(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
（Ａ）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、および、脂環式エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの液状エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（２）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（３）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（４）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（５）で表される四官能固形フェノール樹脂、および、下記の一般式（６）で表される五官能固形フェノール樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形フェノール樹脂。
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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【化５】
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（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項２】
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
（Ａ）下記の構造式（７）で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、下記の化学式（８）で表されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂、下記の構造式（ａｂ３）で表される固形エポキシ樹脂、下記の構造式（ａｂ４）で表される固形エポキシ樹脂、および、下記の構造式（ａｂ６）で表される固形エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形エポキシ樹脂。
【化６】
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【化７】
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【化８】
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【化９】
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【化１０】
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（Ｂ）アリル化フェノールノボラックおよびジアリル化ビスフェノールＡの少なくとも一方。
（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項３】
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
（Ａ）下記の化学式（９）で表されるエポキシ樹脂、下記の化学式（１０）で表されるエポキシ樹脂、下記の化学式（１１）で表されるエポキシ樹脂、下記の一般式（１２）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、および、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形エポキシ樹脂。
【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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（Ｂ）下記の一般式（１５）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１６）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１７）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１８）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１９）で表される五官能固形フェノール樹脂、および、下記の化学式（ｂｃ５）で表されるフェノール樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形フェノール樹脂。
【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項４】
上記（Ｃ）成分である潜在性硬化促進剤が、メチルメタアクリレートを壁膜としたマイクロカプセル型硬化促進剤である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
上記（Ｃ）成分である潜在性硬化促進剤が、硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を主成分とするシェル部で被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカプセル型硬化促進剤である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【化２１】
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【請求項６】
上記（Ｄ）成分である無機質充填剤が、球状溶融シリカ粉末であって、上記球状溶融シリカ粉末が、半導体封止用樹脂組成物全体中に１５〜８５重量％の割合で含有されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】
配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を充填した後、硬化させることにより上記封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項９】
配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記半導体素子搭載面側の配線回路基板上に請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を供給して硬化させることにより上記封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１１】
実装用基板上に、複数の接続用電極部を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹脂層が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体製品。
【請求項１２】
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層から露出するよう形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを、個々の半導体素子に切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１３】
上記樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項１２記載の半導体装置の製法。
【請求項１４】
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を供給して半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する工程と、上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層が形成されたマトリックス状の配線回路基板を、樹脂層とともに個々の半導体素子毎に切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１５】
上記樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項１４記載の半導体装置の製法。
【請求項１６】
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する工程と、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１７】
上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項１６記載の半導体装置の製法。
【請求項１８】
上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層を形成する工程が、ディスペンサーを用いて行われる請求項１６記載の半導体装置の製法。
【請求項１９】
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する工程と、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項２０】
上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷により行われる請求項１９記載の半導体装置の製法。
【請求項２１】
上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程が、ディスペンサーを用いて行われる請求項１９記載の半導体装置の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エポキシ樹脂系の封止剤であり、８０℃以下の比較的低温下で低粘度を示し、特に吐出，塗布作業性に優れ、しかも貯蔵安定性に優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding，テープオートメイティドボンディング），ＣＯＢ（Chip On Board ，チップオンボード）等における半導体封止には、液状封止剤が用いられている。そして、上記液状封止剤は、室温（２５℃）で使用され、ディスペンサー、印刷等によって半導体素子を樹脂封止することにより、半導体装置が製造される。このような液状封止剤としては、一般に、液状のエポキシ樹脂と、酸無水物系硬化剤と、通常の硬化促進剤と、シリカ粉末とを含有してなるエポキシ樹脂組成物が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記液状封止剤は、硬化剤として酸無水物系硬化剤を用いるため、封止剤の液状化は容易であり、吐出および塗布作業性は良好であるが、耐湿下での吸湿率が高くなり、耐湿信頼性に劣るという問題が生じる。また、上記液状封止剤は、室温で液状であるため貯蔵安定性が悪く、室温貯蔵時に粘度が大きく上昇したり、シリカ粉末が沈降したりするため、樹脂を凍らせて固形化する等の、特別の貯蔵手段を講じる必要がある。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れるとともに、吐出および塗布作業性にも優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置、ならびにその半導体装置の製法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、および、脂環式エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの液状エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（２）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（３）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（４）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（５）で表される四官能固形フェノール樹脂、および、下記の一般式（６）で表される五官能固形フェノール樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形フェノール樹脂。
【化２２】
0004286399.tif 000002
【化２３】
0004286399.tif 000003
【化２４】
0004286399.tif 000004
【化２５】
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【化２６】
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（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【０００６】
また、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第２の要旨とする。
（Ａ）下記の構造式（７）で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、下記の化学式（８）で表されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂、下記の構造式（ａｂ３）で表される固形エポキシ樹脂、下記の構造式（ａｂ４）で表される固形エポキシ樹脂、および、下記の構造式（ａｂ６）で表される固形エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形エポキシ樹脂。
【化２７】
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【化２８】
0004286399.tif 000008
【化２９】
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【化３０】
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【化３１】
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（Ｂ）アリル化フェノールノボラックおよびジアリル化ビスフェノールＡの少なくとも一方。
（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【０００７】
また、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組成物の粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されている半導体封止用樹脂組成物を第３の要旨とする。
（Ａ）下記の化学式（９）で表されるエポキシ樹脂、下記の化学式（１０）で表されるエポキシ樹脂、下記の化学式（１１）で表されるエポキシ樹脂、下記の一般式（１２）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、および、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形エポキシ樹脂。
【化３２】
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【化３３】
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【化３４】
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【化３５】
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（Ｂ）下記の一般式（１５）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１６）で表される三官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１７）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１８）で表される四官能固形フェノール樹脂、下記の一般式（１９）で表される五官能固形フェノール樹脂、および、下記の化学式（ｂｃ５）で表されるフェノール樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一つの固形フェノール樹脂。
【化３６】
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【化３７】
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【化３８】
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【化３９】
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【化４０】
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【化４１】
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（Ｃ）潜在性硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
【０００８】
また、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体装置を第４の要旨とする。
【０００９】
さらに、本発明は、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記半導体封止用樹脂組成物を充填した後、硬化させることにより上記封止樹脂層を形成する半導体装置の製法を第５の要旨とする。
【００１０】
また、配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体装置を第６の要旨とする。
【００１１】
そして、配線回路基板面上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記半導体素子搭載面側の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組成物を供給して硬化させることにより上記封止樹脂層を形成する半導体装置の製法を第７の要旨とする。
【００１２】
さらに、実装用基板上に、複数の接続用電極部を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されている半導体製品を第８の要旨とする。
【００１３】
そして、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層から露出するよう形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを、個々の半導体素子に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第９の要旨とする。
【００１４】
また、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する工程と、上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層が形成されたマトリックス状の配線回路基板を樹脂層とともに個々の半導体素子毎に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第１０の要旨とする。
【００１５】
さらに、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する工程と、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の製法を第１１の要旨とする。
【００１６】
そして、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板面に、上記半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する工程と、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の製法を第１２の要旨とする。
【００１７】
すなわち、本発明者は、耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れるとともに、吐出および塗布作業性にも優れた封止材料を得るため一連の研究を重ねた。その結果、特定のエポキシ樹脂と特定のフェノール樹脂と潜在性硬化促進剤と無機質充填剤とを含有し、しかも２５℃および８０℃の各温度において特定の粘度を有する樹脂組成物を用いると、所期の目的を達成できることを見出し本発明に到達した。
【００１８】
そして、上記潜在性硬化促進剤として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカプセル型硬化促進剤を用いた場合、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。
【００１９】
さらに、無機質充填剤として球状溶融シリカ粉末を用い、これが半導体封止用樹脂組成物全体中に特定の割合で含有されている場合には、流動性に優れるようになり、吐出および塗布作業性に特に優れるという利点がある。
【００２０】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
【００２１】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）と、特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）と、潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）とを用いて得られるものであり、２５℃および８０℃の各温度でそれぞれ特定の粘度を有するものである。
【００２２】
そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、その必須構成成分であるエポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の性質によって三つの態様に大別することができる。第１の態様はエポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１）を用いた態様であり、第２の態様はエポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２）を用いた態様であり、第３の態様はエポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３）を用いた態様である。残りの潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）、無機質充填剤（Ｄ成分）およびこれら以外の他の添加剤に関しては上記３態様とも共通のものが用いられる。
【００２３】
まず、第１の態様である、エポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１）を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。
【００２４】
上記特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１）としては、２５℃で液状を示すものであり、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂があげられる。これらは単独であるいは２種以上併せて用いられる。なお、上記特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１成分）とは、単独で用いた場合２５℃で液状を示すことはもちろん、２種以上併用した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として２５℃で液状を示すものをも含む趣旨である。
【００２５】
そして、上記液状エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１１０〜２２０ｇ／ｅｑのものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が１４０〜２００ｇ／ｅｑのものを用いることが好適である。
【００２６】
上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）としては、上記特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１成分）の硬化剤として作用するものであって、２５℃で固形を示すものであり、三官能固形フェノール樹脂、四官能固形フェノール樹脂、五官能固形フェノール樹脂があげられる。なお、上記固形フェノール樹脂を用いる場合は、数平均分子量が４５０以下のものを用いることが好適である。なお、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）とは、単独で用いた場合２５℃で固形を示すことはもちろん、２種以上併用した場合において最終的にフェノール樹脂成分として２５℃で固形を示すものをも含む趣旨である。
【００２７】
上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）のうち三官能固形フェノール樹脂としては、下記の一般式（２）で表される構造のフェノール樹脂、下記の一般式（３）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００２８】
【化４２】
0004286399.tif 000022
【００２９】
【化４３】
0004286399.tif 000023
【００３０】
また、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）のうち四官能固形フェノール樹脂としては、下記の一般式（４）で表される構造のフェノール樹脂、下記の一般式（５）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００３１】
【化４４】
0004286399.tif 000024
【００３２】
【化４５】
0004286399.tif 000025
【００３３】
また、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）のうち五官能固形フェノール樹脂としては、下記の一般式（６）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００３４】
【化４６】
0004286399.tif 000026
【００３５】
そして、上記特定の固形フェノール樹脂としては、水酸基当量が３０〜２６０ｇ／ｅｑで、軟化点が４０〜１００℃または融点が５０〜２１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が５０〜１１０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜９０℃または融点が７０〜１９０℃のものを用いることが好適である。
【００３６】
上記特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１成分）と特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．６〜１．４当量となるように配合することが好適である。より好適には、０．７〜１．１当量である。
【００３７】
第１の態様において、上記特定の液状エポキシ樹脂（Ａ１成分）と特定の固形フェノール樹脂（Ｂ１成分）との組み合わせにおいては、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と上記特定の多官能固形フェノール樹脂とを組み合わせて用いることが、流動性、耐熱性、硬化性の点から好ましい。
【００３８】
つぎに、第２の態様である、エポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２成分）を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。
【００３９】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）としては、２５℃で固形を示すものを用いることができる。
【００４０】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）のうち四官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、市販されている商品名ＥＸＡ−４７０１（大日本インキ社製）があげられる。なお、上記ＥＸＡ−４７０１は、下記の構造式（７）で表される。
【００４１】
【化４７】
0004286399.tif 000027
【００４２】
また、上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）のうちトリフェニルメタン型エポキシ樹脂としては、市販されている商品名ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（日本化薬社製）があげられる。なお、上記ＥＰＰＮ−５０１ＨＹは、下記の化学式（８）で表される。
【００４３】
【化４８】
0004286399.tif 000028
【００４４】
さらに、上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）として、下記の構造式（ａｂ３）で表される固形エポキシ樹脂、下記の構造式（ａｂ４）で表される固形エポキシ樹脂、および、下記の構造式（ａｂ６）で表される固形エポキシ樹脂が用いられる。
【化４９】
0004286399.tif 000029
【化５０】
0004286399.tif 000030
【化５１】
0004286399.tif 000031
【００４５】
そして、上記特定の固形エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１４０〜２５０ｇ／ｅｑで、軟化点が５０〜１００℃または融点が４５〜１５０℃のものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が１５０〜２２０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜８０℃または融点が５０〜１３０℃のものを用いることが好適である。
【００４６】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）とともに用いられる特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２成分）としては、上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）の硬化剤として作用するものであって、２５℃で液状を示すものであり、アリル化フェノールノボラック、ジアリル化ビスフェノールＡがあげられる。これらは単独であるいは２種以上併せて用いられる。なお、上記特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２成分）とは、単独で用いた場合２５℃で液状を示すことはもちろん、２種以上併用した場合において最終的にフェノール樹脂成分として２５℃で液状を示すものをも含む趣旨である。
【００４７】
そして、上記特定の液状フェノール樹脂としては、水酸基当量が８０〜２００ｇ／ｅｑのものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が１００〜１７０ｇ／ｅｑのものを用いることが好適である。
【００４８】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）と特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．７〜１．４当量となるように配合することが好適である。より好適には、０．９〜１．１当量である。
【００４９】
第２の態様において、上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ２成分）と特定の液状フェノール樹脂（Ｂ２成分）との組み合わせにおいては、例えば、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂とアリル化フェノールノボラックとを組み合わせて用いることが、耐熱性と流動性の点から好ましい。
【００５０】
つぎに、第３の態様である、エポキシ樹脂（Ａ成分）として特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）を、フェノール樹脂（Ｂ成分）として特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）を用いた半導体封止用樹脂組成物について述べる。
【００５１】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）としては、２５℃で固形を示すものであり、特定の多官能固形エポキシ樹脂、特定の結晶性エポキシ樹脂があげられる。これらは単独であるいは２種以上併せて用いられる。このような特定の多官能固形エポキシ樹脂としては、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型があげられる。また、特定の結晶性エポキシ樹脂とは、Ｘ線回折により多数の結晶のピークが表れる固形エポキシ樹脂であって、物理的にはシャープな融点を示し、かつ溶融時には分子間相互作用が殆どなくなるため極端に粘度が低下する性質を有するものをいう。そして、結晶性エポキシ樹脂のなかでも融点が９０℃以上のものを用いる場合は、８０℃以下での流動性が良くなるという理由から、２種以上のものを組み合わせて用いることが好ましい。なお、上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）とは、単独で用いた場合２５℃で固形を示すことはもちろん、２種以上併用した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として２５℃で固形を示すものをも含む趣旨である。
【００５２】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）のうち特定の結晶性エポキシ樹脂としては、市販されている商品名ＧＫ−４１３７（新日鉄化学社製）、商品名ＧＫ−５０７９（新日鉄化学社製）、商品名ＹＤＣ−１３１２（東都化成社製）があげられる。なお、上記ＧＫ−４１３７は、下記の化学式（９）で表される。また、上記ＧＫ−５０７９は、下記の化学式（１０）で表される。また、上記ＹＤＣ−１３１２は、下記の化学式（１１）で表される。
【００５３】
【化５２】
0004286399.tif 000032
【００５４】
【化５３】
0004286399.tif 000033
【００５５】
【化５４】
0004286399.tif 000034
【００５６】
さらに、上記特定の結晶性エポキシ樹脂のうちビフェニル型エポキシ樹脂は、下記の一般式（１２）で表される。
【００５７】
【化５５】
0004286399.tif 000035
【００５８】
上記一般式（１２）中のＲ3 〜Ｒ6 で表される炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、上記Ｒ3 〜Ｒ6 は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【００５９】
そして、上記ビフェニル型エポキシ樹脂として、上記Ｒ3 〜Ｒ6 が全てメチル基である下記の式（１３）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂と、上記Ｒ3 〜Ｒ6 が全て水素である下記の式（１４）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂とが略同量で含有されている混合物を用いてもよい。
【００６０】
【化５６】
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【００６１】
【化５７】
0004286399.tif 000037
【００６２】
そして、Ａ３成分である特定の固形エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が１４０〜２７０ｇ／ｅｑで、軟化点が５０〜１００℃または融点が４０〜１５０℃のものを用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が１５０〜２２０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜８０℃または融点が６０〜１３０℃のものを用いることが好適である。
【００６３】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）とともに用いられる特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）としては、２５℃で固形を示すものであり、特定のフェノール樹脂を用いるが、初期の目的を損なわない範囲であれば、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤やアミン類、フタル酸類を併用してもよい。上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）としては、特定の多官能固形フェノール樹脂があげられる。これらは単独であるいは２種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形フェノール樹脂とは、フェノール性水酸基が２個以上ついた芳香族環を少なくとも１個有し、かつ１分子中のフェノール性水酸基の総数が３個以上であり、しかも芳香族環を少なくとも１分子中に２個以上有する固形フェノール樹脂をいう。このような多官能固形フェノール樹脂としては、三官能固形フェノール樹脂、四官能固形フェノール樹脂、五官能固形フェノール樹脂があげられる。なお、多官能固形フェノール樹脂を用いる場合は、数平均分子量が４５０以下のものを用いることが好適である。なお、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）とは、単独で用いた場合２５℃で固形を示すことはもちろん、２種以上併用した場合において最終的にフェノール樹脂成分として２５℃で固形を示すものをも含む趣旨である。
【００６４】
上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）のうち三官能固形フェノール樹脂としては、下記の一般式（１５）で表される構造のフェノール樹脂、下記の一般式（１６）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００６５】
【化５８】
0004286399.tif 000038
【００６６】
【化５９】
0004286399.tif 000039
【００６７】
また、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）のうち四官能固形フェノール樹脂としては、下記の一般式（１７）で表される構造のフェノール樹脂、下記の一般式（１８）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００６８】
【化６０】
0004286399.tif 000040
【００６９】
【化６１】
0004286399.tif 000041
【００７０】
また、上記特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）のうち五官能固形フェノール樹脂としては、例えば下記の一般式（１９）で表される構造のフェノール樹脂があげられる。
【００７１】
【化６２】
0004286399.tif 000042
【００７２】
さらに、下記の化学式（ｂｃ５）で表されるフェノール樹脂が用いられる。
【００７３】
【化６３】
0004286399.tif 000043
【００７４】
そして、Ｂ３成分である特定の固形フェノール樹脂としては、水酸基当量が３０〜２６０ｇ／ｅｑで、軟化点が４０〜１００℃または融点が５０〜２１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも水酸基当量が５０〜１１０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜９０℃または融点が７０〜１９０℃のものを用いることが好適である。
【００７５】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）と特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．６〜１．４当量となるように配合することが好適である。より好適には、０．７〜１．１当量である。
【００７６】
上記特定の固形エポキシ樹脂（Ａ３成分）と特定の固形フェノール樹脂（Ｂ３成分）との組み合わせにおいては、例えば、結晶性エポキシ樹脂〔特に商品名ＧＫ−４１３７（新日鉄化学社製）と特定の多官能固形フェノール樹脂との組合せ、あるいは四官能ナフタレン型エポキシ樹脂またはトリフェニルメタン型エポキシ樹脂と二官能のビスフェノール樹脂との組合せで用いることが、硬化性、耐熱性、流動性の点から好ましい。
【００７７】
そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物においては、上記第１〜第３の態様における各エポキシ樹脂および各フェノール樹脂とともに、潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）が必須成分として用いられる。
【００７８】
上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）は、これを含有してなる半導体封止用樹脂組成物の５０℃雰囲気下７２時間放置後における粘度（測定温度：８０℃）が、放置前における粘度の１０倍以下になるものであり、例えば、各種の硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を主成分とするシェル部で被覆されたコア／シェル構造を有し、そのシェル部に存在する反応性アミノ基がブロック化されているマイクロカプセル型硬化促進剤があげられる。このようなマイクロカプセル型硬化促進剤を用いることにより、これを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるようになる。なお、通常の硬化促進剤を少量にした場合であっても、放置前の粘度に対し１０倍以下、通常、１〜３倍となるのであれば潜在性硬化促進剤として考える。
【００７９】
【化６４】
0004286399.tif 000044
【００８０】
上記マイクロカプセル型硬化促進剤において、コア部として内包される硬化促進剤としては、硬化反応を促進する作用を有するものであれば特に限定するものではなく、従来公知のものが用いられる。そして、この場合、マイクロカプセルを調整する際の作業性や得られるマイクロカプセルの特性の点から、室温で液状を示すものが好ましい。なお、室温で液状とは、硬化促進剤自身の性状が室温（２５℃）で液状を示す場合のほか、室温で固体であっても任意の有機溶剤等に溶解もしくは分散させて液状にしたものをも含むものである。
【００８１】
そして、上記内包される硬化促進剤としては、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具体的には、エチルグアニジン、トリメチルグアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグアニジン等のアルキル置換グアニジン類、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素等の３−置換フェニル−１，１−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２−アミノピリジン等のモノアミノピリジン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピル）アミン−Ｎ′−ラクトイミド等のアミンイミド系類、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン／トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセン−７、１，４−ジアザビシクロ〔２，２，２〕オクタン等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、硬化促進剤含有マイクロカプセルの作製の容易さ、また取扱い性の容易さという点から、上記イミダゾール系化合物や有機リン系化合物が好適に用いられる。
【００８２】
前記式（１）で表される構造単位を有する重合体を主成分とする重合体は、例えば、多価イソシアネート類と多価アミン類との重付加反応によって得られる。あるいは、多価イソシアネート類と水との反応によって得られる。
【００８３】
上記多価イソシアネート類としては、分子内に２個以上のイソシアネート基を有する化合物であればよく、具体的には、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１，４−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ビフェニルジイソシアネート、３，３′−ジメチルジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネート、キシリレン−１，４−ジイソシアネート、４，４′−ジフェニルプロパンジイソシアネート、トリメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、プロピレン−１，２−ジイソシアネート、ブチレン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，４−ジイソシアネート等のジイソシアネート類、ｐ−フェニレンジイソチオシアネート、キシリレン−１，４−ジイソチオシアネート、エチリジンジイソチオシアネート等のトリイソシアネート類、４，４′−ジメチルジフェニルメタン−２，２′，５，５′−テトライソシアネート等のテトライソシアネート類、ヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサントリオールとの付加物、２，４−トリレンジイソシアネートとプレンツカテコールとの付加物、トリレンジイソシアネートとヘキサントリオールとの付加物、トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物、ヘキサメチレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物、トリフェニルジメチレントリイソシアネート、テトラフェニルトリメチレンテトライソシアネート、ペンタフェニルテトラメチレンペンタイソシアネート、リジンイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族多価イソシアネートの三量体のようなイソシアネートプレポリマー等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００８４】
上記多価イソシアネート類のなかでもマイクロカプセルを調製する際の造膜性や機械的強度の点から、トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物、トリフェニルジメチレントリイソシアネート等のポリメチレンポリフェニルイソシアネート類に代表されるイソシアネートプレポリマーを用いることが好ましい。
【００８５】
一方、上記多価イソシアネート類と反応させる多価アミン類としては、分子内に２個以上のアミノ基を有する化合物であればよく、具体的にはジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、１，６−ヘキサメチレンジアミン、１，８−オクタメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、メンタンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、イソホロンジアミン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、スピロアセタール系ジアミン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００８６】
また、上記多価イソシアネート類と水との反応では、まず、多価イソシアネート類の加水分解によってアミンが形成され、このアミンが未反応のイソシアネート基と反応（いわゆる自己重付加反応）することによって、前記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体を主成分とする重合体が形成される。
【００８７】
さらに、上記シェル部（壁膜）を形成する重合体として、例えば、上記多価イソシアネートとともに多価アルコールを併用して、ウレタン結合を併有したポリウレタン−ポリウレアをあげることもできる。
【００８８】
上記多価アルコールとしては、脂肪族、芳香族または脂環族のいずれであってもよく、例えば、カテコール、レゾルシノール、１，２−ジヒドロキシ−４−メチルベンゼン、１，３−ジヒドロキシ−５−メチルベンゼン、３，４−ジヒドロキシ−１−メチルベンゼン、３，５−ジヒドロキシ−１−メチルベンゼン、２，４−ジヒドロキシエチルベンゼン、１，３−ナフタレンジオール、１，５−ナフタレンジオール、２，７−ナフタレンジオール、２，３−ナフタレンジオール、ｏ，ｏ′−ビフェノール、ｐ，ｐ′−ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビス−（２−ヒドロキシフェニル）メタン、キシリレンジオール、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，１，１−トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、グリセリン、ソルビトール等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００８９】
上記マイクロカプセル型硬化促進剤は、例えば、下記に示す３段階の工程を経由することにより作製することができる。
【００９０】
〔第１工程〕
コア成分である硬化促進剤を、壁膜（シェル）の原料である多価イソシアネート中に溶解もしくは微分散して油相を形成する。ついで、分散安定剤を含有する水系媒体（水相）中に、上記油相を油滴状に分散させてＯ／Ｗ型（油相／水相型）のエマルジョンを作製する。つぎに、上記Ｏ／Ｗ型エマルジョンの水相に、多価アミンを添加して溶解することにより、油相中の多価イソシアネートとの間で界面重合させて重付加反応を生起する。あるいは、上記Ｏ／Ｗ型エマルジョンを加温することによって、油相中の多価イソシアネートが水相との界面で水と反応してアミンを生成し、引き続き自己重付加反応を生起する。このようにして、ポリウレア系の重合体、好ましくは前記一般式（１）で表される構造単位を有するポリウレアをシェル部（壁膜）とするマイクロカプセルを作製することにより、マイクロカプセル分散液が得られる。
【００９１】
一方、固体状の硬化促進剤を有機溶剤に溶解してコア成分とする場合には、Ｓ／Ｏ／Ｗ（固相／油相／水相）タイプのエマルジョンとなる。また、このエマルジョンタイプは硬化促進剤が親油性の場合であり、硬化促進剤が親水性を有する場合には上記エマルジョンタイプに形成され難いが、この場合には溶解度の調整を行うことによりＯ／Ｏ（油相／油相）型のエマルジョンタイプや、Ｓ／Ｏ／Ｏ（固相／油相／油相）型のエマルジョンタイプとして界面重合を行えばよい。
【００９２】
この場合の有機溶剤としては、室温で液状であれば特に限定するものではないが、少なくともシェル部（壁膜）を溶解しないものを選択する必要がある。具体的には、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アセトン、塩化メチレン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤のほか、フェニルキシリルエタン、ジアルキルナフタレン等のオイル類を用いることができる。
【００９３】
〔第２工程〕
上記第１工程で得られたマイクロカプセル分散液に対して、ブロック化剤を添加し溶解もしくは分散させる。このとき、遠心分離等により一度水相中の分散安定剤や未反応アミンを取り除いた後に、上記ブロック化剤を添加することが効果的である。
【００９４】
〔第３工程〕
上記第２工程でアミノ基をブロック化剤でブロックしたマイクロカプセル分散液を、遠心分離や濾過等により、過剰のブロック化剤を取り除いた後、乾燥することにより、粉末状のマイクロカプセル型硬化促進剤を作製することができる。
【００９５】
まず、上記第１工程において、水系媒体（水相）に添加する分散安定剤としては、ポリビニルアルコール、ヒドロキシメチルセルロース等の水溶性高分子類、アニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等の界面活性剤類等があげられる。また、コロイダルシリカ、粘度鉱物等の親水性無機コロイド物質類等を使用することもできる。これら分散安定剤の添加量は、水相中、０．１〜１０重量％となるよう設定することが好ましい。
【００９６】
また、上記第２工程において使用するブロック化剤としては、アミノ基と反応性を有する化合物であれば特に限定するものではないが、例えば、エポキシ化合物、アルデヒド化合物、酸無水物、エステル化合物、イソシアネート化合物等のアミノ基と反応し共有結合を形成する化合物があげられる。さらに、酢酸、蟻酸、乳酸、蓚酸、琥珀酸等の有機カルボン酸類、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸類、フェノール化合物、ホウ酸、リン酸、硝酸、亜硝酸、塩酸等の無機酸類、シリカ、アエロジル等の酸性表面を有する固体物質等のアミノ基と中和反応し塩を形成する酸性化合物があげられる。そして、これら化合物のなかでも、上記酸性化合物は壁膜表面および壁膜内部に存在するアミノ基を効果的にブロックする化合物として好ましく用いられ、特に蟻酸、有機スルホン酸類が好ましく用いられる。
【００９７】
上記ブロック化剤の添加量は、壁膜表面および壁膜内部に存在するアミノ基と等量モル数のブロック化剤が添加される。実用的には、例えば、ブロック化剤として酸性化合物を用いる場合、マイクロカプセル調製（界面重合）直後の分散液に酸性物質（酸性化合物）を添加し、分散液のｐＨを塩基性から酸性、好ましくはｐＨ２〜５に調整し、しかる後、遠心分離や濾過等の手段により過剰の酸性化合物を除去する方法があげられる。
【００９８】
また、上記第１〜第３工程からなるマイクロカプセル型硬化促進剤の製法において、第２工程として、マイクロカプセル分散液を酸性陽イオン交換樹脂カラムを通すことにより、未反応の遊離アミンを除去したり、残存アミノ基を中和させる手法も用いられる。
【００９９】
得られたマイクロカプセル型硬化促進剤の平均粒径は、特に限定されるものではないが、例えば、均一な分散性の観点から、０．０５〜５００μｍの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．１〜３０μｍである。上記マイクロカプセル型硬化促進剤の形状としては球状が好ましいが楕円状であってもよい。そして、このマイクロカプセルの形状が真球状ではなく楕円状や偏平状等のように一律に粒径が定まらない場合には、その最長径と最短径との単純平均値を平均粒径とする。
【０１００】
さらに、上記マイクロカプセル型硬化促進剤において、内包される硬化促進剤の量は、マイクロカプセル全量の１０〜９５重量％に設定することが好ましく、特に好ましくは３０〜８０重量％である。すなわち、硬化促進剤の内包量が１０重量％未満では、硬化反応の時間が長くなりすぎて反応性に乏しくなり、逆に硬化促進剤の内包量が９５重量％を超えると、壁膜の厚みが薄すぎてコア部（硬化剤）の隔離性や機械的強度に乏しくなる恐れがあるからである。
【０１０１】
また、上記マイクロカプセル型硬化促進剤の粒径に対するシェル部（壁膜）の厚みの比率は３〜２５％に設定することが好ましく、特に好ましくは５〜２５％に設定される。すなわち、上記比率が３％未満ではエポキシ樹脂組成物製造時の混練工程において加わる剪断力（シェア）に対して充分な機械的強度が得られず、また、２５％を超えると内包される硬化促進剤の放出が不充分となる傾向がみられるからである。
【０１０２】
そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）の配合量は、前記各態様のフェノール樹脂（Ｂ１〜Ｂ３成分）１００重量部（以下「部」と略す）に対して０．１〜４０部に設定することが好ましい。特に好ましくは５〜２０部である。すなわち、上記潜在性硬化促進剤の配合量が、０．１部未満では、硬化速度が遅すぎて強度の低下を引き起こし、４０部を超えると、硬化速度が速過ぎて流動性が損なわれるおそれがあるからである。
【０１０３】
なお、本発明において、Ｃ成分である潜在性硬化促進剤として、上記した硬化促進剤含有マイクロカプセル以外に、所期の目的を損なわなければ、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いることができる。市販品としては、例えば商品名ＭＣＥ−９９５７（日本化薬社製、メチルメタアクリレートを壁膜として使用しているもの）、旭チバ社製のノバキュアー（商品名ＨＸ−３７４８，３７４１，３７４２，ＨＸ−３９２１ＨＲ，ＨＸ−３９４１ＨＰ）等があげられる。また、マイクロカプセル型硬化促進剤以外の硬化促進剤であってもジシアンジアミド、または、富士化成工業社製のフジキュアーＦＸＲ−１０３０、ＦＸＥ−１０００等の触媒活性が弱いものや、通常の硬化促進剤を少量添加し触媒活性を弱くしたものでもよい。
【０１０４】
さらに、上記Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、特に限定するものではなく各種の無機質充填剤を用いることができる。例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アエロジル等があげられるが、ニッケル、金、銅、銀、錫、鉛、ビスマス等の導電性粒子を加えてもよい。なかでも、球状シリカ粉末、具体的には、球状溶融シリカ粉末が特に好ましく用いられる。さらに、平均粒径０．０１〜６０μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは０．１〜１５μｍの範囲のものである。なお、本発明において、球状とは、フロー式粒子像分析装置（ＳＹＳＭＥＸ社製のＦＰＩＡ−１００型）を用いて測定される真球度が平均で０．８５以上であることをいう。
【０１０５】
そして、上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含有割合は、半導体封止用樹脂組成物全体中の１５〜８５重量％となるように設定することが好ましく、特に好ましくは５０〜８０重量％である。すなわち、無機質充填剤の含有割合が１５重量％未満では、２５℃での粘度が低くなり、貯蔵時に無機質充填剤の沈降が生じたり、吸湿率が高くなって耐湿信頼性が悪くなる傾向がみられ、８５重量％を超えると、流動性が低下し、吐出および塗布作業性が悪くなる傾向がみられるからである。
【０１０６】
さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、上記各必須成分以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜配合することができる。
【０１０７】
上記他の添加剤としては、例えば難燃剤、ワックス、レベリング剤、消泡剤、顔料、染料、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等があげられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アミノ基含有シラン等があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【０１０８】
上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の金属化合物、赤リン、リン酸エステル等のリン系化合物等があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【０１０９】
上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム、アミド系等の化合物があげられ、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【０１１０】
さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、上記他の添加剤以外に、シリコーンオイルおよびシリコーンゴム、合成ゴム、反応性希釈剤等の成分を配合して低応力化を図ったり、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を配合してもよい。
【０１１１】
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｄ成分ならびに必要に応じて他の添加剤を混合した後、万能攪拌釜等の混練機にかけ加熱状態で混練りして溶融混合する。つぎに、これを室温（２５℃程度）にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。なお、半導体封止用樹脂組成物の流動性を調整するため、有機溶剤を添加することもできる。上記有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジアセトンアルコール等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【０１１２】
このようにして得られた半導体封止用樹脂組成物は、その粘度が２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅ以下に設定されていなければならない。特に好ましくは、２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ以上で、かつ８０℃で３０００ｐｏｉｓｅ以下である。なお、半導体封止用樹脂組成物の粘度において８０℃での下限は通常１．０ｐｏｉｓｅである。すなわち、２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ未満であり、かつ８０℃で５０００ｐｏｉｓｅを超える場合、貯蔵安定性や吐出および塗布作業性が悪くなり、初期の特性を満足させることができないからである。
【０１１３】
なお、上記半導体封止用樹脂組成物の２５℃および８０℃における各粘度は、上記各温度においてＥ型粘度計を用いて測定される。具体的には、以下に示すとおりである。
【０１１４】
〔２５℃における粘度〕
東機産業社製ＲＥ８０Ｕ形でロータは３°×Ｒ７．７を用い、コーンロータ回転数１ｒｐｍで１分間前処理後、０．１ｒｐｍで１０分間放置後の値を測定する。
【０１１５】
〔８０℃における粘度〕
東機産業社製ＲＥ８０Ｒ形で、粘度１０００ｐｏｉｓｅ未満になるものはロータ３°×Ｒ１４、粘度１０００ｐｏｉｓｅ以上になるものはロータ３°×Ｒ７．７を用い、コーンロータ回転数１ｒｐｍで１分間前処理後、０．５ｒｐｍで１０分間放置後の値を測定する。
【０１１６】
本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いての半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行うことができる。例えば、フリップチップ、ＣＯＢ、グラフトップ、キャビティーフィル等による実装においては、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした後、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造することができる。また、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上等に対して直接貼りつけまたは塗布を行ない、その後加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造することもできる。なお、上記実装は、真空下で行ってもよい。
【０１１７】
上記半導体装置の製造方法のうちのフリップチップ実装について、サイドフィル封止方法と、プレスバンプ封止方法と、印刷封止方法を例として具体的に説明する。
【０１１８】
〔サイドフィル封止方法〕
まず、配線回路基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて注入し充填した後、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。
【０１１９】
なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上あるいはその近傍に対して直接貼りつけまたは塗布を行ない、その後加熱し硬化させて上記半導体素子と配線回路基板との空隙に封止樹脂層を形成することも可能である。
【０１２０】
また、上記サイドフィル封止方法による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置としては、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式ＭＢＣ−Ｖシリーズ等があげられる。さらに、上記真空下で半導体装置を製造する際、真空下で配線回路基板と半導体素子との空隙に半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて注入し充填した後、大気圧に戻してさらに半導体封止用樹脂組成物を充填するという差圧充填を行ってもよい。
【０１２１】
〔プレスバンプ封止方法〕
まず、配線回路基板上に加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングする。その後、フリップチップボンダー等によるプレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時に封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。
【０１２２】
なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子あるいは配線回路基板に対して直接貼りつけまたは塗布を行い、その後プレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との接続と同時に封止樹脂層を形成することも可能である。
【０１２３】
上記プレスバンプ封止方法による半導体装置の製造は、必要に応じて真空下で行ってもよい。
【０１２４】
また、ディスペンサーを用いてポッティングする代わりに、可能であれば、印刷により塗布し、その後、フリップチップボンダー等によるプレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時に封止樹脂層を形成してもよい。なお、印刷による塗布は印刷雰囲気全体を加温したり、マスク、スキージ等を部分的に加温してもよい（加温の目安は４０〜１００℃である）。
【０１２５】
〔印刷封止方法〕
まず、配線回路基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて滴下し、印刷封止にて封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装による半導体装置を製造することができる。
【０１２６】
上記印刷封止については、真空差圧を利用した東レエンジニアリング社製の真空印刷封止装置（型式ＶＰＥ−１００シリーズ）を用いるのが、封止樹脂層に気泡が入りにくいという点で好ましい。
【０１２７】
なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物をステージ、スキージ等に対して直接貼りつけ、塗布等を行ない、印刷封止することも可能である。
【０１２８】
一方、上記半導体装置の製造方法のうちのキャビティーフィル形態の半導体装置の製造方法について、具体的に説明する。
【０１２９】
まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤー等で電気的に接続されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体素子に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングし加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造することができる。
【０１３０】
なお、予め加温せずに、固形または半固形の半導体封止用樹脂組成物を、直接貼りつけ、または塗布を行い、その後加熱し硬化させて上記半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することも可能である。
【０１３１】
また、上記封止方法による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置としては、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式ＭＢＣ−Ｖシリーズ等があげられる。
【０１３２】
他の製造方法について述べる。すなわち、まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤー等で電気的に接続されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体素子上に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物を印刷等により供給し、加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造することができる。
【０１３３】
上記印刷封止による半導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。さらに、真空下で半導体装置を製造する際、真空下で印刷封止した後、雰囲気の気圧を上げて半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その状態のままでさらに仕上げ印刷を行ってもよい。
【０１３４】
このようにして得られた半導体装置は、例えば、実装用基板（マザーボード）の搭載に用いられ半導体製品の製造に供される。すなわち、実装用基板（マザーボート）上に、複数の接続用電極部を介して、それ自体の配線回路基板を対面させた状態で半導体装置を搭載するとともに、上記実装用基板と半導体装置との間の空隙を、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いて充填し、加熱硬化させることにより封止樹脂層を形成して半導体製品を製造する。
【０１３５】
上記半導体封止用樹脂組成物を加熱硬化させる方法としては、特に限定するものではないが、例えば、対流式乾燥機、ＩＲリフロー炉、ホットプレート等を用いた加熱方法等があげられる。
【０１３６】
また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いることによる上記実装用基板と半導体装置との間の空隙の充填方法としては、例えば、先の半導体装置の製造方法のうちのフリップチップ実装について述べたのと同様の方法、サイドフィル封止方法、プレスバンプ封止方法、印刷封止方法等があげられる。なお、上記の半導体封止用樹脂組成物に、ニッケル、金、銀、銅、錫、鉛、ビスマス等の導電性粒子を分散させ、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film ）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）としてフリップチップ実装に用いてもよい。その他の使用方法として、上記半導体封止用樹脂組成物を配線回路基板上にダム材として用いたり、配線回路基板と放熱板との接着剤およびダイボンド剤として用いてもよい。
【０１３７】
本発明の半導体封止用樹脂組成物を、半導体ウェハやマトリックス状の配線回路基板に対して用いた半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行うことができる。
【０１３８】
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハに対して用いた場合について述べる。すなわち、上記突起状電極部配設面に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて塗布して半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する。上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する際には、上記突起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層より露出させるよう設定する。ついで、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを切断して半導体装置を作製する。
【０１３９】
上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層の形成方法としては、マスクの開口部を通して印刷により行う方法があげられる。
【０１４０】
上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬化されていればよく、加熱硬化工程は半導体ウェハの切断前であっても切断後であってもよい。
【０１４１】
一方、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して上記半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する。ついで、上記樹脂層を加熱硬化して複数の半導体素子を樹脂封止した後、樹脂封止された複数の半導体素子を個々の半導体素子毎に切断することにより半導体装置を作製する。
【０１４２】
上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬化されていればよく、加熱硬化工程は半導体素子毎の切断前であっても切断後であってもよい。
【０１４３】
上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディスペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷により行う方法等があげられる。
【０１４４】
また、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して所定の厚みの樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する。ついで、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、複数の配線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製する。
【０１４５】
さらに、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組成物を供給して樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する。ついで、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記切断された配線回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることにより、半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製する。
【０１４６】
上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディスペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷により行う方法等があげられる。
【０１４７】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【０１４８】
（１）本発明の半導体封止用樹脂組成物の、第１の態様（液状エポキシ樹脂と固形フェノール樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。
【０１４９】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【０１５０】
〔エポキシ樹脂ａａ１〕
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１５８ｇ／ｅｑ、東都化成社製のエポトートＹＤＦ−８１７０）。
【０１５１】
〔エポキシ樹脂ａａ２〕
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３２）。
【０１５２】
〔エポキシ樹脂ａａ３〕
脂環式エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１３５ｇ／ｅｑ、ダイセル化学社製のセロキサイド２０２１Ｐ）。
【０１５３】
〔フェノール樹脂ｂａ１〕
下記の化学式（ｂａ１）で表される四官能フェノール樹脂（２５℃で固形：融点１８７℃、純度９４％、本州化学工業社製のＴＨＤ−２３４４）。
【０１５４】
【化６５】
0004286399.tif 000045
【０１５５】
〔フェノール樹脂ｂａ２〕
下記の化学式（ｂａ２）で表される五官能フェノール樹脂（２５℃で固形：融点１８２℃、純度９７．５％、本州化学工業社製のＢｉｓＰＧ−２６Ｘ）。
【０１５６】
【化６６】
0004286399.tif 000046
【０１５７】
〔フェノール樹脂ｂａ３〕
下記の化学式（ｂａ３）で表される四官能フェノール樹脂（２５℃で固形：融点１５６℃、純度９３．６％、本州化学工業社製のＭＨＤ−２３４４）。
【０１５８】
【化６７】
0004286399.tif 000047
【０１５９】
〔フェノール樹脂ｂａ４〕
下記の化学式（ｂａ４）で表される三官能フェノール樹脂（２５℃で固形：融点９４℃、純度９８％、本州化学工業社製のＨＤＭ−２３４）。
【０１６０】
【化６８】
0004286399.tif 000048
【０１６１】
〔フェノール樹脂ｂａ５〕
下記の化学式（ｂａ５）で表される固形フェノール樹脂（２５℃で固形：融点９５℃、純度８９％、本州化学工業社製のＴｒｉｓＰ−ＲＫ）。
【０１６２】
【化６９】
0004286399.tif 000049
【０１６３】
〔フェノール樹脂ｂａ６〕
トリフェニルメタン型フェノール樹脂〔２５℃で固形：水酸基当量１０１ｇ／ｅｑ、融点１１０℃、１５０℃粘度３〜４ｐｏｉｓｅ、明和化成社製のＭＥＨ−７５００（３，４Ｐ）〕。
【０１６４】
〔フェノール樹脂ｂａ７〕
下記の化学式（ｂａ７）で表されるｐ−エチルフェノール樹脂（２５℃で固形：水酸基当量１２９ｇ／ｅｑ、融点９８℃、明和化成社製）。
【０１６５】
【化７０】
0004286399.tif 000050
【０１６６】
〔フェノール樹脂ｂａ８〕
アリル化フェノールノボラック（２５℃で液状：水酸基当量１３５ｇ／ｅｑ、昭和化成社製のＭＥＨ−８００５Ｈ）。
【０１６７】
〔酸無水物系硬化剤〕
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（メチル化ＨＨＰＡ、新日本理化社製のリカシッドＭＨ−７００）。
【０１６８】
〔硬化促進剤ｃ１〕
前述した方法に準じてマイクロカプセル型硬化促進剤を作製した。すなわち、まず、キシリレンジイソシアネート３モルとトリメチロールプロパン１モルとの付加物１１部、トリレンジイソシアネート３モルとトリメチロールプロパン１モルとの付加物４．６部を、硬化促進剤としてのトリフェニルホスフィン７部と酢酸エチル３．９部との混合液中に均一に溶解させて油相を調製した。また、蒸留水１００部とポリビニルアルコール５部からなる水相を別途調製し、このなかに上記調製した油相を添加してホモミキサーにて乳化しエマルジョン状態にし、これを還流管、攪拌機、滴下ロートを備えた重合反応器に仕込んだ。
【０１６９】
一方、トリエチレンテトラミン３部を含む水溶液１０部を調製し、これを上記重合反応器に備えた滴下ロート内に入れ、反応器中のエマルジョンに滴下して７０℃で３時間界面重合を行い、マイクロカプセル型硬化促進剤の水性サスペンジョンを得た。続いて、遠心分離により水相中のポリビニルアルコール等を除去した後、蒸留水１００部を加え再び分散を行いサスペンジョンを得た。
【０１７０】
このサスペンジョンに対し、蟻酸を滴下し系のｐＨを３に調整した。これにより壁膜表面および内部のアミノ基が蟻酸によりブロックされたマイクロカプセル型硬化促進剤を作製した。このようにして得られたマイクロカプセル型硬化促進剤は遠心分離にて分別、水洗を繰り返した後、乾燥することによって自由流動性を有する粉末状粒子として単離した。このマイクロカプセル型硬化促進剤の平均粒径は２μｍであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は１５％であり、トリフェニルホスフィンの内包量は全体の３０重量％であった。
【０１７１】
〔硬化促進剤ｃ２〕
日本化薬社製のＭＣＥ−９９５７。
【０１７２】
〔硬化促進剤ｃ３〕
２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製のキュアゾール２Ｅ４ＭＺ）。
【０１７３】
〔無機質充填剤ｄ１〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径５．０μｍ、東燃化学社製のＳＰ−４Ｂ）。
【０１７４】
〔無機質充填剤ｄ２〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ、電気化学工業社製のＦＢ−４８Ｘ）。
【０１７５】
〔無機質充填剤ｄ３〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径０．５６μｍ、アドマテックス社製のＳＥ−２１００）
【０１７６】
【実施例ａ１〜ａ１２、比較例ａ１〜ａ４、従来例】
上記各成分を後記の表１〜表３に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。
【０１７７】
〔実施例ａ１〜ａ８、比較例ａ４〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１５０℃で２分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、７５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０１７８】
〔実施例ａ９〜ａ１２、比較例ａ２、ａ３〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１１０℃で５分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、６５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０１７９】
〔比較例ａ１、従来例〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂または酸無水物を仕込み、８０℃で１０分間混合した。その後、同温度で無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、５０℃まで温度を下げ、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０１８０】
【表１】
0004286399.tif 000051
【０１８１】
【表２】
0004286399.tif 000052
【０１８２】
【表３】
0004286399.tif 000053
【０１８３】
このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を後記の表４〜表７に示した。
【０１８４】
〔ガラス転移温度（Ｔｇ）〕
予め脱泡処理した半導体封止用樹脂組成物を１５０℃で３時間硬化させたテストピースを、リガク社製のＴＭＡ装置（型番ＭＧ８００ＧＭ）を用い測定した。なお、測定条件は、昇温５℃／ｍｉｎで荷重３０ｇで行った。そして、横軸を温度，縦軸を伸びとするグラフ図を作成し、５０〜７０℃間の接線と２００〜２３０℃間の接線との交点をＴｇとして求めた。
【０１８５】
〔貯蔵安定性〕
＊１：無機質充填剤の沈降度合い
内径１６ｍｍφ、高さ１８０ｍｍの試験管に半導体封止用樹脂組成物を入れて密栓し（試料高さ：１２０ｍｍ）、２５℃で３０日間放置後、無機質充填剤の沈降度合いを確認した。沈降有無の判断としては、無機質充填剤が沈降するとその部分の半導体封止用樹脂組成物の濁度レベルが変わるため、目視にて濁度変化を確認した。濁度が減少（透明度が増す）したものを沈降有りとした。沈降部分の高さが１ｍｍ以上のものを沈降有りとして×を表示し、沈降部分が全くないものを沈降無しとして◎を表示した。
＊２：粘度変化の度合い
２５℃の雰囲気に放置し（３０日）、放置前後の粘度をＥ型粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、従来例については測定温度：２５℃）。そして、放置後の粘度が放置前の粘度の１．５倍以下のものに◎、放置後の粘度が放置前の粘度の１．５倍を超え３．０倍以下のものに○、放置後の粘度が放置前の粘度の３．０倍を超え１０倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度の１０倍を超えるものに×をつけた。なお、Ｅ型粘度計を用いての粘度の測定は、前記２５℃または８０℃における粘度の測定方法と同様にして行った。
【０１８６】
〔吐出性、塗布作業性〕
８０℃に加温した半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて時間と圧力の一定条件で吐出した時の吐出量で評価した。すなわち、武蔵エンジニアリング社製のシリンジ１０ｃｃ、金属ニードルＳＮ−１７Ｇ（内径２．４ｍｍ）を用い、圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で１０秒後の吐出量を測定した。その結果、吐出量が１０００ｍｇ以上のものを◎、２００ｍｇ以上１０００ｍｇ未満のものを○、５０ｍｇ以上２００ｍｇ未満のものを△、５０ｍｇ未満のものを×とした。なお、上記条件で５０ｍｇ未満であれば、半導体の樹脂封止が不可のレベルである。
【０１８７】
〔可使時間（粘度変化）〕
各半導体封止用樹脂組成物について、５０℃×７２時間放置前後の粘度をＥ型粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、従来例については測定温度：２５℃）。そして、放置後の粘度が放置前の粘度の１．５倍以下のものに◎、放置後の粘度が放置前の粘度の１．５倍を超え３．０倍以下のものに○、放置後の粘度が放置前の粘度の３．０倍を超え１０倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度の１０倍を超えるものに×をつけた。なお、Ｅ型粘度計を用いての粘度の測定は、前記２５℃または８０℃における粘度の測定方法と同様にして行った。
【０１８８】
〔耐湿信頼性〕
上記各半導体封止用樹脂組成物を用いてつぎのようして半導体装置を製造した。すなわち、まず、半導体チップを実装したデュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）フレームをＤＩＰ金型にセットし、金型を１４０℃に加温した（従来例については１１０℃）。そして、予め脱泡処理を行ない、６０〜１２０℃に加熱した溶融状の半導体封止用樹脂組成物を滴下し、１５０℃で３時間の条件で硬化し（従来例については１１０℃で２０時間の条件で硬化）、半導体装置を作製した。そして、耐湿下、１３０℃×８５％ＲＨ×２．３ａｔｍ（印加バイアス３０Ｖ）に投入し、各パターンの導通チェックを行ない、不導通になれば不良品とする。なお、導通チェックは室温に取り出した後に行った。パッケージの不良率〔（不良パターン数／全パターン数）×１００〕が５０％以上になった時間を確認した。なお、その他の条件は、以下のとおりである。
・評価パッケージ：ＤＩＰ１６
・リードフレーム：４．２アロイ，厚み０．２５ｍｍ
・チップ        ：シンコー社製の全面Ａｌモデル素子３×６ｍｍ
（Ａｌパターン厚み５μｍ，幅５μｍ）
・ワイヤー      ：９９．９９％  Ｇｏｌｄ  ＳＲ  ２５μｍφ
・Ａｇペースト  ：日立化成社製のＥＮ−４０００
・評価ｎ数      ：１０パッケージ／試料（１パッケージに、＋極２パターン
、−極２パターンが配線されているので計４０パターン測
定できる。）
・ＰＣＴ条件    ：１３０℃×８５％ＲＨ×２．３ａｔｍ
（印加バイアス３０Ｖ）
【０１８９】
【表４】
0004286399.tif 000054
【０１９０】
【表５】
0004286399.tif 000055
【０１９１】
【表６】
0004286399.tif 000056
【０１９２】
【表７】
0004286399.tif 000057
【０１９３】
上記表４〜表７の結果から、全ての実施例品は、従来例品に比べ、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例ａ１品〜ａ９品は、固形フェノール樹脂として多官能固形フェノール樹脂を用いているため、多官能固形フェノール樹脂ではない固形フェノール樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が高くなっている。また、実施例ａ１品，ａ３品〜ａ１２品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に特に優れている。
【０１９４】
これに対し、比較例ａ１品は、液状エポキシ樹脂と液状フェノール樹脂を用いているため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例ａ２品も、２５℃の粘度で７０００ｐｏｉｓｅ未満であるため、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。さらに、比較例ａ３品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短くなり、貯蔵時の粘度変化が大きくなっていることがわかる。そして、比較例ａ４品は、半導体封止用樹脂組成物の粘度が８０℃で５０００ｐｏｉｓｅを超えているため、吐出および塗布作業性が悪くなっていることがわかる。
【０１９５】
つぎに、上記半導体装置の製法に関する実施例について説明する。
【０１９６】
【実施例ａ１３】
前記実施例ａ４で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０１９７】
【実施例ａ１４】
前記実施例ａ５で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例ａ１３と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０１９８】
【実施例ａ１５】
前記実施例ａ９で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を１５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その１５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま上記７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０１９９】
【実施例ａ１６】
前記実施例ａ１０で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例ａ１３と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２００】
〔半導体封止用樹脂組成物α１の作製〕
前記各成分を下記の表８に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した後、７０℃で真空脱泡した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１５０℃で２分間混合し、固形分を全て溶解した。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、７５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２０１】
得られた半導体封止用樹脂組成物α１について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物α１を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を下記の表８に併せて示した。
【０２０２】
【表８】
0004286399.tif 000058
【０２０３】
【実施例ａ１７】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め１００℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０４】
【実施例ａ１８】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０５】
【実施例ａ１９】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物αを充填（差圧充填）した後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０６】
【実施例ａ２０】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０７】
【実施例ａ２１】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０８】
【実施例ａ２２】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２０９】
【実施例ａ２３】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２１０】
【実施例ａ２４】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２１１】
【実施例ａ２５】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２１２】
【実施例ａ２６】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２１３】
【実施例ａ２７】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２１４】
【実施例ａ２８】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め１００℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２１５】
【実施例ａ２９】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２１６】
【実施例ａ３０】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２１７】
【実施例ａ３１】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２１８】
【実施例ａ３２】
上記半導体封止用樹脂組成物α１を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α１を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を１５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物α１中のボイド抜きを行い、その１５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物αを用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２１９】
【実施例ａ３３】
実装用基板（マザーボード）上に、上記実施例ａ２０で作製した半導体装置を載置し、電気的に接続して１００℃に加温したものを準備した。その後、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物αを、実装用基板と半導体装置との間の空隙にディスペンサーを用いて充填した。そして、１５０℃×３時間で硬化することにより半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成して半導体製品を製造した。
【０２２０】
上記のようにして得られた各半導体装置および実装用基板上に半導体装置が搭載された装置の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表９〜表１１に示す。
【０２２１】
【表９】
0004286399.tif 000059
【０２２２】
【表１０】
0004286399.tif 000060
【０２２３】
【表１１】
0004286399.tif 000061
【０２２４】
上記表９〜表１１の結果から、実施例ａ２８、ａ３０を除き殆どの半導体装置の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であった。
【０２２５】
（２）本発明の半導体封止用樹脂組成物の、第２の態様（固形エポキシ樹脂と液状フェノール樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。
【０２２６】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【０２２７】
〔エポキシ樹脂ａｂ１〕
下記の構造式（ａｂ１）で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点６８℃、大日本インキ社製のＥＸＡ−４７０１）。
【０２２８】
【化７１】
0004286399.tif 000062
【０２２９】
〔エポキシ樹脂ａｂ２〕
下記の化学式（ａｂ２）で表されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃、日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）。
【０２３０】
【化７２】
0004286399.tif 000063
【０２３１】
〔エポキシ樹脂ａｂ３〕
下記の構造式（ａｂ３）で表される固形エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量２４７ｇ／ｅｑ、融点１２１℃、新日鉄化学社製のＧＫ−４２９２）。
【０２３２】
【化７３】
0004286399.tif 000064
【０２３３】
〔エポキシ樹脂ａｂ４〕
下記の構造式（ａｂ４）で表される固形エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１７４ｇ／ｅｑ、融点７９℃、新日鉄化学社製のＧＫ−４１３７）。
【０２３４】
【化７４】
0004286399.tif 000065
【０２３５】
〔エポキシ樹脂ａｂ５〕
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂〔２５℃で液状（１３ｐｏｉｓｅ）：エポキシ当量１５８ｇ／ｅｑ、東都化成社製のエポトートＹＤＦ−８１７０）。
【０２３６】
〔エポキシ樹脂ａｂ６〕
下記の構造式（ａｂ６）で表される固形エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ、新日鉄化学社製のＧＫ−５０７９）。
【０２３７】
【化７５】
0004286399.tif 000066
【０２３８】
〔エポキシ樹脂ａｂ７〕
トリグリシジルイソシアヌレート（２５℃で固形：エポキシ当量１００ｇ／ｅｑ、日産化学社製のＴＥＰＩＣ−Ｓ）。
【０２３９】
〔フェノール樹脂ｂｂ１〕
アリル化フェノールノボラック（２５℃で液状：水酸基当量１３５ｇ／ｅｑ、昭和化成社製のＭＥＨ−８００５Ｈ）。
【０２４０】
〔フェノール樹脂ｂｂ２〕
ジアリル化ビスフェノールＡ（２５℃で液状：水酸基当量１５４ｇ／ｅｑ、群栄化学工業社製）。
【０２４１】
〔硬化促進剤ｃ１〕
先の第１の態様における実施例および比較例で用いた硬化促進剤ｃ１と同様のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いた。このマイクロカプセル型硬化促進剤の平均粒径は２μｍであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は１５％であり、トリフェニルホスフィンの内包量は全体の３０重量％であった。
【０２４２】
〔硬化促進剤ｃ２〕
日本化薬社製のＭＣＥ−９９５７。
【０２４３】
〔硬化促進剤ｃ３〕
２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製のキュアゾール２Ｅ４ＭＺ）。
【０２４４】
〔無機質充填剤ｄ１〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径５．０μｍ、東燃化学社製のＳＰ−４Ｂ）。
【０２４５】
〔無機質充填剤ｄ２〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ、電気化学工業社製のＦＢ−４８Ｘ）。
【０２４６】
〔無機質充填剤ｄ３〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径０．５６μｍ、アドマテックス社製のＳＥ−２１００）
【０２４７】
【実施例ｂ１〜ｂ１０、比較例ｂ１〜ｂ４】
上記各成分を後記の表１２〜表１４に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。
【０２４８】
〔実施例ｂ１〜ｂ４、比較例ｂ３、ｂ４〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１１０℃で５分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、６５℃の温度に調整した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２４９】
〔実施例ｂ５〜ｂ７、比較例ｂ２〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１３０℃で１０分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、７５℃の温度に調整した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２５０】
〔実施例ｂ８〜ｂ１０〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１５０℃で１０分間混合した。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、６５℃の温度に調整した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２５１】
〔比較例ｂ１〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、８０℃で１０分間混合した。その後、同温度で無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、５０℃まで温度を下げ、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２５２】
【表１２】
0004286399.tif 000067
【０２５３】
【表１３】
0004286399.tif 000068
【０２５４】
【表１４】
0004286399.tif 000069
【０２５５】
このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を後記の表１５〜表１７に示した。
【０２５６】
〔ガラス転移温度（Ｔｇ）〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０２５７】
〔貯蔵安定性〕
＊１：無機質充填剤の沈降度合い
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
＊２：粘度変化の度合い
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０２５８】
〔吐出性、塗布作業性〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０２５９】
〔可使時間（粘度変化）〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０２６０】
〔耐湿信頼性〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０２６１】
【表１５】
0004286399.tif 000070
【０２６２】
【表１６】
0004286399.tif 000071
【０２６３】
【表１７】
0004286399.tif 000072
【０２６４】
上記表１５〜表１７の結果から、全ての実施例品は、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例ｂ１品〜ｂ４品は、固形エポキシ樹脂として多官能固形エポキシ樹脂を用いているため、多官能エポキシ樹脂ではない固形エポキシ樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が特に高くなっている。また、実施例ｂ１品，ｂ３品〜ｂ９品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に優れている。
【０２６５】
これに対し、比較例ｂ１品，ｂ４品は、２５℃で７０００ｐｏｉｓｅ未満の粘度の液状であるため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例ｂ２品は、８０℃の粘度が５０００ｐｏｉｓｅを超えるため、流動性が悪くなり、吐出および塗布作業性が悪いことがわかる。さらに、比較例ｂ３品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短くなり、貯蔵時の粘度が大きく変化していることがわかる。
【０２６６】
つぎに、上記半導体装置の製法に関する実施例について説明する。
【０２６７】
【実施例ｂ１１】
前記実施例ｂ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま上記７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２６８】
【実施例ｂ１２】
前記実施例ｂ３で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２６９】
【実施例ｂ１３】
前記実施例ｂ４で作製した半導体封止用樹脂組成物を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま上記７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２７０】
【実施例ｂ１４】
前記実施例ｂ８で作製した半導体封止用樹脂組成物を用いた。それ以外は上記実施例ｂ１３と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７１】
〔半導体封止用樹脂組成物α２の作製〕
前記各成分を下記の表１８に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１１０℃で５分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、６５℃の温度に調整した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０２７２】
得られた半導体封止用樹脂組成物α２について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物α２を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を下記の表１８に併せて示した。
【０２７３】
【表１８】
0004286399.tif 000073
【０２７４】
【実施例ｂ１５】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７５】
【実施例ｂ１６】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７６】
【実施例ｂ１７】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を充填（差圧充填）した後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７７】
【実施例ｂ１８】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７８】
【実施例ｂ１９】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め９０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２７９】
【実施例ｂ２０】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８０】
【実施例ｂ２１】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め９０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８１】
【実施例ｂ２２】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め９０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８２】
【実施例ｂ２３】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８３】
【実施例ｂ２４】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め９０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８４】
【実施例ｂ２５】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０２８５】
【実施例ｂ２６】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２８６】
【実施例ｂ２７】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２８７】
【実施例ｂ２８】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２８８】
【実施例ｂ２９】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２８９】
【実施例ｂ３０】
上記半導体封止用樹脂組成物α２を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物α２中のボイド抜きを行い、その５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物α２を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０２９０】
【実施例ｂ３１】
実装用基板（マザーボード）上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α２をディスペンサーを用いてポッティングした。そして、この実装用基板上に、上記実施例２０で作製した半導体装置を載置し、ＩＲリフロー炉（条件：２４０℃×１０秒間）を用い、半導体装置と実装用基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成することにより半導体製品を製造した。
【０２９１】
上記のようにして得られた各半導体装置および実装用基板上に半導体装置が搭載された半導体製品の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表１９〜表２１に示す。
【０２９２】
【表１９】
0004286399.tif 000074
【０２９３】
【表２０】
0004286399.tif 000075
【０２９４】
【表２１】
0004286399.tif 000076
【０２９５】
上記表１９〜表２１の結果から、実施例ｂ２６、ｂ２８を除き殆どの半導体装置および半導体製品の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であった。
【０２９６】
（３）本発明の半導体封止用樹脂組成物の、第３の態様（固形エポキシ樹脂と固形フェノール樹脂の組み合わせ）における実施例および比較例について述べる。
【０２９７】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【０２９８】
〔エポキシ樹脂ａｃ１〕
下記の化学式（ａｃ１）で表される結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１７４ｇ／ｅｑ、融点７９℃、新日鉄化学社製のＧＫ−４１３７）。
【０２９９】
【化７６】
0004286399.tif 000077
【０３００】
〔エポキシ樹脂ａｃ２〕
下記の化学式（ａｃ２）で表される結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１７３ｇ／ｅｑ、融点１４５℃、東都化成社製のＹＤＣ−１３１２）。
【０３０１】
【化７７】
0004286399.tif 000078
【０３０２】
〔エポキシ樹脂ａｃ３〕
下記の化学式（ａｃ３）で表される結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ、融点１０５℃、油化シェル社製のＹＸ−４０００Ｈ）。
【０３０３】
【化７８】
0004286399.tif 000079
【０３０４】
〔エポキシ樹脂ａｃ４〕
下記の化学式（ａｃ４）で表される結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ、融点７８℃、新日鉄化学社製のＧＫ−５０７９）。
【０３０５】
【化７９】
0004286399.tif 000080
【０３０６】
〔エポキシ樹脂ａｃ５〕
下記の化学式（ａｃ５）で表されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃、日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）。
【０３０７】
【化８０】
0004286399.tif 000081
【０３０８】
〔エポキシ樹脂ａｃ６〕
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１５８ｇ／ｅｑ、東都化成社製のエポトートＹＤＦ−８１７０）。
【０３０９】
〔エポキシ樹脂ａｃ７〕
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３２）。
【０３１０】
〔エポキシ樹脂ａｃ８〕
下記の構造式（ａｃ８）で表される四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点６８℃、大日本インキ社製のＥＸＡ−４７０１）。
【０３１１】
【化８１】
0004286399.tif 000082
【０３１２】
〔フェノール樹脂ｂｃ１〕
下記の化学式（ｂｃ１）で表されるｐ−エチルフェノール樹脂（２５℃で固形：水酸基当量１２９ｇ／ｅｑ、融点９８℃、明和化成社製）。
【０３１３】
【化８２】
0004286399.tif 000083
【０３１４】
〔フェノール樹脂ｂｃ２〕
下記の化学式（ｂｃ２′）で表される三官能フェノール樹脂と、下記の化学式（ｂｃ２″）で表される四官能フェノール樹脂との混合物〔融点１４０℃、本州化学工業社製のＭＨＤ−２４４ＨＧ〕。なお、液体クロマトグラフ分析によるピーク面積比率（全ピーク面積に対しての面積比）は、式（ｂｃ２′）が約８４％、式（ｂｃ２″）が約１５％である。
【０３１５】
【化８３】
0004286399.tif 000084
【０３１６】
【化８４】
0004286399.tif 000085
【０３１７】
〔フェノール樹脂ｂｃ３〕
上記化学式（ｂｃ２″）で表される四官能フェノール樹脂と、上記化学式（ｂｃ２′）で表される三官能フェノール樹脂との混合物〔融点１８２℃、本州化学工業社製のＢｉｓ２６Ｘ−ＲＳ〕。なお、液体クロマトグラフ分析によるピーク面積比率（全ピーク面積に対しての面積比）は、式（ｂｃ２″）が約９０％、式（ｂｃ２′）が約８％である。
【０３１８】
〔フェノール樹脂ｂｃ４〕
下記の化学式（ｂｃ４）で表される三官能フェノール樹脂（２５℃で固形：純度９８％、融点９４℃、本州化学工業社製のＨＤＭ−２３４）。
【０３１９】
【化８５】
0004286399.tif 000086
【０３２０】
〔フェノール樹脂ｂｃ５〕
下記の化学式（ｂｃ５）で表されるフェノール樹脂（２５℃で固形：三井化学社製のＢＰＦ−ＳＴ）。
【０３２１】
【化８６】
0004286399.tif 000087
【０３２２】
〔フェノール樹脂ｂｃ６〕
アリル化フェノールノボラック（２５℃で液状：水酸基当量１３５ｇ／ｅｑ、明和化成社製のＭＥＨ−８００５Ｈ）。
【０３２３】
〔硬化促進剤ｃ１〕
先の第１の態様における実施例および比較例で用いた硬化促進剤ｃ１と同様のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いた。このマイクロカプセル型硬化促進剤の平均粒径は２μｍであった。また、マイクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は１５％であり、トリフェニルホスフィンの内包量は全体の３０重量％であった。
【０３２４】
〔硬化促進剤ｃ２〕
日本化薬社製のＭＣＥ−９９５７。
【０３２５】
〔硬化促進剤ｃ３〕
２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製のキュアゾール２Ｅ４ＭＺ）。
【０３２６】
〔無機質充填剤ｄ１〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径５．０μｍ、東燃化学社製のＳＰ−４Ｂ）。
【０３２７】
〔無機質充填剤ｄ２〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１５μｍ、電気化学工業社製のＦＢ−４８Ｘ）。
【０３２８】
〔無機質充填剤ｄ３〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径０．５６μｍ、アドマテックス社製のＳＥ−２１００）
【０３２９】
【実施例ｃ１〜ｃ１１、比較例ｃ１〜ｃ４】
上記各成分を後記の表２２〜表２４に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。
【０３３０】
〔実施例ｃ１〜ｃ１１、比較例ｃ２〜ｃ４〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１５０℃で１０分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、７５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。なお、比較例４については、６５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加えるようにした。
【０３３１】
〔比較例ｃ１〕
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、８０℃で１０分間混合した。その後、同温度で無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、５０℃まで温度を下げ、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０３３２】
【表２２】
0004286399.tif 000088
【０３３３】
【表２３】
0004286399.tif 000089
【０３３４】
【表２４】
0004286399.tif 000090
【０３３５】
このようにして得られた実施例および比較例の半導体封止用樹脂組成物について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を後記の表２５〜表２７に示した。
【０３３６】
〔ガラス転移温度（Ｔｇ）〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０３３７】
〔貯蔵安定性〕
＊１：無機質充填剤の沈降度合い
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
＊２：粘度変化の度合い
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０３３８】
〔吐出性、塗布作業性〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０３３９】
〔可使時間（粘度変化）〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０３４０】
〔耐湿信頼性〕
前記第１の態様と同様の方法にて求めた。
【０３４１】
【表２５】
0004286399.tif 000091
【０３４２】
【表２６】
0004286399.tif 000092
【０３４３】
【表２７】
0004286399.tif 000093
【０３４４】
上記表２５〜表２７の結果から、全ての実施例品は、無機質充填剤の沈降がなく、また可使時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そして、吐出および塗布作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であることがわかる。特に、実施例ｃ１品〜ｃ７品は、固形フェノール樹脂として多官能固形フェノール樹脂または多官能固形エポキシ樹脂を用いているため、多官能固形樹脂系ではない固形樹脂を用いたものに比べ、ガラス転移温度が特に高くなっている。また、実施例ｃ１品，ｃ３品〜ｃ８品，ｃ１０品，ｃ１１品は、潜在性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているため、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いたものに比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に特に優れている。
【０３４５】
これに対し、比較例ｃ１品は、液状エポキシ樹脂と液状フェノール樹脂とを用いているため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。また、比較例ｃ２品も、２５℃の粘度が７０００ｐｏｉｓｅ未満であるため、貯蔵安定性が悪くなり、無機質充填剤の沈降が生じていることがわかる。さらに、比較例ｃ３品は、８０℃の粘度が５０００ｐｏｉｓｅを超えているため、吐出および塗布作業性が悪くなっていることがわかる。そして、比較例ｃ４品は、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いているため、可使時間が短く、貯蔵安定性が悪くなっていることがわかる。
【０３４６】
つぎに、上記半導体装置の製法に関する実施例について説明する。
【０３４７】
【実施例ｃ１２】
前記実施例ｃ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を１５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その１５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま上記７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３４８】
【実施例ｃ１３】
前記実施例ｃ４で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３４９】
【実施例ｃ１４】
前記実施例ｃ６で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例ｃ１２と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５０】
【実施例ｃ１５】
前記実施例ｃ７で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用いた。それ以外は上記実施例ｃ１２と同様にしてフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５１】
【実施例ｃ１６】
（併用エポキシ樹脂＋併用フェノール樹脂）
前記実施例ｃ１１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を１５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その１５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま上記７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間の条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３５２】
〔半導体封止用樹脂組成物α３の作製〕
前記各成分を下記の表２８に示す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混合した後、７０℃で真空脱泡した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわち、まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を仕込み、１５０℃で１０分間混合し、固形分を全て溶解させた。つぎに、９０〜１００℃まで温度を下げ、無機質充填剤を加えて１０分間混合した。そして、７５℃の温度に調節した後、硬化促進剤を加え２分間混合し受け入れた。
【０３５３】
得られた半導体封止用樹脂組成物α３について、２５℃および８０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、前記と同様の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止用樹脂組成物α３を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性を前記と同様の方法に従って測定・評価した。そして、これらの結果を下記の表２８に併せて示した。
【０３５４】
【表２８】
0004286399.tif 000094
【０３５５】
【実施例ｃ１７】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め１００℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５６】
【実施例ｃ１８】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いて充填した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５７】
【実施例ｃ１９】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、５Ｔｏｒｒの真空下で７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いて充填した。その後、さらに大気圧に戻し、上記７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を充填（差圧充填）した後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５８】
【実施例ｃ２０】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３５９】
【実施例ｃ２１】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め１００℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６０】
【実施例ｃ２２】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６１】
【実施例ｃ２３】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６２】
【実施例ｃ２４】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６３】
【実施例ｃ２５】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６４】
【実施例ｃ２６】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６５】
【実施例ｃ２７】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３６６】
【実施例ｃ２８】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め１００℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３６７】
【実施例ｃ２９】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３６８】
【実施例ｃ３０】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３をマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３６９】
【実施例ｃ３１】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３７０】
【実施例ｃ３２】
上記半導体封止用樹脂組成物α３を用い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備した。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を１５０Ｔｏｒｒに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物α３中のボイド抜きを行い、その１５０Ｔｏｒｒの状態を維持したまま７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物α３を用いて仕上げ印刷を行った。その後、１５０℃×３時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。
【０３７１】
【実施例ｃ３３】
実装用基板（マザーボード）上に、上記実施例２０で作製した半導体装置を載置し、電気的に接続して１００℃に加温したものを準備した。その後、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物α３を、実装用基板と半導体装置との間の空隙にディスペンサーを用いて充填した。そして、１５０℃×３時間で硬化することにより半導体装置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成して半導体製品を製造した。
【０３７２】
上記のようにして得られた各半導体装置および半導体製品の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表２９〜表３１に示す。
【０３７３】
【表２９】
0004286399.tif 000095
【０３７４】
【表３０】
0004286399.tif 000096
【０３７５】
【表３１】
0004286399.tif 000097
【０３７６】
上記表２９〜表３１の結果から、実施例ｃ２７、ｃ２９を除き殆どの半導体装置および半導体製品の封止樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される程度であった。
【０３７７】
（４）つぎに、本発明の半導体封止用樹脂組成物を半導体ウェハおよびマトリックス状の配線回路基板に用いた半導体装置の製法に関する実施例について述べる。
【０３７８】
【実施例ｄ１】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて、厚み１５０μｍとなるよう塗布することにより樹脂層を形成した。塗布後、５Ｔｏｒｒの真空下で脱泡し、１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。
【０３７９】
【実施例ｄ２】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて厚み１５０μｍとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。
【０３８０】
【実施例ｄ３】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて厚み１５０μｍとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、１５０Ｔｏｒｒに戻して泡抜きを行い、さらに１５０Ｔｏｒｒの真空下で仕上げ印刷を行った。仕上げ印刷した後、１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、上記突起状電極部の先端部が上記樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨し、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。
【０３８１】
【実施例ｄ４】
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、ボンディングワイヤーを介して複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、ディスペンサーを用いて上記半導体封止用樹脂組成物を塗布し、半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成した。樹脂層を形成した後、５Ｔｏｒｒの真空下で脱泡し、その後１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。
【０３８２】
【実施例ｄ５】
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、直接、複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷封止した。その後１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。
【０３８３】
【実施例ｄ６】
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板上に、直接、複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂組成物を５Ｔｏｒｒの真空下でマスクの開口部を通じて印刷封止した。印刷封止した後、１５０Ｔｏｒｒに戻して泡抜きを行い、さらに１５０Ｔｏｒｒの真空下で仕上げ印刷を行った。仕上げ印刷した後、１５０℃×３時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。
【０３８４】
【実施例ｄ７】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて、厚み５０μｍとなるよう塗布することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３８５】
【実施例ｄ８】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み５０μｍとなるよう印刷封止した。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３８６】
【実施例ｄ９】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み５０μｍとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、５Ｔｏｒｒの真空下で泡抜きを行った。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３８７】
【実施例ｄ１０】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて、５Ｔｏｒｒの真空下で厚み５０μｍとなるよう印刷封止した。印刷封止した後、１５０Ｔｏｒｒの真空下に戻し泡抜きを行った。さらに、１５０Ｔｏｒｒの条件で仕上げ印刷を行った。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３８８】
【実施例ｄ１１】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて５Ｔｏｒｒの真空下で塗布することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３８９】
【実施例ｄ１２】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて印刷することにより樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３９０】
【実施例ｄ１３】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて印刷して樹脂層を形成した後、５Ｔｏｒｒの真空下で泡抜きを行った。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３９１】
【実施例ｄ１４】
前記実施例ａ１で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通じて５Ｔｏｒｒの真空下で印刷して樹脂層を形成した後、１５０Ｔｏｒｒの真空下に戻し泡抜きを行った。さらに、１５０Ｔｏｒｒの条件で仕上げ印刷を行った。その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１５０℃×２ｋｇ×２０分＋２２０℃×０．５ｋｇ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。
【０３９２】
上記のようにして得られた各半導体装置の封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認した。その結果を下記の表３２〜表３３に示す。
【０３９３】
【表３２】
0004286399.tif 000098
【０３９４】
【表３３】
0004286399.tif 000099
【０３９５】
上記表３２〜表３３の結果、得られた半導体装置の封止樹脂層には気泡が無いか、もしくは少量の気泡が確認される程度であった。
【０３９６】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）と、特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）と、潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）とを含有する半導体封止用樹脂組成物であって、２５℃および８０℃の各温度における、半導体封止用樹脂組成物の粘度が特定の範囲に設定されている。このため、従来の液状封止剤に比べ可使時間が長くなり、貯蔵安定性に優れている。しかも、室温で固形または半固形であっても、４０〜８０℃程度の低い温度で急激に粘度が低下して液状化できるため、吐出および塗布作業性に優れている。なかでも、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、常温では固形または半固形であるため、半導体素子または配線回路基板において封止後硬化しない状態であっても、常温で自由に取り扱いができることから、この半導体封止用樹脂組成物を半導体ウェハやマトリックス状の配線回路基板等に塗布した後、個々の素子および配線回路基板に切断してフリップチップボンダー等で配線回路基板と半導体素子とを熱圧着等による接続が可能となる。また、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、室温下において、固形または半固形の状態で貯蔵できるため、無機質充填剤（Ｄ成分）が沈降してしまうことがない。したがって、固形または半固形の状態で貯蔵し、その後、必要に応じて低い温度下で液状化して用いることができるため、良好な封止を行うことができ、結果、信頼性、特に耐湿信頼性の高い半導体装置が得られる。
【０３９７】
そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカプセル型硬化促進剤を用いた場合には、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。
【０３９８】
さらに、上記無機質充填剤（Ｄ成分）として球状溶融シリカを用い、これが半導体封止用樹脂組成物全体中に特定の割合で含有されている場合には、それを含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、流動性に優れるようになり、吐出および塗布作業性に特に優れるという利点がある。