(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ（１００）の製造方法であって、
表面を有する基板（２００）を用意する段階；
該表面を覆う一時的な層（２０４）を設ける段階；
前記表面を覆う第１構造（１１５もしくは１１６）を設ける段階；
前記一時的な層を覆う第２構造（１０１）を設け、前記第１および第２構造（１１５もしくは１１６，１０１）間に容量を形成する段階；
前記第１構造（１１５）および前記第２構造（１０１）間に誘電体層を設けて前記容量を増大することによって、前記センサの感度を高める段階；および
前記感度を高める段階の後に、前記一時的な層（２０４）を除去して前記第２構造（１０１）が前記表面に対してほぼ平行な方向（１５０）に対して移動可能にする段階から成ることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、センサに関し、更に特定すれば、センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
自動車、航空機、および消費者向け電子機器に適用するための、航行制御およびそのほかの制御システムの開発により、安価なセンサ技術に対する要求が急速に高まりつつある。半導体処理技術は、加速度計やその他の変換器のような安価なセンサを微細加工する能力を提供するものである。これら微細加工されたセンサは、典型的に、可動構造と固定構造とを有し、交互櫛型構造(interdigitated comb-typedesign)を有する。例えば、微細加工された加速度計では、可動櫛構造のフィンガが、固定櫛構造のフィンガの間に交互に差し込まれている。
【０００３】
動作の間、可動櫛構造は加速度即ち速度変化に応答して、固定櫛構造から遠ざかるように、またはそれに向かって撓む。可動および固定櫛構造間の距離が変化すると、可動および固定櫛構造間の容量も変化し、この容量変化が加速度の測定値となる。しかしながら、加速度計が衝突や衝撃の間に遭遇するような大きな加速度を受けると、可動櫛構造は、そのフィンガが物理的に固定櫛構造のフィンガと接触する程に撓むことがあり、この物理的な接触が、可動および固定櫛構造間に望ましくない短絡回路を形成することになる。
【０００４】
更に、可動および固定櫛構造間で測定される容量は、しばしば極度に小さいことがある。特に、櫛構造を製造する際に、表面微細加工技術を用いた場合に起こる。この小さい容量は、部分的には、表面微細加工技術に固有の垂直処理における限界によるものである。小さな容量は、測定が難しく、しかも微細加工センサの適用可能性を制限する。微細加工センサを拡大して測定容量を大きくすることも可能であるが、微細加工センサを大きくすれば、シリコン・ウエハ上で占有する面積が広くなり、製造歩留まり低下の潜在可能性を高めることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、可動および固定櫛構造の短絡を防止するだけでなく、可動および固定櫛構造間の容量を増大し、しかもセンサの大型化を招かないセンサが必要とされている。かかるセンサの製造方法は、費用効率的でなければならず、既存の半導体処理技術と共存性がなければならず、更にセンサ製造のサイクル・タイムをあまり増大するものであってはならない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によるセンサ１００の製造方法は、表面を有する基板２００を用意する段階と、該表面を覆う一時的な層２０４を設ける段階と、前記表面を覆う第１構造１１５もしくは１１６を設ける段階と、前記一時的な層を覆う第２構造１０１を設け、前記第１および第２構造（１１５もしくは１１６），１０１間に容量を形成する段階と、前記第１構造１１５および前記第２構造１０１間に誘電体層を設けて前記容量を増大することによって、前記センサの感度を高める段階と、前記感度を高める段階の後に、前記一時的な層２０４を除去して前記第２構造１０１が前記表面に対してほぼ平行な方向１５０に対して移動可能にする段階とから成る。誘電体層は、センサの感度を高め、第２構造が第１構造と短絡するのを防止する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
これより図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。図１は、センサ１００の一実施例の部分平面図である。センサ１００は、２つの導電性構造、即ち、構造１１７，１１８を含む。構造１１７は、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０を有し、これらはアンカー１１５によって互いに電気的に結合されている。同様に、構造１１８は櫛状フィンガ１１１，１１２，１１３を有し、これらもアンカー１１６によって互いに電気的に結合されている。櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３は、それぞれのアンカーによって、基板２００（図２に示す）上に支持されている。
【０００８】
櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３は、非常に堅牢かつ安定で、センサ１００の様々な動作条件下でも基板２００に対して固定的でなければならない。櫛状フィンガの長さを長くすれば、センサ１００の感度は高まる。しかしながら、ほぼ平面で堅牢な構造を得るには、櫛状フィンガの長さを長くする程、櫛状フィンガの幅を広げ、櫛状フィンガの高さも高くしなければならないため、より多くの空間が必要となる。センサ１００の使い勝手を良くするためには、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３は、サイズおよび形状を同様にすることが好ましい。したがって、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３の具体的な寸法は、機械的設計分析を用いて最適化し、センサの感度を高め、しかもセンサを小型化することが好ましい。一例として、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３は、各々、軸１５０に沿った幅が約２ミクロン、 高さが約２ミクロン、長さが約１００ないし３００ミクロンとする。
【０００９】
図１に示すように、センサ１００は、ほかの導電性構造、即ち、中央または振動質量(seismic mass)１０１も含む。振動質量１０１は、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７を含み、これらは、構造１１７，１１８の櫛状フィンガ間に差し込まれている。即ち、振動質量フィンガ１０５は、部分的に櫛状フィンガ１０８，１１１間に位置し、振動質量フィンガ１０６は、部分的に櫛状フィンガ１０９，１１２間に位置し、振動質量フィンガ１０７は、部分的に櫛状フィンガ１１０，１１３間に位置している。
【００１０】
振動質量１０１の具体的な寸法は、ほぼ平面構造を生成するために必要とされる半導体処理技術の能力によって決まり、また、様々な動作条件下においてセンサ１００に要求される構造的安定性によっても決まる。例えば、振動質量１０１は、軸１５０に沿った長さが約５００ないし１，５００ミクロン、幅が約３０ないし５０ミクロン、厚さが約２ミクロンとすれば、振動性質量１０１を非常に堅牢に保つことができる。
【００１１】
また、センサ１００の感度およびサイズを最適化するために、約５０ないし２００個のフィンガを有することも可能である。振動質量フィンガの数を増やし、振動質量フィンガ各々のサイズを大きくすれば、センサ１００の感度が高まるが、センサ１００の大型化を招くことにもなる。好ましくは、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７の各々を、軸１５０に沿った幅が約２ミクロン、高さが約２ミクロン、長さが約１００ないし３００ミクロンとすれば、振動質量１０１の残りの部分に対して、フィンガをほぼ固定的に保持することができる。振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７は、各々、約１ないし２ミクロン程、構造１１７，１１８の隣接する櫛状フィンガから分離すると、センサ１００の感度およびサイズが最適化される。振動質量フィンガと櫛状フィンガとの間の間隔を広げる程、感度が低下するだけでなく、センサ１００自体も大型化することになる。
【００１２】
折り曲げビーム即ちアーム１０４が、振動質量１０１の一方側をアンカー１０２，１０３に結合し、折り曲げビーム即ちアーム１２０が、振動質量１０１の反対側をアンカー１１４，１１９に結合する。アンカー１０２，１０３，１１４，１１９は、基板２００上でアーム１０４，１２０および振動質量１０１を支持する。アンカー１０２，１０３，１１４，１１９およびアーム１０４，１２０は弾性バネを形成し、振動質量１０１の基板２００および構造１１７，１１８に対する移動を可能にする。弾性バネは、アーム１０４，１２０およびアンカー１０２，１０３，１１４，１１９の構造的幾何学的形状および物質特性の関数であるバネ定数を有する。一例として、約３ないし５ニュートン／メートルのバネ定数を得るには、アーム１０４は、長さが約１３０ないし１７０ミクロン、高さおよび幅が各々約２ミクロンであり、アンカー１０２，１０３は、たがいに約３０ないし５０ミクロン離間され、振動質量１０１の中央部即ち主要部からは約１０ないし３０ミクロン離間される。
【００１３】
振動質量１０１は、基板２００の面に沿った加速度即ち速度変化に応答して、軸１５０に沿って移動する。通常の動作状態の下では、センサ１００には約１ないし５ボルトのバイアスが、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３および振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７にかかっており、これらは、速度変化を測定するためのコンデンサ・プレートとして機能する。例えば、加速度即ち速度変化が、振動質量１０１を軸１５０に沿って櫛状フィルタ１０８に向かって移動させた場合、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７は、それぞれ、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０に向かって移動し、それぞれ、櫛状フィンガ１１１，１１２，１１３から遠ざかるように移動する。この移動の結果として、振動質量フィンガ１０５および櫛状フィンガ１０８間、振動質量フィンガ１０６および櫛状フィンガ１０９間、ならびに振動質量フィンガ１０７および櫛状フィンガ１１０間の容量が増大する。更に、振動質量フィンガ１０５および櫛状フィンガ１１１間、振動質量フィンガ１０６および櫛状フィンガ１１２間、ならびに振動質量フィンガ１０７および櫛状フィンガ１１３間の容量は減少する。したがって、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７および櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３間の容量差を測定することによって、速度変化を検出することができる。測定した容量差は、加速度にほぼ比例する。
【００１４】
図１の実施例は、センサ１００の明確な説明を容易に行うために、簡略化してあることは理解されよう。例えば、当技術では既知ではあるが図１には示していないものとして、移動を制限するための機械的停止部、製造に役立てるホール、および静摩擦(stiction)を防止するためのくぼみをセンサ１００に含ませることも可能である。更に別の例として、センサ１００は、単一基板上で、トランジスタ２５１（図２に示す）または集積回路と組み合わせることも可能である。
【００１５】
続いて次の３図面に移ると、図２、図３、図４は、後続の３製造段階における、図１の基準線２−２に沿った、センサ１００の一部の断面図を示す。尚、これらの図で同一の参照番号は、同一素子を示すことは理解されよう。
【００１６】
図２、図３、図４は、２つの区分を含む。第１区分は、振動質量１０１とアンカー１１４の部分を示し、第２区分は、基板２００上でセンサ１００と集積されるトランジスタ２５１を示す。先に述べたように、センサ１００の説明を容易にするために、図１ではトランジスタ２５１は含まれていない。
【００１７】
基板２００は、例えば、ｎ−型シリコンまたはガリウム砒素から成る半導体基板である。シリコン局所酸化（ＬＯＣＯＳ）プロセスを用いて、基板２００上にフィールド酸化物２０１を形成する。次に、約２，０００ないし３，０００オングストロームのシリコン窒化物層２０２を、フィールド酸化物２０１および基板２００上に、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）技法を用いて配置即ち堆積する。続いて、フォトレジスト・エッチング・マスクおよびフッ素を基本とした反応性イオン・エッチング・プロセスを用いて窒化シリコン層２０２にパターニングを行い、トランジスタ２５１の形成を容易にする。
【００１８】
事前ポリシリコン堆積清浄化工程に続いて、化学蒸着（ＣＶＤ）技法を用いて、窒化シリコン層２０２、フィールド酸化物２０１、および基板２００上に、約３，０００ないし４，０００オングストロームのポリシリコン層２０３を設ける、即ち、形成する。塩素を基本とする反応性イオン・エッチング技法を用いて、現像したフォトレジスト層からのパターンをポリシリコン層２０３に転移する。これは、センサ１００の相互接続層として機能する。
【００１９】
次に、約１５，０００ないし２５，０００オングストロームの一時的層即ち犠牲層２０４を、ポリシリコン層２０３および窒化シリコン層２０２上に堆積する。犠牲層２０４は、シリコン・ドーパントを含み、ポリシリコンに対して選択的にエッチング可能な物質を含有する。好適実施例では、犠牲層２０４はフォスフォシリケート・ガラス（ＰＳＧ）で構成するが、その理由は後に述べる。好適実施例では、フッ化水素酸を基本とするウエット・エッチャントを用いて、犠牲層２０４にパターニングを行い、下地のポリシリコン層２０３の部分を露出させる。フッ化水素酸を基本とするウエット・エッチャントは、ポリシリコン層２０３をほとんどエッチングしない。
【００２０】
次に、約１０，０００ないし２５，０００オングストロームの第２ポリシリコン層２０５を、ＣＶＤ技法を用いて、犠牲層２０４およびポリシリコン層２０３上に設ける。塩素を基本とした反応性イオン・エッチャントを用いて、ポリシリコン層２０５にエッチングを行い、アンカー１１４と、上面２０６、上面２０６に対向する底面２０７、および上面２０６および底面２０７に隣接する側面２０８，２０９を有する振動質量１０１とを形成する。ポリシリコン２０５のエッチング即ちパターニングも開始し、トランジスタ２５１の一部となる接点２５０を形成する。
【００２１】
次に図３を参照する。約５，０００ないし１５，０００オングストロームの第２一時的層即ち犠牲層３００を、ポリシリコン層２０５および犠牲層２０４上に共形的に(conformally) 堆積する。犠牲層３００も、ＰＳＧで構成することが好ましい。続いて、摂氏約１，０００ないし１，１００度（℃）の温度で約２ないし５時間、アルゴンまたは窒素雰囲気中で、センサ１００にアニールを行う。犠牲層２０４，３００が双方ともＰＳＧで構成されている場合、アニール工程において、犠牲層２０４，３００から燐がポリシリコン層２０３，２０５に追い立てられ、ポリシリコン層２０３，２０５内において、これらをドープし、電気的抵抗を低下させ、応力を軽減する。
【００２２】
接点２５０上に位置する犠牲層３００の部分を除去し、約９９パーセントのアルミニウムと１パーセントとのシリコンとから成る、１０，０００ないし３０，０００オングストロームの層３０１を、接点２５０のポリシリコン層２０５上にスパッタリング可能とする。フォトレジスト・エッチング・マスク、ならびに燐酸、酢酸、硝酸、および脱イオン化水を用いることによって、層３０１にパターニングを行う。次いで、約３５０ないし４５０℃の温度で、約１５ないし６０分、形成ガス雰囲気において層３０１にアニールを行い、接点２５０をトランジスタ２５１のオーミック金属接点に変形する。更に、当技術では既知の半導体処理技法を用いて、トランジスタ２５１の他の構造を作成する。
【００２３】
次に図４に移る。犠牲層２０４，３００を除去して、振動質量１０１を解放する。犠牲層２０４，３００を除去した後、振動質量１０１は拘束されないので、移動自在となる。犠牲層２０４，３００を双方ともＰＳＧを含むがこれに限定されない同様の物質で構成した場合、例えば、フッ化水素酸を基本とするウエット・等方性エッチャントのような、単一のエッチャントを用いれば、犠牲層２０４，３００双方とも除去可能である。犠牲層２０４，３００双方の除去に単一のエッチャントを用いることができれば、処理が簡略化され、センサ１００を製造するコストおよびサイクル・タイムの減少が図られる。層３０１、ポリシリコン層２０３，２０５、および窒化シリコン層２０２は、犠牲層２０４，３００を除去するために使用するフッ化水素酸を基本としたウエット・エッチャントでは、ほとんどエッチングされない。
【００２４】
次の２つの図面に進む。図５および図６は、図２、図３、図４に示した製造工程後における、図１の基準線２−２に沿ったセンサ１００の前記部分の部分断面図を示す。図５の実施例では、ＬＰＣＶＤまたはプラスマ・エンハンス化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）技法を用いて、窒化シリコン層２０２上および振動質量１０１の表面２０６，２０７，２０８，２０９上に、約２００ないし８００オングストロームの誘電体層５００を設ける、即ち、共形的に堆積する。ＰＥＣＶＤ技法の方が好ましいが、その理由は、こちらのほうが堆積温度が低いので、アルミニウムから成り高温で損傷を受ける可能性のある接点２５０に損傷を与えないからである。したがって、誘電体層５００は、約４５０℃未満の温度で堆積することが好ましい。
【００２５】
あるいは、例えば、タングステンのような耐熱金属から成る金属層を、層３０１のアルミニウム・シリコンの代わりに使用することができる。この実施例では、ＬＰＣＶＤ技法のような、より高い温度での堆積プロセスを用いて誘電体層５００を堆積すれば、接点２５０に損傷を与えることはない。
【００２６】
図６において、異方性エッチング技法を用いて、振動質量１０１の表面２０６および窒化シリコン層２０２の部分から、誘電体層５００を除去する。この異方性エッチング技法は、エッチング・マスクを使用せず、自己整合プロセスである。この異方性エッチング技法は、層３０１を露出させ、後に作成される相互接続線（図示せず）に接点２５０（図４における）を結合可能とするために必要となる。
【００２７】
誘電体層５００が窒化シリコンまたは酸化シリコンから成る場合、フッ素を基本とする反応性イオン・エッチングを用いて、誘電体層５００の所望部分を除去することができる。フッ素を基本とする反応性イオン・エッチャントを用いるのが好ましいが、その理由は、ポリシリコン層２０５に対して、誘電体層５００を選択的にエッチングするからである。フッ素を基本とする反応性イオン・エッチャントは異方性であるので、誘電体層５００の部分６００は、振動質量の表面２０７，２０８，２０９上に残される。場合によっては、部分６００は完全に、即ち、全体的に表面２０７，２０８，２０９を覆う場合もある。誘電体層５００の残留部分６０１は、窒化シリコン層２０２上に残る。これは、残留部分６０１が振動質量１０１の直下にあり、異方性エッチャントによるエッチングをほとんど受けないからである。
【００２８】
図７は、図２、図３、図４、図５、および図６の製造工程の後の、図１の基準線７−７に沿った、センサ１００の一部の断面図を示す。図７は、櫛状フィンガ１１３，１１０間の振動質量フィンガ１０７を示す。図６の断面図と同様、図７は、振動質量フィンガ１０７の表面２０７，２０８，２０９が、誘電体層５００によって完全に被覆されたままとなっていることを示す。
【００２９】
更に、櫛状フィンガ１１３は表面７０１を有し、この表面７０１は、振動質量フィンガ１０７の表面２０８に向かって面し、誘電体層５００の異方性エッチングの後、これも誘電体層５００に被覆されたままとなっている。また、櫛状フィンガ１１３は、表面７０１に隣接して位置する表面７００を有する。この表面７００は、振動質量フィンガ１０７および振動質量１０１から遠ざかる方向に面し、誘電体層５００の異方性エッチングの後露出され、誘電体層５００によって被覆されていない。
【００３０】
同様に、櫛状フィンガ１１０は表面７０３を有し、この表面７０３は、振動質量フィンガ１０７の表面２０９に向かって面し、誘電体層５００の異方性エッチングの後、誘電体層５００に被覆されたままとなっている。また、櫛状フィンガ１１０は、表面７０３に隣接して位置する表面７０２を有する。この表面７０２は、振動質量フィンガ１０７および振動質量１０１と遠ざかる方向に面し、誘電体層５００の異方性エッチングの後露出され、誘電体層５００によって被覆されていない。
【００３１】
動作の間、基板２００の面に沿った加速度即ち速度変化が振動質量を撓ませる即ち移動させると、振動質量フィンガ１０７は、軸１５０に沿って、櫛状フィンガ１１０，１１３に向かっておよび離れるように移動する。速度変化が非常に大きく、振動質量フィンガ１０７が櫛状フィンガ１１０または１１３に接触してしまう場合、振動質量フィンガ１０７は、従来技術におけるように、櫛状フィンガ１１０または１１３と共に電気的に短絡することはない。代わりに、振動質量フィンガ１０７が櫛状フィンガ１１０または１１３と接触すると、誘電体層５００が、振動質量フィンガ１０７と櫛状フィンガ１１０または１１３との間に電気的絶縁層を設け、電気的短絡を防止する。
【００３２】
更に、２つのコンデンサ・プレート間に誘電体層を設ける即ち挿入することによって、２枚のコンデンサ・プレート間に空気しかない場合と比較して、コンデンサの感度を高めることになる。したがって、電気的絶縁を与えることに加えて、誘電体層５００は、センサ１００の感度を高めるため、より高い信号対ノイズ比が得られる。
【００３３】
更に別の利点として、誘電体層５００は、構造１１７，１１８および振動質量１０１の強度も高める。強度が高まることにより、櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３の剛度も高まるので、櫛状フィンガが基板２００に対してほぼ固定状態を保持することが保証される。更に、強度が高まることによって、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７の剛度も高まることになり、振動質量フィンガが振動質量１０１の残りの部分に対してほぼ固定状態を保持することも保証される。
【００３４】
別の実施例において、図８及び図９は、センサ１００の別の製造方法における、図１の基準線２−２に沿った、センサ１００の前記部分の部分断面図を示す。図２から続いて、図８は、犠牲層２０４および振動質量１０１の表面２０６，２０８，２０９を覆う誘電体層８００を示す。誘電体層８００は、図５、図６、及び図７における誘電体層５００と同様に機能する。したがって、誘電体層８００は、その容量を増大することによってセンサ１００の感度を高め、構造１１７または１１８と共に振動質量１０１が短絡するのを防止し、振動質量フィンガ１０５，１０６，１０７および櫛状フィンガ１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３の剛度を高める。
【００３５】
図８における誘電体層８００の堆積温度は、図５における誘電体層５００を堆積するために用いた温度よりも高くすることができる。その理由は、誘電体層８００は層３０１を堆積する前に堆積するのに対し、誘電体層５００は層３０１を堆積した後に堆積するからである。先に述べたように、層３０１を堆積しエッチングした後に接点２５０をアニールすると、高温が接点２５０を損傷する可能性がある。したがって、誘電体層８００は層３０１の前に堆積するので、誘電体層５００と比較して、誘電体層８００の堆積にはより高い温度を使用することができる。堆積温度が高いので、誘電体層８００は、誘電体層５００よりも、共形性を改善することができる。犠牲層２０４がＰＳＧから成る場合、誘電体層８００は窒化シリコンで構成することが好ましく、ＬＰＣＶＤプロセスを用いて堆積することができる。
【００３６】
図９は、エッチング・マスクを使用しない異方性エッチング工程の後の誘電体層８００を示す。誘電体層８００は、窒化シリコンから成る場合、フッ素を基本とした反応性イオン・エッチング技法を用いることによって、犠牲層２０４に対して、選択的に異方性エッチングが可能であり、またポリシリコン層２０５に対しても選択的に異方性エッチングが可能である。誘電体層８００に対する異方性エッチングの後、誘電体層８００の部分９００，９０１は、それぞれ、振動質量１０１の表面２０８，２０９上に保持されている、即ち、残っている。したがって、誘電体層８００の部分９００，９０１は、自己整合される。
【００３７】
上述の図３および図４の処理工程を行って、センサ１００の製造を完了することができる。犠牲層２０４，３００がＰＳＧから成り、誘電体層８００が窒化シリコンから成る場合、後続の犠牲層２０４，３００の除去では、図９における誘電体層８００の残りの部分９００，９０１はほとんどエッチングされない。
【００３８】
別の実施例では、図８および図９の誘電体層８００は、図３の犠牲層３００に置き換えることができる。この別の実施例では、誘電体層８００は、接点２５０の層３０１の形成の間、一時的層として用いられる。誘電体層８００を犠牲層３００で置き換えることによって、センサ１００の製造のコストおよびサイクル・タイムの低減が図られる。層３０１またはポリシリコン層２０５をほとんどエッチングしない異方性エッチングを用いて、誘電体層８００にエッチングを行うと、この異方性エッチングの後誘電体８００の部分９００，９０１は残る。次いで、例えば、フッ化水素酸を基本とするエッチャントのような等方性エッチャントを用いて、ポリシリコン層２０５をほとんどエッチングせずに、犠牲層２０４を除去しつつ、振動質量１０１の表面２０８，２０９を覆う誘電体層８００の部分９００、９０１を保持する。
【００３９】
したがって、本発明によれば、従来技術の欠点を克服するセンサの改良された製造方法が提供されたことは明白である。本発明は、可動振動質量および固定櫛状フィンガ間の電気的短絡を根絶し、しかもセンサの感度を高め、構造的剛度を増大させる。本発明は、費用効率が高く、既存の半導体処理技術と共存可能であり、センサ製造のサイクル・タイムの大幅な増大も招かない。
【００４０】
以上、本発明を好適実施例を参照しながら、特定して示しかつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形状および詳細における変更が可能であることは、当業者には理解されよう。したがって、本発明の開示は、限定を意図するものではなく、特許請求の範囲に記載した本発明の範囲の例示であることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるセンサを示す部分的平面図。
【図２】本発明による製造の間における、図１の基準線２−２に沿った図１のセンサの一部の断面図。
【図３】本発明による製造の間における、図１の基準線２−２に沿った図１のセンサの一部の断面図。
【図４】本発明による製造の間における、図１の基準線２−２に沿った図１のセンサの一部の断面図。
【図５】本発明による図２、図３、および図４の製造工程の後の、図１の基準線２−２に沿った、図１のセンサの前記部分の部分断面図。
【図６】本発明による図２、図３、および図４の製造工程の後の、図１の基準線２−２に沿った、図１のセンサの前記部分の部分断面図。
【図７】本発明による図２ないし図６の製造工程の後の、基準線７−７に沿った、図１のセンサの一部の断面図。
【図８】本発明による別の製造方法の間における、基準線２−２に沿った図１のセンサの前記部分の部分断面図。
【図９】本発明による別の製造方法の間における、基準線２−２に沿った図１のセンサの前記部分の部分断面図。
【符号の説明】
１００    センサ
１０１    振動質量
１０２，１０３，１１５，１１６    アンカー
１０５，１０６，１０７    振動質量フィンガ
１１７，１１８    導電性構造
１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３    櫛状フィンガ
２００    基板
２０１    フィールド酸化物
２０２    窒化シリコン層
２０３，２０５    ポリシリコン層
２０４，３００    犠牲層
２０６，２０７，２０８，２０９    振動質量の表面
２５０    接点
２５１    トランジスタ
３０１    層
５００，８００    誘電体層
【図１】
0004220582.tif 000002
【図２】
0004220582.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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