップ形状を成しており、ＳｉＣ原料粉末２が収容されるようになっている。この原料容器１ｃの外周壁とるつぼ本体１ａの内周壁との間にもほぼ均等間隔の隙間（第１の隙間）Ｓ２が設けられるようになっている。本実施形態では、この隙間Ｓ２が上記隙間Ｓ１よりも小さくなるようにしている。ここでは、隙間Ｓ２を１〜２０ｍｍとしている。
【００３７】
なお、図示しないが、黒鉛製るつぼ１は、アルゴンガスが導入できる真空容器の中で加熱装置によって加熱できるようになっており、例えば、この加熱装置のパワーを調節することによって種結晶であるＳｉＣ単結晶基板３の温度がＳｉＣ原料粉末２の温度よりも１００℃程度低温に保たれるようにすることができる。
【００３８】
このように構成された結晶成長装置を用いたＳｉＣ単結晶４の製造方法について説明する。
【００３９】
まず、図中矢印Ａに示すように、るつぼ本体１ａと原料容器１ｃの隙間Ｓ２から黒鉛製るつぼ１内にガス５を流入させると共に、るつぼ本体１ａと蓋材１ｂとの隙間Ｓ１から流出させる。これにより、ガス５がるつぼ本体１ａの内周壁に沿って流動する。このとき、ガス５の流速が遅いと、ガス５が隙間Ｓ２から隙間Ｓ１まで流れきれず、図中矢印ＢのようにＳｉＣ単結晶４の成長空間側に拡散してしまうため、ここでは、ガス５の流速を例えば０．１〜１０ｍ／ｓ、好ましくは１ｍ／ｓ以上としている。また、ガス５としては、不活性ガス又は不活性ガスとＳｉＣ単結晶４に導入したいドーパントとの混合ガスを用いている。このように、不活性ガスを用いればＳｉ／Ｃ比の変動を生じさせないと共に黒鉛微粒子や黒鉛製るつぼ１に含まれる不純物を発生させることも無いし、また、ドーパントを混合させておけばドーパントを導入する工程を後で行なう必要もなくなる。
【００４０】
そして、ガス５の流速が安定したのち、ＳｉＣ原料粉末２の温度を２０００〜２５００℃に加熱すると共に、ＳｉＣ単結晶基板３がＳｉＣ原料粉末２よりも低温となるようにして黒鉛製るつぼ１内に温度勾配を設ける。また、このとき黒鉛製るつぼ１内の圧力を１．３×１０〜１．３×１０4Ｐａ（０．１〜１００Ｔｏｒｒ）とする。
【００４１】
これにより、ＳｉＣ原料粉末２が昇華して気相種Ｓｉ、ＳｉＣ2、Ｓｉ2Ｃ等の原料ガス６となり、ＳｉＣ単結晶基板３に到達する。そして、相対的に低温となるＳｉＣ単結晶基板３上にＳｉＣ単結晶４が成長する。
【００４２】
このとき、ガス５がるつぼ本体１ａの内周壁に沿って流れているため、ガス５の流路となる壁面にはガス５によるガス流体層５ａが形成される。本実施形態のようにガス５の流速を０．１〜１０ｍ／ｓとする場合には、厚さ１〜１０ｍｍ程度のガス流体層５ａが形成される。なお、ガス５の流速が遅い（流量が少ない）と、ガス流体層５ａの厚みが薄くなったり、ガス流体層５ａがほとんど形成されなかったりするが、上記流速とすれば確実にガス流体層５ａを形成することができる。
【００４３】
このため、るつぼ本体１ａの内周壁や原料容器１ｃの外周壁及び蓋材１ｂの外壁、つまり黒鉛るつぼ１の内壁のほぼ全域がガス流体層５ａで被覆される。これにより、ＳｉやＳｉを含む気相種である原料ガス６が黒鉛製るつぼ１を構成している黒鉛（Ｃ）と反応することを抑制することができる。なお、１〜１０ｍｍ程度の厚さのガス流体層５ａは、原料ガス６と黒鉛との接触を防止するのに十分な厚さであり、この厚さのガス流体層５ａによって原料ガス６と黒鉛との反応がほぼ完全に防止できることを確認している。
【００４４】
これにより、黒鉛製るつぼ１内の原料ガス６のＳｉ／Ｃ比の変動が抑制され、黒鉛製微粒子や黒鉛製るつぼ１に含まれる不純物がＳｉＣ単結晶中に取り込まれないようにでき、欠陥の少ない高品質なＳｉＣ単結晶４を得ることができる。
【００４５】
また、本実施形態では、ガス５の流速が安定してからＳｉＣ原料粉末２を加熱するようにしているため、ＳｉＣ単結晶４の成長初期から原料ガス６と黒鉛製るつぼ１を構成する黒鉛との反応を抑制でき、より効果的にＳｉ／Ｃ比の変動を抑制することが可能となる。これにより、成長初期から高品質なＳｉＣ単結晶４を成長させることが可能である。
【００４６】
また、ガス５の流入口となる隙間Ｓ２よりも流出口となる隙間Ｓ１の方を幅広とすることにより、流入されたガス５の大部分を確実に流出させられるため、黒鉛製るつぼ１内の圧力を変化させることなく、安定したＳｉ／Ｃ比が保持されるようにできる。
【００４７】
さらに、るつぼ本体１ａを内周壁に凹凸がない円筒形状としているため、ガス流体層５ａが確実にるつぼ本体１ａの内壁と接触した状態で形成されるようにできる。
【００４８】
そして、このようなガス５の流動が行なえる流入口や流出口を、るつぼ本体１と原料容器１ｃとの隙間Ｓ２やるつぼ本体１ａと蓋材１ｂとの隙間Ｓ１によって構成しているため、これらのために新たな部品を付加する必要なく、簡単な構造の結晶成長装置とすることができる。
【００４９】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態で用いる結晶成長装置の断面構成を示す。図２い示すように、本実施形態では、第１実施形態に対してるつぼ本体１ａの形状を変更し、ガス５の流動方向に下流側に中空部の径が広げられた円錐形状でるつぼ本体１ａを構成している。
【００５０】
このように、るつぼ本体１ａを円錐形状で構成すれば、ガス５がより流動し易くなり、ガス５がＳｉＣ単結晶４の成長空間に拡散することを防止することができる。
【００５１】
（参考実施形態）
図３に、本発明の参考実施形態で用いる結晶成長装置の断面構成を示す。図３に示すように、本実施形態では、第１実施形態と異なり、ＳｉＣ原料粉末２（図１参照）を昇華させるのではなく、原料ガス６を黒鉛製るつぼ１の底面部１ｄに備えられた導入口１ｅから導入するようにしている。この導入口１ｅは、黒鉛製るつぼ１のいずれの場所に形成されていてもよいが、本実施形態では、ガス５の流路の妨げとならないように黒鉛製るつぼ１の底面の中央部、つまりガス５が囲む成長空間の内側に形成してある。
【００５２】
そして、この導入口１ｅから導入される原料ガス６の流速をガス５の流速よりも遅くしている。このようにすることで、原料ガス６の流れによってガス流体層５ａが乱されないようにしている。
【００５３】
このように、原料ガス６を黒鉛製るつぼ１の外部から導入するようにすれば、原料ガス６が枯渇しないように供給できるため、ＳｉＣ単結晶４を連続的に成長させることができる。
【００５４】
また、ガス５の流入口と異なる位置に原料ガス６の導入口１ｅを設けているため、ガス流体層５ａと原料ガス６とが混ざらないようにできる。さらに、原料ガス６を黒鉛製るつぼ１の底面部１ｄの中央部に配置することにより、原料ガス６がガス５と共に黒鉛製るつぼ１の外部に流出してしまわないようにできる。
【００５５】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、黒鉛製るつぼ１のるつぼ本体１ａを円筒形状で構成した例を挙げたが、必ずしも円筒形状である必要はない。例えば、中空形状の多角柱で構成することもできる。なお、中空形状を有する六角柱でるつぼ本体１ａを構成した場合には、成長させたいＳｉＣ単結晶４の結晶形と等しいため、結晶欠陥が誘発されにくく、高品質なＳｉＣ単結晶４とすることが可能である。
【００５６】
【実施例】
（実施例１）
上記図１に示した黒鉛製るつぼ１を用い、上記製造方法に基づいてＳｉＣ単結晶４の成長実験を行なった。ＳｉＣ原料粉末２を充填した原料容器１ｃとるつぼ本体１ａとの間の隙間１ｂを１０ｍｍとし、ＳｉＣ単結晶基板３を取り付けた蓋材１ｂとるつぼ本体１ａとの間の隙間Ｓ１を２０ｍｍとした。
【００５７】
黒鉛製るつぼ１内を不活性ガス雰囲気にすると共に、圧力を約１．３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）としたのち、黒鉛製るつぼ１と原料容器１ｃとの間の隙間Ｓ２から、不活性ガスで構成されたガス５を流速１ｍ／Ｓで流入し、るつぼ本体１ａと蓋材１ｂの間の隙間Ｓ１から流出させた。
【００５８】
ガス５の流速が安定したのち、ＳｉＣ原料粉末３の温度を約２３００℃とし、成長初期の温度勾配が４℃／ｃｍとなる条件で、約3時間加熱処理を施し、ＳｉＣ単結晶４を成長させた。得られたＳｉＣ単結晶４の成長量は１．８ｍｍであった。
【００５９】
得られたＳｉＣ単結晶４のインゴットを成長方向に切断、研磨したのち、断面を顕微鏡で観察した。この断面の観察の結果、成長初期に多く発生する結晶欠陥の発生が抑制されており、ＳｉＣ単結晶４は成長開始から終了まで均質な単結晶であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における結晶成長装置の断面構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態における結晶成長装置の断面構成を示す図である。
【図３】  本発明の参考実施形態における結晶成長装置の断面構成を示す図である。
【図４】従来の結晶成長装置の断面構成を示す図である。
【符号の説明】
１…黒鉛製るつぼ、１ａ…るつぼ本体、１ｂ…蓋材、１ｃ…原料容器、
２…ＳｉＣ原料粉末、３…ＳｉＣ単結晶基板、４…ＳｉＣ単結晶、５…ガス、
５ａ…ガス流体層、６…原料ガス。
【図１】
0004310880.tif 000002
【図２】
0004310880.tif 000003
【図３】
0004310880.tif 000004
【図４】
0004310880.tif 000005