(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の転送電極と、該第１の転送電極と交互に配設される複数の第２の転送電極と、前記第１の転送電極下に形成され電荷蓄積層を成す第１の拡散層と前記第２の転送電極下に形成され障壁層を成す第２の拡散層とが交互に配設される第１導電型の転送チャネルと、前記第１及び第２の転送電極に２相の駆動信号を供給する第１及び第２の配線とを備える電荷転送素子において、
前記転送チャネルの幅は、前記電荷蓄積層の幅が、前記障壁層の幅よりも大きく、
前記第１の配線と前記第１及び第２の転送電極とを接続するコンタクトと、前記第２の配線と前記第１及び第２の転送電極とを接続するコンタクトとが、前記転送チャネルの幅方向中心線に関して逆側に配設され、
前記障壁層の夫々は、前記転送チャネルの幅方向中心線とは異なる位置に中心線を有し、隣接する２つの障壁層の中心線は、前記転送チャネルの幅方向中心線に関して逆側にあることを特徴とする電荷転送素子。
【請求項２】
前記第１の転送電極の幅が前記電荷蓄積層の幅と同じであり、前記第２の転送電極の幅が前記障壁層の幅と同じである、請求項１に記載の電荷転送素子。
【請求項３】
前記電荷蓄積層及び前記障壁層は、第２導電型の拡散層によって囲まれる、請求項１又は２に記載の電荷転送素子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の電荷転送素子を製造する方法であって、前記第１の転送電極が第１層転送電極であり、前記障壁層へのイオン注入が、該第１層転送電極をマスクとして行われることを特徴とする電荷転送素子の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の電荷転送素子を製造する方法であって、前記第２導電型の拡散層へのイオン注入が、前記第１及び第２の転送電極をマスクとして行われることを特徴とする電荷転送素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電荷転送素子及びその製造方法に関し、特に、微細化に適した電荷転送素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電荷転送素子を備える固体撮像素子（画像読取り装置）では、画素サイズの微細化が進んでおり、このため電荷転送素子（以下、ＣＣＤと呼ぶ）の幅を大きくとることが困難になっている。ＣＣＤの幅は、固体撮像素子で転送可能な電子量を決める重要な要素であり、この幅を広くとることにより、転送可能な電子量が増え、固体撮像素子から得られる画像の画質が向上する。
【０００３】
図１５は、従来のＣＣＤの電極構造を示す平面図である。ＣＣＤは、第１層転送電極１１、及び、第２層転送電極１２が交互に配設された構造を有し、この転送電極に２相の駆動電圧を印加し、電極の下部に配設された、
型ウエル２０を有する転送チャネル１７内で電荷を転送する。第１の組となる、隣接する第１及び第２層転送電極（電荷転送電極）は、図示しない第１の配線に接続されており、また、第１の組と交互に配設され、第２の組となる隣接する第１及び第２層の転送電極は、図示しない第２の配線に接続される。
【０００４】
図１６は、図１５の下部構造である転送チャネル１７の構成を示す平面図である。転送チャネル１７は、Ｐ型ウエル１６に囲まれており、不純物が濃く拡散されたＮ型ウエル２０と、Ｎ型ウエル２０内の表面部分に間隔をおいて形成され、不純物が薄く拡散されたＮ-型ウエル２１とを有する。Ｎ型ウエル２０が表面に現れる部分は第１層の転送電極１１の下にあり、Ｎ-型ウエル２１が形成された部分は第２層の転送電極１２の下にある。電荷は、図示の矢印方向に転送される。
【０００５】
図１７は、図１５に示した従来のＣＣＤの製造工程を示すフローチャートである。まず、シリコン（半導体）基板のＰ型ウエル内にＮ型ウエル２０を形成し（ステップＳ１）、次いで、転送チャネル１７の周辺部にボロンを注入し、Ｐ+型拡散層１６を形成する（ステップＳ２）。引き続き、基板全体に酸化膜を形成し（ステップＳ３）、第１層ポリシリコン層を堆積し、これをパターニングして第１層の転送電極１１を形成する（ステップＳ４）。更に、この第１層の転送電極１１をマスクとして、自己整合的にＮ型ウエル２０の表面部分にボロンを注入して、その部分をＮ-型ウエル２１に変える（ステップＳ５）。次いで、酸化膜及び層間絶縁膜を形成し（ステップＳ６）、その上に第２層のポリシリコン層を堆積し、これをパターニングして第２層の転送電極１２を形成する（ステップＳ７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図１５において、Ｐを転送電極のピッチ、Ｓ１を第１層転送電極１１の間隔、Ｓ２を第２層転送電極１２の間隔、Ａ１をコンタクト１３と第１層転送電極１１の縁部との間の距離、Ａ２をコンタクト１３と第２層転送電極１２の縁部との間の距離、Ａ３を第１層転送電極１１の線幅、Ａ４を第１層転送電極１１と第２層電荷転送極１２の重なり寸法、Ａ５をコンタクトの幅とする。
【０００７】
上記各寸法は、実際の電荷転送素子を設計するにあたり、設計マージンにより決定される。ここで、Ｐ≧Ｓ１＋Ｓ２＋Ａ１＋Ａ２＋Ａ４＋Ａ５という電極ピッチＰが確保できれば、図１５の形状で設計することが出来る。しかしながら、近年では、ＣＣＤの微細化の進展により、電極ピッチＰを２μｍ以下とする要請が強くなり、図１５の形状での設計が困難となっている。
【０００８】
上記微細化に対応するＣＣＤとして、図１８及び図１９に示す形状のＣＣＤが考えられる。図１８及び図１９は夫々、微細化構造のＣＣＤを、図１５及び図１６と同様に示している。この構造のＣＣＤは、配線４１と転送電極とを接続するコンタクト１３と、配線４２と転送電極とを接続するコンタクト１３とが、転送チャネル１７の対向する縁部に夫々隣接して配設されている。つまり、千鳥状に配設されている。掛かる構造を採用すると、コンタクト１３のパターニングでの設計マージンを小さくでき、転送電極のピッチＰが小さくできる。しかし、このような構造を採用すると、電荷転送方向の微細化は可能であるものの、図１８及び図１９に示すように、転送チャネル１７の幅（Ｗ２）が小さくなってしまい、転送可能な最大電荷量が小さくなるという問題がある。
【０００９】
転送チャネル１７の幅を大きく採るためには、例えば図２０の構造が考えられる。しかし、この場合には、第２層の転送電極と障壁層の幅とを同じにするためには、隣接する２つの第２層の転送電極の離隔を十分にとる必要があり、電極ピッチＰが大きくなる。
【００１０】
上記に鑑み、本発明は、従来と同様な設計ルール、製造プロセスを用いた場合にも、電極ピッチを小さくできるため微細化が可能であり、且つ、転送チャネルの幅を広くとれるため多くの電荷量を転送可能とするＣＣＤを提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、転送チャネルの幅の寸法精度が高いＣＣＤを提供することをも目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電荷転送素子は、複数の第１の転送電極と、該第１の転送電極と交互に配設される複数の第２の転送電極と、前記第１の転送電極下に形成され電荷蓄積層を成す第１の拡散層と前記第２の転送電極下に形成され障壁層を成す第２の拡散層とが交互に配設される第１導電型の転送チャネルと、前記第１及び第２の転送電極に２相の駆動信号を供給する第１及び第２の配線とを備える電荷転送素子において、
前記転送チャネルの幅は、前記電荷蓄積層の幅が、前記障壁層の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００１３】
本発明の電荷転送素子（ＣＣＤ）によると、転送チャネルの障壁層の幅（障壁層における幅）を小さくすることにより、その上に形成される第２の転送電極の幅も小さくすることができ、これによって、コンタクトの千鳥配置に際して、電極ピッチを小さくすることが可能になる。一方、障壁層の幅が小さくとも、転送可能な電荷量は電荷蓄積層の幅によって決まるため、転送可能な電荷量が少なくなることはない。
【００１４】
本発明の好ましいＣＣＤでは、前記第１の転送電極の幅が前記電荷蓄積層の幅と実質的に同じであり、前記第２の転送電極の幅が前記障壁層の幅と実質的に同じである。この場合、転送チャネルの実効幅が電荷蓄積層の実際の幅と同じとなる。また、転送チャネルの幅制御を、転送電極をマスクとするイオン注入によって正確に行うことが出来る。
【００１５】
また、前記第１の配線と前記第１及び第２の転送電極とを接続するコンタクトと、前記第２の配線と前記第１及び第２の転送電極とを接続するコンタクトとが、前記転送チャネルの幅方向中心線に関して逆側に配設されることも本発明の好ましい態様である。また、この場合には、前記障壁層の夫々は、前記転送チャネルの幅方向中心線とは異なる位置に中心線を有し、隣接する２つの障壁層の中心線は、前記転送チャネルの中心線に関して逆側にあることが好ましい。このような構成を採用すると、電極ピッチを小さくでき、固体撮像素子の画素の微細化に対応してＣＣＤの微細化が可能である。
【００１６】
前記電荷蓄積層及び前記障壁層は、第２導電型の拡散層によって囲まれることが好ましい。この場合、第２導電型の拡散層を形成するためのイオン注入によって、転送チャネルの境界を、従ってその幅を正確に制御できる。
【００１７】
本発明の第１の視点のＣＣＤの製造方法は、上記本発明のＣＣＤを製造する方法であって、前記障壁層へのイオン注入が、前記第１の転送電極をマスクとして行われることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１の視点のＣＣＤの製造方法によると、転送電極の障壁層と電荷蓄積層との間の境界の寸法精度が向上する。
【００１９】
また、本発明の第２の視点のＣＣＤの製造方法は、前記第２導電型の拡散層へのイオン注入が、前記第１及び第２の転送電極をマスクとして行われることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第２の視点のＣＣＤの製造方法によると、転送チャネルの幅方向の寸法精度が向上する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態例に基づいて、本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明の第一の実施形態例のＣＣＤの平面図である。同図において、本実施形態例のＣＣＤは、第１層転送電極１１、第２層転送電極１２、並びに、Ｎ型ウエル２０及びＮ-型ウエル２１を有する転送チャネル１７から構成される。第１層転送電極１１及び第２層転送電極１２に２相の駆動電圧を印加する配線４１、４２は、相互に同じ層の配線として形成され、この配線４１及び４２を第１及び第２転送電極１１、１２に接続するコンタクト１３は、転送チャネル１７の対向する縁部に隣接して、互い違いに（千鳥状）に配設されている。
【００２２】
第１組を成す、相互に隣接する第１層転送電極１１及び第２層転送電極１２は、転送チャネル１７の一方の縁部に隣接して形成されるコンタクト１３を介して配線４１に接続される。第２組を成す、相互に隣接する第１層転送電極１１及び第２層転送電極１２は、転送チャネル１７の他方の縁部に隣接して形成されるコンタクト１３を介して配線４２に接続される。第１組の転送電極と第２組の転送電極とは、電荷転送方向に交互に配設されている。配線４１及び配線４２に、逆相のクロック電圧を印加することにより、ＣＣＤの２相駆動が可能となる。図１では、図示の上から下に向かって矢印方向に電荷が転送される。
【００２３】
図２〜図５は夫々、図１のＸ−Ｘ’線、Ｘ１−Ｘ１’線、Ｙ−Ｙ線、及び、Ｙ１−Ｙ１’線に沿うＣＣＤの断面構造を示す。図２は、第１組の第１層転送電極１１の部分における断面を示しており、配線４１は、第２層転送電極１２および第１層転送電極１１にコンタクト１３を介して接続されている。ＣＣＤの上面は、上部からの光を遮光する遮光用の金属膜１５が配置される。Ｗ１は、ＣＣＤで転送される電荷を一時的に蓄積する電荷蓄積部を構成するＮ型ウエル２０の幅を示しており、これは第１層転送電極１１の幅と同じである。図示されないが、各電極や配線の層間には、酸化膜等の絶縁層が形成され、各層の電極及び配線は、相互から電気的に絶縁されている。また、第１層及び第２層転送電極１１，１２は、夫々薄い酸化膜を介して半導体基板上に形成されている。
【００２４】
本実施形態例では、Ｐ型ウエル１９上にＣＣＤが形成される例が示されているが、Ｎ型半導体基板上にＰ型ウエルを形成した後にＣＣＤを形成する方法や、Ｐ型の半導体基板上に直接にＣＣＤを形成する方法などがある。なお、これら導電型は、単に例示であり、転送チャネル１７の導電型については、公知の技術によって種々の構成が採用できる。
【００２５】
図３は、第１組の第２層転送電極１２の部分における断面を示しており、この第２層転送電極１２は、図２の部分において第１層の転送電極１１と重なり、配線４１に接続されている。図３において、Ｂは電荷を単に転送するのみで蓄積しない障壁部（Ｎ-型ウエル）２１の幅を示している。この幅Ｂは、第２層電荷転送チャネル１２の幅と同じである。障壁部を構成するＮ-型ウエル２１は、転送時に電荷を通過させるものであり、電荷の一時的蓄積を行わないので、Ｂ寸法はＷ１寸法よりも小さく設定される。
【００２６】
図４は、第２組の第１層転送電極１１の部分における断面を示している。第１層及び第２層転送電極１１，１２は、コンタクト１３を介して配線４２に接続されている。転送チャネル１７は、この部分で電荷蓄積部を構成し、その幅は第１層転送電極１１の幅と同じＷ１である。図５は、第２組の第２層転送電極１２の部分における断面を示している。第２層転送電極１２は、図４の部分において配線４２に接続されている。転送チャネル１７は、この部分では障壁部を構成し、その幅は第２層転送電極１１の幅と同じであり、Ｃである。第１組の第２層転送電極１１の中心と、第２組の第２層転送電極１１の中心とは、転送チャネル１７の幅方向中心に関して逆方向に配置される。
【００２７】
図６は、図１のＣＣＤのＮ型ウエル（電荷蓄積部）２０、Ｎ-型ウエル（障壁部）２１、チャネルストッパを構成するＰ型拡散層１６のみを示し、電荷転送の状況を示す平面図である。矢印は、電荷の転送方向を模式的に示す。Ｎ型ウエル２０は、第１層転送電極１１の下にあり、Ｎ-型ウエル２１は、第２層転送電極１２の下にある。また、Ｎ型ウエル２０の幅はＷ１であり、全ての部分で同じ幅になっている。これに対して、Ｎ-型ウエル２１は、中心位置が転送チャネル１７の幅方向中心に関して交互に逆側となるようにずれている。また、それぞれの障壁層２１の幅はＢ、Ｃである。幅の関係は、Ｗ１＞Ｂ，Ｃであり、ＢとＣの幅は同じであっても、異なっていても構わない。なお、図６では、Ｎ型ウエル２０の幅は全ての部分で同一幅Ｗ１として示したが、各第１層の転送電極１１の幅に対応して、異なる幅を有していてもよい。
【００２８】
図７（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１のＺ−Ｚ’線に沿うＣＣＤの断面構造及びそのポテンシャル分布を示す。第２層転送電極１２の下は、Ｎ-型ウエル２１として形成されており、転送時に障壁層として作用する。Ｎ-型ウエル２１は、第１層転送電極１１をマスクとする自己整合イオン注入によって、Ｎ型ウエル２０の表面部分にボロン等のＰ型イオンを注入することで形成する。
【００２９】
各組の第１層及び第２層転送電極１１、１２には、交互にオンとなる２相のクロック信号φ１、φ２が印加される。図７において、時刻Ｔ１で、φ１で示したクロックが０Ｖに、φ２で示したクロックが５Ｖになる。次の時刻Ｔ２では、φ１で示したクロックが５Ｖに、φ２で示したクロックが０Ｖになる。時刻Ｔ１及びＴ２は、交互に繰り返される。
【００３０】
上記２相クロック信号（駆動信号）φ１、φ２の印加によって、時刻Ｔ１の転送チャネル１７には、第１組の第２層転送電極１２の下部から、順次に、第１組の第１層転送電極１１、第２組の第２層転送電極１２、第２組の第１層転送電極１１の下部へとポテンシャルが低下するポテンシャル分布が得られる。この時刻Ｔ１では、第２組の転送電極下１１の転送チャネル１７が電荷蓄積層として動作する。次の時刻Ｔ２の転送チャネル１７には、第２組の第２層転送電極１２の下部から、順次に、第２組の第１層転送電極１１、第１組の第２層転送電極１２、第１組の第１層転送電極１１の下部へとポテンシャルが低下するポテンシャル分布が得られる。この時刻Ｔ２では、第１組の第１層転送電極１１が電荷蓄積層として動作する。このようにして、電荷は転送チャネル内で一方向に且つ順次に転送される。
【００３１】
上記２相駆動型ＣＣＤでは、第１層転送電極１１下のＮ型ウエル２０が電荷蓄積層として作用するので、第１層転送電極２０の面積（幅Ｗ１）が大きいほど転送可能な電荷量が多い。
【００３２】
図８は、図１のＣＣＤのＺ１−Ｚ１’線に沿う断面を示しおり、第２組の転送電極が存在しないＣＣＤ部分を示している。同図において、第１層及び第２層転送電極１１、１２が存在しない転送チャネル１７部分には、Ｐ型拡散層１６が形成されている。Ｐ型拡散層１６は、第１層及び第２層転送電極１１、１２をマスクとして、Ｎ型ウエル２０及びＮ-型ウエル２１内にボロン等のＰ型イオンを注入することにより形成される。Ｐ型拡散層１６は、チャネルストッパと呼ばれ、この部分において転送チャネルの電荷の通過を阻止する。
【００３３】
チャネルストッパは、以下に述べる理由で形成される。つまり、転送チャネル部分にこのＰ型拡散層１６を形成せず、Ｎ型ウエル２０が残っていると、この部分は、何れの転送電極からも電位制御を受けないため、ポテンシャルが極端に高くなり、電荷が転送されずに残ってしまう転送不良が発生するからである。
【００３４】
上記実施形態例では、電荷転送時に電荷蓄積部を構成する第１層転送電極１１下部のＮ型ウエル２０の幅Ｗ１よりも、電荷転送時に障壁層を構成する第２層の転送電極１２下部のＮ-型ウエル２１の幅Ｂ及びＣの幅が狭くしてある。この第２層転送電極１２下部のＮ-拡散層２１は、電荷を一時的に蓄積する機能はなく、小さな幅で形成しても、転送可能な電荷量を少なくすることはない。なお、極めて高速（例えば、５ＭＨｚ以上）で電荷転送を行なう場合には、第２層転送電極１２下の転送チャネル幅Ｂ及びＣと、第１層転送電極１１下の転送チャネル幅Ｗ１との比は、ほぼ２：３以上にすることが望ましい。
【００３５】
図９に各部の寸法を示した。ここで、Ｐを転送電極のピッチ、Ｓ１を第１層転送電極１１の間隔、Ｓ２を第２層転送電極１２の間隔、Ａ１をコンタクト１３と第１層転送電極１１の縁部との間の距離、Ａ２をコンタクト１３と第２層転送電極１２の縁部との間の距離、Ａ３を第１層転送電極１１の幅、Ａ４を第１層転送電極１１と第２層電荷転送極１２の重なり寸法、Ａ５をコンタクトの幅としている。この場合、ＣＣＤを設計するにあたり、転送電極のピッチＰを、Ｐ＝Ｓ１＋Ａ３として設計でき、近年のＣＣＤの微細化に対応可能である。この点は、図１８に示した比較例のＣＣＤ構造と同様である。しかし、上記実施形態例のＣＣＤは、図１８に示した比較例のＣＣＤ構造と比較すると、同じ設計マージンで、同じピッチのＣＣＤを製造した場合に、転送チャネルの幅を広くとれるので、約１．５倍〜２倍の電荷を転送できる。
【００３６】
図１０は、上記実施形態例のＣＣＤを製造する際の工程を示している。ステップＳ１からステップＳ７迄は、図１７に示した従来のＣＣＤの製造方法と同様である。本実施形態例の製造方法は、ステップＳ８において、第１層及び第２層転送電極１１、１２をマスクとして自己整合的にＰ型イオンを注入して、Ｐ型ストッパ層１６を形成する工程を有する点が従来の製造方法と異なる。
【００３７】
上記本実施形態例の工程において、例えば、Ｎ型ウエル２０は、80KeVのエネルギーで1E12の濃度でリンを注入し、周辺部のＰ+型拡散層１６へのボロン注入は、50KeVのエネルギーで2E13の濃度で行う。また、ＣＣＤの障壁部（Ｎ-型ウエル）２１形成のためのボロンは、50KeVのエネルギーで8E11の濃度でイオン注入する。
【００３８】
図１１に本発明の第２の実施形態例に係るＣＣＤを示す。同図において、本実施形態例のＣＣＤでは、Ｎ型ウエル２０が、第１層転送ゲート１１の幅よりも大きく形成されており、また、コンタクト１３の位置が第１組と第２組の転送電極で同じ側に形成されている。図１２は、図１１のＣＣＤにおける拡散層の構造を示している。Ｎ型ウエル２０の表面部分には、第２層転送電極１２の下に、Ｎ-型ウエル２１が形成され、また、第１層転送電極１１の外側部分は、ストッパ層として構成されるＰ型拡散層１６が形成されている。Ｎ-型ウエル２１の幅は、Ｎ型ウエル２０の幅よりも狭く形成される。電荷は、矢印に示すように、転送チャネルに沿ってほぼ直線状に転送される。
【００３９】
図１３は、上記第２の実施形態例に係るＣＣＤの製造工程を示している。まず、シリコン基板のＰ型ウエル１９内にＮ型ウエル２０を形成し（ステップＳ１）、次いで、転送チャネル１７の周辺部及びＣＣＤ内の周縁部にボロンを注入し、Ｐ＋型拡散層１６を形成する（ステップＳ２）。引き続き、基板全体に酸化膜を形成し（ステップＳ３）、第１層ポリシリコン層を堆積し、これをパターニングして第１層転送電極１１を形成する（ステップＳ４）。更に、この第１層転送電極をマスクとして、自己整合的にＮ型ウエルの表面部分にボロンを注入して、その部分をＮ-型ウエルに変える（ステップＳ５）。次いで、酸化膜及び層間絶縁膜を形成し（ステップＳ６）、その上に第２層のポリシリコン層を堆積し、これをパターニングして第２層転送電極１２を形成する（ステップＳ７）。更に、第１層及び第２層の転送電極をマスクとして、自己整合的にＰ型イオンを注入し、チャネルストッパ層を成すＰ型拡散層１６を形成する。
【００４０】
図１４は、本発明の第3の実施形態例に係るＣＣＤの構造を示している。同図において、Ｎ型ウエル２０の幅は、第1層転送電極１１の幅よりも狭く形成される。Ｎ型ウエル２０の外側にはＰ型拡散層１６が形成されている。コンタクト１３の配置は、図１に示したＣＣＤと同様である。
【００４１】
図１４の構造を得る場合には、図１３のフローチャートのステップＳ２において、形成したＮ型ウエル２０の外側部分に選択的にＰ型イオンを注入して、Ｎ型ウエル２０の部分をチャネルストッパを成すＰ型拡散層１６に変える。その他の工程は、図１３と同様である。
【００４２】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明のＣＣＤ及びその製造方法は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【００４３】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のＣＣＤによると、転送電極のピッチを狭くして、微細化に対応するＣＣＤとしても、電荷転送チャネルの幅を広くとれ、転送可能な電荷量の低下を招くことがないので、本発明は、電荷転送量が大きく微細化可能なＣＣＤを提供した効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態例のＣＣＤの平面図。
【図２】図１のX−X’線に沿う断面図。
【図３】図１のY−Y’線に沿う断面図。
【図４】図１のX1−X1’線に沿う断面図。
【図５】図１のY1−Y1’線に沿う断面図。
【図６】図１のＣＣＤの電荷転送方向を示す平面図。
【図７】（ａ）は図１のZ−Z’線に沿う断面図、（ｂ）はそのポテンシャル分布を示すグラフ。
【図８】図１のZ1−Z1’線に沿う断面図。
【図９】図１のＣＣＤの転送電極の各部の寸法を示す平面図。
【図１０】図１のＣＣＤの製造工程を示すフローチャート。
【図１１】本発明の第２の実施形態例に係るＣＣＤの平面図。
【図１２】図１１のＣＣＤの電荷転送方向を示す平面図。
【図１３】図１１のＣＣＤの製造工程を示すフローチャート。
【図１４】本発明の第３の実施形態例に係るＣＣＤの平面図。
【図１５】従来のＣＣＤの平面図。
【図１６】図１５のＣＣＤの電荷転送方向を示す平面図。
【図１７】図１５のＣＣＤの製造工程を示すフローチャート。
【図１８】比較例のＣＣＤの平面図。
【図１９】図１８のＣＣＤの転送チャネルを示す平面図。
【図２０】比較例のＣＣＤの変形例を示す平面図。
【符号の説明】
１１：第１層転送電極
１２：第２層転送電極
１３：コンタクト
１５：遮光層
１６：Ｐ型拡散層
１７：転送チャネル
１９：Ｐ型ウエル
２０：Ｎ型ウエル
２１：Ｎ-型ウエル
４１、４２：配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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