(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体材料を加工容器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の内蒸気圧の高い方の元素のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に衝突せしめ、
且つ、ハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の化学的活性種の群から選ばれた少なくとも一者を当該化合物半導体材料の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法。
【請求項２】
前記化学的活性種が、前記ハロゲン元素並びに当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する前記化合物から選ばれた化合物の化学的活性種であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体材料のエッチング方法。
【請求項３】
前記化学的活性種が、当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する前記化合物から選ばれた化合物の化学的活性種であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体材料のエッチング方法。
【請求項４】
前記化合物半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料およびＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体材料の群から選ばれた少なくとも一者であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の化合物半導体材料のエッチング方法。
【請求項５】
前記活性種としてハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物、Ｈ2、アルキルガス、Ｖ族元素又はＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキルの群から選ばれた少なくとも一者を用いることを特徴とした請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の化合物半導体材料のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は化合物半導体材料の加工方法に関するものである。更には、本願はいわゆるドライ・エッチング方法に関するものである。
【０００２】
本加工方法は、特にレーザ素子，光変調器，光導波路素子等の化合物半導体光装置あるいは化合物半導体装置の製造工程に用いて有用である。
【０００３】
【従来の技術】
一般に化合物半導体材料のドライエッチングに際しては、特にその表面の組成ずれ、表面あれなどが避け難かった。例えば、ＧａＮ，ＧａＰ，ＩｎＰ等の化合物半導体材料のドライエッチングを行う際，Ｇａ，Ｉｎ等のＩＩＩ族やＩＩ族元素は不揮発性の諸生成物となり，Ｎ，Ｐ等のＶ族やＶＩ族の諸元素は揮発性の諸生成物が形成される。両者の揮発性の違いから，被加工物のエッチングされた後の表面はＧａ，Ｉｎ等のＩＩＩ族やＩＩ族の諸元素の比率が多い状態となり，被加工物の表面領域のストイキオメトリの悪化から大気中の酸素等と反応しやすい状態となる。この為、結果的に被加工物の表面空乏層の増加等を起こすこととなる。
【０００４】
従来の反応性イオンエッチングや反応性イオンビームエッチングによる方法等では，上記の反応生成物揮発性の違いに起因する表面荒れやエッチング損傷が多く，光素子の性能を大幅に悪化させる問題が報告されている。こうした報告は、例えば，ジャーナル・オブ・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４巻，３冊，１９９６，ｐ１７５８〜１７６３（J. Vac. Sci. Technol. B14(3), 1996, p1758〜1763）やジャーナル・オブ・バキュームサイエンス・テクノロジー，Ｂ１４巻，３冊，１９９６，ｐ１７６４〜１７７２（J. Vac. Sci. Technol. B14(3), 1996, p1764〜1772）に見られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、化合物半導体材料を低損傷に加工を行なう方法を提供するものである。
【０００６】
前述したように、化合物半導体材料、例えばIII-Ｖ族の化合物半導体材料やII-ＶＩ族化合物半導体材料等に見られるように、ドライ・エッチング時に揮発し易い成分とこれと比較して揮発し難い成分を生成し、その揮発性の相違から表面組成はそのストイキオメトリの悪化を招く。この為、化合物半導体材料は結晶表面の荒れや結晶欠陥等の材料の損傷を発生し易い。
【０００７】
本願発明はこうした問題点を解決した良好な加工方法を提供するものである。
【０００８】
尚、本願明細書において、以下、上記揮発し易い成分と上記これと比較して揮発し難い成分を各々不揮発性成分、揮発性成分と称する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願に開示される代表的な発明を列挙すれば次の通りである。
【００１０】
本願は、被加工物である化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンと、ハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者とによって、当該化合物半導体材料をエッチングすることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法である。
【００１１】
また、本願は、化合物半導体材料を加工容器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に衝突せしめ、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法である。
【００１２】
また、本願は、被加工物である化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを反応性イオンとして用い、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者をエッチング種として用いることによって、当該化合物半導体材料をエッチングすることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法である。
【００１３】
また、本願は、化合物半導体材料を加工容器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンをエッチング励起用として用い、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法である。
【００１４】
以下に本願に係わる諸発明をより詳しく説明する。
【００１５】
（１）化合物半導体材料をドライエッチングにより加工するに際し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者とハロゲン元素または当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する化合物のラジカルを少なくとも有する雰囲気でエッチングを行なう化合物半導体材料の加工方法である。
【００１６】
前記化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者はエッチング励起用の反応性イオンとして用い、一方ハロゲン元素または当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する化合物のラジカル等の化学的活性種を主なエッチング種として作用せしめる。
【００１７】
前記活性種としてハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物、Ｈ2、アルキルガス、Ｖ族元素又はＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキルの群から選ばれた少なくとも一者を用いることが出来る。これら諸元素、諸化合物などは後述される。
【００１８】
化合物半導体材料は結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生し難い状態で、化合物半導体材料の加工を行なうことが可能である。同時に化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを用いることによって、これまでの方法に比較してエッチング速度の速い加工方法を提供出来ると言える。
【００１９】
（２）前記項目（１）のドライエッチングは、通例０．０５〜１０ｍＴｏｒｒの圧力範囲においてこれらエッチング励起用イオンと化学的活性種の相互作用によりエッチングするのが好適である。
【００２０】
一般にこの圧力範囲では、極めてエッチング速度の速い加工方法を提供出来る。この本願発明の第２の形態は、化合物半導体材料の結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生し難いと言う意味で極めて好ましい。
【００２１】
（３）前記項目（１）または（２）に記載の化合物半導体材料が， III−V族化合物半導体またはII−VI族化合物半導体なるのが本願発明の代表的な形態である。 III−V族化合物半導体の代表例として、ＢＮ，ＢＰ，ＡｌＮ，ＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ等を挙げることが出来る。又、 II−VI族化合物半導体の代表例として、ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＣｄＳ等を挙げることが出来る。
【００２２】
（４）前記項目（１）―（３）に記載の加工方法において、その化合物半導体材料の構成元素は，Ｎ，Ｐ，Ａｓ等のＶ族元素またはＳ，Ｏ等のＶＩ族元素の群より選ばれた少なくとも一者であることが、その代表例である。
【００２３】
（５）前記項目（１）―（４）に記載の加工方法において、そのハロゲンおよびハロゲンと化合物半導体材料の構成元素の１つとの化合物が、Ｃｌ2，Ｆ2，Ｂｒ2，Ｉ2等のハロゲンと、ＮＦ3，ＳＦ6，ＰＣｌ3，ＡｓＣｌ3等のＶ族元素，ＶＩ族元素のハロゲン化物またはこれらの混合物であることがその代表例である。
【００２４】
（６）前記項目（５）に記載のハロゲン及びハロゲン化合物の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣＨ4，Ｃ2Ｈ6等のアルキルガスおよびＶ族元素，ＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキルを用いることが出来る。
【００２５】
こうした方法によって、化合物半導体材料は結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生し難い状態で、化合物半導体材料の加工を行なうことが可能である。同時に化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを用いることによって、これまでの方法に比較してエッチング速度の速い加工方法を提供出来ると言える。
【００２６】
本願発明の別な形態は、前述の化合物半導体材料のエッチング方法を含む製造方法にて製造されたことを特徴とする化合物半導体装置である。本願に係わる半導体装置は、損傷が少なく、成分比が適正な化合物半導体材料にて構成され、良好な半導体装置の特性を得ることが出来る。更には、その製造歩留まりは高い。更には、製造経費は安価である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
［総論］
発明の実施の諸形態を説明するに先立って、本願発明の諸形態を詳細に説明する。
【００２８】
この説明にあって、図１より図４を参酌する。図１は本願発明の加工原理を説明する説明図、図２は本願発明を実施する為の加工装置の例を説明する為の説明図、図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用によるエッチングを説明する特性例を示す図、図４は反応室のガス圧とエッチング速度の関係の例を示す図である。
【００２９】
本願発明の問題点は、化合物半導体材料は結晶表面の荒れや結晶欠陥等を発生を防止するにある。この主原因は、これまで説明してきたように、化合物半導体材料の加工時、化合物半導体材料の有する不揮発性成分と揮発性成分が生成し、その揮発性の相違から表面組成はそのストイキオメトリの悪化を招くことにある。
【００３０】
化合物半導体をハロゲン系ガスを用いてエッチング加工する際，予想される反応生成物は，一般的にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の場合にはＶ族元素のハロゲン化物、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の場合にはＶＩ族元素のハロゲン化物である。そして、これらの物質の揮発性が大きい。従って、これらの元素は被加工物より容易に除去される。これに対しＩＩＩ族，ＩＩ族の元素は揮発性が低く，一旦表面から解離しても再吸着したりエッチング反応室内壁に付着する等，容易に反応室外には排出されない。従って，エッチング後の表面はＶ族、ＶＩ族元素が選択的に除去され，必然的にＩＩＩ族，ＩＩ族元素がリッチな状態となる。この為、例えばバイアス条件等によっては被加工物の表面荒れを起こすのである。
【００３１】
この課題を解決するための本願発明の方法の骨子は次の通りである。本願発明の方法では、通例のドライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、エッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元素を利用する。これらのイオンを用いることで，エッチング表面におけるＶ族，ＶＩ族元素の選択的な脱離が抑制される。
【００３２】
尚、この場合、バッファ・ガスとして、通常のドライ・エッチングの場合と同様に、各種不活性ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを用いることが出来る。このバッファ・ガスはエッチングの為イオン源としてのプラズマを安定して得るのに有用である。
【００３３】
ドライ・エッチングの代表的な諸例としては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ：ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ）、あるいはケミカルアシスト型イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ：ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング、ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｒｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング、マグネトロンエッチングなどを挙げることが出来る。どの基本方式に準拠しても本願発明の方法を適用して、その効果を奏することが出来る。
【００３４】
本願発明の骨子は、前述のように通例のドライ・エッチングで使用する化学的活性種に加えて、エッチングの為の励起イオンとしてＶ族およびＶＩ族元素を利用するもので、この趣旨に添ったエッチング条件の設定以外、その他の例えば、エッチング装置、方法、あるいは食刻用マスクを使用する場合はそのマスク等は、通例のものに準じて良い。又、そのイオンの励起は励起の形式を問わない。
【００３５】
本願発明の原理は次の通りである。図１の模式図に見られるように、化合物半導体材料基板１にエッチングの為の励起用イオン３を入射させる。そして、この励起用イオン３が衝撃を与えた化合物半導体基板１の部位５がエッチングされるのであるが、本願発明においては、励起用イオン３とは別に、前述したように、例えばハロゲンおよびＶ族、ＶＩ族元素のハロゲン化物のラジカル等の化学的活性種４を生成して与えるものである。この化学的活性種４が前記化合物半導体基板１の部位５を攻撃し，エッチングが促進される。そして、所望の加工部６が形成される。
【００３６】
尚、図１において、符号２は化学的活性種の導入管である。
【００３７】
本願発明は、蒸気圧の異なる成分元素を含有する化合物半導体材料に広く適用可能である。
【００３８】
III−Ｖ族化合物半導体の諸例を例示すれば、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，ＡｌＧａＰ，ＧａＰ，ＡｌＰ，ＢＰ，ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ，ＩｎＧｓＮ，ＢＮ，ＧａＳｂ，ＩｎＳｂ，ＡｌＳｂ，ＡｌＧａＳｂ，ＩｎＧａＳｂ，ＩｎＡｌＳｂ、あるいはこれらの可能な混晶を挙げることが出来る。又、ＩＩ−ＩＶ族化合物半導体の諸例を例示すれば、ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，あるいはこれらの可能な混晶を挙げることが出来る。
【００３９】
上記の諸例の内、一般的にＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，ＡｌＧａＰ，ＧａＰ、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が、より有効に本願発明の効果を奏する半導体材料と言うことが出来る。
【００４０】
前述のように、本願発明では、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者をエッチング励起用の反応性イオンとして用い、ハロゲン元素または当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素を有する化合物のラジカルを化学的活性種を主なエッチング種として用いる。
【００４１】
ハロゲンとしては勿論、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩを挙げることが出来る。そして、これらは活性種として用いることが肝要である。
【００４２】
又、ハロゲン化合物の諸例としては、ＡｓＦ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＩ2，ＡｓＩ3，ＡｓＩ5，ＰＦ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢｒ3，ＰＢｒ5，ＰＢｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，Ｐ2Ｉ4，ＮＦ3，ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，ＮＩ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ3，およびＳｂＢｒ3を挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に用いて有用である。又、これらを活性種として用いることが肝要であることはハロゲンの場合と同様である。上記の諸例の内、一般的にＡｓＦ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＰＦ3，ＰＦ5、ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，ＰＢｒ3，ＰＢｒ5，ＰＢｒ2Ｃｌ3，ＰＩ3，ＮＦ3，ＮＦ2ＮＦ2，ＮＣｌ3，ＮＩ3などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４３】
更に、ハロゲン化合物の諸例として、ＳＦ4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣｌ2，ＳＣｌ4，ＯＦ2，Ｏ2Ｆ2，Ｏ3Ｆ2，ＯＣｌ2，ＯＢｒ2，ＳｅＦ4，ＳｅＦ6，Ｓｅ2Ｃｌ2，ＳｅＣｌ4，Ｓｅ2Ｂｒ2，ＳｅＢｒ4，ＳｅＩ4，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，ＴｅＣｌ2，ＴｅＦ4，ＴｅＦ6，ＴｅＣｌ2，ＴｅＣｌ4，ＴｅＢｒ2，ＴｅＢｒ4，ＴｅＩ4などを挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用に用いて有用である。そして、これらは活性種として用いることが肝要である。上記の諸例の内、一般的にＳＦ4，ＳＦ6，Ｓ2Ｃｌ2，ＳＣｌ2，ＳＣｌ4などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４４】
更に、前記ハロゲンおよびハロゲン化合物の替わりに，Ｈ2またはＮＨ3またはＣＨ4，Ｃ2Ｈ6等のアルキルガスおよびＶ族元素ＶＩ族元素の水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキルを用いることも可能である。
【００４５】
化学的活性種として、アルキル、ハロゲン化アルキル等の諸例は、Ｈ2，ＮＨ3，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，あるいはＣnＨ2n+2（ｎ＝整数、現実的にはｎ＝１〜８であろう）、ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3Ｂｒ，Ｃ2Ｈ5Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，およびＨＩを挙げることが出来る。そして、これらは活性種として用いることが肝要である。これらはＩＩＩ−Ｖ族およびＩＩ―ＶＩ族の化合物半導体材料に用いることが出来る。上記の諸例の内、一般的にＨ2，ＮＨ3，ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，ＣＨ3Ｃｌ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，ＣＨ3Ｂｒ，ＣＨＣｌ3，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒなどがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化アルキルであると言うことが出来る。
【００４６】
更に、アルキルに準ずる活性種としての有機金属化合物として、ＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａｓ（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3，Ｐ2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3，ＮＨ4Ｆ，ＮＨ4Ｃｌ，ＮＨ4Ｂｒ，ＮＨ4Ｉ，ＳｂＨ3，Ｓｂ（ＣＨ3）3，Ｓｂ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用に用いて有用である。又、これらを活性種として用いることが肝要であることはハロゲンの場合と同様である。上記の諸例の内、一般的にＡｓＨ3，Ａｓ（ＣＨ3）3，Ａｓ（Ｃ2Ｈ5））3，ＰＨ3，Ｐ2Ｈ4，ＰＨ4Ｃｌ，ＰＨ4Ｂｒ，ＰＨ4Ｉ，Ｐ（ＣＨ3）3，Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４７】
更に、アルキルに準ずる活性種としての有機金属化合物として、Ｈ2Ｓ，Ｓ（ＣＨ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ5）3，Ｈ2Ｓｅ，Ｓｅ（ＣＨ3）3，Ｓｅ（Ｃ2Ｈ5）３，Ｈ2Ｔｅ，Ｔｅ（ＣＨ3）3，Ｔｅ（Ｃ2Ｈ5）3などを挙げることが出来る。これらは、主としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体用に用いて有用である。又、これらを活性種として用いることが肝要であることはハロゲンの場合と同様である。上記の諸例の内、一般的にＨ2Ｓ，Ｓ（ＣＨ3）3，Ｓ（Ｃ2Ｈ5）3などがより有効に本願発明の効果を奏するハロゲン化物であると言うことが出来る。
【００４８】
表１に化合物半導体材料に対しての励起イオン源および化学的活性種の実用的に有用な諸例を取りまとめた。又、表２には化合物半導体材料に対して実用的に有用な水素化物，アルキル化物またはハロゲン化アルキルの諸例を例示する。
【００４９】
更に、表３に上記化合物半導体材料に対しての励起イオンの形式、および表４にエッチング反応に有効な励起イオン、活性種の分圧の範囲の目安を示す。励起イオンの形式はいずれの形式を用いることが出来る。
【００５０】
また、本発明の実施には、イオンの価数、正負はいずれのものも用いることが出来る。尚、バッファガスを用いる場合、これらのイオンも含めて考慮される。但し、正イオンの場合にはカソ−ド結合型もしくは陽極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極を用いる必要がある。また、負イオンの場合にはアノ−ド結合型もしくは陰極（直流バイアスの場合）型のバイアス電極を用いる必要がある。
【００５１】
尚、表４において、各分圧は有効にエッチング出来るそれぞれの分圧の目安を示す。また、励起イオン分圧と活性種分圧は両者の合計が１００％となされることは言うまでもない。
【００５２】
【表１】
0004368963.tif 000002
【００５３】
【表２】
0004368963.tif 000003
【００５４】
【表３】
0004368963.tif 000004
【００５５】
【表４】
0004368963.tif 000005
【００５６】
尚、各表において、（１）励起イオンは励起の形式を問わない。（２）化学的活性種はラジカル等電荷を有さない反応種を示す。（３）ハロゲン化物の場合は分解して活性種を形成するなど、その形式は問わず、導入する原料として示している。勿論、本願の目的に使用する時には、活性種となっていることを要する。又、アルキル、ハロゲン化物、有機金属化合物の場合の同様に表では原料を示している。勿論、本願の目的に使用する時には、活性種となっていることを要する。
【００５７】
次に、エッチング装置について、説明する。図２は本発明のエッチングを行うための代表的な装置の例を説明したものである。図２の例では、電磁コイル（８７５Ｇ）１４を用いた電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）のＲＩＢＥ装置が示される。しかし、イオン源としては誘導結合プラズマ等その他のイオン化率良好な装置でも勿論良い。
【００５８】
このエッチング装置は、励起用反応性イオン源１１とそのバイアス電極１９，ラジカル等化学的エッチング種発生装置１２を少なくとも有して構成される。勿論、これらの諸部分は真空容器に連結され、前記バイアス電極１９に対応して試料台が準備されれている。プラズマ室には導波管を用いてマイクロ波が導入される。プラズマ室の外周には、通例軸対称磁場を発生する円筒形コイル１４が配置されており、ＥＣＲ条件近傍の磁束密度（８７５Ｇ）を生じるようにしている。マイクロ波によって電離、発生した電子はサイクロトロン運動を行ないながら、ガスと衝突を繰り返す。プラズマ室の下部は通例多孔式のイオン取り出し電極があり、指向性の良いイオンビームを取り出すことが出来る。
【００５９】
イオン源１１ではエッチングを行う化合物半導体のＶ族またはＶＩ族元素をイオン化する。この時、蒸気圧の低い元素、固体元素でも高効率のイオン化を可能とするためにこのイオン源前段はヒータ１８による加熱を行う。
【００６０】
このイオン源で発生したエッチング励起用Ｖ族、ＶＩ族イオンをカソード結合電極１９に１３．５６ＭＨｚのＲＦバイアスを加えて，エッチングを行う化合物半導体基板２０に引き込む。バイアス電極は，ＲＦバイアスでも、直流バイアスでも差し支えない。
【００６１】
本願発明では、上記した通例のＲＩＢＥ装置に更に、化学種の発生装置１２を設ける。この化学種の試料台への導入は、当該化合物半導体試料の近傍に行なう。
【００６２】
エッチング励起用Ｖ族，ＶＩ族イオンは，化合物半導体に衝撃を与えるが，この時別途ハロゲン系のラジカル等化学的活性種を生成して化合物半導体近傍に吹き付ける。ハロゲンラジカル等化学的活性種は，イオン衝撃を受けた化合物半導体表面と容易に反応し，効率的にエッチングを行う。なお，この化学的活性種はマイクロ波放電による発生装置１２を用いたが，誘導結合プラズマ，熱励起プラズマ等，ラジカル等の化学的活性種を発生する装置であれば差し支えない。
【００６３】
エッチングの際，化合物半導体表面には〜５ｎｍ程度の非晶質層が形成されるが，脱離しやすいＶ族，ＶＩ族元素を励起イオンとして用いているため表面ストイキオメトリは良好に保持される。表面の非晶質層も洗浄処理で容易に除去可能なため，結果的にエッチング表面荒れ等の少ない低損傷エッチングが達成される。また，エッチング励起用イオンを加速するバイアス電位も独立に制御可能なため，エッチング表面に与えるエッチング損傷も制御が可能である。
【００６４】
次に、本願発明の効果を示す、特性例を例示する。図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用によるエッチングを説明する特性例を示す図である。より詳しくは、図３はＮおよびＰをエッチング励起イオン，エッチング用化学的活性種としてＣｌラジカルを用い，ＧａＮとＩｎＰをエッチングした場合のＣｌ2流量とエッチング速度の関係を示したものである。丸印はＩｎＰ基板を、正方形印はＧａＮ基板をエッチングする例を示す。
【００６５】
図３に見られるように、Ｃｌラジカルを与えないＣｌ2流量０の条件では有効なエッチング速度が得られない。更に、ＮおよびＰの励起イオン照射無の条件でも有効なエッチング速度が得られていない。これは励起イオンと化学的励起種それぞれ独立の雰囲気では効率的なエッチングが行われないことを示している。これに対して、図３に示す如く、この励起イオンと化学的励起種の両者が相互作用することにより化合物半導体材料のエッチングが可能となることが一目瞭然に理解される。なお，この結果は励起イオン源としてＥＣＲ装置（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝４００Ｗ，磁場強度＝８７５Ｇ，バイアスＲＦパワー密度＝０．２５Ｗ・ｃｍ-2），化学的活性種発生源としてマイクロ波プラズマ装置（マイクロ波２．４５ＧＨｚ＝２００Ｗ）を用いて求めた例である。また，イオン源としてはＧａＮがＮ2（流量１０ｓｃｃｍ），ＩｎＰにはＰ（２００℃，０．５ｍＴｏｒｒ）を用い，エッチング反応室内の圧力を０．５ｍＴｏｒｒに制御して行った例である。
【００６６】
さらに図４は同様の実験条件において，エッチング励起イオンとしてＮ，化学的活性種としてＣｌラジカルを利用してＧａＮをエッチングした場合のエッチング反応室内の圧力とＧａＮのエッチング速度の関係を説明したものである。このように圧力０．０５ｍＴｏｒｒ以下の条件では有効に作用するＣｌラジカルが減少してエッチング速度が大幅に低下し，また逆に圧力１０ｍＴｏｒｒを超えるとＮイオンが衝突により散乱を受ける確率が上昇し，基板に有効に作用するＮイオン数が減少してエッチング速度の低下が認められた。
【００６７】
従って，本発明のエッチング方法が適用可能な反応室圧力は０．０５〜１０ｍＴｏｒｒと言える。尚、本願に係わる他の材料、反応系においてもこうした範囲で有用である。なお，エッチング圧力については，条件により化学的活性種発生源において有効にラジカル等を発生させるために，エッチング反応室との間に圧力差を形成する必要があるが，その場合には化学的活性種発生源とエッチング反応室との間に毛細管構造や可変オリフィス等の特殊な装置が必要となる。
【００６８】
［発明の実施の形態１］
本例は、ＧａＮ系化合物半導体材料の加工の例である。具体的な適用装置は発光素子である。
【００６９】
図５はIII族窒化物半導体レーザのレーザ光の光軸に交差する面での断面図である。そして、この例では、GaNの低温バッファ層３２と高温成長層３３の積層構造を有する。ｃ面サファイア基板３１上に，GaNバッファ層３２（２０ｎｍ），ＧａＮ層（５０ｎｍ）３３の積層体が形成される。この上部に，ｎ型ＳｉドープＧａＮ層３４（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3，３μｍ），ｎ型ＳｉドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３５（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3，０．５μｍ），ｎ型ＳｉドープＧａＮ層３６（ｎ＝５×１０17ｃｍ-3,０．１μｍ），ノンドープＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ−ＧａＮ層歪量子井戸発光層３７（各５ｎｍ，３周期で構成される），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層３８（ｐ＝２×１０17ｃｍ-3，０．１μｍ），ｐ型ＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３９（ｐ＝２×１０17ｃｍ-3,１．５μｍ），ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０（ｐ＝２×１０18ｃｍ-3，０．２μｍ）が通例の方法によって形成される。
【００７０】
上記各結晶層は，通例の有機金属成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いる。その条件は、定圧、減圧、および高圧のいずれでも、その要請に応じて使用することが出来る。以下の事例においても同様である。
【００７１】
次いで、前述の半導体積層体のｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層３５までを本願発明に係わるドライエッチングにより約２．５μｍのエッチング加工を行った。この加工方法の詳細は後述する。
【００７２】
こうして準備された半導体積層体にパッシベーション膜としてＳｉＯ2層４１を周知の方法によって形成する。このＳｉＯ2層４１の所望部分に開口を設け、この開口部にｎ型電極４２，ｐ型電極４３を形成する。さらに，へき開法により共振端面を形成，発光端面に誘電体高反射膜ミラーを形成した。
【００７３】
通例、一つのウェハの多数個の発光素子が形成されるので、最後にこれらの各素子を分離して発光ダイオード素子を完成した。
【００７４】
この半導体発光素子に５Ｖで２０ｍＡの電流を与えたところ，光出力５ｍＷで４１０ｎｍの紫外レーザ光が得られた。又、この素子は摂氏６０度の劣化試験において１００００時間以上の寿命を示した。
【００７５】
次に、本例における前述の半導体積層体のｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０からｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層３５までの加工方法について説明する。
【００７６】
エッチング装置は図２に示したものである。エッチング励起イオン源としてはＮ2（流量１０ｓｃｃｍ）を用い，これを２．４５ＧＨｚ、４００Ｗのマイクロ波パワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化した。そして、このＮイオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パワー密度０．２Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速する。別途塩素（Ｃｌ2）ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発生装置によりＣｌラジカルを生成し，これをエッチングする基板周辺に均一に流入する。
【００７７】
エッチング励起イオンであるＮイオンにより衝撃を受けた部位をＣｌラジカルが攻撃し，効率的なエッチングを行うことが可能となる。本例では約３００ｎｍ／ｍｉｎという高速なエッチング速度が得られた。なお，この時のエッチング圧力は自動圧力制御装置を用い０．５ｍＴｏｒｒに設定した。また，異方性，表面平滑性も良好であった。
【００７８】
また，ｎ型電極４１側のメサエッチングにも本願発明の方法を用いた。即ち、前述の半導体積層体の加工の際、その上部のｐ型ＭｇドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層３９、ｐ型ＭｇドープＧａＮ層４０に対して、エッチング圧力を５ｍＴｏｒｒ（Ｎ2流量１０ｓｃｃｍ，Ｃｌ2流量３０ｓｃｃｍ）に上昇させた。この条件下で、サイドエッチング成分が増え，メサが形成可能となった。この時のメサ傾斜角度は約６０度であった。双方の加工条件共，側壁，エッチング底面へのエッチング損傷が極めて少ないため，良好なレーザ素子形成が可能となった。
【００７９】
上述の例で、半導体材料はＧａＮであったが、その他の窒素（Ｎ）を含有する各種化合物半導体材料、例えばＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ，ＩｎＧａＮ，ＢＮなどに対しても本願発明の方法は極めて有効であった。
【００８０】
化合物半導体材料、励起イオン、および化学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示した通りである。
【００８１】
［発明の実施の形態２］
半導体レーザ素子形成に本発明の化合物半導体エッチング方法を適用した例を以下に示す。半導体材料はＩｎＰ系の化合物半導体材料である。
【００８２】
図６は半導体レーザ素子の製造工程の順序に示した半導体積層体の断面図である。その断面はレーザ光の光軸と交差する面での断面である。
【００８３】
ｎ型ＩｎＰ基板５１上に，ｎ型ＩｎＰバッファ層５２（０．３μｍ），アンドープ多重量子井戸活性層５３（厚さ６０ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層と厚さ１００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層を５周期），ｐ型ＩｎＰクラッド層５４（２．０μｍ），ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５５（０．２μｍ）を、周知の有機金属気相成長法により形成する（図６の（ａ））。
【００８４】
次に、こうして準備した半導体積層体上に、１．５μｍ幅のＳｉＯ2ストライプ５６を形成する。この領域をマスク領域としてｐ型ＩｎＧａＡｓ層５５からｎ型ＩｎＰ基板５１に至る約２．８μｍを本発明の化合物半導体エッチング方法により加工する（図６の（ｂ））。
【００８５】
エッチング励起イオン源としては黒リン（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を用い，これを２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そして、このリン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パワー密度０．２５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速する。別途Ｃｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発生装置によりＣｌラジカルを生成し，これをエッチングする基板周辺に均一に流入する。エッチング圧力は自動圧力調整装置を用いて０．５ｍＴｏｒｒに設定した。
【００８６】
本発明の方法により約２００ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度が得られた。且つ、エッチング底面・端面とも良好な平滑性・異方性が得られ，表面損傷も極めて少ない。
【００８７】
この後，有機金属気相成長炉内でＨＣｌによる成長前処理を施し，選択成長により高抵抗ＩｎＰ埋込み層５７を形成（図６の（ｃ））する。そして、希フッ酸によりＳｉＯ2ストライプ５６を除去し，ｐ型電極５８形成した。更に、基板裏面研磨を行なった後，ｎ型電極５９を形成した（図６−（ｄ））。へき開により発光波長１．５５μｍの半導体レーザが形成される。この発光端面に通例の保護膜を形成するのは任意である。通例、一つのウェハの多数個の発光素子が形成されるので、最後にこれらの各素子を分離して半導体レーザ素子を完成した。
【００８８】
作製したレーザ素子は，損傷に起因する非発再結合等の無効電流成分が極めて低くく抑えられたため，室温，連続条件において閾値電流１０ｍＡ，発振効率０．４５Ｗ／Ａと低閾値かつ高効率な特性が得られた。また，５０℃，５ｍＷでの一定光出力通電試験を行った結果，推定寿命２０万時間という良好な結果が得られた。
【００８９】
なお本例では，エッチング励起イオン源として黒リンを用いたが，黒リン，金属ヒ素をそれぞれ独立の導入系として混合して用いても同様の効果が得られた。また，本例ではマスク材としてＳｉＯ2を用いたが、Ｓｉ3Ｎ4、レジスト等その他の材料を用いても良い。
【００９０】
また，本例は１．５５μｍ帯半導体レーザに本発明を適用した場合について述べたが，その他の波長帯の半導体レーザに適用することも当然可能である。
【００９１】
半導体材料として、上記の例はＩｎＰ系であるが、その他の化合物半導体材料に本願発明を適用して十分な効果を奏した。具体的な例を挙げれば、 例えばＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＡｌＡｓ，ＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＡｌＩｎＰ，ＩｎＧａＰ，ＡｌＧａＰ，ＧａＰ、 ＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、 ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体などを用いた半導体光装置の場合である。
【００９２】
化合物半導体材料、励起イオン、および化学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示した通りである。
【００９３】
更に、本発明の加工方法の適用は、半導体レーザ素子のみならず、光変調器，光導波路素子等，その他の各種化合物半導体光素子に適用することは言うまでもない。
【００９４】
［発明の実施の形態３］
本発明に係わる化合物半導体エッチング方法をＩｎＰ系ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子製造に適用した例を以下に示す。
【００９５】
図７はＩｎＰ系ＨＢＴ素子の製造工程の順序の示した素子の断面図である。半絶縁性ＩｎＰ基板６１上に、ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓサブコレクタ層（３００ｎｍ）６２，アンドープＩｎＰ（２５０ｎｍ）／ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ（５０ｎｍ）コレクタ層６３，ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層（４０ｎｍ）６４，ｎ型ＩｎＰエミッタ層（１００ｎｍ）６５，ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層（２００ｎｍ）６６を、ガスソースＭＢＥ法（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いて形成する。
【００９６】
こうして形成された半導体積層体の上部にエッミタ電極６７をタングステン・シリサイドによって形成する。そして、このエミッタ電極であるＷＳｉ電極６７の領域をマスク領域として自己整合的にエッチングする、即ち、本願発明の化合物半導体エッチング方法によりｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓエミッタキャップ層６７からｎ型ＩｎＰエミッタ層６６までを加工する（図７の（ａ））。
【００９７】
エッチング条件は，エッチング励起イオン源として黒リン（摂氏２００度，０．５ｍＴｏｒｒ）を用い，これを２．４５ＧＨｚ・４００Ｗのマイクロ波パワーによりＥＣＲ条件（８７５Ｇ）でイオン化する。そして、このリン・イオンをＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）パワー密度０．１５Ｗ／ｃｍ2でカソード電極方向に加速する。別途Ｃｌ2ガス（流量１０ｓｃｃｍ）から２．４５ＧＨｚ・２００Ｗのマイクロ波放電によるラジカル発生装置によりＣｌラジカルを生成し，これをエッチングする基板周辺に均一に流入する。エッチング圧力は，自動圧力調整装置を用いて０．２ｍＴｏｒｒに設定した。なお，エッチングの終点を正確に制御するため，ＣｌとＩｎの反応により発生する４７０ｎｍの発光波長をモニタし，エッチングの終点検出を行った。
【００９８】
次に，エミッタ電極側壁にＳｉＯ2６８を形成した後，これらをマスク領域としてｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓベース層６４からアンドープＩｎＰ／ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓコレクタ層６３までを上と同様の方法によりエッチング加工する（図７の（ｂ））。
【００９９】
本発明の方法により異方性良好で，エッチング損傷の極めて少ないエッチング加工が可能となった。また，マスクであるＷＳｉやＳｉＯ2との選択比も３０以上の良好な数値を得ている。
【０１００】
この後，側壁ＳｉＯ2６８を希フッ酸にて除去，埋込みＳｉＯ2６９と絶縁用側壁ＳｉＯ2７０を形成（図７の（ｃ））した。更に、ベース電極７１とコレクタ電極７２を形成し，目的のＩｎＰ系ＨＢＴ素子を得た（図７の（ｄ））。
【０１０１】
本発明の化合物半導体エッチング方法を適用することにより，エミッタサイズ（０．６×４．６μｍ2）の素子で，コレクタ電流４ｍＡに対し，遮断周波数２００ＧＨｚ，最大発振周波数３００ＧＨｚというＩｎＰ系ＨＢＴ素子を形成できた。また，本発明により低損傷加工が可能となり，特にベース層への再結合中心の形成等が大幅に抑制されたため，上記のエミッタサイズにおいて７０℃における加速試験の結果から導かれた推定寿命は１５万時間という良好な結果であった。
【０１０２】
なお，本実施例はＩｎＰ系ＨＢＴ素子について述べたが，ＧａＡｓ系ＨＢＴ素子，ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子やこれらのＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等その他の化合物半導体デバイスでも同様の効果が得られた。
【０１０３】
また、他の化合物半導体材料、励起イオン、および化学的活性種の好ましい選択については、表１、表２に示した通りである。
【０１０４】
【発明の効果】
本願発明のドライエッチングにより，低損傷な化合物半導体層の加工が可能となる。
【０１０５】
尚、本願の加工方法を各種化合物半導体装置の加工に適用することによって、これらの諸化合物半導体素子の性能の向上や高信頼化，および製造歩留り向上による低コスト化を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の化合物半導体エッチングの原理を説明する図である。
【図２】図２は本発明に係わるエッチング装置の例を説明する図である。
【図３】図３は励起イオンと化学的励起種の相互作用による化合物半導体エッチングを説明する図である。
【図４】図４は反応室エッチング圧力とＧａＮのエッチング速度の関係の例を示す図である。
【図５】図５はIII族窒化物化合物半導体レーザ素子のレーザ光の光軸に交差する面での断面図である。
【図６】図６は化合物半導体レーザ素子の製造工程の順に示した半導体積層体の断面図である。
【図７】図７はＨＢＴ素子の製造工程の順序に示した半導体積層体の断面図である。
【符号の説明】
１：化合物半導体基板，２：化学的活性種導入管，３：エッチング励起用イオン，４：化学的活性種，５：入射イオンによる衝撃部位，６：エッチングされた領域、１１：エッチング励起用イオン生成装置，１２：化学的活性種生成装置，１３：マグネトロン（２．４５ＧＨｚ），１４：電磁コイル（８７５Ｇ），１５：化学的活性種導入管，１６：マスフローコントローラ，１７：ガスボンベ，１８：固体・液体ソース容器及び加熱装置，１９：高周波電極，２０：化合物半導体ウェハ、３１：ｃ面サファイア基板，３２：GaNバッファ層（２０ｎｍ），３３：ＧａＮ層，３４：ｎ型ＳｉドープＧａＮ層，３５：ｎ型ＳｉドープＡｌＧａＮ層，３６：ｎ型ＳｉドープＧａＮ層，３７：ノンドープＩｎＧａＮ−ＧａＮ層歪量子井戸発光層，３８：ｐ型ＭｇドープＧａＮ層，３９：ｐ型ＭｇドープＡｌＧａＮ層，４０：ｐ型ＭｇドープＧａＮ層，４１：ＳｉＯ2，４２：ｎ型電極，４３：ｐ型電極、５１：ｎ型ＩｎＰ基板，５２：ｎ型ＩｎＰバッファ層，５３：アンドープ多重量子井戸活性層，５４：ｐ型ＩｎＰクラッド層，５５：ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層，５６：ＳｉＯ2ストライプ，５７：高抵抗ＩｎＰ埋込み層，５８：ｐ型電極，５９：ｎ型電極、６１：半絶縁性ＩｎＰ基板，６２：ｎ型ＩｎＧａＡｓサブコレクタ層，６３：アンドープＩｎＰ／ｎ型ＩｎＧａＡｓコレクタ層，６４：ｐ型ＩｎＧａＡｓベース層，６５：ｎ型ＩｎＰエミッタ層，６６：ｎ型ＩｎＧａＡｓエミッタキャップ層，６７：ＷＳｉエミッタ電極，６８：側壁ＳｉＯ2，６９：埋込みＳｉＯ2，７０：絶縁用側壁ＳｉＯ2，７１：ベース電極，７２：コレクタ電極である。
【図１】
0004368963.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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