(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層と、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に取付けられた放熱体と、
前記放熱体のいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層と、
を具備する半導体装置。
【請求項３】
前記多元軽合金層は、Ｓｎ−Ｂｉ合金層又はＰｂ−Ｓｎ合金層である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップのいずれかの面に取付けられる放熱体であって、
固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層を、半導体チップに接合する面以外の面に具備する放熱体。
【請求項５】
表面に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの裏面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウェハのいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハの表面に、複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
放熱体のいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程と、
前記放熱体のうち前記多元系合金層が形成されていない面を、半導体チップに取付ける工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップからの放熱構造を簡単な工程で形成できる半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。また本発明は、放熱効率が高い半導体装置、放熱体、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを動作させる場合、半導体チップが発熱する。従来は、半導体チップで生じた熱を効率よく放熱するために、半導体チップにヒートシンクを接着剤又はネジに取付けていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２２４０６号公報（図２８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように、従来は、半導体チップから効率よく放熱するために、半導体チップに放熱体を接着剤又はネジで取付けていた。このため、半導体装置の製造工程数が増加していた。
また、半導体チップの放熱体から空気への放熱効率を高くなると、放熱体を小型化できる。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その第１の目的は、半導体チップからの放熱構造を簡単な工程で製造できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。また本発明の第２の目的は、放熱効率が高い半導体装置、放熱体、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層とを具備する。
【０００７】
この半導体装置によれば、前記半導体チップのいずれかの面には、凹凸を有する前記多元系合金層が形成されているため、前記半導体チップの裏面の表面積が増加することと同様の効果が得られる。その結果、前記半導体チップの放熱効率が向上する。また、放熱体を前記半導体チップの裏面に取付ける場合と比べて、放熱構造を形成する工程が簡単になる。
【０００８】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体チップと、
半導体チップのいずれかの面に取付けられた放熱体と、
前記放熱体のいずれかの面に形成され、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層とを具備する。
【０００９】
この半導体装置によれば、前記放熱体のいずれかの面には、凹凸を有する前記多元系合金層が形成される。このため、前記放熱体の表面積が増大したことと同様の効果が得られ、前記放熱体から空気への放熱効率が増大する。従って、前記放熱体を小型化することができる。
【００１０】
前記多元軽合金層は、例えばＳｎ−Ｂｉ合金層又はＰｂ−Ｓｎ合金層である。
【００１１】
本発明に係る放熱体は、半導体チップのいずれかの面に取付けられる放熱体であって、固液共存領域となる温度域を有する組成であり、表面に凝固偏析に起因した凹凸を有する多元系合金層を、半導体チップに接合する面以外の面に具備する。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの裏面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する。
【００１３】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハのいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記半導体ウェハの表面に、複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェハ及び前記多元系合金層を複数の半導体チップに分割する工程と、
を具備し、
前記多元系合金層を形成する工程の後に、前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程を具備する。
【００１４】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、放熱体のいずれかの面に、固液共存領域となる温度域を有する組成である多元系合金層を形成する工程と、
前記多元系合金層を、固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する工程と、
前記放熱体のうち前記多元系合金層が形成されていない面を、半導体チップに取付ける工程とを具備する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。まず図１（Ａ）に示すように、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）１を準備する。半導体ウェハ１の表面には、素子分離構造、複数の半導体素子（例えばトランジスタ）、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜が形成されている。半導体ウェハ１は、後の工程で、ダイシングライン１ｂに沿って複数の半導体チップ１ａに分割される。
【００１６】
次いで、半導体ウェハ１の裏面に多元系合金層１０を形成する。多元系合金層１０は、例えば無電解メッキ法、電解メッキ法、又は溶融メッキ法を用いて形成される。多元系合金層の厚さは、例えば５μｍ以上２０μｍ以下である。多元系合金層１０は、例えばＳｎ−Ｂｉ合金層、又はＰｂ−Ｓｎ合金層であり、合金となる温度域及び固液共存領域となる温度域それぞれを有する組成である。
【００１７】
図２（Ａ）は、Ｓｎ−Ｂｉの２元系状態図である。Ｓｎ−Ｂｉ合金は、Ｓｎが２１重量％以上９９．９重量％以下の場合に、合金となる温度域及び固液共存領域となる温度域それぞれを有する。具体的には、Ｓｎが２１重量％以上５７重量％以下の組成において、温度が１３８℃以下の場合には固体の合金として存在し、温度が１３８℃以上になるとＳｎとＳｎ−Ｂｉ合金の液相が共存した状態になる。また、Ｓｎが５７重量％超９９．９重量％以下の組成において、温度が１３８℃以下の場合には固体の合金として存在し、温度が１３８℃以上になるとＢｉとＳｎ−Ｂｉ合金の液相が共存した状態になる。なお、Ｓｎがいずれの組成においても、温度が一定値以上になると、液相の単相状態になる。
【００１８】
図２（Ｂ）は、Ｐｂ−Ｓｎの２元系状態図である。Ｐｂ−Ｓｎ合金は、Ｐｂが１９重量％以上９７．５重量％以下の場合に、合金となる温度域及び固液共存領域となる温度域それぞれを有する。具体的には、Ｐｂが１９重量％以上６１．９重量％以下の組成において、温度が１８３℃以下の場合には固体の合金として存在し、温度が１８３℃以上になるとＰｂとＰｂ−Ｓｎ合金の液相が共存した状態になる。また、Ｐｂが６１．９重量％超９７．５重量％以下の組成において、温度が１８３℃以下の場合には固体の合金として存在し、温度が１８３℃以上になるとＳｎとＰｂ−Ｓｎ合金の液相が共存した状態になる。なお、Ｐｂがいずれの組成においても、温度が一定値以上になると、液相の単相状態になる。
【００１９】
図１に戻る。次いで図１（Ｂ）に示すように、多元系合金層１０を、固液共存領域となる温度域となるように加熱して、一定時間保持した後、冷却する。これにより、多元系合金層１０は凝固偏析して、表面に凹凸が形成される。例えば多元系合金層１０がＳｎ−Ｂｉ合金であり、かつＳｎが２１重量％以上５７重量％以下の場合、固液共存領域においてＳｎが凝固偏析する。
【００２０】
その後、図１（Ｃ）に示すように、半導体ウェハ１を、ダイシングライン１ｂに沿って複数の半導体チップ１ａに分割する。そして半導体チップ１ａを、配線基板に実装する。このときの実装方式は、例えばＣＯＦ又はＴＣＰである。
【００２１】
図３（Ａ）は、図１（Ａ）の状態における多元系合金層１０の表面を写したＳＥＭ写真であり、図３（Ｂ），（Ｃ）は、ともに図１（Ｂ）の状態における多元系合金層１０の表面を写したＳＥＭ写真である。多元系合金層１０としては、Ｓｎの濃度が８４重量％であるＳｎ−Ｂｉを用いた。図３（Ｂ）は、多元系合金層１０を１６０℃に加熱した後に冷却した例であり、図３（Ｃ）は、多元系合金層１０を１８０℃に加熱した後に冷却した例である。図３（Ａ）と図３（Ｂ），（Ｃ）を比べて明らかなように、多元系合金層１０を固液共存領域に加熱することで、多元系合金層１０の表面に凹凸が形成される。また図３（Ｂ），（Ｃ）を相互に比べて明らかなように、加熱温度を高くすると凹凸が大きくなり、多元系合金層１０の表面積が大きくなる。
【００２２】
以上、本実施形態によれば、半導体チップ１ａの裏面には、凹凸を有する多元系合金層１０が形成される。従って、半導体チップ１ａの裏面の表面積が増加することと同様の効果が得られ、その結果、半導体チップ１ａの裏面からの放熱効率が向上する。また、放熱体を半導体チップ１ａの裏面に取付ける場合と比べて、放熱構造を形成する工程が簡単になる。
【００２３】
なお、本実施形態において、多元系合金層１０を固液共存領域となる温度域になるまで加熱し、その後冷却する処理は、半導体チップ１ａが分割された後に行われても良い。
また、半導体ウェハ１の表面に素子分離構造、複数の半導体素子、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成した後に多元系合金層１０を形成したが、素子分離構造を形成した後、半導体ウェハ１の裏面に多元系合金層１０を形成し、その後に、複数の半導体素子、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成しても良い。また、素子分離構造及び複数の半導体素子を形成した後、半導体ウェハ１の裏面に多元系合金層１０を形成し、その後に、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜を形成しても良い。これらの場合、多元系合金層１０を固液共存領域となる温度域に加熱し、その後冷却する処理は、多元系合金層１０を形成した後のいずれのタイミングで行われても良い。ただし、この処理の後に、多元系合金層１０が液相となる温度域まで加熱される熱処理工程が存在しないことが条件となる。
【００２４】
図４の各図は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、説明を省略する。
【００２５】
まず、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を準備し、この半導体ウェハを半導体チップ１ａの個片に分割する。半導体ウェハの表面には、素子分離構造、複数の半導体素子（例えばトランジスタ）、配線層及び層間絶縁膜、外部接続端子、並びにパッシベーション膜が形成されている。次いで、図４（Ａ）に示すように、半導体チップ１ａの裏面に、多元系合金層１０を形成する。
【００２６】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、多元系合金層１０を、固液共存領域となる温度域まで加熱して、一定時間保持した後、冷却する。これにより、多元系合金層１０は凝固偏析して、表面に凹凸が形成される。
【００２７】
以上、本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお本実施形態において、テープ状のフレキシブル基板に半導体チップ１ａを実装した後、フレキシブル基板を分割する前に、図４（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明した処理を行っても良い。このようにすると、生産性が高くなる。
【００２８】
図５の各図は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、説明を省略する。
【００２９】
まず図５（Ａ）に示すように、放熱体２０を準備する。放熱体２０の表面には、複数の放熱フィン２２が形成されている。次いで、放熱体２０の表面に、多元系合金層１０を形成する。ここで、複数の放熱フィン２２それぞれの表面にも多元系合金層１０を形成する。
【００３０】
次いで図５（Ｂ）に示すように、多元系合金層１０を、固液共存領域となる温度域まで加熱して、一定時間保持した後、冷却する。これにより、多元系合金層１０は凝固偏析して、表面に凹凸が形成される。
【００３１】
次いで図５（Ｃ）に示すように、半導体チップ１ａを準備する。本実施形態において、半導体チップ１ａの裏面には多元系合金層１０が形成されていない。次いで、放熱体２０の裏面を、半導体チップ１ａの裏面に固定する。この固定は、例えば熱伝導性の高い接着剤を用いて行われるが、ネジ止めによって行われても良い。
【００３２】
以上、本実施形態によれば、放熱体２０が有する放熱フィン２２の表面には、凹凸を有する多元系合金層１０が形成される。このため、放熱フィン２２の表面積が増大したことと同様の効果が得られ、放熱フィン２２から空気への放熱効率が増大する。従って、放熱体２０を小型化することができる。
【００３３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】各図は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図２】（Ａ）はＳｎ−Ｂｉの２元系状態図、（Ｂ）はＰｂ−Ｓｎの２元系状態図。
【図３】（Ａ）は、図１（Ａ）の状態における多元系合金層１０の表面を写したＳＥＭ写真、（Ｂ），（Ｃ）は、ともに図１（Ｂ）の状態における多元系合金層１０の表面を写したＳＥＭ写真。
【図４】各図は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図５】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１…半導体ウェハ、１ａ…半導体チップ、１ｂ…ダイシングライン、１０…多元系合金層、２０…放熱体、２２…放熱フィン
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図３】
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