(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザチャンバ(12)と、
前記レーザチャンバ(12)の内部に設けられる主電極(14,15)と、
前記レーザチャンバ(12)の内部に設けられ、当該レーザチャンバ(12)内部のレーザガスを冷却する熱交換器(13)と、を備え、
出力エネルギーを増加させるために微量のキセノンが添加されたレーザガスを前記レーザチャンバ(12)に封入し、前記主電極(14,15)間に高電圧を印加して主放電を起こし、当該主放電によってレーザガスを励起してレーザ光を発生させるガスレーザ装置において、
低周波数域でレーザ発振して低周波数域におけるパルスエネルギー(PL)を測定し、さらに高周波数域でレーザ発振して高周波数域におけるパルスエネルギー(PH)を測定し、低周波数域におけるパルスエネルギー(PL)と高周波数域におけるパルスエネルギー(PH)との差を求め、当該差が所定値(P0)以上であると判定した場合に、前記レーザチャンバ(12)にキセノンを含まないフラッシングガスを供給し、フラッシングガス供給後にレーザガスに接触する前記レーザチャンバ(12)内部の部位のうちの少なくとも一部を加熱し、加熱後に前記レーザチャンバ(12)からフラッシングガスを排出するフラッシング工程を行うように制御するレーザコントローラ(29)を備えた
ことを特徴とするガスレーザ装置。
【請求項２】
請求項１記載のガスレーザ装置において、
前記フラッシングガスが、不活性ガスを含むことを特徴とするガスレーザ装置。
【請求項３】
請求項２記載のガスレーザ装置において、
前記フラッシングガスが、フッ素を含むことを特徴とするガスレーザ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のガスレーザ装置において、
レーザチャンバ(12)の外周部近傍に付設したチャンバヒータ(52)を備えたことを特徴とする、ガスレーザ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のガスレーザ装置において、
熱交換器(13)の内部を流れる冷媒(54)を加熱する冷媒ヒータ(53)を備えたことを特徴とする、ガスレーザ装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のガスレーザ装置において、
前記フラッシング工程が、主電極(14,15)間で放電を行なうフラッシング放電工程を含むことを特徴とするガスレーザ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のガスレーザ装置において、
前記レーザコントローラ(29)は、レーザガスを冷却する熱交換器(13)の内部を流れる冷媒(54)の流量を低下又は遮断してレーザチャンバ(12)の内部で放電することによって前記加熱を行うようにすることを特徴とする、ガスレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エキシマレーザ装置やフッ素分子レーザ装置等のガスレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、エキシマレーザ装置において、レーザガスにキセノン（Ｘｅ）を添加することにより、レーザ光のパルスエネルギーが増加することが知られており、例えば特開平１１−１９１６６０号公報に示されている。
【０００３】
図１５は、波長を狭帯域化したエキシマレーザ装置の構成図を表しており、以下、図１５に基づいて従来技術を説明する。
図１５において、エキシマレーザ装置１１は、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ_2）、キセノン（Ｘｅ）、及びヘリウム（Ｈｅ）やネオン（Ｎｅ）等のバッファガスを含むレーザガスを封止した、レーザチャンバ１２を備えている。
レーザチャンバ１２の内部には、１組の主電極１４，１５が図１５中紙面と垂直に対向して配置されている。また、主電極１４，１５の近傍には、図示しない予備電離電極が配置されており、コロナ状の予備電離放電を起こして紫外線の予備電離光を発生し、主電極１４，１５間のレーザガスを電離する。そして、主電極１４，１５間に、図示しない高圧電源からパルス状の高電圧を印加することによって主放電を起こし、レーザガスを励起してレーザ光２１を発生させる。
発生したレーザ光２１は、狭帯域化ユニット３０に入射し、プリズム３２，３２によってビーム幅を広げられ、グレーティング３３によって所定の中心波長を中心とした狭い領域の波長のみが回折されて狭帯域化される。狭帯域化されたレーザ光２１は、レーザチャンバ１２に戻り、フロントミラー１６を部分透過してその一部が前方（図１５中右方）に出射する。
【０００４】
同公報によれば、エキシマレーザ装置において、レーザガスの中に含まれるクリプトン、アルゴン、フッ素、ヘリウム、及びネオンはイオン化エネルギーが高いため、予備電離放電を起こしても電離しにくい。そのため、予備電離後に主電極１４，１５間に遊離するイオンや電子の数が少ないために、主放電が安定に起きにくい。
これに対して、キセノンはイオン化エネルギーが低い為に、電離しやすい。従って、キセノンをレーザガスに混ぜることにより、予備電離の際に放電空間５１により多くのイオンや電子が遊離するので、安定な主放電を得ることが可能となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術には、次に述べるような問題がある。
即ち、レーザガスにキセノンを添加することにより、エキシマレーザ装置の主放電の周波数ｆが低い領域で、レーザ光のパルスエネルギーが低下するという現象が起きている。これは、特にＡｒＦエキシマレーザ装置において、顕著である。
【０００６】
図１６に、ＡｒＦエキシマレーザ装置における、主放電の周波数ｆと、レーザ光２１の１パルスあたりのパルスエネルギーＰとの関係をグラフで示す。横軸が周波数ｆ、縦軸がパルスエネルギーＰである。
図１６に示すように、周波数ｆが低い低周波数域においては、周波数ｆが高い高周波数域よりも、パルスエネルギーＰが低くなっている。このような現象は、キセノンを添加しない場合には見られない。しかしながら、上述したようにキセノンを添加しないと、主放電が不安定になってレーザ光のパルスエネルギーＰが低くなり、例えばＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用の光源として用いる場合に必要なだけのパルスエネルギーを得ることが難しい。
【０００７】
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、低周波数域から高周波数域まで、略同等のパルスエネルギーを得ることが可能なガスレーザ装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、本発明は、
レーザチャンバと、
前記レーザチャンバの内部に設けられる主電極と、
前記レーザチャンバの内部に設けられ、当該レーザチャンバ内部のレーザガスを冷却する熱交換器と、を備え、
出力エネルギーを増加させるために微量のキセノンが添加されたレーザガスを前記レーザチャンバに封入し、前記主電極間に高電圧を印加して主放電を起こし、当該主放電によってレーザガスを励起してレーザ光を発生させるガスレーザ装置において、
低周波数域でレーザ発振して低周波数域におけるパルスエネルギーを測定し、さらに高周波数域でレーザ発振して高周波数域におけるパルスエネルギーを測定し、低周波数域におけるパルスエネルギーと高周波数域におけるパルスエネルギーとの差を求め、当該差が所定値以上であると判定した場合に、前記レーザチャンバにキセノンを含まないフラッシングガスを供給し、フラッシングガス供給後にレーザガスに接触する前記レーザチャンバ内部の部位のうちの少なくとも一部を加熱し、加熱後に前記レーザチャンバからフラッシングガスを排出するフラッシング工程を行うように制御するレーザコントローラを備えている。
レーザガスに接触するレーザチャンバ内部の部位を加熱することにより、当該部位に付着していると考えられる、レーザ光の発振を妨げる物質の前駆体を遊離させることができる。これを排気することにより、レーザチャンバの内部にレーザ光の発振を妨げる物質が少なくなるので、レーザ光のパルスエネルギーが増加する。
低周波数域でのレーザ光のパルスエネルギーが低くなっているということは、レーザ光の発振を妨げる物質が増加しているということであるから、これに基づいてフラッシング工程を行なうことにより、内部に発生した当該物質を減少させることができる。
【０００９】
レーザ光の発振を妨げる物質又はその前駆体は、キセノンから生じていると考えられるので、キセノンを含まない状態で加熱することにより、より効率的に前駆体を遊離させられる。
【００１０】
また、本発明のガスレーザ装置は、
レーザチャンバの外周部近傍に付設したチャンバヒータを備えている。
チャンバヒータを加熱することにより、熱容量が大きく、かつ表面積の大きなレーザチャンバを効率的に加熱させられる。
【００１１】
また、本発明のガスレーザ装置は、
熱交換器の内部を流れる冷媒を熱する冷媒ヒータを備えている。
これにより、表面積が大きく、かつレーザ発振の際には冷えていた熱交換器の表面を、より効率的に加熱できる。
【００１２】
また、本発明のガスレーザ装置は、
前記フラッシング工程が、主電極間で放電を行なうフラッシング放電工程を含んでいる。
レーザ光の発振を妨げる物質又はその前駆体は、加熱に加えて放電を行なうことで、より頻繁に遊離する。従って、レーザチャンバの内部にレーザ光の発振を妨げる物質がより少なくなり、レーザ光のパルスエネルギーが増加する。
【００１７】
また、本発明のガスレーザ装置は、
前記レーザコントローラが、レーザガスを冷却する熱交換器の内部を流れる冷媒の流量を低下又は遮断することによって前記加熱を行うようにする。
熱交換器の内部を流れる冷媒の流量を低下又は遮断し、フラッシング放電を行なうことにより、レーザチャンバの内部が加熱する。従って、ヒータなどを必要とせず、加熱工程を行なうことが可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
まず、従来技術の項で説明した、低周波数域におけるパルスエネルギーの低下について、考察を説明する。尚、エキシマレーザ装置１１の構成については、例えば後に詳細を説明する図１及び図２を参照されたい。
上述したように、エキシマレーザ装置１１においては、レーザ光２１のパルスエネルギーを増加させるために、微量のキセノンをレーザガスに添加している。その結果、レーザチャンバ１２の内部で、物質Ｃが生成される。物質Ｃは、主放電を行なっていない状態では、レーザチャンバ１２の内壁や熱交換器１３の表面（以下、壁面と総称する）に付着していると考えられる。
【００２１】
レーザ発振を行なうと、物質Ｃは、物質Ａとなって壁面から遊離する（化学式１Ａ，１Ｂ）。この反応は、主放電によって温度が上昇したレーザガスの衝突による壁面の加熱によって起きるものと（化学式１Ａ）、イオンやラジカル等の、化学反応性に富むガス成分の衝突（化学式１Ｂ）によって起きるものがあると考えられる。尚、化学式１Ａの反応は、壁面が加熱されて温度上昇した場合にも起こるもので、上記のようにレーザガスの衝突に限られるものではない。
Ｃ＋熱  →  Ａ  …………（１Ａ）
Ｃ＋活性化学種  →  Ａ＋低エネルギー化学種  ………（１Ｂ）
【００２２】
物質Ａは、主放電及び予備電離放電（以下、レーザ放電と総称する）のうち、少なくとも一方を不安定にさせたり、或いは予備電離光やレーザ光２１を吸収したりして、レーザ光２１のパルスエネルギーを低下させる。
この物質Ａは、放電によって生じた光やレーザ光２１等を吸収したり（光吸収）、或いは放電によってエネルギーを与えられたりすることにより、物質Ｂに変化すると考えられる（化学式２）。物質Ｂは、放電やレーザ光２１に対して、無害又は有益である。即ち、レーザ発振時には、周波数ｆが高いほどレーザ光２１のパルスエネルギーが高くなっており、物質Ａから物質Ｂへの変化が頻繁に起こっているものと考えられる。
Ａ＋放電又は光吸収  →  Ｂ  …………（２）
【００２３】
一方物質Ｂは、物質Ａから物質Ｂへの変化反応が顕著である放電空間５１やレーザ光２１の光路等以外の場所において、物質Ｂの周囲の環境（熱浴）から熱などのエネルギーを吸収し、自動的に物質Ａに戻る（化学式３）。
Ａ  ←  Ｂ＋熱浴  …………（３）
【００２４】
即ち、壁面の物質Ｃから、レーザ光２１のパルスエネルギーを低下させる物質Ａが生成されてレーザガス中に放出され、レーザガス中には物質Ａと物質Ｂとが混在して平衡状態を作り出している。物質Ａから物質Ｂへの反応は、光吸収又はレーザ放電によって起きるため、周波数ｆに依存し、周波数ｆが高いほど頻繁である。これに対して、物質Ｂから物質Ａへの反応は、専らレーザチャンバ１２内雰囲気の熱浴からもたらされる熱によって起きるため、周波数ｆに依存しない。従って、周波数ｆが低い場合には、レーザ光２１のパルスエネルギーを低下させる物質Ａが物質Ｃから生成されて増加するのに対し、物質Ａから物質Ｂへ変化する量が少ないため、レーザ光２１のパルスエネルギーが低下する。また、周波数ｆが高い場合には、物質Ａが物質Ｂに変化して減少するため、レーザ光２１のパルスエネルギーが増加する。
【００２５】
そして、レーザ放電が停止すると、物質Ａは、物質Ｃとなって壁面に吸着され、レーザチャンバ１２内部のレーザガスを排気しても、除去されないと考えられる。
尚、物質Ａの例としては、フッ化キセノン（ＸｅＦ_2、ＸｅＦ_4、又はＸｅＦ_6）が有力である。また、物質Ｂとしては、キセノンが有力である。物質Ｃは、明らかでないが、物質Ａと同じフッ化キセノンの場合もあると考えられている。
【００２６】
以下、低周波数域におけるレーザ光２１のパルスエネルギー低下を、解消するための技術について説明する。
以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
まず、第１実施形態を説明する。図１は、本実施形態に係るＡｒＦエキシマレーザ装置（以下エキシマレーザ装置１１と言う）の構成図、図２はその側面断面図を示している。
図１、図２において、エキシマレーザ装置１１は、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ_2）、キセノン（Ｘｅ）、及びバッファガスを含むレーザガスを封止した、レーザチャンバ１２を備えている。バッファガスは、ヘリウム（Ｈｅ）やネオン（Ｎｅ）等の不活性ガスからなっている。
図２に示すように、レーザチャンバ１２の内部には、対向した１対の主電極１４，１５と、その側方に予備電離電極５０，５０とが配置されている。レーザコントローラ２９は、予備電離電極５０，５０を介してコロナ状の予備電離放電を起こし、主電極１４，１５間の放電空間５１を電離させる。そして、高圧電源２３から主電極１４，１５間にパルス状に高電圧を印加することによって、放電空間５１に主放電を起こし、レーザガスを励起してパルス状のレーザ光２１を発生させる。
【００２７】
図１に示すように、レーザチャンバ１２の前後部には、それぞれレーザ光２１を透過するフロントウィンドウ１７及びリアウィンドウ１９が付設されている。発生したレーザ光２１は、リアウィンドウ１９を透過して、レーザチャンバ１２の後方（図１中左方）へ出射し、狭帯域化ユニット３０に入射する。
レーザ光２１は、プリズム３２，３２によってビーム幅を広げられ、グレーティング３３によって、所定の中心波長を中心とした狭い領域の波長のみが回折される。これを、波長の狭帯域化と言う。
狭帯域化ユニット３０によって狭帯域化されたレーザ光２１は、レーザチャンバ１２に戻り、フロントミラー１６によってその一部が前方に出射する。出射したレーザ光２１は、一部がビームスプリッタ２２によってサンプリングされ、モニタ４８に入射して、その波長特性やパルスエネルギーを測定される。モニタ４８は、レーザコントローラ２９に電気的に接続されており、レーザコントローラ２９はモニタ４８の出力信号に基づいて、レーザ光２１の波長特性やパルスエネルギーを検出自在となっている。
【００２８】
ビームスプリッタ２２を透過したレーザ光２１は、露光機２５に入射して、露光用の光となる。フロントミラー１６とビームスプリッタ２２との間には、レーザコントローラ２９の指示に基づいて開閉自在のシャッタ３５が設けられている。
【００２９】
図１、図２に示すように、レーザチャンバ１２には、レーザガスを封止したレーザガスボンベ３６、バッファガスを封止したバッファガスボンベ３７、及びバッファガスで希釈したフッ素を封止したフッ素ガスボンベ３８が、それぞれレーザガスバルブ４０、バッファガスバルブ４１、及びフッ素ガスバルブ４２を介して接続されている。
またこのとき、バッファガスボンベ３７とは別途、チャンバパージガスボンベを、図示しないバルブを介してレーザチャンバ１２に接続することもある。チャンバパージガスは、レーザチャンバ１２や、ウィンドウ１７，１９の交換等の際に、レーザチャンバ１２の内部を排気した後に注入するものであり、主にヘリウムが用いられている。
【００３０】
レーザチャンバ１２には、内部のガスを排気する排気ポンプ３９が、排気バルブ４３を介して接続されている。レーザガスバルブ４０、バッファガスバルブ４１、フッ素ガスバルブ４２、及び排気バルブ４３は、図示しない信号線又は無線によって、レーザコントローラ２９に電気的に接続され、その指令信号に基づいて開閉する。
またレーザチャンバ１２には、内部の圧力を測定するための圧力センサ４４が取着されている。圧力センサ４４はレーザコントローラ２９に電気的に接続され、レーザコントローラ２９は圧力センサ４４の出力信号に基づいて、レーザチャンバ１２内部の圧力を検出可能である。
さらに、レーザチャンバ１２には、内部の温度を測定するための温度センサ４５が取着されている。温度センサ４５はレーザコントローラ２９に電気的に接続され、レーザコントローラ２９は温度センサ４５の出力信号に基づいて、レーザチャンバ１２内部の温度を検出可能である。
【００３１】
また図２に示すように、レーザチャンバ１２内部には、主電極１４，１５間にレーザガスを送り込むための貫流ファン２４と、レーザ放電によって熱せられたレーザガスを冷却するための熱交換器１３とが配置されている。図２において、矢印４９は、レーザガスの流れを示している。
熱交換器１３には、冷媒配管４６が接続され、内部には冷却水等の冷媒５４が流れている。配管には、冷媒５４の流量を検出して制御する流量制御弁４７が介挿されている。流量制御弁４７は、レーザコントローラ２９に電気的に接続され（接続は図示せず）、その指示に基づいて冷媒５４の流量を制御自在となっている。
【００３２】
このようなエキシマレーザ装置１１において、周波数ｆの低い場合にも高いパルスエネルギーＰを得るために、後述する所定のタイミングで露光のためのレーザ発振を停止し、フラッシング工程と呼ばれる処理を行なう。以下、フラッシング工程について、具体的に説明する。
図３に、フラッシング工程を行なうための手順の一例を、各ステップ番号にＳを付したフローチャートで示す。
まずレーザコントローラ２９は、高圧電源２３に指令を出力してレーザ放電を止め、レーザ発振を停止させる（ステップＳ１０１）。次に、レーザコントローラ２９は、流量制御弁４７に指令を出力して、冷媒５４の流量を減らすか、或いは冷媒５４を停止させる（ステップＳ１０２）。
そして、排気バルブ４３を開いてレーザチャンバ１２の内部のガスを排気する（ステップＳ１０３）。そして、バッファガスバルブ４１及びフッ素ガスバルブ４２を開き、所定の組成で混合したフラッシングガスをレーザチャンバ１２の内部に所定圧力まで封入する（ステップＳ１０４）。フラッシングガスについては後述するが、フッ素とバッファガスとを含んでいることが望ましく、かつ、キセノンを含んでいないことが望ましい。
【００３３】
そして、放電を開始する（ステップＳ１０６）。この放電をレーザ放電と区別してフラッシング放電と呼び、エキシマレーザ装置１１が、レーザ発振の際に発振可能な最大周波数ｆＭよりも、低い周波数ｆ１（ｆＭ＞ｆ１）で行なうようにする。そして、所定時間経過後（ステップＳ１０７）、フラッシング放電を停止する（ステップＳ１０８）。
【００３４】
またはステップＳ１０６において、常に周波数ｆ１でフラッシング放電をさせるのではなく、最初に第１の所定時間だけ、周波数ｆ１でフラッシング放電させた後、第２の所定時間の間、周波数ｆ２（ｆ１＞ｆ２）でフラッシング放電させてもよい。これは、周波数ｆ１でレーザチャンバ１２内部の温度を上昇させた後、周波数ｆ２で温度を所定温度に保ち、レーザチャンバ１２の内部や外部の部品の、熱による破損を防止するためである。
或いは、レーザコントローラ２９は温度センサ４５によってレーザチャンバ１２内部の温度をモニタリングし、温度が所定値となるように、フラッシング放電時の周波数ｆ１を設定してもよい。
さらには、レーザチャンバ１２内部の温度が所定値となるように、流量制御弁４７に指令を出力して、冷媒５４の流量を制御してもよい。
【００３５】
レーザコントローラ２９は、ステップＳ１０３からＳ１０８までの工程を、所定の回数（ここではｎ回とする）繰り返し（ステップＳ１１０）、終わるとレーザチャンバ１２の内部のガスを排気する（ステップＳ１１１）。
そして、流量制御弁４７に指令を出して、冷媒５４の流量を元の流量に戻して定常状態とし（ステップＳ１１２）、レーザチャンバ１２内部にレーザガスを所定の組成比で封入し（ステップＳ１１３）、レーザ発振を再開する（ステップＳ１１４）。
即ち、このフローチャートにおけるフラッシング工程は、フラッシング放電を行なうフラッシング放電工程と、冷媒５４を停止又は流量低下させ、フラッシング放電の熱によってレーザチャンバ１２内部を加熱する加熱工程と、フラッシング放電工程終了後、フラッシングガスを排気する工程とを含んでいる。
【００３６】
図４に、フラッシング工程を行なった場合の実験結果を示す。図４において、横軸はレーザ光２１の周波数ｆ、縦軸はレーザ光２１の１パルスあたりのパルスエネルギーＰである。破線が、フラッシング工程を行なう前であり、実線が、フラッシング工程を行なった後である。図４に示すように、フラッシング工程を行なうことにより、低周波数におけるパルスエネルギーが増加している。
【００３７】
以上説明したように、第１実施形態によれば、レーザコントローラ２９は、フラッシング放電を行なっている。そして同時に、レーザチャンバ１２の冷媒５４の流量を低下又は停止させることにより、フラッシング放電から発生する熱でレーザチャンバ１２内部を加熱している。
化学式１Ａに示すように、レーザチャンバ１２内部を加熱することにより、物質Ｃから物質Ａが発生する。そして、フラッシング放電を行なうことにより、化学式１Ｂに示すように物質Ｃから物質Ａへの生成が促進されると共に、物質Ａが、フラッシング放電又は光吸収によって、物質Ｂへと変化する（化学式２）。
これを排気することにより、レーザ光２１のパルスエネルギー低下の原因となる、レーザチャンバ１２内部の物質Ａの量が減少する。従って、低周波数域における、パルスエネルギー低下が起きにくくなる。
【００３８】
また、上記フローチャートのステップＳ１０３におけるフラッシングガスとして、物質Ｃの前駆体と考えられるキセノンを含んだレーザガスをそのまま用いるのではなく、キセノンを含まないガスを用いている。これにより、レーザ光２１のパルスエネルギー低下の原因となる物質Ａの生成が妨げられるので、レーザ光２１のパルスエネルギー低下が起こりにくくなる。
【００３９】
フラッシングガスは、例えばフッ素と、ヘリウム又はネオン等のバッファガスとを、どちらも含んでいることが好ましい。或いはこのとき、バッファガスの代わりにチャンバパージガスを用いてもよい。
フラッシングガスがバッファガスを含むことにより、放電が安定に起こるので、主電極１４，１５がフラッシング放電によって摩耗することが少ない。
さらには、フラッシングガスがフッ素を含むことにより、放電抵抗Ｒが増大する。その結果、電流をｉとすると、放電によって生じるエネルギー（＝ｉ^2Ｒ）が増大し、フラッシング放電時に、より大きなエネルギーを安定に注入することができる。その結果、内壁等に付着している物質Ｃが遊離しやすくなり、フラッシング放電の効果が大きくなる。また、フラッシング放電のエネルギーが大きいため、レーザガスの温度が早く上昇する。
また、フラッシングガスとしては、より放電が安定となるように、クリプトンやアルゴンを入れてもよい。
【００４０】
次に、第１実施形態の他の実施例として、フラッシングガスではなく、レーザガスを用いてフラッシング放電を行なう場合について説明する。
図５に、上記フラッシング工程の手順の一例を、各ステップ番号にＳを付したフローチャートで示す。
まずレーザコントローラ２９は、高圧電源２３に指令を出力してレーザ放電を止め、レーザ発振を停止させる（ステップＳ２０１）。次に、シャッタ３５を閉じる（ステップＳ２０３）。そして、流量制御弁４７に指令を出力して、冷媒５４の流量を減らすか、或いは冷媒５４を停止させる（ステップＳ２０４）。
レーザコントローラ２９は、貫流ファン２４を回転させてフラッシング放電を開始する（ステップＳ２０６）。そして、所定時間経過後（ステップＳ２０７）、フラッシング放電を停止する（ステップＳ２０８）。そして、レーザチャンバ１２の内部のガスを排気し（ステップＳ２０９）、レーザチャンバ１２内部にレーザガスを所定の組成比で封入する（ステップＳ２１０）。
【００４１】
レーザコントローラ２９は、以上のステップＳ２０６からＳ２１０までの工程を、所定の回数（ｎ回）繰り返し（ステップＳ２１２）、終わると、冷媒５４の流量を元の流量に戻して定常状態とし（ステップＳ２１３）、シャッタ３５を開いて（ステップＳ２１４）、レーザ発振を再開する（ステップＳ２１５）。
即ち本フローチャートでは、フラッシング工程は、第１実施形態と同様にフラッシング放電を行なうフラッシング放電工程と、冷媒５４を停止又は流量低下させることによってレーザチャンバ１２内部を加熱する加熱工程と、フラッシング放電工程終了後、フラッシングガスを排気する工程とを含んでいる。
【００４２】
以上説明したように本手順によれば、レーザガスを用いてフラッシング放電を行なっている。レーザガスでフラッシング放電を行なっても、フラッシングガスほどは顕著でないが、低周波数域でのパルスエネルギーの低下は、緩和される。即ち、フラッシング放電及び熱により、物質Ｃが遊離して物質Ａとなり、フラッシング放電によって物質Ａが物質Ｂへと変化する。これを排気することにより、レーザチャンバ１２内部の物質Ａの量が減少する。
こうすることにより、１回目のフラッシングには、それまでレーザ発振に用いていたレーザガスを用いることができる。従って、フラッシング放電の際にガスの入れ替えを行なう回数が少なく、フラッシング工程に要する時間が短縮される。
また、フラッシングガスをレーザガスに対して別途用意する必要がないので、エキシマレーザ装置１１の構成が簡単になる。
或いは、常にフラッシングガス又はレーザガスのどちらかを用いるのではなく、１回目のフラッシング放電を図５に示したようにレーザガスで行ない、２回目以降はフラッシングガスで行なうというように、両者を混合してもよい。
【００４３】
次に、第２実施形態について説明する。
図６に、第２実施形態に係るエキシマレーザ装置１１の構成図を示す。図６において、エキシマレーザ装置１１の熱交換器１３に接続された冷媒配管４６の往路側には、冷媒ヒータ５３が巻かれており、レーザコントローラ２９の指示に基づいて、冷媒５４を加熱することができるようになっている。或いは、冷媒配管４６の内部に冷媒ヒータ５３を設置して、熱交換器１３に流す冷媒５４を加熱してもよい。
このようなエキシマレーザ装置１１を用いて、フラッシング工程を行なう場合の手順の一例を、図７に示す。
まずレーザコントローラ２９は、高圧電源２３に指令を出力してレーザ放電を止め、レーザ発振を停止させる（ステップＳ３０１）。次に、排気バルブ４３を開いてレーザチャンバ１２の内部のガスを排気する（ステップＳ３０２）。そして、フラッシングガスをレーザチャンバ１２の内部に所定圧力まで封入する（ステップＳ３０３）。
【００４４】
そしてレーザコントローラ２９は、冷媒ヒータ５３に指令を出力して、冷媒５４を加熱する（ステップＳ３０４）とともに、貫流ファン２４を作動させる（ステップＳ３０５）。これにより、フラッシングガスが熱交換器１３の内部を通る冷媒５４によって加熱され、この加熱されたフラッシングガスがレーザチャンバ１２の内部を巡ることにより、レーザチャンバ１２の温度が上昇する。レーザコントローラ２９は、レーザチャンバ１２の内部の温度が所定の温度になると（ステップＳ３０６）、フラッシング放電を開始する（ステップＳ３０７）。
フラッシング放電を所定時間行なった後（ステップＳ３０８）、レーザコントローラ２９はフラッシング放電を停止する（ステップＳ３０９）。そして、貫流ファン２４を停止させる（ステップＳ３１０）。
【００４５】
レーザコントローラ２９は、上記ステップＳ３０２からＳ３１０までの工程を、所定の回数（ここではｎ回）だけ繰り返し（ステップＳ３１１）、終わるとレーザチャンバ１２の内部のガスを排気する（ステップＳ３１２）。そして、冷媒ヒータ５３を止めて冷媒５４の加熱を停止した後（ステップＳ３１３）、レーザチャンバ１２内部にレーザガスを所定の組成比で封入し（ステップＳ３１４）、発振を再開する（ステップＳ３１５）。
【００４６】
図８に、第２実施形態において、レーザガスを用いてフラッシング放電を行なうフラッシング工程の手順の一例を示す。
まずレーザコントローラ２９は、レーザ発振を停止させる（ステップＳ４０１）。次に、シャッタ３５を閉じる（ステップＳ４０２）。そして、冷媒ヒータ５３に指令を出力して、冷媒５４を加熱する（ステップＳ４０３）とともに、貫流ファン２４を作動させる（ステップＳ４０４）。
【００４７】
レーザチャンバ１２の内部の温度が所定の温度になると（ステップＳ４０５）、フラッシング放電を開始し（ステップＳ４０６）、所定時間経過後（ステップＳ４０７）、フラッシング放電を停止する（ステップＳ４０８）。そして、貫流ファン２４を停止し（ステップＳ４０９）し、レーザチャンバ１２の内部のガスを排気した後（ステップＳ４１０）、レーザチャンバ１２内部にレーザガスを所定の組成比で封入する（ステップＳ４１１）。
レーザコントローラ２９は、上記ステップＳ４０３からＳ４１１までの工程を、所定の回数（ここではｎ回）だけ繰り返す（ステップＳ４１２）。これが終わると、冷媒５４の加熱を停止した後（ステップＳ４１３）、シャッタ３５を開動作させて（ステップＳ４１４）、発振を再開する（ステップＳ４１５）。
【００４８】
以上説明したように本実施形態によれば、熱交換器１３を流れる冷媒５４を冷媒ヒータ５３によって加熱している。これにより、レーザチャンバ１２の内部を、より効率的に温めることができるので、化学式１に示す物質Ｃから物質Ａの発生が、より頻繁に起きるようになり、物質Ａの前駆体である物質Ｃの量が早く減少する。
そして、この状態でフラッシング放電を行うことにより、フラッシング放電の熱等による、物質Ｃから物質Ａの発生（化学式１Ａ，１Ｂ）が起きるので、相乗的に物質Ｃの量が減少する。
【００４９】
また、熱交換器１３の冷媒５４を加熱することにより、熱交換器１３の温度が早く、しかもその全表面にわたって上昇する。
レーザ発振を行なっていた際には、熱交換器１３は冷媒５４によって冷却されていたため、第１実施形態のように冷媒５４を止めたとしても、その表面の温度はレーザチャンバ１２の他の部分に比べて低く、表面に物質Ａの前駆体である物質Ｃが付着したままの場所が残っていることがある。これに対して、熱交換器１３の中に加熱した冷媒５４を通すことにより、その全表面が温められ、表面に付着していた物質Ｃを効率的に遊離させることが可能であり、フラッシング工程の効果がより大きくなる。
【００５０】
次に、第３実施形態について、説明する。
図９は、第３実施形態に係るエキシマレーザ装置１１の構成図である。図９において、レーザチャンバ１２の周囲にはチャンバヒータ５２が巻かれており、レーザチャンバ１２を加熱することが、可能となっている。
このようなエキシマレーザ装置１１を用いてフラッシング工程を行なう場合には、例えば図７に示した手順に従い、ステップＳ３０４で冷媒５４を加熱する際に、チャンバヒータ５２によってレーザチャンバ１２をも加熱する。
これにより、レーザチャンバ１２の内壁が、第２実施形態の熱交換器１３と同様に、より早く、かつ漏れなく温められるので、フラッシング工程の時間を短縮できるとともに、フラッシング工程の効果も向上する。また、図８に示した手順において、ステップＳ４０３で冷媒５４を加熱する際に、チャンバヒータ５２によってレーザチャンバ１２を加熱しても同様である。
また、チャンバヒータ５２によるレーザチャンバ１２の加熱は、図７に示した手順において、レーザガス封入（ステップＳ３１４）前、もしくは発振開始（ステップＳ３１５）前に停止する。同様に、図８に示した手順においては、発振開始（ステップＳ４１５）前に停止する。
【００５１】
次に、第４実施形態について、説明する。
上記の各実施形態においては、フラッシング工程がフラッシング放電工程及び加熱工程を含んでいるが、本実施形態においては、フラッシング工程がフラッシング放電工程を含まず、加熱工程のみによってフラッシングを行なっている。
例えば、図９に示したエキシマレーザ装置１１において、フラッシング工程を行なう手順の一例を、図１０に示す。
【００５２】
まずレーザコントローラ２９は、レーザ発振を停止させ（ステップＳ５０１）、レーザチャンバ１２内を排気する（ステップＳ５０２）。次に、フラッシングガスを、レーザチャンバ１２の内部に所定圧力まで封入する（ステップＳ５０３）。
そして、冷媒ヒータ５３に指令を出力して、冷媒５４を加熱する（ステップＳ５０４）とともに、貫流ファン２４を作動させる（ステップＳ５０５）。同時に、チャンバヒータ５２を作動させ、レーザチャンバ１２を加熱する（ステップＳ５０６）。
レーザコントローラ２９は、レーザチャンバ１２の内部の温度が所定の温度になったことを確認し（ステップＳ５０７）、所定時間が経過するまでそのままの状態を保つ（ステップＳ５０８）。
その後、貫流ファン２４を停止し（ステップＳ５０９）、レーザチャンバ１２の内部を排気する（ステップＳ５１０）。
【００５３】
レーザコントローラ２９は、上記ステップＳ５０２からＳ５１０までの工程を、所定の回数（ここではｎ回）だけ繰り返し（ステップＳ５１１）、終わるとレーザチャンバ１２の内部のガスを排気する（ステップＳ５１２）。そして、冷媒５４の加熱を停止した後（ステップＳ５１３）、レーザチャンバ１２内部にレーザガスを所定の組成比で封入し（ステップＳ５１４）、レーザ発振を再開する（ステップＳ５１５）。
【００５４】
以上説明したように、第４実施形態によれば、レーザチャンバ１２の内部にフラッシングガスを封入し、レーザチャンバ１２及びレーザチャンバ１２の内部のガスを加熱している。これにより、前記壁面に付着した物質Ｃが、熱によって遊離する。
これを排気し、フラッシングガスの封入及び加熱を繰り返すことにより、壁面に付着した物質Ｃの量が次第に減少する。これにより、フラッシング放電を行なうことなく、パルスエネルギーを低下させる物質Ａの生成量を減らすことができ、低周波数域におけるパルスエネルギーの低下を防止できる。
しかも、フラッシング放電を行なわないので、主電極１４，１５が放電によって摩耗することがなく、主電極１４，１５の寿命が延びる。
尚、上記の各実施形態において、明記はしていないが、レーザチャンバ１２の内部を排気する際には貫流ファン２４は停止させ、フラッシング放電を行なう際には回転させてているものとする。
【００５５】
次に、第５実施形態では、どのようなタイミングで上記フラッシング工程を行なうかを決定するための判定手順について説明する。これを、フラッシング判定手順と言う。
まず、レーザコントローラ２９が、レーザ発振を行なう際の制御について、説明する。
上述したようにレーザコントローラ２９は、モニタ４８の出力信号に基づいて、レーザ光２１のパルスエネルギーを検出自在となっている。レーザコントローラ２９は、これに基づいてパルスエネルギーが略一定の所定値となるように、高圧電源２３に指令を出力し、主電極１４，１５に印加する印加電圧を制御している。これを、エネルギー一定制御と言う。
尚、前記パルスエネルギーの所定値は、露光機２５からの指令に基づいて、変化させる場合もある。
【００５６】
また、エネルギー一定制御を行なう場合、印加電圧を制御する代わりに、レーザチャンバ１２内のバッファガスの圧力を制御することもある。
即ち、レーザ光２１のパルスエネルギーは、レーザチャンバ１２内のバッファガスの圧力に、正の相関を有している。そこでレーザコントローラ２９は、検出したパルスエネルギーに基づき、バッファガスバルブ４１に開閉を指示する指令信号を送信し、バッファガスボンベ３７からのバッファガスのレーザチャンバ１２への流入量を制御する。これにより、バッファガスの圧力を変化させ、パルスエネルギーを略一定の所定値としている。
【００５７】
このとき、レーザチャンバ１２の内部のレーザガスは、レーザ放電によって次第に劣化するため、印加電圧及びバッファガス圧力を一定とすると、レーザ光２１のパルスエネルギーが低下していく。従って、レーザコントローラ２９はパルスエネルギーを一定にするため、印加電圧又はバッファガス圧力を徐々に上げていく必要がある。
しかしながら、印加電圧Ｖを最大許容電圧ＶＭよりも上げると、主放電が不安定になる。またバッファガス圧力も、ある最大圧力以上になると、いくら圧力を上げてもパルスエネルギーが上がらなくなるばかりか、主放電が不安定になることもある。
そのためレーザコントローラ２９は、印加電圧Ｖが最大許容電圧ＶＭ以上となる直前、又はバッファガス圧力が所定の最大圧力に達する直前に、レーザ発振を停止する。そして、レーザチャンバ１２の内部の劣化したレーザガスを排気し、新しいレーザガスを封入する。これを、ガス全交換と言う。
【００５８】
図１１に、ガス全交換の回数を指標としてフラッシング工程を行なうタイミングを決定する手順の一例を、フローチャートで示す。
レーザコントローラ２９は、エネルギー一定制御を行ないながら（ステップＳ６０１）、印加電圧Ｖが最大許容電圧ＶＭに達したか否かを判定する（ステップＳ６０２）。そして、印加電圧Ｖが最大許容電圧ＶＭに達すると、前回のフラッシング工程を行なってからこれまでに行なったガス全交換の回数を、所定値ｍと比較する（ステップＳ６０３）。
レーザコントローラ２９は、ガス全交換の回数が所定値ｍに達していれば、フラッシング工程を行ない（ステップＳ６０４）、ステップＳ６０１へ戻る。ステップＳ６０３で、ガス全交換回数が所定値ｍ以下であれば、フラッシング工程を行なわずに、ガス全交換を行ない（ステップＳ６０５）、ステップＳ６０１へ戻る。
【００５９】
即ち、ガス全交換を行なうと、そのたびに新たなキセノンがレーザチャンバ１２内部に供給されるため、次第に物質Ｃの量が増加すると考えられる。従って本手順においては、レーザコントローラ２９は、ガス全交換の回数を指標とし、ガス全交換の回数が所定回数ｍとなると、フラッシング工程を行なうようにしている。
これにより、低周波数域でのレーザ発振を妨げる物質Ｃが増加するのを、正確に検知することができるので、適切なタイミングでフラッシング工程を行なうことが可能である。
尚、図１１に示すフローチャートにおいては、エネルギー一定制御を主電極１４，１５に印加する印加電圧を制御する例を示しているが、上述したように、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力を制御してもよい。この場合、ステップＳ６０２は、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力が所定の最大圧力に達したか否かを判定する。そして、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力が所定の最大圧力に達すると、前回のフラッシング工程を行ってからこれまでに行ったガス全交換の回数を、所定値ｍと比較する（ステップＳ６０３）。
【００６０】
次に、第２のフラッシング判定手順を説明する。
図１２に、第２のフラッシング判定手順の一例をフローチャートで示す。
レーザコントローラ２９は、エネルギー一定制御を行ないながら（ステップＳ７０１）、適当なタイミングでレーザ光２１を低周波数（例えば５０Ｈz）で発振させ、そのパルスエネルギーＰＬを測定する（ステップＳ７０３）。次にレーザコントローラ２９は、レーザ光２１を高周波数（例えば２０００Ｈz）で発振させ、そのパルスエネルギーＰＨを測定する（ステップＳ７０４）。
そして、パルスエネルギーＰＬとＰＨとを比較し（ステップＳ７０５）、ＰＨがＰＬよりも、所定値Ｐ０以上大きい場合には、低周波数域でのパルスエネルギーの低下が起きていると判定して、フラッシング工程を行ない（ステップＳ７０６）、ステップＳ７０１へ戻る。また、そうでない場合には、フラッシング工程を行なわずに、ステップＳ７０１に戻る。
【００６１】
即ち、フラッシング工程を行なう必要があるのは、低周波数域のレーザ光２１のパルスエネルギーＰＬが、高周波数域のパルスエネルギーＰＨに比べて低くなっている場合である。従って、低周波数域のパルスエネルギーＰＬと、高周波数域のパルスエネルギーＰＨとを比較することにより、フラッシング工程の必要性を判定することが可能である。
或いは、このように両者の差ではなく、比（ＰＨ／ＰＬ）に基づいて判定してもよい。
【００６２】
次に、第３のフラッシング判定手順として、第１の手順及び第２の手順を組み合わせた場合について、説明する。
図１３に、第３のフラッシング判定手順の一例をフローチャートで示す。
レーザコントローラ２９は、エネルギー一定制御を行ないながら（ステップＳ８０１）、印加電圧Ｖが最大許容電圧ＶＭに達したか否かを判定する（ステップＳ８０２）。そして、印加電圧Ｖが最大許容電圧ＶＭに達すると、前回のフラッシング工程を行なってからこれまでに行なったガス全交換の回数を、所定値ｍと比較する（ステップＳ８０３）。ガス全交換回数が所定値ｍ以下であれば、フラッシング工程を行なわずに、ガス全交換を行ない（ステップＳ８０６）、ステップＳ８０１に戻る。
【００６３】
ステップＳ８０３で、ガス全交換の回数が所定値ｍに達していれば、ステップＳ７０３〜Ｓ７０４と同様の手順でパルスエネルギーＰＬ，ＰＨを測定し、両者を比較する（ステップＳ８０４）。そして、パルスエネルギーＰＨがＰＬよりも、所定値Ｐ０以上大きい場合には、低周波数域でのパルスエネルギーの低下が起きていると判定して、フラッシング工程を行ない（ステップＳ８０５）、ステップＳ８０１に戻る。そうでない場合には、フラッシング工程を行なわずに、ガス全交換を行ない（ステップＳ８０６）、ステップＳ８０１に戻る。
【００６４】
このように、まずはガスの全交換回数によってフラッシング工程の必要性を判定することにより、パルスエネルギーＰＬ，ＰＨを測定する手間が省ける。そして、パルスエネルギーＰＬ，ＰＨに基づいて、さらに精密な判定を行なうことができるので、フラッシング工程が必要な時には、確実にこれを行なって、低周波数域でのパルスエネルギーの低下を回復させられる。
尚、第１のフラッシング判定手順のときと同様に、エネルギー一定制御を、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力を制御することによって行なってもよい。この場合、ステップＳ８０２は、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力が所定の最大圧力に達したか否かを判定する。そして、レーザチャンバ１２内のバッファガス圧力が所定の最大圧力に達すると、前回のフラッシング工程を行ってからこれまでに行ったガス全交換の回数を、所定値ｍと比較する（ステップＳ８０３）。
さらに、第１、第２のフラッシング判定手順においては、エネルギー一定制御を、印加電圧Ｖ又はバッファガス圧力のいずれか一方のみを変化させて行なう場合について説明したが、両方を併用する場合でも同様に応用が可能である。
【００６５】
また、図１１〜図１３には、ガス全交換を行なう前に、フラッシング工程を行なうか否かを判定する場合について説明したが、ガス全交換を行なった後で、判定を行なってもよい。
例えば、図１４に示すように、レーザガスの全交換を行ない（ステップＳ９０１）、その直後にパルスエネルギーＰＬ（ステップ９０２）及びパルスエネルギーＰＨ（ステップ９０３）を測定し、その結果、低周波数域でのパルスエネルギーＰＬが低くなっていれば（ステップＳ９０４）、フラッシング工程を行なってから（ステップＳ９０５）、レーザ光２１を発振させ（ステップＳ９０６）、エネルギー一定制御を行ない（ステップＳ９０７）、ガス全交換が必要となれば、ステップＳ９０１に戻る。
また、ステップＳ９０４で、低周波数域でのパルスエネルギーＰＬが低くなっていなければ、フラッシング工程を行なわずにレーザ発振を開始する（ステップＳ９０６）。
【００６６】
また、レーザチャンバ１２を製造した直後や、その内部を一旦空気に開放した後、これをレーザ装置１１に組み込む際には、所定パルス数又は所定時間にわたって、レーザ発振動作を行なわせる。これをパッシベーションと呼び、壁面に化学的に安定な不動態処理を施すことにより、内壁面や部品の表面から、レーザ発振を阻害する不純物がレーザガス中に混入することを防いでいる。
このパッシベーションの後に、図１４に示したような判定手順を行なうようにしてもよい。
【００６７】
尚、以上の説明は、ＡｒＦエキシマレーザ装置について説明したが、これに限られるものではない。即ち、エキシマレーザ装置やフッ素分子レーザ装置等についても、レーザガス中にキセノンを封入することによって主放電が安定するが、低周波数域でのパルスエネルギーの低下が起きている。従って、他のエキシマレーザ装置やフッ素分子レーザ装置に対しても、フラッシングを行なうことによってレーザ光２１のパルスエネルギーの低下を防止することができ、同様に有効である。
さらには、キセノンのみに限らず、レーザガス内に混入したガスなどの物質により、パルスエネルギーを低下させるような物質が生成されるような場合についても、同様である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成図。
【図２】第１実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成断面図。
【図３】第１実施形態に係るフラッシング工程の手順の一例を示すフローチャート。
【図４】第１実施形態に係るフラッシング工程を行なった場合の実験結果を示すグラフ。
【図５】第１実施形態に係るフラッシング工程の手順の一例を示すフローチャート。
【図６】第２実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成図。
【図７】第２実施形態に係るフラッシング工程の手順の一例を示すフローチャート。
【図８】第２実施形態に係るフラッシング工程の手順の一例を示すフローチャート。
【図９】第３実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成断面図である。
【図１０】第３実施形態に係るフラッシング工程の手順の一例を示すフローチャート。
【図１１】フラッシング判定手順の一例を示すフローチャート。
【図１２】フラッシング判定手順の一例を示すフローチャート。
【図１３】フラッシング判定手順の一例を示すフローチャート。
【図１４】フラッシング判定手順の一例を示すフローチャート。
【図１５】従来技術に係る波長を狭帯域化したエキシマレーザ装置の構成図。
【図１６】従来技術における周波数とパルスエネルギーとの関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１１：エキシマレーザ装置、１２：レーザチャンバ、１３：熱交換器、１４：主電極、１５：主電極、１６：フロントミラー、１７：フロントウィンドウ、１９：リアウィンドウ、２１：レーザ光、２２：ビームスプリッタ、２３：高圧電源、２４：貫流ファン、２５：露光機、２９：レーザコントローラ、３０：狭帯域化ユニット、３２：プリズム、３３：グレーティング、３５：シャッタ、３６：レーザガスボンベ、３７：バッファガスボンベ、３８：フッ素ガスボンベ、３９：排気ポンプ、４０：レーザガスバルブ、４１：バッファガスバルブ、４２：フッ素ガスバルブ、４３：排気バルブ、４４：圧力センサ、４５：温度センサ、４６：冷媒配管、４７：流量制御弁、４８：モニタ、４９：ガス流、５０：予備電離電極、５１：放電空間、５２：チャンバヒータ、５３：冷媒ヒータ、５４：冷媒。
【図１】
0004204214.tif 000002
【図２】
0004204214.tif 000003
【図３】
0004204214.tif 000004
【図４】
0004204214.tif 000005
【図５】
0004204214.tif 000006
【図６】
0004204214.tif 000007
【図７】
0004204214.tif 000008
【図８】
0004204214.tif 000009
【図９】
0004204214.tif 000010
【図１０】
0004204214.tif 000011
【図１１】
0004204214.tif 000012
【図１２】
0004204214.tif 000013
【図１３】
0004204214.tif 000014
【図１４】
0004204214.tif 000015
【図１５】
0004204214.tif 000016
【図１６】
0004204214.tif 000017