(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の対向端部に形成された厚膜上面電極と、前記絶縁基板の上面及び前記厚膜上面電極の一部上面に延在形成されたＮａＣｌと反応しないＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ系材料でできた薄膜抵抗体と、前記絶縁基板の裏面において前記厚膜上面電極に対応する位置に設けられた厚膜裏面電極と、前記厚膜裏面電極と前記薄膜抵抗体から露出した前記厚膜上面電極に重なるように前記絶縁基板側面に形成した厚膜側面電極からなることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
請求項１に記載されたチップ抵抗器において、前記抵抗体は薄膜を積層して形成され、少なくとも最外層はＮａＣｌと反応しないＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ系材料からなっていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載されたチップ抵抗器において、前記厚膜上面電極は互いに導通した第１及び第２の厚膜電極からなり、前記薄膜抵抗体の端部を前記第１及び第２の厚膜電極で挟持したことを特徴とするチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁性基坂上に薄膜抵抗体が設けられるチップ抵抗器に関する。さらに詳しくは、人の汗や海水などに接触しても消滅しない抵抗体或いは電極を備えたチップ抵抗器を提供することである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ抵抗器には、印刷と焼成により電極や抵抗体を形成する厚膜抵抗器と、スパッタリングにより電極や抵抗体を製造する薄膜抵抗器とがある。構造は厚膜と薄膜との違い、および抵抗体と上面電極の上下関係の違いはあるが、両者とも殆ど同じ構造で、たとえば図９に示されるような構造になっている。すなわち、図９で、アルミナなどからなる絶縁性基板１の対向する両端部に一対の電極２、３が上面電極２１、３１および裏面電極２２、３２とこれらを連結する側面電極２３、３３により形成され、両電極に接続されるように抵抗体４が絶縁性基板１上に形成されている。そして、抵抗体の表面側に保護膜５が１〜３層で形成されている。
【０００３】
厚膜抵抗器は、ガラスまたは樹脂を用いてペースト状にした材料を印刷などにより塗布して、６００〜９００℃程度で焼成（ガラスの場合）または２００〜２４０℃程度で硬化（樹脂の場合）させて各層を形成することにより得られる。電極材料としては、ＡｇにＰｄを添加したＡｇ系や、Ａｕを主成分としたＡｕ系の金属ペーストが用いられ、抵抗体材料としては、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）に必要な抵抗値にするためのＡｇなどを混入してガラスまたは樹脂によりペースト状にしたものが用いられる。また、薄膜抵抗器は、金属材料をスパッタリングなどにより成膜してパターニングすることにより得られ、電極材料としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどが用いられ、抵抗材料としては、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが用いられる。
【０００４】
ここで厚膜とは、電極や抵抗体の材料をペースト状にして塗布し、焼成または硬化させることにより形成される膜を意味し、薄膜とは、スパッタリング法などにより金属膜などを直接成膜することにより形成される膜を意味する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、高精度のチップ抵抗器を得るためには、抵抗体を薄膜で形成する必要があり、抵抗体や側面電極にＮｉ−Ｃｒの薄膜が使用されたチップ抵抗器（薄膜チップ抵抗器）が広く製造されている。しかし、この薄膜チップ抵抗器では、例えば、人の汗や海水等が付着するとそこに含まれるＮａＣｌとＮｉ−Ｃｒが水分の存在で化学反応を起こしてＮｉ−Ｃｒの薄膜が消失するという問題がある。その場合、抵抗体についてはＮｉ−Ｃｒ以外のＮａＣｌ等に反応しない材料を選択することができるが、側面抵抗においては比抵抗や酸化の問題からＮｉ−ＣｒやＮｉ−Ｔｉの使用が避けられず以上の問題を解決することはできなかった。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、抵抗値の精度を維持すると共に、側面電極が人の汗等に含まれるＮａＣｌ等と水分と反応して消失するのを防止し得る構造を備えたチップ抵抗器、及びその製造方法を提供することであり、その際、薄膜の上に厚膜を成膜する際の密着性の低下に対処した抵抗器を得ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の対向端部に形成された厚膜上面電極と、前記絶縁基板の上面及び前記厚膜上面電極の一部上面に延在形成されたＮａＣｌと反応しないＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ系材料でできた薄膜抵抗体と、前記絶縁基板の裏面において前記厚膜上面電極に対応する位置に設けられた厚膜裏面電極と、前記厚膜裏面電極と前記薄膜抵抗体から露出した前記厚膜上面電極に重なるように前記絶縁基板側面に形成した厚膜側面電極からなることを特徴とするチップ抵抗器である。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載されたチップ抵抗器において、前記抵抗体は薄膜を積層して形成され、少なくとも最外層はＮａＣｌと反応しないＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ系材料からなっていることを特徴とするチップ抵抗器である。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は２のいずれかに記載されたチップ抵抗器において、前記厚膜上面電極は互いに導通した第１及び第２の厚膜電極からなり、前記薄膜抵抗体の端部を前記第１及び第２の厚膜電極で挟持したことを特徴とするチップ抵抗器である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のチップ抵抗器の実施形態について図面を参照して説明する。
チップ抵抗器は、概略的には、図１に示されるように例えばアルミナなどからなり、平面形状が矩形状の絶縁性基板１の表面両端部の表面および裏面に厚膜により上面電極２１、３１と裏面電極２２、３２とが形成され、更に、側面電極２３、３３のような厚膜電極により両者が電気的に接続されている。また、絶縁性基板１の表面両端部間の露出部と上面電極の一部には薄膜抵抗体４が形成されており、さらに抵抗体４表面には保護膜５が設けられている。
【００１１】
同図において、基板１は、例えばアルミナ、サファイア、またはＳｉウェハなどが用いられる。厚膜の電極材料としては、一般には金属粉末とガラスまたは樹脂とを混合してペースト状にしたものが使用され、混入する金属粉末により、Ａｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系、Ａｕ系などが用いられている。ここに「系」とは、ＡｇやＡｕを主成分として他の元素が添加され得ることを意味する。なお、ガラスペーストは６００〜９００℃程度で焼成することにより硬化され、樹脂ペーストは２００〜２４０℃程度に昇温することにより硬化される。
【００１２】
この構造は、基板１の裏面から厚膜側面電極を利用して、プリン卜基板などの実装基板に表面実装によりハンダ付けし得る構造のチップ抵抗器である。即ち、基板１の両端部には、その上下面に対応して、Ａｇ−Ｐｄ又はＡｕとそれらのバインダーとなる成分とを有機溶剤によりペースト状にしたもの（Ａｇ系又はＡｕ系ペースト）を印刷し、焼成することにより厚膜の上面電極２１、３１及び裏面電極２２、３２が形成されている。そして、ＮａＣｌと反応しない、例えば，Ｔａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ等の材料からなる抵抗体４の抵抗値の調整後に樹脂及びＡｇペーストからなる電極材料を上面電極２１、３１および裏面電極２２、３２の上に重なるように基板１の側面に印刷して硬化させることにより、側面電極２３、３３が厚膜により形成される。なお、電極２３、３３の露出面にはＮｉメッキからなる第１メッキ層３５、３６およびＰｂ−Ｓｎ、Ｓｎなどからなる第２メッキ層３７，３８が施されている。
【００１３】
本実施形態によるチップ抵抗器は、抵抗値精度やノイズなどの抵抗特性に大きく影響する抵抗体４のみをスパッタリング法などを用いる薄膜により形成し、他の上面電極２１、３１や裏面電極２２、３２、側面電極２３、３３などは厚膜により形成されている。
【００１４】
抵抗体４は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金以外の例えばＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ系などの金属を所望の抵抗値に応じて選択してこれをスパッタリングなどにより成膜して、フォトリソグラフィ技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより、薄膜で形成されている。
なお、「系」というのは、Ａｌ、Ｃｒ、Ｏなどを添加して抵抗を調整し得ることを意味する。
図１に示される例では、保護膜５が１層からなっているが、必ずしも１層の必要はなく、２層または３層でもよい。
【００１５】
次に、このチップ抵抗器の製法について、図２に示されるフローチャートを参照して説明をする。なお、図２では１個分のチップ抵抗器の製造工程図が示されているが、実際に製造する場合は、５〜１０ｃｍ×５〜１０ｃｍ程度の大きな基板に１００〜１万個分程度の電極や抵抗体を同時に形成し、バー状に切断または分割して露出する側面に側面電極を形成し、さらにその後バー状に連なったチップ抵抗器を１個１個のチップに切断または分割して分離することにより製造される。
【００１６】
まず、基板裏面の所定の場所に電極材料（バインダー成分、Ａｇ−Ｐｄ又はＡｕを有機溶剤によりペースト状にしたもの）のペーストを印刷する。そして、６００〜９００℃程度で焼成することにより裏面電極２２、３２（図１参照）を形成する（Ｓ１１）。ついで、基板表面の所定の場所（裏面電極２２、３２に対応する部分）に電極材料を印刷により塗布して焼成することにより、厚膜の上面電極２１、３１を形成する（Ｓ１２）。その後、スパッタリング装置により、基板１の表面及び前記上面電極の一部に薄膜抵抗体膜を成膜し、所望の形状にパターニングすることによりＴａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体４を形成する（Ｓ１３）。
【００１７】
ついで、保護膜５を形成し（Ｓ１４）、さらに抵抗体４にレーザトリミングを行い（Ｓ１５）、その後大きな基板を一対の電極２１、３１を結ぶ方向と垂直な方向に並ぶ一列ごとになるようにバー状に切断または分割する（Ｓ１６）。そして、上面電極２１、３１と裏面電極２２、３２の間にその上面電極および裏面電極上にも重なるようにＡｇ系樹脂ペーストの電極材料を塗布して硬化させることにより、側面電極２３、３３を形成する（Ｓ１７）。その後、バー状に連結されているチップ抵抗器を１個１個のチップに分割し（Ｓ１８）、電極の露出面にＮｉメッキおよびＰｂ／Ｓｎなどからなるハンダメッキを行うことにより（Ｓ１９）、図１に示されるチップ抵抗器が得られる。
【００１８】
図３は別の実施形態を示す。
図３に示される実施形態では、厚膜上面電極２１、３１を第１上面電極２１Ａ、３１Ａと第２上面電極としての厚膜補助電極２１Ｂ、３１Ｂとに分割し、薄膜である抵抗体４を厚膜の第１上面電極２１Ａ、３１Ａと第２上面電極２１Ｂ、３１Ｂとにより挟持したサンドイッチ構造にされており、それ以外の点では前記実施形態１と同様である。
【００１９】
また、第２の実施形態のチップ抵抗器の製造は、前記第１の実施形態のチップ抵抗器の製造方法において、Ｔａ−Ｎ、Ｔａ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体４を形成した後に、たとえばＡｇなどと樹脂とを混合したペースト状の電極材料（Ａｇ系樹脂ペースト）を、第１上面電極２１Ａ、３１Ａ及び同電極上の薄膜抵抗体４の部分に塗布して２００℃程度で硬化させることにより、厚膜の厚膜補助電極２１Ｂ、３１Ｂを形成する他は、前記第１の実施形態のチップ抵抗器の製造方法と同様である。
【００２０】
ところで、チップ抵抗器を薄膜と厚膜との混合体、とくに薄膜上に厚膜を形成すると、その密着性が低下し接続抵抗が上昇したり、極端な場合には剥離しやすいという問題がある。
図４は、薄膜と厚膜との混合体、とくに薄膜上に厚膜を形成する構成を採ったときに、薄膜とその上に配置される厚膜との密着性を向上させるための手段を講じたチップ抵抗器の他の実施形態を示している。
即ち、図４に示される実施形態では、上面電極２１、３１を第１上面電極２１ａ、３１ａと第２上面電極２１ｂ、３１ｂとに分割し、第２実施形態と同様に、薄膜である抵抗体４を厚膜の第１上面電極２１ａ、３１ａと第２上面電極２１ｂ、３１ｂとにより挟持しているが、この場合は、第１上面電極２１ａ、３１ａ上の抵抗体４の一部に貫通孔４１を設けて第１上面電極２１ａ、３１ａと第２上面電極２１ｂ、３１ｂとを密着させている。
【００２１】
基板１、厚膜の電極材料等は第１の実施形態のものと同様である。
即ち、基板１の表裏面に、Ａｕとバインダー成分とを有機溶剤によりペースト状にしたもの（Ａｕ系ペースト）を印刷し、焼成することにより厚膜の裏面電極２２，３２及び上面電極２１ａ、３１ａが形成されている。そして、抵抗体４の抵抗値の調整後に第２上面電極２１ｂ、３１ｂがＡｇ系樹脂ペーストにより形成され、その後、樹脂ペーストからなる電極材料を第２上面電極２１ｂ、３１ｂおよび裏面電極２２、３２の上に重なるように基板１の側面に印刷して硬化させることにより、側面電極２３、３３が厚膜により形成される。なお、電極２、３の露出面には、図示しないＮｉメッキおよびハンダメッキが施される。
【００２２】
抵抗体４は、実施形態１と同様であり、スパッタリングなどにより成膜して、フォトリソグラフィ技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより、薄膜で形成されている。このパターニングの際に、第１上面電極２１ａ、３１ａ上の抵抗体４の一部もエッチングされて貫通孔４１が形成され、第１上面電極２１ａ、３１ａの一部が露出するように形成される。この貫通孔４１は、１個でなくて複数個設けてもよいし、スリット状など他の形状でもよい。そして、その上に第２上面電極２１ｂ、３１ｂが形成される際に、その第２上面電極材料が貫通孔内に埋まり、第２上面電極２１ｂ、３１ｂが第１上面電極２１ａ、３１ａと密着して接合される。このように、図４に示される例は、第１上面電極２１ａ、３１ａと第２上面電極２１ｂ、３１ｂとを相互に密着させながら、抵抗体４をサンドイッチすることにより、薄膜抵抗体４上に設けられる上面電極２１ｂ、３１ｂとの密着性向上手段が構成されている。
【００２３】
図４に示される例では、保護膜５が３層からなっているが、必ずしも３層の必要はなく、１層または２層でもよい。第１保護膜５１は、たとえば絶縁性物質を薄膜形成法により成膜することで形成されている。また、第１保護膜５１は、抵抗体４の抵抗値を調整するために、抵抗体４を形成した後にその抵抗値を測定しながらレーザトリミングにより抵抗体４の一部を削って調整する工程が設けられており、その際に削った抵抗体材料が飛び散って再度抵抗体４の上に付着し性能が変化するのを防ぐ目的で設けられているが、その心配がなければとくに設けられる必要はない。
【００２４】
第２保護膜５２および第３保護膜５３は、レーザトリミングされて表面に凹凸のある第１保護膜５１上に塗布して露出した抵抗体４の表面を保護すると共に、チップ抵抗器の表面全体を保護するもので、第２保護膜５２だけでは、レーザトリミングによる溝を完全に埋めて平坦化させることができないため、さらに第３の保護膜５３が設けられることにより、表面が完全に被覆されると共に平坦化されている。この第２および第３保護膜５２、５３は、高温で焼成すると抵抗体４の抵抗値が変化する可能性があるため、エポキシ樹脂などからなる樹脂製ペーストを塗布して２００〜２４０℃程度で硬化させるのが好ましい。しかし、ホウケイ酸鉛ガラスなどを用いたガラス系のペーストを印刷して、６００〜７００℃程度で焼結することもできる。
【００２５】
次に、図４に示すチップ抵抗器の製造工程を図５に示される主要部の工程説明図および図６に示されるフローチャートを参照しながら説明する。
図６に示すステップ（Ｓ２ｌ）において、基板裏面の所定の場所に電極材料のペーストを印刷する。そして、６００〜９００℃程度で焼成することにより裏面電極２２、３２（図４参照）を形成する。ついで、基板表面の所定の場所（裏面電極２２、３２に対応する部分）に電極材料を印刷により塗布して焼成することにより、第１上面電極２１ａ、３１ａを形成する（Ｓ２２、図５（ａ）参照）。その後、スパッタリング装置により、基板１の表面全面に薄膜抵抗体膜を成膜し、所望の形状にパターニングすることにより抵抗体４を形成する。この際、第１上面電極２１ａ、３１ａの一部が露出するようにその上面電極上の抵抗膜の一部もエッチングして、貫通孔４１を形成する（Ｓ２３、図５（ｂ）参照）。
【００２６】
その後、抵抗体４の表面に薄膜にてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの成膜、またはＰｂガラスなどを含むガラスペーストを印刷などにより塗布して焼成することにより、第１保護膜５１を形成する（Ｓ２４）。そして、一対の第１上面電極２１、３１にプローブ電極を接触させて抵抗値を測定しながら、所望の抵抗値になるようにレーザトリミングを行い抵抗値の調整を行う（Ｓ２５）。さらに、その表面に樹脂ペーストを塗布して硬化させることにより、第２保護膜５２を形成する（Ｓ２６）。ついで、たとえばＡｇなどと樹脂とを混合したペースト状の電極材料（Ａｇ系樹脂ペースト）を、第１上面電極２１、３１及び同電極上の薄膜抵抗体４の部分に塗布して２００℃程度で硬化させることにより、厚膜の第２上面電極（厚膜補助電極）２１ｂ、３１ｂを形成する（Ｓ２７、図５（ｃ）参照）。
【００２７】
その後、第２保護膜５２と、同じ材料を塗布して硬化させることにより、第３保護膜５３を第２上面電極２１ｂ、３１ｂの抵抗体４上に形成する（Ｓ２８）。ついで、大きな基板を一対の電極２１、３１を結ぶ方向と垂直な方向に並ぶ一列ごとになるようにバー状に切断または分割する（Ｓ２９）。そして、上面電極２１、３１と裏面電極２２、３２の間にその上面電極および裏面電極上にも重なるようにＡｇ系樹脂ペーストの電極材料を塗布して硬化させることにより、側面電極２３、３３を形成する（Ｓ３０）。その後、バー状に連結されているチップ抵抗器を１個１個のチップに分割し（Ｓ３１）、電極の露出面にＮｉメッキおよびＰｂ／Ｓｎなどからなるハンダメッキを行うことにより、図４に示されるチップ抵抗器が得られる。
【００２８】
この際、一般的には薄膜抵抗の上にたとえば側面電極などの厚膜電極を形成すると、両者間の密着性が完全には得られず、接触抵抗などが発生しやすいが、第２及び第３実施形態では、上面電極を第１上面電極と第２上面電極とに分割し、一部を接続させた状態で、薄膜抵抗体の下に第１上面電極、薄膜抵抗体の上に第２上面電極を形成しており、とくに、第３実施形態では、更に第１上面電極上の薄膜抵抗体の少なくとも一部に貫通孔を設けて第１上面電極と、第２上面電極とを直接接触させている。このように前記第２及び第３実施形態では、第１上面電極と第２上面電極とは共に厚膜同士で密着性がよく、第１上面電極と薄膜抵抗体も、厚膜上の薄膜であるため密着性がよい。また、以上の実施形態１乃至３では、いずれも厚膜の上面電極上に接触するように側面電極が厚膜により形成されているため、側面電極と上面電極および裏面電極との接触も厚膜同士で非常に低抵抗で密着性よく接触し、抵抗特性を低下させることはない。
【００２９】
ところで、前述の実施形態では、薄膜抵抗体とその上に設けられる厚膜電極（上面電極２１、３１）との密着性を向上させる手段が上面電極を２層にして、その間に抵抗体をサンドイッチする構造であったが、図７に示される例は、抵抗体を２層にして、その間に厚膜電極（上面電極）をサンドイッチすることにより、密着性の向上が図られており、厚膜の上面電極を露出させることにより、側面電極と接続する構造になっている。
【００３０】
すなわち、図７において、絶縁性基板１上に、たとえばＮｉ−Ｃｒ抵抗体からなる第１層４ａと、たとえばＴａＮなどの抵抗体からなる第２層４ｂが共にスパッタリングなどにより薄膜により形成されている。そして、その両端部では、第１層４ａと第２層４ｂとの間に、厚膜により形成された上面電極２１、３１がサンドイッチされている。この上面電極２１、３１は、第１層４ａに形成される貫通孔を介して、絶縁性基板１と直接接着しており、その上面は、第２層４ｂから一部が露出し、たとえば側面電極が接続し得るように抵抗体４および上面電極２１、３１が形成されている。その他は、前述の図４に示される実施形態と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略するが、図７では、保護膜５が２層構造で図示され、また、側面電極２３、３３にはＮｉメッキ層２３ａ、３３ａおよびハンダメッキ層２３ｂ、３３ｂが図示されている。その他の絶縁性基板１、抵抗体の材料などは前述の例と同じで、その説明を省略する。
【００３１】
このチップ抵抗器を製造するには、まず、絶縁性基板１の裏面に裏面電極を厚膜により形成し、つぎに図８（ａ）に示すように、たとえばＮｉ−Ｃｒからなる第１層４ａを絶縁性基板１の表面全面に成膜する。この成膜厚さは、図４に示される実施形態の半分程度にする必要はなく、パターニングによりその抵抗値を調整することができ、所望の抵抗値を得るために必要な厚さに成膜される。そして、マスクを形成してエッチングをするフォトリソグラフィ技術を用いて、両端部の電極形成場所に貫通孔４１を形成し、絶縁性基板１を露出させる。その際に第１層４ａを必要なパターンにエッチングしてもよいが、第２層も同じパターニングをする場合には、第２層４ｂを設けてから行ってもよい。そして、３００〜６００℃程度で、３０〜１００分程度のアニール処理を行う。
【００３２】
さらに図８（ｂ）に示されるように、抵抗体の第１層４ａの両端部で、貫通孔４１が形成された部分に、同様に厚膜法により上面電極２１、３１を形成する。これらの電極は、前述の例と同様に、印刷、乾燥および硬化または焼成により形成される。すなわち電極材料が樹脂系の場合は、２００〜２４０℃程度で硬化し、ガラス系の場合は４００〜６００℃程度で焼成する。
【００３３】
つぎに、たとえばＴａＮなどからなるＮａＣｌと化学反応しない材料からなる抵抗体４の第２層４ｂを第１層４ａと同様にスパッタリング法などにより成膜し、パターニングをして所望の形状にする。その際、両端部には、上面電極２１、３１が少なくとも露出するようにパターニングをする。このように、第１層４ａと第２層４ｂとが異なる材料からなる場合、それぞれのエッチングに適したエッチング液を用いる。その後、３００〜６００℃程度でアニール処理を行う。その後、レーザトリミングにより抵抗値を調整し、樹脂保護層５２、５３を必要な層数で形成する。そして、バー状にしてから前述のように厚膜の側面電極２３、３３を形成し（図８（ｄ））、さらにチップ化してからＮｉメッキ層２３ａ、３３ａおよびハンダメッキ層２３ｂ、３３ｂを形成することにより図７に示されるチップ抵抗器が得られることも前述の例と同じである。
【００３４】
図７および８に示される例によれば、特性の良好な薄膜による抵抗体と、安価に製造することができる厚膜電極とを組み合せながら、薄膜抵抗体の第１層４ａ上に設けられる上面電極２１、３１は、第１層４ａに設けられる貫通孔４１を介して絶縁性基板１と密着性よく接着し、その上に設けられる薄膜抵抗体４の第２層４ｂとは、厚膜上に設けられる薄膜であるため、上面電極２１、３１と第２層４ｂとの密着性は非常に良好に得られる。さらに第１層４ａおよび第２層４ｂは共に薄膜であるため、相互に密着性が良く、結果的に上面電極２１、３１は薄膜抵抗体４と密着性よく、また、絶縁性基板１とも密着性よく積層される。しかも、この構造にすることにより、第２層は汗や海水中のＮａＣｌと化学反応しないため、これらに接触しても消滅することはなく、しかも、２層にする抵抗体にそれぞれ前述のＮｉ−ＣｒとＴａＮの組合せのように、温度係数の正負が逆になる材料を用いることにより、温度によっても安定した抵抗値のチップ抵抗器を得ることができる。
【００３５】
以上の実施形態はいずれも、抵抗体のみを薄膜により形成しながら、電極はすべて厚膜により形成しているため、製造工程の工数はそれほど増えず、安価に得ることができる。しかも、抵抗特性に影響を及ぼしやすい抵抗体は、スパッタリングによる薄膜により形成されているため、金属薄膜が均一材料で均一厚さに形成されており、非常に高精度の抵抗器が得られる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、薄膜抵抗体はＮａＣｌと化学反応しない材料で、かつ、側面電極等は厚膜で形成されているため、人の汗や海水が付着しても電極や抵抗体が消滅することがない。また、抵抗特性に非常に大きく影響する抵抗体は薄膜で形成されることにより、高性能な抵抗器とされながら、他の電極はすべて厚膜により形成されることにより、製造工程は非常に簡単で少ない工数で非常に安価に得られる。しかも、薄膜上への厚膜形成による密着性の問題も解決され、全て薄膜で形成する場合に比べても特性の低下は殆ど生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるチップ抵抗器の第１の実施形態を示す断面説明図である。
【図２】  図１のチップ抵抗器を製造する主要部の工程説明図である。
【図３】  本発明によるチップ抵抗器の第２の実施形態を示す断面説明図である。
【図４】  本発明によるチップ抵抗器の第３の実施形態を示す断面説明図である。
【図５】  図４のチップ抵抗器を製造する主要部の工程説明図である。
【図６】  図４のチップ抵抗器を製造する一例のフローチャートである。
【図７】  本発明によるチップ抵抗器の他の実施形態を示す断面説明図である。
【図８】  図７のチップ抵抗器を製造する主要部の工程説明図である。
【図９】  従来のチップ抵抗器の構造を説明する断面説明図である。
【符号の説明】
１・・・基板、４・・・抵抗体、５・・・保護膜、２１・・・上面電極、２１Ａ、２１ａ
第１上面電極、２１Ｂ、２１ｂ・・・第２上面電極、２２・・・裏面電極、
２３・・・側面電極
【図１】
0004204029.tif 000002
【図２】
0004204029.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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