(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１電極が形成されたウエハの前記第１電極上にめっき膜を形成するめっき装置であって、
有底円筒状に形成され、上端部に表面が下向きになるように前記ウエハが配置されるめっき槽と、
導電性ゴムからなり、リング状に形成され、前記めっき槽の上端部に配置されて前記第１電極に電気的に接続される導電性の第１弾性部材と、
耐薬品性ゴムからなり、リング状に形成され、前記めっき槽の上端部の前記第１弾性部材よりも内側に配設されて、前記第１弾性部材にめっき液が接しないように前記ウエハと前記めっき槽の上端部との間を液密に閉塞する第２弾性部材と、
前記めっき槽の底部に前記第１電極に対向させて配設された第２電極と、
前記めっき槽内の前記第１電極と前記第２電極との間にめっき液を充填するように供給するめっき液配管ラインと、
前記第１弾性部材と前記第２電極とに電気的に接続された電流源と
を具備し、
前記第１弾性部材と前記第２弾性部材とは、一体に形成された
ことを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極との間に充填されためっき液に超音波振動を印加するように配設された超音波振動部材を具備することを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
ウエハを保持して所定の位置に搬送する搬送装置と、
請求項１又は２に記載のめっき装置と、
前記めっき装置でめっき膜が形成されたウエハを洗浄する洗浄装置と、
前記洗浄装置で洗浄されたウエハを乾燥する乾燥装置と
を具備することを特徴とするめっきシステム。
【請求項４】
請求項２に記載のめっき装置で、めっき液に超音波振動を印加しながらめっき処理を行うことを特徴とするめっき処理方法。
【請求項５】
ウエハを保持して所定の位置に搬送する搬送工程と、
請求項１又は２に記載のめっき装置で、前記ウエハの表面にめっき膜を形成させるめっき工程と、
前記めっき工程でめっき膜が形成されたウエハを洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄されたウエハを乾燥する乾燥工程と
を具備することを特徴とするめっき処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法に係り、特にウエハのような被処理体上に金属を堆積させるめっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを基板上に実装して電子機器を構成する場合、一定の面積内により多くの半導体チップを実装する、いわゆる高密度実装への要求が高まっている。この高密度実装への要求に伴って、基板上の配線も高密度化の傾向にあり、種々の方法を用いた配線の微細化が進んでいる。
【０００３】
微細な配線を形成する方法としては、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ）のような成膜方法で基板上に微細な下地電極を形成し、この下地電極に金属を堆積させるめっき処理方法が用いられている。このめっき処理方法は、金属イオンを含んだ水溶液に電極を浸漬し、外部から電気を流して陰極（下地電極）部分で還元反応を、陽極部分で酸化反応を起させ、陰極上での還元反応により下地電極に金属を堆積させる方法である。
【０００４】
図８に、めっき処理に用いられるめっき装置の概略断面図を示す。
【０００５】
図８に示すように、めっき装置５１は、めっき液が充填されるめっき槽５２と、めっき槽５２の周囲に設けられた外壁５３と、めっき液が貯蔵されたタンク５４と、めっき槽５２の中央下部からタンク５４内のめっき液をめっき槽５２内に供給するポンプ５５とを備えている。
【０００６】
めっき槽５２の上端には、その内周面側に突出した突部５６が例えば内周面上を９０度間隔となるように４箇所設けられ、突部５６上に銅リング５７が載置されている。そして、銅リング５７上に被処理体としてのウエハ５８が、めっきされる面が下側になるように設置される。ウエハ５８には、めっきされる面である陰極としての下地電極５９が形成され、下地電極５９と銅リング５７とが電気的に接続されている。また、銅リング５７上に設置されたウエハ５８は、押圧手段を用いた固定治具６０で固定され、めっき槽５２内のめっき液がウエハ５８に接した時に裏側（ウエハ５８の上面）へ回り込まないように構成されている。
【０００７】
めっき槽５２の底部には陽極としてのアノード板６１がウエハ５８と平行となるように配置されている。このアノード板６１及び銅リング５７は電流源６２に電気的に接続されている。
【０００８】
このめっき装置５１では、めっき槽５２内に供給されためっき液がウエハ５８の中央部から端部方向へ均一に流れ、めっき槽５２内がめっき液で満たされると、めっき液はめっき槽５２の上部より端部方向に押し出される。そして、端部方向に押し出されためっき液は配管６３を通ってタンク５４に貯蔵される。このように、めっき装置５１は、その内部でめっき液が循環する循環構造になっている。
【０００９】
そして、めっき槽５２内に供給されためっき液がウエハ５８に接触された数秒後に通電が開始され、この通電により下地電極５９上にめっき膜が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、下地電極５９は微細な凹凸状に形成されており、凹部にはめっき液が十分に回り込まない場合がある。また、下地電極５９、特にその凹部にめっき槽５２内で発生した気泡が付着する場合がある。これらの場合、下地電極５９の電流分布にムラが生じてしまい、この下地電極５９での電流の違いによって、下地電極５９上に形成されるめっき膜の厚さが異なってしまう。従って、下地電極５９上に均一なめっき膜が形成できなくなるという問題があった。
【００１１】
また、銅リング５７は、その上面の全面でウエハ５８と接触しており、この面内の接触抵抗が均一になることは困難である。このため、両者の接触面での接触抵抗の違いによって、下地電極５９の電流分布にムラが生じるおそれがある。この電流分布にムラが生じると、下地電極５９での電流の違いにより下地電極５９上に形成されるめっき膜の厚さが異なってしまう。このため、下地電極５９上に均一なめっき膜が形成されないという問題があった。
【００１２】
一方、銅リング５７に代えて電極ピンを用いた場合、銅リング５７を用いた場合に比べて下地電極５９の電流分布のムラを減少させることは可能であるが、電極ピンに通電できる電流の量が制限されてしまう。これでは、下地電極５９上に形成できるめっき膜の厚さが制限され、めっき装置の汎用性に欠けるという問題があった。
【００１３】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、被処理体上に均一な厚さのめっき膜を形成することができるめっき装置、めっきシステム及びこれを用いためっき処理方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、本発明のめっき装置は、表面に第１電極が形成されたウエハの前記第１電極上にめっき膜を形成するめっき装置であって、有底円筒状に形成され、上端部に表面が下向きになるように前記ウエハが配置されるめっき槽と、導電性ゴムからなり、リング状に形成され、前記めっき槽の上端部に配置されて前記第１電極に電気的に接続される導電性の第１弾性部材と、耐薬品性ゴムからなり、リング状に形成され、前記めっき槽の上端部の前記第１弾性部材よりも内側に配設されて、前記第１弾性部材にめっき液が接しないように前記ウエハと前記めっき槽の上端部との間を液密に閉塞する第２弾性部材と、前記めっき槽の底部に前記第１電極に対向させて配設された第２電極と、前記めっき槽内の前記第１電極と前記第２電極との間にめっき液を充填するように供給するめっき液配管ラインと、前記第１弾性部材と前記第２電極とに電気的に接続された電流源とを具備し、前記第１弾性部材と前記第２弾性部材とは、一体に形成されたことを特徴とする。
【００１７】
本発明のめっき装置によれば、第１弾性部材及び第２弾性部材は弾性部材で構成され、第１電極が導電性の第１弾性部材に電気的に接続されるので、第１弾性部材と第１電極との接触抵抗は均一になる。接触抵抗は均一なので第１電極の電流分布が均一になり、第１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。また、第１電極は第１弾性部材の上面で接触しており、第１弾性部材に通電できる電流の量が大きく制限されることがなくなり、第１電極上に所定厚さのめっき膜が形成される。さらに、第１弾性部材の内側に第２弾性部材が配置されるので、めっき液は第１弾性部材に接しなくなる。このため、第１弾性部材にめっき金属が析出しなくなる。
【００１８】
第１弾性部材と第２弾性部材とは、一体に形成することができる。また、第１弾性部材及び第２弾性部材をリング状に形成すると、第１弾性部材及び第２弾性部材の成形及びめっき装置への配設が容易になる。この弾性部材として、第１弾性部材を導電性ゴム、第２弾性部材を耐薬品性ゴムにすると、本発明に好適である。また、第１弾性部材をスパイラル状に形成すると、第１弾性部材にかかる応力が分散され、第１弾性部材の耐久性が向上する。さらに、第１電極と第２電極との間に充填されためっき液に超音波振動を印加するように超音波振動部材を配設すると、気泡が第１電極に付着しなくなるとともに、第１電極と第２電極との間のめっき液の循環が促進される。このため、第１電極の電流分布が均一になり、第１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
【００１９】
本発明のめっきシステムは、ウエハを保持して所定の位置に搬送する搬送装置と、請求項１又は２に記載のめっき装置と、前記めっき装置でめっき膜が形成されたウエハを洗浄する洗浄装置と、前記洗浄装置で洗浄されたウエハを乾燥する乾燥装置とを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明のめっきシステムによれば、ウエハは搬送装置に保持されてめっき装置に搬送され、ウエハの第１電極上にめっき膜が形成される。めっき膜が形成されたウエハは搬送装置に保持されて洗浄装置に搬送され、ウエハが洗浄される。洗浄されたウエハは搬送装置に保持されて乾燥装置に搬送され、ウエハが乾燥される。
【００２１】
本発明のめっき処理方法は、請求項２に記載のめっき装置で、めっき液に超音波振動を印加しながらめっき処理を行うことを特徴とする。めっき液に超音波振動を印加しながらめっき処理を行えば、気泡が第１電極に付着しなくなるとともに、第１電極と第２電極との間のめっき液の循環が促進される。このため、第１電極の電流分布が均一になり、第１電極上に均一な厚さのめっき膜が形成される。また、本発明のめっき処理方法は、ウエハを保持して所定の位置に搬送する搬送工程と、請求項１又は２に記載のめっき装置で、前記ウエハの表面にめっき膜を形成させるめっき工程と、前記めっき工程でめっき膜が形成されたウエハを洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄されたウエハを乾燥する乾燥工程とを具備することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化する一実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は本実施の形態のめっきシステムを模式図で示したものである。なお、本実施の形態では、一般的に用いられている硫酸銅めっきの場合について説明する。
【００２４】
図１に示すように、めっきシステム１は、被処理体としてのウエハ２を保持して所定の位置に搬送する搬送装置３と、ウエハ２の表面にめっき膜を形成するめっき装置４と、めっき膜が形成されたウエハ２を洗浄する洗浄装置５と、洗浄されたウエハ２を乾燥する乾燥装置としてのスピンドライヤ６とを備えている。また、めっきシステム１には、その搬入口７ａ及び搬出口７ｂからなるカセットステーション７が設けられ、その内部には複数枚、例えば２５枚のウエハ２が収納されたカセット８が収容されている。本実施の形態のめっきシステム１では２組のめっき装置４及び洗浄装置５が設けられ、めっき装置４、洗浄装置５及びスピンドライヤ６は一列に設置されている。また、これら各装置とカセットステーション７との間にはレール９が敷設され、このレール９上に搬送装置３が配置されている。
【００２５】
図２に搬送装置３の概略図を示す。図２に示すように、搬送装置３は、レール９上に配置された搬送装置本体１０と、搬送装置本体１０上に設けられたアーム支持台１１と、アーム支持台１１を回転可能に支持する支持軸１２と、ウエハ２を保持する搬送アーム１３と、搬送アーム１３を回転可能に支持するアーム支持軸１４とを備えている。
【００２６】
搬送装置本体１０は図示しない駆動機構により、レール９上を図２の紙面鉛直方向（図１では左右方向）に移動される。アーム支持台１１は支持軸１２を介して搬送装置本体１０に連結され、支持軸１２を回転させると、支持軸１２を中心として旋回される。搬送アーム１３はアーム支持軸１４を介してアーム支持台１１に連結され、アーム支持軸１４を回転させると、アーム支持軸１４を中心として回転される。即ち、搬送アーム１３上にウエハ２を保持した状態で上下反転が可能に構成されている。また、支持軸１２及びアーム支持軸１４は、その軸方向に突出可能に構成され、支持軸１２を突出させるとアーム支持台１１が上昇し、アーム支持軸１４を突出させると搬送アーム１３が突出する。従って、搬送アーム１３は、上下、左右、前後、上下反転、旋回の各方向への移動が可能であり、これらの動きによりウエハ２を所定の位置に搬送している。なお、搬送アーム１３には図示しない吸着機構が設けられており、この吸着機構でウエハ２を吸着する、いわゆる真空チャック方式によりウエハ２が保持されている。
【００２７】
図３にめっき装置４の概略断面図を示す。図３に示すように、めっき装置４の硫酸銅めっき液（以下、めっき液という）が充填されるめっき槽１５は略円筒状に形成され、その上端の全面に内周面側に突出した突部１６が設けられている。突部１６の上部には、接続部材を構成するとともに第１弾性部材としての第１Ｏリング１７が配置されている。第１Ｏリング１７はリング状の導電性材料で形成されている。本実施の形態では体積固有抵抗値１×１０2 Ωｃｍの高導電性ゴムが用いられている。この第１Ｏリング１７は、その上部にウエハ２の表面に形成された第１電極としての下地電極１８がめっき槽１５側となるように配置された状態で、下地電極１８と当接する位置に配置されている。このため、第１Ｏリング１７と下地電極１８とは電気的に接続されている。なお、下地電極１８は、例えばＣＶＤにより、予め微細な形状に形成されている。また、めっき槽１５の上部にウエハ２が配置された状態で、ウエハ２は固定治具１９で固定されている。
【００２８】
突部１６の上部であって、第１Ｏリング１７の内周面側には、接続部材を構成するとともに第２弾性部材としての第２Ｏリング２０が配置されている。第２Ｏリング２０はリング状の高耐薬品性材料で形成されている。本実施の形態では耐酸用のフッ素ゴムが用いられている。そして、第２Ｏリング２０は、ウエハ２が配置された状態で、めっき槽１５内のめっき液が第２Ｏリング２０の外側に流出しないように、めっき槽１５を密閉可能な形状に形成されている。このため、めっき槽１５内のめっき液は、第１Ｏリング１７とは接しなくなる。
【００２９】
めっき槽１５の下方には、めっき液が貯蔵されたタンク２１と、タンク２１内のめっき液をめっき槽１５内に供給するポンプ２２とが配設されている。本実施の形態では、ポンプ２２に耐蝕性に優れたマグネットポンプが用いられ、その回転数を変化できるように、インバータを用いた制御が行われている。そして、タンク２１及びポンプ２２はめっき槽１５の底面を貫通する配管ライン２３によって連結されている。このため、ポンプ２２の駆動によってタンク２１内のめっき液が配管ライン２３を介してめっき槽１５内に供給され、めっき槽１５内がめっき液で満たされると配管ライン２３を介してめっき槽１５からタンク２１に排出される。このように、めっき装置４は、めっき液が配管ライン２３を介してめっき槽１５、タンク２１、ポンプ２２、そしてめっき槽１５に循環する構造になっている。
【００３０】
めっき槽１５の底面には第２電極としてのアノード板２４が配設されている。このアノード板２４は、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の上部にウエハ２が配置された状態で、下地電極１８と対向する位置に配設されている。アノード板２４はポンプ２２によって供給されるめっき液を妨げないような形状、本実施の形態ではドーナツ状に形成されている。また、アノード板２４の材質は、めっきの種類によって異なるが、本実施の形態では硫酸銅めっき液が用いられているので、リン含有量０．０３〜０．０８重量％の銅板が用いられている。そして、アノード板２４及び第１Ｏリング１７は電流源２５に電気的に接続されている。
【００３１】
また、めっき槽１５の内壁には超音波振動部材としての超音波振動子２６が配設されている。本実施の形態では、２つの超音波振動子２６が配設されている。
【００３２】
図４に洗浄装置５の概略断面図を示す。図４に示すように、洗浄装置５は、洗浄液、本実施の形態では純水が充填される洗浄槽２７と、洗浄槽２７の周囲に設けられた外壁２８と、洗浄槽２７の下部から洗浄槽２７内に純水を供給する供給管２９とを備えている。
【００３３】
洗浄槽２７の上端には、その内周面側に突出した突部３０が設けられている。本実施の形態では、内周面上を９０度間隔となるように４箇所に設けられている。そして、突部３０上にめっきされた面（下地電極１８側）が下面になるようにウエハ２が載置される。
【００３４】
この洗浄装置５では、洗浄槽２７内が供給された純水で満たされると、純水は洗浄槽２７の上部より端部方向に押し出される。そして、端部方向に押し出された純水が洗浄槽２７と外壁２８との間の排出管３１を通って排出される。
【００３５】
図５にスピンドライヤ６の模式図を示す。図５に示すように、スピンドライヤ６は、ウエハ２を支持するウエハ支持部３２と、ウエハ支持部３２を回転させる回転軸３３と、ウエハ支持部３２にウエハ２が支持された状態でウエハ２に気体の吹き付けが可能なエアノズル３４とを備えている。
【００３６】
ウエハ支持部３２にはウエハ２の形状に対応した凹部３５が設けられ、凹部３５に下地電極１８側が上面になるようにウエハ２が収容される。回転軸３３にはモータ３６が接続され、モータ３６の駆動により回転軸３３が回転して、この回転軸３３を中心としてウエハ支持部３２が回転される。このエアノズル３４は、ウエハ２の中央部付近に気体が吹き付けられるように配置されている。
【００３７】
エアノズル３４は気体配管ライン３７に接続され、電磁バルブ３８によって気体の供給が行われている。また、電磁バルブ３８とモータ３６とはコントローラ３９に接続され、コントローラ３９によってウエハ２の回転、及びウエハ２への気体の吹き付けが制御されている。このように、スピンドライヤ６では、めっき膜が形成された面を上方に向けた状態でウエハ２が乾燥されている。
【００３８】
次に、以上のように構成されためっきシステム１を用いためっき処理方法について説明する。図６にめっき処理方法をフローチャートに示す。
【００３９】
まず、搬送装置３をカセットステーション７の搬入口７ａに収容されたカセット８の前まで移動させ、搬送アーム１３の吸着機構でカセット８内に収納されている下地電極１８が形成されたウエハ２を吸着して、保持する。そして、ウエハ２を保持した状態で搬送装置３をめっき装置４の前まで移動させ、ウエハ２の下地電極１８がめっき槽１５側となるように、めっき槽１５上部の第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウエハ２を配置する（ＳＴＥＰ１）。
【００４０】
次に、ウエハ２を固定治具１９で固定し、ポンプ２２を駆動させてタンク２１内のめっき液をめっき槽１５内に供給する。本実施の形態では、めっき液として水中に硫酸銅２００ｇ／１リットル、硫酸５０ｇ／１リットルを加えた硫酸銅めっき液が用いられ、このめっき液の温度は３０度に調整されている。そして、めっき槽１５内にめっき液が充填されて、ウエハ２に接触された数秒後に、めっき装置に電流が通電されるとともに、超音波振動子２６によりめっき槽内に超音波振動が連続的に印加される。本実施の形態では、下地電極１８の電流密度は１０Ａ／ｃｍ2 、アノード板２４の電流密度は５Ａ／ｃｍ2 であり、電圧は４Ｖである。また、超音波振動子２６の周波数は５０ｋＨｚである。この通電により、めっき液では化学反応が起こり、めっき液中の銅イオンが銅となって下地電極１８上に吸着され、銅のめっき膜が形成される（ＳＴＥＰ２）。
【００４１】
ここで、この通電によるめっき液の化学反応によって、めっき液内に水素の気泡が発生するが、この気泡は超音波振動子２６からの超音波振動により、下地電極１８に付着しなくなる。また、この超音波振動により、めっき槽１５内のめっき液の循環が促進され、めっき液が下地電極１８の全面に供給されやすくなる。さらに、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０にゴムが用いられており、ウエハ２が固定治具１９で固定された状態で、第１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗は均一になる。このため、電流源２５から通電された際の下地電極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜が形成される。
【００４２】
また、下地電極１８は第１Ｏリング１７の上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電できる電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができる。
【００４３】
さらに、ウエハ２を固定治具１９で固定すると、めっき槽１５内はウエハ２及び第２Ｏリング２０で密閉され、めっき槽１５内にめっき液が充填された状態で、めっき液が第２Ｏリング２０の外側に配設された第１Ｏリング１７に接しなくなる。このため、第１Ｏリング１７に銅が析出することがなくなる。
【００４４】
ウエハ２の下地電極１８上にめっき膜が形成されると、搬送アーム１３の吸着機構によりウエハ２を保持した状態で搬送装置３を洗浄装置５の前まで移動させ、ウエハ２の下地電極１８が洗浄槽２７側となるように、洗浄槽２７の突部３０上にウエハ２を配置する。そして、洗浄槽２７内に純水が供給され、突部３０上に配置されたウエハ２に付着しためっき液が洗浄される（ＳＴＥＰ３）。
【００４５】
ウエハ２が洗浄されると、搬送アーム１３の吸着機構によりウエハ２を保持した状態でアーム支持軸１４が回転され、ウエハ２が上下反転される。これにより、ウエハ２の下地電極１８側がウエハ２の上面になる（ＳＴＥＰ４）。
【００４６】
下地電極１８側がウエハ２の上面になると、搬送装置３をスピンドライヤ６の前まで移動させ、ウエハ２をウエハ支持部３２の凹部３５内に収容する。そして、コントローラ３９により、モータ３６が駆動されてウエハ２が回転するとともに、電磁バルブ３８が開放され、気体配管ライン３７を介してエアノズル３４からウエハ２の中央部付近に気体が吹き付けられる。このウエハ２が回転されると、その遠心力によりウエハ２に付着した純水が飛散する。また、遠心力のみでは飛散されにくいウエハ２の中央部付近ではエアノズル３４から気体が吹き付けられ、ウエハ２の中央部付近に付着した純水はウエハ２の端部又は外方に飛散する。これにより、ウエハ２に付着した純水が除去され、ウエハ２が乾燥される（ＳＴＥＰ５）。
【００４７】
最後に、搬送アーム１３の吸着機構によりウエハ２を保持した状態で搬送装置３をカセットステーション７の搬出口７ｂに収容されたカセット８の前まで移動させ、ウエハ２をカセット８内に収納する（ＳＴＥＰ６）。
【００４８】
本実施の形態の効果を確認するため、ウエハ２の下地電極１８上に形成されためっき膜の膜厚を、ウエハ２の中心を通る直線上の等間隔な９点の位置で測定した。その結果を図７に示す。また、参考のため、従来のめっき装置５１で形成されためっき膜の膜厚についても同様に測定し、その結果を図７に破線で示す。図７に示すように、本実施の形態で形成されためっき膜の膜厚は約２．１μｍとほぼ均一であり、従来のめっき膜の膜厚１．５μｍ〜２．２μｍの場合に比べ大きく改善されていることが分かる。このように、本発明によりウエハ２の下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜を形成できることが確認できた。
【００４９】
本実施の形態によれば、通電によるめっき液での化学反応によって発生した水素の気泡は、超音波振動子２６からの超音波振動により、下地電極１８に付着しなくなる。また、この超音波振動により、めっき槽１５内のめっき液の循環が促進され、めっき液が下地電極１８の全面に供給されやすくなる。このため、下地電極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜が形成できる。
【００５０】
本実施の形態によれば、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０にゴムが用いられているので、第１Ｏリング１７と下地電極１８との接触抵抗は均一になる。このため、下地電極１８の電流分布は均一になり、下地電極１８上に均一な厚さのめっき膜が形成できる。
【００５１】
また、下地電極１８は第１Ｏリング１７の上面で接触しており、従来の電極ピンのように通電できる電流の量に大きな制限を受けることはなく、下地電極１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができる。
【００５２】
さらに、第２Ｏリング２０はめっき槽１５内のめっき液が第２Ｏリング２０の外側に流出しないように、めっき槽１５を密閉可能な形状に形成されているので、めっき液が第１Ｏリング１７に接しなくなる。このため、第１Ｏリング１７に銅が析出することがなくなる。
【００５３】
本実施の形態によれば、めっき装置４は、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウエハ２を配置した状態で、めっき槽１５が密閉された構造に形成されているので、めっき槽１５のめっき液がウエハ２の上面に付着することがなくなる。
【００５４】
本実施の形態によれば、ウエハ２がめっき膜が形成された面を上方に向けた状態でウエハ支持部３２の凹部に収容されているので、ウエハ２の支持が容易になり、スピンドライヤ６の構造を簡単にすることができる。
【００５５】
本実施の形態によれば、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０はリング状に形成されているので、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の成形及びめっき装置４への配設が容易になる。また、第１Ｏリング１７に高導電性ゴムが用いられ、第２Ｏリング２０にフッ素ゴムが用いられているので、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０の耐久性が向上する。また、本実施の形態では、第１Ｏリング１７と第２Ｏリング２０とが一体に形成されている。これによって、めっき装置４への配設が容易になる。
【００５６】
なお、実施の形態は上記に限らず、例えば以下の場合であってもよい。
【００５７】
本実施の形態では、接続部材を第１Ｏリング１７と第２Ｏリング２０とで構成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばめっき槽１５の突部１６に導電性材料が嵌合されたものであってもよい。
【００５８】
第１弾性部材は下地電極１８に電気的に接続されていればよく、その形状はリング状に限らず、例えば円弧状であってもよい。また、第１Ｏリング１７の形状をスパイラル状に形成し、その側面を下地電極１８に接続してもよい。この場合、第１Ｏリング１７にかかる応力が分散され、第１Ｏリング１７の耐久性が向上する。
【００５９】
同様に第２弾性部材は、めっき槽１５内のめっき液が第１弾性部材に接しないものであればよく、その形状はリング状に限らない。
【００６０】
めっき槽１５内にめっき液の濃度を測定する濃度センサを設け、測定された濃度に基づいてタンク２１内のめっき液の濃度を調整する濃度制御部材を設けてもよい。この場合、めっき槽１５内にめっき液の濃度を一定の濃度に制御することができ、めっき装置４を連続的に用いても、下地電極１８上に所定の厚さのめっき膜を形成することができる。
【００６１】
めっきシステム１に洗浄装置５を設けずに、めっき装置４で洗浄工程を行ってもよい。この場合、下地電極１８上にめっき膜を形成した後、めっき槽１５に例えば窒素ガスを供給してめっき液を除去し、新たにめっき槽１５内に純水が供給される。
【００６２】
めっき装置４は、第１Ｏリング１７及び第２Ｏリング２０上にウエハ２を配置した状態で、めっき槽１５が密閉された構造に限らず、従来のめっき装置のように、めっき槽１５の周囲に外壁を設けて、ウエハ２の端部方向に押し出されためっき液が、めっき槽１５と外壁との間を通ってタンク２１に貯蔵される循環構造にしてもよい。この場合にも本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
本実施の形態では、硫酸銅めっきの場合について説明したが、本発明は硫酸銅めっきに限られるものではなく、例えば有機酸ハンダめっきであってもよい。この場合、アノード板２４にめっき液中の錫成分と鉛成分の比率に合わせた高純度ハンダ板が用いられる。また、銅めっきの他、例えば銀めっきであってもよい。また、本実施の形態では、下地電極１８上に約２．１μｍの厚さのめっき膜を形成する場合について説明したものであり、めっき液の組成、通電条件、めっき液の温度のような各種の条件は、形成するめっき膜によって異なる。例えば、めっき液に微量の塩素を加えることにより、めっき膜の物性、外観を向上させることができる。また、添加剤として、微量の硫黄系有機化合物を加えることにより、めっき膜の光沢性が向上させることができる。
【００６４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、被処理体に均一な厚さめっき膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態のめっきシステムの模式図。
【図２】実施の形態の搬送装置の概略図。
【図３】実施の形態のめっき装置の概略断面図。
【図４】実施の形態の洗浄装置の概略断面図。
【図５】実施の形態のスピンドライヤの模式図。
【図６】めっき処理方法を示すフローチャート。
【図７】形成されためっき膜の膜厚を示すグラフ。
【図８】従来のめっき装置の概略断面図。
【符号の説明】
１……めっきシステム、２……被処理体としてのウエハ、３……搬送装置、４……めっき装置、５……洗浄装置、６……乾燥装置としてのスピンドライヤ、１５……めっき槽、１７……接続部材を構成するとともに第１弾性部材としての第１Ｏリング、１８……第１電極としての下地電極、２０……接続部材を構成するとともに第２弾性部材としての第２Ｏリング、２４……第２電極としてのアノード板、２６……超音波振動部材としての超音波振動子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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