(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平衡型端子を有するフィルタと第２の平衡型端子を有するデバイスとを前記第１、第２の平衡型端子を介して接続する平衡型伝送線路の間に接続される平衡型高周波回路であって、
前記第１の平衡型端子と接続される平衡型入力端子と、
前記第２の平衡型端子と接続される平衡型出力端子と、
前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間の少なくとも一方の端子間に電気的に接続された位相回路を備え、
前記位相回路は、前記平衡型伝送線路を流れる信号の差動信号成分に対して所定の周波数に対して接地面に対して並列共振する並列共振回路であり、前記並列共振回路は、少なくとも３つのリアクタンス素子により構成されており、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の一方と接地面との間に第１のリアクタンス素子が接続されており、前記平衡型入力端子の他方または前記平衡型出力端子の他方と接地面との間に第２のリアクタンス素子が接続されており、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間に第３のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、第２のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部と前記第３のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部との極性が異なり、前記信号の同相信号成分に関しては、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の一方と接地面とのインピーダンス、及び前記平衡型入力端子の他方または前記平衡型出力端子の他方と接地面とのインピーダンスは、前記第１の平衡型端子あるいは前記第２の平衡型端子の特性インピーダンスの２倍以下であり、前記信号の同相信号成分を低減する平衡型高周波回路。
【請求項２】
前記信号の同相信号成分の接地面に対するインピーダンスが、前記第１の平衡型端子あるいは前記第２の平衡型端子の特性インピーダンスの０．５倍以下である請求項１記載の平衡型高周波回路。
【請求項３】
第１の平衡型端子を有するフィルタと第２の平衡型端子を有するデバイスとを前記第１、第２の平衡型端子を介して接続する平衡型伝送線路の間に接続される平衡型高周波回路であって、
前記第１の平衡型端子と接続される平衡型入力端子と、
前記第２の平衡型端子と接続される平衡型出力端子と、
前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間の少なくとも一方の端子間に電気的に接続された位相回路を備え、
前記位相回路は、前記平衡型伝送線路を流れる信号の同相信号成分に対して所定の周波数に対して接地面に対して直列共振する直列共振回路であり、前記直列共振回路は、少なくとも３つのリアクタンス素子により構成されており、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間に第１、及び第２のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、及び第２のリアクタンス素子の接続点と接地面との間に第３のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、第２のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部と前記第３のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部との極性が異なり、前記信号の差動信号成分に関しては、前記第１、及び第２のリアクタンス素子の間に仮想接地面が形成され、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間のインピーダンスよりも、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の他方と前記仮想接地面との間のインピーダンスの方が大きくなるように、前記第１及び第２のリアクタンス素子のインピーダンスを設定した構成であって、前記直列共振回路により前記信号の同相信号成分を低減する平衡型高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波フィルタや高周波増幅器等の平衡型高周波デバイスを用いた平衡型高周波回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信の発展に伴い、使用されるデバイスの高性能化、小型化が期待されている。さらに、デバイス間のクロストークなどに対する雑音特性の良好化を目的として、ＲＦ段に使用されるフィルタや半導体素子の平衡化（バランス化）が進み、良好なバランス特性が求められている。フィルタに関しては、従来より、弾性表面波フィルタが広く用いられている。特に、縦モード型の弾性表面波フィルタはＩＤＴ電極の構成上、平衡−不平衡変換が容易に実現でき、平衡型入出力端子を有するＲＦ段のフィルタとして、低ロス、高減衰、良好なバランス特性が期待されている。
【０００３】
以下、従来の平衡型高周波デバイスについて説明する。図２８に従来の平衡型高周波デバイス２８０１の構成を示す。平衡型高周波デバイス２８０１は、不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮと、平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２とにより構成される。
【０００４】
また、平衡型高周波デバイスにおいては、インピーダンス整合が必要とされる。図２９に示すのは、整合回路を有する従来の平衡型高周波デバイスの構成の一例である。図２９（ａ）において、平衡型高周波デバイス２９０１は、不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮと、平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２とにより構成される。さらに、出力端子間には整合回路２９０２が接続される。また、図２９（ｂ）において、平衡型高周波デバイス２９０３は、不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮと、平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２とにより構成される。さらに、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と接地面の間には整合回路２９０４、２９０５がそれぞれ接続される。このような整合回路に関しては、平衡型高周波デバイスと平衡型入出力端子の特性インピーダンスとの整合をとるために用いられていた。
【０００５】
このような平衡型高周波デバイスの一例として、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。図３０に示すのは、平衡型入出力端子を有する弾性表面波フィルタ３００１の構成図である。図３０において、弾性表面波フィルタ３００１は、圧電基板３００２上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）３００３、３００４、３００５と第１、第２の反射器電極３００６、３００７とにより構成される。第１のＩＤＴ電極３００３の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ１に接続され、第１のＩＤＴ電極３００３の他方の電極指は出力端子ＯＵＴ２に接続される。また、第２、第３のＩＤＴ電極３００４、３００５の一方の電極指を入力端子ＩＮに接続し、他方を接地する。以上の構成とすることにより、不平衡型−平衡型入出力端子を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。また、図３０の弾性表面波フィルタにおいて、入出力端子のインピーダンスはそれぞれ５０Ωと設計されている。
【０００６】
また、整合回路を有する平衡型高周波デバイスの一例として、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。図３１に示すのは、整合回路を有する弾性表面波フィルタ３１０１の構成図である。図３１において、弾性表面波フィルタ３１０１は、圧電基板３１０２上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）３１０３、３１０４、３１０５と第１、第２の反射器電極３１０６、３１０７とにより構成される。第１のＩＤＴ電極３１０３は２つの分割ＩＤＴ電極に分割され、第１の分割ＩＤＴ電極３１０８の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ１に接続され、第２の分割ＩＤＴ電極３１０９の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ２に接続され、第１、第２の分割ＩＤＴ電極の他方の電極指は電気的に接続される。また、第２、第３のＩＤＴ電極３１０４、３１０５の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続され、他方は接地される。さらに、出力端子間には、整合回路としてインダクタ３１１０が接続されている。以上の構成とすることにより、不平衡型−平衡型入出力端子を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。また、図３１の弾性表面波フィルタにおいて、入出力端子のインピーダンスは入力側が５０Ω、出力側が１５０Ωと設計されており、インピーダンス変換の機能を有する。
【０００７】
図３２に示すのは、図３０で示した従来の９００ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタの特性図である。図３２において、（ａ）は通過特性であり、（ｂ）は通過帯域（９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚまで）における振幅バランス特性であり、（ｃ）は通過帯域における位相バランス特性である。図３２より、通過帯域において、振幅バランス特性は−０．６７ｄＢ〜＋０．７７ｄＢ、位相バランス特性は−６．３°〜＋９．４°と大きく劣化している。
【０００８】
ここで、振幅バランス特性とは、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ１との信号振幅と、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ２との信号振幅との振幅差を表したものであり、この値が零となればバランス特性の劣化はない。また、位相バランス特性とは、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ１との信号位相と、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ２との信号位相との位相差の１８０°からのずれを表したものであり、この値が零となればバランス特性の劣化はない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の平衡型高周波デバイス、及びその一例として説明した弾性表面波フィルタにおいては、重要な電気的特性の一つであるバランス特性の劣化が大きいという課題があった。
【００１０】
本発明では、平衡型高周波デバイスに関して、劣化原因を考察することによりバランス特性の改善手法を導き、良好なバランス特性を有する平衡型高周波回路を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するために、第１の本発明は、第１の平衡型端子を有するフィルタと第２の平衡型端子を有するデバイスとを前記第１、第２の平衡型端子を介して接続する平衡型伝送線路の間に接続される平衡型高周波回路であって、
前記第１の平衡型端子と接続される平衡型入力端子と、
前記第２の平衡型端子と接続される平衡型出力端子と、
前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間の少なくとも一方の端子間に電気的に接続された位相回路を備え、
前記位相回路は、前記平衡型伝送線路を流れる信号の差動信号成分に対して所定の周波数に対して接地面に対して並列共振する並列共振回路であり、前記並列共振回路は、少なくとも３つのリアクタンス素子により構成されており、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の一方と接地面との間に第１のリアクタンス素子が接続されており、前記平衡型入力端子の他方または前記平衡型出力端子の他方と接地面との間に第２のリアクタンス素子が接続されており、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間に第３のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、第２のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部と前記第３のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部との極性が異なり、前記信号の同相信号成分に関しては、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の一方と接地面とのインピーダンス、及び前記平衡型入力端子の他方または前記平衡型出力端子の他方と接地面とのインピーダンスは、前記第１の平衡型端子あるいは前記第２の平衡型端子の特性インピーダンスの２倍以下であり、前記信号の同相信号成分を低減する平衡型高周波回路である。
【００１２】
第２の本発明は、前記信号の同相信号成分の接地面に対するインピーダンスが、前記第１の平衡型端子あるいは前記第２の平衡型端子の特性インピーダンスの０．５倍以下である第１の本発明の平衡型高周波回路である。
【００１３】
第３の本発明は、第１の平衡型端子を有するフィルタと第２の平衡型端子を有するデバイスとを前記第１、第２の平衡型端子を介して接続する平衡型伝送線路の間に接続される平衡型高周波回路であって、
前記第１の平衡型端子と接続される平衡型入力端子と、
前記第２の平衡型端子と接続される平衡型出力端子と、
前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間の少なくとも一方の端子間に電気的に接続された位相回路を備え、
前記位相回路は、前記平衡型伝送線路を流れる信号の同相信号成分に対して所定の周波数に対して接地面に対して直列共振する直列共振回路であり、前記直列共振回路は、少なくとも３つのリアクタンス素子により構成されており、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間に第１、及び第２のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、及び第２のリアクタンス素子の接続点と接地面との間に第３のリアクタンス素子が接続されており、前記第１、第２のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部と前記第３のリアクタンス素子のインピーダンスの虚数部との極性が異なり、前記信号の差動信号成分に関しては、前記第１、及び第２のリアクタンス素子の間に仮想接地面が形成され、前記平衡型入力端子間または前記平衡型出力端子間のインピーダンスよりも、前記平衡型入力端子の一方または前記平衡型出力端子の他方と前記仮想接地面との間のインピーダンスの方が大きくなるように、前記第１及び第２のリアクタンス素子のインピーダンスを設定した構成であって、前記直列共振回路により前記信号の同相信号成分を低減する平衡型高周波回路である。
【発明の効果】
【００１４】
以上の説明から明らかなように、本発明は、良好なバランス特性を有する平衡型高周波回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明にかかる平衡型高周波回路と、その本発明に関連する平衡型高周波デバイスの各種実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。図１に本発明の実施の形態１の平衡型高周波デバイス１０１の構成を示す。図１において、平衡型高周波デバイス１０１は、平衡型素子１０２と位相回路１０３とにより構成される。また、平衡型素子１０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、出力端子間には位相回路１０３が接続される。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００１７】
まず、平衡型高周波デバイスのバランス特性劣化原因に関して、弾性表面波フィルタを用いて考察を行う。図３０に示す従来の弾性表面波フィルタ２０１に関しては、バランス特性が劣化するという課題があった。ここでは、図２に示す構成にてバランス特性の解析を行った。図２において、弾性表面波フィルタ２０１は、バランス特性の劣化のない理想的な弾性表面波フィルタ２０２と容量成分２０３、２０４とにより構成される。理想的な弾性表面波フィルタ２０２の入力側と出力側の間に容量成分２０３、２０４を接続することにより、弾性表面波フィルタ２０１の寄生成分による結合を仮定している。
【００１８】
図３に、これらの容量成分２０３、２０４を０．１ｐＦした時のフィルタ特性を示す。図３に関して、（ａ）は通過帯域における振幅バランス特性であり、（ｂ）は通過帯域における位相バランス特性である。図３のバランス特性の解析結果は、図３２で示した従来の弾性表面波フィルタの実測特性と、バランス特性劣化の傾向として非常によく一致している。よって、バランス特性の劣化に関しては、平衡型素子の入力端子と出力端子との結合が主要因と考えられる。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態１における平衡型高周波デバイスの動作について図面を用いて説明する。図４に示すのは、本発明の実施の形態１における平衡型高周波デバイス１０１の動作概略を示すものである。平衡型高周波デバイス１０１のバランス特性の劣化に関しては入力端子と出力端子との間の寄生成分による結合が主要因として考えられる。このことは、平衡型入出力端子を流れる信号成分を、同相信号成分と差動信号成分とを用いて表すことにより説明できると考えた。即ち、入力端子ＩＮから入力される信号成分ｉは、平衡型素子１０２により差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２として差動出力される。しかしながら、寄生成分による結合は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２のそれぞれに差動化されずに同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２として重畳することになり、この同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２がバランス特性劣化の原因となる。
【００２０】
よって、本発明の実施の形態では、位相回路１０３が所定の周波数において共振回路として動作して平衡型素子１０２から出力端子側をみた同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２のインピーダンスを平衡型素子１０２から出力端子側をみた差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２のインピーダンスよりも低くすることにより、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２を低減することができる。
【００２１】
以上説明したように、本発明の平衡型高周波デバイス１０１は、位相回路１０３を用いて同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２を低減することにより、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００２２】
なお、本実施の形態では、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２であり、出力端子間には位相回路１０３が接続されるとして説明したが、これに限らない。入力側の端子は平衡型入出力端子である入力端子であり、出力側の端子は不平衡型入出力端子である出力端子であり、入力端子間には位相回路１０３が接続されていても構わない。
【００２３】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。図５に本発明の実施の形態２の平衡型高周波デバイス５０１の構成を示す。図５において、平衡型高周波デバイス５０１は、平衡型素子５０２と位相回路５０３、５０４とにより構成される。また、平衡型素子５０２において、入力側の端子は平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。以上の構成とすることにより平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００２４】
本発明の平衡型高周波デバイス５０１においても、位相回路５０３が所定の周波数において共振回路として動作して平衡型素子５０２から入力端子側をみた同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２のインピーダンスを平衡型素子５０２から入力端子側をみた差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２のインピーダンスよりも低くして、位相回路５０４が所定の周波数において共振回路として動作して平衡型素子５０２から出力端子側をみた同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２のインピーダンスを平衡型素子５０２から出力端子側をみた差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２のインピーダンスよりも低くすることにより、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２を低減し、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイスを実現できるものである。
【００２５】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、位相回路として、より具体的な回路構成を示す。図６に本発明の実施の形態２の平衡型高周波デバイス６０１の構成を示す。図６において、平衡型高周波デバイス６０１は、平衡型素子６０２と位相回路６０３とにより構成される。また、平衡型素子６０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、位相回路６０３は伝送線路６０４により構成され、出力端子間に配置される。伝送線路６０４の長さはλ／２（ここで、λは波長）であり、その位相変化量は１８０°である。また、ここで、λは通過帯域内、或いは通過帯域近傍の周波数に対する長さである。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００２６】
次に、図面を用いて、平衡型高周波デバイス６０１の動作を説明する。図７（ａ）に示すように、入力端子ＩＮから平衡型素子６０２に信号成分ｉが入力されると、平衡型素子からは、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２が出力される。出力端子間に配置された伝送線路６０４は同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に対して、それぞれ異なる動作となる。即ち、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関しては、図７（ｂ）に示すように、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２のそれぞれに先端開放のλ／４線路が接続された構成となって直列共振回路として動作して、出力端子の接地面に対するインピーダンスはショートに近づき、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２が出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達されることはない。
【００２７】
また、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関しては、伝送線路６０４の中点で仮想接地面が設けられるため出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２のそれぞれに先端短絡のλ／４線路が接続された構成となって並列共振回路として動作して、出力端子の接地面に対するインピーダンスはオープンに近づき、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達される。
【００２８】
以上説明したように、本発明の実施の形態３における平衡型高周波デバイスは、位相回路として伝送線路６０４を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイスを実現できるものである。
【００２９】
なお、本実施の形態においては、位相回路を伝送線路にて構成しているが、この構成はこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００３０】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しても構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００３１】
なお、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００３２】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、位相回路として、より具体的な回路構成を示す。図８に本発明の実施の形態４の平衡型高周波デバイスの構成を示す。図８において、平衡型高周波デバイス８０１は、平衡型素子８０２と位相回路８０３とにより構成される。また、平衡型素子８０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。
【００３３】
位相回路８０３は、インピーダンス素子８０４、８０５、８０６により構成される。この時、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２はそれぞれインピーダンス素子８０４、８０５を介して接地され、インピーダンス素子８０６は出力端子間に接続され、位相回路８０３は出力端子間に接続される構成となる。ここで、インピーダンス素子８０４と８０５のインピーダンスは実質上同じ値であり、また、インピーダンス素子８０６のインピーダンスの虚数部は、インピーダンス素子８０４、８０５のインピーダンスの虚数部と極性が逆となる。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスが得られる。
【００３４】
次に、具体的なインピーダンス素子を用いて、本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの動作について説明する。図９は、本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの動作説明図である。図９（ａ）に示すように位相回路９０１はコンデンサ９０２、９０３、インダクタ９０４とにより構成される。図９（ａ）に示すように、入力端子ＩＮから平衡型素子８０２に信号成分ｉが入力されると、平衡型素子からは、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２が出力される。ここで、出力端子間に接続されるインダクタ９０４は差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関して仮想接地点９０５を形成する。
【００３５】
図９（ｂ）に差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関する位相回路９０１の等価回路を示す。差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関して、インダクタ９０４は仮想接地点９０５を形成するので、出力端子ＯＵＴ１では、コンデンサ９０２とインダクタ９０４の一部とが、出力端子ＯＵＴ２ではコンデンサ９０３とインダクタ９０４の一部とが、接地面に対して並列共振回路を形成することになり、この並列共振周波数を通過帯域内、或いは通過帯域近傍となるように設計することにより、所定の周波数の差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２は、接地面に対してインピーダンスが無限大に近づき、接地面に短絡されることなく出力端子に伝達される。即ち、差動信号成分に関しては、図７（ｃ）で示した動作と実質上同じになる。図９（ｃ）に同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関する位相回路９０１の等価回路を示す。同相信号成分に関しては、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とはほぼ同電位となり、インダクタンス９０４は同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関しては仮想接地点を形成することがなく、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とは実質上オープンとなる。ここでインダクタ９０４の一部とは、仮想接地点９０５までのことを意味する（図９（ｂ）参照）。
【００３６】
よって、平衡型入出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と接地面との間に配置されるインピーダンス素子としてのコンデンサ９０２、９０３のインピーダンスを十分小さい値に設計することにより、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２は接地面に短絡され、平衡型入出力端子に伝達されることはない。
【００３７】
また、本発明の実施の形態４における位相回路は、図１０に示す構成でもよい。図１０は、本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの動作説明図である。図１０（ａ）に示すように位相回路１００１はインダクタ１００２、１００３、コンデンサ１００４とにより構成される。図１０（ａ）に示すように、入力端子ＩＮから平衡型素子８０２に信号成分ｉが入力されると、平衡型素子からは、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２が出力される。ここで、出力端子間に接続されるコンデンサ１００４は差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関して仮想接地点１００５を形成する。
【００３８】
図１０（ｂ）に差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関する位相回路１００１の等価回路を示す。図１０（ｂ）に示すように、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関しては、コンデンサ１００４は差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関して仮想接地点１００５を形成するので、出力端子ＯＵＴ１側では、インダクタ１００２とコンデンサ１００４の一部とが、出力端子ＯＵＴ２側では、インダクタ１００３とコンデンサ１００４の一部とが、接地面に対して並列共振回路を形成することになり、この並列共振周波数が通過帯域内、或いは通過帯域近傍となるように設計することにより、所望周波数の差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２は、接地面に対するインピーダンスが無限大に近づき、接地面に短絡されることなく出力端子に伝達される。即ち、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関しては、図７（ｃ）で示した動作と実質上同じになる。図１０（ｃ）に同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関する位相回路１００１の等価回路を示す。同相信号成分に関しては、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とはほぼ同電位となり、コンデンサ１００４は同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関しては仮想接地点を形成することがなく、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とは実質上オープンとなる。ここで、コンデンサ１００４の一部とは、仮想接地点までを意味する（図１０（ｂ）参照）。
【００３９】
よって、平衡型入出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と接地面との間に配置されるインピーダンス素子としてのインダクタ１００２、１００３のインピーダンスを十分小さい値に設計することにより、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２は接地面に短絡され、平衡型入出力端子に伝達されることはない。
【００４０】
以上説明したように、本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスは、位相回路として３つのインピーダンス素子を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイス実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態においては、位相回路を構成するインピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成はこれに限るものではなく、また、インピーダンス素子８０４、８０５の素子値を実質上同じとしているが、これは必ずしも同じである必要がなく、回路構成により最適に選ばれるものであり、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００４２】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しも構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００４３】
また、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００４４】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、位相回路として、より具体的な回路構成を示す。図１１に本発明の実施の形態５の平衡型高周波デバイス１１０１の構成を示す。図１１において、平衡型高周波デバイス１１０１は、平衡型素子１１０２と位相回路１１０３とにより構成される。また、平衡型素子１１０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。
【００４５】
位相回路１１０３は、インピーダンス素子１１０４、１１０５、１１０６により構成される。インピーダンス素子１１０４、１１０５は出力端子間に直列に接続され、インピーダンス素子１１０４、１１０５の中点１１０７はインピーダンス素子１１０６を介して接地され、位相回路１１０３は出力端子間に接続される構成となる。ここで、インピーダンス素子１１０６のインピーダンスの虚数部の極性は、インピーダンス素子１１０４、１１０５のインピーダンスの虚数部と極性が逆となる。また、インピーダンス素子１１０４、１１０５のインピーダンスは実質上同じ値である。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスが得られる。
【００４６】
次に、具体的なインピーダンス素子を用いて、本実施の形態の平衡型高周波デバイスの動作について説明する。図１２は、本実施の形態の平衡型高周波デバイスの動作説明図である。図１２（ａ）に示すように、位相回路１２０１はインダクタ１２０２、１２０３、コンデンサ１２０４とにより構成される。図１２（ａ）に示すように、入力端子ＩＮから平衡型素子１１０２に信号成分ｉが入力されると、平衡型素子１１０２からは、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２が出力される。図１２（ｂ）に差動信号成分に関して、位相回路１２０１の等価回路を示す。図１２（ｂ）に示すように、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関しては、インダクタ１２０２と１２０３の接続点１２０５は仮想接地点となるため、インダクタ１２０２、１２０３の値を十分大きくすることにより、接地面に対するインピーダンスを大きくすることができ、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達される。
【００４７】
また、図１２（ｃ）に同相信号成分に関して、位相回路１２０１の等価回路をい示す。図１２（ｃ）に示すように、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関しては、インダクタ１２０２と１２０３の接続点１２０５は仮想接地点とならないので、インダクタ１２０２とコンデンサ１２０４の一部、インダクタ１２０３とコンデンサ１２０４の一部とが所定の周波数において直列共振回路を形成するように設計することにより、同相信号成分は接地面に短絡され、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達されることはない。ここで、コンデンサ１２０４の一部とは、等価的に並列接続となる一方のことを意味する（図１２（ｃ）参照）。
【００４８】
また、本発明の位相回路は、図１３に示す構成でもよい。図１３は、本発明の平衡型高周波デバイスの動作説明図である。図１３（ａ）に示すように、位相回路１３０１はコンデンサ１３０２、１３０３、インダクタ１３０４により構成される。図１３（ａ）に示すように、入力端子ＩＮから平衡型素子１１０２に信号成分ｉが入力されると、平衡型素子１１０２からは、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２と差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２が出力される。図１３（ｂ）に差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関して位相回路１３０１の等価回路を示す。図１３（ｂ）に示すように、差動信号成分ｉｄ１、ｉｄ２に関しては、コンデンサ１３０２と１３０３の接続点１３０５は仮想接地点となるため、コンデンサ１３０２、１３０３の値を十分小さくすることにより、接地面に対するインピーダンスを大きくすることがき、差動信号成分は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達される。
【００４９】
また、図１３（ｃ）に同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関して位相回路１３０１の等価回路を示す。図１３（ｃ）に示すように、同相信号成分ｉｃ１、ｉｃ２に関しては、コンデンサ１３０２と１３０３の接続点１３０５は仮想接地点とならないので、コンデンサ１３０２とインダクタ１３０４の一部、コンデンサ１３０３とインダクタ１３０４の一部とが所定の周波数において直列共振回路を形成するように設計することにより、同相信号成分は接地面に短絡され、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に伝達されることはない。ここで、インダクタ１３０４の一部とは、等価的に並列接続となる一方のことを意味する（図１３（ｃ）参照）。
【００５０】
以上説明したように、本発明の実施の形態５における平衡型高周波デバイスは、位相回路として３つのインピーダンス素子を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイス実現することができる。
【００５１】
なお、本実施の形態においては、位相回路を構成するインピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成はこれに限るものではなく、また、インピーダンス素子１１０４、１１０５の素子値を実質上同じとしているが、これは必ずしも同じである必要がなく、回路構成により最適に選ばれるものであり、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００５２】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しも構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００５３】
また、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００５４】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、平衡型高周波デバイスの具体的な構成について、平衡型素子として弾性表面波フィルタを用いた場合について述べる。図１４に本発明の平衡型デバイスの構成を示す。図１４において、平衡型高周波デバイス１４０１は、平衡型素子である弾性表面波フィルタ１４０２と位相回路１４０３とにより構成される。また、弾性表面波フィルタ１４０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、出力端子間には位相回路１４０３が接続される。
【００５５】
弾性表面波フィルタ１４０２は、圧電基板１４０４上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）１４０５、１４０６、１４０７と第１、第２の反射器電極１４０８、１４０９とにより構成される。第１のＩＤＴ電極１４０５の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ１に接続され、第１のＩＤＴ電極１４０５の他方の電極指は出力端子ＯＵＴ２に接続される。また、第２、第３のＩＤＴ電極１４０６、１４０７の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続され、他方は接地される。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスが得られる。
【００５６】
次に、本実施の形態における平衡型高周波デバイスの具体的な特性を示す。図１５に示すのは、位相回路１４０３として図６に示す位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイス１４０１の特性である。ここで、位相回路６０３を構成する伝送線路６０４の長さはλ／２であり、位相回路としての位相量は１８０°である。図１５において、（ａ）は通過特性であり、（ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性であり、（ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３２に示す従来の特性に比べて、バランス特性は大幅に改善されており、ほぼ理想状態に近い特性となっている。また、通過特性に関しても、通過帯域高域側の減衰量が５ｄＢ程度改善している。
【００５７】
次に、伝送線路６０４の長さを変化させた場合について評価を行った。図１６に示すのは、伝送線路６０４の長さを変えた時のバランス特性である。図１６において、（ａ）は振幅バランス特性であり、（ｂ）は位相バランス特性である。また、１６０１、１６０２はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の振幅バランス特性における劣化の最大値と最小値であり、１６０３、１６０４はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の位相バランス特性における劣化の最大値と最小値である。また、破線で示すのは、従来の弾性表面波フィルタにおけるバランス特性の劣化の最大値と最小値である。図１６より、伝送線路長がλ／４から３λ／４の範囲で、バランス特性が改善している。また、位相量を３λ／８から５λ／８の範囲とすることで、振幅バランス特性がほぼ−５ｄＢ〜＋５ｄＢ、位相バランス特性がほぼ−０．５°〜＋０．５°の範囲となるより良好なバランス特性が得られる。
【００５８】
次に、他の構成の位相回路を用いた時の特性を示す。図１７に示すのは、位相回路１４０３として図９に示す位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイス１４０１の特性である。ここで、コンデンサ９０２、９０３のキャパシタンスはＣｇ１、Ｃｇ２は実質上同じ値であり、通過帯域内周波数においてそのインピーダンスが３Ωとなるように設計されている。また、インダクタ９０４のインダクタンスＬｂは、Ｃｇ１とＬｂ／２、Ｃｇ２とＬｂ／２の並列共振周波数が通過帯域内になるように設計されている。
【００５９】
図１７において、（ａ）は通過特性であり、（ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性であり、（ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３２に示す従来の特性に比べて、バランス特性は大幅に改善されており、ほぼ理想状態に近い特性となっている。また、通過特性に関しても、通過帯域高域側の減衰量が５ｄＢ程度改善している。
【００６０】
次に、コンデンサ９０２、９０３のインピーダンスが変化した場合の評価を行った。図１８に示すのは、コンデンサ９０２、９０３のインピーダンスを端子の特性インピーダンスで割った規格化インピーダンスに対するバランス特性である。ここでは、平衡型出力端子の特性インピーダンスは５０Ωであるので、それぞれの端子の特性インピーダンスは２５Ωとしている。図１８において、（ａ）は振幅バランス特性であり、（ｂ）は位相バランス特性である。また、１８０１、１８０２はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の振幅バランス特性における劣化の最大値と最小値であり、１８０３、１８０４はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の位相バランス特性における劣化の最大値と最小値である。図１８より、規格化インピーダンスが２以下の範囲で、バランス特性が改善している。
【００６１】
次に、さらに他の構成の位相回路を用いた時の特性を示す。図１９に示すのは、位相回路１４０３として図１０に示す位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイス１４０１の特性である。ここで、インダクタ１００２、１００３のインダクタンスの値Ｌｇ１、Ｌｇ２は実質上同じ値であり、通過帯域内周波数においてそのインピーダンスが３Ωとなるように設計されている。また、コンデンサ１００４のキャパシタンスＣｂは、Ｌｇ１と２Ｃｂ、Ｌｇ２と２Ｃｂの並列共振周波数が通過帯域内になるように設計されている。
【００６２】
図１９において、（ａ）は通過特性であり、（ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性であり、（ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３２に示す従来の特性に比べて、バランス特性は大幅に改善されており、ほぼ理想状態に近い特性となっている。また、通過特性に関しても、通過帯域高域側の減衰量が５ｄＢ程度改善している。
【００６３】
次に、インダクタ１００２、１００３のインピーダンスが変化した場合の評価を行った。図２０に示すのは、インダクタ１００２、１００３のインピーダンスを端子の特性インピーダンスで割った規格化インピーダンスに対するバランス特性である。ここでは、平衡型出力端子の特性インピーダンスは５０Ωであるので、それぞれの端子の特性インピーダンスは２５Ωとしている。図２０において、（ａ）は振幅バランス特性であり、（ｂ）は位相バランス特性である。また、２００１、２００２はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の振幅バランス特性における劣化の最大値と最小値であり、２００３、２００４はそれぞれ本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける通過帯域内の位相バランス特性における劣化の最大値と最小値である。
【００６４】
図２０より、規格化インピーダンスが２以下の範囲で、位相バランス特性が改善している。さらに、規格化インピーダンスが０．５以下の範囲では振幅バランス特性も改善できている。よって、規格化インピーダンスが２以下の範囲とするのがよく、好ましくは、規格化インピーダンスが０．５以下の範囲とすれば、バランス特性を改善することができる。
【００６５】
以上説明したように、本発明の実施の形態６における平衡型高周波デバイス１４０１は、位相回路として３つのインピーダンス素子を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００６６】
また、本実施の形態では、位相回路として伝送線路を用いて説明したが、その伝送線路長が実質上λ／２となることが好ましい。これは、伝送線路長がλ／２からずれるにつれて位相回路がインダクタやコンデンサとして動作することになり、出力端子側から平衡型素子をみた通過帯域近傍２１０１のインピーダンスが整合状態からずれるためである。例えば、伝送線路の長さが３λ／８の場合には、図２１（ａ）に示すように、通過帯域２１０１のインピーダンスは誘導性となる。この場合には、図２２に示すように、位相回路２２０１は、出力端子間に、位相回路としての伝送線路６０４と整合回路としてのコンデンサ２２０２を並列に接続すればよい。この構成とすることにより、図２１（ｂ）に示すように、出力端子側から平衡型素子をみた通過帯域近傍２１０２のインピーダンスはスミスチャートの中心となり、インピーダンス整合が実現できるものである。このように、位相回路は、インピーダンス整合を行う整合回路を含む構成としても構わない。
【００６７】
また、伝送線路の長さが３λ／８ということは、その位相量が１３５°であり、この整合回路を付加することにより、位相量が１８０°に近づき、実質上、伝送線路の長さがλ／２に近づくのと等価になる。よって、この整合回路を加えることにより、伝送線路の長さを短くでき、小型化が実現できるものである。
【００６８】
なお、本実施の形態においては、位相回路を伝送線路、或いは３つのインピーダンス素子を用いて構成したが、この構成に限るものではない。また、インピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成もこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００６９】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成としても構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００７０】
また、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００７１】
（実施の形態７）
以下、本発明の実施の形態７の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、位相回路に整合回路が含まれる場合の具体的な構成について述べる。図２３（ａ）に本発明の実施の形態７における平衡型高周波デバイスの構成を示す。図２３（ａ）において、平衡型高周波デバイス２３０１は、平衡型素子２３０２と位相回路２３０３とにより構成される。また、平衡型素子２３０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、出力端子間には位相回路２３０３が接続される。
【００７２】
位相回路２３０３は、インピーダンス素子であるコンデンサ２３０４、２３０５、インダクタ２３０６と整合回路としてのインダクタ２３０７とにより構成される。この時、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２はそれぞれコンデンサ２３０４、２３０５を介して接地され、インダクタ２３０６は出力端子間に接続され、位相回路２３０３は出力端子間に接続される構成となる。さらに、位相回路２３０３には、整合回路としてのインダクタ２３０７が含まれる。
【００７３】
インダクタ２３０６は差動信号成分に関して仮想接地点２３０８を形成する。よって、出力端子ＯＵＴ１では、コンデンサ２３０４とインダクタ２３０６の一部とが、出力端子ＯＵＴ２ではコンデンサ２３０５とインダクタ２３０６の一部とが、接地面に対して並列共振回路を形成することになり、この並列共振周波数を通過帯域内、或いは通過帯域近傍となるように設計することにより、所定の周波数の差動信号成分は、接地面に対してインピーダンスが無限大に近づき、接地面に短絡されることなく出力端子に伝達される。即ち、差動信号成分に関しては、図７（ｃ）で示した動作と実質上同じになる。
【００７４】
さらに、インダクタ２３０６は同相信号成分に関しては仮想接地点を形成することがない。よって、平衡型入出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と接地面との間に配置されるインピーダンス素子としてのコンデンサ２３０４、２３０５のインピーダンスを十分小さい値に設計することにより、同相信号成分は接地面に短絡され、平衡型入出力端子に伝達されることはない。
【００７５】
以上説明したように、本実施の形態における位相回路２３０３はコンデンサ２３０４、２３０５とインダクタ２３０６により所定の周波数における共振回路が構成され、整合回路としてのインダクタ２３０７が含まれる構成であり、この場合においても、同相信号成分が低減され、優れたバランス特性を有する平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００７６】
また、インダクタ２３０７は、インダクタ２３０６に取り込むことも可能である。即ち、インダクタ２３０６とインダクタ２３０７の合成インダクタンス２３０９を用いればよい。この場合には、インダクタ２３０６とインダクタ２３０７は並列接続となるので、インダクタ２３０６、２３０７、合成インダクタ２３０９のインダクタンスをそれぞれＬｂ、Ｌｍ、Ｌｔとすると、Ｌｔ＝（Ｌｂ×Ｌｍ）／（Ｌｂ＋Ｌｍ）となり、インダクタンスの値を小さくすることができる。また、素子個数を低減でき、回路構成の小型化が実現できるものである。
【００７７】
但し、この場合には、所定の周波数の意味合いが異なる。即ち、コンデンサ２３０４、２３０５のキャパシタンスをＣｇ１、Ｃｇ２すると、コンデンサ２３０４、２３０５、インダクタンス２３０６により形成される整合状態でのそれぞれの出力端子における差動信号成分の並列共振周波数ｆ１、ｆ２は、ｆ１＝１／｛２π×√（Ｌｂ／２）×√（Ｃｇ１）｝、ｆ２＝１／｛２π×√（Ｌｂ／２）×√（Ｃｇ２）｝となる。ここで、整合回路としてのインダクタ２３０７を含めると、全体としての並列共振周波数ｆ１ｔ、ｆ２ｔは、ｆ１＝１／｛２π×√（Ｌｔ／２）×√（Ｃｇ１）｝、ｆ２＝１／｛２π×√（Ｌｔ／２）×√（Ｃｇ２）｝となり、見かけ上、所定の周波数からシフトするものである。
【００７８】
即ち、位相回路２３０３全体の並列共振周波数は通過帯域内、或いは通過帯域近傍からインダクタＬｍの分だけずれることになるが、整合状態において、出力端子ＯＵＴ１では、コンデンサ２３０４とインダクタ２３０６の一部とが、出力端子ＯＵＴ２ではコンデンサ２３０５とインダクタ２３０６の一部とが、接地面に対して並列共振回路を形成して、コンデンサ２３０４、２３０５の接地面に対するインピーダンスが十分小さければ、同相信号成分が低減できるという効果は同じである。ここで、インダクタ２３０６の一部とは、仮想接地面までのことを意味する。
【００７９】
なお、本実施の形態における回路構成はこれに限るものではなく、整合回路の動作、共振回路としての動作が本発明と実質上同じであれば、本発明と同様に、優れたバランス特性を有する平衡型高周波デバイスを実現できる。
【００８０】
また、インピーダンス素子としてのコンデンサの値Ｃｇ１、Ｃｇ２を実質上同じとし、インピーダンス素子としてのインダクタの値Ｌｇ１、Ｌｇ２を実質上同じとしているが、これは必ずしも同じである必要がなく、回路構成により最適に選ばれるものである。
【００８１】
（実施の形態８）
以下、本発明の実施の形態８の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、平衡型高周波デバイスの具体的な特性について、平衡型素子として弾性表面波フィルタを用いた場合について述べる。図２４に本発明の平衡型高周波デバイス２４０１の構成を示す。図２４において、平衡型高周波デバイス２４０１は、平衡型素子である弾性表面波フィルタ２４０２と位相回路２４０３とにより構成される。また、弾性表面波フィルタ２４０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型入出力端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、出力端子間には位相回路２４０３が接続される。
【００８２】
弾性表面波フィルタ２４０２は、圧電基板２４０４上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）２４０５、２４０６、２４０７と第１、第２の反射器電極２４０８、２４０９とにより構成される。第１のＩＤＴ電極２４０５は２つの分割ＩＤＴ電極に分割され、第１、第２の分割ＩＤＴ電極２４１０、２４１１の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続される。第１、第２の分割ＩＤＴ電極２４１０、２４１１の他方の電極指は電気的に接続され、それらの電極指は仮想接地される構成となる。また、第２、第３のＩＤＴ電極２４０６、２４０７の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続され、他方は接地される。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスが得られる。
【００８３】
本発明の実施の形態８における平衡型高周波デバイス２４０１においても、位相回路２４０３を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイス実現することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態においては、位相回路としては、伝送線路、或いは３つのインピーダンス素子を用いて構成しても構わない。また、位相回路の構成はこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば本発明と同様の効果が得られる。また、インピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成もこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００８５】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しも構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００８６】
また、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００８７】
（実施の形態９）
以下、本発明の実施の形態９の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。ここでは、平衡型高周波デバイスの具体的な特性について、平衡型素子として弾性表面波フィルタを用いた場合について述べる。図２５に本発明の実施の形態９における平衡型高周波デバイス２５０１の構成を示す。図２５において、平衡型高周波デバイス２５０１は、平衡型素子である弾性表面波フィルタ２５０２と位相回路２５０３とにより構成される。また、弾性表面波フィルタ２５０２において、入力側の端子は不平衡型入出力端子である入力端子ＩＮであり、出力側の端子は平衡型端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、出力端子間には位相回路２５０３が接続される。
【００８８】
弾性表面波フィルタ２５０２は、圧電基板２５０４上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）２５０５、２５０６、２５０７と第１、第２の反射器電極２５０８、２５０９とにより構成される。第１のＩＤＴ電極２５０５の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続され、他方は接地される。第２、第３のＩＤＴ電極２５０６、２５０７の一方の電極指は出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続され、第２、第３のＩＤＴ電極２５０６、２５０７の他方の電極指は接地される。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型入出力端子を有する平衡型高周波デバイスが得られる。
【００８９】
本発明の平衡型高周波デバイス２５０１においても、位相回路２５０３を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイス実現することができる。
【００９０】
なお、本実施の形態においては、位相回路としては、伝送線路、或いは３つのインピーダンス素子を用いて構成しても構わない。また、位相回路の構成はこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば本発明と同様の効果が得られる。また、インピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成もこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００９１】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しも構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００９２】
また、本実施の形態では、入力端子を不平衡型とし、出力端子を平衡型として説明したが、入力端子が平衡型であり、出力端子が不平衡型であっても構わない。また、入力端子と出力端子ともに平衡型であってもよい。
【００９３】
（実施の形態１０）
以下、本発明の実施の形態１０の平衡型高周波デバイスについて図面を参照して説明する。図２６に本発明の実施の形態１０における平衡型高周波デバイス２６０１の構成を示す。ここでは、平衡型高周波デバイスの具体的な構成について、平衡型素子として半導体素子を用いた場合について述べる。図２６において、平衡型高周波デバイス２６０１は、平衡型素子である半導体素子２６０２と位相回路２６０３、２６０８とにより構成される。また、半導体素子２６０２において、入力側の端子は平衡型入出力端子である入力端子ＩＮ１、ＩＮ２であり、出力側の端子は平衡型端子である出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２である。さらに、入力端子間には位相回路２６０３が接続されており、出力端子間には位相回路２６０８が接続される。
【００９４】
次に、半導体素子２６０２の構成について説明する。２６０４ａ、２６０４ｂ、２６０５ａ、２６０５ｂはバイポーラトランジスタであり、２６０６ａ、２６０６ｂはインダクタである。入力端子ＩＮ１はＤＣカットキャパシタ２６０７ａを介してバイポーラトランジスタ２６０４ａのベースに接続され、入力端子ＩＮ２はＤＣカットキャパシタ２６０７ｂを介してバイポーラトランジスタ２６０４ｂのベースに接続される。バイポーラトランジスタ２６０４ａ、２６０４ｂのコレクタはバイポーラトランジスタ２６０５ａ、２６０５ｂのエミッタにそれぞれ接続され、バイポーラトランジスタ２６０５ａ、２６０５ｂのコレクタはＤＣカットキャパシタ２６０９ａ、２６０９ｂをそれぞれ介し、出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２にそれぞれ接続される。バイポーラトランジスタ２６０４ａ、２６０４ｂのエミッタはインダクタ２６０６ａ、２６０６ｂを介してそれぞれ接地される。バイアス回路２６１０はバイポーラトランジスタ２６０４ａ、２６０４ｂのベースにバイアス電流を供給する。バイアス回路２６１１はバイポーラトランジスタ２６０５ａ、２６０５ｂのベースにバイアス電流を供給する。電源電圧Ｖｃｃはチョークインダクタ２９１２ａ、２９１２ｂを介してバイポーラトランジスタ２６０５ａ、２６０５ｂのコレクタにそれぞれ供給される。以上の構成により、平衡型半導体デバイスは増幅器として動作する。
【００９５】
本発明の実施の形態１０における平衡型高周波デバイス２６０１においても、位相回路２６０３、２６０８を用いることにより、同相信号成分を低減することができ、バランス特性の優れた平衡型高周波デバイスを実現することができる。
【００９６】
なお、本実施の形態においては、位相回路としては、伝送線路、或いは３つのインピーダンス素子を用いて構成しても構わない。また、位相回路の構成はこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば本発明と同様の効果が得られる。また、インピーダンス素子としてのインダクタ、コンデンサの個数や構成もこれに限るものではなく、位相回路として動作する構成であれば、本発明と同様の効果が得られる。
【００９７】
また、位相回路を形成する場合には、回路基板上での伝送線路やチップ部品を用いて構成しても構わないし、平衡型素子が実装される基板やパッケージに内蔵されていても構わない。また、位相回路の一部を、電極パターンを複数の誘電体層上に形成して、この誘電体層を積層することにより構成される積層デバイス内に構成しも構わない。さらに、積層デバイスが他の回路機能を有する構成とすることにより、本発明の平衡型高周波デバイスと積層デバイスとを一体化して複合デバイスとして、平衡型高周波デバイスの多機能化、及び小型化が実現できるものである。
【００９８】
また、本実施の形態では、入力端子及び出力端子をともに平衡型として説明したが、入力端子または出力端子のいずれか一方が不平衡型であり、他方が平衡型であっても構わない。
【００９９】
また、本実施の形態においては、半導体素子は４つバイポーラトランジスタを用いて構成されるとしたが、これに限るものではない。
【０１００】
また、本実施の形態では、半導体素子２６０２が増幅器である場合について説明したが、これに限らない。半導体素子２６０２はミキサや、発振器であっても構わない。要するに半導体素子２６０２は、平衡型端子を有する半導体デバイスであればよい。
【０１０１】
（実施の形態１１）
以下、本発明の実施の形態１１の平衡型高周波回路について図面を参照して説明する。図２７に示すのは、本発明の平衡型デバイスを用いた平衡型高周波回路２７０１のブロック図である。図２７において、送信回路から出力される送信信号は、送信増幅器２７０２、送信フィルタ２７０３、スイッチ２７０４を介してアンテナ２７０５より送信される。また、アンテナ２７０５より受信された受信信号は、スイッチ２７０４、受信フィルタ２７０６、受信増幅器２７０７を介して受信回路に入力される。ここで、送信増幅器２７０２は平衡型であり、スイッチ２７０４は不平衡型であるので、送信フィルタ２７０３は不平衡−平衡型入出力端子を有する構成となる。また、受信増幅器２７０７は平衡型であり、スイッチ２７０４は不平衡型であるので、受信フィルタ２７０６は不平衡−平衡型入出力端子を有する構成となる。
【０１０２】
本発明の平衡型デバイスを平衡型高周波回路２７０１の送信フィルタ２７０３、または受信フィルタ２７０６に、本発明の平衡型高周波デバイスを送信増幅器２７０２、または受信増幅器２７０７に適用することにより、バランス特性の劣化による送信時の変調精度劣化を抑えることができ、また、バランス特性の劣化による受信時の感度劣化を抑えることができ、高性能な平衡型高周波回路を実現することができる。
【０１０３】
また、スイッチ２７０４が平衡型、送信増幅器２７０２、または受信増幅器２７０７が不平衡型の場合には、送信フィルタ２７０３、または受信フィルタ２７０６の平衡型と不平衡型の入出力端子を入れ替えることにより同様の効果が得られる。
【０１０４】
また、平衡型高周波回路２７０１において、送信と受信とを切り換える手段としてスイッチ２７０４を用いて説明したが、これは共用器であっても構わない。
【０１０５】
また、本実施の形態の平衡型高周波回路においては、回路基板上に本発明の位相回路を形成してもよい。例えば、図２７において、回路基板上の平衡型伝送線路の間２７０８、２７０９に形成することにより、同相信号成分のクロストークによるバランス特性劣化を抑え、優れた平衡型高周波回路が実現できるものである。
【０１０６】
また、本発明の実施の形態においては、平衡型高周波デバイスとして、弾性表面波フィルタや半導体素子を用いて説明したが、これに限るものではなく、バランス動作する他のデバイスにも適用できるものである。
【０１０７】
また、高周波信号を取り扱うデバイスに関しては、周波数が高いほど、寄生成分が大きくなり、クロストークなどにより同相信号成分が増加しバランス特性の劣化がより大きくなる。よって、本発明の平衡型高周波デバイスに関しては、周波数が高いほどその効果も大きく、また、位相回路を形成する伝送線路やインピーダンス素子の素子サイズを小型化できるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明にかかる平衡型高周波回路は、良好なバランス特性を有し、弾性表面波フィルタや高周波増幅器等の平衡型高周波デバイスを用いた平衡型高周波回路として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の実施の形態１における平衡型高周波デバイスの構成図
【図２】従来の弾性表面波フィルタにおけるバランス特性劣化原因解析の説明図
【図３】従来の弾性表面波フィルタにおけるバランス特性解析の特性図  （ａ）振幅バランス特性図  （ｂ）位相バランス特性図
【図４】本発明の実施の形態１における平衡型高周波デバイスの動作説明図
【図５】本発明の実施の形態２における平衡型高周波デバイスの構成図
【図６】本発明の実施の形態３における平衡型高周波デバイスの構成図
【図７】本発明の実施の形態３における平衡型高周波デバイスの動作説明図
【図８】本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの構成図
【図９】（ａ）本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの動作説明図  （ｂ）本発明の実施の形態４における差動信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図  （ｃ）本発明の実施の形態４における同相信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図
【図１０】（ａ）本発明の実施の形態４における平衡型高周波デバイスの動作説明図  （ｂ）本発明の実施の形態４における差動信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図  （ｃ）本発明の実施の形態４における同相信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図
【図１１】本発明の実施の形態５における平衡型高周波デバイスの構成図
【図１２】（ａ）本発明の実施の形態５における平衡型高周波デバイスの動作説明図  （ｂ）本発明の実施の形態５における差動信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図  （ｃ）本発明の実施の形態５における同相信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態５における平衡型高周波デバイスの動作説明図  （ｂ）本発明の実施の形態５における差動信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図  （ｃ）本発明の実施の形態５における同相信号成分に関する位相回路の等価回路を示す図
【図１４】本発明の実施の形態６における平衡型高周波デバイスの構成図
【図１５】（ａ）位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイスの通過特性図  （ｂ）位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｃ）位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図１６】（ａ）位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｂ）位相回路６０３を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図１７】（ａ）位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイスの通過特性図  （ｂ）位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｃ）位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図１８】（ａ）位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｂ）位相回路９０１を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図１９】（ａ）位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイスの通過特性図  （ｂ）位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｃ）位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図２０】（ａ）位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイスの振幅バランス特性図  （ｂ）位相回路１００１を用いた時の平衡型高周波デバイスの位相バランス特性図
【図２１】（ａ）位相回路６０１を用いた時のインピーダンス特性図  （ｂ）位相回路２２０１を用いた時のインピーダンス特性図
【図２２】位相回路に整合回路が含まれる構成図
【図２３】（ａ）本発明の実施の形態７における平衡型高周波デバイスの構成図  （ｂ）整合回路を含む位相回路を有する平衡型高周波デバイスの構成図
【図２４】本発明の実施の形態８における平衡型高周波デバイスの構成図
【図２５】本発明の実施の形態９における平衡型高周波デバイスの構成図
【図２６】本発明の実施の形態１０における平衡型高周波デバイスの構成図
【図２７】本発明の実施の形態１１における平衡型高周波回路の構成図
【図２８】従来の平衡型高周波デバイスの構成図
【図２９】従来の平衡型高周波デバイスの整合回路を含む構成図  （ａ）整合回路が１つのインピーダンス素子である場合の構成図  （ｂ）整合回路が２つのインピーダンス素子である場合の構成図
【図３０】従来の弾性表面波フィルタの構成図
【図３１】従来の弾性表面波フィルタの整合回路を含む構成図
【図３２】（ａ）従来の弾性表面波フィルタの通過特性図  （ｂ）従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性図  （ｃ）従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特性図
【符号の説明】
【０１１０】
１０１  平衡型高周波デバイス
１０２  平衡型素子
１０３  位相回路
２０１  弾性表面波フィルタ
２０２  理想的な弾性表面波フィルタ
２０３，２０４  容量成分
５０１  平衡型高周波デバイス
５０２  平衡型素子
５０３，５０４  位相回路
６０１  平衡型高周波デバイス
６０２  平衡型素子
６０３  位相回路
６０４  伝送線路
８０１  平衡型高周波デバイス
８０２  平衡型素子
８０３  位相回路
８０４，８０５，８０６  インピーダンス素子
９０１  位相回路
９０２，９０３  コンデンサ
９０４  インダクタ
９０５  仮想接地点
１００１  位相回路
１００２，１００３  インダクタ
１００４  コンデンサ
１００５  仮想接地点
１１０１  平衡型高周波デバイス
１１０２  平衡型素子
１１０３  位相回路
１１０４，１１０５，１１０６  インピーダンス素子
１２０１  位相回路
１２０２，１２０３  インダクタ
１２０４  コンデンサ
１２０５  接続点
１３０１  位相回路
１３０２，１３０３  コンデンサ
１３０４  インダクタ
１３０５  接続点
１４０１  平衡型高周波デバイス
１４０２  弾性表面波フィルタ
１４０３  位相回路
１４０４  圧電基板
１４０５  第１のＩＤＴ電極
１４０６  第２のＩＤＴ電極
１４０７  第３のＩＤＴ電極
１４０８  第１の反射器電極
１４０９  第２の反射器電極
１６０１，１８０１，２００１  従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特
性劣化の最大値
１６０２，１８０２，２００２  従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特
性劣化の最小値
１６０３，１８０３，２００３  従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特
性劣化の最大値
１６０４，１８０４，２００４  従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特
性劣化の最小値
２１０１，２１０２  通過帯域周波数近傍を示す領域
２２０１  位相回路
２２０２  コンデンサ
２３０１  平衡型高周波デバイス
２３０２  平衡型素子
２３０３  位相回路
２３０４，２３０５  コンデンサ
２３０６  インダクタ
２３０７  整合回路としてのインダクタ
２３０８  仮想接地点
２３０９  合成インダクタ
２４０１  平衡型高周波デバイス
２４０２  弾性表面波フィルタ
２４０３  位相回路
２４０４  圧電基板
２４０５  第１のＩＤＴ電極
２４０６  第２のＩＤＴ電極
２４０７  第３のＩＤＴ電極
２４０８  第１の反射器電極
２４０９  第２の反射器電極
２４１０  第１の分割ＩＤＴ電極
２４１１  第２の分割ＩＤＴ電極
２５０１  平衡型高周波デバイス
２５０２  弾性表面波フィルタ
２５０３  位相回路
２５０４  圧電基板
２５０５  第１のＩＤＴ電極
２５０６  第２のＩＤＴ電極
２５０７  第３のＩＤＴ電極
２５０８  第１の反射器電極
２５０９  第２の反射器電極
２６０１  平衡型高周波デバイス
２６０２  半導体素子
２６０３  位相回路
２６０４ａ，２６０４ｂ，２６０５ａ，２６０５ｂ  バイポーラトランジスタ
２６０６ａ，２６０６ｂ  インダクタ
２６０７  ＤＣカットキャパシタ
２６０８  バイパスキャパシタ
２６０９ａ，２６０９ｂ  ＤＣカットキャパシタ
２６１０，２６１１  バイアス回路
２６１２ａ，２６１２ｂ  チョークインダクタ
２７０１  平衡型高周波回路
２７０２  送信増幅器
２７０３  送信フィルタ
２７０４  スイッチ
２７０５  アンテナ
２７０６  受信フィルタ
２７０７  受信増幅器
２７０８，２７０９  平衡型伝送線路
２８０１，２９０１  平衡型高周波デバイス
２９０２，２９０４，２９０５  整合回路
２９０３  平衡型高周波デバイス
３００１  弾性表面波フィルタ
３００２  圧電基板
３００３  第１のＩＤＴ電極
３００４  第２のＩＤＴ電極
３００５  第３のＩＤＴ電極
３００６  第１の反射器電極
３００７  第２の反射器電極
３１０１  弾性表面波フィルタ
３１０２  圧電基板
３１０３  第１のＩＤＴ電極
３１０４  第２のＩＤＴ電極
３１０５  第３のＩＤＴ電極
３１０６  第１の反射器電極
３１０７  第２の反射器電極
３１０８  第１の分割ＩＤＴ電極
３１０９  第２の分割ＩＤＴ電極
３１１０  インダクタ
【図１】
0004339838.tif 000002
【図２】
0004339838.tif 000003
【図３】
0004339838.tif 000004
【図４】
0004339838.tif 000005
【図５】
0004339838.tif 000006
【図６】
0004339838.tif 000007
【図７】
0004339838.tif 000008
【図８】
0004339838.tif 000009
【図９】
0004339838.tif 000010
【図１０】
0004339838.tif 000011
【図１１】
0004339838.tif 000012
【図１２】
0004339838.tif 000013
【図１３】
0004339838.tif 000014
【図１４】
0004339838.tif 000015
【図１５】
0004339838.tif 000016
【図１６】
0004339838.tif 000017
【図１７】
0004339838.tif 000018
【図１８】
0004339838.tif 000019
【図１９】
0004339838.tif 000020
【図２０】
0004339838.tif 000021
【図２１】
0004339838.tif 000022
【図２２】
0004339838.tif 000023
【図２３】
0004339838.tif 000024
【図２４】
0004339838.tif 000025
【図２５】
0004339838.tif 000026
【図２６】
0004339838.tif 000027
【図２７】
0004339838.tif 000028
【図２８】
0004339838.tif 000029
【図２９】
0004339838.tif 000030
【図３０】
0004339838.tif 000031
【図３１】
0004339838.tif 000032
【図３２】
0004339838.tif 000033