(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対向する媒体対向面及び前記媒体対向面と対向する背面を有する磁気ヘッド部を備える熱アシスト磁気ヘッドであって、
前記磁気ヘッド部は、
電磁変換素子と、
前記媒体対向面と前記背面との対向方向に沿って延在する第１光導波路と、
前記媒体対向面と前記背面との間に位置すると共に前記媒体対向面と前記背面との間における光の透過を妨げる第１遮光体、第２遮光体、第３遮光体及び第４遮光体とを有し、
前記第１光導波路並びに前記第１遮光体及び前記第２遮光体は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、同一直線上に配列されており、
前記第１光導波路並びに前記第１遮光体及び前記第２遮光体が配列された前記直線は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、前記第３遮光体と前記第４遮光体との間に位置しており、
前記第３遮光体及び前記第４遮光体は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、前記第１光導波路並びに前記第１遮光体及び前記第２遮光体が配列された前記直線と略直交する直線上に配列されている熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１光導波路は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、前記第１遮光体と前記第２遮光体との間に位置している請求項１に記載された熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第３遮光体及び前記第４遮光体は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、前記第１光導波路並びに前記第１遮光体及び前記第２遮光体が配列された直線に沿う方向にそれぞれ延在している請求項１又は２に記載された熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１遮光体、前記第２遮光体、前記第３遮光体及び前記第４遮光体は、前記背面に露出している請求項１〜３のいずれか一項に記載された熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁気ヘッド部は、前記媒体対向面と前記背面との対向方向に沿って延在する第２光導波路を更に有し、
前記第２光導波路は、前記媒体対向面又は前記背面から見たときに、前記第３遮光体と前記第４遮光体との間に位置している請求項１〜４のいずれか一項に記載された熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載された熱アシスト磁気ヘッドと、
前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えるヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載されたヘッドジンバルアセンブリと、
前記媒体対向面に対向する磁気記録媒体とを備えるハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）、及び、ＨＧＡを備えたハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ：Magneto Resistive）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、磁気記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力がこの書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると、書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に磁気記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。
【０００６】
このような熱アシスト磁気ヘッド記録装置として、特許文献１には、電磁コイル素子に対して磁気ヘッドの積層方向（ビット長方向）に近接した位置に光導波路が設けられた磁気ヘッド部を有するスライダと、このスライダとは別の光源支持基板に光源が設けられた光源ユニットとを備える熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。この構成においては、発光素子の出射光を光導波路内に導入し、媒体対向面内にある光導波路の光出射面から出射させて、磁気記録媒体を局所的に加熱する。続いて、局所的に加熱され保磁力が低下している磁気記録媒体の局所領域に対して、電磁コイル素子によって書き込み磁界を印加して書き込みを行う。
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、特許文献１に記載された熱アシスト磁気ヘッドを作成するためには、光源ユニットを、スライダの媒体対向面の反対側の面（背面）に重ねた後に固定する必要がある。この場合、磁気ヘッド部を有するスライダと光源ユニットとをそれぞれ独立に試験した上で、良品であるスライダと光源ユニットを固定し、熱アシスト磁気ヘッドを歩留まり良く製造できる。また、この場合、光源を媒体対向面から離れた位置で且つスライダの近傍に設けることができるので、光の伝搬効率の低下や装置全体の構成の複雑化等はほとんど問題とならない。
【０００８】
しかしながら、上記のようにスライダと光源ユニットとを別々に作製する場合には、スライダと光源ユニットとを固定する際の光源と光導波路との位置合わせ（アライメント）を精度良く行うことが必要となる。これは、アライメント精度が悪化すると、磁気記録媒体の加熱効率の低下に繋がり、熱アシスト磁気記録を行う上で大きな問題となるためである。
【０００９】
そこで、本発明は、光源と光導波路との位置合わせを極めて高精度に調整することにより、磁気記録媒体への高密度の書き込みを実現することが可能な熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面及び媒体対向面と対向する背面を有する磁気ヘッド部を備える熱アシスト磁気ヘッドであって、磁気ヘッド部は、電磁変換素子と、媒体対向面と背面との対向方向に沿って延在する第１光導波路と、媒体対向面と背面との間に位置すると共に媒体対向面と背面との間における光の透過を妨げる第１遮光体、第２遮光体、第３遮光体及び第４遮光体とを有し、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体は、媒体対向面又は背面から見たときに、同一の直線上に配列されており、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線は、媒体対向面又は背面から見たときに、第３遮光体と第４遮光体との間に位置しており、第３遮光体及び第４遮光体は、媒体対向面又は背面から見たときに、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線と略直交する直線上に配列されている。
【００１１】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドでは、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が、媒体対向面又は背面から見たときに、同一の直線上に配列されている。また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドでは、第３遮光体及び第４遮光体が、媒体対向面又は背面から見たときに、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線を間に置いて相対すると共に直線と略直交する直線上に配列されている。そのため、まず、背面側に光源を配置し、出射光が第３遮光体に向けて照射された後に第４遮光体に向けて照射されるように、光源から光を出射したままの状態で光源を順次移動（スキャン）させて、磁気ヘッド部を透過した光の強度等の変化の様子を媒体対向面側において検出することで、第３遮光体と第４遮光体との間の位置を特定することができる。続いて、出射光が、特定された第３遮光体と第４遮光体との間の位置を通ると共に第３遮光体及び第４遮光体が配列された直線と略直交する直線、すなわち、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線に沿うように、光源から光を出射したままの状態で光源を順次移動（スキャン）させて、磁気ヘッド部を透過した光の強度等の変化の様子を媒体対向面側において検出することで、第１光導波路の位置を特定することができる。従って、２つの異なる方向から第１光導波路の位置を特定することができるようになるので、光源と第１光導波路との位置合わせを極めて高精度に調整できる。その結果、磁気記録媒体への高密度の書き込みを実現することが可能となる。
【００１２】
好ましくは、第１光導波路は、媒体対向面又は背面から見たときに、第１遮光体と第２遮光体との間に位置している。このようにすると、出射光が、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線に沿うように、光源から光を出射したままの状態で光源を順次移動（スキャン）させて、磁気ヘッド部を透過した光の強度等の変化の様子を媒体対向面側において検出した場合、出射光が第１遮光体→第１光導波路→第２遮光体の順に照射されることなり、このとき光の強度等の検出量が僅か→多い→僅かと変化するので、第１光導波路の位置をより高精度且つ容易に特定することが可能となる。
【００１３】
好ましくは、第３遮光体及び第４遮光体は、媒体対向面又は背面から見たときに、第１光導波路並びに第１遮光体及び第２遮光体が配列された直線に沿う方向にそれぞれ延在している。このようにすると、ある程度大まかに光源を移動させた場合でも第３遮光体と第４遮光体との間の位置を特定できるので、第１光導波路の位置をより簡便に特定することが可能となる。
【００１４】
好ましくは、第１遮光体、第２遮光体、第３遮光体及び第４遮光体は、背面に露出している。光は、進行するにつれて進行方向に対し交差する方向に拡がる性質を有しているので、このようにすることで、各遮光体によって光源からの出射光を確実に遮光できるようになる。その結果、第１光導波路の位置をより高精度に特定することが可能となる。
【００１５】
好ましくは、磁気ヘッド部は、媒体対向面と背面との対向方向に沿って延在する第２光導波路を更に有し、第２光導波路は、媒体対向面又は背面から見たときに、第３遮光体と第４遮光体との間に位置している。
【００１６】
また、本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上記のいずれかの熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備える。
【００１７】
また、本発明に係るハードディスク装置は、上記のヘッドジンバルアセンブリと、媒体対向面に対向する磁気記録媒体とを備える。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、光源の位置を極めて高精度に調整することにより、磁気記録媒体への高密度の書き込みを実現することが可能な熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見やすさのため、それぞれ任意となっている。
【００２０】
［１］ハードディスク装置の構成
まず、図１を参照して、ハードディスク装置１の構成について説明する。ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の周りを回転する複数の磁気ディスク（磁気記録媒体）１０と、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２と、この熱アシスト磁気ヘッド２１による書き込み動作及び読み出し動作を制御すると共に、熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発光させる光源であるレーザダイオード４０を制御するための記録再生及び発光制御回路１３とを備えている。
【００２１】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Voice Coil Motor）１５によってピボットベアリング軸１６を中心に揺動可能であり、ピボットベアリング軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。熱アシスト磁気ヘッド２１において、磁気ディスク１０の表面に対向する面が媒体対向面（エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）ともいう）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
【００２２】
［２］ヘッドジンバルアセンブリの構成
続いて、図２を参照して、ＨＧＡ１７の構成について説明する。ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に熱アシスト磁気ヘッド２１が固着されて構成されている。サスペンション２０は、主として、ロードビーム２００と、ロードビーム２００上に固着されて支持された、弾性を有するフレクシャ２０１と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に形成され、リード導体及びリード導体の両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３と、フレクシャ２０１の先端に板バネ状に形成されたタング部２０４とによって構成されている。なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンション２０は、上記した構成に限定されるものでない。また、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００２３】
［３］熱アシスト磁気ヘッドの構成
続いて、図３〜図７を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の構成について説明する。熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を有するスライダ２２と、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード（発光素子）４０を有する光源ユニット２３とを備える。スライダ基板２２０と光源支持基板２３０とは、スライダ基板２２０の背面２２０１と光源支持基板２３０の接着面２３００とが接面された状態で、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂やＵＶ硬化型アクリル樹脂等の接着剤４４によって固着されている（図４参照）。
【００２４】
ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側に位置する面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１は、エポキシ樹脂等の接着剤によって、フレクシャ２０１のタング部２０４に固着されている。
【００２５】
［３．１］スライダ
スライダ２２が有するスライダ基板２２０は、図３に示されるように、板状を呈している。スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓは、熱アシスト磁気ヘッド２１が適切な浮上量を得ることができるよう、所定形状に加工されている。スライダ基板２２０は、導電性のアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等によって形成することができる。
【００２６】
スライダ２２が有する磁気ヘッド部３２は、図３及び図４に示されるように、媒体対向面Ｓ及び背面２２０１と隣り合うと共にスライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に設けられている。磁気ヘッド部３２は、ＭＲ素子３３２を有する読取ヘッド部３３と、書き込み用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部３４と、読取ヘッド部３３と記録ヘッド部３４との間を通して設けられている光導波路３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃと、磁気ディスク１０の記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブ）３６と、遮光体３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ，３９Ｄ，３９Ｅ，３９Ｆと、これらの読取ヘッド部３３、記録ヘッド部３４、光導波路３５Ａ〜３５Ｃ、近接場光発生部３６及び遮光体３９Ａ〜３９Ｆを覆うように集積面上に形成された絶縁層３８とを備える。
【００２７】
読取ヘッド部３３は、図４に示されるように、スライダ基板２２０上に、下部電極を兼ねる下部磁気シールド層３３０と、ＭＲ素子３３２と、上部電極を兼ねる上部磁気シールド層３３２とが、この順で積層されて構成されている。また、ＭＲ素子３３２のトラック幅方向の両側には、絶縁層３８を介して、硬磁性材料からなる一対のバイアス印加層ＨＭ（図６参照）が形成されている。
【００２８】
下部磁気シールド層３３０及び上部磁気シールド層３３４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の軟磁性材料からなり、不要な外部磁界をＭＲ素子３３２が感知するのを防止する。下部磁気シールド層３３０及び上部磁気シールド層３３４は、フレームめっき法を含むパターンめっき法等を用いて形成することができ、これらの厚さとしては、例えば０．５μｍ〜３μｍ程度に設定することができる。
【００２９】
ＭＲ素子３３２は、フリー層を含む多層構造であり（図示せず）、媒体対向面Ｓに露出するように媒体対向面Ｓ側に配置されている。ＭＲ素子３３２は、磁気抵抗効果を利用して、磁気ディスク１０から入力される磁界の変化を検出し、磁気ディスク１０に記録されている磁気情報を読出す。なお、ＭＲ素子３３２の代わりに、磁気抵抗変化率の高い巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive）素子、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）−ＧＭＲ素子等を利用してもよい。
【００３０】
記録ヘッド部３４は、主磁極層３４０と、ギャップ層３４１ａと、薄膜コイル絶縁層３４１ｂと、薄膜コイル３４２と、補助磁極層３４４とを有している。主磁極層３４０は、薄膜コイル３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク１０の記録層まで収束させながら導くための導磁路であり、薄膜コイル３４２の螺旋中心から媒体対向面Ｓに向かうように延びている。主磁極層３４０は、媒体対向面Ｓ側に位置すると共に媒体対向面Ｓに露出する磁極端部３４０ａを含んでいる。薄膜コイル３４２に通電すると、磁界が主磁極層３４０の磁極端部３４０ａまで導かれ、その先端から書き込み磁界が発生することとなる。
【００３１】
磁極端部３４０ａのトラック幅方向の幅及び積層方向（図４の左右方向）の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。具体的には、図５に示されるように、リーディング側すなわちスライダ基板２２０側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように磁極端部３４０ａの先端を先細にすることが好ましい。すなわち、磁極端部３４０ａの端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、１５°程度である。書き込み磁界が主に発生するのはトレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミネント記録方式の場合にはこの長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
【００３２】
ここで、主磁極層３４０は、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか二つの元素若しくは三つの元素からなる合金、又は、これらを主成分として所定の元素が添加された合金等によって構成されていると好ましい。主磁極層３４０は、フレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成することができる。磁極端部３４０ａの厚さとしては、例えば０．０１μｍ〜０．５μｍ程度に設定することができ、主磁極層３４０の磁極端部３４０ａ以外の部分における厚さとしては、例えば０．５μｍ〜３．０μｍ程度に設定することができる。トラック幅は、例えば１００ｎｍ程度に設定することができる。
【００３３】
補助磁極層３４４は、媒体対向面Ｓと離れた側の端部３４４ａにおいて主磁極層３４０と磁気的に接続されている。補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、媒体対向面Ｓに露出している。また、ギャップ層３４１ａ及び薄膜コイル絶縁層３４１ｂが主磁極層３４０と補助磁極層３４４との間に介在しているため、補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、所定の間隔を有して主磁極層３４０の磁極端部３４０ａと対向している。
【００３４】
補助磁極層３４４は、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか二つの元素若しくは三つの元素からなる合金、又は、これらを主成分として所定の元素が添加された合金等によって構成されていると好ましい。補助磁極層３４４は、フレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成することができる。補助磁極層３４４の厚さとしては、例えば０．５μｍ〜５μｍ程度に設定することができる。
【００３５】
ギャップ層３４１ａは、主磁極層３４０と薄膜コイル３４２とを電気的に絶縁するため、Ａｌ２Ｏ３やＡｌＮ等によって構成されており、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。ギャップ層３４１ａの厚さとしては、例えば０．０１μｍ〜０．５μｍ程度に設定することができる。
【００３６】
薄膜コイル絶縁層３４１ｂは、薄膜コイル３４２と補助磁極層３４４とを電気的に絶縁するため、アルミナや有機絶縁材料であるレジスト等によって構成されている。薄膜コイル絶縁層３４１ｂの厚さとしては、例えば０．１μｍ〜５μｍ程度に設定することができる。
【００３７】
薄膜コイル３４２は、補助磁極層３４４の端部３４４ａの周りに導線が巻回されたスパイラル状に構成されている。薄膜コイル３４２は、Ｃｕ等によって構成することができる。薄膜コイル３４２の厚さとしては、例えば０．５μｍ〜３μｍ程度に設定することができる。
【００３８】
光導波路３５Ａは、図４に示されるように、読取ヘッド部３３と記録ヘッド部３４との間に配置されており、集積面２２０２と平行となるように媒体対向面Ｓから背面３２ａ（磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓとは反対側に位置する面）まで延在している。光導波路３５Ａは、図４に示されるように、媒体対向面Ｓから背面３２ａの近傍まで延在するコア部３５ａと、媒体対向面Ｓ側におけるコア３５ａの端面から背面３２ａまで延在する非コア部３５ｂとによって構成されている。従って、コア部３５ａの媒体対向面Ｓ側の端面（光導波路３５Ａの媒体対向面Ｓ側の端面）は、媒体対向面Ｓに露出しており、レーザダイオード４０によるレーザ光が出射される光出射面３５３Ａとなっている（図４及び図６参照）。
【００３９】
また、非コア部３５ｂの背面３２ａ側の端面（光導波路３５Ａの光出射面３５３Ａとは反対側の端面）は、背面３２ａに露出しており、レーザダイオード４０によるレーザ光が入射される光入射面３５４Ａとなっている（図４及び図６参照）。なお、コア部３５ａの背面３２ａ側の端面は背面３２ａに露出していないものの、レーザダイオード４０からのレーザ光は、非コア部３５ｂの内部（背面３２ａとコア部３５ａの背面３２ａ側の端面との間）を伝搬し、コア部３５ａ内を伝搬した後、光出射面３５３Ａから出射される。
【００４０】
コア部３５ａは、図６に示されるように、その大部分が略矩形の板状体を呈しているが、その媒体対向面Ｓ側の端部のうちトラック幅方向の両角部分が面取りされている。そのため、コア部３５ａの媒体対向面Ｓ側の端部は、媒体対向面Ｓ側に向かうにつれてトラック幅方向における幅が小さくなっている。これにより、コア部３５ａ（光導波路３５Ａ）では、トラック幅方向において中央部分にレーザダイオード４０によるレーザ光を集光することができるようになっている。なお、背面３２ａは、媒体対向面Ｓと略平行とされている。
【００４１】
図４に戻って、コア部３５ａは、光出射面３５３Ａを除き、絶縁層３８によって覆われている。絶縁層３８は、コア部３５ａを構成している材料よりも屈折率が低い材料によって構成され、コア部３５ａに対するクラッドとして機能する。すなわち、絶縁層３８の一部が非コア部３５ｂとなっている。なお、この非コア部３５ｂの媒体対向面Ｓに対して奥行方向における長さＨ（図６参照）は、０．５μｍ〜２０μｍ程度に設定すると好ましい。
【００４２】
なお、クラッドとしての絶縁層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１．５）によって形成されている場合、コア部３５ａは、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）によって形成することができる。また、絶縁層３８が、Ａｌ２Ｏ３によって形成されている場合、コア部３５ａは、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２．１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２．３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２．３〜２．５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）によって形成することができる。コア部３５ａをこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなる。
【００４３】
読取ヘッド部３３と光導波路３５Ａとの間には、図４及び図６に示されるように、下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４と同様の材料によって形成された素子間シールド層１４８が配置されている。素子間シールド層１４８は、記録ヘッド部３４において発生される磁界をＭＲ素子３３２が感知しないように遮断して、ＭＲ素子３３２による読み出しの際の外来ノイズを抑制する役割を果たすものである。なお、読取ヘッド部３３と光導波路３５Ａとの間に、更に、バッキングコイル部が形成されていてもよい。
【００４４】
近接場光発生部３６は、図４〜図６に示されるように、光導波路３５の光出射面３５３Ａに配置された板状部材である。近接場光発生部３６は、光出射面３５３Ａのうち強度の大きなレーザ光が出射される部分に位置しており、その端面が光出射面３５３Ａに露出するようにコア３５部ａに埋設されている。
【００４５】
近接場光発生部３６は、図５及び図６に示されるように、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈しており、導電材料（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｎ若しくはＩｒ、又は、これらの元素を組み合わせた合金）によって構成されている。近接場光発生部３６の底辺３６ｄは、スライダ基板２２０の集積面２２０２と平行、すなわちトラック幅方向と平行に配置されており、近接場光発生部３６の底辺３６ｄと向き合う頂点３６ｖは、底辺３６ｄよりも記録ヘッド部３４の主磁極層３４０側に配置されている。ここで、近接場光発生部３６の形状としては、底辺３６ｄの両端の二つの底角が共に等しい二等辺三角形であると好ましい。
【００４６】
このような近接場光発生部３６にレーザダイオード４０からのレーザ光が照射されると、近接場光発生部３６を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その頂点３６ｖ近傍において電界の集中が生じて、その頂点３６ｖ近傍から磁気ディスク１０の記録領域Ｒ（図６参照）に向けて近接場光が発生する。この近接場光の拡がりは、近接場光発生部３６の頂点３６ｖ近傍の半径程度となるので、この頂点３６ｖの半径をトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光を回折限界以下にまで絞り込むことができる。
【００４７】
一方、光導波路３５Ｂ，３５Ｃは、図３及び図７に示されるように、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、トラック幅方向において光導波路３５Ａを間に置いて相対するように配置されており、集積面２２０２と平行となるように媒体対向面Ｓから背面３２ａまで延在している。光導波路３５Ｂ，３５Ｃは、その全体が、光導波路３５Ａのコア部３５ａと同一の材料によって構成されている。従って、光導波路３５Ｂ，３５Ｃの媒体対向面Ｓ側の端面は、媒体対向面Ｓに露出しており、背面３２ａ側に位置する光源による光が出射される光出射面３５３Ｂ，３５３Ｃとなっている（図７参照）。
【００４８】
また、光導波路３５Ｂ，３５Ｃの背面３２ａ側の端面は、背面３２ａに露出しており、背面３２ａ側に位置する光源による光が入射される光入射面３５４Ｂ，３５４Ｃとなっている（図７参照）。なお、光導波路３５Ｂ，３５Ｃには、光導波路３５Ａと異なり、近接場光発生部３６が設けられていない。
【００４９】
光導波路３５Ｂ，３５Ｃは、光出射面３５３Ｂ，３５３Ｃ及び光入射面３５４Ｂ，３５４Ｃを除き、絶縁層によって覆われている（図３参照）。そのため、絶縁層３８は、光入射面３５４Ｂ，３５４Ｃに対してもクラッドとして機能する。
【００５０】
遮光体３９Ａ〜３９Ｆは、光を反射、吸収、散乱等することで、媒体対向面Ｓと背面３２ａとの間における光の透過を妨げる（遮光する）ものである。遮光体３９Ａ〜３９Ｆは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｕ等の金属材料やパーマロイ等の磁性材料によって構成されており、例えばめっき法を用いて形成することができる。
【００５１】
遮光体３９Ａ〜３９Ｆは、図３及び図７に示されるように、集積面２２０２と平行となるように媒体対向面Ｓから背面３２ａまで延在している（すなわち、媒体対向面Ｓと背面３２ａとの間に位置している）。遮光体３９Ａ〜３９Ｆの背面３２ａ側の端面は、背面３２ａに露出しており、遮光体３９Ａ〜３９Ｆの媒体対向面Ｓ側の端面は、媒体対向面Ｓに露出していない。
【００５２】
遮光体３９Ａ，３９Ｂは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、光導波路３５Ｂ，３５Ｃの間で、且つ、トラック幅方向において光導波路３５Ａを間に置いて相対するように配置されている。遮光体３９Ｃ，３９Ｄは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、光導波路３５Ｂを間に置いて相対するように配置されている。遮光体３９Ｅ，３９Ｆは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、光導波路３５Ｃを間に置いて相対するように配置されている。
【００５３】
従って、光導波路３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ及び遮光体３９Ａ，３９Ｂは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、同一直線上（直線Ｌ１上）に配列されている（図７参照）。光導波路３５Ｂ及び遮光体３９Ｃ，３９Ｄは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、直線Ｌ１（光導波路３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ及び遮光体３９Ａ，３９Ｂが配列された直線）と略直交する直線Ｌ２上に配列されている（図７参照）。光導波路３５Ｃ及び遮光体３９Ｅ，３９Ｆは、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、直線Ｌ１（光導波路３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ及び遮光体３９Ａ，３９Ｂが配列された直線）と略直交する直線Ｌ３上に配列されている（図７参照）。なお、遮光体３９Ｃ〜３９Ｆ及び光導波路３５Ｂ，３５Ｃは、直線Ｌ１に沿う方向にそれぞれ延在している。
【００５４】
図３に戻って、スライダ２２が有する磁気ヘッド部３２は、読取ヘッド部３３の入出力端子にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７１（図６も参照）と、記録ヘッド部３４の両端にそれぞれ接続された一対の信号電極用の電極パッド３７３（図６も参照）と、ビアホール３７５ａを介してスライダ基板２２０と電気的に接続されたグランド用の電極パッド３７５（図４も参照）とを更に備えている。これらの電極パッド３７１，３７３，３７５は、絶縁層３８の露出面上に形成されている。なお、電極パッド３７５は、フレクシャ２０１の電極パッド２７４とボンディングワイヤ（図示せず）によって接続されている。そのため、電極パッド２７４によって、スライダ基板２２０の電位が例えばグランド電位に制御されることとなる。
【００５５】
［３．２］光源ユニット
光源ユニット２３が有する光源支持基板２３０は、図３に示されるように、板状を呈している。光源支持基板２３０は、図４に示されるように、アルミナ等によって形成された断熱層２３０ａと、導電性のアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等によって形成された導電体層２３０ｂとを有している。断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１と接着されており、この面が光源支持基板２３０の接着面２３００とされている。この接着面２３００と隣り合う側面である素子形成面２３０３上には、アルミナ等の絶縁材料によって形成された絶縁層４１が設けられている。
【００５６】
絶縁層４１の表面で且つ媒体対向面Ｓと交差する面４１１上（スライダ基板２２０の集積面２２０２と平行な面４１１上）には、レーザダイオード４０の駆動用の電極パッド４７，４８が形成されている（図３参照）。電極パッド４７は、絶縁層４１の面４１１の中央部においてトラック幅方向に延在している第１部分４７ａと、第１部分４７ａの端部から光源支持基板２３０の底面２３０１に向けて延在している第２部分４７ｂとを有している。一方、電極パッド４８は、絶縁層４１の面４１１において電極パッド４７と離間した位置に形成されており、絶縁層４１の面４１１の中央部においてトラック幅方向に延在している第１部分４８ａと、第１部分４８ａの端部から光源支持基板２３０の底面２３０１に向けて延在している第２部分４８ｂとを有している。そして、電極パッド４７，４８は、フレクシャ２０１の電極パッド２４７、２４８とリフロー半田によってそれぞれ電気的に接続されている。
【００５７】
また、電極パッド４７は、図４に示されるように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ｃによって光源支持基板２３０の導電体層２３０ｂと電気的に接続されている。そのため、電極パッド４７によって、導電体層２３０ｂの電位を例えばグランド電位に制御することが可能となっている。なお、この電極パッド４７は、ビアホール４７ｃと共に、レーザダイオード４０駆動時の熱を導電体層２３０ｂ側に逃がすための熱伝導路としても機能する。
【００５８】
電極パッド４７、４８は、例えば、ＴａやＴｉ等によって形成された下地層と、当該下地層上に真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕやＣｕ等の層とによって構成することができる。ＴａやＴｉ等の下地層の厚さとしては、例えば１０ｎｍ程度に設定することができ、ＡｕやＣｕ等の層の厚さとしては、例えば１μｍ〜３μｍ程度に設定することができる。
【００５９】
光源ユニット２３が有するレーザダイオード４０は、図４に示されるように、Ａｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２によって電極パッド４７上に固着され、電極パッド４７と電気的に接続されている。つまり、電極パッド４７の一部は、レーザダイオード４０によって覆われており、レーザダイオード４０は、電極パッド４７を介して、光源支持基板２３０に支持されている。より詳しくは、レーザダイオード４０は、後述する出光端４００から出射されたレーザ光が光導波路３５Ａに導入されるように、光源支持基板２３０に支持されている（図３及び図４参照）。
【００６０】
また、レーザダイオード４０は、出光端４００がスライダ基板２２０の背面２２０１よりも磁気ヘッド部３２寄りとなるように、光源支持基板２３０に支持されている（図３及び図４参照）。レーザダイオード４０をこのように支持することが可能なのは、上述したように、磁気ヘッド部３２の背面３２ａよりもスライダ基板２２０の背面２２０１が外方に向けて突出した状態となっているためである。このようにすると、レーザダイオード４０から出射されたレーザ光が光導波路３５Ａに到達する前に光源支持基板２３０において散乱することがなくなり、磁気ディスク１０の加熱を十分に行うことができることとなる。
【００６１】
レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてよく、例えば、図８に示されるように、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０，５１が成膜されている。そして、一方の反射膜５０には活性層４０ｅに対応する位置に開口５０ａが設けられており、反射膜５０が成膜されている面のうち開口５０ａに対応する領域が、レーザ光が放射される出光端４００とされている。このようなレーザダイオード４０においては、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光が出射される。
【００６２】
出射されるレーザ光の波長λＬは、例えば６００ｎｍ〜６５０ｎｍ程度である。ただし、近接場光発生部３６の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、近接場光発生部３６としてＡｕを用いる場合、レーザ光の波長λＬは、６００ｎｍ近傍であることが好ましい。
【００６３】
レーザダイオード４０の大きさとしては、例えば、幅Ｗ４０が２００μｍ〜３５０μｍ、長さＬ４０が２５０μｍ〜６００μｍ、厚みＴ４０が６０μｍ〜２００μｍ程度に設定することができる。ここで、レーザダイオード４０の幅Ｗ４０は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。
【００６４】
また、レーザダイオード４０は、ハードディスク装置１内の電源を使用することによって駆動することができる。実際、ハードディスク装置１は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、この電圧はレーザ発振動作に十分な大きさである。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であるので、ハードディスク装置１内の電源で十分に賄うことができる。
【００６５】
レーザダイオード４０のｎ電極４０ａは、ＡｕＳｎ等の半田層４２によって電極パッド４７に固定されている。ここで、レーザダイオード４０の出光端（光出射面）４００は、図４の下向き（−Ｚ方向）となっており（接着面２３００と平行となっており）、光導波路３５Ａの光入射面３５４Ａと対向している。実際にレーザダイオード４０を固定する際には、例えば、電極パッド４７の表面に厚さ０．７μｍ〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等によって２００℃〜３００℃程度までの加熱を行う。
【００６６】
また、レーザダイオード４０のｐ電極４０ｊは、ボンディングワイヤによって電極パッド４８と電気的に接続されている。なお、ｎ電極４０ａがボンディングワイヤによって電極パッド４８と電気的に接続され、ｐ電極４０ｊが半田層４２によって電極パッド４７に固定されるようにしてもよい。さらに、レーザダイオード４０の光源支持基板２３０と接続される側を段差状に加工することによって、ボンディングワイヤを用いないで電極パッド４８と電気的に接続することも可能である。
【００６７】
ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニット２３を例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッド２１によれば、この光源ユニット２３がスライダ２２とは別に製造されるため、スライダ２２の磁気ヘッド部３２がこの高温の悪影響を受けずに済むようになっている。
【００６８】
なお、レーザダイオード４０及び電極パッド４７，４８の構成は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。また、レーザダイオード４０と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらに、レーザダイオード４０を、光源支持基板２３０上に直接半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
【００６９】
［４］熱アシスト磁気ヘッドの回路構成
続いて、図９を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の回路構成について説明する。
【００７０】
配線部材２０３を構成する配線の１つは、電極パッド２４７及び電極パッド４７を介してレーザダイオード４０のカソードに電気的に接続されており、別の配線は電極パッド２４８及び電極パッド４８を介してレーザダイオード４０のアノードに電気的に接続されている。電極パッド２４７，２４８間に駆動電流を供給するとレーザダイオード４０が発光する。この光は、光導波路３５Ａ及び媒体対向面Ｓを介して磁気ディスク１０の記録領域Ｒ（図６参照）に照射される。
【００７１】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３７、ボンディングワイヤＢＷ及び電極パッド３７３を介して、記録ヘッド部３４の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド２３７間に電圧を印加すると、記録ヘッド部３４に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。熱アシスト磁気ヘッド２１では、レーザダイオード４０から出射されたレーザ光は、光導波路３５Ａの光入射面３５４Ａに入射して、媒体対向面Ｓに設けられた光出射面３５３Ａから出射し、磁気ディスク１０の記録領域Ｒ（図６参照）に照射される。このとき、媒体対向面Ｓに対向する磁気ディスク１０の記録領域Ｒの温度が上昇し、記録領域Ｒの保磁力が一時的に低下する。従って、この保磁力の低下期間内に記録ヘッド部３４に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域Ｒに情報を書き込むことができる。
【００７２】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３８、ボンディングワイヤＢＷ及び電極パッド３７１を介して読取ヘッド部３３の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド２３８に電圧を印加すると読取ヘッド部３３にセンス電流が流れる。記録領域Ｒに書き込まれた情報は、読取ヘッド部３３にセンス電流を流すことで読み出すことができる。
【００７３】
［５］熱アシスト磁気ヘッドの製造方法
続いて、図１０〜図１３を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の製造方法について説明する。
【００７４】
まず、上述の構成を有するスライダ２２と、上述の構成を有する光源ユニット２３とを製造する。続いて、これらの良品とされるスライダ２２と良品とされる光源ユニット２３との位置合わせを行う。
【００７５】
具体的には、図１０に示されるように、スライダ２２の媒体対向面Ｓ側にフォトダイオード等の光検出器ＤＴを配置する。そして、電極パッド４７，４８間に電圧を印加してレーザダイオード４０を発光させると共にスライダ基板２２０の背面２２０１と光源支持基板２３０の接着面２３００とを重ね合わせた状態で、レーザダイオード４０によるレーザ光が遮光体３９Ｄ、光導波路３５Ｂ及び遮光体３９Ｃに向けてこの順にそれぞれ照射されるように、レーザダイオード４０からレーザ光を照射させたままの状態で光源ユニット２３を矢印Ａ（図１０及び図１３の（ａ）参照）方向に所定の速度で移動（スキャン）させ、背面３２ａから媒体対向面Ｓへと透過したレーザ光の強度等の変化の様子を光検出器ＤＴによって検出する。
【００７６】
このときの光検出器ＤＴの出力を図１３の（ｂ）に示す。図１３の（ｂ）に示されるように、レーザ光が絶縁層３８に向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力が最も大きくなり、レーザ光が遮光体３９Ｃ，３９Ｄに向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力がほぼ０となり、レーザ光が光導波路３５Ｂに向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力が所定の大きさとなる。そのため、遮光体３９Ｃと遮光体３９Ｄとの間の位置、すなわち、光導波路３５Ｂの位置を特定することができる。なお、レーザ光が光導波路３５Ｂに向けて照射されているときよりも絶縁層３８に向けて照射されているときの方が光検出器ＤＴの出力が大きくなっているのは、光導波路３５Ｂの方が絶縁層３８よりも屈折率が高く、また、レーザ光が、全反射を繰り返して光導波路３５Ｂを伝搬するうちに減衰してしまうためである。
【００７７】
次に、電極パッド４７，４８間に電圧を印加してレーザダイオード４０を発光させると共にスライダ基板２２０の背面２２０１と光源支持基板２３０の接着面２３００とを重ね合わせた状態で、レーザダイオード４０によるレーザ光が遮光体３９Ｃと遮光体３９Ｄとの間（光導波路３５Ｂ）、遮光体３９Ｂ、光導波路３５Ａ、遮光体３９Ａ及び遮光体３５Ｃに向けてこの順にそれぞれ照射されるように、レーザダイオード４０からレーザ光を照射させたままの状態で光源ユニット２３を矢印Ｂ（図１１及び図１３の（ａ）参照）方向に所定の速度で移動（スキャン）させ、背面３２ａから媒体対向面Ｓへと透過したレーザ光の強度等の変化の様子を光検出器ＤＴによって検出する。
【００７８】
このときの光検出器ＤＴの出力を図１３の（ｃ）に示す。図１３の（ｃ）に示されるように、レーザ光が絶縁層３８に向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力が最も大きくなり、レーザ光が遮光体３９Ａ，３９Ｂに向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力がほぼ０となり、レーザ光が光導波路３５Ａ〜３５Ｃに向けて照射されているときに光検出器ＤＴの出力が所定の大きさとなる。そのため、遮光体３９Ａと遮光体３９Ｂとの間の位置、すなわち、光導波路３５Ａの位置を特定することができる。なお、レーザ光が光導波路３５Ａに向けて照射されているときよりも光導波路３５Ｂ，３５Ｃに向けて照射されているときの方が光検出器ＤＴの出力が大きくなっているのは、光導波路３５Ａの光出射面３５３Ａには近接場光発生部３６が設けられており、光導波路３５Ａの光出射面３５３Ａから出射される光は近接場光であって、この近接場光は進行波ではなく検出することが困難なためである。
【００７９】
このようにして光導波路３５Ａの位置が特定されると、図１２に示されるように、スライダ基板２２０の背面２２０１及び／又は光源支持基板２３０の接着面２３００に、硬化することによって接着剤４４となるＵＶ硬化型接着剤４４ａを塗布する。ＵＶ硬化型接着剤４４ａとしては、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂やＵＶ硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。そして、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、レーザダイオード４０の出光端４００が光導波路３５Ａと重なるようにスライダ２２と光源ユニット２３との位置合わせを行い、その位置で、スライダ基板２２０の背面２２０１と光源支持基板２３０の接着面２３００とを重ね合わせる。
【００８０】
その後、外部からＵＶ硬化型接着剤４４ａに紫外線を照射することによりＵＶ硬化型接着剤４４ａを硬化させ、スライダ２２と光源ユニット２３とを接着する。これにより、熱アシスト磁気ヘッド２１が形成されることとなる。
【００８１】
［６］作用
続いて、本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。
【００８２】
書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、読取ヘッド部３３及び記録ヘッド部３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
【００８３】
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から光導波路３５Ａを通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６に到達し、近接場光発生部３６から近接場光が発生する。この近接場光によって、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。
【００８４】
そして、熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスク１０に垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ２級の記録密度を達成することも可能となり得る。
【００８５】
また、以上のような本実施形態においては、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、光導波路３５Ｂ、遮光体３９Ｂ、光導波路３５Ａ、遮光体３９Ａ、光導波路３５Ｃが、この順で同一の直線Ｌ１上に配列されている。また、本実施形態においては、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、遮光体３９Ｃ，３９Ｄが、直線Ｌ１（光導波路３５Ｂ）を間に置いて相対するように配列されている（すなわち、遮光体３９Ｃ、光導波路３５Ｂ、遮光体３９Ｄが、この順で同一の直線Ｌ２上に配列されている）。また、本実施形態においては、背面３２ａ（媒体対向面Ｓ）から見たときに、遮光体３９Ｅ，３９Ｆが、直線Ｌ１（光導波路３５Ｃ）を間に置いて相対するように配列されている（すなわち、遮光体３９Ｆ、光導波路３５Ｃ、遮光体３９Ｅが、この順で同一の直線Ｌ３上に配列されている）。そのため、まず、背面３２ａ側に位置するレーザダイオード４０から出射されたレーザ光が、遮光体３９Ｄに向けて照射された後に遮光体Ｃに向けて照射されるように、レーザダイオード４０からレーザ光を照射させたままの状態で光源ユニット２３を移動（スキャン）させて、背面３２ａから媒体対向面Ｓへと透過したレーザ光（磁気ヘッド部３２を透過したレーザ光）の強度等の変化の様子を媒体対向面Ｓ側に位置する光検出器ＤＴによって検出することで、遮光体３９Ｃと遮光体３９Ｄとの間の位置（光導波路３５Ｂの位置）を特定することができる。続いて、レーザダイオード４０から出射されたレーザ光が、特定された遮光体３９Ｃと遮光体３９Ｄとの間の位置（光導波路３５Ｂ）を通ると共に直線Ｌ１に沿うように、レーザダイオード４０からレーザ光を照射させたままの状態で光源ユニット２３を移動（スキャン）させて、背面３２ａから媒体対向面Ｓへと透過したレーザ光（磁気ヘッド部３２を透過したレーザ光）の強度等の変化の様子を媒体対向面Ｓ側に位置する光検出器ＤＴによって検出することで、光導波路３５Ａの位置を特定することができる。従って、２つの異なる方向から光導波路３５Ａの位置を特定することができるようになるので、レーザダイオード４０と光導波路３５Ａとの位置合わせを極めて高精度に調整できる。その結果、磁気ディスク１０への高密度の書き込みを実現することが可能となる。
【００８６】
また、本実施形態においては、遮光体３９Ａ〜３９Ｆが背面３２ａに露出している。光は、進行するにつれて進行方向に対し交差する方向に拡がる性質を有しているので、このようにすることで、遮光体３９Ａ〜３９Ｆによってレーザダイオード４０から出射されたレーザ光を確実に遮光できるようになる。その結果、光導波路３５Ａの位置をより高精度に特定することが可能となる。
【００８７】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態では近接場光発生部３６が三角形状を呈していたが、頂点３６ｖが平らになった台形状としてもよく、また、三角形状又は台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。この「蝶ネクタイ型」構造においては、その中心部に非常に強い電界の集中が発生する。
【００８８】
また、近接場光発生部３６として、光導波路３５Ａの媒体対向面Ｓ側にレーザ光の波長よりも小さい微小な開口を設けてもよい。
【００８９】
また、本実施形態では薄膜コイル３４２が１層設けられていたが、薄膜コイル３４２を２層以上設けてもよく、又は、ヘリカルコイルとしてもよい。
【００９０】
また、断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１側に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。
【００９１】
また、光源ユニット２３とスライダ２２との接着に、ＵＶ硬化型接着剤以外の接着剤、例えば、レーザダイオード４０と電極パッド４７との接着に用いたＡｕＳｎ等の半田層を用いても実施は可能である。
【００９２】
また、光導波路３５Ａからの出射光の強度を最も大きくすることができれば、コア部３５ａの媒体対向面Ｓ側の端面が媒体対向面Ｓに露出していなくてもよい。
【００９３】
また、光導波路３５Ｂ，３５Ｃは、全てが光導波路３５Ａのコア部３５ａと同一の材料によって構成されていたが、光導波路３５Ａと同様に、光導波路３５Ｂ，３５Ｃのうちコア部３５ａに相当する部分が、背面３２ａに露出していなくてもよく、また、媒体対向面Ｓに露出していなくてもよい。また、磁気ヘッド部３２に光導波路３５Ｂ，３５Ｃが設けられていなくてもよい。
【００９４】
また、遮光体３９Ａ〜３９Ｆは、背面３２ａに露出していなくてもよく、また、媒体対向面Ｓに露出していてもよい。
【００９５】
また、光導波路３５Ａ及び遮光体３９Ａ，３９Ｂが同一の直線Ｌ１上に配列されていれば、遮光体３９Ａ，３９Ｂは、光導波路３５Ａを間に置いて相対するように配置されていなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】図１は、ハードディスク装置を示す斜視図である。
【図２】図２は、熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面が上方を向いた状態で示す、ヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。
【図３】図３は、熱アシスト磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】図５は、媒体対向面から見た状態で示す、磁極端部及び光導波路の部分拡大図である。
【図６】図６は、熱アシスト磁気ヘッドの主要部を示す斜視図である。
【図７】図７は、主として光導波路及び遮光体を示す斜視図である。
【図８】図８は、レーザダイオードを示す斜視図である。
【図９】図９は、熱アシスト磁気ヘッドの回路構成を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドを製造する一工程を示す図である。
【図１１】図１１は、図１０の後続の工程を示す図である。
【図１２】図１２は、図１１の後続の工程を示す図である。
【図１３】図１３の（ａ）は、磁気ヘッド部の背面から見た状態で示す、光導波路及び遮光体の部分拡大図であり、図１３の（ｂ）は、光源ユニットが矢印Ａ方向に移動したときの、光検出器の出力の変化の様子を示す図であり、図１３の（ｃ）は、光源ユニットが矢印Ｂ方向に移動したときの、光検出器ＤＴの出力の変化の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００９７】
１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（磁気記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンション、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３２ａ…背面、３３…読取ヘッド部、３４…記録ヘッド部（電磁変換素子）、３４０…主磁極層、３４０ａ…磁極端部、３４２…薄膜コイル、３４４…補助磁極層、３５Ａ〜３５Ｃ…光導波路、３６…近接場光発生部、３８…絶縁層、３９Ａ〜３９Ｆ…遮光体、４０…レーザダイオード、Ｓ…媒体対向面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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