(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理基板を耐熱性のセッターに載せて搬送しながら、処理基板の加工用素材を焼成するための焼成処理装置であって、処理基板を投入する処理基板投入部と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第１の冷却部と、処理基板の歪点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第２の冷却部と、処理基板の取り出し部とを、この順で上下２段にわたって周回するように設け、且つ、上段から下段間には、処理基板とセッターの上段から下段への移動を行う第１のエレベータを設け、下段から上段間には、処理基板の取り出し部から処理基板投入部へ処理基板とセッターを移動する第２のエレベータを設けており、さらに、第２の冷却部と取り出し部との間に、焼成処理後の処理基板を少なくとも複数の所望のスピードの１つに変速して搬送できるスピード変速部と、スピード変速部の後で処理基板をストックするバッファ部と、バッファ部から処理基板とセッターを出し入れするためのセッター出し入れ部とを設けていることを特徴とする焼成処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の焼成処理装置において、加熱部と第１の冷却部には、搬送方向に沿い、加熱ヒータが複数配設されており、第２の冷却部は、冷却用の冷却水をチューブに通して冷却するものであり、且つ、加熱ヒータは、複数の、所定の搬送方向距離ごとに、分割して、それぞれ別に温度制御できるものであることを特徴とする焼成処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に設けた加工用素材の焼成処理を行う焼成処理装置に関し、特に、プラズマディスプレイ用の基板の加工用素材を焼成するために好適に用いられる焼成処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰとも記す）は、その奥行きの薄いこと、軽量であること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体とするガスを封入した構造となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行うようにしている。特に情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。
【０００３】
ここで、ＰＤＰの構成を、図７に示すＡＣ型ＰＤＰの１例を挙げて説明しておく。
図７はＰＤＰ構成斜視図であるが、分かり易くするため前面板（ガラス基板７１０）、背面板（ガラス基板７２０）とを実際より離して示してある。
図７に示すように、２枚のガラス基板７１０、７２０が互いに平行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガラス基板７２０上に互いに平行に設けられた障壁（セル障壁とも言う）７３０により、一定の間隔に保持されている。
前面板となるガラス基板７１０の背面側には、放電維持電極である透明電極７４０とバス電極である金属電極７５０とで構成される複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って、誘電体層７６０が形成されており、更にその上に保護層（ＭｇＯ層）７７０が形成されている。
また、背面板となるガラス基板７２０の前面側には前記複合電極と直交するように障壁７３０間に位置してアドレス電極７８０が互いに平行に形成されており、更に障壁７３０の壁面とセル底面を覆うように螢光面７９０が設けられている。
障壁７３０は放電空間を区画するためのもので、区画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。
このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加して放電させる構造である。この場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対応して変化する。そして、この放電により生じる紫外線により螢光体７９０を発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認できるものである。
なお、ＤＣ型ＰＤＰにあっては、電極は誘電体層で被膜されていない構造を有する点でＡＣ型と相違するが、その放電効果は同じである。
また、図７に示すものは、ガラス基板７２０の一面に下地層７６７を設けその上に誘電体層７６５を設けた構造となっているが、下地層７６７、誘電体層７６５は必ずしも必要としない。
【０００４】
そして、ＡＣ型のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）は、例えば、図６に示すようにして、作製されていた。
図６はＡＣ型のＰＤＰ作製工程を示したもので、背面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両者を用いてＰＤＰをアセンブリするものである。
先ず、背面板の作製工程を説明する。
尚、Ｓ５１〜Ｓ７４は処理ステップを表す。
はじめに、ガラス基板を用意し（Ｓ５１）、ガラス基板上に電極配線用ペーストを一面に塗布、乾燥し、これを製版処理を経て、所定形状に加工して、あるいは、ガラス基板に厚膜印刷法により電極配線用ペーストを所定形状に印刷した後、これを焼成し、電極配線を形成する。（Ｓ５２）
次いで、形成された電極上にガラス基板面を覆うように全面に誘電体層を形成する。（Ｓ５３）
次いで、このガラス基板の誘電体層上に障壁（バリアリブとも言う）を、印刷法ないしサンドブラスト法により形成する。（Ｓ５４）
印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁（バリアリブ）形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、これを乾燥する。障壁の層厚は厚く（例えば１００〜２００μｍの厚さ）１回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がなされる。
サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパターンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターンに対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成して障壁を形成する。
更に、障壁が形成された基板に厚膜印刷法により蛍光体用ペースト（例えば、酸化インジウム含有の螢光体用ペースト）を所定パターンに印刷し、次いでその乾燥及び焼成を行い（Ｓ５５）、背面板を形成する。（Ｓ５６）
【０００５】
次に、前面板の作製工程を説明する。
先ず、ガラス基板を用意し（Ｓ６１）、ガラス基板に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の蒸着層をパターニングする。（Ｓ６２）
パターニングは通常のフォトリソ工程（リソグラフィー技術）により行う。
次いで、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ（クロム、銅、クロム）の３層を蒸着やスパッタリングにより成膜し、同様にフォトリソ工程（リソグラフィー技術）によりパターニングして、パターニングされたＩＴＯ膜とともに、放電用の電極配線を形成する。（Ｓ６３）
次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷により、透明誘電体層を形成して（Ｓ６４）、前面板が得られる。（Ｓ６５）
【０００６】
次いで、このようにして得られた、背面板、前面板を用い、以下のようにしてＰＤＰを作製する。
先ず、前面板及び背面板の位置合わせを行い、その状態で両基板の縁部分にシール用鉛ガラスを塗布し、次いでシールが行われる。（Ｓ７１）
次に、両基板（背面板と前面板）及びシール部で囲われる空隙内が排気管を介して排気された後、この排気管を介して上述の空隙に放電ガスが封入される。（Ｓ７２）
その後、排気管の焼きちぎり（チップオフ）を行い、ドライバＩＣ取付けを行い（Ｓ７３）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）が得られる。（Ｓ７４）上記のように、ＰＤＰの作製に際し、これに使用する背面板、前面板は、それぞれ、各種工程を経て、電極配線部、障壁部、螢光体部、誘電体層部等が形成され、併せてＰＤＰとなる。
【０００７】
このようなＰＤＰの作製においては、最近では、生産性、品質面等から、電極配線部の形成、障壁の形成等をサンドブラスト処理により行うようになってきた。このサンドブラスト処理は、電極配線部、障壁形成用の低融点ガラスペーストからなる加工用素材を、それぞれ、ガラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレジストパターンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターンに対応した形状に加工して、これを焼成処理して、それぞれ、電極配線部、障壁を形成するものである。しかし、ガラス基板としては、アニール処理された基板が用いられ、各処理を施すが、このような焼成処理が、複数回行われるために、各処理においても、ガラス基板自体の伸縮の管理が必要となる。このため、ここで言う焼成処理とは、図３にその処理における温度プロファイルを示すように、これら低融点ガラスペーストからなる加工用素材をガラス基板上に形成した後に、加工用素材を焼成するキープ温度Ｔｋで、所定時間保持した後、ガラス基板の歪点Ｔｓまで徐冷し、さらに常温まで冷却するもので、これにより、各処理におけるガラス基板自体の伸縮を制御している。図３中、Ｔ０は常温を示している。尚、アニール工程とは、簡単には、ガラス基板の永久歪を除去する処理である。そして、ガラス基板の歪点とは、この温度からどんなに急冷しても、その急冷のために新しく永久歪を生ぜしめる可能性が全くない温度である。歪点（温度）から常温まで急冷する際、この間でもガラス基板は縮むが、急冷速度を一定としておけば、その縮む値を固定化することができる。即ち、ピーク温度から歪点までの冷却速度の値により、伸縮量を制御できる。また、焼成工程のピーク温度は、通常、加工用素材を焼結するための温度で、所定時間、このピーク温度で保持するため、ここでは、これをキープ温度とも言っている。また、通常、電極配線形成用の導電性ペーストは、金属微粒子（例えばＡｇ）、低融点ガラスフリット、樹脂、溶剤からなり、誘電体層形成用ペーストは、低融点ガラスフリット、樹脂、溶剤からなり、必要に応じてフィラー、顔料等も加えたものである。また、障壁形成用のペーストは、低融点ガラスフリット、フィラー（アルミナ、ジルコニア等）、顔料、樹脂、溶剤からなる。これらのペーストは、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラスフリットを主成分として含むことから、一般に、低融点ガラスないし低融点ガラスペーストと呼ばれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況のもと、近年のＰＤＰの大型化、高品質化、量産化が求められる中、このようなＰＤＰ作製における焼成処理を効率的に、且つ、品質的にも満足できるように行う焼成処理装置がますます求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するもので、ＰＤＰ用の背面板、前面板の作製において、ＰＤＰの大型化、高品質化、量産化に対応できる焼成処理装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の焼成処理装置は、処理基板を耐熱性のセッターに載せて搬送しながら、処理基板の加工用素材を焼成するための焼成処理装置であって、処理基板を投入する処理基板投入部と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第１の冷却部と、処理基板の歪点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第２の冷却部と、処理基板の取り出し部とを、この順で上下２段にわたって周回するように設け、且つ、上段から下段間には、処理基板とセッターの上段から下段への移動を行う第１のエレベータを設け、下段から上段間には、処理基板の取り出し部から処理基板投入部へ処理基板とセッターを移動する第２のエレベータを設けており、さらに、第２の冷却部と取り出し部との間に、焼成処理後の処理基板を少なくとも複数の所望のスピードの１つに変速して搬送できるスピード変速部と、スピード変速部の後で処理基板をストックするバッファ部と、バッファ部から処理基板とセッターを出し入れするためのセッター出し入れ部とを設けていることを特徴とするものである。そして、上記において、加熱部と第１の冷却部には、搬送方向に沿い、加熱ヒータが複数配設されており、第２の冷却部は、冷却用の冷却水をチューブに通して冷却するものであり、且つ、加熱ヒータは、複数の、所定の搬送方向距離ごとに、分割して、それぞれ別に温度制御できるものであることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明の焼成処理装置は、このような構成にすることにより、ＰＤＰ用の背面板、前面板の作製において、ＰＤＰの大型化、高品質化、量産化に対応できる焼成処理装置の提供を可能としている。具体的には、処理基板を耐熱性のセッターに載せて搬送しながら、処理基板の加工用素材を焼成するための焼成処理装置であって、処理基板を投入する処理基板投入部と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第１の冷却部と、処理基板の歪点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第２の冷却部と、処理基板の取り出し部とを、この順で上下２段にわたって周回するように設け、且つ、上段から下段間には、処理基板とセッターの上段から下段への移動を行う第１のエレベータを設け、下段から上段間には、処理基板の取り出し部から処理基板投入部へ処理基板とセッターを移動する第２のエレベータを設けており、さらに、第２の冷却部と取り出し部との間に、焼成処理後の処理基板を少なくとも複数の所望のスピードの１つに変速して搬送できるスピード変速部と、スピード変速部の後で処理基板をストックするバッファ部と、バッファ部から処理基板とセッターを出し入れするためのセッター出し入れ部とを設けていることにより、これを達成している。更に具体的には、加熱部と第１の冷却部には、搬送方向に沿い、加熱ヒータが複数配設されており、第２の冷却部は、冷却用の冷却水をチューブに通して冷却するものであり、且つ、加熱ヒータは、複数の、所定の搬送方向距離ごとに、分割して、それぞれ別に温度制御できるものであることにより、処理基板に対し、図３に示すような、所望の焼成温度プロファイルをとることを可能としている。これにより、プラズマディスプレイ用のガラス基板上への電極配線形成のための製版、障壁形成のための製版等、低融点ガラスペーストを塗布し、これを乾燥した後にフォトマスクを用いて製版を行う、パターニング方法において、ガラス基板の伸縮に起因する、フォトマスクの作製上の問題や、管理上の問題を無くすことを可能としている。特に、ＰＤＰにおいては、処理基板がたわむほどの温度に上げて焼成する為、処理基板の搬送方法としては、耐熱ガラス基板上に処理基板を載せてローラー式コンベアにより搬送する方式が挙げられる。また、焼成処理後の処理基板を少なくとも複数の所望のスピードの１つに変速して搬送できるスピード変速部と、スピード変速部の後で処理基板をストックするバッファ部と、バッファ部から処理基板とセッターを出し入れするためのセッター出し入れ部とを設けていることにより、焼成処理後の基板を適宜、早急に搬送して取り出したり、ストックしておくことを可能としており、何らかの搬送トラブルにも対応し易いものとしている。また、下段から上段間に、処理基板の取り出し部から処理基板投入部へ処理基板とセッターを移動する第２のエレベータを設けていることにより、処理基板を載せるセッターを連続して下段から上段へと移動できるものとしている。また、バッファ部から処理基板とセッターを出し入れするためのセッター出し入れ部を設けていることにより、より実用的なものとしている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の焼成処理装置の実施の形態の１例を挙げて説明する。図１は、本発明の焼成処理装置の実施の形態の１例の概略断面図を示したもので、図２は上段の加熱部、第１の冷却部の加熱方法を説明するためのゾーン分割と、タクト搬送を簡易的に示した図で、図３は処理基板の加熱プロファイルを示した図である。尚、図１は、Ａ１側を天（上）として各部の配置を概略的に示したものであり、図１中の点線矢印は、処理時における処理基板の進行方向を示したものである。また、図２中、数字１〜１７は各ゾーンを示し、点線矢印は搬送の連続動作を示し、その終点は停止位置を示す。図１中、１００は焼成処理装置、１１０は処理基板投入部、１２０は加熱部、１３０は第１の冷却部、１４０は第１のエレベータ、１５０は第２の冷却部、１６０はスピード変速部（変速搬送部）、１６５は搬送部、１７１、１７２、１７３はバッファ部、１８０は処理基板の取り出し部、１９０は第２のエレベータである。
【００１２】
本例は、障壁形成のための低融点ガラスペーストからなる加工用素材を設けたＰＤＰ用の背面板（処理基板）を耐熱ガラス基板（セッター）上に載せ、ほぼ水平にして搬送しながら加工用素材を焼成するための焼成処理装置であり、処理部を２段にして設け、その処理面積を小とし、且つ、ＰＤＰの大型化、高品質化、量産化にも対応できるものとしている。図１に示すように、本例の焼成処理装置１００の上段には、順に、処理基板を投入する処理基板投入部１１０と、処理基板の加工用素材を焼成する加熱部１２０と、処理基板を歪点以下まで徐冷する第１の冷却部１３０とを設け、下段には、第１の冷却部１３０側から順に、処理基板の歪点以下に達した後、処理基板をほぼ常温まで急冷する第２の冷却部１５０と、焼成処理後の処理基板を、少なくとも複数の所望のスピードの１つに変速して搬送できるスピード変速部１６０と、処理基板をストックするバッファ部１７１〜１７３と、処理基板の取り出し部１８０とを設け、且つ、処理基板を載せたセッターの上段から下段間への移動を行う第１のエレベータ１４０を設けている。
【００１３】
本例の装置１００においては、図２（ａ）に示すように、上段は、処理基板の搬送方向に沿い、ほぼ等間隔に、１７ゾーンに分割されており、通常、加熱部１２０には、１〜１１ゾーン、第１の冷却部１３０には、１２ゾーンから１７ゾーンを割りふるが、これに限定はされない。そして、１ゾーン〜１１ゾーンは１つの温度制御（加熱制御）で、１２ゾーン〜１７ゾーンはそれぞれ、単独に温度制御（加熱制御）を行うことができる。尚、上段の加熱部１２０と第１の冷却部１３０の搬送方向に沿う各ゾーンには、加熱ヒータがそれぞれ処理基板の上下を加熱するように上下に配設されており、温度制御は、これらの加熱ヒータを駆動させることにより行う。また、本例の装置１００においては、図２（ｂ）（イ）に示すように、１ゾーン〜１１ゾーン間は所定の速度での連続搬送しかできないが、１２ゾーン〜１７ゾーンの各ゾーンは、それぞれタクト搬送できるようになっている。１ゾーン〜１１ゾーン間は１つの駆動源により駆動される１つのローラー式コンベア（単にコンベアとも言う）で、１２ゾーン〜１７ゾーンは、それぞれ、１つの駆動源により駆動される１つのローラー式コンベアで、それぞれ独立に搬送制御される。勿論、必要に応じ、図２（ｂ）（ロ）に示すように、１ゾーン〜１７ゾーン間を所定の速度で連続搬送することもできるようになっている。
【００１４】
このように、ゾーン分割して、それぞれ所定のゾーン内で温度制御（加熱制御）し、且つ、搬送方法をタクト搬送に切り換えることができるようにしている。それぞれ所定のゾーン内で温度制御（加熱制御）を適当に行い、且つ、搬送方法を適当にとることにより、即ち、１２ゾーン〜１７ゾーンの各ゾーンで（通常、徐冷を行う第１の冷却部に相当する）の各ゾーンで、それぞれタクト搬送させることにより、図２（ａ）に示すように各ゾーンを、１）昇温処理、２）キープ温度保持処理、３）徐冷処理に対応させることができ、図３に示すような、所望の処理基板の焼成プロファイルを得ることができる。図３については、既に説明したのでここでは、説明を省略する。
【００１５】
加熱ヒータとしては、遠赤外線ヒータが防塵効果の点から好ましいが、これに限定はされない。
搬送するローラー式コンベアのローラーの材質や壁部の材質としては、焼成処理温度に耐えることが必要で、ここでは、ステンレスローラーを用い、セッターとの接触部はセラミックとしている。また壁部はガラス繊維としている。
尚、ここで言うタクト搬送とは、処理基板を各ゾーンから隣接する次のゾーンへの搬送を行い、所定時間停止させるような搬送方法である。
また、処理基板の材質、サイズ、焼成する加工用素材の種類等に合わせ、各コンベアの搬送速度、加熱条件、冷却条件等、種々の装置条件を設定するが、ＰＤＰ用の処理基板として、８００ｍｍ×１０００ｍｍ、厚さ２．８ｍｍのソーダガラスを用い、低融点ガラスからなる障壁形成用の加工素材を焼成する場合には、装置全長を２５ｍ程度にすると、各部を充分機能するように配置することができる。
【００１６】
本例の装置１００では、第２の冷却部は、冷却用の冷却水をチューブに通して冷却するものである。
【００１７】
本装置１００では、図４（ａ）に示すように、処理基板２００は、第２のエレベータ１９０の載置台１９１にセットされ、その位置をコンベア２２１位置に合わせた状態で、コンベア２２１にて搬送されて、上段のコンベア２１１へと投入される。
また、処理済の処理基板２００は、下段のコンベア２１６からコンベア２２２にて、取り出され、更に、その位置をコンベア２２２の位置に合わせた状態で、ローラー（図示していない）付きの第２のエレベータ１９０の載置台１９１に、ローラーを介して送られ、ここで、処理済みの処理基板は外部へと取り出される。
【００１８】
また、処理基板２００の、上段のコンベア２１２から第１のエレベータ１４０への搭載、および第１のエレベータ１４０からの下段のコンベア２１５への移動は、適宜、所定の方向に、第１のエレベータ１４０に付いているローラー（図示していない）を回転させて行う。
即ち、処理基板２００は、図４（ｂ）に示すように、第１のエレベータ１４０の載置台１４１の位置を上段のコンベア２１２に合わせた状態で、上段のコンベア２１２から、第１のエレベータ１４０の載置台１４１へと搭載され、第１のエレベータ１４０の載置台１４１の位置を下段のコンベア２１５の位置に合わせた状態で、第１のエレベータ１４０の載置台１４１から、下段のコンベア２１５へと移動される。
【００１９】
また、図５に示すように、下段のバッファ部１７１から、耐熱ガラス基板２０５を出し入れするためのセッター出し入れ部２４０を設けている。本装置１００では、処理基板２００をセットするためのセッターとなる耐熱ガラス基板２０５の出し入れを、下段のバッファ部１７１の側面に設けた、コンベア２４１を介して行うことができる。コンベア２４１から更に台車２４５へと耐熱ガラス基板２０５は運ばれる。これにより，処理の搬送トラブル等にも対応できるものとしている。
【００２０】
スピード変速部１６０は、搬送を高速にしたり、低速にしたりすることができる搬送部で、コンベアの速度を切り換えるものである。続く搬送部１６５とは、独立に搬送速度を制御することができる。
本装置１００においては、スピード変速部１６０に続き、搬送の速度を切り換えることができない搬送部１６５を設けている。
そして、搬送部１６５に続き、それぞれ、搬送を独立して行えるバッファ部１７１、１７２、１７３を設けている。
これにより、処理済の処理基板の取り出しを、必要に応じて、適宜、行えるものとしており、且つ、搬送トラブルにも対応できるものとしている。
【００２１】
図１に示す例は、本発明の１実施の形態で、これに限定されるものではない。
例えば、搬送方法も複数のコンベアによる搬送に限定れさないし、本例では、耐熱ガラス基板をセッターとして、処理基板を搬送したが、別の耐熱性のセッターを用いても良い。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、ＰＤＰ作製における、加工用素材の焼成処理を効率的に、且つ、品質的にも満足できるように行う焼成処理装置の提供を可能とした。
結果、ＰＤＰの大型化、高品質化、量産化に対応できるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の焼成処理装置の実施の形態の１例をしめした概略図
【図２】上段のゾーン分割とタクト搬送とを簡易的に示した図
【図３】処理基板の加熱プロファイルを示した図
【図４】エレベータの動作を説明するための概略図
【図５】耐熱ガラス基板の出し入れ部を説明するための図
【図６】ＰＤＰの製造工程を説明するための工程図
【図７】ＰＤＰ基板を説明するための図
【符号の説明】
１００                      焼成処理装置
１１０                      処理基板投入部
１２０                      加熱部
１３０                      第１の冷却部
１４０                      第１のエレベータ
１４１                      載置台
１５０                      第２の冷却部
１６０                      スピード変速部（変速搬送部）
１６５                      搬送部
１７１、１７２、１７３      バッファ部
１８０                      処理基板の取り出し部
１９０                      第２のエレベータ
１９１                      載置台
２００                      処理基板
２０５                      耐熱ガラス基板（セッターとも言う）
２１１、２１２、２２１、２２２、２１５、２１６    コンベア
２４０                      耐熱ガラス基板の出し入れ部
２４１                      コンベア
２４５                      台車
【図１】
0004204019.tif 000002
【図２】
0004204019.tif 000003
【図３】
0004204019.tif 000004
【図４】
0004204019.tif 000005
【図５】
0004204019.tif 000006
【図６】
0004204019.tif 000007
【図７】
0004204019.tif 000008