(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する方法において、
四塩化シリコンガスと希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを加熱容器内に同時に吐出する工程を備え、
前記加熱容器内において前記アンモニアガスを所定濃度とし、前記四塩化シリコンガスの分圧は前記アンモニアガスの分圧に対して０．５以上とする
ことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の窒化シリコン膜の形成方法において、
前記窒化シリコン膜を形成する前に、前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程を備えることを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の窒化シリコン膜の形成方法において、
形成された前記窒化シリコン膜は、キャパシタの誘電体膜である
ことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【請求項４】
請求項２記載の窒化シリコン膜の形成方法において、
形成された前記窒化シリコン膜は、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜である
ことを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路のキャパシタなどに用いられる窒化シリコン膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１トランジスタ１キャパシタで構成されるダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のキャパシタを構成する誘電体膜として、成膜原料の入手の容易さや取り扱いの容易さなどから窒化シリコン膜が用いられている。
この窒化シリコン膜の形成では、シリコン塩化物のガスであるジクロロシラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）とアンモニアガスとを原料とした化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられている。このＣＶＤ法による窒化シリコン膜の成膜のとき、ジクロロシラン（ＤＣＳ）の供給量が多くなると成膜雰囲気に、塩化アンモニウムを主成分とする副生成物であるパーティクルが発生する問題があるため、ジクロロシランの供給量を、アンモニアの供給量の１／５程度にしている。
【０００３】
ところで、キャパシタを構成する誘電体膜としては、次に示す理由により、一般には１Ｖ以上の耐圧が要求される。この要求は、ＤＲＡＭが用いられる半導体集積回路においては、現状では動作電圧が１．８Ｖ程度となっており、その約半分の電圧に対する耐圧がキャパシタに必要となり、余裕をみて実質的には１Ｖ以上の耐圧が必要となるからである。ただし、近い将来、ＤＲＡＭの動作電圧がより低下すれば、キャパシタには０．７Ｖ以上の耐圧があればよい状況となる場合もある。
【０００４】
また、キャパシタの誘電体膜には、酸化シリコンを用いた場合に換算した膜厚が４ｎｍ以下の誘電特性が必要となる。従って、窒化シリコンを用いる場合、その膜厚を５ｎｍ程度まで薄くすることになる。
すなわち、以上のことをまとめると、ＤＲＡＭのキャパシタを構成する誘電体膜に、窒化シリコン膜を用いる場合は、その膜厚を５ｎｍと薄くした状態で、０．７ボルトから１Ｖ以上の耐圧が要求されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の窒化シリコンの成膜方法では、形成した窒化シリコン膜中に水素が入り込みやすいため、前述したように薄い膜を形成した場合は、リーク電流が発生しやすく、０．７Ｖ以上の耐圧が得られないという問題があった。
この発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、膜厚５ｎｍ程度の窒化シリコン膜を、リーク電流の発生が抑制されて０．７Ｖ以上の耐圧を有した状態で形成できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明の窒化シリコン膜の形成方法では、成膜対象の基板を例えば６００〜７００℃と所定温度に加熱した状態で、その基板上に四塩化シリコンガスとアンモニアガスとを同時に吐出させ、かつ、加熱容器内においてアンモニアガスを所定濃度とし、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とした状態で供給しようとするものである。
この発明では、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とした状態で供給して窒化シリコン膜を形成するので、シリコンの原料となるガスには水素が含まれていない。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。
この実施の形態では、次に示す成膜装置を用いるようにした。
この成膜装置は、内部を加熱する機構を備えた加熱容器１０１を備え、加熱容器１０１内部には、原料ガス導入部１０２より四塩化シリコンガスが導入され、また、加熱容器１０１内部には、添加ガス導入部１０３より窒素ガスとともにアンモニアガスが供給される。また、加熱容器１０１内部のガスは、排気部１０４より排気される。
【０００８】
原料タンク１０５は、原料となる液体の四塩化シリコン（ＴＣＳ）１０６を蓄え、ヒータ１０７により加熱されてＴＣＳのガスを生成している。この原料タンク１０５に納められているＴＣＳのガスは、流量制御部１０８により流量を制御され、原料ガス供給経路１０９を経て原料ガス導入部１０２より加熱容器１０１内部に導入される。なお、原料ガス供給経路１０９は、内部を通過するＴＣＳガスが液化しないように、供給経路加熱手段１１０により所定温度に加熱されている。
【０００９】
一方、加熱容器１０１の添加ガス導入部１０３には、添加ガス供給経路１１３を介してアンモニアガスボンベ１１１および窒素ガスボンベ１１２が接続されている。アンモニアガスボンベ１１１からのアンモニアガスは、流量制御部１１４により流量が制御されて添加ガス供給経路１１３に導かれる。また、窒素ガスボンベ１１２からの窒素ガスは、流量制御部１１５により流量が制御されて添加ガス供給経路１１３に導かれる。そして、添加ガス供給経路１１３に導かれたアンモニアガスと窒素ガスは、添加ガス導入部１０３より加熱容器１０１内へ導入される。なお窒素ガスは、アンモニアガスを所定の濃度とする希釈ガスとして用いる。
【００１０】
したがって、加熱容器１０１内には、原料タンク１０５からＴＣＳガスが供給され、アンモニアガスボンベ１１１からアンモニアガスが供給され、窒素ガスボンベ１１２から窒素ガスが供給される。この加熱容器１０１内にＴＣＳガス，アンモニアガス，窒素ガスが供給された状態で、加熱容器１０１内配置された成膜対象の基板を加熱すれば、成膜対象の基板上に窒化シリコンの膜が形成できる。以上示したように、この発明では、まず、原料ガスにＴＣＳを用い、このＴＣＳに添加ガスとしてアンモニアガスを加えた熱ＣＶＤ法で、窒化シリコン膜を形成する。加えて、この発明では、以下に説明するように、加熱容器１０１内における添加ガスのアンモニアガスに対するＴＣＳガスの分圧比を０．５以上とした。
【００１１】
より詳細に説明すると、まず、加熱容器１０１内に成膜対象の基板を配置し、この基板を所定温度に加熱する。
次に、原料タンク１０５内のＴＣＳ１０６をヒータ１０７で加熱してＴＣＳガスを生成し、生成したＴＣＳガスを流量制御部１０８で供給量を制御して加熱容器１０１内に供給する。このＴＣＳガスの供給と同時に、アンモニアガスボンベ１１１よりアンモニアガスを吐出させ、吐出したアンモニアガスを流量制御部１１４で供給量を制御して加熱容器１０１内に供給する。なお、アンモニアガスは、窒素ガスボンベ１１２より吐出して流量制御部１１５で流量を制御した窒素ガスを添加して所定の濃度としておく。加えて、上記の流量制御部１０８と流量制御部１１４の制御により、加熱容器１０１内におけるＴＣＳガスの分圧をアンモニア（ＮＨ3）ガスの分圧の０．５以上の状態とする。
【００１２】
加熱容器１０１内におけるＴＣＳガスの分圧をアンモニア（ＮＨ3）ガスの分圧の０．５以上の状態としたとき、加熱容器１０１内の温度は、たとえば６００〜７００℃とし、内部の基板の温度も６００〜７００℃とする。また、加熱容器１０１内の全圧は０．２Ｔｏｒｒとした。
基板温度を６００〜７００℃とし、加熱容器１０１内の全圧を０．２Ｔｏｒｒとし、かつ、加熱容器１０１内におけるＴＣＳガスの分圧をアンモニア（ＮＨ3）ガスの分圧の０．５以上の状態とした状態では、加熱容器１０１内に供給された各ガスは、加熱容器１０１内に載置されて加熱された基板上で分解され、基板上には窒化シリコンの膜が形成される。このとき、加熱容器１０１内に供給された各ガスの中で、窒化シリコン膜の形成に関与しない他のガスは、排気部１０４より排気される。
【００１３】
上記のＴＣＳガスとアンモニアガスを原料とした熱ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンの膜は、膜厚が５ｎｍで０．７以上の耐圧が得られる。
ここで、加熱容器１０１内におけるＴＣＳガスの分圧と、この分圧の状態で形成した５ｎｍ厚の窒化シリコン膜の単位面積あたりのリーク電流がある値になる電圧値を求めた結果を図２に示す。ここでは、加熱容器１０１内に供給するアンモニアガスを希釈する窒素ガスの分圧を３７ｍＴｏｒｒと一定とし、加熱容器１０１内への供給ガス全圧を２００ｍＴｏｒｒ一定としている。
【００１４】
この図２から明らかなように、上述した熱ＣＶＤ法による窒化シリコン膜の形成では、ＴＣＳガスの分圧が大きいほど形成した窒化シリコン膜の耐圧が向上する。たとえば、ＴＣＳガスの分圧が約５３ｍＴｏｒｒのとき、形成した窒化シリコン膜には０．７Ｖの耐圧が得られている。この耐圧が得られた窒化シリコン膜を形成したときに供給したアンモニアガスの分圧は、２００−３７−５４＝１０９であり、ＴＣＳガスの分圧がアンモニアガスの分圧の約半分となっている。このように、ＴＣＳを原料に用いた熱ＣＶＤ法による窒化シリコン膜の形成では、窒化シリコン膜形成時に供給するＴＣＳガスの分圧をアンモニアガスの分圧の半分以上としておけば、５ｎｍの膜厚の窒化シリコン膜で、０．７Ｖ以上の耐圧が得られる。
【００１５】
ところが、従来のように、ＤＣＳを原料に用いた熱ＣＶＤ法で窒化シリコン膜を形成した場合は、窒化シリコン膜形成時に供給するＤＣＳの分圧を大きくしても、形成した窒化シリコンの耐圧は向上しない。
これに対し、この発明では、以上に説明したように、まず、窒化シリコン膜を、水素を含まないＴＣＳをシリコンの原料として用いた熱ＣＶＤ法により形成した。加えて、窒化シリコン膜を形成するときに供給するＴＣＳの分圧を、同時に供給するアンモニアガスの分圧に対して０．５以上となるように制御した。このように、ＴＣＳを用いてかつＴＣＳの分圧を制御することで、形成した窒化シリコン膜の電界強度を形成膜厚を変えずに制御し、所望の膜厚で所望の電界強度（耐圧）を得るようにした。
【００１６】
ところで、上述では、窒化シリコン膜をＤＲＡＭのキャパシタに用いる場合を例に説明したが、これに限るものではなく、ＴＣＳを原料として形成した窒化シリコン膜を、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に用いるようにしてもよい。ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜に誘電率の高い窒化シリコン膜を用いることで、ＳｉＯ2 膜を用いた場合に比較してゲート絶縁膜を厚くできるのでゲート耐圧を向上させることができる。
このＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンからなる基板３０１の所定領域を囲うように素子分離領域３０２を形成し、この後、図３（ｂ）に示すように、基板３０１の露出面を熱酸化することで、酸化膜３０３を膜厚０．５〜１．５ｎｍに形成する。
【００１７】
次に、図３（ｃ）に示すように、アンモニア雰囲気で加熱処理した後、酸化膜３０３上にＴＣＳを原料とした熱ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を堆積して、膜厚１．０〜３ｎｍの窒化シリコン膜３０４を形成する。シリコン窒化膜の堆積は、基板３０１が配置された加熱容器内の全圧を０．２Ｔｏｒｒとし、かつ加熱容器内におけるＴＣＳガスの分圧をアンモニアガスの分圧の０．５以上の状態とした状態で、基板３０１の温度３０１を６００〜７００℃とすることで行える。このように、ＴＣＳを原料とし、ＴＣＳガスの分圧をアンモニアガスの分圧の０．５以上の状態とした熱ＣＶＤ法により、パーティクルの発生もなく、所期の耐圧を有して窒化シリコン膜を形成することができる。
【００１８】
窒化シリコン膜３０４を形成した後、図３（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法によりシリコンを堆積することでポリシリコン膜３０５を膜厚２０〜２００ｎｍ程度に形成し、引き続いて、ポリシリコン膜３０５上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜３０６を膜厚２０〜１００ｎｍ程度に形成する。窒化シリコン膜３０６の形成は、窒化シリコン膜３０４の形成と同様である。
次いで、図３（ｅ）に示すように、窒化シリコン膜３０４，ポリシリコン膜３０５，窒化シリコン膜３０６を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により加工し、ゲート電極３０５ａおよびゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａとを形成する。
【００１９】
ゲート電極３０５ａを形成した後、図３（ｆ）に示すように、ゲート電極３０５ａおよびゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａをマスクとしてイオン注入をすることで、基板３０１に不純物が低濃度に導入された低濃度領域３０７を形成する。
この低濃度領域３０７を形成した後、図４（ｇ）に示すように、ゲート電極３０５ａおよびゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａとの側面に、窒化シリコン膜からなる側壁３０８を形成する。
【００２０】
次に、図４（ｈ）に示すように、ゲート電極３０５ａとゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａと側壁３０８とをマスクとしてイオン注入することで、基板３０１に不純物が導入されたソース・ドレイン領域３０９を形成する。
ソース・ドレイン領域３０９を形成したら、図４（ｉ）に示すように、基板３０１上に、ゲート電極３０５ａとゲート電極３０５ａ下部のゲート絶縁膜３０４ａとゲート電極３０５ａ上部のキャップ層３０６ａとを覆ってＳｉＯ2膜を堆積し、膜厚３００〜１０００ｎｍ程度の層間絶縁膜３１０を形成する。
【００２１】
そして、図４（ｊ）に示すように、層間絶縁膜３１０の所定箇所にコンタクトホール３１１を形成し、このコンタクトホールを充填して金属膜を形成し、この金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により加工し、図４（ｋ）に示すように、コンタクトプラグ３１２を介してソース・ドレイン領域３０９に接続するソース・ドレイン電極３１２を形成すれば、基板３０１上に燃すトランジスタが形成される。
【００２２】
この図４（ｋ）に示すＭＯＳトランジスタは、ゲート絶縁膜にＳｉＯ2 より誘電率の高い窒化シリコン膜を用いているので、ゲート絶縁膜を厚く形成することができ、ゲート耐圧を向上させることができる。ただし、窒化シリコン膜をゲート絶縁膜に用いる場合は、シリコン基板との界面における界面準位の発生を抑制するために、シリコン基板表面に薄く酸化膜を形成しておいた方がよい。なお、シリコン基板表面に、界面準位を形成することがなければ、直接窒化シリコン膜を形成してゲート絶縁膜として用いるようにしてもよい。
そして、このＭＯＳトランジスタは、上述したようにＴＣＳを原料とし、ＴＣＳガスの分圧をアンモニアガスの分圧の０．５以上の状態とした熱ＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成したので、ゲート絶縁膜の耐圧をシリコン酸化膜を用いた場合に比較して向上させることができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明では、成膜対象の基板を所定温度に加熱した状態で、その基板上に四塩化シリコンガスとアンモニアガスとを、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とした状態で供給しようとするものである。
この発明によれば、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して０．５以上とした状態で供給して窒化シリコン膜を形成するので、シリコンの原料となるガスには水素が含まれていない。この結果、形成した窒化シリコン膜中に水素が取り込まれることがほとんどなく、形成した窒化シリコン膜のリーク電流を抑制できるようになる。したがって、この発明によれば、窒化シリコン膜を５ｎｍ程度の薄膜としても、０．７Ｖ以上の耐圧が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態で用いる成膜装置の概略的な構成を示す構成図である。
【図２】  ＴＣＳガスの分圧に対する形成した窒化シリコン膜の耐圧を示す相関図である。
【図３】  ＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する工程図である。
【図４】  図３に続く、ＭＯＳトランジスタの製造方法について説明する工程図である。
【符号の説明】
１０１…加熱容器、１０２…原料ガス導入部、１０３…添加ガス導入部、１０４…排気部、１０５…原料タンク、１０６…四塩化シリコン（ＴＣＳ）、１０７…ヒータ、１０８…流量制御部、１０９…原料ガス供給経路、１１０…供給経路加熱手段、１１１…アンモニアガスボンベ、１１２…窒素ガスボンベ、１１３…添加ガス供給経路、１１４…流量制御部、１１５…流量制御部。
【図１】
0004209563.tif 000002
【図２】
0004209563.tif 000003
【図３】
0004209563.tif 000004
【図４】
0004209563.tif 000005