(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を形成する工程と、
上記凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、
その後、上記層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、
さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、
その後積層形成した上記層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、
エッチバックして上記マスクの上記レンズ形状を上記層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、
上記層内レンズを形成する工程において、上記レジストの上記層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より大きくして上記レジストの厚さより薄い上記層内レンズを形成する
ことを特徴とする層内レンズの形成方法。
【請求項２】
凹部を形成する工程と、
上記凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、
その後、上記層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、
さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、
その後積層形成した上記層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、
エッチバックして上記マスクの上記レンズ形状を上記層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、
上記層内レンズを形成する工程において、上記レジストの上記層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より小さくして上記レジストの厚さより厚い上記層内レンズを形成する
ことを特徴とする層内レンズの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば固体撮像素子や液晶表示素子等の素子の内部に用いて好適な層内レンズの形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
固体撮像素子においては、画素の微細化に伴い感度を向上させる必要が生じ、従来のカラーフィルタ上のレンズ（オンチップレンズ）のみでは、充分な感度向上が図れなくなってきている。
そこで、カラーフィルターとセンサの半導体部との間の積層構造の内部にもレンズを形成する、いわゆる層内レンズという技術が併用して用いられている。
【０００３】
そして、上述の層内レンズの形成方法の１つとして、層内レンズの材料層とレジストとの積層膜をドライエッチングする方法がある。
これは、層内レンズの材料層を成膜した後、その上に積層したレジストをレンズ形状にパターニングし、その後ドライエッチングによりレジストのレンズ形状を層内レンズの材料層に転写する方法である。
【０００４】
従来は、ドライエッチングの際に、上層のレジストのレンズ形状のレンズ厚を正確に転写させるために、レジストと層内レンズ材料とのエッチング選択比が１になるように設定していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにエッチング選択比を１に設定していると、層内レンズの厚さが、レジストの厚さ限界の範囲内に制限されてしまう。
レジストの厚さ限界は、例えば良好に成膜できる薄さの限界や、曲面のレンズ形状を正しく形成できる限界、露光による現像が可能な厚さの限界等の条件により規定される。
【０００６】
従って、レンズの焦点距離を所望の距離に調節する等の目的で層内レンズの厚さをレジストの厚さ限界の範囲外にしたい場合、実際に層内レンズを形成することが不可能であった。
【０００７】
上述した問題の解決のために、本発明においては、レンズの焦点距離を所望の距離に広範囲で調節することを可能にする層内レンズの形成方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の層内レンズの形成方法は、凹部を形成する工程と、この凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、その後、層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、その後積層形成した層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、エッチバックしてマスクのレンズ形状を層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、層内レンズを形成する工程において、レジストの層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より大きくしてレジストの厚さより薄い層内レンズを形成するものである。
【０００９】
本発明の層内レンズの形成方法は、凹部を形成する工程と、この凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、その後、層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、その後積層形成した層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、エッチバックしてマスクのレンズ形状を層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、層内レンズを形成する工程において、レジストの層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より小さくしてレジストの厚さより厚い層内レンズを形成するものである。
【００１０】
上述の本発明方法によれば、レジストの層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より大きくしてレジストの厚さより薄い層内レンズを形成することにより、レジストの厚さの最小限界より薄い層内レンズを形成することが可能になる。
【００１１】
同様に、上記エッチング選択比を１より小さくしてレジストの厚さより厚い層内レンズを形成することによりレジストの厚さの最大限界より厚い層内レンズを形成することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明は、凹部を形成する工程と、この凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、その後、層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、その後積層形成した層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、エッチバックしてマスクのレンズ形状を層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、層内レンズを形成する工程において、レジストの層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より大きくしてレジストの厚さより薄い層内レンズを形成する層内レンズの形成方法である。
【００１５】
本発明は、凹部を形成する工程と、この凹部を埋めて層内レンズ材料の層を形成する工程と、その後、層内レンズ材料の層の表面を平坦化する工程と、さらにその上に層内レンズ材料の層を積層形成する工程と、その後積層形成した層内レンズ材料の層上にレンズ形状のレジストによるマスクを形成する工程と、エッチバックしてマスクのレンズ形状を層内レンズ材料の層に転写して層内レンズを形成する工程とを有し、層内レンズを形成する工程において、レジストの層内レンズ材料に対するエッチング選択比を１より小さくしてレジストの厚さより厚い層内レンズを形成する層内レンズの形成方法である。
【００１８】
図１は層内レンズの形成方法に供するＣＣＤ固体撮像素子の一素子の概略断面図を示す。
このＣＣＤ固体撮像素子１は、半導体基体（半導体部）１１内にセンサ（受光部）１２、読み出しゲート部１３、ＣＣＤ転送チャネル１４が形成され、受光部１２以外の半導体部１１即ち読み出しゲート部１３及びＣＣＤ転送チャネル１４上に絶縁膜２を介して転送電極３が形成されている。転送電極３上には層間絶縁膜４を介して遮光膜５が形成され、この遮光膜５は転送電極３への光の入射を防止する。また、遮光膜５には受光部１２上に開口が設けられて、受光部１２に光が入射するようにしている。
【００１９】
そして、遮光膜５を覆って、例えばＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）膜等のリフロー膜或いはＨＤＰ（高密度プラズマ）ＣＶＤ膜による第１平坦化層６が形成されている。
この第１平坦化層６は、遮光膜５による段差に対して表面を平坦化させる層である。
【００２０】
さらに、受光部１２の上方の第１平坦化層６上に、例えばプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜（屈折率ｎ＝１．９〜２．０）等の高屈折率材料により上面が曲面による凸部となった層内レンズ７が形成されている。
【００２１】
層内レンズ７上には、例えばアクリル系樹脂膜（屈折率ｎ＝１．３〜１．４）等から成る第２平坦化層８が形成され、この第２平坦化層８を形成することにより表面が平坦化され、その上にカラーフィルタ９が形成されている。
さらにカラーフィルタ９上にはいわゆるオンチップレンズとされたマイクロレンズ１０が形成されている。
【００２２】
この場合、層内レンズ７表面即ち層内レンズ（高屈折率層）７と第２平坦化層８との２層の境界面に入射した光が受光部１２上に集光するように、下地の層間内レンズ７の材料の屈折率は、上層の第２平坦化層８の材料の屈折率より大きくなるようにする。
【００２３】
このように、マイクロレンズ１０によるオンチップレンズの下に層内レンズ７を設けることにより、入射光を２段階で集光して、より多くの光を受光部１２に入射させることができる。
従って、オンチップレンズのみを形成した場合と比較して、ＣＣＤ固体撮像素子の感度を向上させることができるものである。
【００２４】
次に、層内レンズの形成方法の一形態として、図１に示したＣＣＤ固体撮像素子１の製造工程を図２〜図３に示す。
【００２５】
まず、図２Ａに示すように、半導体部１１内に所要の不純物のイオン注入等を行って、受光部１２、読み出しゲート部１３、ＣＣＤ転送チャネル（転送部）１４をそれぞれ形成した後に、表面に絶縁膜２を介して所定のパターンに転送電極３を形成し、層間絶縁膜４を介してこの転送電極３を覆って遮光膜５を形成する。
そして、遮光膜５が受光部１２上に開口を有するようにパターニングする。
【００２６】
次に、図２Ｂに示すように、遮光膜５上に、リフローにより形成した膜例えばＢＰＳＧ膜やＨＤＰ（高密度プラズマ）ＣＶＤ法によって形成した膜により第１平坦化層６を形成し、表面の平坦化を行う。
【００２７】
ＢＰＳＧ膜は、ＢＰＳＧの組成やリフロー温度を規定することにより、リフロー後に平坦な表面を有するようにすることができる。
【００２８】
このとき、第１平坦化層６の材料に用いられる平坦化の方法に対応して、遮光膜５となる材料を選択して、遮光膜５を形成しておくようにする。
例えば、平坦化のために高温でのリフローが必要な場合には、遮光膜５に高融点金属例えばタングステン、タングステンシリサイド、モリブデン、チタン等を形成する。
【００２９】
一方、第１平坦化層６にＨＤＰＣＶＤ膜を使用する場合には、低温で第１平坦化層６を形成することができるので、遮光膜５はアルミニウム膜等でも構わない。
【００３０】
次に、図示しないが周辺部の配線を形成した後、配線を覆って全体に、図２Ｃに示すように層内レンズ７となる高屈折率の層内レンズ材料の層１５、例えばプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を０．５〜２．０μｍの厚さに形成する。
【００３１】
ここで、層内レンズ７の屈折率を１．９〜２．０とする場合には、層内レンズ材料の層１５としてプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成する。
また、層内レンズ７の屈折率を１．５〜１．９とする場合には、層内レンズ材料の層１５としてプラズマＣＶＤによるＳｉＯＮ膜を形成する。
【００３２】
次に、図３Ｄに示すように、レンズ材料層１５の上にレジスト１６を塗布し、レジスト１６に対して所望の層内レンズ７を得るためのパターニングを行う。
さらにレンズ形状を得るために、パターニングしたレジスト１６に対して例えば１４０〜１８０℃でリフローを行う。
【００３３】
このレジスト１６には、酸素によりドライエッチングが可能である樹脂、例えばノボラック系樹脂等を用いることができる。
【００３４】
次に、図３Ｅに示すように、ドライエッチングにより、レジスト１６のレンズ形状をレンズ材料層１５に転写して層内レンズ７を形成する。
【００３５】
その後は、層内レンズ７を覆って第２平坦化層８を形成して表面を平坦化した後、カラーフィルタ９及びマイクロレンズ１０を順次形成して、図１に示したＣＣＤ固体撮像素子１を形成することができる。
【００３６】
そして、特に上述の図３Ｄ〜図３Ｅに示したドライエッチングの際に、レジスト１６と層内レンズ７の材料とのエッチング選択比を１以外の値に変更することにより、凸型の層内レンズ７を任意の厚さに形成することを可能にする。
【００３７】
このとき、ドライエッチング装置及びドライエッチングの条件は、例えばマイクロ波プラズマエッチング装置を用いて、プロセスガス（エッチングガス）としてＳＦ6 及び酸素を混合したガスを用いる。
また、このとき例えばＲＦ（高調波）出力は２０〜１００Ｗ、マイクロ波の出力は１０００〜２０００Ｗ、圧力は０．５〜２Ｐａとする。
【００３８】
このようにＳＦ6 と酸素の混合ガスをエッチングガスとして用いる場合には、エッチングガスの混合比を変更することにより、レジスト１６と層内レンズ７の材料とのエッチング選択比を変えることができる。
【００３９】
次に、層内レンズの形成方法の具体的な形態として、図３Ｄ及び図３Ｅに示したドライエッチング工程の詳細の２つの形態を、図４と図５にそれぞれ示す。
【００４０】
まず、上述の混合ガス中の酸素の比率が多いと、レジスト１６の方がエッチング速度が速く、レジスト１６の層内レンズ７の材料に対するエッチング選択比が１より大きくなるので、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、レンズ形状のレジスト１６の厚さと比較して薄い層内レンズ７が形成される。
【００４１】
一方、酸素の比率が少ないと、レジスト１６の方がエッチング速度が遅く、レジスト１６の層内レンズ７の材料に対するエッチング選択比が１より小さくなるので、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、レンズ形状のレジスト１６の厚さと比較して  厚い層内レンズ７が形成される。
【００４２】
そして、ＳＦ6 と酸素との混合比を２対１〜１対２の間で変化させることにより、レジスト１６の層内レンズ７の材料に対するエッチング選択比を０．５〜２．０の間で変化させることができる。
【００４３】
レジスト１６の厚さの限界が例えば０．６〜２．５μｍの範囲である場合に、従来のようにエッチング選択比が１．０のままであると、ドライエッチングで得られる凸型の層内レンズ７の厚さは０．６〜２．５μｍの範囲内しか形成できない。
【００４４】
これに対して、上述の方法により、エッチング選択比が０．５〜２．０の範囲で可変となれば、凸型の層内レンズ７の厚さを０．３〜５．０μｍの範囲で形成することができるようになる。
【００４５】
エッチング装置には、その他平行平板ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置や高圧狭ギャップ型プラズマエッチング装置、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型エッチング装置、マグネトロンＲＩＥ装置、その他の高密度プラズマ型エッチング装置（例えばＴＣＰ（遷移結合型プラズマ），ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ），ＨＤＰ（高密度プラズマ），ヘリコン（ヘリコン波により放電したプラズマ）等のプラズマを利用したエッチング装置）を用いてもよい。
【００４６】
また、エッチングガスは、ＳＦ6 に代えてＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 等のフロン系ガスや、Ｃｌ2 ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＢＣｌ等のハロゲン系を用いて酸素との混合ガスを作製してもよい。
【００４７】
尚、ＳＦ6 の代わりに他のフッ素系ガスを用いた場合には、レジスト１６と層内レンズ７の材料とのエッチング選択比が１になる混合比率が異なる場合がある。
【００４８】
また、エッチングガスは、上述の２種類のガスの混合ガスの他に、例えば酸素と上述のガスの２種類以上を混合したガス等、３種類以上のガスから成る混合ガスを用いてもよい。
【００４９】
尚、上述のドライエッチングを単体のエッチングガスによって行うこともできる。ただし、この場合はレジスト１６と層内レンズ７の材料とのエッチング選択比がエッチングガスによって決まる一定の値になる。
これにより、レンズ形状のレジスト１６の厚さに対して、エッチング選択比により一意的に決まる厚さの層内レンズ７が形成される。
【００５０】
尚、図１のＣＣＤ固体撮像素子１において、層内レンズ７の材料を高屈折率の樹脂により構成することも可能であるが、この場合にはドライエッチングで層内レンズ７を形成する際に、エッチングガスの混合比によらず、レジスト１６と層内レンズ７の材料とのエッチング選択比がほぼ１になる。
即ち、この場合には、層内レンズ７の厚さがレンズ形状のレジスト１６の厚さと同一になり、形成可能な層内レンズ７の厚さの範囲は、レンズ形状のレジスト１６の厚さの範囲となる。
【００５１】
上述の形態によれば、レンズ形状のレジスト１６の層内レンズ７の材料に対するエッチング選択比を１より大きく、或いはこのエッチング選択比を１より小さくすることによって、層内レンズ７の厚さをレンズ形状のレジスト１６の厚さの限界の範囲外とすることが可能となり、これにより入射光の焦点距離の範囲を広げることができる。
これにより、層内レンズ７の焦点距離を、より広い範囲において所望の距離に調節することを可能にする。
【００５２】
従って、多様な寸法のユニットセルサイズを有するＣＣＤ固体撮像素子に対して、感度向上を図ることができる。
【００５３】
次に、本発明方法の一実施の形態について説明する。
図６は本発明の層内レンズの形成方法に供するＣＣＤ固体撮像素子の一素子の概略断面図を示す。
【００５４】
このＣＣＤ固体撮像素子２１は、図１に示したＣＣＤ固体撮像素子１の層内レンズ７と同様に上に凸なレンズ面１９Ａを有し、さらに下層の層間絶縁層１７の受光部１２上の位置に形成された凹部とこの凹部を埋める（例えばプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜等から成る）層内レンズ材料の層（高屈折率層）１８との境界面によって形成された下に凸なレンズ面１９Ｂを有して成る層内レンズ１９が形成されている。
【００５５】
このように構成することにより、マイクロレンズ１０、層内レンズ１９の上側のレンズ面１９Ａ、層内レンズ１９の下側のレンズ面１９Ｂと３段階で集光がなされ、図１のＣＣＤ固体撮像素子１と比較してさらなる感度の向上を図ることができるものである。
【００５６】
その他の構成は図１のＣＣＤ固体撮像素子１と同様であるため、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００５７】
次に、本発明の層内レンズの形成方法の一実施の形態として、図６に示したＣＣＤ固体撮像素子２１の製造工程を図７に示す。
【００５８】
まず、前述の図２Ａと同様に、半導体部１１内に所要の不純物のイオン注入等を行って、受光部１２、読み出しゲート部１３、ＣＣＤ転送チャネル（転送部）１４をそれぞれ形成した後に、表面に絶縁膜２を介して所定のパターンに転送電極３を形成し、層間絶縁膜４を介してこの転送電極３を覆って遮光膜５を形成する。
そして、遮光膜５が受光部１２上に開口を有するようにパターニングする。
【００５９】
次に、遮光膜５による段差を覆って全面的に例えばＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等による層間絶縁層１７を形成する。
このとき、例えばＢＰＳＧの組成を所定の組成とすることにより、層間絶縁層１７の表面がセンサ部１２上に凹部を有するように形成される。
さらに、図７Ａに示すように、層間絶縁層１７の凹部を埋めて全面的に層内レンズの材料例えばプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜等により高屈折率層１８を形成する。この高屈折率層１８の表面は、層間絶縁層１７の凹部に対応する凹部を有する。
【００６０】
次に、図７Ｂに示すように、高屈折率層１８の表面を覆って平坦化のためのレジスト２０を形成する。
このときレジスト２０の表面はレジスト２０の粘性等の特性により平坦化される。
【００６１】
そして、レジスト２０及び高屈折率層１８に対してドライエッチングを行う。
このドライエッチングにおいては、レジスト２０の高屈折率層（層内レンズ材料）１８に対するエッチング選択比が１（１：１）となるように、エッチングガス等の条件を設定して行う。
これにより、図７Ｃに示すように、高屈折率層１８の表面が平坦化される。
【００６２】
次に、図７Ｄに示すように、平坦化された高屈折率層１８上にさらに高屈折率層１８例えばプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜等を積層形成する。この２層目の高屈折率層１８の表面は平坦に形成される。
【００６３】
次に、高屈折率層１８上にレジストを形成し、このレジストをパターニングした後、リフローを行って、図７Ｅに示すようなレンズ形状のレジスト１６とする。
【００６４】
そして、前述のエッチング選択比を１より大又は１より小とした条件でドライエッチングを行って、図７Ｆに示すように、レジスト１６のレンズ形状を高屈折率層１８に転写する。
【００６５】
尚、上述の製造工程において、層内レンズ１９間の高屈折率層１８、即ちある画素の層内レンズ１９と隣の画素の層内レンズ１９との間の高屈折率層（層内レンズ材料の層）１８の表面は、オンチップレンズ１０で充分に入射光を絞っていて層内レンズ１９間への入射がない場合や、層内レンズ１９間に入射した光はほとんど全て遮光膜５に入射してセンサ部１２に到達しない場合では、必ずしも完全に平坦になっていなくてもよい。
【００６６】
さらに他の形態として、このような場合において有効な、上述の図７に示した製造工程をより簡略化した製造工程の工程図を図８に示す。
まず、図７Ａに示したように、凹部を有する層間絶縁層１７上に高屈折率層１８を形成する。
【００６７】
次に、高屈折率層１８上にレジストを形成し、このレジストをパターニングした後、リフローを行う。
これにより、図８Ｂに示すように、高屈折率層１８の凹部にレンズ形状のレジスト１６が形成される。
【００６８】
次に、レジスト１６の層内レンズの材料に対するエッチング選択比が所望の選択比となるエッチング条件でドライエッチングを行うことにより、レジスト１６のレンズ形状を転写して所望の厚さの層内レンズ１９を形成する。
【００６９】
これにより、図７に示した工程より少ない工程数で層内レンズ１９を形成することができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００７０】
尚、この場合には各層内レンズ１９間の高屈折率層１８に多少の凹凸が残ることがあるので、前述したように各層内レンズ１９間への入射光の影響がない場合に適した製造方法である。
【００７１】
尚、上述の実施の形態においては、ＣＣＤ固体撮像素子に適用して説明したが、本発明の層内レンズの形成方法は、ＭＯＳ型撮像素子等の他の固体撮像素子や、液晶表示素子についても適用することができ、上述の実施の形態と同様にエッチング選択比を規定して所望の厚さの層内レンズを得ることができる。
【００７２】
従って、上述の素子において本発明の層内レンズの形成方法を適用することにより、感度や層内レンズの焦点距離を調節して素子の特性の最適化を図ることができる。
【００７３】
本発明の層内レンズの形成方法は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００７４】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、層内レンズの厚さを上層のレジストの厚さの限界の範囲外とすることが可能となり、これにより入射光の焦点距離の範囲を広げることができる。
層内レンズの焦点距離を所望の距離に広範囲で調節することを可能にする。
【００７５】
従って、多様な寸法のユニットセルサイズを有する固体撮像素子に対して、感度向上を図ることができる。
また、液晶表示素子等において、感度や層内レンズの焦点距離を広範囲に調節して特性の最適化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  層内レンズの形成方法に供するＣＣＤ固体撮像素子の一画素に対応する概略断面図である。
【図２】Ａ〜Ｃ  図１のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の製造工程図である。
【図３】Ｄ、Ｅ  図１のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の製造工程図である。
【図４】Ａ、Ｂ  図３Ｄ及び図３Ｅのドライエッチング工程の詳細の一形態を示す製造工程図である。
【図５】Ａ、Ｂ  図３Ｄ及び図３Ｅのドライエッチング工程の詳細の他の形態を示す製造工程図である。
【図６】  本発明の層内レンズの形成方法に供するＣＣＤ固体撮像素子の一画素に対応する概略断面図である。
【図７】Ａ〜Ｆ  図６のＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の製造工程図である。
【図８】Ｂ、Ｃ  図６のＣＣＤ固体撮像素子の他の製造方法の製造工程図である。
【符号の説明】
１，２１  ＣＣＤ固体撮像素子、２  絶縁膜、３  転送電極、４  層間絶縁膜、５  遮光膜、６  第１平坦化層、７，１９  層内レンズ、８  第２平坦化層、９カラーフィルタ、１０  マイクロレンズ（オンチップレンズ）、１１  半導体基体（半導体部）、１２  受光部（センサ）、１３  読み出しゲート部、１４  ＣＣＤ転送チャネル、１５，１８  高屈折率層（層内レンズの材料層）、１６，２０  レジスト、１７  層間絶縁層、１９Ａ，１９Ｂ  レンズ面
【図１】
0004329142.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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