(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板上に、リードフレームを樹脂絶縁層を介して設けた、半導体素子が未接着の樹脂モールド用回路基板の製造方法であって、第１の面の周縁部には段差が設けられており、前記第１の面の裏側に相当する第２の面には酸化物層が設けられている金属板の、該酸化物層が設けられている前記第２の面上に、前記樹脂絶縁層を塗布してＢステージ状態に硬化させる工程と、前記樹脂絶縁層をＢステージ状態に硬化した後に、前記半導体素子が未接着の状態で前記リードフレームを前記樹脂絶縁層を介して前記金属板上の前記第２の面側に圧着させて張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする樹脂モールド用回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記リードフレームが、銅とアルミニウムとの複合箔、銅合金又は鉄−ニッケル合金からなることを特徴とする請求項１記載の樹脂モールド用回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームの半導体素子搭載面と前記金属板裏面との間の熱抵抗が１．５℃／Ｗ以下であることを測定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の樹脂モールド用回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の製造方法によって樹脂モールド用回路基板を製造する工程と、前記樹脂モールド用回路基板のリードフレーム上に半導体素子を搭載し、前記半導体素子と前記リードフレームとをボンディングワイヤーにより電気的に接続し回路化する工程と、樹脂成形金型を使用して、前記リードフレームの一部と前記金属板の一部とを露出し、該半導体素子、該ボンディングワイヤー、並びに該リードフレームからなる回路とを包埋するように、包埋樹脂によりトンラスファーモールド法によって樹脂包埋を行う工程と、を含むことを特徴とする電子パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記包埋樹脂が、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化珪素からなる群の１種類以上を含有するエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の電子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冷蔵庫等の家庭電化製品用途に用いられるインバータに用いることのできる樹脂モールドされた電子モジュールに関し、特に、この用途に好適な、安価で放熱性に優れる樹脂モールド用回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体搭載用の回路基板では高密度実装化および高性能化が要求され、半導体素子の小型化、高性能化、更に配線の微細化、高密度化にともない、半導体素子から発生した熱を如何に放散するかということが問題となっている。
【０００３】
これに加えて、コストダウンの要求も強く、従来アルミナＤＢＣ基板で使用していたハイパワー分野の製品においても、材料及びアッセンブリのコストが優位な金属ベース回路基板での製品化が検討されいる。
【０００４】
さらに、冷蔵庫等家庭電化製品用途に用いられる低コストインバータ用途の電子モジュールについては、主として、長期信頼性の向上とコストダウンのために、樹脂トランスファーモールド化が急ピッチで進んでいる。
【０００５】
図２は従来公知の樹脂モールドされた電子モジュールの一例を示したものであり、その構造においては、トランスファー成形の技術的制約から、２種類の樹脂が用いられている。即ち、先端部が折り曲げられたリードフレーム２の××上に半導体素子７を搭載し、ワイヤーボンディング５を行って回路形成した後、第１の樹脂３でトランスファーモールドした後、更に、アルミニウム等からなる金属板１とともに第２の樹脂４でトランスファーモールドすることで電子モジュールが得られている。
【０００６】
このため、トランスファーモールドを２回行う必要があり、工数及びプロセス的にコストがかかっているという問題がある。更に、リードフレームとアルミニウム板との間の樹脂厚さを薄くする事が難しいために、放熱性が不十分であり、ハイパワーモジュール用途に適用する際に制限を受けるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる従来技術における問題点に鑑みてなされたものであって、熱放散性に優れた電子モジュールを安価に提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属板上に、リードフレームを樹脂絶縁層を介して設けた、半導体素子が未接着の樹脂モールド用回路基板の製造方法であって、第１の面の周縁部には段差が設けられており、第１の面の裏側に相当する第２の面には酸化物層が設けられている金属板の、該酸化物層が設けられている第２の面上に、樹脂絶縁層を塗布してＢステージ状態に硬化させる工程と、樹脂絶縁層をＢステージ状態に硬化した後に、半導体素子が未接着の状態でリードフレームを樹脂絶縁層を介して金属板上の前記第２の面側に圧着させて張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする樹脂モールド用回路基板の製造方法である。
【０００９】
本発明は、金属板のリードフレームが設けられている側の面に酸化物層を設けていることを特徴とする前記の回路基板の製造方法であり、好ましくは、リードフレームが、銅とアルミニウムとの複合箔、銅合金又は鉄−ニッケル合金からなることを特徴とする前記の回路基板の製造方法であり、更に好ましくは、リードフレームの半導体素子搭載面と金属板裏面との間の熱抵抗が１．５℃／Ｗ以下であることを特徴とする前記の回路基板の製造方法である。
【００１０】
また、本発明は、上述の製造方法によって樹脂モールド用回路基板を製造する工程と、上述の樹脂モールド用回路基板のリードフレーム上に半導体素子を搭載し、上述の半導体素子と上述のリードフレームとをボンディングワイヤーにより電気的に接続し回路化する工程と、樹脂成形金型を使用して、上述のリードフレームの一部と上述の金属板の一部とを露出し、該半導体素子、該ボンディングワイヤー、並びに該リードフレームからなる回路とを包埋するように、包埋樹脂によりトンラスファーモールド法によって樹脂包埋を行う工程と、を含むことを特徴とする電子パッケージの製造方法であり、好ましくは、樹脂が、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化珪素からなる群の１種類以上を含有するエポキシ樹脂からなることを特徴とする前記の電子パッケージの製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて本発明について詳細に説明する。
図１は、本発明の電子パッケイジの一例について、その構造を示す図である。本発明の回路基板は、金属板１上に絶縁層８を介してリードフレーム２を張り合わせた構造を有している。前記リードフレーム２上には、半導体素子６等の各種の電子、電気部品が必要に応じていろいろに組み合わされ搭載され、また必要の応じて前記半導体素子や回路はワイヤーボンディング５されている。前記回路基板を一度のトランスファーモールド法にて樹脂成形され、従って１種の樹脂３により封止されている。また、前記リードフレームのワイヤーボンディングされる位置の表面はワイヤーボンディング性を高める目的でＮｉメッキ等の表面処理がされている。
【００１２】
本発明の回路基板に用いる金属板１としては、良熱伝導性を持つアルミニウム及びアルミニウム合金、銅及び銅合金、鉄及び鉄合金等、あるいは銅／鉄−ニッケル系合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル系合金／アルミニウム等の複合材料等が使用可能である。また、金属板１の厚みとしては、特に制限はないが０．５ｍｍ〜３．０ｍｍが一般に用いられる。
【００１３】
本発明に於いて、前記金属板１のリードフレームが設けられていない側の面の周縁部に段差を設けるとき、トランスファーモールド樹脂３と金属板１の密着性を一層向上させることができ、好ましい。また、金属板１のリードフレームが設けられていない側の面に酸化物膜を設けるとき、他部材との接触で傷が付きにくいし、着色して放熱を助長できることなどの利点があり、一層好ましい。
【００１４】
前記金属板１上に設ける絶縁層８は、金属板１とリードフレーム２とを接着しながらも電気絶縁性と熱伝導性に富むものが選択されるが、例えば、各種セラミックス、無機粉体を含有する樹脂絶縁層、ガラス繊維を含有する樹脂絶縁層、及び耐熱性樹脂絶縁層が挙げられる。その厚みは２０〜２００μｍが一般的である。
【００１５】
絶縁層８の塗布方法としては、Ｂステージ状態の絶縁シートをプレス圧着する方法、或いはスクリーン印刷法で塗布した後Ｂステージ状態に硬化する方法等が挙げられる。トランスファーモールド法では、リードフレーム２と金属板１との間隔が熱抵抗を低減する目的で狭いことが望まれ、このため絶縁層８を構成する樹脂組成物の流動性が十分でなくボイド等の欠陥が発生し易くなり、電気的な信頼性も懸念される。前記の塗布方法によればこれらの問題を発生することなく絶縁層８を設けることができるので好ましい。
【００１６】
また、絶縁層８に含有される前記の無機粉体としては、アルミナ、ベリリヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化ケイ素、窒化アルミ等が好ましく用いられ、樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、各種エンジニアプラスチックが用いられる。
【００１７】
リードフレーム２の材質は、銅とアルミニウムとの複合箔、銅合金又は鉄／ニッケル合金が用いられる。又、リードフレームの加工方法は金型による打ち抜きでもエッチングで作製したものでもよく、リードフレーム上にはＮｉめっき、Ｎｉ＋Ａｕめっき、はんだめっきなどの金属めっきが施されていてもかまわない。
【００１８】
以下、実施例に基づき、発明を更に詳細に説明する。
【００１９】
【実施例】
〔実施例１〕７０ｍｍ×３０ｍｍ×３．０ｍｍtの片面がアルマイト処理されたアルミニウム板のアルマイト処理されていない面側の周縁部に段差を設けた。前記アルミニウム板のアルマイト処理されていない面上に、アルミナを充填したエポキシ樹脂を硬化後の厚さが１２５μｍとなるように塗布し、Ｂステージ状態に硬化した後に、リードフレームを真空プレスにて圧着した。尚、リードフレームには予め１０ｍｍ×１５ｍｍのパッド部を形成しておいた。得られた回路基板の熱抵抗は、前記パッドを利用して、以下の方法により測定した。その結果、熱抵抗は０．９℃／Ｗであった。
【００２０】
＜熱抵抗の測定方法＞
１０ｍｍ×１５ｍｍのパッド部を形成し、この上にトランジスター（ＴＯ−２２０、株式会社東芝製）をはんだ付けする。金属板面側を冷却し、トランジスターに通電して、トランジスタのコレクター損失（消費電力）とトランジスター側と金属板面側の温度差を測定し、前記温度差と消費電力より熱抵抗を算出する（この方法は、デンカＨＩＴＴプレートカタログに記載されている金属ベース基板を本回路基板で置き換えたものに相当する）。
【００２１】
前記回路基板上に、ベアーチップ型の半導体素子をアッセンブリし、半導体素子とリードフレームはアルミワイヤーボンディングにより接続し回路化した。その後、樹脂成形金型を使用してシリカが９０ｍａｓｓ％充填されたクレゾールノボラック樹脂によりトンラスファーモールド法に樹脂封埋を行い、インバータモジュールを作製した。このモジュールは放熱性が良好であり、実用上何ら問題なく動作した。
【００２２】
〔比較例〕リードフレーム上に、実施例と同一のＴＯ２２０トランジスタを搭載し、シリカを９０ｗｔ％充填したクレゾールノボラックエポキシ樹脂をトランスファーモールド法でリードフレームを包埋し、その後、段差加工を施したアルミニウム板上に樹脂包埋したリードフレームを樹脂が充填される最小の距離（０．３ｍｍ）の空間距離を保ち、窒化珪素フィラーを８０ｍａｓｓ％充填したクレゾールノボラック樹脂をトランスファーモールドにて包埋して、市販品と同じ構造をを有する評価サンプルを作製した。実施例と同じ方法で測定した結果、熱抵抗は２．０℃／Ｗであった。
【００２３】
【発明の効果】
本発明の回路基板は、予めリードフレームを金属板上に絶縁層を介して配設してなる構造を有しているので、一回の樹脂封止操作により、従来よりも熱放散性に優れる電子パッケージを容易に得ることができるという特徴を有しており、産業上非常に有用である。
【００２４】
本発明の電子パッケージは、予めリードフレームを金属板上に絶縁層を介して配設してなる構造の回路基板を用いて、一度のトランスファー成形によって樹脂封止されているので、電子部品から金属板への熱放散が従来公知のものより優れ、例えば冷蔵庫等の家庭電化製品を始めとする、広範囲の用途分野に適用可能であり、産業上非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の電子パッケージの一例の構造を示す図。
【図２】  従来公知の電子パッケージの構造を示す図。
【符号の説明】
１    金属板
２    リードフレーム
３    樹脂
４    樹脂
５    ボンディングワイヤー
６    半導体素子
７    メッキ等の表面処理部
８    絶縁層
【図１】
0004220641.tif 000002
【図２】
0004220641.tif 000003