(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（１）：
【化１】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２          （１）
（式中、Ｒ１はアルキレン基を表し、Ｒ２は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ１は水酸基の保護基を表す）
で示されるオレフィン性化合物を、第３級有機リン化合物およびロジウム化合物の存在下に、水素および一酸化炭素と反応させることにより、下記式（２）：
【化２】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ＝Ｏ        （２）
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＸ１は前記定義のとおりである）
で示されるアルデヒド化合物を得、
（Ｂ）該アルデヒド化合物を、水素添加触媒の存在下に、下記式（３）：
【化３】
Ｈ−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４            （３）
（式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表すか、またはＲ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基を表す）
で示される含窒素化合物および水素と反応させることにより、下記式（４）：
【化４】
Ｘ２−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４  （４）
（式中、Ｘ２は水素原子または水酸基の保護基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得、
（Ｃ）次いで、必要に応じ、上記（Ｂ）で得られた反応生成物に対して脱保護反応を行う、
ことを特徴とする、下記式（５）：
【化５】
ＨＯ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４    （５）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法。
【請求項２】
式（１）および（２）におけるＸ１がそれぞれアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ３がそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ４がそれぞれ水素原子であり、式（４）におけるＸ２が水酸基の保護基を表す場合には該Ｘ２はアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、工程（Ｂ）における式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素の反応により、式（４）で示されるアミン化合物を含む反応混合物を得、次いで、工程（Ｃ）で該反応混合物に対して加溶媒分解反応を行う、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
（Ａ）下記式（１）：
【化６】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２          （１）
（式中、Ｒ１はアルキレン基を表し、Ｒ２は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ１は水酸基の保護基を表す）
で示されるオレフィン性化合物を、第３級有機リン化合物およびロジウム化合物の存在下に、水素および一酸化炭素と反応させることにより、下記式（２）：
【化７】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ＝Ｏ        （２）
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＸ１は前記定義のとおりである）
で示されるアルデヒド化合物を得、
（Ｂ’−１）該アルデヒド化合物を下記式（３）：
【化８】
Ｈ−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４            （３）
（式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表すか、またはＲ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基を表す）
で示される含窒素化合物と反応させ、
（Ｂ’−２）上記（Ｂ’−１）で得られた反応生成物を水素添加触媒の存在下に水素と反応させることにより、下記式（４）：
【化９】
Ｘ２−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４  （４）
（式中、Ｘ２は水素原子または水酸基の保護基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得、
（Ｃ）次いで、必要に応じ、上記（Ｂ’−２）で得られた反応生成物に対して脱保護反応を行う、
ことを特徴とする、下記式（５）：
【化１０】
ＨＯ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４    （５）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法。
【請求項４】
式（１）および（２）におけるＸ１がそれぞれアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ３がそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ４がそれぞれ水素原子であり、式（４）におけるＸ２が水酸基の保護基を表す場合には該Ｘ２はアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、工程（Ｂ’−２）における工程（Ｂ’−１）で得られた反応生成物と水素との反応により、式（４）で示されるアミン化合物を含む反応混合物を得、次いで、工程（Ｃ）で該反応混合物に対して加溶媒分解反応を行う、請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
（Ｂ）下記式（２）：
【化１１】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ＝Ｏ        （２）
（式中、Ｒ１はアルキレン基を表し、Ｒ２は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ１は水酸基の保護基を表す）
で示されるアルデヒド化合物を、水素添加触媒の存在下に、下記式（３）：
【化１２】
Ｈ−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４            （３）
（式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表すか、またはＲ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基を表す）
で示される含窒素化合物および水素と反応させることにより、下記式（４）：
【化１３】
Ｘ２−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４  （４）
（式中、Ｘ２は水素原子または水酸基の保護基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得、
（Ｃ）次いで、必要に応じ、該反応生成物に対して脱保護反応を行う、
ことを特徴とする、下記式（５）：
【化１４】
ＨＯ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４    （５）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法。
【請求項６】
式（２）におけるＸ１がアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ３がそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、式（３）、（４）および（５）におけるＲ４がそれぞれ水素原子であり、式（４）におけるＸ２が水酸基の保護基を表す場合には該Ｘ２はアシル基またはアルコキシカルボニル基であり、工程（Ｂ）における式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素の反応により、式（４）で示されるアミン化合物を含む反応混合物を得、次いで、工程（Ｃ）で該反応混合物に対して加溶媒分解反応を行う、請求項５記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、入手または製造が容易な化合物を出発原料として使用して、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノール、５−ジメチルアミノ−３−メチル−１−ペンタノール等の、水酸基と窒素原子との間に炭素原子数が４以上の比較的長い炭素主鎖が介在するヒドロキシアルキルアミン化合物を、好収率で製造することが可能な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
水酸基と窒素原子との間に炭素原子数が４以上の比較的長い炭素主鎖が介在している１級もしくは２級アミンに属するヒドロキシアルキルアミン化合物は、工業的規模では製造されていない。ただし、該ヒドロキシアルキルアミン化合物の製造法に関して、実験室的な方法は報告されており、例えば、J.Am.Chem.Soc.,81,4946(1959)には、２−メチル−４−アミノブチル酸をテトラヒドロフラン溶媒中でリチウムアルミニウムヒドリドと還流条件下に６時間反応させることにより、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノールを得たことが記載されている。
また、水酸基と窒素原子との間に炭素原子数が４以上の比較的長い炭素主鎖が介在している３級アミンに属するヒドロキシアルキルアミン化合物は、４−ジメチルアミノ−１−ブタノール、６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノールなどが工業的に製造されている。例えば６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノールは、例えば西ドイツ特許出願公開第2824908号明細書に示されるように、１，６−ヘキサンジオールを、銅−クロム触媒の存在下に、例えば２１０℃程度の加熱条件下でジメチルアミンと反応させることにより得られることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなヒドロキシアルキルアミン化合物の公知の製造方法は、工業的規模での適用には不向きである。例えば、上記文献に示されている４−アミノ−２−メチル−１−ブタノールの製造方法では、取り扱いが煩雑であり、かつ高価であるリチウムアルミニウムヒドリドを用いなければならず、工業的に有利な製造方法にはなり難い。すなわち、ヒドロキシアルキルアミン化合物を工業的に有利に製造するためには、反応収率が良好であることはもちろんのこと、反応原料、反応後の処理、反応設備などの点においても工業的実施に支障を生じないことも要求される。
また、上記の６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノールの製造方法によれば、例えば２１０℃のように高温の反応条件が必要であり、しかも１，６−ビス（ジメチルアミノ）ヘキサンの副生を避けることができない。そのため、上記の６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノールの製造方法は、工業的に有利な効率のよい方法であるとは言い難い。
【０００４】
以上のように、水酸基と窒素原子との間に比較的長い炭素主鎖が介在しているヒドロキシアルキルアミン化合物を工業的に有利に製造し得る方法は確立されていない。
しかして、本発明の課題は、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノール等の、水酸基と窒素原子との間に炭素原子数が４以上の比較的長い炭素主鎖が介在するヒドロキシアルキルアミン化合物を、工業的に有利に、かつ好収率で製造することが可能な方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、下記の製造方法（Ｉ）および（II）をそれぞれ提供することによって解決される。
【０００６】
〔製造方法（Ｉ）〕
【０００７】
（Ａ）下記式（１）：
【０００８】
【化１５】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ２          （１）
【０００９】
（式中、Ｒ１はアルキレン基を表し、Ｒ２は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ１は水酸基の保護基を表す）
【００１０】
で示されるオレフィン性化合物を、第３級有機リン化合物およびロジウム化合物の存在下に、水素および一酸化炭素と反応させることにより、下記式（２）：
【００１１】
【化１６】
Ｘ１−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ＝Ｏ        （２）
【００１２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＸ１は前記定義のとおりである）
【００１３】
で示されるアルデヒド化合物を得、
【００１４】
（Ｂ）該アルデヒド化合物を、水素添加触媒の存在下に、下記式（３）：
【００１５】
【化１７】
Ｈ−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４            （３）
【００１６】
（式中、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表すか、またはＲ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基を表す）
【００１７】
で示される含窒素化合物および水素と反応させることにより、下記式（４）：
【００１８】
【化１８】
Ｘ２−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４  （４）
【００１９】
（式中、Ｘ２は水素原子または水酸基の保護基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
【００２０】
で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得、
【００２１】
（Ｃ）次いで、必要に応じ、上記（Ｂ）で得られた反応生成物に対して脱保護反応を行う、
【００２２】
ことを特徴とする、下記式（５）：
【００２３】
【化１９】
ＨＯ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４    （５）
【００２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は前記定義のとおりである）
【００２５】
で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法。
【００２６】
〔製造方法（II）〕
【００２７】
（Ａ）上記式（１）で示されるオレフィン性化合物を、第３級有機リン化合物およびロジウム化合物の存在下に、水素および一酸化炭素と反応させることにより、上記式（２）で示されるアルデヒド化合物を得、
【００２８】
（Ｂ’−１）該アルデヒド化合物を上記式（３）で示される含窒素化合物と反応させ、
【００２９】
（Ｂ’−２）上記（Ｂ’−１）で得られた反応生成物を水素添加触媒の存在下に水素と反応させることにより、上記式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得、
【００３０】
（Ｃ）次いで、必要に応じ、上記（Ｂ’−２）で得られた反応生成物に対して脱保護反応を行う、
【００３１】
ことを特徴とする、上記式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明に包含される上記製造方法（Ｉ）および上記製造方法（II）は、いずれも、上記式（１）で示されるオレフィン性化合物を出発物質とする上記式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物の製造方法である点において共通し、さらには、上記式（１）で示されるオレフィン性化合物から上記式（２）で示されるアルデヒド化合物を得る工程（上記工程（Ａ））、該アルデヒド化合物から上記式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得る工程（上記工程（Ｂ）の単独工程または上記工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）の一連の工程）、および、必要に応じて該反応生成物に対して脱保護反応を行う工程（上記工程（Ｃ））からなる点において共通する。
【００３３】
以下に、本発明の製造方法について、各工程ごとに説明する。
【００３４】
本発明の製造方法を構成する工程（Ａ）に従う反応、すなわち、第３級有機リン化合物およびロジウム化合物の存在下での上記式（１）で示されるオレフィン性化合物と水素および一酸化炭素との反応は、ヒドロホルミル化反応として知られている反応を利用するものである。工程（Ａ）によって、該オレフィン性化合物から上記式（２）で示されるアルデヒド化合物を、工業的規模で容易に製造することができる。
【００３５】
原料化合物であるオレフィン性化合物を表す上記式（１）において、Ｒ１はアルキレン基を表し、Ｒ２は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ１は水酸基の保護基を表す。ここで、Ｒ１が表すアルキレン基としては、必ずしも限られるものではないが、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、エチリデン基、メチルエチリデン基等の炭素数１〜１０のアルキレン基が好ましい。また、Ｘ１が表す水酸基の保護基は、上記工程（Ａ）の操作ならびに上記工程（Ｂ）の操作または上記工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）の一連の操作において所定の生成物を得るうえで支障を来さないものであれば特に限定されない。なお、所定の反応に悪影響がない限り、上記工程（Ｂ）の操作中または上記工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）の一連の操作中に、少なくとも部分的に脱保護反応が生じても差し支えない。必ずしも限られるものではないが、Ｘ１が表す水酸基の保護基の好ましい例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等のアルキル基、アリール基等で置換された三置換シリル基；アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピラニル基、４−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、４−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等のアルコキシメチル型の保護基；ｔ−ブチル基；ベンジル基などが挙げられる。なお、上記例示の保護基は、本来の機能を妨げない限りにおいて、さらにハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基等で置換されていてもよい。
【００３６】
上記式（１）で示されるオレフィン性化合物の代表的な形態としては、２−メチル−２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物（式（１）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）、２−メチル−１−ブテン−４−オールの水酸基が保護された化合物（式（１）においてＲ１がエチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）、２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物（式（１）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）、７−オクテン−１−オールの水酸基が保護された化合物（式（１）においてＲ１がヘキサメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）、２−メチル−３−ブテン−２−オール（式（１）においてＲ１がメチルエチリデン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）などが挙げられる。
【００３７】
上記の２−メチル−２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物の代表例としては、１−アセトキシ−２−メチル−２−プロペンなどが挙げられる。上記の２−メチル−１−ブテン−４−オールの水酸基が保護された化合物の代表例としては、１−アセトキシ−３−メチル−３−ブテンなどが挙げられる。上記の２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物の代表例としては、１−アセトキシ−２−プロペンなどが挙げられる。上記の７−オクテン−１−オールの水酸基が保護された化合物の代表例としては、１−アセトキシ−７−オクテン、上記の２−メチル−３−ブテン−２−オールの水酸基が保護された化合物の代表例としては、２−アセトキシ−２−メチル−３−ブテンなどが挙げられる。
【００３８】
上記のオレフィン性化合物は、公知の方法に従って、工業的規模で容易かつ安価に製造することができる。例えば、保護された水酸基の代わりに保護されていない水酸基を有する点以外は同じ化学構造を有する化合物（不飽和アルコール）に対し、周知の方法に従って水酸基の保護を行うことにより、上記のオレフィン性化合物を得ることができる。さらに特定的には、例えば、２−メチル−２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物は、特開昭６１−３３号公報などに開示された方法に従って２−メチル−２−プロペン−１−オールを製造し、次いで、該２−メチル−２−プロペン−１−オールに対し、周知の方法に従って水酸基の保護を行うことにより製造することができる。また、２−メチル−１−ブテン−４−オールの水酸基が保護された化合物は、特開平７−３０９７９４号公報などに開示された方法に従って２−メチル−１−ブテン−４−オールを製造し、次いで、該２−メチル−１−ブテン−４−オールに対し、周知の方法に従って水酸基の保護を行うことによって製造することができる。
【００３９】
工程（Ａ）における反応で用いるロジウム化合物は、それ自体でヒドロホルミル化触媒能を有するロジウム化合物、または、ヒドロホルミル化反応条件下でヒドロホルミル化触媒能を発現するように変化するロジウム化合物であれば、いずれも使用できる。本発明で使用可能なロジウム化合物の具体例としては、ＨＲｈ（ＣＯ）（ＰＰｈ3）3（式中、Ｐｈはフェニル基を表す；以下同じ）、ＨＲｈ（ＣＯ）〔Ｐ（ＯＰｈ）3〕3、Ｒｈ4（ＣＯ）12、Ｒｈ6（ＣＯ）16、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）2（式中、ａｃａｃはアセチルアセトナートを表す）、酸化ロジウム、塩化ロジウム、ロジウムアセチルアセトナート、酢酸ロジウムなどが挙げられる。これらのロジウム化合物は単独で用いてもよく、また２種類以上を併用してもよい。
ロジウム化合物は、式（２）で示されるアルデヒド化合物が効率的に得られるようにするために、ヒドロホルミル化反応での反応混合液１リットルあたりにおけるロジウム原子換算での濃度が０．００１〜５ミリグラム原子の範囲内となるような割合で用いることが好ましく、０．００２〜２ミリグラム原子の範囲内となるような割合で用いることがより好ましい。
【００４０】
また、工程（Ａ）において用いられる第３級有機リン化合物は、通常のヒドロホルミル化反応において使用されるような単座配位性の第３級有機リン化合物であれば特に限定されない。第３級有機リン化合物の具体例としては、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、トリス（ｐ−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィノベンゼン−ｍ−スルホン酸リチウム、ジフェニルホスフィノベンゼン−ｍ−スルホン酸ナトリウム、ジフェニルホスフィノベンゼン−ｍ−スルホン酸カリウム、Ｐｈ−Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｌｉ）2（式中、Ｐｈはフェニル基を表し、−Ｃ6Ｈ4−ｍ−はｍ−フェニレン基を表す；以下同じ）、Ｐｈ−Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｎａ）2、Ｐｈ−Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｋ）2、Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｌｉ）3、Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｎａ）3、Ｐ（−Ｃ6Ｈ4−ｍ−ＳＯ3Ｋ）3、トリベンジルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｎ−ブチルジフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン等のホスフィン類；トリフェニルホスファイト、トリス（２−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−エチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−イソプロピルフェニル）ホスファイト、トリス（２−フェニルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジメチルフェニル）ホスファイト、トリベンジルホスファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリ−ｔ−ブチルホスファイト、トリ−ｎ−ブチルホスファイト、トリ−ｎ−オクチルホスファイト等のホスファイト類などが挙げられる。これらの中でも、トリス（２−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−イソプロピルフェニル）ホスファイト、トリス（２−フェニルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどが好ましい。第３級有機リン化合物は、１種類のみを使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。
第３級有機リン化合物の使用量は、工程（Ａ）での反応における反応混合液１リットルあたり、通常１〜３００ミリモルの範囲内、好ましくは１〜５０ミリモルの範囲内の濃度となる量である。また、第３級有機リン化合物は、反応混合液中に存在するロジウム化合物中のロジウム原子１モルに対して３モル以上となる割合で使用することが好ましい。
【００４１】
また、本発明における工程（Ａ）に従うヒドロホルミル化反応においては、必要に応じて、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等のジホスフィノアルカン類などの２座配位性有機リン化合物を、ロジウム化合物中のロジウム原子１モルに対して０．１〜３モルの範囲内となる割合で反応系中に存在させてもよい。
【００４２】
本発明における工程（Ａ）に従うヒドロホルミル化反応は、反応に不活性な溶媒の存在下で実施してもよいし、溶媒の不存在下に実施してもよい。
使用可能な溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール等のアルコール類；ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、フタル酸ジオクチル等のエステル類；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；アセトニトリルなどを挙げることができる。溶媒は１種類のものを使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
溶媒を使用する場合、その使用量は、反応の容積効率、溶媒のコストなどの観点から、反応混合液中、通常９０容積％以下、好ましくは５０容積％以下、より好ましくは１０容積％以下である。
【００４３】
本発明における工程（Ａ）に従うヒドロホルミル化反応においては、一酸化炭素と水素を使用する。一酸化炭素と水素は、通常、両者の混合ガスの形態で使用される。混合ガスを使用する場合、反応系に導入する混合ガスにおける水素／一酸化炭素のモル比は、通常１／５〜５／１の範囲内であり、好ましくは１／２〜２／１の範囲内である。
なお、ヒドロホルミル化反応における反応系の気相中には、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等のヒドロホルミル化反応に対して不活性なガスが少量存在していても差し支えない。
【００４４】
また、ヒドロホルミル化反応における反応系の圧力は、通常、常圧以上であり、好ましくは、ゲージ圧において０．１ＭＰａ（１気圧）〜９．８ＭＰａ（１００気圧）の範囲内である。
【００４５】
本発明における工程（Ａ）に従うヒドロホルミル化反応は、通常４０〜１５０℃の範囲内、好ましくは５０〜１３０℃の範囲内の温度で行われる。
ヒドロホルミル化反応における所要時間は、必ずしも限られるものではなく、使用したオレフィン性化合物の転化率、目的とする式（２）で示されるアルデヒド化合物への選択率等の反応成績に基づいて適宜、実験的に好適な時間を設定することができるが、反応時間（連続式反応操作の場合には滞留時間）は通常０．５〜２０時間の範囲内から選択することができる。
【００４６】
ヒドロホルミル化反応は、例えば、攪拌型反応槽、気泡塔型反応槽等の公知の反応槽中、回分方式、連続方式等の方式で実施することができる。
【００４７】
工程（Ａ）におけるヒドロホルミル化反応によって、上記式（２）で示されるアルデヒド化合物が生成する。例えば、原料である式（１）で示されるオレフィン性化合物として２−メチル−２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物を使用した場合にはアルデヒド化合物として４−ヒドロキシ−３−メチルブタナールの水酸基が保護された化合物（式（２）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し、２−メチル−１−ブテン−４−オールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には５−ヒドロキシ−３−メチルペンタナール（式（２）においてＲ１がエチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し、２−プロペン−１−オールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には４−ヒドロキシブタナールの水酸基が保護された化合物（式（２）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し、７−オクテン−１−オールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には９−ヒドロキシノナナールの水酸基が保護された化合物（式（２）においてＲ１がヘキサメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し、２−メチル−３−ブテン−２−オールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には４−ヒドロキシ−４−メチルペンタナールの水酸基が保護された化合物（式（１）においてＲ１がメチルエチリデン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成する。
【００４８】
ヒドロホルミル化反応終了後、必要に応じて、得られた反応混合液に対して蒸留、抽出、カラムクロマトグラフィー、晶析などの公知の分離手法を適用することによって、目的とする式（２）で示されるアルデヒド化合物を高純度で分離取得することができる。ただし、本発明における工程（Ｂ）または工程（Ｂ’−１）に係る反応では、高純度のアルデヒド化合物を使用することは必ずしも必要ではなく、上記のヒドロホルミル化反応で得られた反応混合液をそのまま用いることもできるし、例えば該反応混合液からロジウム化合物、第３級有機リン化合物などを除去して得られた粗アルデヒド化合物またはその溶液を用いることもできる。
【００４９】
次に、本発明に従う工程（Ｂ）、すなわち上記式（１）で示されるアルデヒド化合物を水素添加触媒の存在下に上記式（３）で示される含窒素化合物および水素と反応させることにより上記式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得る工程について説明する。
【００５０】
工程（Ｂ）で使用する含窒素化合物を表す上記式（３）において、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表すか、またはＲ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基を表す。
【００５１】
Ｒ３およびＲ４がそれぞれ表すことのある置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基としては、必ずしも限られるものではないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などの置換基を有しないアルキル基；シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、シクロオクチル基などの置換基を有しないシクロアルキル基；上記例示のアルキル基またはシクロアルキル基の少なくとも一部の水素原子がアルコキシル基、アセタール型に保護されたホルミル基、水酸基等で置換された形の化学構造を有する、置換基を有するアルキル基（例：２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基など）または置換基を有するシクロアルキル基などが挙げられる。また、Ｒ３およびＲ４がそれぞれ表すことのある置換基を有してもよい１価の芳香族基としては、必ずしも限られるものではないが、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの置換基を有しないアリール基；ベンジル基などの置換基を有しないアラルキル基；上記例示のアリール基またはアラルキル基の少なくとも一部の水素原子がアルコキシル基、アセタール型に保護されたホルミル基、水酸基等で置換された形の化学構造を有する、置換基を有するアリール基または置換基を有するアラルキル基などが挙げられる。なお、該芳香族基に含有される炭素数は６〜１４の範囲内であることが好ましい。
【００５２】
また、上記式（３）においてＲ３とＲ４が互いに結合した形で表されることのある置換基を有してもよい２価の飽和脂肪族基としては、例えば、エチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、メチルペンタメチレン基、１，５−ヘキサンジイル基等の置換基を有しないアルキレン基；３−オキサペンタメチレン基（−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２−）、３−アザ−３−メチルペンタメチレン基（−ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２−）等の置換基を有しないヘテロ原子含有アルキレン基；該アルキレン基または該ヘテロ原子含有アルキレン基の少なくとも一部の水素原子がアルコキシル基、アセタール型に保護されたホルミル基、水酸基、ピリミジニル基等で置換された形の化学構造を有する、置換基を有するアルキレン基または置換基を有するヘテロ原子含有アルキレン基などが挙げられる。なお、置換基を有してもよい２価の飽和脂肪族基における二つの結合手間に介在する主鎖中の原子（主鎖上の原子、側鎖中の原子等は除く）の数は２〜１１の範囲内であることが好ましい。
【００５３】
上記式（３）で示される含窒素化合物には、アンモニア（式（３）においてＲ３およびＲ４がそれぞれ水素原子である場合）、第１級アミン（式（３）においてＲ３が置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ｒ４が水素原子である場合）および第２級アミン（式（３）においてＲ３およびＲ４がそれぞれ置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基もしくは置換基を有していてもよい１価の芳香族基であるか、または、Ｒ３およびＲ４が互いに結合して置換基を有していてもよい２価の飽和脂肪族基である場合）が包含される。
【００５４】
上記の含窒素化合物に包含される第１級アミンの具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、プロピルアミン、イソブチルアミン、ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、オクチルアミン、（２−エチルヘキシル）アミン、シクロヘキシルアミン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モルホリン、アニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、ｐ−フェネチジン、メシチジン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ，Ｎ，−ジエチルアニリン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、α−ナフチルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、エタノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、３−メトキシプロピルアミンなどが挙げられる。また、上記の含窒素化合物に包含される第２級アミンの具体例としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジプロピルアミン、ジイソブチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジシクロヘキシルアミン、Ｎ−メチルシクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−メチル−ｏ−トルイジン、Ｎ−メチル−ｍ−トルイジン、Ｎ−メチル−ｐ−トルイジン、Ｎ−メチル−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−α−ナフチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジベンジルアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノールアミン等の非環状アミン；アジリジン、ピロリジン、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピペコリン、４−ピペコリン、モルホリン、Ｎ−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、２−（１−ピペラジニル）ピリミジン等の環状アミンなどが挙げられる。
【００５５】
含窒素化合物としてアンモニアを使用する場合、アンモニアの使用形態は限定されるものではなく、液体アンモニア、アンモニア水等の形態で使用することができる。また、第１級アミンまたは第２級アミンを使用する場合においてもその使用形態は限定されるものではなく、塩の形態で使用することも可能である。使用可能な塩としては、例えば、アミンと塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、プロピオン酸等のプロトン酸とから形成される塩などが挙げられる。該塩の代表例としては、塩化ジメチルアンモニウム、塩化メチルアンモニウム、硫酸ジ（メチルアンモニウム）、硝酸ジ（メチルアンモニウム）、酢酸メチルアンモニウム、プロピオン酸メチルアンモニウムなどが挙げられる。
【００５６】
含窒素化合物の使用割合は必ずしも限定されないが、目的とする生成物の収率および反応器の容積効率の観点から、含窒素化合物は、反応に使用する式（２）で示されるアルデヒド化合物に対して、通常０．９〜５０倍モルの範囲内、好ましくは１〜２０倍モルの範囲内、より好ましくは１〜１０倍モルの範囲内で使用される。
【００５７】
含窒素化合物を反応系に仕込む際、含窒素化合物またはその塩をそのまま仕込んでもよく、溶媒で希釈した状態で仕込んでも構わない。溶媒の具体例としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられ、これらの溶媒を単独でまたは２種類以上混合して用いることができる。
【００５８】
工程（Ｂ）における反応は、上記式（２）で示されるアルデヒド化合物、上記式（３）で示される含窒素化合物および水素を、水素添加触媒の存在下に反応させるものである。水素添加触媒としては、一般に接触水素添加反応に用いられるような触媒を使用することができ、例えば、パラジウム、ロジウム、ニッケル、白金等の金属を活性成分とする触媒を挙げることができる。これらの水素添加触媒の形態としては、活性成分となる金属そのもの；その金属酸化物；その金属と他の金属との合金；活性成分となる金属（酸化物、合金でもよい）を活性炭、アルミナ、シリカゲル、ケイソウ土などの担体上に担持させてなる担体付き触媒等のいずれであってもよい。水素添加触媒の使用量は、必ずしも限られるものではないが、通常は式（２）で示されるアルデヒド化合物１重量部に対して０．０００１〜０．２重量部の範囲内であり、反応速度および目的とする式（４）で示されるアミン化合物の製造コストの観点からは、反応に使用する式（２）で示されるアルデヒド化合物１重量部に対して０．００５〜０．１重量部の範囲内であることが好ましい。
【００５９】
工程（Ｂ）における反応については、溶媒の使用は必ずしも必要ではないが、所定の反応に悪影響を及ぼさない限り溶媒を使用しても差し支えない。使用可能な溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げられ、１種の溶媒を単独でまたは２種以上の溶媒を混合して使用することができる。溶媒を使用する場合、その使用量は、通常、反応に使用する式（２）で示されるアルデヒド化合物１重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲内である。
【００６０】
水素を、式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素添加触媒を含有する混合物と接触させる形態としては、例えば、該混合物を存在させた反応系の雰囲気中に水素ガスを存在させることからなる形態、該混合物中に水素ガスを導入（バブリング）することからなる形態などが挙げられる。反応系中における水素の分圧は、必ずしも限られるものではないが、通常は、ゲージ圧において０．０５ＭＰａ〜１４．７ＭＰａ（０．５気圧〜１５０気圧）の範囲内である。なお、所定の反応に悪影響を及ぼさない限りにおいて、反応系の気相部に水素以外の気体（例えば、窒素、アルゴン等）が含有されていてもよい。
【００６１】
工程（Ｂ）における反応では、反応温度は必ずしも限定されるものではないが、通常２０〜１８０℃の範囲内の温度が採用され、反応速度の高さおよび目的とする式（４）で示されるアミン化合物への選択率の高さの観点からは、４０〜１４０℃の範囲内の温度を採用するのが好ましい。
工程（Ｂ）における反応の所要時間は必ずしも限定されるものではなく、例えば、ガスクロマトグラフィー等の定量分析手段で求められた式（２）で示されるアルデヒド化合物の転化率などに基づき、反応時間（連続式反応操作の場合には滞留時間）を適宜設定することができる。ただし、通常は、０．５〜２０時間の範囲内である。
【００６２】
工程（Ｂ）における反応の操作は、所望に応じて各種の方法を採用することができる。該反応は特殊な装置（例えば高温高圧釜）を使用しなくても行うことができ、例えば、汎用的な装置を使用して、式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素添加触媒を、水素ガス雰囲気下、かつ所定の温度および所定の水素圧力の条件下で、攪拌等の手段により混合することによって、回分式、半回分式または連続式で反応を行うことができる。反応に際して、各成分の混合順序や混合速度についての制限は特になく、反応に供する液体または固体の成分のすべて（即ち、式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素添加触媒）を一度に混合したうえで反応を開始させてもよく、あるいはアルデヒド化合物および含窒素化合物のうち一方の成分と水素添加触媒を反応器に仕込み、かつ他の成分を反応器内に添加しながら反応させてもよい。後者の場合、反応中に一方の成分を添加する形態としては、連続的添加、複数回に分けての断続的添加等の種々の形態を採用することができる。
【００６３】
工程（Ｂ）における反応では、反応中のほとんどの期間にわたって、反応系中に存在する式（３）で示される含窒素化合物が、反応系中に存在する式（２）で示されるアルデヒド化合物に対して大過剰となる状態を維持する場合には、式（２）で示されるアルデヒド化合物同士の縮合などによる副反応を抑制でき、目的とする式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物の収率および選択率を高めることができる。その観点においては、式（３）で示される含窒素化合物と水素添加触媒との混合物中に式（２）で示されるアルデヒド化合物を添加しながら反応を行うことからなる半回分式での反応操作、式（２）で示されるアルデヒド化合物、式（３）で示される含窒素化合物および水素添加触媒を反応系に連続的に供給するとともに、反応混合物の一部を反応系から連続的に抜き取りながら反応を行うことからなる連続式での反応操作などが好ましい。
【００６４】
工程（Ｂ）における反応では、式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物が得られる。該反応では、使用した式（２）で示されるアルデヒド化合物が有する保護基の種類、使用した式（３）で示される含窒素化合物の種類および採用した反応条件に応じては、少なくとも部分的に脱保護反応を伴うことがあり、また、脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物とその窒素原子部分で結合した形態の化合物が形成される場合もある。上記の「式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物」はこのような反応生成物の１種または２種以上を包含する総称である。したがって、得られた反応生成物の少なくとも一部が式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物に相当することがある。工程（Ｂ）での反応中において、該脱保護反応が実質的に完全に生起し、かつ脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物と結合した形態の化合物の実質的な生成を伴わない場合、得られる反応生成物の実質的に全量が本発明の製造方法における最終目的物である式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物に相当することになるので、その後に独立の脱保護反応工程（工程（Ｃ））を設けることは不要である。
【００６５】
工程（Ｂ）での反応が少なくとも部分的な脱保護反応を伴う可能性のある場合としては、例えば、アルデヒド化合物を表す式（２）中においてＸ１で表される保護基がアセチル基、プロピオニル基などのアシル基またはアルコキシカルボニル基や、ベンジル基である場合などが挙げられる。さらに、脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物と結合した形態の化合物の生成を伴う可能性のある場合としては、例えば、使用したアルデヒド化合物を表す式（２）中におけるＸ１で表される保護基がアセチル基、プロピオニル基などのアシル基またはアルコキシカルボニル基であって、かつ、使用した含窒素化合物を表す式（３）中におけるＲ３が水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ｒ４が水素原子である場合が挙げられる。
【００６６】
工程（Ｂ）における反応によって生成し得る上記式（４）で示されるアミン化合物の代表例としては、以下のものが挙げられる。例えば、工程（Ｂ）において式（２）で示されるアルデヒド化合物として４−ヒドロキシ−３−メチルブタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には式（４）で示されるアミン化合物としてＮ−（４−ヒドロキシ−３−メチルブチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し得、５−ヒドロキシ−３−メチルペンタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合にはＮ−（５−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がエチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し得、４−ヒドロキシブタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合にはＮ−（４−ヒドロキシブチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得、９−ヒドロキシノナナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合にはＮ−（９−ヒドロキシノニル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がヘキサメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得、４−ヒドロキシ−４−メチルペンタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合にはＮ−（４−ヒドロキシ−４−メチルペンチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチルエチリデン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得る。
【００６７】
工程（Ｂ）における反応によって生成し得る上記式（４）で示されるアミン化合物の等価物の代表例としては、以下のものが挙げられる。例えば、工程（Ｂ）において式（２）で示されるアルデヒド化合物および式（３）で示される含窒素化合物としてそれぞれ４−アセトキシ−３−メチルブタナール（式（２）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基であり、Ｘ１がアセチル基である化合物）およびアンモニア（式（３）においてＲ３およびＲ４がいずれも水素原子である化合物）を使用した場合には、式（４）で示されるアミン化合物の等価物として、４−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−メチル−１−ブタノールが生成することがある。
【００６８】
工程（Ｂ）における反応終了後、得られた反応混合物に対し、必要に応じて濾過、遠心分離などの方法で水素添加触媒除去操作を施した後、蒸留、抽出、カラムクロマトグラフィー、晶析などの公知の分離手法を適用することによって、目的とする式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を高純度で分離取得することができる。ただし、次に独立の脱保護反応工程（工程（Ｃ））を設ける場合、該脱保護反応工程に係る反応に供するアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物は高純度であることは必ずしも必要でなく、工程（Ｂ）で得られた反応混合物をそのまま工程（Ｃ）に供することもできるし、該反応混合物から例えば単蒸発操作などにより微量に混入する触媒残渣、無機化合物等を分離除去して得られた粗精製物またはその溶液を用いることもできる。
特に、式（２）中においてＸ１がアシル基またはアルコキシカルボニル基であるアルデヒド化合物、および式（３）中においてＲ３が水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ｒ４が水素原子である含窒素化合物を使用して工程（Ｂ）における反応を行った場合、式（４）で示されるアミン化合物（ただし、Ｘ２が水酸基の保護基である場合、該Ｘ２は上記アシル基またはアルコキシカルボニル基である）およびその等価物（例えば、Ｎ−アシル化物、Ｎ−アルコキシカルボニル化物など）を含む複数種の反応生成物からなる反応混合物が得られることが多いため、このような場合には、得られた式（４）で示されるアミン化合物を含む反応混合物（工程（Ｂ）に従う反応で得られた反応混合物そのもの、または、それを上記の簡単な分離操作に付して得られた粗精製物）を、次の工程（Ｃ）で加溶媒分解反応に供することによって、脱保護反応と等価物における脱Ｎ−アシル反応（または脱Ｎ−アルコキシカルボニル反応）の両方が生起し、所望の式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物を簡便に取得することができる。
【００６９】
本発明に包含される製造方法（Ｉ）では、式（２）で示されるアルデヒド化合物を用いて式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得るために上記のとおりの工程（Ｂ）を経るが、製造方法（II）では該工程（Ｂ）の代わりに上記の工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）を順次経由する。工程（Ｂ’−１）は該アルデヒド化合物を式（３）で示される含窒素化合物と反応させる工程であり、工程（Ｂ’−２）は工程（Ｂ’−１）で得られた反応生成物を水素と反応させる工程である。
【００７０】
工程（Ｂ’−１）における式（２）で示されるアルデヒド化合物と式（３）で示される含窒素化合物との反応においては、水素および水素添加触媒が不必要である点を除き、上記工程（Ｂ）に従う該アルデヒド化合物、該含窒素化合物および水素の水素添加触媒存在下における反応とほぼ同様にして行うことができる。すなわち、両反応は、アルデヒド化合物と含窒素化合物（その塩でもよい）との使用割合、含窒素化合物（その塩でもよい）の使用形態（そのままの形態か溶液の形態かの点）、任意に使用可能な溶媒の種類（ただし水は使用しない方が望ましい）および量、反応温度、反応時間（すなわち、反応時間はアルデヒド化合物の転化率などに基づいて設定可能）、反応用装置、アルデヒド化合物と含窒素化合物（その塩でもよい）の添加順序（一括添加か、連続的または断続的添加かの点）、反応様式（回分式か半回分式か連続式かの点）などについての条件は重複している。
【００７１】
ただし、工程（Ｂ’−１）におけるアルデヒド化合物と含窒素化合物との反応は、生成する水を反応系外に除去しながら行うことが、反応が促進される点で好ましい場合がある。生成する水を反応中に除去するための方法としては、水を系外に留出させる方法、水を乾燥剤に物理的または化学的に吸収させる方法などを採用することができる。水を系外に留出させる方法を採用する場合、ベンゼン、トルエン、ペンタン、シクロヘキサン、石油エーテル等の水と共沸混合物を形成し得る有機溶媒を反応系に存在させ、該有機溶媒との共沸混合物の形態で水を留出させることが好ましい。また、水を乾燥剤に吸収させる方法を採用する場合、乾燥剤としては、モレキュラーシーブ、塩化カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム等の物理的乾燥剤；水素化カルシウム、水素化アルミニウムリチウム等の化学的乾燥剤などを使用することができる。なお、水を有機溶媒との共沸混合物の形態で反応系から除去する場合、取得された共沸混合物を相分離、乾燥剤との接触などの処理に付した後、回収された有機溶媒を反応系に供給し再使用することができる。
【００７２】
必ずしも明らかではないが、工程（Ｂ’−１）に従うアルデヒド化合物と含窒素化合物との反応によって、下記式（６）：
【００７３】
【化２０】
Ｘ２−Ｏ−Ｒ１−ＣＨ（Ｒ２）−ＣＨ＝ＣＨ−Ｎ（Ｒ３）−Ｒ４    （６）
【００７４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＸ２は前記定義のとおりである）
【００７５】
で示されるエナミン化合物またはその等価物が生成するものと推定される。該反応の終了後、例えば、得られた反応混合物を蒸留、晶析、カラムクロマトグラフィーなどの分離・精製操作に供することにより、反応生成物を分離取得することができる。しかしながら、得られた反応混合物を、そのまま、または単蒸発等の簡便な分離操作により未反応原料、生成した水、溶媒等の少なくとも一部を除去した後に、次の工程（Ｂ’−２）に供するのが効率的である。
【００７６】
工程（Ｂ’−２）における反応操作としては、通常のエナミンの水素添加において使用し得る水素添加反応操作を採用することができるが、上記工程（Ｂ’−１）で得られた反応生成物（工程（Ｂ’−１）で得られた反応混合物の形態でもよい）を水素添加触媒の存在下において水素と反応させることからなる方法が工業的に有利である。使用可能な水素添加触媒としては、例えば、パラジウム、ロジウム、ニッケル、白金等の金属を活性成分とする触媒を挙げることができる。これらの水素添加触媒の形態としては、活性成分となる金属そのもの；その金属酸化物；その金属と他の金属との合金；活性成分となる金属（酸化物、合金でもよい）を活性炭、アルミナ、シリカゲル、ケイソウ土などの担体上に担持させてなる担体付き触媒等のいずれであってもよい。水素添加触媒の使用量は、必ずしも限られるものではないが、通常は、前工程である工程（Ｂ’−１）において使用した式（２）で示されるアルデヒド化合物の１重量部に対して０．０００１〜０．２重量部の範囲内に相当する量であり、反応速度および目的とする式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む所定の反応生成物の製造コストの観点からは、使用した式（２）で示されるアルデヒド化合物１重量部に対して０．００５〜０．１重量部の範囲内に相当する量であることが好ましい。
【００７７】
工程（Ｂ’−２）における反応では、溶媒の使用は必ずしも必要ではないが、所定の反応に悪影響を及ぼさない限り溶媒を使用しても差し支えない。使用可能な溶媒としては、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げられ、１種を単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。溶媒を使用する場合、その使用量は、通常、前工程である工程（Ｂ’−１）において使用した式（２）で示されるアルデヒド化合物の１重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲内に相当する量である。
【００７８】
工程（Ｂ’−２）での反応においては、水素を、工程（Ｂ’−２）における反応生成物および水素添加触媒を含有する混合物と接触させる。その接触の形態としては、例えば、該混合物を存在させた反応系の雰囲気中に水素ガスを存在させることからなる形態、該混合物中に水素ガスを導入（バブリング）することからなる形態などが挙げられる。反応系中における水素の分圧は、必ずしも限られるものではないが、通常は、ゲージ圧において０．０５ＭＰａ〜１４．７ＭＰａ（０．５気圧〜１５０気圧）の範囲内である。なお、所定の反応に悪影響を及ぼさない限りにおいて、反応系の気相部に水素以外の気体（例えば、窒素、アルゴン等）が含有されていてもよい。
【００７９】
工程（Ｂ’−２）での反応において、反応温度は必ずしも限られるものではないが、通常は２０〜１８０℃の範囲内の温度が採用され、反応速度の高さおよび目的とするアミン化合物への選択率の高さの観点からは、４０〜１４０℃の範囲内の温度を採用することが好ましい。
工程（Ｂ’−２）での反応の所要時間は必ずしも限定されるものではなく、例えば、ガスクロマトグラフィー等の定量分析手段で求められた転化率などに基づき、反応時間（連続式反応操作の場合には滞留時間）を適宜設定することができる。ただし、通常は、０．５〜２０時間の範囲内である。
【００８０】
工程（Ｂ’−２）での反応の操作としては、所望に応じて各種の方法を採用することができる。該反応は特殊な装置（例えば高温高圧釜）を使用しなくても行うことができ、例えば、汎用的な装置を使用して、工程（Ｂ’−１）で得られた反応生成物および水素添加触媒を、水素ガス雰囲気下、かつ所定の温度および所定の水素圧力の条件下で、攪拌等の手段により混合することによって、回分式、半回分式または連続式で反応を行うことができる。
【００８１】
工程（Ｂ’−１）での反応および工程（Ｂ’−２）での反応を経て、式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物が得られる。これらの一連の工程中では、使用した式（２）で示されるアルデヒド化合物が有する保護基の種類、使用した式（３）で示される含窒素化合物の種類および反応条件に応じては、少なくとも部分的に脱保護反応を伴うことがあり、また、脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物とその窒素原子部分で結合した形態の化合物が形成される場合もある。上記の「式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物」はこのような反応生成物の１種または２種以上を包含する総称である。したがって、得られた反応生成物の少なくとも一部が式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物に相当することがある。工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）の間で、該脱保護反応が実質的に完全に生起し、かつ脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物と結合した形態の化合物の実質的な生成を伴わない場合、得られる反応生成物の実質的に全量が本発明の製造方法における最終目的物である式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物に相当することになるので、その後に独立の脱保護反応工程（工程（Ｃ））を設けることは不要である。
【００８２】
工程（Ｂ’−２）での反応が少なくとも部分的な脱保護反応を伴う可能性のある場合としては、例えば、アルデヒド化合物を表す式（２）中においてＸ１で表される保護基がアセチル基、プロピオニル基などのアシル基またはアルコキシカルボニル基や、ベンジル基である場合などが挙げられる。さらに、脱離した保護基が式（４）で示されるアミン化合物と結合した形態の化合物の生成を伴う可能性のある場合としては、例えば、使用したアルデヒド化合物を表す式（２）中におけるＸ１で表される保護基がアセチル基、プロピオニル基などのアシル基またはアルコキシカルボニル基であって、かつ、使用した含窒素化合物を表す式（３）中におけるＲ３が水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ｒ４が水素原子である場合が挙げられる。
【００８３】
工程（Ｂ’−１）における反応およびそれに引続く工程（Ｂ’−２）における反応によって生成し得る上記式（４）で示されるアミン化合物の代表例としては、以下のものが挙げられる。例えば、工程（Ｂ’−１）において式（２）で示されるアルデヒド化合物として４−ヒドロキシ−３−メチルブタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）では式（４）で示されるアミン化合物としてＮ−（４−ヒドロキシ−３−メチルブチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し得る。工程（Ｂ’−１）において５−ヒドロキシ−３−メチルペンタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）においてＮ−（５−ヒドロキシ−３−メチルペンチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がエチレン基であり、Ｒ２がメチル基である場合）が生成し得る。工程（Ｂ’−１）において４−ヒドロキシブタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）においてＮ−（４−ヒドロキシブチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得る。工程（Ｂ’−１）において９−ヒドロキシノナナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）においてＮ−（９−ヒドロキシノニル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がヘキサメチレン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得る。また、工程（Ｂ’−１）において４−ヒドロキシ−４−メチルペンタナールの水酸基が保護された化合物を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）においてＮ−（４−ヒドロキシ−４−メチルペンチル）基を有する第１級、第２級もしくは第３級のアミン化合物またはその水酸基が保護された化合物（式（４）においてＲ１がメチルエチリデン基であり、Ｒ２が水素原子である場合）が生成し得る。
【００８４】
工程（Ｂ’−２）における反応によって生成し得る上記式（４）で示されるアミン化合物の等価物の代表例としては、以下のものが挙げられる。例えば、工程（Ｂ’−１）において式（２）で示されるアルデヒド化合物および式（３）で示される含窒素化合物としてそれぞれ４−アセトキシ−３−メチルブタナール（式（２）においてＲ１がメチレン基であり、Ｒ２がメチル基であり、Ｘ１がアセチル基である化合物）およびアンモニア（式（３）においてＲ３およびＲ４がいずれも水素原子である化合物）を使用した場合には、工程（Ｂ’−２）において式（４）で示されるアミン化合物の等価物として、４−（Ｎ−アセチルアミノ）−２−メチル−１−ブタノールが生成することがある。
【００８５】
工程（Ｂ’−２）での反応の終了後、目的物である上記式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物は、例えば、得られた反応混合物から水素添加触媒を濾過あるいは遠心分離などによって除き、次いで得られた混合液を蒸留、晶析、カラムクロマトグラフィーなどの分離・精製操作に供することにより、高純度で得ることができる。ただし、次に独立の脱保護反応工程（工程（Ｃ））を設ける場合、該脱保護反応工程に係る反応に供するアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物は高純度であることは必ずしも必要でなく、工程（Ｂ’−２）で得られた反応混合物をそのまま工程（Ｃ）に供することもできるし、該反応混合物から例えば単蒸発操作などにより微量に混入する触媒残渣、無機化合物等を分離除去して得られた粗精製物またはその溶液を用いることもできる。
特に、式（２）中においてＸ１がアシル基またはアルコキシカルボニル基であるアルデヒド化合物、および式（３）中においてＲ３が水素原子、置換基を有していてもよい１価の飽和炭化水素基または置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ｒ４が水素原子である含窒素化合物を使用して工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）における各反応を行った場合、式（４）で示されるアミン化合物（ただし、Ｘ２が水酸基の保護基である場合、該Ｘ２は上記アシル基またはアルコキシカルボニル基である）およびその等価物（例えば、Ｎ−アシル化物、Ｎ−アルコキシカルボニル化物など）を含む複数種の反応生成物からなる反応混合物が得られることが多いため、このような場合には、得られた式（４）で示されるアミン化合物を含む反応混合物（工程（Ｂ’−２）に従う反応で得られた反応混合物そのもの、または、それを上記の簡単な分離操作に付して得られた粗精製物）を、次の工程（Ｃ）で加溶媒分解反応に供することによって、脱保護反応と等価物における脱Ｎ−アシル反応（または脱Ｎ−アルコキシカルボニル反応）の両方が生起し、所望の式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物を簡便に取得することができる。
【００８６】
本発明においては、上記のように、上記の工程（Ｂ）を経るか、または、上記の工程（Ｂ’−１）および（Ｂ’−２）からなる一連の工程を経ることによって、式（２）で示されるアルデヒド化合物を用いて式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物を得る。これらのうちでは、工程（Ｂ）を経る場合の方が、操作の簡便化、装置の簡略化等の観点において工業的により好適である。
【００８７】
上記のように本発明においては、工程（Ｂ）または工程（Ｂ’−２）を経て得られた式（４）で示されるアミン化合物またはその等価物を含む反応生成物中に脱保護されていない化合物が少なからず含まれている場合、必要に応じて、工程（Ｃ）において水酸基の脱保護反応を行うことによって、保護された水酸基を遊離の水酸基に変換する。
【００８８】
この脱保護反応は、保護基の種類に応じて周知の方法に従って行うことができる。たとえば、保護基が三置換シリル基である場合における脱保護方法としては、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化カリウム、フッ化水素、３フッ化ホウ素エチルエーテル錯体等のフッ素アニオンを含む化合物を作用させることからなる方法；酢酸、トリフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸などの酸性物質を作用させることからなる方法などが挙げられる。保護基がアルコキシメチル型の保護基である場合の脱保護方法としては、酢酸、トリフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸ピリジン塩、塩酸、酸性イオン交換樹脂などの酸性物質を作用させることからなる方法などが挙げられる。保護基がアシル基またはアルコキシカルボニル基である場合の脱保護方法としては、加溶媒分解法（例えば、水および／またはアルコールからなる溶媒中において、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ナトリウムメトキシドなどの塩基性物質または塩化水素、臭化水素などの酸性物質を作用させることからなる方法）などが挙げられる。保護基がｔ−ブチル基である場合の脱保護方法としては、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリル、ヨウ化トリメチルシリルなどを作用させることからなる方法などが挙げられる。また、保護基がベンジル基である場合の脱保護方法としては、水素雰囲気下に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ等の金属触媒などと接触させることからなる方法などが挙げられる。
なお、保護基がアシル基またはアルコキシカルボニル基である場合、上記のように、使用した式（３）で示される含窒素化合物の種類に応じては複数種の反応生成物からなる反応混合物が得られることが多いが、該反応混合物を上記の加溶媒分解反応に付すれば、保護された水酸基の脱保護反応と同時に脱Ｎ−アシル反応（または脱Ｎ−アルコキシカルボニル反応）も生起するため、式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物を簡便に取得することができる。
【００８９】
工程（Ｃ）においては脱保護反応後、得られた反応混合物から目的とする式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物を、適宜、公知の方法に従って分離取得することができる。分離取得方法としては、必ずしも限られるものではないが、例えば、蒸留、カラムクロマトグラフィー、晶析などが挙げられる。
【００９０】
本発明の製造方法によって得られる式（５）で示されるヒドロキシアルキルアミン化合物（例えば、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノール、５−ジメチルアミノ−３−メチル−１−ペンタノール等）は、その水酸基とアミノ基との化学構造に由来して、界面活性剤、農医薬中間体などの有機合成原料や、各種重合原料、重合触媒などとして幅広い用途に使用可能である。
【００９１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はかかる実施例により何ら制限されるものではない。
【００９２】
実施例１
（ａ）［１−アセトキシ−２−メチル−２−プロペンのヒドロホルミル化反応］
ガス導入口およびサンプリング口を備えた内容積３００ｍｌの電磁攪拌式オートクレーブにＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）2の９．８ｍｇ（０．０３８ミリモル）、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト４３５ｍｇ（０．７２６ミリモル）、１−アセトキシ−２−メチル−２−プロペン１３５ｇ（１．１８モル）およびトルエン１８ｇを空気に触れないようにして仕込み、オートクレーブ内の圧力を水素／一酸化炭素＝１／１（モル比）の混合ガスでゲージ圧で７．８ＭＰａ（８０気圧）に保った。オートクレーブからの出ガス流量を１時間あたり１０リットルに設定し、毎分９００回転の速度で攪拌しながら、オートクレーブ内の混合液の温度を３０分間かけて９０℃に昇温させ、この状態で２時間反応させた。さらにオートクレーブの内温を１１０℃に上昇させて４時間反応を行った。なお、この間、水素／一酸化炭素＝１／１（モル比）の混合ガスを常時供給してオートクレーブ内の圧力をゲージ圧で７．８ＭＰａ（８０気圧）に維持した。
得られた反応混合液の一部をガスクロマトグラフィー〔カラム：化学品検査協会製  Ｇ−３００（商品名）、検出器：ＦＩＤ検出器〕で分析したところ、反応混合液中に残存する原料の１−アセトキシ−２−メチル−２−プロペンは痕跡量であり（転化率：約１００％）、４−アセトキシ−３−メチルブタナールが１５８．６ｇ（収率：９３％）含まれていることが確認された。
【００９３】
（ｂ）［４−アセトキシ−３−メチルブタナールとアンモニアおよび水素との反応］
ガス導入口、サンプリング口および電磁攪拌装置を備えた内容積１０００ｍｌのオートクレーブに、上記（ａ）により得られた反応混合液のうちの１００ｇ（４−アセトキシ−３−メチルブタナールの含有量：８４ｇ（５８０ミリモル））、イソプロパノール２００ミリリットル、２５重量％アンモニア水溶液７９ｇ（アンモニアの含有量：１９．８ｇ（１１６０ミリモル；４−アセトキシ−３−メチルブタナールに対して２倍モル量））およびラネーニッケル（デグッサ社製、ＢＫ１１３Ｗ（商品名））４．０ｇを空気に触れないようにして仕込んだ。オートクレーブに水素を供給してオートクレーブ内の圧力を水素圧をゲージ圧で０．７ＭＰａ（７Ｋｇ／ｃｍ2）に設定した。毎分９００回転で攪拌を開始し、オートクレーブ内の混合液の温度を３０分間かけて８０℃に昇温した。次いで、水素を常時供給してオートクレーブ内の圧力をゲージ圧で０．７ＭＰａ（７Ｋｇ／ｃｍ2）に維持しながら、８０℃で８時間反応させた。
得られた反応混合液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、原料である４−アセトキシ−３−メチルブタナールは確認されず（転化率：１００％）、反応生成物の中に４−アミノ−２−メチル−１−ブタノールが８．５ｇ（収率：１４％）含まれていることが確認された。
【００９４】
（ｃ）［脱保護反応］
上記（ｂ）で得られた反応混合液を抜き取り、これから溶媒をエバポレーターにより除去したところ、濃縮液が９２．７ｇ得られた。濃縮液のうちの５．０ｇ、水４０ｍｌおよび水酸化ナトリウム３．０ｇを１００ｍｌガラス容器に入れ、還流条件下１０時間攪拌した。得られた反応混合液を分析したところ、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノールが２．３ｇ含まれていた。これは、上記（ｂ）で使用した４−アセトキシ−３−メチルブタナールから換算すると収率７１％に相当する。
【００９５】
実施例２
（ａ）［１−アセトキシ−３−メチル−３−ブテンのヒドロホルミル化反応］
ガス導入口およびサンプリング口を備えた内容積３００ｍｌの電磁攪拌式オートクレーブにＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）2の１５．５ｍｇ（０．０．０６ミリモル）、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト５１８ｍｇ（０．８ミリモル）、１−アセトキシ−３−メチル−３−ブテン１６２ｇ（１．２６モル）およびトルエン１８ｇを空気に触れないようにして仕込み、オートクレーブ内の圧力を水素／一酸化炭素＝１／１（モル比）の混合ガスでゲージ圧で７．８ＭＰａ（８０気圧）に保った。オートクレーブからの出ガス流量を１時間あたり１０リットルに設定し、毎分９００回転の速度で攪拌しながら、オートクレーブ内の混合液の温度を３０分間かけて１００℃に昇温させ、この状態で６時間反応させた。なお、水素／一酸化炭素＝１／１（モル比）の混合ガスを常時供給してオートクレーブ内の圧力をゲージ圧で７．８ＭＰａ（８０気圧）に維持した。得られた反応混合液の一部をガスクロマトグラフィー〔カラム：化学品検査協会製、Ｇ−３００（商品名）、検出器：ＦＩＤ検出器〕で分析したところ、反応混合液中に残存する原料の１−アセトキシ−３−メチル−３−ブテンは６．５ｇであり（転化率：９６％）、５−アセトキシ−３−メチルペンタナールが１７２．４ｇ（収率：８８％）含まれていることが確認された。
得られた反応混合液から溶媒をエバポレーターにより除去し、濃縮液を蒸留することにより０．０７ｋＰａ（５．０ｍｍＨｇ）、１４５℃〜１４７℃の留分として５−アセトキシ−３−メチルペンタナール（純度：９６％）を１５８．０ｇ得た。
【００９６】
（ｂ）［５−アセトキシ−３−メチルペンタナールとジメチルアミンおよび水素との反応（脱保護反応を伴う）］
ガス導入口、サンプリング口および電磁攪拌装置を備えた内容積１０００ｍｌのオートクレーブに、上記（ａ）により得られた留出液のうちの６０ｇ（５−アセトキシ−３−メチルペンタナールの含有量：５７．６ｇ、３６４ｍｍｏｌ）、５０重量％ジメチルアミン水溶液１３１ｇ（ジメチルアミンの含有量：６５．７ｇ、１４５７ｍｍｏｌ；５−アセトキシ−３−メチルペンタナールに対して４倍モル量））、イソプロパノール２８０ｍｌおよびラネーニッケル（デグッサ社製、ＢＫ１１３Ｗ（商品名））１０ｇを空気に触れないようにして仕込んだ。オートクレーブに水素を供給してオートクレーブ内の圧力を水素圧をゲージ圧で０．７ＭＰａ（７Ｋｇ／ｃｍ2）に設定した。毎分９００回転で攪拌を開始し、オートクレーブ内の混合液の温度を３０分間かけて８０℃に昇温した。次いで、水素を常時供給してオートクレーブ内の圧力をゲージ圧で０．７ＭＰａ（７Ｋｇ／ｃｍ2）に維持しながら、８０℃で８時間反応させた。
得られた反応混合液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、原料である５−アセトキシ−３−メチルペンタナールは確認されず（転化率：１００％）、５−ジメチルアミノ−３−メチル−１−ペンタノールが３２．７ｇ（２２５ｍｍｏｌ、収率６１％）含まれていることが確認された。
【００９７】
実施例３
（ａ）［５−アセトキシ−３−メチルペンタナールとジメチルアミンとの反応］
窒素雰囲気下に保った３００ミリリットル三つ口フラスコにモレキュラーシーブ２０グラムおよび乾燥させたテトラヒドロフラン８０ミリリットル入れ、この混合物を０℃まで冷却した。そこへガス状のジメチルアミンを液相中に吸収させる形で１１．２ｇ（２４８ｍｍｏｌ）導入した。０℃に維持したまま、この混合物に実施例２（ａ）で得られた留出液４０．４ｇ（５−アセトキシ−３−メチルペンタナールの含有量：３８．８ｇ、２４８ｍｍｏｌ）を入れた。この混合物を徐々に２５℃まで昇温し、３時間反応させた。得られた反応混合物から、モレキュラーシーブを濾過により除去し、濾液から溶媒をエバポレーターにより除去したところ、濃縮液が４８．３ｇ得られた。
【００９８】
（ｂ）［上記（ａ）で得られた反応生成物と水素との反応］
上記（ａ）で得られた濃縮液の４８．３ｇ（全量）、イソプロピルエーテル１００ミリリットルおよびパラジウムカーボン２．０グラムを窒素雰囲気下に維持した３００ｍｌ耐圧反応器に仕込み、０．８ＭＰａの圧力の水素ガス雰囲気の下で、７０℃で２時間、次いで１００℃で６時間攪拌した。なお、この反応期間中、反応により消費された量の水素ガスを常時反応器内に供給することで、系内の水素圧をゲージ圧で０．８ＭＰａに維持した。
反応終了後、得られた反応混合物を抜き取り、触媒を濾別した後、濾液から溶媒をエバポレーターにより除去したところ、濃縮液が４７．１ｇ得られた。この濃縮液を分析した結果、該濃縮液中に５−ジメチルアミノ−３−メチルペンチルアセテートが４１．２ｇ（２２２ｍｍｏｌ、５−アセトキシ−３−メチルペンタナールからの収率：９０％）含まれていることが判明した。
【００９９】
（ｃ）［脱保護反応］
上記（ｂ）で得られた濃縮液のうちの５．０ｇ（５−ジメチルアミノ−３−メチルペンチルアセテートの含有量：４．４ｇ、２４ｍｍｏｌ）、メタノール４０ｍｌおよび水酸化カリウム３．０ｇを１００ｍｌガラス容器に入れ、４０℃にて１０時間攪拌した。得られた反応混合液を分析したところ、５−ジメチルアミノ−３−メチル−１−ペンタノールが３．４ｇ（２３ｍｍｏｌ、加水分解工程の収率９９％）含まれていた。
【０１００】
【発明の効果】
本発明によれば、４−アミノ−２−メチル−１−ブタノール、５−ジメチルアミノ−３−メチル−１−ペンタノール等の、水酸基と窒素原子との間に炭素原子数が４以上の比較的長い炭素主鎖が介在するヒドロキシアルキルアミン化合物を、工業的に有利に、かつ好収率で製造することが可能である。