(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一方主面上に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
前記反射防止層に第１レーザ光を照射して開口部を形成する反射防止層開口部形成工程と、
前記透明基板の該一方主面上および前記反射防止層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層に開口部を形成するマスク層開口部形成工程と、
前記反射防止層上および前記マスク層上に第１薄膜層を形成する第１薄膜層形成工程と、
前記マスク層を前記透明基板の該一方主面上から剥離する剥離工程と、
を具備するパターン形成方法。
【請求項２】
前記剥離工程では、前記マスク層に第２レーザ光を照射して、前記マスク層を前記透明基板の該一方主面上から剥離する、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記反射防止層が、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層とを具備する請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記マスク層が、有機材料を用いて形成されている請求項１〜３のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記マスク層が、黒色顔料もしくは黒色染料を１０〜９５質量％含有する請求項１〜４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第１レーザ光が、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光である、請求項１〜５のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第２レーザ光が、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満のレーザ光である、請求項２〜６のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記第１薄膜層は、Ｃｒおよび／またはＴｉと、Ｃｕとを含有する請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記第１薄膜層形成工程の後に、保護層形成工程を具備する請求項１〜８のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記剥離工程の後に、第２薄膜層を形成し、該第２薄膜層に第３レーザ光を照射することによって該第２薄膜層の一部を除去する工程を具備する、請求項１〜９のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載のパターン形成方法を用いて製造される電子回路。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子回路を有する電子機器。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれかに記載のパターン形成方法によりパターンを形成する工程を含む、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により製造される、電極および／またはブラックストライプを備えるプラズマディスプレイ前面基板。
【請求項１５】
透明基板上に、
クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層、
Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層、および
Ｃｕを含有する第１薄膜層、
を備える積層体を電極および／またはブラックストライプとして有する、プラズマディスプレイ前面基板。
【請求項１６】
前記電極および／または前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側から入射した可視光反射率が５０％以下である請求項１４または１５に記載のプラズマディスプレイ前面基板。
【請求項１７】
請求項１４〜１６のいずれかに記載のプラズマディスプレイ前面基板を備えるプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、ならびにこれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  本発明は、パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、ならびにこれを用いた電子機器に関するものであるが、特に、プラズマディスプレイ基板用電極および／またはプラズマディスプレイ基板用ブラックストライプの製造方法、およびこれにより製造される、電極および／またはブラックストライプ、を備えるプラズマディスプレイ基板、ならびにこれを用いたプラズマディスプレイパネルに好適に適用することができる。
以下では、本発明のパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、ならびにこれを用いた電子機器の例として、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法、およびこれにより製造される、電極および／またはブラックストライプ、を備えるプラズマディスプレイ基板、ならびにこれを用いたプラズマディスプレイパネルを挙げて、これにより本発明を説明する。【０００３】  プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）は、薄型化が可能で、かつ大型化が容易であり、さらに軽量、高解像度等の特徴を持つため、表示装置としてＣＲＴに替わる有力候補として注目されている。
ＰＤＰはＤＣ型とＡＣ型に大別されるが、その動作原理はガス放電に伴う発光現象を利用したものである。例えばＡＣ型では図９に示すように対向する透明な前面基板１および背面基板２の間に形成した隔壁３によりセル（空間）を区画し、セル内には可視発光が少なく紫外線発光効率が高いＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅなどのペニング混合ガスを封入する。
そしてセル内でプラズマ放電を発生させ、セル内壁の蛍光体層１１を発光させて表示画面上に画像を形成させる。【０００４】  このようなＰＤＰ表示装置においては、画像を形成する画素にプラズマ放電を発生させるための電極として、透明な前面基板１上に透明導電膜からなる表示電極５およびその電極の一部にバス電極６をパターニングし、必要に応じて画素分離用のブラックストライプ４をパターニングして形成する。また、背面基板２にアドレス電極７をパターニングして形成する。そして、表示電極５とアドレス電極７の間の絶縁を確保しプラズマを安定に発生させるために、また、電極がプラズマに侵食されるのを防ぐために、誘電体層８およびＭｇＯ保護層９で表示電極５、バス電極６およびブラックストライプ４を被覆する（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２参照）。【０００５】  ここで、上記表示電極５は低抵抗であることが望まれる。そこで、従来から酸化錫を含有する酸化インジウム（以下、「ＩＴＯ」ともいう）が一般的に使用されている。これは、比較的電気抵抗が低く、透明性、導電性とパターニング性に優れているので多用されている。【０００６】  しかし、ＩＴＯは高価である。また、ＡＣ型のＰＤＰにおいてＩＴＯを誘電体で被覆すると誘電体がＩＴＯを侵食し、ＩＴＯの比抵抗を増大させる可能性もある。
この誘電体の侵食に対するＩＴＯの耐性を向上させるために、誘電体の成分を調整することで対応も可能である。しかし、この場合、同時に誘電体の本来の目的である絶縁能、プラズマからの侵食防止能が低下する可能性がある。従って、このＩＴＯに代わる材料や方法が望まれる傾向にある。【０００７】  一方、図９に示す表示電極５、バス電極６、ブラックストライプ４の各パターンは、通常フォトリソグラフィ・エッチングプロセスにより、順番に別々にパターニングして形成しているため、製造工程が長く、高価である。また、Ｃｒ等の電極のウェットエッチングに用いられるエッチング液は、強酸性や強アルカリ性を示すために、例えばそのまま廃棄すると環境負荷が大きいなどの問題点を有し、取り扱いが困難である。したがって、ＰＤＰを製造するときにウェットエッチングを行う場合には、エッチング液の取り扱いに伴った煩雑な作業を行う必要がさらに生じ、製造に必要となる工程数がさらに増加する。
また、コントラストをさらに向上させて、画像を鮮明にするためにブラックストライプ４を付けることが提案されているが、表示電極５、バス電極６などとは別工程での製造となるために、その分、工程数が多くなってしまう。
【特許文献１】特開平７―６５７２７号公報
【非特許文献１】内田龍男、内池平樹著、「フラットパネルディスプレイ大辞典」、工業調査会、２００１年１２月２５日、ｐ．５８３−５８５
【非特許文献２】奥村健史著、「フラットパネル・ディスプレイ２００４実務編」、日経ＢＰ社、ｐ．１７６−１８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  本発明が解決しようとする課題は、環境低負荷で、安価なパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、ならびにこれを用いた電子機器を提供する点にある。【０００９】  また、本発明が解決しようとする課題は、前記パターン形成方法により形成しうる低抵抗な電極および／またはブラックストライプを備えるプラズマディスプレイ前面基板、およびそれを用いてなるＰＤＰを提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  本発明は、上記の課題を解決するために、以下のパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、ならびにこれを用いた電子機器を提供するものである。【００１１】  本発明は、上記課題を解決するために、透明基板の一方主面上に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、前記反射防止層に第１レーザ光を照射して開口部を形成する反射防止層開口部形成工程と、前記透明基板の該一方主面上（つまり、前記反射防止層に第１レーザ光を照射することで前記反射防止層が除去され露出した、前記透明基板の一方主面上）、および前記反射防止層上（つまり、前記第１レーザ光の照射を受けることなく前記透明基板上に残存した前記反射防止層上）にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層に開口部を形成するマスク層開口部形成工程と、前記反射防止層上および前記マスク層上に第１薄膜層を形成する第１薄膜層形成工程と、前記マスク層を前記透明基板の該一方主面上から剥離する剥離工程と、を具備するパターン形成方法を提供するものである。
ここで「一方主面」とは、透明基板の反射防止層およびマスク層を形成した面である。【００１２】  このようなパターン形成方法において、前記剥離工程では、前記マスク層に第２レーザ光を照射して、前記マスク層を前記透明基板の該一方主面上から剥離することが好ましい。【００１３】  また、前記反射防止層が、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層とを具備するのが好ましい。【００１４】  また、前記マスク層が、有機材料を用いて形成されているのが好ましい。【００１５】  また、前記マスク層が、黒色顔料もしくは黒色染料を１０〜９５質量％含有するのが好ましい。【００１６】  また、前記第１レーザ光が、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光であるのが好ましい。【００１７】  また、前記第２レーザ光が、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満のレーザ光であるのが好ましい。【００１８】  また、前記第１薄膜層が、Ｃｒおよび／またはＴｉと、Ｃｕとを含有するのが好ましい。【００１９】  また、前記第１薄膜層形成工程の後に、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する層（以下、「Ｃｒ・Ｔｉ層」という）である保護層を形成する保護層形成工程を具備するのが好ましい。【００２０】  また、前記剥離工程の後に、第２薄膜層を形成し、該第２薄膜層に第３レーザ光を照射することによって該第２薄膜層の一部を除去する工程を具備するのが好ましい。【００２１】  また、本発明は、前記パターン形成方法を用いて製造される電子回路である。【００２２】  また、本発明は、前記電子回路を有する電子機器である。【００２３】  また、本発明は、前記パターン形成方法によりパターンを形成する工程を含む、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法である。【００２４】  また、本発明は、前記プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により製造される、電極および／またはブラックストライプを備えるプラズマディスプレイ前面基板であり、透明基板上に、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層、およびＣｕを含有する第１薄膜層を備える積層体をプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして有するプラズマディスプレイ前面基板である。【００２５】  また、前記電極および／または前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側から入射した可視光反射率が５０％以下であるのが好ましい。ここで可視光反射率とは、ＪＩＳ  Ｒ３１０６（１９９８年）に規定されているものであり、「他方主面側」とは、前記透明基板のマスク層を形成していない面の側である。【００２６】  また、本発明は、前記プラズマディスプレイ前面基板を備えるプラズマディスプレイパネルである。【００２７】  また、本発明は、前記プラズマディスプレイ基板用電極の製造方法により製造される電極を備えるプラズマディスプレイ背面基板である。【００２８】  さらに、本発明は、前記プラズマディスプレイ背面基板を備えるプラズマディスプレイパネルである。
【発明の効果】
【００２９】  本発明のパターン形成方法によれば、従来から利用されているフォトリソグラフィ・エッチングプロセスやウェット・リフトオフ法等の湿式法と比較して、より少ない製造工程数で、より安価に電子回路等のパターンを製造することができる。さらに、エッチング工程がないため、エッチング工程がある従来の湿式法のように、多量のエッチング剤等を使用することがなく、昨今、重大な関心事となってきた廃液処理等の環境負荷の心配も少ない。【００３０】  また、本発明のパターン形成方法をプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法として適用すれば、従来は各々、別々の材料を用いて製造したプラズマディスプレイ基板用のＩＴＯの表示電極と、ＡｇやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを用いたバス電極と、場合によっては黒色誘電体を用いたブラックストライプとを、同一材料で、安価で、低抵抗で、誘電体による侵食等が低い材料で製造することができる。その結果、ＰＤＰ表示装置上に鮮明な画像を表示できるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法を提供することができる。
また、従来、別々の工程で製造していた電極とブラックストライプとを、同一工程で製造することができる。
また、薄膜層の基板側に反射防止層を設けることにより、画像表示時に電極が目立たなくなる。よってパターニングされた電極を表示電極として利用することが可能である。さらに反射防止層は、マスク層に開口部を形成する際にマスクとしても作用する。よって余分なマスクを必要としないという効果を有する。また、薄膜層の厚さが厚いとレーザの出力と基板の強度との関係から直接のパターニングは困難となると考えられるが、本発明における薄膜層は、厚さを厚くしてもパターニングが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストタイプの製造方法の好適実施例の工程を示すためのプラズマディスプレイ基板の概略断面図である。
【図２】図２（ｆ）〜（ｊ）は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストタイプの製造方法の好適実施例の工程を示すためのプラズマディスプレイ基板の概略断面図である。
【図３】図３は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストタイプの製造方法の好適実施例において、光吸収薄膜を形成した場合のプラズマディスプレイ基板の概略断面図である。
【図４】図４は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例により製造されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを設けた基板の概略平面図である。
【図５】図５は、図４のＡ−Ａ’線断面概略図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】図７（ｄ）〜（ｆ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】図８（ｇ）〜（ｉ）は、実施例におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造工程を示すためのプラズマディスプレイ基板および製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】図９は、従来のＰＤＰの概略構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３２】  １  前面基板
２  背面基板
３  隔壁
４  ブラックストライプ
５  表示電極
６  バス電極
７  アドレス電極
８  誘電体層
９  ＭｇＯ保護層
１１  蛍光体層
２０  透明基板
２２  第１反射防止層
２３  第２反射防止層
２４  フォトマスク
２６  第１レーザ光
２８  マスク層
２９  光吸収薄膜
３０  紫外線
３２  第１薄膜層
３４  第２レーザ光
３６  保護層
４０  電極（バス電極兼表示電極）
４２  ブラックストライプ
６０  スパッタ成膜装置
７０  ガラス基板
７２  第１反射防止層
７４  第２反射防止層
７６  フォトマスク
７８  マスクフィルム
８０  フィルムラミネータ
８２  第１薄膜層
８４  紫外線硬化装置
８６  保護層
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】  本発明のパターン形成方法の好ましい態様である、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法を挙げ説明する。このプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例を、図１および図２に挙げる。以下では、これに基づいて本発明を詳細に説明する。この好適実施例は一例であり本発明はこれに限定されない。【００３４】  本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、まず、透明基板２０の一方主面上に第１反射防止層２２および第２反射防止層２３を順次形成する（図１（ａ）、（ｂ）、反射防止層形成工程）。
次に、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３にフォトマスク２４を介して第１レーザ光２６を照射して、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３に開口部を形成し（図１（ｃ）、（ｄ）、反射防止層開口部形成工程）、その後、透明基板２０の該一方主面上および第２反射防止層２３上にマスク層２８を形成する（図１（ｅ）、マスク層形成工程）。
そして、マスク層２８に、透明基板２０の他方主面側から紫外線３０を照射して露光した後、現像し、マスク層２８の、第２反射防止層２３の上部分に開口部を形成する（図２（ｆ）、（ｇ）、マスク層開口部形成工程）。
さらに、第２反射防止層２３上およびマスク層２８上に第１薄膜層３２を形成（図２（ｈ）、第１薄膜層形成工程）した後、マスク層２８に他方主面側から第２レーザ光３４を照射して、透明基板２０の該一方主面上からマスク層２８を剥離する（図２（ｉ）、（ｊ）、剥離工程）。
このような製造工程により、透明基板２０の該一方主面上に、第１反射防止層２２、第２反射防止層２３、第１薄膜層３２を順次形成することができる。これらの層（積層体）は、プラズマディスプレイ用途の場合は、プラズマディスプレイ基板用の電極またはブラックストライプの役割を果たす。【００３５】  ＜透明基板＞
前記透明基板２０は、透明な材料（本発明においては可視光透過率（ＪＩＳ  Ｒ３１０６（１９９８年）に規定。以下同じ。）８０％以上の材料）で構成されていれば特に限定されない。その具体例としては、ガラス基板が好適に挙げられる。特に、ＰＤＰ用のガラス基板として従来から用いられている、厚さ０．７〜３ｍｍ程度のガラス基板が好ましい。【００３６】＜反射防止層形成工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、反射防止層形成工程では、透明基板２０の該一方主面上に、所定の膜厚を有するクロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層２２と、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層２３とを含む反射防止層を製造する。反射防止層は、後述するような第１レーザ光によりレーザアブレーションにより剥離できることが好ましい。
透明基板２０の一方主面上に第１反射防止層２２および第２反射防止層２３を順次形成することで、各層からの反射光が干渉し、反射率が低下し、鮮明な画像が表示できる。【００３７】＜第１反射防止層＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法において、第１反射防止層２２の材料はクロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第１反射防止層２２の材料はクロム酸化物であることが好ましい。第１反射防止層２２を形成する材料の全体に対して、クロム酸化物およびチタン酸化物の合計含有量が９５質量％以上であれば、本発明における反射防止層として好ましい。
ここで、クロム酸化物とは、酸素欠損型のＣｒＯＸ（１．０≦Ｘ＜１．５）、Ｃｒ２Ｏ３などを意味する。クロム酸化物が酸素欠損型のＣｒＯＸ（１≦Ｘ＜１．５）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。
また、チタン酸化物とは、酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）、ＴｉＯ２などを意味する。チタン酸化物が酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。
また、クロム酸化物および／またはチタン酸化物は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素および／または窒素を、第１反射防止層２２を形成する材料に含有させることにより、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第２反射防止層２３の光学特性と整合させることで可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止特性を良好とできる点で好ましい。クロム酸化物に窒素を含有している場合、この酸窒化クロム膜の組成は、Ｃｒ１−Ｙ−ＺＯＹＮＺと表す場合に、０．３≦Ｙ≦０．５５、０．０３≦Ｚ≦０．２であることが好ましい。【００３８】  本発明において第１反射防止層２２の厚さは、３０ｎｍ〜１００ｎｍ、特に３０〜７０ｎｍとすることが好ましい。この範囲からはずれると、反射光の干渉を利用して反射率を低下させることが困難になる。厚さは、該範囲で、膜の屈折率、消衰係数などから、適宜調整されればよい。【００３９】  また、第１反射防止膜２２は、実質的に透明であり、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９〜２．８であることが好ましく、１．９〜２．４であることがより好ましい。この範囲を外れると、第１反射防止層２２からと第２反射防止層２３からとの反射光を干渉させて、反射光を低減することが困難になる。実質的に透明であるとは、消衰係数が１．５以下、より好ましくは０．７以下であることをいい、これにより、十分な光の干渉を生じさせることができるようになる。
また、第１反射防止層２２は複数の膜であってもよい。具体的には、透明基板２０の一方主面から酸化クロム、窒化クロムを順に積層したものが例示される。【００４０】＜第２反射防止層＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法において、第２反射防止層２３はＣｒおよび／またはＴｉを含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第２反射防止層２３の材料はＣｒであることが好ましい。第２反射防止層２３を形成する材料の全体に対して、ＣｒおよびＴｉの合計含有量が９５質量％以上であれば、本発明の反射防止層としての機能を果たす。また、第２反射防止層２３をＣｒおよび／またはＴｉとすることで、後述するような第１薄膜層を保護することができる点で好ましい。
また、Ｃｒおよび／またはＴｉは、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素および／または窒素を、第２反射防止層２３を形成する材料に含有させることにより、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第１反射防止層２２の光学特性と整合させることで可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止特性を良好とできる点で好ましい。【００４１】  本発明の第２反射防止層２３は光透過率を低くして、可視光領域で実質的に不透明とする。実質的に不透明にするためには、通常、可視光透過率で、０．０００１％〜０．１％とされれば良い。具体的には、厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは２０ｎｍ〜１００ｎｍとする。【００４２】  本発明の第１反射防止層２２および第２反射防止層２３を形成するためには、通常のスパッタリング法や蒸着法によって行なえるが、スパッタリング法は、精度良く膜厚を制御できる点で好ましい。スパッタリング法により、第２反射防止層２３のＣｒ層を形成するためには、クロムターゲットを用いアルゴン等の不活性雰囲気下でスパッタリング法を行なえばよい。Ｔｉ層を形成する場合も同様である。ここでアルゴン等にＮ２、ＣＨ４などを混合させてスパッタリング法を行ってもよい。また、第１反射防止層２２のクロム酸化物層を形成するためには、クロムターゲットを用い、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法を行なう方法のほか、酸化クロムターゲットを用いることも可能である。チタン酸化物層を形成する場合も同様である。ここでＮ２、ＣＨ４、ＣＯ２、などを混合させてスパッタリング法を行ってもよい。【００４３】  透明基板２０の一方主面上に形成される第１反射防止層２２および第２反射防止層２３が、上記の厚さとなるようにするには、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。【００４４】  本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の反射防止層形成工程においては、上記の好適実施例に例示した第１反射防止層２２および第２反射防止層２３の２層のみを形成する態様に限定されない。反射防止層として、この２層の他に、さらに単数または複数の層を有してもよい。【００４５】＜反射防止層開口部形成工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、反射防止層開口部形成工程では、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３にフォトマスク２４を介して第１レーザ光２６を照射して、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３に開口部を形成する。
尚、本発明の好適実施例である図１（ｃ）において、第１レーザ光２６を、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３に他方主面側から照射しているが、本発明においては該一方主面側から照射してもよい。【００４６】  本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の反射防止層開口部形成工程で用いる第１レーザ光２６は、エキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等であって、後述するマスク層の剥離に用いる第２レーザ光３４（波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満のレーザ光）よりもエネルギー密度が高いことが好ましい。具体的には、第１レーザ光として、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２、特に１〜１０Ｊ／ｃｍ２、さらには１〜５Ｊ／ｃｍ２のレーザ光を用いることが好ましい。第１レーザ光のエネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２であれば、透明基板がガラスである場合であっても影響は及ばない。なお、エネルギー密度は、レーザパルス数が複数の場合は、照射したパルスの合計のエネルギー密度であり、以下同様である。【００４７】  また、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により製造される画素表示領域のパターン幅は、反射防止層開口部形成工程で用いるフォトマスク２４の形状（幅）により決まる。従って、これは目的のコントラストと輝度とのバランスを考慮して決めることが好ましく、例えば４０μｍ以下である。パターン幅は太すぎるとＰＤＰ表示装置から発する光そのものが遮光されて、十分な輝度を確保できなくなる。尚、このパターン幅は、従来のパターン幅の約半分以下となるが、電極自体の抵抗値が非常に低いため、全体としての抵抗値は従来の電極よりも低くなる。【００４８】＜マスク層形成工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、マスク層形成工程では、透明基板２０の該一方主面上および第２反射防止層２３上にマスク層２８を形成する。【００４９】  マスク層２８は、後述する紫外線３０の照射（露光）により光重合して硬化し、その硬化物が現像液に溶解しない材料、つまりポジ型の材料を用いて形成されることが好ましい。また、後述する第２レーザ光３４の照射によってレーザアブレーションを起こし、透明基板２０から剥離できることが好ましい。【００５０】  このようなマスク層２８に用いられる材料（以下、「マスク層形成材料」ともいう。）としては、有機材料が好ましい。有機材料を用いてマスク層２８を形成することにより、マスク層２８は、エネルギー密度の低い第２レーザ光３４を照射した場合にも十分に剥離ができる。【００５１】  このような有機材料として、例えば、エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、四フッ化エチレン樹脂、およびアクリル樹脂からなる群から選ばれる一種以上の樹脂が挙げられる。
このような有機材料を用いることで、後述する剥離工程において、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満である第２レーザ光３４を１〜５パルス照射するだけで、透明基板２０の該一方主面上に残存させる第１反射防止層２２、第２反射防止層２３、および第１薄膜層３２等にダメージを与えることなく、確実にマスク層２８を透明基板２０から剥離することができる。なお、パターニング精度の点で、第２レーザ光のエネルギー密度は、第１レーザ光のエネルギー密度よりも０．８Ｊ／ｃｍ２以上低いことが好ましい。【００５２】  ところで、マスク層２８を、後述する剥離工程で透明基板２０から確実に剥離させるためには、マスク層２８でレーザアブレーションを生じさせることが好ましいが、マスク層２８で効果的にレーザアブレーションを生じさせるためには、マスク層２８がレーザ光を十分に吸収することが好ましい。【００５３】  マスク層２８にレーザ光を十分に吸収させるためには、マスク層２８に顔料または染料を含有させることや、図３に示すように、マスク層２８と透明基板２０との間に、顔料または染料を含有する有機材料を用いて形成された光吸収薄膜２９を形成することが好ましい。
マスク層２８および光吸収薄膜２９に含有させる顔料としては黒色顔料が好ましく、染料としては黒色染料が好ましい。【００５４】  マスク層２８に顔料または染料を含有させることにより、マスク層２８では、後述する第２レーザ光３４に対する吸収率が増加することから、レーザアブレーションが生じやすくなり、透明基板２０からのマスク層２８剥離が容易となる。
また、エネルギー密度が低い（例えば、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１Ｊ／ｃｍ２未満程度）レーザ光を照射してもレーザアブレーションが生じ、透明基板２０からマスク層２８の剥離ができる。【００５５】  マスク層２８に黒色顔料または黒色染料を含有させる場合、含有量は、１０〜９５質量％であるのが好ましく、２０〜９０質量％であるのがより好ましい。
マスク層２８は、黒色顔料もしくは黒色染料をこのような範囲で含有する材料によって形成されていれば、レーザアブレーションが生じやすくなるために、透明基板２０からの剥離が容易となり、かつ、紫外線がマスク層２８を透過するために、後述するマスク層開口部形成工程において十分に硬化される。【００５６】  また、マスク層２８と透明基板２０との間に光吸収薄膜２９を形成すると、光吸収薄膜２９がレーザ光を効率よく吸収するために、マスク層２８では、光吸収薄膜２９との界面でのレーザ光の吸収が増加してレーザアブレーションが生じやすくなる。したがって、透明基板２０からのマスク層２８の剥離が容易となる。
また、エネルギー密度の低い（例えば、０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ２程度）レーザ光を照射してもレーザアブレーションが生じ、透明基板２０からのマスク層２８の剥離ができる。尚、光吸収薄膜２９自体も、レーザアブレーションによって、透明基板２０から剥離する。【００５７】  光吸収薄膜２９中の黒色顔料または黒色染料の含有量は、３０〜９５質量％であるのが好ましく、５０〜９０質量％であるのがより好ましい。
光吸収薄膜２９が黒色顔料もしくは黒色染料をこのような範囲で含有する材料によって形成されていれば、マスク層２８では、光吸収薄膜２９との界面でのレーザ光の吸収が増加する。したがって、マスク層２８は、光吸収薄膜２９との界面でレーザアブレーションが生じやすくなるために、透明基板２０からの剥離が容易となる。【００５８】  また、光吸収薄膜２９の厚さは、０．５〜３μｍであるのが好ましく、１〜１．５μｍであるのがより好ましい。
光吸収薄膜２９は、このような厚さであれば、光吸収薄膜２９中の黒色顔料または黒色染料の含有量が上記範囲である場合に、紫外線３０が光吸収薄膜２９を透過する。したがって、マスク層２８は、後述するマスク層開口部形成工程において十分に硬化される。【００５９】  マスク層２８および光吸収薄膜２９に含有させる黒色顔料および黒色染料は、マスク層２８の第２レーザ光３４に対する吸収率を上昇させる化合物であれば特に限定されず、その具体例としては、カーボンブラック、チタンブラック、硫化ビスマス、酸化鉄、アゾ系酸性染料（例えば、Ｃ．Ｉ．Ｍｏｒｄａｎｔ  Ｂｌａｃｋ１７）、分散系染料およびカチオン系染料等が好適に挙げられる。これらのうち、カーボンブラックおよびチタンブラックが、全てのレーザ光に対して高い吸収率を有するために、より好ましい。【００６０】  このような黒色顔料や黒色染料を含有する材料をマスク層形成材料として使用することにより、後述する剥離工程において、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満である第２レーザ光３４を１〜５パルス照射するだけで、透明基板２０の該一方主面上に残存させる第１反射防止層２２、第２反射防止層２３、および第１薄膜層３２等にダメージを与えることなく、確実にマスク層２８を透明基板２０から剥離することができる。【００６１】  マスク層２８の厚さは６〜２５μｍ、特に７〜１５μｍ、さらには７〜１２μｍであることが好ましい。【００６２】  このようなマスク層２８は、通常用いられる方法、例えば、コーター等を用いて透明基板２０の該一方主面上に前記マスク層形成材料を塗布する方法によって形成できるが、容易に好ましい厚さとするためには、フィルム状の前記マスク層形成材料をフィルムラミネータ等を用いて透明基板２０の表面に貼り付ける方法が好ましい。【００６３】＜マスク層開口部形成工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、マスク層開口部形成工程では、マスク層２８に透明基板２０の他方主面側から紫外線３０を照射して露光する。ここで、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３は紫外線３０を透過しないので、第２反射防止層２３の上部分のマスク層２８は、露光によって光重合して硬化することはない。したがって、露光の後の現像によって、第２反射防止層２３の上部分のマスク層２８に開口部が形成される（図２（ｇ））。この開口部に薄膜層が最終的に形成される。
従来、マスク層に開口部を設ける場合には、開口部の形状を有するマスクが必要である。しかし、本発明では、上記のとおり、マスクがなくとも、必要とする形状にマスク層を加工することができ、効率がよく好ましい。【００６４】＜第１薄膜層形成工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、第１薄膜層形成工程では、第２反射防止層２３上およびマスク層２８上に第１薄膜層３２を形成する。【００６５】  この第１薄膜層３２を形成する第１薄膜層形成材料の材質は、特に限定されないが、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを製造する場合は、導電性を有する材料を用いる。例えば、銅、銀、アルミニウム、金等を用いることができる。これらの中でも銅が好ましい。理由は、導電性が高く、材料として安価であるためである。【００６６】  このような材質の第１薄膜層形成材料を用いて第１薄膜層３２を形成する方法は、前記反射防止層形成工程で示した方法と同様である。これらの方法により第１薄膜層３２を形成することができる。第１薄膜層３２の厚さは通常１〜４μｍ、特に１〜３μｍであることが好ましい。この厚さを調整する方法も、前記反射防止層形成工程で示した方法と同様である。【００６７】  このような第１薄膜層３２を上記反射防止層と共に積層体とし、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして使用するに当たり、電極および／またはブラックストライプを誘電体により被覆する場合がある。本発明の電極および／またはブラックストライプの誘電体に対する耐性は、ＩＴＯと比較して格段に高く侵食される程度も非常に低いが、以下に例示する２つの方法により、第１薄膜層３２は、より侵食されにくくなり好ましい。【００６８】  第１の方法は、第１薄膜層形成工程の後に、Ｃｒ・Ｔｉ層を形成する保護層形成工程を具備することで、第１薄膜層３２の上面に、さらにＣｒおよび／またはＴｉを含有するＣｒ・Ｔｉ層を用いて形成された保護層３６を形成する方法である。これにより誘電体が第１薄膜層３２に直接接することがなくなるので、第１薄膜層３２は侵食されにくい。
該保護層３６を形成する方法は、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３を形成する方法と同様である。
該保護層３６の厚さは、０．０５〜０．２μｍであることが好ましい。この厚さであれば、第１薄膜層３２が誘電体により侵食されるのを防止、または抑制することができる。この厚さに調整する方法も、前記第１反射防止層２２および第２反射防止層２３を形成する方法と同様である。【００６９】  第２の方法は、第１薄膜層３２にＣｒおよび／またはＴｉを含有させる方法である。Ｃｒおよび／またはＴｉは誘電体に対する耐性が高く、また反射防止層との相性もよいからである。具体的には、第１薄膜層３２を、Ｃｒおよび／またはＴｉと、Ｃｕとの合金からなる層とするものが挙げられる。
Ｃｒおよび／またはＴｉが第１薄膜層３２を構成する材料の全体に対して５〜１５質量％含有していると、第１薄膜層３２は誘電体に対して十分な耐性を有し、かつ導電性が保たれるので好ましい。
該Ｃｒおよび／またはＴｉを含有した第１薄膜層３２を形成するには、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有した前記第１薄膜層形成材料を用いて、前記反射防止層を形成する方法と同様の方法を適用すればよい。【００７０】＜剥離工程＞
本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法の好適実施例において、剥離工程では、マスク層２８に第２レーザ光３４を照射して、マスク層２８を透明基板２０から剥離する。マスク層２８に第２レーザ光３４を照射すると、アブレーションと熱エネルギーとの併用によってマスク層２８が蒸発する。この結果、マスク層２８は透明基板２０から剥離する。
ここで第２レーザ光３４の種類は、前述の反射防止層開口部形成工程と同様にエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等を用いることができる。
また第２レーザ光３４の強度は、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満、好ましくは０．６Ｊ／ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満とする。第２レーザ光３４の強度がこの範囲であれば、透明基板２０の該一方主面上に残存させる第１反射防止層２２、第２反射防止層２３、および第１薄膜層３２等にダメージを与えることなく、確実にマスク層２８を透明基板２０から剥離することができる。
尚、マスク層２８を剥離する場合、第２レーザ光３４を遮蔽するフォトマスクを使用する必要はない。しかしフォトマスクを使用することで、より高いエネルギー密度を有する第２レーザ光３４を用いることができるため、フォトマスクを使用することも可能である。
尚、第１レーザ光２６と第２レーザ光３４との種類は同じであっても違っていてもよい。装置のコスト等を考慮すれば、同じであることが好ましい。
また、図２（ｉ）では、マスク層２８上に、第１薄膜層３２が形成されているが、このような場合は、透明基板２０の他方主面側から第２レーザ光３４を照射したほうが、より確実に、かつ、残渣が少なくマスク層２８を透明基板２０から剥離することができるので好ましい。【００７１】  また、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法において、剥離工程では、粘着剤が付いたフィルムを第１薄膜層３２の上に貼り、その後マスク層２８ごと透明基板２０から剥がしてもよい。【００７２】＜接着力低下工程＞
尚、剥離工程の直前にマスク層２８と透明基板２０との接着性を低下させる、または無くす（以下、これらをまとめて単に「接着性を低下させる」という）ために、光によってこれらの接着性を低下させる工程（以下、「接着力低下工程」という）を設けてもよい。
マスク層２８上の第１薄膜層３２を成膜した後、透明基板２０の他方主面側から光を照射する。ここで光は紫外光が好ましい。これにより、マスク層形成材料が分解・劣化する。その結果、マスク層２８と透明基板２０との接着性が低下する。従って、この場合、マスク層形成材料としては、光の照射により分解・劣化を起こす成分を含む材料を用いればよい。さらに、マスク層形成材料の種類が異なる場合には、それら各マスク層形成材料に対応した波長の光を用いて照射すればよい。これにより、マスク層２８を透明基板２０から剥離しやすくするとともに、剥離した後の残渣を減少させることができる。【００７３】＜第２薄膜層＞
本発明では、上記の第１反射防止層２２、第２反射防止層２３、および第１薄膜層３２の他に、さらに薄膜層を形成することができる。例えば、さらにもう１層の薄膜層（第２薄膜層）を形成する場合、第１反射防止層２２の形成前、第１反射防止層２２の形成と第２反射防止層２３の形成との間、第２反射防止層２３の形成の後であってマスク層２８の形成前、または、上記剥離工程の後に、透明基板２０の該一方主面側に、さらに第２薄膜層を形成することができる。そして、剥離工程の後に第２薄膜層を形成する場合は、該第２薄膜層に第３レーザ光を照射することによって、第２薄膜層の一部を直接除去加工（ダイレクトパターニング）する。このようなダイレクトパターニングを利用することにより、第２薄膜層を容易に形成することができる。また、第２薄膜層は複数の薄膜層であってもよい。【００７４】  また、上記剥離工程の後に第２薄膜層の形成を行った場合には、後述する第３レーザ光の照射による該第２薄膜層のダイレクトパターニングは、透明基板２０の該一方主面上および第１薄膜層３２上に形成された第２薄膜層に対して、特に、該第２薄膜層の透明基板２０の該一方主面上に直接形成された部分に対して行えばよい。
一方、第１反射防止層２２の形成前、第１反射防止層２２の形成と第２反射防止層２３の形成との間、第２反射防止層２３の形成の後であってマスク層２８の形成前に第２薄膜層の形成を行った場合には、前述の第１レーザ光の照射により、第１反射防止層２２および第２反射防止層２３と共に加工することが好ましい。【００７５】  第２薄膜層をダイレクトパターニングするための第３レーザ光は、エキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等であって、上述したマスク層２８を透明基板２０から剥離するために用いる第２レーザ光３４（波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が０．１ｃｍ２以上で１Ｊ／ｃｍ２未満のレーザ光）よりもエネルギー密度が高く、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が１〜４０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光、つまり、第１レーザ光２６と同様なものを用いることが好ましい。
また、第２薄膜層に用いることのできる材料は、前記の第２薄膜層をダイレクトパターニングするためのレーザ光の照射によって直接除去加工が可能な材料であればよく、具体的には、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の酸化物やＣｒ、Ｔｉ等の金属およびこれらの酸化物が好適に例示される。すなわち、第２薄膜層の材料および用いるレーザ光とは組合せに応じて適宜選択すればよい。【００７６】  このような第２薄膜層は第１反射防止層２２、第２反射防止層２３および第１薄膜層３２の形成と同様な方法で形成することができる。第２薄膜層の厚さは通常０．２μｍ程度とするが、この厚さを調整する方法も第１反射防止層２２、第２反射防止層２３および第１薄膜層３２と同様である。【００７７】  また、本発明は、例えば、上記好適実施例における各工程の順番を適宜入れ換えたり、さらに別の薄膜を形成する工程を加えてもよい。【００７８】  このように、本発明では、従来から利用されているフォトリソグラフィ・エッチングプロセスのようにエッチング工程がないため、より少ない製造工程数で、より安価にパターンを形成したり、電子回路、および、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを製造することができる。また、エッチング剤等を使用することがなく、昨今、重大な関心事となってきた廃液処理等の環境負荷の心配も少ない。【００７９】  また、本発明は、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する第２反射防止層と、Ｃｕを含有する第１薄膜層と、を有し、該第１反射防止層と、該第２反射防止層と、該第１薄膜層とを備える積層体をプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして有するプラズマディスプレイ前面基板であり、以上に示したプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により製造することができる。
本発明の電極および／またはブラックストライプを備えるプラズマディスプレイ前面基板において、第１反射防止層と、第２反射防止層と、薄膜層とは、この順に透明基板の一方主面上に積層されているが、各層の間に、他の層が形成されていてもよい。【００８０】  次に、以上のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により製造された、プラズマディスプレイ基板用の電極およびブラックストライプを備えるプラズマディスプレイ前面基板について、図４および図５を用いて説明する。
図４は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法により形成された、プラズマディスプレイ基板用の電極４０およびブラックストライプ４２を備える透明基板２０の一例を示している。また、図５は図４のＡ−Ａ’線断面図を示している。【００８１】  電極４０は、透明基板２０上に順次形成された第１反射防止層２２と、第２反射防止層２３と、第１薄膜層３２とを備え、従来のＰＤＰにおける表示電極およびバス電極の両方を兼ね備えている。電極４０は、透明基板２０がＰＤＰに装着されたときに電流が流れ、対応する位置に封入されているプラズマを放電させる。
また、電極４０は、第１反射防止層２２と第２反射防止層２３とを備えるために、透明基板２０の他方主面側から入射した可視光の反射を防止する。このため、本発明のプラズマディスプレイ前面基板は、外光等の反射の抑制効果が高いものとなる。また、本発明のプラズマディスプレイ前面基板を用いてなるＰＤＰ表示装置上に鮮明な画像を形成することができる。【００８２】  図５に示すように、電極４０およびブラックストライプ４２は、透明基板２０の一方主面側に順次形成された第１反射防止層２２と、第２反射防止層２３と、第１薄膜層３２と、保護層３６とを備える。したがって、ブラックストライプ４２だけではなく、電極４０にも反射防止効果が付与されるため、本発明のプラズマディスプレイ前面基板は、より外光等の反射が抑制され、これを用いてなるＰＤＰ表示装置上に鮮明な画像を形成することができる。
これらの層の全体（積層体）の、透明基板２０の他方主面側からの可視光反射率は５０％以下、特に４０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。この範囲の可視光反射率となるようにすれば、これを用いてなるＰＤＰ表示装置上により鮮明な画像を形成することができる。【００８３】  また、本発明のプラズマディスプレイ前面基板に備えられる電極は、従来のバス電極および表示電極の両方の機能を果たすので、従来のプラズマディスプレイ基板用電極のように、まず、透明電極からなる表示電極を形成し、その後、その表示電極の一部にバス電極を形成する必要はない。従って、より短時間、低コストで、より確実にプラズマディスプレイ前面基板用電極を製造することができる。
従って、本発明のプラズマディスプレイ前面基板用電極を備えるプラズマディスプレイ基板を用いてなるＰＤＰも、同様に、より低コストで製造することができる。【００８４】  尚、本発明のプラズマディスプレイ基板用電極の製造方法により、アドレス電極を備えるプラズマディスプレイ背面基板を製造することもできる。さらに、このプラズマディスプレイ背面基板を用いて、ＰＤＰを製造することもできる。
【実施例】
【００８５】  以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法を図６〜図８に基づき説明する。【００８６】  本実施例においては、マスク層として、カーボンブラックを４０質量％含有するアクリル樹脂からなるマスク層形成材料からなるフィルム（以下、単に「マスクフィルム」という。）を用い、第１反射防止層形成材料（スパッタターゲット）として金属Ｃｒ（純度：９９．９９質量％以上）、第２反射防止層形成材料（スパッタターゲット）として金属Ｃｒ（純度：９９．９９質量％以上）、第１薄膜層形成材料（スパッタターゲット）として金属銅（純度：９９．９９質量％以上）、保護層形成材料（スパッタターゲット）として金属Ｃｒ（純度：９９．９９質量％以上）を用いる。【００８７】  マスク層ならびに第１反射防止層、第２反射防止層、薄膜層、保護層は、図６〜図８に示す工程により形成する。
図６〜図８に示すように、実施例に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの製造方法は、（１）反射防止層形成工程（図６（ａ）・（ｂ））、（２）反射防止層開口部形成工程（図６（ｃ））、（３）マスクフィルムの貼り付け工程（図７（ｄ））、（４）紫外線照射・現像によるマスク層開口部形成工程（図７（ｅ）、（ｆ））、（５）薄膜層および保護層形成工程（図８（ｇ）・（ｈ））、（６）レーザ光照射によるマスク層の剥離工程（図８（ｉ））を具備する。【００８８】  具体的には、まず、ガラス基板７０をスパッタ成膜装置６０に入れ、ガラス基板７０上に、第１反射防止層７２である消衰係数が０．３のＣｒＯ１．３層をスパッタ成膜により形成する（図６（ａ））。この第１反射防止層７２の厚さは約５０ｎｍである。そして、さらに同じスパッタ成膜装置６０を用いて、第１反射防止層７２上に、第２反射防止層７４である可視光透過率が０．０５％のＣｒ層をスパッタ成膜する（図６（ｂ））。この第２反射防止層７４の厚さは約８０ｎｍである。
次に、ガラス基板７０に、第１レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が１．２Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、フォトマスク７６を介して照射する（図６（ｃ））。これにより、第１反射防止層７２および第２反射防止層７４に開口部が形成される。そして、ガラス基板７０の、第１反射防止層７２および第２反射防止層７４を形成した側に、厚さ１０μｍのマスクフィルム７８をフィルムラミネータ８０で均一に貼り付ける（図７（ｄ））。そして、ガラス基板７０の、第１反射防止層７２および第２反射防止層７４を形成していない側から、紫外線硬化装置８４を用いて、マスクフィルム７８に、紫外線を照射する（図７（ｅ））。そして、現像して第２反射防止層７４の表面のマスクフィルム７８を除去した後（図７（ｆ））、再度、ガラス基板７０をスパッタ成膜装置６０に入れ、第２反射防止層７４上に第１薄膜層８２であるＣｕ層を、さらにその上に保護層８６であるＣｒ層をスパッタ成膜により形成する（図８（ｇ）、（ｈ））。この第１薄膜層８２、保護層８６の厚さは、各々、約３μｍ、約０．１μｍであり、パターン幅は３０μｍである。尚、この層の全体の可視光反射率は１０％である。
そして最後に、第２レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が０．２５Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の側からマスクフィルム７８に照射して、マスクフィルム７８をガラス基板７０から剥離する（図８（ｉ））。【００８９】  以上の工程により、実用上優れた図４および図５に示したものと同様なプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを製造することができる。また、この表示電極は、ＩＴＯと同等以下の抵抗を有し、優れたコントラストを有している。また、誘電体による侵食も認められない。【００９０】  本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２００４年１２月２日出願の日本特許出願２００４−３７１８７９に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】  本発明のパターン形成方法によれば、従来から利用されているフォトリソグラフィ・エッチングプロセスやウェット・リフトオフ法等の湿式法と比較して、より少ない製造工程数で、より安価に電子回路等のパターンを製造することができる。さらに、エッチング工程がないため、エッチング工程がある従来の湿式法のように、多量のエッチング剤等を使用することがなく、廃液処理等の環境負荷の心配も少ない。
【図１】
0004289396.tif 000002
【図２】
0004289396.tif 000003
【図３】
0004289396.tif 000004
【図４】
0004289396.tif 000005
【図５】
0004289396.tif 000006
【図６】
0004289396.tif 000007
【図７】
0004289396.tif 000008
【図８】
0004289396.tif 000009
【図９】
0004289396.tif 000010