(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に少なくとも記録層と放熱層が積層され、放熱層の膜厚、放熱層と記録層間の距離、放熱層組成の少なくとも一つの形態が、媒体面内においてディスク接線方向に周期的に変化していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
支持基板上には、複数の凹部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、支持基板の各凹部に対応する箇所において、放熱層が存在しないか又は放熱層の膜厚が極端に低下した部分が形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
支持基板上には、幅がディスク接線方向に周期的に変化する溝が形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、溝幅が広い部分では放熱層と記録層間の距離が離れたものとなっていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】
支持基板上には、複数の凸部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、各凸部上の放熱層が選択的に除去されたものであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項５】
支持基板上には、複数の凸部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、各凸部上の放熱層が選択的に組成変化したものであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記形態が変化する周期が、情報マークの再生に用いるレーザービームの波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとして、０．３×λ／ＮＡ〜０．８×λ／ＮＡの範囲にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体を用いてヒートモード記録を行うことを特徴とする光記録方法。
【請求項８】
請求項２に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、複数の凹部をディスク接線方向に形成した後、支持基板上に、支持基板の凹部表面形状が転写されるように放熱層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、幅がディスク接線方向に周期的に変化する溝を形成した後、支持基板上に、溝幅が狭い部分では放熱層材料により溝が埋まると共に溝幅が広い部分は溝形状に習って放熱層が積層されるように放熱層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項４に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、複数の凸部をディスク接線方向に形成し、その上に放熱層を積層した後、支持基板側からレーザービームを照射して、各凸部において集光したレーザービーム加熱により、各凸部上の放熱層を選択的に除去することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザービームにより情報を記録・再生する光記録媒体、光記録方法及び該光記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザービームにより情報を記録再生する光記録媒体においては、記録マークエッジでの反射光量の立ち上がり、立ち下がりの二値記録が一般的である。また、１つの記録単位（ユニット）に複数の情報を書き込む多値記録方式がいくつか提案されている。例えば、平均反射率が多段階になるように、記録ピットの面積や形状・構造を変化させる方法、記録マーク位置、配置の組み合わせを複数定義する方法などがある。特開平８−２８７４６８号公報、特開平１１−２５４５６号公報には、これらの方法が開示されている。
上記多値記録方式においては記録マークの位置精度が重要である。一定の周期で記録した情報マークを基準信号に基づいて一定のタイミングで再生するので、マークの記録位置が変動すると、再生信号品質の劣化、つまり、ジッターが増加する。通常はレーザービームの変調のタイミングで記録位置をコントロールする。変調のタイミングは、媒体に予め形成しておいたピットからの信号を基準にして決定する。従って、マークの位置精度を上げるには、基準ピットの周期を細かくし多くのピットを設けなければならない。また基準ピットを設けたとしても、ディスクの偏心や面ブレによりビーム位置が微妙に変化し、記録位置は変動する。この場合、再生信号のサンプリング周期を細かくする必要があり信号処理が複雑になるという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、情報マークの位置変動を抑制して情報マークが常に所定の位置に記録でき、更に多値記録も可能な光記録媒体、光記録方法及び該光記録媒体の製造方法の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
現在実用化されている光ディスクの記録方式は、レーザービームを照射した際の記録層の発熱によって起こる形状の変化、結晶状態の変化、組成の変化などによって、記録層の屈折率や吸収係数などの光学特性を変える、いわゆるヒートモード記録方式である。このヒートモード記録では、ある温度以上に昇温した部分が記録情報マークになることから媒体内部での温度変化が記録状態を左右する。
本発明は、この温度変化を媒体側でコントロールすることによって、情報マークが常に一定の位置に記録できるように媒体の構成を改良したものである。
即ち、上記課題は、次の１）〜１０）の発明によって解決される。
１）  支持基板上に少なくとも記録層と放熱層が積層され、放熱層の膜厚、放熱層と記録層間の距離、放熱層組成の少なくとも一つの形態が、媒体面内においてディスク接線方向に周期的に変化していることを特徴とする光記録媒体。
２）  支持基板上には、複数の凹部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、支持基板の各凹部に対応する箇所において、放熱層が存在しないか又は放熱層の膜厚が極端に低下した部分が形成されたものであることを特徴とする１）に記載の光記録媒体。
３）  支持基板上には、幅がディスク接線方向に周期的に変化する溝が形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、溝幅が広い部分では放熱層と記録層間の距離が離れたものとなっていることを特徴とする１）に記載の光記録媒体。
４）  支持基板上には、複数の凸部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、各凸部上の放熱層が選択的に除去されたものであることを特徴とする１）に記載の光記録媒体。
５）  支持基板上には、複数の凸部がディスク接線方向に形成されており、放熱層の周期的な形態変化は、各凸部上の放熱層が選択的に組成変化したものであることを特徴とする１）に記載の光記録媒体。
６）  前記形態が変化する周期が、情報マークの再生に用いるレーザービームの波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとして、０．３×λ／ＮＡ〜０．８×λ／ＮＡの範囲にあることを特徴とする１）〜５）のいずれかに記載の光記録媒体。
７）  １）〜６）のいずれかに記載の光記録媒体を用いてヒートモード記録を行うことを特徴とする光記録方法。
８）  ２）に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、複数の凹部をディスク接線方向に形成した後、支持基板上に、支持基板の凹部表面形状が転写されるように放熱層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
９）  ３）に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、幅がディスク接線方向に周期的に変化する溝を形成した後、支持基板上に、溝幅が狭い部分では放熱層材料により溝が埋まると共に溝幅が広い部分は溝形状に習って放熱層が積層されるように放熱層を製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
１０）  ４）に記載の光記録媒体の製造方法であって、支持基板上に、複数の凸部をディスク接線方向に形成し、その上に放熱層を積層した後、支持基板側からレーザービームを照射して、各凸部において集光したレーザービーム加熱により、各凸部上の放熱層を選択的に除去することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【０００５】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、支持基板上に少なくとも記録層と放熱層を積層した層構成とし、放熱層を加工して、情報マークを形成するための温度プロファイルを媒体側でコントロールすることにより、放熱層の加工位置に習って情報マークが形成されるようにしたことを特徴とするものである。
通常放熱層は、記録層で発生した熱を逃がすために設けるものであるが、本発明では記録層から放熱層への熱伝導を媒体面内でディスク接線方向に周期的に変えるために放熱層を加工する。具体的には、放熱層の膜厚、放熱層と記録層間の距離、放熱層の組成を変化させる。
部分的に放熱層を除去するか放熱層の膜厚を薄層化すると、その部分で記録層から放熱層への熱伝導が低下する。また、記録層と放熱層間の距離を拡げても、その部分で熱伝導が低下する。更に、放熱層が金属材料からなる場合には、その金属元素の酸化物、窒化物、フッ化物又は硫化物を形成することによって、その部分が高抵抗化し、記録層から放熱層への熱伝導が低下する。熱伝導が低下した部分は、その周辺よりも高温になり最高温度に達する。
ヒートモード記録では、所定の温度以上になった部分、又は単位時間当り所定の温度変化が起こった部分が情報マークになるから、情報マークの中心（重心）は最高温度に達する部分、即ち熱伝導が低い部分になる。従ってディスクの偏芯や面ぶれやチルトでビームの位置が多少変動しても、情報マークは予め媒体に設けた放熱層の加工部分に一致し、位置精度を放熱層の加工精度まで高めることができる。
放熱層の加工は、フォトリソグラフィーやエッチングなどの微細加工技術を用いて行うことができる。また、凹凸又は溝を有する基板を用いてより簡単な方法で作製することもできる。
【０００６】
本発明は相変化型光記録媒体に応用できる。
書き換え可能な記録方式である相変化記録方式は、記録層の相状態の変化によって情報を記録するものであり、相状態は、記録層温度を結晶化温度−非晶質化（アモルファス化）温度間で制御することによって変えることができる。
記録層には、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭに採用されている一般的な相変化材料を用いることができるが、記録層組成を選択することによって一層優れた効果を奏する。
即ち、記録層は、Ｓｂ／Ｔｅ比が１．５〜４の範囲にあるＳｂＴｅと、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、の群から選ばれる少なくとも１つの元素を含有する組成とする。中でも、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧａＳｂＴｅ等が好ましい。
このような記録層材料は、単位時間当りの温度変化量がある値を超えると情報マークが形成されるので、レーザービームの変調方法を工夫することによって、ビーム径以下の大きさの情報マークが形成できる。
放熱層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属材料で形成する。
相変化型光記録媒体の層構成としては、記録層と放熱層以外に誘電体層や保護層を設けてもよい。誘電体層や保護層の材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｃ、などを用いることができる。
【０００７】
本発明において、ディスクの接線方向における放熱層の膜厚、放熱層と記録層間距離、放熱層組成の少なくとも一つの形態を変化させ、その変化の周期を、情報マークの再生に用いるレーザービームの波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとして、０．３×λ／ＮＡ〜０．８×λ／ＮＡの範囲にすれば、容易に多値情報の記録・再生ができる。変化の周期を前記範囲に限定する理由は、後述する図５の説明において示す。
【０００８】
また、支持基板の形状を工夫することによって放熱層に一定周期の形態変化を形成した光記録媒体を得ることができる。
第１実施形態の光記録媒体は、支持基板にホール等の凹部を設ける。放熱層材料は記録層材料よりも先に製膜する。好ましくは基板に接触させて放熱層を配置する。このような順序で製膜すると支持基板の形状が放熱層に転写され、基板形状に応じて放熱層膜厚が変化する。ホールの開口径やアスペクト比によっては、その部分で放熱層材料の被覆率が低下する。その結果、放熱層が存在しないか又は放熱層の膜厚が極端に低下した部分が周期的に形成でき、この部分では記録層から放熱層への熱伝導が低下する。この形態を図１（ｄ）に示す。
第２実施形態の光記録媒体は、支持基板に予め設けた溝の幅の変化を利用するものである。放熱層材料は、第１実施形態の光記録媒体と同様に記録層材料よりも先に製膜する。好ましくは、基板に接触させて放熱層を配置する。溝の幅はディスク接線方向において周期的に変化させる。最小幅をｗ、放熱層の膜厚をｄとすると、ｗ≦２ｄを目安にする。溝幅が狭い部分では放熱層材料により溝が埋まり、溝幅が広い部分は溝形状に習って放熱層が積層される。その結果、図２（ｄ）に示すように、溝幅が広い部分では記録層と放熱層間距離が離れるので熱伝導が低下する。
【０００９】
第３、第４実施形態の光記録媒体は、ディスクの製造工程の工夫によって放熱層に一定周期の形態変化を形成した光記録媒体である。
第３実施形態の光記録媒体は、放熱層に周期的な開口を設ける。支持基板に凸部を設け、放熱層積層後に支持基板側からレーザービーム加熱により放熱層に開口を形成する。凸部分ではレーザービームが集光し、他の部分よりも温度が上昇する。その結果、凸部上の放熱層を選択的に除去することができ、第１実施形態の光記録媒体と同様に放熱層が存在しない部分を周期的に形成できる。この形態を図３（ｆ）に示す。
第４実施形態の光記録媒体は、放熱層に周期的な組成変化部分を設ける。第３実施形態の光記録媒体と同様にレーザービーム加熱により放熱層に周期的な組成変化部分を形成する。組成変化部分ではレーザービームが集光し、他の部分よりも温度が上昇する。この昇温部分において雰囲気ガスとの反応が起こり、凸部上の放熱層の組成を選択的に変えることができる。この形態を図４（ｆ）に記載する。
各媒体の加工部分では放熱層の形状が大きく変化している。例えば図１（ｄ）の媒体では１４０１部分、図２（ｄ）の媒体では２４０１部分、図３（ｆ）の媒体では３６０１部分、図４（ｆ）の媒体では４６０１部分である。このような急峻な形状変化部分ではビームが左右にずれた場合に１次回折光が発生するので、２分割フォトダイオードによりトラッキングエラー信号が検出でき、プッシュプル法によりビームを放熱層の加工部中心にトラッキングすることができる。
【００１０】
相変化型光記録媒体の製造方法として“初期化工程”があり、この工程に用いるレーザービーム照射装置を使って放熱層に開口を形成する。レーザービームは支持基板側から複数の凸部分に対して同時に照射する。平坦部分ではレーザービームが反射し、凸部ではレーザービームが集光する。ビームの集光に伴って凸部が高温になり、放熱層の変形によって開口が形成される。
また、レーザービームを照射する際に酸化性、窒化性、フッ化性、硫化性雰囲気を形成することができる。このようにすれば放熱層材料と雰囲気ガスとの反応が起こり、放熱層材料の酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物が凸部上に形成される。
【００１１】
図５は、図１（ｄ）の媒体を用いた記録・再生結果である。光ディスクのディスクフォーマットに対して、多値情報を記録・再生したものである。
５０１はレーザーパワーの変調方法を示す。レーザーパワーのレベルはＰ１、Ｐ２の２つの水準で変調させ、記録信号に応じてパルス幅を変えた。パワーは、記録周期に対応するタイミングで変調した。
５０２はＸ−Ｘ′における記録層の温度変化量（△Ｔ）を示す。
５０３は、図１（ｄ）に示す媒体の上方視であり、ＡからＧにかけて、マーク径が３００ｎｍから１００ｎｍまで変化している様子を示している。Ｈは未記録状態である。
５０３１はＡｌＴｉで完全には被覆されていないホール部分の微小開口１２０２を示し、この部分の径は１００ｎｍである。５０３２は相変化マークを示す。説明のために、放熱層の微小開口５０３１と、相変化マーク５０３２を重ねて記載している。５０３３はレーザービームを示す。レーザービームの波長は４０７ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、トラックピッチは４００ｎｍ、マークの周期は３００ｎｍ（０．４８×４０７／０．６５）である。
先述のように、微小開口部分５０３１で記録層から放熱層への熱伝導が低下し、微小開口５０３１上が最高温度に達する。従って、温度変化量も５０３１上で最も大きくなる。前述した相変化型光記録媒体の記録層組成の場合、温度変化量がある値以上になるとアモルファスマークが形成される。その温度を５０２１で示す。例えば、Ａ部分では５０２２の領域がアモルファスマークになる。何れの場所においても、微小開口５０３１を中心に対称な温度変化となり、マークの中心は常に微小開口上に一致する。
【００１２】
５０４は再生信号を示す。マークの周期を、前述したように０．３×λ／ＮＡ〜０．８×λ／ＮＡの範囲に設定することによって、ディスクの接線方向におけるマークの周期が回折限界付近になり、隣接するマークが分離できなくなる。
その結果、５０４に示すようにマーク径に応じて階段状に変化する再生信号が得られる。即ち、Ａ〜Ｈにかけてマーク径を変えることにより再生信号のレベルが８段階に変化する。そこで、図示の矢印のタイミングで信号をサンプリングし多値レベルを判定する。
この方法ではマークを予め設けた微小開口５０３１の周期に一致して記録できるので、記録周期程度のサンプリング周期でも多値レベルが判定できる。
ここで、図５に示した多値記録の結果を従来の１−７変調記録と比較すると、
本発明では、記録マークの周期は０．３μｍであり、この周期で反射光強度に８段階の階調をつけることができるから、０．３μｍ周期で３ｂｉｔのデータが記録できることになり、記録密度は０．１ｂｉｔ／μｍとなる。
レーザービームの波長４０７ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．６５の記録装置を用いて１−７変調で記録した場合、０．１８ｂｉｔ／μｍ程度の記録密度となる。
従って、従来の変調方式に比べて、約１．８倍の高密度化が可能である。
以上、図１（ｄ）の媒体を例にとり記録・再生方法を説明したが、図２（ｄ）、図３（ｆ）、図４（ｆ）の媒体についても同様の記録・再生が可能である。
【００１３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１４】
実施例１
図１に第１実施形態の光記録媒体の製造方法を示す。
支持基板としてガラス基板１１０１を用いた。フォトリソグラフィー、ドライエッチングの手法を用いて、ガラス基板にホールパターンを形成した。
１１０はホールパターンを形成した状態の断面、１１１は上方視であり、ホール径は０．２５μｍとした。
放熱層としてＡｌＴｉ薄膜１２０１を製膜した。ＡｌＴｉ製膜後の状態を１２０には断面で、１２１には上方視で示した。ＡｌＴｉ膜厚は１００ｎｍとした。
製膜にはＤＣスパッタ装置を用い、ターゲット−基板間距離は１ｃｍとし製膜雰囲気はＡｒ５ｍＴｏｒｒとした。通常の光ディスクの製造に用いるスパッタ装置と比較して、ターゲット−基板間距離を短くし製膜雰囲気を低真空度とした。
このような装置で製膜した場合、スパッタ粒子（ＡｌＴｉ）の平均自由行程が短くなりホール底部に到達しないので、ホール周辺部分は１２０に示すような断面形状となった。ホール径０．２５μｍ、ＡｌＴｉ膜厚１００ｎｍの条件で、直径約１００μｍの微小開口１２０２が残った。
次いで、この上に誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（１３０１）を膜厚５０ｎｍで製膜し、続いて、相変化記録層として、ＧｅＳｂＴｅ（１３０２）を膜厚２０ｎｍで製膜した。記録層の組成は、Ｇｅ３ａｔ％−Ｓｂ７２ａｔ％−Ｔｅ２５ａｔ％とした。
最後に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（１３０３）を膜厚５０ｎｍで製膜した。
ＡｌＴｉ製膜後にホール部分に残った微小開口１２０２はＺｎＳ−ＳｉＯ２（１３０１）で塞がれ、その上に製膜するＧｅＳｂＴｅ薄膜（１３０２）は図示したような橋渡し状態となった。
図１（ｄ）は媒体の完成図であり、１４０１部分には放熱層が存在せず、１４０２部分と比較して記録層から放熱層への熱伝導が低下した。
１４０３は記録・再生に用いたレーザービームであり膜面側から照射した。
【００１５】
実施例２
図２に第２実施形態の光記録媒体の製造方法を示す。
支持基板としてポリカーボネート２１０１を用いた。図中２１１は基板の上方視、２１０はＸ−Ｘ′断面である。溝の幅は０．１〜０．３μｍの範囲で変化させ、溝の深さは１００ｎｍとした。
放熱層としてＡｇ薄膜２２０１を膜厚１００ｎｍで製膜した。製膜にはＤＣスパッタ装置を用いた。ターゲット−基板間距離は２０ｃｍであり、製膜圧力は１０−３ｔｏｒｒとした。この装置のターゲット−基板間距離は実施例１の装置よりも長く、これによりＡｇ粒子の平均自由行程が延び、溝側壁及び溝底部における薄膜の被覆率が高くなった。
図２（ｂ）の２２１はＡｇ製膜後の上方視、２２０はＸ−Ｘ′断面である。
溝幅が狭い部分はＡｇ薄膜で溝が埋まったが、溝幅が広い部分はＡｇ薄膜が段差に習った状態になった。
次いでこの上に誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（２３０１）を膜厚５０ｎｍで製膜し、続いて、相変化記録層として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ（２３０２）を膜厚２０ｎｍで製膜した。記録層の組成は、Ａｇ４ａｔ％−Ｉｎ７ａｔ％−Ｓｂ６１ａｔ％−Ｔｅ２８ａｔ％とした。
最後に、ＳｉＮ（２３０３）を膜厚５０ｎｍで製膜した。
図２（ｄ）は媒体の完成図であり、溝幅の狭い部分２４０２と比較して、溝幅の広い部分２４０１は記録層−放熱層間距離が離れており、図示の基板形状によって、溝幅の周期に対応して記録層―放熱層間距離を変えることが出来た。
層間距離が離れた２４０１では、層間厚が短い２４０２よりも記録層から放熱層への熱伝導が低下した。
【００１６】
実施例３
図３に第３実施形態の光記録媒体の製造方法を示す。
３１０は表面に突起（凸部）３１０２を有するポリカーボネート基板３１０１の断面であり、この基板の上に放熱層としてＴｅ膜（３２０１）を膜厚５０ｎｍで製膜した。
次に、ポリカーボネート基板側からレーザービーム３３０１を照射し、Ｔｅを除去して開口を形成した。この開口形成プロセスには、相変化型記録媒体の結晶化に用いられる所謂「初期化装置」を用いた。
突起部分３３０２でレーザービームが集光し、他の部分よりも温度が上がるので、突起上部のＴｅ薄膜が選択的に除去できた。
次いで、この上に誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５０１）を膜厚２０ｎｍで製膜し、続いて、相変化記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ（３５０２）を膜厚２０ｎｍで製膜した。記録層の組成は、Ａｇ４ａｔ％−Ｉｎ７ａｔ％−Ｓｂ６１ａｔ％−Ｔｅ２８ａｔ％とした。
最後に、保護層としてＳｉＯ２（３５０３）を膜厚７０ｎｍで製膜した。
図３（ｆ）は媒体の完成図であり、相変化型光記録媒体の製造装置である「初期化装置」を用いることによって、一定周期で放熱層が除去された媒体が作製できた。Ｔｅ薄膜が除去された部分３６０１では、記録層−放熱層間の熱伝導が格段に低下した。
【００１７】
実施例４
図４に第４実施形態の光記録媒体の製造方法を示す。
第３実施形態の光記録媒体の製造方法を用い、レーザービームを照射する際に酸化性雰囲気を形成した。
４１０は表面に突起（凸部）４１０２を有するポリカーボネート基板４１０１の断面であり、この基板の上に放熱層としてＡｇ膜（４２０１）を膜厚５０ｎｍで製膜した。
次に、ポリカーボネート基板側からレーザービーム４３０１を照射した。このプロセスに用いた装置は、相変化型光記録媒体の結晶化に用いられる所謂「初期化装置」をベースにしたが、従来の初期化装置と異なる点は、レーザー照射中の雰囲気４３０３を制御できる点であり、雰囲気形成機能（雰囲気ガス導入機構）を備えていることである。
ここでは、酸素ガスを導入した状態でレーザービームを照射したところ、突起部分にレーザービームが集光し、他の部分よりも温度が上がって、Ａｇと酸素が反応し、突起上部にＡｇＯｘ（４３０２）が形成された。
次いで、この上に誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（４５０１）を膜厚２０ｎｍで製膜し、続いて、相変化記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ（４５０２）を膜厚２０ｎｍで製膜した。記録層の組成は、Ａｇ４ａｔ％−Ｉｎ７ａｔ％−Ｓｂ６１ａｔ％−Ｔｅ２８ａｔ％とした。
最後に、保護層としてＳｉＯ２（４５０３）を膜厚７０ｎｍで製膜した。
図４（ｆ）は媒体の完成図であり、相変化型光記録媒体の製造装置である「初期化装置」を用いることによって、一定周期で放熱層の組成をＡｇからＡｇＯｘに変えることが出来た。ＡｇＯｘはＡｇよりも高抵抗なので、４６０１の部分では記録層−放熱層間の熱伝導が格段に低下した。
【００１８】
【発明の効果】
本発明の光記録媒体、光記録方法及び該光記録媒体の製造方法によれば、予め放熱層に設けた所定の位置に情報マークを記録でき、位置の変動が抑制できるので、従来技術の問題点を解決できる。
また、情報マークを加工位置に一致させて形成でき、情報マークの記録位置精度を放熱層の加工精度程度まで改善した多値記録が可能なディスク状光記録媒体を提供できる。
さらに、請求項２〜５の光記録媒体によれば、従来の光ディスク製造と同程度の工程・コストで製造可能な光記録媒体を提供できる。
さらに、請求項２の光記録媒体によれば、簡単なプロセスで製造可能な光記録媒体を提供できる。
さらに、請求項３の光記録媒体によれば、微小なホールパターンを使うため転写が難しい請求項２の光記録媒体に比べて、射出成形などを使ったレプリケーションが可能な低コストの光記録媒体を提供できる。
さらに、請求項４の光記録媒体によれば、基板形状を複雑にすることなく所期の性能を有する光記録媒体を提供できる。
さらに、請求項５の光記録媒体によれば、膜の変形が起こる可能性のある請求項４の光記録媒体に比べて、膜変形を伴わずに所期の性能を有する光記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１の媒体構成及び作製方法を示す図。
（ａ）  支持基板の断面図及び上方視
（ｂ）  放熱層製膜後の断面図及び上方視
（ｃ）  各層製膜後の断面図
（ｄ）  媒体の断面図
【図２】  実施例２の媒体構成及び作製方法を示す図。
（ａ）  支持基板の断面図及び上方視
（ｂ）  放熱層製膜後の断面図及び上方視
（ｃ）  各層製膜後の断面図
（ｄ）  媒体の断面図
【図３】  実施例３の媒体構成及び作製方法を示す図。
（ａ）  支持基板の断面図
（ｂ）  放熱層製膜後の断面図
（ｃ）  開口形成プロセス
（ｄ）  開口形成後の断面図
（ｅ）  各層製膜後の断面図
（ｆ）  媒体の断面図
【図４】  実施例４の媒体構成及び作製方法を示す図。
（ａ）  支持基板の断面図
（ｂ）  放熱層製膜後の断面図
（ｃ）  組成変化部形成プロセス
（ｄ）  組成変化部形成後の断面図
（ｅ）  各層製膜後の断面図
（ｆ）  媒体の断面図
【図５】  記録・再生方法の説明図。
【符号の説明】
１１０  支持基板の断面
１１０１  ガラス基板
１１０２  ホール部分
１１１  支持基板の上方視
１２０  放熱層製膜後の断面
１２０１  ＡｌＴｉ薄膜
１２１  放熱層製膜後の上方視
１２０２  ホール部に残る微小開口
１３０  各層製膜後の断面
１３０１  ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜
１３０２  ＧｅＳｂＴｅ薄膜
１３０３  ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜
１４０  媒体の断面
１４０１  放熱層の微小開口により熱伝導が低下する部分
１４０２  通常の部分
１４０３  記録・再生のレーザービーム
２１０  支持基板の断面
２１０１  ポリカーボネート基板
２１０２  幅が周期的に変化している溝
２１１  支持基板の上方視
Ｘ−Ｘ′  断面図の位置
ｗ  最小の溝幅
２２０  放熱層製膜後の断面
２２０１  Ａｇ薄膜
ｄ  Ａｇ薄膜の膜厚
２２０２  溝幅が広い部分
２２１  放熱層製膜後の上方視
２３０  各層製膜後の断面
２３０１  ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜
２３０２  ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜
２３０３  ＳｉＮ薄膜
２４０  媒体の断面
２４０１  記録層−放熱層間が離れ熱伝導が低下する部分
２４０２  通常の部分
２４０３  記録・再生のレーザービーム
３１０  支持基板の断面
３１０１  ポリカーボネート基板
３１０２  基板表面に設けた突起部分
３２０  放熱層製膜後の断面
３２０１  Ｔｅ薄膜
３３０  開口形成プロセス
３３０１  レーザービーム
３３０２  Ｔｅ薄膜が除去された突起部分
３４０  開口形成後の断面
３５０  各層形成後の断面
３５０１  ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜
３５０２  ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜
３５０３  ＳｉＯ２薄膜
３６０  媒体の断面
３６０１  Ｔｅ薄膜に開口が形成され熱伝導が低下する部分
３６０２  通常の部分
３６０３  記録・再生のレーザービーム
４１０  支持基板の断面
４１０１  ポリカーボネート基板
４１０２  基板表面に設けた突起部分
４２０  放熱層製膜後の断面
４２０１  Ａｇ薄膜
４３０  組成変化部形成プロセス
４３０１  レーザービーム
４３０２  ＡｇＯｘ部分
４３０３  酸素雰囲気チャンバー
４４０  組成変化部形成後の断面
４５０  各層製膜後の断面
４５０１  ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜
４５０２  ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜
４５０３  ＳｉＯ２薄膜
４６０  媒体の断面
４６０１  ＡｇＯｘが形成され熱伝導が低下する部分
４６０２  通常の部分
４６０３  記録・再生のレーザービーム
５０１  レーザーパワーレベルの変調方法
Ｐ１  パワーレベル
Ｐ２  パワーレベル
５０２  記録層の温度変化量
５０２１  アモルファス化する温度変化量
５０２２  アモルファス化の範囲
５０３  記録状態の上方視
５０３１  ＡｌＴｉ放熱層微小開口（φ１００ｎｍ）
５０３２  アモルファスマーク
５０３３  記録・再生のレーザービーム
Ａ〜Ｈ  情報マークの記録位置
Ｘ−Ｘ′  ５０２の温度変化量を示す位置
５０４  再生信号強度
矢印はサンプリングのタイミングを示す。
【図１】
0004335471.tif 000002
【図２】
0004335471.tif 000003
【図３】
0004335471.tif 000004
【図４】
0004335471.tif 000005
【図５】
0004335471.tif 000006