(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜に第１のレーザー光を照射する第４工程と、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化する第５工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面に酸化膜を形成する第６工程と、
前記酸化膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第７工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第８工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第９工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を加熱処理した後、第１のレーザー光を照射して結晶構造を有する第１の半導体膜及び該膜上に酸化膜を形成する第３工程と、
前記酸化膜を除去する第４工程と、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化する第５工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面をオゾンを含む溶液で酸化して酸化膜を形成する第６工程と、
前記酸化膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第７工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第８工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第９工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のレーザー光は大気中または酸素雰囲気で照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、このＴＦＴで形成した大面積集積回路を有する半導体装置の開発が進んでいる。
【０００４】
アクティブマトリクス型の液晶モジュール、ＥＬモジュール、および密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、結晶構造を有するシリコン膜（典型的にはポリシリコン膜）を活性層にしたＴＦＴ（以下、ポリシリコンＴＦＴと記す）は電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能を備えた回路を形成することも可能である。
【０００５】
例えば、液晶表示装置に搭載される液晶モジュールには、機能ブロックごとに画像表示を行う画素部や、ＣＭＯＳ回路を基本としたシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、バッファ回路、サンプリング回路などの画素部を制御するための駆動回路が一枚の基板上に形成される。
【０００６】
また、アクティブマトリクス型の液晶モジュールの画素部には、数十から数百万個の各画素にＴＦＴ（画素ＴＦＴ）が配置され、その画素ＴＦＴのそれぞれには画素電極が設けられている。液晶を挟んだ対向基板側には対向電極が設けられており、液晶を誘電体とした一種のコンデンサを形成している。そして、各画素に印加する電圧をＴＦＴのスイッチング機能により制御して、このコンデンサへの電荷を制御することで液晶を駆動し、透過光量を制御して画像を表示する仕組みになっている。
【０００７】
画素ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴから成り、スイッチング素子として液晶に電圧を印加して駆動させるものである。液晶は交流で駆動させるので、フレーム反転駆動と呼ばれる方式が多く採用されている。この方式では消費電力を低く抑えるために、画素ＴＦＴに要求される特性はオフ電流値（ＴＦＴがオフ動作時に流れるドレイン電流）を十分低くすることが重要である。
【０００８】
従来では、結晶化させたり、結晶性を向上させるため半導体膜にレーザー光による照射を行った場合、半導体膜は表面から瞬時に溶融し、その後、基板への熱伝導のため溶融した半導体膜は基板側から冷却し凝固する。この凝固過程において再結晶化し、大粒径の結晶構造を有する半導体膜となるが、いったん溶融させるため、体積膨張が生じて半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、特にトップゲート型ＴＦＴの場合にはリッジのある表面がゲート絶縁膜との界面となるため、素子特性が大きく左右されていた。
【０００９】
一般的にレーザアニールによく用いられるレーザはエキシマレーザ、Arレーザである。出力の大きいパルス発振のレーザビームを被照射面において、数ｃｍ角の四角いスポットや、例えば長さ10ｃｍ以上の線状となるように光学系にて加工し、レーザビームの照射位置を被照射面に対し相対的に走査させてレーザアニールを行う方法は、生産性が高く量産に優れているため、好んで使用されている。特に、被照射面においてレーザビームの形状が線状であるレーザビーム（以下、線状ビームと表記する）を用いると、前後左右の走査が必要なスポット状のレーザビームを用いた場合とは異なり、線状ビームの線方向に直角な方向だけの走査で被照射面全体にレーザビームを照射することができるため、生産性が高い。線方向に直角な方向に走査するのは、それが最も効率の良い走査方向であるからである。この高い生産性により、レーザアニールには大出力のレーザを適当な光学系で加工した線状ビームを使用することが主流になりつつある。また、この線状ビームをその短尺方向に徐々にずらしながら重ねて照射することにより、非晶質シリコン膜全面に対しレーザアニールを行い、結晶化させたり、結晶性を向上させることができる。
【００１０】
このように、より高い電気的特性をもつ半導体膜をより安価で作製するためには、レーザアニールの技術が必要不可欠となってきている。
【００１１】
しかしながら、従来のレーザー光による結晶化では均一なエネルギーが膜全体に与えられず、リッジに加えてレーザー光を照射した波状の跡も残っていた。
【００１２】
また、結晶化後に形成された膜表面の凹凸をエッチバック法やＣＭＰ法等で平坦化すると、工程数が増加するとともに半導体膜の膜厚が薄くなるため、１００ｎｍ以下の半導体薄膜に対して制御性よく平坦化することは困難であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題点を解決するための技術であり、ＴＦＴを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ることを目的としている。
【００１４】
特に、本発明は、オフ電流値が低く、バラツキが抑えられたＴＦＴを得ることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記諸問題を解決すべく、各種多方面から数多くの実験、検討を重ねたところ、レーザー光の照射を行ったゲルマニウムを数％、好ましくは０．１〜１０原子％含む半導体膜における主表面の平坦性（ｒｍｓ、Ｐ−Ｖ値）が、ゲルマニウムを全く含まない半導体膜にレーザー光を照射したものに比べて向上し、上記諸問題を解決できることを見い出し、本発明に至ったものである。
【００１６】
本明細書で開示する発明の構成は、
絶縁膜上に半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含有する半導体膜からなる半導体層を活性層とし、該活性層の主表面における表面粗さとしてＰ−Ｖ値が７０ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
また、他の発明の構成は、
絶縁膜上に半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含有する半導体膜からなる半導体層を活性層とし、該活性層の主表面における表面粗さとしてｒｍｓが１０ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置である。
【００１８】
また、他の発明の構成は、
絶縁膜上に半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含有する半導体膜からなる半導体層を活性層とし、該活性層の主表面における表面粗さとしてｒｍｓが１０ｎｍ未満、且つ、Ｐ−Ｖ値が７０ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
また、上記各構成において、前記半導体膜は、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、結晶構造を有するシリコン膜であることを特徴としている。
【００２０】
また、上記各構成において、前記半導体膜は、金属元素を１×１０16／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含み、且つ、結晶構造を有するシリコン膜であることを特徴としている。また、この金属元素は、珪素の結晶化を助長する金属元素であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種である。
【００２１】
また、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含む半導体膜に対して大気または酸素雰囲気下でレーザー光の照射を行い、半導体膜表面に形成された酸化膜を除去した後、不活性気体雰囲気下、または真空中でレーザー光の照射を行うことによって非常に平坦な主表面を有する半導体膜を形成することが可能である。
【００２２】
また、作製方法における発明の構成は、
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理した後、レーザー光を照射して結晶化を行い、結晶構造を有する第１の半導体膜及び該膜上に酸化膜とを形成する第２工程と、
前記酸化膜を除去する第３工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記半導体膜の表面を平坦化する第４工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２３】
上記構成において、前記第４工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第２工程におけるレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴としている。
【００２４】
また、上記構成において、前記第２の工程の前に結晶化を助長する金属元素を添加する工程を加えてもよい。
【００２５】
また、作製方法における発明の他の構成は、
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を加熱処理した後、レーザー光を照射して結晶構造を有する第１の半導体膜及び該膜上に酸化膜（第１の酸化膜）を形成する第３工程と、
前記酸化膜（第１の酸化膜）を除去する第４工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記第１の半導体膜の表面を平坦化する第５工程と
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面をオゾンを含む溶液で酸化して酸化膜（第２の酸化膜）を形成する第６工程と、
該酸化膜（第２の酸化膜）上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第７工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第８工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第９工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２６】
また、上記構成において、前記第５工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第３工程におけるレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴としている。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、図１を用いて以下に説明する。
【００２８】
まず、絶縁表面上にゲルマニウムを含む非晶質半導体膜３を形成する。例えば、石英基板またはガラス基板上に下地絶縁膜を形成する。ここではガラス基板１上に下地絶縁膜２としてシリコンを主成分とする絶縁膜、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜を用いる。（図１（Ａ））ただし、下地絶縁膜２は、基板からの不純物の拡散を防ぐものであり、用いる基板によっては特に設ける必要はない場合もある。
【００２９】
ゲルマニウムを含む非晶質半導体膜３の形成は、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法、その他適宣の方法により行う。プラズマＣＶＤ法を適用する場合には、ＳｉＨ4とＧｅＨ4とから成る反応ガス、或いは、ＳｉＨ4とＨ2で希釈したＧｅＨ4成る反応ガスを加えて反応室に導入し、１〜２００ＭＨｚの高周波放電により分解し基板上に非晶質半導体膜を堆積させる。反応ガスは、ＳｉＨ4の代わりにＳｉ2Ｈ6またはＳｉＦ4を、ＧｅＨ4の代わりにＧｅＦ4を採用しても良い。減圧ＣＶＤ法を用いる場合にも同様な反応ガスを適用することが可能であり、好ましくはＨｅで反応ガスを希釈して、４００〜５００℃の温度で基板上に非晶質半導体膜を堆積する。いずれにしても、本発明で用いる上記ガスは、堆積される非晶質半導体膜に取り込まれる酸素、窒素、炭素などの不純物元素の濃度を低減するために高純度に精製されたものを用いる。なお、堆積される非晶質半導体膜の厚さは２０〜１００ｎｍの範囲とする。
【００３０】
次いで、加熱処理によりゲルマニウムを含む非晶質半導体膜を結晶化させる。（図１（Ｂ））ゲルマニウムを含む非晶質半導体膜を結晶化させるには、６００℃以上の温度で１０時間以上の加熱処理が必要である。
【００３１】
次いで、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光の照射を行う。（図１（Ｃ））ゲルマニウムを含まない非晶質半導体膜にレーザーを照射した場合は、表面に大きな凹凸が形成される一方、ゲルマニウムを含む非晶質半導体膜にレーザーを照射した場合、同様に凹凸が形成されるものの、その大きさは非常に小さく、平坦性が維持される。
【００３２】
レーザー光の照射は、波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザーや、ＹＡＧまたはＹＶＯ4レーザーの第２高調波（波長５３２ｎｍ）〜第４高調波（波長２６６ｎｍ）を光源として用いて行う。これらのレーザー光は光学系にて線状またはスポット状に集光し、そのエネルギー密度を１００〜７００ｍＪ／ｃｍ2として照射し、上記のように集光したレーザービームを基板の所定の領域に渡って走査させ処理を行う。
【００３３】
なお、ここではパルスレーザーを用いた例を示したが、連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Ｎｄ:ＹＶＯ4レーザー（基本波１０６４nm）の第２高調波（５３２nm）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、１０〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
【００３４】
その他、レーザーの代わりに、ハロゲンランプ、キセノンランプ、水銀ランプ、メタルハライドランプなどを光源としても良い。
【００３５】
なお、ＴＦＴの生産性を考慮すると必ずしも適切な加熱処理とは言いにくいので、レーザー光（パルス発振のエキシマレーザー、或いは連続発振のレーザー（ＹＶＯ4レーザーの第２高調波）照射のみでアモルファスシリコン膜の結晶化を行ってもよい。また、シリコンの結晶化を助長する金属元素を導入し、従来よりも低い温度の加熱処理で結晶質シリコン膜を作製する技術（特開平７−１３０６５２号公報、特開平８−７８３２９号公報）を用いてもよい。
【００３６】
また、さらに平坦性を向上させるため、上記レーザー照射の後、レーザー照射により形成される酸化膜（図示しない）を希フッ酸等で除去し、不活性気体雰囲気下もしくは真空中でレーザー光（最初のレーザー光よりもエネルギー密度の高い）を再び照射してさせてもよい。
【００３７】
次いで、平坦化された半導体膜を公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層６を形成する。（図１（Ｄ））また、レジストからなるマスクを形成する前に、オゾン水で表面に薄い酸化膜を形成することが望ましい。
【００３８】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜７となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。
【００３９】
次いで、ゲート絶縁膜７の表面を洗浄した後、ゲート電極８を形成する。次いで、半導体にｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）、ここではリンを適宜添加して、ソース領域９及びドレイン領域１０を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。
【００４０】
以降の工程は、層間絶縁膜１２を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極１３、ドレイン電極１４を形成してＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。（図１（Ｅ））
【００４１】
こうして得られたＴＦＴのチャネル形成領域１１の表面は、二乗平均粗さｒｍｓが１０ｎｍ未満、且つ、Ｐ―Ｖ値が７０ｎｍ未満とすることができる。
【００４２】
また、本発明は図１（Ｅ）のＴＦＴ構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ領域を有する低濃度ドレイン（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造としてもよい。
【００４３】
また、ここではｎチャネル型ＴＦＴを用いて説明したが、ｎ型不純物元素に代えてｐ型不純物元素を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。
【００４４】
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【００４５】
（実験）
以下に示す実験を行った。
【００４６】
ガラス基板上に下地膜を形成する。下地絶縁膜は、２層構造から成り、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される第１酸化窒化シリコン膜を５０〜１００ｎｍ、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される第２酸化窒化シリコン膜を１００〜１５０ｎｍの厚さに積層形成する。
【００４７】
次いで、下地絶縁膜を形成した後、非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜としては、アモルファスシリコン膜、シリコンに対して１．７％のゲルマニウムを含むアモルファスシリコン膜、シリコンに対して３．５％のゲルマニウムを含むアモルファスシリコン膜をそれぞれプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００４８】
次いで、ニッケルを重量換算で１０ｐｐｍ含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層を形成する。次いで、５００℃、１時間の脱水素化処理を行い、膜中の水素濃度を低減させた後、５５０℃、４時間の加熱処理を行って結晶構造を有する半導体膜をそれぞれ形成した。
【００４９】
この段階で比較例として、それぞれの半導体膜表面状態をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定した。図２及び図３に測定結果を示す。図２は、表面における凹凸のニ乗平均粗さ（ｒｍｓ）を示し、図３は、凹凸の高低差（Ｐ―Ｖ値:Peak to Valley、高さの最大値と最小値の差分）を示している。なお、図２及び図３のどちらも３μｍ×３μｍにおける領域の測定値である。
【００５０】
次いで、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長４００nm以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
【００５１】
エネルギー密度の条件を振ってレーザー光の照射を行い、それぞれＡＦＭで測定を行った結果を図２、図３に示した。
【００５２】
図２、図３から明かなように、ゲルマニウムを多く含めば含むほど、表面の凹凸が小さくなる。具体的には表面における二乗平均粗さｒｍｓやＰ―Ｖ値が低くなり、平坦性が高くなる。
【００５３】
二乗平均粗さｒｍｓにおいては、レーザー光の照射後、ゲルマニウムを含まないシリコン膜は、１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度であったが、ゲルマニウムを含ませることにより表面における凸凹の二乗平均粗さｒｍｓが１０ｎｍ未満となっている。
【００５４】
Ｐ―Ｖ値においては、レーザー光の照射後、ゲルマニウムを含まないシリコン膜は、７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であったが、ゲルマニウムを含ませることにより表面における凸凹のＰ―Ｖ値が７０ｎｍ未満となっている。
【００５５】
なお、図１５は、ショット数１３、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度５２１mJ/cm2でレーザー光の照射を大気中で行なった場合でのそれぞれの顕微鏡写真図である。図１５（Ａ）は、ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０１７）のシリコンゲルマニウム膜、図１５（Ｂ）は、ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０３５）のシリコンゲルマニウム膜、図１５（Ｃ）は、シリコン膜である。なお、この顕微鏡写真からもゲルマニウムを含む半導体膜（図１５（Ａ）及び（Ｂ）のほうが、ゲルマニウムを含まない半導体膜（図１５（Ｃ））よりも凹凸が少なく、平坦性が高いことが分かる。
【００５６】
また、上記方法により得られる半導体膜は、｛１０１｝格子面に対する高い配向率を有している。結晶の配向率は｛１０１｝に強く配向して、その他に｛００１｝と｛１１１｝の中間にある｛３１１｝面に配向している傾向が見られる。具体的には、反射電子線回折パターン法で検出される｛１０１｝面の前記半導体層の表面となす角が１０度以内である割合が２０％以上であり、かつ、｛００１｝面の前記半導体層の表面となす角が１０度以内である割合が３％以下であり、かつ、｛１１１｝格子面の前記半導体層の表面となす角が１０度以内である割合が５％以下である。
【００５７】
なお、結晶方位の分布は反射電子回折パターン（ＥＢＳＰ：Electron Backscatter diffraction Pattern）により求める。ＥＢＳＰは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscopy）に専用の検出器を設け、一次電子の後方散乱から結晶方位を分析する手法である。試料の電子線の当たる位置を移動させつつ方位解析を繰り返す(マッピング測定)ことで、面状の試料について結晶方位または配向の情報を得ることができる。入射電子線の太さは、走査型電子顕微鏡の電子銃のタイプにより異なるが、ショットキー電界放射型の場合、１０〜２０ｎｍの非常に細い電子線が照射される。マッピング測定では、測定点数が多いほど、また測定領域が広いほど、結晶配向のより平均化した情報を得ることができる。実際には、１００×１００μｍ2の領域で、１００００点（１μｍ間隔）〜４００００点（０．５μｍ間隔）の程度の測定を行っている。マッピング測定により各結晶粒の結晶方位がすべて求まると、膜に対する結晶配向の状態を統計的に表示できる。｛１０１｝付近に分布が集中している場合、実際の膜においては、各結晶粒の＜１０１＞方位は基板に概略垂直であるが、その周りにやや揺らぎを持って並んでいることが予想される。この揺らぎの角に許容値を５度、１０度と設け、それより小さいものの割合を数値で示してゆく。ここでは、以上に説明したように許容ずれ角を５度及び１０度と定め、それを満たす結晶粒の割合を結晶の配向率と呼ぶ。
【００５８】
従来の方法で作製される結晶質シリコン膜は、結晶化の際、基板や下地絶縁膜の影響を受けるため、複数の結晶粒が析出し、｛１１１｝に配向する傾向があるものの、その面方位に配向する割合は低かった。
【００５９】
こうして得られた平坦性、及び半導体膜における結晶の配向率の高い半導体膜をＴＦＴの活性層として用いることにより、オフ電流値が低く、バラツキが抑えられた半導体装置を得ることができる。
【００６０】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００６１】
（実施例）
［実施例１］
ここでは、２回のレーザー照射を行うＴＦＴの作製例を図４、図５に示す。
【００６２】
図４（Ａ）中、２０は、絶縁表面を有する基板、２１はブロッキング層となる絶縁膜、２２はゲルマニウムを含み非晶質構造を有する半導体膜である。
【００６３】
まず、図４（Ａ）に示すように基板２０上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）等の絶縁膜から成る下地絶縁膜２１を形成する。代表的な一例は下地絶縁膜１０１として２層構造から成り、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される第１酸化窒化シリコン膜を５０〜１００ｎｍ、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される第２酸化窒化シリコン膜を１００〜１５０ｎｍの厚さに積層形成する構造が採用される。また、下地絶縁膜２１の一層として膜厚１０ｎｍ以下の窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）、或いは第２酸化窒化シリコン膜（ＳｉＮxＯy膜（Ｘ≫Ｙ））を用いることが好ましい。ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、半導体膜と接する下地絶縁膜を窒化シリコン膜とすることは極めて有効である。また、第１酸化窒化シリコン膜、第２酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜とを順次積層した３層構造を用いてもよい。
【００６４】
次いで、下地絶縁膜上にゲルマニウムを含み非晶質構造を有する第１の半導体膜２２を形成する。第１の半導体膜２２は、代表的には、非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する。後の結晶化で良質な結晶構造を有する半導体膜を得るためには、ゲルマニウムを含み非晶質構造を有する第１の半導体膜２２の膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０18/cm3（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）にて測定した原子濃度）以下に低減させておくと良い。これらの不純物は後の結晶化を妨害する要因となり、また、結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処理）やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。
【００６５】
次いで、非晶質構造を有する第１の半導体膜２２を結晶化させる技術としてここでは特開平8-78329号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜とも呼ばれる）に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶構造を有する半導体膜を形成するものである。まず、非晶質構造を有する第１の半導体膜２２の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素（ここでは、ニッケル）を重量換算で１〜１００ppm含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層２３を形成する。（図４（Ｂ））塗布によるニッケル含有層２３の形成方法以外の他の手段として、スパッタ法、蒸着法、またはプラズマ処理により極薄い膜を形成する手段を用いてもよい。また、ここでは、全面に塗布する例を示したが、マスクを形成して選択的にニッケル含有層を形成してもよい。
【００６６】
次いで、加熱処理を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図４（Ｃ）に示す結晶構造を有する第１の半導体膜２４ａが形成される。なお、結晶化後での第１の半導体膜２４ａに含まれる酸素濃度は、５×１０18／ｃｍ3以下とすることが望ましい。ここでは、脱水素化のための熱処理（４５０℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃〜６５０℃で４〜２４時間）を行う。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。ランプ光源は、１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１回〜１０回繰り返し、半導体膜が瞬間的に６００〜１０００℃程度にまで加熱すればよい。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する第１の半導体膜２４ａに含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。生産性を考慮すると、結晶化は強光の照射により結晶化を行うことが望ましい。
【００６７】
このようにして得られる第１の半導体膜２４ａには、金属元素（ここではニッケル）が残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、１×１０19/cm3を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもＴＦＴをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示すゲッタリング方法で当該元素を除去する。
【００６８】
次いで、結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶構造を有する第１の半導体膜２４ａに対してレーザー光（第１のレーザー光）を大気または酸素雰囲気で照射する。レーザー光（第１のレーザー光）を照射した場合、表面に凹凸が形成されるとともに薄い酸化膜２５ａが形成される。（図４（Ｄ））このレーザー光（第１のレーザー光）には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。また、エキシマレーザー光に代えて紫外光ランプから発する光を用いてもよい。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
【００６９】
次いで、酸化膜２５を除去する。（図１（Ｅ））その後、結晶構造を有する第１の半導体膜に対してレーザー光（第２のレーザー光）を窒素雰囲気または真空で照射する。レーザー光（第２のレーザー光）を照射した場合、第１のレーザー光の照射により形成された凹凸の高低差（Ｐ―Ｖ値:Peak to Valley、高さの最大値と最小値の差分）及びｒｍｓが低減、即ち、平坦化された半導体膜２４ｂが形成される。（図１（Ｆ））このレーザー光（第２のレーザー光）には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。また、エキシマレーザー光に代えて紫外光ランプから発する光を用いてもよい。なお、第２のレーザー光のエネルギー密度は、第１のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2大きくする。
【００７０】
次いで、オゾン含有水溶液（代表的にはオゾン水）で酸化膜（ケミカルオキサイドと呼ばれる）を形成して合計１〜１０ｎｍの酸化膜からなるバリア層２６を表面に形成し、このバリア層２６上に希ガス元素を含む第２の半導体膜２７を形成する。（図５（Ａ））このバリア層２６は、後の工程で第２の半導体膜１０６のみを選択的に除去する際にエッチングストッパーとして機能する。また、オゾン含有水溶液に代えて、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。また、他のバリア層２６の形成方法としては、酸素雰囲気下の紫外線の照射でオゾンを発生させて前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成してもよい。また、他のバリア層２６の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法や蒸着法などで１〜１０ｎｍ程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。また、他のバリア層２６の形成方法としては、クリーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成しても良い。なお、バリア層２６は、上記方法のいずれか一の方法、またはそれらの方法を組み合わせて形成されたものであれば特に限定されないが、後のゲッタリングで第１の半導体膜中のニッケルが第２の半導体膜に移動可能な膜質または膜厚とすることが必要である。
【００７１】
ここでは、希ガス元素を含む第２の半導体膜２７をスパッタ法にて形成し、ゲッタリングサイトを形成する。なお、第１の半導体膜には希ガス元素が添加されないようにスパッタ条件を適宜調節することが望ましい。希ガス元素としてはヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用いる。中でも安価なガスであるアルゴン（Ａｒ）が好ましい。ここでは希ガス元素を含む雰囲気でシリコンからなるターゲットを用い、第２の半導体膜を形成する。膜中に不活性気体である希ガス元素イオンを含有させる意味は二つある。一つはダングリングボンドを形成し半導体膜に歪みを与えることであり、他の一つは半導体膜の格子間に歪みを与えることである。半導体膜の格子間に歪みを与えるにはアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）などシリコンより原子半径の大きな元素を用いた時に顕著に得られる。また、膜中に希ガス元素を含有させることにより、格子歪だけでなく、不対結合手も形成させてゲッタリング作用に寄与する。
【００７２】
また、一導電型の不純物元素であるリンを含むターゲットを用いて第２の半導体膜を形成した場合、希ガス元素によるゲッタリングに加え、リンのクーロン力を利用してゲッタリングを行うことができる。
【００７３】
次いで、加熱処理を行い、第１の半導体膜中における金属元素（ニッケル）の濃度を低減、あるいは除去するゲッタリングを行う。（図５（Ｂ））ゲッタリングを行う加熱処理としては、強光を照射する処理または熱処理を行えばよい。このゲッタリングにより、図５（Ｂ）中の矢印の方向（即ち、基板側から第２の半導体膜表面に向かう方向）に金属元素が移動し、バリア層２６で覆われた半導体膜２４ｂに含まれる金属元素の除去、または金属元素の濃度の低減が行われる。金属元素がゲッタリングの際に移動する距離は、少なくとも第１の半導体膜の厚さ程度の距離であればよく、比較的短時間でゲッタリングを完遂することができる。ここでは、ニッケルが半導体膜２４ｂに偏析しないよう全て第２の半導体膜２７に移動させ、半導体膜２４ｂに含まれるニッケルがほとんど存在しない、即ち膜中のニッケル濃度が１×１０18／ｃｍ3以下、望ましくは１×１０17／ｃｍ3以下になるように十分ゲッタリングする。
【００７４】
本明細書において、ゲッタリングとは、被ゲッタリング領域（ここでは第１の半導体膜）にある金属元素が熱エネルギーにより放出され、拡散によりゲッタリングサイトに移動することを指している。従って、ゲッタリングは処理温度に依存し、より高温であるほど短時間でゲッタリングが進むことになる。
【００７５】
また、このゲッタリングの加熱処理として強光を照射する処理を用いる場合は、加熱用のランプ光源を１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１〜１０回、好ましくは２〜６回繰り返す。ランプ光源の発光強度は任意なものとするが、瞬間的には６００〜１０００℃、好ましくは７００〜７５０℃程度に半導体膜が加熱されるようにする。
【００７６】
また、熱処理で行う場合は、窒素雰囲気中で４５０〜８００℃、１〜２４時間、例えば５５０℃にて１４時間の熱処理を行えばよい。また、熱処理に加えて強光を照射してもよい。
【００７７】
次いで、バリア層２６をエッチングストッパーとして、２７で示した第２の半導体膜のみを選択的に除去した後、酸化膜からなるバリア層２６を除去する。第２の半導体膜のみを選択的にエッチングする方法としては、ＣｌＦ3によるプラズマを用いないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（化学式 （ＣＨ3）4ＮＯＨ）を含む水溶液などアルカリ溶液によるウエットエッチングで行うことができる。また、第２の半導体膜を除去した後、バリア層の表面をＴＸＲＦでニッケル濃度を測定したところ、ニッケルが高濃度で検出されるため、バリア層は除去することが望ましく、フッ酸を含むエッチャントにより除去すれば良い。
【００７８】
次いで、平坦化された半導体膜２４ｂを公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層２８を形成する。（図５（Ｃ））また、レジストからなるマスクを形成する前に、オゾン水で表面に薄い酸化膜を形成することが望ましい。
【００７９】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜２９となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。
【００８０】
以降の工程は、実施の形態と同一の工程によりＴＦＴを完成させる。（図５（Ｄ））なお、図５（Ｄ）中、２９はゲート絶縁膜、３０はゲート電極、３１はソース領域、３２はドレイン領域、３３はチャネル形成領域、３４はソース電極、３５はドレイン電極、３６は層間絶縁膜である。
【００８１】
また、本実施例は実施の形態と組み合わせることが可能である。また、他の公知のゲッタリング技術と組み合わせることが可能である。
【００８２】
また、ゲッタリング前に第２のレーザー光の照射を行わず、所望の形状の半導体層を形成した後に酸化膜を除去した後、不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光の照射を行って平坦化してもよい。
【００８３】
［実施例２］
本発明の実施例を図６〜図８を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に説明する。
【００８４】
まず、基板１００上に下地絶縁膜１０１を形成し、結晶構造を有する第１の半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０２〜１０６を形成する。
【００８５】
基板１００としては、ガラス基板（＃１７３７）を用い、下地絶縁膜１０１としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜１０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を５０nm（好ましくは１０〜２００nm）形成する。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜１０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１００ｎｍ（好ましくは５０〜２００nm）の厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、ＳｉＨ4とＧｅＨ4とから成る成膜ガスでゲルマニウムを含み非晶質構造を有する半導体膜を５４ｎｍの厚さ（好ましくは２５〜８０ｎｍ）で形成する。成膜ガスは、ＳｉＨ4の代わりにＳｉ2Ｈ6またはＳｉＦ4を、ＧｅＨ4の代わりにＧｅＦ4を採用しても良い。
【００８６】
本実施例では下地膜１０１を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金を用い、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により形成すればよい。また、プラズマＣＶＤ装置は、枚葉式の装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。
【００８７】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表面を洗浄した後、オゾン水で表面に約２ｎｍの極薄い酸化膜を形成する。次いで、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行う。ここでは、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧１５ｋＶ、ジボランを水素で１％に希釈したガス流量３０ｓｃｃｍ、ドーズ量２×１０12／ｃｍ2で非晶質シリコン膜にボロンを添加した。
【００８８】
次いで、重量換算で１０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
【００８９】
次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行ってゲルマニウムを含み結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
【００９０】
次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第１のレーザー光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長４００nm以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。なお、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、第１のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。
【００９１】
次いで、第１のレーザー光の照射により形成された酸化膜を希フッ酸で除去した後、第２のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。このレーザー光（第２のレーザー光）には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。第２のレーザー光のエネルギー密度は、第１のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2大きくする。
【００９２】
次いで、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア層を形成する。
【００９３】
次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚１５０ｎｍで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を０．３Ｐａとし、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）とし、成膜パワーを３ｋＷとし、基板温度を１５０℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０20／ｃｍ3〜６×１０20／ｃｍ3、酸素の原子濃度は１×１０19／ｃｍ3〜３×１０19／ｃｍ3である。その後、ランプアニール装置を用いて６５０℃、３分の熱処理を行いゲッタリングする。
【００９４】
次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
【００９５】
次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０２〜１０６を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
【００９６】
次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜１０７となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。
【００９７】
次いで、図６（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜１０８ａと、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜１０８ｂとを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜１０７上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次積層する。
【００９８】
第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、第１の導電膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、膜厚５０ｎｍのタングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。
【００９９】
次に、図６（Ｂ）に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク１１０〜１１５を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。
【０１００】
本実施例では、基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。第１のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は２００．３９ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は８０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は約２．５である。また、この第１のエッチング条件によって、Ｗのテーパー角は、約２６°となる。この後、レジストからなるマスク１１０〜１１５を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。第２のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は５８．９７ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は６６．４３ｎｍ／ｍｉｎである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【０１０１】
上記第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°とすればよい。
【０１０２】
こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層１１７〜１２１（第１の導電層１１７ａ〜１２１ａと第２の導電層１１７ｂ〜１２１ｂ）を形成する。ゲート絶縁膜となる絶縁膜１０７は、１０〜２０nm程度エッチングされ、第１の形状の導電層１１７〜１２１で覆われない領域が薄くなったゲート絶縁膜１１６となる。
【０１０３】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜１１６であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＳｉＯＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜１１６との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。本実施例では絶縁膜１１６において約８ｎｍしか膜減りが起きない。
【０１０４】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層１２４ｂ〜１２９ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層１２４ａ〜１２９ａとなる。（図６（Ｃ））なお、第１の導電層１２４ａ〜１２９ａは、第１の導電層１１７ａ〜１２２ａとほぼ同一サイズである。実際には、第１の導電層の幅は、第２のエッチング処理前に比べて約０．３μｍ程度、即ち線幅全体で０．６μｍ程度後退する場合もあるがほとんどサイズに変化がない。
【０１０５】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行って図６（Ｄ）の状態を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。この場合、第１の導電層及び第２の導電層１２４〜１２８がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域１３０〜１３４が形成される。第１の不純物領域１３０〜１３４には１×１０16〜１×１０17/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。ここでは、第１の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ--領域とも呼ぶ。
【０１０６】
なお、本実施例ではレジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行ったが、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行ってもよい。
【０１０７】
次いで、図７（Ａ）に示すようにレジストからなるマスク１３５〜１３７を形成し第２のドーピング処理を行う。マスク１３５は駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク１３６は駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴの一つを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク１３７は画素部のＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域と保持容量となる領域とを保護するマスクである。
【０１０８】
第２のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０15atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとしてリン（Ｐ）をドーピングする。ここでは、第２の導電層１２４ｂ〜１２６ｂをマスクとして各半導体層に不純物領域が自己整合的に形成される。勿論、マスク１３５〜１３７で覆われた領域には添加されない。こうして、第２の不純物領域１３８〜１４０と、第３の不純物領域１４２が形成される。第２の不純物領域１３８〜１４０には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されている。ここでは、第２の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ+領域とも呼ぶ。
【０１０９】
また、第３の不純物領域は第１の導電層により第２の不純物領域よりも低濃度に形成され、１×１０18〜１×１０19/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されることになる。なお、第３の不純物領域は、テーパー形状である第１の導電層の部分を通過させてドーピングを行うため、テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する濃度勾配を有している。ここでは、第３の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ-領域とも呼ぶ。また、マスク１３６、１３７で覆われた領域は、第２のドーピング処理で不純物元素が添加されず、第１の不純物領域１４４、１４５となる。
【０１１０】
次いで、レジストからなるマスク１３５〜１３７を除去した後、新たにレジストからなるマスク１４６〜１４８を形成して図７（Ｂ）に示すように第３のドーピング処理を行う。
【０１１１】
駆動回路において、上記第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層および保持容量を形成する半導体層にｐ型の導電型を付与する不純物元素が添加された第４の不純物領域１４９、１５０及び第５の不純物領域１５１、１５２を形成する。
【０１１２】
また、第４の不純物領域１４９、１５０には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第４の不純物領域１４９、１５０には先の工程でリン（Ｐ）が添加された領域（ｎ--領域）であるが、ｐ型を付与する不純物元素の濃度がその１．５〜３倍添加されていて導電型はｐ型となっている。ここでは、第４の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ+領域とも呼ぶ。
【０１１３】
また、第５の不純物領域１５１、１５２は第２の導電層１２５ａのテーパー部と重なる領域に形成されるものであり、１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第５の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ-領域とも呼ぶ。
【０１１４】
以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成される。導電層１２４〜１２７はＴＦＴのゲート電極となる。また、導電層１２８は画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。さらに、導電層１２９は画素部においてソース配線を形成する。
【０１１５】
次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜（図示しない）を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１１６】
次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）、或いはＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。
【０１１７】
また、本実施例では、上記活性化の前に絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０１１８】
次いで、窒化シリコン膜からなる第１の層間絶縁膜１５３を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。（図７（Ｃ））この工程は第１の層間絶縁膜１５３に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜（図示しない）の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。ただし、本実施例では、第２の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いているので、水素化する工程において第２の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１１９】
次いで、第１の層間絶縁膜１５３上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜１５４を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成する。次いで、ソース配線１２９に達するコンタクトホールと、導電層１２７、１２８に達するコンタクトホールと、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次行う。本実施例では第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングした後、絶縁膜（図示しない）をエッチングストッパーとして第１の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜（図示しない）をエッチングした。
【０１２０】
その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、ソース電極またはドレイン電極１５５〜１６０、ゲート配線１６２、接続配線１６１、画素電極１６３が形成される。
【０１２１】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチャネル型ＴＦＴ２０２、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３を有する駆動回路２０６と、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ２０４、保持容量２０５とを有する画素部２０７を同一基板上に形成することができる。（図８）本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１２２】
画素部２０７において、画素ＴＦＴ２０４（ｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域１６７、ゲート電極を形成する導電層１２７の外側に形成される第１の不純物領域（ｎ--領域）１４５とソース領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１４０を有している。また、保持容量２０５の一方の電極として機能する半導体層には第４の不純物領域１５０、第５の不純物領域１５２が形成されている。保持容量２０５は、絶縁膜（ゲート絶縁膜と同一膜）１１６を誘電体として、第２の電極１２８と、半導体層１５０、１５２、１６８とで形成されている。
【０１２３】
また、駆動回路２０６において、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１（第１のｎチャネル型ＴＦＴ）はチャネル形成領域１６４、ゲート電極を形成する導電層１２４の一部と絶縁膜を介して重なる第３の不純物領域（ｎ-領域）１４２とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１３８を有している。
【０１２４】
また、駆動回路２０６において、ｐチャネル型ＴＦＴ２０２にはチャネル形成領域１６５、ゲート電極を形成する導電層１２５の一部と絶縁膜を介して重なる第５不純物領域（ｐ-領域）１５１とソース領域またはドレイン領域として機能する第４の不純物領域（ｐ+領域）１４９を有している。
【０１２５】
また、駆動回路２０６において、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３（第２のｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域１６６、ゲート電極を形成する導電層１２６の外側に第１の不純物領域（ｎ--領域）１４４とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１３９を有している。
【０１２６】
これらのＴＦＴ２０１〜２０３を適宜組み合わせてシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路２０６を形成すればよい。例えば、ＣＭＯＳ回路を形成する場合には、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１とｐチャネル型ＴＦＴ２０２を相補的に接続して形成すればよい。
【０１２７】
特に、駆動電圧が高いバッファ回路には、ホットキャリア効果による劣化を防ぐ目的から、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３の構造が適している。
【０１２８】
また、信頼性が最優先とされる回路には、ＧＯＬＤ構造であるｎチャネル型ＴＦＴ２０１の構造が適している。
【０１２９】
本実施例で得られる平坦性及び半導体膜中における配向率の高い半導体膜をＴＦＴの活性層に用いれば、耐圧が上がりＴＦＴの信頼性がさらに向上する。
【０１３０】
また、本実施例では反射型の表示装置を形成するためのアクティブマトリクス基板を作製する例を示したが、画素電極を透明導電膜で形成すると、フォトマスクは１枚増えるものの、透過型の表示装置を形成することができる。
【０１３１】
また、本実施例は、実施の形態または実施例１とも自由に組みあわせることが可能である。
【０１３２】
［実施例３］
本実施例では、実施例２で作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図９を用いる。
【０１３３】
まず、実施例２に従い、図８の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図８のアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【０１３４】
次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング処理を施した。
【０１３５】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【０１３６】
こうして得られた液晶モジュールの構成を図９の上面図を用いて説明する。
【０１３７】
アクティブマトリクス基板３０１の中央には、画素部３０４が配置されている。画素部３０４の上側には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路３０２が配置されている。画素部３０４の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路３０３が配置されている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路３０３は画素部に対して左右対称配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、図９に示した左右対称配置が望ましい。
【０１３８】
各駆動回路への信号の入力は、フレキシブルプリント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）３０５から行われる。ＦＰＣ３０５は、基板３０１の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極３０９を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極はＩＴＯを用いて形成した。
【０１３９】
駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に沿ってシール剤３０７が塗布され、あらかじめアクティブマトリクス基板上に形成されたスペーサ３１０によって一定のギャップ（基板３０１と対向基板３０６との間隔）を保った状態で、対向基板３０６が貼り付けられる。その後、シール剤３０７が塗布されていない部分より液晶素子が注入され、封止剤３０８によって密閉される。以上の工程により、液晶モジュールが完成する。
【０１４０】
また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。
【０１４１】
また、本実施例は、実施の形態、実施例１、及び実施例２のいずれとも自由に組みあわせることが可能である。
【０１４２】
［実施例４］
実施例２では画素電極が反射性を有する金属材料で形成された反射型の表示装置の例を示したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜で形成した透過型の表示装置の例を示す。
【０１４３】
層間絶縁膜を形成する工程までは実施例２と同じであるので、ここでは省略する。実施例２に従って層間絶縁膜を形成した後、透光性を有する導電膜からなる画素電極６０１を形成する。透光性を有する導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
【０１４４】
その後、層間絶縁膜６００にコンタクトホールを形成する。次いで、画素電極と重なる接続電極６０２を形成する。この接続電極６０２は、コンタクトホールを通じてドレイン領域と接続されている。また、この接続電極と同時に他のＴＦＴのソース電極またはドレイン電極も形成する。
【０１４５】
また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。
【０１４６】
以上のようにしてアクティブマトリクス基板が形成される。このアクティブマトリクス基板を用い、実施例３に従って液晶モジュールを作製し、バックライト６０４、導光板６０５を設け、カバー６０６で覆えば、図１０にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせる。また、基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充填して接着してもよい。また、透過型であるので偏光板６０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１４７】
また、本実施例は、実施の形態、及び実施例１〜３のいずれとも自由に組みあわせることが可能である。
【０１４８】
［実施例５］
本実施例では、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を備えた発光表示装置を作製する例を図１１に示す。ＥＬ素子を備えた発光表示装置においては、本発明により画素電極（陰極または陽極）に一定の電流が流れるように配置されたＴＦＴ（駆動回路または画素に配置されるＯＬＥＤに電流を供給するＴＦＴ）のオン電流（Ｉon）のバラツキを低減することができ、輝度のバラツキを低減できる。
【０１４９】
図１１（Ａ）は、ＥＬモジュールを示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。絶縁表面を有する基板９００（例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等）に、画素部９０２、ソース側駆動回路９０１、及びゲート側駆動回路９０３を形成する。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例に従えば得ることができる。また、９１８はシール材、９１９はＤＬＣ膜であり、画素部および駆動回路部はシール材９１８で覆われ、そのシール材は保護膜９１９で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材９２０で封止されている。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材９２０は基板９００と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより図１１に示す凹部形状（深さ３〜１０μｍ）に加工する。さらに加工して乾燥剤９２１が設置できる凹部（深さ５０〜２００μｍ）を形成することが望ましい。また、多面取りでＥＬモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、ＣＯ2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。
【０１５０】
なお、９０８はソース側駆動回路９０１及びゲート側駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５１】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。基板９００上に絶縁膜９１０が設けられ、絶縁膜９１０の上方には画素部９０２、ゲート側駆動回路９０３が形成されており、画素部９０２は電流制御用ＴＦＴ９１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極９１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路９０３はｎチャネル型ＴＦＴ９１３とｐチャネル型ＴＦＴ７１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０１５２】
これらのＴＦＴ（９１１、９１３、９１４を含む）は、上記実施例２のｎチャネル型ＴＦＴ２０１、上記実施例２のｐチャネル型ＴＦＴ２０２に従って作製すればよい。
【０１５３】
なお、ＴＦＴとＥＬ素子の間に設ける絶縁膜としては、アルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料が好ましく、更には後のプロセス温度に耐えうる材料が適している。これらの条件に合う材料は、一例としてフッ素を多く含んだ窒化シリコン膜が挙げられる。窒化シリコン膜の膜中に含まれるフッ素濃度は、１×１０19／ｃｍ3以上、好ましくは窒化シリコン膜中でのフッ素の組成比を１〜５％とすればよい。窒化シリコン膜中のフッ素がアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等と結合し、膜中に吸着される。また、他の例としてアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等を吸着するアンチモン（Ｓｂ）化合物、スズ（Ｓｎ）化合物、またはインジウム（Ｉｎ）化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜、例えば、五酸化アンチモン微粒子（Ｓｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏ）を含む有機樹脂膜も挙げられる。なお、この有機樹脂膜は、平均粒径１０〜２０ｎｍの微粒子が含まれており、光透過性も非常に高い。この五酸化アンチモン微粒子で代表されるアンチモン化合物は、アルカリ金属イオン等の不純物イオンやアルカリ土金属イオンを吸着しやすい。
【０１５４】
画素電極９１２は発光素子（ＥＬ素子）の陽極として機能する。また、画素電極９１２の両端にはバンク９１５が形成され、画素電極９１２上にはＥＬ層９１６および発光素子の陰極９１７が形成される。
【０１５５】
ＥＬ層９１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１５６】
陰極９１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されている。さらに、画素部９０２及びゲート側駆動回路９０３に含まれる素子は全て陰極９１７、シール材９１８、及び保護膜９１９で覆われている。
【０１５７】
なお、シール材９１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材９１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１５８】
また、シール材９１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図１１に示すようにＤＬＣ膜等からなる保護膜９１９をシール材９１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
【０１５９】
以上のような構造で発光素子をシール材９１８及び保護膜で封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１６０】
また、陰極を透明導電膜で形成し、図１１とは逆方向に発光する構成としてもよい。また、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と透明導電膜からなる陽極を積層して図１１とは逆方向に発光する構成としてもよい。
【０１６１】
なお、本実施例は実施の形態、または実施例１と自由に組み合わせることが可能である。
【０１６２】
［実施例６］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）に用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０１６３】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１２〜図１４に示す。
【０１６４】
図１２（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を表示部２００３に適用することができる。
【０１６５】
図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表示部２１０２に適用することができる。
【０１６６】
図１２（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。本発明は表示部２２０５に適用できる。
【０１６７】
図１２（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２に適用することができる。
【０１６８】
図１２（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２に適用することができる。
【０１６９】
図１２（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発明を表示部２５０２に適用することができる。
【０１７０】
図１３（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。本発明は投射装置２６０１の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用することができる。
【０１７１】
図１３（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。本発明は投射装置２７０２の一部を構成する液晶モジュール２８０８に適用することができる。
【０１７２】
なお、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶モジュール２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１３（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１７３】
また、図１３（Ｄ）は、図１３（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１３（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１７４】
ただし、図１３に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びＥＬモジュールでの適用例は図示していない。
【０１７５】
図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。本発明を表示部２９０４に適用することができる。
【０１７６】
図１４（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表示部３００２、３００３に適用することができる。
【０１７７】
図１４（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。
【０１７８】
ちなみに図１４（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
【０１７９】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜５のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１８０】
【発明の効果】
本発明により平坦性、及び結晶の配向率の高い半導体膜を得て、ＴＦＴの活性層として用いることにより、オフ電流値が低く、バラツキが抑えられた半導体装置を得ることができる。
【０１８１】
加えて、ＥＬ素子を備えた発光装置においては、本発明により画素電極（陰極または陽極）に一定の電流が流れるように配置されたＴＦＴ（駆動回路または画素に配置されるＯＬＥＤに電流を供給するＴＦＴ）のオン電流（Ｉon）のバラツキを低減することができ、輝度のバラツキを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明を示す図。
【図２】    ＡＦＭにより得られた二乗平均粗さｒｍｓを示すグラフ。
【図３】    ＡＦＭにより得られたＰ−Ｖ値を示すグラフ。
【図４】    本発明の作製工程を示す図。（実施例１）
【図５】    本発明の作製工程を示す図。（実施例１）
【図６】    アクティブマトリクス基板の作製工程を示す図。（実施例２）
【図７】    アクティブマトリクス基板の作製工程を示す図。（実施例２）
【図８】    アクティブマトリクス基板を示す図。（実施例２）
【図９】    ＡＭ−ＬＣＤの外観を示す図。（実施例３）
【図１０】  液晶表示装置の断面図の一例を示す図である。（実施例４）
【図１１】  ＥＬモジュールの上面および断面を示す図である。（実施例５）
【図１２】  電子機器の一例を示す図。（実施例６）
【図１３】  電子機器の一例を示す図。（実施例６）
【図１４】  電子機器の一例を示す図。（実施例６）
【図１５】  シリコンゲルマニウム膜およびシリコン膜表面における顕微鏡写真図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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