(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに気体を発生する対流添加剤をさらに含有し、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記対流添加剤から発生した気体が前記樹脂中を対流し、前記溶融した金属粒子が、フリップチップ実装用又はバンプ形成用の基板の電極上に自己集合することを特徴とする、樹脂組成物。
【請求項２】
前記対流添加剤は、結晶水を含む化合物からなり、前記樹脂が加熱されたときに分解して水蒸気を発生することを特徴とする、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記対流添加剤は、水酸化アルミニウム、ドーソナイト、メタホウ酸アンモニウム、メタホウ酸バリウム、アゾジカルボンアミド、炭酸水素ナトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記樹脂は、ペースト状又はシート状樹脂で構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに重合して気体を発生する材料であって、ポリアミド系樹脂およびポリイミド系樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなり、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記樹脂から発生した気体が該樹脂中を対流し、前記溶融した金属粒子が、フリップチップ実装用又はバンプ形成用の基板の電極上に自己集合することを特徴とする樹脂組成物。
【請求項６】
樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有し、
前記対流添加剤の沸点は、前記金属粒子の融点よりも低い温度であり、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記沸騰した対流添加剤が前記樹脂中を対流し、前記溶融した金属粒子が、フリップチップ実装用又はバンプ形成用の基板の電極上に自己集合することを特徴とする樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを回路基板に搭載するフリップチップ実装に適用できるフリップチップ実装用樹脂組成物に関する。特に、狭ピッチ化された半導体チップに対応可能な、生産性の高いフリップチップ実装に適したフリップチップ実装用樹脂組成物に関する。また、狭ピッチ化された半導体チップに対応可能なバンプ形成用樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に使用される半導体集積回路（ＬＳＩ）の高密度、高集積化に伴い、ＬＳＩチップの接続端子の多ピン、狭ピッチ化が急速に進んでいる。これらＬＳＩチップの回路基板への実装には、配線遅延を少なくするために、フリップチップ実装が広く用いられている。そして、このフリップチップ実装においては、ＬＳＩチップの接続端子上にはんだバンプを形成し、当該はんだバンプを介して、回路基板上に形成された電極端子に一括接合されるのが一般である。
【０００３】
しかしながら、接続端子数が５，０００を超えるような次世代ＬＳＩを回路基板に実装するためには、１００μｍ以下の狭ピッチに対応したバンプを形成する必要があり、現在のはんだバンプ形成技術では、それに適応することが難しい。また、接続端子数に応じた多数のバンプを形成する必要があるので、低コスト化を図るためには、チップ当たりの搭載タクトの短縮による高い生産性も要求される。
【０００４】
従来、バンプの形成技術としては、メッキ法やスクリーン印刷法などが開発されている。メッキ法は狭ピッチには適するものの、工程が複雑になる点、生産性に問題があり、また、スクリーン印刷法は、生産性には優れているが、マスクを用いる点で、狭ピッチ化には適していない。
【０００５】
こうした中、最近では、ＬＳＩチップや回路基板の電極上に、はんだバンプを選択的に形成する技術がいくつか開発されている。これらの技術は、微細バンプの形成に適しているだけでなく、バンプの一括形成ができるので、生産性にも優れており、次世代ＬＳＩの回路基板への実装に適応可能な技術として注目されている。
【０００６】
その一つに、ソルダーペースト法と呼ばれる技術（例えば、特許文献１参照）がある。この技術は、金属粒子とフラックスの混合物から成るソルダーペーストを、表面に電極が形成された基板上にベタ塗りし、基板を加熱することによって、金属粒子を溶融させ、濡れ性の高い電極上に選択的にはんだバンプを形成させるものである。
【０００７】
また、スーパーソルダー法と呼ばれる技術（例えば、特許文献２参照）は、有機酸鉛塩と金属錫を主要成分とするペースト状組成物（化学反応析出型はんだ）を、電極が形成された基板上にベタ塗りし、基板を加熱することによって、ＰｂとＳｎの置換反応を起こさせ、Ｐｂ／Ｓｎの合金を基板の電極上に選択的に析出させるものである。
【０００８】
しかしながら、ソルダーペースト法及びスーパーソルダー法は、ともに、ペースト状組成物を基板上に塗布により供給するので、局所的な厚みや濃度のバラツキが生じ、そのため、電極ごとにはんだ析出量が異なり、均一な高さのバンプが得られない。また、これらの方法は、表面に電極が形成された凹凸のある回路基板上に、ペースト状組成物を塗布により供給するので、凸部となる電極上には、十分なはんだ量が供給できず、フリップチップ実装において必要とされる所望のバンプ高さを得ることが難しい。
【０００９】
ところで、従来のバンプ形成技術を用いたフリップチップ実装は、バンプが形成された回路基板に半導体チップを搭載した後、半導体チップを回路基板に固定するために、アンダーフィルと呼ばれる樹脂を、半導体チップと回路基板の間に注入する工程をさらに必要とする。
【００１０】
そこで、半導体チップと回路基板の対向する電極端子間の電気的接続と、半導体チップの回路基板への固定を同時に行なう方法として、異方性導電材料を用いたフリップチップ実装技術（例えば、特許文献３参照）が開発されている。これは、回路基板と半導体チップの間に、導電粒子を含有させた熱硬化性樹脂を供給し、半導体チップを加圧すると同時に、熱硬化性樹脂を加熱することによって、半導体チップと回路基板の電極端子間の電気的接続と、半導体チップの回路基板への固定を同時に実現するものである。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−９４１７９号公報
【特許文献２】特開平１−１５７７９６号公報
【特許文献３】特開２０００−３３２０５５号公報
【特許文献４】特開２００４−２６０１３１号公報
【非特許文献１】１０ｔｈ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  “Ｍｉｃｒｏｊｏｉｎｉｎｇ  ａｎｄ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  ５−６，２００４，ｐｐ．１８３−１８８
【非特許文献２】９ｔｈ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  “Ｍｉｃｒｏｊｏｉｎｉｎｇ  ａｎｄ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  ６−７，２００３，ｐｐ．１１５−１２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した異方性導電材料を用いたフリップチップ実装では、導電粒子を介した機械的接触により電極間の電気的導通を得ており、安定した導通状態を得ることが難しい。
【００１３】
また、対向電極に挟まれた導電粒子は、樹脂の熱硬化による凝集力によって維持されているので、熱硬化性樹脂の弾性率や熱膨張率などの特性や、導電粒子の粒径分布などの特性を揃える必要があり、プロセス制御が難しいという課題がある。
【００１４】
すなわち、異方性導電材料を用いたフリップチップ実装は、接続端子数が５，０００を超えるような次世代ＬＳＩチップに適用するためには、生産性や信頼性の面で、解決すべき課題を多く残している。
【００１５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、次世代ＬＳＩのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装に適したフリップチップ実装用樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物は、樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用樹脂組成物であって、前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有し、前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記沸騰した対流添加剤が前記樹脂中を対流することを特徴とする。
【００１７】
前記金属粒子は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることが好ましい。更に好ましくは、前記金属粒子は、前記樹脂中に０．５〜２０体積％の割合で含有される。
【００１８】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されている。
【００１９】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、シート状樹脂で構成されており、該樹脂が加熱されたとき溶融状態になる。
【００２０】
前記樹脂は、熱硬化性樹脂で構成されており、前記金属粒子は、前記熱硬化性樹脂の反応開始温度と硬化温度との間に融点を有し、前記対流添加剤は、前記熱硬化性樹脂の反応開始温度と硬化温度との間に沸点を有することが好ましい。
【００２１】
前記樹脂は、熱可塑性樹脂で構成されており、前記金属粒子は、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い融点を有し、前記対流添加剤は、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い沸点を有することが好ましい。
【００２２】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、光硬化性樹脂で構成されている。
【００２３】
前記対流添加剤の沸点は、前記金属粒子の融点よりも低い温度であることが好ましい。
【００２４】
前記対流添加剤は、０．１〜２０重量％の割合で、前記樹脂中に含有されることが好ましい。
【００２５】
ある好適な実施形態において、前記対流添加剤は、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトール、エチレングリコールからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなる。
【００２６】
ある好適な実施形態において、前記フリップチップ実装用樹脂組成物は、互いに対向して配置された複数の電極をそれぞれ有する基板間に供給され、該樹脂組成物が加熱されることによって、前記樹脂中に分散してなる金属粒子が溶融し、該溶融した金属粒子が、前記基板の電極間に自己集合して接続体を形成する。
【００２７】
前記金属粒子は、［（電極の総面積）／（基板の面積）×１００±１０］体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることが好ましい。
【００２８】
ある好適な実施形態において、前記基板は、該基板周辺に沿って配列した複数の電極を有しており、前記金属粒子は、０．５体積％以上の割合で、前記樹脂中に含有される。
【００２９】
ある好適な実施形態において、前記基板は、該基板面内を格子状に配列した複数の電極を有しており、前記金属粒子は、５体積％以上の割合で、前記樹脂中に含有される。
【００３０】
ある好適な実施形態において、前記対向して配置された基板は、それぞれ回路基板と半導体チップからなる。
【００３１】
本発明のバンプ形成用樹脂組成物は、樹脂中に金属粒子が分散してなるバンプ形成用樹脂組成物であって、前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有し、前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記沸騰した対流添加剤が前記樹脂中を対流することを特徴とする。
【００３２】
前記金属粒子は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることが好ましい。更に好ましくは、前記金属粒子は、前記樹脂中に０．５〜２０体積％の割合で含有される。
【００３３】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されている。
【００３４】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、シート状樹脂で構成されており、該樹脂が加熱されたとき溶融状態になる。
【００３５】
ある好適な実施形態において、前記バンプ形成用樹脂組成物は、複数の電極を有する基板上に供給され、該樹脂組成物が加熱されることによって、前記樹脂中に分散してなる金属粒子が溶融し、該溶融した金属粒子が、前記基板の電極上に自己集合して金属バンプを形成する。
【００３６】
本発明の樹脂組成物は、樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに気体を発生する対流添加剤をさらに含有し、前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記対流添加剤から発生した気体が前記樹脂中を対流することを特徴とする。かかるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物では、気体が樹脂中を対流するに際して、溶融した金属粒子が基板の電極上に自己集合する。
【００３７】
ある好適な実施形態において、前記対流添加剤は、結晶水を含む化合物からなり、前記樹脂が加熱されたときに分解して水蒸気を発生する。
【００３８】
ある好適な実施形態において、前記対流添加剤は、水酸化アルミニウム、ドーソナイト、メタホウ酸アンモニウム、メタホウ酸バリウム、アゾジカルボンアミド、炭酸水素ナトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなる。
【００３９】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、ペースト状又はシート状樹脂で構成されている。
【００４０】
本発明の樹脂組成物は、樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに重合して気体を発生する材料からなり、前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記樹脂から発生した気体が該樹脂中を対流することを特徴とする。かかるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物では、気体が樹脂中を対流するに際して、溶融した金属粒子が基板の電極上に自己集合する。
【００４１】
ある好適な実施形態において、前記樹脂は、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明に係るフリップチップ実装用樹脂組成物は、互いに対向して配置された複数の電極をそれぞれ有する回路基板と半導体チップとの間に供給され、当該樹脂組成物が加熱されることによって、樹脂中に分散してなる金属粒子が溶融し、溶融した金属粒子が、回路基板と半導体チップとの電極間に自己集合して接続体が形成される。その際、樹脂中に含有される対流添加剤は、加熱により沸騰し、沸騰した対流添加剤が樹脂中を対流する。この対流添加剤の対流により、樹脂中に分散された金属粒子の移動が促進されることによって、溶融した金属粒子同士の結合が樹脂中で均一に進行する。その結果、均一に成長した金属粒子が、濡れ性の高い回路基板と半導体チップとの電極間に自己集合することによって、均一な接続体を形成することができる。
【００４３】
また、接続体を形成した後、回路基板と半導体チップとの間にある樹脂を硬化させることによって、半導体チップを回路基板に固定することができる。これにより、一連の工程で、回路基板と半導体チップの電極間の電気的接続と、半導体チップの回路基板への固定とを同時に行なうことができ、生産性の高いフリップチップ実装体が実現できる。
【００４４】
さらに、沸騰した対流添加剤の対流による運動エネルギーを、樹脂中に分散する金属粒子に与えることによって、効率よく金属粒子を電極間に自己集合させることができるので、接続体を形成した後は、接続体以外の樹脂中に残留する金属粒子の量を少なくすることができる。特に、金属粒子が樹脂中に含有される割合を、接続体形成に必要な最適量に予め設定しておくことによって、接続体形成後の金属粒子の残留量を実質的になくすことができる。その結果、接続体間における絶縁耐性を向上させることができ、半導体チップのファインピッチ化にも十分対応可能となる。
【００４５】
また、樹脂中に含有する対流添加剤として、樹脂が加熱されたときに気体が発生する材料を用い、当該対流添加剤から発生した気体を樹脂中で対流させることによって、上記の沸騰した対流添加剤による対流と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、対流添加剤から発生した気体の対流による運動エネルギーを、樹脂中に分散する金属粒子に与えることによって、効率よく金属粒子を電極間に自己集合をさせることができ、これにより、均一な接続体を形成することができる。
【００４６】
さらに、樹脂として、樹脂が加熱されたときに重合して気体を発生する材料を用い、当該樹脂から発生した気体を樹脂中で対流させることによって、上記の沸騰した対流添加剤による対流と同様の作用効果を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
本願出願人は、次世代ＬＳＩチップに適応可能なフリップチップ実装について検討を行ない、均一性よく電極間接続のできる新規な方法を提案している（特願２００４−２６７９１９号）。
【００４８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本願出願人が上記特許出願明細書で開示したフリップチップ実装方法の基本工程を示した図である。図１（ａ）に示すように、複数の接続端子１１が形成された回路基板１０上に、金属粒子（例えばはんだ粉、図示せず）及び対流添加剤１２を含有する樹脂１３を供給する。
【００４９】
次に、図１（ｂ）に示すように、樹脂１３の表面に、複数の電極端子２１を有する半導体チップ２０を当接させる。このとき、半導体チップ２０の電極端子２１と、回路基板１０の接続端子１１とが互いに対向するように配置する。そして、この状態で、樹脂１３を加熱する。ここで、樹脂１３の加熱温度は、金属粒子の融点、及び対流添加剤１２の沸点よりも高い温度で行なわれる。
【００５０】
加熱により溶融した金属粒子は、樹脂１３中で互いに結合し、図１（ｃ）に示すように、濡れ性の高い接続端子１１と電極端子２１との間に自己集合する。これにより、半導体チップ２０の電極端子２１と、回路基板１０の接続端子１１との間を電気的に接続する接続体２２が形成される。その後、樹脂１３を硬化させて、半導体チップ２０を回路基板１０に固定させる。
【００５１】
この方法の特徴は、樹脂１３が加熱されたときに、樹脂１３中に含有する対流添加剤１２が沸騰し、沸騰した対流添加剤１２が樹脂１３中を対流することによって、樹脂１３中に分散している金属粒子の移動を促進させることにある。これにより、金属粒子の結合が均一に進行し、その結果、均一に成長した金属粒子が、濡れ性の高い接続端子１１と電極端子２１との間に自己集合し、均一な接続体２２を形成することができる。
【００５２】
ここで、樹脂１３は、金属粒子が自由に浮遊、移動できる“海”の役目をもつと考えられるが、金属粒子同士の結合過程は、極めて短時間に終了するため、いくら金属粒子が自由に移動できる“海”を設けても、局所的な結合しか進行しない。また、溶融した金属粒子は、その濡れ性だけで、接続端子１１と電極端子２１との間に自己集合する。そのため、局所的に結合した金属粒子が、濡れ性の高い端子１１、２１へ自己集合する現象にバラツキが生じ、その結果、均一な接続体２２が得られない。
【００５３】
上記方法は、このようなバラツキを抑えるために、樹脂１３中に対流添加剤を含有させ、この対流添加剤を樹脂１３中で対流させることによって、樹脂１３中に分散する金属粒子を強制的に移動させ、これによって均一な接続体２２の形成を図ったものである。
【００５４】
本発明は、かかる方法によるフリップチップ実装体を得るに際して、均一な接続体を形成するための最適なフリップチップ実装用樹脂組成物を提供するものである。
【００５５】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００５６】
（実施形態１）
本発明におけるフリップチップ実装用樹脂組成物は、その主成分である樹脂中に金属粒子が分散してなり、樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有している。そして、樹脂が加熱されたとき、金属粒子が樹脂中で溶融するとともに、沸騰した対流添加剤が樹脂中を対流するもので、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装に適用される。
【００５７】
すなわち、回路基板１０と半導体チップ２０との間に供給された樹脂１３を加熱し、樹脂１３中で溶融した金属粒子が、回路基板１０の端子１１と半導体チップ２０の端子２１との間に自己集合することによって、端子間を電気的に接続する接続体２２を形成し、その後、樹脂１３を硬化させて、半導体チップ２０を回路基板１０に固定させるものである。
【００５８】
図２及び図３は、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装方法における樹脂１３の温度プロファイルを、時間（横軸）に対して示したグラフである。図２は、熱硬化性樹脂を用いた場合、図３は、熱可塑性樹脂が用いた場合をそれぞれ示す。
【００５９】
図２のステップ（Ｓ１）で、熱硬化性樹脂１３を温度（Ｔ１）に加熱する。この状態で、樹脂１３中の金属粒子が溶融するとともに、対流添加剤１２が沸騰する。沸騰した対流添加剤１２は、樹脂１３中を対流し、これにより、溶融した金属粒子が強制的に移動される。そして、溶融した金属粒子同士が結合するとともに、回路基板１０の端子１１と半導体チップ２０の端子２１との間に自己集合し、接続体２２を形成する。
【００６０】
接続体２２が形成された後、ステップ（Ｓ２）で、熱硬化性樹脂１３を温度（Ｔ２）まで加熱する。これにより樹脂１３が熱硬化し、半導体チップ２０が回路基板１０に固定され、フリップチップ実装体が得られる。
【００６１】
ここで、熱硬化性樹脂１３は、ペースト状またはシート状のどちらであっても構わないが、シート状の場合には、ステップ（Ｓ１）での樹脂１３の加熱温度で、樹脂１３が軟化して溶融状態になっていることが好ましい。なお、シート状の熱硬化性樹脂１３としては、例えば、Ｂステージ（半硬化状態）の樹脂を用いればよい。
【００６２】
また、ステップ（Ｓ２）で熱硬化性樹脂１３が硬化する前に、ステップ（Ｓ１）で樹脂１３に含有される金属粒子が溶融するとともに、対流添加剤１２が沸騰する必要があることから、金属粒子は、熱硬化性樹脂１３の硬化する温度よりも低い融点を有し、対流添加剤１２は、熱硬化性樹脂１３の硬化する温度よりも低い沸点を有することが好ましい。
【００６３】
ところで、熱硬化性樹脂１３が硬化する温度は正確には定まらず、また、熱硬化性樹脂１３の昇温速度によっても変わる。図４は、代表的なエポキシ樹脂における加熱温度と粘度との関係を示したグラフである。温度ＴＡで樹脂の粘度が最低になり、加熱温度を上げるに従って、樹脂の粘度が高くなり、温度ＴＢでほぼ飽和する。従って、上述した金属粒子の融点、及び対流添加剤１２の沸点は、それぞれ、温度ＴＡ（反応開始温度）と温度ＴＢ（硬化温度）との間にあることが好ましいと言える。
【００６４】
また、熱硬化性樹脂１３が、室温からステップ（Ｓ１）の温度（Ｔ１）に加熱される過程で、金属粒子が溶融する前に、対流添加剤１２を沸騰させて対流を起こさすようにすれば、未溶融の金属粒子をある程度端子間に集積させてから金属粒子を溶融させることができるので、効率よく金属粒子を端子間に自己集合させることができる。そのため、対流添加剤１２の沸点は、金属粒子の融点よりも低い方が好ましい。
【００６５】
次に、樹脂１３として、熱可塑性樹脂を用いた場合の温度プロファイルを、図３を参照しながら説明をする。ステップ（Ｓ１）で、熱可塑性樹脂１３が温度（Ｔ１）に加熱されて溶融状態になり、樹脂１３中の金属粒子が溶融するとともに、対流添加剤１２が沸騰する。沸騰した対流添加剤１２は、樹脂１３を対流し、これにより、溶融した金属粒子が強制的に移動する。そして、溶融した金属粒子同士が結合するとともに、回路基板１０の端子１１と半導体チップ２０の端子２１との間に自己集合し、接続体２２を形成する。
【００６６】
接続体２２が形成された後、ステップ（Ｓ２）で、熱可塑性樹脂１３を冷却する。これにより、樹脂１３が固化し、半導体チップ２０が回路基板１０に固定されて、フリップチップ実装体が得られる。
【００６７】
なお、ステップ（Ｓ１）で熱可塑性樹脂１３が加熱されて溶融状態になる前に、金属粒子が溶融してしまうと、金属粒子の樹脂１３中での自由な移動の妨げとなり、また、ステップ（Ｓ１）で熱可塑性樹脂１３が加熱されて溶融状態になる前に対流添加剤１２が沸騰してしまうと、沸騰した対流添加剤１２の樹脂１３中でのスムーズな対流の妨げとなることから、金属粒子は、熱可塑性樹脂１３のガラス転移温度よりも高い融点を有し、対流添加剤１２は、熱可塑性樹脂１３のガラス転移温度よりも高い沸点を有することが好ましい。これにより、対流添加剤１２による金属粒子の強制的な移動をより効果的に実行することができる。
【００６８】
また、熱硬化性樹脂の場合と同様に、熱可塑性樹脂１３が、室温からステップ（Ｓ１）の温度（Ｔ１）に加熱される過程で、金属粒子が溶融する前に、対流添加剤１２を沸騰させて対流を起こさすようにすれば、未溶融の金属粒子をある程度端子間に集積させてから金属粒子を溶融させることができるので、効率よく金属粒子を端子間に自己集合させることができる。そのため、対流添加剤１２の沸点は、金属粒子の融点よりも低い方が好ましい。
【００６９】
なお、ここで、「フリップチップ実装」は、半導体チップ２０を回路基板１０に搭載する場合に限らず、互いに対向して配置された複数の電極をそれぞれ有する基板間をフェイスダウンで実装する全てのものを含む。
【００７０】
また、対流添加剤１２の「対流」とは、運動の形態としての対流を意味し、樹脂１３中を沸騰した対流添加剤１２が運動することによって、樹脂１３中に分散する金属粒子に運動エネルギーを与え、金属粒子の移動を促進させる作用を与える運動であれば、どのような形態であっても構わない。
【００７１】
ところで、本発明におけるフリップチップ実装用樹脂組成物を、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装に適用してフリップチップ実装体を形成した場合、樹脂１３中に分散している金属粒子が、回路基板１０と半導体チップ２０の端子１１、２１間に自己集合して接続体２２を形成し、端子間以外の樹脂１３中に金属粒子を残存させない対策を講じることが好ましい。特に、半導体チップ２０の電極端子２１がファインピッチになると、端子間に成長した金属粒子が残存した場合、端子間の絶縁耐圧の劣化やショートの原因となり、信頼性や歩留まりの低下を防ぐ上で、かかる対策は重要である。
【００７２】
本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物における樹脂１３中に含有される対流添加剤１２は、樹脂１３中に分散している金属粒子を強制的に移動させる作用を及ぼすことから、単に濡れ性だけを利用して端子間に自己集合させるのに比べて、より効率よく金属粒子を端子間に自己集合させることができる。それ故、過剰の金属粒子を樹脂１３中に含有させることなく、適量の金属粒子でもって、端子間に必用とする接続体２２を形成することが可能となる。これにより、接続体２２を形成した後において、端子間以外の樹脂中に残留する金属粒子の量を減少させることができ、端子間の絶縁耐圧の劣化やショートといった問題を防ぐことが可能となる。
【００７３】
本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物中に含まれる金属粒子の最適な含有量は、概ね、以下のような指針に基づいて設定することができる。
【００７４】
すなわち、基板（例えば、回路基板１０と半導体チップ２０）間に供給される樹脂組成物の体積（ＶＢ）中に含有される金属粒子の全てが、基板の電極（例えば、回路基板１０の接続端子１１と半導体チップ２０の電極端子２１）間の接続体２２の形成に寄与したとすると、接続体２２の総体積（ＶＡ）と、樹脂組成物の体積（ＶＢ）とは以下のような関係式（１）が成り立つ。
ＶＡ：ＶＢ≒ＳＡ：ＳＢ  ・・・（１）
ここで、ＳＡは基板の電極の総面積、ＳＢは基板の面積をそれぞれ表す。これにより、樹脂組成物中に含まれる金属粒子の含有量は、以下のような式（２）で表される。
（金属粒子の含有量）＝ＳＡ／ＳＢ×１００［体積％］  ・・・（２）
実際には、全ての金属粒子が基板の電極間に自己集合するとは限らず、樹脂組成物中にいくらか残留することはある。また、基板の電極間に形成される接続体２２は、最終的には電極間を一定の条件を満たす電気的接続がなされていればよく、かかる条件を満たす範囲内であれば、必ずしも電極間を全て接続体２２で満たす必要はない。
【００７５】
よって、本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物中に含まれる金属粒子の最適な含有量は、概ね、以下のような式（３）に基づいて設定することができる。
（金属粒子の含有量）＝［（ＳＡ／ＳＢ×１００）±α］体積％  ・・・（３）
なお、上記パラメータ（±α）は、金属粒子が基板の電極間に自己集合する際の過不足分を調整するためのもので、種々の条件により決めることができる。例えば、使用する樹脂１３の流動性が低い（粘度が高い）場合には、金属粒子の樹脂１３中での自由な移動が損なわれるので、金属粒子の自己集合率（金属粒子が電極間に自己集合する割合）が低下する。従って、この場合には、その不足分を補う量（＋α）を含めた金属粒子を樹脂組成物中に含有させておくことが好ましい。なお、金属粒子の自己集合率に影響を与えるものとしては、他に、対流添加剤１２による対流効果や、電極の濡れ性等が考えられる。
【００７６】
また、電極間を全て接続体２２で満たした場合、基板間の距離が同じであれば、電極面積の大きい方が、電極間の接続体２２による電気抵抗は小さくなる。従って、電極面積が比較的大きい場合には、所定の電気接続を得ることができれば、電極間を全て接続体２２で満たす必要がない。この場合には、その過分の量（−α）を予め考慮した金属粒子を樹脂組成物中に含有させておくことが好ましい。
【００７７】
このように、金属粒子が基板の電極間に自己集合する際の過不足分を調整するパラメータ（±α）は、種々の条件により決められるが、本来の絶縁耐圧の劣化等を防ぐ目的に沿うためには、±１０体積％の範囲、より好ましくは±５体積％の範囲に設定することが好ましい。
【００７８】
半導体チップ２０の電極端子２１の配置は、半導体チップ２０の性能や用途に応じて様々な形態をとり、それぞれの配置の形態に応じて、式（３）で求められる金属粒子の最適な含有量が決められる。図５〜図７は、半導体チップ２０の電極端子２１の代表的な配置の例を示した平面図である。
【００７９】
図５は、半導体チップ２０の周辺に沿って配列した複数の電極端子２１を有する、いわゆるペリフェラルの半導体チップを示す。また、図６は、半導体チップ２０面内を格子状（正確には２列の配列）に電極端子２１が狭ピッチで配列された半導体チップを示す。さらに、半導体チップ２０を回路基板に高密度実装するような場合には、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体チップ２０をインターポーザ３０に搭載した形で回路基板に実装されるケースが多い。ここで、図７（ａ）は、半導体チップ２０をインターポーザ３０に搭載した状態の断面図を示し、同図（ｂ）は、インターポーザ３０の裏面を示し、表面に電極端子（ランド）３１が格子状に配列されている。
【００８０】
図５〜図７に示した半導体チップ（インターポーザ３０も含む）２０の電極端子２１の代表的な配置に対して、式（３）により最適な金属粒子の含有量を求めると、概ね以下のような値になる。なお、以下に示す値は、パッドの面積及びパット間の距離の大きさにより、同じ電極端子２１の配置を有する半導体チップでも異なってくるので、あくまで目安となる値である。
配置（１）の場合（図５に示した半導体チップ）・・・０．５〜５体積％
配置（２）の場合（図６に示した半導体チップ）・・・５〜１５体積％
配置（３）の場合（図７に示した半導体チップ）・・・１５〜３０体積％
上記の値から分かるように、本発明おけるフリップチップ実装用樹脂組成物を、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装に適用して、フリップチップ実装体を得るに際しては、樹脂１３中に分散する金属粒子は、０．５〜３０体積％の割合で樹脂組成物中に含有していれば足りることになる。このように、金属粒子の含有量を少ない量に押さえることができるのは、樹脂１３中に分散する対流添加剤１２の樹脂中での対流によって奏される作用効果によるものに他ならない。そして、かかる作用効果により、端子間以外の樹脂中に残留する余剰の金属粒子を減少させることができ、端子間の絶縁耐圧の劣化やショートといった問題を防ぐことができる。
【００８１】
一般に、金属粒子と樹脂１３との重量比は約７程度なので、上記０．５〜３０体積％の割合は、概ね４〜７５重量％の割合に相当する。
【００８２】
なお、特に、樹脂１３中に分散する金属粒子が０．５〜２０体積％の割合で樹脂組成物中に含有される場合では、形成される接続体２２の形状が鼓形状になりやすく、より信頼性の高い接続体２２を形成することができる（図１６参照）。ちなみに、かかる０．５〜２０体積％の割合は、上述と同様に金属粒子と樹脂１３との重量比が約７程度であることを考慮すると、概ね４〜６５重量％に相当する。
【００８３】
図８〜図１１は、本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物の必須成分として利用できる代表的な材料を示した表で、図８は熱硬化性樹脂、図９は熱可塑性樹脂、図１０は金属粒子、図１１は対流添加剤の代表例をそれぞれ示す。例えば、対流添加剤として、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトール、エチレングリコール等を用いることができる。特に、対流添加剤の樹脂中での含有量に制限はないが、０．１〜２０重量％の割合で樹脂中に含有していることが好ましい。
【００８４】
また、図１２に示すような反応性希釈剤（一部が樹脂と反応し樹脂中に組み込まれるもの）も、沸騰して対流添加剤としての機能を発揮することができる。
【００８５】
また、これらの表には、その材料の特性を示すパラメータ（樹脂のガラス転移温度、金属粒子の融点、対流添加剤の沸点）が示されており、これらの値から、図２又は図３に示した温度プロファイルに適した材料を適時選択して組み合わせることによって、本発明に係るフリップチップ実装用樹脂組成物を得ることができる。なお、熱硬化性樹脂については、上述したように、反応開始温度、硬化温度が昇温速度で変わるので、これらの値は表示していない。本発明は、これらの表に示した材料に限定されることはない。
【００８６】
（実施形態２）
本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物は、その主成分である樹脂中に、対流添加剤を含有させた点に特徴がある。すなわち、樹脂が加熱されたとき、沸騰した対流添加剤が樹脂中を対流し、それによって、樹脂中に分散している金属粒子の移動が促進される点に技術的意義をもつ。この効果は、対流添加剤自身が沸騰することによって奏されるが、本願発明者は、これと同様の効果を生じさせる材料（対流添加剤）を検討し、以下のような知見を得た。
【００８７】
すなわち、対流添加剤として、樹脂が加熱されたとき、対流添加剤から気体が発生する材料を用いれば、その発生した気体が樹脂中を対流することによって、樹脂中に分散する金属粒子の移動を促進することができ、対流添加剤自身の対流による効果と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
本発明におけるフリップチップ実装用樹脂組成物は、その主成分である樹脂中に金属粒子が分散してなり、樹脂が加熱されたときに気体を発生する対流添加剤をさらに含有している。そして、樹脂が加熱されたとき、金属粒子が樹脂中で溶融するとともに、対流添加剤から発生した気体が樹脂中を対流するもので、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装に適用される。
【００８９】
このような樹脂の加熱により気体を発生する対流添加剤としては、結晶水を含む化合物、加熱により分解する化合物、または発泡剤等が該当するが、図１３に、その代表例を示す。これらの材料は、加熱により分解されて、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２、Ｎ２等の気体が発生する。
【００９０】
本実施形態におけるフリップチップ実装用樹脂組成物において、対流添加剤以外の材料については、実施形態１で説明した材料と基本的には異なるものはない。従って、図８〜図１０に示した表の中から、適宜、樹脂及び金属粒子を選択し、それと図１３に示した表の中から選択した対流添加剤を組み合わせることによって、本実施形態における樹脂組成物を得ることができる。
【００９１】
（実施形態３）
上記の実施形態では、樹脂に対流添加剤を含有させて、沸騰した対流添加剤自身、あるいは対流添加剤から発生した気体を樹脂中で対流させ、樹脂中に分散する金属粒子の移動を促進させる作用効果を発揮させるものであるが、樹脂として、当該樹脂が加熱されたときに重合して気体を発生させる材料を用いることによって、対流添加剤を用いずに同様の効果を得ることができる。
【００９２】
すなわち、ポリアミド系樹脂（ナイロン）、ポリイミド系樹脂（ポリイミド）等は、加熱されて重合中に、Ｈ２Ｏの気体を発生する。かかる樹脂に金属粒子を含有させておけば、樹脂を加熱して金属粒子を溶融させたとき、樹脂から気体が発生するので、この気体が樹脂中を対流することによって、対流添加剤と同様の効果を発揮させることができる。
【００９３】
（実施形態４）
上記の実施形態では、本発明おけるフリップチップ実装用樹脂組成物を、図１（ａ）〜（ｃ）に示したフリップチップ実装に適用する例を説明したが、本発明おける樹脂組成物は、基板に形成された電極上へのバンプ形成にも適用することができる。
【００９４】
本発明におけるバンプ形成用樹脂組成物をバンプ形成に適用した例を、図１４（ａ）〜（ｄ）に示した工程断面図を参照しながら、以下説明する。
【００９５】
図１４（ａ）に示すように、複数の電極１１が形成された基板１０上に、バンプ形成用樹脂組成物を供給する。ここで、バンプ形成用樹脂組成物は、樹脂１３中に金属粒子（不図示）が分散し、樹脂１３は、当該樹脂１３が加熱されたときに沸騰する対流添加剤１２をさらに含有し、樹脂１３が加熱されたとき、金属粒子が樹脂１３中で溶融するとともに、沸騰した対流添加剤１２が樹脂１３中を対流するものである。
【００９６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、樹脂１３の表面に、平板１４を当接させ、この状態で、樹脂１３を加熱する。ここで、樹脂１３の加熱温度は、金属粒子の融点、及び添加剤１２の沸点よりも高い温度で行なわれる。
【００９７】
加熱により溶融した金属粒子は、樹脂１３中で互いに結合し、図１４（ｃ）に示すように、濡れ性の高い電極１１上に自己集合する。これにより、基板１０の電極１１上にバンプ１５が形成される。
【００９８】
最後に、図１４（ｄ）に示すように、平板１４を外し、樹脂１３を除去することによって、電極１１上にバンプ１５が形成された基板１０を得ることができる。なお、バンプ１５が形成された基板１０は、通常のフリップリップ実装方法により、他の基板に実装されることになる。
【００９９】
上記のバンプ形成方法において、樹脂１３が加熱されたときに、樹脂１３中に含有する対流添加剤１２が沸騰し、沸騰した対流添加剤１２が樹脂１３中を対流することによって、樹脂１３中に分散している金属粒子の移動が促進される。これにより、金属粒子の結合が均一に進行し、その結果、均一に成長した金属粒子が、濡れ性の高い電極１１上に自己集合し、均一なバンプ１５を形成することができる。なお、上記のバンプ形成方法において、樹脂１３の表面に平板１４を当接させたのは、沸騰した対流添加剤１２が、樹脂１３の表面から外部に逃げないようにするためである。
【０１００】
なお、本実施形態におけるバンプ形成用樹脂組成物は、実施形態１または２で説明したフリップチップ実装用樹脂組成物と基本的に同一の構成を適用することができるが、バンプ形成においては、樹脂１３を最終的に除去してしまうので、樹脂に硬化性は要求されず、硬化剤などを添加しなくても良い。また、オイルなどの適度な粘度を有し、金属粒子と対流添加剤が分散できることができるような粘性体であれば良い。なお、樹脂１３を容易に除去できるようにするという観点では、例えば、光照射により可溶性となるような樹脂を適用することもできる。
【０１０１】
本実施形態におけるバンプ形成用樹脂組成物に含まれる金属粒子は、フリップチップ実装用樹脂組成物の場合と同様に、樹脂１３中に０．５〜３０体積％の割合で含有されることが好ましい。特に、樹脂１３中に分散する金属粒子が０．５〜２０体積％の割合で樹脂組成物中に含有される場合では、形成されるバンプ１５の形状が鼓形状になりやすく、より信頼性の高いバンプ１５を形成することができる。
【実施例】
【０１０２】
（実施例１）
樹脂として、ビスフェノールＦ型エポキシ系樹脂であるエピコート806（ジャパンエポキシレジン製）を用い、金属粒子として、ＳｎＡｇＣｕ（粒径１０〜２５μｍ）を４０重量％（８体積％）、対流添加剤として、イソプロピルアルコール（関東化学製）を３重量％それぞれ樹脂に含有させた樹脂組成物を用意した。
【０１０３】
この樹脂組成物を、７ｍｍ×７ｍｍの基板（電極面積３００μφ、電極数１６５個）に供給した後、基板を２５０℃、３０秒間加熱を行なった後、金属粒子の電極上への自己集合性を評価した。図１５は、樹脂組成物を除去した後の基板表面の状態を示した写真である。図１５に示すように、全ての電極上に金属粒子が自己集合されているのが確認できたとともに、電極以外の基板上には、金属粒子の残留は観察されなかった。
【０１０４】
（実施例２）
樹脂として、シリコーン系樹脂であるメチルフェニルシリコーンオイル（ＫＦ５４）（信越シリコーン製）を用い、金属粒子として、ＳｎＡｇ（粒径１０〜１５μｍ）を３５重量％（７体積％）、対流添加剤として、酢酸ブチル（関東化学製）を３重量％それぞれ樹脂に含有させた樹脂組成物を用意した。
【０１０５】
この樹脂組成物を、７ｍｍ×７ｍｍの基板（電極面積３００μφ、電極数１６５個）に供給した後、基板を２５０℃、３０秒間加熱を行なった後、金属粒子の電極上への自己集合性を評価した。その結果、実施例１と同様に、全ての電極上に金属粒子が自己集合されているのが確認できたとともに、電極以外の基板上には、金属粒子の残留は観察されなかった。
【０１０６】
（実施例３）
樹脂として、ビスフェノールＦ型エポキシ系樹脂であるエピコート８０６（ジャパンエポキシレジン製）を用い、金属粒子として、ＳｎＡｇＣｕ（粒径１０〜２５μｍ）を４０重量％（８体積％に相当する）、対流添加剤として、イソプロピルアルコール（関東化学製）を３重量％それぞれ樹脂に含有させた樹脂組成物を用意した。
【０１０７】
この樹脂組成物を、５ｍｍ×５ｍｍの基板（電極面積２５０μφ、電極数１００個）に供給した後、半導体チップを位置合わせして実装した。２５０℃、３０秒間加熱を行った後、金属粒子の電極上への自己集合性を評価した。
【０１０８】
このフリップチップ実装体の断面を観察したところ、接続体２２は図１６のような鼓形状を有していた。また、このフリップチップ実装体の接続信頼性を評価したところ、耐吸湿信頼性および耐熱衝撃信頼性の双方について１０００時間以上問題が生じなかった。
【０１０９】
以上のように、本発明に係るフリップチップ実装用樹脂組成物は、互いに対向して配置された複数の電極を有する基板間に供給され、当該樹脂組成物が加熱されたとき、沸騰した対流添加剤の対流効果によって、樹脂中で溶融した金属粒子の移動が促進され、これにより、金属粒子が基板の電極間に均一に自己集合することによって、均一な接続体を形成することができる。
【０１１０】
ところで、半導体チップと回路基板の電極端子間の電気的接続と、半導体チップの回路基板への固定を同時に行なう方法として、導電性粒子を含有させて樹脂を用いたフリップチップ実装技術（例えば、特許文献４ならびに非特許文献１および２参照）が提案されている。これは、回路基板と半導体チップとの間に、導電性粒子を含有させた樹脂を供給し、樹脂を加熱することによって、樹脂中の溶融した導電性粒子を電極間に凝集（自己集合）させ、その後、樹脂を硬化することによって、半導体チップと回路基板との電気的接続と、半導体チップの回路基板への固定を同時に実現するものである。
【０１１１】
しかしながら、特許文献４ならびに非特許文献１および２では、もっぱら導電性粒子の濡れ性のみによって、電極間に凝集（自己集合）させているので、電極間に形成される接続体を均一に形成することは難しい。特許文献４には、半導体チップのフリップリップ実装にも適用可能であるとの記載があるが、多数の電極を有する半導体チップを歩留まりよくフリップチップ実装できるかどうかについてまで言及されていない。
【０１１２】
本発明は、多数の電極を有する半導体チップにおいても、歩留まりよくフリップチップ実装体を形成できるフリップチップ実装用樹脂組成物を提供するもので、本発明の特徴とするところの対流添加剤については、いずれの文献にも何ら記載も示唆もされていない。
【０１１３】
なお、特許文献４には、樹脂中に含有する導電性粒子の体積比は、下限値が２０体積％以上であることが好ましく、３０体積％以上であることがより好ましい旨の記載があり、その理由として、重量比によって導電性粒子の樹脂内における分散が阻害されてしまうと説明されている。これは、導電性粒子の分散性と、濡れ性のみの特性によって、導電性粒子を電極間に凝集（自己集合）させようとすることを意味し、本発明のような、対流添加剤による対流作用により、樹脂中に分散する導電性粒子を強制的に移動させるような発想は認められない。
【０１１４】
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。例えば、樹脂１３として、熱硬化性樹脂また熱可塑性樹脂を例に説明したが、光硬化性樹脂を用いてもよい。
【０１１５】
なお、上述のような本発明は、次の態様を包含している：
第１の態様：  樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有し、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記沸騰した対流添加剤が前記樹脂中を対流することを特徴とする、フリップチップ実装用樹脂組成物。
第２の態様：  上記第１の態様において、前記金属粒子は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第３の態様：  上記第１の態様において、前記金属粒子は、０．５〜２０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第４の態様：  上記第１の態様において、前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されていることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第５の態様：  上記第１の態様において、前記樹脂は、シート状樹脂で構成されており、該樹脂が加熱されたとき溶融状態になることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第６の態様：  上記第４または第５の態様において、前記樹脂は、熱硬化性樹脂で構成されており、
前記金属粒子は、前記熱硬化性樹脂の反応開始温度と硬化温度との間に融点を有し、
前記対流添加剤は、前記熱硬化性樹脂の反応開始温度と硬化温度との間に沸点を有することを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第７の態様：  上記第５の態様において、前記樹脂は、熱可塑性樹脂で構成されており、
前記金属粒子は、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い融点を有し、
前記対流添加剤は、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い沸点を有することを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第８の態様：  上記第４の態様において、前記樹脂は、光硬化性樹脂で構成されていることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第９の態様：  上記第１〜８の態様のいずれかにおいて、前記対流添加剤の沸点は、前記金属粒子の融点よりも低い温度であることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１０の態様：  上記第１の態様において、前記対流添加剤は、０．１〜２０重量％の割合で、前記樹脂中に含有していることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１１の態様：上記第１の態様において、前記対流添加剤は、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトール、エチレングリコールからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１２の態様：  上記第１〜１１の態様のいずれかにおいて、前記フリップチップ実装用樹脂組成物は、互いに対向して配置された複数の電極をそれぞれ有する基板間に供給され、該樹脂組成物が加熱されることによって、前記樹脂中に分散してなる金属粒子が溶融し、該溶融した金属粒子が、前記基板の電極間に自己集合して接続体を形成することを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１３の態様：  上記第１２の態様において、前記金属粒子は、［（電極の総面積）／（基板の面積）×１００±１０］体積％の割合で、前記樹脂組成物中に含有していることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１４の態様：上記第１２の態様において、前記基板は、該基板周辺に沿って配列した複数の電極を有しており、
前記金属粒子は、０．５体積％以上の割合で、前記樹脂組成物中に含有していることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１５の態様：上記第１２の態様において、前記基板は、該基板面内を格子状に配列した複数の電極を有しており、
前記金属粒子は、５体積％以上の割合で、前記樹脂組成物中に含有していることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１６の態様：上記第１２の態様において、前記対向して配置された基板は、それぞれ回路基板と半導体チップとからなることを特徴とするフリップチップ実装用樹脂組成物。
第１７の態様：  樹脂中に金属粒子が分散してなるバンプ形成用樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに沸騰する対流添加剤をさらに含有し、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記沸騰した対流添加剤が前記樹脂中を対流することを特徴とする、バンプ形成用樹脂組成物。
第１８の態様：  上記第１７の態様において、前記金属粒子は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
第１９の態様：  上記第１７の態様において、前記金属粒子は、０．５〜２０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されることを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
第２０の態様：  上記第１７の態様において、前記樹脂は、ペースト状樹脂で構成されていることを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
第２１の態様：  上記第１７の態様において、前記樹脂は、シート状樹脂で構成されており、該樹脂が加熱されたとき溶融状態になることを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
第２２の態様：上記第１７〜２１の態様のいずれかにおいて、前記バンプ形成用樹脂組成物は、複数の電極を有する基板上に供給され、該樹脂組成物が加熱されることによって、前記樹脂中に分散してなる金属粒子が溶融し、該溶融した金属粒子が、前記基板の電極上に自己集合して金属バンプを形成することを特徴とするバンプ形成用樹脂組成物。
第２３の態様：  樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに気体を発生する対流添加剤をさらに含有し、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記対流添加剤から発生した気体が前記樹脂中を対流し、前記溶融した金属粒子が、前記基板の電極上に自己集合することを特徴とする、樹脂組成物。
第２４の態様：  上記第２３の態様において、前記対流添加剤は、結晶水を含む化合物からなり、前記樹脂が加熱されたときに分解して水蒸気を発生することを特徴とする樹脂組成物。
第２５の態様：  上記第２３の態様において、前記対流添加剤は、水酸化アルミニウム、ドーソナイト、メタホウ酸アンモニウム、メタホウ酸バリウム、アゾジカルボンアミド、炭酸水素ナトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とする樹脂組成物。
第２６の態様：  上記第２３の態様において、前記樹脂は、ペースト状又はシート状樹脂で構成されていることを特徴とする樹脂組成物。
第２７の態様：  樹脂中に金属粒子が分散してなるフリップチップ実装用又はバンプ形成用の樹脂組成物であって、
前記樹脂は、該樹脂が加熱されたときに重合して気体を発生する材料からなり、
前記樹脂が加熱されたとき、前記金属粒子が前記樹脂中で溶融するとともに、前記樹脂から発生した気体が該樹脂中を対流し、前記溶融した金属粒子が、前記基板の電極上に自己集合することを特徴とする樹脂組成物。
第２８の態様：  上記第２７の態様において、前記樹脂は、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種以上の材料からなることを特徴とする樹脂組成物。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明によれば、次世代ＬＳＩのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装に適したフリップチップ実装用樹脂組成物を提供することができる。
【関連出願の相互参照】
【０１１７】
本出願は、日本国特許出願第２００４−３６５６８４号（出願日：２００４年１２月１７日、発明の名称：「フリップチップ実装用樹脂組成物およびバンプ形成用樹脂組成物」）に基づくパリ条約上の優先権を主張する。当該出願に開示された内容は全て、この引用により、本明細書に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、対流添加剤を含有する樹脂を用いたフリップチップ実装方法を示した工程断面図
【図２】本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物に熱硬化性樹脂を用いた場合の、フリップチップ実装に適用したときの温度プロファイルを示した図
【図３】本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物に熱可塑性樹脂を用いた場合の、フリップチップ実装に適用したときの温度プロファイルを示した図
【図４】本発明の熱硬化性樹脂における加熱温度と粘度との関係を示すグラフ
【図５】本発明における半導体チップのペリフェラルな電極端子の配置を示した平面図
【図６】本発明における半導体チップのエリアアレイな電極端子の配置を示した平面図
【図７】（ａ）は、本発明における半導体チップが搭載されたインターポーザの構成を示した断面図、（ｂ）は、インターポーザの電極端子（ランド）の配置を示した底面図
【図８】本発明における熱硬化性樹脂の代表例を示した表の図
【図９】本発明における熱可塑性樹脂の代表例を示した表の図
【図１０】本発明における金属粒子の代表例を示した表の図
【図１１】本発明における対流添加剤の代表例を示した表の図
【図１２】本発明における対流添加剤（反応性希釈剤）の代表例を示した表の図
【図１３】本発明における対流添加剤（気体発生）の代表例を示した表の図
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、対流添加剤を含有する樹脂を用いたバンプ形成方法を示した工程断面図
【図１５】本発明の実施例において得た基板の顕微鏡写真
【図１６】本発明のフリップチップ実装用樹脂組成物を用いて得られた接続体を示した断面図
【符号の説明】
【０１１９】
１０…回路基板、１１…接続端子、１２…対流添加剤、１３…樹脂、１４…平板、１５…バンプ、２０…半導体チップ、２１…電極端子、２２…接続体、３０…インターポーザ、３１…電極端子（ランド）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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