(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗化層を形成した導体回路上に有機樹脂絶縁層を施し、前記有機樹脂絶縁層の一部を開口して露出した導体回路上に半田バンプが形成されたプリント配線板において、
前記露出した導体回路の粗化層を平坦にした上に、耐食金属層を施して半田バンプを形成し、前記耐食金属層がニッケル層、パラジウム層、及び、金層を備えていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記導体回路上の表面に無電解めっきにより粗化層を形成し、前記露出した導体回路の粗化層をエッチング処理により平坦にしたことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記導体回路の表面にエッチング処理により粗化層を形成し、前記露出した導体回路の粗化層をエッチング処理により平坦にしたことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記導体回路の平坦にされた部位は平均粗度（Ｒa）≦１μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項５】
以下の（１）〜（４）の工程を少なくとも含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（１）  導体回路上に粗化層を形成する工程、
（２）  前記粗化層を形成した導体回路上に有機樹脂絶縁層を施し、当該有機樹脂絶縁層の一部を開口して前記導体回路の一部を露出させる工程、
（３）  前記有機樹脂絶縁層の開口により露出された前記導体回路を平坦にする工程、
（４）  前記有機樹脂絶縁層の開口により露出された前記導体回路に耐食金属層を施して半田バンプを形成する工程であって、前記耐食金属層がニッケル層、パラジウム層、及び、金層を備えている工程。
【請求項６】
前記露出した導体回路の粗化層を平坦にする際、エッチング処理、酸処理、レーザ処理、プラズマ処理の内から１種類以上により行うことを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記露出した導体回路の粗化層を平坦にする際、過酸化ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅から選ばれる少なくとも１種類以上を用いてエッチング処理することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記露出した導体回路の粗化層を平坦にする際、塩酸又は硝酸を用いて酸処理することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング処理、及び前記酸処理の粗化層を除去する除去速度は１〜５μｍ／ｍｉｎ．の範囲であることを特徴とする請求項７又は８記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記露出した導体回路の粗化層を平坦にする際、炭酸、エキシマ、ＹＡＧのレーザ処理することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、導体回路上に耐食金属層を介して半田バンプを配設するプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方法にて製造されている。
プリント配線板の導体回路の表面に無電解めっきやエッチングにより、粗化層を形成させる。その後、ロールーコーターや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。これを繰り返すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得られる。
【０００３】
また、プリント配線板の最外層は、導体回路を保護するために、ソルダーレジスト層を施す。半田バンプを形成する際には、導体回路との接続のためにソルダーレジスト層の一部を開口し、露出させる。そして、半田パッドとなる部分にニッケル、金層を施した上に半田ペーストを印刷して、リフローを行うことで半田バンプを形成している。
【０００４】
最外層の導体回路は、ソルダーレジスト層との密着を高めるために粗化層が形成されている。粗化層を形成する方法としては、無電解めっきによるもの（例  Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐによる合金層により形成させる）、エッチングによって形成させるもの（例  第二銅錯体と有機酸塩とを配合した液によってスプレーや浸積することでエッチングさせている。）や酸化―還元処理によるもの等がある。それにより、ソルダーレジスト層の剥がれや膨れがなくなり、信頼性に優れるプリント配線板が得られる。
【０００５】
また、ソルダーレジスト層の一部を開口して、露出した導体回路上に耐食金属を施すことにより、導体回路からの腐食を保護し、耐食金属層上の半田バンプとの密着性、強度を向上させることが行われている。通常、耐食金属層は、バリアー層の中間層（ニッケル、コバルト、インジウム、パラジウム等）と、表層の貴金属層（金、銀、白金、パラジウム等）との２層以上で形成されている。代表的な例としては、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、パラジウム−金、ニッケル−パラジウム−金などがある。ニッケル層などの中間層を施した後、貴金属層を施しているのは、露出した導体回路上に貴金属層を直接形成させると、当該貴金属層が拡散してしまうからである。貴金属層は、電解めっき、無電解めっき、置換めっきによるめっき膜、蒸着、スパッタなどによる金属膜として形成させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導体回路の粗化層は、耐食金属層を形成する上で耐食性や密着性に悪影響を及ぼしている。例えば、図１７（Ａ）に示すように、ソルダーレジスト層７０に露光、現像の薬液処理を経て開口部７１を設けると、開口部７１の底部に粗化層１６２があると、ソルダーレジスト層や現像液などの有機残さ９９が残り、  バイアホール１６０を形成する銅めっきと中間層７２との間で接続不良や、該中間層７２の未形成、変色や酸化物の形成による異常などを引き起こしたりする。上述した薬液処理に代えて、ソルダーレジスト層に炭酸、エキシマやＹＡＧなどのレーザで開口させても、レーザの照射の熱によりソルダーレジスト層の樹脂残りなどが開口部底部に残ったりする。それにより、前述のような問題を起こす。特に、図１７（Ａ）に示すように、バイアホール１６０上に開口部７１を設ける時、バイアホール１６０の凹部内で樹脂残りを引き起こし易い。
【０００７】
また、図１７（Ｂ）に示すようにバリアー層である中間層７２を施した際に、導体回路１５８の粗化層１６２を完全に被覆できなかったり、中間層７２にポーラス状に隙間が形成したりする。それにより、中間層７２の表面から粗化層１６２が露出し、露出した粗化層１６２の表面に酸化物やリン化合物などが形成されたりする。その上に貴金属層７４を形成すると、リン化合物の拡散、或いは、貴金属の未形成などを起こし、耐食性や密着性が低下する。
【０００８】
更に、図１７（Ｂ）で示すように半田パッド内に粗化層１６２が、ニッケル等の中間層７２を貫通して貴金属層７４に達すると、当該貫通した粗化層１６２に熱が集中してクラック等の原因となることがあった。即ち、ニッケル等の中間層７２は抵抗が高いために、電流を流した際に、当該貫通した粗化層１６２に電流が集中して熱を発生させることがあった。
【０００９】
一方、図１７を参照して上述したように無電解めっきにて粗化層を形成する代わりに、図１８に示すように導体回路１５８上の表面をエッチング処理により粗化層１６４を形成した場合において同様な課題が残る。即ち、粗化層１６４上にめっきにより中間層７２を施した際、粗化層１６４の隙間にめっき液が回り込めず、隙間に気泡１９９が残ることがある。それにより、バイアホール１６０を形成する銅めっきと中間層７２との間で接続不良や、また、完成したプリント配線板において、該気泡に起因する半田バッドの剥離、中間層でクラックが発生することがある。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされてものであり、その目的とするところは、耐食金属層の剥がれ、クラックを起こすことのない接続性、信頼性に優れるプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提案することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
発明者が鋭意研究した結果、ソルダーレジスト層から露出した導体回路部分を平坦にした上に耐食金属層を形成させることにより、前述の問題を防止できることが分かった。また、前述の平坦化した導体回路の表層は、最大高さ（Ｒｊ）を１μｍ以下にすることにより、有機残さなどによる開口部内の断線を防止して、耐食金属層の形成を安定させたプリント配線板を得ることが分かった。特に望ましいのは最大高さが０．７５μｍ以下にすることである。それにより上記の問題を解決できるのに加えて、耐食金属層を無電解めっきで形成するための触媒を付与し易くなり、また、貴金属層の未形成がなくなる。
【００１２】
露出した導体回路の表層が最大高さで１μｍを越えると、前述の問題を引き起こすことが分かった。導体回路を平坦にする方法としては、エッチング液や塩酸、硝酸などの酸などの薬液により粗化層を除去する方法、レーザやプラズマなどによって粗化層を除去する方法や、耐食めっき以外の金属層で粗化層を被覆する方法の３通りがある。その詳細について以下に説明する。
【００１３】
１つ目は薬液により化学的に粗化層を除去する方法である。その方法に用いられる薬液は、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などの通常プリント配線板に用いられるエッチング液や塩酸、硝酸などの酸である。その薬液の濃度を適時調整して浸積したり、スプレーしたりして、露出した開口部内の導体回路の粗化層を溶解、又は一定範囲まで除去させる。それぞれの薬液の濃度は、形成する粗化層によって異なるために一概にはあらわせられない。その代わり粗化層を除去する除去速度は、エッチング液、酸ともに１〜５μｍ／ｍｉｎ．の範囲で行うのがよい。特に２〜４μｍ／ｍｉｎ．の範囲で行うのが望ましい。除去速度は、１μｍ／ｍｉｎ．未満では、粗化層の除去が確実に行われないために、平坦にできなかったり、溶解、除去に時間がかかりすぎるから実用的でない。５μｍ／ｍｉｎ．を越えると、粗化層だけでなく、開口部内の導体回路の線細り、断線を引き起こしたりし、除去の制御も難しくなる。平坦になった導体回路上にスマッドの残留、酸化膜が形成することがあるので、その後１０％程度の硫酸溶液に浸して除去してもよい。
【００１４】
２つ目は、機械的、物理的に除去する方法である。炭酸、エキシマ、ＹＡＧなどのレーザ、或いは、酸素、窒素、四塩化炭素などのプラズマを露出した導体回路に照射することによって、粗化層を除去する。レーザやプラズマを照射して粗化層の凹凸の凸部を焼き切ることにより、露出した導体回路上の有機残さをなくして平坦にする。また、開口部内に照射した熱により、粗化層の凸部を溶解させたり、あるいは照射した気体の圧力などで削り取ることによっても平坦にさせれる。その除去条件は、レーザの場合は形成する粗化層にもよるが、１ショットで行ってもよいし、数ショットに分けて行ってもよい。ソルダーレジスト層の損傷を小さくするためには、数ショットに分けて行う方がよい。また例えば、ソルダーレジスト層に開口を形成する際には、高出力で数ショットに分けて行い、開口を形成した後は１ショットで粗化層の熱溶解、除去を行ってもよい。出力やパルス幅などのレーザ照射条件は、形成される粗化層の粗化方法や平均粗度の大きさなどの粗化層を形成する要因、ソルダーレジスト層の樹脂、硬化剤、その他の添加剤の比率、硬度や厚みなどの因子によって異なるが、それぞれに合わせて設定するほうがよい。レーザも炭酸、ＹＡＧ、エキシマなどで導体回路の粗化層を除去し、平坦にすることができるものを使用できる。
【００１５】
プラズマの場合には、真空状態にしてプラズマ放射量５００〜８０００Ｗ、気体供給圧も０．１〜５．０ＭＰａ、処理時間５分〜３０分程度で行うことで粗化層と有機残さを同時に除去できる。各条件以上でプラズマ放射を行うと、ソルダーレジスト層によっては酸化や炭化してしまう。このため、条件は、粗化層の除去だけでなく、ソルダーレジスト層の表層の状態にも注意する必要がある。場合によっては、レーザとプラズマ処理とを経る方法や酸処理を経てもよい。
【００１６】
３つ目は、耐食金属以外の金属で粗化層を被覆する方法である。金属層で平坦にした後、耐食金属を形成させるものである。金属を被覆する方法は、めっき、電着、蒸着によって行う。厚みは、粗化層を完全に被覆する方法や粗化層の上面を露出する方法があるが、平坦にする方法であればどちらでもよい。
【００１７】
上記３つの方法のうち、レーザで行うのがよい。その理由としては、開口部の形成と導体回路の平坦化を同時に行うことができるからである。また、３つの方法の内、２つ以上の方法を混合して行ってもよい。露出した導体回路の平均粗度が１μｍ以下になるようにできれば、特に限定しない。
【００１８】
平坦にした導体回路上に、バリアー層である中間層をニッケル、パラジウム、コバルト、チタンなどの耐食金属で形成させる。中間層は、電解めっき、無電解めっき、置換めっきなどめっき、電着、蒸着などの方法で形成させる。特に耐食性、強度の点からニッケル、パラジウムで形成するのがよい。中間層の厚みは、０．１〜２０μｍの範囲で形成させるのがよい。０．１μｍ未満では、導体回路を完全に被覆できない場合があり、２０μｍを越えるとソルダーレジスト層からはみ出しやすくなるからである。中間層は、単層でも２層以上でもよい。２層以上で形成する場合、ニッケルーニッケルなどの同一の金属を形成するのも、ニッケルーパラジウムやパラジウムーニッケルなどの異なる金属を積層するのもよい。その際、各層の厚みは、下地の層の金属が被覆できて、ソルダーレジスト層からはみ出さないようにする必要がある。
【００１９】
次に、上層の貴金属層は、金、銀、白金の中から選ばれる金属で形成される。形成方法は、中間層と同様の方法で行うのがよい。貴金属層は、耐食性の点から金、銀で形成するのがよい。貴金属層は０．０１〜１μｍの範囲で形成するのがよい。０．０１μｍ未満では、中間層を完全に被覆することができなかったり、耐食性、信頼性に問題を引き起こしたりする。１μｍを越えると、上述の範囲と比べても、耐食性、信頼性に向上が見られなく、プリント板が高価になりすぎる。貴金属層の上には、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂなどの半田ペーストを印刷して、リフローを経て、半円状の半田バンプを形成せる。
【００２０】
本発明のプリント配線基板を製造する方法について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層を形成する。この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、この粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジストを形成する。めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジストを除去する。その後、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形成する。導体回路は、いずれも銅パタ−ンがよい。
【００２１】
導体回路を形成した基板には、導体回路あるいはスル−ホ−ルにより、凹部が形成される。その凹部を埋めるために樹脂充填剤を塗布する。乾燥した後、不要な樹脂充填剤を研磨により研削する。その後、導体回路を露出させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
【００２２】
次いで、露出した導体回路に粗化層を設ける。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面、またはめっき皮膜により形成された粗化面が望ましい。
【００２３】
本発明で使用される無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。
【００２４】
上述した無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された当該耐熱性樹脂粒子としては、▲１▼平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、▲２▼平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、▲３▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲４▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、▲５▼平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲６▼平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００２５】
当該酸あるいは、酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホ−ル用の開口をフォトリソグラフィ−により形成できるからである。
【００２６】
当該熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレ−トが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノ−ルノボラック型、クレゾ−ルノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００２７】
熱可塑性樹脂としては、ポリエ−テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルホォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ），ポリフェニルエ−テル（ＰＰＥ）、ポリエ−テルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
【００２８】
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できる。
当該耐熱性樹脂粒子の混合比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
【００２９】
耐熱性粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。
なお、接着剤は、組成の異なる２層により構成してもよい。
【００３０】
次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口を設ける。
層間絶縁樹脂層の硬化処理は、無電解めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて開口し、感光性樹脂である場合は露光現像処理にて開口する。なお、露光現像処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光、現像処理する。
【００３１】
次に、バイアホ−ル形成用開口を設けた層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸、又は酸化剤で溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。このとき、層間絶縁樹脂層に粗化層が形成される。
【００３２】
上記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
上記粗化層は、最大粗度Ｒｍａｘ０．１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００３３】
次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚みは、１〜５μｍ，より望ましくは２〜３μｍとする。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組成のものを使用できる。例えば、硫酸銅：29ｇ／ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ：140 ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍｌ、（ＰＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。
【００３４】
次に、このように形成した無電解めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ−トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパタ−ンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理することにより、めっきレジストパタ−ンを配設した非導体部分を形成する。
【００３５】
次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホ−ルとなる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきをもちいることが望ましく、その厚みは、１０〜２０μｍがよい。
【００３６】
次に、非導体回路部分のめっきレジストを除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した導体回路とバイアホ−ルを得る。なお、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除去する。
【００３７】
次いで、表層の導体回路に粗化層を形成する。形成される粗化層は、銅―ニッケルーリンからなる合金粗化層などを無電解めっき膜、第二銅錯体と有機酸塩など配合したエッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された粗化面であることが望ましい。
【００３８】
次いで、当該導体回路上にソルダ−レジスト層を形成する。本願発明におけるソルダーレジスト層の厚さは、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるからである。
ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
【００３９】
このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解することもない。
【００４０】
しかしながら、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じやすい。本発明に係る粗化層は、このような剥離を防止するためには有効である。
【００４１】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００４２】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜１０重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００４３】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３Ｏ-(CH２CH２Ｏ) ｎ  −CH３  （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt％がよい。
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００４４】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００４５】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ又は、共栄社化学製のＲ−６０４ような多価アクリル系モノマーが望ましい。
【００４６】
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を形成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。
【００４７】
その後、ソルダーレジスト層形成後に開口部から露出した導体回路をエッチング処理、酸処理、レーザ処理、プラズマ処理を行い粗化層を除去又は平坦化する。また、あるいは耐食金属以外の金属で粗化層を被覆して平坦にする。方法については種々の方法を混合してもよい。それにより、導体回路の表面の平均粗度を１μｍ以下にする。
【００４８】
平坦になった導体回路上にバリアー層として中間層を形成させる。形成には、無電解めっき層などのめっき膜、あるいは、電着、蒸着によって金属膜を形成させる。中間層は２層以上で形成してもよい。
【００４９】
中間層として、例えば無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッケルめっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させる。その後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させた。
【００５０】
ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０μｍで形成されるのがよい。特に望ましいのは３〜１０μｍの厚みで形成されるのがよい。０．５μｍ未満では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取りにくくなる。また、２０μｍを超えると、開口部に形成した半田バンプが収まりきれず、剥がれたりすることがある。その後、貴金属層を形成させる。形成には電解めっきなどのめっき膜、あるいは、電着、蒸着によって金属膜を形成させる。例えば、ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金めっき層を形成させる。厚みは、０．０３μｍである。
【００５１】
上述の例は、中間層としてニッケル、貴金属層を金で形成したものであるが、ニッケル以外に、パラジウム、チタンなどで形成する場合などがあり、金以外に銀、白金などがある。また、貴金属層を２層以上で形成してもよい。例を挙げると置換めっき、無電解めっきを経て、金めっき層を０．０５μｍ形成させるのもよい。
【００５２】
開口部に耐食金属層を施した後、半田ペーストを印刷により開口部内に充填する。その後、温度２５０℃にした窒素リフローを通し、半田バンプを開口部内に形成する。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施例に係わるプリント配線板の構成について図７及び図１０を参照して説明する。本実施例では、プリント配線板として多層プリント配線板について説明する。図７は該多層プリント配線板１０の断面図を、図１０は図７中、多層プリント配線板１０の円で囲んだ部分を拡大して示している。図７に示すように、多層プリント配線板１０ではコア基板３０の表面及び裏面に導体回路３４，３４が形成され、更に該導体回路３４，３４の上にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０とバイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０から成る。当該層間樹脂絶縁層１５０の上にはソルダーレジスト７０が形成されており、該ソルダーレジスト７０の開口部７１を介して、バイアホール１６０及び導体回路１５８（半田パッド７７）に半田バンプ７６が形成されている。
【００５４】
次に図１０を参照して最外層の導体回路について説明する。図１０は図７中、多層プリント配線板１０の円で囲んだ部分を拡大して示している。ソルダーレジスト７０の開口部７１で、バイアホール１６０及び導体回路１５８上には、厚さ５μｍのニッケルめっき層７２が形成されている。さらにニッケルめっき層７２の上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４が形成されている。そして、該金めっき層７４の上に半田バンプ７６が形成されている。ここで、バイアホール１６０及び導体回路１５８上には、ソルダーレジスト７０との密着性を改善するために無電解めっきからなる粗化層１６２が形成されている。本実施形態において、ソルダーレジスト層７０の開口部７１から露出した導体回路１５８の粗化層１６２は、後述するようにエッチング処理により平均粗度（Ｒａ）を１μｍ以下に平坦化されている。これにより、粗化層１６２に有機残さが残ることを防止し、該バイアホール１６０及び導体回路１５８とニッケルめっき層７２との密着性を高め、ニッケルめっき層７２の剥離を防止している。また、粗化層１６２が金めっき層７４まで貫通しないため、当該金めっき層７４の信頼性を低下させることがなく、更に、金めっき層７４まで貫通した粗化層による熱集中が発生することがない。
【００５５】
引き続き、上記多層プリント配線板１０の製造方法について説明する。ここでは、先ず、第１実施例の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤の組成について説明する。
【００５６】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００５７】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００５８】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２  球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００５９】
プリント配線板の製造
(1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に18μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１の工程（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターン３４とスルーホール３６を形成した（工程（Ｂ））。
【００６０】
(2) 内層銅パターン３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO２  （40ｇ／ｌ），  Na３PO４（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH４  （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン３４およびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（工程（Ｃ））。
【００６１】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００６２】
(4) 上記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後24時間以内に導体回路間あるいはスルーホール３６内に塗布、充填した。
塗布方法として、スキ−ジを用いた印刷法で行った。１回目の印刷塗布は、主にスルーホール３６内を充填して、乾燥炉内の温度100 ℃，２０分間乾燥させた。
また、２回目の印刷塗布は、主に導体回路（内層銅パターン）３４の形成で生じた凹部を充填して、導体回路３４と導体回路３４との間およびスルーホール３６内を樹脂充填剤４０で充填させたあと、前述の乾燥条件で乾燥させた（工程（Ｄ））。
【００６３】
(5) 上記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２の工程（Ｅ））。
次いで、100 ℃で１時間、 150℃で１時間、の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００６４】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同一平面となる。
【００６５】
(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．９×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．８×１０−３ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム７．８×１０−３ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）１．１×１０−４ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路およびスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層及び粗化層４２を設けた（工程（Ｆ））。
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００６６】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００６７】
(8) 上記(6) の基板３０の両面に、上記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（工程（Ｇ））。
【００６８】
(9) 上記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、85μｍφの黒円５１ａが印刷されたフォトマスクフィルム５１を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２  で露光した（工程（Ｈ））。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２  で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３の工程（Ｉ））。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００６９】
(10)開口４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした（工程（Ｊ））。
さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付けた。
【００７０】
(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 〜1.2 μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した（工程（Ｋ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              0.08  mol ／ｌ
硫酸銅                0.03  mol ／ｌ
ＨＣＨＯ              0.05  mol ／ｌ
ＮａＯＨ              0.05  mol ／ｌ
α、α’−ビピリジル   80   mg／ｌ
ＰＥＧ                0.10  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
65℃の液温度で20分
【００７１】
(12)上記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100 mJ／cm２  で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（工程（Ｌ））。
【００７２】
(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４の工程（Ｍ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                 2.24   mol ／ｌ
硫酸銅               0.26   mol ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
19.5 ml／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                １    Ａ／dm２  
時間                  65      分
温度                22±2     ℃
【００７３】
(14)めっきレジスト54を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ18μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（工程（Ｎ））。
【００７４】
(15)(6)と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって粗化層６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（工程（Ｏ））。
【００７５】
(16)前述(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８とバイアホール１６０とを形成し、多層配線基板を得た。但し、表層の粗化面１６２には、Sn置換は行わなかった（工程（Ｐ））。
【００７６】
(17)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【００７７】
(18)上記(16)で得られた多層プリント配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで塗布した（図５の工程（Ｑ））。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密着させて載置し、1000mJ／cm２  の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口７１を有する（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層７０（厚み20μｍ）を形成した（工程（Ｒ））。また図５の工程（Ｒ）において円で囲んで示した部分を図８（Ａ）に拡大して示した。
【００７８】
(19)その後、過硫酸ナトリウムを主成分としてエッチング液を毎分２μｍ程度に液を調整して、１分間浸積させて水洗などを経て、導体回路１５８及びバイアホール１６０の表面の平均粗度（Ｒａ）を１μｍ以下にした（工程（Ｓ））。また図５の工程（Ｓ）において円で囲んだ部分を図８（Ｂ）に拡大して示した。露出した導体回路を平坦にしたプリント配線板を塩化ニッケル2.3 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に、20分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した（図６の工程（Ｔ））。また図６の工程（Ｔ）において円で囲んだ部分を図９（Ａ）に拡大して示した。本実施例では、粗化層１６２の平坦化により、バイアホール１６０及び導体回路１５８とニッケルめっき層７２との密着性を高め、ニッケルめっき層７２の剥離を防止している。さらに、その基板を、シアン化金カリウム7.6 ×10−３ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.2 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成した（工程（Ｕ））。また図６の工程（Ｕ）において円で囲んだ部分を図９（Ｂ）に拡大して示した。本実施例では、平坦化により粗化層１６２が、ニッケル層７２を越えて金めっき層７４まで貫通することがないため、当該金めっき層７４の信頼性を低下させることがなく、更に、金めっき層７４まで貫通した粗化層による熱集中が発生することがない。
【００７９】
(20)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６を形成した（図７、及び図７の円で囲んだ部分を示す図１０参照）。
【００８０】
（第２実施例）
第１実施例とほぼ同様であるが、最外層の粗化層１６４をアゾール類の第二銅錯体と有機酸を配合したエッチング液（メック社製、商品名「メックエッチボンド」）を使用して形成した（図１１（Ａ）、及び図１１の円で囲んだ部分を示す図１１（Ｂ）参照）。その後、塩酸のエッチング量を毎分１．５μｍ程度になるように３％程度の希釈溶液にし、露出した導体回路１５８及びバイアホール１６０の表面を平均粗度（Ｒａ）１μｍ以下に平坦化した。その後、ニッケルめっき層７２、金めっき層７４にて耐食金属層を形成してプリント配線板を製造した（図１２（Ａ）、及び図１２（Ａ）の円で囲んだ部分を示す図１２（Ｂ）参照）。
【００８１】
（第３実施例）
第１実施例とほぼ同様であるが、最外層の粗化層１６２形成後、炭酸ガスレーザで、出力５ｋＷ、パルス幅５０μＳに調整して、１ヵ所当たり２ショットを照射して、粗化層１６２を溶解除去させて、露出した導体回路１５８を平均粗度（Ｒａ）１μｍ以下まで平坦にした。その後、ニッケルめっき層７２、金めっき層７４にて耐食金属層を形成してプリント配線板を製造した（図１３（Ａ）、及び図１３（Ａ）の円で囲んだ部分を示す図１３（Ｂ）参照）。
【００８２】
（第４実施例）
第１実施例とほぼ同様であるが、最外層の粗化層１６４をアゾール類の第二銅錯体と有機酸を配合したエッチング液（メック社製、商品名「メックエッチボンド」）を使用して形成した。その後、九州松下社製  プラズマクリーニング装置ＰＣ１２Ｆ−Ｇ型を用いて、真空状態にした後、基板に酸素プラズマ照射して粗化層１６４および有機残さの除去を行った。プラズマ照射条件は、プラズマ照射量１０００W、気体供給量５００ｓｅｃ．、処理時間１５分で行った。その後にめっきにてニッケルめっき層７２、金めっき層７４にて耐食金属層を形成してプリント配線板を製造した（図１４（Ａ）、及び図１４（Ａ）の円で囲んだ部分を示す図１４（Ｂ）参照）。
【００８３】
（第５実施例）
第１実施例とほぼ同様であるが、露出した導体回路１５８を平坦にした後に無電解めっきでニッケルめっき層７２形成して、置換めっき層７５、無電解めっきの金めっき層７４の順で耐食金属層を形成してプリント配線板を製造した（図１５（Ａ）、及び図１５（Ａ）の円で囲んだ部分を示す図１５（Ｂ）参照）。
【００８４】
（第６実施例）
第２実施例とほぼ同様であるが、露出した導体回路１５８を平坦にした後にめっきでニッケルめっき層７２、パラジウム層７３、金めっき層７４の順で耐食金属層を形成してプリント配線板を製造した（図１６（Ａ）、及び図１６（Ａ）の円で囲んだ部分を示す図１６（Ｂ）参照）。
【００８５】
（比較例１）
実施例１とほぼ同様であるが、露出した導体回路を平坦にしないでニッケル、金の順で耐食金属層を形成して、プリント配線板を製造した。
【００８６】
（比較例２）
実施例２とほぼ同様であるが、露出した導体回路を平坦にしないでニッケル、金の順で耐食金属層を形成して、プリント配線板を製造した。
【００８７】
【発明の効果】
以上、第１〜６実施例および比較例１，２で製造されたプリント配線板について、ニッケル層形成前の導体回路の粗度、ニッケル層をめっきにて５μｍを目標値として形成させて、ニッケル層の未析出、反応停止の発生率、変色の有無、厚み、半田ペーストを印刷で形成した後の半田バンプの形状異常の発生率、信頼性試験後（高温高湿バイアス印可条件  ８５℃／８５％／１．２Ｖ印可  ２００時間実施）の半田パッドの状態、導通試験の結果の計４項目について比較評価を行った。その結果を図１９に示す。
【００８８】
第１〜６実施例では、導体回路の平均粗度が１μｍ以下になり、ニッケル層を形成しても、未形成、変色などの形成、厚み等に問題を起こさなかった。その上層に金層を形成しても、形成、変色、厚みなどには問題を起こさなかった。（第６実施例ではパラジウム層も同様に問題なしであった。）半田ペーストを印刷にて形成させても、未充填、充填不足を起因とする半田バンプの形状異常などは起こさなかったので、ＩＣチップなどの電子部品の実装際、未接続による接続性もなかった。高温高湿下に晒した後に,、半田バンプおよび半田パッド内の金属層との剥がれ、クラックなども見当たらなかった。当然、導通にも断線、短絡などはなかった。
【００８９】
比較例１，２では、ニッケル層の未析出、変色が発生した。また、形成が途中で止まったりする反応停止が起きた。そのために金層を形成しても、ニッケル層の影響を受けて、未析出、変色を引き起こし、厚みも０．０１μｍ以下であるものが多々発生した。その後の半田バンプ形成も表層の金属層の表面状態が悪いために、形成異常が起り、接続性にも問題を起こした。信頼性試験を行うと、半田バンプと金属層との界面にクラックが見られたり、導体回路とニッケル層で剥がれが見られたりした。また、半田パッド内で断線が起こった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、図５に示す多層プリント配線板の一部を拡大して示す図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、図６に示す多層プリント配線板の一部を拡大して示す図である。
【図１０】図１０は図７に示す多層プリント配線板の一部を拡大して示す図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は本発明の第２実施例に係わる多層プリント配線板のの製造工程図及び一部を拡大して示す図である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は本発明の第２実施例に係わる多層プリント配線板のの断面図及び一部を拡大して示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は本発明の第３実施例に係わる多層プリント配線板のの断面図及び一部を拡大して示す図である。
【図１４】図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は本発明の第４実施例に係わる多層プリント配線板のの断面図及び一部を拡大して示す図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は本発明の第５実施例に係わる多層プリント配線板のの断面図及び一部を拡大して示す図である。
【図１６】図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は本発明の第６実施例に係わる多層プリント配線板のの断面図及び一部を拡大して示す図である。
【図１７】図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は、従来の技術における問題点を示す説明図である。
【図１８】図１８は、従来の技術における問題点を示す説明図である。
【図１９】第１〜６実施例および比較例１、２で製造されたプリント配線板について比較評価した結果を示す図表である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  導体回路
３６  スルーホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト
７１  開口部
７２  ニッケルめっき層
７３  パラジウム層
７４  金めっき層
７５  金めっき層
７６  半田バンプ
７７  半田パッド
８０Ａ、８０Ｂ  ビルドアップ配線層
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
１６２  粗化層
１６４  粗化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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