(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体をオゾン処理するオゾン処理装置であって、
前記被処理体をオゾン処理する処理領域と、該処理領域の一方側の第１の非処理領域と、前記処理領域の他方側の第２の非処理領域と、前記第１の非処理領域および前記第２の非処理領域に通じる第３の非処理領域と、を有する処理室と、
その先端が前記第１の非処理領域に位置するように前記処理室に挿通され、前記第１の非処理領域から前記第３の非処理領域を介して前記第２の非処理領域に到達するように、前記処理室内にオゾンを供給する少なくとも一つのオゾン供給管と、
前記オゾン供給管に接続されたオゾン供給手段と、
前記第１の非処理領域に設けられ、前記処理室内のガスを排気する排気口と、
前記排気口に接続され、前記処理室内のガスを排気することにより、前記第２の非処理領域に到達したオゾンを前記処理領域に供給する排気手段と、
を備える、ことを特徴とするオゾン処理装置。
【請求項２】
前記第１の非処理領域は、前記処理室の下部に位置する、ことを特徴とする請求項１に記載のオゾン処理装置。
【請求項３】
前記処理室内には前記オゾン供給管が一つ設けられ、前記第１の非処理領域において前記オゾン供給管と前記排気口とが対向する位置に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のオゾン処理装置。
【請求項４】
前記オゾン供給管は、その先端部分が前記第３の非処理領域の方向に向くように曲折りされて前記第３の非処理領域へ向かうオゾン導入部を有し、
前記オゾン導入部の長さが該オゾン導入部の内径の１倍〜１００倍に形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のオゾン処理装置。
【請求項５】
前記オゾン供給管の前記先端部分は上方に曲折りされている、ことを特徴とする請求項４に記載のオゾン処理装置。
【請求項６】
前記オゾン供給手段はプラズマ発生器から構成されたオゾン発生部を有し、
前記オゾン発生部には酸素ガス及び窒素ガスを供給するオゾン生成ガス供給管が接続されている、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のオゾン処理装置。
【請求項７】
前記処理室内を加熱及び減圧雰囲気下に維持して、前記被処理体をオゾン処理することにより熱酸化させ、該被処理体上に薄膜を形成させる熱処理装置から構成される、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のオゾン処理装置。
【請求項８】
被処理体をオゾン処理するオゾン処理方法であって、
前記被処理体をオゾン処理する処理領域を有する処理室の前記処理領域の一方側の第１の非処理領域にその先端が位置するように配置されたオゾン供給管から、前記第１の非処理領域および前記処理領域の他方側の第２の非処理領域に通じる第３の非処理領域を介して、前記第２の非処理領域に到達するようにオゾンを供給し、
前記第１の非処理領域に設けられた排気口から前記処理室内のガスを排気することにより、前記第２の非処理領域に到達したオゾンを前記処理領域に供給する、ことを特徴とするオゾン処理方法。
【請求項９】
前記オゾン供給管から供給されるオゾンを、高速粘性流として流れ、かつオゾンの活性状態を維持できる温度及び圧力で前記処理室内に供給する、ことを特徴とする請求項８に記載のオゾン処理方法。
【請求項１０】
前記処理室内を所定の温度及び所定の圧力に維持し、
前記被処理体にオゾンを供給して、該被処理体を熱酸化させ、該被処理体上に薄膜を形成する、ことを特徴とする請求項８又は９に記載のオゾン処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾン処理装置及びオゾン処理方法に関し、詳しくは被処理体、例えば半導体ウエハにオゾン処理を行うオゾン処理装置及びオゾン処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程、例えば成膜工程、アッシング工程においては、オゾンを用いた酸化処理が行われている。例えば、成膜工程では、図２に示すような熱処理装置５１を用いてオゾンによる熱酸化処理を行い、半導体ウエハ等の被処理体の上にシリコン酸化膜を形成する。図２に示す熱処理装置５１を用いたシリコン酸化膜の形成は以下のようにして行われる。
【０００３】
まず、内管５２ａ及び外管５２ｂからなる二重管構造の反応管５２をヒータ５３により所定の温度に加熱する。次に、複数枚の半導体ウエハ５４を収容するウエハボート５５を反応管５２（内管５２ａ）内にロードする。続いて、排気ポート５６から反応管５２内のガスを排出し、反応管５２内を所定の圧力に減圧する。反応管５２内が所定の圧力に減圧されると、ガス供給管５７から内管５２ａ内にオゾンを供給する。そして、オゾンが半導体ウエハ５４の表面で酸化反応を起こすことにより、半導体ウエハ５４の表面にシリコン酸化膜が形成される。
【０００４】
このような、オゾンを用いた酸化処理においては、被処理体の全面に均一な処理を行う必要がある。例えば、シリコン酸化膜の成膜工程では、半導体ウエハ５４上に均一な膜厚のシリコン酸化膜を形成する必要がある。一般に、シリコン酸化膜の均一性を向上するためには、反応管５２内の圧力を低圧にすることが好ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、反応管５２内の圧力を低圧にするためには、反応管５２内に供給するオゾンの流量を小さくする必要があり、これでは処理を行うオゾンの量が少なくなって、オゾン処理の効果が得られないという問題があった。
【０００６】
オゾン処理の効果を得るために、オゾンの流量を大きくすると、反応管５２内での圧力のばらつきが大きくなり、反応管５２内の圧力を低圧に維持することができなくなるという問題があった。
【０００７】
また、オゾンを用いて半導体ウエハ５４の表面を熱酸化するには、オゾンの活性状態を維持したまま、オゾンを半導体ウエハ５４に供給することが必要である。オゾンの活性状態を維持するには、例えばオゾンを低圧に維持した状態で半導体ウエハ５４に供給させることが必要である。しかし、反応管５２内を低圧に維持しても、ガス供給管５７内は反応管５２内より高圧になりやすく、ガス供給管５７内でオゾンの活性が失われてしまう場合があった。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、オゾンの流量を大流量にすると共に、被処理体の全面に均一なオゾン処理を行うことができるオゾン処理装置及びオゾン処理方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、オゾンの流量を大流量にすると共に、反応管内の圧力を低圧に維持することができるオゾン処理装置及びオゾン処理方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、オゾンの活性状態を維持することができるオゾン処理装置及びオゾン処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点にかかるオゾン処理装置は、
被処理体をオゾン処理するオゾン処理装置であって、
前記被処理体をオゾン処理する処理領域と、該処理領域の一方側の第１の非処理領域と、前記処理領域の他方側の第２の非処理領域と、前記第１の非処理領域および前記第２の非処理領域に通じる第３の非処理領域と、を有する処理室と、
その先端が前記第１の非処理領域に位置するように前記処理室に挿通され、前記第１の非処理領域から前記第３の非処理領域を介して前記第２の非処理領域に到達するように、前記処理室内にオゾンを供給する少なくとも一つのオゾン供給管と、
前記オゾン供給管に接続されたオゾン供給手段と、
前記第１の非処理領域に設けられ、前記処理室内のガスを排気する排気口と、
前記排気口に接続され、前記処理室内のガスを排気することにより、前記第２の非処理領域に到達したオゾンを前記処理領域に供給する排気手段と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
前記第１の非処理領域は、例えば前記処理室の下部に位置する。
前記処理室内には、例えば前記オゾン供給管が一つ設けられ、前記第１の非処理領域において前記オゾン供給管と前記排気口とが対向する位置に配置されている。
【００１２】
前記オゾン供給管は、例えば、その先端部分が前記第３の非処理領域の方向に向くように曲折りされて前記第３の非処理領域へ向かうオゾン導入部を有し、前記オゾン導入部の長さが該オゾン導入部の内径の１倍〜１００倍に形成されている。
前記オゾン供給管の前記先端部分は、例えば上方に曲折りされている。
【００１３】
前記オゾン供給手段は、例えばプラズマ発生器から構成されたオゾン発生部を有し、前記オゾン発生部には酸素ガス及び窒素ガスを供給するオゾン生成ガス供給管が接続されている。
【００１４】
前記処理室内を加熱及び減圧雰囲気下に維持して、前記被処理体をオゾン処理することにより熱酸化させ、該被処理体上に薄膜を形成させる熱処理装置から構成してもよい。
【００１５】
この発明の第２の観点にかかるオゾン処理方法は、
被処理体をオゾン処理するオゾン処理方法であって、
前記被処理体をオゾン処理する処理領域を有する処理室の前記処理領域の一方側の第１の非処理領域にその先端が位置するように配置されたオゾン供給管から、前記第１の非処理領域および前記処理領域の他方側の第２の非処理領域に通じる第３の非処理領域を介して、前記第２の非処理領域に到達するようにオゾンを供給し、
前記第１の非処理領域に設けられた排気口から前記処理室内のガスを排気することにより、前記第２の非処理領域に到達したオゾンを前記処理領域に供給する、ことを特徴とする。
【００１７】
前記オゾン供給管から供給されるオゾンを、高速粘性流として流れ、かつオゾンの活性状態を維持できる温度及び圧力で前記処理室内に供給してもよい。
【００１８】
前記処理室内を所定の温度及び所定の圧力に維持し、
前記被処理体にオゾンを供給して、該被処理体を熱酸化させ、該被処理体上に薄膜を形成してもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態にかかるオゾン処理装置及びオゾン処理方法を、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いて、オゾンの熱酸化処理により、約２００ｍｍ（８インチ）の半導体ウエハ（被処理体）上にシリコン酸化膜を形成する場合を例に説明する。
【００２０】
図１に示すように、熱処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた有天井の円筒状に形成された反応管２を備えている。反応管２は、耐熱材料、例えば石英により形成されている。
【００２１】
反応管２の下方には、筒状に形成されたステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド３が配置されている。マニホールド３は、反応管２の下端と気密となるように接続されている。
【００２２】
マニホールド３の下方には蓋体４が配置され、図示しないボートエレベータにより蓋体４は上下動可能に構成され、蓋体４が上昇すると、マニホールド３の下方側が閉鎖される。この反応管２と、マニホールド３と、蓋体４とによって処理室３ａが構成されている。
【００２３】
蓋体４には、例えば石英からなるウエハボート５が載置されている。ウエハボート５には、被処理体、例えば半導体ウエハ６が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容されている。ウエハボート５に収容された半導体ウエハ６は、ウエハボート５が反応管２内に挿入されることにより処理室３ａの内部に配置されることとなり、この半導体ウエハ６の配置領域が処理室３ａにおける処理領域３ｂを構成している。また、処理領域３ｂの周囲が非処理領域を構成している。
【００２４】
反応管２は、反応管２内にウエハボート５が挿入された状態で、反応管２の内壁（内側壁）とウエハボート５（半導体ウエハ６）の端部との間に空隙（間隙）Ｄを有するような大きさに形成されている。この空隙Ｄは、処理室３ａ内で所定の排気コンダクタンスを得られるように、オゾンの流量、反応管２内部の圧力、反応管２の高さ等を考慮して、例えば２０ｍｍ〜５０ｍｍ程度の大きさに設定されている。
【００２５】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ７が設けられている。
【００２６】
処理室３ａにおける処理領域３ｂの一方側、例えば下方側の非処理領域３ｃ（第１の非処理領域）には、オゾン供給管８が配置されている。本実施の形態では、マニホールド３の側面にオゾン供給管８が挿通されている。オゾン供給管８は、その先端部分８ａが処理領域３ｂの方向（上方）を向くように曲折りされた屈曲形状に形成されており、先端部分８ａにおいて処理領域３ｂに向かうオゾン導入部８ｂを有している。このため、オゾン供給管８（オゾン導入部８ｂ）から供給されたオゾンは、反応管２の上方に噴出する。
【００２７】
また、先端部分８ａは、オゾンの活性状態が維持できるように、オゾンの流量に対して処理室３ａ内の温度、圧力、流速が最適となるような形状に形成されている。先端部分８ａのオゾン導入部８ｂの内径は、例えば２ｍｍ〜２０ｍｍに形成されている。また、オゾン導入部８ｂの長さＬは、例えば２０ｍｍ〜１０００ｍｍに形成されている。さらに、オゾン導入部８ｂの長さＬは、オゾン導入部８ｂの内径の１倍〜１００倍、好ましくは１０倍〜４０倍の長さに形成されている。具体的には、オゾン導入部８ｂの内径が１０ｍｍの場合、オゾン導入部８ｂの長さＬは、１０ｍｍ〜１０００ｍｍ、好ましくは１００ｍｍ〜４００ｍｍに形成されている。また、先端部分８ａは、オゾン供給管８から上方に供給されたオゾンが、処理領域３ｂ外（例えば図１に示す、空隙Ｄにより形成される空間）（第３の非処理領域）を通って、処理領域３ｂの他方側（反応管２の上方）（第２の非処理領域）に供給されるような位置に配設されている。
【００２８】
オゾン供給管８はオゾン発生器９に接続されている。オゾン発生器９は、例えばプラズマ発生器等から構成され、酸素を基としてオゾンを生成する。オゾン発生器９には、ピュリフアイヤ１０を介して、酸素ガス供給管１１と窒素ガス供給管１２とが接続されている。そして、酸素ガス供給管１１からの酸素ガスと、窒素ガス供給管１２からの窒素ガスとがピュリフアイヤ１０に供給され、ピュリフアイヤ１０により、オゾン発生に適した純度の条件（不純物、特に水分による腐食性ガスの発生を抑制）に設定されて、オゾン発生器９に供給される。
【００２９】
処理領域３ｂの一方側の非処理領域３ｃにおけるマニホールド３側面には、排気口１３が設けられている。排気口１３は、非処理領域３ｃにおいてオゾン供給管８と対向するように設けられ、反応管２内のガスを排気する。
【００３０】
排気口１３には、排気管１４が気密に接続されている。排気管１４には、その上流側から、コンビネーションバルブ１５と、真空ポンプ１６とが介設されている。コンビネーションバルブ１５は、排気管１４の開度を調整して、反応管２内及び排気管１４内の圧力を所定の圧力に制御する。真空ポンプ１６は、排気管１４を介して反応管２内のガスを排気すると共に反応管２内及び排気管１５内の圧力を調整する。
【００３１】
マニホールド３側面の排気口１３の下方には、パージガス、例えば窒素ガスを供給するパージガス供給管１７が挿通されている。
また、オゾン発生器９、ピュリフアイヤ１０、酸素ガス供給管１１、窒素ガス供給管１２、コンビネーションバルブ１５、真空ポンプ１６、及びパージガス供給管１７には、図示しない制御部が接続されている。制御部は、マイクロプロセッサ、プロセスコントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温度、圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部に制御信号等を出力して、熱処理装置１の各部を制御する。
【００３２】
次に、上記構成を有する熱処理装置１を用いたオゾン処理方法について、半導体ウエハ６にシリコン酸化膜を形成する場合を例に説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、図示しない制御部によりコントロールされている。
【００３３】
まず、蓋体４が下げられた状態で、半導体ウエハ６が収容されたウエハボート５を蓋体４上に載置する。また、昇温用ヒータ７により反応管２（処理室３ａ）内を所定の温度、例えば３００℃〜１０００℃、好ましくは６００℃〜９００℃に加熱する。
【００３４】
次に、図示しないボートエレベータにより蓋体４を上昇させ、ウエハボート５（半導体ウエハ６）を処理室３ａ内にロードする。これにより、半導体ウエハ６を処理室３ａ内に収容すると共に、処理室３ａを密閉する。
【００３５】
処理室３ａを密閉した後、処理室３ａ内の減圧を開始する。具体的には、コンビネーションバルブ１５の開度を制御しつつ、真空ポンプ１６を駆動させて、処理室３ａ内のガスを排出する。処理室３ａ内のガスの排出は、処理室３ａ内の圧力が常圧から所定の圧力、例えば６．６５Ｐａ〜３９９Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）になるまで行う。そして、処理室３ａ内の圧力を６．６５Ｐａ〜３９９Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）に維持する。
【００３６】
処理室３ａ内の圧力が６．６５Ｐａ〜３９９Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）に維持されると、オゾン供給管８から反応管２の天井（ウエハボート５の上部）に到達するようにオゾンを反応管２内に供給する。オゾンを反応管２の天井に到達させるためには、オゾン供給管８から供給されるオゾンは高速になるので、単位面積あたりのオゾンの流量が大きくなる。このため、オゾンは、オゾン供給管８から、高速かつ大流量で供給される。オゾンは所定量、例えば１リットル／ｍｉｎ〜３０リットル／ｍｉｎ、好ましくは５リットル／ｍｉｎ〜１０リットル／ｍｉｎ供給される。
【００３７】
また、オゾン供給管８の先端部分８ａは、オゾンの流量に対して処理室３ａ内の温度、圧力、流速が最適となるような形状に形成されているので、オゾンが処理領域３ｂ外を通って反応管２の天井に供給されると共に、供給されるオゾン濃度が、例えば１〜１４ｖｏｌ％を維持した状態で供給される。
【００３８】
一般に、オゾン導入部８ｂの内径が細くなると先端部分８ａ（オゾン導入部８ｂ）内の圧力が高くなってオゾンの活性状態が維持しにくくなる。逆に、オゾン導入部８ｂの内径が太くなるとオゾンの流速が低下してしまい、オゾン供給管８から噴出するオゾンは、反応管２の天井に供給されやすくなる。また、オゾン導入部８ｂの長さＬが短くなるとオゾンが高速粘性流として流れにくくなる。逆に、オゾン導入部８ｂの長さＬが長くなるとオゾンの活性状態が維持しにくくなる。このため、オゾン導入部８ｂの内径及び長さを変化させ、処理室３ａ内の温度、圧力、流速が最適となるような形状について検討したところ、オゾン導入部８ｂの内径を２ｍｍ〜２０ｍｍ、オゾン導入部８ｂの長さＬを２０ｍｍ〜１０００ｍｍにすることが好ましいことが確認できた。
【００３９】
さらに、オゾン導入部８ｂの内径と長さの関係について検討したところ、オゾン導入部８ｂの長さを、オゾン導入部８ｂの内径の１倍〜１００倍、好ましくは１０倍〜４０倍の長さにすることにより、特にオゾンが処理領域３ｂ外を通って反応管２の天井に供給されると共に、オゾンの活性が失われにくくなることが確認できた。
【００４０】
また、オゾン供給管８に接続されたオゾン発生器９には、酸素ガスの他に窒素ガスが供給されているので、オゾン発生器９で生成されるオゾンの発生効率が向上する。
【００４１】
反応管２の天井に到達したオゾンは、真空ポンプ１６からの吸引によって、処理領域３ｂに供給される。ここで、処理室３ａ内の圧力が６．６５Ｐａ〜３９９Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）のような低圧に維持されているのは、オゾンを一旦、反応管２の天井に到達させることにより、オゾンの流速が遅くなり、オゾンの流速による影響が小さくなるためである。また、反応管２には、反応管２の内壁と半導体ウエハ６の端部との間に空隙Ｄが設けられているので、処理室３ａ内を低圧に維持できるような所定の排気コンダクタンスが得られ、処理領域３ｂに均一にオゾンを供給することができる。さらに、排気口１３がオゾン供給管８と対向するように配置されているので、処理領域３ｂにオゾンを供給する際に、オゾン供給管８から供給されるオゾンの影響を受けにくくなり、処理室３ａ内の排気コンダクタンスが改善され、処理領域３ｂにさらに均一にオゾンを供給することができる。
【００４２】
処理領域３ｂにオゾンが供給されると、オゾンの熱分解によって生じる酸素原子ラジカルが、半導体ウエハ６の表面で酸化反応を起こし、半導体ウエハ６上にシリコン酸化膜が形成される。なお、オゾン処理によって生成される反応生成物は、排気口１３を介して排気管１４に吸引され、反応管２外に排気される。
【００４３】
半導体ウエハ６の表面にシリコン酸化膜が形成されると、オゾン供給管８からのオゾンの供給を停止する。そして、コンビネーションバルブ１５の開度を制御しつつ、真空ポンプ１６を駆動させて、処理室３ａ内のガスを排出した後、パージガス供給管１７から窒素ガスを供給して、処理室３ａ内のガスを排気管１４に排出する。なお、処理室３ａ内のガスを確実に排出するために、処理室３ａ内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
【００４４】
最後に、パージガス供給管１７から窒素ガスを供給して処理室３ａ内を常圧に戻し、ウエハボート５（半導体ウエハ６）を処理室３ａからアンロードする。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、オゾン供給管８から反応管２の天井に到達するようにオゾンを供給しているので、オゾンが高速かつ大流量で供給される。また、オゾンを反応管２の天井に到達させているので、処理領域３ｂに均一にオゾンを供給することができる。さらに、反応管２には空隙Ｄが設けられているので、処理領域３ｂに均一にオゾンを供給することができる。加えて、排気口１３がオゾン供給管８と対向するように配置されているので、処理領域３ｂにさらに均一にオゾンを供給することができる。このため、半導体ウエハ６上にシリコン酸化膜が均一に形成される。
【００４６】
本実施の形態によれば、先端部分８ａは、オゾンの流量に対して処理室３ａ内の温度、圧力、流速が最適となるような形状に形成されているので、先端部分８ａの内部の圧力及び温度が高くなりにくい。また、仮に圧力及び温度が高くなっても、オゾンが高圧、高温下にさらされる時間を短くすることができる。このため、オゾン供給管８内のオゾンの活性が失われにくくなる。
【００４７】
本実施の形態によれば、オゾン発生器９には、酸素ガスの他に窒素ガスが供給されているので、オゾン発生器９で生成されるオゾンの発生効率が向上する。
本実施の形態によれば、オゾン供給管８が一つだけ設けられているので、熱処理装置１の構造を簡単にすることができる。
【００４８】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハ６上に、予めシリコン窒化膜が形成された被処理体を用いてもよい。この場合、半導体ウエハ６上に、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜や、シリコン酸窒化膜を形成することができる。
【００４９】
本発明は、半導体ウエハ６にシリコン酸化膜を形成するような成膜工程で用いられる場合に限定されるものではなく、例えば薄膜表面に堆積している有機物を分解・除去するアッシング工程で用いてもよい。この場合、例えばシリコン酸化膜上に形成されたＳＯＧ（Spin On Glass）膜の表面に堆積している有機物を除去する際に、オゾン処理の流量を増加させると共に、ＳＯＧ膜の全面に均一なオゾン処理を行うことができる。また、本発明を、アニール工程に用いてもよい。
【００５０】
オゾン発生器９は、酸素ガスと窒素ガスとが供給されているものに限定されるものではない。例えば、ピュリフアイヤ１０に酸素ガス供給管１１のみを接続して、オゾン発生器９に酸素ガスのみを供給してもよい。この場合にも、オゾン発生器９によりオゾンを発生させることができる。
【００５１】
オゾン供給管８の数は一つに限らず、複数であってもよい。
また、被処理体は半導体ウエハ６に限らず、例えばガラス基板であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、オゾンの流量を大流量にすると共に、被処理体の全面に均一なオゾン処理を行うことができる。
また、本発明によれば、オゾンの流量を大流量にすると共に、反応管内の圧力を低圧に維持することができる。
さらに、本発明によれば、オゾンの活性状態を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置の模式図である。
【図２】従来の熱処理装置の模式図である。
【符号の説明】
１  熱処理装置
２  反応管
３  マニホールド
３ａ  処理室
３ｂ  処理領域
３ｃ  非処理領域
４  蓋体
６  半導体ウエハ
８  オゾン供給管
８ａ  先端部分
８ｂ  オゾン導入部
９  オゾン発生器
１１  酸素ガス供給管
１２  窒素ガス供給管
１３  排気口
１４  排気管
１５  コンビネーションバルブ
１６  真空ポンプ
【図１】
0004361179.tif 000002
【図２】
0004361179.tif 000003