(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に半導体素子を収容するための凹部が形成されて成る略四角平板状の絶縁基体と、該絶縁基体の前記一方の主面側にろう付けされた第１列の外部リード端子と、前記絶縁基体の他方の主面側にろう付けされた第２列の外部リード端子と、前記絶縁基体の前記一方の主面に前記凹部を覆うように取着される蓋体とを備え、前記第１列の外部リード端子が前記絶縁基体の一側面にろう付けされるとともに前記一側面から突出するように配設され、前記第２列の外部リード端子が前記一側面側の前記他方の主面にろう付けされるとともに前記一側面から突出するように配設されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路素子等の半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージとして、ジグザグインライン型の半導体素子収納用パッケージが知られている。
【０００３】
このような従来のジグザグインライン型の半導体素子収納用パッケージを図３に断面図で、図４に斜視図で示す。
【０００４】
従来のジグザグインライン型の半導体素子収納用パッケージは、図３に示すように、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成る略四角平板で一方の主面に半導体素子Ｓを収容するための凹部11ａを有するとともに、この凹部11ａ内から一側面近傍の両主面に導出する複数のメタライズ配線導体12が配設された絶縁基体11と、メタライズ配線導体12で絶縁基体11の両主面に導出した部位に銀ろう等のろう材を介してろう付けされ、前記一側面から外部に突出する複数の外部リード端子13と、絶縁基体11の凹部11ａ側の主面に凹部11ａを覆うように取着される蓋体14とから構成されており、凹部11ａ内に半導体素子Ｓを収納固定するとともに、この半導体素子Ｓの各電極をボンディングワイヤＷを介してメタライズ配線導体12に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体11の凹部11ａ側主面に蓋体14をろう材や半田・樹脂・ガラス等の封止材を介して取着し、絶縁基体11と蓋体14とから成る容器内部に半導体素子Ｓを気密に収容することによって製品としての半導体装置となる。
【０００５】
なお、この従来の半導体素子収納用パッケージは、図４に示すように、各外部リード端子13が絶縁基体11の一側面近傍の両主面に互いにジグザグの配置となるように二列の並びでろう付けされており、この外部リード端子13の先端部を外部電気回路基板につき立てて実装することにより、半導体装置の外部電気回路基板への高密度実装を可能としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージによると、外部リード端子13が絶縁基体11の一側面近傍の両主面にろう付けされているため、凹部11ａ側の主面に蓋体14を取着するための領域と外部リード端子13をろう付けするための領域とを両方共に設ける必要があり、その分、絶縁基体11の高さが高いものとなり、半導体装置の実装高さを低くすることが困難であるという問題点を有していた。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基体の高さを低いものとして、それにより半導体装置の実装高さを低いものとすることが可能な半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、一方の主面に半導体素子を収容するための凹部が形成されて成る略四角平板状の絶縁基体と、この絶縁基体の前記一方の主面側にろう付けされた第１列の外部リード端子と、絶縁基体の他方の主面側にろう付けされた第２列の外部リード端子と、絶縁基体の前記一方の主面に凹部を覆うように取着される蓋体とを備え、前記第１列の外部リード端子が前記絶縁基体の一側面にろう付けされるとともに前記一側面から突出するように配設され、前記第２列の外部リード端子が前記一側面側の前記他方の主面にろう付けされるとともに前記一側面から突出するように配設されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、凹部側の並びの外部リード端子は絶縁基体の一側面にろう付けされていることから、蓋体が取着される凹部側主面に外部リード端子をろう付けするための領域を設ける必要がなく、その分、絶縁基体の高さを低いものとすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の半導体素子収納用パッケージの実施形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は外部リード端子、３は蓋体である。そして、これらで半導体素子収納用パッケージが構成されている。また、図２は、図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶縁基体１および外部リード端子２を示す斜視図である。
【００１２】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等のセラミック材料から成る略四角平板状であり、その一方の主面に半導体素子Ｓを収容するための凹部１ａが形成されており、この凹部１ａ内には半導体素子Ｓがろう材・樹脂・ガラス等の接着剤を介して収納固定される。
【００１３】
また、絶縁基体１には、凹部１ａの内側からそれぞれ絶縁基体１の一側面およびこの一側面近傍で凹部１ａと反対側の主面に導出する複数のメタライズ配線導体４が配設されている。
【００１４】
メタライズ配線導体４は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、凹部１ａ内に搭載される半導体素子Ｓの各電極を外部リード端子２に電気的に接続する導電路として機能する。そして、このメタライズ配線導体４で絶縁基体１の一側面およびこの一側面近傍で凹部１ａと反対側の主面に導出した部位には複数の外部リード端子２が銀ろう等のろう材を介して二列の並びでろう付けされており、凹部１ａ内側部位には凹部１ａ内に収納される半導体素子Ｓの各電極がボンディングワイヤＷを介して電気的に接続される。
【００１５】
なお、このような絶縁基体１は、複数枚のセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにメタライズ配線導体４となる金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布し、次にこれらのセラミックグリーンシートを上下に積層するとともに適当な寸法に切断して絶縁基体１となる生セラミック成形体を得、しかる後、この生セラミック成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１６】
また、メタライズ配線導体４で絶縁基体１の一側面およびこの一側面近傍で凹部１ａと反対側の主面に導出した部位に二列の並びでろう付けされた外部リード端子２は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成り、それぞれ絶縁基体１の両主面側において、絶縁基体１の一側面から外部に向けて突出するように配設されている。
【００１７】
この外部リード端子２は、凹部１ａ内に収納される半導体素子Ｓの各電極を外部電気回路に電気的に接続するための接続端子として機能し、その突出した側の先端部を外部電気回路基板の配線導体に半田等を介して接続することにより半導体素子Ｓの各電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１８】
なお、このような外部リード端子２は、鉄−ニッケル合金の板材に打ち抜き加工を施すとともに、凹部１ａ側の並びの外部リード端子２の場合には更に折り曲げ加工を施すことによって所定の形状に形成される。
【００１９】
また、外部リード端子２を絶縁基体１にろう付けするには、メタライズ配線導体４で絶縁基体１の一側面およびこの一側面近傍で凹部１ａと反対側の主面に導出した部位に外部リード端子２の一端部をメタライズ配線導体４との間に例えば箔状のろう材を挟んで当接させるとともに、これらをろう材の融点以上の温度に加熱することによりメタライズ配線導体４と外部リード端子２とをろう付けする方法が採用される。なお、このようなろう付けの際には、各外部リード端子２のろう付け部と反対側の端部を図示しないタイバーにより各列毎に一体的に連結しておくことが望ましい。外部リード端子２を各列毎にタイバーで連結しておくことによって、各外部リード端子２を一定の間隔で保持して絶縁基体１に対して正確にろう付けするこが容易となる。なお、そのようなタイバーはパッケージの内部に半導体素子Ｓを収納して半導体装置となした後に切断除去すればよい。
【００２０】
そして、本発明においては、これらの二列の並びの外部リード端子２のうち、凹部１ａ側の並びの外部リード端子２が絶縁基体１の一側面にろう付けされており、凹部１ａと反対側の並びの外部リード端子２が凹部１ａと反対側の主面にろう付けされていることが重要である。凹部１ａ側の並びの外部リード端子２が絶縁基体１の一側面にろう付けされていることから、絶縁基体１の凹部１ａ側の主面には外部リード端子２をろう付けするための領域を設ける必要がなく、その分、絶縁基体１の高さを低いものとなすことができる。その結果、この半導体素子収納用パッケージを使用した半導体装置の実装高さを低いものとなすことができる。また、凹部１ａと反対側の並びの外部リード端子２は、凹部１ａと反対側の主面にろう付けされていることから、凹部１ａ側の並びの外部リード端子２を絶縁基体１の一側面にろう付けするのに対して障害となることがない。
【００２１】
なお、絶縁基体１の両主面と外部リード端子２が突出する側の側面との間の角部に0.1 〜１ｍｍ程度の大きさの面取り加工を施すとともに、この面取り部にそれぞれ対応する側のメタライズ配線導体４の一部が延在するようにしておくと、面取り部と外部リード端子２との間にろう材の溜まりが形成されて外部リード端子２の絶縁基体１に対するろう付け強度を大きなものとすることができる。従って、絶縁基体１の両主面と外部リード端子２が突出する側の側面との間の角部には0.1 〜１ｍｍ程度の面取り加工を施すとともに、この面取り部にそれぞれ対応する側のメタライズ配線導体４の一部を延在させておくことが好ましい。さらにこの場合、凹部１ａ側の面取り部に延在させるメタライズ配線導体４は、蓋体３や封止材によるメタライズ配線導体４間の電気的な短絡等を防止するために凹部１ａ側主面から0.05ｍｍ以上離した位置まで延在させることが好ましい。また、凹部１ａと反対側の面取り部に延在させるメタライズ層４は、外部リード端子２の絶縁基体１に対する被着強度を更に強固とするために、絶縁基体１の側面で凹部１ａ側の並びのメタライズ配線導体４から0.05ｍｍ以上離間した位置でまで延出させてもよい。
【００２２】
かくして、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、凹部１ａ側の並びの外部リード端子２が絶縁基体１の一側面にろう付けされており、凹部１ａと反対側の並びの外部リード端子２が凹部１ａと反対側の主面にろう付けされていることで、絶縁基体１の高さが低いものとなり、その結果、半導体装置の外部電気回路基板に対する実装高さを低いものとすることができる。
【００２３】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、凹部側の並びの外部リード端子は絶縁基体の一側面にろう付けされていることから、蓋体が取着される凹部側主面に外部リード端子をろう付けするための領域を設ける必要がなく、その分、絶縁基体の高さを低いものとすることができ、その結果、半導体装置の外部電気回路基板に対する実装高さを低いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶縁基体および外部リード端子の斜視図である。
【図３】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図４】図３に示す半導体素子収納用パッケージの絶縁基体および外部リード端子の斜視図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁基体
１ａ・・・・・・凹部
２・・・・・・外部リード端子
３・・・・・・蓋体
４・・・・・・メタライズ配線導体
Ｓ・・・・・・半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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