(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とするが、但し、銅系金属配線の形成のための銅系金属層研磨用の研磨組成物は除く、集積回路電子産業における酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、低誘電率を持つポリマーに基づく層の機械化学的研磨のための研磨組成物。
【請求項２】
前記組成物のｐＨが１と５の間であることを特徴とする請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
前記組成物のｐＨが２と３の間であることを特徴とする請求項１から２の一つに記載の研磨組成物。
【請求項４】
前記組成物の研磨粒子の平均直径が１２ｎｍと１００ｎｍの間であることを特徴とする請求項１から３の一つに記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記組成物の研磨粒子の平均直径が３５ｎｍと５０ｎｍの間であることを特徴とする請求項１から４の一つに記載の研磨組成物。
【請求項６】
前記組成物の研磨粒子の重量濃度が５％と５０％の間であることを特徴とする請求項１から５の一つに記載の研磨組成物。
【請求項７】
前記組成物の研磨粒子の重量濃度が２５％と３５％の間であることを特徴とする請求項１から６の一つに記載の研磨組成物。
【請求項８】
前記組成物の界面活性剤の容量濃度が０．００１％と５％の間であることを特徴とする請求項１から７の一つに記載の研磨組成物。
【請求項９】
前記組成物の界面活性剤の容量濃度が０．０１％と１％の間であることを特徴とする請求項１から８の一つに記載の研磨組成物。
【請求項１０】
前記組成物の界面活性剤がアニオンまたは非イオン系であることを特徴とする請求項１から９の一つに記載の研磨組成物。
【請求項１１】
前記組成物の界面活性剤がアニオン系であることを特徴とする請求項１から１０の一つに記載の研磨組成物。
【請求項１２】
シロキサン結合によって互いに連結されていない１２ｎｍと１００ｎｍの間の直径の個別化された粒子を含む１と５の間のｐＨのコロイドシリカの水性酸性懸濁液と界面活性剤で含浸された織物を含むことを特徴とするが、但し、銅系金属配線の形成のための銅系金属層研磨用の研磨材は除く、集積回路産業における酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、低誘電率を持つポリマーに基づく層の機械化学的研磨のための研磨材。
【請求項１３】
研磨組成物で含浸された支持体を用いて酸化ケイ素の層がこすられる集積回路産業での機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とするが、但し、銅系金属配線の形成のための銅系金属層研磨方法は除く、集積回路産業での機械化学的研磨法。
【請求項１４】
研磨組成物で含浸された支持体を用いて窒化ケイ素の層がこすられる集積回路産業での機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とするが、但し、銅系金属配線の形成のための銅系金属層研磨方法は除く、集積回路産業での機械化学的研磨法。
【請求項１５】
酸化ケイ素層及び他の窒化ケイ素層の選択的機械化学的研磨が実行される集積回路産業での機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とするが、但し、銅系金属配線の形成のための銅系金属層研磨方法は除く、集積回路産業での機械化学的研磨法。
【請求項１６】
低誘電率を持つポリマーの層が研磨組成物により含浸された支持体を用いてこすられる集積回路産業での機械化学的研磨法において、研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とする集積回路産業での機械化学的研磨法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は半導体マイクロエレクトロニクス産業で、特に集積回路の製造時に用いられる酸化ケイ素層、窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーに基づく層の機械化学的研磨時に特に使用されることのできる新しい研磨組成物に関する。
【０００２】
塩基性コロイドシリカベースの研磨組成物及び界面活性剤は一次ケイ素研磨のために使用される。この一次作業は集積回路製造の目的のためにある数の他の作業に継続される。
【０００３】
集積回路の製造時に、酸化ケイ素と窒化ケイ素の間の研磨速度に対して高い選択度を持つ機械化学的研磨組成物を得ることは有用である。ここで選択度とは各基板の研磨速度間の比である。酸化ケイ素はケイ素ウェファー上への高温度での酸素拡散（熱酸化物またはＳｉＯ２）によるかまたはケイ素ウェファー上への堆積（例えばテトラエトキシシラン酸化物またはＴＥＯＳ）によるかのいずれかにより得られる。
【０００４】
集積回路を製造するとき、第一段階の一つは回路を構成する種々のトランジスタの活性ゾーンを規定することからなる。これらの活性ゾーンは酸化ケイ素ゾーン、電気的絶縁材料、により互いに分離されるべきである。これらの酸化ケイ素パターンは今までは殆どの場合ローカルケイ素酸化技術（ＬＯＣＯＳ）により規定されていた。
【０００５】
装置の寸法の減少は今やこの技術を排除しており、この技術の主たる不利益はバーズマウスと呼ばれる酸化ゾーンを境界づける望ましくない領域の形成である。従ってＬＯＣＯＳ酸化は今日ではＳＴＩ技術（shallow trench isolation）により殆ど置き換えられている。この技術は反応性イオン彫刻（engraving）によりケイ素中に険しい堀（steep trenches）を発生させ、それからＴＥＯＳ系酸化物堆積でそれらの堀を満たすことからなる。
【０００６】
この酸化ケイ素層は次いで機械化学的研磨段階により平坦化されるべきである。この段階のために高度な平坦化が必須である。
【０００７】
平坦化の品質を改善する一方法は堀間のうねの上に窒化ケイ素の層を堆積させ（実際には、窒化ケイ素は通常ケイ素ウェファーの全表面に渡って堆積され、それから全体が堀を形成するように凹部彫刻される。このため窒化ケイ素は堀間のうね上に残る）、それからこの堀を満たすために酸化ケイ素の層を堆積させることである。この過剰の酸化物は堀をあふれ、窒化ケイ素を覆う。
【０００８】
酸化ケイ素層はそれから窒化ケイ素層に到達するまで研磨組成物を用いて平坦化される。窒化ケイ素層はかくして酸化ケイ素と窒化ケイ素間の研磨速度の選択度が高いという条件で研磨に対する抵抗層の役割を演ずる。
【０００９】
文献、G.G.Lisle らの米国特許５７５９９１７号には０．１から４重量％の硝酸アンモニウムセリウムと０．１から３重量％の酢酸を含む水性機械化学的研磨懸濁液が記載されている。この３．８と５．５の間のｐＨを持つ研磨懸濁液は３５より小さいかまたは等しいＰＥＴＥＯＳ／窒化ケイ素研磨選択度を持つ、すなわち酸化ケイ素は窒化ケイ素より３５倍速く研磨される。硝酸アンモニウムセリウムの一部は熱分解法シリカにより置き換えることができる。
【００１０】
更に、S.D.Hosaliらの米国特許５７３８８００号は０．２から５重量％の酸化セリウム、０．５から３．５％のキレート化剤としてのフタール酸水素カリウム、及び０．１から０．５％のフッ素化界面活性剤を含む研磨組成物によるシリカと窒化ケイ素を含む複合材料の研磨を述べている。この組成物は塩基の添加により中性ｐＨにもたらされる。シリカを研磨組成物に添加することができる。記述された最良組成物ではほぼ３００の研磨選択度が達成されている。
【００１１】
同様に、集積回路の製造時に、ケイ素ウェファー上に形成された電子装置は希望の電子回路を構成するために電極配線ラインにより互いに連結されるべきである。各電極配線レベルは電気的に分離されるべきである。この目的のために、各レベルは誘電層内にカプセル封じされる。
【００１２】
集積回路の電極配線ラインは殆ど次の順序による金属の反応性イオン彫刻により形成される：ほぼ１０−１２ｍ厚のアルミニウムまたはアルミニウム合金膜が電子またはイオンビームにより堆積され（スパッタリング）、配線回路の図案がその上に写真平版によりそれから反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により転写される。かくして規定されたラインはそれから誘電層（通常は酸化ケイ素ベース、殆どテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）の蒸気相の分解により得られる）により埋められる。この層はそれから機械化学的研磨により平坦化される。
【００１３】
この誘電層により誘発される静電容量を減らすための、一つの方法は低誘電率を持つ材料を用いることからなる。最良の候補はN.H. Hendricksによる−Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 443 巻，1997年，3-14頁及びL. Peters による−Semi Conductor International−1998年 9月，64-74 頁に掲示されている。
【００１４】
掲示された主な種類は：
−  Flare（登録商標）のようなフッ素化ポリ（アリールエーテル）、
−  ＰＡＥ−２のようなポリ（アリールエーテル）、
−  フッ素化ポリアミド、
−  ヒドリドシルセスキオキサン及びアルキルシルセスキオキサン、
−  Cyclotene （登録商標）のようなビスベンゾシクロブテン、
−  Parylene（登録商標）N のようなポリ（ｐ−キシリレン）及びParylene（登録商標）F のようなポリ（α，α，α′，α′−テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）、
−  パーフルオロシクロブタンの芳香族エーテルポリマー、
−  ＳｉＬＫ（登録商標）のような芳香族炭化水素。
【００１５】
マイクロエレクトロニック配線工程で集積化されることができるためには、低誘電率を持つこれらの高分子は原理的に次の基準を満たさねばならない：
−  ０．３５ｐｍより小さい幅の堀を満たす、
−  ４００℃より高いガラス転移温度、
−  低吸湿性（＜１％）
−  高熱安定性（４５０℃で＜１％／ｈ）
−  金属層及び他の誘電層への高接着性。
【００１６】
更に、堆積された高分子層は引続いて機械化学的研磨により平坦化されることができねばならない。
【００１７】
Thin Solid Films,(1997), 308-309, 550-554 頁で、Y.L. Wang らはアルキルシロキサン層を塩基性媒体中（ｐＨ＝１０．２）のヒュームドシリカ粒子または酸性媒体中（ｐＨ＝３．３−４．６）の酸化ジルコニウム粒子を含む研磨溶液により研磨した。
【００１８】
J. of Electronic Materials, 26巻，8 号，1997年，935-940 頁で、G.R. Yang らは酸性またはアルカリ性媒体中のアルミニウム粒子を含む種々の研磨溶液で研磨した後に得られたParylene（登録商標）N の層の表面品質を研究した。得られた研磨速度はどの研磨溶液が用いられても低い。
【００１９】
Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995年，381 巻，229-235 頁で、J.M. Neirynck らは低誘電率を持つ三つのタイプの高分子（Parylene（登録商標）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフッ素化ポリイミド）を塩基性または酸性媒体中のアルミニウム粒子を含む研磨溶液により研磨する試みをした。
【００２０】
現在、マイクロエレクトロニック配線工程での低誘電率を持つ高分子層の集積化は機械化学的研磨による平坦化段階時のこのタイプの材料で得られる不十分な性能により主として困難に陥っている。この段階はまだ完全に、特に研磨速度及び研磨した表面の表面状態に関して、征服されていない。
【００２５】
本出願において、“ＳｉＬＫ（登録商標）タイプの低誘電率を持つポリマーベースの絶縁材料”によりP.H. TowsendらによりMat. Res. Soc. Symp. Proc.，1997年，476 ，9-17頁に記述された材料を意味する。この材料は３０ｍＰａ．ｓの粘度のオリゴマー溶液により構成され、その重合は触媒を必要とせず、水の形成を誘発しない。重合した網目はフッ素を含まない芳香族炭化水素である。その誘電率は２．６５であり、そのガラス転移温度は４９０℃より高く、その屈折率は１．６３である。
【００２６】
従って高研磨選択度を提供する組成物を得るのが望ましいであろう。
【００２７】
かくして、本出願人はシロキサン結合により互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の研磨速度を非常に顕著に減少させることができ、一方酸化ケイ素（熱酸化物またはテトラエトキシシランオキサイド）の研磨速度を保つことができることを驚くべきかつ予想できない態様で結論した。これは酸化ケイ素／窒化ケイ素研磨選択度の５００までの値に達する顕著な増加として表れる。
【００２８】
本出願人はまたシロキサン結合により互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液に少量の界面活性剤を添加すると低誘電率を持つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させることができることを驚くべきかつ予想できない態様で結論した。
【００２９】
本発明の主題はかくしてシロキサン結合により互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含みまたは好ましくはそれらによって構成されることを特徴とする集積回路産業のための研磨組成物である。
【００３０】
本発明の水性酸性懸濁液のコロイドシリカ粒子は有利には１２と１００ｎｍの間、好ましくは３５と５０ｎｍの間の平均直径を持つ。
【００３１】
コロイドシリカのこのような水性懸濁液はアルカリ性シリケート、特にナトリウムまたはカリウム、からまたはエチルシリケートからのいずれかにより得られる。これらの二つの場合において、当業者に既知のかつより詳細にはＷｉｌｅｙ  Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅにより１９７９年に出版された、“Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃａ”，９章、３３１から３４３頁にＫＫ．  Ｉｌｅｒにより記述された手段を用いて、１２と１００ｎｍの間の直径のシロキサンタイプの結合により互いに連結されていない個別化された粒子を含むコロイドシリカの水性酸性懸濁液を得ることができる。
【００３２】
コロイドシリカのかかる水性酸性懸濁液のｐＨは好ましくは１と５の間、最も好ましくは２と３の間である。
【００３３】
本発明の特別な主題は研磨物質、すなわちコロイドシリカの濃度が重量で５と５０％の間、好ましくは２０と４０％の間、特に２５と３５％の間、更には特にほぼ３０％である、上述の研磨組成物である。
【００３４】
用いられた界面活性剤は窒化ケイ素の研磨速度を非常に顕著に減少させ、一方酸化ケイ素の研磨速度を保つことができる。かくして窒化ケイ素に関して酸化ケイ素の選択的研磨が得られる。それはまた低誘電率を持つ高分子の研磨速度を非常に顕著に増加させる。
【００３５】
研磨組成物中に用いられた界面活性剤（単数または複数）の量は有利には０．００１％と５％の間、好ましくは０．００５と２％の間、更に好ましくは０．０１から１％の容量濃度に相当する。用いられた界面活性剤は例えば以下の実施例に引用されたもののような商業的に入手し得る製品であることができる。
【００３６】
好ましくは、この発明による研磨組成物は５％より少ない酸化剤を含み、特に酸化剤を全く含まない。
【００３７】
もし良好な長期保存時間を持つ研磨組成物が形成されるべきだとしたら、コロイドシリカベースの水性酸性研磨溶液を不安定にする傾向があり、かくして研磨組成物の保存時間を減少する傾向のあるカチオン界面活性剤に対抗して、アニオンまたは非イオン系界面活性剤が好ましくは用いられねばならないであろう。更に好ましくは、本出願人が予想できないかつ非常に説得力のある結果を得たアニオン界面活性剤が用いられるであろう。
【００３８】
この発明による組成物は優れた特性を持ち、特に：
−  ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度は界面活性剤の濃度により広範囲の値（５から５００）に渡って調整されることができ、濃度を増やすと通常選択度を増やす、
−  研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、
−  改善された酸化ケイ素研磨均一性、
−  非常に良好な平坦化効果、
−  低誘電率を持つポリマーのための非常に良好な研磨速度、
を持つ。
【００３９】
それらはこの発明による組成物の使用、特に集積回路産業のための研磨材の形成のための使用を正当化する。
【００４０】
この理由のために、本発明の主題はまた１２と１００ｎｍの間の直径のシロキサン結合により互いに連結されていない個別化された粒子を含む１と５の間のｐＨのコロイドシリカの水性酸性懸濁液、及び好ましくはアニオンまたは非イオン系の界面活性剤で含浸された織物を含むことを特徴とする集積回路産業の機械化学的研磨のための研磨材である。
【００４１】
最後に、この発明の主題は酸化ケイ素層、窒化ケイ素層及び低誘電率を持つポリマーの層がシロキサン結合により互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子の水性酸性懸濁液と界面活性剤を含むことを特徴とする研磨組成物で含浸された支持体でこすられる集積回路産業での機械化学的研磨法である。
【００４２】
この発明の研磨組成物のための上に示された好ましい条件はこの発明の他の主題にも適用される。
【００４３】
この範囲は以下に与えられた実施例に関してより良く理解されるであろうし、その目的はこの発明の利点を説明することにある。
【００４４】
実施例  １：
酸性ｐＨのコロイドシリカと第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活性剤を持つ水性懸濁液ベースの研磨材でウェファーを機械化学的研磨する例。
【００４５】
各ケイ素ウェファー上に酸化ケイ素（以下ＳｉＯ２と呼ぶ）６０００Å厚の熱成長または窒化ケイ素（以下Ｓｉ３Ｎ４と呼ぶ）１６００Å厚の堆積が行われる。
【００４６】
このように形成されたウェファーはそれからPRESI 2000研磨機上で次の研磨条件で研磨される：
−  支持力：                  ０．５ｄａＮ／ｃｍ２
−  ターンテーブル速度：      ３０ r.p.m
−  ヘッド速度：              ４２ r.p.m
−  研磨材温度：              １０℃
−  研磨材流速：              １００ｃｍ３／ｍｉｎ
−  織物：                    ＩＣ  １４００(Rodel)
【００４７】
次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  ２．５
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ５０ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び１３から１８の炭素原子の鎖長とほぼ３２８の平均分子量を持つ、ClariantによりEmulsogen（登録商標）EP名の下に販売されている第二アルカンスルホン酸塩タイプの界面活性剤による。
【００４８】
次の結果が得られた：
【表１】
0004287002.tif 000002
【００４９】
界面活性剤を含まない例（試料４）に比べて、次のことが結論された：
−  用いられたアニオン界面活性剤の量により酸化ケイ素層のわずかに増加した研磨速度、
−  用いられたアニオン界面活性剤の量により、界面活性剤の少量でさえも、窒化ケイ素層の研磨速度の非常に大きな減少、
−  結果として、０．２５から１％のアニオン界面活性剤の存在により２（アニオン界面活性剤を含まない）から１２８と１７６の間の値へ増加する非常に大きく改善されたＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度、
−  研磨された酸化ケイ素層の優れた表面状態、
−  改善された酸化ケイ素研磨均一性。
【００５０】
実施例  ２
実施例１のそれらと同様のコロイドシリカの水性酸性懸濁液とアニオン界面活性剤により、ケイ素ウェファー上に堆積されたテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層の研磨速度が同じタイプのケイ素ウェファー上に堆積された窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）層の研磨速度に関して研究された。
【００５１】
実施例１におけるのと同じ操作条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  ２．５
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ３５ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び実施例１と同様の、第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表２】
0004287002.tif 000003
【００５２】
界面活性剤を含まない例（試料９）に比べて、次のことが結論された：
−  水性酸性コロイドシリカ研磨溶液にアニオン界面活性剤が添加されるときのＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわずかな増加、
−  用いられるアニオン界面活性剤の量がより増加されればされるほど窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減少、
−  結果として、４．４（アニオン界面活性剤を含まない）から５２０（第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活性剤の１％の存在における）へ増加する非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度、
−  研磨されたＴＥＯＳ酸化物層の優れた表面状態、
−  改善されたＴＥＯＳ酸化物研磨均一性。
【００５３】
実施例  ３
実施例１におけるのと同じ操作条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカの水性酸性溶液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  ２．５
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ３５ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及びドデシル硫酸ナトリウムである界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表３】
0004287002.tif 000004
【００５４】
界面活性剤を含まない例（試料１１）に比べて、次のことが結論される：
−  ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる酸化ケイ素層のわずかに減少した研磨速度、
−  ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムによる窒化ケイ素層の非常に大きな研磨速度の減少、
−  結果として、３（ドデシル硫酸ナトリウムを含まない）から０．５％のドデシル硫酸ナトリウムによる６８へ増加する大きく改善された研磨選択度。
【００５５】
実施例  ４
実施例３におけるのと同じ操作条件で、しかし実施例３の熱ＳｉＯ２層の代わりにＴＥＯＳ酸化物層を研磨し、次の結果が得られる：
【表４】
0004287002.tif 000005
【００５６】
界面活性剤を含まない例（試料１３）に比べて、次のことが結論される：
−  ０．５％ドデシル硫酸ナトリウムが添加されるときのＴＥＯＳ堆積の研磨速度のわずかな減少、
−  窒化ケイ素の研磨速度の非常に大きな減少、
−  結果として、４．４（界面活性剤含まず）から９４（０．５％ドデシル硫酸ナトリウムの存在における）へ増加する非常に大きく改善されたＴＥＯＳ／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度。
【００５７】
比較例  １
実施例１と同じ操作条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカの水性懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  ７
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ５０ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン酸塩−基界面活性剤を用いて、次の結果が得られた：
【表５】
0004287002.tif 000006
【００５８】
この例において、１％ Emulsogen EPと組み合わせた中性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液の使用はアニオン界面活性剤を含まない組成物に比べてＳｉＯ２層及びＳｉ３Ｎ４層の研磨速度を変更せず、ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度を改善しない結果となり、それは３．２−３．３の水準のままであり、本発明の範囲内より劣ることが結論された。
【００５９】
比較例  ２
実施例１と同じ条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカ懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  １１
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ５０ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び実施例１のそれと同様な第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表６】
0004287002.tif 000007
【００６０】
この例において、０．５から１％の Emulsogen EPと組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液の使用はＳｉＯ２酸化物層及びＳｉ３Ｎ４層の研磨速度を変更せず、ここではＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４研磨選択度の改善がなく、それは３．１−３．２の水準のままであり、それは本発明の範囲内より劣ることが結論される。
【００６１】
実施例  ５
各ケイ素ウェファー上に低誘電率を持つ１０００Å厚のＳｉＬＫ（登録商標）タイプポリマーの堆積が行われ、それからこの層が４５０℃で焼入れすることにより重合される。
【００６２】
実施例１と同じ操作条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカの水性酸性懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  ２．５
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ５０ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び実施例１のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプのアニオン界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表７】
0004287002.tif 000008
【００６３】
界面活性剤を含まない例（試料２０）に比べて、次のことが結論される：
−  アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ研磨溶液に添加されるときのＳｉＬＫ堆積の研磨速度における非常に大きな増加、
−  アニオン界面活性剤が水性酸性コロイドシリカ溶液に添加されるときの良好なＳｉＬＫ堆積研磨均一性。
【００６４】
比較例  ３
実施例５と同じ条件下に、しかし次の特性のコロイドシリカ懸濁液：
−  水性懸濁液のｐＨ：                  １２
−  コロイドシリカ粒子の平均直径：      ５０ｎｍ
−  コロイドシリカの重量濃度：          ３０％
及び実施例５のそれと同様の第二ｎ−アルカンスルホン酸塩タイプ界面活性剤により、次の結果が得られる：
【表８】
0004287002.tif 000009
【００６５】
この例において、０．５％ Emulsogen EPと組み合わせた塩基性ｐＨを持つコロイドシリカ懸濁液の使用は非常に低い研磨速度を与え、それは本発明の範囲内より劣ることが結論される。