(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な矩形のＡｌ基板上にＮ個の発光ダイオードが直列接続された金属基板型の発光装置であり、
前記金属基板上の絶縁膜に設けられ、前記金属基板の一側辺の延在方向に沿って配列される（Ｎ＋１）個のＣｕ電極と、
前記（Ｎ＋１）個の電極の間に電気的に接続されて設けられた前記Ｎ個の発光ダイオードと、
前記Ｎ個の発光ダイオードに流れる電流を一定にする定電流回路と、
前記（Ｎ＋１）個の電極と隣接し、前記一側辺の延在方向に沿って設けられたアイランド状の第１のＣｕ電極と前記定電流回路の配置領域に設けられ前記定電流回路用に設けられたＣｕの導電パターンが形成された領域を除いた部分に設けられたアイランド状の第２のＣｕ電極から成るアイランド状のＣｕ電極と、
前記アイランド状のＣｕ電極表面に、光反射に優れた金属材料が形成される事で、前記発光ダイオードからの光を反射させる反射手段として用い、基板全体を発光させる事を特徴とした金属基板型の発光装置。
【請求項２】
前記アイランド状のＣｕ電極の表面には、Ｎｉ、金、銀または白金が形成される請求項１に記載の金属基板型の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、混成集積回路装置であり、また発光素子を複数個実装させた光照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
まず光を大量に照射する必要がある場合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短小および省電力を目的として、図６の様にプリント基板１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】
この光素子は、半導体で形成された発光ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】
この発光ダイオード２は、２本のリード３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオードチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】
一方、プリント基板１には、前記発光ダイオード２に電源を供給するための電極８，９が設けられ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装されている。
【０００６】
例えば、特開平９−２５２６５１号公報には、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み込まれたパッケージで成るため、発光素子を大量に実装した場合、基板１のサイズが大きい、重量がある等の問題があった。また基板自身の放熱性が悪いために、装置全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、発光素子である半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力を低下させる問題があった。
【０００８】
また発光ダイオード５は、チップの側面または裏面からも光が発光し、基板１側に向かう光が存在する。しかし基板１がプリント基板で成るため、効率の高い照射ができない問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、発光ダイオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させることができる。
【００１０】
また保護回路を構成する導電パターンおよびまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００１１】
また保護回路を構成する半導体素子は、ダイボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射効率の向上が実現できる。
【００１２】
更には、前記半導体素子には、半導体素子劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されている。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたりする問題があった。その流れを防止するパターンが空き領域に設けられているため、このパターン上に光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００１３】
以上述べたように、特にＡｌ主材料とする基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、図３、図４および図５を用い説明する。特にここでは、発光ダイオード１０の接続について説明する。
【００１５】
まず例えばプレス（カット）により打ち抜かれた金属から成る混成集積回路基板１１がある。この混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えられる。
【００１６】
ここで混成集積回路基板として金属基板を用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することにより、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から、上方向以外に発光される光を効率よく基板１１で反射させて上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。またセラミックやプリント基板も考えられるが、セラミック基板は、衝撃に弱く、またプリント基板は、放熱性の点で劣る。しかしこれらも必要によっては、当然採用されても良い。
【００１７】
本発明では、加工性、軽量性が考慮されてＡｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜は省略されても良し、これ以外の膜を化学的に反応させて生成させても良い。Ａｌ表面は、平坦性を有するため、前記絶縁性樹脂との接着性を向上させるために粗面１３を機械的に、または化学的に生成させた方が良い。
【００１８】
またＡｌ基板１１の裏面は、機械的に弱いため傷が付きやすく、耐蝕性も無い。そのため必要により絶縁性樹脂１４を被覆しても良い。
【００１９】
ここで混成集積回路基板１１は、この上に設けられる第１の電極１５、第２の電極１６との短絡を考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着されている。ここで第１の電極１５、第２の電極１６は、発光ダイオードを直列に接続するので、連結電極とも呼称する。
【００２０】
ここでこの絶縁性樹脂膜１２は、発光ダイオードから発生する熱を金属基板１１に伝達させる場合、熱抵抗材料となる。そのため、できるだけその熱抵抗を下げるため、Ｓｉ酸化膜、酸化アルミニウム等のフィラーを混入させた絶縁性樹脂を採用する。また酸化アルミニウムの方が熱抵抗が低下することは言うまでもない。
【００２１】
また導電パターンは、前記連結電極１５、１６も含み、例えばＣｕ箔より成り、配線、チップのランド、ボンデイング用のパッド、必要によっては外部リード用の固着パッド等として機能し、第１の電極１５にはベアの発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光ダイオードチップの裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類があり、図１では、アノードタイプである。これは電源の向きを変えるだけで、アノードタイプも実現できる。そして前記発光ダイオード表面の電極と前記第２の電極１６は、金属細線１７で接続されている。従って、第１の配線２６から第２の配線２７の間は、複数の発光ダイオード１０が前記連結電極を介して直列接続されている。
【００２２】
ここで金属基板は、光照射装置として機能させるため、発光ダイオード１０を複数個点在させ、これらの駆動回路および／または保護回路は、図３では、外付けで実現しているが、これら駆動回路および／または保護回路を図４のＣの様に金属基板１１に実装させても良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられて実現される。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優れる。これらは、全てを総称して回路素子と呼ぶ。
【００２３】
この回路素子は半田等のロウ材や銀ペースト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボンディング用パッドとの間には金属細線１７が電気的に接続され、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リードが電気的に接続されている。また実装上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め孔が設けられても良い。
【００２４】
ここで後述するが、図２の様に、混成集積回路基板１１をマトリックス状に配置するため、第１の配線２６の両端には、接続エリア１８〜２１を、第２の配線２７の両端には、接続エリア２２〜２５を設けている。このエリアは、接続手段２９、３０が金属細線であれば、ボンデイングエリアであり、ロウ材で固着できるリードであれば、ロウ材の形成エリアである。
【００２５】
また金属基板１１上のＣｕのパターンは、絶縁性フレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされる事で実現されても良い。
【００２６】
更に図３の具体的構造を説明する。
【００２７】
前述したとおり、金属基板１１の全面には絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、第１の電極１５、第２の電極１６以外に、アイランド状の反射用電極３１〜３６を設けている。もちろんショートが考慮され、お互い所定の間隔で離間されている。ここでは、前述した駆動回路および／または保護回路が実装されない。また前記回路、前記第１の配線２６、第２の配線２７を除いて、金属基板１１の実質全領域を２種類の連結電極１５、１６で占有させても良い。
【００２８】
例えば、第１の電極１５ａまたは第１の電極１６ａは、反射用電極３１と一体で良いが、間にアイランド状の電極３１を設けることで、耐電圧特性の向上が可能となる。
【００２９】
この第１の電極１５、第２の電極１６は、Ｃｕの表面にＮｉが被着されている。これは、Ｃｕの酸化防止、および酸化により光反射効率が低下するため、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉやＡｕが採用されている。またここでは、コストの面からＮｉが採用され、また金属基板１１の実質全域は、実質光沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用される。ここでＮｉは、銅より成る導電パターンの上にメッキ等形成されるが、導電パターン自身を前記材料で構成しても良い。またボンディングポイントは、ボンディング可能な材料（Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、それ以外を光を反射しやすい材料、例えば銀や白金でカバーしても良い。ここでは、アルミ配線をボンデイングしているので、その表面はＮｉが採用されている。
【００３０】
一方、Ｎｉが採用された場合、ベアチップ状の発光ダイオード１０は、第１の電極１５とのコンタクト抵抗が考慮され、ランドの固着領域に相当するＮｉのみを取り除き、銀ペーストや半田等の導電性固着材を介してＣｕと電気的に固着される方が反射効率の向上を実現できる。ただし固着性を考慮し、このランド全域は、Ｎｉが被着されないようにしても良い。
【００３１】
また発光ダイオード１０と第２の電極１６は、チップ表面の電極と金属細線１７を介して接続されている。一般に、金属細線としてＡｌが採用される場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接続することができる。
【００３２】
更には、図５の様に、少なくとも発光ダイオード１０を封止するように光透過性の樹脂が設けられる。これはレンズ３７として採用するものであり、効率良く基板から上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ３７の材料は、発射光に対して透明な樹脂であれば良く、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。両者は、共に加熱硬化型で、加熱硬化時の粘度が小さいため、レンズとして好ましい半球形状に安定して形成できない。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時もその粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、加熱硬化時にその粘度が低下する。そのため、本発明では、図５のように、発光ダイオード１０を囲むように、流れ防止手段３６を形成している。
【００３３】
エポキシ樹脂は、熱により徐々に黄変するが、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキシ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじきやすい性質を持つ。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状またはゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続手段である金属細線へのストレスが少ない。
【００３４】
つまり流れ防止手段としてシリコーン樹脂を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにくい。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、再度１５０度１時間で完全硬化させる。
【００３５】
また、レンズのサイズにより、金属細線１７の途中から第２の電極１６との接続部までを樹脂封止体で覆わず構成しても良いし、また図５の様に完全に覆っても良い。完全に覆えば、光集光能力の向上と同時に金属細線の接続部の信頼性も向上させることができる。
【００３６】
更に、レンズを２段に形成しても良い。これはレンズの指向性を高めるために実施されている。例えば、二段にするため、ともに濡れ性の少ないシリコーン樹脂が採用されている。特に濡れ性が悪くなければレンズ形状が実現できないからである。
【００３７】
一方、通称半田レジストと呼ばれる樹脂膜を全面に形成することがある。この場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉと同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれる。透明であれば、Ｎｉが主たる反射剤として機能し、色が付いているならば、できるだけ反射効率の優れた白から成る膜が好ましい。
【００３８】
以上、図３、図４は、点線の矢印で示すように、第１の電極１５と第２の電極１６との間に、発光ダイオード１０…が直列接続されているものである。
【００３９】
例えば、並列タイプであれば、金属細線１７のコンタクト抵抗、チップのコンタクト抵抗がばらつく。従って、数ある発光ダイオード１０の内、コンタクト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至ったりする問題があるからである。
【００４０】
そのため図３、図４のように、第１の配線２６と第２の配線電極２７との間に発光ダイオード１０…を直列接続させ、発光ダイオード１０…に通過する電流値を一定にさせた。
【００４１】
ここで前説明と同様に、電極を金属基板の実質全域に配置させて反射板とすること、レンズを採用すること、ダイボンド領域のＮｉを取り除く等のポイントは、ここでも採用される。
【００４２】
図３で説明すれば、第１の配線２６と第２の配線２７との間には、Ｅ２〜Ｅ１２の１１枚の連結電極が形成されている。ただしＥ１とＥ１３は、第１の配線２６、第２の配線２７と一体であるので、第１の配線、第２の配線とし、連結電極と区別している。
【００４３】
まず１番目の電極Ｅ１に発光ダイオードＬＥＤ１のアノード（またはカソード）と成るチップ裏面を固着し、カソード（またはアノード）側の電極と２番目の電極Ｅ２を金属細線１７で接続している。また２番目の電極Ｅ２には、２番目の発光ダイオードＬＥＤ２のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と３番目の電極Ｅ３が金属細線で接続している。更には、３番目の電極Ｅ３には、３番目の発光ダイオードＬＥＤ３のチップ裏面が固着され、チップ表面の電極と４番目の電極Ｅ４が接続される。この様にして、順々に直列接続され、Ｎ番目の電極Ｅ（Ｎ）にはＮ番目の発光ダイオードＬＥＤ（Ｎ）のチップ裏面が接続され、最終的にはチップ表面の電極と（Ｎ＋１）番目の電極Ｅ（Ｎ＋１）の電極が金属細線を介して接続される。
【００４４】
このような接続形態を繰り返して直列接続が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反射板とするため、Ｅ１〜Ｅ（Ｎ＋１）の電極表面にはＮｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、（Ｎ＋１）個の電極で完全に覆われるようにパターニングされるか、またはこの電極で全てが覆われない場合は、空き領域にアイランド状の反射電極３１〜３５が設けられている。もちろんそれぞれがパターン的に分離されるように若干の隙間はある。
【００４５】
この構造によれば、直列接続された発光ダイオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光る。
【００４６】
ところが、途中のどれかが破壊され、電流が流れなくなると、全ての発光ダイオードは、発光を停止してしまう。
【００４７】
そのため、図２の様に、Ｖcライン４１とＧＮＤライン４２との間に基板を並列接続させている。
【００４８】
本来、例えば１２０個（Ｍ個）の発光ダイオードで光照射装置を実現したい場合、例えば１０（Ｓ）分割し、１２（Ｍ／Ｓ）個の発光ダイオードが直列接続された金属基板を１０（Ｓ）枚用意し、これを並列接続する。また図４の金属基板を採用すれば、保護回路となる定電流回路Ｃが設けられることで、全ての発光ダイオードの電流容量を統一させることができる。図３でも、定電流回路を採用できるが、この場合、発光ダイオードの入力側または出力側に外付けで設けなければ成らない。
【００４９】
以上、発光ダイオードが直列接続された複数の金属基板は、定電流回路により、電流値が決められるため、全ての発光ダイオードの明るさは、統一され、且つ金属基板個々の明るさも統一される。また混成集積回路基板の発光ダイオードの内、どれかが破壊しても、残りの基板が並列接続されているので、照射装置としてその機能を維持することができ、しかも壊れた金属基板のみを取り替えればよいので、最小限の修復ですむ。
【００５０】
一方、混成集積回路基板１１の上下側辺にそれぞれ一本づつ配線２６、２７が設けられ、電源ラインとなっている。そしてそれぞれは、左端から右端に延在させている。つまり図２の様に、横に混成集積回路基板１１を複数並列接続させるために、第１の配線２６と第２の配線２７を混成集積回路基板の右側辺から左側辺まで延在させている。その結果、混成集積回路基板１１ａの第１の配線２６（または第２の配線２７）の右端２２と混成集積回路基板１１ｂの第１の配線２６（または第２の配線２７）の左端１８とを最短距離で接続することができる。ここでは接続手段２９として金属細線を採用している。また接続手段は、半田等のロウ材により固着可能なリードでも良い。
【００５１】
また仮に、この複数枚の混成集積回路基板１１…を一枚で実現した場合、前述したように発光ダイオードの故障による修復ができないばかりか、接続手段の固着が装置で自動でできない問題、または設備的に大がかりになる問題が発生する。後者は、言うまでもなく、混成集積回路基板として大きな基板となり、チップを実装するマウンター、金属細線をボンディングするボンダーは、作業範囲が広い大がかりな装置を必要とする。また混成集積回路基板が大きいと、その熱容量が大きいために、基板自身の温度が上昇しづらくなる。その結果、半田付け性、ボンデイング性が低下する問題が発生する。
【００５２】
しかし、本願は、並列接続構造で複数枚の混成集積回路基板に分けてあるため、前記装置の作業性も従来通りで良く、更には基板が小さいために個々の混成集積回路基板の温度を上昇させることもでき、半田付け性、ホンディング性も改善される。
【００５３】
また、中心線５０に対して、第１の配線２６または第２の配線２７が左右対称に形成されている。
【００５４】
これは図２の様に、マトリックス状に配置した場合にメリットがでる。
【００５５】
ここでは、図面の都合上、２行、２列で説明する。つまり一行目の混成集積回路基板１１ａ、１１ｂは、第１の配線２６を上側辺に配置し、２行目の混成集積回路基板１１ｃ、１１ｄは、第１の配線２７を下側辺に配置している。これは、Ｖｃｃライン４１とＧＮＤライン４２の総合計本数を減らす為に、混成集積回路基板を１８０度反転させている。図２では、４本必要なところを３本で実現できる。
【００５６】
また反転させた際、混成集積回路基板１１ｂの接続領域２５と混成集積回路基板１１ｄの接続領域２２が、縦軸方向に対して位置が一致するように構成されている。これは中心線に対して左右対称に形成されることで実現される。
【００５７】
こうすれば、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２５（または接続エリア２４）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２２（または接続エリア２３）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続することができる。
【００５８】
このことは、混成集積回路基板１１ｂの接続エリア２２（または接続エリア２３）と混成集積回路基板１１ｄの接続エリア２５（または接続エリア２４）は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続することができる。
【００５９】
またここで配線２６、２７の両端にそれぞれ２つづつ接続エリアを設けている。ここでは混成集積回路基板１１を２行２列で配置しているので特に必要としないが、横方向に混成集積回路基板を更に増やした場合、横方向に接続する接続手段２９は、それぞれの混成集積回路基板に接続されるが、縦方向に接続手段３０で接続されないものが出てくる。図２では、接続手段３０により、ＧＮＤとして固定されているが、余ったエリアを利用して縦方向にも接続すれば、より安定した電位に固定させることができる。
【００６０】
ここで配線２６、２７に四角形で示した理由は、銅配線の上に、金属細線を接続手段として活用する場合は、Ｎｉが被覆され、リードか採用される場合は、ロウ材が被覆されるからであり、その領域を示した。つまり接続手段により、ロウ材やＮｉの被覆領域を示している。
【００６１】
また混成集積回路基板１１は、上辺をＶｃｃに、下辺をＧＮＤにするため、列方向を奇数列に配置している。図４を参照すれば判るように、第１の配線２６から下の第２の配線２７に接続するには、４つの発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の列が奇数列設けられないと、簡略されたパターンと成らない。偶数列でも下の第２の配線２７に接続できるが、終端は、第１の配線２６側になるため、そこから第２の配線までをつなぐ余分な配線が必要となる。
【００６２】
以上、比較的サイズの小さい混成集積回路基板１１を並列に、また必要によってはマトリックス状に配置することで、全体の照射装置としてのサイズを任意に設定できる。また矩形以外でも、この混成集積回路基板を順番に配置し、並列接続することにより、実現が可能となる。
【００６３】
また図４の図番Ｃで示した領域にも特徴を有する。この部分を拡大したのが図１である。前述したように、この領域は、駆動回路や保護回路が形成される部分である。
【００６４】
図番５０は、トランジスタ、５１がツェナーダイオード、５２がチップ抵抗である。また５３は、前記半導体素子５０、５１のダイボンデイングの際に用いられる位置認識用のマークである。また５４，５５は、半導体素子の劣化を防止する目的で塗布された封止樹脂である。５６は、アイランド状に形成された導電パターンで、前記封止樹脂５４の流れ止めと成っている。５７も、封止樹脂５５の流れ止めである。また５８は、反射効率の向上のために設けられた導電パターンである。
【００６５】
この流れ止めは、以下の作用がある。つまり樹脂が配線の上に流れると硬化時に配線がはがれる。またチップ抵抗等の上に流れると抵抗値の変動を生じる。また組立の順序によっては、半田固着性、ボンディング性の劣化にもつながる。これらの問題を防止する目的で設けられている。
【００６６】
ここの第１の特徴は、前記マーク５３上も反射効率の優れた金属を被覆する事で、マークと反射板を兼ね備えさせた点である。更に第２の特徴は、樹脂流れ止め用のランドも流れ止めと反射板を兼ね備えさせた点である。従ってこれらは、別々に構成する必要が無くなり、パターン配置の効率が向上される。
【００６７】
特に封止樹脂５４、５５は、硬化前では流動性を有し、流れてしまう。この流れは予測できず、流れ止めに封止樹脂が当接してその流れが止まる。もちろん全ての封止樹脂が流れ止めに当接して、流れが止まるわけではなく、手前で止まることもある。
【００６８】
従って、回路Ｃが形成される領域の空き領域、ここでは配線６０や半導体素子で囲まれた空き領域に、反射手段を設けたので、より反射効率が向上することになる。
【００６９】
また回路Ｃの形成箇所、形成数は、限定されない。従って混成集積回路基板に点在して設けられる場合、これらの反射板を回路の中に構成することは、反射効率の向上の点で非常な効果を有する。
【００７０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、発光ダイオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させることができる。
【００７１】
また保護回路を構成する導電パターンおよびまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００７２】
また保護回路を構成する半導体素子は、ダイボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射効率の向上が実現できる。
【００７３】
更には、前記半導体素子には、半導体素子劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されている。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたりする問題があった。その流れを防止するパターンが空き領域に設けられているため、このパターン上に光反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光の反射効率を向上させることができる。
【００７４】
以上述べたように、特にＡｌ主材料とする基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の部分図である。
【図２】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の図である。
【図３】混成集積回路基板を説明する図である。
【図４】混成集積回路基板を説明する図である。
【図５】混成集積回路基板を説明する断面図である。
【図６】従来の照射装置を説明する図である。
【符号の説明】
１０                      発光ダイオード
１１                      混成集積回路基板
１２                      絶縁性樹脂
２６                      第１の配線
２７                      第２の配線
３７                      レンズ
５３                      マーク
５６，５７                流れ止め
【図１】
0004342046.tif 000002
【図２】
0004342046.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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