(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する工程と、
前記ＩＣウェハーのパッド電極上に半田層を形成する工程と、
前記半田層を被覆するようにフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
前記半田層を溶融させることにより、バンプを形成する工程と、
前記ＩＣウェハーの前記バンプを形成した面にバックグラインド用テープを貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、
前記フラックスを前記ＩＣウェハーの能動面と前記バックグラインド用テープとの間に介在させた状態で前記バックグラインド用テープを貼着していない前記ＩＣウェハーの他方の面を研削するバックグラインド工程と、
前記バックグラインド用テープを前記ＩＣウェハーから剥離するバックグラインド用テープ剥離工程を、この記載工程順に実施する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型、薄型要求に対応されるフリップチップ半導体装置の製造方法に係わり、更に詳しくは、ＩＣ能動面を保護した状態でバックグラインドして薄型加工した半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体パッケージの小型化、高密度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板上に実装するフリップチップボンディングが開発されている。カメラ一体型ＶＴＲや携帯電話機等の登場により、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、所謂ＣＳＰ（チップサイズ／スケール・パッケージ）を載せた携帯機器が相次いで登場してきている。最近ＣＳＰの開発は急速に進み、半導体装置の小型、薄型化の要求が本格化している。
【０００３】
そこで、小型、薄型化要求に対応する従来のフリップチップ半導体装置の製造方法について以下その概要を説明する。
【０００４】
一般的に、ＩＣウェハーのパッド電極面に半田バンプを形成する方法には、スタッドバンプ方式、ボールバンプ方式及びメッキバンプ方式等があるが、その中で、パッド電極位置にレジストにて窓を形成し半田浴槽中に浸漬してメッキにて半田バンプを形成するメッキバンプ方式は、パッド電極間の狭い配列でバンプを形成することが可能で、ＩＣチップの小型化には有効な半田バンプの形成手段である。
【０００５】
図３は、従来の半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。（ａ）は、半導体素子形成工程で、所定の厚み、例えば、ｔ１＝６２５μｍのＩＣウェハー１上の所定位置に複数個のパッド電極２を形成する。（ｂ）は、バックグラインド用テープ貼着工程で、前記ＩＣウェハー１のパッド電極２面に紫外線照射により剥離可能な両面粘着テープ３（バックグラインド用テープ）の一方の面を貼着する。（ｃ）は、バックグラインド工程で、前記バックグラインド用テープ３の他方の面を図示しないグラインダ装置の研削テーブルに貼着し、研削砥石４でＩＣウェハー１の裏面を所定の厚み、例えば、ｔ２＝４００μｍに研削する。（ｄ）は、バックグラインド用テープ剥離工程で、前記バックグラインド用テープ３にＵＶ照射して粘着面を硬化させることにより粘着力を無くしバックグラインド用テープ３をＩＣウェハー１から剥離する。（ｅ）は、半田層形成工程で、ＩＣウェハー１のパッド電極２位置にレジストにて窓を形成し半田浴槽中に浸漬してメッキにてパッド電極２上に半田層５を形成する。（ｆ）は、フラックス塗布工程で、前記半田層５を被覆するようにスピンナー法にてフラックス６を一様に塗布する。（ｇ）は、半田バンプ形成工程で、前記半田層５を所定の温度でリフローすることにより、半田はボール状に丸められてパッド電極２上に半田バンプ７が形成される。（ｈ）は、フラックス洗浄工程で、前記ＩＣ能動面のフラックス６を除去する。上記した（ａ）〜（ｈ）の工程を経て、次の検査工程（ｉ）に送られる。以上により、半導体装置の製造工程は終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した半導体装置の製造方法には次のような問題点がある。即ち、ＩＣウェハーのパッド電極上に半田バンプを形成する前に、ＩＣウェハーの厚みを、ｔ１→ｔ２（例えば、６２５μｍ→４００μｍ）の所定の厚みに研削する。その後に、パッド電極上に半田メッキし半田層を形成し、その上にフラックス塗布し、リフローして半田層を丸め半田バンプを形成するが、ＩＣウェハーを研削した際に生じた微細なマイクロクラックが前記半田バンプ形成時に進行してウェハーの割れ不良が多発する等の問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、ＩＣウェハーの割れの発生がなく、且つ、製造工程を簡略化し、生産性が優れた、安価な半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における半導体装置の製造方法は、ＩＣウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する工程と、前記ＩＣウェハーのパッド電極上に半田層を形成する工程と、前記半田層を被覆するようにフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、前記半田層を溶融させることにより、バンプを形成する工程と、前記ＩＣウェハーの前記バンプを形成した面にバックグラインド用テープを貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、前記フラックスを前記ＩＣウェハーの能動面と前記バックグラインド用テープとの間に介在させた状態で前記バックグラインド用テープを貼着していない前記ＩＣウェハーの他方の面を研削するバックグラインド工程と、前記バックグラインド用テープを前記ＩＣウェハーから剥離するバックグラインド用テープ剥離工程を、この記載工程順に実施することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における半導体装置の製造方法について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００１１】
図１において、（ａ）は、半導体素子形成工程で、従来と同様に、所定の厚み、例えば、ｔ１＝６２５μｍのＩＣウェハー１上の所定位置に複数個のパッド電極２を形成する。（ｂ）は、バッド上に半田層を形成する工程で、ＩＣウェハー１のパッド電極２位置にメッキバンプ方式により半田層５を形成する。（ｃ）は、フラックス塗布工程で、前記半田層５を被覆するようにスピンナー法にてフラックス６を一様に塗布する。（ｄ）は、半田バンプ形成工程で、前記半田層５を所定の温度でリフローすることにより、半田はボール状に丸められてパッド電極２上に半田バンプ７が形成される。（ｅ）は、バックグラインド用テープ貼着工程で、ＩＣウェハー１のパッド電極２面に、ＩＣウェハー１のグラインド面と平行に紫外線照射により硬化させて剥離可能な両面粘着テープ３（バックグラインド用テープ）の一方の面を貼着する。（ｆ）は、バックグラインド工程で、前記バックグラインド用テープ３の他方の面を図示しないグラインダ装置の研削テーブルに貼着し、研削砥石４でＩＣウェハー１の裏面を所定の厚み、例えば、ｔ２＝４００μｍに研削する。（ｇ）は、バックグラインド用テープ剥離工程で、前記バックグラインド用テープ３にＵＶ照射してバックグラインド用テープ３をＩＣウェハー１から剥離する。（ｈ）は、フラックス洗浄工程で、前記ＩＣ能動面のフラックス６を除去する。上記した（ａ）〜（ｈ）の工程を経て、次の検査工程（ｉ）に送られる。以上により、半導体装置の製造工程は終了する。
【００１２】
上記した様に、バックグラインド工程において、半田バンプ形成工程で塗布したフラックスがＩＣの能動面を保護しているので、研削中に発生したシリコン（Ｓｉ）のカスがＩＣの能動面に付着することがなく、フラックス洗浄工程の際に容易に除去することができる。半田層を丸める半田バンプ形成工程がバックグラインド工程の前に入るので、ＩＣウェハーを研削した際に微細なマイクロクラックが発生したとしても、クラックが進行することがなく、ウェハーの割れ不良は発生しない。また、半田バンプ全体も含めて全体を均一にフラックスで固めることができるので、バックグラインド工程時に半田バンプへ荷重が集中するのを防止でき、半田バンプの変形などを防止できる効果がある。
【００１３】
図２は、本発明の第２の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。前述の第１の実施の形態と異なるところを説明する。
【００１４】
図２において、（ａ）半導体素子形成工程、（ｂ）パッド上に半田層を形成する工程、（ｃ）フラックス塗布工程、（ｄ）半田層を丸めるバンプ形成工程は同様であるので説明は省略する。（ｅ）で、バンプ形成で役立ったフラックス６を洗浄工程で除去する。（ｆ）は、ＩＣ能動面保護膜形成工程で、ＩＣ能動面保護膜８、例えば、フォトレジスト等により半田バンプ上を一様に覆う。次に、（ｇ）バックグラインド用テープ貼着工程、（ｈ）バックグラインド工程、（ｉ）バックグラインド用テープ剥離工程は前述の第１の実施の形態と同様である。（ｊ）は、保護膜除去工程で、ＩＣ能動面を保護していたＩＣ能動面保護膜８を除去する。（ｋ）は、洗浄工程で、ＩＣウェハー１を洗浄する。上記した（ａ）〜（ｋ）の工程を経て、次の検査工程（ｌ）に送られる。以上により、半導体装置の製造工程は終了する。
【００１５】
上記した様に、バックグラインド工程の前にパッド上の半田層をリフローして半田バンプを形成し、その後にＩＣ能動面をＩＣ能動面保護膜で保護されている状態でバックグラインドするので、ＩＣウェハーを研削中に発生したＳｉカスがＩＣの能動面に付着することがない。Ｓｉカスは保護膜除去及び洗浄工程で容易に排除できるものである。また、前述した第１の実施の形態と同様に、ＩＣウェハーを研削した際に微細なマイクロクラックが発生したとしても、後工程に半田のリフロー工程がないのでクラックが進行することがなく、ウェハーの割れ不良は発生しない。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、半田メッキ層をリフローして半田バンプ形成後に、ＩＣの能動面を保護膜で保護された状態でバックグラインドしてＩＣウェハーの薄型化を行うものである。従って、ＩＣ能動面にＳｉ等の研削カスの付着もなく、従来の様に、ＩＣウェハーを研削した際に生じた微細なマイクロクラックが半田バンプ形成時に進行して発生するウェハーの割れ不良がなくなった。また、特に第１の実施の形態においては、半田バンプ形成時に塗布したフラックスをそのままＩＣ能動面保護膜として使用するので、製造工程が簡略化し、生産性の優れた、安価な半導体装置の製造方法を提供することだ可能になった。また、フラックスをそのままＩＣ能動面保護膜として使用する場合は、半田バンプ全体も含めて全体を均一にフラックスで固めることができるので、バックグラインド工程時に半田バンプへ荷重が集中するのを防止でき、半田バンプの変形などを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係わる半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す製造工程のフローチャートと各工程に対応する工程説明図である。
【符号の説明】
１  ＩＣウェハー
２  パッド電極
３  バックグラインド用テープ
４  研削砥石
５  半田層
６  フラックス
７  半田バンプ
８  ＩＣ能動面保護膜
【図１】
0004343286.tif 000002
【図２】
0004343286.tif 000003
【図３】
0004343286.tif 000004