(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に形成された発光素子と、
前記第１基板と前記発光素子の間に形成された複数の第１絶縁膜と、
前記複数の各第１絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第２絶縁膜と、
前記第２基板と前記発光素子の間に形成された複数の第３絶縁膜と、
前記複数の各第３絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第４絶縁膜と、
を有する発光装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板はプラスチックで形成されており、
前記第２絶縁膜は前記複数の各第１絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４絶縁膜は前記複数の各第３絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第１絶縁膜または前記複数の第３絶縁膜は窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に形成された発光素子及び薄膜トランジスタと、
前記第１基板と前記発光素子及び薄膜トランジスタの間に形成された複数の第１絶縁膜と、
前記複数の各第１絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第２絶縁膜と、
前記第２基板と前記発光素子及び薄膜トランジスタの間に形成された複数の第３絶縁膜と、
前記複数の各第３絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第４絶縁膜と、
を有する発光装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板はプラスチックで形成されており、
前記第２絶縁膜は前記複数の各第１絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４絶縁膜は前記複数の各第３絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第１絶縁膜または前記複数の第３絶縁膜は窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１基板または前記第２基板は可撓性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
基板と、
発光素子と、
前記基板と前記発光素子の間に形成された複数の第１絶縁膜と、
前記複数の各第１絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第２絶縁膜と、
複数の第３絶縁膜と、
前記複数の各第３絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第４絶縁膜と、
を有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記複数の第３絶縁膜と前記基板の間に形成されており、
前記基板はプラスチックで形成されており、
前記第２絶縁膜は前記複数の各第１絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４絶縁膜は前記複数の各第３絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第１絶縁膜または前記複数の第３絶縁膜は窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
基板と、
発光素子及び薄膜トランジスタと、
前記基板と前記発光素子及び薄膜トランジスタの間に形成された複数の第１絶縁膜と、
前記複数の各第１絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第２絶縁膜と、
複数の第３絶縁膜と、
前記複数の各第３絶縁膜の間に形成された、１つまたは複数の第４絶縁膜と、
を有する発光装置であって、
前記発光素子及び薄膜トランジスタは、前記複数の第３絶縁膜と前記基板の間に形成されており、
前記基板はプラスチックで形成されており、
前記第２絶縁膜は前記複数の各第１絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４絶縁膜は前記複数の各第３絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第１絶縁膜または前記複数の第３絶縁膜は窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記基板は可撓性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記プラスチックは、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記第２絶縁膜または前記第４絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載された発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項９において、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子及び薄膜トランジスタを形成し、
前記発光素子及び薄膜トランジスタを覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２基板及び前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２基板、前記第２絶縁膜、前記１つまたは複数の第３絶縁膜、前記複数の第４絶縁膜及び前記第２接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出し、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
前記第２基板及び前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第３基板、前記第１絶縁膜、前記１つまたは複数の第５絶縁膜、前記複数の第６絶縁膜及び前記第３接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出し、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
前記第２基板及び前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１接着層に対して流体を噴射することにより、前記第１接着層を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１接着層は、シリコンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第１接着層をフッ化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記第１接着層を弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１接着層をレーザー光を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーや、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ４レーザーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１９において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子及び薄膜トランジスタを形成し、
前記発光素子及び薄膜トランジスタを覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板と前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２基板を取り除いて前記第２絶縁膜を露出し、
前記第２絶縁膜に接する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜を形成し、
前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２３】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板と前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２基板を取り除いて前記第２絶縁膜を露出し、
前記第２絶縁膜に接する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜、前記１つまたは複数の第５絶縁膜及び前記複数の第６絶縁膜の一部を除去することで前記配線の一部を露出し、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２４】
第１基板上に第１接着層を形成し、
前記第１接着層上にＡｌからなる保護膜を形成し、
前記保護膜上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を形成し、
前記発光素子、薄膜トランジスタ及び配線を覆って第２絶縁膜を形成し、
第２基板と前記第２絶縁膜とを第２接着層で貼り合わせ、
前記第１接着層を除去して前記第１基板を取り除いた後、前記保護膜を除去して前記第１絶縁膜を露出し、
第３基板が有する、１つまたは複数の第３絶縁膜が間に形成された複数の第４絶縁膜と、前記第１絶縁膜とを第３接着層で貼り合わせ、
前記第２接着層を除去することで、前記第２基板を取り除いて前記第２絶縁膜を露出し、
前記第２絶縁膜に接する、１つまたは複数の第５絶縁膜が間に形成された複数の第６絶縁膜を形成し、
前記第３基板、前記第１絶縁膜、前記１つまたは複数の第３絶縁膜、前記複数の第４絶縁膜及び前記第３接着層の一部を除去することで前記配線の一部を露出し、異方性を有する導電性の樹脂を用いて前記配線の一部とＦＰＣが有する端子とを電気的に接続し、
前記第３基板はプラスチックで形成されており、
前記第３絶縁膜は前記複数の各第４絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第５絶縁膜は前記複数の各第６絶縁膜よりも応力が小さく、
前記複数の第４絶縁膜または前記複数の第６絶縁膜は、窒化酸化珪化アルミニウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項において、前記第１接着層または前記第２接着層のいずれか一方が、流体を噴射することにより除去されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項において、前記第１接着層は、シリコンを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２６において、前記第１接着層をフッ化ハロゲンを用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項において、前記第１接着層は、ＳＯＧを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２８において、前記第１接着層を弗化水素を用いて除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項において、前記第１接着層または前記第２接着層のいずれか一方が、レーザー光を用いて除去されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項３０において、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーや、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ４レーザーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項３０において、前記レーザー光は、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波または第３高調波であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項１１乃至請求項３２のいずれか１項において、前記第３絶縁膜または前記第５絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項１１乃至請求項３３のいずれか１項において、前記プラスチックは、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
半導体装置の作製方法に関し、特に、プラスチック基板上に形成された発光素子、例えば有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を有する発光装置に関する。また、該ＯＬＥＤパネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した、ＯＬＥＤモジュールに関する。なお本明細書において、ＯＬＥＤパネル及びＯＬＥＤモジュールを共に発光装置と総称する。本発明はさらに、該発光装置を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。特に、ポリ珪素膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファス珪素膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティともいう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型表示装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの上昇など、様々な利点が得られる。
【０００４】
そしてさらに、自発光型素子としてＯＬＥＤを有したアクティブマトリクス型発光装置（以下、単に発光装置と呼ぶ）の研究が活発化している。発光装置は有機発光装置（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００５】
ＯＬＥＤは自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックライトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため、近年ＯＬＥＤを用いた発光装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００６】
ＯＬＥＤは、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発光を用いていても良いし、または両方の発光を用いていても良い。
【０００７】
なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。また、これらの層の中に無機化合物を含んでいる場合もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような発光装置を利用したアプリケーションは、様々なものが期待されているが、特に発光装置の厚みが薄いこと、従って軽量化が可能であることにより携帯機器への利用が注目されている。そのため、フレキシブルなプラスチックフィルムの上にＯＬＥＤを形成することが試みられている。
【０００９】
プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板の上にＯＬＥＤが形成された発光装置は、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は非常に広い。
【００１０】
しかし、プラスチックからなる基板は、一般的に水分や酸素を透過しやすく、有機発光層はこれらのものによって劣化が促進されるので、発光装置の寿命が短くなりやすい。そこで従来では、プラスチック基板とＯＬＥＤの間に窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜を設け、水分や酸素の有機発光層への混入を防いでいた。
【００１１】
しかし、プラスチックフィルム等の基板は一般的に熱に弱く、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の成膜温度を高くしすぎると、基板が変形しやすくなる。しかし成膜温度が低すぎると膜質の低下につながり、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。
【００１２】
さらに、水分や酸素の透過を防ぐために、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の膜厚を厚くすると、応力が大きくなり、クラック（亀裂）が入りやすくなる。また、膜厚を厚くすると、基板を曲げたときに膜にクラックが入りやすくなする。
【００１３】
本発明は上記問題に鑑み、水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置の提供を課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プラスチック基板上に、酸素や水分がＯＬＥＤの有機発光層に入り込むのを防ぐ複数の膜（以下、バリア膜）と、前記バリア膜どうしの間に前記バリア膜よりも応力の小さい層（応力緩和膜）を設ける。本明細書では、バリア膜と応力緩和膜を積層した膜を封止膜と呼ぶ。
【００１５】
具体的には、無機物からなるバリア膜（以下、バリア膜と呼ぶ）を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に樹脂を有する応力緩和膜（以下、応力緩和膜と呼ぶ）を設ける。そして、該３層以上の絶縁膜上にＯＬＥＤを形成して密封することにより、発光装置を形成する。
【００１６】
本発明では、複数のバリア膜を積層することで、バリア膜にクラックが生じても、他のバリア膜で水分や酸素が有機発光層に入り込むのをを効果的に防ぐことができる。さらに、成膜温度が低いためにバリア膜の膜質が低下するようなことがあっても、複数のバリア膜を積層することで、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。
【００１７】
また、バリア膜に比べて応力が小さい応力緩和膜を、バリア膜の間に挟むことで、封止膜全体の応力を緩和することができる。よって、トータルのバリア膜の厚さは同じであっても、１層のみのバリア膜に比べて、応力緩和膜を間に挟んだバリア膜は、応力によるクラックが入りにくい。
【００１８】
したがって、１層のみのバリア膜に比べて、トータルのバリア膜の膜厚は同じであっても、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができ、さらに、応力によるクラックが入りにくい。
【００１９】
また、バリア膜と応力緩和膜の積層により、よりフレキシブルになり、曲げたときのクラックを防ぐことができる。
【００２０】
さらに本発明では、基板上に形成したＯＬＥＤを密封するための膜（以下、封止膜）においても、上記構成を採用することで、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぎ、なおかつ基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、図１〜図４に示したのは、画素部及び駆動回路における作製工程を示す断面図である。
【００２２】
（実施の形態１）
図１（Ａ）において、第１基板１０１上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層１０２が１００〜５００ｎｍ（本実施の形態では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施の形態では第１基板１０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板１０１は、後の作成工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【００２３】
また、第１接着層１０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。第１接着層１０２の上には酸化珪素膜からなる絶縁膜１０３が２００ｎｍの厚さに形成される。絶縁膜１０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。絶縁膜１０３は、第１接着層１０２を除去して第１基板１０１を剥離させるときに、第１基板１０１上に形成されていた素子を保護する効果がある。
【００２４】
次に、絶縁膜１０３の上に素子を形成する（図１（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光装置ならばＯＬＥＤを指す。図１（Ｂ）では、代表的な素子として、駆動回路１０６のＴＦＴ１０４ａと、画素部のＴＦＴ１０４ｂ、１０４ｃ及びＯＬＥＤ１０５とを示した。
【００２５】
そして、これらの素子を覆って、絶縁膜１０８を形成する。絶縁膜１０８は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜１０８は必ずしも設ける必要はない。
【００２６】
次に、図１（Ｃ）に示すように、第２接着層１０９により第２基板１１０を貼り合わせる。本実施の形態では第２基板１１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【００２７】
また、第２接着層１０９としては、後に第１接着層１０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施の形態ではポリイミドを用いるが、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用者側）に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【００２８】
さらに、本実施の形態では、第２基板１１０上にバリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設ける。その結果、第２基板１１０と第２接着層１０９の間に、該バリア膜と応力緩和膜を積層した封止膜が形成される。
【００２９】
例えば本実施の形態では、第２基板１１０上にバリア膜１１１ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜１１１ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜１１１ｂを成膜し、応力緩和膜１１１ｂ上にバリア膜１１１ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜１１１ａ、応力緩和膜１１１ｂ、バリア膜１１１ｃを積層した膜を封止膜１１１と総称する。そして、該封止膜１１１が形成された第２基板１１０を、第２接着層１０９を用いて、第１基板上に形成されている素子に貼り合わせる。
【００３０】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【００３１】
窒化酸化珪化アルミニウムは熱伝導度が比較的高いので、バリア膜に用いることで、素子で発生した熱を効率良く放熱することができる。
【００３２】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。なお、上述した以外の樹脂を用いることもできる。ここでは、熱重合するタイプのポリイミドを塗布後、焼成して形成する。
【００３３】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【００３４】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【００３５】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【００３６】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、ポリイミドを１μｍの膜厚で成膜した。
【００３７】
なお、バリア膜１１１ａ、応力緩和膜１１１ｂ、バリア膜１１１ｃは、後に第１接着層１０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。
【００３８】
図１（Ａ）のプロセスを行うことによりＯＬＥＤを完全に大気から遮断することができる。これにより酸化による有機発光材料の劣化をほぼ完全に抑制することができ、ＯＬＥＤの信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３９】
次に、図２（Ａ）に示すように、第１基板１０１、第２基板１１０及び第１基板１０１と第２基板１１０の間に形成された全ての素子や膜全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層１０２の除去を行う。本実施の形態ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ（８．３５×１０-6ｍ3／ｓ）とし、反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０2〜１．３×１０3Ｐａ）とすれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２７℃）で良い。
【００４０】
この場合、珪素膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで第１接着層１０２が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出していないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、エッチングされることはない。
【００４１】
本実施の形態の場合、第１接着層１０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板１０１と絶縁膜１０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板１１０に移された形で残る。
【００４２】
なお、ここでは第１接着層１０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板１０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施の形態は第１基板１０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【００４３】
こうして第１基板１０１を剥離したら、図２（Ｂ）に示すように、第３接着層１１３を形成し、第３基板１１２を貼り合わせる。本実施の形態では第３基板１１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【００４４】
第３接着層１１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【００４５】
なお、本実施の形態では、第３基板１１２上に、バリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設ける。その結果、第２基板１１２と第３接着層１１３の間に、該バリア膜と応力緩和膜を積層した封止膜が形成される。
【００４６】
例えば本実施の形態では、第３基板１１０上にバリア膜１１４ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜１１４ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜１１４ｂを成膜し、応力緩和膜１１４ｂ上にバリア膜１１４ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜１１４ａ、応力緩和膜１１４ｂ、バリア膜１１４ｃを積層した膜を封止膜１１４と総称する。そして、該封止膜１１４が形成された第３基板１１２を、第３接着層１１３を用いて、第２基板１１０上に固定されている素子に貼り合わせる。
【００４７】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【００４８】
窒化酸化珪化アルミニウムは熱伝導度が比較的高いので、バリア膜に用いることで、素子で発生した熱を効率良く放熱することができる。
【００４９】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。ここでは、熱重合するタイプのポリイミドを塗布後、焼成して形成する。
【００５０】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【００５１】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【００５２】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【００５３】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、ポリイミドを１μｍの膜厚で成膜した。
【００５４】
こうして、二枚の可撓性を有する基板１１０、１１２によって挟まれたフレキシブルな発光装置を得ることができる。なお、第２基板１１０と第３基板１１２とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けにくくすることができる。
【００５５】
本実施の形態により作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【００５６】
なお、本実施の形態では、第１接着層１０２として非晶質珪素を用い、該第１接着層１０２をフッ化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【００５７】
例えば、第１接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【００５８】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファス珪素膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【００５９】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射することにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、第１基板が剥離しやすくなる。
【００６０】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【００６１】
本発明においては、レーザー光が第１基板を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００６２】
また、例えば、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより第１基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよい。
【００６３】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【００６４】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【００６５】
このような構成とすることによって、第２及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの薄い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【００６６】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【００６７】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態１とは異なる、本発明の実施の形態について説明する。
【００６８】
図３（Ａ）において、第１基板２０１上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層２０２が１００〜５００ｎｍ（本実施の形態では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施の形態では第１基板２０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板２０１は、後の作成工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【００６９】
また、第１接着層２０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。第１接着層２０２の上には酸化珪素膜からなる絶縁膜２０３が２００ｎｍの厚さに形成される。絶縁膜２０３の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。絶縁膜２０３は、第１接着層２０２を除去して第１基板２０１を剥離させるときに、第１基板２０１上に形成されていた素子を保護する効果がある。
【００７０】
次に、絶縁膜２０３の上に素子を形成する（図３（Ｂ））。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子並びにＯＬＥＤ等を指す。また、パッシブ型の発光装置ならばＯＬＥＤを指す。図３（Ｂ）では、代表的な素子として、駆動回路２０６のＴＦＴ２０４ａと、画素部のＴＦＴ２０４ｂ、２０４ｃ及びＯＬＥＤ２０５とを示した。
【００７１】
そして、これらの素子を覆って、絶縁膜２０８を形成する。絶縁膜２０８は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜２０８は必ずしも設ける必要はない。
【００７２】
次に、図３（Ｃ）に示すように、第２接着層２０９により第２基板２１０を貼り合わせる。本実施の形態では第２基板２１０としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第２基板２１０は、後の作成工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【００７３】
第２接着層２０９としては、後に第１接着層２０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。さらに後に、第３基板を貼り合わせるための第３接着層が、第２接着層と一緒に除去され第３基板が剥がれることのないような材料であることが必要である。本実施の形態では、特開平５−３１５６３０号に記載されている、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶液を用いる。具体的には、第２接着層２０９として未硬化の樹脂であるポリアミック酸溶液を１０〜１５μｍの厚さで成膜した後、熱圧着により第２基板２１０と層間絶縁膜２０８とを貼り合わせる。そして、加熱することで仮硬化を行う。
【００７４】
なお、本実施の形態において、第２接着層の材料はポリアミック酸溶液に限定されない。後に第１接着層２０２を除去する際に選択比のとれる材料であり、なおかつ、第３基板を貼り合わせるための第３接着層が、第２接着層と一緒に除去され第３基板が剥がれることのないような材料であれば良い。また、第２接着層を除去する工程以外の工程において、除去されないような材料であることが肝要である。
【００７５】
次に、図３（Ｄ）に示すように、第１基板２０１、第２基板２１０及び第１基板２０１と第２基板２１０の間に形成された全ての素子や膜全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、第１接着層２０２の除去を行う。本実施の形態ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくはネオンを用いても良い。流量は共に５００ｓｃｃｍ（８．３５×１０-6ｍ3／ｓ）とし、反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒ（１．３×１０2〜１．３×１０3Ｐａ）とすれば良い。また、処理温度は室温（典型的には２０〜２７℃）で良い。
【００７６】
この場合、珪素膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化珪素膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで第１接着層２０２が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じく珪素膜で形成されているＴＦＴの活性層は表面に露出していないため、三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、エッチングされることはない。
【００７７】
本実施の形態の場合、第１接着層２０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板２０１と絶縁膜２０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板２１０に移された形で残る。
【００７８】
なお、ここでは第１接着層２０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板２０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施の形態は第１基板２０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【００７９】
こうして第１基板２０１を剥離したら、図４（Ａ）に示すように、第３接着層２１３を形成し、第３基板２１２を貼り合わせる。本実施の形態では第３基板２１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【００８０】
第３接着層２１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【００８１】
なお、本実施の形態では、第３基板２１２上に、バリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設ける。その結果、第３基板２１２と第３接着層２１３の間に、該バリア膜と応力緩和膜を積層した封止膜が形成される。
【００８２】
例えば本実施の形態では、第３基板２１２上にバリア膜２１４ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜２１４ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜２１４ｂを成膜し、応力緩和膜２１４ｂ上にバリア膜２１４ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜２１４ａ、応力緩和膜２１４ｂ、バリア膜２１４ｃを積層した膜を封止膜２１４と総称する。そして、該封止膜２１４が形成された第３基板２１２を、第３接着層２１３を用いて、第２基板２１０上に固定されている素子に貼り合わせる。
【００８３】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【００８４】
窒化酸化珪化アルミニウムは熱伝導度が比較的高いので、バリア膜に用いることで、素子で発生した熱を効率良く放熱することができる。
【００８５】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。ここでは、アクリルを塗布後、焼成して形成する。
【００８６】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【００８７】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【００８８】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【００８９】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、アクリルを１μｍの膜厚で成膜した。
【００９０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第２接着層２０９を除去することで、第２基板２１０を剥離する。具体的には、水に約１時間ほど浸すことで第２接着層２０９が除去され、第２基板２１０を剥離することができる。
【００９１】
なお、第２接着層２０９の剥離の仕方は、第２接着層の材料、素子や膜の材料、基板の材料等によって使い分けることが肝要である。
【００９２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、第２基板２１０が剥離した部分、言いかえるとＯＬＥＤを間に挟んで第３基板とは反対の側に、バリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設ける。
【００９３】
例えば本実施の形態では、絶縁膜２０８の第２基板２１０とは反対の側に、バリア膜２１５ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜２１５ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜２１５ｂを成膜し、応力緩和膜２１５ｂ上にバリア膜２１５ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜２１５ａ、応力緩和膜２１５ｂ、バリア膜２１５ｃを積層した膜を封止膜２１５と総称する。
【００９４】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【００９５】
窒化酸化珪化アルミニウムは熱伝導度が比較的高いので、バリア膜に用いることで、素子で発生した熱を効率良く放熱することができる。
【００９６】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。ここでは、アクリルを塗布後、焼成して形成する。
【００９７】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【００９８】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【００９９】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【０１００】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、アクリルを１μｍの膜厚で成膜した。
【０１０１】
こうして、一枚のプラスチック基板２１２を用いたフレキシブルな発光装置を得ることができる。
【０１０２】
本実施の形態により作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、第１接着層２０２として非晶質珪素を用い、該第１接着層２０２をフッ化ハロゲンを含むガスで除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、他の接着層、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１０４】
また、本実施の形態では、第２接着層２０９としてポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸溶液を用い、該第２接着層２０９を水で除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第２接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第２接着層以外の、除去するのを目的としない基板、他の接着層、素子及び膜が、第２接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第２接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第２接着層の材料は、第２接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１０５】
例えば、第１または第２接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１または第２接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１または第２接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１または第２接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【０１０６】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファス珪素膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【０１０７】
また、第１または第２接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１または第２接着層にレーザー光を照射することにより基板を剥離してもよい。この場合、基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、基板が剥離しやすくなる。
【０１０８】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。第１基板を剥離する場合、レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。第２基板を剥離する場合、レーザー光を第２基板を通過させて第２接着層に照射して、第２接着層のみを気化させて第２基板を剥離する。従って、第１または第２基板としては、少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【０１０９】
本発明においては、レーザー光が第１または第２基板を通過させるため、レーザー光の種類と基板の種類を適宜選択する必要がある。例えば、石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、ガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【０１１０】
また、例えば、接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよい。
【０１１１】
また、接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【０１１２】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１または第２接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１または第２接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１１３】
このような構成とすることによって、第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板及び第２基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの薄い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【０１１４】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【０１１５】
なお、実施の形態１及び実施の形態２において、ＯＬＥＤが有する陽極を画素電極として用いても良いし、陰極を画素電極として用いても良い。
【０１１６】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【０１１７】
（実施例１）
本実施例では、本発明の発光装置の外観と、ＦＰＣとの接続について説明する。
【０１１８】
図５（Ａ）に、実施の形態１に示した本発明の発光装置の、外観図の一例を示す。３０１は第２基板、３０２は第３基板であり、共に可撓性を有するプラスチック基板である。第２基板３０１と第３基板３０２の間に画素部３０３と、駆動回路（ソース側駆動回路３０４、ゲート側駆動回路３０５）が設けられている。
【０１１９】
なお、図５（Ａ）では、ソース側駆動回路３０４とゲート側駆動回路３０５を画素部３０３と同じ基板上に作成された例を示しているが、ソース側駆動回路３０４とゲート側駆動回路３０５とに代表される駆動回路を画素部とは異なる基板上に形成し、ＦＰＣ等を介して接続するようにしても良い。
【０１２０】
またソース側駆動回路３０４とゲート側駆動回路３０５の数及びその配置は、図５（Ａ）に示した構成に限定されない。
【０１２１】
３０６はＦＰＣであり、ＦＰＣ３０６を介して、画素部３０３、ソース側駆動回路３０４及びゲート側駆動回路３０５に、コントローラを含むＩＣからの信号や電源電圧が供給される。
【０１２２】
図５（Ａ）に示した、ＦＰＣ３０６と第２基板３０１とが接続されている点線で囲んだ部分の拡大図を、図５（Ｂ）に示す。図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）のＡ−Ａ’における断面図である。
【０１２３】
第２基板３０１と第３基板３０２の間に、画素部３０３と、ソース側駆動回路３０４と、ゲート側駆動回路３０５とに、信号や電源電圧を供給するために引きまわされた配線３１０が設けられている。また、ＦＰＣ３０６には端子３１１が設けられている。
【０１２４】
第２基板３０１と、第２基板３０１と引きまわしの配線３１０の間に設けられた封止膜や絶縁膜などの各種の膜が、一部レーザー等によって取り除かれることで、コンタクトホール３１３が設けられている。よって、複数の引きまわしの配線３１０は、コンタクトホール３１３において露出しており、異方性を有する導電性の樹脂３１２によって、端子３１１とそれぞれ電気的に接続されている。
【０１２５】
なお、図５では第２基板側から引きまわしの配線の一部を露出させる例について説明したが、本発明はこれに限定されない。第３基板側から引きまわしの配線の一部を露出させるようにしても良い。
【０１２６】
図６（Ａ）に、図５（Ａ）に示した発光装置を撓めた様子を示す。実施の形態１に示した発光装置は、第２基板と第３基板とが共に可撓性を有しているので、図６（Ａ）に示すように、ある程度撓めることが可能である。よって、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができ、その応用範囲は非常に広い。なお実施の形態１に示した発光装置に限らず、実施の形態２で示した発光装置も、同様に撓めることが可能である。
【０１２７】
図６（Ｂ）に、図６（Ａ）に示した発光装置の断面図を示す。第２基板３０１と第３基板３０２との間に、複数の素子が形成されている。ここでは代表的に、ＴＦＴ３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃと、ＯＬＥＤ３０４とを図示した。なお、破線３０９は、第２基板３０１と第３基板３０２との中心線である。
【０１２８】
第２基板３０１とこれら複数の素子との間には、バリア膜３０６ａ、応力緩和膜３０６ｂ、バリア膜３０６ｃ（合わせて封止膜３０６と総称する）が設けられている。また、第３基板３０２とこれら複数の素子との間には、バリア膜３０７ａ、応力緩和膜３０７ｂ、バリア膜３０７ｃ（合わせて封止膜３０７と総称する）が設けられている。
【０１２９】
さらに、封止膜３０６とこれら複数の素子との間には、第２接着層３０５が設けられている。また、封止膜３０７とこれら複数の素子との間には、第３接着層３０８が設けられている。
【０１３０】
次に、実施の形態２で示した発光装置の、ＦＰＣとの接続について説明する。図７に、実施の形態２で示した発光装置とＦＰＣとが接続している部分の断面図を示す。
【０１３１】
第３基板４０１上には、引きまわしのための配線４０３が設けられている。そして引きまわしのための配線４０３や、第３基板４０１上に設けられた複数の素子を覆って、封止膜４０２が形成されている。なお、図７では封止膜４０２を１層の膜として図示しているが、実際には複数のバリア膜と、そのバリア膜の間に設けられた応力緩和膜とで成り立っている。
【０１３２】
第３基板４０１と、引きまわしの配線４１０との間に設けられた封止膜４０２やその他絶縁膜などの各種の膜が、一部レーザー等によって取り除かれることで、コンタクトホールが設けられている。そして、引きまわしの配線４０３は、コンタクトホールにおいて露出しており、異方性を有する導電性の樹脂４０６によって、ＦＰＣ４０４が有する端子４０５と電気的に接続されている。
【０１３３】
なお、図７では封止膜４０２側から引きまわしの配線の一部を露出させる例について説明したが、本発明はこれに限定されない。第３基板側から引きまわしの配線の一部を露出させるようにしても良い。
【０１３４】
（実施例２）
本実施例では、本発明の実施の形態１の一例について説明する。
【０１３５】
図８（Ａ）において、第１基板５０１上に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）からなる第１接着層５０２が１００〜５００ｎｍ（本実施の形態では３００ｎｍ）の厚さに形成される。本実施の形態では第１基板５０１としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。第１基板５０１は、後の作成工程における処理温度に耐えうる材料であれば良い。
【０１３６】
また、塗布珪素酸化膜は、ＳＯＧ溶液にヨウ素液をスピンコートにより添加し、乾燥させてヨウ素を離脱させる。その後４００℃程度の熱処理を行って成膜する。本実施例では膜厚１００ｎｍのＳＯＧを形成した。なお、第１接着層５０２としてのＳＯＧの作成方法は、上記方法に限定されない。また、ＳＯＧは有機ＳＯＧでも無機ＳＯＧでも良い。後の工程において、弗化水素により除去することができるＳＯＧであれば良い。そして、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１３７】
次に、第１接着層５０２上に、減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いて、Ａｌからなる保護膜を成膜する。本実施例では、スパッタ法を用いて第１接着層５０２の上に、Ａｌからなる保護膜５０３を２００ｎｍの厚さに成膜した。
【０１３８】
なお、本実施例では保護膜５０３の材料としてＡｌを用いたが、本発明はこれに限定されない。保護膜５０３は、第１接着層５０２を除去する際に一緒に除去されないような材料で、なおかつ保護膜５０３を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。さらに、保護膜５０３を除去する工程において、他の膜や基板を除去することがないような材料であることが肝要である。保護膜５０３は、第１接着層５０２を除去して第１基板５０１を剥離させるときに、第１基板５０１上に形成されていた素子を保護する効果がある。
【０１３９】
次に、保護膜５０３の上に素子を形成する（図８（Ｂ））。図８（Ｂ）では、代表的に、駆動回路のＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂを示した。
【０１４０】
そして本実施例では、５０４ａはｎチャネル型ＴＦＴであり、５０４ｂはｐチャネル型ＴＦＴである。そしてＴＦＴ５０４ａ、５０４ｂは、ＣＭＯＳを形成している。
【０１４１】
ＴＦＴ５０４ａは、保護膜５０３の上に形成された第１の電極５５０と、前記第１の電極５５０を覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５１に接して形成されている半導体膜５５２と、前記半導体膜５５２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前記絶縁膜５５３に接している第２の電極５５４とを有している。
【０１４２】
ＴＦＴ５０４ｂは、第１の電極５６０と、前記第１の電極５６０を覆って形成されている絶縁膜５５１と、前記絶縁膜５５１に接して形成されている半導体膜５６２と、前記半導体膜５６２に接して形成されている絶縁膜５５３と、前記絶縁膜５５３に接している第２の電極５６４とを有している。
【０１４３】
なお、保護膜５０３の上には、第１の電極５５０、５６０と同時に形成された、端子５７０が設けられている。
【０１４４】
また、ＴＦＴ５０４ａとＴＦＴ５０４ｂとを覆って絶縁膜５６５が形成されている。そして、絶縁膜５６５と、絶縁膜５５１、５５３とに形成されたコンタクトホールを介して、半導体膜５５２及び端子５７０に接する配線５７１と、半導体膜５５２及び半導体膜５６２に接する配線５７２と、半導体膜５６２に接する配線５７３とを形成する。
【０１４５】
そして、配線５７１、配線５７２、配線５７３及び絶縁膜５６５を覆って、絶縁膜５７４が形成されている。そして、絶縁膜５７４上には、図示していないがＯＬＥＤが形成されている。
【０１４６】
そして、これらの素子を覆って、絶縁膜５０８を形成する。絶縁膜５０８は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、絶縁膜５０８は必ずしも設ける必要はない。
【０１４７】
次に、図８（Ｃ）に示すように、第２接着層５０９により第２基板５１０を貼り合わせる。本実施の形態では第２基板５１０としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第２基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【０１４８】
また、第２接着層５０９としては、後に第１接着層５０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施の形態ではポリイミドを用いるが、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用者側）に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【０１４９】
さらに、本実施の形態では、第２基板５１０上に、バリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設ける。その結果、第２基板５１０と第２接着層５０９の間に、該バリア膜と応力緩和膜を積層した封止膜５１１が形成される。
【０１５０】
例えば本実施の形態では、第２基板５１０上にバリア膜５１１ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜５１１ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜５１１ｂを成膜し、応力緩和膜５１１ｂ上にバリア膜５１１ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜５１１ａ、応力緩和膜５１１ｂ、バリア膜５１１ｃを積層した膜を封止膜５１１と総称する。そして、該封止膜５１１が形成された第２基板５１０を、第２接着層５０９を用いて、第１基板上に形成されている素子に貼り合わせる。
【０１５１】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【０１５２】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。ここでは、熱重合するタイプのポリイミドを塗布後、焼成して形成する。
【０１５３】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【０１５４】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【０１５５】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【０１５６】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、ポリイミドを１μｍの膜厚で成膜した。
【０１５７】
なお、バリア膜５１１ａ、応力緩和膜５１１ｂ、バリア膜５１１ｃは、後に第１接着層５０２を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。
【０１５８】
図８（Ｃ）のプロセスを行うことによりＯＬＥＤを完全に大気から遮断することができる。これにより酸化による有機発光材料の劣化をほぼ完全に抑制することができ、ＯＬＥＤの信頼性を大幅に向上させることができる。
【０１５９】
次に、図８（Ｄ）に示すように、弗化水素を用いて第１接着層５０２の除去を行う。本実施例では、第１基板５０１、第２基板５１０及び第１基板５０１と第２基板５１０の間に形成された全ての素子や膜全体を緩衝フッ化水素酸（ＨＦ／ＮＨ4 Ｆ＝０．０１〜０．２、例えば、０．１）に浸して、第１接着層５０２の除去を行う。
【０１６０】
このとき、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜で形成されているので、弗化水素で第１接着層のみが除去される。
【０１６１】
本実施の形態の場合、第１接着層５０２は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第１基板５０１と保護膜５０３が分離される。このとき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤは薄膜を積層して形成されているが、第２基板５１０に移された形で残る。
【０１６２】
なお、ここでは第１接着層５０２が端部からエッチングされていくことになるが、第１基板５０１が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、本実施の形態は第１基板５０１が対角３インチ以下（好ましくは対角１インチ以下）の場合に実施することが望ましい。
【０１６３】
次に、図９（Ａ）に示すように、保護膜５０３を除去する。本実施例では、リン酸系のエッチング溶液によるウェットエッチングで、Ａｌで形成された保護膜５０３を除去し、端子５７０、第１電極５５０、５６０を露出させる。
【０１６４】
そして、図９（Ｂ）に示すように、異方性を有する導電性の樹脂からなる第３接着層５１３を形成し、第３基板５１２を端子５７０、第１電極５５０、５６０が露出している側に貼り合わせる。
【０１６５】
本実施の形態では第３基板５１２としてプラスチック基板を用いる。具体的には、第３基板として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。
【０１６６】
第３接着層５１３として、樹脂からなる絶縁膜（代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂）を用いることができる。なお、ＯＬＥＤから見て観測者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。
【０１６７】
なお、本実施の形態では、第３基板５１２上に、バリア膜を２層以上設けて、さらに該２層のバリア膜の間に応力緩和膜を設けている。その結果、第２基板５１２と第３接着層５１３の間に、該バリア膜と応力緩和膜を積層した封止膜が形成される。
【０１６８】
例えば本実施の形態では、第３基板５１２上にバリア膜５１４ａとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜し、バリア膜５１４ａ上にポリイミドを有する応力緩和膜５１４ｂを成膜し、応力緩和膜５１４ｂ上にバリア膜５１４ｃとして、窒化珪素からなる膜をスパッタを用いて成膜する。バリア膜５１４ａ、応力緩和膜５１４ｂ、バリア膜５１４ｃを積層した膜を封止膜５１４と総称する。そして、該封止膜５１４が形成された第３基板５１２を、第３接着層５１３を用いて、第２基板５１０上に固定されている素子に貼り合わせる。
【０１６９】
なお、バリア膜は２層以上設けていれば良い。そしてバリア膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウム（ＡｌＳｉＯＮ）を用いることができる。
【０１７０】
また、応力緩和膜には、透光性を有する樹脂を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンもしくはエポキシ樹脂等を用いることが可能である。ここでは、熱重合するタイプのポリイミドを塗布後、焼成して形成する。
【０１７１】
窒化珪素は、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素及び水素を導入して成膜を行った。窒化酸化珪素の場合、アルゴンを導入し、基板温度を１５０℃に保ち、スパッタ圧力０．４Pa程度で成膜を行う。そしてターゲットとして珪素を用い、アルゴンの他に窒素、ニ酸化窒素及び水素を導入して成膜を行った。なおターゲットとして酸化珪素を用いても良い。
【０１７２】
バリア膜の膜厚は５０ｎｍ〜３μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、窒化珪素を１μｍの膜厚で成膜した。
【０１７３】
なお、バリア膜の成膜方法はスパッタのみに限定されず、実施者が適宜設定することができる。例えば、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜しても良い。
【０１７４】
また、応力緩和膜の膜厚は、２００ｎｍ〜２μｍの範囲であることが望ましい。本実施の形態では、ポリイミドを１μｍの膜厚で成膜した。
【０１７５】
そして、第３基板５１２、封止膜５１４にレーザー等でコンタクトホールを形成し、第３基板５１２の該コンタクトホールが形成されている部分と、その周辺にＡｌを蒸着させることで、第３基板５１２の両面に電気的に接続された端子５８０と５８１がそれぞれ形成されてる。なお、端子５８０と５８１の形成の仕方は上記構成に限定されない。
【０１７６】
第３基板５１２に形成された端子５８０は、第１電極５５０、５６０と同時に形成された端子５７０と、第３接着層５１３を介して電気的に接続されている。
【０１７７】
こうして、二枚のプラスチック基板５１０、５１２によって挟まれたフレキシブルな発光装置を得ることができる。なお、第２基板５１０と第３基板５１２とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けにくくすることができる。
【０１７８】
そして、図９（Ｃ）に示すように、第３接着層５１３に接しておらず、なおかつ第３基板５１２に接して形成された端子５８１と、ＦＰＣ５９０が有する端子５９１とを、異方性を有する導電性の樹脂からなる第４接着層５９２を介して接続する。
【０１７９】
本実施の形態により作製された発光装置は、プラスチック基板の耐熱性に制限されることなく、半導体を用いた素子（例えばＴＦＴ）を形成することができるので、非常に高性能なものとすることができる。
【０１８０】
なお、本実施の形態では、第１接着層５０２としてＳＯＧを用い、該第１接着層５０２を弗化水素を用いて除去しているが、本発明はこの構成に限定されない。第１接着層の材料及びその除去の仕方は、実施者が設定することが可能である。第１接着層以外の、除去するのを目的としない基板、素子及び膜が、第１接着層と共に除去されることで、発光装置の動作に支障をきたすことがないように、第１接着層の材料及びその除去の仕方を設定することが肝要である。また、第１接着層の材料は、第１接着層を除去する工程以外のプロセスにおいて、除去されることのない材料であることが肝要である。
【０１８１】
例えば、第１接着層として、照射するレーザー光で全部または一部が気化する有機物を用いても良い。また、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザーの第２高調波を用いる場合、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させるために、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によって気化しないものを用いる。
【０１８２】
また、第１、第２または第３接着層は単層であっても積層であってもよく、接着層と基板の間にアモルファス珪素膜またはＤＬＣ膜を設けていてもよい。
【０１８３】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成し、後の工程で、この第１接着層にレーザー光を照射することにより第１基板を剥離してもよい。この場合、第１基板を剥離しやすくするため、水素を多く含む非晶質珪素膜を用いることが好ましい。レーザー光を照射することにより非晶質珪素膜に含まれる水素を気化するので、第１基板が剥離しやすくなる。
【０１８４】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。レーザー光を第１基板を通過させて第１接着層に照射して、第１接着層のみを気化させて第１基板を剥離する。従って、第１基板としては少なくとも照射するレーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板等を用い、さらに第２、第３基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【０１８５】
本発明においては、レーザー光が第１基板を通過させるため、レーザー光の種類と第１基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、または第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【０１８６】
また、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することにより第１基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよいし、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１８７】
また、第１接着層を非晶質珪素膜で形成した場合、第１接着層をヒドラジン（hydrazine）を用いて除去するようにしても良い。
【０１８８】
また、例えば、特開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングで第１基板を分離する方法を用いても良い。具体的には、第１接着層に、塗布珪素酸化膜（ＳＯＧ）を用い、弗化水素を用いて除去するようにしても良い。この場合、除去することを目的としない珪素酸化膜は、スパッタまたはＣＶＤ法を用いた緻密な膜にし、弗化水素で第１接着層を除去する際の選択比が取れるようにすることが肝要である。
【０１８９】
このような構成とすることによって、第２及び第３基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、このように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１基板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用いた製造装置を使用することができる。
【０１９０】
また、多層の絶縁膜で形成された封止膜を用いることで、水分や酸素の透過による劣化をより効果的に抑えることが可能になる。また、基板を曲げたときのクラックを防いで、よりフレキシブルな発光装置を実現することが可能になる。
【０１９１】
（実施例３）
本実施例では、本発明の発光装置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路）のＴＦＴを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。
【０１９２】
まず、図１０（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る第１基板５０００上に、非晶質珪素膜からなる第１接着層５００１が１００〜５００ｎｍ（本実施の形態では３００ｎｍ）の厚さに形成される。第１接着層１０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。本実施例ではスパッタ法を用いて成膜した。
【０１９３】
次に、第１接着層５００１上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。下地膜５００２は、第１接着層５００１を除去して基板５０００を剥離させるときに、基板５０００上に形成されていた素子を保護する効果がある。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜を５０〜２００[nm]（好ましくは１００〜１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【０１９４】
島状半導体層５００３〜５００６は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０１９５】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００[mJ/cm2](代表的には２００〜３００[mJ/cm2])とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００[kHz]とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００[mJ/cm2](代表的には３５０〜５００[mJ/cm2])とすると良い。そして幅１００〜１０００[μm]、例えば４００[μm]で線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０[％]として行う。
【０１９６】
次いで、島状半導体層５００３〜５００６を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０[nm]としてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３００〜４００[℃]とし、高周波（１３．５６[MHz]）、電力密度０．５〜０．８[W/cm2]で放電させて形成することが出来る。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることが出来る。
【０１９７】
そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５０〜１００[nm]の厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さに形成する。
【０１９８】
Ｔａ膜はスパッタ法で、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することが出来る。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電極に使用することが出来るが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０[nm]程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることが出来る。
【０１９９】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも出来る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０[μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることが出来るが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９または純度９９．９９ [％]のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０[μΩcm]を実現することが出来る。
【０２００】
なお、本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。
【０２０１】
次に、レジストによるマスク５０１０を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１[Pa]の圧力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【０２０２】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。（図１０（Ｂ））
【０２０３】
そして、第１のドーピング処理を行いＮ型を付与する不純物元素を添加する。ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14[atoms/cm2]とし、加速電圧を６０〜１００[keV]として行う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５には１×１０20〜１×１０21[atoms/cm3]の濃度範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する。（図１０（Ｂ））
【０２０４】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、レジストマスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０２０５】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することが出来る。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【０２０６】
そして、図１１（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０13[atoms/cm2]のドーズ量で行い、図１０（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。
【０２０７】
図１１（Ｂ）に示すように第３のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ6を用い、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３のエッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１の導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３のエッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第２の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０２０８】
第３のエッチング処理によって、第３の不純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６ｂとが形成される。
【０２０９】
そして、図１１（Ｃ）に示すように、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５００６に第1の導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域５０４３〜５０５４を形成する。第３の形状の導電層５０３８ｂ、５０４１ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００３、５００５および配線部５０４２はレジストマスク５２００で全面を被覆しておく。不純物領域５０４３〜５０５４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度が２×１０20〜２×１０21[atoms/cm3]となるようにする。
【０２１０】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として機能する。
【０２１１】
レジストマスク５２００を除去した後、導電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することが出来る。熱アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下、好ましくは０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００[℃]、代表的には５００〜６００[℃]で行うものであり、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。ただし、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【０２１２】
さらに、３〜１００[％]の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０[℃]で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０２１３】
次いで、図１２（Ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜５０５５を酸化窒化シリコン膜から１００〜２００[nm]の厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１の層間絶縁膜５０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、およびゲート絶縁膜５００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４をパターニング形成した後、接続配線５０６２に接する画素電極５０６３をパターニング形成する。
【０２１４】
第２の層間絶縁膜５０５６としては、樹脂を材料とする膜を用い、その樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することが出来る。特に、第２の層間絶縁膜５０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ましくは２〜４[μm]）とすれば良い。
【０２１５】
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電源供給線に達するコンタクトホール（図示せず）、およびゲート電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれぞれ形成する。
【０２１６】
また、配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００[nm]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１５０[nm]をスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、他の導電膜を用いても良い。
【０２１７】
また、本実施例では、画素電極５０６３としてＩＴＯ膜を１１０[nm]の厚さに形成し、パターニングを行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接して重なるように配置することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０６３がＯＬＥＤの陽極となる。（図１２（Ａ））
【０２１８】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００[nm]の厚さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることが出来る。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因する有機発光層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【０２１９】
次に、有機発光層５０６６および陰極（ＭｇＡｇ電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、有機発光層５０６６の膜厚は８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１２０[nm]）、陰極５０６７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２００〜２５０[nm]）とすれば良い。
【０２２０】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素および青色に対応する画素に対して順次、有機発光層および陰極を形成する。但し、有機発光層は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的に有機発光層および陰極を形成するのが好ましい。
【０２２１】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の有機発光層を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光の有機発光層を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光の有機発光層を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。
【０２２２】
ここではＲＧＢに対応した３種類のＯＬＥＤを形成する方式を用いたが、白色発光のＯＬＥＤとカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＯＬＥＤと蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用してＲＧＢに対応したＯＬＥＤを重ねる方式などを用いても良い。
【０２２３】
なお、有機発光層５０６６としては公知の材料を用いることが出来る。公知の材料としては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層でなる４層構造を有機発光層とすれば良い。
【０２２４】
次に、同じゲート信号線にゲート電極が接続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じラインの画素）上に、メタルマスクを用いて陰極５０６７を形成する。なお本実施例では陰極５０６７としてＭｇＡｇを用いたが、本発明はこれに限定されない。陰極５０６７として他の公知の材料を用いても良い。
【０２２５】
最後に、樹脂でなる平坦化膜５０６８を３００[nm]の厚さに形成する。平坦化膜５０６８を形成しておくことで、有機発光層５０６６を水分等から保護することができ、ＯＬＥＤの信頼性をさらに高めることが出来る。
【０２２６】
こうして図１２（Ｂ）に示すような状態まで完成する。そして、図示しないが、実施の形態１に記載の作製方法に従うならば、封止膜が設けられた第２基板が、平坦化膜５０６８に第２接着層を用いて張り合わされる。そして、以下の工程は、実施の形態１に示した方法に従って行えば良い。また、実施の形態２に記載の作製方法に従うならば、第２基板が平坦化膜５０６８に第２接着層を用いて張り合わされる。そして、以下の工程は、実施の形態２に示した方法に従って行えば良い。
【０２２７】
なお、本実施例における発光装置の作成工程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
【０２２８】
ところで、本実施例の発光装置は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以上にすることが可能である。
【０２２９】
まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
【０２３０】
本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域（ＬOV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重ならないオフセットＬＤＤ領域（ＬOFF領域）およびチャネル形成領域を含む。
【０２３１】
また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０２３２】
その他、駆動回路において、チャネル形成領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例としては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、ＬOV領域を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
【０２３３】
なお、実際に実施の形態１または実施の形態２の方法に従って発光装置が完成したら、さらに外気に曝されないように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＯＬＥＤの信頼性が向上する。
【０２３４】
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクタ（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成する。このような出荷出来る状態にまでした状態を本明細書中では発光装置という。
【０２３５】
また、本実施例で示す工程に従えば、発光装置の作製に必要なフォトマスクの数を抑えることが出来る。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することが出来る。
【０２３６】
本実施例は、実施例１または２と組み合わせて実施することが可能である。
【０２３７】
（実施例４）
本実施例では、逆スタガ型のＴＦＴを用いた本発明の発光装置の構造について説明する。
【０２３８】
図１３に本発明の発光装置の断面図を示す。可撓性を有する第３基板６０３上に封止膜６０１が形成されている。封止膜６０１は、バリア膜６０１ａ、応力緩和膜６０１ｂ、バリア膜６０１ｃを有している。
【０２３９】
また、可撓性を有する第２基板６０６上に封止膜６０８が形成されている。封止膜６０８は、バリア膜６０８ａ、応力緩和膜６０８ｂ、バリア膜６０８ｃを有している。
【０２４０】
封止膜６０１と封止膜６０８の間には、ＴＦＴ、ＯＬＥＤ、その他の素子が形成されている。本実施例では、駆動回路６１０が有するＴＦＴ６０４ａと、画素部６１１が有するＴＦＴ６０４ｂ、６０４ｃを代表例として示す。
【０２４１】
ＯＬＥＤ６０５は、画素電極６４０と、有機発光層６４１と、陰極６４２とを有している。
【０２４２】
ＴＦＴ６０４ａは、ゲート電極６１３、６１４と、ゲート電極６１３、６１４に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６１５とを有している。またＴＦＴ６０４ｂは、ゲート電極６２０、６２１と、ゲート電極６２０、６２１に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６２２とを有している。またＴＦＴ６０４ｃは、ゲート電極６３０と、ゲート電極６３０に接して形成された絶縁膜６１２と、絶縁膜６１２に接して形成された半導体膜６３１とを有している。
【０２４３】
なお、本実施例では実施の形態１に従って作製された発光装置に、逆スタガ型のＴＦＴを用いた例について説明しているが、本実施例はこの構成に限定されない。実施の形態２に従って作製された発光装置に、逆スタガ型のＴＦＴを用いていても良い。
【０２４４】
本実施例は、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２４５】
（実施例５）
本実施例では、流体を吹きつけることにより接着層を除去する例について説明する。
【０２４６】
流体の吹きつけ方法としては、高圧の水流をノズルから噴射して吹きつける方法（ウォータージェット法と呼ばれる）や高圧のガス流を噴射して吹きつける方法を用いることができる。このとき、水の代わりに有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液を用いても良い。また、ガスとしては空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスを用いても良いし、これらのガスをプラズマ化したものであっても良い。ただし、除去することを目的としない膜や基板が共に除去されてしまわないように、接着層の材料と、除去することを目的としない膜及び基板の材料によって、適切な流体を選択することが肝要である。
【０２４７】
そして、接着層としては、多孔質シリコン層又は水素、酸素、窒素もしくは希ガスを添加したシリコン層を用いる。また、多孔質シリコン膜を用いる場合、非晶質シリコン膜もしくは多結晶シリコン膜を陽極化成処理により多孔質化して用いても良い。
【０２４８】
図１４に、ウォータージェット法を用いて接着層を除去している様子を示す。基板６０３と基板６０６の間に、ＯＬＥＤ６０４が設けられている。ＯＬＥＤ６０４は絶縁膜６０３で覆われており、前記絶縁膜６０３と基板６０６との間には、複数の絶縁膜からなる封止膜６０９が設けられている。
【０２４９】
また、基板６０３とＯＬＥＤ６０４との間には、絶縁膜６０５と接着層６０６が設けられている。そして接着層は基板６０３に接している。なおここでは代表的にＯＬＥＤだけを示しているが、通常はＴＦＴやその他の素子も絶縁膜６０５と絶縁膜６０３の間に設けられている。
【０２５０】
なお、接着層１０２の膜厚は０．１〜９００μm（好ましくは０．５〜１０μm）で良い。本実施例では、接着層６０６として１μｍの膜厚のＳＯＧを用いる。
【０２５１】
そして、ノズル６０８から流体６０７を接着層６０６に吹きつける。なお、接着層６０６の露出している部分全てに、効率良く流体６０７を吹き付けるために、基板と垂直な中心線を軸に接着層６０６を矢印のように回転させながら流体を吹き付けると良い。
【０２５２】
ノズル６０８からは１×１０7〜１×１０9Ｐａ（好ましくは３×１０7〜５×１０8Ｐａ）の圧力が加わった流体６０７が噴射されて、接着層６０６の露出している部分に吹きつけられる。流体６０７は試料が回転しているため接着層６０６の露出面に沿って吹きつけられていく。
【０２５３】
ノズル６０８から噴射される流体が接着層６０６に吹きつけられると、その衝撃により接着層が脆性により崩壊して除去されるか、化学的に除去される。これにより、接着層６０６は崩壊もしくは除去され、基板６０３と絶縁膜６０５とが分離される。接着層の崩壊により分離させた場合、残存した接着層は改めてエッチングにより除去すれば良い
【０２５４】
なお、流体６０７は水、有機溶媒、酸性溶液もしくはアルカリ性溶液といった液体を用いても良い、空気、窒素ガス、炭酸ガスもしくは希ガスといった気体を用いても良い。さらにこれらのガスをプラズマ化したものでも良い。
【０２５５】
本実施例は、実施例１〜４と組み合わせて実施することが可能である。
【０２５６】
（実施例６）
本発明において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できる有機発光材料を用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。これにより、ＯＬＥＤの低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
【０２５７】
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。 (T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)
【０２５８】
上記の論文により報告された有機発光材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０２５９】
【化１】
0004244120.tif 000002
【０２６０】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Nature 395 (1998) p.151.)
【０２６１】
上記の論文により報告された有機発光材料（Ｐｔ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２６２】
【化２】
0004244120.tif 000003
【０２６３】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (1999) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)
【０２６４】
上記の論文により報告された有機発光材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０２６５】
【化３】
0004244120.tif 000004
【０２６６】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。
【０２６７】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例５のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２６８】
（実施例７）
有機発光材料は、一般的にインクジェット法、スピンコート法、蒸着法を用いて成膜されている。本実施例では、上記方法以外の、有機発光層の成膜方法について説明する。
【０２６９】
本実施例では、有機発光材料を構成している分子の集合体を分散させたコロイド溶液（ゾルとも呼ぶ）を用いたスプレー噴射により、不活性ガス雰囲気下で基板上に有機発光材料の分子の集合体を含む膜を形成する。なお、有機発光材料は、液体中に数個の分子が集合した粒子として存在している。
【０２７０】
図１５に、有機発光材料であるイリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）と、ホストとなる有機発光材料（以下、ホスト材料という）であるバソキュプロイン（ＢＣＰ）とをトルエンに分散させた組成物を、不活性ガス（本実施例では窒素ガス）でノズル（図示しない）から噴射させて、有機発光層６５０を成膜している様子を示す。
【０２７１】
なお、図１５では、マスク６５１を用いて選択的に有機発光層６５０を２５〜４０ｎｍの膜厚で成膜する。イリジウム錯体はトルエンに不溶であり、またＢＣＰもトルエンに不溶である。
【０２７２】
実際には、有機発光層は単層で用いる場合と、複数の層を積層して用いる場合とがある。複数の層を積層して用いる場合、有機発光層６５０を成膜した後に、別の有機発光層を同様に成膜して積層する。この場合、積層された全ての有機発光層をまとめて有機発光層と総称する。
【０２７３】
本実施例の成膜方法では、液体中の有機発光材料がどのような状態であろうとも成膜可能な手段であり、特に溶解しにくい有機発光材料を用いて良質な有機発光層を形成することができる。そして、キャリアガスを用いて有機発光材料を含む液体を噴射（スプレー）させて成膜を行うため、短時間で成膜が可能である。また、噴射させる有機発光材料を含む液体の作製方法は、非常に単純なものとすることができる。また、本実施例は、所望のパターンの膜を形成する場合には、マスクを用い、マスクの開口部を通過させて成膜を行う。また、高価な有機発光材料を効率よく使用するため、マスクに付着した有機発光材料を収集し、再度利用することも可能である。
【０２７４】
インクジェット法及びスピンコート法では、溶媒に対する溶解度が高い有機発光材料は用いることができないという制約があった。また蒸着法では、蒸着させる前に有機発光材料自体が分解してしまう有機発光材料は、用いることができないという制約があった。しかし本実施例の成膜方法は、上述した制約にしばられない。
【０２７５】
本実施例の成膜方法に適している有機発光材料として、キナクリドン、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、バソキュプロイン、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（１，４−ナフタレンビニレン）、ポリ（２−フェニル−１，４−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリ（２，７−フルオレン）等が挙げられる。
【０２７６】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例６のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０２７７】
（実施例８）
本実施例では、本発明の発光装置の、画素部の詳細な上面構造を図１６（Ａ）に、回路図を図１６（Ｂ）に示す。図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。
【０２７８】
スイッチング用ＴＦＴ８０２のソース領域とドレイン領域は、一方ははソース配線８１５に電気的に接続され、他方はドレイン配線８０５に電気的に接続される。また、ドレイン配線８０５は電流制御用ＴＦＴ８０６のゲート電極８０７に電気的に接続される。また、電流制御用ＴＦＴ８０６のソース領域とドレイン領域は、一方は電流供給線８１６に電気的に接続され、他方はドレイン配線８１７に電気的に接続される。また、ドレイン配線８１７は点線で示される画素電極８１８に電気的に接続される。
【０２７９】
このとき、８１９で示される領域には保持容量が形成される。保持容量８１９は、電流供給線８１６と電気的に接続された半導体膜８２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極８０７との間で形成される。また、ゲート電極８０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線８１６で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。
【０２８０】
本実施例は、実施例１〜７と組み合わせることが可能である。
【０２８１】
（実施例９）
本実施例では本発明の発光装置の回路構成例を図１７に示す。なお、本実施例ではデジタル駆動を行うための回路構成を示す。本実施例では、ソース側駆動回路９０１、画素部９０６及びゲート側駆動回路９０７を有している。
【０２８２】
ソース側駆動回路９０１は、シフトレジスタ９０２、ラッチ（Ａ）９０３、ラッチ（Ｂ）９０４、バッファ９０５を設けている。なお、アナログ駆動の場合はラッチ（Ａ）、（Ｂ）の代わりにサンプリング回路（トランスファゲート）を設ければ良い。また、ゲート側駆動回路９０７は、シフトレジスタ９０８、バッファ９０９を設けている。バッファ９０９は必ずしも設ける必要はない。
【０２８３】
また、本実施例において、画素部９０６は複数の画素を含み、その複数の画素にＯＬＥＤが設けられている。このとき、ＯＬＥＤの陰極は電流制御ＴＦＴのドレインに電気的に接続されていることが好ましい。
【０２８４】
これらソース側駆動回路９０１およびゲート側駆動回路９０７は実施例２〜４で得られるｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴで形成されている。
【０２８５】
なお、図示していないが、画素部９０６を挟んでゲート側駆動回路９０７の反対側にさらにゲート側駆動回路を設けても良い。この場合、双方は同じ構造でゲート配線を共有しており、片方が壊れても残った方からゲート信号を送って画素部を正常に動作させるような構成とする。
【０２８６】
本実施例は、実施例１〜８と組み合わせることが可能である。
【０２８７】
（実施例１０）
本実施例は、可撓性を有するプラスチック基板上に、ロールツーロール方式で封止膜を成膜する方法について説明する。
【０２８８】
図１９に、本実施例の成膜装置の構成を簡単に示す。図１９に示した本発明の成膜装置は、スパッタによりバリア膜を成膜する２つのチャンバー８０４、８０９と、チャンバー８０４、８０９内の気圧を制御するためのチャンバー８０５、８０６、８０７、８０８と、樹脂を塗布する機構８２０と、塗布した樹脂を硬化させる機構８１３を有している。
【０２８９】
スパッタによりバリア膜を成膜するチャンバー８０４には、基板８０２の巻き出しのためのロール８０１と、ターゲットを有する印加電極８１０と、電極も兼ねているヒーター８１１とが備えられている。スパッタによりバリア膜を成膜するチャンバー８０９には、基板８０２の巻き取りのためのロール８０３と、ターゲットを有する印加電極８１４と、電極も兼ねているヒーター８１５とが備えられている。
【０２９０】
巻き出し用ロール８０１から巻き取り用ロール８０３へと基板８０２が搬送される。
【０２９１】
本実施例ではチャンバー８０４において窒化珪素を成膜した。具体的には、チャンバー８０４内の気圧をターボ分子ポンプ等により０．４Ｐａに保ち、アルゴン１０ＳＣＣＭ、窒素３５ＳＣＣＭ、水素５ＳＣＣＭの流量で流した。
【０２９２】
チャンバー８０４において窒化珪素膜が成膜された基板８０２は、チャンバー８０５、８０６を順に通過した後に、大気圧下におかれ、樹脂を塗布する機構８２０により樹脂８１２が塗布される。なお、チャンバー８０５、８０６は共にターボ分子ポンプ等により真空排気されており、チャンバー８０４内の気圧を大気圧の影響を受けずに、所望の高さに保つようにするために設けている。なお本実施例では、２つのチャンバー８０５、８０６を用いて大気圧の影響を防いでいるが、このようなチャンバーは場合によっては１つでも良く、また必要に応じて３つ以上設けても良い。
【０２９３】
樹脂８１２は、本実施例では熱重合するタイプのポリエチレンを用いる。樹脂８１２を塗布した後、ハロゲンランプ８１３により基板８０２を加熱し、塗布した樹脂８１２を硬化させる。
【０２９４】
なお、本実施例では、塗布した樹脂を硬化させる機構８１３として、具体的には基板を加熱するためのハロゲンランプが備えられている。なお、加熱により樹脂を硬化する場合、ハロゲンランプに限定されず、赤外ランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプを用いることが可能である。また、ランプに限らず、ヒーター等を用いて加熱するようにしても良い。そして樹脂が熱硬化樹脂ではなく紫外線硬化樹脂の場合、紫外光の照射により樹脂を硬化するようにしてもよい。
【０２９５】
そして樹脂が成膜された基板８０２がチャンバー８０７、８０８に送られ、最終的にチャンバー８０９に到達する。なおチャンバー８０７、８０８は共にターボ分子ポンプ等により真空排気されており、チャンバー８０９内の気圧を大気圧の影響を受けずに、所望の高さに保つようにするために設けている。なお本実施例では、２つのチャンバー８０７、８０８を用いて大気圧の影響を防いでいるが、このようなチャンバーは場合によっては１つでも良く、また必要に応じて３つ以上設けても良い。
【０２９６】
チャンバー８０９において窒化酸化珪素を成膜した。具体的には、チャンバー８０９内の気圧をターボ分子ポンプ等により０．４Ｐａに保ち、アルゴン１０ＳＣＣＭ、窒素３１ＳＣＣＭ、水素５ＳＣＣＭ、Ｎ2Ｏ４ＳＣＣＭの流量で流した。
【０２９７】
窒化酸化珪素が成膜された基板８０２は、巻き取り用ロール８０３によって巻き取られる。
【０２９８】
上記構成により、２層のバリア膜の間に１層の応力緩和膜が設けられた封止膜を有する可撓性のプラスチック基板の大量生産を容易に行うことができる。
【０２９９】
なお本実施例では、窒化珪素膜と、ポリエチレンからなる膜と、窒化酸化珪素膜とを積層した封止膜を形成する成膜装置について説明したが、バリア膜はこの材料に限定されない。また応力緩和膜は、バリア膜よりも応力の小さい樹脂であれば良く、ポリエチレンに限定されない。
【０３００】
また、本実施例ではバリア膜を２層成膜する場合について説明したが、バリア膜は３層以上成膜しても良く、その都度スパッタ用のチャンバーと、大気圧の影響を防ぐためのチャンバーと、樹脂を塗布する機構と、塗布した樹脂を硬化させる機構とを適宜設ければ良い。
【０３０１】
また、巻き取り用ロール８０３によって基板８０２を巻き取った後、巻き取られた基板を、巻き出し用ロール８０１で再び巻き取り、再度同じ工程を繰り返すことでバリア膜と応力緩和膜の多層膜からなる封止膜を成膜するようにしてもよい。
【０３０２】
本実施例は、実施例１〜９と組み合わせることが可能である。
【０３０３】
（実施例１１）
発光装置は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【０３０４】
本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図１８に示す。
【０３０５】
図１８（Ａ）はデジタルスチルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０３０６】
図１８（Ｂ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の発光装置は表示部２３０２に用いることができる。
【０３０７】
図１８（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の発光装置は表示部２５０２に用いることができる。
【０３０８】
ここで図１８（Ｄ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の発光装置は表示部２７０３に用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０３０９】
なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０３１０】
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０３１１】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０３１２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１０に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
【０３１３】
【発明の効果】
本発明では、複数のバリア膜を積層することで、バリア膜にクラックが生じても、他のバリア膜で水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。さらに、成膜温度が低いためにバリア膜の膜質が低下するようなことがあっても、複数のバリア膜を積層することで、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができる。
【０３１４】
また、バリア膜に比べて応力が小さい応力緩和膜を、バリア膜の間に挟むことで、絶縁膜全体の応力を緩和することができる。よって、トータルのバリア膜の厚さは同じであっても、１層のみのバリア膜に比べて、応力緩和膜を間に挟んだバリア膜は、応力によるクラックが入りにくい。
【０３１５】
したがって、１層のみのバリア膜に比べて、トータルのバリア膜の膜厚は同じであっても、水分や酸素の有機発光層への混入を効果的に防ぐことができ、さらに、応力によるクラックが入りにくい。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図２】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図３】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図４】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図５】    本発明の発光装置の外観図と、ＦＰＣとの接続部分の拡大図と断面図。
【図６】    本発明の発光装置を撓めた様子を示す図と、その断面図。
【図７】    本発明の発光装置のＦＰＣとの接続部分の断面図。
【図８】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図９】    本発明の発光装置の作製方法を示す図。
【図１０】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１１】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１２】  本発明の発光装置のＴＦＴ及びＯＬＥＤの作製工程を示す図。
【図１３】  本発明の発光装置の断面図。
【図１４】  ウォータージェット法で接着層を除去している様子を示す図。
【図１５】  スプレー噴射により有機発光層を成膜している様子を示す図。
【図１６】  画素の上面図及び画素の回路図。
【図１７】  発光装置の回路構成を示す図。
【図１８】  本発明の発光装置を用いた電子機器の図。
【図１９】  ロールツーロール方式の封止膜成膜装置の図。
【図１】
0004244120.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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