(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる基板、並びにこの基板の上に配置され、前記基板に析出された電気的絶縁材料からなる少なくとも１つの中間層と、この中間層の上に析出され、所定の１方向に電流を通し、高い臨界温度を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの超伝導体層とを含む導電路を少なくとも備え、この導電路（Ｌ、Ｌ’）の超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間にこの導電路に付属し、電流の通流方向に延び、これにより超伝導体層を基板と電気的に並列に接続する少なくとも１つの導電性の導電路接続部が形成されている超伝導体において、
少なくとも１つの接続部として、側面方向に超伝導体層（１３）から基板の縁部領域（１１ａ、１１ｂ）にまで延びるストライプ状の金属層（１５ａ、１５ｂ）が設けられていることを特徴とする超伝導体。
【請求項２】
少なくとも１つの接続部として、中間層（２２、３２）に側面で重なり、基板（１１）の対応する縁部領域（１１ａ、１１ｂ）に接している超伝導体層（２３）の縁部片（２３ａ、２３ｂ）が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超伝導体。
【請求項３】
中間層（３２）が側面部に切り欠き（３５）を備え、ここで超伝導体層（３３）が基板（１１）に接していることを特徴とする請求項２記載の超伝導体。
【請求項４】
Ｃｕ、Ａｌ又はＡｇ或いはこれらの合金或いは鋼材からなる基板（１１）を備えていることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の超伝導体。
【請求項５】
１つの共通基板（１１）に複数の個別導電路（Ｌ、Ｌ’）を備えていることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の超伝導体。
【請求項６】
少なくとも１つの接続部領域において超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間に少なくとも１つの接続部を形成するために、中間層の析出が回避されるか、中間層が超伝導体層の析出の前に除去されることを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の超伝導体の製造方法。
【請求項７】
超伝導体層（１３、２３、３３）と基板（１１）との間に少なくとも１つの接続部を形成するために、接続部領域にわたって延びる少なくとも１つのストライプ状の金属層（１５ａ、１５ｂ）が析出されることを特徴とする請求項１、４および５の１つに記載の超伝導体の製造方法。
【請求項８】
超伝導材料の析出方法として、酸素の供給の下での超伝導材料の個々の成分の同時熱蒸着、或いはレーザーアブレーション、或いはスパッタ或いは化学蒸着、或いはシルクスクリーン印刷が行われることを特徴とする請求項６又は７記載の方法。
【請求項９】
中間層材料の析出のためにイオンビーム蒸着（ＩＢＡＤ）、スパッタ或いはレーザーアブレーションが行われることを特徴とする請求項６ないし８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
請求項１ないし５の１つに記載の少なくとも１つの超伝導体（１０、２０、３０）を備えることを特徴とする電流制限装置。
【請求項１１】
請求項１ないし５の１つに記載のそれぞれ１つの超伝導体を備えた複数のモジュール状電流制限素子（５０ｉ）の電気的接続構成を備えることを特徴とする請求項１０記載の電流制限装置。
【請求項１２】
各電流制限素子（５０ｉ）が超伝導体を持つ帯導体を２条に巻回した巻回体（５２）を備えることを特徴とする請求項１１記載の電流制限装置。
【請求項１３】
帯導体の巻回体（５２）が隣接する帯導体層の間に冷却媒体の通流を容易にする波形又はフィン付き構造の絶縁帯（５３）を備えることを特徴とする請求項１２記載の電流制限装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
この発明は、少なくとも次の構造部分、即ち金属材料からなる基板並びにこの基板の上に設けられた導電路を備え、所定の１方向に電流を通す超伝導体に関する。この導電路は、基板の上に析出された電気的絶縁材料からなる少なくとも１つの中間層と、この中間層の上に析出された、高い臨界温度を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの超伝導体層とを備える。この発明は、さらに、このような超伝導体の製造方法に関する。このような超伝導体及びその製造方法はヨーロッパ特許出願公開第０２９２９５９号明細書に開示されている。さらにまた、この発明は、このような超伝導体を備えた電流制限装置に関する。
【０００２】
７７Ｋ以上の高い臨界温度ＴCを持ち、それ故に高臨界温度超伝導材料、即ちＨＴＳ材料とも称され、特に液体窒素（ＬＮ2）による冷却を可能とする金属酸化物超伝導体は公知である。かかる金属酸化物超伝導体には、特に、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ型或いはＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ型（この場合、Ｂｉ成分は部分的にＰｂによって置換可能）のような特別な物質系をベースとする銅酸塩が属する。個々の物質系の内部には、結晶単位格子内の銅−酸素の格子面もしくは層の数によって区分される、種々の臨界温度ＴCを持った多数の超伝導の高温臨界温度相が生じている。
【０００３】
これら公知のＨＴＳ材料を、異なる使用目的のために種々の基板の上に析出し、そしてその場合、一般に、できるだけ位相ずれのない超伝導材料を得ようとすることが試みられている。例えば、特に金属製基板が導体用として挙げられている（最初に挙げたヨーロッパ特許出願公開明細書参照）。
【０００４】
導体用のかかる超伝導体において、ＨＴＳ材料は、一般に基板となる金属製の帯板の上に直接析出されるのではなく、この金属帯板は先ず、バッファ層とも称される薄い中間層で覆われる。この中間層は約１μｍの厚みを持ち、基板からＨＴＳ材料に金属原子が侵入するのを阻止し、超伝導特性を悪化させないようにするものである。同時に、この中間層によりＨＴＳ材料の表面を平滑にし、その接着性を改善することができる。このような中間層は、一般に、ジルコニウム、セリウム、イットリウム、アルミニウム、ストロンチウム或いはマグネシウムのような金属の酸化物からなり、それ故、電気的に絶縁性である。例えば帯導体のような個別の電流負担導電路には、これにより、超伝導体が少なくとも部分領域で常伝導状態に移行する（いわゆる「クエンチ」）と、ある問題が生ずる。即ち、超伝導体は、例えば臨界温度ＴCを越えて加熱されることにより、所々で抵抗性となり、抵抗Ｒを持つ（いわゆる「ホットスポット」）。超伝導体を流れる電流Ｉは、その場合、さらに超伝導材料を通って流れ、抵抗性となった範囲にわたり電圧降下Ｕ＝Ｒ・Ｉが生じる。超伝導性の導電路を支持している帯状の金属基板では、これに対して、その両端にかかる電圧Ｕは等しく全導体長にわたり降下する。その結果、場合によっては、導電路において高い電圧差が中間層を挟んで生ずる。この場合、この層の厚さが薄いので電気的な絶縁破壊が回避されず、中間層の、場合によっては超伝導体の点状の破壊に至ることがある。これと同様な問題は、特にこのように構成された超伝導体を電磁石巻線に或いはケーブルに使用する場合にも生ずる。この問題は、特にこのような帯導体で抵抗性の電流制限装置を作る場合にも生ずる。この装置では、超伝導状態から常伝導状態への移行を短絡時の電流制限に利用する。その場合、この装置において中間層が通常のｋＶ範囲の動作電圧に対し充分な耐圧を示すようにすることは不可能である。
【０００５】
この問題に基づき、公知の電流制限装置（例えば、ドイツ特許出願公開第１９５２０２０５号明細書参照）においては、ＨＴＳ材料が電気的に絶縁性の、例えばセラミック基板の上に設けられる。Ａｕ或いはＡｇのような良導電性の材料からなる付加的な金属層をいわゆる「ホットスポット」における破壊に対する分路として直接ＨＴＳ材料の上に形成し、これによりこのＨＴＳ材料が金属層と導電的に面接触するようにすることも可能である（例えば、ドイツ特許第４４３４８１９号明細書参照）。前述の問題はこの場合発生しない。
【０００６】
この発明の課題は、最初に挙げた特徴を備えた超伝導体において、金属製の基板を使用した場合に、電気的に絶縁性の中間層を介して望ましくない電位差が導電路に生ずる危険性を少なくとも減少させることにある。
【０００７】
この課題は、この発明によれば、導電路の超伝導体層と基板との間に、この導電路に付属し、電流方向に延び、超伝導体層を基板と電気的に並列接続する少なくとも１つの導電接続部を形成することにより解決される。
【０００８】
このように構成された超伝導体に伴う特徴は、金属製の基板と導電路の超伝導体層とが、電流方向に見て、少なくとも大部分この構造長に沿って相互に電気的接触が行われ、従ってそこで電流の回り込みが可能となることにある。接続範囲では、従って導電路において、中間層による絶縁破壊が抑制される利点がある。
【０００９】
超伝導体層と基板との間の少なくとも１つの導電性接続部は、当該少なくとも１つの接続範囲において中間層の析出を回避するか、或いは中間層を超伝導体層の析出の前に除去することにより形成するのがよい。これに代えて、少なくとも１つの接続範囲にわたって延びる、少なくとも１つの金属層を形成してもよい。
【００１０】
さらに、この超伝導体は、超伝導材料の析出方法として、超伝導材料の個々の成分を酸素を供給しながら同時に熱蒸着する方法、レーザーアブレーション、化学蒸着、特に超伝導材料の金属酸化物成分による化学蒸着或いはシルクスクリーン印刷を使用して製造するのが有利である。上述の析出方法により、中間層の上に高い臨界電流密度を持つ超伝導体層を形成することができる。
【００１１】
さらにまた、中間層材料の析出のためにイオンビーム蒸着（ＩＢＡＤ）を使用することも有効である。この方法により、特に公知の中間層材料の２軸方向に配向性のある結晶構造を形成することができる。超伝導材料は、その場合、好ましいことに、同様に２軸方向に配向性を持って成長し、その結果電流を制限する結晶粒界の脱落により高い臨界電流密度を得ることができる。
【００１２】
この発明による超伝導体は、電流制限装置の作成に使用するのに特に有効である。というのは、超伝導材料に対して金属製の基板を使用することにより必要な低温媒体への急速な熱放散、かくしてそれだけ急速な動作シーケンスを保証することができるからである。
【００１３】
この発明による超伝導体、その製造方法並びにこの超伝導体により作られる電流制限装置の有利な実施例は各従属請求項に記載されている。
【００１４】
この発明の実施例を、以下に、図面を参照して詳しく説明する。なお、各図において対応する部分は同一の符号で示す。
【００１５】
この発明による超伝導体の構成は、特に超伝導性の電流制限装置（先に挙げたドイツ特許出願公開第１９５２０２０５号或いはヨーロッパ特許出願公開第０５２３３７４号明細書を参照）としても提案されているような、それ自体公知の実施例（最初に挙げたヨーロッパ特許出願公開第０２９２９５９号明細書を参照）から出発している。この発明による超伝導体は、それ故、少なくとも、支持体（基板とも称されるが故に、以下基板とする）と、この基板の上に形成された導電路とを有している。この導電路は、この基板の上に析出された、バッファ層とも称される少なくとも１つの中間層並びにこの中間層の上に形成される、ＨＴＳ材料からなる層を有する。これらの両層は導電路を構成している。基板に対しては金属材料からなる板、帯板或いはその他の構造がそれ自体任意の厚さとそれぞれの使用例に対して必要とされる面積寸法で使用される。金属材料としては、この場合、ＨＴＳ材料に対する基板として公知の全ての金属元素或いはこれらの金属の合金が挙げられる。例えば、Ｃｕ、Ａｌ又はＡｇ或いは主成分としてこれらの元素の１つを備えた合金或いは鋼材並びに特に商品名「ハステロイ」を持つ特殊なＮｉＭｏ合金が適している。
【００１６】
ＨＴＳ材料の高い電流臨界密度ＪCのために必要な、ＨＴＳ材料の配向性のある成長、特にエピタキシー成長を可能とするために、少なくとも１つの中間層はこのような成長を保証する材料からなるのがよい。それ故、ＨＴＳ材料の結晶寸法に適合したテクスチャを持つ中間層が適している。いずれの場合にも中間層の材料は電気的に絶縁性でなければならない。２軸方向に配向性のある、イットリウムで安定化された酸化ジルコニウム（ＹＳＺと略称）が有利である。その他に、他の公知のバッファ層材料、例えば、ＣｅＯ2、ＹＳＺ＋ＣｅＯ2（二重層として）、Ｐｒ6Ｏ11、ＭｇＯ、ＹＳＺ＋錫をドープしたＩｎ2Ｏ3（二重層として）、ＳｒＴｉＯ3或いはＬａ1-xＣａxＭｎＯ3も適している。これらの材料の１つ或いは複数がそれ自体公知の方法で基板の表面に析出される。このために、いわゆるＩＢＡＤ法（イオンビーム蒸着法）が有利に使用される。勿論、他の方法もまた、例えばスパッタ或いは所定の角度の下でのレーザーアブレーションが適している。中間層の材料の析出は、その場合、多くは基板の温度を上げて行われる。このようにして得られた、配向性のある中間層の層厚は、一般に、０．１から２μｍの間にある。
【００１７】
中間層上には、次いで、ＨＴＳ材料が公知の析出方法を使用し、基板を加熱しながら一般に数μｍまでの厚さに形成される。このために適したＰＶＤ（物理蒸着）法の最も一般的なものはパルスレーザーを使用したレーザーアブレーション、マグネトロン・スパッタ或いは特に熱的な同時蒸着（酸素を供給しつつＨＴＳ材料の成分を同時に蒸着する）である。特に有機金属製の出発材料を使用したＣＶＤ（化学蒸着）法もまた適している。これらの代わりに、それ自体公知のシルク・スクリーン印刷もまた行うことができる。
【００１８】
ＨＴＳ材料としては、特にＬＮ2冷却が可能な、全ての公知の高い臨界温度（ＴC）を持つ超伝導材料が挙げられる。このような材料は、例えばＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-XもしくはＲＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X（Ｒ＝希土類金属）、ＨｇＢａ2ＣａＣｕ2Ｏ6+X、ＨｇＢａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ8+X、Ｂｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2Ｏ8+X或いは（Ｂｉ，Ｐｂ）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ10+Xである。ＨＴＳ材料からなる層（以下、単にＨＴＳ層という）は、少なくとも１つの別の層、例えば保護層或いは分路層となる層で覆うこともできる。
【００１９】
中間層とこの上にあるＨＴＳ層は少なくとも１つの導電路にパターニングされている。これと同様に、個別に析出された導電路層を設けることもできる。
【００２０】
帯状の基板、中間層及びＨＴＳ層からなる、この発明によるこのような超伝導体は、基本的には、図１に断面で図示する実施例に基づくものであり、全体を１０の符号で示している。なお、基板は１１で、中間層は１２で、ＨＴＳ層は１３で示す。この中間層１２とＨＴＳ層１３はストライプ状の導電路Ｌを形成している。この発明によれば、導電路ＬのＨＴＳ層１３と基板１１との間には、矢で示される電流Ｉの流れ方向に延びる少なくとも１つの導電性接続部が存在しているものとする。即ち、この方向に見て、少なくとも１つの接続部によりこの構造の全長にわたって切れ目なく超伝導体層と基板との並列接続が形成されるものとする。しかし、この方向に見て、これらの部分の間の短い規則的な切れ目を、望ましい並列接続が実質的に損なわれることないように設けることも可能である。図示の実施例においては、２つの接続部がＡｇ、Ａｕ或いはＣｕのような良導電性の金属からなる側面のストライプ状の層１５ａ及び１５ｂの形で形成されている。このストライプ状の金属層１５ａ及び１５ｂを作るために、帯状基板１１の両側面のストライプ状縁部領域１１ａ及び１１ｂの少なくとも１つにおいて、バッファ層１２はその析出の際に、例えば遮蔽マスクによって初めから形成されないようにするか、その後に研磨、エッチング、レーザービームによる蒸発のような機械的或いは化学的方法で除去される。基板のこの裸になった縁部領域１１ａ及び１１ｂの幅ｂは、それぞれＨＴＳ層１３の厚さｄの少なくとも５倍であり、百倍までではあるがそれより遙かに大きいのがよい。ＨＴＳ層１３と基板１１との間の接触は、その場合、側面において中間層１２を越えて延び、基板の裸の縁部領域１１ａ及び１１ｂと超伝導体層のそれぞれの縁部領域を覆うストライプ状の金属層１５ａ及び１５ｂを形成することによって行われる。ＨＴＳ層は、中間層と同様に、縁部領域１１ａ及び１１ｂにおいて除去するか、それを越えて延ばすこともできる。一般に、金属層１５ａ及び１５ｂの側面方向の寸法ａは、ストライプ状の超伝導体層１３もしくはその下にある中間層１２の幅Ｂに較べて小さく、好ましくは、その１／１０から１／１００である。この金属層の最大厚さは、一般に、最高でもＨＴＳ層１３の厚さｄに等しい。
【００２１】
図２に示す、全体を２０で表したこの発明による超伝導体においては、その導電路ＬのＨＴＳ層２３は、これより中間層２２の幅を越えて基板１１の全幅にまで側面方向に延びている。この実施例では、従って接触のための金属片は必要なく、ＨＴＳ層２３が中間層２２の側面に重なることによって、この基板１１の縁部領域１１ａ及び１１ｂにおいて基板と直接接触している。その場合、中間層２２のエッジの周囲において及び縁部領域１１ａ及び１１ｂの上では臨界電流密度ＪC及び／又は臨界温度ＴCのような、ＨＴＳ層２３の縁部領域２３ａ及び２３ｂにおける超伝導特性値が減少することがある。場合によっては、ここでは、層２３の材料が常伝導性であってもよい。
【００２２】
図１及び２に示すこの発明による超伝導体１０もしくは２０においては、電流方向に見て、導電路ＬのＨＴＳ層と金属基板との間の導電接続がこの構造の軸方向の全長にわたって延びているが、これとは異なり、この方向に規則的な切れ目を持った、超伝導体のこの両部分の導電性接触も考えられる。図３はこのような超伝導体３０を示す。この構造においては、図２の実施例の場合のように、接触はＨＴＳ層３３自体によって行われている。このために、中間層３２に、電流方向に見て相前後して、規則的な間隔で三角形状の切り欠き３５が設けられ、ここでＨＴＳ層３３が直接基板１１に接している。中間層３２は、それ故この場合、ほぼ鋸歯状の側面形状を持っており、この平均の歯間距離ｗはＨＴＳ層３３の厚さｄの少なくとも５倍の大きさであるのがよい。このようにして導電路の超伝導材料と金属基板との間の過熱域の長さが延長され、それだけその遷移抵抗が減少する。
【００２３】
図１から図３に示すこの発明による超伝導体の実施例においては、１つの基板１１に唯一のストライプ状の導電路Ｌが形成され、基板は付加的にこの導電路Ｌのストライプ形状に適合した形を持つことから出発している。勿論、この発明による超伝導体に対し、その幅が比較的大きい基板もまた適している。基板がそれだけ充分な寸法を持つ場合には、この上に複数の導電路を配置することもできる。図４は、図２と同様な形で、このような超伝導体を示し、それぞれ図２の超伝導体を持つ２つの平行に延びる導電路Ｌ及びＬ’が１つの共通の基板１１の上に設けられている。
【００２４】
基板に唯一の導電路が、ループ状、Ｕ字状或いは蛇行状の形状を持って形成されている場合もまた、図４に相当する断面を持つことは明らかであろう。
【００２５】
図５は図１或いは図２によるストライプ状の超伝導体の平面図を示す。例えば、導電路Ｌを持つ図２による超伝導体２０を仮定する。この導電路のＨＴＳ層２３の、陰影で示された区間２３ｔは常伝導性（抵抗性）となったものとする。その場合生ずる電流Ｉの流れは電流線で示され、ＨＴＳ層２３内の電流線はｉとし、実線で図示されている。一方基板を通って延びる電流線ｉ’は破線で示されている。抵抗性の区間２３ｔの抵抗が基板の並列区間に対して大きいと、電流Ｉの大部分は最初のものに平行に縁部領域２３ａ及び２３ｂの導電接続部を介してエッジで金属基板の方に逸れる。帯状の超伝導体における二次元の電流分布を解析することにより、移行帯域Ｚは、ＢをＨＴＳ層の幅とするとき、ほぼ軸方向寸法Δｌ＝Ｂ／πを持っていることが分かる。これにより電圧差は導電路Ｌの絶縁性中間層２２を介して数ボルトの範囲の耐えうる大きさに削減される。金属基板は、その上、超伝導体に対する分路抵抗として作用し、例えば、電流制限装置においては、ＨＴＳ層の表面にＡｇ或いはＡｕのような良導電性材料からなる低抵抗薄膜を付加的に設けることを省略し、場合によっては、早めに常伝導性になった「ホットスポット」において超伝導体空間が許容できない程度に加熱されるのを回避する。
【００２６】
この発明による超伝導体は、抵抗性の電流制限装置に対して使用するのが特に有利である。このために、例えば大面積の板状構造か、以下に取り上げるように、図１及び３の実施例の１つによる帯導体型で、特に配向性のある中間層（バッファ層）の上に約０．３から１０μｍ厚のＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X層が形成されたものがその基本とされる。このような帯導体は、その場合、電流をその臨界電流ＪCに達するまで抵抗なしに負担し、ＪCを超過することによって常伝導になった（クエンチ）後に、短絡時に故障電流を有効に制限するために、充分に大きな抵抗値を持つ。基板の金属帯は、その場合、同時に超伝導体層に対する分路として作用し早めに常伝導性になった「ホットスポット」における温度上昇を制限する。帯導体の長さをできるだけ短くするために、その基板はできるだけ薄く、特に０．０３から０．１ｍｍの厚さを持ち、ハステロイのような高い電気抵抗を持つ金属からなるのがよい。図６の説明図によれば、共通の端部５１に電気的に互いに接続された帯導体２０及び２０’を２条の円板状巻回体５２に並列巻きすることにより、インダクタンスの小さいモジュール構造の制限素子５０が形成できる。平板巻回体５２の隣接する帯導体層の間には電気的絶縁のために絶縁帯板５３を挿入し、これを例えば波形或いはフィン付き構造とすることにより、同時に遮断動作の後に速やかに冷却目的のため冷却媒体が帯導体に容易に近づくようにしている。図には、さらに、帯導体の巻回体５２の電気的接続のためのもしくは電流Ｉの導入及び導出のためのリード線５４ａ及び５４ｂを示す。
【００２７】
このようなモジュール構成の電流制限装置５０ｉ（ｉ＝１．．．．ｎ，ｍ）の複数個で、図７において６０で示すような電流制限装置を構成することができる。定格電流Ｉ及び定格電圧Ｕを持つこのような素子を複数個、ｎ回並列接続することにより固有定格電流ｎＩに対する、また複数個ｍ回直列接続することにより定格電圧ｍＵに対する電流制限装置が形成される。
【００２８】
図７による電流制限装置６０は、以下に表の形で纏めた具体的な実施例の諸数値に基づいている。
【表１】
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【００２９】
上述の実施例は、それぞれ超伝導体層の縁部における導電路の超伝導体層と基板との間の並列接続から出発している。しかしながら、これは絶対的に必要なものではない。例えば超伝導体層に電流の流れ方向に延びる切り欠き、溝或いは穴を設け、その縁部でこの発明による並列接続を行うこともできる。このような切り欠きは、例えばストライプ状の超伝導体層の真ん中に延びることができる。その場合、しかし、如何なる場合にも、この発明により各導電路はそれに付属する、図１から図３による接続部を備えることが保証されていなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明による超伝導体の１実施例の原理的構成図。
【図２】  この発明による超伝導体の異なる実施例の原理的構成図。
【図３】  図２による超伝導体の特殊な実施例の斜視図。
【図４】  この発明による超伝導体のさらに異なる実施例の原理的構成図。
【図５】  クエンチの場合における超伝導体の電流の流れ図。
【図６】  超伝導体で構成されたモジュール構造の電流制限素子の断面図。
【図７】図５による複数のモジュール状電流制限素子を備えた電流制限装置の斜視図。
【符号の説明】
１０            超伝導体
１１            基板
１１ａ          基板の縁部領域
１１ｂ          基板の縁部領域
１２            中間層
１３            超伝導体層（ＨＴＳ層）
１５ａ          導電性接続部
１５ｂ          導電性接続部
２０            超伝導体
２２            中間層
２３            超伝導体層（ＨＴＳ層）
２３ａ          超伝導体層の縁部領域
２３ｂ          超伝導体層の縁部領域
３０            超伝導体
３２            中間層
３３            超伝導体層（ＨＴＳ層）
３５            中間層の切り欠き
５０            電流制限素子
５０ｉ          個々の電流制限素子
５１            共通端子
５２            巻回体
５３            絶縁帯板
５４ａ          リード端子
５４ｂ          リード端子
６０            電流制限装置
【図１】
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【図２】
0004359387.tif 000004
【図３】
0004359387.tif 000005
【図５】
0004359387.tif 000006
【図４】
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【図６】
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【図７】
0004359387.tif 000009