(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレンズを配列させたレンズアレイを有するレンズアレイ基板であって、
前記レンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部材が設けられ、
前記遮光部材は２層以上の層構造を有しており、少なくとも最も光入射側の層を高反射率層とし、少なくとも最も光出射側の層を高吸収率層としていることを特徴とするレンズアレイ基板。
【請求項２】
前記高反射率層の光反射率は、７０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項３】
前記高反射率層は、Ａｌ又はＡｇからなることを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項４】
前記遮光部材は、該遮光部材が接している部材に含まれている組成のうち少なくとも１つの組成と同じ成分を添加されていることを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項５】
前記遮光部材を支持する部材と該遮光部材との間に、両者の密着性を高めるための層を形成したことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項６】
前記高吸収率層をＣｒによって形成したことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項７】
前記高吸収率層を酸化物によって形成したことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項８】
前記高吸収率層をポリマーによって形成したことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項９】
前記ポリマーは、感光性ポリマーであることを特徴とする、請求項８に記載のレンズアレイ基板。
【請求項１０】
前記遮光部材は、前記高反射率層と前記高吸収率層との間にエッチングストップ層を有していることを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項１１】
最も光出射側に位置する前記高吸収率層を、光入射方向を向いたガラス面に形成したことを特徴とする、請求項１に記載のレンズアレイ基板。
【請求項１２】
液晶層を挟んで請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のレンズアレイ基板と対向基板とを対向させ、前記レンズアレイを構成する各レンズに対向させて前記レンズアレイ基板又は前記対向基板のうちいずれか一方に画素電極を形成し、前記レンズアレイ基板又は前記対向基板のうち他方に透明電極を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レンズアレイ基板及び液晶表示装置に関する。特に、プロジェクタ用途に用いられる液晶表示装置や、該装置に用いられるレンズアレイ基板に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
透過型の液晶表示装置は、主として液晶表示パネル及び光源装置（バックライト）によって構成されている。図１は、このような液晶表示パネル１の内部構造を示す概略分解斜視図である。透過型の液晶表示パネル１は、裏面側基板２と表面側基板３との間に液晶層４を挟んで封止した構造を有している。裏面側基板２は、ガラス基板５の表面の各画素領域毎に画素電極６及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を形成したものであり、その上には配向膜８が形成されている。また、表面側基板３は、ガラス基板９の裏面に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色のカラーフィルタ１０が形成され、その裏面全面に透明電極（ＩＴＯ）１１が形成され、その上に配向膜１２が形成されたものである。液晶層４は、表面側基板３の配向膜１２と裏面側基板２の配向膜８との間に形成された空間内に充填されており、周囲は封止用のスペーサ（図示せず）によって封止されている。また、裏面側基板２の裏面と表面側基板３の表面には、それぞれ偏光板１３、１４が対向させられている。
【０００３】
しかして、液晶表示パネル１の背面から光源装置によって光を照射し、ＴＦＴ７によって各画素電極６と透明電極１１との間の印加電圧のＯＮ、ＯＦＦを制御することにより、液晶表示パネル１の各画素の光透過状態と遮光状態を制御し、画像を生成する。
【０００４】
このような液晶表示パネル１においては、コントラストを向上させて画像をくっきりとさせるため、カラーフィルタ１０とカラーフィルタ１０の間の間隙部分をブラックマトリクス１５で覆い、光源装置からの光がカラーフィルタ１０間を通過しないようにしている。ブラックマトリクス１５の材料としては、光吸収性の樹脂やクロム膜が用いられており、印刷法によってブラックマトリクス１５を形成したり、蒸着やスパッタ法によってブラックマトリクス１５を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてブラックマトリクス１５をパターニングしている。
【０００５】
一方、液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、携帯端末（ＰＤＡ）、携帯電話等の画像表示部以外にも、液晶プロジェクタなどのプレゼンテーションツールとしての応用が試みられ、商品化されている。特に、液晶プロジェクタは、会議における説明資料投影用やデジタルシネマ等として一般的に用いられるようになっている。
【０００６】
図２はカラー液晶プロジェクタ２１の構造を説明する図である。リフレクタを備えたハロゲンランプ等の光源装置２２の前方には、青色光３４Ｂのみを透過させ、赤色光３４Ｒ及び緑色光３４Ｇを反射させるダイクロイックミラー２３が斜め４５°の角度で設置されている。ダイクロイックミラー２３の光透過方向には、同じく斜め４５°の角度で全反射ミラー２４が設置されており、全反射ミラー２４の光反射方向には、青色画像を生成させるための単色用の液晶表示パネル２５が設置され、液晶表示パネル２５は２方向の反射面を有するプリズム２６の側面に対向している。また、ダイクロイックミラー２３の光反射方向には、緑色光３４Ｇを反射させ、赤色光３４Ｒを透過させるダイクロイックミラー２７が斜め４５°の角度で設置されており、ダイクロイックミラー２７の光反射方向には、緑色画像を生成させるための単色用の液晶表示パネル２８が設置され、液晶表示パネル２８は前記プリズム２６の背面に対向している。また、ダイクロイックミラー２７の光透過側には全反射ミラー２９が斜め４５°の角度で設置され、全反射ミラー２９の光反射側には、−４５°の角度で全反射ミラー３０が設置されており、全反射ミラー３０の光反射方向には、赤色画像を生成させるための単色用の液晶表示パネル３１が設置され、液晶表示パネル３１は前記プリズム２６の異なる側面に対向している。さらに、前記プリズム２６の前面には投射レンズ３２が設けられている。
【０００７】
しかして、光源装置２２から出射された白色光のうち、青色光３４Ｂはダイクロイックミラー２３を透過し、全反射ミラー２４で全反射された後、液晶表示パネル２５を照射する。液晶表示パネル２５に青色光が照射されると、液晶表示パネル２５を透過した光によって青色画像が生成され、この青色画像は前記プリズム２６の反射面で前方へ反射される。また、光源装置２２から出射された白色光のうち、緑色光３４Ｇはダイクロイックミラー２３で反射され、さらにダイクロイックミラー２７で反射された後、液晶表示パネル２８を照射する。液晶表示パネル２８に緑色光３４Ｇが照射されると、液晶表示パネル２８を透過した光によって緑色画像が生成され、この緑色画像は前記プリズム２６を透過する。また、光源装置２２から出射された白色光のうち、赤色光３４Ｒはダイクロイックミラー２３で反射され、ダイクロイックミラー２７を透過した後、全反射ミラー２９、３０で全反射され、液晶表示パネル３１を照射する。液晶表示パネル３１に赤色光３４Ｒが照射されると、液晶表示パネル３１を透過した光によって赤色画像が生成され、この赤色画像は前記プリズム２６の反射面で前方へ反射される。
【０００８】
このようにして液晶表示パネル２５で生成された青色画像と、液晶表示パネル２８で生成された緑色画像と、液晶表示パネル３１で生成された赤色画像とは、プリズム２６によって重ね合わされることによってカラー画像となり、投射レンズ３２に照射される。投射レンズ３２を通過したカラー画像は、前方のスクリーン３３の上に結像され、スクリーン３３にカラー画像が映し出される。
【０００９】
このような液晶プロジェクタにおいては、使用上の利便性と画像品質を高めるため、より小型化と高輝度化が求められている。また、液晶プロジェクタやパーソナルコンピュータの高分解能化のニーズも高く、それに応じて液晶表示パネルの画素数も非常に大きくなってきている。画素数を増大させるために画素面積を小さくしても、各画素内のＴＦＴやその配線を小さくすることは困難であるため、画素数を大きくして画素面積を微小化するにつれて画素開口部の比率（開口率）は次第に小さくなる。従って、画素開口率が小さくなっても画面の明るさをそれ以前よりも低下させないためには、光源装置の光量をより大きくする必要がある。
【００１０】
このような事情から、液晶プロジェクタや画像表示用の液晶表示装置の光源装置は、次第に大光量化してきている。しかし、光源装置の光量が大きくなると、ＴＦＴやその配線に照射される光量も大きくなるので、光によってキャリアが励起され易くなり、ＴＦＴの動作不安定や誤動作が起き易くなる。
【００１１】
そのため、光の利用効率を高めて光源装置の光量の増大を抑制する方法として、裏面側基板にレンズアレイを設けたものが用いられる。図３は裏面側基板４２にレンズアレイ４７を設けた液晶表示パネル４１を示す概略断面図である。この液晶表示パネル４１の裏面側基板４２では、ガラス基板４４の上に形成されたレンズ樹脂層４５の表面にレンズ状パターンを形成し、レンズ樹脂層４５の上に封止樹脂層４６を塗布して表面を平らにしている。レンズ樹脂層４５と封止樹脂層４６とは屈折率が異なっており、レンズ樹脂層４５と封止樹脂層４６との界面にレンズアレイ４７が形成されている。さらに、封止樹脂層４６の上にはガラス製のカバー基板６４が貼り付けられ、カバー基板６４の全面には透明電極（ＩＴＯ）４８が形成され、透明電極４８の表面には配向膜４９が設けられている。裏面側基板４２には、周囲をスペーサ５０で封止された液晶層５１を挟んで表面側基板４３が貼り合わされている。表面側基板４３では、ガラス基板５２の裏面にカラーフィルタ５３及びブラックマトリクス５４が形成され、その上に画素電極５５及びＴＦＴ５６が形成され、その上に配向膜５７が形成されている。さらに、表面側基板４３の表面と裏面側基板４２の裏面には、それぞれ偏光板５８、５９が配設されている。
【００１２】
しかして、このような液晶表示パネル４１によれば、光源装置から出射され裏面側基板４２に入射した光は、図４に示すように、レンズアレイ４７を透過する際に、レンズアレイ４７によって各画素開口６０（画素電極５５及びカラーフィルタ５３の部分）に集光させられて画素開口６０を透過する。この結果、光源装置の光は、ブラックマトリクス５４により遮蔽されることなく、ほぼ１００％の光が画素開口６０を通過して前方へ出射され、光の利用効率が非常に高くなる。また、レンズアレイ４７を通過した光が画素開口６０に集まることによってＴＦＴ５６やその配線に光が照射されにくくなり、ＴＦＴ５６の動作不安定や誤動作が防止される。
【００１３】
しかし、レンズアレイを理想的な形状に成形することは困難であるため、実際には、レンズアレイを構成する各レンズ間の境界エッジ部が鈍化して丸みを帯びることにより、レンズアレイを通過した光がＴＦＴやＴＦＴ配線に照射しており、十分にＴＦＴの動作不安定や誤動作を解消することは困難であった。
【００１４】
そのため、改良された液晶表示パネル６１では、図５に示すように、裏面側基板４２の封止樹脂層４６の上にガラス製のカバー基板６２を重ね、カバー基板６２とその上の透明電極４８との間において、レンズアレイ４７の境界エッジ部と対応する位置に遮光部材６３（これもブラックマトリクスと呼ばれることがある。）を設け、ＴＦＴ５６に光が照射されるのを防止している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示したような液晶表示パネルにおいては、ＴＦＴに照射される光量をできるだけ少なくしてＴＦＴの動作不安定や誤動作を少なくするための工夫がされているが、ＴＦＴに光が照射するのを防止するために用いる遮光部材としては、光反射率の小さなＣｒ（クロム）単層膜（光反射率は６０％程度）が用いられている。
【００１６】
光反射率の小さな材料からなる遮光部材は、同時に光吸収率が高いため、図５のような構造の液晶表示パネルでは、光源装置からの光照射により遮光部材の温度が上昇し、液晶表示パネル全体の温度上昇の原因となる。このような温度上昇は、液晶や配向膜に影響を与え、液晶表示パネルの品質や寿命にも悪影響を及ぼす。例えば、液晶表示パネルの温度が６０℃〜７０℃程度に達すると、液晶の分解や配向膜の特性変化などが生じて液晶の配向の仕方が変わり、液晶表示パネルの特性が劣化する恐れがある。特に、近年においては、上記のように液晶表示パネルの画素の高精細化が進んでいるため、それに応じてブラックマトリクスや遮光部材の占める面積の割合が増加しており、また、液晶表示パネルの輝度向上のために照射される光量も大きくなっており、液晶表示パネルの温度上昇は大きな問題となってきている。
【００１７】
本発明は、上記のような解決課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＴＦＴ等の素子の動作不安定や誤動作を防止しつつ、液晶表示パネル等の温度上昇を抑制することができるレンズアレイ基板と液晶表示装置を提供することにある。
【００１８】
【発明の開示】
本発明にかかるレンズアレイ基板は、複数のレンズを配列させたレンズアレイを有するレンズアレイ基板であって、前記レンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部材が設けられ、前記遮光部材は２層以上の層構造を有しており、少なくとも最も光入射側の層を高反射率層とし、少なくとも最も光出射側の層を高吸収率層としていることを特徴としている。典型的な場合には、高反射率層とは、７０％以上の光反射率を有する層、より好ましくは、８０〜９０％以上の光反射面を有する層である。
【００１９】
本発明のレンズアレイ基板は、レンズアレイを構成する各レンズによって入射光を集光させることができる。また、レンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部材を設けているので、レンズどうしの境界部分を通過した光を遮光部材によって遮断することができ、レンズ境界部分の成形誤差や鈍りによってレンズ境界部分を通過した光が不規則な方向へ出射されるのを防止することができる。しかも、この遮光部材は２層以上の層構造からなり、少なくとも最も光入射側の層が高反射率層となっているので、遮断する光を吸収して温度上昇しにくく、レンズアレイ基板の温度上昇を小さくすることができる。さらに、少なくとも最も光出射側の層が高吸収率層となっているので、レンズアレイ基板を透過した光が前方で反射して戻ってきても、遮光部材で吸収することができる。よって、レンズアレイ基板を透過した光が前方で反射して戻ってきても、遮光部材で再び反射して迷光となるのを防止できる。
【００２０】
本発明の実施態様においては、前記高反射率層がＡｌ又はＡｇによって形成されているので、Ａｌ又はＡｇによって光反射率の高い面を形成することができる。よって、遮光部材の取り扱いが容易で、コストも比較的安価にすることができる。特に、Ａｇを用いた場合には、約９８％という高い光反射率を得ることができる。
【００２１】
また、本発明の別な実施態様における前記遮光部材にあっては、該遮光部材が接している部材に含まれている組成のうち少なくとも１つの組成と同じ成分を添加されている。よって、遮光部材が接している部材に含まれている成分が、該部材から遮光部材に拡散によって移動しにくくなり、遮光部材の膜質変化を抑制でき、レンズアレイ基板の信頼性が向上する。例えば、遮光部材がガラス面に接している場合であれば、遮光部材にＳｉを添加すればよく、Ａｌを主材料とする遮光部材の場合には、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉ等によって遮光部材を形成すればよい。
【００２２】
本発明のさらに別な実施態様においては、前記遮光部材を支持する部材と該遮光部材との間に、両者の密着性を高めるための層を形成しているので、遮光部材が遮光部材を支持する部材から剥離しにくくなり、レンズアレイ基板の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
遮光部材の高吸収率面層は、Ｃｒ、酸化物（例えばクロム酸化物など）、ポリマーなどによって形成すればよい。クロム酸化物を用いれば、Ｃｒよりも光吸収率を高くすることができ、また、Ｃｒの表面にクロム酸化物を形成してもよい。また、ポリマーを用いれば、大気中において室温プロセスで高吸収率面を形成することが可能になる。さらに、ポリマーとして感光性ポリイミド等の感光性ポリマーを用いれば、フォトリソグラフィプロセスを用いて高吸収率面を形成することができる。
【００２５】
本発明のさらに別な実施態様における前記遮光部材は、前記高反射率層と前記高吸収率層との間にエッチングストップ層を有している。このような実施態様によれば、高反射率層と高吸収率層のうち上層をエッチングしてパターニングする際、エッチングストップ層の存在によって下層がエッチングされることがないので、下層がオーバーエッチングされてサイドエッチングによりパターン幅が狭くなり過ぎるのを防ぐことができる。
【００２６】
本発明のさらに別な実施態様においては、最も光出射側に位置する前記高吸収率層を、光入射方向を向いたガラス面に形成している。すなわち、高反射率層と高吸収率層を有する遮光部材を光入射方向を向いたガラス面に形成すれば、高吸収率層がガラス面に接合されることになる。高吸収率層であるＣｒ等の層は、高反射率層であるＡｌ等の層よりもガラスとの密着性がよいので、遮光部材を光入射方向を向いたガラス面に形成すれば、簡単な構造で遮光部材とガラス面との密着性を向上させることができる。
【００２７】
本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟んで本発明にかかるレンズアレイ基板と対向基板とを対向させ、前記レンズアレイを構成する各レンズに対向させて前記レンズアレイ基板又は前記対向基板のうちいずれか一方に画素電極を形成し、前記レンズアレイ基板又は前記対向基板のうち他方に透明電極を形成したことを特徴としている。
【００２８】
本発明にかかる液晶表示装置によれば、レンズアレイを構成する各レンズによって入射光を集光させ、入射光を画素電極に集めることができるので、光の利用効率が向上する。また、レンズどうしの境界に対応する領域に沿って遮光部材を設けているので、レンズどうしの境界部分を通過した光を遮光部材によって遮断することができ、レンズ境界部分の成形誤差や鈍りによってレンズ境界部分を通過した光がＴＦＴ等の素子に入射して素子の動作を不安定にするのを防止することができる。しかも、この遮光部材の光入射側の面は光反射率の高い面となっているので、遮断する光を吸収して温度上昇しにくく、液晶表示装置の温度上昇を小さくすることができる。
【００２９】
なお、この発明の以上説明した構成要素は、可能な限り組み合わせることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図６（ａ）は本発明の一実施形態による液晶表示パネルの構造を示す概略断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ１部拡大図である。この液晶表示パネル７１は、裏面側に光源装置（バックライト）を設置され、例えば図２に示したような構成の液晶プロジェクタとして用いられたり、携帯電話等の携帯端末やパソコンなどの液晶ディスプレイとして用いられたりするものである。
【００３１】
この液晶表示パネル７１にあっては、表面側基板（対向基板）７２と裏面側基板（レンズアレイ基板）７３との間に液晶層７４を挟み込み、液晶層７４の周囲をスペーサ７５によって封止している。裏面側基板７３においては、ガラス基板７６の上に形成された透明なレンズ樹脂層７８の表面にレンズ状パターンを成形し、レンズ樹脂層７８と屈折率の異なる透明樹脂からなる封止樹脂層７９をレンズ樹脂層７８の上に塗布して表面を平らにしている。よって、互いに屈折率の異なるレンズ樹脂層７８と封止樹脂層７９との界面には、レンズアレイ８０が形成されている。さらに、封止樹脂層７９の上にはガラス製のカバー基板８１が重ねられており、カバー基板８１の上には遮光部材８２が形成されている。遮光部材８２は、図７に示すように、レンズアレイ８０の各レンズ間の境界エッジ部７７に沿って格子状にパターニングされており、光反射率が高い材料、例えば光反射率が６５％以上の金属材料、具体的にはＡｌ（アルミニウム）等で形成されている。カバー基板８１の全面には、遮光部材８２の上からＩＴＯ等の透明電極８３が形成されており、遮光部材８２は透明電極８３とカバー基板８１との間に挟み込まれている。透明電極８３の表面には配向膜８４が設けられている。
【００３２】
表面側基板７２にあっては、ガラス基板８５の裏面にカラーフィルタ８６とブラックマトリクス８７が形成され、その上に画素電極８８とＴＦＴ（ＴＦＴ配線を含む。）８９が形成され、その上に配向膜９０が形成されている。さらに、表面側基板７２の表面と裏面側基板７３の裏面には、それぞれ偏光板９１、９２が配設されている。
【００３３】
なお、この実施形態では、図７に表しているように、ガラス基板７６の上には、凸レンズ状のレンズ樹脂層７８を形成しているが、図８に示すように、凹レンズ状のレンズ樹脂層７８をガラス基板７６の上に形成し、凹レンズ状のレンズアレイ８０の各レンズ間の境界エッジ部７７に沿って対向するように遮光部材８２を形成してもよい。また、レンズ樹脂層７８や封止樹脂層７９に用いる樹脂は、光（紫外線）硬化樹脂でもよく、熱硬化性樹脂でもよい。
【００３４】
しかして、この液晶表示パネル７１によれば、光源装置から出射されて裏面側基板７３に入射した光は、図９に示すように、レンズアレイ８０によって画素電極８８及びカラーフィルタ８６からなる画素開口に集光させられて画素開口を透過するので、光源装置からの光の利用効率を向上させることができるとともにＴＦＴ８９やその配線に光が照射するのを防止することができる。また、レンズアレイ８０とＴＦＴ８９との間には、遮光部材８２が設けられており、しかも、この遮光部材８２はＴＦＴ８９とその配線に対向するように設けられているので、図９に示すように、レンズアレイ８０の境界エッジ部７７が丸みを帯びていたりした場合でも、ＴＦＴ８９側へ向けて出射された光は遮光部材８２によって反射され、図９に２点鎖線で示す光のようにＴＦＴ８９を照射しにくくなる。よって、この液晶表示パネル７１によれば、ＴＦＴ８９が動作不安定になったり、誤動作したりするのをより効果的に防ぐことができる。
【００３５】
さらに、この遮光部材８２は、光反射率の高い材質で形成されているので、光の吸収によって温度が上昇しにくく、ひいては、液晶表示パネル７１の温度が上昇しにくくなっている。よって、液晶表示パネル７１の温度上昇による液晶の分解や配向膜の機能低下といった不具合が起きにくくなっている。
【００３６】
ここで、光吸収性の遮光部材（従来例）としてＣｒ膜の場合と、光反射率の高い遮光部材（本発明）としてＡｌの場合とを比較して説明する。図１０は、３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域における、光波長とＡｌ、Ｃｒの光反射率との関係を表した図である。この図から分かるように、温度上昇に寄与する長波長域では、Ｃｒの光反射率が６０％程度であるのに対し、Ａｌでは９０％程度になっている。
【００３７】
つぎに、基板の全面にＣｒ膜を形成したものにランプの光を照射し、照射時間（０〜１０分）とＣｒ膜の表面温度との関係（表面温度の経時変化）を調べた。同様に、基板の全面にＡｌ膜を形成したものにランプの光を照射し、照射時間（０〜１０分）とＡｌ膜の表面温度との関係を調べた。光の照射方法としては、１５０Ｗのランプから出射された光をプロジェクタ用光学系を通してＣｒ膜及びＡｌ膜に照射した。この結果を図１１に示す。図１１においては、横軸が光の照射時間（分）を示し、縦軸がＣｒ膜又はＡｌ膜の表面温度（℃）を表している。この図から分かるように、Ｃｒ膜からなる遮光部材では、光反射率の高いＡｌ膜からなる遮光部材に比べて約１０℃ほど表面温度が高くなっている。この結果からも光反射率の高い遮光部材を用いることにより、遮光部材の温度上昇を抑制し、液晶表示パネルの温度上昇を防止できることが分かる。
【００３８】
次に、この液晶表示パネル７１の裏面側基板７３の製造工程を説明する。図１２（ａ）〜（ｈ）は、フォトポリマー法（２Ｐ法）による裏面側基板７３の製造工程を示している。この製造工程においては、厚さ１ｍｍ程度のガラス基板７６の上に紫外線硬化樹脂９３を所定量滴下し（図１２（ａ））、紫外線硬化樹脂９３の上からガラス基板７６にスタンパ９４を押しつけて加圧し、スタンパ９４とガラス基板７６との間隙に紫外線硬化樹脂９３を押し広げる（図１２（ｂ））。スタンパ９４の下面にはレンズアレイの反転パターン９５が形成されているので、スタンパ９４とガラス基板７６の間に紫外線硬化樹脂９３を挟み込むと、紫外線硬化樹脂９３がガラス基板７６の表面に密着すると共に、反転パターン９５によって紫外線硬化樹脂９３の表面にレンズアレイ８０のパターンが転写される。
【００３９】
ついで、ガラス基板７６を通して紫外線硬化樹脂９３に紫外線（ＵＶ光）を照射すると、紫外線硬化樹脂９３が光硬化し（図１２（ｃ））、スタンパ９４を取り除くと、ガラス基板７６の上に厚さ数１０μｍのレンズ樹脂層７８が成形される（図１２（ｄ））。さらに、レンズ樹脂層７８の上に、レンズ樹脂層７８と屈折率の異なる高屈折率樹脂（接着剤）を介して厚手のカバー基板８１を貼り合わせ、該高屈折率樹脂によって厚さ数１０μｍの封止樹脂層７９を形成する（図１２（ｅ））。この後、カバー基板８１の上面を研磨し、カバー基板８１を所望の厚み（例えば、厚さ数μｍ〜数１０μｍ）になるまで薄くする（図１２（ｆ））。
【００４０】
ついで、研磨によって薄くなったカバー基板８１の全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆積させて膜厚が数１００Å〜数１０００Åの遮光部材８２を成膜する。Ａｌ等の遮光部材８２を成膜する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いることができる。この後、フォトリソグラフィ技術により遮光部材８２の上にフォトレジストパターンを作製し、フォトレジストパターンを通して遮光部材８２を部分的にエッチング除去し、格子状パターンとなるように遮光部材８２をパターニングする（図１２（ｇ））。このときのエッチング法としては、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマによるドライエッチング法を用いてもよく、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチングを用いてもよい。さらに、遮光部材８２の上からカバー基板８１の全面に、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの成膜法を用いて、ＩＴＯからなる厚さ１５００Å程度の透明電極８３を形成し（図１２（ｈ））、透明電極８３の上に配向膜を８４を形成する。
【００４１】
また、図１３（ａ）〜（ｇ）に示すものは、裏面側基板７３の別な製造方法であって、ドライエッチング法による裏面側基板７３の製造工程を示している。この製造工程においては、ガラス基板７６の上にレジスト９６を塗布する。このとき、レジスト９６は、ガラス基板７６の表面において、互いに間隙をあけてレンズアレイ８０の各レンズ位置に島状に塗布される（図１３（ａ））。ついで、レジスト９６を塗布したガラス基板７６を高温でポストベークすると、レジスト９６が溶融し、溶融したレジスト９６の表面張力によって各レジスト９６がレンズ形状になり、レジスト９６をそのままで冷却させることによってレンズ樹脂層７８が形成される（図１３（ｂ））。
【００４２】
この後、ガラス基板７６を裏面側からドライエッチングしてガラス基板７６の厚みを薄くし（図１３（ｃ））、ガラス基板７６及びレンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９（高屈折率樹脂の接着剤）を介してカバー基板８１を貼り合わせる（図１３（ｄ））。ついで、カバー基板８１の上面を研磨し、カバー基板８１を所望の厚みになるまで薄くする（図１３（ｅ））。
【００４３】
研磨によって薄くなったカバー基板８１の全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆積させて遮光部材８２を成膜した後、フォトリソグラフィ技術とエッチング法を用いて遮光部材８２を一部除去し、格子状のパターンとなるようにパターニングする（図１３（ｆ））。さらに、遮光部材８２の上からカバー基板８１の全面にＩＴＯ等からなる透明電極８３を形成し（図１３（ｇ））、透明電極８３の上に配向膜を８４を形成する。
【００４４】
また、図８に示したような凹レンズ状のレンズアレイ８０を有する裏面側基板７３も、同様にしてフォトポリマー法などにより製造することができる。また、凹レンズ状のレンズアレイ８０を有する裏面側基板７３を製造する場合には、図１４（ａ）〜（ｈ）のようなウエットエッチング法を用いることもできる。ただし、この製造方法では、レンズ樹脂層は用いられておらず、ガラス基板７６の上面に直接レンズアレイパターンを成形し、ガラス基板７６の上に形成された封止樹脂層７９とガラス基板７６の界面にレンズアレイ８０が形成される。
【００４５】
この方法では、まず、ガラス基板７６の表面をポリＳｉからなる保護膜９７で覆う（図１４（ａ））。ついで、レンズアレイ８０の各レンズを形成しようとする位置において、フォトリソグラフィ法を用いて保護膜９７に比較的小さな開口９８をあける（図１４（ｂ））。この開口９８を通してガラス基板７６をウエットエッチングすると、ガラス基板７６は開口９８を中心として等方的にエッチングされるので、各開口９８の下に凹レンズ状をした凹部９９が形成される（図１４（ｃ））。
【００４６】
ガラス基板７６表面の保護膜９７を除去した（図１４（ｄ））後、ガラス基板７６の上面に封止樹脂層７９（高屈折率樹脂の接着剤）を介して厚手のカバー基板８１を貼り合わせる（図１４（ｅ））。ついで、カバー基板８１の上面を研磨し、カバー基板８１を所望の厚みになるまで薄くする（図１４（ｆ））。
【００４７】
研磨によって薄くなったカバー基板８１の全面に、Ａｌ等の光反射率の高い金属材料を堆積させて遮光部材８２を成膜した後、フォトリソグラフィ技術とエッチング法を用いて遮光部材８２を一部除去し、格子状のパターンとなるようにパターニングする（図１４（ｇ））。さらに、遮光部材８２の上からカバー基板８１の全面にＩＴＯ等からなる透明電極８３を形成し（図１４（ｈ））、透明電極８３の上に配向膜を８４を形成する。
【００４８】
（Ａｇ遮光部材の場合）
上記実施形態では、光反射率の高い遮光部材８２としてＡｌを用いた場合を説明したが、遮光部材８２の材料としては、Ａｌに限るものではない。例えば、遮光部材８２の材料としてはＡｇ（銀）を用いることもできる。Ａｇを用いた遮光部材８２の膜厚としては、例えば数１００Å〜数１０００Å程度とすればよい。遮光部材８２としてＡｇ（銀）を用いた場合には、Ａｌよりもさらに光反射率を向上させることができ、光反射率は９８％程度となる。
【００４９】
また、遮光部材８２としてＡｇを用いた場合にも、上記製造工程と同様にして裏面側基板７３を製作することができる。その場合、カバー基板８１等の上に遮光部材８２を成膜する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法以外にも、電解メッキ法、無電解メッキ法なども用いることができる。さらに、その遮光部材をエッチングする際には、ＲＩＥ法やスパッタエッチング法などのドライエッチングを用いてもよく、Ａｇエッチング液によるウエットエッチングを用いてもよい。あるいは、リフトオフ法によって所望パターンの遮光部材８２を形成してもよい。
【００５０】
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ遮光部材等の場合）
また、光反射率の高い遮光部材８２の材料としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（Ｓｉ及びＣｕを添加されたＡｌ）、Ａｌ−Ｓｉ（Ｓｉを添加されたＡｌ）のように光反射率の高い金属材料等に少なくともＳｉを添加したものを用いてもよい。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等からなる遮光部材８２の膜厚としても、例えば１０００Å程度のものを用いることができる。遮光部材８２としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等を用いれば、Ａｌを用いた場合と同程度の光反射率を保証しつつ、カバー基板８１との密着性をＡｌよりも向上させることができる。また、遮光部材８２としてＡｌを用いた場合には、カバー基板８１（ガラス）からＡｌの遮光部材８２へＳｉが拡散して遮光部材８２の膜質変化が起きるが、遮光部材８２としてＡｌ−Ｓｉ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉのように少なくともＳｉを添加されたＡｌ等を用いればカバー基板８１から遮光部材８２へのＳｉの拡散を抑制することができ、遮光部材８２の膜質変化を防止することができ、これにより裏面側基板７３ないし液晶表示パネル７１の信頼性を向上させることができる。
【００５１】
なお、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の場合も、真空蒸着法、スパッタリング、ＣＶＤ法などによって成膜することができる。また、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕやＡｌ−Ｓｉの遮光部材をエッチングによりパターニングする際にも、ＲＩＥ法やスパッタエッチング法などのドライエッチングを用いてもよく、リン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いてウエットエッチングしてもよい。
【００５２】
（第２の実施形態）
図１５（ａ）は本発明の別な実施形態による液晶表示パネル１００の概略断面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＸ２部拡大図である。この液晶表示パネル１００も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１００にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの光反射率の高い材料によって形成された遮光部材８２の下に、厚さ１００Å〜２００Å程度のＳｉＯ２層１０１を設けている。
【００５３】
この液晶表示パネル１００のように、ＳｉＯ２層１０１を介してカバー基板８１の上に遮光部材８２を設けるようにすれば、ＳｉＯ２層１０１とカバー基板８１との密着性が高いため、カバー基板８１の上に直接遮光部材８２を設ける場合と比較して、カバー基板８１に対する遮光部材８２の接合強度が高くなり、遮光部材８２の剥離などが起こりにくくなる。
【００５４】
また、ＳｉＯ２層１０１は透明であるので、遮光部材８２に向けて入射した光は、ＳｉＯ２層１０１を透過して遮光部材８２により反射される。よって、遮光部材８２の下にＳｉＯ２層１０１を設けていても、遮光部材８２の機能が損なわれることがなく、入射した光を遮光部材８２によって反射させることができる。
【００５５】
このような構造の液晶表示パネル１００も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様にして製造することができる（図１２、図１３、図１４を参照）。ただし、遮光部材８２の下にＳｉＯ２層１０１を設けるので、遮光部材８２を成膜する工程では、適宜変更が必要となる。
【００５６】
例えば、遮光部材８２は、図１６（ａ）〜（ｅ）に示すようにして作製される。すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の全面にＳｉＯ２層１０１を形成する（図１６（ａ））。ＳｉＯ２層１０１の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＳｉＯ２層１０１をエッチングし、目的とするパターンに形成する（図１６（ｂ））。ＳｉＯ２層１０１のエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばＨＦ溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされたＳｉＯ２層１０１の上からカバー基板８１の全面に遮光部材８２を成膜する（図１６（ｃ））。遮光部材８２の成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて遮光部材８２をエッチングし、ＳｉＯ２層１０１と同様にパターニングする（図１６（ｄ））。遮光部材８２のエッチングには、半導体プラズマドライエッチング法や、ウエットエッチング法、リフトオフ法などを用いる。こうして、ＳｉＯ２層１０１の上に遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図１６（ｅ））。
【００５７】
あるいは、図１７（ａ）〜（ｅ）に説明するような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＳｉＯ２層１０１を成膜する（図１７（ａ））。ＳｉＯ２層１０１の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、ＳｉＯ２層１０１の上に遮光部材８２を成膜する（図１７（ｂ））。遮光部材８２の成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて遮光部材８２をエッチングし、目的とするパターンに形成する（図１７（ｃ））。遮光部材８２のエッチングには、半導体プラズマドライエッチング法、ウエットエッチング法、リフトオフ法などを用いる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされた遮光部材８２をマスクパターンとしてＳｉＯ２層１０１をエッチングし、遮光部材８２と同様にパターニングする（図１７（ｄ））。ＳｉＯ２層１０１のエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばＨＦ溶液を用いたウエットエッチング法により行う。こうして、ＳｉＯ２層１０１と遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図１７（ｅ））。
【００５８】
図１７（ａ）〜（ｅ）に示したような方法によれば、ＳｉＯ２層１０１と遮光部材８２をin situに形成することができるので、ＳｉＯ２層１０１と遮光部材８２との密着性と膜質をともに向上させることができる。また、エッチングによりパターニングされた遮光部材８２を下層のＳｉＯ２層１０１のエッチング用マスクに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上する。
【００５９】
（第３の実施形態）
図１８（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０２の概略断面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＸ３部拡大図である。この液晶表示パネル１０２も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１０２にあっては、遮光部材８２が複数層の薄膜によって形成されている。図１８に示す液晶表示パネル１０２では、２層によって遮光部材８２が構成されているが、３層以上であってもよい。遮光部材８２のうち、もっとも裏面側（光入射側）の薄膜８２Ａは光反射率の高い材料、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの材料によって形成されている。また、遮光部材８２のうち、もっとも表面側（光出射側）の薄膜８２Ｂは、光吸収率の高い材料、例えばＣｒによって形成されている。
【００６０】
図１９は上記複数層からなる遮光部材８２の作用説明図である。光源装置から液晶表示パネル１０２に入射した光のうち、レンズアレイ８０の境界エッジ部７７などを通過して遮光部材８２へ向かった光は、光反射率の高い裏面側の薄膜８２Ａにより全反射され、ＴＦＴ８９に入射するのを妨げられる。このとき光は、遮光部材８２に吸収されにくいので、液晶表示パネル１０２の温度上昇を抑制できる。
【００６１】
また、例えば裏面側基板７３へ光が斜めに入射した場合などにおいて、表面側基板７２へ到達した光が、ＴＦＴ８９や画素電極８８等で反射もしくは拡散され、遮光部材８２に入射し、この光が図１９に２点鎖線で示すように遮光部材８２でさらに反射されると、反射した光が迷光となって液晶表示パネルの動作不良の原因となったり、画像のコントラストを低下させる原因となったりする。しかし、この液晶表示パネル１０２では、遮光部材８２の表面側の薄膜８２Ｂは光吸収率が高くなっているので、ＴＦＴ８９や画素電極８８等で反射もしくは拡散された後に遮光部材８２に入射しても、この光は遮光部材８２で吸収され、迷光となるのを防止される。よって、液晶表示パネル１０２内部の迷光により液晶表示パネル１０２が動作不良を起こしたり、画像のコントラストを低下させたりするのを防止することができる。
【００６２】
このような構造の液晶表示パネル１０２も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様にして製造することができる（図１２、図１３、図１４を参照）。ただし、遮光部材８２は、複数層によって構成されているので、遮光部材８２を成膜する工程では、適宜変更が必要となる。例えば、Ａｌからなる薄膜８２ＡとＣｒからなる薄膜８２Ｂとで遮光部材８２が構成されている場合であれば、図２０（ａ）〜（ｅ）に示すように行えばよい。
【００６３】
すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２０（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２０（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２０（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする（図２０（ｄ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２０（ｅ））。
【００６４】
あるいは、図２１（ａ）〜（ｅ）に説明するような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２１（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２１（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２１（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２ＢをマスクパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２１（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２１（ｅ））。
【００６５】
図２１（ａ）〜（ｅ）に示したような方法によれば、複数層の薄膜をin situに形成することができるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上させることができる。また、エッチングによりパターニングされた上層の薄膜（Ｃｒ薄膜）を下層の薄膜（Ａｌ薄膜）のエッチング用マスクに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上する。
【００６６】
（第４の実施形態）
図２２（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０３の概略断面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＸ４部拡大図である。この液晶表示パネル１０３も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１０３にあっては、遮光部材８２が３層の薄膜によって形成されている。図２２に示す液晶表示パネル１０３では、裏面側に位置する最下層の薄膜は光反射率の高い材料、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの材料によって形成されている。また、その上の層の薄膜８２Ｂは、光吸収率の高いＣｒによって形成されている。さらに、最上層の薄膜８２Ｃは、クロム酸化物、例えばＣｒ２Ｏ３、Ｃｒ５Ｏ１２等によって形成されている。
【００６７】
このような構造の液晶表示パネル１０３によれば、Ｃｒ薄膜８２Ｂの表面をさらにクロム酸化物薄膜８２Ｃで覆うことにより、遮光部材８２の表面側における光吸収能をより高めることができ、ＴＦＴ８９等で反射した光が迷光となるのを効果的に防止できる。
【００６８】
このような構造の液晶表示パネル１０３も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様にして製造することができる（図１２、図１３、図１４を参照）。ただし、遮光部材８２の形成方法は、例えば図２３（ａ）〜（ｆ）に示すように変更する必要がある。
【００６９】
すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２３（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２３（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２３（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。ついで、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＣｒ２Ｏ３等のクロム酸化物薄膜８２Ｃを成膜する（図２３（ｄ））。Ｃｒ２Ｏ３等のクロム酸化物薄膜８２Ｃの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。次に、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてクロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂを同時にエッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする（図２３（ｅ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２３（ｆ））。
【００７０】
あるいは、図２４（ａ）〜（ｆ）に説明するような順序で遮光部材８２を形成してもよい。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２４（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２４（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。さらに、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にクロム酸化物薄膜８２Ｃを成膜する（図２４（ｃ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてクロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂを同時にエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２４（ｄ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたクロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２ＢをマスクパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、クロム酸化物薄膜８２Ｃ及びＣｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２４（ｅ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２４（ｆ））。
【００７１】
図２４（ａ）〜（ｆ）に示したような方法によれば、複数層の薄膜をin situに形成することができるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上させることができる。また、エッチングによりパターニングされた上層の薄膜（クロム酸化物薄膜、Ｃｒ薄膜）を下層の薄膜（Ａｌ薄膜）のエッチング用マスクに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上する。
【００７２】
また、図２５（ａ）〜（ｆ）に説明するような順序で遮光部材８２を形成することもできる。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２５（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２５（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２５（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２ＢをマスクパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２５（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされているＣｒ薄膜８２Ｂの表面を、例えばＯ２プラズマ処理により酸化させ、Ｃｒ２Ｏ３からなるクロム酸化物薄膜８２Ｃを得る（図２５（ｅ））。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２５（ｆ））。
【００７３】
図２５（ａ）〜（ｆ）に示したような方法によっても、複数層の薄膜をin situに形成することができるので、薄膜と薄膜との密着性と膜質をともに向上させることができる。また、エッチングによりパターニングされた上層の薄膜（クロム酸化物薄膜、Ｃｒ薄膜）を下層の薄膜（Ａｌ薄膜）のエッチング用マスクに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上する。さらには、この方法によれば、クロム酸化物薄膜８２ＣをＣｒ薄膜８２Ｂの表面の酸化工程により得ることができるので、工程を短縮することができ、材料費も低減し、アライメント工程も不要にすることができる。
【００７４】
（第５の実施形態）
図２６（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０４の概略断面図、図２６（ｂ）は図２６（ａ）のＸ５部拡大図である。この液晶表示パネル１０４も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１０４にあっては、遮光部材８２を構成する光反射率の高い薄膜８２Ａと光吸収率の高い薄膜８２Ｂとの間にエッチングストップ層１０５を設けている。裏面側に位置する光反射率の高い薄膜８２Ａは、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉなどの材料によって形成されており、光吸収率の高い薄膜８２ＢはＣｒによって形成されている。また、エッチングストップ層１０５は、例えばＳｉＯ２によって形成されている。
【００７５】
図２７（ａ）〜（ｇ）は、液晶表示パネル１０４の製造工程のうち、遮光部材８２を作製する部分を表している。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２７（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、Ａｌ薄膜８２Ａの全面にＳｉＯ２からなるエッチングストップ層１０５を成膜する（図２７（ｂ））。ＳｉＯ２の成膜には、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。さらに、エッチングストップ層１０５の上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図２７（ｃ））。クロム酸化物薄膜８２Ｃの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。
【００７６】
この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２７（ｄ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２Ｂをマスクパターンとしてエッチングストップ層１０５をエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２７（ｅ））。ＳｉＯ２のエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばＨＦ溶液を用いたウエットエッチング法により行う。
【００７７】
さらに、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたＣｒ薄膜８２ＢをマスクパターンとしてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図２７（ｆ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。こうして、Ａｌ薄膜８２Ａとエッチングストップ層１０５とＣｒ薄膜８２Ｂからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２７（ｇ））。
【００７８】
このような液晶表示パネル１０４によれば、図２７（ｄ）のように上層であるＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングする時に、エッチングストップ層１０５の存在によって下層のＡｌ等の薄膜８２Ａがエッチングされることがないので、Ａｌ等の薄膜８２ＡがオーバーエッチングとなってＣｒ薄膜８２Ｂよりも線幅が細くなるのを防ぐことができる。よって、エッチングによって遮光部材８２がダメージを受けるのを防ぐことができ、製造工程を安定化することができる。
【００７９】
なお、図示しないが、Ａｌ薄膜と、Ａｌ薄膜の表面（光出射側の面）を酸化させてＡｌ２Ｏ３薄膜を形成し、高反射率のＡｌ薄膜と高吸収率のＡｌ２Ｏ３によって遮光部材８２を形成してもよい。
【００８０】
（第５の実施形態）
図２８（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０６の概略断面図、図２８（ｂ）は図２８（ａ）のＸ６部拡大図である。この液晶表示パネル１０６も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１０６にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率の薄膜８２Ａと、その上に形成されたポリマー層８２Ｄによって遮光部材８２を構成している。ポリマー層８２Ｄの材質は、Ａｌ等に比べて光吸収能の高いものであればよく、特にその種類は問わない。
【００８１】
このような液晶表示パネル１０６においては、ポリマー層８２ＤによってＣｒ薄膜と同様な光吸収効果を持たせることができる。すなわち、第３の実施形態（図１８）の場合と同様、ＴＦＴ８９や画素電極８８等で反射もしくは拡散された後に遮光部材８２に入射しても、この光はポリマー層８２Ｄで吸収され、迷光となるのを防止される。よって、液晶表示パネル１０２内部の迷光により液晶表示パネルが動作不良を起こしたり、画像のコントラストを低下させたりするのを防止することができる。また、ポリマー層８２Ｄを形成する工程では、大気中における室温プロセスを採用することができるので、裏面側基板７３ないし液晶表示パネル１０６の製造工程を簡易化し、安定化することができる。
【００８２】
このような構造の液晶表示パネル１０６も、第１の実施形態による液晶表示パネル７１と同様にして製造することができる（図１２、図１３、図１４を参照）。ただし、遮光部材８２の形成方法は、例えば図２９（ａ）〜（ｄ）に示すようになる。
【００８３】
すなわち、レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図２９（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図２９（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に樹脂を塗布してポリマー層８２Ｄを成膜する（図２９（ｃ））。ポリマー層８２Ｄは、印刷法、スクリーンプリント法などのパターン印刷法を用いて、直接Ａｌ薄膜８２Ａの上面のみに成膜されるので、ポリマー層８２Ｄの不要部分を除去する工程は必要ない。こうして、Ａｌ薄膜８２Ａとポリマー層８２Ｄからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図２９（ｄ））。
【００８４】
ポリマー層８２Ｄの種類は特に問わないが、特に、感光性ポリイミドのような感光性樹脂を用いてもよい。ポリマー層８２Ｄに感光性樹脂を用いれば、ＴＦＴ８９等で反射された光を吸収して迷光を防止するほか、下層の薄膜８２Ａと同じようにパターニングする場合でもエッチング工程を省くことができるので、工程を簡易化し、安定化させることができる。
【００８５】
図３０（ａ）〜（ｅ）は、ポリマー層８２Ｄに感光性樹脂を用いた場合の、遮光部材８２の製造工程を説明している。レンズ樹脂層７８の上に封止樹脂層７９を介してカバー基板８１を貼り合わせた後、カバー基板８１の上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図３０（ａ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図３０（ｂ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。この後、パターニングされたＡｌ薄膜８２Ａの上に感光性ポリイミド等を塗布してポリマー層８２Ｄを成膜する（図３０（ｃ））。感光性ポリイミド等の塗布方法としては、スプレー（噴霧）法、塗布（転写）法、スピナー法、スクリーンプリント法などを用いることができる。この場合もスクリーンプリント法などを用いる場合には、感光性ポリイミドをＡｌ薄膜８２Ａの上面のみに選択的に塗布することができる。また、スピナー法等によってＡｌ薄膜８２Ａの上からカバー基板８１の全面に感光性ポリイミドを塗布する場合には、マスクパターンを用いた露光と現像によって感光性ポリイミド膜をＡｌ薄膜８２Ａと同じようにパターニングする。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術によりポリマー層８２Ｄを加工して、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする（図３０（ｄ））。こうして、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとクロム酸化物薄膜８２Ｃからなる遮光部材８２が形成されたら、その上から真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図３０（ｅ））。
【００８６】
なお、図示しないが、カバー基板８１の上にＡｌ、Ａｇ等の高光屈折率の薄膜８２Ａを形成し、その上にＣｒ等の高光吸収率の薄膜８２Ｂを形成し、その上にポリイミド等のポリマー層を形成してもよい。
【００８７】
（第６の実施形態）
図３１（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０７の概略断面図、図３１（ｂ）は図３１（ａ）のＸ７部拡大図である。この液晶表示パネル１０７も図６（ａ）に示した液晶表示パネル７１と同様な構造を有しているが、この液晶表示パネル１０７にあっては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率材料からなる遮光部材８２をカバー基板８１の裏面（カバー基板８１と封止樹脂層７９の界面）に設けている。
【００８８】
このような構造によれば、遮光部材８２がレンズアレイ８０に近い位置に形成されるので、遮光部材８２の遮光効果をより高めることができる。
【００８９】
図３２（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネル１０８の概略断面図、図３１（ｂ）は図３１（ａ）のＸ８部拡大図である。この液晶表示パネル１０８では、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ等の高光反射率を有する薄膜８２ＡとＣｒ等の高光吸収率を有する薄膜８２Ｂとからなる遮光部材８２をカバー基板８１の裏面に設けている。光反射率の高い薄膜８２Ａは光入射側となり、光吸収率の高い薄膜８２Ｂは光出射側となるので、Ｃｒ等の薄膜８２Ｂがカバー基板８１の裏面に密着している。
【００９０】
ガラスとの密着性はＡｌ等よりもＣｒの方が優れているので、この液晶表示パネル１０８のように遮光部材８２をカバー基板８１の裏面に設けるようにすれば、Ｃｒ薄膜８２Ｂをカバー基板８１側に位置させることができ、カバー基板８１に対する遮光部材８２の密着強度を高くすることができる。
【００９１】
図３３（ａ）〜（ｇ）は、この実施形態における遮光部材８２の製作工程を表している。図３２の液晶表示パネル１０８を例にとって説明する。まず、紫外線硬化樹脂又は熱硬化性樹脂を用いてガラス基板７６の上にレンズ樹脂層７８を成形しておく（図３３（ａ））。一方で、カバー基板８１の上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図３３（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図３３（ｃ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。この後、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図３３（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、Ｃｒ薄膜８２Ｂと同様にパターニングする（図３３（ｅ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。こうして、カバー基板８１の裏面に、Ｃｒ薄膜８２ＢとＡｌ薄膜８２Ａからなる遮光部材８２が形成されたら、封止樹脂層７９（接着剤）を介してレンズ樹脂層７８の上にカバー基板８１を貼り合わせる（図３３（ｆ））。このとき、遮光部材８２がカバー基板８１の裏面と封止樹脂層７９との界面に位置するように、カバー基板８１を貼り合わせる。この後、カバー基板８１の上に真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図３３（ｇ））。
【００９２】
あるいは、図３４（ａ）〜（ｇ）に説明するような順序で遮光部材８２を形成してもよい。まず、紫外線硬化樹脂又は熱硬化性樹脂を用いてガラス基板７６の上にレンズ樹脂層７８を成形しておく（図３４（ａ））。一方で、カバー基板８１の上にＣｒ薄膜８２Ｂを成膜する（図３４（ｂ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。ついで、Ｃｒ薄膜８２Ｂの上にＡｌ薄膜８２Ａを成膜する（図３４（ｃ））。Ａｌ薄膜８２Ａの成膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。この後、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いてＡｌ薄膜８２Ａをエッチングし、目的とするパターンに形成する（図３４（ｄ））。Ａｌ薄膜８２Ａのエッチング方法としては、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えばリン酸＋硝酸＋酢酸混合溶液を用いたウエットエッチング法により行う。ついで、半導体フォトリソグラフィ技術により作製されたフォトレジストパターンを用いて、あるいはパターニングされたＡｌ薄膜８２ＡをマスクパターンとしてＣｒ薄膜８２Ｂをエッチングし、Ａｌ薄膜８２Ａと同様にパターニングする（図３４（ｅ））。Ｃｒ薄膜８２Ｂのエッチングには、例えばＲＩＥ法やスパッタエッチング法といった半導体プラズマドライエッチング法や、例えば水酸化ナトリウム＋フェリシアン化カリウム水溶液を用いたウエットエッチング法を用いる。こうして、カバー基板８１の裏面に、Ｃｒ薄膜８２ＢとＡｌ薄膜８２Ａからなる遮光部材８２が形成されたら、封止樹脂層７９（接着剤）を介してレンズ樹脂層７８の上にカバー基板８１を貼り合わせる（図３４（ｆ））。このとき、遮光部材８２がカバー基板８１の裏面と封止樹脂層７９との界面に位置するように、カバー基板８１を貼り合わせる。この後、カバー基板８１の上に真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により透明電極８３を設ける（図３４（ｇ））。
【００９３】
図３４（ａ）〜（ｇ）に示したような方法によれば、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂをin situに形成することができるので、Ａｌ薄膜８２ＡとＣｒ薄膜８２Ｂとの密着性と膜質をともに向上させることができる。また、エッチングによりパターニングされたＡｌ薄膜８２ＡをＣｒ薄膜８２Ｂのエッチング用マスクに用いることにより、フォトリソグラフィ工程を短縮でき、同時にセルフアライメント方式により薄膜どうしのアライメント精度が向上する。
【００９４】
なお、上記各実施形態においては、レンズアレイ８０よりも表面側に遮光部材８２を配置したが、レンズアレイ８０よりも裏面側に遮光部材８２を配置しても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示パネルの内部構造を示す概略分解斜視図である。
【図２】カラー液晶プロジェクタの構造を説明する図である。
【図３】裏面側基板にレンズアレイを設けた、従来の液晶表示パネルの構造を示す概略断面図である。
【図４】同上の液晶表示パネルにおけるレンズアレイの作用を説明するための図である。
【図５】レンズアレイの前方に遮光部材を設けた、従来の液晶表示パネルの構造を示す概略断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の一実施形態による液晶表示パネルの構造を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１部拡大図である。
【図７】同上の液晶表示パネルにおける、レンズアレイの境界エッジ部と格子状の遮光部材との対応を示す斜視図である。
【図８】凹レンズ状をしたレンズアレイの境界エッジ部と格子状の遮光部材との対応を示す斜視図である。
【図９】図６に示した液晶表示パネルの作用説明図である。
【図１０】３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域における、光波長とＡｌ、Ｃｒの光反射率との関係を表した図である。
【図１１】基板に形成されたＣｒ膜又はＡｌ膜の表面温度と、ランプ照射時間との関係を示す図である。
【図１２】（ａ）〜（ｈ）は、図６の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｇ）は、図６の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｈ）は、図６の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板のさらに別な製造工程を説明するための断面図である。
【図１５】（ａ）は本発明の別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ２部拡大図である。
【図１６】（ａ）〜（ｅ）は、同上の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｅ）は、図１５の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【図１８】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ３部拡大図である。
【図１９】同上の液晶表示パネルにおける遮光部材の作用説明図である。
【図２０】（ａ）〜（ｅ）は、図１８の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２１】（ａ）〜（ｅ）は、図１８の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【図２２】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ４部拡大図である。
【図２３】（ａ）〜（ｆ）は、同上の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２４】（ａ）〜（ｆ）は、図２２の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【図２５】（ａ）〜（ｆ）は、図２２の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板のさらに別な製造工程を説明するための断面図である。
【図２６】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ５部拡大図である。
【図２７】（ａ）〜（ｇ）は、同上の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２８】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ６部拡大図である。
【図２９】（ａ）〜（ｄ）は、同上の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図３０】（ａ）〜（ｅ）は、図２８の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【図３１】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ７部拡大図である。
【図３２】（ａ）は本発明のさらに別な実施形態による液晶表示パネルの概略断面図、（ｂ）は（ａ）のＸ８部拡大図である。
【図３３】（ａ）〜（ｇ）は、同上の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図３４】（ａ）〜（ｇ）は、図３２の液晶表示パネルに用いられている裏面側基板の別な製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
７１      液晶表示パネル
７２      表面側基板
７３      裏面側基板
７４      液晶層
７６      ガラス基板
７７      境界エッジ部
７８      レンズ樹脂層
７９      封止樹脂層
８０      レンズアレイ
８１      カバー基板
８２      遮光部材
８２Ａ      薄膜
８２Ｂ      薄膜
８２Ｃ      クロム酸化物薄膜
８２Ｄ      ポリマー層
８３      透明電極
８６      カラーフィルタ
８７      ブラックマトリクス
８８      画素電極
８９      ＴＦＴ
１０１      ＳｉＯ２層
１０５      エッチングストップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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