(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電効果を有する無機材料からなる無機光電子材料であって、前記無機材料は、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域をなす無機材料粒子を、該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域をなす連続した無機材料媒質中に分散した構成であり、かつ該無機材料粒子が三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であり、該無機材料媒質が酸化チタン（ＴｉＯ２）であることを特徴とする無機光電子材料。
【請求項２】
導電性基体と透明導電層との間に光電効果を有する無機材料からなる無機光電子材料層を設けた電子写真感光体であって、前記無機材料は、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域をなす無機材料粒子を、該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域をなす連続した無機材料媒質中に分散した構成であり、かつ該無機材料粒子が三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であり、該無機材料媒質が酸化チタン（ＴｉＯ２）であることを特徴とする電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電効果を有する無機材料からなる無機光電子材料、およびそれを用いた電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真、光電変換素子、記録媒体、太陽電池などに用いられる光電子材料としては無機系と有機系（ＯＰＣ：有機感光体）が知られている。前者は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン（Ｓｅ）、硫化カドミュウム（ＣｄＳ）、Ｓｉ、ＧａＡｓ、アモルファスシリコン（ａ―Ｓｉ）、水素化アモルファスシリコン、などが知られ実用化されている。ＯＰＣとしては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等が知られている。
【０００３】
しかし、ＳｉやＧａＡｓ等の単結晶の場合、チョクラルスキー法などの単結晶成長法が用いられているため、結晶成長に長時間を要し、大面積の結晶成長が難しいため、大面積化への対応が難しいという問題がある。また、単結晶の場合、光電変換素子の組立加工条件が難しい難点もある。
【０００４】
一方、アモルファスシリコン等のアモルファス（非晶質）材料では、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの薄膜成長法を用いるため、単結晶の場合と同様、結晶成長に長時間を要し、大面積の結晶成長が難しい。このため、大面積化等に対応するには製造コストの低減が大きな課題となる。また、アモルファス材料を用いて光電変換素子を作成する場合は、アモルファス材料上部に形成する電極等のプロセス条件が難しいという難点があるほか、波長領域が異なる問題がある。
【０００５】
電子写真用感光体の光電子材料としてアモルファスＳｅ、ＣｄＳあるいはＺｎＯの粒子を樹脂中に分散する方法が知られている。しかし、結着剤（バインダー）として樹脂が用いられているため、短波長の光によって劣化が起こりやすいという問題がある。
【０００６】
また、電子写真用感光体の光電子材料としてＯＰＣや水素化アモルファスシリコンが用いられているが、なかでもＯＰＣは光キャリア発生と該発生キャリア輸送の機能をそれぞれ分離させた形て設計できるほか、ディップコーティング法、スプレー法等の簡便な方法で作製できるという理由から複写機やプリンター等に広く用いられている。
【０００７】
最近、画質の高精細化が求められ、電子写真感光体を用いた製品でも書き込み光ビームの小径化が進められてきており、書き込み光源の短波長化が進められている。しかし、この光源の発振領域（４００ｎｍ付近）では、有機化合物であるＯＰＣ感光体では色素や結合剤である樹脂バインダーの光劣化が起こる問題がある。このような課題に対応するため、短波長光の照射にも耐久性が期待できる膜構成にすることが望まれている。
【０００８】
一方、金属酸化物系の光導電体（感光体）は、ゾルゲル法などを採用することにより、ディップコーティング法、スプレー法等の膜形成手法の利用が可能となるため製造コストが低減できるという利点がある。また、公害性の少ない材料であるものが多く、対環境性の観点からも好ましい。
このような金属酸化物を用いた感光体としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子を用いたものが代表的に利用されていた。この場合、酸化亜鉛粒子を使用した感光体は、酸化亜鉛微粉末を樹脂バインダー中に分散した形で用いられていた（例えば、特開平６―１７５３８０号公報、特開平６―１８６７８８、特開平７―２０６６１号公報等）。
しかし、無機質の酸化亜鉛粒子を有機質である樹脂バインダーで固める構成であるため、短波長の光照射に対して弱く繰り返し耐久性に問題があった。
【０００９】
また、製造コスト低減のために、無機質媒質中に粒子を分散する方式の光電子材料知られている（例えば、特公平１０―１６０５７４号公報）。この方法では、粒子にはIV族半導体、III―Ｖ族化合物半導体、II―Ｖ族化合物半導体が用いられ、無機物質の媒質にはＳｎＯ2、ＴｉＯ2等の金属酸化物が用いられている。この技術では、分散される粒子が半導体材料であるため、酸化されやすく、酸化により形成された酸化層は、キャリアの注入・放出の際に障壁となるため、光電変換機能が低下する問題がある。
【００１０】
また、酸化亜鉛単体により薄膜を形成し、電子写真感光体とすることについても知られている（特開昭５８―１５６５３３号公報、特開昭６０―１１１２５３号公報、特開昭６０―１１８８４５号公報等）    この場合、膜形成法としてスパッタリング法が使われるが、この方法では酸化亜鉛の成長速度が極めて遅く、また支持体（ドラム等）を一定温度に精度良く保持する必要があるなど制約があり、このためコストの上昇を招いた。また著しい抵抗分布むらを有し、均一、かつ高抵抗で大面積の薄膜を形成することが極めて難しかった。
【００１１】
このように、電子写真、光電変換素子、記録媒体、太陽電池などに用いられる光電材料として、短波長の光照射にも耐久性を持ち、低コストで製造できる、さらには、環境にも配慮した無公害材料が望まれている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的は短波長光源に対して感度を持ち、塗布など成膜工程が容易であり、そのため低コストで成膜ができ、かつ耐久性が高く、公害等環境に配慮した光電子材料を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る光電効果を有する無機材料からなる無機光電子機材料は、前記無機材料を、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域をなす無機材料粒子と、該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域をなす無機材料媒質とからなる隣接一体化した構成とすることによって、短波長光源に対する感度維持、成膜工程の容易化と低コスト化、光照射に対する耐久性の向上、環境配慮などを可能にさせたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
請求項１の発明は、光電効果を有する無機材料からなる無機光電子材料であって、前記無機材料は、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域をなす無機材料粒子を、該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域をなす連続した無機材料媒質中に分散した構成であり、かつ該無機材料粒子が三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であり、該無機材料媒質が酸化チタン（ＴｉＯ２）であることを特徴とする無機光電子材料である。本発明の無機光電子材料では、電荷発生領域は光キャリアを発生する機能を持ちうればよく、光導電性機能を示す必要はない。発生した光キャリアは連続した電荷輸送領域が導電性を持ちうることで、無機材料全体として光電子材料となりうる。また、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることが出来る。
【００１５】
本発明においては、前記無機材料としてバンドギャップが大きく短波長領域に感度を有するものが多い金属酸化物を用いるので，短波長領域で良好な光導電性を有し、しかも光照射に対し耐久性が高く劣化の少ない光電子材料を得ることができる。
【００１６】
前記金属酸化物として、酸化チタンまたは酸化亜鉛を用いることができる。これらの金属酸化物は、光キャリア発生、あるいは該キャリアの引き出し機能が優れており、無機材料粒子、無機材料媒質としての機能を発揮することができるため、隣接一体化した場合に光電子材料となりうる。
【００１７】
前記無機材料粒子が結晶粒で、かつ前記無機材料媒質が結晶相で形成されていることが好ましい。電荷発生領域が結晶粒で、かつ電荷輸送領域が結晶相で形成されていることにより、光キャリア発生と該発生キャリアの輸送それぞれの機能を分離させた光電子材料を得ることができる。
【００１８】
前記無機材料粒子が非晶粒で、かつ前記無機材料媒質が非晶相で形成されていることが好ましい。電荷発生領域が非晶粒で、かつ電荷輸送領域が非晶相で形成されていることにより、光キャリア発生と該発生キャリアの輸送それぞれの機能を分離させた光電子材料を得ることができる。
【００１９】
前記無機材料粒子が結晶粒であり、かつ前記無機材料媒質が非晶相で形成されていることが好ましい。電荷発生領域が結晶粒であり、かつ電荷輸送領域が非晶相で形成されていることにより、光キャリア発生と該発生キャリアの輸送それぞれの機能を分離させた光電子材料を得ることができる。
【００２０】
前記無機材料粒子と無機材料媒質とは同一の金属からなる化学式で表されることが好ましい。本発明では、電荷発生領域及び電荷輸送領域は同一の金属からなる化学式で表されることにより、光キャリアの発生、引き出しがスムーズな光電子材料を得ることができる。
【００２１】
前記無機材料粒子と前記無機材料媒質とが酸化チタンであること、即ち、無機光電子材料が酸化チタンであることにより、特に短波長領域で良好な光導電性を有し、耐久性が高く光劣化の少ない無機光電子材料が得られる。また酸化チタンでは、電荷発生領域及び電荷輸送領域が光照射によよって合金化する際、合金状態図に於いて同一の組成式で表される相が多く、多様な組み合わせを得ることができるため光電子材料として好ましい。
【００２２】
前記酸化チタンが二酸化チタン(ＴｉＯ2)であることにより、原料の入手が容易で短波長領域で良好な光導電性を有し、光照射に対して耐久性の高い無機光電子材料を得ることができる。
前記酸化チタンが三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であることにより、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることが出来る。
【００２４】
前記無機材料粒子がルチル型結晶構造であり、無機材料媒質がアナターゼ型結晶構造であることが好ましい。電荷発生領域がルチル型結晶構造であり、電荷輸送領域がアナターゼ型結晶構造であることにより、光電特性が良好で、かつ原料の入手が容易で短波長領域で良好な光導電性を有し、光照射に対して耐久性も高い無機光電子材料を得ることができる。
【００２５】
請求項２の発明は、導電性基体と透明導電層との間に光電効果を有する無機材料からなる無機光電子材料層を設けた電子写真感光体であって、前記無機材料は、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域をなす無機材料粒子を、該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域をなす連続した無機材料媒質中に分散した構成であり、かつ該無機材料粒子が三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であり、該無機材料媒質が酸化チタン（ＴｉＯ２）であることを特徴とする電子写真感光体である。本発明では、無機光電子材料を用いることにより高帯電性で、かつ、高感度、さらに高耐久性の電子写真感光体を得ることができる。
【００２６】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明は下記例に何ら限定されるものではない。
参考例１
図１は本発明の無機光電子材料を設けた感光体（光導電体）の一例を示す模式的断面図である。
導電性基板１上にゾルゲル法によって、参考例１においては本発明の電荷発生領域をなす無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）中に無機材料粒子２（酸化チタン）が分散した無機光電子材料層４が設けられている。
【００２７】
感光体は以下のようにして製作した。導電性基板１としてアルミニウム基板を用い、有機溶剤による脱脂洗浄を行った後、ゾルゲル法による成膜に供した。無機材料粒子２の酸化チタン粒子としては顔料に一般に用いられているもので平均粒径０．０３μｍ程度の微粒子のものを用いた。この酸化チタン微粒子を分散したチタニウムテトラエトキシド（Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、トルエン（ＣＨ3Ｃ6Ｈ5）とイソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）の混合液を攪拌混合した後、適度の粘度となるまで溶剤を蒸発させてスラリーとした。得られたスラリーを真空脱泡機で脱泡した後、ドクターブレード法によりアルミニウム製基板に塗布し、膜厚１μｍの膜を形成した。次に、この塗布膜を大気中で３００℃、１時間加熱して乾燥膜を形成した。次に、この乾燥した膜を大気中で８００℃、１２時間加熱して酸化チタン粒子が分散した酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を得た。この時チタニウムテトラエトキシド、トルエンとイソプロピルアルコールの混合液により形成された無機材料媒質３の結晶構造はアナターゼであった。この膜上に、透明導電層５を積層することにより、３８０ｎｍの光照射時と暗時での抵抗変化の大きい感光体（光導電体）を得た。
このように本参考例による無機光電子材料を用いた感光体では、光キャリア発生機能を有する電荷発生領域、即ち酸化チタン微粒子とキャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域、即ちチタニウムテトラエトキシド、トルエンとイソプロピルアルコールの混合液により形成された酸化チタン媒質が隣接し、電荷輸送領域が連続していることによって高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。
【００２８】
本参考例では溶剤としてトルエンとイソプロピルアルコールの混合液を用いたが、アルコール、トルエン、アセトン、イソプロピルアルコールまたはこれらの混合物をなどの有機溶剤や水なども用いることができる。一方、本参考例では分散剤および可塑剤を用いていない例を示したが、分散剤として、ステアリン酸、オレイン酸ナトリウム、オクタデシルアミン、グリセリルモノオレート、ソルビタンモノオレート等を用いてもよい。また可塑剤として、ポリエチレングリコール、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート等を用いてもよい。また、本実施例では塗布手段としてドクターブレード法を用いたが、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、浸漬法等でもよい。
【００２９】
参考例２
別の参考例を参考例１と同様に、図１により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子（顔料用として用いられている酸化チタン微粒子）を二酸化チタン（ＴｉＯ2）微粒子とした以外は、参考例１と同様の方法により酸化チタン粒子が分散した無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）を形成した。ここで二酸化チタン粒子はルチルとアナターゼの結晶構造が混在したものを用いた。本参考例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。このように本参考例の光電子材料を形成する方法においては，酸化チタン粒子を二酸化チタン（ＴｉＯ2）とすることで、二酸化チタン以外が含まれる酸化チタン粒子、つまり二酸化チタンと他の化学式で表される酸化チタン（例えば一酸化チタン（ＴｉＯ））が混在した粒子を用いた場合よりも光キャリア発生が良いため、光伝導特性を向上させることができる。
【００３０】
実施例３
実施例を参考例１と同様に、図１により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子（顔料用として用いられている酸化チタン微粒子）を三酸化二チタン（Ｔｉ2Ｏ3）微粒子を用いるとした以外は、参考例１と同様の方法により酸化チタン粒子が分散した無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）を形成した。本実施例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。このように本実施例の光電子材料を形成する方法においては、酸化チタン粒子を三酸化二チタンとすることで、三酸化二チタン以外が含まれる酸化チタン粒子、即ち三酸化二チタンと他の化学式で表される酸化チタン（例えば一酸化チタン（ＴｉＯ））が混在した粒子を用いた場合よりも光キャリア発生が良好なので光伝導特性を向上させることができる。
【００３１】
参考例４
別の参考例を参考例１と同様に、図１により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子（顔料用として用いられている酸化チタン微粒子）をアナターゼ型結晶構造を持つ二酸化チタン微粒子とした以外は参考例１と同様の方法により酸化チタン粒子が分散した無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）を形成した。本参考例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。このように本参考例の光電子材料を形成する方法においては，酸化チタン粒子を（アナターゼ型結晶構造の二酸化チタンとすることで、アナターゼ型結晶構造の二酸化チタン以外が含まれる酸化チタン粒子を用いた場合よりも光キャリア発生が良好なので光伝導特性を向上させることができる。
【００３２】
参考例５
別の参考例を参考例１と同様に、図１により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子（顔料用として用いられている酸化チタン微粒子）をルチル型結晶構造を持つ二酸化チタン微粒子とした以外は参考例１と同様の方法により酸化チタン粒子が分散した無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）を形成した。本参考例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。このように本参考例の光電子材料を形成する方法においては，酸化チタン粒子をルチル型結晶構造の二酸化チタンとすることで、ルチル型結晶構造二酸化チタン以外が含まれる酸化チタン粒子を用いた場合よりも光伝導特性を向上させることができる。
【００３３】
参考例６
別の参考例を参考例１と同様に、図１により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子（顔料用として用いられている酸化チタン微粒子）をバナジウム（Ｖ）をドープした酸化チタン粒子とした以外は、参考例１と同様の方法によりバナジウムドープ酸化チタン粒子が分散した無機材料媒質３（酸化チタン／結晶相）を形成した。本参考例による波長３８０ｎｍおよび４８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。このように本参考例の光電子材料を形成する方法においては，酸化チタン粒子をバナジウム（Ｖ）ドープ酸化チタン微粒子とすることで、ノンドープ酸化チタン微粒子を用いた場合よりも広い波長域で光伝導特性を向上させることができる。
【００３４】
参考例７
図２は本発明の無機光電子材料を設けた感光体（光導電体）の別の例を示す模式的断面図である。
導電性基板１上にゾルゲル法によって、本参考例の電荷発生領域をなす無機材料媒質３（酸化チタン／非晶相）中に無機材料粒子２（酸化チタン）が分散した無機電子材料層４が設けられている。導電性基板１上にドクターブレード法によりスラリーを塗布形成し、大気中で３００℃、１時間加熱して乾燥した膜を大気中で４００℃、１２時間加熱して無機光電子材料層４を形成した。この時トルエンとイソプロピルアルコール混合液により形成された無機材料媒質６の結晶構造は、Ｘ線回折による測定の結果、結晶構造特有のピークが観測されずアモルファス（非晶質）であることが判った。本参考例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。
【００３５】
参考例８
別の参考例を参考例７と同様に，図２により説明する。無機材料粒子２の酸化チタン粒子を非晶粒の二酸化チタンを用いるとした以外は、参考例７と同様の方法により、非晶粒の二酸化チタン微粒子が分散した無機材料媒質６（酸化チタン／非晶相）を形成した。本参考例による波長３８０ｎｍでの光導電特性の評価を行ったところ良好な光電変換特性を示した。
【００３６】
参考例９
図３は本発明の無機光電子材料を設けた感光体（光導電体）のさらに別の例を示す模式的断面図である。
本参考例では、導電性基板１上にゾルゲル法により、酸化亜鉛微粒子（無機材料粒子７）が分散した、酸化亜鉛媒質（無機材料媒質８）からなる無機光電子材料層９が形成されている。本実施例の無機光電子材料層９は以下のようにして形成した。導電性基板１としてアルミニウム基板を用い、有機溶剤による脱脂洗浄を行った後、成膜に供した。酸化亜鉛微粒子としては感光体材料に一般に用いられているものを粉砕した粒子を用いた。実施例で使用したものは平均粒径０．０３μｍ程度の微粒子である。酢酸亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2）、トルエンとイソプロピルアルコールの混合液に前記酸化亜鉛微粒子を分散し、攪拌混合した後、適度の粘度となるまで溶剤を蒸発させスラリーとした。このスラリーを真空脱泡機で脱泡した後、アルミニウム製基板に塗布し、ドクターブレード法により膜厚１μｍの膜を形成した。次に、この膜を大気中で３００℃、１時間加熱して乾燥した膜を形成した。次に、この乾燥した膜を大気中で８００℃、１２時間加熱して加熱し、酸化亜鉛粒子が分散した酸化亜鉛膜（無機光電子材料層９）を得た。この膜上に、透明導電膜を積層することにより、３８０ｎｍの光照射時と暗時での抵抗変化の大きい感光体製作した。
【００３７】
本参考例では酸化亜鉛を用いた例を示したがこれに限定するわけではなく、光キャリアを発生する酸化物であればよい。
【００３８】
参考例１０
図４は本発明の無機光電子材料を設けた電子感光体の例を示す模式的断面図である。
導電性基板１０として、長さ３００ｍｍ、直径１８０ｍｍのアルミニウム円筒形基板を用い、有機溶剤による脱脂洗浄を行った後、成膜に供した。チタニウムテトラエトキシド（Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）とイソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）のゾル液を、アルミニウム円筒基板上に、窒素雰囲気中でデップコーティング法により塗付した後、３００℃ で ３０分間加熱しこの工程を10回繰り返し、その後大気中 ８００℃ で１２時間加熱し１０μｍの酸化チタン電荷輸送層１１を設けた。次に実施例１に示した方法と同様にして酸化チタン微粒子が分散した酸化チタン膜を以下のように形成した。即ち、チタニウムテトラエトキシド（Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、トルエン（ＣＨ3Ｃ6Ｈ5）とイソプロピルアルコール（（ＣＨ3）2ＣＨＯＨ）の混合液に酸化チタン微粒子を分散し、攪拌混合した後、適度の粘度となるまで溶剤を蒸発させスラリーとした。このスラリーを真空脱泡機で脱泡した後、酸化チタン電荷輸送層を形成したアルミニウム製円筒基板にデップコーティング法により塗布し、大気中３００℃で１０分間加熱した。この塗付―加熱工程を３回繰り返した後、大気中３００℃で３時間加熱し、厚さ３μｍの膜を形成した。次に、この乾燥した膜を大気中で８００℃、１２時間加熱して加熱し、酸化チタン粒子（無機材料粒子１２）が分散した酸化チタン媒質（無機材料媒質１３）からなる無機光電子材料層１４を得た。
【００３９】
次に、上記により得られた電子写真感光体を複写機に装填し、画像評価試験を行った。複写機は光源部分を改造し、波長３８０ｎｍ、光量は３０μＷ／ｃｍ、光ビーム径を６０μｍとした。帯電方式はスコロトロン方式である。現像は二成分現像剤を用いて、磁気ブラシ現像法を使用した。また、感光体の回転速度（線速度）は１５０ｍｍ／ｓとした。得られた画像はオリジナル原稿のパターンを忠実に再現していた。
【００４０】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に係る発明では、無機材料は光キャリア発生機能を有する電荷発生領域と該発生キャリアの引き出し機能を有する電荷輸送領域が隣接し、かつ電荷輸送領域が連続しているものよりなるため、高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。また、無機材料粒子が三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）であり、無機材料媒質が酸化チタン（ＴｉＯ２）であるため、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることができる。
【００４１】
光電効果を有する無機材料が金属酸化物であるため、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い光電子材料を得ることができる。
【００４２】
金属酸化物が、酸化チタンまたは酸化亜鉛である場合には、光キャリア発生とキャリア引き出しのそれぞれの機能を分離させた高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。
【００４３】
電荷発生領域が結晶粒であり、かつ電荷輸送領域は結晶相で形成されていると、光キャリア発生とキャリア引き出しのそれぞれの機能を分離させた高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。
【００４４】
電荷発生領域は非晶粒であり、かつ電荷輸送領域は非晶相で形成されている場合には、光キャリア発生とキャリア引き出しのそれぞれの機能を分離させた高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。
【００４５】
電荷発生領域は結晶粒であり、かつ電荷輸送領域は非晶相で形成されている場合には、光キャリア発生とキャリア引き出しのそれぞれの機能を分離させた高感度、高耐久性の無機光電子材料を得ることができる。
【００４６】
電荷発生領域及び電荷輸送領域が同一の金属からなる化学式で表されるものよりなる場合には、光キャリアの発生、引き出しがスムーズな光電子材料を得ることができる。
【００４７】
無機材料粒子および無機材料媒質がいずれも酸化チタンである場合には、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料が光電子材料を得ることが出来る。また、光照射によって合金化する際に合金状態図の相が多く、多様な組合せが得られる。
【００４８】
無機材料粒子および無機材料媒質がいずれも二酸化チタン（ＴｉＯ2）である場合には、原料の入手が容易で短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることができる。
無機材料粒子および無機材料媒質がいずれも三酸化二チタン(Ｔｉ2Ｏ3) である場合には、短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることができる。
【００５０】
電荷発生領域がルチル型結晶構造であり、電荷輸送領域がアナターゼ型結晶構造である場合には、光電特性が良好で、かつ原料の入手が容易で短波長領域で良好な光導電性を有し耐久性も高い無機光電子材料を得ることができる。
【００５１】
請求項２に係る発明では、電子写真感光体が本発明の無機光電子材料から構成されているので光による劣化が少なく、短波長の光源を使用でき、高精細な画像を得ることができる。また無機材料からなっているので機械的強度が高くなり、耐久性が高い電子写真感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】酸化チタン粒子と酸化チタン結晶相からなる無機光電子材料が設けられた感光体の模式的断面図である。
【図２】酸化チタン粒子と酸化チタン非晶相からなる無機光電子材料が設けられた感光体の模式的断面図である。
【図３】酸化亜鉛粒子と酸化亜鉛媒質からなる無機光電子材料が設けられた感光体の模式的断面図である。
【図４】酸化チタン粒子と酸化チタン媒質からなる無機光電子材料が設けられた電子写真感光体の模式的断面図である。
【符号の説明】
１    導電性基板（Ａｌ製基板）
２    無機材料粒子（酸化チタン）
３    無機材料媒質（酸化チタン／結晶相）
４    無機光電子材料層
５    透明導電層
６    無機材料媒質（酸化チタン／非晶相）
７    無機材料粒子（酸化亜鉛）
８    無機材料媒質（酸化亜鉛）
９    無機光電子材料層
１０  導電性基板（Ａｌ製円筒型基板）
１１  電荷輸送層
１２  無機材料粒子（酸化チタン）
１３  無機材料媒質（酸化チタン）
１４  無機光電子材料層
【図１】
0004245818.tif 000002
【図２】
0004245818.tif 000003
【図３】
0004245818.tif 000004
【図４】
0004245818.tif 000005