(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスのリード端子を検査用ソケットのリード線に接触させるデバイスハンドラーにおいて、
前記デバイスに熱を供給するためのヒータと、
金属で形成され、前記ヒータに接触すると共に前記デバイスのリード端子に接触するデバイスガイドと
を備え、
前記デバイスガイドは、
前記ヒータに面接触する接触面と、
この接触面の反対側の面に設けられ、表面に電気絶縁膜が形成され前記デバイスのリード端子に当接する当接部を有し、前記接触面を介して前記ヒータの熱を前記当接部から前記デバイスのリード端子へ伝えるブレード部と
を備え、
前記デバイスガイドは、
前記当接部が形成されたガイドブレードと、
該ガイドブレードを支持するガイドベースと
を具備し、前記ガイドブレードおよび前記ガイドベースは互いに分離可能とされていることを特徴とし、
前記電気絶縁膜はダイヤモンド・ライク・カーボン、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＴｉＯ２により形成され、
前記ガイドベースは、金属により形成され、
前記ガイドブレードは、全部または一部が金属の代わりに樹脂により形成され、
前記ガイドブレードの電気絶縁膜は、前記ガイドベースと接触する面から前記当接部まで連続して前記ガイドブレードの表面に形成されることを特徴とするデバイスハンドラー。
【請求項２】
前記ガイドブレードは、無機材料の充填材が混練された樹脂により形成されることを特徴とする請求項１記載のデバイスハンドラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣデバイス等のデバイスを保持、搬送するデバイスハンドラーに関し、特にデバイスの温度を適切に管理できるデバイスハンドラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
面実装用リード線タイプのＩＣデバイスの電気特性を検査する場合、ＩＣデバイスを固定するとともに、ＩＣデバイスのリード線を検査装置と接続するＩＣハンドラーが用いられている。図３はＩＣハンドラーを用いた検査時の状態を示しており、ＩＣデバイス５を吸着パッド２０３で保持することで樹脂製のデバイスガイド２０１に収納するとともに、ＩＣデバイス５の金属リード線５１にデバイスガイドの当接部を押し当てることにより、テスター（不図示）に接続された検査用ソケット６のリード線６１に金属リード線５１を接触させるようにしている。
【０００３】
特許文献１には、ＩＣデバイスのリードをテスタ側のコンタクタに接触させるための端子押え部材が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２８７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高温下におけるデバイスの電気特性を測定する場合には、ＩＣデバイス５を所定の温度に保持する必要がある。しかし、図３に示す従来のＩＣハンドラーを用いた場合には、検査用ソケット６のリード線６１と金属リード線５１が接触したときに、ＩＣデバイス５からの熱がリード線６１を介してテスター側に流れ、ＩＣデバイス５の温度が急速に低下してしまう。吸着パッド３を金属で構成してもＩＣデバイス５のモールド材が熱伝導率の低い樹脂製であるため、ヒータ２を用いたとしても、ヒータ２からの熱を、吸着パッド３を介してＩＣデバイス５に供給することによってＩＣデバイス５を所定温度に保つことは困難である。また、金属リード線５１に押し当てられるデバイスガイド２０１の絶縁性を確保するために、デバイスガイド２０１は樹脂により形成されている。このため、金属リード線５１を介してデバイスガイド２０１からヒータ２の熱を供給することによりＩＣデバイス５の温度を保つこともできない。
【０００６】
本発明の目的は、デバイスの温度を適切に管理できるデバイスハンドラーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、
デバイスのリード端子を検査用ソケットのリード線に接触させるデバイスハンドラーにおいて、
前記デバイスに熱を供給するためのヒータと、
金属で形成され、前記ヒータに接触すると共に前記デバイスのリード端子に接触するデバイスガイドと
を備え、
前記デバイスガイドは、
前記ヒータに面接触する接触面と、
この接触面の反対側の面に設けられ、表面に電気絶縁膜が形成され前記デバイスのリード端子に当接する当接部を有し、前記接触面を介して前記ヒータの熱を前記当接部から前記デバイスのリード端子へ伝えるブレード部と
を備え、
前記デバイスガイドは、
前記当接部が形成されたガイドブレードと、
該ガイドブレードを支持するガイドベースと
を具備し、前記ガイドブレードおよび前記ガイドベースは互いに分離可能とされていることを特徴とし、
前記電気絶縁膜はダイヤモンド・ライク・カーボン、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２またはＴｉＯ２により形成され、
前記ガイドベースは、金属により形成され、
前記ガイドブレードは、全部または一部が金属の代わりに樹脂により形成され、
前記ガイドブレードの電気絶縁膜は、前記ガイドベースと接触する面から前記当接部まで連続して前記ガイドブレードの表面に形成されることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記ガイドブレードは、無機材料の充填材が混練された樹脂により形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のデバイスハンドラーによれば、デバイスのリード端子を熱の導電経路として利用することが可能になるので、デバイスの温度を適切に管理できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
以下、図１を参照して、本発明によるデバイスハンドラーの第１の実施形態について説明する。本実施形態はＩＣデバイスを保持、搬送するＩＣハンドラーに本発明を適用した例を示すものであるが、本発明によるデバイスハンドラーはＩＣデバイス以外の種々のデバイスを扱うデバイスハンドラーに対しても広く適用できる。
【００１５】
図１（ａ）は本実施形態のデバイスハンドラーを示す正面図、図１（ｂ）はデバイスガイドを示す正面図である。本実施形態のデバイスハンドラーは面実装用の金属リード線が設けられたＩＣデバイスに対応可能に構成されている。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、本実施形態のデバイスハンドラーは、金属製のデバイスガイド１と、面実装用の金属リード線５１が設けられたＩＣデバイス５に熱を供給するためのヒータ２と、ＩＣデバイス５を吸着して固定するための吸着パッド３とを備える。
【００１７】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、デバイスガイド１にはヒータ２に接触する接触面１１と、吸着パッド３を収容する貫通孔１２と、貫通孔１２に連通し、ＩＣデバイス５を収容するためのデバイス収容部１３が形成されている。
【００１８】
また、デバイスガイド１には収容部１３を取り囲むように矩形状に突出するブレード部１４が設けられている。ブレード部１４の先端部（図１（ａ）および図１（ｂ）において下端部）にあたる当接部１５の表面には電気絶縁膜（不図示）が形成され、後述するように、ＩＣデバイス５の電気特性を検査する際にはこの電気絶縁膜を介して先端部分１５がＩＣデバイス５のリード線５１に当接する。
【００１９】
ブレード部１４の当接部１５に形成される電気絶縁膜の材質は限定されないが、電気的な絶縁性を有するとともに、硬度が高く、かつ熱伝導率の高い材質が望ましい。電気絶縁膜を硬度の高い材質で形成することにより、電気絶縁膜の耐摩耗性を向上させ、その寿命を伸ばすことができる。また、電気絶縁膜を熱伝導率の高い材質で形成することにより、電気絶縁膜の熱抵抗を低下させてデバイスの温度をより適切に管理することが可能となる。電気絶縁膜は、例えば、ダイヤモンド・ライク・カーボン、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２あるいはＴｉＯ２などにより形成することができる。硬度および熱伝導率の両者に関して、とくにダイヤモンド・ライク・カーボンが好適である。電気絶縁膜の膜厚は、電気絶縁膜の材質や電気絶縁膜に要求される性能によっても異なるが、通常は１μｍ〜１００μｍの範囲に設定される。また、電気絶縁膜はＩＣデバイス５のリード線５１が接触する領域に形成されていればよいが、その周囲まで形成されていてもよく、あるいはデバイスガイド１の表面全体に形成されていてもよい。
【００２０】
本実施形態のデバイスハンドラーを用いて次のようにしてＩＣデバイスの電気特性の検査を行う。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、ＩＣデバイス５の電気特性を検査する場合には、吸着パッド３でＩＣデバイス５を吸着してＩＣデバイス５を収容部１３に収容するとともに、所定の検査位置にＩＣデバイス５を載置する。このとき、ブレード部１４の当接部１５をＩＣデバイス５のリード線５１に当接させて検査用のソケット６に設けられたリード線６１にリード線５１を押し付け、リード線５１とリード線６１とを接触させている。前述のように、ブレード部１４は収納部１３を取り囲むように矩形状に形成されており、矩形状のＩＣデバイス５の四辺から外側に突出するすべてのリード線５１を下方に押し込み、これにより検査用ソケット６のリード線６１に同時に接続する。なお、検査用ソケット６のリード線６１はＩＣデバイス５を検査するためのテスター（不図示）に接続されている。
【００２２】
本実施形態のデバイスハンドラーでは、デバイスガイド１が熱伝導性に優れる金属で形成されているため、接触面１１を介してヒータ２からの熱をブレード部１４に向けて効率よく伝えることができる。また、電気絶縁膜が薄く形成されているため、電気絶縁膜が熱伝導率の比較的大きな材質により形成されている場合であっても、電気絶縁膜による熱抵抗の増加は殆ど無視できる。このため、ヒータ２からの熱をブレード部１４およびリード線５１を介してＩＣデバイス５に効率的に伝えることができる。したがって、リード線５１がリード線６１に接続された際にリード線６１を介してＩＣデバイス５から流出する熱を、ブレード部１４から伝導される熱によって効果的に補うことができる。またこのとき、ブレード部１４の当接部１５の表面には電気絶縁膜により絶縁性が付与されているため、リード線５１を互いに短絡することはなく、テスターによる電気特性の検査に支障をきたすことはない。したがって、本実施形態のデバイスハンドラーを用いることにより、ＩＣデバイス５を所定の温度に維持しつつ、必要な電気特性の検査を行うことができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
以下、図２を参照して、本発明によるデバイスハンドラーの第２の実施形態について説明する。本実施形態はＩＣデバイスを保持、搬送するＩＣハンドラーに本発明を適用した例を示すものであるが、本発明によるデバイスハンドラーはＩＣデバイス以外の種々のデバイスを扱うデバイスハンドラーに対しても広く適用可能である。以下、第１の実施形態との相違部分を中心に説明する。
【００２４】
図２は本実施形態のデバイスハンドラーの構成を示す正面図である。
本実施形態のデバイスハンドラーは、ＩＣデバイスの電気特性を検査する際に、第１の実施形態のデバイスハンドラーと同様の方法で使用される。図２に示すように、本実施形態のデバイスハンドラーのデバイスガイド１０１は、ＩＣデバイス５（図１（ａ））のリード線５１に当接する当接部１１５が形成されたガイドブレード１０１Ａと、ガイドブレード１０１Ａを支持するガイドベース１０１Ｂとからなる。ガイドベース１０１Ｂには、ヒータ８（図１（ａ））に接触する接触面１１１と、吸着パッド３（図１（ａ））を収容する貫通孔１１２と、貫通孔１１２に連通し、ＩＣデバイス５（図１（ａ））を収容するためのデバイス収容部１１３が形成されている。
【００２５】
筒状に形成されたガイドブレード１０１Ａはガイドベース１０１Ｂの外周にねじ１０７を用いて着脱可能に取り付けられる。デバイスハンドラーを使用する際には、ねじ１０７によりガイドブレード１０１Ａがガイドベース１０１Ｂに取り付けられ、両者が互いに固定される。また、ねじ１０７を取り外してガイドブレード１０１Ａをガイドベース１０１Ｂから抜き取ることで、ガイドブレード１０１Ａを交換することができる。
【００２６】
ガイドブレード１０１Ａおよびガイドベース１０１Ｂはいずれも金属により形成することができる。また、ガイドブレード１０１Ａの当接部１１５の表面には第１の実施形態と同様の電気絶縁膜が形成されている。
【００２７】
本実施形態では、第１の実施形態と同様、ガイドベース１０１Ｂおよびガイドブレード１０１Ａが熱伝導性に優れる金属で形成されているため、ヒータからの熱を当接部１１５に向けて効率よく伝えることができる。また、電気絶縁膜による熱抵抗の増加は殆ど無視できるため、デバイスガイド１０１およびリード線５１を介して、ヒータからの熱をＩＣデバイス５に効率的に供給することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、ガイドベース１０１Ｂおよびガイドブレード１０１Ｂをねじ１０７によって分離可能な状態で固定している。したがって、電気絶縁膜はガイドブレード１０１のみに形成すれば足りるため、デバイスガイド１０１の生産性を向上させることができる。また、当接部１１５の破損や磨耗が発生した場合には、ガイドブレード１０１Ａのみを交換すれば足りるので、作業が容易であり、交換のためのコストも低下する。
【００２９】
上記実施形態では、ガイドブレード１０１Ａを金属により形成する例を示したが、ガイドブレード１０１Ａを樹脂により形成してもよい。この場合には、ガイドブレード１０１Ａの熱伝導性を向上させるために、当接部１１５のみならず、ガイドブレード１０１Ａの表面全体、あるいは広範囲に電気絶縁膜を形成することが好ましい。とくにガイドベース１０１Ｂと接触する面から当接部１１５まで電気絶縁膜が連続するように電気絶縁膜を形成することで、ガイドブレード１０１Ａにおける熱伝導経路の熱伝導性を向上させることができる。また、ガイドブレード１０１Ａを樹脂により形成した場合には、ガイドブレード１０１Ａの熱伝導性を向上させるために、電気絶縁膜の膜厚を大きくすることが好ましい。また、電気絶縁膜を熱伝導率の高い材質で形成することが好ましく、例えば、ダイヤモンド・ライク・カーボン等が好適である。さらに、ガイドブレード１０１Ａを形成する樹脂に無機材料等の充填材を混練することにより、ガイドブレード１０１Ａの熱伝導性を向上させてもよい。なお、このようにガイドブレード１０１Ａを絶縁性材料である樹脂により形成した場合には、電気絶縁膜が磨耗してガイドブレード１０１Ａの下地が露出しても当接部１１５の電気絶縁性は維持されるため、電気絶縁膜の磨耗に起因するトラブルを回避できる利点がある。
【００３０】
上記第１および第２の実施形態では、ヒータによりデバイスを加温する場合を例示したが、ヒータに代えて冷却装置を使用することにより、低温下でのデバイスの検査に対応することができる。この場合には、デバイスガイドを介して伝わる熱の流れが逆転するが、本発明によるデバイスハンドラーによる温度管理の効果は上記実施形態で説明したのと同様に発揮され、デバイスの温度上昇を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態のデバイスハンドラーの構成を示す図であり、（ａ）は第１の実施形態のデバイスハンドラーを示す正面図、（ｂ）はデバイスガイドを示す正面図である。
【図２】第２の実施形態のデバイスハンドラーを示す正面図。
【図３】従来のＩＣデバイスハンドラーを示す正面図。
【符号の説明】
【００３２】
１      デバイスガイド
５      ＩＣデバイス（デバイス）
１５    当接部
５１    金属リード線（リード端子）
１０１  デバイスガイド
１０１Ａ  ガイドブレード
１０１Ｂ  ガイドベース
【図１】
0004359838.tif 000002
【図２】
0004359838.tif 000003
【図３】
0004359838.tif 000004