(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，金属からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項２】
液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，ガラス状炭素からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項３】
液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，フッ素樹脂，シリコン樹脂のいずれか一種以上からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項４】
請求項１又は２において，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記ガラス基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項５】
請求項１又は２において，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記ガラス基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項において，上記被膜の膜厚は，０．３〜２０００μｍであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項において，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項において，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持すると共に加熱するための加熱装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
液晶表示板はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成したガラス基板とカラーフィルタを形成したガラス基板とを貼り合せることにより製造する。
上記ガラス基板（ＴＦＴ側基板）にＴＦＴを形成する際には，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
例えば，上記プラズマＣＶＤ装置によって，シリコン窒化膜，シリコン酸化膜，シリコンオキシナイトライド膜等からなる絶縁膜や，アモルファスシリコン，Ｐドープアモルファスシリコン等からなる半導体層を形成する。
【０００３】
また，上記スパッタリング装置により，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔａ等の金属膜からなる導体配線や，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極，或いはＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
また，上記ガラス基板（カラーフィルタ側基板）にカラーフィルタを形成する際にも，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
【０００４】
例えば，上記スパッタリング装置により，Ｃｒ／ＣｒＯX膜等からなるブラックマトリックスや，ＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
更に，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板を貼り合せる際には，貼り合せ装置を用いる。即ち，該貼り合せ装置により，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを貼り合せ，加圧，加熱することにより，所定の間隔をもって両者を接合する。
【０００５】
ところで，上記スパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，及び貼り合せ装置には，上記ガラス基板を支持すると共に加熱する加熱装置が配設されている（図４〜図６参照）。該加熱装置は，ガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する。
【０００６】
即ち，スパッタリング装置には，支持プレートが配設されており，該支持プレートによって上記ガラス基板を支持すると共に加熱しながら，該ガラス基板の表面に成膜する。
また，上記プラズマＣＶＤ装置にも支持プレートが配設されており，該支持プレートによって上記ガラス基板を支持すると共に加熱しながら，該ガラス基板の表面に成膜する。
【０００７】
また，上記貼り合せ装置には，一対の定盤が配設されており，該一対の定盤によって上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板をそれぞれ支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する。これにより，両者を接合する。
以上のごとく，液晶表示板の製造工程において使用される各装置には，ガラス基板を加熱するための加熱装置が設けてある。
【０００８】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の液晶表示板用のガラス基板の加熱装置には，以下の問題がある。
上記加熱装置は，上記のごとく，上記支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱する。そのため，上記支持プレートは高温となる。それ故，該支持プレートに金属等の熱膨張率の大きい素材を用いると，その熱膨張により歪み等を生じる。かかる支持プレートの歪みは，上記液晶表示板の製造工程において，成膜が不均一となったり，ガラス基板間の間隔が不均一となったりする原因となる。
【０００９】
かかる不具合を防ぐために，上記支持プレートとして，熱膨張率の小さいカーボン材料を用いることが考えられる。
ところが，上記支持プレートにカーボン材料を用いると，成膜時や貼り合せ時において，上記支持プレートからカーボン粉末が発生するおそれがある。このカーボン粉末の発生（脱粉）により，ガラス基板上に形成される膜の中にカーボン粉末が混入したり，上記ガラス基板間にカーボン粉末が入り込むなど，製品に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１０】
また，上記カーボン材料には，多数の微細孔が存在するものがあり，その中に成形時に混入した不純物質，或いはガス等が混入していることもある。これらの不純物質やガス等が成膜時や貼り合せ時において放出され，製品に悪影響を及ぼすおそれがある。
更には，例えばスパッタリング装置やプラズマＣＶＤ装置等のようにチャンバー内を真空状態に保つ必要がある装置等に，上記支持プレートを用いる場合には，該支持プレートから上記ガスが発生することにより，充分な真空度が得られないおそれがある。そのため，確実な成膜を行なうことが困難となるおそれがある。
【００１１】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ支持プレートからの脱粉を生ずることのない，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題の解決手段】
請求項１に記載の発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，金属からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置にある。
【００１３】
本発明において最も注目すべきことは，上記支持プレートの表面に，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されていることである。
上記脱粉とは，カーボン材料からなる上記支持プレートから，カーボン粉末が脱落して周囲に飛散することをいう。
【００１４】
上記カーボン材料としては，例えば黒鉛質のもの，炭素質のもの，或いはＣ／Ｃコンポジット（炭素結合炭素繊維複合材料）等がある。
また，上記発熱手段としては，上記支持プレートに埋め込まれたニクロム線，或いは上記支持プレートに取付けられたコイルなどの誘導加熱手段等がある。
また，上記液晶表示板を構成するガラス基板としては，例えばその表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成するもの（ＴＦＴ側基板）や，カラーフィルタを形成するもの（カラーフィルタ側基板）がある。
【００１５】
次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の加熱装置は，上記液晶表示板を製造する際の種々の工程において，種々の装置に組み込まれて使用される。このとき，上記加熱装置は，上記支持プレートにより上記ガラス基板を支持する。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレートに支持されたガラス基板を加熱する。
【００１６】
ここで，上述のごとく，上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレートを発熱させて高温とした場合にも，熱膨張が殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置は，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。
【００１７】
それ故，上記加熱装置により上記ガラス基板を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，ガラス基板が反ったり，押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレートからガラス基板への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００１８】
また，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されている。そのため，上記液晶表示板の種々の製造工程において，上記加熱装置を用いる際に，カーボン粉末が発生するおそれがない。そのため，上記製造工程において，上記カーボン粉末が上記製品に悪影響を与えるおそれがない。
【００１９】
また，上記被膜により，上記カーボン材料における微細孔を塞ぐことも可能である。そのため，上記製造工程において，上記カーボン材料中に混入している不純物質やガス等が上記微細孔から放出されることを防ぐことができる。そのため，上記不純物質やガス等が製品に悪影響を与えるおそれもない。
【００２０】
また，上記被膜は，上記カーボン材料の微細孔にも入り込むようにしてコーティングされる。そのため，上記微細孔のアンカー効果により，上記被膜は剥がれ難く，亀裂も生じ難い。
【００２１】
以上，本発明によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ支持プレートからの脱粉を生ずることのない，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【００２２】
次に，請求項７に記載の発明のように，上記被膜の膜厚は，０．３〜２０００μｍであることが好ましい。
これにより，上記支持プレートからの脱粉を確実に防ぐことができると共に，上記ガラス基板を効率的に加熱することができる加熱装置を得ることができる。
【００２３】
上記被膜の膜厚が０．３μｍ未満の場合には，使用中に上記被膜が上記支持プレートの表面から脱落したり，亀裂が生じたり，或いは上記支持プレートの表面全体に確実に被膜することができなかったりするおそれがある。そのため，上記脱粉を確実に防止することができないおそれがある。
一方，上記膜厚が２０００μｍを超える場合には，上記支持プレートからガラス基板への伝熱が効率的に行われないおそれがある。
【００２４】
次に，上記被膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴａＣ，Ｂ4Ｃ，Ｃｒ2Ｃ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＢＮ，ＴｉＮ，ＡｌＮ，ＴｉＢ2，ＺｒＢ2，コージェライト，ムライト，ＴｉＯ2あるいはこれらの化合物を一種以上含むセラミックからなるものもある。
上記セラミックは，物理的強度が高く，化学的に安定であるため，上記被膜が剥がれたり，亀裂を生ずる等のおそれがない。
【００２５】
次に，上記被膜は，金属からなる。
これにより，脱粉を防止すると共に熱特性のよい支持プレートを得ることができる。
【００２６】
上記金属としては，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌあるいはこれらの化合物から選ばれる一種以上を含むもの等がある。
また，上記金属による被膜を形成するに当っては，例えば真空蒸着法，気相めっき法，ＣＶＤ，ＣＶＲあるいはＰＶＤ等のスパッタリング法，溶射法等を用いる。
【００２７】
次に，上記被膜は，熱分解炭素からなるものもある。
上記熱分解炭素とは，炭化水素ガス等を加熱することにより分解生成される炭素物質をいう。また，上記熱分解炭素を上記支持プレートにコーティングする際には，例えばＣＶＤ法により行なうことができる。
これにより，一層強度の高い被膜を有する支持プレートを得ることができる。
そのため，上記被膜が剥がれたり，亀裂を生じたりすることを一層確実に防ぐことができる。
【００２８】
次に，請求項２に記載の発明のように，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，ガラス状炭素からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置がある。
上記ガラス状炭素は，無定形の均質な連続緻密組織を呈する高強度の炭素材料である。即ち，黒鉛材のようにカーボン粉末粒子の集合体からなる組織とは全く異質な炭素質構造体である。
【００２９】
そのため，黒鉛材は構成する個別のパーティクルが容易に離脱するのに対し，ガラス状炭素は表面から均一に消耗が進行し，組織が粉末として離脱する現象は発生しない。
それ故，上記支持プレートからの脱粉を確実に防止することができる。
【００３０】
次に，請求項３に記載の発明のように，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されており，
該被膜は，フッ素樹脂，シリコン樹脂のいずれか一種以上からなることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置がある。
この場合には，カーボン材料の機構とのアンカー効果により密着した被膜が形成され，カーボン材料の特徴を活かしながら脱粉を防止することができる等の利点がある。
【００３１】
次に，請求項４に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記ガラス基板を支持するものとすることもできる。
上記液晶表示板の製造工程の一例につき簡単に説明すると，まず，上記ＴＦＴ側基板であるガラス基板の表面にＴＦＴを形成する。次いで，該ＴＦＴの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
【００３２】
一方，上記カラーフィルタ側基板であるガラス基板の表面に，カラーフィルタを形成する。次いで，該カラーフィルタの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる（図２参照）。
【００３３】
そして，上記ガラス基板へのＴＦＴの形成やカラーフィルタの形成には，例えばスパッタリング装置を用いることができる（実施形態例２参照）。
上記スパッタリング装置には，本発明にかかる加熱装置が配設されている。そして，該加熱装置により上記ガラス基板を加熱しながら成膜を行なう。
【００３４】
この場合に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板が反ったりするおそれもない。それ故，均一な成膜を実現することができる。また，上記支持プレートから上記ガラス基板への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００３５】
また，上記ガラス基板への成膜時に，上記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するなどという不具合が発生するおそれもない。
それ故，品質の高い液晶表示板を製造することができるスパッタリング装置が得られる。
【００３６】
次に，請求項５に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記ガラス基板を支持するものとすることもできる。
即ち，上述したＴＦＴやカラーフィルタの形成には，上記プラズマＣＶＤ装置を用いることもできる。
【００３７】
この場合，上記プラズマＣＶＤ装置により上記ガラス基板に成膜する際に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，熱膨張係数が金属等の１／５〜１／１０と低く，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板が反ったりするおそれもなく，ガラス基板を均一に加熱することができると共に，均一な成膜を実現することができる。
【００３８】
また，上記ガラス基板への成膜時に，上記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するという不具合が発生するおそれもない。
そのため，品質の高い液晶表示板を製造することができるプラズマＣＶＤ装置が得られる。
【００３９】
次に，請求項６に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤とすることもできる。
即ち，上述した上記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ側基板との貼り合せには，上記貼り合せ装置を用いることができる。
【００４０】
この場合，上記張り合わせ装置により一対の上記ガラス基板を貼り合せる際に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，上記定盤に歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板の間に形成される隙間の厚みが均一となる。
【００４１】
また，上記一対のガラス基板を貼り合せる際に，上記支持プレートから脱粉が生じることがない。そのため，上記ガラス基板の間にカーボン粉末が入り込むなどの不具合が生じない。
それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。
【００４２】
次に，請求項８に記載の発明のように，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板を含めることもできる。
この場合には，ＴＦＴを構成する絶縁膜や半導体膜等を，ガラス基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができると共に，上記絶縁膜や半導体膜等にカーボン粉末が混入することを防ぐことができる。
【００４３】
次に，請求項９に記載の発明のように，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板を含めることもできる。
この場合には，カラーフィルタを構成するブラックマトリックス等を，ガラス基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができると共に，上記ブラックマトリックス等にカーボン粉末が混入することを防ぐことができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
実施形態例１
本発明の実施形態例にかかる液晶表示板用のガラス基板の加熱装置につき，図１〜図３を用いて説明する。
図１に示すごとく，本例の液晶表示板用のガラス基板の加熱装置１は，液晶表示板の製造工程において，図２に示す上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２を支持するための支持プレート１１を有する。更に，上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレート１１を発熱させることにより上記ガラス基板２を加熱するための発熱手段１２を有する。
【００４５】
また，上記支持プレート１１はカーボン材料からなる。そして，図１に示すごとく，上記支持プレート１１の表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜１３が形成されている。該被膜１３はＳｉＣからなり，膜厚は約１００μｍである。
また，上記被膜１３は，熱ＣＶＤ法により上記支持プレート１１の表面に形成した。即ち，カーボン材料からなる上記支持プレート１１を，反応容器内に投入し，１５００℃で加熱し，ＣＨ3ＳｉＣｌ3と水素の混合気体を流しながら，約５時間反応させることによりＳｉＣからなる被膜１３を得た。
【００４６】
また，上記発熱手段１２はニクロム線であり，上記支持プレート１１の内部に埋め込まれいる。
また，上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２としては，その表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３を形成するもの（ＴＦＴ側基板２１）とカラーフィルタ４を形成するもの（カラーフィルタ側基板２２）がある。
【００４７】
上記加熱装置１は，後述する上記液晶表示板２０の製造工程において用いられるスパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，或いは貼り合せ装置に配設されている。なお，上記各装置についての詳細は，実施形態例２〜４において説明する。
【００４８】
次に，上記液晶表示板２０の製造工程につき，図２，図３を用いて説明する。
まず，上記ＴＦＴ側基板２１の表面にＴＦＴ３を形成する（ステップＴ１）。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の表面に絶縁層，半導体層，導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成することによりＴＦＴ３を形成する。
次いで，該ＴＦＴ３の上面から透明電極層３１を形成する（ステップＴ２）。次いで，該透明電極層３１の上から配向膜３２を形成し（ステップＴ３），該配向膜３２にラビング処理を施す（ステップＴ４）。
【００４９】
一方，上記カラーフィルタ側基板２２の表面に，カラーフィルタ４を形成する（ステップＣ１）。即ち，上記カラーフィルタ側基板２２の表面にブラックマトリックス等を形成することにより，上記カラーフィルタ４を形成する。
次いで，該カラーフィルタ４の上面から透明電極層４１を形成する（ステップＣ２）。次いで，該透明電極層４１の上から配向膜４２を形成し（ステップＣ３），該配向膜４２にラビング処理を施す（ステップＣ４）。
【００５０】
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板２１とカラーフィルタ側基板２２とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の配向膜上にシール材２５を印刷すると共にプラスチックビーズ２６を撒布した後（ステップＳ５，Ｓ６），上記カラーフィルタ側基板２２を貼り合せる（ステップＳ７）。
【００５１】
次いで，両ガラス基板２を両面から加圧して，該ガラス基板２間の間隔（図２の符号Ｄ）が上記プラスチックビーズ２６の直径（１０μｍ程度）に等しくなるまで押圧する（ステップＳ８）。次いで，加熱することにより上記シール材２５を両ガラス基板２に融着させると共に硬化させる（ステップＳ９）。
その後，上記２枚のガラス基板２間に液晶２７を注入する（ステップＳ１０）。次いで，上記２枚のガラス基板２の両面に，偏向板２８を貼り付けることにより（ステップＳ１１），液晶表示板２０を製造する（図２）。
【００５２】
上述したガラス基板２へのＴＦＴ３の形成やカラーフィルタ４の形成には，実施形態例２において説明するスパッタリング装置５（図４），或いは実施形態例３において説明するプラズマＣＶＤ装置６（図５）を用いる。また，上記ＴＦＴ側基板２１と上記カラーフィルタ側基板２２との貼り合せには，実施形態例４において説明する貼り合せ装置７（図６）を用いる。
そして，上記各装置には，上記ガラス基板２を支持すると共に加熱する加熱装置１が配設されている。そして，上記各装置は，上記加熱装置１によりガラス基板２を加熱しながら成膜あるいは加圧する。
【００５３】
次に，本例の作用効果につき説明する。
上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレートにより上記ガラス基板２を支持する。そして，上記発熱手段１２であるニクロム線に通電して発熱させ，その熱を上記支持プレート１１に伝える。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレート１１に支持されたガラス基板２を加熱する。
【００５４】
ところで，上述のごとく，上記加熱装置１における支持プレート１１は，カーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレート１１を発熱させて高温とした場合にも，反りなどは殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置１は，上記支持プレート１１に歪みを生ずるおそれがない。
【００５５】
それ故，上記加熱装置１により上記ガラス基板２を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，ガラス基板２が反ったり，押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
従って，高品質の液晶表示板２０を製造することができる。
【００５６】
また，図１に示すごとく，上記支持プレート１１の表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜１３が形成されている。そのため，上記液晶表示板２０の種々の製造工程において，上記加熱装置１を用いる際に，カーボン粉末が発生するおそれがない。そのため，上記製造工程において，上記カーボン粉末が上記製品に悪影響を与えるおそれがない。
【００５７】
また，上記被膜１３により，上記カーボン材料における微細孔を塞ぐことも可能である。そのため，上記製造工程において，上記カーボン材料中に混入している不純物質やガス等が上記微細孔から放出されることを防ぐことができる。そのため，上記不純物質やガス等が製品に悪影響を与えるおそれもない。
【００５８】
また，上記被膜１３は，上記カーボン材料の微細孔にも入り込むようにしてコーティングされる。そのため，上記微細孔のアンカー効果により，上記被膜１３は剥がれ難く，亀裂も生じ難い。
【００５９】
以上のごとく，本例によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ支持プレートからの脱粉を生ずることのない，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【００６０】
実施形態例２
本例は，図４に示すごとく，スパッタリング装置５に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記スパッタリング装置５においてガラス基板２を支持すると共に加熱する基板電極治具５１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００６１】
まず，上記スパッタリング装置５の構成につき説明する。
上記スパッタリング装置５は，図４に示すごとく，上記基板電極治具５１と該基板電極治具５１に対向配置されたカソード板５２を，チャンバー５０内に配設している。上記カソード板５２における上記基板電極治具５１に対向する面には，Ａｌなど上記ガラス基板２に成膜するための材料からなるターゲット５３が保持されている。
また，上記チャンバー５０には，Ａｒガスを導入するためのガス導入管５４と，チャンバー５０内を真空引きするための排気管５５が配設されている。
【００６２】
上記スパッタリング装置５によりスパッタリングを行なうに当っては，排気管５５から上記チャンバー５０内を真空引きした後，上記ガス導入管５４からＡｒガスを導入する。次いで，電源５６を用いて上記カソード板５２に電圧を印加することにより，Ａｒイオンを，上記カソード板５２に保持されたターゲット５３に衝突させる。これにより，ターゲット５３のＡｌがはじき出され，上記基板電極治具５１に支持されているガラス基板２の表面に付着する。
これにより，上記ガラス基板２の表面にＡｌ膜を成膜する。
【００６３】
上記スパッタリング装置５は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴ３の形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタ４の形成（ステップＣ１），あるいは透明電極層３１，４１の形成（ステップＴ２，Ｃ２）に用いられる。
即ち，ＴＦＴ３における導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成する際には，例えばＡｌ金属をスパッタリング装置５により上記ガラス基板２にスパッタリングして成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，各配線，電極を形成する。
【００６４】
同様に，上記透明電極層の形成においては，ＩＴＯをスパッタリングする。また，カラーフィルターの形成においては，Ｃｒ／ＣｒＯXをスパッタリングしてブラックマトリックスを形成する。
【００６５】
上記のごとくスパッタリングを行なうに当っては，発熱手段１２により上記基板電極治具５１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００６６】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，スパッタリングによりＡｌ等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。また，上記支持プレート１１から上記ガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００６７】
また，上記支持プレート１１の表面には被膜１３が形成されている。それ故，上記ガラス基板２への成膜時に，上記支持プレート１１からの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するという不具合が発生するおそれもない。それ故，品質の高い液晶表示板２０を製造することができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００６８】
実施形態例３
本例は，図５に示すごとく，プラズマＣＶＤ装置６に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記プラズマＣＶＤ装置６においてガラス基板２を支持すると共に加熱するサセプター６１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００６９】
まず，上記プラズマＣＶＤ装置６の構成につき説明する。
上記プラズマＣＶＤ装置６は，上記サセプター６１と，該サセプター６１に対向配置された高周波電極６２とをチャンバー６０内に配設している。上記高周波電極６２には，原料ガスを導入するためのガス導入管６３，及び原料ガスを通過させるスリット６４１を多数有するシャワーヘッド６４が設けてある。
また，上記チャンバー６０には，チャンバー内を真空引きするための排気管６５が設けてある。
【００７０】
上記プラズマＣＶＤ装置６により成膜を行なうに当っては，成膜する材料の構成元素を含む原料ガス６９を，上記ガス導入管６３，シャワーヘッド６４を通じて上記チャンバー内に導入する。このとき，上記高周波電極６２における電圧により，シャワーヘッド６４を通過する原料ガス６９をプラズマ状態にする。プラズマ状態となった上記原料ガス６９は，上記サセプター６１に支持されたガラス基板２の表面に供給され，該ガラス基板２上において化学反応が起こり，成膜が行われる。
【００７１】
上記プラズマＣＶＤ装置６は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴの形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタの形成（ステップＣ１）に用いられる。
【００７２】
即ち，上記ＴＦＴ３における絶縁膜や半導体層は，例えばシリコン窒化膜や，アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ装置６により上記ガラス基板２の表面に成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，絶縁膜や半導体層を形成する。
【００７３】
上記のごとく成膜を行なうに当っては，発熱手段１２により上記サセプター６１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００７４】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，プラズマＣＶＤ装置６によりシリコン窒化膜等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体を均一に加熱することができると共に，均一に成膜を行なうことができる。
【００７５】
また，上記支持プレート１１の表面には被膜１３が形成されている。それ故，上記ガラス基板２への成膜時に，上記支持プレート１１からの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するという不具合が発生するおそれもない。
そのため，品質の高い液晶表示板を製造することができるプラズマＣＶＤ装置が得られる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００７６】
実施形態例４
本例は，図６に示すごとく，貼り合せ装置７に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記貼り合せ装置７において一対の上記ガラス基板２を各１枚支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する一対の定盤が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００７７】
まず，上記貼り合せ装置７の構成につき説明する。
即ち，図６に示すごとく，上記貼り合せ装置７は，機枠７０と，該機枠７０の下枠７０１に固定された固定定盤７１と，該固定定盤７１に対向配置されると共に上記機枠の上枠７０２に上下動可能に取付けられた可動定盤７２とからなる。
上記可動定盤７２の上下動は，上記上枠７０２に固定されたエアシリンダー７３によって行なう。
【００７８】
上記貼り合せ装置７は，実施形態例１で示した液晶表示板２０の製造工程において，一対のガラス基板２の貼り合せ（図３のステップＳ７）に用いられる。
上記貼り合せ装置７により，一対のガラス基板２を貼り合せるに当っては，ＴＦＴ側基板２１を上記固定定盤７１にセットすると共に，カラーフィルム側基板２２を上記可動定盤７２にセットする。次いで，上記可動定盤７２を下降させ（図６の矢印Ｚ），上記ＴＦＴ側基板２１上に上記カラーフィルム側基板２２を貼り合せる。
【００７９】
次いで，上記エアシリンダ７３によって，両ガラス基板２の間隔が１０μｍ程度になるまで加圧する。次いで，上記固定定盤７１及び可動定盤７２に設けられた発熱手段１２によって，上記固定定盤７１及び可動定盤７２を発熱させて上記ガラス基板２を約２００℃に加熱する。
これにより，上記一対のガラス基板２の間のシール材を融着すると共に硬化させて，貼り合せを完了する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８０】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，熱によって歪みを生ずることがない。
そのため，貼り合せ装置７により一対のガラス基板２を両面から加圧する際に，上記ガラス基板２の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板２の間に形成される隙間が均一となる。また，上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００８１】
また，上記支持プレート１１の表面には被膜１３が形成されている。それ故，上記一対のガラス基板２を貼り合せる際に，上記支持プレート１１から脱粉が生じることがない。そのため，上記ガラス基板２の間にカーボン粉末が入り込むなどの不具合が生じない。
それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８２】
実施形態例５
本例は，支持プレートの被膜をＣｒによって形成した加熱装置の例である。
上記被膜は，真空蒸着法により，上記支持プレートの表面にＣｒを蒸着することにより約１００μｍの厚みに形成した。
その他は，実施形態例１と同様である。
この場合にも，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８３】
実施形態例６
本例は，支持プレートの被膜を熱分解炭素によって形成した加熱装置の例である。
上記被膜は，ＣＶＤ法を用いて以下のようにして形成した。
即ち，カーボン材料からなる上記支持プレートを反応炉内において加熱する。次いで，上記反応炉内に炭化水素ガスを導入する。これにより，該炭化水素ガスは，熱によって構成分子の結合が解かれ，炭素及び定分子量の炭素化合物よりなる熱分解炭素を発生する。次いで，該熱分解炭素がカーボン材料からなる上記支持部材と接触反応し，上記支持プレートの表面において膜状の構造を形成する。これにより，上記支持プレートの表面に熱分解炭素の被膜を形成する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８４】
これにより，一層強度の高い被膜を有する支持プレートを得ることができる。そのため，上記被膜が剥がれたり，亀裂を生じたりすることを一層確実に防ぐことができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８５】
実施形態例７
本例は，支持プレートの被膜をガラス状炭素によって形成した加熱装置の例である。
上記被膜は，以下のようにして形成した。
即ち，有機樹脂を熱分解させたピッチ状とし，それを溶剤に溶かして支持プレートのカーボン材料に含浸し，加熱炭化させてガラス状炭素皮膜を形成した。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８６】
上記支持プレートの被膜は，上述のごとく，ガラス状炭素からなる。
そのため，ガラス基板の接触や取扱い等により，上記被膜の表面から，組織が粉末として離脱する現象は発生しない。
そのため，確実に脱粉の生じない加熱装置を得ることができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８７】
実施形態例８
本例は，支持プレートの被膜をフッ素樹脂によって形成した加熱装置の例である。
上記被膜は，以下のようにして形成した。即ち，フッ素樹脂をスプレー等により表面に塗布し，硬化させることにより，被膜を形成した。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８８】
上記支持プレートの被膜は，上述のごとく，フッ素樹脂からなる。
そのため，カーボン材料の気孔とのアンカー効果により密着した被膜が形成されており，カーボン材料の特徴を活かしながら脱粉を防止することができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８９】
【発明の効果】
上述のごとく，本発明によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１における，加熱装置の説明図。
【図２】実施形態例１における，液晶表示板の断面説明図。
【図３】実施形態例１における，液晶表示板の製造工程のフロー図。
【図４】実施形態例２における，スパッタリング装置の説明図。
【図５】実施形態例３における，プラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図６】実施形態例４における，貼り合せ装置の説明図。
【符号の説明】
１．．．加熱装置，
１１．．．支持プレート，
１２．．．発熱手段，
１３．．．被膜，
２．．．ガラス基板，
２１．．．ＴＦＴ側基板，
２２．．．カラーフィルム側基板，
３．．．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ），
３１，４１．．．透明電極層，
３２，４２．．．配向膜，
４．．．カラーフィルタ，
５．．．スパッタリング装置，
６．．．プラズマＣＶＤ装置，
７．．．貼り合せ装置，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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