(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板であって、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触しないように、下層の配線層の配線および必要に応じて設けられたダミー層に支持され、下側に中空部を備え、下側に中空部を備えている配線を支持する下層の隣接する配線あるいはダミー層とで形成される間隔が１００μｍ以下であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、且つ、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触せず下側に中空部を備えている多層配線基板の製造方法であって、第１層目の配線層は、転写版の配線上およびまたはベース基板に設けられた接着剤層となる絶縁樹脂層を介してベース基板側に転写形成するもので、第２層目以降の各配線層は、順次、各転写原版の配線部上に設けられた接着剤層となる絶縁樹脂層を介してベース基板側に転写形成するもので、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線については、その転写に先立ち、予め、下層の配線を跨ぐ箇所において、下層の配線層の配線を転写するための転写板に配線層と、該配線層と同じ層構成のダミー層を同時に設けておき、下層の配線層と共にダミー層を転写形成しておき、下層の配線を跨ぐ箇所において下層の配線層の隣接する配線間あるいは配線とダミー層との間の距離が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板に関するもので、特に、信号の高速化に対応できる、電気特性の良い多層配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
この為、本出願人により、ベース基板の一面に第１層目の配線層を設けた後に、該第１層目の配線層上に、順次、２層目以降の配線層を、配線を形成した転写版より転写して設け、配線層を多層にした多層配線基板の製造方法が提案されている。
この方法における転写は、転写版の配線部の所定領域に粘着性あるいは接着性を有する絶縁樹脂層を設け、該絶縁樹脂層をベース基板の第１層目の配線層が形成された面側に向け、配線を形成するベース基板と、該転写版とを圧着し、配線部のみをベース基板側に残して転写版を剥離して行うものである。
この方式の場合、転写版の配線をレジスト製版によりめっき形成するため、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
更に、最近では、配線の微細化、量産性に加え、信号の高速化に対応できる、電気的特性の良い多層配線基板が求められている。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、配線をめっき形成した転写版を用いて、配線を多層に形成した多層配線基板で、信号の高速化に対応できる電気特性の良い多層配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような多層配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板であって、
各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触しないように、下層の配線層の配線および必要に応じて設けられたダミー層に支持され、下側に中空部を備えていることを特徴とするものである。
そして、上記において、下側に中空部を備えている配線を支持する下層の隣接する配線あるいはダミー層と、配線あるいはダミー層とで形成される間隔が、中空部を維持できる所定間隔以下であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、ダミー層が絶縁層と導電性層の２層からなることを特徴とするものである。
また、上記において、ダミー層が絶縁層のみからなることを特徴とするものである。
また、上記において、配線の接着剤層が、配線の下部全面に形成されていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の配線形成側の面に、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層を設けていることを特徴とするものである。
尚、ここでは、多層配線基板については、そのベース基板の一面側に対し、該一面からより遠い場合を上、より近いものを下としている。
【０００８】
本発明の多層配線基板の製造方法は、支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、且つ、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触せず下側に中空部を備えている多層配線基板の製造方法であって、第１層目の配線層は、転写版の配線上およびまたはベース基板に設けられた接着剤層となる絶縁樹脂層を介してベース基板側に転写形成するもので、第２層目以降の第Ｎ層目の配線層の形成は、第Ｎ層目の配線層の配線が下層である第１層目〜（Ｎ−１）層目の配線層の配線と重なる箇所の、第１層目〜（Ｎ−１）層目の配線層の配線上部、および第Ｎ層目の配線層の配線が形成されるベース基板の領域に設けられた接着剤層を介して、配線層のみを転写して形成するものであり、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線については、その転写に先立ち、予め、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触しないように、該配線を支持するためのダミー層を必要に応じて形成しておくことを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、且つ、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触せず下側に中空部を備えている多層配線基板の製造方法であって、第１層目の配線層は、転写版の配線上およびまたはベース基板に設けられた接着剤層となる絶縁樹脂層を介してベース基板側に転写形成するもので、第２層目以降の各配線層は、順次、各転写原版の配線部上に設けられた接着剤層となる絶縁樹脂層を介してベース基板側に転写形成するもので、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線については、その転写に先立ち、予め、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触しないように、該配線を支持するためのダミー層を必要に応じて形成しておくことを特徴とするものである。
そして、上記において、第２層目の以降の第Ｎ層目の配線層の形成に際しては、第Ｎ層目の配線層の配線が下層である第１層目〜（Ｎ−１）層目の配線層の配線と重なる箇所の、第１層目〜（Ｎ−１）層目の配線層の配線上部に接着剤層となる絶縁樹脂層を設けた後に、転写版から配線層のみを転写して形成するものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、配線層を形成するための転写版に、ダミー層を設けておき、配線層の転写形成の際に、ダミー層をベース基板側に転写形成するものであることを特徴とするものであり、ダミー層は、配線層と同じ導電性層、あるいは、配線層となる導電性層と該導電性層上に設けられた絶縁樹脂層と同じ絶縁樹脂層からなり、転写版の配線層となる導電性層の作製工程、あるいは、前記工程と、配線となる導電性層上への絶縁樹脂層形成工程で作製されるものであることを特徴とするものである。
尚、ここでは、転写版については、転写版のベースとなる基板の一面側に対し、該一面からより遠い場合を上、より近いものを下としている。
【０００９】
【作用】
本発明の多層配線基板は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ信号の高速化に対応できる電気的特性の良い多層配線基板の提供を可能としている。
特に、配線の重なり箇所において、配線が中空に保持され、配線層間の容量が小さくなり、電気特性を良いものとし、結果、信号の高速化に対応できるものとしている。
具体的には、支持体上に所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版を複数版用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板側に転写して、該ベース基板上に配線部を多層にして設けた多層配線基板であって、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板に接着剤層を介して固定されており、下層の配線層の配線を跨ぐ配線のうち、少なくとも一部の配線は、下層の配線層の配線を跨ぐ箇所において、ベース基板もしくは他の配線と接触しないように、下層の配線層の配線および必要に応じて設けられたダミー層に支持され、下側に中空部を備えていることにより、これを達成している。
更に、具体的には、下側に中空部を備えている配線を支持する下層の隣接する配線あるいはダミー層と、配線あるいはダミー層とで形成される間隔が、中空部を維持できる所定間隔以下であることによりこれを達成している。
配線層が銅を主材質とし、厚さ約５〜１０μｍ、幅約１０〜５００μｍとし、接着剤層を１０〜２０μ厚に、転写版の配線上ないしベース基板側の配線上や、ベース基板に設けた場合、上記所定間隔は１００μｍ程度である。
ダミー層としては、絶縁層のみあるいは、絶縁層と導電性層とを重ねた状態のものでも良い。また、絶縁性が確保できれば導電性層のみでも良い。
【００１０】
また、配線の下部全面に配線の接着剤層となる絶縁樹脂層が形成されている構造は、作製上、有利な構造でもある。
即ち、この構造は、配線部を設けた転写版の、配線上に、配線の接着剤層となる絶縁樹脂層を設けた状態で、該接着剤層を介して配線を転写形成することとにより得られるが、配線層間の絶縁性と、転写の際の配線の固定を、簡単に確実にできる。
また、ベース基板の配線形成側の面に、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層を設けていることにより、ベース基板として適用できる材質を、絶縁性の樹脂フィルム、ガラス板の他に、導電性の金属板にまで拡大できるものとしている。
また、その製造の面においても、自由度を大きくするものである。
【００１１】
本発明の多層配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ信号の高速化に対応できる電気的特性の良い本発明の多層配線基板の製造方法の提供を可能としている。
そして、サブトラクティブ法のようなフォトリソを用いたエッチング加工では、達成困難な３次元構造の形成が可能である。
詳しくは、転写用の原版を用いて配線部を多層配線基板用のベース基板の一面側に転写形成していくため、生産性が良く量産に向いており、転写版の配線部を選択めっきによめっき形成して作製することにより、配線の微細化を可能とし、配線の多層化とともに配線の高密度化を可能としている。
また、ベース基板の配線形成側の面に、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層を設けることにより、ベース基板の材質は、導電性のものにも適用でき、作製の自由度を大きくしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の実施の形態を挙げ、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の特徴部を示した図で、図１（ａ）はその配線１３０に沿った断面図で、図２は図１に示す第１の例の変形例を説明するための概略断面図で、図３（ａ）は実施の形態の第２の例の特徴部を示した図で、図３（ｂ）は実施の形態の第３の例の特徴部を示した図で、図４〜図８は、それぞれ、本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例〜第５の例を説明するための工程図である。
図１〜図８中、１１０はベース基板、１１３はベース基材、１１５は絶縁樹脂層、１２０、１３０は（導電性層からなる）配線、１２５、１３５、１３５Ａは絶縁樹脂層、１４０はダミー層、１４３はダミー配線、１４５はダミー絶縁層、１８０は中空部、４００、４０５、５００、５０５、６００、６０５、７０５は転写版、４１０、５１０、６１０および４１５、５１５、６１５は基板、４２０、５２０、６２０および４２５、５２５、６２５はレジスト、４２０Ａ、４２５Ａ、５２０Ａ、５２５Ａ、６２０Ａ、６２５Ａはレジスト開口部、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０および４３５、５３５、６３５、７３５は導電性層、４４０、５４０、６４０、７４０、８４０および、５４５、６４５、７４５は絶縁性層、４５０は絶縁性層、７６０、８６０はダミー層、８６１はダミー配線、８６２はダミー絶縁層である。
【００１３】
はじめに、本発明の多層配線基板の実施の形態を挙げる。
先ず、実施の形態の第１の例を、図１に基づいて説明する。
第１の例は、所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版、２版を用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板１１０側に転写して、ベース基板１１０上に、配線部を２層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板１１０に接着剤層を介して固定されており、下層（第１層目）の配線層の配線１２０を跨ぐ配線１３０は、下層の配線層の配線１２０を跨ぐ箇所において、ベース基板１１０と接触しないように、下層の配線層の配線１２０に支持され、下側に中空部１８０を備えているものである。
下層（第１層目）の配線層の配線１２０は、全て、ベース基板１１０に接着剤層である絶縁樹脂層１２５を介して固定されており、上層（第２層目）の配線層の配線１３０は、下層の配線１２０を跨ぐ箇所においてはベース基板１１０に直接固定されていないが、Ａ０箇所等、一部は、接着剤層である絶縁樹脂層１３５を介してベース基板１１０に固定されている。
本例の場合は、接着剤層となる絶縁樹脂層１２５、１３５が、それぞれ、配線１２０、１３０の下部全面に形成されている。
そして、上層（第２層目）の配線層の配線１３０の支持は、下層の配線１２０のみでしており、後述する図３に示す第２の例や第３の例の多層配線基板のように支持用の回路の配線ではないダミー層を設けたものではない。
上層の配線１３０を支持する下層の配線１２０の間隔は、中空部１８０を維持できる、所定間隔以下に隣接されている。
【００１４】
めっき形成された導電性層からなる配線１２０、１３０の材質としては、導電性や、コスト的な面からはめっき銅が好ましく、めっき銅の場合、その厚さは、配線の幅にもよるが１μｍ以上は必要である。
【００１５】
本例では、ベース基板１１０は単一のベース基材からなるが、これに限定はさない。単一のベース基材からなるものの他には、例えば、ベース基材の配線を形成する側の面に、常温や加熱により粘着性ないし接着性を呈する絶縁樹脂層を設けたもの等が挙げられる。
そして、ベース基材としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板（フィルム）等が挙げられる。
配線層としてめっき銅配線層が用いられる場合には、ベース基材としては、銅の熱膨張係数（１７ｐｐｍ）に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が好ましい。
【００１６】
絶縁樹脂層１２５、１３５としては、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有する合成高分子樹脂を挙げることができる。
合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から接着剤層がポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００１７】
第１の変形例は、第１の例において、第１の例の単一のベース基材のベース基板１１０に代え、ベース基材１１３の配線形成側の面に、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層１１５を設けたベース基板１１０を用いたものである。
この場合は、第１の例に比べ、配線のベース基板への接着の自由度を上げることができる。図１（ａ）に相当する箇所は、図２（ａ）のようになる。
第２の変形例は、第１の例において、第１の例の単一のベース基材のベース基板１１０として、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈するものを用い、下層（第１層目）の配線層の配線１２０を絶縁樹脂層１２５を介してベース基板１１０へ固定し、上層の配線１３０の配線の形成には、下層の配線１２０との重なり部分にのみ接着剤層となる絶縁樹脂層１３５Ａを設けて配線１２０に固定し、且つ、配線１２０との重なり箇所以外はベース基板１２０に直接固定させたものである。
図１（ａ）に相当する箇所は、図２（ｂ）のようになる。
第３の変形例は、第１の例において、第１の例のベース基材単体のベース基板１１０として、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈するものを用い、下層（第１層目）の配線層の配線１２０を絶縁樹脂層１２５を介してベース基板１１０へ固定し、下層の上層と重なる部分には接着剤層となる絶縁樹脂層１３５Ａを設け、且つ、上層の配線１３０の、下層の配線１２０との重なり合う側の面全体に接着剤層となる絶縁樹脂層１３５を設けて、配線１２０におよびベース基板１１０に絶縁樹脂層１３５を介して固定したものである。
図１（ａ）に相当する箇所は、図２（ｃ）のようになる。
第４の変形例は、ベース基材１１３の配線形成側の面に、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層１１５を設けたベース基板１１０を用い、下層の配線１２０は、直接ベース基板１１０の絶縁樹脂層１１５を介して固定されている。そして、上層の配線１３０は、下層の配線１２０との重なり部分にのみ接着剤層となる絶縁樹脂層１３５Ａを設けて、配線１２０に固定され、且つ、配線の重なり箇所以外は、直接ベース基板１１０の絶縁樹脂層１１５に接着固定されている。
図１（ａ）に相当する箇所は、図２（ｄ）のようになる。
【００１８】
常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を呈する絶縁樹脂層１１５としては、熱可塑性のものが挙げられるが、特に限定はされない。
熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、シリコン含有ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系、ポリスチレン系が挙げられ、特にポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、アルキル鎖含有ポリイミド等のポリイミド樹脂が、絶縁性、耐熱性性の点で好ましい。
また、絶縁性を確保するためにフッ素樹脂、シリコーン等を樹脂中に混入しても良い。
【００１９】
次いで、実施の形態の第２の例を、図３（ａ）に基づいて説明する。
第２の例は、第１の例と同様、所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版、２版を用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板１１０側に転写して、ベース基板１１０上に配線部を２層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板１１０に接着剤層を介して固定されている。
そして、本例は、下層（第１層目）の配線層の配線１２０を跨ぐ配線１３０は、下層の配線層の配線１２０を跨ぐ箇所において、ベース基板１１０と接触しないように、下層の配線層の配線１２０と、ダミー配線１４３とダミー絶縁樹脂層１４５からなるダミー層１４０に支持され、下側に中空部１８０を備えているものである。
本例では、下側に中空部１８０を備えている配線１３０を支持する下層の隣接する配線１２０あるいはダミー配線１４３とダミー絶縁樹脂層１４５からなるダミー層１４０と、配線１２０あるいはダミー層１４０とで形成される間隔は、いずれも、中空部１８０を維持できる所定間隔以下になるように、ダミー層１４０を設けたものである。
ダミー層１４０を設けることにより、配線の重なり箇所において配線１２０間の距離を制限する必要はなくなる。即ち、第１の例に比べ回路の配線設計の自由度が大きいと言える。
また、本例のダミー層は、下層の配線１２０を転写形成する際に、予め、転写版に設けておき、配線１２０と一緒に転写形成することができ、本例は作製の面では有利な構造と言える。
本例では、第１の例と同様、ベース基板１１０は単一のベース基材からなるが、これに限定はされない。
ダミー配線１４３、ダミー絶縁樹脂層１４５の材質としては、第１の例の配線１２０、１３０や絶縁樹脂層１２５、１３５の材質と同様のものが適用できる。
その他の各部の材質は第１の例と同様のものが適用できる。
本例の変形例としても、第１の例と同様の各種の例が挙げられる。
【００２０】
次いで、実施の形態の第３の例を、図３（ｂ）に基づいて説明する。
第３の例も、第１の例、第２の例と同様、所定形状にめっき形成された導電性層からなる配線部を設けた転写用原版、２版を用い、順次、各転写用原版の配線部を接着剤層を介して配線基板用のベース基板１１０側に転写して、ベース基板１１０上に配線部を２層にして設けた多層配線基板で、各層の配線は、少なくとも一部をベース基板１１０に接着剤層を介して固定されている。
そして、本例は、下層（第１層目）の配線層の配線１２０を跨ぐ配線１３０は、下層の配線層の配線１２０を跨ぐ箇所において、ベース基板１１０と接触しないように、下層の配線層の配線１２０と、ダミー絶縁樹脂層１４５のみからなるダミー層１４０に支持され、下側に中空部１８０を備えているものである。
第３の例は、第２の例のダミー配線１４３とダミー絶縁樹脂層１４５からなるダミー層１４０に代え、ダミー絶縁樹脂層１４５のみからなるダミー層１４０としたものであり、第２の例と同様、配線１２０あるいはダミー層１４０と、
配線１２０あるいはダミー層１４０とで形成される間隔が、中空部１８０を維持できる所定間隔以下になるように、ダミー層１４０を設けたものである。
ダミー絶縁樹脂層１４５としては第２の例と同様の材質が適用できる。
その他の各部についても、第２の例と同様な材質が適用できる。
本例の変形例としても、第１の例と同様の各種の例が挙げられる。
【００２１】
上記第１の例とその変形例、第２の例、第３の例はいずれも配線層を２層にしたものであるが、これらの特徴的な構造を、配線層を３層としたものに適用できることは言うまでもない。
また、これらは配線の重なり部における配線間の固定を絶縁性樹脂層１３５に限定しているが、場所により導電樹脂層で固定しても良い。
この場合は、配線の自由度をより大きくできる。
尚、導電樹脂層としては、絶縁樹脂層１２５、１３５の材質として既に述べた樹脂に、導電性の粉末（銀、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ合金）などを適当に混合分散させたものが挙げられる。
【００２２】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態を挙げて説明する。
先ず、実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、一面が常温ないし加熱により粘着性ないし接着性を有するベース基板１１０の該一面に、第１層目の配線１２０を形成した後に、配線１２０を跨ぐように第２層目の配線１３０を形成する方法を示したもので、第１層目の配線１２０を絶縁樹脂層１２５を介してベース基板１１０に固定し、上層（第２層目）の配線１３０は、下層の配線１２０との重なる箇所においてのみ接着剤層となる絶縁樹脂層４５０（１３５）を介して配線１２０固定され、且つ、それ以外の箇所においては、直接ベース基板に固定されている配線基板の製造方法である。
本例は、図２（ｂ）に特徴部の概略断面を示す第２の変形例の多層配線基板の製造方法の１例で、対応する各工程の断面を示した図４、及び図２（ｂ）に基づいて説明する。
はじめに、ベース基板１１０上に第１層目の配線層の配線１２０を形成する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導電性基板４１０を用意し、その一面に、形成する配線に合わせてレジスト４２０を形成する。（図４（ａ））
レジスト４２０としては、ノボラックレジスト等が用いられるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれば、これに限定されない。
尚、必要に応じ、めっき前処理を行っておく。
次いで、レジストの開口部４２０Ａに、配線部となる導電性層４３０をめっき形成する。（図４（ｂ））
導電性層４３０としては、通常、銅めっき層が用いられる。
次いで、導電性層４３０上に更に、電着により、接着性の絶縁樹脂層４４０を電着形成する。（図４（ｃ））
この状態のものを転写版４００とする。
電着形成に代え、ディスペンス塗布や印刷塗布により、導電性層３３０上に、絶縁樹脂層４４０を形成しても良い。
この後、必要に応じ、熱処理を施し、接着性の絶縁樹脂層４４０を硬化させる。
尚、導電性層４３０（配線１２０に対応）同志の間隔は、配線１３０を重ねた場合に、配線１３０の下側に中空部１８０が形成できる間隔となるように、レジスト４２０を所定の形状に作成しておく。
【００２３】
絶縁性樹脂層４４０としては、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有する合成高分子樹脂を挙げることができる。
合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。
すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から接着剤層がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
【００２４】
次いで、ベース基板１１０の配線形成側の面に、転写版４００の絶縁樹脂層４４０側を向けて合わせ、ベース基板１１０と転写版４００とを圧着した（図４（ｄ））後、転写版４００を導電性基板４１０をレジスト４２０とともに、ベース基板１１０側から剥がし、配線部となる導電性層４３０を絶縁樹脂層４４０を介してベース基板側に転写形成する。（図４（ｅ））
【００２５】
次いで、ベース基板１１０上に形成された導電性層４３０（配線１２０に相当）の上面側に接着性の絶縁樹脂層４５０（絶縁樹脂層１３５に相当）を設けておく。（図４（ｆ））
絶縁樹脂層４５０（絶縁樹脂層１３５に相当）の形成は、ディスペンサー塗布法により行うが、これに限定はされない。
ベース基板が導電性の金属剤等からなる場合には、導電性層４３０（配線１２０に対応）の露出した部分を絶縁樹脂層４４０を電着形成したように、絶縁樹脂層４５０（絶縁樹脂層１３５Ａに対応）電着形成しても良い。
尚、図２（ｂ）における絶縁樹脂層１３５Ａの断面形状と、図４（ｆ）の絶縁樹脂層４５０の断面形状は異なるが、図２（ｂ）はあくまで概略図で、説明を分かり易くするためのものである。
また、ディスペンサー塗布法により絶縁樹脂層４５０を設けた場合、必ずしも、導電性層４３０の側面を全部覆うとは限らない。
【００２６】
一方、第１層目の配線層の配線部となる導電性層４３０（配線１２０に対応）を形成した転写版４００と同様にして、少なくとも一面を導電性とする基板４１５の導電性側に所定形状にレジスト４２５を形成して（図４（ｇ））、該レジストの開口部４２５Ａに、第２層目の配線層の配線部となる導電性層４３５（配線１３０に相当）を形成した転写版４０５を作製しておく。（図４（ｈ））
【００２７】
次いで、転写版４０５を、その導電性層４３５をベース基板１１０側に向けて（図４（ｉ））、合わせ圧着した後、基板４１５とレジスト４２５のみを剥がし、ベース基板１１０側に配線１３０（導電性層４３５に対応）を転写形成する。（図４（ｊ））
このようにして、絶縁樹脂層１３５Ａ（４４０に対応）を介して、配線１２０上に配線１３０（導電性層４３５に対応）が固定され、且つ、配線１３０の配線１２０と重なる箇所の下側に中空部１８０が形成された２層の配線基板が作製される。
【００２８】
次いで、実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例は、一面が常温ないし加熱により粘着性ないし接着性を有するベース基板１１０の該一面に、第１層目の配線１２０を形成した後に、配線１２０を跨ぐように第２層目の配線１３０を形成する方法を示したもので、第１層目の配線１２０を絶縁性樹脂層１２５を介して固定し、上層（第２層目）の配線１３０は、下層の配線１２０の上層の配線１３０と重なる部分のみ絶縁樹脂層１３５Ａを設け、且つ、上層の配線１３０下全面に絶縁樹脂層１３５を設け、上層の配線１３０を絶縁樹脂層１３５を介して、配線１２０上、ベース基板１１０上に固定している配線基板の製造方法である。
本例は、図２（ｃ）に特徴部の概略断面を示す第３の変形例の多層配線基板の製造方法の１例で、対応する各工程の断面を示した図５、及び図２（ｃ）に基づいて説明する。
図４に示す第１の例と同様にして、ベース基板１１０の一面に配線層となる導電性層５３０（配線１２０に対応）を絶縁樹脂層５４０（１２５に対応）を設け（図５（ｅ））、更に、配線１２０上に絶縁性樹脂５５０を形成する。（図５（ｆ））
一方、第１の例と同様にして、第２層目の配線用の導電性層５３５を形成し（図５（ｈ））、更に導電性層５３５の表面部に電着により、絶縁樹脂層５４５を形成して、転写版５０５を得る。（図５（ｉ））
次いで、転写版５０５を、その導電性層５３５をベース基板１１０側に向けて（図５（ｊ））、合わせ圧着した後、基板５１５とレジスト５２５のみを剥がし、ベース基板１１０側に配線１３０（導電性層４３５に相当）を転写形成する。（図５（ｋ））
このようにして、絶縁樹脂層１３５（５４５に対応）を介して、配線１２０上およびベース基板１１０上に、配線１３０（導電性層５３５に対応）が形成され、且つ、配線１３０の配線１２０と重なる箇所の下側に中空部１８０が形成された２層の配線基板が作製される。
【００２９】
次いで、実施の形態の第３の例を説明する。
第３の例は、図１に示す第１の例の多層配線基板を製造する方法の１例で、以下、図６、図１に基づいて説明する。
ベース基板１１０は単層のベース基材で、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板（フィルム）等が適用できる。
図４に示す製造方法と同様にして、ベース基板１１０の一面に、絶縁樹脂層６４０（１２５に対応）を介して導電性層６３０（配線１２０（対応）を設ける。（図６（ｅ））
一方、図５に示す第２の例の方法と同様にして、配線層となる導電性層６３５（配線１３０に対応）とその上に絶縁樹脂層６４５（１３５に対応）を設けた転写版６０５を作製しておく。（図６（ｈ））
次いで、転写版６０５を、その導電性層６３５をベース基板１１０側に向けて（図６（ｉ））、合わせ圧着した後、基板６１５とレジスト６２５のみを剥がし、ベース基板１１０側に配線１３０（導電性層６３５に相当）を転写形成する。（図６（ｊ））
このようにして、絶縁樹脂層１３５（６４５に対応）を介して、配線１２０上およびベース基板１１０上に、配線１３０（導電性層６３５に対応）が形成され、且つ、配線１３０の配線１２０と重なる箇所の下側に中空部１８０が形成された２層の配線基板が作製される。
【００３０】
次いで、実施の形態の第４の例を説明する。
第４の例は、図３（ｂ）に示す第３の例の多層配線基板を製造する方法の１例で、図７、図３（ｂ）に基づいて説明する。
本例の場合も、ベース基板１１０は単層のベース基材で、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板（フィルム）等が適用できる。
第１の例や第３の例の製造方法と同様、ベース基板１１０の一面に、絶縁樹脂層７４０（１２５に対応）を介して導電性層７３０（配線１２０（対応）を設ける。（図７（ａ））
次いで、ダミー層をディスペンサー塗布方法により設ける。（図７（ｂ））
一方、図５、図６の方法と同様にして、配線層となる導電性層７３５（配線１３０に対応）とその上に絶縁樹脂層７４５（１３５に対応）を設けた転写版７０５を作製しておき、転写版７０５を、その導電性層７３５をベース基板１１０側に向けて（図７（ｃ））、合わせ圧着した後、基板７１５とレジスト７２５のみを剥がし、ベース基板１１０側に配線１３０（導電性層７３５に相当）を転写形成する。（図７（ｄ））
このようにして、絶縁樹脂層１３５（７４５に対応）を介して、配線１２０上およびベース基板１１０上に、配線１３０（導電性層７３５に対応）が形成され、且つ、配線１３０の配線１２０と重なる箇所の下側に中空部１８０が形成された２層の配線基板が作製される。
【００３１】
次いで、実施の形態の第５の例を説明する。
第５の例は、図３（ａ）に示す第２の例の多層配線基板を製造する方法の１例で、図８、図３（ａ）に基づいて説明する。
図４〜図６に示す製造方法における、転写版への第１層目の配線１２０となる導電性層と、その上に設ける絶縁樹脂層（１２５に対応）を作製する際に、ダミー配線となる導電性層８６１とダミー絶縁層８６２を形成して、これらを合わせてダミー層８６０とするものである。（図８（ａ））
その他については、図６の第３の製造方法と同じにて、第２層目の配線１３０の配線１２０との重なり箇所下側に中空部１８０を設けた配線基板が作製される。（図８（ｂ））
【００３２】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図２（ｄ）に示す第４の変形例の多層配線基板とその特徴部を同じくする配線層を３層とした多層配線基板を作製したものである。
尚、配線が重なる箇所における下層の配線間の距離は１００μｍ以下に制御した配線層を用いた。
そして、ベース基板上に接着性を有する絶縁樹脂層を設け、該絶縁樹脂層上に直接、第１層目のめっき形成された導電性層からなる配線を設けた後、配線が重なり合う下層の配線部上の上層との接着剤層となる絶縁樹脂層をディスペンサー塗布法により塗布して、順次、第２層目、第３層目の配線層の配線のみをベース基板側に転写して、形成したものである。
先ず、図４に示す転写版４０５の作製方法と同様にして、第１層目の配線層、第２層目の配線層、第３層目の配線層を形成するための転写版Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を以下のようにして作製した。
以下、図４（ｇ）、図４（ｈ）を基に転写版の作製を説明する。
使用する３つの転写版Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を以下のようにして用意した。
基板４１５として０．１ｍｍ厚のステンレス板（ＳＵＳ３０４）を準備し、このステンレス板からなる基板４１５の一面上に市販のフォトレジスト（東京応化工業株式会社製  ＯＭＲ−８５）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして、各配線層に対応する所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト４２５を形成した。（図４（ｇ））
次いで、その一面上にフォトレジストが製版された基板４１５と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に、それぞれ、導電性基板４１５を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、フォトレジストで被膜されていない基板４１５の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜からなる導電性層４３５をめっきを形成し、配線とした。（図４（ｈ））
（めっき浴組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ        ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4                   ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ        ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００３３】
配線を形成するベース基板としては、厚さ１００μｍのポリイミドフィルム基材の配線を形成する側の一面に接着性を有する絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を塗布し、乾燥後約１５μｍになるように絶縁樹脂層を形成したベース基板を準備した。
【００３４】
次いで、上記転写版Ａ１０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層４３５をベース基板側に転写し、上記絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を２００°Ｃで１時間熱処理して硬化させて第１層目の配線層をベース基板上に形成した。
（圧着条件）
圧力：３Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
【００３５】
続いて、第１層目の配線層が形成されたベース基板に対し、第１層目の配線の第２層目の配線部と重なり合う部分（配線の上側）に、上記絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）をディスペンサー塗布法により塗布し、乾燥して乾燥後１５μｍ厚にした。
次いで、第２層目の配線形成用の転写版Ａ２０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層４３５をベース基板側に転写した。
（圧着条件）
圧力：１Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
次いで、同様にして、第２層目の配線層形成と同様にして、転写版Ａ３０を予いて第３層目の配線層をベース基板側に転写形成した。
その後、３００°Ｃ、１時間の条件で絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を硬化させて、３層の配線層を備えた本発明の多層配線基板を得た。
配線が重なる箇所においては、いずれも上層の配線の下側に中空部を得ることができた。
【００３６】
（実施例２）
実施例２は、実施例１と同様にして、ベース基板の一面に第１層目の配線層を形成した後、図５（ｇ）〜図５（ｉ）の転写方法により、導電性層上にさらに絶縁樹脂層を電着形成した転写版Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０を形成し、これらをそれぞれ、第１層目、第２層目、第３層目の配線層を形成するための転写版として用い、実施例１と同様にしてし、ベース基板上に配線層を３層に形成したものである。
図５（ｇ）〜図５（ｉ）の転写版５０５の作製方法により、転写版Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０を作製したものである。
尚、実施例１と同様、配線が重なる箇所における下層の配線間の距離は１００μｍ以下に制御した配線層を用いた。
転写版Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０を以下のようにして作製したが、図５（ｇ）〜図５（ｉ）に基づいて説明する。
実施例１のようにして転写版Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０と同様のものを、それぞれ作製し、それぞれについて、転写版の基板（図５の５１５に相当）と白金電極とを対向させ、、下記のように調製したアニオン型の絶縁樹脂層用の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極に基板５１５を、陰極に白金電極を接続し１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間乾燥、熱処理して、基板５１５の導電性層５３５上に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層５４５を形成した。そして、これらをそれぞれ、第１層目、第２層目、第３層目の配線層形成用の転写版Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０とした。
【００３７】
ポリイミドワニスを作製し、電着液の調整は以下のように行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００３８】
配線を形成するベース基板としては、厚さ１００μｍのポリイミドフィルム基材の配線を形成する側の一面に接着性を有する絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を塗布し、乾燥後約１５μｍになるように絶縁樹脂層を形成したベース基板を準備した。
【００３９】
次いで、上記転写版Ｂ１０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層４３５をベース基板側に転写し、上記絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を２００°Ｃで１時間熱処理して硬化させて第１層目の配線層をベース基板上に形成した。
（圧着条件）
圧力：３Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
【００４０】
続いて、第１層目の配線層が形成されたベース基板に対し、第１層目の配線の第２層目の配線部と重なり合う部分（配線の上側）に、絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）をディスペンサー塗布法により塗布し、乾燥して乾燥後１５μｍ厚にした。
次いで、第２層目の配線形成用の転写版Ｂ２０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層４３５をベース基板側に転写した。
（圧着条件）
圧力：１Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
次いで、同様にして、第２層目の配線層形成と同様にして、転写版Ｂ３０を用いて第３層目の配線層をベース基板側に転写形成した。
その後、３００°Ｃ、１時間の条件で絶縁材料（宇部興産株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を硬化させて、３層の配線層を備えた本発明の多層配線基板を得た。
配線が重なる箇所においては、いずれも上層の配線の下側に中空部を得ることができた。
【００４１】
（実施例３）
実施例３は、図１に示す第１の例の多層配線基板とその特徴部を同じくする配線層を３層とした多層配線基板を作製したものである。
更に具体的には、実施例２において、転写版Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０と同様の製造条件により、配線となる導電性層上に絶縁樹脂層を電着形成した、Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ３０を、それぞれ、第１層目、第２層目、第３層目の転写版とし、且つ、ベース基板として、単層の厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを用いたものである。
図１、図５に基づいて説明する。
尚、実施例１と同様、配線が重なる箇所における下層の配線間の距離は１００μｍ以下に制御した配線層を用いた。
【００４２】
次いで、上記転写版Ｃ１０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層５３５をベース基板側に転写し、絶縁樹脂層５４５を２００°Ｃで１時間熱処理して硬化させて第１層目の配線層をベース基板上に形成した。
（圧着条件）
圧力：５Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
【００４３】
続いて、第１層目の配線層が形成されたベース基板に対し、第２層目の配線形成用の転写版Ｃ２０を用い、下記の条件で圧着し、配線となる導電性層５３５をベース基板側に転写した。
（圧着条件）
圧力：１Ｋｇ／ｃｍ2
温度：２００°Ｃ
次いで、同様にして、第３層目の配線層形成と同様にして、転写版Ｃ３０を用いて第３層目の配線層をベース基板側に転写形成した。
その後、３００°Ｃ、１時間の条件で絶縁樹脂層５４５を硬化させて、３層の配線層を備えた本発明の多層配線基板を得た。
配線が重なる箇所においては、いずれも上層の配線の下側に中空部を得ることができた。
【００４４】
（実施例４）
実施例４は、図３（ｂ）に示す第３の例の多層配線基板とその特徴部を同じくする配線層を３層とした多層配線基板を作製したものである。
更に具体的には、実施例３において、転写版Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ３０と同様の製造条件により、配線となる導電性層上に絶縁樹脂層を電着形成した、Ｄ１０、Ｄ２０、Ｄ３０を、それぞれ、第１層目、第２層目、第３層目の転写版とし、且つ、ベース基板として、単層の厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを用いたものである。
配線が重なり合う下層の配線層の作製後に、ディスペンサー塗布方法により絶縁樹脂層からなるダミー層を形成してから、上層の配線層を転写形成したものである。
図３、図５に基づいて説明する。
尚、配線が重なる箇所における下層の配線間の距離が、１００μｍ以上の場合に、その配線間にダミー層１４０を設け、少なくとも配線あるいはダミー層と、配線あるいはダミー層の間隔を１００μｍ以下とした。
転写版Ｄ１０、Ｄ２０、Ｄ３０からの配線の転写は、実施例３とどうようの条件で行った。
ダミー層の形成は、上記絶縁材料（宇部興産  株式会社製、ＵＰＡ−２２１Ｃ）を用い、ディスペンサー塗布により所定の位置に、乾燥後の厚さを、各配線４３５と絶縁樹脂層４４５の厚さ合わて形成した。
本実施例の場合も、配線が重なる箇所においては、いずれも上層の配線の下側に中空部を得ることができた。
【００４５】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ信号の高速化に対応できる電気的特性の良い多層配線基板の提供を可能とした。
具体的には、配線の重なり箇所において、配線が中空に保持し、配線層間の容量を小さくし、電気特性を良いものとし、結果、信号の高速化に対応できるものとした。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能とした。
具体的には、ＰＣＢやＦＰＣの他、ＭＣＭ、ＢＧＡ等の高密度配線形成や、磁気ヘッドサスペンション等の配線の作製に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の特徴部を示した図
【図２】本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の変形例を示した概略断面図
【図３】図３（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例の特徴部を示した図で、図３（ｂ）は第３の例の特徴部を示した図
【図４】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図
【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程図
【図６】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第３の例の工程図
【図７】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程図
【図８】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の第５の例の工程図
【符号の説明】
１１０                        ベース基板
１１３                        ベース基材
１１５                        絶縁樹脂層
１２０、１３０              （導電性層からなる）配線
１２５、１３５、１３５Ａ      絶縁樹脂層
１４０                        ダミー層
１４３                        ダミー配線
１４５                        ダミー絶縁層
１８０                        中空部
４００、４０５、５００、５０５、６００、６０５、７０５    転写版
４１０、５１０、６１０        基板
４１５、５１５、６１５        基板
４２０、５２０、６２０        レジスト
４２５、５２５、６２５        レジスト
４２０Ａ、４２５Ａ            レジスト開口部
５２０Ａ、５２５Ａ            レジスト開口部
６２０Ａ、６２５Ａ            レジスト開口部
４３０、５３０、６３０、７３０、８３０    導電性層
４３５、５３５、６３５、７３５            導電性層
４４０、５４０、６４０、７４０、８４０    絶縁性層
５４５、６４５、７４５                    絶縁性層
４５０                          絶縁性層
７６０、８６０                  ダミー層
８６１                          ダミー配線
８６２                          ダミー絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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