(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１変調信号を生成する直交変調器と、
前記第１変調信号を増幅した第２変調信号を生成するＡＧＣ部と
を備えた半導体集積回路装置において、
前記直交変調器を構成する位相シフタ回路の利得を制御信号に従って調整する利得調整回路を備え、
前記利得調整回路は、前記ＡＧＣ部の第２変調信号のレベルの減衰にともなって前記位相シフタ回路の利得を減衰させる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記利得調整回路は、前記制御信号に基づいて、前記位相シフタ回路の利得を調整する利得制御信号を該位相シフタ回路に出力することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記位相シフタ回路は、利得の異なる複数の位相シフタ回路のうちの一つであり、前記第２変調信号のレベルの減衰にともなって利得の低い位相シフタ回路を選択して動作させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記位相シフタ回路は、利得の調整可能な振幅可変型位相シフタ回路と、固定利得の位相シフタ回路とを含む複数の位相シフタ回路のうちの一つであり、前記第２変調信号のレベルの減衰にともなって前記振幅可変型位相シフタ回路を活性化し、該振幅可変型位相シフタ回路は前記制御信号に従って自己の利得を低下させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記直交変調器は、前記制御信号をＡ／Ｄ変換して前記位相シフタ回路に供給する信号を生成するＡ／Ｄ変換器を備えたことを特徴とする請求項３または４記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、利得可変増幅器（ＡＧＣ回路）を備えた直交変調器に関するものである。
【０００２】
近年、携帯電話等の移動体通信機器では、低消費電力化及び通話品質の向上が急務となっている。そこで、移動体通信機器の送信部に用いられる直交変調器の特性を向上させる必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
図１０は、ＡＧＣ回路を備えた直交変調器の従来例を示す。直交変調器１は、位相シフタ回路２と、変調用ミキサ回路３，４と、加算器５とで構成される。
【０００４】
この位相シフタ回路２には、所定周波数の相補入力信号ＬＯinが入力される。そして、位相シフタ回路２は入力信号ＬＯinに基づいて、位相を９０度ずつシフトさせたキャリア信号を生成する。
【０００５】
変調用ミキサ回路３，４には、前記位相シフタ回路２から出力されるキャリア信号のうち、１８０度位相がずれた信号がそれぞれ入力されるとともに、ベースバンド信号Ｑ，ＸＱと、同Ｉ，ＸＩがそれぞれ入力される。
【０００６】
そして、変調用ミキサ回路３はキャリア信号とベースバンド信号Ｑ，ＸＱを掛け合わせた変調信号を加算器５に出力し、変調用ミキサ回路４はキャリア信号とベースバンド信号Ｉ，ＸＩを掛け合わせた変調信号を加算器５に出力する。
【０００７】
加算器５は、変調用ミキサ回路３，４から出力される変調信号を加算して、出力信号ＲＦoutをＡＧＣ部６に出力する。
ＡＧＣ部６は、ＡＧＣ回路７と、ＣＮＴ回路８とで構成され、変調用ミキサ回路３，４の出力信号ＲＦoutはＡＧＣ回路７に入力される。
【０００８】
ＣＮＴ回路８には制御信号Ｖcntが入力され、ＣＮＴ回路８はその制御信号Ｖcntに基づいて利得制御信号Ｖagcを生成してＡＧＣ回路７に出力する。
図１２に示すように、位相シフタ回路２の利得Ｇ１は一定であり、ＡＧＣ回路７の利得Ｇ２は利得制御信号Ｖagcに基づいて変化する。そして、直交変調器１とＡＧＣ部６との総合利得Ｇ３は、制御信号Ｖcntに基づいてＡＧＣ部６の利得Ｇ２と同じ傾きで変化する。
【０００９】
従って、ＡＧＣ回路７から出力される出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutは、図１１に示すように、制御信号ＶcntをＶcnt1からＶcnt2まで変化させることにより、最大値Ｐmaxから最小値Ｐminまでの範囲で調整可能となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように構成された直交変調器１及びＡＧＣ部６では、位相シフタ回路２の出力周波数成分がキャリアリークとして常に出力信号ＯＵＴに含まれている。
【００１１】
図１１に示すように、キャリアリークＣＬは、ＡＧＣ回路７の利得の減少にともなって、出力信号Ｐoutとともに減衰するが、出力信号Ｐoutが最小値Ｐminに近づくにつれて、その減衰幅は出力信号Ｐoutより小さくなる。
【００１２】
すると、出力信号Ｐoutが最大値Ｐmaxとなるときにおける出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬａに比して、出力信号Ｐoutが最小値Ｐminとなるときにおける出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬｂが小さくなる。これは、位相シフタ回路２からキャリアリーク成分として出力される出力周波数成分が一定レベルで出力されているからである。
【００１３】
従って、制御信号Ｖcntにより出力信号Ｐoutを最小値Ｐmin近傍まで減衰させると、キャリアリーク特性が劣化するという問題点がある。
この発明の目的は、出力信号レベルを減衰させた場合にも、キャリアリーク特性が劣化しない直交変調器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
図１は、本発明の原理説明図である。すなわち、第１変調信号を生成する直交変調器１０と、前記第１変調信号を増幅した第２変調信号を生成するＡＧＣ部６とを備えた半導体集積回路装置には、前記直交変調器１０を構成する位相シフタ回路１３の利得を制御信号に従って調整する利得調整回路１１が備えられる。利得調整回路１１により位相シフタ回路１３の利得が制御信号に従って調整されて直交変調器１０の利得が調整され、その直交変調器１０の出力信号がＡＧＣ回路に入力される。
【００１５】
そして、利得調整回路は、前記ＡＧＣ部の第２変調信号のレベルの減衰にともなって前記位相シフタ回路の利得を減衰させる。利得調整回路の動作により、ＡＧＣ部の第２変調信号のレベルが減衰するとき、位相シフタ回路の利得が減衰する。
【００１６】
本発明の別の態様では、前記利得調整回路は、前記制御信号に基づいて、前記位相シフタ回路の利得を調整する利得制御信号を該位相シフタ回路に出力する。ＡＧＣ部に入力される制御信号で、ＡＧＣ回路の利得が調整されるとき、位相シフタ回路に利得制御信号が入力されて、位相シフタ回路の利得が調整される。
【００１７】
本発明の別の態様では、前記位相シフタ回路は、利得の異なる複数の位相シフタ回路のうちの一つであり、前記第２変調信号のレベルの減衰にともなって利得の低い位相シフタ回路を選択して動作させる。ＡＧＣ部の利得が減衰するとき、利得の異なる複数の位相シフタ回路の中から、利得の低い位相シフタ回路が選択されて動作する。
【００１８】
本発明の別の態様では、前記位相シフタ回路は、利得の調整可能な振幅可変型位相シフタ回路と、固定利得の位相シフタ回路とを含む複数の位相シフタ回路のうちの一つであり、前記第２変調信号のレベルの減衰にともなって前記振幅可変型シフタ回路を活性化し、該振幅可変型シフタ回路は前記制御信号に従って自己の利得を低下させる。ＡＧＣ部の利得が減衰するとき、振幅可変型位相シフタ回路が選択されて動作し、その振幅可変型位相シフタ回路はＡＧＣ部の出力信号レベルの減衰にともなって利得が低下する。
【００１９】
本発明の別の態様では、前記直交変調器は、前記制御信号をＡ／Ｄ変換して前記位相シフタ回路に供給する信号を生成するＡ／Ｄ変換器を備えた。ＡＧＣ部の利得を調整する制御信号がＡ／Ｄ変換され、その変換後の信号で位相シフタ回路が選択される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（第一の実施の形態）
図２は、この発明を具体化した第一の実施の形態を示す。この実施の形態は、直交変調器１０を構成する位相シフタ回路１３の出力振幅を第一のＣＮＴ回路１１で制御し、前述した従来例と同様なＡＧＣ回路７の利得を第二のＣＮＴ回路１２で制御するように構成したものであり、その他の構成は前記従来例と同様である。
【００２１】
第一及び第二のＣＮＴ回路１１，１２には、制御信号Ｖcntが入力され、第一のＣＮＴ回路１１は制御信号Ｖcntの入力に基づいて位相シフタ回路１３の利得を制御する利得制御信号Ｖshiftを生成して、同位相シフタ回路１３に出力する。
【００２２】
第二のＣＮＴ回路１２は、制御信号Ｖcntの入力に基づいてＡＧＣ回路７の利得を制御する利得制御信号Ｖagcを同ＡＧＣ回路７に出力する。
位相シフタ回路１３の具体的構成を図３に従って説明する。同図に示すように、位相シフタ回路１３はマスター段のラッチ回路と、スレーブ段のラッチ回路とからフリップフロップ回路が構成され、各ラッチ回路は、電流源回路１４を介してグランドＧＮＤに接続されている。
【００２３】
電流源回路１４には利得制御信号Ｖshiftが入力され、その利得制御信号Ｖshiftに基づいて電流源回路１４の出力電流を制御することにより、位相シフタ回路１３の出力信号iout，xiout，qout，xqoutの出力振幅を制御可能となっている。
【００２４】
上記のように構成された直交変調器１０では、図４に示すように、制御信号Ｖcntに基づいて位相シフタ回路１３の利得Ｇ１ａが制御される。また、ＡＧＣ部６では、制御信号Ｖcntに基づいて、ＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ａが制御される。
【００２５】
そして、出力信号ＯＵＴの総合利得Ｇ３ａは、利得Ｇ１ａ，Ｇ２ａを合算したものとなり、前記従来例の総合利得Ｇ３と同様に設定されている。
上記のように構成された直交変調器１０及びＡＧＣ部６では、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）制御信号Ｖcntに基づいて、ＡＧＣ部６から出力される出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを調整するとき、ＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ａとともに位相シフタ回路１３の利得Ｇ１ａを調整することができる。
（２）出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを減衰させるとき、ＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ａとともに位相シフタ回路１３の利得Ｇ１ａも減衰させることができる。従って、図５に示すように、出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを最小値Ｐmin近傍まで減衰させたとき、キャリアリークＣＬの出力レベルも減衰するため、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはない。
（３）出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを減衰させても、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはないので、キャリアリーク特性を向上させることができる。
（第二の実施の形態）
図６は、第二の実施の形態の直交変調器１９及びＡＧＣ部２０を示す。この実施の形態は、入力信号ＬＯinが第一及び第二の位相シフタ回路１５ａ，１５ｂに入力される。前記第一及び第二の位相シフタ回路１５ａ，１５ｂは、それぞれ一定の利得で動作し、第一の位相シフタ回路１５ａの利得は、第二の位相シフタ回路１５ｂの利得より小さく設定されている。
【００２６】
制御信号Ｖcntは、Ａ／Ｄ変換器１６に入力される。前記Ａ／Ｄ変換器１６は、例えば前記制御信号Ｖcntが図７に示すあらかじめ設定された所定値Ａ以下であれば、Ｌレベルの信号を前記第一及び第二の位相シフタ回路１５ａ，１５ｂに出力するとともに、制御信号Ｖcntが前記所定値Ａを越えると、Ｈレベルの信号を第一及び第二の位相シフタ回路１５ａ，１５ｂに出力する。
【００２７】
そして、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＬレベルであれば、第一の位相シフタ回路１５ａが活性化されて、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
また、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＨレベルであると、第二の位相シフタ回路１５ｂが活性化されて、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００２８】
ＱＭＯＤ回路１７は、前記第一の実施の形態の変調用ミキサ回路３，４及び加算器５に相当するものである。
ＱＭＯＤ回路１７の出力信号は、ＡＧＣ回路７に入力される。前記ＡＧＣ回路７には第三及び第四のＣＮＴ回路１８ａ，１８ｂから利得制御信号Ｖagc1，Ｖagc2が入力される。
【００２９】
第三及び第四のＣＮＴ回路１８ａ，１８ｂには、前記制御信号Ｖcnt及び前記Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号が入力される。
Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＬレベルであれば、第三のＣＮＴ回路１８ａが活性化され、利得制御信号Ｖagc1がＡＧＣ回路７に出力される。また、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＨレベルであれば、第四のＣＮＴ回路１８ｂが活性化され、利得制御信号Ｖagc2がＡＧＣ回路７に出力される。
【００３０】
そして、ＡＧＣ回路７は利得制御信号Ｖagc1，Ｖagc2に基づいて異なる利得で動作するとともに、利得制御信号Ｖagc1の方が高利得で動作し、その利得差は、前記第一及び第二の位相シフタ回路１５ａ，１５ｂの利得差と等しくなるように設定されている。
【００３１】
上記のように構成された直交変調器１９及びＡＧＣ部２０の動作を図７に従って説明する。
制御信号Ｖcntが所定値Ａを越えている場合には、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号に基づいて第二の位相シフタ回路１５ｂが活性化されて、利得Ｇ１ｂで動作し、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００３２】
また、第四のＣＮＴ回路１８ｂが活性化されて、利得制御信号Ｖagc2がＡＧＣ回路７に入力され、ＡＧＣ回路７は利得Ｇ２ｂで動作する。そして、ＡＧＣ回路７から第二の位相シフタ回路１５ｂ及びＡＧＣ回路７の利得Ｇ１ｂ，Ｇ２ｂに基づく出力信号ＯＵＴが利得Ｇ３ｂで出力される。
【００３３】
一方、制御信号Ｖcntが所定値Ａ以下となる場合には、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号に基づいて第一の位相シフタ回路１５ａが活性化されて、利得Ｇ１ｃで動作し、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００３４】
また、第三のＣＮＴ回路１８ａが活性化されて、利得制御信号Ｖagc2がＡＧＣ回路７に入力され、ＡＧＣ回路７は利得Ｇ２ｃで動作する。そして、ＡＧＣ回路７から第一の位相シフタ回路１５ａ及びＡＧＣ回路７の利得Ｇ１ｃ，Ｇ２ｃに基づく出力信号ＯＵＴが利得Ｇ３ｂで出力される。
【００３５】
上記のように構成された直交変調器１９及びＡＧＣ部２０では、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）制御信号Ｖcntに基づいて、ＡＧＣ部２０から出力される出力信号ＯＵＴの出力レベルを調整するとき、制御信号Ｖcntが所定値Ａを越えて、出力信号ＯＵＴの出力レベルが高いとき、高い利得Ｇ１ｂで動作する第二の位相シフタ回路１５ｂと、低い利得Ｇ２ｂで動作する第四のＣＮＴ回路１８ｂとが動作して、出力信号ＯＵＴが出力される。
【００３６】
また、制御信号Ｖcntが所定値Ａ以下となって、出力信号ＯＵＴの出力レベルが低いとき、低い利得Ｇ１ｃで動作する第一の位相シフタ回路１５ａと、高い利得Ｇ２ｃで動作する第三のＣＮＴ回路１８ａとが動作して、出力信号ＯＵＴが出力される。
【００３７】
従って、出力信号ＯＵＴの出力レベルが低いとき、低い利得Ｇ１ｃで動作する第一の位相シフタ回路１５ａの利得を補うように第三のＣＮＴ回路１８ａを動作させることができる。
（２）出力信号ＯＵＴの出力レベルを減衰させるとき、第一の位相シフタ回路１５ａを選択して動作させて、位相シフタ回路部分の利得を小さくすることができる。従って、図５に示すように、出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを最小値Ｐmin近傍まで減衰させたとき、キャリアリークＣＬの出力レベルも減衰するため、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはない。
（３）出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを減衰させても、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはないので、キャリアリーク特性を向上させることができる。
（第三の実施の形態）
図８は、第三の実施の形態の直交変調器２１及びＡＧＣ部２２を示す。この実施の形態は、入力信号ＬＯinが利得を調整可能とした振幅可変型位相シフタ回路２３ａと、利得を固定した位相シフタ回路２３ｂとに入力される。
【００３８】
制御信号Ｖcntは、前記第二の従来例と同様なＡ／Ｄ変換器１６に入力される。前記Ａ／Ｄ変換器１６は、制御信号Ｖcntが図９に示すあらかじめ設定された所定値Ａ以下であれば、Ｌレベルの信号を前記位相シフタ回路２３ａ，２３ｂに出力するとともに、制御信号Ｖcntが前記所定値Ａを越えると、Ｈレベルの信号を位相シフタ回路２３ａ，２３ｂに出力する。
【００３９】
そして、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＬレベルであれば、振幅可変型シフタ回路２３ａが活性化されて、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
また、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＨレベルであると、位相シフタ回路２３ｂが活性化されて、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００４０】
ＱＭＯＤ回路１７は、前記第一の実施の形態の変調用ミキサ回路３，４及び加算器５に相当するものである。
ＱＭＯＤ回路１７の出力信号は、ＡＧＣ回路７に入力される。このＡＧＣ回路７には第五及び第六のＣＮＴ回路２４ａ，２４ｂから利得制御信号Ｖagc3，Ｖagc4が入力される。
【００４１】
第五及び第六のＣＮＴ回路２４ａ，２４ｂには、制御信号Ｖcnt及びＡ／Ｄ変換器１６の出力信号が入力される。
Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＬレベルであれば、第五のＣＮＴ回路２４ａが活性化され、利得制御信号Ｖagc3がＡＧＣ回路７及び振幅可変型位相シフタ回路２３ａに出力される。
【００４２】
また、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号がＨレベルであれば、第六のＣＮＴ回路２４ｂが活性化され、利得制御信号Ｖagc4がＡＧＣ回路７に出力される。
そして、図９に示すように、ＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ｄ，Ｇ２ｅは利得制御信号Ｖagc3，Ｖagc4に基づいて異なる傾きで変化し、利得制御信号Ｖagc4に基づく利得Ｇ２ｅの方が大きな傾きで動作する。
【００４３】
また、利得制御信号Ｖagc3に基づくＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ｄの傾きと、前記振幅可変型位相シフタ回路２３ａの利得Ｇ１ｄの傾きの和は、利得制御信号Ｖagc4に基づくＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ｅの傾きと等しくなるように設定されている。
【００４４】
上記のように構成された直交変調器２１及びＡＧＣ部２２の動作を図９に従って説明する。
制御信号Ｖcntが所定値Ａを越えている場合には、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号に基づいて位相シフタ回路２３ｂが活性化されて、固定利得Ｇ１ｅで動作し、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００４５】
また、第六のＣＮＴ回路２４ｂが活性化されて、利得制御信号Ｖagc4がＡＧＣ回路７に入力され、ＡＧＣ回路７は利得Ｇ２ｅで動作する。そして、ＡＧＣ回路７から位相シフタ回路２３ｂの利得Ｇ１ｅ及びＡＧＣ回路７の利得Ｇ２ｅに基づく出力信号ＯＵＴが利得Ｇ３ｃで出力される。
【００４６】
一方、制御信号Ｖcntが所定値Ａ以下となる場合には、Ａ／Ｄ変換器１６の出力信号に基づいて振幅可変型位相シフタ回路２３ａが活性化されて、利得Ｇ１ｄで動作し、その出力信号がＱＭＯＤ回路１７に出力される。
【００４７】
また、第五のＣＮＴ回路１８ａが活性化されて、利得制御信号Ｖagc3がＡＧＣ回路７に入力され、ＡＧＣ回路７は利得Ｇ２ｄで動作する。そして、ＡＧＣ回路７から振幅可変型位相シフタ回路２３ａ及びＡＧＣ回路７の利得Ｇ１ｄ，Ｇ２ｄに基づく出力信号ＯＵＴが利得Ｇ３ｃで出力される。
【００４８】
上記のように構成された直交変調器１９及びＡＧＣ部２０では、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）制御信号Ｖcntに基づいて、ＡＧＣ部２２から出力される出力信号ＯＵＴの出力レベルを調整するとき、制御信号Ｖcntが所定値Ａを越えて、出力信号ＯＵＴの出力レベルが高いとき、固定利得Ｇ１ｅで動作する位相シフタ回路２３ｂと、第六のＣＮＴ回路２４ｂとが動作して、出力信号ＯＵＴが出力される。
【００４９】
また、制御信号Ｖcntが所定値Ａ以下となって、出力信号ＯＵＴの出力レベルが低いとき、振幅可変型位相シフタ回路２３ａと、第五のＣＮＴ回路２４ａとが動作して、出力信号ＯＵＴが出力される。
【００５０】
従って、出力信号ＯＵＴの出力レベルが低いとき、低い利得Ｇ１ｄで動作する振幅可変型位相シフタ回路１５ａの利得を補うように第五のＣＮＴ回路２４ａを動作させることができる。
（２）出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを減衰させるとき、振幅可変型位相シフタ回路２３ａを選択して動作させて、位相シフタ回路部分の利得を小さくすることができる。従って、図５に示すように、出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを最小値Ｐmin近傍まで減衰させたとき、キャリアリークＣＬの出力レベルも減衰するため、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはない。
（３）出力信号ＯＵＴの出力レベルＰoutを減衰させても、出力信号ＰoutとキャリアリークＣＬとのレベル差ΔＣＬが小さくなることはないので、キャリアリーク特性を向上させることができる。
【００５１】
前記実施の形態は、次に示すように変更することもできる。
・第二の実施の形態では、二つの位相シフタ回路１５ａ，１５ｂからいずれかを選択する構成としたが、それぞれ利得の異なる３つ以上の位相シフト回路からいずれかを選択する構成としてもよい。
・複数の位相シフタ回路からいずれかを選択する構成に代えて、振幅可変型位相シフタ回路で利得を調整する構成としてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明は出力信号レベルを減衰させた場合にも、キャリアリーク特性が劣化しない直交変調器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の原理説明図である。
【図２】  第一の実施の形態を示すブロック図である。
【図３】  位相シフタ回路を示す回路図である。
【図４】  第一の実施の形態の制御信号と利得の関係を示す説明図である。
【図５】  キャリアリークと出力信号レベルの減衰特性を示す説明図である。
【図６】  第二の実施の形態を示すブロック図である。
【図７】  第二の実施の形態の制御信号と利得の関係を示す説明図である。
【図８】  第三の実施の形態を示すブロック図である。
【図９】  第三の実施の形態の制御信号と利得の関係を示す説明図である。
【図１０】  従来例を示す説明図である。
【図１１】  従来例のキャリアリークと出力信号レベルの減衰特性を示す説明図である。
【図１２】  従来例の制御信号と利得の関係を示す説明図である。
【符号の説明】
６          ＡＧＣ部
１０        直交変調器
１１        利得調整回路
１３        位相シフタ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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