(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基板表面上に、方形横断面を有する複数のモジュールプラズマ源装置を配列してなる直線的配列若しくは平面的、格子状の配列のいずれかの配列を備え、かつ該方形の一辺に沿う長軸と基板の移動方向との角度（α）を、該長軸が前記基板の移動方向に対して垂直の位置から前記基板の移動方向に傾斜し、その傾斜角度（α）が９０°未満となるように移動する複数のモジュールプラズマ源装置を用いて被覆または処理される基板表面から離れて置かれる励起ガスを励起し、
ｂ）反応ガスをプラズマ源装置からの励起ガスとともに前記基板表面に供給して前記励起ガスで前記反応ガスを励起させて、前記基板表面に被覆物を被覆しまたは前記基板表面を処理し、さらに
ｃ）前記励起段階と供給段階との間は前記基板を前記プラズマ源装置に対して移動させる、ここで、前記基板は、前記基板表面の各位置が前記モジュールプラズマ源装置と前記モジュールプラズマ源装置の隣り合うものの間の結合領域との下を等しい行程で通過するように、前記プラズマ源装置に対して移動する、
段階を含むことを特徴とする大表面基板の被覆用または処理用のリモートプラズマＣＶＤ方法。
【請求項２】
前記角度（α）が、つぎの式で表わされる請求項１に記載の方法。
α＝ｓｉｎ−１（ａｒｃｓｉｎ）｛（Ｌ−ｒ）／（Ｌ＋ｄ＋ｒ）｝
（ただし、Ｌ＝モジュールの長さ、ｒ＝エッジ領域の厚み、ｄ＝２ｘモジュール壁の厚み＋隣接するモジュールへの傾斜）
【請求項３】
前記角度（α）は４５゜である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマ源装置に対して移動させる段階は、前記基板表面を前記プラズマ源装置の下に導く請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記励起ガスの励起はマイクロ波で行い、プラズマは前記マイクロ波により前記励起ガス中で形成される請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記マイクロ波による前記プラズマの励起は、パルスリモートプラズマＣＶＤ方法が実施されるようにパルスを用いて行う請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記モジュールプラズマ源装置の隣り合うものの間の前記結合領域に起因するエッジ効果を最小とするように、前記モジュールプラズマ源装置のそれぞれの一つに前記マイクロ波入力のマイクロ波エネルギーは選択される請求項５に記載の方法。
【請求項８】
さらにパルスリモートプラズマＣＶＤ方法を利用する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
処理または被覆される基板用の反応室、
反応ガスを前記反応室へ供給する手段、
励起ガス中でプラズマを形成することにより励起ガスを励起させる手段、
前記励起ガスを、被覆または処理される前記基板の存在下に反応ガスを備える前記反応室へ供給する手段、および
前記反応室から排ガスを除去する手段、
（ここで、前記励起ガスを励起する手段には、方形横断面を有する複数のモジュールプラズマ源装置を配列してなる直線的配列若しくは平面的、格子状の配列のいずれかの配列を備え、かつ該方形の一辺に沿う方向の長軸と基板の移動方向との角度（α）を、該長軸が前記基板の移動方向に対して巣直の位置から前記基板の移動方向に傾斜し、その傾斜角度（α）が９０°未満となるように移動する複数のモジュールプラズマ源装置が含まれ、さらに、前記基板と前記モジュールプラズマ源装置の配列との間の空間は、エッジ効果が前記モジュールプラズマ源装置からの拡散により補償されるように選択される、）
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のリモートプラズマＣＶＤ方法で大表面基板を被覆または処理するための装置。
【請求項１０】
さらに、前記基板を前記プラズマ源装置の配列に対して基板の移動方向に移動させる手段を含む、ここで、前記基板の移動方向は、被覆特性に空間的な変化を引き起こさせるエッジ効果を最小にするように、前記配列の長軸に対して９０゜未満の角度（α）である請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記角度は４５゜である請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記励起ガスを励起させる手段は、マイクロ波発生手段と前記マイクロ波を前記モジュールプラズマ源装置に導く手段とを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記モジュールプラズマ源装置の一つは、中空マイクロ波導波管、マイクロ波共振器、前記励起ガスをマイクロ波導波管もしくはマイクロ波共振器に導くパイプまたは前記励起ガス中で形成した前記プラズマを含む内部コンダクターを有する導波管である請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記モジュールプラズマ源装置は、前記プラズマ源装置の隣り合うものの間に、ガス透過性であるがマイクロ波不透過性の壁を有する請求項９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被覆ガスが励起ガスにより励起される大表面基板（基体）を被覆または処理するリモートプラズマＣＶＤ方法に関し、ここで、励起ガスは被覆または処理される基板から離れてプラズマ手段により励起される。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ、それは異なる周波数（零（直接電圧）からマイクロ波周波数）の電気エネルギーの作用により励起さるのもであり、しばしば基板表面の処理に使用される。電磁気エネルギーは反応ガスプラズマが処理される基板と直接接触するように作用できるので、反応ガスは反応種に分解して、基板表面で作用し、またはプラズマは基板表面から離れた励起ガス中で生成し、励起ガスは反応ガスを励起する。後者の場合には、いわゆるリモートプラズマ（ダウンストリームプラズマや残光プラズマのその他の名称が含まれる。）が含まれる。
【０００３】
リモートプラズマＣＶＤ方法は公知であり、しばしば文献中に記載されている。基板を被覆するリモートプラズマＣＶＤ方法において、非被覆物形成ガスまたは種々の非被覆物形成ガスの混合物を含む励起ガス（ガスタイプＡ）は放電領域を通過し、かかる領域で励起種、原子種が形成される。「非被覆物形成ガス」は、希ガス、Ｏ2 、Ｈ2 やＮ2 Ｏを意味する。この励起ガスは、単一の被覆物形成ガスまたは種々のガスを含む被覆物形成ガス（タイプＢ）と混合されるが、そのなかの少なくとも一つは励起源から離れた放電のない領域（残光）において被覆物形成ガスである。「被覆物形成ガス」は、いわゆる先駆物質ガス、例えばＴｉＣｌ4 またはＳｉＨ4 を意味する。
【０００４】
基板を処理または被覆するために実際に使用されるガスは、励起ガスと被覆物形成ガスとにより形成される。被覆物形成ガスは励起ガスとは別であり、励起領域を通過する；その組成物や励起場強度は、予め反応することなくまたは非被覆物であるようにこの場合には選ばれるべきである。
【０００５】
励起ガスと被覆物形成ガスが混合される領域において、励起ガスと被覆物形成ガスとの間の交換が生じ、それは本質的にガスタイプＡの分子または原子から励起エネルギーをガスタイプＢの分子または原子に移行させ、さらに均質、事前反応を引き起こす。事前反応成分は、その後不均一的に基板と反応し、その上に被覆物を形成する。
【０００６】
従来と比べて、プラズマが処理または被覆する基板表面と間接的に接触するリモートプラズマＣＶＤ方法の有利性は、次のようである：
（１）基板はリモートプラズマＣＶＤ方法において照射損失を受けない、というのは、プラズマからの高エネルギー成分に暴露されないからである。
【０００７】
（２）同じ理由から、基板の加熱はほとんど影響がないからである。
【０００８】
（３）導電被覆物は困難なく形成できる、というのは、その他の非リモート装置に対して、マイクロ波ウインドーは被覆領域から非常に離れているので導電被覆物で被覆されることはなく、マイクロ波のさらなる伝達はブロックされない。
【０００９】
（４）導電性基板は困難なく被覆できる、というのは、プラズマ励起エミッションの場はそれによって影響を受けないからである。
【００１０】
（５）マイクロ波による励起の間は、放電領域から基板への潜在的なマイクロ波場の分布は実際には起こらない、というのは、励起位置と基板との間の通路における励起ガスの拡散方法が同じであるからである。
【００１１】
同様に、基板表面の「処理」による表面のエッチングまたは特性の変化は理解されるべきである（例えば、湿潤性）。
【００１２】
一般に、基板表面の処理または被覆は、できる限り均一に行うべきである。通常、プラズマはマイクロ波放電により生ずる。この場合、基板表面のデメンジョンが使用される波長またはそれ以上のオーダーのときに、基板表面の均一な被覆や処理に困難性が生ずる。
【００１３】
ドイツ特許文献ＤＥ  ３９  ２３  １８８  Ｃ２は、大表面基板の表面に薄層を形成するリモートプラズマＣＶＤ方法について開示する。ＤＥ  ３９  ２３  １８８  Ｃ２は、反応室の幅を越えて広がる通路に均一に分布する励起ガスと被覆物形成ガスおよび流れに関するエンジニアリング技術による基板上の層流の形成を教示する。同じ通路において、励起ガスは、伸び共振器のウインドーを通過するマイクロ波照射によりプラズマ状態に転化される。なお、ここで、共振器の幅は、マイクロ波照射を提供し、漏斗のように広がる角形中空導波管の幅と対応している。
【００１４】
この装置において、次の問題が生じる：共振器に供給されたマイクロ波はお互いに干渉し、出口ウインドーの上方にそれぞれ周期的に励起ガスを励起できる。この周期性は沈着被覆物の特性に相違を与えるが、それは励起の程度に依存する。反応器は固定され；被覆特性は、反応器の幾何学的なパラメーターによって影響を受けないであろう。さらに、角形の中空導波管は限られた範囲にだけ広げられるので、この反応器で大表面基板を被覆することは可能ではない。
【００１５】
英国公告ＧＢ−ＰＳ  ２２２  ６０  ４９には、固定基板表面に薄い被覆物を形成するリモートプラズマＣＶＤ装置が記載されている。反応器からの排ガスは、基板の下のガス出口から排出する。基板は、マイクロ波中空導波管で形成した励起ガスプラズマを複雑なシャワー配列を通して被覆物形成ガスの方向に流すことにより被覆されるであろう。なお、ここで、被覆物形成ガスは、同様に、さん孔されたパイプまたはチューブを含むガスシャワー装置から基板の方向に流れる。パイプまたはチューブにおいて圧力条件の相違にも拘らずすべての基板表面に均質な被覆物形成ガスを分布させるために、さん孔されたパイプまたはチューブの出口孔の直径を変えるべきである。この方法で調整された被覆物の均質性は、固定化プロセスパラメーター関係から得られる。ここで、かかる関係では、被覆領域、ガス質量流量、ガスタイプ、プロセス圧力およびガス圧力の値が設定される。その他のパラメーターの選択またはその他の基板の大きさでは、均質なガス分布に必要な条件を新たに見出すために意義深い事前実験が必要である。同様に、被覆領域を大きくするために限定なしで漠然と励起ガススプレーまたはシャワーを増加させることは可能ではない、というのは、エッジ領域のガスの励起程度はガスシャワーのある大きさから外れると減少するからである。
【００１６】
ＤＥ  ３９  ２６  ０２３  Ｃ２は、励起ガス用のプラズマがマイクロ波導波管で生ずる、直線的なまたはリニアーなリモートプラズマ源を開示する。励起ガスはガラス管を流れ、プラズマ状態で同軸マイクロ波導波管に内部導体を形成する。励起ガスはガラス管の長手方向のスロットを介して流れ、側面に流れる被覆物形成ガスを励起し、被覆プロセスを生じさせる。マイクロ波出力が低下し、励起管のｚ軸において励起ガス中に損失が生じるので、この位置において必然的に不均質である。その他の不利益は、装置の長さに限定があることである。
【００１７】
この特許の図３は、お互いの後方に配列された二つの平行な、実施可能な配列を備える実施態様を示す。この実施態様は、光ＣＶＤ励起を利用して実施する。同様に、この装置は、個々の線源と同じ上記不利益を有する。
【００１８】
ＤＥ  ３８  ３０  ２４９  Ｃ２は、「直接」プラズマの手段により大表面基板を被覆する方法を記載する。ここでは、基板表面上に格子状に配列された複数のプラズマ電極が、好ましくはマイクロ波励起により、複数の重複プラズマ円柱領域を含む大表面プラズマ領域を発生させる。この方法で、極めて良好な結果が得られるけれども、重複プラズマ円柱領域付近のエッジ効果は完全に避けることできない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、均質な被覆物および／または均一に処理された大表面基板を提供でき、さらに、簡単な方法で異なる基板幾何学を調整可能な、プラズマの手段により基板を被覆および／または処理する方法および装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ａ）基板表面上に、方形横断面を有する複数のモジュールプラズマ源装置を配列してなる直線的配列若しくは平面的、格子状の配列のいずれかの配列を備、かつ該方形の一辺に沿う方向の長軸と基板の移動方向との角度（α）を、該長軸が前記基板の移動方向に対して垂直の位置から前記基板の移動方向に傾斜し、その傾斜角度（α）が９０°未満となるように移動する複数のモジュールプラズマ源装置を用いて被覆または処理される基板表面から離れて置かれる励起ガスを励起し、
ｂ）反応ガスをプラズマ源装置からの励起ガスとともに前記基板表面に供給して前記励起ガスで前記反応ガスを励起させて、前記基板表面に被覆物を被覆しまたは前記基板表面を処理し、さらに
ｃ）前記励起段階と供給段階との間は前記基板を前記プラズマ源装置に対して移動させる、ここで、前記基板は、前記基板表面の各位置が前記モジュールプラズマ源装置と前記モジュールプラズマ源装置の隣り合うものの間の結合領域との下を等しい行程で通過するように、前記プラズマ源装置に対して移動する、
段階を含むことを特徴とする大表面基板の被覆用または処理用のリモートプラズマＣＶＤ方法を提供できる。
また、処理または被覆される基板用の反応室、
反応ガスを前記反応室へ供給する手段、
励起ガス中でプラズマを形成することにより励起ガスを励起させる手段、
前記励起ガスを、被覆または処理される前記基板の存在下に反応ガスを備える前記反応室へ供給する手段、および
前記反応室から排ガスを除去する手段、
（ここで、前記励起ガスを励起する手段には、方形横断面を有する複数のモジュールプラズマ源装置を配列してなる直線的配列若しくは平面的、格子状の配列のいずれかの配列を備え、かつ該方形の一辺に沿う方向の長軸と基板の移動方向との角度（α）を、該長軸が前記基板の移動方向に対して巣直の位置から前記基板の移動方向に傾斜し、その傾斜角度（α）が９０°未満となるように移動する複数のモジュールプラズマ源装置が含まれ、さらに、前記基板と前記モジュールプラズマ源装置の配列との間の空間は、エッジ効果が前記モジュールプラズマ源装置からの拡散により補償されるように選択される、）
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のリモートプラズマＣＶＤ方法で大表面基板を被覆または処理するための装置を提供できる。
【００２２】
本発明の方法を実施する本発明の装置によれば、処理または被覆される基板用の反応室と、反応ガスを前記反応室へ供給する手段と、励起ガス中でプラズマを形成することにより励起ガスを励起させる手段と、前記励起ガスを、被覆または処理される前記基板の存在下に反応ガスを備える前記反応室へ供給する手段と、および前記反応室から排ガスを除去する手段とを含む本発明の方法を実施する本発明の装置を提供できる。
【００２３】
励起ガス中でプラズマを形成することにより励起ガスを励起する手段は、前記基板の上に直線的かまたは平面的またはフラットで、格子状配列のいずれかで配列された複数のモジュールプラズマ源装置を含んでいる。
【００２４】
本発明における「プラズマ源装置」は、被覆すべき基板表面から離れた励起ガスをプラズマにより励起状態にする装置を意味する。
【００２５】
プラズマ源装置は、極めて簡単な構造であることができる。最も簡単な場合において、かかる装置は、プラズマが励起ガス中で発生する励起室と、励起ガスの供給手段と、およびプラズマの生産のためのエネルギー導入装置とそれとともに励起ガスを基板の方向に供給する装置とを備える。プラズマ源装置は、例えば反応ガスおよび／または消費ガスまたは反応済みガスの吸気および／または排気または除去用の手段や反応ガスの励起用の手段をさらに備えることができる。この点において、「反応ガス」は、基板表面と作用するガスおよび／またはガス混合物、例えば被覆物形成ガスを意味する。次に、本発明は被覆物の実施例に限定することなく説明する。
【００２６】
リモートプラズマＣＶＤ装置に関する本発明の構造は、個々のプラズマ源装置またはモジュール（次において、個々のプラズマ源装置はモジュールとも称される）の配列またはアセンブリとして、次の有利性を有する：
（１）被覆領域は、個々のモジュールをお互いに簡単に結合することにより、基板表面の形態や大きさに適合するように調整できる。
【００２７】
（２）マイクロ波リモートプラズマＣＶＤ方法において、励起はマイクロ波装置部材内部において生じるため、励起の程度に依存するが、得られる被覆物の特性が影響を受ける程、特に強い。
【００２８】
本発明の好ましい実施態様において、被覆物形成ガスは、基板表面に平行な層流で、装置全体の幅を覆い、励起ガスと混合すべくモジュールからの励起ガス流の方向に導かれる。しかし、被覆物形成ガスは、個々のモジュールによりまたはモジュールグループにより独立に供給できる。この実施態様では、全被覆物の幅の上の均一な層流が供給できる有利性があるが、ガスを個々のモジュールまたはモジュールグループに分配するための付加的な努力や費用が要求されるという不利益がある。
【００２９】
また、別のエネルギー源を用いて、励起ガスとの混合前に、被覆物形成ガスを励起できる。これは、被覆物形成ガス自体が被覆物形成中に分解しないときに許される。この特徴は、両（励起）タイプのガスからなる混合物が特に反応性であるという有利性を提供できる。被覆物形成ガスと励起ガスの励起に単一のエネルギー源が利用されるときに、例えば被覆物形成ガスは励起ガスとともに絶縁管に導かれ、基板表面近傍で被覆物形成ガスと混合できる。もし被覆物形成ガスが励起ガスよりもより容易にプラズマ状態になれば、モジュールに供給される電気出力は主として被覆物形成ガスのプラズマにより吸収され、もはや励起ガスを所定の範囲まで励起するためには利用できない。この様に、付加的な励起をモジュール近辺だけにおいて生じさせる有利性がある、ここで、電場強度が、双方のガスの励起エネルギーの相違によりエネルギー空間において最大値から多少落ちている。被覆物形成ガスの励起が励起ガスよりも困難な場合には、励起に関しては双方のタイプのガスの役割を交換することが有利である。
【００３０】
本発明の別の好ましい実施態様において、被覆物形成ガスはガスシャワー装置により供給される、ここで、かかる装置の上部には励起ガス用のモジュールプラズマ源装置が位置する。被覆物形成ガス用の出口開口部は、ガスシャワー装置が基板に面する側に形成される。ガスシャワー装置は、基板に面する側から基板方向へ励起ガスの流れが通過するように形成される。可能なシャワー装置には、直管、巻管または曲がりくねった湾曲管が含まれる。ガスシャワーの長さおよび面積は、プラズマ源装置の直線的な配列の長さおよび／またはプラズマ源装置の平面的な配列領域に対応する。
【００３１】
モジュールが直線的な配列もしくは連続的に配列されれば、かかる源装置の全配列は、下記において「リモートリニアー配列」と称される。このタイプの配列において、基板はかかる源装置の下で移動し、または基板全体がかかる源装置を用いて均質に被覆されるように、基板表面の被覆物の形成中この配列は基板の上をガイドする。
【００３２】
モジュールが基板表面の上に平面グリッド状で配列されれば、源装置の配列は、下記において「リモート平面または平面状配列」と称される。このタイプの配列において、この配列と基板との間の相対的な移動は、基板表面がプラズマ源装置の配列全体よりも大きい場合、および／またはすでに述べたが特に均質な被覆を得る場合にだけ要求される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明の目的、特徴および有利性は、添付の図面を参照して、好ましい実施態様の記述に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
図１〜７ｂは、本発明の方法の実施に特に適する装置を示す。
【００３５】
図１に示される装置は、移動基板の被覆に適する。お互いの近くで配列された幾つかのモジュール１０は、プラズマ源装置またはモジュール１０のリモートリニアー配列１１を形成し、ここで、励起は例示の実施態様においてマイクロ波の手段により生ずることが好ましい。
【００３６】
低周波励起に代わるマイクロ波によるプラズマの生成有利性が次に示される：
（１）電極は必要ではない。
【００３７】
（２）プラズマは比較的高電子密度で、また低周波励起により生ずるプラズマよりも高圧で保持できる。
【００３８】
（３）被覆速度またはエッチング速度は特に大きい。
【００３９】
マイクロ波励起用の各々のモジュール１０は、マイクロ波中空導波管、マイクロ波共振器、ガスをマイクロ波導波管、またはマイクロ波共振器、または同軸マイクロ波導波管に供給する絶縁管により形成でき、その内部コンダクター（導体）は励起すべきガスのプラズマである。図面に示される実施態様において、励起ガスは供給され、または上部からそれぞれのモジュール１０に供給され、一方、マイクロ波エネルギーは、通常、横から供給される。プラズマ１２は、モジュール１０の下端で点火される。励起された励起ガスは、その後、モジュール１０から基板表面１３に向かって流出する。
【００４０】
図示された実施態様において、各モジュール１０に別々にマイクロ波エネルギーが供給されることが好ましい。マイクロ波エネルギーは、個々のモジュールに付随したマイクロ波発生機（マグネトロン）、または一以上のマグネトロンから全モジュールに供給される通常のマイクロ波導波管のマイクロ波カップリングのいずれかにより供給できる。このカップリングは、公知の工学技術法、例えばロッドアンテナ、ホールアンテナまたはスロットアンテナにより生じる。各モジュールに対するカップリングの程度は、マイクロ波伝播方向で減少するマイクロ波出力が強力なカップリングでバランスされるように調整される。個々のモジュール１０はお互い独立に制御、エネルギーを供給できるので、被覆特性に関する不均質性はそれぞれ個々のモジュールへのマイクロ波出力の個々の供給手段によっても保障できる。被覆ガスは、図１の実施態様において、基板表面１３上を層流で流れ、モジュール１０の直線的配列１１と基板表面１３との間の反応室１４においてモジュール１０からの励起ガスと混合する。排ガスが真空ポンプで排出される（図示せず）。
【００４１】
図２は個々のプラズマ源装置またはモジュール２０のリモートリニアー配列２１を示し、ここでは、被覆物形成ガスが個々のモジュール２０の手段により個別に供給され、基板近辺で励起ガスと混合する。被覆物形成ガスは、図２の実施態様において、サイドまたは横から個々のモジュール２０に供給される。
【００４２】
図１および図２に示される装置を用いると、被覆物形成法に必要なプラズマが点火され、プラズマＣＷ（連続波）操作と周期的な方法で操作されるプラズマパルスＣＶＤ法（ＰＩＣＶＤ）の双方の間保持することができ、ここで、沈着反応後の残留ガスが新しいガスで排除され、基板全体は新しい被覆物ガスと作用する。ＰＩＣＶＤ法の有利性は、例えば低い基板温度において高出力で操作でき、一般的に、それは被覆物の特性や接着有益性に影響を与えることにある。ＣＷ操作を用いる有利性は、経済的な被覆プラントはその操作に基づくことである。
【００４３】
図２において、励起ガスのプラズマは符号２２で、反応室は２４で示される。図３はプラズマ源装置またはモジュール３０のリモートフラットまたはリモート平面配列３１を示し、ここで、被覆物形成ガスは図１に示されるように基板上を層流で導かれ、この流れと垂直なモジュール３０からの励起ガスと混合する。図３において、反応室は３４で、励起ガスのプラズマは３２で示される；また、励起ガスの供給は３６で示される。
【００４４】
被覆物形成ガスは、被覆が図３に示されるように定常マイクロ波供給（ＣＷ操作）で操作される源を用いて進められる場合に、最初のモジュールにおいて既に高い割合で供給されるので、その後のモジュールにはもはや十分な量の被覆物形成ガスは供給されないであろう。被覆プラントまたは被覆装置は図３の装置を用いて作動するので、パルスマイクロ波出力を伝えるように設けられたマイクロ波発生機を必須とするため、被覆法はＰＩＣＶＤ法に従って行うことができる。
【００４５】
図４は個々のプラズマ源装置またはモジュール４０のリモートフラット配列４１を示し、ここで、被覆物形成ガスは図３に類似して個々のモジュール４０により別々に供給され、基板付近で励起ガスと混合する。
【００４６】
通常の排ガス管や連続マイクロ波供給装置（ＣＷ操作）を備えるこのリモートフラット配列を用いる被覆の間に排ガスのすべてのモジュールからの均一な除去は保証されない、というのは、内部モジュールの排ガスは、外部モジュールの排ガスよりも、比較的長い間隔をポンプで排除されるからである。プロセスガス混合物の局所的な相違のため、被覆速度は局所的に不均一となるであろう。図４の実施態様で作動する被覆プラントまたは被覆装置は、パルスマイクロ波出力を伝えるように設けられるマイクロ波発生機を必要とするので、被覆はＰＩＣＶＤ法の手段ですることができる。図４において基板は静止している。
【００４７】
図４に記載の装置は個々のモジュールと結合した排気装置４５を有し、ＣＷ操作において作動できる。個々のモジュールからでる個々の排気４６、被覆物形成ガス供給４７、励起ガス供給４８、反応室４４や励起ガスのプラズマ４２が図４に示される。図３と図４に示される装置の実施態様において、マイクロ波は導波管３９，４９を介して個々のモジュール３０／４０とカップリングまたは結合する。
【００４８】
図５ａにおいて、プラズマ源装置またはモジュール５０が例示されており、これはその幾何学的な特性からプラズマ源装置の直線的な配列に適している。かかるモジュールは、金属パイプ５８を含む外部コンダクターまたはガイドと絶縁チューブ５９が通過し、そこで励起プラズマが点火する内部コンダクターとを含む同軸マイクロ波ガイドとを含んでいる。被覆範囲上の励起ガスの分布バランスは、内部チューブの拡大（図５ｂ）または空間を基板まで拡張することにより得られる。パイプ５９中のプラズマの位置は、マイクロ波発生機の作動パラメーターで影響を受ける。チューブ５９は、石英または多成分ガラス製であることが好ましい。
【００４９】
図６に示されるモジュール６０はプラズマ源装置の直線的な配列に好ましく、最大Ｅ−場の強度の位置にある長方形の中空ガイド６８を通過する絶縁チューブ６９を含んでいるので、励起プラズマ６２はこのチューブ６９で点火できる。
【００５０】
図７ａは、プラズマ源装置７０のリモートリニアーアレイ７１を示す。モジュール７０は、ここでは、中空共振器であり、マグネトロンから提供された長方形中空導波管７８とお互いに結合している。マイクロ波は、長方形の中空導波管７８からそれぞれのモジュール７０へ、例えば容量的にカップリングしている。このカップリングは、ホールアンテナまたはスロットアンテナによっても生ずる。カップリングの程度、これは各モジュールへの動力投入量を決定するが、容量カップリングにおけるカップリングアンテナの挿入深さ、ホールカップリングの場合のホール直径およびスロットカップリングの場合のスロットの長さと幅によりセットまたは決定される。ホールカップリングとスロットカップリングは、絶縁マイクロ波ウインドーにより、中空共振器にガイドされたガスタイプＡが長方形中空導波管７８に流れないように与えられる。基板サイド上に金属的なグリッドまたは金属的なネットワークを含む、電気的に導伝的な共振器の壁７２が提供でき、そこを励起ガスが通過する。
【００５１】
図７ｂは、プラズマ源装置７３のリモートフラットまたは平面的な配列またはアレイを示す。
【００５２】
基板の被覆および／または処理におけるエッジ効果が、モジュールプラズマ源の上記配列における隣接するモジュール間のいわゆる結合領域に現れる。一般的に、励起ガスの励起程度、励起ガスの流れ特性や被覆物形成ガスは、これらのモジュールの下の領域と比較して、これらの結合領域において相違する。
【００５３】
もし基板が主に結合領域を通過するならば、それはその外側の領域とは異なる被覆特性を有する。
【００５４】
もちろん、かかるエッジ効果は、モジュールの幾何学性および／またはモジュールの配列、特に結合領域に非常に強く従属する。個々のモジュールが、例えば長方形、特に正方形、横断面を有するときに、上記エッジ効果は、図８ａに見られるように、特に明らかである。
【００５５】
図８ａは、正方形断面を有し、お互いの近くで配列した一連のモジュールを含むプラズマ源装置８０ａのリモートリニアーアレイ８１ａを示す。基板は、図８ａにおいて８３ａで示される。さらに、プラズマ処理で基板表面に生じた被覆物特性Ａの変化量は、このモジュール配列において図８ａで示される。この実施態様における基板は、モジュール配列の下で導かれる。モジュール配列の結合領域８２ａの下にもっぱら広がる基板領域が結果として生じ、その一方、結合領域と結合領域との間にある基板領域はモジュール８０ａの下にもっぱら広がる。結合領域８２ａの下のプラズマ処理またはプラズマ被覆の作用は明らかに減少する。このことは、二つの隣接するモジュール８０ａ間のそれぞれに対応する結合領域においてモジュール配列に従属する被覆特性Ａの変化量を著しく少なくする。
【００５６】
エッジ効果を最小にするための簡単な方法は、基板の移動および基板の各領域が均一にモジュールの結合領域と残部とを通過するモジュールの配列からなる。この特徴は、リモートプラズマＣＶＤに適するばかりでなく、一般的に、一以上のプラズマ電極またはアンテナを有するプラズマ源配列を備えるいかなるプラズマＣＶＤ法、例えばＤＥ  ３８  ３０  ２４９  Ｃ２に記載されている電極配列にも好ましい。次の実施態様はまたこの技術で行うことができる。
【００５７】
図８ｂと図８ｃは、一般的に制限なくプラズマ源装置のリモートリニアー配列の例においてエッジ効果を減少したモジュール配列の実施態様を示す。明らかに、所定の効果はここに示されていない多くの種々の実施態様で得られる。当業者は、この開示に基づいてそれぞれの適用に最も好ましい配列を容易に見付けることができる。
【００５８】
例えば、プラズマ源装置のリモートリニアー配列が基板の移動方向に対して９０゜未満の角度αでかかる配列の長軸に関して設定されるとき、角度が減少することにともなう被覆特性の変化量は常に少ない、というのは、基板の移動ベクトルが交わり、結合領域の付近においてモジュールの結合のない領域が増加し、保障効果が得られるからである。約４５゜の角度で、基板の移動ベクトルは、基板の各位置において結合領域の下とモジュールの下とのおよそ等しいそれぞれの直線路を通過する（正確な数値は次の関係式から計算してもよいα＝ｓｉｎ-1（arcsin) ｛（Ｌ−ｒ）／（Ｌ＋ｄ＋ｒ）｝；Ｌ＝モジュールの長さ；ｒ＝エッジ領域の厚み、すなわち内部モジュール壁における強力な不均質プラズマ領域のもの；ｄ＝２ｘモジュール壁の厚み＋隣接するモジュールへの距離）。
【００５９】
図８ｂはプラズマ源装置８０ｂのリモートリニアー配列８１ｂを示す説明面で、ここで、その軸は基板８３ｂの移動方向に対して約４５゜傾斜しており、また被覆特性Ａの挙動または変化量はこの配列で得られる。曲線Ａは確実に滑らかである。
【００６０】
図８ｃはプラズマ源装置８０ｃの直線的な配列８１ｃを示す説明図で、ここで、その軸は基板８３ｃの移動方向に対して垂直に配置しており、それとともに被覆特性に関する同一効果が、モジュール８０ｃを約４５゜傾斜させた図８ｂの配列に示しすように、一対のモジュールをお互いの後方に配列させることにより得られる。この配列は少ない空間ですむが、図８ｂの配列よりも構造が幾分複雑である。さらに角度を減少させると、もちろん保障効果が増加するが、多くのモジュールが必要となり、この角度をさらに減少することは経済的でない。この保障効果は、リニアーリモートプラズマ源装置および／またはお互いに相対的にずらして配列された多くの種々のモジュールにより実際に任意に増加させてもよい（一般に、費用がかさむ）。もし、例えば種々の、すなわちＬ／Ｓ（ここで、Ｓ＝ｄ＋ｒ）、リニアーリモートプラズマ源をお互いの下に配列すれば、お互いに関して距離または空間Ｓについて置き換えるので、エッジ効果は同様に減少するであろう。
【００６１】
エッジ効果を減少させる別の方法には次のものが含まれる：
介在する壁のガス透過性
モジュールが金属性マイクロ波導波管、例えば長方形中空導波管であって、一方の側がガス不透過性マイクロ波ウインドー（絶縁板）で閉じられ、他方の側がマイクロ波不透過性ガスウインドー（金属性ホールプレートまたはワイヤー篩）で閉じられているもので造られている場合に、モジュール内部のエッジ領域が減少し、二つのモジュール間の結合領域の効果が弱くなる。隣接するモジュールの導電性の分離壁がガス透過性で、マイクロ波不透過性、例えばワイヤーメッシュまたは穴があるときに、モジュール内部の励起種の密度の等化が起こる。
【００６２】
基板に対する空間の変化
全てのモジュールにとって、各モジュールの結合領域付近のガス特性と残部との相違およびこれによる被覆の相違は、基板とモジュールとの間の空間が大きくなるように選ばれる場合に少ない、というのは、モジュールから出るガスの流れが十分に混合され、拡散によりより均質化されるからである。
【００６３】
しかしながら、この方法は、特に全モジュールに対して被覆物形成ガスが通常の流れを伴う場合に不利益を有する、なぜならば、励起ガスの被覆物形成ガスに侵入する深さや従属する被覆物特性（例えば速度）が常に減少するからである。この可能性は、この方法を用いる場合に考慮されるべきである。
【００６４】
マイクロ波出力の増加
別の特徴は個々のモジュールに関する。金属性マイクロ波導波管、例えば角型の中空導波管であって一方の側がガス不透過性マイクロ波ウインドー（絶縁プレート）で閉じられており、他方の側がマイクロ波不透過性ガスウインドー（金属性穿孔プレートまたはワイヤースクリーン）で閉じられているもので作られているモジュールにおいて、エッジ領域が減少しそれによるモジュールにおけるプラズマの等化が起こる。
【００６５】
これらの特徴に基づいて、被覆物形成ガスの定常流は全てのモジュールに提供され、または個々の流れは個々のモジュールに提供される。もし被覆物形成ガスの大部分が反応して被覆物材料を形成するならば、全ての場合にＰＩＣＶＤ法を用いることが推薦される。そのため、未反応被覆物形成ガスが各被覆パルス前にモジュール表面の下に存在することが保証される。
【００６６】
ドイツ特許出願１９６  ４３  ８６５．９−４５（１９９６年１０月３０日）の開示は、ここにリファレンスとして援用される。
【００６７】
本発明は、大表面基板を被覆または処理するリモートプラズマＣＶＤ法に関して具体的に説明または図示されているけれども、各種の修正や変更が本発明の精神から逸脱することなく成されるので、本発明は詳細な説明に限定することを意図するものではない。
【００６８】
さらに推敲することなく、前記のものは本発明の要旨を十分に表すので第三者は、現行の知識を適用することにより、従来の技術の観点から、本発明の一般的または特殊な態様の必須の特徴を公平に構成する特色を失うことなく、容易に各種に応用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のモジュールリニアーリモートプラズマＣＶＤ装置の一実施態様の透視図面である。
【図２】被覆物形成ガスが個々のモジュールを経て供給される、本発明のリモートプラズマＣＶＤ装置のその他の実施態様の透視図面である。
【図３】本発明のフラットリモートプラズマＣＶＤ装置の一実施態様の透視図面である。
【図４】ガス供給とガス交換が個々のモジュールを経て起こる、本発明のフラットリモートプラズマＣＶＤ装置のその他の実施態様の透視図面である。
【図５】図５ａは同軸モジュールの一実施態様の断面説明図であり、図５ｂは同軸モジュールのその他の実施態様の断面説明図である。
【図６】図６は中空伝導（導波管）モジュールの断面説明図である。
【図７】図７ａは中空共振器から組み立てられたフラットリモートプラズマＣＶＤ装置の断面説明図であり、図７ｂは中空共振器から組み立てられたフラットリモートプラズマＣＶＤ装置の平面図である。
【図８】図８ａ，８ｂおよび８ｃは、基板の移動方向とリニアープラズマ源装置配列の軸との間の角度に関する被覆特性の挙動の従属性を示す平面図である。
【符号の説明】
１０…モジュール
１１…リモートリニアー配列
１２…プラズマ
１３…基板表面
１４…反応室
３６…励起ガスの供給
３９…導波管
４５…排気装置
４６…排気
４７…被覆物形成ガス供給
４８…励起ガス供給
５８…金属パイプ
５９…チューブ
８２ａ…結合領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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