(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）第１の光ファイバ；
ｂ）前記第１の光ファイバは複数の同心状の円筒層に構成され；
ｃ）前記層のそれぞれは前記第１のファイバの複数の巻線を含み；
ｄ）前記巻線は、前記第１のファイバが本質的に円筒状の同心の内部及び外部表面と、本質的に平行で環状の上部及び下部表面により区切られた環状のコイルを形成するように、あらかじめ決められた巻きパターンに構成され；
ｅ）前記コイルは埋込み材料中に封入され；
ｆ）前記埋込みコイルは、前記表面の少くとも１つに接合され、前記埋込みコイルを有する集積構造を形成する境界層を含む組合せを含み；
前記コイルは所定の熱膨張特性を有し、
前記境界の熱膨張特性は、前記埋込みコイルのそれらと本質的に同じである
ファイバ光ジャイロスコープ用のセンサコイル。
【請求項２】
前記境界は第２の光ファイバの巻線の少くとも１つの層を含む請求項１記載のセンサコイル。
【請求項３】
前記第１及び第２の光ファイバの前記層は、前記埋込み材料内に封入される請求項２記載のセンサコイル。
【請求項４】
第１の境界は前記埋込みコイルの前記円筒状外部表面を囲む請求項２記載のセンサコイル。
【請求項５】
第２の境界は前記埋込みコイルの前記円筒状内部表面内に固定される請求項２記載のセンサコイル。
【請求項６】
本質的に平坦な境界は前記埋込みコイルの少くとも１つの環状端面に固定される請求項１記載のセンサコイル。
【請求項７】
前記境界層は第２の光ファイバの巻線の少くとも１つの環状層を含む請求項６記載のセンサコイル。
【請求項８】
前記境界層は環状の本質的に平坦な円盤を含む請求項６記載のセンサコイル。
【請求項９】
ａ）光エネルギー源；
ｂ）検出器；
ｃ）光エネルギーの前記源の出力を、センサコイル中に結合し、それにより前記出力を前記センサコイル内で相対する方向に伝搬する一対のビームに形成するための手段；
ｄ）前記センサコイルの出力を、前記検出器に結合するための手段；を含み、ｅ）前記センサコイルは所定のパターンに巻かれ、巻線の複数の層を形成する第１の光ファイバを含む応答部分を含む集積構造を含み；
ｆ）前記集積構造は前記応答部分に固定された第２の部分を含み、前記第２の部分は前記応答部分の表面を被覆し；
ｇ）前記ジャイロスコープは前記光エネルギーの前記源の出力が、前記応答部分中に結合され、前記応答部分の出力が前記検出器に結合されるように、構成され；
前記応答部分は本質的に円筒状の同心の内部及び外部表面と本質的に平行で環状の上部及び下部表面により区切られた円環状のコイルを含み；
前記コイルは埋込み材料中に封入され；
前記第２の部分は前記表面の少くとも１つに接合され、前記埋込みコイルを有する集積構造を形成し、
前記埋込みコイルはあらかじめ決められた熱膨張特性を有し；
前記第２の部分の熱膨張特性は、前記埋込みコイルのそれらと本質的に同じである
ファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１０】
前記第２の部分は、第２の光ファイバの巻線の少くとも１つの層を含む請求項９記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１１】
前記第１及び第２の光ファイバの前記層は、前記埋込み材料内に封入される請求項１０記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１２】
前記第２の部分は前記埋込みコイルの前記円筒状外部表面を囲む第１の境界を含む請求項１０記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１３】
前記第２の部分は、前記埋込みコイルの前記円筒内部表面内に固定された第２の境界を含む請求項１０記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１４】
前記第２の部分は前記埋込みコイルの少くとも１つの環状端面に固定された本質的に平坦な境界を含むことを更に特徴とする請求項９記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１５】
前記境界は第２の光ファイバの巻線の少くとも１つの環状層を含む請求項１４記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【請求項１６】
前記境界は本質的に平坦な環状円盤を含む請求項１４記載のファイバ光ジャイロスコープ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明はファイバ光学ジャイロスコープに係る。より具体的には、本発明はシュープ効果により環境から導入されるバイアス誤差を最小にするように設計されたジャイロセンサ・コイルに係る。
【０００２】
従来技術の記述
干渉ファイバ光学ジャイロスコープは、以下の主要素を含む。
（１）光源、（２）“最小相反構成”の条件〔エス．エゼキール（S. Ezekiel）及びエム．ジェイ．アーディティ（M.J.Arditty） 、ファイバ光学回転センサ、ニューヨーク、スプリンガーフェアラグ、２−２６頁、１９８２）を満たすための２個のビームスプリッタ（ファイバ光学方向性カプラ又は集積光学Ｙ分枝）（３）偏光維持（ＰＭ）ファイバ又は低複屈折（標準的な電話通信）ファイバでできたファイバ光学センサコイル（４）偏光子（及びしばしば１ないし複数のデポラライザ及び（５）検出器。光源からの光は、ループ状ビームスプリッタにより、センサコイル中を同方向に伝搬する波及び反対方向に伝搬する波に分割される。付随した電子系が、コイルの相対する端部から表れる２つの相互干渉する相対する方向に伝搬する光ビーム間の位相関係を測定する。２つのビームが経験する位相差は、周知のサニャック効果により、装置が固定されたプラットホームの回転速度に比例する。
【０００３】
環境要因は相対する方向に伝搬するビーム間の測定される位相シフトに影響を与え、それによりバイアス誤差を生じさせる可能性がある。そのような環境要因には、温度、振動（音響及び機械的）及び磁界が含まれる。ファイバ光ジャイロ中のバイアス誤差の重要な源は、当業者にはシュープ効果として知られている。シュープバイアス誤差は、時間依存性の環境的変動（熱的、音響的、振動的等）が、ジャイロセンサコイルに働く時に生じる。それは各相対する方向に伝搬する波が、コイルを貫いて伝搬するにつれ経験する光路長の変化による。２つの波に生じる位相シフトは、等しくなく、好ましくない正味の位相シフトを生じ、それは回転により生じる信号と区別ができない。
【０００４】
シュープバイアス誤差を減すための１つの方策には、各種の対称コイル巻き構成の使用が含まれる。そのようなコイルにおいて、巻き方はコイルの幾何学的中心を最も内部の層に配置し、一方コイルの２つの端部は最も外側の層に配置するようにする。
【０００５】
エム．フリゴは（N.Frigo）は“サニャック干渉計中の非相反光源の補償”、ファイバ光学及びレーザセンサ、プロシーディング、エス・ピー・アイ・イー（Proc.SPIE）、４１２巻、２６８頁（１９８３）中で、シュープ非相反を補償するため、特殊な巻きパターンを用いることを提案した。更に、“ファイバ光学センサコイル”と題するベドナーツ（Bednarz）の米国特許第４，７９３，７０８号は、二重極又は四重極巻きにより形成された対称ファイバ光学センサコイルを教えている。その特許に述べられているコイルは、従来の螺旋型巻きより優れた特性を示す。
【０００６】
“四重極巻きファイバ光学センサコイル及びその作製法”と題するアイバンセビック（Ivancevic）の米国特許第４，８５６，９００号は、改善された四重極巻きコイルを教えている。この場合、ポップアップファイバ要素の存在による締めつけ及び微小曲りは、そのようなポップアップ要素を接続層間で上昇させるため同心状に巻かれた環状壁で置き代えることにより克服される。上述の米国特許は本件の権利者の所有である。
【０００７】
適当なコイル巻き技術により、環境要因の非対称により生じるシュープバイアス誤差を減すことができるが、それらでは、ジャイロ出力中の環境に起因するバイアス誤差のすべての源の位置を同定することができない。
【０００８】
本発明の要約
先の欠点及びそれにつけ加わる欠点と従来技術の不利な点は、本発明により解決される。それは第１の特徴として、ファイバ光ジャイロスコープ用のセンサコイルを実現する。そのようなコイルは、第１の光ファイバを含む。ファイバは複数の同心状円筒層に構成される。層のそれぞれは、あらかじめ決められた巻きパターンに構成された複数の環状部を含む。そのパターンは第１のファイバが本質的に円筒状で、同心状の内部及び外部表面及び本質的に平行で、環状の上部及び下部端面により区切られた円環形を成すようなものである。コイルは埋込み材料中に封入され、少くとも一つの表面に結合され、埋め込まれたコイルと集積構造を形成する境界層を含む。
【０００９】
第２の点において、本発明は光エネルギー源及び検出器を含むファイバ光ジャイロスコープを実現する。源の出力をセンサコイル中に結合させ、それにより出力が中で相対する方向に伝搬する一対のビームに形成される手段が備えられる。加えて、センサコイルの出力を検出器に結合するための手段が備えられる。センサコイルは集積構造を含み、それはあらかじめ決められたパターンに巻かれ、複数の巻き層を形成する第１の光ファイバを含む応答部を含む。第２の部分が応答部分の表面に固定され被覆する。ジャイロスコープは光エネルギー源の出力が応答部分に結合され、応答部分の出力が検出器に結合されるよう構成される。
【００１０】
先に述べた特徴と他の特徴及び本発明の利点は、以下の詳細な記述から、更に明らかになるであろう。そのような記述には、一組の図面が付随している。図中の数字は、文章中のそれらに対応し、本発明の各種の特徴をさし、同様の数字は全体を通して、同様の特徴に対応する。
【００１１】
詳細な記述
図１は本発明に従うセンサコイルを組込んだファイバ光学センサジャイロスコープの概略図である。ジャイロスコープは広帯域光源（１０）、光を導くためのビームスプリッタ（ファイバ方向性カプラ又は集積光学Ｙ分枝）（１２）及び（１４）、光検出器（１６）、回転センサ要素として働くセンサコイル（１８）及びたとえば圧電性シリンダ又は単一チャネルＬｉＮｂＯ3 導波路変調器から成る位相変調器（２０）を含む。単一のＬｉＮｂＯ3 チップ内の２つの導波路変調器による“プッシュ−プル”構成は、直接的な拡張である。
【００１２】
本発明のセンサコイル（１８）は、複数の構造的要素を含む。第１の要素（２２）は回転センサシステムの他の要素に、光学的に結合され、ビームスプリッタ（１４）により中で反対方向に伝搬する一対のビームに変換された光源（１０）の出力を受け、固着されたプラットフォームの回転を示す光検出器（１６）への信号を供給する光ファイバのマルチターンコイル（２２）を含む。第２の要素（２４）（実際には多くの個別の構造から成ってよい）は、センサコイル（１８）を完成させる。要素（２４）は巻いた光ファイバ又は第１の要素（２２）と集積化して形成された熱的に両立する材料のウエハ（又は複数のウエハ）から成ってよい。第１及び第２の要素（２２）及び（２４）は構造的に集積化され、機械的に整合した構造を形成する。しかし、第２の要素はファイバ光学ジャイロスコープの他の要素には、光学的に結合されない。むしろ、以下でわかるように、第２の要素（２４）は熱的な擾乱とその結果としてのシュープバイアス効果に最も影響されやすいセンサコイル（１８）の一部と、効果的に置き代る。
【００１３】
Ｉ  コイル構造によるバイアスの補償
図２はセンサコイル内のファイバの位置（すなわちコイルターン半径）の関数として、シュープ積分に対する解析的に導いた寄与の関数である。グラフは糸状に巻かれた連続した光ファイバで形成されたコイルの数学的モデルの結果を表わす。光ファイバは円環状の構造を形成し、それはエイ．コルドバ（A.Cordova）及びジー．エム．スラビアン（G.M.Surabian）の“重大な振動及び熱的環境用の埋込まれたファイバ光ジャイロセンサコイル”と題する特許第５，５４６，４８２号に述べられているような材料中に、埋込まれる。この特許は本件と権利者を同じくする。
【００１４】
一群の局線が図２にプロットされており、それぞれは異なるコイル温度Ｔｉに対応する。図からわかるように、温度にかかわらず、シュープ積分に対する寄与は、巻かれたセンサコイルターンの内部層及び外部層の両方に近づくにつれ、ゼロから著しく離れる。従って、円環型の糸状に巻かれた埋込まれたセンサコイルによるシュープバイアス誤差に対する最大の寄与は、光が巻線の最も内側及び最も外側の層を通って相対する方向に伝搬する時生じる。二重極又は四重極巻きの場合、図２のシュープバイアス誤差への寄与のプロットは、重みづけ要因により修正される。この重みづけ要因（中央点への距離）は最も内側の層の寄与を減し、最も外側の層の寄与を増加させる。
【００１５】
本発明において、シュープバイアス誤差はセンサコイル（１８）の一部分をいわゆるダミー層（又は複数の層）で置き代えることにより最小になる。ダミー層は巻かれたコイル構造の一部（又は複数の部分）を形成するが、回転に応答する光信号を運んだり、伝えたりしない。そのような層（又は複数の層）は図１中でとりあげたセンサコイル（１８）の第２の要素（２４）に寄与する。
【００１６】
この方式によりシュープバイアス誤差が減せる理由は、以下のとおりである。もし、ダミー層が埋め込まれたセンサコイルの特性と同様の熱機械的特性を有するなら、シュープ積分に対する寄与のプロットは、図２に示されるように、ダミー層の存在（領域Ｉ及びII）によっては修正されない。ただし、シュープ積分は領域III （回転応答要素）にのみ含まれるという事実は異なる。領域III はシュープ積分に対する寄与が、すべての温度で小さいファイバ層を含む。従って、領域III の積分により、小さなシュープバイアス誤差を生じる。
【００１７】
ダミー層の半径方向の大きさ（すなわち、領域Ｉ及びIIの大きさ）は、シュープバイアスの現象及びジャイロの全体の大きさ又はサニャック係数間の折衷により予測される。ダミー層の半径方向の大きさを増す（たとえば図２中の半径Ｒ１及びＲ２へ）ことにより、シュープバイアス誤差を更に減すことができる。しかし、これにより回転応答要素の大きさも減少し、従って実効的なコイル長及び実効的なサニャック係数も減少する。逆に、コイル長及びサニャック係数を保って、ダミー層を増すことにより、ジャイロの大きさが増すことになる。この取り引きは、具体的なジャイロの用途に依存する。
【００１８】
二重極又は四重極巻きパターンの特定の場合、シュープバイアスの本質的な減少が、外部ダミー層（領域II）のみを用いることにより実現できる。なぜなら、これらの巻き方の場合、シュープバイアス誤差に対する外部層の寄与が、非常に大きいからである。
【００１９】
図３Ａ及び図３Ｂは本発明に従うジャイロセンサコイル（２６）のそれぞれ透視図及び断面図である。図３Ｂからわかるように、円環状コイル（２６）の内部層（領域III ）は、巻いた第１の光ファイバ（２８）から成り、一方内部及び外部領域“Ｉ”及び“II”は、それぞれ巻いた光ファイバ（３０）及び（３２）の層から成る。ファイバ（２８，３０）及び（３２）は相互に光学的には結合されておらず、ファイバ（２８）は第１の（センサ）要素（２２）に対応し、巻いたファイバ（３０）及び（３２）は第２の（非センサ）要素（２４）に対応する。すなわち、巻いたファイバ（３０）及び（３２）の層はセンサコイル（２６）の回転応答要素を成すファイバ（２８）の“ダミー”要素を形成する。コイル半径に対するシュープ積分の寄与をプロットした図（図２）を再び参照すると、センサコイル（２６）のダミー要素は、シュープバイアス寄与の最大値が観測される内部及び外部半径端に隣接した領域Ｉ及びIIを埋ることがわかる。最も重要なことは、センサコイル（２６）の回転応答部分を形成する巻いたファイバ（２８）の層は、領域（Ｉ）及び（II）には存在しないことである。先に述べたように、二重極及び四重極巻きの場合、領域（II）をしめる単一のダミー層は、シュープバイアス誤差を本質的に減すのに、十分である。
【００２０】
II  コイルマウントによるバイアスの補償
図４は権利者を本件と同じくする米国特許出願第０８／５２６，７２５号に一般的に従う従来技術のジャイロセンサコイル（４０）及びマウント用フランジ（４２）の透視図である。分離コイル構成が用いられており、この場合巻線の半分の、好ましくは四重極巻きコイル（４０）が、中央の台（図示されていない）から突き出したフランジ（４２）の上に、巻線の半分が下にある、シュープバイアス効果の分析を、図４のコイル（４０）を参照しながら進める。後に、そのような分析の結果は、他のコイル設計及びマウント構成に応用できることがわかるであろう。
【００２１】
コイル（４０）の第１または上部の半分（４４）は、金属フランジ（４２）の上に巻かれる。そのような巻きが四重極パターンに従う場合、始め方に少くとも２つの方法がある。巻きは（金属フランジに向かった）半分のコイルの最上部か、（金属フランジに相対する）半分のコイルの底部で始めることができる。完成した時、ファイバはフランジ（４２）の下の切断端（４６）及び（４８）を通して導かれる。次に、下の半分のコイル（５０）を形成するよう、ファイバリードは巻かれる。再び四重極パターンの場合、第２の巻きは（フランジに相対する）半分のコイルの最上部又は（フランジを向く）半分のコイルの底部で始めることができる。
【００２２】
図５Ａ及び図５Ｂは最上部の半分のコイル（４４）の最後の二重層と底部の半分のコイル（５０）の最後の二重層の巻きの、（１巻き当りの）シュープバイアスに対する寄与を、解析的に導いたプロットである。この解析において、最上部の半分のコイルは（フランジに相対する）最上部で始まり、底部の半分のコイルは（フランジを向く）最上部で始まると仮定した。図５Ａからわかるように、最上部の半分のコイルのシュープバイアスに対する最大の寄与は、二重層の中央の巻きに対応し、一方（図５Ｂ参照）底部の半分のコイルのシュープバイアスに対する最大の寄与は、二重層の始めと終りにおける巻きに対応する。両方の場合において、最大の寄与は金属フランジ（４２）と接触するか非常に接近した巻線から生じており、このことはシュープバイアス効果の主原因である能動コイルの領域は、フランジ（４２）に隣接した層で生じることを示唆している。
【００２３】
図６Ａないし図６Ｅは、本発明の様々な実施例を示す一連の図である。各実施例は、巻線の回転応答部分と埋込まれた光ファイバ及び少くとも１つのダミー又は回転非応答部分を含む。各実施例において、回転応答部分は図１に示されるように、ファイバ光学ジャイロシステムの残りの部分に光学的に結合するのに適している。ダミー要素はセンサコイルの一部に“置き代わり”、それはそうでなければシュープバイアス誤差の比較的重大な原因となる。本発明に従う各コイルの実施例の設計は、ダミー要素（又は複数の要素）の特性が埋込まれた回転応答要素の特性と整合し、それによってシュープバイアスの減少が、回転応答要素とダミー要素間に応力が導入されることにより、妨害されないようにすることに基づいている。このことは、たとえば回転応答部分及び非応答部分が、光ファイバ（又は等価なもの）及び埋込み材料を含むなら容易に実現される。２つの要素を成す光ファイバは似ていることが好ましく、一方埋込み材料は、単一の全体的なセンサコイル構造を確実にするため、２個又はほとんどの別個の巻線要素に適用してよい。
【００２４】
図６Ａないし図６Ｅは、本発明に従うセンサコイルの分解した透視図及び断面図であり、コイル構造から生じるシュープバイアスを減すのに用いたのと類似の方式で、シュープバイアス誤差を減す方式を示す。上述のように、シュープバイアスへのより大きな寄与は、コイルとマウントの界面で生じることがわかる。本発明に従うと、ダミー要素はそのような領域中の回転応答層に置き代る。
【００２５】
最初に図６Ａの分解した透視図及び図６Ｂの断面図に示された構成を参照すると、熱的特性が埋込まれた巻いたコイル（５４）のそれに整合した円盤（５２）が、回転応答コイル（５４）と金属製マウントフランジ（５６）の境界をなす。円盤（５２）は巻いたダミーコイルの多くの層と、機能的かつ機械的に等価である。図６Ｂの断面図は、分離コイルの設計を表わしていることに、注意する必要がある。この場合、回転応答コイル（５４）は全体のコイルの上部〔すなわちマウント用フランジ（５６）の上〕の半分をなし、一方図６Ａにおいて、要素（５４）は完成した回転応答埋込みコイルを表わす。
【００２６】
図６Ｂにおいて、第２の円盤（５８）が下の半分のコイル（６０）〔その巻線は、図４に示されるように、上部コイル（５４）と同じ光ファイバ（６２）で形成される〕と、熱的に両立する材料で形成される。図３Ａ及び図３Ｂに示された本発明の実施例の場合と同様、円盤（５２，５８）は回転応答埋込み半コイル（５４）及び（６０）と集積化した構造を形成し、その意図はいずれの場合も、２つの要素が実効的に単一の機械的構造を形成するよう、構造的に集積化され、熱的に整合することにある。このように、本発明によって、シュープバイアス誤差への最大の寄与を示す巻いたコイル構造の領域から、回転応答機能が除去できる。
【００２７】
図６Ｃ及び図６Ｄは本発明に従うセンサコイルの分解した透視図及び断面図である。そのような実施例は、巻線（６４）及び（６６）の層から成るダミー要素が、先の実施例の円盤（５２）及び（５８）に置き代ることだけが、先の実施例と異なる。動作において、図６Ａ及び図６Ｂの実施例と全く同様、図６Ｃ及び図６Ｄの実施例は、設計上は図３Ａ及び図３Ｂの実施例の方式と一致し、その目的は円環状センサコイルの内部半径及び外部半径において生じる高いシュープバイアス寄与の領域から、回転応答要素を取り除くことにある。前と同様、回転応答及びダミー要素の両方を含む複合化した設計は、集積構造を含む。たとえば、それらは共通の埋込み材料で、ともに接着してよい。回転応答要素とダミー要素間の熱的整合は、（たとえば）ダミー要素が図６Ｃ及び図６Ｄに示されるように、巻いた光ファイバの層から成る時実現される。
【００２８】
図６Ｅは本発明に従うセンサコイル（６８）の断面図で、それは一般的に、コルドバ（Cordova）の“ファイバ光学ジャイロスコープ用の熱機械的に整合したスプールを有するセンサコイル”と題する米国特許第５，４８６，９２２号で明らかにされているコイルの設計に基づく。図６Ｅの実施例は、上述のシュープバイアス誤差への両方の寄与を示している。すなわち、円盤（７０）及び（７２）が回転応答埋込みコイル（７４）の端部に配置され、それによって図５Ａ及び図５Ｂにより示されるように、そうでなければ高いシュープバイアス寄与となる巻かれた回転応答コイル（７４）に置き代わり、一方内部ダミー巻線（７６）及び外部ダミー巻線（７８）は、図２に示されるように、そうでなければ高いシュープバイアスの原因となる回転応答コイル（７４）の領域に置き代る。
【００２９】
このように、本発明により、ファイバ光ジャイロ用の改善されたセンサコイルが実現される。本発明の教示に従えば、従来技術に従うセンサコイルを用いたジャイロよりシュープバイアス誤差が低いジャイロ出力を得ることができる。
【００３０】
本発明について、現在好ましい実施例をあげて述べてきたが、それはこれに限られない。本発明は特許請求の範囲で規定される限りにおいて限定され、その視野の中にすべての等価なものを含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従うセンサコイルを組込んだファイバ光ジャイロスコープの概略図。
【図２】埋込まれたセンサコイル内のファイバＩの関数として、シュープ積分に対する解析的に導いた寄与をグラフで示す図。
【図３Ａ】本発明に従うジャイロセンサコイルの透視図。
【図３Ｂ】図３Ａの線３Ｂ−３Ｂに沿ってとったその一部の断面図。
【図４】分離構成中のフランジ上にマウントされたジャイロセンサコイルの透視図。
【図５Ａ】   図４におけるジャイロセンサコイルの最上部の半分の最後の二重層の１巻き当りのシュープバイアスに対する解析的に導いた寄与をプロットした図。
【図５Ｂ】   図４におけるジャイロセンサコイルの底部の半分の最後の二重層の１巻き当りのシュープバイアスに対する解析的に導いた寄与をプロットした図。
【図６Ａ】本発明の実施例に係るジャイロセンサコイルの透視図。
【図６Ｂ】本発明の実施例に係るジャイロセンサコイルの断面図。
【図６Ｃ】本発明の実施例に係るジャイロセンサコイルの透視図。
【図６Ｄ】本発明の実施例に係るジャイロセンサコイルの断面図。
【図６Ｅ】本発明の実施例に係るジャイロセンサコイルの透視図。
【符号の説明】
１０  光源
１２，１４  ビームスプリッタ
１６  光検出器
１８  センサコイル
２０  位相変調器
２２  第１の要素、マルチターンコイル
２４  第２の要素
２６  円環状コイル
２８  第１のファイバ
３０，３２  ファイバ
４０  ジャイロセンサコイル、コイル
４２  フランジ
４４  半分のコイル
４６，４８  切断端
５０  半分のコイル
５２  円盤
５４  コイル、要素
５６  フランジ
５８  円盤
６０  半分のコイル
６２  ファイバ
６４，６６  巻線
６８  センサコイル（図中にはなし）
７０，７２  円盤
７４  コイル
７６，７８  ダミー巻線
【図１】
0004380811.tif 000002
【図２】
0004380811.tif 000003
【図３Ａ】
0004380811.tif 000004
【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
0004380811.tif 000008
【図６Ａ】
0004380811.tif 000009
【図６Ｂ】
0004380811.tif 000010
【図６Ｃ】
0004380811.tif 000011
【図６Ｄ】
0004380811.tif 000012
【図６Ｅ】
0004380811.tif 000013