(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式３：（ＴｂｘＤｙ１−ｘ）Ｔｙ（ここで、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群から選択される少なくとも１種類の金属であり、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３５＜ｘ≦０．５０、１．５０≦ｙ≦２．３０である。）で表される原料Ａと、
式４：ＤｙｔＴ１−ｔ（ここで、Ｄｙは、ＴｂとＨｏのどちらか一方又は双方を含むことがあり、ｔは原子比を表し、０．３７≦ｔ≦１．００である。）で表され、水素を吸蔵させた原料Ｂと、
Ｔを含有する原料Ｃと、を含む混合物を磁場中成形した後、焼結する
ことを特徴とする磁歪材料の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁歪材料の製造方法において、
原料Ｂは、７０００ｐｐｍ≦水素量≦２２０００ｐｐｍの水素量を含む
ことを特徴とする磁歪材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁歪特性に優れ、磁気−機械変位変換デバイスに好適な磁歪材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
強磁性体を磁化したときに、磁性体の寸法が変化する現象を磁歪といい、このような現象を生ずる材料を磁歪材料という。磁歪による飽和変化量である飽和磁歪定数は、一般には１０−５〜１０−６の値を有し、大きな飽和磁歪定数を有する磁歪材料は、発振器、フィルター、センサ等に広く利用されている。
【０００３】
現在、磁歪材料としては、さらに、飽和磁歪定数の大きい材料が求められており、鉄（Ｆｅ）系アモルファス強磁性合金、Ｒ（希土類）とＦｅの化合物などが提案されている。特に、ＲとＦｅの化合物として、例えば、（１）ＦｅとＲ（Ｔｂ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ）との合金（米国特許第３，９４９，３５１号、米国特許第４，１５２，１７８号、米国特許第４，３０８，４７４号、米国特許第４，３７５，３７２号）、（２）Ｆｅ、ＭｎとＴｂ、Ｓｍとの合金（米国特許第４，３７８，２５８号）、（３）Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｆｅ、Ｔｉ等の金属からなる材料を使用する電磁歪変換素子等が挙げられる。これらは、いずれもＲＦｅ２ラーベス型金属間化合物を形成し、１０００×１０−６以上の飽和磁歪定数を有することが知られている。
【０００４】
ところで、上記のようなＲＦｅ２ラーベス型金属間化合物からなる合金は、その合金組成、製造条件等により、主相となるＲＦｅ２相の他に、例えばＲＦｅ３で表される相や、原料中の不純物によって形成される相、例えば酸化物、炭化物等の異相が析出することがある。このような異相は、ＲＦｅ２ラーベス型金属間化合物の磁歪特性に影響を及ぼす。そこで、より優れた磁歪特性を得るため、また、磁歪材料としての製品間の特性にバラツキを生じさせないために、上記の異相の析出をコントロールすることが必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特開平５−１４８５９４号公報に開示されている「超磁歪合金」は、一部をＭｎ他の金属で置換したＦｅとＲの合金であって、異相となるＲＦｅ３相の含有量が５容量％以下である超磁歪合金である。当該公報によれば、合金組成をコントロールすることで、ＲＦｅ３相の析出を抑え、合金の磁歪特性を向上している。
しかしながら、上記の特開平５−１４８５９４号公報においては、Ｒで表される希土類金属を合金組成上増やした系については検討されていない。そこで、これらの組成についても検討を重ね、最適な範囲を見出す必要がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑み、希土類と遷移金属からなる超磁歪合金において異相の析出をコントロールし、優れた磁歪特性を有するとともに、製品間の特性のバラツキがない磁歪材料を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、Ｒ（希土類）とＴ（遷移金属）からなる超磁歪合金において、異相の析出と磁歪量の関係について検討を行った結果、より優れた磁歪特性を有する磁歪材料とするために異相の組成を規定し、更には異相と主相の量比を規定することで、本発明に至った。
【０００８】
すなわち、粉末冶金法で製造される式１：ＲＴｗ（ここで、Ｒは１種類以上の希土類金属、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群から選択される少なくとも１種類の金属であり、ｗは原子比を表し、１．５０≦ｗ≦２．３０である。）で表される磁歪材料であって、その構造は、ＲＴ２主相と、Ｒを主成分とする相を含む１種以上の異相とからなり、その酸素含有量は、１５００ｐｐｍ≦酸素含有量≦３０００ｐｐｍである磁歪材料である。
【０００９】
また、前記磁歪材料の構造において、前記異相のうちのＲを主成分とする相と、前記ＲＴ２主相との比（［Ｒ］／［ＲＴ２］）が、０＜［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．４５ の範囲にある磁歪材料である。
ここで、Ｒを主成分とする相と主相との比（［Ｒ］／［ＲＴ２］）は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で観測されるそれぞれの相の面積比によって表されるものである。［Ｒ］／［ＲＴ２］を上記範囲とすることで、等方性の磁歪材料よりも安定して大きい磁歪量を示す磁歪材料を提供することができる。［Ｒ］／［ＲＴ２］の範囲は、更に好ましくは、０．００１≦［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．３０、一層好ましくは、０．００７≦［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．０９４である。
【００１０】
また、前記磁歪材料は、式２：（ＴｂｖＤｙ１−ｖ）Ｔｗ（ここで、ｖ及びｗは原子比を表し、０．２７≦ｖ≦０．５０、１．５０≦ｗ≦２．３０である。）で表される磁歪材料である。
ＲがＴｂ、Ｄｙを含むことにより、より優れた磁歪特性を有する磁歪材料とすることができる。
【００１１】
また、前記式１で表される磁歪材料は、式３：（ＴｂｘＤｙ１−ｘ）Ｔｙ（ここで、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３５＜ｘ≦０．５０、１．５０≦ｙ≦２．３０である。）で表される原料Ａと、式４：ＤｙｔＴ１−ｔ（ここで、Ｄｙは、ＴｂとＨｏのどちらか一方又は双方を含むことがあり、ｔは原子比を表し、０．３７≦ｔ≦１．００である。）で表され、７０００ｐｐｍ≦水素量≦２２０００ｐｐｍの水素量を含む原料Ｂと、Ｔを含有する原料Ｃと  を含む混合物を磁場中成形した後、焼結して製造される磁歪材料である。
更に、請求項１に記載の通り、本発明の磁歪材料の製造方法は、式３：（ＴｂｘＤｙ１−ｘ）Ｔｙ（ここで、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群から選択される少なくとも１種類の金属であり、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３５＜ｘ≦０．５０、１．５０≦ｙ≦２．３０である。）で表される原料Ａと、式４：ＤｙｔＴ１−ｔ（ここで、Ｄｙは、ＴｂとＨｏのどちらか一方又は双方を含むことがあり、ｔは原子比を表し、０．３７≦ｔ≦１．００である。）で表され、水素を吸蔵させた原料Ｂと、Ｔを含有する原料Ｃと、を含む混合物を磁場中成形した後、焼結する磁歪材料の製造方法である。
更に、請求項２に記載の通り、前記式（４）で表される前記原料Ｂは、７０００ｐｐｍ≦水素量≦２２０００ｐｐｍの水素量を含むものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の磁歪材料は、粉末冶金法で製造される式１：ＲＴｗで表される磁歪材料である。ここで、Ｒは、Ｙを含むランタノイド系列、アクチノイド系列の希土類金属から選択される１種類以上を表している。これらの中で、Ｒとしては、特に、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの希土類金属が好ましく、Ｔｂ、Ｄｙがより一層好ましく、これらを混合して用いることができる。
Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選択される少なくとも１種類の金属である。その他に、希土類金属Ｒと合金を形成する遷移金属を含んでいても良い。遷移金属としては、具体的にはＭｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを挙げることができる。
【００１３】
また、式１のｗは原子比を表し、１．５０≦ｗ≦２．３０である。ＲＴｗにおいてｗ＝２のとき形成されるＲＴ２ラーベス型金属間化合物は、キュリー温度が高く、磁歪量が大きいため、磁歪材料に適する。そこで、ＲＴ２を主相とする合金を形成させるために、ｗを上記範囲とする。ここで、ｗが１．５０未満の組成ではＲを主成分とする相が多くなり大幅に磁歪量を低下させ、ｗが２．３０を越える組成では、ＲＴ３相等のＴリッチの相が多くなり、磁歪量を低下させるため好ましくない。
【００１４】
加えて、本発明の磁歪材料は、その構造がＲＴ２主相と、Ｒを主成分とする相を含む１種以上の異相とからなる。異相はＲＴ２主相以外の組成を有する相であり、Ｒを主成分とする相の他に、ＲＴ３相等のＴリッチな相、酸化物相、不純物相等がある。前述のように、ＲＴｗのｗの値によってＲを主成分とする相やＲＴ３相等の異相の割合は変わってくる。従って、これらの異相を多く含むことは好ましくないが、Ｒを主成分とする相は、Ｒが酸化されやすい性質をもっていることから、製造過程で微量に存在する酸素と反応しやすく、その結果ＲＴ２主相が酸化されるのを防ぐ。
【００１５】
Ｒを主成分とする相は、以下の量比で磁歪材料中に存在することが好ましい。Ｒを主成分とする相とＲＴ２主相との比を［Ｒ］／［ＲＴ２］とすると、０＜［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．４５である。
図１は、（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｔｗ合金の［Ｒ］／［ＲＴ２］と磁歪量との関係を示す図である。横軸［Ｒ］／［ＲＴ２］は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で観測されるそれぞれの相の面積を比にした値である。縦軸は、８×１０４Ａ／ｍ磁場中における磁歪量（ｐｐｍ）である。図１に示すように、［Ｒ］／［ＲＴ２］の値が０では磁歪量は大きい値を示さないが、０を越えて［Ｒ］／［ＲＴ２］の値が若干増加すると磁歪量の急激な上昇がみられる。その後、［Ｒ］／［ＲＴ２］が低下するに伴い、磁歪量も減少する。
この現象は以下のように解される。［Ｒ］／［ＲＴ２］の値が０を越えた直後の領域は、合金はＲＴ２相が最も多く形成されている領域で、磁歪量が極めて高い。［Ｒ］／［ＲＴ２］の値が増加、すなわち合金中にＲを主成分とする相が増えてくると、徐々にＲＴ２相の磁歪特性を低下させる。そこで、合金が等方性の磁歪材料よりも高い磁歪特性を示す領域として、［Ｒ］／［ＲＴ２］の値は、０．４５以下であることが好ましい。
一方、［Ｒ］／［ＲＴ２］の値が０近傍では、磁歪量が大きく低下しているのは、合金中にＲを主成分とする相の析出は少なくなるが、それ以外にＲＴ３相等のＴリッチな相の析出が認められるためである。
従って、［Ｒ］／［ＲＴ２］の値を０＜［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．４５の範囲とすることにより、等方性の磁歪材料よりも大きい磁歪量を安定して得ることができる。より好ましくは、０．００１≦［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．３０である。図１に示す８×１０４Ａ／ｍ磁場中における（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｔｗ合金の例で見ると、８００ｐｐｍ以上の安定した高い磁歪量を示す領域である。また、一層好ましくは、０．００７≦［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．０９４である。図１で見ると、１１００ｐｐｍ以上の非常に高い磁歪量を示す領域である。
【００１６】
また、式１：ＲＴｗで表される本発明の磁歪材料は、より好ましくは、ＲとしてＴｂ、Ｄｙを含み、式２：（ＴｂｖＤｙ１−ｖ）Ｔｗで表される磁歪材料である。ここで、Ｔは、前述のように、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選択される少なくとも１種類の金属である。特に、ＦｅはＴｂ、Ｄｙと磁歪特性の高い（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ２金属間化合物を形成するため、好ましい。その他に、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの希土類金属と合金を形成する遷移金属を含んでいても良い。遷移金属としては、具体的にはＭｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを挙げることができる。
また、ｖ及びｗは原子比を表し、０．２７≦ｖ≦０．５０、１．５０≦ｗ≦２．３０の範囲にある。ｖが０．２７未満の組成では常温より低い温度域で十分な磁歪量を示さず、ｖが０．５０を越える組成では常温域で十分な磁歪量を示さないからである。また、ｗについては式１と同様の範囲である。
【００１７】
本発明の磁歪材料は、粉末冶金法を用いて例えば以下のようにして製造される。図２は、本発明の磁歪材料の製造方法の一例を示す図である。
尚、ここでは、式２：（ＴｂｖＤｙ１−ｖ）Ｔｗで表される磁歪材料を例示して説明するものとする。
原料Ａとして式３：（ＴｂｘＤｙ１−ｘ）Ｔｙで表される原料を用いる。ここで、Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選択される少なくとも１種類の金属で、特に、ＴはＦｅ単独でも良い。Ｆｅは、Ｔｂ、Ｄｙと磁歪特性の高い（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ２金属間化合物を形成するからである。このときに、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉで置換するものであってもよいが、Ｃｏは磁気異方性を大きくするが透磁率を低くし、また、Ｎｉはキュリー温度を下げ、結果として常温・高磁場での磁歪値を低下させるために、Ｆｅは７０wt％以上、一層好ましくは８０wt％以上が良い。その他に、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの希土類金属と合金を形成する遷移金属を含んでいても良い。遷移金属としては、具体的にはＭｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを挙げることができる。
原料ＡのＴｂの一部は、Ｄｙ、Ｈｏを除く希土類（Ｒ’）と置換しても良い。Ｒ’として、例えば、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｙ等を挙げることができる。
【００１８】
また、上記式３中のｘ、ｙは原子比を表し、０．３５＜ｘ≦０．５０、１．５０≦ｙ≦２．３０である。このような組成とするのは次のような理由からである。
超磁歪合金の磁歪特性を更に高めるためには、磁歪の大きい方向の結晶軸を配向させて異方性を付与することが有効である。特に、Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２．０結晶では［１１１］軸は磁化容易軸であるため好ましい。しかしながら、ｘが小さいと、原料Ａに含まれるＴｂが少ないため［１１１］軸方向の配向が困難になる。また、ｘが０．５を越えると、式２に示す磁歪材料を得るために原料Ｃの混合比率を高くする必要が生じるため、原料Ａの比率が低くなってしまい、焼結後の［１１１］軸方向の配向度が低くなる。従って、ｘは上記範囲とする。
また、ｙが１．５０未満では、原料Ｃの混合比率を高くする必要が生じ、原料Ａの比率が低くなるため、焼結後の［１１１］軸方向の配向度が低くなってしまう。ｙが大きいと（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｔ３等のＴリッチの相が多くなり、このため、磁場中成形による配向度が低くなり、それにつれて焼結後の磁歪材料の配向度も低くなる。従って、ｙは上記範囲とする。
【００１９】
原料Ｂとして、式４：ＤｙｔＴ１−ｔで表される原料を用いる。ここで、ＴはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選択される少なくとも１種類の金属で、特に、Ｆｅ単独でも良い。このときに、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉで置換するものであってもよく、これにより原料Ｂは粉砕されやすくなり、焼結して得る磁歪材料の焼結密度を高くすることができる。
原料ＢのＤｙは、単独でも良いが、一部がＨｏと置換されていても良い。
上記式４中のｔは原子比を表し、０．３７≦ｔ≦１．００の範囲にある。ＤｙとＴは共晶点を有するので、ｔがこの範囲以外の組成では、原料Ａと原料Ｃとの混合において、共晶組成であるＲ２Ｔが少なくなり、焼結密度を高くすることが難しくなる。
【００２０】
原料Ｂは、図２に示すように水素吸蔵処理を行うことが好ましい。Ｄｙ等の希土類金属は酸化されやすいために、わずかな酸素があっても酸化被膜を形成する。原料Ｂに形成された酸化被膜は、その後の焼結工程において、焼結の進行を妨げるため、焼結体の密度が上がらなくなる。そこで、水素を吸蔵させて原料Ｂを酸化されにくくする。
また、原料Ｂに水素を吸蔵させることにより、水素化物を形成するか又は水素原子が結晶内に侵入するなどして結晶に歪みが生ずる。このために、原料Ａと原料Ｃと混合し、成形体を形成する際に掛ける圧力により、原料Ｂ粒子の破壊が進み、粉砕されて細かくなった状態で原料Ａの間に入り込むことで、その後の焼結によって密度の高い焼結体を形成することができる。
原料Ｂに吸蔵させる水素量としては、７０００ｐｐｍ≦水素量≦２２０００ｐｐｍの範囲がよい。水素量が７０００ｐｐｍ未満では、水素量が少ないため原料Ｂの内部歪みが小さく、成形時の原料Ｂの粒子破壊が進行しない。また、水素量が２２０００ｐｐｍを越えると、原料Ｂ粒子の微細化が飽和し、これ以上吸蔵する効果がない。
【００２１】
また、本発明の磁歪材料は、Ｔを含む原料Ｃを用いる。Ｔは、上述したように、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの群から選択される少なくとも１種類の金属である。その他に、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏの希土類金属と合金を形成する遷移金属を含んでいても良い。遷移金属としては、具体的にはＭｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを挙げることができる。
【００２２】
前記原料Ａと原料Ｂと原料Ｃとの混合の割合は、式２で表される磁歪材料になるように適宜決定することができる。
磁歪材料に対して、原料Ａは５０wt％以上で１００wt％未満、一層好ましくは６０wt％以上で９５wt％以下が良い。原料Ａが少ないと、磁場中成形で配向するものが少なく、焼結して得られる磁歪材料の配向度が低くなる。また、原料Ａが多いと、水素を含有した原料Ｂの比率が小さくなるために、密度の高い焼結体を得ることができない。
磁歪材料に対して、原料Ｂは４０wt％以下で、一層好ましくは５wt％以上で３０wt％以下が良い。原料Ｂが少ないと、前述のように密度の高い焼結体を得ることができない。また、原料Ｂが多いと、原料Ａの比率が小さくなるため、配向度が上がらない。
また、原料Ｃは、式２のＴの原子比ｗに相当するように、原料Ａ、Ｂの割合を考慮して添加量を決定する。
【００２３】
これらの原料Ａ、Ｂ、Ｃは、図２に示すように、秤量してから混合し、粉砕処理される。各原料の平均粒径は、１〜１００μｍ、一層好ましくは５〜２０μｍが良い。平均粒径が小さいと製造中に酸化する。平均粒径が大きいと焼結が進みにくく、焼結密度が高くならない。
粉砕処理には、湿式ボールミル、アトライタ、アトマイザー等の粉砕機を適宜選択して用いることができる。この中で、特に、アトマイザーが好ましい。その理由は、衝撃と剪断を同時にかけることができ、粉体の凝集を防ぎ、かつ装置への付着粉が少ないため生産性が高いからである。
混合した後、焼結前に所望の形状に成形する。この成形は、磁場中で行うことで、原料Ａ等を一定方向に揃えて、焼結後の磁歪材料を［１１１］方向に配向させる。印加する磁場は、２．４×１０４Ａ／ｍ以上、好ましくは４．８×１０４Ａ／ｍ以上が良い。磁場の方向は、圧力の方向に垂直であっても、平行であっても良い。成形圧力は、４．９×１０４Ｐａ以上で、好ましくは２．９×１０５Ｐａ以上が良い。
また、成形体の焼結条件は、特に限定されないが、１１００℃以上で、好ましくは１１５０〜１２５０℃で、１〜１０時間行うことがよい。焼結の雰囲気は、非酸化性雰囲気が良く、Ａｒ、窒素ガス等の不活性ガス中、又は真空中がよい。
【００２４】
更に、上記のようにして得られる磁歪材料の酸素含有量は、１５００ｐｐｍ≦酸素含有量≦３０００ｐｐｍであることが好ましく、一層好ましくは、１５００ｐｐｍ≦酸素含有量≦２０００ｐｐｍである。磁歪材料を製造する工程において、原料として用いる希土類金属は、微量に存在する酸素と反応して、主相が酸化されるのを防ぐが、形成される酸化物が磁歪材料中に多く含有されると、磁歪特性が低下する。そこで、酸素含有量は３０００ｐｐｍ以下、一層好ましくは２０００ｐｐｍ以下がよい。
一方、酸化物の存在により、磁歪材料はある一定レベルの強度を保つことができる。そこで、酸素含有量の下限は１５００ｐｐｍとすることで、磁歪材料の強度を維持し、耐久性にも優れたものとすることができる。
【００２５】
以下に実施例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。
（実施例１）
原料Ａとして、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅを秤量して、Ａｒガスの不活性雰囲気中で溶融して、Ｔｂ０．４Ｄｙ０．６Ｆｅ１．９３の合金を作製した。その後、この合金をアニールし、粉砕した。まず、ジョークラッシャーで粗粉砕し、次に、ブラウンミルで平均粒径１００〜１５００μｍになるまで微粉砕した。
原料Ｂとして、Ｄｙ、Ｆｅを秤量して、Ａｒガスの不活性雰囲気中で溶融して、Ｄｙ２．０Ｆｅ１．０合金を作製した。この合金をジョークラッシャーで平均粒径２〜１０ｍｍになるまで粉砕した。次に、この粉砕した粒子を水素・Ａｒガスの混合ガス雰囲気中に保持して水素吸蔵処理を行った。
原料Ｃとして、平均粒径約５μｍの還元鉄を用いた。還元鉄は、水素ガス雰囲気中約２００℃で約３０分時間保持して、酸素を除去する還元処理を行った。
【００２６】
次に、原料Ａ、Ｂ、ＣをＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ１．８８の組成になるように秤量した。これらを混合し、更に粉砕機で粉砕・混合した。ここでは、粉砕機として、アトマイザー（東京アトマイザー製造（株）社製）を用い、平均粒径約１５μｍになるように粉砕した。
その後、これらの混合物を、８０×１０４（Ａ／ｍ）の平行方向の磁場中で、５９×１０７Ｐａの圧力で成形した。
次に、成形体をＡｒ雰囲気中で焼結して、磁歪材料を製造した。焼結の熱処理条件は、５℃／ｍｉｎ．の昇温速度で９４０℃まで昇温して１時間保持し、成形体を一様の温度にしてから、１２３５℃まで昇温して３時間保持し、焼結を完了させて磁歪材料を得た。
【００２７】
実施例１によって得られた磁歪材料の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図３に示す。断面に存在する各相についてエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）により組成分析を行ったところ、符号１及び２で示す相は、（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ２の組成を有する主相であった。また、符号３で示す相は、Ｔｂ及びＤｙを主成分とする相であった。
次に、それぞれの相の面積からＴｂ及びＤｙを主成分とする相と主相との比（［Ｒ］／［ＲＴ２］）を求めたところ０．００１５であった。この磁歪材料の８×１０４Ａ／ｍ磁場中における磁歪量を測定したところ、１２００ｐｐｍと高い値を示した。
【００２８】
（実施例２）
原料Ａ、Ｂ、ＣをＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ１．９２の組成になるように秤量した以外は、実施例１と同様にして混合物を磁場中成形し、焼結して磁歪材料を得た。
得られた磁歪材料の断面のＳＥＭ写真を図４に示す。断面に存在する各相についてＥＤＳにより組成分析を行ったところ、符号１及び２で示す相は、（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ２の組成を有する主相であった。また、符号３で示す相は、Ｔｂ及びＤｙを主成分とする相であった。
次に、それぞれの相の面積からＴｂ及びＤｙを主成分とする相と主相との比（［Ｒ］／［ＲＴ２］）を求めたところ０．００７２であった。この磁歪材料の８×１０４Ａ／ｍ磁場中における磁歪量を測定したところ、１０３０ｐｐｍと高い値を示した。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明してきたように、粉末冶金法により製造され、規定の合金組成を有する本発明の磁歪材料は、磁歪特性に優れ、磁気−機械変位変換デバイス等に好適使用することができる。
また、本発明のＲＴｗで表される磁歪材料において、Ｒを主成分とする相とＲＴ２主相との比（［Ｒ］／［ＲＴ２］）を０＜［Ｒ］／［ＲＴ２］≦０．４５と規定することにより、ＲＴ２主相が有する磁歪量の大きさを維持し、安定した磁歪特性を示す磁歪材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｔｗ合金の［Ｒ］／［ＲＴ２］と磁歪量の関係を示す図である。
【図２】本発明の磁歪材料の製造方法の一例を示す図である。
【図３】実施例１によって得られた磁歪材料の断面のＳＥＭ写真である。
【図４】実施例２によって得られた磁歪材料の断面のＳＥＭ写真である。
【図１】
0004266287.tif 000002
【図２】
0004266287.tif 000003
【図３】
0004266287.tif 000004
【図４】
0004266287.tif 000005