(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部クラッド層が形成された基板上に、光導波路層を形成し、該光導波路層を所望の光導波路のパターンにパターニングする第１の工程と、前記光導波路と前記基板上の予め定められた位置との位置ずれ量を求め、該位置ずれ量が予め定めた量よりも大きい場合には不良品と判断する第２の工程とを有し、前記第１の工程のパターニングの際に、前記光導波路層の一部を前記基板上の前記予め定められた位置の上もしくは近傍にも残し、前記第２の工程では、前記位置ずれ量を求めるために、前記残された前記光導波路層と前記予め定められた位置との位置ずれ量を測定することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記基板上の一部には電極パターンが配置されており、前記第１の工程では、前記予め定められた位置として前記電極パターンの一部の上に、前記光導波路層の一部を残し、前記第２の工程では、前記残された光導波路層と前記電極パターンとの位置ずれを測定することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記電極パターンには基準マークが含まれ、前記第１の工程では、前記基準マークの上に前記光導波路層の一部を残すことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記第２の工程の後に、前記電極パターンの上の前記下部クラッド層および前記光導波路層を除去し、前記電極パターンを露出させる工程を有することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路デバイスの製造方法に関し、特に、基板の上に搭載された光導波路デバイスの位置を測定する検査工程を含む製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のパソコンやインターネットの普及に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このため、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報処理装置まで普及させることが望まれている。これを実現するには、光インターコネクション用に、高性能な光導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
【０００３】
光導波路の材料としては、ガラスや半導体材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料により光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これを所望の導波路形状にエッチングすることにより製造する方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やスパッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるため工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により大気圧中で行うことができるため、装置および工程が簡単であるという利点がある。
【０００４】
また、光導波路ならびにクラッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、耐熱性に優れるポリイミドが特に期待されている。ポリイミドにより光導波路およびクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、半田付けにも耐えることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂製の光導波路は、一般的には、基板上に、樹脂製の下部クラッド層、光導波路層および上部クラッド層を積層することにより構成される。このとき、光導波路から基板までの高さが予め定めた範囲内に入っているかどうかは、光導波路と発光素子や受光素子とをアライメントを精度よく行うために重要である。また、発光素子や受光素子を搭載する電極と光導波路とが、同一基板上に搭載されている場合には、基板の主平面方向における光導波路と電極との横ずれ量が予め定めた範囲内に入っているかどうかも、同様に重要である。
【０００６】
光導波路の中心と基板までの高さを測定する場合、光導波路の上面が上部クラッド層で覆われているため、接触式段差計を用いることができない。そのため、共焦点顕微鏡等で、対物レンズを光導波路の上面の合焦位置から基板の上面との合焦位置まで移動させたときの移動量を測定することにより高さを測定する方法が考えられる。しかしながら、対物レンズの焦点深度が通常０．５μｍ程度あることと、対物レンズの駆動系の駆動誤差（バックラッシュ）が０．５μｍ程度あるため、測定精度は１μｍ程度が限界である。しかしながら、シングルモードの光導波路の厚さは、数μｍであるため、１μｍの測定精度では不十分である。
【０００７】
また、光導波路と受発光素子の電極との横ずれ量の測定は、通常、顕微鏡による拡大画像の画素数で測定する方法や、接眼測微計によって測定する方法が用いられる。しかしながら、画素数で測定する場合、視野の広さと画像分解能（画素の密度）とが測定精度を決定する。通常の電極の大きさを考慮し、視野の径を４００μｍとし、標準的な画像分解能５００画素で測定を行うと一画素あたり０．８μｍとなり、測定精度は０．８μｍとなる。また、接眼測微計は、拡大像上で指標ラインを移動させて測定するため、指標ラインを移動させる駆動部の駆動誤差（バックラッシュ）が大きな誤差となり、対物レンズ倍率４０倍で２〜３μｍの測定精度となる。しかしながら光導波路の幅は、数μｍであるため、これらの測定精度では不十分である。
【０００８】
本発明では、基板上に光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、精度よく光導波路の位置を測定できる検査工程を備えた光導波路デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、以下のような光導波路デバイスの製造方法が提供される。
【００１０】
すなわち、基板上の一部に光導波路を形成する第１の工程と、
前記光導波路と前記基板の上面との段差を測定し、測定結果が予め定めた範囲外である場合には、不良品と判断する第２の工程とを有し、
前記第２の工程の段差の測定に、下記に記載の段差測定装置を用いることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法が提供される。
【００１１】
段差測定装置とは、試料を搭載する試料台と、前記試料に白色光を照射する白色光源と、前記試料からの光を集光する集光光学系と、前記集光光学系で集光された光を通過させるピンホールと、前記ピンホールを通過した光をカラーで撮像する撮像部とを有し、
前記集光光学系は、前記撮像部で撮像可能な波長範囲について、焦点距離が予め定めた値だけ異なる色収差を有していることを特徴とする段差検査装置である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明する。
【００１３】
まず、本発明の一実施の形態の製造方法により製造される光導波路デバイス１００の構成を図３を用いて説明する。光導波路デバイス１００は、Ｓｉ基板１の上に、光導波路積層体１０を備え、光導波路積層体１０が配置されていない領域に電極部７が配置された構成である。
【００１４】
光導波路積層体１０は、シリコン基板１の上に配置された下部クラッド層３と、その上に搭載された光導波路４と、光導波路４を埋め込む上部クラッド層５とを含んでいる。
【００１５】
下部クラッド層３および上部クラッド層５は、いずれも、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ１００５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜からなる。下部クラッド層３の膜厚は、約６μｍ、上部クラッド層５の膜厚は、下部クラッド層表面から約１２μｍである。光導波路４は、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ３２０５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜からなり、その膜厚は約６μｍで、光導波路４の幅は約６μｍある。
【００１６】
電極部７は、シリコン基板１の上に配置されている。電極部７は、発光素子、発光素子の出力をモニタする受光素子、受光素子等を搭載するための電極である。
【００１７】
つぎに、本実施の形態の光導波路デバイスの製造方法について、図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ｄ）、（ｅ）、図４〜図７を用いて説明する。
【００１８】
ここでは、基板１として直径約１２．７ｃｍのシリコンウエハを用意し、この基板１の上に図３の構造を縦横に多数配列して形成し、後の工程でダイシングにより切り離して、多数の図３の光導波路デバイス１００を一度に製造する。なお、図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ｄ），（ｅ）は、図示の都合上、ウエハ状の基板１のうち、一つの光導波路デバイス１００となる一部分のみを切り出した状態で図示している。また、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基板１全体で一度に行う。
【００１９】
まず、ウエハ状の基板１の上面全体に金属膜を成膜してパターニングすることにより、図１（ａ）のように電極部７を形成する。この電極部７をパターニングする際に、電極部７の両脇に、電極上に搭載される受発光素子を位置合わせするための基準マーク１０７ａ，１０７ｂを形成しておく。
【００２０】
つぎに、基板１の上面全体に前述のＯＰＩ−Ｎ１００５をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３７０℃で６０分加熱することにより硬化させ、厚さ６μｍの下部クラッド層３を形成する（図１（ｂ））。
【００２１】
この下部クラッド層３の上に、前述のＯＰＩ−Ｎ３２０５をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３５０℃で６０分加熱することにより硬化を行い、光導波路４となる厚さ６μｍのポリイミド膜を形成する。
【００２２】
つぎに、このポリイミド膜をフォトリソグラフィにより光導波路４の形状にパターニングする。このとき、本実施の形態では、光導波路４を構成するポリイミド膜のパターンの一部を、図５（ａ），（ｂ）のように電極部の基準マーク１０７ａ，１０７ｂの上部に測定基準マーク６０として残すようにしている。具体的なパターニングの手順は、まず、光導波路４となるポリイミド層の上にレジストをスピン塗布し、１００℃で乾燥後、水銀ランプで露光マスクの像を露光する。この露光マスクには、光導波路と測定基準マーク６０の形状が形成されている。よって、光導波路と測定基準マーク６０の像は同時に露光される。
【００２３】
つぎに、レジストを現像し、レジストパターン層を形成する。このレジストパターン層は、前述のポリイミド膜を光導波路４と測定基準マーク６０の形状に加工するためのエッチングマスクとして用いられる。このエッチングマスクを用いて、前述のポリイミド層を酸素でリアクティブイオンエッチング（Ｏ2−Ｒ１Ｅ）することにより、光導波路４および測定基準マーク６０を基板１上に多数配列して形成することができる（図１（ｃ））。その後、レジストパターン層を剥離する。
【００２４】
つぎに、光導波路４および下部クラッド層３を覆うように、ＯＰＩ−Ｎ１００５をスピン塗布する。得られた材料溶液膜を、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、３５０℃で６０分加熱することによりポリイミド膜の上部クラッド層５を形成する（図２（ｄ））。
【００２５】
ここで、本実施の形態では、図４に示したように光導波路４の中心と電極部７の中心とが、基板１面内方向にどれだけずれているかを示す横ずれ量Ｃを測定し、横ずれ量Ｃが予め測定した範囲内に入っているかどうかを検査する。本実施の形態では、横ずれ量Ｃの測定を測定基準マーク６０と基準マーク１０７ａとを用いて行う。測定基準マーク６０と光導波路４は、同一マスクにより露光現像したものであるから、その位置関係はフォトリソグラフィの精度で保証されている。よって、測定基準マーク６０と基準マーク１０７ａとの位置ずれを測定することにより、横ずれ量Ｃを測定することができる。測定基準マーク６０は、基準マーク１０７ａの上に形成されているので、両者が同一視野内に入るまで顕微鏡で拡大した像を、ＣＣＤカメラで撮影する。このとき、図５（ａ）のように基準マーク１０７ａに合焦させて撮像した画像と、同一位置で焦点だけをずらして図５（ｂ）のように測定基準マーク６０に合焦させて撮影した画像とを取得する。図５（ａ）の画像からは、基準マーク１０７ａまでの距離Ａを画素数から求める。図５（ｂ）の画像からは測定基準マーク６０までの距離Ｂ、Ｅを画素数から求める。そして、横ずれ量Ｃ＝（Ｂ＋Ｅ）／２−Ａ
の式に代入することにより横ずれ量Ｃを求めることができる。
【００２６】
本実施の形態では、測定基準マーク６０と基準マーク１０７ａとはほぼ重なり合っているため、図５（ａ）、（ｂ）の画像は視野を５０μｍまで拡大して得ることができる。よって、ＣＣＤカメラとして、一般的な、画像分解能が５００画素のものを用いた場合であっても０．１μｍ／画素の精度で横ずれ量Ｃを測定することができる。
【００２７】
一方、比較例として、測定基準マーク６０を設けない場合には、図４のような視野の画像により、距離Ｆ、Ｇを測定し、
横ずれ量Ｃ＝Ｆ−（１／２）Ｇ
の式に代入することにより横ずれ量を求めることなる。この場合、基準マーク１０７ａ、１０７ｂの距離Ｇの寸法（ここでは２８０μｍ）に応じて視野を設定する必要があるため、視野を例えば４００μｍにすると、ＣＣＤカメラとして一般的な画像分解能が５００画素のものを用いた場合には０．８μｍ／画素の程度の測定精度になってしまう。
【００２８】
このように、本実施の形態では、光導波路４のパターニング時に測定基準マーク６０を基準マーク１０７ａ上に形成しておくことにより、画素数の多い高価なＣＣＤカメラを使用しなくとも高精度に横ずれ量Ｃを測定することができる。この横ずれ量Ｃが予め定めた範囲内に入っていない場合には、その製品は不良品と判定する。なお、光導波路が分岐している場合でも、分岐した導波路とそれに対応して設けられた電極について、同様に横ずれ量Ｃを測定し、不良品の判断をすることができる。
【００２９】
なお、ここでは、電極部７の一部の形状を利用して電極７の上に基準マーク６０を形成しているが、別個に設けた基準マーク１０７ａ、１０７ｂの上に測定基準マーク６０を形成して上記した方法と同様に横ずれ量Ｃを求めることができる。
【００３０】
つぎに、ウエハ状の基板１に光導波路４が配列されている方向に沿って、電極部７の両脇すなわち電極部７と光導波路積層体１０との境界に、ダイシングにより２本の平行な切り込みを入れ、電極部７の上部の光導波路積層体１０をウエハ状の基板１から帯状に剥がし、電極部７を露出される。これにより、測定基準マーク６０もいっしょに剥がされる。このとき、ダイシングによる切り込みの深さは、光導波路積層体１０は切り離されるが、基板１は切り離さない深さにする。よって、この時点では基板１はウエハ状のままである。これにより、光導波路積層体１０は、光導波路４の端面が電極部７に向けて露出される図２（ｅ）の形状となる。
【００３１】
つぎに、露出された電極部７に、所望の形状のＡｕ／Ｓｎはんだ層を形成する。
【００３２】
つぎに、電極部７に露出されたシリコン基板１の上面から、光導波路４の下面すなわち下部クラッド層４の上面までの段差Ｈを測定する。本実施の形態では、この段差Ｈの測定に、図６の色収差レンズを用いた共焦点顕微鏡を用いる。
【００３３】
図６の色収差レンズを用いた共焦点顕微鏡の構成について説明する。図６の顕微鏡は、光軸８０上に照明光学系８１、ビームスプリッタ８２、ピンホール８３、結像レンズ８５、対物レンズ８６、試料ステージ８７を順に備えている。一方、ビームスプリッタ８２により光軸８０から分離された光軸９４上には、リレーレンズ８８とハーフミラー８９と接眼レンズ９０が配置されている。また、ハーフミラー８９で反射される光束上にはカラーのＣＣＤカメラ９１と演算装置９２とが配置されている。
【００３４】
結像レンズ８５は、光軸８０方向に焦点距離が波長により異なる色収差レンズである。ここでは、図７のように赤波長７８０ｎｍから青波長４００ｎｍまでの焦点距離差が４０μｍのものを用いている。対物レンズ８６の焦点深度は、０．５μｍである。また、ピンホール８３は、ディスク８４上に形成されている。ディスク８４上には穴径の異なる複数のピンホールが配置されており、ディスク８４を回転させることにより、穴径の異なるピンホールを選択して光軸８０上に配置できる。
【００３５】
試料ステージ８７に、上記電極部７が露出された基板１を配置し、図８のように光導波路４とその横のシリコン基板１とが同時に観察できる視野が得られるように試料ステージ８７をＸＹ方向に移動させる。照明光学系８１から白色光を出射させると、白色光はビームスプリッタ８２を通過し、結像レンズ８５でほぼ平行光束となり、対物レンズ８６により集光されて基板１に照射される。基板１から反射された光は、再び対物レンズ８６および結像レンズ８５を通過することによりピンホール８３の近傍に集光され、ピンホール８３を通過した光は、ビームスプリッタ８２で反射され、リレーレンズ８８で結像され、ＣＣＤカメラ９１により画像が撮影される。また、接眼レンズ９０で拡大された画像を肉眼で観察することもできる。
【００３６】
下部クラッド層３の上面とシリコン基板１の上面とは段差があるため、通常の共焦点顕微鏡では対物レンズ８６の焦点位置の試料の反射光のみがピンホールを通過し、対物レンズ８６の焦点位置の試料のみが観察できる。これに対し、本実施の形態の顕微鏡は、結像レンズ８５として色収差のあるレンズを用いているため、焦点位置が、赤〜青までそれぞれの波長毎にずれている。このため、対物レンズ８６の焦点位置９３ａでは、反射光のうち緑色光のみがピンホール８３に合焦し、ピンホール８３を通過するが、前側焦点位置９３ｂでは、反射光のうち赤色光のみがピンホール８３に合焦し、ピンホール８３を通過する。一方、後ろ側焦点位置９３ｃでは、反射光のうち青色光のみがピンホール８３に合焦して通過する。よって、得られる像は、異なる焦点位置の試料が、焦点位置ごとに色分けされた像となる。この像を、ＣＣＤカメラ９１で撮像し、得られた画像の色の差を演算装置で解析することにより、段差Ｈを色の差で測定することができる。
【００３７】
例えば、下部クラッド層３の上面に対物レンズ８６を合焦させて基板１の画像を得ると、図８のような画像が得られる。すなわち、下部クラッド層３の部分が緑色で、シリコン基板１が青色の画像が得られる。演算装置９２は、ユーザーが指定した下部クラッド層３のある画素９５について、ＢＧＲのそれぞれの出力を下式数１に代入することにより、画素９５についての色相値ＨｕｅＨを得る。また、同様にユーザーが指定したシリコン基板１上のある画素９６についても、同様に色相値ＨｕｅＨを得る。
【００３８】
【数１】
0004304713.tif 000002
【００３９】
演算装置９２は、求めた画素９５についての色相値と画素９６についての色相値との差を求める。さらに、演算装置９２は、予め段差の値が知られている試料で求めておいた色相差と段差との関係を用いて、指定した画素９５，９６間の色相値の差から段差を数値化する。ここでは、ＣＣＤカメラ９１の色相分解能が８ビット＝２５６分割であるので、２５６階調で色相差を得ることができる。なお、結像レンズ８５の色収差４０μｍが色相分解能２５６分割に相当するので、分解能は約０．１５６μｍであり、高精度に段差を求めることができる。
【００４０】
このようにして下部クラッド層３の上面と、シリコン基板１の上面との段差Ｈを求める。求めた段差Ｈに光導波路４の膜厚を加えることにより、光導波路４の上面からシリコン基板１の上面までの段差Ｔを求める。この段差Ｔが予め定めた範囲からはずれている場合には、その光導波路デバイスは不良品と判断する。
【００４１】
その後、ウエハ状の基板１をダイシングにより短冊状に切り出し、さらに短冊状の基板１をダイシングにより切り出し、光導波路デバイス１００を完成させる。完成後の光導波路デバイス１００のうち、上記横ずれ量Ｃおよび段差Ｔを測定する検査工程で、不良品と判断された光導波路デバイス１００を除いて、良品のみを出荷する。
【００４２】
上述してきた光導波路デバイス１００の製造方法において、本実施の形態では、光導波路４をパターニングする際に、電極部７の基準マーク１０７ａ，１０７ｂに重なるように測定基準マーク６０を形成しておくことにより、基準マーク１０７ａ，１０７ｂと測定基準マーク６０とを狭い視野内で同時に観察することができる。したがって、その光導波路４と電極部７との横ずれ量Ｃを測定する際には、基準マーク１０７ａ，１０７ｂと測定基準マーク６０との位置ずれ量を測定すればよく、画素密度の高い高価なＣＣＤカメラを用いなくとも、通常のＣＣＤカメラで０．１μｍ／画素の高測定精度で横ずれ量Ｃを測定することができる。
【００４３】
また、光導波路４の上面とシリコン基板１の上面との段差Ｔを測定する際に、本実施の形態では、段差検査装置として、予め定めた色収差のある結像レンズを用いた共焦点顕微鏡を使用することにより、段差を色層の差として容易に観察することができる。また、カラーのＣＣＤカメラ９１を用いて、そのＢＧＲ出力から色相値に変換することにより、段差を容易に数値化でき、０．１５６μｍ程度の解像度で高精度に段差を検出できる。また、画像上で任意の点を指定することにより、多点間の段差の検出を一度に行うことも可能である。これにより、上部クラッド層５に覆われた光導波路４の段差を精度よく測定することができる。
【００４４】
なお、図６の顕微鏡において、結像レンズ８５の色収差は、ＣＣＤカメラ９１で撮像できる波長範囲における色収差（焦点のずれ量）が、測定したい段差よりも大きな値でなければならない。したがって、測定したい段差の範囲に応じて、必要な色収差の値を定め、そのような色収差を有する結像レンズ８５を選択して用いる。
【００４５】
また、図６の顕微鏡においては、結像レンズ８５として予め定めた色収差を有するレンズを用いているため、対物レンズ８６を倍率の異なるレンズに交換した場合にも、上記方法により色相差による測定を行うことができるという利点がある。しかしながら、本発明は、結像レンズ８５を色収差レンズにした構成に限られるわけではなく、結像レンズ８５として色収差のほとんどないレンズを用い、対物レンズ８６として予め定めた色収差を有するレンズを用いた場合にも上記方法と同様に色相差による測定を行うことができる。
【００４６】
このように本実施の形態の製造方法では、横ずれ量Ｃと段差Ｔの検出を行い不良品の判別を行っているため、光導波路４と電極部７との位置関係が横ずれ方向及び高さ方向のいずれについても予め定めた範囲内に入っている。したがって、電極部７に搭載される受発光素子と光導波路４とのアライメントの容易な光導波路デバイスを提供することができる。
【００４７】
また、上述してきた本実施の形態で製造される光導波路デバイス１００は、下部クラッド層３から上部クラッド層まで全ての層をポリイミドで形成しているため、Ｔｇが高く、耐熱性にすぐれている。よって、本実施の形態の光導波路デバイスは、高温になっても伝搬特性を維持できる。また、ポリイミドは、半田付け等の高温工程にも耐えることができるため、光導波路デバイスの上にさらに別の光導波路デバイスや電気回路素子や受発光素子をはんだ付けすることも可能である。
【００４８】
本実施の形態の光導波路デバイス１００の製造方法では、検査工程で光導波路４と電極部７との位置ずれを高精度に測定して、位置ずれ量が予め定めた範囲内のもののみを良品としている。よって、本実施の形態の製造方法で製造した光導波路デバイス１００を用いて、光通信装置を製造することにより、光導波路４と受光素子、レーザーダイオード等の素子とのアライメントが容易で、結合効率の高い高性能な光通信装置を安価に製造することができる。
【００４９】
【発明の効果】
上述してきたように、本発明によれば、基板上に光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、精度よく光導波路の位置を測定できる検査工程を備えた光導波路デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図２】  （ｄ）、（ｅ）は、本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図３】  本発明の一実施の形態の製造方法で製造した模式化した光導波路デバイスの構成を示す斜視図である。
【図４】  図３の光導波路デバイスの光導波路４と電極部７との位置ずれ量Ｃを示す説明図である。
【図５】  本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法において、位置ずれ量Ｃを測定するために、（ａ）は、電極部７の基準マーク１０７ａに合焦させた画像により測定する位置を示す説明図、（ｂ）は、測定基準マーク６０に合焦させた画像により測定する位置を示す説明図である。
【図６】  本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法において、段差を測定するために用いる、色相差を有する結像レンズ８５を用いた共焦点顕微鏡のブロック図である。
【図７】  図６の顕微鏡の結像レンズ８５の色相差を示す説明図である。
【図８】  図６の顕微鏡で得られた画像を示す説明図である。
【符号の説明】
１・・・シリコン基板
３・・・下部クラッド層
４・・・光導波路
５・・・上部クラッド層
７・・・電極部
１０・・・光導波路積層体
６０・・・測定基準マーク
８０・・・光軸
８１・・・照明光学系
８２・・・ビームスプリッタ
８３・・・ピンホール
８４・・・ディスク
８５・・・色相差を有する結像レンズ
８６・・・対物レンズ
８７・・・試料ステージ
８８・・・リレーレンズ
８９・・・ハーフミラー
９０・・・接眼レンズ
９１・・・カラーＣＣＤカメラ
９２・・・演算装置
９５、９６・・・画素
１００・・・光導波路デバイス
１０７ａ、１０７ｂ・・・基準マーク
【図１】
0004304713.tif 000003
【図２】
0004304713.tif 000004
【図３】
0004304713.tif 000005
【図４】
0004304713.tif 000006
【図５】
0004304713.tif 000007
【図６】
0004304713.tif 000008
【図７】
0004304713.tif 000009
【図８】
0004304713.tif 000010