(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動するようにした
ことを特徴とする記憶媒体のローディング機構。
【請求項２】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動するようにした
ことを特徴とする記憶媒体のローディング機構。
【請求項３】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法である第１の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第１の記憶媒体がホルダーに案内され、  端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法より小さい第２の寸法である第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導レバーに誘導されるようにし、
上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、
上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して回動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動され、
端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにした
ことを特徴とする記憶媒体のローディング機構。
【請求項４】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法である第１の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第１の記憶媒体がホルダーに案内され、  端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法より小さい第２の寸法である第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導レバーに誘導されるようにし、
上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、
上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して端子電極の配列方向へ移動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動され、
端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにした
ことを特徴とする記憶媒体のローディング機構。
【請求項５】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体に対するデーターの書込及び／又は読出を行う記憶媒体ドライブ装置であって、
板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動するようにした
ことを特徴とする記憶媒体ドライブ装置。
【請求項６】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体に対するデーターの書込及び／又は読出を行う記憶媒体ドライブ装置であって、
板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動するようにした
ことを特徴とする記憶媒体ドライブ装置。
【請求項７】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体に対するデーターの書込及び／又は読出を行う記憶媒体ドライブ装置であって、
板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法である第１の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第１の記憶媒体がホルダーに案内され、  端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法より小さい第２の寸法である第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導レバーに誘導されるようにし、
上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、
上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して回動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動され、
端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにした
ことを特徴とする記憶媒体ドライブ装置。
【請求項８】
筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体に対するデーターの書込及び／又は読出を行う記憶媒体ドライブ装置であって、
板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、
記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、
記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを備え、
上記端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法である第１の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第１の記憶媒体がホルダーに案内され、  端子電極の配列方向における筐体の大きさが第１の寸法より小さい第２の寸法である第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導レバーに誘導されるようにし、
上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、
上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して端子電極の配列方向へ移動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動され、
端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにした
ことを特徴とする記憶媒体ドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記憶媒体のローディング機構及び記憶媒体ドライブ装置に関する。詳しくは、半導体メモリーと複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体をローディングするローディング機構及び該ローディング機構を備えた記憶媒体ドライブ装置についての技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体メモリーと複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体がスロットに挿入されて記憶媒体装着部に装着され、当該記憶媒体に対するデーターの書込及び／又は読出を行う記憶媒体ドライブ装置があり、現在、板状の記憶媒体として種々の大きさのものが提供されている。
【０００３】
このような記憶媒体の中には、同一の記憶媒体ドライブ装置のスロットに挿入されてデーターの書込及び／又は読出を行うことが可能な共通の端子電極を有するものがあるが、それぞれ長さ、幅、厚みの違いにより大きさが異なるために、スロットを共有化する手段として、大きさの小さな記憶媒体にアダプターを装着してスロットに挿入し、共通の端子電極を有する何れの記憶媒体をも使用できるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、アダプターを用いてスロットの共有化を図るようにした上記の場合には、大きさの小さな記憶媒体に対してデーターの読み書きを行おうとするときに、その都度アダプターの装着が必要であり、使い勝手が悪いという問題がある。
【０００５】
一方、スロットの共有化を図るために、記憶媒体の端子電極に接続される接続端子をスロットの内部において固定し、スロットの内部に大きさの異なる記憶媒体毎の複数のガイドを設け、スロットに挿入された記憶媒体が何れのものであるかを検出して当該検出結果に応じてガイドを変更することも考慮されるが、このような構成では機構が複雑となってしまい記憶媒体ドライブ装置の製造コストの増大を来たしてしまう。
【０００６】
そこで、本発明記憶媒体のローディング機構及び記憶媒体ドライブ装置は、機構の簡素化を確保した上で使い勝手の向上を図ることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明記憶媒体のローディング機構及び記憶媒体ドライブ装置は、上記した課題を解決するために、筐体に内蔵された半導体メモリーと筐体に配列された複数の端子電極とを有する板状の記憶媒体が挿入されると共に該記憶媒体を案内するホルダーと、記憶媒体の複数の端子電極にそれぞれ係合されて接続される複数の接続端子を有すると共に該複数の接続端子がホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の略配列方向へ移動可能な端子部と、記憶媒体がホルダーに挿入されたときに接続端子と端子電極とが互いに係合される方向へ端子部と記憶媒体とを誘導する誘導レバーとを設けるなどしたものである。
【０００８】
従って、本発明記憶媒体のローディング機構及び記憶媒体ドライブ装置にあっては、記憶媒体がホルダーに挿入されたときに、端子部の接続端子が記憶媒体の端子電極に接近する方向へ誘導される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明記憶媒体のローディング機構及び記憶媒体ドライブ装置の実施の形態を添付図面に従って説明する。
【００１０】
先ず、記憶媒体ドライブ装置のスロットに挿入されてデーターの読み書きが行われる板状の記憶媒体について説明する（図１乃至図５参照）。
【００１１】
当該記憶媒体ドライブ装置には、大きさの異なる２種類の板状の第１の記憶媒体１００と板状の第２の記憶媒体２００が用いられる（図１及び図２参照）。
【００１２】
第１の記憶媒体１００は略矩形状を為し、例えば、長さＷ１１が５０ｍｍ、幅Ｗ１２が２１．５ｍｍ、厚さＷ１３が２．８ｍｍとされている（図１参照）。
【００１３】
第１の記憶媒体１００は筐体１０１にフラッシュメモリー等の半導体メモリーが内蔵されており、筐体１０１は最大の面積を有する第１の主面１０１ａと該第１の主面１０１ａの反対側の面である図示しない第２の主面とを有している。
【００１４】
第１の主面１０１ａの長手方向（前後方向）における一端部に電極部１０２が設けられている。電極部１０２には、第１の主面１０１ａの短手方向（左右方向）に離間して等間隔に設けられた複数の仕切壁１０３、１０３、・・・によって１０個の接続用凹部１０４、１０４、・・・が形成されている。接続用凹部１０４、１０４、・・・は第１の主面１０１ａの長手方向における一方（後方）及び第１の記憶媒体１００の厚み方向（上下方向）における一方（上方）に開口され、接続用凹部１０４、１０４、・・・にはそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が配置されている。
【００１５】
第１の記憶媒体１００の電極部１０２に隣接する部分は上方に開口された切欠部１０６として設けられ、該切欠部１０６の外縁が略円弧状を為す面取り部１０７として形成されている。
【００１６】
第１の記憶媒体１００が記憶媒体ドライブ装置の後述するスロットに正規の状態で挿入されたときには、切欠部１０６及び面取り部１０７がスロットの内部に設けられた誤挿入防止部に対する逃げとなり、第１の記憶媒体１００がスロットに挿入されて装着される。一方、第１の記憶媒体１００が裏返しや長手方向における反対側からスロットに挿入された場合には、筐体１０１の切欠部１０６及び面取り部１０７が形成されていないコーナーが誤挿入防止部に接触され、第１の記憶媒体１００のスロットへの挿入が規制され、誤挿入が防止される。
【００１７】
第１の主面１０１ａの電極部１０２の近傍には、誤記録防止摘子１０８がスライド自在に設けられている。誤記録防止摘子１０８は、一方にスライドさせた状態において半導体メモリーへのデーターの書き込みを可能とし、他方にスライドさせた状態において半導体メモリーへのデーターの書き込みを不能とする機能を有する。
【００１８】
筐体１０１には、誤記録防止摘子１０８の側方に脱落防止用凹部１０９が形成されている。脱落防止用凹部１０９は、第１の記憶媒体１００がスロットに挿入されたときにスロットの内部に設けられた脱落防止部が係合されることにより、第１の記憶媒体１００の脱落を防止する役割を果たす。
【００１９】
第１の主面１０１ａの脱落防止用凹部１０９が形成された側と反対側の側縁には係合凹部１１０が形成され、該係合凹部１１０は第１の記憶媒体１００の長手方向における略中央部に形成されている。係合凹部１１０は、スロットの内部に設けられた係合突部が係合されることにより、第１の記憶媒体１００が正規の状態でスロットに挿入されたことを検出する役割を果たす。
【００２０】
筐体１０１の係合凹部１１０が形成された側の側面１０１ｂには、電極部１０２の側方の位置に後方に開口された係合溝１１１が形成されている。係合溝１１１にはスロットの内部に設けられた後述する係合片が係合される。
【００２１】
第２の記憶媒体２００は略矩形状を為し、例えば、長さＷ２１が３１ｍｍ、幅Ｗ２２が２０ｍｍ、厚さＷ２３が１．６ｍｍとされ、第１の記憶媒体１００よりも小さく形成されている（図２参照）。
【００２２】
第２の記憶媒体２００は、一部を除いて、第１の記憶媒体１００の電極部１０２と共通の電極部２０２が第１の主面２０１ａに設けられており、仕切壁２０３、２０３、・・・のピッチが第１の記憶媒体１００の仕切壁１０３、１０３、・・・のピッチと同じにされている。
【００２３】
第２の記憶媒体２００は、第１の記憶媒体１００と同様の各部を有しており、接続用凹部２０４、２０４、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が配置され、筐体２０２に切欠部２０６、面取り部２０７、誤記録防止摘子２０８、脱落防止用凹部２０９、係合凹部２１０を有している。尚、第２の記憶媒体２００には、第１の記憶媒体１００に形成された係合溝１１１に相当する係合溝は形成されていない。
【００２４】
第２の記憶媒体２００は、電極部２０２の左右方向における幅が第１の記憶媒体１００の電極部１０２の左右方向における幅と同じにされており、第２の記憶媒体２００の最も右側にある端子電極２０５の右端から筐体２０１の右側面２０１ｂまでの距離Ｄ２１は、第１の記憶媒体１００の最も右側にある端子電極１０５の右端から筐体１０１の右側面１０１ｂまでの距離Ｄ１１よりも僅かに小さく、第２の記憶媒体２００の最も左側にある端子電極２０５の左端から筐体２０１の左側面２０１ｂまでの距離Ｄ２２は、第１の記憶媒体１００の最も左側にある端子電極１０５の左端から筐体１０１の左側面１０１ｂまでの距離Ｄ１２よりも僅かに小さくされている（図１及び図２参照）。
【００２５】
次に、第１の記憶媒体１００の端子電極１０５、１０５、・・・及び第２の記憶媒体２００の端子電極２０５、２０５、・・・の電極構造について説明する（図３参照）。端子電極１０５、１０５、・・・及び端子電極２０５、２０５、・・・の電極構造は同じである。
【００２６】
端子電極１０５、１０５、・・・及び端子電極２０５、２０５、・・・は、何れも１０個の平面電極（端子Ｔ１乃至Ｔ１０）が一列に配置されている。
【００２７】
端子Ｔ１及び端子Ｔ１０は検出電圧ＶＳＳ端子である。端子Ｔ２はシリアルプロトコルバスステート信号ＢＳの入力端子である。端子Ｔ３及び端子Ｔ９は電源電圧Ｖ記憶媒体の端子である。端子Ｔ４はシリアルプロトコルデーター信号の入出力端子である。端子Ｔ５及び端子Ｔ７は予備端子である。端子Ｔ６は第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００の検出用の検出端子である。端子Ｔ８はシリアルクロックＳＣＬＫの入力端子である。
【００２８】
次に、端子Ｔ１乃至Ｔ１０と第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００の内部構造との関係を説明する（図４参照）。第１の記憶媒体１００と第２の記憶媒体２００の内部構造は同じである。
【００２９】
筐体１０１、２０１の内部には、それぞれコントロールＩＣ１１２、２１２と半導体メモリー１１３、２１３とが配置されている。
【００３０】
コントロールＩＣ１１２、２１２は半導体メモリー１１３、２１３に対するデーターの読み書きを行う機能を有している。コントロールＩＣ１１２、２１２は端子Ｔ２、端子Ｔ４及び端子Ｔ８と接続され、端子Ｔ２からシリアルプロトコルバスステート信号ＢＳが入力され、端子Ｔ８からシリアルクロックＳＣＬＫが入力される。
【００３１】
書込動作時には、端子Ｔ２から入力されるシリアルプロトコルバスステート信号ＢＳ及び端子Ｔ８から入力されるシリアルクロックＳＣＬＫに基づいて、半導体メモリー１１３、２１３に対して端子Ｔ４から入力されるデーターの書き込みが行われる。
【００３２】
読出動作時には、シリアルプロトコルバスステート信号ＢＳ及びシリアルクロックＳＣＬＫに基づいて、半導体メモリー１１３、２１３からのデーターの読み出しが行われ、端子Ｔ４を介して読み出されたデーターが記憶媒体ドライブ装置に出力される。
【００３３】
検出電圧ＶＳＳは端子Ｔ６に入力され、記憶媒体ドライブ装置において抵抗Ｒによって端子Ｔ６の電圧が検出され、第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００が記憶媒体ドライブ装置のスロットに挿入されているかどうかの検出が行われる。
【００３４】
コントロールＩＣ１１２、２１２は、それぞれメモリーコントローラー１１２ａ、２１２ａ、レジスター１１２ｂ、２１２ｂ、ページバッファー１１２ｃ、２１２ｃ及びシリアルインターフェース１１２ｄ、２１２ｄを有している（図５参照）。
【００３５】
メモリーコントローラー１１２ａ、２１２ａは、レジスター１１２ｂ、２１２ｂに設定されたパラメーターに基づいて、半導体メモリー１１３、２１３とページバッファー１１２ｃ、２１２ｃとの間でのデーターの転送を行う。ページバッファー１１２ｃ、２１２ｃにバッファーリングされたデーターは、シリアルインターフェース１１２ｄ、２１２ｄを介して記憶媒体ドライブ装置に転送され、また、記憶媒体ドライブ装置から転送されたデーターは、シリアルインターフェース１１２ｄ、２１２ｄを介してページバッファー１１２ｃ、２１２ｃにバッファーリングされる。
【００３６】
次に、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対してデーターの読み書きを行う記憶媒体ドライブ装置について説明する（図５乃至図７参照）。
【００３７】
記憶媒体ドライブ装置１は、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対して、例えば、動画データー、静止画データー、音声データー、ＨｉＦｉデーター（音楽データー）、コンピューター用データー、制御用データー等の各種のデーターの読み書きを行うことができ、外筐２の内部に所要の各部が配置されて成る。
【００３８】
外筐２の前面２ａには、液晶パネルによって形成された表示部３が設けられ（図６参照）、該表示部３に、再生された画像や文字、再生される音声や音楽に関する情報、操作ガイドメッセージ等が表示される。
【００３９】
前面２ａには、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００が挿入されるスロット４が形成されている。
【００４０】
前面２ａには、複数の操作キー５、５、・・・が設けられ、該操作キー５、５、・・・を操作することにより、例えば、電源のオン・オフ、データーの記録・再生、記録動作や再生動作等の停止、再生時の早送り・早戻し、音量の変更、データーの編集、メニューの選択、動作モードの設定等の各種の操作を行うことができる。
【００４１】
前面２ａの下端部には各種の機器等との接続用端子６、６、・・・が設けられている。接続用端子６、６、・・・としては、例えば、ヘッドホーン端子６ａ、ライン出力端子６ｂ、マイク入力端子６ｃ、ライン入力端子６ｄ、デジタル入力端子６ｅ、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）端子６ｆ等である。
【００４２】
記憶媒体ドライブ装置１には、例えば、商用交流電源から電源コンセント７を介して電力が供給される。
【００４３】
記憶媒体ドライブ装置１には第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対するインターフェース構造として、ファイルマネージャー８、転送プロトコールインターフェース９、シリアルインターフェース１０が設けられている（図５参照）。
【００４４】
ファイルマネージャー８は第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００を管理する機能を有し、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対するアクセスがファイルマネージャー８の指令に基づいて実行される。
【００４５】
転送プロトコールインターフェース９は、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００のレジスター１１２ｂ、２１２ｂ及びページバッファー１１２ｃ、２１２ｃに対するアクセスを実行する。
【００４６】
シリアルインターフェース１０は、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００がスロット４に挿入されたときに、シリアルクロック（ＳＣＬＫ）、バスステイト（ＢＳ）、シリアルデーター（ＳＤＩＯ）において任意のデーター転送を行うためのプロトコールを規定し、第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００のシリアルインターフェース１１２ｄ、２１２ｄとの間でデーターの授受を行う。
【００４７】
次に、記憶媒体ドライブ装置１に設けられた回路構成を説明する（図７参照）。
【００４８】
ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１は記憶媒体ドライブ装置１の中央制御部として機能し、以下の各部の動作制御を行う。
【００４９】
ＣＰＵ１１は、例えば、動作プログラムや各種の定数を記憶したＲＯＭ（Read Only Memory）１１ａとワーク領域としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１１ｂとを有している。ＣＰＵ１１は、上記操作キー５、５、・・・に対する操作により入力された指令信号に基づいて、動作プログラムで規定される制御動作を実行する。
【００５０】
ＣＰＵ１１は、フラッシュメモリー１２に音楽記録モードや表示モード等の各種のモード設定等の動作に関するシステム設定情報などを記憶させる。また、ＣＰＵ１１は、例えば、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対する読み書き動作等の際に、Ｄ−ＲＡＭ等により形成されたバッファーメモリー１３に一時的にデーターを格納することができる。
【００５１】
リアルタイムクロック１４は、現在日時を計数する機能を有する。ＣＰＵ１１はリアルタイムクロック１４からの日時データーにより現在日時を確認する。
【００５２】
ＵＳＢインターフェース１５は、外筐２に設けられた上記ＵＳＢ端子６ｆに接続された外部機器との間の通信用インターフェースである。ＣＰＵ１１はＵＳＢインターフェース１５を介して外部機器であるパーソナルコンピューター等との間でデーター通信を行うことができる。例えば、制御データー、コンピューターデーター、画像データー、オーディオデーター等の送受信が行われる。
【００５３】
電源部としては、レギュレーター１６、ＤＣ／ＤＣコンバーター１７を有する。ＣＰＵ１１は、電源オンとする際に、レギュレーター１６に対して電源オンの指令信号を送出する。レギュレーター１６はＣＰＵ１１からの指令信号に基づいて、電源コンセント７を介して供給される交流電圧の整流／平滑を行う。レギュレーター１６からの電源電圧はＤＣ／ＤＣコンバーター１７において所要の電圧値に変換され、動作電源電圧Ｖ記憶媒体のとして各部に供給される。
【００５４】
ＣＰＵ１１は、メモリーインターフェース１８を介して第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対するアクセスが可能となり、各種のデーターの記録、再生、編集等の実行が可能とされる。
【００５５】
ＣＰＵ１１は、表示ドライバー１９を制御することにより、外筐２に設けられた表示部３に所要の画像を表示させる。
【００５６】
外筐２に設けられた接続用端子６、６、・・・、即ち、ヘッドホーン端子６ａ、ライン出力端子６ｂ、マイク入力端子６ｃ、ライン入力端子６ｄ、デジタル入力端子６ｅに対するオーディオ信号処理系として、ＳＡＭ（Securty Application Module：暗号化／展開処理部）２０、ＤＳＰ（Digital Signal Processer）２１、アナログデジタル変換部２２、パワーアンプ２３、マイクアンプ２４、光入力モジュール２５及びデジタル入力部２６が設けられている。
【００５７】
ＳＡＭ２０は、ＣＰＵ１１とＤＳＰ２１との間でデーターの暗号化及び暗号解読（復号）を行うとともに、ＣＰＵ１１との間で暗号キーの授受を行う。暗号キーは、例えば、フラッシュメモリー１２に記憶されている。ＳＡＭ２０は暗号キーを用いて暗号化及び復号化を行うことができる。ＳＡＭ２０による暗号化及び復号化は、例えば、ＵＳＢインターフェース１５を介して外部機器であるパーソナルコンピューター等にデーターを伝送する際やデーターを受け取る際等に、ＣＰＵ１１の指令に応じて実行される。
【００５８】
ＤＳＰ２１は、ＣＰＵ１１の指令に基づいて、オーディオデーターの圧縮処理及び伸長処理を行う。
【００５９】
アナログデジタル変換部２２は、オーディオ信号に関してＡ／Ｄ変換及びＤ／Ａ変換を行う。
【００６０】
デジタル入力部２６は、光入力モジュール２５によって取り込まれたデジタルオーディオデーターの入力インターフェース処理を行う。
【００６１】
記憶媒体ドライブ装置１においては、以下のようにオーディオ信号の入出力が行われる。
【００６２】
デジタルオーディオデーターとして、外部機器、例えば、ディスクプレーヤー等から光ケーブルを介してデジタル入力端子６ｅに入力された信号は、光入力モジュール２５によって光電変換されて取り込まれ、デジタル入力部２６によって送信フォーマットに応じた受信処理が行われる。受信処理されたデジタルオーディオデーターは、ＤＳＰ２１で圧縮処理されてＣＰＵ１１に供給され、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００に対する記録データーとされる。
【００６３】
マイク入力端子６ｃにマイクロホンが接続された場合には、その入力音声信号がマイクアンプ２４によって増幅された後、アナログデジタル変換部２２によってＡ／Ｄ変換され、デジタルオーディオデーターとしてＤＳＰ２１に供給される。供給されたデーターは、ＤＳＰ２１における圧縮処理を介してＣＰＵ１１に供給され、第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００に対する記録データーとされる。
【００６４】
ライン入力端子６ｄに接続された外部機器からの入力音声信号は、アナログデジタル変換部２２によってＡ／Ｄ変換され、デジタルオーディオデーターとしてＤＳＰ２１に供給される。供給されたデーターは、ＤＳＰ２１における圧縮処理を介してＣＰＵ１１に供給され、第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００に対する記録データーとされる。
【００６５】
一方、例えば、第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００から読み出されたオーディオデーターを出力する際等は、ＣＰＵ１１の指令に基づいて当該オーディオデーターについてＤＳＰ２１によって伸長処理が行われる。伸張処理が行われたデジタルオーディオデーターは、アナログデジタル変換部２２によってアナログオーディオ信号に変換されてパワーアンプ２３に供給される。パワーアンプ２３においては、ヘッドホーン用の増幅処理及びライン出力用の増幅処理が行われ、それぞれヘッドホーン端子６ａ及びライン出力端子６ｂに供給される。
【００６６】
次に、外筐２に形成されたスロット４の内部構造について説明する（図８乃至図１１参照）。
【００６７】
記憶媒体ドライブ装置１のスロット４の内部は第１の記憶媒体１００又は第２の記憶媒体２００が装着される記憶媒体装着部２７として形成されている（図８参照）。記憶媒体装着部２７には第１の記憶媒体の係合溝１１１に挿入されて係合される係合片２７ａが設けられている。
【００６８】
記憶媒体装着部２７にはホルダー２８が配置されている。ホルダー２８は縦長の平板状を為すベース部２９と該ベース部２９の前端部の両側縁に設けられたガイド部３０、３０とが一体に形成されて成る（図８及び図９参照）。ガイド部３０、３０は、それぞれベース部２９から垂直に突出された案内壁部３０ａ、３０ａと該案内壁部３０ａ、３０ａの先端縁から互いに近づく方向へ突出された押さえ壁部３０ｂ、３０ｂとから成る。
【００６９】
ベース部２９の後端部には、左右に離間して規制突部２９ａ、２９ａが設けられている。
【００７０】
ガイド部３０、３０の案内壁部３０ａ、３０ａ間の間隔は、第１の記憶媒体１００の幅Ｗ１２と略同じか僅かに大きくされ（図９参照）、押さえ壁部３０ｂ、３０ｂとベース部２９との間隔は、第１の記憶媒体１００の厚みＷ１３より僅かに大きくされている。
【００７１】
ホルダー２８のベース部２９の後端部には誘導レバー３１が回動自在に支持されている（図８乃至図１０参照）。誘導レバー３１は基部３２と該基部３２の左右両端部から略前方へ突出された誘導バネ部３３、３３とが一体に形成されて成る。
【００７２】
基部３２の左右方向における中央部には回動軸部３２ａが設けられ、該回動軸部３２ａを介して誘導レバー３１がホルダー２８のベース部２９に回動自在に支持されている。
【００７３】
誘導バネ部３３、３３の先端部には、それぞれ互いに近づく方向へ突出された誘導突部３３ａ、３３ａが設けられている。誘導突部３３ａ、３３ａには、後方へ行くに従って互いに近づく方向へ変位する傾斜面３３ｂ、３３ｂが形成されている。
【００７４】
誘導バネ部３３、３３は基部３２に対して、誘導突部３３ａ、３３ａが略左右方向へ移動する方向へ弾性変位可能とされている。
【００７５】
誘導レバー３１は誘導突部３３ａ、３３ａ間における最小距離Ｌａ（図９参照）が、第２の記憶媒体２００の幅Ｗ２３と略同じにされている。従って、第２の記憶媒体２００がホルダー２８に挿入されたときには、第２の記憶媒体２００の側面２０１ｂ、２０１ｂが誘導バネ部３３、３３の誘導突部３３ａ、３３ａに当接又は近接される。
【００７６】
基部３２の前面には端子部３４が設けられ、該端子部３４は１０個の接続端子３５、３５、・・・によって構成されている。接続端子３５、３５、・・・は左右方向に等間隔に離間して設けられ、ピッチが第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００の端子電極１０５、１０５、・・・、２０５、２０５、・・・のピッチと同じにされている。接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅は、端子電極１０５、１０５、・・・、２０５、２０５、・・・の左右方向における幅より小さくされている。
【００７７】
接続端子３５は、基部３２に対して弾性変位可能とされており、基部３２から突出された基端部３５ａと、該基端部３５ａの先端から折り返され基端部３５ａに対して傾斜され側方から見てＶ字状を為す弾接部３５ｂとから成る（図１０参照）。弾接部３５ｂは基端部３５ａに対して弾性変位可能とされている。
【００７８】
１０個の接続端子３５、３５、・・・によって構成された端子部３４は、メモリーインターフェース１８に接続されている（図７参照）。
【００７９】
誘導レバー３１は、外力が付与されていない状態において、中立用バネ３６によってホルダー２８に対する中立位置、即ち、回動範囲における中央に保持される（図９参照）。
【００８０】
誘導レバー３１は基部３２がホルダー２８のベース部２９に設けられた規制突部２９ａ、２９ａによって、必要以上の回動が規制される。従って、誘導レバー３１の回動範囲においては、誘導突部３３ａ、３３ａの傾斜面３３ｂ、３３ｂの前端Ｐ、Ｐがホルダー２８の案内壁部３０ａ、３０ａの内面Ｑ、Ｑより内側に位置されないようにされている（図１１参照）。
【００８１】
以上のようにして構成されたホルダー２８、誘導レバー３１及び端子部３４によって、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００を記憶媒体装着部２７にローディングするローディング機構３７が構成される。
【００８２】
以下に、ローディング機構３７のローディング動作について説明する（図１２乃至図２１参照）。尚、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００は、何れも電極部１０２、２０２側からスロット４に挿入される。
【００８３】
先ず、外筐２のスロット４に第１の記憶媒体１００が挿入されたときの動作について説明する（図１２乃至図１４参照）。
【００８４】
第１の記憶媒体１００がスロット４に挿入されると、第１の記憶媒体１００の側面１０１ｂ、１０１ｂがホルダー２８のガイド部３０の案内壁部３０ａ、３０ａに案内されて後方へ移動されていく（図１２参照）。
【００８５】
後方へ移動される第１の記憶媒体１００は、誘導レバー３１の誘導バネ部３３、３３の傾斜面３３ｂ、３３ｂに摺接される（図１３参照）。第１の記憶媒体１００の幅Ｗ１２は誘導突部３３ａ、３３ａ間における最小距離Ｌａよりも大きくされているため、第１の記憶媒体１００の後方への移動に伴って誘導バネ部３３、３３が互いに離間する方向へ弾性変位される（図１４参照）。
【００８６】
第１の記憶媒体１００は誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、待ち受けている接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続される（図１４参照）。接続端子３５、３５、・・・は弾性変位可能であるため、弾接部３５ｂ、３５ｂ、・・・が端子電極１０５、１０５、・・・に弾接され、両者の確実な接続状態が確保される。接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続された状態においては、第１の記憶媒体１００の係合溝１１１に係合片２７ａが係合されている（図１４参照）。
【００８７】
第１の記憶媒体１００のスロット４からの取出は、例えば、外筐２に設けられた図示しないイジェクト釦を操作することによりスロット４内に設けられた図示しないイジェクト機構によって第１の記憶媒体１００がスロット４から排出されることにより行われる。第１の記憶媒体１００がスロット４から取り出されると、変位されていた誘導バネ部３３、３３が弾性復帰して元の状態に戻る。
【００８８】
次に、外筐２のスロット４に第２の記憶媒体２００が挿入されたときの動作について説明する（図１５乃至図２１参照）。
【００８９】
例えば、第２の記憶媒体２００がスロット４に対して左方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導レバー３１の左側の誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接される（図１５参照）。
【００９０】
第２の記憶媒体２００は傾斜面３３ｂに摺接されて後方へ移動されていき、このとき第２の記憶媒体２００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、誘導レバー３１がＲ１方向へ回動される（図１６参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が左方側に変位される。
【００９１】
第２の記憶媒体２００は誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、誘導レバー３１のＲ１方向への回動により左方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・に、それぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続される（図１７参照）。接続端子３５、３５、・・・は弾性変位可能であるため、弾接部３５ｂ、３５ｂ、・・・が端子電極２０５、２０５、・・・に弾接され、両者の確実な接続状態が確保される。
【００９２】
尚、第１の記憶媒体１００と第２の記憶媒体２００がホルダー２８に挿入されたときには、両者の厚さＷ１３、Ｗ２３の違いによりホルダー２８内における端子電極１０５、１０５、・・・と端子電極２０５、２０５、・・・との上下方向における位置が異なり、端子電極２０５、２０５、・・・は端子電極１０５、１０５、・・・に比して接続端子３５に対して下方へ離間されるが、この差は、接続端子３５の弾性変位量によって吸収され、接続端子３５、３５、・・・は端子電極１０５、１０５、・・・と端子電極２０５、２０５、・・・の何れに対しても確実に接続される。
【００９３】
第２の記憶媒体２００の端子電極２０５、２０５、・・・が接続端子３５、３５、・・・に接続され第２の記憶媒体２００が記憶媒体装着部２７に装着された状態においては、中立用バネ３６によって誘導レバー２８が中立位置に保持される（図１８参照）。接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続された状態においては、第２の記憶媒体２００の左側面２０１ｂが係合片２７ａに接した状態とされている。
【００９４】
第２の記憶媒体２００のスロット４からの取出は、第１の記憶媒体１００の場合と同様に、イジェクト機構によってスロット４から排出されることにより行われる。
【００９５】
一方、第２の記憶媒体２００がスロット４に対して右方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導レバー３１の右側の誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接される（図１９参照）。
【００９６】
第２の記憶媒体２００は傾斜面３３ｂに摺接されて後方へ移動されていき、このとき第２の記憶媒体２００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、ホルダー２８がＲ２方向へ回動される（図２０参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が右方側に変位される。
【００９７】
第２の記憶媒体２００は誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、誘導レバー３１のＲ２方向への回動により右方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・に、それぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続される（図２１参照）。接続端子３５、３５、・・・は弾性変位可能であるため、弾接部３５ｂ、３５ｂ、・・・が端子電極２０５、２０５、・・・に弾接され、両者の確実な接続状態が確保される。
【００９８】
第２の記憶媒体２００の端子電極２０５、２０５、・・・が接続端子３５、３５、・・・に接続され第２の記憶媒体２００が記憶媒体装着部２７に装着された状態においては、中立用バネ３６によって誘導レバー２８が中立位置に保持される。接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続された状態においては、第２の記憶媒体２００の左側面２０１ｂが係合片２７ａに接した状態とされている。
【００９９】
第２の記憶媒体２００のスロット４からの取出は、第１の記憶媒体１００の場合と同様に、イジェクト機構によってスロット４から排出されることにより行われる。
【０１００】
以上に記載した通り、記憶媒体ドライブ装置１にあっては、第２の記憶媒体２００がホルダー２８に挿入されたときに接続端子３５、３５、・・・と端子電極２０５、２０５、・・・とが互いに係合される方向へ端子部３４と第２の記憶媒体２００とが誘導レバー３１によって誘導されるため、記憶媒体装着部２７に第１の記憶媒体１００と第２の記憶媒体２００の双方をアダプターを用いずに装着することができ、スロット４の共有化による使い勝手の向上を図ることができる。
【０１０１】
また、スロット４に挿入された記憶媒体の大きさの違いを検出するための検出手段を必要としないと共に第１の記憶媒体１００と第２の記憶媒体２００毎のガイドも必要としないため、機構の簡素化による記憶媒体ドライブ装置１の製造コストの低減を図ることができる。
【０１０２】
記憶媒体ドライブ装置１にあっては、端子部３４を誘導レバー３１に設け端子部３４を誘導レバー３１と一体に移動させるようにしているため、誘導レバー３１の動作に伴って端子部３４を動作させるためのリンク機構が不要であり、部品点数の削減を図ることができると共に動作の信頼性の向上を図ることができる。
【０１０３】
また、誘導レバー３１に弾性変位可能な誘導バネ部３３、３３を設けているため、第１の記憶媒体１００を端子電極１０５、１０５、・・・が接続端子３５、３５、・・・に接続される方向へ確実に誘導することができる。
【０１０４】
さらに、誘導レバー３１をホルダー２８に回動可能とするだけでスロット４の共有化を図ることができるため、機構の簡素化を図ることができる。
【０１０５】
さらにまた、第１の記憶媒体１００がホルダー２８に案内されて記憶媒体装着部２７に装着され、第２の記憶媒体２００が誘導レバー３１に誘導されて記憶媒体装着部２７に装着されるため、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００のそれぞれを記憶媒体装着部２７に適正かつ確実に装着することができる。
【０１０６】
加えて、第２の記憶媒体２００は左右何れの側に寄った状態でスロット４に挿入されても、何れか一方の誘導バネ部３３に必ず誘導されるため、接続端子３５、３５、・・・と端子電極２０５、２０５、・・・とを確実に接続することができる。
【０１０７】
尚、上記には、中立用バネ３６を設けて誘導レバー３１を中立位置に保持する場合を示したが、ローディング機構３７にあっては、上記のように、誘導レバー３１の回動範囲において傾斜面３３ｂ、３３ｂの前端Ｐ、Ｐがホルダー２８の案内壁部３０ａ、３０ａの内面Ｑ、Ｑより内側に位置されないようにされている（図１１参照）ため、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００は常に誘導バネ部３３、３３間に挿入されるので、必ずしも中立用バネ３６を設ける必要はない。
【０１０８】
次に、ホルダー２８と誘導レバー３１の第１の変形例であるホルダー２８Ａと誘導レバー３１Ａについて説明する（図２２乃至図２７参照）。尚、以下に示す第１の変形例は、ホルダー２８及び誘導レバー３１と比較して、ホルダー２８Ａに誘導レバー３１Ａが左右方向へ移動自在に支持されていることのみが相違するため、ホルダー２８及び誘導レバー３１と比較して異なる部分についてのみ詳細に説明をし、その他の部分についてはホルダー２８及び誘導レバー３１における同様の部分に付した符号と同じ符号を付して説明は省略する。
【０１０９】
ホルダー２８Ａの後端寄りの位置には、左右に離間して支持ピン２８ａ、２８ａが設けられている（図２２参照）。ホルダー２８Ａには上記ホルダー２８に設けられた規制突部２９ａ、２９ａは設けられていない。
【０１１０】
誘導レバー３１Ａは基部３２Ａと該基部３２Ａの左右両端部から略前方へ突出された誘導バネ部３３、３３とが一体に形成されて成る。基部３２Ａには左右に離間して左右方向に長い被支持孔３２ｂ、３２ｂが形成され、該被支持孔３２ｂ、３２ｂにホルダー２８Ａの支持ピン２８ａ、２８ａが挿入され、誘導レバー３１Ａがホルダー２８Ａに左右方向、即ち、図２２に示すＳ１―Ｓ２方向へ移動自在に支持されている（図２２参照）。基部３２Ａの前面には１０個の接続端子３５、３５、・・・から成る端子部３４が設けられている。
【０１１１】
以上のようにして構成されたホルダー２８Ａ、誘導レバー３１Ａ及び端子部３４によって、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００をローディングするローディング機構３８が構成される。
【０１１２】
以下に、ローディング機構３８のローディング動作について説明する（図２３乃至図２７参照）。
【０１１３】
外筐２のスロット４に第１の記憶媒体１００が挿入されると、ローディング機構３７の場合と同様に、第１の記憶媒体１００は弾性変位される誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、待ち受けている接続端子３５、３５、・・・に、それぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続される（図２３参照）。
【０１１４】
外筐２のスロット４に対して第２の記憶媒体２００が左方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導レバー３１の左側の誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接されて後方へ移動されていき、このとき第２の記憶媒体２００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、ホルダー２８ＡがＳ１方向へ移動される（図２４参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が左方側に変位される。
【０１１５】
第２の記憶媒体２００は誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、ホルダー２８ＡのＳ１方向への移動により左方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・に、それぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続される（図２５参照）。
【０１１６】
一方、外筐２のスロット４に対して第２の記憶媒体２００が右方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導レバー３１の右側の誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接されて後方へ移動されていき、このとき第２の記憶媒体２００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、ホルダー２８ＡがＳ２方向へ移動される（図２６参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が右方側に変位される。
【０１１７】
第２の記憶媒体２００は誘導バネ部３３、３３間に挿入されていき、ホルダー２８ＡのＳ２方向への移動により右方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・に、それぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続される（図２７参照）。
【０１１８】
以上に記載した通り、ローディング機構３８にあっては、誘導レバー３１Ａがホルダー２８Ａに挿入される第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００の端子電極１０５、１０５、・・・、２０５、２０５、・・・の配列方向へ移動されるため、接続端子３５、３５、・・・と端子電極１０５、１０５、・・・又は端子電極２０５、２０５、・・・との接続を確実に行うことができる。
【０１１９】
また、第２の記憶媒体２００は左右何れの側に寄った状態でスロット４に挿入されても、何れか一方の誘導バネ部３３に必ず誘導されるため、接続端子３５、３５、・・・と端子電極２０５、２０５、・・・とを確実に接続することができる。
【０１２０】
尚、ローディング機構３８にあっても、誘導レバー３１Ａを中立位置に保持させるための中立用バネを設けてもよい。
【０１２１】
次に、誘導レバー３１の第２の変形例である誘導レバー３１Ｂについて説明する（図２８乃至図３６参照）。尚、以下に示す第２の変形例は、誘導レバー３１と比較して、ホルダー２８に１つの誘導バネ部３３のみを有する誘導レバー３１Ｂが回動自在に支持されていることのみが相違するため、誘導レバー３１と比較して異なる部分についてのみ詳細に説明をし、その他の部分については誘導レバー３１における同様の部分に付した符号と同じ符号を付して説明は省略する。
【０１２２】
誘導レバー３１Ｂは基部３２と該基部３２の左右両端部の何れか一方、例えば、右端部から略前方へ突出された誘導バネ部３３とが一体に形成されて成る（図２８参照）。
【０１２３】
基部３２は回動軸部３２ａがホルダー２８のベース部２９に回動自在に支持されている。
【０１２４】
誘導レバー３１Ｂは、基部３２と記憶媒体装着部２７に設けられた図示しないバネ支持部との間に張設された引張コイルバネ３９によって、Ｒ１方向へ付勢されている（図２８参照）。従って、誘導レバー３１Ｂに外力が付与されていない状態においては、基部３２がベース部２９に設けられた左側の規制突部２９ｂに接しＲ１方向への回動が規制されている。誘導レバー３１ＢのＲ１方向への回動が規制された状態においては、誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂの前端がホルダー２８の案内壁部３０ａの内面の真後ろの位置又はその僅かに右側に位置されている（図２８参照）。
【０１２５】
以上のようにして構成されたホルダー２８、誘導レバー３１Ｂ及び端子部３４によって、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００をローディングするローディング機構４０が構成される。
【０１２６】
以下に、ローディング機構４０のローディング動作について説明する（図２９乃至図３６参照）。
【０１２７】
第１の記憶媒体１００がスロット４に挿入されると、第１の記憶媒体１００の側面１０１ｂ、１０１ｂがホルダー２８のガイド部３０の案内壁部３０ａ、３０ａに案内されて後方へ移動されていく（図２９参照）。
【０１２８】
後方へ移動される第１の記憶媒体１００は、誘導レバー３１Ｂの誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接される（図３０参照）。第１の記憶媒体１００が後方へ移動されていくと、第１の記憶媒体１００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、誘導レバー３１Ｂが引張コイルバネ３９のバネ力に抗してＲ２方向へ回動される（図３１参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が右方側に変位される。
【０１２９】
第１の記憶媒体１００がホルダー２８に挿入されたときに、誘導レバー３１ＢはＲ２方向における回動端まで回動されるが、この回動端において、端子部３４の左右方向における中央線Ｐｍは、第１の記憶媒体１００の電極部１０２の左右方向における中央線Ｐ１に対し、僅かに右方に寄って位置されている（図３１参照）。
【０１３０】
第１の記憶媒体１００は、さらに後方へ移動されることにより、右方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続される（図３２参照）。このとき端子部３４の左右方向における中央線Ｐｍが第１の記憶媒体１００の電極部１０２の左右方向における中央線Ｐ１に対し僅かに右方に寄って位置されているが、上記したように、接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅が端子電極１０５、１０５、・・・の左右方向における幅より小さくされているため、中央線Ｐｍと中央線Ｐ１との差は接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅と端子電極１０５、１０５、・・・の左右方向における幅との差によって吸収され、接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が適正に接続される。
【０１３１】
接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極１０５、１０５、・・・が接続された状態においては、第１の記憶媒体１００の係合溝１１１に係合片２７ａが係合されている（図３２参照）。
【０１３２】
第２の記憶媒体２００がスロット４に対して左方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂの左側を通って後方へ移動されていく（図３３参照）。
【０１３３】
第２の記憶媒体２００には係合片２７ａが挿入される係合溝が形成されていないため、第２の記憶媒体２００は係合片２７ａに摺接され、稍右側へ寄りながら後方へ移動され、待ち受けている接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続される（図３４参照）。このとき端子部３４の左右方向における中央線Ｐｍが第２の記憶媒体２００の電極部２０２の左右方向における中央線Ｐ２に対し僅かに左方に寄って位置されているが、上記したように、接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅が端子電極２０５、２０５、・・・の左右方向における幅より小さくされているため、中央線Ｐｍと中央線Ｐ２との差は接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅と端子電極２０５、２０５、・・・の左右方向における幅との差によって吸収され、接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が適正に接続される。
【０１３４】
一方、第２の記憶媒体２００がスロット４に対して右方に寄った状態で該スロット４に挿入されると、第２の記憶媒体２００は誘導レバー３１Ｂの誘導バネ部３３の傾斜面３３ｂに摺接される。
【０１３５】
第２の記憶媒体２００は傾斜面３３ｂに摺接されて後方へ移動されていき、このとき第２の記憶媒体２００の傾斜面３３ｂに対する押圧力により、誘導レバー３１ＢがＲ２方向へ回動される（図３５参照）。従って、接続端子３５、３５、・・・が右方側に変位される。
【０１３６】
第２の記憶媒体２００は、誘導レバー３１ＢのＲ２方向への回動により右方側に変位されて待ち受けている接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が接続される（図３６参照）。このとき端子部３４の左右方向における中央線Ｐｍが第２の記憶媒体２００の電極部２０２の左右方向における中央線Ｐ２に対し僅かに左方に寄って位置されているが、上記したように、接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅が端子電極２０５、２０５、・・・の左右方向における幅より小さくされているため、中央線Ｐｍと中央線Ｐ２との差は接続端子３５、３５、・・・の左右方向における幅と端子電極２０５、２０５、・・・の左右方向における幅との差によって吸収され、接続端子３５、３５、・・・にそれぞれ端子電極２０５、２０５、・・・が適正に接続される。
【０１３７】
以上に記載した通り、ローディング機構４０にあっては、誘導レバー３１Ｂが基部３２と一の誘導バネ部３３のみによって構成されているため、機構の一層の簡素化を図ることができる。
【０１３８】
尚、上記した誘導レバー３１Ｂの誘導バネ部３３は、基部３２に対して弾性変位可能とされているが、誘導バネ部３３を基部３２に対して変位しないバネ性を有さない誘導部として設けてもよい。
【０１３９】
また、上記には、誘導レバー３１の第２の変形例としてホルダー２８に回動自在に支持された誘導レバー３１Ｂを説明したが、第３の変形例として、誘導レバー３１Ｂに代えて、誘導レバー３１Ａのように、ホルダー２８に対して左右方向に移動可能とされた誘導レバー３１Ｃを設けてもよい（図３７参照）。
【０１４０】
誘導レバー３１Ｃは基部３２Ｃと該基部３２Ｃの左右両端部の何れか一方、例えば、右端部から略前方へ突出された誘導バネ部３３とが一体に形成されて成る。基部３２Ｃには左右に離間して左右方向に長い被支持孔３２ｃ、３２ｃが形成され、該被支持孔３２ｃ、３２ｃにホルダー２８Ａの支持ピン２８ａ、２８ａが挿入され誘導レバー３１Ｃがホルダー２８Ａに左右方向に移動自在に支持されている。誘導レバー３１Ｃの基部３２Ｃの前面には端子部３４が設けられている。
【０１４１】
誘導レバー３１Ｃは、基部３２Ｃと記憶媒体装着部２７に設けられた図示しないバネ支持部との間に張設された引張コイルバネ４１によって、Ｓ１方向へ付勢されている。従って、誘導レバー３１Ｃに外力が付与されていない状態においては、基部３２Ｃが左方側の移動端に位置されている。
【０１４２】
以上のようにして構成されたホルダー２８Ａ、誘導レバー３１Ｃ及び端子部３４によって、第１の記憶媒体１００及び第２の記憶媒体２００をローディングするローディング機構４２が構成される。
【０１４３】
ローディング機構４２の動作は、ローディング機構４０の動作において誘導レバー３１ＢのＲ１―Ｒ２方向における回動動作が、誘導レバー３１ＣのＳ１―Ｓ２方向における動作に置き換わるだけであるため、説明は省略する。
【０１４４】
以上に記載した通り、ローディング機構４２にあっては、誘導レバー３１Ｃが基部３２Ｃと一の誘導バネ部３３のみによって構成されているため、機構の一層の簡素化を図ることができ、また、誘導レバー３１Ｃに設けられた端子部３４が端子電極１０５、１０５、・・・、２０５、２０５、・・・の配列方向へスライド動作されるため、接続端子３５、３５、・・・と端子電極１０５、１０５、・・・又は端子電極２０５、２０５、・・・との接続を確実に行うことができる。
【０１４５】
上記した実施の形態において示した各部の形状及び構造は、何れも本発明の実施に際しての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって、本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。
【０１５１】
請求項１に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動するようにしたので、誘導レバーをホルダーに回動可能とするだけでスロットの共有化を図ることができ、機構の簡素化を図ることができる。
【０１５２】
請求項２に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動するようにしたので、接続端子と端子電極との接続を確実に行うことができる。
【０１５４】
請求項３に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して回動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動され、端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにしたので、第２の記憶媒体がホルダーに対して片寄った状態で挿入されても、何れか一方の誘導バネ部に必ず誘導されるため、接続端子と端子電極とを確実に接続することができる。
【０１５５】
請求項４に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して端子電極の配列方向へ移動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動され、端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにしたので、第２の記憶媒体がホルダーに対して片寄った状態で挿入されても、何れか一方の誘導バネ部に必ず誘導されるため、接続端子と端子電極とを確実に接続することができ、また、端子部が端子電極の配列方向へ移動されるため、接続端子と端子電極との接続を確実に行うことができる。
【０１６１】
請求項５に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動するようにしたので、誘導レバーをホルダーに回動可能とするだけでスロットの共有化を図ることができ、機構の簡素化を図ることができる。
【０１６２】
請求項６に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とし、端子部の複数の接続端子を記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動するようにしたので、接続端子と端子電極との接続を確実に行うことができる。
【０１６４】
請求項７に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して回動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して回動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の略配列方向へ移動され、端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにしたので、第２の記憶媒体がホルダーに対して片寄った状態で挿入されても、何れか一方の誘導バネ部に必ず誘導されるため、接続端子と端子電極とを確実に接続することができる。
【０１６５】
請求項８に記載した発明にあっては、上記誘導レバーをホルダーに対して該ホルダーに挿入される記憶媒体の端子電極の配列方向へ移動可能とすると共に誘導レバーに記憶媒体の端子電極の配列方向に離間する一対の誘導部を設け、上記第２の記憶媒体がホルダーに挿入されたときに当該第２の記憶媒体が誘導部に摺接されて一対の誘導部間に誘導されると共に誘導レバーがホルダーに対して端子電極の配列方向へ移動されて端子部の複数の接続端子が記憶媒体の複数の端子電極の配列方向へ移動され、端子部の各接続端子が第２の記憶媒体の各端子電極に係合されて接続されるようにしたので、第２の記憶媒体がホルダーに対して片寄った状態で挿入されても、何れか一方の誘導バネ部に必ず誘導されるため、接続端子と端子電極とを確実に接続することができ、また、端子部が端子電極の配列方向へ移動されるため、接続端子と端子電極との接続を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２乃至図３７と共に本発明の実施の形態を示すものであり、本図は記憶媒体ドライブ装置に装着される第１の記憶媒体を示す拡大斜視図である。
【図２】記憶媒体ドライブ装置に装着される第２の記憶媒体を示す拡大斜視図である。
【図３】記憶媒体の電極構造を示す概念図である。
【図４】記憶媒体の内部構造及び電極構造を示す概念図である。
【図５】記憶媒体ドライブ装置と記憶媒体とのインターフェース構成を示す概念図である。
【図６】記憶媒体ドライブ装置の概略斜視図である。
【図７】記憶媒体ドライブ装置の回路構成を示すブロック図である。
【図８】ローディング機構を記憶媒体とともに示す拡大斜視図である。
【図９】誘導レバーと記憶媒体との大きさの関係を示す拡大平面図である。
【図１０】ローディング機構の拡大縦断面図である。
【図１１】誘導レバーのホルダーに対する回動範囲を示す拡大平面図である。
【図１２】図１３乃至図２１と共にローディング機構の動作を示すものであり、本図は第１の記憶媒体がホルダーに挿入された直後の状態を示す拡大平面図である。
【図１３】第１の記憶媒体が誘導レバーの傾斜面に摺接されている状態を示す拡大平面図である。
【図１４】第１の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図１５】第２の記憶媒体が左方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導レバーの傾斜面に摺接されている状態を示す拡大平面図である。
【図１６】図１５に引き続き誘導レバーがＲ１方向へ回動された状態を示す拡大平面図である。
【図１７】図１６に引き続き第２の記憶媒体の端子電極が接続端子に接続された状態を示す拡大平面図である。
【図１８】図１７に引き続き誘導レバーが中立位置に戻った状態を示す拡大平面図である。
【図１９】第２の記憶媒体が右方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導レバーの傾斜面に摺接されている状態を示す拡大平面図である。
【図２０】図１９に引き続き誘導レバーがＲ２方向へ回動された状態を示す拡大平面図である。
【図２１】図２０に引き続き第２の記憶媒体の端子電極が接続端子に接続された状態を示す拡大平面図である。
【図２２】図２３乃至図２７と共に第１の変形例を示すものであり、本図はローディング機構の拡大平面図である。
【図２３】第１の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図２４】第２の記憶媒体が左方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導レバーがＳ１方向へ移動された状態を示す拡大平面図である。
【図２５】図２４に引き続き第２の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図２６】第２の記憶媒体が右方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導レバーがＳ２方向へ移動された状態を示す拡大平面図である。
【図２７】図２６に引き続き第２の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図２８】図２９乃至図３６と共に第２の変形例を示すものであり、本図はローディング機構の拡大平面図である。
【図２９】第１の記憶媒体がホルダーに挿入された直後の状態を示す拡大平面図である。
【図３０】第１の記憶媒体が誘導レバーの傾斜面に摺接されている状態を示す拡大平面図である。
【図３１】図３０に引き続き誘導レバーが引張コイルバネのバネ力に抗してＲ２方向へ回動された状態を示す拡大平面図である。
【図３２】図３１に引き続き第１の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図３３】第２の記憶媒体が左方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導バネ部の左側を通って後方へ移動されている状態を示す拡大平面図である。
【図３４】図３３に引き続き第２の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図３５】第２の記憶媒体が右方に寄った状態でホルダーに挿入され誘導レバーがＲ２方向へ回動された状態を示す拡大平面図である。
【図３６】図３５に引き続き第２の記憶媒体が記憶媒体装着部に装着された状態を示す拡大平面図である。
【図３７】第３の変形例を示すローディング機構の拡大平面図である。
【符号の説明】
１…記憶媒体ドライブ装置、２８…ホルダー、３１…誘導レバー、３３…誘導バネ部、３４…端子部、３５…接続端子、３７…ローディング機構、２８Ａ…ホルダー、３１Ａ…誘導レバー、３８…ローディング機構、３１Ｂ…誘導レバー、４０…ローディング機構、３１Ｃ…誘導レバー、４２…ローディング機構、１００…第１の記憶媒体、１０１…筐体、１０５…端子電極、１１３…半導体メモリー、２００…第２の記憶媒体、２０１…筐体、２０５…端子電極、２１３…半導体メモリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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