(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（２）のポリビニルフェノールベース樹脂、下記式（１）の硬化剤、及び溶媒を含み、かつ、熱酸発生剤を前記ベース樹脂及び硬化剤の総重量に対し２０〜１００重量％の量で含むことを特徴とする乱反射防止膜組成物。
【化１３】
0004318453.tif 000038
前記式で、Ｒ1及びＲ2は側鎖又は主鎖置換された炭素数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ3は水素又はメチルである。
【化１４】
0004318453.tif 000039
【請求項２】
前記熱酸発生剤は、ベース樹脂及び硬化剤の総重量に対し３０〜５０重量％の量で用いることを特徴とする請求項１に記載の乱反射防止膜組成物。
【請求項３】
前記熱酸発生剤は、下記式（３）及び（４）でなる群から選択されたものを単独に又は混合して用いることを特徴とする請求項１に記載の乱反射防止膜組成物。
【化１】
0004318453.tif 000040
【化２】
0004318453.tif 000041
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【請求項４】
前記Ａは、下記式（３ａ）で示される基又は下記式（３ｂ）で示される基であることを特徴とする請求項３に記載の乱反射防止膜組成物。
【化３】
0004318453.tif 000042
【化４】
0004318453.tif 000043
【請求項５】
前記式（３）の化合物は、下記式（５）で示されることを特徴とする請求項３に記載の乱反射防止膜組成物。
【化５】
0004318453.tif 000044
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【請求項６】
前記式（４）の化合物は、下記式（６）で示されることを特徴とする請求項３に記載の乱反射防止膜組成物。
【化６】
0004318453.tif 000045
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【請求項７】
前記式（５）の化合物は、下記式（５ａ）〜（５ｄ）でなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の乱反射防止膜組成物。
【化７】
0004318453.tif 000046
【化８】
0004318453.tif 000047
【化９】
0004318453.tif 000048
【化１０】
0004318453.tif 000049
【請求項８】
前記式（６）の化合物は、下記式（６ａ）及び（６ｂ）でなる群から選択されることを特徴とする請求項６に記載の乱反射防止膜組成物。
【化１１】
0004318453.tif 000050
【化１２】
0004318453.tif 000051
【請求項９】
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜（１ｄ）でなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の乱反射防止膜組成物。
【化１５】
0004318453.tif 000052
【化１６】
0004318453.tif 000053
【化１７】
0004318453.tif 000054
【化１８】
0004318453.tif 000055
【請求項１０】
フォトレジストパターンの形成方法は、
（ａ）請求項１〜９のいずれか１項に記載の乱反射防止膜組成物を被エッチング層の上部に塗布し、ベーキングして乱反射防止膜を形成する段階、
（ｂ）前記乱反射防止膜上にフォトレジスト組成物を塗布し、ベーキングしてフォトレジスト膜を形成する段階、
（ｃ）前記結果物を露光する段階、
（ｄ）前記結果物をベーキングする段階、及び
（ｅ）前記結果物を現像して超微細パターンを得る段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸発生剤を含む乱反射防止膜組成物に関するとともに、この乱反射防止膜組成物を利用して超微細パターンを形成するためのフォトレジストパターンの形成方法とこれを用いた半導体素子に関し、より詳しくはフォトレジスト樹脂が光源に用いられる波長の光を吸収して傾斜したパターンを形成することを解決するため、過量の酸発生剤を添加した有機乱反射防止膜を用いることにより、光源に対する吸光度が多少高めのフォトレジスト樹脂を用いるとしても垂直のパターンを得ることができるフォトレジストパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
２４８ｎｍ光源（ＫｒＦ）を用いた半導体微細回路の製造工程では既に１５０ｎｍ  Ｌ／Ｓの微細回路が形成されており、現在は１５０ｎｍ以下のパターンを形成するための努力が引き続かれている。一方、より微細な回路を形成するためＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＶＵＶ（１５７ｎｍ）、ＥＵＶ（Extremely Ultraviolet；１３ｎｍ）等の低い波長の光源を用いる微細回路の製造工程に対する研究が進行中である。しかし、これらの波長に対し透過度の良好なフォトレジスト樹脂の開発が容易でないという問題点がある。たとえば、ｉ−ライン（３６５ｎｍ）及びＫｒＦ（２４８ｎｍ）に用いるフォトレジストは芳香族化合物で樹脂が構成されるが、これらは１９３ｎｍに対する吸光度があまりにも高くて用いることができない。このような理由により、芳香族化合物が入っていないアクリル系或いはアリサイクリック系樹脂を用いて１９３ｎｍ用フォトレジストを開発している。しかし、これらの樹脂も１９３ｎｍに対する吸光度が比較的に高いので、良好なパターンを形成することが困難である。
【０００３】
図１（ａ）は、フォトレジストの光源に対する吸光度が非常に低い場合の現像後のパターン形状である。被エッチング層１０の上部に塗布されたフォトレジスト１２の上部と下部に到達した光の量が殆ど同一であるため、垂直の（vertical）パターン１４が形成できる。しかし、図１（ｂ）に示されているようにフォトレジストの光源に対する吸光度が高いときは、フォトレジスト１６の上部に到達した光の量が下部より多いため、化学増幅型フォトレジストの場合上部から発生した酸の量が下部より多いので、現像後図１ｂに示されているように傾斜した形状のパターン１８が形成できる。すなわち、露光により発生する酸の濃度勾配が垂直方向でその高さに従い相違するため、傾斜したパターンが形成されるのである。
【０００４】
したがって、これを克服するため大部分の研究方向は光源に対する吸光度が低い樹脂を開発することに偏っているが、特にＶＵＶ（１５７ｎｍ）或いはＥＵＶ（１３ｎｍ）光源を用いる場合このような樹脂の開発は限界に達している。
【０００５】
乱反射防止膜を用いる従来の技術としては、半導体基板とフォトレジスト膜との間に吸光係数の異なる２つの層でなる乱反射防止膜を形成することにより、半導体基板から反射された光により発生するハレーション（halation）と干渉現象を解決している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第６，４６１，７７６号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が多少高くても垂直のパターンを得るため、酸発生剤を含む乱反射防止膜組成物を提供することを目的にする。
さらに、本発明は前記乱反射防止膜組成物を利用したフォトレジストパターンの形成方法を提供することを目的にする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、下記式（２）のポリビニルフェノールベース樹脂、下記式（１）の硬化剤、及び溶媒を含み、かつ、熱酸発生剤を前記ベース樹脂及び硬化剤の総重量に対し２０〜１００重量％の量で含むことを特徴とする。
【化１３】
0004318453.tif 000002
前記式で、Ｒ1及びＲ2は側鎖又は主鎖置換された炭素数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ3は水素又はメチルである。
【化１４】
0004318453.tif 000003
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記熱酸発生剤は、ベース樹脂及び硬化剤の総重量に対し３０〜５０重量％の量で用いることを特徴とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記熱酸発生剤は、下記式（３）及び（４）でなる群から選択されたものを単独に又は混合して用いることを特徴とする。
【化１９】
0004318453.tif 000004
【化２０】
0004318453.tif 000005
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記Ａは、下記式（３ａ）で示される基又は下記式（３ｂ）で示される基であることを特徴とする。
【化２１】
0004318453.tif 000006
【化２２】
0004318453.tif 000007
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記式（３）の化合物は、下記式（５）で示されることを特徴とする。
【化２３】
0004318453.tif 000008
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記式（４）の化合物は、下記式（６）で示されることを特徴とする。
【化２４】
0004318453.tif 000009
前記式で、
Ａはスルホネート基であり、ｎは１又は２である。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記式（５）の化合物は、下記式（５ａ）〜（５ｄ）でなる群から選択されることを特徴とする。
【化２５】
0004318453.tif 000010
【化２６】
0004318453.tif 000011
【化２７】
0004318453.tif 000012
【化２８】
0004318453.tif 000013
【００２１】
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記式（６）の化合物は、下記式（６ａ）及び（６ｂ）でなる群から選択されることを特徴とする。
【化２９】
0004318453.tif 000014
【化３０】
0004318453.tif 000015
【００２３】
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の乱反射防止膜組成物において、
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜（１ｄ）でなる群から選択されることを特徴とする。
【化３３】
0004318453.tif 000016
【化３４】
0004318453.tif 000017
【化３５】
0004318453.tif 000018
【化３６】
0004318453.tif 000019
【００２５】
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれか一項に記載の乱反射防止膜組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法であって、
フォトレジストパターンの形成方法は、
（ａ）請求項１〜１６のいずれか一項に記載の乱反射防止膜組成物を被エッチング層の上部に塗布し、ベーキングして乱反射防止膜を形成する段階、
（ｂ）前記乱反射防止膜上にフォトレジスト組成物を塗布し、ベーキングしてフォトレジスト膜を形成する段階、
（ｃ）前記結果物を露光する段階、
（ｄ）前記結果物をベーキングする段階、及び
（ｅ）前記結果物を現像して超微細パターンを得る段階を含むことを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明では、過量の酸発生剤が含まれた乱反射防止膜を利用したフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
具体的に、本発明に係るパターンの形成方法は、
（ａ）酸発生剤を含む乱反射防止膜組成物を被エッチング層の上部に塗布し、ベーキングして乱反射防止膜を形成する段階、
（ｂ）前記乱反射防止膜上にフォトレジスト組成物を塗布し、ベーキングしてフォトレジスト膜を形成する段階、
（ｃ）前記結果物を露光する段階、
（ｄ）前記結果物をベーキングする段階、及び
（ｅ）前記結果物を現像して超微細フォトレジストパターンを得る段階を含む。
【００２９】
前述のように、フォトレジストの光源に対する吸光度が多少高いときは、フォトレジストの上部に到達した光の量が下部より多いため化学増幅型フォトレジストの場合、フォトレジスト内に含まれた酸発生剤により発生した酸の量がフォトレジストの上部で下部より多いので、現像後図１ｂのように傾斜した形状のパターンが形成できる。
【００３０】
本発明では、このような問題点を解決するため乱反射防止膜組成物に過量の酸発生剤を添加するが、酸発生剤から発生した酸がフォトレジスト内に拡散され、下部に少なく形成された酸を補うことにより傾斜した形状のパターンを垂直の形状に形成することができる。
【００３１】
図１ｃは、本発明から得られたパターンの形状を示す図であり、これは本発明に基づき被エッチング層１００の上部に酸発生剤が添加された乱反射防止膜２００が塗布され、その上にフォトレジスト１０２が塗布された状態で垂直のパターンが得られることを示す。すなわち、フォトレジスト１０２の光源に対する吸光度が高いので、フォトレジスト１０２の上部に到達した光の量が下部より多くても乱反射防止膜２００に含まれた酸発生剤から発生した酸Ａがフォトレジスト１０２内に拡散し、下部で少なく形成された酸を補うことにより垂直のパターン１０４が形成されるのである。
【００３２】
このような本発明に係る乱反射防止膜組成物は、通常の有機乱反射防止膜組成物として、熱酸発生剤が過量に含まれたものを用い、好ましくは熱酸発生剤、硬化剤として下記式（１）の化合物、ベース樹脂として光吸収剤の役割を果たす下記式（２）のポリビニルフェノール、及び有機溶媒を含む。
【化３７】
0004318453.tif 000020
前記式で、Ｒ1及びＲ2は側鎖又は主鎖置換された炭素数１〜１０のアルキル基であり、Ｒ3は水素又はメチルである。
【化３８】
0004318453.tif 000021
【００３３】
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜（１ｄ）の化合物でなる群から選択されるのが好ましい。
【化３９】
0004318453.tif 000022
【化４０】
0004318453.tif 000023
【化４１】
0004318453.tif 000024
【化４２】
0004318453.tif 000025
【００３６】
さらに、本発明に係る乱反射防止膜組成物に含まれる熱酸発生剤は、熱により酸を発生することができる化合物であれば何れも使用可能であり、具体的には下記式（３）及び（４）でなる群から選択されたものを単独に又は混合して用いるのが好ましい。
【化４３】
0004318453.tif 000026
【化４４】
0004318453.tif 000027
【００３７】
前記式で、
Ａはスルホネート基（sulfonate  group）として、
好ましくは下記式（３ａ）で示される基又は下記式（３ｂ）で示される基である。
【化４５】
0004318453.tif 000028
【化４６】
0004318453.tif 000029
前記式（４）においてｎは０又は１である。
【００３８】
その使用量はベース樹脂及び硬化剤の総重量に対し２０〜１００重量％であるのが好ましく、３０〜５０重量％であるのがより好ましい。
熱酸発生剤が２０重量％以下の量で用いられるときは傾斜した形状のパターンが得られ、１００重量％以上で用いられるときは高温熱工程時に熱酸発生剤が分解されてホットプレート（hot plate）に残余物（residue）を発生させるという問題点がある。
【００３９】
前記式（３）の化合物は下記式（５）で示されるのが好ましく、前記式（４）の化合物は下記式（６）で示されるのが好ましい。
【化４７】
0004318453.tif 000030
【化４８】
0004318453.tif 000031
【００４０】
さらに、前記式（５）の化合物は下記式（５ａ）〜（５ｄ）で示されるのが好ましく、前記式（６）の化合物は下記式（６ａ）〜（６ｂ）で示されるのが好ましい。
【化４９】
0004318453.tif 000032
【化５０】
0004318453.tif 000033
【化５１】
0004318453.tif 000034
【化５２】
0004318453.tif 000035
【化５３】
0004318453.tif 000036
【化５４】
0004318453.tif 000037
【００４１】
さらに、前記有機溶媒には通常用いられる有機溶媒は何れも使用可能であり、US 5,212,043（1993年5月18日）、WO 97/33198（1997年9月12日）、WO 96/37526（1996年11月28日）、EP 0 794 458（1997年9月10日）、EP 0 789 278（1997年8月13日）、US 5,750,680（1998年5月12日）、GB 2,340,830 A（2000年3月1日）、US 6,051,678（2000年4月18日）、GB 2,345,286 A（2000年7月5日）、US 6,132,926（2000年10月17日）、US 6,143,463（2000年11月7日）、US 6,150,069（2000年11月21日）、US 6,180,316 B1（2001年1月30日）、US 6,225,020 B1（2001年5月1日）、US 6,235,448 B1（2001年5月22日）及びUS 6,235,447 B1（2001年5月22日）等に開示されているフォトレジスト組成物に用いられる有機溶媒等を含み、好ましくはメチル  ３−メトキシプロピオネート、エチル  ３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン又はエチルラクテート等を単独に又は混合して用いることができる。
【００４２】
本発明ではさらに、前述の本発明に係るパターンの形成方法により製造された半導体素子を提供する。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づき詳しく説明する。但し、実施例は発明を例示するものであるだけで、本発明が下記の実施例により限定されるものではない。
【００４４】
実施例１．フォトレジストの吸光度測定
石英基板上にＤＨＡ１００１フォトレジスト［（株）ドンジンセミケム］を１μｍの厚さでコーティングし、１３０℃で９０秒間ベークした後２３℃に冷却させた。コーティングされたフォトレジストの透過度をＪＡＳＣＯ  ＶＵＶ  ２００分光計（spectrometer）を利用して測定した結果４６％であった。
【００４５】
実施例２．有機乱反射防止膜組成物に含まれる硬化剤の製造
アクロレイン１００ｇ、ＴＨＦ  ６６ｇ、ＡＩＢＮ  ２ｇを５００ｍＬの円形底（round bottom）フラスコに入れてから真空状態にさせた後６５℃で５時間のあいだ反応させ、反応完了後生成した白色の固体（ポリアクロレイン）をフィルターリングした後、エチルエーテルで数回洗浄した（収率８０％）。この白色の固体８０ｇ、メタノール５００gを１０００ｍＬの円形底フラスコに入れた後、トリフルオロメチルスルホン酸（trifluoromethyl sulfonic acid）１ｍＬを触媒として投入してから常温（２５℃）で２４時間のあいだ反応させた。最初は溶解しなかった白色の固体（ポリアクロレイン）は、反応が完了するに伴いメタノールに溶解することになる。反応完了後、赤外線吸収分光器（ＩＲ Spectrum）で１６９０ｃｍ-1の吸収バンド（band）がなくなるのを確認し、トリエチルアミンで中和させてからメタノールを蒸留器で除去してどろどろの状態にさせた後、蒸留水で沈殿を取って真空乾燥し、前記式（１ａ）の化合物を得た（収率６５％）。
【００４６】
分子量６,８２０；多分散度（polydispersity）１.６０；
1Ｈ  ＮＭＲ  １.２〜２.１ｐｐｂ（３Ｈ）、３.０〜３.８ｐｐｂ（６Ｈ）、３.８〜４.７（１Ｈ）。
【００４７】
実施例３．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（１）
実施例２で製造された前記式（１ａ）の硬化剤０.２６ｇと、前記式（２）のポリビニルフェノール０.４５５ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒２４.７ｇに投入し、ここに前記式（５ａ）の熱酸発生剤０.２ｇを添加してよく溶解させた後、０.２μｍの微細フィルタを通過させて本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００４８】
実施例４．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（２）
実施例２で製造された前記式（１ａ）の硬化剤０.２６ｇと、前記式（２）のポリビニルフェノール０.４５５ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒２４.７ｇに投入し、ここに前記式（６ａ）の熱酸発生剤０.３ｇを添加してよく溶解させた後、０.２μｍの微細フィルタを通過させて本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００４９】
実施例５．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（３）
有機乱反射防止膜組成物（Clariant  １Ｃ５Ｄ）１００ｍＬに前記式（５ａ）の熱酸発生剤０.２ｇを添加してからよく溶解させ、本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００５０】
実施例６．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（４）
有機乱反射防止膜組成物（Clariant  １Ｃ５Ｄ）１００ｍＬに前記式（６ａ）の熱酸発生剤０.７ｇを添加してからよく溶解させ、本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００５１】
実施例７．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（５）
有機乱反射防止膜組成物（Clariant  １Ｃ５Ｄ）１００ｍＬに光酸発生剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート０.２ｇを添加してからよく溶解させ、本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００５２】
実施例８．本発明に係る有機乱反射防止膜組成物の製造（６）
有機乱反射防止膜組成物（Clariant  １Ｃ５Ｄ）１００ｍＬに光酸発生剤のジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアンチモネート０.２ｇを添加してからよく溶解させ、本発明に係る有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００５３】
実施例９．パターンの形成（１）
前記実施例３で製造された有機乱反射防止膜組成物を４００Å（オングストローム）の厚さで基板上に塗布し２２０℃で９０秒間ベークした後、２３℃に冷却させて有機乱反射防止膜が形成された基板を準備した。
【００５４】
この基板上に前記実施例１で用いたフォトレジストを０.４０μｍの厚さでコーティングし、１３０℃で９０秒間ベークした後２３℃に冷却させた。その後、ＡＳＭＬ社のＡｒＦ露光装備（ＰＡＳＳ／９００、ＮＡ＝０.６３）で露光し、１３０℃で９０秒間再びベークした後２.３８重量％のＴＭＡＨ水溶液を利用して現像した結果、垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図２参照）。
【００５５】
実施例１０．パターンの形成（２）
前記実施例４で製造された有機乱反射防止膜組成物を用いることを除いては、前記実施例９と同様の方法で垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図３参照）。
【００５６】
実施例１１．パターンの形成（３）
前記実施例５で製造された有機乱反射防止膜組成物を用いて３９０Åの厚さで基板上に塗布することを除いては、前記実施例９と同様の方法で垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図４参照）。
【００５７】
実施例１２．パターンの形成（４）
前記実施例６で製造された有機乱反射防止膜組成物を用いて３９０Åの厚さで基板上に塗布することを除いては、前記実施例９と同様の方法で垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図５参照）。
【００５８】
実施例１３．パターンの形成（５）
前記実施例７で製造された有機乱反射防止膜組成物を３９０Åの厚さで基板上に塗布し２００℃で６０秒間ベークした後、２３℃に冷却させて有機乱反射防止膜が形成された基板を準備した。
【００５９】
この基板上に前記実施例１で用いたフォトレジストを０.３０μｍの厚さでコーティングし、１３０℃で９０秒間ベークした後２３℃に冷却させた。その後、ＡＳＭＬ社のＡｒＦ露光装備（ＰＡＳＳ／９００、ＮＡ＝０.６３）で露光し、１３０℃で９０秒間再びベークした後２.３８重量％のＴＭＡＨ水溶液を利用して現像した結果、垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図６参照）。
【００６０】
実施例１４．パターンの形成（６）
前記実施例８で製造された有機乱反射防止膜組成物を用いることを除いては、前記実施例１３と同様の方法で垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓパターンを得た（図７参照）。
【００６１】
実施例１５．少量の熱酸発生剤を含む有機乱反射防止膜組成物の製造
実施例２で製造された前記式（１ａ）の硬化剤０.２６ｇと、前記式２のポリビニルフェノール０.４５５ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒２４.７ｇに投入し、ここに前記式（５ａ）の熱酸発生剤０.０４ｇを添加してよく溶解させた後、０.２μｍの微細フィルタを通過させて有機乱反射防止膜組成物を製造した。
【００６２】
実施例１６．パターンの形成
前記実施例１５で製造された有機乱反射防止膜組成物を用いることを除いては、前記実施例９と同様の方法で１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓの傾斜が急なパターンを得た（図８参照）。
【００６３】
比較例．パターンの形成
実施例１で用いたフォトレジストを有機乱反射防止膜組成物（Clariant  １Ｃ５Ｄ）がコーティングされた基板上に０.４μｍの厚さで塗布し、１３０℃で９０秒間ベークした後２３℃に冷却させた。その後、ＡＳＭＬ社のＡｒＦ露光装備（ＰＡＳＳ／９００、ＮＡ＝０.６３）で露光し、１３０℃で９０秒間再びベークした後２.３８重量％のＴＭＡＨ水溶液を利用して現像した結果、垂直の１２０ｎｍ  Ｌ／Ｓの傾斜が急なパターンを得た（図９参照）。
【００６４】
【発明の効果】
上述のように、本発明では過量の酸発生剤を添加した乱反射防止膜を用いてパターンを形成することにより、乱反射防止膜組成物内に含まれた酸発生剤からフォトレジストの下部に酸が拡散され、光源に対する吸光度が多少高めのフォトレジスト樹脂を用いるとしても、すなわち、フォトレジスト上部より下部に達する光の量が少なくても傾斜せず垂直のパターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）はフォトレジストの光源に対する吸光度が非常に低い場合に得られるパターンの形状を示す図であり、（ｂ）はフォトレジストの光源に対する吸光度が高い場合に得られるパターンの形状を示す図であり、（ｃ）は本発明から得られるパターンの形状を示す図である。
【図２】実施例９から得られたパターン写真である。
【図３】実施例１０から得られたパターン写真である。
【図４】実施例１１から得られたパターン写真である。
【図５】実施例１２から得られたパターン写真である。
【図６】実施例１３から得られたパターン写真である。
【図７】実施例１４から得られたパターン写真である。
【図８】実施例１６から得られたパターン写真である。
【図９】比較例から得られたパターン写真である。
【符号の説明】
１００    被エッチング層
１０２    フォトレジスト
１０４    パターン
２００    乱反射防止膜
【図１】
0004318453.tif 000056
【図２】
0004318453.tif 000057
【図３】
0004318453.tif 000058
【図４】
0004318453.tif 000059
【図５】
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【図６】
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【図７】
0004318453.tif 000062
【図８】
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【図９】
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