(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に、被処理体の配置部と、該被処理体に対する加熱手段とが配置され、上記チャンバーの上記被処理体の配置面との対向部にシャワーヘッド部が配置される加熱を伴う処理装置であって、
上記シャワーヘッド部は、シャワーヘッド本体とシャワーヘッド蓋体とを有し、
上記シャワーヘッド本体は、上記被処理体の配置面との対向部に貫通して配置され、上記チャンバー内に開口する中空部を有して成り、
上記シャワーヘッド蓋体は、多数の透孔が穿設され、上記シャワーヘッド本体の上記開口部に装着されて成り
上記シャワーヘッド蓋体が、その外周縁部において上記シャワーヘッド本体の開口部の端面に肉薄のスペーサ部材を介して熱的に密に取着される構成としたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
上記シャワーヘッド本体には、温度制御手段が設けられて成ることを特徴とする請求項１に記載の熱処理を伴う処理装置。
【請求項３】
上記スペーサ部材は、薄膜体によって構成されたことを特徴とする請求項１に記載の加熱を伴う処理装置。
【請求項４】
上記スペーサ部材が、上記シャワーヘッド蓋体および上記シャワーヘッド本体の熱膨張率に近い材料によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理を伴う処理装置。
【請求項５】
上記シャワーヘッド本体と、上記シャワーヘッド蓋体と、上記スペーサが、共にアルミニウムより成ることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体装置の製造において半導体ウエーハを所要の温度に加熱させて各種処理、例えばタングステン（Ｗ）等の金属膜をＣＶＤ（化学的気相成長）によって成膜するＣＶＤ装置等に適用して好適な熱処理を伴う処理装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体集積回路等の半導体装置の製造において用いられる例えば半導体ウエーハに金属膜例えばタングステン金属を成膜するＣＶＤ処理装置にあっては、半導体ウエーハが大径化され、しかも半導体素子の微細化に伴い、半導体ウエーハの周縁部の無効領域を除く全域において均一に目的とする成膜が行いやすい枚葉式による処理装置が用いられる。
【０００３】
このような枚葉式処理装置においては、その処理を行うチャンバー内に、１枚の被処理体、例えば半導体ウエーハが配置され、この被処理体を加熱する手段が設けられる。
一方、被処理体に対向して、この被処理体に全面的に均一に処理ガスを接触させるようにガス供給を行うためのシャワーヘッドが、被処理体の配置面に対向して配置される。
【０００４】
図７は、そのシャワーヘッド部１の、概略断面図を示す。このシャワーヘッド部１は、チャンバー（図示せず）の天井部に貫通するように設けられるシャワーヘッド本体２を有して成る。このシャワーヘッド本体２は、被処理体（図示せず）に向かって開口する開口部３を有する中空部４を有し、この中空部４に、外部から処理ガスを供給するガス供給口５が設けられる。
シャワーヘッド本体２の開口部３には、多数の透孔６が穿設されたシャワーヘッド蓋体７が取着され、処理ガスがこれら透孔６を通じて噴出されて被処理体の全域に渡って送給されるようになされる。
【０００５】
このシャワーヘッド部１においては、目的とする処理が、安定して行われるように、冷却手段が設けられる。この冷却手段は、例えばシャワーヘッド本体２に設けた流体循環路８が設けられ、例えば冷水、温水等を循環させる構成とされる。
【０００６】
ところが、このシャワーヘッド部１において、そのシャワーヘッド蓋体７は、チャンバー内の被処理体の配置部すなわち加熱部に対向配置されることから、このシャワーヘッド蓋体７は、加熱部からの輻射熱によって温度上昇し、シャワーヘッド蓋体７が熱膨張する。すなわち、シャワーヘッド蓋体７に、加熱部の加熱状態、停止状態の繰り返しに応じて熱膨張、収縮が繰り返される。このため、シャワーヘッド蓋体７をシャワーヘッド本体２に密着させた状態で取着させる場合、シャワーヘッド蓋体７の膨張、収縮に応じて、シャワーヘッド本体２との間に擦れが生じ、ごみ発生を来す。
【０００７】
そこで、通常、図８に示すようにシャワーヘッド蓋体７のシャワーヘッド本体２への取着部の概略断面図を示すように、シャワーヘッド蓋体７をシャワーヘッド本体にボルト９によって取り付ける構造において、シャワーヘッド蓋体７に穿設したボルト挿通孔１１に、この挿通孔１１とボルト９との間に、ボルト９の頭部１０と衝合する小径部１３を有するカラー１２を挿入し、その小径部の長さを選定することによって、シャワーヘッド蓋体７とシャワーヘッド本体２との間に例えば０．１５ｍｍ〜０．２２ｍｍ程度の所要の間隙１４が生じるようにして、両者が直接接触して擦れ合うことを回避するようにしている。
【０００８】
ところが、このような構成とする場合、シャワーヘッド蓋体７のシャワーヘッド本体２との熱的結合が低下することによって、シャワーヘッド蓋体７が、上述した加熱部からの輻射熱による温度上昇が生じやすくなって、被処理体への供給ガスの温度が不安定になるとか、例えばＣＶＤ成膜処理を行う場合において、このシャワーヘッド蓋体７の温度上昇によって、このシャワーヘッド蓋体７にＣＶＤ成膜が生じてしまい、この成膜処理の繰り返し作業において、シャワーヘッド蓋体に生じた成膜が剥離して、いわゆるパーティクルの発生を来し、これが被処理体に付着して特性の低下、歩留りの低下を来す原因となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、シャワーヘッド本体に対して熱的に密にシャワーヘッド蓋体を結合させて安定化を図り、しかも両者間の擦れによるゴミの発生を回避することができるようにして、パーティクルの発生、したがって、目的とする製品における特性の低下、歩留りの低下を回避するようにした熱処理を伴う処理装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理体に対する処理を行うチャンバー内に、少なくとも被処理体の配置部と、この被処理体に対する加熱手段とが配置され、上記チャンバーの上記被処理体の配置面との対向部にシャワーヘッド部が配置される加熱を伴う処理装置であって、そのシャワーヘッド部は、シャワーヘッド本体とシャワーヘッド蓋体とを有して成る。
【００１１】
シャワーヘッド本体は、被処理体の配置面との対向部に貫通して配置され、チャンバー内に開口する中空部を有する構成とされる。
シャワーヘッド蓋体は、多数の透孔が穿設され、このシャワーヘッド蓋体は、シャワーヘッド本体の開口部の端面に肉薄、具体的には、シャワーヘッド本体や、シャワーヘッド蓋体に比して充分薄いスペーサ部材を介して熱的に密に取着される構成とするものである。
【００１２】
このように、本発明においては、シャワーヘッド蓋体をシャワーヘッド本体に直接取着する構成を回避して、スペーサ部材を介在させて取り付ける構造とするものであり、このような構成とすることによって、シャワーヘッド蓋体をシャワーヘッド本体に直接取着する構成とする場合に比し、両者間の擦れによるゴミすなわちパーティクルの発生を効果的に回避できた。これは、シャワーヘッド蓋体とシャワーヘッド本体といういわばバルク同士の直接的接触を回避したことによって、これら大型構造部同士の擦れによる場合は、ゴミが発生し易くなるに比し、これらに比し肉薄、すなわち形状変化が生じ易い柔軟性に富むスペーサ部材を介在させた場合、シャワーヘッド本体の端面とシャワーヘッド蓋体との擦れが緩和されてゴミの発生が抑制されるものと考えられる。
そして、この場合、シャワーヘッド本体の端面と、シャワーヘッド蓋体との間は、スペーサ部材の介在によって従来構造における間隙の介在を回避したことから、両者の熱的結合は密となり、シャワーヘッド蓋体を、シャワーヘッド本体と同程度の所要の一定温度に保持でき、安定した目的とした処理がなされ、かつ例えばシャワーヘッド蓋体に成膜が生じるなども回避することができるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明による熱処理を伴う処理装置の一実施形態を説明する。この実施形態においては、被処理体として半導体ウエーハに対する金属成膜例えばタングステン成膜を行うＣＶＤ装置に適用し得るもので、図１は、この本発明装置の一例の概略断面図を示すものであるが、本発明は、この実施形態およびこの例に限定されるものではない。
【００１４】
本発明装置においては、チャンバー２１が設けられる。
このチャンバー２１内には、被処理体２２この例では半導体ウエーハが、例えば水平面に配置される配置部２３（いわゆるサセプタ）と、被処理体２２を加熱する加熱手段２４とが設けられる。
【００１５】
また、チャンバー２１の、被処理体２２の配置面との対向部、すなわちこの例では、チャンバー２１の天井部に、シャワーヘッド部２５が配置される。
シャワーヘッド部２５は、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７とを有して成る。
シャワーヘッド本体２６は、被処理体２２の配置面との対向部に貫通して配置され、チャンバー２１内に開口する中空部２８を有する構成とされる。
シャワーヘッド蓋体２７は、ガス噴出孔となる例えば直径１ｍｍ程度の多数の透孔２９が穿設された板状体より成り、このシャワーヘッド蓋体２７は、シャワーヘッド本体２６の中空部２８のチャンバー２１内に対する開口部の端面に、スペーサ部材３０を介して熱的に密に取着される。
【００１６】
チャンバー２１は、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウム（Ａｌ）等より成る例えば円筒状、あるいは箱状に構成される。
チャンバー２１の天井部には、開口３１が形成され、この開口３１にシャワーヘッド部２５のシャワーヘッド本体２６が嵌合装着される。
シャワーヘッド本体２６は、中空部２８を有する例えば厚さ３０ｍｍ程度のＡｌより成る中空体によって構成され、この中空部２８の上端に、ガス供給口３２が形成される。
また、シャワーヘッド本体２６には、チャンバー２１の開口３１の周辺外面に突出するフランジ部３３が形成され、このフランジ部３３と、チャンバー２１の開口３１の周辺外面との間に、例えばリング状の板状のスペーサ３４が介在させて気密性を保持する。
【００１７】
また、シャワーヘッド本体２６には、温度制御手段３５が形成される。この温度制御手段３５は、例えばシャワーヘッド本体２６の中空部２８の周囲の筒状部に、流体循環路を有し、これに所要の温度制御がなされた流体例えば例えば５０℃とされた水を循環させてシャワーヘッド本体２６を所定の温度に保持するようになされる。
【００１８】
シャワーヘッド本体２６の中空部２８内には、後述するように、ガス供給口３２から供給されるガスをシャワーヘッド蓋体２７の全域に向かって均一に拡散させる多数の拡散孔３６が形成された拡散板３７が配置される。
【００１９】
シャワーヘッド本体２６の開口端面に対し、上述したようにシャワーヘッド蓋体２７が着脱自在に取着される。
このシャワーヘッド蓋体２７は、シャワーヘッド本体２６と同一材料の、例えばＡｌによって構成される。
シャワーヘッド蓋体２７の取着は、図２にその要部の断面図を示し、図３にその分解断面図を示すように、ねじどめ機構によって着脱可能に取着する。例えば中間部に大径部４１が形成された止めねじ部材３８を、図４にシャワーヘッド部２５のチャンバー２１の内側からみた正面図を示すように、シャワーヘッド部２５の中心軸に対して等角間隔を保持して複数、例えば４ヵ所に形成したねじ穴４０にそれぞれ止めネジ部材３８を、その各大径部４１と、シャワーヘッド本体２６のシャワーヘッド蓋体２７の配置側の端面３９との間にスペーサ部材３０をそれぞれ挟み込んで螺入する。
【００２０】
この止めねじ部材３８は、シャワーヘッド本体２６やシャワーヘッド蓋体２７を構成するＡｌより硬く耐蝕性にすぐれた金属例えばニッケルクロム合金、例えばインコネル、ハステロイ（いずれも商品名）によって構成される。
【００２１】
スペーサ部材３０は、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７とにその熱膨張が近似ないしは一致する材料、この例では、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７がそれぞれＡｌによって構成されることからＡｌ薄板によって構成する。
このスペーサ部材３０は、例えば図５にその一例の平面図を示すように、止めねじ部材３８を挿通する透孔４２が中心部に穿設され、各辺が２ｃｍ、厚さ１００μｍの薄板によって構成することができる。
そして、この透孔４２の内径は、上述したように止めねじ部材３８の先端部を挿通することができ、しかも大径部４１を挿通し得ない大きさに選定される。
【００２２】
一方、各ねじ穴４０に対応して、シャワーヘッド蓋体２７に止めねじ部材３８を挿通する貫通孔４３が穿設される。
この貫通孔４３の、シャワーヘッド本体２６側の端部に、貫通孔４３の中心軸に向かって突出形成されたフランジ部４４が、シャワーヘッド蓋体２７と一体に形成される。
【００２３】
そして、各貫通孔４３内において、それぞれ止めねじ部材３８にナット４５を、このナット４５とフランジ部４４との間に座金４６およびスプリングワッシャ４７を介して螺合して締めつける。
このようにして、スペーサ部材３０を、シャワーヘッド本体２６の端面３９とこれに対向するシャワーヘッド蓋体２７との間に挟み込んで、このスペーサ部材３０によってシャワーヘッド本体２６の端面３９とシャワーヘッド蓋体２７との間を、密着して熱的に密に結合する。
【００２４】
貫通孔４３のフランジ部４４は、その厚さを、シャワーヘッド蓋体２７の中心側の一半部で肉厚にし、これとは反対側の外周側の一半部で肉薄に形成することによってこの外周側においてスペーサ部材３０とフランジ部４４との間に間隙４８を形成することができる。
【００２５】
また、シャワーヘッド蓋体２７の外周部には、シャワーヘッド本体２６の外周面に対向する周壁面４９が形成された構成とすることができる。
【００２６】
また、チャンバー２１内に、図１に示すように、例えばチャンバー２１の底部より起立させた支柱５０上に、例えば断面Ｌ字状の保持部材５１を介して被処理体２２としての半導体ウエハＷを載置する載置台を有する被処理体の配置部２３が設けられる。
これら支柱５０および保持部材５１は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成され、また、配置部２３の載置台は、例えばカーボン素材、アルミ化合物等により構成される。
【００２７】
配置部２３の載置台の下方には、複数本、例えば３本のリフタピン５２が、載置台の中心軸に対して等角間隔を保持して配置される。これらリフタピン５２はリフタピン支持部材５３の先端に配置されて、配置部２３に向かって上方へ起立させて設けられる。
これらリフタピン支持部材５３は、操作杆５４に連結される。この操作杆５４は、配置部２３の載置台の被処理体２２の配置面に対してほぼ直交する方向に延長してチャンバー２１の底部を貫通するように、かつその軸方向に移動可能に構成される。そして、この操作杆５４の軸方向移動によって、リフタピン５２が、配置部２３の載置台に穿設したリフタピン５２の貫通孔５５通じて載置台の上面に対して進退昇降することができるようになされる。
操作杆５４のチャンバー２１の底部からの導出部は、チャンバー２１の内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ５６を介して、操作杆５４の軸方向移動を行うアクチュエータ５７に接続される。
【００２８】
一方、配置部２３の載置台の周縁部には、被処理体２２例えば半導体ウエーハ周縁部を保持して、このウエーハを載置台に向かって押圧固定するリング状の例えばセラミックより成るクランプリング５８が設けられる。
このクランプリング５８は、保持部材５１を遊嵌状態で貫通した支持杆５９を介してリフタピン支持部材５３に連結されており、リフタピン５２と一体的に移行すなわち昇降するようになされる。
【００２９】
支持杆５９には、保持部材５１とリフタピン支持部材５３との間において、例えばコイルばね６０が介設されて、クランプリング５８およびリフタピン５２に係わる操作杆５４の、図においては、降下を助成するようになすと共に、被処理体２２のクランプリング５８によるクランプ動作を弾性的に確実に行うことができるようにする。
また、これらのリフタピン５２、リフタピン支持部材５３および保持部材５１についても石英等の熱線透過材によって構成される。
【００３０】
更に、被処理体２２の配置部２３の直下のチャンバー２１の底部には、加熱手段２４が配置される加熱室６１が設けられる。この加熱室６１には、熱線透過材料の例えば石英板によって構成される透過窓６２が気密的に設けられこの透過窓を通じて被処理体２２が加熱するようになされる。
【００３１】
加熱手段２４は、例えば複数の加熱ランプによって構成され、これら加熱ランプが、反射鏡を兼ねる回転台６３上に配置される。
この回転台６３は、回転モータ６４により回転駆動するようになされ、加熱手段２４の加熱ランプからの熱線が、透過窓６１を透過し、配置部下面を照射してこれを加熱することができるようになされている。
【００３２】
一方、被処理体の配置部２３、すなわち被処理体２２の載置台の外周部には、複数の整流孔６５を有するリング状の整流板６６が、支持コラム６７によって支持されて設けらる。
整流板６６の内周部には、クランプリング５８の外周部と接触するように配置され、シャワーヘッド部２５からの供給ガスが被処理体２２の配置部２３より後方（下方）に流れることを阻止するリング状の例えば石英より成るアタッチメント６８が設けられる。
【００３３】
また、整流板６６の下方の底部には排気口６９が設けられ、この排気口６９には図示しない真空ポンプに接続された排気路７０が連結されて、チャンバー２１内を所定の真空度に維持し得るようになされる。
更に、チャンバー２１の側壁には、ゲートバルブ７１を介して被処理体２２を搬出入するロードロック室７２が連結される。
【００３４】
次に、上述の構成による処理装置による処理動作について説明する。
被処理体２２に対する処理作業、例えば半導体ウエーハによる被処理体２２に対する処理、例えばタングステン成膜を行う場合、例えば１ロット２５枚のウエーハに関し、それぞれチャンバー２１を有する複数台例えば３台の処理装置（図示せず）によって毎葉処理を順次行う方法が採られる。この場合、処理がなされない状態にある処理装置においても、加熱手段２４における加熱ランプは通電動作状態に保持されている。
【００３５】
まず、ゲートバルブ７１を開いてロードロック室７２から、図示しない搬送アームによりチャンバー２１内に被処理体２２の例えば半導体ウエーハを搬入し、アクチュエータ５７の動作によって操作杆５４を、上昇移行してリフタピン５２を押し上げて、このリフタピン５２上に被処理体２２を載せる。
次に、リフタピン５２を、操作杆５４の移行によって降下させ、被処理体２２を配置部２３の載置台上に載置する。このときこの操作杆５４の移行によってクランプリング５８が降下し、被処理体２２の外周部をこのクランプリング５８と配置部２３の載置台との間にクランプして被処理体２２をその載置台上に固定する。
【００３６】
この状態で、加熱手段２４の加熱ランプにより被処理体２２の例えば上述した半導体ウエーハを所定の温度に加熱維持しつつ、所要の処理ガスを、シャワーヘッド部２５によってチャンバー２１内に導入し、所定の熱処理を行なう。
このとき、チャンバー２１内の雰囲気は真空排気され、所定のプロセス圧力に維持されている。
シャワーヘッド部２５においては、ガス供給口３２から導入された処理ガスが、シャワーヘッド本体２６の拡散板３７の拡散孔３６を通過しつつ拡散され、最終的にシャワーヘッド蓋体２７に設けた多数の透孔２９からガス噴出がなされ、被処理体２２のウエーハの表面に均一に供給され、被処理体２２に対する処理、例えばブランケットタングステン成膜がなされる。
【００３７】
この成膜処理において、最初の被処理体２２に対する処理を行う状態では、それ以前において、すなわちチャンバー２１がフリーの状態では、加熱手段２４における加熱ランプが動作状態のままにあることから、その輻射熱が、シャワーヘッド蓋体２７に照射され、シャワーヘッド蓋体２７は温度上昇する。
しかしながら、本発明構成によれば、このシャワーヘッド蓋体２７は、上述したように、例えば４個のスペーサ部材３０の介在によって、２００ｍｍ2 程度以上の面積をもってシャワーヘッド本体２６と熱的に密に結合していることから、温度制御手段３５によって冷却されているシャワーヘッド本体２６によって所定の温度に保持されることになって、例えば９０℃以下の状態とすることができた。
【００３８】
このように９０℃以下の温度では、上述した例えばタングステンのＣＶＤ成膜は発生しないことから、供給口３２からタングステン成膜ガスを供給して、シャワーヘッド蓋体２７からガス噴出を行っても、すなわちこのシャワーヘッド蓋体２７にタングステン成膜ガスが接触しても、このシャワーヘッド蓋体２７にタングステン成膜が生じることがない。
【００３９】
図６は、本発明装置と、従来装置におけるシャワーヘッド蓋体２７の温度変化を示したもので、本発明装置においては、第１枚目の被処理体２２に対する処理を開始する時点でのシャワーヘッド蓋体２７における温度は、プロット点ａ1 で示すように、９０℃以下の８８℃程度の低い温度となった。そして、被処理体に対する処理枚数が増えるにつれ、温度制御の働きと被処理体における輻射熱の吸収によってシャワーヘッド蓋体における温度は、低下するが、その温度低下は、処理枚数が５枚に及んだときの温度（プロット点ａ2 ）と、更に上述した１ロットの１／３以上の１０枚目に及んだときの温度（プロット点ａ3 ）とに殆ど差がなく、８０℃程度で安定している。すなわち、本発明装置によるときは、シャワーヘッド蓋体温度は低くでき、しかも被処理体の枚数に対する依存性は、小さい。
【００４０】
これに対して、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７との間に、スペーサ部材３０を介在させない構成、すなわち従来構造として、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７との間に０．１５から０．２２ｍｍ程度の隙間が存在している場合、図６に示すように、第１枚目の被処理体２２に対する処理を開始する時点でのシャワーヘッド蓋体における温度は、プロット点ｂ1 で示すように、１２０℃にも及び、そして、被処理体に対する処理枚数が増えるにつれ、著しく温度が低下し、その温度は、処理枚数が５枚に及んだときのプロット点ｂ2 ）、１０枚目に及んだときの温度のプロット点ｂ3 で示すように、９５℃程度にも低下した。
【００４１】
このように、従来構造によるときは、シャワーヘッド蓋体温度が高められることによって、このシャワーヘッド蓋体に対しても例えばタングステン成膜処理と同時に、タングステン成膜が発生し、これが剥離することによってパーティクル発生原因となり、被処理体における成膜の膜質低下を来すとか、製造された半導体装置における特性低下、信頼性の低下、歩留りの低下を来す。更に、その温度変化が著しいことから、目的とする処理が不安定となり、同様に、特性低下、信頼性の低下、歩留りの低下を来す。
【００４２】
これに比し、本発明装置によるときは、シャワーヘッド蓋体における温度の低減化を図ることができることによって、この蓋体に、例えばタングステン成膜処理おいて、シャワーヘッド蓋体における成膜を回避できるので、上述したパーティクルの発生の回避、これに基く成膜の膜質低下を来すとか、製造された例えば半導体装置における特性低下、信頼性の低下、歩留りの低下を効果的に回避でき、更に、その温度変化の縮小が図られたことにより、安定した処理がなされこれによって特性安定化、信頼性の向上、歩留りの向上を図ることができるものである。
【００４３】
尚、上述した例では、ランプ加熱による成膜装置を例にとって説明したが、このような装置例に限定されず、枚葉式の熱処理装置においてシャワーヘッド構造を採用する加熱を伴う処理装置ならばどのような装置にも適用することができ、更に、プラズマ処理装置にも適用できるのは勿論である。また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ（液晶表示）基板、ガラス基板等にも適用できる。
【００４４】
また、上述した例では、１つのスペーサ部材３０が、その一半部において、シャワーヘッド本体２６とシャワーヘッド蓋体２７との間に介在させた構成とした場合で、この場合、４個のスペーサ部材３０の総和で、２００ｍｍ2 の面積をもって接触させた構造とした場合であるが、連続して全体的にリング状としてその面積を３００ｍｍ2 とした場合、図６で説明したプロット点ａ1 の温度を、８３℃に、また、１０枚目のプロット点ａ3 は７９℃となり、低温化と温度変化量の縮小化を図ることができ、上述したと同様の効果が得られた。
【００４５】
また、本発明装置においては、シャワーヘッド蓋体２７をシャワーヘッド本体２６に直接取着する構成を回避して、肉薄のスペーサ部材３０を介在させて取り付ける構造としたことによって、上述したシャワーヘッド蓋体２７からのパーティクルの発生の回避と同時に、従来構造におけるシャワーヘッド蓋体をシャワーヘッド本体に直接取着する構成とする場合に比し、両者の擦れによるゴミすなわちパーティクルの発生を効果的に回避できるものである。
【００４６】
【発明の効果】
上述したように、本発明装置は、熱処理を伴う処理装置において、シャワーヘッド蓋体とシャワーヘッド本体との間に、スペーサ部材を介在させたことにより、両者間の熱的結合を高めたことにより、シャワーヘッド蓋体の温度の設定の安定化を図ることができることから、被処理体に対する処理の安定化を図ることができ、更に、被処理体に対する処理と共に、望まないシャワーヘッド蓋体に対しても同様の処理が進行することを回避できることから、シャワーヘッド蓋体の保全、清掃等が容易となり、その清掃回数、交換回数の減少を図ることができ、被処理体の処理の安定化、すなわち歩留りの向上が図られ、更に、シャワーヘッド本体とシャワーヘッド蓋体との間に肉薄のスペーサ部材を介在させたことによって前述したように、シャワーヘッド本体とシャワーヘッド蓋体との間の擦れを回避でき、この擦れによるごみすなわちパーティクルの発生を回避できることから、信頼性の向上、歩留りの向上等を図ることができたことによって、コストの低減化を図ることができるなど、工業的に大きな利益をもたらす効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明装置の一例の概略断面図である。
【図２】本発明装置の一例の要部の概略断面図である。
【図３】本発明装置の一例のシャワーヘッド本体とシャワーヘッド蓋体の分解状態の要部の概略断面図である。
【図４】本発明装置の一例のシャワーヘッド部の内面側からみた正面図である。
【図５】本発明装置の一例のスペーサ部材平面図である。
【図６】本発明装置と従来装置の処理枚数の依存性を示す図である。
【図７】従来装置のシャワーヘッド部の概略断面図である。
【図８】従来装置のシャワーヘッド部要部の概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・シャワーヘッド部、２・・・シャワーヘッド本体、３・・・開口部、４・・・中空部、５・・・ガス供給口、６・・・透孔、７・・・シャワーヘッド蓋体、８・・・流体循環路、９・・・ボルト、１０・・・ボルト頂部、１１・・・ボルト挿通孔、１２・・・カラー、１３・・・小径部、１４・・・間隙、２１・・・チャンバー、２２・・・被処理体、２３・・・被処理体の配置部、２４・・・加熱手段、２５・・・シャワーヘッド部、２６・・・シャワーヘッド本体、２７・・・シャワーヘッド蓋体、２８・・・中空体、２９・・・透孔、３０・・・スペーサ部材、３０・・・開口、３２・・・ガス供給口、３３・・・フランジ部、３４・・・スペーサ、３５・・・温度制御手段、３６・・・拡散孔、３７・・・拡散板、３８・・・止めねじ部材、３９・・・端面、４０・・・ねじ穴、４１・・・大径部、４２・・・透孔、４３・・・貫通孔、４４・・・フランジ部、４５・・・ナット、４６・・・座金、４７・・・スプリングワッシャー、４８・・・間隙、４９・・・周壁面、５０・・・支柱、５１・・・保持部材、５２・・・リフタピン、５３・・・リフタピン支持部材、５４・・・操作杆、５５・・・リフタピン貫通孔、５６・・・ベローズ、５７・・・アクチュエータ、５８・・・クランプリング、５９・・・支持杆、６０・・・コイル、６１・・・加熱室、６２・・・透過窓、６３・・・回転台、６４・・・回転モ１タ、６５・・・整流孔、６６・・・整流板、６７・・・支持コラム、６８・・・アタッチメント、６９・・・排気口、７０・・・排気路、７１・・・ゲートバルブ、７２・・・ロードロック室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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