(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主放射軸を中心とする放射線のローブを発するレーザー（10）の放射波長を監視するための装置であって、前記放射線にさらされて、前記放射線の波長を表す出力信号（110）を生成（11）する波長選択フィルタ（15）を含む、装置において、
第一及び第二の対向する面（141、142）を有する半導体スライス（14）を含み、前記放射線の一部が、前記第一の面（141）に対してブルースター角に近い角度で前記第一の面（141）へと入射し、前記半導体スライス（14）中へと屈折して前記第二の面（142）に向かうように、前記第一の面（141）が前記主放射軸に対してある角度で前記放射線にさらされるように適合され、前記波長選択フィルタ（15）が前記第二の面（142）に配置されていることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記第一及び第二の対向する面（141、142）が、互いに対して平行であることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第一及び第二の対向する面（141、142）が、互いに対してある角度を持っており、これにより前記半導体スライス（14）が概して先細りの、個々の開き角度を持つくさび様の形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記放射線の一部が前記第二の面（142）に対して実質的に直交する方向に屈折されるように、前記半導体スライス（14）が前記主放射軸に対して配置されるように適合されていることを特徴とする、請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】
前記開き角度は、前記放射線の一部が前記第二の面（142）に対して実質的に直交する方向に屈折されるように選択されることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間の前記放射線の伝搬経路中に何等の集束手段も介在しない状態で前記レーザー（10）からの放射にさらされるように適合されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記スライス（14）の半導体材料の屈折率が、１よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記スライス（14）の半導体材料の屈折率が、約３．５であることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記スライス（14）の半導体材料がシリコンであることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記半導体スライス（14）は、前記放射線が前記第一の面（141）へ５０°〜７５°の角度で入射するように前記第一の面（141）と共に配置されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記放射線が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間において、約１程度の屈折率を有する媒体中に伝搬されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記放射線が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間において、空気中に伝搬されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記くさび形状の半導体スライス（14）の前記開き角度が、１３°〜１５°程度であることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項１４】
前記ローブ中の前記放射線が所定の方向に偏光されており、前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）が前記所定の方向に伸びていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記ローブの放射線が、前記レーザー（10）の背面のファセットから生成されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
入射する前記放射線の強度を表す更なる信号を生成するように適合された感光素子（12）を含み、前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）及び前記感光素子（12）が、前記ローブの角度的に隣接した領域中で前記放射線にさらされるように適合されることにより、前記ローブの放射線の一部が前記半導体スライス（14）へと入射し、また一部が前記感光素子（12）へと入射することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記波長選択フィルタ（15）が、それと共に関連し、前記放射線の波長を表す前記出力信号を生成するように適合された個々の感光素子（11）を有することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記感光素子（12）及び前記個々の感光素子（11）の出力信号に基づき、前記レーザー（10）の波長を温度的に安定させるために制御（ＣＵ）されるように適合された温度調節素子（101）を更に含むことを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記半導体スライス（14）が前記温度調節素子（101）の作用を受け、これにより前記レーザー（10）の温度安定性が、主に前記半導体スライス（14）の温度安定性により決定されることを特徴とする、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記温度調整素子がペルチエ素子（101）であることを特徴とする、請求項１８又は１９に記載の装置。
【請求項２１】
共通のプラットフォーム（13）上で前記レーザー（10）と一体化された構成を持つことを特徴とする、請求項１〜２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
前記共通のプラットフォーム（13）がシリコンオプチカルベンチ（ＳｉＯＢ）のようなオプチカルベンチであることを特徴とする、請求項２１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザーの放射波長を監視するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
「高密度（dense）」波長分割多重（ＤＷＤＭ）システムのような市販のＷＤＭ（Wavelength Division Multiplex）伝送システムは、１００〜５０ＧＨｚのチャネル間隔を用いることにより大容量伝送を提供する。従って、光源に要求される波長の安定性を保証するために、波長をリアルタイムで監視して制御することが必要である。
【０００３】
この目的に適した構成は多く開示されており、その１つは、例えば米国特許第５，７８１，５７２号に開示され、本願請求項１の前文の部分はこれに基づいて構築されている。
【０００４】
波長が制御されるべき放射線を発するレーザーに加えて、このような構成は少なくとも１つの波長選択光学部品と、レーザーダイオードの温度を制御するための装置（ペルチエ素子など）と、並びにペルチエ素子を駆動するための駆動回路を含む。レーザーからの放射線（レーザーの主放射ビームから得られる）は、２つの光路に分割される。波長選択光学部品は、２つの光路のうちの少なくとも一方に配置される。これらの部品は、透過率を波長の関数として連続的に変化させるスペクトル特性を有する光フィルタである。光フィルタを通過した放射線は、光検出器により検出される。このように生成された信号はペルチエ素子の駆動に用いられる。
【０００５】
これと類似した構成が、欧州特許第０，２８４，９０８号及びこれに対応する米国特許第４，８１５，０８１号に開示されている。この特許では、半導体レーザーの放射波長及び放射される光パワーを制御又は調整するための、集積光学の実施に適した構成が開示されている。この構成においては、レーザー、フィルタ装置、及び第一と第二の光検出器（フォトダイオードの形態をなす）が共通の基板上で集積化されている。集積化されたフィルタ装置は、１つ以上のブラググレーティングと、伝導パワー（conductor power）の伝搬方向に直列に配置された光方向性結合器又は干渉フィルタとからなる。集積化フィルタ装置へ、及び第一及び第二のフォトダイオードへと伝えられる光パワーは、ストリップ導波路の形態で基板上に集積化された光導波路の各々によって導かれる。
【０００６】
米国特許第６，０９４，４４６号では、レーザーダイオードにより放射された光を光干渉フィルタへ方向付ける構成が開示されている。フィルタを通過する光及びフィルタから反射された光は、それぞれのフォトダイオードにより検出される。
【０００７】
同様に、米国特許第６，１３４，２５３号に開示された構成においても、レーザーの放射線を受光し、それぞれ第一と第二のフィルタリングされた光線を透過及び反射するための光フィルタが設けられている。光線は、それぞれの第一及び第二のスペクトルフィルタ関数に従ってフィルタリングされ、これらのフィルタ関数は、少なくとも１つの交差波長で交差している。光フィルタへのレーザー放射線の入射角を変化させると、そのスペクトル関数も変化し、かくしてレーザーの動作波長が選択される、又は変化されることになる。
【０００８】
本発明にとって関心のある別の構成は、欧州特許第０，８１８，８５９号（米国特許第５，８２５，７９２号）に開示されている。
【０００９】
小型の波長安定化レーザー光源を製造するためには、複数の問題を考慮しなければならない。
【００１０】
例えば、波長選択部品は、最適又は最適に近い条件下で動作されなければならず、好適には、温度による波長ロックポイントのドリフトを回避するために温度が制御されなければならない。
【００１１】
より多くのパワーを集めるためには、検出されるべき放射線が広がりの小さい光線を生じるためにレンズを用いることにより概して平行化されることが必要であり、場合によっては、K．Andersonが開示した（IEEE Electronic Component and Technology Conference、1999，p．197-200）ような能動的アライメントを必要とする。
【００１２】
しかしながら、上記に概説された要件では、構成が余りにも複雑となり、製造コストも高くなるという結果になる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、結合の問題、スペースの問題及び電力損失の問題を克服すると共にレーザー光源の動作温度範囲全体にわたって効果的に行われる波長制御に対するフィードバックを可能にすることにより、上記で考察された従来技術の解決策の欠点を克服した、小型でレーザー光源と同じパッケージ内に一緒に実装されるように適合された改良システムを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、その課題は請求項に記載の更なる特徴を有する装置により達成される。
【００１５】
基本的に、本発明の構成は、温度フィードバックを用いたコントロールシステムでの使用に適合した波長監視システムからなり、この波長監視システムはエラー信号を検出するための波長選択素子（代表的には干渉フィルタ）を核としている。光フィルタは、シリコンオプチカルベンチ（Silicon Optical Bench：ＳｉＯＢ）上に配置されたＳｉスライス上に置かれる（deposited）。Ｓｉスライス又はスラブは、好適にはくさび形の形状を有し、大きい入射角で当たるレーザー光源からの光線と垂直な位置に配置される。スライスの位置／配向は光信号を２つの光路へと分割するように決定され、これらの２つの光路は２つの光検出器により集光される。これらの光路のうちの一方がＳｉスライス及び光フィルタを通過する。
【００１６】
Ｓｉの高い屈折率（及びスライスの形状）により、この光線は平行化され、かくしてパワー伝達が最適化される。従って、入射角は、空気・Ｓｉ界面及びＳｉ・空気界面における透過を最大に（ブルースター角においてそうなる）するように決定され、これにより干渉フィルタに対する入射角は、ほぼ一定であり、０°（直角入射）にごく近いものとなる。
【００１７】
ＳｉＯＢプラットフォームは現在の製造プロセスに完全に適合すると共に、光フィルタの効率的な温度制御を可能にし、光学素子の実装を容易にする。具体的には、本発明の構成は、光学マウントの受動的なアライメントプロセスと完全に適合し、このことは低コスト化を意味する。
【００１８】
さて、本発明は、添付図面に関連して、単なる例示のために説明される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１及び図２の構成において、半導体レーザー等のレーザー光源１０が、第一の光検出器１１及び第二の光検出器１２と共に示される。光検出器１１及び１２は代表的には、全体的に符号１３で示される共通のシリコンオプチカルベンチ（ＳｉＯＢ）上に、レーザー光源１０と共に集積化されるように適合したフォトダイオードにより構成される。
【００２０】
符号１４は、オプチカルベンチ、又はプラットフォーム１３上に集積化されたシリコンスライス又はスラブを指しており、スライスにはそれぞれ、符号１４１及び１４２で示される第一及び第二の対向する面が設けられている。
【００２１】
面１４１及び１４２は、オプチカルベンチ１３の平面に対してほぼ直角である平面に位置する。言い替えれば、シリコンスライス又はスラブ１４はオプチカルベンチ１３に対して「垂直」な位置にある。
【００２２】
面１４１及び１４２は、二平面からなる図形（dihedron）を形成するために、互いに対して平行であっても良いが、互いに対してある角度を有する方が好ましい。従って、面１４１及び１４２はレーザー光源１０から離れる方向に所定の角度で互いの方へ近寄っており、スライス又はスラブ１４は全体として先細りの形状（すなわち、くさび形）である。
【００２３】
スライス又はスラブ１４の先細り形状の角度（すなわち、面１４１及び１４２が配置される平面により画定される二面角）は、以下に詳細に説明されるように、スライス１４を通る放射線の伝搬特性を規定する役割を果たす。
【００２４】
面１４１及び１４２はそれぞれ、レーザー光源１０から発せられた放射線の伝搬方向において、互いに対して上流及び下流に配置される。言い換えれば、レーザー光源１０から発せられた放射線は、始めに面１４１へと入射し、スライス１４の中を通って面１４２の方へ伝搬する。従って、スライス１４の第一の面１４１は、レーザー１０と第一の面１４１との間の放射線の伝搬経路中に何等の集束手段も介在しない状態で、レーザー１０からの放射線にさらされる。
【００２５】
基本的にこのような放射線は、現在のファイバ及び集積光学の分野において定義される意味での「光学的」放射又は「光」放射から構成され、換言すれば、放射は可視光に加えて赤外線及び紫外線放射も含んでいる。
【００２６】
当該の放射は、レーザー１０の後面１０ｂから放射される放射線ローブ中に含まれており、主要放射ビームはレーザー１０の前面またはファセット１０ａから放射されている。代案として、当業者には明らかであるように、本発明の装置は、レーザー１０の主要放射ビームから得られた光学的放射に作用するように構成されてもよい（例えば、既知の種類のビームスプリッタを用いて主要放射ビームから分割することによって）。
【００２７】
光学的放射がスライス又はスラブ１４を通って伝搬することによって通過させられるために、面１４２上には波長感応型の光干渉フィルタ１５が（既知の態様で、例えば現在の干渉フィルタガラス技術により）設けられる。
【００２８】
本発明の構成は、基本的にレーザー光源１０から発せられた放射線の一部を（波長感応型の干渉フィルタ１５を介して）第一のフォトダイオード１１へと向け、また一部を（通常は空気中を通る直接伝搬により）第二のフォトダイオード１２へと向けるように作用する。
【００２９】
フォトダイオード１１の出力において、線１１０に、光源１０により発せられた放射線の波長を示す信号が生成される。フォトダイオード１２の出力において、線１２０に、レーザー光源１０により発せられた放射線に関連する光パワーを示すもう１つの信号が生成される。
【００３０】
従って、線１１０及び１２０の信号は、ペルチエ素子１０１等の温度調整素子へ線１０２で印加されるべき制御信号を生成するように処理されるように適合され、レーザー光源１０の温度を制御し、その波長が確実に一定に保たれるようにする。
【００３１】
この処理は、概して記号ＣＵで示される制御ユニットにおいて、既知の態様で実施される。ＣＵは、本発明の装置の同じプラットフォーム１３上に一体化されても、或いは近くに配置される半導体チップ等の支持体に配置されても良い。上述した処理は全て、既知の原理及び基準に従って行われ、従ってその詳細説明は省略する。
【００３２】
しかしながら、理解されるように、本発明の構成の様々な構成要素を同じオプチカルベンチ１３上に取り付けることは、素子１０１がスライス又はスラブ１４の温度制御も確実にできるという点で、有利である。従って、本発明の構成は、基本的に干渉フィルタ１５の温度安定性によって左右されるレーザー光源１０により発せられた放射線の波長をある程度の精度（ＧＨｚ／℃の熱ドリフト）でもって安定化させることができる。
【００３３】
図３のグラフは、光源１０のようなレーザー光源により発せられた放射線のメインローブにおける光パワー密度の代表的な角度分布を示す。基本的にこのような分布は、主中心伝搬方向に対して−９０°よりも小さく、９０°よりも大きい角度において、実質的にゼロへと降下する値を持つガウス分布と同等とみなされ得る。
【００３４】
図１に示した構成において、フォトダイオード１２及びスライス１４がレーザー光源１０から発せられた放射線にさらされるように、及びその角度分布のそれぞれの部分に入れられるように配置される。
【００３５】
一般的にフォトダイオード１２の位置は、レーザー光源１０により放射された光パワーの正確な測定を可能にするために、十分な量のパワーを確実に集められるように選択される。
【００３６】
これは、例えば係るパワーの２％程度のパワー量を用いることにより達成され得る。
【００３７】
本出願人が実施したテストにおいて、フォトダイオード１２の活性面がレーザー光源１０により発せられたローブの放射線にさらされ、（図３に示されたパワー密度の角度分布を参照することにより）−６．８°から−２２．３°の範囲中に含まれるようにしたが、この場合フォトダイオード１２の活性面により集められたパワーは、レーザー光源１０により放射されたパワーの約２．４％であった。
【００３８】
一方、スライス１４の位置（より適切にはその配向）は、レーザー光源１０から発せられた放射線が空気（例えば光源１０と面１４１との間で放射線を伝える媒体）とシリコン（スライス又はスラブ１４を構成する材料）との界面に対してほぼブルースター角で面１４１に入射するように選択された。
【００３９】
空気（屈折率は基本的に１）及びシリコン（屈折率は３．５）の特定例において、このような角度の値は約７４°（より正確には７４．０５４６°）である。
【００４０】
レーザー光源１０からの放射線が面１４１へとブルースター角付近の角度で入射するということは、このような光学的放射が実際にスライス１４により「捕捉」され、ひいてはスライス又はスラブ１４を通って面１４２の方へ伝搬され、干渉フィルタ１５を通ってフォトダイオード１１の方へ伝搬されるということを意味する。
【００４１】
図４〜図６のグラフ（異なる界面に関するスネルの法則）は、入ってくる又は入射する放射線の角度（考察される界面に対する直交方向を基準とした角度：ｘ軸）と透過される放射線の角度（同様に考察される界面に対する直交方向を基準とした角度：ｙ軸）との関係を示す。
【００４２】
具体的には、図４のグラフは、空気（入射する放射線に対する屈折率：Ｎｉ＝１）とシリコン（透過した放射線に対する屈折率：Ｎｔ＝３．５）の界面に関する。
【００４３】
図５のグラフは、ガラス（Ｎｉ＝１．９）とシリコン（Ｎｔ＝３．５）の界面の場合における関係を示す。
【００４４】
最後に、図６のグラフは、空気（Ｎｉ＝１）とガラス（Ｎｔ＝１．９）の界面の場合における関係を示す。
【００４５】
理解されるように、図４〜図６のグラフは、ｘ軸及びｙ軸を交換することにより相補的な態様で適用することもできる。更に、理解されるように、ガラス（Ｎｉ又はＮｔ＝１．９）は、フィルタ１５のような波長選択フィルタの製造に現在使用されている材料である。
【００４６】
図４のグラフは、光源１０から面１４１へと入射する放射線がスライス１４により「捕捉」され、これを通じて伝播されれば、その放射線の角度のばらつき範囲（すなわち、角度的な広がり）が大幅に低減されることを示している。従って、スライス１４は、一種の放射線集束効果を生じる。
【００４７】
具体的には、本出願人は、１３°のテーパー角（すなわち、くさび形状の開き角度（opening angle））を持つ第一のスライス１４と、１５°のテーパー角を持つ第二のスライス１４とを使用することによりテストを実施した。
【００４８】
図２においてスライス１４は、その面１４１が光源１０により放射されるローブ中の−９．９°〜２．６°の角度範囲に含まれる放射線を集光できるように配置された。
【００４９】
フィルタ１５（実際には面１４２）を有する第一のスライス（テーパー角１３°）を、光線の伝搬方向の主軸（図２においては０°）に対して４０°の角度で向けた場合、面１４１への放射線の入射角度は６９°〜５２．１°の範囲（実際には５０°）となった。
【００５０】
一方、フィルタ１５（面１４２）を有する第二のスライス１４（テーパー角１５°）を、光線の伝搬方向の主軸（図２では０°）に対して３４°の角度で向けた場合、面１４１への放射線の入射角度は７３°〜６１°の範囲（実際には７５°）となった。
【００５１】
いずれの場合においても、面１４２にあるフィルタ１５へと入射する放射線の「広がり」は、大幅に小さかった。
【００５２】
具体的に言えば、上述した第一のケース（テーパー角が１３°でフィルタの傾斜が４０°のスライス）においては、放射線のフィルタ１５への入射角は０．７７°〜０．４°（シリコンを基準として）及び２．７°〜１．４°（空気／出力ビームを基準として）であった。
【００５３】
第二のケース（テーパー角が１５°でフィルタの傾斜が３４°のスライス）においては、放射線のフィルタ１５への入射角は０．８６°〜０．５４°（シリコンを基準として）及び３．０°〜１．９°（空気／出力ビームを基準として）であった。
【００５４】
考察された双方のケースにおいて、フォトダイオード１１のパワー量はそれぞれ１．８４％及び１．９４％であった。考察された構成及び結果は、光源１０により発せられた放射線を、考察された界面に対して平行な方向に偏光させる場合に関連する。
【００５５】
また、理解されるように、上記にあげたフィルタ１５への入射角は、面１４１への放射線の入射角のばらつき範囲よりも大幅に小さいばらつき範囲を持っていることに加えて、全て０°に近い。これは、光学的放射がこのようなフィルタの最適動作条件である、実質的に直交する方向でフィルタ１５に入射していることを意味する。
【００５６】
本出願人が実施した更なるテストにおいては、本発明の構成がレーザー光源１０及びスライス又はスラブ１４のそれぞれの構成における任意の許容誤差に対して極めて影響を受けないことが示された。これは、レーザー１０とスライス又はスラブ１４との間の距離、及び面１４１とレーザー光源１０により放射された放射線の主要伝搬方向との間の角度におけるばらつきの両方に当てはまる。
【００５７】
特に好適な実施形態においては、レーザー光源１０とフォトダイオード１１との間（これらの間にはスラブ又はスライス１４が配置されている）の距離は、約８００μｍである。レーザー光源１０とフォトダイオード１２との間（これらの間には何も介在しない）の距離は、約７００μｍである。
【００５８】
当然のことながら、本発明の原理が同じである限り、本発明の構造及び実施形態の細部は、本発明の範囲から逸脱することなく、単なる例示のために説明及び図示された実施形態に対して大幅に変更できる。例えば、スライス又はスラブ１４の中を通って伝搬される放射線に対して更に集束する作用を生じるために、わずかに凸面となるように面１４１を構成してもよい。
【００５９】
また、本明細書の教示を理解する当業者には明らかなように、本明細書に開示したいずれの値範囲または素子値も、要求される効果を失うことなく拡張又は変更することができる。
【００６０】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。
１．主放射軸を中心とする放射線のローブを発するレーザー（10）の放射波長を監視するための装置であって、前記放射線にさらされて、前記放射線の波長を表す出力信号（110）を生成（11）する波長選択フィルタ（15）を含む、装置において、
第一及び第二の対向する面（141、142）を有する半導体スライス（14）を含み、前記放射線の一部が、前記第一の面（141）に対してブルースター角に近い角度で前記第一の面（141）へと入射し、前記半導体スライス（14）中へと屈折して前記第二の面（142）に向かうように、前記第一の面（141）が前記主放射軸に対してある角度で前記放射線にさらされるように適合され、前記波長選択フィルタ（15）が前記第二の面（142）に配置されていることを特徴とする装置。
２．前記第一及び第二の対向する面（141、142）が、互いに対して平行であることを特徴とする、上記１に記載の装置。
３．前記第一及び第二の対向する面（141、142）が、互いに対してある角度を持っており、これにより前記半導体スライス（14）が概して先細りの、個々の開き角度を持つくさび様の形状を有することを特徴とする、上記１に記載の装置。
４．前記放射線の一部が前記第二の面（142）に対して実質的に直交する方向に屈折されるように、前記半導体スライス（14）が前記主放射軸に対して配置されるように適合されていることを特徴とする、上記２又は３に記載の装置。
５．前記開き角度は、前記放射線の一部が前記第二の面（142）に対して実質的に直交する方向に屈折されるように選択されることを特徴とする、上記３に記載の装置。
６．前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間の前記放射線の伝搬経路中に何等の集束手段も介在しない状態で前記レーザー（10）からの放射にさらされるように適合されていることを特徴とする、上記１〜５のいずれかに記載の装置。
７．前記スライス（14）の半導体材料の屈折率が、１よりも大きいことを特徴とする、上記１〜６のいずれかに記載の装置。
８．前記スライス（14）の半導体材料の屈折率が、約３．５であることを特徴とする、上記７に記載の装置。
９．前記スライス（14）の半導体材料がシリコンであることを特徴とする、上記１に記載の装置。
１０．前記半導体スライス（14）は、前記放射線が前記第一の面（141）へ５０°〜７５°の角度で入射するように前記第一の面（141）と共に配置されていることを特徴とする、上記１〜９のいずれかに記載の装置。
１１．前記放射線が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間において、約１程度の屈折率を有する媒体中に伝搬されることを特徴とする、上記１〜１０のいずれかに記載の装置。
１２．前記放射線が、前記レーザー（10）と前記第一の面（141）との間において、空気中に伝搬されることを特徴とする、上記１〜１１のいずれかに記載の装置。
１３．前記くさび形状の半導体スライス（14）の前記開き角度が、１３°〜１５°程度であることを特徴とする、上記３に記載の装置。
１４．前記ローブ中の前記放射線が所定の方向に偏光されており、前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）が前記所定の方向に伸びていることを特徴とする、上記１〜１３のいずれかに記載の装置。
１５．前記ローブの放射線が、前記レーザー（10）の背面のファセットから生成されることを特徴とする、上記１に記載の装置。
１６．入射する前記放射線の強度を表す更なる信号を生成するように適合された感光素子（12）を含み、前記半導体スライス（14）の前記第一の面（141）及び前記感光素子（12）が、前記ローブの角度的に隣接した領域中で前記放射線にさらされるように適合されることにより、前記ローブの放射線の一部が前記半導体スライス（14）へと入射し、また一部が前記感光素子（12）へと入射することを特徴とする、上記１〜１５のいずれかに記載の装置。
１７．前記波長選択フィルタ（15）が、それと共に関連し、前記放射線の波長を表す前記出力信号を生成するように適合された個々の感光素子（11）を有することを特徴とする、上記１〜１６のいずれかに記載の装置。
１８．前記感光素子（12）及び前記個々の感光素子（11）の出力信号に基づき、前記レーザー（10）の波長を温度的に安定させるために制御される（ＣＵ）ように適合された温度調節素子（101）を更に含むことを特徴とする、上記１６又は１７に記載の装置。
１９．前記半導体スライス（14）が前記温度調節素子（101）の作用を受け、これにより前記レーザー（10）の温度安定性が、主に前記半導体スライス（14）の温度安定性により決定されることを特徴とする、上記１８に記載の装置。
２０．前記温度調整素子がペルチエ素子（101）であることを特徴とする、上記１８又は１９に記載の装置。
２１．共通のプラットフォーム（13）上で前記レーザー（10）と一体化された構成を持つことを特徴とする、上記１〜２０のいずれかに記載の装置。
２２．前記共通のプラットフォーム（13）がシリコンオプチカルベンチ（ＳｉＯＢ）のようなオプチカルベンチであることを特徴とする、上記２１に記載の装置。
【００６１】
【発明の効果】
本発明により、結合の問題、スペースの問題及び電力損失の問題を克服した波長監視監視システムが提供される。また、小型でレーザー光源と同じパッケージ中に一緒に実装されるように適合された波長監視システムが提供される。さらに、本発明の構成は、光学マウントの受動的なアライメントプロセスと完全に適合するので、低コストを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置のレイアウト及び構成の概要を示す図である。
【図２】図１に示した構成の略側面図である。
【図３】レーザーダイオード等のレーザー光源により発せられたパワーの代表的な角度分布を示すグラフである。
【図４】異なる屈折率を有する第一の媒体と第二の媒体との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフである。
【図５】異なる屈折率を有する第一の媒体と第二の媒体との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフである。
【図６】異なる屈折率を有する第一の媒体と第二の媒体との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフである。
【符号の説明】
10  レーザー
11  第一のフォトダイオード
12  第二のフォトダイオード
14  半導体スライス
15  波長選択フィルタ
101  温度調節素子
110  出力信号
141  第一の面
142  第二の面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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