(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話の通常運転中に携帯電話内のプリント回路基板のエッジによく発生する、プリント回路基板上の金属化領域の急激な不連続を原因とする望ましくない電磁波を減衰できるインピーダンス層を含む携帯電話であって、
インピーダンス層は、前記プリント回路基板より大きな平面であって、前記プリント回路基板と携帯電話の外部の間の携帯電話のスピーカーのある側に実質的に位置する非鉄金属層を備え、
この非鉄金属層が前記金属化領域に向かい合う側の携帯電話の外部へ発射される望ましくない電磁波の影響を低減することを特徴とする、携帯電話。
【請求項２】
前記インピーダンス層が前記非鉄金属層に結合された内側表面と外側表面を有する誘電基板層を更に含む、請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
前記非鉄金属層が誘電基板層の内側表面に結合されている、請求項２記載の携帯電話。
【請求項４】
前記非鉄金属層が誘電基板層の外側表面に結合されている、請求項２記載の携帯電話。
【請求項５】
前記インピーダンス層が多数の誘電基板層を更に備え、一対の誘電基板層の間に前記非鉄金属層が埋め込まれている、請求項１記載の携帯電話。
【請求項６】
携帯電話の通常運転中に携帯電話内のプリント回路基板のエッジによく発生する、プリント回路基板上の金属化領域の急激な不連続を原因とする望ましくない電磁波を減衰できるインピーダンス層を含む携帯電話であって、
インピーダンス層は、前記プリント回路基板より大きな平面であって、前記プリント回路基板と携帯電話の外部の間の携帯電話のスピーカーのある側に実質的に位置する抵抗層を備え、この抵抗層が前記金属化領域に向かい合う側の携帯電話の外部へ発射される望ましくない電磁波の影響を低減することを特徴とする、携帯電話。
【請求項７】
前記インピーダンス層が前記抵抗層に結合された内側表面と外側表面を有する誘電基板層を更に含む、請求項６記載の携帯電話。
【請求項８】
前記抵抗層が誘電基板層の内側表面に結合されている、請求項７記載の携帯電話。
【請求項９】
前記抵抗層が誘電基板層の外側表面に結合されている、請求項７記載の携帯電話。
【請求項１０】
前記インピーダンス層が多数の誘電基板層を更に備え、一対の誘電基板層の間に前記抵抗層が埋め込まれている、請求項６記載の携帯電話。
【請求項１１】
携帯電話の通常運転中に携帯電話内のプリント回路基板のエッジによく発生する、プリント回路基板上の金属化領域の急激な不連続を原因とする望ましくない電磁波を減衰できるインピーダンス層を含む携帯電話であって、
インピーダンス層が、
非鉄金属層と、
前記非鉄金属層に結合され、前記携帯電話のフロントカバー内に一体化された抵抗層と、
を備え、
インピーダンス層は、前記プリント回路基板より大きな平面であって、前記プリント回路基板と携帯電話の外部の間の携帯電話のスピーカーのある側に実質的に位置し、
前記非鉄金属層は望ましくない電磁波を抵抗層にガイドし、この抵抗層で前記電磁波が減衰され、よって携帯電話の外部へ発射される望ましくない電磁波の影響を低減する携帯電話。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（背景）
米国連邦通信委員会（ＦＣＣ）は、聴覚に障害のある携帯電話ユーザーのための補聴器コンパチビリティ（ＨＡＣ）を改善するために、２００５年に新しい規則を制定することを決定した。携帯電話のＨＡＣ評価の一部として、電磁界の近接電磁界の成分を測定する。この成分は、電界と磁界とを含む。
【背景技術】
【０００２】
図３は、フリップタイプの携帯電話に対する代表的な電界の分布を示し、この電界分布は図１に示されるような近接電磁界のスキャンエリアと、図２に示されるＰＣＢアウトラインとを有する。金属部の急激な不連続部で主要な電界が、生じる傾向があり、この不連続部として、例えば回路基板（ＰＣＢ）のエッジ、シールドカン、バイブレータ、アセンブリ上の金属化パターンを挙げることができる。これら不連続部は、金属基板上の集中した電流を発生させ、これら電流は、基板のエッジに向かって流れる。この電流が基板のエッジに到達すると、電磁界の望ましくない散乱が生じる。散乱する電磁界の振幅が大きくなればなるほど、これら電磁界は、補聴器を妨害しやすくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような携帯電話の構造内に存在する金属不連続部で生じる電磁波の望ましくない散乱効果を低減するための方法、手段または装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、金属不連続部における電磁波の散乱効果を低減するために、高インピーダンス層を採用するものである。この高インピーダンス層は、一般に静電放電（ＥＳＤ）用途で使用される金属材料と抵抗材料との組み合わせを使って製造できる。
【０００５】
例えば、ポリエチレンのような誘電基板の表面に金属（一般にアルミ）の薄膜をデポジット（蒸着・溶着）してもよいし、誘電基板の内側表面、誘電金属の外側表面に金属層を貼付してもよいし、または２つの誘電基板内にこれら金属層を埋め込んでもよい。これら金属層によってＲＦ誘導された電流は、特定の表面領域にわたって広がることができる。同様に、誘電基板に抵抗材料の層を貼り付けてもよい。この抵抗層は、ＲＦ表面波を減少するのに十分な減衰を行い、電磁波の散乱を最小にする。更にこれら材料を極めて薄い膜として貼りつけることができるので、所望する領域、例えば携帯電話のディスプレイの領域において十分な透明性を維持できる。
【実施例】
【０００６】
補聴器のコンパチビリティ（ＨＡＣ）の評価の一部として、近接電磁界の成分を測定する。これら成分は電界成分と磁界成分とを含む。
【０００７】
図１は、スピーカー部品１１０のまわりのトップフリップ内の近接電磁界スキャンエリア１３０のアウトラインを示し、一部が携帯電話のディスプレイ１２０を囲んでいる、代表的なフリップタイプの携帯電話１００の図である。この部分は補聴器を有するユーザーが電磁波散乱効果に最も接近するポイントであるので、最も重要なエリアである。図２は、携帯電話のスピーカー１１０のまわりの高電磁界エリア１５０と、下方のプリント回路基板（ＰＣＢ）１４０のアウトラインを更に示す同じ携帯電話１００の図である。主に下方の携帯電話の部品の一部、例えばＰＣＢ１４０内に存在する金属部分に不連続部が存在する結果として相対的に強い電磁界が生じる。
【０００８】
図３には、図１および２の携帯電話１００に対するサンプル電界分布が示されている。主要な電界は金属部の急激な不連続部、例えばプリント回路基板（ＰＣＢ）のエッジ、シールド缶のエッジ、スピーカー、バイブレータおよびアセンブリ上の金属パターンのエッジを挙げることができるが、これらだけに限定されるものではない。これらの不連続部は電磁波散乱の集中点となる。携帯電話のアンテナから生じる電磁波が、金属部に電流を励起させ、これら電流は基板のエッジに向かって流れ、これら電流が基板のエッジに達すると、散乱電磁界が発生する。
【０００９】
本発明は、携帯電話の構造内に存在する金属不連続部における電磁波散乱の望ましくない効果を低減するために、高インピーダンス層を使用するものである。この高インピーダンス層は一般に静電放電（ＥＳＤ）アプリケーションで一般に使用される材料の組み合わせを使用して製造でき、かかる材料として金属材料と抵抗材料を挙げることができる。
【００１０】
図４および５は、本発明に係わる高インピーダンス層１６０を内蔵する携帯電話の正面図および側面図をそれぞれ示す。図５の側面図は、携帯電話１００の頂部フリップの表面の大部分をカバーする高インピーダンス層を示す斜視図となっている。この実施例では、携帯電話１００の頂部フリップ部分内に位置するようにＰＣＢ１８０が示されている。正常に作動する間、ＰＣＢ１８０は、散乱する望ましくない電磁界を発生する。前に述べたように、散乱効果はＰＣＢ１８０のエッジのような急激な不連続部ポイントで最大となる。ＰＣＢの頂部エッジは携帯電話のスピーカー１１０の比較的近くに位置する。このスピーカーは、携帯電話を使用するためにユーザーが耳をあてる場所となっていることはあきらかである。ユーザーが補聴器を使用する場合、この補聴器は携帯電話内で発生する散乱する電磁界の近くに位置することになる。これら電磁界は、ユーザーの補聴器に悪影響を及ぼし得る。この効果に対処するために、携帯電話はユーザーの補聴器に与え得る電磁波散乱効果を最小にするように、高インピーダンス層１６０を使用している。
【００１１】
図５は、携帯電話のディスプレイ１２０および保護ディスプレイ（ＬＣＤ）のカバー１７０も示す。高インピーダンス層１６０は、保護ディスプレイ１２０カラー１７０およびスピーカー１１０をカバーするように示されている。この図示されている位置は、高インピーダンスカバー１６０の１つの位置にすぎない。この高インピーダンス層１６０は、保護ディスプレイカバー１６０内に組み込むこともできるし、または携帯電話の全体のハウジングに組み込むこともできる。従って、ユーザーの耳と望ましくない電磁波散乱を発生する部品との間に位置するように高インピーダンス層１６０を携帯電話１００の表面に塗布（デポジット）することができる。
【００１２】
説明のために、携帯電話１００の底部フリップ部分が示されており、この部分はキーパッド１９０の表示も含む。
【００１３】
図６ａ〜６ｃは、高インピーダンス層１６０のコンフィギュレーションを示す。図６ａは、誘電基板層１６４の内側表面に結合された金属層１６２を示し、図６ｂは誘電基板層１６４の外側表面に結合された金属層１６２を示し、図６ｃは、２つの誘電基板層１６４の間に挟持された金属層１６２を示す。
【００１４】
図７ａ〜７ｃは、高インピーダンス層１６０の３つの別のコンフィギュレーションを示す。図７ａは、誘電基板層１６４の内側表面に結合された抵抗層１６６を示し、図７ｂは、誘電基板層１６４の外側表面に結合された抵抗層１６６を示す。図７ｃは、２つの誘電基板層１６４の間に挟持された抵抗層１６６を示す。
【００１５】
図８は、金属層１６２が抵抗層１６６に結合されている高インピーダンス層１６０の別のコンフィギュレーションを示す。
【００１６】
一例として、ポリエチレン、ポリイミドまたはテフロン（登録商標）のような誘電基板の表面に金属（例えばアルミ、銅、ニッケル）の薄膜がデポジットされている。この金属層は、誘電基板の内側（図６ａ）、外側（図６ｂ）にあってもよいし、この基板に埋め込んでもよい（図６ｃ）。この金属薄膜により、ＲＦ誘導された電流は、特定の表面エリアにわたって広がることが可能になる。同様に、図７ａ〜７ｃに示されるように、同様な誘電基板にカーボン、インジウムまたはフェライトのような抵抗性（電気的にロスのある）材料の層を貼付できる。この抵抗材料の層は、ＲＦ表面波を低減し、ＰＣＢ上の電磁波散乱を最小にするように十分な減衰を行う。更に金属層と抵抗層の双方を極めて薄い層として貼付できるので、所望するエリア、例えばディスプレイエリア内で十分な透明度が得られる。
【００１７】
一実現例では、ＥＳＤパッケージングで使用される材料と同じような高インピーダンスの半透明の材料内に、音響出力およびＬＣＤエリアを含むフリップタイプの携帯電話の頂部部分を封入できる。この高インピーダンス層を通して、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は目に見える状態のままであり、この結果生じる電界放射は元の（シールドされていない）ピーク位置に対して９ｄＢだけ減少される。このことは、図９にグラフで示されている。この実施例を使用すると、ＬＣＤカバーを含む携帯電話のプラスチックハウジング部分をかかる高インピーダンス材料で処理できる。この結果得られる電界は、ＰＣＢに入射する前に急激な不連続部で減衰され、散乱される電磁界を最小にする。
【００１８】
（高インピーダンス層を有する）図９と（高インピーダンス層を有しない）図３を比較すると、電磁波散乱に起因する電界が大幅に低減されることが判る。この低減は、ユーザーが通常の使用中に携帯電話を耳にあてているときに、ユーザーの補聴器に与える妨害が少なくなることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】近接電磁界スキャンエリアを示す代表的なフリップタイプの携帯電話の図である。
【図２】サンプルＰＣＢのアウトラインが示され、高電界が発生するエリアを示す、代表的なフリップタイプの携帯電話の図である。
【図３】高インピーダンスカバーを有しないフリップタイプの携帯電話の特定の近接電磁界スキャンエリアに対する、測定された電界のグラフである。
【図４】本発明に係わる、高インピーダンスカバーを有するフリップタイプの携帯電話の正面図である。
【図５】本発明に係わる、高インピーダンスカバーを有するフリップタイプの携帯電話の側面図である。
【図６ａ】金属層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図６ｂ】金属層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図６ｃ】金属層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図７ａ】抵抗層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図７ｂ】抵抗層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図７ｃ】抵抗層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図８】抵抗層および金属層を使用する高インピーダンスカバーのコンフィギュレーションを示す。
【図９】高インピーダンスカバーを含む携帯電話に対する測定された電界のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８】
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【図３】
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【図９】
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