(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド部、該ダイパッド部の近傍に配置された複数のリード部、並びに前記ダイパッド部及び複数のリード部を支持し且つ側辺部に切り欠き部が形成されたフレーム枠部を有するリードフレームを用意する第１の工程と、
前記リードフレームの素子保持面と反対側の面である底面に、樹脂回り込み防止材を封止用樹脂材が前記リードフレームの底面側に回り込むことを防止するように設けると共に、前記樹脂回り込み防止材における前記リードフレームの底面との対向面を前記切り欠き部から露出するように設ける第２の工程と、
前記ダイパッド部の素子保持面に半導体素子をそれぞれ固着した後、前記半導体素子と前記複数のリード部とを電気的に接続する第３の工程と、
前記半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材により前記リードフレームの半導体装置形成領域に封止する第４の工程と、
前記樹脂回り込み防止材における前記切り欠き部から露出する部分を保持し、保持した状態で前記樹脂回り込み防止材を前記リードフレームの底面から除去する第５の工程とを備えていることを特徴とする封止樹脂型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程は、前記樹脂回り込み防止材として接着性又は粘着性を有するテープ材を用い、該テープ材を前記リードフレームの底面における前記半導体装置形成領域を除く領域が露出するように貼付する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の封止樹脂型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止部（パッケージ）の底面からリード部を露出する面実装型のリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化及び高機能化に対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く要求されるようになってきている。これに伴って、半導体チップ（半導体素子）とリードとを封止用樹脂材により一体に封止してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急速に進展しており、さらには、生産コスト及び生産性向上を図るために、種々の工夫がなされている。
【０００３】
例えば、ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程の後に、封止用樹脂材により複数の半導体チップを個別に封止するのではなく、これらを一括に封止し、一括に封止された複数の半導体チップを個別に分割するという一括成形法が開発されている。
【０００４】
図５（ａ）は、従来の一括成型法に用いる面実装型のリードフレームの平面構成を模式的に示し、図５（ｂ）はその底面構成を模式的に示している。
【０００５】
図５（ａ）に示すように、リードフレーム１００は、その中央部分に複数のダイパッド部及びリード部（図示せず）を含む半導体装置形成領域１０１を有し、該半導体装置形成領域１０１の周縁部はフレーム枠部１０２により連結して支持されている。また、フレーム枠部１０２におけるモールド（封止）ライン１１０の内側の領域は封止用樹脂材により一括に封止される。
【０００６】
また、図５（ｂ）に示すように、半導体素子の保持面の反対側の面である底面には接着性又は粘着性を有するテープ材１０５が全面にわたって貼付されている。このテープ材１０５は、封止用樹脂材がリードフレーム１００の底面側に回り込むことを防止するために設けられている。
【０００７】
また、テープ材１０５は、樹脂封止工程の後に、半導体装置形成領域１０１に含まれる複数の半導体装置を個別に分割する分割工程よりも前に剥離され除去される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の一括成形法に用いるリードフレーム１００は、テープ材１０５の剥離を容易に行なうことができないという問題がある。
【０００９】
本発明は、前記従来の問題を解決し、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止するために設けられた、テープ材等からなる樹脂回り込み防止材を容易に除去できるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、リードフレームを、そのフレーム枠部に切り欠き部を設けることによりフレーム枠部から樹脂回り込み防止材を露出させるか、又は樹脂回り込み防止材をフレーム枠部の底面を露出させるように設ける構成とする。
【００１１】
具体的に、本発明に係る第１のリードフレームは、ダイパッド部と、該ダイパッド部の近傍に配置された複数のリード部と、ダイパッド部及び複数のリード部とを支持するフレーム枠部とを備えたリードフレームを対象とし、リードフレームの素子保持面と反対側の面である底面には、ダイパッド部及び複数のリード部を樹脂封止する際に、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材が設けられており、フレーム枠部の側辺部には、樹脂回り込み防止材におけるリードフレームの底面との対向面をフレーム枠部から露出する切り欠き部が設けられている。
【００１２】
第１のリードフレームによると、樹脂回り込み防止材におけるリードフレームの底面との対向面をフレーム枠部から露出する切り欠き部が設けられているため、樹脂回り込み防止材を除去する際に、樹脂回り込み防止材の切り欠き部からの露出部分を保持手段により保持することができるので、樹脂回り込み防止材を容易に除去することができる。
【００１３】
第１のリードフレームにおいて、樹脂回り込み防止材が、接着性又は粘着性を有するテープ材であって、リードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く領域を露出するように貼付されていることが好ましい。このように、リードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く領域、例えばフレーム枠部の一部を露出させると、フレーム枠部の露出部分を他の保持手段により保持しておくことが可能となるため、樹脂回り込み防止材をより容易に除去することができるようになる。
【００１４】
本発明に係る第２のリードフレームは、ダイパッド部と、該ダイパッド部の近傍に配置された複数のリード部と、ダイパッド部及び複数のリード部とを支持するフレーム枠部とを備えたリードフレームを対象とし、リードフレームの素子保持面と反対側の面である底面には、ダイパッド部及び複数のリード部を樹脂封止する際に、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材が半導体装置形成領域を除く領域から露出するように設けられている。
【００１５】
第２のリードフレームによると、樹脂回り込み防止材が半導体装置形成領域を除く領域を露出するように設けられているため、樹脂回り込み防止材を除去する際に、フレーム枠部の露出部分を保持することにより、樹脂回り込み防止材を除けてリードフレームのみを固定することができるので、樹脂回り込み防止材のみを容易に除去することができる。
【００１６】
本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部、該ダイパッド部の近傍に配置された複数のリード部、並びにダイパッド部及び複数のリード部を支持し且つ側辺部に切り欠き部が形成されたフレーム枠部を有するリードフレームを用意する第１の工程と、リードフレームの素子保持面と反対側の面である底面に、樹脂回り込み防止材を封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止するように設けると共に、樹脂回り込み防止材におけるリードフレームの底面との対向面を切り欠き部から露出するように設ける第２の工程と、ダイパッド部の素子保持面に半導体素子をそれぞれ固着した後、半導体素子と複数のリード部とを電気的に接続する第３の工程と、半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材によりリードフレームの半導体装置形成領域に封止する第４の工程と、樹脂回り込み防止材における切り欠き部から露出する部分を保持し、保持した状態で樹脂回り込み防止材をリードフレームの底面から除去する第５の工程とを備えている。
【００１７】
第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、リードフレームが側辺部に切り欠き部が形成されたフレーム枠部を有する本発明に係る第１のリードフレームと同等のリードフレームを用いており、さらに、樹脂回り込み防止材におけるリードフレームの底面との対向面を切り欠き部から露出するように設けるため、樹脂封止工程の後に、リードフレームの底面に設けられた樹脂回り込み防止材を容易に除去することができるので、パッケージの底面からリードを露出する面実装型の樹脂封止型半導体装置の製造を容易化することができる。
【００１８】
第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第２の工程が、樹脂回り込み防止材として接着性又は粘着性を有するテープ材を用い、該テープ材をリードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く領域が露出するように貼付する工程を含むことが好ましい。
【００１９】
本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部、該ダイパッド部の近傍に配置された複数のリード部、並びにダイパッド部及び複数のリード部を支持するフレーム枠部を有するリードフレームを用意する第１の工程と、リードフレームの素子保持面と反対側の面である底面における半導体装置形成領域に、樹脂回り込み防止材を、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止し且つリードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く領域を露出するように設ける第２の工程と、ダイパッド部の素子保持面に半導体素子をそれぞれ固着した後、半導体素子と複数のリード部とを電気的に接続する第３の工程と、半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材によりリードフレームの半導体装置形成領域に封止する第４の工程と、リードフレームの底面における樹脂回り込み防止材から露出する部分を保持し、保持した状態で樹脂回り込み防止材をリードフレームの底面から除去する第５の工程とを備えている。
【００２０】
第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂回り込み防止材を、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止し且つリードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く領域を露出するように設けた、本発明に係る第２のリードフレームと同等のリードフレームを用いるため、樹脂封止工程の後に、リードフレームの底面に設けられた樹脂回り込み防止材を容易に除去することができるので、パッケージの底面からリードを露出する面実装型の樹脂封止型半導体装置の製造を容易化することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るリードフレームであって、図１（ａ）は模式的な平面構成を示し、図１（ｂ）は模式的な底面構成を示している。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、第１の実施形態に係るリードフレーム１０Ａは、樹脂封止型で且つ面実装型の半導体装置用のリードフレームであって、その中央部分に複数の半導体素子が一括に樹脂封止される半導体装置形成領域１１を有し、該半導体装置形成領域１１の周縁部はフレーム枠部１２に連結されて支持されている。さらに、部分拡大図に示すように、半導体装置形成領域１１における１つの半導体装置と対応する部分には、ダイパッド部１１ａと該ダイパッド部１１ａの周囲に配置された複数のリード部１１ｂとがフレーム枠部１２に支持されるように形成されている。
【００２４】
フレーム枠部１２におけるモールド（封止）ライン１７は、その内側の領域が封止用樹脂材により一括に封止される領域であることを示している。
【００２５】
また、図１（ｂ）に示すように、リードフレーム１０Ａにおける半導体素子の保持面の反対側の面である底面には、樹脂回り込み防止材としての接着性又は粘着性を有するテープ材１５が全面にわたって密着するように貼付されている。このテープ材１５は、前述した従来のリードフレームと同様に、樹脂封止工程において封止用樹脂材がリードフレーム１０Ａの底面側に回り込むことを防止するために設けられている。
【００２６】
第１の実施形態の特徴として、フレーム枠部１２の短辺側には、テープ材１５におけるリードフレーム１０Ａの底面との対向面をフレーム枠部１２から露出するように切り欠き部１２ａが設けられている。
【００２７】
このように、第１の実施形態によると、テープ材１５におけるリードフレームの底面との対向面をフレーム枠部１２から露出する切り欠き部１２ａが設けられているため、テープ材１５をリードフレーム１０Ａの底面から剥離して除去する際に、該テープ材１５における切り欠き部１２ａからの露出部分を保持手段により確実に保持することができるようになるので、テープ材１５を容易に除去することができる。
【００２８】
ここで、切り欠き部１２ａの幅寸法（リードフレーム１０Ａの短辺に平行な方向の寸法）は、５ｍｍ〜７０ｍｍ程度とし、奥行き寸法（短辺に垂直な方向の寸法）は０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度としている。
【００２９】
また、リードフレーム１０Ａの材料は、適当で良く、例えば、銅（Ｃｕ）合金又は鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）の合金であれば良い。
【００３０】
また、テープ材１５の厚さは、２０μｍ〜３００μｍ程度とし、その基材は、例えば、ポリイミド若しくはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる絶縁性薄膜、又はアルミニウム（Ａｌ）若しくは金（Ａｕ）からなる金属薄膜を用いれば良い。
【００３１】
基材に塗布する接着材又は粘着材は、封止用樹脂材に熱硬化性樹脂材を用いる場合には、熱硬化性樹脂材の一般的な加熱温度である１８０℃程度の温度に耐え得る材料、例えば熱可塑性を有するアミド系接着剤を用いると良い。
【００３２】
以下、前記のように構成されたリードフレーム１０Ａを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図２（ａ）〜図２（ｅ）は第１の実施形態に係るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の断面構成を模式的に示している。
【００３４】
まず、図２（ａ）に示すように、図１に示したような、複数のダイパッド部、該複数のダイパッド部のそれぞれの近傍に配置された複数のリード部、並びに複数のダイパッド部及び複数のリード部を支持し且つ側辺部に切り欠き部１２ａが形成されたフレーム枠部１２を有するリードフレーム１０Ａを用意する。
【００３５】
続いて、リードフレーム１０Ａの素子保持面と反対側の面である底面に、樹脂回り込み防止材であるテープ材１５を、封止用樹脂材がリードフレーム１０Ａの底面側に回り込むことを防止するように設けると共に、テープ材１５におけるリードフレーム１０Ａの底面との対向面を切り欠き部１２から露出するように貼付する。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すダイボンディング工程において、複数のダイパッド部の素子保持面に半導体素子２０をそれぞれ固着した後、図２（ｃ）に示すワイヤボンディング工程において、半導体素子２０と各リード部とを、例えば金（Ａｕ）からなる金属細線２１により電気的に接続する。なお、半導体装置２０の仕様によっては、金属細線２１を用いずに半導体素子２０とリード部との電気的な接続を図っても良い。
【００３７】
次に、図２（ｄ）に示す樹脂封止工程において、複数の半導体素子２０及び複数のリード部を封止用樹脂材によりリードフレーム１０Ａの半導体装置形成領域に一括して封止することにより、封止樹脂部１７Ａを形成する。
【００３８】
その後、テープ材１５における切り欠き部１２ａから露出する部分をクランパ３０により保持し、保持した状態でテープ材１５をリードフレーム１０Ａの底面から剥離して除去する。ここで、テープ材１５に熱可塑性を持つ接着材を用いた場合には、加熱しながら剥離すると良い。
【００３９】
次に、図２（ｅ）に示す分割工程において、封止樹脂部１７Ａの素子保持面側を切削用固定テープ材３１上に保持し、続いて、切削手段としてダイシングブレード３２等を用いて、リードフレーム１０Ａ及び封止樹脂部１７Ａを少なくとも１つの半導体素子２０が含まれるように分割する。
【００４０】
なお、切り欠き部１２ａの形成位置はリードフレーム１０Ａの短辺側に限られず、長辺側に設けてもよい。また、一辺当たり複数の切り欠き部１２を設けてもよい。
【００４１】
また、切削手段はダイシングブレード３２に限られず、例えばレーザ光等を用いてもよい。
【００４２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係るリードフレームであって、図３（ａ）は模式的な平面構成を示し、図３（ｂ）は模式的な底面構成を示している。図３（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００４４】
図３（ｂ）に示すように、第２の実施形態に係るリードフレーム１０Ｂはフレーム枠部１２に切り欠き部を設ける代わりに、テープ材１５の幅寸法を、少なくとも半導体装置形成領域１１を覆う程度にリードフレーム１０Ｂの短辺の寸法よりも小さくして、リードフレーム１０Ｂの底面における半導体装置形成領域１１を除く領域、すなわちフレーム枠部１２の底面側のいずれかの領域を露出するように設けている。
【００４５】
このように、第２の実施形態によると、テープ材１５がリードフレーム１０Ｂの底面における半導体装置形成領域１１を除く領域を露出するように設けられているため、テープ材１５を剥離して除去する際に、フレーム枠部１２の露出部分を保持手段により保持することにより、テープ材１５を挟むことなくリードフレーム１０Ｂのみを固定することができる。その結果、テープ材１５のみを確実に除去することができる。
【００４６】
なお、リードフレーム１０Ｂの露出部分の幅寸法（短辺と平行な方向の寸法）は、１ｍｍ〜１０ｍｍ程度とすれば良い。また、ここでは、リードフレーム１０Ｂにおける長辺側の両側方を露出させたが、いずれか一方でも良い。さらには、この露出部分は長辺側に限らず、短辺側に１つ以上設けても良い。
【００４７】
また、テープ材１５をリードフレーム１０Ｂの周縁部から最大で１０ｍｍ程度、はみ出すように貼付してもよい。
【００４８】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４９】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係るリードフレームであって、図４（ａ）は模式的な平面構成を示し、図４（ｂ）は模式的な底面構成を示している。図４（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００５０】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第３の実施形態に係るリードフレーム１０Ｃはフレーム枠部１２に切り欠き部１２ａを設けており、さらに、テープ材１５の幅寸法を、少なくとも半導体装置形成領域１１を覆う程度にリードフレーム１０Ｃの短辺の寸法よりも小さくして、リードフレーム１０Ｃの底面における半導体装置形成領域１１を除く領域、すなわちフレーム枠部１２の底面側のいずれかの領域を露出するように設けている。
【００５１】
第３の実施形態によると、テープ材１５をリードフレーム１０の底面から剥離して除去する際に、該テープ材１５における切り欠き部１２ａからの露出部分をクランパ等により確実に保持することができる。その上、リードフレーム１０Ｃの露出部分を保持することにより、テープ材１５を挟むことなくリードフレーム１０Ｃのみを固定することができるようになる。すなわち、除去対象のテープ材１５を容易に保持でき、且つ、テープ材１５が除去されるリードフレーム１０Ｃのみを確実に固定できるため、テープ材１５のみを容易に且つ確実に除去することができる。
【００５２】
【発明の効果】
本発明に係るリードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法によると、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材を、該樹脂回り込み防止材におけるリードフレームとの対向面又はリードフレームにおける樹脂回り込み防止材との対向面の少なくとも一方を露出するように設けることにより、樹脂回り込み防止材を容易に且つ確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図であり、（ｂ）は模式的な底面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施形態に係るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す模式的な工程順の構成断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図であり、（ｂ）は模式的な底面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図であり、（ｂ）は模式的な底面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は従来の一括成形法に用いるリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図であり、（ｂ）は模式的な底面図である。
【符号の説明】
１０Ａ    リードフレーム
１０Ｂ    リードフレーム
１０Ｃ    リードフレーム
１１      半導体装置形成領域
１１ａ    ダイパッド部
１１ｂ    リード部
１２      フレーム枠部
１２ａ    切り欠き部
１５      テープ材（樹脂回り込み防止材）
１７      モールド（封止）ライン
１７Ａ    封止樹脂部
２０      半導体素子
２１      金属細線
３０      クランパ
３１      切削用固定テープ材
３２      ダイシングブレード
【図１】
0004317665.tif 000002
【図２】
0004317665.tif 000003
【図３】
0004317665.tif 000004
【図４】
0004317665.tif 000005
【図５】
0004317665.tif 000006