(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レベルシフティング回路であって、
第１のレベルシフティング段であって、
第１のイネーブル入力部と、
第１の電圧スイングを有する入力信号を受け取る第１の信号入力部と、
該第１の電圧スイングよりも大きな第２の電圧スイングを有する第１の出力信号を提供する第１の出力部と、
イネーブル時の第１の消費電力と、
第１の切換え速度とを有する、第１のレベルシフティング段と、
第２のレベル切換え段であって、
該第１の出力部に接続された第２のイネーブル入力部と、
該入力信号を受け取る第２の信号入力部と、
該第１の電圧スイングよりも大きな第３の電圧スイングを有する第２の出力信号を提供する第２の出力部と、
イネーブル時の第２の消費電力と、
ディセーブル時の第３の消費電力とを有し、該第２の消費電力は、該第１および第３の消費電力の各々よりも大きく、
該第１の切換え速度よりも速い第２の切換え速度を有する、第２のレベル切換え段と、
を備えたレベルシフティング回路。
【請求項２】
前記入力信号は、第１の電圧レベルと第２の電圧レベルとの間をスイングし、前記第１の段および第２の段は、該第２の電圧レベルのみをシフトするように構成される、請求項１に記載のレベルシフティング回路。
【請求項３】
前記第１の電圧レベルは接地電位である、請求項２に記載のレベルシフティング回路。
【請求項４】
前記第３の消費電力はゼロに等しい、請求項１〜３のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項５】
前記第２の段は、該第２の段がディセーブルされると前記第２の出力部を所定の状態に設定する設定手段を備える、請求項１〜４のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項６】
前記設定手段は、前記第２のイネーブル入力部に接続された制御電極を有するプルアップトランジスタまたはプルダウントランジスタを備える、請求項５に記載のレベルシフティング回路。
【請求項７】
前記第１のイネーブル入力部は、前記第１の段を永続的にイネーブルするために接続される、請求項１〜６のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項８】
前記第１の信号入力および第２の信号入力は差動入力である、請求項１〜７のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項９】
前記第２の出力部に接続された同期入力部およびクロック信号を受け取るクロック入力部を有する順次論理回路をさらに備える、請求項１〜８のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項１０】
前記論理回路は、前記第２の出力信号および前記クロック信号と同期する出力パルスを生成するように構成される、請求項９に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１１】
各出力パルスは、前記クロック信号のパルス幅またはパルス周期と等しいパルス幅を有する、請求項１０に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１２】
前記論理回路は、前記第２の出力部に接続されたデータ入力部および前記クロック信号を受け取るように接続されたクロック入力部を有するＤ型ラッチ部を備える、請求項９〜１１のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項１３】
前記論理回路は、前記第２の出力部に接続された第１の入力部および前記ラッチ部の反転出力部に接続された第２の入力部を有するＡＮＤゲートを備える、請求項１２に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１４】
前記論理回路のクロック入力部に接続された第３の出力部を有する第３のレベルシフティング段、前記クロック信号を受け取る第３の信号入力部、および前記第２の出力信号に応答する第３のイネーブル入力部をさらに備える、請求項９〜１３のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項１５】
前記第３のイネーブル入力部は前記第２の出力部に接続される、請求項１４に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１６】
前記第３のイネーブル入力部は、前記第２の出力信号に前記論理回路の出力信号を補うことにより得られた論理和を受け取るように構成される、請求項１４に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１７】
前記第１の段、第２の段、および第３の段のうちの少なくとも該第１の段および該第２の段の各々は、第１の伝導タイプの第１のトランジスタを備えたサブステージを備え、該第１の伝導タイプの第１のトランジスタは、該段の信号入力部に接続された共通端子、および第１の電力供給線に接続された共通端子を有し、該第１のタイプとは逆の第２の伝導タイプの第２のトランジスタの出力端子に接続された出力端子を有する、請求項１〜１６のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項１８】
前記第１のトランジスタの出力端子は、少なくとも一つのインバータを介して前記段の出力部に接続される、請求項１７に記載のレベルシフティング回路。
【請求項１９】
前記第１のトランジスタの制御端子は前記段のイネーブル入力部に接続される、請求項１７または１８に記載のレベルシフティング回路。
【請求項２０】
前記第２のトランジスタの制御端子は第２の電力供給線に接続される、請求項１７〜１９のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項２１】
前記サブステージは、前記第１のタイプの伝導タイプの第３のトランジスタ、および前記第２の伝導タイプの第４のトランジスタを備え、該第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタの制御端子に接続された制御端子および出力端子を有し、該第４のトランジスタは、前記電力供給線に接続された共通端子、該第３のトランジスタの出力端子に接続された出力端子、および前記第２のトランジスタの制御端子および前記段のイネーブル入力部に接続された制御端子を有する、請求項１７または１８に記載のレベルシフティング回路。
【請求項２２】
前記第３のトランジスタの共通端子は第２の電力供給線に接続される、請求項２１に記載のレベルシフティング回路。
【請求項２３】
前記第３のトランジスタの共通端子は、前記段の相補型信号入力部に接続される、請求項２１に記載のレベルシフティング回路。
【請求項２４】
前記第２の段および第３の段のうちの少なくとも該第２の段のサブステージは、前記第３のトランジスタの出力端子と、前記第２または第３のイネーブル入力部に接続された制御端子を有する第２の電力供給線または前記電力供給線との間に接続されたプルダウントランジスタを備える、請求項２１〜２３のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項２５】
前記トランジスタまたは各トランジスタは金属酸化物半導体トランジスタである、請求項６および請求項１７〜２４のいずれかに記載のレベルシフティング回路。
【請求項２６】
前記トランジスタまたは各トランジスタはポリシリコン薄膜トランジスタである、請求項２５に記載のレベルシフティング回路。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれかに記載の回路を備えたアクティブマトリクスドライバ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レベルシフティング回路、およびそのような回路を含むアクティブマトリクスドライバに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のレベルシフティング回路は、例えば、電源電圧よりも実質的に振幅が低い入力信号に応答する必要があるデジタル金属酸化物半導体回路において必要とされる。レベルシフティング回路は、例えば、通常約１〜５ボルトの振幅を有する低電圧信号でインターフェース接続される（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  ｗｉｔｈ）必要があるが、例えば、通常約１０〜２０ボルトの実質的により高い電源電圧で動作する絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）回路で用いられる。このような構成の具体例としては、ポリシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で製造されたフラットパネルアクティブマトリクスディスプレイ用のモノリシックドライバ回路がある。この他、レベルシフティング回路は、例えば、ＴＴＬおよびＣＭＯＳ等の異なる論理ファミリ間のインターフェースの用途に用いられる。
【０００３】
図１は、ソースが接地接続されており、ドレインがｐチャネルトランジスタ３および４のドレインにそれぞれ接続されたｎチャネルトランジスタ１および２を備えた公知のタイプのレベルシフティング回路を示す。トランジスタ３および４のソースは、電力供給線ｖｄｄに接続されたソースを有するｐチャネルトランジスタ５および６のドレインにそれぞれ接続される。トランジスタ１および３のドレインが、トランジスタ６のゲート、および相補型出力部！ＯＵＴに接続される一方、トランジスタ２および４のドレインは、トランジスタ５のゲート、および出力部ＯＵＴに接続される。トランジスタ１および３のゲートが入力部ＩＮに接続される一方、トランジスタ２および４のゲートは相補型入力部！ＩＮに接続される。
【０００４】
このような構成は、出力電圧スイング（ｏｕｔｐｕｔ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｓｗｉｎｇ）が入力電圧スイングよりも大きくなるように、デジタル入力信号をレベルシフトすることが可能であるが、この構成は、入力信号と同様のレベルの閾値電圧を有するトランジスタに対して許容性がない。例えば、ポリシリコントランジスタは約３ボルトの閾値を有し得るため、このような回路は、接地に対して約３ボルトの閾値よりも実質的に大きなより高いレベルを有する入力信号でのみ動作し得る。
【０００５】
図２は、高いトランジスタ閾値電圧により高い許容性を有する他の公知のレベルシフティング回路を示す。このタイプの構成は、差動電流ミラー感度増幅器（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｍｉｒｒｏｒ  ｓｅｎｓｅ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）として公知であり、例えば、非特許文献１に開示されている。この回路は、相補型入力端子ＩＮＢおよびＩＮにそれぞれ接続されたゲートおよびテール電流源（ｔａｉｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｓｏｕｒｃｅ）に接続されたソースを有する一対の差動ｎチャネルトランジスタ７および８を備える。テール電流源は、バイアス電圧源Ｖｂｉａｓに接続されたゲートおよび電力供給線ｖｓｓに接続されたソースを有するｎチャネルトランジスタ９を備える。トランジスタ７および８のドレインは、さらなる供給線ｖｄｄｄに接続されたｐチャネルトランジスタ１０および１１によって形成された電流ミラーに接続され、トランジスタ７のドレインは回路の出力部ＯＵＴを形成する。しかしながら、このタイプの回路は、特に、一つの論理レベルがシフトされないデジタル論理信号に対して、高度のレベルシフティングを行うことが不可能である。
【０００６】
特許文献１は、ポリシリコン集積技術により適した図３に示す他の公知のタイプのレベルシフターを開示している。この回路は、入力部ＩＮに接続されたソース、およびｐチャネルトランジスタ１３のドレインに接続されたドレインを有するｎチャネルトランジスタ１２を備える。ｐチャネルトランジスタ１３のソースは供給線ｖｄｄｄに接続される。他のチャネルトランジスタ１４は、供給線ｖｓｓに接続されたソース、トランジスタ１２のゲートに接続されたゲート、およびｐチャネルトランジスタ１５のドレインに接続されたドレインを有する。ｎチャネルトランジスタ１４のゲートおよびドレインは相互に接続されており、ｐチャネルトランジスタ１５のソースは供給線ｖｄｄｄに接続される。トランジスタ１３および１５のゲートは供給線ｖｓｓに接続される。トランジスタ１２および１３のドレインは、トランジスタ１６および１７を備えており、その出力部がレベルシフティング回路の出力部ＯＵＴを形成する従来の相補型トランジスタインバータに接続される。
【０００７】
この構成の不利な点は、消費電流が比較的に高いことである。詳細には、トランジスタ１４および１５は、供給線ｖｄｄｄと供給線ｖｓｓとの間に連続的に電流を伝導する経路を形成する。また、トランジスタ１２のソースへの入力信号が論理ローレベルの信号である場合、供給線の間にはトランジスタ１２および１３を介したさらなる経路が存在する。レベルシフティング回路の入力信号と出力信号との間の位相遅れを避けるためには、回路は高速で動作しなければならない。これには比較的に大きな電流が必要であり、結果的に消費電力が比較的に大きくなる。
【０００８】
特許文献２は、比較的に低い消費電力で高速に動作することが可能なレベルシフティング回路を開示している。図４は、ｎチャネルトランジスタ１８およびｐチャネルトランジスタ１９を備えたそのような回路の一例を示す。トランジスタ１８は、ソースおよびゲートが信号入力部ＩＮおよびイネーブル入力部ＥＮにそれぞれ接続される一方で、ドレインが出力端子ＯＵＴに接続される。トランジスタ１９は、供給線ｖｓｓに接続されたゲート、他の供給線ｖｄｄｄに接続されたソース、および出力端子ＯＵＴに接続されたドレインを有する。
【０００９】
イネーブル入力部ＥＮのイネーブル信号がアクティブである場合、トランジスタ１８のゲートは供給線ｖｓｓに対して、その閾値電圧よりも高い電圧にバイアスされる。トランジスタ１９はオンになるようにバイアスされるが、トランジスタ１８よりも導電性が「弱い」。入力部ＩＮの入力信号が（供給線ｖｓｓの電位またはその近傍で）ローレベルにある場合、トランジスタ１８はオンになり、トランジスタ１９よりも強く導電を行うため、出力がローレベルに引かれる。反対に、入力信号がより高いレベルにある場合、トランジスタ１８はオフになり、出力部ＯＵＴがトランジスタ１９によって供給線ｖｄｄｄの電圧へと引かれる。回路がディセーブルされると、トランジスタ１８はオフになり、出力部ＯＵＴがトランジスタ１９によって供給線ｖｄｄｄの電圧へと引かれる。
【００１０】
図５は、イネーブル入力部ＥＮがトランジスタ１９のゲートおよびプルダウントランジスタ２１に接続された出力部を有するインバータ２０の入力部にも接続されている、図４に示すレベルシフティング回路の改変形態を示す。この場合、回路がディセーブルされると、トランジスタ１９はオフになり、プルダウントランジスタ２１が供給線ｖｓｓの電圧へと出力部ＯＵＴを引く。
【００１１】
図６は、特許文献２のレベルシフティング回路の他の形態を示す。トランジスタ１８のゲートは、供給線ｖｓｓに接続されたソースを有するｎチャネルトランジスタ２２のゲートおよびドレインに接続される。トランジスタ２２のソースおよびドレインは、供給線ｖｄｄｄに接続されたソースならびにトランジスタ１９のゲートおよびイネーブル入力部ＥＮに接続されたゲートを有するｐチャネルトランジスタ２３のドレインに接続される。イネーブル入力部ＥＮは、プルダウントランジスタ２１のゲート、およびトランジスタ２２をまたがって接続された他のプルダウントランジスタ２４のゲートに接続される。
【００１２】
この構成によって、「パスゲート（ｐａｓｓ  ｇａｔｅ）」トランジスタ１８のより正確なバイアシングが提供され、より高度なレベルシフティングが提供される。この回路がイネーブルされると、トランジスタ２２および２３は、トランジスタ１８のゲートをその閾値電圧よりも少し上へとバイアスする。回路がディセーブルされると、プルダウントランジスタ２４はオンになり、トランジスタ１８および２２のゲートが供給線ｖｓｓの電圧へと引かれるため、トランジスタ１８および２２はオフになる。
【００１３】
電圧レベルがシフトされる入力信号が比較的小さなマーク対スペース比（ＭＳＲ）を有し、同期要件として入力信号の一つのエッジのみが正確なタイミングを維持することを必要とする用途が多数存在する。例えば、そのような用途の一つには、このような回路が図７に示すような垂直および水平同期信号のレベルをシフトするために用いられるアクティブマトリクスディスプレイがある。特許文献２に開示されたレベルシフティング回路は良好な性能を発揮するが、最適な解決手段を提供し得ない。なぜなら、このような回路は、入来する同期パルスに応答するために永続的にイネーブルされている必要があるからである。
【００１４】
特許文献３は、出力電圧の立上がり時間および立下がり時間を独立して制御するＭＯＳＦＥＴ事前駆動回路（ＭＯＳＦＥＴ  ｐｒｅｄｒｉｖｅ  ｃｉｒｃｕｉｔ）を開示している。この回路は、第１の電圧スイングを有する入力信号を第２の電圧スイングを有する出力電圧に変換する第１の電圧レベルシフティング回路、ならびに出力信号の立上がり時間および立下がり時間を制御する第２の段を備える。
【００１５】
特許文献４は、直列接続された２つのレベルシフティング段を有する集積回路レベルシフティング事前駆動回路を開示している。このレベルシフティング回路は、それぞれが異なるＤＣバイアス電圧を提供する３つのバイアス供給回路を用いる。第１の段は、最も低いバイアス電圧から中間のバイアス電圧へと入力信号電圧をシフトする。第２の段は、中間のバイアス電圧から最も高いバイアス電圧へと信号電圧をシフトする。この構成は、あらゆる単一のデバイスの誘電層をわたる応力（ｓｔｒｅｓｓ）が低減するように、デバイス間の電圧スイングを分散させる。
【００１６】
【非特許文献１】
エヌ．ウエストおよびケイ．エシュラジアン（Ｎ．ＷｅｓｔおよびＫ．Ｅｓｈｒａｇｉａｎ）の「プリンシパル  オブ  ＣＯＭＯＳ  設計（Ｐｒｉｎｃｉｐａｌ  ｏｆ  ＣＭＯＳ  Ｄｅｓｉｇｎ）」、アディソン  ウェスリー（Ａｄｉｓｏｎ  Ｗｅｓｌｅｙ）、１９９３
【００１７】
【特許文献１】
米国特許第５７２９１５４号
【００１８】
【特許文献２】
英国特許第２３６０４０５号
【００１９】
【特許文献３】
米国特許第６２６８７５５号
【００２０】
【特許文献４】
米国特許第６０８７８８１号
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成では、前述したように、レベルシフティング回路の入力信号と出力信号との間の位相遅れを避けるために回路は高速に動作しなければならず、結果的に消費電力が大きくなる。
【００２２】
本発明は、上記従来の問題を解決し、上記従来技術と比較すると、高速動作が可能であり、消費電力がより少ないレベルシフティング回路およびこれを用いたアクティブマトリクスドライバを提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面に従って、第１のイネーブル入力部、第１の電圧スイングを有する入力信号を受け取る第１の信号入力部、第１の電圧スイングよりも大きな第２の電圧スイングを有する第１の出力信号を提供する第１の出力部、イネーブル時の第１の消費電力、および第１の切換え速度を有する第１のレベルシフティング段、ならびに第１の出力部に接続された第２のイネーブル入力部、入力信号を受け取る第２の信号入力部、第１の電圧スイングよりも大きな第３の電圧スイングを有する第２の出力信号を提供する第２の出力部、イネーブル時の第２の消費電力、およびディセーブル時の第３の消費電力を有し、第２の消費電力は、第１および第３の消費電力の各々よりも大きく、第１の切換え速度よりも速い第２の切換え速度を有する第２のレベル切換え段を備えたレベルシフティング回路が提供される。
【００２４】
本明細書中において用いられる「電圧スイング」という用語は、信号の最大電圧と最小電圧との差を意味する。本明細書中において用いられる「切換え速度」という用語は、信号が所定の許容性の範囲内の極値を切り換えるために要する時間の逆数（ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ）を指す。
【００２５】
入力信号は、第１の電圧レベルと第２の電圧レベルとの間をスイングしてもよく、第１の段および第２の段は、第２の電圧レベルのみをシフトするように構成されてもよい。第１の電圧レベルは接地電位であってもよい。
【００２６】
第３の消費電力は実質的にゼロに等しくてもよい。
【００２７】
第２の段は、第２の段がディセーブルされると第２の出力部を所定の状態（例えば、ハイレベル、ローレベル、またはハイインピーダンス）に設定する設定手段を備えてもよい。設定手段は、第２のイネーブル入力部に接続された制御電極を有するプルアップトランジスタまたはプルダウントランジスタを備えてもよい。
【００２８】
第１のイネーブル入力部は、第１の段を永続的にイネーブルするために接続されてもよい。
【００２９】
第１の信号入力および第２の信号入力は差動入力であってもよい。
【００３０】
上記回路は、第２の出力部に接続された同期入力部およびクロック信号を受け取るクロック入力部を有する順次論理回路を備えてもよい。論理回路は、第２の出力信号およびクロック信号と同期する出力パルスを生成するように構成されてもよい。各出力パルスは、クロック信号のパルス幅またはパルス周期と実質的に等しいパルス幅を有してもよい。
【００３１】
論理回路は、第２の出力部に接続されたデータ入力部およびクロック信号を受け取るように接続されたクロック入力部を有するＤ型ラッチ部を備えてもよい。論理回路は、第２の出力部に接続された第１の入力部およびラッチ部の反転出力部に接続された第２の入力部を有するＡＮＤゲートを備えてもよい。
【００３２】
上記回路は、論理回路のクロック入力部に接続された第３の出力部を有する第３のレベルシフティング段、クロック信号を受け取る第３の信号入力部、および第２の出力信号に応答する第３のイネーブル入力部を備えてもよい。第３のイネーブル入力部は第２の出力部に接続されてもよい。
【００３３】
あるいは、第３のイネーブル入力部は、第２の出力信号に論理回路の出力信号を補うことにより得られた論理和を受け取るように構成されてもよい。
【００３４】
第１の段、第２の段、および第３の段のうちの少なくとも第１の段および第２の段の各々は、第１の伝導タイプの第１のトランジスタを備えたサブステージを備えてもよく、第１の伝導タイプの第１のトランジスタは、上記段の信号入力部に接続された共通端子、および第１の電力供給線に接続された共通端子を有する、第１のタイプとは逆の第２の伝導タイプの第２のトランジスタの出力端子に接続された出力端子を有してもよい。第１のトランジスタの出力端子は、少なくとも一つのインバータを介して段の出力部に接続されてもよい。第１のトランジスタの制御端子は段のイネーブル入力部に接続されてもよい。第２のトランジスタの制御端子は第２の電力供給線に接続されてもよい。
【００３５】
サブステージは、第１のタイプの伝導タイプの第３のトランジスタ、および第２の伝導タイプの第４のトランジスタを備えてもよく、第３のトランジスタは、第１のトランジスタの制御端子に接続された制御端子および出力端子を有し、第４のトランジスタは、電力供給線に接続された共通端子、第３のトランジスタの出力端子に接続された出力端子、および第２のトランジスタの制御端子および上記段のイネーブル入力部に接続された制御端子を有してもよい。第３のトランジスタの共通端子は第２の電力供給線に接続されてもよい。相補型信号入力部の場合、第３のトランジスタの共通端子は、上記段の相補型信号入力部に接続されてもよい。
【００３６】
第２の段および第３の段のうちの少なくとも第２の段のサブステージは、第１のトランジスタの出力端子と、第２または第３のイネーブル入力部に接続された制御端子を有する第２の電力供給線または上記第２の電力供給線との間に接続されたプルダウントランジスタを備えてもよい。
【００３７】
本明細書中において用いられる用語は、一般に、共通端子および出力端子がトランジスタを介してメインの伝導経路に接続され、制御端子と共通端子の間の電圧または制御端子と共通端子の間を流れる電流が共通端子と出力端子の間のメインの伝導経路の伝導を制御するようなトランジスタの端子を指す。電界効果型トランジスタの場合、共通端子はソース端子であり、出力端子はドレイン端子であり、制御端子はゲート端子である。
【００３８】
上記または各トランジスタは、例えば、ポリシリコン薄膜トランジスタ等の金属酸化物半導体トランジスタ（ＭＯＳ）であってもよい。
【００３９】
本発明の第２の局面に従って、本発明の第１の局面による回路を備えたアクティブマトリクスドライバが提供される。
【００４０】
よって、高速動作が可能であり、比較的に消費電力が少ないレベルシフティング回路を提供することができる。このような構成は、第２の段が比較的に低いデューティサイクルでイネーブルされるため、マーク対スペース比が小さいレベルシフティング信号に特に適している。第２の段では、必要時のみ消費電力が比較的に高くなり、第１の段はそのような高速で動作する必要がないため、さらに消費電力が低くなる。この構成は、入力信号がパルスであり、各パルスの一つのエッジのみに対して同期する必要がある場合に特に適している。
【００４１】
このような回路のさらなる利点は、ＭＯＳによって実現される場合には、熱い電子、および酸化物の充填等の他の影響による、個々のデバイスのゲート誘電体の経時的な劣化が低減されることである。回路の第１の段は、消費電流が比較的に少ない。第２の段は消費電流が多いが、この段のデバイスは実質的にオンされる時間が低減されている。それゆえ、いずれの単一のデバイスにかかる応力も低減される。
【００４２】
このようなレベルシフティング回路によって、例えば、アクティブマトリクスドライバにおいて制御信号として直接用いられる信号を生成する低消費電力構成が提供される。
【００４３】
【発明の実施の形態】
添付の図面を参照して、本発明のレベルシフティング回路およびこれを用いたアクティブマトリクスドライバの実施形態について説明する。
【００４４】
図面において、同様の参照符号は同様の部材を示す。
【００４５】
一般性を欠くことなく例示目的のみで以下に記載する本発明の実施形態は、入力信号の論理ハイレベルを上げる一方で、信号の共通した接地論理レベルを実質的に変化させないレベルシフティング回路に関する。例えば、入力信号は０ボルト（ＶＳＳ）と３ボルト（ＶＨＨ）とを切り換えるデジタル論理信号であり得、出力信号は、０ボルトと１５ボルト（ＶＤＤ）とを切り換えるデジタル論理信号であり得る。
【００４６】
図８に示すレベルシフティング回路は、第１のレベルシフティング段３０、および第２のレベルシフティング段３１を備える。第１の段３０は、レベルシフティング回路のイネーブル入力部ＥＮに接続されたイネーブル入力部ＥＮ１を有する。イネーブル入力部ＥＮが接地接続されているために第１の段３０が永続的にイネーブルされているように示されているが、これは必要不可欠ではない。第１の段３０は、レベルシフティング段の信号入力部ＩＮに接続された第１の入力部を有する。入力部ＩＮは、比較的に電圧スイングが少ないデジタル信号を受け取り、レベルシフティング回路は、ＶＨＨからＶＤＤへと上側の論理レベルを上げる必要がある。
【００４７】
第２の段３１は、第１の段３０の出力部ＯＵＴ１に接続された第２のイネーブル入力部ＥＮ２を有する。第２の段３１はまた、入力部ＩＮに接続された信号入力部を有する。第２の段３１の出力部ＯＵＴ２は、レベルシフティング回路の出力部ＯＵＴに接続される。第１の段３０は、低速低電力レベルシフターを備える。第２の段３１は、第１の段３０の出力部に従ってイネーブルまたはディセーブルされる高速高電力レベルシフターを備える。第１の段３０は、入力信号パルスの第１のエッジを捉える（ｃａｐｔｕｒｅ）ように永続的にイネーブルされているように示されている。
【００４８】
図９は、レベルシフティング回路が「アクティブハイ」入力デジタル信号に対して動作している際に発生する波形を示す。「アクティブロー」入力デジタル信号に対しても同様の動作が行われ得るが、詳細には示さない。
【００４９】
入力部ＩＮの入力信号が論理ローレベルである場合、永続的にイネーブルされている第１の段３０の出力部ＯＵＴ１は論理ローレベルにあるため、第２の段３１がディセーブルされる。第１の段３１は高速に動作するように比較的高い電流で動作するが、ディセーブルされると、はるかに低い電流（例えば、ゼロ電流）を消費する。第１の段３０はこのような高い切換え速度を提供する必要がないため、第２の段３１よりも実質的に低い電流で動作する。
【００５０】
パルスの立上がりが入力部ＩＮに達すると、第１の段３０の出力部はシフトされた上側の論理レベルＶＤＤに向かって立ち上がる。この出力信号が第２の段３１のイネーブル閾値に達すると、第２の段３１はイネーブルされ、その出力部ＯＵＴ２は比較的迅速に上側の論理レベルＶＤＤへと切り替わる。パルスが立下がりに達すると、第２の段３１の出力部ＯＵＴ２はより低い論理レベルへと迅速に切り換わる。第１の段３０の出力部ＯＵＴ１は、より低い論理レベルへとより遅く切り換わるため、第２の段３１はパルスの立下がりを越えた後にディセーブルされる。それゆえ、出力パルスの立下りは、入力パルスの立下りと実質的に同期する。第２の段３１は、次のパルスが入力部ＩＮに達するまでディセーブルされたままとなる。
【００５１】
レベルシフティング回路の消費電力は、第１の段３０の消費電力と、第２の段３１の消費電力と入力信号のマーク対スペース比の積との和に等しい。低温ポリシリコン技術で実現される典型的なレベルシフティング回路では、第１の段３０の消費電力は１００ｌＷであり、第２の段３１の消費電力は、イネーブル時が２ｍＷであり、ディセーブル時は実質的にゼロであり、入力信号の典型的なマーク対スペース比は０．０５である。よって、レベルシフティング回路の平均消費電力は２００ｌＷ（ｌはエル）である。従来または公知の回路構成を用いて同様の速度の動作を達成するためには、同等の回路では、約２ｍＷの電力を消費する必要がある。従って、消費電力が約１オーダー分だけ低減される一方で、所望の速度の動作が達成され得る。
【００５２】
入力信号マーク対スペース比の範囲にわたって省エネルギーが達成され得、各パルスの立下がりの伝搬遅延が、実質的に、特定の用途に必要とされる程度に低減され得る。アクティブハイパルスの立上がりの伝搬遅延を最小化するために、アクティブローパルスに作用するように設計されたレベルシフティング回路が用いられ得る。入力信号の（アクティブハイ）マーク対スペース比が過度に大きくないと仮定すると、消費電力の節約をなおも達成することができ、アクティブデバイスに対する応力が低減される。
【００５３】
図１０に示すレベルシフティング回路は、相補型入力部ＩＮおよびＩＮＢを有する点、および段３０および３１の各々が相補型信号入力部を有する点のみが図８に示すレベルシフティング回路と異なる。その動作は同じであるが、図１０の回路は、所与のレベルの入力電圧スイングに対してより大きな出力電圧スイングを提供することが可能である。それゆえ、約１ボルト等の非常に低い電圧スイングの入力信号で確実な（ｒｏｂｕｓｔ）動作を得ることが可能である。
【００５４】
図１１は、図８に示すレベルシフティング回路の回路構成の具体例を示す。第１の段３０は前述した図３に示すタイプの段であるが、トランジスタ１３および１５のゲートがイネーブル入力部ＥＮに接続されるように改変されている。イネーブル信号が論理ハイレベルにある場合、トランジスタ１３および１５は、第１の段をディセーブルするようにオフにされる。イネーブル信号が論理ローレベルにある場合、トランジスタ１３および１５はオンにされ、第１の段は前述したように動作する。
【００５５】
第２の段は、前述した図６に示すようなレベルシフターを備える。しかしながら、レベルシフトされた出力信号が電源電圧および接地電位と実質的に等しい上側および下側電圧を有することを確実にするために、第２の段はまた、トランジスタ３３、３４、３５、および３６を含む直列接続された相補型インバータを備える。
【００５６】
図１２は、アクティブロー入力信号で動作する点で図１１に示すレベルシフティング回路と異なる他のレベルシフティング回路をさらに詳細に示す。第１の段３０は、トランジスタ３７および３８を備えるさらなるインバータがトランジスタ１６および１７を備えたインバータと第２の段３１のイネーブル入力部との間に接続される点で図１１に示す段と異なる。トランジスタ１６および１７を備えたインバータの出力部は、本実施形態ではｐチャネルプルアップトランジスタを備えるトランジスタ２１のゲートに接続される。
【００５７】
図１３は、アクティブロー入力信号での動作する他の回路を示す。この回路は、第１の段３０および第２の段３１の各々のメインレベルシフティングサブステージが前述した図４に示すタイプの回路を備える点で図１２に示す回路と異なる。よって、第１の段３０は、その後に図１２に示すような２つのインバータが続く、トランジスタ１８および１９を備えるレベルシフティングサブステージを備える。同様に、第２の段３１は、図１２に示すような２つのインバータが後に続く、トランジスタ１８’および１９’を含むサブステージを備える。第１および第２の段の出力部は、ＯＵＴ１およびＯＵＴ２で示す。
【００５８】
図１４は、アクティブロー入力信号での動作する回路であり、入力部ＩＮおよびＩＮＢで相補入力信号を受け取るように構成された点で図１２に示す回路と異なる回路を示す。トランジスタ１４および２２のソースは、相補型入力部ＩＮＢに接続される。
【００５９】
図１５は、例えば、アクティブマトリクスドライバで用いられる制御信号を生成するためにレベルシフティングを実施する回路構成を示す。この回路構成は、図８および図１０〜図１４に示すタイプのうちのいずれかのタイプの二段レベルシフター４０を含み、この二段レベルシフター４０は、より低い論理レベルＶＳＳとより高い論理レベルＶＨＨとを切り換える同期信号ＳＹＮＣを受け取るように構成された信号入力部ＩＮを有する。二段レベルシフター４０は、ＶＳＳとＶＤＤとを切り換える出力部ＯＵＴ２にレベルシフトされた信号を供給する。これらの信号は、ＶＳＳとＶＤＤとを切り換えるクロック信号ＤＣＫを受け取るクロック入力部を有する順次論理回路４１の同期入力部に供給される。
【００６０】
図１６に示す波形は、図１５に示す回路構成の動作を示す。回路４１からの２つのタイプの出力パルスは、ＯＵＴ（１）およびＯＵＴ（２）で示される。両方の場合において、出力パルスの立上がりは、クロック信号ＤＣＫおよび同期信号ＳＹＮＣ  ＩＮの両方の立上がりと同期する。１クロックパルス幅の幅を有する出力パルスはＯＵＴ（１）に示し、１クロック周期の幅を有する出力パルスはＯＵＴ（２）に示す。このような出力パルスは、アクティブマトリクスドライバでは制御信号として直接用いられ得る。
【００６１】
図１７は、上側レベルがＶＨＨからＶＤＤへとシフトされるように、一段レベルシフター４２がクロック信号ＤＣＫをレベルシフトするために提供される点で図１５に示す回路構成と異なる回路構成を示す。レベルシフター４２は、二段レベルシフター４０の第１の段の出力部ＯＵＴ１に接続されたイネーブル入力部を有する。例えば、一段レベルシフター４２は、前述した図４〜図６のうちのいずれか一つに示すタイプのレベルシフターであり得る。よって、一段レベルシフター４２は、高速タイプであり、二段レベルシフター４０の第２の段と同期してイネーブルされる。
【００６２】
図１７の回路構成の動作を図１８の波形図で示す。二段レベルシフター４０は、前述したように、図１８においてＤＳＬＳ  ＩＮと示すアクティブロー同期信号で動作する。二段シフター４０の第１の段によって生成されるイネーブル信号は、ＤＳＬＳ  ＯＵＴ１で示す。一段レベルシフターの入力部に供給されるクロックパルスは、ＳＳＬＳ  ＩＮで示し、この段の出力部はＳＳＬＳ  ＯＵＴで示す。順次論理回路４１の出力部の回路構成の出力部はＯＵＴで示す。
【００６３】
よって、高速動作に必要とされる比較的に高出力の一段レベルシフター４２は、必要時にのみイネーブルされる。よって、図１７の回路構成は、図１５の回路構成よりも消費電力が少ない。
【００６４】
図１７に示す実施形態の順次論理回路４１の具体的な形態を図１９により詳細に示す。一段レベルシフター４２の出力部は、相補型クロック入力部ＣＫＢに接続され、かつインバータ４３を介して、Ｄ型ラッチ部４４の直接クロック入力部ＣＫに接続される。Ｄ型ラッチ部４４の相補型出力部ＱＢは、ＮＡＮＤゲート４５の第１の入力部に接続される。ＮＡＮＤゲート４５の第２の入力部は二段レベルシフタ４０の出力部ＯＵＴ２、およびＤ型ラッチ部４４のデータ入力部に接続される。ゲート４５の出力部は、クロックパルス幅と等しいパルス幅を有する出力信号ＯＵＴ（１）を供給するインバータ４６の入力部に接続される。
【００６５】
図２０は、図１９に示す順次論理回路４１をクロック信号ＤＣＫの周期と等しいパルス幅を有する出力信号ＯＵＴ（２）を提供するように改変した形態を示す。この場合、一段レベルシフター４２の出力部はＤ型ラッチ部４４の直接クロック入力部ＣＫに供給され、インバータ４３によって反転されて相補型クロック入力部ＣＫＢに供給される。
【００６６】
図２１は、プロセス変動の影響から保護するために、図２０に示す構成とは異なる回路構成を示す。詳細には、プロセス変動のために、第１の段が予想よりも速く動作する場合、一段レベルシフター４２は順次論理回路４１から正確な出力パルスを生成するほど十分に長い間アクティブになり得ない。この問題を克服するために、二段レベルシフター４０の第１の段の出力部は、インバータ４７を介して、ＮＯＲゲート４８の第１の入力部に接続される。ＮＯＲゲート４８の入力部はインバータ４６の出力部に接続され、出力部は一段レベルシフター４２のイネーブル入力部に接続される。
【００６７】
この構成によって、インバータ４６の出力部の出力パルスが第２の遷移を行うまで、イネーブルの状態に保つように一段レベルシフター４２がラッチされる。それゆえ、この回路構成は、プロセス変動によって生じる不正確な動作に影響されにくい。
【００６８】
図２２は、液晶画素（図示せず）を制御するアクティブマトリクス５０およびアクティブマトリクスドライバを含むフラットパネル型アクティブマトリクス液晶ディスプレイを概略的に示す。このドライバは、データ線ドライバ５１、走査線ドライバ５２、ディスプレイコントローラ５３、および制御信号インターフェース５４を備える。ディスプレイコントローラ５３は、より高い電圧スイングで動作し、レベルシフティングを必要としないタイミング信号およびデータ信号を受け取る。制御信号インターフェース５４は、電圧スイングがより少ないため、レベルシフティングを必要とする制御信号を受け取る。よって、制御信号インターフェース５４は、一つ以上のレベルシフティング回路、または図８〜図２１のうちのいずれかに示す回路構成を含む。よって、図７に示す垂直および水平同期信号等の入来する低電圧レベル制御信号はレベルシフトされ、ディスプレイの動作を制御するためにディスプレイコントローラ５３ならびにラインドライバ５１および５２で用いられ得る。
【００６９】
【発明の効果】
以上により、本発明は、従来と比較すると、高速動作が可能であり、消費電力がより少ないレベルシフティング回路およびこれを用いたアクティブマトリクスドライバを提供することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図２】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図３】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図４】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図５】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図６】公知のタイプのレベルシフティング回路の回路図である。
【図７】例えば、フラットパネルディスプレイのアクティブマトリックスドライバ用の公知のタイプの垂直同期信号および水平同期信号を示す波形図である。
【図８】本発明の実施形態を構成するレベルシフティング回路のブロック概略図である。
【図９】図８の回路の動作を示す波形図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態を構成するレベルシフティング回路のブロック概略図である。
【図１１】図８に示すタイプの回路の回路図である。
【図１２】図１０に示すタイプの回路の回路図である。
【図１３】図１０に示すタイプの回路の回路図である。
【図１４】図１０に示すタイプの回路の回路図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態を構成する回路のブロック概略図である。
【図１６】図１５の回路の動作を示す波形図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態を構成する回路のブロック概略図である。
【図１８】図１７の回路の動作を示す波形図である。
【図１９】図１７に示すタイプの回路の回路図である。
【図２０】図１７に示すタイプの回路の回路図である。
【図２１】図１７に示すタイプの回路の回路図である。
【図２２】アクティブマトリックスディスプレイ、および本発明の実施形態を構成するレベルシフティング回路を備えたアクティブマトリックスドライバのブロック概略図である。
【符号の説明】
３０  レベルシフター段
３１  レベルシフター段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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