(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板から電気的な信号の供給を受けるための一つ以上のパッド部が形成された表示基板において、
前記パッド部は、
前記表示基板上に形成され、パッド領域を有するパッド金属膜と、
前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、
前記パッド領域に対し前記保護膜上に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に接触された導電膜と
を含み、
前記ビアホールそれぞれの幅は、前記回路基板の異方性導電フィルムに存在する導電粒子の直径より小さくて、前記導電粒子は、前記ビアホールの上部と接触し、前記ビアホールの底面部とは接触しなく、前記導電粒子の変形率は２０〜６０％であることを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記回路基板の出力端子は、前記導電膜との間に挿入される前記異方性導電フィルムにより、前記導電膜に電気的に接触されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記多数個のビアホールの幅は、前記導電粒子の直径の０．８倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項４】
前記多数個のビアホールの深さは、前記異方性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下であることを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項５】
前記多数個のビアホールの深さは前記導電粒子の直径の０．８〜０．４倍であることを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
【請求項６】
前記多数個のビアホールは、前記表示基板の上面から、長方形、正方形、円形又は楕円形に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項７】
前記表示基板はＬＣＤ、ＰＤＰ、ＦＥＤ、ＥＬのうちのいずれか一つに使用されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項８】
基板上に形成された多数個の画素部、及び、前記多数個の画素部と連結された多数個の信号線の一端部から延びて形成され、パッド領域を有するパッド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、及び前記パッド領域と対応する前記保護膜上に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に接触された導電膜とを具備するパッド部を含む液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルのパッド部と電気的に接触される出力端子が形成され、前記液晶表示パネルに電気的な信号を印加するための回路基板と
を含み、
前記ビアホールそれぞれの幅は、前記回路基板の異方性導電フィルムに存在する導電粒子の直径より小さくて、前記導電粒子は、前記ビアホールの上部と接触し、前記ビアホールの底面部とは接触しなく、前記導電粒子の変形率は２０〜６０％であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記回路基板の出力端子は、前記導電膜との間に挿入される前記異方性導電フィルムにより、前記導電膜に電気的に接触されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記多数個のビアホールの幅は、前記異方性導電フィルムに含まれた導電粒子の直径の０．８倍以下であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記多数個のビアホールの深さは、前記異方性導電フィルムに含まれた導電粒子の直径の０．８倍〜０．４倍であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記多数個のビアホールの深さは、前記導電粒子の直径以下であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記多数個のビアホールの深さは、前記異方性導電フィルムに含まれた導電粒子の直径の０．８倍〜０．４倍であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ビアホールの幅は、深さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記パッド金属膜および前記導電膜は、前記ビアホールの底面部によって電気的に接触することを特徴とする請求項１４に記載の表示基板。
【請求項１６】
前記ビアホールの幅は、深さより小さいことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記パッド金属膜および前記導電膜は、前記ビアホールの底面部によって電気的に接触することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示基板及びこれを有する液晶表示装置に関するものであり、より詳細には、表示基板に電気的な信号を印加するための回路基板の接触特性を向上させることができるパッド部が形成された表示基板及びこれを有する液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、情報処理機器は多様な形態、多様な機能、より高速の情報処理速度を有するように急速に発展している。このような情報処理装置で処理される情報は電気信号の形態を有する。使用者が情報処理装置で処理された情報を目で確認するためにはインターフェース機能を有するディスプレー装置を必要とする。
【０００３】
最近、ＣＲＴ方式のディスプレー装置に比べて、軽量、小型でありながら、フル−カラー、高解像度化などの機能を有する平板型ディスプレー装置の開発が進んでいる。液晶表示装置は広く使用されている平板型ディスプレー装置のうちの一つであり、電極が形成された二枚の基板とその間に注入された液晶層によりなる液晶表示パネルを具備する。液晶表示パネルの電極に電圧を印加し液晶層の液晶分子配列を再配列させることにより、透過される光の量を調節し画像を表示する。
【０００４】
一般に、液晶表示装置は、液晶表示パネルにより精密な映像をディスプレーするために、外部情報処理装置で発生された画像データを液晶表示パネルを駆動するに適合した駆動信号へ変換し、また駆動信号を変換し、また駆動信号を適合したタイミングに合わせて液晶表示パネルに印加しなければならない。
【０００５】
これを具現するために、液晶表示装置は、画像データが液晶表示パネルに印加される前に駆動印刷回路基板で信号処理される過程を必要とする。
【０００６】
このとき、液晶表示装置がフルカラーデイスプレーを実施するために、ゲートライン及びデータラインを含む信号線が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の一定表面内に稠密に形成される。また、信号線の一端部には信号線の面積よりさらに広く形成されたパッドが連結される。
【０００７】
このとき、駆動印刷回路基板から発生された駆動信号を正確なタイミングにより稠密に形成された信号線に印加するためには、信号転送のための媒介体を必要とする。この媒介体としてはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｆｉｌｍ）又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が主に使用される。媒介体の一側は駆動印刷回路基板と連結され、他側はパッドと電気的に接続され堅固に固定される。
【０００８】
このとき、パッドと連接したパッドとの間隔が狭いために、パッドを媒介体と連結するに通常使用される微細鎔接などの方法を使用することが困難である。このような理由で、パッドは、異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）を媒介として、媒介体と電気的に相互に接続される。
【０００９】
ＡＣＦは、粘性があるテープに数μｍ以下の導電粒子を相互一定規則を有するように添加することにより形成される。即ち、このＡＣＦは接着物質と導電粒子とを有する導電層及び保護膜層で形成されている。導電粒子は媒介体を通じて転送される信号を、パッドを通じて液晶表示パネルに印加する役割を有する。このとき、導電粒子は信号を転送する場合に、一方向性を有する。即ち、媒介体からの信号を液晶表示パネルに印加することができるが、その反対に液晶表示パネルからの信号を媒介体に転送することはできない。
【００１０】
また、ＡＣＦは液晶表示パネルと媒介体との間に挿入された状態で熱圧着されることにより、接着物質によりパッド及び媒介体と各々接着され、また、導電粒子の弾性変形による復元力によりさらに堅固に接着される。
【００１１】
図１は従来のパッドの構造を説明するための平面図であり、図２乃至図５は図１に図示されたパッドの工程断面図である。図１乃至図５では液晶表示装置のゲートラインから延びて形成されるゲートパッド構造を例を挙げて説明する。また、媒介体としてＴＣＰを使用したものを例を挙げて説明する。
【００１２】
図１及び図２を参照すると、絶縁物質からなる基板６０上にアルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）などの金属を蒸着し、パターニングしてゲートパッド１０を形成する。続いて、図３に示すように、ゲートパッド１０が形成された基板６０の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＬＰＣＶＤ）方法により積層しゲート絶縁膜２０を形成する。
【００１３】
図４に図示したように、ゲートパッド１０及び周辺部の全面に有機レジストを積層し前記有機絶縁膜３０を形成する。前記ゲートパッド１０領域上に開口部１１を形成するために、前記有機絶縁膜３０の上部にマスク３１を位置させる。次に、前記有機絶縁膜３０を露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜３０上に前記ゲートパッド１０を露出させる開口部１１を形成する。このとき、前記有機絶縁膜３０の下部の前記ゲート絶縁膜２０も共に除去され、前記ゲートパッド１０を部分的に露出させる開口部１１を形成する。
【００１４】
以後、図５に示したように、開口部１１の内面及び開口部１１の周辺の有機絶縁膜３０上に導電膜４０を形成する。このとき、導電膜４０はアルミニウムのような金属物質及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を含む透明性導電物質から成る。
【００１５】
図６を参照すると、前記ゲートパッド１０上に形成された導電膜４０上に異方性導電フィルム７０を位置させた後、ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８１とアラインさせた後、圧着工程を実施する。これにより、前記導電膜４０と前記ゲート側ＴＣＰ８０の出力端子８１とが、導電粒子７１により相互電気的に接続される。
【００１６】
しかし、図６に示したように、前記有機絶縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差により、前記ゲート側ＴＣＰ８０が前記ゲートパッド１０に付着されなく、または、付着されても取れる問題点が発生する。これは異方性導電粒子７１と前記有機絶縁膜３０との厚さの差が大きくないので、前記異方性導電粒子７１を前記ゲートパッド１０に圧着するとき、前記異方性導電粒子７１に十分な圧着力を伝達できないためである。
【００１７】
また、前記ゲートパッド１０に前記ゲート側ＴＣＰ８０が誤付着され、前記ゲート側ＴＣＰ８０を取り外して再び付着させる場合、前記ゲートパッド１０に形成された異物質を除去するために綿棒などにより前記基板を磨く作業を実施する。このとき、前記有機絶縁膜３０は前記ゲート絶縁膜２０との接着力が弱くかつ、前記有機絶縁膜３０とゲートパッド１０との間の段差により、前記有機絶縁膜３０が前記ゲート絶縁膜２０から取れてしまう場合がある。これにより、前記有機絶縁膜３０上に形成されている前記導電膜４０が、前記有機絶縁膜３０と共に離れて、隣接しているパッド間に置かれ、パッド間に短絡が発生する。
【００１８】
しかし、前記有機絶縁膜３０は多数のゲートパッド１０間で相互に隣接するゲートパッド間の電気的な短絡を防止する役割も有するために、前記ゲートパッド１０上及びその周囲に形成された前記有機絶縁膜３０を除去する場合には、隣接したゲートパッド間に電気的な短絡が発生する可能性が相当に高まり、結果的に製品の信頼性が低下する問題が発生する。従って、前記ゲートパッド１０部位で前記有機絶縁膜３０を完全に除去することはできない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１目的は、パッド部と回路基板との接続特性を向上させ、駆動不良を最小化することができる表示基板を提供することにある。
【００２０】
本発明の第２目的は、パッド部と回路基板との接続特性を向上させ、駆動不良を最小化することができる表示基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
【００２１】
【発明の解決するための手段】
上述した第１目的を達成するための本発明による表示基板は、回路基板から電気的な信号の供給を受けるための一つ以上のパッド部を備える。前記パッド部は、表示基板上に形成され、パッド領域を有するパッド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、前記パッド領域に対応して前記保護膜上に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に接触された導電膜とを含む。
【００２２】
前記回路基板の出力端子は、前記導電膜との間に挿入される異方性導電フィルムにより、前記導電膜に電気的に接触される。
【００２３】
前記多数個のビアホールの幅は、前記異方性導電フィルムに含まれる導電粒子の直径以下であることが望ましい。
【００２４】
また、前記導電粒子の変形率は、２０〜６０％であることが望ましい。従って、前記多数個のビアホールの幅は、前記導電粒子の直径の０．８倍以下で形成される。
【００２５】
前記多数個のビアホールの深さは、前記導電粒子の直径以下で形成され、望ましくは前記導電粒子の直径の０．８〜０．４倍で形成される。
【００２６】
一方、前記多数個のビアホールは、前記表示基板の上面から、長方形、正方形、円形又は楕円形に形成される。
【００２７】
前記表示基板は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプレイのうちのいずれか一つに使用される。
【００２８】
上述した第２目的を達成するための本発明による液晶表示装置は、パッド部を含む液晶表示パネル及び前記液晶表示パネルのパッド部と電気的に接触される出力端子が形成され、前記液晶表示パネルに電気的な信号を印加するための回路基板とを含む。
【００２９】
このとき、前記液晶表示パネルは多数個の画素部及びパッド部を含み、前記パッド部は、基板上に形成された多数個の画素部と連結された多数個の信号線の一端部から延びて形成され、パッド領域を有するパッド金属膜と、前記パッド金属膜をカバーし、前記パッド領域内に多数個のビアホールが形成された保護膜と、前記パッド領域に対応し前記保護膜上に形成され、前記多数個のビアホールを通じて前記パッド金属膜と電気的に接触された導電膜とを具備する。
【００３０】
前記回路基板の出力端子は、前記導電膜との間に挿入される異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）により、前記導電膜に電気的に接触される。
【００３１】
上述した表示基板及びこれを有する液晶表示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出させる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビアホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成される。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径より大きいとき、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の直径より小さく形成される。
【００３２】
従って、前記パッド部から発生される駆動不良を防止することができ、前記導電粒子の変形率を２０〜６０％に維持することにより、前記パッド部と回路基板との接続力を強化させることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００３４】
図７は、本発明の望ましい一実施形態による液晶表示装置を示した斜視図である。
【００３５】
図７を参照すると、液晶表示装置６００は液晶表示パネル３００、前記液晶表示パネル３００に駆動信号を印加するためのゲート印刷回路基板４００及びデータ印刷回路基板５００とを含む。
【００３６】
前記液晶表示パネル３００は薄膜トランジスター基板２００、カラーフィルタ基板１００及び前記二つ基板２００、１００との間に注入される液晶（図示せず）を含む。
【００３７】
前記薄膜トランジスター基板２００はマトリックス状の薄膜トランジスター（図示せず）が形成されている透明なガラス基板である。前記薄膜トランジスター基板２００は大きく画素部とパッド部とに区分されるが、前記画素部は前記多数の薄膜トランジスター、ロー方向に延びて形成された多数のデータライン２２０及びカラム方向に延びて形成された多数のゲートライン２３０を含む。この時、前記薄膜トランジスターのソース電極２１４（図１５）には前記多数のデータライン２２０が連結され、ゲート電極２１１（図１５）には、前記多数のゲートライン２３０が連結されている。ドレーン電極（図示せず）は画素電極（図示せず）と連結される。
【００３８】
一方、前記パッド部はデータパッド部２５０とゲートパッド部２４０とに区分される。前記データパッド部２５０は前記多数のデータライン２２０から延びて、前記多数のデータライン２２０より広い面積を有するデータパッド（図示せず）が形成された領域である。前記ゲートパッド部２４０は前記多数のゲートライン２３０から延び、前記ゲートライン２３０より広い面積を有するゲートパッド（図示せず）が形成された領域である。
【００３９】
前記薄膜トランジスター基板２００に対向してカラーフィルタ基板１００が具備される。カラーフィルタ基板１００は光が通過すると所定の色が発現される色画素であるＲＧＢ画素が薄膜工程により形成された基板である。カラーフィルタ基板１００の前面にはＩＴＯから成る共通電極が塗布されている。
【００４０】
前述した薄膜トランジスター基板２００のトランジスターのゲート電極２１１及びソース電極２１４には電圧が印加されており、薄膜トランジスターがターンオンされると、画素電極２１７とカラーフィルタ基板１００の共通電極との間には電界が形成される。このような電界により薄膜トランジスター基板２００とカラーフィルタ基板１００との間に注入された液晶の配列角が変化し、変化した配列角に従って光透過率が変更されて所望の画素を得ることになる。
【００４１】
一方、前記液晶表示パネル３００の液晶の配列角と液晶が配列される時期とを制御するために、薄膜トランジスターのゲートライン２３０とデータライン２２０とには、駆動信号及びタイミング信号が印加される。図示したように、前記液晶表示パネル３００のデータパッド部２５０にはデータ駆動信号の印加時期を決定するためのデータ側ＴＣＰ５１０が設けられ、前記ゲートパッド部２４０にはゲート駆動信号の印加時期を決定するためのゲート側ＴＣＰ４１０が設けられている。
【００４２】
前記データ印刷回路基板５００及びゲート印刷回路基板４００は、液晶表示パネル３００の外部から映像信号の入力を受けて、前記ゲートライン２３０及びデータライン２２０に各々駆動信号を印加する。このとき、データ印刷回路基板５００及びゲート印刷回路基板４００は、データ側ＴＣＰ５１０及びゲート側ＴＣＰ４１０に各々接続される。前記データ印刷回路基板５００には、コンピュータなどの外部の情報処理装置（図示せず）から発生した映像信号が印加されて前記液晶表示パネル３００のデータライン２２０にデータ駆動信号を提供するためのソース部が形成され、ゲート印刷回路基板４００には前記液晶表示パネル３００のゲートライン２３０にゲート駆動信号を提供するためのゲート部が形成される。すなわち、データ印刷回路基板５００及びゲート印刷回路基板４００は、液晶表示装置６００を駆動するための信号であるゲート駆動信号、データ信号及びこれらの信号を適切な時期に印加するための複数のタイミング信号を発生し、ゲート駆動信号はゲート側ＴＣＰ４１０を通じて前記ゲートライン２３０に印加され、データ信号はデータ側ＴＣＰ５１０を通じて前記データライン２２０に印加される。
【００４３】
図８は図７に図示された液晶表示装置の実装構造を具体的に示した切開斜視図である。ただ、データパッド部２５０を説明し、これと同じ構造を有するゲートパッド部２４０の説明は省略する。
【００４４】
図８に示すように、前記薄膜トランジスター基板２００のデータパッド部２５０には前記多数のデータラインから延びて形成されたデータパッド２５１が形成される。
【００４５】
一方、前記データ側ＴＣＰ５１０には駆動ＩＣチップ５１１が実装されており、また、前記駆動ＩＣチップ５１１から引出され、前記データ印刷回路基板５００と結合される入力端子５１２と前記液晶表示パネル３００と結合される出力端子５１３とが配置されている。
【００４６】
前記データパッド２５１は前記データ側ＴＣＰ５１０の出力端子５１３と各々対応し連結される。このとき、前記データパッド２５１と前記出力端子５１３との間には異方性導電フィルム２６０が挿入される。前記異方性導電フィルム２６０は、前記薄膜トランジスター基板２００と前記データ側ＴＣＰ５１０とを接着させるための接着物質２６１、及び前記データパッド２５１と前記出力端子５１３とを電気的に導電させるための導電粒子２６２を有する。
【００４７】
前記薄膜トランジスター基板２００及び前記データ側ＴＣＰ５１０は、前記データパッド２５１及び前記出力端子５１３との間に異方性導電フィルム２６０が挿入された状態で加圧され接着される。
【００４８】
図９及び図１０は図８に図示されたデータパッド部を具体的に説明するための拡大図である。ただ、データパッド部２５０の形状を説明することにより、これと同一の形状を有するゲートパッド部２４０の説明は省略する。
【００４９】
図９または図１０に示すように、前記データパッド２５１上には、多数個の第１ビアホール２５２ａが形成される。前記多数個の第１ビアホール２５２ａは後述される所定の幅及び深さに形成される。また、前記多数個の第１ビアホール２５２ａは前記薄膜トランジスター基板２００の上面から、長方形、正方形、三角形、円形又は楕円形に形成されることができる。
【００５０】
前記データパッド２５１を全体的に露出させるのではなく、前記多数個の第１ビアホール２５２ａを通じて部分的に露出させることにより、前記データパッド部２５０と前記導電粒子２６２との接触面積を最大化することができる。
【００５１】
また、前記データパッド２５１に前記データ側ＴＣＰ５１０が誤付着された場合、前記データ側ＴＣＰ５１０を取り外して再び付着させる場合、前記データパッド２５１に形成された異物質を除去するために、綿棒などによりデータパッド部２５０、２８０を磨く作業を実施する。このとき、前記データパッド部２５０、２８０に加えられる外力を多数の孔を通じて分散させることができる。
【００５２】
図１１乃至図１５は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【００５３】
図１１に示すように、ガラス又はセラミックなどのような非導電性物質からなる基板２００上にスイッチング素子として薄膜トランジスターを形成する。まず、基板２００上にアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）などのような金属を蒸着することにより、金属層２１１、２４１が形成される。基板２００は、前記薄膜トランジスターが形成され、画像を表示するための画素部２１０、前記画素部２１０の周辺領域に前記ゲート側ＴＣＰ４１０と接続されるゲートパッド部２４０、及びデータ側ＴＣＰ５１０と接続されるデータパッド部２５０を有する。
【００５４】
前記金属層２１１、２４１を一般的なフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることによりイメージを形成するための画素が形成される画素部２１０には、前記薄膜トランジスター基板２００の幅方向に沿って所定の間隔に配列されるゲートライン２３０及び前記ゲートライン２３０から分岐されるゲート電極２１１を形成する。これと共に、前記画素部２１０に電気的な信号を印加するために前記画素部２１０の周辺領域に形成された前記ゲートパッド部２４０には、前記ゲートライン２３０から延びてゲートパッド２４１を形成する。このとき、前記ゲートパッド２４１はゲート電極２１１及びゲートライン２３０に比べて広い面積を有するように形成される。
【００５５】
また、前記ゲート電極２１１、ゲートパッド２４１及びゲートライン２３０は各々アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）の合金やアルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）のような合金を使用し形成されることもできる。
【００５６】
図１２を参照すると、ゲート電極２１１、ゲートパッド２４１及びゲートライン２３０が形成された薄膜トランジスター基板２００の全面に窒化シリコン（ＳｉxＮy）をプラズマ化学気相蒸着法により積層しゲート絶縁膜２１２を形成する。
【００５７】
図１３を参照すると、前記ゲート絶縁膜２１２上に、アモルファスシリコン膜及びインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で不純物がドーピングされたｎ+アモルファスシリコン膜を、プラズマ化学気相蒸着法により順次積層する。次に、積層されたアモルファスシリコン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニングし、ゲート絶縁膜２１２のうち、下にゲート電極２１１が配置されている部分の上部には、半導体層２１３及びオーミックコンタクト層２１８を形成する。
【００５８】
このとき、アモルファスシリコン膜に所定の強度を有するレーザを照射し半導体層２１３をポリシリコン層に転換させることができる。
【００５９】
連続して、前記結果物が形成された薄膜トランジスター基板２００上にアルミニウム、モリブデン、タンタル、チタン、クロム、タングステン又は銅などのような金属からなる金属層を積層した後、積層された金属層をパターニングし、前記ゲートライン２３０に直交するデータライン２２０、データライン２２０から分岐されるソース電極２１４ドレーン電極２１５を形成する。また、前記データライン２２０の一端部にデータパッド２５１を形成する。これにより、前記薄膜トランジスター基板２００の画素部２１０にはゲート電極２１１、半導体層２１３、オーミックコンタクト層２１８、ソース電極２１４及びドレーン電極２１５を含む薄膜トランジスターが完成される。また、前記ゲートパッド部２４０及びデータパッド部２５０には各々ゲートパッド２４１とデータパッド２５１が形成される。このとき、データライン２２０とゲートライン２３０との間にはゲート絶縁膜２１２が挿入されデータライン２２０とゲートライン２３０との間に電気的な短絡が起ることを防止する。
【００６０】
図１４を参照すると、前記薄膜トランジスター基板２００の画素部２１０、ゲートパッド部２４０及びデータパッド部２５０の全面には感光性有機レジストをスピンコーティング方法により塗布し、第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２を形成する。
【００６１】
以後、コンタクトホール２１６ａ、ゲートパッド２４１及びデータパッド２５１を露出させるためのマスク２７０を前記第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２の上部に位置させた後、所定の露光量によりフル露光工程を行い、現像工程を通じて前記第１保護膜２１６に薄膜トランジスターのドレーン電極２１５を露出させるコンタクトホール２１６ａを形成する。
【００６２】
このとき、前記フル露光工程により前記ゲートパッド部２４０に形成されたゲートパッド２４１の上に形成された第２保護膜２４２が部分的に除去される。即ち、前記第２保護膜２４２に前記ゲートパッド２４１を部分的に露出させるための多数個の第２ビアホール２４２ａを形成する。また、前記フル露光工程により前記データパッド部２５０に形成されたデータパッド２５１の上に形成された第３保護膜２５２が部分的に除去される。即ち、前記第３保護膜２５２に前記データパッド２５１を部分的に露出させるための多数個の第１ビアホール２５２ａを形成する。
【００６３】
前記第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２はＢＣＢ（ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）又はＰＦＣＢ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機絶縁物質から成る。また、前記第１乃至第３保護膜２１６、２４２、２５２は酸化珪素膜（ＳｉＯ2）又は窒化珪素膜（ＳｉＮx）などの無機絶縁物質から形成することができる。
【００６４】
図１５を参照すると、前記第１保護膜２１６上には薄膜トランジスターから画像信号の入力を受け、上板の電極と共に電場を生成する画素電極２１７が形成される。画素電極２１７は、アルミニウムのような金属物質またはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な物質で作られ、前記コンタクトホール２１６ａを通じてドレーン電極２１５と物理的、電気的に連結され画像信号の伝達を受ける。
【００６５】
一方、前記ゲートパッド２４１と対応する前記第２保護膜２４２及び前記多数個の第２ビアホール２４２ａを通じて露出された前記ゲートパッド２４１上には、第１導電膜２４３が形成される。また、前記データパッド２５１と対応する前記第３保護膜２５２及び前記多数個の第１ビアホール２５２ａを通じて露出された前記データパッド２５１上には、第２導電膜２５３が形成される。前記第１及び第２導電膜２４３、２５３はアルミニウムのような金属物質及びＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質で作られる。このとき、前記第１及び第２導電膜２４３、２５３は前記第２及び第３保護膜２４２、２５２及び前記多数個の第２及び第１ビアホール２４２ａ、２５２ａにより表れた前記ゲート及びデータパッド２４１、２５１上に均一に塗布される。
【００６６】
図１６及び図１７はデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。なお、ゲートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程はデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程と同様であるので、ゲートパッドとゲート側ＴＣＰとの接続過程の説明は省略する。
【００６７】
図１６に示すように、前記薄膜トランジスター基板２００の前記データパッド部２５０に形成された前記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む異方性導電フィルム２６０を位置させる。
【００６８】
前記データパッド２５１には多数個の第１ビアホール２５２ａが形成される。このとき、前記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記第１ビアホール２５２ａの深さＤ１より小さい。このような場合、前記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は前記導電粒子２６２の第２直径Ｌ１より小さいことが望ましい。一般に、前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１は３〜１０μｍであり、ここでは前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍであることを例として説明する。このとき、前記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１は５μｍより小さく形成される。
【００６９】
このように形成された前記データパッド２５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端子５１３が対向するように配置される。以後、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧着させる。
【００７０】
図１７に示したように、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、前記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記データパッド２５１の第２導電膜２５３と各々接触されることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とが電気的に導電される。
【００７１】
このように、圧着により前記異方性導電フィルム２６０が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第２導電膜２５３と接触されると、前記導電粒子２６２の形態が変形される。即ち、前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１は、圧着された後には、第２直径Ｌ２に変形される。このとき、前記第２直径Ｌ２は前記第１直径Ｌ１より大きい。
【００７２】
前記導電粒子２６２の圧着される前と圧着された後の直径の変形率Ｒは次の式（１）により定義される。
Ｒ＝｛（Ｌ２−Ｌ１）/Ｌ１｝×１００    ………（１）
【００７３】
前記式（１）によると、前記導電粒子２６２の変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即ち、前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１が５μｍであるとき、前記導電粒子２６２の第２直径Ｌ２は６〜８μｍであることが望ましい。
【００７４】
また、前記導電粒子２６２が前記第１ビアホール２５２ａに挿入されないようにするためには、前記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１の０．８倍である４μｍ以下で形成することがさらに望ましい。これは、前記第１ビアホール２５２ａの幅Ｗ１が前記導電粒子２６２の第１直径Ｌ１と同一であると、圧着するとき前記導電粒子２６２は形態が変形されずに、そのままに第１ビアホール２５２ａに挿入されるためである。
【００７５】
ここで、説明の便宜のために前記第１ビアホール２５２ａが矩形の断面を有する場合を例として説明するが、図１５に図示されたように前記多数個の第１ビアホール２５２ａが台形の断面を有する場合にも適用される。
【００７６】
図１８及び図１９は本発明の他の一実施形態によるデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【００７７】
図１８を参照すると、前記薄膜トランジスター基板２００のデータパッド部２５０に形成された前記データパッド２５１上に、導電粒子２６２を含む異方性導電フィルム２６０が配置される。
【００７８】
前記データパッド２５１には、多数個の第３ビアホール２７２ａが形成される。このとき、前記多数個の第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は前記多数個の第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２より大きい。この場合、前記第３ビアホール２７２ａの幅Ｗ２は前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３より小さいことが望ましい。具体的に、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍであるとき、前記第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は５μｍより小さく形成される。
【００７９】
このように形成された前記データパッド２５１に、前記データ側ＴＣＰ５１０に形成された出力端子５１３が対向するように配置される。その後、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とを熱圧着させる。
【００８０】
図１９に示すように、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とが圧着されると、前記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記データパッド２５１の第３導電膜２７３と各々接触されることにより、前記データ側ＴＣＰ５１０と前記データパッド２５１とが電気的に導電される。
【００８１】
このように、圧着により前記導電粒子２６２が前記データ側ＴＣＰ５１０及び前記第３導電膜２７３と接触されると、前記導電粒子２６２の形態が変形される。即ち、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３は圧着された後には第４直径Ｌ４に変形される。このとき、前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は前記第３直径Ｌ３より小さい。前記導電粒子２６２の圧着される前と圧着された後の直径の変形率（Ｒ）は次の式（２）により定義される。
Ｒ＝｛（Ｌ３−Ｌ４）/Ｌ３｝×１００    …………  （２）
【００８２】
前記式２によると、前記導電粒子２６２の変形率は２０〜６０％であることが望ましい。即ち、前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３が５μｍであるとき、前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４は２〜４μｍであることが望ましい。
【００８３】
このとき、前記導電粒子２６２の変形率が２０〜６０％になるように、前記第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第４直径Ｌ４の範囲内に存在することが望ましい。即ち、前記の第３ビアホール２７２ａの深さＤ２は前記導電粒子２６２の第３直径Ｌ３の０．４〜０．８倍である２〜４μｍの範囲内に存在する。
【００８４】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。
【００８５】
また、上記実施形態では、液晶表示装置に使用される表示基板について説明したが、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電解放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、電界発光（ＥＬ）ディスプレイのいずれかに使用される表示基板において、本発明を適用する場合にも、同様の効果を得ることができる。
【００８６】
【発明の効果】
上述した表示基板及びこれを有する液晶表示装置によると、前記パッド部はパッド金属膜を露出させる多数個のビアホールを有する。このとき、前記ビアホールの幅は前記導電粒子の直径より小さく形成される。また、前記ビアホールの幅が前記導電粒子の直径より大きい場合、前記ビアホールの深さは前記導電粒子の直径より小さく形成される。
【００８７】
従って、前記パッド部に多数個のビアホールを形成することにより、前記パッド部に加えられる外力を多数の孔を通じて分散させることにより、前記パッド部から発生される駆動不良を防止することができる。
【００８８】
また、前記ビアホールのサイズを前記導電粒子の直径を考慮し、前記導電粒子の変形率を２０〜６０％に維持することができ、それにより、前記パッド部と回路基板との接続力を強化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のゲートパッドの構造を説明するための平面図である。
【図２】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図である。
【図３】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図である。
【図４】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図である。
【図５】図１に図示されたゲートパッドの工程断面図である。
【図６】図５に図示されたゲートパッドにゲート側ＴＣＰを連結した状態を示した断面図である。
【図７】本発明の望ましい一実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図８】図７に図示された液晶表示装置の実装構造を具体的に示す切開斜視図である。
【図９】図８に図示されたデータパッドを具体的に説明するための拡大図である。
【図１０】図８に図示されたデータパッドを具体的に説明するための拡大図である。
【図１１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造工程を示した断面図である。
【図１６】データパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【図１７】データパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【図１８】本発明の他の一実施形態によるデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【図１９】本発明の他の一実施形態によるデータパッドとデータ側ＴＣＰとの接続過程を示した断面図である。
【符号の説明】
１００    カラーフィルタ基板
２００    薄膜トランジスター基板
２１０    画素部
２１１    ゲート電極
２１４    ソース電極
２１５    ドレーン電極
２１７    画素電極
２２０    データライン
２３０    ゲートライン
２４０    ゲートパッド部
２４１    ゲートパッド
２５０    データパッド部
２５１    データパッド
２６０    異方性導電フィルム
３００    液晶表示パネル
４００    ゲート印刷回路基板
４１０    ゲート側ＴＣＰ
５００    データ印刷回路基板
５１０    データ側ＴＣＰ
５１３    出力端子
６００    液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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