(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と；
前記第１基板と離隔されて向かい合う第２基板と；
前記第１基板の内側面に形成されているスイッチング素子と；
前記スイッチング素子と電気的に連結されている駆動素子と；
前記駆動素子上にコンタクトホールを有する保護層と；
前記コンタクトホールを通して前記駆動素子と電気的に連結され、前記保護層上部に位置する連結電極と；
前記第２基板の内側面に形成されている第１電極と；
前記第１電極上部に位置して、前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁であって、前記第１電極と接触して第１幅を有する第１端と、前記第２電極と隣接して前記第１幅よりさらに広い第２幅を有する第２端とからなる隔壁と；
前記第１電極上部の透過ホール内に位置する有機層；そして
前記駆動素子と空間を有するように離隔され、前記有機層上部に位置する第２電極を含み、
前記第２電極は、前記連結電極を通して前記駆動素子と電気的に連結され、
前記隔壁の第２端は前記駆動素子と同一の幅を有し、前記有機層は前記透過ホールと同一の面積を有する有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、前記有機層にホールを注入する陽極電極であって、第２電極は前記有機層に電子を注入する陰極電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１電極は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第２電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで構成したことを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記連結電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで構成したことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記有機層は、前記第１電極に接触する正孔輸送層と、前記第２電極に接触する電子輸送層及び前記正孔輸送層と電子輸送層間の発光層からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記絶縁パターンは、前記第２電極に接触する隔壁の幅と同一の大きさの第１幅を有することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記駆動素子とスイッチング素子は、各々アクティブ層とゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子
【請求項１０】
第１基板上に電気的に連結されているスイッチング素子と駆動素子を形成する段階と；
前記駆動素子上にコンタクトホールを有する保護層を形成する段階と；
前記コンタクトホールを通して前記駆動素子と電気的に連結され、前記保護層上部に位置する連結電極を形成する段階と；
前記第２基板上に第１電極を形成する段階と；
前記第１電極上部に前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁を形成する段階であって、前記第１電極に接触して第１幅を有する第１端を形成する段階と、前記第２電極に接触して前記第１幅より広い第２幅を有する第２端を形成する段階とを含む隔壁を形成する段階と；
前記第１電極上部の前記透過ホール内に有機層を形成する段階と；
前記駆動素子と空間を有するように離隔され、前記有機層上部に位置する第２電極を形成する段階；そして
前記第１及び第２基板を合着する段階を含んでいて、
前記連結電極は、前記第２電極に電気的に連結され、
前記隔壁の第２端は前記駆動素子と同一の幅を有し、前記有機層は前記透過ホールと同一の面積を有する有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１電極は、前記発光層に正孔を注入する陽極電極であって、第２電極は前記発光層に電子を注入する陰極電極であることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１電極は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで形成したことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記連結電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで形成したことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記有機層を形成する段階は、前記第１電極上部に正孔輸送層を形成する段階と、前記正孔輸送層上部に発光層を形成する段階及び前記発光層上部に電子輸送層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁パターンの一端は、前記第１電極に隣接した前記隔壁の幅と同一大きさの幅を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記駆動素子とスイッチング素子は、各々アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン電極を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子に係り、特に高開口率と高解像度を具現できて生産収率を改善することができる有機電界発光素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
一般的に、有機電界発光素子は、電子注入電極と正孔注入電極から各々電子と正孔を発光層内部に注入させて、注入された電子と正孔が結合した励起子が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する素子である。
【０００３】
このような原理によって従来の薄膜液晶表示素子とは違って別途の光源を必要としないので、素子の体積と重量を減らすことができる長所がある。
【０００４】
また、有機電界発光素子（ＯＥＬＤ）は、高品位パネル特性（低電力、高輝度、高反応速度、低重量）を示す。このような特性のためにＯＥＬＤは移動通信端末機、ＣＮＳ（ｃａｒ  ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、キャムコーダ（ｃａｍｃｏｒｄｅｒｓ）、そしてｐａｌｍ  ＰＣｓ等大部分のコンシューマー電子応用製品に用いることができる強力な次世代ディスプレーとして認められている。
【０００５】
また製造工程が単純なために生産原価を既存の液晶表示装置（ＬＣＤ）より多く減らすことができる長所がある。
【０００６】
このような有機電界発光素子を駆動する方式は、パッシブ・マトリックス型（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ）とアクティブ・マトリックス型（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘｔｙｐｅ）に分けることができる。
【０００７】
前記パッシブ・マトリックス型有機電界発光素子は、その構成が単純で製造方法も単純だが高い消費電力と表示素子の大面積化に難しさがあり、配線の数が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。
【０００８】
反面アクティブ・マトリックス型有機電界発光素子は、高い発光効率と高画質を提供することができる長所がある。
【０００９】
以下、図１を参照してこれまでのアクティブ・マトリックス型有機電界発光素子の構成を概略的に説明する。
【００１０】
図１は、関連技術における有機電界発光素子の構成を概略的に示した図面である。
【００１１】
図示したように、有機電界発光素子１０は、透明な第１基板１２の上部に複数の薄膜トランジスタＴと前記薄膜トランジスタＴに各々連結された複数の第１電極１６が形成されている。前記薄膜トランジスタＴと第１電極１６上部には有機発光層１８と第２電極２０が形成されている。
【００１２】
この場合、前記発光層１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーを表現するようにするため、一般的な方法としては前記各画素Ｐごとに赤、緑、青色を発光する別途の有機物質をパターニングして用いる。
【００１３】
前記第１基板１２は、吸湿剤２２が付着された第２基板２８とシーラント２６を介在して合着されて、カプセル化された有機電界発光素子１０が完成される。
【００１４】
この場合、前記吸湿剤２２は、カプセル内部に浸透できる水分と酸素を除去するためのものであり、第２基板２８の一部をエッチングして、そのエッチングされた部分に吸湿剤２２を充填してテープ２５で固定する。
【００１５】
以下、図２を参照して有機電界発光素子の薄膜トランジスタアレー部を概略的に説明する。
【００１６】
図２は、有機電界発光素子に含まれる薄膜トランジスタアレー部の一画素を概略的に示した平面図である。
【００１７】
一般的に、アクティブ・マトリックス型有機電界発光素子の薄膜トランジスタアレー部は、基板１２に定義された複数の画素Ｐごとにスイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤとストレージキャパシタＣＳＴが構成され、動作の特性によって前記スイッチング素子ＴＳまたは駆動素子ＴＤは各々一つ以上の薄膜トランジスタの組合せで構成することができる。
【００１８】
この場合、前記基板１２は、透明な絶縁基板を用い、その材質としてはガラスやプラスチックを例に挙げることができる。
【００１９】
図示したように、基板１２上に相互に所定間隔離隔して１方向に構成されたゲート配線３２と、前記ゲート配線３２と絶縁膜を挟んで相互に交差するデータ配線３４が構成される。
【００２０】
同時に、前記データ配線３４と平行に離隔された位置に１方向に電源配線３５が構成される。
【００２１】
前記スイッチング素子ＴＳと駆動素子ＴＤとして各々ゲート電極３６、３８とアクティブ層４０、４２とソース電極４６、４８及びドレイン電極５０、５２を含む薄膜トランジスタが用いられる。
【００２２】
前述した構成において、前記スイッチング素子ＴＳのゲート電極３６は、前記ゲート配線３２と連結され、前記ソース電極４６は前記データ配線３４と連結される。
【００２３】
前記スイッチング素子ＴＳのドレイン電極５０は、前記駆動素子ＴＤのゲート電極３８と第１コンタクトホール５４を通して連結される。
【００２４】
前記駆動素子ＴＤのソース電極４８は、前記電源配線３６と第２コンタクトホール５６を通して連結される。
【００２５】
また、前記駆動素子ＴＤのドレイン電極５２は、画素部Ｐに構成された第１電極１６と接触するように構成される。
【００２６】
この場合、前記電源配線３５とその下部の多結晶シリコンパターン１５は、絶縁膜を挟んで重なりストレージキャパシタＣＳＴを形成する。
【００２７】
以下、図３を参照して前述したように構成された薄膜トランジスタアレー部を含む有機電界発光素子の断面構成を説明する。
【００２８】
図３は、図２のIII−IIIに沿って切断した有機電界発光素子の断面図であって駆動素子ＴＤと発光部の断面のみを示した図面である。
【００２９】
図示したように、有機電界発光素子は、ゲート電極３８と、アクティブ層４２とソース電極４８とドレイン電極５２を含む駆動素子である薄膜トランジスタＴＤが構成されていて、駆動素子ＴＤの上部には絶縁膜５７を挟んで駆動素子ＴＤのドレイン電極５２と接触する第１電極１６と、第１電極１６の上部に、特定の色の光を発光する発光層１８と、発光層１８の上部には第２電極２０が構成される。
【００３０】
図４は、図２のIV−IVに沿って切断した断面図であって、スイッチング素子と電源配線が形成された領域に該当する。
【００３１】
図示したように、基板１２上部にポリシリコンであるアクティブ層４０と、このアクティブ層４０の上部に構成されたゲート電極３６とソース電極４６及びドレイン電極５０とからなるスイッチング素子ＴＳが形成されている。一方、キャパシタ電極１５と電源配線３５からなるストレージキャパシタＣＳＴが基板１２上に形成されている。キャパシタ電極１５は多結晶シリコンからなり、スイッチング素子ＴＳのドレイン電極５０と連結されている。続いて、スイッチング素子ＴＳとストレージキャパシタＣＳＴ上部に絶縁膜５７が形成されており、その上に第１電極（図示せず）と、有機発光層１８とシャドウマスクを用いた第２電極２０が構成される。
【００３２】
一般的に前記有機発光層１８は、多層で構成され、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）とホール輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）及びこれら間に位置する主発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）を含む。
【００３３】
この場合、データ配線３４及び電源配線３５の上部に隔壁７０が構成され、有機発光層１８は隣接する隔壁７０間に位置する。隔壁７０は隣接した画素領域Ｐ間の有機発光層１８が相互に接触することを防止する。
【００３４】
前記隔壁７０の形状は、上部に上がるほど狭い形状で構成され、このような形状は前記有機発光層１８の上部に構成される第２電極２０が隔壁７０を跨って蒸着されることによって基板１２の全面に蒸着される効果を得るためである。
【００３５】
前述したような構成を通して関連技術によるアクティブ・マトリックス型有機電界発光素子を製作することができる。
【００３６】
しかし、関連技術の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタと有機発光層を形成した基板とは別途のカプセル封止用の基板を合着して素子を製作していた。
【００３７】
このような場合、薄膜トランジスタの収率と有機発光層の収率の積が薄膜トランジスタと有機発光層を形成したパネルの収率を決定する。
【００３８】
関連技術の場合のように構成された下板は、前記有機発光層の収率によりパネルの収率が大幅に制限されるという問題点を有していた。
【００３９】
特に、薄膜トランジスタが良好に形成されたとしても、１，０００Å程度の薄膜を用いる有機発光層の形成時に異物やその他ほかの要素により不良が発生するようになればパネルは不良等級と判定される。
【００４０】
これによって良品の薄膜トランジスタを製造するのに要した諸般経費及び原材料費の損失につながって、収率が低下する問題点を有していた。
【００４１】
また、下部発光方式は、カプセル封止による安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって高解像度製品に適用するに難しい問題点があり、また上部発光方式は、薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利であるが、既存の上部発光方式構造では、有機電界発光層上部に通常的に陰極を配置することによって、材料の選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型保護膜を構成しなければならない場合に外気を十分に遮断できない問題点があった。
【００４２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこれを解決するために提案されたものであり、前記薄膜トランジスタアレー部と有機発光部を別途の基板に構成した後、これを合着した上部発光式有機電界発光素子とその製造方法を提案する。
【００４３】
この場合、前記有機発光層の上部には格子状の隔壁を構成するが、前記隔壁は断面積であって上部に上がるほど幅が大きくなる形状（すなわち、基板の上部に逆台形状に構成される）で構成する。
【００４４】
このようにすると、前記薄膜トランジスタと接触する第１電極（関連技術とは違って不透明な電極）を前記アレー部に定義された各画素ごとに独立的に構成する。また、このような場合に関連技術とは違ってシャドウマスクを用いる必要がない。
【００４５】
前述したような本発明は収率及び生産性向上のみならず高解像度と高信頼性を有する有機電界発光素子を製作することを目的にする。
【００４６】
【課題を解決するための手段】
前述したような目的を達成するための本発明による有機電界発光素子は、第１基板と、前記第１基板と離隔されて向かい合う第２基板、前記第１基板の内側面に形成されているスイッチング素子、前記スイッチング素子と電気的に連結されている駆動素子、前記駆動素子と電気的に連結されている連結電極、前記第２基板の内側面に形成されている第１電極、前記第１電極上部に位置して、前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁、前記第１基板上部の透過ホール内に位置する有機層、そして前記有機層上部に第２電極とを含み、前記第２電極は前記連結電極を通して前記駆動素子と電気的に連結される。
【００４７】
ここで、前記隔壁は、前記第１電極と接触して第１幅を有する第１端と、前記第２電極と隣接して第２幅を有する第２端で構成することができる。このとき前記第２幅は前記第１幅よりさらに広いことが望ましい。
【００４８】
前記第１電極は、前記有機層にホールを注入する陽極電極であって、第２電極は前記有機層に電子を注入する陰極電極で有り得る。前記第１電極はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成することができ、前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで構成することができる。
【００４９】
一方、前記連結電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで構成することができる。
【００５０】
前記有機層は、前記第１電極に接触する正孔輸送層と、前記第２電極に接触する電子輸送層及び前記正孔輸送層と電子輸送層間の発光層で構成することもできる。
【００５１】
本発明は前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンをさらに含むこともあり、前記絶縁パターンは前記第２電極に接触する隔壁の幅と同一大きさの第１幅を有することが望ましい。
【００５２】
前記駆動素子とスイッチング素子は、各々アクティブ層とゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む。
【００５３】
本発明による有機電界発光素子の製造方法は、第１基板上に電気的に連結されているスイッチング素子と駆動素子を形成する段階と、前記駆動素子と電気的に連結される連結電極を形成する段階と、前記第２基板上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上部に前記第１基板と第２基板間の画素領域に対応する透過ホールを有する隔壁を形成する段階と、前記第１電極上部の前記透過ホール内に有機層を形成する段階と、前記有機層上部に第２電極を形成する段階と、そして前記第１及び第２基板を合着する段階とを含んでおり、ここで前記連結電極は前記第２電極に電気的に連結される。
【００５４】
前記隔壁を形成する段階は、前記第１電極に接触して第１幅を有する第１端を形成する段階と、前記第２電極に接触して第２幅を有する第２端を形成する段階とを含むことができる。このとき、前記第２幅は前記第１幅より広いことが望ましい。
【００５５】
前記第１電極は、前記発光層に正孔を注入する陽極電極であって、第２電極は前記発光層に電子を注入する陰極電極で有り得る。このとき、前記第１電極はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）で構成し、前記第２電極はカルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで形成することができる。
【００５６】
一方、前記連結電極は、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含む金属中から選択された一つで形成することもできる。
【００５７】
前記有機層を形成する段階は、前記第１電極上部に正孔輸送層を形成する段階と、前記正孔輸送層上部に発光層を形成する段階及び前記発光層上部に電子輸送層を形成する段階を含むことができる。
【００５８】
前記隔壁と第１電極間に絶縁パターンを形成する段階をさらに含むこともできる。前記絶縁パターンの一端は前記第１電極に隣接した前記隔壁の幅と同一大きさの幅を有することが望ましい。
【００５９】
前記駆動素子とスイッチング素子は、各々アクティブ層とゲート電極とソース電極とドレイン電極を含む。
【００６０】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施例を説明する。
【００６１】
−−実施例−−
本発明の特徴は薄膜トランジスタアレー部を構成した第１基板と、発光部を構成した第２基板を合着して有機電界発光素子を構成するが、前記発光部に構成する第２電極（陰極電極）を格子状の隔壁を介在して分離することを特徴とする。
【００６２】
図５は、本発明による有機電界発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【００６３】
図示したように、本発明による有機電界発光素子は、透明な第１基板１００と第２基板２００をシーラント３００を介在して合着して構成する。
【００６４】
第１基板１００の内側面には駆動素子である複数の薄膜トランジスタＴが形成されている。図示しなかったが、第１基板１００内側面にはスイッチング素子とゲート配線、データ配線及び電源配線も形成されている。
【００６５】
前記第２基板２００の内側面には全面に透明な正孔注入電極である第１電極２０２を構成して、第１電極２０２の上部には有機発光層２０８と、第２電極２１０を順に構成する。
【００６６】
前記第２電極２１０は、隔壁を介在して前記画素領域Ｐに対応する位置ごとに独立的に構成されているが、このとき隔壁２０４は格子状に構成する。
【００６７】
前記第２電極２１０と駆動素子Ｔは、別途の連結電極１２４を通して電気的に連結される。すなわち、前記連結電極１２４を第１基板１００に構成して第１基板１００及び第２基板２００を合着すれば前記連結電極１２４が発光層２０８の上部に構成された電子注入電極である第２電極２１０と接触するようになる。
【００６８】
このとき、連結電極１２４は、望ましくは前記第２電極２１０と同一な物質で形成する。
【００６９】
以下、図面を参照して本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明する。
【００７０】
図６Ａないし図６Ｃは、本発明による有機電界発光素子を構成する薄膜トランジスタアレー部の製造方法を工程順に説明するための工程品の断面図である。
【００７１】
図６Ａに示したように、複数の画素領域Ｐが定義された基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含むシリコン絶縁物質グループ中から選択された一つで第１絶縁膜であるバッファ層１０２を形成する。
【００７２】
前記バッファ層１０２の上部に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着した後、脱水素化過程と熱を利用した結晶化工程を進めて多結晶シリコン層を形成後パターニングして、多結晶シリコン層１０４を形成する。
【００７３】
前記多結晶シリコン層１０４は、アクティブ領域１０４ａと、前記アクティブ領域１０４ａの両側に各々位置するソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃで定義される。
【００７４】
前記多結晶シリコン層１０４が形成された基板１００の全面に第２絶縁膜であるゲート絶縁膜１０６を形成する。ゲート絶縁膜１０６は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループ中から選択された一つで形成する。
【００７５】
続いて、前記アクティブ領域１０４ａ上部のゲート絶縁膜１０６上に金属物質を蒸着してパターニングしてゲート電極１０８を形成する。このとき、前記ゲート絶縁膜１０６は前記ゲート電極１０８と同一な形状にエッチングして形成することもできるが、基板１００全面にそのまま残して置くこともできる。
【００７６】
前記ゲート電極１０８が形成された基板１００の全面に３価または４価の不純物（ＢまたはＰ）をドーピングして前記ソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃに不純物を注入する。
【００７７】
次に、ゲート電極１０８が形成された基板１００の全面に第３絶縁膜である層間絶縁膜１１０を形成してパターニングして、前記ソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃを各々露出するための第１コンタクトホール１１２と第２コンタクトホール１１４を形成する。
【００７８】
前記ゲート電極１０８は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金と銅（Ｃｕ）とタングステン（Ｗ）とタンタル（Ｔａ）とモリブデン（Ｍｏ）を含んだ導電性金属グループ中から選択された一つで形成して、層間絶縁膜１１０は前述したような絶縁物質グループ中から選択された一つで形成する。
【００７９】
図６Ｂに示したように、前記層間絶縁膜１１０が形成された基板１００の全面に第２金属層を形成した後パターニングして、前記露出されたソース領域１０４ｂ及びドレイン領域１０４ｃに各々接触するソース電極１１６とドレイン電極１１８を形成する。
【００８０】
続いて、前記ソース電極１１６及びドレイン電極１１８が形成された基板１００の全面に前述した無機絶縁物質グループ中から選択された一つまたは場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル（ａｃｒｙｌ）系樹脂を含む有機絶縁物質グループ中から選択された一つを蒸着または塗布して第４絶縁膜である保護膜１２０を形成する。
【００８１】
次に、前記保護膜１２０をパターニングして前記駆動素子Ｔのドレイン電極１１８の一部を露出するドレインコンタクトホール１２２を形成する。
【００８２】
図６Ｃに示したように、前記保護膜１２０が形成された基板１００の全面に導電性金属を蒸着してパターニングして、前記ドレイン電極１１８と接触する連結電極１２４を形成する。
【００８３】
前述した工程中、図示しなかったが、前記駆動素子Ｔと連結されるスイッチング素子は駆動素子Ｔと同一な工程で形成し、このとき前記スイッチング素子のドレイン電極と前記駆動素子Ｔのゲート電極１０８は連結されるようにする。
【００８４】
また、前記スイッチング素子のゲート電極を形成する工程でゲート配線を形成して、スイッチング素子のソース電極及びドレイン電極を形成する工程中に前記ソース電極と連結されるデータ配線を形成する工程を進める。
【００８５】
前述した図６Ａないし図６Ｃの工程を通して本発明による薄膜トランジスタアレー部を形成することができる。
【００８６】
以下、図７Ａないし図７Ｃを通して、前記薄膜トランジスタアレー部と合着される発光部の製造工程を説明する。
【００８７】
図７Ａないし図７Ｃは、本発明による発光部の製造工程を順序に従って説明するための、工程品の断面図であって、図８は図７Ａの第２基板の斜視図である。
【００８８】
図７Ａに示したように、透明な絶縁基板２００上に透明な第１電極２０２を形成する。
【００８９】
前記第１電極２０２は、以後形成される有機発光層（図示せず）に正孔を注入する正孔注入電極として、主に透明で仕事関数が高いインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）を蒸着して形成する。
【００９０】
次に、前記第１電極２０２の上部に有機または無機絶縁物質を蒸着または塗布して、前記薄膜トランジスタアレー部に定義した画素領域間領域に対応する位置に隔壁２０４を形成する。
【００９１】
図８に示したように、前記隔壁２０４は、平面的な絶縁板の前記画素領域に対応する部分に画素領域と同一な形状の透過ホール２０６を構成した形状である。
【００９２】
この場合、図示しなかったが前記隔壁２０４を形成する前に、隔壁上端の幅と同一な幅の絶縁パターンを第１電極２０２の上部にさらに構成することができる。
【００９３】
絶縁パターン（図示せず）は、以後に形成される第２電極（図示せず）が前記第１電極２０２と接触することを避けるための構成である。
【００９４】
次に、図７Ｂに示したように、前記第１電極２０２の上部の前記各画素領域に対応する位置に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を発光する有機発光層２０８を形成する。有機発光層２０８は隔壁間に位置する。
【００９５】
このとき、前記有機発光層２０８は、単層または多層で構成することができ、前記有機膜が多層で構成される場合には、発光層２０８ａに正孔輸送層２０８ｂと電子輸送層２０８ｃをさらに構成する。
【００９６】
次に、図７Ｃに示したように、前記発光層２０８の上部に第２電極２１０を蒸着する工程を進める。
【００９７】
このとき、前記隔壁２０４の形状は、断面積において逆台形状に構成されるために、前記隔壁２０４の両側表面には金属層が蒸着できない構成である。
【００９８】
したがって、前記第２電極２１０を形成するための金属層は、隔壁２０４の上部と隔壁間に存在する発光層２０８の上部にのみ存在する形で、各画素領域Ｐごとに独立的に形成される。
【００９９】
前記第２電極２１０を形成する物質は、アルミニウム（Ａｌ）とカルシウム（Ｃａ）とマグネシウム（Ｍｇ）の中から選択された一つで形成するか、、又はそれとリチウムフッ素／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）合金との二重金属層で形成することができる。
【０１００】
望ましくは、前述した薄膜トランジスタアレー部の工程において前記連結電極（図６Ｃの１２４）は、発光部の第２電極と同一な物質で形成する。
【０１０１】
前述したような工程を通して発光部が形成された別途の第２基板を形成することができる。
【０１０２】
前述したように製作された薄膜トランジスタアレー部と発光部が構成された基板を合着して図５に示したように本発明による上部発光形有機電界発光素子を製作することができる。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明による有機電界発光素子は、下記のような効果がある。
【０１０４】
第一に、上部発光形であるので下部アレーパターンの形状に影響を受けなくて開口率を確保することができる効果がある。
【０１０５】
第二に、発光部を薄膜トランジスタアレーパターンの上部に構成せず別途に構成するために、有機電界発光層を形成する工程中に前記薄膜トランジスタにおよぼすことがある影響を考慮しなくても良いので収率を向上する効果がある。
【０１０６】
第三に、前記隔壁を平面的には格子状で、断面積としては逆台形状で構成するのでシャドウマスクを用いなくても前記隔壁の形状により前記発光層の上部に構成される第２電極を画素ごとに独立的に対応するように形成することができるために生産性を向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】関連技術における有機電界発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【図２】薄膜トランジスタアレー部の一画素を概略的に示した平面図である。
【図３】図２のIII−IIIを切断した断面図である。
【図４】図２のIV-IVを切断して示した断面図である。
【図５】本発明による有機電界発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【図６Ａ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図６Ｂ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図６Ｃ】本発明による有機電界発光素子のアレー部の形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図７Ａ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図７Ｂ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図７Ｃ】本発明による有機電界発光素子の発光部形成工程を順序に従って説明するための工程品の断面図である。
【図８】図７Ａに対応する基板の斜視図である。
【符号の説明】
１００：第１基板
Ｔ：駆動素子
２００：第２基板
２０２：第１電極
２０４：隔壁
２０８：有機層
２１０：第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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