(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端と出力端との間に、ハイパスフィルタ回路と、直列共振回路とを有するハイパスフィルタであって、
前記ハイパスフィルタ回路は静電サージをグランドに逃がすものであり、前記入力端とグランドとの間に接続された第１のインダクタと、前記入力端と前記出力端との間に接続された第１のコンデンサを備え、前記直列共振回路は、前記出力端とグランドとの間に接続された第２のインダクタと第２のコンデンサとにより構成され、共振周波数を１００ＭＨｚから５００ＭＨｚの間に有し、
反射特性Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒが１ＧＨｚから２ＧＨｚにおいて１．３以下であり、
３００ＭＨｚ以下での減衰量に優れ静電サージ対策に用いることを特徴とするハイパスフィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載のハイパスフィルタ回路において、前記直列共振回路と前記出力端との間に、第３のインダクタ及び第３のコンデンサからなる並列共振回路を備えたことを特徴とするハイパスフィルタ。
【請求項３】
請求項１または２記載のハイパスフィルタ回路の出力端側にＳＡＷフィルタを接続したことを特徴とするハイパスフィルタ。
【請求項４】
請求項１または２記載のハイパスフィルタ回路の出力端側にスイッチを接続したことを特徴とするスイッチ回路。
【請求項５】
請求項１または２記載のハイパスフィルタ回路の入力端側にスイッチを接続したことを特徴とするスイッチ回路。
【請求項６】
前記請求項１または２に記載のハイパスフィルタ回路を用いたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯などの高周波帯域で用いられるハイパスフィルタ、マルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール等の高周波複合部品に関し、特に１つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイッチ部品における静電サージ対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯無線通信システムには、例えば主に欧州で盛んなEGSM(Extended Global System for Mobile Communications)方式およびDCS(Digital  Cellular  System)方式、米国で盛んなPCS(Personal  Communication  Service)方式、日本で採用されているPDC(Personal  Digital  Cellular)方式などの様々なシステムがあるが、昨今の携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の主要な大都市部においては各システムに割り当てられた周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が生じている。そこで、利用者が複数のシステムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信インフラを有効活用することが提唱されている。
【０００３】
前記利用者が複数のシステムを利用したい場合には、各システムに対応した携帯通信機を必要な分だけ持つか、あるいは複数のシステムで通信できる小型軽量の携帯通信機を持つ必要がある。後者の場合、１台の携帯通信機で複数のシステムを利用可能とするには、システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すればよいが、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテナ、また信号の受信系では、前記高周波スイッチを通過した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタ等の高周波回路部品が各々のシステム毎に必要となる。このため、携帯通信機が高価になるとともに、体積および重量ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。そこで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路部品が必要になってきた。例えば、EGSM、DCSに対応したデュアルバンド対応のアンテナスイッチモジュールあるいはEGSM、DCS、PCSの３つのシステムに対応した携帯通信機に用いられるトリプルバンド対応のアンテナスイッチモジュールが特開平１１−２２５０８８号公報および特開２０００−１６５２８８号公報、米国特許公報第５８１５８０４号等にそれぞれ開示されている。
【０００４】
一例としてEGSM、DCS、PCSに対応したトリプルバンドアンテナスイッチモジュールのブロック図を図１７に示す。分波器（ダイプレクサ）Dipは0.9GHz帯のEGSMの信号と1.8GHz帯のDCS/PCSの信号を分波し、スイッチSW1はEGSMの送受信を切り換え、SW2はDCS、PCSの送受信を切り換える。ローパスフィルタLPF1、LPF2は送信側のパワーアンプで発生する高調波歪発生量を低減する。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを低減する役割を担う。この場合SW1、SW2にはPINダイオードを用いたPINダイオードスイッチ、あるいはGaAs  FETスイッチなどが用いられる。
【０００５】
上述のアンテナスイッチモジュールで使用されるPINダイオード、GaAs FET、SAWフィルタなどの高周波部品は静電サージに弱く、特に携帯電話の場合、人体からの静電サージがアンテナに入力された場合に上記の高周波部品が破壊されるという問題があった。
【０００６】
また、アンテナスイッチモジュールは破壊までは至らないまでも、送信端子に接続されるパワーアンプや、受信端子に接続されるローノイズアンプなどのアンテナスイッチモジュールの後段に接続される回路を破壊する可能性もあり、静電サージに対する対策を講じることが重要であった。
【０００７】
静電サージ対策に係る従来技術として、特開２００１−４４８８３号公報および特開２００１−１８６０４７号公報が挙げられる。図１４に特開２００１−４４８８３号公報に開示された静電サージ対策を示す。この例はアンテナ端子ＡＮＴ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘの各々の信号ラインにグランドに接続されたインダクタL1、L2、L3とコンデンサーC1、C2、C3を挿入したものであった（点線で囲まれた部分）。しかし、このものでは静電サージ対策として、アンテナ端子、送信端子、受信端子のそれぞれにインダクタおよび容量を必要とするため、小型化、低コスト化の妨げになることはもちろんのこと、挿入損失の劣化の原因にもなっていた。
【０００８】
次に、図１５に特開２００１−１８６０４７号公報に開示された静電サージ対策を示す。このものは、２つの分波器のうち低周波数帯側の分波器Dip1にグランドに接続したインダクタL3を挿入したものであった（内側の点線で囲まれた部分）。つまり静電サージ対策として、分波器の一部にインダクタを追加したものであるが、実際には後述する図１１に示すように300MHz付近での減衰量は５dB以下と僅かなものしか得られず静電サージを対策するには不十分であった。
【０００９】
さらに、図１６に示すように分波器を用いずに、複数の周波数の送受信信号をGaAs FETスイッチにより直接切り換える回路の場合には、アンテナとGaAsスイッチの間に静電サージ対策回路を取り入れる必要があるが、GaAsスイッチを静電サージから保護するためにはグランドに落ちるインダクタを５nH以下に設定する必要がある。しかしながら、アンテナトップに５nH以下のインダクタを接続した場合900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの広帯域での整合を取ることが困難になる。よって、従来の静電サージ対策回路はアンテナトップに使用することが出来なかった。
【００１０】
また、バリスタやツェナーダイオードを静電サージ対策部品としても使用できるが、この場合は端子間容量を大きくとる必要あり、信号ラインで使用すると挿入損失の劣化が避けられないため、高周波スイッチを備える高周波回路における静電サージ対策として使用することができなかった。
【００１１】
以上のことから、本発明は上述した従来技術での問題を解決し、広帯域で整合が取れると共にアンテナトップでの使用を可能とした静電サージ対策用のハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、入力端と出力端との間に、ハイパスフィルタ回路と、直列共振回路とを有するハイパスフィルタであって、前記ハイパスフィルタ回路は静電サージをグランドに逃がすものであり、前記入力端とグランドとの間に接続された第１のインダクタと、前記入力端と前記出力端との間に接続された第１のコンデンサを備え、前記直列共振回路は、前記出力端とグランドとの間に接続された第２のインダクタと第２のコンデンサとにより構成され、共振周波数を１００ＭＨｚから５００ＭＨｚの間に有し、反射特性Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒが１ＧＨｚから２ＧＨｚにおいて１．３以下であり、３００ＭＨｚ以下での減衰量に優れ静電サージ対策に用いるハイパスフィルタである。
また、ここで前記直列共振回路と前記出力端との間に、第３のインダクタ及び第３のコンデンサからなる並列共振回路を設けても良い。
【００１３】
本発明においては、前記直列共振回路と前記出力端との間に、第３のインダクタ及び第３のコンデンサからなる並列共振回路を配置してもよい。
【００１４】
またハイパスフィルタの出力端側にＳＡＷフィルタを接続しても良い。
【００１５】
第２の発明は、第１の発明のハイパスフィルタ回路の出力端側にスイッチを接続したことを特徴とするスイッチ回路である。
【００１６】
第３の発明は、第１の発明のハイパスフィルタの入力端側にスイッチを接続したことを特徴とするスイッチ回路である。
【００１７】
第４の発明は、第１の発明のハイパスフィルタを用いたことを特徴とする通信装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る静電サージ対策用のハイパスフィルタ、およびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路の実施形態について図面を参照して説明する。
（実施例１）
図１は本発明にかかる静電サージ対策用のハイパスフィルタ回路の一実施例である。図１においてインダクタL1は入力端子P1とグランドとの間に接続され、容量C1は入力端子P1と出力端子P2との間に挿入され、インダクタL2と容量C2からなる直列共振回路は出力端子P2とグランドとの間に接続されている。この場合、L1とC1の値を適宜選択することによって静電サージはグランドへ逃がし、高周波信号は低損失で伝達するようなハイパスフィルタが構成される。ここでL1は50nH以下、C1は10pF以下が望ましい。また、L2およびC2からなる直列共振回路は、その共振周波数が100MHz〜500MHzの間に設定されるようにL、Cの値を設定する。この場合C2は10pF以上、L2は50nH以下が望ましい。これにより静電破壊で問題となる前記共振周波数帯での静電サージをグランドへ吸収することができ、静電サージ対策をより効率的に行うことが出来る。
【００１９】
実際の携帯端末で起こりうる静電サージによる破壊は、人体が帯電した状態で携帯端末のアンテナに接触した場合が想定される。この状況を実験的に再現する方法としてHuman Body Modelが一般的に用いられる。具体的には人体の帯電状況を図６に示すような等価回路で置き換え、容量Cに充電された電荷が、抵抗Rを介して被試験物に放電する装置を用いる。
【００２０】
Human Body Modelを容量C＝150pF、抵抗R＝330Ωとした場合の放電サージ波形は図７のようになり、この波形をフーリエ変換し、放電サージ波形の周波数成分を求めると図８のようなスペクトルが得られる。この周波数スペクトルより人体からのサージ波形はDC〜300MHzまでの周波数成分が支配的であり、静電サージ対策部品としてはDC〜300MHzまでを除去でき、なおかつ高周波信号を低損失で伝送できるハイパスフィルタが理想的であることが推定できる。
【００２１】
そこで、図９（特開２００１−１８６０４７号）および図１０（特開２００１−４４８８３号）に示す従来技術の静電サージ対策回路と、図１に示した本発明の静電サージ対策回路についてDC〜2GHzまでの減衰特性を測定した。図１１に減衰特性を、図１２に反射特性をそれぞれ示す。特性比較として、通過させる信号は図中△印で示す900MHz帯域、1800MHz帯域を想定し、図１２に示すようにそれぞれの帯域での反射特性V.S.W.Rが1.5以下となるように設定した。図１１の減衰特性より静電破壊で問題となる300MHz以下の周波数帯での減衰量は、従来技術（図９、図１０）の静電サージ対策回路では5dB以下であるのに対し、本発明の静電サージ対策回路（図１）では30dB以上であり、本発明の静電サージ対策回路の方が25dB強の減衰量が確保できている。つまり静電サージ電圧に対して従来技術と比較すると25dB（17倍以上）の静電サージ除去効果が得られる。
【００２２】
（実施例２）
次に、図２は本発明にかかる静電サージ対策用のハイパスフィルタ回路の他の実施例である。図２においてインダクタL1、L2、容量C1、C2の役割は実施例１に示したものと同じであるが、容量C1と出力端子P2の間に容量C3およびインダクタL3から構成される並列共振回路が挿入されている点が実施例１と異なる。この並列共振回路は送信信号のN倍の周波数に減衰極を持つように設定することにより、アンテナから発信する高調波ノイズ信号を除去する働きをする。また、C3、L3の値を調整することにより静電サージ回路全体の整合が調整可能となり、より効果的である。
【００２３】
（実施例３）
図３は本発明にかかる静電サージ対策用のハイパスフィルタを用いたトリプルバンドアンテナスイッチ回路の一実施例を示すブロック図である。この場合分波器DipはEGSM帯域（880〜960 MHz）の信号とDCS/PCS帯域（DCS：1710〜1880MHz、PCS：1850〜1990MHz）の信号とを分波合成する役割を担う。また、スイッチ回路SW1はEGSM送信信号および受信信号の切り換え、SW2はSP3T（Single  Pole  3  Throw）スイッチを用いてDCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受信信号の切り換えをそれぞれ行う。ローパスフィルタLPF1はEGSM  TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS  TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
【００２４】
図３において、本発明の静電サージ対策回路はアンテナ端子ANTと分波器Dipの間に挿入され、アンテナ端子ANTから入力された静電サージをグランドへ吸収する役割を担う。したがって本発明の静電サージ対策回路により、スイッチ回路を構成するDIPダイオードスイッチ、あるいはGaAs  FETスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから保護することが出来る。
【００２５】
また、点線枠内に示されるインダクタL3とコンデンサーC3で構成される並列共振回路はオプションで付加できる回路として示している（以下の実施例も同様）。この並列共振回路を設けた場合は、減衰極をDCS/PCS  Txの２倍の周波数（3420MHz〜3820MHz）に調整することにより、EGSM送信の4倍の周波数(3520MHz〜3660MHz)も同時に減衰させることができるため、DCS/PCS送信の２倍減衰量、EGSM送信の４倍減衰量を同時に減衰させることができる。また並列共振回路L3、C3は整合回路としての機能も兼ね備えているため、アンテナスイッチ全体のマッチング調整用として有用である。
【００２６】
（実施例４）
図４は本発明にかかる静電サージ対策用のハイパスフィルタをアンテナANTとGaAs FETスイッチの間に挿入した、トリプルバンドアンテナスイッチ回路の一実施例を示すブロック図である。この場合SP5T（Single  Pole  5  Throw）スイッチはアンテナ端子から入出力された信号のうちEGSM送信信号、EGSM受信信号、DCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受信信号を所定の端子へ切り換えを行う。ローパスフィルタLPF1はEGSM  TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS  TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
【００２７】
図４において、本発明の静電サージ対策回路はアンテナ端子とSP5Tスイッチの間に挿入され、アンテナから入力された静電サージをグランドへ吸収する。したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP5Tスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから保護することが出来る。
【００２８】
（実施例５）
図５は本発明にかかる静電サージ対策用のハイパスフィルタを用いた、トリプルバンドアンテナスイッチ回路の一実施例である。この場合SP3Tスイッチはアンテナ端子から入出力された信号のうちEGSM送信信号、DCS受信信号を分波器Dip1へ切り換え、DCS/PCS送信信号、EGSM受信信号を分波器Dip2へ切り換え、PCS受信信号をPCS受信のSAWへそれぞれ切り換えを行う。ローパスフィルタLPF1へはEGSMTX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。分波器Dip1はLPF1およびSAW2に接続され、分波器Dip2はLPF2およびSAW1に接続される。
【００２９】
図５において、本発明の静電サージ対策回路はアンテナ端子ANTとSP3Tスイッチの間に挿入され、アンテナから入力された静電サージをグランドへ吸収する。したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP3Tスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから保護することが出来る。また本実施例で用いたSP3Tスイッチは回路規模がSP5Tよりも小規模であるため、実施例4で示したSP5Tスイッチを用いた高周波アンテナスイッチモジュールよりも小型化、低コスト化が可能であるという特徴がある。
【００３０】
（実施例６）
本発明における静電サージ対策用のハイパスフィルタおよびアンテナスイッチ回路を構成インダクタや容量の一部は誘電体積層基板に内蔵可能であり、他方静電サージ対策回路を構成する一部の容量、インダクタ、スイッチ回路として用いたPINダイオードスイッチ素子やGaAs FETスイッチ素子、抵抗、容量、チョークコイルなどのチップ部品を前記誘電体積層基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。
【００３１】
例えば、図５のブロック図で示されるアンテナスイッチ回路モジュールを積層体で一体構成した複合部品の斜視図を図１３に示した。図示しないが積層体の内部にはダイプレクサDip1、Dip2、ローパスフィルタLPF1、LPF2および静電サージ対策用ハイパスフィルタ回路を構成するインダクタおよび容量が複数の層に分けられて印刷されて形成されており小型化軽量化が可能となる。一方、積層体１の上にはSP3T  GaAs  FETスイッチ２、ＳＡＷフィルタ３、チップインダクタ４、チップコンデンサ５がそれぞれ搭載されている。
【００３２】
また、本実施例では積層基板は９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料（ＬＴＣＣ）を用いており、焼成前のセラミックグリーンシートは伝送線路、容量を形成しやすいように、シート厚みが４０〜２００μｍのものを使用した。このセラミックグリーンシートを複数積層し、個片にカットし側面電極を印刷した後に、９５０℃で焼成することにより、アンテナスイッチ積層モジュール複合部品の積層体が得られる。さらに、得られた積層体上にSP3T GaAs FETスイッチ、チップインダクタ、チップコンデンサを実装することにより、小型でかつ静電サージ対策の施されたアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。
【００３３】
（その他の実施例）
以上の実施例では静電サージ対策回路をアンテナトップに接続する場合を想定しているが、本発明の静電サージ対策回路は900MHz〜2GHzまで十分広い帯域で整合がとれると言う特徴があり、アンテナトップだけでなく複数の場所に挿入することが可能である。例えば図１７のブロック図を例にとり示すと、
▲１▼Dip‐SW1間  ▲２▼Dip‐SW2間  ▲３▼SW1‐LPF1間  ▲４▼SW1‐SAW1間
▲５▼SW2‐LPF2間  ▲６▼SW2‐SAW2間  ▲７▼SW2‐SAW3間
およびこれら▲１▼〜▲７▼を組み合わせた位置に設けることが出来る。
【００３４】
また、以上の実施例ではEGSM、DCS、PCSに対応した、マルチバンドアンテナスイッチ回路について述べたが、これ以外にもW-CDMA帯域（1920MHz〜2170MHz）、PDC800帯域(810〜960MHz)、DAMPS（824〜849MHz）、GPS帯域(1575.42MHz)、PHS帯域(1895〜1920MHz)、Bluetooth帯域(2400〜2484MHz)や、米国で普及が見込まれるCDMA2000、中国で普及が見込まれるTD-SCDMAなどの場合も同様の効果が期待できる。したがって、本発明によれば高調波発生量を抑制した、デュアルバンド、３バンド、４バンド、５バンド等のマルチモードマルチバンドのアンテナスイッチ回路が得られ、これらの機能を積層体内に集約することが出来る。そして、このような積層体モジュールを用いた携帯電話などの通信機器は小型で低消費電力化が可能となる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の静電サージ対策回路を用いることにより、アンテナ端子からの静電サージをグランドに逃がし、かつ広範囲の周波数帯に対して静電サージを吸収し、より完全に静電破壊対策ができる。そして、マルチバンドアンテナスイッチ回路を構成するDIPダイオードスイッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから保護することが可能となり、これら後段の高周波電子部品を破壊することがない。
さらに分波器とスイッチ回路の伝送線路および容量の一部を積層基板に内蔵し一体化するため、分波器とスイッチ回路との配線も積層基板の表面又は内部に形成され、配線による損失を低減し、また両者間の整合調整が容易となる。一方でスイッチ素子、抵抗、容量およびインダクタなどのチップ部品は積層基板上に搭載するので、静電サージ対策回路を内蔵一体化した小型で高性能なアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。
また、これらのマルチバンドアンテナスイッチ回路、又はマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品を用いた通信装置は装置の小型化と低消費電力仕様となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の静電サージ対策用のハイパスフィルタの一実施例を示す図である。
【図２】  本発明の静電サージ対策用のハイパスフィルタの他の実施例を示す図である。
【図３】  本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路の一実施例を示すブロック図である。
【図４】  本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路の他の実施例を示すブロック図である。
【図５】  本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路のさらに他の実施例を示すブロック図である。
【図６】  静電サージを再現するHuman Body Model試験機の等価回路図である。
【図７】  静電サージ電圧波形を示す図である。
【図８】  静電サージ波形の周波数スペクトルを示す図である。
【図９】  従来の静電サージ対策回路の一例を示す図である。
【図１０】  従来の静電サージ対策回路の他の一例を示す図である。
【図１１】  従来の静電サージ対策回路と本発明の静電サージ対策回路の減衰特性を示す図である。
【図１２】  従来の静電サージ対策回路と本発明の静電サージ対策回路の反射特性を示す図である。
【図１３】  本発明の静電サージ対策回路を内蔵したマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品の斜視図である。
【図１４】  従来技術による静電サージ対策回路を内蔵したPINダイオードスイッチの等価回路図である。
【図１５】  従来技術による静電サージ対策回路を内蔵したアンテナスイッチ回路モジュールの等価回路図である。
【図１６】  従来技術によるトリプルバンドアンテナスイッチ回路のブロック図の一例である。
【図１７】  従来技術によるトリプルバンドアンテナスイッチ回路のブロック図の他の一例である。
【符号の説明】
ＡＮＴ：アンテナ端子
Ｐ1：入力端子
Ｐ２：出力端子
ＴＸ、ＴＸ１、ＴＸ２：送信端子
ＲＸ、ＲＸ１、ＲＸ２：受信端子
ＶＣ、ＶＣ１、ＶＣ２：コントロール電源端子
Ｖｓ：静電サージ電圧印加用電源
Ｄｉｐ、Ｄｉｐ１、Ｄｉｐ２：ダイプレクサ
ＬＰＦ１、ＬＰＦ２：ローパスフィルタ
ＳＷ、ＳＷ１、ＳＷ２：スイッチ回路
ＳＡＷ、ＳＡＷ１、ＳＡＷ２、ＳＡＷ３：ＳＡＷフィルタ
Ｌ、Ｌ１〜Ｌ９：伝送線路、インダクタまたはチョークコイル
Ｃ、Ｃ１〜Ｃ１１：容量
Ｄ、Ｄ１〜Ｄ４：ＰＩＮダイオード
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２：抵抗
１：積層誘電体
２：SP3T GaAs FETスイッチ
３：ＳＡＷフィルタ
４：チップインダクタ
５：チップコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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