(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の内面に畝状の周期的な凹凸部を有する電極付き基板間に、ストライプ状のスペーサーを設け、さらにこの基板間に電荷輸送性あるいは発光性のうち少なくとも一つの性質を有する液晶性材料を挟持し、前記凹凸の畝の延長方向とスペーサーの延長方向が、略平行であることを特徴とするエネルギー変換素子。
【請求項２】
前記液晶性材料がスメクチック相において一軸配向状態にあることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー変換素子。
【請求項３】
前記畝状の凹凸の周期が０．６μｍ以上１０μｍ以下であり、凹凸の振幅が０．０１μｍ以上０．０３μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子。
【請求項４】
前記スペーサーの厚みが０．１μｍ以上３μｍ以下であり、隣接するスペーサーの間隔が８００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子。
【請求項５】
前記スペーサにより一対の電極付き基板が実質的に接着していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光エネルギーを電気的エネルギーに変換するもしくは電気的エネルギーを光エネルギーに高効率に変換するエネルギー変換素子に関する。特に電荷輸送性あるいは発光性のうち少なくとも一つの性質を有する液晶性材料を用いたエネルギー変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶材料の中でも電荷輸送性を有する液晶材料は、従来の有機非晶性低分子材料（例えば芳香族アミン系誘導体）、低分子分散高分子材料、高分子材料（例えばポリパラフェニレンビニレンなど）にならぶ新しい電荷輸送材料として注目されている。
【０００３】
電荷輸送性の液晶性材料があることは、例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（半那ら、Jpn. J. Appl. Phys., 35 巻, 703 頁 (1996) ）に開示されている。その中で、図１に示すように一軸配列した液晶分子層が何層も積み重なった状態のスメクチック相を有する液晶材料、ベンゾチアゾール誘導体（2-(4’- ヘプチルオキシフェニル)-6-ドデシルチオベンゾチアゾール）の光導電性が記載されている。この液晶はスメクチック相を示す温度領域で紫外線を照射すると光電流が流れる。
【０００４】
スメクチック相を有する液晶性材料を電荷輸送材料に用いた例は、特開平9-316442号公報に開示されている。この中で液晶性電荷輸送材料として挙げられている材料は、参照電極（SCE 飽和カロメル電極）に対して還元電位が-0.3〜-0.6（V vs. SCE ）の範囲にあるか、酸化電位が0.2 〜1.3 （V vs. SCE ）の範囲にあって、（6 π電子系芳香環）l 、（10π電子系芳香環）m 、（14π電子系芳香環）n （l+m+n = 1 〜4 、l 、m 、n はそれぞれ0 〜4 の整数）のコアを有しているか、あるいは6 π電子系芳香環が炭素- 炭素二重結合または炭素- 炭素三重結合を有する連結基で連結された分子からなるスメクチック液晶である。これらの条件を満たす液晶性材料はエレクトロルミネセンス素子や画像表示素子の電荷輸送材料として用いることができる。例えば、図２に示すようなサンドイッチ型のセルに上記液晶性電荷輸送材料を封入して作製した素子に250V程度の直流電界を印加すると発光するとの記述がある。この場合液晶材料は正孔・電子両方の電荷輸送を行う。また、図３に示すような、透明基板上に透明電極、電荷発生層、液晶性電荷輸送材料、対向電極を順次積層した素子に透明電極側からパターン露光を行うと、露光された部分の液晶性電荷輸送材料が配向して対向電極に電荷が流れる。このときの液晶配向を光学的に読みとることで入力画像を再生する画像表示素子となる。
【０００５】
スメクチック液晶を電荷輸送材料として用いたもう一つの例はアプライド・フィジックス・レターズ（筒井ら、Appl. Phys. Lett, 72巻, 2639頁 (1998) ）に開示されている。この中で長鎖アルコキシ基を有するオキサジアゾール誘導体（2,5-ヘキシルオキシビフェニル- ヘキシルオキシフェニル- オキサジアゾール）はスメクチック液晶性を示し、エレクトロルミネセンス素子の電荷輸送材料として用いられている。図４に示したようにITO 電極上に銅フタロシアニンをエピタキシャル蒸着した基板とアルミニウム電極上にアルミニウムキノリノール錯体（トリス-(8-ヒドロキシキノリン) アルミニウム）を蒸着した基板とからなるセルに前記オキサジアゾール誘導体を封入した素子を作製する。作製した素子にITO 側が正となるように280Vの直流電圧を印加するとオキサジアゾール誘導体からの発光を得ることができる。この場合、オキサジアゾール誘導体は正孔輸送材料であるとともに発光材料としてはたらく。この素子における銅フタロシアニンはITO 電極からの正孔注入を容易にする正孔注入層としてだけでなく、液晶材料を一軸配向させるための配向膜としての役割を担っている。その結果、液晶材料の配向方向と平行な偏光面を持つ発光は、配向方向と垂直な偏光面を持つ発光の約２倍の強度を有する偏光発光であったと記載されている。
【０００６】
スメクチック液晶以外の電荷輸送性を有する液晶性材料としてディスコティック液晶が知られている。これを電荷輸送材料に用いた例は、アドバンスト・マテリアルズ（Adamら、Advanced Materials, 9 巻, 1031頁 (1997年) ）に開示されている。図５に示したように、ITO 電極上に、正孔輸送材料としてのディスコティック液晶（例えば、ヘキサメトキシトリフェニレン）、電子輸送材料ならびに発光材料としてのアルミニウムキノリノール錯体を順次蒸着し、最後にアルミニウムを蒸着してエレクトロルミネセンス素子を作製する。作製した素子にITO 側が正となるように直流電圧を印可すると9.7Vで100cd/m2の輝度が得られたとの記載がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
液晶材料を上述の各種素子に用いる場合、液晶材料の持つ特徴を発揮させるために、図１に示すような均一に配向したスメクチック相とする必要がある。そのため、液晶ディスプレイではポリイミドなどの配向膜を用いて液晶を均一配向させている。この場合、液晶材料と電極は直接接していることはなく、液晶材料は配向膜によって電気的に絶縁されている。液晶ディスプレイでは、液晶分子自身の中を電荷が移動することはないので、このような素子構造でよい。しかし、既に述べたスメクチック相を示す液晶材料を電荷輸送材料として用いるエネルギー変換素子や画像表示素子では液晶分子中に電荷が注入されかつ移動しなければならない。つまり、電極と液晶材料が直接接しているか、電荷輸送性及び電荷注入性を有する配向膜を用いる必要がある。先述の電極と液晶材料の間の銅フタロシアニンは電荷輸送性の配向膜の役割を担っているが、ポリイミドなどの汎用配向膜に比べ製膜工程が複雑になるうえ、スメクチック相配向の信頼性・確実性がないという致命的な欠点がある。
したがって、液晶材料を電荷輸送材料として用いるためには、液晶材料を電極に直接接した状態で均一配向させることが不可欠である。
【０００８】
ところで、棒状分子からなるスメクチック相やネマチック相を示す液晶とは異なり、ディスコティック液晶の分子形状は円盤状であるために均一配向させる方法も異なっている。例えば、ヘキサヒドロキシベンゼンなどの平面分子を基板上にコートして配向させる方法などが知られている。しかし、このような方法は微小領域の配向には有効であるが、大面積にわたって均一配向させることは極めて難しい。実際、先述のディスコティック液晶を正孔輸送材料に用いた例も、単に蒸着して製膜しているだけで、カラム状に均一配向しているか否かは確認されていない。むしろ、既存の低分子系正孔輸送材料と同様に取り扱われており、ディスコティック液晶としての利点が生かされていない。
【０００９】
また、液晶材料を発光材料として用いる場合、分子形状ならびに配向状態が発光特性に顕著な相違を生じる。既に述べたように、高度に一軸配向した棒状分子からなるスメクチック相からは偏光発光が見られるが、円盤状分子からなるディスコティック液晶のカラム配向からでは偏光発光は見られない。
このように、均一配向が可能で偏光発光が見られるスメクチック液晶の方がディスコティック液晶よりも素子応用に有利な材料であるが均一配向は上述したように容易ではない。
【００１０】
このような問題点を踏まえて、本発明では、棒状分子からなるスメクチック液晶を直接電極に接するか、もしくは電極上に積層された液晶材料以外の導電性材料に接した状態で均一配向させて、液晶材料の持つ優れた電荷輸送性を発揮して効率のよいエネルギー変換素子を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するために、
請求項１の発明は、少なくとも一方の内面に畝状の周期的な凹凸部を有する電極付き基板間に、ストライプ状のスペーサーを設け、さらにこの基板間に電荷輸送性あるいは発光性のうち少なくとも一つの性質を有する液晶性材料を挟持し、前記凹凸の畝の延長方向とスペーサーの延長方向が、略平行であることを特徴とするエネルギー変換素子である。
請求項２の発明は、前記液晶性材料がスメクチック相において一軸配向状態にあることを特徴とする請求項１に記載のエネルギー変換素子である。
請求項３の発明は、前記畝状の凹凸の周期が０．６μｍ以上１０μｍ以下であり、凹凸の振幅が０．０１μｍ以上０．０３μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子である。
請求項４の発明は、前記スペーサーの厚みが０．１μｍ以上３μｍ以下であり、隣接するスペーサーの間隔が８００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子である。
請求項５の発明は、前記スペーサにより一対の電極付き基板が実質的に接着していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエネルギー変換素子である。
【００１２】
本出願人らは、電荷輸送性あるいは発光性のうち少なくとも一つの性質を有しスメクチック相を示す液晶性材料を用いたエネルギー変換素子の特性向上のためには、スメクチック液晶材料を直接間接に電極材料と接した状態で、図１に示したように均一に一軸配向させることが不可欠であると捉え、電極上もしくは電極自体に形成した畝状の周期的な凹凸部とストライプ状に配置されたスペーサーを組み合わせることによって、これが可能であることを見いだした。
【００１３】
このとき、電極表面が畝状の周期的な凹凸を呈すると同時に、上下基板と壁状のスペーサーとによってトンネル状に制限された空間ができるようにスペーサーを配置することが重要である。なぜなら、電極表面の畝状の周期的な凹凸の存在と壁状スペーサーの存在は相補的関係にあって、電極表面に凹凸が存在しない場合液晶はスペーサーに沿って封入されても均一な配向とはならない。また、凹凸が存在してもスペーサーがシリカビーズなどのように粒状であってトンネル状に制限された空間ができない場合、液晶の封入時の流れが乱れており、部分的に微小な均一配向部分は得られるが、セル全面にわたる均一配向は得られないからである。このように、畝状の周期的な凹凸と壁状スペーサーはどちらか一方が欠けると液晶材料を均一に一軸配向させることはできない。これは、配向が凹凸による形状効果と、制限された空間内で一軸方向に規制された流動効果によると考えられるからである。
【００１４】
図６に請求項１に記載の周期的な凹凸の断面形状の一例を示した。形状は、矩形、三角形、正弦波的あるいはこれらに類似した形である。このとき完全な一軸配向のための十分な効果を得るためには、凹凸の振幅（６０４）は0.01μｍ以上0.1 μｍ以下で望ましくは0.03μｍ以上0.07μｍ以下である。周期（６０３）は0.6 μｍ以上10μｍ以下で望ましくは3 μｍ以下である。振幅が大きい場合には周期的な凹凸がスジとして見えるのが問題で、一軸配向させる上での原理的な困難ではない。
【００１５】
スペーサーは電極上にフォトレジストを用いて作製する。さらに対向側電極を有する基板をはりあわせてセルを作製する。スペーサーにはフォトレジストを用いているため、セル間隔の制御が容易である。このようにして作製したセルに液晶を等方性液体相、ネマチック相またはスメクチック相を示す温度で封入させると均一な一軸配向状態を得ることができる。このとき十分な一軸配向状態を得るために、スペーサーの厚さが0.1 μｍ以上3 μｍ以下で隣接するスペーサー間隔は800 μｍ以下であることが望ましかった。本発明の基本構成と作製手順は以上のようである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図７を用いて説明する。図に示した基板（７０１）に周期的な凹凸電極を常法のエッチングによって形成するか、あるいはマスク蒸着によって形成する、または、フォトレジストを用いて形成した凹凸上に電極材料をスパッタして形成する。エッチングによって形成する場合、図６のように電極材料（６０２）が完全になくならないよう厚さ方向の中程でエッチングを止めるようにしなければならない。電極材料としては、例えば、ITO 、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、ヨウ化銅、金、銀、白金、炭素、アルミニウム、カリウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、マグネシウム- 銀合金、マグネシウム- インジウム合金、アルミニウム- リチウム合金、その他アルカリ金属、アルカリ土類金属を含む合金などである。ここに示した材料のうち、複数の材料を積層してもよいし、更に、これらの電極上には液晶材料中に電荷の注入を促進する別の材料、例えば銅フタロシアニンや芳香族アミンの誘導体等を複数層積層することも可能である。畝状の周期的な凹凸の振幅は0.01μｍ以上0.1 μｍ以下で周期は0.6 μｍ以上10μｍ以下であることが望ましい。凹凸は電極材料自体に設けてもよいし、電極材料上に積層する材料に設けてもよい。
【００１７】
このようにして作製した畝状の周期的な凹凸を有する電極基板（７０２）上に、フォトレジストを定法のフォトリソグラフィー法によりストライプ状のスペーサー群（７０４）を形成する。スペーサーの厚さは0.1 μｍ以上3 μｍ以下で隣接するスペーサー間隔は500 μｍ以下が好適である。スペーサーを形成した電極基板と対向電極（７０３）付き基板（７０５）をジグを用いてはりあわせ（図示せず）、26mmHgの減圧下150 ℃で1 時間加熱することでスペーサーと対向電極付き基板とをほぼ完全に接着させることができる。しかし必ずしもレジストスペーサで接着させる必要もない。但し、後述するように温度勾配冷却して配向を一段と改善するには接着させる必要がある。その後、液晶封入口以外の周囲部を熱硬化性樹脂でシールしてセルを作製する。このとき電極上の周期的な凹凸は少なくともどちらか一方の基板側の電極上にあればよいが両基板の電極上にあれば液晶配向はなお望ましいものとなる。電極と電極との間隙はスペーサーの厚さで決まるが、間隙が余りに狭いと両電極間で導通する可能性が増し、厚いと印加電圧が増大するので、望ましい間隙は1 〜２μｍ程度である。
【００１８】
前記方法で作製したセルに、スメクチック相を有する液晶材料を等方性液体相あるいはネマチック相を示す温度まで加熱して毛管現象を利用して封入する。均一配向が得られにくい場合はスメクチック相を示す温度で液晶を封入することもできる。セルの最奥部まで完全に封入した後、室温まで放冷すると、畝状の周期的な凹凸の形状効果とスペーサーによって規制された流動効果とによって、畝の延長方向とスペーサーの延長方向が略平行の場合、図８に示したようにスペーサー（８０２）の延長方向とスメクチック相における層法線（８０４）とが概ね平行となるように分子（８０３）が配向する。ただし、スメクチック相を示す温度で封入した場合もしくは電極上の凹凸の振幅が0.03μｍ以下の場合図９に示したようにスペーサー（９０２）の延長方向とスメクチック相における層法線（９０４）とが概ね垂直となるように分子（９０３）が配向することがある。一方、畝の延長方向とスペーサーの延長方向が略垂直の場合、図９に示したようにスペーサー（９０２）の延長方向とスメクチック相における層法線（９０４）とが概ね垂直となるように分子（９０３）が配向する。液晶材料を封入したセルに直流電圧を印加すると発光が得られる。実用上、充分な輝度および望ましい発光色を得るために、別の発光材料を液晶材料中に添加することができる。このとき発光材料の濃度は液晶材料に対して、1 〜80重量% である。しかしながら、高濃度の発光材料の存在は、均一な液晶配向の妨げとなることがあるので、発光材料の濃度は、1 〜20重量% であることが望ましい。また、液晶材料を封入するとき、液晶材料は等方相になるまで加熱して封入すればよいが、ネマチック相を示す温度、液晶の種類によってはスメクチック相を示す温度まで下げて液晶封入を行えばさらによい液晶配向が得られる。
【００１９】
いずれの場合でも液晶封入時の温度の揺らぎは液晶配向を乱すので液晶材料封入時の温度管理は慎重に行わなければならない。液晶封入後、線状欠陥やジグザグ欠陥が見られる場合、本出願人らによって開示されている温度勾配冷却法（特開平7-318921号公報、特開平7-159792号公報）を用いることで、これらの欠陥のない均一な配向状態が得られる。これは、セル中の液晶が熱平衡状態を維持できる程度の微速度で液晶セルを高温部側から低温部側へ移動させ、冷却時の体積収縮に伴う液晶の流動によってスメクチック層の折れ曲がり方向を一方向に規制し、欠陥のない均一な一軸配向を得る方法である。流動方向を規制するため、セル中にセルの移動方向と概ね平行なトンネル状に制限された空間が形成されている必要がある。さらに、セルの移動方向とスメクチック層の層法線は概ね平行でなければ流動による配向改善効果は得られないので、壁状スペーサーと層法線が概ね垂直となる場合、格段の効果が期待できない。尚、スメクチック相にはSmA 、SmB 、SmC 、SmD 、SmF 、SmG 、SmH 、SmI 等の相がある。一つの液晶で温度が下がると複数の相を経過する液晶もある。本発明はいずれの相にも適用できるが、高温側にあるスメクチック相の配向状態が低温側のスメクチック相の配向を規定する。そういう意味で配向性に大きく関わっているのはSmA 相であり、温度勾配冷却はこの相の配向性を大幅に向上させる。
以下、これらのことを実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
【００２０】
【実施例】
＜実施例１＞
厚さ0.12μｍのITO 付き基板（100x100mm   日本板硝子社製）に、エッチングにより図６に示したうち、矩形の畝状の凹凸電極を形成した。このときの凹凸の周期は2 μｍ、振幅は0.05μｍであった。ポジ型レジスト（MP S-1400   シプレイ・ファーイースト社製）をパターニングしてストライプ状のスペーサーを形成した。スペーサーの幅は25μｍ、長さ100mm 、厚さは1.2 μｍ、隣り合ったスペーサーの間隔は300 μｍであった。スペーサーの配置が畝の延長方向に対して概ね平行な場合と垂直の場合の２種類の基板を作製した。また。１６０度で１時間程度加熱圧着すると両方の基板を完全に接着することができた。
【００２１】
これらとは別に図１０に示したようなドット状のスペーサーを形成した畝状凹凸付き基板も作製した。対向側電極にはマスク蒸着して畝状の凹凸を形成したアルミニウムもしくは蒸着しただけで凹凸のないアルミニウムを用いた。アルミニウム電極の凹凸の形状は矩形で、周期は2 μｍ、振幅は0.05μｍであった。スペーサーを形成した基板とアルミニウム電極付き基板の２枚の基板をはり合わせてセルを作製した。比較のためにITO をエッチングせず畝状の電極のない基板についても同様にスペーサーを形成し、凹凸付きアルミニウム電極基板もしくは凹凸のないアルミニウム電極基板をはり合わせてセルを作製した。ナフタレン系液晶2 ’-[6 ’-(2 ’’- エトキシ) プロピルオキシ] ナフチル-(4-デシルオキシ) ベンゾエートを主成分とする混合液晶材料に発光材料としてクマリン１（関東化学）を20重量% 混合したものをネマチック相を示す温度で封入した。これらのセルに封入した液晶がスメクチック相を示す温度範囲で、ITO 側が正となるように電圧を印加した。作製した異なる構成のセルそれぞれについて配向状態と電圧印加時の挙動を表１にまとめた。
【００２２】
【表１】
0004348761.tif 000002
【００２３】
○：配向している
×：配向していない（小さなドメイン多数）
A:配向したスメクチック相の層法線と壁状スペーサーは平行
B:配向したスメクチック相の層法線と壁状スペーサーは垂直
【００２４】
表１に示したように、電極上に畝状の凹凸が少なくとも片側に存在する場合は均一なスメクチック配向が得られたが、全く存在しない場合均一なスメクチック配向はしなかった。両側の電極に凹凸が存在する方が配向性は優れていた。スペーサー形状については壁状ストライプの場合だけ均一配向が得られた。接着した場合に温度勾配冷却を適用すると、一軸配向性が格段に改善され、セルの耐衝撃性が向上した。２ｋｇ/cm2以上の押圧に対しても配向が乱れることはなかった。
【００２５】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順でセルを作成した。ただし、電極上の凹凸については、周期、振幅を変えて種々のサイズの凹凸電極付き基板を作製した。作製した凹凸のサイズの異なるセルそれぞれについて配向状態と電圧印加時の挙動を表２にまとめた。
【００２６】
【表２】
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【００２７】
○: 配向している
△: 部分的に均一配向しているが凹凸の溝に沿った濃淡が見られた
×: 配向していない
A:配向したスメクチック相の層法線と壁状スペーサーは平行
【００２８】
表２から凹凸の振幅が大きい場合や周期が大きい場合液晶配向はリブ間全体では均一とはならない。凹凸のサイズについて詳細に検討した結果、均一配向を得るためには、凹凸の振幅は0.01μｍ以上0.1 μｍ以下で、周期が0.6 μｍ以上10μｍ以下であることが望ましかった。
【００２９】
＜実施例３＞
実施例１と同様の手順でセルを作成した。ただし、スペーサーの厚さと隣り合ったスペーサーの間隔については種々の値のものを作製した。作製したスペーサーの厚さと間隔が異なるセルそれぞれについて配向状態と電圧印加時の挙動を表３にまとめた。
【００３０】
【表３】
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【００３１】
○: 配向している
△: 部分的に均一配向しているが欠陥多い
△×: スペーサー間中央付近で液晶配向が反転
A:配向したスメクチック相の層法線と壁状スペーサーは平行
【００３２】
表３に示したとおり、スペーサーの厚さを厚くすると発光開始電圧が上昇し、逆に薄くするとショートした。また、隣り合ったスペーサーの間隔を大きくすると液晶配向はリブ間全体では均一とはならなず偏光性が小さくなる。詳細に検討した結果スペーサーの適切な条件は、形状は壁状であって、厚さが0.1 μｍ以上3 μｍ以下、隣接するスペーサーの間隔が800 μｍ以下であった。
【００３３】
【発明の効果】
以上のように、本発明の方法により畝状の周期的な凹凸を形成した電極と壁状のスペーサーを組み合わせたセルを用いることで、電荷輸送性あるいは発光性のうち少なくとも一つの性質を有するスメクチック液晶性材料を電極と直接接した状態で均一なスメクチック配向状態とすることができ、電極から液晶性材料への電荷注入効率が飛躍的に向上した結果、40V の電圧印加で偏光発光するエネルギー変換素子を得ることができる。
【００３４】
【図面の簡単な説明】
【図１】スメクチック相の説明図。
【図２】スメクチック液晶を電荷輸送材料とする有機エレクトロルミネセンス素子の説明図。
【図３】スメクチック液晶を電荷輸送材料とする画像表示素子の説明図。
【図４】スメクチック液晶を電荷輸送材料とする有機エレクトロルミネセンス素子の説明図。
【図５】ディスコティック液晶を電荷輸送材料とする有機エレクトロルミネセンス素子の説明図。
【図６】矩形、三角形、正弦波状の周期的な凹凸電極を有する透明基板の断面図。
【図７】ストライプ状の周期的凹凸電極およびスペーサーを有するセルの斜方投影図。
【図８】層法線がスペーサーの延長方向と平行な場合のスメクチック液晶を含むセルを真上から見たときの分子の配向状態を示す説明図。
【図９】層法線がスペーサーの延長方向と垂直な場合のスメクチック液晶を含むセルを真上から見たときの分子の配向状態を示す説明図。
【図１０】ドット状スペーサーを有する基板の説明図。
【符号の説明】
１０１  液晶分子
２０１  基板
２０１’基板
２０２  電極
２０２’電極
２０３  スペーサー
２０４  スメクチック液晶材料
３０１  対向電極
３０２  電荷輸送層（スメクチック液晶材料）
３０３  電荷発生層
３０４  透明電極
３０５  透明基板
４０１  基板
４０１’基板
４０２  アルミニウム電極
４０３  アルミニウムキノリノール錯体
４０４  スペーサー
４０５  銅フタロシアニン
４０６  ITO 電極
４０７  スメクチック液晶材料
５０１  アルミニウム電極
５０２  アルミニウムキノリノール錯体
５０３  ディスコティック液晶材料
５０４  ITO 電極
５０５  基板
６０１  基板
６０２  電極
６０３  凹凸の周期
６０４  凹凸の振幅
７０１  基板
７０２  電極
７０３  対向側電極
７０４  スペーサー
７０５  基板
８０１  基板
８０２  スペーサー
８０３  液晶分子
９０１  基板
９０２  スペーサー
９０３  液晶分子
１００１  基板
１００２  ドット状スペーサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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