(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部（２）においてストリッピングされる粒子を到着させる希釈流動化区域（３）と、下部において濃密流動床区域（５）とを含み、前記濃密流動床区域（５）は実質的に隣接配置された少なくとも２チャンバ（９，１０）を含み、これらのチャンバ（９，１０）が別々の固体粒子導入手段（１３，１５）を備え、またこれらのチャンバ（９，１０）がそれぞれの下部においてストリッピングガス流体の別々の導入手段（１１，１２）を備えるように成されたハウジング（１）の中で、炭化水素を含浸された固体粒子に対して向流循環する流体によって、前記粒子を流動床ストリッピングする方法において、
前記希釈流動化区域に到着する固体粒子が、直接に前記第２チャンバ（１０）の中に進入することができずに、配向手段（１４）によって第１チャンバ（９）にむかって配向され、
ストリッピングされる固体粒子はまず全部、濃密流動床（５）の上部から第１チャンバ（９）の中に進入して、この第１チャンバの中で第１ストリッピングを受け、
この第１ストリッピングを受けた固体粒子が少なくとも１つの第２チャンバ（１０）の中に転送され、この第２チャンバはその上部にガス−固体分離手段（１６）を備えて、第２チャンバ（１０）のストリッピングによって生じたガス流体を直接に下から上に、ケーシング（１）の上部に配置された希釈流動化区域（３）まで移動させることができ、
この第２チャンバ（１０）の中で第２ストリッピングを受けた固体粒子が次に前記第２チャンバ（１０）の下部から排出されることを特徴とする炭化水素を含浸された固体粒子に対して向流循環する流体によって前記粒子を流動床ストリッピングする方法。
【請求項２】
２チャンバ（９，１０）の中に収容された濃密流動床の体積は４００乃至８００ｋｇ／ｍ３の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ガス流体は蒸気または窒素であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第１チャンバ（９）のストリッピング流体の流量は次の単数または複数のチャンバ（１０）の流量の１．５倍乃至４倍の範囲内にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
各チャンバ（９，１０）の中においてストリッピング流体の表面速度の実質的低下が生じ、これが小サイズの泡の形成を伴ない、これがガス相の炭化水素の転送を増大することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
−ストリッピングされる固体粒子を導入する希釈流動化区域（３，１０３）を形成するように成された上部（２）と、濃密ストリッピング流動化区域（５，１０５）を形成するように成された下部（３）とを備え、前記濃密流動化ストリッピング区域は実質的に隣接配置された少なくとも２つのチャンバ（９，１０，１１０，２０９，２１０）に分割され、各チャンバが別々に固体粒子用導入装置（１３，１５，１１３．２１３．２１５）とガス流体用導入装置（１１，１２，１１１，１１２）とを含むように成されたケーシング（１，１０１，２０１）と、
−ストリッピングされた粒子の排出のために前記ケーシング（１，１０１，２０１）の底部に接続された導管（７，１０７，２０７）とを含む炭化水素を含浸された固定粒子をこれらの粒子に対して向流循環するガス流体によって流動床ストリッピングする装置において、
この装置は第２チャンバ（１０，１１０）の上部において、少なくとも１つの隔壁（８，１０８，２０８）を含み、前記隔壁は前記チャンバ（９，１０，１０９，１１０，２０９，２１０）の間の少なくとも１つの仕切りを成し、また前記隔壁はデフレクター（１４，１１４，２１４）と協働して、第２チャンバ（１０，１１０，２１０）から出たストリッピングガス流体を直接に希釈流動化区域（３，１０３）の方に排出しまたストリッピングされる固体粒子の落下方向を第１ストリッピングチャンバ（９，１０９，２０９）の方に配向することを特徴とする装置。
【請求項７】
前記隔壁（８，１０８，２０８）は、第１チャンバ（９，１０９，２０９）から粒子を第２チャンバ（１０，１１０，２１０）にむかって通過させる少なくとも１つの開口（１３，１３，２１３）を成すように、この第１チャンバ（９，１０９，２０９）下部において形成されていることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
１つまたは複数の隔壁（８，１０８，２０８）が実質的に垂直に配置されていることを特徴とする請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
１つまたは複数の隔壁（８，１０８，２０８）がストリッピングケーシング（１，１０１，２０１）の縦方向軸線に対して対称性を示すことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
１つまたは複数の隔壁（８，１０８，２０８）が横方向仕切りの形に配置されていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
隔壁（８，１０８，２０８）がストリッピングケーシング（１，１０１，２０１）の縦方向軸線ＸＸ’に対して相互にずらされていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
デフレクター（１４，１１４，２１４）がストリッピングケーシング（１，１０１，２０１）の内周にそって、濃密流動床（５，１０５）の上方水準の上方に、ケーシング（１，１０１，２０１）の内側面に隣接して配置されることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
デフレクター（１４，１１４，２１４）がケーシング（１，１０１，２０１）の内側面からケーシングの軸線ＸＸ’の方に傾斜した隔壁から成ることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
デフレクター（１４，１１４，２１４）が、第１チャンバ（９，１０９，２０９）の中に入る固体粒子の予備ストリッピングを成すように、両方のチャンバ（９，１０，１０９，１１０，２０９，２１０）から抽出されたガス流体を集中させることを特徴とする請求項６乃至１３のいずれかに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は流動床中の固定粒子の処理法に関する。特に本発明は流動床中の固体粒子によって搬送される成分また／あるいはこれらの粒子上に吸着された成分を除去するため、これらの固体粒子を向流循環液によって処理する方法および装置を目的とする。この処理は一般に用語「ストリッピング」によって示される。
【０００２】
本発明は特に石油工業において使用される技術に関するものであり、就中、流動床における触媒クラッキング法（英語で、Fluid Catalytic Cracking,またはＦＣＣ法と呼ばれる方法）などの炭化水素転化法に使用される。
【０００３】
【従来の技術】
この型の方法においては、炭化水素装入物は高温でクラッキング触媒と同時的に接触蒸発させられ、このクラッキング触媒は装入物蒸気の中に懸濁保持される。クラッキングによって所望の分子量範囲が得られ、沸点の対応の低下が得られたた後に、得られた生成物から触媒を分離する。触媒は装入物と接触している短時間で、本質的に炭化水素の吸着の結果、また触媒活性部位上にコークスまたはその他の汚染物が堆積することにより、急速に不活性化される。従って、不活性化された触媒粒子（または顆粒）を例えば蒸気などの流体によって連続的にストリッピングして、これらの顆粒上に吸着されまた粒子間隙の中にあって同伴される炭化水素を回収し、次に再生区域において、同じく連続的にコークスの制御された燃焼によって、触媒顆粒を再生する必要があり、その後にこれらの触媒粒子が反応区域に循環される。これらの２つの操作、すなわちストリッピングと再生処理が流動床で実施される。
【０００４】
ＦＣＣ法のストリッパーは１段階の抽出撹拌段階のみを含み、従って非常に制限された効率しか有しない。
【０００５】
この方法において使用される触媒ストリッピングの主たる目的は再生器に送られる炭化水素の量を減少させるにある。この炭化水素は下記の３カテゴリーに分類される。
−間質性（粒子間）炭化水素、
−（粒子多孔中の）粒子内炭化水素、
−（粒子多孔の表面に）吸着された炭化水素。
【０００６】
これらの３カテゴリーに基づいて、ストリッピングにおいて下記の３段階を区分することができる。
−洗浄（粒子間炭化水素の移動）、
−拡散、および
−脱着。
【０００７】
これらの３操作が相互に独立でないことを注意しよう。実際に、効率的な洗浄はその結果として粒子の内部と外部との間の濃度グラジエントを生じるのは明かである。これによって拡散段階が改良されるだけである。従ってストリッピングの効率は脱着の品質と強く結びついていると結論される。しかしこれら３ファクタのいずれも無視することはできない。いずれの炭化水素も粒子内段階と粒子間段階とを通過することによって脱着されるからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような流動床の固体粒子のストリッピングおよび再生操作においては特に大型の工業的流動床が使用されているが、これには二、三の問題点がある。ストリッピングの効率は、一方においては、ストリッパーの軸線にそった流動床の過度の濃縮、他方においては、泡相の付近で炭化水素の豊富なエマルジョン相の転送状態が悪く、ガス相のみがストリッパーから排出されることによって強く影響される。
またこの場合、緊密な混合を保証するために、連続的な撹拌を実施する必要がある。
【０００９】
流動床の表面に向かっての蒸気泡の上昇が避けられず、これが向流粒子の理想的移動の実現を妨げることは確かである。実際に蒸気泡がその伴流の中において、ストリッピングされた触媒をストリッパーの底部から再上昇させ、またこの触媒は、すでにストリッピングされた触媒粒子によって解放されて表面に存在する炭化水素泡を再吸着する。これは逆混合と呼ばれる現象であって、すでにストリッピングされた触媒粒子によって着脱された炭化水素の再吸着を避けるために、この現象を低減させることがきわめて重要であると思われる。
【００１０】
さらに流動床の撹拌が必要であるので、ストリッピングされることなく流動床の表面からストリッパーの出口まで非常に急速に通過する多量の触媒粒子が存在する。これは「バイパス」または「短絡」と呼ばれるものであって、炭化水素の抽出を最適化するためにこれを低減させることが重要である。
【００１１】
すでに種々の方法が提案されている。
特に触媒の濃密流動相の中に障害物を介在させる方法が挙げられる。この障害物は出願人名義のフランス特許第２，７２８，８０５号に記載のように、非常に多様な構造の内部部品の形またはそらせ板の形を成し、これらの障害物の機能は蒸気泡のサイズを減少させまたは蒸気泡を破壊して、触媒の再上昇を制限すると共にガス−固体エマルジョンの付近の転送面積を増大させるにある。
【００１２】
しかしこの方法は限定された効率しか有しない。実際に流動床は正確な意味で完全な撹拌器ではなく。多くの研究が示すように、ストリッパーの軸線にそった混合が非常に有効であるとしても、放射方向混合はとうてい満足とは言えない。
【００１３】
従って、均質蒸気が分布される場合、内部部品を備えたストリッパーは、これらの内部部品が放射方向混合を促進しまた軸方向混合を減少させないとしても、実際に空のストリッパーよりも効率の低いことがありうる。このような内部部品を使用すれば、完全撹拌される反応器の状態にさらに近づき、「バイパス」現象を増大させる。
【００１４】
他の解決法として、例えば米国特許第５，６０１，７８７号に記載の装置のような蒸気の多段噴射式ＦＣＣ装置のストリッパーが公知である。熱間ストリッピングケーシングが再生器ケーシングの中に配置された２段階を含み、この場合、第２段階のストリッピング蒸気が第１段階を通過する際に、この第１段階から生じる触媒と接触しない。しかしこの装置は高温でしか機能しないと思われる。
【００１５】
ストリッピング段階を改良するためには、明かにガス−固体抽出の問題と直面する。出願人は驚くべきことに、ストリッピングの効率を改良するためのはるかに確実な手段は、１つのチャンバの中を再上昇する泡が触媒粒子を先行（上方）チャンバの中に触媒粒子を再びもたらすことができないように、ストリッパーケーシングの中に仕切りによって画成された複数のストリッピングチャンバを通る多段抽出にあることを発見した。このようにして、各段階において蒸気などの新鮮なストリッピング流体を供給するように成された少なくとも２チャンバから成る多段ストリッピングが実施される。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明の第１目的は、上部においてストリッピングされる粒子を到着させる希釈流動化区域と、下部において濃密流動床区域とを含み、前記の濃密流動床区域は実質的に隣接配置された少なくとも２チャンバを含み、これらのチャンバが別々の固体粒子導入手段を備え、またこれらのチャンバがそれぞれの下部においてストリッピングガス流体の別々の導入手段を備えるように成されたハウジングの中で、炭化水素を含浸された固体粒子に対して向流循環する流体によって、前記粒子を流動床ストリッピングする方法において、
前記希釈流動化区域に到着する固体粒子が、直接に前記第２チャンバの中に進入することができずに、配向手段によって第１チャンバにむかって配向され、また
ストリッピングされる固体粒子はまず全部、濃密流動床の上部から第１チャンバの中に進入し、この第１チャンバの中で第１ストリッピングを受け、また
この第１ストリッピングを受けた固体粒子が少なくとも１つの第２チャンバの中に転送され、この第２チャンバはその上部にガス−固体分離手段を備えて、第２チャンバのストリッピングによって生じたガス流体を直接に下から上に、ケーシングの上部に配置された希釈流動化区域まで移動させることができ、また
この第２チャンバの中で第２ストリッピングを受けた固体粒子が次に前記第２チャンバの下部から排出されることを特徴とする炭化水素を含浸された固体粒子に対して向流循環する流体によって前記粒子を流動床ストリッピングする方法にある。
【００１７】
好ましくは、２チャンバの中に収容された濃密流動床の体積は４００乃至８００ｋｇ／ｍ３の範囲内にある。
特にガス流体は蒸気または窒素である。
【００１８】
望ましくは、第１チャンバのストリッピング流体の流量は次の単数または複数のチャンバの流量の１．５倍乃至４倍の範囲内にある。この構造により、触媒によって同伴される（吸着されていない）炭化水素の大部分をストリッパーの第１段階中に排出させることができる。
【００１９】
好ましい実施態様によれば、各チャンバの中においてストリッピング流体の表面速度の実質的低下が生じ、これが小サイズの泡の形成を伴ない、これがガス相の炭化水素の転送を増大する。
【００２０】
本発明の第２目的は、
−ストリッピングされる固体粒子を導入する希釈流動化区域を形成するように成された上部と、濃密ストリッピング流動化区域を形成するように成された下部とを備え、前記濃密流動化ストリッピング区域は実質的に隣接配置された少なくとも２つのチャンバに分割され、各チャンバが別々に固体粒子用導入装置とガス流体用導入装置を含むように成されたケーシングと、
−ストリッピングされた粒子の排出のために前記ケーシングの底部に接続された導管とを含む炭化水素を含浸された固定粒子をこれらの粒子に対して向流循環するガス流体によって流動床ストリッピングする装置において、
この装置は第２チャンバの上部において、少なくとも１つの隔壁を含み、前記隔壁は前記チャンバの間の少なくとも１つの仕切りを成し、また前記隔壁はデフレクターと協働して、第２チャンバから出たストリッピングガス流体を直接に希釈流動化区域の方に排出しまたストリッピングされる固体粒子の落下方向を第１ストリッピングチャンバの方に配向することを特徴とする装置にある。
【００２１】
望ましくは、前記隔壁は、第１チャンバから粒子を第２チャンバにむかって通過させる少なくとも１つの開口を成すように、この第１チャンバの下部において形成されている。
特に、１つまたは複数の隔壁が実質的に垂直に配置されている。
【００２２】
第１変更態様によれば、１つまたは複数の隔壁がストリッピングケーシングの縦方向軸線に対して対称性を示す。
【００２３】
第２変更態様によれば、１つまたは複数の隔壁が横方向仕切りの形に配置される。
好ましくは、隔壁がストリッピングケーシングの縦方向軸線ＸＸ’に対して相互にずらされている。
【００２４】
望ましくは、デフレクターがストリッピングケーシングの内周にそって、濃密流動床の上方水準の上方に、ケーシングの内側面に隣接して配置される。
【００２５】
他の実施態様によれば、デフレクターがケーシングの内側面からケーシングの軸線の方に傾斜した隔壁から成る。
【００２６】
このデフレクターが少なくとも２つのチャンバから抽出されたガス流体を濃密流動床の上方水準の上方において集中させて、第１チャンバの中に入る固体粒子の予備ストリッピングを成しまた濃密流動床の上方にあるストリッピングされた粒子による炭化水素の再吸着を制限する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示す実施の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の形態によって限定されるものではない。
【００２８】
図１に図示のように、２チャンバまたは２段階式ストリッピング装置を示し、この装置において対称軸線ＸＸ’にそった実質的に円筒形の垂直ストリッピングケーシングはその上部２に希釈流動区域３を含み、この区域３は不活性化された触媒の固体粒子を導入するのに役立ち、これらの固体粒子はＦＣＣ型の触媒クラッキング装置（図示されていない）のクラッキングされた装入物から分離された後に重力によって落下し、これらの粒子がケーシング１の下方区域４の中に、濃密流動化区域５を形成し、この区域５の上方水準が６で示されている。またストリッピングケーシング１はその下端に、ストリッピングされた固体粒子を再生器（図示されていない）の方に排出する排出導管７を備え、この再生器の中において公知のようにして、触媒粒子上に堆積されたコークスが空気によって燃焼される。
【００２９】
本発明によれば、この装置はケーシング１の中に、このケーシングと同軸に配置された実質的に円筒形の隔壁８を備え、しかしこの隔壁の高さは低いので、２つの段階的ストリッピング段階９と１０を画成し、各段階はその底部に複数のインゼクタの形のストリッピングガス流体、特に蒸気の導入装置１１，１２を備える。隔壁８の下端は狭窄開口１３を限定するように切頭円錐形を成し、周方向チャンバ１０の噴射されたガス流体１２の上方チャンバ９を通しての上昇および排出を最大限に制限し、同時に上方チャンバから第２チャンバ１０に出る触媒粒子に対して十分な通過断面を与える。
【００３０】
さらにケーシング１は、流動床の上方水準および隔壁８の上端の上方に配置された環状ディスク状のデフレクター１４を備え、このようにしてこのデフレクター１４は第１チャンバ９の中への触媒粒子の導入開口１５を制限し、また同時にケーシング１と隔壁８とによって画成されたチャンバ１０から出るストリッピングガス排出区域１６を通して、この第２チャンバ１０の中に触媒粒子が直接に導入されることを防止する。このデフレクター１４はケーシング１の壁体に固着された傾斜隔壁を成しまた隔壁８の上端の上方に少し出張っていて、希釈流体区域３の中へのガス流体の排出のためのスリットまたは開口１７を残している。
【００３１】
このストリッピング装置の動作は下記である。すなわち、炭化水素を含浸された不活性化触媒粒子がケーシング１の希釈流動化区域３の中に入り、その際にデフレクター１４によって案内されて第１チャンバ９（上方チャンバ）の中に開口１５から入り、ストリッピングガス流体（特に蒸気）の向流と接触して予備ストリッピングを受け、このストリッピング流体は別個の排出区域１６および下方チャンバ９から来てその結合後に開口１５から排出される。次に、触媒粒子は垂直に上から下に移動して、チャンバ９の中で、インゼクタ１１から出るガス流体に対して向流で第１ストリッピングを受け、次に開口１３から第２チャンバ１０の中に進入し、そこでこれらの粒子は再びインゼクタ１２から放出されるガス流体流と向流接触して、これらの粒子によって同伴される炭化水素の脱着を続ける。第１チャンバ９の壁体８の下端の切頭円錐形状の故に、このチャンバ１０のガス流体はチャンバ９中の粒子と接触することなく環状排出区域１６から強制的に排出される。
【００３２】
このようにして、被覆の再上昇による段階間の逆混合の危険性が強く低減されまたほとんど不可能となる。チャンバ１０の出口において、ストリッピングされた触媒粒子が排出導管７を通してケーシング１から排出される。
【００３３】
実際に、すでにストリッピングされた触媒が離脱された炭化水素と再会するのを不可能とするのがきわめて重要であることが確認された。現在精油装置に使用されている内部部品はストリッピングの問題に対して部分的にしか対応しない。なぜかならば、これらの内部部品は泡のサイズを減少させるとしても、逆混合の問題を防止できないからである。さらにストリッパーの底部に導入された蒸気は触媒床全体を横断する。本発明に示すような段階的システムのみがこの２つの課題を解決することができる。
【００３４】
実質的に円筒形の隔壁８の代わりに、軸線ＸＸ’に対して非対称的な２つの横方向隔壁を使用し、このようにしてケーシング１の横方向仕切りを形成することができる。
【００３５】
図２に図示されたような第２実施態様においては、ケーシング１を実質的に同一水準に配置された２つのチャンバ９，１０に分割する１つの横方向隔壁８しか存在しない。この隔壁８はケーシング１の底部に１つの開口１３を備え、第１チャンバ９から第２チャンバ１０にむかってストリッピングされた粒子を横方向に通過させることができる。粒子はこの第２チャンバ１０の中でガス流体インゼクタ１２によって第２ストリッピングを受けた後に、導管７によってケーシング１の外部に排出される。
【００３６】
図３と図４に図示の第３実施態様においては、本発明による装置はケーシング１０１を含み、このケーシングが１つの隔壁１０８によって２チャンバ１０９，１１０に分割される。この隔壁はケーシング１０１の縦方向軸線ＸＸ’に対して回転対称の円筒形を成し、この円筒形から切頭円錐形が延長され、その底部はケーシング１０１の壁体から離間されて、粒子を通過させる開口１１３を残す。また隔壁８は帽子状のカバーまたはデフレクター１１４によって被覆され、このデフレクター１１４は一方においては、粒子が希釈流体区域１０３から直接に通過することを防止し、また他方において、チャンバ１０９と１１０に対してそれぞれインゼクタ１１１、１１２によって供給されるストリッピングガスを排出させるためのスリット１１７を備えている。このカバー１１４からチャンバ１０９の中に隔壁１２０が延長される。この場合、カバー１１４はチャンバ１１０のゼオメトリーに適合した切頭円筒形の形を取る。この装置の機能は下記である。不活性化された触媒粒子が区域１０３を通ってケーシング１０１の中に入り、濃密流動床１０５を形成し、その上方水準が１０６で図示されている。これらの粒子の循環は第１チャンバ１０９に始まり、このチャンバ１０９の中でノズル１１１から噴射された流体によって第１ストリッピングを受け、次に第２チャンバ１１０に向かい、そこでこれらの粒子は１１２から噴射されたストリッピング流体に露出された後に、導管１０７を通ってケーシング１０１から出る。ストリッピング流体の一部は帽子１１４によって捕集されスリット１１７から排出され、区域１０３の中に入る製品の予備ストリッピングを成す。
【００３７】
前述の実施態様と同様に、隔壁１０８はケーシング１０１の中に横方向に配置されて横方向仕切りを成す２枚の平行板によって形成することができる。
【００３８】
図５と図６によって図示された本発明の第４実施態様によれば、これは図１の装置の第３段階の変形態様であって、このストリッピング装置はケーシング２０１を含み、このケーシングの中にその軸線ＸＸ’に対して対称的に実質的に円筒形の第１隔壁２０８が配置され、この隔壁の上縁部が流動床２０６の上縁部を越えまたその高さはケーシングの高さの実質的に１／３である。第１隔壁１０８の下端部はケーシングの軸線ＸＸ’方向に傾斜した板２１８から成り、この板は水平に対して約４５゜の角度（粒子の満足な流出を生じるように３２゜の斜面角以上の角度）を成しまたその下縁部によって対向隔壁と共に拘束開口２１３を画成する。従って隔壁１０８と傾斜板２１８は第１ストリッピングチャンバ２０９を画成し、このチャンバはその底部にストリッピングガス流体のインゼクタ２１２を備える。隔壁２０８の形状は下方チャンバから来るガス流体の再上昇、従ってその排出を最大限制限することができると共に、下方チャンバに向かって循環する触媒粒子に対して十分な通路断面を与える。隔壁２０８からケーシング２０１の下方にむかって第２隔壁２０８’が延長され、この第２隔壁はケーシング２０１と同軸の円筒形を成し、隔壁２０８と実質的に同一の高さを有し、またその下端はケーシングの軸線ＸＸ’に向かって傾斜した板２１８’から成り、この板は水平と約４５゜の角度を成し、その下縁部２１９’はケーシング２０１と共に拘束開口２１３’を画成して粒子を通過させる。従ってこの隔壁２０８’は第２および第３ストリッピングチャンバ２１０，２１１を画成し、これらのチャンバはそれぞれその底部にストリッピングガス流体インゼクタ２１２’、２１２”を備える。またこれらのチャンバ２１０，２１１はそれぞれ別々のガス流体排出区域２１６，２１６’を備える。
【００３９】
ストリッピング流体排出区域２１６，２１６’が完全に分離されるため、図６に見られる垂直隔壁２２０，２２１がそれぞれ隔壁２０８，２０８’とストリッピングケーシングの壁体２０１との間に配置されている。さらに、ケーシング２０１は、濃密流動床の水準２０６および上方チャンバ２０９の隔壁２０８の上端の上方に配置されたデフレクターまたは環状カバー２１４を備え、このようにして触媒粒子の導入および相異なるチャンバまたは段階から生じるストリッピングガスの排出のための区域２１５を画成している。このカバー２１４はケーシング２１６の隔壁に固着されチャンバ２０９の上方隔壁の上に少し突出した傾斜隔壁を成し、またこのカバー２１４は区域２１６，２１６’から出るガス流体の排出用のスリットまたは開口２１７を残している。
【００４０】
このストリッピング装置の機能は前述の装置と同様であり、従って不活性化された触媒粒子が垂直に上から下に移動し、第１チャンバ２０９の中でインゼクタ２１２から噴出されたガス流体と向流で第１ストリッピングを受け、次に開口２１３から第２チャンバ２１０の中に入り、そこで再びインゼクタ２１２’から噴出された新しいガス流体と向流接触し、このガス流体がこれらの粒子によって同伴される炭化水素の脱着を続け、次に触媒粒子は開口２１３’から第３チャンバ２１１の中に入り、その後、導管２０７を通してストリッパーから排出される。
【００４１】
このようにして、触媒の再上昇による段階間逆混合のリスクが著しく低減され、あるいはほとんど不可能となる。
【００４２】
また実質的に円筒形の隔壁２０８，２０８’の代わりに、軸線ＸＸ’に対して非対称的な２枚の横方向隔壁を備えて、ケーシング２０１の横方向仕切りを成す事もできる。
【００４３】
このような装置によって与えられる利点のうち、各段階において「新しい」蒸気の噴射が成されるので最大抽出グラジエントが達成されることを指摘しなければならない。
【００４４】
さらに、下記のテストデータによって示されるように、触媒の「バイパス」の可能性が著しく低減される。すなわち、ストリッピングの動力学的研究によれば、ストリッパーの中に１５秒以下滞留する触媒は非常に部分的なストリッピングしか受けられず、「バイパス」の量はこの処理不良の触媒量と定義される。
【００４５】
また本発明の装置はストリッパー中の触媒滞留時間を短縮させることができ、従ってクラッキングおよびコークス化の二次反応が制限される。
【００４６】
さらに、ガスの表面速度またはガス−固体相対速度が小になる。これは各段階への噴射流量は段階数によって割られ、例えばＮ段階が存在する場合、各段階に導入されるストリッピングガス流量は導入ガス全量の１／Ｎとなるからである。またこれに伴なって、小型泡を形成することにより（同一ガス量に対する熱交換面積の増大により）、泡相近傍のエマルジョン相の炭化水素の転送が改良され、ストリッパーからガス相のみが排出される。転送品質を改良するために通常の内部部品（チューブ層、多孔板、そらせ板など）を備えたストリッパーの中に炭化水素を導入する先行技術のシステムと比較して明瞭な改良が見られる。
【００４７】
このようにして、ＦＣＣ触媒のストリッピングの重要なパラメータをクリヤーすることができた。（工業用ストリッパーにおける約６０秒の平均滞留時間と比較して）ストリッピングが動力学によって制限されることなく、圧力と温度は二次的影響となると思われ、またこれらの条件は工業用装置においては変更困難な操作である。
【００４８】
本発明によるこのストリッピング装置を下記において抽出ストリッピング法と呼ぶが、この方法の効率を評価するため、２段階から成る実験模型（図１の装置と類似の装置）を製作し、その作動原理図式は図７に図示されている。
【００４９】
下記の操作条件で実験を実施した。
−触媒量は各段階において同等とする、
−流体化空気は各段階において各段階の回路から７１に送られる。上段の流量は下段の流量に等しい（１１ｍ３／ｈ）。
−従ってストリッピング空気の速度は下記に等しい。
−下段において４．６ｃｍ／ｓ、
−ガス排出区域において１８ｃｍ／ｓ、
−上段において６．２ｃｍ／ｓ、
−循環量は約６００ｋｇ／ｈ。
【００５０】
使用されるトレーサは７２に送られ、「塩水化」触媒である。すなわち、触媒の多孔容積に対応する量の塩化ナトリウム飽和水と混合された触媒である。次にこの触媒は全水量を蒸発させるように乾燥される。
【００５１】
触媒の採取はストリッピングの出口において定期的に実施される。次に触媒中に存在する塩を溶解するように、採取された触媒標本を既知量の水と混合する。次に、得られた溶液の導電性の測定によって検出を実施する。
【００５２】
ｔ＝０において噴射された塩の量、時間ｔにおいて採取される塩の量、およびストリッパー中の平均滞留時間を知って、これから各システムの滞留時間分布（ＤＴＳ）を誘導する。このようにして、触媒粒子のストリッパー中の滞留時間の確率を時間関数として示す曲線を描くことができる。
【００５３】
これらのテストから得られた結論は下記である。
−触媒は上段に堆積することなく、抽出ストリッパーの中を完全に循環する。
−下段に導入された空気は、触媒を同伴することなく、これらの段階の分離隔壁とストリッパーのケーシングの壁体との間の環状スペースを通して排出される。
−ガス排出区域の中に存在する触媒は停止することなく再生され、従って死容積を成さない。
【００５４】
このシステムの性能を先行技術のストリッパーと比較するように、順次にそれぞれ前述の段階的ストリッパーまたは抽出ストリッパー、空のストリッパーおよびチューブ層から成る内部部品を備えたストリッパーの模型について滞留時間分布の測定を実施した。
それぞれ滞留時間分布曲線を図８乃至図１０に図示する。
【００５５】
結果の分析
（１）「バイパス」の量の評価：
前述のように、ストリッピング不良の触媒量はストリッパーの中に１５秒以下滞留する触媒量である（図８乃至図１０において各曲線の影線面積によって表示）。
−抽出ストリッパー：８％、
−空ストリッパー：２３％、
−チューブ層を有するストリッパー：２０％。
【００５６】
抽出ストリッパーは著しく「バイパス」を低減させることが確認され、これが触媒からの炭化水素の抽出効率を増大する。
【００５７】
これは触媒粒子の混合を低減させるこのストリッパーの各段階または各チャンバの構造から説明される。
【００５８】
ストリッピングの不良効率、従ってまた再生器の入口における過度に高い炭化水素含有量に特有の「バイパス」は、触媒粒子のコークス含有量の不均一性を生じ、コークス含有量の最も高い粒子は再生器の中において燃焼の結果として生じる非常に高い局所的高温によって不可逆的劣化を受ける。
【００５９】
（２）逆混合効果：
前述のように、ストリッピングされた触媒粒子はノズルの伴流の中を流動床の表面にむかって再上昇し、従って離脱された炭化水素に再会して、再び下降する。このような再吸着はコークス化−クラッキング反応を生じ、その結果として、（再生処理以外では引き離すことのできない）「硬質」コークスを形成する。この現象は逆混合と呼ばれる。
【００６０】
この逆混合は、前述のＤＴＳ曲線においては、曲線の引張りの長さ、すなわち曲線が基線に戻るまでに要する時間によって特徴づけられ、この時間が短いほど、逆混合が少なくなる。
【００６１】
図１１において、３型のストリッパーの逆混合の大きさを特徴づけるＤＴＳ曲線の引張り部分の傾斜を比較することができる。この逆混合は本発明の抽出ストリッパーの場合に顕著に小さい。またこの傾斜は、空ストリッパーに場合よりもチューブ層を備えたストリッパーの場合に少し小さい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるストリッピング装置の第１実施態様の縦方向端面図
【図２】  本発明によるストリッピング装置の第２実施態様の縦方向端面図
【図３】  本発明によるストリッピング装置の第３実施態様の縦方向端面図
【図４】  図３の実施態様のＩ−Ｉ線にそった横断面図
【図５】  本発明によるストリッピング装置の第４実施態様の縦方向端面図
【図６】  図５の実施態様のＩＩ−ＩＩ線にそった横断面図
【図７】  本発明の装置をテストするために使用される流動床模型の原理図、
【図８】  研究される３型のストリッパーについて時間関数として触媒の滞留時間分布（ＤＴＳ）曲線を示すグラフ
【図９】  研究される３型のストリッパーについて時間関数として触媒の滞留時間分布（ＤＴＳ）曲線を示すグラフ
【図１０】  研究される３型のストリッパーについて時間関数として触媒の滞留時間分布（ＤＴＳ）曲線を示すグラフ
【図１１】  研究される３型のストリッパーについて時間関数として触媒の滞留時間分布（ＤＴＳ）曲線を示すグラフ
【符号の説明】
１、１０１，２０１  ケーシング
２  ケーシング上部
３、１０３  希釈流動化区域
４  ケーシング下部
５，１０５  濃密流動化区域
７，１０７，２０７  排出導管
８，１０８，２０８  隔壁
９，１０９，２０９  上方チャンバ
１０，１１０，２１０  下方チャンバ
１１，１２，１１１，１１２  ガス流体インゼクタ
１３，１５，１１３，２１３，２１５  固体粒子
１４，１１４，２１４  デフレクター
１５，１１５，２１５  固体粒子導入口
１６，１１６，２１６  ガス−固体分離手段
１７、１７，２１７  開口
２１２，２１２’、２１２”  インゼクタ
２１８，２１８’  傾斜板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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