(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ウェハを保持するウェハチャックと、
（ｂ）該ウェハチャックが取り付けられたウェハチャック支持部材と、
（ｃ）該ウェハチャック支持部材に上下方向に移動可能に取り付けられ、前記ウェハの上面を自重によって上方から押さえ付けるウェハ押さえ手段とを有し、
（ｄ）該ウェハ押さえ手段が前記ウェハの上面を上方から押さえ付けて、前記ウェハをトレー上に形成された座グリ部内に載置させることを特徴とするウェハ移載装置。
【請求項２】
前記ウェハ押さえ手段は、前記ウェハチャック支持部材に上下方向に移動可能に取り付けられたＹ字形ステイ及び該Ｙ字形ステイに取り付けられたウェハ押さえ棒を備える請求項１に記載のウェハ移載装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハ移載装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン等の半導体から成るウェハ上に層間絶縁膜などの膜を成膜するための気相成長装置、ＣＶＤ装置等においては、前記ウェハを移載するためにウェハ移載装置が使用されている。
【０００３】
例えば、前記ウェハ上にＰＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜を成膜するために一般的に使用される連続式常圧気相成長装置は、前記ウェハを連続的に搬送するための搬送手段を有する。そして、該搬送手段は、ＳｉＣ等から成るトレーが多数取り付けられた無限軌道を形成するチェーン、ベルト等の線状体を有し、多数の前記ウェハを連続的に搬送するようになっている。
【０００４】
ここで、前記線状体が回動すると、前記トレー上に載置された前記ウェハが連続的に反応室内に送り込まれる。そして、前記ウェハの上面は、前記反応室内を搬送される間に、加熱され、かつ、前記反応室内のヘッドから噴出された反応ガスを浴びるので、前記ウェハ上に層間絶縁膜が成膜される。その後、前記ウェハは前記反応室から連続的に搬出される。
【０００５】
この場合、成膜前の前記ウェハは、ベルトコンベア、ウェハボート等の搬送手段やストアレッジ手段によって、前記連続式常圧気相成長装置の前記搬送手段近傍の移載地点にまで搬送され、該移載地点において、ウェハチャック等のウェハ把持手段を有する移載装置によってピックアップされ、次いで、前記トレー上に形成された前記ウェハにほぼ対応する大きさ及び形状を有する座グリ部内に載置される。そして、前記ウェハは、前記座グリ部内に載置されるので、搬送途中での位置や姿勢が乱れることなく、安定して搬送される。したがって、常時一定の品質の前記層間絶縁膜を前記ウェハ上に成膜することができる。
【０００６】
なお、前記層間絶縁膜が成膜された前記ウェハは、前記反応室から搬出された後、別の移載地点において、ウェハチャック等のウェハ把持手段を有する別の移載装置により、前記トレー上からピックアップされ、ベルトコンベア、ウェハボート等の他の搬送手段やストアレッジ手段に移載される。
【０００７】
このように、前記移載装置を使用することにより、前記ウェハ上にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置等を製造する製造ラインの任意の箇所に成膜工程を配置することができ、前記製造ラインの自由度が向上する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のウェハ移載装置においては、前記ウェハを前記トレーの座グリ部内に載置する時に、前記ウェハが、前記座グリ部内にスムーズに到達しないで、暴れてしまうことがあった。このように前記ウェハが暴れると、前記ウェハ上に異物が付着したり、前記ウェハが前記座グリ部又はトレーからはみ出してしまうので、前記層間絶縁膜が正常に成膜されなかったり、前記搬送手段の運転が停止させらたり、前記搬送手段、反応室等が破損したりしてしまう。
【０００９】
図２は従来のウェハ移載装置よりウェハをトレーの座グリ部内に移載する状態を示す図である。
【００１０】
図において、５１は、ウェハチャック５２を有するウェハ移載装置であり、図示されない連続式常圧気相成長装置の搬送手段の近傍に配設される。ここで、前記ウェハチャック５２は、２本のアーム（腕）により両側からウェハを挟み込んで把持する形式のものであるが、真空吸引力によってウェハ上面を吸着して保持する真空チャック形式のもの、複数の把持爪によりウェハの周囲を挟み込んで把持する把持爪形式のもの等、いかなる形式のものであってもよい。また、５５は前記搬送手段のトレーであり、上面にウェハ５３を載置するための座グリ部５６が形成されている。ここで、該座グリ部５６は、前記ウェハ５３にほぼ対応する大きさ及び形状を有するが、前記大きさは前記ウェハ５３の外形よりも大きくなっている。
【００１１】
次に、前記ウェハ移載装置の動作を説明する。
【００１２】
まず、図示されないウェハ収納装置に収納されたウェハ５３がベルトコンベア等の搬送手段によって移載地点まで搬送される。すると、前記ウェハチャック５２が上方より下方移動して、前記搬送手段上に載置されている前記ウェハ５３を把持してピックアップする。次に、前記ウェハチャック５２は、前記ウェハ５３を把持したまま上方へ移動し、次に側方へ移動して、前記連続式常圧気相成長装置の搬送手段の上方に到達する。
【００１３】
そして、前記搬送手段のトレーが所定の位置に到達すると、前記ウェハチャック５２は下方へ移動し、前記トレー５５面より２〜３〔ｍｍ〕上方で停止し、２本のアームを開いて、前記ウェハ５３を開放する。すると該ウェハ５３は、自然落下して、前記トレー５５の座グリ部５６に到達して、該座グリ部５６内に載置される。この時、平板状の前記ウェハ５３の下面と平面状の前記座グリ部５６の上面との間には空気層５８が介在するので、前記ウェハ５３は、前記座グリ部５６の上面に衝撃的に到達することなく、前記空気層５８をクッションとしてフローティングした状態となり、軟着陸するように到達する。
【００１４】
しかし、この時に前記ウェハ５３が傾斜していたり、何らかの外力が前記ウェハ５３に加わったりすると、前記空気層５８をクッションとしてフローティングした状態となっている前記ウェハ５３は、横方向にランダムに移動して、前記座グリ部５６内の側面に衝突したり、前記座グリ部５６内に到達せずに、前記座グリ部５６からはみ出したりしてしまう。
【００１５】
ここで、前記トレー５５は前記連続式常圧気相成長装置において使用されているので、ある程度使用された後には前記トレー５５上にも気相成長反応による反応生成物５７が付着して残留してしまう。そして、前記ウェハ５３が前記座グリ部５６内の側面に衝突すると、その衝撃で前記トレー５５上に残留していた反応生成物５７の一部が飛び散って、異物として前記ウェハ５３上に付着する。このような異物が付着した状態で、前記ウェハ５３上に層間絶縁膜等の膜を気相成長反応によって成膜させると、前記異物周辺で異常成長反応が発生して、成膜された膜に欠陥が生じるので、前記ウェハ５３上に最終的に製造される製品である半導体素子（ＩＣ、ＬＳＩ）においてパターン欠陥等の重大なトラブルが発生してしまう。
【００１６】
また、前記ウェハ５３が前記座グリ部５６からはみ出した場合には、搬送手段による搬送途中で、前記ウェハ５３が前記搬送手段から脱落したり、前記ウェハ５３が前記連続式常圧気相成長装置の反応室内において、該反応室内の部材に接触して、前記ウェハ５３、反応室内の部材、搬送手段等が破損してしまう。このような場合、脱落したり破損したりしたウェハ自体が汚染源となって、前記連続式常圧気相成長装置を汚染するので、以降の成膜が正常に行われなくなってしまう。また、前記反応室内の部材、搬送手段等が破損した場合、以降の成膜が正常に行われなくなったり、前記連続式常圧気相成長装置の運転が不能となったりしてしまう。
【００１７】
本発明は、前記従来のウェハ移載装置の問題点を解決して、ウェハを搬送手段のトレー上に移載する時に、前記ウェハが前記トレーの座グリ部内の側面に衝突したり、前記座グリ部からはみ出したりしてしまうことのないウェハ移載装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そのために、本発明のウェハ移載装置においては、ウェハを保持するウェハチャックと、該ウェハチャックが取り付けられたウェハチャック支持部材と、該ウェハチャック支持部材に上下方向に移動可能に取り付けられ、前記ウェハの上面を自重によって上方から押さえ付けるウェハ押さえ手段とを有し、該ウェハ押さえ手段が前記ウェハの上面を上方から押さえ付けて、前記ウェハをトレー上に形成された座グリ部内に載置させる。
【００１９】
また、本発明の他のウェハ移載装置においては、さらに、前記ウェハ押さえ手段は、前記ウェハチャック支持部材に上下方向に移動可能に取り付けられたＹ字形ステイ及び該Ｙ字形ステイに取り付けられたウェハ押さえ棒を備える。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
図１は本実施の形態におけるウェハ移載装置の斜視図、図３は本実施の形態における連続式常圧気相成長装置の概略図である。
【００２２】
図において、１０はウェハ移載装置であり、シリコン等の半導体から成るウェハ１８上に層間絶縁膜などの膜を成膜するための連続式常圧気相成長装置３０において、前記ウェハ１８を移載するために使用されるが、例えば、ＣＶＤ装置やフォトリソグラフィー行程のように、前記ウェハ１８上にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を製造する製造ラインのいかなる装置や行程においても、前記ウェハ１８を移載するために使用することができる。
【００２３】
図３に示されるように、前記ウェハ１８上にＰＳＧ、ＢＰＳＧ等の層間絶縁膜を成膜するために一般的に使用される連続式常圧気相成長装置３０は、前記ウェハ１８を連続的に搬送するための搬送手段２０を有する。そして、該搬送手段２０は、ＳｉＣ等から成るトレー２１が固定されたアタッチメント２２が多数取り付けられた無限軌道を形成するチェーン、ベルト等の線状体２３を有し、多数の前記ウェハ１８を連続的に搬送するようになっている。なお、２７は、前記線状体２３にテンションを加えるためのテンションローラである。また、２４は、前記アタッチメント２２をスムーズに走行させるためのガイドレールである。
【００２４】
ここで、スプロケット等の回動輪２５が電動モータ等の駆動源２６によって回転させられると、前記線状体２３が移動させられる。そして、前記トレー２１上に載置された前記ウェハ１８が連続的に反応室３１内に送り込まれる。すると、前記ウェハ１８の上面は、前記反応室３１内を搬送される間に、該反応室３１の下方に配設されたヒータ３３によって加熱され、かつ、前記反応室３１内に配設されたガス吹き出しヘッド３２から噴出された反応ガスを浴びるので、前記ウェハ１８上に層間絶縁膜が成膜される。その後、前記ウェハ１８は前記反応室３１から連続的に搬出される。なお、前記ヒータ３３の熱は、前記トレー２１を伝導して、前記ウェハ１８に伝達される。
【００２５】
この場合、成膜前の前記ウェハは、ベルトコンベア、ウェハボート等の搬送手段やストアレッジ手段により、前記連続式常圧気相成長装置３０の前記搬送手段２０近傍の移載地点にまで搬送され、該移載地点において、前記ウェハ移載装置１０によりピックアップされ、次に、前記トレー２１上に形成された前記ウェハ１８に対応する座グリ部２８内に載置される。ここで、該座グリ部２８は、前記ウェハ１８にほぼ対応する大きさ及び形状を有するが、前記大きさは前記ウェハ１８の外形よりも大きくなっている。そして、前記ウェハ１８は、前記座グリ部２８内に載置されるので、搬送途中での位置や姿勢が乱れることなく、安定して搬送される。したがって、常時一定の品質の前記層間絶縁膜を前記ウェハ１８上に成膜することができる。
【００２６】
なお、前記層間絶縁膜が成膜された前記ウェハ１８は、前記反応室３１から搬出された後、別の移載地点において、図示されない別のウェハ移載装置によって、前記トレー２１上からピックアップされ、ベルトコンベア、ウェハボート等の他の搬送手段やストアレッジ手段に移載される。
【００２７】
そして、図１に示されるように、前記ウェハ移載装置１０は、ウェハチャック支持部材としてのラテラルロッド部材１１及び該ラテラルロッド部材１１に取り付けられた複数組のウェハチャック１２を有する。ここで、前記ラテラルロッド部材１１は図示されないウェハ移載装置本体に、Ｘ、Ｙ、Ｚの三次元方向に移動可能に、かつ、θ軸回りに回転可能に取り付けられている。なお、前記ラテラルロッド部材１１は一次元方向又は二次元方向に移動可能でもよく、複数軸回りに回転可能であってもよい。
【００２８】
また、前記ウェハチャック１２は、それぞれ、先端にチャッキングアーム１３を有するとともに、前記ラテラルロッド部材１１に該ラテラルロッド部材１１の軸方向にスライド可能に取り付けられ、２つの前記ウェハチャック１２で１組を形成している。そして、１つの組において、左右の前記ウェハチャック１２は互いに反対方向に前記ラテラルロッド部材１１をスライドし、互いの間隔を調節して、前記チャッキングアーム１３によって、前記ウェハ１８を両側から挟み込んで把持する。
【００２９】
なお、前記チャッキングアーム１３が、それぞれ、前記ウェハチャック１２に揺動可能に取り付けられ、左右の前記チャッキングアーム１３が反対方向に揺動することによって、前記ウェハ１８を両側から挟み込んだり、開放したりするようにしてもよい。この場合、前記ウェハチャック１２は前記ラテラルロッド部材１１に固定的に取り付けられていてもよい。さらに、前記ウェハチャック１２は、前記チャッキングアーム１３に代えて、真空吸引力によってウェハ１８上面を吸着して保持する真空チャックを有するものであってもよく、また、ウェハ１８の周囲を挟み込んで把持する複数の把持爪を有するものであってもよい。
【００３０】
また、前記ラテラルロッド部材１１には、各組を形成する左右の前記ウェハチャック１２の間に、リニアガイド１６が取り付けられる。そして、該リニアガイド１６には、ウェハ押さえ手段が上下方向にスライド可能に取り付けられる。ここで、前記ウェハ押さえ手段はＹ字形ステイ１４を有し、該Ｙ字形ステイ１４の２又に分かれた先端部のそれぞれには孔が穿設され、該孔にウェハ押さえ棒１５がそれぞれに挿入されて取り付けられる。そして、前記ウェハ押さえ棒１５の下端が前記ウェハ１８の上面を押さえ付けるようになっている。したがって、前記ウェハ押さえ棒１５の下端が前記ウェハ１８の上面において、半導体素子（ＩＣ、ＬＳＩ）のパターンが形成されない領域を押さえ付けるように、前記ウェハ押さえ棒１５の取り付け位置は定められる。
【００３１】
なお、前記Ｙ字形ステイ１４の先端は２又に分かれているが、分かれてなくても１つであってもよく、また、３つ以上に分かれていてもよい。この場合も、前記ウェハ押さえ棒１５の下端が前記ウェハ１８の上面において、半導体素子（ＩＣ、ＬＳＩ）等のパターンが形成されない領域を押さえ付ける位置に、前記ウェハ押さえ棒１５が取り付けられる。
【００３２】
そして、前記ウェハ押さえ棒１５は、前記Ｙ字形ステイ１４の孔に強固に取り付けられておらず、例えば、前記ウェハ押さえ棒１５と孔の内周との間にゴム片や樹脂片を噛ませるようにして、緩く取り付けられていることが望ましい。これにより、前記ウェハ押さえ棒１５が前記ウェハ１８に強く当たったときに、前記ウェハ押さえ棒１５が上方にズレることによって衝撃を吸収するので、前記ウェハ１８が破損することがない。
【００３３】
さらに、前記ウェハ押さえ棒１５の材質はいかなるものであってもよいが、望ましくは、前記ウェハ１８に物理的化学的に影響を与えないように樹脂であり、更に望ましくは、ピロメリット酸無水物及び４，４’−オキシジアニリンから成るポリイミド樹脂（商品名ベスペル：デュポン社製造）である。なお、前記ウェハ押さえ棒１５の先端は前記ウェハ１８に傷を付けないように、球面のような曲面であることが望ましい。また、前記ウェハ押さえ棒１５の径はできるだけ小さくして、前記ウェハ押さえ棒１５が前記ウェハ１８に強く当たったときに、前記ウェハ押さえ棒１５が折れることによって衝撃を吸収して、前記ウェハ１８が破損しないようにすることが望ましい。
【００３４】
また、前記ウェハ移載装置１０は、図示されない制御装置を有する。該制御装置は、ＣＰＵ、ＭＰＵ等の演算手段、半導体メモリ、磁気ディスク等の記憶手段、マウス、キーボード、タッチパネル等の入力手段、ＣＲＴ、液晶表示装置等の表示手段、入出力インターフェイス等を有し、前記ウェハ移載装置１０のすべて又は一部の動作を総括的に制御する。なお、前記制御装置としては、独立したものでなく、例えば、前記連続式常圧気相成長装置３０等を制御する制御装置の一部として他の制御装置に統合されたものを使用することができる。
【００３５】
さらに、前記ウェハ移載装置１０は、図示されない電動モータ、アクチュエータ等の単数又は複数の駆動手段を有する。該単数又は複数の駆動手段は、前記ラテラルロッド部材１１、ウェハチャック１２、チャッキングアーム１３等のすべて又は一部を、前記制御装置の指令に基づいて、作動させる。
【００３６】
次に、前記構成のウェハ移載装置の動作について説明する。
【００３７】
図４は成膜前のウェハを搬送する搬送手段とウェハ移載装置の関係を示す図、図５はウェハ移載装置が成膜前のウェハをピックアップする動作を示す図、図６はウェハ移載装置が成膜前のウェハをトレー上に形成された座グリ部内に載置する動作を示す図である。
【００３８】
図４において、４０は成膜前のウェハ１８を搬送する搬送手段であり、ベルト等から成る線状体４１及び複数枚のウェハ１８を収納するウェハ収納手段４２を有する。
【００３９】
ここで、該ウェハ収納手段４２は、それぞれ１枚ずつのウェハ１８が載置される複数の棚又は溝状の部材を有し、複数枚のウェハ１８を互いに離れて積層された状態で収容する。そして、前記ウェハ収納手段４２に収容された前記ウェハ１８からは、最下位に位置するウェハ１８から、順次、前記線状体４１によって搬出される。一方、前記ウェハ１８が１枚搬出されると、前記ウェハ収納手段４２は１段下方に移動して、前記搬出されたウェハ１８の直上に位置するウェハ１８が次に搬出されるようになっている。
【００４０】
そして、前記ウェハ収納手段４２から搬出された前記ウェハ１８は、前記線状体４１によって図４における右方向へ搬送され、前記連続式常圧気相成長装置３０の前記搬送手段２０近傍の移載地点に到達して、前記ウェハ移載装置１０によって、ピックアップされる。
【００４１】
ここで、前記ウェハ移載装置１０のラテラルロッド部材１１は、図５（ａ）に示されるように、下方に移動した状態となっている。この場合、前記チャッキングアーム１３は前記ウェハ１８の高さとほぼ同一の高さに位置し、かつ、各組において、左右の前記チャッキングアーム１３は互いの間隔を開けた状態となっている。また、前記Ｙ字形ステイ１４は、移載地点に配設された支持台４３に取り付けられた押上コマ４４によって、前記リニアガイド１６に沿って、相対的に上方に移動させられている。したがって、前記Ｙ字形ステイ１４に取り付けられたウェハ押さえ棒１５の下端は、前記ウェハ１８の上面よりも高い位置にある。
【００４２】
そして、前記ウェハ１８が前記チャッキングアーム１３の位置に到達すると、左右の前記チャッキングアーム１３は互いの間隔を閉じて、前記ウェハ１８を両側から挟み込んで把持する。
【００４３】
次に、前記ラテラルロッド部材１１が図示されない駆動手段によって上方に移動させられると、図５（ｂ）に示されるように、前記Ｙ字形ステイ１４は、前記押上コマ４４から離れるので、自重によって前記リニアガイド１６に沿って、相対的に下方に移動させられる。したがって、前記ウェハ押さえ棒１５の下端は、前記ウェハ１８の上面に接触して、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５の自重によって、前記ウェハ１８を上方から押さえ付ける。
【００４４】
次に、前記ラテラルロッド部材１１は、前記チャッキングアーム１３が前記ウェハ１８を把持したままの状態で側方へ移動し、前記連続式常圧気相成長装置３０の搬送手段２０の上方に到達する。
【００４５】
そして、前記搬送手段２０のトレー２１が所定の位置に到達すると、図６（ａ）に示されるように、前記ラテラルロッド部材１１は、下方へ移動し、前記チャッキングアーム１３が把持する前記ウェハ１８が前記トレー２１の上面より２〜３〔ｍｍ〕程度上方に到達すると、停止する。
【００４６】
次に、前記トレー２１が図６において右方向へ移動して、前記トレー２１上に形成された前記ウェハ１８に対応する座グリ部２８の中心が、前記チャッキングアーム１３に把持された前記ウェハ１８の中心と一致すると、左右の前記チャッキングアーム１３は互いの間隔を開けて、前記ウェハ１８を開放する。
【００４７】
すると前記ウェハ１８は、落下して前記トレー２１上に形成された座グリ部２８に到達して、該座グリ部２８内に載置される。この時、図６（ｂ）に示されるように、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５は、該ウェハ押さえ棒１５の下端が前記ウェハ１８を上方から押さえ付けた状態で、前記リニアガイド１６に沿って、自重により落下する。したがって、前記ウェハ１８は、自重に加えて、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５の重量に上方から押されて、落下する。
【００４８】
ここで、平板状の前記ウェハ１８の下面と平面状の前記座グリ部２８の上面との間には空気層が介在するので、前記ウェハ１８は、前記座グリ部２８の上面に衝撃的に到達することなく、前記空気層をクッションとしてフローティングした状態となり、軟着陸するように到達する。
【００４９】
しかし、前述したように、前記ウェハ１８は、自重に加えて、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５の重量に上方から押されて、落下するので、この時に前記ウェハ１８が傾斜していたり、何らかの外力が前記ウェハ１８に横方向から加わったりしても、前記ウェハ１８は、横方向にランダムに移動して、前記座グリ部２８内の側面に衝突したり、前記座グリ部２８からはみ出したりしてしまうことなく、前記座グリ部２８の上面に軟着陸するように到達する。
【００５０】
しかも、前記ウェハ１８は、前記座グリ部２８の上面に到達した後も、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５の重量に上方から押されているので、前記ウェハ１８の下面は前記座グリ部２８の上面に密着した状態となる。
【００５１】
そして、前記ウェハ１８が前記座グリ部２８の上面に載置されると、図６（ｃ）に示されるように、前記ラテラルロッド部材１１は上方へ移動する。この時、前記Ｙ字形ステイ１４は、前記リニアガイド１６に沿って前記ラテラルロッド部材１１に対してさらに下方へ移動するが、図示されないストッパ部材によって停止させられる。したがって、前記Ｙ字形ステイ１４も前記ラテラルロッド部材１１とともに上方へ移動させられ、前記ウェハ押さえ棒１５の下端が前記ウェハ１８から離れる。
【００５２】
次に、前記ラテラルロッド部材１１は、側方へ移動し、図５（ａ）に示される状態に復帰して、前記搬送手段４０によって搬送される次のウェハ１８をピックアップするために待機する。
【００５３】
このように、本実施の形態においては、前記ウェハ１８を前記トレー２１の座グリ部２８内に載置する時に、前記Ｙ字形ステイ１４と該Ｙ字形ステイ１４に取り付けられたウェハ押さえ棒１５によって、前記ウェハ１８を上方から押しつけるようにしたので、前記ウェハ１８が、横方向にランダムに移動して、前記座グリ部２８内の側面に衝突したり、前記座グリ部２８からはみ出したりしてしまうことがない。
【００５４】
したがって、前記ウェハ１８が前記座グリ部２８内の側面に衝突する衝撃で前記トレー２１上に残留していた反応生成物の一部が飛び散って、異物として前記ウェハ１８上に付着することがない。このため、異物が付着した状態で前記ウェハ１８上に層間絶縁膜等の膜を気相成長反応によって成膜させた場合に発生する前記異物周辺での異常成長反応や、それに起因する膜中の欠陥が生じないので、前記ウェハ１８上に製造される最終製品である半導体素子においてパターン欠陥等の重大なトラブルが発生することがない。
【００５５】
また、前記ウェハ１８が前記座グリ部２８からはみ出して、搬送手段２０による搬送途中で、前記ウェハ１８が前記搬送手段から脱落したり、前記ウェハ１８が前記反応室３１内において、該反応室３１内の部材に接触して、前記ウェハ１８、反応室３１内の部材、搬送手段２０等が破損することがない。このため、脱落したり破損したりしたウェハ自体が汚染源となって、前記連続式常圧気相成長装置３０を汚染して、以降の成膜が正常に行われなくなったり、前記反応室３１内の部材、搬送手段２０等が破損して、以降の成膜が正常に行われなくなったり、前記連続式常圧気相成長装置３０の運転が不能となったりすることがない。
【００５６】
さらに、前記ウェハ１８は、前記座グリ部２８の上面に到達した後も、前記Ｙ字形ステイ１４及びウェハ押さえ棒１５の重量に上方から押されて、前記ウェハ１８の下面が前記座グリ部２８の上面に密着した状態となるので、前記ヒータ３３の熱が、前記トレー２１を介して前記ウェハ１８に効率よく、かつ、均一に伝達される。このため、前記ウェハ１８上に成膜される膜の厚さが均一となる。
【００５７】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、ウェハ移載装置においては、ウェハを保持するウェハチャックと、該ウェハチャックが取り付けられたウェハチャック支持部材と、該ウェハチャック支持部材に上下方向に移動可能に取り付けられ、前記ウェハの上面を自重によって上方から押さえ付けるウェハ押さえ手段とを有し、該ウェハ押さえ手段が前記ウェハの上面を上方から押さえ付けて、前記ウェハをトレー上に形成された座グリ部内に載置させる。
【００５９】
この場合、ウェハが、横方向にランダムに移動して、前記座グリ部内の側面に衝突したり、前記座グリ部からはみ出したりしてしまうことがない。
【００６０】
したがって、前記ウェハが前記座グリ部内の側面に衝突する衝撃で前記トレー上に残留していた反応生成物の一部が飛び散って、異物として前記ウェハ上に付着することがない。このため、異物が付着した状態で前記ウェハ上に層間絶縁膜等の膜を気相成長反応によって成膜させた場合に発生する前記異物周辺での異常成長反応や、それに起因する膜中の欠陥が生じないので、前記ウェハ上に最終的に製造される製品である半導体素子においてパターン欠陥等の重大なトラブルが発生することがない。
【００６１】
また、前記ウェハが前記座グリ部からはみ出して、搬送手段による搬送途中で、前記ウェハが前記搬送手段から脱落したり、前記ウェハが反応室内において、該反応室内の部材に接触して、前記ウェハ、反応室内の部材、搬送手段等が破損することがない。このため、脱落したり破損したりしたウェハ自体が汚染源となって、以降の成膜が正常に行われなくなったり、前記反応室内の部材、搬送手段等が破損して、以降の成膜が正常に行われなくなったりすることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態におけるウェハ移載装置の斜視図である。
【図２】従来のウェハ移載装置よりウェハをトレーの座グリ部内に移載する状態を示す図である。
【図３】本実施の形態における連続式常圧気相成長装置の概略図である。
【図４】成膜前のウェハを搬送する搬送手段とウェハ移載装置の関係を示す図である。
【図５】ウェハ移載装置が成膜前のウェハをピックアップする動作を示す図である。
【図６】ウェハ移載装置が成膜前のウェハをトレー上に形成された座グリ部内に載置する動作を示す図である。
【符号の説明】
１０    ウェハ移載装置
１４    Ｙ字形ステイ
１５    ウェハ押さえ棒
１８    ウェハ
２１    トレー
２８    座グリ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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