(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下記一般式（Ｉ）で示されるアゾ金属キレート化合物を含む、光による情報の記録再生が可能な記録層を備える、ことを特徴とする情報記録媒体。
【化１】
一般式（Ｉ）
0004251596.tif 000010
［一般式（Ｉ）中、Ａ環はそれが結合している炭素原子及び窒素原子とともにイミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾールからなる群より選択された複素環を形成する残基を表し、Ｍは金属又は金属酸化物を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、エチル基、プロピル基、ブチル基、置換若しくは未置換のフェニル基を表し、Ｒ３〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキルアミノ基、置換若しくは未置換のアリールアミノ基を表し、ｎは２又は３を表し、そして、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５若しくはＲ５とＲ６は連結して環を形成していてもよい］
【請求項２】
前記金属は、二価又は三価の金属から構成される、ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記金属は、マンガン、コバルト、ニッケル、銅からなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層は、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であるとともに、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２０である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記アゾ金属キレート化合物は、熱重量分析において、主減量過程における温度に対する減量の傾きが２％／℃以上である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記アゾ金属キレート化合物は、熱重量分析において、主減量過程での総減量が３０％以上であり、かつ、減量開始温度が２００℃以上３５０℃以下である、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記基板は、前記記録層を備える面に、トラックピッチが０．７μｍ〜０．８μｍの範囲にあり、かつ、溝幅が半値幅で０．２０μｍ〜０．３６μｍの範囲にある案内溝を有する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的な情報の記録再生が可能な情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザを用いた情報記録の可能な光学的記録媒体は、高密度での情報の記録、保存及び再生が可能であるため、近年、特にその開発が盛んである。光学的記録媒体の一例としては、光ディスクを挙げることができる。一般に光ディスクは、円形の基板上に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に集束したレーザ光を照射し、高密度の情報記録を行うものである。
【０００３】
光学的記録媒体における情報の記録は、記録媒体の備える記録層が、照射されたレーザ光のエネルギを吸収することによって、照射個所の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われる。また、記録された情報の再生は、レーザ光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。従って、記録層はレーザ光のエネルギを効率よく吸収する必要があり、レーザ光を吸収する色素化合物を含んで構成されている。
【０００４】
近年、高密度記録のため、レーザ光の発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍよりも短波長のレーザ光で記録再生可能な光学的情報記録媒体が求められている。このような高密度での情報記録再生の可能な情報記録媒体として、追記型ＤＶＤ（ＤＶＤ−Ｒ：Degital Versatile(Video) Disc-Recordable）が開発されている。
【０００５】
ＤＶＤ−Ｒの記録再生には、波長の短い可視レーザ光（通常、６００ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲の波長）が用いられる。ＤＶＤドライブの場合、光源として６３５ｎｍ帯と６５０ｎｍ帯のレーザダイオードの２つの波長で規格化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況下で最も好ましい情報記録媒体は、波長６３０ｎｍ〜６９０ｎｍで記録及び再生が可能な媒体である。しかしながら、従来の上記波長領域で記録再生の可能な色素化合物を含む情報記録媒体は、一般に、高い耐候性及び高い保存安定性を有するものではなかった。
【０００７】
上記事情を鑑みて、本発明は、高密度での情報の記録再生の可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
また、本発明は、耐候性及び保存安定性の高い情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る情報記録媒体は、
基板上に、下記一般式（Ｉ）で示されるアゾ金属キレート化合物を含む、光による情報の記録再生が可能な記録層を備える、ことを特徴とする。
【化２】
一般式（Ｉ）
0004251596.tif 000002
［一般式（Ｉ）中、Ａ環はそれが結合している炭素原子及び窒素原子とともにイミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾールからなる群より選択された複素環を形成する残基を表し、Ｍは金属又は金属酸化物を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、エチル基、プロピル基、ブチル基、置換若しくは未置換のフェニル基を表し、Ｒ３〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキルアミノ基、置換若しくは未置換のアリールアミノ基を表し、ｎは２又は３を表し、そして、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５若しくはＲ５とＲ６は連結して環を形成していてもよい］
【０００９】
上記構成によれば、６３０ｎｍ〜６９０ｎｍでの短波長レーザ光を用いた情報記録に好適な、高密度での情報の記録再生の可能な情報記録媒体を得ることができる。
【００１０】
上記構成において、前記金属は、二価又は三価の金属から構成されることが好ましい。また、前記金属は、マンガン、コバルト、ニッケル、銅からなる群から選択されることが好ましい。
【００１１】
上記構成において、前記記録層は、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であるとともに、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２０であることが好ましい。
【００１２】
上記構成において、前記アゾ金属キレート化合物は、熱重量分析において、主減量過程における温度に対する減量の傾きが２％／℃以上であることが好ましい。
【００１３】
上記構成において、前記アゾ金属キレート化合物は、熱重量分析において、主減量過程での総減量が３０％以上であり、かつ、減量開始温度が２００℃以上３５０℃以下であることが好ましい。
【００１４】
上記構成において、例えば、前記基板は、前記記録層を備える面に、トラックピッチが０．７μｍ〜０．８μｍの範囲にあり、かつ、溝幅が半値幅で０．２０μｍ〜０．３６μｍの範囲にある案内溝を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態にかかる情報記録媒体について説明する。
本実施の形態の情報記録媒体は、その記録層に記録用のレーザ光を部分的に照射して加熱し、加熱によって記録層を減量させて膜厚を減少させる。記録層の膜厚減少部分が記録部分となる。すなわち、再生用のレーザ光を照射して、膜厚変化部分における光学的変化を記録情報として読みとる。
【００１６】
図１に本実施の形態にかかる情報記録媒体１１の構成を示す。図１に示すように、情報記録媒体１１は、第１の基板１２と、下引き層１３と、記録層１４と、反射層１５と、保護層１６と、接着層１７と、第２の基板１８と、ハードコート層１９と、から構成され、全体としてＤＶＤ−Ｒ（Degital Versatile(Video) Disc-Recordable）を構成する。
【００１７】
第１の基板１２は、透明な材料から構成される。第１の基板１２は、従来のＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ等の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができ、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等の有機高分子材料や、ガラス、セラミックあるいは金属等の無機材料から構成される。この中で、溝、プレピット等の形成のし易さ、また、経済性の観点から、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、特に、ポリカーボネート樹脂が好ましく、所望によりそれらを併用してもよい。
【００１８】
なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。これらの材料は、レーザ光が透過し得る材料が選ばれるが、透過率は、好ましくは、７０〜１００％である。第１の基板１２は、例えば、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍあるいは厚さ０．６ｍｍ、直径が８０ｍｍで用いられる。
【００１９】
第１の基板１２は、その表面にトラッキング用の案内溝、案内ピット、さらにアドレス信号等のプレフォーマットが形成されている。プレフォーマットは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直接第１の基板１２上に形成されることが好ましい。案内溝は、反射率の低下を低減するためにも、例えば、０．１μｍ〜０．２５μｍの深さを有することが好ましい。トラックピッチは、０．７μｍ〜１．０μｍが好ましく、高容量化の用途には、特に、０．７μｍ〜０．８μｍが好ましい。溝幅は、半値幅で０．１８μｍ〜０．３６μｍで設けられることが好ましい。０．１８μｍ未満では、十分なトラッキングエラー信号強度を得ることが困難となる恐れがあり、また、０．３６μｍを越える場合には、記録したときに記録部が横に広がりやすくなるので好ましくない。
【００２０】
また、プレフォーマットの形成を、プレフォーマット層を設けることにより行ってもよい。プレフォーマット層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのうちの少なくとも一種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。プレフォーマット層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパ）上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に第１の基板１２を載せたのち、第１の基板１２または母型を介して紫外線を照射することにより、塗布層を硬化させて第１の基板１２と塗布層とを固着させる。次いで、第１の基板１２を母型から剥離することにより得ることができる。プレフォーマット層の層厚は一般に０．０５μｍ〜１００μｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲である。
【００２１】
下引き層１３は、基板１２のプレフォーマット等の形成された面（又はプレフォーマット層）の上に形成されている。下引き層１３は、平面性の改善、接着力の向上および記録層の変質の防止の目的で下引き層１３が設けられている。下引き層１３の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸／メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン／ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／塩化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質、及び、シランカップリング剤などの表面改質剤を挙げることができる。下引き層１３は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。下引き層１３の膜厚は、０．０１〜３０μｍ、特に、０．０５〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２２】
記録層１４は、下引き層１３の上に設けられている。記録層１４は、記録用のレーザ光の照射により加熱されて減量し、従って、レーザ光照射部分の記録層１４の膜厚は減少する。この記録層１４の膜厚減少部分が情報記録部分となる。すなわち、記録層１４に再生用のレーザ光を照射し、この膜厚変化部分における光学的変化を記録情報として読みとることができる。
【００２３】
記録層１４は、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物を含んで構成されている。
【化３】
（一般式（Ｉ））
0004251596.tif 000003
［一般式（Ｉ）中、Ａ環はそれが結合している炭素原子及び窒素原子とともにピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、インダゾール、プリン、ペリミジンからなる群より選択された複素環を形成する残基を表し、Ｍは金属又は金属酸化物を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を表し、Ｒ３〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、カルバモイル基、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは未置換の複素環残基、置換若しくは未置換のアルキルオキシ基、置換若しくは未置換のアリールオキシ基、置換若しくは未置換のアルキルチオキシ基、置換若しくは未置換のアリールチオキシ基、置換若しくは未置換のアルキルアミノ基、置換若しくは未置換のアリールアミノ基、置換若しくは未置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは未置換のアリールオキシカルボニル基、置換若しくは未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換若しくは未置換のアリールカルボニルアミノ基、置換若しくは未置換のアルキルカルバモイル基、置換若しくは未置換のアリールカルバモイル基又は置換若しくは未置換のアルケニル基を表し、ｎは２又は３を表し、そして、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５若しくはＲ５とＲ６は連結して環を形成していてもよい］
【００２４】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、ハロゲン原子の具体例は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００２５】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基（アダマンタン基）等のシクロアルキル基等が挙げられる。
【００２６】
更に、これら一級及び二級アルキル基は、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複素環残基等を以て置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を介して置換されているアルキル基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、モルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているアルキル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等が、窒素を介して置換されているアルキル基としては、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基等が挙げられる。
【００２７】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリール基の具体例は、フェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
【００２８】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、複素環を形成する残基の具体例は、インドリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリル基等が挙げられる。
【００２９】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルカルボニル基の具体例は、カルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３０】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールカルボニル基の具体例は、カルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３１】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルオキシカルボニル基の具体例は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３２】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールオキシカルボニル基の具体例は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３３】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルスルホニル基の具体例は、スルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３４】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールスルホニル基の具体例は、スルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３５】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、シリル基の具体例は、硅素原子に水素原子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基の３種の置換基より任意の組合せで３つ選ばれたものが結合されているものであればよく、アルキル基及びアリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３６】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルチオキシ基の具体例は、硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３７】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールチオキシ基の具体例は、硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３８】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルオキシ基の具体例は、酸素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３９】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールオキシ基の具体例は、酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４０】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルアミノ基の具体例は、窒素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４１】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールアミノ基の具体例は、窒素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４２】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルカルボニルアミノ基の具体例は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４３】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールカルボニルアミノ基の具体例は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４４】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アルキルカルバモイル基の具体例は、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４５】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、アリールカルバモイル基の具体例は、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。
【００４６】
一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物において、金属又は金属酸化物を構成する金属としては、２価又は３価の金属を用いることができる。２価又は３価の金属の具体例は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジリコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム等が挙げられ、金属酸化物の具体例は酸化バナジウム等が挙げることができる。特に、マンガン、コバルト、ニッケル、銅は、そのアゾ金属キレート化合物が光記録材料として光学特性が優れており好ましい。
【００４７】
記録層１４に含まれる、上記一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物は、活性水素を有する複素環残基と活性水素を有しないカプラとから構成されたアゾ色素が、金属と下記一般式（ＩＩ）に示すように反応することにより生成される。
【化４】
一般式（ＩＩ）
0004251596.tif 000004
【００４８】
上記一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物と金属との好適な組み合わせの例を表１〜表３（Ｎｏ．１〜２０）に示す。
【表１】
0004251596.tif 000005
【表２】
0004251596.tif 000006
【表３】
0004251596.tif 000007
（式中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、Ｐｒはプロピル基を示し、Ｂｕはブチル基を示す。）
【００４９】
記録層１４中には上記一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物（色素化合物）が含有されていることが必要であるが、上記アゾ金属キレート化合物を１種、又は２種以上の組合せで用いてもよい。さらに、上記アゾ金属キレート化合物は、光学特性、記録感度、信号特性等の向上の目的で他の染料（有機色素）及び金属、金属化合物と混合又は積層化しても良い。有機色素の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントレキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよいし、２種以上の組合せにしてもよい。
【００５０】
また、前記染料中に金属及び金属化合物、例えば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合或いは積層の形態で用いることもできる。さらに、前記染料中に高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の材料若しくはシランカップリング剤等を分散混合して用いてもよく、或いは、特性改良の目的で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒に用いることができる。
【００５１】
記録層１４の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ又は溶液塗布等の通常の手段によって行うことができる。塗布法を用いる場合には前記アゾ金属キレート化合物、染料等を有機溶媒等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッピング及び、スピンコーティング等の慣用のコーティング法によって行われる。
【００５２】
有機溶剤としては、一般に、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、或いはベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メトキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
【００５３】
記録層の膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは、２０ｎｍ〜２００ｎｍが適当である。
【００５４】
以下、上記アゾ金属キレート化合物を含む記録層１４の有する光学特性及び熱的特性について説明する。
【００５５】
記録層１４の光学特性に関して、記録層１４は、記録再生波長である６３０ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲内の短波長側に大きな吸収帯を有し、かつ、記録再生波長が該吸収帯の長波長端の近傍にあることが望ましい。これは、記録層１４が、記録再生波長である６３０ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲内で大きな屈折率と消衰係数を有することを意味する。
【００５６】
具体的には、記録層１４は、記録再生波長近傍（±５ｎｍ）の波長域光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５以上３．０以下であり、消衰係数ｋが０．０２以上０．２０以下の範囲にあることが好ましい。屈折率ｎが１．５未満の場合には、十分な光学的変化が得られにくく、記録変調度が低くなるため好ましくない。また、屈折率ｎが３．０を越える場合には、波長依存性が高くなり過ぎるため、記録再生波長領域であってもエラーとなってしまうため好ましくない。一方、消衰係数ｋが０．０２未満の場合には、記録感度が悪くなるため好ましくない。また、消衰係数ｋが０．２０を越える場合には、５０％以上の反射率を得ることが困難となるので好ましくない。
【００５７】
次に、記録層１４の熱的特性に関してであるが、一般に、光ディスクに用いられる記録層は、所定温度における熱反応性が高いことが望ましい。説明すると、記録層への情報の記録は、記録層を構成する有機材料をレーザ光によって加熱することにより行われる。詳細には、加熱により、有機材料の重量減少が起こり、膜厚が減少する。膜厚の変化は光学特性の変化をもたらし、これにより記録層に記録部が形成され、情報が記録されたこととなる。以上のことから、記録層を構成する有機材料は、レーザ光の照射（加熱）の際に、所定温度にてできるだけ急激に反応又は変性して、その重量を減少させることが望ましい。
【００５８】
このような熱的特性を測る手法として、熱重量分析が好適に用いられる。熱重量分析とは、記録層を構成する材料を加熱し、このときの温度に対する重量の変化を調べるものである。具体的には、有機材料の熱的特性は、その重量が最も急激に変化する過程（主減量過程）における温度に対する重量減少率を調べることによって行われる。
【００５９】
熱重量分析において、上記理由から主減量過程における重量減少率が大きいことが望ましい。主減量過程における重量減少率が小さい場合、すなわち、温度上昇に対する膜厚の減少が緩やかな場合、記録層への記録時（レーザ光照射時）には、広い温度範囲にわたって記録部が形成されてしまうこととなる。このため、高密度の記録部を形成させる場合は極めて不利となる。
【００６０】
図２に、記録層１４に含まれる上記アゾ金属キレート化合物の熱重量分析を行った結果の一例を示す。熱重量分析は、測定対象（上記アゾ金属キレート化合物）を窒素雰囲気下で、１０℃／ｍｉｎで昇温することにより行った。図２中、横軸は温度（℃）を示す。一方、縦軸は測定対象の初期重量に対する加熱後の残存重量割合（％）、すなわち、（残存重量）／（初期重量）×１００として算出される値を示す。
【００６１】
図２に示すように、温度上昇に従って、質量は少しづつ減少し、線形の第１の重量減少を示す。その後、所定温度（３３０℃付近）に達すると急激な重量減少が起こり、線形の第２の重量減少が起きる。さらに温度が上がり所定温度（３７５℃付近）に達すると、傾きの異なる線形の第３の重量減少が起きる。図２に示す重量変化の主減量過程は、第２の重量減少の過程を指す。
【００６２】
ここで、図２に示すように、第１の重量減少が線分ａ−ｂを接線とし、第２の重量減少が線分ｃ−ｄを接線とし、第３の重量減少が線分ｅ−ｆを接線とした線形変化に従うとする。また、線分ａ−ｂと線分ｃ−ｄとの交点をＰ１とし、交点Ｐ１における温度をＴ１（℃）、残存重量割合をｍ１（％）とする。一方、線分ｃ−ｄと線分ｅ−ｆとの交点をＰ２とし、交点Ｐ２における温度をＴ２（℃）、残存重量割合をｍ２（％）とする。
【００６３】
上記定義を用い、主減量過程（第２の重量減少）の開始温度をＴ１、終了温度をＴ２とする。また、主減量過程における重量減少率は、（ｍ１−ｍ２）（％）で示され、重量減少の傾き（線分ｃ−ｄの傾き）は、（ｍ１−ｍ２）／（Ｔ２−Ｔ１）［％／℃］で示される。
【００６４】
ここで、一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物の熱的特性は、概ね図２に示すような変化を示し、主減量過程における重量減量の傾きは２％／℃以上である。実験結果から、重量減量の傾きが２％／℃未満である記録材料を用いると、記録部が広がって大きく形成され、また高密度の記録部を形成することが困難となる。従って、重量減量の傾きが２％／℃以上の上記アゾ金属キレート化合物を含む記録層１４は、高密度光ディスクに好適に使用することができる。
【００６５】
また、上記アゾ金属キレート化合物は、主減量過程における重量減少率が３０％以上である。実験結果から、重量減少率が３０％未満であると、良好な記録変調度、記録感度が得られない可能性がある。従って、重量減少率が３０％以上の上記アゾ金属キレート化合物を含む記録層１４は、高密度光ディスクに好適に使用することができる。
【００６６】
さらに、上記アゾ金属キレート化合物は、減量開始温度Ｔ１が２００℃〜３５０℃の範囲にある。実験結果から、減量開始温度Ｔ１が３５０℃以上であると、記録レーザ光のパワーが高くなり実用的でなく、２００℃以下であると再生劣化を起こすなど記録安定性が悪化する。従って、減量開始温度Ｔ１が２００℃〜３５０℃の範囲にある上記アゾ金属キレート化合物を含む記録層１４は、高密度光ディスクに好適に使用することができる。
【００６７】
図１に戻り、反射層１５は、記録層１４の上に設けられる。反射層１５は、情報の再生時における反射率の向上の目的で設けられる。反射層１５は、単体で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、用いる材料の例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、が最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、２種の合金としても良い。
【００６８】
反射層１５は、例えば、上記材料を蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより形成することができる。反射層１５は、例えば、５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚で設けられる。
【００６９】
保護層１６は、反射層１５の上に設けられる。保護層１６は、記録層１４などを物理的および化学的に保護する目的、又は、反射率を向上させる目的で設けられる。また、ハードコート層１９は、第１の基板１２の記録層１４が設けられていない側の面に設けられ、第１の基板１２の耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられる。保護層１６及びハードコート層１９に用いられる材料の例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の無機材料、又は、ポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の有機樹脂材料を挙げることができる。
【００７０】
上記有機材料のうち保護層１６又はハードコート層１９に最も好ましいものは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護層１６又はハードコート層１９の膜厚は０．０１μｍ〜３０μｍ好ましくは０．０５μｍ〜１０μｍが適当である。保護層１６及びハードコート層１９には、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【００７１】
保護層１６及びハードコート層１９は、たとえばプラスチックの押出加工で得られたフィルムを反射層１５上及び／又は第１の基板１２上にラミネートすることにより形成することができる。或いは、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥させることによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００７２】
保護層１６の上には、接着層１７を介して第２の基板１８が設けられている。接着層１７は、上記した下引き層１３と同様の材料を用いることができる。第２の基板１８は、第１の基板と同様の材料から構成することができる。なお、本実施の形態では、第１の基板１２及び第２の基板１８は、共に、透明な材料から構成されるとしたが、記録再生用のレーザ光を第１の基板１２の記録層１４形成面側から照射しない場合には、第１の基板１２は必ずしも透明である必要はない。接着層１７及び第２の基板１８は、下引き層１３及び第１の基板１２とそれぞれ同一の厚さで設けられる。
【００７３】
以上説明したように、本実施の形態の記録媒体１１は、図１に示す構造を備えたＤＶＤ−Ｒ用の記録媒体として機能する。しかし、図１に示す構造を２枚逆向きに貼り合わせた、いわゆるエアーサンドイッチ又は密着貼合わせ構造としてもよい。また、第２の基板１８を外し、ＣＤ−Ｒ用の記録媒体として構成してもよい。
【００７４】
（実施例１）
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により限定されるものではない。
【００７５】
厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、フォトポリマにて深さ１７５ｎｍ、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を形成する。さらに、前記基板上に上記表１中のＮｏ．１に示す化合物を溶解させた１，１，２，２−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンナ塗布し、厚さ９０ｎｍの記録層を形成する。ついでスパッタ法により金１２０ｎｍの反射層を設け、さらにその上にアクリル系フォトポリマにて７μｍの保護層を設けた後、厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート平面基板をアクリル系フォトポリマにて接着し、記録媒体とした。
【００７６】
（実施例２〜２０）
上記実施例１において化合物Ｎｏ．１の代わりに、表１〜表３中の化合物Ｎｏ．２〜２０を用い、実施例１と全く同様にして記録媒体を形成した。
【００７７】
（比較例１）
上記実施例１において化合物例Ｎｏ．１の代わりに、以下に示す化合物（比−１）を用い実施例１と全く同様にして記録媒体を形成した。
（比−１）
【化５】
0004251596.tif 000008
【００７８】
＜記録条件＞
上記のように形成した記録媒体（実施例１〜２０、比較例１）に、レーザー発振波長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号（線速３．５ｍ／ｓｅｃ）を記録した。さらに、記録を行った記録媒体に発振波長６８５ｎｍの半導体レーザの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）を照射して再生し、再生波形を観察した。
【００７９】
＜耐候テスト条件＞
また、下記のような耐光テスト及び保存テストを行い、記録媒体（実施例１〜２０、比較例１）の耐候性を調べた。
耐光テスト：４００００ＬｕｘのＸｅ光を２０時間連続照射し、反射率を測定。
保存テスト：温度６０℃、湿度９０％の条件下で６００時間放置し、変調度を測定。
【００８０】
＜評価結果＞
上記記録媒体（実施例１〜２０、比較例１）に対して行った、上記耐候性テストの結果を表４に示す。
【表４】
0004251596.tif 000009
【００８１】
表４に示すように、比較例１の記録媒体では、耐光テスト及び保存テスト後には、記録情報の再生は不可能であった。一方、実施例１〜２０の記録媒体では、反射率及び変調度は耐光テスト及び保存テストの前後でそれぞれほぼ一定に保たれた。この結果から、実施例１〜２０の記録媒体は、６３０ｎｍ〜６９０ｎｍの波長域のレーザ光による記録再生が可能であるとともに、高い耐光性及び高い保存安定性を有していることがわかる。
【００８２】
上記実施例及び比較例に示されるように、本実施の形態によれば、上記一般式（Ｉ）で表されるアゾ金属キレート化合物を含んで記録層１４を構成することにより、６３０ｎｍ〜６９０ｎｍの短波長レーザ光を用いる情報記録媒体１１を提供することができる。また、この情報記録媒体１１は、高密度での情報の記録再生に適した、良好な熱的特性を備えるとともに、高い保存安定性を備える。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高密度での情報の記録再生の可能な情報記録媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる情報記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の構成を示す図である。
【図２】本実施の形態にかかる記録媒体の熱的特性を示す図である。
【符号の説明】
１１  記録媒体
１２  第１の基板
１３  下引き層
１４  記録層
１５  反射層
１６  保護層
１７  接着層
１８  第２の基板
１９  ハードコート層
【図１】
0004251596.tif 000011
【図２】
0004251596.tif 000012