(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極（２）が設けられたウェハ（１）上に形成された絶縁層（３）と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成された開口部（３ａ）を介して前記電極に接続された再配線層（６ａ）と、前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封止する封止樹脂層（８、８ａ、８ｂ、８ｃ）と、この封止樹脂層を貫通し頂部（７ａ、３７ａ、４１ａ）に半田バンプ（１１）が形成されたポスト（７、３７、４１、７０）とを有し、
前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部（４）と、この樹脂製突部の頂部（４ａ）を含んで前記樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記半田バンプとに接続された導電層（１６０、１６１）とを有し、該導電層は、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層（６ｃ）と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層（６ｄ）とを有し、前記ポストの頂部には凹凸が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ（２０、３０）。
【請求項２】
前記ポスト頂部の凹凸が、前記樹脂製突部頂部の凹凸に沿って被覆された導電層によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記ポストの頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除外部（３１）が前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保され、この導電層被覆除外部と前記導電層とによって、前記ポスト頂部の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
電極（２）が設けられたウェハ（１）上に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けられた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部（４ａ）に凹凸を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層（６ｃ）と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層（６ｄ）とを有する導電層（１６０、１６１）を前記再配線層に接続させて形成する工程と、前記導電層上に半田バンプ（１１）を形成する工程とを有し、
前記樹脂製突部に前記導電層を形成するにあたって、前記樹脂製突部の頂部では、該頂部の凹凸に沿った凹凸の表面形状を有する導電層を前記頂部の凹凸に沿わせて被覆形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
電極（２）が設けられたウェハ（１）上に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けられた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有する導電層を前記再配線層に接続させて形成し、前記樹脂製突部の頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除外部（３１）を前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保して前記導電層を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプ（１１）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
電極（２）が設けられたウェハ（１）上に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けられた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有する導電層を前記再配線層に接続させて形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層を粗面化する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプ（１１）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウェハレベルＣＳＰ（Chip  Size/Scale Package）等の半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法に係り、特に、接続時にポストに働く応力の影響を緩和して信頼性を向上できる半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の小型化が促進されており、これに伴ってそのパッケージの小型化が注目されている。例えば、日経マイクロデバイス１９９８年８月号及び１９９９年２月号等に種々の半導体パッケージが提案されている。その中でも、特にＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージによるウェハレベルＣＳＰは、パッケージの小型化及びコストの低減に高い効果を示す。このＣＳＰは、ウェハごと樹脂封止されたパッケージである。図１５は従来のＣＳＰの構成を示す断面図である。
なお、図１５は回路基板へ搭載される状態を示しており、以下の説明では図１５とは上下関係が逆になっている。
【０００３】
従来のＣＳＰにおいては、ウェハ５１上に複数個のＡｌパッド５２が形成されている。また、ウェハ５１の全面にＡｌパッド５２を覆うＳｉＮ層５３及びポリイミド層５４が形成されている。ＳｉＮ層５３及びポリイミド層５４には、その表面からＡｌパッド５２まで達するビアホールが形成されている。そして、ビアホール内に導体層５５が埋め込まれている。更に、ポリイミド層５４上には、導体層５５に接続された再配線層５６が形成されている。再配線層５６は、例えばＣｕからなる。そして、ポリイミド層５４の全面に再配線層５６を覆う封止樹脂層５７が設けられている。封止樹脂層５７の内部には、その表面から再配線層５６まで達するメタルポストとしてＣｕポスト５８が形成されている。Ｃｕポスト５８上には、バリアメタル層５９が形成されており、このバリアメタル層５９上に半田等のソルダボール６０が形成されている。
【０００４】
次に、上述のような従来のＣＳＰの製造方法について説明する。図１６（ａ）〜（ｅ）は従来のＣＳＰの製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図１６（ａ）〜（ｅ）においては、再配線層及びポリイミド層等は省略している。
まず、図１６（ａ）に示すように、表面が平坦なウェハ６１を準備する。そして、図１６（ｂ）に示すように、ウェハ６１上に複数個のＣｕポスト等のメタルポスト６２をめっきにより形成する。次いで、図１６（ｃ）に示すように、全てのメタルポスト６２を覆うように樹脂封止を行い、樹脂封止層６３を形成する。その後、図１６（ｄ）に示すように、封止樹脂層６３の表面を研磨することにより、各メタルポスト６２を露出させる。そして、図１６（ｅ）に示すように、メタルポスト６２上に半田等のソルダボール６４を搭載する。
このようにして、前述のようなＣＳＰが形成される。このＣＳＰは、その後、所定の大きさにダイジングされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率は相違しているので、この熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッケージの端子（Ｃｕポスト等のメタルポスト）に集中する。前述のようなＣＳＰにおいても半田接続を用いるから、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッケージの端子に集中しやすく、この端子に集中する応力による歪みが大きくなると、電極剥離、抵抗値の増大等の問題が生じてくる。半導体パッケージの端子と半田バンプとの間の接合強度が不充分であると、前記端子に働く応力によって、半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の問題が生じやすくなる。
このような問題を回避するには、例えば、半導体パッケージのウェハと基板とを直接接続せず、間に入れた緩衝部材を介して接続すること等により応力緩和を図っている。しかしながら、前記緩衝部材を利用した応力緩和では、半導体パッケージと回路基板とを接続した後の厚さ寸法が大きくなるし、構造の複雑化、コストの上昇等を回避できない。
また、ポストを大型化（通常、回路基板等の接触部分の接触面積の大型化には限界があるから、高さの大型化になる）して、応力を分散、吸収することも考えられるが、これでは、目的の高さのメタルポストを形成するためのめっき時間が非常に長くなり、半導体パッケージの製造能率を低下させてしまうため、問題を解決できない。
なお、前述の半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の問題は、前述のようなメタルポストを有するＣＳＰに限定されるものでは無く、インタポーザ、ＢＧＡ基板、フリップチップ等でも、半田バンプを有する構造体では、半田バンプの接合強度に起因して同様に発生する。このため、構造体の導電体（前述のＣＳＰの端子等）と半田バンプとの間の接合強度を向上できる具体的な技術の開発が求められていた。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、
（１）樹脂製突部を有するポスト（端子）の変形によって、回路基板等の接続に伴う応力集中を効率良く緩和できる、
（２）しかも、ポストの頂部に形成した凹凸によって、ポストと半田バンプとの間の接合強度を向上でき、ポストの変形による前記応力集中の緩和を、より効果的に確実に行える、
半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体パッケージは、電極が設けられたウェハ上に形成された絶縁層と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成された開口部を介して前記電極に接続された再配線層と、前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封止する封止樹脂層と、この封止樹脂層を貫通し頂部に半田バンプが形成されたポストとを有し、前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部と、この樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記半田バンプとに接続された導電層とを有し、該導電層は、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有し、前記ポストの頂部には凹凸が形成されていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体パッケージにおいて、前記ポスト頂部の凹凸が、前記樹脂製突部頂部の凹凸に沿って被覆された導電層によって形成されていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体パッケージにおいて、前記ポストの頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除外部が前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保され、この導電層被覆除外部と前記導電層とによって、前記ポスト頂部の凹凸が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この発明では、回路基板等が半田バンプを介して接続されるポストが、樹脂製突部に導電層を形成したものであるため、接続時にポストに発生した応力を樹脂製突部の変形（圧縮、曲げ等の変形）によって分散、吸収できる。この構成により、緩衝部材を設けて接続時の厚さ寸法を増大させたり、ポストの大型化によりポストの形成時間の長時間化、半導体パッケージの製造能率の低下を生じさせること無く、接続時に発生する応力を効率良く分散、吸収することができる。
本発明では、さらに、ポストの頂部に形成された凹凸によって、ポストと半田バンプとの接合強度を充分に確保できる点が重要である。半田バンプは、ポストの頂部に形成された凹凸に一部入り込むようにして形成されたり、回路基板等との接続時に溶融された際にポスト上部の凹凸に一部入り込むことで、ポストとの接合強度が確保される。この構成により、回路基板等と半導体パッケージとの間に発生した応力をポストに確実に伝達して、ポストによって確実に分散、吸収させることができる。接合強度の向上によって、半田バンプの剥離等の不都合を確実に防止できる。
【０００９】
請求項４記載の半導体パッケージの製造方法は、電極が設けられたウェハ上に、前記電極に整合する領域に開口部が設けられた絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部に凹凸を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有する導電層を前記再配線層に接続させて形成する工程と、前記導電層上に半田バンプを形成する工程とを有し、前記樹脂製突部に前記導電層を形成するにあたって、前記樹脂製突部の頂部では、前記頂部の凹凸に沿わせて前記導電層を被覆形成することで、該導電層に前記樹脂製突部の頂部の凹凸に沿った凹凸の表面形状を得ることを特徴とする。
請求項５記載の半導体パッケージの製造方法は、電極が設けられたウェハ上に、前記電極に整合する領域に開口部が設けられた絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層を形成する工程と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有する導電層を前記再配線層に接続させて形成し、前記樹脂製突部の頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除外部を前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保して前記導電層を形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする。
請求項６記載の半導体パッケージの製造方法は、電極が設けられたウェハ上に、前記電極に整合する領域に開口部が設けられた絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された再配線層を形成する工程と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆し、前記樹脂製突部の頂部に形成された頂部導電層と、該頂部導電層から複数方向に延びるようにして前記樹脂製突部の側面上に被覆された複数本の側面導電層とを有する導電層を前記再配線層に接続させて形成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層を粗面化する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半田バンプとポストとの間の接合強度の確保のために、頂部に凹凸を有するポストを形成するものである。
樹脂製突部に被覆した導電層は、樹脂製突部表面に沿った形状の層を形成するため、本発明に係る製造方法では、樹脂製突部の外形にほぼ沿った外形のポストが形成される。樹脂製突部への導電層の被覆は、例えば、めっき、蒸着、スパッタ等が採用可能である。
半田バンプの形成は、ボールマウント、めっき、ディスペンスなどによってポスト頂部に設けた半田の再溶融（リフロー）等によって行う。この再溶融によって、ポスト頂部の凹凸に半田が入り込むようにして接合することで、ポストと半田バンプとの間に優れた接合強度を確保できる。
また、請求項４から６記載の製造方法では、例えば、樹脂製突部を形成する工程と樹脂製突部に導電層を形成する工程との間に、アンダーバンプメタルとして働く金属層をシード層として樹脂製突部に被覆する工程を有していたり、導電層の形成後に少なくとも樹脂製突部の頂部に位置する導電層上に前記シード層を被覆する工程を追加することも可能である。
【００１１】
請求項４記載の製造方法では、樹脂製突部の頂部に形成した凹凸に沿った凹凸形状に被覆形成された導電層によって、ポスト頂部に凹凸が形成される。樹脂製突部の頂部への凹凸の形成には、ウェットエッチング、プラズマエッチングに代表されるドライエッチング、レーザ加工等による一部除去等の手法が採用される。また、樹脂製突部の頂部への凹凸の形成は、樹脂製突部の頂部の一部除去に限定されず、樹脂製突部頂部に樹脂等からなる小突起を形成することなどによっても可能である。
なお、この製造方法では、樹脂製突部へのめっきにより導電層を被覆する場合、光沢浴（光沢剤を用いた光沢めっき）を用いることが好ましい。これにより、より安定膜厚の導電層が形成されるから、樹脂製突部頂部の凹凸に沿った凹凸形状の導電層を安定膜厚で形成することができ、ポスト頂部の凹凸が確実に得られる。
【００１２】
請求項５記載の発明は、樹脂製突部の頂部上に導電層被覆除外部を確保して導電層を形成することで、ポスト頂部の凹凸を形成するものである。
樹脂製突部の頂部に、導電層と、該導電層の一部切り欠いた形状の導電層被覆除外部とを形成する手法としては、例えば以下のものが採用可能である。
▲１▼フォトリソグラフィ技術を利用して、前記導電層被覆除外部を確保するレジスト膜をパタン形成し、めっき、スパッタ、蒸着等により導電層の金属層を形成する、
▲２▼形成した導電層をウェットエッチング、プラズマ加工等のドライエッチング、レーザ加工等により、一部を切り取るようにして除去して導電層被覆除外部を形成する。
▲１▼のめっきによる導電層の形成では、無光沢浴を用いることが好ましい。すなわち、光沢浴を用いた場合はめっきによって形成される導電層の膜厚が安定するが、無光沢浴では、光沢剤による膜厚安定化が作用しない分、凹凸の大きいめっき表面が得られる。
【００１３】
請求項６記載の製造方法は、樹脂製突部頂部を被覆する導電層の粗面化によりポスト頂部の凹凸を形成するものである。導電層の粗面化は、例えば、回路基板製造等において用いられている公知の表面粗化エッチングや、レーザ加工等により行うことができる。前記表面粗化エッチングは、回路基板製造等において、銅層の表面を粗して絶縁層との密着性を向上すること等に用いられている。
【００１４】
また、請求項４から６記載の発明では、ウェハ、絶縁層及び再配線層を封止し、前記樹脂製突部に前記導電層が被覆されたポストを露出させる開口部を有する封止樹脂層を形成する工程を備えていても良い。この場合、前記封止樹脂層の開口部において前記導電層上に半田バンプを形成する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は本発明に係る第１実施形態の半導体パッケージ２０を示す断面図、図２は図１の半導体パッケージ２０のポスト７を示す斜視図である。
なお、図１等では、後述するパッシベーション膜９等の図示を省略している。
【００１７】
図１、図２に示すように、半導体パッケージ２０は、電極２が設けられたウェハ１上に形成された絶縁層３と、この絶縁層３の前記電極２に整合する領域に形成された開口部３ａと、この開口部３ａを介して前記電極２に接続された導電層である再配線層６ａと、前記ウェハ１、前記絶縁層３及び前記再配線層６ａを封止する封止樹脂層８と、この封止樹脂層８を貫通し頂部７ａに半田バンプ１１が形成されたポスト７とを有している。
ここでは、ウェハ１として、シリコンウェハを採用しており、以下「Ｓｉウェハ１」と称する場合がある。
電極２としては、各種導電性材料が採用可能であるが、ここではアルミニウム製パッドを採用している。
【００１８】
前記ポスト７は、前記絶縁層３上に形成された樹脂製突部４と、この樹脂製突部４を被覆して、前記再配線層６ａ及び前記半田バンプ１１に接続された導電層１６０とを有している。樹脂製突部４に形成された前記導電層１６０は、再配線層６ａと半田バンプ１１との間を電気的に接続する機能を果たす。
このポスト７は、具体的には、円錐台状の樹脂製突部４に導電層１６０を被覆形成したものであり、樹脂製突部４の外形に沿った円錐台状の外形を有する。ポスト７の頂部７ａとは、樹脂製突部４の頂部４ａの上面４ｂ上に導電層１６０が形成された部分である。前記樹脂製突部上面４ｂには凹凸が形成されており（図１、図２では凹部４ｄによって凹凸が形成。ここでは凹部４ｄは溝）、この樹脂製突部上面４ｂの凹凸に沿って導電層１６０が凹凸形状に被覆形成されて、ポスト頂部７ａの上面７ｃに凹凸（凹部７ｂ）が形成されている。半田バンプ１１は、ポスト７の頂部７ａの上面７ｃに設けた半田ボールの再溶融、前記ポスト上面７ｃへの金属めっき等によって、一部が、ポスト上面７ｃの凹部７ｂに入り込んだ状態に形成されるため、ポスト７（詳細にはポスト上面７ｃ）との間の接合強度を向上できる。
【００１９】
図１、図２では、半田バンプ１１が形成されるポスト上面７ｃに一本の直線状の溝状の凹部７ｂが形成された構成を例示しているが、これに限定されず、例えば、図３、図４（図４はポスト上面７ｃを示す平面図）に示すように、半田バンプ１１が形成されるポスト上面７ｃに複数本の直線状の溝である凹部７ｂを形成すれば、半田バンプ１１とポスト７との間の接合強度を一層高めることができる。また、図５（ａ）に示すように、ポスト上面７ｃに円形の溝状の凹部７ｄを形成したり、図５（ｂ）に示すように、穴状の凹部７ｅを形成すること等によっても、ポスト上面７ｃの凹凸を形成できる。これら凹部７ｂ、７ｄ、７ｅはいずれも、樹脂製突部上面４ｂを被覆する導電層が、樹脂製突部上面４ｂに形成された凹凸に沿った凹凸形状に形成されることで形成される。
なお、ポスト上面における直線あるいは円形の溝状の凹部７ｂ、７ｄや穴状の凹部７ｅの形成数、大きさ、形状等は、図示したものに限定されず、適宜変更可能であることは言うまでも無い。溝状の凹部は、平面視形状（ポストを頂部側から見た形状）が、例えば、波形に湾曲された形状、屈曲箇所を複数有する形状等、各種形状が採用可能である。
【００２０】
次に、半導体パッケージ２０の製造方法の一例を図面を参照して具体的に説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る半導体パッケージ２０の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２１】
まず、図６（ａ）に示すように、集積回路（図示せず）及びその電極、例えば、電極２が設けられたＳｉウェハ１の全面（上面１ａの全面。以下もウェハ１の「全面」とは、上面１ａ全面のことを指す）にＳｉＮなどのパッシベーション膜９を直接形成したものを準備し、このパッシベーション膜９の電極２に整合する位置に開口部を形成し、電極２を露出させる。
【００２２】
次に、図６（ｂ）に示すように、電極２に整合する位置に開口部３ａを有する樹脂製の絶縁層３を形成する。絶縁層３は、例えばポリイミド、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。また、絶縁層３は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。開口部３ａは、例えば、樹脂層３を構成するポリイミド等の膜をウェハ１全面に成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成できる。
【００２３】
次に、図６（ｃ）に示すように、ウェハ１上において電極とは離れた位置に、絶縁層３上に樹脂からなる樹脂製突部４を形成する。この樹脂製突部４は、絶縁層３上に隆起した突起状であり、断面が台形状あるいは半円状等の、絶縁層３からの突出寸法が最も大きい部分である頂部４ａを有する形状に形成されるものであり、ここでは円錐の頂部付近を除いて平坦な上面４ｂを形成した形状（円錐台状）である。
樹脂製突部４は、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば２５〜１００μｍ程度である。また、樹脂製突部４は前述のポリイミド等の樹脂を用いた、回転塗布法（スピンコート）、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。
【００２４】
図６（ｄ）に示すように、樹脂製突部４の上面４ｂには、凹凸を形成する。この凹凸は、例えば、フォトリソグラフィ技術で形成したパタンを用いたエッチング等により樹脂製突部４の上面４ｂに形成することができる。プラズマエッチングを代表とするドライエッチング、レーザ加工等も採用可能である。
【００２５】
次に、図７（ａ）に示すように、電解めっき用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域（後述の導電層６を形成する領域）に形成する。ここで、シード層５は、樹脂製突部４の表面に沿った形状に被覆形成されるため、樹脂製突部４の頂部４ａでは、樹脂製突部上面４ｂの凹凸に適合する凹凸形状に形成される。
このシード層５は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ａｕ等をそれぞれ単独に用いた金属層あるいは合金層であり、具体的には、例えばスパッタ法により形成されたＣｕ層及びＣｒ層の積層体又はＣｕ層及びＴｉ層の積層体等として形成される。また、無電解Ｃｕめっき層であっても良く、蒸着法、塗布法又は化学気相成長（ＣＶＤ）法等により形成された金属薄膜層であってもよく、これらを組み合わせても良い。
【００２６】
次に、前記シード層５上にレジスト膜（図示略）を形成し、図７（ｂ）に示すように、このレジスト膜をマスクとして露出したシード層５上に、めっき、スパッタ、蒸着等により導電層６である金属層を形成する。この導電層６の形成によって、ポスト７の導電層１６０や、絶縁層３上の再配線層６ａが形成される。樹脂製突部４に目的形状の導電層１６０が被覆形成されることで、ポスト７が形成される。
ポスト７の導電層１６０は、樹脂製突部４の表面に沿った形状（詳細にはシード層５の表面に沿った形状）に形成される。ポスト７の頂部７ａでは、樹脂製突部上面４ｂの凹凸に沿った凹凸形状に導電層１６０が形成される。つまり、ここでは、樹脂製突部上面４ｂの凹部４ｄに対応して、導電層１６０にも凹部７ｂが形成される。これにより、ポスト上面７ｃの凹凸が形成される。
【００２７】
導電層６である金属層としては、樹脂製突部４に対する被覆膜厚の安定や、被着性、膜強度等の点では、めっきにより形成されたＣｕめっき層等が適切であるが、これに限定されず、Ｃｕ以外の金属のめっきによる金属めっき層、スパッタ、蒸着等により形成された各種金属層であっても良い。
この工程により、Ｓｉウェハ１上に導電層６からなる回路パタンが形成される（再配線層６ａを含む）。導電層６の厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。その後、導電層６上に、例えばＮｉめっき層及びＡｕめっき層（いずれも図示略）を形成して、後の工程で形成する半田バンプの濡れ性の向上を図ること等も可能である。
導電層６の形成後、レジスト膜を除去し、ウェハ１面上に露出している不要なシード層５をエッチング等により除去して導電層６以外の部分に絶縁層３を露出させる。
【００２８】
レジスト膜には、開口部３ａ、樹脂製突部４及びこれらを含む領域における導電層６の形成位置に整合する開口部が、フォトリソグラフィ技術により形成される。また、レジスト膜は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００２９】
絶縁層３上に形成される再配線層６ａや、樹脂製突部４に被覆、形成される導電層１６０は、この工程により形成された導電層６の一部分である。但し、再配線層６ａは、導電層６の形成工程に従って目的の回路パタンに形成されるものの、樹脂製突部４に被覆、形成する導電層は、必ずしも導電層６の形成と同時に目的の形状に形成することに限定されない。例えば、樹脂製突部４の一部又は全部を覆うようにして形成した導電層６の一部を除去することで、ポスト側面に樹脂製突部を露出させる露出部を有する形状等の、目的の形状に形成しても良い。このことは、後述する第２〜第４実施形態についても同様である。ポスト側面の一部に樹脂製突部を露出させる形状の導電層は、後述する第２〜第４実施形態についても採用可能である。
目的形状の導電層１６０の形成が完了することで、目的のポスト７がウェハ１上に形成される。
【００３０】
ポスト側面に樹脂製突部を露出させる露出部を有する形状に形成された導電層の一例を図８（ａ）、（ｂ）に示す。なお、この導電層も、前述の図７（ｂ）に示される工程により形成される導電層６の一部として樹脂製突部４に被覆される導電層１６０であるが、説明の便宜上、符号１６１を付して区別することとする。
図８（ａ）、（ｂ）に示す導電層１６１は、樹脂製突部４の頂部４ａ（具体的には樹脂製突部上面４ｂ）に形成された頂部導電層６ｃと、この頂部導電層６ｃから複数方向に放射状に延びるようにして前記樹脂製突部４の側面４ｃ上に線状に被覆された複数本の側面導電層６ｄとを有している。前記側面導電層６ｄは、樹脂製突部４の上面４ｂと略一致する円形の頂部導電層６ｃの周方向の４箇所にほぼ均等配置して形成されている。導電層１６１の側面導電層６ｄは、樹脂製突部４の周囲を取り囲むようにして絶縁層３上にリング状に形成された再配線層６ａである突部囲繞部６ｂと接続されており、これにより、半田バンプ１１と接続される頂部導電層６ｃと再配線層６ａとの間を接続する。
【００３１】
前述の導電層６の形成工程に従えば、例えば、感光性のレジスト膜を用い、フォトリソグラフィ技術により、ポストの導電層の形成位置に整合するパタンを形成し、Ｃｕ等の金属めっき等により導電層６を形成することで、再配線層６ａとともにポストの導電層１６０をも目的形状に形成する方法が採用される。
樹脂製突部４に形成した導電層６の一部を除去することで目的の形状に形成する方法としては、まず、樹脂製突部４の全体を覆うように導電層６を形成した後、この導電層６の一部を、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等の加工用レーザを用いて除去したり、樹脂製突部４の全体を覆うように形成した導電層６にフォトリソグラフィ技術によりパタンを形成し、ウェットエッチング、プラズマ加工等のドライエッチングにより、前記導電層６の一部を除去する方法等が採用される。
【００３２】
次に、図１に示すように、厚さ１０〜１５０μｍ程度の表面保護用の封止樹脂層８を、少なくともポスト７の中央部を露出（平面視で、ポスト７の頂部７ａ上の平坦な上面の中央部が露出）するようにしてウェハ１上に形成する。封止樹脂層８としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好適に用いられる。
なお、ここでは、封止樹脂層８の具体的構成を、図１、図９、図１０に例示しているが、説明の便宜上、区別のため、図１に示すものを封止樹脂層８ａ、図９に示すものを封止樹脂層８ｂ、図１０に示すものを封止樹脂層８ｃとして説明する。
【００３３】
図１では、ポスト７よりも高く盛り上げるようにして形成した封止樹脂層８ａを、ポスト７の上面（頂部７ａの上面７ｃ）の周縁部上にまで形成し、その内側である開口部１０にポスト７の頂部７ａ上面の少なくとも中央部が露出されるようにしている。封止樹脂層８ａの円形の開口部１０の面積は、ポスト７の円形の頂部７ａの面積よりも小さくなっている。
【００３４】
ポスト７を露出させる開口部を有する封止樹脂層８（具体的には封止樹脂層８ａ〜８ｃ）を形成する工程は、例えば、封止樹脂層８を感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂から構成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパターニングすること等が採用可能であるが、これに限定されず、各種方法が採用可能である。
【００３５】
図１等に示す半導体パッケージ２０に適用可能な封止樹脂層８としては、図１の封止樹脂層８ａに限定されず、図８、図９に示した封止樹脂層８ｂ、８ｃも採用可能である。
図９、図１０に示す封止樹脂層８ｂ、８ｃは、いずれも、ポスト７の頂部７ａが露出されるようにしてウェハ１上を覆って封止するものである。
図９に示す封止樹脂層８ｂはポスト７の周囲に溝を形成した形状であり、この封止樹脂層８ｂには、ポスト７の外側にポスト７の円形の頂部７ａの外側に同心円状に、前記ポスト頂部７ａよりも面積が大きい円形の開口部１０ａが形成されている。封止樹脂層８ｂの開口部１０ａは、外側から内側に向かって落ち込んで、ポスト７の周囲を取り囲むようなリング状の溝を形成している。
図１０に示す封止樹脂層８ｃは、ポスト７の頂部７ａ付近を除く部分を埋設、封止した形状になっている。この封止樹脂層８ｃの開口部１０ｂは、ポスト７を取り囲むようになっているため、その開口面積は、ポスト７の頂部７ａよりも大きいことは言うまでも無い。また、この封止樹脂層８ｃは、ポスト７の下部を上面として形成されており、ポスト７の傾斜された側面（樹脂製突部４の外形に対応してポスト７の側面も傾斜されている）に乗り上げた形状の薄肉部８ｄによってポスト７の側面下部及びその周囲を封止するようになっている。但し、封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の側面下部及びその周囲を変形容易な薄肉部８ｄで封止してポスト７の変形を容易にすることが重要であり、ポスト７から離れた所では、その上面位置等は自由であり、例えば、上面位置がポスト７の頂部７ａよりも高くなる厚さで形成することも可能である。
【００３６】
封止樹脂層を形成したら、次に、ポスト７上に半田バンプ１１を形成する。この半田バンプ１１の形成方法としては、めっき法、印刷法、メタルジェット法、ボールマウント等により、ポスト上面７ａ上に半田を設け、この半田を再溶融（リフロー）する。再溶融された半田がポスト上面７ａの凹凸の凹部に入り込むため、これにより形成された半田バンプ１１のポスト７に対する接合強度が充分に確保される。
ここで、半田バンプ１１と樹脂製突部４の中心同士が、平面視（ウェハ１上から見た方向）で一致していることが、応力分散の点で好ましい。具体的には、平面視で円形の半田バンプ１１と、円形の樹脂製突部４の中心位置とが一致することが好ましい。
【００３７】
このようにして製造された半導体パッケージのポスト７は、例えば、高さが３０μｍ程度の円錐台状の樹脂製突部４を覆うようにして、シード層５と厚さ２０μｍ程度の導電層１６０が形成され、全体として高さが５０μｍ程度の突起状に形成される。
シード層５及びウェハ１上に形成した導電層６は、半田バンプ１１と電極２との間を接続する機能を果たす。
【００３８】
前記半導体パッケージ２０では、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を、柔軟性を有する樹脂製の突部４により分散するため、ウェハ１に与える歪みを緩和できる。したがって、例えば、ウェハ上に形成した非常に厚い導電層によってポストを形成して応力分散する場合に比べて、短時間でポスト７を形成することができ、半導体パッケージの製造能率の向上、低コスト化を実現できる。また、ポスト７の高さは、樹脂製突部４の高さによって簡単に調整できるといった利点もある。
さらに、この半導体パッケージ２０では、ポスト上面７ａの凹凸によって、ポスト７と半田バンプ１１との間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、ポスト７の変形により効果的に分散することができるといった利点があり、半田バンプ１１の剥離、抵抗値の増大等の不都合を確実に防止できる。
なお、図８（ａ）、（ｂ）に例示したように、ポストの導電層が、樹脂製突部の側面の一部のみを被覆する形状であると、ポストがより変形しやすくなるため、回路基板等の接続時の応力を、非常に効率良く分散、吸収することができる。
【００３９】
また、ポスト７の応力分散、吸収性能は、ウェハ１上を封止する封止樹脂層の形状によっても左右される。
例えば、図９に示す封止樹脂層８ｂは、ポスト７の上部を除く部分を覆うようにして形成されているため、特にポスト７上部の変形が封止樹脂層８によって拘束されず、図１に示す封止樹脂層８ａに比べてポスト７が変形しやすくなっているため、ポスト７による応力分散、吸収性能を向上できる。
図１０に示す封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の側面に乗り上げるようにして形成された薄肉部８ｄによってポスト７側面を覆う形状であり、図１の封止樹脂層８ａに比べて、ポスト７が変形しやすくなっており、この形状の封止樹脂層８ｃを採用することで、ポスト７の応力分散、吸収性能を向上できる。しかも、この封止樹脂層８ｃでは、薄肉部８ｄによってポスト７側面全体を覆ってポスト７近傍の封止を確実にすることが可能であり、また、その場合でも、変形容易な薄肉部８ｄによってポスト７の変形を拘束しないから、ポスト７に優れた応力分散、吸収性能を確保できる。
【００４０】
上面位置をポスト７の頂部７ａよりも低く形成した封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の頂部７ａを確実に露出させることができ、回路基板等に対するポスト７の接続状態、電気導通を確実に確保でき、信頼性を向上できる等の利点がある。
なお、図１、図９、図１０に示す封止樹脂層８ａ、８ｂ、８ｃは、後述する各実施形態の半導体パッケージ等、本発明に係る各種半導体パッケージに適用できる。
【００４１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図１１、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
図１１に示すように、第２実施形態の半導体パッケージ３０は、第１実施形態の半導体パッケージ２０のポスト７と異なるポスト３７を備えたものである。この半導体パッケージ３０の他の部分の構成は、第１実施形態の半導体パッケージ２０と同様である。
この半導体パッケージ３０のポスト３７は、頂部４ａに平坦な上面４ｂを有する円錐台状の樹脂製突部４にシード層５及び導電層１６０が被覆されたものである点は第１実施形態のポスト７と同様であるが、その頂部３７ａには、前記導電層１６０と、該導電層１６０が形成されずに前記導電層１６０を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保された導電層被覆除外部３１とが形成され、前記導電層被覆除外部３１及び前記導電層１６０によって、凹凸を有する上面３７ｂが形成されている。
【００４２】
この半導体パッケージ３０の製造方法は、ポスト３７の形成に係る工程のみが第１実施形態の半導体パッケージ２０の製造方法と異なっており、ウェハ１上に絶縁層３を形成し、この絶縁層３上に樹脂製突部４を形成する工程（図６（ｃ）に示される工程）までは、第１実施形態の半導体パッケージ２０の製造方法と同様に行うことができる。
図６（ｃ）に示される工程によって、平坦な上面４ｂを有する樹脂製突部４が形成されたなら、この上面４ｂに凹凸を形成することなく、電解めっき用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域（ポスト３７の導電層１６０や、絶縁層３上の再配線層６ａ等を形成する領域）に形成する（図１２（ａ）参照）。シード層５の材質、形成手法等は、第１実施形態にて説明したものと同様である。シード層５は樹脂製突部４の表面に沿った形状に被覆形成されるが、ここでは、樹脂製突部上面４ｂには凹凸を形成していないので、樹脂製突部上面４ｂ上に形成されるシード層５は、平坦な樹脂製突部上面４ｂに対応する平坦形状に形成される。
【００４３】
次いで、このシード層５上に形成したレジスト膜（図示略）をマスクとして露出したシード層５上に、ポスト３７の導電層１６０や再配線層６ａ等となる導電層６である金属層を銅めっき、あるいは銅、ニッケル、金の三層めっきにより形成する。前記レジスト膜によって、導電層被覆除外部３１（図１１参照）が確保される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、ポスト上面３７ｂの位置に、所望の形状の導電層被覆除外部３１を確保して、導電層１６０が形成される。
導電層１６０や再配線層６ａ等である導電層６の形成が完了したら、めっきに用いたレジスト膜を除去し、導電層被覆除外部３１に露出したシード層５等の必要なシード層５を保護膜で保護して、不要なシード層５をエッチングにより除去した後、前記保護膜の除去等を行うことで、ポスト３７が完成される。
ポスト３７が形成されたなら、封止樹脂層８や半田バンプ１１の形成を、第１実施形態と同様に行うことで、半導体パッケージ３０を形成することができる。
【００４４】
この半導体パッケージ３０でも、柔軟性を有する樹脂製の突部４を内蔵するポスト３７を有することによる効果、すなわち、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力の分散によってウェハ１に与える歪みを緩和できること、特にポストのめっき時間の短縮によって短時間かつ低コストでポスト３７を形成できること等は、第１実施形態と同様である。また、ポスト上面３７ａの凹凸によって、ポスト３７と半田バンプ１１との間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、ポスト３７により効果的に分散できることも、第１実施形態と同様である。
この半導体パッケージ３０の製造方法では、樹脂製突部上面４ｂへの凹凸の形成ではなく、樹脂製突部４への導電層１６０のめっき工程において導電層被覆除外部３１を確保することで、ポスト上面３７ｂの凹凸を形成できるため、ポスト３７の形成に掛かる時間の短縮が容易である（図６（ｄ）の樹脂製突部上面４ｂに凹凸を形成する工程が不要）。
また、この半導体パッケージ３０では、導電層被覆除外部３１に露出するシード層５が、半田バンプ１１と樹脂製突部４との界面に残り、半田バンプ１１の密着性の向上と金属拡散の防止のためのアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）層として機能するため、ポスト３７に対する半田バンプ１１の接合強度の一層の向上や、一層の長期信頼性の確保を実現できる。
【００４５】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を、図１３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
この第３実施形態では、前述の第２実施形態の製造方法と同様の手順で、樹脂製突部４を被覆（詳細には樹脂製突部４を被覆するシード層５上を被覆）する導電層１６０を形成（図１３（ａ）参照。導電層６による形成）した後、導電層被覆除外部３１に露出するシード層５を含めて不要なシード層５をエッチングにより除去する（図１３（ｂ）参照）。次いで、図１３（ｃ）に示すように、ウェハ、絶縁層及び再配線層を封止するとともに導電層１６０が被覆された樹脂製突部４の頂部を露出させる開口部４３を有する封止樹脂層８を第１実施形態と同様に形成し、前記開口部４３の内側の領域にアンダーバンプメタル層４２（以下「ＵＢＭ層４２」と略称する場合がある）を被覆することでポスト４１を形成する（図１３（ｄ）参照）。そして、半田バンプ１１（図示略）をポスト４１の頂部４１ａ上に形成することで、半導体パッケージが形成される。ポスト４１の頂部４１ａでは、導電層１６０の表面や前記導電層被覆除外部３１に露出する樹脂製突部４（あるいは樹脂製突部４上に形成された保護層）上に被覆されて凹凸形状に形成されたＵＢＭ層４２によって、ポスト頂部４１ａの上面４１ｂに凹凸が形成されているから、ポスト４１に対する半田バンプ１１の接合強度を向上できる。
この実施形態の半導体パッケージでは、ポスト上面４１ｂがＵＢＭ層４２によって被覆されるため、半田バンプ１１の接合状態等の長期信頼性を向上できるといった利点もある。また、この実施形態の半導体パッケージの製造方法では、ＵＢＭ層４２を被覆する工程を、封止樹脂層８の形成後に、この封止樹脂層８をマスクとして行えるため、別途、レジスト膜を形成する必要が無く、工程数を減少できるといった利点もある。
【００４６】
第２、第３実施形態では、樹脂製突部４に導電層を被覆する工程を、無光沢浴を用いて、低電流密度でのめっきで行うことで、樹脂製突部上面４ｂに被覆される導電層１６０と導電層被覆除外部３１とによって形成される凹凸をより大きくすることができるため、半田バンプ１１とポストとの間の接合強度の向上の点でより好ましい。
【００４７】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態を図１４を参照して説明する。
この第４実施形態では、第１実施形態と同様の手順で、樹脂製突部４を被覆する導電層１６０を形成（導電層６の形成）した後、樹脂製突部頂部４ａを被覆する導電層１６０の上面を公知の表面粗化エッチング（回路基板製造等において、銅層の表面を粗して絶縁層との密着性を向上すること等に用いられている表面粗化エッチング）、レーザ加工等により粗面化して（粗面化領域７２の形成）、頂部の上面７１に凹凸を有するポスト７０を形成し、このポスト７０の上面７１上の粗面化領域７２を含む領域に半田バンプ１１を形成する。この実施形態でも、ポスト頂部（詳細には上面７１）の凹凸によって、ポスト７０と半田バンプ１１との間の接合強度を向上でき、回路基板等の接続時の応力分散、吸収を効果的に行える。
【００４８】
本発明に係る半導体パッケージは、ウェハ１上の導電層６（再配線層６ａ）上に積層回路を形成することで、これ自体で半導体装置を構成することができる。
また、この半導体パッケージは、半田バンプを回路基板に接続して、例えば電子装置に組み込まれる。電子装置とは、前記回路基板と周辺機器を組み合わせたものであり、例えば、モービルホンやパーソナルコンピュータ等である。
【００４９】
第２、第３実施形態のポスト頂部の導電層被覆除外部は、ポスト頂部の凹凸を形成する凹部として機能するものであり、具体的形状としては、例えば第１実施形態と同様に、図２、図４、図５（ａ）、（ｂ）に例示したような溝状、穴状である。
【００５０】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されず、各種変更が可能である。
例えば、ウェハ上に形成するポストは、樹脂製突部外形にしたがったほぼ円錐台状のものに限定されず、例えば円柱状、角錐台状等、各種形状が採用可能であるが、いずれの形状のポストであっても、その頂部の凹凸によって、半田バンプとの接合強度を向上できる。
樹脂製突部の頂部に、該頂部の凹凸に沿った凹凸の表面形状を有する導電層を被覆形成する場合、導電層の凹凸の表面形状は、樹脂製突部の頂部の凹凸と精密に一致されている必要は無く、樹脂製突部の頂部の凹凸形状に概略沿った凹凸になっていれば良い。つまり、樹脂製突部の頂部の凹凸に沿った凹凸形状の導電層表面は、半田バンプとの接触面積の増大、凹凸の凹部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によって、半田バンプとの接合強度を高めるものであり、導電層表面の凹凸の形状の詳細は半田バンプとの接合強度を高められるものであれば良く、各種形状が採用可能である。
また、ポスト頂部の凹凸の形成は、樹脂製突部の頂部の凹凸を利用して凹凸の表面形状を有する導電層を形成することに限定されず、樹脂製突部頂部に被覆された導電層の表面粗化エッチング、一部除去、樹脂製突部頂部への導電層の被覆形成時に導電層が形成されない導電層被覆除外部を確保すること、等の手法によっても形成可能であるが、いずれの手法でも、ポスト頂部の凹凸の形状は、半田バンプとの接触面積の増大や、凹凸の凹部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によって半田バンプとの接合強度を高めるものであれば良く、各種形状が採用可能である。前記「各種形状」の凹凸とは、例えば図４、図５等に例示したようにポスト上面に規則的に形成された凹凸のみを意味するものでは無く、ポスト上面上に不規則に配置されたものや、ポスト上面に樹枝状になっているもの、溝や穴の断面（深さ方向に沿った断面）が樹枝状になっているもの等も、本発明における凹凸に含まれる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体パッケージによれば、回路基板等が接続されるポストが、樹脂製突部に導電層を形成したものであるため、接続時にポストに発生した応力を柔軟性を有する樹脂製突部によって分散、吸収できる。しかも、ポストの頂部に形成された凹凸によって、ポストと半田バンプとの接合強度を充分に確保できるため、回路基板等と半導体パッケージとの間に発生した応力をポストに確実に伝達でき、ポストによって効果的に分散、吸収させることができる。また、この接合強度の向上によって、半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の不都合を確実に防止でき、信頼性を向上できる。この構成により、回路基板等の接続時に発生する応力の吸収用の緩衝部材を設けたり、ポストを大型化する必要が無くなるから、半導体パッケージの回路基板との接続時の厚さ寸法の縮小、低コスト化が可能であり、この半導体パッケージのウェハに積層回路が形成されている半導体装置、この半導体パッケージの半田バンプに回路基板を接続した電子装置等も、小型化、低コスト化できる。
また、本発明に係る半導体パッケージの製造方法では、樹脂製突部に導電層を被覆することでポストを形成するので、金属めっきにより大型のポストを形成することに比べて、短時間かつ低コストでポストを形成でき、半導体パッケージの製造能率の向上、低コスト化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態の半導体パッケージを示す断面図である。
【図２】  図１の半導体パッケージのポストを示す斜視図である。
【図３】  第１実施形態の半導体パッケージのポスト上面の凹凸形状の別態様を示す断面図である。
【図４】  図３の半導体パッケージのポスト上面を示す平面図である。
【図５】  （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の半導体パッケージのポスト上面の凹凸形状の別態様を示す平面図である。
【図６】  （ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】  （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の図６以降の工程を工程順に示す断面図である。
【図８】  第１実施形態の半導体パッケージのポストの導電層として、該ポストの頂部上面を被覆する頂部導電層と、該ポストの側面の一部を被覆する側面導電層とを有する導電層を形成した例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はポストとその近傍を示す平面図である。
【図９】  本発明に係る半導体パッケージのウェハ上に形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。
【図１０】  本発明に係る半導体パッケージのウェハ上に形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。
【図１１】  本発明の第２実施形態の半導体パッケージを示す断面図である。
【図１２】  第２実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す図であって、（ａ）は平坦な上面を有する樹脂製突部にＵＢＭ層を被覆した状態を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の樹脂製突部上面上のＵＢＭ層上に導電層被覆除外部を確保して導電層を被覆した状態を示す断面図である。
【図１３】  （ａ）〜（ｄ）は第３実施形態の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１４】  本発明の第４実施形態の半導体パッケージを示す断面図である。
【図１５】  従来例のＣＳＰを示す断面図である。
【図１６】  （ａ）〜（ｅ）は、図１５のＣＳＰの製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
１…ウェハ（Ｓｉウェハ）、２…電極（Ａｌパッド）、３…絶縁層、３ａ…開口部、４…樹脂製突部、４ａ…頂部、６ａ…再配線層、７，３７，４１，７０…ポスト、７ａ，３７ａ，４１ａ…頂部、７ｂ，７ｄ，７ｅ…凹部、７ｃ，３７ｂ，４１ｂ，７１…上面、８，８ａ，８ｂ，８ｃ…封止樹脂層、１１，８６，９５…半田バンプ、２０，３０…半導体パッケージ、３１…導電層被覆除外部、７２…粗面化領域、１６０，１６１…導電層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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