(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送された上記基板が搬入される処理チャンバと、
この処理チャンバに搬入された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理チャンバ内に設けられ基板を所定方向に揺動させてこの基板の上面に供給された処理液を流動させる揺動機構を具備し、
上記揺動機構は、揺動テーブルと、この揺動テーブルの上記基板の搬送方向の一端側と他端側とにそれぞれ設けられ上記揺動テーブルを上記搬送手段によって搬送される基板よりも下方に位置する下降状態、上記基板を上記搬送手段から上昇させる浮上状態、浮上状態から上記基板を搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第１の傾斜状態及び第１の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第２の傾斜状態に駆動する一対のリニアモータ或いはエアーシリンダーとによって構成されていることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を搬送手段によって処理チャンバに搬入する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板に処理液を供給する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板をこの処理チャンバ内に設けられた揺動テーブルによって上記搬送手段から浮上させて搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第１の傾斜状態及び第１の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第２の傾斜状態に駆動して上記基板の上面に供給された処理液を流動させる工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板を処理チャンバ内で処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液、さらにレジストの除去後に基板を洗浄するための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工程が必要となる。
【０００５】
上記基板の板面を処理液によって処理する場合、たとえばエッチング液を基板に供給するエッチングチャンバ、エッチング後に剥離液によってレジストを除去する剥離チャンバ、レジストの除去後に基板をリンス処理するリンスチャンバが順次連設された処理装置が用いられる。
【０００６】
上記基板は搬送装置により所定方向に搬送される。そして、基板がチャンバ内に搬入されると、その基板に向けて処理液が噴射される。それによって、基板が各チャンバ内でそれぞれ異なる種類の処理液によって処理されるようになっている。
【０００７】
上記エッチング液や剥離液によって基板を処理する場合、処理速度の向上と、基板の板面全体を均一に処理できるようにすることが重要なファクタとして要求される。
【０００８】
従来、処理チャンバ内にはシャワーパイプを配置し、基板が処理チャンバ内に搬入されたならば、所定の位置で基板を停止し、その基板の上面に上記シャワーパイプから処理液を噴射する。そして、上記処理液による処理作用が進行したならば、上記基板を処理チャンバから搬出するということが行なわれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、搬送が停止された基板に処理液を供給するだけでは、基板の板面に対して処理液が均一に供給され難いから、処理液によって基板の板面全体が均一に処理できないということがある。
【００１０】
また、搬送が停止された基板に処理液を供給すると、基板上での処理液の流動性を十分に高めることができない。そのため、処理液による処理作用が進行し難くなるから、基板の処理時間が長くなるということになる。
【００１１】
この発明は、基板を処理液によって処理する場合に、処理速度の向上と処理の均一性とを図ることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送された上記基板が搬入される処理チャンバと、
この処理チャンバに搬入された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理チャンバ内に設けられ基板を所定方向に揺動させてこの基板の上面に供給された処理液を流動させる揺動機構を具備し、
上記揺動機構は、揺動テーブルと、この揺動テーブルの上記基板の搬送方向の一端側と他端側とにそれぞれ設けられ上記揺動テーブルを上記搬送手段によって搬送される基板よりも下方に位置する下降状態、上記基板を上記搬送手段から上昇させる浮上状態、浮上状態から上記基板を搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第１の傾斜状態及び第１の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第２の傾斜状態に駆動する一対のリニアモータ或いはエアーシリンダーとによって構成されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１３】
請求項２の発明は、基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を搬送手段によって処理チャンバに搬入する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板に処理液を供給する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板をこの処理チャンバ内に設けられた揺動テーブルによって上記搬送手段から浮上させて搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第１の傾斜状態及び第１の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第２の傾斜状態に駆動して上記基板の上面に供給された処理液を流動させる工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【００１６】
この発明によれば、基板の上面に供給された処理液は、その上面で流動するため、処理作用の促進や均一性を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
図１乃至図３はこの発明の第１の実施の形態であって、図１はこの発明の処理装置の概略的構成を示す。この処理装置は本体１を備えている。この本体１内は、仕切り壁２によって、ローディングチャンバ３、処理チャンバとしての剥離チャンバ４、洗浄チャンバとしてのリンスチャンバ５、乾燥チャンバ６及びアンローディングチャンバ７が順次直列に隔別形成されている。
【００１９】
上記本体１内には、上記各チャンバ３〜７にわたって搬送手段を構成する複数の搬送軸１１が軸線を平行にして所定間隔で回転可能に配設されている。各搬送軸１１には、この搬送軸１１よりも大径な複数の搬送ローラ１２が軸線方向に所定間隔で設けられている。
【００２０】
各チャンバ３〜７の搬送軸１１は、たとえばチェーンやベルトなどによって連動するようになっており、これら搬送軸１１は第１乃至第５の駆動源１３〜１７によってそれぞれ各チャンバ単位で回転駆動されるようになっている。これらの駆動源１３〜１７による搬送軸１１の回転は、制御手段としての制御装置１８によって制御される。
【００２１】
それによって、たとえば液晶表示装置用の矩形状のガラス基板Ｗを、上記ローディングチャンバ３からアンローディングチャンバ７に向かって搬送することができるようになっている。上記搬送軸１１と搬送ローラ１２とは、基板Ｗを所定方向に沿って搬送する搬送手段を構成している。
【００２２】
上記各仕切り壁２には、シャッタ２１によって開閉される開口部２２が形成されている。上記開口部２２は上記搬送ローラ１２によって搬送される基板Ｗを通過可能とする高さ位置に形成されている。それによって、基板Ｗは上記開口部１４を通って上記ローディングチャンバ３からアンローディングチャンバ７に順次搬送される。
【００２３】
上記剥離チャンバ４には揺動機構２４が設けられている。この揺動機構２４は、図３（Ａ）〜（Ｄ）に示すように揺動テーブル２５を有する。この揺動テーブル２５には、上記搬送軸１１に設けられた搬送ローラ１２と対応する位置に通孔２６が形成され、上面には幅方向において上記搬送ローラ１２と対応する位置に円錐状の支持突起２７が長手方向に所定間隔で設けられている。
【００２４】
上記揺動テーブル２５の長手方向の両端部の下面には、幅方向両端部にそれぞれ一対の取付け片２８（一方のみ図示）が設けられている。各一対の取付け片２８には連結軸２９の両端部が回転可能に支持されている。一方の連結軸２９の軸方向の中途部には第１のリニアモータ３１ａのロッド３２ａの上端が連結され、他方の連結軸２９の軸方向中途部には第２のリニアモータ３１ｂのロッド３２ｂの上端が連結されている。
【００２５】
上記リニアモータ３１ａ，３１ｂは剥離チャンバ４の外底部に軸線を垂直にして配設されている。各リニアモータ３１ａ，３１ｂのロッド３２ａ３２ｂは、上記剥離チャンバ４の内底部に設けられたガイド３３にスライド可能かつ液密に挿通されている。
【００２６】
一対のリニアモータ３１ａ，３１ｂには上記制御装置１８から駆動信号が供給される。それによって、各リニアモータ３１ａ，３１ｂのロッド３２ａ，３２ｂは上下方向に駆動されるようになっている。
【００２７】
この実施の形態では、上記揺動テーブル２５は、一対のリニアモータ３１ａ，３１ｂによって以下に説明する４つの状態に制御される。第１は、図３（Ａ）に示すように、上面に設けられた支持突起２７が搬送ローラ１２によって搬送される基板Ｗよりもわずかに下方に位置する下降状態である。第２は、図３（Ｂ）に示すように、上記基板Ｗが搬送ローラ１２から浮上するよう、各リニアモータ３１ａ，３１ｂのロッド３２ａ、３２ｂをわずかに上昇させる浮上状態である。
【００２８】
第３は、図３（Ｃ）に示すように、基板Ｗを搬送ローラ１２から浮上させた図３（Ｂ）に示す浮上状態から、基板Ｗの搬送方向上流側に位置する第１のリニアモータ３１ｂのロッド３２ｂをさらに上昇させることで、揺動テーブル２５を基板Ｗの搬送方向下流側の一端を下流側他端よりも高く傾斜させた第２の傾斜状態である。
【００２９】
第４は、図３（Ｄ）に示すように、基板Ｗを搬送ローラ１２から浮上させた頭３（Ｂ）に示す浮上状態から、第２のリニアモータ３１ｂのロッド３２ｂをさらに上昇させることで、揺動テーブル２５を第１の傾斜状態と逆方向に傾斜させた第２の傾斜状態である。
【００３０】
上記剥離チャンバ４内の揺動テーブル２５の上方には、複数のシャワーパイプ３５が基板Ｗの搬送方向に沿って所定間隔で平行に配置されている。これらのシャワーパイプ３５は図示しない剥離液の供給タンクに連通している。それによって、シャワーパイプ３５からは揺動テーブル２５に保持された基板Ｗの上面に向けて剥離液を噴射することができる。
【００３１】
上記基板Ｗは、上記剥離チャンバ４から上記リンスチャンバ５へ搬送される。図２に示すように、剥離チャンバ４内における、基板Ｗの搬送方向の末端に位置する搬送軸１１（この搬送軸を図２に１１Ａで示す）及びこの搬送軸１１Ａよりも基板Ｗの搬送方向下流側に位置する搬送軸１１は、搬送軸１１Ａよりも基板Ｗの搬送方向上流側に位置する剥離チャンバ４及びローディングチャンバ３内の搬送軸１１の軸芯よりも、軸芯を所定寸法上方にして配置されている。これら搬送軸１１Ａ，１１と、搬送軸１１Ａよりも上流側に設けられた搬送軸１１の軸芯のずれ量を同図にｈで示す。
【００３２】
それによって、基板Ｗが剥離チャンバ４からリンスチャンバ５に搬送される際、基板Ｗが剥離チャンバ４の搬送方向末端に位置する上記搬送軸１１Ａの搬送ローラ１２に載ることで、基板Ｗの搬送軸１１に対応する部分がこの部分よりも後方側(上流側)の部分に比べて高く傾斜することになる。
【００３３】
基板Ｗが上記搬送軸１１Ａによって搬送方向前方を後方よりも高く傾斜して搬送されると、この基板Ｗの上面に残留する剥離液は図２に矢印Ｚで示すように基板Ｗの搬送方向後方に向かって流れ、基板Ｗの搬送方向後端から剥離チャンバ４内に滴下する。つまり、剥離液は基板Ｗの上面から除去されて剥離チャンバ４内に落下し回収される。
【００３４】
そのため、剥離チャンバ４からリンスチャンバ５に搬送される基板Ｗの上面には剥離液がほとんど残留することがない。つまり、剥離チャンバ４において、基板Ｗの上面に供給された剥離液が基板Ｗとともにリンスチャンバ５に持ち出されることがない。
【００３５】
なお、リンスチャンバ５、乾燥チャンバ６及びアンローディングチャンバ７に配設された搬送軸１１の軸芯は、上述したように剥離チャンバ４の末端に位置する搬送軸１１Ａの軸芯と同じ高さに設定されている。したがって、剥離チャンバ４からリンスチャンバ５に向かって高く傾斜して搬送された基板Ｗは、リンスチャンバ５で再び水平に搬送されることになる。
【００３６】
なお、基板Ｗを傾斜させるために搬送軸１１の軸芯の高さを変えたが、それに代わり搬送ローラ１２の外形寸法を変えることで、基板Ｗが剥離チャンバ４から搬出される際に、搬送軸１１Ａに乗り上げた部分がこの部分よりも搬送方向上流側の部分よりも高く傾斜させるようにしてもよい。
【００３７】
上記リンスチャンバ５内には、第１のリンス部３７、第２のリンス部３８及び第３のリンス部３９が基板Ｗの搬送方向に沿って順次配置されている。第１のリンス部３７は、上面が開口した容器４１を有し、この容器４１内に供給された純水からなるリンス液は、この容器４１の上面開口から一側面に沿ってオーバフローし、基板Ｗの上面に供給されるようになっている。
【００３８】
上記第２のリンス部３８は、搬送ローラ１２によって搬送される基板Ｗの上面と下面とに対向して配置されたシャワーパイプ４２からなり、各シャワーパイプ４２から基板Ｗの上面と下面とに向けてリンス液が高圧で噴射されるようになっている。上側のシャワーパイプ４２は上部カバー４３によって覆われ、下側のシャワーパイプ４２は下部カバー４４によって覆われている。それによって、基板Ｗから反射する汚れを含むリンス液が周囲に飛散しないようになっている。
【００３９】
上記第３のリンス部３９は、基板Ｗの搬送方向に沿って配置された複数のシャワーパイプ４５からなり、各シャワーパイプ４５からは基板Ｗの上面に向けてリンス液が低圧で噴射される。
【００４０】
したがって、剥離チャンバ４からリンスチャンバ５に搬送された基板Ｗの上下面に付着する剥離液は、第１乃至第３のリンス部３７，３８，３９から供給されるリンス液によってリンスされることになる。
【００４１】
上記リンスチャンバ５でリンスされた基板Ｗは乾燥チャンバ６に搬入される。この乾燥チャンバ６には、基板Ｗが部分的に乾燥するのを防止するため、この基板Ｗの上面に純水をミスト状にして供給する複数のミストノズル４７と、このミストノズル４７よりも下流側に配置された上下一対のエアーナイフ４８とが設けられている。
【００４２】
上下一対のエアーナイフ４８からは、それぞれ基板Ｗの上面と下面とに圧縮空気が基板Ｗの搬送方向後方、つまり上流側に向かって噴射される。それによって、基板Ｗの上面と下面とに付着するリンス液が乾燥除去されることになる。
【００４３】
基板Ｗの上面には、エアーナイフ４８に到達する前にミスト状の純水が供給される。そのため、基板Ｗの上面は全体がほぼ一様に濡れた状態でエアーナイフ４８に搬送されてくるから、このエアーナイフ４８で乾燥される基板Ｗに、乾燥むらが生じるのを防止することができる。
【００４４】
つまり、部分的に乾燥した基板Ｗをエアーナイフ４８で乾燥処理すると、乾燥むらが生じるが、基板Ｗはノズル４７により全体が予め均一に濡らされているため、乾燥むらが生じることなく乾燥処理される。
【００４５】
上記乾燥チャンバ６で乾燥処理された基板Ｗはアンローディングチャンバ７に搬送され、ここから次工程に受け渡されることになる。
【００４６】
このように構成された処理装置において、基板Ｗが剥離チャンバ６に搬入され、所定の位置、つまり図３（Ａ）に示す下降状態にある揺動テーブル２５の上方に到達すると、制御装置１８が第２の駆動源１４を停止し、基板Ｗの搬送を停止する。
【００４７】
つぎに、制御装置１８は揺動テーブル２５が図３（Ｂ）に示す浮上状態になるよう、第１、第２のリニアモータ３１ａ，３１ｂのロッド３２ａ，３２ｂを上昇方向に駆動する。それによって、基板Ｗは搬送ローラ１２から浮上し、揺動テーブル２５に受け渡される。
【００４８】
基板Ｗが揺動テーブル２５に受け渡されると、基板Ｗの上面にシャワーパイプ３５から剥離液が噴射されるとともに、上記揺動テーブル２５が図３（Ｃ）と図３（Ｄ）に示す第１の傾斜状態と第２の傾斜状態とに交互に揺動駆動される。
【００４９】
基板Ｗが搬送方向に沿って揺動すると、この基板Ｗの上面に供給された剥離液は図３（Ｃ）、（Ｄ）に矢印で示すように基板Ｗの傾斜方向下方に向かって交互に流動する。つまり、剥離液は基板Ｗの上面に単に噴射されるだけでなく、基板Ｗの上面を揺動方向下方に向かって流動する。
【００５０】
基板Ｗの上面で剥離液が流動すると、基板Ｗの上面の全体にわたって均一に分散するとともに、基板Ｗと接触した古い剥離液が基板Ｗ上に残留し難く、迅速に新しい処理液と入れ替わる。つまり、基板Ｗのレジストに作用して劣化した処理液が基板Ｗの上面に滞留し難くなる。
【００５１】
そのため、基板Ｗの上面は、全体が均一に処理されるとともに、常に新しい処理液に入れ替わることで、処理速度が向上する。つまり、基板Ｗを揺動機構２４によって揺動させることで、剥離液による処理を均一かつ迅速に行なうことが可能となるから、処理時間を短縮することができる。
【００５２】
基板Ｗを揺動させながら剥離液によって所定時間処理したならば、揺動テーブル２５を図３（Ａ）に示す下降状態に戻し、ついで制御装置１８によって剥離チャンバ４の搬送軸１１を回転させる。それによって、剥離液により処理された基板Ｗは剥離チャンバ４からリンスチャンバ５に搬送される。
【００５３】
基板Ｗが剥離チャンバ４から搬出される際、剥離チャンバ４の末端に位置する搬送軸１１Ａによって、基板Ｗは搬送軸１１Ａの部分がこの部分よりも上流側よりも高く傾斜する。そのため、基板Ｗの上面に残留する剥離液は基板Ｗの後方に向かって流れ、ついには基板Ｗの後端から落下するから、剥離液がリンスチャンバ５に持込まれるのが防止される。
【００５４】
基板Ｗはリンスチャンバ５でリンスされた後、アンローディングチャンバ７を経て搬出される。
【００５５】
各チャンバ３〜７の搬送軸１１は制御装置１８によって別々に駆動制御することができる。そのため、各チャンバ３〜７での処理時間が違っていても、それぞれのチャンバで基板Ｗを待機させることができるから、各チャンバでの基板Ｗの処理を確実に行なうことができる。
【００５６】
上記第１の実施の形態では揺動テーブル２５を基板Ｗの搬送方向に沿って揺動させるようにしたが、搬送方向と交差する幅方向に沿って揺動させたり、水平方向に所定の角度で往復回転させたり、搬送ローラ１２によって基板Ｗを搬送方向に沿う前後方向に往復動させ、処理液による基板Ｗの処理の均一化や迅速化を図るようにしてもよい。さらに、上述した種々の動きを同時或いは順次行なうようにしてもよい。
【００５７】
また、上記一実施の形態に示された第１、第２のリニアモータ３１ａ，３１ｂに代わり、エアーシリンダーを用いて揺動テーブル２５を揺動させるようにしてもよい。
【００５８】
図４と図５（Ａ），（Ｂ）は、この発明の第２の実施の形態を示す、処理チャンバ４の変形例である。この実施の形態の処理チャンバ４には揺動機構２４に代わり、剥離液の噴射方向が異なる複数の第１のシャワーパイプ５１と第２のシャワーパイプ５２とを交互に配置するようにした。
【００５９】
第１のシャワーパイプ５１は剥離液を基板Ｗの搬送方向上流側に向かって噴射し、第２のシャワーパイプ５２は下流側向かって噴射する。各シャワーパイプ５１，５２からの処理液の噴射角度は、基板Ｗに対する剥離液の相対速度が大きくなるよう、基板Ｗの板面に対して角度が小さい方がこのましが、実用上は３０〜６０度の範囲に設定される。
【００６０】
第１のシャワーパイプ５１には第１の給液管５３を通じて第１のポンプ５４により処理液が供給され、第２のシャワーパイプ５２には第２の給液管５５を通じて第２のポンプ５６により処理液が供給される。第１の給液管５３には第１の開閉制御弁５７が設けられ、第２の給液管５５には第２の開閉制御弁５８が設けられている。各ポンプ５４，５６及び各開閉制御弁５７，５８は制御装置１８によって発停及び開閉がそれぞれ制御される。
【００６１】
基板Ｗが剥離チャンバ４に搬入されると、剥離チャンバ４の搬送軸１１は正転と逆転とが所定時間ごとに交互に繰り返される。それによって、基板Ｗは剥離チャンバ４内を所定の範囲で往復動する。この往復動に連動して上記第１の開閉制御弁５７と第２の開閉制御弁５８とが制御装置１８によって開閉制御される。
【００６２】
すなわち、基板Ｗが図５（Ａ）に矢印Ｘで示す往復動の往動方向に搬送されるときには、第１の開閉制御弁５７が開放され、第２の開閉制御弁５８が閉じられる。それによって、剥離液は第１のシャワーパイプ５１から基板Ｗの移動方向と逆方向となる復動方向に向かって噴射される。
【００６３】
基板Ｗが図５（Ｂ）に矢印Ｙで示す往復動の復動方向に搬送されるときには、第２の開閉制御弁５８が開放され、第１の開閉制御弁５７が閉じられる。それによって、剥離液は第２のシャワーパイプ５２から基板Ｗの移動方向と逆方向である往動方向に向かって噴射される。
【００６４】
なお、第１、第２のポンプ５４，５６は常時運転されており、第１、第２の開閉制御弁５７，５８のいずれか一方が閉じられると、その制御弁が設けられた一方の給液管５３または５５の内圧が上昇する。その場合、内圧が上昇した供給管内の剥離液はその圧力で図示しないリリーフバルブを開き、このリリーフバルブを通じて剥離液の供給源である図示しないタンクに戻されるようになっている。
【００６５】
このような構成の処理チャンバ４によれば、基板Ｗがローディングチャンバ３から剥離チャンバ４に搬入され、所定の位置に到達すると、まず、基板Ｗの搬送が停止する。ついで、剥離チャンバ４内の搬送軸１１が正転方向と逆転方向とに所定時間ごとに交互に回転駆動される。それによって、基板Ｗは剥離チャンバ４内で往復駆動される。
【００６６】
基板Ｗの往復駆動に連動して剥離液が第１のシャワーパイプ５１と第２のシャワーパイプ５２とから交互に基板Ｗに噴射される。つまり、基板Ｗが図５（Ａ）に矢印Ｘで示す往復動の往動方向に搬送されているときには、第１のシャワーパイプ５１から基板Ｗの往動方向と逆方向である復動方向に向かって剥離液が噴射される。
【００６７】
基板Ｗが図５（Ｂ）に矢印Ｙで示す往復動の復動方向に搬送されているときには、第２のシャワーパイプ５２から基板Ｗの復動方向と逆方向である往動方向に向かって剥離液が噴射される。
【００６８】
このように、剥離液の噴射方向が往復駆動される基板Ｗの動きと逆方向に切換えられることで、剥離液を基板Ｗの全面に均一に噴射することができるばかりか、基板Ｗと剥離液との相対速度が高くなる。それによって、基板Ｗは、全面が均一に処理されるばかりか、剥離液による処理速度が向上するから、処理時間を短縮することができる。
【００６９】
この発明は上記各実施の形態に限定されることはなく、たとえば基板としては液晶パネル用のガラス基板に限られず、半導体ウエハであってもよい。また、処理チャンバとして剥離液による剥離チャンバを例示したが、剥離チャンバに代わりエッチングチャンバであってもよく、要はチャンバ内において基板を処理液によって均一かつ迅速に処理することが要求される処理を行なう場合であれば、この発明を適用することができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、処理液による基板の処理を、均一に、しかも短い処理時間で行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す処理装置の概略図。
【図２】剥離チャンバの基板の搬送方向末端側の部分の説明図。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は基板と揺動テーブルとの関係を示す説明図。
【図４】この発明の第２の実施の形態を示す剥離チャンバの説明図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は往復駆動される基板に剥離液を供給するときの説明図。
【符号の説明】
４…剥離チャンバ（処理チャンバ）
１１…搬送軸（搬送手段）
１２…搬送ローラ（搬送手段）
１８…制御装置
２４…揺動機構
２５…揺動テーブル
３５…シャワーパイプ（処理液供給手段）
５１…第１のシャワーパイプ（処理液供給手段）
５２…第２のシャワ−パイプ（処理液供給手段）
５７…第１の開閉制御弁
５８…第２の開閉制御弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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