(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体を主成分とし、化学的機械研磨前後の半導体部品洗浄に使用されることを特徴とする半導体部品用洗浄剤。
【請求項２】
組成物のＰＨが３〜９である請求項１記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項３】
（共）重合体の重量平均分子量が５，０００〜３０万である請求項１または２記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項４】
メタル配線を含む半導体部品の洗浄用である請求項１〜３いずれかに記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項５】
単量体成分が、（ａ）イタコン酸（塩）、ならびに（ｂ）カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、からなるものである請求項１〜４いずれかに記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項６】
カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕が、アクリル酸（塩）および／またはメタクリル酸（塩）である請求項５記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項７】
アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなる請求項１〜６いずれか１項記載の半導体部品用洗浄剤。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項記載の半導体部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄することを特徴とする半導体部品の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体用部品用洗浄剤および半導体部品の洗浄方法に関し、特に半導体製造工程において、化学的機械研磨（ＣＭＰ）の前後の半導体基板などの半導体部品の表面を清浄するために使用される半導体部品用洗浄剤および半導体部品の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造プロセスにおける新たな平坦化技術として、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が注目されており、従来のリフロー技術やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのエッチバック技術に比べ工程が短縮でき、しかもパターン依存性を受けにくく、良好な平坦化が実現できるという利点がある。この種のＣＭＰは、例えば、多層でのメタル平坦化あるいは層間絶縁膜の平坦化などに適用されている。
従来から、層間絶縁膜の平坦化工程としての化学的機械研磨後の基板洗浄方法として、さまざまな方法が提案されている。最も汎用性の高いものとしては、半導体製造工程でよく使われるＲＣＡ洗浄が挙げられる。このＲＣＡ洗浄は、アンモニアと過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程と、塩酸と過酸化水素水と水の混合液による洗浄工程からなるものである。
【０００３】
また、希フッ酸溶液での層間絶縁膜表面のエッチングや、アルカリ系研磨剤を用いる際、酸洗浄を行う方法なども提案されている。化学的機械研磨工程の後処理として現在最も多く使用されているのは、ブラシスクラブ洗浄後、例えば、アンモニア：過酸化水素：水（重量比）が１：１：５のアルカリ性洗浄液によるＳＣ１洗浄を行い、基板表面に研磨工程で付着した粒子の除去を行うというものである。
さらに、ＣＭＰ後の基板表面に吸着した金属不純物の洗浄として、クエン酸の水溶液が使用されること、さらには、クエン酸水溶液またはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などがフッ化水素とともに使用されることなどが知られている。また、クエン酸などの有機酸と錯化剤とを含む洗浄液も知られている。
【０００４】
しかしながら、上記洗浄液では、化学的機械研磨後に基板上に残った研磨粒子などの金属不純物を問題のないレベルまで除去することが難しいうえ、洗浄効果を出すためには高濃度にする必要があり、廃液処理など環境への負担が大きいという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨（ＣＭＰ）前後に、半導体基板などの半導体部品上に残った、シリカ、アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、ＣＭＰ中に含まれる金属不純物あるいは金属配線などに基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤および半導体部品の洗浄方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくともイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体を主成分とし、化学的機械研磨前後の半導体部品洗浄に使用されることを特徴とする半導体部品用洗浄剤に関する。
ここで、組成物のＰＨは、好ましくは３〜９である。
また、上記（共）重合体の重量平均分子量は、好ましくは５，０００〜３０万である。
さらに、本発明の半導体部品洗浄剤は、好ましくはメタル配線を含む半導体部品の洗浄用である。
さらに、上記単量体成分は、
（ａ）イタコン酸（塩）、ならびに
（ｂ）カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、
からなるものであることが好ましい。
上記カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、（ａ）成分を除く〕は、アクリル酸（塩）および／またはメタクリル酸（塩）であることが好ましい。
また、半導体部品用洗浄剤は、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなることが好ましい。
次に、本発明は、時期記載の半導体部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄することを特徴とする半導体部品の洗浄方法に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体部品用洗浄剤の主成分である（共）重合体は、イタコン酸（塩）、および、必要に応じて、これらと他の単量体からなる単量体成分を（共）重合することにより得ることができる。
ここで、イタコン酸（塩）は、イタコン酸、無水イタコン酸、およびこれらとの塩である。
他の単量体としては、カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、イタコン酸（塩）を除く〕、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体などが挙げられる。
【０００８】
カルボン酸（塩）基を有する単量体〔ただし、イタコン酸（塩）を除く〕としては、イタコン酸（塩）以外のカルボン酸基を含み重合可能な二重結合を有する単量体であれば特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、グルタコン酸、ビニル酢酸、アリル酢酸、フォスフィノカルボン酸、α−ハロアクリル酸、β−カルボン酸、またはこれらの塩類、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸オクチルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステル類などが挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸またはこれらの塩類がよい。
これらのイタコン酸（塩）以外のカルボン酸（塩）基を含み重合可能な二重結合を有する単量体は、１種単独で使用することも、あるいは２種以上を混合して用いることもできる。
【０００９】
水酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルアルコール、アリルアルコール、メチルビニルアルコール、エチルビニルアルコール、ビニルグリコール酸などの不飽和アルコール類、ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールモノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシフェノキシエチル（メタ）アクリレートなどの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル類が挙げられる。好ましくはヒドロキシエチル（メタ）アクリレートである。
【００１０】
エチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体としては、ポリオキシエチレンモノメタクリレート（アルキレンオキサイド２〜２０モル付加物）、および下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物、
ＣＨ2 ＝ＣＲ1 −ＣＯＯ−（ＡＯ）−Ｒ2 ・・・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ1 は水素原子またはメチル基、Ｒ2 は、炭素数１〜１８の脂肪族基または芳香族基であり、Ａはメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基である）などが挙げられる。好ましくはポリオキシエチレンモノメタクリレート（エチレンオキサイド５モル付加物）である。
上記単量体は、１種または２種以上使用できる。
【００１１】
本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体は、上記単量体成分のほかに、共重合可能なその他の単量体を共重合して得ることもできる。その他の単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、リン酸化合物などが挙げられる。上記単量体は、１種または２種以上使用できる。
これらその他の単量体を共重合させる場合には、単量体成分中に、３０モル％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の（共）重合体は、イタコン酸（塩）、および、必要に応じて、上記他の単量体からなる単量体成分を（共）重合することにより得ることができる。すなわち、本発明の（共）重合体は、イタコン酸（塩）の単独重合体でも、イタコン酸（塩）および他の単量体からなる単量体成分の共重合体でもよい。本発明の（共）重合体として、好ましくは、イタコン酸重合体、イタコン酸／アクリル酸共重合体、イタコン酸／メタクリル酸共重合体、イタコン酸／ポリオキシエチレンモノメタクリレート共重合体、イタコン酸／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体である。
本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体では、（共）重合体中のイタコン酸（塩）の割合が、好ましくは１０モル％以上、さらに好ましくは２０モル％以上である。１０モル％未満であると、メタルの洗浄能が低下する場合がある。
【００１３】
本発明において、イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の製造方法は、例えば、下記のとおりである。
すなわち、上記単量体成分を過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムなどの公知の重合開始剤の存在下、反応温度を、通常、２０〜２００℃、好ましくは４０〜１５０℃で、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１５時間にわたり重合反応させ、（共）重合体を製造することができる。一つの処方として、重合に使用する単量体成分を逐次添加し重合を行うことができる。ここで、逐次重合とは、単位時間あたり一定量で、あるいは添加量を変量させて単量体成分を重合系に所定時間内に投入することである。
【００１４】
上記（共）重合反応において、反応を円滑に行うため重合溶媒を用いることができ、この重合溶媒としては、水、または水と混合可能な有機溶剤と水との混合物などを用いることができる。この有機溶剤の具体例としては、水と混合可能であれば特に限定されないが、例えば、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アルコール類などが挙げられる。
【００１５】
さらに、本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の重量平均分子量は、好ましくは５，０００〜３０万である。５，０００未満では、洗浄効果が充分発揮されない場合があり、一方、３０万を超えると、ゲル化などを伴い、取り扱いが困難となる。
【００１６】
なお、本発明のイタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体は、半導体部品用洗浄剤の主成分とするために、水溶性であることが好ましい。水溶性にするためには、カチオン種の対イオンを有する（共）重合体とすればよい。カチオン種は、特に限定されるものでないが、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニア、アミンなどが好ましい。上記アルカリ金属としては、ナトリウム、カリウムなどを、アルカリ土類金属としてはカルシウム、マグネシウムなどを、アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ブチルアミンジブチルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどのポリアミン、モルホリン、ピペリジンなどを例示することができる。好ましくは、水素、カリウム、アンモニア、アルキルアミンである。また、これらのカチオン種を有する（共）重合体（塩）を得るためには、好ましいカチオン種を有する単量体を（共）重合してもよいし、酸タイプの単量体を共重合したのち、該当するアルカリで中和してもよい。また、（共）重合体（塩）を種々のイオン交換技法により他種のカチオン種と相互に交換することも可能である。これら、カチオン種は１種単独で用いることも、２種以上併用することも可能である。
【００１７】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、水および／または親水性有機溶剤（以下「溶剤」ともいう）中に、イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体の濃度が０．１〜２０重量％、特に好ましくは１．０〜１０重量％となるように溶解して使用するものである。（共）重合体の濃度が０．１重量％未満では、洗浄効果は充分に発揮されず、一方、２０重量％を超えて高濃度にした場合、濃度に見合う効果が期待できず効率的でない。
【００１８】
上記溶剤としては、水のほか、アルコール、エーテル、ケトンなどの親水性有機溶剤が挙げられるが、なかでも、水を主成分とするもの、特に水が好ましい。上記親水性有機溶剤のうち、アルコール類の具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレンモノメチルエーテルアセテート、ジアセトンアルコールなどを挙げることができる。また、エーテル類の具体例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどを、ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなどが挙げられる。
これらの親水性有機溶剤は、１種単独であるいは２種以上を併用することができる。
【００１９】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、上記イタコン酸（塩）を含む単量体成分を（共）重合してなる（共）重合体に、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、およびノニオン系界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種の界面活性剤をさらに配合してなるものでもよい。
アニオン系界面活性剤としては、例えば、高級アルコールの硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩、脂肪族有機酸塩、リン酸系などが挙げられる。好ましくは、オレイン酸アンモニウムなどのオレイン酸塩、ラウリン酸塩、ロジン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩である。
カチオン系界面活性剤としては、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、オクチルトリメチルアンモニウムブロマイド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロライドなどが挙げられる。好ましくは、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライドである。
【００２０】
ノニオン系界面活性剤としては、通常、ポリエチレングリコールのアルキルエステル型、トリエチレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキルエーテル型、ポリオキシソルビタンエステルなどのエステル型、アルキルフェノール型などが挙げられる。好ましくは、トリエチレングリコールモノブチルエーテルである。
また、界面活性剤として、両性界面活性剤を使用することもでき、アニオン部分としてカルボン酸塩、硫酸エステル塩、スルホン酸塩、リン酸エステル塩を、カチオン部分としてアミン塩、第４級アンモニウム塩などを持つものが挙げられる。
【００２１】
上記界面活性剤の使用量は、洗浄剤組成物に対して、好ましくは０．００１〜１重量％、さらに好ましくは０．００５〜０．５重量％、特に好ましくは０．０１〜０．１重量％である。０．００１重量％未満であると、顕著な洗浄効果がみれない場合があり、一方、１重量％を超えても添加した量に見合う効果は得られず、かつ泡立ちの問題を生じる場合もある。
【００２２】
なお、本発明の半導体部品用洗浄剤には、他の公知の洗浄剤成分を併用することも可能である。他の洗浄剤成分としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−トリ酢酸（ＥＤＴＡ−ＯＨ）などの化合物およびその塩などのポリアミノカルボン酸類のほか、シュウ酸、クエン酸、アンモニア、過酸化水素、塩酸、フッ化水素などが挙げられる。一般に、これらの化合物は、遊離酸あるいは塩の形で用いられ、半導体製造用には特性に悪影響を及ぼさない、プロトンタイプ、アンモニウム塩、カリウム塩、アミン塩などの塩の形で使用することが好ましい。これらの化合物は、１種単独で使用することもできるし、２種以上使用することも可能である。また、これらの化合物の使用量は、特に制限はないが、通常、本発明の（共）重合体に対して、５倍重量以下である。
また、洗浄効果を上げるために、各種アルカリ溶液、オゾン水、酸化還元水などの機能水を併用してもよい。
【００２３】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、主として、ＣＭＰ前後に半導体用部品上に残った研磨粒子に基づく金属不純物を除去するために使用されるが、使用方法としては特に制限はなく、公知の方法が採用できる。また、本発明の洗浄剤を使用して洗浄を行う前、あるいは後に、公知の洗浄剤の使用、あるいは浸漬洗浄、パドル洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、超音波洗浄などの公知の洗浄方法を実施することにより、さらに、金属不純物の除去効率を上げることも可能である。
本発明の洗浄剤のＰＨに特に制限はないが、好ましくは３〜９である。この範囲外では、洗浄能力が低下したり、金属部分の腐食が生じる場合があり、好ましくない。ＰＨは、対イオン種の種類を適宜選択すること、または酸、塩基を添加することにより調整することが可能である。例えば、対イオンに使用する、Ｈ＋とアンモニアイオン（ＮＨ３＋）などのアルカリ成分の割合を変化させることでＰＨの調整を行うことができる。
また、使用温度は、通常、５〜５０℃である。
【００２４】
本発明の半導体部品用洗浄剤は、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨前後に、半導体部品上に残った、シリカ、アルミナなどのＣＭＰ研磨砥粒、ＣＭＰ中に含まれる金属不純物あるいは金属配線などに基づくＦｅ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉなどの不純物に対して洗浄効果があるので、半導体基板、層間絶縁膜、メタル配線などの半導体部品の洗浄に有用である。
【００２５】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例中の％および部は、特に断らない限り重量基準である。
また、実施例中における各種の測定は、以下のようにして実施した。
【００２６】
重量平均分子量
重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって判定した結果を、ポリスチレンスルホン酸ナトリウムを標準サンプルとして作成した検量線を用いて換算したものである。ここで、ＧＰＣの測定条件は、下記のとおりである。
カラム；▲１▼Ｇ３０００ＰＷＸＬ〔東ソー（株）製〕
カラム；▲２▼ＧＭＰＷＸＬ      〔東ソー（株）製〕
カラム；▲３▼ＧＭＰＷＸＬ      〔東ソー（株）製〕
カラムを▲１▼〜▲３▼の順に直列につなぎ、カラム▲１▼側より試料を導入する。
検出器；示差屈折計ＲＩ−８０２１〔東ソー（株）製〕
溶離液；水／アセトニトリル／硫酸ナトリウム＝２，１００／９００／１５（重量比）
流速；１．０ｍｌ／分
温度；４０℃
サンプル濃度；０．２％
サンプル注入量；４００μｌ
【００２７】
パーティクル除去能
ＪＳＲ（株）製ＣＭＰ用スラリー（商品名ＣＭＳ１１０２）に、シリコンウェハを１０分間浸漬し、浸漬後、水洗した。水洗後に付着していた汚染粒子（パーティクル）数は、４０，０００個／６インチウェハであった。このウェハを各種洗浄剤に１０分間浸漬し、水で洗浄後、ウェハ上に付着している粒子数（個／６インチウェハ）を測定した。粒子数の測定は、ケーエルエー・テンコール（株）製、サーフスキャン６４２０にて行った。ウェハ上に付着している粒子数を下記の基準で評価して、パーティクル除去能の評価結果とした。
○：１００（個／６インチウェハ）未満
△：１００〜３００（個／６インチウェハ）
×：３００（個／６インチウェハ）を超える
【００２８】
参考例１
２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇ、３５％過酸化水素水９ｇを溶解したものを、水１０００ｇを仕込んだ内容積２リットルの容器中に、還流下で撹拌しながら１０時間かけて均等に滴下した。滴下終了後、２時間還流下で保ったのち、アンモニア水溶液で中和して対イオンを（ＮＨ3 + ）とし、イタコン酸重合体のアンモニウム塩（Ａ）を得た。重合体（塩）の重量平均分子量は、５，０００であった。
参考例２
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液３６５ｇ、および２０％濃度のアクリル酸水溶液１３５ｇに変更した以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／アクリル酸共重合体（６０／４０モル比）のアンモニウム塩（Ｂ）を得た。共重合体（塩）の重量平均分子量は、１０，０００であった。
【００２９】
参考例３
参考例１において、３５％過酸化水素水９ｇを３５％過酸化水素水１２ｇに変更して、対イオンを（Ｈ+ ）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸重合体（Ｃ）を得た。重合体の重量平均分子量は、８，０００であった。
参考例４
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４１０ｇおよび２０％濃度のメタクリル酸水溶液９０ｇに変更して、対イオンを（Ｈ+ ）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／メタクリル酸共重合体（７５／２５モル比）（Ｄ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、８，０００であった。
【００３０】
参考例５
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４００ｇおよびポリオキシエチレンモノメタクリレート（エチレンオキサイド５モル付加物）１００ｇに変更して、対イオンを（Ｈ+ ）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／ポリオキシエチレンモノメタクリレート共重合体（９０／１０モル比）（Ｅ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、１５，０００であった。
参考例６
参考例１において、２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇを２０％濃度のイタコン酸水溶液４３０ｇおよび２０％濃度のヒドロキシエチルメタクリレート水溶液７０ｇに変更して、対イオンを（Ｈ+ ）とした以外は、参考例１と同様に実施し、イタコン酸／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（８０／２０モル比）（Ｆ）を得た。共重合体の重量平均分子量は、１０，０００であった。
【００３１】
実施例１〜６（メタル除去能の測定）
ＳｉＯ2 膜付きシリコンウェハを、３％ＫＯＨ水溶液、３％Ｆｅ（ＮＯ3 ）2 水溶液、３％ＣｕＳＯ4 水溶液に順次３分間浸漬し、かるく水洗して汚染処理を行った。この汚染したＳｉＯ2 膜付きシリコンウェハを、テクノス（株）製全反射蛍光Ｘ線装置（装置名；ＴＲＥＸ−６１０Ｔ）を用いてウェハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を測定した。Ｃｕの表面濃度は、１００×１０10（原子／ｃｍ2 ）、Ｆｅの表面濃度は、１５，０００×１０10（原子／ｃｍ2 ）、Ｋの表面濃度は、９０×１０10（原子／ｃｍ2 ）であった。次に、参考例１〜６の共重合体（塩）（Ａ〜Ｆ）の２％水溶液を洗浄液として調製した。汚染したＳｉＯ2 膜付きシリコンウェハを、洗浄液中で４０℃、３分洗浄し、水洗、乾燥後、再びウェハ表面のＣｕ，Ｆｅ，Ｋの濃度を測定し、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｋの除去能力を評価した。結果を表１に示す。
【００３２】
実施例７
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にトリエチレングリコールモノブチルエーテルを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
実施例８
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にラウリルトリメチルアンモニウムクロライドを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
実施例９
実施例３において、参考例３の重合体（Ｃ）を用いて調製した３％水溶液にオレイン酸アンモニウムを０．０５％となるように添加した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
【００３３】
比較例１
実施例１において、参考例１の重合体水溶液の代わりに、クエン酸１０％水溶液を使用した以外は、同様に実施した。結果を表１に示す。
表１に示すように、本発明の洗浄剤は、クエン酸を使用した比較例よりも、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｋの除去能力に優れていることが分かる。
【００３４】
【表１】
0004224658.tif 000002
【００３５】
【発明の効果】
本発明の半導体部品用洗浄剤を使用して半導体部品を洗浄すると、環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨前後に半導体部品上に残存している金属不純物を効率良く除去できる。