(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離し洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記フォトレジストを剥離した後の洗浄工程で、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成し、バックコートレジストを施した後、不要となったフォトレジスト及びバックコートレジストを除去し、洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記フォトレジスト及びバックコートレジストを剥離した後の洗浄工程で、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記洗浄液として、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む水を用いることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記洗浄液に含まれる有機化合物が、ベンゾトリアゾールであることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
上記洗浄液に含まれるベンゾトリアゾールの濃度が０．００１〜１．０重量％であることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージに用いられるＴＡＢテープのような半導体装置用テープキャリアの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体パッケージ用電子部品であるＴＡＢテープは、一般に、予めビア穴等を設けたポリイミド樹脂製絶縁フィルムから成る絶縁テープ基材に接着剤層を介して又は接着剤なしで銅箔を貼り合わせ、その銅箔に所定の配線パターンを形成した後、その配線パターンの端子部分である銅リードに安定した接合性を与えるべくメッキ層を形成した構造を有する。
【０００３】
このＴＡＢテープキャリアにおいて、絶縁テープ基材に貼り合わせた銅箔に所定の配線パターンを形成する方法としては、銅箔付き樹脂製絶縁テープ基材にフォトレジストを用いて銅配線を形成する手法が一般的に用いられている。
【０００４】
このＴＡＢテープキャリアの従来の製造方法を、図６により説明するに、まず、絶縁テープ基材３に貼り合わせた銅箔２にフォトレジスト１を塗布し（レジストコート工程（ａ））、これを露光・現像して所定のフォトレジストパターン１０を形成し（露光・現像工程（ｂ））、銅箔２の存在しない側からビア部６を埋めるためのバックコートレジスト４を塗布し（バックコート工程（ｃ））、上記フォトレジストパターン１０を用いて銅箔２をエッチングすることにより銅配線パターン２０を形成し（エッチング工程（ｄ））、その後不要となったフォトレジスト１を溶液で除去し（レジスト剥離工程（ｅ））、銅配線（銅リード）２１に錫や金のメッキ（メッキ部５）を施す工程（メッキ工程（ｈ））を経て形成される。
【０００５】
すなわち、銅箔付き樹脂テープ上に対する銅配線の形成は、基材テープへのフォトレジスト塗布→露光→現像→バックコートレジスト塗布→エッチング→レジスト剥離の工程を経て形成される。このようにして形成された配線パターンに、その後、仕様に合わせた各種メッキを施しＴＡＢテープが作製される。
【０００６】
上記ＴＡＢテープの製造方法におけるレジスト剥離工程で、配線パターン形成後に不要となったレジスト（フォトレジスト、バックコートレジスト）が、通常、低濃度の苛性ソーダ、苛性カリ等のアルカリ水溶液で除去される。フォトレジスト材料としてはクレゾールーノボラック系の樹脂が用いられ、またバックコートレジストにはアクリル系の樹脂が一般的に用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記レジスト剥離工程においては、レジストを剥離した後で洗浄が行われ、銅表面に変色が発生する場合がある。この変色はその後の錫メッキ、金メッキ等の工程において、不メッキ、変色等の悪影響を及ぼす。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、レジスト剥離・洗浄工程における銅の変色を解消し、その後のメッキ工程での不具合を解消して、良好な性能を有する半導体装置用テープキャリアの製造を可能にする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１０】
請求項１の発明は、銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離し洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記フォトレジストを剥離した後の洗浄工程で、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む洗浄液を用いることを特徴とする。
【００１１】
本発明は、フォトレジスト、バックコートレジストを剥離し洗浄するレジスト剥離・洗浄工程、つまりレジストを剥離した後の水洗等の洗浄工程において、その洗浄液に銅の表面変色を防止する変色防止剤を添加して洗浄する。このことにより銅変色の発生を抑えることが出来、その後のメッキ工程での不具合を解消し、良好な性能を有するＴＡＢテープの製造が可能となる。
【００１２】
例えば、レジストを剥離した後の洗浄工程において、レジスト剥離槽の後に具備された洗浄槽の液に、変色防止剤（酸化防止剤）を添加する。この添加剤の物質としては、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物であればよい。
【００１３】
上記変色防止剤としては、トリアゾール、チアゾール、メルカプタン、アミン等の有機化合物があり、銅および銅合金の腐食に対して抑制作用を示すことが知られている。これらの物質は、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓなどの構成元素が極性基となって銅表面と結合し、金属との親和力の低い炭化水素が外側に向かって配列する。このため疎水性の表面を作り出し、腐食性媒体から金属を遮蔽する役目を果たしている。最も広く使用されているのは、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）である。
【００１４】
請求項２の発明は、銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成し、バックコートレジストを施した後、不要となったフォトレジスト及びバックコートレジストを除去し、洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記フォトレジスト及びバックコートレジストを剥離した後の洗浄工程で、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む洗浄液を用いることを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記洗浄液として、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む水を用いることを特徴とする。
【００１６】
例えば、レジスト剥離後の洗浄工程において、レジスト剥離槽の後に具備された水洗槽の水に、変色防止剤（酸化防止剤）を添加する。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記洗浄液に含まれる有機化合物がベンゾトリアゾールであることを特徴とする。
【００１８】
請求項５の発明は、請求項４記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記洗浄液に含まれるベンゾトリアゾールの濃度が０．００１〜１．０重量％であることを特徴とする。
【００１９】
＜発明の要点＞
フォトレジスト、バックコートレジストを剥離するレジスト剥離工程においては、レジストを剥離した後、アルコール、水等を用いたリンス洗浄が一般に行われる。
【００２０】
これらの洗浄を経た銅の表面は大気中等にさらされると、酸化により変色し易く、場合によってはリンス洗浄工程中においても変色を生じることがある。
【００２１】
この変色はその後のメッキ工程等において不メッキ、メッキ変色等の問題を引き起こす。これらの変色は、変色程度の低いものについては通常メッキ前に酸処理等のメッキ前処理で除去されるが、変色の程度の激しいものが、メッキ槽に入った場合は、前記の問題を引き起こす。
【００２２】
したがって、これらの変色を抑えることはテープの品質や生産性を向上させる上で重要である。特に剥離工程とメッキ工程が連続で行われる装置においては重要である。すなわち、レジスト剥離工程とメッキ工程が分かれている場合は剥離工程後に変色が発生した場合でも、変色除去装置での対応が可能であるが、連続装置の場合、メッキが施されるため対応不可能となり不良となる。
【００２３】
本発明者等は、銅表面の酸化変色を抑制する方法として、ＴＡＢテープに対する変色防止剤の適用について検討を行った。銅の変色防止剤として一般的に広く用いられているベンゾトリアゾールにまず着目し検討した。その結果、銅表面の変色防止に有効であり、またＴＡＢ製造工程に用いても問題無いことを確認し、本発明に至った。
【００２４】
なお適用出来る変色防止剤は、ベンゾトリアゾールに限定されることはなく、銅の表面変色を防止する物質で、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能であれば特に限定されない。
【００２５】
ベンゾトリアゾールを用いる場合に、その濃度を０．００１〜１．０重量％の範囲内とする理由は、０．００１重量％以下では変色防止効果が得られないこと、また１．０重量％以上ではベンゾトリアゾールが水に溶解せず、テープ表面に付着して、その後の脱脂、酸洗浄などのメッキ前処理で十分に除去できないためである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２７】
図１に本発明を適用したＴＡＢテープキャリアの製造工程を示す。絶縁テープ基材３に貼り合わせた銅箔２にフォトレジスト１を塗布し（レジストコート工程（ａ））、これを露光・現像して所定のフォトレジストパターン１０を形成し（露光・現像工程（ｂ））、銅箔２の存在しない側からバックコートレジスト４を塗布し（バックコート工程（ｃ））、上記フォトレジストパターン１０を用いて銅箔２をエッチングすることにより銅配線パターン２０を形成し（エッチング工程（ｄ））、その後不要となったフォトレジスト１及びバックコートレジスト４を除去する（レジスト剥離工程（ｅ））。
【００２８】
このフォトレジスト、バックコートレジストを剥離するレジスト剥離工程（ｅ）では、付随的に、次いで、アルコール、水等を用いたリンス洗浄（洗浄工程（ｆ））が一般に行われるが、これらの洗浄を経た銅の表面は大気中等にさらされると、酸化により変色し易く、場合によってはリンス洗浄工程中においても変色を生じることがある。これらの変色は、変色程度の低いものについては通常メッキ前に酸処理等のメッキ前処理（メッキ前処理工程（ｇ））で除去されるが、変色の程度の激しいものが、メッキ槽に入った場合は、その後のメッキ工程等において不メッキ、メッキ変色等の問題を引き起こす。
【００２９】
そこで、上記レジスト剥離工程（ｅ）に次いで、変色防止剤としてベンゾトリアゾールを０．００１〜１．０重量％の濃度で添加した洗浄液を用いて、洗浄を行う（洗浄工程（ｆ））。
【００３０】
その後、酸処理等のメッキ前処理（メッキ前処理工程（ｇ））を経て、銅配線（銅リード）２１に錫や金のめっき（めっき部５）を施す工程（めっき工程（ｈ））がなされ、以てＴＡＢテープキャリアが形成される。
【００３１】
＜実施例＞
図１に示したＴＡＢテープキャリアの製造方法において、まず、実施例として、レジスト剥離槽後の水洗槽に変色防止剤であるベンゾトリアゾールを０．１重量％溶解させ、この水洗槽を備えたレジスト剥離装置を用いてＴＡＢテープ中間材（レジスト剥離・洗浄工程後のもの）を作成した。また比較例として、レジスト剥離槽後の水洗槽に水のみを用い、これによりレジスト剥離工程後のＴＡＢテープ中間材（レジスト剥離・洗浄工程後のもの）を作成した。
【００３２】
この両者のレジスト剥離・洗浄工程後のＴＡＢテープ中間材を、レジスト剥離室に１０日間放置して表面変色の程度を比較した。その結果、ベンゾトリアゾールを添加した水洗槽を経て作製されたＴＡＢテープ中間材（実施例）は、水のみの水洗槽を経て作製されたもの（比較例）に比べて、変色の発生は顕著に少なく変色防止効果が確認された。
【００３３】
一方、ベンゾトリアゾール等の有機物は、メッキ工程（ｈ）においてメッキ異常を発生させる原因となるため、メッキ工程（ｈ）に入る前に除去されていなければならない。
【００３４】
そこで、これらのベンゾトリアゾール層がその後のメッキ前処理工程（ｇ）である脱脂、酸洗浄工程で除去可能かどうかを確認した。このベンゾトリアゾール層が除去されたか否かの確認は、オージェ電子分光法を用いて、炭素の分析を行い、表面の清浄度を比較することで行った。結果を図２〜図５に示す。
【００３５】
図２は水洗槽にベンゾトリアゾールを使用した場合のレジスト剥離後の銅表面のオージェ分析結果を示し、また図３は同様にベンゾトリアゾール使用の場合において、レジスト剥離した後、メッキ前処理として脱脂、酸洗浄工程を経たＴＡＢテープの銅表面のオージェ分析結果を示したものである。
【００３６】
図４は水洗槽にベンゾトリアゾールを使用しない場合のレジスト剥離後の銅表面のオージェ分析結果を示し、また図５は同様にベンゾトリアゾール未使用の場合において、レジスト剥離した後、メッキ前処理として脱脂、酸洗浄工程を経たＴＡＢテープの銅表面のオージェ分析結果を示したものである。
【００３７】
図２に示すベンゾトリアゾール使用時のレジスト剥離・洗浄後の銅表面のオージェ分析結果を、図４に示すベンゾトリアゾール未使用時のレジスト剥離・洗浄後の銅表面のオージェ分析結果と比較すると、図２の炭素量の方が図４の炭素量に比べて大きく増加している。これは即ちベンゾトリアゾールによる変色防止のための有機皮膜が銅表面に形成されたことを示している。
【００３８】
また図３に示すベンゾトリアゾール使用品と図５に示すベンゾトリアゾール未使用品とのメッキ前処理後のオージェ分析測定結果から、炭素量はほぼ同じであった。このことはベンゾトリアゾール処理による有機皮膜は、メッキの前処理により除去されたことを示しており、ベンゾトリアゾール処理が問題無いことを確認した。
【００３９】
実際にベンゾトリアゾール処理を適用した装置を用いての量産結果は、Ｃｕ表面変色に起因すると分類されるロットアウト率が約０．５％であり、従来法の約３％程度から大幅に減少した。
【００４０】
上記ベンゾトリアゾールの濃度は０．００１〜１．０重量％の範囲内とするのが良い。その理由として、０．００１重量％以下では変色防止効果が得られない。また１．０重量％以上ではベンゾトリアゾールが水に溶解せず、テープ表面に付着して、その後の脱脂、酸洗浄などのメッキ前処理では十分に除去できず、不具合を発生するためである。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離し洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法、又は、銅箔付き樹脂テープ基材にフォトレジストパターンを用いて銅配線を形成し、バックコートレジストを施した後、不要となったフォトレジスト及びバックコートレジストを除去し、洗浄した後、酸処理等のメッキ前処理に通すようにした半導体装置用テープキャリアの製造方法において、上記フォトレジストを剥離した後の洗浄工程で、銅の表面変色を防止でき、且つメッキの前処理である酸処理等で除去可能な有機化合物を含む洗浄液を用いるものである。
【００４２】
本発明によれば、フォトレジスト、又はフォトレジスト及びバックコートレジストを剥離した後の水洗等の洗浄工程において、その洗浄液に、銅の表面変色を防止する変色防止剤、例えばベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を添加して洗浄する。これにより銅変色の発生を抑えることが出来、その後のメッキ工程での不具合（不メッキ、メッキ変色等）を解消し、良好な性能を有するＴＡＢテープ等の半導体装置用テープキャリアを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法を示した図である。
【図２】ベンゾトリアゾール使用時のレジスト剥離後の銅表面のオージェ分析結果を示した図である。
【図３】ベンゾトリアゾール使用時のメッキ前処理後のオージェ分析測定結果を示した図である。
【図４】ベンゾトリアゾール未使用時のレジスト剥離後の銅表面のオージェ分析結果を示した図である。
【図５】ベンゾトリアゾール未使用時のメッキ前処理後のオージェ分析測定結果を示した図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法を示した図である。
【符号の説明】
１  フォトレジスト
２  銅箔
３  絶縁テープ基材
４  バックコートレジスト
５  メッキ部
６  ビア部
１０  フォトレジストパターン
２０  銅配線パターン
２１  銅配線（銅リード）
【図１】
0004380100.tif 000002
【図２】
0004380100.tif 000003
【図３】
0004380100.tif 000004
【図４】
0004380100.tif 000005
【図５】
0004380100.tif 000006
【図６】
0004380100.tif 000007