(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光線の照射により酸を発生する化合物、架橋剤及び溶剤を含有するレジスト組成物であって、活性光線の照射により酸を発生する化合物として、最大吸光度を示す波長（λｍａｘ）が３００〜４５０ｎｍ、モル吸光係数（ε）が２５０００以上であり、かつ、ε≧（（４００×λｍａｘ）−１２００００）の関係にあるトリアジン構造を有する化合物を用いることを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記架橋剤が、メトキシメチル化尿素樹脂である請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
請求項１又は２記載のレジスト組成物を基板に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する工程、光を３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長の光を照射する工程、現像液により現像する工程を有する逆テーパー形状のパターンを形成する方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載のレジスト組成物を基板に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する工程、光を３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長の光を照射する工程、現像液により現像し、逆テーパー形状のパターンを形成する工程、および発光体を蒸着する工程を有する発光体蒸着膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト組成物およびその利用に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）ディスプレイパネルの製造において、（１）透明基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる複数のストライプ上のパターンを形成して、第一次表示電極（陽極）とし、（２）その上から基板全面にネガ型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、（３）ＩＴＯのストライプ状パターンと直交するストライプ状のフォトマスクを介して露光し、（４）露光後ベークしてから現像して、ストライプ状のネガ型レジストパターンを形成し、（５）この基板上に有機ＥＬ材料（ホール輸送材料と電子輸送材料）を順次蒸着し、（６）さらにその上にアルミニウムなどの金属を蒸着して、有機ＥＬディスプレイパネルを製造する方法が提案されている（特開平８−３１５９８１号公報）。
【０００３】
この有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、ネガ型レジストパターンは、電気絶縁性隔壁の役割を果たしている。そしてこのネガ型レジストパターンの断面が逆テーパー形状（オーバーハング形状）であれば、有機ＥＬ材料を蒸着しても基板と蒸着膜とが独立し、この上に第二表示電極（陰極）となる金属を蒸着しても、第二表示電極同士はネガ型レジストパターンに隔てられるため、電気的に絶縁される。
【０００４】
このような逆テーパー形状パターンを与えるネガ型レジスト組成物として、特開平５−１６５２１８号公報に記載された（Ａ）光線による露光、または露光と引き続く熱処理によって架橋する成分（活性光線の照射により酸を発せする成分と架橋剤との組み合わせなど）、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、及び（Ｃ）露光する光線を吸収する化合物を少なくとも一種含有するレジスト組成物が知られている。
しかし、（Ｃ）露光する光線を吸収する化合物が存在すると感度が低下する傾向にあり、この成分の使用量を出来るだけ少なくすることが望まれていた。また、新たなレジスト組成物を開発するに当たり、露光する光線を吸収する化合物であって、感度低下を起こさないものを選択するには多くの労力が必要であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来技術のもとで、発明者らは、アルカリ可溶性樹脂、活性光線の照射により酸を発生する化合物（以下、ＰＡＧということがある）、架橋剤及び溶剤を含有するレジスト組成物において、ＰＡＧとして特定のものを用いると、露光する光線を吸収する化合物の代わりに機能し、逆テーパー形状パターンが容易に得られることを見いだした。
しかし、発明者らは、露光する光線を吸収する化合物量を減らす代わりに、ＰＡＧの量を増やすとＰＡＧがレジスト組成物の保存中に析出してしまうことを確認した。
そこで発明者らは、更なる研究をした結果、活性光線の照射により酸を発生する化合物として最大吸光度を示す波長λｍａｘとモル吸光係数εとが特定の関係にあるものを用いると、ＰＡＧの析出がなく、保存安定性に優れることを見いだし、本発明を完成するに到った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、アルカリ可溶性樹脂、活性光線の照射により酸を発生する化合物、架橋剤及び溶剤を含有するレジスト組成物であって、活性光線の照射により酸を発生する化合物として、最大吸光度を示す波長（λｍａｘ）が３００〜４５０ｎｍ、モル吸光係数（ε）が２５０００以上であり、かつ、ε≧（（４００×λｍａｘ）−１２００００）の関係にある化合物を用いることを特徴とするレジスト組成物が提供され、また、レジスト組成物を基板に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する工程、光を３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長の光を照射する工程、現像液により現像する工程を有する逆テーパー形状のパターンを形成する方法が提供され、さらに、当該レジスト組成物を基板に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する工程、光を３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長の光を照射する工程、現像液により現像現像し、逆テーパー形状のパターンを形成する工程、および発光体を蒸着する工程を有する発光体蒸着膜形成方法が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
＜アルカリ可溶性フェノール樹脂＞
本発明において、アルカリ可溶性樹脂は、単独でも、あるいは２種類以上を混合して用いることもできる。
アルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物などのアルカリ可溶性フェノール樹脂が好適に用いられる。
【０００８】
ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノール、オルトクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、４−ｔ−ブチルカテコール、２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２−イソプロピルフェノール、３−イソプロピルフェノール、４−イソプロピルフェノール、２−メトキシ−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、チモール、イソチモールなどが例示される。これらのうち、オルトクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノールなどが好ましい例である。これらは単独または２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【０００９】
アルデヒド類の具体例としては、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが例示される。これらのうち、ホルマリン、パラホルムアルデヒド及びヒドロキシベンズアルデヒド類が好ましい。これらの化合物は、単独または２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【００１０】
ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが例示される。これらの化合物は、単独または２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
これらの縮合反応生成物は、常法、例えばフェノール類とアルデヒド類またはケトン類とを酸性触媒存在下で反応させることにより得ることができる。
【００１１】
ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノールの単独重合体およびビニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体から選択されるものであり、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソプロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体である。ビニルフェノールやイソプロペニルフェノールと共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリルやこれらの誘導体などが例示される。共重合体は、周知の方法により得られる。
フェノール樹脂の水素添加反応生成物は、常法、例えば上記のフェノール樹脂を有機溶剤に溶解させ、均一系または不均一系触媒の存在下、水素添加を行うことにより得られるものである。
【００１２】
上述した中でも、特に好ましくはメタクレゾールとパラクレゾールとを併用し、これらとホルムアルデヒド、ホルマリンまたはパラホルムアルデヒドとを縮合反応させたノボラック樹脂を用いると、レジストの感度制御性が期待できる。更にメタクレゾールとパラクレゾールとの併用に際して、両者の樹脂合成時の仕込み重量比は３／７〜７／３好ましくは４／６〜６／４、より好ましくは４／６〜５／５であるのがよい。
アルカリ可溶性フェノール樹脂の単分散ポリスチレン換算重量平均分子量（以下、単に平均分子量という）は、通常１，０００〜５，０００、好ましくは２，０００〜３，５００である。平均分子量が低すぎると露光部の架橋反応が起こっても分子量が上がらないため現像時間中に溶解しやすく、逆に高すぎると未露光部が現像時間中に溶解しやすく、いずれにせよ良好なパターンを形成することが困難である。
【００１３】
分子量や分子量分布を制御する方法としては、樹脂を破砕し、適当な溶解度を持つ有機溶剤で固−液抽出するか、樹脂を良溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下するか、または貧溶剤を滴下して固−液または液−液抽出するなどの方法が挙げられる。
【００１４】
＜活性光線の照射により酸を発生する化合物＞
本発明のレジスト組成物には、上述してきたアルカリ可溶性樹脂とＰＡＧとを含有する。
ここで用いられるＰＡＧは、活性化放射線に露光されるとブレンステッド酸またはルイス酸を発生する物質であり、以下の関係にあるものである。すなわち、最大吸光度を示す波長（λｍａｘ）が３００〜４５０ｎｍであり、モル吸光係数（ε）が２５０００以上、好ましくは３００００以上であり、かつ、ε≧（（４００×λｍａｘ）−１２００００）、好ましくはε≧（（４６０×λｍａｘ）−１４００００）の関係にあるものである。
【００１５】
このような化合物の中でも好適な例としては、ビフェニル−ｓ−トリアジン（λｍａｘ＝３３２ｎｍ、ε＝３２４００）、２−（２−（３−クロロ−４−メトキシフェニル）エテニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン（λｍａｘ＝３７０ｎｍ、ε＝３３０００）、２−（４−（２−ヒドロキシエチルオキシ）フェネチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン（λｍａｘ＝３７７ｎｍ、ε＝３７３００）などのトリアジン構造を有する化合物が挙げられる。特に２−（２−（３−クロロ−４−メトキシフェニル）エテニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンのようなトリアジン構造と−Ｃ＝Ｃ−で表されるエテニル構造と芳香族環構造とを有する共役系トリアジン化合物は、露光波長である３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの範囲にλｍａｘがあるため、少量でも効率よく酸を発生させることができ、保存安定性に優れる点で好ましい。
【００１６】
本発明においてモル吸光係数（ε）は、１．２５×１０−２ｍｇ／ｍｌのエタノール溶液について測定された吸光度を用いて算出される値（ε＝吸光度÷濃度×分子量）である。
【００１７】
このようなＰＡＧの添加量は、アルカリ可溶性樹脂１００部に対して１〜１０重量部、好ましくは３〜８重量部である。ＰＡＧの使用量が前記範囲外であると、保存安定性に劣る傾向がある。
【００１８】
＜架橋剤＞
架橋剤としては、酸、例えば露光によりＰＡＧから生じた酸の存在下で、アルカリ可溶性樹脂を架橋しうる化合物が用いられる。このような架橋剤としては、例えば、アルコキ
シメチル化尿素樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ウロン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂等のアルコキシメチル化アミノ樹脂などの周知な架橋性化合物を挙げることができる。好適なアルコキシメチル化アミノ樹脂の例としては、メトキシメチル化アミノ樹脂、エトキシメチル化アミノ樹脂、ｎ−プロポキシメチル化アミノ樹脂、ｎ−ブトキシメチル化アミノ樹脂等を挙げることができ、好ましくはメトキシメチル化アミノ樹脂であり、特に好ましくはメトキシメチル化尿素樹脂である。本発明において、架橋剤として、メトキシメチル化尿素樹脂を使用すると、解像度が特に優れたネガ型感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
【００１９】
また、好適なアルコキシメチル化アミノ樹脂の市販品としては、ＰＬ−１１７０、ＰＬ−１１７４、ＵＦＲ６５、ＣＹＭＥＬ３００、ＣＹＭＥＬ３０３（以上、三井サイテック社製）、ＢＸ−４０００、ニカラックＭＷ−３０、ＭＸ２９０（以上、三和ケミカル社製）等を挙げることができる。これらの架橋剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。本発明における架橋剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常、３〜６０重量部、好ましくは５〜４０重量部、さらに好ましくは５〜３０重量部である。この場合、架橋剤の配合量が少なすぎると架橋反応を十分進行させることが困難となり、レジストとして、残膜率が低下したり、パターンの膨潤が生じやすくなり、また架橋剤の配合量が多すぎるとレジストとしての解像度が低下する傾向がある。
【００２０】
＜露光する光線を吸収する化合物＞
本発明のレジスト組成物は、露光する光線を吸収する化合物が存在しない場合であっても良好な逆テーパー形状のパターンを与えることができるが、もちろん露光する光線を吸収する化合物を併用することも可能である。露光する光線を吸収する化合物としては、特開平３−２５４４６号公報記載のシアノビニルスチレン系化合物や、特開昭６３−２８６８４３号公報記載の１−シアノ−２−（４−ジアルキルアミノフェニル）エチレン類や特開昭５８−１７４９４１号公報記載のｐ−（ハロゲン置換フェニルアゾ）−ジアルキルアミノベンゼン類、特開昭５５−３６８３８号公報記載の１−アルコキシ−４−（４’−Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノフェニルアゾ）ベンゼン類、特開昭５４−９５６８８号記載のジアルキルアミノ化合物、ニトリル化合物、１，２−ジシアノエチレン、９−シアノアントラセン、９−アントリルメチレンマロノニトリル、Ｎ−エチル−３−カルバゾリルメチレンマロノニトリル、２−（３，３−ジシアノ−２−プロペニリデン）−３−メチル−１，３−チアゾリンなどの他、一般的な染料として市販されているオイルイエロー、オイルピンク、オイルグリーン、オイルブルー、オイルブラック（以上オリエント化学工業株式会社製）、クリスタルバイオレット、メチルバイオレット、ローダミンＢ、マラカイトグリーン、メチレンブルー等を挙げることができる。
露光する光線を吸収する化合物の使用量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し、５重量部以下、好ましくは１重量部以下、より好ましくは０．５重量部以下である。
【００２１】
＜添加剤＞
本発明のレジスト組成物には、ストリエーション防止のための界面活性剤などの一般的なレジスト組成物用添加剤を含ませることができる。
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエテール類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類；ポリエチレングリコールジラウレート、エチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類；エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化成社製）、メガファックス  Ｆ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｆ１７７（大日本インキ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、アサヒガード  ＡＧ７１０、サーフロン  Ｓ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、ＳＣ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０６（旭硝子社製）等のフッ素界面活性剤；オルガノシロキサンポリマー  ＫＰ３４１（信越化学工業社製）；アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業社製）が挙げられる。これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分１００重量部当り、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。
【００２２】
これらの他、本発明のレジスト組成物には、必要に応じて保存安定剤、増感剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させることができる。これらは一般的な半導体製造用レジスト組成物に添加されるもので代用可能である。
【００２３】
＜有機溶媒＞
本発明のレジスト組成物に用いる溶剤は、上述した成分を溶解するものであれば特に制限されない。このような溶剤の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブアセテート類；
【００２４】
プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのジエチレングリコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらは、単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００２５】
＜逆テーパー形状パターンの形成と発光体蒸着膜の形成＞
本発明のレジスト組成物を基板に塗布、乾燥し、レジスト膜を形成する工程、光を３６５ｎｍ〜４３６ｎｍの波長の光を照射する工程、現像液により現像現像し逆テーパー形状のパターンを形成する工程、および発光体を蒸着する工程を経て発光体蒸着膜形成することができる。
【００２６】
本発明で用いる基板は特に制限されないが、有機ＥＬ素子を形成する場合、一般的にはいわゆるＩＴＯ基板を用いる。
レジスト膜を形成する際の乾燥方法は特に制限されず、例えばホットプレートを用いる基板底部から直接加温する方法、オーブンを用いる基板全体を周囲から加温する方法などが挙げられる。
【００２７】
本発明のレジスト組成物を基板上に塗布し、溶剤を除去したのち、所望の絶縁膜を得るためにパターン形成に使用される露光源としては紫外線、遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、Ｘ線、電子線などが挙げられる。レジスト組成物の基板への塗布方法としては、特にスピンコーティングが奨励される。
【００２８】
露光後は、アルカリ現像液によって現像される。現像液としては通常、アルカリ水溶液が用いられ、具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリの水溶液；エチルアミン、プロピルアミンなどの第一アミン類の水溶液；ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第二アミンの水溶液；トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三アミンの水溶液；ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類の水溶液；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウムヒドロキシドの水溶液などが挙げられる。また、必要に応じて、上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶媒、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加することができる。
更に本発明においては、露光した後、発光体蒸着前に、紫外線照射して膜を硬化させることで耐熱性を向上させることも可能である。このときの紫外線照射の照射線量は５〜１０００ｍＷ、好ましくは５〜８００ｍＷである。
【００２９】
上述の方法により得られた絶縁膜に発光体を蒸着させる。この工程において絶縁膜上にも発光体は蒸着されることがある。絶縁膜上に発光体は不要であるが、その除去は必須ではない。
蒸着の方法は特に制限されないが、１０−６Ｔｏｒｒ 程度まで真空状態にし、基板を回転させながら、発光体を加熱し基板に蒸着させる方法が一般的である。
本発明で用いる発光体は、有機ＥＬ化合物であり、例えばＡｒｑ（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（ＩＩＩ））やＮＰＤ（（Ｎ，Ｎ’−ジナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン）などが挙げられる。
【００３０】
【実施例】
以下に合成例、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、各例中の部及び％は、特に断りのない限り重量基準である。
【００３１】
＜実施例１〜３、比較例１、２＞
ｍ−クレゾール４２０部、ｐ−クレゾール２８０部、３７％ホルマリン３５０部をシュウ酸２水和物存在下で脱水縮合して得られた重量平均分子量約３２００のノボラック樹脂１００部、酸発生剤として表１記載の化合物（量は表１記載の通り）、架橋剤として「サイメル３０３」（商品名、三井サイテック社製、ヘキサメチルメトキシメラミン）３．０部、シリコン系界面活性剤「ＫＰ−３４１」（商品名、信越シリコーン社製）０．１部をプロピレングリコールモノエチルアセテート１８０部に溶解させた後、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。このレジスト組成物１ｍｌ中の０．２５μｍ以上の微粒子数を液中微粒子カウンターＫＬ−２０（リオン社製）を使用して測定を行った。微粒子数が３０個未満の場合を◎、３０個以上５０個未満を○、５０個以上１００個以下を△、１００個以上を×と評価した。この結果を表１に示す。
これらレジスト組成物を−５℃で３ヶ月間保存した後、同様にして０．２５μｍ以上の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。
【００３２】
保存試験後のレジスト組成物を、コーターを用いて、ＩＴＯ基板上に塗布した後、９０℃で９０秒間プリベークを行い、膜厚４．０μｍのレジスト膜を形成した。
このウエハをパラレルライトアライナー（ＰＬＡ５０１Ｆ Ｃａｎｏｎ社製）テスト用レクチルを用いて、約２００ｍＪ／ｃｍ３で２分間露光を行った後、１１０℃で６０秒間露光後ベーク（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｉｎｇ）を行った。次に、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間パドル法により現像してパターンを形成した。得られたパターンの断面を走査型電子顕微鏡（日本電子社製「ＪＳＭ−５４００」）により確認した。結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
0004380075.tif 000002
【００３４】
【発明の効果】
ＰＡＧとして最大吸光度を示す波長（λｍａｘ）が３００〜４５０ｎｍ、モル吸光係数（ε）が２５０００以上であり、かつ、ε≧（（４００×λｍａｘ）−１２００００）の関係にあるものを用いると保存安定性に優れた、逆テーパー形状を与えるレジスト組成物が得られる。