(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004385202.tif 000067
（式中、Ｒは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基に置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアルキル基を表し、Ｘａ、ＸｂおよびＸｃは水素原子またはフッ素原子を表すが、Ｘａ、ＸｂおよびＸｃのうち少なくとも１個はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、ただしＲがアルキル基且つＺが置換されていないアルキル基またはアルコキシル基あるいはシアノ基のときはＸａ、ＸｂおよびＸｃのうち少なくとも１個はフッ素原子を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項２】
一般式（Ｉ）においてＲが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すところの請求項１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基あるいはシアノ基を表すところの請求項１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項４】
請求項１〜３記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
【請求項５】
請求項４記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、デカヒドロナフタレン誘導体とそれを含有する液晶組成物に関するものである。これらは電気光学的液晶表示用、特に温度範囲が広いネマチック液晶材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されている。中でも温度範囲が広いことはほとんどの場合に共通して非常に重要であるが、これにはネマチック相上限温度（ＴN-I）が充分高いことと、融点（ＴC-N）あるいはスメクチック−ネマチック転移温度（ＴS-N）が充分低いことを含んでいる。
【０００４】
また、他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性も重要である。この相溶性が不良の場合には、析出や相分離の危険を避けるために非常に多数の液晶化合物を混合させる必要が生じ、組成物の調製には非常な手間がかかり、高コスト化が避けられなかった。
【０００５】
また、駆動電圧が充分低いことも多くの場合に共通して重要な特性であり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要がある。
【０００６】
また、応答が高速であることも同様に重要な特性であり、そのために液晶の粘性はできるだけ小さいことが要求されている。
【０００７】
また、屈折率異方性（Δｎ）も重要な特性であり、その表示方法に応じてさまざまな値が要求されるが、製造の容易なセル厚の大きい液晶素子の場合には小さい値が要求されることが多い。
【０００８】
ところで、一般に液晶表示素子の閾値電圧はその自乗が、誘電率異方性（Δε）に逆比例し、弾性定数に比例することが知られている。従って、誘電率異方性が大きいいわゆるｐ型であって、かつその弾性定数が比較的小さく、粘性が比較的小さい液晶化合物が上記要求を満足させるために有効であり、その目的でこれまでにも種々設計あるいは合成されてきている。
【０００９】
液晶化合物は通常コアと呼ばれる中心骨格部分と両側の側鎖部分から構成されている。通常、側鎖部分の少なくとも一方は鎖状基であることが多いが、誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶の場合には、他方の側鎖部分は極性基である。
【００１０】
液晶化合物に用いられる極性基としては、シアノ基が代表的である。このシアノ基を有する液晶化合物は他の極性基を有する液晶化合物と比較して、やや粘性が大きいけれども、極性が強く、液晶性にも優れるという優れた特性を示す。これらのシアノ基は、通常分子末端のフェニル基に直結して導入されている。従って、化合物としては分子の片方の末端に４−シアノフェニル基を有する構造が大半を占めている。
【００１１】
一般に液晶化合物は構造的に中心骨格（コア）部分と側方基（側鎖および極性基）から形成されており、そのコア部分を構成する環構造としては、１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）やトランス−１，４−シクロヘキシレン基をはじめとして、ピリジン−２，５−ジイル基やピリミジン−２，５−ジイル基等の複素芳香環、ジオキサン−トランス−１，４−ジイル基やピペリジン−１，４−ジイル基等の飽和複素環等、既に多くのものが知られている。しかしながらこれらの環構造から構成されたシアノ系の液晶化合物のみでは年々高度化する液晶組成物に対する要求特性には充分応えきれなくなってきているのが実情である。
【００１２】
ところで上記のトランス-1，4-シクロヘキシレン基をトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基に変換することにより液晶性が向上することは知られている。ｐ型の誘導体としてもトランス−６−アルキル−２−（４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン（Ｐ）
【００１３】
【化２】
0004385202.tif 000002
【００１４】
（式中、Ｒaは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表す。）が報告（ドイツ公開特許３１５０３１２号公報）されている。しかしながら、この（Ｐ）の化合物はネマチック液晶性には優れるものの閾値電圧の低減という点ではそれほど優れたものではなく、他の液晶材料との相溶性も充分とは言えず、さらに液晶としてのその他の物性や電気光学特性もほとんど知られていない。
【００１５】
ところで液晶化合物により大きい誘電率異方性が求められる場合には、シアノ基が結合したフェニル基にさらにシアノ基と同方向に１〜２個のフッ素原子を導入することが効果的である。従って、前述の液晶化合物における４−シアノフェニル基を３−フルオロ−４−シアノフェニル基または３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル基に変換した化合物も開発されている。しかしながら、デカヒドロナフタレン誘導体としては、そのような化合物はこれまで全く知られていなかった。
【００１６】
また、アクティブマトリックス駆動においては液晶材料の電圧保持率が非常に高くなければならないという制約がある。一般に閾値電圧は誘電率異方性（Δε）の平方根に逆比例するため、閾値電圧を低減するためには極性の基を液晶分子の長軸方向に導入してその誘電率異方性を増大させる必要がある。しかしながらアクティブマトリックス駆動用の液晶材料においては、上記の制約のために、極性基としてシアノ基やエステル結合等通常閾値電圧の低下に大きい効果のある基を用いることができず、フッ素原子やトリフルオロメトキシ基等の限られたフッ素系の基が用いられているにすぎない。ただし、誘電率異方性増大に対するフッ素原子導入の効果は例えば前述のシアノ基と比較するとかなり小さい。従って、液晶分子の誘電率異方性を充分増大させ、閾値電圧を低減させるためには、分子中に２個以上のフッ素原子を同方向に導入する必要がある。こうした理由から、アクティブマトリックス駆動用の液晶材料として現在汎用されているのは３，４−ジフルオロフェニル基（Ａ）および３，４，５−トリフルオロフェニル基（Ｂ）
【００１７】
【化３】
0004385202.tif 000003
【００１８】
を分子中に有する液晶化合物が主である。
【００１９】
また慣用のアクティブマトリックス方式では、正の誘電異方性（Δε＞０）である液晶組成物が用いられるのに対し、Ｓ．ＹａｍａｕｃｈｉらによるＳＩＤ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，３７８頁以降（１９８９）に記載されたＶＡＮ（垂直配向ネマチック）方式、Ｋ．Ａ．ＣｒａｂｄａｌｌらによるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５，４（１９９４）に記載されたＶＡＣ（垂直配向コレステリック）方式あるいはＲ．Ａ．ＳｏｒｅｆによるＪ．ｏｆ  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．１２，５４６６（１９７４）に記載されたＩＰＳ（イン−プレーン・スイッチング）方式などの表示方式では、負の誘電異方性（Δε＜０）である液晶組成物が用いられる。
【００２０】
上述のアクティブマトリックス駆動において、負の誘電率異方性を増大するためには分子長軸方向に対して極性基を導入するわけであるが、アクティブマトリックス駆動用の液晶材料においては、上記の制約のために、同様に垂直にフッ素原子を導入する必要がある。こうした理由から、アクティブマトリックス駆動用の負の誘電異方性を持つ液晶材料として現在汎用されているのは２−ジフルオロフェニル基（Ｃ）および２，３−ジフルオロフェニル基（Ｄ）
【００２１】
【化４】
0004385202.tif 000004
【００２２】
を分子中に有する液晶化合物が主である。
【００２３】
ところでこれらのフッ素系液晶化合物にも大きな問題点が存在する。その第一は液晶性が低いことである。通常の液晶材料には２環性、３環性および４環性の液晶性化合物が用いられるが、こうしたフッ素系化合物はその低い液晶性のため、最も低粘性で高速応答に適した２環性の化合物は少量しか用いることができない。そのため、３環性の化合物が主に使用されるが、低電圧化のために誘電率異方性が大きい３，４，５−トリフルオロフェニル基（Ｂ）を含有する３環性液晶化合物を添加すると、液晶材料の応答性に悪影響を与える場合が多い。
【００２４】
第二の問題点は相溶性が悪くその混合によってネマチック相を低温域まで拡大させることが容易でないことである。液晶材料においては通常、液晶化合物を多数混合（ブレンド）することによりその融点を降下させ、低温域まで安定にネマチック相を存在させることを可能としている。しかしながらこうしたフッ素系の液晶ではその混合による融点の降下は比較的小さく、従って組成物の融点を充分に低下させるためには異種骨格からなる非常に多数の液晶化合物を混合させる必要があるのが実情である。そのために、組成物の調製には非常な手間がかかり、高コスト化が避けられなかった。
【００２５】
こうしたことから、アクティブマトリックス駆動用として使用可能なフッ素系液晶化合物として、より液晶性に優れ、かつ相溶性に優れて混合により低温域温度範囲の拡大がより容易であるような液晶化合物が求められている。
【００２６】
一般にアクティブマトリックス駆動用としては、前述の制約から１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）とトランス−１，４−シクロヘキシレン基にほぼ限定されているのが実情である。
【００２７】
ところでこのトランス−１，４−シクロヘキシレン基をトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基に変換することにより液晶性が向上することは知られている。しかもトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基には酸素原子や窒素原子といったヘテロ原子が含まれないため、この変換により電圧保持率が低下することもない。従って、トランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基を有するフッ素系液晶化合物は温度範囲の広いアクティブマトリックス駆動用液晶材料として使用可能と考えられるわけであるが、そのような液晶化合物はこれまで全く知られていないのが実情である。
【００２８】
従って、フッ素系のトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン骨格を有する液晶化合物であって、よりネマチック液晶性に優れ、アクティブマトリックス駆動用としてもより適した液晶性化合物が求められている。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、対応する２環性のシクロヘキサン誘導体と比較してネマチック液晶性に優れ、３環性のシクロヘキサン誘導体よりも応答性、相溶性に優れたフッ素系のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体である液晶性化合物を提供し、さらにこれを用いて、広いネマチック相温度範囲と低電圧駆動性を有する液晶組成物を提供し、さらにアクティブマトリックス駆動用としても使用可能な液晶組成物をも提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために
１．一般式（Ｉ）
【００３１】
【化５】
0004385202.tif 000005
【００３２】
（式中、Ｒは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基に置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアルキル基を表し、Ｘa、ＸbおよびＸcは水素原子またはフッ素原子を表し、Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、ただしＲがアルキル基且つＺが置換されていないアルキル基またはアルコキシル基あるいはシアノ基のときはＸa、ＸbおよびＸcのうち少なくとも１個はフッ素原子を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００３３】
２．一般式（Ｉ）においてＲが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００３４】
３．一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基あるいはシアノ基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００３５】
４．一般式（Ｉ）においてＸa、ＸbおよびＸcのうち少なくとも１個はフッ素原子を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００３６】
５．上記１〜４記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
【００３７】
６．上記５記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
【００３９】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００４０】
【化６】
0004385202.tif 000006
【００４１】
で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を提供する。
【００４２】
式中、Ｒはフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基に置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアルキル基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基が好ましい。Ｘa、ＸbおよびＸcは水素原子またはフッ素原子を表すが、液晶性および高速応答性を向上させるためには水素原子であることが好ましく、相溶性を向上させるためにはＸaまたはＸbはフッ素原子が好ましく、大きな負の誘電率異方性が求められる場合にはＸbまたはＸcはフッ素原子が好ましい。但し、Ｒがアルキル基且つＺが置換されていないアルキル基またはアルコキシル基あるいはシアノ基のとき、Ｘa、ＸbおよびＸcのうち少なくとも１個はフッ素原子を表す。Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいはフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいはフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基あるいはシアノ基が好ましく、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１〜６の直鎖状アルコキシル基あるいは３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トランス−２−プロペニルオキシ基、トランス−２−ブテニルオキシ基、トランス−４−ペンテニルオキシ基、トランス−４−ヘキセニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、メトキシエチル基、メトキシエトキシ基またはシアノ基がさらに好ましい。デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。
【００４３】
一般式（Ｉ）においては、そのＲ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺの選択によって多種の化合物群を包含するけれども、それらの中では一般式（Ｉａ）〜（Ｉｎ）
【００４４】
【化７】
0004385202.tif 000007
【００４５】
【化８】
0004385202.tif 000008
【００４６】
【化９】
0004385202.tif 000009
【００４７】
【化１０】
0004385202.tif 000010
【００４８】
【化１１】
0004385202.tif 000011
【００４９】
【化１２】
0004385202.tif 000012
【００５０】
【化１３】
0004385202.tif 000013
【００５１】
で表される化合物が好ましい。式中、Ｒaは炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒbは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基あるいは３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トリフルオロメチル基または２−メトキシエチル基を表し、Ｒcは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基あるいは２−プロペニル基、トランス−２−ブテニル基、トランス−４−ペンテニル基、トランス−４−ヘキセニル基または２−メトキシエチル基を表す。
【００５２】
一般式（Ｉ）の化合物はそのＺの表すところに応じて以下の工程に基づいて製造することができる。
【００５３】
製法イ）  Ｚが水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基の場合
一般式（ＩＩＩａ）
【００５４】
【化１４】
0004385202.tif 000014
【００５５】
（式中、Ｘa、ＸbおよびＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｗaは臭素またはヨウ素原子を表し、Ｚaは水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基を表す。）で表されるハロゲン化ベンゼンから調製されたグリニヤール反応剤あるいはフェニルリチウム反応剤等の有機金属反応剤を一般式（ＩＩ）
【００５６】
【化１５】
0004385202.tif 000015
【００５７】
（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス配置である。）で表される６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オン（この化合物は前述のドイツ公開特許３１５０３１２号公報に記載された製造方法に基づき製造できる。）と反応させ、次いで酸触媒存在下で脱水させることにより、オクタヒドロナフタレン誘導体（ＩＶａ）
【００５８】
【化１６】
0004385202.tif 000016
【００５９】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺaは前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを水素添加した後、必要に応じてシス／トランスの異性化を行い、トランス体を分離して一般式（Ｉ）におけるＺが水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基である化合物を得ることができる。
【００６０】
製法ロ）  Ｚが臭素またはヨウ素のハロゲン原子の場合
製法イ）で得られた一般式（Ｉ−ｓ）
【００６１】
【化１７】
0004385202.tif 000017
【００６２】
（式中、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体に直接臭素化あるいはヨウ素化するか、あるいはアルキルリチウムでリチオ化した後、臭素あるいはヨウ素と反応させることにより一般式（Ｉ）におけるＺが臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物を得ることができる。
【００６３】
製法ハ）  Ｚがアルケニルオキシ基の場合
一般式（ＩＩＩｂ）
【００６４】
【化１８】
0004385202.tif 000018
【００６５】
（式中、Ｘa、ＸbおよびＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｗbは臭素またはヨウ素原子を表し、Ｒaはメチル基またはメトキシエトキシエチル基などの水酸基の保護基を表す。）で表されるハロゲン化ベンゼンからグリニヤール反応剤を調製し、製法イ）と同様に一般式（ＩＩ）の６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オンと反応させ、次いで酸触媒存在下で脱水させることにより、オクタヒドロナフタレン誘導体（ＩＶｂ）
【００６６】
【化１９】
0004385202.tif 000019
【００６７】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＲaは前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを水素添加した後、必要に応じてシス／トランスの異性化を行い、トランス体を分離し、臭化水素酸などにより脱保護して、フェノール誘導体（Ｉ−ｔ）
【００６８】
【化２０】
0004385202.tif 000020
【００６９】
（式中、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを塩基でアルコラートとしてから一般式（ＩＩＩｃ）
【００７０】
【化２１】
0004385202.tif 000021
【００７１】
（式中、Ｒbはアルケニル基を表し、Ｗcは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表す。）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ）におけるＺがアルケニルオキシ基である化合物を得ることができる。
【００７２】
あるいは、フェノール誘導体（Ｉ−ｔ）をアルコラートとした後、一般式（ＩＩＩｄ）
【００７３】
【化２２】
0004385202.tif 000022
【００７４】
（式中、Ｗdは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表し、Ｒcはフッ素あるいはアルコキシル基に置換されてもよいアルキル基を表す。）で表される化合物と反応させ、酸触媒存在下で脱アセタールして得られたアルカナール誘導体に一般式（Ｖａ）
【００７５】
【化２３】
0004385202.tif 000023
【００７６】
（式中、Ｒdはフッ素あるいはアルコキシル基に置換されてもよいアルキル基を表す。）で表されるウィッティッヒ反応剤を反応させることにより、一般式（Ｉ）におけるＺがアルケニルオキシ基である化合物を得ることもできる。
【００７７】
製法ニ）  Ｚがアルケニル基の場合
一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいは臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物から調製された有機金属反応剤（Ｉ−ｕ）
【００７８】
【化２４】
0004385202.tif 000024
【００７９】
（式中、ＹaはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｌｉ、ＣｕＬｉまたはＢ（ＯＨ）2などの金属または含金属基を表し、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される有機金属反応剤を一般式（ＩＩＩｃ）で表される化合物と遷移金属触媒存在下にカップリング反応させることにより、一般式（Ｉ）におけるＺがアルケニル基である化合物を得ることができる。遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
【００８０】
あるいは、一般式（Ｉ−ｖ）
【００８１】
【化２５】
0004385202.tif 000025
【００８２】
（式中、Ｗeは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表し、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を一般式（ＩＩＩｅ）
【００８３】
【化２６】
0004385202.tif 000026
【００８４】
（式中、ＹbはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｌｉ、ＣｕＬｉまたはＢ（ＯＨ）2などの金属または金属塩を表し、Ｒeはアルケニル基を表す。）で表される有機金属反応剤を遷移金属触媒存在下にカップリング反応させることにより得ることもできる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
【００８５】
製法ホ）  Ｚがシアノ基の場合
一般式（Ｉ―ｖ）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体をシアン化銅（Ｉ）または遷移金属触媒存在下にシアン化ナトリウムあるいはシアン化カリウムと反応させることにより、一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることができる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
【００８６】
あるいは、一般式（Ｉ−ｕ）で表される有機金属反応剤を二酸化炭素と反応させることにより、一般式（Ｉ−ｗ）
【００８７】
【化２７】
0004385202.tif 000027
【００８８】
（式中、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される安息香酸誘導体を得る。これを塩化チオニル等の塩素化剤で酸塩化物（Ｉ−ｘ）
【００８９】
【化２８】
0004385202.tif 000028
【００９０】
（式中、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）とした後、アンモニアを反応させて酸アミドとし、次いで脱水することにより一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることもできる。
【００９１】
あるいは、一般式（Ｉ−ｓ）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体において、塩化アルミニウム等のルイス酸存在下にシュウ酸ジクロリドと反応させることにより一般式（Ｉ−ｘ）で表される酸塩化物を直接得て、前述と同様にして一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることもできる。
【００９２】
あるいは、一般式（Ｉ−ｓ）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体において、塩化アルミニウム等のルイス酸存在下にアセチル化することにより、一般式（Ｉ−ｙ）
【００９３】
【化２９】
0004385202.tif 000029
【００９４】
（式中、Ｒ、Ｘa、ＸbおよびＸcは前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるアセトフェノン誘導体を得て、次亜塩素酸等で酸化することにより一般式（Ｉ−ｗ）で表される安息香酸誘導体を得て、前述と同様にして一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることもできる。
【００９５】
あるいは、一般式（ＩＩＩｅ）
【００９６】
【化３０】
0004385202.tif 000030
【００９７】
（式中、Ｘa、ＸbおよびＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｗfは臭素またはヨウ素原子を表し、Ｚbは４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン−２−エン−２−イル基の如きカルボキシル基の保護基を表す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体からグリニヤール反応剤を調製し、製法イ）と同様に一般式（ＩＩ）の６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オンと反応させ、次いで酸触媒存在下で脱水させることにより、オクタヒドロナフタレン誘導体（ＩＶｃ）
【００９８】
【化３１】
0004385202.tif 000031
【００９９】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺbは前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを水素添加した後、必要に応じてシス／トランスの異性化を行い、トランス体を分離してフェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｉ−ｚ）
【０１００】
【化３２】
0004385202.tif 000032
【０１０１】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺbは前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを脱保護することにより一般式（Ｉ−ｗ）で表される安息香酸誘導体を得て、前述と同様にして一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることもできる。
【０１０２】
あるいは、フェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｉ−ｚ）において、Ｚbが４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン−２−エン−２−イル基等の場合、オキシ塩化リン等の酸性脱水剤を用いることにより、一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を得ることもできる。
【０１０３】
斯くして製造される本発明の化合物（Ｉ）の代表的な例を第１表にまとめて示す。
【０１０４】
【表１】
0004385202.tif 000033
【０１０５】
（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体をそれぞれ示す。また、（  ）内はその相がモノトロピックであることを表す。）
一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下のとおりである。
【０１０６】
第１表中に表された（Ｉ−３）
【０１０７】
【化３３】
0004385202.tif 000034
【０１０８】
の化合物を、汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ）
【０１０９】
【化３４】
0004385202.tif 000035
【０１１０】
に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−３）を調製したところ、そのネマチック相上限温度（ＴN-I）は６５．３℃であった。この（Ｈ−３）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ２℃であった。
【０１１１】
次に、（Ｈ−３）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）    ４．０
閾値電圧（Ｖｔｈ）    １．６８Ｖ
応答時間（τ）        ４１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）    ０．０８４
【０１１２】
一方、ホスト液晶（Ｈ）単独での物性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ７２．５℃
誘電率異方性（Δε）      -１．３
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８５
【０１１３】
ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間である。ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるために電場応答しないが、（Ｈ−３）では（Ｉ−３）を２０％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．０と大きくなり、低電圧駆動が可能となり、４１．５ｍ秒という高速応答も可能となった。しかもネマチック相上限温度（ＴN-I）の低下も約７℃程度に抑えることができた。
【０１１４】
これに対して、フッ素置換されていない６−シアノナフタレン誘導体である（Ｒ−１）
【０１１５】
【化３５】
0004385202.tif 000036
【０１１６】
を（Ｈ）に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ１）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ８３．０℃
誘電率異方性（Δε）      ２．１
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．７０Ｖ
応答時間（τ）            ３８．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８８
【０１１７】
（Ｈ−Ａ）はＴN-Iが（Ｈ−３）より高くホスト液晶（Ｈ）に対しても約１０℃も上昇しており、また応答時間もやや低減されている。しかしながら、Δεが（Ｈ−３）と比較してかなり減少し、そのために閾値電圧（Ｖｔｈ）が大幅に上昇していることがわかる。また、（Ｈ−Ｒ１）を同様に−２０℃で放置したところ、１週間以内に結晶が析出した。
【０１１８】
次に、第１表中に表された（Ｉ−１）
【０１１９】
【化３６】
0004385202.tif 000037
【０１２０】
の化合物を（Ｈ）に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−１）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ７６．５℃
誘電率異方性（Δε）      ３．２
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．３０Ｖ
応答時間（τ）            ４０．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８５
【０１２１】
従って、（Ｈ−３）と比較して、閾値電圧（Ｖｔｈ）は高くなっているものの、ネマチック相上限温度は１０℃以上高くなり、その応答性もわずかではあるが改善されている。また、この（Ｈ−１）を同様に−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。
【０１２２】
これに対して（Ｉ−１）におけるトランスデカヒドロナフチレン基がシクロヘキシレン基に置き換わった構造を有する、３−フルオロ−４−シアノベンゼン誘導体である（Ｒ−２）
【０１２３】
【化３７】
0004385202.tif 000038
【０１２４】
を（Ｈ）に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ２）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ５８．５℃
誘電率異方性（Δε）      ３．６
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．２Ｖ
応答時間（τ）            ３６．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８４
【０１２５】
これを（Ｈ−１）と比較すると、（Ｈ−Ｒ２）のΔεは（Ｈ−１）より増大し、Ｖｔｈはより効果的に低減されていることがわかる。また、その応答も（Ｈ−１）より高速であった。しかしながら、そのＴN-Iは（Ｈ−１）と比較して２０℃近くも低下してしまった。
【０１２６】
以上のように、一般式（Ｉ）の化合物は、他の液晶化合物との相溶性に優れ、ネマチック液晶性に優れ、その添加により誘電率異方性を大きく増大させてその閾値電圧を低減することが可能であり、かつ高速応答が可能であるといった特長を併せ有する点で、従来知られている構造の比較的類似した（Ａ）や（Ｂ）の化合物と比較してもより優れていることがわかる。
【０１２７】
次に、第１表中に表された（Ｉ−７）
【０１２８】
【化３８】
0004385202.tif 000039
【０１２９】
の化合物を、温度範囲が広く低粘性でアクティブマトリックス駆動にも使用可能なホスト液晶組成物（Ｊ）
【０１３０】
【化３９】
0004385202.tif 000040
【０１３１】
に２０重量％添加して液晶組成物（Ｊ−７）を調製した。ここで（Ｊ）の物性値ならびにそれを用いて作成した液晶素子の電気光学的特性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            １１６．７℃
融点（ＴC-N）          ＋１１℃
誘電率異方性（Δε）      ４．８
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．１４Ｖ
応答時間（τ）            ２５．３ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０９０
【０１３２】
これに対して（Ｊ−７）の物性値ならびにそれを用いて同様に作成した液晶素子の電気光学的特性値は以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ８８．７℃
融点（ＴC-N）          ＋１３℃
誘電率異方性（Δε）      ５．７
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６９Ｖ
応答時間（τ）            ３１．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８０
【０１３３】
従って、（Ｉ−７）を２０％添加することにより、そのネマチック相上限温度（ＴN-I）の降下を２８℃に抑えながら、その閾値電圧（Ｖｔｈ）を０．４５Ｖも低減することができた。さらにその応答時間も６ｍ秒以内の増加に抑えることができた。また、冷却して結晶化させ、測定したその融点（ＴC-N）は１３℃でホスト液晶（Ｊ）とほとんど変化がなく、（Ｉ−７）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。また、（Ｊ−７）のネマチック相上限温度（ＴN-I）から外挿した（Ｉ−７）単独でのネマチック相上限温度は−２３℃であった。
【０１３４】
次に、この素子の室温および８０℃における電圧保持率を測定したがいずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
【０１３５】
これに対して（Ｉ−７）におけるトランスデカヒドロナフチレン基がシクロヘキシレン基に置き換わった構造を有するシクロヘキシルベンゼン誘導体（Ｒ−３）
【０１３６】
【化４０】
0004385202.tif 000041
【０１３７】
を（Ｈ）に同量（２０％）添加して液晶組成物（Ｊ−Ｒ３）を調製したところ、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は７０℃と大きく降下した。これから外挿した（Ｒ−３）単独でのネマチック相上限温度は−１００℃以下であった。従って、（Ｉ−７）と比較して液晶性がかなり低いことがわかる。
【０１３８】
この組成物の他の物性値ならびに同様にして作成した素子の電気光学特性値は以下のとおりである。
誘電率異方性（Δε）      ５．６
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．５８Ｖ
応答時間（τ）            ３０．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８０
【０１３９】
従って、（Ｉ−７）と比較してネマチック相上限温度（ＴN-I）が２０℃近くも降下しているにもかかわらず、閾値電圧（Ｖｔｈ）は０．１Ｖ程度しか低減されておらず、応答時間もほとんど変化がないことがわかる。
【０１４０】
次に、（Ｉ−７）と類似の構造を有するが、（Ｉ−７）におけるトランスデカヒドロナフチレン基がビシクロヘキサン−４，４’−ジイル基に置き換わった構造を有するフェニルビシクロヘキサン誘導体（Ｒ−４）
【０１４１】
【化４１】
0004385202.tif 000042
【０１４２】
を（Ｈ）に同量（２０％）添加して液晶組成物（Ｊ−Ｒ４）を調製した。この組成物の物性値ならびに同様にして作成した素子の電気光学特性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            １１１．０℃
融点（ＴC-N）          ＋２５℃
誘電率異方性（Δε）      ５．９
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．００Ｖ
応答時間（τ）            ３７．８ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８７
【０１４３】
従って、ＴN-Iはホスト液晶と同程度と非常に高いが、Ｖｔｈはホスト液晶より０．１４Ｖ程度低減されたにすぎず、（Ｊ−７）よりかなり高くなった。また、応答時間は（Ｊ−７）より７ｍ秒近くも遅くなってしまった。さらに融点はホスト液晶より１３℃も上昇しており、この（Ｒ−４）の化合物のホスト液晶に対する溶解性はあまり優れていないことがわかる。
【０１４４】
以上のように、本発明の（Ｉ−７）の化合物は温度範囲が広く、閾値電圧が低く、高速応答が可能な液晶組成物を調製するうえにおいて従来の化合物より優れた効果を有していることがわかる。
【０１４５】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に温度範囲が広く低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使用することができる。またシアノ基を含有しない（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【０１４６】
本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二〜第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。
【０１４７】
即ち、第二成分はいわゆるフッ素系（ハロゲン系）のｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（Ａ１）〜（Ａ３）で示される化合物からなるものである。
【０１４８】
【化４２】
0004385202.tif 000043
【０１４９】
上式中、Ｒbは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。また、分岐により不斉炭素が生じる場合には、化合物として光学活性であってもラセミ体であってもよい。
【０１５０】
環Ａ、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基または１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基が好ましい。特に環Ｂがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、環Ｃがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に環Ｂおよび環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。また、（Ａ３）において環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。
【０１５１】
Ｌa、ＬbおよびＬcは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合またはエチレン基が特に好ましい。また、（Ａ２）においてはその少なくとも１個が、（Ａ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０１５２】
環Ｚは芳香環であり以下の一般式（ＩＸａ）〜（ＩＸｃ）で表すことができる。
【０１５３】
【化４３】
0004385202.tif 000044
【０１５４】
式中、Ｙa〜Ｙjはそれぞれ独立的に水素原子あるいはフッ素原子を表すが、（ＩＸａ）において、ＹaおよびＹbの少なくとも１個はフッ素原子であることが好ましく、（ＩＸｂ）において、Ｙd〜Ｙfの少なくとも１個はフッ素原子であることが好ましく、特にＹdはフッ素原子であることがさらに好ましい。
【０１５５】
末端基Ｐaはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基またはジフルオロメチル基あるいは２個以上のフッ素原子により置換された炭素原子数２または３のアルコキシル基、アルキル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
【０１５６】
また、（Ａ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０１５７】
第三成分はいわゆるシアノ系のｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で示される化合物からなるものである。
【０１５８】
【化４４】
0004385202.tif 000045
【０１５９】
上式中、Ｒcは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。また、分岐により不斉炭素が生じる場合には、化合物として光学活性であってもラセミ体であってもよい。
【０１６０】
環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基または１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基が好ましい。特に環Ｅがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に、環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、環Ｆがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に環Ｄおよび環Ｅはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。また、（Ｂ３）において環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。
【０１６１】
Ｌd、ＬeおよびＬfは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、エチレン基または−ＣＯＯ−が特に好ましい。また、（Ｂ２）においてはその少なくとも１個が、（Ｂ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０１６２】
環Ｙは芳香環であり以下の一般式（ＩＸｄ）〜（ＩＸｆ）で表すことができる。
【０１６３】
【化４５】
0004385202.tif 000046
【０１６４】
式中、Ｙh〜Ｙnはそれぞれ独立的に水素原子あるいはフッ素原子を表すが、（ＩＸｅ）において、ＹnおよびＹoは水素原子であることが好ましい。
末端基Ｐaはシアノ基（−ＣＮ）、シアナト基（−ＯＣＮ）または−Ｃ≡ＣＣＮを表すが、シアノ基が好ましい。
【０１６５】
また、（Ｂ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０１６６】
第四成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆるｎ型液晶であり、以下の一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で示される化合物からなるものである。
【０１６７】
【化４６】
0004385202.tif 000047
【０１６８】
上式中、ＲdおよびＲeはそれぞれ独立的に炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基または末端が炭素原子数１〜３アルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基が好ましく、さらに少なくとも一方は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基または炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基であることが特に好ましい。
【０１６９】
環Ｇ、環Ｈ、環Ｉおよび環Ｊはそれぞれ独立的に、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、他の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基であることが好ましい。
【０１７０】
Ｌg、ＬhおよびＬiは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−が好ましく、（Ｃ２）においてはその少なくとも１個が、（Ｃ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０１７１】
また、（Ｃ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０１７２】
（Ｃ１）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ１ａ）〜（Ｃ１ｈ）で表すことができる。
【０１７３】
【化４７】
0004385202.tif 000048
【０１７４】
上記各式中、ＲfおよびＲgはそれぞれ独立的に炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基または末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表すが、少なくとも一方は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基または炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基を表す。ただし、環Ｇ１〜環Ｇ８が芳香環の場合、対応するＲfは１−アルケニル基およびアルコキシル基を除き、環Ｈ１〜環Ｈ８が芳香環の場合、対応するＲgは１−アルケニル基およびアルコキシル基を除く。
【０１７５】
環Ｇ１および環Ｈ１はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。環Ｇ２および環Ｈ２はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。環Ｇ３および環Ｈ３はそれぞれ独立的に１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すが、各化合物において１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基は１個以内であることが好ましい。
【０１７６】
（Ｃ２）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ２ａ）〜（Ｃ２ｍ）で表すことができる。
【０１７７】
【化４８】
0004385202.tif 000049
【０１７８】
上式中、環Ｇ１、環Ｇ２、環Ｇ３、環Ｈ１、環Ｈ２および環Ｈ３は前述の意味を表し、環Ｉ１は環Ｇ１と、環Ｉ２は環Ｇ２と、環Ｉ３は環Ｇ３とそれぞれおなじ意味を表す。また、上記各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。
【０１７９】
次に（Ｃ３）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ３ａ）〜（Ｃ３ｆ）で表すことができる。
【０１８０】
【化４９】
0004385202.tif 000050
【０１８１】
上式中、環Ｇ１、環Ｇ２、環Ｈ１、環Ｈ２、環Ｉ１および環Ｉ２は前述の意味を表し、環Ｊ１は環Ｇ１また環Ｊ２は環Ｇ２とそれぞれおなじ意味を表す。また、上記各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。
【０１８２】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明をさらに説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１８３】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）および赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。組成物の％は重量％を表す。
【０１８４】
（参考例）６−プロピルトランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
【０１８５】
【化５０】
0004385202.tif 000051
【０１８６】
（１−ｉ）６−プロピル−４，４ａ，５，６，７，８−ヘキサヒドロ−３Ｈ−ナフタレン−２−オンの合成
４−プロピルシクロヘキサノン２１１ｇをトルエン６００ｍＬ中に溶解し、ピロリジン２２５ｍＬを加える。、水分離器を取り付けた装置で、溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。そのまま加熱を続けながら、ピロリジンとトルエンを溜去した後、室温に戻してトルエン８００ｍＬを加え、２０℃以下に冷却しながら、メチルビニルケトン１３０ｍＬを３０分間かけて滴下した。滴下後、２時間加熱還流し、室温まで放冷した。酢酸ナトリウム６２ｇ、氷酢酸１３０ｍＬおよび水１３０ｍＬを混合した水溶液を加え、２時間加熱還流した後、室温まで放冷した。有機層を分離して、水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた油状物２３７ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍＬに溶解し、３Ｍ塩酸３００ｍＬを加えた。５時間加熱還流後室温に戻し、有機層を分離し、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、６−プロピル−４，４ａ，５，６，７，８−ヘキサヒドロ−３Ｈ−ナフタレン−２−オンの黄色液体２２３ｇを得た。
ＩＲ（ｎｅａｔ）１６７６，１６２２ｃｍ-1
1Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ５．７（ｓ，１Ｈ），２．２−１．６（ｍ，１２Ｈ），１．４−１．２（ｍ，４Ｈ），０．９（ｔ，３Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ１９９，１６８，１２５，４２−３０，２１，１５
ＭＳ  ｍ／ｚ１９２，１６４，１４９，１３５，１２１，１０７，９４，７９，６６，５５
【０１８７】
（１−ｉｉ）６−プロピルトランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
−４０℃以下に冷却しながら、液体アンモニア中２Ｌに金属リチウム２５ｇを少量ずつ加えて溶解させた。内温を−３０〜−４０℃に保ちながら、（１−ｉｉ）で得られた６−プロピル−４，４ａ，５，６，７，８−ヘキサヒドロ−３Ｈ−ナフタレン−２−オン２２３ｇ、ｔ−ブタノール１３０ｍＬのＴＨＦ５００ｍＬ溶液を滴下し、滴下後、３０分間攪拌を続けた。固体の塩化アンモニウムを少量ずつ加えてリチウムを酸化した後、室温まで昇温し、アンモニアを留去した。水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、減圧蒸留（沸点１３０−１５６℃、０．８ＫＰａ）して６−プロピルトランスデカヒドロナフタレン−２−オンの淡黄色液体１５４ｇを得た。
ＩＲ（ｎｅａｔ）１７１９ｃｍ-1
1Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ２．７（ｓ，１Ｈ），２．４−１．１（ｍ，１２Ｈ），１．４−１．０（ｍ，４Ｈ），０．９（ｔ，３Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ１９９，１６８，１２５，４２−３０，２１，１５
ＭＳ  ｍ／ｚ１９４，１７６，１６５，１５０，１３７，１２１，１０７，９５，８１，６７，５５
同様にして以下の化合物を得る。
【０１８８】
６−メチルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
６−エチルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
６−ブチルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
６−ペンチルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
６−ヘキシルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
６−ヘプチルトランスデカヒドロナフタレン−２−オン
【０１８９】
（実施例１）トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン（Ｉ−３）の合成
【０１９０】
【化５１】
0004385202.tif 000052
【０１９１】
（１−ａ）トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）トランスデカヒドロナフタレンの合成
マグネシウム２．４ｇをＴＨＦ５ｍＬに懸濁し、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼン１７．６ｇのＴＨＦ８０ｍＬ溶液をＴＨＦが穏やかに還流する速さで約３０分かけて滴下した。さらに１時間撹拌後、６−プロピル−オクタヒドロナフタレン−２−オン２０ｇのＴＨＦ８０ｍＬ溶液を３０分間かけ滴下した。さらに２時間撹拌後、１０％塩酸８０ｍＬを加えた。ヘキサン１００ｍＬを加え、有機層を分離し、水層はヘキサン１００ｍＬで抽出し有機層を併せた。水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、トルエン１０５ｍＬとｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．７ｇを加え、溜出する水分を分離除去しながら１１０℃で加熱撹拌した。水の溜出がなくなってから、室温に戻し、水５０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し全量を酢酸エチル１００ｍＬに溶解し、５％パラジウム−炭素３．０ｇを加え、オ−トクレ−ブ中、水素圧４００ＫＰａ下で撹拌した。室温で５時間撹拌後、触媒をセライト濾過により除き、溶媒を溜去してトランス−６−プロピル−２−（３，５−ジフルオロフェニル）トランスデカヒドロナフタレンのトランス／シス混合物を得た。この全量をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１００ｍＬに溶解し、t−ブトキシカリウム２．４ｇを加え、７０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却した後、水１００ｍＬを加え、トルエン１００ｍＬで２回抽出した。有機層を併せ、１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製し、さらにエタノ−ルから再結晶して、トランス−６−プロピル−トランス−２−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレンの白色結晶１６．５ｇを得た。
【０１９２】
（１−ｂ）トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレンの合成
（１−ａ）で得られたトランス−６−プロピル−トランス−２−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン１６．５ｇをＴＨＦ７０ｍＬに溶解し、−７８℃に冷却する。１．６Ｍブチルリチウム−ヘキサン溶液３８．６ｍＬを内温が−５０℃を越えないよう、３０分かけ滴下した。さらに２０分攪拌した後、内温が−５０℃を越えないようにして、二酸化炭素を吹き込んだ。発熱が起こらなくなったら、徐々に室温まで昇温し、水５０ｍＬおよびヘキサン５０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し全量を１，２−ジクロロエタン１７０ｍＬに溶解し、塩化チオニルを８．１ｇおよびピリジン０．１ｍＬを加え、室温で５時間攪拌した。溶媒を溜去し全量をジクロロメタン１００ｍＬに溶解し、攪拌しながらアンモニアガスを吹き込んだ。２時間後濾過し、残渣をＤＭＦ１００ｍＬに溶解し、塩化オキサリル７．９ｇを滴下した。さらに１時間攪拌後、氷水に注ぎ、トルエン１００ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製し、さらにエタノ−ルから再結晶して、トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレンの白色結晶９ｇを得た。
【０１９３】
同様にして以下の化合物を得る。
【０１９４】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
【０１９５】
（実施例２）トランス−２−プロピル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン（Ｉ−１）の合成
【０１９６】
【化５２】
0004385202.tif 000053
【０１９７】
酢酸１００ｍＬおよび４８％臭化水素酸水溶液１００ｍＬにトランス−２−プロピル−トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）トランスデカヒドロナフタレン（この化合物は（１−ａ）の１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンに換え、１−ブロモ−３−フルオロ−４−メトキシベンゼンを用い、他は同様にして得た。）２０ｇを加え、２０時間加熱還流させた。室温に戻し、水およびトルエンを加え、有機層を分離した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し全量をジクロロメタン１００ｍＬに溶解し、無水トリフルオロメタンスルホン酸１９．７ｇを加え、５℃に冷却した。激しく撹拌しながら、ピリジン１２ｍＬを滴下した後さらに１時間撹拌した。水を加えて、反応を停止させ、有機層を分取し、水層をジクロロメタンで抽出し、有機層を併せ、１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製後、溶媒を溜去し、全量をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解し、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）１．７ｇ、トリフェニルホスフィン１．４ｇ、亜鉛粉０．３ｇ、シアン化カリウム８．５ｇを加え、８０℃で１６時間加熱撹拌させた。水を加え反応を停止し、有機層をさらに水で洗滌後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し、さらにエタノ−ルから再結晶して５−フルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ナフタレンの白色固体１２．５ｇを得た。
【０１９８】
同様にして以下の化合物を得る。
【０１９９】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）トランスデカヒドロナフタレン
【０２００】
（実施例３）トランス−６−プロピル−トランス−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン（Ｉ−７）の合成
【０２０１】
【化５３】
0004385202.tif 000054
【０２０２】
マグネシウム３．６ｇをＴＨＦ３．５ｍＬに懸濁し、１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン２５．８ｇのＴＨＦ１１０ｍＬ溶液をＴＨＦが穏やかに還流する速さで約３０分かけて滴下した。さらに１時間撹拌後、６−プロピル−オクタヒドロナフタレン−２−オン２０ｇのＴＨＦ８６ｍＬ溶液を３０分間かけ滴下した。さらに２時間撹拌後、１０％塩酸５０ｍＬを加えた。ヘキサンを加え、有機層を分離し、水層はヘキサンで抽出し有機層を併せた。水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、トルエン１００ｍＬとｐ−トルエンスルホン酸１水和物２．０ｇを加え、溜出する水分を分離除去しながら１１０℃で加熱撹拌した。水の溜出がなくなってから、室温に戻し、水５０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し全量を酢酸エチル２００ｍＬに溶解し、５％パラジウム−炭素２．５ｇを加え、オ−トクレ−ブ中、水素圧４００ＫＰａ下で撹拌した。室温で５時間撹拌後、触媒をセライト濾過により除き、溶媒を溜去してトランス−６−プロピル−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）トランスデカヒドロナフタレンのトランス／シス混合物を得た。この全量をＤＭＦ５５ｍＬに溶解し、t−ブトキシカリウム１ｇを加え、７０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却した後、水１００ｍＬを加え、ヘキサン１００ｍＬで２回抽出した。有機層を併せ、１０％塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製し、さらにエタノ−ルから再結晶して、トランス−６−プロピル−トランス−２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレンの白色結晶５ｇを得た。
ＩＲ（ｎｅａｔ）１６１５，１５３０ｃｍ-1
1Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ７．４−６．８（ｍ，２Ｈ），２．５−２．８（ｍ，４Ｈ），１．９−０．７（ｍ，１８Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ6）δ１５４，１５０，１４０，１３７，１４６，１１２，４３−３４，２１，１５
MS m/z ３１０，２６７，２４７，２２５，２１１，１９７，１８５，１７１，１５８，１４５，１３５，１２３，１０９，９５，８１，６７，５５
【０２０３】
同様にして以下の化合物を得る。
【０２０４】
トランス−２−メチル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２０５】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２０６】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２０７】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２０８】
トランス−２−メチル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２０９】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１０】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１１】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１２】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１３】
トランス−２−メチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１４】
トランス−２−メチル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−エチル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−プロピル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ブチル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ペンチル−トランス−６−（（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘキシル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
トランス−２−ヘプチル−トランス−６−（２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン
【０２１５】
（実施例４）液晶組成物の調製（１）
汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ）
【０２１６】
【化５４】
0004385202.tif 000055
【０２１７】
を調製した。この（Ｈ）は７２．５℃以下でネマチック相を示し、その融点は１７℃である。この組成物の物性値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）    −１．３
屈折率異方性（Δｎ）    ０．０８５
【０２１８】
次にこのホスト液晶（Ｈ）の８０％と実施例１で得られた本発明の化合物である（Ｉ−３）
【０２１９】
【化５５】
0004385202.tif 000056
【０２２０】
からなる液晶組成物（Ｈ−３）を調製した。この組成物の液晶（ネマチック）相上限温度（ＴN-I）は６５．３℃であり、（Ｈ）に対する低下を約７℃程度に抑えることができた。この（Ｈ−３）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ２℃であった。これから、（Ｉ−３）の化合物は汎用液晶との相溶性にも優れていることがわかる。
【０２２１】
次に、この（Ｈ−３）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）      ４．０
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６８Ｖ
応答時間（τ）            ４１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８４
【０２２２】
ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間である。
【０２２３】
ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるため応答しないが、（Ｈ−３）では（Ｉ−３）を２０％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．０と大きくなり、４１．５ｍ秒という高速応答が可能となった。
【０２２４】
（比較例１）
実施例４において、（Ｉ−３）に換えて、フッ素置換されていない６−シアノナフタレン誘導体である（Ｒ−１）
【０２２５】
【化５６】
0004385202.tif 000057
【０２２６】
を（Ｈ）に同量（２０％）添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ１）を調製した。この組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は８３．０℃と（Ｈ）よりも上昇した。しかしながら、同様にして−２０℃で放置したところ、１週間以内に結晶が析出した。従って、（Ｒ−１）の汎用液晶に対する相溶性は（Ｉ−３）より劣っていることがわかる。
【０２２７】
次に同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）      ２．１
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．７０Ｖ
応答時間（τ）            ３８．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８８
【０２２８】
（Ｈ−Ｒ１）はＴN-Iが（Ｈ−３）より約１８℃も高くなり、また応答時間もやや低減されている。しかしながら、Δεが（Ｈ−３）と比較してかなり減少し、そのために閾値電圧（Ｖｔｈ）が大幅に上昇しており、低電圧駆動には適さなくなっていることがわかる。
【０２２９】
（実施例５）液晶組成物の調製（２）
ホスト液晶（Ｈ）の８０％と実施例２で得られた（Ｉ−１）
【０２３０】
【化５７】
0004385202.tif 000058
【０２３１】
の化合物２０％からなるネマチック液晶組成物（Ｈ−１）を調製した。その物性値ならびに同様にして液晶素子を作成して測定したその電気光学特性は以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ７６．５℃
誘電率異方性（Δε）      ３．２
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．３０Ｖ
応答時間（τ）            ４０．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８５
【０２３２】
従って、（Ｈ−３）と比較して、閾値電圧（Ｖｔｈ）は少し高くなっているものの、ネマチック相上限温度は１０℃以上高くなり、その応答性もわずかではあるが改善されている。また、この（Ｈ−１）を同様に−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。
【０２３３】
（比較例２）
実施例４において、（Ｉ−１）に換えて、（Ｉ−１）におけるトランスデカヒドロナフチレン基がシクロヘキシレン基に置き換わった構造を有する、３−フルオロ−４−シアノベンゼン誘導体である（Ｒ−２）
【０２３４】
【化５８】
0004385202.tif 000059
【０２３５】
を（Ｈ）に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ２）を調製した。その物性値ならびに同様にして液晶素子を作成して測定したその電気光学特性は以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ５８．５℃
誘電率異方性（Δε）      ３．６
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．２Ｖ
応答時間（τ）            ３６．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８４
【０２３６】
（Ｈ−Ｒ２）のΔεは（Ｈ−１）より増大し、Ｖｔｈはより効果的に低減されていることがわかる。また、その応答も（Ｈ−１）より高速であった。しかしながら、そのＴN-Iは（Ｈ−１）と比較して２０℃近くも低下してしまった。従って、（Ｒ−２）のようなフェニルシクロヘキサン誘導体では低電圧駆動と広い温度範囲を合わせ有する液晶組成物の調製が困難であることがわかる。
【０２３７】
（実施例６）液晶組成物の調製（３）
温度範囲が広く低粘性でアクティブマトリックス駆動にも使用可能な汎用のホスト液晶（Ｊ）
【０２３８】
【化５９】
0004385202.tif 000060
【０２３９】
を調製した。この（Ｊ）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。この組成物の物性値ならびに、これを用いて作成したセル厚６．０μｍのＴＮセルにおける閾値電圧（Ｖｔｈ）の２０℃における測定値は以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．１４Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ４．８
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０９０
【０２４０】
次にこのホスト液晶（Ｊ）の８０％と実施例３で得られた本発明の化合物である（Ｉ−７）
【０２４１】
【化６０】
0004385202.tif 000061
【０２４２】
２０％からなる液晶組成物（Ｊ−７）を調製したところ、ネマチック相上限温度は８８．７℃で（Ｊ）より若干低くなった。この組成物は０℃で１ヶ月以上放置しても結晶の析出や相分離は観察されず、（Ｉ−７）は汎用の液晶との相溶性にも優れていることがわかる。次に−６０℃に冷却して結晶化させその融点を測定したところ、＋１３℃で（Ｊ）の融点とほぼ同程度であった。次にこの組成物を用いて同様に液晶素子を作成し、その特性値を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ８８．７℃
融点（ＴN-I）          １３．０℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６９Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ５．７
応答時間（τ）            ３１．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８０
【０２４３】
従って、（Ｉ−７）を２０％添加することにより、そのネマチック相上限温度（ＴN-I）の降下を２８℃に抑えながら、その閾値電圧（Ｖｔｈ）を０．４５Ｖも低減することができた。さらにその応答時間も６ｍ秒以内の増加に抑えることができた。また、冷却して結晶化させ、測定したその融点（ＴC-N）は１３℃でホスト液晶（Ｊ）とほとんど変化がなく、（Ｉ−７）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。また、（Ｊ−７）のネマチック相上限温度（ＴN-I）から外挿した（Ｉ−７）単独でのネマチック相上限温度は−２３℃であった。
【０２４４】
次に、この素子の室温および８０℃における電圧保持率を測定したがいずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
【０２４５】
（比較例３）
実施例６において、（Ｉ−７）に換えて、シクロヘキシルベンゼン誘導体（Ｒ−３）
【０２４６】
【化６１】
0004385202.tif 000062
【０２４７】
を（Ｊ）に同量（２０％）添加して液晶組成物（Ｊ−Ｒ３）を調製した。この組成物のネマチック相上限温度（ＴN-I）は７０℃と大きく降下した。これから外挿した（Ｒ−３）単独でのネマチック相上限温度は−１００℃以下であった。従って、（Ｉ−７）と比較して液晶性がかなり低いことがわかる。
【０２４８】
この組成物の他の物性値ならびに同様にして作成した素子の電気光学特性値は以下のとおりである。
閾値電圧（Ｖｔｈ）    １．５８Ｖ
誘電率異方性（Δε）    ５．６
応答時間（τ）        ３０．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）    ０．０８０
【０２４９】
従って、（Ｉ−７）と比較してネマチック相上限温度（ＴN-I）が２０℃近くも降下しているにもかかわらず、閾値電圧（Ｖｔｈ）は０．１Ｖ程度しか低減されておらず、応答時間もほとんど変化がないことがわかる。
【０２５０】
（比較例４）
実施例６において、（Ｉ−７）の化合物に換えて、（Ｉ−７）におけるトランスデカヒドロナフチレン基がビシクロヘキサン−４，４’−ジイル基に置き換わった構造を有するフェニルビシクロヘキサン誘導体（Ｒ−４）
【０２５１】
【化６２】
0004385202.tif 000063
【０２５２】
を（Ｊ）に同量（２０％）添加して液晶組成物（Ｊ−Ｒ４）を調製した。この組成物の物性値ならびに同様にして作成した素子の電気光学特性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            １１１．０℃
融点（ＴN-I）          ２５．０℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．００Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ５．９
応答時間（τ）            ３７．８ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８７
【０２５３】
従って、ネマチック相上限温度（ＴN-I）はホスト液晶と同程度と非常に高いが、閾値電圧（Ｖｔｈ）はホスト液晶より０．１４Ｖ程度低減されたにすぎず、（Ｊ−７）よりかなり高くなってしまっている。また、応答時間は（Ｊ−７）より７ｍ秒近くも遅くなってしまった。さらに融点はホスト液晶より１３℃も上昇しており、この（Ｒ−４）の化合物のホスト液晶に対する溶解性はあまり優れていないことがわかる。
【０２５４】
以上のように、本発明の（Ｉ−７）の化合物は温度範囲が広く、閾値電圧が低く、高速応答が可能な液晶組成物を調製するうえにおいて従来の化合物より優れた効果を有していることがわかる。
【０２５５】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に温度範囲が広く低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使用することができる。また（Ｉ−５）〜（Ｉ−９）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【０２５６】
（実施例７）液晶組成物の調製（４）
以下の組成からなる液晶組成物（Ｍ）を調製した。
【０２５７】
４重量％の４−エトキシ−１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
３重量％のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸４−メチルフェニル
３重量％のトランス−４−プロピルシクロヘキサンカルボン酸４−エトキシフェニル
３重量％のトランス−４−（４−メチルフェニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−ブチル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−ペンチル−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
３重量％の４，４’−ビス（３−ブテニル）ビシクロヘキサン
４重量％の１−（４−プロピルフェニル）−２−（４−メチルフェニル）エチン
３重量％の１−（４−エトキシフェニル）−２−（４−ペンチルフェニル）エチン
３重量％の１，２−ビス［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
４重量％の１−（４−エチルフェニル）エチニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
３重量％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−エチルビフェニル
３重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−シアノベンゼン
４重量％の４−［トランス−４−（トランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］−１−シアノベンゼン
３重量％の４−［トランス−４−（３−ブテニル）シクロヘキシル］−１−シアノベンゼン
３重量％の４’−ペンチル−４−シアノビフェニル
４重量％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリミジン
３重量％の４−エチル安息香酸４−シアノフェニル
３重量％のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸３，４−ジフルオロフェニル
４重量％の４−ブチル安息香酸３−フルオロ−４−シアノフェニル
３重量％の４−（トランス−３−ペンテン−１−イル）安息香酸３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル
３重量％のトランス−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−トランス−４’−（３−メトキシプロピル）ビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−エチルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチル］−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
３重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル
４重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸３−フルオロ−４−シアノフェニル
３重量％の４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
３重量％の１−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
【０２５８】
この（Ｍ）のＴN-Iは７５．０℃であり、Δｎは０．１４２であった。この（Ｍ）の９０％と実施例１で得られた（Ｉ−３）
【０２５９】
【化６３】
0004385202.tif 000064
【０２６０】
の３％、実施例２で得られた（Ｉ−１）
【０２６１】
【化６４】
0004385202.tif 000065
【０２６２】
の３％および実施例３で得られた（Ｉ−７）
【０２６３】
【化６５】
0004385202.tif 000066
【０２６４】
の４％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｉ）を調製した。この（Ｍ−Ｉ）のＴN-Iは７０．４℃であり、Δｎは０．１３６であった。
【０２６５】
【発明の効果】
一般式（Ｉ）のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体は、液晶性および現在汎用の液晶化合物あるいは組成物との相溶性に優れる。また、その添加により、応答性をほとんど悪化させずに閾値電圧を大きく低減させることが可能である。また分子内に強い極性の基を含まない化合物においては、アクティブマトリックス駆動用としても使用可能である。さらに、実施例にも示したように工業的にも製造が容易であり、無色で化学的にも安定である。従って、これを含有する液晶組成物は実用的液晶として、特に温度範囲が広く低電圧駆動と高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。