(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法において：
半導体ウェハの主面に配線を形成する工程と；
前記配線と実質的に同じ高さまで前記半導体ウェハの主面を樹脂で覆う工程と；
前記樹脂表面から前記半導体ウェハの所定の深さまで達する溝を形成する工程と；
前記配線と電気的に接続するバンプ電極を形成する工程と；
前記半導体ウェハの主面側に研削テープを貼付する工程と；
前記研削テープが貼付された前記半導体ウェハの前記主面を研削ステージに固定する工程と、
前記研削ステージに固定された前記半導体ウェハの裏面を前記溝の底部に達するまで研削して前記半導体ウェハを個々の半導体装置に個片化する工程と；
を含み，
前記研削テープは，少なくともその一部が前記樹脂表面に密着しており、前記半導体ウェハの主面の前記バンプ電極が形成される領域に対応して前記研削テープの厚さ方向に貫通し、前記バンプ電極が嵌る穴が形成されていることを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記穴は，前記バンプ電極と１対１に対応して形成されていることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体装置の製造方法において：
半導体ウェハの主面に配線を形成する工程と；
前記配線と実質的に同じ高さまで前記半導体ウェハの主面を樹脂で覆う工程と；
前記樹脂表面から前記半導体ウェハの所定の深さまで達する溝を形成する工程と；
前記配線と電気的に接続するバンプ電極を形成する工程と；
前記半導体ウェハの主面側に研削テープを貼付する工程と；
前記研削テープが貼付された前記半導体ウェハの前記主面を研削ステージに固定する工程と、
前記研削ステージに固定された前記半導体ウェハの裏面を前記溝の底部に達するまで研削して前記半導体ウェハを個々の半導体装置に個片化する工程と；
を含み，
前記研削テープは，少なくともその一部が前記樹脂表面に密着しており、前記半導体ウェハの主面の前記バンプ電極が形成される領域に対応して、前記バンプ電極が嵌る凹部が形成されていることを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記凹部は，前記バンプ電極と１対１に対応して形成されていることを特徴とする，請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の樹脂封止半導体装置の製造方法について，図３を参照しながら説明する。まず，半導体ウェハ１の主面（回路形成面）上に電気メッキ等によりＣｕの配線（以下，「Ｃｕポスト」と称する。）２を形成する（図３（Ａ））。次いで，Ｃｕポスト２を完全に覆うように半導体ウェハ１の主面に対して樹脂３を充填する（図３（Ｂ））。
【０００３】
次いで，半導体ウェハ１の裏面に研削テープ４を貼付する。そして，樹脂３に埋もれてしまっているＣｕポスト２が露出するまで，研磨剤５によって樹脂３の表面を研削する（図３（Ｃ））。Ｃｕポスト２を露出させた後，後工程で半導体ウェハ１を個片化する部分に切断刃６で溝（切り込み）７を形成し，所定の深さまで到達させる（図３（Ｄ））。この溝７を形成することをハーフカットするという。
【０００４】
次いで，溝７が形成された半導体ウェハ１の主面に研削テープ９を貼付する。（図３（Ｅ））。この研削テープ９は上記工程で用いた研削テープ４と同じものである。そして，研削テープ９を貼付した面を研削ステージ（図示しない）に固定した状態で半導体ウェハ１の裏面側の全面を研削する。この研削は前工程で形成した溝７の底部に達するまで行う（図３（Ｆ））。以上の工程により，半導体ウェハ１を個々の半導体装置に個片化することができる。
【０００５】
後工程では，個片化された半導体装置の主面にＣｕポストに接続するバンプ電極が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，半導体装置の主面に形成されるバンプ電極は，ウェハレベルで一括して形成を行うことが好ましいが，上記従来の製造方法では，バンプ電極のウェハレベルでの一括形成は困難である。上記従来の製造方法では，図３（Ｆ）に示したように，半導体ウェハ１の裏面側を研削すると同時に個々の半導体装置に個片化されてしまうからである。
【０００７】
また，半導体ウェハ１の裏面研削工程（図３（Ｆ））前に予めＣｕポスト２と接続するバンプ電極をウェハレベルで一括して形成してしまうことも可能である。しかしながら，半導体ウェハの裏面研削工程（図３（Ｆ））以前にバンプ電極を形成してしまうと，半導体ウェハの裏面研削に必要な研削テープを貼付する工程（図３（Ｅ））で，バンプ電極に直接研削テープ４を接着することになる。この場合，バンプ電極と研削テープ４との接点が小さく，密着が弱まって不安定となるため，半導体ウェハ１の裏面研削工程（図３（Ｆ））が困難となるという問題があった。
【０００８】
本発明は，従来の半導体装置の製造方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，ウェハレベルで一括してバンプ電極を形成した場合であっても，半導体ウェハの（裏面）研削工程を容易に行うことの可能な，新規かつ改良された半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，半導体装置の製造方法において，半導体ウェハの主面に配線を形成する工程と，配線と実質的に同じ高さまで半導体ウェハの主面を樹脂で覆う工程と，樹脂表面から半導体ウェハの所定の深さまで達する溝を形成する工程と，配線と電気的に接続するバンプ電極を形成する工程と，半導体ウェハの主面側に研削テープを貼付する工程と，半導体ウェハの裏面を研削する工程とを含み，研削テープは，少なくともその一部が樹脂表面に密着していることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
かかる製造方法によれば，半導体ウェハの裏面研削工程の前にウェハレベルで一括してバンプ電極を形成した場合であっても，研削テープが樹脂表面に密着しているため，半導体ウェハを研削用のステージ（以下，「研削ステージ」と称する。）に十分に固定することができる。このため，半導体ウェハの裏面研削工程を容易に行うことができる。
【００１１】
上記方法の実現のための一例としては，半導体ウェハの主面のバンプ電極が形成される領域に対応して穴が形成された研削テープを用いることができる。このとき，穴とバンプ電極とが１対１に対応して形成されていると，研削テープの樹脂表面と半導体ウェハとの密着面積を増大させ，より安定した研削工程を行うことができる。
【００１２】
上記方法の実現のための他の一例としては，半導体ウェハの主面のバンプ電極が形成される領域に対応して凹部が形成された研削テープを用いることができる。このとき，凹部とバンプ電極とが１対１に対応して形成されていると，研削テープの樹脂表面と半導体ウェハとの密着面積を増大させ，より安定した研削工程を行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を，図１を参照しながら説明する。
まず，厚み６２５μｍ程度の半導体ウェハ１１の主面（回路形成面）上に電気メッキ等により，高さ約７０μｍのＣｕポスト（配線）１２を形成する（図１（Ａ））。このＣｕポスト１２は，後工程で半導体ウェハ１１上に形成されるはんだボール（バンプ電極）１８と電気的に接続される。なお，半導体ウェハ１１の厚みは６２５μｍに限定されず，例えば７２５μｍ程度とすることができる。また，Ｃｕポスト１２の高さは７０〜１００μｍ程度であればよい。
【００１５】
次いで，Ｃｕポスト１２を完全に覆うように半導体ウェハ１１の主面に対して樹脂１３を充填する（図１（Ｂ））。樹脂充填の方法はトランスファーモールド法，ポッティング法，印刷法等で行う。
【００１６】
次いで，半導体ウェハ１１の裏面に研削テープ１４を貼付する。そして，樹脂１３に埋もれてしまっているＣｕポスト１２が露出するまで，研磨剤１５によって樹脂１３の表面を研削する（図１（Ｃ））。この研削テープ１４は，例えば紫外線を照射すること等によって，粘着力が落ち，簡単にはがせるものを用いる。以下で用いられる研削テープについても同様である。この研削工程により，Ｃｕポスト１２は高さ約５０μ程度となる。
【００１７】
Ｃｕポスト１３を露出させた後，ハーフカットを行う。すなわち，後工程で半導体ウェハ１１を個片化する部分に切断刃１６で溝１７を形成し，所定の深さまで到達させる（図１（Ｄ））。この溝１７の深さは最終的に個々の半導体装置とした場合の厚みに基づいて決定される。半導体ウェハ１１の厚みを１００μｍとする場合，溝１７は約２０μｍ深く形成し約１２０μｍとする。そして，樹脂１２の厚みも加えて合計で溝１７の深さは約１７０μｍとなる。以上の工程は従来技術と同様である。
【００１８】
次いで，本実施の形態では，半導体ウェハ１１上にＣｕポスト１２と電気的に接続するはんだボール１８を形成する（図１（Ｅ））。このはんだボール１８は，ウェハレベルで一括して形成を行うことができる。
【００１９】
次いで，はんだボール１８が形成された面，すなわち，溝１７が形成された半導体ウェハ１１の主面に研削テープ１９を貼付する（図１（Ｆ））。この研削テープ１９は上記工程で用いた研削テープ１４と異なり，はんだボール１８が形成される領域に対応して穴１９ａが形成されている。この穴１９ａは，図示の例では，バンプ電極１８と１対１に対応して形成されている。かかる研削テープ１９によれば，はんだボール１８が形成されていても研削テープ１９を半導体ウェハ１１の樹脂表面に密着させることができる。
【００２０】
そして，研削テープ１９を貼付した半導体ウェハ１１の裏面を研削ステージ（図示しない）に固定して，半導体ウェハ１１の裏面側の全面を研削する。この研削は前工程で形成した溝１７の底部に達するまで行う（図１（Ｇ））。以上の工程により，半導体ウェハ１１を個々の半導体装置に個片化することができる。
【００２１】
以上のように本実施の形態によれば，はんだボール１８が形成される領域に対応して穴１９ａが形成された研削テープ１９を用いたので，半導体ウェハ１１の裏面研削工程の前にウェハレベルで一括してはんだボール１８を形成した場合であっても，半導体ウェハ１１を研削ステージに十分に固定することができる。このため，半導体ウェハ１１の裏面研削工程を容易に行うことができる。
【００２２】
また，研削テープ１９の穴１９ａがはんだボール１８と１対１に対応して形成されているので，研削テープ１９と半導体ウェハ１１の樹脂表面との密着面積を増大させ，より安定した研削工程を行うことができる。
【００２３】
（第２の実施の形態）
本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を，図２を参照しながら説明する。
まず，厚み６２５μｍ程度の半導体ウェハ２１の主面（回路形成面）上に電気メッキ等により，高さ約７０μｍのＣｕポスト（配線）２２を形成する（図２（Ａ））。このＣｕポスト２２は，後工程で半導体ウェハ２１上に形成されるはんだボール（バンプ電極）２８と電気的に接続される。なお，半導体ウェハ２１の厚みは６２５μｍに限定されず，例えば７２５μｍ程度とすることができる。また，Ｃｕポスト２２の高さは７０〜１００μｍ程度であればよい。
【００２４】
次いで，Ｃｕポスト２２を完全に覆うように半導体ウェハ２１の主面に対して樹脂２３を充填する（図２（Ｂ））。樹脂充填の方法はトランスファーモールド法，ポッティング法，印刷法等で行う。
【００２５】
次いで，半導体ウェハ２１の裏面に研削テープ２４を貼付する。そして，樹脂２３に埋もれてしまっているＣｕポスト２２が露出するまで，研磨剤２５によって樹脂２３の表面を研削する（図２（Ｃ））。
【００２６】
Ｃｕポスト２３を露出させた後，ハーフカットを行う。すなわち，後工程で半導体ウェハ２１を個片化する部分に切断刃２６で溝２７を形成し，所定の深さまで到達させる（図２（Ｄ））。この溝２７の深さは最終的に個々の半導体装置とした場合の厚みに基づいて決定される。半導体ウェハ２１の厚みを１００μｍとする場合，溝２７は約２０μｍ深く形成し約１２０μｍとする。そして，樹脂２２の厚みも加えて合計で溝１７の深さは約１７０μｍとなる。以上の工程は従来技術と同様である。
【００２７】
次いで，第１の実施の形態と同様に，半導体ウェハ２１上にＣｕポスト２２と電気的に接続するはんだボール２８を形成する（図２（Ｅ））。このはんだボール２８は，ウェハレベルで一括して形成を行うことができる。
【００２８】
次いで，はんだボール２８が形成された面，すなわち，溝２７を入れた半導体ウェハ２１の主面に研削テープ２９を貼付する（図２（Ｆ））。この研削テープ２９は，本実施の形態では，はんだボール２８が形成される領域に対応して凹部２９ａが形成されている。この凹部２９ａは，図示の例では，はんだボール２８と１：１に対応して形成されている。かかる研削テープ２９によれば，はんだボール２８が形成されていても研削テープ２９を半導体ウェハ２１の樹脂表面に密着させることができる。
【００２９】
そして，研削テープ２９を貼付した半導体ウェハ２１の裏面を研削ステージ（図示しない）に固定して，半導体ウェハ２１の裏面側の全面を研削する。この研削は前工程で形成した溝２７の底部に達するまで行う（図２（Ｇ））。以上の工程により，半導体ウェハ２１を個々の半導体装置に個片化することができる。
【００３０】
以上のように本実施の形態によれば，はんだボール２８が形成される領域に対応して凹部２９ａが形成された研削テープ２９を用いたので，半導体ウェハ２１の裏面研削工程の前にウェハレベルで一括してはんだボール２８を形成した場合であっても，半導体ウェハ２１を研削ステージに十分に固定することができる。このため，半導体ウェハ２１の裏面研削工程を容易に行うことができる。
【００３１】
また，研削テープ２９の凹部２９ａがはんだボール２８と１対１に対応して形成されているので，研削テープ２９と半導体ウェハ２１の樹脂表面との密着面積を増大させ，より安定した研削工程を行うことができる。
【００３２】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００３３】
例えば，上記実施の形態においては，研削テープの穴あるいは凹部がはんだボールと１対１に対応して形成されている場合の一例につき説明したが，本発明はこれに限定されない。はんだボールが複数形成される所定の領域に対して１つの穴あるいは凹部が形成されていてもよく，さらには，半導体ウェハ上のすべてのはんだボールに対して１つの穴あるいは凹部が形成されていてもよい。ただし，研削テープの穴あるいは凹部がはんだボールと１：１に対応して形成されていると，研削テープと半導体ウェハの樹脂表面との密着面積を増大させ，より安定した研削工程を行うことができるため，上記実施の形態の方が好ましい。
【００３４】
また，研削テープの少なくともその一部が半導体ウェハの樹脂表面に密着していればよく，例えば，研削テープに１または２以上の穴と１または２以上の凹部とが混在して形成されていてもよい。また，研削テープに，一般に穴あるいは凹部とは称されない形状，例えば溝状のものが形成されていてもよい。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように本実施の形態によれば，半導体ウェハの裏面研削工程の前にウェハレベルで一括してバンプ電極を形成した場合であっても，半導体ウェハの（裏面）研削工程を容易に行うことができる。
【００３６】
また特に，半導体ウェハを研削ステージに十分に固定することができるため、より安定した研削工程を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図２】第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１１  半導体ウェハ
１２  Ｃｕポスト（配線）
１３  樹脂
１４  研削テープ
１５  研削剤
１６  切断刃
１７  溝（切り込み）
１８  はんだボール（バンプ電極）
１９  穴が形成された研削テープ
１９ａ  穴
２９  凹部が形成された研削テープ
２９ａ  凹部
【図１】
0004343347.tif 000002
【図２】
0004343347.tif 000003
【図３】
0004343347.tif 000004