(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に下部電極を形成する段階と、
前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、
前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項２】
前記下部電極と上部電極とを、それぞれドープドポリシリコンと金属物質単独により形成するか、又はこれらを積層して形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項３】
前記金属物質が、TiN、Ti、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、IrおよびPtからなる群から選択される１種であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項４】
前記下部電極形成材料としてドープドポリシリコンを使用する場合に、前記下部電極の表面に凸状半球形状のポリシリコンを成長させる工程を実施することを特徴とする請求項２記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項５】
前記下部電極形成材料としてドープドポリシリコンを使用する場合に、Ta3N5誘電体膜の形成前に1〜5分間NH3雰囲気中で前記下部電極の表面を窒化処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項６】
前記Ta3N5誘電体膜の形成前に、HF蒸気を用いる乾式洗浄工程又はHF溶液を用いる湿式洗浄工程のいずれか一つの洗浄工程により、前記下部電極表面の自然酸化膜及びパーティクルを除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項７】
前記熱処理工程を600〜950℃の温度で実施することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項８】
前記非晶質TaON膜を、Ta(OC2H5)5又はTa(N(CH3)2)5を150〜200℃の温度に維持されている蒸発器又は蒸発管により低圧化学気相蒸着(LP-CVD)チャンバー内に注入して蒸着形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項９】
前記非晶質TaON膜を、300〜600℃の低圧化学気相蒸着チャンバー内にTaの化学蒸気とその反応ガスであるNH3ガスとを流量調節器を通じてそれぞれ定量供給した後、これらを100torr以下の雰囲気中で表面反応させることにより、蒸着形成することを特徴とする請求項８記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１０】
前記Ta3N5誘電体膜内のN含有量を調節するために、前記Ta3N5誘電体膜をアニーリング工程に供する段階を更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１１】
前記アニーリング工程を、O2又はN2O雰囲気中で実施するプラズマ又は急速熱処理工程、又はUV-O3又はO3雰囲気中でアニーリングする工程により行うことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１２】
前記アニーリング工程により前記Ta3N5誘電体膜上に酸化膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１３】
前記熱処理工程を、急速熱処理工程により行うか、又は低圧又は常圧方式の電気炉を用いることにより実施することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１４】
半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、
前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、600〜950℃の温度及びNH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、
前記Ta3N5誘電体膜をアニーリング処理する段階と、
前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１５】
前記アニーリング工程を、O2又はN2O雰囲気中で実施するプラズマ又は急速熱処理工程、又はUV-O3又はO3雰囲気でアニーリングする工程により行うことを特徴とする請求項１4記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１６】
前記下部電極と上部電極とを、それぞれドープドポリシリコン、TiN、Ti、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、IrおよびPtからなる群から選択される１種の金属物質単独により形成するか、又はこれらを積層して形成することを特徴とする請求項１4記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１７】
前記下部電極形成材料としてドープドポリシリコンを使用する場合に、前記下部電極の表面に凸状半球形状のポリシリコンを成長させる工程を実施することを特徴とする請求項１4記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１８】
前記下部電極形成材料としてドープドポリシリコンを使用する場合に、Ta3N5誘電体膜の形成前に1〜5分間NH3雰囲気中で窒化処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項１4記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項１９】
半導体基板上に下部電極を形成する段階と、
前記下部電極の表面をNH3雰囲気中で窒化処理する段階と、
前記下部電極の表面に非晶質TaON薄膜を形成した後、600〜950℃の温度及びNH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、
前記Ta3N5誘電体膜をアニーリング処理する段階と、
前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。
【請求項２０】
前記下部電極と上部電極とを、それぞれドープドポリシリコン、TiN、Ti、TaN、W、WN、WSi、Ru、RuO2、IrおよびPtからなる群から選択される１種の金属物質単独により形成するか、又はこれらを積層して形成することを特徴とする請求項１9記載の半導体装置のキャパシターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のキャパシターの製造方法に関し、より具体的には半導体装置に要求される充電容量を十分に確保し得る半導体装置のキャパシターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体装置の高集積化を達成するために、セル面積の減少及び動作電圧の低電圧化に関する研究開発が活発に行われている。
【０００３】
高集積化の進展とともにキャパシターの面積は急速に減少する。しかしながら、記憶素子の動作に必要な充電容量は、セル面積の減少にもかかわらず、ソフトエラー（soft error）の発生防止とリフレッシュ時間の短縮を防止するために、25fF/cell以上とする必要がある。
【０００４】
したがって、現在までDRAM用キャパシターの十分な容量を確保するために、種々の方法が提案されている。例えば、通常のシリンダ構造の変更によりキャパシターの面積を増加させるか或いは誘電体膜の厚さを減少させることにより、十分なキャパシター容量を確保する方法が提案されている。
【０００５】
また、最近では、従来使用されてきたシリコン酸化物に代えて、NO(Nitride-Oxide)又はONO（Oxide-Nitride-Oxide）構造を有する誘電体膜を形成するか、又は高キャパシタンス（誘電率;ε：20〜25）を確保し得るTa2O5或いはBST(BaSrTiO3)などにより、シリコン酸化物からなる誘電体膜を代替しようとする研究が進行されている。
【０００６】
しかしながら、NO誘電体膜を有するキャパシターは、256M以上の次世代メモリに必要な容量を確保するには、限界があるので、次世代誘電材料、例えば、Ta2O5誘電体の研究開発が進められている。
【０００７】
しかしながら、前記Ta2O5薄膜は、不安定な化学量論比（stoichiometry）を有するため、TaとOとの組成比の差に起因する置換型Ta原子が薄膜内に必然的に存在する。
【０００８】
また、Ta2O5誘電体膜の形成時に、Ta2O5の前駆体である有機化合物Ta(OC2H5)5とO2(又はN2O)ガスとの反応により、不純物である炭素原子と炭素化合物(C、CH4、C2H4など)および水が、形成される。
【０００９】
その結果、Ta2O5薄膜内に存在する酸素空孔および不純物として存在する炭素原子、イオンとラジカルにより、キャパシターの漏洩電流が増加して、誘電特性が劣化する。
【００１０】
このようなTa2O5薄膜内の不純物は、低温熱処理（例えば、プラズマN2O又はUV-O3処理）を2回或いは3回行うことにより、除去することは可能であるが、この熱処理工程は煩雑である。さらに、Ta2O5薄膜の酸化抵抗性が低いために、この工程には、下部電極の酸化が発生するという欠点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、前記従来技術の諸問題点を解決することにより、優れた電気的特性を有するとともに、高容量を確保し得る半導体装置のキャパシターの製造方法を提供することを主な目的とする。
【００１２】
また、本発明は、キャパシターの高容量を確保するために必要とされる下部電極の断面積を増加させるための製造工程を省略して、単位工程数を減少させるとともに工程時間を短縮させることにより、生産原価を低減し得る、半導体装置のキャパシターの製造方法を提供することをも、目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の半導体装置のキャパシター製造方法は、半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明による第２の半導体装置のキャパシター製造方法は、半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、600〜950℃の温度及びNH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta3N5誘電体膜をアニーリング処理する段階と、前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明による第３の半導体装置のキャパシター製造方法は、半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極の表面をNH3雰囲気中で窒化処理する段階と、前記下部電極の表面に非晶質TaON薄膜を形成した後、600〜950℃の温度及びNH3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa3N5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta3N5誘電体膜をアニーリング処理する段階と、前記Ta3N5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体装置のキャパシターの製造方法を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１ないし図４は、本発明に従って、高誘電率のTa3N5誘電体薄膜を備えた半導体装置のキャパシターを製造するための一連の工程を示す断面図である。
本発明による半導体装置のキャパシターの製造方法においては、図示はしないが、常法に従って、まず半導体基板としてのシリコン基板１０の活性領域上面にゲート電極、ソース／ドレンなどの所定の回路要素ないし回路素子を有する半導体素子（図示せず）を形成する。
【００１８】
その後、図１に示すように、シリコン基板１０の全面にUSG(Undoped Silicate Glass)、BPSG(Boro Phospho Silicate Glass)及びSiONから選択した物質を蒸着した後、その表面を化学機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)工程で研磨することにより、層間絶縁膜２０を形成する。
【００１９】
次いで、前記シリコン基板１０の関連する活性領域と接するキャパシターの所望の断面積を確保するために、フォトリソグラフィーを用いる露光及び現像工程により、前記層間絶縁膜２０の一部を選択的に除去してコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００２０】
その後、前記コンタクトホール内にドープドポリシリコン又は非晶質ドープドポリシリコンなどの導電性物質を蒸着した後、フォトリソグラフィーを用いる露光及び現像工程により、蒸着した導電性物質を選択的に除去して、前記コンタクトホールが形成された層間絶縁膜２０の対応部分上に下部電極３０を形成する。この際に、本発明方法により形成される下部電極３０のそれぞれは、スタック構造を有する。
【００２１】
前記下部電極３０の構造は、スタック（stack）形状、シリンダ（cylinder）形状、フィン（fin）形状およびスタックシリンダ（stack cylinder）形状のいずれか一つを選択して形成することができる。
【００２２】
その後、図２に示すように、前記下部電極３０の上面に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、これをNH3雰囲気中で熱処理工程に供することにより、Ta3N5誘電体膜３２を形成する。
【００２３】
この際、前記非晶質TaON薄膜の蒸着工程においては、300〜600℃程度 (好ましくは350〜550℃程度、より好ましくは370〜540℃程度)の温度に維持した低圧化学気相蒸着チャンバー内で、有機金属化合物である前駆体としてのTa(OC2H5)5又はTa(N(CH3)2)5を化学気相蒸着法により気化させた後、NH3ガスと反応させることが好ましい。
【００２４】
また、前記非晶質TaON薄膜の蒸着工程に際して使用されるTa成分の化学蒸気(Ta化合物の蒸気)は、以下の様な工程により得られる。
【００２５】
まず、純度99.999％以上の液状のTa(OC2H5)5又はTa(N(CH3)2)5を質量流量制御器（Mass Flow Controller）を通じて、150℃〜300℃程度 (好ましくは160〜250℃程度、より好ましくは170〜200℃程度)の温度に維持されている蒸発器又は蒸発管に300〜1000mg/min程度 (好ましくは320〜800mg/min程度、より好ましくは330〜700mg/min程度)で定量供給する。
【００２６】
この際に、前記Ta(OC2H5)5又はTa(N(CH3)2)5を完全に蒸発させるために使用するオリフィス又はノズルを含む蒸発器とTa蒸気の流路となる供給管とは、Ta蒸気の凝縮を防止するために、常に150〜200℃の温度範囲に維持する。
低圧化学気相蒸着チャンバー内に供給された所定量のTa蒸気は、所定量のNH3反応ガス(5〜500sccm)と100torr以下の圧力で表面反応して、非晶質TaON薄膜を形成する。
【００２７】
また、NH3雰囲気で行われる熱処理工程は、非晶質TaON薄膜の結晶化のために、600〜950℃の温度範囲内で実施する。
この熱処理工程は、急速熱処理工程（rapid thermal process）或いは定圧／常圧方式の電気炉を用いて、行う。
【００２８】
次いで、図３に示すように、前記NH3雰囲気で熱処理されたTa3N5誘電体膜３２に後続の熱処理(アニーリング)工程を実施して、前記Ta3N5誘電体膜３２の表面に均質酸化膜３４を更に形成する。
【００２９】
前記後続のアニーリング工程は、O2又はN2O雰囲気中でプラズマ又は急速熱処理工程を用いて実施するか、或いはUV-O3又はO3雰囲気中で実施する。
このようなアニーリング工程により、Ta3N5誘電体膜３２内のN含量を調節することが可能であるので、漏洩電流又は降伏電圧に関連するキャパシターの諸特性を改善することができる。
【００３０】
その後、図４に示すように、前記Ta3N5誘電体膜３２の上面にドープドポリシリコンのような導電物質を蒸着し、これをパターニングして上部電極３６を形成することにより、図示した実施例によるTa3N5誘電体膜を有する高容量のキャパシターの製造工程を完了する。
【００３１】
本発明の一実施例による半導体装置のキャパシターの製造工程において、Ta3N5誘電体膜３２の形成に先立ち、インシチュー（in-situ）又はエクスシチュー（ex-situ）でHF蒸気を用いる乾式洗浄工程又はHF溶液を用いる湿式洗浄工程を実施して、下部電極３０表面に存在することがある自然酸化膜及びパーティクルを除去することができる。
【００３２】
また、前記Ta3N5誘電体膜３２の形成時に、下部電極とTa3N5誘電体膜との間に自然酸化膜が生成されることを防止するために、下部電極３０の表面を窒化処理する。
【００３３】
前記窒化処理工程としては、NH3雰囲気中で1〜5分間プラズマ処理することが好ましい。この窒化処理により、下部電極と高誘電体膜との界面が酸化されることを防止できるので、良質の誘電体膜を得ることができる。
【００３４】
図５及び６は、本発明のキャパシターにおいて、非晶質TaON誘電体膜を形成させた場合(図５)と、非晶質TaON誘電体膜をNH3雰囲気中でアニーリングした後にTa3Ｏ5誘電体膜を形成させた場合(図６)において、２つの誘電体膜内に存在する各種元素の濃度を比べたグラフである。
【００３５】
図５と図６との対比から明らかな様に、非晶質TaON薄膜を蒸着した後、NH3雰囲気中でアニーリングを実施することにより、非晶質TaON薄膜内のO成分を減少させるとともに、活性化されたN成分を増加させることができる。かくして、約100(ε)以上の誘電率を有する強誘電体であるTa3N5膜を得ることができるので、著しく増大したキャパシタンスを有するキャパシターを得ることができる。
【００３６】
図7は、本発明の他の実施例によるTa3N5誘電体膜を有する半導体装置のキャパシター構造を示す断面図である。
【００３７】
この本発明の他の実施例によるTa3N5誘電体膜を有する半導体装置のキャパシターの製造方法においては、図7に示すように、まずシリコン基板４０上に、図１及び図２の製造工程と同様の手法により、層間絶縁膜５０、下部電極６０及びTa3N5誘電体膜６２を順次形成する。
【００３８】
その後、前記Ta3N5誘電体膜６２上面に伝導障壁（conduction barrier）の役割を果たす金属層６５と緩衝体の役割を果たすドープドポリシリコン層６６とを順次積層して、MIS(Metal-Insulator-Silicon)構造を有する上部電極を構成する。
【００３９】
本発明の他の実施例においては、前記上部電極及び下部電極のそれぞれは、ドープドポリシリコンに代えて、TiN、Ti、TaN、W、WN、Wsi、Ru、RuO2、Ir、Ptなどの金属系材料のいずれか１種により、形成される。
【００４０】
したがって、このような金属系材料を上部電極及び下部電極として使用する場合には、MIM（Metal-Insulator-Metal）全体構造のTa3N5キャパシターを形成することができる。
【００４１】
図8は、本発明の更に他の実施例によるTa3N5誘電体膜を有する半導体装置のキャパシター構造を示す断面図である。
【００４２】
本発明による更に他の実施例によるキャパシターの製造方法においては、先ず、シリコン基板７０上に、図１およびず２の製造工程と同様の手法により、層間絶縁膜８０，下部電極９０を形成する。
【００４３】
この実施例においては、前記下部電極９０の上表面は、凸状半球形状にポリシリコンを成長させたHSG（Hemi Spherical Grain）形態を有する。
次いで、前記下部電極９０の上面に、図２の製造工程と同様の手法により、Ta3N5誘電体膜９２を形成する。
【００４４】
次いで、前記Ta3N5誘電体膜９２上に上部電極９６を形成することにより、キャパシターの製造を完了する。
【００４５】
【発明の効果】
本発明による半導体装置のキャパシター製造方法によれば、以下の様な効果が達成される。
【００４６】
キャパシター誘電体膜の製造工程において、非晶質TaONを蒸着した後、これをNH3雰囲気中でアニーリングすることにより、初期蒸着された非晶質TaON内の酸素成分が、活性化された窒素成分により完全に置換されるので、約100(ε)以上の誘電率を有する高誘電体Ta3N5膜を得ることができる。
【００４７】
したがって、本発明におけるTa3N5誘電体は、従来のTa2O5キャパシターよりも4倍或いはそれ以上の高い誘電率を有するので、これは、256M級以上の次世代半導体メモリ装置のキャパシターの誘電体を代替することができる。
【００４８】
また、本発明におけるTa3N5誘電体は、高誘電率を有するため、既存のMIS構造のキャパシターのTa2O5誘電体膜に比べ、誘電体膜の酸化膜（Tox）の厚さを約25Å或いはそれ以下に低下させ得る効果がある。
【００４９】
そして、本発明においては、下部電極の面積を増大させることなく、簡単なスタック構造を備えた下部電極を使用する場合においても、高誘電率のTa3N5膜により所望の高容量が得られるので、高集積半導体装置用のキャパシターの製造が可能である。
【００５０】
更に、本発明におけるTa3N5誘電体膜は、高誘電率を有するので、下部電極の断面積を増大させるための製造工程を省略し得る。従って、単位工程数が減少し、製造工程時間が短縮される効果という効果が達成される 。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による高誘電体Ta3N5を有する半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための工程図の一部である。
【図２】本発明の一実施例による高誘電体Ta3N5を有する半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための工程図の一部であって、図１に続く段階を示す図面である。
【図３】本発明の一実施例による高誘電体Ta3N5を有する半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための工程図の一部であって、図２に続く段階を示す図面である。
【図４】本発明の一実施例による高誘電体Ta3N5を有する半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための工程図の一部であって、図３に続く最終段階を示す図面である。
【図５】キャパシターにおいて、形成された非晶質TaON誘電体膜中に存在する各種元素の濃度を示すグラフである。
【図６】本発明製造方法によるキャパシタにおいて、非晶質TaON誘電体膜をNH3雰囲気中でのアニーリングによりTa3N5誘電体膜に変化させた場合に、誘電体膜中に存在する各種元素の濃度を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施例による半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための半導体素子の断面図である。
【図８】本発明の更に他の実施例による半導体装置のキャパシターの製造方法を説明するための半導体素子の断面図である。
【符号の説明】
１０  シリコン基板
２０  層間絶縁膜
３０  下部電極
３２  Ta3N5誘電体膜
３４  酸化膜
３６  上部電極
４０  シリコン基板
５０  層間絶縁膜
６０  下部電極
６２  Ta3N5誘電体膜
６５  金属層
６６  ポリシリコン層
７０  シリコン基板
８０  層間絶縁膜
９０  下部電極
９２  Ta3N5誘電体膜
９６  上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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