(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、複数のゲートバスラインと、複数のデータバスラインと、これらの画素電極、ゲートバスライン及びデータバスラインに接続された薄膜トランジスタとが配置された表示部と、前記表示部の周囲の非表示部に配置され、前記ゲートバスラインに接続された検査端子とを有する第１の基板と、
前記複数の画素電極及び前記検査端子に対向して配置された対向電極と、前記対向電極を被覆する配向膜と、前記対向電極の上の前記検査端子に対向する領域に前記配向膜よりも厚く形成された絶縁膜とを有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
第１の透明基板の表示部にゲートバスラインを形成し、非表示部に前記ゲートバスラインと接続された検査端子を形成する工程と、
前記第１の基板上にデータバスラインと、画素電極と、これらのデータバスライン、画素電極及び前記ゲートバスラインに接続した薄膜トランジスタとを形成する工程と、
第２の透明基板の上に対向電極を形成する工程と、
前記検査端子に対向する領域の前記対向電極の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記対向電極及び前記絶縁膜を覆う配向膜を形成する工程と、
前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に液晶を封入する工程とを有し、
前記絶縁膜を前記配向膜よりも厚く形成することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブローバー検査用の検査端子を有する液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く使用されている。
特に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等の能動素子が画素毎に設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵するほど優れたものが得られるようになり、近年、携帯テレビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイにも使用されるようになった。
【０００３】
一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶表示装置は、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つの面（対向面）のうち、一方の面側には対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、また他方の面側にはＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。また、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモードとなる。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、対向電極及びカラーフィルタ等が形成された基板をＣＦ基板と呼ぶ。
【０００４】
近年、液晶表示装置のより一層の高性能化が要求されており、特に視角特性の改善及び表示品質の向上が強く要求されている。このような要求を満たすものとして、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）型液晶表示装置が有望視されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示パネルの製造工程において、第１配線層（ゲートバスライン等）を形成するときに、エッチングの過不足により短絡や抵抗値異常等が発生することがある。このような不良が発生した場合は、その後の工程を実施しても無駄であるので、第１配線層を形成した後にブローバー検査を実施して、不良品を選別している。
【０００６】
ブローバー検査では、検査ピンを検査端子に接触させて短絡の有無及び抵抗値の適否を検査するが、液晶表示パネルの高精細化に伴って先鋭な検査ピンが使用されるようになり、検査ピンとの接触により検査端子の一部が剥れて、検査端子に導電性異物が付着した状態になることがある。
この導電性異物が検査端子上に残ったままＴＦＴ基板が製造されてＣＦ基板と接合されると、導電性異物とＣＦ基板側の対向電極とが接触し、短絡不良の原因となる。対向電極の上にはポリイミド等からなる配向膜が形成されているが、一般的に配向膜は極めて薄いため、導電性異物が接触すると容易に切断されて、検査端子と対向電極とが導電性異物を介して電気的に接続してしまう。
【０００７】
本発明は、検査端子に導電性異物が付着しても検査端子と対向電極との短絡を回避できる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、複数の画素電極と、複数のゲートバスラインと、複数のデータバスラインと、これらの画素電極、ゲートバスライン及びデータバスラインに接続された薄膜トランジスタとが配置された表示部と、前記表示部の周囲の非表示部に配置され、前記ゲートバスラインに接続された検査端子とを有する第１の基板と、前記複数の画素電極及び前記検査端子に対向して配置された対向電極と、前記対向電極を被覆する配向膜と、前記対向電極の上の前記検査端子に対向する領域に前記配向膜よりも厚く形成された絶縁膜とを有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶表示パネルにより解決する。
【０００９】
本発明においては、検査端子に対向する第２の基板（ＣＦ基板）の領域上に絶縁膜を形成する。これにより、検査端子の上に付着した導電性異物は絶縁膜に阻まれ、対向電極との接触を回避することができる。絶縁膜は、例えばフォトレジストを使用して容易に形成することができる。
ＶＡ型液晶表示パネルでは、フォトレジストを使用してドメイン規制用の突起を形成することがある。この場合、ドメイン規制用突起を形成するためのフォトレジストを使用して、同時に絶縁膜を形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルを示す平面図、図２は同じくその液晶表示パネルの表示部に形成された画素を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線における液晶表示パネルの断面図、図４（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部（図１の右端側）に配置された検査端子を示す平面図、図４（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部（図１の左端側）に配置された検査端子を示す平面図、図５（ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における液晶表示パネルの断面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ線における液晶表示パネルの断面図である。
【００１１】
液晶表示パネル１の隣り合う２つの辺に沿って複数のＴＡＢ端子（図示せず）が設けられており、これらのＴＡＢ端子にＬＳＩ（大規模集積回路：Large Scale Integration ）３が搭載されたフレキシブル基板２が接続される。これらのフレキシブル基板２を介して液晶表示パネル１に表示データ及びタイミング信号等が供給される。
【００１２】
液晶表示パネル１は、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０と、ＣＦ基板３０と、これらのＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に封入された液晶３８とにより構成されている。また、液晶表示パネル１は、図１に示すように多数の画素が配列された表示部４と、その周囲の非表示部５との２つの領域に分けることができる。ＴＦＴ基板１０の表示部４には、図２に示すように、相互に平行に配置された複数本のゲートバスライン１２ａと、各ゲートバスライン１２ａの間にそれぞれ配置された複数本の補助容量バスライン１２ｂと、ゲートバスライン１２ａに交差する複数本のデータバスライン１７ａとが形成されている。ゲートバスライン１２ａ及びデータバスライン１７ａで囲まれた矩形の領域がそれぞれ画素領域となっている。そして、各画素領域毎に、ＴＦＴ１７、画素電極１９ａ及び補助容量電極１７ｄが形成されている。この例では、ＴＦＴ１７のソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃはゲートバスライン１２ａを挟んで配置され、補助容量電極１７ｄは補助容量バスライン１２ｂの上方に配置されている。
【００１３】
一方、ＣＦ基板３０には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ３３と、これらのカラーフィルタ３３を覆う対向電極３４と、対向電極３４を覆う配向膜３５とが形成されている。この例では、遮光領域（すなわち、画素間の領域、ＴＦＴ形成領域及び非表示部５）を遮光するブラックマトリクスを、図３，図５に示すように２色以上のカラーフィルタ３３（図では赤色（Ｒ）と青色（Ｂ）のカラーフィルタ）を積層して形成している。また、検査端子１２ｃ，１２ｄに対向するＣＦ基板側の領域（図４（ａ），（ｂ）で破線に挟まれた領域）には、対向電極３４が形成されていない。
【００１４】
以下、本実施の形態の液晶表示パネルの製造方法について、図１〜図５を参照して説明する。まず、ＴＦＴ基板１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板１１の上にＣｒ（クロム）をスパッタして、第１配線層となる導電膜を約１５０ｎｍの厚さに形成する。そして、フォトリソグラフィによりこの導電膜をパターニングして、ゲートバスライン１２ａ、補助容量バスライン１２ｂ、検査端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡＢ端子（図示せず）を形成する。図４（ａ），（ｂ）に示すように、検査端子１２ｃはゲートバスライン１２ａに接続し、検査端子１２ｄは補助容量バスライン１２ｂに接続して形成する。また、これらの検査端子１２ｃ，１２ｄは、非表示部５に形成する。なお、この例では第１配線層となる導電膜をＣｒにより形成したが、これに限定するものではなく、Ａｌ（アルミニウム）とＴｉ（チタン）との積層構造としてもよいし、Ａｌ合金により形成してもよい。
【００１５】
その後、ブローバー検査を行う。すなわち、検査端子１２ｃ，１２ｄに検査ピンを接触させて、短絡不良の有無及び抵抗値の適否を検査し、不良と判定されたものを製造ラインから除く。
次に、ガラス基板１１の上側全面に絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３を形成し、この絶縁膜１３によりゲートバスライン１２ａ、補助容量バスライン１２ｂ、検査端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡＢ端子を覆う。絶縁膜１３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により約１００〜６００ｎｍの厚さに形成する。
【００１６】
次に、絶縁膜１３上に、ＴＦＴ１７の活性層となるアモルファスシリコン膜１４ａを選択的に形成する。このとき同時に、検査端子１２ｄの上にもアモルファスシリコン膜１４ｂを形成する。アモルファスシリコン膜１４ａ，１４ｂは、 例えば１５〜５０ｎｍの厚さに形成する。
その後、アモルファスシリコン膜１４ａの上に、チャネル保護膜（絶縁膜）１５を形成する。チャネル保護膜１５は、例えば窒化シリコンにより約５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに形成する。
【００１７】
次に、ガラス基板１１の上側全面に、ＴＦＴ１７のオーミックコンタクト層となるｎ+ 型アモルファスシリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成する。その後、このアモルファスシリコン膜の上に、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを順次積層して、これらのＴｉ、Ａｌ及びＴｉの３層構造の導電膜（第２配線層）を形成する。下層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍ、Ａｌ層の厚さは例えば７５ｎｍ、上層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍとする。そして、フォトリソグラフィにより導電膜及びｎ+ 型アモルファスシリコン膜をパターニングして、オーミックコンタクト層１６、データバスライン１７ａ、ソース電極１７ｂ、ドレイン電極１７ｃ及び補助容量電極１７ｄを形成する。この例では第２配線層をＴｉ、Ａｌ及びＴｉの３層構造としたが、Ａｌ、Ａｌ合金又はその他の低抵抗金属により形成してもよい。
【００１８】
次に、ガラス基板１１の上側全面に窒化シリコンからなる絶縁膜（保護膜）１８を約３３０ｎｍの厚さに形成する。そして、この絶縁膜１８に、ソース電極１７ｂに到達するコンタクトホール、補助容量電極１７ｄに到達するコンタクトホール及び検査端子１２ｄに到達するコンタクトホールを形成する。
次に、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）からなる透明導電膜を約７０ｎｍの厚さに形成する。そして、この透明導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極１９ａと、検査端子１２ｄの上のカバー膜１９ｂとを形成する。
【００１９】
次いで、ガラス基板１１の上側全面にポリイミドからなる配向膜２０を約１００ｎｍの厚さに形成する。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成する。
以下、ＣＦ基板の製造方法を示す図である。
まず、ガラス基板３１の上に、青色顔料を分散したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像工程を経て、青色画素部及び遮光領域に青色カラーフィルタ３３（Ｂ）を形成する。その後、ガラス基板１１の上に、赤色顔料を分散したフォトレジストを約１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像工程を経て、赤色画素部及び遮光領域に赤色カラーフィルタ３３（Ｒ）を形成する。次いで、ガラス基板１１の上に、緑色顔料を分散したフォトレジストを１．５μｍの厚さに塗布し、露光及び現像工程を経て、緑色画素部に緑色カラーフィルタ３３（Ｇ）を形成する。
【００２０】
次に、ＴＦＴ基板１０の検査端子１２ｃ，１２ｄに対向するガラス基板３１上の領域をマスクで覆い、ＩＴＯをスパッタして、厚さが約１５０ｎｍの対向電極３４を形成する。これにより、検査端子１２ｃ，１２ｄの形成領域に対向する領域を除き、ガラス基板３１の上側に対向電極３４が形成される。
その後、ガラス基板３１の上側全面にポリイミドを約１００ｎｍの厚さに形成して、配向膜３５とする。これにより、ＣＦ基板３０が完成する。
【００２１】
このようにしてＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板３０を形成した後、ＴＦＴ基板１０又はＣＦ基板３０のいずれか一方の表示部の外側にシール材を塗布し、球形又は円筒形のスペーサ（図示せず）を散布して、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０とを接合する。このとき、後工程でＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に液晶を注入するために、一部分シール材を塗布しない領域を設けておき、液晶注入口とする。
【００２２】
その後、真空雰囲気中で液晶注入口を液晶中に入れ、真空雰囲気を大気圧に戻す。これにより、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に液晶が注入される。その後、液晶注入口を樹脂で封止する。これにより、本実施の形態の液晶表示パネルが完成する。なお、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板３０のいずれか一方の上に液晶を滴下した後、その上に他方の基板を配置する、いわゆる滴下注入法によりＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間に液晶を注入してもよい。
【００２３】
本実施の形態においては、図５（ａ），（ｂ）に示すように、検査端子１２ｃ，１２ｄが形成された領域に対応するＣＦ基板３０側の領域には対向電極３４が形成されていないので、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ブローバー検査時に検査端子１２ｃ，１２ｄから剥れた導電性異物２２が検査端子１２ｃ，１２ｄ上に付着していたとしても、検査端子１２ｃ，１２ｄと対向電極３４との短絡不良の発生が回避される。これにより、液晶表示パネルの製造歩留まりが向上するという効果を奏する。また、マスクスパッタにより検査端子１２ｃ，１２ｄに対向するガラス基板３１上の領域にＩＴＯが付着しないようにしているので、エッチングにより当該領域のＩＴＯを除去する方法に比べて工程数を削減できるという利点もある。
【００２４】
なお、上記の例では２色以上のカラーフィルタ３３を積層することによってブラックマトリクスを形成したが、ブラックマトリクスはＣｒ（クロム）等の金属又は黒色樹脂により形成してもよい。但し、ブラックマトリクスが導電性を有する場合は、ブラックマトリクスの上に絶縁性の樹脂（例えばカラーフィルタ）を形成する等の方法により、ブラックマトリクスと対向電極とが電気的に接続されないようにする必要がある。
【００２５】
また、上記の例ではマスクスパッタにより検査端子に対向する部分へのＩＴＯの付着を防止したが、全面にＩＴＯ膜を形成し、エッチング等の方法により検査端子に対向する部分のＩＴＯ膜を除去してもよい。
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態は、 本発明をＶＡ型液晶表示パネルに適用した例を示す。
【００２６】
図７は第２の実施の形態の液晶表示パネルの表示部における断面図、図８は画素を示す平面図、図９（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部に配置された検査端子（ゲートバスラインと接続した検査端子）の断面図、図９（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部に配置された検査端子（補助容量バスラインと接続した検査端子）の断面図である。なお、図７〜図９において、図２〜図５と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００２７】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側の画素電極１９ａに、斜め方向に配列した複数のスリット１９ｓが設けられている。また、ＣＦ基板３０側の対向電極３４の下側には、ＴＦＴ基板１０側のスリット１９ｓの配列方向に平行に延びるドメイン規制用突起３６ａが形成されている。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間には、ＶＡ型液晶３９が封入されている。
【００２８】
電圧が印加されていない状態では、ＶＡ型液晶３９の液晶分子は配向膜２０，３４に垂直な方向に配向する。このため、突起３６ａの両側では、液晶分子の配向方向が異なる。画素電極１９ａと対向電極３４との間に電圧が印加されると、液晶分子は電界に垂直な方向に倒れる。このとき、突起３６ａの両側及びスリット１９ｓの両側では液晶分子の倒れる方向が異なる。すなわち、１つの画素内で液晶分子の倒れる方向が異なる２つの領域が存在する。このようにして配向分割（マルチドメイン）が達成され、視角特性が大幅に改善される。
【００２９】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０のブローバー検査端子１２ｃ，１２ｄに対向するＣＦ基板３０の領域に絶縁性の樹脂膜３６ｂが形成されている。突起３６ａ及び樹脂膜３６ｂは、いずれもフォトレジストにより形成されている。以下、本実施の形態の液晶表示パネルの製造方法について説明する。まず、ＴＦＴ基板の製造方法について説明する。
【００３０】
第１の実施の形態と同様にして、ガラス基板１１の上にゲートバスライン１２ａ、補助容量バスライン１２ｂ、補助容量端子１２ｃ，１２ｄ及びＴＡＢ端子等を形成した後、ブローバー検査を行って不良品を選別する。
次に、第１の実施の形態と同様にして、ガラス基板１１の上に、ゲート絶縁膜１３、ＴＦＴ１７、データバスライン１７ａ、補助容量電極１７ｄ、絶縁膜（保護膜）１８等を形成する。そして、絶縁膜１８に、ソース電極１７ｂに到達するコンタクトホール、補助容量電極１７ｄに到達するコンタクトホール及び検査端子１２ｄに到達するコンタクトホールを選択的に形成した後、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ膜を形成する。その後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極１９ａ及び検査端子１２ｄ上のカバー膜１９ｄを形成する。このとき、画素電極１９ａには斜め方向に配列した複数のスリット１９ｓを設けておく。
【００３１】
次いで、ガラス基板１１の上側全面にポリイミドからなる配向膜２０を形成する。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成する。
以下、ＣＦ基板の製造方法について説明する。
第１の実施の形態と同様にして、ガラス基板３１の上に青色カラーフィルタ３３（Ｂ）、赤色カラーフィルタ３３（Ｒ）及び緑色カラーフィルタ３３（Ｇ）を形成する。このとき、遮光領域（すなわち、画素間の領域、ＴＦＴ形成領域及び非表示部５）には２色以上のカラーフィルタを積層して、ブラックマトリクスとしておく。
【００３２】
次に、全面にＩＴＯをスパッタして、対向電極３４を形成する。その後、対向電極３４の上にフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像工程を経て、表示部４の対向電極３４上に突起３６ａを形成するとともに、検査端子１２ｃ，１２ｄに対向する非表示部５の対向電極３４の上に、樹脂膜３６ｂを形成する。
次いで、ガラス基板３１の上側全面にポリイミドからなる配向膜３５を形成し、対向電極３４、突起３６ａ及び樹脂膜３６ｂの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板３０が完成する。
【００３３】
その後、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０とをシール材で接合し、これらのＴＦＴ基板１０とＣＦ基板３０との間にＶＡ型液晶３９を注入する。そして、液晶注入口を樹脂等で封止する。これにより、本実施の形態の液晶表示パネルが完成する。
本実施の形態においては、検査端子１２ｃ，１２ｄの上方に絶縁性の樹脂膜３６ｂが形成されているので、図１０に示すように、検査端子１２ｃ，１２ｄ上に導電性異物２２が付着していても、検査端子１２ｃ，１２ｄと対向電極３４との短絡が防止される。
【００３４】
上記の実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側の画素電極１９ａにドメイン規制用スリット１９ｓを設けた場合について説明したが、スリット１９ｓに替えて、画素電極１９ａ上にドメイン規制用突起を形成してもよい。
また、上記の実施の形態ではフォトレジストにより絶縁膜（樹脂膜３６ｂ）を形成したが、フォトレジスト以外の材料で絶縁膜を形成してもよい。
【００３５】
（付記）
（１）請求項２に記載の液晶表示パネルにおいて、前記絶縁膜が、フォトレジストにより形成されていることが好ましい。
（２）請求項２に記載の液晶表示パネルにおいて、前記第２の基板の前記対向電極の上に、ドメイン規制用突起を有することが好ましい。
【００３６】
（３）上記（２）に記載の液晶表示パネルにおいて、前記絶縁膜及び前記ドメイン規制用突起が、いずれもフォトレジストにより形成されていることが好ましい。
（４）請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法において、前記絶縁膜をフォトレジストにより形成することが好ましい
（５）請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法において、前記画素電極に、ドメイン規制用スリットを形成することが好ましい。
【００３７】
（６）請求項４に記載の液晶表示パネルの製造方法において、前記対向電極の上にドメイン規制用突起を形成する工程を有することが好ましい。
（７）上記（６）に記載の液晶表示パネルの製造方法において、前記ドメイン規制用突起及び前記絶縁膜はフォトレジストにより同時に形成することが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、検査端子に対向する部分に対向電極を形成しないか、又は絶縁膜を形成するので、ブローバー検査により剥離した導電性異物が検査端子上に付着しても、検査端子と対向電極との短絡を確実に防止できる。これにより、液晶表示パネルの製造歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルを示す平面図である。
【図２】図２は第１の実施の形態の液晶表示パネルの表示部に形成された画素を示す平面図である。
【図３】図３は図２のＡ−Ａ線における液晶表示パネルの断面図である。
【図４】図４（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部（図１の右端側）に配置された検査端子を示す平面図、図４（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部（図１の左端側）に配置された検査端子を示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における液晶表示パネルの断面図、図５（ｂ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃ線における液晶表示パネルの断面図である。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は検査端子上に導電性異物が付着した状態を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの表示部における断面図である。
【図８】図８は第２の実施の形態の液晶表示パネルの画素を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）はＴＡＢ実装側の非表示部に配置された検査端子（ゲートバスラインに接続した検査端子）の断面図、図９（ｂ）はＴＡＢ非実装側の非表示部に配置された検査端子（補助容量バスラインに接続した検査端子）の断面図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は検査端子上に導電性異物が付着した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…液晶表示パネル、
２…フレキシブル基板、
３…ＬＳＩ、
４…表示部、
５…非表示部、
１０…ＴＦＴ基板、
１１，３１…ガラス基板、
１２ａ…ゲートバスライン、
１２ｂ…補助容量バスライン、
１２ｃ，１２ｄ…検査端子、
１３，１８…絶縁膜、
１４ａ，１４ｂ…アモルファスシリコン膜、
１５…チャネル保護膜、
１６…オーミックコンタクト層、
１７…ＴＦＴ、
１７ａ…データバスライン、
１７ｂ…ソース電極、
１７ｃ…ドレイン電極、
１７ｄ…補助容量電極、
１９ａ…画素電極、
１９ｓ…スリット、
２０，３５…配向膜、
３０…ＣＦ基板、
３３…カラーフィルタ、
３４…対向電極、
３６ａ…ドメイン規制用突起、
３６ｂ…樹脂膜、
３８，３９…液晶。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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