(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，
前記装置内を減圧する排気手段と，
前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板と，
前記処理室内の圧力を測定する圧力測定手段を有し，
前記整流板は，その下面が前記基板の外縁部に対応してその他の部分に比べて下方に突出している突部を有し，
前記排気手段は，前記圧力測定手段により測定された圧力の測定値が，塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記処理室の減圧速度を変更するように構成されていることを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項２】
基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，
前記装置内を減圧する排気手段と，
前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板を有し，
前記整流板は，その下面が前記基板の外縁部に対応してその他の部分に比べて下方に突出している突部を有し，
前記処理装置内には，前記処理室内の圧力を測定する圧力測定手段を有し，
前記処理装置に取り付けられた前記排気手段の排気管には，開閉自在な弁を有し，
前記弁は，前記圧力測定手段により測定された圧力の測定値が，塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，開閉度が上げられることを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項３】
請求項１の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記処理室内の圧力を前記圧力測定手段により測定する工程と，
前記圧力の測定値が塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記減圧速度を変更する工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項４】
請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程と，
前記処理室内の圧力を前記圧力測定手段により測定する工程と，
前記圧力の測定値が塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記弁の開閉度を上げる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項５】
請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記処理室内の圧力を測定し，前記圧力の変化量を算出する工程と，
前記圧力の変化量が，塗布液中の溶剤が気化することによる圧力の変化量を超えた場合に，前記弁の開閉度を上げる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項６】
請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程と，
前記処理室内の圧力を測定し，前記圧力の変化量を算出する工程と，
前記圧力の変化量が，塗布液中の溶剤が気化することによる圧力の変化量を越えた場合に，前記弁の開閉度を上げる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項７】
請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記弁の開閉度を，塗布液中の溶剤が気化し始めるタイミングで上げる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項８】
請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，
前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程と，
前記弁の開閉度を，塗布液中の溶剤が気化し始めるタイミングで上げる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項９】
前記基板の処理工程が終了した後に，前記弁を所定の開閉速度で開放させて，前記処理装置内の減圧状態を解除させる工程を有することを特徴とする，請求項４，５，６，７又は８に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記整流板の材質が，ステンレス鋼，石英ガラス又はセラミックであることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，前記レジスト塗布処理において，レジスト液を塗布する方法としては，スピンコーティング法が主流をなしている。このスピンコーティング法によれば，ウェハの中心にレジスト液を吐出して，このウェハを回転させる。このことにより，ウェハ上に塗布されたレジスト液が遠心力により拡散し，ウェハの全面に渡って均一なレジスト膜を形成することができる。その後，塗布されたレジスト液中の溶剤を乾燥させるために，加熱処理装置において加熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，スピンコーティング法は，ウェハを高速で回転させるため，ウェハの周縁部から多量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。また，レジスト液の飛散により当該装置が汚染されるため，頻繁に洗浄しなければならない等の弊害が生じていた。
【０００５】
そこで，ウェハを回転させるスピンコーティング法に代えて，レジスト液を吐出するノズルとウェハを相対的に移動させて，例えば，ウェハ上に満遍なく格子状に粘度の低いレジスト液を塗布する方法が考えられる。
【０００６】
しかしながら，このいわゆる一筆書きの要領でレジスト液を塗布する方法においても，ウェハの周縁部に塗布されたレジスト液が表面張力により盛り上がり，レジスト膜が均一に形成されない場合が懸念される。このように周縁部が盛り上がった状態で露光しても，該周縁部は，製品として利用できない欠陥部となり，その分歩留まりが低下する。
【０００７】
一方，このいわゆる一筆書きの要領でレジスト液を塗布する方法の場合，比較的粘性の低いレジスト液が使用されることから，従来のように，塗布後に高温加熱すると蒸発速度が大きくなりすぎて，レジスト膜に斑ができるおそれがある。
【０００８】
そのため，ウェハ上にレジスト液が塗布された後は，装置内を減圧して乾燥し，レジスト液中の溶剤をゆっくりと乾燥させる方が好ましいと考えられるが，その後，ウェハ面内における気流の均一性と前記したウェハ周縁部のレジスト液の盛り上がった部分に留意する必要がある。
【０００９】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レジスト液の塗布後に減圧乾燥装置においてレジスト液中の溶剤を乾燥させる際に，発生した気流を制御して基板の外縁部に形成された表面張力による盛り上がりを除去するなどして，レジスト液の膜厚を均一なものとする方法と，それらの機能を備えた装置を提供することをその目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置において，前記装置内を減圧する排気手段と，基板の上方に前記排気手段により前記処理室内に発生した気流を整流する整流板と，前記処理室内の圧力を測定する圧力測定手段を有しており，この整流板は，その下面が前記基板の外縁部に対応してその他の部分に比べて下方に突出している突部を有し，前記排気手段は，前記圧力測定手段により測定された圧力の測定値が，塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記処理室の減圧速度を変更するように構成されていることを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【００１１】
この請求項１によれば，先ず，処理室内の基板を乾燥処理することができる。その際前記したように整流板を有しているので，前記処理室内を減圧する際に発生する気流が基板と前記突部との隙間を通る際にその他の部分よりも流路が狭くなり，その流速が増大する。そのため，当該処理の前処理である塗布処理において，基板の外縁部に表面張力により塗布液の盛り上がりが生じた場合においても，その速度が増大した気流により，盛り上がった塗布液が押し流され，その他の部分と同じ厚さの塗布膜となる。また，直接高温で加熱しないので，塗布液中の溶剤を徐々に乾燥させることができる。ここで，例えば，処理室内が減圧されることにより基板上の溶剤が飽和蒸気圧に達すると，多量の気体が発生する。そうすると，処理室内の減圧速度が急激に低下し，減圧速度に対応している処理室内の気流速度も低下する。そこで，処理室の圧力が溶剤の飽和蒸気圧に達したときに，処理室の減圧速度を変更し，減圧速度を増大させて，所定の気流速度を維持する。その結果，その気流による塗布液の乾燥も所定のスピードで行われる。したがって，塗布液が適切な速度で乾燥される。また，乾燥時間が長期化することが防止される。
【００１２】
請求項２の発明によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，前記装置内を減圧する排気手段と，前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板を有し，前記整流板は，その下面が前記基板の外縁部に対応してその他の部分に比べて下方に突出している突部を有し，前記処理装置内には，前記処理室内の圧力を測定する圧力測定手段を有し，前記処理装置に取り付けられた前記排気手段の排気管には，開閉自在な弁を有し，前記弁は，前記圧力測定手段により測定された圧力の測定値が，塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，開閉度が上げられることを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【００１３】
このように，前記排気管に取り付けられた弁の開閉度を，処理室内の圧力に基づいて変更することにより，請求項１と同様に，基板から多量の溶剤が気化して急激に減圧速度が低下しようとしても，前記弁によりその減圧速度を所定の速度に維持することができる。したがって，基板を常に所定の減圧速度で乾燥させることができ，所定の塗布膜が形成される。
【００１４】
参考例として，前記整流板の突部の突出長さが内側に比べて外側の方が長く，かつ前記突部の下端部が傾斜していることを特徴とする基板の処理装置が提供される。
上述したような前記突部の形状にすることにより，前記整流板の内側から外側に向かって流れる気流が，その突部の傾斜により前記基板の処理装置に比べて滑らかに加速される。そのため，突部により急激に気体の流路が狭くなっても，局所的な乱流等の圧力変動が生じず，基板上の塗布膜に悪影響を与えることがない。
【００１５】
参考例は，前記処理装置内の前記整流板の突部に囲まれた領域に所定の気体を供給する気体供給手段を有することを特徴としている。
このように，整流板の内側に気体供給手段を取り付けることにより，減圧により発生する気流をさらに加速させ，積極的かつ効果的に基板の塗布処理において基板の外縁部に生じた盛り上がりを平坦なものにすることができる。
【００１６】
参考例は，前記基板の処理装置における前記整流板が，上下に移動自在に構成されていることを特徴とする。
【００１７】
このように，前記整流板を上下に移動自在にすることにより，基板と前記整流板の突部との隙間の大きさを調節できるようになる。従って，例えば，粘性の異なる塗布液の種類に応じて，その隙間の大きさを変えることができる。また，その隙間を広狭するタイミングを変えたりすることができるので，比較的乾燥の進んでいないうちに基板外縁部の塗布液の盛り上がりを除去できる。
【００１８】
参考例によれば，基板を載置する載置台を有し，前記載置台が，温度調節可能に構成されていることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。
【００１９】
このように，基板を載置する載置台の温度を調節し，処理中の基板を所定の温度に維持する。その結果，基板上の塗布液の乾燥速度が温度により左右されることから，基板の乾燥を所定の速度に制御することができる。さらに，溶剤の揮発速度が極めて速い塗布液の場合は，載置台の温度を室温，例えば２３℃から下げ，溶剤の揮発抑えつつ徐々に溶剤を揮発させることができるので，基板面内で乾燥速度の斑が生じず，均一な膜が得られる。逆に極めて揮発速度の遅い塗布液では，室温，例えば２３℃から温度を上げることで同様の効果が得られる。
【００２０】
参考例は，前記処理装置において，前記基板を載置して加熱する熱板と，前記基板を支持して昇降する昇降部材とを有してもよい。
【００２１】
このように，前記熱板と前記昇降部材を設けて，当該処理装置に加熱処理機能を持たせることにより，前記基板を減圧乾燥した後，直ぐに加熱処理することができる。従って，スループットの向上が図られる他，加熱処理装置を別に設ける必要がないので，その分スペースが確保できる。
【００２６】
請求項３の発明は，請求項１の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，前記処理室内の圧力を前記圧力測定手段により測定する工程と，前記圧力の測定値が塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記減圧速度を変更する工程とを有することを特徴としている。
【００２７】
このように，請求項１の前記処理装置を用いると，前記圧力測定手段により減圧中の処理装置内の圧力を測定し，所定の値，例えば塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に減圧速度を低下させることができる。従って，溶剤の気化に伴う減圧速度の低下が防止されるために，乾燥時間の短縮が図られる。
【００２８】
請求項４の発明によれば，請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程と，前記処理室内の圧力を前記圧力測定手段により測定する工程と，前記圧力の測定値が塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，前記弁の開閉度を上げる工程とを有することを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【００２９】
このように，請求項２の前記処理装置を用いて，先ず弁を所定の開閉速度で開放し，処理室内が所定の速度で減圧し，その間前記圧力測定手段により処理装置内の圧力を測定し，所定の値，例えば塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を超えた場合に，弁の開閉度を上げて減圧速度を低下させることができる。従って，処理室は常に所定の速度で減圧され，基板は徐々に乾燥される。また，溶剤の気化に伴う減圧速度の低下が防止されるために，乾燥時間の短縮も図られる。
【００３０】
請求項５の発明によれば，請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，処理室内の圧力を測定し，前記圧力の変化量を算出する工程と，前記圧力の変化量が，塗布液中の溶剤が気化することによる圧力の変化量を越えた場合に，前記弁の開閉度を上げる工程とを有することを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【００３１】
請求項６によれば，処理室内の圧力を測定して，その圧力の変化量を算出できる。そして，その算出した変化量が，塗布液中の溶剤が気化することによる圧力の変化量を超えた場合に弁の開閉度を上げることができる。したがって，例えば，塗布液中の溶剤が処理室の減圧により飽和蒸気圧に達し，多量の気体が発生して，処理室の圧力の変化量に変動があった場合には，即座に弁を開放し，処理室内を所定の圧力変化量すなわち減圧速度に調節することができる。また，圧力の変化量だけに基づいて減圧速度を調節できるので，塗布液の種類によらず，レシピの異なる処理にも対応できる。
【００３２】
かかる請求項５の発明は，請求項６のように，前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程を有してもよい。
【００３３】
このように，弁を所定の開閉速度で開放していくことにより，処理室内の圧力が所定の速度で減圧され，徐々に基板を乾燥させることができる。また，減圧開始当初から安定して減圧させていくことにより，圧力の変化量の変動を認識しやすくなる。
【００３４】
請求項７の発明は，請求項２の基板の処理装置を用いた基板の処理方法であって，前記弁の開閉度を，塗布液中の溶剤が気化し始めるタイミングで上げる工程とを有することを特徴としている。
【００３５】
このように，弁の開閉度を変更するタイミング，例えば，塗布液中の溶剤が多量に気化し始めるタイミングを予め設定しておき，そのタイミングで弁の開閉度を変更させることにより，処理室の減圧速度を所定の値に保つことができる。したがって，減圧速度の低下に伴う基板の乾燥時間の長期化が防止される。
【００３６】
かかる請求項７の発明は，請求項８のように，前記弁を所定の開閉速度で開放していく工程を有していてもよい。
【００３７】
このように，弁を所定の開閉速度で開放していくことにより，処理室の減圧が所定の速度で行われ，基板を徐々に乾燥させることができる。
【００３８】
請求項９の発明によれば，請求項４〜８の前記基板の処理工程が終了した後に，前記弁を所定の開閉速度で開放させて，処理装置内の減圧状態を徐々に解除させる工程を有することを特徴とする基板の処理方法が提供される。
【００３９】
このように，前記減圧処理後に処理室の減圧状態を徐々に解除することにより，前記処理室内に存在する塵等の不純物が気流により巻き上げられて，基板に付着することが抑えられる。また，減圧状態を解除する際に，減圧時に用いる前記開閉自在な弁を利用することにより，減圧状態の解除のための弁を別途設ける必要が無く，比較的簡単な制御で減圧状態が解除される。
【００４０】
また参考例によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，前記装置内を減圧する排気手段と，前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板を有し，前記整流板は，その下面が平坦でかつ当該下面の面粗度が０．２μｍ以下であることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。ここで面粗度が０．２μｍ以下とは，表面の凹凸の差が最大でも０．２μｍということを意味する。
このように整流板下面の面粗度を設定することで，減圧の際に整流板下面と基板表面との間の乱流の発生を抑えて，基板表面の塗布液による塗布膜の膜厚をより均一にすることが可能である。
【００４１】
参考例によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，前記装置内を減圧する排気手段と，前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板を有し，前記整流板は，その下面が平坦であって，かつ当該下面と前記基板の処理面との間の間隔が０．５ｍｍ〜２．０ｍｍであることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。
このように整流板と基板表面との間のギャップを調整することで，基板表面の塗布液による塗布膜の膜厚の均一な部分の面積を好適に拡大させることが可能である。
【００４２】
参考例によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，前記装置内を減圧する排気手段と，前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板と，前記整流板の周辺部を加熱する加熱装置とを備えていることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。
前記加熱装置で整流板の周辺部を加熱することで，例えば前記塗布液が揮発系の溶剤を含んでいる場合には，基板の周辺部の塗布液から溶剤を積極的に蒸発させ，基板周辺部や周縁部の盛り上がりを抑えることができる。
【００４３】
参考例によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理装置であって，前記装置内を減圧する排気手段と，前記基板上方に，前記排気手段による排気によって前記処理室内に発生した気流を整流する整流板とを備え，前記整流板における周辺部は，整流板の他の部分よりも明度の低い色を有していることを特徴とする，基板の処理装置が提供される。すなわち整流板における周辺部の色が整流板の他の部分よりも濃い色である。
このように整流板の周辺部の色を他の部分よりも濃くすることにより，整流板からの輻射熱が，周辺部の方でより多量に発せられるので，例えば前記塗布液が揮発系の溶剤を含んでいる場合には，基板の周辺部の塗布液から溶剤を積極的に蒸発させ，基板周辺部や周縁部の盛り上がりを抑えることができる。
【００４４】
以上で述べた各整流板の材質は，熱伝導率が低いものがよい。例えば，ステンレス鋼，石英ガラス，セラミックが適している。
【００４５】
またさらに，参考例によれば，基板に塗布液を塗布する塗布処理が行われた後に処理室内で前記基板に所定の処理を施す基板の処理方法であって，前記基板上方を，下面が平坦な整流板で覆う工程と，前記処理室内を減圧する工程とを有し，前記整流板と前記基板表面との間の間隔を調整することで，前記基板上の塗布液による塗布膜の均一部分の面積を制御することを特徴とする，基板の処理方法が提供される。
【００４６】
発明者らの検証によれば，前記整流板と前記基板表面との間の間隔を調整すると，処理室内を減圧しているとき，間隔が狭い場合には，塗布膜の均一部分の面積が増大し，逆に前記間隔が広くなると，塗布膜の均一部分の面積が減少することがわかった。したがって，前記整流板と前記基板表面との間の間隔を調整することで，前記基板上の塗布液による塗布膜の均一部分の面積を制御することが可能になる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明である処理装置としての減圧乾燥装置の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる減圧乾燥装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００４８】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００４９】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００５０】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００５１】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。
【００５２】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１８が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００５３】
ここで，レジスト塗布装置１７及び１９は，従来ウェハＷを回転させながらレジスト液を塗布するスピン型を用いていたが，本実施の形態ではレジスト液の塗布量を削減すること，当該装置の清浄の手間を省く等の観点から，ウェハＷとそのウェハＷを載置する載置台が相対的に移動してレジスト液を塗布するいわゆる一筆書き型のレジスト塗布装置を用いる。
【００５４】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，本実施の形態にかかる最初にレジスト液中の溶剤を乾燥させる減圧乾燥装置３３，次に残ったレジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００５５】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００５６】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成されている。
【００５７】
上述した減圧乾燥装置３３の構造について，詳しく説明する。先ず図４に示すように，減圧乾燥装置３３のチャンバー６０は，例えば下面側が開口した略筒状の蓋体６１と，上面側が開口した略筒状の容器６２で構成されている。この蓋体６１と容器６２の外形は同じ大きさである。蓋体６１は，例えばモータ等を内蔵した蓋体駆動機構６３により上下に移動自在である。したがって，この蓋体６１の下端部と容器６２の上端部が相互に密着して処理室Ｓを形成することができる。処理中，処理室Ｓは減圧されるため，蓋体６１の下端部には，気密性を保つためのＯリング６４が外側と内側に各々設けられている。
【００５８】
また，蓋体６１の上部中央には，例えば減圧時に処理室Ｓ内の気体を排気するための排気管６５が取り付けられている。さらに蓋体６１の内壁には，処理室Ｓ内の圧力を測定する圧力センサ６６が取り付けられており，処理中の処理室Ｓ内の圧力を随時測定している。この圧力センサ６６には予め所定の値，本実施の形態ではウェハＷ上に塗布されたレジスト液中の溶剤の飽和蒸気圧，例えば0.2ＫＰａに設定しておく。そして圧力センサ６６がこの設定値を検知したときにその信号を制御装置６７に送り，その制御装置６７が後述する弁７６の開閉度を制御するように構成されている。
【００５９】
チャンバー６０は，ウェハＷが載置される載置台７０を有しており，この載置台７０は，厚みがあり円盤状の形状をしている。載置台７０は，温度調節機能を備えており，少なくとも１０℃〜４０℃の範囲で設定し，載置されたウェハＷ面内の温度分布を±0.２℃以内に保つことができる。また，載置台７０には，後述する昇降ピン８１が貫通して移動する３つの貫通孔７１が形成されている。
【００６０】
上記載置台７０上方には，減圧時に発生する気流の方向を制御するための整流板７２が設けられている。この整流板７２は，例えば円盤状の形状をしており，その下面がウェハＷの周縁部の形状に対応してその他の部分に比べて下方に突き出て，突部７２ａを形成している。したがって，この突部７２ａは，リング状に形成されているため，整流板７２は全体として下端部が開口した略円筒形状となっている。さらに，突部７２ａの下端部は傾斜しており，その突出長さが内側よりも外側の方が長くなっている。また，整流板７２は，上下に移動自在となるように，駆動機構７３が取り付けられており，所定のタイミングで，所定の距離を上下に駆動できるように構成されている。したがって，例えば減圧乾燥中は，この整流板７２を下降させ，突部７２ａをウェハＷ周縁部に近づけることにより，ウェハＷ周縁部の流速が加速される。
【００６１】
上述した蓋体６１の排気管６５は，チャンバー６０内の気体を吸引して減圧する吸引装置７５と，減圧乾燥終了後にチャンバー６０内に気体，例えば不活性ガスである窒素ガスを供給して減圧状態を解除する供給装置７７に通じている。この排気管６５には，気体の流量を制御する弁７６が取り付けられている。従って，例えばチャンバー６０を減圧する場合には，吸引装置７５により排気管６５を通じて気体を吸引し，チャンバー６０の減圧状態を解除する場合には，供給装置７７によって排気管６５を通じて窒素ガスをチャンバー６０内に供給する。また，このときの減圧速度又は減圧解除速度は，弁７６の開閉度を制御することにより変更可能である。
【００６２】
この供給装置７７は，ウェハＷの乾燥処理後に窒素ガス等の不活性ガスをチャンバー６０内に供給し，チャンバー６０内の雰囲気をパージする機能も果たしている。また，ウェハＷの搬入出時に，ウェハＷを支持し，昇降させる昇降ピン８１が，図示しない駆動機構により貫通孔７１を貫通して昇降自在に設けられている。
【００６３】
次に，以上のように構成されている減圧乾燥装置３３の作用について，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００６４】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置３１に搬入する。そして，そこでHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又は１９に搬送される。
【００６５】
このレジスト塗布装置１７又は１９では，上述したようにいわゆる一筆書きの要領で塗布する方法が用いられており，レジスト液も従来のスピンコーティング法で用いられていたものよりも粘性の低いものが使用される。そのため，ウェハＷに塗布されたレジスト液を従来のようにプリベーキング装置において，高温で急激に乾燥させることは，レジスト液の突沸等を引き起こし，好ましくない。そこで，レジスト液を徐々に乾燥させる減圧乾燥装置３３を設けて，レジスト塗布装置１７又は１９においてレジスト液が塗布されたウェハＷを先に減圧乾燥装置３３に搬送し，その後プリベーキング装置３４に搬送する。
【００６６】
そして，プリベーキング装置３４において乾燥されたウェハＷは，主搬送装置１３によりクーリング装置４０に搬送される。その後ウェハＷは，各処理装置において露光処理，現像処理等の一連の所定の処理が行われ，塗布現像処理が終了する。
【００６７】
上述した減圧乾燥装置３３の作用について詳しく説明すると，先ず，レジスト塗布装置１７又は１９で，レジスト液が塗布されたウェハＷが主搬送装置１３により，チャンバー６０内に搬入される。このとき蓋体６１は，蓋体駆動機構６３により上昇され，ウェハＷは，図示しない駆動機構により予め上昇して待機していた昇降ピン８１に受け渡される。昇降ピン８１が下降し，温度調節機能により２３℃に調節された載置台７０上にウェハＷが載置される。ここで，載置台７０を２３℃に維持することにより，所定の速度でレジスト液を乾燥させることができるが，より速く乾燥させたい場合は，温度を上昇させ，より遅く乾燥させたい場合には温度を下降させる。
【００６８】
そして，図５に示すように蓋体駆動機構６３により蓋体６１が下降し，その蓋体６１の下端部が，容器６２の上端部が密着して処理室Ｓが形成される。このとき駆動機構７３により整流板７２も下降して，整流板７２の突部７２ａをウェハＷ周縁部に近づける。
【００６９】
次に，吸引装置７５が作動し，処理室Ｓ内の気体が吸引され始める。それに伴い処理室Ｓ内に気流が発生し，ウェハＷの乾燥が開始される。また，乾燥開始と同時に圧力センサ６６により処理室Ｓ内の圧力測定が開始される。このとき徐々にレジスト液を乾燥させるために，図７に示すように所定の減圧速度，例えば２ＫＰａ／Secで減圧されるように弁７６を徐々に開放していく。このような吸引により，ウェハＷ上面には，ウェハＷ中央から整流板７２に沿って，放射状に流れる気流が発生する。そして，上述したように整流板７２の突部７２ａにより気体の流路が狭くなっているので，ウェハＷ周縁部の気流の速度がウェハＷ中心部のものに比べて大きくなる。そのため，図６に示すように，低粘度のレジスト液を塗布した際，表面張力によりウェハＷ周縁部において盛り上がったレジスト液（図６の（ａ））がその気流より押し流され，平坦になる（図６の（ｂ））。
【００７０】
その後も，図７に示すように同一減圧速度で減圧し続けると，レジスト液に含まれる溶剤が飽和蒸気圧，例えば，0.2ＫＰａに達する（図７中のＰ点）。このときに，そのままにしておくと溶剤が急激に気化されるため処理室Ｓ内の減圧速度が低下し，乾燥時間が長くなる（図７中の点線）。上述したように圧力センサ６６が予め設定してある設定値である0.2ＫＰａを検出し，その信号が制御装置に送られ，弁７６の開閉度が上げられる。そうすることにより，処理室Ｓ内の所定の減圧速度が維持され，ウェハＷの乾燥速度も維持される。
【００７１】
その後，引き続き減圧乾燥が行われ，所定時間経過後，吸引装置７５が停止され，弁７６が閉じられて減圧乾燥処理が終了する。その後，供給装置７７から処理室Ｓに窒素ガスが供給される。このとき，弁７６を徐々に開放し，処理室Ｓ内の圧力回復をゆっくり行う。そして，圧力が大気圧に回復した後も窒素ガスを供給し続け，処理室Ｓ内をパージする。そして，蓋体駆動機構６３により蓋体６１が上昇し，搬入時と同様にして，ウェハＷは，昇降ピン８１から主搬送装置１３に受け渡される。
【００７２】
以上の実施の形態によれば，上述した整流板７２の下部にウェハＷの周縁部に対応した突部７２ａを設けることにより，前記突部７２ａにおいて，ウェハＷ周縁部と整流板７２との隙間が狭くなる。その結果，減圧により処理室Ｓ内に発生する気流が，前記隙間を通るときにその速度が増大される。その気流が，塗布処理において生じたウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりを押し流し，平坦とし，その他の部分と同じ膜厚にする。したがって，塗布処理において生じるウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりが除去され，均一なレジスト膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【００７３】
また，前記突部７２ａの下端部を傾斜させ，その突出長さを内側よりも外側の方が長くしたことにより，整流板７２の突部７２ａの内側からウェハＷの上面に沿って，ウェハＷの外周方向に流れる気流が，滑らかに加速される。したがって，局所的な圧力変動等が生じ，レジスト液に悪影響を与えることを防止する。ただし，整流板７２の突部の形状は上述した形に限られず，その下端部が平坦なものでもよい。
【００７４】
また，圧力センサ６６に予め塗布液中の溶剤の飽和蒸気圧を設定しておき，減圧により処理室Ｓ内の圧力がその設定値に達したときに，制御装置６７を介して弁７６の開閉度を上げさせる。このようにすることで，本来なら，溶剤が多量に気化して処理室Ｓの減圧速度が著しく低下して，乾燥に要する時間が長くかかるところを，それまでの減圧速度を維持して，ウェハＷを減圧乾燥させるので，かかる事態を防止できる。
【００７５】
さらに，載置台７０に温度調節機能をつけることにより，載置台７０上のウェハＷが全面に渡って所定の温度に維持される。その結果，ウェハＷ全面から均一にレジスト液中の溶剤が蒸発し，極めて均一なレジスト膜が形成される。
【００７６】
また，乾燥処理後に，弁７６を制御して，供給装置７７により窒素ガスを徐々に供給することにより，処理室Ｓ内の減圧状態が徐々に解除される。
その結果，処理室Ｓ内に存在する塵等が急激な圧力上昇による気流により巻き上げられ，基板に付着してパーティクルとなることが抑制される。また，減圧状態の解除に弁７６を用いることにより，新たにリーク専用弁を取り付ける必要がない。なお，上記実施の形態では供給装置７７を設けて気体を積極的に供給したが，供給装置７７の設けられていた排気管６５の末端を大気開放としても同様な効果が得られる。
【００７７】
ここで，上述した実施の形態において，例えば図８に示すように整流板７２の突部７２ａに囲まれた領域に所定の気体を供給するノズル８５を設けてもよい。処理中にこのノズル８５から所定の気体，例えば窒素ガスを積極的に供給することで，気流速度を増大させて，より効果的に塗布処理において生じたウェハＷ周縁部のレジスト液の盛り上がりを除去することができる。
【００７８】
また，上述した実施の形態では，特に処理中に整流板７２を上下移動させなかったが，駆動機構７３により処理中に上下させてもよい。例えば，減圧開始直後に，整流板７２をウェハＷに近づけて，始めのうちに前記レジスト液の盛り上がりを除去しておき，その後は，少し上昇させて減圧乾燥させる。そうすることにより，レジスト液の乾燥が進む前にウェハＷの周縁部を平坦なものにすることができ，その後の整流板７２の上昇により，ウェハＷ上の気流を一様な流れにすることができる。
【００７９】
さらに，前記実施の形態において，圧力センサ６６に予め溶剤の飽和蒸気圧を設定しておいたが，その代わりに，圧力センサ６６で測定した圧力に基づき，その変化量を算出して，変化量が所定の値を超えた場合に弁７６の開閉度を変動させてもよい。具体的には，圧力センサ６６の測定値を制御装置６７に随時送り，制御装置６７において，所定時間の圧力の変化量を計算する。そして，予め設定しておいて圧力の変化量の許容値を越えた場合に弁７６の開閉度を変更する。この方法を用いると，溶剤の種類により異なる飽和蒸気圧によらず，単に圧力変化量だけで減圧速度を制御できるので，レシピの異なる処理においても有効である。
【００８０】
また，前記弁７６の開閉度の変更を予め設定しておいた所定のタイミング，例えば，図７中のＰ点に達するタイミングで行ってもよい。このタイミングは実験等により求めておくことが必要であるが，複雑な制御が必要ないため，比較的単純な装置で，簡単に実施できる。
【００８１】
なお，前記実施の形態では，処理室の減圧速度を弁７６の開閉度を変更させることにより行っていたが，その他の方法，例えば，吸引装置７５を制御することにより行ってもよい。
【００８２】
次に第２の実施の形態として，上述した第１の実施の形態の減圧乾燥装置３３にさらに加熱処理機能を備えた場合について説明する。図９に示すように，例えばチャンバー６０内にウェハＷを載置し加熱する熱板９０を設け，この熱板９０の熱源となるヒータ９１を熱板９０に内蔵させる。そして，熱板９０を所定の温度に加熱し，維持することが可能なように構成する。このときの減圧処理のプロセスは，先ず，第１の実施の形態と同様にして，チャンバー６０内にウェハＷが搬入され上昇して待機していた昇降ピン８１に受け渡される。そして，昇降ピン８１がウェハＷを支持し，上昇させた状態で，第１の実施の形態と同様なウェハＷの減圧乾燥が行われる。すなわち，ウェハＷが熱板９０上方で昇降ピン８１に支持された状態のまま蓋体６１が下降し，処理室Ｓが形成される。そして，整流板７２が下降してから，吸引装置７５により処理室Ｓ内が減圧され，ウェハＷの減圧乾燥が行われる。
【００８３】
その後減圧乾燥が終了すると，ウェハＷを支持していた昇降ピン８１が下降し，ウェハＷは熱せられた熱板９０上に載置される。ここで，ウェハＷは，所定時間加熱され，上述した減圧乾燥処理において，乾燥しきれなかった溶剤を蒸発させる。その後は，第１の実施の形態と同様にして，再び昇降ピン８１によりウェハＷが上昇され，主搬送装置１３に受け渡される。
【００８４】
このような加熱処理は，通常プリベーキング装置３４にて行われるが，このプリベーキング処理を減圧乾燥装置３３で行うことにより，各装置間の搬送時間等が短縮されスループットの向上が図られる。また，プリベーキング装置３４を別途設ける必要が無くその分スペースを節約できる。
【００８５】
次に第３の実施の形態について説明する。図１０に示した例は，チャンバ６０を構成する蓋体６１は，その下端部内周に，内側に突出した環状の凸部６１ａを有している。この第３の実施の形態では，平坦な整流板１０１を採用している。図１１に示したように，整流板１０１の周辺部には，多数の孔１０１ａが形成されている。整流板１０１の外径は，前記環状の凸部６１ａの内径よりも大きい。したがって，蓋体駆動機構６３によって蓋体６１持ち上げれば，蓋体６１の凸部６１ａの上に整流板１０１の周縁が引っかかるので，図１２に示したように，そのまま蓋体６１を上昇させると，蓋体６１が整流板１０１を持ち上げることが可能である。
【００８６】
整流板１０１の材質は，熱伝導率が低いもの，例えばステンレス鋼，石英ガラス，セラミックスなどが適している。また整流板１０１の下面は，滑らかに表面加工されているものがよい。例えば面粗度が０．２μｍ以下となるように，滑らかに仕上げられているのがよい。
【００８７】
載置台７０の周辺部には，前記整流板１０１を支持可能な，支持ピン１０２が，例えば６本，設けられている。この支持ピン１０２は，ブラケット１０３の上に固定されており，ブラケット１０３は，駆動機構１０４の駆動によって，上下方向に移動する。したがって，支持ピン１０２は，載置台７０の表面から突出したり，載置台７０内に収まることができる。
【００８８】
第３の実施の形態は，以上のような構成有しており，処理室Ｓ内を減圧してウエハＷ上のレジスト液を乾燥させる場合には，図１０に示したように，昇降ピン８１が降下してウエハＷは載置台７０の上に載置される。そして蓋体６１も下降して容器６２と密着する。但し，支持ピン１０２は上昇して，整流板１０１を支持している。このとき支持ピン１０２に支持されている整流板１０１の下面と，ウエハＷの表面，より正確に言えばウエハＷ表面に塗布されているレジスト液の表面との間の距離は，０．５ｍｍから２．０ｍｍが適当である。
【００８９】
そして発明者らの実験によれば，図１３に示したように，減圧乾燥している間，整流板１０１の下面とウエハＷの表面との間の距離ｄ１を，図１４に示したように，より近接した距離ｄ２に設定すれば，ウエハＷ上に塗布されているレジスト液表面において膜厚が均一な面積Ａは，より広くなることがわかった。つまり図１４における面積Ａ２の方が，図１３に示した面積Ａ１よりも広くなる。換言すれば，ウエハＷの周縁部のレジスト液の盛り上がりの幅は，図１３の場合よりも，図１４の場合の方がより小さくなる。したがって，整流板１０１の下面とウエハＷの表面との間の距離を調整することによって，レジスト液の均一膜厚部分の面積の広狭を制御できるのである。
【００９０】
さらに整流板１０１の下面は，既述したように，滑らかに表面加工されていると，整流板１０１の下面とウエハＷの表面との間の空間に乱流を発生するのを抑えることができ，それによって，ウエハＷ上に塗布されているレジスト液表面もより平坦にものとなる。
【００９１】
整流板１０１の周辺部には孔１０１ａが形成されているので，整流板１０１の下面から排気管６５へと流れていく気流は，円滑に流れる。そして整流板１０１自体は，支持ピン１０２によって支持されているので，整流板１０１とウエハＷとの平行度合いをより正確にかつ容易に設定できる。例えば支持ピン１０２のブラケット１０３からの高さを微調整することで，前記平行度合いを調整することは容易である。そのようにして整流板１０１とウエハＷとを正しく平行に維持することによって，ウエハＷ上に塗布されているレジスト液の膜厚を偏りのない均一なものにすることが可能である。
【００９２】
減圧乾燥が終了すると，図１２に示したように，蓋体駆動機構６３の駆動によって蓋体６１を持ち上げれば，整流板１０１は蓋体６１の内周の凸部６１ａに引っかかって，そのまま上昇する。一方，支持ピン１０２は下降させて，その代わりに昇降ピン８１を上昇させる。これによってウエハＷは昇降ピン８１によって載置台７０から持ち上げられ，搬送アームなどによる取り出しが可能な状態となる。
【００９３】
図１５に示したように，整流板１０１の周辺部に環状のヒータ１１０を設けてもよい。図１５の例では，ヒータ１１０は，整流板１０１の中に埋め込んでいるが，整流板１０１の下面側や上面側にヒータ１１０を取り付けてもよい。このヒータ１１０によって整流板１０１の周辺部を加熱することにより，そのときに発生する輻射熱でウエハＷの周縁部を加熱して，レジスト液中の溶剤の揮発を促進させることができる。その結果，ウエハＷの周縁部のレジスト液の盛り上がり部分の高さを低くして，減圧乾燥の際に，全体としてより均一なレジスト膜をウエハＷ上に形成することができる。
【００９４】
ヒータ１１０を取り付ける代わりに，図１６に示したように，整流板の下面の周辺部の色を，他の部分よりも明度の低い色，つまり濃い色にしてもよい。例えば黒色が濃い色の代表的である。濃い色の部分は，それだけ熱の輻射がさかんであるので，整流板１０１が熱を帯びているときには，周辺部から輻射熱が放熱し，それによってウエハＷの周縁部を加熱して，レジスト液中の溶剤の揮発を促進させることができる。
【００９５】
以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程における塗布処理後のウェハの処理装置についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理装置においても応用できる。
【００９６】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば，整流板の突部と基板との隙間を通る気流速度が増大するため，当該処理の前処理である塗布処理において，表面張力により基板の外縁部に塗布液の盛り上がりが生じた場合においても，その速度が増大した気流により，盛り上がった塗布液が押し流され，その他の部分と同じ厚さの塗布膜とすることが可能である。したがって，基板の外縁部においても所定の膜厚の塗布膜が形成され，その分歩留まりが向上する。また，減圧速度が著しく低下して基板の処理速度も低下することが防止される。したがって，基板が適宜に処理され，スループットも向上する。
【００９７】
請求項２によれば，弁の開閉度を調節して処理室の減圧速度を所定の速度に維持することができる。したがって，制御の簡単な弁を用いて基板を所定の速度で処理させることができ，また，処理速度の著しい低下を防止するため，スループットの向上も図られる。
【０１０４】
請求項３の発明によれば，予め予想される減圧速度の低下が解消されるために，処理時間の短縮が図られる。したがって，所定の塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られると共に，スループットも向上する。
【０１０５】
請求項４によれば，制御の簡単な弁を用いて，基板を所定の減圧速度の下で処理するので，処理時間の低下が防止される。したがって，塗布膜が適宜に形成され，歩留まりの向上が図られると共に，スループットも向上する。
【０１０６】
請求項５によれば，処理室内の圧力の変化量に基づいて，処理室の減圧速度を調節する。従って，基板が適宜な速度で処理され，歩留まりの向上が図られる。また，圧力の変化量のみに基づいて減圧速度が調節されるため，異なる塗布液に設定を変えず使用しても対応できる。
【０１０７】
請求項６によれば，制御の容易な弁を用いて，処理室の圧力の変化量に基づいて，所定の減圧速度を維持して基板を減圧処理させることができる。従って，基板に所定の塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。また，減圧開始当初から安定して減圧させていくことにより，圧力の変化量の変動を認識しやすくなる。
【０１０８】
請求項７によれば，弁の開閉度を変更するタイミングを予め設定しておき，処理室の減圧速度を所定の値に維持することができる。したがって，減圧速度の低下に伴う基板の処理時間の長期化が防止され，スループットの向上が図られる。
【０１０９】
請求項８によれば，弁を所定の開閉速度で開放して，処理室の減圧が所定の速度で行われるため，基板を適宜に処理させることができる。したがって，歩留まりの向上が図られる。また，予め予想される処理速度の低下が防止されスループットの向上が図られる。
【０１１０】
請求項９の発明によれば，基板の処理後に処理室の減圧状態を徐々に解除することにより，前記処理室内に塵等の不純物が流入することが抑制される。その結果，基板への付着が抑えられるため，歩留まりの向上が図られる。また，減圧状態を解除する際に，減圧時に用いる開閉自在な弁を利用することにより，減圧状態の解除のための専用弁を別途設ける必要が無く，比較的簡単な制御で減圧状態が解除され，コストダウンにも繋がる。
【０１１１】
請求項１０によれば，整流板自体からの熱で塗布膜が不均一になることを抑えることができる。

【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかる減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図５】ウェハを処理中の減圧乾燥装置の縦断面の状態図である。
【図６】ウェハ周縁部のレジスト液が気流により押し流される様子を現した要部説明図である
【図７】第１の実施の形態における減圧乾燥処理中の処理室内の圧力変化を示したグラフである。
【図８】整流板に所定の気体が供給されるノズルを取り付けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図９】第２の実施の形態にかかる減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１０】第３の実施の形態にかかる減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１１】第３の実施の形態にかかる減圧乾燥装置に用いた整流板の平面図である。
【図１２】第３の実施の形態にかかる減圧乾燥装置において蓋体が上昇したときの状態の縦断面の説明図である。
【図１３】整流板とウエハとのギャップが大きいときのウエハ上のレジスト液の状態を示す説明図である。
【図１４】整流板とウエハとのギャップが小さいときのウエハ上のレジスト液の状態を示す説明図である。
【図１５】周辺部の内部に加熱装置を有する整流板の側面断面図ある。
【図１６】図１６は，周辺部の色が濃い，整流板の底面図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
３３    減圧乾燥装置
７２    整流板
７２ａ  突部
７５    吸引装置
７６  弁
Ｓ    処理室
Ｗ    ウェハ
【図１】
0004267809.tif 000002
【図２】
0004267809.tif 000003
【図３】
0004267809.tif 000004
【図４】
0004267809.tif 000005
【図５】
0004267809.tif 000006
【図６】
0004267809.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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