(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板の作製において、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法であって、その一部または全体を電極として配置したオリフィスまたはノズルの開口部を有し、且つ、導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを前記開口部から吐出する吐出手段を用い、その開口部から導電性ペーストを吐出して、配線基板の所定位置に導電性ペーストを付着させるもので、吐出手段内の導電性ペーストに圧力をかけ導電性ペーストのメニスカスを形成し、前記電極を介して吐出手段の開口部に第１の所定電圧値のパルス電圧を印加して、開口部に導電性ペーストのメニスカスを縦長に伸長した伸長部を形成した状態で伸長部先端から、垂れ流すようにして、あるいは、伸長部を形成した状態で、更に、前記電極を介して吐出手段の開口部に第２の所定電圧値以上のパルス電圧を印加することにより、伸長部の先端よりその一部を分離して、間接的に、配線基板に導電性ペーストを付着するものであり、導電性ペーストを、吐出手段の開口部と配線基板間の、前記伸長部先端近傍に設けられた、パルス電圧を印加時の電気力線を制御するための微小な針状物に当て、該微小な針状物から導電性ペーストを配線基板上に落下させて付着させるものであることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項２】
請求項１において、各配線層を、それぞれ、配線層を選択めっき形成した転写版より転写形成するものであることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線接続部形成方法であって、針状物は、その振動により、針状物の先を配線基板に接するようにして、導電性ペーストを配線基板上に付着させるものであることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線接続部形成方法であって、開口径は、５０μｍ〜１ｍｍ程度で、導電性ペーストの粘度が１０００ｃｐｓ〜１００００００ｃｐｓの範囲であることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の配線接続部形成方法であって、パルス電圧の周波数が１０〜１００ｋＨｚであることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の配線接続部形成方法であって、配線基板がインターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板であることを特徴とする配線接続部形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載の配線接続部形成方法であって、前記半導体装置用の配線基板が、エリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板であることを特徴とする配線接続部形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板の作製における配線接続部の形成方法に関し、特に、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線等へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどってきている。
半導体装置の高集積化、高機能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子化が求められるようになってきた。
多端子ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレームを用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを超えるものまで実用化に至っている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
ここで用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオトエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形加工されていた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
このようなＱＦＰの実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｇ  Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
【０００４】
しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワイヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
尚、ここでは、ＢＧＡのように、二次元的に端子を配列した構造のものをエリアアレイタイプと言う。
【０００５】
この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、これ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を形成したエリアアレイタイプの半導体装置も種々提案されている。
このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。
【０００６】
一方、半導体素子をプリント回路基板へ搭載するためのインターポーザとしては、薄くするためにＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）を使用してきた。
しかし、半導体素子をバンプを使用して搭載するタイプのＴＡＢインターポーザは、バンプをめっきにより形成するため、工程が複雑になり、コスト高となるという問題に加え、バンプ形成用のめっきリード線が必要なため、最終形態においても、そのめっきリードが残り、高周波特性を悪化させるという品質的な問題もある。
また、このタイプのものは、ＴＡＢのベースとなるＰＩフィルムは８０μｍ程度が、薄層化の限界であり、それより薄型化できないという問題もある。
【０００７】
このため、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板を、インターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板としようとする試みが、行われるようになってきた。
例えば、本願出願人により、複数の転写版に、それぞれ、所定の形状にめっき形成された配線層を、配線を形成するベース基板に、順次、配線を固定する接着剤層である絶縁層を介して転写して、配線層を多層に形成する多層配線基板の製造方法が提案されている。
この方法の場合、配線を固定し、且つ、重なる配線間を絶縁する絶縁層（接着剤層）の形成方法としては、▲１▼印刷方法、▲２▼感光性樹脂のフォトリソグラフィー法、▲３▼電着形成法がある。
▲１▼印刷方法は、スクリーン印刷等の印刷によるもので、量産的で、安価となるが、精度的に問題があり、高精度高密度の配線形成には適していない。
▲２▼感光性樹脂のフォトリソグラフィー法の場合、高精度高密度の配線形成には適しているが、工程が長く、作業時間が長く、且つ複雑で、設備も高価となり、結果コスト高となる。
▲３▼電着形成法としては、本願出願人により、導電性基板上に、配線層をめっき形成し、更に配線層上に電着により、配線を固定し、且つ重なる配線間を絶縁する絶縁層（接着剤層）の形成する方法が提案されている。
【０００８】
上記転写による多層配線基板の製造方法においては、転写した配線層と他の配線層との接続方法としては、導電性ペースト（インキ）等をスクリーン印刷等で導電性層相互間に跨がるように印刷して接続配線（接合部）を形成する印刷法、導電性のインキを微細なノズルから噴出させ、接続配線（接合部）を直接描画形成して接続配線（接合部）を形成するディスペンス法、ボンディングワイヤを用い接続配線を形成するワイヤーボンディング法等が比較的簡単な方法として知られているが、これらの公知の方法は、接続配線（接合部）を品質的に安定して形成できる方法とは言えず、その対応が求められていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように、転写により、インターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板を作製する場合に、転写後の所定配線から他の配線等への配線接続部の形成を接続品質良くでき、且つ  配線の微細化、高密度化に対応できる配線接続方法が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、具体的には、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板を転写版を用いて作製する際、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線等へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法において、配線接続部形成を接続品質良くできる配線接続方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線接続部形成方法は、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板の作製において、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法であって、その一部または全体を電極として配置したオリフィスまたはノズルの開口部を有し、且つ、導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを前記開口部から吐出する吐出手段を用い、その開口部から導電性ペーストを吐出して、配線基板の所定位置に導電性ペーストを付着させるもので、吐出手段内の導電性ペーストに圧力をかけ導電性ペーストのメニスカスを形成し、前記電極を介して吐出手段の開口部に第１の所定電圧値のパルス電圧を印加して、開口部に導電性ペーストのメニスカスを縦長に伸長した伸長部を形成した状態で伸長部先端から、垂れ流すようにして、あるいは、伸長部を形成した状態で、更に、前記電極を介して吐出手段の開口部に第２の所定電圧値以上のパルス電圧を印加することにより、伸長部の先端よりその一部を分離して、間接的に、配線基板に導電性ペーストを付着するものであり、導電性ペーストを、吐出手段の開口部と配線基板間の、前記伸長部先端近傍に設けられた、パルス電圧を印加時の電気力線を制御するための微小な針状物に当て、該微小な針状物から導電性ペーストを配線基板上に落下させて付着させるものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、各配線層を、それぞれ、配線層を選択めっき形成した転写版より転写形成するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの配線接続部形成方法であって、針状物は、その振動により、針状物の先を配線基板に接するようにして、導電性ペーストを配線基板上に付着させるものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの配線接続部形成方法であって、開口径は、５０μｍ〜１ｍｍ程度で、導電性ペーストの粘度が１０００ｃｐｓ〜１００００００ｃｐｓの範囲であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの配線接続部形成方法であって、パルス電圧の周波数が１０〜１００ｋＨｚであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの配線接続部形成方法であって、配線基板がインターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板であることを特徴とするものであり、該半導体装置用の配線基板が、エリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板であることを特徴とするものである。
【００１１】
尚、上記において、吐出手段の開口部から配線基板までの距離は０．１〜１０ｍｍで適用できる。
また、上記において、導電性ペーストが開口部の開口径の１／１０以下の粒径の粒子を含んでいる場合にも適用できる。
更にまた、上記において、導電性ペーストが１〜１０μｍの平均粒径の粒子を含んでいる場合にも適用できる。
また、上記の針状物の表面は、フッ素加工されているか、テフロンまたはパーフルオロフッ素化合物からなることが好ましい。
【００１２】
【作用】
本発明の配線接続部形成方法は、このような構成にすることにより、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板を転写版を用いて作製する際、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線等へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法において、配線接続部形成を接続品質良くできる配線接続方法の提供を可能とするものである。
具体的には、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板の作製において、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法であって、その一部または全体を電極として配置したオリフィスまたはノズルの開口部を有し、且つ、導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを前記開口部から吐出する吐出手段を用い、その開口部から導電性ペーストを吐出して、配線基板の所定位置に導電性ペーストを付着させるもので、吐出手段内の導電性ペーストに圧力をかけ導電性ペーストのメニスカスを形成し、前記電極を介して吐出手段の開口部に第１の所定電圧値のパルス電圧を印加して、開口部に導電性ペーストのメニスカスを縦長に伸長した伸長部を形成した状態で伸長部先端から、垂れ流すようにして、あるいは、伸長部を形成した状態で、更に、前記電極を介して吐出手段の開口部に第２の所定電圧値以上のパルス電圧を印加することにより、伸長部の先端よりその一部を分離して、間接的に、配線基板に導電性ペーストを付着するものであり、導電性ペーストを、吐出手段の開口部と配線基板間の、前記伸長部先端近傍に設けられた、パルス電圧を印加時の電気力線を制御するための微小な針状物に当て、該微小な針状物から導電性ペーストを配線基板上に落下させて付着させるものであることにより、これを達成している。
詳しくは、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成していることにより、配線、端子の微細化や高密度化が可能で、半導体素子の多端子化に対応できる、インターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板の作製を可能としている。
そして、各配線層は、それぞれ、配線層を選択めっき形成した転写版より転写形成されたものであることにより、量産にも対応できる。
接続が導電性ペーストであることより、電気的には接続信頼性の良いものと言える。
【００１３】
また、導電性ペーストを、吐出手段の開口部と配線基板間の、前記伸長部先端近傍に設けられた、パルス電圧を印加時の電気力線を制御するための微小な針状物に当て、該微小な針状物から導電性ペーストを配線基板上に落下させて付着させるものであることにより、導電性ペーストを付着させる位置精度を、より優れたものとできる。
【００１４】
導電ペーストを付着させる対象とする配線基板がインターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板である場合には、有効で、エリアアレイタイプ半導体装置用の配線基板にも適用でき、益々の高密度配線、多端子化にも対応できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の配線接続部形成方法の実施の形態例を図を基に説明する。
図１は本発明に関わる配線接続部形成方法の第１例の工程断面図で、図２は本発明に関わる配線接続部形成方法の第２例の工程断面図で、図３は本発明に関わる配線接続部形成方法の第３例の工程断面図で、図４（ａ）は第１の例の導電性ペースト吐出手段を示した概略構成図で、図４（ｂ）は第２の例の導電性ペースト吐出手段を示した概略構成図で、図５は第２の例の導電性ペースト吐出手段を用いた場合の塗布形態を示した図で、図６は従来のディスペンス法と本発明の配線接続部形成方法との違いを説明するための図で、図７は本発明の配線接続部形成方法におけるディスペンサの吐出原理を説明するための図で、図８はパルス電圧の印加と滴化を説明するための図で、図９は導電性ペーストの滴化制御を説明するための図で、図１０〜図１２はパルス電圧の印加と滴化を説明するための図で、図１３は転写版と転写を説明するための図である。
尚、図１（ｂ１）、図１（ｄ１）は、それぞれ、図１（ｂ）、図１（ｄ）の上面図である。
図１〜図１３中、１０は導電性ペース（高粘度物質とも言う）、１０Ａは配線接続部、１１は制御部、１２は容器、１３は開口部、１４は電極、１５は電源、１６は配線基板、１７はメニスカス、１８は伸長部、１９は滴、２０は針状物、２５は回転軸、３０は吐出手段、３５は加圧手段、５０は固定部、６０はステージ、１１０は金属基材、１１１は基材（ベース基材とも言う）、１２０は配線部、１２１は配線、１２２はラウンド（端子部）、１２２Ａは孔部、１３０は絶縁性樹脂層、２１０は基材（ベース基材とも言う）、２２１、２２２は配線層（配線部とも言う）、２３１、２３２は絶縁樹脂層（電着樹脂層とも言う）、３１０と金属基材（導電性基板とも言う）、３１５は貫通孔（単に孔部とも言う）、３１５Ａは孔部、３２０は電着樹脂層、３３０は配線（めっき配線とも言う）、３５０は半田ポール、３７０は半導体素子、３７１は端子（パッドとも言う）、７１０は導電性基板、７２０はレジスト、７２５は開口部、７３０は導電性層（めっき金属）、７４０は電着樹脂層、７４０Ａは絶縁性樹脂層、７８０は被転写基板である。
【００１６】
本発明に関わる配線接続部形成方法の第１例を図１に基づいて説明する。
本例は、金属基材１１０の一面上に転写により、絶縁性樹脂層１３０を介して、選択めっき形成された配線部１２０を１層形成した後、配線部１２０のラウンド（端子部）１２２と金属基材１１０とを、導電性ペースト１０により、電気的に接続する配線接続部１０Ａを形成する配線接続部形成方法である。
まず、金属基材１１０（図１（ａ））の一面上に、絶縁性樹脂層１３０を介して配線部１２０を転写版から、転写形成する。（図１（ｂ）、図１（ｂ１））
本例では、絶縁性樹脂層１３０は、転写版に配線部１２０を選択めっき形成した後、露出した配線部１２０の表面に電着形成したものである。
【００１７】
転写版の製造、および転写は、例えば、図１３のようにして行うが、これに限定はされない。
以下、図１３に示す転写版の製造方法、および転写方法を、簡単に説明する。
先ず、導電性基板７１０上に、耐めっき性のレジスト７２０を塗布、乾燥した（図１３（ａ））後、作成する電極群とその引出し電極の形状に合わせたパターン版を用いて貼着露光し、現像、乾燥処理を経て、作成する配線体の形状に合わせた開口部７２５を有するレジスト７２０のパターンを形成する。（図１３（ｂ））
導電性基板７１０としては、めっき剥離性の良いものが好ましく、通常、ステンレス板材が使用される。
レジスト７２０としては、耐めっき性があり、処理性の良いものが好ましいく、例えば、ノボラック系のフォトレジスト等が適用できる。
ここでは、レジスト７２０の膜厚としては、作成する導電性層の所望の厚さよりも厚く、且つ、作成する配線体の厚さ（導電性層とその上の電着樹脂層との厚さを併せた厚さ）よりも薄くなるようにする。
通常、０．５〜４０μｍ程度である。
ここでは、フォトレジストを用いてレジスト７２０を所定の形状に開口したが、スクリーン印刷等を用いて、所定形状に開口した耐めっき性のレジストを形成しても良いことは言うまでもない。
【００１８】
次いで、レジスト７２０の開口部７２５に導電性層（めっき金属）７３０を、レジスト７２０の膜厚より薄くなる状態でめっき形成する。（図１３（ｃ））
導電性層７３０をめっき銅とする場合には、公知の銅めっき浴にてめっき形成できる。
【００１９】
次いで、洗浄処理等を経て、導電性層７３０の露出した部分に電着により絶縁樹脂層（電着粘着剤あるいは電着接着剤）７４０Ａを形成する。（図１３（ｄ））
電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物を用いて行う。
更に具体的には、イオン性基を含有するポリイミド樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性の場合、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性の場合は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化されたイオン性基を含有するポリイミド樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
電着後、導電性層７３０上に形成された絶縁性樹脂層（電着粘着剤あるいは電着接着剤）７４０Ａを乾燥、必要に応じて熱処理を施しておく。
絶縁性樹脂層７４０Ａは、転写性の面から、常温ないし加熱により粘着性あるいは接着性を有することが必要である。
図１３（ｄ）に示す状態のものをここでは転写版と言う。
【００２０】
次いで、図１３（ｄ）に示す転写版の絶縁性樹脂層７４０Ａを、被転写基板７８０に向け、転写版と被転写基板７８０とを圧着し（図１３（ｅ））、転写版の導電性基板７１０とレジスト７２０のみを剥離して、導電性層７３０を絶縁性樹脂層７４０Ａを介して、被転写基板７８０側に転写した後、絶縁性樹脂層７４０Ａを硬化させて電着樹脂層７４０とし、所望形状の電極群とその取り出し電極とが、その下に電着樹脂層７４０を設けて形成される。（図１３（ｆ））
【００２１】
このようにして、配線部１２０は、絶縁性樹脂層１３０を介して、金属基材１１０の一面に転写形成されるが、次いで、金属基材１１０と配線部１２０の所定の配線とを電気的に接続する。
ここでは、図１（ｂ）、図１（ｂ１）に示すラウンド１２２の孔部１２２Ａに導電性ペースト１０を付着させ（図１（ｃ））、金属基材１１０と配線部１２０のラウンド１２２とを接続する配線接続部１０Ａを形成する。（図１（ｄ）、図１（ｄ１））
そして、この後、必要に応じて、乾燥、熱処理を施しておく。
【００２２】
本例は、その一部または全体を電極として配置したオリフィス、ノズル等の開口部を有し、且つ、導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを前記開口部から吐出する吐出手段を用い、その開口部から導電性ペーストを吐出して、配線基板の所定位置に導電性ペーストを付着させて接続部を形成するものであるが、図６（ａ）に示すような塗布形態を採る従来のディスペンス塗布方法とは異なり、図６（ｂ）に示すような、塗布する導電ペースト６２０を開口部６１０から長く、細く伸長した状態で、その先端部から基材６３０へ塗布を行うものである。
更に、図６に基づき、従来のディスペンス法との違いを簡単に述べておく。
図６（ａ）に示す従来のディスペンス法では、開口部６１０よりも太い状態の導電性ペースト６２０をそのまま基材６３０に付着させるものであるが、図６（）に示す本例の方法においては、開口部６１０から導電性ペースト６２０を伸長した状態でその先端部から基材６３０へ付着させるため、Ｌ１はＬ２比べ格段に小さくとることができる。
また、開口部６１０の基材６３０面からの高さＨ２については、図６（ａ）に示す従来のディスペンス法での高さＨ１に比べ数倍から１０倍程度とすることができる。
これにより、本例の方法は、従来のディスペンス法よりも、微細な箇所への導電性ペーストの付着を可能とするとともに、種々の立体形状にも対応できるものとしている。
また、５０μｍφ程度の開口を有するオリフィス（ないしノズル）は高価で、従来のディスペンス法では、実用的であい。
【００２３】
また、スクリンーン印刷による導電性ペースの充填は、空気溜まりを無くすために充填する孔部１２２Ａの径よりも小さいパターン版が必要であり、且つ、丸孔形状にするため、実際には、微細な孔（１５０μｍφ程度以下）は難しく、実用的でない。
【００２４】
次いで、導電性ペースト吐出手段を具体的に挙げ、本例の接続部の形成方法を説明する。
第１の例の導電性ペースト吐出手段としては、図４（ａ）に示すような概略構成のものが挙げられる。
第１の例の導電性ペースト吐出手段は、その一部を電極１４として配置したオリフィスの開口部１３を有し、且つ、導電性ペースト１０を容器１２に充填し、導電性ペースト１０を開口部１３から吐出するものである。
吐出手段には、導電性ペースト１０に圧力をかける加圧手段３５と、開口部１３先端に、所定周波数の高圧パルス電圧をかける電源１５と、これらを関連つけて制御する制御部１１を備えている。
そして、電極１４を介して吐出手段の開口部１３と配線基板１６間に第１の所定電圧値のパルス電圧を印加して、開口部１３に導電性ペースト１０のメニスカスを縦長に伸長した伸長部１８を形成した状態で、伸長部１８先端から、垂れ流すようにして、あるいは、伸長部１８を形成した状態で、更に、電極１４を介して吐出手段の開口部１３と配線基板１６間に第２の所定電圧値以上のパルス電圧を印加することにより、伸長部１８の先端よりその一部を分離して、直接、配線基板１６に導電性ペースト１０を付着する。
第２の例の導電性ペースト吐出手段としては、図４（ｂ）に示すような概略構成のものが挙げられる。
第２の例の導電性ペースト吐出手段は、第１の例の導電性ペースト吐出手段に対し、導電性ペースト１０を、吐出手段の開口部１３と配線基板１６間の、伸長部１８先端近傍に設けられた、電極１４にパルス電圧を印加時の電気力線を制御するための微小な針状物２０を設けているものである。
この吐出手段の場合は、図５（ａ）に示すように、伸長部１８の先端より、その一部を分離し、針状物２０に当て、更に、針状物２０より配線基板１６上に付着させるか、あるいは、図５（ｂ）に示すように、伸長部１８の先端より垂れ流すようにして針状物２０から配線基板１６へと付着させる。
場合によっては、図５（ｃ）に示すように、針状物２０を回転軸２５を中心として、その上に乗った導電性ペースト１０（滴１９）の重さにより上下して、配線基板１６上に付着させる。
【００２５】
更に、開口部１３から縦長に伸長する導電性ペースト１０の伸長部１８の形成と、分離について図７、図８を基に説明する。
導電性ペースト１０が容器１２より充填されたオリフィスの開口部１３に所定の圧力を加えると、先端開口に突出したメニスカス１７が形成される。（図７（ａ））
この状態で図８に示すように、１０Ｈｚ〜１ｋＨｚ以下の繰り返し周波数での電圧値Ｖ１のパルス電圧（矩形電圧）を電極１４と対象物１６間（図４参照）に加えていくと、次第にメニスカス１７が下方へ伸長して伸長部１８が生成される。（図７（ｂ）■図７（ｃ））
電圧値Ｖ１のパルス電圧を繰り返し印加していくと、伸長部１８はあるところで伸ぴなくなる。（図７（ｄ））
この状態は、導電性ペースト１０の表面張力と、電界及ぴ重力による下方への引っ張り力とがバランスした状態である。
このとき、図８に示すように、電圧値Ｖ２のパルス電圧を印加すると、伸長部ｌ８が延ぴて先端部が切断分離して、滴（ドットとも言う）１９が形成される。（図７（ｅ））
この状態で印加するパルス電圧を電圧値Ｖ１に戻すと、伸長部１８が若干収縮して短くなりその状態で安定し、滴１９の形成は行われなくなる。
さらに、パルス電圧の印加を停止すると、導電性ペースト１０の表面張力によって伸長部１８はさらに又縮し（図７（ｃ）■図７（ｂ））、図７（ａ）に示すメニスカス１７の状態に復帰する。
なお、上記の例におけるパルス電圧の電圧値Ｖ１、Ｖ２は導電性ペースト１０の種類によって異なるので、物質の粘度、表面張力、の開口部１３の開口径等に応じて適宜電圧を変える必要がある。
メニスカス１７は吐出させる開口径とほぼ同じ径を有しているが、メニスカス先端から延ぴた伸長部１８の先端は開口径よりはるかに小さく、伸長部１８の先端から分離して形成される滴１９の径も開口径よりはるかに小さい。
このように、大きな径の開口から、その先端の径が小さい伸長部１８、あるいは滴１９が得られるので、
導電性ペースト１０を前記伸長部１８の先端のから垂れ流して、あるいは分離して、目的とする媒体に付着させる場合、細線状に、あるいは狭い領域に付着させることができる。
開口部の径を大きくすることにより１００万ｃｐｓ程度の高粘度の導電性ペースト１０であっても、上記のように伸長部１８を形成して、目的とする媒体に付着させることができる。
【００２６】
滴１９の形成は、図８に示すように、電圧値Ｖ２のパルス電圧の立ち上がり、立ち下がりのタイミングで行われ、この場合、１パルスに対して２つの滴１９が形成されるが、パルス電圧が印加される時間を極端に小さくしていくと、１パルスに対して１つの滴１９が形成される。
勿論、図８では、パルス電圧が印加される時間が極端に小でない場合である。図８中、丸印は、その時刻（タイミング）で１回の滴化が行われることを示している。
更に、パルス電圧の電圧値の大きさを小さくしていくと、所定の電圧（電圧値Ｖｍ）以下で、滴化は行われなくなる。
パルス電圧が印加される時間が極端に小になった場合には、前述の所定の電圧（電圧値Ｖ０）以上でも、１パルスに対し１つの滴１９しか形成されないこともあるが、パルス電圧が前述の所定の電圧（電圧値Ｖ０）以上で、且つ、約１０ｍｍｓｅｃ以上の印加時間である場合には、印加時間によらず、パルス電圧の立ち上がり、立ち下がりのタイミングで滴化がそれぞれ行われる。
【００２７】
したがって、例えば、所定の電圧（電圧値Ｖ０）より大きい、上記電圧値Ｖ３のパルス電圧と、所定の電圧（電圧値Ｖｍ）より小さい、電圧値Ｖ４のパルス電圧を用い、図９のようにかけて、導電性ペースト１０の滴化を制御することができる。
図９中、丸印は、図８と同様、その時刻（タイミング）で１回の滴化が行われることを示している。
即ち、電圧値Ｖ３のパルス電圧の立ち上がり、立ち下がりのタイミングで滴化を行い、電圧値Ｖ４のパルス電圧の印加により、伸長部１８を所定の長さに保ちもので、電圧値Ｖ４のパルス電圧の印加により、電圧値Ｖ３のパルス電圧の立ち上がり、立ち下がりのタイミングで滴化がスムーズに行えるように制御するものである。
尚、メニスカスの作成は、所定の電圧（図８の電圧値Ｖ１のパルス電圧に相当）をかけて行うが、必ずしもＶ１と上記Ｖ４とを同じにする必要はないが、作業上、Ｖ１、Ｖ４とをＶｍに近い（Ｖｍよりも小さい）、同じ値とすることもある。
勿論、図９は、パルス電圧が印加される時間が極端に小でない場合である。
【００２８】
尚、図７（ｄ）の状態から、図１０に示すようにパルス電圧をかけた場合にも、滴化が見られることが知られている。
尚、図７（ｄ）の状態から、図１１に示すようにパルス電圧をかけた場合にも、滴化が見られることが知られている。
また、図７（ｄ）の状態から図１２のようにかけた場合には、滴化がみられないことも知られている。
尚、図１０〜図１２中、丸印は、図８、図９と同様、その時刻（タイミング）で１回の滴化が行われることを示している。
勿論、図１０〜図１２においてもは、パルス電圧が印加される時間は極端に小ではない。
【００２９】
このような導電性ペースト１０の配線基板１６への付着方法は、１０００ｃｐｓ〜１００００００ｃｐｓの高粘度の導電性ペーストの媒体１６への形成に適用でき、開口部の径としては５０μｍ〜１ｍｍ程度が好ましい。
１０００ｃｐｓ以下では対象物上に付着したドットの形状が維持できないため好ましくなく、また１００万ｃｐｓを超えるものでは導電性ペーストのノズルヘの充墳が困難である。
また、吐出させる導電性ペースト１０に含まれる粒子の径は、吐出開口径（５０μｍ〜１ｍｍ）のｌ／１０程度まで可能である。
【００３０】
電源１４の出力電圧としては周波数１０Ｈｚ〜１ｋＨｚが適用できる。
開口部１３の先端から、配線基板１６までの距離としては０．１ｍｍ〜１０ｍｍが好ましい。
【００３１】
針状物２０としては、導電性ペースト１０をそのまま配線基板１６へ落とすため、導電性ペースト１０をはじくことが好ましく、表面が、フッ素加工されているか、テフロンまたはパーフルオロフッ素化合物からなるものが好ましい。
【００３２】
本発明に関わる配線接続部形成方法の第２例を図２に基づいて説明する。
本例は、基材２１０の一面上に転写により、絶縁性樹脂層２３１、２３２を介して、それぞれ、選択めっき形成された配線部２２１、２２２を２層にして形成した後、露出している１層目の配線部２２１と２層目の配線部２２２とを、導電性ペースト１０により、電気的に接続する配線接続部１０Ａを形成する配線接続部形成方法である。
第１例の配線接続部形成方法と同様にして、基材２１０の一面上に転写により、１層目、２層目の配線層２２１、２２２を、それぞれ転写形成した後、配線接続部を形成する所定の領域に、開口から導電性ペースト１０を縦長にした伸長部の先端より、導電性ペースト１０を付着させ（図２（ａ））、配線接続部１０Ａを形成する。（図２（ｂ））
この後、必要に応じて、乾燥、熱処理をほどこしておく。
転写版の形成、転写、および導電性ペースト１０の配線基板への付着は、第１の例の配線接続部形成方法と同様にして行うので、ここでは説明を省く。
本例の場合、基材２１０としては、金属、ガラス、フィルム、プラスチック材等が挙げられる。
【００３３】
本発明に関わる配線接続部形成方法の第３例を図３に基づいて説明する。
本例は、金属基材からなるベース基板の一面に半導体素子と接続するための配線部を設け、且つ配線部とは反対側の他面に外部端子部を二次元的に配列したエリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板を作製する際、配線部と外部端子部とを電気的に接続するための接続部（ビアホールとも言う）を形成する配線接続部形成方法である。先ず、ビアホール形成位置に貫通孔３１５を設けた金属基材３１０（図３（ａ））の表面部に、第１の例の配線接続部形成方法における電着法を用い、絶縁性の電着樹脂層３２０を形成する。（図３（ｂ））
次いで、半導体素子搭載側に、半導体素子と電気的に接続し、外部端子部と接続するための配線部３３０を転写形成する。（図３（ｃ））
配線部３３０は、第１例の配線接続部形成方法と同様、転写版に選択めっき形成された配線部を転写して形成するものであるが、本例の場合は、転写版の配線層に沿う絶縁性樹脂層を形成せず、金属基材３１０表面の電着樹脂層を転写の際の接着剤層として用いている。
即ち、図１３（ｃ）において、レジスト７２０を除去した状態のものを転写版としている。
次いで、第１例の配線接続部形成方法と同様にして、導電性ペースト１０を開口部１３から伸長した状態で、伸長部先端から垂れ流し、あるいは分離して（図３（ｄ））、孔部３１５Ａを導電性ペースト１０で充填し、配線接続部１０Ａを形成する。（図３（ｅ））  この後、必要に応じ、乾燥、熱処理を施した後、半導体素子３７０を搭載し、半田ボール３５０を形成しておく。（図３（ｆ））
尚、半導体素子３７０を搭載部、半田ボール３５０形成部には、必要に応じて、所定のめっき処理を施しておく。
【００３４】
（参考実施例）
参考実施例は、図３に示す第３例の配線接続部の製造方法を実施し、図３（ｆ）に示すような半導体装置で、外部電極（半田ボール３５０）をその周辺部に所定ピッチで二次元的に配列したエリアアレイタイプの半導体装置を形成したものである。図３に基づいて説明する。先ず、エッチング加工にて外形加工して、配線接続部１０Ａ形成用の孔を周辺部に、５００μｍピッチ、孔径２９０μｍφで４５６個設けた、厚さ０．１ｍｍの銅材からなる金属基材３１０（図３（ａ））を用意した。（図３（ａ））
エッチング加工は、重クロム酸カリウムを感光剤とするカゼインレジストを用い、銅材の両面を覆った後、これを所定のパターン版を用い、高圧水銀灯で所定の領域のみ露光し、現像し、硬膜処理、乾燥等を経て、所定形状のレジストパターンを形成した後、レジストの開口部に、塩化第二鉄溶液（４１ボーメ）を吹き付けて、外形加工と孔開け加工を行ったものである。次いで、洗浄処理等を経て、金属基材３１０の表面に、下記のようにして調整した電着液を用いて、乾燥後、厚さ１５μｍに電着樹脂層３２０を形成した。電着形成は、金属基材３１０と白金電極とを対向させて、調整したアニオン型の絶縁性の樹脂層用の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極に金属基材３１０を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、配線層上に厚さ１５μm の接着性を有する絶縁性の樹脂層を形成した。（図３（ｂ））
【００３５】
（電着液の調整)
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
酸当量（１個のＣＯＯＨ当たりのポリマー量は１５５４）は７０である。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００３６】
次いで、以下のようにして、選択めっき形成された配線層を転写版に形成し、電着樹脂層をその表面部に覆った金属基材の一面に熱圧着して、配線部のみを転写形成した。（図３（ｃ））
圧着は２００°Ｃ、１分、１Ｋｇ／ｃｍ2 （線圧）で行った。
転写版は以下のようにして作製した。
ベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を用い、このベース基板上に、それぞれ、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ３０分間乾燥を行った。
そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した後、ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、ベース基板側からニッケルめっき層、銅めっき層とする配線層を形成した後、フォトレジストを全面を露光し、アセトンに揺動浸漬し、フォトレジストの剥離を行い転写版を得た。
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【００３７】
次いで、導電性ペーストとして、以下のようにして調整した、４００００ＣＰＳの導電性ペーストを用いて、図４（ｂ）に示す第２の例の導電性ペースト吐出手段で、開口部１３から伸長した伸長部先端から垂れ流すようにして、孔部３１５Ａへの導電性ペースト充填を行い（図３（ｄ））、配線接続部１０Ａを形成した。（図３（ｅ））
＜導電性ペーストの調製＞
固形分として、平均粒径１５μｍの銀粒子６０重量部とエチルセルロース４０重量部に、溶媒としてターピネオールとブチルカルビトール１：１の混合溶媒を用いて、これらを固形分の割合が５６０％となるように混合し、これを３本ロールを用いて良く混練した。
尚、本例では、吐出手段の開口数を１０個、１ｍｍ間隔に直線的設けたものを用い、ずらしながら充填を行ったが、充填する孔部３１５Ａのピッチ配列にあった、所定の配列で、より多くの開口数を備えた吐出手段を用いた場合には、導電性ペーストの充填作業時間を短くできる。
【００３８】
全ての孔部３１５Ａを導電性ペーストで充填した後、露出した配線層３３０表面を、下記組成のニッケルめっきを、電流密度５Ａ／ｃｍ2 、１分間の通電を行い、厚さ１μｍに形成した。
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尚、めっきは、配線部３３０側と対向する側から各配線接続部１０Ａを介して配線部３３０の各配線と接続する電極治具を用いて行った。
【００３９】
この後、同様にして、半導体素子とバンプ接続する箇所の配線部表面には、下記条件にて錫めっきを行い錫めっき層を形成した。
配線部３３０表面のＮｉめっき層を覆うように、下記の錫めっき浴にて、電流密度１Ａ／ｃｍ2 で２分間めっきを行い、厚さ１μｍの錫めっき層を形成した。
（錫めっき液組成および条件）
硫酸第１錫                    ５５ｇ／ｌ
クレゾールスルホン酸        １００ｇ／ｌ
ゼラチン                        ２ｇ／ｌ
ベータナフトール                １ｇ／ｌ
液温                            ２０°Ｃ
【００４０】
この後、半導体素子を配線部３３０上に、金−錫共晶によりバンプ接続し、配線部３３０とは反対側の、配線接続部１０Ａ表面部分に半田ボール３５０を形成した。（図３（ｆ））
【００４１】
このようにして作製されたエリアアレイタイプの半導体装置を、実際にプリント基板に搭載し使用してみたが、特に問題はなく、実用に耐えるものであることが分かった。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、選択めっき形成された配線層を単層ないし複数層形成した配線基板を転写版を用いて作製する際、導電性ペーストを塗布して、所定の配線から他の配線等へ電気的接続を行うための配線接続部を形成する配線接続部の形成方法において、配線接続部形成を接続品質良くできる配線接続方法の提供を可能とした。
これにより、インターポーザ用の配線基板ないし半導体装置用の配線基板の、高密度配線化、多端子化を実現可能とした。
特に、高密度配線、多端子のエリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板の作製を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明に関わる配線接続部形成方法の第１例の工程断面図である。
【図２】    本発明に関わる配線接続部形成方法の第２例の工程断面図である。
【図３】    本発明に関わる配線接続部形成方法の第３例の工程断面図である。
【図４】      図４（ａ）は第１の例の導電性ペースト吐出手段を示した概略構成図で、図４（ｂ）は第２の例の導電性ペースト吐出手段を示した概略構成図である。
【図５】      第２の例の導電性ペースト吐出手段を用いた場合の塗布形態を示した図である。
【図６】      従来のディスペンス法と本発明の配線接続部形成方法との違いを説明するための図である。
【図７】      本発明の配線接続部形成方法におけるディスペンサの吐出原理を説明するための図である。
【図８】      パルス電圧の印加と滴化を説明するための図である。
【図９】      導電性ペーストの滴化制御を説明するための図である。
【図１０】      導電性ペーストの滴化制御を説明するための図である。
【図１１】      導電性ペーストの滴化制御を説明するための図である。
【図１２】      導電性ペーストの滴化制御を説明するための図である。
【図１３】      転写版と転写を説明するための図である。
【符号の説明】
１０            導電性ペース（高粘度物質とも言う）
１０Ａ          配線接続部
１１            制御部
１２            容器
１３            開口部
１４            電極
１５            電源
１６            配線基板
１７            メニスカス
１８            伸長部
１９            滴
２０            針状物
２５            回転軸
３０            吐出手段
３５            加圧手段
５０            固定部
６０            ステージ
１１０          金属基材
１１１          基材（ベース基材とも言う）
１２０          配線部
１２１          配線
１２２          ラウンド（端子部）
１２２Ａ        孔部
１３０          絶縁性樹脂層
３１０          金属基材（導電性基板とも言う）
２１０          基材（ベース基材とも言う）
２２１、２２２  配線層（配線部とも言う）
２３１、２３２  絶縁樹脂層（電着樹脂層とも言う）
３１５          貫通孔（単に孔部とも言う）
３１５Ａ        孔部
３２０          電着樹脂層
３３０          配線（めっき配線とも言う）
３５０          半田ポール
３７０          半導体素子
３７１          端子（パッドとも言う）
７１０          導電性基板
７２０          レジスト
７２５          開口部
７３０          導電性層（めっき金属）
７４０          電着樹脂層
７４０Ａ        絶縁性樹脂層
７８０          被転写基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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