(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が装填される密閉式カセットを受載するカセット棚と、
前記カセットの前面の開口部を蓋するカセット蓋と、
前記カセットが前記カセット棚に受載された状態で、該カセット棚を開閉するカセット蓋開閉機構と、
前記カセット内に不活性ガスを給排する不活性ガス供給手段とを具備し、
該不活性ガス供給手段は、
前記カセットの底板に設けられる不活性ガス流入ポート及びカセット内雰囲気流出ポートと、
前記カセット棚に設けられる不活性ガス供給ポート及びカセット内雰囲気排出ポートと、前記不活性ガス供給ポートに接続される不活性ガス供給源とを有し、
前記カセットが前記カセット棚に受載された状態で、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートが嵌合可能とし、前記カセット内雰囲気流出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートが嵌合可能とし、
前記カセットの前記カセット蓋が前記カセット蓋開閉機構により開かれ、前記開口部が開口した状態で、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートとを通して前記カセット内へ不活性ガスを供給する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板が装填された密閉式カセットの前面の開口部をカセット蓋が蓋した状態で前記カセットをカセット棚に受載し、前記カセットの底板に設けられた不活性ガス流入ポートと前記カセット棚に設けられた不活性ガス供給ポートとを嵌合し、前記カセットの底板に設けられたカセット内雰囲気流出ポートと前記カセット棚に設けられたカセット内雰囲気排出ポートとを嵌合し、不活性ガスが前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートとを通って前記カセットに流入し、前記カセット内雰囲気流出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートとを通ってカセット内雰囲気を排出する工程と、
前記カセット棚に受載された前記カセットの前記カセット蓋が開かれ、前記開口部が開口した状態で、前記不活性ガス供給ポートから前記カセット内へ不活性ガスを供給し少なくとも前記開口部から前記カセット内雰囲気を排出する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
基板が装填された密閉式カセットの前面の開口部をカセット蓋が蓋した状態で前記カセットをカセット棚に受載し、前記カセットの底板に設けられた不活性ガス流入ポートと前記カセット棚に設けられた不活性ガス供給ポートとを嵌合し、前記カセットの底板に設けられたカセット内雰囲気流出ポートと前記カセット棚に設けられたカセット内雰囲気排出ポートとを嵌合し、不活性ガスが前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートとを通って前記カセットに流入し、前記カセット内雰囲気流出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートとを通ってカセット内雰囲気を排出する工程と、
前記カセット棚に受載された前記カセットの前記カセット蓋が開かれ、前記開口部が開口した状態で、前記不活性ガス供給ポートから前記カセット内へ不活性ガスを供給し少なくとも前記開口部から前記カセット内雰囲気を排出する工程と、
基板を前記カセットから基板移載室を介して反応炉内に装入し処理する工程とを
有することを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項４】
基板が装填された前面の開口部をカセット蓋が蓋した密閉式カセットをカセット棚に受載した状態で不活性ガス供給手段により、前記カセット内へ不活性ガスを給排する工程と、
前記カセット棚に受載された前記カセットの前記カセット蓋が開かれ、前記開口部が開口した状態で前記不活性ガス供給手段により、前記カセット内へ不活性ガスを給排すると共に前記開口部から前記不活性ガスを排出する工程とを有する基板処理方法。
【請求項５】
基板が装填された前面の開口部をカセット蓋が蓋した密閉式カセットをカセット棚に受載した状態で不活性ガス供給手段により、前記カセット内へ不活性ガスを給排する工程と、
前記カセット棚に受載された前記カセットの前記カセット蓋が開かれ、前記開口部が開口した状態で前記不活性ガス供給手段により、前記カセット内へ不活性ガスを給排すると共に前記開口部から前記不活性ガスを排出する工程と、
前記基板を前記カセットから基板移載室を介して反応炉内に装入し処理する工程とを有することを特徴とする半導体素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板に成膜処理等各種プロセス処理を施して半導体素子を形成する基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置には被処理基板を１枚或は複数枚ずつ処理する枚葉式のものと１度に多数の被処理基板を処理するバッチ式のものとがある。バッチ式の基板処理装置に於いては、通常被処理基板は開放型収納容器である基板カセット或は密閉型収納容器であるＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）カセットに２５枚ずつ装填された状態で装置内に搬送され、１度のプロセス処理で所要数の被処理基板例えばシリコン製のウェーハが処理される。
【０００３】
前記ウェーハをＦＯＵＰカセットに収納して搬送する場合の従来の基板処理装置を図７及び図８に於いて説明する。
【０００４】
筐体１の内部は前方部分がカセット搬送室３、後方部分がウェーハ移載室４となっている。
【０００５】
前記筐体１内の後方上部には反応炉６が設けられ、該反応炉６には下方から図示しないボートエレベータによりボート７が装入引出し可能に支持されている。下降状態の該ボート７の前方にはウェーハ移載機８が設けられ、該ウェーハ移載機８の前方には上下に上カセットラック９、下カセットラック１０が設けられている。前記上カセットラック９は、例えば図に示す様に、２列３段で６個のＦＯＵＰカセット１２を収納可能であり、前記下カセットラック１０は２列４段で８個のＦＯＵＰカセット１２を収納可能となっており、前記上カセットラック９と下カセットラック１０とで合計１４個のＦＯＵＰカセット１２を収納可能となっている。
【０００６】
前記上カセットラック９及び下カセットラック１０の前方にカセットステージ１３が設けられている。該カセットステージ１３の上方にはカセットサブラック１４が設けられ、又前記筐体１の前面には前記カセットステージ１３に隣接してカセット搬入搬出口１５が設けられている。
【０００７】
ウェーハ１７の搬送は前記ＦＯＵＰカセット１２に装填され密閉の状態で行われ、該ＦＯＵＰカセット１２は外部搬送装置ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）（図示せず）により前記カセット搬入搬出口１５を介して前記カセットステージ１３上に搬送される。カセット搬送機１８は昇降動、回転動、横行動の協働で前記ＦＯＵＰカセット１２を前記カセットステージ１３から前記上カセットラック９、前記下カセットラック１０或は前記カセットサブラック１４に移載する。
【０００８】
前記ＦＯＵＰカセット１２のカセット蓋１９が蓋開閉機構（図示せず）により開放される。
【０００９】
前記ウェーハ移載機８は昇降動、回転動、進退動の協働により前記下カセットラック１０に収納された前記ＦＯＵＰカセット１２内のウェーハ１７を下降状態の前記ボート７に移載する。前記ウェーハ１７の移載は予定された枚数となる迄複数のＦＯＵＰカセット１２に対して実行される。前記ボート７に所定数の前記ウェーハ１７が装填されると、前記ボートエレベータ（図示せず）により前記ボート７が上昇され前記反応炉６内に装入される。
【００１０】
該反応炉６内で前記ウェーハ１７に所要の処理が施されると、前記ボートエレベータ（図示せず）により前記ボート７が降下され前記反応炉６より引出される。前記ボート７、ウェーハ１７が炉外で冷却された後、前記ウェーハ移載機８により前記ウェーハ１７が前記下カセットラック１０の前記ＦＯＵＰカセット１２へ移載される。
【００１１】
更に、次に処理されるウェーハ１７が前記ウェーハ移載機８により前記ボート７に装填され、上記したのと同様の手順で前記ウェーハ１７に所要の処理が繰返される。又、所要の処理が完了し前記ＦＯＵＰカセット１２に移載された前記各ウェーハ１７は上記した手順と逆の手順で前記カセット搬送機１８、カセットステージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
前記ＦＯＵＰカセット１２内は前記外部搬送装置ＡＧＶで搬送されている間窒素ガスで充満されて不活性雰囲気とされているが、該ＦＯＵＰカセット１２が前記下カセットラック１０に於いて開口され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェーハ１７が前記ウェーハ移載機８により取出され前記ボート７へ装填される間、或は前記ボート７から処理済ウェーハが前記ウェーハ移載機８により前記ＦＯＵＰカセット１２へ移載される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内は筐体１内の雰囲気ガスに置換されてしまう。
【００１３】
前記筐体１は清浄ではあるが、大気雰囲気であり、従って、前記ＦＯＵＰカセット１２も前記筐体１内の大気雰囲気に置換される。この為、前記ＦＯＵＰカセット１２が前記カセット搬送機１８、カセットステージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェーハは大気中の酸素により自然酸化される或はパーティクルにより汚染される可能性が生じる。
【００１４】
本発明は斯かる実情に鑑み、密閉式のウェーハカセットに清浄な不活性ガスを供給し、該ウェーハカセット内を不活性ガス雰囲気に常に保つことにより、未処理ウェーハ又は処理済ウェーハの自然酸化、或はパーティクル汚染を防止するものである。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、ウェーハが装填される密閉式カセットを受載するカセット棚を具備する基板処理装置に於いて、前記カセットがカセット棚に受載された状態で、前記カセット内に不活性ガスを給排する不活性ガス供給手段を設けた基板処理装置に係り、又前記密閉式カセットの底板に不活性ガス流入ポートとカセット内雰囲気流出ポートが設けられ、前記カセット棚に不活性ガス供給ポートとカセット内雰囲気排出ポートが設けられ、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガス供給ポートが嵌合可能とし、前記カセット内雰囲気流出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートが嵌合可能とし、前記不活性ガス供給ポートに不活性ガス供給源が接続された基板処理装置に係り、更に又前記不活性ガス流入ポート、カセット内雰囲気流出ポートに開閉弁が設けられ、前記不活性ガス供給ポートと不活性ガス供給源との間の配管に電磁弁が設けられ、カセットがカセット棚に載置されることで前記開閉弁、電磁弁がそれぞれ開放される基板処理装置に係るものである。
【００１６】
カセットがカセット棚に受載されている状態で、カセット内部に不活性ガスが供給されることから、カセットを装置内に保管している状態でウェーハに自然酸化膜が生成するのが抑制され、又カセット搬送中のウェーハの自然酸化を防止する為に行われるカセット内部に不活性ガスを充填する工程が省略でき、カセット搬入搬出時間が短縮される。
【００１７】
又、カセット内への不活性ガスの供給は、カセットがカセット棚にある場合のみに行われるので、不活性ガスの供給に無駄がない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図１〜図５に於いて本発明の第一の実施の形態を説明する。
【００２０】
尚、図１〜図５中、図７及び図８中と同等のものには同符号を付してある。
【００２１】
カセットラック２２は棚板２３と中空の支柱２４，２５，２６とにより構成され、前記カセットラック２２は前記棚板２３に２列４段で８個のＦＯＵＰカセット１２を受載可能である。前記支柱２４は給気マニホールド、前記支柱２５は排気マニホールドを夫々兼ねている。
【００２２】
前記ＦＯＵＰカセット１２にはウェーハ１７が水平に且つ多段に装填されており、前記ＦＯＵＰカセット１２の底板２７に窒素ガス流入ポート２８及びカセット内雰囲気流出ポート２９が夫々設けられ、該窒素ガス流入ポート２８及びカセット内雰囲気流出ポート２９は前記各ウェーハ１７の周縁部近傍となる様に配置されている。前記窒素ガス流入ポート２８、カセット内雰囲気流出ポート２９は常時閉であり、後述する窒素ガス供給ポート３２、カセット内雰囲気排出ポート３３が嵌合することで開する様になっている。
【００２３】
前記棚板２３には前記カセット搬送用切欠部３１が形成され、該カセット搬送用切欠部３１の近傍に窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３が夫々設けられている。該窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は前記窒素ガス流入ポート２８及びカセット内雰囲気排出ポート２９と上下に重なる位置に夫々配置され、前記窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は夫々円筒ノズル状であり、該窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記棚板２３の上面側に突出し、前記窒素ガス供給ポート３２に前記窒素ガス流入ポート２８が着脱可能に嵌合すると共に、前記カセット内雰囲気排出ポート３３に前記カセット内雰囲気流出ポート２９が着脱可能に嵌合する様になっている。
【００２４】
前記窒素ガス供給ポート３２の下端には窒素ガス供給用配管３５の一端が接続され、該窒素ガス供給用配管３５の他端は前記支柱２４に接続され、該支柱２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞されており、該支柱２４は下端に於いて図示しない窒素ガス供給源に配管を介して接続されている。
【００２５】
前記カセット内雰囲気排出ポート３３の下端には排出用配管３６の一端が接続され、該排出用配管３６の他端は前記支柱２５に接続され、前記排出用配管３６は前記支柱２５の内部と連通しており、該支柱２５の両端は筐体１内に開放されている。
【００２６】
以下、作用について説明する。
【００２７】
清浄で不活性なガスとして窒素ガスが図示しない窒素ガス供給源から配管を経てカセットラック２２の支柱２４に送給され、該支柱２４内、窒素ガス供給用配管３５を順次通って各窒素ガス供給ポート３２から筐体１内に流出する。流出する窒素ガスは清浄な不活性ガスであるので筐体１内の雰囲気を改善する。
【００２８】
図示しないカセット搬送機によりＦＯＵＰカセット１２が図示しないカセットステージからカセットラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセット１２は前記カセットラック２２の棚板２３上に載置される。前記ＦＯＵＰカセット１２の窒素ガス流入ポート２８が前記窒素ガス供給ポート３２に嵌合し、同時に、前記カセット内雰囲気流出ポート２９が前記カセット内雰囲気排出ポート３３に嵌合する。該窒素ガス供給ポート３２から窒素ガスが前記窒素ガス流入ポート２８を通って前記ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、前記ＦＯＵＰカセット１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気流出ポート２９を通って前記カセット内雰囲気排出ポート３３、前記排出用配管３６を順次経て前記支柱２５の開口部から前記筐体内に流出する。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内は清浄な不活性窒素ガスにより常に充満される。
【００２９】
該ＦＯＵＰカセット１２のカセット蓋１９が開かれ、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェーハ１７がウェーハ移載機によりボート（いずれも図示せず）に移載され、前記ボート内の処理済ウェーハが前記ウェーハ移載機により前記ＦＯＵＰカセット１２内に装填される。
【００３０】
斯かるウェーハの移載作業の間前記ＦＯＵＰカセット１２は開口状態にあるが、前記窒素ガス供給ポート３２から継続して窒素ガスが前記ＦＯＵＰカセット１２内に送給され、該ＦＯＵＰカセット１２内は前記窒素ガスで充満されると共に前記ＦＯＵＰカセット１２の開口部から前記窒素ガスが流出する。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２の開口部から前記ウェーハ移載室内の雰囲気が前記ＦＯＵＰカセット１２内へ流入するのが抑制され、前記雰囲気中の酸素、パーティクル等の混入が低減され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティクルによる汚染が抑制される。
【００３１】
前記ＦＯＵＰカセット１２に対するウェーハ移載作業が終了した後、該ＦＯＵＰカセット１２は前記カセット蓋１９が閉じられる。
【００３２】
前記窒素ガス流入ポート２８からは窒素ガスが継続して前記ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、且つ前記カセット内雰囲気流出ポート２９から前記ＦＯＵＰカセット１２内の雰囲気が混入した酸素やパーティクルと共に前記ＦＯＵＰカセット１２外に流出される。該ＦＯＵＰカセット１２内は速やかに清浄で不活性な窒素ガスに再び置換され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティクルによる汚染が更に抑制される。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内は前記カセットラック２２に収納された状態で不活性ガスに置換されるので、別途ＦＯＵＰカセット１２内を不活性ガスに置換する工程が省略できる。
【００３３】
前記ウェーハ移載作業の終了した前記ＦＯＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機、カセットステージ、カセット搬入搬出口を介して外部へ搬出される。
【００３４】
図６に於いて本発明の第二の実施の形態を説明する。尚、図６中、図１〜図５中と同等のものには同符号を付してある。
【００３５】
ＦＯＵＰカセット１２の底板２７に窒素ガス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９が夫々穿設され、該窒素ガス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９は各ウェーハ１７の周縁部と略重なる様に夫々配置され、前記窒素ガス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９は流入部弁板４０、流出部弁板４１により開閉可能となっている。
【００３６】
前記ＦＯＵＰカセット１２は棚板２３に載置されており、該棚板２３の前記ＦＯＵＰカセット１２載置部所要位置に窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３が夫々貫通して設けられている。該窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は前記窒素ガス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９に夫々挿通可能に配置され、前記窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３はノズル状であり、前記窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記棚板２３より突出している。
【００３７】
前記窒素ガス供給ポート３２が前記窒素ガス流入ポート３８に嵌入し、前記窒素ガス供給ポート３２により前記流入部弁板４０が開かれると共に、前記カセット内雰囲気排出ポート３３が前記カセット内雰囲気流出ポート３９に嵌入し、前記カセット内雰囲気排出ポート３３により前記流出部弁板４１が開かれる様になっている。
【００３８】
前記各窒素ガス供給ポート３２の下端に窒素ガス供給用配管３５の一端が接続されている。該窒素ガス供給用配管３５の中途部に電磁弁４３が設けられている。前記窒素ガス供給用配管３５の他端は前記支柱２４に接続され、前記窒素ガス供給用配管３５は前記支柱２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞されており、下端部に於いて図示しない窒素ガス供給源に配管を介して接続されている。
【００３９】
前記棚板２３の各ＦＯＵＰカセット１２載置部にマイクロスイッチ４４が取付けられ、前記棚板２３に前記ＦＯＵＰカセット１２が載置された時、前記マイクロスイッチ４４がＯＮとなって前記電磁弁４３が開き、又、前記ＦＯＵＰカセット１２が搬出された時に、前記マイクロスイッチ４４がＯＦＦとなって前記電磁弁４３が閉じる様になっている。
【００４０】
以下、作用について説明する。
【００４１】
清浄で不活性ガスである窒素ガスが図示しない窒素ガス供給源から配管を経て前記カセットラック２２の各支柱２４に送給されている。前記棚板２３上の各マイクロスイッチ４４は前記ＦＯＵＰカセット１２が前記棚板２３上に載置されていない時はＯＦＦとなり、前記電磁弁４３が閉じられている為窒素ガスは前記各窒素ガス供給ポート３２から流出されない。
【００４２】
図示しないカセット搬送機により前記ＦＯＵＰカセット１２が図示しないカセットステージから前記カセットラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセット１２は前記カセットラック２２の棚板２３上に載置される。
【００４３】
前記ＦＯＵＰカセット１２の重量により前記棚板２３上のマイクロスイッチ４４がＯＮとなり、前記電磁弁４３が開かれて窒素ガスは前記各窒素ガス供給用配管３５を通って窒素ガス供給ポート３２から流出される。
【００４４】
同時に、前記ＦＯＵＰカセット１２の底板２７に配設された窒素ガス流入ポート３８が前記棚板２３の窒素ガス供給ポート３２に嵌入し、該窒素ガス供給ポート３２の先端部により前記流入部弁板４０が開かれ、前記窒素ガス供給ポート３２から窒素ガスが前記ＦＯＵＰカセット１２内に流入する。
【００４５】
同様に、前記底板２７のカセット内雰囲気流出ポート３９が前記棚板２３のカセット内雰囲気排出ポート３３に嵌入し、該カセット内雰囲気排出ポート３３の先端部により前記流出部弁板４１が開かれ、前記ＦＯＵＰカセット１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気排出ポート３３を通り、該カセット内雰囲気排出ポート３３に接続された前記排出用配管３６を経て前記支柱２５の開口部からウェーハ移載室内に流出される。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内は窒素ガスで充満される。
【００４６】
前記ウェーハ移載作業の終了した前記ＦＯＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機により前記棚板２３から持上げられる。前記ＦＯＵＰカセット１２が持上げられると、前記マイクロスイッチ４４がＯＦＦとなり、前記電磁弁４３が閉じられる為、窒素ガスは前記各窒素ガス供給ポート３２から流出されない。
【００４７】
同時に、前記窒素ガス流入ポート３８から前記窒素ガス供給ポート３２が脱離し、前記流入部弁板４０が前記窒素ガス流入ポート３８を閉塞する。同様に、前記カセット内雰囲気流出ポート３９から前記カセット内雰囲気排出ポート３３が脱離し、前記流出部弁板４１が前記カセット内雰囲気流出ポート３９を閉塞する。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内には清浄な不活性窒素ガスが密封される。
【００４８】
尚、本発明の基板処理装置は、上述の実施の形態に於けるカセットラックに限定されるものではなく、カセットラックの棚板の幅及び段数は適宜変更してもよいことは勿論である。
【００４９】
又、上記第一及び第二の実施の形態では、説明上、カセットに対する不活性ガス供給手段をカセットラック２２に設けた場合を説明したが、前記不活性ガス供給手段は、図７に示す、上カセットラック９、下カセットラック１０、カセットサブラック１４のいずれに設けられてもよく、又、必要に応じ、限られたラックにのみ設けてもよい。例えば、下カセットラック１０はウェーハ移載機８にてＦＯＵＰカセット１２からウェーハを取出す為、ＦＯＵＰカセット１２の蓋を開閉する開閉機構（図示せず）を設ける必要がある。よって、下カセットラック１０に前記不活性ガス供給手段を設けると機械的に複雑になるので、前記不活性ガス供給手段を下カセットラック１０に設けず、上カセットラック９及び（又は）カセットサブラック１４に設け、処理済のウェーハを収納したカセット（蓋が開放されカセット内が大気雰囲気の状態）を下カセットラック１０から一旦上カセットラック９（又はカセットサブラック１４）へカセット搬送機１８にて搬送し、上カセットラック９にてカセット内を不活性ガス雰囲気に置換し、その後、カセットステージ１３を介し外部へ搬出する様にしてもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、密閉式カセットの筐体内搬入後、カセット棚に収納された状態で、カセット内に不活性ガスが供給されるので、カセット内での自然酸化膜の生成が抑制され、更に、カセット搬送中カセット内でのウェーハの自然酸化を防止する為に行われるカセット内部に不活性ガスを充填する工程が省略でき、カセット搬入搬出時間が短縮され、搬送効率が向上し、ひいては生産性が向上する。又、カセット内への不活性ガスの供給は、カセットがカセット棚にある場合のみに行われるので、不活性ガスの供給に無駄がなく、ランニングコストが低く抑えられる等種々の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す側面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】図１に於けるＦＯＵＰカセットの分解斜視図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視図である。
【図５】図３に於けるＦＯＵＰカセットの底面図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態を示す断面図である。
【図７】従来例の斜視図である。
【図８】該従来例に於けるカセットラックの斜視図である。
【符号の説明】
３          カセット搬送室
４          ウェーハ移載室
６          反応炉
７          ボート
８          ウェーハ移載機
１０        下カセットラック
１２        ＦＯＵＰカセット
１７        ウェーハ
１９        カセット蓋
２２        カセットラック
２３        棚板
２４        支柱
２５        支柱
２６        支柱
２７        底板
２８        窒素ガス流入ポート
２９        カセット内雰囲気流出ポート
３２        窒素ガス供給ポート
３３        カセット内雰囲気排出ポート
３５        窒素ガス供給用配管
３６        排出用配管
３８        窒素ガス流入ポート
３９        カセット内雰囲気流出ポート
４０        流入部弁板
４１        流出部弁板
４３        電磁弁
４４        マイクロスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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