(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半導体チップを第一の主要面に支持するための、第一の主要面と、第二の主要面と、前記第一の主要面と前記第二の主要面との間の厚さとによって画成される配線基板であって、
前記第二の主要面における所定の閉区画を画成するように前記第二の主要面から突出するリッジ状突出部（ridge-like protrusion）と、
前記第二の主要平面側のリッジ状突出部に対して丁度裏側に位置するとともに、ボンディングワイヤが接続されるように前記第一の主要平面上に画定された導電性ランディング部と、
を有する配線基板。
【請求項２】
少なくとも、中央部非導電性コアと、全体として第二の主要面上に設けられた非導電層と、該非導電性コアと該非導電層との間に配置された金属被覆層とを備え、
前記導電性ランディング部は、前記非導電性コアにおける金属被覆層と非導電層とが形成された側とは反対の側である第一の主要面上に形成されている
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記リッジ状突出部は金属被覆層の一部として画定された請求項２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光センサのリニアアレイ、発光ダイオードのリニアアレイ、インクジェット・イジェクタの一部分などの画像形成装置に使われる半導体チップのアセンブリに関する。特に本発明は、アレイにおいて半導体チップに超音波圧着ワイヤボンディングを行なう際に堅固な支援を提供するプリント配線基板の設計に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光センサの長尺アレイを含む入力スキャナや、多数のイジェクタの長尺アレイを含むインクジェットプリンタ等のフルページ幅の画像形成装置では、一般的には複数の半導体チップが画像形成装置内に並べられている。半導体チップは通常、最長１３インチまでのページ幅のアレイに配列される。
【０００３】
光センサの長尺のリニアアレイを形成する場合に現状で好ましいとされる設計は、比較的小さな半導体チップのセットを提供することであり、個々の半導体チップは従属回路装置と共に光センサのリニアアレイを画定している。これらの半導体チップは通常、長さ約３／４インチであり、フルページ幅アレイを形成するためには実用上２０個あるいはそれ以上の数量のこれらの半導体チップが端部同士当接されて一つの光センサのリニアアレイを形成する。当接されたチップはプリント配線基板の形態の支持基体上に実装される。またプリント配線基板は各チップ上の回路装置にアクセスする回路を含む。プリント配線基板上の比較的大きい規模の導体と各チップ上の比較的小さい接触パッドとの間の相互接続は、配線基板上の導体とチップの接触パッドの両者に超音波圧着されるワイヤボンディングによりなされるのが好ましい。したがってプリント配線基板上の半導体チップからボンディングワイヤの超音波圧着を支援する技術が求められる。
【０００４】
米国特許第５３１１０５９号は、一方の平面に金属被覆パターンを有する基体と、対向面にアクティブ面及び接地面を有する半導体とからなる半導体デバイスパッケージを開示している。この半導体デバイスはアクティブ面を基体に向けた金属被覆パターンに取り付けられている。また導電性材料が半導体デバイスの露出した接地面を覆い、半導体の接地面と基体の金属被覆パターンとの間の電気的接続をおこなっている。
【０００５】
米国特許第５５４５９１３号は、支持基体に半導体チップを実装したアセンブリを開示している。チップは導電性接着剤の長尺のビーズによってその背面で基体上に取り付けられている。この設計によればチップの接点に接続されたプリント配線基板は、さらにチップのアレイに隣接する支持基体にも接続されている。
【０００６】
米国特許第５５２８２７２号は、プリント配線基板とチップアレイとが共に構造バー（ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  ｂａｒ）に実装された全幅のイメージングボードの別の形態を開示している。
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、第一の主要面、第二の主要面、およびその間の厚さを確定した基板が提供され、少なくともこの第一の主要面に一つの半導体チップを指示する。第二の主要面にはリッジ状突出部が突出する。第一の主要面には導電性ランディング部が設けられ、導電性ランディング部にはボンディングワイヤが接続され、この導電性ランディング部は第二主要面のリッジ状突出部の真裏に位置する場所に配置される。
【０００８】
図１は１０で概括的に示されるプリント配線基板の一つの主要面の平面図を示し、本発明に含まれる。図１では、実線は観察者に面した基板の表面１１に配置された構造の輪郭を示し、破線は観察者から見て裏面の基板の構造を示す。
【０００９】
基板１０は複数の半導体チップが実装されたプリント配線基板である。図１に見られるように、観察者に向く面とは反対側の面に半導体チップが実装され、破線１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、．．．１２ｚに示されている。この形態におけるチップは、例えば光センサまたはＬＥＤイメージングバーにおいて見られるように実質的に連続したアレイを形成する。
【００１０】
本発明によれば、配線基板１０の表面１１から突出するリッジの形のリッジ状突出部が提供される。本発明の一形態では、リッジ状突出部の一つのタイプが基板１０の表面１１上に閉領域を形成する。矩形の閉平面を形成するこのリッジ状突出部は１４で示され、さらに図２の断面図において２つの箇所で示されている。
【００１１】
表面１１のリッジ状突出部１４で囲われた部分は、基板１０の反対面のチップ１２ａ、１２ｂ、・・・１２ｚの位置に対応する部分を囲う。さらにリッジ状突出部１４はチップ位置に対応する表面１１上の領域に隣接しかつこれと並ぶ実質的な空白領域も囲う。
【００１２】
反対面のチップ一に対するリッジ状突出部１４がこの特定の構造をとる目的は、表面の閉区域と空白領域との組合せにより、真空実装装置への基板１０の表面１１の配置を容易にすることである。この実装装置は、図２にその一部をＶとして影線で示した。このような真空実装装置では、真空吸引（Ｓ方向矢印で表示）がお子案割れる狭いスロットは、通常はリッジ状突出部１４に囲まれた空白領域に配置される。リッジ状突出部１４はこのように装置Ｖ上の最上面方面に対して付勢される。リッジ状突出部１４の突起が真空スロットの衆院お有効なガスケットを与え、基板１０が真空実装位置にある時に実質的に安定性を増大させる。
【００１３】
さらに、ここで「チップ実装（マウント）リッジ」と称される一連のリッジ状突出部２０ａ、２０ｂ、・・・２０ｚがリッジ状突出部１４で囲われた領域内に配置され、このチップ実装リッジは対面の１２ａ、１２ｂ、・・・１２ｚのチップ位置に対応する基板１０の裏側の面１１の各位置に配置されている。このように、図２で示すとおりチップ実装リッジ２０ｂが真空実装装置Ｖに置かれると、チップ実装リッジ２０ｂの持ち上げられた領域は吸引力Ｓを与えるスロットに隣接した真空実装装置Ｖ上の平面に対して強固に付勢される。この構造は、例えばピックアンドプレースロボットシステムがチップ１２ｂを基板１０に取り付け、超音波圧着によるワイヤボンディングが基板１０から１２ｂのようなチップへ行われる場合において非常に強固な面を提供する。
【００１４】
基板１０の基本構造は、現在入手可能な一般的に実施されている基板のものと同じである。従って、基板１０は通常、ここでは３０として示される多孔性セラミックからなる中央部非導電性コアを含み、製造者イビデンにより現在販売されている基板材料を好適な材料として含む。基板１０の表面１１に関しては、一般に、コア３０の主要面に通常、銅製の金属被覆層がエッチングされている。リッジ状突出部１４及びチップ実装リッジ２０ａ、２０ｂ等を形成しているリッジ状突出部は好ましくはこの金属被覆層の中に形成される。つまりこれらのリッジ状突出部の形成に貢献しない面１１上の領域は金属被覆層からエッチングにより除去される。様々なリッジ状突出部を形成するこれらの金属構造の上には、ここでは３２で示すが、通常、「ソルダーマスク」として知られる高分子材料の絶縁槽がある。従って、要約すると、本発明における様々なリッジ構造は、プリント配線基板の中心の非導電性コアに接する金属被覆層の中に形成されるのが好ましい。好適な態様では金属被覆層に形成されるこれらのリッジ状突出部は、究極的に、完成品の表面１１の均衡（ｂａｌａｎｃｅ）表面から最低限１ミリ、好ましくは２ミリ程度突出する。しかしながら、重要なのは表面１１の金属被覆層の一部をエッチングにより除去してリッジ状突出部の形成を行うことであり、従ってリッジ状突出部は、存在する金属被覆上に通常のエッチング処理の一部としてリッジ状突出部が形成される際に本質的に「自然（ｆｏｒ  ｆｒｅｅ）」に形成される。本発明の基板構造は「セラコム（ｃｅｒａｃｏｍ）」又は「ＦＲ−４」等としてよく知られた技術、あるいは事前に形成されて火焔処理されたセラミック製の基体が、その上にプリントされた回路図形を有する場合において有用である。
【００１５】
半導体チップが実装された基板１０の表面には、あらゆる既知の構造を有するプリント配線基板でよく見られるように、表面に使われる３６で示されるような多くの配線があってもよい。少なくともこの配線３６の一部は３８で示すように導電性ランディング部を形成する。導電性ランディング部３８は簡単に言えば配線３６の一部であり、例えば１２ｂ等の特定半導体チップの接点と接続するのに用いられる。そのようなワイヤボンディングは４０で示されており、当該技術で知られているとおり、超音波圧着などの既知のワイヤボンディング技術によって配線される。本発明の一形態ではボンディングワイヤ４０の一端を受容する点を表す導電性ランディング部３８は全て基板１０の裏面１１にあるリッジ状突出部、この場合は図２で示されるようにリッジ状突出部１４の一部の真向かいに配置されている。導電性ランディング部３８を有する面の裏側にリッジ状突出部を設ける利点は、配線基板１０が真空実装装置Ｖに対して付勢される際にワイヤボンディング器具に対して強固な表面を与えることである。
【００１６】
さらに通路４２は基板１０の面１１に接するいかなる金属被覆にももちろん接続できるけれども、図２では４２で支援される導電性通路が、配線３６からコア３０を貫通しており、図示した例では４４で示される導電性構造体まで延出している。通路４２は回路３６から面１１上の様々なリッジ状突出部１４、２０、４４を形成する導電性金属被覆層への設置家線として有用である。次いでこれらの金属被覆層は、例えば図１に示される導電体４８を経由してアースに接続することができる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明の基板の全体設計は、真空実装装置のスロットの周囲にガスケットを形成するリッジ状突出部１４により、基板の真空実装を確実に行うようにしている。さらに、チップ実装位置の真向かいにあるチップ実装リッジ２０が存在することで基板１０へのチップのピックアンドプレース装着のための強固な表面を提供し、また３８などの導電性ランディング部の真裏にリッジ状突出部が存在することでワイヤボンディング工程のために有利な強固な表面を提供している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板すなわちアセンブリの一方の主要面の平面図である。
【図２】図１を線２−２から見た断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２ａから１２ｚまで
半導体チップ
１４  リッジ状突出部
２０ａから２０ｚまで
チップ実装リッジ
３８  導電性ランディング部
４０  ボンディングワイヤ
４２  導電性通路
４４  導電層
【図１】
0004209490.tif 000002
【図２】
0004209490.tif 000003