(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器からフォトレジスト塗布液の一部を汲み出し、フィルターにより濾過した後に前記バッファー容器に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環装置からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなり、前記配管が、前記塗布装置の上流に設けられた第２のバッファー容器に接続されているフォトレジスト塗布液供給装置であって、前記第２のバッファー容器の上流に設けられたバルブと、前記第２のバッファー容器に設けられた液量センサーと、前記液量センサーか発信される信号によって前記バルブを制御し、第２のバッファー容器内のフォトレジスト塗布液の容量を調整するための制御システムをさらに具備してなることを特徴とするフォトレジスト塗布液供給装置。
【請求項２】
前記バッファー容器からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管が、前記循環濾過装置の前記フィルターの下流で分岐しているものである、請求項１に記載のフォトレジスト塗布液供給装置。
【請求項３】
前記バッファー容器または循環装置からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を複数具備してなる、請求項１または２に記載のフォトレジスト塗布液供給装置。
【請求項４】
フォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管が、前記濾過装置の前記フィルターの下流で分岐したものである、請求項３に記載のフォトレジスト塗布液供給装置。
【請求項５】
フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器内のフォトレジスト塗布液の一部をフィルターにより濾過した後に前記フォトレジスト塗布液の母液に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環濾過装置からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなり、前記配管が、前記塗布装置の上流に設けられた第２のバッファー容器に接続されているフォトレジスト塗布液供給装置であって、前記第２のバッファー容器の上流に設けられたバルブと、前記第２のバッファー容器に設けられた液量センサーと、前記液量センサーから発信される信号によって前記バルブを制御し、第２のバッファー容器内のフォトレジスト塗布液の容量を調整するための制御システムをさらに具備してなるフォトレジスト塗布液供給装置を用いて、バッファー容器内に収蔵された塗布液を定常的に循環濾過しながら塗布装置へフォトレジスト塗布液を供給することを特徴とする、フォトレジスト塗布液の供給方法。
【請求項６】
スリット塗布装置、
フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器内のフォトレジスト塗布液の一部をフィルターにより濾過した後に前記バッファー容器に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環濾過装置から前記スリット塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなり、前記配管が、前記塗布装置の上流に設けられた第２のバッファー容器に接続されているフォトレジスト塗布装置であって、前記第２のバッファー容器の上流に設けられたバルブと、前記第２のバッファー容器に設けられた液量センサーと、前記液量センサーから発信される信号によって前記バルブを制御し、第２のバッファー容器内のフォトレジスト塗布液の容量を調整するための制御システムをさらに具備してなることを特徴とする、フォトレジスト塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、フォトリソグラフィー技術を用いた電子部品などの製造工程、例えばＬＳＩ、磁気ヘッド等の半導体素子、各種回路基板、フラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）等の製造工程において、フォトレジスト塗布液（以下、簡略して単に「塗布液」ということがある）を各種基板上に塗布する際に使用される塗布装置へ塗布液を供給するための装置およびそれを用いた塗布液の供給方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  ＬＳＩなどの半導体集積回路や、ＦＰＤの表示面の製造、サーマルヘッドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、微細素子の形成あるいは微細加工を行うために、従来からフォトリソグラフィー技術が用いられている。フォトリソグラフィー技術においては、レジストパターンを形成するためにポジ型またはネガ型の感光性樹脂組成物であるフォトレジスト塗布液が用いられている。【０００３】  フォトリソグラフィー技術を用いた一般的な製造工程における従来の塗布液の供給装置は図１に示すとおりである。塗布液は通常、ガラス容器・プラスチック容器・ステンレス容器・ドラムなどの供給容器１０１に詰められて供給される。この容器を配管１０２に接続し、供給容器内の塗布液をポンプ１０３を用いて、あるいは供給容器内に窒素ガス等を吹き込んで加圧することなどにより、バッファー容器１０４に送液する。一時的にバッファー容器１０４に送液された塗布液は、必要に応じてフィルター１０５で濾過して塗布液中のパーティクル等を除去した後、塗布液供給ノズル１０８を介して、例えば図１に示したスピンコート装置１０７により基板１０６上に塗布される。ここで、供給容器１０１には、例えば特許文献１に記載されているような（内袋を有する）ステンレス容器も用いることができる。このような容器は図２に示されるようなものであり、ステンレス等からなる外側容器２０１と、プラスチック等からなる内袋２０２との二重構造になっており、その間にガス導入管２０３から窒素ガス等を吹き込んで、内袋中に入った塗布液を押し出して塗布装置に供給するものである。【０００４】  一方近年の電子部品の微細加工化に伴い、半導体素子や液晶表示素子などの電子部品製造分野において、シリコンウェハ等の基板上へ塗布液を供給し塗布するに際し、微小なパーティクル等を除去した塗布液を効率良く、安定的に供給することが要求されるようになってきている。【０００５】  しかしながら、各種容器から装置バッファー容器まで供給するため、配管やその他溶接部分での異物の取り込みや物理的ストレスによる塗布液の性状変化（パーティクルの発生や増加）が起こり得る。その場合塗布液の供給容器内の状態と装置バッファー容器内の状態を比べた場合、パーティクルは増加する傾向が強い。さらには、供給容器の交換頻度を下げるために供給装置を大容量のものにした場合、あるいは製造工程の安定化の目的等でバッファー容器を大容量のものにした場合、塗布液が各容器に滞留する時間が長くなり、経時によるパーティクル増加が起こることがある。このような原因により発生したパーティクルがフォトリソグラフィー工程で不良を引き起こし、製品の歩留まりの低下を招く原因となっている。【０００６】  したがって、現在では一般的に塗布液をフィルターで濾過した後に基板上へ供給している。（特許文献２参照）しかしながら、経時的に、また上記のように性状変化を起こした場合には、一度濾過を行っても十分ではなく、電子部品の歩留まりの向上が求められているのが現状である。【０００７】  なお、従来、半導体素子の製造においては、塗布液を塗布する際にはスピンコート法が一般的に用いられてきた。この方法によれば、塗布液中に含まれるパーティクルの多くがスピンコートの際に塗布液とともに基板外にスピンアウトするため、パーティクルの問題がかなり緩和できた。しかし、昨今求められている高精度の半導体素子においては、従来問題とならなかった微少または微細なパーティクルも問題となり得るため、従来の製品品質に対して改良の要求がある。また、スピンコートによる塗布液の浪費も、コスト的にも問題があったため、スピンコートに変わる塗布方法と、その方法に使用するのに十分な品質の塗布液を供給する装置が望まれている。
【特許文献１】特開平６−２４７４４９号公報
【特許文献２】特開平８−２４７７５号公報（１〜４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  上記のような状況に鑑み、本発明は、フォトリソグラフィー技術を用いた半導体デバイス、フラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）、回路基板、磁気ヘッド等の半導体素子の製造工程において、塗布液を供給容器から各種基板上に塗布する際に使用される塗布装置へ塗布液を供給する装置及びそれを用いた塗布液供給方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明者らは、鋭意研究、検討を行った結果、フォトレジスト塗布液供給容器と塗布装置のバッファー容器間にフォトレジスト塗布液の循環濾過装置を組み込むことにより、塗布液中のパーティクルを低減、除去した状態を常時維持しながら、フォトレジスト塗布液を塗布装置バッファー容器へ供給することのできる装置及びそれを用いたフォトレジスト塗布液供給方法を提供することにより、上記目的が達成できることを見いだし、本発明に至ったものである。【００１０】  すなわち、本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置は、フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器からフォトレジスト塗布液の一部を汲み出し、フィルターにより濾過した後に前記バッファー容器に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環濾過装置からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなることを特徴とするものである。【００１１】  また、本発明によるフォトレジスト塗布液の供給方法は、フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器内のフォトレジスト塗布液の一部をフィルターにより濾過した後に前記フォトレジスト塗布液の母液に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環濾過装置からフォトレジスト塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなるフォトレジスト塗布液供給装置を用いて、バッファー容器内に収蔵された塗布液を定常的に循環濾過しながら塗布装置へフォトレジスト塗布液を供給することを特徴とするものである。【００１２】  さらに、本発明によるフォトレジスト塗布装置は、スリット塗布装置、フォトレジスト塗布液のバッファー容器、前記バッファー容器からフォトレジスト塗布液の一部を汲み出し、フィルターにより濾過した後に前記バッファー容器に戻す循環濾過装置、および前記バッファー容器または循環濾過装置から前記スリット塗布装置へフォトレジスト塗布液を送液する配管を具備してなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】  本発明により、パーティクルが低減または除去された塗布液を常時塗布装置に供給することができる。塗布液中のパーティクルが低減または除去された塗布液を用いて半導体素子を製造することによって、半導体素子中の欠陥をも低減させることができ、半導体素子や液晶表示素子などの電子部品製造の歩留まりを向上することができる。【００１４】  さらに本発明によれば、大量の塗布液を取り扱うことができるために、塗布液供給装置の切り替えの頻度が低くなるため、製造効率も改良される。【００１５】  さらには、供給される塗布液がパーティクルを多く含んでいたり、供給装置中で長期間保存されていたためにパーティクルが発生している塗布液を用いた場合であっても、本発明による塗布液供給装置を用いることによって、パーティクル量の低減された塗布液によって半導体素子の製造ができるため、供給される塗布液の品質の影響を受けにくく、安定した品質の製品供給も可能となる。さらに、本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置から供給される塗布液は、微細なパーティクルの含有量が従来の供給装置に比べて少なく、かつそれが維持されるため、より高精度な半導体素子の製造にも利用できるものである。このため、本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置は、微細なパーティクルの寄与を受けやすいためにこれまで利用しにくかった、例えばスリット塗布装置に塗布液を供給するのにも適したものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の半導体素子の塗布工程を示す概念図。
【図２】フォトレジスト塗布液供給容器の一例の断面図。
【図３】本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置の一態様を示す概念図。
【図４】本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置の一態様を示す概念図。
【図５】本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置の一態様を示す概念図。
【図６】本発明によるフォトレジスト塗布液供給装置の一態様を示す概念図。
【符号の説明】
【００１７】１０１、３０１Ａ  フォトレジスト塗布液供給容器
１０３、３０４、３０８  ポンプ
１０４、４０１  バッファー容器
１０５、３０５、３０９  フィルター
１０６  基板
１０７  塗布装置
１０８  塗布液供給ノズル
３０１  フォトレジスト塗布液供給容器を兼ねるバッファー容器
６０１  バルブ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】  以下、本発明を図面を用いてさらに詳細に説明すると以下の通りである。【００１９】  本発明による塗布液供給装置の一つの例は図３に示すとおりである。この装置は、塗布液のバッファー容器３０１、前記バッファー容器から塗布装置へ塗布液を送液する配管３０２、前記バッファー容器から塗布液の一部を汲み出し、フィルターにより濾過した後に前記バッファー容器に戻す循環濾過装置３０３を具備してなる。ここでバッファー容器３０１は塗布液供給容器を兼ねるものである。この例では、配管３０２にはポンプ３０４が接続され、そのポンプ３０４により塗布液がフィルター３０５を介して塗布装置１０７に供給される。このとき、バッファー容器を密閉して、内部に窒素ガス等の不活性ガスを導入し、圧力によって塗布液を送液することもできる。この場合にはポンプ３０４は必要ない。また、ひとつの本発明による塗布液供給装置に対して、複数の塗布装置を組み合わせることもできる。例えば、配管３０２から塗布液供給ノズル１０８にわたる塗布液供給のための配管を複数設置したり、ポンプ３０４の下流や、フィルター３０５の下流で配管を分岐させて、複数の塗布装置に塗布液を供給することもできる。【００２０】  また、循環濾過装置３０３はバッファー容器３０１から塗布液の一部を汲み出す配管３０７、配管３０７に接続されるポンプ３０８、ポンプ３０８により汲み出された塗布液を濾過するフィルター３０９、フィルター３０９により濾過された塗布液をバッファー容器３０１に戻す配管３１０からなる。図３の例では循環濾過装置３０３はバッファー容器３０１の外側に配置されているが、同様にしてバッファー容器内の塗布液を濾過できるのであれば、バッファー容器内に、例えば塗布液中に浸漬されていてもよい。このような方法においても、バッファー容器内の塗布液の一部を濾過した後に塗布液の母液に戻すことができるので、塗布液の循環濾過が可能である。【００２１】  バッファー容器３０１に収蔵された塗布液は、定常的に運転されている循環濾過装置３０３により、常時パーティクルが除去され、優れた品質で保持される。その塗布液が塗布装置１０７に供給されるため、製造される半導体素子も欠陥が少ないものとなる。【００２２】  従来のフォトレジスト塗布装置では、本発明のような循環濾過装置を備えていなかった。このため、塗布液がバッファー容器中に長期間に渡り貯蔵されたためにパーティクルが発生または増加していた場合、あるいは供給される塗布液そのものがパーティクルを含んでいた場合には、製造される半導体素子に欠陥が発生する割合が比較的高くなる。そのような問題を防ぐために、一般にフィルター１０５により濾過をしてから塗布を行うが、フィルター交換のためには製造工程を停止させねばならず、効率悪化の原因となっていた。本発明によれば、バッファー容器中の塗布液に含まれるパーティクルの量は常に低いレベルに制御されているため、フィルター３０５の交換頻度は低くなる。さらに、バッファー容器中のパーティクル量が低いほどパーティクルの増加率は低くなる傾向にあるため、フィルター３０５の交換頻度は一層少なくなる。また、フィルター３０９の交換は、塗布装置そのものを停止する必要が無く��め、製造効率に対する影響も少ない。また、供給される塗布液はパーティクルの含有量が少ないために、製造される半導体素子はより高精度を要求するニーズにも応えられるものである。【００２３】  図３は、塗布液の供給容器をそのままバッファー容器３０１として利用する場合を示すものである。本発明において、供給容器とは、フォトレジスト製造工程に外部から塗布液を供給するための容器を意味する。すなわち、図３に示される装置は、供給容器がバッファー容器を兼ねるものである。【００２４】  これに対して、塗布液を別の供給容器からバッファー容器に送液して、循環濾過しながら塗布装置に供給することもできる。この方法によれば、バッファー容器が空になることがないため、定常的に製造工程を運転できるうえ、配管中に気泡が入ることも防げるので好ましい。このような塗布液供給装置の例は図４に示すとおりである。【００２５】  まず、塗布液は、供給容器３０１Ａから配管３０２とそれに接続されたポンプ３０４により、バッファー容器４０１に送液される。バッファー容器４０１中に収蔵された塗布液は、配管３０７からポンプ３０８により汲み出され、フィルター３０９で濾過された後、配管３１０によりバッファー容器に戻される。ここで、フィルタ−３０９で濾過された塗布液の一部がフィルター３０９の下流（位置Ｖ）で分割され、一部が第２のフィルター３０５でさらに濾過された後に塗布装置１０７に送液され、基板１０６上に塗布される。この例では、循環濾過装置の配管がフィルターの下流で分岐されており、バッファー容器から塗布装置へ塗布液を送液する配管と、循環濾過装置の一部とが兼用となっているともいえる。このような塗布液供給装置においては、任意の位置にバルブや三方弁等を設けることができる。例えば位置Ｖにバルブや三方弁を設けて、塗布装置に送液する塗布液の流量を調整することができる。この例では、循環濾過装置におけるフィルター３０９と塗布装置が相対的に近いので、配管中からの異物の混入が少ないので好ましい。また、配管中から混入した異物を除去するためにフィルター３０５を設けることができるが、フィルター３０９を塗布装置の直前に配置することによって省略することもできる。【００２６】  図示されていないが、塗布装置の直前、あるいはバッファー容器中において、パーティクルの含有量を定常的に測定しながら供給装置の状態を管理することもできる。このような管理手段を組み合わせることで、循環濾過装置の濾過速度を制御したり、フィルター類の交換の時期を決定することもできる。【００２７】  このような装置によれば、循環濾過装置中から塗布液が無くなることがないため、供給容器３０１Ａの交換に伴って塗布液供給装置を停止させる必要が無いので連続かつ安定に半導体素子の製造を行うことができるとともに、配管中に気泡等が入ることに起因する製造欠陥も生じにくいので好ましい。【００２８】  また、塗布装置に送液される塗布液の流量の制御をより簡便かつ正確に行うために、塗布装置の上流に第２のバッファー容器を設けることもできる。そのような塗布液供給装置の例を図５に示す。【００２９】  図５の装置では、循環濾過装置により濾過された塗布液の一部が第２のバッファー容器５０１に蓄積される。第２のバッファー容器５０１は、塗布を行う直前に一時的に塗布液を収蔵するためのものであり、一般にバッファー容器４０１よりも容量の小さいものを用いる。塗布液はこの第２のバッファー容器５０１から、フィルター３０５を経て塗布装置に送液される。このとき、分岐Ｖの塗布装置側下流にバルブ６０１を設け、第二のバッファー容器５０１に液量センサー（図示せず）を設けることができる。このような場合、その液量センサーから発信される信号によりバルブ６０１を制御し、バッファー容器５０１の液量を制御するシステムを組み込むこともできる。【００３０】  図６の装置では、塗布液を塗布装置に供給するための分岐点を複数有するものの一例である。この例では、塗布装置に塗布液を供給するための分岐Ｖが複数設けられており、複数の塗布装置にそれぞれ塗布液を供給することができる。さらには、それぞれの塗布装置に前記したバッファー容器５０１に液量を制御するシステムを組み込み、各塗布装置を独立に制御および稼働させることもできる。また、各分岐Ｖの間にさらなるフィルターやポンプを設けることもできる。このような構成によれば、少ない数の塗布液供給装置により多数の塗布装置を運転することが可能となり、設備コストを削減することができる。さらには、多数の塗布装置により塗布液を使用するために単位時間あたりの塗布液使用量が増加するので、供給装置またはバッファー容器に塗布液が滞留する時間が短縮され、塗布液供給装置中の塗布液の性状変化を抑制することが可能となる。このため、製造される半導体素子等の品質も安定する。なお、図６では第二のバッファー容器を有する場合を図示しているが、第二のバッファー容器を有さないものであってもよい。【００３１】  図４〜６の装置においては、供給容器３０１Ａ、配管３０２、およびポンプ３０４に代えて、図２に示されるような供給容器を用いることもできる。この場合には、容器の外側容器と内袋の間にガスを送り込むことによって収蔵されている塗布液が送液されるので、ポンプは必要なく、外気と接触することがないので容器内の塗布液が劣化しにくい。さらに、バッファー容器４０１および５０１においても、容器内が塗布液で満たされておらず、空間がある場合には、その空間に窒素ガスなどの不活性ガスを導入することで塗布液特性の安定化を図ることもできる。さらに、バッファー容器４０１および５０１に液量センサーを設け、液量が少なくなった場合にはそのセンサーから信号を発信してポンプやバルブを制御して塗布液を補充したり、空運転防止のためにポンプや塗布装置を停止させることもできる。【００３２】  本発明の塗布液供給装置を構成する各容器、配管、ポンプ、フィルターなどは、従来用いられている任意のものを用いることができる。【００３３】  塗布液供給容器３０１Ａは従来から使用されているガラス容器・プラスチック容器・（内袋を有する）ステンレス容器・ドラム・ローリー等を使用することができ、材質や容器の大きさは、必要供給量などに応じ選ぶことができる。【００３４】  塗布液供給容器からバッファー容器への送液は、不活性ガス等の気体によって塗布液供給容器の内部を加圧して圧送する、ポンプを用いて送液する、��たは供給容器を横転させ、塗布液の自重を利用してバッファー容器の開口部から流入させる等、任意の方法を用いることができる。またバッファー容器から塗布装置への送液には、ガスやポンプを用いることができる。送液にポンプを用いる場合には、例えばロータリーポンプを用いることが好ましい。このようなポンプを用いることにより、塗布液に不要なストレスをかけることがなくなり、パーティクルの増加を抑制することができる。【００３５】  本発明に用いられるバッファー容器は、材質としては例えばポリエチレンやステンレスを挙げる事ができ、必要に応じ内側はテフロン（登録商標）などのポリマーでシートライニングやコーティングされていてもよい。また、必要に応じ容器自体に温度制御装置を付帯していても良い。また、バッファー容器の容量は、任意に設定可能であるが、一般に１〜１０００リットルである。また、これに応じて、塗布装置に送液される塗布液の流量や循環濾過装置により濾過される塗布液の流量も変化する。一般に塗布装置に送液される塗布液の流量は１０〜２００ｃｃ／分であり、循環濾過装置により濾過される塗布液の流量は５００〜３０００ｃｃ／分、好ましくは１０００〜２０００ｃｃ／分、である。【００３６】  本発明の塗布液供給装置の配管は、ステンレス製であることが好ましく、管内側は必要に応じテフロン（登録商標）などのポリマーでライニングされていてもよい。またさらに配管中の塗布液の温度制御をするための手段を具備していても良い。【００３７】  本発明の塗布液供給装置に用いることができるフィルターは、電子工業用途で一般的に用いられる濾過フィルターでよい。これらのうち、フィルター膜の材質がテフロン（登録商標）、ポリエチレン、またはナイロンであるものが好ましい。また、本発明に用いられるフィルターは、０．５μｍ以上、好ましくは０．２μｍ以上のパーティクルを十分に除去できるものであることが好ましい。【００３８】  また、本発明による塗布液供給装置には、任意の場所に漏液センサーや熱感能センサーを設けることができる。これらのセンサーにより、漏液や温度異常などの不測の事態が起きた場合には、その予報または警報を発令し、ポンプやバルブなどの稼働を制御し、制御盤に発報することも可能となる。【００３９】  さらに、本発明による塗布液供給装置に配置されたバルブやポンプは、それに接続されるフォトレジスト塗布装置に設けられたセンサー、例えば第二のバッファー容器５０１に設けられた液量センサー、からの信号により直接制御したり、塗布液供給装置またはフォトレジスト塗布装置を制御するための制御装置からの信号により制御することができる。特に各センサーからの信号を制御盤を具備した制御装置に集約することで、各装置の稼働状態を監視することができる。特に制御盤にタッチパネル等を使用することができ、そのような制御盤によれば、情報の把握が容易になり、かつ利便性が増す。さらに、制御盤にＰＨＳなどのシステムを組み込むことで遠隔操作も可能となる。【００４０】  本発明による塗布液供給装置から供給される塗布液はパーティクルの含有量が極めて少なく、例えば粒子径が０．５μｍ以下のパーティクルの含有量が常に５０個／ｍｌ以下である。こ��ようなパーティクル含有量が少ない塗布液を供給することができる本発明の塗布液供給装置は、塗布装置としてスリット塗布装置と組み合わせることにより、優れた生産性を達成することができる。すなわち、従来一般的に行われてきたスピン塗布装置は、パーティクルを含んでいる塗布液を用いた場合であっても回転時にスピンアウトする塗布液とともにパーティクルが除去されるために塗布時の欠陥が少ないという利点があった。ところが、それと同時に塗布装置に供給される塗布液のごくわずかが基板上に塗布されるだけであり、一般に９０体積％以上の塗布液が無駄になっていた。塗布時にスピンアウトした塗布液は、相対的にパーティクル含有量が多く、また異物も混入し易いのでそのまま再生ができない。このため、スピン塗布は塗布液の損失が多く、経済的に不利であった。一方、スリット塗布装置による塗布液の損失量はダミーディスペンス等を除けば一般にゼロであるが比較的塗布液中のパーティクルの影響を受けやすいという問題があった。本発明による塗布装置は、前記した塗布液供給装置とスリット塗布装置とを組み合わせたものであり、パーティクルの少ない塗布液を用いるために塗布時の欠陥が少なく、経済的損失も少ないので、製品品質とコストとを両立できる、すぐれた塗布装置である。【００４１】  以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明の態様はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４２】  図５の装置を用いて、塗布液中のパーティクル含有量の変化を調べた。塗布液供給装置には、以下のものを用いた。【００４３】バッファー容器容量：３００リットル
循環濾過装置の流量：１０００ｃｃ／分
循環濾過装置のポンプ    ：サンマシナリー株式会社製ロータリーポンプ
循環濾過装置のフィルター：日本マイクロリス株式会社製マイクロガードＵＰＥ型（除粒子系０．１μｍ）
塗布液にはＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製ＡＺ  ＴＦＰ−６５０Ｆ５を用い、塗布装置に供給されるパーティクル（０．２μｍ以上）の含有量をリオン株式会社製ＫＬ−２０Ａパーティクルカウンターを用いて測定した。パーティクル含有量の変化は以下の通りであった。なお、パーティクル含有量は、循環直前のパーティクル数を１００とした場合の相対値とした。【００４４】
【表１】
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なお、循環前の塗布液を図５のバッファー容器中で循環濾過せずに滞留させた場合、７２時間後のパーティクル含有量は１００（相対値）であった。【００４５】  この結果より、本発明のフォトレジスト塗布液供給装置によれば、供給される塗布液がパーティクルを含んでいる場合であってもパーティクルが除去され、さらに長期間に渡って、パーティクルが少ないままに維持されることがわかる。さらにこの供給装置から供給される塗布液を用いて基板に塗布を行った場合には、塗布時の欠陥が少ない半導体素子が得られることが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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