(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の面上に配設された分散型ブラッグ反射器の第１積層体，前記分散型ブラッグ反射器の第１積層体上に配設された第１のクラッド領域，前記第１クラッド領域上に配設された活性領域，前記活性領域上に配設された第２クラッド領域，前記第２クラッド領域上に配設された分散型ブラッグ反射器の第２積層体を含む垂直空洞面発光レーザであって、前記分散型ブラッグ反射器の第２積層体は、前記分散型ブラッグ反射器の第１積層体の外端の内側に側壁を有するリッジを形成し、前記垂直空洞面発光レーザは選択された波長の光を放出する垂直空洞面発光レーザと、
前記垂直空洞面発光レーザの上に配設された不動態化層であって、前記不動態化層は放出される光の波長の半波長の整数倍の光学的厚みを有する不動態化層と、
前記不動態化層と第２クラッド領域との間に配設された不動態化領域であって、前記垂直空洞面発光レーザからレーザを放射するための開口の周囲に配設される不動態化領域と、
前記不動態化層の下層において前記活性領域とほぼ一致する開口を形成するように設けられた導電層であって、前記開口は前記活性領域からの光を前記垂直空洞面発光レーザより導出させるために設けられている導電層と
を備えることを特徴とする不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項２】
前記不動態化層は誘電体材料であることを特徴とする請求項１記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項３】
前記不動態化層は酸化物又は酸窒化物であることを特徴とする請求項２記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項４】
前記不動態化層は窒化物であることを特徴とする請求項２記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項５】
前記分散型ブラッグ反射器の第２積層体上に配設された接点領域を含むことを特徴とする請求項１記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項６】
前記接点領域は第１層および第２層を含むことを特徴とする請求項５記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項７】
不動態化垂直空洞面発光レーザであって：
面を有する半導体基板と、
屈折率の異なる第１の複数の交互層を有する前記半導体基板の前記面の上に配設された分散型ブラッグ反射器の第１積層体と、
前記分散型ブラッグ反射器に配設された第１クラッド領域であって、前記第１クラッド領域は第１のドープされた層と第１のドープされていない層とを含み、前記第１のドープされた層は前記分散型ブラッグ反射器の第１積層体の上に配設され、前記第１のドープされていない層は前記第１のドープされた層上に配設されている第１クラッド領域と、
前記第１のクラッド領域上に配設された活性領域であって、前記活性領域は量子井戸と第１バリア領域および第２バリア領域とを含み、前記量子井戸は前記第１バリア領域と前記第２バリア領域との間に配置されている活性領域と、
前記活性領域上に配設された第２クラッド領域であって、前記第２クラッド領域は第２のドープされた層と第２のドープされていない層とを含み、前記第２のドープされていない層は前記活性領域上に配設され、前記第２のドープされた層は前記第２のドープされていない層上に配設されている第２クラッド領域と、
屈折率の異なる第２の複数の交互層を有する前記第２クラッド領域上に配設された分散型ブラッグ反射器の第２積層体であって、前記分散型ブラッグ反射器の第１積層体の外端の内側に側壁を有するリッジを形成する分散型ブラッグ反射器の第２積層体と、
前記分散型ブラッグ反射器の第２積層体上に配設された接点領域であって、前記接点領域は第１層および第２層を含む接点領域と、
前記接点領域上に配設された不動態化層であって、前記不動態化層は前記垂直空洞面発光レーザから放出される光の半波長の整数倍の厚みを有し、それによって前記垂直空洞面発光レーザを保護する不動態化層と、
前記不動態化層と第２クラッド領域との間に配設された不動態化領域であって、前記不動態化領域は、前記垂直空洞面発光レーザからレーザを放射するための開口の周囲に配設される不動態化領域と、
前記不動態化層の下層において前記活性領域とほぼ一致する開口を形成するように設けられた導電層であって、前記開口は前記活性領域からの光を前記垂直空洞面発光レーザより導出させるために設けられている導電層と
を備えることを特徴とする不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項８】
前記不動態化層は誘電体材料であることを特徴とする請求項７記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項９】
前記不動態化層は酸化物又は酸窒化物であることを特徴とする請求項８記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【請求項１０】
前記不動態化層は窒化物であることを特徴とする請求項８記載の不動態化垂直空洞面発光レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的には光学素子に関し、特に発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と呼ばれる発光素子に対する関心が高まっている。ＶＣＳＥＬにはアレイの形成が可能であること、処理面に対して垂直に発光すること、および大量生産が可能であること等いくつかの利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＶＣＳＥＬは物理的および化学的損傷からの保護を必要とする敏感な素子である。現在、ＶＣＳＥＬは不動態化されないか、不動態化されたとしてもＶＣＳＥＬの性能の維持に対する配慮がなされず、その結果その物理的完全性が損なわれ、性能特性が著しく低下する。ＶＣＳＥＬは物理的および化学的損傷を受けやすいままでは、大量生産および用途の拡大の上ではいつくかの欠点および問題点を有することとなる。
【０００４】
従来のＶＣＳＥＬにはいくつかの欠点および問題点があり、大量生産には適さないことは明らかである。したがって、物理的および化学的損傷から保護され、その製造工程が簡略化され、信頼性が向上した発光素子およびその製造方法に対する強い要望がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
半導体基板上に配置された垂直空洞面発光レーザを含み、また、この半導体基板の表面に配設された分散型ブラッグ反射器の第１の積層体、分散型ブラッグ反射器の第１の積層体の上に配設された第１のクラッド領域、第１のクラッド領域の上に配設された活性領域、活性領域の上に配設された第２のクラッド領域、および第２のクラッド領域の上に配設された分散型ブラッグ反射器の第２の積層体を含む不動態化垂直空洞面発光レーザにおいて、上記の問題および他の問題が少なくとも部分的に解決され、上記の目的が達成される。この垂直空洞面発光レーザは選択された波長の光を放出するように設計され、この垂直空洞面発光レーザの上には不動態化層が配設され、この不動態化層は放出される光の波長の約半分の整数倍の光学的厚みを有してこのレーザを不動態化しこれを保護する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１および図２は矢印１２１で示す光を放出する本発明に係る発光素子を示し、図１にはリッジ型ＶＣＳＥＬ１０５を、図２にはプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５を示す。図１および図２に示すように、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５はいずれも面１０２を有する半導体基板１０１を含む。層１１０および層１１１によって例示する複数の交互層を有する分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第１の積層体１０９が基板１０１の面１０２の上に配置されている。ドープされた層１１４とドープされていない層１１５とを含む第１のクラッド領域１１３が積層体１０９の上に配置されている。バリア層１１８, 量子井戸層１１９およびバリア層１２０を含む活性領域１１７が第１のクラッド領域１１３の上に配置されている。ドープされていない層１２４とドープされた層１２５とを含む第２のクラッド領域１２３が活性領域１１７の上に配置されている。層１２８および層１２９によって例示する複数の交互層を有する分散型ブラッグ反射器の第２の積層体１２７が第２のクラッド領域１２３の上に配置されている。層１３３と面１３６を有する層１３５とを含む接点領域１３２が第２の積層体１２７の上に配置されている。厚さ１４１の不動態化層１４０を上に設けた導電層１３０が接点領域１３２の面１３６の少なくとも一部の上に配置されている。図１に示すように、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５はまた側壁１０６, 面１０７および取り囲み層１４３によって画成されるリッジを含み、図２には損傷された領域２３４を有するプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５を示す。
【０００７】
図１および図２は概略図であり、本発明をより明確に例示するために多数の要素を省略あるいは簡略化したものであることを指摘しておく。さらに、図１および図２は断面図であり、発光素子１００は図面の向こう側と手前側および図面の左右に広がりを有するものであることに注意されたい。したがって、この発光素子は発光素子のアレイあるいは単一の素子のいずれの例示にも用いうるものである。さらに、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５は、矢印１２１で表わす放出光を正方形, 円, 三角形等のさまざまな形状パターンに整形しうるように形成可能であることを指摘しておく。
【０００８】
一般的に、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５はガリウムヒ素, リン化インジウム等の任意の適当な半導体基板１０１上に製作することができ、半導体基板１０１は面１０２を有する。分散型ブラッグ反射器の積層体１０９, クラッド領域１１３，活性領域１１７, クラッド領域１２３, 分散型ブラッグ反射器の積層体１２７および接点領域１３２が分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）, 有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition ）等の任意の適当な方法で面１０２上にエピタキシャル堆積される。
【０００９】
図１および図２に示すように、接点領域１１２は半導体基板１０１の下側に配設される。接点領域１１２はこの発光素子の電気接点を成す。接点領域１１２が半導体基板１０１の下面に配設された状態では、半導体基板１０１は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９への電路の一部となる。一般的に、接点領域１１２は導電性金属をこの下面にスパッタリングあるいは蒸着し、その後アニーリングするといった当該技術分野において周知の任意の方法で製作され、これによって分散型ブラッグ反射器の積層体１０９が半導体基板１０１を介して接点領域１１２に電気的に結合される。しかし、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の電圧源への電気的結合には他の選択肢すなわち方法も利用可能であることを指摘しておく。たとえば、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９は分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の一部を露出し、その露出部分を金属化し、続いてその金属化した部分を電気的にボンディングすることによって直接結合することも可能である。また、接点領域１１２は必要であれば積層体１０９に隣接する基板１０１の上面１０２の露出部分（図示せず）の上に配置することも可能である。
【００１０】
一般的に、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９および１２７は層１１０, １１１および層１２８, １２９によってそれぞれ例示される複数の交互層からなる。積層体１０９および１２７の複数の交互層は、交互に異なる屈折率を有する材料層を成し、それによって活性領域１１７で生成された光子を反射し続いて光として放出する（矢印１２１）ことを可能とする。これらの交互層は、さまざまな濃度すなわち量のアルミニウムおよびガリウムを有するアルミニウム・ガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ），さまざまな濃度すなわち量のアルミニウムおよびガリウムを有するリン化インジウム・アルミニウム・ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ）等の任意の適当な材料で製作される。しかし、本発明の一実施形態においては、積層体１０９および１２７はアルミニウムおよびガリウムの濃度が交互に異なるアルミニウム・ガリウム砒素で製作される。たとえば、層１１０, １１１はそれぞれＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)ＡｓとＡｌ(0.80)Ｇａ(0.20)Ａｓからなり、層１２９, １２８はそれぞれＡｌ(0.80)Ｇａ(0.20)ＡｓとＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓからなる。この例では具体的な濃度を挙げたが、これらの濃度は例に過ぎず、これらの濃度は好適な濃度を中心に２５％の幅を持たせることができることを指摘しておく。
【００１１】
積層体１０９および１２７は通常それぞれ任意の適当なｎ型ドーパントおよびｐ型ドーパントでドープされる。一般的にセレン（Ｓｅ）, シリコン（Ｓｉ）等の任意の適当なｎ型ドーパントおよび炭素（Ｃ）, ベリリウム（Ｂｅ）等の任意の適当なｐ型ドーパントの使用が可能である。これらのドーパントの濃度の範囲は１Ｅ１５ｃｍ-3から１Ｅ２１ｃｍ-3とすることができ、好適な範囲は１Ｅ１６ｃｍ-3から１Ｅ２０ｃｍ-3、公称範囲は１Ｅ１７ｃｍ-3から１Ｅ１９ｃｍ-3、公称値は１Ｅ１８ｃｍ-3である。
【００１２】
積層体１０９および１２７中の層１１０, １１１および層１２８, １２９で例示する複数の交互層は任意の適当な数の交互対を持つものとすることができる。すなわち、層１１０および１１１を１つの交互対とし、層１２８および１２９を別の交互対とし、交互対の具体的数は任意の数とすることができる。一般的に、交互対の数の範囲は２０対から６０対とすることができ、好適な数の範囲は２５対から５５対、公称数は３０対から４５対の範囲である。しかし、発光素子が８５０ナノメートルの光（矢印１２１）を放出するように調整される本発明の一実施形態においては、積層体１０９および１２７はそれぞれ４０対と２８対の交互層を有する。層１１０, １１１および層１２８, １２９で例示する交互層の厚みは発光素子から放出される光（矢印１２１）の波長に応じて決定および調整される。
【００１３】
一般的に、クラッド領域１１３の層１１４, １１５およびクラッド領域１２３の層１２４, １２５は積層体１０９および１２７と同じ材料で製作される。たとえば、本発明の前記好適実施例においては、層１１４, １１５, １２４および１２５はアルミニウム・ガリウム砒素で製作される。しかし、層１１５および１２４はドープされず、層１１４は積層体１０９のドーパントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致した濃度のドーパントでドープされ、層１２５は積層体１２７のドーパントに対応し、それと異なる濃度あるいは一致した濃度のドーパントでドープされる。より詳細には、積層体１０９および１２７がＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)ＡｓとＡｌ(0.80)Ｇａ(0.20)Ａｓの交互層を含む場合、層１１４および１２５はＡｌ(0.5) Ｇａ(0.5) Ａｓからなり、層１１５および１２４はＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓからなる。
【００１４】
一般的に、これら各種の要素の厚みに言及するとき、その測定値は光学的厚みを指す。層１１４, １１５, １２４および１２５の光学的厚みは放出される光（矢印１２１）の波長を測度として用いる当該技術において周知の方法で判定される。したがって、層１１４, １１５, １２４および１２５の具体的な光学的厚みは発光素子から放出される光の波長に応じて異なるものとなる。
【００１５】
図１および図２に示すように、活性領域１１７はバリア層１１８とバリア層１２０とを含み、その間に量子井戸層１１９が配設されている。しかし、活性領域１１７はその最も簡単な形態で示されており、活性領域１１７は複数のバリア層および複数の量子井戸層を含む場合もありうることを指摘しておく。量子井戸層１１９およびバリア層１１８, １２０はガリウム砒素, アルミニウム・ガリウム砒素, リン化インジウム・ガリウム、リン化インジウム・アルミニウム・ガリウム等の任意の適当な材料で製作される。しかし、本発明の好適実施例においては、量子井戸層１１９はガリウム砒素で製作され、バリア層１１８および１２０はアルミニウム・ガリウム砒素（たとえばＡｌ(0.3) Ｇａ(0.7) Ａｓ）で製作される。量子井戸層１１９およびバリア層１１８, １２０は任意の適当な厚みに製作可能であるが、本発明の好適実施例においては、量子井戸層１１９およびバリア層１１８, １２０の厚みの範囲は５０Åから１５０Åとすることができ、好適な範囲は７５Åから１２５Åであり、公称値は１００Åである。しかし、一般的に、活性領域１１７およびクラッド領域１１３, １２３全体の光学的厚みは放出される光の１波長分あるいはその倍数であることを指摘しておく。
【００１６】
図１および図２に示すように、接点領域１３２は層１３３および１３５を含み、分散型ブラッグ反射器の積層体１２７への電気接点を成す。一般的に、層１３３および１３５は積層体１０９および１２７と同じ材料で製作される。たとえば、本発明の前記好適実施例においては、層１３３および１３５はアルミニウム・ガリウム砒素で製作され、層１３３はＡｌ(0.8) Ｇａ(0.2) Ａｓであり、層１３５はＡｌ(0.15)Ｇａ(0.85)Ａｓである。しかし、層１３３および１３５は層１３３については１Ｅ１５から１Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピング濃度で強くドープされる。好適な範囲は１Ｅ１６から１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範囲は１Ｅ１７から１Ｅ１９ｃｍ-3である。層１３５については、１Ｅ１７から１Ｅ２１ｃｍ-3の範囲のドーピング濃度でドープされ、好適な範囲は１Ｅ１８から１Ｅ２０ｃｍ-3であり、公称範囲は１Ｅ１９から１Ｅ２０ｃｍ-3、公称値は１Ｅ１９ｃｍ-3である。
【００１７】
ここで図１のリッジ型ＶＣＳＥＬ１０５について詳細に見ると、エピタキシャル堆積の終了後、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９がパターニングされ、リッジすなわちメサが形成される。一般的には、リッジはフォトリソグラフィ, エッチング, 引上法(lift-off), その任意の組み合わせ等の当該技術において周知の任意の適当な方法で製作される。分散型ブラッグ反射器の積層体１０９内にリッジを画成することによって、積層体１０９内に活性領域１１７内に形成される光および動作電流を反射および誘導する光路が画成される。
【００１８】
図２に転じて、エピタキシャル堆積が終了すると、分散型ブラッグ反射器の積層体１０９の上にイオン注入マスク（図示せず）が形成される。このイオン注入マスクはフォトリソグラフィ, 蒸着, エッチング, その任意の組み合わせ等当該技術において周知の任意の適当な方法で製作される。このイオン注入マスクは積層体１０９の一部を露出する開口部を有し、一方で積層体１０９の他の部分を覆ってこれを保護する。通常、このイオン注入マスクはドット・パターンに形成される。すなわち、イオン注入マスクからなる島が積層体１０９上に配置される。イオン注入マスクの形成後、積層体１０９に当該技術において周知の任意の適当な方法を用いてイオン注入が行なわれる。一般的に、イオン注入においては、積層体１０９の露出された面を介してイオンが注入され、そのときイオン注入マスクは積層体１０９の露出されていない面を保護し、イオンの侵入を防止する。イオンが露出面を通過して積層体１０９に達すると、かかるイオンは結晶格子構造を損傷し、高抵抗の損傷領域２３４が発生する。損傷領域２３４は損傷のない領域のように容易に導電せず、電流は損傷のない領域に閉じ込められる。
【００１９】
リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５あるいはプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５の形成後、一連の堆積およびパターニング工程が実行され、層１４３（図１にのみ示す）, １３０および１４０が形成される。一般的に、かかる堆積およびパターニング工程は、化学蒸着（ＣＶＤ）, プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）, スパッタリング, フォトリソグラフィ, 引上法, エッチング等の当該技術において周知の任意の適当な方法およびその組み合わせを用いて実行される。
【００２０】
図１において、層１２７は窒化物, 酸窒化物, 酸化物等の任意の適当な誘電体材料で製作されている。層１４３が上述の構造を覆うように堆積される。次に、層１２７がパターニングされ、リッジの面１３６が露出され、層１４３の他の部分は図１に示すように層１４３が除去されなかった構造を不動態化すなわち絶縁する。
【００２１】
図１および図２のいずれにも示すように、次に導電層１３０がかかる構造の上に堆積される。導電層１３０はチタニウム・タングステン, チタニウム金, 金, アルミニウム, 銀等の任意の適当な導電性材料あるいは合金で製作される。続いて、導電層１３０がパターニングされて接点領域１３２の面１３６が露出され、これによって導電層１３０に面１３６を露出させる開口部すなわちアパーチャ１３１および導電層１３０を分散型ブラッグ反射器の積層体１２７に電気的に結合する電気接点が画成される。
【００２２】
続いて、リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５およびプレーナ型ＶＣＳＥＬ２０５上に面１３６を覆って不動態化層１４０が堆積される。不動態化層１４０は酸化物, 窒化物, 酸窒化物等の任意の適当な絶縁性材料で製作される。不動態化層１４０はスピン・オン処理, プラズマ強化化学蒸着等の化学蒸着（ＣＶＤ）処理といった任意の適当な方法で接点領域１３２上に堆積される。不動態化層１４０の厚み１４１は放出される光（矢印１２１）の波長によって決まり、その光学的厚みはこの例では放出される光（矢印１２１）の波長の半分である。たとえば、放出される光の波長が６７０ナノメートルである場合、不動態化層１４０の厚みは３３５ナノメートルである。不動態化層１４０をアパーチャ１３１上に堆積することによって、発光素子１００は光の放出を可能としながら機械的および化学的に保護されるすなわち不動態化される。
【００２３】
図３は分散型ブラッグ反射器の積層体１２７の反射率と発光素子１００から放出される光の波長との関係を示す簡略化したグラフである。図３に示すように、反射率の範囲は１（１００パーセント）から０．９５（９５パーセント）であり、波長の範囲は８００ナノメートルから９００ナノメートルである。すなわち、図３のグラフは不動態化層を有しない積層体１２７の反射率対波長曲線３０４、不動態化層１４０を有し、光学的厚み１４１が放出される光の１／４波長に設定された積層体１２７の反射率対波長曲線３０１、および不動態化層１４０を有し、光学的厚み１４１が放出される光の半波長に設定された積層体１２７の反射率対波長曲線３０６を示す。
【００２４】
曲線３０６は曲線３０４に完全に重なり、光学的厚み１４１が放出される光１２１の半波長である不動態化層１４０を有する積層体１２７と不動態化層１４０を有しない積層体１２７との間に反射率の差がないことを示している。したがって、曲線３０４では積層体１２７の反射率が保たれており、曲線３０１（１／４波長の厚みの不動態化層）は０．２パーセントの反射率の低下を示している。不動態化層１４０の１／４波長の光学的厚みに起因する反射率の低下を補償するために、積層体１２７に多数の交互層を追加しなければならず、かかる追加の層によって素子の抵抗値と有効共振器間吸収損が増大する。このために、曲線３０４はＶＣＳＥＬ１００の所期の設計性能を保持するためには半波長の厚みの不動態化層を使用すべきことを示している。
【００２５】
【発明の効果】
以上に発光素子およびその製造方法が開示されたことは理解されよう。この発光素子は発光素子を物理的および化学的損傷から保護し、それによって高い性能レベルを維持し、また素子寿命を延ばす不動態化層を含む。さらに、この不動態化層は発光素子の処理フローに組み込まれているから、この発光素子の生産性は高く、それによって全体的コストが低減され、信頼性および品質の大きな改善が可能となる。
【００２６】
本発明の具体的実施形態を図示および説明したが、当業者にはこれ以外の変更や改良の考案が可能であろう。したがって、本発明はここに示した特定の形態には限定されないものであることが理解されることを望み、また特許請求の範囲には本発明の精神および範囲から逸脱しないあらゆる変更態様が含まれることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施したリッジ型ＶＣＳＥＬの概略断面図。
【図２】本発明を実施したプレーナ型ＶＣＳＥＬの概略断面図。
【図３】分散型ブラッグ反射器の積層体であって、不動態化層を有しないもの、および放出される光の１／４波長の不動態化層を有するもの、あるいは半波長の厚みを有する不動態化層を有するものの反射率対波長の関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１００   発光素子
１０１   半導体基板
１０２   半導体基板１０１の面
１０５   リッジ型ＶＣＳＥＬ
１０６   リッジ型ＶＣＳＥＬ１０５の側壁
１０７   ＶＣＳＥＬ１０５の面
１０９   分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第１の積層体
１１０, １１１   積層体１０９の層
１１２   接点領域
１１３   第１のクラッド領域
１１４, １１５   第１のクラッド領域の層
１１７   活性領域
１１８   活性領域１１７のバリア層
１１９   活性領域１１７の量子井戸層
１２０   活性領域１１７のバリア層
１２１   光
１２３   第２のクラッド領域
１２４, １２５   第１のクラッド領域の層
１２７   分散型ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の第２の積層体
１２８, １２９   積層体１２７の層
１３０   導電層
１３２   接点領域
１３３, １３５   接点領域１３２の層
１３６   接点領域１３２の面
１４０   不動態化層
１４１   不動態化層１４９の厚み
１４３   取り囲み層
２０５   プレーナ型ＶＣＳＥＬ
２３４   ＶＣＳＥＬ２０５の損傷された領域
３０１, ３０４,  ３０６   反射率対波長曲線
【図１】
0004359345.tif 000002
【図２】
0004359345.tif 000003
【図３】
0004359345.tif 000004