(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップサイズの半導体パッケージであって、
電極（２、８２）が設けられたウェハ（１、８１）上に形成された絶縁層（３、８３）と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成された開口部（３ａ）を介して前記電極に接続された再配線層（６ａ）と、前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封止する封止樹脂層（８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８５）と、前記再配線層に接続して前記封止樹脂層を貫通して形成され、頂部（７ａ、３７ａ、４１ａ、８７ａ）の上面（７ｃ、３７ｂ、４１ｂ、８７ｂ）上に半田バンプ（１１、８６）が形成された導電性のポスト（７、７Ａ、７Ｂ、７Ｄ、３７、４１、８７）とを有し、
該ポストの頂部の前記上面には、該上面上を横断する基準方向（Ａ）と並行して延在する溝（７ｂ、７ｄ、７ｅ、８７ｃ）又は突条によって凹凸が形成され、
前記凹凸を頂部の上面に有するポストが前記ウェハ上に複数形成され、
各ポストの前記凹凸を形成する溝又は突条が、ひとつの半導体パッケージ領域の前記ポストが形成される領域の中央部から放射状の向きに対してほぼ直交する方向に延在されていることを特徴とする半導体パッケージ（２０、２０Ａ、３０、８０）。
【請求項２】
前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部（４）と、この樹脂製突部の頂部（４ａ）を含んで前記樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記半田バンプとに接続された導電層（１６０、１６１）とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記基準方向が、前記ポストに予想される横方向の応力の作用方向（Ｂ）に対してほぼ直交されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウェハレベルＣＳＰ（Chip  Size/Scale Package）等の半導体パッケージに係り、特に、接続時にポストに働く応力の影響を緩和して信頼性を向上できる半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の小型化が促進されており、これに伴ってそのパッケージの小型化が注目されている。例えば、日経マイクロデバイス１９９８年８月号及び１９９９年２月号等に種々の半導体パッケージが提案されている。その中でも、特にＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージによるウェハレベルＣＳＰは、パッケージの小型化及びコストの低減に高い効果を示す。このＣＳＰは、ウェハごと樹脂封止されたパッケージである。図１５は従来のＣＳＰの構成を示す断面図である。
なお、図１５は回路基板へ搭載される状態を示しており、以下の説明では図１５とは上下関係が逆になっている。
【０００３】
従来のＣＳＰにおいては、ウェハ５１上に複数個のＡｌパッド５２が形成されている。また、ウェハ５１の全面にＡｌパッド５２を覆うＳｉＮ層５３及びポリイミド層５４が形成されている。ＳｉＮ層５３及びポリイミド層５４には、その表面からＡｌパッド５２まで達するビアホールが形成されている。そして、ビアホール内に導体層５５が埋め込まれている。更に、ポリイミド層５４上には、導体層５５に接続された再配線層５６が形成されている。再配線層５６は、例えばＣｕからなる。そして、ポリイミド層５４の全面に再配線層５６を覆う封止樹脂層５７が設けられている。封止樹脂層５７の内部には、その表面から再配線層５６まで達するメタルポストとしてＣｕポスト５８が形成されている。Ｃｕポスト５８上には、バリアメタル層５９が形成されており、このバリアメタル層５９上に半田等のソルダボール６０が形成されている。
【０００４】
次に、上述のような従来のＣＳＰの製造方法について説明する。図１６（ａ）〜（ｅ）は従来のＣＳＰの製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図１６（ａ）〜（ｅ）においては、再配線層及びポリイミド層等は省略している。
まず、図１６（ａ）に示すように、表面が平坦なウェハ６１を準備する。そして、図１６（ｂ）に示すように、ウェハ６１上に複数個のＣｕポスト等のメタルポスト６２をめっきにより形成する。次いで、図１６（ｃ）に示すように、全てのメタルポスト６２を覆うように樹脂封止を行い、樹脂封止層６３を形成する。その後、図１６（ｄ）に示すように、封止樹脂層６３の表面を研磨することにより、各メタルポスト６２を露出させる。そして、図１６（ｅ）に示すように、メタルポスト６２上に半田等のソルダボール６４を搭載する。
このようにして、前述のようなＣＳＰが形成される。このＣＳＰは、その後、所定の大きさにダイジングされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率は相違しているので、この熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッケージの端子（Ｃｕポスト等のメタルポスト）に集中する。前述のようなＣＳＰにおいても半田接続を用いるから、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッケージの端子に集中しやすく、この端子に集中する応力による歪みが大きくなると、電極剥離、抵抗値の増大等の問題が生じてくる。半導体パッケージの端子と半田バンプとの間の接合強度が不充分であると、ウェハ６１に複数形成した複数のポスト６２を回路基板等に接続する際に前記端子に働く応力によって、半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の問題が生じやすくなる。
また、図１７に示すように、ウェハ６１上に複数形成した複数のポスト６２を回路基板等に接続する場合、半田バンプの数等による差異があるものの、概ね、ウェハ６１の平面視中央部から周辺部に向かって放射状の方向（図１７中矢印の方向）に応力が作用する傾向があり、ウェハ６１の周縁部付近では、ポスト６２に作用する応力の方向性がより顕著になる。このため、前述の半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の問題も顕著になってくる。
このような問題を回避するには、例えば、半導体パッケージのウェハと基板とを直接接続せず、間に入れた緩衝部材を介して接続すること等により応力緩和を図っている。しかしながら、前記緩衝部材を利用した応力緩和では、半導体パッケージと回路基板とを接続した後の厚さ寸法が大きくなるし、構造の複雑化、コストの上昇等を回避できない。
また、ポストを大型化（通常、回路基板等の接触部分の接触面積の大型化には限界があるから、高さの大型化になる）して、応力を分散、吸収することも考えられるが、これでは、目的の高さのメタルポストを形成するためのめっき時間が非常に長くなり、半導体パッケージの製造能率を低下させてしまうため、問題を解決できない。
なお、前述の半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の問題は、前述のようなメタルポストを有するＣＳＰに限定されるものでは無く、インタポーザ、ＢＧＡ基板、フリップチップ等でも、半田バンプを有する構造体では、半田バンプの接合強度に起因して同様に発生する。このため、構造体の導電体（前述のＣＳＰの端子等）と半田バンプとの間の接合強度を向上できる具体的な技術の開発が求められていた。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ポストの頂部に形成した凹凸によって、ポストと半田バンプとの間の接合強度を向上でき、しかも、前記凹凸を形成する溝や突条の向きによって、回路基板等の接続に伴う応力に対して前記半田バンプの接合強度を効果的に確保でき、半田バンプの剥離防止等を実現できる半導体パッケージを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体パッケージは、チップサイズの半導体パッケージであって、電極が設けられたウェハ上に形成された絶縁層と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成された開口部を介して前記電極に接続された再配線層と、前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封止する封止樹脂層と、前記再配線層に接続して前記封止樹脂層を貫通して形成され、頂部の上面上に半田バンプが形成された導電性のポストとを有し、該ポストの頂部の前記上面には、該上面上を横断する基準方向と並行して延在する溝又は突条によって凹凸が形成され、前記凹凸を頂部の上面に有するポストが前記ウェハ上に複数形成され、各ポストの前記凹凸を形成する溝又は突条が、ひとつの半導体パッケージ領域の前記ポストが形成される領域の中央部から放射状の向きに対してほぼ直交する方向に延在されていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体パッケージにおいて、前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部と、この樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記半田バンプとに接続された導電層とを有することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の半導体パッケージにおいて、前記基準方向が、前記ポストに予想される横方向の応力の作用方向に対してほぼ直交されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項１から３記載の発明では、ポスト頂部の上面に形成された凹凸によって、ポストと半田バンプとの接合強度を充分に確保できる。半田バンプの形成は、ボールマウント、めっき、ディスペンスなどによってポスト頂部に半田を設け、この半田を再溶融（リフロー）すること等によって行う。この再溶融によって、ポスト頂部の凹凸に半田が入り込むようにして接合することで、ポストと半田バンプとの間に優れた接合強度が確保される。このように、半田バンプの接合強度を充分に確保できることから、半田バンプの剥離や抵抗値の増大等を防止でき、従来例のように応力緩和用の緩衝部材を設けて接続時の厚さ寸法を増大させるといった不都合も回避できる。
【０００９】
この発明では、さらに、前記凹凸を、ポスト頂部の前記上面上を横断する基準方向と並行して延在形成された溝又は突条によって形成することで、前記接合強度を特に有効に確保できる方向性を有している。前記基準方向は、前記ポストに予想される横方向（ウェハにほぼ沿った方向）の応力の作用方向に対してほぼ直交する方向（請求項３）に設定することを基本とする。これにより、回路基板等の接続時にポストに作用する応力に対して、半田バンプの接合強度をより効果的に確保できる。したがって、ポスト頂部の狭隘な領域を有効に利用して、半田バンプのポストに対する接合強度を充分に確保することができる。
なお、凹凸を形成する溝や突条は、１本に限定されず、例えば、それぞれ複数本の溝と突条とを形成することで凹凸を形成しても良い。凹凸を形成する溝や突条は、すべて前記基準方向に並行して形成される。
【００１０】
また、ポストに作用する応力は、ウェハの平面視中央部から周辺部に向かって放射状の方向に作用する傾向があるから、請求項１記載のように、各ポストの前記凹凸を形成する溝又は突条が、前記ウェハ上の前記ポストが形成される領域の中央部を中心とする半径方向に対してほぼ直交する方向に延在されていると、ウェハの回路基板との接続時に各ポストに作用する応力をより効果的に分散、吸収することができ、半田バンプの剥離防止等の他、ウェハの歪み発生の防止等の効果も得られる。
【００１１】
この発明では、請求項２記載のように、回路基板等が半田バンプを介して接続されるポストとして、樹脂製突部に導電層を形成したものを採用すると、接続時にポストに発生した応力を柔軟性の樹脂製突部によって分散、吸収でき、ポストの破損や変形、半田バンプの剥離、抵抗値の増大等の不都合を、より効果的に防止できる。また、前述のポスト頂部の上面の凹凸によって半田バンプの接合強度が向上されるから、回路基板等との接続時に作用する応力が確実にポストに伝達されて、効果的に分散、吸収される。
また、請求項１記載の発明のポストは、例えば全体が銅等によって形成されたメタルポストや、メタルポストに導電層を被覆して形成したもの等も含むが、請求項２記載の発明では、導電層は樹脂製突部に被覆して形成するので、導電性金属のめっきにより形成する場合での比較では、請求項２記載の方が、ポスト全体をめっきにより形成することに比べて、ポストの形成時間の短縮を図ることができ、半導体パッケージの製造能率を向上できる。
樹脂製突部に被覆した導電層は、樹脂製突部表面に沿った形状の層を形成するため、樹脂製突部の外形に沿った外形のポストが形成される。樹脂製突部への導電層の被覆は、例えば、めっき、蒸着、スパッタ等が採用可能である。
【００１２】
ポスト頂部の上面に凹凸のための溝や突条を形成する手法としては、例えば以下のものが採用可能である。
▲１▼ポストの上面に、形成する溝や突条に対応するマスクをフォトリソグラフィ技術等により形成し、ウェットエッチング、プラズマ加工等のドライエッチング、レーザ加工等により、一部を除去する。メタルポストの上面にあってはポスト自体を形成する金属の一部を除去し、導電層が被覆されたポストにあっては該ポストの上面の導電層の一部を除去する。
▲２▼樹脂製突部等の芯材に導電層を被覆して形成されるポストにあっては、フォトリソグラフィ技術を利用して、前記芯材に導電層が形成されない導電層被覆除外部を確保するレジスト膜をパタン形成し、めっき、スパッタ、蒸着等により導電層の金属層を形成する。導電層被覆除外部によって、凹凸を形成する溝や突条（突条は導電層被覆除外部を確保するレジスト膜の形成箇所以外に形成された導電層によって形成）が形成される。
▲３▼樹脂製突部等の芯材に導電層を被覆することで形成されるポストにあっては、前記樹脂製突部等の芯材の上面に、ポスト上面の凹凸に対応する凹凸を形成しておき、この凹凸を含んで芯材に導電層を被覆して、前記芯材上面の凹凸に沿った凹凸を有する導電層を形成することで、ポスト上面の凹凸を形成する。
▲２▼のうち、めっきによる導電層の形成では、無光沢浴を用いることが好ましい。すなわち、光沢浴を用いた場合はめっきによって形成される導電層の膜厚が安定するが、無光沢浴では、光沢浴にて用いられる光沢剤による膜厚安定化が作用しない分、凹凸の大きいめっき表面が得られる。
一方、▲３▼において導電層の被覆にめっきを採用する場合は、光沢浴を用いることが好ましく、光沢剤の作用で安定膜厚の導電層が形成されることで、樹脂製突部等の芯材に形成した凹凸に忠実な凹凸形状の導電層が形成される。芯材上面上の凹凸は、樹脂製突部等の芯材上面の一部除去、フォトリソグラフィ技術を利用して樹脂等からなる突部を形成すること等により形成できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１４】
まず、本発明に係る実施の形態の半導体パッケージの概略構成を説明する。
図１は半導体パッケージ２０を示す図であって、（ａ）はポスト７を避けた位置を断面視した断面図、（ｂ）は（ａ）の半導体パッケージ２０のポスト７を示す斜視図である。
図１（ａ）に示すように、半導体パッケージ２０は、電極２が設けられたウェハ１上に形成された絶縁層３と、この絶縁層３の前記電極２に整合する領域に形成された開口部３ａと、この開口部３ａを介して前記電極２に接続された導電層である再配線層６ａと、前記ウェハ１、前記絶縁層３及び前記再配線層６ａを封止する封止樹脂層８と、この封止樹脂層８を貫通し頂部７ａに半田バンプ１１が形成されたポスト７とを有している。
ここでは、ウェハ１として、シリコンウェハを採用しており、以下「Ｓｉウェハ１」と称する場合がある。
電極２としては、各種導電性材料が採用可能であるが、ここではアルミニウム製パッドを採用している。
【００１５】
前記ポスト７は、前記絶縁層３上に形成された樹脂製突部（図５、図１１の樹脂製突部４等を参照）に導電層１６０を被覆したものである。導電層１６０は、前記再配線層６ａ及び前記半田バンプ１１に接続されている。樹脂製突部４に形成された前記導電層１６０は、半田バンプ１１を介して回路基板等と電気的に接続される電極を構成し、再配線層６ａと半田バンプ１１との間を電気的に接続する機能を果たす。
前記半田バンプ１１は、ポスト７の頂部７ａの上面７ｃ上に形成されており、しかも、ポスト上面７ｃに形成された凹凸によって、ポスト７との間に高い接合強度が確保されている。図１（ａ）、（ｂ）において、ポスト上面７ｃの凹凸は、ポスト上面７ｃに形成された溝７ｂによって形成されている。この溝７ｂは、やや具体的には、樹脂製突部４を被覆してポスト上面７ｃを形成する導電層１６０自体の凹凸形状や、ポスト上面７ｃを形成する導電層１６０の一部を切り欠いた形状の導電層被覆除外部等によって形成されている。
半田バンプ１１は、ポスト７の頂部７ａの上面７ｃに設けた半田ボールの再溶融、前記ポスト上面７ｃへの金属めっき等によって、一部が、ポスト上面７ｃの溝７ｂに入り込んだ状態に形成されるため、ポスト７（詳細にはポスト上面７ｃ）との間の接合強度を向上できる。
【００１６】
また、樹脂製突部に導電層を被覆した構成のポスト７では、樹脂製突部の柔軟性によって、ポストに作用する応力を効果的に分散、吸収できるから、これによっても、半田バンプ１１の剥離や抵抗値の増大等の不都合を防止できる。ポスト上面７ｃの凹凸によって半田バンプ１１の接合強度が充分に確保されたポスト７では、回路基板等の接続時の応力を確実にポストに伝達できるため、この応力をポストによって効果的に分散、吸収することができ、半田バンプ１１の剥離や抵抗値の増大等の不都合をより確実に防止できる。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）では、半田バンプ１１が形成されるポスト上面７ｃに一本の直線状の溝７ｂが形成された構成を例示しているが、これに限定されず、例えば、図２（ａ）、（ｂ）（図２（ｂ）はポスト上面７ｃを示す平面図）に示すように、半田バンプ１１が形成されるポスト上面７ｃに複数本の直線状の溝７ｂを形成すれば、半田バンプ１１とポスト７との間の接合強度を一層高めることができる（説明の便宜上、図１のポスト７に符号７Ａ、図２（ａ）のポスト７に符号７Ｂを付す）。また、溝７ｂとしては、図３（ａ）に示すように、ポスト上面７ｃに弓形に湾曲した形状（説明の便宜上、符号７ｄを付す）や、図３（ｂ）に示すように、波形に湾曲した形状（説明の便宜上、符号７ｅを付す）であっても良い。いずれの形状の溝７ｂ（溝７ｄ、７ｅを含む）であっても、ポスト上面７ｃの凹凸を形成できる。これら溝７ｂ（７ｄ、７ｅ）は、ポスト上面７ｃに位置する導電層１６０自体の凹凸形状（例えば樹脂製突部上面の凹凸形状にしたがって凹凸に形成された導電層）、ポスト上面７ｃの導電層１６０を切り欠いた形状に確保された導電層被覆除外部等によって形成される。
なお、ポスト上面における溝の形成本数、大きさ、形状等は、図示したものに限定されず、適宜変更可能であることは言うまでも無い。
【００１８】
前述に例示した溝７ｂ（７ｄ、７ｅ）は、いずれも、ポスト上面７ｃ上を横断する基準方向（図１〜図３中仮想線Ａ）と並行して延在形成されており、例えば図２（ａ）、（ｂ）に示すように、複数本の溝を形成する場合は、各溝が前記基準方向に並行するため、互いにほぼ平行に形成される。前記基準方向とは、ここではポスト７の半田バンプ１１を回路基板等に接続した際にポスト７に作用する横方向（ウェハ１に沿った方向）の応力の予想される作用方向（矢印Ｂ。以下「応力の予想作用方向」）に対して直交する方向である。したがって、ポスト上面７ｃに形成された溝は、応力の予想作用方向に対して直交する向きで延在形成されており、この溝によってポスト上面７ｃに形成される凹凸によって、ポスト７と半田バンプ１１との間の接合強度が、特に前記応力の予想作用方向に対して高められ（接合強度の方向性）るため、半田バンプ１１の剥離等の不都合が生じにくくなっている。
【００１９】
図４は、図２（ａ）に示すポスト７Ｂ（７）を複数形成した半導体パッケージの一例を模式的に示す平面図であり、ポスト７Ｂは、前記ウェハ上の前記ポスト形成領域（ここでは平面視全体）に複数分散配置されている。また、ポスト形成領域の中央部には、円形の溝７ｆによって上面７ｃの凹凸が形成されたポスト７（説明の便宜上、符号７Ｃを付す）が設けられている。このポスト７Ｃでも、上面７ｃに形成された凹凸によって半田バンプ１１の接合強度が高められているが、前記凹凸は円形の溝７ｆによって形成されているので、接合強度の方向性は存在しない。
各ポスト７Ｂの上面の凹凸を形成する溝７ｂは、ポスト形成領域の中央部から放射状の向きに対してほぼ直交する方向に延在されている。半導体パッケージの複数のポストを回路基板等に接続する際には、ウェハの平面視中央部から周辺部に向かって放射状の方向（図４中矢印Ｃの方向）に応力が作用する傾向があるが、各ポスト７Ｂでは、応力の作用方向に対してほぼ直交する方向に延在する溝７ｂによって上面７ｃ上に形成された凹凸が、ポストに作用する特定方向の応力に対して半田バンプ１１の接合強度を効果的に発揮するため、半田バンプ１１の剥離や抵抗値の増大等の不都合が確実に防止される。
【００２０】
なお、図４では、ポスト７Ｂを採用した構成を例示したが、これに限定されず、例えば、図１（ａ）、（ｂ）に例示したポスト７Ａや、図３（ａ）、（ｂ）に例示した溝７ｄ、７ｅによって頂部上面７ｃの凹凸が形成されているポスト７等、本発明に係るポストを、前記ポスト７Ｂに代えて配置しても良い。すなわち、本発明に係る半導体パッケージにおいては、頂部上面の凹凸によって接合強度の方向性を有するポストをポスト形成領域に複数形成する場合、各ポストについて、前記凹凸を形成する溝や突条が、ポスト形成領域の中央部から放射状の向きに対してほぼ直交する方向に延在されるようにすることで、半田バンプ１１の剥離防止等をより効果的に実現できる。また、特に樹脂製突部の柔軟性によって、応力が分散吸収されることで、応力によるウェハの歪み等もより効果的に防止できる。
【００２１】
次に、本発明に係る半導体パッケージをより具体的に説明する。
なお、以下に例示した各実施形態は、ポストの構成、ポストの形成に関する工程が異なるものであり、他の構成については同様になっている。
【００２２】
（第１実施形態）
図５は本発明に係る第１実施形態の半導体パッケージ２０Ａを示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はこのパッケージ２０Ａのポスト７（説明の便宜上、符号７Ｄを付す）を示す斜視図である。
なお、図５（ａ）では、後述するパッシベーション膜９等の図示を省略している。
前記ポスト７Ｄは、前記絶縁層３上に形成された樹脂製突部４と、この樹脂製突部４を被覆して、前記再配線層６ａ及び前記半田バンプ１１に接続された導電層１６０とを有している。樹脂製突部４に形成された前記導電層１６０は、再配線層６ａと半田バンプ１１との間を電気的に接続する機能を果たす。
このポスト７Ｄは、具体的には、円錐台状の樹脂製突部４に導電層１６０を被覆形成したものであり、樹脂製突部４の外形に沿った円錐台状の外形を有する。ポスト７Ｄの頂部７ａとは、樹脂製突部４の頂部４ａの上面４ｂ上に導電層１６０が形成された部分である。前記樹脂製突部上面４ｂには、一本の直線状の溝４ｄによって凹凸が形成されており、ポスト７Ｄの頂部７ａには、この樹脂製突部上面４ｂの凹凸に沿った凹凸形状に導電層１６０が被覆形成されており、ポスト上面７ｃには、樹脂製突部４の前記溝４ｄに対応する形状の溝７ｂによって凹凸が形成されている。
半田バンプ１１は、ポスト７Ｄの頂部７ａの上面７ｃに設けた半田ボールの再溶融、前記ポスト上面７ｃへの金属めっき等によって、一部が、ポスト上面７ｃの溝７ｂに入り込んだ状態に形成されるため、ポスト７Ｄ（詳細にはポスト上面７ｃ）との間の接合強度を向上できる。
【００２３】
次に、半導体パッケージ２０Ａの製造方法の一例を図面を参照して具体的に説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る半導体パッケージ２０Ａの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２４】
まず、図６（ａ）に示すように、集積回路（図示せず）及びその電極、例えば、電極２が設けられたＳｉウェハ１の全面（上面１ａの全面。以下もウェハ１の「全面」とは、上面１ａ全面のことを指す）にＳｉＮなどのパッシベーション膜９を直接形成したものを準備し、このパッシベーション膜９の電極２に整合する位置に開口部を形成し、電極２を露出させる。
【００２５】
次に、図６（ｂ）に示すように、電極２に整合する位置に開口部３ａを有する樹脂製の絶縁層３を形成する。絶縁層３は、例えばポリイミド、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。また、絶縁層３は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。開口部３ａは、例えば、樹脂層３を構成するポリイミド等の膜をウェハ１全面に成膜した後に、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成できる。
【００２６】
次に、図６（ｃ）に示すように、ウェハ１上において電極とは離れた位置に、絶縁層３上に樹脂からなる樹脂製突部４を形成する。この樹脂製突部４は、絶縁層３上に隆起した突起状であり、断面が台形状あるいは半円状等の、絶縁層３からの突出寸法が最も大きい部分である頂部４ａを有する形状に形成されるものであり、ここでは円錐の頂部付近を除いて平坦な上面４ｂを形成した形状（円錐台状）である。
樹脂製突部４は、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば２５〜１００μｍ程度である。また、樹脂製突部４は前述のポリイミド等の樹脂を用いた、回転塗布法（スピンコート）、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。
【００２７】
図６（ｄ）に示すように、樹脂製突部４の上面４ｂには、凹凸として溝４ｄを形成する。この凹凸（溝４ｄ）は、例えば、フォトリソグラフィ技術で形成したパタンを用いたエッチング等により樹脂製突部４の上面４ｂに形成することができる。プラズマエッチングを代表とするドライエッチング、レーザ加工等も採用可能である。
【００２８】
次に、図７（ａ）に示すように、電解めっき用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域（後述の導電層６を形成する領域）に形成する。ここで、シード層５は、樹脂製突部４の表面に沿った形状に被覆形成されるため、樹脂製突部４の頂部４ａでは、樹脂製突部上面４ｂの凹凸に適合する凹凸形状に形成される。
このシード層５は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ａｕ等をそれぞれ単独に用いた金属層あるいは合金層であり、具体的には、例えばスパッタ法により形成されたＣｕ層及びＣｒ層の積層体又はＣｕ層及びＴｉ層の積層体等として形成される。また、無電解Ｃｕめっき層であっても良く、蒸着法、塗布法又は化学気相成長（ＣＶＤ）法等により形成された金属薄膜層であってもよく、これらを組み合わせても良い。
【００２９】
次に、前記シード層５上の導電層の形成が不要な領域にレジスト膜（図示略）を形成し、図７（ｂ）に示すように、このレジスト膜をマスクとして露出したシード層５上に、めっき、スパッタ、蒸着等により導電層６である金属層を形成する。この導電層６の形成によって、ポスト７Ｄの導電層１６０や、絶縁層３上の再配線層６ａが形成される。樹脂製突部４に目的形状の導電層１６０が被覆形成されることで、ポスト７Ｄが形成される。
ポスト７Ｄの導電層１６０は、樹脂製突部４の表面に沿った形状（詳細にはシード層５の表面に沿った形状）に形成される。ポスト７Ｄの頂部７ａでは、樹脂製突部上面４ｂの凹凸に沿った凹凸形状に導電層１６０が形成される。つまり、ここでは、樹脂製突部上面４ｂの溝４ｄに対応して、導電層１６０にも溝７ｂが形成される。これにより、ポスト上面７ｃの凹凸が形成される。
【００３０】
導電層６である金属層としては、樹脂製突部４に対する被覆膜厚の安定や、被着性、膜強度等の点では、めっきにより形成されたＣｕめっき層等が適切であるが、これに限定されず、Ｃｕ以外の金属のめっきによリ形成した金属めっき層、スパッタ、蒸着等により形成された各種金属層であっても良い。
この工程により、Ｓｉウェハ１上に導電層６からなる回路パタンが形成される（再配線層６ａを含む）。導電層６の厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。その後、導電層６上に、例えばＮｉめっき層及びＡｕめっき層（いずれも図示略）を形成して、後の工程で形成する半田バンプの濡れ性の向上を図ること等も可能である。
導電層６の形成後、レジスト膜を除去し、ウェハ１面上に露出している不要なシード層５をエッチング等により除去して導電層６以外の部分に絶縁層３を露出させる。
【００３１】
レジスト膜には、開口部３ａ、樹脂製突部４及びこれらを含む領域における導電層６の形成位置に整合する開口部が、フォトリソグラフィ技術により形成される。また、レジスト膜は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００３２】
絶縁層３上に形成される再配線層６ａや、樹脂製突部４に被覆、形成される導電層１６０は、この工程により形成された導電層６の一部分である。図５（ａ）、（ｂ）では、樹脂製突部４の全部を覆う形状の導電層１６０を例示しているが、導電層１６０としては、樹脂製突部４の少なくとも上面４ｂと側面４ｃの一部（樹脂製突部側面４ｃの導電層は、上面４ｂの導電層と再配線層６ａとの間を接続する導電層）とに形成されていれば良く、必ずしも樹脂製突部４の全体を覆う必要は無い。このことは、後述する第２〜第４実施形態についても同様である。樹脂製突部４の一部を覆う形状に導電層１６０を形成するには、例えば、樹脂製突部４の一部又は全部を覆うようにして形成した導電層６の一部を除去することで、目的の形状に形成する等の手法が採用可能である。再配線層６ａは、導電層６の形成工程に従って目的の回路パタンに形成されるものの、樹脂製突部４に被覆、形成する導電層は、必ずしも導電層６の形成と同時に目的の形状に形成することに限定されない。
なお、ポスト側面に樹脂製突部を露出させる形状の導電層は、後述する第２〜第４実施形態でも採用可能である。
目的形状の導電層１６０の形成が完了することで、目的のポスト７Ｄがウェハ１上に形成される。
【００３３】
図８（ａ）、（ｂ）は、樹脂製突部の上面と側面の一部とを覆う形状に形成された導電層の一例を示す。なお、この導電層も、前述の図７（ｂ）に示される工程により形成される導電層６の一部として樹脂製突部４に被覆される導電層１６０であるが、説明の便宜上、符号１６１を付して区別することとする。
図８（ａ）、（ｂ）に示す導電層１６１は、樹脂製突部４の頂部４ａ（具体的には樹脂製突部上面４ｂ）に形成された頂部導電層６ｃと、この頂部導電層６ｃから複数方向に放射状に延びるようにして前記樹脂製突部４の側面４ｃ上に線状に被覆された複数本の側面導電層６ｄとを有している。前記側面導電層６ｄは、樹脂製突部４の上面４ｂと略一致する円形の頂部導電層６ｃの周方向の４箇所にほぼ均等配置して接続して形成されている。導電層１６１の側面導電層６ｄは、樹脂製突部４の周囲を取り囲むようにして絶縁層３上にリング状に形成された再配線層６ａである突部囲繞部６ｂと接続されており、これにより、半田バンプ１１と接続される頂部導電層６ｃと再配線層６ａとの間を接続する。
【００３４】
前述の導電層６の形成工程に従えば、例えば、感光性のレジスト膜を用い、フォトリソグラフィ技術により、ポストの導電層の形成位置に整合するパタンを形成し、Ｃｕ等のめっき等により導電層６を形成（シード層５上への導電層６の形成）することで、再配線層６ａとともにポストの導電層１６０をも目的形状に形成する方法が採用される。
樹脂製突部４に形成した導電層６の一部を除去することで目的の形状に形成する方法としては、まず、樹脂製突部４の全体を覆うように導電層６を形成した後、この導電層６の一部を、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等の加工用レーザを用いて除去したり、樹脂製突部４の全体を覆うように形成した導電層６にフォトリソグラフィ技術によりパタンを形成し、ウェットエッチング、プラズマ加工等のドライエッチングにより、前記導電層６の一部を除去する方法等が採用される。
【００３５】
次に、図５（ａ）に示すように、厚さ１０〜１５０μｍ程度の表面保護用の封止樹脂層８を、少なくともポスト７Ｄの中央部を露出（平面視で、ポスト７Ｄの頂部７ａ上の平坦な上面の中央部が露出）するようにしてウェハ１上に形成する。封止樹脂層８としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好適に用いられる。
なお、ここでは、封止樹脂層８の具体的構成を、図５（ａ）、図９、図１０に例示しているが、説明の便宜上、区別のため、図５（ａ）に示すものを封止樹脂層８ａ、図９に示すものを封止樹脂層８ｂ、図１０に示すものを封止樹脂層８ｃとして説明する。
【００３６】
図５（ａ）では、ポスト７Ｄよりも高く盛り上げるようにして形成した封止樹脂層８ａを、ポスト７Ｄの上面（頂部７ａの上面７ｃ）の周縁部上にまで形成し、その内側である開口部１０にポスト７Ｄの頂部７ａ上面の少なくとも中央部が露出されるようにしている。封止樹脂層８ａの円形の開口部１０の面積は、ポスト７Ｄの円形の頂部７ａの面積よりも小さくなっている。
【００３７】
ポスト７Ｄを露出させる開口部を有する封止樹脂層８（具体的には封止樹脂層８ａ〜８ｃ）を形成する工程は、例えば、封止樹脂層８を感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂から構成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパターニングすること等が採用可能であるが、これに限定されず、各種方法が採用可能である。
【００３８】
封止樹脂層８を形成したら、次に、ポスト７Ｄ上に半田バンプ１１を形成する。この半田バンプ１１の形成方法としては、めっき法、印刷法、メタルジェット法、ボールマウント等により、ポスト上面７ａ上に半田を設け、この半田を再溶融（リフロー）する。再溶融された半田がポスト上面７ａの凹凸の溝７ｂに入り込むため、これにより形成された半田バンプ１１のポスト７Ｄに対する接合強度が充分に確保される。
ここで、半田バンプ１１と樹脂製突部４の中心同士が、平面視（ウェハ１上から見た方向）で一致していることが、応力分散の点で好ましい。具体的には、平面視で円形の半田バンプ１１と、円形の樹脂製突部４の中心位置とが一致することが好ましい。
【００３９】
このようにして製造された半導体パッケージのポスト７Ｄは、例えば、高さが３０μｍ程度の円錐台状の樹脂製突部４を覆うようにして、シード層５と厚さ２０μｍ程度の導電層１６０が形成され、全体として高さが５０μｍ程度の突起状に形成される。
ポストやウェハ１上に形成した導電層６は、半田バンプ１１と電極２との間を接続する機能を果たす。
【００４０】
前記半導体パッケージ２０Ａでは、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を、柔軟性を有する樹脂製の突部４により分散するため、ウェハ１に与える歪みを緩和できる。したがって、例えば、ウェハ上に形成した非常に厚い導電層によってポストを形成（メタルポスト）して応力分散する場合に比べて、短時間でポストを形成することができ、半導体パッケージの製造能率の向上、低コスト化を実現できる。また、ポスト７Ｄの高さは、樹脂製突部４の高さによって簡単に調整できるといった利点もある。
さらに、この半導体パッケージ２０Ａでは、ポスト上面７ａの凹凸によって、ポスト７Ｄと半田バンプ１１との間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、ポスト７Ｄの変形により効果的に分散することができるといった利点があり、半田バンプ１１の剥離、抵抗値の増大等の不都合を確実に防止できる。
また、図８（ａ）、（ｂ）に例示したように、ポストの導電層が、樹脂製突部の側面の一部のみを被覆する形状であると、ポストがより変形しやすくなるため、回路基板等の接続時の応力を、非常に効率良く分散、吸収することができる。
【００４１】
ポスト７（ポスト７Ｄを含む）の応力分散、吸収性能は、ウェハ１上を封止する封止樹脂層の形状によっても左右される。
図１（ａ）等に示す本発明に係る半導体パッケージ２０に適用可能な封止樹脂層８としては、図５（ａ）の封止樹脂層８ａに限定されず、図９、図１０に示した封止樹脂層８ｂ、８ｃも採用可能である。図９、図１０に示す封止樹脂層８ｂ、８ｃは、いずれも、ポスト７の頂部７ａが露出されるようにしてウェハ１上を覆って封止するものである。図５（ａ）、図９、図１０に示す封止樹脂層８ａ、８ｂ、８ｃは、後述する各実施形態の半導体パッケージ等、本発明に係る各種半導体パッケージに適用できる。
【００４２】
図９に示す封止樹脂層８ｂはポスト７の周囲に溝を形成した形状であり、この封止樹脂層８ｂには、ポスト７の外側にポスト７の円形の頂部７ａの外側に同心円状に、前記ポスト頂部７ａよりも面積が大きい円形の開口部１０ａが形成されている。封止樹脂層８ｂの開口部１０ａは、外側から内側に向かって落ち込んで、ポスト７の周囲を取り囲むようなリング状の溝を形成しており、ポスト７の上部を除く部分を覆うようになっているため、特にポスト７上部の変形が封止樹脂層８によって拘束されない。このため、図５（ａ）に示す封止樹脂層８ａに比べてポスト７が変形しやすくなっており、ポスト７による応力分散、吸収性能を向上できる。
【００４３】
図１０に示す封止樹脂層８ｃは、ポスト７の頂部７ａ付近を除く部分を埋設、封止した形状になっている。この封止樹脂層８ｃの開口部１０ｂは、ポスト７を取り囲むようになっているため、その開口面積は、ポスト７の頂部７ａよりも大きいことは言うまでも無い。また、この封止樹脂層８ｃは、ポスト７の下部を上面として形成されており、ポスト７の傾斜された側面（樹脂製突部４の外形に対応してポスト７の側面も傾斜されている）に乗り上げた形状の薄肉部８ｄによってポスト７の側面下部及びその周囲を封止するようになっている。したがって、図５（ａ）の封止樹脂層８ａに比べて、ポスト７が変形しやすくなっており、この形状の封止樹脂層８ｃを採用することで、ポスト７の応力分散、吸収性能を向上できる。しかも、この封止樹脂層８ｃでは、薄肉部８ｄによってポスト７側面全体を覆ってポスト７近傍の封止を確実にすることが可能であり、また、その場合でも、変形容易な薄肉部８ｄによってポスト７の変形を拘束しないから、ポスト７に優れた応力分散、吸収性能を確保できる。上面位置をポスト７の頂部７ａよりも低く形成した封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の頂部７ａを確実に露出させることができ、回路基板等に対するポスト７の接続状態、電気導通を確実に確保でき、信頼性を向上できる等の利点がある。
但し、封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の側面下部及びその周囲を変形容易な薄肉部８ｄで封止してポスト７の変形を容易にすることが重要であり、ポスト７から離れた所では、その上面位置等は自由であり、例えば、上面位置がポスト７の頂部７ａよりも高くなる厚さで形成することも可能である。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図１１、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
図１１に示すように、第２実施形態の半導体パッケージ３０は、ポスト７として、第１実施形態の半導体パッケージ２０Ａのポスト７Ｄと異なるポスト３７を備えたものである。この半導体パッケージ３０の他の部分の構成は、第１実施形態の半導体パッケージ２０と同様である。
この半導体パッケージ３０のポスト３７は、頂部４ａに平坦な上面４ｂを有する円錐台状の樹脂製突部４にシード層５及び導電層１６０が被覆されたものである点は第１実施形態のポスト７Ｄと同様であるが、その頂部３７ａの上面３７ｂには、該導電層１６０が形成されずに前記導電層１６０を溝状に切り欠いた形状に確保された導電層被覆除外部３１によって溝７ｂが形成され、前記導電層被覆除外部３１（溝７ｂ）と前記導電層１６０とによって、凹凸を有する上面３７ｂが形成されている。図１１では、溝７ｂが複数本（３本）形成されており、ポスト上面３７ｂとしては、例えば図２（ｂ）と同様の構成等が採用される。
【００４５】
この半導体パッケージ３０の製造方法は、ポスト３７の形成に係る工程のみが第１実施形態の半導体パッケージ２０Ａの製造方法と異なっており、ウェハ１上に絶縁層３を形成して、この絶縁層３上に樹脂製突部４を形成する工程（図６（ｃ）に示される工程）までは、第１実施形態の半導体パッケージ２０Ａの製造方法と同様に行うことができる。
図６（ｃ）に示される工程によって、平坦な上面４ｂを有する樹脂製突部４が形成されたなら、この上面４ｂに凹凸を形成することなく、電解めっき用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域（ポスト３７の導電層１６０や、絶縁層３上の再配線層６ａ等を形成する領域）に形成する（図１２（ａ）参照）。シード層５の材質、形成手法等は、第１実施形態にて説明したものと同様である。樹脂製突部４では、該樹脂製突部４の表面に沿った形状にシード層５が被覆形成されるが、ここでは、樹脂製突部上面４ｂには凹凸を形成していないので、樹脂製突部上面４ｂ上に形成されるシード層５は、平坦な樹脂製突部上面４ｂに対応する平坦形状に形成される。
【００４６】
次いで、このシード層５上に形成したレジスト膜（図示略）をマスクとして露出したシード層５上に、ポスト３７の導電層１６０や再配線層６ａ等となる導電層６である金属層を銅めっき、あるいは銅、ニッケル、金の三層めっきにより形成する。前記レジスト膜によって、導電層被覆除外部３１（図１１参照）が確保される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、ポスト上面３７ｂの位置に、所望の形状の導電層被覆除外部３１を確保して、導電層１６０が形成される。
導電層１６０や再配線層６ａ等である導電層６の形成が完了したら、めっきに用いたレジスト膜を除去し、導電層被覆除外部３１に露出したシード層５等の必要なシード層５を保護膜で保護して、不要なシード層５をエッチングにより除去した後、前記保護膜の除去等を行う。樹脂製突部４に目的形状の導電層１６０が形成されることで、ポスト３７が完成される。
ポスト３７が形成されたなら、封止樹脂層８や半田バンプ１１の形成を、第１実施形態と同様に行うことで、半導体パッケージ３０を形成することができる。
【００４７】
この半導体パッケージ３０でも、柔軟性を有する樹脂製の突部４を内蔵するポスト３７を有することによる効果、すなわち、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力の分散によってウェハ１に与える歪みを緩和できること、特にポストのめっき時間の短縮によって短時間かつ低コストでポスト３７を形成できること等は、第１実施形態と同様である。また、ポスト上面３７ａの凹凸によって、ポスト３７と半田バンプ１１との間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、ポスト３７により効果的に分散できることも、第１実施形態と同様である。
この半導体パッケージ３０の製造方法では、樹脂製突部上面４ｂへの凹凸の形成ではなく、樹脂製突部４への導電層１６０のめっき工程において導電層被覆除外部３１を確保することで、ポスト上面３７ｂの凹凸を形成できるため、ポスト３７の形成に掛かる時間の短縮が容易である（図６（ｄ）の樹脂製突部上面４ｂに凹凸を形成する工程が不要）。
また、この半導体パッケージ３０では、導電層被覆除外部３１（溝）に露出するシード層５が、半田バンプ１１と樹脂製突部４との界面に残り、半田バンプ１１の密着性の向上と金属拡散の防止のためのアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）として機能するため、ポスト３７に対する半田バンプ１１の接合強度の一層の向上や、一層の長期信頼性の確保を実現できる。
【００４８】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を、図１３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
この第３実施形態では、前述の第２実施形態の製造方法と同様の手順で、樹脂製突部４を被覆（詳細には樹脂製突部４を被覆するシード層５上を被覆）する導電層１６０を形成（図１３（ａ）参照。導電層６の被覆による形成）した後、導電層被覆除外部３１に露出するシード層５を含めて不要なシード層５をエッチングにより除去する（図１３（ｂ）参照）。次いで、図１３（ｃ）に示すように、ウェハ、絶縁層及び再配線層を封止するとともに導電層１６０が被覆された樹脂製突部４の頂部を露出させる開口部４３を有する封止樹脂層８を形成し、前記開口部４３の内側の領域に薄いアンダーバンプメタル層４２（以下「ＵＢＭ層４２」と略称する場合がある）を被覆することでポスト４１（７）を形成する（図１３（ｄ）参照）。ポスト４１の上面４１ｂには、前記導電層被覆除外部３１に対応する溝７ｂが形成され、この溝７ｂによって、ポスト上面４１ｂの凹凸が形成される。図１３（ｄ）では複数本（図では３本）の溝７ｂが形成されており、ポスト上面４１ｂとしては、平面視した形状が、例えば図２（ｂ）と同様のものが採用される。そして、半田バンプ１１（図示略）をポスト４１の頂部４１ａ上に形成することで、半導体パッケージが形成される。ポスト４１の頂部４１ａでは、導電層１６０の表面や前記導電層被覆除外部３１に露出する樹脂製突部４（あるいは樹脂製突部４上に形成された保護層）上に被覆されて凹凸形状に形成されたＵＢＭ層４２によって、ポスト頂部４１ａの上面４１ｂに凹凸が形成されているから、ポスト４１に対する半田バンプ１１の接合強度を向上できる。また、溝７ｂの向きによって、所望の方向に接合強度の方向性を確保できる。
この実施形態の半導体パッケージでは、ポスト上面４１ｂがＵＢＭとして機能するＵＢＭ層４２によって被覆されるため、半田バンプ１１の接合状態等の長期信頼性を向上できるといった利点もある。また、この実施形態の半導体パッケージの製造方法では、ＵＢＭ層４２を被覆する工程を、封止樹脂層８の形成後に、この封止樹脂層８をマスクとして行えるため、別途、レジスト膜を形成する必要が無く、工程数を減少できるといった利点もある。
【００４９】
第２、第３実施形態では、樹脂製突部４に導電層を被覆する工程を、無光沢浴を用いて、低電流密度でのめっきで行うことが好ましい。これにより、樹脂製突部上面４ｂに被覆される導電層１６０と導電層被覆除外部３１とによって形成される凹凸をより大きくできるため、半田バンプ１１とポストとの間の接合強度の向上の点で有利である。
【００５０】
本発明に係る半導体パッケージは、ウェハ１上の導電層６（再配線層６ａ）上に積層回路を形成することで、これ自体で半導体装置を構成することができる。また、この半導体パッケージは、半田バンプを回路基板に接続して、例えば電子装置に組み込まれる。電子装置とは、前記回路基板と周辺機器を組み合わせたものであり、例えば、モービルホンやパーソナルコンピュータ等である。
【００５１】
（樹脂製突部を持たない半導体パッケージ）
図１４は、樹脂製突部を持たない半導体パッケージの例として、ウェハレベルＣＳＰ８０（以下、ＣＳＰ８０と略称する。ＣＳＰ：Chip Size/Scale Package）を示す。
図１４中、符号８１はウェハ、８２は電極、８３は絶縁層、８４は導電層、８５は封止樹脂層、８６は半田バンプ、８７は銅製のポスト、８８はアンダーバンプメタル層（ＵＢＭ層）である。
ＣＳＰ８０は、電極８２が設けられたウェハ８１と、このウェハ８１上に形成された絶縁層８３と、この絶縁層８３の前記電極８２に整合する領域に形成された開口部を介して前記電極８２に接続された導電層８４と、前記ウェハ８１、前記絶縁層８３及び前記導電層８４を封止する封止樹脂層８５と、この封止樹脂層８５を貫通し頂部８７ａに半田バンプ８６が形成されたポスト８７とを有している。
半田バンプ８６は、ポスト８の頂部８７ａの上面８７ｂに設けられた半田を再溶融（リフロー）することで、ポスト上面８７ｂに形成された凹凸（凹凸を形成する溝８７ｃ）に一部が入り込んだ状態に形成されているため、ポスト８７に対して優れた接合強度が確保されており、容易には剥離等を生じないようになっている。このため、回路基板等の接続時に生じる応力をポスト８７に確実に伝達して、ポスト８７によって効果的に分散、吸収できる。図１４では、ポスト上面８７ｂに３本の溝８７ｃが形成されており、図示を略すが、ポスト上面８７ｂは、丁度図２（ｂ）と同様に、それぞれ所定の基準方向に並行として形成された３本の直線状の溝８７ｃを有する構成になっており、これら溝８７ｃによって半田バンプ１１の接合強度の方向性が与えられている。溝８７ｃは、例えばフォトリソグラフィ技術等で形成したマスクを用いて、ウェットエッチング、プラズマエッチングに代表されるドライエッチング、レーザ加工等によりポスト上面８７ｂの一部を除去して形成する。
なお、この実施形態の封止樹脂層８５は、図５（ａ）、図９、図１０に示す封止樹脂層８ａ、８ｂ、８ｃと同様の構成を採用できる。
【００５２】
図１４に示す例でも、ポストの半田バンプが形成される上面の溝の形成本数、形状等は、前述した実施の形態の半導体パッケージのポスト上面の溝と同様に各種採用可能である。但し、この溝は、上面を横断する基準方向に並行して延在形成される。また、ポスト上面や上面に形成される溝や突条は、予想される応力の作用方向に対して直交する方向に延在形成される。
【００５３】
上述した実施の形態においては、ポストに形成した溝以外の部分が、突条として機能する。また、樹脂製突部を有するポストでは、例えば突条を有する形状に形成した樹脂製突部に導電層を被覆すること等によって、ポスト上面に突条を形成することも可能である。
【００５４】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されず、各種変更が可能である。
例えば、ウェハ上に形成するポストは、樹脂製突部外形にしたがったほぼ円錐台状のものに限定されず、例えば円柱状、角錐台状、半球状（ドーム状）等、各種形状が採用可能である。
樹脂製突部の頂部に、該頂部の凹凸に沿った凹凸の表面形状を有する導電層を被覆形成することでポスト上面の凹凸を形成する場合（前述の第１実施形態がこれに属する）、導電層の凹凸の表面形状は、樹脂製突部の頂部の凹凸と精密に一致されている必要は無く、樹脂製突部の頂部の凹凸形状に概略沿った凹凸になっていれば良い。つまり、樹脂製突部の頂部の凹凸に沿った凹凸形状の導電層表面は、半田バンプとの接触面積の増大、凹凸の凹部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によって、半田バンプとの接合強度を高めるものであり、導電層表面の凹凸の形状の詳細は半田バンプとの接合強度を高められるものであれば良く、各種形状が採用可能である。
また、ポスト上面の凹凸の形成は、樹脂製突部の頂部の凹凸を利用して凹凸の表面形状を有する導電層を形成することに限定されず、樹脂製突部頂部に被覆された導電層の表面粗化エッチング、一部除去、樹脂製突部頂部への導電層の被覆形成時に導電層が形成されない導電層被覆除外部を確保すること、等の手法によっても形成可能であるが、いずれの手法でも、ポスト上面の凹凸の形状は、半田バンプとの接触面積の増大や、凹凸の凹部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によって半田バンプとの接合強度を高めるものであれば良く、各種形状が採用可能である。前記「各種形状」の凹凸とは、例えば図４、図５等に例示したようにポスト上面に規則的に形成された凹凸のみを意味するものでは無く、ポスト上面上に不規則に配置されたものや、ポスト上面に樹枝状になっているもの、溝や穴の断面（深さ方向に沿った断面）が樹枝状になっているもの等も、本発明における凹凸に含まれる。
【００５５】
また、本発明によれば、ウェハ上に設けられた全てのポスト電極（樹脂製突部に目的形状の導電層が被覆形成されたもの等、回路基板等に電気的に接続される導電性部分を有するポスト）の形状や、ウェハ上におけるポスト電極の配置が、応力吸収に好適なものになっていることに必ずしも限定されない。要求される信頼性の程度に応じて、例えば、ポスト電極の形状が応力緩和方向と異なっていたり、ウェハ上でのポスト電極の配置が必ずしも応力の緩和に適したものになっていなかったり、ダミーのポスト電極が存在していても良い。応力緩和方向とは異なるポスト電極の形状とは、その形状によって付与された変形容易な方向性が応力緩和方向と一致しない場合や、変形容易な方向性を付与しない電極形状である場合や、ポスト全体に導電層が被覆形成されている場合等を含む。ダミーのポスト電極とは、再配線層と接続されずに単独で存在するポスト電極であり、チップ（ウェハ）表面の応力バランスの整合を目的の一つとして設けられるポスト電極である。
また、頂部導電層と再配線層との間を接続する線状、扇型等に形成されている側面導電層のポストの側面における形成位置によっても、ポストに変形容易な方向性を付与することができ、本発明は、各実施形態に示されるような複数の側面導電層がポストに存在する構成を対象とするだけでなく、１本の側面導電層の場合で、側面導電層の位置によって変形容易な方向性を付与する場合も含むものである。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ポスト頂部の上面に形成された凹凸によって、ポストに対する半田バンプの接合強度を向上できるため、半田バンプの剥離や抵抗値の増大等を防止できる。このため、従来、応力緩和用に用いられていた緩衝部材を設置すること無く、半田バンプの剥離や抵抗値の増大等を防止することが可能になり、前記緩衝部材を用いることに比べて、厚さ寸法の縮小、低コスト化等を実現できる。この発明では、さらに、ポスト上面の凹凸を、該上面上を横断する基準方向と並行して延在形成された溝又は突条によって形成することで、前記接合強度を特に有効に確保できる方向性が得られる。前記基準方向を、前記ポストに予想される横方向（ウェハにほぼ沿った方向）の応力の作用方向に対してほぼ直交する方向に設定することで、回路基板等の接続時にポストに作用する特定方向の応力に対して、半田バンプの接合強度をより効果的に確保できる。請求項１記載のように、各ポストの前記凹凸を形成する溝又は突条が、前記ウェハ上の前記ポストが形成される領域の中央部を中心とする半径方向に対してほぼ直交する方向に延在されていると、ウェハの回路基板との接続時に各ポストに作用する応力をより効果的に分散、吸収することができ、半田バンプの剥離防止等の他、ウェハの歪み発生の防止等の効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る実施形態の半導体パッケージを示す図であって、（ａ）はポストを避けた位置を断面視した断面図、（ｂ）は（ａ）の半導体パッケージのポストを示す斜視図である。
【図２】  半田バンプが形成されるポスト上面に直線状の溝を複数本形成した例を示す図であって、（ａ）はポストを避けた位置を断面視した断面図、（ｂ）はポスト上面を示す平面図である。
【図３】  （ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージのポスト上面の凹凸形状の別態様を示す断面図である。
【図４】  半導体パッケージのポスト形成領域におけるポストの配置及び各ポスト上面の溝の向きを示す平面図である。
【図５】  本発明の第１実施形態の半導体パッケージを示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はポスト上面を示す平面図である。
【図６】  （ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】  （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の図６以降の工程を工程順に示す断面図である。
【図８】  第１実施形態の半導体パッケージのポストの導電層として、該ポストの頂部上面を被覆する頂部導電層と、該ポストの側面の一部を被覆する側面導電層とを有する導電層を形成した例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）はポストとその近傍を示す平面図である。
【図９】  本発明に係る半導体パッケージのウェハ上に形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。
【図１０】  本発明に係る半導体パッケージのウェハ上に形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。
【図１１】  本発明の第２実施形態の半導体パッケージを示す断面図である。
【図１２】  第２実施形態の半導体パッケージの製造方法を示す図であって、（ａ）は平坦な上面を有する樹脂製突部にシード層を被覆した状態を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の樹脂製突部上面上のシード層上に導電層被覆除外部を確保して導電層を被覆した状態を示す断面図である。
【図１３】  （ａ）〜（ｄ）は第３実施形態の半導体パッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１４】  本発明に係る半導体パッケージとしてのＣＳＰを示す断面図である。
【図１５】  従来例のＣＳＰを示す断面図である。
【図１６】  （ａ）〜（ｅ）は、図１５のＣＳＰの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１７】  発明が解決しようとする課題を示す図であって、ウェハ上に複数形成されたポストに対する回路基板の接続時に作用する応力の方向を示す平面図である。
【符号の説明】
１…ウェハ（Ｓｉウェハ）、２…電極（Ａｌパッド）、３…絶縁層、３ａ…開口部、４…樹脂製突部、４ａ…頂部、６ａ…再配線層、７，７Ａ，７Ｂ，７Ｄ……ポスト、７ａ…頂部、７ｂ，７ｄ，７ｅ…溝、７ｃ…上面、８，８ａ，８ｂ，８ｃ…封止樹脂層、１１…半田バンプ、２０，２０Ａ，３０…半導体パッケージ、３７…ポスト、３７ａ…頂部、３７ｂ…上面、４１…ポスト、４１ａ…頂部、４１ｂ…上面、８０…半導体パッケージ（ＣＳＰ）、８１…ウェハ、８２…電極、８３…絶縁層、８５…封止樹脂層、８６…半田バンプ、８７…ポスト、８７ｂ…上面、８７ｃ…溝、１６０，１６１…導電層、Ａ…基準方向、Ｂ…応力の作用方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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