(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、電磁ソレノイドの励磁による駆動力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路であって、
電源の両端子間に、前記電磁ソレノイドと第１のスイッチング素子とを直列に接続し、その電磁ソレノイドに、還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列回路と、サージアブソーバとをそれぞれ並列に接続し、
励磁指令がＯＮの間だけ前記第２のスイッチング素子をＯＮにし、前記励磁指令がＯＮになってから前記スプールによる切り換えが完了するまでは前記第１のスイッチング素子をＯＮにし続け、その後前記励磁指令がＯＦＦになるまでは該第１のスイッチング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして前記電磁ソレノイドに流れる電流をパルス幅変調制御するコントロール回路を設けたことを特徴とする電磁切換弁の駆動回路。
【請求項２】
弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、その両側に設けた第１の電磁ソレノイドと第２の電磁ソレノイドのいずれか一方の励磁による駆動力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路であって、
電源の両端子間に、前記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチング素子との直列回路、前記第２の電磁ソレノイドと第４のスイッチング素子との直列回路、還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列回路、及びサージアブソーバをそれぞれ並列に接続した回路と、第１のスイッチング素子とを直列に接続し、前記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチング素子との接続点、及び前記第２の電磁ソレノイドと第４のスイッチング素子との接続点と、前記電源の前記第１のスイッチング素子側の端子との間にそれぞれ保護ダイオードを接続し、
励磁指令がＯＮの間だけ前記第３のスイッチング素子又は第４のスイッチング素子のいずれか一方と、前記第２のスイッチング素子をＯＮにし、前記励磁指令がＯＮになってから前記スプールによる切り換えが完了するまでは前記第１のスイッチング素子をＯＮにし続け、切換完了後前記励磁指令がＯＦＦになるまでは該第１のスイッチング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして、前記第１又は第２の電磁ソレノイドに流れる電流をパルス幅変調制御するコントロール回路を設けたことを特徴とする電磁切換弁の駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は油圧回路等の液圧回路に用いられる電磁切換弁を駆動する駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液圧装置には、弁ボディ内に摺動可能に挿入され、スプリングによって中立状態に付勢されるスプールを、電磁ソレノイドの励磁により、プッシュピンを介して押圧して移動させ、液圧回路の流路を切り換える電磁切換弁が多く使用されている。
【０００３】
このような電磁切換弁は、図１１に示すようなＪＩＳ記号で表わされ、（ａ）は電磁ソレノイドＳＯＬが弁ボディの片側にある２位置切り換えの電磁切換弁、（ｂ）は電磁ソレノイドＳＯＬが弁ボディの両側にある３位置切り換えの電磁切換弁である。
【０００４】
この種の電磁切換弁の従来の駆動回路には、図７及び図９に示すようなものがある。これらは、電磁ソレノイドが弁ボディの片側にある電磁切換弁を駆動する例であるが、電磁ソレノイドが弁ボディの両側にある電磁切換弁を駆動する場合は、コントロール回路以外の回路をもう一組設ければよい。
【０００５】
図７に示す駆動回路は基本的なものであり、電圧Ｖccの電源端子１と０Ｖ端子２の間に、電磁切換弁の電磁ソレノイド３とｎチャネルＭＯＳ ＦＥＴ によるスイッチング素子４とを直列に接続し、電磁ソレノイド３に並列にサージアブソーバであるバリスタ５を接続している。そして、スイッチング素子４のゲートにコントロール回路６が出力するスイッチ制御信号ＳＷ１を印加する。
【０００６】
コントロール回路６は、外部から与えられる図８の（ａ）に示すような励磁指令に応じて、同図の（ｂ）に示すように、励磁指令がＯＮの間中ＯＮになるスイッチ制御信号ＳＷ１を出力し、スイッチング素子４をＯＮにし続ける。したがって、電磁ソレノイド３には、同図の（ｃ）に示すようなソレノイド電流ｉｓが流れ、スプールの切換完了後も電源電圧Ｖccによる定格のソレノイド電流ｉｓが流れ続ける。
【０００７】
そして、励磁指令がＯＦＦになると、スイッチ制御信号ＳＷ１もＯＦＦになり、電磁ソレノイド３への電圧印加を断ち、電磁ソレノイド３に逆起電圧が発生するがそれはバリスタ５に吸収され、ソレノイド電流ｉｓは図８の（ｃ）に示すように急速に０になる。
【０００８】
ところで、電磁切換弁の切換時間短縮のためには、電磁ソレノイドの駆動力の増加、あるいはスプール等の可動物の質量低減が必要である。
しかし、スプール等の可動物の質量は、その機械的性質の要求から低減が困難であるので、電磁ソレノイドの駆動力の増加が一般に採られる方法である。
電磁ソレノイドの駆動力を増加させると、ソレノイドの大型化や消費電力の増加を招くことになる。
【０００９】
ことに、図７に示したような駆動回路では、上述のようにスプールの切換完了後も電源電圧Ｖccによる定格のソレノイド電流ｉｓが流れ続けるが、切換完了状態では、スプールをスプリングの付勢力に抗して切換状態に保つために必要な電力より大きな電力が電磁ソレノイドに印加され続けることになり、その印加電力の殆どがジュール熱となって放熱されてしまい、無駄な電力を消費していた。
【００１０】
そこで、図７におけるバリスタ５に代えて、図９に示すように還流ダイオード７を電磁ソレノイド３に並列に接続し、コントロール回路６によって、図１０に示すように制御することが行われている。
すなわち、励磁指令がＯＮになると、スイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮにしてスイッチング素子４をＯＮにし、電磁ソレノイド３に所定時間だけ定格電流を流してスプールを切り換え、切換完了後はスプールが切換状態を保つために充分なソレノイド吸引力となるように、スイッチ制御信号ＳＷ１をパルス幅変調（ＰＷＭ）し、スイッチング素子４を高速でＯＮ／ＯＦＦさせ、電磁ソレノイド３に流す電流ｉｓをＰＷＭ制御して、消費電力を低減する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の電磁切換弁の駆動回路にあっては、ＰＷＭ制御時には、スイッチング素子４がＯＦＦの期間は電磁ソレノイド３に流れ続けようとする電流を還流ダイオード７を経由して還流させている。
【００１２】
そのため、電磁ソレノイドの励磁をＯＦＦにするときには、還流ダイオード７を通して還流するソレノイド電流がゼロになるまでに、そのソレノイド電流による磁気エネルギーをコイル抵抗でジュール熱として消費しきるだけの時間がかかり、図１０の（ｃ）に示すように、励磁指令がＯＦＦになってからソレノイド電流ｉｓがゼロになるまでに時間遅れτが生じ、電磁ソレノイドをＯＦＦにした時の切換速度が遅くなるという問題がある。
【００１３】
この発明は、従来の電磁切換弁の駆動回路におけるこのような問題を解決するためになされたものであり、電磁ソレノイドの大型化や消費電力の増加を招かずに、電磁切換弁の切換速度の高速化を図ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記の目的を達成するため、弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、電磁ソレノイドの励磁による駆動力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路を、次のように構成したものである。
電源の両端子間に、電磁ソレノイドと第１のスイッチング素子とを直列に接続し、その電磁ソレノイドに、還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列回路と、サージアブソーバとをそれぞれ並列に接続する。
【００１５】
そして、励磁指令がＯＮの間だけ上記第２のスイッチング素子をＯＮにし、励磁指令がＯＮになってからスプールによる切り換えが完了するまでは上記第１のスイッチング素子をＯＮにし続け、その後励磁指令がＯＦＦになるまでは第１のスイッチング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして電磁ソレノイドに流れる電流をパルス幅変調制御するコントロール回路を設ける。
【００１６】
また、弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、その両側に設けた第１の電磁ソレノイドと第２の電磁ソレノイドのいずれか一方の励磁による駆動力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路を、次のように構成する。
【００１７】
電源の両端子間に、上記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチング素子との直列回路、上記第２の電磁ソレノイドと第４のスイッチング素子との直列回路、還流ダイオードと第２のスイッチング素子との直列回路、及びサージアブソーバをそれぞれ並列に接続した回路と、第１のスイッチング素子とを直列に接続する。
さらに、上記第１の電磁ソレノイドと第３のスイッチング素子との接続点、及び上記第２の電磁ソレノイドと第４のスイッチング素子との接続点と、上記電源の上記第１のスイッチング素子側の端子との間にそれぞれ保護ダイオードを接続する。
【００１８】
そして、励磁指令がＯＮの間だけ上記第３のスイッチング素子又は第４のスイッチング素子のいずれか一方と、上記第２のスイッチング素子をＯＮにし、励磁指令がＯＮになってからスプールによる切り換えが完了するまでは上記第１のスイッチング素子をＯＮにし続け、切換完了後励磁指令がＯＦＦになるまでは第１のスイッチング素子を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦして、上記第１又は第２の電磁ソレノイドに流れる電流をパルス幅変調制御するコントロール回路を設ける。
【００１９】
この発明による電磁切換弁の駆動回路は、スプールの移動による切換完了までは電磁ソレノイドに定格電流を流してスプールを駆動し、切換完了後はスプールが切換状態を保つために充分なソレノイド吸引力となるように、ＰＷＭ制御により電磁ソレノイドに流れる電流を低減する。そのＰＷＭ制御により電磁ソレノイドへの電圧印加がＯＦＦになる期間は、電磁ソレノイドのコイルに蓄えられた磁気エネルギーによる電流を還流ダイオードを経由して再びコイルへ流す。
【００２０】
そして、電磁ソレノイドの励磁を解除した時には、還流ダイオードを経由する還流回路を断って電磁ソレノイドに逆起電力を生じさせ、そのコイルに蓄えられた磁気エネルギーをバリスタ等のサージアブソーバで吸収することによりソレノイド電流を素早く低減させ、応答遅れが生じないようにする。
このようにして、消費電力の低減と高速切換（高応答）を両立させることができる。
【００２１】
なお、電磁ソレノイドにコイル抵抗が通常の１／２から１／４程度のソレノイドを用いることにより、コイル・インダクタンスに起因する起電力の応答が速くなり、切換時間をより短縮することができる。
【００２２】
【実施形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、この発明による電磁切換弁の駆動回路の第１の実施例を示す回路図である。これは、図７及び図９に示した従来例と同様に、弁ボディの片側に電磁ソレノイドを設けた電磁切換弁の駆動回路であり、図７及び図９と対応する部分には同一の符号を付している。
【００２３】
まずその構成を説明すると、電圧Ｖccの電源端子１と０Ｖ端子２の間に、電磁切換弁の電磁ソレノイド３とｎチャネルＭＯＳ ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）によるスイッチング素子（以下「第１のスイッチング素子」という）４とを直列に接続する。さらに、その電磁ソレノイド３に、還流ダイオード７とｐチャネルＭＯＳ ＦＥＴ による第２のスイッチング素子９との直列回路と、サージアブソーバであるバリスタ５とをそれぞれ並列に接続する。
【００２４】
そして、制御指令に応じて第１，第２のスイッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２を出力するコントロール回路１０を設け、その第１のスイッチ制御信号ＳＷ１を第１のスイッチング素子４のゲートに印加し、第２のスイッチ制御信号ＳＷ２を第２のスイッチング素子９のゲートに印加する。
【００２５】
次に、図２の波形図を参照してこの実施形態の作用を説明する。
コントロール回路１０は、図２の（ａ）に示す励磁指令がＯＮ（ハイレベル）になると、そのＯＮの間中同図の（ｃ）に示すように第２のスイッチ制御信号ＳＷ２をＯＮ（ハイレベル）にして、第２のスイッチング素子９をＯＮにする。
【００２６】
また、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１は、同図の（ｂ）に示すように、励磁指令がＯＮになってからスプールによる切り換えが完了するまでの所定時間はＯＮ（ハイレベル）になり、第１のスイッチング素子４をＯＮにして電磁ソレノイドに定格電流を流す。その後、励磁指令がＯＦＦになるまでは高速でＯＮ／ＯＦＦを繰り返し、第１のスイッチング素子４を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦし、電磁ソレノイド３に流れる電流ｉｓをパルス幅変調（ＰＷＭ）制御する。
【００２７】
なお、第１のスイッチング素子４がＯＦＦの期間は、電磁ソレノイド３にそのコイル・インダクタンスによって流れ続けようとする電流が、第２のスイッチング素子９および還流ダイオード７を経由して還流するため、電磁ソレノイド３は励磁状態を維持する。
【００２８】
また、コントロール回路１０による第１のスイッチ制御信号ＳＷ１の切り換えは、スプールによる切り換えが完了するまでの時間を予め実験によって求め、それより幾分長い時間を設定しておき、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ信号の立上りからその予め設定した所定時間経過後に高速のＯＮ／ＯＦＦ信号に切り換えるようにすることができる。
【００２９】
あるいは、電磁切換弁に切換完了を検知するセンサを設けておき、その検知信号をコントロール回路１０に入力させ、それによってコントロール回路１０が、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ信号から高速でのＯＮ／ＯＦＦ信号に切り換えるようにすればなおよい。
【００３０】
このように、電磁ソレノイド３を起動してから設定時間経過後または切換完了が確認された後は、電磁ソレノイド３に流す電流をＰＷＭ制御することにより、見かけ上、Ｖcc×Ｔon／(Ｔon＋Ｔoff)となる電圧を電磁ソレノイド３に印加することになり、電磁ソレノイド３による消費電力の低減を図ることができる。（但し、Ｖcc：電源電圧、Ｔon：第１のスイッチング素子４のＯＮ時間、Ｔoff：第１のスイッチング素子４のＯＦＦ時間）
【００３１】
そして、励磁指令が解除される（ＯＦＦになる）と、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１がＯＦＦ（ローレベル）になり、第１のスイッチング素子４をＯＦＦにして、電磁ソレノイド３への電圧印加を断つ。また、第２のスイッチ制御信号ＳＷ２も同時にＯＦＦになり、第２のスイッチング素子９がＯＦＦになるため、還流ダイオード７を経由しての電流の還流も停止し、電磁ソレノイドの両端に逆起電圧が生じて急速に電流の流れを止める。その逆起電圧は、サージアブソーバであるバリスタ５によって吸収され、第１，第２のスイッチング素子４，９が過電圧から保護される。
【００３２】
したがって、電磁ソレノイド３に流れるソレノイド電流ｉｓの波形は、図２の（ｄ）に示すようになる。
このように、この実施形態によれば、電磁ソレノイドの起動後、電磁切換弁の切換完了までの短時間は定格電流を流してスプールを高速で駆動し、切換完了後はスプールが切換状態を保つために充分なソレノイド吸引力となるように、電磁ソレノイドに流れる電流をＰＷＭ制御することにより、ソレノイド電流を低減して電力消費量を節減することができる。
【００３３】
その、ＰＷＭ制御による電流低減時には、電磁ソレノイド３への電圧印加がＯＦＦになったとき、ソレノイド電流を還流ダイオード７を経由して再び電磁ソレノイド３へ還流させて、その励磁状態を維持する。
そして、電磁ソレノイド３をＯＦＦにした時には、還流ダイオード７による還流回路も断ち、電磁ソレノイド３に逆起電圧を生じさせ、ソレノイド電流を素早く低減させ、高速応答を実現することができる。
【００３４】
さらに、電磁ソレノイドにコイル抵抗の低いソレノイドを使用することによりコイル・インダクタンスによる電流応答の遅れを減少し、励磁時の電流応答が速く切換時間の短い電磁弁とすることが可能になる。しかし、電磁ソレノイドに電源電圧を印加し続けると、ジュール熱によりコイル温度が上昇して焼損の恐れがあるが、ＰＷＭ制御をすることにより、ソレノイド電流の電流値を低減させ、焼損を防ぎつつ高応答を可能にすることができる。
コイル抵抗Ｒの小さなソレノイドは、Ｗ=Ｖcc2／Ｒにより消費電力が増すが、切換完了後にはＰＷＭ制御によって印加電圧の実効値を低減するので、発熱を抑制することができる。
【００３５】
図３は、この発明による電磁切換弁の駆動回路の第２の実施形態を示す回路図である。この実施形態は、第１のスイッチング素子１４をｐチヤネルＭＯＳ ＦＥＴ にして、電圧Ｖｃｃの電源端子１と電磁ソレノイド３との間に接続した点と、第２のスイッチング素子１９をｎチヤネルＭＯＳ ＦＥＴ にした点が、図１に示した第１の実施形態と相違するだけである。
【００３６】
コントロール回路１０の機能も前述の第１の実施形態と同様であり、励磁指令に対する第１，第２のスイッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２の波形、及びソレノイド電流ｉｓの波形も、図２の（ａ）乃至（ｄ）に示したのと同じであるから、その動作ならびに作用・効果等の説明は省略する。
【００３７】
図４は、この発明による電磁切換弁の駆動回路の第３の実施形態を示す回路図である。この実施形態は、弁ボディ内に摺動可能に挿入されたスプールを、その両側に設けた第１の電磁ソレノイド３ａと第２の電磁ソレノイド３ｂのいずれか一方の励磁による駆動力によって移動させて流路を切り換える電磁切換弁の駆動回路に、この発明を実施したものである。
【００３８】
すなわち、電圧Ｖccの電源端子１と０Ｖ端子２との間に、第１の電磁ソレノイド３ａと第３のスイッチング素子１５ａとの直列回路、第２の電磁ソレノイド３ｂと第４のスイッチング素子１５ｂとの直列回路、還流ダイオード７と第２のスイッチング素子９との直列回路、及びサージアブソーバであるバリスタ５をそれぞれ並列に接続した回路と、第１のスイッチング素子４とを直列に接続する。
第１のスイッチング素子４はｎチャネルＭＯＳ ＦＥＴ 、第２から第４の各スイッチング素子９，１５ａ，１５ｂはｐチャネルＭＯＳ ＦＥＴ である。
【００３９】
さらに、第１の電磁ソレノイド３ａと第３のスイッチング素子１５ａとの接続点、及び第２の電磁ソレノイド３ｂと第４のスイッチング素子１５ｂとの接続点と、電源の第１のスイッチング素子側の端子である０Ｖ端子２との間に、それぞれ保護ダイオード１６ａ，１６ｂを接続している。
【００４０】
コントロール回路２０は、図５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、励磁指令ａがＯＮ（ハイレベル）になると、そのＯＮの間だけ第３のスイッチ制御信号ＳＷａをＯＮ（ハイレベル）にして、第３のスイッチング素子１５ａをＯＮにする。また、励磁指令ｂがＯＮ（ハイレベル）になると、そのＯＮの間だけ第４のスイッチ制御信号ＳＷｂをＯＮ（ハイレベル）にして、第４のスイッチング素子１５ｂをＯＮにする。
【００４１】
また、図５の（ｄ）に示すように、励磁指令ａ又ｂがＯＮの間は、第２のスイッチ制御信号ＳＷ２もＯＮ（ハイレベル）にして、第２のスイッチング素子９をＯＮにする。
【００４２】
さらに、同図（ｃ）に示すように、励磁指令ａ又はｂがＯＮになってからスプールによる切り換えが完了するまでの所定時間あるいは切換完了を確認するまで、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１をＯＮ（ハイレベル）にして、第１のスイッチング素子４をＯＮにし、第１の電磁ソレノイド３ａまたは第２の電磁ソレノイド３ｂに定格電流を流す。切換完了後、励磁指令ａ又はｂがＯＦＦになるまでは、第１のスイッチ制御信号ＳＷ１を高速でＯＮ／ＯＦＦさせ、第１のスイッチング素子４を所定の周期でＯＮ／ＯＦＦさせて、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂに流れるソレノイド電流をＰＷＭ制御する。
【００４３】
その間の第１のスイッチング素子４がＯＦＦの期間は、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂにそのコイル・インダクタンスによって流れ続けようとするソレノイド電流を、第２のスイッチング素子９及び還流ダイオード７を経由して還流させ、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂの励磁状態を維持する。
【００４４】
そして、励磁指令ａ又はｂがＯＦＦ（ローレベル）になると、全てのスイッチ制御信号がＯＦＦ（ローレベル）になり、第１乃至第４のスイッチング素子４，９，１５ａ，１５ｂが全てＯＦＦになるので、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂへの電圧印加が断たれ、還流ダイオード７を経由する還流回路も断たれるので、第１の電磁ソレノイド３ａ又は第２の電磁ソレノイド３ｂに逆起電圧が発生し、図５の(ｅ)に示すようにソレノイド電流が急速に減少する。また、その逆起電圧は、保護ダイオード１６ａ又は１６ｂ及び電源を通してサージアブソーバであるバリスタ５に吸収され、各スイッチング素子が過電圧から保護される。
【００４５】
図６は、この発明による電磁切換弁の駆動回路の第４の実施形態を示す回路図である。この実施形態も、弁ボディの両側に電磁ソレノイドを設けた電磁切換弁の駆動回路にこの発明を適用したものであり、図３及び図４と対応する部分には同一の符号を付してある。
【００４６】
この図６に示す電磁切換弁の駆動回路においては、第１のスイッチング素子１４をｐチャネルのＭＯＳ ＦＥＴ にし、第３，第４のスイッチング素子２５ａ，２５ｂをｎチャネルのＭＯＳ ＦＥＴ にして、いずれも電源端子１，２に対する接続関係を図４に示した駆動回路と逆にすると共に、第２のスイッチング素子１９をｎチャネルのＭＯＳ ＦＥＴ にした点が、図４に示した駆動回路と相違するだけである。
【００４７】
コントロール回路２０の機能も前述の第３の実施形態と同様であり、励磁指令ａ又はｂに対する第１乃至第４のスイッチ制御信号ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷａ，ＳＷｂの波形、およびソレノイド電流の波形も、図５の(ａ)乃至(ｅ)に示したのと同じであるから、その動作ならびに作用・効果等の説明は省略する。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明による電磁切換弁の駆動回路を用いれば、電磁ソレノイドによる消費電力を低減でき、しかも切換時の高速応答が可能になる。ソレノイドの励磁指令が解除されたときには還流ダイオードの電流通過を止め、サージアブソーバの設定電圧まで逆起電圧を発生させて、ソレノイドの消磁を早めることにより、消費電力の低減と高速消磁とを実現できる。
さらに、負荷となる電磁ソレノイドに、コイル抵抗の低いもの（通常のコイル抵抗の１／２から１／４程度）を使用することにより、コイル・インダクタンスに起因する起電力の応答が速くなり、切換完了までに要する時間が一層短縮され、且つ消費電力の少ない電磁弁を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第１の実施形態を示す回路図である。
【図２】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソレノイド電流の波形図である。
【図３】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第２の実施形態を示す回路図である。
【図４】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第３の実施形態を示す回路図である。
【図５】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソレノイド電流の波形図である。
【図６】この発明による電磁切換弁の駆動回路の第４の実施形態を示す回路図である。
【図７】従来の電磁切換弁の駆動回路の基本例を示す回路図である。
【図８】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソレノイド電流の波形図である。
【図９】従来の電磁切換弁の駆動回路の改善例を示す回路図である。
【図１０】同じくそのコントロール回路の入出力信号とソレノイド電流の波形図である。
【図１１】電磁切換弁のＪＩＳ記号を示す図である。
【符号の説明】
１：電源端子    ２：０Ｖ端子
３，３ａ，３ｂ：電磁ソレノイド
４，１４：第１のスイッチング素子
５：バリスタ（サージアブソーバ）
７：還流ダイオード
９，１９：第２のスイッチング素子
１０，２０：コントロール回路
１６ａ，１６ｂ：保護ダイオード
１５ａ，２５ａ：第３のスイッチング素子
１５ｂ，２５ｂ：第４のスイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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