(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下面を接続するスルーホールを形成した樹脂製のコア基板に層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において
前記コア基板の中央部に小径のスルーホールを配設し、外周部に大径のスルーホールを配設し、
前記小径のスルーホールに、信号線よりも多く電源線及び接地線を配設し、前記大径のスルーホールに、電源線及び接地線よりも多く信号線を配設したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記小径のスルーホールはレーザにより設けられた通孔に形成され、前記大径のスルーホールは、ドリルにより設けられた通孔に形成されていることを特徴とする請求項１の多層プリント配線板。
【請求項３】
少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｂ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（Ａ）樹脂製のコア基板の中央部にレーザを照射しスルーホールとなる小径の通孔を形成する工程と、
（Ｂ）前記コア基板の外周部にドリルにより大径のスルーホールとなる通孔を形成する工程を備え、
前記小径の通孔に小径のスルーホールを形成し、前記大径の通孔に大径のスルーホールを形成し、
前記小径のスルーホールに、信号線よりも多く電源線及び接地線を配設し、前記大径のスルーホールに、電源線及び接地線よりも多く信号線を配設したことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップを載置するパッケージ基板として好適に用い得る多層プリント配線板及び当該多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
パッケージ基板に多層ビルドアップ配線板が広く使用されている。該多層ビルドアップ配線板は、信号線、電源線及び接地線となるスルーホールを設けたコア基板に、配線を備える層間樹脂絶縁層を１層ずつビルドアップしていくことで形成されている。高周波数のＩＣチップでは、パッケージ基板に引き回される電源線及び接地線の高周波数特性を高めインピーダンスを下げないと、電源線を介しての電力供給が追いつかなくなると共に、接地線を介してのアースレベルが変動して誤動作の原因となる。高周波数に対応するパッケージ基板では、多数の接地線及び電源線を配置することで、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を得て波数特性を改善している。
【０００３】
スルーホールは、コア基板にドリルで通孔を穿設することにより形成されている。しかし、ドリルでは、微細なスルーホールを狭ピッチで形成することができず、現在必要とされる数の電源線及び接地線を配設することが困難になりつつある。このため、コア基板にレーザを用いて通孔を穿設することが研究されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、内部にガラスクロス等の心材の配設され、厚さ約１mmのコア基板にレーザでスルーホールを形成するためには、１孔毎にレーザを長時間照射する必要があり、数百の通孔を穿設するためには加工時間が長くなり、製造コストが嵩む。一方、小径のスルーホールは、ヒートサイクル等に於いて断線が生じることがあり、既存のドリルによる大径のスルーホールと比較して信頼性が低かった。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、接地線及び電源線の高周波特性を改善し、電力供給不足に起因するＩＣチップの誤動作を防止させ得る多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１は、上下面を接続するスルーホールを形成した樹脂製のコア基板に層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなる多層プリント配線板において
前記コア基板の中央部に小径のスルーホールを配設し、外周部に大径のスルーホールを配設し、
前記小径のスルーホールに、信号線よりも多く電源線及び接地線を配設し、前記大径のスルーホールに、電源線及び接地線よりも多く信号線を配設したことを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項１の発明では、コア基板の中央部に小径のスルーホールを配設し、外周部に大径のスルーホールを配設するため、中央部の配線密度を高めることができる。中央部の小径のスルーホールを電源線及び接地線とすることで、多数の電源線及び接地線を配設できるとともに、ＩＣチップから外部基板までの配線長を短縮できる。このため、ＩＣチップへの電源線及び接地線のインダクタンス分が低減し、ＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。なお、この場合における中央部とは、ＩＣチップの直下として置き換えることも可能である。
【００１３】
請求項３は、少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｂ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）樹脂製のコア基板の中央部にレーザを照射しスルーホールとなる小径の通孔を形成する工程と、
（Ｂ）前記コア基板の外周部にドリルにより大径のスルーホールとなる通孔を形成する工程を備え、
前記小径の通孔に小径のスルーホールを形成し、前記大径の通孔に大径のスルーホールを形成し、
前記小径のスルーホールに、信号線よりも多く電源線及び接地線を配設し、前記大径のスルーホールに、電源線及び接地線よりも多く信号線を配設する。
【００１５】
請求項３の発明では、コア基板の中央部に小径のスルーホールをレーザ又はドリルで形成し、外周部に大径のスルーホールをドリル又はレーザで形成するため、中央部の配線密度の自由度の高いコア基板を廉価に形成することができる。中央部の小径のスルーホールを電源線及び接地線とすることで、多数の電源線及び接地線を配設できるとともに、ＩＣチップから外部基板までの配線長を短縮できる。このため、ＩＣチップへの電源線及び接地線のインダクタンス分が低減し、ＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。更に、接続不良の発生する蓋然性の低い大径のスルーホールを主として信号線として用い、接続不良の発生する蓋然性の高い小径のスルーホールを主として電源線及び接地線として用いるため、当該電源線及び接地線側のスルーホールに断線が生じても、多層プリント配線板が正常動作を継続できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、パッケージ基板として用いられる多層プリント配線板１０の断面図を示す図７、及び、該多層プリント配線板にＩＣチップを搭載しドータボードへ取り付けた状態を示す図８を参照して説明する。
【００１７】
図８に示すように多層プリント配線板１０では、コア基板３０の中央側に小径（１００μｍ）のスルーホール３６Ａ、外周側に大径（３００μｍ）のスルーホール３６Ｂが形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。上層層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。
【００１８】
多層プリント配線板１０の上面には、ソルダーレジスト層７０の開口に、ＩＣチップへの接続用の半田バンプ７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇが配設される。一方、パッケージ基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口に、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇが配設されている。
【００１９】
ＩＣチップ９０には、信号用パッド９２Ｓと、電源用パッド９２Ｖと、接地用パッド９２Ｇとが配設されている。信号用パッド９２Ｓは、信号用の半田バンプ７６Ｓを介して、層間樹脂絶縁層１５０のバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６０を通りコア基板３０の外周側の大径スルーホール３６Ｂに接続される。そして、該大径スルーホール３６Ｂから、下面側のバイアホール６０、１６０を介して、信号用半田バンプ７６Ｓからドータボード９４側の信号用パッド９６Ｓへ接続される。
【００２０】
一方、ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｖは、電源用の半田バンプ７６Ｖ、上面のバイアホール１６０、６０を介して、コア基板３０の中央側の小径スルーホール３６Ａに接続される。そして、該小径スルーホール３６Ａから、下面側のバイアホール６０、１６０を介して、電源用半田バンプ７６Ｖからドータボード９４側の電源用パッド９６Ｖへ接続される。同様に、ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｇは、接地用の半田バンプ７６Ｇ、上面のバイアホール１６０、６０を介して、コア基板３０の中央側の小径スルーホール３６Ａに接続される。そして、該小径スルーホール３６Ａから、下面側のバイアホール６０、１６０を介して、接地用半田バンプ７６Ｇからドータボード９４側の接地用パッド９６Ｇへ接続される。
【００２１】
このＩＣチップとコア基板との配線の取り回しを図９（Ａ）に示し、コア基板３０の上面を図９（Ｂ）に示す。上述した図８は、図示の便宜上、スルーホール３６Ａ、３６Ｂの数を減らして示してあった点に注意されたい。
図９（Ｂ）に示すように、コア基板３０の中央部に小径スルーホール３６Ａが配設され、基板外周側に大径スルーホール３６Ｂが配設される。そして、図９（Ａ）に示すように、ＩＣチップ９０の電源パッド９２Ｖ及び接地パッド９２Ｇからの線が、コア基板３０の小径スルーホール３６Ａに主として配設される。そして、ＩＣチップ９０の信号用パッド９２Ｓからの線が、コア基板の大径スルーホール３６Ｂに主として配設される。後述するように小径スルーホール３６Ａは、レーザにより形成され、大径スルーホール３６Ｂは、ドリルにより形成することが望ましい。この代わりに、小径スルーホール３６Ａ及び大径スルーホール３６Ｂを共にレーザ、又は、ドリルで形成することもできる。
【００２２】
本実施形態では、コア基板３０の中央部に小径スルーホール３６Ａをレーザで形成し、外周部に大径のスルーホール３６Ｂをドリルで形成するため、中央部の配線密度の高いコア基板を廉価に形成することができる。中央部の小径スルーホール３６Ａを電源線及び接地線とすることで、多数の電源線及び接地線を配設できるとともに、ＩＣチップ９０からドータボード９４までの配線長を短縮できる。このため、ＩＣチップへの電源線及び接地線のインダクタンス分が低減し、電力を瞬時に供給し、アースレベルの変動を防ぎ、ＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。更に、接続不良の発生する蓋然性の低い大径スルーホール３６Ｂを主として信号線として用い、接続不良の発生する蓋然性の高い小径スルーホール３６Ａを主として電源線及び接地線として用いるため、当該電源線及び接地線側のスルーホールに断線が生じても、多層プリント配線板が正常動作を継続できる。
【００２３】
以下、図７及び図８に示す多層プリント配線板１０の製造方法について図を参照して説明する。
ここでは先ず、コア基板３０及び層間樹脂絶縁層５０に通孔を穿設する炭酸ガスレーザの概略構成について、図１０を参照して説明する。
実施態様に係るレーザ装置としては、三菱電機製のＭＬ５０５ＧＴを用いる。また、ＣＯ2レーザ発信器１８０としては、三菱電機製のＭＬ５００３Ｄ２を用いる。
【００２４】
レーザ発振器１８０から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク１８２を経由してガルバノヘッド１７０へ入射する。ガルバノヘッド１７０は、レーザ光をＸ方向にスキャンするガルバノミラー１７４ＸとＹ方向にスキャンするガルバノミラー１７４Ｙとの２枚で１組のガルバノミラーから構成されており、このミラー１７４Ｘ、１７４Ｙは制御用のモータ１７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動される。モータ１７２Ｘ、１７２Ｙは図示しない制御装置からの制御指令に応じて、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該コンピュータ側へ送出するよう構成されている。
【００２５】
レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされてｆ−θレンズ１７６を通り、コア基板３０にスルーホール用通孔３３Ｂを形成する。コア基板３０は、Ｘ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙテーブル１９０に載置されている。
【００２６】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程について図１乃至図６を参照して説明する。この第１実施形態では、多層プリント配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００２７】
(1)図１（Ａ）に示すように厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０ＡをＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、銅箔３２の全表面に粗化面３２βを形成する（図１（Ｂ）参照）。ここでは、黒化還元処理で粗化面を形成したが、後述するエッチング、又は、無電解めっきにより粗化面を設けることもできる。
【００２８】
(2)次に、基板３０を図１０を参照して上述した炭酸レーザ装置のＸ−Ｙテーブル１９０に載置し、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５０μ秒、１０ショットの条件で、直径１００μｍの通孔３３Ａを３００μｍピッチで基板３０の中央に穿設する（図１（Ｃ）及び図９（Ｂ）参照）。
【００２９】
(3)そして、ドリル９８にてコア基板３０の外周部に直径３００μｍの通孔３３Ｂを６００μｍピッチで穿設する（図１（Ｄ）及び図９（Ｂ）参照）。
【００３０】
その後、無電解めっき液に浸漬して、通孔３３Ａ、３３Ｂの側壁に銅めっき膜を析出することでスルーホール３６Ａ、３６Ｂを形成してから（図２（Ａ））、常法に従いパターン状にエッチングにより基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路）３４を形成する（図２（Ｂ））。
【００３１】
(4)下層導体回路３４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βと、スルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ及び内壁に粗化面３６βを形成した（図２（Ｃ）参照）。黒化、還元処理で粗化面を形成することができる。この場合には、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う。
【００３２】
なお、第二銅錯体と有機酸塩、過酸化水素と硫酸からなるエッチング液に浸漬、あるいはスプレーすることで粗化面を形成することもできる。また、無電解めっきにより粗化面を形成することもできる。無電解めっきにより粗化面を形成する場合には、導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４及びスルーホール３６のランド３６ａ表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層を設ける。
【００３３】
(5)シクロオレフィン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填材４０を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路３４間またはスルーホール３６Ａ、３６Ｂ内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填材４０が下層導体回路３４の間あるいはスルーホール３６Ａ、３６Ｂ内に充填される（図２（Ｄ）参照）。
【００３４】
(6)上記(5)の処理を終えた基板の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面に樹脂充填材４０が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填材４０を加熱硬化させた（図３（Ａ）参照）。
【００３５】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填材４０の表層部および下層導体回路３４上面の粗化層３４βを除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填材４０と下層導体回路３４の側面とが粗化面３４βを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填材４０とが粗化面３６βを介して強固に密着した配線基板を得る。
【００３６】
(7)次に、上記(6)の処理を終えた基板の両面に、上記(４) で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを、スルーホールのランド３６ａ表面に粗化層３６βを形成した（図３（Ｂ）参照）。なお、この工程ではエッチングにより粗化面を形成しているが、この代わりに、無電解めっきにより粗化層を形成することもできる。
【００３７】
(8)次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ｃ）参照）。なお、真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇに調整する。
【００３８】
(9) 次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、５ショットの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設けた（図３（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【００３９】
(10) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化した（図４（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施した。
【００４０】
(11) 次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉスパッタ後、Ｃｕスパッタを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金層５２をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した。このとき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは、Ｃｉ層（０．０５μｍ）とＣｕ層（０．１５μｍ）との０．２μｍであった（図４（Ｂ）参照）。
【００４１】
(12)上記処理を終えた基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４のパターンを形成した（図４（Ｃ）参照）。
【００４２】
(13)次に、以下の条件で電気めっきを施して、厚さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した（図５（Ａ）参照）。なお、この電気めっき膜５６により、後述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバイアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００４３】
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電気めっき条件〕
電流密度                      １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００４４】
(14)ついで、めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、電気銅めっき膜５６等からなる厚さ１６μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（図５（Ｂ）参照）。
【００４５】
(15)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成した（図５（Ｃ）参照）。
【００４６】
(16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００４７】
(17)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した（図６（Ａ））。ソルダーレジストを半硬化した樹脂フィルムを張り付け、露光・現像あるいはレーザで半田パッドを開口させてもよい。
【００４８】
(18)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した（図６（Ｂ））。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した。
【００４９】
(19)この後、ソルダーレジスト層７０の開口にはんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ（はんだ体）７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇを形成し、多層プリント配線板１０を完成する（図７参照）。
(20)最後に、多層プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇにパッド９２Ｓ、９２Ｖ、９２Ｇ対応するようＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０を取り付ける。そして、当該パッケージ基板１０をドータボード９４に載置し、リフローを行うことで当該ドータボードへ載置する（図８）。
【００５０】
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について説明する。
図１７は、パッケージ基板に適用した第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面を示している。この第２実施形態の多層プリント配線板１１０は、図７を参照して上述した第１実施形態と同様である。但し、第１実施形態では、多層プリント配線板の下面に半田バンプ７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇが配設されたが、この第２実施形態では、導電性接続ピン７８が配設されている。
【００５１】
引き続き、第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法について説明する。ここではまず、Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製、及び、Ｂ．樹脂充填材の調製について説明する。
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００５２】
Ｂ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００５３】
多層プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１１（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０ＡをＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、銅箔３２の全表面に粗化面３２βを形成した（図１１（Ｂ）参照）。
【００５４】
(2)次に、基板３０を図１０を参照して上述した炭酸レーザ装置のテーブルに載置し、炭酸ガスレーザを照射することで、直径１００μｍの通孔３３Ａを３００μｍピッチで基板３０の中央に穿設する（図１１（Ｃ）及び図９（Ｂ）参照）。
【００５５】
(3)そして、ドリル９８にてコア基板３０の外周部に直径３００μｍの通孔３３Ｂを６００μｍピッチで穿設する（図１１（Ｄ）及び図９（Ｂ）参照）。
その後、無電解めっき液に浸漬して、通孔３３Ａ、３３Ｂの側壁に銅めっき膜を析出することでスルーホール３６Ａ、３６Ｂを形成してから（図１２（Ａ））、常法に従いパターン状にエッチングにより基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路）３４を形成した（図１２（Ｂ））。
【００５６】
(4)下層導体回路３４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを、スルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面及び内壁に粗化層３６βを形成した（図１２（Ｃ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【００５７】
(5)上記Ｂにて記載した樹脂充填材を整調した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、スルーホール３６Ａ、３６Ｂ、及び、基板３０の片面の導体回路非形成部と導体回路３４の外縁部とに樹脂充填材４０の層を形成した（図１２（Ｄ）参照）。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６Ａ、３６Ｂ内に樹脂充填材４０を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。
【００５８】
(6) 上記(5) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面に樹脂充填材４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材４０を硬化した。
【００５９】
このようにして、スルーホール３６Ａ、３６Ｂや導体回路非形成部に形成された樹脂充填材４０の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材４０と下層導体回路３４の側面とが粗化面３４βを介して強固に密着し、またスルーホール３６Ａ、３６Ｂの内壁面と樹脂充填材４０とが粗化面３６βを介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１３（Ａ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂充填材４０の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面となる。
【００６０】
(7) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６Ａ、３６Ｂのランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを、スルーホールのランド３６ａ表面に粗化層３６βを形成した（図１３（Ｂ）参照）。
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【００６１】
(8) 基板の両面に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成した（図１３（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００６２】
(9) 層間樹脂絶縁層５０上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔４９ａが形成されたマスク４９を載置する。そして、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を形成した（図１３（Ｄ）参照）。
【００６３】
(10) バイアホール用開口４８を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面を粗面とした（図１４（Ａ）参照）。
【００６４】
(11) 次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【００６５】
(12)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５１を形成した（図１４（Ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【００６６】
(13)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜５１に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト５４を設けた（図１４（Ｃ）参照）。
【００６７】
(14)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図１５（Ａ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００６８】
(15)めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜５１を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５１と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール６０を含む）５８を形成した（図１５（Ｂ）参照）。
【００６９】
(16)(7) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面６２を形成した（図１５（Ｃ）参照）。
【００７０】
(17)上記 (8)〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成し、多層配線板を得た（図１６（Ａ）参照）。
【００７１】
(18)次に、多層配線基板の両面に、第１実施形態と同様のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した。
そしてさらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジストパターン層７０を形成した（図１６（Ｂ））。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物やソルダーレジストの樹脂フィルムを使用することもできる。
【００７２】
(19)次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した（図１６（Ｃ））。
【００７３】
(20)この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口に、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層７０の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることにより上面にはんだバンプ７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇを設けた。そして、下面に導電性接続ピン７８を配設し、プリント基板１１０を製造した（図１７参照）。
【００７４】
引き続き、本発明の第３実施形態について説明する。上述した第１、第２実施形態では、銅貼り積層板に貫通孔３３Ａ、３３Ｂを穿設した。これに対して、第３実施形態では、銅貼り積層板に樹脂層を形成した後、貫通孔３３Ａ、３４Ｂを形成する。
【００７５】
この第３実施形態のコア基板の形成方法について、図１８を参照して説明する。
(1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂、ＢＴ、ＦＲ−４，ＦＲ−５樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１８（Ａ）参照）。常法に従いパターン状にエッチングして基板の両面に内層銅パターン（下層導体回路）３１を形成した（図１８（Ｂ））。
【００７６】
(2)次に、基板３０の両面に後述するＡＢＦ樹脂絶縁フィルムを張り付け、樹脂層３５を形成する（図１８（Ｃ））。
(3)基板３０を第１実施形態と同様な炭酸レーザ装置のテーブルに載置し、炭酸ガスレーザを照射することで、直径１００μｍの通孔３３Ａを３００μｍピッチで基板３０の中央に穿設する（図１８（Ｄ）参照）。
【００７７】
(3)そして、ドリル９８にてコア基板３０の外周部に直径３００μｍの通孔３３Ｂを６００μｍピッチで穿設する（図１８（Ｅ）参照）。
(4)その後、無電解めっき液に浸漬して、通孔３３Ａ、３３Ｂの側壁に銅めっき膜を析出することでスルーホール３６Ａ、３６Ｂを形成してから、エッチングを行い導体回路３４を形成する（図１８（Ｆ）参照）。以降の工程は上述した第１、第２実施形態と同様であるため、図示及び説明を省略する。
【００７８】
なお、上記ＡＢＦ樹脂フィルムとしては、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００７９】
本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００８０】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００８１】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００８２】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００８３】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００８４】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００８５】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００８６】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００８７】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００８８】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００８９】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００９０】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００９１】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００９２】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００９３】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００９４】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００９５】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００９６】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００９７】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００９８】
なお、上述した実施形態では、中央部に小径のスルーホールを配設し、外周部に大径スルーホールを配設したが、本発明は、これに限定されず、配線密度を高める必要がある箇所に小径のスルーホールを適宜配設することができる。
【００９９】
[比較例１]
コア基板のスルーホールをレーザにより全て径１００μｍで形成した以外には第１実施形態と同様である。
[比較例２]
コア基板のスルーホールをドリルにより全て径３００μｍで形成した以外には第１実施形態と同様である。
[比較例３]
コア基板のスルーホールをレーザにより全て径１００μｍで形成した以外には第２実施形態と同様である。
[比較例４]
コア基板のスルーホールをドリルにより全て径３００μｍで形成した以外には第２実施形態と同様である。
【０１００】
１ＧＨｚの高周波数ＩＣチップをそれぞれ第１、第２、第３実施形態の多層プリント配線板、及び、比較例１，２、３、４の多層プリント配線板に実装し、比較試験を行った。
その結果、比較例２、４では、ＩＣチップのエラーが頻繁に発生した。これは、電源線及びアース線の数が少ないため、電源の供給が追いつかなくなっていることによるものと推測される。
これに対して、第１、第２、第３実施形態の多層プリント配線板、比較例１、３は安定した動作を提供できた。但し、比較例１、３の多層プリント配線板は、全てのスルーホールをレーザで形成するため、第１〜第３実施形態の多層プリント配線板に対して、製造コストが非常に高くなっているし、スルーホールの断線する確率が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図９】図９（Ａ）は、コア基板内の配線取り回しを示す説明図であり、図９（Ｂ）は、コア基板の平面図である。
【図１０】開口を形成する炭酸ガスレーザ装置の説明図である。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１３】図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１４】図１４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１５】図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１６】図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板のコア基板の断面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３３Ａ、３３Ｂ  通孔
３４  導体回路
３６Ａ  小径バイアホール
３６Ｂ  大径スルーホール
４０  樹脂充填材
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７６Ｓ、７６Ｖ、７６Ｇ  半田バンプ
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
0004282190.tif 000003
【図３】
0004282190.tif 000004
【図４】
0004282190.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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