(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の一方に形成された画素電極内に、線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、
前記線状のスリットは複数の部分に分断して形成するとともに、前記分断されたスリットのうち、最も前記画素電極のエッジに近いスリットの端部と前記画素電極のエッジとの間で接続部を設けることにより、該接続部で液晶分子がｓ＝−１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
電極を有する一対の基板の一方に、線状の構造物を設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、
前記一対の基板の他方に設けられた画素電極のエッジと前記構造物とが交差する部分に、前記構造物上で高さを他の部分より高くした突起物を設けることにより、該突起部で液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
電極を有する一対の基板の一方に、線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、
前記一対の基板の他方に設けられた画素電極のエッジと前記スリットの延長線とが交差する部分に、前記スリットが分断された分断部を設けることにより、該分断部で液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）に関し、より詳しくは、ＶＡ型方式の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＮ型ＴＦＴ−ＬＣＤの製造技術は、近年において各段の進歩を遂げ、正面でのコントラスト・色再現性などはＣＲＴを凌駕するまでに至っている。しかし、ＴＮ(twisted nematic) −ＬＣＤには視野角が狭いという大きな欠点があり、そのために用途が限定されるという問題があった。
【０００３】
図１(a) 〜図１(c) は、この問題を説明する図である。図１(a) は２つの電極１０１、１０２間に電圧を印加しない白を表示する状態であり、図１(b) は、中間の電位Ｖ1 を２つの電極１０１，１０２間に印加した中間調を表示する状態であり、図１(c) は、所定の電圧Ｖ2 を２つの電極１０１，１０２間に印加して黒を表示する状態である。
【０００４】
図１(a) 〜図１(c) では、２つの電極１０１，１０２の対向面にはそれぞれ配向方向を９０度異ならせて配向膜１０３，１０４が形成されている。また、２つの電極１０１，１０２のそれぞれの外側には、特に図示しないが、直線偏光方向が互いに９０度捩じれた状態で偏光板が配置されている。なお、図１(a) 〜図１(c) に示した液晶分子Ｌは、配向膜１０３，１０４の配向方向に従って捩じれているが、ここでは便宜的に捩じれを考慮しないで図示している。
【０００５】
ところで、図１(a) に示したような電圧を印加しない状態では液晶分子Ｌは同じ方向に、ごく僅かの傾斜角（１゜〜５゜程度）をもって配向している。この状態ではどの方位でもほぼ白に見える。
また、図１(c) に示したような電圧Ｖ2 を印加した状態では、配向膜１０３，１０４表面の近傍を除いた中間の液晶分子Ｌは垂直方向に配向され、入射した直線偏光は偏光板により遮られるので、外側から黒く見える。この時、一方の電極１０１に斜めに入射する光は、垂直方向に配向された液晶分子の向きに対して斜めに通過するため偏向方向がある程度捩じれるために、外側からは完全な黒ではなく、中間調（グレイ）に見える。
【０００６】
さらに、図１(b) に示すように、図１(c) の状態より低い中間の電圧Ｖ1 を印加した状態では、配向膜１０３，１０４の近傍の液晶分子はやはり水平方向に配向されるが、セルの中間部では液晶分子Ｌが斜めに立ち上がる。そのため、液晶の複屈折性がいくぶん失われ、透過率が低下して中間調（グレイ）表示になる。しかし、これは液晶パネルに対して垂直に入射した光についてのみいえることで、一方の電極１０１の面に斜めに入射した光、すなわち図の左と右の方向から見た場合で様子が異なる。
【０００７】
即ち、図１(b) において、右下から左上に向かう光に対して液晶分子Ｌの向きは平行になる。従って、液晶は殆ど複屈折効果を発揮しないため、左側から見ると黒く見えることなる。これに対して、左下から右上に向かう光に対しては液晶分子Ｌの向きは垂直になるので、液晶分子Ｌは入射した光に対して大きな複屈折効果を発揮し、入射した光は捩じれるので、白に近い色で見えることになる。即ち、図１(b) では、視野角によって表示強度が変わることになり、この点がＴＮ−ＬＣＤの最大の欠点となる。
【０００８】
そこで、応答速度を低下させずに視野角特性を改善する方式として垂直配向膜を使用するＶＡ（Vertically aligned）方式が提案されている。
図２(a) 〜図２(c) は、ＶＡ方式を説明する図である。ＶＡ方式は、ネガ型液晶材料と垂直配向膜を組み合わせた方式である。
まず、図２(a) に示すように、電圧無印加時には液晶分子は垂直方向に配向して黒表示になる。なお、ＶＡ方式では、配向膜１０３，１０４は垂直配向処理が施されている。
【０００９】
また、図２(c) に示すように所定の電圧を２つの電極１０１，１０２間に印加すると、液晶分子Ｌは水平方向に配向し、白表示になる。ＶＡ方式は、ＴＮ方式に比べて表示のコントラストが高く、応答速度も速く、白表示と黒表示における視覚特性も良好である。
さらに、図２(b) に示すように、白表示の時より小さな電圧を２つの電極１０１，１０２間に印加すると、液晶分子Ｌは斜めの方向に配向することになる。この場合、電極１０１の面に対して垂直方向の光は、表示パネルでは中間調として表示される。しかし、図２(b) において、右下から左上に向かう光に対しては液晶分子Ｌは平行になる。従って、液晶分子Ｌは殆ど複屈折効果を発揮しないために、左側から見ると黒く見えることになる。これに対して、左下から右上に向かう光に対しては液晶分子Ｌは垂直になるので、液晶分子Ｌは入射した光に対して大きな複屈折効果を発揮し、入射した光は捩じれるので白に近い表示になる。
【００１０】
このようにＶＡ方式では、電圧無印加時も配向膜近傍の液晶分子がほぼ垂直なため、ＴＮ方式より各段にコントラストが高く、視野角特性にも優れている。しかし、ＶＡ方式で中間調表示を行う場合に、視野角を変えると表示強度が変わるというＴＮ方式と同様の問題があり、視野角特性という面ではまだ不十分であった。
【００１１】
本出願人は、従来の垂直配向を使用し、液晶材料として誘電率異方性が負のいわゆるネガ型液晶を電極間に封入して、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向が１画素内の複数の領域で異なるように規制するドメイン規制手段を設ける構成を、特願平10-185836 号で開示している。
図３(a) 〜図３(c) は、そのドメイン規制手段として第１の基板側の１画素の電極１１１にスリットＳを設け、第２の基板側の電極１１２の上には１画素内で突起Ｐを設けた構造を採用した場合の配向分割による視覚特性の改善の原理を説明する図である。
【００１２】
図３(a) に示すように、電圧を印加しない状態では液晶分子Ｌは基板表面に対して垂直に配向する。また、図３(c) に示すように、相対向する電極１１１，１１２の間に所定の電圧を印加すると、液晶分子Ｌは基板面に対してほぼ水平になって白表示が得られる。
さらに、図３(b) に示すように、中間の電圧を電極１１１，１１２間に印加すると、スリットＳ（電極エッジ部）Ｓで基板表面に対して斜めの電界が発生する。また、突起Ｐ表面近傍の液晶分子Ｌは、電圧無印加の状態から僅かに傾斜する。この突起Ｐの傾斜面と斜め電界の影響により液晶分子Ｌの傾斜方向が決定され、突起Ｐの真ん中とスリット部１１１ｓの真ん中でそれぞれ液晶分子１１３の配向方向が分割される。
【００１３】
この時、例えば基板の真下から真上に透過する光は、液晶分子Ｌが多少傾斜しているため、若干の複屈折の影響を受けて透過が抑えられ、グレイの中間調表示が得られる。右下から左上に透過する光は、液晶分子Ｌが左方向に傾斜した領域では透過しにくい一方、液晶分子Ｌが右方向に傾斜した領域では非常に透過しやすく、これらを平均するとグレイの中間調表示が得られる。また、左下から右上に透過する光も同様の原理でグレイ表示となる。これにより、１画素の全方位で均一な中間調表示が得られる。
【００１４】
従って、図３(b) では、黒、中間調、白の表示状態の全てにおいて、視野角依存性の少ない良好な表示が得られる。
図３(a) 〜図３(c) では、ドメイン規制手段として、第１の基板側の電極１１１の１画素にスリットを設け、第２の基板側の電極１１２の上には１画素内で突起２０を設けているが、他の手段でも実現できる。その新たなＶＡ方式を、以下にＭＶＡ(multi-domain vertical alignment)方式という。
【００１５】
図４(a) 〜図４(c) は、ドメイン規制手段を実現する例を示す図である。
図４(a) は電極形状のみで実現する例を示し、図４(b) は基板表面の形状を工夫する例を示し、図４(c) は、電極形状と基板表面の形状を工夫する例を示す。これらの例のいずれも図３(a) 〜図３(c) に示す配向が得られるが、それぞれの構造は多少異なる。
【００１６】
次に、図４(b) に示した２つの基板の対向面上に突起を設けた場合を例にして説明する。
図４(b) において、２つの基板の対向面側の電極１１１，１１２の上には、互い違いに配向方向を分割するための突起Ｐ1 、Ｐ2 が形成されており、それらの内側の面の上に垂直配向膜１１３，１１４が設けられている。垂直配向膜には垂直配向処理が施されている。２つの基板間に注入している液晶はネガ型である。電圧無印加時には、垂直配向膜上では液晶分子Ｌは基板面に対して垂直に配向する。突起Ｐ1 、Ｐ2 での液晶分子Ｌもその斜面に垂直に配向しようとするので、突起Ｐ1 、Ｐ2 上の液晶分子Ｌは傾斜する。しかし、電圧無印加時には、突起Ｐ1 、Ｐ2 を除く領域の殆どの部分では、液晶分子Ｌは基板面に対してほぼ垂直に配向するため、図３(a) に示したように良好な黒表示が得られる。
【００１７】
電圧印加時には、液晶分子Ｌは突起Ｐ1 、Ｐ2 のない部分では基板に平行（電界は基板に垂直）であるが、突起Ｐ1 、Ｐ2 の近傍では傾斜する。即ち、電圧印加時には、液晶分子Ｌは電界の強度の応じて傾斜するが、電界は基板に垂直な向きであってラビングによって傾斜方向を規定していない場合には、電界に対して傾斜する方位は３６０゜の全ての方向があり得る。突起Ｐ1 、Ｐ2 では、電界は突起Ｐ1 、Ｐ2 の斜面に平行になる方向に傾いており、電圧が印加されると液晶分子Ｌは電界に垂直な方向に傾くが、この方向は突起Ｐ1 、Ｐ2 によりもともと傾斜している方向と一致しており、より安定的に配向することになる。このように、突起Ｐ1 、Ｐ2 は、その傾斜と斜面の電界の両方の効果によって安定した配向を得ている。更に、強い電圧が印加されると、液晶分子Ｌは基板にほぼ平行になる。
【００１８】
以上のように、突起Ｐ1 、Ｐ2 は電圧を印加した時の液晶分子Ｌの配向する方位を決定するトリガの役割を果たしている。
図４(a) では、両方は或いは片方の電極１１１，１１２にスリットＳ1 、Ｓ2 を設けている。配向膜１１３，１１４には垂直配向処理を施し、基板間にネガ型液晶を封入する。電圧を印加しない状態では、液晶分子は基板表面に対して垂直に配向するが、電圧を印加するとスリット（電極エッジ部）Ｓ1 、Ｓ2 で基板表面に対して斜めの方向の電界が発生する。この斜めの電界の影響で液晶分子Ｌの傾斜方向が決定され、図示のように左右方向に液晶の配向方向が分割される。
【００１９】
図４(c) は、図４(a) と図４(b) の方式を組み合わせた例であり、一方の電極１１１にはスリットＳが形成され、他方の電極１１２の上には突起Ｐが設けられている。
以上、３つのドメイン規制手段を実現する例を示したが、いろいろな変形が可能である。
【００２０】
図５は、４方向に配向分割する液晶表示パネルにおけるバスライン、突起、画素、電極との配置関係を示す平面図であり、図６は、図５のＩーＩ線断面図である。
図５、図６において、ＴＦＴ基板１２１上には、Ｘ方向（図中横方向）に延在する複数のゲートバスライン１２２がＹ方向（図中縦方向）に間隔をおいて形成されている。また、各ゲートバスライン１２２の間にはＸ方向に延在する容量バスライン１２３が形成されている。その容量バスライン１２３からは後述するドレインバスラインの一部に対向するように補助容量支線１２３ａがゲートバスライン１２２に接触しない程度の長さでＹ方向に形成されている。
【００２１】
それらのゲートバスライン１２２と容量バスライン１２３は、第１絶縁膜１２４によって覆われている。さらに、第１絶縁膜１２４上には、Ｙ方向に延在する複数のドレインバスライン１２５がＸ方向に間隔をおいて形成されている。ゲートバスライン１２２とドレインバスライン１２５の交差箇所に対応してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２６が形成されている。ＴＦＴ１２６は、第１絶縁膜１２４を介してゲートバスライン１２５上に形成された半導体層１２６ａと、半導体層１２６ａの上に形成されたドレイン電極１２６ｄと、半導体層１２６ａの上に形成されたソース電極１２６ｓを有しており、ドレイン電極１２６ｄは近くのドレインバスライン１２５に接続されている。ドレインバスライン１２５とＴＦＴ１２６は第２絶縁膜１２７によって覆われている。
【００２２】
また、２本のドレインバスライン１２５と２本のゲートバスライン１２２によって囲まれる領域であって第２絶縁膜１２７の上にはＩＴＯよりなる画素電極１２８が形成されている。その画素電極１２８は第２絶縁膜１２７のホール（不図示）を通してソース電極１２６ｓに接続されている。
容量バスライン１２３の電位は任意の大きさに固定されている。ドレインバスライン１２５の電位が変動すると、浮遊容量に起因する容量結合により画素電極１２８の電位が変動する。図６の構成では、画素電極１２８が補助容量を介して容量電極１２３に接続されているため、画素電極１２８の電位変動を低減することができる。
【００２３】
図６において、ＴＦＴ基板１２１に対向する対向基板１３１にはカラーフィルタ１３２、ブラックマトリクス１３３、共通電極１３４、配向膜１３５が順に形成されている。
また、対向基板１３１とＴＦＴ基板１２１の互いの対向面上には、それぞれ、Ｙ方向に延在するジグザク屈曲パターンを有する突起物１３０、１３６が形成されている。屈曲パターンの折れ曲がり角は概ね９０度である。
【００２４】
ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０はＸ方向に等間隔で配列され、その折れ曲がり点はゲートバスライン１２２のほぼ中央に配置されている。対向基板１３１側の突起物１３６は、ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０とほぼ同じ形状のパターンを有し、しかも、ＴＦＴ基板１２１の複数の突起物１３０の間のほぼ中央に位置するように共通電極１３４の上に形成されている。
【００２５】
ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０と画素電極１２８は配向膜１２９に覆われ、対向基板１３１側の突起物１３６もまた別な配向膜１３５に覆われている。ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０と対向基板１３１側の突起物１３６は、それぞれ画素電極１２８の縁と４５度の角度で交わる。
また、ＴＦＴ基板１２１と対向基板１３１のうち液晶材料１３９を挟んでいない面には、それぞれ偏光板（不図示）が配置される。それらの偏光板は、それらの偏向軸が突起物１３０．１３６の角直線部分で４５度で交わり、且つ、クロスニコルとなるように配置される。即ち、一方の偏光板の偏向軸は、図のＸ方向に平行であり、他方の偏向軸は図のＹ方向に平行である。
【００２６】
ＴＦＴ基板１２１と対向基板１３１は、互いにある間隔を隔てて平行に配置され、それらの間隙には液晶材料１３９が充填されている。液晶材料１３９は、上記したように負の誘電率異方性を有するものが採用されている。突起物１３０、１３６は、液晶材料１３９の誘電率と同等或いはそれ以下の誘電率を有する材料から形成されている。
【００２７】
次に、画素電極にスリットを設けた場合を例に挙げて中間電圧を画素電極に印加した場合の液晶分子Ｌの配向について説明する。
図７は、図５に示した突起物１３０の代わりに画素電極にスリットＳを設けたＴＦＴ基板上のゲートバスライン、ドレインバスライン、容量バスライン及び画素電極１２８の配置関係を示す平面図である。
【００２８】
図７において、画素電極１２８ａは、上側の突起物１３６ａの間を通る複数のスリットＳによって複数の領域に分割されている。それらの領域は、各スリットＳを横切るつなぎ部１２８ｂによって互いに導通している。画素電極１２８ａの中央近傍の２つのスリットＳは、画素電極１２８ａのエッジ部で互いに交わっている。
【００２９】
そして、画素電極１２８ａに中間電圧を印加すると。画素電極１２８ａ上の液晶分子Ｌは、画素電極１２８ａの面に対して傾斜する。図７において液晶分子Ｌは、円錐で示され、その先鋭部はＴＦＴ基板側の液晶分子の一端の位置を示し、その円錐のうち円面は対向基板側の他端の位置を示している。その液晶分子Ｌの傾斜方向は図４で示した原理によって４種類となる。
【００３０】
以上説明したように、ＭＶＡ方式は、誘電率異方性が負の液晶を基板面に対してほぼ垂直に配向させる方式であり、コントラストが高い上に、スイッチング速度を低下させること無しに視覚特性が改善できるので、表示品質が良好である。しかも、ドメイン規制手段を使用することにより、視野角特性を一層改善できる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、高画質で高信頼性、高生産性を実現できる。
しかし、もともとＶＡ方式は、ＴＮ方式のような水平配向型に比べて弱アンカリングであるため、電界の影響を受けやすいという性質があり、ＭＶＡ方式もそのような性質を受け継いでいる。
【００３２】
従って、図８(a),(b) に示すように、ゲートバスラインの電位Ｅgc、ドレインバスラインの電位（データ電圧）Ｅgsの変動によって画素電極１２８周囲の液晶分子Ｌの配向状態が変化する場合がある。そのような現象は、ＴＮ方式の場合にも同様に発生するが、ＴＮ方式よりもＶＡ方式の方が発生し易いと考えられる。また、ＭＶＡ方式特有の現象として、駆動その他の諸々の条件によって突起物が帯電することがある。このとき、ドレインバスライン、ゲートバスラインと交差する部分の液晶配向が突起物の帯電の影響によっても変化する。
【００３３】
画素周囲の配向が変化すると、それに応じて浮遊容量、例えばゲート・共通電極間容量Ｃgc、ゲート・ソース間容量Ｃgs、ドレイン・共通電極間容量Ｃdc等の値も変化する。その結果、容量結合により画素電極１２６ｓの電位も変動する。通常は、補助容量によって画素電極の電位変動を低減しているが、完全には補いきれない場合がある。特に、高開口率化のために補助容量を小さくした場合に発生しやすい。画素電極電位が変動すると、フリッカとよばれるちらつきが画面に発生する。
【００３４】
画素電極電位の変動が完全に無くなる程度に補助容量を大きくする手段もあるが、その分だけ開口率が小さくなる。
次に、ＭＶＡ方式の液晶表示装置における残像の発生について説明する。
液晶表示装置における残像の発生は、応答速度の異常が原因とされるが、これは、上記した電極上の突起物やスリットの上でドメイン制御方向が定まっていないために生じる。
【００３５】
そのドメイン制御方向の不安定さはセル厚のばらつきなどによって生じ、これにより残像が生じるような液晶表示装置は、不良品として出荷されない。
長時間残る残像の発生原因を調査した結果、次のことが明らかになった。
即ち、複数の突起又はスリットを電極に形成した構造を採用した液晶表示装置において、図９(a),(b) に示すように、表示を黒から白に変化させた時のドメイン状態と、表示を中間調から白に変化させた時のドメイン状態とに違いが見られる場合に、長時間残る残像が発生することが分かった。
【００３６】
図９(a) において、表示を黒から白に変化させた後のスリットＳ上のドメイン数は、画素電極１２８ａの全てのつなぎ部１２８ｂとつなぎ部１２８ｂの中間を境界にして分割されて６個存在する。これにより、スリットＳ近傍の液晶分子Ｌは、スリットＳの直線部分に対して垂直方向に配向する。
一方、図９(b) において、黒、中間調、白の順に表示を変えた後のスリットＳ上のドメイン数は、一部のつなぎ部１２８ｂを境にして分割された２個又は４個である。これにより、つなぎ部１２８ｂとその中間を境にしてドメインが変化しない領域が存在し、その領域では、スリットＳ近傍の液晶分子ＬはスリットＳの直線部分に対して斜めに配向している。
【００３７】
その原因の一つは、中間調表示では突起物１３０若しくはスリットＳ上の液晶分子Ｌには十分に電圧がかからないために、液晶分子Ｌは図１０に示すように基板面に対してほぼ垂直状態となっており、画素電極１２８ａのエッジの電界やこれに影響を受けた表示ドメインの配向の影響が、つなぎ部による配向制御手段の分割箇所にまで及び、配向制御手段を分割したことによる配向制御効果が十分機能しないためと考えられる。即ち、中間表示の時に、スリットＳ若しくは突起物１３０の上の液晶分子Ｌが垂直状態になると、それらの近傍の液晶分子Ｌは画素電極１２８ａのエッジの電界の影響を受けてスリットＳ又は突起物１３０の直線部分に対して傾斜配向してしまう。
【００３８】
これにより、中間調表示から白表示に移った時に、図９(a) に示した▲３▼のドメインが消えて▲２▼と▲４▼のドメインがつながり、ついで、▲５▼のドメインが消えて▲４▼と▲６▼のドメインがつながり、この結果、図９(b) に示すように、右上方向を向くドメイン同士がつながって左下を向くドメインが消えてしまい、白表示の後のスリットＳ上のドメインが▲１▼と▲２▼の２つに減少することになる。
【００３９】
残像発生の別な原因の１つとして、配向制御手段の突起物１３０又はスリットＳのパターンの屈曲部が画素電極１２８ａのエッジに配置されることが考えられる。その屈曲部での液晶分子Ｌが取りうる配向状態は、図１１(a) 〜(c) に示す３種類のいずれかである。
ところが、画素電極１２８ａのエッジによる配向の影響を受けることによって、屈曲部での配向は図１１(c) に示す状態になり、その結果、図１２の一点鎖線で囲んで示すように、画素電極１２８ａのエッジによる配向制御方向が画素内方に広がる。これが、特に中間調表示の場合のスリットＳ上のドメインの配向に影響を与えることにより、配向制御手段を分割したことによる配向制御効果が十分機能しないものと考えられる。
【００４０】
また、ＴＦＴ基板においては、複数の電極が積層される領域、特に画素電極１２８ａと容量電極（容量バスライン）１２３は、図１３(a),(b) に示すように、それらの間の絶縁膜を突き抜けて短絡が発生することがある。このとき、配向制御手段としてスリットＳを用いて画素電極１２８ａを複数の領域に分割し、且つそれらの領域をつなぎ部１２８ｂによって電気的に接続している構造の液晶表示装置では、図１３(a),(b) のＸで示すように、画素電極１２８ａの中で容量バスライン２１８と短絡している領域のＴＦＴ１２６寄りのつなぎ部１２８ｂを切断することにより、その短絡領域を他の領域から切り離して画素内の液晶分子を部分的に駆動させることができる。
【００４１】
しかし、画素電極１２８ａのうち容量バスライン１２３に短絡している領域が画素の中央に存在しているために、図１３(a) の一点鎖線で示すように、画素電極１２８ａの半分以下の面積しか駆動できないことになり、この画素領域は点欠陥不良となって装置の歩留まりを低下させる。
本発明の目的は、補助容量の大きさを変えることなく画素電極の電位変動を低減し、フリッカを小さくすることができる液晶表示装置を提供することにある。
【００４３】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、図２４に例示するように、一対の基板の一方に形成された画素電極内に、線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記線状のスリットは複数の部分に分断して形成するとともに、前記分断されたスリットのうち、最も前記画素電極のエッジに近いスリットの端部と前記画素電極のエッジとの間で接続部を設けることにより、該接続部で液晶分子がｓ＝−１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置によって解決される。
【００４４】
また、上記した課題は、電極を有する一対の基板の一方に、線状の構造物を設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記一対の基板の他方に設けられた画素電極のエッジと前記構造物とが交差する部分に、前記構造物上で高さを他の部分より高くした突起物を設けることにより、該突起部で液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置により解決される。
また、上記した課題は、電極を有する一対の基板の一方に、線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記一対の基板の他方に設けられた画素電極のエッジと前記スリットの延長線とが交差する部分に、前記スリットが分断された分断部を設けることにより、該分断部で液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を形成するようにしたことを特徴とする液晶表示装置により解決される。
【００４８】
上記した課題は、前記薄膜トランジスタ基板を有する液晶表示装置によって解決される。
上記した課題は、前記薄膜トランジスタ基板を有する前記いずれかの液晶表示装置によって解決される。
次に、本発明の作用について説明する。
【００４９】
本発明は、ドメイン規制手段として用いられる電極上の構造物と電極内のスリットの少なくとも一方を有する液晶表示装置において、それらの構造物又はスリットの延長線が画素電極のエッジに交差する部分の近傍で、液層分子がｓ＝−１又はｓ＝＋１となるような配向特異点を形成している。液晶分子が本発明を適用した場合のスリット上のドメインの変化は、例えば図３１(a) に示すように、黒表示から白表示に変化させた時には、つなぎ部により分断されたスリット上のドメインの数は１〜８の８個である。また、図３１(a)によれば、従来技術を示す図９(a) に比べて７と８ドメイン数が増える。これは、画素電極のエッジにｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成されるためである。また、黒表示から中間調表示を経て白表示に変化した時には、図３１(b) に示すように、６と８のドメインがつながり７のドメインが消える。即ち、図９(a) に比べてスリット上のドメイン変化は画素電極のエッジ近傍でのごく僅かなレベルに抑えられている。
【００５０】
これにより、黒表示から白表示に応答させ時の白と、中間調表示から白に応答させた時の白とのドメイン状態の違いを目立たないレベルに小さくすることができ、ドメインの変化を残像として認識できないレベルに低減することができた。本発明は、配向制御手段が複数の構成単位から形成されているパネルに組み合わせて適用することによって、はじめて高い効果が得られる。単に画素電極のエッジのみに構造物若しくはスリット上のドメイン制御手段を設けただけでは、画素電極の中央付近のドメインが制御できないために残像が発生してしまう。さらに、中間調表示から白応答時においては、画素電極のエッジの制御手段が効かなくなるため、画素電極内で構造物又はスリット上のドメインの制御が全くできなくなって残像が発生する。
【００５１】
また、本発明では、画素電極のエッジによる電界が屈曲部に与える影響を排除するようにしたので、画素電極エッジ近傍において、構造物又はスリット本来の配向制御とは異なる配向状態の発生を低減できることで、残像を無くすことができる。さらに、本発明では、画素電極の電気的接続経路として、蓄積容量形成用電極と容量を形成している領域を介する経路と、介さない経路の２系統設けている。これにより、蓄積容量形成用電極と画素電極との電気的短絡が生じた場合、容量を形成している領域を電気的に他の領域から切断することによって、その他の領域を液晶分子が駆動可能な領域として用いることができる。この画素は、その短絡が生じていない正常な場合に比べて表示特性が若干異なるが、個数や場所によっては表示不良の規格をクリアすることもある程度の特性の違いであるため、ＴＦＴ基板の歩留まりの改善が図れる。
（２）上記した課題は、図１４〜図２２に例示するように、基板表面に垂直配向処理を施した第１及び第２の二枚の基板の間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向の液晶表示装置において、前記第１の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制する第１のドメイン規制手段と、前記第２の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制する第２のドメイン規制手段と、前記第１の基板又は前記第２の基板のうちの前記液晶を挟持する側の面の上に間隔を置いて形成された複数の第１のバスラインと、前記第１のバスラインに交差し、且つ前記第１のバスラインの上方で間隔をおいて形成された複数の第２のバスラインと、前記第１のバスラインと前記第２のバスラインによって区画される領域に形成された画素電極と、前記画素電極と前記第１又は第２のバスラインとの間の領域に形成され、前記画素電極と前記第１又は第２のバスラインとの間の領域に含まれる液晶分子の配向方向を垂直に保つ誘電体構造物とを有することを特徴とする液晶表示装置によって解決される。
【００５２】
次に、本発明の作用について説明する。
本発明によれば、互いに交差するゲートバスライン（第１のバスライン）と画素電極の間の領域、又はドレインバスライン（第２のバスライン）と画素電極の間の領域に誘電体構造物を配置した。
これにより、画素電極とバスラインの間の誘電率は誘電体構造物によって固定されるので、それらの間の浮遊容量変動は抑制される。
【００５３】
また、誘電体構造物がバスラインの上にも形成されることにより、誘電体構造物の上の液晶層が薄くなってその液晶層の液晶分子が垂直の配向から動きにくくなり、印加電圧が変化しても液晶分子が傾斜しにくくなって浮遊容量変動が非常に小さくなる。しかも、バスラインの上方の浮遊容量は誘電体構造により固定される成分が大きくなるので、その浮遊容量の変動は少なくなる。
【００５４】
以上のように、浮遊容量の変動が抑制されると、画素電位が一定となってフリッカの発生が防止される。しかも、容量の変動を抑えるための容量バスラインの幅を狭くして開口率を上げることが可能になる。
【００５５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
図１４は、本発明の第１実施形態に係るＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の絶縁膜、誘電体突起を除いたＴＦＴ基板の平面状態を示している。図１５は、図１４に示したＴＦＴ基板上に誘電体突起を形成した状態を示す平面図である。図１６は、図１５のII−II線断面図、図１７は図１５のIII-III 線断面図、図１８は、図１５のIV-IV 線断面図である。
【００５６】
図１４において、ＴＦＴが形成される第１のガラス基板（ＴＦＴ基板）１の上には、Ｘ方向（図中横方向）に延在する複数のゲートバスライン２がＹ方向（図中縦方向）に間隔をおいて形成されている。
また、各ゲートバスライン２の間にはＸ方向に延在する容量バスライン（蓄積容量形成用電極）３が形成されている。その容量バスライン３からは後述するドレインバスラインの一部に対向する補助容量支線３ａがゲートバスライン２に接触しない程度の長さでＹ方向に延在されている。
【００５７】
ゲートバスライン２と容量バスライン３と補助容量支線３ａは、同時に形成される。
即ち、第１のガラス基板１の上に、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜と厚さ５０ｎｍのチタン膜をスパッタリングにより形成した後に、それらの膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることによってゲートバスライン２、容量バスライン３及び補助容量支線３ａが形成される。そのパターニングには、BCl3とCl2 の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が用いられる。
【００５８】
ゲートバスライン２と容量バスライン３は、図１６に示すように、プラズマ励起型化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）法によって形成された厚さ４００ｎｍの窒化シリコンよりなるゲート絶縁膜４によって覆われ、このゲート絶縁膜４上には、Ｙ方向に延在する複数のドレインバスライン５がＸ方向に間隔をおいて形成されている。
【００５９】
ゲートバスライン２とドレインバスライン５の交差部分の近傍には、能動素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６が形成されている。
そのＴＦＴ６は、図１７に示すように、ゲートバスライン５の一部を跨ぐ領域にゲート絶縁膜４を介して形成された活性層６ａと、ゲートバスライン５の一側方の活性層６ａの上に形成されたドレイン電極６ｄと、ゲートバスライン５の他側方の活性層６ａの上に形成されたソース電極６ｓを有しており、ドレイン電極６ｄは近くのドレインバスライン５に接続されている。
【００６０】
ドレイン電極６ｄとソース電極６ｓは、活性層６ａのチャネル領域の上に形成されたチャネル保護膜６ｂの上で分離されている。
そのチャネル保護膜６ｂは、次のような方法によって形成される。
即ち、活性層６ａとゲート絶縁膜４の上に、窒化シリコン膜をＰＥ−ＣＶＤ法により１４０ｎｍの厚さに窒化シリコン膜の形成した後に、その窒化シリコン膜の上にフォトレジスト（感光性樹脂）を塗布する。そして、フォトレジストを露光、現像してレジストパターンが形成される。その露光処理は、ゲートバスライン２を露光マスクに用いてガラス基板１の下面からフォトレジストに露光光を照射する第１の露光工程と、通常の露光マスクを用いてガラス基板１の上面からフォトレジストに露光光を照射する第２の露光工程とを有している。これにより、ゲートバスライン５の縁によってレジストパターンの縁が画定される。そして、そのようなレジストパターンに覆われない領域の窒化シリコン膜を緩衝フッ酸を用いたウェット法又はフッ酸系ガスを用いたＲＩＥ法によりエッチングすると、窒化シリコン膜よりなるチャネル保護膜６ｂが形成されることになる。
【００６１】
なお、活性層６ａは、ゲート絶縁膜４上にＰＥ−ＣＶＤ法により形成された厚さ３０ｎｍのノンドープアモルファスシリコン膜をパターニングすることにより形成される。
また、ソース電極６ｓとドレイン電極６ｄとドレインバスライン５は、ともに厚さ３０ｎｍのｎ+ 型アモルファスシリコン膜、厚さ２０ｎｍのチタン膜、厚さ７５ｎｍのアルミニウム膜及び厚さ８０ｎｍのチタン膜をゲート絶縁膜４及びチャネル保護膜６ｂの上に順に形成した後に、これらの膜を１枚のマスクを用いてパターニングすることにより形成される。そのエッチングは、BCl3とCl2 の混合ガスを用いたＲＩＥ法によっている。そのエッチングの際にチャネル保護膜６ｂは、エッチング停止膜として機能する。
【００６２】
ＴＦＴ６とドレインバスライン５は、酸化シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜７によって覆われている。
また、保護絶縁膜７の上であって２本のドレインバスライン５と２本のゲートバスライン２によって囲まれる領域には、厚さ７０ｎｍのＩＴＯよりなる透明な画素電極８が形成されている。ＩＴＯ膜のパターニングは、シュウ酸系のエッチャントを用いたウェットエッチング法を用いて行われる。
【００６３】
その画素電極８は、保護絶縁膜７のホール７ａを通してソース電極６ｓに接続されている。
保護絶縁膜７と画素電極８の上には、図１４に示す二点鎖線で示す位置に、Ｙ方向に延在するジグザクな屈曲パターンを有する絶縁性の突起物１０がＸ方向に等間隔で形成されている。その屈曲パターンの折れ曲がり角は概ね９０度であり、その折れ曲がり点はゲートバスライン２のほぼ中央に配置されている。その突起物１０の側面は基板面に対して傾斜している。
【００６４】
また、保護絶縁膜７の上には、図１５〜図１８に示すように、ゲートバスライン２とドレインバスライン５と画素電極８のそれぞれの間に介在される誘電体構造物１１が形成されている。
そのような誘電体構造物１１と突起物１０は、例えば次のような方法によって形成される。
【００６５】
即ち、保護絶縁膜７と画素電極８の上に、高感度のネガ型レジストと低感度ネガ型レジストを順に塗布する。そして、第１の露光によって屈曲パターンの潜像を高感度ネガ型レジストに形成する。第１の露光では、低感度ネガ型レジストを露光しないような露光量に設定される。続いて、低感度ネガ型レジストのうちゲートバスライン２とドレインバスライン５とその周辺の領域に露光光を照射して潜像を形成する。例えば、１つの画素領域において少なくともゲートバスライン２の上から画素電極８の縁に至る領域とドレインバスライン５と画素電極８の縁に至る領域に露光光を照射する。この低感度ネガ型レジストの露光によって高感度のネガ型レジストも同時に同じパターンで露光される。なお、感度の異なるレジストであっても実質的には同じ誘電体材料といえる。
【００６６】
この後に、低感度ネガ型レジストと高感度ネガ型レジストを同時に現像してパターンを形成すると、図１５に示すようなＬ字の誘電体構造物１１と屈曲パターンの突起物１０が一体となって形成される。この場合、突起物１０は高感度ネガ型レジストから構成され、誘電体構造物は低感度レジストと高感度ネガ型レジストの双方から構成されることになるので、誘電体構造物１１は突起物１０よりも厚くなる。
【００６７】
なお、上記した例では誘電体構造物１１と突起物１０の高さを異ならせているが、同じ高さにすれば上記した感光性レジストは１層でたりるので、従来と全く同じ工数で上記した構造を実現できることになる。例えば、誘電体構造物１１と突起物１０のの膜厚を１μｍ以上とする。
そのような突起物１０と誘電体構造物１１は、画素電極８と保護絶縁膜７とともに樹脂よりなる配向膜９によって覆われる。その配向膜９は、垂直配向となっている。
【００６８】
次に、第１のガラス基板１に対向する対向基板について説明する。
対向基板は図１６に示すような第２のガラス基板１２からなり、その上には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ膜１３が形成されている。また、カラーフィルタ膜１３の上には、ゲートバスライン２とドレインバスライン５と容量バスライン３に対向するパターンを有するブラックマトリクス１４が形成されている。さらに、カラーフィルタ膜１３の上には、ブラックマトリクス１４を覆うＩＴＯよりなる透明な共通電極１５が形成されている。
【００６９】
その共通電極１５の上には、ジグザグな屈曲パターンを有する突起物１６が形成されている。その突起物１６は、図１４の二点鎖線で示すように、第１のガラス基板１の上の複数本の突起物１０のほぼ中央を通る位置に配置されている。
なお、第１のガラス基板１側の突起物１０と第２のガラス基板１２側の突起物１６は、それぞれ画素電極８の縁と４５度の角度で交わる。
【００７０】
さらに、対向電極１５の上には、突起物１６を覆う配向膜１７が形成されている。その配向膜１７は、垂直配向となっている。
以上のような第１のガラス基板１と第２のガラス基板１２は、配向膜９，１７を内側にして互いに所定の距離をおいて張り合わされ、それらの配向膜９，１７の間には負の誘電率異方性を有する液晶材料１８が充填されている。その液晶材料１８内の液晶分子は、共通電極１５と画素電極８の間に電圧を印加していない状態では、基板面に対して垂直に配向している。また、画素電極８と共通電極１５の間に中間電圧を印加した状態では、液晶分子が突起物１０，１６のパターンの直線部分とほぼ直角な方向を向いて傾斜する。
【００７１】
なお、突起物１０、１６は、液晶材料１８の比誘電率と同等或いはそれ以下の誘電率を有する材料から形成されていることが望ましい。
第１のガラス基板１の外側の面には第１の偏光板２１が配置され、また、第２のガラス基板１２の外側の面には第２の偏光板２２が配置されており、第１の偏光板２１と第２の偏光板２２の配置はクロスニコルであり、基板を垂直から見た状態で第１及び第２の偏光板２１，２２の偏向軸と突起物１０，１６のパターンの直線部とが４５度の角度で交わっている。
【００７２】
上記した実施形態において、画素電極８とゲートバスライン２、ドレインバスライン５の間をそれぞれ誘電体構造物１１で覆った構造になっている。これにより、ゲートバスライン２の上の配向膜９と共通電極１５上の配向膜１７とのギャップが狭くなり、液晶分子に対する配向膜の規制力が強くなる。しかも、ゲートバスライン２と共通電極１５の間において、誘電体構造物１１によって電圧降下が発生し、液晶層に加わる電圧も低下する。
【００７３】
これらの結果、ゲートバスライン２の上方で液晶分子Ｌは、図１９(a),(b) に示すように、配向膜９，１７による垂直配向規制が強くなり、傾斜し難くなる。これにより、液晶分子Ｌの配向方向が周囲の電界の変動を受けにくくなり、浮遊容量の変動を小さくする。
また、誘電体構造物１１の比誘電率は、２〜５程度で変動せずに一定であり、液晶の比誘電率より小さい場合が多く、例えば３．２のものを用いる。ＭＶＡ用の液晶は、ε  ＝３．６、ε//＝８．４である。
【００７４】
これにより、図１９(a),(b) に示すように、画素電極８とゲートバスライン２の間の容量Ｃgsと画素電極８とドレインバスライン５の間の容量Ｃdsが殆ど変化しない。さらに、誘電体構造物１１で電圧降下が発生するためにゲートバスライン２上の液晶層に加わる電圧も低下する。この結果、バスライン同士、バスライン・画素電極間の浮遊容量が小さくなる。
【００７５】
以上のことから、浮遊容量変動が非常に小さくなり、常に一定した画素電位が得られるので、容量バスライン３の幅を狭くして開口率を上げることができる。しかも、画素電位が一定になるとフリッカの発生が防止される。
例えば、上記した構造を採用して試作したパネルのコモン電圧変動は１０ｍＶ以下となり、フリッカ率も３％以下に改善され、従来のフリッカ率（５〜７％）の半分以下となった。これにより、液晶表示パネルの歩留まり向上が図れる。
【００７６】
上記した実施形態では、誘電体構造物１１の形成と突起物１０の形成を同じ工程で行っているので、従来に比べて殆どプロセスを増やさずに上記した液晶表示装置を形成できる。
なお、上記した誘電体構造物１１は、画素電極８に僅かに重なる程度にはみ出してもよい。
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、１つの画素領域において、その画素電極を駆動するためのゲートバスライン２とドレインバスライン５と画素電極８の間のみを誘電体構造物１１で覆うような構造となっている。
【００７７】
誘電体構造物の配置領域としては、それに限るものではなく、例えば図２０に示すように、隣り合う画素電極８同士の間にも誘電体構造物１１ａを設けるようにしても良い。その構造は、画素電極８の周囲とゲートバスライン２及びドレインバスライン５の上を誘電体構造物１１ａで覆うような構造となっている。
そのような構造を採用することにより、フリッカ率は第１実施形態のものよりも更に改善された。
【００７８】
また、ゲートバスライン２と画素電極８の間だけを誘電体構造物で覆ったり、又はドレインバスライン５と画素電極８の間だけを誘電体構造物で覆うようにしてもよい。これらによれば、図１５又は図２０に示した誘電体構造物１１，１１ａほどの効果は無かったが、コモン電圧変動、フリッカ率ともに良好だった。
さらに、図１４において、ゲートバスライン２と突起物１１が交差する領域とその近傍の領域にのみ誘電体構造物を形成しても良く、または、ドレインバスライン５と突起物１１が交差する領域とその近傍の領域にのみ誘電体構造物を形成しても良い。これらによれば、第１実施形態に比べて突起物１０の帯電による影響が軽減され、しかも、突起物１０近傍のゲートバスライン２と画素電極８の間の配向変化を抑制できるという効果が確認された。この場合のフリッカ率は、図１５又は図２０に示した誘電体構造物ほどの効果は得られなかったものの、コモン電圧変動、フリッカ率ともに良好だった。
【００７９】
以上は、全て第１のガラス基板１側に誘電体構造物を形成する実施形態であるが、第２のガラス基板（対向基板）１２側にそれを形成してもよい。例えば、図２１に示すように、図１５又は図２０に示した誘電体構造物１１、１１ａが対向する位置の共通電極１５上に誘電体構造物１１ｂを形成し、その上に配向膜１７を形成するような構造を採用してもよい。この場合、ゲート・画素電極間の浮遊容量Ｃgs、ドレイン・画素電極間の浮遊容量Ｃdsを完全に固定する効果はないが、狭セルギャップ化の効果によって配向変化を最小限に留める効果が期待できる。そのような狭セルギャップ化による効果は、誘電体構造物１１ｂの厚さを１μｍ以上とすることにより第１実施形態と同様に顕著に現れる。
【００８０】
また、上記した例では誘電体構造物を例えばレジストのみで形成したが、その他に、図２２に示すように、赤、緑、青の各カラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂをそれぞれ画素同士の境界部分で重ね合わせることにより、その重ね合わせ部分を対向基板側の誘電体構造物の一部として適用してもよい。これにより、画素電極８以外の領域で配向変化を抑制した部分から液晶を除くことができ、配向変化に伴う容量変化が発生しないので第１実施形態と同等の効果が得られる。
【００８１】
なお、色違いのカラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを重ねる部分としては、ゲートバスライン２と画素電極８の間のみ、または、ドレインバスライン５と画素電極８の間のみ、としてもよい。この場合、色違いのカラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが重ねられる部分に対向させて第１のガラス基板１上に誘電体構造物を形成してもよい。
【００８２】
赤、緑、青の各カラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの重ね合わせ部分の上には、図２２に示したように、誘電体構造物１１ｃを形成してもよいし、これを省略してもよい。しかし、図２２に示すような構成を採用すると、カラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの重ね合わせ部分とその上の誘電体構造物１１ｃを、セルギャップを維持するため支柱として利用すれば、基板間に介在されるスペーサが不要になる。
【００８３】
なお、第２のガラス基板１２側と第１のガラス基板１側の双方に、上記したような誘電体構造物を形成してもよく、これにより上下で合わされる誘電体構造物によってセルギャップを維持するようにしてもよい。そして、最適な構造を採用することにより、コモン電圧変動を１０ｍＶ以下とし、フリッカ率も２％以下にすることができる。
【００８４】
上記した第１のガラス基板１側の突起物１０、第１のガラス基板１側の突起物１６の少なくとも一方を、ゲートバスライン２と交差する領域の周辺には設けない構造や、ドレインバスライン５と交差する領域の周辺には設けない構造や、又は、画素電極８の上以外には設けない構造を採用してもよい。
上記した第１実施形態と第２実施形態では、液晶の配向方向を規制する手段として突起物を用いたが、突起の代わりに画素電極、共通電極の少なくとも一方にスリットを形成してもよい。
【００８５】
なお、第１実施形態と第２実施形態で示した誘電体構造物はＭＶＡ方式の液晶表示装置にのみ適用されるものではなく、その他の液晶表示装置に適用してもよい。その場合、第１のガラス基板１側又は第２のガラス基板１２側のいずれかの突起１０，１６の代わりに画素電極８又は共通電極１５に抜かれたスリットを使用してもよい。
【００８６】
なお、第１及び第２の実施形態は、以下の発明に基づくものである。
(1)基板表面に垂直配向処理を施した第１及び第２の二枚の基板の間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向の液晶表示装置において、前記第１の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制する第１のドメイン規制手段と、前記第２の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制する第２のドメイン規制手段と、前記第１のドメイン規制手段は、少なくとも、前記第１の基板の電極上に設けられ、前記第１の基板の前記液晶との接触面の一部を斜面にする前記液晶の層の方へ突き出る誘電体の突起と、前記第１の基板又は前記第２の基板のうちの前記液晶を挟持する側の面の上に間隔を置いて形成された複数の第１のバスラインと、前記第１のバスラインに交差し、且つ前記第１のバスラインの上方で間隔をおいて形成された複数の第２のバスラインと、前記第１のバスラインと前記第２のバスラインによって区画される領域に形成された画素電極と、前記画素電極と前記第１のバスラインの間の領域の少なくとも一部に対応する部分であって、前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方に形成された前記突起と異なる誘電体構造物とを有する液晶表示装置。
【００８７】
(2)前記突起と前記誘電体構造物は、同じ材料から同じ工程で形成されていることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(3)前記誘電体構造物は、前記第１のバスライン、第２のバスラインの少なくとも一方の上にも形成されていることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(4)前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶の層に突き出る突起物か、又は、前記第２の基板側の電極を部分的に抜いたスリットであることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
【００８８】
(5)前記画素電極に対向して赤、緑又は青のカラーフィルタが形成され、前記画素電極と対向しない領域で重ねられた前記カラーフィルタによって前記誘電体構造物を構成することを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(6)前記画素電極と対向しない領域は、前記第１のバスラインと前記画素電極の間、前記第２のバスラインと前記画素電極の間の少なくともいずれかであることを特徴とする(5) に記載の液晶表示装置。
【００８９】
(7)前記カラーフィルタが重ねられた前記領域の上にさらに別の誘電体構造物が重ねられていることを特徴とする(5) に記載の液晶表示装置。
(8)前記カラーフィルタが重ねられた前記領域に対向して別の誘電体構造物が形成されることを特徴とする(5) に記載の液晶表示装置。
(9)前記誘電体構造物は、前記画素電極の一部にはみ出す領域まで形成されることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(10)前記第１のドメイン規制手段、第２のドメイン規制手段の少なくとも一方を、前記画素電極外には設けないか、または、前記第１のバスラインと前記第２のバスラインの少なくとも一方と交差する領域周辺には設けないことを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(11)前記誘電体構造物の厚さは、１μｍ以上であることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
（第３の実施の形態）
図２３は、本発明の第３実施形態を示す断面図で、画素電極、突起物及び誘電体構造物を除いては第１実施形態と同様な構造となっている。図２３において、図１０と同じ符号は同じ要素を示している。
【００９０】
図２３において、第１のガラス基板（ＴＦＴ基板）１の上にはゲートバスライン２、容量バスライン３が形成されている。また、それらのバスライン２，３を覆うゲート絶縁膜４の上には第１実施形態と同様にドレインバスライン５、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６が形成されている。
ドレインバスライン５、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６は、保護絶縁膜７に覆われ、その保護絶縁膜７の上には画素電極３０が形成されている。画素電極３０は、図２４に示すように、ゲートバス電極２とドレインバスライン５に囲まれた領域に配置されている。
【００９１】
その画素電極３０には、容量バスライン３上に存在する画素電極３０のエッジ領域からＶ字状に広がってスリット３０ａ、３０ｂが抜かれ、さらに、画素電極３０にはそれらのスリット３０ａ、３０ｂに平行な別なスリット３０ｃ、３０ｄが形成されている。そのスリット幅は例えば１０μｍとする。
それらのスリット（ドメイン規制手段）３０ａ〜３０ｄは、画素電極３０を５つの領域に分割する。それらの領域は、スリット３０ａ〜３０ｄを複数に分断するつなぎ部３０ｎを通して互いに電気的に接続されている。
【００９２】
さらに、画素電極３０のエッジから内側への所定の幅ｗ1 、例えば４μｍの範囲には、スリット３０ａ〜３０ｄによって分割される５つの領域を電気的に接続するための接続部３０ｅが確保され、その接続部３０ｅによってスリット３０ａ〜３０ｄの端部は分断されている。
その接続部３０ｅは、ｓ＝−１の配向特異点を形成する配向制御手段となっている。なお、ｓ＝−１の配向特異点を有する配向制御手段によれば、図２５(a) に示すように、点Ｏを中心にして直交する２つの方向において一方向の液晶分子Ｌは点Ｏを向き、他方向の液層分子Ｌは点Ｏとは逆を向いて配向される。また、それらの方向に対して４５度傾斜した方向の液晶分子Ｌは、それぞれ異なる方向を向いている。
【００９３】
なお、以下の実施形態で説明するようなｓ＝＋１の配向特異点を形成する配向制御手段によれば、図２５(b) に示すように、点Ｏの周囲の液晶分子Ｌは全て点Ｏに向いて配向する。
以上のような画素電極３０は、図２３に示すように、ＴＦＴ２６に接続され、さらに、配向膜９によって覆われている。
【００９４】
そのような画素電極３０に対向して配置される第２のガラス基板（対向基板）の面の上には、図２３に示すように、第１実施形態と同様に、カラーフィルタ１３，ブラックマトリクス１４，共通電極１５、誘電体の突起物（ドメイン規制手段）３１、配向膜１７が順に形成されている。
なお、第１及び２のガラス基板１，１２の上の配向膜９，１７として、例えばＪＳＲ社製の商品名ＪＡＬＳ−６８４を用いる。
【００９５】
誘電体の突起物３１は、図２４の二点差線で示すように、第１実施形態と同じように、画素電極３０のスリット３０ａ〜３０ｄの間を通る位置に対向してジグザグに形成されている。その突起物３１は、例えば感光性アクリル樹脂ＰＣー３３５（ＪＳＲ製の商品名）から形成されている。突起物３１のパターンの形成は、基板上にその樹脂をスピンコートした後に９０℃、２０分間でベークし、フォトマスクを用いて選択的に紫外線を照射し、有機アルカリ系現像液（ＴＭＡＨＯ、２ｗｔ％）で現像し、２００℃で６０分間ベークして形成される。突起物３１の幅は１０μｍ、高さは１．５μｍとした。
【００９６】
以上のような構成を有する第１のガラス基板１と第２のガラス基板１２を貼り合わせ、それらの間に液晶を注入して液晶パネルを作成した。なお、液晶材料にはメルク社製の商品名ＭＪ９６１２１３を用いた。
以上のような構成の液晶表示装置において、ドメイン規制手段である画素電極３０のスリット３０ａ〜３０ｄを、画素電極３０のエッジとその周辺には存在させずに、そこに配向制御の特異点を形成した。これにより、画素の表示を黒から白に応答させたときの白と、画素の表示を中間調から白に応答させた時の白のそれぞれのドメイン状態の違いを目立たないレベルまで小さくでき、ドメイン変化を残像として認識できないレベルまで低減できた。
【００９７】
なお、液晶分子のドメイン規制手段としては、画素電極内の線状のスリットに限られるものではない。例えば、スリットの代わりに、第１実施形態のような線状の誘電体の突起物を画素電極上に設ける構造を採用してもよい。この場合、画素電極のエッジと交差しない分断部分をその突起物に形成すると、その突起物の延長線上にある画素電極のエッジ部にはｓ＝−１の配向特異点が形成される。
【００９８】
また、対向基板１２側に形成する共通電極１５の上に突起物３１を形成する代わりに、その共通電極１５内にスリットを形成してもよい。
（第４の実施の形態）
第３実施形態では、画素電極上に形成された構造物又はスリットと画素電極のエッジが交差する部分に、ｓ＝−１の配向特異点を形成しているが、本実施形態では、画素電極を有する基板に対向する基板に形成された構造物又はスリットと画素電極のエッジが交差する部分にｓ＝＋１の配向特異点を形成する構造について説明する。
【００９９】
図２６は、本発明の第４実施形態を示す液晶表示装置の画素電極を示す平面図であり、図２７は、そのＶII−ＶII断面図である。
図２６において、容量バスライン３上に存在する画素電極３３のエッジ領域からＶ字状に広がってスリット３３ａ、３３ｂが抜かれ、また、画素電極３０のうちゲートバスライン２寄りの領域にはそれらのスリット３３ａ、３３ｂに平行な別なスリット３３ｃ、３３ｄがさらに形成されている。そのスリット幅は例えば１０μｍとする。そのスリット３３ａ〜３３ｄは、画素電極３３のエッジにも形成されている。スリット３３ａ〜３３ｄは、つなぎ部３３ｅによって分断されている。
【０１００】
また、対向基板１２側に形成される誘電体の突起物（構造物）３４では、図２６、図２７に示すように、画素電極３３のエッジに対向する部分３４ａを他の領域よりも高くすることにより画素電極３３のエッジ近傍の配向特異点をｓ＝＋１に形成した。突起物３４のうち画素電極３３のエッジに対向する部分の高さを２．５μｍとし、その他の部分の高さを１．５μｍとした。
【０１０１】
その突起物３４は、第３実施形態の突起物３１と同じ構成材料を用いて構成さて、まず、共通電極１５の上に突起物３４のパターンを高さ１．５μｍで形成し、さらに画素電極３３のエッジに対向する領域に高さ１．０μｍの突起物３４ａを選択的に上積みする。
そのように、対向基板１２側の突起物３４のうち画素電極３３のエッジに対向する部分を他の部分よりも高くしたので、画素電極３３のエッジには図２６、図２７に示すようなｓ＝＋１の配向特異点が形成されることになる。この結果、画素電極３３のエッジの液晶分子Ｌの配向による画素電極３３の内方の液晶分子への影響が、その配向特異点によって阻止されることになり、中間調表示から白表示に変化させた時の残像の発生が防止される。
【０１０２】
なお、対向基板１２の共通電極１５に突起物３４の代わりにスリットを形成する場合には、画素電極３３に対向する部分でそのスリットを分断させても同様な作用効果が得られる。
ところで、第３の実施形態のＴＦＴ基板と第４実施形態の対向基板の組み合わせがベストな構造となる。即ち、ＴＦＴ基板側に形成された線状のスリット又は突起物を画素電極のエッジに交差しないように分断し、さらに、対向電極側の共通電極内の線状のスリットを画素電極に交差しないように分断し又は対向電極側の線状の突起物のうち画素電極のエッジに対向する部分を他よりも厚くすることが好ましい構造である。
（第５の実施形態）
第３実施形態では、画素電極の上に形成されるスリットの屈曲部、即ち２方向のスリットの延長線の交差部を画素電極のエッジに合わせているが、その交点を画素電極のエッジから内側にずらしてもよい。
【０１０３】
図２８は、本発明の第５実施形態の液晶表示装置の画素電極とその周辺を示す平面図である。
図２８において、画素電極３５に抜かれたスリット３５ａの屈曲部３５ｂを画素電極３５のエッジからその内側に後退させて形成されている。その屈曲部３５ｂから画素電極３５のエッジまでの距離を例えば４μｍとし、また、スリット３５ａの幅を１０μｍとした。
【０１０４】
また、対向基板１２側には、第１実施形態と同様に、スリット３５の間を通る位置に突起物３６が形成されている。
これによれば、画素電極３５のエッジによる電界が、スリット３５ａの屈曲部３５ｂに与える影響を小さくでき、残像の発生が抑制される。
図２８では、画素電極３５にスリットを設ける構造としているが、第１実施形態のように、画素電極３５上にスリットの代わりに誘電体の突起物を形成する場合には、その突起物の屈曲部を画素電極のエッジから内側に後退させることによっても、画素電極３５のエッジによる電界が突起物の屈曲部に与える影響を小さくでき、残像の発生を抑制する効果がある。
【０１０５】
また、対向基板１２上に配向制御手段として形成される誘電体の突起３７の形状として、例えば図２９に示すように、画素電極に対向する領域内で屈曲させ、その屈曲部を画素電極３８のエッジから内側にずらして配置しても、画素電極３８のエッジによる電界がその屈曲部に与える影響を小さくでき、残像抑制効果を奏する。この場合、突起物３７の幅を例えば１０μｍとし、その屈曲部と画素電極３８のエッジとの距離を例えば４μｍとする。
【０１０６】
なお、対向基板１２上の配向制御手段として誘電体の突起物３７の代わりに、図２３に示した共通電極１５にスリットを形成することが考えられる。しかし、通常、共通電極１５の下にはカラーフィルタ１３が形成されるために、その共通電極１５にスリットを形成することは、精度面や信頼性の点から好ましくない。
図２９においては、画素電極３８に形成された２方向に延びるスリット３８ａ、３８ｂの屈曲部（交差部）が画素電極３８の外側に存在することになるため、画素電極３８のエッジによる電界の影響が屈曲部に及ぶ影響が排除されることになり、突起物若しくはスリットによる本来の配向制御とは異なる配向状態の発生を低減でき、中間調表示から白表示に変化した場合の残像を無くすことができる。
（第６の実施の形態）
図３０(a) は、本発明の第６実施形態の液晶表示装置の画素電極とその周辺を示す平面図である。
【０１０７】
図３０(a) においては、画素電極４０の中央寄りにＶ字状に形成される第１及び第２のスリット４０ａ，４０ｂの交差部を、画素電極４０のエッジに平行なスリット４０ｅによってエッジより内側で接続するような構造を採用している。そのスリット４０ｅと画素電極４０のエッジの間の間隙４０ｇの距離は例えば４μｍである。
【０１０８】
また、画素電極４０には、その他にゲートバスライン２寄りに第３、第４のスリット４０ｃ、４０ｄが形成されている。
それらの第１〜第４のスリット４０ａ〜４０ｄは、つなぎ部４０ｆによって複数箇所で分断されている。従って、画素電極４０は、第１〜第４のスリット４０ａ〜４０ｄによって５つの領域Ａ〜Ｅに分割され、それらの領域Ａ〜Ｅはつなぎ部４０ｆによって電気的に接続されている
それらの第１及び第２のスリット４０ａ，４０ｂにより分割された領域Ｃは、蓄積容量形成電極（容量バスライン）３に電気的及び構造的に対向している。また、少なくとも２つの電気的接続の経路が、蓄積容量形成電極３と電気的に対向している。
【０１０９】
これにより、画素電極４０の領域Ｂと領域Ｄの接続は、図３０(b) に示すように、経路Ｂ−Ｃ−Ｄと経路Ｂ−Ｄの２系統となっている。そして、画素電極４０の領域Ｃと蓄積容量形成電極３とが短絡している場合には、Ｂ−Ｃ間、Ｃ−Ｄ間の電気的接続をつなぎ部４０ｆへのレーザ照射によって切り離すことにより、存続しているつなぎ部４０ｆと間隙４０ｇを介して画素電極４０の４つの領域Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅが電気的に導通するので、領域Ｃ以外の大部分の領域の液晶分子の駆動が可能になる。
【０１１０】
そのように領域Ｃを除いて駆動可能になった画素は、蓄積容量形成電極３と画素電極４０の領域Ｃとが短絡していない正常な状態に比べて表示特性が若干異なるが、そのような状態の画素の個数や発生場所によっては表示不良の規格をクリアするレベルとなるために、ＴＦＴ基板の歩留まりの改善が図られる。これは、スリットによって分割された画素電極の複数の領域が、画素電極のエッジの部分によって接続された構造によって達成され、その点が従来の構造とは異なる。
【０１１１】
なお、画素電極４０は、例えば第１及び第２のスリット４０ａ，４０ｂによって少なくとも３つの領域に分割されるようにすれば、そのような歩留まりの改善効果が得られる。
次に、本発明を適用した場合のスリット上のドメインの変化を図３１に基づいて説明する。
【０１１２】
まず、図３１(a) に示すように、黒表示から白表示に変化させた時には、つなぎ部により分断されたスリット４０ａ上のドメインの数は１〜８の８個である。また、図３１(a) によれば、従来技術を示す図９(a) に比べて７と８のドメイン数が増える。これは、画素電極のエッジにｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成されるためである。
【０１１３】
また、黒表示から中間調表示を経て白表示に変化した時には、図３１(b) に示すように、６と８のドメインがつながり７のドメインが消える。即ち、図９(a)に比べてスリット上のドメイン変化は画素電極のエッジ近傍でのごく僅かなレベルに抑えられている。なお、上記した第３〜第６実施形態は、以下の発明に基づくものである。
(１) 電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記電極上の構造物又は前記電極内のスリットと一方の前記基板上の画素電極のエッジとが交差する部分に、液晶分子がｓ＝−１の配向特異点を形成するための配向制御手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【０１１４】
(2)前記電極は、画素電極、共通電極であることを
(3)前記線状の構造物は、画素電極又は共通電極上に形成されることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(4)前記スリットの延長上の前記画素電極の前記エッジには、前記スリットが形成されていないことを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
【０１１５】
(5)前記画素電極の前記エッジの上又は上方では前記構造物が分断されていることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。
(6)電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記基板の一方に形成された前記構造物又は前記スリットと、前記基板の他方に形成された画素電極のエッジとが交差する部分に、液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を形成するための配向制御手段を配置することを特徴とする液晶表示装置。
【０１１６】
(7)電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、画素電極を有する一方の前記基板上の前記構造物又は前記スリットの前記屈曲部は、前記画素電極のエッジの上から外れていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１１７】
(8)電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、一方の前記基板上の前記画素電極に対向して、他方の前記基板に配置される前記構造物又は前記スリットの屈曲部は、前記画素電極のエッジの上には配置されないことを特徴とする液晶表示装置。
【０１１８】
(9)第１の基板上に形成された蓄積容量形成用電極と、前記第１の基板上に形成された能動素子と、前記能動素子に接続されて前記第１の基板上に形成され、且つスリットによって少なくとも３つの領域に分割された画素電極とを備え、前記画素電極の３つの前記領域のうちの一つの領域から別の領域への電気的接続が、経由する前記領域の異なる複数の経路を持つことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
(10)前記電気的接続の前記経路のうち少なくとも２つが、前記蓄積容量形成電極と電気的に対向していることを特徴とする(9) に記載の薄膜トランジスタ基板。
(11)前記蓄積容量形成電極と対向する前記経路毎に、前記蓄積容量電極と対向する面積が異なることを特徴とする(10)に記載の薄膜トランジスタ基板。
(12)前記蓄積容量形成電極と対向する経路毎に、前記蓄積容量形成電極と対向する前記領域の誘電体層の厚みが異なることを特徴とする(12)に記載の薄膜トランジスタ基板。
(13)前記蓄積容量形成電極と対向する経路毎に、蓄積容量の大きさが異なることを特徴とする(10)〜(12)のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
(14) (9)〜(13)のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板を有している液晶表示装置。
(15) (9)〜(13)のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板を有している(1) 〜（８）のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０１１９】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、互いに交差するゲートバスライン（第１のバスライン）と画素電極の間の領域、又はドレインバスライン（第２のバスライン）と画素電極の間の領域に誘電体構造物を配置したので、画素電極とバスラインの間の誘電率を誘電体構造物によって固定して、それらの間の浮遊容量変動を抑制できる。また、誘電体構造物がバスラインの上にも形成されるようにしたので、誘電体構造物の上の液晶層が薄くなってその液晶層の液晶分子を垂直の配向から動きにくくし、浮遊容量変動を非常に小さくすることができる。しかも、バスラインの上方の浮遊容量は誘電体構造により固定される成分が大きくなるので、その浮遊容量の変動を少なくできる。
【０１２０】
以上のように、浮遊容量の変動を抑制すると、画素電位が一定となってフリッカの発生を防止することができる。しかも、容量の変動を抑えるための容量バスラインの幅を狭くして開口率を上げることが可能になる。
また、本発明によれば、基板上に設けた構造物やスリットによって液晶配向を制御する表示方式において、それらの構造物又はスリットの延長線上で画素電極に交差する部分に、液層分子がｓ＝−１又はｓ＝＋１となるような配向特異点を形成する等によって応答特性の改善が図られる。
【０１２１】
さらに、本発明では、画素電極の電気的接続経路として、蓄積容量形成用電極と容量を形成している領域を介する経路と、介さない経路の２系統設けるようにしたので、蓄積容量形成用電極と画素電極との電気的短絡が生じた場合、容量を形成している領域を電気的に他の領域から切断することによって、その他の領域を液晶分子が駆動可能な領域として用いることができ、ＴＦＴ基板の製造歩留まりの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＴＮ型ＬＣＤの視野角による画像の変化を示す図である。
【図２】従来のＶＡ方式の液晶表示の駆動状態を示す図である。
【図３】従来のＶＡ方式における配向分割の効果を示す図である。
【図４】従来の配向分割の各種方式を示す図である。
【図５】従来のＭＶＡ方式の画素部の平面図である。
【図６】従来のＭＶＡ方式の画素部であって図５のＩ−Ｉ線断面図である。
【図７】従来のＭＶＡ方式の画素部の平面図である。
【図８】従来のＭＶＡ方式の液晶パネルのオフ状態とオン状態を示す図である。
【図９】従来のＭＶＡ方式の液晶パネルの液晶分子の配向方向の変化を示す図である。
【図１０】従来のＭＶＡ方式の中間調表示の液晶分子の配向方向を示す図である。
【図１１】従来のＭＶＡ方式の画素電極上のスリット上での液晶分子の配向方向の組み合わせを示す図である。
【図１２】従来のＶＡ方式の液晶表示の中間調表示から白表示に変化した後の画素電極のエッジの近傍の液晶分子の配向方向を示す図である。
【図１３】従来のＶＡ方式における画素電極の切断状態を示す平面図とその等価回路図である。
【図１４】本発明の第１実施形態のドメイン規制手段の配置を示す画素領域の平面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態の誘電体構造物と突起物が形成された画素領域の平面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態の画素領域における図１５のII−II線断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態の画素領域における図１５のIII-III 線断面図である。
【図１８】本発明の第１実施形態の画素領域における図１５のVI-VI 線断面図である。
【図１９】本発明の第１実施形態の画素領域における動作を示す断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の画素領域を示す図２０のＶ−Ｖ線断面図ある。
【図２２】本発明の第２実施形態のＴＦＴ及びその周辺を示す図２０のVI-VI 線断面図である。
【図２３】本発明の第３実施形態の液晶表示装置の画素領域を示す断面図である。
【図２４】本発明の第３実施形態の液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
【図２５】本発明の実施形態の配向特異点における液晶分子の配向方向を示す図である。
【図２６】本発明の第４実施形態の液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
【図２７】本発明の第４実施形態の液晶表示装置における画素領域において、図２６のVII-VII 線断面図である。
【図２８】本発明の第５実施形態の液晶表示装置の画素領域の平面図である。
【図２９】本発明の第５実施形態の液晶表示装置の他の画素領域の例を示す平面図である。
【図３０】本発明の第６実施形態の液晶表示装置の画素領域における平面図である。
【図３１】本発明の効果の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…第１のガラス基板（ＴＦＴ基板）、２…ゲートバスライン、３…蓄積容量形成電極（容量バスライン）、４…ゲート絶縁膜、５…ドレインバスライン、６…ＴＦＴ、７…保護絶縁膜、８…画素電極、９…配向膜、１０…突起物、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…誘電体構造物、１２…第２のガラス基板（対向基板）、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ…カラーフィルタ、１４…ブラックマトリクス、１５…対向電極、１６…突起物、１７…配向膜、１８…液晶、３０、３３，３５，３８…画素電極、３１，３４，３６、３７…構造物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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