(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の圧電基板と，
前記圧電基板上に形成された，平衡型端子に接続される第一のＩＤＴ電極と，
前記圧電基板上に形成された，平衡型端子または不平衡型端子に接続される第二のＩＤＴ電極とを弾性表面波伝播路上に並設した縦モード型の弾性表面波フィルタにおいて，
前記第一のＩＤＴ電極を前記平衡型端子に接続するための第一の接続電極と，前記第二のＩＤＴ電極を前記平衡型端子または前記不平衡型端子に接続するための第二の接続電極と，を備え，
前記第一の接続電極と前記圧電基板との間，および，前記第二の接続電極と前記圧電基板との間には誘電体薄膜が形成されており，前記第一のＩＤＴ電極と前記圧電基板との間，および，前記第二のＩＤＴ電極と前記圧電基板との間には誘電体薄膜が形成されていない弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記誘電体薄膜は，前記第一の接続電極と前記第二の接続電極との間に発生する寄生容量がより抑制されるように形成されている請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記第一のＩＤＴ電極，前記第二のＩＤＴ電極，前記第一の接続電極，前記第二の接続電極の内の少なくとも一つの上に形成された被覆誘電体薄膜を備えた請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
前記第一のＩＤＴ電極，前記第二のＩＤＴ電極がその間に配置される二つの反射器電極をさらに備えた請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
前記誘電体薄膜は，窒化珪素または酸化珪素を利用して構成されている請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
前記圧電基板は，タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを利用して構成されている請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項７】
前記誘電体薄膜の実効比誘電率は前記圧電基板の実効比誘電率よりも小さい請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項８】
前記誘電体薄膜は，圧電性を有する請求項７記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項９】
前記圧電基板の実効比誘電率は４０以上である請求項７記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１０】
送信に利用されるべき送信信号および／または受信に利用されるべき受信信号に対して所定の処理を行うための平衡型半導体と，
前記平衡型半導体に接続された，前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う請求項１記載の弾性表面波フィルタとを備えた平衡型回路。
【請求項１１】
送信および／または受信を行う送信・受信手段と，
前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う請求項１記載の弾性表面波フィルタとを備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，たとえば無線通信機器における高周波回路などに使用される，弾性表面波フィルタ，平衡型回路，および通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年，移動体通信の発展にともない，使用される部品の高性能化および小型化が要望されている。さらに，このような部品の対雑音特性の良好化を目的として，ＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ，集積回路）などの半導体部品の平衡化が進み，ＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ，無線周波数）段に使用されるフィルタにおいても平衡化が要求されている。
【０００３】
さて，移動体通信機器などのＲＦ段のフィルタとしては，弾性表面波（ＳＡＷ，ｓｕｒｆａｃｅ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ）フィルタが広く利用されている。特に，縦モード型の弾性表面波フィルタは，上述のような平衡化が容易に実現できる平衡型端子を有するＲＦ段のフィルタであって，低ロス，高減衰，および良好なバランス特性が期待されている。
【０００４】
ここで，図１７（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，そのような従来の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１７（ａ）は従来の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１７（ｂ）は従来の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【０００５】
従来の弾性表面波フィルタは，図１７（ａ）に示されているように，圧電基板１００と，圧電基板１００上に形成された，平衡型端子１６１〜１６２に接続されるＩＤＴ（ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１１０と，圧電基板１００上に形成された，不平衡型端子１７１に接続されるＩＤＴ電極１２０と，圧電基板１００上に形成された，不平衡型端子１７１に接続されるＩＤＴ電極１３０と，ＩＤＴ電極１１０を平衡型端子１６１に接続するための接続電極１８１と，ＩＤＴ電極１１０を平衡型端子１６２に接続するための接続電極１８２と，ＩＤＴ電極１２０，１３０を不平衡型端子１７１に接続するための接続電極１９１と，反射器電極１４０，１５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０００６】
つぎに，従来の弾性表面波フィルタの構成についてより詳しく説明する。
【０００７】
圧電基板１００は，４０以上の実効比誘電率を有するタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）で構成され，板形状に形成された基板である。なお，実効比誘電率は，比誘電率テンソルε11T，ε33Tを用いて（ε11T×ε33T）1/2と定義される。
【０００８】
ＩＤＴ電極１１０は，圧電基板１００上に形成された（図１７（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極１１０の上部バスバー部分は接続電極１８１によって平衡型端子１６１に接続されており，ＩＤＴ電極１１０の下部バスバー部分は接続電極１８２によって平衡型端子１６２に接続されている。
【０００９】
ＩＤＴ電極１２０は，ＩＤＴ電極１１０と類似した構成を有しており，圧電基板１００上に形成された（図１７（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極１２０の上部バスバー部分は接続電極１９１によって不平衡型端子１７１に接続されており，ＩＤＴ電極１２０の下部バスバー部分は接地されている。
【００１０】
ＩＤＴ電極１３０は，ＩＤＴ電極１２０と類似した構成を有しており，圧電基板１００上に形成された（図１７（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極１３０の上部バスバー部分は接続電極１９１によって不平衡型端子１７１に接続されており，ＩＤＴ電極１３０の下部バスバー部分は接地されている。
【００１１】
反射器電極１４０は，圧電基板１００上に形成された（図１７（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。反射器電極１４０は，矢印Ｘの方向に伝搬してくる弾性表面波をＡ側に漏洩させずに反射するよう設計されている。
【００１２】
反射器電極１５０は，圧電基板１００上に形成された（図１７（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。反射器電極１５０は，矢印Ｙの方向に伝搬してくる弾性表面波をＡ′側に漏洩させずに反射するよう設計されている。
【００１３】
つぎに，上述した従来の弾性表面波フィルタの動作について説明する。
【００１４】
以下では，平衡型端子１６１，１６２が入力端子であり，不平衡型端子１７１が出力端子である場合について説明する（不平衡型端子１７１が入力端子であって平衡型端子１６１，１６２が出力端子である場合についても，同様である）。
【００１５】
入力電気信号が平衡型端子１６１，１６２から入力されると，圧電基板１００上に弾性表面波が励起される。励起された弾性表面波は，反射器電極１４０と反射器電極１５０との間に閉じ込められる。縦モード型の弾性表面波フィルタにおいては，このようにして生じた共振モードを利用してフィルタリングが行われ，出力電気信号が不平衡型端子１７１から取り出される。
【００１６】
ここで，図１８（ａ）〜（ｃ）を参照しながら，９００ＭＨｚ帯の通過帯域内における，従来の弾性表面波フィルタのバランス特性について説明する。なお，図１８（ａ）は従来の弾性表面波フィルタの周波数と通過特性との関係の説明図であり，図１８（ｂ）は従来の弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図であり，図１８（ｃ）は従来の弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図である。
【００１７】
図１８（ｂ）〜（ｃ）において，ｆ１は最小ロスから２ｄＢ下がった点における低域側周波数であり，ｆ２は同じく最小ロスから２ｄＢ下がった点における高域側周波数であり，ｆ０はｆ１とｆ２の中心周波数である。
【００１８】
従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性は，平衡型端子１６１と不平衡型端子１７１との間の信号の振幅と，平衡型端子１６２と不平衡型端子１７１との間の信号の振幅とのずれである。したがって，このずれがゼロとなったときには，振幅バランス特性の劣化はなく，最も理想的である。
【００１９】
また，従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特性は，平衡型端子１６１と不平衡型端子１７１との間の信号の位相と，平衡型端子１６２と不平衡型端子１７１との間の信号の位相との差の１８０度からのずれである。したがって，このずれがゼロとなったときには，位相バランス特性の劣化はなく，最も理想的である。
【００２０】
なお，不平衡型端子に接続されるＩＤＴ電極と圧電基板との間に形成された誘電体薄膜を備えた弾性表面波フィルタがある（たとえば，特許文献１〜３参照）。ただし，このような弾性表面波フィルタは平衡型端子に接続されるＩＤＴ電極を備えておらず，誘電体薄膜は周波数の調整や可溶性の圧電基板の保護に利用されている。
【００２１】
【特許文献１】
特開昭５２−３０３６０号公報
【特許文献２】
特開昭５２−３０３６１号公報
【特許文献３】
特開平１１−８８１０１号公報
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性は，通過帯域ｆ１≦ｆ≦ｆ２において，最小値−１．７ｄＢおよび最大値＋１．０ｄＢを有し，２．７ｄＢにもおよぶ変動幅を有する（図１８（ｂ）参照）。また，従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特性は，通過帯域ｆ１≦ｆ≦ｆ２において，最小値−８ｄｅｇおよび最大値＋９ｄｅｇを有し，１７ｄｅｇにもおよぶ変動幅を有する（図１８（ｃ）参照）。
【００２３】
このように，従来の弾性表面波フィルタにおいては，十分に良好なバランス特性を得ることができない（図１８（ａ）〜（ｃ）参照）。
【００２４】
なお，このような従来の弾性表面波フィルタのバランス特性が劣化してしまう原因に関しては，ほとんど議論されていない。
【００２５】
本発明は，上記従来のこのような課題を考慮し，より良好なバランス特性を得ることができる弾性表面波フィルタ，平衡型回路，および通信装置を提供することを目的とするものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明は、所定の圧電基板と，
前記圧電基板上に形成された，平衡型端子に接続される第一のＩＤＴ電極と，
前記圧電基板上に形成された，平衡型端子または不平衡型端子に接続される第二のＩＤＴ電極とを弾性表面波伝播路上に並設した縦モード型の弾性表面波フィルタにおいて，
前記第一のＩＤＴ電極を前記平衡型端子に接続するための第一の接続電極と，前記第二のＩＤＴ電極を前記平衡型端子または前記不平衡型端子に接続するための第二の接続電極と，を備え，
前記第一の接続電極と前記圧電基板との間，および，前記第二の接続電極と前記圧電基板との間には誘電体薄膜が形成されており，前記第一のＩＤＴ電極と前記圧電基板との間，および，前記第二のＩＤＴ電極と前記圧電基板との間には誘電体薄膜が形成されていない弾性表面波フィルタである。
第２の本発明は，前記誘電体薄膜は、前記第一の接続電極と前記第二の接続電極との間に発生する寄生容量がより抑制されるように形成されている第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第３の本発明は，前記第一のＩＤＴ電極，前記第二のＩＤＴ電極，前記第一の接続電極，前記第二の接続電極の内の少なくとも一つの上に形成された被覆誘電体薄膜を備えた第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第４の本発明は，前記第一のＩＤＴ電極，前記第二のＩＤＴ電極がその間に配置される二つの反射器電極をさらに備えた第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第５の本発明は，前記誘電体薄膜は，窒化珪素または酸化珪素を利用して構成されている第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第６の本発明は，前記圧電基板は，タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを利用して構成されている第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第７の本発明は，前記誘電体薄膜の実効比誘電率は前記圧電基板の実効比誘電率よりも小さい第１の本発明の弾性表面波フィルタである。
第８の本発明は，前記誘電体薄膜は，圧電性を有する第７の本発明の弾性表面波フィルタである。
第９の本発明は，前記圧電基板の実効比誘電率は４０以上である第７の本発明の弾性表面波フィルタである。
第１０の本発明は，送信に利用されるべき送信信号および／または受信に利用されるべき受信信号に対して所定の処理を行うための平衡型半導体と，前記平衡型半導体に接続された，前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う第１の本発明の弾性表面波フィルタとを備えた平衡型回路である。
第１１の本発明は，送信および／または受信を行う送信・受信手段と，前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う第１の本発明の弾性表面波フィルタとを備えた通信装置である。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下に，本発明にかかる実施の形態について，図面を参照しつつ説明を行う。
【００４５】
（実施の形態１）
はじめに，図１（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【００４６】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は上述した従来の弾性表面波フィルタのバランス特性と比較して良好であるが，その原因の理論的な考察などに関しては後に詳述する。
【００４７】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１（ａ）〜（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ（ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２１０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子２７１に接続するための接続電極２９１と，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【００４８】
なお，圧電基板２００は本発明の圧電基板に対応し，ＩＤＴ電極２１０は本発明の第一のＩＤＴ電極に対応し，ＩＤＴ電極２２０，２３０は本発明の第二のＩＤＴ電極に対応し，接続電極２８１〜２８２は本発明の第一の接続電極に対応し，接続電極２９１は本発明の第二の接続電極に対応し，誘電体薄膜２０１は本発明の誘電体薄膜に対応し，反射器電極２４０，２５０は本発明の反射器電極に対応する。また，平衡型端子２６１〜２６２は本発明の平衡型端子に対応し，不平衡型端子２７１は本発明の不平衡型端子に対応する。
【００４９】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１を備えた構成を有する点を特徴としている。
【００５０】
圧電基板２００は，４０以上の実効比誘電率を有するタンタル酸リチウムで構成され，板形状に形成された基板である。
【００５１】
誘電体薄膜２０１は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図１（ｂ）参照）膜厚ほぼ２００Åの薄膜である。誘電体薄膜２０１の膜厚（＝ｈ）を弾性表面波の波長（＝λ）で規格化した規格化膜厚（＝ｈ／λ）は，およそ０．５％である。誘電体薄膜２０１は，スパッタ法を利用して形成されている。
【００５２】
ＩＤＴ電極２１０は，誘電体薄膜２０１の上に形成された（図１（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２１０の上部バスバー部分は接続電極２８１によって平衡型端子２６１に接続されており，ＩＤＴ電極２１０の下部バスバー部分は接続電極２８２によって平衡型端子２６２に接続されている。
【００５３】
ＩＤＴ電極２２０は，ＩＤＴ電極２１０と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された（図１（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２２０の上部バスバー部分は接続電極２９１によって不平衡型端子２７１に接続されており，ＩＤＴ電極２２０の下部バスバー部分は接地されている。
【００５４】
ＩＤＴ電極２３０は，ＩＤＴ電極２２０と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された（図１（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２３０の上部バスバー部分は接続電極２９１によって不平衡型端子２７１に接続されており，ＩＤＴ電極２３０の下部バスバー部分は接地されている。
【００５５】
接続電極２８１〜２８２，２９１は，誘電体薄膜２０１の上に形成された電気的接続を与えるための電極である。
【００５６】
反射器電極２４０は，誘電体薄膜２０１の上に形成された（図１（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。反射器電極２４０は，矢印Ｘの方向に伝搬してくる弾性表面波をＡ側に漏洩させずに反射するよう設計されている。
【００５７】
反射器電極２５０は，誘電体薄膜２０１の上に形成された（図１（ｂ）参照）櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。反射器電極２５０は，矢印Ｙの方向に伝搬してくる弾性表面波をＡ′側に漏洩させずに反射するよう設計されている。
【００５８】
平衡型端子２６１〜２６２は，たとえば増幅器などの平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【００５９】
不平衡型端子２７１は，たとえばスイッチなどの不平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【００６０】
つぎに，本実施の形態の弾性表面波フィルタの動作について説明する。
【００６１】
以下では，平衡型端子２６１，２６２が入力端子であり，不平衡型端子２７１が出力端子である場合について説明する（不平衡型端子２７１が入力端子であって平衡型端子２６１，２６２が出力端子である場合についても，同様である）。
【００６２】
入力電気信号が平衡型端子２６１，２６２から入力されると，圧電基板２００上に弾性表面波が励起される。励起された弾性表面波は，反射器電極２４０と反射器電極２５０との間に閉じ込められる。縦モード型の弾性表面波フィルタにおいては，このようにして生じた共振モードを利用してフィルタリングが行われ，出力電気信号が不平衡型端子２７１から取り出される。
【００６３】
ここで，図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら，９００ＭＨｚ帯の通過帯域内における，本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性について説明する。なお，図２（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と通過特性との関係の説明図であり，図２（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図であり，図２（ｃ）は本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図である。
【００６４】
図２（ｂ）〜（ｃ）において，上述した従来の弾性表面波フィルタの場合と同様，ｆ１は最小ロスから２ｄＢ下がった点における低域側周波数であり，ｆ２は同じく最小ロスから２ｄＢ下がった点における高域側周波数であり，ｆ０はｆ１とｆ２の中心周波数である。
【００６５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性は，通過帯域ｆ１≦ｆ≦ｆ２において，最小値−１．７ｄＢおよび最大値＋０．８ｄＢを有し，２．５ｄＢの変動幅しか有しない（図２（ｂ）参照）。より具体的には，たとえば本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性の変動幅は，従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性の変動幅（図１８（ｂ）参照）より０．２ｄＢも小さい。
【００６６】
また，本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランス特性は，通過帯域ｆ１≦ｆ≦ｆ２において，最小値−５ｄｅｇおよび最大値＋９ｄｅｇを有し，１４ｄｅｇの変動幅しか有しない（図２（ｃ）参照）。より具体的には，たとえば本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランス特性の変動幅は，従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特性の変動幅（図１８（ｃ）参照）より３ｄｅｇも小さい。
【００６７】
このように，本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は，上述した従来の弾性表面波フィルタのバランス特性（図１８（ａ）〜（ｃ）参照）と比較して良好である。
【００６８】
本実施の形態の弾性表面波フィルタの通過特性（図２（ａ）参照）は，上述した従来の弾性表面波フィルタのバランス特性（図１８（ａ）参照）と比較して同等であるから，通過特性を劣化させることなく，バランス特性が改善できているといえる。
【００６９】
つぎに，本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性が上述した従来の弾性表面波フィルタのバランス特性と比較してかなり良好であるが，良好である原因の理論的な考察を詳細に行う。
【００７０】
まず，本発明者は，電極相互間に寄生容量が発生するために弾性表面波フィルタのバランス特性が劣化してしまうのではないかと予想してみた。
【００７１】
より具体的に述べると，本発明者は，図３に示されているように，従来の弾性表面波フィルタにおいては接続電極１８１と接続電極１９１との間に寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２が発生するために，そのバランス特性が劣化しているのではないかと予想した。なお，図３は，本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの平面図である。
【００７２】
そして，本発明者は，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２＝０．１ｐＦである場合について，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタに関する理論的なシミュレーションを行い，図４（ａ）〜（ｂ）に示されているようなシミュレーション結果を得た。なお，図４（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図（寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２＝０．１ｐＦである場合）であり，図４（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図（寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２＝０．１ｐＦである場合）である。
【００７３】
寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係は，図４（ａ）に示されているように，従来の弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係（図１８（ｂ）参照）の極めて良好な近似となっている。また，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係は，図４（ｂ）に示されているように，従来の弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係（図１８（ｃ）参照）の極めて良好な近似となっている。
【００７４】
よって，従来の弾性表面波フィルタにおいては電極相互間に寄生容量が発生してしまうために弾性表面波フィルタのバランス特性が劣化してしまうという上述の予想は，極めて的確であると考えられる。
【００７５】
また，ＩＤＴ電極１１０とＩＤＴ電極１２０，１３０との間や，接続電極１８１と接続電極１９１との間の電極相互間に発生する寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２（図３参照）が，バランス特性劣化原因として支配的であることが，明らかとなった。
【００７６】
つぎに，本発明者は，このような寄生容量が増大するにしたがって弾性表面波フィルタのバランス特性は劣化するのではないかと予想してみた。
【００７７】
そして，本発明者は，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２が０．１，０．２，０．３，０．４ｐＦである場合について，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタに関する理論的なシミュレーションを行い，図５（ａ）〜（ｂ）に示されているようなシミュレーション結果を得た。なお，図５（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と振幅バランス特性の最大値および最小値との関係の説明図であり，図５（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と位相バランス特性の最大値および最小値との関係の説明図である。
【００７８】
寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と振幅バランス特性の最大値および最小値との関係は，図５（ａ）に示されているように，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２が増大するにしたがって最大値は増加し最小値は減少するものである。また，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と位相バランス特性の最大値および最小値との関係は，図５（ｂ）に示されているように，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２が増大するにしたがって最大値は増加し最小値は減少するものである。
【００７９】
よって，寄生容量が増大するにしたがって弾性表面波フィルタのバランス特性は劣化するという上述の予想は，極めて的確であると考えられる。
【００８０】
つぎに，本発明者は，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２を小さく抑圧して弾性表面波フィルタのバランス特性を良化させるためには，ＩＤＴ電極や接続電極と圧電基板との間に誘電体薄膜を形成すればよいのではないかと予想してみた。
【００８１】
そこで，本発明者は，図１９に示されているように電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成された場合における電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に発生する寄生容量を，つぎのように考えた。なお，図１９は，本発明にかかる実施の形態１の，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成された場合の寄生容量の説明図である。
【００８２】
すなわち，電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に形成される容量は，（１）薄膜Ｆによる容量Ｃｆ１と基板Ｓによる容量Ｃｓと薄膜Ｆによる容量Ｃｆ２との直列容量と，（２）薄膜Ｆによる容量Ｃｆ３と，（３）空気部分Ａによる容量Ｃａとの合成容量
【００８３】
【数１】
（Ｃｆ１-1＋Ｃｓ-1＋Ｃｆ２-1）-1＋Ｃｆ３＋Ｃａ
で近似することができる。なお，電極Ｅ１，Ｅ２の上にある空気部分Ａは，自由空間と考えている。
【００８４】
また，本発明者は，図２０に示されているように電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成されない場合における電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に発生する寄生容量を，つぎのように考えた。なお，図２０は，本発明にかかる実施の形態１の，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成されない場合の寄生容量の説明図である。
【００８５】
すなわち，電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に形成される容量は，（１）基板Ｓによる容量Ｃｓと，（２）空気部分Ａによる容量Ｃａとの合成容量
【００８６】
【数２】
Ｃｓ＋Ｃａ
で近似することができる。
【００８７】
したがって，
【００８８】
【数３】
（Ｃｆ１-1＋Ｃｓ-1＋Ｃｆ２-1）-1＋Ｃｆ３＜Ｃｓ
が満足されるように薄膜Ｆの誘電率や厚みを選ぶことにより，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成された場合における電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に形成される容量を，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成されない場合における電極Ｅ１と電極Ｅ２との間に形成される容量よりも小さくすることができる。
【００８９】
よって，上述の寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２を小さく抑圧して弾性表面波フィルタのバランス特性を良化させるためには，ＩＤＴ電極や接続電極と圧電基板との間に誘電体薄膜を形成すればよいという上述の予想は，極めて的確であると考えられる。
【００９０】
もちろん，誘電体薄膜の誘電率が小さいほど，上述の寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２は小さく抑圧されるから（（数１）参照），弾性表面波フィルタのバランス特性が良化する。よって，水晶などの低誘電率物質ではなくタンタル酸リチウムなどの高誘電率物質を利用して圧電基板を構成した場合にも，より小さい誘電率を有する誘電体薄膜を利用することにより，バランス特性を改善することができる。なお，薄膜Ｆの膜厚は，圧電基板Ｓの結合係数をも考慮し，対応すべき周波数帯域におけるフィルタ特性が良好となるように選び，近時の周波数帯広域化に対応する必要がある。
【００９１】
本発明者は，上述した理論的な考察を実験的に裏付けるために，図６（ａ）〜（ｂ）に示されているようなＩＤＴ電極２１０′，接続電極２８１′と圧電基板２００′との間に誘電体薄膜２０１′が形成された（ただし，誘電体薄膜２０１′の膜厚が０Åである場合には誘電体薄膜２０１′が形成されていない）共振器の容量特性を調べたところ，図７に示されているような容量特性を得た。なお，図６（ａ）は本発明にかかる実施の形態１の共振器の平面図であり，図６（ｂ）は本発明にかかる実施の形態１の共振器のＡ−Ａ′断面図である。また，図７  は本発明にかかる実施の形態１の共振器の膜厚と規格化容量との関係の説明図である。
【００９２】
かくして誘電体薄膜を形成することで容量を低減し，バランス特性を改善できることが，実験的にも裏付けられた。
【００９３】
なお，規格化膜厚は，本実施の形態においては，およそ０．５％であったが，これ以外であってもよい。
【００９４】
（実施の形態２）
はじめに，図８〜９を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図８は本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの平面図である。また，図９は本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの部分拡大断面図である。
【００９５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図８〜９に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ電極２１０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子２７１に接続するための接続電極２９１と，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０２と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【００９６】
なお，誘電体薄膜２０２は本発明の誘電体薄膜に対応する。
【００９７】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【００９８】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図９に示されているように，たとえばＩＤＴ電極２１０の電極指間Ｐなど，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の下にはない部分がこれらをエッチングする際にオーバーエッチングされた誘電体薄膜２０２を備えた構成を有する点を特徴としている。
【００９９】
誘電体薄膜２０２は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図９参照）薄膜である。誘電体薄膜２０２は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１００】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１０１】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様，従来の弾性表面波フィルタと比較してより良好なバランス特性を有する。
【０１０２】
（実施の形態３）
はじめに，図１０（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１０（ａ）は本発明にかかる実施の形態３の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１０（ｂ）は本発明にかかる実施の形態３の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【０１０３】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１０（ａ）〜（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ電極２１０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子２７１に接続するための接続電極２９１と，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０と圧電基板２００との間に形成された誘電体薄膜２０３と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１０４】
なお，誘電体薄膜２０３は本発明の誘電体薄膜に対応する。
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１０５】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１０（ｂ）に示されているように，たとえばＩＤＴ電極２１０の電極指間Ｐなど，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０の下にはない部分には形成されず，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０の下にある部分にのみ形成された誘電体薄膜２０３を備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１０６】
誘電体薄膜２０３は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に形成された（図１０（ｂ）参照）薄膜である。誘電体薄膜２０３は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１０７】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１０８】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０などの下にある部分に誘電体薄膜２０４が形成されていることでＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０による容量成分が低減されており，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様，良好なバランス特性を有する。
【０１０９】
（実施の形態４）
はじめに，図１１（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１１（ａ）は本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１１（ｂ）は本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【０１１０】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１１（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４に接続されるＩＤＴ電極２１０と，不平衡型端子パッド電極２７２に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子パッド電極２７２に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子パッド電極２６３に接続するための接続電極２８３と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子パッド電極２６４に接続するための接続電極２８４と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子パッド電極２７２に接続するための接続電極２９２と，接続電極２８３〜２８４，２９２と圧電基板２００との間に形成された誘電体薄膜２０４と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１１１】
なお，接続電極２８３〜２８４は本発明の第一の接続電極に対応し，接続電極２９２は本発明の第二の接続電極に対応し，誘電体薄膜２０４は本発明の誘電体薄膜に対応する。また，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４は本発明の平衡型端子に対応し，不平衡型端子パッド電極２７２は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１１２】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１１３】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１１（ａ）〜（ｂ）に示されているように，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０などの下にある部分には形成されず，接続電極２８３〜２８４，２９２の下にある部分にのみ形成された誘電体薄膜２０４を備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１１４】
誘電体薄膜２０４は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に形成された（図１０（ｂ）参照）薄膜である。誘電体薄膜２０４は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１１５】
接続電極２８３は，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。
【０１１６】
接続電極２８４は，接続電極２８３と同様，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。
【０１１７】
接続電極２９２は，接続電極２８３と同様，誘電体薄膜２０４の上に形成された線路形状をもつ電極であり，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。
【０１１８】
平衡型端子パッド電極２６３〜２６４は，ワイヤ実装またはフェースダウン実装時の取り出し電極である。
【０１１９】
不平衡型端子パッド電極２７２は，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４と同様，ワイヤ実装またはフェースダウン実装時の取り出し電極である。
【０１２０】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態２の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１２１】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，接続電極２８３〜２８４，２９２，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４，不平衡型端子パッド電極２７２などの下にある部分に誘電体薄膜２０４が形成されることで接続電極２８３〜２８４，２９２，平衡型端子パッド電極２６３〜２６４，不平衡型端子パッド電極２７２による容量成分が低減されており，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様，良好なバランス特性を有する。
【０１２２】
（実施の形態５）
はじめに，図１２（ａ）〜（ｂ）を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１２（ａ）は本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタの平面図であり，図１２（ｂ）は本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【０１２３】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１２（ａ）〜（ｂ）に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ電極２１０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２２０と，不平衡型端子２７１に接続されるＩＤＴ電極２３０と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２０，２３０を不平衡型端子２７１に接続するための接続電極２９１と，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０５と，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上に面形状に形成された被覆誘電体薄膜２０６と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１２４】
なお，被覆誘電体薄膜２０６は本発明の被覆誘電体薄膜に対応する。
【０１２５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１２６】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１２（ｂ）に示されているように，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上に面形状に形成された被覆誘電体薄膜２０６を備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１２７】
誘電体薄膜２０５は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，圧電基板２００上に面形状に形成された（図１２（ｂ）参照）薄膜である。誘電体薄膜２０５は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１２８】
被覆誘電体薄膜２０６は，ほぼ１０程度の実効比誘電率を有する窒化珪素で構成され，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上に面形状に形成された（図１２（ｂ）参照）薄膜である。被覆誘電体薄膜２０６は，スパッタ法を利用して形成されている。
【０１２９】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１３０】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，ＩＤＴ電極２１０，２２０，２３０，接続電極２８１〜２８２，２９１の上にある部分にも被覆誘電体薄膜２０６が形成されているため，パッシベーションの作用を有する。
【０１３１】
（実施の形態６）
はじめに，図１３を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１３は本発明にかかる実施の形態６の弾性表面波フィルタの平面図である。
【０１３２】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１３に示されているように，圧電基板２００と，不平衡型端子２６５に接続されるＩＤＴ電極２１１と，平衡型端子２７３に接続されるＩＤＴ電極２２１と，平衡型端子２７４に接続されるＩＤＴ電極２３１と，ＩＤＴ電極２１１を不平衡型端子２６５に接続するための接続電極２８５と，ＩＤＴ電極２２１を平衡型端子２７３に接続するための接続電極２９３と，ＩＤＴ電極２３１を平衡型端子２７４に接続するための接続電極２９４と，ＩＤＴ電極２１１，２２１，２３１，接続電極２８５，２９３〜２９４と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１３３】
なお，ＩＤＴ電極２１１は本発明の第二のＩＤＴ電極に対応し，ＩＤＴ電極２２１，２３１は本発明の第一のＩＤＴ電極に対応し，接続電極２８５は本発明の第二の接続電極に対応し，接続電極２９３〜２９４は本発明の第一の接続電極に対応する。また，平衡型端子２７３〜２７４は本発明の平衡型端子に対応し，不平衡型端子２６５は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１３４】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１３５】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，不平衡型端子２６５に接続されるＩＤＴ電極２１１と，平衡型端子２７３に接続されるＩＤＴ電極２２１と，平衡型端子２７４に接続されるＩＤＴ電極２３１と，ＩＤＴ電極２１１を不平衡型端子２６５に接続するための接続電極２８５と，ＩＤＴ電極２２１を平衡型端子２７３に接続するための接続電極２９３と，ＩＤＴ電極２３１を平衡型端子２７４に接続するための接続電極２９４とを備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１３６】
ＩＤＴ電極２１１は，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２１１の上部バスバー部分は接続電極２８５によって平衡型端子２６５に接続されており，ＩＤＴ電極２１１の下部バスバー部分は接地されている。
【０１３７】
ＩＤＴ電極２２１は，ＩＤＴ電極２１１と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２２１の上部バスバー部分は接地されており，ＩＤＴ電極２２１の下部バスバー部分は接続電極２９３によって平衡型端子２７３に接続されている。
【０１３８】
ＩＤＴ電極２３１は，ＩＤＴ電極２２１と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２３１の上部バスバー部分は接地されており，ＩＤＴ電極２３１の下部バスバー部分は接続電極２９４によって平衡型端子２７４に接続されている。
【０１３９】
接続電極２８５，２９３〜２９４は，誘電体薄膜２０１の上に形成された電気的接続を与えるための電極である。
【０１４０】
平衡型端子２７３〜２７４は，たとえば増幅器などの平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【０１４１】
不平衡型端子２６５は，たとえばスイッチなどの不平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【０１４２】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１４３】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタのバランス特性と同様に良好である。
【０１４４】
（実施の形態７）
はじめに，図１４を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１４は本発明にかかる実施の形態７の弾性表面波フィルタの平面図である。
【０１４５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１４に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ電極２１０と，平衡型端子２７５〜２７６に接続されるＩＤＴ電極２２２と，平衡型端子２７５〜２７６に接続されるＩＤＴ電極２３２と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２２，２３２を平衡型端子２７５に接続するための接続電極２９５と，ＩＤＴ電極２２２，２３２を平衡型端子２７６に接続するための接続電極２９６と，ＩＤＴ電極２１０，２２２，２３２，接続電極２８１〜２８２，２９５〜２９６と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１４６】
なお，ＩＤＴ電極２２２，２３２は本発明の第二のＩＤＴ電極に対応し，接続電極２９５〜２９６は本発明の第二の接続電極に対応する。また，平衡型端子２７５〜２７６は本発明の平衡型端子に対応する。
【０１４７】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１４８】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，平衡型端子２７５〜２７６に接続されるＩＤＴ電極２２２と，平衡型端子２７５〜２７６に接続されるＩＤＴ電極２３２と，ＩＤＴ電極２２２，２３２を平衡型端子２７５に接続するための接続電極２９５と，ＩＤＴ電極２２２，２３２を平衡型端子２７６に接続するための接続電極２９６とを備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１４９】
ＩＤＴ電極２２２は，ＩＤＴ電極２１０と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２２２の上部バスバー部分は接続電極２９５によって平衡型端子２７５に接続されており，ＩＤＴ電極２２２の下部バスバー部分は接続電極２９６によって平衡型端子２７６に接続されている。
【０１５０】
ＩＤＴ電極２３２は，ＩＤＴ電極２２２と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２３２の上部バスバー部分は接続電極２９５によって平衡型端子２７５に接続されており，ＩＤＴ電極２３２の下部バスバー部分は接続電極２９６によって平衡型端子２７６に接続されている。
【０１５１】
接続電極２９５〜２９６は，誘電体薄膜２０１の上に形成された電気的接続を与えるための電極である。
【０１５２】
平衡型端子２７５〜２７６は，たとえば増幅器などの平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【０１５３】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１５４】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタのバランス特性と同様に良好である。
【０１５５】
（実施の形態８）
はじめに，図１５を参照しながら，本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成について説明する。なお，図１５は本発明にかかる実施の形態８の弾性表面波フィルタの平面図である。
【０１５６】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，図１５に示されているように，圧電基板２００と，平衡型端子２６１〜２６２に接続されるＩＤＴ電極２１０と，平衡型端子２７７に接続されるＩＤＴ電極２２３と，平衡型端子２７８に接続されるＩＤＴ電極２３３と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６１に接続するための接続電極２８１と，ＩＤＴ電極２１０を平衡型端子２６２に接続するための接続電極２８２と，ＩＤＴ電極２２３を平衡型端子２７７に接続するための接続電極２９７と，ＩＤＴ電極２３３を平衡型端子２７８に接続するための接続電極２９８と，ＩＤＴ電極２１０，２２３，２３３，接続電極２８１〜２８２，２９７〜２９８と圧電基板２００との間に面形状に形成された誘電体薄膜２０１と，反射器電極２４０，２５０とを備えた縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１５７】
なお，ＩＤＴ電極２２３，２３３は本発明の第二のＩＤＴ電極に対応し，接続電極２９７〜２９８は本発明の第二の接続電極に対応する。また，平衡型端子２７７〜２７８は本発明の平衡型端子に対応する。
【０１５８】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１（ａ）〜（ｂ）参照）と類似した構成を有している。
【０１５９】
ただし，本実施の形態の弾性表面波フィルタは，平衡型端子２７７に接続されるＩＤＴ電極２２３と，平衡型端子２７８に接続されるＩＤＴ電極２３３と，ＩＤＴ電極２２３を平衡型端子２７７に接続するための接続電極２９７と，ＩＤＴ電極２３３を平衡型端子２７８に接続するための接続電極２９８とを備えた構成を有する点を特徴としている。
【０１６０】
ＩＤＴ電極２２３は，ＩＤＴ電極２１０と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２２３の上部バスバー部分は接続電極２９７によって平衡型端子２７７に接続されており，ＩＤＴ電極２２３の下部バスバー部分は接地されている。
【０１６１】
ＩＤＴ電極２３３は，ＩＤＴ電極２２３と類似した構成を有しており，誘電体薄膜２０１の上に形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有している。これらの電極指は，抵抗が小さいアルミ合金の金属薄膜で構成されている。ＩＤＴ電極２３３の上部バスバー部分は接続電極２９８によって平衡型端子２７８に接続されており，ＩＤＴ電極２３３の下部バスバー部分は接地されている。
【０１６２】
接続電極２９７〜２９８は，誘電体薄膜２０１の上に形成された電気的接続を与えるための電極である。
【０１６３】
平衡型端子２７７〜２７８は，たとえば増幅器などの平衡型の機器（図示省略）に対する接続を行うために利用される端子である。
【０１６４】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと同様な動作を行う。
【０１６５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのバランス特性は，上述した実施の形態１の弾性表面波フィルタのバランス特性と同様に良好である。
【０１６６】
（実施の形態９）
はじめに，本発明の実施の形態９の通信装置の構成図である図１６を主として参照しながら，本実施の形態の通信装置の構成について説明する。
【０１６７】
本実施の形態の通信装置は，送信を行うための送信回路１００１と，受信を行うための受信回路１００８と，送信に利用すべき送信信号に対してフィルタリングを行うための弾性表面波フィルタ１００３と，受信に利用すべき受信信号に対してフィルタリングを行うための弾性表面波フィルタ１００６とを備えている。
【０１６８】
なお，送信回路１００１および受信回路１００８を含む手段は本発明の送信・受信手段に対応し，送信増幅器１００２，受信増幅器１００７は本発明の平衡型半導体に対応し，弾性表面波フィルタ１００３，１００６は本発明の弾性表面波フィルタに対応する。また，送信増幅器１００２，受信増幅器１００７，および弾性表面波フィルタ１００３，１００６を含む手段は，本発明の平衡型回路に対応する。
【０１６９】
送信回路１００１は，送信増幅器１００２，弾性表面波フィルタ１００３，スイッチ１００４を介してアンテナ１００５から送信信号を送信するための回路である。
【０１７０】
受信回路１００８は，アンテナ１００５より受信された受信信号をスイッチ１００４，弾性表面波フィルタ１００６，受信増幅器１００７を介して入力するための回路である。
【０１７１】
送信増幅器１００２は，送信に利用されるべき送信信号に対して増幅処理を行うための平衡型の高出力増幅器である。
【０１７２】
受信増幅器１００７は，受信に利用されるべき受信信号に対して増幅処理を行うための平衡型の低雑音増幅器である。
【０１７３】
弾性表面波フィルタ１００３は，前述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと類似した構成を有する送信フィルタである。弾性表面波フィルタ１００３は，平衡型の送信増幅器１００２と不平衡型のスイッチ１００４とを接続するための平衡型端子および不平衡型端子を有している。
【０１７４】
弾性表面波フィルタ１００６は，前述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと類似した構成を有する受信フィルタである。弾性表面波フィルタ１００６は，平衡型の受信増幅器１００７と不平衡型のスイッチ１００４とを接続するための平衡型端子および不平衡型端子を有している。
【０１７５】
つぎに，本実施の形態の通信装置の動作について説明する。
【０１７６】
受信を行う場合についても同じことであるので，送信を行う場合の送信動作について説明する。
【０１７７】
送信回路１００１は，送信すべき送信信号を送信増幅器１００２に対して出力する。
【０１７８】
送信増幅器１００２は，送信回路１００１によって出力された送信信号を入力して増幅し，その増幅した送信信号を弾性表面波フィルタ１００３に対して出力する。
【０１７９】
弾性表面波フィルタ１００３は，送信増幅器１００２によって出力された増幅後の送信信号を平衡型端子より入力してフィルタリングし，そのフィルタリングした送信信号をスイッチ１００４に対して不平衡型端子より出力する。
【０１８０】
スイッチ１００４は，弾性表面波フィルタ１００３によって出力されたフィルタリング後の送信信号を入力し，その送信信号をアンテナ１００５から無線送信する。
【０１８１】
弾性表面波フィルタ１００３は前述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと類似した構成を有しており，良好なバランス特性を確保することが可能となって，本実施の形態の通信装置は高性能な送信動作を実現することができる。
【０１８２】
もちろん，弾性表面波フィルタ１００６も前述した実施の形態１の弾性表面波フィルタと類似した構成を有するゆえ，本実施の形態の通信装置は同様の理由で高性能な受信動作を実現することもできる。
【０１８３】
以上においては，本実施の形態１〜９について詳細に説明した。
【０１８４】
なお，本発明の第一のＩＤＴ電極は，上述した本実施の形態においては，一個または二個であったが，これに限らず，三個以上であってもよい。
【０１８５】
また，本発明の第二のＩＤＴ電極は，上述した本実施の形態においては，一個または二個であったが，これに限らず，三個以上であってもよい。
【０１８６】
たとえば，第一のＩＤＴ電極を二個，第二のＩＤＴ電極を三個（または，第一のＩＤＴ電極を三個，第二のＩＤＴ電極を二個）とすれば，五電極の縦モード型の弾性表面波フィルタを構成することができる。
【０１８７】
また，本発明の第一のＩＤＴ電極は，上述した本実施の形態においては，アルミ合金で形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有していた。しかし，これに限らず，本発明の第一のＩＤＴ電極は，たとえばＣｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｌ−Ｃｕ合金などで形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有していてもよい。
【０１８８】
また，本発明の第二のＩＤＴ電極は，上述した本実施の形態においては，アルミ合金で形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有していた。しかし，これに限らず，本発明の第二のＩＤＴ電極は，たとえばＣｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｌ−Ｃｕ合金などで形成された櫛歯形状をもつ電極指を複数本有していてもよい。
【０１８９】
もちろん，これらの複数本の櫛歯形状をもつ電極指は，電極指が一本ずつ交互に配置された形状のシングル電極を形成していてもよいし，電極指が二本ずつ交互に配置された形状のダブル電極を形成していてもよい。もちろん，いわゆる間引きやアポタイズなどの重み付けが利用されていてもよい。
【０１９０】
また，本発明の誘電体薄膜は，上述した本実施の形態においては，窒化珪素を利用して構成されていた。しかし，これに限らず，本発明の誘電体薄膜は，たとえば，酸化珪素（ＳｉＯ）などを利用して構成されていてもよい。
【０１９１】
また，本発明の被覆誘電体薄膜は，上述した本実施の形態においては，窒化珪素を利用して構成されていた。しかし，これに限らず，本発明の被覆誘電体薄膜は，たとえば，酸化珪素（ＳｉＯ）などを利用して構成されていてもよい。
【０１９２】
もちろん，誘電体薄膜と被覆誘電体薄膜とは，上述した本実施の形態においては，同一の物質を利用して構成されていたが，これに限らず，同一の物質を利用して構成されていなくてもよい。たとえば，誘電体薄膜２０５（図１２（ｂ）参照）が窒化珪素を利用して構成されており，被覆誘電体薄膜２０６（図１２（ｂ）参照）が酸化珪素を利用して構成されていてもよい。
【０１９３】
また，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化鉛（ＺｎＯ）などのように圧電性を有する薄膜を利用し，圧電基板の実効比誘電率よりも小さい実効比誘電率を有する誘電体薄膜を形成してもよい。
【０１９４】
また，本発明の圧電基板は，上述した本実施の形態においては，タンタル酸リチウムを利用して構成されていた。しかし，これに限らず，本発明の基板は，たとえば，ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3），ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）などを利用して構成されていてもよい。
【０１９６】
また，本発明の平衡型半導体は，上述した本実施の形態においては，平衡型の増幅器であったが，これに限らず，たとえば，平衡型の混合器であってもよい。
【０１９７】
【発明の効果】
以上述べたところから明らかなように，本発明は，弾性表面波フィルタにおいてより良好なバランス特性を得ることができるという長所を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの平面図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【図２】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と通過特性との関係の説明図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図である。
（ｃ）本発明にかかる実施の形態１の弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図である。
【図３】本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの平面図である。
【図４】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図（寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２＝０．１ｐＦである場合）である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２の発生を仮定した弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図（寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２＝０．１ｐＦである場合）である。
【図５】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と振幅バランス特性の最大値および最小値との関係の説明図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態１の，寄生容量Ｃｐ１＝Ｃｐ２と位相バランス特性の最大値および最小値との関係の説明図である。
【図６】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の共振器の平面図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態１の共振器のＡ−Ａ′断面図である。
【図７】本発明にかかる実施の形態１の共振器の膜厚と規格化容量との関係の説明図である。
【図８】本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの平面図である。
【図９】本発明にかかる実施の形態２の弾性表面波フィルタの部分拡大断面図である。
【図１０】（ａ）本発明にかかる実施の形態３の弾性表面波フィルタの平面図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態３の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【図１１】（ａ）本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタの平面図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態４の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【図１２】（ａ）本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタの平面図である。
（ｂ）本発明にかかる実施の形態５の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【図１３】本発明にかかる実施の形態６の弾性表面波フィルタの平面図である。
【図１４】本発明にかかる実施の形態７の弾性表面波フィルタの平面図である。
【図１５】本発明にかかる実施の形態８の弾性表面波フィルタの平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態９の通信装置の構成図である。
【図１７】（ａ）従来の弾性表面波フィルタの平面図である。
（ｂ）従来の弾性表面波フィルタのＡ−Ａ′断面図である。
【図１８】（ａ）従来の弾性表面波フィルタの周波数と通過特性との関係の説明図である。
（ｂ）従来の弾性表面波フィルタの周波数と振幅バランス特性との関係の説明図である。
（ｃ）従来の弾性表面波フィルタの周波数と位相バランス特性との関係の説明図である。
【図１９】本発明にかかる実施の形態１の，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成された場合の寄生容量の説明図である。
【図２０】本発明にかかる実施の形態１の，電極Ｅ１，Ｅ２と基板Ｓとの間に薄膜Ｆが形成されない場合の寄生容量の説明図である。
【符号の説明】
２００  圧電基板
２０１  誘電体薄膜
２１０，２２０，２３０  ＩＤＴ電極
２４０，２５０  反射器電極
２６１〜２６２  平衡型端子
２７１  不平衡型端子
２８１〜２８２，２９１  接続電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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