(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基体の表面にメッキを施す工程、
（２）メッキ部に適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第１の被覆を施す工程、
（３）第１の被覆部以外の部分のメッキを除去する工程、
（４）第１の被覆材を除去する工程、
（５）メッキ除去部及びメッキ残存部に渡って適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第２の被覆を施す工程、
（６）第２の被覆部以外の部分のメッキを除去する工程、
（７）第２の被覆材を除去する工程、
をこの順で経ることを特徴とする微細メッキ方法。
【請求項２】
（１）基体の表面を適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第１の被覆を施す工程、
（２）第１の被覆部以外の部分に第１のメッキ用触媒を付与する工程、
（３）第１の被覆材を除去する工程、
（４）第１のメッキを施す工程、
（５）非メッキ部及びメッキ部に渡って適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第２の被覆を施す工程、
（６）第２の被覆部以外の部分に第２のメッキ用触媒を付与する工程、
（７）第２の被覆材を除去する工程、
（８）第２のメッキを施す工程、
をこの順で経ることを特徴とする微細メッキ方法。
【請求項３】
（５）〜（８）の工程を更に複数回付加することを特徴とする請求項２記載の微細メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、合成樹脂やその他の材料から構成される基体を部分的にかつ微細なパターンでメッキする方法に関し、特に、プリント基板、リードフレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を製造するための上記基体への部分的かつ微細パターンでのメッキ方法に関する。
【０００２】
【技術背景】
従来から、合成樹脂基体（成形品）を部分的にメッキする方法として、
（１）成形品を表面粗化（例えばエッチング）し、ＰｄやＰｔ等を基礎とするメッキ用触媒を付与した後、メッキすべき部分を残してシルク印刷法やディスペンサー塗布法等によりレジストを塗布し、次いでメッキし、レジストを除去する方法、
（２）上記触媒付与後の成形品を金型にインサートし、この金型内にプラスチックやゴム等（電気絶縁材料）を注入（射出）して、成形品のメッキすべき部分以外の部分を被覆し、次いでメッキし、必要に応じて被覆材を除去する方法、
等が知られている（株式会社シーエムシー発行「プラスチック成形加工の複合化技術」Ｐ２６０〜２７５、特開平７−３１６８２５号公報、特開昭６３−４０９２号公報、特許第２５９２２４３号公報等）。
【０００３】
しかし、上記（１）の方法では、レジスト塗布後に熱乾燥等によるレジストの硬化工程が必要である。また、メッキ後のレジストの除去に際して塩化メチレン等の有機溶剤の使用を余儀なくされ、この塩化メチレン等の有機溶剤は、クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）等と同様にオゾン層破壊の原因物質とされ、廃棄量が増大すれば、皮膚ガンや白内障の増加、あるいは植物やプランクトン等の生態系の破壊が懸念される。
上記（２）の方法では、被覆材の密着性が低いため、被覆材の境界面にメッキ液が入り込み、寸法精度が低い。また、必要に応じて被覆材を除去する場合は、上記のレジストと同様の懸念がある。
【０００４】
一方、近年、電子・電気部品の軽薄短小化の要求や、より高周波帯域で使用可能な電子・電気部品の要求が増大するのに伴い、極めて微細なパターンでの部分メッキ技術（ファインメッキ技術）の開発・実用化が急務とされている。
しかし、上記（１）、（２）の方法ではもとより、今日まで、このような要求を充足する微細パターン（ファインパターン）でのメッキ方法は知られていなかった。
その理由の１つとして、従来の熱可塑性樹脂からなる被覆材、あるいは本発明者による先提案（特願平１１−１７５４６０号）でのポリ乳酸からなる被覆材の流動性が挙げられ、このような被覆材を使用する場合、回路間隔（非メッキ部）幅を０．３〜０．２５ｍｍ程度まで減じるのが限度であった。
【０００５】
【発明の目的】
本発明は、電子・電気部品のより一層の軽薄短小化や高性能化の要求に応えるべく、極めて微細なパターンでの部分メッキ、特に高周波帯域で使用する光電変換パッケージや高周波パッケージ等で要求が多い０．１０ｍｍ程度の回路間隔、を高精度で得ることができる微細メッキ方法（ファインメッキ方法）を提供することを主たる目的とし、このとき、レジストの塗布・硬化・除去工程がなく、従って有機溶剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮することもでき、導電率の高い、高品質の電子・電気部品とすることができる微細メッキ方法を提供することを副次的な目的とする。
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、上記の主たる目的を、〔１〕予め基板全面にメッキを施しておき、被覆と、非被覆部分のメッキの除去とを繰り返すこと（以下、第１発明）、あるいは〔２〕基体の部分的被覆と、非被覆部分へのメッキ用触媒の付与と、被覆材の除去、メッキ施工とを繰り返すこと（以下、第２発明）により、高精度な微細メッキを達成しようとするものである。
また、これら第１、第２発明の方法によれば、本発明者の先提案で使用している水溶性高分子材料や加水分解性高分子材料を被覆材としても、回路間隔（非メッキ部）幅を０．２５ｍｍ以下にまで減じることができるとの知見を得、これらの材料を使用することにより、上記の副次的な目的をも達成しようとするものである。
【０００７】
すなわち、本発明の微細メッキ方法は、
〔１〕第１発明が、
（１）基体の表面にメッキを施す工程、
（２）メッキ部に適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第１の被覆を施す工程、
（３）第１の被覆部以外の部分のメッキを除去する工程、
（４）第１の被覆材を除去する工程、
（５）メッキ除去部及びメッキ残存部に渡って適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第２の被覆を施す工程、
（６）第２の被覆部以外の部分のメッキを除去する工程、
（７）第２の被覆材を除去する工程、
この順で経ることを特徴とし、
〔２〕第２発明が、
（１）基体の表面を適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第１の被覆を施す工程、
（２）第１の被覆部以外の部分に第１のメッキ用触媒を付与する工程、
（３）第１の被覆材を除去する工程、
（４）第１のメッキを施す工程、
（５）非メッキ部及びメッキ部に渡って適宜パターンで部分的に、基体を型の一部とする射出成形法により、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料である第２の被覆を施す工程、
（６）第２の被覆部以外の部分に第２のメッキ用触媒を付与する工程、
（７）第２の被覆材を除去する工程、
（８）第２のメッキを施す工程、
をこの順で経ることを特徴とする。
第２発明においては、（５）〜（８）の工程を更に複数回付加してもよい。
【０００８】
〔基体〕
本発明において、基体は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の合成樹脂の他、セラミック、ガラス等の無機材料から構成されるものが使用できる。
好ましくは、芳香族系液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエステル、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、ノルボルネン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等から構成されるものである。
より好ましくは、耐熱性及び熱膨張係数が広い温度条件において金属に近く、しかも金属膜と同等の伸縮性を有して、サーマルサイクルテストにおいて金属膜と同等の優れた特性を有するポリエステル系液晶ポリマーから構成されるものである。
これらの基体は、フィラーとして、ガラス繊維、ピロリン酸カルシウム、ワラストナイト、炭酸カルシウム、チタン酸バリウム、炭素繊維、石英繊維、硫酸バリウム等を加えたものであってもよい。
基体は、平板状のものであっても、各種の形状に成形したもの（成形品）であってもよい。
【０００９】
〔被覆材〕
被覆材は、水溶性又は加水分解性の高分子材料であって、上記の基体の上で一定形状に成形し得る材料が使用でき、特に生分解性の材料が環境問題を回避する上で好ましい。
具体的には、化１の式１で表されるポリビニルアルコール、式２で示される変性ポリビニルアルコール、式３で示されるポリ乳酸の他、デンプン、微生物発酵脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリエステル−ジカルボン酸とジグリコールとの縮合物、脂肪族カプロラクトン系樹脂、セルロースアセテート系樹脂等であり、特に好ましくは、加水分解性のポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体）である。
【００１０】
【化１】
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【００１１】
上記のポリ乳酸は単独で使用してもよいし、ポリ乳酸を主成分とし、これに脂肪族ポリエステル（ポリヒドロキシカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸又は脂肪族多価アルコールと脂肪族多価塩基酸とからなる脂肪族ポリエステル、ヒドロキシカルボン酸や脂肪族多価アルコールから選ばれる２種以上のモノマー成分と、脂肪族多価塩基酸から選ばれる２種以上のモノマー成分とからなるランダム共重合体やブロック共重合体等）の単独又は２種以上を、混合したものや、ランダム共重合又はブロック共重合させたものであってもよいし、また必要に応じてアルカリ分解促進剤、有機及び無機充填剤、可塑剤、湿潤剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、滑剤、着色剤等の汎用の合成樹脂に使用できる添加剤を混合したものであってもよい。
この脂肪族ポリエステルの混合量又は共重合量は、混合体又は共重合体の全量に対して１〜１０ｗｔ％程度、アルカリ分解促進剤の混合量は混合体全量に対して１〜１００ｗｔ％程度、好ましくは５〜８０ｗｔ％、より好ましくは１０〜６０ｗｔ％であり、その他の添加剤の混合量は混合体全量に対して１〜５％程度が適している。
【００１２】
なお、上記のポリ乳酸の重量平均分子量は、１万〜４０万程度が好ましく、脂肪族ポリエステルは、ポリ乳酸と混合させる場合の重量平均分子量は、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好ましくは５万〜３０万程度が適しており、ポリ乳酸と共重合させる場合はその共重合体の重量平均分子量が、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好ましくは５万〜３０万程度が適している。
上記のヒドロキシカルボン酸としては、グリコール酸、Ｌ−乳酸、Ｄ−乳酸、Ｄ／Ｌ−乳酸、３−ヒドロキシブチリックアシッド、４−ヒドロキシブチリックアシッド、３−ヒドロキシバレリックアシッド、５−ヒドロキシバレリックアシッド、６−ヒドロキシカプロン酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
脂肪族多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペンチルグリコール、ポリテトラメチレングリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−ベンゼンジメタノール等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
脂肪族多価塩基酸としては、コハク酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、フェニルコハク酸、１，４−フェニレンジ酢酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
アルカリ分解促進剤としては、デンプン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール、ポリアミノ酸等の親水性高分子化合物、無水コハク酸、ポリコハク酸イミド等のアルカリ加水分解性化合物等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。中でも、ポリ乳酸や脂肪族ポリエステルへの分散性や相溶性、あるいはブリードアウトのし難さ等から、ポリアルキレングリコール、特にポリエチレングリコールが好ましい。
【００１３】
第１発明の微細メッキ工程：
第１発明は、図１（Ａ）〜（Ｈ）に示す工程で行われる。
先ず、図１（Ａ）に示す上記の基体１の表面に、図１（Ｂ）に示す第１工程でメッキ２を施すが、このメッキに先立ち、前処理工程として、基体１の表面を粗化し、次いでメッキ用触媒を付与する。
【００１４】
〔前処理工程〕
（基体表面の粗化）
基体の表面を粗化する方法としては、例えば、公知のエッチング方法が適用できる。
エッチング方法には、湿式と乾式とがあり、基体に使用されている材料の種類等により、適宜の方式のエッチング方法を採用すればよい。
乾式法は、例えば、プラズマを照射したり、気体を使用する等して行うことができる。
湿式法は、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、アルコール性ナトリウム、アルコール性カリウム等のアルカリ金属アルコラートの水溶液、あるいはジメチルホルムアミド等の有機溶剤を用い、これらのエッチング液を基体表面に塗布したり、これらの液中に基体を浸漬させる等して接触させて行うことができる。
このうち、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等の水溶液を用いる方法は、濃度３５〜５０ｗｔ％程度、温度７０〜９５℃程度の条件とすることが好ましい。
なお、有機溶剤を使用する場合は、基体を膨潤するのみで、粗化まで至らないことがある。この場合は、有機溶剤での処理の後に、酸あるいはアルカリ処理を施せばよい。
【００１５】
なお、湿式法においては、上記のエッチング液と基体とを接触させた後に、塩酸やフッ酸等の酸溶液を用いて処理することが好ましい。この酸処理は、アルカリ性のエッチング液を単に中和するために行うのではなく、基体中に含まれるフィラーであって、かつ基体の表面近傍に存在しているフィラーの一部を除去し、基体表面の粗化効果をより一層高めるために行われる。
従って、この酸処理の条件（ｐＨ、温度、時間等）は、上記のフィラーが溶解する程度の条件とすることが好ましい。
【００１６】
（メッキ用触媒の付与）
メッキ用触媒（以下、単に触媒と記すこともある）としては、公知のものが使用でき、中でもＰｄやＰｔを含むものが好ましく、これらは、例えば、塩化物等の無機塩として使用される。
メッキ用触媒の付与は、上記の無機塩を基体に付着させた後、アクセレータ処理により上記の触媒金属を析出させることで行われる。
無機塩を基体に付着させるには、無機塩の溶液と基体とを接触させればよく、例えば、無機塩の溶液中に基体を浸漬したり、この水溶液を基体に塗布する等して行われる。
具体的な条件は、基体の材料、メッキの材料、メッキ用触媒の材料、無機塩の付着方法等により種々異なり一概には決められないが、メッキ用触媒の塩として塩化パラジウムを使用し、浸漬法を採用する場合を例にとれば、一例として次のようなものが挙げられる。
【００１７】
触媒塩溶液組成
ＰｄＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：０．１〜０．３ｇ／ｄｍ３
ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：１０〜２０ｇ／ｄｍ３
ＨＣｌ            ：１５０〜２５０ｃｍ３／ｄｍ３
浸漬条件
温度：２０〜４５℃
時間：１〜１０分
【００１８】
なお、メッキ用触媒塩溶液の溶媒としては、上記の塩酸以外に、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の有機溶剤を用いることもできる。
【００１９】
上記のようなメッキ用触媒塩の付着の後、水洗し、アクセレータ処理してメッキ用触媒（金属）を基体上に析出させる。
アクセレータ処理は、一般には、アクセレータ（促進液）と触媒塩付与後の基体とを、浸漬あるいは塗布等により接触させることにより行う。
この促進液としては、硫酸、塩酸、水酸化ナトリウム、アンモニア等の無機溶液が用いられる。
上記組成の触媒塩溶液を用い、上記条件での浸漬で触媒塩が付与されている場合は、水洗により、基体表面に付着しているＳｎ２＋−Ｐｄ２＋の錯体が加水分解され、Ｓｎ２＋はＳｎ（ＯＨ）Ｃｌとなって沈殿し、続いて行うアクセレータ処理により、金属Ｐｄが基体上で生成する。この金属Ｐｄがメッキ用触媒として作用する。
【００２０】
〔第１工程《メッキ工程》〕
第１工程では、図１（Ｂ）に示すように、基体１の表面全面にメッキ２を施す。従って、上記の前処理も基体の表面全面に施す。
メッキ方法は、公知のメタライジング方法（無電解メッキ方法や電気メッキ方法）が採用できる。
メッキ金属としては、銅、ニッケル、金、その他各種の金属が挙げられる。
メッキ工程は、多数回に分けて行うこともできるし、１回で一度に行うこともできる。
なお、触媒付与工程の後に、予備メッキ工程を設けることもできる。予備メッキも、公知のメタライジング法で行うことができ、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属も、上記のいわゆる本メッキ工程での金属と同様のものが使用できる。この予備メッキ工程を設けることにより、本メッキ工程でのメッキ品質を一層良好なものとすることができる。
また、後メッキ工程を設けることもできる。後メッキ工程も、公知のメタライジング法で行うことができ、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属は、本メッキ工程での金属と同種であってもよいが、異種のものであってもよい。
【００２１】
〔第２工程《第１の被覆工程》〕
第２工程では、図１（Ｃ）に示すように、上記の被覆材を用いて、メッキ２面上に適宜パターン（図１（Ｃ）のパターンに限定されない）で部分的に第１の被覆３を施す。
この第１の被覆３は、射出成形方法により被覆形状を成形する手法であって、基体を型の一部とする射出成形法により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆する手法である。
第１の被覆３の寸法は、パターンの形状によって異なるため、一概には言えないが、例えば、図１（Ｃ）に示すようなストライプ形状の場合は、幅０．２〜０．３ｍｍ程度、間隔０．０５〜０．１０ｍｍ程度が適している。
【００２２】
〔第３工程《１回目のメッキ除去工程》〕
第３工程で、図１（Ｄ）に示すように、上記の部分的な第１の被覆３が施されている以外の部分、すなわち露出している部分のメッキを除去する。
このメッキ材２の除去は、上記のようなメッキ金属は除去するが、第１の被覆３は除去しない手法であれば、どのような方法によってもよいが、一般には、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの無機塩の溶液と、メッキ施工面とを、浸漬あるいは塗布等により接触させることにより行われる。
このメッキ除去工程は、第１発明において、微細メッキパターンを、細密に、かつ高精度で行う上で極めて重要な工程であり、例えば、以下のような条件で行われる。
【００２３】
上記の無機塩の溶液を用いる場合は、無機塩の濃度が０．５〜１００ｇ／リットル、好ましくは１．５〜４．０ｇ／リットルとする（以下、リットルをＬ、ミリリットルをｍＬと記す）。
０．５ｇ／Ｌ未満では、無機塩の量が少なすぎて溶液の単位重量当たりの処理力が充分でなくなり、１００ｇ／Ｌより多いと、被覆材や基体が損傷を受ける虞れがある。
接触時間は、短かすぎれば処理が充分でなく、長すぎれば被覆材や基体が損傷を受ける虞れがあるため、０．５〜１０分とする。
なお、この無機塩溶液の溶媒は、水や低級アルコール（メチルアルコール、エチルアルコールなど）などを使用する。
【００２４】
〔第４工程《第１の被覆材除去工程》〕
第４工程では、図１（Ｅ）に示すように、第１の被覆材３を除去する。
被覆材３の除去は、水溶性高分子材料の場合は水を用いて行い、加水分解性高分子材料の場合はアルカリ水溶液や酸液（各種の無機酸の液）を用いて行う。
この被覆材３の除去工程も、第１発明において、微細メッキパターンを、細密に、かつ高精度で行う上で極めて重要な工程であり、例えば、以下のような条件で行われる。
被覆材３が水溶性高分子材料の場合、高分子材料の種類にもよるが、一般には、２５〜９５℃程度の温水中に２〜３５時間浸漬して除去するのが好ましい。
被覆材３が加水分解性高分子材料、特にポリ乳酸の場合は、濃度２〜１５ｗｔ％程度で温度２５〜７０℃程度のカ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液中に１〜１２０分程度浸漬して除去するのが好ましい。
【００２５】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第５工程では、図１（Ｆ）に示すように、第３工程でメッキ２が除去された部分（メッキ除去部）と、メッキ２が除去されなかった部分（メッキ残存部）とに渡って適宜パターンで部分的に、上記の被覆材を用いて、第２の被覆４を施す。
このときのパターンは、図１（Ｆ）に示すものに限らず、メッキ除去部とメッキ残存部とに渡れば、どのようなパターンであってもよい。
第２の被覆材４は、上記の第１の被覆材３と同材であってもよいし、異材であってもよい。
また、第２の被覆４も、上記の第１の被覆３の場合と同様に、射出成形方法により被覆形状を成形する手法であって、基体を型の一部とする射出成形法により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆する手法である。
第２の被覆４の寸法も、前記第１の被覆３の場合と同様に、一概には言えないが、例えば、図１（Ｃ）に示すようなストライプ形状の場合は、前記第１の被覆３の場合と同様の幅、間隔が適している。
【００２６】
〔第６工程《２回目のメッキ除去工程》〕
第６工程においては、図１（Ｇ）に示すように、第２の被覆４以外の部分のメッキを除去するが、このメッキ除去は、上記した第３工程でのメッキ除去と同様の手法により行われる。
【００２７】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
この第７工程は、図１（Ｈ）に示すように、第２の被覆材４を除去する。この被覆材４の除去は、上記した第４工程での第１の被覆材３の除去と同様の手法により行われる。
以上の第１〜第７工程を経ることにより、例えば、幅０．１ｍｍ程度の微細なメッキ２を得ることができる。
【００２８】
第２発明の微細メッキ工程：
第２発明は、図２（Ａ）〜（Ｈ）に示す工程で行われる。
先ず、図２（Ａ）に示すように、上記の基体１の表面に、第１工程で第１の被覆３を施すが、この被覆に先立ち、前処理工程として、基体１の表面を粗化する。
【００２９】
〔前処理工程《基体表面の粗化》〕
基体１の表面粗化方法は、前述した第１発明の場合と同様の公知のエッチング方法が適用できる。
この表面粗化は、第１発明の場合と同様に、基体１の全面に施される。
【００３０】
〔第１工程《第１の被覆工程》〕
第１工程は、図２（Ａ）に示すように、粗化された基体１に、前記の被覆材を用いて、適宜パターン（図２（Ａ）に示すパターンに限定されない）で部分的に第１の被覆３を施す。
この第１の被覆３は、第１発明の場合の第１、第２の被覆３、４と同様に、射出成形方法により被覆形状を成形する手法であって、基体を型の一部とする射出成形法により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆する手法である。
第１の被覆３の寸法も、前記第１発明の第１、第２の被覆３、４と同様に一概には言えないが、該第１発明の第１、第２の被覆３、４と同様の幅、間隔が適している。
【００３１】
〔第２工程《第１のメッキ用触媒付与工程》〕
第２工程では、図２（Ｂ）に示すように、第１の被覆材３で被覆されていない部分の基体１表面に、第１のメッキ用触媒１１を付与する。
このメッキ用触媒１１の種類や、メッキ用触媒１１の付与方法は、前述の第１発明における前処理工程での触媒付与の場合と同様である。
なお、メッキ用触媒塩溶液の溶媒として、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の有機溶剤を用いる場合は、上記した水溶性又は加水分解性高分子材料からなる被覆材が一部溶出されることがあるが、一部溶出しても差し支えない。
【００３２】
〔第３工程《第１の被覆材除去工程》〕
第３工程は、図２（Ｃ）に示すように、第１の被覆材３を除去する。
被覆材３の除去は、前述の第１発明の場合と同様であるが、被覆材３が加水分解性高分子材料、特にポリ乳酸の場合、カ性アルカリ水溶液が高温、高濃度程、被覆材３ばかりか、メッキ用触媒をも脱落することがあるため、濃度２〜１５ｗｔ％程度で温度２５〜７０℃程度のカ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液中に１〜１２０分程度浸漬して除去するのが好適である。
【００３３】
〔第４工程《第１のメッキ工程》〕
第４工程では第１のメッキを施すが、このメッキ２は、図２（Ｄ）に示すように、第１のメッキ用触媒１１が付与されている部分のみに施される。
メッキ方法、メッキ金属は、前述の第１発明の場合と同様である。
【００３４】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第５工程は、図２（Ｅ）に示すように、第４工程でメッキが施されなかった部分（非メッキ部）と、メッキ２が施された部分（メッキ部）とに渡って、適宜パターンで部分的に、上記の被覆材を用いて、第２の被覆４を施す。
このときのパターンは、図２（Ｅ）のαに示すように、非メッキ部とメッキ部とに渡ってメッキ部の全てを被覆するように、あるいは同図のβに示すように、非メッキ部とメッキ部とに渡ってメッキ部の一方の面は被覆するが他方の面は被覆しない（露出する）ようにしてもよいし、また図２（Ｅ）に示すものに限らず、非メッキ部とメッキ部とに渡れば、どのようなパターンであってもよい。
この第２の被覆材４は、前述の第１発明の場合と同様に、上記の第１の被覆材３と同材であってもよいし、異材であってもよい。
また、第２の被覆４も、上記の第１の被覆３の場合と同様に、射出成形方法により被覆形状を成形する手法であって、基体を型の一部とする射出成形法により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆する手法である。
第２の被覆４の寸法も、前記第１の被覆３の場合と同様に一概には言えないが、該第１の被覆３の場合と同様の幅、間隔が適している。
【００３５】
〔第６工程《第２の触媒付与工程》〕
第６工程では、図２（Ｆ）に示すように、第２の被覆材４で被覆されていない部分の基体１表面に、第２のメッキ用触媒１２を付与する。
このメッキ用触媒１２の種類や、メッキ用触媒１２の付与方法は、上記の第３工程での第１のメッキ用触媒１１の付与の場合と同様である。
【００３６】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
第７工程においては、図２（Ｇ）に示すように、第２の被覆材４を除去する。  被覆材４の除去は、上記の第１の被覆材３の除去と同様である。
この第７工程により、図２（Ｇ）に示すように、第２のメッキ用触媒１２は、第１のメッキ部２に接触して付与されることとなる。
【００３７】
〔第８工程《第２のメッキ工程》〕
第８工程で第２のメッキが施されるが、この第２のメッキ５は、図２（Ｈ）に示すように、第２のメッキ用触媒１２と、第１のメッキ２とに渡って施される。
すなわち、第４工程で既に施されている第１のメッキ２が核となって、該メッキ２上に第２のメッキ５が施されると共に、この第１のメッキ２に接触して付与されている第２のメッキ用触媒１２上に第２のメッキ５が施されることとなり、図２（Ｈ）に示すようなメッキ態様となる。
【００３８】
以上の第１〜第８工程を経ることにより、例えば、幅０．２ｍｍ程度の微細なメッキ部２あるいは５が得られ、幅０．１ｍｍ程度の非メッキ部が得られる。
図２（Ｈ）に示すメッキ部２とメッキ部５の厚さは、メッキ部５がメッキ部２に比してやや厚めとなる。
なお、上記の第５〜第８工程は、１回に限らず、更に複数回付加することもできる。すなわち、第１〜第８工程後に、更に第５工程の第２（実際は第３）の被覆工程、第６工程の第３のメッキ用触媒付与工程、第７工程の第３の被覆材除去工程、第８工程の第３のメッキ工程を付加することもでき、この第５〜第８工程を複数回繰り返すこともできる。
【００３９】
【実施例】
実施例１
第１、第２の被覆材として水溶性高分子材を用い、図１（Ａ）〜（Ｈ）の工程に沿って実施した。
【００４０】
〔前処理工程〕
（基体の成形工程）
図１（Ａ）において、芳香族系ポリエステル（液晶ポリマー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を使用》）により、１次金型を用いて、平板形状の基体１を成形した。
この基体１を、６０℃に加熱した脱脂液（奥野製薬社製商品名“エースクリーンＡ２２０”５０ｇ／リットル《以下、リットルをＬ、ミリリットルをｍＬと記す》水溶液）に１０分間浸漬した後、水洗して脱脂した。
【００４１】
（基体表面の粗化工程）
メチルアルコール１Ｌに金属Ｎａ３５０〜５００ｇ（本例では４３０ｇ）を溶解したアルカリ溶液を９０℃に加熱し、この加熱溶液中に、上記脱脂後の基体１を浸漬し、３０〜８０分間（本例では４０分間）保持して、基体１の表面を粗化した。
なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条件で粗化することができた。
また、メチルアルコールに変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、上記脱脂後の基体１を浸漬し、１０分間保持の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５４ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中に入れることにより、粗化することができた。
更に、水１ＬにＮａＯＨ３５０〜５００ｇ（本例では４３０ｇ）を溶解したアルカリ溶液を使用した場合は、上記のメチルアルコールを使用した場合と同様の条件で粗化することができた。
【００４２】
（メッキ用触媒の付与工程）
メチルアルコールに、メッキ用触媒塩としての塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の表面粗化基体１を３〜５分間（本例では４分間）浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）し、基体１の表面全面にメッキ用触媒を付与した。
なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコールを使用した場合も、同様の条件でメッキ用触媒を付与することができた。
【００４３】
〔第１工程《メッキ工程》〕
基体１に、表１に示す組成の銅メッキ浴を使用し、表２に示すメッキ条件で、あるいは表３に示すロッシェル型またはＥＤＴＡ型のいずれかの銅メッキ浴を使用して予備メッキを行った後に表４に示す組成の銅メッキ浴を使用して本メッキを行って（この２段階メッキの場合の条件は予備、本メッキ共に表２の通りとした）、厚さ０．３〜２０．０μｍ（本例では１０μｍ）となるように、無電解銅メッキを施し、図１（Ｂ）に示す態様（基体１表面全面へ）のメッキ２を得た。また、無電解銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施した後、電気銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施した場合も、図１（Ｂ）に示す態様のメッキ２を得た。
【００４４】
【表１】
銅メッキ浴組成
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ  ：０．０４モル／Ｌ
ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．１モル／Ｌ
ＮａＯＨ              ：０．２モル／Ｌ
ＥＤＴＡ・４Ｎａ      ：０．０８モル／Ｌ
α，α′−ジピリジル  ：５〜１０ｐｐｍ
ＰＥＧ−１０００＊１  ：５０〜１００ｐｐｍ
＊１ＰＥＧ−１０００；安定剤
【００４５】
【表２】
メッキ条件
浴温度  ：６０〜７０℃
エア攪拌：０．１Ｌ／Ｌ・分
浴      ：０〜１ｄｍ２／Ｌ
【００４６】
【表３】
0004331840.tif 000003
【００４７】
【表４】
本銅メッキ浴組成
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ  ：０．０４モル／Ｌ
ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．０６モル／Ｌ
ＮａＯＨ              ：ｐＨ１２
ＥＤＴＡ・４Ｎａ      ：０．１モル／Ｌ
安定剤＊２            ：若干
【００４８】
〔第２工程《第１の被覆工程》〕
メッキ２施工後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した第１の被覆材３としての水溶性高分子材（ポリビニルアルコール《以下、ＰＶＡ》《クラレ社製商品名“ポバール”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図１（Ｃ）に示す態様の厚さ１ｍｍ、幅０．３ｍｍ、間隔０．１ｍｍの部分被覆３を得た。
【００４９】
〔第３工程《１回目のメッキ除去工程》〕
濃度３ｇ／Ｌの塩化第二鉄水溶液中に１〜１０分間浸漬して、部分被覆３以外の部分のメッキ除去を行い、図１（Ｄ）に態様のものを得た。
【００５０】
〔第４工程《第１の被覆材除去工程》〕
第３工程終了後の基体１を、濃度７重量％で３０℃のＮａＯＨ水溶液中に４０分間浸漬して、第１の被覆材３を除去し、図１（Ｅ）に示す態様のものを得た。
【００５１】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第２工程と同様にして、図１（Ｆ）に示す態様の厚さ１ｍｍ、幅０．３ｍｍ、間隔０．１ｍｍの部分被覆４を得た。
【００５２】
〔第６工程《２回目のメッキ除去工程》〕
第３工程と同様にしてメッキ２を除去し、図１（Ｇ）に示す態様のものとした。
【００５３】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
第４工程と同様にして第２の被覆材４を除去した。
以上により、図１（Ｈ）に示すような態様で、メッキ（回路）幅及び回路間隔幅共に約０．１ｍｍのメッキ製品を得ることができた。
【００５４】
実施例２
第１、第２の被覆材として加水分解性高分子材を用い、実施例１と同様に、図１（Ａ）〜（Ｈ）の工程に沿って実施した。
〔前処理工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形し、粗化し、メッキ用触媒を付与した。
【００５５】
〔第１工程《メッキ工程》〕
実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。
また、実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電気銅メッキを施した。
いずれの場合も、実施例１と同様に、図１（Ｂ）に示す態様の厚さ１０μｍのメッキ２を得ることができた。
【００５６】
〔第２工程《第１の被覆工程》〕
メッキ２施工後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図１（Ｃ）に示す態様の厚さ０．５ｍｍ、幅０．３ｍｍ、間隔０．１ｍｍの部分被覆３を得た。
【００５７】
〔第３工程《１回目のメッキ除去工程》〕
実施例１の第３工程と同様にして部分被覆３以外の部分のメッキ除去を行い、図１（Ｄ）に態様のものを得た。
【００５８】
〔第４工程《第１の被覆材除去工程》〕
第３工程終了後の基体１を、実施例１の第４工程と同様にして第１の被覆材３を除去し、図１（Ｅ）に示す態様のものとした。
【００５９】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第２工程と同様にして、図１（Ｆ）に示す態様の厚さ０．５ｍｍ、幅０．３ｍｍ、間隔０．１ｍｍの部分被覆４を得た。
【００６０】
〔第６工程《２回目のメッキ除去工程》〕
第３工程と同様にしてメッキ２を除去し、図１（Ｇ）に示す態様のものとした。
【００６１】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
第４工程と同様にして第２の被覆材４を除去した。
以上により、図１（Ｈ）に示すような態様で、メッキ（回路）幅及び回路間隔幅共に約０．１ｍｍのメッキ製品を得ることができた。
【００６２】
実施例３
第１、第２の被覆材として水溶性高分子材を用い、図２（Ａ）〜（Ｈ）の工程に沿って実施した。
【００６３】
〔前処理工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形し、粗化した。
【００６４】
〔第１工程《第１の被覆工程》〕
表面粗化後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した被覆材３としての水溶性高分子材（ＰＶＡ《クラレ社製商品名“ポバール”》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（Ａ）に示す態様の厚さ０．５ｍｍ、幅０．２ｍｍ、間隔０．２ｍｍの部分被覆３を得た。
【００６５】
〔第２工程《第１のメッキ用触媒付与工程》〕
メチルアルコールに、メッキ用触媒塩としての塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の第１の部分被覆３を施した基体１を３〜５分間（本例では４分間）浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）し、図２（Ｂ）に示すように、基体１の非被覆面（露出面）に第１のメッキ用触媒１１を付与した。
【００６６】
〔第３工程《第１の被覆材除去工程》〕
メッキ用触媒１１付与の後、実施例１の第４工程と同様にして第１の被覆材３を除去し、図２（Ｃ）に示す態様のものを得た。
【００６７】
〔第４工程《第１のメッキ工程》〕
被覆材除去後の基体１に、実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。
また、実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電気銅メッキを施した。
いずれの場合も、図２（Ｄ）に示すように、メッキ用触媒１１付与面のみに、銅メッキ２が施されていた。
【００６８】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第１工程と同じ樹脂を用い、第１工程と同様にして、図２（Ｅ）に示すように、メッキ２が施されている部分（メッキ部）と、施されていない部分（非メッキ部）とに渡って、厚さ０．５ｍｍ、幅０．２〜０．４ｍｍ、間隔０．１ｍｍの第２の被覆４を得た。
【００６９】
〔第６工程《第２のメッキ用触媒付与工程》〕
第２工程の第１のメッキ用触媒と同じ触媒を、第２工程と同様にして、図２（Ｆ）に示すように、基体１の非被覆面（露出面）に、第２のメッキ用触媒１２を付与した。
【００７０】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
第３工程と同様にして、第２の被覆材４を除去し、図２（Ｇ）の態様のものを得た。
【００７１】
〔第８工程《第２のメッキ工程》〕
第４工程と同じメッキ材を、第４工程と同様にして第２のメッキを施した。
この第２のメッキ５は、第１のメッキ２上と、該第１のメッキ２に接触して付与されている第２のメッキ用触媒１２上とに渡って施され、図２（Ｈ）に示す態様の製品を得た。
なお、メッキ５は、幅０．２〜０．３ｍｍ、間隔０．１〜０．０５ｍｍ、厚さ０．５〜５．０μｍであった。
【００７２】
実施例４
第１、第２の被覆材として加水分解性高分子材を用い、実施例３と同様に、図２（Ａ）〜（Ｈ）の工程に沿って実施した。
〔前処理工程〕
実施例３と同様にして実施例１と同様の基体１を成形し、粗化した。
【００７３】
〔第１工程《第１の被覆工程》〕
粗化後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（Ａ）に示す態様の厚さ０．５ｍｍ、幅０．２ｍｍ、間隔０．２ｍｍの部分被覆３を得た。
【００７４】
〔第２工程《第１のメッキ用触媒付与工程》〕
実施例３の第２工程と同様にして、実施例３と同様の第１のメッキ用触媒１１を、図２（Ｂ）に示すように、基体１の非被覆面（露出面）に付与した。
【００７５】
〔第３工程《第１の被覆材除去工程》〕
実施例３の第３工程と同様にして、第１の被覆材３を除去した。
【００７６】
〔第４工程《第１のメッキ工程》〕
実施例３の第４工程と同様にして、無電解銅メッキを施した。
また、実施例３の第４工程と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電気銅メッキを施した。
いずれの場合も、図２（Ｄ）に示すように、メッキ用触媒１１付与面のみに、銅メッキ２が施されていた。
【００７７】
〔第５工程《第２の被覆工程》〕
第１工程と同じ樹脂を用い、第１工程と同様にして、図２（Ｅ）に示すように、メッキ２が施されている部分（メッキ部）と、施されていない部分（非メッキ部）とに渡って、厚さ０．５ｍｍ、幅０．２〜０．３ｍｍ、間隔０．１ｍｍの第２の被覆４を得た。
【００７８】
〔第６工程《第２のメッキ用触媒付与工程》〕
第２工程の第１のメッキ用触媒と同じ触媒を、第２工程と同様にして、図２（Ｆ）に示すように、基体１の非被覆面（露出面）に、第２のメッキ用触媒１２を付与した。
【００７９】
〔第７工程《第２の被覆材除去工程》〕
第３工程と同様にして、第２の被覆材４を除去し、図２（Ｇ）の態様のものを得た。
【００８０】
〔第８工程《第２のメッキ工程》〕
第４工程と同じメッキ材を、第４工程と同様にして第２のメッキを施した。
この第２のメッキ５は、第１のメッキ２上と、該第１のメッキ２に接触して付与されている第２のメッキ用触媒１２上とに渡って施され、図２（Ｈ）に示す態様の製品を得た。
なお、メッキ５は、幅０．２〜０．３ｍｍ、間隔０．１〜０．０５ｍｍ、厚さ０．５〜５．０μｍであった。
【００８１】
【発明の効果】
本発明（第１、第２発明）の方法によれば、ファインパターンでのメッキを極めて高精度で施すことができる。
【００８２】
このときの被覆材として、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料を使用すれば、該被覆材の除去を、有機溶剤を使用することなく、水溶性高分子材料では水を使用することで、また加水分解性高分子材料ではアルカリ水溶液や酸液を使用することで行うことができる。
これらの高分子材料として生分解性のものを使用すれば、土中や水中の微生物により水と二酸化炭素に容易に分解されるため、環境問題の懸念がなく、基体から除去後の廃棄処理が極めて簡単である。
【００８３】
また、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料は、従来この種の被覆材として使用されていたプラスチックやゴム等に比して、射出成形した場合の転写性（型の形状通りに成形される性質）に優れる上、固化速度が緩慢であるため、基体（一般に被覆材とは異なる材料を使用）との界面密着性が高まり、寸法精度の高いファインメッキが可能となり、高品質のファインメッキ品を得ることができる。
【００８４】
しかも、この水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料は、最終的にはメッキ製品から除去されるため、これらの高分子材料による被覆形状は、最終製品の形状や寸法に左右されず、専らメッキ操作に好都合な設計とすることができ、最終製品の軽薄短小化に寄与する。すなわち、メッキ工程時の被覆材の形状や寸法によって最終製品の形状や寸法が制約されないため、基体を自由に被覆することができ、これにより基体上への立体的なパターンでの回路電極の形成が可能となって、回路電極、延いては該回路電極を装備する各種電子・電気部品の設計の自由度が増し、これら電子・電気部品の小型化・軽量化を一層進めることができる。
【００８５】
更に、本発明では、メッキが施されていない部分には、メッキ用触媒が残らないため、メッキ後の言い換えれば回路成形後の電気的な表面抵抗値が高くなり、製品の電気的特性を向上させることができる。
【００８６】
本発明によれば、従来のレジストの塗布・硬化・除去工程を省略することができ、従って有機溶剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮することもできる。
また、寸法精度が高く、かつ電気的表面抵抗値の高い、高品質の電子・電気部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１発明の方法の一実施態様例を工程順に説明するための図である。
【図２】第２発明の方法の一実施態様例を工程順に説明するための図である。
【符号の説明】
１  基体
２  メッキ
３  第１の被覆材
４  第２の被覆材
【図１】
0004331840.tif 000004
【図２】
0004331840.tif 000005