(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
前記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
前記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、前記半導体素子及び前記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
前記パッド上には、該パッドと前記開口を介して接続され、その直径が前記パッドの直径に比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
前記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、前記トランジション層の表面には、粗化面が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記樹脂組成物は、粒子を含む請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記粒子は、樹脂粒子、無機粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
前記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
前記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、前記半導体素子及び前記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
前記パッド上には、該パッドと前記開口を介して接続され、その直径が前記パッドの直径に比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
前記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、前記トランジション層は、少なくとも２層の金属層から形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項６】
前記樹脂組成物は、粒子を含む請求項５に記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
前記粒子は、樹脂粒子、無機粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項６に記載の多層プリント配線板。
【請求項８】
前記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種である請求項５〜７のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
パッドとトランジション層とが設けられた半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｉ）の工程を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）基板に半導体素子を内蔵するための凹部を形成する凹部形成工程、
（ｂ）前記凹部内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）前記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵する半導体素子内蔵工程、
（ｄ）前記樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形成工程、
（ｅ）前記半導体素子上に、パッドを形成するパッド形成工程、
（ｆ）前記半導体素子及びパッドの上に、該パッド上に開口を有するパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程、
（ｇ）前記パッド上に、該パッドと前記開口を介して接続され、その直径が前記パッドの直径に比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層を形成するトランジション層形成工程、
（ｈ）エッチング処理によりトランジション層の表面に粗化面を形成する粗化面形成工程、および、
（ｉ）前記トランジション層上に、該トランジション層と接続されるようにバイアホールを形成するバイアホール形成工程。
【請求項１０】
前記樹脂組成物は、粒子を含む請求項９に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記粒子は、樹脂粒子、無機粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種である請求項１０に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種である請求項９〜１１のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記トランジション層は、少なくとも２層の金属層から形成されている請求項９〜１２のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法に関し、特にＩＣチップ等の半導体素子が内蔵された多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣチップ等の半導体素子とプリント配線板とは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)、フリップチップボンディング等の実装方法を用いて電気的に接続しており、これらの方法で実装した半導体素子は、プリント配線板を介して駆動させていた。
【０００３】
これらの実装方法では、ＩＣチップ等とプリント配線板との間を接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的に接続しており、そのため、これらの各リード部品が、切断されたり、腐食されたりしてしまうとＩＣチップとプリント配線板との間の接続が遮断されたり、ＩＣチップの誤作動の原因となってしまうことがあった。
【０００４】
また、それぞれの実装方式では、ＩＣチップやリード部品を保護するためにエポキシ樹脂等の樹脂によって封止を行っており、この樹脂が充填時に気泡を含有していると、その気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまうことがあった。また、熱可塑性樹脂等による封止を行う場合には、それぞれの部品に合わせて樹脂充填用プランジャー、金型等を作製する必要があり、熱硬化性樹脂による封止を行う場合には、リード部品、ソルダーレジストなどの材質等を考慮して樹脂を選定しなくてはならず、コストが高くなる原因になっていた。
【０００５】
そこで、近年、このような問題点を解決するために、ＩＣチップ等の半導体素子を基板に内蔵または収納した多層プリント配線板が開示されている。
特開平９−３２１４０８号公報では、ダイパッド上にスタッドバンプを形成した半導体素子が基板に埋め込まれ、バイアホールを介して、該スタッドバンプと上層の導体回路とが電気的に接続された多層プリント配線板が開示されている。
しかしながら、この多層プリント配線板では、スタッドバンプの形状がタマネギ状であり、その高さにバラツキがあることに起因して、基板上に形成された層間絶縁層は厚さが均一でなく、その表面が平坦にならないことがあり、この場合には、バイアホールを介した電気的接続に接続不良が発生することがあった。
また、この多層プリント配線板は、その構造上、バイアホール用開口を一括形成することができず、生産性の劣るものであった。
【０００６】
また、特開平１０−２５６４２９号公報では、セラミック基板に半導体素子が収納され、該半導体素子がフリップチップにより導体回路と電気的に接続された多層配線板が開示されている。
この多層配線板で用いられているアルミナや窒化アルミニウム等を材料とするセラミック基板は、外形加工性に劣るため半導体素子の納まりがよくない。そのため、半導体素子のパッドの高さが不均一になり、パッドと導体回路との間で接続不良が発生することがあった。
【０００７】
また、特開平１１−１２６９７８号公報では、基板に空隙部が形成され、この空隙部に半導体素子が収納された多層プリント配線板が開示されている。
しかしながら、このように半導体素子を内蔵した多層プリント配線板であっても、該半導体素子と導体回路とを半田、ＴＡＢ、ワイヤーボンディング等のリード部品を介して接続した場合には、上述の問題点を解決することが出来なかった。また、基板の空隙部に半導体素子を収納した際に、該半導体素子と基板との間に空隙が存在する場合には、半導体素子の位置ずれが発生しやすく、接続信頼性の低下につながることがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、このような問題点を解決するため、本出願人によって、リード部品を介さずに、ＩＣチップ等の半導体素子と直接電気的接続を行うことができる多層プリント配線板として、基板に設けられた開口部、貫通孔またはザグリ部にＩＣチップ等が内蔵または収容され、さらに、該基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とが積層され、該ＩＣチップと導体回路の間や、層間樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間がバイアホールを介して電気的に接続された多層プリント配線板が提案されている。
【０００９】
このようにＩＣチップ等を内蔵した多層プリント配線板では、ＩＣチップ等と多層プリント配線板との接続に、リード部品や封止樹脂が用いられていないため、その接続信頼性は優れたものとなり、多層プリント配線板を製造する際にＩＣチップを実装することができるためコストも安くなる。
【００１０】
このような構成からなる多層プリント配線板は、上述したように、接続信頼性に優れたものであるものの、過酷な条件下、即ち、高温多湿下や、ヒートサイクル条件下においては、半導体素子と基板や層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生したり、基板に内蔵または収納されていた半導体素子が基板から浮き上がってしまう現象（以下、本明細書では、このような現象をポップコーン現象ともいう）が発生したりし、これが接続不良や信頼性の低下を招くことがあった。
また、本発明者等による検討の結果、このような不都合の発生は、下記の要因によるものではないかと考えられる。
【００１１】
即ち、半導体素子が内蔵または収納された多層プリント配線板においては、通常、半導体素子は、樹脂層（接着剤層）を介して、基板に設けられた凹部に内蔵または収納されているが、従来の多層プリント配線板では、この樹脂層に水分が含まれているため、上述した不都合が発生するのではないかと考えられる。
このように樹脂層に水分が含まれていると、高温多湿下やヒートサイクル条件下において、この水分が、膨張、収縮し、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につながる。また、樹脂層に水分が含まれていると、該樹脂層に別の要因で、小さな剥離やクラックが発生した際に、この剥離やクラックが大きく成長してしまう。
【００１２】
また、上記樹脂層を形成する際、即ち、樹脂組成物に硬化処理を施す際に、水分が樹脂組成物の表層部に存在し、そのまま硬化反応が進行すると、その水分が存在していた部分には、凹部が形成されてしまうことがあり、このように、樹脂層の表層部が平滑でないことも、上記した剥離や、ポップコーン現象の発生につながると考えられる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで、発明者らは、このような問題を解消するために鋭意検討した結果、樹脂層における水分の存在は、樹脂層形成時（樹脂組成物に硬化処理時）の副生成物に起因するものであり、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて樹脂層を形成することにより、水分を含まない樹脂層を形成することができることを見出し、本発明の多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法を完成した。
【００１４】
即ち、第一の本発明の多層プリント配線板は、半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
上記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、上記半導体素子及び上記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
上記パッド上には、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、上記トランジション層の表面には、粗化面が形成されていることを特徴とする。
第二の本発明の多層プリント配線板は、半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
上記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、上記半導体素子及び上記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
上記パッド上には、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、上記トランジション層は、少なくとも２層の金属層から形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の多層プリント配線板において、上記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものであることが望ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００１６】
また、上記多層プリント配線板において、上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００１８】
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、パッドとトランジション層とが設けられた半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｉ）の工程を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）基板に半導体素子を内蔵するための凹部を形成する凹部形成工程、
（ｂ）上記凹部内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵する半導体素子内蔵工程、
（ｄ）上記樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形成工程、
（ｅ）上記半導体素子上に、パッドを形成するパッド形成工程、
（ｆ）上記半導体素子及びパッドの上に、該パッド上に開口を有するパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程、
（ｇ）上記パッド上に、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層を形成するトランジション層形成工程、
（ｈ）エッチング処理によりトランジション層の表面に粗化面を形成する粗化面形成工程、および、
（ｉ）上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されるようにバイアホールを形成するバイアホール形成工程。
【００２０】
また、上記多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂組成物は、さらに粒子を含むものであることが望ましく、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００２１】
また、上記多層プリント配線板の製造方法において、上記酸無水物系硬化剤は、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００２２】
本発明の多層プリント配線板は、第一の本発明の多層プリント配線板は、半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
上記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、上記半導体素子及び上記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
上記パッド上には、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、上記トランジション層の表面には、粗化面が形成されていることを特徴とする。
第二の本発明の多層プリント配線板は、半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記基板には、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵され、
上記半導体素子の表面には、パッドが形成されるとともに、上記半導体素子及び上記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
上記パッド上には、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層が形成され、
上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
さらに、上記トランジション層は、少なくとも２層の金属層から形成されていることを特徴とする。
上記２つの発明は、同様の製造工程を経て製造されるので、以下においては、第一の本発明と第二の本発明の多層プリント配線板とを特に区別せずに説明することとする。
【００２３】
本発明の多層プリント配線板では、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物により形成された充填樹脂層を介して半導体素子が基板に内蔵されているため、以下の理由により信頼性に優れる。
即ち、本発明の多層プリント配線板においては、充填樹脂層が、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて形成されており、該樹脂組成物では、硬化処理時に副生成物として水が生じることがほとんどなく、そのため、高温多湿下や、ヒートサイクル試験条件下においても、充填樹脂層（樹脂組成物）中の水分の存在に起因する不都合が発生しない。
【００２４】
本発明の多層プリント配線板では、熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて充填樹脂層が形成されている。
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００２５】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより耐熱性等に優れたものとなる。
【００２６】
上記酸無水物系硬化剤としては、１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種が望ましい。
上記１官能性酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸等が挙げられる。
【００２７】
また、上記２官能性酸無水物としては、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメート）、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物等が挙げられる。
また、遊離酸酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、ポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。
これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。また、これらの酸無水物からなる共融混合変性物を用いてもよい。
【００２８】
また、上記硬化剤の含有量は、樹脂成分１００重量部に対して、０．５〜２０重量部が望ましい。
硬化剤の配合量が０．５重量部未満では、樹脂組成物を硬化して充填樹脂層を形成した際に、硬化が不充分であるため充填樹脂層が柔らかく、半導体素子を確実に固定することができないことがあり、一方、２０重量部を超えると、信頼性に優れる充填樹脂層を形成することができないことがある。
【００２９】
また、上記樹脂組成物には、粒子が含まれていることが望ましい。
このような粒子を含む樹脂組成物を用いて形成した充填樹脂層では、粒子の配合量を調整することにより、熱膨張係数を調整することができるため、半導体素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、クラックの発生、基板や半導体素子との間での剥離の発生を抑制することができる。
【００３０】
上記粒子としては、樹脂粒子、無機粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種が望ましい。
上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリエーテルスルフォン等からなるものが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００３１】
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる粒子を用いてもよい。
具体的には、例えば、ポリブタジエンゴム；エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム；カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等からなるものが挙げられる。ゴムからなる粒子を用いることにより、硬化時の硬化収縮による応力を緩和することができる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００３２】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３３】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛、マグネシウム、カルシウム、ケイ素等からなるものが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
また、２種以上の粒子を併用する場合、粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。
【００３４】
上記粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。
上記粒子の平均粒径は特に限定されないが、０．０１〜５μｍが望ましい。また、この範囲の粒径で、異なる粒径を有する粒子を併用してもよい。例えば、平均粒径が０．１〜０．５μｍの粒子と平均粒径が１〜３μｍの粒子を併用する等である。
また、上記粒子の上記樹脂組成物中の含有量は、３０〜８０重量％が望ましい。
【００３５】
また、上記充填樹脂層中に粒子が含まれている場合、該粒子は充填樹脂層中に均一に分散していることが望ましい。粒子の分散が不均一であると、充填樹脂層内でその特性（熱膨張係数等）にバラツキが生じ、その結果、充填樹脂層内の一部に応力が集中し、該充填樹脂層でクラックが発生したり、充填樹脂層と、半導体素子、基板、層間樹脂絶縁層等との間で剥離が発生したりする原因となることがあるからである。
【００３６】
また、上記樹脂組成物は、樹脂成分として熱硬化性樹脂を含んでいるが、上記熱硬化性樹脂に代えて、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂、感光性樹脂等を含んでいてもよい。また、これらの樹脂と上記熱硬化性樹脂とを併用してもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用しても良い。
【００３７】
上記熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用しても良い。
また、上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３８】
また、上記樹脂組成物には、その他の添加剤として無機フィラーや有機フィラーが配合されていてもよい。
上記無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等からなるものが挙げられ、上記有機フィラーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等からなるものが挙げられる。これらのフィラー等を配合させることにより、熱膨張係数の整合や、耐熱性、耐薬品性等の向上を図ることができ、より信頼性に優れる多層プリント配線板となる。
【００３９】
また、上記樹脂組成物は、必要に応じて、溶剤等を含有していてもよい。
上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。
【００４０】
また、本発明の多層プリント配線板では、上記充填樹脂層を介して半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されている。
【００４１】
上記基板としては、一般的にプリント配線板で使用される樹脂基板等を用いることができ、具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材や心材を含浸させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層した基板等が挙げられる。また、両面銅張積層板、片面板、金属膜を有さない樹脂板、樹脂フィルム等を用いてもよい。
また、上記基板には、半導体素子を内蔵するための凹部が設けられており、該凹部内には、上記充填樹脂層を介して上記半導体素子が内蔵されている。
【００４２】
また、上記基板に内蔵された半導体素子は、そのパッド部分にトランジション層が形成されていることが望ましい。
上記トランジション層とは、半導体素子に配設されたパッドを拡径するために設けられた導体層であり、その形成目的は、以下に述べるような半導体素子のパッド部分に発生する種々の不具合を解消することにある。
【００４３】
即ち、通常、バイアホール用開口の開口径は６０〜８０μｍであるのに対し、半導体素子のパッド部分は、その径が４０μｍ程度であり、そのため、上記パッドとバイアホールとを直接接続した場合には、パッド径が小さいことに起因して、バイアホールの位置ずれが発生し、これが導通不良や断線の原因となることがあった。しかしながら、上記トランジション層を形成した場合には、該トランジション層の水平方向の径（以下、単に直径という）がパッドの径に比べて大きいため、バイアホールとの接続を確実に行うことができる。
また、上記多層プリント配線板を製造する際には、酸や酸化剤、エッチング液等を使用することがあるため、これら酸等と半導体素子のパッドとが接触した際に、パッドの変色や溶解が発生することがあるが、トランジション層を形成することにより、半導体素子のパッドと上記酸等とが直接接触することを防止することができる。
また、バイアホール用開口をレーザ処理により形成する場合には、半導体素子のパッドをレーザ光から保護することができる。
【００４４】
上記トランジション層の直径は特に限定されず、バイアホール用開口の開口径等を考慮して適宜選択すればよく、バイアホール用開口の開口径と同程度の６０〜８０μｍが望ましい。
【００４５】
上記トランジション層の材質としては、銅、クロム、ニッケル、亜鉛、金、銀、スズ、鉄等が挙げられる。
これらのなかでは、その上層に形成される導体回路（バイアホール）の材質と同様のものが望ましく、通常、導体回路の材質は銅であるため銅が望ましい。
また、上記トランジション層は、一層からなるものであっても良いし、二層以上の複数層からなるものであってもよいが、二層以上の複数層からなるものが望ましい。
【００４６】
上記トランジション層の厚さは、１〜３５μｍが望ましい。上記トランジション層の厚さが３５μｍを超えると、その形状がアンダーカット形状になることがあり、ＩＣチップとバイアホールとの接続信頼性の低下に繋がる原因となることがある。
なお、上記トランジション層を形成する方法については、後に本発明の製造方法を説明する際に詳述する。
【００４７】
また、上記基板上に積層形成される層間樹脂絶縁層は、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体等を含む樹脂組成物により形成されている。
【００４８】
上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００４９】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５０】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【００５１】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記した熱硬化性樹脂に感光性を付与したものも感光性樹脂として用いることができる。具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等挙げられる。
【００５２】
上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。なかでも、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂および／またはポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）を含むものが望ましい。
また、上記感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体としては、例えば、上記した感光性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。
【００５３】
また、上記樹脂組成物の一例としては、粗化面形成用樹脂組成物も挙げられる。上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５４】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。バイアホール用開口を形成する際に、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【００５５】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００５６】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５７】
上記可溶性の物質としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５８】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００５９】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【００６０】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６１】
また、上記導体回路や、該導体回路を電気的に接続するバイアホールとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、これらの合金等からなるものが挙げられる。
【００６２】
上記多層プリント配線板においては、通常、最外層に半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層が形成されており、上記半田バンプ形成用開口には半田バンプが形成されている。また、上記半田バンプ形成用開口に設けられた半田層を介して導電性接続ピンが配設されていることもある。
このような場合、半田バンプや導電性接続ピン等の外部接続端子の形成位置は、半導体素子の直上以外の領域であることが望ましい。この理由は、以下の通りである。
【００６３】
即ち、多層プリント配線板において、外部接続端子の周囲で剥離やクラックが発生する場合、その原因は、半導体素子、ソルダーレジスト層、層間樹脂絶縁層および外部基板の熱膨張係数の差にあることが多い。具体的には、セラミックからなる半導体素子および外部基板は、熱膨張係数が小さく、熱膨張による伸びが小さいのに対し、樹脂からなる層間樹脂絶縁層およびソルダーレジスト層は、半導体素子および外部基板と比較して熱膨張係数が大きく、熱膨張による伸びが大きいため、この熱膨張係数の差に起因して外部接続端子の周囲などに応力が集中し、剥離やクラックの発生の原因となる。
【００６４】
従って、半導体素子の内蔵されていない基板上の領域に外部接続端子を配設することによって、熱膨張を小さくすることができ、半田バンプや導電性接続ピン等の外部接続端子の周囲などに発生する剥離、クラック等を防止することができる。その結果、外部接続端子の脱落や位置ズレが防止され、信頼性に優れる多層プリント配線板となる。
このような構成からなる本発明の多層プリント配線板は、後述する本発明の多層プリント配線板の製造方法により製造することができる。
【００６５】
次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、パッドとトランジション層とが設けられた半導体素子が内蔵されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｉ）の工程を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）基板に半導体素子を内蔵するための凹部を形成する凹部形成工程、
（ｂ）上記凹部内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程、
（ｃ）上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵する半導体素子内蔵工程、
（ｄ）上記樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形成工程、
（ｅ）上記半導体素子上に、パッドを形成するパッド形成工程、
（ｆ）上記半導体素子及びパッドの上に、該パッド上に開口を有するパッシベーション膜を形成するパッシベーション膜形成工程、
（ｇ）上記パッド上に、該パッドと上記開口を介して接続され、その直径が上記パッドに比べて大きい導電性金属膜からなるトランジション層を形成するトランジション層形成工程、
（ｈ）エッチング処理によりトランジション層の表面に粗化面を形成する粗化面形成工程、および、
（ｉ）上記トランジション層上に、該トランジション層と接続されるようにバイアホールを形成するバイアホール形成工程。
【００６６】
本発明の多層プリント配線板の製造方法では、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を用いた充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物として水をほとんど生じない。従って、高温多湿下やヒートサイクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
【００６７】
以下、まず、上記（ａ）〜（ｄ）の工程、即ち、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基板を作製する方法について説明し、その後、この基板上に導体回路、層間樹脂絶縁層等を形成し、多層プリント配線板とする方法について説明する。
【００６８】
本発明の製造方法では、まず、上記（ａ）の工程、即ち、基板に半導体素子を内蔵または収納するための凹部を形成する凹部形成工程を行う。
具体的には、まず、上記したガラスエポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂等からなる基板の片面にザクリ加工等により凹部を形成する。
また、上記ザクリ加工を用いる方法に代えて、貫通孔を有する基板と貫通孔を有さない基板とを貼り合わせることにより半導体素子を内蔵するための凹部を形成してもよい。なお、この場合、基板同士は接着剤を用いて貼り合わせればよい。
【００６９】
次に、上記（ｂ）の工程、即ち、上記凹部内に熱硬化性樹脂および酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を塗布することにより塗布層を形成する樹脂組成物塗布工程を行う。
上記樹脂組成物の塗布は、例えば、印刷機等を用いて行う。また、ポッティングにより行ってもよい。
【００７０】
上記酸無水物系硬化剤は、上述したように１官能性酸無水物、２官能性酸無水物および遊離酸酸無水物のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
このような酸無水物を含む樹脂組成物を用いて充填樹脂層を形成する場合には、硬化処理時に副生成物として水が発生せず、後工程を経て形成した充填樹脂層には、水分が含まれないからである。
【００７１】
また、この工程で塗布する樹脂組成物は、粒子を含むものであることが望ましい。粒子を含む樹脂組成物を用いて塗布層を形成し、さらに、後工程を経て、充填樹脂層を形成する場合、この工程で予め粒子の配合量を調整しておくことにより、半導体素子や基板等と熱膨張係数を整合させた充填樹脂層を形成することができるからである。
また、上記粒子は、樹脂粒子、無機粒子および金属粒子のうちの少なくとも１種であることが望ましい。
【００７２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上記塗布層を形成した凹部に半導体素子を内蔵または収納する半導体素子内蔵工程を行う。
この工程では、半導体素子を上記塗布層の上に載置した後、半導体素子の上面を押すか、または、叩くことにより半導体素子を基板に設けた凹部内に完全に内蔵する。これにより基板表面をほぼ平滑にすることができる。
また、この際、塗布層（樹脂組成物）の一部が凹部から押し出され、半導体素子の上面や基板の上面に付着することがあるが、後述するように、半導体素子の上面を含む基板の上面には、樹脂層を形成した後、レーザ処理等によりバイアホール用開口を形成するため、半導体素子とバイアホールとの接続に悪影響を与えることはない。
【００７３】
また、この工程で内蔵する半導体素子は、パッド部分にトランジション層が形成されているものが望ましい。
トランジション層が形成された半導体素子では、後工程で、エッチング液、酸、酸化剤等を用いる際に、エッチング液等から半導体素子のパッドを保護することができる。
また、後工程で、バイアホール用開口をレーザ処理により形成する場合は、上記パッドをレーザ光から保護することができる。
加えて、パッド上にトランジション層が形成されている場合は、アニール処理や熱硬化処理においても、パッドの変色や溶解等が発生するおそれがない。
【００７４】
なお、上記トランジション層が形成された半導体素子は、例えば、下記（i）〜（vi）工程を経ることにより作製することができる。そこで、トランジション層が形成された半導体素子を作製する方法について図面を参照しながら説明する。図１〜３は、それぞれ、トランジション層が形成された半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【００７５】
（i）まず、シリコンウエハ２０Ａを出発材料とし（図１（Ａ）参照）、定法により配線およびパッド２２を形成する（図１（Ｂ）参照）。
（ii）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベーション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設ける（図１（Ｃ）参照）。
【００７６】
（iii）次に、パッド２２およびパッシベーション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全面に、蒸着、スパッタリング、無電解めっき処理等により、導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成する（図２（Ａ）参照）。
【００７７】
上記薄膜層の材質としては、例えば、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合には、パッド部分の保護膜としての役割を果たすとともに、電気特性を劣化させることがない。
また、上記薄膜層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
【００７８】
上記薄膜層が１層からなる場合、該薄膜層は、蒸着やスパッタリングにより形成することが望ましく、上記薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着やスパッタリングにより形成し、上層を無電解めっき処理、蒸着、スパッタリング等により形成することが望ましい。
また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層と上層の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み合わせが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という点で優れるからである。また、半導体素子のパッドの材質がアルミニウムである場合には、下層の材質と亜鉛、クロムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすることも望ましい。
【００７９】
上記薄膜層の厚さは、該薄膜層が１層からなる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μmである。
【００８０】
また、上記薄膜層が２層からなる場合、その下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μmである。
また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
【００８１】
（iv）次に、薄膜層３３上にめっきレジスト３５を形成し、さらに、めっきレジスト３５非形成部分に電解めっきを施すことにより電解めっき層３７を形成する（図２（Ｂ）参照）。
上記レジストは、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を薄膜層３３上に形成した後、露光、現像処理を施すことにより形成することができる。
【００８２】
上記電解めっき層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さらに、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅である点から銅が望ましい。
また、上記電解めっき層の厚さは、１〜２０μmが望ましい。
【００８３】
（v）次に、めっきレジスト３５をアルカリ溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下に存在した薄膜層３３をエッチング除去することにより半導体素子のパッド２２にトランジション層３８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
なお、上記エッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行えばよい。
【００８４】
また、この工程では、トランジション層３８を形成した後、必要に応じて、トランジション層３８の表面を粗化面３８αとしてもよい（図３（Ａ）参照）。
トランジション層の表面を粗化面とすることにより、後工程で形成する層間樹脂絶縁層との密着性が向上するからである。
なお、粗化面の形成は、エッチング処理、無電解めっき処理、酸化還元処理等を用いて行えばよい。
【００８５】
また、このような（iv）および（v）の工程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形成し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよび薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用いてトランジション層を形成してもよい。
【００８６】
即ち、薄膜層を形成した後、該薄膜層上の全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層および薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジション層を形成してもよい。
ここで、電解めっき層は、上記（iv）の工程で用いた方法と同様の方法で形成することができ、その望ましい材質や厚さは、上記（iv）の工程で形成する電解めっき層と同様である。
【００８７】
また、上記エッチングレジストの形成は、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理を施すことにより行うことができる。
また、電解めっき層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行うことができる。
【００８８】
（vi）次に、トランジション層３８が形成されたシリコンウエハ２０Ａを、ダイシング等により個片に分割し、パッド２２上にトランジション層３８が形成された半導体素子２０とする（図３（Ｂ）参照）。
なお、この工程では、分割後、半導体素子２０の動作確認や電気検査を行ってもよい。この場合、パッド上には、パッド部分よりもその径が大きいトランジション層が形成されているため、プローブピンが当てやすく、検査の精度が高くなっている。
【００８９】
また、この半導体素子内蔵工程では、半導体素子を内蔵する前に、該半導体素子の壁面に洗浄処理を施しておくことが望ましい。半導体素子の壁面に異物が付着していることがあるからである。
上記洗浄処理としては、紫外線／オゾン洗浄が望ましい。半導体素子のパッドやトランジション層に悪影響を及ぼすことなく、半導体素子の壁面を洗浄することができるからである。
また、上記紫外線／オゾン洗浄の処理条件は特に限定されず、例えば、２５４ｎｍ光の強度２０〜７０ｍＷ／ｃｍ２、オゾン濃度５０〜２００ｖｏｌｐｐｍ、照射時間２〜２０分、半導体素子温度５０〜３００℃の条件で行うことができる。上記紫外線／オゾン洗浄は、高濃度のオゾン雰囲気下で行ってもよい。
【００９０】
次に、上記（ｄ）の工程、即ち、上記樹脂組成物に硬化処理を施し、充填樹脂層を形成する充填樹脂層形成工程を行う。
なお、上記硬化処理を行う際の加熱温度は特に限定されず、上記樹脂組成物の組成を考慮して適宜選択すればよく、通常は、８０〜２００℃程度である。
また、加熱時間も特に限定されないが、通常、３０分〜２４時間程度である。
なお、上記硬化処理は、各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステップキュアにより行ってもよい。
【００９１】
このような（ａ）〜（ｄ）の工程を経ることにより、充填樹脂層を介して半導体素子を内蔵した基板を作製することができる。
また、上記（ｃ）の工程において、パッド部分にトランジション層が形成されていない半導体素子を内臓した場合には、上記（ｄ）の工程の後、半導体素子のパッド部分にトランジション層を形成するトランジション層形成工程を行うことが望ましい。
【００９２】
上記トランジション層形成工程は、例えば、下記（i）〜（iii）の工程を経ることにより行うことができる。
即ち、（i）まず、半導体素子を内蔵した基板の上面（半導体素子の上面を含む）に、蒸着、スパッタリング、無電解めっき処理等により、導電性の金属膜（薄膜層）を形成する。
【００９３】
上記薄膜層の材質としては、例えば、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銀、銅等が挙げられる。これらの金属を用いた場合には、パッド部分の保護膜としての役割を果たすとともに、電気特性を劣化させることがない。
また、上記薄膜層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
【００９４】
上記薄膜層が１層からなる場合、該薄膜層は、物理的な蒸着により形成することか望ましく、上記薄膜層が２層以上からなる場合、最下層を蒸着やスパッタリングにより形成し、上層を無電解めっき処理、蒸着、スパッタリング等により形成することが望ましい。
また、２層からなる薄膜層を形成する場合、下層と上層の材質の組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、または、チタン−ニッケルの組み合わせが望ましい。金属との接合性や電気伝達性という点で優れるからである。また、半導体素子のパッドの材質がアルミニウムである場合には、下層の材質を亜鉛、クロムまたはニッケルとし、上層の材質を銅とすることも望ましい。
【００９５】
上記薄膜層の厚さは、該薄膜層が１層からなる場合、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μmである。
【００９６】
また、上記薄膜層が２層からなる場合、その下層の厚さは、０．００１〜２μmが望ましい。上記厚さが０．００１μm未満では、シリコンウエハの全面に薄膜層を形成することができないことがあり、一方、２μmを超えると、薄膜層の厚さにバラツキが生じてしまうことがある。より望ましい厚さは、０．０１〜１．０μmである。
また、上層の厚さは、０．０１〜５μmが望ましく、０．１〜３μmがより望ましい。
【００９７】
（ii）次に、薄膜層上にレジストを形成し、さらに、該レジスト非形成部分に電解めっきを施すことにより電解めっき層を形成する。
上記レジストは、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を薄膜層上に形成した後、露光、現像処理を施すことにより形成することができる。
【００９８】
上記電解めっき層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等が挙げられる。これらなかでは、電気特性および経済性に優れ、さらに、後述するようにバイアホールの材質が、通常、銅である点から銅が望ましい。
また、上記電解めっき層の厚さは、１〜２０μmが望ましい。
【００９９】
（iii）次に、めっきレジストをアルカリ溶液等で剥離除去し、さらに、めっきレジスト下に存在した薄膜層をエッチング除去することにより半導体素子のパッド部分にトランジション層を形成する。
なお、上記エッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行えばよい。
【０１００】
また、この工程では、トランジション層を形成した後、必要に応じて、トランジション層の表面を粗化面としてもよい。
トランジション層の表面を粗化面とすることにより、後工程で形成する層間樹脂絶縁層との密着性が向上するからである。
なお、粗化面の形成は、エッチング処理、無電解めっき処理、酸化還元処理等を用いて行えばよい。
【０１０１】
また、このような（ii）および（iii）の工程を経る方法、即ち、薄膜層上にめっきレジストを形成し、その後、電解めっき処理と、めっきレジストおよび薄膜層の除去とを行う方法に代えて、下記の方法を用いてトランジション層を形成してもよい。
【０１０２】
即ち、薄膜層を形成した後、該薄膜層上の全面に電解めっき層を形成し、さらに、該電解めっき層上にエッチングレジストを形成した後、電解めっき層および薄膜層のエッチング除去を行うことによりトランジション層を形成してもよい。
ここで、上記電解めっき層は、上記（ii）の工程で用いた方法と同様の方法で形成することができ、その望ましい材質や厚さは、上記（ii）の工程で形成する電解めっき層と同様である。
【０１０３】
また、上記エッチングレジストの形成は、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルム等からなる層を電解めっき層上に形成した後、露光、現像処理を施すことにより行うことができる。
また、電解めっき層および薄膜層のエッチング除去は、硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液を用いて行うことができる。
【０１０４】
次に、上述した工程を経て半導体素子を内蔵した基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを順次形成するとともに、上記半導体素子と導体回路、および、上下の導体回路をバイアホールを介して接続する方法について説明する。
【０１０５】
（１）まず、半導体素子を内蔵した基板上に、熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
【０１０６】
半硬化の樹脂フィルムを熱圧着する場合、その具体的な方法としては、例えば、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら、圧力５ｋｇ／ｃｍ２、真空度１０ｍｍＨｇで真空圧着ラミネートする方法等が挙げられる。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【０１０７】
（２）次に、その材料として熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含む樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化（半硬化）の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂や、感光性樹脂を含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層を形成する場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【０１０８】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【０１０９】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【０１１０】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【０１１１】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【０１１２】
（３）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層と後述する工程で形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
【０１１３】
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程に、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【０１１４】
（４）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【０１１５】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成する場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングや蒸着により形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
なお、上記薄膜導体層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
【０１１６】
（５）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルム等を用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
【０１１７】
また、この工程で形成する電気めっき層は、バイアホール用開口を完全に充填するものであってもよい。これによりバイアホールの形状をフィールドビア形状とすることができる。
なお、フィールドビア形状のバイアホール、一旦、その上面に窪みを有する電解めっき層を形成した後、この窪みに導電性ペーストを充填したり、一旦、その上面に窪みを有する電解めっき層を形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成したりすることにより形成してもよい。
【０１１８】
（６）次に、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【０１１９】
また、上記（５）および（６）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路を形成してもよい。
【０１２０】
また、独立した導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面に粗化面を形成する。
上記粗化面の形成は、例えば、エッチング処理、黒化還元処理、めっき処理等により行うことができる。
【０１２１】
（７）この後、上記（１）〜（６）の工程を１回または２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製する。なお、上記（１）〜（６）の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。
【０１２２】
（８）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【０１２３】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる
【０１２４】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソルダーレジスト組成物を使用してもよい。
【０１２５】
上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
また、この工程で形成する半田バンプ形成用開口の形成位置は、半導体素子の直上以外の領域であることが望ましい。
【０１２６】
（９）次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【０１２７】
（１０）次に、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらにリフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
【０１２８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１２９】
（実施例１）
Ａ．半導体素子の製造
（１）まず、シリコンウエハ２０Ａを出発材料とし（図１（Ａ）参照）、定法により配線およびパッド２２を形成した（図１（Ｂ）参照）。
（２）次に、パッド２２および配線の上に、パッシベーション膜２４を形成し、パッド２２上に開口２４ａを設けた（図１（Ｃ）参照）。
【０１３０】
（３）次に、パッド２２およびパッシベーション膜２４を形成したシリコンウエハ２０Ａ上の全面に、スパッタリングにより、クロムと銅とからなる厚さ０．５μｍの薄膜層３３を形成した（図２（Ａ）参照）。
【０１３１】
（４）次に、薄膜層３３上に、市販のドライフィルムを用いてめっきレジスト３５を形成し、さらに、めっきレジスト３５非形成部分に、電解銅めっきを施すことにより厚さ１５μｍの電解めっき層３７を形成した（図２（Ｂ）参照）。
【０１３２】
（５）次に、めっきレジスト３５をアルカリ溶液で剥離除去し、さらに、めっきレジスト３５下に存在した薄膜層３３を硫酸と過酸化水素水とからなるエッチング液を用いて除去することにより半導体素子のパッド２２上に直径６０μｍのトランジション層３８を形成した（図２（Ｃ）参照）。
【０１３３】
さらに、トランジション層３８を形成した半導体素子にエッチング液を吹き付け、トランジション層３８の表面を粗化面３８αとした（図３（Ａ）参照）。
なお、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを用いた。
【０１３４】
（６）次に、シリコンウエハ２０Ａを、ダイシング等により個片に分割し、パッド２２上にトランジション層３８が形成された半導体素子２０を作製した（図３（Ｂ）参照）。
【０１３５】
Ｂ．層間樹脂絶縁層形成用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し樹脂複合体の溶液を調製した。得られた樹脂複合体の溶液を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層形成用樹脂フィルムを作製した。
【０１３６】
Ｃ．ＩＣ内蔵多層プリント配線板の製造
（１）まず、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料とした（図４（Ａ）参照）。
次に、コア基板３０の片面に、ザクリ加工により半導体素子収納用の凹部３２を形成した（図４（Ｂ）参照）。
【０１３７】
（２）次に、凹部３２内に、充填樹脂層形成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層３４′を形成した（図４（Ｃ）参照）。
ここで、充填樹脂層形成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物を用いた。
【０１３８】
（３）次に、上記Ａで作製した半導体素子２０を凹部３２上に載置し、その上面を押すことにより、半導体素子２０を凹部３２内に収納し、その後、硬化処理を施すことにより半導体素子２０を充填樹脂層３４を介して凹部３２内に完全に内蔵した（図４（Ｄ）参照）。
なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５０℃で２時間の条件で行った。
【０１３９】
（４）次に、半導体素子を内蔵した基板３０上に、上記Ｂで作製したフィルムを、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより樹脂複合体フィルム層５０′を形成した（図５（Ａ）参照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板上に載置し、真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で張り付け、その後、１００℃で３０分、１５０度で１時間熱硬化させた。
【０１４０】
（５）次に、樹脂フィルム層５０′上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合体フィルム層５０′に、直径６０μｍのバイアホール用開口４８を形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図５（Ｂ）参照）。
【０１４１】
（６）層間樹脂絶縁層５０を形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図５（Ｃ）参照）。
【０１４２】
（７）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒溶液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１４３】
（８）次に、以下の組成の無電解銅めっき液中に、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口４８の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層５２を形成した（図６（Ａ）参照）。
［無電解めっき水溶液］
ＮｉＳＯ４                       ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                          ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                          ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                        ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                        ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
［無電解めっき条件］
液温度３４℃で４０分
【０１４４】
（９）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層５２に張り付け、マスクを載置して１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％の炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を形成した（図６（Ｂ）参照）。
その後、薄膜導体層５２をめっきリードとして下記の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に厚さ１８μｍの電解銅めっき層５６を形成した（図６（Ｃ）参照）。
【０１４５】
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸        ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅      ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
１９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度    １Ａ／ｄｍ２
時間            ６５分
温度        ２２℃±２℃
【０１４６】
（１０）次に、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存在していた薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層５２と電解めっき層５６からなる厚さ１５μｍの導体回路５８およびバイアホール６０を形成した（図７（Ａ）参照）。
その後、導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、導体回路５８の表面に粗化面５８αを形成した（図７（Ｂ）参照）。ここで、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１４７】
（１１）次に、（４）〜（１０）の工程を２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層５０および導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（図７（Ｃ）参照）。
【０１４８】
（１２）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１４９】
（１３）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光した後、ＤＭＴＧ溶液で現像処理することにより、２００μｍの直径の開口７１を有するソルダーレジスト層７０を形成した（図８（Ａ）参照）。
【０１５０】
（１４）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路５８に半田パッド７５を形成した（図８（Ｂ）参照）。
【０１５１】
（１５）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成した。これにより、半導体素子２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図９参照）。なお、本実施例で製造した多層プリント配線板１０では、半導体素子の直上の領域（図９中、Ｒ１の領域）には、半田バンプが形成されておらず、これ以外の領域（図９中、Ｒ２の領域）に半田バンプが形成されている。
【０１５２】
（実施例２）
実施例１のＣの（２）の工程において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１５３】
（実施例３）
Ａ．半導体素子の製造
実施例１のＡにおいて、（３）〜（５）の工程を行わなかった以外は、実施例１のＡと同様にして、パッド上にトランジション層を有さない半導体素子を作製した。
【０１５４】
Ｂ．層間樹脂絶縁層形成用フィルムの作製
実施例１のＢと同様の方法により行った。
【０１５５】
Ｃ．ＩＣ内蔵多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８μｍのビスマレイミドトリアジン樹脂基板（コア基板）１３０を出発材料とした（図１０（Ａ）参照）。
次に、コア基板１３０の片面に、ザクリ加工により半導体素子収納用の凹部１３２を形成した（図１０（Ｂ）参照）。
【０１５６】
（２）次に、凹部１３２内に、充填樹脂層形成用樹脂組成物を印刷機を用いて塗布し、塗布層１３４′を形成した（図１０（Ｃ）参照）。
ここで、充填樹脂層形成用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてテトラヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物を用いた。
【０１５７】
（３）次に、半導体素子１２０を凹部１３２上に載置し、その上面を押すことにより、半導体素子１２０を凹部１３２内に収納し、その後、硬化処理を施すことにより半導体素子１２０を充填樹脂層１３４を介して凹部１３２内に完全に内蔵した（図１１（Ａ）参照）。
なお、硬化処理は、１００℃で１時間および１５０℃で２時間の条件で行った。
【０１５８】
（４）次に、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングを、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、半導体素子１２０を内蔵したコア基板１３０の全面に厚さ０．１μｍのＺｎ膜を形成し、さらに、Ｚｎ膜上に無電解銅めっきにより厚さ０．７μｍの無電解銅めっき膜を形成することにより、亜鉛と銅とからなる薄膜層１３３を形成した（図１１（Ｂ）参照）。
【０１５９】
（５）次に、薄膜層１３３上に、感光性ドライフィルムを張りつけ、その後、該感光性ドライフィルム上に、パッド１２２に対応するパターンが形成されたマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、パッド１２２の上部に開口を有するめっきレジスト１３５を形成した。さらに、めっきレジスト１３５非形成部に、以下の条件で電解銅めっきを施して電解銅めっき層１３７を設けた（図１１（Ｃ）参照）。
【０１６０】
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸        ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅      ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
１９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度    １Ａ／ｄｍ２
時間            ６５分
温度        ２２℃±２℃
【０１６１】
（６）さらに、めっきレジスト１３５を除去した後、めっきレジスト１３５下の薄膜層１３３をエッチングにより除去することにより、ＩＣチップのパッド１２２上に直径６０μｍのトランジション層１３８を形成した（図１２（Ａ）参照）。
なお、エッチング液としては、硫酸と過酸化水素との混合液を用いた。
【０１６２】
（７）次に、トランジション層１３８を形成したコア基板１３０にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層１３８の表面に粗化面（図示せず）を形成した。ここで、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１６３】
（８）次に、半導体素子１２０を内蔵したコア基板１３０上に、Ｂで作製した樹脂フィルムを、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより樹脂複合体フィルム層１５０′を形成した（図１２（Ｂ）参照）。即ち、樹脂フィルムを上記基板上に載置し、真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で張り付け、その後、１００℃で３０分、１５０度で１時間熱硬化させた。
【０１６４】
（９）次いで、樹脂複合体フィルム層１５０′上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂複合体フィルム層１５０′に、直径６０μｍのバイアホール用開口１４８を形成し、層間樹脂絶縁層１５０とした（図１２（Ｃ）参照）。
【０１６５】
（１０）さらに、層間樹脂絶縁層１５０を形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口１４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層１５０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１６６】
（１１）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗化面を形成した層間樹脂絶縁層１５０の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層１５０の表面およびバイアホール用開口１４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１６７】
（１２）続いて、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層１５０の表面全体（バイアホール用開口１４８の内壁面を含む）に厚さ０．６〜０．９μｍの銅からなる薄膜導体層１５２を形成した（図１３（Ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１６８】
（１３）次に、薄膜導体層１５２上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジスト１５４を形成した（図１３（Ｂ）参照）。
その後、薄膜導体層１５２をめっきリードとして上記（５）と同様の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解銅めっき層１５６を形成した（図１３（Ｃ）参照）。
【０１６９】
（１４）次に、めっきレジスト１５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下に存在していた薄膜導体層１５２をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層１５２と電解めっき層１５６からなる厚さ１５μｍの導体回路１５８およびバイアホール１６０を形成した（図１４（Ａ）参照）。
その後、導体回路１５８（バイアホール６０を含む）を形成した基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、導体回路１５８表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液としては、上記（７）の工程で、トランジション層の表面に粗化面を形成する際に使用したエッチング液と同様のものを用いた。
【０１７０】
（１５）次に、（８）〜（１４）の工程を２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成した（図１４（Ｂ）参照）。
【０１７１】
（１６）次に、実施例１の（１２）の工程と同様にしてソルダーレジスト組成物を得た。
さらに、最外層に導体回路１５８の形成されたコア基板１３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着載置し、さらに、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口１７１を有するソルダーレジスト層１７０を形成した（図１５（Ａ）参照）。
【０１７２】
（１７）次に、ソルダーレジスト層１７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部１７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層１７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層１７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッドを形成した。
【０１７３】
（１８）この後、ソルダーレジスト層１７０の開口部１７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ１７６を形成する。これにより、半導体素子１２０を内蔵し、半田バンプ１７６を有する多層プリント配線板を得た（図１５（Ｂ）参照）。
【０１７４】
（実施例４）
実施例３のＣの（２）の工程において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂４５重量％、酸無水物系硬化剤としてメチルテトラヒドロ無水フタル酸５重量％、および、粒子としてシリカ粒子４０重量％を溶剤（キシレン）中で均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００℃で２時間および１５０℃で５時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例３と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７５】
（比較例１）
実施例１のＣの（２）の工程において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂５３重量％、硬化剤としてポリアミン系硬化剤であるジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）４重量％、ならびに、粒子としてシリカ粒子２１．５重量％およびアルミナ粒子２１．５重量％を均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００℃で３０分の条件で硬化処理を行った以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７６】
（比較例２）
実施例１のＣの（２）の工程において、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂６０
重量％、硬化剤としてフェノールノボラック系硬化剤５重量％、および、粒子としてアルミナ粒子３５重量％を均一に混合した樹脂組成物を用い、（３）の工程で、１００℃で１時間および１８０℃で２時間の条件で硬化処理を行った以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７７】
このようにして製造した実施例１〜４および比較例１〜２の多層プリント配線板について、信頼性試験およびヒートサイクル試験を行い、これらの試験前後における充填樹脂層の形状、半導体素子の内蔵状態、および、短絡、断線等の発生の有無を評価した。
なお、これらの評価は、下記の評価方法を用いて行った。
【０１７８】
評価方法
（１）信頼性試験
得られた多層プリント配線板を相対湿度８５％、温度８５℃の雰囲気下、１０００時間放置する条件で行った。
【０１７９】
（２）ヒートサイクル試験
得られた多層プリント配線板を、−６５℃の雰囲気下に３分間維持した後、１３０℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを１０００回繰り返した。
【０１８０】
（３）充填樹脂層の形状、および、半導体素子の内蔵状態の評価
得られた多層プリント配線板を、半導体素子を通るようにカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察した。
（４）短絡、断線等の発生の有無の評価
得られたＩＣチップ内蔵多層プリント配線板の導通試験を行い、モニターに表示された結果から短絡、断線等の発生の有無を評価した。
【０１８１】
上記評価の結果、実施例１〜４の多層プリント配線板では、信頼性試験前後、および、ヒートサイクル試験前後において、充填樹脂層やその周囲の基板、層間樹脂絶縁層において、クラックは発生しておらず、充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生も観察されなかった。
また、上記多層プリント配線板では、ポップコーン現象も観察されず、半導体素子は基板内に完全に内蔵されており、また、導通試験において、短絡や断線の発生は観察されなかった。
【０１８２】
なお、実施例１および２の多層プリント配線板では、半田バンプの周囲で剥離やクラックの発生は観察されず、実施例３および４の多層プリント配線板では、半田バンプの周囲で小さなクラックの発生が観察されたものの、製品の性能に影響をおよぼすほどのものではなかった。
【０１８３】
一方、比較例１および２の多層プリント配線板では、信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験後において、充填樹脂層の一部にクラックが発生しており、また、充填樹脂層と基板や層間樹脂絶縁層との間での剥離が発生している部分があった。
さらに、上記多層プリント配線板では、信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験後にポップコーン現象や、短絡や断線に起因する導通不良が発生しているものがあった。
【０１８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層プリント配線板では、充填樹脂層が、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いて形成されており、該樹脂組成物では、硬化処理時に副生成物として水を生じることがほとんどなく、そのため、高温多湿下やヒートサイクル条件下においても、充填樹脂層の中の水分の存在に起因する不都合が発生せず、信頼性に優れる。
また、上記多層プリント配線板では、半導体素子が内蔵されており、半導体素子と多層プリント配線板との接続にリード部品や封止樹脂は用いられていないため、信頼性に優れる。
【０１８５】
また、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、充填樹脂層の形成に、硬化剤として酸無水物系硬化剤を含む樹脂組成物を用いており、該樹脂組成物を用いた充填樹脂層の形成では、硬化処理時に副生成物として水をほとんど生じないため、高温多湿下やヒートサイクル条件下においても不都合の発生しない信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することができる。
また、本発明の製造方法では、製造時に半導体素子を実装するため、経済的に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、トランジション層が形成された半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、トランジション層が形成された半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は、トランジション層が形成された半導体素子を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
２０、１２０  半導体素子
２４、１２４  パッド
３０、１３０  基板
３４、１３４  充填樹脂層
３８、１３８  トランジション層
５０、１５０  層間樹脂絶縁層
５８、１５８  導体回路
６０、１６０  バイアホール
７０、１７０  ソルダーレジスト層
７６、１７６  半田バンプ
【図１】
0004321978.tif 000002
【図２】
0004321978.tif 000003
【図３】
0004321978.tif 000004
【図４】
0004321978.tif 000005
【図５】
0004321978.tif 000006
【図６】
0004321978.tif 000007
【図７】
0004321978.tif 000008
【図８】
0004321978.tif 000009
【図９】
0004321978.tif 000010
【図１０】
0004321978.tif 000011
【図１１】
0004321978.tif 000012
【図１２】
0004321978.tif 000013
【図１３】
0004321978.tif 000014
【図１４】
0004321978.tif 000015
【図１５】
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