(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材上に第１電極層となるパラジウムを直接堆積し、当該第１電極層上にアモルファスシリコン層を直接堆積し、当該アモルファスシリコン層上に透明な第２電極層を設けた後、
第１電極層のパラジウム層にアモルファスシリコン層の水素を拡散させるために熱印加して当該パラジウム薄層を脆弱化して剥離させ、同時に当該パラジウム層上のアモルファスシリコン層と透明な第２電極を剥離してパターニングを行う工程を含むことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜太陽電池の形成法。
【請求項２】
絶縁性基材上に第１電極層となるパラジウムを直接堆積し、当該第１電極層上にアモルファスシリコン層を直接堆積し、当該アモルファスシリコン層上に透明な第２電極層を設け、絶縁性基材の反対面に第３電極層を設け、基材、第１電極層およびアモルファスシリコン層を貫通する第１の接続孔を通じて第３電極層と第２電極層とが第１電極層とは絶縁された状態で接続し、当該第３電極層と第２電極層とが接続される領域とは分離された領域において、第３電極層と第１電極層が、少なくとも基材を貫通する第２の接続孔を通じて接続されている薄膜太陽電池の形成法において、
第１電極層のパラジウム層にアモルファスシリコン層の水素を拡散させるために熱印加して当該パラジウム薄層を脆弱化して剥離させ、同時に当該パラジウム層上のアモルファスシリコン層と透明な第２電極を剥離してパターニングを行う工程を含むことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜太陽電池の形成法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄膜太陽電池の形成方法に関し、特に水素吸蔵性金属であるパラジウムを基材側第１電極に用いて、当該パラジウムからなる第１電極が水素を吸蔵することにより脆弱化する特性を利用してパターン形成した太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低コスト化と量産性の実現可能な太陽電池としてＳＣＡＦ（Ｓｅｒｉｅｓ−Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｔｈｒｏｕｇｈ  Ａｐｐｅｒｔｕｒｅｓ  ｆｏｒｍｅｄｏｎ  Ｆｉｌｍ）構造太陽電池が提案されている。このものはフィルム基材上に金属電極、ａ−Ｓｉ層、透明電極を積層して形成するものであるが、薄膜形成後に、各薄膜層のパターニングを行う必要がある。従来、このパターニングはフォトリソグラフィー法による化学的エッチングまたはレーザースクライビングにより行われるのが通常である。
【０００３】
図１１は、薄膜太陽電池形成の従来工程を示す図である。
この工程ではまず、図１１（Ａ）のように、ガラスやプラスチックフィルムのような基材４１を準備する。次いで、基材上に第１の電極を形成するために蒸着、スパッタリング等により金属電極層４２となる金属薄膜を形成する（図１１（Ｂ））。金属材料としては導電性のものであればよく、アルミ、銅、クロム、銀等が用いられる。金属薄膜を電極パターン形状にパターン形成するために、当該金属薄膜上に感光性レジスト材料を塗布して、フォトマスク露光、現像処理を行い（図１１（Ｃ））、レジスト膜４３を形成する。次に、レジスト膜を介して金属薄膜のエッチングを行う（図１１（Ｄ））。エッチングは通常塩化第２鉄等による化学エッチングが採用される。レジストを剥離すれば基材上には金属電極パターンが形成されている（図１１（Ｅ））。通常、このレジスト材料の塗布から、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の一連の工程を「パターニング」といっている。
【０００４】
次に、金属電極上にアモルファスシリコン層４４を、ｎ型、ｉ型、ｐ型の順に３層積層して形成し、再び感光性レジスト材料を塗布してアモルファスシリコン層のパターニングを行う（図１１（Ｆ））。次いでシリコン層上に上部電極となる透明導電膜４５を形成した後、再びパターニングを行って透明電極パターンの形成を行う（図１１（Ｇ））。最後にパッシベーション膜４６を成膜して薄膜太陽電池セルパターンが完成する（図１１（Ｈ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来法による薄膜太陽電池の化学的エッチングによる形成法では「パターニング」を繰り返して行う必要があり太陽電池の製造コストを高くしていた。これは、レーザースクライビング等の場合も同様である。
そこで、本発明は、水素吸蔵性金属であるパラジウムを基材側電極に使用し、透明電極側からレーザーやサーマルヘッドを用いてエネルギーを印加することにより、ａ−Ｓｉ：Ｈ層中の水素がパラジウム金属中に拡散して、金属の格子間距離が開き、パラジウム層が剥離し易くなる性質に着眼し、金属層の剥離と同時に、当該パラジウム層上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ層、透明電極層を一緒に剥離して太陽電池を形成しようとするものである。これにより、太陽電池製造工程中におけるパターニングを上記エッチングによらずに行うことができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の要旨の第１は、絶縁性基材上に第１電極層となるパラジウムを直接堆積し、当該第１電極層上にアモルファスシリコン層を直接堆積し、当該アモルファスシリコン層上に透明な第２電極層を設けた後、第１電極層のパラジウム層にアモルファスシリコン層の水素を拡散させるために熱印加して当該パラジウム薄層を脆弱化して剥離させ、同時に当該パラジウム層上のアモルファスシリコン層と透明な第２電極を剥離してパターニングを行う工程を含むことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜太陽電池の形成法、にある。かかる太陽電池の形成法であるため薄膜太陽電池を低コストで量産することができる。
【０００７】
上記課題を解決する本発明の要旨の第２は、絶縁性基材上に第１電極層となるパラジウムを直接堆積し、当該第１電極層上にアモルファスシリコン層を直接堆積し、当該アモルファスシリコン層上に透明な第２電極層を設け、絶縁性基材の反対面に第３電極層を設け、基材、第１電極層およびアモルファスシリコン層を貫通する第１の接続孔を通じて第３電極層と第２電極層とが第１電極層とは絶縁された状態で接続し、当該第３電極層と第２電極層とが接続される領域とは分離された領域において、第３電極層と第１電極層が、少なくとも基材を貫通する第２の接続孔を通じて接続されている薄膜太陽電池の形成法において、第１電極層のパラジウム層にアモルファスシリコン層の水素を拡散させるために熱印加して当該パラジウム薄層を脆弱化して剥離させ、同時に当該パラジウム層上のアモルファスシリコン層と透明な第２電極を剥離してパターニングを行う工程を含むことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜太陽電池の形成法、にある。かかる太陽電池の形成法であるため薄膜太陽電池を低コストで量産することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、新規な太陽電池の形成法にかかり、太陽電池を構成する基材側金属電極層、アモルファスシリコン層、透明電極層の各層を、エッチングやレーザーパターニングを使用せず、基材側電極に水素吸蔵性金属であるパラジウムを使用することによりパターン形成することを特徴とする。
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明することとするが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
図１は、本発明の薄膜太陽電池の一例を示す平面図である。本発明の薄膜太陽電池１は、絶縁性基材１１上に、基材側第１電極であるパラジウム層、ａ−Ｓｉ：Ｈ層、透明な第２電極層を順次積層して形成し、基材の裏面に第３電極層を形成する。絶縁性基材１１には電流収集孔となる第１接続孔１４と、基材の両側縁部において直列接続孔となる第２接続孔１５とが形成されている。第１接続孔１４は第２電極層と第３電極層とを接続するための貫通孔であり、第２接続孔１５は第３電極層の形成されない基材の両側縁に穿孔されて基材上面の第１電極層と基材下面の第３電極層との接続を行う。いずれも接続孔を通じる導電層により導通が図られている。
第３電極層を設けるのは、第２電極層となる透明導電材料の抵抗値が高いため透明電極層を流れる電流を第３電極層を流れる電流に置き換えることによりジュール損失を低下させようとするものである。
【００１２】
なお、図１中、点線で囲まれた矩形状の部分の内側は、基材下面にパターン形成された第３電極層１２が存在する領域を表し、実線で囲まれた矩形状の幅の広い領域は、基材上面に順次積層形成された第１電極層とａ−Ｓｉ：Ｈ層がある部分を示し、実線の内側になる矩形状部分（第２接続孔１５を含まない部分）にはさらに透明な第３電極層が積層形成されていることを示している。当該積層部には、熱印加により基材１１面よりパラジウムからなる第１電極層を剥離することによりａ−Ｓｉ：Ｈ層、第２電極層を一緒に剥離して設けた分離線１８が形成されており、これにより単位の太陽電池セルを構成している。同様の分離線は第３の電極層にも分離線１９として形成されているが当該分離線は電極形成の際のマスク手段等によりパターン形成されたものである。
【００１３】
図２は、本発明の薄膜太陽電池を示す断面図である。図２（Ａ）は、図１のＡ−Ａ線における断面を、図２（Ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線における断面を示している。また、図２（Ｃ）は、第１電極層１６、第２電極層２６、第３電極層３６の関係が明瞭となるように、図２（Ａ）に、図２（Ｂ）の直列接続孔１５の要素を加えて図示したものである。
【００１４】
図２（Ａ）のように、基材１１の下面には第３電極層３６、基材１１の上面にはパラジウムによる第１電極層１６が形成され、当該第１電極層上にａ−Ｓｉ：Ｈ層２０、透明な第２電極層２６、パッシベーション膜３２が形成されている。第１接続孔１４は、基材１１に第１の電極層１６が形成された後にパンチング等により孔径φ＝２〜５ｍｍ程度に穿孔されたもので、その後、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０をＣＶＤ法等により積層するため、当該層は接続孔の内側面にも付着し、第１電極層１６を絶縁した状態にすることができる。その後、第２電極層を形成すれば、第３電極層と第２電極層とを電気的に接続することができる。
【００１５】
図２（Ｂ）の第２接続孔１５は、基材に薄膜が形成される以前の最初の段階において、基材の側縁部に、パンチング等により孔径φ＝２〜５ｍｍ程度に穿孔される。その後、基材１１の裏面に第３電極層をニッケル等の金属薄膜をスパッタリング等で形成する。第３電極層は単位のセル間が分離線１９により分離した形状となるようにマスク等を用いて形成する。続いて、第１電極層をパラジウムを用いて薄膜形成する。この薄膜はスパッタリング等により形成するため、金属薄膜が接続孔内の側面にも付着し、第３電極層と第１電極層との導通が得られることになる。
【００１６】
本発明の太陽電池は、図２（Ｃ）のように構成され、第１電極１６と第２電極２６との間に電位が発生し、第１の接続孔１４間の距離において１単位のセル（ＵＣ）を構成している。この単位セルを連続して形成し次の単位セルに直列接続することにより高電圧が得られる。
以上は、基材裏面に第３電極を設ける実施形態について記載したが、本発明はかかる実施形態に限らず第１電極と第２電極からなる一般的な太陽電池単位セルを直列接続する形態において第１電極をパターン形成されたパラジウムによる電極とした形態であっても良い。
【００１７】
次に、本発明の薄膜太陽電池の形成方法の一例について説明する。本発明の薄膜太陽電池は各種の態様が可能であるが、絶縁性基材１１上に、基材表面側の第１電極１６、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０、透明な第２電極層２６を順次積層して形成され、基材裏面側には第３電極１２が形成される例について説明する。
図３〜図９は、本発明の薄膜太陽電池の形成法の一例を示す図である。
まず、図３のように、基材１１の表裏に第１電極層１６と第３電極層３６を形成するが、最初にまず、第２接続孔１５をパンチング等により基材１１の第２電極層２６を形成しない側縁部に形成し、その後、第３電極層３６を基材にスパッタリング等により薄膜形成する。前記のように、第３電極層３６は分離線１９が形成されるようにマスクを使用してパターン成膜する。続いて、第１電極層をパラジウムを使用してスパッタリング等により薄膜形成する。その後、第１電極面側からパンチング等により第１接続孔１４を穿孔する。第１電極層形成の際、パラジウムは第２接続孔の内側面にも付着するので、第３電極層と第１電極層とが電気的に接続されることになる。もっとも当該接続孔内には、第３電極層形成の際にも孔内側面に付着するが、図３では省略して図示されている。
【００１８】
次に、図４のように第１電極層１６上にａ−Ｓｉ：Ｈ層２０、透明な第２電極層２６を順次薄膜形成する。その際、ａ−Ｓｉ：Ｈ層材料は第１接続孔内側面にも付着するため第１電極層１６の側面を覆い、第３電極層と第２電極層を接続する際の絶縁層としての役割を果たすことになる。次に、第２電極層２６を薄膜形成すると第２電極層材料は第１接続孔１４の内側面にも付着して、第３電極層３６に達するので第１電極層１６を絶縁した状態で第２電極と第３電極とを電気的に接続することになる。
【００１９】
ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０は、３層（ｎ型、ｉ型、ｐ型層）のａ−Ｓｉ：Ｈ層をＣＶＤ法等により順次堆積する。この３層のａ−Ｓｉ：Ｈ層は、連続した薄膜として形成すればよいので、マスク等を使用する必要はない。
ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０の形成は各種の方法が知られているが、多用される方法はシランガス（ＳｉＨ4 ）を真空炉中に導入し、電界を印加しプラズマ放電することにより基材上にａ−Ｓｉ：Ｈ薄膜を形成する方法がある。このとき、シランガスに不純物を添加しない場合はｉ型層が、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を不純物として添加するとｐ型層が、フォスヒン（ＰＨ3 ）を添加するとｎ型層を形成することができる。すなわち、ガスの切替えによって、ｎ・ｉ・ｐ型層の接合を形成できる。このようにｎ・ｉ・ｐ型はガスの切替えだけで１つの反応層で形成することができるが、各層を分離した反応室で行うラインで連続的に形成することもできる。この場合には残留不純物が悪影響を及ぼすことが少ない効果がある。
なお、図４では、ａ−Ｓｉ：Ｈ層は一つの層に図示されているが実際には前記の３層になっている。
【００２０】
続いて、第２の電極層２６を透明な導電性材料で形成する。第２電極層２６もパターン形成する必要はなく、基材上に連続状に形成する。薄膜形成は、スパッタリングや電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、イオンプレーティング等で形成することができる。
【００２１】
第２電極層２６を形成した後、光電変換層を単位のセルに分離するための分離線１８を形成する（図５）。これには図５のように、熱印加を行うことができる手段、例えば、サーマルヘッドや熱ワイヤ、レーザー光線を当該分離予定部に沿って走行させる。これによりａ−Ｓｉ：Ｈ層の水素（Ｈ）が解離してパラジウム層中に拡散する（図６、図７）。水素が拡散する結果、パラジウム金属の格子間距離が開きパラウム層１６が脆弱化して基材１１から剥離しやすくなり、軽い振動や払拭により簡単に基材１１から剥離する。この際、当該電極層上のａ−Ｓｉ：Ｈ層２０、第２電極層２６も一緒に剥離するので単位セル間を分離する分離線１８を形成することができる（図８）。最後に、パッシベーション膜３２を全面に形成して薄膜太陽電池が完成する（図９）。
【００２２】
図１０は、アモルファスシリコン層を示す図である。この部分が光起電力層となる部分で、基材側からｎ型アモルファスシリコン層２０ｎ、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉ、ｐ型アモルファスシリコン層２０ｐが積層されている。太陽光は透明な第２電極層を透過して光子が吸収され、一対の電子と正孔ができるが、シリコン層内部に存在する電界によって電子はｎ型へ、正孔はｐ型へ移動するため、ｎ型からｐ型へ向かう電流が生じる。この電流を外部へとり出して利用する。
【００２３】
＜材質に関する実施例＞
絶縁性基材としては、絶縁性プラスチックフィルムが好ましく用いられ、なかでも耐熱性、耐候性の高い、ポリイミド、アラミド、ポリエーテルサルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のフィルムが好ましい。これらの材質のフィルムであって厚みが、２０μｍ〜１．０ｍｍ程度のものが好ましく使用される。
第１電極層の材料としては、パラジウムの他、水素吸蔵性のある金属または合金であって導電性のものを使用することができる。
第２電極層としては、太陽光を透過させる透明性のもので導電性の材料が使用できる。一般的にはＩｎ2 Ｏ2 −ＳｎＯ2 （ＩＴＯ）が使用され、その他ＺｎＯ、ＳｎＯ2 等が使用される。
第３電極層としては、ニッケルの他、アルミニウム、銀、銅等の導電性金属を使用することができる。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について、図３〜図１０を参照して説明する。
＜導電性基材の準備＞
絶縁性基材１１として、幅１０ｃｍ、厚み、０．５ｍｍのポリイミドフィルムを用いた。最初、基材に第２接続孔１５となる細孔を、２ｍｍの孔径で形成した。次に、基材裏面にスパッタリング法により、金属ニッケルによる薄層をパターン成膜し、基材裏面側第３電極層３６とした。膜厚は５００Åとした。その後、基材表面にパラジウム金属による第１電極層１６をスパッタリング法により成膜した。膜厚は５００Åとした。その後、第１電極層側から第１接続孔１４となる細孔を、２ｍｍの孔径で形成した（図３）。
【００２５】
各成膜条件は次のとおりである。
＜第３電極層形成＞
▲１▼（スパッタ条件）
成膜温度      ：  ３００°Ｃ
スパッタ圧力  ：  ５ｍＴｏｒｒ
ＤＣパワー    ：  ２．５ｋｗ
Ａｒ流量      ：  １００ｓｃｃｍ
堆積速度      ：  １０Å／ｓｅｃ
（パターニング）
パターン形成法：  マスクデポジション法
マスクパターン形状：  ストライプ状（ラインアンドスペース）
（図１の形状において分離線１９間１００ｍｍ、分離線幅２０ｍｍ）
＜第１電極層形成＞
▲１▼（スパッタ条件）
成膜温度      ：  ３００°Ｃ
スパッタ圧力  ：  ５ｍＴｏｒｒ
ＤＣパワー    ：  ２．０ｋｗ
Ａｒ流量      ：  １００ｓｃｃｍ
堆積速度      ：  ８Å／ｓｅｃ
【００２６】
その後、基材を真空炉中に導入して、ＣＶＤ法により、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０を第１電極層であるパラジウム金属層上に積層して形成した。ａ−Ｓｉ：Ｈ層は、基板側から最初に、▲１▼Ｐ（燐）ドープによるｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）層を形成し、▲２▼ノンドープのｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）層を形成し、最後に、▲３▼Ｂ（ほう素）ドープによるｐ型のａ−Ｓｉ：Ｈ（ｐ）層を形成することにより行った（図４）。
【００２７】
各成膜条件は次のとおりである。
▲１▼（Ｐドープａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ層）成膜条件）
成膜温度  ：  ３００°Ｃ
ａ−Ｓｉ：Ｈ／Ｈ2 ／ＰＨ3 流量
：  １０ｓｃｃｍ／３０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ
成膜圧力  ：  ５０ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー：  ５０Ｗ
堆積速度  ：  １０Å／ｓｅｃ
膜    厚  ：  ５００Å
▲２▼（ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ層）成膜条件）
成膜温度  ：  ３００°Ｃ
ａ−Ｓｉ：Ｈ／Ｈ2 流量：１０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ
成膜圧力  ：  ５０ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー：  ５０Ｗ
堆積速度  ：  １０Å／ｓｅｃ
膜    厚  ：  ３０００Å
▲３▼（Ｂ2 Ｈ6 ドープａ−Ｓｉ：Ｈ（ｐ層）成膜条件）
成膜温度  ：  ３００°Ｃ
ａ−Ｓｉ：Ｈ／Ｈ2 流量／Ｂ2 Ｈ6 
：  １０ｓｃｃｍ／３０ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ
成膜圧力  ：  ５０ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー：  ５０Ｗ
堆積速度  ：  １０Å／ｓｅｃ
膜    厚  ：  ３００Å
【００２８】
＜第２電極層形成＞
ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０上に、ＩＴＯによる透明な第２電極層２６を反応性スパッタリング法により全面に形成した。成膜条件は以下のとおりである。
（スパッタ条件）
ターゲット：  Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 焼結ターゲット
（ＳｎＯ2 ：１０ｗｔ％）
成膜温度  ：  ２５０°Ｃ
成膜圧力  ：  ５ｍＴｏｒｒ
ＤＣパワー：  ２．０ｋＷ
Ａｒ／Ｏ2 流量：１００ｓｃｃｍ／３ｓｃｃｍ
堆積速度  ：  １０Å／ｓｅｃ
膜    厚  ：  １０００Å
【００２９】
＜パターン形成＞
パラジウム金属第１電極層、ａ−Ｓｉ：Ｈ層、透明第２電極層に対して以下のようにパターン形成を行った（図５、図６、図７、図８）。
赤熱したニクロム線（φ：０．５ｍｍ）を第２電極層（ＩＴＯ）の表面に接触させると、第１電極層のパラジウム金属は、微細な細片となって、ポリイミドフィルム基材上に浮上し、軽い振動を与えると（またはブラシで払拭すると）当該層上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ層、第２電極層とともに剥離した。これにより分離線１８により単位セルに分離された薄膜太陽電池とすることができた。
【００３０】
＜ＳＮX 膜の形成＞
最後にパッシベーション膜３２としてＣＶＤ法による真空成膜法によりＳＮX 膜を形成して薄膜太陽電池を完成した（図９）。なお、成膜条件は以下のとおりである。
（パッシベーション膜成膜条件）
成膜温度  ：  ２５０°Ｃ
ａ−Ｓｉ：Ｈ／Ｎ2 ／ＮＨ3 流量
：  ３０ｓｃｃｍ／５００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ
成膜圧力  ：  ３０ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー：  ２５０Ｗ
堆積速度  ：  ２５Å／ｓｅｃ
膜    厚  ：  ５００Å
【００３１】
図１０は、アモルファスシリコン層を示す図である。この部分が光電変換層となる部分で、基板側からｎ型アモルファスシリコン層２０ｎ、ｉ型アモルファスシリコン層２０ｉ、ｐ型アモルファスシリコン層２０ｐが積層されている。太陽光は透明導電膜を透過して光子が吸収され、一対の電子と正孔ができるが、シリコン基板内部に存在する電界によって電子はｎ型へ、正孔はｐ型へ移動するため、ｎ型からｐ型へ向かう電流が生じる。この電流を外部にとり出して利用する。
【００３２】
上記で作製された薄膜太陽電池にＡＭ−１（赤道上での太陽輻射スペクトルを再現した標準光源）を照射したところ、初期における太陽電池変換効率は８％であった。
【００３３】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明の形成法によれば、化学エッチングやレーザーパターニングのプロセスを必要としないでパラジウムの特性を利用して薄膜のパターン形成が容易になり、工程数が大幅に削減され、設備投資、生産コスト、歩留りが改善され、太陽電池のコストの低減に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の薄膜太陽電池の一例を示す平面図である。
【図２】  本発明の薄膜太陽電池を示す断面図である。
【図３】  本発明の薄膜太陽電池形成の第１工程を示す図である。
【図４】  本発明の薄膜太陽電池形成の第２工程を示す図である。
【図５】  本発明の薄膜太陽電池形成の第３工程を示す図である。
【図６】  本発明の薄膜太陽電池形成の第４工程を示す図である。
【図７】  本発明の薄膜太陽電池形成の第５工程を示す図である。
【図８】  本発明の薄膜太陽電池形成の第６工程を示す図である。
【図９】  本発明の薄膜太陽電池形成の第７工程を示す図である。
【図１０】  アモルファスシリコン層を示す図である。
【図１１】  薄膜太陽電池形成の従来工程を示す図である。
【符号の説明】
１１    基材
１４    第１接続孔
１５    第２接続孔
１６    第１電極層
１８    分離線
１９    分離線
２０    アモルファスシリコン層
２６    第２電極層
３２    パッシベーション膜
３６    第３電極層
４１    基材
４２    電極層
４３    レジスト膜
４４    アモルファスシリコン層
４５    透明導電膜
４６    パッシベーション膜
【図１】
0004220014.tif 000002
【図２】
0004220014.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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