(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた下層配線及びこの下層配線と空隙を介して交差する上層配線から構成されたエアブリッジ配線と、
このエアブリッジ配線を覆うように設けられた誘電体層とを備え、
前記基板はＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰのうち少なくとも１つよりなり、前記下層配線と前記上層配線はＡｕよりなり、前記基板上にて周波数帯の上限が７６．５ＧＨｚの高周波信号を伝送すると共に、
前記誘電体層は、前記下層配線と前記上層配線との間の空隙に充填され、且つ、前記上層配線の上を覆うように設けられ、前記誘電体層の比誘電率をε１とし、前記下層配線と前記上層配線との間の距離をＨμｍとしたときに、Ｈ／ε１≧０．８が成り立つように構成したことを特徴とする高周波回路構造。
【請求項２】
前記誘電体層の上を覆うように設けられた第２の誘電体層を備え、
前記第２の誘電体層の比誘電率をε２としたときに、ε１＜ε２が成り立つように構成したことを特徴とする請求項１記載の高周波回路構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エアブリッジ配線を備えて成る高周波回路構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波回路構造において配線構造を多層化する場合、高周波特性を良くするために、通常、エアブリッジ配線を用いることが多い。エアブリッジ配線を用いた構成の例として、特開平８−８３４０号や特開平７−１３５２５１号や特開平５−２２００１号に記載された構成がある。上記エアブリッジ配線は、基板上に設けられた下層配線と、この下層配線と空隙を介して交差する上層配線とから構成されている。この構成の場合、下層配線と上層配線との間の空隙に空気が介在されることから、エアブリッジ配線部分での挿入損失や反射が低減される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、いわゆるベアチップ実装することが多くなってきており、ＭＭＩＣ等からなる高周波回路構造（高周波半導体装置）においても、ベアチップのまま実装することが要請されている。この場合、ベアチップのまま取り扱うためには、湿気やほこり等からチップを保護するために、チップの表面を樹脂封止することが好ましい。実際、ＬＳＩ等のベアチップにおいては、チップの表面を樹脂封止していた。しかし、上記構成の高周波回路構造の場合、チップの表面を樹脂封止すると、エアブリッジ配線の空隙に樹脂が充填されてしまい、エアブリッジ配線部分での挿入損失や反射が大きくなるという問題点があった。特に、ミリ波帯の高周波信号を扱う高周波回路構造の場合、エアブリッジ配線部分で挿入損失や反射がかなり大きくなることがわかった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、高周波回路構造の表面を樹脂封止するように構成しながら、エアブリッジ配線部分で挿入損失や反射が大きくなることを防止できる高周波回路構造を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明においては、基板上に設けられた下層配線及びこの下層配線と空隙を介して交差する上層配線から構成されたエアブリッジ配線と、このエアブリッジ配線を覆うように設けられた誘電体層とを備え、前記基板はＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰのうち少なくとも１つよりなり、前記下層配線と前記上層配線はＡｕよりなり、前記基板上にて周波数帯の上限が７６．５ＧＨｚの高周波信号を伝送すると共に、前記誘電体層は、前記下層配線と前記上層配線との間の空隙に充填され、且つ、前記上層配線の上を覆うように設けられ、前記誘電体層の比誘電率をε１とし、前記下層配線と前記上層配線との間の距離をＨμｍとしたときに、Ｈ／ε１≧０．８が成り立つように構成した。このように構成したとき、本発明者は、実験等によりエアブリッジ配線部分での挿入損失や反射が低減することを確認した。
【０００６】
上記構成の場合、請求項２の発明のように、前記誘電体層の上を覆うように設けられた第２の誘電体層を備え、前記第２の誘電体層の比誘電率をε２としたときに、ε１＜ε２が成り立つように構成することが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit ）に適用した第１の実施例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。まず、図２は、本実施例のＭＭＩＣの一部分である例えば伝送線路１に対応する部分を示す部分斜視図である。この伝送線路１は、例えばコプレーナ線路で構成されており、信号線路２とこの信号線路２の両側に設けられた接地導体３、３とを有している。信号線路２及び接地導体３、３は、基板４の上面に設けられている。上記基板４は、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等からなる半導体基板である。
【００１８】
本実施例の場合、信号線路２の線路幅ｄ１は例えば５０μｍに設定され、線路間隔（信号線路２と接地導体３との間隔）ｄ２は例えば４３μｍに設定され、伝送線路１の線路長ｄ３は例えば１１４０μｍに設定されている。更に、信号線路２、接地導体３は例えば金（Ａｕ）により形成されている。
【００１９】
また、両側の接地導体３は、例えば２個のブリッジ５、５により接続されており、上記接地導体３、３間は同電位に保持されている。上記ブリッジ５は例えば金（Ａｕ）により形成されている。そして、上記ブリッジ５が本発明の上層配線を構成しており、以下、ブリッジ５を上層配線と呼ぶ。この上層配線５と、該上層配線５の下方に配設された信号線路２とからエアブリッジ配線６が構成されている。この場合、信号線路２が本発明の下層配線を構成している。尚、エアブリッジ配線６を、エアブリッジ構造と呼んでも良い。
【００２０】
さて、上記エアブリッジ配線６の具体的構成について、図１を参照して説明する。図１はエアブリッジ配線６の断面構成を概略的に示す模式図である。この図１に示すように、基板４上に設けられた下層配線２と、上層配線５とは、空隙７を介して交差している。この空隙７の上下方向の寸法Ｈは、例えば２．５μｍに設定されている。この寸法Ｈを、エアブリッジ配線６の高さ、または、下層配線２と上層配線５との間の距離と呼ぶことも好ましい。
【００２１】
そして、下層配線２と上層配線５との間の空隙７には、例えばポリイミドからなる第１の誘電体層８が充填されている。この第１の誘電体層８は、上記空隙７を充填すると共に、上層配線５の上を覆うようにも設けられている。更に、第１の誘電体層８の上には、例えばポリイミドからなる第２の誘電体層９が設けられている。上記ポリイミドは、保護膜としての機能を有しており、湿気やほこり等に十分耐えられる機能を持つ。
【００２２】
この構成の場合、第１の誘電体層８の比誘電率をε１とすると共に、第２の誘電体層９の比誘電率をε２としたときに、ε１＜ε２の関係が成り立つように構成されている。具体的には、ε１を２．５と設定し、ε２を３．５と設定した。これにより、比誘電率が異なる２つの誘電体層８、９がエアブリッジ配線６を覆う構成となっている。
【００２３】
さて、上述した構成の本実施例の伝送線路１のモデルについて、コンピュータを用いてシミュレーションを行い、そのエアブリッジ配線６の部分のＳパラメータを解析してみた。このとき、高周波信号の周波数は、７６．５ＧＨｚとした。その解析結果は、ＳパラメータのうちのＳ１１が−２４．２ｄＢとなり、Ｓ２１が−０．１３ｄＢとなった。尚、上記Ｓ１１は入力反射係数（反射損失ともいう）、Ｓ２１は順方向伝達係数（挿入損失ともいう）である。
【００２４】
ここで、エアブリッジ配線６を１層の誘電体層で覆うように構成したモデルを比較例として、そのＳパラメータを解析してみた。この場合、上記１層の誘電体層の比誘電率を３．５とし、それ以外の比較例の構成は第１の実施例と同じ構成とし、高周波信号の周波数を７６．５ＧＨｚとした。その解析結果は、Ｓ１１が−１４．７ｄＢとなり、Ｓ２１が−０．２８ｄＢとなった。
【００２５】
従って、２層の誘電体層８、９を備えた第１の実施例の方が、１層の誘電体層を備えた比較例よりも、Ｓ１１が小さくなると共に、Ｓ２１が大きくなることがわかった。この結果、第１の実施例の方が、比較例よりも、反射及び挿入抵抗が低減されること、即ち、高周波特性が改善されることがわかった。
【００２６】
更に、上記第１の実施例と上記比較例について、高周波信号の周波数を５９．５〜７６．５ＧＨｚの間で変化させたときの、Ｓパラメータ（Ｓ１１、Ｓ２１）を解析し、その解析結果を図３に示した。この図３において、曲線Ｐ１が第１の実施例のＳ１１であり、曲線Ｐ２が比較例のＳ１１であり、曲線Ｐ３が第１の実施例のＳ２１であり、曲線Ｐ４が比較例のＳ２１である。この図３から、５９．５〜７６．５ＧＨｚのすべての周波数において、第１の実施例の方が、比較例よりも、反射及び挿入抵抗が低減されること（即ち、高周波特性が改善されること）が明確にわかる。
【００２７】
次に、上記第１の実施例のエアブリッジ配線６を製造する方法について、簡単に説明する。この場合、まず、従来から周知の方法により、基板４に下層配線２と上層配線５を設ける工程（即ち、エアブリッジ配線６を作成する工程）を実行する。この後、エアブリッジ配線６の上に、第１の誘電体層８を塗布する工程を実行する。この塗布作業は、周知のスピンコート（スピン塗布）やそれ以外のコーティング方法を用いて実行すれば良い。これにより、下層配線２と上層配線５との間の空隙７が第１の誘電体層８により充填されると共に、上層配線５の上が第１の誘電体層８により覆われる。続いて、上記塗布した第１の誘電体層８を硬化する工程を行う。
【００２８】
この後、上記第１の誘電体層８の上に第２の誘電体層９を塗布する工程を実行する。この塗布作業も、周知のスピンコートやそれ以外のコーティング方法を用いて実行すれば良い。続いて、上記塗布した第２の誘電体層９を硬化する工程を実行する。これにより、図１に示す構成のエアブリッジ配線６が完成する。尚、上記した製造方法においては、ウエハカットを行う前に、上記各誘電体層８、９を塗布する作業を実行するように構成されている。即ち、図１に示す構成のエアブリッジ配線６が完成した後、ウエハカット、即ち、ウエハから個々のチップを切断・分離するダイシングを実行するように構成されている。
【００２９】
尚、上記第１の実施例では、２層の誘電体層８、９を例えばポリイミドにより形成したが、上記ε１＜ε２の関係が成り立つ誘電体であれば、他の低誘電率の誘電体により形成しても良い。この場合、第２の誘電体層９については、保護膜としての機能を有する材料により形成することが好ましい。また、第１の誘電体層８を、例えば多孔ポリイミドにより形成すると、第１の誘電体層８の比誘電率を更に低下させることができるから、反射及び挿入抵抗をより一層低減することができる。
【００３０】
図４ないし図６は、本発明の第２の実施例を示すものであり、第１の実施例と異なるところを説明する。尚、第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第２の実施例では、図４に示すように、エアブリッジ配線６を１層の誘電体層１０で覆うように構成した。即ち、上記誘電体層１０は、下層配線２と上層配線５との間の空隙７に充填されていると共に、上層配線５の上を覆うように設けられている。尚、上記誘電体層１０は、例えばポリイミドにより形成されている。
【００３１】
そして、上記第２の実施例では、誘電体層１０の比誘電率をεとすると共に、下層配線２と上層配線５との間の距離をＨとしたときに、Ｈ／ε≧０．８が成り立つように構成した。このように構成することにより、第２の実施例においても、反射及び挿入抵抗を低減することができた。以下、第２の実施例において反射及び挿入抵抗が低減していることを、図５及び図６を参照して確認する。
【００３２】
まず、エアブリッジ配線６の空隙７の高さＨを変化させると共に、誘電体層１０の比誘電率を変化させたときの、Ｓパラメータ（Ｓ１１、Ｓ２１）を解析した。具体的には、空隙７の高さＨを、０．５、１．０、１．５、２．５μｍと４水準に変化させた。そして、誘電体層１０の比誘電率εを、１．０、３．０、３．５と３水準に変化させた。尚、ε＝１．０は空気の場合、即ち、誘電体層を充填しない場合である。更に、高周波信号の周波数は、７６．５ＧＨｚとした。
【００３３】
上記解析結果を、図５に示す。この図５において、Ｑ１はε＝１．０のときのＳ１１であり、Ｑ２はε＝３．０のときのＳ１１であり、Ｑ３はε＝３．５のときのＳ１１であり、Ｑ４はε＝１．０のときのＳ２１であり、Ｑ５はε＝３．０のときのＳ２１であり、Ｑ６はε＝３．５のときのＳ２１である。
【００３４】
上記図５から、エアブリッジ配線６の空隙７の高さＨが高くなるほど、高周波特性が良くなる（即ち、反射及び挿入抵抗が低減される）。また、比誘電率εが小さくなるほど、高周波特性が良くなることがわかる。
【００３５】
次に、Ｈ／εを計算し、このＨ／εと、Ｓ１１、Ｓ２１との関係を図６に示した。この図６において、曲線Ｒ１はＳ１１を示しており、曲線Ｒ２はＳ２１を示している。上記図６から、Ｈ／ε≧０．８であれば、Ｓ２１の変化が小さく、挿入損失の変化が小さいが、Ｈ／ε＜０．８であれば、Ｓ２１の変化が急激に小さくなり、挿入損失が急激に増大していることがわかる。また、Ｈ／ε≧０．８であれば、Ｓ１１≦−１５ｄＢであると共に、Ｓ２１≧−０．３ｄＢであることから、エアブリッジ配線６部分での反射及び挿入抵抗を十分抑制できることがわかる。
【００３６】
従って、誘電体層１０を、ポリイミドのような比誘電率εが例えば３．０〜３．５程度である誘電体材料により形成した場合、エアブリッジ配線６の空隙７の高さＨを２．１〜２．５μｍ程度又はそれ以上に設定するように構成することが好ましい。このように構成すると、Ｓ１１を−１５ｄＢ程度に抑制することが可能となり、反射を十分に低減することができる。
【００３７】
上記構成の場合、Ｈ／ε≧１．０に設定することが、理想的には望ましい。このように構成すると、Ｓ１１≦−２０ｄＢとなることから、電力が１／１００の大きさとなる。更に、Ｓ２１≧−０．２ｄＢとなる。この結果、反射及び挿入損失をより一層十分に低減できていることがわかる。
【００３８】
尚、上記第２の実施例では、誘電体層１０を１層設ける構成としたが、第１の実施例と同じように、２層の誘電体層を設けると共に、上述したＨ／εを、Ｈ／ε≧０．８となるように設定する構成としても良い。この構成の場合、Ｈ／ε≧１．０に設定することがより一層好ましい構成である。
【００３９】
図７ないし図１３は、本発明の第３の実施例を示すものであり、第１の実施例と異なるところを説明する。尚、第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第３の実施例では、図７に示すように、第１の誘電体層１１を、下層配線２と上層配線５との間の空隙７だけに充填するように設け、そして、第２の誘電体層１２を、上層配線５の上を覆うように設けている。これ以外の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。この第３の実施例のように構成しても、２層の誘電体層１１、１２でエアブリッジ配線６を覆う構成となるから、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００４０】
ここで、第３の実施例のエアブリッジ配線６、即ち、図７に示すような構成のエアブリッジ配線６を製造する方法について、図８ないし図１３を参照して説明する。
【００４１】
最初に、基板４の上面に下層配線２を作成する工程を実行する（図８参照）。続いて、下層配線２を覆うと共に図８に示すようなパターン形状の第１の誘電体層１１を設ける工程を実行する。この第１の誘電体層１１は、下層配線２と上層配線５との間の空隙７の形状と同じ形状の誘電体層である。上記第１の誘電体層１１を設ける工程は、次の３つの工程から構成されている。
【００４２】
まず、下層配線２の上に第１の誘電体層１１を塗布する工程を実行する。この塗布作業は、周知のスピンコートやそれ以外のコーティング方法を用いて実行すれば良い。次いで、第１の誘電体層１１のうちの下層配線２と上層配線５との間の空隙７以外の部分を除去するパターニング工程を実行する。この場合、誘電体として例えばポリイミドを使用すれば、レジスト等を用いたフォト工程により容易にパターニングすることができる。この後、上記パターニングした第１の誘電体層１１を硬化する工程を実行し、図８に示す状態となる。
【００４３】
続いて、第１の誘電体層１１の上に上層配線５を作成する工程を実行する。この工程では、まず、図９に示すように、メッキ用のバイアス電極１３を例えば蒸着等の方法で形成する。そして、図１０に示すように、上層配線５を形成するためのマスクとしてのレジストパターン１４を形成する。この後、電解メッキにより上層配線５を形成すると、図１１に示すような状態となる。そして、レジスト１４を、アセトンやレジストリムーバ等の有機溶剤を用いて剥離する。更に、余分なバイアス電極１３を、エッチング液で除去する。これにより、図１２に示すように、下層配線２と上層配線５との間の空隙７だけに第１の誘電体層１１が充填された構造が得られる。
【００４４】
この後、図１３に示すように、上層配線５の上に第２の誘電体層１２を塗布する工程を実行する。この塗布作業も、周知のスピンコートやそれ以外のコーティング方法を用いて実行すれば良い。そして、上記塗布した第２の誘電体層１２を硬化する工程を実行する。これにより、図１３に示すような２層構成の誘電体層１１、１２を設けたエアブリッジ配線６が完成する。尚、上記した製造方法においては、ウエハカットを行う前に、上記各誘電体層１１、１２を形成する作業を実行するように構成されている。従って、図１３に示す構成のエアブリッジ配線６が完成した後、ウエハカット、即ち、ウエハから個々のチップを切断・分離するダイシングを実行するように構成されている。
【００４５】
上述したエアブリッジ配線６及び誘電体層１１、１２の製造方法によれば、エアブリッジの高さ、即ち、下層配線２と上層配線５との間の空隙７の寸法Ｈを高くするように変化させた場合や、上層配線５の膜厚（メッキの膜厚）を薄くするように変化させた場合でも、機械的強度が強固なエアブリッジ配線６を形成することができる。
【００４６】
尚、上記第３の実施例では、２層の誘電体層１０、１１を設けると共に、第１の誘電体層１１を下層配線２と上層配線５との間の空隙７だけに充填するように設ける構成としたが、この構成に加えて、第２の実施例と同じようにして、前記したＨ／εを、Ｈ／ε≧０．８となるように設定しても良い。この構成の場合、Ｈ／ε≧１．０に設定することがより一層好ましい構成である。
【００４７】
図１４は、本発明の第４の実施例を示すものであり、第１の実施例と異なるところを説明する。尚、第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第４の実施例では、図１４に示すように、ウエハ１５上にエアブリッジ配線６を作成する場合に、ウエハ１５の中心から外方へ放射状に延びる放射状直線に対して、エアブリッジ配線６が直交するように該エアブリッジ配線６を配設している。そして、エアブリッジ配線６の空隙７に誘電体層８を充填する場合に、誘電体層８をスピンコート（スピン塗布）するように構成している。これ以外の第４の実施例の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。
【００４８】
従って、第４の実施例においても、第１の実施例と同じ作用効果を得ることができる。特に、第４の実施例によれば、エアブリッジ配線６の空隙７に充填した誘電体層８の充填量が、ウエハ５上におけるエアブリッジ配線６の配置位置にかかわらずほぼ均一になるという効果を得ることができる。
【００４９】
図１５は、本発明の第５の実施例を示すものであり、第４の実施例と異なるところを説明する。尚、第４の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第５の実施例では、図１５に示すように、ウエハ１５上にエアブリッジ配線６を作成する場合に、ウエハ１５の中心から外方へ放射状に延びる放射状直線に対して、エアブリッジ配線６が平行となるように該エアブリッジ配線６を配設している。そして、エアブリッジ配線６の空隙７に誘電体層８を充填する場合に、誘電体層８をスピンコートするように構成している。これ以外の第５の実施例の構成は、第４の実施例と同じ構成となっている。従って、第５の実施例においても、第４の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００５０】
図１６は、本発明の第６の実施例を示すものであり、第１の実施例と異なるところを説明する。尚、第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第６の実施例では、図１６に示すように、２つのコプレーナ線路１６、１７が交差する部分に、３個のエアブリッジ配線６を適用したものである。
【００５１】
具体的には、３個のエアブリッジ配線６の共通の下層配線２を、一方のコプレーナ線路１６の信号線路１６ａとしている。そして、中央のエアブリッジ配線６の上層配線５を、他方のコプレーナ線路１７の信号線路１７ａとしている。また、コプレーナ線路１６、１７の接地導体１８、１９、２０、２１を両側の２個のエアブリッジ配線６の上層配線５で接続している。この場合、図１６中左側の接地導体１８、１９を左側のエアブリッジ配線６の上層配線５で接続し、図１６中右側の接地導体２０、２１を右側のエアブリッジ配線６の上層配線５で接続している。これにより、３個のエアブリッジ配線６の上層配線５が他方のコプレーナ線路１７となっている。
【００５２】
上述した以外の第６の実施例の構成は、第１の実施例と同じ構成となっている。従って、この第６の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【００５３】
図１７は、本発明の第７の実施例を示すものであり、第１の実施例と異なるところを説明する。尚、第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第７の実施例では、図１７に示すように、例えばＭＭＩＣで構成された高周波半導体装置２２は、高周波用トランジスタ２３と、入力整合回路２４と、出力整合回路２５とを備えて構成されている。
【００５４】
高周波用トランジスタ２３は、本発明の能動素子であり、例えばＭＥＳＦＥＴやＨＥＭＴやＭＯＳＦＥＴ等で構成されている。入力整合回路２４は、本発明の受動素子であり、入力端子２４ａと、コンデンサ２４ｂと、伝送線路２４ｃと、伝送線路２４ｄと、コンデンサ２４ｅとを備えて構成されている。この入力整合回路２４における破線の丸で囲まれた配線部分２６がエアブリッジ配線６で構成されている。出力整合回路２５は、本発明の受動素子であり、伝送線路２５ａと、出力端子２５ｂと、伝送線路２５ｃと、コンデンサ２５ｄとを備えて構成されている。この出力整合回路２５における破線の丸で囲まれた配線部分２７がエアブリッジ配線６で構成されている。
【００５５】
そして、上記構成の高周波半導体装置２２の表面における高周波用トランジスタ２３の部分だけが誘電体膜２８により覆われている。この誘電体膜２８は、保護膜としての機能を有しており、例えばポリイミドで形成されている。ここで、高周波用トランジスタ２３部分だけを誘電体膜２８で覆うに当たっては、レジスト等を用いたフォト工程により誘電体膜２８をパターンニングすれば良い。
【００５６】
上記構成によれば、高周波用トランジスタ２３が誘電体膜２８により覆われているので、高周波半導体装置２２（特には、その高周波用トランジスタ２３）が湿気やほこり等に対して十分強い構成となる。そして、エアブリッジ配線６の空隙７には、誘電体が充填されることがないので、エアブリッジ配線部分における挿入損失や反射を低減することができる。この構成の場合、受動素子部分は、誘電体膜２８により覆われないが、受動素子は元々湿気やほこり等に対してある程度強いものであるから、比較的支障がない。
【００５７】
図１８は、本発明の第８の実施例を示すものであり、第７の実施例と異なるところを説明する。尚、第７の実施例と同一部分には、同一符号を付している。上記第８の実施例では、図１８に示すように、高周波半導体装置２２の表面におけるエアブリッジ配線部分２６、２７を除く部分を、誘電体膜２９で覆うように構成した。具体的には、高周波半導体装置２２の表面において、エアブリッジ配線部分２６、２７を囲む矩形状の領域３０、３１を除く全表面に、誘電体膜２９を塗布して覆っている。そして、上記誘電体膜２９も、保護膜としての機能を有しており、例えばポリイミドで形成されている。更に、誘電体膜２９をパターンニングするに当たっては、レジスト等を用いたフォト工程により上記誘電体膜２９をパターンニングすることが好ましい。
【００５８】
上記構成によれば、エアブリッジ配線部分２６、２７を除く部分が誘電体膜２９により覆われているので、高周波半導体装置２２が湿気やほこり等に対して十分強い構成となる。そして、エアブリッジ配線６の空隙７には、誘電体が充填されることがないので、エアブリッジ配線部分２６、２７における挿入損失や反射を低減することができる。尚、エアブリッジ配線部分２６、２７は、誘電体膜２９により覆われないが、エアブリッジ配線は湿気やほこり等に対して比較的強いものであるから、それほど支障はない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示すエアブリッジ配線部分の縦断面図
【図２】伝送線路の部分斜視図
【図３】第１の実施例と比較例のＳパラメータの周波数特性を示す図
【図４】本発明の第２の実施例を示す図１相当図
【図５】Ｓパラメータとエアブリッジの高さＨとの関係を示す図
【図６】ＳパラメータとＨ／εとの関係を示す図
【図７】本発明の第３の実施例を示す図１相当図
【図８】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その１）
【図９】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その２）
【図１０】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その３）
【図１１】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その４）
【図１２】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その５）
【図１３】エアブリッジ配線を製造する工程を示す図（その６）
【図１４】本発明の第４の実施例を示すもので、ウエハと共にエアブリッジ配線の配置形態を示す図
【図１５】本発明の第５の実施例を示す図１４相当図
【図１６】本発明の第６の実施例を示すエアブリッジ配線周辺の斜視図
【図１７】本発明の第７の実施例を示すものであり、誘電体膜の塗布領域を示す高周波半導体装置の電気回路図
【図１８】本発明の第８の実施例を示す図１７相当図
【符号の説明】
１は伝送線路、２は信号線路（下層配線）、３は接地導体、４は基板、５は上層配線（ブリッジ）、６はエアブリッジ配線、７は空隙、８は第１の誘電体層、９は第２の誘電体層、１０は誘電体層、１１は第１の誘電体層、１２は第２の誘電体層、１５はウエハ、１６はコプレーナ線路、１６ａは信号線路、１７はコプレーナ線路、１７ａは信号線路、１８、１９、２０、２１は接地導体、２２は高周波半導体装置、２３は高周波用トランジスタ（能動素子）、２４は入力整合回路、２５は出力整合回路、２６、２７はエアブリッジ配線部分、２８は誘電体膜、２９は誘電体膜を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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