(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な処理室の内部及び／又は該処理室内に配置された部材に付着した付着膜の除去方法であって、
前記処理室内を排気した後、内部に配設した少なくとも表面が白金により構成された発熱体を加熱保持するとともに、該発熱体により分解及び／又は活性化して生成する活性種が付着膜と反応して付着膜を気体状物質に変換させるクリーニングガスであって、フッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、三フッ化塩化メタン（ＣＣｌＦ３）若しくは六フッ化硫黄（ＳＦ６）のいずれか、又は少なくとも１種を含む混合ガスを導入し、生成した気体状物質を排気することにより付着膜を除去することを特徴とする付着膜の除去方法。
【請求項２】
前記処理室は、原料ガスを加熱された前記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、基板上に前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置の処理室であることを特徴とする請求項１に記載の付着膜の除去方法。
【請求項３】
真空排気可能な処理室内に所定の温度に設定可能な発熱体を設け、原料ガスを前記発熱体を加熱することにより分解及び／又は活性化させ、基板上に前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置であって、
分解及び／活性化して生成した活性種が付着膜と反応し、付着膜を気体状物質に変換するクリーニングガスであって、フッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、三フッ化塩化メタン（ＣＣｌＦ３）若しくは六フッ化硫黄（ＳＦ６）のいずれか、又は少なくとも１種を含む混合ガスのガス供給系を設け、かつ、前記発熱体は少なくともその表面を白金で構成することにより、大気に開放することなく前記処理室内に付着した膜の除去を可能としたことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記処理室内部にプラズマ発生用の電極を設けたことを特徴とする請求項３に記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の温度に維持された発熱体を用いて所定の膜を作製する発熱体ＣＶＤ装置及び付着膜の除去方法に係り、特に、in situ（その場）クリーニングが可能な発熱体ＣＶＤ装置及びそのクリーニング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとする各種半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の作製においては、基板上に所定の薄膜を作製するプロセスのｌつとして化学気相堆積（Chemical Vapor Deposition，ＣＶＤ）法が広く用いられている。
【０００３】
ＣＶＤ法には、放電プラズマ中で原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行うプラズマＣＶＤ法や基板を加熱してその熱により化学反応を生じさせて成膜を行う熱ＣＶＤ法等の他に、所定の高温に維持した発熱体により原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行う方式のＣＶＤ法（以下、発熱体ＣＶＤ法と呼ぶ）がある。
【０００４】
発熱体ＣＶＤ法を行う成膜処理装置（発熱体ＣＶＤ装置）は、真空排気可能な処理室内に基板を配置し、処理室内に設けられたタングステン等の高融点金属からなる発熱体を１０００〜１８００℃程度の温度に維持しながら原料ガスを導入するよう構成されている。導入された原料ガスは、発熱体の表面を通過する際に分解や活性化され、これらが基板に到達することにより最終的な目的物である材料の膜が基板の表面に堆積する。なお、このような発熱体ＣＶＤ法のうち、ワイヤ状の発熱体を用いるものについてはホットワイヤ（Hot Wire）ＣＶＤ法と呼ばれ、また、発熱体による原料ガスの分解あるいは活性化において発熱体の触媒反応を利用していると考えられているものについては触媒ＣＶＤ（またはCat-ＣＶＤ：Catalytic-ＣＶＤ）法と呼ばれる。
【０００５】
発熱体ＣＶＤ法では原料ガスの分解や活性化は、発熱体の表面を通過する際に起こるため、基板の熱のみによって反応を生じさせる熱ＣＶＤ法に比べて基板の温度を低くできるという長所がある。また、プラズマＣＶＤ法のようにプラズマを形成することがないので、プラズマによる基板のダメージといった問題からも無縁である。このようなことから、発熱体ＣＶＤ法は、高集積化や高機能化が益々進む次世代の半導体デバイスや表示デバイス等の成膜方法として有望視されている。
【０００６】
ところで、ＣＶＤ法に限らず各種成膜法により基板上に膜を堆積する成膜処理装置では、成膜中に、基板以外の成膜処理装置内部の構成部材にも膜が付着する。成膜処理装置の内部に付着した膜は、厚くなると剥離してゴミの原因となる。基板上の膜中に取り込まれたり膜表面に付着したゴミは、デバイスの欠陥原因となり製品歩留まりを低下させてしまう。そのため、基板上への膜堆積を連続して繰り返し行う工程の途中で、付着膜が剥離する前の適宜なタイミングで成膜処理装置内部に付着した膜を除去する必要がある。
【０００７】
付着膜の剥離によるゴミの発生を防止する方法としては、成膜処理室内面を適当な防着板等の部材で覆い、この部材に膜を付着させて、これを定期的に交換する方法がある。しかし、例えば、ＣＶＤ装置では狭い隙間やこれら部材の裏など細部にまで膜が付着するため、これらの膜の剥離によるゴミの発生を完全に防止することは困難である。
【０００８】
また、付着膜を除去する方法として、処理室内に所定のクリーニングガスを導入してプラズマや熱のエネルギーの作用により、クリーニングガスと付着膜とを反応させ、付着膜を気体状の生成物にして排気除去する方法（ in situ（その場）クリーニング法と呼ばれる）がある。この方法は、処理室を大気に曝さずに処理できるため、安定した膜特性を継続して得ることができるとともに、部材交換、処理室を大気圧から所定の圧力まで排気する必要もないため、クリーニング工程に要する時間が短く、生産性において有利である。しかも、細部に付着した膜も除去できるのでゴミの発生を抑制するのに効果的である。
【０００９】
この in situ クリーニング法としては、例えばシリコンや窒化シリコンの成膜を行うプラズマＣＶＤ装置の場合、成膜を繰り返し行った後、適宜なタイミングで、処理室内にＮＦ３やＣＦ４、ＣＣｌ４等のクリーニングガスを導入してプラズマを発生させる。プラズマにより分解及び／又は活性化したクリーニングガスは付着膜と反応し、シリコン膜の場合は四フッ化シリコン（ＳｉＦ４）や四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）、窒化シリコン膜の場合はこれらと窒素（Ｎ２）といった気体状の生成物にして排気除去する。
一方、クリーニングガスにＣｌＦ３のように分解しやすいガスを用いる場合は、プラズマを用いることなしに、成膜処理室を加熱するだけで、付着膜を気体状生成物として排気除去できる。しかしながら、実用上の除去速度を得るためには成膜室を２００℃程度に加熱する必要があるため、真空シールの劣化の問題の他、成膜処理室の加熱、冷却に長時間を要し、実質的なクリーニング処理時間が長くなるという問題もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、成膜処理室の in situ クリーニングは、安定した膜特性を継続して堆積するためには極めて重要なプロセスである。そこで、本発明者は、今後発展が見込まれる発熱体ＣＶＤ法によって膜堆積を行う成膜処理装置について in situ クリーニング法の検討を行ったところ、上記した従来の in situ クリーニング法では、高融点金属からなる発熱体自体がクリーニングガスと反応してしまい、ワイヤの線径が減少してしまうことが分かった。即ち、発熱体ＣＶＤ装置の成膜処理室内に予めプラズマ発生用の電極を配設しておき、クリーニングガスを導入してプラズマを発生させてクリーニングを行うと、付着膜は除去できるものの、発熱体自身も反応して細線化してしまい、次に成膜しようとすると所望の発熱特性が得られなくなるという問題が起こることが分かった。
【００１１】
一方、クリーニングガスにＣｌＦ３を用い、成膜処理室をヒータで外部から２００℃に加熱し、ガスを導入してクリーニングを行った場合も、同様に発熱体がクリーニングガスと反応し、細線化するという問題が起こることが分かった。
【００１２】
以上のように、従来の in situ クリーニング法は、発熱体ＣＶＤ装置に適用することは不可能である。しかしながら、発熱体ＣＶＤ法による成膜を安定かつ継続して行うことができ、常に高特性の膜を堆積するためには in situ クリーニングは不可欠な技術であることから、本発明者は、発熱体ＣＶＤ装置の in situ クリーニング技術を確立すべく、発熱体ＣＶＤ装置の構成並びにクリーニング条件の検討を行った。
【００１３】
本発明は、以上の知見及びそれに基づく研究により、初めて完成できたものであり、本発明の目的とするところは、複雑な形状の部材であっても、部材の加熱手段を設けて加熱することなしに、その表面に付着した膜を効率よく完全に除去可能な付着膜の除去方法を提供することにある。また、本発明の目的は、所定の温度に維持された発熱体を用いて所定の膜を作製する発熱体ＣＶＤ装置において、処理室を大気に戻すことなく成膜処理室の内部に付着した膜を除去できる in situ クリーニング法を提供することにある。さらには、in situ クリーニング可能な発熱体ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の付着膜の除去方法は、真空排気可能な処理室の内部及び／又は該処理室内に配置された部材に付着した付着膜の除去方法であって、
前記処理室内を排気した後、内部に配設した少なくとも表面が白金により構成された発熱体を加熱保持するとともに、該発熱体により分解及び／又は活性化して生成する活性種が付着膜と反応して付着膜を気体状物質に変換させるクリーニングガスを導入し、生成した気体状物質を排気することにより付着膜を除去することを特徴とする。
【００１５】
さらに、前記処理室は、原料ガスを加熱された前記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、基板上に前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置の処理室であることを特徴とする。
【００１６】
以上のように、発熱体の少なくとも表面を白金とすることにより、発熱体とクリーニングガスとの反応を実質的に防止でき、発熱体の消耗を防止することが可能となる。しかも、表面を白金としたことで、クリーニングガスの分解及び／又は活性化させて活性種の生成を低温で効率よく行え、成膜処理装置の内部に付着した膜を効果的に除去することができる。また、このようにして得られる活性種の寿命は長く、複雑な形状、パイプの内部に付着した膜も除去することが可能となる。
さらには、高特性膜の安定した継続成膜に必要不可欠な成膜処理室の in situクリーニングが可能となる。
【００１７】
なお、前記クリーニングガスを、フッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、五フッ化塩化エタン（Ｃ２ＣｌＦ５）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、三フッ化塩化メタン（ＣＣｌＦ３）若しくは六フッ化硫黄（ＳＦ６）のいずれか、又は少なくとも１種を含む混合ガスとするのが好ましい。
【００１８】
これらのガスを用いることにより、加熱保持された発熱体によりクリーニングガスは分解及び／又は活性化され、付着膜と反応して気体状物質を効率よく生成することができ、付着膜を効果的に除去することが可能となる。
【００１９】
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、真空排気可能な処理室内に所定の温度に設定可能な発熱体を設け、原料ガスを前記発熱体を加熱することにより分解及び／又は活性化させ、基板上に前記原料ガスの構成元素の少なくとも１つを含む膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置であって、
分解及び／活性化して生成した活性種が付着膜と反応し、付着膜を気体状物質に変換するクリーニングガスのガス供給系を設け、かつ、前記発熱体は少なくともその表面を白金で構成することにより、大気に開放することなく前記処理室内に付着した膜の除去を可能としたことを特徴とする。
【００２０】
発熱体を実質的にクリーニングガスと反応しない構成としたため、成膜後、そのままの状態で、クリーニングガスを流し、発熱体を加熱して付着膜を除去することができる。即ち、装置の in situ クリーニングが可能となる。
【００２１】
また、前記処理室内部にプラズマ発生用の電極を設けたことを特徴とする。
本発明の発熱体をクリーニングガスとも反応せず、かつそのプラズマとも反応しない構成としたことから、従来のプラズマクリーニングをそのまま用いることができる。さらに、プラズマと発熱体による加熱とを併用してガスの分解及び／又は活性化が行えるため、成膜及びクリーニング処理条件の自由度が増え、堆積膜の特性改良並びにクリーニング効率の一層の向上を図ることが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係る in situ クリーニング方法が実施可能な発熱体ＣＶＤ法を用いた成膜処理装置（発熱体ＣＶＤ装置）の一構成例を示す概念図である。
【００２３】
図１に示す成膜処理装置は、処理室１と、処理室内を真空排気するための排気系１１と，膜堆積用原料ガス及びクリーニングガス供給系２３，２５と、基板を搬出入するためのゲートバルブ５とから構成され、処理室内部には、ガス供給系２３，２５と接続されたガス供給器２，基板ホルダー４、白金被膜が形成された発熱体３が配設されている。
【００２４】
ここで、原料ガスとクリーニングガスのガス供給器２への供給切換はバルブ２２，２４により行われる。また、ガスの供給量はガス供給系２３，２５のそれぞれに設けられた流量調整器（不図示）により制御される。ガス供給器２は中空構造となっており、基板ホルダー４と対向する面に多数のガス吹き出し口２１０が形成されている。一方、排気系１１は、排気速度調整機能を有するメインバルブ１２を介して処理室１と接続されており、この調整機能により処理室内の圧力が制御される。
【００２５】
発熱体３は、支持体３１により保持され、所定の温度に加熱・維持するためのエネルギー供給機構３０に接続されている。エネルギー供給機構３０には、通常、直流電源又は交流電源が用いられる。発熱体３は、電源から電流が供給されて、通電加熱により所定の温度に設定されるようになっている。この発熱体を高温加熱することにより、成膜時には原料ガスを、クリーニング時にはクリーニングガスを分解及び／又は活性化し、成膜又はクリーニングを効率よく行うことができる。
【００２６】
図２は、図１に示す発熱体３の配置例を示す平面概念図である。図２の例においては、発熱体３は線状の部材からなるものであり、鋸歯状に折り曲げられ、支持体３１に保持されている。
【００２７】
ここで、白金の被膜を基体の表面に形成した発熱体３について、図３を用いてさらに詳しく説明する。図３は、図２の線状発熱体３の矢視ａ−ａ’における断面図である。図３に示すように、発熱体３は、基体３０１と、基体３０１の表面に形成された被膜３０２とからなるものである。基体３０１は、特に規定するものではないが、発熱体３の構成部材であるため、その材質は、被膜３０２である白金よりも融点の高い材料であることが望ましい。具体的には、タングステン、タンタル、ニオブ、炭素、イリジウム、モリブデン、ロジウム、炭化珪素、ＰＢＮ（Pyrolitic Boron Nitride，熱分解窒化棚素）若しくはアルミナ等である。そして、被膜３０２は白金である。この白金の被膜３０２は、電子ビーム蒸着法あるいはスパッタリング法、メッキ、ライニング等により形成される。
なお、本発明において、発熱体全体が白金でもよいことはいうまでもない。
【００２８】
次に、図１の装置を参照して成膜及びクリーニング方法の一例を説明する。
（成膜）
まず、ゲートバルブ５を介して不図示のロードロック室から基板を搬入し、基板ホルダー４の上に載置する。次に、処理室１内を排気系１１により、所定の圧力まで真空排気した後、エネルギー供給機構３０である直流電源または交流電源から発熱体３に電流を流し、所定の温度に加熱保持する。この温度は、堆積膜及び原料ガスの種類により適宜選択されるが、例えばシリコン膜の堆積に（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）を用いる場合は、１０００℃程度の温度が用いられる。
【００２９】
次に、バルブ２２を開け、所定流量の原料ガスを処理室内に導入し、メインバルブ１２の排気速度調整機能により、処理室内の圧力を所定の圧力に設定する。ガス供給器２に供給された原料ガスは、ガス吹き出し口２１０から発熱体方向に吹き出され、高温の発熱体表面の白金の作用により分解及び／又は活性化され、活性種を生成する。この活性種は、基板上に到達して所望の膜を堆積する。基板上に所望の膜厚が堆積した時点で、原料ガスの供給と発熱体へのエネルギー供給を停止し、処理室内部を真空排気した後、ゲートバルブ５を介して基板をロードロック室へ搬出して、成膜を終了する。
【００３０】
（クリーニング）
以上の成膜を繰り返し行うと、処理室内壁、基板ホルダー、ガス供給器、支持体等にも膜が付着することになる。この付着膜が厚くなると、剥離して成膜中に堆積膜に混入したり表面に付着して、膜特性を劣化させたりデバイスの欠陥原因となるため、付着膜が剥離しゴミを発生する厚さになる前に、以下に示すクリーニング処理を行う。なお、付着膜の膜厚は光学式モニタ等で監視してもよいし、また、トータルの堆積時間から見積るようにしてもよい。
【００３１】
クリーニングは、まず、メインバルブ１２を全開にし、処理室内を真空排気する。その後、直流電源又は交流電源３０から発熱体に通電し、所定の温度に加熱・保持する。次に、バルブ２４を開け、所定のクリーニングガスを処理室１に導入し、メインバルブ１２の排気速度調整機構により処理室内圧力を所定の圧力に制御する。
【００３２】
ガス吹き出し口２１０から吹き出されたガスは、加熱された発熱体表面の白金の作用により、効率的に分解及び／又は活性化され、付着膜と反応性の高い活性種を生成する。例えば、クリーニングガスにＮＦ３を用いた場合は４００℃程度以上に、ＣＦ４の場合は１０００℃程度以上に発熱体を加熱するのが好ましく、白金の触媒作用により付着膜と反応性の高い活性種を生成する。また、白金はこれらクリーニングガスの活性種に対し安定であり、その後の成膜に影響を与えるものではない。この活性種は、処理室内壁、基板ホルダー等の上に付着した膜と反応し、付着膜を気体状物質に変換させる。気体状物質は排気系により外部に排出されるため、付着膜は徐々に除去されることになる。
【００３３】
所定時間この状態を保ち、付着膜が完全に除去された後、バルブ２４を閉じ、クリーニングガスの供給を停止し、発熱体への通電停止、処理室内部の真空排気を行う。以上でクリーニングを終了する。
【００３４】
本実施の形態でのクリーニング工程の手順は本発明のクリーニング方法の一例であり、これに限られるものではない。本発明においては、発熱体３を通電加熱しつつクリーニングガスを導入してクリーニングが行われることが重要であり、例えば、クリーニング時にダミー基板等を基板ホルダー４上に載置してもよく、バルブ２２、２４とメインバルブ１２の開閉や圧力調整の順序も本実施形態に限られるものではない。
また、図１では、クリーニングガスの導入をガス供給器２を介して行っているが、このクリーニングガスの導入は、これに限るものではない。クリーニングガスの処理室１内への導入は、例えば、原料ガスの導入経路とは別の経路であってもよく、単なるノズルであってもよい。また、発熱体の配置位置も図１の場合に限らず、例えばガス供給器の内部に設けてもよい。
【００３５】
なお、上記例では、膜の付着した処理室１の壁や基板ホルダー４、ガス供給器２等の温度については特に記述しなかったが、クリーニングガスの付着膜との反応速度は温度が高いほど速いので、クリーニング工程の一層の時間短縮のために、これらにヒーターを付設して加熱しながら処理することもできる。
しかしながら、本発明により、加熱しなくても十分短時間でクリーニング処理が行えるため、必要に応じて加熱の有無を選択すればよい。ＣｌＦ３ガスのようなガス種の場合でも、従来は実質的な除去速度を得るのに成膜処理室の加熱を必要としていたが、本発明ではその必要がなく、長時間を要していた成膜処理室の加熱、冷却が省け、実質的なクリーニング処理時間を短縮できる。
【００３６】
以上は、発熱体ＣＶＤ装置の in situ クリーニング法について説明したが、本発明の付着膜の除去方法はこれに限ることはなく、他の処理装置や種々の部材に付着した膜を除去する場合にも、好適に適用される。なお、ここで、部材には、真空装置で用いられる種々の測定器、センサー、バルブ等も含まれる意味である。
【００３７】
例えば、真空容器内部に付着した膜は、真空容器にクリーニングガス導入口を設け、そして容器内部に少なくともその表面が白金で構成された発熱体を外部から通電加熱可能に配置し、発熱体を所定の温度に加熱保持してクリーニングガスを流すことにより、付着膜を除去することができる。また、部材の場合は、この真空容器内に部材を配置し、同様に処理すればよい。また、ある程度の長さを有するパイプの場合は、パイプの上流側に発熱体を配設し、ガスがパイプ内部を流れるように構成すればよい。また、パイプ、部材で真空容器の一部を構成するようにしてもよい。
【００３８】
本発明により、複雑形状の部材の狭い隙間や配管内に付着した膜であっても、効率よく除去できるのは、白金からなる発熱体を加熱することにより、クリーニングガスを付着膜と反応性が極めて高い活性種とすることができることと、このようにして生成した活性種は寿命が長いためであると考えられる。
【００３９】
本発明の付着膜の除去方法は、クリ−ニングガスの種類やクリーニング条件を適宜適正化することにより種々の付着膜に適用することができる。例えば、フッ素系若しくは塩素系のクリーニングガスを用いた場合は、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン等の種々の半導体や絶縁物の付着膜の他、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の金属付着膜等、成膜により付着する膜に適用することができる。
【００４０】
また、クリーニングガスも付着膜の種類、処理条件、成膜処理室の材質等により、適宜選択されるが、特にフッ素系ガス、塩素系ガスが好適に用いられ、この中でもＮＦ３、Ｆ２、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＣｌ４、Ｃ２ＣｌＦ5、ＣｌＦ３、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６を用いるのがより好ましい。これらのガスは１００％として用いても、また、例えばＡｒ，Ｈｅ等のガスで希釈したもの、あるいはこれらの混合ガスとして用いてもよい。
【００４１】
発熱体には、線状、棒状、板状、筒状、箔状等、種々の形状のものが用いられ、また、さらに、線状発熱体では、コイル状等にして配置してもよい。
【００４２】
本発明の発熱体ＣＶＤ装置において、処理室内部にプラズマ発生用電極を設けてもよい。すなわち、クリーニング時は、発熱体を通電加熱する代わりに、処理室内にプラズマ発生用の電極を配置し、フッ素系あるいは塩素系のクリーニングガスを放電プラズマにより分解及び／又は活性化して処理室内に付着した膜を除去するプラズマクリーニングを行うことができる。本発明の発熱体は、プラズマとも実質的に反応しないことが確認され、クリーニングに際して処理室内を大気に戻す必要がなく、in situ クリーニングが可能である。
さらに、成膜及びクリーニング時に、発熱体の加熱及びプラズマ発生とを同時に行ってもよく、両者の相互作用により、膜特性の改良及びクリーニング効率の一層の向上を図ることができる。
【００４３】
また、ＣｌＦ３をクリーニングガスに用い、処理室等の加熱によりガスを熱分解して in situ クリーニングを行う場合でも、発熱体はＣｌＦ３ガスと実質上反応しないため、処理室や部材の材質が許す範囲内で、同様に実施可能である。
【００４４】
【発明の効果】
本発明により、即ち、発熱体の少なくとも表面を白金としてこれを所定の温度に加熱し、クリーニングガスを作用させることにより、付着膜と反応性の高い活性種を生成させることができ、かつ発熱体自体は安定に保てるため、種々の成膜装置や部材に付着した膜を効果的に除去し得る付着膜の除去方法を提供することが可能となる。
その結果、in situ クリーニング可能な発熱体ＣＶＤ装置を提供することができ、高特性膜の作製手段として有望視されている発熱体ＣＶＤ法による成膜を安定して行うことが可能となり、半導体デバイス、表示デバイス等の一層の高特性化、その開発促進、生産性の向上に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるクリーニング方法が実施可能な発熱体ＣＶＤ法を用いた成膜処理装置の一構成例を示す概念図である。
【図２】図１に示す発熱体の形状を説明する平面概念図である。
【図３】図２の矢視ａ−ａ’における発熱体の断面構造を示す概念図である。
【符号の説明】
１  処理室、
２  ガス供給器、
３  発熱体、
４  基板ホルダー、
１１  排気系、
１２  メインバルブ、
２２  バルブ、
２３  原料ガス供給系、
２４  バルブ、
２５  クリーニングガス供給系、
３０  エネルギー供給機構、
３１  支持体、
２０１  吹き出し口、
３０１  基体、
３０２  被膜。
【図１】
0004346741.tif 000002
【図２】
0004346741.tif 000003
【図３】
0004346741.tif 000004