(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機層が積層され、前記一対の電極間に挟まれた前記発光層の部分で所定形状の複数の表示セグメントにより１桁の表示パタンが複数桁形成される有機ＥＬ素子において、
絶縁性の基板と、
前記表示パタンの各桁に共通する表示セグメントの直下を通るように前記基板の上に並列に形成された配線導体と、
前記複数の表示セグメントと近接又は当接する位置に当該複数の表示セグメントの共通配線の対象となる前記配線導体が露出するように前記各桁の表示パタンの表示セグメントから外れて位置する部分にスルーホールを有して前記基板の上に前記配線導体を覆うように形成された第一絶縁層と、
隣接する他の電極と接触しない形状に形成され、前記表示セグメントを形成する一部が前記スルーホール中の前記配線導体と電気的に接続されるように該スルーホール内に及んで前記第一絶縁層の上に形成された第一電極と、
前記表示セグメントの外縁部分を区画するように少なくとも前記スルーホールを覆って前記第一絶縁層の上に形成され、前記スルーホールから外れた位置に前記表示セグメントの形状に開口して前記第一電極の平坦面が露出する開口部を設けた第二絶縁層と、
該第二絶縁層の上に形成された有機層と、
該有機層の上に前記表示パタンの各桁毎に併設して形成された第二電極とを具備することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第一電極と前記第二電極の少なくとも一方が透明電極からなる請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記基板が絶縁性及び透光性を有しており、
前記配線導体、前記第一絶縁層及び前記第一電極が透光性材料からなる請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子と正孔の注入・再結合により発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、電極間に有機化合物材料の薄膜が積層されて固定した複数の表示セグメントを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子は、コダックのタンらが１９８７年のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．に報告しており、バックライト、固定パタン表示デバイスからドットマトリクスデバイスまで対応可能な素子として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を陰極と陽極との間に挟んだ積層構造を有し、前記薄膜に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示を行うものである。
【０００４】
図６は日の字型の表示セグメントにより表示パタンが形成された有機ＥＬ素子の平面図、図７は同有機ＥＬの断面図である。なお、図６では、表示セグメントの形状を表すため、有機層及び陽極の図示を省略している。
【０００５】
図６及び図７に示す有機ＥＬ素子３１は、日の字型の７つの表示セグメント３２（３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ）により１桁の表示パタン３３を形成しており、２桁の表示パタン３３Ａ，３３Ｂが並設されたものである。
【０００６】
更にその構成について詳述すると、ガラス基板３４の上には、例えばＡｌ，Ａｇ等の金属材料からなる配線導体３５が線状に形成されている。図６の例では、７本の配線導体３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆ，３５ｇが各表示パタン３３Ａ，３３Ｂの共通する表示セグメント３２間にわたって並列に形成されており、その一端がガラス基板３４の端部に引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。
【０００７】
配線導体３５が形成されたガラス基板３４の上には絶縁層３６が積層形成されている。図６の破線及び図７に示すように、絶縁層３６には、各表示パタン３３Ａ，３３Ｂの共通の表示セグメント３２が位置する部分の配線導体３５が露出するようにスルーホール３７が形成されている。
【０００８】
図７に示すように、絶縁層３６の上には、各スルーホール３７の内面及びスルーホール３７に露出する配線導体３５に被着するように陰極３８が形成されている。陰極３８はＡｌの金属電極からなり、発光領域となる表示パタン３３Ａ，３３Ｂを区画するように表示セグメント３２の形状に形成される。これにより、各桁の表示パタン３３Ａ，３３Ｂの共通する表示セグメント３２の陰極３８間は、表示セグメント３２の領域内に形成されたスルーホール３７を介して個々に配線導体３５に接続される。
【０００９】
図７に示すように、陰極３８が形成された絶縁層３６の上にはＬｉＦの薄膜からなる電子注入層３９が形成されており、さらに電子注入層３９の上には有機層４１が積層形成されている。図７における有機層４１は、絶縁層３６の上に成膜された発光層兼電子輸送層としてのトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3 という）有機膜４１ａと、Ａｌｑ3 有機膜４１ａの上に成膜された正孔輸送層としてのＢｉｓ（Ｎ−（１−naphtyl −Ｎ−phneyl）benzidine ）（以下、α−ＮＰＤという）有機膜４１ｂと、α−ＮＰＤ有機膜４１ｂの上に成膜された正孔注入層としての銅フタロシアニン（以下、ＣｕＰｃという）有機膜４１ｃの３層構造からなる。
【００１０】
図７に示すように、有機層４１の上には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜による陽極４２が表示パタン３３の各桁毎に形成されている。表示パタン３３の各桁の陽極４２は、その一部がガラス基板３４の端部まで引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。そして、陽極４２と陰極３８との間に挟まれた有機層４１の部分が発光領域となり、日の字型の形状による表示セグメント３２を形成している。
【００１１】
ガラス基板３４の外周縁部分には、不図示の透光性及び絶縁性を有するガラス製の封止基板が接着剤により固着されている。これにより、ガラス基板３４上に形成された素子を保護するパッケージを形成している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した有機ＥＬ素子３１では、表示セグメント３２の領域内にスルーホール３７が形成されているので、図６及び図７に示すように、表示パタン３３の共通する表示セグメント３２間を配線導体３５に共通接続する場合、絶縁層３６のスルーホール３７による凹みにより、絶縁層３６上に積層される陰極３８、有機層４１、陽極４２にも凹みが形成される。
【００１３】
このため、絶縁層３６の厚さを数百ｎｍと薄くして、陰極３８を数百ｎｍと厚くしても、絶縁層３６のスルーホール３７部分が周囲と同等の平面にならず、有機ＥＬ素子３１を発光させた場合、凹みが形成された部分での電界が大きくなり、発光層が薄くなったところでは発光が強くなり、発光層が厚くなったところでは発光が弱くなる。
【００１４】
また、絶縁層３６の厚さを更に薄くすれば、スルーホール３７の深さを浅くしてスルーホール３７による凹みを小さくすることはできるが、絶縁層３６にピンホールが多くなり、配線導体３５と表示パタン３３の絶縁不良が増加する。
【００１５】
更に、陰極３８を更に厚くして、スルーホール３７に充填させて絶縁層３６を平坦面にすると、陰極材料を多量に必要とする。
【００１６】
また、各表示セグメントが微小な表示パタンである場合、絶縁層に形成されるスルーホールが表示セグメントから食みだしてしまうと、本来共通接続されない表示セグメント間が接続されてしまい、所望の表示が得られないという問題を招く。しかも、上記のような微小な表示パタンにおいて、スルーホールを各表示セグメントの領域内に形成するための加工技術精度も要求される。
【００１７】
そこで、本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的とするところは、表示セグメントの領域外で配線導体が露出するようにスルーホールを有する第一絶縁層を形成して共通する表示セグメントの電極（陰極又は陽極）と配線導体とを電気的に接続させることにより、表示セグメントの領域を平坦面にして発光の安定化を図ることにある。
【００１８】
また、スルーホールを表示セグメントの領域に合わせて小さく形成する必要がなく、電極と配線導体の接続の信頼性の向上を図るとともに、設計上の負担軽減を図ることにある。
【００１９】
更に、スルーホールをセグメントから外れた位置に設け、配線導体と第一電極の間に第一絶縁層を設けることにより配線の設計を容易にすることにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機層が積層され、前記一対の電極間に挟まれた前記発光層の部分で所定形状の複数の表示セグメントにより１桁の表示パタンが複数桁形成される有機ＥＬ素子において、
絶縁性の基板と、
前記表示パタンの各桁に共通する表示セグメントの直下を通るように前記基板の上に並列に形成された配線導体と、
前記複数の表示セグメントと近接又は当接する位置に当該複数の表示セグメントの共通配線の対象となる前記配線導体が露出するように前記各桁の表示パタンの表示セグメントから外れて位置する部分にスルーホールを有して前記基板の上に前記配線導体を覆うように形成された第一絶縁層と、
隣接する他の電極と接触しない形状に形成され、前記表示セグメントを形成する一部が前記スルーホール中の前記配線導体と電気的に接続されるように該スルーホール内に及んで前記第一絶縁層の上に形成された第一電極と、
前記表示セグメントの外縁部分を区画するように少なくとも前記スルーホールを覆って前記第一絶縁層の上に形成され、前記スルーホールから外れた位置に前記表示セグメントの形状に開口して前記第一電極の平坦面が露出する開口部を設けた第二絶縁層と、
該第二絶縁層の上に形成された有機層と、
該有機層の上に前記表示パタンの各桁毎に併設して形成された第二電極とを具備することを特徴とする。
【００２２】
請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬ素子において、
前記第一電極と前記第二電極の少なくとも一方が透明電極からなることを特徴とする。
【００２４】
請求項３の発明は、請求項１の有機ＥＬ素子において、
前記基板が絶縁性及び透光性を有しており、
前記配線導体、前記第一絶縁層及び前記第一電極が透光性材料からなることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明による有機ＥＬ素子の第１実施の形態を示す概略平面図、図２は図１の有機ＥＬ素子の断面図、図３は本発明による有機ＥＬ素子の第２実施の形態を示す断面図、図４は本発明による有機ＥＬ素子の第３実施の形態を示す概略平面図、図５は図４の有機ＥＬ素子の断面図である。なお、図１及び図４では、表示セグメントの形状を表すため、有機層及び陽極の図示を省略している。
【００２６】
以下に説明する各実施の形態の有機ＥＬ素子１（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ）は、図１及び図３に示すように、日の字型の７つの表示セグメント２（２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ）により１桁の表示パタン３が形成され、２桁の表示パタン３Ａ，３Ｂが並設されている。なお、表示パタン３は、図示の日の字型の表示セグメント２に限定されるものではない。
【００２７】
まず、第１実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａの構成を図１及び図２に基づいて説明する。
【００２８】
第１実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａは、表面にＳｉＯ2 膜がコーティングされた絶縁性を有するガラス等の基板４を基部としている。基板４の上には、例えばＡｌ，Ａｇ等の金属材料からなる直線状の配線導体５が形成されている。この配線導体５は、表面にＳｉＯ2 膜がコーティングされた基板４上にＡｌ，Ａｇ等の金属薄膜を蒸着し、フォトリソグラフィー法により直線状に形成される。図１の例では、７本の配線導体５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇが各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの共通する表示セグメント２の直下を通るように並列に形成されており、その一端は基板４の端部に引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。
【００２９】
配線導体５が形成された基板４の上には第一絶縁層６が積層形成されている。第一絶縁層６は、蒸着法やスピンコート法等により透光性又は非透光性の膜として形成される。第一絶縁層６を透光性の膜として形成する場合には、例えば無機材料のＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 や有機材料のアクリル，ポリイミド等が用いられる。これに対し、第一絶縁層６を非透光性の膜として形成する場合には、例えば顔料や染料を含む樹脂等が用いられる。第一絶縁層６には、図１の破線及び図２に示すように、各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの表示セグメント２から外れて位置する部分で配線導体５が露出するようにスルーホール７が形成されている。このスルーホール７は、例えばフォトリソグラフィー法等により形成される。
【００３０】
なお、スクリーン印刷法によりスルーホール７付きの第一絶縁層６を直接配線導体５上に形成してもよい。また、図示はしないが、スルーホール７に導電材料をマスク蒸着法等により第一絶縁層６の厚さ分積層して平坦化してもよい。
【００３１】
第一絶縁層６の上には第一電極としての陰極８が形成されている。陰極８はＡｌからなる薄膜の金属電極である。この金属薄膜による陰極８は、フォトリソグラフィー法、マスク蒸着法等により例えば数１０〜数１００ｎｍの膜厚で成膜される。陰極８は、スルーホール７の内面及びスルーホール７に露出する配線導体５に被着し、隣接する他の陰極８と接触しない形状（例えば表示セグメント２よりも一回り大きい形状）で第一絶縁層６の上に形成される。
【００３２】
これにより、各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの共通する表示セグメント２の陰極８間は、表示セグメント２の領域から外れた位置でスルーホール７を介して個々に配線導体５に接続される。
【００３３】
なお、基板４は、配線導体５（５ａ〜５ｇ）、スルーホール７を有する第一絶縁層６、陰極８が順次形成された状態でＵＶオゾン洗浄が行われるようになっている。
【００３４】
陰極８を覆うように第一絶縁層６の上には、ＬｉＦからなる電子注入層１３が蒸着法により例えば厚さ１ｎｍ程度の薄膜で形成されている。
【００３５】
電子注入層１３の上には第二絶縁層９が形成されている。第二絶縁層９は、第一絶縁層６と同様の材料により透光性又は非透光性の膜として第一絶縁層６と同一の手法により形成される。第二絶縁層９には、各スルーホール７から外れた位置に、陰極８の平坦面が表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）の形状に露出して開口した開口部１０が形成されている。
【００３６】
開口部１０内を含む第二絶縁層９の上には、ＰＶＤ法（例えば抵抗加熱の蒸着法）により有機層１１が積層形成されている。図２における有機層１１は、第二絶縁層９の上に成膜された発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ3 有機膜１１ａと、Ａｌｑ3 有機膜１１ａの上に成膜された正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ有機膜１１ｂと、α−ＮＰＤ有機膜１１ｂの上に成膜された正孔注入層としてのＣｕＰｃ有機膜１１ｃの３層構造からなる。
【００３７】
なお、有機層１１は、上記の他、発光層と電荷輸送層（正孔輸送層、正孔注入・輸送層、電子注入層、電子注入・輸送層等）との組合せで構成することができる。具体的には、発光層一層のみ、発光層と正孔輸送層の二層、発光層と電子注入層の二層、正孔輸送層と発光層と電子注入層の三層等である。
【００３８】
発光層の発光材料としては、発光層そのものを発光させる場合には、例えばアルミキノリン（Ａｌｑ3 ）やジスチルアリーレン系化合物等が使用される。また、発光層に別の発光材料（ドーパント）を微量ドーピングすることで発光させる場合には、ドーパントとしてキナクリドン（Ｑｄ）やレーザ用の色素等が使用される。
【００３９】
図２に示すように、有機層１１（ＣｕＰｃ有機膜１１ｃ）の上には第二電極としての陽極１２がマスク蒸着法等により形成されている。陽極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide），Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明導電膜からなり、表示パタン３の各桁毎に形成される。表示パタン３の各桁の陽極１２は、その一部が基板４の端部まで引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。
【００４０】
そして、陽極１２と陰極８との間に挟まれた有機層１１の部分が発光領域となり、日の字型の形状による表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）を形成している。
【００４１】
基板４の外周縁部分には、不図示の透光性及び絶縁性を有するガラス等の封止基板が接着剤により固着されている。これにより、基板４上に形成された素子を保護するパッケージを形成している。パッケージ内には、内部をドライ雰囲気に保つための封入ガスＧとして、例えば露点−７０℃程度の窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスやドライエア等の活性の低いガスが封じ込まれている。
【００４２】
次に、図３に基づいて第２実施の形態の有機ＥＬ素子１Ｂの構成について説明する。なお、第１実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａと同一の構成要素には同一番号を付し、その説明を省略する。
【００４３】
上述した有機ＥＬ素子１Ａの第二絶縁層９が表示セグメント２の形状に開口した開口部１０を有して第一絶縁層６の上に形成されているのに対し、この第２実施の形態の有機ＥＬ素子１Ｂでは、第二絶縁層９が各スルーホール７を覆い、かつ表示セグメント２を形成する以外の陰極８の部位を覆うようにして第一絶縁層６の上に形成されている。その他の構成については第１実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａと同一である。
【００４４】
次に、図４及び図５に基づいて第３実施の形態の有機ＥＬ素子１Ｃの構成について説明する。なお、第１実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａと同一の構成要素には同一番号を付して説明する。
【００４５】
第３実施の形態の有機ＥＬ素子１Ｃは、表面にＳｉＯ2 膜がコーティングされた絶縁性及び透光性を有するガラス等の基板１４を基部としている。基板１４の上には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide），Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明導電膜からなる直線状の配線導体１５が形成されている。この配線導体１５は、表面にＳｉＯ2 膜がコーティングされた基板１４上にＩＴＯ，Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明導電膜を蒸着し、フォトリソグラフィー法により直線状に形成される。図４の例では、７本の配線導体１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ，１５ｇが各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの共通する表示セグメント２の直下を通るように並列に形成されており、その一端は基板１４の端部に引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。
【００４６】
配線導体１５が形成された基板１４の上には第一絶縁層１６が積層形成されている。第一絶縁層１６は、蒸着法やスピンコート法等により例えば無機材料のＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 や有機材料のアクリル，ポリイミド等により透光性を有する膜として形成される。第一絶縁層１６には、図４の破線及び図５に示すように、各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの表示セグメント２から外れて位置する部分で配線導体１５が露出するようにスルーホール１７が形成されている。このスルーホール１７は、例えばフォトリソグラフィー法等により形成される。
【００４７】
なお、スクリーン印刷法によりスルーホール１７付きの第一絶縁層１６を直接配線導体１５上に形成してもよい。また、図示はしないが、スルーホール１７に導電材料をマスク蒸着法等により第一絶縁層１６の厚さ分積層して平坦化してもよい。
【００４８】
第一絶縁層１６の上には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide），Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明導電膜からなる第一電極としての陽極１８がマスク蒸着法等により形成されている。陽極１８は、スルーホール１７の内面及びスルーホール１７に露出する配線導体１５に被着し、隣接する他の陽極１２と接触しない形状（例えば表示セグメント２よりも一回り大きい形状）で第一絶縁層１６の上に形成される。
【００４９】
これにより、各桁の表示パタン３Ａ，３Ｂの共通する表示セグメント２の陽極１８間は、表示セグメント２の領域から外れた位置でスルーホール１７を介して個々に配線導体１５に接続される。
【００５０】
陽極１２が形成された第一絶縁層１６の上には透光性又は非透光性の膜からなる第二絶縁層９が形成されている。第二絶縁層９は、第一絶縁層１６と同一の手法により形成される。第二絶縁層９には、各スルーホール１７から外れた位置に、陽極１８の平坦面が表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）の形状に露出して開口した開口部１０が形成されている。
【００５１】
なお、基板１４は、配線導体１５（１５ａ〜１５ｇ）、スルーホール１７を有する第一絶縁層１６、陽極１８が順次形成された状態でＵＶオゾン洗浄が行われるようになっている。
【００５２】
開口部１０内を含む第二絶縁層９の上には、ＰＶＤ法（例えば抵抗加熱の蒸着法）により有機層１１が積層形成されている。図５における有機層１１は、第二絶縁層９の上に成膜された正孔注入層としてのＣｕＰｃ有機膜１１ｃと、ＣｕＰｃ有機膜１１ｃの上に成膜された正孔輸送層としてのα−ＮＰＤ有機膜１１ｂと、α−ＮＰＤ有機膜１１ｂの上に成膜された発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ3 有機膜１１ａの３層構造からなる。
【００５３】
図５に示すように、有機層１１（Ａｌｑ3 有機膜１１ａ）の上には、ＬｉＦからなる電子注入層１９が蒸着法により例えば厚さ１ｎｍ程度の薄膜で形成されている。
【００５４】
電子注入層１９の上には第二電極としての陰極２２が形成されている。陰極２２はＡｌからなる薄膜の金属電極であり、表示パタン３の各桁毎に形成される。表示パタン３の各桁の陰極２２は、その一部が基板１４の端部まで引き出されて不図示の駆動回路（ドライバーＩＣ）に接続されている。
【００５５】
そして、陽極１８と陰極２２との間に挟まれた有機層１１の部分が発光領域となり、日の字型の形状による表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）を形成している。
【００５６】
基板１４の外周縁部分には、不図示の絶縁性を有するガラス等の封止基板が接着剤により固着されている。これにより、基板１４上に形成された素子を保護するパッケージを形成している。パッケージ内には、内部をドライ雰囲気に保つための封入ガスＧとして、例えば露点−７０℃程度の窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスやドライエア等の活性の低いガスが封じ込まれている。
【００５７】
このように、上述した各実施の形態の有機ＥＬ素子１Ａ，１Ｂ，１Ｃによれば、各桁の表示パタン３の共通する表示セグメント２の第一電極（陰極８又は陽極１８）と配線導体５（又は１５）の電気的な接続は、表示パタン３の表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）から外れた位置で第一絶縁層６（又は１６）に形成されたスルーホール７（又は１７）内で行われる構成なので、表示パタン３の各表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）が平坦面となり、スルーホール７（又は１７）内での第一電極と配線導体の接続に起因する発光の欠陥がなくなり、発光の安定化を図ることができる。
【００５８】
表示パタンから外れた位置にスルーホールが形成されるので、微細な表示パタンでも表示パタンのセグメントの形状に合わせてスルーホールを小さく形成する必要がなく、電極と配線導体の接続の信頼性の向上を図るとともに、設計上の負担軽減を図ることができる。
【００５９】
第一絶縁層６（又は１６）の厚さを数百ｎｍ以上にできるので、ピンホールの発生を防ぐことができる。
【００６０】
第一電極（陰極８又は陽極１８）の厚さは、第一電極と配線導体（５又は１５）の接続が可能であればよいので、第一電極を薄く形成することができ、第一電極を形成するための材料を節約できる。
【００６１】
ところで、上述した第３実施の形態において、一対の電極をなす陽極１８と陰極２２の両方を透光性を有する導電材料（透明電極）で形成してもよい。その場合、これにより、表示パタン３の各表示セグメント２（２ａ〜２ｇ）の発光を両側から観察することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の有機ＥＬ素子によれば、共通する表示セグメントの第一電極と配線導体の電気的な接続は、表示セグメントから外れた位置で第一絶縁層に形成されたスルーホール内で行われる構成なので、表示セグメントが平坦面となり、スルーホール内での第一電極と配線導体の接続に起因する発光の欠陥がなくなり、発光の安定化を図ることができる。
【００６３】
表示パタンから外れた位置にスルーホールが形成されるので、微細な表示パタンでも表示セグメントの形状に合わせてスルーホールを小さく形成する必要がなく、電極（陰極又は陽極）と配線導体の接続の信頼性の向上が図れるとともに、設計上の負担を軽することができる。
【００６４】
第一絶縁層の厚さを数百ｎｍ以上にできるので、ピンホールの発生を防ぐことができる。
【００６５】
第一電極の厚さは、第一電極と配線導体の接続が可能であればよいので、第一電極を薄く形成でき、第一電極を形成するための材料を節約できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による有機ＥＬ素子の第１実施の形態を示す概略平面図
【図２】図１の有機ＥＬ素子の断面図
【図３】本発明による有機ＥＬ素子の第２実施の形態を示す断面図
【図４】本発明による有機ＥＬ素子の第３実施の形態を示す概略平面図
【図５】図４の有機ＥＬ素子の断面図
【図６】従来の有機ＥＬ素子の一例を示す平面図
【図７】図６の有機ＥＬ素子の断面図
【符号の説明】
１（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ）…有機ＥＬ素子、２（２ａ〜２ｇ）…表示セグメント、３…表示パタン、４，１４…基板、５，１５…配線導体、６，１６…第一絶縁層、７，１７…スルーホール、８，２２…陰極、９…第二絶縁層、１１…有機層、１２，１８…陽極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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