(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面に形成された導体層をニッケルめっき層と金めっき層とによって被覆してなるボンディング部に対し、ボンディングワイヤが接合される電子部品搭載用基板において、前記ニッケルめっき層が電解めっきにより前記導体層の上面と側面を全体的に被覆するように形成されているとともに前記金めっき層が電解めっきにより当該ニッケルめっき層上を全体的に被覆するように形成され、前記ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ以上であることを特徴とする電子部品搭載用基板。
【請求項２】
前記ニッケルめっき層の厚さは３μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項３】
前記絶縁基板にはめっきスルーホールが貫通形成され、前記ボンディング部を構成する導体層は前記めっきスルーホールのランドに延びて接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項４】
前記めっきスルーホールには端子ピンが嵌着されていることを特徴とする請求項３に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項５】
導体層上に電解ニッケルめっき及び電解金めっきを行うことによってボンディング部を形成した後、そのボンディング部に対するワイヤボンディングを行う電子部品搭載用基板の製造方法において、前記導体層の上面と側面を全体的に被覆するようにニッケルめっき層を形成するとともに当該ニッケルめっき層上を全体的に被覆するように金めっき層を形成し、前記ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ以上となるような条件で前記電解ニッケルめっきを行うことを特徴とする電子部品搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品搭載用基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板の片面または両面に配線パターンやボンディングパッド等を形成してなる電子部品搭載用基板がよく知られている。このような電子部品搭載用基板は、例えば下記の手順を経て製造される。
【０００３】
まず、サブトラクティブ法等によって、後に配線パターンやボンディングパッドとなる銅パターンを絶縁基板上に形成する。次に、電解ニッケルめっきを行い、銅パターン上にりんを含むニッケルめっき層を形成する。引き続き電解金めっきを行い、前記ニッケルめっき層上に金めっき層を形成する。以上の結果、３種の金属からなる配線パターン及びボンディングパッドを備えるプリント配線板が得られる。次に、プリント配線板におけるダイエリアにＬＳＩチップ等の電子部品を搭載した後、ワイヤボンディングを行う。その結果、金等からなるボンディングワイヤを介して、ボンディングパッドとチップ側のパッドとを接続する。そしてこの後、熱硬化性のポッティング樹脂を用いたポッティングを必要に応じて行う。これによりダイエリアが封止され、電子部品搭載用基板が完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の電子部品搭載用基板の場合、ボンディングパッドに対するボンディングワイヤの接合強度が弱く、その部分の接続信頼性に劣るという問題がある。なお、その理由は以下のように考えられる。
【０００５】
即ち、ワイヤボンディング後にポッティングを行った場合、ボンディングパッド及びボンディングワイヤ中の各成分（即ち銅、ニッケル、金等）がポッティング樹脂の加熱硬化時に熱拡散する。このとき、特にニッケルめっき層の中のニッケルが金めっき層側に素早く移動して、同層の中に熱拡散する。それゆえ、ニッケルめっき層の上層部分にニッケルめっき層中のりんが取り残され、当該部分に高濃度りん層が生じてしまう。そして、このような高濃度りん層の発生により接合強度の低下がもたらされるのである。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボンディング部の接続信頼性に優れた電子部品搭載用基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決すべく本願発明者が鋭意研究を行った結果、ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズに着目し、これが小さいと他金属層へのニッケルの移動が起こりやすくなる傾向があることを新たに知見した。そこで、本願発明者はかかる知見に基づいてさらにそれを発展させ、最終的に下記の発明を想到するに至ったのである。
【０００８】
そこで、請求項１に記載の発明では、絶縁基板の表面に形成された導体層をニッケルめっき層と金めっき層とによって被覆してなるボンディング部に対し、ボンディングワイヤが接合される電子部品搭載用基板において、前記ニッケルめっき層が電解めっきにより前記導体層の上面と側面を全体的に被覆するように形成されているとともに前記金めっき層が電解めっきにより当該ニッケルめっき層上を全体的に被覆するように形成され、前記ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ以上であることを特徴とする電子部品搭載用基板をその要旨とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記ニッケルめっき層の厚さは３μｍ〜５μｍであるとした。
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２において、前記絶縁基板にはめっきスルーホールが貫通形成され、前記ボンディング部を構成する導体層が前記めっきスルーホールのランドに延びて接続するように形成されている。
請求項４に記載の発明では、請求項３において、前記めっきスルーホールには端子ピンが嵌着されている。
請求項５に記載の発明では、導体層上に電解ニッケルめっき及び電解金めっきを行うことによってボンディング部を形成した後、そのボンディング部に対するワイヤボンディングを行う電子部品搭載用基板の製造方法において、前記導体層の上面と側面を全体的に被覆するようにニッケルめっき層を形成するとともに当該ニッケルめっき層上を全体的に被覆するように金めっき層を形成し、前記ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ以上となるような条件で前記電解ニッケルめっきを行うことを特徴とする電子部品搭載用基板の製造方法をその要旨とする。
【００１０】
以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１〜５に記載の発明によると、ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズが２μｍ以上になると、ニッケルめっき層の内部欠陥が減少し、その内部欠陥を通り抜けてニッケルが金めっき層側へ移動することが阻害される。従って、ニッケルめっき層の上層部分における高濃度りん層の発生が回避され、高濃度りん層の発生による接合強度の低下を防ぐことができる。その結果、ボンディング部の接続信頼性を向上させることができる。また、電解めっきにより形成された金めっき層は、無電解めっきにより形成されたもの比べて硬質になる。このことは金めっき層の耐磨耗性の向上、ひいてはボンディングパッドの接合強度の向上にとってプラスに作用する。
【００１１】
この場合、ニッケルめっき層の厚さを３μｍ〜５μｍにすることが好ましい。ニッケルめっき層が薄すぎると、導体層を構成する金属の溶解等によってパターン形状が悪化するおそれがあり、この場合にはボンディング部の平坦性悪化によって接続強度が低下するおそれがある。一方、ニッケルめっき層が厚すぎると、上記の問題は起こらない反面、めっきに要する時間が長くなって生産性やコスト性が低下してしまう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態の電子部品搭載用基板及びその製造方法を図１〜図３に基づき詳細に説明する。
【００１３】
図１に示されるように、この電子部品搭載用基板Ｐ１を構成するプリント配線板１の絶縁基板２の表裏両面には、配線パターン３、ボンディング部としてのボンディングパッド４、ダイパッド５等が形成されている。従って、このプリント配線板１は、いわゆる両面板となっている。なお、絶縁基板２の表裏面においてボンディングパッド４やダイパッド５を除く箇所は、図示しないソルダーレジストによって被覆されている。
【００１４】
絶縁基板２における外周部には、めっきスルーホール６が貫通形成されている。絶縁基板２の両面における配線パターン３同士は、これらのめっきスルーホール６を介して互いに導通している。また、めっきスルーホール６の下面側開口部には、導電性金属材料からなる端子ピン７が嵌着されている。従って、この電子部品搭載用基板Ｐ１を図示しないマザーボード上に実装したとき、端子ピン７を介して電子部品搭載用基板Ｐ１側とマザーボード側とが電気的に接続される。以上のことから、本実施形態の電子部品搭載用基板Ｐ１は、半導体パッケージの一種であるＰＧＡ（ピングリッドアレイ）の形態を備えたものとなっている。
【００１５】
前記ダイパッド５は矩形状に形成されており、絶縁基板２の上面側中央部に配置されている。このダイパッド５上には、電子部品としてのＬＳＩチップ（ベアチップ）８が図示しない接着剤を介して接着されている。なお、ダイパッド５を形成せずに直接ＬＳＩチップ８を接着してもよい。配線パターン３に接続された複数のボンディングパッド４は、絶縁基板２の上面側においてダイパッド５を包囲するように配列されている。ボンディングパッド４の数は、ＬＳＩチップ８の上面外周部に形成されたパッド９の数に対応している。
【００１６】
ボンディングパッド４とＬＳＩチップ８側のパッド９とは、金からなるボンディングワイヤ１０によって互いに接続されている。その結果、プリント配線板１側とＬＳＩチップ８側とが電気的に接続される。なお、金ワイヤに代えてアルミニウムワイヤ等を使用することも可能である。
【００１７】
絶縁基板２の上面側においてダイエリア及びその周辺部は、ポッティング樹脂１１によって封止されている。本実施形態では、ポッティング樹脂１１としてエポキシ樹脂等のような熱硬化性樹脂が用いられている。
【００１８】
図３（ｃ）に示されるように、本実施形態のプリント配線板１における配線パターン３、ボンディングパッド４、ダイパッド５は、いずれも３種の金属、即ち銅、ニッケル及び金からなる。より具体的にいうと、ボンディングパッド４等は、大まかにいって銅パターン２１、ニッケルめっき層２２及び金めっき層２３の３種からなる。
【００１９】
導体層としての銅パターン２１は絶縁基板２に対して密着しており、詳細には３層構造を有している。銅パターン２１における第１層は、厚さ約１８μｍの銅箔２１ａであり、第２層は厚さ約１０μｍのパネル銅めっき層２１ｂであり、第３層は厚さ約１５μｍのパターン銅めっき層２１ｃである。なお、銅パターン２１は、トータルで厚さが４０μｍ〜６０μｍ程度となるように形成されることが好ましい。
【００２０】
ニッケルめっき層２２は、銅パターン２１を被覆するように形成されている。ここで、ニッケルめっき層２２中のニッケルの結晶サイズとは、断面写真に現れた結晶の直線距離のうち最も長い部分を結晶毎に測定し、その平均をとったものをいう。前記結晶サイズの値は、２μｍ以上であることが必要であり、さらには２μｍ〜１０μｍであることがよく、２μｍ〜７μｍであることが最もよい。
【００２１】
ニッケルの結晶サイズが２μｍ以上になると、ニッケルめっき層２２の内部欠陥が相対的に減少するからである。その結果、内部欠陥を通り抜けてニッケルが金めっき層２３側へ移動することが阻害される。逆に、ニッケルの結晶サイズが２μｍよりも小さくなると、ニッケルめっき層２２に内部欠陥が依然として多く存在し、その内部欠陥をニッケルが容易に通過可能となってしまう。ゆえに、ニッケルが金めっき層２３側へ移動してしまい、ニッケルめっき層２２の上層部分に、接合強度低下の原因となる高濃度りん層が発生しやすくなる。
【００２２】
また、ニッケルの結晶サイズを１０μｍ以上にすること自体は、ニッケルめっき層２２の内部欠陥の低減にとっては好適である、その反面、結晶サイズを大型化するための好適なめっき条件を、生産性の低下を伴うことなく設定することが難しくなるおそれがある。
【００２３】
ニッケルめっき層２２は、厚さが３μｍ〜５μｍとなるように形成されることがよい。ニッケルめっき層２２が薄すぎると、ニッケルめっき層２２によって銅パターン２１を完全に被覆することができなくなり、金めっきを施す際に銅が溶解して、パターン形状が悪化するおそれがある。この場合、ボンディングパッド４の平坦性が悪化して、ボンディングパッド４に対するボンディングワイヤ１０の接続強度が低下するおそれがある。一方、ニッケルめっき層２２が厚すぎると、上記の問題は起こらない反面、めっきに要する時間が長くなって生産性やコスト性が低下してしまう。
【００２４】
本実施形態のニッケルめっき層２２には、ニッケルの他に少量のりんが含まれている。従って、このニッケルめっき層２２においては、ニッケルが主成分になっていて、りんが副成分となっている。ニッケルめっき層２２中に少量のりんが含まれているのは、以下の理由による。
【００２５】
第１の理由は、ニッケルめっき層２２と金めっき層２３との密着性が高くなるからである。第２の理由は、金めっきを行う際に金の析出速度が速くなり、生産性の向上にとって好都合だからである。
【００２６】
より具体的にいうと、ニッケルめっき層２２において、りんは３重量％〜１２重量％、さらには５重量％〜９重量％含まれていることが好ましい。
りんの含有量が３重量％未満であると、金の析出速度が速くなり生産性の向上にとって有利になる。その反面、ニッケルめっき層２２と金めっき層２３との密着性が低下し、ひいてはボンディングパッド４に対するボンディングワイヤ１０の接続強度が低下するおそれがある。
【００２７】
一方、りんの含有量が１２重量％を超える場合には、ニッケルめっき層２２と金めっき層２３との密着性は高くなる反面、金めっき層２３を形成する際の金の析出速度が遅くなり、生産性が低下してしまう。
【００２８】
これに加えて、そもそもりん含有量が多くなる結果、ニッケルの結晶サイズの大型化を図ったとしても、ポッティング樹脂１１の加熱硬化時にニッケルめっき層２２中の上層部分に高濃度りん層が形成される場合がある。
【００２９】
ニッケルめっき層２２を被覆する金めっき層２３は、厚さが０．３μｍ〜０．５μｍ程度となるように形成されることがよい。金めっき層２３が薄すぎると、ワイヤボンディング時の打撃により磨耗が生じ、その磨耗部分からニッケルめっき層２２が部分的に露出してしまうおそれがある。一方、金めっき層２３が厚すぎると、金という高価なめっき材料が多く必要になる結果、必然的に製造コストが高くなってしまう。
【００３０】
次に、図２，図３に基づいて、このような電子部品搭載用基板Ｐ１を製造する手順について説明する。
まず、絶縁基板２の両面に厚さ１８μｍの銅箔２１ａを有する銅張積層板を用意する。銅張積層板における絶縁基板２の材料としては、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させたもの等が用いられる。エポキシ樹脂に代え、ポリイミド樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）等を用いてもよい。
【００３１】
この銅張積層板における外周部にスルーホール形成用孔を透設した後、銅箔２１ａの全面にパネルめっきを施し、パネル銅めっき層２１ｂを形成する。続いて、めっきレジスト３１をパネル銅めっき層２１ｂ上にラミネートする（図２（ａ）参照）。この状態でパターン銅めっきを施し、パターン銅めっき層２１ｃを形成する。さらに、パターン銅めっき層２１ｃ上にはんだめっきを施して、はんだめっき層３２を形成する（図２（ｂ）参照）。ここで、剥離液（水酸化カリウム水溶液）を用いてめっきレジスト３１を剥離し、パネル銅めっき層２１ｂを露出させる（図２（ｃ）参照）。その後、エッチングを行って、パターン銅めっき層２１ｃと対応する箇所以外のパネル銅めっき層２１ｂ及び銅箔２１ａを除去する（図３（ａ）参照）。その後、銅を食刻しない剥離液ではんだめっき層３２を剥離し、銅パターン２１を完成させる。なお、上記のめっき工程を経ることによって、スルーホール形成用孔内にも銅めっきが析出し、これによりめっきスルーホール６が形成される。
【００３２】
次いで、電解ニッケルめっきを行うことによって、銅パターン２１上に電解ニッケルを析出させ、銅パターン２１をニッケルめっき層２２によって全体的に被覆する。本実施形態においては、電解ニッケルめっき浴として例えば硫酸ニッケル浴等が使用される。この場合、析出するニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ以上となるようなめっき条件が設定される。
【００３３】
さらに、電解金めっきを行うことによって、ニッケルめっき層２２上に電解金を析出させ、ニッケルめっき層２２を金めっき層２３によって全体的に被覆する。本実施形態においては、電解金めっき浴として例えばシアン化金カリウム浴等が使用される。
【００３４】
以上の結果、図３（ｂ）に示されるように、３種の金属からなる配線パターン３、ボンディングパッド４及びダイパッド５を備えるプリント配線板１が得られる。
【００３５】
次に、プリント配線板１におけるダイエリアにＬＳＩチップ８をダイボンドした後、金からなるボンディングワイヤ１０を用いてワイヤボンディングを行う。この場合のワイヤボンディングは、ネイルヘッドボンディングであってもよいほか、ウェッジボンディング等であってもよい。その結果、ボンディングワイヤ１０を介して、ボンディングパッド４とＬＳＩチップ８側のパッド９とが接続される（図３（ｃ）参照）。
【００３６】
そしてこの後、熱硬化性のポッティング樹脂１１を用いたポッティングを行う。これによりダイエリアが封止される。そして最後にピン立てを行うことにより、電子部品搭載用基板Ｐ１が完成する。
【００３７】
以下、本実施形態における実施例及び比較例を紹介する。
【００３８】
【実施例及び比較例】
実施例１では、上記の製造手順に沿って電子部品搭載用基板Ｐ１を製造するにあたり、銅パターン２１の厚さを５０μｍ、ニッケルめっき層２２の厚さを７μｍ、金めっき層２３の厚さを０．３μｍにそれぞれ設定した。ニッケルめっき層２２は、ニッケル９３重量％及びりん７重量％からなるものとした。
【００３９】
また、実施例１では、ニッケルめっき層２２中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍとなるように、下記の浴を用いるとともに下記の条件にてめっきを行った。
＜電解ニッケルめっき浴の組成＞
・硫酸ニッケル：  ３００ｇ／ｌ、
・塩化ニッケル：  ５５ｇ／ｌ、
・ホウ酸：  ４０ｇ／ｌ、
・光沢剤：  ０．０２５重量％、
・ピット防止剤：  ０．１６７重量％、
＜めっき条件＞
・めっき時間：  ３０分、
・めっき温度：  ６０℃、
・電流密度：  ２．７Ａ／ｄｍ2、
・ｐＨ：  ４．７。
【００４０】
この後、シアン化金カリウム浴を用いて常法に従って電解金めっきを行った後、ダイボンディング、ワイヤボンディング、ポッティング及びピン立ての各工程を行った。なお、ポッティング工程では、２５０℃、２４０秒の加熱硬化処理を行った。
【００４１】
また、実施例２では、めっき時間を３０分、めっき温度を６０℃、電流密度を２．０Ａ／ｄｍ2に設定することにより、結晶サイズの平均値が５μｍとなるようにした。
【００４２】
実施例３では、めっき時間を４０分、めっき温度を６０℃、電流密度を２．７Ａ／ｄｍ2に設定することにより、結晶サイズの平均値が７μｍとなるようにした。
【００４３】
実施例４では、めっき時間を４０分、めっき温度を６０℃、電流密度を２．０Ａ／ｄｍ2に設定することにより、結晶サイズの平均値が１２μｍとなるようにした。
【００４４】
比較例では、めっき時間を１０分、めっき温度を６０℃、電流密度を４．０Ａ／ｄｍ2に設定することにより、結晶サイズの平均値が１μｍとなるようにした。
【００４５】
以上のようにして作製された５種の電子部品搭載用基板Ｐ１を対象として、比較調査を行った。
まず、従来公知の手法によってボンディングワイヤ１０の引っ張り試験を行うことにより、ボンディングパッド４に対するボンディングワイヤ１０の接合強度（ｋｇｆ）をそれぞれ測定した。さらに、電子部品搭載用基板Ｐ１をボンディングパッド４の部分でカットした後、そのカット断面のＳＥＭ観察を実施するとともに成分分析も実施した。そして、これに基づいてニッケルめっき層２２の上層部分における高濃度りん層の有無を調査するとともに、同層が存在する場合にはさらにその厚さ（μｍ）を測定した。ここでは、高濃度りん層が０．１μｍ未満であれば「無」、それを超えるものであれば「有」と判定することとした。なお、調査結果は表１に示すとおりである。
【００４６】
【表１】
0004391671.tif 000002
従って、本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
【００４７】
（１）本実施形態では、ニッケルめっき層２２中のニッケルの結晶サイズが２μｍ以上になっているため、ニッケルめっき層２２の上層部分における高濃度りん層の発生を回避することができる。ゆえに、ボンディングパッド４に対するボンディングワイヤ１０の接合強度の低下を防ぐことができる。その結果、ボンディングパッド４の接続信頼性を確実に向上させることができる。
【００４８】
（２）本実施形態では、ニッケルめっき層２２の厚さが３μｍ〜５μｍという好適範囲内にて設定されるとともに、金めっき層２３の厚さが０．３μｍ〜０．５μｍという好適範囲内にて設定されている。従って、生産性やコスト性の低下を伴うことなく、確実に接続信頼性の向上を図ることができる。
【００４９】
（３）本実施形態では、ニッケルめっき層２２及び金めっき層２３の形成にあたり、電解めっきを実施している。従って、無電解めっきを実施した場合に比べて、ニッケルめっき層２２及び金めっき層２３を短時間のうちに厚く形成することができる。従って、生産性の低下を来すことがない。また、電解めっきにより形成された金めっき層２３は、無電解めっきにより形成されたもの比べて硬質になる。このことは金めっき層２３の耐磨耗性の向上、ひいてはボンディングパッド４の接合強度の向上にとってプラスに作用する。
【００５０】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・  プリント配線板１を構成する絶縁基板２は、実施形態にて例示したようなプラスティック材料からなるもののみに限定されることはなく、例えばアルミナや窒化アルミニウム等のセラミック材料からなるものであってもよい。また、表面に絶縁処理を施した金属基板を絶縁基板２として用いてもよい。
【００５１】
・  プリント配線板１は両面板に限定されることはなく、片面板や多層板であっても構わない。
・  銅パターン２１の形成する方法として、実施形態のようなサブトラクティブ法に代わって、アディティブ法を実施してもよい。
【００５２】
・  銅パターン２１はめっき法を利用して形成されたものに限定されず、例えば絶縁基板２上への銅ペーストの印刷・焼成により形成されたものや、スパッタリング等のような物理的成膜法により形成されたものであってもよい。
【００５３】
・  導体層として、銅以外の導電性金属からなるパターンを形成することもできる。
・  ニッケルめっき層２２や金めっき層２３を無電解めっきにより形成してもよい。この場合、ボンディングパッド４等の厚さが極めて均一になる。また、電気めっき用のリードが不要になるため、電気的なノイズが発生しにくくなることに加え、高密度で微細なパターンを得ることができる。
【００５４】
・  ダイエリアに搭載される電子部品はＬＳＩチップ８のみに限定されることはなく、ＣＬＣＣやＰＬＣＣ等のようなリードのない半導体パッケージや、ドーターボード等であってもよい。また、ダイエリアは、プリント配線板１の裏面側にあってもよく、さらには表裏両面にあってもよい。
【００５５】
・  ボンディング部は配線パターン３に接続されたボンディングパッド４のみに限定されることはなく、例えばめっきスルーホール６のランド６ａであってもよい。
【００５６】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５７】
（１） 請求項１，２のいずれか１つにおいて、前記ニッケルめっき層は、りんを含むものであること。
（２） 銅パターンをりんを含む電解ニッケルめっき層と電解金めっき層とによって被覆してなるボンディング部に対し、ボンディングワイヤが接合される電子部品搭載用基板において、前記電解ニッケルめっき層中のニッケルの結晶サイズの平均値が２μｍ〜１０μｍに設定されていることを特徴とする電子部品搭載用基板。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、無電解ニッケルめっきのときに比べて、結晶の成長速度が速くなり、生産性の向上が図られるとともに、ボンディング部の接続信頼性に優れた電子部品搭載用基板を提供することができる。
【００５９】
請求項２に記載の発明によれば、生産性の低下を伴うことなく確実に接続信頼性の向上を図ることができる。
請求項５に記載の発明によれば、無電解ニッケルめっきのときに比べて、結晶の成長速度が速くなり、生産性の向上が図られるとともに、ボンディング部の接続信頼性に優れた電子部品搭載用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の電子部品搭載用基板の全体断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、同電子部品搭載用基板の製造手順を説明するための要部拡大断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、同電子部品搭載用基板の製造手順を説明するための要部拡大断面図。
【符号の説明】
２１…導体層としての銅パターン、２２…ニッケルめっき層、２３…金めっき層、４…ボンディング部としてのボンディングパッド、１０…ボンディングワイヤ、Ｐ１…電子部品搭載用基板。
【図１】
0004391671.tif 000003
【図２】
0004391671.tif 000004
【図３】
0004391671.tif 000005