(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板である伝搬基板と、前記伝搬基板に直接接合により積層された補助基板と、前記伝搬基板の前記補助基板との接合面と反対側の面上に形成され、弾性波を励振する櫛形電極とを備え、
前記伝搬基板と前記補助基板とは、少なくとも前記櫛形電極形成領域の直下の領域では、互いに接合しておらず、
前記補助基板の前記弾性波の伝搬方向の熱膨張係数は、前記伝搬基板の前記弾性波の伝搬方向の熱膨張係数より小さいことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記伝搬基板側に、凹部または溝が形成され、その凹部または溝の存在によって、前記伝搬基板と前記補助基板とが接合しない領域を形成していることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記補助基板側に、凹部または溝が形成され、その凹部または溝の存在によって、前記伝搬基板と前記補助基板とが接合しない領域を形成していることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記伝搬基板と前記補助基板とが接合する領域は、前記伝搬基板の全周囲に渡っていることを特徴とする請求項１，２，または３記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記伝搬基板と前記補助基板とは実質上矩形形状をしており、それら基板同士が接合する領域は、前記伝搬基板のいずれかの一対の対向する二辺に存在することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記いずれかの一対の対向する二辺とは、二つある一対の二辺の内、前記弾性波の伝搬方向に実質上垂直な面内における受ける応力がより均一となる方の、一対の二辺であることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
前記溝は、前記櫛形電極の指の方向に平行に形成されていることを特徴とする請求項２または３記載の弾性表面波素子。
【請求項８】
前記伝搬基板の熱膨張係数は異方性を有し、前記溝は、前記伝搬基板の熱膨張係数のより大きい方向に実質上垂直な方向に形成されていることを特徴とする請求項２または３記載の弾性表面波素子。
【請求項９】
前記直接接合は、前記伝搬基板および前記補助基板それぞれの基板表面を平坦化し、鏡面化し、清浄化し、親水化して、重ね合わせた後、熱処理により接合したものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の弾性表面波素子と、アンテナと、送信信号処理回路と、受信信号処理回路とを備え、
前記弾性表面波素子は、フィルタ又は発振子として用いられていることを特徴とする移動体通信機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信機器等に使用される弾性表面波素子等に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、移動体通信技術の進歩発達により、通信機器の高性能化が進んでいる。これらの機器には必ず高周波フィルタや発振子やといったデバイスが必要であり、これらのデバイスに対しても高性能化が求められている。従来よりこれらのデバイスには弾性表面波素子が広く用いられている。
【０００３】
弾性表面波素子の特性は、主に弾性表面波が伝搬する圧電基板によって決まる。圧電基板の特性として重要なのは電気機械結合係数と温度依存性である。電気機械結合係数は、弾性表面波素子によって構成されるフィルタの通過周波数帯域幅や、共振器のＱ値に関わる量であり、温度依存性は、温度変化に対してのフィルタの中心周波数の変動量や、共振器の共振周波数の変動量に関わる。また、電気機械結合係数や温度依存性は圧電基板の材料および基板方位に固有である。
【０００４】
弾性表面波素子を形成する圧電基板に要求される特性は、たとえば高周波帯域においては通過帯域を広く確保するため、電気機械結合係数が大きいこと、また、周波数変動を抑制するため、温度依存性が小さいことである。しかしながら、既存の圧電基板については、電気機械結合係数が大きいものは、温度依存性も大きい。このため、電気機械結合係数が大きく、温度依存性が小さい弾性表面波素子を実現することが、フィルタ設計において課題となっている。
【０００５】
移動体通信の方式のひとつであるＰＣＮシステムを一例として説明する。ＰＣＮシステムは、高周波帯域における送信周波数帯域と受信周波数帯域の周波数間隔が２０ＭＨｚと狭い。高周波帯域のフィルタ設計において、素子の製造偏差および温度変化による周波数変動量を考慮すると、送信周波数帯域フィルタと受信周波数帯域フィルタの周波数間隔がさらに狭くなる。
【０００６】
したがって、送信帯域に対する受信周波数帯域フィルタの減衰量、および受信帯域に対する送信周波数帯域フィルタの減衰量、いわゆる帯域間減衰量の確保が難しくなる。たとえば、圧電基板として３６゜回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用いた場合、電気機械結合係数は５％、温度依存性（遅延時間温度係数；ＴＣＤ）は３５ｐｐｍ／℃であるため、実質的な帯域間隔は１０数ＭＨｚとなり、十分な帯域間減衰量を確保することができない。したがって、周波数帯域幅の確保のために電気機械結合係数が５％程度もしくはそれ以上で、帯域間減衰量の確保のためにＴＣＤが３５ｐｐｍ／℃より小さい圧電基板が望まれている。
【０００７】
しかしながら、電気機械結合係数が大きく、ＴＣＤが小さい圧電基板があればよいが、既存基板にはそのようなものはない。そのため、既存基板のＴＣＤを低減する方法が提案されている。
【０００８】
たとえば、アイ・イー・イー・イー  トランザクションズ  オン  ソニックスアンド  ウルトラソニックス，ボリューム  ＳＵ−３１，第５１頁〜第５７頁（１９８４年）(IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, volume SU-31, pp. 51-57(1984))に示されるように、ニオブ酸リチウム基板上に、その材料温度係数の符号と逆の酸化珪素薄膜層を形成することによって、弾性表面波伝搬特性の温度依存性を改善する方法が知られている。
【０００９】
しかしながら、前記アイ・イー・イー・イーの方法においては、温度特性の改善効果を得るためには酸化珪素薄膜層の厚みを最大でも使用弾性表面波波長に対して１波長以内のように極めて薄くする必要がある。しかし、そのような薄い酸化珪素膜層の厚みおよび膜質を均一にすることは困難である。
【００１０】
これらの課題を解決するものとして、特開平６−３２６５５３公報に示される温度特性改善方法がある。この方法は、熱膨張係数の異なる基板を直接接合によって積層化した基板を用いるものであり、基板単独の場合と比較して積層化した基板の実質的な熱膨張係数は低減され、その結果弾性表面波素子の温度依存性が改善されるものである。
【００１１】
以下に、特開平６−３２６５５３公報に示される温度特性改善方法に基づく、従来の弾性表面波素子について説明する。
【００１２】
図１１は直接接合による積層基板を用いた従来の弾性表面波素子の断面図である。図１１において、３１は圧電基板である伝搬基板、３２は低熱膨張係数材料を用いた補助基板、３３は櫛形電極である。
【００１３】
伝搬基板３１と補助基板３２とは、直接接合されている。伝搬基板３１としてはタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムが用いられる。伝搬基板３１の厚みは通常、使用波長の５倍以上である。伝搬基板３１と補助基板３２の熱膨張係数が異なることから貼り合わせ基板の実質的な熱膨張係数は、それらの基板が有する熱膨張係数とは異なるものとなり、その結果温度依存性も異なるものとなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の弾性表面波素子は、以下のような課題を有している。
【００１５】
従来の弾性表面波素子は、伝搬基板と補助基板を全面で接合している。この場合、基板接合が完全であればよいが、基板接合が不十分であると、温度変化によって伝搬基板表層に作用する応力は、均一ではなくなる。その結果、弾性表面波が基板上を伝達する途中で、弾性表面波速度が変化する。また、場合によっては弾性表面波伝搬損失が増大する。
【００１６】
本発明は、このような従来の弾性表面波素子において、基板の接合強度が接合面において不均一であることによって、弾性表面波の伝搬特性にばらつきを生じるという課題を考慮し、良好な温度特性を有する弾性表面波素子を提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明（請求項１に対応）は、圧電基板である伝搬基板と、前記伝搬基板に直接接合により積層された補助基板と、前記伝搬基板の前記補助基板との接合面と反対側の面上に形成され、弾性波を励振する櫛形電極とを備え、
前記伝搬基板と前記補助基板とは、少なくとも前記櫛形電極形成領域の直下の領域では、互いに接合しておらず、
前記補助基板の前記弾性波の伝搬方向の熱膨張係数は、前記伝搬基板の前記弾性波の伝搬方向の熱膨張係数より小さいことを特徴とする弾性表面波素子である。
【００１８】
第２の本発明（請求項２に対応）は、前記伝搬基板側に、凹部または溝が形成され、その凹部または溝の存在によって、前記伝搬基板と前記補助基板とが接合しない領域を形成していることを特徴とする第１の本発明の弾性表面波素子である。
【００１９】
第３の本発明（請求項３に対応）は、前記補助基板側に、凹部または溝が形成され、その凹部または溝の存在によって、前記伝搬基板と前記補助基板とが接合しない領域を形成していることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
【００２０】
第４の本発明（請求項４に対応）は、前記伝搬基板と前記補助基板とが接合する領域は、前記伝搬基板の全周囲に渡っていることを特徴とする第１，２，または３の本発明の弾性表面波素子である。
【００２１】
第５の本発明（請求項５に対応）は、前記伝搬基板と前記補助基板とは実質上矩形形状をしており、それら基板同士が接合する領域は、前記伝搬基板のいずれかの一対の対向する二辺に存在することを特徴とする第１の本発明の弾性表面波素子である。
【００２２】
第６の本発明（請求項６に対応）は、前記いずれかの一対の対向する二辺とは、二つある一対の二辺の内、前記弾性波の伝搬方向に実質上垂直な面内における受ける応力がより均一となる方の、一対の二辺であることを特徴とする第５の本発明の弾性表面波素子である。
【００２３】
第７の本発明（請求項７に対応）は、前記溝は、前記櫛形電極の指の方向に平行に形成されていることを特徴とする第２または３の本発明の弾性表面波素子である。
【００２４】
第８の本発明（請求項８に対応）は、前記伝搬基板の熱膨張係数は異方性を有し、前記溝は、前記伝搬基板の熱膨張係数のより大きい方向に実質上垂直な方向に形成されていることを特徴とする第２または３の本発明の弾性表面波素子である。
【００２５】
第９の本発明（請求項９に対応）は、前記直接接合は、前記伝搬基板および前記補助基板それぞれの基板表面を平坦化し、鏡面化し、清浄化し、親水化して、重ね合わせた後、熱処理により接合したものであることを特徴とする第１〜８の本発明のいずれかの弾性表面波素子である。
【００２６】
第１０の本発明（請求項１０に対応）は、第１〜９の本発明のいずれかの弾性表面波素子と、アンテナと、送信信号処理回路と、受信信号処理回路とを備え、前記弾性表面波素子は、フィルタ又は発振子として用いられていることを特徴とする移動体通信機器である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図であり、図２は、図１のａ−ａ’部での断面図である。図１と図２に示す弾性表面波素子は、圧電基板である矩形状の伝搬基板１１、矩形状の補助基板１２、櫛形電極１３で構成されている。
【００３０】
櫛形電極１３は、伝搬基板１１の補助基板１２との接合面と反対側の面上に形成され、伝搬基板１１の補助基板１２に相対する面には、櫛形電極１３を構成する櫛形電極指と実質的に平行な方向に、溝１４が形成されている。
【００３１】
図３は、伝搬基板１１と補助基板１２を分解して示す斜視図である。本実施の形態における弾性表面波素子においては、伝搬基板１１と補助基板１２とが直接接合により接着剤なしに積層化されている。
【００３２】
なお、本実施の形態における弾性表面波素子においては、伝搬基板１１として厚さ１００μｍの３６°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板を用い、補助基板１２として厚さ３００μｍの低熱膨張ガラス基板を用いている。
【００３３】
次に、このような本実施の形態の動作を説明する。櫛形電極１３に交番電界を印加することによって、弾性表面波が励振され、伝搬基板１１表面に沿って弾性表面波が伝搬する。この弾性表面波は櫛形電極１３で再び電気信号に変換される。以上によって、弾性表面波素子として機能するものである。
【００３４】
なお、図１と図２には、櫛形電極１３を用いた弾性表面波素子の基本構成を示しているが、フィルタや共振子にする場合には、櫛形電極の数や構成を必要に応じて変更する。
【００３５】
次に、本実施の形態の弾性表面波素子の温度特性補償方法について説明する。
【００３６】
まず、温度特性について説明する。弾性表面波素子の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）は温度特性を示す量のひとつであり、近似的に伝搬基板の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数αと弾性表面波速度の温度係数（ＴＣＶ）の差で表される。また、ＴＣＶは主に伝搬基板の弾性定数の温度係数と、伝搬基板の密度の温度係数に依存し、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの電気機械結合係数の大きい基板は、ＴＣＶは負値である。
【００３７】
伝搬基板１１の深さ方向における弾性表面波のエネルギーは、弾性表面波波長の約１波長以内にほとんどが集中する。本実施の形態における伝搬基板１１の厚みは弾性表面波波長の１０倍以上であるため、ＴＣＶは伝搬基板１１の基板定数（材料定数）で決定され、補助基板１２の基板定数（材料定数）には関わらない。
【００３８】
本実施の形態においては、弾性表面波伝搬方向における熱膨張係数について、伝搬基板１１の方が、補助基板１２よりも大きい。
【００３９】
このような伝搬基板１１と補助基板１２を直接接合している。その結果、正の温度変化に対して伝搬基板１１の表層では圧縮応力が作用し、伝搬基板１１単体の場合よりも、伝搬基板１１の伸びが抑制される。
【００４０】
そのため伝搬基板１１の密度変化も抑制されるが、同時に応力によって弾性定数変化（弾性定数自体の減少および弾性定数温度係数の減少）も生じる。密度変化の抑制はＴＣＶの増大に寄与し、前記弾性定数変化はＴＣＶへの減少に寄与するが、前記弾性定数変化の影響が大きく、結果として伝搬基板単体の場合よりもＴＣＶは減少する。最終的には、弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数係数が小さくなることとあわせ、前記弾性表面波素子のＴＣＤは減少する。
【００４１】
以上によって、本実施の形態の弾性表面波素子の温度特性補償が行われる。
【００４２】
つづいて本実施の形態における弾性表面波素子の製造プロセスについて説明する。
【００４３】
本実施の形態の弾性表面波素子における製造プロセスは、伝搬基板１１上の溝１４形成と直接接合の大きく２つのプロセスに分かれる。
【００４４】
まず伝搬基板１１上の溝１４形成について説明する。
【００４５】
伝搬基板１１を洗浄したのち、伝搬基板１１の溝１４形成予定面以外の場所にレジストマスクを形成する。次にレジストマスクを形成した伝搬基板１１をフッ酸と硝酸の混合液でエッチングする。本実施の形態においては、伝搬基板１１はタンタル酸リチウムであるため、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液を用いるが、基板材料に応じて適切なエッチング液を用いる。溝１４形成工程終了後、レジストマスクを除去する。
【００４６】
あるいは、伝搬基板１１の溝１４は以下のように形成してもよい。伝搬基板１１の溝１４形成予定面以外の面は鏡面研磨されている。溝１４は、ダイシング・ソーを用いて、溝１４の断面が矩形もしくは矩形に準じる形状となるように、形成される。広幅の溝１４を形成する場合は、複数回ダイシングブレードを入れることによって所望の溝幅とする。
【００４７】
また、伝搬基板１１の溝１４は次のように形成してもよい。まず伝搬基板１１を洗浄したのち、伝搬基板１１の溝１４形成予定面以外の面にレジストマスクを形成する。つぎにレジストマスクを形成した伝搬基板１１の溝１４形成予定面をブラスト砥粒によってサンドブラストする。最後にレジストマスクを除去する。
【００４８】
なお、伝搬基板１１の溝１４形成は上記の方法に限定するものではなく、溝１４を形成するものであれば方法は問わない。
【００４９】
また、本実施の形態においては、溝１４断面が矩形もしくは矩形に準じる形状であるが、Ｖ字型あるいは他の断面形状であってもよい。
【００５０】
次に、直接接合について説明する。
【００５１】
まず、直接接合しようとする伝搬基板１１の表面ならびに補助基板１２の溝１４形成面を清浄化する。続いて前記伝搬基板１１の表面と前記補助基板１２の溝１４形成面を親水化処理する。具体的には例えばアンモニア−過酸化水素溶液に浸すことにより、基板表面に水酸基が容易に付着するようになり親水化される。次に純水で十分に洗浄する。これにより基板表面に水酸基が付着する。
【００５２】
この状態で基板を重ね合わせると、主として水酸基の水素結合により重ね合わせた基板どうしが吸着する。これにより、伝搬基板１１の表面ならびに補助基板１２の表面が原子レベルで結合し、両基板の直接接合構造が実現される。以上のプロセスは室温で行う。
【００５３】
このままでも十分な接合強度が得られているが、さらに接合強度を強固とするために、その吸着状態のままで、１００℃以上の温度で数１０分から数１０時間熱処理することにより、接合界面から水構成成分が抜けていく。本実施の形態においては約３００℃で１０時間の熱処理を行っている。
【００５４】
この熱処理によって、水酸基による水素結合主体の結合から、酸素や水素、また基板構成原子の関わる結合が進み、基板構成原子同士の接合が序々に始まり、接合は強化される。特に、珪素や炭素、酸素がある場合、共有結合が進み、接合は強化される。
【００５５】
以上のプロセスによって得られた接合基板に、フォトリソグラフィーによって接合基板上に櫛形電極１３を形成する。本実施の形態においては、櫛形電極１３を櫛形電極指と伝搬基板１１に形成した溝１４とが平行となるように配置している。以上のプロセスを経て、本実施の形態における弾性表面波素子は製造される。
【００５６】
つづいて、本実施の形態の弾性表面波素子の伝搬基板１１の溝１４について説明する。本実施の形態では、基板接合の熱処理工程において、接合基板に作用する応力を緩和させ、また、伝搬基板１４表層の弾性表面波伝搬領域に応力を一様に作用させることを目的として溝１４を形成している。
【００５７】
ここで、応力の緩和は接合基板を破砕を抑制するために必要であり、また、伝搬基板１４表層の弾性表面波伝搬領域への一様な応力の作用は弾性表面波素子として良好な特性を得るために必要である。
【００５８】
応力を緩和するためには、基板接合面積を小さくすればよい。これは基板接合面積が小さくなると接合基板の熱歪みも小さくなるためであり、結果として応力が緩和される。そのため、本実施の形態では基板接合面積を小さくする方法として伝搬基板１１の裏面へ溝１４形成を行っている。
【００５９】
応力緩和の度合いは、溝１４の形成方法、言い換えると溝１４の形成方向や大きさによって変化する。例えば、形成方向については、弾性表面波伝搬方向に対して垂直に溝１４形成した場合、弾性表面波伝搬方向の応力が緩和される。
【００６０】
一方、弾性表面波伝搬方向に対して平行に溝１４形成した場合は、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向の応力が緩和される。また、応力の大きさは、応力の作用する方向における伝搬基板１１と補助基板１２の熱膨張係数差に比例するため、本実施の形態では、熱膨張係数差が大きい方向に垂直に溝１４を形成すると応力緩和が効果的に行われる。しかし、溝１４を弾性表面波伝搬方向に垂直に形成すると、基板接合面積が小さくなり、十分な接合強度が得られない場合がある。
【００６１】
例えば、櫛形電極１３形成領域に対して、弾性表面波伝搬方向の基板寸法が大きくないときがこの場合にあたる。このとき、温度特性補償効果がきわめて小さくなる。そのような場合には、溝１４を弾性表面波伝搬方向に平行に形成してもよい。
【００６２】
また応力緩和の大きさについては、溝１４が深いほど応力緩和は大きくなり、溝１４の幅が広いほど応力緩和が大きくなる。本実施の形態においては溝１４の深さは平均で３０μｍ、溝１４の幅は４００μｍとしているが、溝１４を深くすることによってさらに応力の緩和が行われ、また、溝１４の幅を４００μｍとしたが、溝１４の幅を広くすることによってもさらに応力の緩和が行われる。
【００６３】
溝１４を形成した状態で、伝搬基板１１表層の弾性表面波伝搬領域に応力を一様に作用させるためにも、溝１４の形成方向、さらに溝１４形成位置どのようにするかが重要である。本実施の形態では、伝搬基板１１として圧電性材料を用いているが、圧電性材料は熱膨張係数に異方性を有する。
【００６４】
すなわち、伝搬基板１１面内では方向によって熱伸縮の大きさが異なる。そのため、溝形１４成方向が弾性表面波伝搬方向に対して斜めの場合、伝搬基板１１表層の弾性表面波伝搬領域において応力分布が生じるので、この領域を伝搬する弾性表面波伝搬特性たとえば弾性表面波音速が伝搬領域において一様でなくなり、好ましくない。
【００６５】
したがって、伝搬基板１１表層の弾性表面波伝搬領域に一様に応力を作用させるために、弾性表面波伝搬方向に垂直もしくは平行に溝１４形成をする必要がある。また、溝１４の形成位置については、一様に応力を作用させるために、少なくとも櫛形電極１３形成領域の直下、あるいは櫛形電極１３を含む弾性表面波の伝搬領域の直下であることが望ましい。
【００６６】
これは、伝搬基板１１表層の弾性表面波伝搬領域の直下に溝１４部分と接合部分が併せてある場合、熱歪みの差によってその領域での応力が一様でなくなるためである。
【００６７】
本実施の形態の弾性表面波素子の効果を確認するため、本実施の形態の弾性表面波素子と従来の弾性表面波素子を作製し、電気機械結合係数およびＴＣＤといった弾性表面波伝搬特性を測定して比較を行った。比較の対象とする従来の弾性表面波素子は、本実施の形態の伝搬基板１１裏面に溝形成をしている点を除き、基板材料の組み合わせや寸法などは同じである。
【００６８】
なお、本実施の形態においては、伝搬基板１１として異方性材料の３６゜回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム、補助基板１２として等方性材料のガラスを用いており、伝搬基板１１の、弾性表面波伝搬方向であるＸ方向の熱膨張係数は１６ｐｐｍ／℃であり、また、補助基板１２の熱膨張係数は４ｐｐｍ／℃であった。
【００６９】
本実施の形態の弾性表面波素子ならびに従来の弾性表面波素子ともに基板接合の熱処理工程の熱処理条件を約３００℃で１０時間としたが、従来の弾性表面波素子は、作用する熱応力が伝搬基板１１もしくは補助基板１２の弾性限界を超えて、接合基板の一部に破砕が生じた。
【００７０】
一方、本実施の形態では伝搬基板１１への溝１４形成によって、接合基板に作用する応力が緩和されるため、熱処理工程における基板破砕を抑制することができた。つぎに、弾性表面波伝搬特性を比較した。
【００７１】
なお、ＴＣＤについては、ＴＣＤと異符号で絶対値が同じであるところの周波数温度係数を測定し、それの異符号をとってＴＣＤの測定値としたものである。電気機械結合係数については、どちらの弾性表面波素子においても５％程度で差がなかった。
【００７２】
一方、ＴＣＤについては、従来の弾性表面波素子が２５ｐｐｍ／℃であるのに対し、本実施の形態における弾性表面波素子は２８ｐｐｍ／℃であり、伝搬基板（３６゜回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム）単体を用いた弾性表面波素子のＴＣＤ（３６ｐｐｍ／℃）に対して改善されていることが確認された。なお、図１２にその伝搬基板単体を用いた弾性表面波素子の断面図を示す。
【００７３】
また、本発明の実施の形態では、周波数応答についても変化はなく、弾性表面波音速に変化がないことが確認された。また、従来の弾性表面波素子に比べ、接合の不良による特性のばらつきも低減され、安定した特性が得られていることも確認された。
【００７４】
以上のように、本実施の形態によれば、基板接合の熱処理工程における基板破砕を抑制し、また、電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることができる。
【００７５】
本実施の形態においては、弾性表面波の伝搬方向の熱膨張係数の大きな伝搬基板１１と、弾性表面波の伝搬方向の熱膨張係数の小さな補助基板１２を直接接合しており、正の温度変化により伝搬基板１１表層では、圧縮応力が作用し、伝搬基板１１本来の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい値を示し、密度変化も小さくなる。
【００７６】
また、本実施の形態においては、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向に作用する応力は従来のものと比較して緩和される。一方、弾性表面波伝搬方向に平行な方向については、伝搬基板１１と補助基板１２が直接接合されているため、応力が従来のものとほぼ同等に作用する。
【００７７】
なお、本実施の形態では、溝１４の幅を４００μｍとしたが、溝１４の幅を広くすることによってさらに応力の緩和が行われる。また、溝１４の深さを平均で２０μｍとしたが、溝１４を深くすることによってさらに応力の緩和が行われる。また、本実施の形態においては、溝１４断面が矩形もしくは矩形に準じる形状であるが、Ｖ字型あるいは他の断面形状であってもよい。
【００７８】
また、直接接合プロセスにおいては、接合面にパーティクルやダスト等の異物がある場合、異物のある部分では接合が行われず空隙が生じる、あるいは接合強度が著しく弱くなる、といった接合不良の原因となる。基板を直接接合する場合、連続接合面積が小さいほど接合不良の可能性は低くなるが、溝１４形成によって接合面を分割することによって、連続接合面積は減少し、接合不良の可能性を低減することができる。
【００７９】
本実施の形態では、弾性表面波の伝搬する伝搬基板１１表層の直下領域では基板接合を行わないため、この領域での接合不良は生じない。そのため弾性表面波伝搬特性の変動や劣化は生じない。
【００８０】
また、本実施の形態においては、伝搬基板１１として３６°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用いたが、これに限らず、他の結晶方位を用いた場合でも、補助基板１２の弾性波伝搬方向の熱膨張係数が伝搬基板１１の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい基板を用いれば、同様の効果が得られる。
【００８１】
また、本実施の形態においては、補助基板１２としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなどの他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板１２としてガラスを用いた場合には、その非結晶性により、単結晶である伝搬基板１１との接合が容易となる。また、ガラスの場合には、その組成によって種々の機械的性質を持った材料を得ることができ、温度特性の制御が容易となる。
【００８２】
また、本実施の形態の伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下には、従来の弾性表面波素子が有している伝搬基板３１と補助基板３２の鏡面接合界面がなく、さらに溝１４形成の際に、伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下が実質的に荒らし加工を施したのと同じ状態になっているため、溝１４は伝搬基板１１裏面でのバルク波反射に起因する弾性表面波素子の周波数応答における不要スプリアスを抑制する効果もある。
【００８３】
さらに、本実施の形態においては、溝１４部分は空洞となっているが、たとえば基板接合後、毛細管現象を利用して溝１４に樹脂を充填してもよい。溝１４への樹脂充填によって、伝搬基板１１の裏面でのバルク波反射がさらに抑制され、よりに効果的に不要スプリアスの抑制を行うことができる。
【００８４】
また、本実施の形態では伝搬基板１１に溝１４形成しているが、これまで述べた効果は、本質的には本実施の形態の基板構造において溝１４が存在することによって生じるものであり、図１３に示すように、補助基板１２に溝１４形成によっても同様の効果を得ることができる。ただし、スプリアス抑制効果は得られない。
【００８５】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態は、本発明の溝１４に関する点以外は、上述した第１の実施の形態における弾性表面波素子の構成と同様である。したがって、本実施の形態において、第１の実施の形態と基本的に同様のものについては、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第１の実施の形態と同じとする。
【００８６】
図４は、本発明の第２の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図であり、図５は、図４のｂ−ｂ’部での断面図である。図６は、伝搬基板１１と補助基板１２を分解して示す斜視図である。図４〜図６に示す弾性表面波素子は、溝１４の構成以外は、図１〜図３に示した弾性表面波素子と同じである。本実施の形態における弾性表面波素子の溝１４は、補助基板１２上に、櫛形電極１３を構成する櫛形電極指と実質的に垂直な方向に形成されている。
【００８７】
つづいて本実施の形態における弾性表面波素子の製造プロセスについて説明する。本実施の形態における弾性表面波素子の製造プロセスは、伝搬基板１１上の溝１４形成と直接接合の大きく２つのプロセスに分かれる。
【００８８】
まず伝搬基板１１上の溝１４の形成について説明する。伝搬基板１１を洗浄したのち、伝搬基板１１の溝１４形成予定面にレジストマスクを形成する。次にレジストマスクを形成した伝搬基板１１をフッ酸と硝酸の混合液でエッチングする。
【００８９】
本実施の形態においては、伝搬基板１１はタンタル酸リチウムであるため、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液を用いるが、基板材料に応じて適切なエッチング液を用いる。溝１４形成工程終了後、レジストマスクを除去する。本実施の形態においては溝１４の深さは平均３０μｍ、溝１４の幅は４００μｍとしている。
【００９０】
伝搬基板１１の溝１４は以下のように形成してもよい。伝搬基板１１の溝１４形成予定面は鏡面研磨されている。溝１４は、ダイシング・ソーを用いて、溝１４断面が矩形もしくは矩形に準じる形状で、線状に形成される。広幅の溝１４を形成する場合は、複数回ダイシングブレードを入れることによって所望の溝幅とする。
【００９１】
また、伝搬基板１１の溝１４は次のように形成してもよい。まず伝搬基板１１を洗浄したのち、伝搬基板１１の溝１４形成予定面にレジストマスクを形成する。つぎにレジストマスクを形成した伝搬基板１１の溝１４形成予定面をブラスト砥粒によってサンドブラストする。最後にレジストマスクを除去する。
【００９２】
基板接合については第１の実施の形態と同様に、伝搬基板１１と補助基板１２との直接接合を行う。
【００９３】
以上のプロセスによって得られた接合基板に、フォトリソグラフィーによって接合基板上に櫛形電極１３を形成する。本実施の形態においては、櫛形電極１３を櫛形電極指と補助基板１２に形成した溝１４とのなす角が０°（櫛形電極指の長手方向と溝１４の主方向が一致）となるように配置している。以上のプロセスを経て、本実施の形態における弾性表面波素子は製造される。
【００９４】
本実施の形態の弾性表面波素子の効果を確認するため、本実施の形態の弾性表面波素子と従来の弾性表面波素子を作製し、電気機械結合係数およびＴＣＤといった弾性表面波伝搬特性を測定して比較を行った。比較の対象とする従来の弾性表面波素子は、本実施の形態の伝搬基板１１裏面に溝形成をしている点を除き、基板材料の組み合わせや寸法などは同じである。
【００９５】
なお、本実施の形態においては、伝搬基板１１として異方性材料のＸカット１１２゜Ｙ伝搬のタンタル酸リチウム、補助基板１２として等方性材料のガラスを用いた。補助基板１２の熱膨張係数は４ｐｐｍ／℃であり、伝搬基板１１の弾性表面波伝搬方向の熱膨張係数は６ｐｐｍ／℃、弾性表面波伝搬方向と垂直な方向の熱膨張係数は１４ｐｐｍ／℃でるため、より大きな応力緩和を得るため溝１４形成方向は弾性表面波伝搬方向にした。
【００９６】
本実施の形態の弾性表面波素子ならびに従来の弾性表面波素子ともに基板接合の熱処理工程の熱処理条件を約２００℃で１０時間としたが、従来の弾性表面波素子は、接合基板に作用する熱応力が伝搬基板３１もしくは補助基板３２の弾性限界を超えて、接合基板の一部に破砕が生じた。
【００９７】
一方、本実施の形態では伝搬基板１１への溝１４形成によって、接合基板に作用する応力が緩和されるため、熱処理工程における基板破砕を抑制することができた。つぎに、弾性表面波伝搬特性を比較した。なお、ＴＣＤについては、ＴＣＤと異符号で絶対値が同じであるところの周波数温度係数を測定し、それの異符号をとってＴＣＤの測定値とした。電気機械結合係数については、どちらの弾性表面波素子においても０．７％程度で差がなかった。
【００９８】
一方、ＴＣＤについては、従来の弾性表面波素子が１１ｐｐｍ／℃であるのに対し、本実施の形態における弾性表面波素子は１４ｐｐｍ／℃であり、伝搬基板（Ｘカット１１２゜Ｙ伝搬タンタル酸リチウム）単体、のＴＣＤ（１８ｐｐｍ／℃）に対して改善されていることが確認された。また、従来の弾性表面波素子に比べ、接合の不良による特性のばらつきも低減され、安定した特性が得られていることも確認された。また、周波数応答についても変化はなく、弾性表面波音速に変化がないことが確認された。
【００９９】
以上のように、本実施の形態によれば、基板接合の熱処理工程における基板破砕を抑制し、また、電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波素子を得ることができる。
【０１００】
本実施の形態においては、弾性表面波の伝搬方向の熱膨張係数の大きな伝搬基板１１と、弾性波の伝搬方向の熱膨張係数の小さな補助基板１２を直接接合しており、正の温度変化に対しては伝搬基板の表面近傍では、圧縮応力が作用し、伝搬基板本来の弾性表面波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい値を示し、密度変化も小さくなる。
【０１０１】
また、本実施の形態においては、弾性表面波伝搬方向に平行な方向に作用する応力は従来のものと比較して緩和される。一方、弾性表面波伝搬方向に垂直な方向については、伝搬基板１１と補助基板１２が直接接合されているため、応力が従来のものとほぼ同等に作用する。
【０１０２】
なお、本実施の形態においては、伝搬基板１１としてＸカット１１２゜Ｙ伝搬のタンタル酸リチウムを用いたが、これに限らず、他の結晶方位を用いた場合でも、補助基板１２の弾性表面波の伝搬方向の熱膨張係数が伝搬基板１１の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい基板を用いれば、同様の効果が得られる。
【０１０３】
また、本実施の形態においては、溝１４の深さを平均で３０μｍとしたが、溝１４を深くすることによってさらに応力の緩和が行われる。また、溝１４の幅を４００μｍとしたが、溝１４の幅を広くすることによってさらに応力の緩和が行われる。
【０１０４】
直接接合プロセスにおいては、接合面にパーティクルやダスト等の異物がある場合、異物のある部分では接合が行われず空隙が生じる、あるいは接合強度が著しく弱くなる、といった接合不良の原因となる。基板を直接接合する場合、連続接合面積が小さいほど接合不良の可能性は低くなるが、溝１４形成によって接合面を分割することによって、連続接合面積は減少し、接合不良の可能性を低減することができる。
【０１０５】
本実施の形態では、弾性表面波の伝搬する伝搬基板１１表層の直下領域では基板接合を行わないため、この領域での接合不良は生じない。そのため弾性表面波伝搬特性の変動や劣化は生じない。
【０１０６】
また、本実施の形態においては、補助基板１２としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなどの他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板１２としてガラスを用いた場合には、その非結晶性により、単結晶である伝搬基板１１との接合が容易となる。
【０１０７】
また、ガラスの場合には、その組成によって種々の機械的性質を持った材料を得ることができ、温度特性の制御が容易となる。
【０１０８】
また、本実施の形態の伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下には、従来の弾性表面波素子が有している伝搬基板３１と補助基板３２の鏡面接合界面がなく、さらに溝１４形成の際に、伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下が実質的に荒らし加工を施したのと同じ状態になっているため、伝搬基板１１裏面でのバルク波反射に起因する弾性表面波素子の周波数応答における不要スプリアスを抑制する効果もある。
【０１０９】
さらに、本実施の形態においては、溝１４部分は空洞となっているが、たとえば基板接合後、毛細管現象を利用して溝１４に樹脂を充填してもよい。溝１４への樹脂充填によって、伝搬基板１１の裏面でのバルク波反射がさらに抑制され、よりに効果的に不要スプリアスの抑制を行うことができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では伝搬基板１１に溝１４形成しているが、これまで述べた効果は、本質的には本実施の形態の基板構造における溝１４が存在することによって生じるものであり、補助基板１２に、図１４に示すように、溝１４形成することによっても同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態は、本発明の溝１４の替わりに本発明の凹部１５を備えることに関する点以外は、上述した第１の実施の形態における弾性表面波素子の構成と同様である。したがって、本実施の形態において、第１の実施の形態と基本的に同様のものについては、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明のないものについては、第１の実施の形態と同じとする。
【０１１２】
図７は、本発明の第３の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図であり、図８は、図７のｃ−ｃ’部での断面図である。また図９は、図７のｄ−ｄ’部での断面図である。図１０は、伝搬基板１１と補助基板１２を分解して示す斜視図である。
【０１１３】
図７〜図１０に示す弾性表面波素子は、溝１４が無く、凹部１５が形成されている以外は、図１〜図３に示した弾性表面波素子と同じである。本実施の形態における弾性表面波素子の凹部１５は、補助基板１２上に、少なくとも前記櫛形電極１３の直下の位置を含むように形成されている。
【０１１４】
つづいて本実施の形態における弾性表面波素子の製造プロセスについて説明する。本実施の形態における弾性表面波素子の製造プロセスは、補助基板上の凹部形成と直接接合の大きく２つのプロセスに分かれる。
【０１１５】
まず伝搬基板１１上の凹部１５形成について説明する。伝搬基板１１の凹部１５形成予定面は鏡面研磨されている。伝搬基板１１を洗浄したのち、伝搬基板１１の凹部１５形成予定面にレジストマスクを形成する。次にレジストマスクを形成した伝搬基板１１をフッ酸と硝酸の混合液でエッチングする。
【０１１６】
本実施の形態においては、伝搬基板１１はタンタル酸リチウムであるため、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液を用いるが、基板材料に応じて適切なエッチング液を用いる。凹部１５形成工程終了後、レジストマスクを除去する。  伝搬基板１１の凹部１５は以下のように形成してもよい。伝搬基板１１の溝１４形成予定面は鏡面研磨されている。
【０１１７】
凹部１５は、まず補助基板１２を洗浄したのち、伝搬基板１１の凹部１５形成予定面にレジストマスクを形成する。つぎにレジストマスクを形成した伝搬基板１１の凹部１５形成予定面をブラスト砥粒によってサンドブラストする。最後にレジストマスクを除去する。
【０１１８】
なお、伝搬基板１１の凹部１５形成は上記の方法に限定するものではなく、凹部１５を形成するものであれば方法は問わない。
【０１１９】
基板接合については第１の実施の形態と同様に、伝搬基板１１と補助基板１２との直接接合を行う。
【０１２０】
以上のプロセスによって得られた接合基板に、フォトリソグラフィーによって接合基板上に櫛形電極１３を形成する。本実施の形態においては、櫛形電極１３が凹部１５の直上となるように配置している。以上のプロセスを経て、本実施の形態における弾性表面波素子は製造される。
【０１２１】
ここで、本実施の形態における補助基板１２の凹部１５の効果について説明する。第１の実施の形態と同様に、凹部１５の形成によって基板接合面積が小さくなるため接合基板の熱歪みも小さくなり、結果として応力が緩和され、直接接合の熱処理工程における基板破砕を抑制する事ができる。
【０１２２】
また、直接接合においては接合面にパーティクル、ダスト等の異物がある場合、異物のある部分の接合が行われず空隙が生じる、あるいは接合強度が著しく弱くなる、といった接合不良の原因となる。基板を直接接合する場合、連続した接合面積が小さいほど接合不良の可能性は低くなるが、凹部１５形成によって接連続した接合面積を小さくすると、接合不良の可能性を低減することができる。
【０１２３】
また、本実施の形態においては、櫛形電極指に垂直な方向および平行な方向に作用する応力は従来の弾性表面波素子と比較して小さくなる。しかしながら、弾性表面波の伝搬領域すなわち櫛形電極の形成領域直下には基板接合領域がないため、弾性表面波の伝搬領域における接合不良による応力の不均一は生じることはない。
【０１２４】
また、また凹部１５形成によって、伝搬基板１１表層の弾性表面波伝搬領域に均一な応力がはたらく弾性表面波素子を得ることができる。
【０１２５】
本実施の形態における弾性表面波素子の効果を確認するため、本実施の形態の弾性表面波素子と従来の弾性表面波素子を作製し、電気機械結合係数およびＴＣＤといった弾性表面波伝搬特性を測定して比較を行った。
【０１２６】
比較の対象とする従来の弾性表面波素子は、本実施の形態の弾性表面波素子の伝搬基板１１裏面に凹部１５形成をしている点を除き、基板材料の組み合わせや寸法などは同じである。なお、本実施の形態においては、伝搬基板１１として、３６°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム、補助基板１２としてガラスを用いている。
【０１２７】
本実施の形態の弾性表面波素子ならびに従来の弾性表面波素子ともに基板接合の熱処理工程の熱処理条件を約２００℃で１０時間としたが、従来の弾性表面波素子は、接合基板に作用する熱応力が伝搬基板３１もしくは補助基板３２の弾性限界を超えて、接合基板の一部に破砕が生じた。
【０１２８】
一方、本実施の形態では伝搬基板１１への凹部１５形成によって、接合基板に作用する応力が緩和されるため、熱処理工程における基板破砕を抑制することができた。つぎに、弾性表面波伝搬特性を比較した。なお、ＴＣＤについては、ＴＣＤと異符号で絶対値が同じであるところの周波数温度係数を測定し、それの異符号をとってＴＣＤの測定値とした。電気機械結合係数については、どちらの弾性表面波素子においても５％程度で差がなかった。
【０１２９】
一方、ＴＣＤについては、従来の弾性表面波素子が２５ｐｐｍ／℃であるのに対し、本実施の形態における弾性表面波素子は３０ｐｐｍ／℃であった。温度特性の改善度合いは小さくなっているが、図１１で示した従来の弾性表面波素子に比べ、接合の不良による特性のばらつきも低減され、安定した特性が得られるという効果がある。
【０１３０】
また、３６゜回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単体基板を用いた弾性表面波素子のＴＣＤが３６ｐｐｍ／℃であることから比較すると、本実施の形態の弾性表面波素子では、温度特性は改善されている。また、周波数応答についても変化はなく、弾性表面波音速に変化がないことが確認された。
【０１３１】
以上のように、本実施の形態によれば、電気機械結合係数や弾性表面波伝搬速度等の諸特性を変化させることなく、良好な温度特性を有する弾性表面波を得ることができる。
【０１３２】
また、本実施の形態においては、弾性波の伝搬方向の熱膨張係数の大きな伝搬基板１１と、弾性波の伝搬方向の熱膨張係数の小さな補助基板１２を直接接合しており、正の温度変化に対しては伝搬基板の表面近傍では、圧縮応力が作用し、伝搬基板本来の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい値を示し、密度変化も小さくなる。
【０１３３】
また、本実施の形態においては、弾性表面波伝搬方向に平行、および垂直な方向に作用する応力は従来のものと比較して緩和される。
【０１３４】
なお、本実施の形態では、凹部１５領域寸法は８００μｍ×４００μｍ、また、凹部の深さは平均で２０μｍとしている。溝１４の幅を４００μｍとしたが、凹部１５の領域寸法、ならびに深さを変化させることによって応力の緩和の度合いを変化させることができる。
【０１３５】
また、本実施の形態においては、伝搬基板１１として３６°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用いたが、これに限らず、他の結晶方位を用いた場合でも、補助基板１２の弾性波伝搬方向の熱膨張係数が伝搬基板１１の弾性波の伝搬方向の熱膨張係数よりも小さい基板を用いれば、同様の効果が得られる。
【０１３６】
また、本実施の形態においては、補助基板としてガラスを用いたが、これに限らず、シリコンなどの他の低熱膨張材料を用いてもよい。補助基板としてガラスを用いた場合には、その非結晶性により、単結晶である伝搬基板との接合が容易となる。また、ガラスの場合には、その組成によって種々の機械的性質を持った材料を得ることができ、温度特性の制御が容易となる。
【０１３７】
また、本実施の形態の伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下には、従来の弾性表面波素子が有している伝搬基板３１と補助基板３２の鏡面接合界面がなく、さらに凹部１５形成の際に、伝搬基板１１の弾性表面波伝搬領域の直下が実質的に荒らし加工を施したのと同じ状態になっているため、伝搬基板１１裏面でのバルク波反射に起因する弾性表面波素子の周波数応答における不要スプリアスを抑制する効果もある。
【０１３８】
また、本実施の形態では伝搬基板１１に凹部１５形成しているが、これまで述べた効果は、本質的には本実施の形態の基板構造における凹部１５が存在することによって生じるものであり、図１５に示すように、補助基板１２への凹部１５形成によっても同様の効果を得ることができる。
【０１３９】
また、本発明の携帯電話等の移動体通信機器は、本発明の弾性表面波素子を、フィルタ又は発振子として用いていることを特徴とするものである。本発明の移動体通信機器は、それらフィルタ又は発振器以外の構成要素としては、たとえば、アンテナ、送信信号処理回路、受信信号処理回路等、当然に、それぞれの移動体通信機器に必要な公知なものを備える。
【０１４０】
なお、本発明の伝搬基板と補助基板との非接合領域の形状は、上述した溝、凹部に限られず、曲がった溝、深さの違う凹部、多角形、等任意の形状を含む。
【０１４１】
また、本発明の伝搬基板と補助基板との接合領域の形状は、上述した帯状、円周形状の他に、一部途切れた円周形状、点状、等任意の形状を含む。
【０１４２】
また、本発明の接合領域は、基板の最外端に位置する必要はなく、すこし内部に位置したところにあってももちろんかまわない。
【０１４３】
【発明の効果】
以上説明したところから明らかなように、本発明は、弾性表面波の伝搬特性にばらつきを抑制し、良好な温度特性を有する弾性表面波素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図である。
【図２】図１のａ−ａ’部での断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図である。
【図５】図４のｂ−ｂ’部での断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態における弾性表面波素子の一部切欠斜視図である。
【図８】図７のｃ−ｃ’部での断面図である。
【図９】図７のｄ−ｄ’部での断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【図１１】従来の弾性表面波素子の断面図である。
【図１２】従来の伝搬基板単体を用いた弾性表面波素子の断面図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態における弾性表面波素子の分解斜視図である。
【符号の説明】
１１、３１  伝搬基板
１２、３２  補助基板
１３、３３  櫛形電極
１４        溝
１５        凹部
【図１】
0004245103.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004245103.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004245103.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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