(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体に封止されるタブと、
前記封止体の実装面に露出するとともに前記タブに連なるタブ吊りリードと、
前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、
前記封止体内に位置し、前記タブの一面に接着剤を介して固定される半導体素子と、
前記半導体素子の表面に形成された電極と前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、
前記リードの少なくとも一部は、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面となり、
かつ前記上面の両側縁には、一端が前記上面に連なり、他端が前記側面に連なり、前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面が設けられ、
前記加工面は平坦面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記タブ吊りリードは途中で１段前記封止体の内方に向かって屈曲し、前記タブの表裏面が前記封止体内に位置していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記タブの裏面にはプレスによる溝が設けられ、この溝内に前記封止体を構成する前記絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝は四角形状の前記タブの各辺に沿ってそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記タブの前記半導体素子が固定される面の裏面は前記封止体の実装面から露出していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記上面と前記加工面とのなす角度は９０度よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記加工面は多段に曲がっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記下面と前記側面とのなす角度は、前記上面と前記側面とのなす角度よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記逆台形状断面において、前記一側の加工面と前記一側の側面が突き当たる点と前記他側の加工面と前記他側の側面が突き当たる点間の長さが最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封止体の側面に突出するリード部分は前記加工面を有する逆台形状断面となり、かつ前記逆台形状断面の上面の幅と前記逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法になっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記封止体から露出するリード部分の表面にはめっき膜が設けられていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記リードはその延在方向に沿って、前記上面の幅が異なる逆台形状断面部分が複数設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記逆台形状断面の下面から前記側面と前記加工面との突き当たる点に至るまでの境界高さが異なる逆台形状断面が設けられていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記境界高さの変化は段階的に変化していることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードは前記下面から前記上面側に打ち抜くプレス加工によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードは前記上面から前記下面側に打ち抜くプレス加工によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化されていることを特徴とする請求項１７記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記リードは少なくともその一部は多角形断面であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記封止体の中に位置するリード部分の少なくとも一部の幅は前記封止体の側面から突出するリード部分の幅よりも広くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記リードの表面には溝が設けられ、前記ワイヤは、前記リード表面上の前記溝よりも前記半導体素子に近い部分に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記封止体の側面から突出するリードの先端面は前記リードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃い、前記封止体の側面から突出するタブ吊りリードの先端面は前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃っていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記リードのワイヤ接続領域にはめっき膜が選択的に形成され、前記めっき膜上に前記ワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記タブ、前記タブ吊りリード、及び前記複数のリードは金属によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記タブ、前記タブ吊りリード、及び前記複数のリードは同じ金属材料によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記複数のリードは前記タブの周囲に配置されており、前記リードと前記タブの間は前記絶縁性樹脂によって充填されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項２７】
（ａ）複数のリードと、半導体素子固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とを有するリードフレームを製造する工程と、
（ｂ）前記半導体素子固定面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体素子の電極と前記リードをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体素子、前記ワイヤ、前記リード及び前記タブ吊りリードを絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード、前記リードの裏面が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを分離する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、その製造において、金属板を複数回繰り返す打ち抜きプレス加工でパターンを形成した後、潰しプレス加工によって所定部の潰し加工を行って形成し、前記潰し加工では、プレス加工による下金型と上金型によって、リードフレームのリードの少なくとも一部分を、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面に形成し、かつ前記上面の両側縁を、一端が前記上面に連なり他端が前記側面に連なり前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に存在する樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に存在する樹脂を切断して前記枠部からの分離を行うことを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記リードフレームを一枚の金属製の平坦板として形成する工程と、
前記タブの前記半導体素子固定面が突出面となるように、前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形する工程とを有し、
前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体内に前記タブ全体を被うように封止を行うことを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記タブと前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形する工程は、リードフレーム形成のためのプレス加工において最終工程とすることを特徴とする請求項２９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記タブの裏面にプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項２９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
前記タブを四角形状に形成するとともに、前記タブの裏面にタブの各辺に沿うようにそれぞれ溝を設けることを特徴とする請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記リードフレームの前記枠部、前記複数のリード部分、前記タブ及び前記複数のタブ吊りリードは一枚の金属製の平坦板に形成する工程を有し、
前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体の実装面に前記タブの裏面を露出させるように封止を行うことを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記加工面を平坦面に形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
前記上面と前記加工面とのなす角度を９０度よりも大きく形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
前記加工面を円弧面に形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
前記逆台形状断面の形成において、前記加工面と前記側面が連なる部分間の長さが最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短くなるように形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３８】
前記封止体の側面に突出するリード部分を前記加工面を有する逆台形状断面に形成し、かつ前記逆台形状断面の上面の幅と前記逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法に形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４０】
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成する際、少なくとも一部の逆台形状断面部分は、下面から側面と加工面が突き当たる点とに至る境界高さを他の逆台形状断面部分と異なるように形成することを特徴とする請求項３９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４１】
前記ワイヤを接続する前記リードのワイヤボンディング領域とリード外端側との間にリードの幅員に沿ってプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４２】
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードの前記打ち抜きプレス加工によって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４３】
前記リードの潰し加工を行った後、前記リードのプレス加工による平坦化を行うことを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４４】
前記リード表面に溝を設けた後、前記リードのプレス加工による平坦化を行うことを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４５】
前記半導体素子固定面を含む金属板面にめっき膜を形成した後、打ち抜きプレス加工によって前記タブを形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４６】
前記リードの潰し加工によって前記加工面を有する逆台形状断面を形成し、その後前記ワイヤを接続する前記リードのワイヤボンディング領域とリード外端側との間にリードの幅員に沿ってプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４７】
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に詰まった樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂を切断して前記リード及びタブ吊りリードの先端面とそれらの両側の前記樹脂の先端面を揃えることを特徴とする請求項２７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４８】
（ａ）複数のリードと、半導体素子固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とを有するリードフレームを製造する工程と、
（ｂ）前記半導体素子固定面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体素子の電極と前記リードをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体素子、前記ワイヤ、前記リード及び前記タブ吊りリードを絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード、前記リードの裏面が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを分離する工程とによって半導体装置を製造する工程と、
（ｆ）前記封止体の実装面側に露出したリードのそれぞれと対向する位置に電極を有する配線基板を準備する工程と、
（ｇ）前記配線基板上の電極と、前記複数のリードとを半田ペーストを介して対向させる工程と、
（ｈ）熱処理を施すことで前記半田ペーストを溶融し、前記リードと、前記配線基板上の電極とを電気的に接続する工程とを有する電子装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、その製造において、金属板を複数回繰り返す打ち抜きプレス加工でパターンを形成した後、潰しプレス加工によって所定部の潰し加工を行って形成し、前記潰し加工では、プレス加工による下金型と上金型によって、リードフレームのリードの少なくとも一部分を、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面に形成し、かつ前記上面の両側縁を、一端が前記上面に連なり他端が前記側面に連なり前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面に形成することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４９】
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に存在する樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に存在する樹脂を切断して前記枠部からの分離を行うことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５０】
前記リードフレームを一枚の金属製の平坦板として形成する工程と、
前記タブの前記半導体素子固定面が突出面となるように、前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形する工程とを有し、
前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体内に前記タブ全体を被うように封止を行うことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５１】
前記タブと前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形する工程は、リードフレーム形成のためのプレス加工において最終工程とすることを特徴とする請求項５０記載の電子装置の製造方法。
【請求項５２】
前記タブの裏面にプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項５０記載の電子装置の製造方法。
【請求項５３】
前記タブを四角形状に形成するとともに、前記タブの裏面にタブの各辺に沿うようにそれぞれ溝を設けることを特徴とする請求項５２記載の電子装置の製造方法。
【請求項５４】
前記リードフレームの前記枠部、前記複数のリード部分、前記タブ及び前記複数のタブ吊りリードは一枚の金属製の平坦板に形成する工程を有し、
前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体の実装面に前記タブの裏面を露出させるように封止を行うことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５５】
前記加工面を平坦面に形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５６】
前記上面と前記加工面とのなす角度を９０度よりも大きく形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５７】
前記加工面を円弧面に形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５８】
前記逆台形状断面の形成において、前記一側の加工面と前記一側の側面が突き当たる点と前記他側の加工面と前記他側の側面が突き当たる点間の長さが最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短いことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項５９】
前記封止体の側面に突出するリード部分を前記加工面を有する逆台形状断面に形成し、かつ前記逆台形状断面の上面の幅と前記逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法に形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６０】
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６１】
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成する際、少なくとも一部の逆台形状断面部分は、下面から側面と加工面が突き当たる点とに至る境界高さを他の逆台形状断面部分と異なるように形成することを特徴とする請求項６０記載の電子装置の製造方法。
【請求項６２】
前記ワイヤを接続する前記リードのワイヤボンディング領域とリード外端側との間にリードの幅員に沿ってプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６３】
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードの前記打ち抜きプレス加工によって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６４】
前記リードの潰し加工を行った後、前記リードのプレス加工による平坦化を行うことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６５】
前記リード表面に溝を設けた後、前記リードのプレス加工による平坦化を行うことを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６６】
前記半導体素子固定面を含む金属板面にめっき膜を形成した後、打ち抜きプレス加工によって前記タブを形成することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６７】
前記リードの潰し加工によって前記加工面を有する逆台形状断面を形成し、その後前記ワイヤを接続する前記リードのワイヤボンディング領域とリード外端側との間にリードの幅員に沿ってプレス加工によって溝を設けることを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６８】
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に詰まった樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂を切断して前記リード及びタブ吊りリードの先端面とそれらの両側の前記樹脂の先端面を揃えることを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項６９】
前記（ｄ）の工程において、前記タブ、前記タブ吊りリード及び前記リードの裏面が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成し、
前記（ｆ）の工程では前記タブに対応する電極を有する配線基板を準備し、
前記（ｇ）の工程では前記配線基板上の電極と、前記複数のリード及びタブとを半田ペーストを介して対向させ、
前記（ｈ）の工程では、熱処理を施すことで前記半田ペーストを溶融し、前記リード及びタブを前記配線基板上の電極に電気的にそれぞれ接続することを特徴とする請求項４８記載の電子装置の製造方法。
【請求項７０】
実装面を有する封止体と、前記封止体によって一部を封止されており、前記封止体の実装面に露出する複数のリードと、前記封止体によって封止された半導体チップと、前記封止体によって封止されており、前記半導体チップと前記複数のリードとを電気的に接続する複数のワイヤとを有する半導体装置であって、
前記複数のリードのそれぞれは、第１の部分と、前記第１の部分よりも前記半導体チップの近傍に配置しており、前記第１の部分よりも幅が広い第２の部分を有しており、
前記第１の部分及び第２の部分のそれぞれはテーパー形状に傾いて対向する１組の側面と、前記１組の側面に位置しており、前記封止体の実装面に露出する底部とを有しており、
前記第１の部分における前記１組の側面の高さは、前記第２の部分における前記１組の側面の高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７１】
前記複数のワイヤのそれぞれは、前記複数のリードのそれぞれの第２の部分に接続していることを特徴とする請求項７０記載の半導体装置。
【請求項７２】
前記第１の部分の前記１組の側面のテーパー形状の角度は、前記第２の部分の前記１組の側面のテーパー形状の角度と同じであることを特徴とする請求項７０記載の半導体装置。
【請求項７３】
前記第１の部分の前記底部の幅は、前記第２の部分の前記底部の幅と同じであることを特徴とする請求項７０記載の半導体装置。
【請求項７４】
実装面を有する封止体と、前記封止体によって一部を封止されており、前記封止体の実装面に露出するリードと、前記封止体によって封止された半導体チップと、前記封止体によって封止されており、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続する複数のワイヤとを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）枠部と、前記枠部に繋がっており、第１の部分と、第１の部分よりも幅広の第２の部分によって構成されるリード部分を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リード部分の第１の部分及び第２の部分のそれぞれに、側面がテーパー形状に傾いた溝の内部で塑性変形させることにより、テーパー形状に傾いて対向する１組の側面を形成する工程と、
（ｃ）前記リード部分と半導体チップとをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｄ）封止体を形成することにより、前記半導体チップ、複数のワイヤを封止し、かつ前記リード部分の前記１組の側面の間に位置する底面が露出するように前記リード部分の一部を封止する工程と、
（ｅ）前記封止体を形成する工程の後に、前記リード部分と前記枠部とを分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７５】
前記（ｂ）工程において、前記第１の部分に１組の側面を形成した前記溝のテーパー角度は、前記第２の部分に１組の側面を形成した前記溝のテーパー角度と同じであることを特徴とする請求項７４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７６】
（ａ）複数のリードと、半導体素子固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とを有するリードフレームを製造する工程と、
（ｂ）前記半導体素子固定面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体素子の電極と前記リードをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体素子、前記ワイヤ、前記リード及び前記タブ吊りリードを絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード、前記リードの裏面が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを分離する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、その製造において、金属板を複数回繰り返す打ち抜きプレス加工でパターンを形成した後、潰しプレス加工によって所定部の潰し加工を行って形成し、前記潰し加工では、プレス加工による下金型と上金型によって、リードフレームのリードの少なくとも一部分を、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面に形成し、かつ前記上面の両側縁を、一端が前記上面に連なり他端が前記側面に連なり前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面に形成するとともに、
前記タブ吊りリードにあっては、前記タブ吊りリードの裏面にタブ吊りリードの幅方向に沿って溝を形成しておき、その後前記タブ吊りリードを前記溝部分で屈曲させてタブ吊りリードに支持される前記タブを前記封止体内に埋没させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７７】
前記溝は前記タブ吊りリードの裏面に垂直となる固定面と、前記タブ吊りリードの裏面に対して所定の角度を有して傾斜する前記タブ寄りに設けられる可動面とで形成されるＶ溝であることを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７８】
前記Ｖ溝は６０度の広がり角度を持つ溝であることを特徴とする請求項７７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７９】
前記タブ吊りリードに前記溝を形成した後、前記溝を挟んで少なくとも前記封止体から露出する部分を含む領域部分を前記タブ吊りリードの表裏面を平叩き加工して平坦化することを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８０】
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に存在する樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に存在する樹脂を切断して前記枠部からの分離を行うことを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８１】
前記リードフレームを一枚の金属製の平坦板として形成する工程と、
前記タブ吊りリードの裏面に前記溝を形成する工程と、
前記タブの前記半導体素子固定面が突出面となるように、前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形する工程とを有し、
前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体内に前記タブ全体を被うように封止を行うことを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８２】
前記上面と前記加工面とのなす角度を９０度よりも大きく形成することを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８３】
前記加工面を円弧面に形成することを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８４】
前記逆台形状断面の形成において、前記加工面と前記側面が連なる部分間の長さが最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短くなるように形成することを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８５】
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成することを特徴とする請求項７６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はプレス成形によって形成されたリードフレームを用いた樹脂封止型の半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置の製造技術に関し、特に、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ），ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）のように、パッケージの側方に意図的に外部電極端子を突出させることなく実装面側に露出させる半導体装置（ノンリード型半導体装置）の製造に適用して有効な技術に関する。
背景技術
樹脂封止型半導体装置は、その製造においてリードフレームが使用される。リードフレームは、金属板を精密プレスによる打ち抜きやエッチングによって所望パターンに形成することによって製造される。リードフレームは半導体素子（半導体チップ）を固定するためのタブ，ダイパッド等と呼称される支持部や、前記支持部の周囲に先端（内端）を臨ませる複数のリードを有する。前記タブはリードフレームの枠部から延在するタブ吊りリードによって支持されている。
このようなリードフレームを使用して樹脂封止型半導体装置を製造する場合、前記リードフレームのタブに半導体チップを固定するとともに、前記半導体チップの電極と前記リードの先端を導電性のワイヤで接続し、その後ワイヤや半導体チップを含むリード内端側を絶縁性の樹脂（レジン）で封止して封止体（パッケージ）を形成し、ついで不要なリードフレーム部分を切断除去するとともにパッケージから突出するリードやタブ吊りリードを切断する。
一方、リードフレームを用いて製造する樹脂封止型半導体装置の一つとして、リードフレームの一面側に片面モールドを行ってパッケージを形成し、パッケージの一面に外部電極端子であるリードを露出させ、パッケージの周面から意図的にリードを突出させない半導体装置構造（ノンリード型半導体装置）が知られている。この半導体装置は、パッケージの一面の両側縁にリードを露出させるＳＯＮや、四角形状のパッケージの一面の４辺側にリードを露出させるＱＦＮが知られている。
特開平１１−２６０９８３号公報には、インナーリードの下面が外部端子として封止樹脂の裏面から露出してなる樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの製造方法が開示されている。この文献には、インナーリードがテーパー状断面となるリードフレームの製造方法について記載されている。
半導体装置の小型化、外部電極端子となるリードのリード曲がり防止等の観点から片面モールドによるＳＯＮやＱＦＮ等のノンリード型半導体装置が使用されている。ノンリード型半導体装置は、パッケージの一面に露出するリード面が実装面となることから、パッケージの側面からリードを突出させるＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ等の半導体装置に比較して、実装面積が小さい。
ノンリード型半導体装置、例えば、ＱＦＮはパッケージの下面（実装面）にリードの下面を露出させて外部電極端子とする簡易なパッケージ構造となっているため、リードがパッケージから脱落するおそれが高い。そこで、リードがパッケージから抜け難くするため、パッケージ内に入るリード、即ちインナーリードの断面を逆台形断面（前述のテーパー状断面）としている。この逆台形断面はエッチングで形成されている。
特開平１１−２６０９８３号公報には、インナーリードをプレス加工で形成する技術が開示されている。この公報には以下のことが指摘され、その問題点を解消する発明が開示されている。
図３８は特開平１１−２６０９８３号公報に開示されているエッチングによって形成されたインナーリードの先端部分示す斜視図である。金属の薄板をエッチングする際、金属の薄板の上面と下面とに形成したレジスト膜の開口量を変えてエッチングを行うことにより、テーパー状断面形状のリードを製造することができる。
本出願人においては、このテーパー状の断面形状のリード９０を逆台形断面と呼称し、これに近似する断面のものを逆台形状断面と呼称する。
従来のテーパー状の断面形状、即ち逆台形断面は、リード９０の上面９０ａと、この上面９０ａよりも幅が狭い下面９０ｂと、側面９０ｃとで構成され、上面９０ａと側面９０ｃとのなす角度は９０度よりも小さい角度となっている。
特開平１１−２６０９８３号公報に記載されているように、エッチングによる逆台形断面化は、▲１▼エッチング加工の精度の制約から安定したテーパー状の断面形状が得られず歩留り悪化の一因となる。▲２▼インナーリードの狭ピッチ化に伴い、インナーリードの幅およびインナーリード間の空間の確保が困難となってきた。▲３▼テーパー状の断面形状が安定せず、半導体装置の信頼性を低下させる。
そこで、これらの問題を解消するため、特開平１１−２６０９８３号公報に記載されている発明では、プレス加工でテーパー状の断面形状（逆台形断面形状）を形成している。
図３９（ａ）〜（ｃ）は特開平１１−２６０９８３号公報に記載されているテーパー状の断面（逆台形断面）形状のインナーリード（リード９０）の斜視図、平面図及び右側面図である。この構造では、テーパー部の上面が大きくなり、封止樹脂との接触面積が大きくなる。また側面の下に封止樹脂が回り込むことから封止樹脂との密着強度がさらに高くなる。
しかし、従来のこのような逆台形断面のリード構造では、更なるリードピッチの狭小化におけるリード脱落防止強度が低下し、封止体からリードが脱落し易くなることが判明した。
図４０は逆台形断面のリード９０と封止体９５を形成する封止樹脂９６との相関を示す模式的断面図である。同図において、ａはリード９０の上面９０ａの幅、ｂはリード９０の下面９０ｂの幅、ｃはリード９０の厚さ（高さ）、ｄはリードピッチ、ｅは隣接するリードとリードとの最短長さである。
封止体９５の下面の実装面９５ａに下面９０ｂが露出するリード９０に矢印９７に示すようにリード９０が封止体９５から抜けるような力が作用した場合、最短長さｅの部分の封止樹脂の面積が最も小さいことから、この部分にクラックが発生したり、割れが発生してリード９０は封止体９５から抜け出てしまうおそれがある。
リード９０を保持する封止樹脂９６の強度（リード保持強度：外部電極端子強度）は、隣接するリードとリードとの最短長さｅが長い程よい。しかし、リードピッチの狭小化が進むなか、一層リード保持強度は低下し、ノンリード型半導体装置の外部電極端子の保持安定性は低くなる傾向にあり、ノンリード型半導体装置の信頼性の低下を来す。また、このようなノンリード型半導体装置を実装した電子装置は、その信頼性が低くなる。
一例として、リードピッチｄを０．５ｍｍとした場合の例では、リード９０の上面９０ａの幅ａは０．３ｍｍ程度、リード９０の下面９０ｂの幅ｂは０．２ｍｍ程度、リード９０の厚さ（高さ）ｃは０．２ｍｍ程度、隣接するリードとリードとの最短長さｅは０．２ｍｍ程度である。リードの離脱抑止に大きく寄与する隣接するリードとリードとの間に存在する封止樹脂の量（即ち、最短長さｅ）は大きい程よいが、リードピッチｄが０．５ｍｍの場合ではすでに０．２ｍｍと短くリードを保持する強度は低い。
本発明の目的は、外部電極端子強度が大きく端子の信頼性が高いノンリード型半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、実装したノンリード型半導体装置の実装の信頼性が高い電子装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体に封止されるタブと、前記封止体の実装面に露出するとともに前記タブに連なるタブ吊りリードと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、前記封止体内に位置し、前記タブの一面に接着剤を介して固定される半導体素子と、前記半導体素子の表面に形成された電極と前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、
前記リードの少なくとも一部は、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面となり、かつ前記上面の両側縁には、一端が前記上面に連なり、他端が前記側面に連なり、前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面が設けられている。前記加工面は平坦面となり、リード断面は多角形となっている。前記上面と前記加工面とのなす角度は９０度よりも大きくなっている。前記下面と前記側面とのなす角度は、前記上面と前記側面とのなす角度よりも大きく逆台形状断面を構成している。
前記逆台形状断面において、前記一側の加工面と前記一側の側面が突き当たる点と前記他側の加工面と前記他側の側面が突き当たる点間の長さ（幅）が最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短い。
前記封止体の側面に突出するリード部分は前記加工面を有する逆台形状断面となり、かつ前記逆台形状断面の上面の幅と前記逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法になっている。この封止体の側面から露出するリード部分の表面にはめっき膜が設けられている。
前記リードはその延在方向に沿って、前記上面の幅が異なる逆台形状断面部分が複数設けられている。前記逆台形状断面の下面から前記側面と前記加工面との突き当たる点に至るまでの境界高さが異なる逆台形状断面が設けられている。前記境界高さの変化は段階的に変化している。前記封止体の中に位置するリード部分の少なくとも一部の幅は前記封止体の側面から突出するリード部分の幅よりも広くなっている。
前記リードの表面には溝が設けられ、前記ワイヤは、前記リード表面上の前記溝よりも前記半導体素子に近い部分に接続されている。ワイヤ接続領域にはめっき膜が選択的に形成され、めっき膜上にワイヤが接続されている。
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードは前記下面から前記上面側に打ち抜くプレス加工によって形成されている。また、前記打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化されている。
前記タブ吊りリードは途中で１段前記封止体の内方に向かって屈曲し、前記タブの表裏面が前記封止体内に位置している。前記タブの裏面にはプレスによる溝が設けられ、この溝内に前記封止体を構成する前記絶縁性樹脂が充填されている。前記溝は四角形状の前記タブの各辺に沿ってそれぞれ設けられている。なお、前記タブ吊りリードが屈曲しない構造では、タブの裏面には溝が設けられず、かつタブの裏面は封止体の実装面に露出する構造となる。
前記封止体の側面から突出するリードの先端面は前記リードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃い、前記封止体の側面から突出するタブ吊りリードの先端面は前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃っている。
このような半導体装置は以下の方法で製造される。
（ａ）複数のリードと、半導体素子固定面を有するタブと、前記タブに連なる複数のタブ吊りリードと、前記リード及び前記タブ吊りリードを連結する枠部とを有するリードフレームを製造する工程と、
（ｂ）前記半導体素子固定面上に接着剤を介して半導体素子を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体素子の電極と前記リードをワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体素子、前記ワイヤ、前記リード及び前記タブ吊りリードを絶縁性樹脂で封止し、かつ前記タブ吊りリード、前記リードの裏面が前記絶縁性樹脂から露出するように前記絶縁性樹脂による封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記枠部からリード及びタブ吊りリードを分離する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、その製造において、同一材料からなる１枚の金属板を複数回繰り返す打ち抜きプレス加工でパターンを形成した後、潰しプレス加工によって所定部の潰し加工を行って形成し、前記潰し加工では、プレス加工による下金型と上金型によって、リードフレームのリードの少なくとも一部分を、前記封止体内に埋没する上面と、前記上面に対向し前記封止体から露出する下面と、前記上面と前記下面の両側縁をそれぞれ結ぶ側面とで構成される逆台形状断面に形成し、かつ前記上面の両側縁を、一端が前記上面に連なり他端が前記側面に連なり前記上面及び前記側面とは延在方向が異なる加工面（平坦面）に形成することを特徴とする。
前記封止体の外周に沿い、かつ前記封止体から外れた近接した位置で、前記リード、前記タブ吊りリード、前記リードとリードとの間に存在する樹脂及び前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に存在する樹脂を切断して前記枠部からの分離を行う。この際、前記リード及びタブ吊りリードの先端面とそれらの両側の前記樹脂の先端面を揃える。
前記リードフレームを一枚の金属製の平坦板として形成した後、前記タブの前記半導体素子固定面が突出面となるように、前記タブに連なるタブ吊りリード部分をプレス加工によって一段押し出し成形し、前記絶縁性樹脂によって封止体を形成する工程では前記封止体内に前記タブ全体を被うように封止を行う。前記押し出し成形は、リードフレーム形成のためのプレス加工において最終工程で行う。前記タブの裏面にプレス加工によって溝（四角形状のタブの各辺にそれぞれ沿うような溝）を設ける。なお、封止体の実装面にタブの裏面を露出させる構造では、前記タブ吊りリードの押し出し成形は行わず、またタブ裏面に溝を設けない。
前記逆台形状断面の形成において、前記上面と前記加工面とのなす角度を９０度よりも大きく形成する。また、前記加工面と前記側面が連なる部分間の長さ（幅）が最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短くなるように形成する。
前記封止体の側面に突出するリード部分を前記加工面を有する逆台形状断面に形成し、かつ前記逆台形状断面の上面の幅と前記逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法に形成する。
前記リードの延在方向に沿って、前記逆台形状断面の上面の幅が異なる逆台形状断面部分を複数形成する。この際、少なくとも一部の逆台形状断面部分は、下面から側面と加工面が突き当たる点とに至る境界高さを他の逆台形状断面部分と異なるように形成する。
前記ワイヤを接続する前記リードのワイヤボンディング領域とリード外端側との間にリードの幅員に沿ってプレス加工によって溝を設ける。
前記リード及び前記タブ並びに前記タブ吊りリードの前記打ち抜きプレス加工によって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化する。また、前記リードの潰し加工やリード表面に溝を設けた後、前記リードのプレス加工による平坦化を行う。
前記（１）の手段によれば、
（ａ）封止体内に入るリードの少なくとも一部は、逆台形状断面となるとともに、逆台形状断面の封止体内に埋没する上面の両側縁には、潰し加工によって平坦面からなる加工面が設けられている。この潰し加工によって隣接するリードとリードとの間隔が広くなり、封止樹脂によるリードを保持する強度（端子強度）が大きくなる。
（ｂ）逆台形状断面では潰し加工による加工面があることから、隣接するリードとリードとの間隔を広くできる。従って、隣接するリードとの間隔に依存する端子強度を一定とする場合には、リードピッチを狭くすることができる。この結果、ノンリード型半導体装置の小型化も図ることができる。
（ｃ）逆台形状断面において、一側の加工面と一側の側面が突き当たる点と他側の加工面と他側の側面が突き当たる点間の長さ（幅）が最も長く、次に前記上面の幅が長く、前記下面の幅が最も短くなっていることから、リードが封止体の実装面から抜け難くなり端子強度が大きくなる。
（ｄ）封止体の側面に突出するリード部分は加工面を有する逆台形状断面となり、かつ逆台形状断面の上面の幅と逆台形状断面の下面の幅は同一寸法または極めて近似した寸法になっていることから、リード表面にめっき膜が形成されていてプレス加工によって両側に押し潰されて突出しても、逆台形断面のように上面の幅が最も広い構造に比較して、隣接するリードとの間隔を狭めることがなく、めっきの突出に起因するリード間ショートを防止することができる。
（ｅ）リードはその延在方向に沿って、上面の幅が異なる逆台形状断面部分が複数設けられていることから、その境界部分では段差があり、リードの延在方向のリード抜けが防止できる。
（ｆ）逆台形状断面の下面から側面と加工面との突き当たる点に至るまでの境界高さが異なる逆台形状断面が、リードの延在方向に沿って複数設けられていることから、その境界部分では段差があり、リードの延在方向のリード抜けが防止できる。
（ｇ）封止体の中に位置するリード部分の少なくとも一部の幅は前記封止体の側面から突出するリード部分の幅よりも広くなっている。このため、リードの延在方向のリード抜けが防止できる。
（ｈ）リードの表面には溝が設けられていて、この溝内には封止体を構成する封止樹脂が充填されていることから、リードと封止樹脂との密着性が高くなり、端子強度の向上が達成できる。また、溝が存在するため、パッケージ周面からリードの表面を伝わって内部に進入する水分の経路（パス）が長くなり、リードに接続されるワイヤの水分による腐食を抑止できる。
（ｉ）リード及びタブ並びにタブ吊りリードは下面から上面側に打ち抜くプレス加工によって形成されているが、打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工によって平坦化されている。従って、打ち抜きによって発生した突起や丸みに起因する問題は発生しなくなる。例えば、封止体の実装面にリードの下面が露出する構造では、リードの露出表面が、封止体を形成するモールド時の封止樹脂から流れ出る樹脂成分によって汚染される（フラッシュ不良）こともなくなる。
（ｊ）タブ吊りリードが途中で１段前記封止体の内方に向かって屈曲し、封止体内にタブが埋没する構造では、タブの裏面に溝が設けられている場合、この溝内に封止体を構成する前記封止樹脂が充填されているため、タブと封止樹脂との密着性が高くなり、半導体装置の実装時の熱に起因するタブと封止樹脂の密着性損傷事故が発生し難くなる。
（ｋ）前記封止体の側面から突出するリードの先端面は前記リードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃い、前記封止体の側面から突出するタブ吊りリードの先端面は前記タブ吊りリードと隣接するリードとの間に詰まった樹脂の先端面と揃っていることから、実装時の半田等による接合材に起因するリード間ショートが発生し難くなる。
（ｌ）リードの封止体からの脱落防止が図れることと、タブと封止樹脂との剥離防止により、本発明の構造によれば、その製造において歩留り向上を図ることができるため半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
図１乃至図２９は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置、特にノンリード型半導体装置及びその製造方法に係わる図である。本実施形態１では四角形の封止体（パッケージ）の裏面の実装面にリード及びタブ吊りリードが露出するＱＦＮ型の半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
ＱＦＮ型の半導体装置１は、図１乃至図３に示すように、偏平の四角形体（矩形体）からなる絶縁性樹脂で形成される封止体（パッケージ）２を有している。パッケージ２の内部には半導体素子（半導体チップ：チップ）３が埋め込まれている。この半導体チップ３は四角形のタブ４のタブ表面（主面）に接着剤５によって固定されている（図３参照）。
図３に示すように、パッケージ２の裏面（下面）は実装側の面（実装面１２）となる。パッケージ２の実装面１２には、図２にも示すように、前記タブ４に連なるタブ吊りリード６及びリード７の一面（実装面１４）が露出する構造となっている。
図２に示すように、タブ４の４隅は放射状に延在するタブ吊りリード６に連なり、リードフレームの状態ではタブ吊りリード６はタブ４を支持する部材となっている。これらタブ４及びタブ吊りリード６並びにリード７は、同じ金属材料（一枚の金属板をパターニングして形成したリードフレームから形成される。例えば、リードフレームは銅板から形成される。
本実施形態１では、タブ吊りリード６は押し出し成形によって途中で一段階押し出す（屈曲：屈曲部６ａ）ように成形されている。この押し出し方向はタブ４の半導体素子を固定する半導体素子固定面側に押し出されている。従って、タブ４の下面はパッケージ２の実装面には露出しない構造になっている。なお、タブ４をパッケージ２の実装面に露出させる構造の場合、タブ吊りリード６の押し出し成形（タブ上げ加工）は行われない。この場合、リードフレームはフラットなものとなる。
また、タブ４の周辺には、内端をタブ４に近接させるリード７が四角形のパッケージ２の各辺に沿って所定間隔で複数配置されている。タブ吊りリード６及びリード７の外端はパッケージ２の周縁にまで延在している。本実施形態１においては、このリード７の構造が本発明の特徴的なものの一つである。これについては後に詳述する。
パッケージ２は偏平の四角形体となっているとともに、角部（隅部）は面取り加工が施されて斜面１０となっている。一箇所の斜面１０はパッケージ２の形成時レジン（樹脂）を注入したゲートに連なっていた箇所であり、また、他の３箇所の斜面１０はパッケージ２の成形時空気が逃げるエアーベント箇所に連なっていた箇所である。
また、パッケージ２の側面は傾斜面１１となっている。この傾斜面１１は、モールド金型のキャビティからパッケージを抜き取る際、抜き取りを容易にするためにキャビティの側面を傾斜面にした結果によるものである。従って、図３に示すようにパッケージ２の実装面１２の大きさに比較して上面１３は小さくなっている。前記タブ吊りリード６の外端は前記パッケージ２の斜面１０で露出している（図１参照）。
図１及び図３に示すように、リード７及びタブ吊りリード６のパッケージ２に覆われる面では、パッケージ２の立ち上がり縁２ａから外側にわずかにリード７及びタブ吊りリード６が突出する。これは、リード７及びタブ吊りリード６を切断する際、パッケージ２から外れたリード７とタブ吊りリード６の部分で切断する結果であり、例えば、リード７及びタブ吊りリード６のパッケージ２の側面からの突出長さ（ｓ）は０．１ｍｍ以下の位置の長さになっている（図４参照）。
また、図１及び図３に示すように、各リード７とリード７との間及びリード７とタブ吊りリード６との間にはレジンバリ９が存在するが、このレジンバリ９もダイとパンチによって切断されるため、パッケージ２の周縁では、レジンバリ９の縁とリード７及びタブ吊りリード６の外端が凹凸することなく直線的に揃えられている。レジンバリ９は立ち上がり縁２ａの外側のレジン部分であり、リード４の厚さと同じかまたは少し薄い厚さとなっている。
本実施形態１ではレジンバリ９はリード７の厚さよりも薄い構造になっている。これは、トランスファモールドにおける片面モールドにおいて、モールド金型の上下型間に樹脂製のシートを張り、このシートにリードフレームの一面が接触するようにしてモールドを行うことからシートがリード間でリード間に食い込むようになるため、レジンバリ９は薄くなり、パッケージの裏面とリードやタブとの間でわずかな段差が発生する（図３参照）。シートを使用しない場合はレジンバリ９の厚さとリード７の厚さは同じ、またはクリアランスの程度によっては厚くなる。
また、トランスファモールドによる片面モールド後、リード７及びタブ吊りリード６の表面にめっき膜１５を形成するため、このめっき膜１５の存在によってさらにパッケージ２の下面１２とリード７及びタブ４との段差は大きくなる。
このようにリード７やタブ吊りリード６の下面である実装面１４がオフセットされた構造では、実装基板等の配線基板に半導体装置１を表面実装する場合、半田の濡れ領域が特定されるため半田実装が良好となる特長がある。
一方、図３に示すように、パッケージ２内のタブ４の表面（上面）には接着剤５を介して半導体素子３が固定されている。接着剤５は、例えば、Ａｇペーストが使用されている。
タブ４は、図２及び図３に示すように、四角形状となるとともに、パッケージ２を形成する封止樹脂１６内に完全に埋没している。タブ４の下面には溝１７が設けられている。この溝１７はプレス加工によって形成されている。そして、例えば、溝１７は、図２に示すように、タブ４の下面において、四角形の各辺に沿うようにそれぞれ設けられている。
前記溝１７内には封止樹脂１６が充填されている。この溝１７の存在によって、タブ４とパッケージ２を構成するビフェニール系樹脂（封止樹脂１６）との接着面積（密着面積）が増大する。また、タブ４の溝１７にレジンが食い込む構造となることもあってタブ４がレジンから剥離し難くなり、界面に水分が溜まり難くなる。この結果、ＱＦＮの実装時の熱によってタブ４と封止樹脂１６との間での水分の熱膨張に起因する爆発損傷も起き難くなる。
半導体素子３の上面には、図１に示すように、四角形の各辺に沿って電極１９が設けられている。この電極１９にはワイヤ２０の一端が接続されている。ワイヤ２０の他端はリード７の内端部分の表面に接続される。リード７の先端側には、リードの幅員方向に沿ってプレス加工による溝２１が形成されている。この溝２１の先端側、即ち、半導体素子３寄りの部分がワイヤ接続領域になる。リード７の上面の溝２１よりも先端側はめっき膜２２が設けられ（図３参照）、ワイヤ２０はこのめっき膜２２上に接続されている。ワイヤ２０は例えばＡｕ線からなり、めっき膜２２は、例えば、Ａｇめっき膜となっている。ワイヤ２０を銅の面に直接接続することなく，銅面上に形成されたＡｇめっき膜上に接続することからワイヤの接続強度は向上し、半導体装置の信頼性が高くなる。
リード７の上面の溝２１の存在によって、リード７と封止樹脂１６との接着面積（密着面積）が増大することと、レジンの溝２１への食い込みによって、リード７と封止樹脂１６との接続強度が向上し、リード７が封止樹脂１６から剥離し難くなる。
一方、これが本発明の特徴の一つであるが、パッケージ２の実装面１２に下面を露出させるリード７は、図４に示すようにその断面が逆台形状断面になっている。図４は右手側がパッケージ２の側面であり、傾斜面１１や立ち上がり縁２ａが二点鎖線で示されている。また、リード７の側面には一部ではあるがレジンバリ９を示してある。ｓが、リード７及びレジンバリ９のパッケージ２の側面から突出する部分である。
第４図において、傾斜面１１から左側のリード７部分はパッケージ２内に位置するものであり、実装面１４である下面１４がパッケージ２の下面である実装面１２から露出するものである。
リード７はその延在方向に沿って、特に限定はされないが、幅広で上面にワイヤ２０が接続されるＡ部（Ａ）、パッケージ２の側面から突出するＣ部（Ｃ）、Ｃ部の内側となるＢ部（Ｂ）、Ｃ部とＡ部を連結するＤ部（Ｄ）とからなっている。Ａ部（Ａ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）については、図５にその断面を示す。これらＡ部〜Ｄ部は、いずれも逆台形状断面となっている。Ｃ部（Ｃ）はその端がパッケージ２から露出するが、他のＣ部（Ｃ）を含めＡ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｂ部（Ｂ）の上面はパッケージ２内に埋没し、下面のみが露出する。
本明細書において用いる逆台形状断面とは、逆台形断面の上面の両側の縁を潰し加工して、直接あるいはその加工変形によって生じた加工面を有するものである。
ここで、逆台形状断面３０を図７を用いて説明する。図７には逆台形状断面３０と、この逆台形状断面３０と重なるように二点鎖線で描かれた逆台形断面３８を示してある。
逆台形断面３８は、下面３１と、この下面３１に対向して延在しかつ下面３１よりも幅が広い上面３２と、前記下面３１の縁と前記上面３２の縁をそれぞれ結ぶ側面３３とからなっている。下面３１と側面３３とのなす角度αは、上面３２と側面３３とのなす角度βよりも大きくなり、逆台形断面を構成している。逆台形断面３８の上面３２の幅をａとし、下面３１の幅をｂとし、厚さ（高さ）をｃとする。
本実施形態１による逆台形状断面３０は、上面３２の両側の縁部分を潰し加工して潰した加工面３４、または潰し加工に起因して発生した変形による加工面３４を有するものである。図７では直接潰して形成した加工面３４を用いて説明する。この加工面３４は、図７では平坦面であるが、多段の平坦面であってもよく、また円弧面であってもよい。平坦面である場合、逆台形状断面３０は多角形となる。
本実施形態１では、逆台形状断面３０において、リード７の一側の加工面３４と前記一側の側面３３が突き当たる点と、前記他側の加工面３４と前記他側の側面３３が突き当たる点との間の長さ（幅：ｇ）が最も長く、次に前記上面３２の幅（ｄ）が長く、前記下面３１の幅（ｂ）が最も短い。中間の幅ｇが最も長いことから、この部分の両側縁が封止樹脂１６内に食い込むため、リード７は実装面１２側から脱落し難くなる。また、中間の幅ｇと下面３１の幅（ｂ）との差が大きい程、側面３３の下に存在する封止樹脂１６の量が多く、端子強度が大きくなる。
また、前記加工面３４と側面３３との突き当たる点と、下面３１との距離（境界高さ）をｆとする。なお、前記Ａ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）における逆台形状断面３０の各部を符号を付けて説明する場合、各符号の後に前記Ａ〜Ｄを付けて説明することにする。
本実施形態１では、特に限定はされるものではないが、境界高さｆはＢ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）で同じであり、これに対してＡ部（Ａ）が高い。また、Ｄ部（Ｄ）は一方は高いＡ部（Ａ）に連なり、他方は低いＢ部（Ｂ）に連なる構造になっている。Ｄ部（Ｄ）及びＢ部（Ｂ）はＡ部（Ａ）とＣ部（Ｃ）をその断面が緩やかにして連結するための途中の断面であり、リードに部分的に応力集中が作用しないようにしたり、あるいは潰し加工上無理が生じないようにするために選択された断面であり、実施形態に限定されるものではない。また、断面形状を変化させることによってその断面変化箇所は引っ掛かり部分になって封止樹脂１６に食い込むためリード７の延在方向の抜けを防止する役割を果たすことになる。
Ｄ部（Ｄ）の上面３２には図３及び図４に示すように溝２１が設けられている。この溝２１内には封止樹脂１６が食い込むことから、リード７と封止樹脂１６との接着強度（密着強度）が向上する。
図５及び以下の図において、リード７の断面図に寸法を記してあるが、これは参考のための一例であり、本発明がこれに限定されるものではないことは勿論である。
本実施形態１では、図５、図１及び図２に示すように、リード７の外側の端部から内側の端部に向かって逆台形状断面３０の上面３２の幅は順次広くなり、リード７のリード延在方向の抜けが防止できるようになっている。図４において、Ａ部（Ａ）の上面３２Ａには点々で示されるようにめっき膜２２が設けられ、このめっき膜２２上にワイヤ２０が接続されている。また、パッケージ２から突出する部分のリード７、即ち、リード７のＣ部（Ｃ）は、図６（ｂ）に示すように、下面３１Ｃと上面３２Ｃの幅は同じになっている。
これは、リード７を切断する際の金型押さえによって、リードが上下から押さえられたとき、リード表面のめっき膜２４が押し潰されてリード７の両側に伸びる現象があることから、下面３１Ｃと上面３２Ｃの幅を狭くしてリード間ショートを防止するためである。このリード間ショートは異物付着によっても発生するものであるが、リード間が狭いとリード間ショートの発生率は高くなる。そこで、本実施形態１ではリード間を広くする構成を採用している。前記下面３１Ｃと上面３２Ｃの幅は同一寸法に限定されるものではなく、前記リード間ショートを防止するために近似した寸法でよい。なお、めっき膜２４はパッケージ２を形成後にパッケージ２（封止体）から露出するリード７の露出面に設けられる。
このように逆台形断面３８に加工面３４を設けた逆台形状断面３０では、その上面３２の幅がｄとなり、逆台形断面３８の上面３２の幅ａよりも２ｅ程短くなる。これはリード７の側面の全面が、テーパー形状となるように加工した場合と比較して、隣接するリードとの間の隙間が２ｅ程広がることになり、図６（ａ），（ｂ）に示すように隣接するリード７間に介在する封止樹脂１６のリード配列方向に沿う厚さ（ｈ）が広くなる。これによって封止樹脂１６によるリード７の保持強度が従来の逆台形断面３８に比較して大幅に大きくなる。即ち、本実施形態１の逆台形状断面３０のリード７によれば、端子の間の封止樹脂の強度が大きくなり、リード７のパッケージ２からの脱落が防止できることになる。
また、隣接するリード間の隙間を一定とした場合には、リードピッチをさらに小さくすることができ、リードピッチの狭小化またはパッケージの小型化、即ち、半導体装置の小型化が可能になる。
この例では逆台形状断面はその左右の形状が対称となっているが、非対称の逆台形断面であってもよい。
なお、Ｃ部（Ｃ）では、上面の両側縁の潰し加工は多段、即ち、二段に亘って行われ、Ｃ部（Ｃ）では一次加工面３５Ｃと二次加工面３６Ｃを有する。また、Ｃ部（Ｃ）の一次加工面３５Ｃ及び二次加工面３６Ｃは傾斜面となり多角形になっている。Ａ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｃ部（Ｃ）においては、上面と加工面とのなす角度は９０度よりも大きくなっている。また、境界高さｆはＡ部（Ａ）とＢ部（Ｂ）との間では段階的に変化し、Ｄ部（Ｄ）では連続的に変化し、Ｂ部（Ｂ）とＣ部（Ｃ）では同じになっている。
本実施形態１においては、リード７及びタブ４並びにタブ吊りリード６は、図示しないリードフレームの下面から上面（半導体素子固定面を有する面）側に打ち抜くプレス加工によって形成されている。しかし、打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起や丸みはプレス加工、例えば、コイニング等によって平坦化されている。
ここで、半導体装置１の各部の寸法の一例を挙げる。リードフレーム（タブ４，タブ吊りリード６，リード７）の厚さは０．２ｍｍ程度、チップ３の厚さは０．２８ｍｍ、半導体装置１の厚さは１．０ｍｍ、リード７の長さは０．６ｍｍ程度、リード７のワイヤ接続領域はリード７の内端から０．２〜０．３ｍｍ程度、また、タブ４の外縁とリード７の内端との間隔は、タブ露出構造で０．２ｍｍ程度、タブ内蔵構造で０．７５ｍｍ程度である。
図８及び図９は半導体装置１を配線基板からなる実装基板４０に実装した断面図である。実装基板４０の一面には、前記半導体装置１の外部電極端子となるリード７やタブ吊りリード６に対応して、電極（ランド）４１が設けられている。そして、これらランド４１上に半導体装置１の外部電極端子となるリード７やタブ吊りリード６が重ねられ、かつ半田等による接合材４２を介して電気的に接続されている。ランド４１は、図７に示すように、配線４３の一部で形成されている。
このような半導体装置１を実装基板４０に組み込むことによって所望の電子装置が製造される。このような電子装置では、リード７がパッケージ２から抜け難いため、軽微な外力に対して、リード７がパッケージ２から脱落して半導体装置１が実装基板４０から外れたりする不良は起き難くなるとともに、半導体装置１の実装の信頼性が高くなる。
つぎに、本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造方法について、図１０乃至図２９を参照しながら説明する。半導体装置の製造は、図１０のフローチャートに示すように、リードフレーム形成（Ｓ１０１）、チップボンディング（Ｓ１０２）、ワイヤボンディング（Ｓ１０３）、モールド（Ｓ１０４）、デフラッシュ（Ｓ１０５）、めっき（Ｓ１０６）、マーキング（Ｓ１０７）、切断（Ｓ１０８）の各工程（ステップ）を経て製造される。以下この工程順に沿って順次説明する。
最初にリードフレームが形成される。図１１は本実施形態１によるＱＦＮ型の半導体装置１を製造する際使用するマトリクス構成のリードフレーム４５の模式的平面図であり、図１２は裏面を示す底面図である。
このリードフレーム４５は、図１１に示すように、単位リードフレームパターン４６がＸ方向に沿って２０行、Ｙ方向に沿って４列配置され、１枚のリードフレーム４５から８０個の半導体装置１を製造することができる。リードフレーム４５の両側には、リードフレーム４５の搬送や位置決め等に使用するガイド孔４７ａ〜４７ｃが設けられている。
また、各列の左側には、トランスファモールド時、ランナーが位置する。そこでランナー硬化レジンをエジェクターピンの突き出しによってリードフレーム４５から引き剥がすため、エジェクターピンが貫通できるエジェクターピン孔４８が設けられている。また、このランナーから分岐し、キャビティに流れるゲート部分で硬化したゲート硬化レジンをエジェクターピンの突き出しによってリードフレーム４５から引き剥がすため、エジェクターピンが貫通できるエジェクターピン孔４９が設けられている。
図１３は単位リードフレームパターン４６の一部を示す平面図であり、図１４は裏面を示す底面図である。単位リードフレームパターン４６は矩形枠状の枠部５０を有している。この枠部５０の４隅からタブ吊りリード６が延在し、中央のタブ４を支持するパターンとなっている。タブ吊りリード６は、押し出し成形によって途中で一段階押し出されている（屈曲部６ａ）。この結果、タブ吊りリード６で支持されるタブ４の半導体素子固定面側は突出面となっている。
枠部５０の各辺の内側から内方に向かって複数のリード７が延在し、その内端はタブ４の外周縁に近接している。図１３に示すように、リード７は前述の逆台形状断面のリードである。また、リード７の上面には溝２１が設けられている。そして、図示しないが溝２１よりもタブ４側に寄ったリード７の内端面にはめっき膜が設けられている。図１５（ａ）は枠部５０から延在するリード７を示す斜視図であり、図１５（ｂ）〜（ｄ）と図１５（ａ）におけるＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線に沿うリードの断面図である。リード７の構造については、図４の説明で詳述したので、ここでは省略する。なお、タブ４の半導体素子固定面も半導体素子を固定するために図示しないめっき膜が形成されている。
このようなリードフレーム４５は、薄い金属板、例えば、リールに巻かれたフープ材（銅板）を解き出し、間欠的に順送プレス内を移動させ、順送プレスの各加工ステーションで加工を加えることによって製造される。図１６は順送プレスによるリードフレームの製造工程を示すフローチャートである。素材（Ｃｕ）を用意した後（Ｓ２０１）、順送プレスによってプレス加工（スタンピング）して単位リードフレームパターンを形成し（Ｓ２０２）、つぎに、Ａｇのスポットめっきを行い（Ｓ２０３）、ついでタブ吊りリード６の押し出し曲げ加工を行うととともに所定長さに切断を行って図１１及び図１２に示すリードフレーム４５を製造する。
図１７は順送プレスのプレス金型の一部を示す模式図であり、図１８は順送プレスによる各プレス加工段階の状態、即ち打ち抜きによるパターン形成と、リードの潰し加工等を示す模式図である。
図１７に示すように、プレス金型５１は、下型５１ａと上型５１ｂとで構成され、これら下型５１ａと上型５１ｂとの間を、例えば、左から右にフープ材（素材）５２が間欠的に移動させられる。フープ材５２が停止する毎に、下型５１ａと上型５１ｂの型締めが行われ、かつそれぞれ所定のプレス加工が行われる。
つぎに、フープ材５２の移動方向に沿って順次行われるプレス加工について説明する。図１８において、複数箇所の加工ステーションで順次打ち抜き加工が行われてリード形成は勿論のことタブ及びタブ吊りリード等が形成される。この打ち抜き加工は、図１８の下左側に示すように、ダイ５３ａ上に載ったフープ材５２をストリッパ５３ｂで押さえ、かつパンチ５３ｃを降下させることによって行われる。この選択的な打ち抜きを繰り返すことによって単位リードフレームパターンが形成される。
図１９はこのような打ち抜きによって形成されたリード７を示す斜視図である。リード７は上下面でそれぞれ幅が同じとなる構造となっているが、Ａ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）を形成するための基本的な構造をそれぞれ含むリードとなっている。即ち、Ａ部（Ａ）は幅が広くなり、Ｂ部（Ｂ）及びＣ部（Ｃ）はＡ部（Ａ）よりも幅が狭いストレートな形状となり、Ｄ部（Ｄ）はＡ部（Ａ）とＢ部（Ｂ）を繋ぐテーパー部分となっている。
つぎに、溝加工が行われる。この溝加工では、図１８及び図２０（ｂ）に示すように、ダイ５４ａ上に載ったリード７をＶ状突条５４ｂを有するパンチ５４ｃでコイニングすることによってリード７の上面に溝２１が形成される。また、同様の方法でタブ４の下面に溝１７を形成することができる。リード７に対しては、溝加工は図２０（ａ）に示すように、リード７のＤ部（Ｄ）に行われる。
つぎに、リード潰し加工が行われる。このリード潰し加工は、図１８に示すように、Ｖ溝５５ｂを有するダイ５５ａのＶ溝５５ｂ内にリード７を入れ、下面が平坦面となるパンチ５５ｃでリードを潰し加工するものである。この潰し加工によって、図２１に示すリード７は、図２２に示すように、加工によって膨らみ（ｐ）、上面より僅か下方の幅が広くなる。この潰し加工によってリード７の下面３１の両側縁には側面３３が形成される。この側面３３はＡ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）に亘って同一に形成されるが、潰し加工前のリード幅がＡ部〜Ｃ部では異なるため、潰し加工後のリード幅ｇ及び側面３３の高さｆは、Ａ部、Ｂ部、Ｃ部で異なる。またさらにＤ部においては溝加工が施されることによって、その他の部分（Ａ〜Ｃ部）と異なった形状となる。前記Ｖ溝５５ｂの開口角度は、例えば６０度となっている。Ａ部、Ｂ部、Ｃ部、Ｄ部においても、一様に６０度となるとともに、Ａ〜Ｄ部におけるテーパー形状の側面３３は、同一平面によって形成される。また、各部分の幅の違いにより、側面３３の高さには違いが生じ、幅の広いＡ部では側面３３の高さが高くなり、幅の狭いＣ部、Ｄ部では側面３３の高さが低くなる。
このように、幅の異なる部分に跨がって、一様な角度の溝５５ｂを用いてリード７をテーパー形状に加工することにより、例えば部分的にテーパー形状の加工をしたり、各部分によってテーパー角度を変化させて加工する場合に比較して、リードの特に電極となる底部３１の平坦性を向上することができる。
つぎに、リード７に対して再度潰し加工が行われる。この２次の潰し加工では、図１８に示すように、上面が平坦なダイ５６ａ上にリード７を載置し、下面にＶ溝５６ｂ（溝の開口角度４５度）を有するパンチ５６ｃでＶ溝５６ｂ内にリード７が入るようにして潰し加工を行う。この潰し加工によって加工面３４が形成される。パンチ５６ｃの溝の形状を変えることによってＢ部（Ｂ）の潰し加工も行われる。二次潰し加工によって形成されたリード７の平面図を図２３に示す。
つぎに、図１８に示すように、上面が平坦なダイ５７ａと、下面が平坦なパンチ５７ｃによってリードの先端等のコイニングが行われ、打ち抜き加工によって形成された打ち抜き加工に起因した打ち抜き縁の突起や丸み（ダレ）を平坦にする。図２４はリード７の先端部分を上面から平坦化するものであり、斜線を施した領域が平坦化のためのコイニング部分である。
ここで、平坦面化が必要な箇所について簡単に説明する。図２５（ａ），（ｂ）はパッケージ２の実装面１２側にリード７の実装面１４が露出する構造で、打ち抜き縁が丸み（ダレ）６０を有している場合、パッケージ２を形成するモールド時、パッケージ２を構成する封止樹脂１６の樹脂成分６１がダレ６０があることから、リード７の実装面（下面）１４に流出する、いわゆるレジンフラッシュ現象が発生する。この樹脂成分の流出付着は、実装時の半田の濡れ性を悪くするため、樹脂成分６１を除去するデフラッシュ作業が必要となる。しかし、本実施形態１ではリード７の先端部分を平坦面化することによってレジンフラッシュ現象を防止することができる。
図２６は打ち抜きによって発生した丸み（ダレ）６０をコイニングによって平坦化する方法を示す。図２６（ａ）は、例えば、リードフレームのリード部分を示す図であり、リード７の先端下面には丸み（ダレ）６０が発生している。即ち、このリードフレームは下面から上面に向けて打ち抜きを行ったものである。
この場合、図２６（ｂ）に示すように、下面が平坦面となるパンチ６２で図示しないダイ上にのるリード７をコイニングする。このコイニングによって、丸み（ダレ）６０は図２６（ｂ）に示すように、丸みが小さいダレ６０ａに変わる。この程度のダレ６０ａで支障なければ使用し、まだ支障がある場合は、リード７の先端部分を局所的にパンチ６２ａで叩く。これによってダレは完全に解消することになる。
図２７（ａ），（ｂ）は、打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起（バリ）６４の解消方法を示す。図２７（ａ）は下面から上面に向かって打ち抜きが行われた、例えば、リード７の先端部分を示し、図２７（ｂ）は上面から下面に向かって打ち抜きが行われたリード７の先端部分を示す模式図と、そのバリを解消させるための潰し金型６５を示すものである。
潰し金型６５は、その先端の一縁に傾斜した潰し面６５ａを有する。図２７（ａ）の場合は、リード７の先端上縁に突起（バリ）６４が存在することから、下面左縁に潰し面６５ａを有する潰し面６５ａを上方から降下させて、潰し面６５ａで突起６４を潰して平坦な傾斜した修正面６６にする。これにより、突起６４に起因する弊害はなくなる。
同様に図２７（ｂ）の場合は、リード７の先端下縁に突起（バリ）６４が存在することから、上面左縁に潰し面６５ａを有する潰し金型６５を下方から上昇させて、潰し面６５ａで突起６４を潰して平坦な傾斜した修正面６６にする。これにより、突起６４に起因する弊害はなくなる。
本実施形態１において製造したリードフレームは、上記コイニング、叩き、潰し加工によって、打ち抜きプレス加工によって発生した支障のある突起６４や丸み６０の修正がなされる。この工程は、潰し加工よりも後で行い、潰し加工の影響が残らないようにする。
つぎに、図示しないが、Ａｇスポットめっき（Ｓ２０３）が行われる。このスポットめっきは、半導体素子を固定するタブ４の半導体素子固定面及びワイヤを接続するリード７のワイヤボンディング領域に行われる。
つぎに、図示しないが、切断（曲げ加工含）が行われる（Ｓ２０４）。このステップでは、曲げ加工（押し出しプレス加工）によってタブ上げが行われる。この押し出しプレス加工では、組み立て時使用するリードフレームの上面が下面となった状態で、タブ４を含みタブ４に連なる部分を、パンチを下方に押し下げることによって成形する。その後、フープ材（素材）５２を所定長さ毎に切断して、図１１に示すようなリードフレーム４５を製造する。
このようなリードフレーム４５を用いて半導体装置１を製造する場合、図２８に示すように、Ａｇペースト等の接着剤５を用いてタブ４の上面に半導体チップ３を固定する（チップボンディング：Ｓ１０２）。その後、半導体チップ３の上面に設けられた図２８では示されていない電極とリード７の溝２１よりも外側のリード７の上面を導電性のワイヤ２０で電気的に接続する（ワイヤボンディング：（Ｓ１０３）。ワイヤ２０はめっき膜２２上に接続される。ワイヤ接続領域にはＡｇめっきからなるめっき膜２２が設けられていることから、ワイヤの接続強度は高いものとなる。
つぎに、常用のトランスファモールドによってリードフレーム４５の所定領域に片面モールドが行われ、図２９に示すように、絶縁性樹脂で構成されるパッケージ２が形成される（モールド：Ｓ１０４）。タブ４、半導体チップ３及びワイヤ２０は完全にパッケージ２内に埋没する。リード７の下面はパッケージ２の下面１２から露出する。図示はしないが、タブ吊りリード６の一部もその下面がパッケージ２の下面１２から露出する。このモールド時、リードフレームの下面側にシートを配置し、このリードフレームの上面側にパッケージ２を形成するようにモールドが行われる。この結果、リード７の下面３１である実装面１４よりもパッケージ２の実装面１２の面が引っ込んだ構造になる。
つぎに、前記モールドにおいて、パッケージ２を構成する封止樹脂１６の樹脂成分がリード７の露出面に付着していることもあることから、この樹脂成分を除去する（デフラッシュ：Ｓ１０５）。このデフラッシュは、例えば、高圧で水をパッケージ２の実装面１２から露出しているリード７の表面に吹きつけて除去する。
つぎに、リードフレームの状態でリード７の表面にめっき膜を形成する（Ｓ１０６）。このめっき膜は、例えばＰｂＳｎ半田からなる（図６（ｂ）参照）。
つぎに、図示はしないが、パッケージ２の上面に所定のマークをマーキングする（Ｓ１０７）。
つぎに、パッケージ２の外周に沿ってリード７及びタブ吊りリード６並びにリード７間あるいはリード７とタブ吊りリード６との間に存在する封止樹脂１６（レジンバリ９）が切断分離され、不要なリードフレーム部分が除去され、図１乃至図３に示されるような半導体装置１が製造される。この場合、リードフレーム４５の下面側から上面側に切断が行われる。従って、半導体装置１のパッケージ２の下面に露出するリード７の外縁は下面では丸みを帯びるようになり、実装時切断縁による不都合は発生しなくなる。
このような半導体装置１を実装基板に搭載することによって電子装置が製造される。電子装置の製造においては、先ず半導体装置１の封止体２の実装面側に露出したリード７のそれぞれと対向する位置に電極（ランド）４１を有する実装基板（配線基板）４０を用意し、その後、前記実装基板４０上のランド４１と、前記複数のリード７とを半田ペーストを介して対向させ、熱処理を施すことで前記半田ペーストを溶融し、前記リード７と、前記実装基板４０上のランド４１を半田からなる接合材４２で電気的に接続する。これにより、図８及び図９に示すような電子装置が製造される。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
（１）封止体２内に入るリード７の少なくとも一部は、逆台形状断面３０となるとともに、逆台形状断面３０の封止体２内に埋没する上面３２の両側縁には、潰し加工によって平坦面からなる加工面３４が設けられている。この潰し加工によって隣接するリード７とリード７との間隔が広くなり、封止樹脂１６によってリード７を保持する強度（端子強度）が大きくなる。
（２）逆台形状断面３０では加工面３４があることから、隣接するリード７との間隔を広くできる。従って、隣接するリード７とリード７との間隔に依存する端子強度を一定とする場合には、リードピッチを狭くすることができる。この結果、ノンリード型半導体装置の小型化を図ることができる。
（３）逆台形状断面３０において、一側の加工面３４と一側の側面３３が突き当たる点と他側の加工面３４と他側の側面３３が突き当たる点間の長さ（幅）が最も長く、次に前記上面３２の幅が長く、前記下面３１の幅が最も短くなっていることから、リード７が封止体２の実装面１２から抜け難くなり端子強度が大きくなる。
（４）封止体２の側面３３に突出するリード部分は加工面３４を有する逆台形状断面３０となり、かつ逆台形状断面３０の上面３２の幅と下面３１の幅は同一寸法または極めて近似した寸法になっていることから、リード表面にめっき膜２４が形成されていてプレス加工によって両側に押し潰されて突出しても、逆台形断面３８のように上面の幅が最も広い構造に比較して、隣接するリードとの間隔を狭めることがなく、めっきの突出に起因するリード間ショートを防止することができる。
（５）リード７はその延在方向に沿って、上面３２の幅が異なる逆台形状断面部分が複数設けられていることから、その境界部分では段差があり、リード７の延在方向のリード抜けが防止できる。
（６）逆台形状断面３０の下面３１からテーパー形状の側面３３と逆テーパー形状の加工面３４との突き当たる点に至るまでの境界高さが異なる逆台形状断面３０が、リード７の延在方向に沿って複数設けられていることから、その境界部分では段差があり、リード７の延在方向のリード抜けが防止できる。また、連続して連なる二つの逆台形状断面３０に示すように、前記境界高さｆは同じ数値とすることなく、その大きさを変える方がリード延在方向の力に対して引っ掛かりが大きくなる故に引張強度が大となりリード（端子）の強度が向上する。これにより、信頼性向上の効果がある。
（７）封止体２の中に位置するリード部分の少なくとも一部の幅は前記封止体２の側面から突出するリード部分の幅よりも広くなっている。このため、リード７の延在方向のリード抜けが防止できる。
（８）リード７の表面には溝２１が設けられていて、この溝２１内には封止体２を構成する封止樹脂１６が充填されていることから、リード７と封止樹脂１６との密着性が高くなり、端子強度の向上が達成できる。また、溝２１が存在するため、パッケージ周面からリード７の表面を伝わって内部に進入する水分の経路（パス）が長くなり、リード７に接続されるワイヤ２０の水分による腐食を抑止できる。
（９）リード７及びタブ４並びにタブ吊りリード６は下面から上面側に打ち抜くプレス加工によって形成されているが、打ち抜きによって発生した打ち抜き縁の突起６４や丸み６０はプレス加工によって平坦化されている。従って、打ち抜きによって発生した突起６４や丸み６０に起因する問題は発生しなくなる。例えば、封止体２の実装面１２にリード７の下面３１が露出する構造では、リード７の露出表面が、封止体２を形成するモールド時の封止樹脂から流れ出る樹脂成分によって汚染される（フラッシュ不良）こともなくなる。
（１０）タブ吊りリード６が途中で１段前記封止体２の内方に向かって屈曲し、封止体内にタブ４が埋没する構造では、タブ４の裏面に溝１７が設けられている場合、この溝内に封止体２を構成する前記封止樹脂１６が充填されているため、タブ４と封止樹脂１６との密着性が高くなり、半導体装置１の実装時の熱に起因するタブ４と封止樹脂１６の密着性損傷事故が発生し難くなる。
（１１）前記封止体２の側面から突出するリード７の先端面は前記リード７と隣接するリード７との間に詰まった樹脂の先端面と揃い、前記封止体２の側面から突出するタブ吊りリード６の先端面は前記タブ吊りリード６と隣接するリード７との間に詰まった樹脂の先端面と揃っていることから、実装時の半田等による接合材に起因するリード間ショートが発生し難くなる。
（１２）リード７の封止体２からの脱落防止が図れることと、タブ４と封止樹脂１６との剥離防止により、本発明の構造によれば、その製造において歩留り向上を図ることができるため半導体装置１の製造コストの低減が達成できる。
（１３）半導体装置１はモールド時、シートを使用したモールド法であることから、パッケージ２の下面１２はリード７の下面３１よりも引っ込んだ構造（オフセット構造）となる。このオフセット構造では、実装基板等の配線基板に半導体装置１を表面実装する場合、半田の濡れ領域が特定されるため半田実装が良好となる特長がある。
（１４）リード７の潰し加工を行って逆台形状断面３０を得た後に、リード７の先端部分のダレ６０や突起６４を消滅させるためのコイニングを行っている。この結果、リード７のコイニングによる平坦化の効果はその後も持続することになり、半導体装置１の組み立てにおいても好ましいことになる。
（１５）リード７の上面に溝２１を形成したり、あるいはタブ４の下面に溝１７を形成するＶ溝加工後に、リード７の先端部分のダレ６０や突起６４を消滅させるためのコイニングを行っている。この結果、リード７のコイニングによる平坦化の効果はその後も持続することになり、半導体装置１の組み立てにおいても好ましいことになる。
（１６）タブ上げ加工は、潰し加工を含む単位リードフレームパターン４６の形成後に行われることから、タブ上げ加工の寸法精度はその後も持続することになり、半導体装置１の組み立てにおいても好ましいことになる。
（１７）本発明に係わる半導体装置１を実装基板４０に組み込んだ電子装置では、リード７がパッケージ２から抜け難いため、軽微な外力に対して、リード７がパッケージ２から脱落して半導体装置１が実装基板４０から外れたりする不良は起き難くなり、信頼性が高くなる。
（実施形態２）
図３０は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるノンリード型半導体装置の模式的断面図である。本実施形態２ではタブ吊りリード６を屈曲させない平坦なリードフレームを使用して半導体装置１を製造する。この結果、リード７の下面３１（実装面１４）はパッケージ２の下面である実装面１２から露出する。この構造はパッケージ２の高さを低くできることと、半導体チップ３で発生した熱を速やかにタブ４を介して実装基板に逃がすことができる特長がある。
（実施形態３）
図３１及び図３２は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるノンリード型半導体装置に係わる図であり、図３１は半導体装置の製造において用いるリードフレームのリード部分を示す平面図、図３２は図３１のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
本実施形態３では、リード７は前記実施形態１と同様に、図３１に示すように、Ａ部（Ａ）、Ｄ部（Ｄ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）で構成されている。しかし、各部の断面は図３２に示すように実施形態１のものとは異なっている。図３２にはＡ部（Ａ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）のリード断面を示してある。これらの断面図から分かるように、本実施形態３のリード７では、潰し加工の金型を平型パンチに変更して、図３２（ａ）〜（ｃ）に示すような断面構造とした。
この構造は、実施形態１，２に比べ、潰し加工によるリード離脱抑制効果が大きくなる効果がある。
（実施形態４）
図３３及び図３４は本発明の他の実施形態（実施形態４）であるノンリード型半導体装置に係わる図であり、図３３は半導体装置の製造において用いるリードフレームのリード部分を示す平面図、図３４は図３３のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
本実施形態４では、リード７は前記実施形態１とは異なり、Ｄ部（Ｄ）がなく、図３３に示すように、Ａ部（Ａ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）で構成されている。しかし、Ａ部（Ａ）、Ｂ部（Ｂ）、Ｃ部（Ｃ）の断面は図３３に示すように実施形態１のものと同様に逆台形状断面３０の上面３２の両側縁部分が潰し加工によって形成された平坦面や円弧面となっている。Ａ部（Ａ）、Ｂ部（Ｂ）の加工面３４が円弧面であり、Ｃ部（Ｃ）の加工面３４が平坦面となっている。
本実施形態１では前記実施形態１と同様な効果が得られる。
（実施形態５）
図３５は本発明の他の実施形態（実施形態５）であるノンリード型半導体装置の製造に係わるものであり、リードフレームの製造工程を示すフローチャートである。
本実施形態１では、リードフレームの製造は、素材（Ｃｕ）を用意した後（Ｓ３０１）、Ａｇのスポットめっきを行い（Ｓ３０２）、その後プレス加工（スタンピング）して単位リードフレームパターンを形成し（Ｓ３０３）、ついでタブ吊りリード６の押し出し曲げ加工を行うととともに所定長さに切断を行ってリードフレーム４５を製造する。
本実施形態１ではめっき後に打ち抜きや潰し加工等のプレス加工を行うことから、タブ４の側面にめっき膜が存在しない。めっき膜がタブ４の側面に存在すると、封止樹脂１６との密着性が低下して信頼性テストにおいて、パッケージクラック等の問題が発生するが、本実施形態によればこのような問題は解消されることになる。
（実施形態６）
図３６は本発明の他の実施形態（実施形態６）であるノンリード型半導体装置の一部断面図である。本実施形態６では半導体チップ３に比較してタブ４が小さくなり、半導体チップ３とタブ４との接触面積が小さくなり、そのため半導体チップ３とタブ４を接着する接着剤に多量の水分が含まれないようになり、半導体装置１の実装時の水分の膨張に起因する爆発剥離不良が発生し難くなる。
（実施形態７）
図３７は本発明の他の実施形態（実施形態７）であるノンリード型半導体装置の一部の拡大断面図である。本実施形態７では、リード７が八角形（多角形）としたものである。本実施形態７も前記実施形態１と同様な効果がある。
（実施形態８）
図４１乃至図４６は本発明の他の実施形態（実施形態８）であるノンリード型半導体装置の製造に係わる図である。
本実施形態８は、パッケージの実装面側に露出するタブ吊りリードの露出面へのレジンの付着を防ぐことができる製造方法に関する。
タブ吊りリードは押し出し成形によって途中で一段屈曲させられるが、この屈曲部が曲面となると、パッケージ形成におけるレジンモールド時、レジンがタブ吊りリードの曲面下（実装面下）に回り込み、いわゆるレジンフラッシュが形成されてしまう。このレジンフラッシュは、ノンリード型半導体装置の搬送時に脱落し、実装基板４０とノンリード型半導体装置との間に挟まって、スタンドオフが小さいノンリード型半導体装置の実装不良を起こす可能性がある。また、このレジンフラッシュの存在はノンリード型半導体装置の実装時、タブ吊りリードの実装面を実装基板のランドに接合材を介して固定する場合、タブ吊りリードのレジンから露出する部分の面積が小さくなるために、接続不良の原因となり好ましくない。
そこで、本実施形態８では、単位リードフレームパターン４６が図４１及び図４２に示すようになるリードフレームを使用する。図４１はノンリード型半導体装置の製造で使用するリードフレームの単位リードフレームパターンの一部を示す平面図、図４２は前記単位リードフレームパターンの裏面を示す底面図である。
これらの図は実施形態１における図１３及び図１４と同様の単位リードフレームパターン４６であるが、屈曲部６ａはまだ形成されていない状態のものである。本実施形態８の特徴は、図４２に示すように、単位リードフレームパターン４６の裏面側、即ち、パッケージの実装面側にタブ吊りリード６が露出する面の押し出し成形による屈曲部となる箇所に溝７１を形成しておく。この溝７１はタブ吊りリード６の幅方向に沿って設けられている。図４２に示すように、４本のタブ吊りリード６の全てに溝７１が設けられている。
前記溝７１は、図４３に示すように、タブ吊りリード６の裏面に垂直となる固定面７１ａと、タブ吊りリード６の裏面に対して所定の角度を有して傾斜するタブ４寄りに設けられる可動面７１ｂとで形成されるＶ溝になっている。このＶ溝は、例えば、図２０に示す溝加工によって形成され、６０度の広がりを持つ溝になっている。
このようなリードフレームに対して、図４３（ａ）〜（ｃ）に示すように順次タブ吊りリード６に対しても加工が施される。図４３は前記単位リードフレームパターンにおけるタブ吊りリード部分の加工過程を示す模式的斜視図である。
スタンピング加工によって、図４３（ａ）に示すように、タブ吊りリード６の裏面（図では下面）の両側には丸み（ダレ）７２が発生する。このスタンピング加工は、図１８に示すように、リード７に対しても施される。
つぎに、図４３（ｂ）に示すように、プレス加工による平叩き加工によって前記丸み（ダレ）７２を除去し、タブ吊りリード６の表裏の面の縁が直角のような状態にし、縁をシャープにする。図４３（ｂ）では平叩き加工によって平坦化した部分、即ち、表裏の平坦面７３，７４を点々を付して示してある。平坦化は溝７１を挟んでその領域の所定部分に対して行われる。この状態でも溝７１の広がり角度は６０度を維持することになる。前記平叩き加工の際には、加工時の位置ずれを考慮した場合でも、タブ吊りリードが露出する部分に対して確実に加工が施されるように、前記タブ吊りリードが露出する部分よりも広い領域、例えば溝７１から０．５ｍｍ程度内側まで、かつタブ吊りリードを切断する部分よりも外側まで平叩き加工を施すのが好ましい。
つぎに、プレス加工による押し出し成形によってタブ吊りリード６を前記溝７１部分で一段高く折り曲げる。これによってタブ吊りリード６に支持されるタブ４をパッケージ内に埋没させることができるようになる。この押し出し成形では、溝７１を構成する固定面７１ａは、図４３（ｃ）に示すように変化しないが、可動面７１ｂはＶ溝の底を基点として回転するように変形する。例えば、溝７１は底の角度が９０度程度となる溝に変化する。
このように、溝７１の存在によってタブ吊りリード６の固定面７１ａ側のタブ吊りリード６部分は裏面の平坦面７４を変化させることがない。従って、片面モールドによってパッケージ２を形成し、その後リード７及びタブ吊りリード６の切断を行った場合、図４４に示すように、タブ吊りリード６のパッケージ２の実装面１２に露出するタブ吊りリード６部分は、図４５に示すように、その縁の曲率半径が小さくなり、レジンフラッシュが形成されなくなる。
即ち、図４４は半導体装置１の断面を示すものであるが、タブ吊りリード６のパッケージ２の裏面に露出する部分の縁が、明瞭にパッケージ２から突出（露出）するようになっていることが分かる。
なお、本実施形態８では、シートモールドによってパッケージが形成されることから、パッケージ２の実装面１２よりもタブ吊りリード６の実装面１４は突出する。このような構造によれば、異物がパッケージ２の実装面１２に付着してもその異物がさして大きいものでない限り、実装不良は発生しないことになる。
図４６に本実施形態８の半導体装置１を実装基板４０に実装した状態を示す。パッケージ２の実装面１２に突出（露出）するタブ吊りリード６の裏面である実装面１４は、溝７１の存在と、平叩き加工によって平坦面となり、かつレジンフラッシュが存在しないことから、接合材４２を介して確実に実装基板４０の電極（ランド）４１に接続することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
前記実施形態では、ＱＦＮ型の半導体装置の製造に本発明を適用した例について説明したが、例えば、ＳＯＮ型半導体装置の製造に対しても本発明を同様に適用でき、同様の効果を有することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。本発明は、ここに記載する全ての効果を達成する構成に限定する物ではなく、ここに記載する効果の一部を達成する構成も本発明の構成として含む物である。
（１）本発明によれば、外部電極端子強度が大きく端子の信頼性が高いノンリード型半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
（２）本発明によれば、実装したノンリード型半導体装置の実装の信頼性が高い電子装置の製造方法を提供することができる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係わるノンリード型半導体装置は、各種の電子装置に組み込み可能である。また、本発明によるノンリード型半導体装置は外部電極端子強度が大きく端子の接続の信頼性が高いものとなり、本発明によるノンリード型半導体装置を組み込んだ電子装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の一実施形態（実施形態１）であるノンリード型半導体装置の一部を取り除いて断面とした模式的平面図である。
図２は前記ノンリード型半導体装置の一部を取り除いて断面とした模式的底面図である。
図３は前記ノンリード型半導体装置の一部を取り除いて断面とした正面図である。
図４は前記ノンリード型半導体装置におけるリード部分を示す斜視図である。
図５は図４のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
図６は前記ノンリード型半導体装置における封止体内のリード及び封止体から突出するリードの配列状態を示す断面図である。
図７は前記ノンリード型半導体装置のリードを示す模式的断面図である。
図８は本実施形態１のノンリード型半導体装置を実装した電子装置の一部を示す模式的平面図である。
図９は本実施形態１のノンリード型半導体装置を実装した電子装置の一部を示す模式的断面図である。
図１０は本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造段階を示すフローチャートである。
図１１は本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造で使用するリードフレームの平面図である。
図１２は本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造で使用するリードフレームの裏面を示す底面図である。
図１３は前記リードフレームの単位リードフレームパターンの一部を示す平面図である。
図１４は前記単位リードフレームパターンの裏面を示す底面図である。
図１５は前記リードフレームのリード部分を示す拡大斜視図と、その断面図である。
図１６は前記リードフレームの製造段階を示すフローチャートである。
図１７は前記リードフレームを製造する順送プレスの一部を示す模式図である。
図１８は前記順送プレスにおけるプレス加工内容を示す模式図である。
図１９は前記順送プレスによるリード打ち抜きによって形成された潰し加工前のリード部分を示す斜視図である。
図２０は前記順送プレスによってＶ溝が形成されたリード部分とＶ溝を形成する状態を示す模式図である。
図２１は前記順送プレスによるリード打ち抜きによって形成された潰し加工前のリード部分を示す底面図である。
図２２は前記順送プレスによるリード潰し加工よって形成されたリード部分の底面図である。
図２３は前記順送プレスによるリード上面潰し加工よって形成されたリード部分の平面図である。
図２４は前記プレス加工によってコイニングされたリード部分の平面図である。
図２５は封止体の実装面に露出するリードの縁がプレスの打ち抜きによって丸みを帯びている場合の不良発生状態を説明する模式図である。
図２６はプレスの打ち抜きによる打ち抜き縁の突起や丸みを改善して平坦化する平坦面加工の説明図である。
図２７はプレスの打ち抜きによる打ち抜き縁の突起や丸みを改善する方法の説明図である。
図２８は本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造において、タブの主面に半導体チップが搭載された状態を示すリードフレームの一部の拡大断面図である。
図２９は本実施形態１のノンリード型半導体装置の製造において、ワイヤボンディングが行われ、かつ樹脂封止が行われた状態のリードフレームの一部の拡大断面図である。
図３０は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるノンリード型半導体装置の模式的断面図である。
図３１は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるノンリード型半導体装置の製造において用いるリードフレームのリード部分を示す平面図である。
図３２は図３１のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
図３３は本発明の他の実施形態（実施形態４）であるノンリード型半導体装置の製造において用いるリードフレームのリード部分を示す平面図である。
図３４は図３３のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。
図３５は本発明の他の実施形態（実施形態５）であるノンリード型半導体装置の製造において用いるリードフレームの製造段階を示すフローチャートである。
図３６は本発明の他の実施形態（実施形態６）であるノンリード型半導体装置の一部断面図である。
図３７は本発明の他の実施形態（実施形態７）であるノンリード型半導体装置の一部の拡大断面図である。
図３８は従来の樹脂封止型半導体装置におけるインナーリードの先端を示す斜視図である。
図３９は従来の樹脂封止型半導体装置におけるインナーリードの先端を示す斜視図、平面図及び右側面図である。
図４０は逆台形断面のリードと封止体を形成する封止樹脂との相関を示す模式的断面図である。
図４１は本発明の他の実施形態（実施形態８）であるノンリード型半導体装置の製造で使用するリードフレームの単位リードフレームパターンの一部を示す平面図である。
図４２は前記単位リードフレームパターンの裏面を示す底面図である。
図４３は前記単位リードフレームパターンにおけるタブ吊りリード部分の加工過程を示す模式的斜視図である。
図４４は本実施形態８によって製造されたノンリード型半導体装置の一部の断面図である。
図４５は本実施形態８によって製造されたノンリード型半導体装置の一部を示す底面図である。
図４６は本実施形態８によって製造されたノンリード型半導体装置の実装状態を示す一部の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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