(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板（１１）と第２の半導体基板（１２）とを絶縁膜（１３）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基板（１０）を用意し、前記第１の半導体基板を残して前記第２の半導体基板と前記絶縁膜とを除去することにより第１の凹部（１４）を形成し、前記第１の半導体基板のうち前記第１の凹部に対応する領域に、圧力の印加に応じて歪み可能なダイヤフラム（１５）を形成する半導体圧力センサの製造方法において、
前記第１の凹部（１４）を形成した後に、異方性エッチングにより、前記第１の半導体基板のうち前記第１の凹部に面する部位を一部除去して第２の凹部（１６）を形成し、
その後、等方性エッチングにより、前記第２の凹部（１６）の底部におけるエッジ部（１６ｂ）を丸めることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
前記異方性エッチングでは、前記第１の半導体基板の一部を厚み方向に３μｍ以上除去し、前記等方性エッチングでは、前記第１の半導体基板の一部を厚み方向に１μｍ除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板等の一対の半導体基板を絶縁膜を介して貼り合わせた基板を有し、この貼り合わせ基板に凹部を形成することでダイヤフラムを構成する半導体圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種の貼り合わせ基板を用いたダイヤフラム型の半導体圧力センサとしては、例えば、特許第２８０３３２１号明細書に記載のものが提案されている。
【０００３】
このものは、第１の半導体基板と第２の半導体基板とを絶縁膜（酸化膜等）を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基板を用意し、第１の半導体基板を残して第２の半導体基板と絶縁膜の一部を除去することにより凹部を形成し、更に、第１の半導体基板のうち凹部に対応する領域に、圧力検出用のダイヤフラムを形成してなるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ＳＯＩ基板に代表される様な第１の半導体基板及び第２の半導体基板が絶縁膜を介して貼り合わせてなる貼り合わせ基板は、両半導体基板の貼り合わせ界面を研削・研磨して鏡面仕上げした後、熱酸化により接合する。
【０００５】
ここで、両半導体基板における貼り合わせ面近傍の部位には、上記研削・研磨によって物理的な損傷、結晶転移、結晶欠陥といった欠陥部が多く存在する。そのため、第２の半導体基板と絶縁膜とを除去することによって形成されたダイヤフラム（つまり、残された第１の半導体基板）には、上記欠陥部が多く存在し、ダイヤフラムの強度低下を招く。
【０００６】
本発明は上記問題に鑑み、貼り合わせ基板を用いたダイヤフラム型の半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラムの強度を向上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１の凹部（１４）を形成した後に、異方性エッチングにより、第１の半導体基板のうち第１の凹部に面する部位を一部除去して第２の凹部（１６）を形成し、その後、等方性エッチングにより、第２の凹部（１６）の底部におけるエッジ部（１６ｂ）を丸めることを特徴としている。
【０００８】
第１の半導体基板のうち第１の凹部に面する部位は、従来では、ダイヤフラムすなわち第１の半導体基板における貼り合わせ面が現れる部位、すなわち、ダイヤフラムにおける欠陥部が多く存在する部位であるが、本発明によれば、その第１の半導体基板のうち第１の凹部に面する部位の一部を除去し第２の凹部を形成することにより、ダイヤフラムにおける欠陥部の覆い部位を適切に除去することができる。
【０００９】
よって、本発明によれば、ダイヤフラムの強度が向上した半導体圧力センサを製造することができる。さらに、本発明によれば、横方向が見かけ上ストップエッチングされる異方性エッチングにより、第２の凹部を形成しているので、ダイヤフラムの横方向の出来映えは非常に精度が良くなるとともに、等方性エッチングにより、第２の凹部の底部におけるエッジ部を丸めているので、ダイヤフラムの破壊強度のより一層の向上が見込める。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明では、異方性エッチングでは、第１の半導体基板の一部を厚み方向に３μｍ以上除去し、等方性エッチングでは、第１の半導体基板の一部を厚み方向に１μｍ除去することを特徴としている。
【００１１】
ここで、上記した欠陥部は、第１の半導体基板において貼り合わせ面から３μｍ以内の厚さに多く存在するので、請求項２に記載の発明のように、第２の凹部（１６）を形成すべく第１の半導体基板（１１）の一部を除去する場合には、厚み方向に３μｍ以上除去することが好ましい。
【００１５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１において、（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す圧力センサＳ１におけるダイヤフラム部を、（ａ）中の矢印Ａ方向から視た平面図である。
【００１７】
圧力センサＳ１は、第１シリコン基板（本発明でいう第１の半導体基板）１１及び第２シリコン基板（本発明でいう第２の半導体基板）１２がシリコン酸化膜（本発明でいう絶縁膜）１３を介して貼り合わされてなるＳＯＩ基板（本発明でいう貼り合わせ基板）１０を有する。本例では、第１及び第２シリコン基板１１、１２共、主表面の面方位が（１００）面である単結晶シリコン基板を用いている。
【００１８】
ＳＯＩ基板１０には、第２シリコン基板１２の主表面側から第１シリコン基板１１を残して第２シリコン基板１２及びシリコン酸化膜１３の所定領域を除去することにより第１の凹部１４が形成されている。そして、第１シリコン基板１１のうち第１の凹部１４に対応する領域には、圧力の印加に応じて歪み可能なダイヤフラム１５が形成されている。
【００１９】
さらに、第１の凹部１４の底部における第１シリコン基板１１、すなわちダイヤフラム１５においては、その一部が除去されて第２の凹部１６が形成されている。第２の凹部１６の底部におけるダイヤフラム１５の表面は、数ｎｍ程度の自然酸化膜は存在するが、実質的に第１シリコン基板１１が露出して剥き出しの状態となっている。
【００２０】
本例では、第１の凹部１４における第２シリコン基板１２、及び、第１の凹部１４の底部における第１シリコン基板（つまり、ダイヤフラム１５）１１の一部は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いたシリコンの異方性エッチングにより除去されている。
【００２１】
それにより、本例においては、第２シリコン基板１２におけるテーパ部（第１の凹部１４の側面）１４ａ、及び、第１シリコン基板１１における第２の凹部１６の側面１６ａは、上記異方性エッチングにより形成された結晶面としてシリコンの（１１１）面が現れている。
【００２２】
また、両凹部１４、１６を上記シリコンの異方性エッチングにより形成しているため、図１中に示される、第２の凹部１６の底部におけるエッジ部（ダイヤフラム１５のエッジ部）１６ｂ、第２の凹部１６の開口部（本実施形態ではシリコン酸化膜１３の開口部と略同一である）１６ｃ、第１の凹部１４の開口部（第２シリコン基板１２の開口部）１４ｂは、それぞれ平面形状が、角部が鋭角な四角形をなしている（図１（ｂ）参照）。また、第２の凹部１６の底部におけるエッジ部１６ｂの断面形状も鋭角である（図１（ａ）参照）。
【００２３】
また、第１シリコン基板１１における除去された領域（つまり、第２の凹部１６の領域）は、もともと、ＳＯＩ基板１０における第１シリコン基板１１の貼り合わせ面であり、上述したように、貼り合わせ面の平坦性を向上させるための研削・研磨によって欠陥部が多く存在する領域（欠陥部領域）である。そして、第２の凹部１６を形成することによって、この欠陥部領域を除去した形となっている。
【００２４】
そして、第１シリコン基板１１における第２の凹部１６の外周領域には、結晶欠陥や物理的な損傷等の欠陥部が多く存在している。なお、本発明者等の検討によれば、この欠陥部は、第１シリコン基板１１において貼り合わせ面から３μｍ以内の厚さに多く存在するので、第２の凹部１６を形成すべく第１シリコン基板１１の一部を除去するにあたっては、厚み方向に３μｍ以上除去することが好ましい。
【００２５】
また、ダイヤフラム１５の第１シリコン基板１１における主表面側には、ダイヤフラム１５の歪みに基づく電気信号を発生するゲージ拡散抵抗（歪みゲージ）１７が、ブリッジ回路を構成するように形成されている。
【００２６】
また、第１シリコン基板１１のうちダイヤフラム１５以外の部位には、Ｐ層やＮ層の拡散によって、バイポーラトランジスタ１８やＭＯＳトランジスタ１９等の複数個の回路素子が形成されており、これら回路素子により、ゲージ拡散抵抗１７からの電気信号を検出する回路部が構成されている。
【００２７】
また、これら回路素子１８、１９及びゲージ拡散抵抗１７といった各表面素子は、第１シリコン基板１１を厚み方向に突き抜け酸化膜１３に達するトレンチ溝２０を介して互いに絶縁分離されている。トレンチ溝２０内には、ポリシリコン等が充填され絶縁性を高めている。
【００２８】
このように、各表面素子１７〜１９をＰＮ接合による分離のみでは無くて、素子面積を小さくすることが可能なトレンチ溝２０による絶縁分離を採用することにより、よりいっそうチップの小型化に有利である。なお、圧力センサＳ１においては、図示しないが、上記回路部の配線や表面の保護膜が形成されている。
【００２９】
かかる圧力センサＳ１は、絶対圧センサとして用いる場合には、後述する図５に示す様に、ＳＯＩ基板１０における第２シリコン基板１２の主表面に、ガラス等よりなる台座４０を陽極接合し、ダイヤフラム１５と台座４０との間に真空室５０を形成した状態で使用する。
【００３０】
そして、第１シリコン基板１１の主表面側から圧力が印加されると、ダイヤフラム１５が歪み、このダイヤフラム１５の歪みに基づいてゲージ拡散抵抗１７の抵抗値が変化し、上記ブリッジ回路における電圧値が変化する。この変化した電圧値が電気信号として上記回路部にて検出されることにより、印加圧力が検出されるようになっている。
【００３１】
ここで、本例の圧力センサＳ１におけるダイヤフラム部の一寸法例を示しておく。ダイヤフラム１５の横方向の寸法（四角形の一辺の長さ）としては１００〜２０００μｍ程度、厚さとしては２〜２０μｍ程度、また、ダイヤフラム１５以外の第１シリコン基板（ＳＯＩ層）１１の厚さは１０〜３０μｍ程度である。
【００３２】
例えば、第１シリコン基板１１の厚さが１５μｍ、第１シリコン基板１１裏面のエッチング深さ（第１及び第２の凹部１４、１６を合わせた深さ）が１０μｍとすると、ダイヤフラム１５の厚さとしては５μｍとすることができる。
【００３３】
次に、本センサＳ１の製造方法について製造工程順に説明していく。図２〜図５は、本実施形態に係る半導体圧力センサの製造方法を示す工程図である。図２〜図５は工程途中の状態を、図１に対応した断面にて示す図である。なお、本製造方法では、圧力センサＳ１を最終的な使用状態、つまり、図５に示す絶対圧センサとして使用する状態まで組み付ける工程を示している。
【００３４】
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、例えば、共にＮ-型の第１シリコン基板（第１の半導体基板）１１と第２シリコン基板（第２の半導体基板）１２とを用意する。そして、図２（ｃ）に示す様に、第１シリコン基板１１の貼り合わせ面を研削、研磨することにより、平坦化する。
【００３５】
なお、ＳＯＩ基板１０においては、第１シリコン基板１１の貼り合わせ面側には、回路素子等を形成するために必要なＮ+拡散層（図示せず）がイオン注入等にて形成されている。このＮ+拡散層は、当該拡散層形成後の表面に微小な凹凸が存在するため、その意味からも、第１シリコン基板１１の貼り合わせ面を研削、研磨することは必要である。
【００３６】
一方、図２（ｄ）に示す様に、第２シリコン基板１２の貼り合わせ面側に、熱酸化処理等により、シリコン酸化膜１３を形成する。そして、第１シリコン基板１１と第２シリコン基板１２とをシリコン酸化膜１３を介して貼り合わせ、熱処理（例えば１１００℃）することにより接合し、ＳＯＩ基板（貼り合わせ基板）１０を形成する（図２（ｅ））。
【００３７】
次に、図３（ａ）に示す様に、一般的な半導体製造方法を用いて、第１シリコン基板１１の主表面に、トレンチ溝２０、ゲージ拡散抵抗１７やバイポーラトランジスタ１８、ＭＯＳトランジスタ１９等の回路素子、更には、上記した図示しない配線や保護膜を形成する（表面素子形成工程）。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示す様に、後述する台座４０（図５（ｅ）参照）と接合される第２シリコン基板１２の主表面を、研削、研磨することにより、第２シリコン基板１２を薄肉化する（研削・研磨工程）。この研削・研磨工程後におけるＳＯＩ基板１０の厚さは例えば３００〜４００μｍ程度である。また、シリコン酸化膜１３の厚さは０．５〜２μｍである。
【００３９】
このように研削・研磨工程を行う理由は、後述の第１の凹部エッチング工程（図４（ａ）、（ｂ）参照）にて、シリコンの異方性エッチングを用いるので、台座４０との接合面積を増加させる等の目的で第２シリコン基板１２のテーパ部（第１の凹部１４の側面）１４ａを短くしたり、台座４０との接合の際にうまく接合を行うべく第２シリコン基板１２の主表面を鏡面としたりするためである。
【００４０】
次に、図３（ｃ）、（ｄ）に示す様に、ダイヤフラム１５を形成する際のエッチング用のマスク３０を、第２シリコン基板１２の主表面に形成する（マスク形成工程）。
【００４１】
このマスク３０は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等をＣＶＤやスパッタ等により成膜し、エッチング等にて所望のマスク形状にパターニングすることで形成できる。マスク３０の膜厚としては、ダイヤフラムエッチング液との選択性が確保可能な０．５〜１μｍ程度である。
【００４２】
本例では第１、第２シリコン基板１１、１２共に（１００）面を使用しており、マスク３０のパターン（マスクの開口部）を正方形とすることで、エッチング後において、シリコンの（１１１）面の４面が、第２シリコン基板１２のテーパ部（第１の凹部１４の側面）１４ａとなり、シリコン酸化膜１３も露出した時点で正方形となる。
【００４３】
このようにして、マスク３０を形成した後、図４（ａ）及び（ｂ）に示す第１の凹部エッチング工程によって、第１シリコン基板１１を残して第２シリコン基板１２とシリコン酸化膜１３とを除去することにより第１の凹部１４を形成して、第１シリコン基板１１のうち第１の凹部１４に対応する領域にダイヤフラム１５を形成する。
【００４４】
具体的には、まず、図４（ａ）に示す様に、マスク３０が形成された第２シリコン基板１２を異方性エッチングする。このときシリコンのエッチング液としては、例えば、ＫＯＨやＴＭＡＨ等を用いる。第２シリコン基板１２を、その主表面側から異方性エッチングを施すことにより、シリコン酸化膜１３がエッチングストッパーとなって、第１の凹部１４のうち第２シリコン基板１２の部分が形成される。
【００４５】
また、このエッチングの際には、第１のシリコン基板１１の表面をエッチング液から保護することは、如何なる方法でも良い。例えば、ワックスによる保護や、ウェハ外周部をシールし表面にエッチング液を回り込ませない製造装置による保護等である。
【００４６】
なお、この第２シリコン基板１２のエッチングは等方的なエッチングでもよい。また、ウェットエッチングばかりでなく、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）等一般的なドライエッチングによっても可能である。
【００４７】
次に、図４（ｂ）に示す様に、シリコン酸化膜１３をエッチング除去する。このとき、エッチング液はＨＦ等を用いる。なお、ＨＦ系エッチング液による除去ばかりでなく、ＲＩＥ等でも良い。こうして、第１の凹部エッチング工程により、第２シリコン基板１２とシリコン酸化膜１３とが除去され、第１の凹部１４及びダイヤフラム１５が形成される。
【００４８】
ただし、ここまでの工程で形成されたダイヤフラム１５は、未だ、その一部が除去されて第２の凹部１６が形成されたものではない。そこで、次に、図４（ｃ）に示す様に、ダイヤフラム１５のうち第１の凹部１４に面する部位（第１シリコン基板１１のうち凹部に面する部位）を一部を除去し、第２の凹部１６を形成する（第２の凹部エッチング工程）。
【００４９】
この第２の凹部エッチング工程では、第１シリコン基板１１のうち第１の凹部１４に面する部位を、上記図４（ａ）に示した第２シリコン基板１２の異方性エッチングと同様に、ＫＯＨやＴＭＡＨ等を用いてエッチングする。ただし、エッチングストップは時間管理的な方法や、電気化学的なストップエッチング、ストップするときのみ電圧印加する方法等を用いる。こうして、上記欠陥部領域を除去した形のダイヤフラム１５が形成される。
【００５０】
次に、図４（ｄ）に示す様に、マスク３０を除去する（マスク除去工程）。このときのエッチング液は、ふっ酸やアンモニア系混酸等を用いる。ただし、シリコン酸化膜１３の端部もエッチングが進行するため、上記図３（ｃ）のマスク形成工程にて形成するマスク３０の膜厚及びエッチング特性と、このマスク除去工程におけるエッチング液の特性との整合性を取っておくことが必要である。
【００５１】
こうして、図４（ｄ）に示す状態、すなわち、上記図１に示す圧力センサＳ１が出来上がる。本例では、上述したように、圧力センサＳ１を絶対圧センサとして使用するため、次に、図５に示す様に、第２シリコン基板１２側をガラス等よりなる台座４０とを真空中で陽極接合する（台座接合工程）。
【００５２】
これにより、ダイヤフラム１５と台座４０との間に真空室５０が形成され、絶対圧センサ構造となる。なお、以上の図２〜図５に示す製造工程は、ウェハ状態で行われるのが通常であり、このような絶対圧センサ構造がチップ単位に形成されたウェハ（ＳＯＩ基板と台座基板とが接合されたウェハ）は、ダイシングカットに供され、半導体圧力センサＳ１として使用される。
【００５３】
ところで、本第１実施形態によれば、第１の凹部１４の底部に位置する第１シリコン基板（第１の半導体基板）の一部を除去し第２の凹部１６を形成することにより、ダイヤフラム１５における強度低下の原因となっていた欠陥部の多い部位を適切に除去することができる。そのため、ダイヤフラム１５の強度（破壊耐圧）を向上させた半導体圧力センサＳ１を提供することができる。
【００５４】
また、上記製造方法によれば、ＳＯＩ基板１０を用意し、第１シリコン基板１１を残して第２シリコン基板１２と酸化膜１３とを除去することにより凹部１４を形成して、第１シリコン基板１１のうち凹部１４に対応する領域に、ダイヤフラム１５を形成する半導体圧力センサの製造方法において、第２シリコン基板１２と酸化膜１３とを除去した後に、第１シリコン基板１１のうち凹部１４に面する部位を一部を除去することを特徴としており、図１に示す圧力センサＳ１を適切に製造することのできる製造方法を提供することができる。
【００５５】
なお、ダイヤフラム１５の平面形状は四角形以外でもよい。例えば、上記製造方法において、マスク３０のパターンは十字パターンとしても良く、それによれば、平面形状が８角形や１２角形のダイヤフラムを形成することも可能である。ただし、十字パターン等の補正パターンを使用する場合、シリコン酸化膜１３を除去し、第１シリコン基板（ＳＯＩ層）１１をエッチングする際には、エッチング液特性によって、最終的なダイヤフラム１５は任意の平面形状となる。
【００５６】
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、第２の凹部エッチング工程を異方性エッチングで行っていたが、本第２実施形態は等方性エッチングで行うものである。以下、主として第１実施形態との相違点について述べる。
【００５７】
図６において、（ａ）は本発明の第２実施形態に係る半導体圧力センサＳ２の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す圧力センサＳ２におけるダイヤフラム部を、（ａ）中の矢印Ｂ方向から視た平面図である。図６中、上記第１実施形態と同一の部分には、同一符号を付してある。
【００５８】
本実施形態においても、上記図４（ｂ）に示す工程までは上記第１実施形態と同様に、ＳＯＩ基板１０を用意し、表面素子形成工程、研削・研磨工程、マスク形成工程、第１の凹部エッチング工程を順次行う。
【００５９】
その後、第２の凹部エッチング工程として、フッ酸（ＨＦ）やフッ硝酸（フッ酸と硝酸の混合液）を用いたウエットエッチングにより、ダイヤフラム１５のうち第１の凹部１４に面する部位を一部を除去し、第２の凹部１６を形成する。この状態が図６に示される。なお、図６では、マスクが除去された後の状態を示してある。
【００６０】
本実施形態における第２の凹部エッチング工程では、上記第１実施形態における同工程とは異なり、シリコンのエッチング異方性を利用した見かけ上の横方向のエッチングストップは無いため、第１シリコン基板１１においては、深さ方向のエッチング同様に横方向のエッチングが進む。そのため、第２の凹部１６は、その開口部１６ｃが、第１の凹部１４におけるシリコン酸化膜１３の開口部１４ｃよりも奥まった形となる。
【００６１】
そして、本実施形態の第２の凹部エッチング工程では、ＨＦ系エッチング液にて等方性エッチングを行うため、当該エッチング後においては、第２の凹部１６の底部におけるエッジ部（ダイヤフラム１５のエッジ部）１６ｂ、第２の凹部１６の開口部１６ｃ、シリコン酸化膜１３の開口部１４ｃ、第１の凹部１４の開口部（第２シリコン基板１２の開口部）１４ｂは、それぞれ平面形状が、角部が丸まった四角形をなしている（図６（ｂ）参照）。また、第２の凹部１６の底部におけるエッジ部１６ｂの断面形状も丸まった形状である（図６（ａ）参照）。
【００６２】
なお、この第２の凹部エッチング工程の直前では、第１の凹部１４における上記両開口部１４ｂ、１４ｃは、上記第１実施形態同様、角部が鋭角な四角形平面形状である。しかし、本実施形態の第２の凹部エッチング工程では、第１シリコン基板１１だけでなく、シリコン酸化膜１３および第２シリコン基板１２も、例えば数１０ｎｍ程度等方性エッチングされるため、平面視で角が丸まった四角形となるものである。
【００６３】
次に、上記第１実施形態と同様に、マスク除去工程、台座接合工程、ダイシングカット工程等を経て、本実施形態の半導体圧力センサＳ２は、絶対圧センサとして提供される。
【００６４】
そして、本第２実施形態においても、ダイヤフラム１５における強度低下の原因となっていた欠陥部の覆い部位が適切に除去され、ダイヤフラム１５の強度（破壊耐圧）を向上させることのできる半導体圧力センサＳ２、および、そのような圧力センサを適切に製造することの可能な製造方法を提供することができる。
【００６５】
また、上記第１実施形態では、第２の凹部１６の底部におけるエッジ部（ダイヤフラム１５のエッジ部）１６ｂが、平面視及び断面視にて鋭角であったのに比べて、本第２実施形態では、丸まった形状となっているため、ダイヤフラム１５を強度的にいっそう向上させたものとすることができる。
【００６６】
（他の実施形態）
なお、第２の凹部エッチング工程おいて、異方性エッチングと等方性エッチングを組み合わせたエッチングを行っても良い。具体的には、第１シリコン基板１１のうち第１の凹部１４に面する部位に対して、上記第１実施形態に示した様に、横方向が見かけ上ストップエッチングされる異方性エッチングを実施した後、更に、上記第２実施形態に示した様な等方性エッチングを若干量実施するといった具合である。
【００６７】
この場合、例えば、上記第１実施形態にて異方性エッチングにより形成されたダイヤフラム１５の厚さが５μｍであるとすると、さらに、等方性エッチングを１μｍ追加して行うことにより、ダイヤフラム１５の厚さは４μｍとすることができる。
【００６８】
これにより、ダイヤフラム１５は２通りのエッチングの長所が生かされた形状を得ることが可能となる。つまり、ダイヤフラム１５の横方向の出来映えは非常に精度が良くなり、かつ、ダイヤフラム１５の破壊強度についても、エッジ部１６ｂが丸まるため、ダイヤフラム１５の欠陥部領域が除去されて破壊耐圧が向上するのとは別に、より一層の向上が見込める。
【００６９】
また、上記図５に示したような絶対圧センサにおける台座４０に対して、真空室５０（第１の凹部１４）へ連通するような圧力導入孔を形成することにより、相対圧型センサとして構成されたものに対しても、本発明は適用可能である。さらに、台座４０としてはガラスの代わりに、ポリシリコンよりなるものを用い、第２シリコン基板１２と接合するようにしても良い。
【００７０】
また、上記各シリコン基板１１、１２は、主表面の面方位が（１００）面以外のものであっても良い。さらには、シリコン基板以外の半導体基板が酸化膜等の絶縁膜を介して貼り合わせられた貼り合わせ基板を用いても良い。
【００７１】
また、上記した従来公報におけるダイヤフラムでは、貼り合わせ基板における第１の半導体基板の厚さそのものがダイヤフラムの厚さとなるのに対し、上記各実施形態によれば、より薄いダイヤフラムを実現することができる。そのため、所望の歪み特性を持つダイヤフラムを得る場合、従来よりも面積の小さいダイヤフラムで良いため、圧力センサの小型化に有利である。
【００７２】
つまり、上記実施形態によれば、従来では成立し得なかったダイヤフラム裏面の欠陥部領域を除去すると同時にダイヤフラムの小型化が可能となるため、小型で安価な半導体圧力センサを安定して提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体圧力センサの概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中のダイヤフラム部のＡ矢視平面図である。
【図２】上記第１実施形態に係る半導体圧力センサの製造方法を示す工程図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】図４に続く製造方法を示す工程図である。
【図６】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る半導体圧力センサの概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中のダイヤフラム部のＢ矢視平面図である。
【符号の説明】
１０…ＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板、
１１…第１シリコン基板（ＳＯＩ層）、１２…第２シリコン基板、
１３…シリコン酸化膜、１４…第１の凹部、１５…ダイヤフラム、
１６…第２の凹部、１６ａ…第１シリコン基板における第２の凹部の側面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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