(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂シート（６）を回路基板（５）に配置する工程と、
半導体素子（１）の電極（２）上のバンプ（３）と上記回路基板上の電極（１０）を、上記樹脂シートを介して接するように装着しかつ同時に加熱、加圧により上記半導体素子を上記樹脂シートにより仮圧着する仮圧着工程と、
上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極の導通を検査する検査工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通不良時又は半導体素子不良時は、上記半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通時は、加熱、加圧で上記樹脂シートの樹脂を硬化し上記半導体素子を圧着する本圧着工程と、
を有して、上記半導体素子取り外し工程後は再び上記仮圧着工程を行う、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極を接合する半導体素子の実装方法において、
上記検査工程は、仮圧着後又は仮圧着中に、上記半導体素子を回路基板側に加圧しながら導通検査を行い、
上記半導体素子取り外し工程の後、上記半導体素子を取り外しの際に残存した上記樹脂シートを取り除いたのち、新たな樹脂シート（６）を配置して、上記仮圧着工程で別の半導体素子（１）を装着するようにしたことを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】
樹脂シート（６）を回路基板（５）に配置する工程と、
半導体素子（１）の電極（２）上のバンプ（３）と上記回路基板上の電極（１０）を、上記樹脂シートを介して接するように装着しかつ同時に加熱、加圧により上記半導体素子を上記樹脂シートにより仮圧着する仮圧着工程と、
上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極の導通を検査する検査工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通不良時又は半導体素子不良時は、上記半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通時は、加熱、加圧で上記樹脂シートの樹脂を硬化し上記半導体素子を圧着する本圧着工程と、
を有して、上記半導体素子取り外し工程後は再び上記仮圧着工程を行う、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極を接合する半導体素子の実装方法において、
上記検査工程は、仮圧着後又は仮圧着中に、上記半導体素子を回路基板側に加圧しながら導通検査を行い、
上記半導体素子取り外し工程の後、上記半導体素子を取り外した上記基板上の上記樹脂シート上に第２の樹脂シート（３６）を貼付け、上記仮圧着工程で別の半導体素子（１）を装着するようにしたことを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項３】
上記第２の樹脂シートの厚みｔ２は、５μｍ≦ｔ２≦２０μｍである請求項２に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項４】
上記樹脂シートは、上記仮圧着工程時に第１の硬化反応を行う温度ＴＡと、上記本圧着工程時に第２の硬化反応を行う温度ＴＢの２点に硬化反応ピークを有する材料により構成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項５】
上記半導体素子取り外し工程において、半導体素子側を加熱する加熱温度Ｔ３条件は、上記仮圧着工程での加熱温度をＴ１、上記本圧着工程での加熱温度をＴ２とするとき、Ｔ１≦Ｔ３＜Ｔ２である請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項６】
上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜（７１）内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂が熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤（７２）を有するマイクロカプセル（７０）を上記樹脂シートは含むようにした請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項７】
上記樹脂シートはマイクロカプセルを２種類含み、上記２種類のマイクロカプセルのうちの一方のマイクロカプセル（７３）は、上記仮圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂を熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであり、他方のマイクロカプセル（７４）は、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂が熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであるようにした請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項８】
上記樹脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機フィラー（６６）を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法により、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極とが電気的に導通して接合された実装体。
【請求項１０】
上記樹脂シートは上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させる第１硬化剤を含むとともに、上記マイクロカプセル内にも、上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させる第２硬化剤を含むようにし、かつ、上記マイクロカプセルの上記被覆膜は上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れて、上記第２硬化剤により上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させるようにした請求項６に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１１】
上記樹脂シート内の上記２種類のマイクロカプセルのうちの一方のマイクロカプセル（７３）は、上記仮圧着工程での加熱温度で破れる上記被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの上記樹脂を熱硬化させる第３熱硬化剤を有し、他方のマイクロカプセル（７４）は、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる上記被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの上記樹脂を熱硬化させる第４熱硬化剤を有するようにした請求項７に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１２】
上記他方のマイクロカプセルの上記密着力向上剤は、上記樹脂シートの上記樹脂の熱硬化反応を促進させるアミノ系又はメルカプト系のカップリング剤であり、上記本圧着時に上記カップリング剤自身が上記基板と上記樹脂シートの上記樹脂との間での密着力向上、及び、上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子との密着力向上を行いながら、上記樹脂シートの上記樹脂の熱硬化も促進するようにした請求項７に記載の半導体素子の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路用回路形成体、例えば、合成樹脂基板若しくは紙−フェノール基板などのプリント基板、フレキシブル基板、セラミック基板、若しくは、フィルム基板などの回路基板、又は、部品などの被装着体に、半導体素子をベアＩＣ単体で装着する半導体素子の実装方法及びその実装方法により実装された実装体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
今日、電子回路基板は、あらゆる製品に使用されるようになり、かつ、携帯機器の増加から、回路基板の半導体素子をパッケージでなく裸のまま搭載するフリップチップ実装方法が求められている。
【０００３】
従来の電子機器の回路基板へ半導体素子を接合する方法について、以下に説明する。
【０００４】
図２１に示される様に、絶縁性の樹脂シート９６を半導体素子９１の実装における封止材として使用する半導体素子の実装工法が従来より提案されている。
【０００５】
図２１（Ａ）〜（Ｄ）において、半導体素子９１上のバンプ９３は、半導体素子９１のパッド９２上に直径２５μｍのＡｕ線９０を用いて、ワイヤボンディング装置に付属するキャピラリ９４によりバンプ９３を形成する。あるいは、複数の半導体素子９１を構成したウエハと呼ばれるシリコン結晶板にメッキを施してバンプ９３を形成する場合もある。
【０００６】
図２２（Ａ），（Ｂ）において、回路基板９５上に、樹脂シート９６を半導体素子実装領域に置き、貼り付けツール９７を用いて加熱、加圧を行って貼り付ける。このときの加熱は樹脂シート９６の軟化を起こさせ、回路基板９５への貼り付けを容易にする温度が必要であり、通常６０〜１００℃で行う。
【０００７】
図２２（Ｃ），（Ｄ）において、樹脂シート９６上のセパレーター９９と呼ばれるフィルムをはがし、回路基板９５上の基板電極９４と半導体素子９１に形成したバンプ９３が接するように位置合わせして実装ヘッド８８により装着する。
【０００８】
図２３において、回路基板９５上に装着した半導体素子１の裏面から圧着ツール８７を用いて、加圧、加熱を行い、樹脂シート９６の樹脂硬化反応を起こさせる。
【０００９】
以上の工程を行うことにより、半導体素子の実装を短時間に、かつ容易に行うことができるようになり、以上の実装工法と関連している樹脂シートに導電粒子を混入させた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた工法は、ＡＣＦ工法として広く実用されるようになってきた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、電気製品の小型化を実現するために、従来の技術に示したフリップチップ実装が提案され、実用化されているが、以下のような問題点を生じている。
【００１１】
半導体素子の装着時に加熱と加圧を同時に行い、バンプと回路基板上の電極の電気的接続と、基板と半導体素子間封止樹脂の硬化を同時に行うために、半導体素子が不良である時や、半導体素子上のバンプと回路基板上の電極間のズレによる電気的導通不良時においては、半導体素子を実装した回路基板ごと廃棄しなければならずコストアップの要因となる。
【００１２】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、半導体素子が不良である時や、半導体素子上のバンプと回路基板上の電極間のズレによる電気的導通不良時などにおいては、半導体素子を実装した回路基板ごと廃棄することなく、半導体素子のみを取り外すことができて、コストアップの要因を取り除くことができる半導体素子の実装方法及びその実装方法により実装された実装体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００１４】
本発明の第１態様によれば、樹脂シートを回路基板に配置する工程と、
半導体素子の電極上のバンプと上記回路基板上の電極を、上記樹脂シートを介して接するように装着しかつ同時に加熱、加圧により上記半導体素子を上記樹脂シートにより仮圧着する仮圧着工程と、
上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極の導通を検査する検査工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通不良時又は半導体素子不良時は、上記半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通時は、加熱、加圧で上記樹脂シートの樹脂を硬化し上記半導体素子を圧着する本圧着工程と、
を有して、上記半導体素子取り外し工程後は再び上記仮圧着工程を行う、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極を接合する半導体素子の実装方法において、
上記検査工程は、仮圧着後又は仮圧着中に、上記半導体素子を回路基板側に加圧しながら導通検査を行い、
上記半導体素子取り外し工程の後、上記半導体素子を取り外しの際に残存した上記樹脂シートを取り除いたのち、新たな樹脂シートを配置して、上記仮圧着工程で別の半導体素子を装着するようにしたことを特徴とする半導体素子の実装方法を提供する。
【００２２】
本発明の第２態様によれば、樹脂シートを回路基板に配置する工程と、
半導体素子の電極上のバンプと上記回路基板上の電極を、上記樹脂シートを介して接するように装着しかつ同時に加熱、加圧により上記半導体素子を上記樹脂シートにより仮圧着する仮圧着工程と、
上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極の導通を検査する検査工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通不良時又は半導体素子不良時は、上記半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程と、
上記検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通時は、加熱、加圧で上記樹脂シートの樹脂を硬化し上記半導体素子を圧着する本圧着工程と、
を有して、上記半導体素子取り外し工程後は再び上記仮圧着工程を行う、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極を接合する半導体素子の実装方法において、
上記検査工程は、仮圧着後又は仮圧着中に、上記半導体素子を回路基板側に加圧しながら導通検査を行い、
上記半導体素子取り外し工程の後、上記半導体素子を取り外した上記基板上の上記樹脂シート上に第２の樹脂シートを貼付け、上記仮圧着工程で別の半導体素子を装着するようにしたことを特徴とする半導体素子の実装方法を提供する。
【００２３】
本発明の第３態様によれば、上記第２の樹脂シートの厚みｔ２は、５μｍ≦ｔ２≦２０μｍである第２の態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２４】
本発明の第４態様によれば、上記樹脂シートは、上記仮圧着工程時に第１の硬化反応を行う温度ＴＡと、上記本圧着工程時に第２の硬化反応を行う温度ＴＢの２点に硬化反応ピークを有する材料により構成されている第１〜３のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２５】
本発明の第５態様によれば、上記半導体素子取り外し工程において、半導体素子側を加熱する加熱温度Ｔ３条件は、上記仮圧着工程での加熱温度をＴ１、上記本圧着工程での加熱温度をＴ２とするとき、Ｔ１≦Ｔ３＜Ｔ２である第１〜４のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２６】
本発明の第６態様によれば、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂が熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルを上記樹脂シートは含むようにした第１〜５のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２７】
本発明の第７態様によれば、上記樹脂シートはマイクロカプセルを２種類含み、上記２種類のマイクロカプセルのうちの一方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂を熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであり、他方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの樹脂が熱硬化するとき上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであるようにした第１〜５のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２８】
本発明の第８態様によれば、上記樹脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機フィラーを含む第１〜７のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００２９】
本発明の第９態様によれば、第１〜８のいずれか１つの態様に記載の半導体素子の実装方法により、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極とが電気的に導通して接合された実装体を提供する。
【００３０】
本発明の第１０態様によれば、上記樹脂シートは上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させる第１硬化剤を含むとともに、上記マイクロカプセル内にも、上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させる第２硬化剤を含むようにし、かつ、上記マイクロカプセルの上記被覆膜は上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れて、上記第２硬化剤により上記樹脂シートの上記樹脂を硬化させるようにした第６の態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００３１】
本発明の第１１態様によれば、上記樹脂シート内の上記２種類のマイクロカプセルのうちの一方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度で破れる上記被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの上記樹脂を熱硬化させる第３熱硬化剤を有し、他方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる上記被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で上記樹脂シートの上記樹脂を熱硬化させる第４熱硬化剤を有するようにした第７の態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００３２】
本発明の第１２態様によれば、上記他方のマイクロカプセルの上記密着力向上剤は、上記樹脂シートの上記樹脂の熱硬化反応を促進させるアミノ系又はメルカプト系のカップリング剤であり、上記本圧着時に上記カップリング剤自身が上記基板と上記樹脂シートの上記樹脂との間での密着力向上、及び、上記樹脂シートの上記樹脂と上記半導体素子との密着力向上を行いながら、上記樹脂シートの上記樹脂の熱硬化も促進するようにした第７の態様に記載の半導体素子の実装方法を提供する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
本発明の第１実施形態にかかる回路基板５への半導体素子の実装方法及びその実装方法により実装された実装体を図１〜図４を用いて説明する。
【００３５】
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）において、半導体素子１上のバンプ３は、半導体素子１のパッド２上に、例えば直径２５μｍのＡｕ線３０を用いて、ワイヤボンディング装置に付属するキャピラリ４により形成される。すなわち、図１（Ａ）において、キャピラリ４で保持されかつキャピラリ４より突出したＡｕ線３０の先端にボール部を形成したのち、図１（ｂ）に示すように、そのボール部を半導体素子１のパッド２上に押し付けて超音波により接合する。その後、図１（Ｃ）に示すように、キャピラリ４でＡｕ線３０を保持したままキャピラリ４を上昇させてＡｕ線３０を切断して、図１（Ｄ）に示すようにバンプ３を半導体素子１のパッド２上に形成する。そして、必要に応じて、上記バンプ形成後に、上記すべてのバンプ３をレべリングすることにより先端を若干押し潰して、すべてのバンプ３の高さを均一化させる。
【００３６】
上記したように半導体素子１にバンプ３が形成された後、図１（Ｅ）において、例えばガラスエポキシ製の回路基板５（ＮＥＣ製、ＦＲ―４）上の半導体素子実装領域に、例えば厚み６０μｍのエポキシ樹脂を主成分とする樹脂シート６（ソニ―ケミカル株式会社製、ＭＪ−９３２ＮＰ）を置き、図１（Ｆ）に示すように、カートリッジヒーター８を内蔵して例えば温度８０℃の状態になっている貼り付けツール７により、例えば荷重６．５ｋｇｆ／ｃｍ2の条件で、封止材として使用する絶縁性樹脂より構成される樹脂シート６を回路基板５上の半導体素子実装領域に押え付けて貼り付ける。このとき、樹脂シート６上にはセパレーター９と呼ばれるフィルムがあり、このセパレーター９により、樹脂シート６が貼り付けツール７に接着するのを防止するようにしている。
【００３７】
上記したように、樹脂シート６を回路基板５上の半導体素子実装領域に貼り付けた後、図２（Ａ）において、樹脂シート６上のセパレーター９を樹脂シート６から剥がす。回路基板５上の基板電極１０と半導体素子１に形成したバンプ３が接触するように位置合わせして、実装ヘッド１１により仮圧着する。図２（ｂ）に示すように、仮圧着時には、実装ヘッド１１より加熱し、半導体素子１の温度を例えば８０℃にし、また、実装荷重を例えば３０（ｇ／バンプ）で行う。この条件で半導体素子１を実装したとき、樹脂シート６の反応率は例えば５％であり、実装ヘッド１１での半導体素子１の保持を解放すると、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間の導通が無くなり、実装状態での導通検査が不可能な状態となっている。
【００３８】
図２（Ｃ）及び図３及び図４において、半導体素子１を仮圧着した回路基板５において、実装ヘッド１１又は１１１での半導体素子１の表面側から例えば実装荷重３０（ｇ／バンプ）で回路基板側へ加圧しながら、検査機に接続したテスタープローブ１２により電気的検査を行う。このとき、プローブ１２による回路基板５の電極１０への押し当て荷重は、例えば１プローブ当り４０ｇとする。このプローブ１２による導通検査を行うとき、半導体素子１と回路基板５の電極１０との間の接続部は、装着した半導体素子１の表面側（半導体素子側）より加圧しているので、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間は接続しており、プローブ１２を使用して導通検査が可能となっている。なお、図３及び図４において、１１１ａは実装ヘッド１１１の半導体素子押圧部であり、１１１ｂは実装ヘッド１１１と半導体素子押圧部１１１ａとの間に介在され半導体素子押圧部１１１ａにより半導体素子１を押圧するとき半導体素子１に過負荷が作用しないように吸収するバネであり、５１は回路基板５を載置して支持する支持台である。
【００３９】
上記導通検査機は図３及び図４に示すものに限らず、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、回路基板５の下面の電極５ｅに下方から上向きにテスタープローブ１２を接触させるようにしてもよい。図５（Ａ）においては、回路基板用支持台５２に開口５２ａを有しており、該開口５２ａを貫通して検査機のテスタープローブ１２を回路基板５の下面の電極５ｅに接触させて、導通検査を行う。また、図５（Ｂ）においては、回路基板用柱状支持台５３により回路基板５の下面を支持し、支持されていない空間において、検査機のテスタープローブ１２を回路基板５の下面の電極５ｅに接触させて、導通検査を行う。なお、図５（Ａ），（Ｂ）の両方の場合でも、半導体素子１と回路基板５の電極１０との間の接続部は、装着した半導体素子１の表面側（半導体素子側）より加圧して、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間を接続させてプローブ１２を使用して導通検査が可能とする。
【００４０】
上記した仮圧着、導通検査、及び本圧着を行う実装動作は、上記バンプ３が上記バンプ形成後に予めレべリングして高さが均一化されたものについて適用することができるが、図６に示すように、上記バンプ３がレべリング無しのバンプであっても、同様に、仮圧着、導通検査、及び本圧着を行うことができる。すなわち、図６（Ａ）に示すように、加熱された実装ヘッド１１により、該実装ヘッド１１に吸着保持された半導体素子１を、樹脂シート６が載置された回路基板５上に向けて押圧して図６（ｂ）に示すように仮圧着させる。このとき、各バンプ３の加圧前の初期高さに比較してその高さが幾分低くなるようにする。そして、導通検査時に、図６（Ｃ）に示すように軽く押圧して、半導体素子１と回路基板５の電極１０との間の接続部において、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間を接続させてプローブ１２を使用して導通検査が可能とする。次いで、図６（Ｄ）に示すように、本圧着工程では、加熱された実装ヘッド１１により、該実装ヘッド１１に吸着保持された半導体素子１を、さらに、樹脂シート６を介して回路基板５に向けて押圧して本圧着させて、仮圧着時の各バンプ３の高さよりもより低くなるように押し潰して、図８（Ａ）のような接合状態、すなわち、上記半導体素子１上の上記バンプ３と上記回路基板５上の上記電極１０とが電気的に導通して接合された実装体となる。なお、このレベリング無しの場合には、各バンプ３の先端が回路基板５の電極１０により押し潰されて接触状態に保持し続けることができる場合には、図８（Ｂ）に示すように、導通検査において、特に半導体素子１を回路基板５に向けて押圧しなくてもよい場合もある。一方、メッキバンプなどのように予めレベリングしたバンプを使用する場合、及び、後述するＡＣＦのように導電粒子を介在させてバンプ３と回路基板電極１０とを電気的に接合する場合には、導通検査時には、半導体素子１を回路基板５に押圧保持しなければ、バンプ３と回路基板電極１０とが離れやすくなるため、導通検査を正確に行うことができないノズルで，押圧が必要となる。
【００４１】
ここで、予めレベリングしたバンプの場合及びレベリング無しのバンプのいずれの場合においても、上記仮圧着工程は、上記半導体素子１の上記電極２上のバンプ３の加圧前の初期高さに比較してその高さが最大でも２０％までしか低くならないように、上記半導体素子１の上記電極２上のバンプ３と上記回路基板５上の電極１０を、上記樹脂シート６を介して接するように仮圧着する一方、上記本圧着工程は、上記半導体素子１の上記電極２上のバンプ３の上記初期高さに比較してその高さが最低でも４０％以上低くなるように、上記半導体素子１の上記電極２上のバンプ３と上記回路基板５上の電極１０を、上記樹脂シート６を介して接するように圧着するのが好ましい。例えば、図７（Ａ）に示すような、高さ７５μｍで底面直径が７５μｍのバンプ３の場合、仮圧着工程と本圧着工程でのバンプ高さと加圧力との関係を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）に示すように、仮圧着工程では７５μｍの２０％である６０μｍまでしか低くならないようにバンプ３の高さを制御するとともに、本圧着工程では、７５μｍの４０％である４５μｍ以上低くなるようにようにバンプ３の高さを制御する。
【００４２】
また、上記仮圧着工程は、上記樹脂シート６が１〜８０％まで熱硬化し、上記本圧着工程は、上記樹脂シート６が９０％以上熱硬化するようにするのが好ましい。よって、上記仮圧着工程は、上記本圧着工程での加熱温度より低い７０〜１６０℃の温度の間で加熱し、上記本圧着工程は、上記仮圧着工程より高い１６０℃を越える温度で加熱するようにするのが好ましい。
【００４３】
より具体的には、上記仮圧着工程は、加熱温度Ｔ１が７０〜１４０℃以下、かつ、加圧条件は２０〜５０ｇ／バンプであり、上記本圧着工程は、加熱温度Ｔ２が１６０℃以上、かつ、加圧条件は５０ｇ／バンプ以上で行うのが好ましい。
【００４４】
なお、上記説明においては、実装ヘッド１１は仮圧着工程、検査工程、本圧着工程において使用する場合について説明したが、各工程において夫々別々のヘッドを備えて使用するようにしてもよく、いずれか任意の２つの工程でのみ兼用するようにしてもよい。
【００４５】
一方、上記導通検査において、半導体素子１の不良である場合、あるいは、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間の接続がなされていないなどの導通不良である場合、図９（Ａ）において、半導体素子取り外し治具１３によって、半導体素子１の吸着しながら又は半導体素子１の外形を機械的にチャックしながら、かつ、電熱ヒーター１４によって半導体素子１を例えば１００℃に加熱し、図９（Ｂ）に示すように、樹脂シート６を軟化させて樹脂シート６が半導体素子側ではなく回路基板側に残るようにしつつ、回路基板５上の樹脂シート６から半導体素子１を取り外す。
【００４６】
この取り外し工程についてさらに詳細に説明する。
【００４７】
図１１（Ａ），（Ｂ）は、導通検査後の半導体素子取り外し工程をそれぞれ示している。
【００４８】
図１１（Ａ）において、水配管１５を施し冷却可能なステージ１６上に、半導体素子１を樹脂シート６を用いて仮圧着した回路基板５を設置する。この状態での回路基板５の温度は例えば２２℃である。なお、冷却用媒体としては、上記した水の他に、空気や油などを使用することができる。
【００４９】
一方、カートリッジヒーター４１及び温度センサー４２を取り付けて温度センサー４２の温度管理の元に所定温度に加熱可能にした取り外しツール４０で、回路基板５に仮圧着した半導体素子１を吸着することにより、半導体素子１を介して樹脂シート６を加熱して軟化させるようにする。なお、図１１（Ｂ）において４０ａは吸引孔である。このときの半導体素子１の加熱温度は、例えば、半導体素子１上で１０５℃に設定する。仮圧着温度を加えた樹脂シート６の反応率は仮圧着温度が低いために例えば１０％以下であり、樹脂シート６は例えば１０５℃の加熱温度で容易に軟化させることができる。しかしながら、この状態での回路基板５の温度は、ステージ１６の冷却によって例えば５６℃まで冷却されており、樹脂シート６と回路基板５との界面の温度においては、樹脂シート６は軟化まで達していない。
【００５０】
このように基板５を冷却し半導体素子１を加熱するのは、図１１（Ｂ）に示すように、半導体素子側の温度Ｔ３と基板側の温度Ｔ４との間に所定の温度差を設けて、樹脂シート６を半導体素子側では加熱して軟化させて半導体素子１から取り外しやすくする一方、回路基板側では樹脂シート６を軟化させないようにして、回路基板５との接着を維持するようにして、半導体素子１を、回路基板５に接着された樹脂シート６から取り外しやすくするためである。よって、ステージ１６は、特に冷却せずに、常温のままとしたり、弱く加熱するなどして、半導体素子側の温度Ｔ３と基板側の温度Ｔ４との差が、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃、好ましくは（Ｔ３−Ｔ４）≧５０℃であるようにしてもよい。
【００５１】
ここで、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃、好ましくは（Ｔ３−Ｔ４）≧５０℃とする理由は、もし、Ｔ３＝Ｔ４の状態で半導体素子１を樹脂シート６から取り外そうとすれば、樹脂シート６の硬化反応が進行してしまい、逆に、半導体素子１が樹脂シート６から取り外せなくなる。また、Ｔ３及びＴ４の温度が低いと、樹脂シート６が軟化せず、半導体素子１を樹脂シート６から取り外せないことになる。
【００５２】
従って、半導体素子１を樹脂シート６から確実にかつ円滑に取り外すためには、Ｔ３＞Ｔ４とし、かつ、樹脂シート６の全体を均一に加熱するのではなく、半導体素子１と樹脂シート６との間で加熱を行うのが好ましい。このように、Ｔ３＞Ｔ４とすれば、樹脂シート６の基板側の部分の硬化反応は低く抑えることができる。よって、図２４に示すように、樹脂シート６の半導体素子１側、言い換えれば、取り外しツール４０側に反応層６ｕと未反応層６ｖとができ、反応層６ｕと未反応層６ｖとの界面付近で両者が分離することにより、半導体素子１を樹脂シート６から取り外すことができる。
【００５３】
Ｔ３とＴ４の温度差が小さいと、すなわち、Ｔ３とＴ４が近いと、均熱化してしまう。従って、例えば、仮圧着時の樹脂シート６は８０〜１３０℃で軟化し、硬化は１３０〜１５０℃以上で起こる場合において、仮圧着温度を１００℃とし、取り外し温度を１２０〜１３０℃としたとき、取り外しツール４０側での樹脂シート６の硬化反応を促進させないためには、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃とするのがよい。より好ましくは、（Ｔ３−Ｔ４）≧５０℃とする。
【００５４】
一例として、樹脂シート６の反応挙動を示すと、硬化反応開始は１００℃、反応ピークは１２０〜１３０℃、軟化温度は８０℃、半導体素子１の取り外しが容易になる温度は１００〜１３０℃となる。
【００５５】
そこで、半導体素子１を樹脂シート６から取り外すとき、半導体素子１を基板５上に仮圧着した樹脂シート６において、樹脂シート６の半導体素子１側の部分を軟化させ、樹脂シート６の基板側の部分を固いままにすれば、半導体素子１と樹脂シート６との間で半導体素子１を取り外しし易くすることができる。例えば、取り外しツール４０側（半導体素子１と樹脂シート６との間）の樹脂シート部分の十分な硬化が必要であるためには、１００〜１３０℃の温度に保持する。一方、基板側（樹脂シート６と基板との間）の樹脂シート部分の軟化は必要ないが、樹脂シート６を硬化させないで、半導体素子１を取りやすくすればよいので、１００℃以下とする。ただし、樹脂シート６を軟化させず、基板５上に残った樹脂シート６の形状を維持させて再利用可能とする場合には、８０℃以下とする。
【００５６】
よって、半導体素子１を樹脂シート６から取りやすくする観点のみでは、取り外しツール４０側の温度Ｔ３の上限は１３０℃であり、これ以上では硬化反応が促進してしまう。また、基板側の温度Ｔ４の上限は１００℃までである。よって、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃とする。
【００５７】
また、樹脂シート６を再利用する観点では、取り外しツール４０側の温度Ｔ３の上限は１３０℃であり、これ以上では硬化反応が促進してしまう。また、基板側の温度Ｔ４の上限は８０℃である。よって、（Ｔ３−Ｔ４）≧５０℃とする。
【００５８】
よって、上記したように温度差を設けた状態で、取り外しツール４０を引き上げるか，又は、図１４に示すように、取り外しツール４０をその軸Ｏ回りに回転させると、半導体素子１と樹脂シート６との界面で剥がれて、半導体素子１が回路基板５上の樹脂シート６から引き離されるとともに、樹脂シート６は回路基板５側に残存する。この様に半導体素子１と樹脂シート６との界面と樹脂シート６と回路基板５との界面で温度差をつけ、かつ、樹脂シート６と回路基板５との界面での温度を樹脂シート６の未軟化温度、半導体素子１と樹脂シート６との界面での温度を樹脂シート６の軟化温度にすることによって、回路基板５側に樹脂シート６を容易に残すことができる。このとき、残存した樹脂シート６の反応率は例えば１５％以下であり、更に半導体素子１の実装に使用可能である。
【００５９】
半導体素子１を取り外すとき、取り外しツール４０をその軸Ｏ回りに回転させるもの以外に、先に述べたように垂直方向に吸引又はチャック保持により引き離したり、横方向に移動させることによりせん断力により引き離すものなどがある。
【００６０】
また、樹脂シート６の材料によっては、特に、上記したような温度差を設けること無く、半導体素子１を除去したのち、後述するように、残った樹脂シート６を除去するようにしてもよい。
【００６１】
なお、図１３は、図１２のステージ１６とは異なる構造のステージ２６を示す。ステージ２６は、回路基板５を載置するステージ２７がペルチェ素子で構成されて温度センサ２８の温度管理の元に所定温度まで冷却され、ステージ２７の下面が多数の冷却フィン２９が突出形成されているものである。このようなものでも、回路基板５を冷却させることができる。
【００６２】
また、図１４において、１００は取り外しツール４０に連結されて取り外しツール４０を軸Ｏ回りに回転させる回転モータ、４０ｂは取り外しツール４０の下面に形成されて半導体素子１を入り込ませる凹部、４０ｃは凹部４０ｂの一対の係合壁であり、一対の係合壁４０ｃ，４０ｃの両方又はいずれか一方により半導体素子１の側面に当接して、回転モータ１００により取り外しツール４０を軸Ｏ回りに回転させられるとき、半導体素子１を回路基板５上の樹脂シート６に対して強制的に回転させて半導体素子１を樹脂シート６から取り外すようにしている。
【００６３】
一方、図１０（Ａ）に示すように、半導体素子１を取り外した回路基板５上には樹脂シート６ｘが残っているので、例えばアセトンのような有機溶剤により樹脂シート６ｘを拭き取るような洗浄を行って、これを除去する（図１０（Ｂ）参照）。その後、図１０（Ｃ）及び図１０（Ｄ）に示すように、再度、例えば厚み６０μｍの新たな樹脂シート６を、回路基板５上の半導体素子実装領域に置いて図１（Ｅ）及び図１（Ｆ）と同様に貼り付け、図１０（Ｅ）に示すように、回路基板５上の基板電極１０と半導体素子１に形成したバンプ３とが接するように位置合わせして、実装ヘッド１１により装着する。このときの、各工程の条件は、先に示した条件と同様である。
【００６４】
なお、上記樹脂シート６を構成する材料は絶縁樹脂であり、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜２００℃程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。
【００６５】
なお、本圧着前の樹脂シート６には、実装信頼性を確保するために、半導体素子１を実装した後に生じる半導体素子１と回路基板５との間隔以上の樹脂シート厚みが必要であ。このため、通常、樹脂シート厚みは半導体素子１と回路基板５との間隔をＨｍとすると、樹脂シート厚みは、樹脂シート厚み＝｛Ｈｍ＋（５〜２０μｍ）｝とする。このように、樹脂シート厚みが（Ｈｍ＋５μｍ）未満の厚さであれば、樹脂シート６としての機能を達成することができず、樹脂シート厚みが（Ｈｍ＋２０μｍ）を越えると、樹脂シート６が厚すぎてバンプ３と電極１０との間との接続が不良になる恐れがあるためである。一例として、樹脂シート厚みは６０μｍとする。
【００６６】
上記第１実施形態によれば、良品であるか不良品であるか不明の半導体素子１を回路基板５に実装して導通不良が判明しても、容易に半導体素子１を回路基板５から取り外して新たな良品の半導体素子１と交換することができ、導通不良の半導体素子１が装着された回路基板５ごと廃棄する必要がなく、実装コストの削減を実現することができる。
【００６７】
また、半導体素子１の回路基板５への装着時に半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間に位置ズレを生じて導通不良となっても、容易に半導体素子１を回路基板５から取り外して新たな半導体素子１を回路基板５に装着して半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間の位置ズレを無くすことができ、位置ズレによる導通不良の半導体素子１が装着された回路基板５ごと廃棄する必要がなく、実装コストの削減を実現することができる。
【００６８】
言い換えれば、半導体素子１の電極２上にバンプ３を形成するバンプ形成工程と、樹脂シート６を回路基板５に貼り付けし、上記半導体素子１の電極２上バンプ３と上記回路基板５上の電極１０を、樹脂シート６を介して接するように装着し、かつ同時に加熱及び加圧により半導体素子１を樹脂シート６により回路基板５に仮圧着して半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０の電気的導通を行う仮圧着工程と、その後、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０との電気的導通を検査する検査工程と、検査工程において半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通不良時などに半導体素子１を取り外す半導体素子取り外し工程と、検査工程において半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通時は加熱及び加圧して樹脂シート６の樹脂を硬化し半導体素子１を回路基板５に本圧着する本圧着工程を有する、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０を電気的に接合する半導体素子の実装方法において、半導体素子１の仮圧着工程は、加熱温度Ｔ１が７０〜１６０℃の範囲でかつ加圧条件は２０〜５０ｇ／バンプとして、仮圧着工程時の樹脂シート６の反応率を１〜８０％に抑えながら、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通を検査強度に耐えられるように保持して、半導体素子１自身の良品検査、及び半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の接続検査を容易にすることができる。そして、半導体素子１が良品であるときには、加熱温度Ｔ２が１６０℃を越え、加圧条件は５０ｇ／バンプ以上で行い、樹脂シート６を９０％以上又は完全に硬化して半導体素子１を回路基板５に装着することができる。
【００６９】
また、導通検査工程では、仮圧着時に半導体素子１の接合面側又は接合面とは反対側の面を加圧しながら行うため、導通検査工程時に半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間の電気的接続に何ら悪影響を及ぼすことなく、導通検査することができる。
【００７０】
また、検査時の半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通不良時などの半導体素子１を取り外す半導体素子取り外し工程において、加熱温度Ｔ３条件は、（Ｔ１≦Ｔ３＜Ｔ２）とし、仮圧着工程時の温度Ｔ１で硬化した樹脂シート６を軟化させることができ、しかし、本圧着工程時の温度Ｔ２には達していないので、樹脂シート６を完全硬化させずに、半導体素子１を取り外し工程時の温度Ｔ３で取り外すことができる。
【００７１】
また、検査工程において半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通不良時などに半導体素子１を取り外す半導体素子取り外し工程において、加熱方法は、半導体素子取り外し治具例えば取り外しツール４０からの加熱で行い、基板５を保持するステージ１６は例えば冷却し、半導体素子側温度例えば取り外しツール温度Ｔ３と回路基板側温度例えばステージ温度Ｔ４は、｛（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃｝とし、半導体素子１の素子面と樹脂シート６との間の界面と、樹脂シート６と回路基板５との間の界面とで温度差をつける。このことにより、半導体素子１の取り外し時に、半導体素子１と樹脂シート６との界面は軟化して剥離し易くなり、かつ、樹脂シート６と回路基板５との界面は軟化が不十分な為に剥離しにくい状態になる。そのために、半導体素子１の取り外し時には、樹脂シート６は回路基板５側に残り、次の半導体素子１の実装時に再び使用可能となる。このとき、取り外しツール温度Ｔ３とステージ温度Ｔ４の温度差を３０℃以上つけ、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃とすると、半導体素子１の取り外し時の樹脂シート６は全て回路基板５側に残すことができる。また、例えば、回路基板５側を冷却状態にしておくことによって、不用意な樹脂シート６の硬化反応を促進することが無く、次の半導体素子１の実装に使用することができる。また、樹脂シート６を全て回路基板５側に残して再利用できるようにすれば、接合不可になった樹脂シート６が回路基板５に発生することもなく、半導体素子１の取り外し後に不要な樹脂シート６ｘの洗浄を行う必要もなくなる。
【００７２】
次に、本発明の第２実施形態にかかる半導体素子の実装方法及びその実装方法により実装された実装体を図１５〜図１６を用いて説明する。
【００７３】
第１実施形態のように回路基板５上に残った樹脂シート６ｘを除去する代わりに、新たな第２の樹脂シート３６を貼り付けることも可能である。すなわち、図１５（Ａ）及び（Ｂ）において、樹脂シート６の残存している回路基板５上に更に第２の樹脂シート３６を重ねるように貼り付ける。このとき貼り付けた第２の樹脂シート３６は、５〜２０μｍの厚みｔ２が適当であり、例えば厚み１５μｍとする。
【００７４】
ここで、第２の樹脂シート３６の厚みｔ２として５〜２０μｍが適当である理由は以下の通りである。図２５（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ基板５へ樹脂シート６を配置した状態を示す説明図及び半導体素子１を基板５に対して樹脂シート６を介して仮圧着させた状態での説明図である。図２６（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ仮圧着後に半導体素子１を樹脂シート６から取り外した状態の説明図及び新たな第２の樹脂シート３６の再貼り付け後の状態の説明図である。ここで、仮圧着前の信頼性品質を確保できる樹脂シート６の厚みをＨ１（μｍ）（図２５（Ａ）参照）、仮圧着時の樹脂シート６の厚みをＨ２（μｍ）（図２６（Ａ）参照）、仮圧着時の樹脂シートに対する押し込み量をｈ（μｍ）（図２６（Ｂ）参照）とすると、Ｈ１＝Ｈ２＋ｈの式が成立する。
【００７５】
半導体素子１の実装に必要な樹脂シート６の厚みは信頼性を確保する観点から、基板電極厚みと実装後のバンプ高さと１０μｍ（経験値）との合計の値となる。また、初期実装時に基板５に貼り付ける樹脂シート６の厚みであって信頼性を確保できる上記厚みＨ１（μｍ）は、通常、樹脂基板の場合には６０〜８０μｍであり、セラミック基板の場合には４０μｍとなり、電極高さによって異なるものとなる。よって、一例としての実測値であり、荷重及び温度条件によって異なるが、仮圧着時の樹脂シート６に対する押し込み量ｈ（μｍ）は、ｈ＝５〜２０μｍとなる。よって、信頼性を確保する適当な厚みは、５〜２０μｍとなる。
【００７６】
このように第２の樹脂シート３６を貼り付けることにより、残っていた樹脂シート６だけでは不足していた接着用の樹脂量を補うことができる。次いで、図１５（Ｃ）に示すように、回路基板５に貼り付けた第２の樹脂シート３６上に半導体素子１を装着する。この様に行った半導体素子１の実装品質は、半導体素子１を取り外さずそのまま実装したものに対して遜色の無いものであり、十分に使用可能な領域にある。
【００７７】
なお、図１６（Ａ）に示すように最初に回路基板５に貼り付ける樹脂シート６が多数の導電粒子４７を含み異方性導電フィルム（ＡＣＦ）として機能する導電粒子入り樹脂シート４６Ａであれば、図１６（Ｂ）に示すように、残存している導電粒子入り樹脂シート４６Ａにさらに導電粒子入り第２樹脂シート４６Ｂを貼り付ければ、導電粒子４７が不足している部分に導電粒子４７を供給することができて、バンプ３と回路基板電極１０との間での導電粒子４７を介しての電気的接合の信頼性を確保することができるとともに、残存している導電粒子入り樹脂シート４６Ａだけの場合よりも、導電粒子４７の密度が高くなり、導通性が良くなる。
【００７８】
上記第２実施形態によれば、半導体素子１の電極２上にバンプ３を形成するバンプ形成工程と、樹脂シート６を回路基板５に貼り付けし、上記半導体素子１の電極２上のバンプ３と上記回路基板５上の電極１０を樹脂シート６を介して接するように装着し、かつ同時に加熱及び加圧により半導体素子１を樹脂シート６により仮圧着して半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０の導通を行う仮圧着工程と、その後、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０の導通を検査する検査工程と、検査工程において半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間の導通不良時などには半導体素子１を取り外す半導体素子取り外し工程と、その後、半導体素子１を取り外した基板５上の樹脂シート６上に第２の樹脂シート３６を貼り付ける第２の樹脂のシート貼付け工程と、半導体素子１を装着して本圧着する工程を有する半導体素子１の実装を行うとき、検査工程及び半導体素子取り外し工程を経た回路基板５上の樹脂シート厚みは、半導体素子１と回路基板５との間隔Ｈｍとなり、信頼性品質の確保に必要な本圧着工程時の樹脂シート厚みを確保できないことがある。このような場合、半導体素子取り外し工程後の回路基板上の樹脂シート６上に５〜２０μｍの第２の樹脂シート３６を貼り付けることにより、本圧着後の半導体素子実装の信頼性品質を確保することができるとともに、不要な樹脂の除去工程を無くすことができる。
【００７９】
次に、本発明の第３実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法を図１７を用いて説明する。
【００８０】
図１７は、樹脂シート６の材料にビスフェノールＡ系エポキシ、アミン硬化剤と自己反応型のナフタレン系エポキシを混合して作製した場合の樹脂の反応挙動の一例を示差熱分析で示している。図１７において、縦軸は走査型示差熱分析カロリーメータでの電圧値（ｍＶ）であり、横軸は反応温度（℃）である。
【００８１】
このときの第１の反応ピーク１７での仮圧着工程温度ＴＡは１１０℃であり、また、第２の反応ピーク１８での本圧着工程温度ＴＢは１５０℃である。そのため、この材料を用いての半導体素子１の仮圧着温度は例えば１２０℃で行い、その後、検査工程を経ても、樹脂シート６は半硬化状態にあり、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５の電極１０との間の接続部を破断させてしまうことが無い。これに対して、従来の１つの反応ピークしかない材料では、半硬化状態を作り出すためには仮圧着温度のコントロールが困難である。これに対して、この実施形態にかかる樹脂シート６では、上記したように２つのピーク１７，１８を樹脂シート６に与えることができて、第１のピーク１７の温度ＴＡと第２のピーク１８の温度ＴＢとの間の温度ＴＣで仮圧着すれば、容易に半硬化状態を作り出すことができる。
【００８２】
上記第３実施形態によれば、上記樹脂シート６は、仮圧着工程時に第１の硬化反応を行う温度ＴＡと、本圧着工程時に第２の硬化反応を行う温度ＴＢの２点に硬化反応ピーク１７，１８をそれぞれ有することにより、仮圧着工程時に、第１硬化反応ピーク１７での温度ＴＡ以上で、かつ、第２硬化反応ピーク１８での温度ＴＢ未満の中間の温度ＴＣで仮圧着を行えば、樹脂シート６の半硬化状態を容易に作り出すことができ、仮圧着工程条件である仮圧着温度及び時間のコントロールが容易に行うことができる。また、本圧着温度をＴＢ以上の温度で行うことにより、実装後の高信頼性品質を維持することができる。
【００８３】
上記第３実施形態のより具体的な例としては、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すように、第２の反応ピーク１８の温度ＴＢで熱により被覆膜７１が破れて、本圧着を行うことができるマイクロカプセル７０を多数樹脂シート６に含ませることができる。すなわち、仮圧着工程では、加熱温度が温度ＴＢ例えば１５０℃まで達しないため、マイクロカプセル７０の被覆膜７１は破れず、熱硬化は全く行われていないため、導通検査後に半導体素子１を樹脂シート６から取り外す場合には、容易に取り外すことができる。一方、本圧着工程では、温度ＴＢ例えば１５０℃を越えて例えば１８０℃まで加熱するため、マイクロカプセル７０の被覆膜７１が破れて熱硬化することにより、上記樹脂シート６の樹脂と、上記半導体素子１、又は、上記回路基板５、又は、上記半導体素子１及び上記回路基板５との密着力を向上させて、半導体素子１が回路基板５に、樹脂シート自体の接着力に加えて、より強固に接合される。
【００８４】
上記マイクロカプセル７０内の上記密着力向上剤７２の例としては、エポキシ系、アミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ系、若しくは、メタクリロ系のシランカップリング剤、又は、チタネートカップリング剤である。なお、密着力向上剤７２としては絶縁性は必要である。
【００８５】
ここで、密着力向上剤７２の一例としてのシランカップリング剤の構造は化学構造式ＸＳｉ（ＯＲ）3で表され、一分子中に少なくとも２種類の反応性の異なる官能基を持っている。上記化学構造式中、Ｘは各種合成樹脂などの有機質材料と化学結合する反応基であり、ここでは樹脂シート６の絶縁樹脂と化学結合する反応基となる。上記化学構造式中、ＯＲはガラス又は金属などの無機質材料と化学結合する反応基であり、ここでは半導体素子１の表面の材料又は回路基板５の表面の材料と化学結合する反応基となる。よって、シランカップリング剤のアルコキシシリル基（Ｓｉ−ＯＲ）が水あるいは湿気により加水分解されるとシラノール基になる。接合工程において加熱ツールにより圧着する際にシラノール基と無機質表面より化学的に結合する。又は、半導体素子等に塗布する場合は、水希釈した密着性向上剤を用いる。これを炉に入れて、例えば１２０℃３０分の熱処理を行う。このシラノール基と無機質表面（半導体素子１の表面又は回路基板５の表面）とが縮合反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｍ結合を形成する。また、一方の反応基［Ｘ−］は有機質（樹脂シート６の絶縁樹脂）と結合あるいは相溶化し、結果的に無機質と有機質を化学的に結合させる、言い換えれば、半導体素子１の表面又は回路基板５の表面と樹脂シート６の絶縁樹脂とを化学的に結合させることができる。一方、チタネートカップリング剤は、Ｔｉを含む親水基と樹脂と相互作用する疎水基とからなっており、これが無機物の表面に有機質の被膜を作り出して密着性及び流れ性を改善する。
【００８６】
なお、樹脂シート６の絶縁樹脂がエポキシ系の場合には、上記密着力向上剤７２としてはメルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリング剤が好ましく、その理由は、メルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリング剤の上記密着力向上剤７２がエポキシ系の樹脂シート６の絶縁樹脂に接触すると急激に反応して密着力を高めるため、上記密着力向上剤を使用しない場合と比較して、密着力は２〜３倍向上し、かつ、半分の時間で接合を完了することができるためである。
【００８７】
エポキシ系シランカップリング剤の具体例としては、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランがある。また、アミノ系シランカップリング剤の具体例としては、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（メタノール溶液又は水希釈）］、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（ＩＰＡ溶液又は水希釈）］である。また、アルキル系シランカップリング剤の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシランである。また、メルカプト系シランカップリング剤の具体例としては、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランである。また、メトキシ系シランカップリング剤の具体例としては、γ−クロロプロピルトリメトキシシランである。また、メタクリロ系シランカップリング剤の具体例としては、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランである。また、シラン系とは異なる、チタネート系シランカップリング剤の具体例としては、表１に掲げるものを使用することができる。
【００８８】
【表１】
0004287970.tif 000002
【００８９】
また、回路基板５又は半導体素子１側に窒化膜がある場合には、上記シランカップリング剤のうち、特に、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００９０】
上記第３実施形態によれば、仮圧着工程では、加熱温度が温度ＴＢまで達しないため、マイクロカプセル７０の被覆膜７１は破れず、熱硬化は全く行われていないため、導通検査後に半導体素子１を樹脂シート６から取り外す場合には、容易に取り外すことができる。一方、本圧着工程では、マイクロカプセル７０の被覆膜７１が破れて熱硬化することにより、半導体素子１が回路基板５に、樹脂シート自体の接着力に加えて、より強固に接合される信頼性をより一層高めることができる。また、本圧着工程では、密着力向上剤７２により、樹脂シート６の絶縁樹脂と、半導体素子１又は回路基板５との密着力を向上させることができるため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても樹脂シート６の絶縁樹脂と半導体素子１又は回路基板５との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。また、半導体素子１と回路基板５との間に配置される液体状の樹脂シート６の絶縁樹脂の体積を半導体素子１と回路基板５との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間から樹脂シート６の絶縁樹脂がはみ出すように流れ出て、半導体素子１と回路基板５との間の封止効果を奏することができる。よって、半導体素子１と回路基板５を接合すると同時に樹脂シート６の絶縁樹脂による封止を行うことができて、半導体素子１と回路基板５を接合した後に半導体素子１の下に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工程を短縮することができる。又は、数十秒の短時間で生産でき、基板５の反り、うねりが吸収できるので、安価な基板が使用できる。
【００９１】
上記第３実施形態の変形例として、図１９に示すように、樹脂シート６は２種類のマイクロカプセル７３，７４を含むようにしてもよい。すなわち、第１マイクロカプセル７３は上記温度ＴＡ例えば１００℃でその被覆膜が破れて内部の樹脂すなわち上記樹脂シート６の樹脂が熱硬化することにより仮圧着用の接着力が確保でき、第２マイクロカプセル７４は上記温度ＴＢ例えば１５０℃でその被覆膜が破れて内部の樹脂すなわち上記樹脂シート６の樹脂が熱硬化することにより本圧着用の接着力が確保できるようにしてもよい。このような構成によれば、仮圧着工程では、加熱温度が温度ＴＢまで達しないため、一方のマイクロカプセル７３の被覆膜は破れて仮圧着に寄与するが他方のマイクロカプセル７４の被覆膜は破れず、熱硬化は全く行われていないため、導通検査後に半導体素子１を樹脂シート６から取り外す場合には、容易に取り外すことができる。一方、本圧着工程では、他方のマイクロカプセル７４の被覆膜が破れて熱硬化することにより、半導体素子１が回路基板５に、樹脂シート自体の接着力に加えて、より強固に接合される信頼性をより一層高めることができる。
【００９２】
なお、上記第３実施形態の第１変形例として、上記樹脂シート６は上記樹脂シート６の上記樹脂を硬化させる第１硬化剤を含むとともに、上記マイクロカプセル７０内にも、上記樹脂シート６の上記樹脂を硬化させる第２硬化剤を含むようにし、かつ、上記マイクロカプセル７０の上記被覆膜は上記仮圧着工程での加熱温度ＴＡより高い上記本圧着工程での加熱温度ＴＢで破れて、上記第２硬化剤により上記樹脂シート６の上記樹脂を硬化させるようにすることもできる。ここで、一般的に、密着力向上剤（カップリング剤）は、主たる機能として半導体素子１と回路基板５との密着力を向上させることである。通常のカップリング剤では、樹脂の硬化を起こさせることができない。一部のカップリング剤であるメルカプト系カップリング剤が樹脂硬化反応を起こさせるのみである。よって、マイクロカプセル中には、樹脂を硬化させる機能を有する硬化剤（アミノ系、イミダゾール系他）が必須となる。よって、樹脂シート６の樹脂中に第１硬化剤単体を入れるとともに、仮圧着工程での加熱温度より高い本圧着温度で被覆膜が破れるマイクロカプセル内にも第２硬化剤を入れるといった２形態の硬化剤を備える樹脂シート６とする。この第１硬化剤と第２硬化剤とは異種でも同種でもかまわない。よって、この第１変形例のような構成とする。
【００９３】
このような第３実施形態の第１変形例の構成によれば、２種類の硬化剤を備えることにより、第１硬化剤による樹脂シート６の樹脂の熱硬化反応ピークを温度ＴＡで起こるようにし、第２硬化剤による樹脂シート６の樹脂の熱硬化反応ピークを温度ＴＢで起こるようにすることができるとともに、マイクロカプセルの被覆膜は、仮圧着工程での加熱温度より高い本圧着温度で破れるようにすることにより、温度ＴＡと温度ＴＢで温度差を付けることができる。例えば、温度ＴＡは１００〜１２０℃とし、温度ＴＢは１５０〜１８０℃として、３０℃≦（ＴＢ−ＴＡ）≦８０℃とすることができる。温度ＴＡ〜温度ＴＢ間の温度で半導体素子１の樹脂シート６からの取り外し作業を行えば、樹脂加熱による樹脂軟化（加熱しないと軟化しない）と硬化反応抑制（加熱すると硬化が進む）の２者を両立させることができ、半導体素子１の樹脂シート６からの取り外し作業を容易に行うことができる。また、硬化剤としては、樹脂シート中に硬化剤単独で備える第１硬化剤と、カップリング剤に包んだ第２硬化剤の２形態のものを使用することができ、２つの硬化剤として同種のものを使用すれば、異種の硬化剤を使用したときと比べて、硬化による樹脂架橋が均一に起こり、ヒートサイクルなどの熱履歴に対して発生する内部応力を均一化でき、信頼性品質が高くなる。
【００９４】
また、上記第３実施形態の第２変形例として、上記樹脂シート６内の上記２種類のマイクロカプセルのうちの第１マイクロカプセル７３は、上記仮圧着工程での加熱温度ＴＡで破れる上記被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度ＴＡで上記樹脂シート６の上記樹脂を熱硬化させる第３熱硬化剤を有し、第２マイクロカプセル７４は、上記仮圧着工程での加熱温度ＴＡより高い上記本圧着工程での加熱温度ＴＢで破れる上記被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度ＴＢで上記樹脂シート６の上記樹脂を熱硬化させる第４熱硬化剤を有するようにしてもよい。この第３硬化剤と第４硬化剤とは異種でも同種でもよい。
【００９５】
この第３実施形態の第２変形例によれば、第３硬化剤と第４硬化剤とを備えることにより、通常の温度では、２つの硬化剤がマイクロカプセルにそれぞれ包まれているために、硬化反応を起こさず、安定である。つまり、保存安定性が高い。第１マイクロカプセル７３は仮圧着工程での加熱温度ＴＡで被覆膜が破れ、第２マイクロカプセル７４はＴＡより高い本圧着温度ＴＢで被覆膜が破れるので、樹脂シート６の樹脂の硬化反応ピークを温度ＴＡ，ＴＢでそれぞれ起こるように分けることができ、温度ＴＡとＴＢで温度差を付けて硬化させることができる。
【００９６】
また、上記第３実施形態の第３変形例として、上記第２マイクロカプセル７４の上記密着力向上剤は、上記樹脂シート６の上記樹脂の熱硬化反応を促進させるアミノ系又はメルカプト系のカップリング剤であり、上記本圧着時に上記カップリング剤自身が上記基板５と上記樹脂シート６の上記樹脂との間での密着力向上、及び、上記樹脂シート６の上記樹脂と上記半導体素子１との密着力向上を行いながら、上記樹脂シート６の上記樹脂の熱硬化も促進するようにしてもよい。
【００９７】
この第３実施形態の第３変形例によれば、カップリング剤については、樹脂硬化反応を促進させる効果のあるアミノ系、メルカプト系をマイクロカプセルに入れることとし（これらカップリング剤は単体で樹脂中に添加すると、樹脂シート放置中でも、結構、樹脂の硬化が進み、保存安定性の点で使いづらいという欠点を有する。）、かつ、マイクロカプセルは仮圧着工程での加熱温度ＴＡより高い本圧着温度ＴＢで被覆膜が破れるようにして、本圧着時にカップリング剤自身が上記基板５と上記樹脂シート６の上記樹脂との間での密着力向上、及び、上記樹脂シート６の上記樹脂と上記半導体素子１との密着力向上を行いながら、樹脂シート６の樹脂の硬化も促進するようにすれば、リペアを容易にすることができる。このようなカップリング剤の具体例は、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルトリメトキシシランなど、先に記載されたアミノ系、メルカプト系カップリング剤の全てを使用することができる。
【００９８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、各工程において、半導体素子１を吸着するツールに限らず、半導体素子１の外形を機械的にチャックしたりするようにしてもよい。
【００９９】
また、図２０に示すように、上記樹脂シート６又は３６又は４６Ａ又は４６Ｂには、シート自体の線膨張係数を低下させる無機フィラー６６を多数含むようにしてもよい。このように無機フィラー６６を配合すれば、上記密着力向上剤７２による密着力向上の効果に加えて、無機フィラー６６の存在により樹脂シート６の線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。
【０１００】
上記種々の実施形態にかかる半導体素子の実装方法により、上記半導体素子１上の上記バンプ３と上記回路基板５上の上記電極１０とが電気的に導通して接合された実装体によれば、そのような実装体を製造するとき、半導体素子１が不良である時や、半導体素子１上のバンプ３と回路基板５上の電極１０間のズレによる電気的導通不良時などにおいては、半導体素子１を実装した回路基板ごと廃棄することなく、半導体素子のみを取り外すことができて、コストアップの要因を取り除くことができる。
【０１０１】
上記実施形態の検査工程において上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極間の導通不良時には、上記半導体素子を取り外すように説明したが、半導体素子不良時にも、同様に、上記半導体素子を取り外すようにしてもよい。
【０１０２】
なお、上記種々の実施形態は、任意の実施形態と組み合わせてそれぞれの作用効果を相乗的に達成させることもできる。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、良品であるか不良品であるか不明の半導体素子を回路基板に実装して導通不良が判明しても、容易に半導体素子を回路基板から取り外して新たな良品の半導体素子と交換することができ、導通不良の半導体素子が装着された回路基板ごと廃棄する必要がなく、実装コストの削減を実現することができる。
【０１０４】
また、半導体素子の回路基板への装着時に半導体素子上のバンプと回路基板の電極との間に位置ズレを生じて導通不良となっても、容易に半導体素子を回路基板から取り外して新たな半導体素子を回路基板に装着して半導体素子上のバンプと回路基板の電極との間の位置ズレを無くすことができ、位置ズレによる導通不良の半導体素子が装着された回路基板ごと廃棄する必要がなく、実装コストの削減を実現することができる。
【０１０５】
また、導通検査工程では、仮圧着時に半導体素子の接合面側又は接合面とは反対側の面を加圧しながら行うようにすれば、導通検査工程時に半導体素子上のバンプと回路基板の電極との間の電気的接続に何ら悪影響を及ぼすことなく、導通検査することができる。
【０１０６】
また、検査時の半導体素子上のバンプと回路基板上の電極間の導通不良時などの半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程において、加熱温度Ｔ３条件は、（Ｔ１≦Ｔ３＜Ｔ２）とすれば、仮圧着工程時の温度Ｔ１で硬化した樹脂シートを軟化させることができ、しかし、本圧着工程時の温度Ｔ２には達していないので、樹脂シートを完全硬化させずに、半導体素子を取り外し工程時の温度Ｔ３で取り外すことができる。
【０１０７】
また、検査工程において半導体素子上のバンプと回路基板上の電極間の導通不良時などに半導体素子を取り外す半導体素子取り外し工程において、半導体素子側を加熱する加熱方法は、半導体素子取り外し治具からの加熱で行い、基板を保持する基板保持部材の一例としてのステージは例えば冷却し、半導体素子側温度例えば取り外しツール温度Ｔ３と回路基板側温度例えばステージ温度Ｔ４は、｛（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃｝とするようにすれば、半導体素子の素子面と樹脂シートとの間の界面と、樹脂シートと回路基板との間の界面とで温度差をつけることができる。このことにより、半導体素子の取り外し時に、半導体素子と樹脂シートとの界面は軟化して剥離し易くなり、かつ、樹脂シートと回路基板との界面は軟化が不十分な為に剥離しにくい状態になる。そのために、半導体素子の取り外し時には、樹脂シートは回路基板側に残り、次の半導体素子の実装時に再び使用可能となる。このとき、取り外しツール温度Ｔ３とステージ温度Ｔ４の温度差を３０℃以上つけ、（Ｔ３−Ｔ４）≧３０℃とすると、半導体素子の取り外し時の樹脂シートは全て回路基板側に残すことができる。また、例えば、回路基板側を冷却状態にしておけば、不用意な樹脂シートの硬化反応を促進することが無く、次の半導体素子の実装に使用することができる。また、樹脂シートを全て回路基板側に残して再利用できるようにすれば、接合不可になった樹脂シートが回路基板に発生することもなく、半導体素子の取り外し後に不要な樹脂シートの洗浄を行う必要もなくなる。
【０１０８】
また、検査工程及び半導体素子取り外し工程を経た回路基板上の樹脂シート厚みが半導体素子と回路基板との間隔Ｈｍとなり、信頼性品質の確保に必要な本圧着工程時の樹脂シート厚みを確保できないことがある。このような場合、半導体素子取り外し工程後の回路基板上の樹脂シート上に５〜２０μｍの第２の樹脂シートを貼り付けることにより、本圧着後の半導体素子実装の信頼性品質を確保することができるとともに、不要な樹脂の除去工程を無くすことができる。
【０１０９】
また、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で熱硬化して上記樹脂シートの樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルを上記樹脂シートは含むようにすれば、仮圧着工程では、加熱温度が温度ＴＢまで達しないため、マイクロカプセルの被覆膜は破れず、被覆膜内の密着力向上剤の熱硬化は全く行われていないため、導通検査後に半導体素子を樹脂シートから取り外す場合には、容易に取り外すことができる。一方、本圧着工程では、マイクロカプセルの被覆膜が破れて熱硬化することにより、半導体素子が回路基板に、樹脂シート自体の接着力に加えて、より強固に接合される信頼性をより一層高めることができる。
【０１１０】
さらに、上記樹脂シートはマイクロカプセルを２種類含み、上記２種類のマイクロカプセルのうちの一方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記仮圧着工程での加熱温度で熱硬化して上記樹脂シートの樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであり、他方のマイクロカプセルは、上記仮圧着工程での加熱温度より高い上記本圧着工程での加熱温度で破れる被覆膜内に、上記本圧着工程での加熱温度で熱硬化して上記樹脂シートの樹脂と上記半導体素子又は上記回路基板との密着力を向上させる密着力向上剤を有するマイクロカプセルであるようにすることもできる。このような構成によれば、仮圧着工程では、加熱温度が温度ＴＢまで達しないため、一方のマイクロカプセルの被覆膜は破れて仮圧着に寄与するが他方のマイクロカプセルの被覆膜は破れず、被覆膜内の密着力向上剤の熱硬化は全く行われていないため、導通検査後に半導体素子を樹脂シートから取り外す場合には、容易に取り外すことができる。一方、本圧着工程では、他方のマイクロカプセルの被覆膜が破れて熱硬化することにより、半導体素子が回路基板に、樹脂シート自体の接着力に加えて、より強固に接合される信頼性をより一層高めることができる。
【０１１１】
また、上記樹脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機フィラーを含むようにすることもできる。このように無機フィラーを配合すれば、上記密着力向上剤による密着力向上の効果に加えて、又は、そのような効果が無くても、無機フィラーの存在により樹脂シートの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。
【０１１２】
また、上記半導体素子の実装方法により、上記半導体素子上の上記バンプと上記回路基板上の上記電極とが電気的に導通して接合された実装体によれば、そのような実装体を製造するとき、半導体素子が不良である時や、半導体素子上のバンプと回路基板上の電極間のズレによる電気的導通不良時などにおいては、半導体素子を実装した回路基板ごと廃棄することなく、半導体素子のみを取り外すことができて、コストアップの要因を取り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図２】  （Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図３】  本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法における導通検査工程を示す説明図である。
【図４】  本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法における導通検査工程を示す説明図である。
【図５】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法における導通検査工程を示す説明図である。
【図６】  （Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において、レベリング無しのバンプを使用する場合の実装工程を示す説明図である。
【図７】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図６のレベリング無しのバンプの一例の正面図及び仮圧着工程と本圧着工程でのバンプ高さと加圧力との関係を示すグラフである。
【図８】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれレベリング無しのバンプを使用する場合の実装状態を示す説明図及び導通検査工程を示す説明図である。
【図９】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ仮圧着状態の半導体素子を回路基板から取り外す場合の説明図である。
【図１０】  （Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において導通検査不良の半導体素子を取り外してい別の半導体素子を接合する工程を示す説明図である。
【図１１】  （Ａ）〜（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において導通検査不良の半導体素子を取り外すときの取り外し工程を示す説明図である。
【図１２】  本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において導通検査不良の半導体素子を取り外すときの取り外し装置を示す説明図である。
【図１３】  本発明の第１実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において導通検査不良の半導体素子を取り外すときの別の取り外し装置を示す説明図である。
【図１４】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１２の取り外し装置の説明図である。
【図１５】  （Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図１６】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第２実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において導電粒子入り樹脂シートを使用する場合を示す説明図である。
【図１７】  は本発明の第３実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において２つの硬化反応ピークを有する樹脂シートを使用する場合の走査型示差熱分析カロリーメータの電圧値と反応温度との関係を示す説明図である。
【図１８】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第３実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法においてマイクロカプセル入り樹脂シートを使用する場合を示す説明図及びマイクロカプセルの拡大断面図である。
【図１９】  本発明の第３実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法において別のマイクロカプセル入り樹脂シートを使用する場合を示す説明図である。
【図２０】  本発明の他の実施形態にかかる回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図２１】  （Ａ）〜（Ｄ）は従来の回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図２２】  （Ａ）〜（Ｄ）は従来の回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図２３】  従来の回路基板への半導体素子の実装方法を示す説明図である。
【図２４】  上記実施形態において、樹脂シートの半導体素子側である取り外しツール側に反応層と未反応層とができる状態を示す説明図である。
【図２５】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ基板へ樹脂シートを配置した状態を示す説明図及び半導体素子を基板に対して樹脂シートを介して仮圧着させた状態での説明図である。
【図２６】  （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ仮圧着後に半導体素子を樹脂シートから取り外した状態の説明図及び新たな樹脂シートの再貼り付け後の状態の説明図である。
【符号の説明】
１…半導体素子、２…パッド、３…バンプ、４…キャピラリ、５…回路基板、５ｅ…下面電極、６…樹脂シート、６ｘ…不要樹脂シート、７…貼り付けツール、８…カートリッジヒーター、９…セパレーター、１０…基板電極、１１，１１１…実装ヘッド、１１１ａ…半導体素子押圧部、１１１ｂ…バネ、１２…テスタープローブ、１３…半導体素子取り外し治具、１４…電熱ヒーター、１５…水配管、１６…ステージ、１７…第１のピーク、１８…第２のピーク、２０…取り外し温度、２６…ステージ、２７…ぺルチェ素子、２８…温度センサ、２９…冷却フィン、３０…Ａｕ線、３６…第２の樹脂シート、４０…取り外しツール、４１…カートリッジヒーター、４２…温度センサー、４６Ａ，４６Ｂ…導電粒子入り樹脂シート、４７…導電粒子、５１…支持台、５２…回路基板用支持台、５２ａ…開口、５３…回路基板用柱状支持台、１００…回転モータ、４０ｂ…凹部、４０ｃ…係合壁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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