(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004224870.tif 000021
（式中、Ｒは炭素原子数１２未満のアルキル基またはアルコキシル基を表すが、これらは１個以上のフッ素原子、塩素原子または炭素原子数１〜８のアルコキシル基により置換されていてもよく、あるいはまた環Ａが芳香環を表す場合にはフッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表してもよく、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、これらの基に含まれる１あるいは非隣接の２個のＣＨ２基は酸素原子（−Ｏ−）により置き換えられていてもよく、１あるいは２個のＣＨ基は窒素原子（−Ｎ＝）により置き換えられていてもよく、Ｍ及びＮはそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−または-CH2CH2CH2CH2-を表し、Ｑは単結合または酸素原子（−Ｏ−）を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは０〜７の整数を表し、末端の２個のビシナルフッ素は互いにシスまたはトランス配置である。）で表されるビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物の製造方法であって、一般式（ＩＩ）
【化２】
0004224870.tif 000022
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるスルホキシド類を加熱し、次いでシス及びトランスの異性体を分離することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
一般式（ＩＩＩ）
【化３】
0004224870.tif 000023
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるチオエーテル類をフルオロ−プーメラー転移によりフッ素化し、次いで酸化することにより一般式（ＩＩ）のスルホキシド類とし、これを一般式（Ｉ）のビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物に導くことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
一般式（ＩＶ）
【化４】
0004224870.tif 000024
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオレフィン類を、直接あるいはハロフルオロ化を経てチオフルオロ化することにより一般式（ＩＩＩ）のチオエーテル類を得て、これから一般式（ＩＩ）のスルホキシド類を経て一般式（Ｉ）のビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物に導くことを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電子材料や医農薬、特に電気光学的液晶表示用ネマチック液晶材料として有用なビシナルジフルオロオレフィン類の新規製造方法及びそれにより得られるビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されており、このためこれまでにも非常に多くの液晶化合物が合成されている。
【０００３】
こうした液晶化合物の中で、側鎖基としてビシナルジフルオロアルケニル基を有する化合物がＨ．バルトマン等により報告（特表平６−５００３４３号公報）されているが、これらは閾値電圧や粘性の低減あるいは弾性定数の適正化等に優れた効果が期待できる興味ある化合物である。しかしながらその製造は決して容易とは言えず、特に大スケール化はかなり困難で、バルトマンの報告例でもその相転移温度が記されているのみで液晶としての特性については触れられていない。さらに、バルトマンの報告例ではその製法上、得られる化合物のビシナルジフルオロアルケニル基の２個のフッ素は互いにシス(Z)配置になり、ビシナルトランス(E)ジフルオロアルケニル基を有する化合物を得ることができないため、そのような液晶化合物はこれまで知られていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、ビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶化合物の容易かつ簡便な新規製造方法を提供することであり、これを利用してビシナルトランスジフルオロアルケニル基を有する新規液晶化合物を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【０００６】
【化６】
0004224870.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒは炭素原子数１２未満のアルキル基またはアルコキシル基を表すが、これらは１個以上のフッ素原子、塩素原子または炭素原子数１〜８のアルコキシル基により置換されていてもよく、あるいはまた環Ａが芳香環を表す場合にはフッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表してもよく、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、これらの基に含まれる１あるいは非隣接の２個のＣＨ2基は酸素原子（−Ｏ−）により置き換えられていてもよく、１あるいは２個のＣＨ基は窒素原子（−Ｎ＝）により置き換えられていてもよく、Ｍ及びＮはそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または-CH2CH2CH2CH2-を表し、Ｑは単結合または酸素原子（−Ｏ−）を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは０〜７の整数を表し、末端の２個のビシナルフッ素は互いにシスまたはトランス配置である。）で表されるビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物の製造方法であって、一般式（ＩＩ）
【０００８】
【化７】
0004224870.tif 000003
【０００９】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるスルホキシド類を加熱し、次いでシス及びトランスの異性体を分離することを特徴とする製造方法。２．一般式（ＩＩＩ）
【００１０】
【化８】
0004224870.tif 000004
【００１１】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるチオエーテル類をフルオロ−プーメラー転移によりフッ素化し、次いで酸化することにより一般式（ＩＩ）のスルホキシド類とし、これを一般式（Ｉ）のビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物に導くことを特徴とする上記１記載の製造方法。
３．一般式（ＩＶ）
【００１２】
【化９】
0004224870.tif 000005
【００１３】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオレフィン類を、直接あるいはハロフルオロ化を経てチオフルオロ化することにより一般式（ＩＩＩ）のチオエーテル類を得て、これから一般式（ＩＩ）のスルホキシド類を経て一般式（Ｉ）のビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物に導くことを特徴とする上記２記載の製造方法。
４．一般式（Ｉa）
【００１４】
【化１０】
0004224870.tif 000006
【００１５】
（式中、Ｒは炭素原子数１２未満のアルキル基またはアルコキシル基を表すが、これらは１個以上のフッ素原子、塩素原子または炭素原子数１〜８のアルコキシル基により置換されていてもよく、あるいはまた環Ａが芳香環を表す場合にはフッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表してもよく、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、これらの基に含まれる１あるいは非隣接の２個のＣＨ2基は酸素原子（−Ｏ−）により置き換えられていてもよく、１あるいは２個のＣＨ基は窒素原子（−Ｎ＝）により置き換えられていてもよく、Ｍ及びＮはそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または-CH2CH2CH2CH2-を表し、Ｑは単結合または酸素原子（−Ｏ−）を表し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは０〜７の整数を表し、末端の２個のビシナルフッ素は互いにトランス配置である。）で表されることを特徴とする上記１記載の一般式（Ｉ）で表されるビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物。
５．上記４記載の一般式（Ｉa）で表される化合物を含有する液晶組成物。
を前記課題の解決手段として見出した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の一例について説明する。
本発明は、一般式（Ｉ）
【００１７】
【化１１】
0004224870.tif 000007
【００１８】
で表されるビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物の製造方法として、一般式（ＩＩ）
【００１９】
【化１２】
0004224870.tif 000008
【００２０】
で表されるスルホキシド類を加熱し、次いでシス(Z)及びトランス(E)の異性体を分離することを特徴とする製造方法を提供する。
式中、Ｒは炭素原子数１２未満のアルキル基またはアルコキシル基を表すが、これらは１個以上のフッ素原子、塩素原子または炭素原子数１〜８のアルコキシル基により置換されていてもよく、あるいはまた環Ａが芳香環を表す場合にはフッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表してもよいが、好ましくは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基またはフッ素原子により置換されていてもよい炭素原子数１または２のアルコキシル基、または環Ａが芳香環の場合にフッ素原子またはシアノ基を表し、特に好ましくは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表す。環Ａ、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、これらの基に含まれる１あるいは非隣接の２個のＣＨ2基は酸素原子（−Ｏ−）により置き換えられていてもよく、１あるいは２個のＣＨ基は窒素原子（−Ｎ＝）により置き換えられていてもよいが、好ましくはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１または２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、特に好ましくはトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す。Ｍ及びＮはそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または-CH2CH2CH2CH2-を表すが、単結合、-CH2CH2-、−ＣＦ2Ｏ−または−ＯＣＦ2−が好ましく、単結合が特に好ましい。Ｑは単結合または酸素原子（−Ｏ−）を表すが、環Ｃがトランス−１，４−シクロヘキシレン基の場合には単結合が好ましく、環Ｃが芳香環でｎが０を表す場合には酸素原子が好ましい。ｍは０〜２の整数を表すが、０または１が好ましい。ｎは０〜７の整数を表すが、０、１、２または４が好ましく、０または２が特に好ましい。末端の２個のビシナルフッ素は互いにシス(Z)またはトランス(E)配置である。Ａｒはアリール基を表すが、フェニル基が好ましい。
【００２１】
反応は１００℃以上に加熱することにより進行するが、迅速に進行させるためには１４０℃以上、特に１５０〜２００℃で行うことが好ましい。また、反応は溶媒中で実施することが好ましいが、溶媒としては比較的不活性な炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、特にデカリン、エチルシクロヘキサン等の飽和炭化水素類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類またはこれらの混合物が好ましく、キシレン等の芳香族炭化水素類は最も好ましい。また、トリエチルアミンやピリジン等のアミン類を併用させてもよい。かくして得られた（Ｉ）は末端の２個のビシナルフッ素が互いにトランス(E)配置である（Ｉａ）
【００２２】
【化１３】
0004224870.tif 000009
【００２３】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）と互いにシス(Z)配置である（Ｉｂ）
【００２４】
【化１４】
0004224870.tif 000010
【００２５】
との混合物であるが、これらはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の通常の分離手段により容易に分離が可能であり、必要に応じ再結晶等を行うことにより容易に単離精製することができる。
【００２６】
ここで一般式（ＩＩ）のスルホキシド類は新規な化合物であるが、一般式（ＩＩＩ）
【００２７】
【化１５】
0004224870.tif 000011
【００２８】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるチオエーテル類をフルオロ−プーメラー転移によりフッ素化し、次いで酸化することにより容易に得ることができる。本発明はこの（ＩＩＩ）のチオエーテル類から（ＩＩ）のスルホシキド類を経ることを特徴とする（Ｉ）の化合物の製造方法をも提供する。ここでフルオロ−プーメラー転移は（ＩＩＩ）にフッ化物イオン源存在下にハロニウムイオン発生剤を反応させることにより容易に進行する。フッ化物イオン源としては二水素三フッ化テトラブチルアンモニウムやフッ化水素-ピリジン、フッ化水素-メラミン等を用いることができ、ハロニウムイオン発生剤としては１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）、Ｎ−ブロモサクシイミド（ＮＢＳ）、Ｎ−ヨードサクシイミド（ＮＩＳ）等が好適に用いられる。次いで酸化剤としてはｍ−クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）、過酢酸、過蟻酸等の有機過酸、過酸化水素、ｔ−ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、二酸化マンガン、クロム酸、過ヨウ素酸、四酢酸鉛等の無機酸化剤等を用いることができ、ｍＣＰＢＡは特に好ましい。
【００２９】
ここで一般式（ＩＩＩ）のチオエーテル類も新規な化合物であるが、これは一般式（ＩＶ）
【００３０】
【化１６】
0004224870.tif 000012
【００３１】
（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｍ、Ｎ、Ｑ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオレフィン類を、直接あるいはハロフルオロ化を経てチオフルオロ化することにより得ることができる。本発明はこの（ＩＶ）のオレフィン類から（ＩＩＩ）のチオエーテル類次いで（ＩＩ）のスルホシキド類を経ることを特徴とする（Ｉ）の化合物の製造方法をも提供する。ここでチオフルオロ化は（ＩＶ）の化合物に一般式（Ｖ）
【００３２】
【化１７】
0004224870.tif 000013
【００３３】
（式中、Ａｒはアリール基を表す。）で表されるチオフタルイミド及びフッ化物イオン源を反応させることにより得ることができる。フッ化物イオン源としては前述のものが使用可能であるが、フッ化水素-ピリジンが好ましい。一般式（ＩＶ）の選択によってはこのチオフルオロ化が進行し難いこともあるが、その場合にはハロニウムイオン発生剤及びフッ化物イオン源を反応させて、ハロフルオロ化し、次いでチオフェノラート類を反応させることにより容易に得ることができる。ハロニウムイオン発生剤としては前述のものが使用可能であるが、ＮＩＳが特に好ましい。またフッ化物イオン源としてはやはり前述のものが使用可能であるが、二水素三フッ化テトラブチルアンモニウムが特に好ましい。
【００３４】
かくして得られる一般式（Ｉ）で表される化合物のなかで前述の一般式（Ｉａ）で表される化合物はこれまでの手法では製造することができなかった新規な化合物であり、本発明はこの（Ｉａ）の化合物及びこれを含有する液晶組成物をも提供する。
【００３５】
本発明の製造法に基づき、実際に製造された一般式（Ｉ）のビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物の例をその相転移温度とともに第１表に掲げる。
【００３６】
【表１】
0004224870.tif 000014
【００３７】
表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相を、ＳBはスメクチックＢ相を、Ｓ1及びＳ2は帰属不明のスメクチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表す。
一般式（Ｉ）、特に一般式（Ｉａ）で表される化合物を既知の汎用液晶に添加することによる効果を以下に示す。
【００３８】
汎用のホスト液晶（Ｈ）
【００３９】
【化１８】
0004224870.tif 000015
【００４０】
の物性値ならびにセル厚６μｍのＴＮセルに充填して測定した電気光学特性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）  １１６．７℃
誘電率異方性（Δε）                ４．８０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０９０
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．１４Ｖ
この（Ｈ）８０重量％に、第１表に示された（Ｉａ−５）及び（Ｉｂ−５）の化合物を各々２０重量％添加して液晶組成物（Ｍａ−５）及び（Ｍｂ−５）を調製した。同様にして測定したこれらの特性値を以下に示す。
（Ｍａ−５）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）  １０９．５℃
誘電率異方性（Δε）                ４．０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０９０
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０１Ｖ
（Ｍｂ−５）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）  １１６．０℃
誘電率異方性（Δε）                ３．２０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０８９
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．３５Ｖ
従って、（Ｍａ−５）ではそのネマチック相上限温度（ＴN-I）がやや低下しているが、誘電率異方性（Δε）が減少しているにもかかわらずその閾値電圧（Ｖｔｈ）が低下しており、（Ｉａ）の化合物が閾値電圧低減に効果的であることがわかる。
【００４１】
次にこの（Ｈ）８０重量％に、第１表に示された（Ｉａ−２）及び（Ｉｂ−２）の化合物を各々２０重量％添加して液晶組成物（Ｍａ−２）及び（Ｍｂ−２）を調製した。また比較のため、（Ｉａ−２）及び（Ｉｂ−２）と類似構造を有するがフッ素を含まない（Ｒ）
【００４２】
【化１９】
0004224870.tif 000016
【００４３】
を同量（２０重量％）添加して液晶組成物（Ｍ−Ｒ）を調製した。
同様にして測定したこれらの特性値を以下に示す。
（Ｍａ−２）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ８６．８℃
誘電率異方性（Δε）                ３．１
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７５
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０４Ｖ
（Ｍｂ−２）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ８７．４℃
誘電率異方性（Δε）                ３．０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７６
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．００Ｖ
（Ｍ−Ｒ）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ９４．４℃
誘電率異方性（Δε）                ３．１
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７７
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０８Ｖ
従って、（Ｍａ−２）及び（Ｍｂ−２）はともに（Ｍ−Ｒ）と比較して屈折率異方性（Δｎ）がより減少し、閾値電圧（Ｖｔｈ）がより低減されていることがわかる。また（Ｍａ−２）と（Ｍｂ−２）の比較から、（Ｉａ−２）の屈折率異方性（Δｎ）はより小さいことがわかる。
【００４４】
また、本発明の（Ｉ）の化合物は化学的安定性に優れており、（Ｍａ−２）や（Ｍｂ−２）、（Ｍａ−５）、（Ｍｂ−５）はともに高い比抵抗と高い電圧保持率を示した。
【００４５】
以上のように一般式（Ｉ）特に（Ｉａ）の化合物は、イ）閾値電圧が低く低電圧駆動が可能であり、ロ）屈折率異方性が小さくさらに、ハ）電圧保持率が高くアクティブマトリックス駆動も充分可能であるような液晶組成物の調製するうえにおいて特に有用であることがわかる。
【００４６】
このように、一般式（Ｉａ）で表される化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、安息香酸フェニル誘導体、シクロヘキサンカルボン酸フェニル誘導体、シクロヘキサンカルボン酸ビフェニル−４−イル誘導体、シクロヘキサンカルボニルオキシ安息香酸フェニル誘導体、シクロヘキシル安息香酸フェニル誘導体、シクロヘキシル安息香酸シクロヘキシル誘導体、ビフェニル誘導体、シクロヘキシルベンゼン誘導体、テルフェニル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、４−シクロヘキシルビフェニル誘導体、４−フェニルビシクロヘキサン誘導体、テルシクロヘキサン誘導体、１，２−ジシクロヘキシルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエチン誘導体、（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体、４−フェネチルビシクロヘキサン誘導体、４−（２−シクロヘキシルエチル）ビフェニル誘導体、１−（４−フェニル）シクロヘキシル−２−シクロヘキシルエタン誘導体、１−（４−シクロヘキシルフェニル）−２−フェニルエチン誘導体、フェニルピリミジン誘導体、（４−ビフェニル−４−イル）ピリミジン誘導体、フェニルピリジン誘導体、（４−ビフェニル−４−イル）ピリジン誘導体、などを挙げることができる。これらのうち、特にアクティブマトリックス駆動用としてはビフェニル誘導体、シクロヘキシルベンゼン誘導体、テルフェニル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、４−シクロヘキシルビフェニル誘導体、４−フェニルビシクロヘキサン誘導体、テルシクロヘキサン誘導体、１，２−ジシクロヘキシルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエチン誘導体、（２−シクロヘキシルエチル）ベンゼン誘導体、４−フェネチルビシクロヘキサン誘導体、４−（２−シクロヘキシルエチル）ビフェニル誘導体、１−（４−フェニル）シクロヘキシル−２−シクロヘキシルエタン誘導体、１−（４−シクロヘキシルフェニル）−２−フェニルエチン誘導体が好ましい。
【００４７】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。
（実施例１）  トランス-4-［(E)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉａ−１）及びトランス-4-［(Z)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉｂ−１）の合成
【００４９】
【化２０】
0004224870.tif 000017
【００５０】
（Ｉ−ｉ）  トランス-4-(2-ヨ−ド-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサンの合成
真空加熱乾燥した１００ｍＬ二ツ口ナス型フラスコにアルゴン雰囲気下，二水素三フッ化テトラブチルアンモニウム（１３．１２ｇ，４３．５２ｍｍｏｌ）を入れ，室温で３０分減圧乾燥した。ついで激しくかきまぜながら，反応容器にＮＩＳ（１０．１２ｇ，４４．９８ｍｍｏｌ），ジクロロメタン（４５ｍＬ）を加え，氷浴で約０℃に冷却した。反応懸濁液にトランス-4-エテニル-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（８．０８ｇ，３０．７８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１０ｍｌ溶液を０℃で３０分かけて滴下した。反応液を徐々に室温に戻し，さらに室温で９時間激しくかきまぜた。反応溶液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液，亜硫酸水素ナトリウム水溶液を順次加えて反応を停止し，ヘキサンで４回水層を抽出した。有機層を合わせ，硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過したのち，ろ液を減圧濃縮した。残渣をフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製してトランス-4-(2-ヨ−ド-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（７．７７ｇ，収率６２％）を白色固体として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．７７−１．３５（ｍ，２３Ｈ），１．５９−１．９７（ｍ，８Ｈ），３．２９（ｄｄｄ，Ｊ＝６．６，１１．１，２２．２Ｈｚ，１Ｈ），３．３９（ｄｄｄ， Ｊ＝３．９，１１．１，２３．４Ｈｚ，１Ｈ），４．１３（ｄｄｄｄ，Ｊ＝３．９，６．３，６．６，４７．１Ｈｚ，１Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１７８．０６（ｄｄｄｄ，Ｊ＝１５．６，２２．２，２３．４，４７．１Ｈｚ，１Ｆ）
（Ｉ−ｉｉ）  トランス-4-(2-フェニルチオ-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサンの合成
真空加熱乾燥した３０ｍＬ二ツ口反応管にアルゴン雰囲気下，水素化ナトリウム（１５２．３ｍｇ，６．３５ｍｍｏｌ），ＴＨＦ（５．０ｍＬ）をいれ，０℃でかきまぜながらチオフェノ−ル（０．７２ｍＬ，７．０ｍｍｏｌ）を滴下し，さらに室温で３０分間かきまぜた。別途真空加熱乾燥した５０ｍＬ二ツ口反応管にアルゴン雰囲気下，トランス-4-(2-ヨ−ド-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（２．２５ｇ，５．５１ｍｍｏｌ），ＴＨＦ（５．０ｍＬ）を入れ０℃でかきまぜた。ここに，上記で調製したチオフェノキシド懸濁液をカヌラーを用いて滴下した。１０ｍＬのＴＨＦで洗い込んだ後，室温でさらに３時間かきまぜた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ，飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い，硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過したのち，ろ液を減圧濃縮した。残渣をフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／ベンゼン＝１０／１）で精製してトランス-4-(2-フェニルチオ-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（２．０４ｇ，収率９５％）を白色固体として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８４−１．３４（ｍ，２３Ｈ），１．６６−１．９２（ｍ，８Ｈ），３．０８−３．２２（ｍ，２Ｈ），４．３７（ｄｄｔ，Ｊ＝５．７，５．７，４７．７Ｈｚ，１Ｈ），７．１５−７．４０（ｍ，５Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１８４．４７（ｄｄｔ，Ｊ＝１９．３，４７．７，２１．５Ｈｚ，１Ｆ）
（Ｉ−ｉｉｉ）  トランス-4-(2-フェニルスルフィニル-1,2-ジフルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサンの合成
真空加熱乾燥した３０ｍＬ二ツ口反応管にアルゴン雰囲気下，二水素三フッ化テトラブチルアンモニウム（２．７２６ｇ，９．０４ｍｍｏｌ）を加え，室温で３０分減圧乾燥した。ついで激しくかきまぜながら，反応容器にトランス-4-(2-フェニルチオ-1-フルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（１．１７７ｇ，３．０１ｍｍｏｌ），ジクロロメタン（１０ｍＬ），ＤＢＨ（８６１ｍｇ，３．０１ｍｍｏｌ）を室温で順に加えてそのまま３０分間激しくかきまぜた。19Ｆ−ＮＭＲで反応が終了したことを確認したのち，反応溶液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液，亜硫酸水素ナトリウム水溶液を順に加えて反応を停止し，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ，硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過した後，ろ液を減圧濃縮した。
【００５１】
次に残渣を１００ｍＬナス型フラスコに移し，ジクロロメタン（１４ｍＬ）に溶かした。反応容器を冷浴（−３０℃）で冷却したのち反応溶液にｍＣＰＢＡ（５７４ｍｇ，３．３３ｍｍｏｌ）を一度に加え，同温で３時間かきまぜた。薄層クロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で反応が終了していることを確認したのち，反応溶液に亜硫酸水素ナトリウムを加え，反応懸濁液を同温でしばらくかきまぜ，さらに水を加えて反応を停止した。ついで，その溶液に１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和したのち，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過し，ろ液を減圧濃縮した。残渣をフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製してトランス-4-(2-フェニルスルフィニル-1,2-ジフルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（１．１３ｇ， 収率８９％）を白色固体として得た。
（Ｉ−ｉｖ）  トランス-4-［(E)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉａ−１）及びトランス-4-［(Z)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉｂ−１）の合成
ネジ付き試験管（１００ｍＬ）にトランス-4-(2-フェニルスルフィニル-1,2-ジフルオロエチル)-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（１．１３ｇ，２．６６ｍｍｏｌ），ｏ−キシレン（１５ｍＬ）を加え，反応溶液を温浴（１７０℃）で１６時間加熱しながらかきまぜた。反応溶液を減圧濃縮したのち，残渣を１００ｍＬナス型フラスコに移し，ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶かした。反応容器を冷浴（−４０℃）で冷却しながら，ｍＣＰＢＡ（５１８ｍｇ，３．００ｍｍｏｌ）を一度に加えた。冷浴の温度を−３０℃に昇温し，反応溶液を同温で６時間激しくかきまぜた。ガスクロマトグラフィ−で反応が終了していることを確認したのち，反応溶液に亜硫酸水素ナトリウムを加え，反応懸濁液を同温でしばらくかきまぜたのち，水を加えて反応を停止した。ついで，その溶液に１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和したのち，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過し，ろ液を減圧濃縮した。残渣を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製して（Ｉａ−１）（１４３ｍｇ，収率１８％），（Ｉｂ−１）（４３６ｍｇ，収率５５％）を得た。得られた各化合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
【００５２】
トランス-4-［(E)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉａ−１）
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８４−１．５０（ｍ，２３Ｈ），１．６７−１．８１（ｍ，８Ｈ），６．９７（ｄｄ，Ｊ＝３．９，７７．５Ｈｚ，１Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１６９．３７（ｄｄｄ，Ｊ＝３．９，２９．４，１２６．９Ｈｚ，１Ｆ），−１８５．１２（ｄｄｄ，Ｊ＝４．１，７７．５，１２６．９Ｈｚ，１Ｆ）
トランス-4-［(Z)-1,2-ジフルオロエテニル］-トランス-4'-ペンチルビシクロヘキサン（Ｉｂ−１）
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８４−１．３４（ｍ，２３Ｈ），１．６６−２．０４（ｍ，８Ｈ），６．２２（ｄｄｄ，Ｊ＝１．０，１７．４，７４．１Ｈｚ，１Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１４０．２６（ｄｄｄ，Ｊ＝１１．２，１６．８，１７．４Ｈｚ，１Ｆ），−１７１．５２（ｄｄｄ，Ｊ＝３．９，１１．２，７４．１Ｈｚ，１Ｆ）
（実施例２）  トランス-4'-［(E)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉａ−４）及びトランス-4'-［(Z)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉｂ−４）の合成
【００５３】
【化２１】
0004224870.tif 000018
【００５４】
（２−ｉ）  トランス-4'-(4-フェニルチオ-3-フルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサンの合成
乾燥した１００ｍＬのテフロン製容器にアルゴン雰囲気下，トランス-4'-(3-ブテニル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（３．３３ｇ，１０．０２ｍｍｏｌ），Ｎ−フェニルチオフタルイミド（２．６８ｇ，１０．５０ｍｍｏｌ），ジクロロメタン（４０ｍＬ）を加え激しくかきまぜた。ついで，反応溶液にフッ化水素−ピリジン錯体（７０ｗｔ％ＨＦ，２．５ｍＬ）を室温で徐々に滴下した。室温で５３時間激しくかきまぜた後，反応溶液に水酸化ナトリウム−炭酸水素ナトリウム−亜硫酸水素ナトリウム混合水溶液を加えて反応を停止し，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ硫酸ナトリウムで乾燥，セライトろ過し，ろ液を減圧濃縮した。残渣をフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／ベンゼン＝６／１）で精製してトランス-4'-(4-フェニルチオ-3-フルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（３．５６ｇ，収率７７％）を白色粉末として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８４−１．４５（ｍ，１３Ｈ），１．６１−１．９２（ｍ，１０Ｈ），２．４０（ｔｍ，Ｊ＝１１．８Ｈｚ，１Ｈ），２．９６−３．２９（ｍ，２Ｈ），４．５８（ｄｍ，Ｊ＝４８．１Ｈｚ，１Ｈ），６．８５−７．４１（ｍ，８Ｈ）19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１３９．２３（ｄｄｄ，Ｊ＝８．５，１２．０，２１．６Ｈｚ，１Ｆ），−１４２．１２（ｄｄｄｄ，Ｊ＝４．５，７．８，１０．３，２１．６Ｈｚ，１Ｆ），−１７６．７３−−１７７．４３（ｍ，１Ｆ）
（２−ｉｉ）  トランス-4'-(4-フェニルスルフィニル-3,4-ジフルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサンの合成
真空加熱乾燥した３０ｍＬ二ツ口反応管にアルゴン雰囲気下，二水素三フッ化テトラブチルアンモニウム（２．７１７ｇ，９．０１ｍｍｏｌ）を加え，室温で３０分減圧乾燥した。ついで激しくかきまぜながら，反応容器にトランス-4'-(4-フェニルチオ-3-フルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（１．３８３ｇ，３．００ｍｍｏｌ），ジクロロメタン（１０ｍＬ），ＤＢＨ（８７０ｍｇ，３．０４ｍｍｏｌ）を室温で順に加えてそのまま３０分間激しくかきまぜた。19Ｆ−ＮＭＲで反応が終了したことを確認したのち，反応溶液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液，亜硫酸水素ナトリウム水溶液を順に加えて反応を停止し，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ，硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過したのち，ろ液を減圧濃縮した。
【００５５】
次に残渣を１００ｍＬナス型フラスコに移し，ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶解した。反応容器を冷浴（−３０℃）で冷却したのち反応溶液にｍＣＰＢＡ（５７３ｍｇ，３．３ｍｍｏｌ）を一度に加え，同温で５時間かきまぜた。薄層クロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で反応が終了していることを確認したのち，反応溶液に亜硫酸水素ナトリウムを加え，反応懸濁液を同温でしばらくかきまぜ，さらに水を加えて反応を停止した。ついで，その溶液に１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和したのち，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過し，ろ液を減圧濃縮した。残渣をフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製してトランス-4'-(4-フェニルスルフィニル-3,4-ジフルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（１．３９ｇ， 収率９４％）を白色固体として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８５−１．９８（ｍ，２３Ｈ），２．４０（ｔｍ，Ｊ＝１０．０Ｈｚ，１Ｈ），４．４７−５．４６（ｍ，２Ｈ），６．８５−７．１０（ｍ，３Ｈ），７．５５−７．７８（ｍ，５Ｈ）
（２−ｉｉｉ）  トランス-4'-［(E)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉａ−４）及びトランス-4'-［(Z)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉｂ−４）の合成
ネジ付き試験管（１００ｍｌ）にトランス-4'-(4-フェニルスルフィニル-3,4-ジフルオロブチル)-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（１．３９ｇ，２．８１ｍｍｏｌ），ｏ−キシレン（１５ｍＬ）を加え，反応溶液を温浴（１７０℃）で１４時間加熱しながらかきまぜた。反応溶液を減圧濃縮したのち，残渣を１００ｍＬナス型フラスコに移し，ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶かした。反応容器を冷浴（−４０℃）で冷却しながら，反応溶液にｍＣＰＢＡ（５３１ｍｇ，３．０８ｍｍｏｌ）を一度に加えた。冷浴の温度を−３０℃に昇温し，反応溶液を同温で６時間激しくかきまぜた。ガスクロマトグラフィ−で反応が終了していることを確認したのち，反応溶液に亜硫酸水素ナトリウムを加え，反応懸濁液を同温でしばらくかきまぜたのち，水を加えて反応を停止した。ついで，その溶液に１０％水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和したのち，ジエチルエーテルで３回水層を抽出した。有機層を合わせ硫酸マグネシウムで乾燥，セライトろ過し，ろ液を減圧濃縮した。残渣を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン）で精製してトランス-4'-［(E)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉａ−４）（２３１ｍｇ，収率２２％）及びトランス-4'-［(Z)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉｂ−４）（３３７ｍｇ，収率３３％）をそれぞれ得た。得られた各化合物の相転移温度は第１表にまとめて示した。
【００５６】
トランス-4'-［(E)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉａ−４）
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８８−１．５１（ｍ，１３Ｈ），１．７３−１．９３（ｍ，８Ｈ），２．２８−２．４９（ｍ，３Ｈ），６．８５−７．２６（ｍ，４Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１３９．２３（ｄｄｄ，Ｊ＝７．９，１１．７，２１．０Ｈｚ，１Ｆ），−１４３．１２（ｄｄｄｄ，Ｊ＝４．５，７．６，１０．０，２１．０Ｈｚ，１Ｆ），−１６０．６３（ｄｄｔ，Ｊ＝１２７．４，３．４，２３．３Ｈｚ，１Ｆ），−１８４．２０（ｄｄｔ，Ｊ＝１２７．４，７７．２，５．２Ｈｚ，１Ｆ）
トランス-4'-［(Z)-3,4-ジフルオロ-3-ブテニル］-トランス-4-(3,4-ジフルオロフェニル)ビシクロヘキサン（Ｉｂ−４）
1Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｍｅ4Ｓｉ）
TM０．８１−１．４４（ｍ，１３Ｈ），１．７４−１．９２（ｍ，８Ｈ），２．００−２．２０（ｍ，２Ｈ），２．４１（ｔｔ，Ｊ＝３．１，１１．９Ｈｚ，１Ｈ）６．２３（ｄｄｔ，Ｊ＝７４．１，１７．６，１．０，１Ｈ）６．８６−７．１１（ｍ，３Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（１８８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，ＣＦＣｌ3）
TM−１３５．８０（ｔｄｄ，Ｊ＝１０．６，１７．６，１９．３Ｈｚ，１Ｆ），−１３９．２１（ｄｄｄ，Ｊ＝８．０，１１．７，２０．９Ｈｚ，１Ｆ），−１４３．１０（ｄｄｄｄ，Ｊ＝４．４，７．６，１０．１，２０．９Ｈｚ，１Ｆ），−１６７．７０（ｄｄｔ，Ｊ＝７４．１，１０．６，４．６Ｈｚ，１Ｆ）
（実施例３）  液晶組成物の調製（１）
低粘性で液晶相温度範囲の広いホスト液晶（Ｈ）
【００５７】
【化２２】
0004224870.tif 000019
【００５８】
は１１６．７℃以下でネマチック相を示す。これを厚さ６μｍのＴＮセルに充填して測定した電気光学特性は以下の通りであった。
誘電率異方性（Δε）                ４．８０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０９０
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．１４Ｖ
この（Ｈ）８０重量％に、第１表に示された（Ｉａ−５）及び（Ｉｂ−５）の化合物を各々２０重量％添加して液晶組成物（Ｍａ−５）及び（Ｍｂ−５）を調製した。同様にして測定したこれらの特性値は以下の通りであった。
（Ｍａ−５）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）  １０９．５℃
誘電率異方性（Δε）                ４．０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０９０
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０１Ｖ
（Ｍｂ−５）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）  １１６．０℃
誘電率異方性（Δε）                ３．２０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０８９
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．３５Ｖ
従って、（Ｍａ−５）ではそのネマチック相上限温度（ＴN-I）がやや低下しているが、誘電率異方性（Δε）が減少しているにもかかわらずその閾値電圧（Ｖｔｈ）が低下しており、（Ｉａ）の化合物が閾値電圧低減に特に効果的であることがわかる。
【００５９】
またこれらの組成物の比抵抗ならびに電圧保持率は充分高いものであった。
（実施例４）  液晶組成物の調製（２）
ホスト液晶（Ｈ）８０重量％に、第１表に示された（Ｉａ−２）及び（Ｉｂ−２）の化合物を各々２０重量％添加して液晶組成物（Ｍａ−２）及び（Ｍｂ−２）を調製した。
【００６０】
同様にして測定したこれらの特性値は以下の通りであった。
（Ｍａ−２）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ８６．８℃
誘電率異方性（Δε）                ３．１
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７５
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０４Ｖ
（Ｍｂ−２）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ８７．４℃
誘電率異方性（Δε）                ３．０
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７６
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．００Ｖ
またこれらの組成物の比抵抗ならびに電圧保持率は充分高いものであった。
（比較例）
実施例４において、（Ｉａ−２）及び（Ｉｂ−２）と類似構造を有するがフッ素を含まない化合物（Ｒ）
【００６１】
【化２３】
0004224870.tif 000020
【００６２】
をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０重量％）添加して液晶組成物（Ｍ−Ｒ）を調製した。同様にして測定したこれらの特性値は以下の通りであった。
（Ｍ−Ｒ）
ネマチック相上限温度（ＴN-I）    ９４．４℃
誘電率異方性（Δε）                ３．１
屈折率異方性（Δｎ）                ０．０７７
閾値電圧（Ｖｔｈ）                  ２．０８Ｖ
従って、実施例４と比較例から（Ｍａ−２）及び（Ｍｂ−２）はともに（Ｍ−Ｒ）と比較して屈折率異方性（Δｎ）がより減少し、閾値電圧（Ｖｔｈ）がより低減されていることがわかる。また（Ｍａ−２）と（Ｍｂ−２）の比較から、（Ｉａ−２）の屈折率異方性（Δｎ）は（Ｉｂ−２）より小さいことがわかる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明の製造方法により、ビシナルジフルオロアルケニル基を有する液晶性化合物を容易に製造することができる。得られた液晶化合物は、特にトランス(E)体において閾値電圧や屈折率異方性の低減等に優れた効果を示し、化学的にも極めて安定でこれらを含有する液晶組成物において高い比抵抗や電圧保持率を得ることも容易である。従って、イ）閾値電圧が低く低電圧駆動が可能であり、ロ）屈折率異方性が小さくさらに、ハ）電圧保持率が高くアクティブマトリックス駆動も充分可能であるような液晶組成物の調製するうえにおいて特に有用である。