(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有し、かつＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m 〔式中のｍは、２〜２０の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびＺｎ2 ＳｎＯ4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体。
【請求項２】
比抵抗の値が、２ｍΩ・ｃｍ未満である請求項１記載の焼結体。
【請求項３】
酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有するとともに、全金属原子に対して０．５〜１０原子％の正４価以上の金属酸化物を含有し、かつＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m 〔式中のｍは、２〜２０の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびＺｎ2 ＳｎＯ4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体。
【請求項４】
正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである請求項３記載の焼結体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の焼結体からなる透明導電膜のスパッタリング用ターゲット。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の焼結体からなる透明導電膜のエレクトロンビーム用ターゲット。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載の焼結体からなる透明導電膜のイオンプレーティング用ターゲット。
【請求項８】
ガラス表面に、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の正４価以上の金属酸化物を含有する非晶質透明導電膜を被覆してなる透明導電ガラス。
【請求項９】
正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである請求項８記載の透明導電ガラス。
【請求項１０】
光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５以上である請求項８または９記載の透明導電ガラス。
【請求項１１】
透明樹脂フィルム表面に、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の正４価以上の金属酸化物を含有する非晶質透明導電膜を被覆してなる透明導電フィルム。
【請求項１２】
正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである請求項１１記載の透明導電フィルム。
【請求項１３】
光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５以上である請求項１１または１２記載の透明導電フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置などに用いる透明導電膜の素材として有用性の高い金属酸化物の焼結体と、その焼結体からなる透明導電膜の成膜用ターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜してなる透明導電ガラスならびに透明導電フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表示装置として様々な装置、例えば液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエミッションディスプレーなどが事務機器や工場における制御システムに導入されている。これら表示装置においては、いずれの装置においてもその表示部を透明導電膜で挟み込んだサンドイッチ構造の形態を有している。
【０００３】
これら透明導電膜としては、酸化インジウム−酸化錫（以下、ＩＴＯと略記する）を成膜してなるＩＴＯ膜が多用されている。このＩＴＯ膜は、透明性がよく、電気抵抗が低いことのほか、エッチング性がよく、基板への密着性が高いという優れた特性を有していることから、広く用いられている。そして、このＩＴＯ膜は、通常、スパッタリング法やイオンプレーティング法、蒸着法などの方法によって成膜されている。
【０００４】
ＩＴＯ膜は、このように優れた特性を有するものであるが、例えば液晶表示装置の透明電極としてこれを用いる場合、ＩＴＯ膜の表面精度や電極のテーパー加工性、異種金属との接合や接点を持ちながらの電極加工などに関しては、解決すべきいくつかの課題がある。
すなわち、このＩＴＯ自体は結晶性の金属酸化物であることから、これを成膜する段階において、その結晶化が進行する。このように結晶が成長すると、膜の表面に結晶粒が生成し、これが表面精度の低下をきたすようになる。また、ＩＴＯ膜を成膜した後のエッチング工程においては、この結晶粒の界面からエッチングされるため、電極端面に微細な凹凸が発生し、高精度のエッチングを行うことが難しい。そして、成膜された電極のテーパー加工を行う際にも、結晶粒の界面からエッチングされることに起因して、ＩＴＯ粒子がエッチング部に残存することがあり、このような場合には、対向電極間に導通が発生して表示不良を招く原因となる。
【０００５】
そこで、このような課題を解決するため、例えば、特開平６−２３４５６５号公報においては、透明性と導電性を犠牲にすることなく、電極の加工性を改良するすることのできるものとして、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる透明導電材料を提案している。しかしながら、この酸化インジウムと酸化亜鉛からなる材料は、それ自体のバルク抵抗が２〜５ｍΩ・ｃｍであることから、このものの成膜時の投入電力に制約があり、生産性が十分でないという難点がある。
【０００６】
また、ＩＴＯ膜を有機エレクトロルミネッセンス素子の電極として用いる場合、ＩＴＯ膜より有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層または正孔輸送層に正孔を注入する必要があり、このためには、電極材料の仕事関数と該発光層または正孔輸送層を構成する有機化合物の仕事関数がほぼ同水準にあることが、正孔の注入効率を高める上で重要である。しかしながら、ＩＴＯ膜の仕事関数は、前記有機化合物の仕事関数の値に較べて低く、このことに起因して、ＩＴＯ膜を電極に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の低下を招いているという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、スパッタリング法などによる成膜操作を安定的にかつ生産性よく行うことのできる金属酸化物の焼結体と、その焼結体からなるターゲット、および該ターゲットにより成膜された、透明性や導電性、電極加工性がよく、かつ有機エレクトロルミネッセンス素子用の透明電極として用いた場合に発光効率の低下を招くことのない、透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述の課題を解決するために種々検討を重ねた結果、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛を特定割合で含有し、かつ酸化インジウムと酸化亜鉛との六方晶層状化合物および酸化錫と酸化亜鉛とのスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体を透明導電材料に用いることにより、上記課題が解決できることを見出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の要旨は、下記のとおりである。
〔１〕酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分が、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の組成を有し、かつＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m 〔式中のｍは、２〜２０の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびＺｎ2 ＳｎＯ4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体。
〔２〕比抵抗の値が、２ｍΩ・ｃｍ未満である前記〔１〕記載の焼結体。
〔３〕酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分が、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有するとともに、正４価以上の金属酸化物を全金属原子に対して０．５〜１０原子％含有し、かつＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m 〔式中のｍは、２〜２０の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびＺｎ2 ＳｎＯ4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有する焼結体。
〔４〕正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである前記〔３〕記載の焼結体。
〔５〕前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の焼結体を装着してなる透明導電膜の成膜用スパッタリング装置のターゲット。
〔６〕前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の焼結体を装着してなる透明導電膜の成膜用エレクトロンビーム装置のターゲット。
〔７〕前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の焼結体を装着してなる透明導電膜の成膜用イオンプレーティング装置のターゲット。
〔８〕ガラス表面に、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の正４価以上の金属酸化物を含有する非晶質透明導電膜を被覆してなる透明導電ガラス。
〔９〕正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである前記〔８〕記載の透明導電ガラス。
〔１０〕光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５以上である、前記〔８〕または〔９〕記載の透明導電ガラス。
〔１１〕透明樹脂フィルム表面に、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分を、その金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．６５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の正４価以上の金属酸化物を含有する非晶質透明導電膜を被覆してなる透明導電フィルム。
〔１２〕正４価以上の金属酸化物が、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムである前記〔１１〕記載の透明導電フィルム。
〔１３〕光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であり、かつ透明導電膜の仕事関数が５．４５以上である前記〔１１〕または〔１２〕記載の透明導電フィルム。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の焼結体は、透明導電膜の成膜に用いる透明導電材料であり、その基本的な構成成分は、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分からなるものである。
そして、これら各成分は、その組成割合が原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０〜０．７５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２０〜０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０３〜０．３０
の組成を有するものである。このような組成範囲のなかでも、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．７５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２０〜０．３５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．２０
の組成であるものが好ましく、さらに、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０〜０．７０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２５〜０．３５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．１５
の組成であるものが特に好ましい。
【００１１】
本発明において、その構成成分である酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の組成を上記のようにするのは、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物を低温で焼成すると、焼結体の導電性が低下するので、これを防止するためである。これら酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物を高温で焼成すれば、六方晶層状化合物が形成されて導電性は向上するが、すべての酸化亜鉛を六方晶層状化合物に変換させることは困難であり、導電性の向上に限界がある。そこで、この六方晶層状化合物に変換しえない酸化亜鉛と酸化錫からスピネル構造を有する化合物を形成させることにより、得られる焼結体の導電性のさらなる向上をはかり、この焼結体からなるターゲットによるスパッタリングの安定化をはかることができるようにするのである。
【００１２】
そして、これら各成分の含有割合については、酸化インジウムは、その原子比が０．５０未満であると、得られる透明導電膜の表面抵抗が高くなるほか、耐熱性の低下を招くようになり、また、この値が０．７５を超えると、得られる透明導電膜が結晶化して透明性の低下を招くようになる。また、酸化錫については、その原子比が０．２０未満であると、酸化亜鉛と酸化錫からなるスピネル構造を有する化合物の形成が不完全になり、この値が０．４５を超えると、得られる透明導電膜の表面抵抗が高くなる。さらに、酸化亜鉛については、その原子比が０．０５未満であると、得られる透明導電膜が結晶化し易くなり、またこの値が０．３０を超えると、得られる透明導電膜の耐熱性が低下することがある。
【００１３】
さらに、これら構成成分が上記組成範囲にあるとともに、これら金属酸化物は、Ｉｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m 〔式中のｍは、２〜２０の整数である。〕で表される六方晶層状化合物およびＺｎ2 ＳｎＯ4 で表されるスピネル構造を有する化合物を含有している。
このような構成成分からなる本発明の焼結体は、前述のとおり導電率か高く、比抵抗の値で２ｍΩ・ｃｍ未満のものである。したがって、この焼結体をスパッタリング装置などのターゲットとして成膜すると、スパッタリングを安定性よく行うことができ、成膜製品を生産性よく製造することができる。
【００１４】
また、上記の酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の各成分に、さらに正４価以上の金属酸化物、特に好ましくは、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムを、これら金属の全金属原子に対して０．５〜１０原子％含有させた焼結体は、その仕事関数が５．４５〜５．７０エレクトロンボルトの領域にあり、この値は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光物質や正孔輸送物質などの有機化合物の仕事関数の平均的な値である５．６エレクトロンボルトとほぼ同一水準にある。したがって、この焼結体からなるスバッタリング用ターゲットなどを用いて製膜した透明導電膜は、正孔の透明導電膜から有機エレクトロルミネッセンス素子への注入効率の高いものとなる。そして、この正４価以上の金属酸化物の含有割合は、全金属原子に対して１〜５原子％としてあるものがさらに好ましい。
【００１５】
つぎに、本発明の焼結体を製造する方法については、上記各金属酸化物の粉末を、混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕して、造粒した後、プレス成形により所望の形状に整形し、焼成により焼結すればよい。ここでの原料粉末の混合粉砕は、微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下となるように混合粉砕処理をしたものを使用すればよい。そして、この場合の焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好ましくは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７２時間、好ましくは２４〜４８時間とすればよい。また、この場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよい。
【００１６】
この焼成工程において、焼結体中の酸化インジウムと酸化亜鉛を前記式て表される六方晶層状化合物の形態とするためには、焼成温度を１，２５０℃以上とすると好都合である。また、酸化亜鉛と酸化錫とのスピネル構造を有する化合物を形成させるためには、焼成温度を１，０００℃以上にすればよい。
さらに、上記の３成分系の金属酸化物に、酸化ルテニウム、酸化モリブデンまたは酸化バナジウムなどの正４価以上の金属酸化物を含有させる場合には、上記原料の金属酸化物粉末の混合粉砕に際して、これら酸化ルテニウムなどの粉末を適量配合して焼成すればよい。この場合においても、上記酸化インジウムと酸化亜鉛との六方晶層状化合物および酸化亜鉛と酸化錫とのスピネル構造を有する化合物を形成する条件下でこれらを焼成すればよい。
【００１７】
そして、このターゲットを用いて成膜する際に用いる透明基材としては、従来から用いられているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製のフィルム、シートが用いられる。このような合成樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂などが好適である。
【００１８】
つぎに、上記ターゲットを用いて、透明導電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリングにより成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通常、２００〜６０００オングストローム、好ましくは６００〜２０００オングストロームである。
【００１９】
また、前記焼結体を装着したエレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装置のターゲットを用いて成膜する場合においても、上記と同様な成膜条件下において、透明導電膜の成膜を行うことができる。
このようにして得られる本発明の透明導電ガラスや透明導電フィルムにおいては、これら透明基材上に形成される透明導電膜として、光線透過率が高く、かつ比抵抗の低いものが得られる。また、この透明導電膜を透明電極として用いるためのエッチング加工を行う場合には、塩酸やシュウ酸などによる処理部と非処理部との境界部の断面形状が平滑で、該処理部と非処理部とが明確に区分され、均一な幅および厚みを有する電極線からなる回路を形成することができる。したがって、本発明の透明導電ガラスや透明導電フィルムにおける透明導電膜は、通常のエッチング加工を施すだけで、電極加工性に劣る透明導電膜のエッチング加工の場合に発生する回路内の部分的な電気抵抗の増大や減少あるいは絶縁部での導通や回路の切断などを招くおそれのない透明電極を得ることができる。
【００２０】
さらに、前記３成分系の金属酸化物に正４価以上の金属酸化物を含有させた焼結体を用いて成膜した透明導電膜は、光線透過率が７５％以上の高い透明性を有し、比抵抗値が５ｍΩ・ｃｍ以下であるとともに、その仕事関数が５．４５以上であって有機エレクトロルミネッセンス素子用の透明電極として好適な透明導電ガラスや透明導電フィルムを得ることができる。この場合、正４価以上の金属酸化物を含有割合を増大させると導電率が低下する傾向を示すことがあるので、高い導電率を維持する必要のある場合には、下地の層として、前記３成分系の金属酸化物からなる層を形成した後、その上に正４価以上の金属酸化物を含有させた焼結体の層を積層した構成からなる透明導電膜を形成することにより、導電性がよくしかも仕事関数が有機化合物とほぼ同一の値を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子用電極に適した透明導電膜を得ることができる。
【００２１】
【実施例】
以下、本発明の実施例等により本発明をさらに詳しく説明する。
〔参考例１〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２５
の金属原子比となるように混合して湿式ボールミルに供給し、７２時間にわたり混合粉砕した。ついで、得られた粉砕物を造粒してから、直径４インチ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス整形し、これを焼成炉に装入し１４００℃において、３６時間加圧焼成した。
【００２２】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．６ｇ／ｃｍ3 であり、またバルク電気抵抗は０．９５ｍΩ・ｃｍであった。
つぎに、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶、およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが、Ｘ線回折による分析により確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００２３】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体より、直径４インチ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットを作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着して、ガラス基板上に成膜した。
ここでのスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２５℃、投入電力１００Ｗ、成膜時間１４分間として行った。
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、７９％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．３６ｍΩ・ｃｍであり、導電性の高いものであった。さらに、仕事関数は、紫外光電子分光法により測定した。
【００２４】
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜に、線状の透孔を有するマスクにより、レジストを露光、現像した後、塩酸水溶液によりエッチング処理を施した。このエッチング処理の結果、透明導電膜の塩酸水溶液の接触面と非接触面の境界部において、滑らかな傾斜面を形成して、該接触面側の薄膜が切除されており、接触面内に薄膜が残存するようなこともなかった。
これら評価結果を第２表に示す。
【００２５】
〔参考例２〕
参考例１の（２）におけるスパッタリング時のガラス基板の温度を２１５℃とした他は、参考例１と同様にして、透明導電ガラスを製造した。得られた透明導電ガラスの透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
【００２６】
〔参考例３〕
参考例１の（１）で透明基材として用いたガラス基板に代えて、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート基板を使用した他は、参考例１と同様にして、透明導電フィルムを製造した。得られた透明導電フィルムの透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
【００２７】
〔実施例４〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．５０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５
の金属原子比となるように混合して用いた他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．９８ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。これら結果を第１表に示す。
【００２８】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００２９】
〔参考例５〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．７０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．２５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．０５
の金属原子比となるように混合して用いた他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００３０】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．８７ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００３１】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００３２】
〔実施例６〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
の金属原子比となるように混合して用いた他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００３３】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．７ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．８２ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００３４】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００３５】
〔実施例７〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
の金属原子比となるように混合した後、酸化ルテニウムの粉末を、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ＋Ｒｕ）＝０．０２
の金属原子比となるように混合粉砕した他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００３６】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．７ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．８０ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。なお、第１表中の金属酸化物組成の欄においては、上記Ｒｕ（後述のＭｏなども同様）をＭｅとして表示した。
【００３７】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００３８】
〔実施例８〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
の金属原子比となるように混合した後、酸化モリブデンの粉末を、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２
の金属原子比となるように混合粉砕した他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００３９】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．９４ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００４０】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００４１】
〔実施例９〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．６０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．３０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
の金属原子比となるように混合した後、酸化バナジウムの粉末を、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０２
の金属原子比となるように混合粉砕した他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００４２】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．９９ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるＩｎ2 Ｏ3 ・（ＺｎＯ）m で表され、ｍが４、５、７である六方晶層状化合物の結晶およびＺｎ2 ＳｎＯ4 を主とするスピネル構造を有する化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００４３】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００４４】
〔比較例１〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化亜鉛の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５
の金属原子比となるように混合して用いた他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。
【００４５】
このようにして得られた焼結体は、その密度が６．７５ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は２．７４ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶と、酸化インジウム−酸化亜鉛からなる六方晶層状化合物の結晶が形成されていることが確認された。
これら結果を第１表に示す。
【００４６】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。この場合、焼結体の比抵抗が大きいため、スパッタリングの安定性が十分でなく、所定の膜厚のものを得るのに成膜時間として１７分間を要した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００４７】
〔比較例２〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムと酸化錫の粉末を、下記
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
の金属原子比となるように混合して用いた他は、参考例１と同様にして、焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体は、その密度が６．７１ｇ／ｃｍ3 であり、バルク電気抵抗は０．６９ｍΩ・ｃｍであった。また、この焼結体の結晶性については、酸化インジウムの結晶が形成されていることが確認された。これら結果を第１表に示す。
【００４８】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。
（３）透明導電膜の加工性評価
上記（２）で得られた透明導電ガラスの透明導電膜を、参考例１の（３）と同様にして透明導電膜の加工性評価をした。その評価結果を第２表に示す。
【００４９】
〔比較例３〕
比較例２の（２）におけるスパッタリング時のガラス基板の温度を２１５℃とした他は、比較例２と同様にして、透明導電ガラスを製造した。
得られた透明導電ガラスの透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
【００５０】
【表１】
0004233641.tif 000002
【００５１】
【表２】
0004233641.tif 000003
【００５２】
【表３】
0004233641.tif 000004
【００５３】
【表４】
0004233641.tif 000005
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、スパッタリング法などでの成膜時の安定性と生産性のよい透明導電膜材料の焼結体と、その焼結体からなるスパッタリング用ターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜された、透明性や導電性、電極加工性がよく、かつ有機エレクトロルミネッセンス素子における正孔注入効率のよい透明電極の製造に適した透明導電ガラス、透明導電フィルムを提供することができる。