(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された軟磁性下地層と、
該軟磁性下地層上に形成された非磁性下地層と
該非磁性下地層上に形成され、膜厚方向に磁気異方性を有する結晶性の硬磁性記録層、及び該硬磁性記録層上に形成された非晶質の軟磁性記録層、及び該軟磁性記録層上に設けられた結晶質の非磁性金属材料からなるキャップ層を含み、かつ記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有し、該硬磁性記録層と該軟磁性記録層が交換結合されている垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性金属材料は、銅，金，パラジウム，プラチナ，ロジウム，イリジウム，ルテニウム，レニウム，クロム，モリブデン，タングステン，バナジウム，ニオブ，タンタル，チタン，ジルコニウム，及びハフニウムのうちの少なくとも一種を含む単体金属または合金からなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
基板と、
該基板上に形成された軟磁性下地層と、
該軟磁性下地層上に形成された非磁性下地層と
該非磁性下地層上に形成され、膜厚方向に磁気異方性を有する結晶性の硬磁性記録層、及び該硬磁性記録層上に形成された非晶質の軟磁性記録層、及び該軟磁性記録層上に設けられたコバルト，ニッケル，及び鉄のうち少なくとも一種を含む結晶質の軟磁性材料からなるキャップ層を含み、かつ記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有し、該硬磁性記録層と該軟磁性記録層が交換結合されている垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記結晶質の軟磁性材料からなるキャップ層が、コバルト，鉄，ニッケル，コバルト鉄，コバルトニッケル，及びニッケル鉄からなる群から選択される少なくとも一種からなることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、記録再生ヘッドを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録技術を用いたハードディスク装置等に用いられる垂直磁気記録媒体に係り、特に、その磁気記録層が記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有するパターンドメディア、及びこれを用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータを中心に利用されている情報記録、再生を行う磁気記憶装置（ＨＤＤ）は、その大容量、安価性、データアクセスの速さ、データ保持の信頼性などの理由により、近年徐々に応用の幅を広げ、家庭用ビデオデッキ、オーディオ機器、車載ナビゲーションシステムなど様々な分野で利用されている。ＨＤＤの利用の幅が広がるにつれ、その記憶容量の高密度化の要求も増し、近年、ＨＤＤの高密度化開発はますます激しさを増している。
【０００３】
現在市販されているＨＤＤの磁気記録方式として、垂直磁気記録方式が、従来の面内磁気記録方式に代わる技術として近年急速に利用が広まっている。垂直磁気記録方式は、情報を記録する磁気記録層を構成する磁性結晶粒子が、磁気記録層の膜厚方向すなわち基板に対して垂直方向にその磁化容易軸を持つ。ここで、磁化容易軸とは、磁化の方向が向きやすい軸のことであり、Ｃｏ系合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造の（０００１）面の法線に平行な軸（ｃ軸）である。このため、高密度化の際にも記録ビット間の反磁界の影響が少なく、また高密度化においても静磁気的に安定である。垂直磁気記録媒体は、一般に、基板と、垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を（０００１）面配向させ、かつその配向分散を低減する非磁性下地層と、硬質磁性材料を含む垂直磁気記録層と、垂直磁気記録層の表面を保護する保護層から形成されている。さらに、基板と非磁性下地層との間に、記録時に磁気ヘッドから発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性下地層が設けられる。
【０００４】
垂直磁気記録媒体の記録密度の高密度化には、熱安定性を保ちながら低ノイズ化を実現する必要がある。ノイズ低減法としては、記録層の磁性結晶粒子を膜面内で磁気的に孤立させ、磁性結晶粒子間の磁気的相互作用を低減させると同時に、磁性結晶粒子そのものの大きさを微細化する方法が一般に用いられている。具体的には、例えば、記録層にＳｉＯ２等を添加し、一個の磁性結晶粒子がこれらの添加物を主成分とする粒界領域に取り囲まれた、いわゆるグラニュラ構造を有する垂直磁気記録層を形成する方法がある。しかしながら、このような方法で低ノイズ化を追求すると、磁化反転体積の減少に伴って、熱安定性を確保するために磁性結晶粒子の磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を必然的に増加させる必要がある。しかしながら、磁性結晶粒子の磁気異方性エネルギーを増加させると、飽和磁界Ｈｓ、保磁力Ｈｃもまた大きくなってしまうことから、書き込みの際の磁化反転に必要な記録磁界が大きくなってしまうため、記録ヘッドによる書込み能力（Ｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）が低下し、その結果、記録、再生特性が劣化するという問題が生じる。
【０００５】
この問題を克服するため、垂直磁気記録層部に１ビットに相当する磁気的構造物の配列を形成、例えば微細加工によって磁性ドットを形成し、磁性ドット間を磁気的に孤立させた、パターンドメディアが検討されている。パターンドメディアにおいては、垂直磁気記録層の磁性結晶粒子を、結晶粒子単位で反転させるのではなく、１ビットに相当する大きさであり、数個ないし数十個の磁性結晶粒子を含む磁性ドット単位で反転するように、磁気的孤立化させればよいため、グラニュラ化の場合に比べて磁化反転体積を大きくすることができる。したがって、熱安定性を確保するために必要なＫｕ値を下げることができる。このため、Ｈｓや、Ｈｃの増大を抑えることができ、磁化反転に必要な磁界（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ）を抑制することができる。
【０００６】
一方、パターンドメディアにおいては、磁性ドット内の逆磁区の発生を防ぐために、一個の磁性ドット内に含まれる結晶粒子数個から数十個の磁性結晶粒子が、磁気的にはほぼ一体となって（ｃｏｈｅｒｅｎｔに）磁化反転する必要がある。このため、垂直磁気記録層を前述のグラニュラ化とは逆に、一個の磁性ドット内で連続膜化し、磁性結晶粒子間の磁気的相互作用を強める必要がある。しかしながら、現行の垂直磁気記録媒体の垂直磁気記録層材料として広く用いられているＣｏＣｒＰｔ系合金材料では、一般に磁性結晶粒子間の磁気的相互作用を強めると、保磁力Ｈｃや核生成磁界Ｈｎが数百Ｏｅ程度まで著しく低下してしまい、外部磁界や浮遊磁界、熱揺らぎによる逆磁区が発生する、という問題が生じてしまう。そこで、Ｃｏ／ＰｄやＣｏ／Ｐｔといった人工格子連続膜が、パターンドメディア用垂直磁気記録層の基礎検討に用いられている（例えば、非特許文献１参照）。これらの材料は、結晶粒子間の磁気的相互作用が強い連続膜でありながら、適度に大きな保磁力Ｈｃ及び核生成磁界Ｈｎを発現しうるため、上記のような問題が生じにくい。
【０００７】
しかしながら、パターンドメディアの他の問題として、ある設定された強度の記録磁界に対して指定された磁性ドットが確実に磁化反転をし、かつ隣接ドットの磁化反転を防ぐために、磁性ドットごとの反転磁界のばらつき（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ，  ＳＦＤ）を極力小さくする必要がある。結晶性の垂直膜をパターンドメディアに用いる場合、ＳＦＤが生じる大きな原因のひとつが、ドット間での結晶粒子構造のばらつきである。すなわち、ある結晶粒子径分布をもつ結晶性連続膜を磁性ドット状に加工した場合、ドットごとの結晶数（加工によって切断されたものも含む）や結晶粒子界の入り方が一様でないため、各ドット反転磁界も一様でなくなり、大きなＳＦＤが生じてしまうという問題があった。
【０００８】
このように、従来のパターンドメディアでは、磁性ドット内の逆磁区の発生、磁性ドットごとの反転磁界のばらつきの防止を両立させることが困難であった。
【非特許文献１】アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）  第９０巻  第１６２５１６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、磁性ドット内における逆磁区を抑制するとともに、磁性ドットごとの反転磁界のばらつきを低減し、高密度記録が可能なパターンドメディア及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板と、
該基板上に形成された軟磁性下地層と、
該軟磁性下地層上に形成された非磁性下地層と
該非磁性下地層上に形成され、膜厚方向に磁気異方性を有する結晶性の硬磁性記録層、及び該硬磁性記録層上に形成された非晶質の軟磁性記録層、及びキャップ層を含み、かつ記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有し、該硬磁性記録層と該軟磁性記録層が交換結合されている垂直磁気記録層とを具備し、該キャップ層は、該軟磁性記録層上に設けられた結晶質の非磁性金属材料からなるか、あるいはコバルト，ニッケル，及び鉄のうち少なくとも一種を含む結晶質の軟磁性材料からなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の磁気記録再生装置は、
基板と、
該基板上に形成された軟磁性下地層と、
該軟磁性下地層上に形成された非磁性下地層と
該非磁性下地層上に形成され、膜厚方向に磁気異方性を有する結晶性の硬磁性記録層、及び該硬磁性記録層上に形成された非晶質の軟磁性記録層、及びキャップ層を含み、かつ記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有し、該硬磁性記録層と該軟磁性記録層が交換結合されている垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体と、
記録再生ヘッドとを具備し、該キャップ層は、該軟磁性記録層上に設けられた結晶質の非磁性金属材料からなるか、あるいはコバルト，ニッケル，及び鉄のうち少なくとも一種を含む結晶質の軟磁性材料からなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、１ビットに相当する磁気的構造物（磁気ドット）内における逆磁区を抑制するとともに、複数の磁気的構造物における反転磁界のばらつきを低減したパターンドメディアが得られ、高密度な垂直磁気記録が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された軟磁性下地層と、軟磁性下地層上に形成された非磁性下地層と、非磁性下地層上に形成された垂直磁気記録層とを具備し、この垂直磁気記録層は、記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物（磁性ドット）の配列を有し、膜厚方向に磁気異方性を有する結晶性の硬磁性記録層、及び硬磁性記録層上に形成された非晶質の軟磁性記録層を含み、かつ硬磁性記録層と軟磁性記録層が交換結合されている。
【００１４】
また、本発明に係る磁気記録再生装置は、上記磁気記録媒体と、記録再生ヘッドとを具備する。
【００１５】
本発明では、磁性ドットの配列を有する磁気記録層を、結晶性の硬磁性記録層と、非晶質の軟磁性記録層とを積層して形成する。結晶性の硬磁性記録層を用いることにより、適度な保磁力Ｈｃ，核生成磁界Ｈｎを発揮するとともに、十分な熱揺らぎ耐性が得られる。
【００１６】
また、硬磁性記録層上に非晶質の軟磁性記録層を積層すると、軟磁性記録層を通して硬磁性結晶粒子間の交換相互作用を強めることができる。これにより、磁性ドット内の複数の硬磁性結晶粒子が、ｃｏｈｅｒｅｎｔな磁化反転をするため、ドット内の逆磁区を防ぐことができる。この軟磁性記録層が非晶質であることにより、結晶質の磁性材料では不可避の膜面内における結晶粒子径や結晶配向のばらつきが原理的に存在しない。このような軟磁性記録層と前述の硬磁性記録層を交換結合させることにより、結果的に、磁気ドット毎の反転磁界のばらつきＳＦＤを抑制することが出来る。
【００１７】
ＳＦＤの評価法としては、例えば、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ  第２７巻  第４９７５項で述べられているΔＨｃ／Ｈｃ評価法等を用いることができる。
【００１８】
この垂直磁気記録層上には、必要に応じて、任意に、保護層、及び潤滑剤層等を設けることが出来る。
【００１９】
図１は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図である。
【００２０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１０は、基板１上に、軟磁性下地層２と、非磁性下地層３と、垂直磁気記録層４と、保護層５と潤滑剤層６とが順に積層されている。また、垂直磁気記録層４は、硬磁性記録層４−１と軟磁性記録層４−２の二層からなり、記録情報の１ビットに相当する磁気ドット単位に分離されて、複数の凸部８の配列を有している。この場合は、各磁気ドット間が分離されて、磁気的に孤立している。
【００２１】
本発明の非磁性基板としては、ガラス基板、Ａｌ系の合金基板あるいは表面が酸化したＳｉ単結晶基板，セラミックス，及びプラスチック等を使用することができる。さらに，それら非磁性基板表面にＮｉＰ合金などのメッキが施されている場合でも同様の効果が期待される。
【００２２】
本発明の垂直磁気記録層上には、保護層を設けることができる。保護層としては、例えばＣ，ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ），ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，ＣＮｘがあげられる。
【００２３】
本発明の潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を用いることができる。
【００２４】
非磁性下地層と基板との間に高透磁率な軟磁性下地層を設けることにより、いわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性下地層は、垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００２５】
このような軟磁性層として、例えばＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＢ，ＣｏＴａＺｒ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＴａＣ，ＣｏＴａＣ，ＮｉＦｅ，Ｆｅ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＣｏＮ，ＦｅＴａＮ，及びＣｏＩｒ等が挙げられる。
【００２６】
軟磁性下地層は、二層以上の多層膜であっても良い。その場合、それぞれの層の材料、組成、膜厚が異なっていても良い。また、軟磁性下地層二層を薄いＲｕ層を挟んで積層させた三層構造としても良い。軟磁性下地層の膜厚は、オーバーライト（ＯＷ）特性と信号ノイズ比（ＳＮＲ）のバランスにより適宜調整される。
【００２７】
また、軟磁性下地層と基板との間に、例えば面内硬磁性膜及び反強磁性膜等のバイアス付与層を設けることができる。軟磁性層は磁区を形成しやすく、この磁区からスパイク状のノイズが発生することから、バイアス付与層の半径方向の一方向に磁界を印加することにより、その上に形成された軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。
【００２８】
このバイアス付与層を設けると、異方性を細かく分散せしめ、大きな磁区を形成しにくくすることも可能である。バイアス付与層材料としては、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＯ−ＳｉＯ２、ＦｅＭｎ，ＩｒＭｎ，ＰｔＭｎがあげられる。
【００２９】
上記軟磁性下地層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑剤層の各層の形成法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、及びレーザーアブレーション法を用いることができる。
【００３０】
スパッタリング法としては、例えばコンポジットターゲットを用いた単元のスパッタリング法及びそれぞれの物質のターゲットを用いた、多元同時スパッタリング法を用いることができる。
【００３１】
シード層や下地層、磁気記録層の成膜前及び／または成膜中に、基板温度を２００〜５００℃に加熱することにより、硬磁性記録層に用いられるＬ１０結晶粒のＫｕを向上させることができる。
【００３２】
本発明にかかる垂直磁気記録層は、硬磁性記録層と軟磁性記録層を含み、磁気ドットの配列構造をとっている。
【００３３】
なお、保磁力Ｈｃ，飽和磁界Ｈｓ及び核生成磁界Ｈｎは、垂直磁気記録層の磁化曲線（ヒステリシスループ）から容易に求めることが出来る。
【００３４】
図２は、垂直磁気記録層の磁化曲線の一例を模式的に示したものであり、図中に保磁力Ｈｃ，飽和磁界Ｈｓ，及び核生成磁界Ｈｎをそれぞれ示す。
【００３５】
本発明に用いられる硬磁性記録層は、磁化容易軸が基板に対して垂直方向を向いた、結晶質の垂直磁性層となっている。本発明における硬磁性記録層は、外部磁界、浮遊磁界等に対して逆磁区の発生を抑制するため適度な保磁力Ｈｃ，核生成磁界Ｈｎを発揮するとともに、十分な熱揺らぎ耐性を得るため高いＫｕを有する材料が好ましい。
【００３６】
本発明に使用される硬磁性材料として、（０００１）面配向した、ＣｏおよびＰｔを含有するｈｃｐ構造の合金材料があげられる。ｈｃｐ構造のＣｏ合金結晶粒子が（０００１）面配向していると、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向し、垂直磁気異方性を発現し得る。（０００１）面配向した、ＣｏおよびＰｔを含有するｈｃｐ構造の合金材料としては、例えばＣｏ−Ｐｔ―Ｃｒ、及びＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２系の合金材料を使用し得る。これらの合金は、高い結晶磁気異方性エネルギーを有しているため熱揺らぎ耐性が高いことに加えて、適度に大きいＨｃ及びＨｎを発現することができる。これらの合金材料に、磁気特性をさらに改善する目的で、必要に応じてＴａやＣｕ，Ｂ，Ｎｄといった添加元素を加えてもよい。硬磁性記録層が（０００１）配向したｈｃｐ構造を有するかどうかは、例えば一般的なＸ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、θ―２θ法によって評価することが出来る。これらの硬磁性記録層は、ある程度のグラニュラ構造にすることが出来る。グラニュラ構造を有すると、大きなＨｃ及びＨｎを発現できる。
【００３７】
あるいは、本発明に用いられる硬磁性材料として、（００１）配向した、Ｌ１０構造を持つ結晶粒子からなり、かつ磁性金属元素及び貴金属元素を主成分とするものがあげられる。磁性金属としては、Ｆｅ及び／またはＣｏを使用することができる、貴金属元素としては、Ｐｔ及び／またはＰｄを使用することができる。これらの材料は、Ｌ１０構造をとった場合に、ｃ軸方向（（００１）面の法線方向）に１０７  ｅｒｇ／ｃｃ以上と非常に大きなＫｕを発揮しうるため、好ましい。硬磁性記録層中に、磁気特性あるいは電磁変換特性を向上させる目的で、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃといった元素や、ＭｇＯ、ＳｉＯ２といった化合物を適量添加してもよい。硬磁性記録層を構成する結晶粒子がＬ１０構造をもっているかどうかは、一般的なＸ線回折装置で確認することができる。（００１）、（００３）といった、不規則面心立方格子（ＦＣＣ）では観測されない面を表わすピーク（規則格子反射）がそれぞれの面間隔に一致する回折角度で観察できれば、Ｌ１０構造が存在しているといえる。硬磁性記録層が（００１）配向しているかどうかは、例えば一般的なＸ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて評価することが出来る。
【００３８】
本発明のパターンドメディアの垂直磁気記録層は、上記硬磁性記録層上に非晶質の軟磁性材料からなる軟磁性記録層を設けており、軟磁性記録層は硬磁性記録層と交換結合されている。ここでいう非晶質とは、必ずしもガラスのような完全な非晶質を意味するものではなく、局所的に２ｎｍ以下の粒径の微細結晶がランダムに配向した状態の膜でも良い。軟磁性記録層が非晶質であるかどうかは、ＸＲＤや、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による回折像によって判断することができる。
【００３９】
非晶質の軟磁性材料としては、Ｃｏを含有する合金を好ましく使用しうる。より好ましくは、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｂ，ＣｏＴａＣ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＣｏＮといった合金を使用しうる。
【００４０】
硬磁性記録層と軟磁性記録層が交換結合しているかどうかは、例えば極Ｋｅｒｒ効果測定装置により、垂直磁気記録層部の磁化曲線を評価することで判断できる。交換結合が弱い場合、磁化曲線は二段ループ形状となる。
【００４１】
硬磁性記録層と軟磁性記録層が交換結合している限りにおいては、硬磁性記録層と軟磁性記録層が直接接していなくても良い。
【００４２】
なお、本発明で用いられる軟磁性材料とは、磁化容易軸方向の保磁力が１ｋＯｅ未満の材料をいい、一方、硬磁性材料とは、磁化容易軸方向の保磁力が１ｋＯｅ以上の材料をいう。
【００４３】
垂直磁気記録層の合計の厚さはシステムの要求値によって決定されるが、０．５ｎｍないし５０ｎｍの範囲にすることができる。さらには、０．５ｎｍないし２０ｎｍにすることができる。０．５ｎｍ未満であると、連続膜にすることが困難になり、良好な磁気記録が得られない傾向がある。
【００４４】
軟磁性記録層と硬磁性記録層の膜厚の比は、保磁力Ｈｃ，核生成磁界Ｈｎと飽和磁界Ｈｓとのバランスにより適宜調整することができる。
【００４５】
本発明において、非磁性下地層は磁性層の磁気記録媒体としての機能を補強するものである。具体的には、垂直磁気記録層と軟磁性下地層との間に挿入される薄膜であり、一つの材料系からなる層でも良いし、いくつかの層から構成される多層膜であっても良い。非磁性下地層は主として、硬磁性記録層のｃ軸配向分散の低減や、適度なＨｃやＨｎの発現など磁気特性を向上させる役割を担う。
【００４６】
非磁性下地層は、その上に形成される硬磁性記録層に応じて適宜選択され得る。
【００４７】
例えば硬磁性記録層として（０００１）面配向した、ＣｏおよびＰｔを含有するｈｃｐ構造の合金材料を用いる場合、非磁性下地層材料としては、（０００１）面配向したｈｃｐ構造を有する金属または合金材料を使用し得る。このような非磁性下地層を用いることで、硬磁性記録層のｃ軸配向性が向上し得る。具体的には、Ｒｕ，Ｔｉ，Ｒｅといった単体金属や、Ｒｕ−Ｃｒ，Ｒｕ−Ｗ、Ｒｕ−Ｃｏといった合金が好ましい。
【００４８】
一方、硬磁性磁気記録層としてＬ１０構造を持つ結晶粒子からなり、かつ磁性金属元素及び貴金属元素を主成分とする合金材料を用いる場合、非磁性下地層材料として、Ｎｉを含有する非晶質合金を用いることができる。ここでいう非晶質とは、必ずしもガラスのような完全な非晶質を意味するものではなく、局所的に２ｎｍ以下の粒径の微細結晶がランダムに配向した状態の膜も含まれる。このようなＮｉを含有する合金としては、例えばＮｉ−Ｎｂ、Ｎｉ−Ｔａ、Ｎｉ−Ｚｒ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−ＭｏまたはＮｉ−Ｖ合金といった合金系があげられる。これらの合金中のＮｉ含有量は、２０から７０原子パーセントの範囲にすることができる。この範囲であると、非晶質になりやすい傾向がある。さらに、Ｎｉを含有する非晶質合金下地層表面を酸素を含む雰囲気中に曝露させることができる。これにより、硬磁性記録層のｃ軸配向性を向上させることができる。Ｎｉを含有する非晶質合金下地層と磁気記録層との間に、ＣｒまたはＣｒを主成分とする合金からなる結晶性の下地層を一層以上挿入することができる。これにより、磁気記録層のｃ軸配向性がさらに向上し得る。ここで言う主成分とは、その合金を構成する元素の中で、原子数比が最も多い元素をいう。このような下地層としては、Ｃｒ単体のほか、例えばＣｒ−ＴｉやＣｒ−Ｒｕといった合金系を好ましく用いることが出来る。また、Ｃｒを主成分とする合金からなる下地層と、磁気記録層との間に、Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｉｒのうちから選択される少なくとも一種の元素または合金からなる結晶性のバッファ層を少なくとも一層挿入することができる。これにより、磁気記録層のｃ軸配向性がさらに向上する傾向がある。加えて、磁気記録層の規則合金の規則化を促進する傾向があり、その結果、磁気異方性エネルギーが増加して熱揺らぎ耐性が高まる傾向がある。
【００４９】
本発明の垂直磁気記録層は、パターン化加工により微細形状配列構造をとっている。パターン化加工方法としては、例えば、媒体表面にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等のマスク材料を塗布した後、ドットパターンが転写されたスタンパを用いてナノインプリント法によりマスクに凹凸パターンを形成し、これをＡｒイオンミリングにより垂直磁気記録層のエッチングを行ったうえ、ＣＦ４ガスを用いて反応性イオンミリング（ＲＩＥ）によりＳＯＧマスクを除去する、といった方法が挙げられる。そのほか、ＰＳ（ポリスチレン）−ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ジブロックポリマーの自己組織化現象とＯ２ガスを用いたＲＩＥで自己組織化パターンを媒体表面に形成後，ＳＯＧを塗布し，再度Ｏ２ガスを用いたＲＩＥを行うことで，ＳＯＧからなるドット形状のマスクを形成し、同様にミリングする方法も挙げられる。
【００５０】
パターン化加工の後、磁性ドットの間の溝部に非磁性物質を埋め込むことも出来る。
【００５１】
図３は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の別の一例を表す断面図である。
【００５２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２０は、基板１上に、軟磁性下地層２と、非磁性下地層３と、垂直磁気記録層４と、保護層５と潤滑剤層６とが順に積層され、かつ垂直磁気記録層４がパターン化された微細形状配列構造を有する。垂直磁気記録層４は、硬磁性記録層４−１と非磁性中間層４−３と軟磁性記録層４−２の三層からなり、図１と同様の複数の凸部８の配列を有している。
【００５３】
硬磁性磁気記録層と軟磁性磁気記録層の間に薄い非磁性中間層を設けることにより、両層間の交換結合力を適度に弱めることで、いわゆるＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）媒体に類似の構造となり、反転磁界を低減することができる。
【００５４】
非磁性中間層の膜厚は、０．３から２．５ｎｍの範囲にすることができる。さらには、０．７５から１．５ｎｍの範囲にすることができる。非磁性中間層膜厚が０．３ｎｍ以下では連続膜になりにくく、磁気特性制御の効果が顕著に現れない傾向がある。２．５ｎｍを超えると、交換結合が著しく弱まり、軟磁性磁気記録層の非可逆的な磁化反転が生じる傾向がある。
【００５５】
非磁性中間層の膜厚は、例えば、断面ＴＥＭ観察により評価することができる。
【００５６】
非磁性中間層材料としては、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，及びＣｒのうち少なくとも一種を含む金属単体もしくは合金を好ましく用いることができる。
【００５７】
図４は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の別の一例を表す断面図である。
【００５８】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３０は、基板１上に、軟磁性下地層２と、非磁性下地層３と、垂直磁気記録層４と、キャップ層７と、保護層５と、潤滑剤層６とが順に積層され、かつ垂直磁気記録層４がパターン化された微細形状配列構造を有する。垂直磁気記録層４は、硬磁性記録層４−１と非磁性中間層４−３と軟磁性記録層４−２の三層からなり、図１と同様の複数の凸部８の配列を有している。
【００５９】
本発明の垂直磁気記録媒体では、軟磁性記録層と保護層の間に、非磁性金属からなるキャップ層を設けることができる。
【００６０】
凸部をパターン加工する場合、プロセスガスとして、例えば上記のＣＦ４ガスを用いる場合、非晶質軟磁性層がＣＦ４ガスに曝されるとＣｏやＦｅといった磁性元素がフッ化されやすい傾向があり、その結果、これらの磁性元素が軟磁性層から脱離し、軟磁性記録層の磁性が一部失われて、前述のような機能を十分に果たさなくなる場合がある。
【００６１】
非晶質軟磁性層の上に非磁性金属からなるキャップ層を設けることにより、非晶質軟磁性層表面が直接ＣＦ４ガスに曝されなくなるため、磁性元素の脱離を抑制することができ、非晶質軟磁性層の磁化量の劣化を抑制することができるため、ＳＦＤがさらに低減し、好ましい。このようなキャップ層材料としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆ等の結晶性の非磁性金属または合金材料を用いることができる。キャップ層は、その膜厚を０．５ｎｍないし５ｎｍの範囲にすることができる。０．５ｎｍ未満では上記のような磁性元素の脱離抑制効果が顕著には現れず、５ｎｍを超えると、記録再生ヘッドと磁気記録層の間の磁気的スペーシングが増大するため、ＯＷ特性が低下する傾向がある。
【００６２】
あるいは、結晶質の軟磁性材料をキャップ層として用いることができる。結晶質の軟磁性層は、非晶質の場合に比べてＣＦ４ガスに対する耐性が高いため、磁性元素の脱離を抑制し、非晶質軟磁性層の磁化量の劣化を抑制して、ＳＦＤをさらに低減する傾向がある。さらに、キャップ層自体が磁性を有しているため、キャップ層は磁気的スペーシングにならず、ＯＷ特性の劣化がないという利点を有する。この場合、キャップ層と軟磁性記録層は交換結合していると、さらに、再生出力が増大し、ＳＮＲが向上するという利点を有する。
【００６３】
このようなキャップ層材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅといった結晶性の金属または合金を挙げることができる。
【００６４】
キャップ層膜厚は０．５ｎｍないし１０ｎｍの範囲にすることができる。０．５ｎｍ未満では上記のような磁性元素の脱離抑制効果が顕著には現れず、１０ｎｍを超えると、キャップ層の反磁界によってＨｎが低下する傾向がある。
【００６５】
図５に、本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００６６】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク６２は、スピンドル６３に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク６２にアクセスして情報の記録を行う記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー６４は、薄板状の板ばねからなるサスペンションの先端に取付けられている。サスペンションはアーム６５の一端側に接続されている。
【００６７】
アーム６５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ６７が設けられている。また、ボイスコイルモータ６７は、アーム６５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００６８】
アーム６５は、固定軸６６の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって支持され、ボイスコイルモータ６７によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク６２上におけるスライダー６４の位置は、ボイスコイルモータ６７によって制御される。
【００６９】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【００７０】
実施例１
１．８インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板（ＯＨＡＲＡ社製ＳＸ）を、ＡＮＥＬＶＡ社製ｃ−３０１０型スパッタリング装置の真空チャンバー内に導入した。
【００７１】
スパッタリング装置の真空チャンバー内を１×１０−５Ｐａ以下に排気した後、軟磁性下地層としてＣｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５を１００ｎｍ、非磁性下地層としてＲｕを２０ｎｍ、硬磁性記録層として（Ｃｏ７４−Ｃｒ１０−Ｐｔ１６）−８モル％ＳｉＯ２膜を１６ｎｍ、非晶質の軟磁性記録層としてＣｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５を６ｎｍ形成した。
【００７２】
軟磁性記録層形成後、基板をスパッタリング装置から取り出し、ＰＳ（ポリスチレン）−ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ジブロックポリマーを有機溶剤に溶かしたものをスピンコート法で塗布し，２００℃で熱処理した。その後、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥで相分離したＰＭＭＡを除去後，ＳＯＧをスピンコートし，再度、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥを行うことで，ＳＯＧからなるドット形状のマスクを形成した。その後，Ａｒイオンミリングで垂直磁気記録層をエッチングし，ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥでＳＯＧマスクを除去した。マスクの除去後，基板を再度スパッタリング装置内に導入し、保護膜としてＣを６ｎｍ成膜し，潤滑剤層としてパーフルオロポリエーテルをディップ法で塗布することで４５ｎｍピッチのビットパターン配列を作製した。
【００７３】
軟磁性下地層、軟磁性記録層、及び保護層のＣの成膜時のＡｒ圧力は０．７Ｐａ，非磁性下地層のＲｕ，硬磁性記録層の（Ｃｏ７４−Ｃｒ１０−Ｐｔ１６）−８モル％ＳｉＯ２の成膜時のＡｒ圧力はそれぞれ３Ｐａで行った。スパッタリングターゲットとしては、それぞれ直径１６４ｍｍのＣｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５，Ｒｕ，（Ｃｏ７４−Ｃｒ１０−Ｐｔ１６）−８モル％ＳｉＯ２  Ｒｕ，Ｃターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て５００Ｗで行った。ターゲットと基板の間の距離は５０ｍｍ、成膜は全て室温で行った。
【００７４】
このほか、軟磁性記録層が、Ｃｏ９０Ｚｒ５Ｔａ５  Ｃｏ９５Ｂ５，Ｃｏ９０Ｔａ５Ｃ５，Ｆｅ４７．５Ｃｏ４７．５Ｂ５，Ｆｅ４９Ｃｏ４９Ｎ２の場合についてもそれぞれ同様の要領でパターンドメディアを作製した。
【００７５】
比較例１
比較例として、軟磁性記録層を設けないパターンドメディアを実施例１と同様の要領で作製した。
【００７６】
比較例２
比較例として、非晶質の軟磁性記録層の代わりに、結晶性のＣｏを６ｎｍ形成したパターンドメディアを、実施例１と同様の要領で作製した。
【００７７】
比較例３
比較例として、硬磁性記録層として、（Ｃｏ７４−Ｃｒ１０−Ｐｔ１６）−８モル％ＳｉＯ２膜の代わりにＣｏ／Ｐｄ人工格子を用い、軟磁性記録層を設けないパターンドメディアを、以下の要領で作製した。
【００７８】
実施例１と同様の要領で軟磁性下地層を形成した後、非磁性下地層としてＰｄを１０ｎｍし、硬磁性記録層として、Ｃｏ  ０．３ｎｍとＰｄ  ０．７ｎｍを交互に１５層ずつ積層した。その後、実施例１と同様の要領で、パターン化加工、保護層積層、及び潤滑剤塗布を順次行い、パターンドメディアを得た。
【００７９】
各層成膜時のＡｒ圧力はいずれも０．７Ｐａで行った。スパッタリングターゲットはそれぞれ直径１６４ｍｍのＰｄ及びＣｏ，Ｃターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て１００Ｗで行った。ターゲットと基板の間の距離は５０ｍｍ、成膜は全て室温で行った。
【００８０】
得られた各パターンドメディアについて、磁性ドットの記録安定性を調べるため、スピンスタンドと記録トラック幅０．３μｍの単磁極ヘッドを用いて媒体をＤＣ消磁し、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）により、ＤＣ状態での磁化状態を評価した。
【００８１】
各パターンドメディアの垂直磁気記録層の膜垂直方向のヒステリシスループは、ネオアーク社製  極Ｋｅｒｒ効果評価装置  ＢＨ−Ｍ８００ＵＶ−ＨＤ−１０にて、波長４０８  ｎｍのレーザ光源を用い、最大印加磁界２０ｋＯｅ、磁界掃引速度１３３  Ｏｅ／ｓの条件にて評価した。
【００８２】
各パターンドメディアのＳＦＤは、極Ｋｅｒｒ効果測定装置を用いたΔＨｃ／Ｈｃ法にて評価した。図６に、ΔＨｃとその評価法を説明するための磁化曲線を表す図を示す。すなわち、前述の要領でヒステリシスループ（太い実線）を得た後、ヒステリシスループ上の−Ｈｃの点から印加磁界を折り返して、Ｈｓまで至らせ、マイナーループ（太い点線）を得る。マイナーループ上におけるθｓ／２となる磁界とヒステリシスループの第一象限上における磁界との差をΔＨｃとし、Ｈｃで規格化してΔＨｃ／Ｈｃを得る。
【００８３】
各媒体について、Ｐｈｉｌｉｐｓ社製  Ｘ線回折装置  Ｘ‘ｐｅｒｔ−ＭＲＤを用いて、Ｃｕ−Ｋα線を加速電圧４５ｋＶ、フィラメント電流４０ｍＡの条件で発生させ、θ−２θ法により、結晶構造及び結晶面配向を評価した。
【００８４】
Ｘ線回折装置による評価の結果
実施例１、比較例１及び２の媒体はいずれも硬磁性記録層も結晶質であり、磁性結晶粒子はいずれもｈｃｐ構造をとり、（０００１）面配向していることが分かった。
【００８５】
また、非磁性下地層のＲｕはいずれもｈｃｐ構造をとり、（０００１）配向していることが分かった。
【００８６】
比較例３の硬磁性記録層は、結晶性のＣｏ及びＰｄからなる人工格子を形成していることがわかった。
【００８７】
実施例１の軟磁性記録層は、非晶質であることが分かった。
【００８８】
比較例２のＣｏ軟磁性記録層は結晶質であり、ｈｃｐ構造を有し、（０００１）面配向していることが分かった。
【００８９】
ＭＦＭによりＤＣ消磁後の磁化状態を観察したところ、比較例１ではドット１０００個に対して２６７個のドットで逆磁区が発生していたのに対し、実施例１、比較例２及び３の媒体では、ドット１０００個に対し、逆磁区が発生しているドットは検出されなかった。
【００９０】
下記表１に、ＳＦＤ評価結果を示す。
【表１】
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【００９１】
上記表より、比較例１，２，３と比較して、実施例１のパターンドメディアでは、ΔＨｃ／Ｈｃ値が大幅に低減しており、ＳＦＤが大幅に低減していることが分かった。
【００９２】
実施例２
実施例１と同様の要領で軟磁性下地層まで形成した後、非磁性下地層としてＮｉ６０Ｔａ４０を５ｎｍ形成した。その後、赤外線ランプヒーターを用いて基板を２８０℃に加熱した後、非磁性下地層表面を５×１０−３  Ｐａの酸素雰囲気中に１０秒間曝露させた。その後、非磁性下地層２としてＣｒを５ｎｍ、非磁性下地層３としてＰｔを１０ｎｍ、硬磁性記録層としてＦｅ４７Ｐｔ５３膜を１０ｎｍ、軟磁性記録層としてＣｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５を６ｎｍ形成した。
【００９３】
その後、実施例１と同様の要領で４５ｎｍピッチのビットパターン配列を作製し、保護層成膜、潤滑剤塗布を順次行い、４５ｎｍピッチのビットパターン媒体を得た。
【００９４】
軟磁性下地層、非磁性下地層１、非磁性下地層２、軟磁性記録層及び保護層のＣの成膜時のＡｒ圧力は０．７Ｐａ，非磁性下地層３のＰｔ，硬磁性記録層のＦｅ５０Ｐｔ５０の成膜時のＡｒ圧力はそれぞれ８Ｐａで行った。スパッタリングターゲットはそれぞれ直径１６４ｍｍのＣｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５，Ｎｉ６０Ｔａ４０，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｆｅ５０Ｐｔ５０，Ｃｏ９０Ｚｒ５Ｎｂ５，Ｃターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て５００Ｗで行った。ターゲットと基板の間の距離は５０ｍｍとした。
【００９５】
ＸＲＤ評価の結果
硬磁性記録層は結晶質であり、磁性結晶粒子はＬ１０構造をとり、（００１）面配向していることが分かった。
【００９６】
また、軟磁性記録層及び非磁性下地層１は非晶質であることが分かった。
【００９７】
ＭＦＭによりＤＣ消磁後の磁化状態を観察したところ、ドット１０００個に対し、逆磁区が発生しているドットは検出されなかった。
【００９８】
下記表２に、ＳＦＤ評価結果を示す。実施例２のパターンドメディアでもΔＨｃ／Ｈｃ値が大幅に低減しており、ＳＦＤが大幅に低減していることが分かった。
【表２】
0004292226.tif 000003
【００９９】
実施例３
実施例１と同様の方法で硬磁性記録層まで成膜した後、非磁性中間層としてＰｄを０．１から３ｎｍの範囲で形成した。その後、実施例１と同様の方法で、軟磁性記録層成膜、４５ｎｍピッチのビットパターン配列の作製、保護層成膜、及び潤滑剤塗布を順次行うことで、種々のパターンドメディアを得た。
【０１００】
非磁性中間層成膜時のＡｒ圧力は全て０．７Ｐａで行い、スパッタリングターゲットとしてそれぞれ直径１６４ｍｍのＰｄターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。ターゲットへの投入電力は全て１００Ｗで行った。成膜は全て室温で行った。
【０１０１】
このほか、非磁性中間層としてＰｔ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，及びＣｒを用いた媒体も同様の要領で作製した。
【０１０２】
Ｘ線回折装置による評価の結果、硬磁性記録層は結晶質であり、磁性結晶粒子はｈｃｐ構造をとり、（０００１）面配向していることが分かった。
【０１０３】
また、非磁性下地層のＲｕはいずれもｈｃｐ構造をとり、（０００１）配向していることが分かった。
【０１０４】
軟磁性記録層は、非晶質であることが分かった。
【０１０５】
下記表３に、非磁性中間層がＰｄである場合のＳＦＤ評価結果、及びＨｃ，Ｈｓの値を示す。なお、表３中、非磁性中間層が０ｎｍの場合は、実施例１である。
【０１０６】
中間層膜厚が２．５ｎｍ以下のパターンドメディアでは、ΔＨｃ／Ｈｃ値が小さな値を維持しており、ＳＦＤの増加は見られないことが分かった。一方、非磁性中間層膜厚が０．３から２．５ｎｍの範囲でＨｃ及びＨｓが低減し、反転磁界が低減できることが分かった。
【０１０７】
中間層材料がＰｔ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｃｒの場合でも、同様の傾向が見られた。
【表３】
0004292226.tif 000004
【０１０８】
実施例４
実施例１と同様の方法で軟磁性記録層まで成膜した後、非磁性キャップ層としてＲｕを３ｎｍ成膜した。その後実施例１と同様に４５ｎｍピッチのビットパターン配列を作製し、保護層成膜、潤滑剤塗布を順次行うことで、種々のパターンドメディアを得た。
【０１０９】
非磁性キャップ層のＲｕ成膜時のＡｒ圧力は０．７Ｐａ、スパッタリングターゲットは直径１６４ｍｍのＰｔターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て５００Ｗで行った。成膜は、全て室温で行った。
【０１１０】
このほか、非磁性キャップ層がＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＺｒまたはＨｆである場合のパターンドメディアも同様の要領でそれぞれ作製した。
【０１１１】
Ｘ線回折装置による評価の結果、硬磁性記録層は結晶質であり、磁性結晶粒子はｈｃｐ構造をとり、（０００１）面配向していることが分かった。
【０１１２】
また、非磁性下地層のＲｕはいずれもｈｃｐ構造をとり、（０００１）配向していることが分かった。
【０１１３】
軟磁性記録層は、非晶質であることが分かった。
【０１１４】
また、非磁性キャップ層はいずれも結晶質であることが分かった。
【０１１５】
下記表４に、各媒体のＳＦＤ評価結果を示す。
【表４】
0004292226.tif 000005
【０１１６】
上記表より、実施例４の結果は、実施例１と比較して、ΔＨｃ／Ｈｃ値が低減しており、非磁性キャップ層積層によってＳＦＤが大幅に低減していることが分かった。
【０１１７】
実施例５
実施例１と同様の方法で軟磁性記録層まで成膜した後、軟磁性キャップ層としてＮｉを３ｎｍ成膜した。その後、実施例１と同様に４５ｎｍピッチのビットパターン配列を作製し、保護層成膜、潤滑剤塗布を順次行うことで、種々のパターンドメディアを得た。
【０１１８】
軟磁性キャップ層のＮｉ成膜時のＡｒ圧力は０．７Ｐａ、スパッタリングターゲットは直径１６４ｍｍのＮｉターゲットを用い、ＤＣスパッタリング法で成膜した。各ターゲットへの投入電力は全て５００Ｗで行った。成膜は、全て室温で行った。
【０１１９】
このほか、軟磁性キャップ層がＣｏ，Ｆｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉ，またはＮｉＦｅの場合のパターンドメディアも同様の要領で作製した。
【０１２０】
Ｘ線回折装置による評価の結果、硬磁性記録層は結晶質であり、磁性結晶粒子はｈｃｐ構造をとり、（０００１）面配向していることが分かった。
【０１２１】
また、非磁性下地層のＲｕはいずれもｈｃｐ構造をとり、（０００１）配向していることが分かった。
【０１２２】
軟磁性記録層は、非晶質であることが分かった。
【０１２３】
また、軟磁性キャップ層はいずれも結晶質であることが分かった。
【０１２４】
ＭＦＭによりＤＣ消磁後の磁化状態を観察したところ、ドット１０００個に対し、逆磁区が発生しているドットは検出されなかった。
【０１２５】
下記表５に、ＳＦＤ評価結果を示す。
【表５】
0004292226.tif 000006
【０１２６】
表５より、実施例１と比較してΔＨｃ／Ｈｃ値が低減しており、ＳＦＤが低減していることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図
【図２】垂直磁気記録層の磁化曲線の一例を模式的に示す図
【図３】本発明に係る垂直磁気記録媒体の別の一例を表す断面図
【図４】本発明に係る垂直磁気記録媒体の別の一例を表す断面図
【図５】本発明の磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【図６】ΔＨｃとその評価法を説明するための図
【符号の説明】
【０１２８】
１…基板、２…軟磁性下地層、３…非磁性下地層、４…垂直磁気記録層、５…保護層、６…潤滑剤層、７…キャップ層、８…凸部、１０，２０，３０…垂直磁気記録媒体、６２…磁気ディスク、６４…スライダー、６５…アーム、６７…ボイスコイルモータ
【要約】
【課題】  磁性ドット内における逆磁区の抑制、及びドットごとの反転磁界のばらつきを低減することにより、高密度の情報の記録再生を可能とする。
【解決手段】  基板、軟磁性下地層、非磁性下地層、垂直磁気記録層を含み、垂直磁気記録層は記録情報の１ビットに相当する磁気的構造物の配列を有し、垂直磁気異方性を持つ結晶性の硬磁性記録層及び非晶質の軟磁性記録層を含み、かつ該硬磁性記録層と該軟磁性記録層が交換結合されている垂直磁気記録媒体。
【選択図】  図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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