(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束密度または透磁率の絶対値が基準位置に相当する部分のみにおいて大きく又は小さくされた磁性スケール（１１）と、その磁性スケール（１１）の磁束密度または透磁率の値に応じた電圧を出力する、磁気抵抗素子で形成された第１磁気センサ（２ａ）とを備えたエンコーダにおいて、
前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧に対して９０度位相のずれた電圧（５２）
を出力する、磁気抵抗素子で形成された第２磁気センサ（２ｂ）と、
その第２磁気センサ（２ｂ）の出力電圧（５２）を第１の所定の電圧と比較して矩形波の電圧（５３）を出力する第２電圧比較回路（４）と、
その第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）が立ち上がりの際における前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を前記立ち上がりの際から次の立ち上がりの際まで電圧（５７）を出力するか、又は前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）が立ち下がりの際における前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を前記立ち下がりの際から次の立ち下がりの際まで電圧（５７）を出力するかのいずれかである第２出力回路（６）と、
その第２出力回路（６）の出力電圧（５７）に基づいて、前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧（５８）を出力する第３出力回路（７）と、第３出力回路（７）の出力電圧（５８）と所定の電圧とを比較することで前記基準位置に対応する出力電圧（５８）のみを出力する第３電圧比較回路（８）とを備えていることを特徴とするエンコーダ。
【請求項２】
前記第２出力回路（６）は、第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち上がりの際に第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧を記憶する第１記憶回路（６ｅ）を備えており、該第２出力回路（６）は、前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち上がりの際に前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を出力する一方、前記立ち上がりの際以外の際に前記第１記憶回路（６ｅ）に記憶された電圧を出力するようにされているか、または、
前記第２出力回路（６）は、第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち下がりの際に第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧を記憶する第１記憶回路（６ｅ）を備えており、該第２出力回路（６）は、前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち下がりの際に前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を出力する一方、前記立ち下がりの際以外の際に前記第１記憶回路（６ｅ）に記憶された電圧を出力するようにされているかのいずれかであることを特徴とする請求項１記載のエンコーダ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、直線方向または回転方向その他の一自由度（一次元）方向における変位量（位置）を検出するためのエンコーダに関し、特に、磁気センサの出力電圧が温度変動した場合においても、磁性スケールの基準位置を認識することができるエンコーダに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エンコーダは、直線方向または回転方向その他の一自由度方向における変位量を検出するためのものであり、例えば、図１２に示す一従来例のエンコーダ９０においては、被検出体（図示せず）の変位量を検出するための磁性スケール９１（図１３参照）と、その磁性スケール９１との相対的な位置に応じた電圧を出力する磁気センサ９２と、その磁気センサ９２の出力電圧と第１の所定の電圧とを比較して矩形波の電圧を出力する電圧比較回路９３とを備えている。
【０００３】
磁性スケール９１は、主として比透磁率の大きい材料（いわゆる強磁性体）から成り、ピッチＰ毎に、比透磁率の小さい材料から成る複数の非磁性部９１ａが配設されているものである。この複数の非磁性部９１ａは、略同一の深さに形成された複数の第１非磁性部９１ｂと、その第１非磁性部９１ｂと比較して深く形成された第２非磁性部９１ｃとによって構成されている。
【０００４】
磁気センサ９２は、複数（本従来例においては、２個）の磁気抵抗素子（ＭＲ（Magnetic Resistance）素子）９１ａと、その磁気抵抗素子９１ａに磁束を与えるバイアス磁石９１ｂとによって構成されている。この磁気センサ９２は、磁性スケール９１と磁気センサ９２との相対速度に応じた周期の略正弦波が出力されるようにされている。
【０００５】
磁気抵抗素子は、その磁気抵抗素子を通過する（よぎる）磁束密度の変化によって特性が大きく変動するものである。このため、２個の磁気抵抗素子９１ａは直列に接続されており、磁気センサは、この２つの磁気抵抗素子９１ａの抵抗値比に応じた電圧を出力するのである。
【０００６】
上記のように構成されたエンコーダ９０によれば、磁気センサ９２によって、磁性スケール９１との相対的な位置に応じた電圧が出力されると、電圧比較回路９３によって、磁気センサ９２の出力電圧９４（図１４参照）と所定の電圧９５（図１４参照）とが比較されて矩形波の電圧が出力される。ここで、前記したように、磁性スケール９１に設けられた非磁性部９１ａには、第１非磁性部９１ｂよりも深く形成された第２非磁性部９１ｃが設けられている。このため、磁気センサ９２の出力電圧９４の値は、図１４に示すように、第２非磁性部９１ｃの近傍で大きくなる。エンコーダ９０は、電圧比較回路９３において磁気センサ９２の出力電圧９４と比較される所定の電圧９５の値を適宜の値とすることにより、第２非磁性部９１ｃの近傍のみにおいて、電圧比較回路９３より、ハイレベルの電圧９６が出力される。従って、エンコーダ９０は、磁性スケール９１の基準位置を認識することができるのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、磁気抵抗素子は、使用温度（使用中における磁気抵抗素子自体の温度）の変化によって大きく変動する特性を有するものである。このため、磁気センサ９２の出力電圧９４が温度変動をおこしてしまう。具体的に説明すれば、図１５に示すように、低温時の場合には、磁気センサ９２の出力電圧９４の振幅が全体的に大きくなってしまい、一方、高温時の場合には、図１６に示すように、磁気センサ９２の出力電圧９４がの振幅全体的に小さくなってしまうのである。従って、低温時の場合には、電圧比較回路９３よりハイレベルの電圧９６が複数出力されてしまうという問題点があり、高温時の場合には、電圧比較回路９３によりハイレベルの電圧９６が一つも出力されないという問題点があった。換言すれば、磁気センサ９２の出力電圧９４が温度変動してしまうと、磁性スケール９１の基準位置を認識することができないという問題点があった。
【０００８】
そこで、案出されたのが本発明であって、第１磁気センサの出力電圧が温度変動した場合においても、磁性スケールの基準位置を認識することができるエンコーダを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために請求項１記載のエンコーダは、磁束密度または透磁率の絶対値が基準位置に相当する部分のみにおいて大きく又は小さくされた磁性スケール（１１）と、その磁性スケール（１１）の磁束密度または透磁率の値に応じた電圧を出力する、磁気抵抗素子で形成された第１磁気センサ（２ａ）とを備えたエンコーダにおいて、
前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧に対して９０度位相のずれた電圧（５２）
を出力する、磁気抵抗素子で形成された第２磁気センサ（２ｂ）と、
その第２磁気センサ（２ｂ）の出力電圧（５２）を第１の所定の電圧と比較して矩形波の電圧（５３）を出力する第２電圧比較回路（４）と、
その第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）が立ち上がりの際における前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を前記立ち上がりの際から次の立ち上がりの際まで電圧（５７）を出力するか、又は前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）が立ち下がりの際における前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を前記立ち下がりの際から次の立ち下がりの際まで電圧（５７）を出力するかのいずれかである第２出力回路（６）と、
その第２出力回路（６）の出力電圧（５７）に基づいて、前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧（５８）を出力する第３出力回路（７）と、第３出力回路（７）の出力電圧（５８）と所定の電圧とを比較することで前記基準位置に対応する出力電圧（５８）のみを出力する第３電圧比較回路（８）とを備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
この請求項１に記載のエンコーダによれば、第１磁気センサにより、磁性スケールの磁束密度または透磁率の値に応じた電圧が出力され、第２磁気センサにより、第１磁気センサの出力電圧に対して９０度位相のずれた電圧が出力され、第１電圧比較回路により、第２磁気センサの出力電圧と第１の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧が出力され、第２出力回路により、その第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧が出力される。そして、第３出力回路により、第２出力回路の出力電圧に基づいて、即ち、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧に基づいて、第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧が出力される。
【００１１】
ここで、かかる磁性スケールの磁束密度または透磁率の絶対値は部分的に大きく又は小さくされているので、第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる場合がある。そして、このように第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる場合には、第１磁気センサの出力電圧が温度変動したときにおいても、即ち、第１磁気センサの出力電圧の振幅が全体的に増減したときにおいても、かかる一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる。このため、前記したように第３出力回路によって第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧が出力されれば、第１磁気センサの出力電圧が温度変動した場合においても、磁性スケールの基準位置を認識することができなくなってしまうことが防止される。
【００１２】
また、比較対象となる第１磁気センサの一の波形の位相と別の波形の位相とが互いに異なると、この一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較を正確に行うことが困難となってしまう。従って、前記したように第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧に基づいた電圧が出力されることにより、比較対象となる第１磁気センサの一の波形の位相と別の波形の位相とが一致される。
【００１３】
請求項２記載のエンコーダは、請求項１記載のエンコーダにおいて、前記第２出力回路（６）は、第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち上がりの際に第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧を記憶する第１記憶回路（６ｅ）を備えており、該第２出力回路（６）は、前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち上がりの際に前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を出力する一方、前記立ち上がりの際以外の際に前記第１記憶回路（６ｅ）に記憶された電圧を出力するようにされているか、または、
前記第２出力回路（６）は、第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち下がりの際に第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧を記憶する第１記憶回路（６ｅ）を備えており、該第２出力回路（６）は、前記第２電圧比較回路（４）の出力電圧（５３）の立ち下がりの際に前記第１磁気センサ（２ａ）の出力電圧（５１）を出力する一方、前記立ち下がりの際以外の際に前記第１記憶回路（６ｅ）に記憶された電圧を出力するようにされているかのいずれかであることを特徴とするものである。
【００１４】
この請求項２記載のエンコーダによれば、請求項１記載のエンコーダと同様に作用する上、第２出力回路により、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際には、第１磁気センサの出力電圧が出力され、一方、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際もしくは立ち下がりの際以外の際には、第１記憶回路に記憶された電圧が出力される。ここで、第１記憶回路への第１磁気センサの出力電圧の記憶は、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際もしくは立ち下がりの際に行われる。即ち、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際以外の際における第２出力回路の出力電圧が、第１電圧比較回路の出力電圧が立ち上がる際または立ち下がる際における第２出力回路の出力電圧と、略（ほぼ）同一とされる。従って、第２出力回路の出力電圧の単位時間当たりの変位量を検出することにより、磁性スケールの基準位置が認識可能とされる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明は、直線方向または回転方向その他の一自由度（一次元）方向における変位量（位置）を検出するためのエンコーダに関するものであり、従来のように磁気センサの出力電圧と所定の電圧とを比較することにより磁性スケールの基準位置（即ち、計測対象物の基準位置）を認識するものではなく、磁気センサ（「特許請求の範囲」の欄に記載の第１磁気センサを意味している。）の出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧を出力することにより磁性スケールの基準位置を認識するものである。従って、本発明に係るエンコーダによれば、磁気センサの出力電圧が温度変動した場合にも、即ち、磁気センサの出力電圧の振幅が全体的に増減した場合にも、磁性スケールの基準位置を認識することができなくなってしまうことを防止することができるのである。以下、本発明の好ましい実施例について、添付図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施例であるエンコーダ１のブロック図である。エンコーダ１には、主として、磁気センサ２と、第１電圧比較回路３と、第２電圧比較回路４と、エッジトリガ回路５と、サンプルアンドホールド回路６と、微分回路７と、第３電圧比較回路８と、磁性スケール１１とが設けられている。
【００１７】
磁気センサ２は、透磁率の大きさに応じた電圧を出力するためのセンサであり、第１磁気センサ２ａと、第２磁気センサ２ｂと、バイアス磁石２ｃ（図３参照）とを備えている。この第１磁気センサ２ａ又は第２磁気センサ２ｂによって出力される電圧（即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１、又は第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２（図４から図６を参照））は、磁性スケール（図２および図３参照）１１との相対的な位置に応じて変化するようにされている。
【００１８】
第１磁気センサ２ａは、第１磁気抵抗素子２ａ１と、第２磁気抵抗素子２ａ２とを備えている。これら第１磁気抵抗素子２ａ１及び第２磁気抵抗素子２ａ２は、磁束密度の大きさ（磁場の強弱）を感知するための磁気抵抗素子（ＭＲ（Magnetic Resistance）素子）である。「従来の技術」の欄で説明したように、磁気抵抗素子は、使用温度の変化によって特性が大きく変動するものである。このため、第１磁気抵抗素子２ａ１の一端と第２磁気抵抗素子２ａ２の一端とは互いに接続されており、一方、第１磁気抵抗素子２ａ１の他端は電圧源に接続されており、第２磁気抵抗素子２ａ２の他端は接地されている。即ち、第１磁気抵抗素子２ａ１及び第２磁気抵抗素子２ａ２は、直列に接続されており、この第１磁気抵抗素子２ａ１及び第２磁気抵抗素子２ａ２には、直流電圧Ｖｃｃが印可されている。そして、第１磁気センサ２ａの出力端子ａは、この第１磁気抵抗素子２ａ１と第２磁気抵抗素子２ａ２の間に設けられている。従って、第１磁気センサ２ａは、第１磁気抵抗素子２ａ１と第２磁気抵抗素子２ａ２との抵抗値比に応じた電圧を出力するのである。
【００１９】
一方、第２磁気センサ２ｂは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１に対して略（ほぼ）９０度位相のずれた電圧を出力するものであり、第３磁気抵抗素子２ａ３と、第４磁気抵抗素子２ａ４とを備えている。これら第３磁気抵抗素子２ａ３及び第４磁気抵抗素子２ａ４も、第１磁気抵抗素子２ａ１及び第２磁気抵抗素子２ａ２と同様に、磁束密度の大きさ（磁場の強弱）を感知するための磁気抵抗素子（ＭＲ（Magnetic Resistance）素子）である。第２磁気センサ２ｂは、第１磁気センサ２ａと同様に構成されている。具体的には、かかる第３磁気抵抗素子２ａ３及び第４磁気抵抗素子２ａ４は、直列に接続されており、この第３磁気抵抗素子２ａ３及び第４磁気抵抗素子２ａ４には、直流電圧Ｖｃｃが印可されている。そして、第２磁気センサ２ｂの出力端子は、この第３磁気抵抗素子２ａ３と第４磁気抵抗素子２ａ４との間に設けられているのである。従って、第２磁気センサ２ｂは、第３磁気抵抗素子２ａ３と第４磁気抵抗素子２ａ４との抵抗値比に応じた電圧を出力するのである。
【００２０】
図２は、磁性スケール１１の斜視図である。磁性スケール１１は、主として比透磁率が大きい材料（いわゆる強磁性体）から成るものであり、図２に示すように、略円柱状に形成されている。この磁性スケール１１の側面には、比透磁率の小さい材料から成る複数の非磁性部１２が配設されており、互いに隣り合う非磁性部１２，１２の間には、磁性部１３が形成されている。
【００２１】
図３は、磁気センサ２と磁性スケール１１との位置関係を示した図である。図３に示すように、磁性スケール１１の側面に配設された複数の非磁性部１２は、ピッチＰ毎に配設されており、略同一の深さに形成された複数の第１非磁性部１２ａと、その第１非磁性部１２ａと比較して浅く形成された一つの第２非磁性部１２ｂとによって構成されている。従って、磁気センサ２の出力電圧５１，５２が第２非磁性部１２ｂの近傍のみにおいて異なるのである。即ち、磁性スケール１１の基準位置を認識することができるのである。
【００２２】
非磁性部１２の幅Ｑ及び磁性部１３の幅Ｒは、ピッチＰの略半分の長さにされている。これは、非磁性部１２の幅Ｑと磁性部１３の幅Ｒとが略同一の幅とされており、磁性部１３も非磁性部１２と同様にピッチＰ毎に配設されていることを意味する。このように磁性スケール１１に形成された非磁性部１２及び磁性部１３は所定のピッチＰ毎に規則正しく配設されているので、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１は略正弦波となるのである。第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が略正弦波となる場合、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が最も大きくなる位相は、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が「０」となる位相に対して略９０度位相のずれた位相である。ところで、前記したように、第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２は、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の位相に対して略９０度位相がずれている。従って、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が略正弦波となる場合においては、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とを比較する位相を、それらの波形を比較する度に変更しなくとも、磁性スケール１１の基準位置を認識する信頼性が損なわれてしまうことを防止することができるのである。
【００２３】
一方、磁気センサ２は、磁性スケール１１に相対する位置に配設されている。この磁気センサ２の背面側（即ち、磁気センサ２を基準とした場合における磁性スケール１１側に対する反対側）に、バイアス磁石２ｃが配設されている。このバイアス磁石２ｃは、第１磁気センサ２ａ及び第２磁気センサ２ｂに磁束を与えるものである。このバイアス磁石２ｃから発生する磁束（磁力線）は比透磁率の大きい磁性部１３の方へ集中するので、磁性部１３の上方の磁束密度が高くなり、一方、非磁性部１２の上方の磁束密度は低くなる。このため、磁気センサ２が磁性スケール１１に沿って移動させられると、即ち、磁気センサ２と磁性スケール１１との相対的な位置が変化すると、磁気センサ２は、正弦波の信号を出力するのである。この正弦波の信号の周期は、磁気センサ２と磁性スケール１１との相対的な位置の変化が速ければ短くなり、磁気センサ２と磁性スケール１１との相対的な位置の変化が遅ければ長くなる。
【００２４】
図１に示す第１電圧比較回路３は、第１磁気センサ２ａの出力電圧（即ち、出力端子ａにおける電圧）５１と第１の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧を出力する回路である。この第１電圧比較回路３は、第１可変抵抗器３ａと第１電圧比較器３ｂとを備えている。第１可変抵抗器３ａは、第１の所定の電圧を出力するものであり、この第１可変抵抗器３ａの一端は電圧源に接続されており、第１可変抵抗器３ａの他端は接地されている。第１電圧比較器３ｂは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１と第１可変抵抗器３ａの出力電圧５１ａとの差に応じた矩形波の電圧を出力するものである。
【００２５】
第２電圧比較回路４は、第２磁気センサ２ｂの出力電圧（即ち、出力端子ｂにおける電圧）５２と第２の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧を出力するものである。この第２電圧比較回路４は、第２可変抵抗器４ａと第２電圧比較器４ｂとを備えている。第２可変抵抗器４ａは、第２の所定の電圧（本実施例においては、第１の所定の電圧と略同一の電圧）を出力するものであり、この第２可変抵抗器４ａの一端は電圧源に接続されており、第２可変抵抗器４ａの他端は接地されている。第２電圧比較器４ｂは、第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２と第２可変抵抗器４ａの出力電圧５２ａとの差に応じた矩形波の電圧を出力するものである。
【００２６】
エッジトリガ回路５は、第２電圧比較回路４の出力電圧５３の立ち上がり又は立ち下がりに応じた電圧を出力する回路であり、位相遅れ回路５ａと、エクスクルーシブ・オア（Exclusive-OR）回路５ｂとを備えている。位相遅れ回路５ａは、第２電圧比較回路４の出力電圧５３を位相遅れさせた電圧を出力するためのものであり、本実施例では、第１抵抗５ａ１と第１コンデンサ５ａ２とによって構成されている。エクスクルーシブ・オア回路５ｂは、第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６との排他的論理和に基づいた電圧を出力するためのものであり、このエクスクルーシブ・オア回路５ｂの出力電圧は、エッジトリガ回路５の出力電圧５４となる。以下、具体的に説明すると、かかるエクスクルーシブ・オア回路５ｂの出力電圧（エッジトリガ回路５の出力電圧５４）は、第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６とが共にハイレベルである場合、又は第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６とが共にローレベルである場合には、ローレベルとなる。一方、第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６とが異なる場合（即ち、第２電圧比較回路４の出力電圧５３がハイレベルであり且つ位相遅れ回路５ａの出力電圧５６がローレベルである場合、又は第２電圧比較回路４の出力電圧５３がローレベルであり且つ位相遅れ回路５ａの出力電圧５６がハイレベルである場合）には、エクスクルーシブ・オア回路５ｂの出力電圧（エッジトリガ回路５の出力電圧５４）はハイレベルとなる。従って、第２電圧比較回路４の立ち上がり及び立ち下がりの有効に活用することができるのである。
【００２７】
なお、エクスクルーシブ・オア回路５ｂにより第２電圧比較回路４の出力電圧５３と比較される電圧は、必ずしも、位相遅れ回路５ａの出力電圧５６、即ち、第２電圧比較回路４の出力電圧５３を位相遅れさせた電圧に限られるものではなく、第２電圧比較回路４の出力電圧５３を位相進みさせた電圧であっても良い。換言すれば、第２電圧比較回路４の出力電圧５３を位相遅れさせる位相遅れ回路５ａに代えて、第２電圧比較回路４の出力電圧５３を位相進みさせる位相進み回路を配設するようにしても良い。
【００２８】
ここで、前記したように、第２電圧比較回路４は、第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２と第２可変抵抗器４ａの出力電圧５２ａとの差に応じた矩形波の電圧を出力するものである。従って、第２可変抵抗器４ａの出力電圧５２ａが一定である場合には、第２電圧比較回路４の出力電圧５３の一の波形の立ち下がりと其の一の波形の次の波形の立ち下がりとの間の周期（即ち、エッジトリガ回路５の出力電圧５４の周期）と、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の周期とは、一致する。ところで、比較対象となる第１磁気センサ２ａの一の波形の位相と別の波形の位相とが互いに異なると、この一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較を正確に行うことが困難となってしまう。しかしながら、前記したようにエッジトリガ回路５の出力電圧５４に基づいて第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とを比較するようにすると、換言すれば、第２電圧比較回路４の出力電圧５３の立ち下がり又は立ち上がりに基づいて第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とを比較するようにすると、比較対象となる第１磁気センサ２ａの一の波形の位相と別の波形の位相とを一致させることができるのである。即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較を正確に行うことが困難となってしまうことを防止することができ、磁性スケール１１の基準位置を認識する信頼性を向上することもできるのである。
【００２９】
サンプルアンドホールド回路６は、所定の位相における第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を保持するものであり、本実施例においては、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を、その第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となるところで保持している。かかるサンプルアンドホールド回路６は、第１スイッチ素子６ａと、第２スイッチ素子６ｂと、第３スイッチ素子６ｃと、第４スイッチ素子６ｄと、第２コンデンサ６ｅと、第１オペアンプ６ｆと、第２第２抵抗６ｇとを備えている。
【００３０】
第１スイッチ素子６ａ及び第２スイッチ素子６ｂは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となる場合にのみ、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を伝達するためのものであり、第１磁気センサの端子ａと第２抵抗６ｇとの間に直列に接続されている。一方、第３スイッチ素子６ｃ及び第４スイッチ素子６ｄは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となる場合に、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を第２コンデンサ６ｅに伝達する一方、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となる場合以外の場合に、第２コンデンサ６ｅの放電電圧が第１オペアンプ６ｆの逆相入力端子に印可されてしまうことを防止するためのものである。
【００３１】
第２コンデンサ６ｅは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となるところで其の第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を蓄電するものであり、第２抵抗６ｇと並列に接続されている。この第２コンデンサ６ｅには、第１スイッチ素子６ａ、第２スイッチ素子６ｂ、第３スイッチ素子６ｃ及び第４スイッチ素子６ｄがオン状態である場合（即ち、閉塞している場合）に、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が蓄電するようにされている。そして、この第２コンデンサ６ｅに蓄電された電圧は、第１スイッチ素子６ａ及び第３スイッチ素子６ｃの組、又は第２スイッチ素子６ｂ及び第４スイッチ素子６ｄの組のうち、少なくとも何れか１組のスイッチ素子がオフ状態である場合（即ち、開放している場合）に、放電するようにされている。
【００３２】
第１オペアンプ６ｆは、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１又は第２コンデンサ６ｅの蓄電電圧のうち何れか一の電圧を出力するものであり、第１スイッチ素子６ａ及び第２スイッチ素子６ｂが共にオン状態である場合に、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１を出力する。一方、第１オペアンプ６ｆは、第１スイッチ素子６ａ及び第３スイッチ素子６ｃの組、又は第２スイッチ素子６ｂ及び第４スイッチ素子６ｄの組のうち、少なくとも何れか１組のスイッチ素子がオフ状態である場合（即ち、開放している場合）に、放電するようにされている。
【００３３】
また、前記したように第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅の最大値は、第２非磁性部１２ｂの近傍のみにおいて異なる。即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とが異なるのである。このため、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７は、第２非磁性部１２ｂの近傍のみにおいて低くなる。このように第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とが異なる場合には、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が温度変動したときにおいても、即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が全体的に増減したときにおいても、かかる一の波形の最大値と別の波形の最大値とが異なる。従って、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７により、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が温度変動した場合においても、磁性スケール１１の基準位置を認識することができなくなってしまうことを防止することができるのである。
【００３４】
微分回路７は、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７を微分するものであり、本実施例においては、第３抵抗７ａと、第４抵抗７ｂと、第３コンデンサ７ｃと、第２オペアンプ７ｄとによって構成されている。前記したようにサンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７の最大値は、第２非磁性部１２ｂの近傍のみにおいて異なる。このため、微分回路７の出力電圧５８は、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７が変化する位相においてのみ、変化するのである。即ち、微分回路７の出力電圧５８の単位時間当たりの変化量を検出することにより、磁性スケール１１の基準位置を精密に認識することができるのである。
【００３５】
第３電圧比較回路８は、微分回路７の出力電圧５８と第３の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧を出力するためのものであり、第３可変抵抗器８ａと、第３電圧比較器８ｂとを備えている。第３可変抵抗器８ａは、第３の所定の電圧を出力するものであり、この第３可変抵抗器８ａの一端は電圧源に接続されており、一方、第３可変抵抗器８ａの他端は接地されている。第３電圧比較器８ａは、微分回路７の出力電圧５８と第３可変抵抗器８ａの出力電圧５８ａとの差に応じた矩形波の電圧を出力するものである。ここで、微分回路７の出力電圧５８が変化する場合、この微分回路７の出力電圧５８の単位時間当たりの変化量が正数となる場合と負数となる場合がある。そして、前記した通り微分回路７の出力電圧５８と第３の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧を出力することにより、磁性スケール１１の基準位置にあたる微分回路７の出力電圧５８の変化のみを選択することができるのである。
【００３６】
次に、図４から図６を参照して、上記のように構成されたエンコーダ１の動作について説明する。図４は、常温時におけるエンコーダ１のタイミングチャートであり、図５は、低温時におけるエンコーダ１のタイミングチャートであり、図６は、高温時におけるエンコーダ１のタイミングチャートである。なお、図４から図６においては、本発明の理解を容易にするために、磁気センサ２の磁性スケール１１に対する移動方向のうち一の移動方向のみについて図示されている。
【００３７】
磁気センサ２が磁性スケール１１に沿って摺動させられると、第１磁気センサ２ａにより、略正弦波の電圧が出力される（図４（ｂ）、図５（ｂ）、及び図６（ｂ）参照）。この第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅の最大値は、第１磁気センサ２ａが磁性スケール１１の近傍に位置する場合に、最小となる。このように第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が最小となる理由は、磁性スケール１１に設けられた非磁性部１２は第１非磁性部１２ａと第２非磁性部１２ｂとによって構成されているが、非磁性部１２のうち第２非磁性部１２ｂのみが第１非磁性部１２ａよりも浅く形成されていることに起因している（図４（ａ）、図５（ａ）、及び図６（ａ）参照）。
【００３８】
また、「課題を解決するための手段」の欄で説明したように、第１磁気センサ２ａを構成する第１磁気抵抗素子２ａ１及び第２磁気抵抗素子２ａ２は、使用温度（使用中における磁気抵抗素子自体の温度）の変化によって大きく変動する特性を有する。このため、第１磁気センサ２ａによれば、低温時の場合には、常温時における電圧より高い電圧が出力され（図５（ｂ）参照）、高温時の場合には、常温時における電圧より低い電圧が出力される（図６（ｂ）参照）。
【００３９】
一方、磁気センサ２が磁性スケール１１に沿って摺動させられると、第２磁気センサ２ｂにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１に対して略９０度位相のずれた略正弦波の電圧が出力される（図４（ｃ）、図５（ｃ）、及び図６（ｃ）参照）。この第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２の振幅の最大値も、上述した理由と同様の理由により、第２磁気センサ２ｂが磁性スケール１１の近傍に位置する場合に、最小となる。
【００４０】
第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が第１電圧比較回路３に入力されると、第１電圧比較回路３により、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１と第１可変抵抗器３ａの出力電圧５１ａとが比較され、これら２つ電圧の差に応じた矩形波の電圧が出力される（図４（ｄ）、図５（ｄ）、及び図６（ｄ）参照）。一方、第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２が第２電圧比較回路４に入力されると、第２電圧比較回路４により、第２磁気センサ２ｂの出力電圧５２と第２可変抵抗器４ａの出力電圧５２ａとが比較され、これら２つの電圧の差に応じた矩形波の電圧が出力される（図４（ｅ）、図５（ｅ）、及び図６（ｅ）参照）。
【００４１】
第２電圧比較回路４の出力電圧５３がエッジトリガ回路５に入力されると、そのエッジトリガ回路５により、第２電圧比較回路４の出力電圧５３の立ち上がり又は立ち下がりに応じた電圧が出力される（図４（ｇ）、図５（ｇ）、及び図６（ｇ）参照）。即ち、位相遅れ回路５ａにより、第２電圧比較回路４の電圧を位相遅れさせた電圧が出力され（図４（ｆ）、図５（ｆ）、及び図６（ｆ）参照）、エクスクルーシブ・オア回路５ｂにより、第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６との差に応じた電圧が出力されるのである。具体的には、第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６とが共にハイレベルである場合、又は第２電圧比較回路４の出力電圧５３と位相遅れ回路５ａの出力電圧５６とが共にローレベルである場合には、ローレベルの電圧が出力される。一方、第２電圧比較回路４の出力電圧５３がハイレベルであり且つ位相遅れ回路５ａの出力電圧５６がローレベルである場合、又は第２電圧比較回路４の出力電圧５３がローレベルであり且つ位相遅れ回路５ａの出力電圧５６がハイレベルである場合には、ハイレベルの電圧が出力されるのである。
【００４２】
エッジトリガ回路５によりハイレベルの電圧５４ａが出力されると、オフ状態であった第２スイッチ素子６ｂ及び第４スイッチ素子６ｄがオン状態とされる。同様に、第１電圧比較回路３によりハイレベルの電圧５５ａが出力されると、オフ状態であった第１スイッチ素子６ａ及び第３スイッチ素子６ｃがオン状態とされる。そして、第１スイッチ素子６ａ、第２スイッチ素子６ｂ、第３スイッチ素子６ｃ及び第４スイッチ素子６ｄが全てオン状態とされると、第１オペアンプ６ｆにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１がそのまま出力されるとともに、第２コンデンサ６ｅにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が蓄電される。
【００４３】
一方、エッジトリガ回路５によりローレベルの電圧５４ｂが出力されると、第２スイッチ素子６ｂ及び第４スイッチ素子６ｄがオフ状態とされる。同様に、第１電圧比較回路３によりローレベルの電圧５５ｂが出力されると、第１スイッチ素子６ａ及び第３スイッチ素子６ｃがオフ状態とされる。そして、第１スイッチ素子６ａ及び第２スイッチ素子６ｂのうちの少なくとも何れか一のスイッチ素子がオフ状態とされ、且つ第３スイッチ素子６ｃ及び第４スイッチ素子６ｄのうちの少なくとも一のスイッチ素子がオフ状態とされると、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１がそのまま出力されず、第１オペアンプ６ｆにより、第２コンデンサ６ｅに一端蓄電された第１磁気センサ２ａの出力電圧５１、即ち、第２コンデンサ６ｅの放電電圧が出力されるのである。
【００４４】
このように、第１スイッチ素子６ａ、第２スイッチ素子６ｂ、第３スイッチ素子６ｃ及び第４スイッチ素子６ｄが全てオン状態である場合には、即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となる場合には、第１オペアンプ６ｆにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１がそのまま出力されるとともに、第２コンデンサ６ｅにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が蓄電される。一方、第１スイッチ素子６ａ及び第３スイッチ素子６ｃの組、又は第２スイッチ素子６ｂ及び第４スイッチ素子６ｄの組のうち、少なくとも何れか１組のスイッチ素子がオフ状態である場合には、即ち、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の振幅が略最大となる以外の場合には、第２コンデンサ６ｅの放電電圧が出力される。このため、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とが異なる場合には、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７の最大値も異なるのである。従って、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７により、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１の一の波形の最大値と別の波形の最大値とを区別することができる。ところで、前記したように、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１は、温度が変化した場合に、振幅の最大値が変動する。しかしながら、この場合においても、第１磁気センサ２ａの出力電圧５１が磁性スケール１１の第２非磁性部１２ｂの近傍に位置するときに、最小となる。即ち、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７により、第２磁気センサ２ａの出力電圧５１が温度変動した場合においても、磁性スケール１１の基準位置を認識することができなくなってしまうことを防止することができるのである。
【００４５】
サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７が微分回路７に入力されると、微分回路７により、サンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７が微分される（図４（ｉ）、図５（ｉ）、及び図６（ｉ）参照）。前記したようにサンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７の最大値は、第２非磁性部１２ｂの近傍のみにおいて異なる。従って、微分回路７によりサンプルアンドホールド回路６の出力電圧５７が微分されると、微分回路７の出力電圧５８が変化する。従って、この微分回路７の出力電圧５８の単位時間当たりの変化量を検出するだけで、磁性スケール１１の基準位置を認識することができるのである。
【００４６】
微分回路７の出力電圧５８が第３電圧比較回路８に入力されると、第３電圧比較回路８により、微分回路の７出力電圧５８と第３可変抵抗器８ａの出力電圧５８ａとが比較され、これら２つの電圧の差に応じた矩形波の電圧が出力される（図４（ｊ）、図５（ｊ）、及び図６（ｊ）参照）。ここで、微分回路７の出力電圧５８が変化する場合、この微分回路７の出力電圧５８の単位時間当たりの変化量が正数となる場合と負数となるときがある。このため、前記した通り微分回路７の出力電圧５８と第３の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧を出力することにより、磁性スケール１１の基準位置にあたる微分回路７の出力電圧５８の変化のみを選択することができるのである。
【００４７】
次に、図７から図１１までを参照して、上記第１実施例の変形例について説明する。図７は、第２実施例のエンコーダ２００のブロック図であり、図８は、磁気センサ２ａと磁性スケール２１１との位置関係を示した図である。図９は、常温時におけるエンコーダ２００のタイミングチャートであり、図１０は、低温時におけるエンコーダ２００のタイミングチャートであり、図１１は、高温時におけるエンコーダ２００のタイミングチャートである。以下、第１実施例と同一の部分には同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分のみを説明する。なお、第２実施例においても、本発明の理解を容易にするために、磁気センサ２に対する磁性スケール２１１の移動方向のうち一の移動方向のみについて図示されている。
【００４８】
図７及び図８に示すように、第２実施例のエンコーダ２００には、主として、磁気センサ２と、第１電圧比較回路３と、第２電圧比較回路４と、エッジトリガ回路５と、サンプルアンドホールド回路６と、微分回路７と、第３電圧比較回路８と、磁性スケール２１１と、反転回路２０９とが設けられている。
【００４９】
図８に示す第２磁性スケール２１１は、第１実施例のエンコーダ１の磁性スケール１１と略同一に形成されている。第２磁性スケール２１１と磁性スケール１１との異なる点を説明すると、磁性スケール１１においては、第１非磁性部１２ａと比較して浅く形成された第２非磁性部１２ｂが配設されているが、第２磁性スケール２１１においては、第２非磁性部１２ｂの代わりに、第１非磁性部１２ａと比較して深く形成された第３非磁性部２１２ｂが配設されている。従って、第２実施例の磁気センサ２（第１磁気センサ２ａ及び第２磁気センサ２ｂ）の出力電圧の振幅は、第３非磁性部２１２ｂの近傍のみにおいて大きくなるのである。
【００５０】
一方、図７に示す反転回路２０９は、第１電圧比較回路３の出力電圧を反転するものである（図９（ｄ２）、図１０（ｄ２）、及び図１１（ｄ３）参照）。このように、第１電圧比較回路３の出力電圧を反転することにより、第１磁気センサ２ａの出力電圧の振幅が略最小となる位相において、第１磁気センサ２ａの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較をすることができる。即ち、第１磁気センサ２ａ及び第２磁気センサ２ｂ）の出力電圧の振幅が第３非磁性部２１２ｂの近傍のみにおいて大きくなる場合においても、第１磁気センサ２ａの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較をすることができるのである。
【００５１】
なお、第２実施例のエンコーダ２００の動作は、第１実施例のエンコーダ１の動作と同様な動作である。このため、図９から図１１にタイミングチャートを図示し、第２実施例のエンコーダ２００の動作の説明は、省略する。
【００５２】
以上、実施例に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形が可能であることは容易に推察することができるものである。
【００５３】
例えば、本実施例によれば、磁性スケール１１の側面に磁性部１１ｂと非磁性部１１ａとが交互に形成されており、磁気センサ２は、磁気センサ２と磁性スケール１１との相対的な位置が変化した場合に、磁性部１１ｂおよび非磁性部１１ａの非透磁率の大きさに応じた電圧５１，５２を出力する。しかしながら、磁気センサ２は、必ずしも、かかる非透磁率の大きさに応じた電圧５１，５２を出力するものにかぎられるものではなく、例えば、磁性スケールが磁石材である場合には、その磁性スケールの磁束密度の大きさに応じた電圧を出力するようにしても良い。
【００５４】
なお、後述する「符号の説明」の欄において、「発明の詳細な説明」の欄に記載された用語と「特許請求の範囲」の欄に記載された用語との対応が記載されている。しかしながら、当然に、この記載は、「特許請求の範囲」の欄に記載された各用語の意義を限定することを、意図するものではない。また、「特許請求の範囲」の欄に記載の「記憶する」は、メモリその他の記憶回路に記憶しておくことのみを意味するものではなく、コンデンサその他の蓄電回路に蓄電することの意味をも含むものとする。
【００５５】
【発明の効果】
請求項１記載のエンコーダによれば、第１磁気センサにより、磁性スケールの磁束密度または透磁率の値に応じた電圧が出力され、第２磁気センサにより、第１磁気センサの出力電圧に対して９０度位相のずれた電圧が出力され、第１電圧比較回路により、第２磁気センサの出力電圧と第１の所定の電圧との差に応じた矩形波の電圧が出力され、第２出力回路により、その第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧が出力される。そして、第３出力回路により、第２出力回路の出力電圧に基づいて、即ち、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧に基づいて、第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧が出力される。
【００５６】
ここで、かかる磁性スケールの磁束密度または透磁率の絶対値は部分的に大きく又は小さくされているので、第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる場合がある。そして、このように第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる場合には、第１磁気センサの出力電圧が温度変動したときにおいても、即ち、第１磁気センサの出力電圧の振幅が全体的に増減したときにおいても、かかる一の波形の大きさと別の波形の大きさとが異なる。このため、前記したように第３出力回路によって第１磁気センサの出力電圧の一の波形の大きさと別の波形の大きさとの差に応じた電圧が出力されれば、第１磁気センサの出力電圧が温度変動した場合においても、磁性スケールの基準位置を認識することができなくなってしまうことが防止される。
【００５７】
また、比較対象となる第１磁気センサの一の波形の位相と別の波形の位相とが互いに異なると、この一の波形の大きさと別の波形の大きさとの比較を正確に行うことが困難となってしまう。従って、前記したように第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際における第１磁気センサの出力電圧に基づいた電圧が出力されることにより、比較対象となる第１磁気センサの一の波形の位相と別の波形の位相とが一致される。
【００５８】
請求項２記載のエンコーダによれば、請求項１記載のエンコーダと同様に作用する上、第２出力回路により、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際には、第１磁気センサの出力電圧が出力され、一方、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際もしくは立ち下がりの際以外の際には、第１記憶回路に記憶された電圧が出力される。ここで、第１記憶回路への第１磁気センサの出力電圧の記憶は、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際もしくは立ち下がりの際に行われる。即ち、第１電圧比較回路の出力電圧の立ち上がりの際または立ち下がりの際以外の際における第２出力回路の出力電圧が、第１電圧比較回路の出力電圧が立ち上がる際または立ち下がる際における第２出力回路の出力電圧と、略（ほぼ）同一とされる。従って、第２出力回路の出力電圧の単位時間当たりの変位量を検出することにより、磁性スケールの基準位置が認識可能とされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例であるエンコーダのブロック図である。
【図２】  上記実施例のエンコーダを構成する磁性スケールの斜視図である。
【図３】  磁気センサと磁性スケールとの位置関係を示した図である。
【図４】  常温時におけるエンコーダのタイミングチャートである。
【図５】  低温時におけるエンコーダのタイミングチャートである。
【図６】  高温時におけるエンコーダのタイミングチャートである。
【図７】  第２実施例のエンコーダのブロック図である。
【図８】  第２実施例のエンコーダを構成する磁気センサと磁性スケールとの位置関係を示した図である。
【図９】  第２実施例のエンコーダの常温時におけるタイミングチャートである。
【図１０】  第２実施例のエンコーダの低温時におけるタイミングチャートである。
【図１１】  第２実施例のエンコーダの高温時におけるタイミングチャートである。
【図１２】  従来技術のエンコーダのブロック図である。
【図１３】  従来技術のエンコーダを構成する磁気センサと磁性スケールとの位置関係を示した図である。
【図１４】  従来技術のエンコーダの常温時におけるタイミングチャートである。
【図１５】  従来技術のエンコーダの低温時におけるタイミングチャートである。
【図１６】  従来技術のエンコーダの高温時におけるタイミングチャートである。
【符号の説明】
１，２００      エンコーダ
２ａ            第１磁気センサ
２ｂ            第２磁気センサ
３              第１電圧比較回路（第３電圧比較回路）
４              第２電圧比較回路（第１出力回路の一部、及び、第１電圧比較回路）
５              エッジトリガ回路（第１出力回路の一部）
５ａ            位相遅れ回路（第１出力回路の一部）
５ｂ            エクスクルーシブ・オア回路（第１出力回路の一部）
６              サンプルアンドホールド回路（第１出力回路の一部、及び、第２出力回路）
６ｅ            第２コンデンサ（第１出力回路の一部、並びに、第１記憶回路および第１蓄電回路または第２記憶回路および第２蓄電回路）
７              微分回路（第１出力回路の一部、第３出力回路、及び微分回路）
８              第３電圧比較回路（第１出力回路の一部、第３出力回路、及び第２電圧比較回路）
１１，２１１    磁性スケール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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