(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体から、エンボスピットで該光記録媒体上の位置を示すＩＤ信号を光学的に読み取る光記憶装置であって、
該光記録媒体で反射された戻り光を検出する、該光記録媒体のトラック方向に対応する方向に少なくとも２分割された構成のフォトディテクタと、
該フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、該トラック方向の差信号ＴＰＰを求めてＩＤ信号として出力するＩＤ信号検出部と、
前記戻り光を前記トラック方向に対応する方向に３分割して前記フォトディテクタに照射するフーコーユニットを備え、
前記ＩＤ信号検出部は、該フォトディテクタで検出された戻り光の中央部分を除く部分の検出結果を用いて前記差信号ＴＰＰを求め、前記中央部分は前記トラック方向と直交する方向に対応する方向に分割してトラッキングエラー信号を求めるのに用いられることを特徴とする、光記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の光記憶装置において、
前記フォトディテクタは、前記光記録媒体のトラック方向に対応する方向に２分割した光ビームの成分と、トラック横断方向に対応する方向に２分割した光ビームの成分を検出するように分割されており、
前記ＩＤ信号検出部は、該フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、該トラック横断方向の差信号を前記光再生信号として出力することを特徴とする、光記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光記憶装置において、
前記ＩＤ信号検出部は、前記フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、前記トラック方向に対応する方向の総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として出力することを特徴とする、光記憶装置。
【請求項４】
請求項３記載の光記憶装置において、
前記差信号ＴＰＰ及び前記総和信号ＳＵＭのいずれか一方を選択的に前記ＩＤ信号として出力する出力部を更に備えたことを特徴とする、光記憶装置。
【請求項５】
請求項４記載の光記憶装置において、
前記光記録媒体の種類又は容量に応じて自動的に前記出力部の切替を制御する制御部を更に備えたことを特徴とする、光記憶装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の光記憶装置において、
前記光記録媒体は光磁気記録媒体であり、
前記出力部は、エンボスピットの深さが約８０ｎｍ以下の時に差信号ＴＰＰを選択的にＩＤ信号として出力することを特徴とする、光記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体、データブロック識別マークの検出方法及び光記憶装置に関し、特に、データブロック識別マークの誤検出が減少するようにデータブロック識別マークを配置した光記録媒体及びランド又はグルーブの一方にのみデータブロック識別マークが配置された光記録媒体よりデータブロック識別マークを検出するデータブロック識別マークの検出方法及び光記憶装置に関する。
【従来の技術】
光磁気ディスクでは、記録するデータを一定の大きさ毎に区切り、これに、光磁気ディスク内でセクタ（データブロック）を区別する為の識別（ＩＤ：Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）情報を一定の大きさ毎に区切ったデータの前に付加し、更に、ＩＤ情報の開始を示すためのセクタマーク（データブロック識別マーク）をＩＤ情報の前に付加して、セクタマークとＩＤ情報とデータより構成されるセクタを単位とする。そして、このセクタを単位として同心円又はスパイラル状に形成したトラックにデータを記録する。
【０００２】
図１は、従来のＩＳＯ規格に準じた光磁気ディスク媒体等の、ランド記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置を示した図である。本例では、ランド１０１に、セクタマーク１０２をエンボスピットで形成する。
【０００３】
又、他の光磁気ディスク媒体の例としては、特開平１０−０８３５８９号公報にランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスクのセクタマークの形成方法及び溝深が記載されている。図２は、このランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置を示した図である。本例では、ランド２０１及びグルーブ２０２の両方にセクタマーク２０３が形成されている。
【０００４】
更に、別の光磁気ディスク媒体の例としては、特開平１０−０７９１２５号公報にスタガＩＤ方式のランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスク媒体において、正確なトラックカウント方法を得るための、プリピット及び計数グルーブの配置方法が記載されている。図３は、このスタガＩＤ方式のランド・グルーブ記録の場合のセクタマーク配置及び光ビームを示した図である。本例でも、上記と同様に、ランド３０１及びグルーブ３０２の両方にランドのセクタマーク３０４及びグルーブのセクタマーク３０３が形成されている。光ビーム３０５は、ランドをおよびグルーブを走査する。
【０００５】
図４は、従来の光磁気ドライブにおける光学系の構成図を示したものである。光磁気ドライブの光学系は、半導体レーザ４０１、コリメータ４０２、偏光ビームスプリッタ４０３、対物レンズ４０４、光磁気ディスク４０５、第２のビームスプリッタ４０６、ウオラストンプリズム４０７、集光レンズ４０８、２分割フォトディテクタ４０９、平板ガラス４１０、集光レンズ４１１、４分割フォトディテクタ４１２より成る。２分割フォトディテクタ４０９のビーム入射方向より見た拡大図を２分割フォトディテクタ４０９の下方に、又、４分割フォトディテクタ４１２のビーム入射方向より見た拡大図を４分割フォトディテクタ４１２の右方に示す。２分割フォトディテクタ４０９拡大図のａ及びｂは分割されたフォトディテクタの各部を示す。又、４分割フォトディテクタ４１２拡大図のｐ，ｑ，ｒ及びｓは分割されたフォトディテクタの各部を示す。半導体レーザ４０１から出射された光束は、コリメータ４０２によって平行光に変換され、偏光ビームスプリッタ４０３を透過して、対物レンズ４０４により、光磁気ディスク４０５に集光される。光磁気ディスク４０５に予め磁場をかけておき、半導体レーザ４０１を記録信号に応じて変調することにより、光磁気信号が記録される。
【０００６】
再生の際は、記録時よりも低いパワーで半導体レーザ４０１を発光させ、光磁気ディスク４０５からの反射光を読み取る。反射光は、対物レンズ４０４を経て、偏光ビームスプリッタ４０３で反射される。更にこの反射光は、第２のビームスプリッタ４０６で分割される。
【０００７】
反射した光束は、ウオラストンプリズム４０７でＰ偏光成分とＳ偏光成分に分割され、それぞれ集光レンズ４０８を経て２分割フォトディテクタ４０９に集光される。この２分割フォトディテクタ４０９の差信号（ａ−ｂ）を光磁気信号として検出する。セクタマークは、ＩＤ信号として、和信号（ａ＋ｂ）により検出する。
【０００８】
一方、第２のビームスプリッタ４０６を透過した光束は、１対の平板ガラス４１０を経て、集光レンズ４１１により、４分割フォトディテクタ４１２上に集光される。１対の平板ガラス４１０は、対物レンズ４０４の焦点方向位置により非点収差を発生させ、４分割フォトディテクタ４１２上のビーム形状は楕円となる。このとき、楕円の長軸・短軸の向きが４分割フォトディテクタ４１２の暗線４１２Ｘ、４１２Ｙと４５度の角度をなすように、１対の平板ガラス４１０の取り付け方向を、図４の紙面に対して４５度傾ける。４分割フォトディテクタ４１２の対角同士の和信号（ｐ＋ｓ）及び（ｑ＋ｒ）の差信号（ｐ＋ｓ）−（ｑ＋ｒ）をフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）とする。又、光磁気ディスク４０５から戻る１次回折光のプッシュプル信号（ｐ＋ｑ）−（ｒ＋ｓ）をトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）とする。
【０００９】
図５は、ランド・グルーブとビーム及びディテクタの位置関係を示した図である。図５（Ａ）は、ランド・グルーブとビームの位置関係を示したものである。ランド５０２は半径方向に配置され、ランド５０２上をビーム５０３が走査する。図５（Ｂ）は、ビームと２分割フォトディテクタ４０９の関係を示す。ビーム５０３の反射光は、２分割フォトディテクタ４０９上でａ、ｂに分かれて集光する。図５（Ｃ）は、ビームと４分割フォトディテクタ４１２の関係を示す。ビーム５０３の反射光は、４分割フォトディテクタ４１２上で、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ部にまたがって、集光する。
【００１０】
次に、セクタマークの検出方法について説明する。図６は、図４に示した従来の光磁気ドライブにおける光学系において、反射光を２分割フォトディテクタ４０９により検出してセクタマークを検出するセクタマーク検出回路６００を示す。セクタマーク検出回６００は、光学系の２分割フォトディテクタ４０９の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換器６０１及び６０２と、加算器６０３、１階微分回路６０４、２階微分回路６０５、コンパレータ６０６、６０７、６０８、ＡＮＤ回路６０９、６１０及びフリップフロップ回路６１１より構成される。
【００１１】
図７は、図６の従来のセクタマーク検出回路６００の各部の信号波形を示す。図７（Ａ）は、セクタマーク７０１とビーム５０３の関係を示す。光磁気ディスク４０５は矢印の方向に走行している。図７（Ｂ）は各部の信号波形を示す。
【００１２】
セクタマーク７０１上をビームスポット５０３が通過すると、２分割フォトディテクタ４０９に、光磁気ディスク４０５からの戻り光が入り、２分割フォトディテクタ４０９は戻り光の強度に応じて電流を出力する。この電流は電流電圧変換器６０１及び６０２により電圧に変換された後、加算器６０３によりａとｂの和信号６２１が得られる。
【００１３】
和信号６２１は、１階微分回路６０４及び２階微分回路６０５によりそれぞれ１階微分及び２階微分される。１階微分信号６２２は、コンパレータ６０６により正の電圧レベル６２４と比較され、コンパレータ出力信号６２７に変換される。又、１階微分信号６２２は、コンパレータ６０７により負の電圧レベル６２５と比較され、コンパレータ出力信号６２８に変換される。２階微分信号６２３は、コンパレータ６０８によりゼロボルトレベル６２６と比較され、コンパレータ６０８の正相の出力信号６２９及び、逆相の出力信号６３０に変換される。コンパレータ６０６の出力信号６２７とコンパレータ６０８の逆相の出力信号６３０がＡＮＤ回路６０９に入力し、ＡＮＤ回路６０９の出力信号６３１が得られる。又、コンパレータ６０７の出力信号６２８とコンパレータ６０８の正相の出力信号６２９がＡＮＤ回路６１０に入力し、ＡＮＤ回路６１０の出力信号６３２が得られる。ＡＮＤ回路６０９の出力信号６３１により、フリップフロップ６１１がセットされ、又、ＡＮＤ回路６１０の出力信号６３２によりフリップフロップ６１１がリセットされて、フリップフロップ６１１よりセクタマーク信号６３３が検出される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
図１に示したランド記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置を、ランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスクに適用すると、図２に示したランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置となる。ランド・グルーブ記録の場合には、ディスクの半径方向に記録密度が高まるので、ランド・グルーブそれぞれに、位相ピットでセクタマークを形成することが困難となる。
【００１５】
又、半径方向に高記録密度にすると、上述したディスク製作上の問題とは別に、ランドとグルーブで隣接トラックからの信号が混入するクロストークの問題が発生する。この問題の解決の為に、特開平１０−０７９１２５号公報では、ランド及びグルーブのピットによるＩＤ信号を円周方向にずらして形成するスタガＩＤ方式について記載されている。このスタガＩＤ方式の場合には、図３に示すように、セクタマークもランド、グルーブのそれぞれについてずらして配置するので、円周方向にグルーブのセクタマーク３０３とランドのセクタマーク３０４の２つのセクタマークがずれて配置される。これによって、クロストークによりセクタマークを誤検出する可能性があった。
【００１６】
そこで、本発明は、クロストークによるセクタマーク等のデータブロック識別マークの誤検出を防止できる光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１７】
又、本発明は、ランド又はグルーブの一方にのみセクタマーク等のデータブロック識別マークが配置された光記録媒体よりデータブロック識別マークを検出するデータブロック識別マークの検出方法及び光記憶装置を提供することを目的とする。
【００１８】
更に、本発明は、データ再生に良好なトラック溝深さに合わせてエンボスピットを浅くしても、データ再生信号のＳ／Ｎ比を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出可能とする光記録媒体及び光記憶装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、基板上に所定方向に沿って交互に配置されたランド及びグルーブと、前記ランド及び前記グルーブに設けられたデータ記録領域と、前記ランド及び前記グルーブの一方にのみ設けられ、データブロック識別マークが記録されたセクタマーク記録領域とを有することを特徴とする光記録媒体によって達成できる。本発明によれば、ランド又はグルーブのどちらか一方のみにデータブロック識別マークが配置されるので、クロストークによりデータブロック識別マークを誤検出する可能性を少なくなくすことができる。
【００２０】
光記録媒体において、前記データブロック識別マークは、グルーブ上に形成したランドと略同じ高さの凸部、或いは、ランド上に形成したグルーブと略同じ深さの凹部からなるようにしても良い。この場合、グルーブのみ又はランドのみにデータブロック識別マークが配置されるので、クロストークによりデータブロック識別マークを誤検出する可能性をなくすことができる。
【００２１】
光記録媒体は、前記ランド上のデータ記録領域を識別する識別情報が記録された第１の識別情報記録領域と、前記グルーブ上のデータ記録領域を識別する識別情報が記録された第２の識別情報記録領域とを有し、前記データブロック識別マークは前記第１及び第２の識別情報記録領域の一方にのみ記録されている構成とすることもできる。この場合、ランド又はグルーブのどちらか一方のみにデータブロック識別マークが配置されるので、クロストークによりデータブロック識別マークを誤検出する可能性を少なくなくすことができ、又、ランド及びグルーブ上にそれぞれデータ記録領域を識別する識別情報を配置できるので、ランド及びグルーブそれぞれのデータ記録領域を識別できる。
【００２２】
上記光記録媒体において、第２の識別情報記録領域は、第１の識別情報記録領域にトラック方向にずれて配置されるようにしても良い。この場合、ランド又はグルーブのどちらか一方のみにデータブロック識別マークが配置されるので、クロストークによりデータブロック識別マークを誤検出する可能性を少なくすことができ、又、ランド及びグルーブ上にそれぞれ第１の識別情報記録領域と第２の識別情報記録領域とを位置をずらして配置できるので、ランド及びグルーブそれぞれの識別情報がクロストークにより誤検出する可能性を少なくすることができる。
【００２３】
上記光記録媒体において、前記データ記録領域を識別する情報は、光学的情報記録方式で記録した構成としても良い。この場合、ランド・グルーブを形成するだけで、光記録媒体を製作できる。
【００２４】
上記光記録媒体において、前記データブロック識別マークを構成する凸部又は凹部の幅は、グルーブの幅又はランドの幅と同一又は広い構成とすることもできる。この場合、再生波形歪みの少なく、再生信号振幅の大きいデータブロック識別マークを配置できる。
【００２５】
上記光記録媒体において、前記データ記録領域を構成する前記グルーブの深さと、前記データブロック識別マークを構成する凸部の高さ又は凹部の深さは互いに異なるようにしても良い。この場合、データ記録領域の溝の深さとデータブロック識別マークを配置した領域の溝の深さをそれぞれ独立に最適化できる。
【００２６】
上記光記録媒体において、光記録媒体の前記所定方向に分割された領域毎の境界に、トラックのみで構成されたバッファトラックを配置しても良い。この場合、領域の境界で、バッファトラックを設けたことにより、データブロック数の異なる隣接する領域からのクロストークによるデータブロック識別マークの誤検出を防止できる。
【００２７】
上記の課題は、基板上に所定方向に沿って交互に配置されたランド及びグルーブと、前記ランド及び前記グルーブに設けられたデータ記録領域と、前記ランド及び前記グルーブの一方にのみ設けられ、データブロック識別マークが記録されたデータブロック識別マーク記録領域とを有する光記録媒体から、前記データブロック識別マーク記録領域の無い前記ランド又は前記グルーブについては前記データブロック識別マーク記録領域から漏れ込む前記データブロック識別マークのクロストーク信号を検出することにより前記データブロック識別マークを検出するステップを有することを特徴とするデータブロック識別マークの検出方法によっても達成できる。本発明によれば、前記ランド及びグルーブの一方にのみ設けられたデータブロック識別マーク記録領域を有する光記録媒体から、前記データブロック識別マーク記録領域から漏れ込む前記データブロック識別マークのクロストーク信号を検出することにより前記データブロック識別マークを検出できる。
【００２８】
上記の課題は、基板上に所定方向に沿って交互に配置されたランド及びグルーブと、前記ランド及び前記グルーブに設けられたデータ記録領域と、前記ランド及び前記グルーブの一方にのみ設けられ、データブロック識別マークが記録されたデータブロック識別マーク記録領域とを有する光記録媒体から、前記データブロック識別マーク記録領域の無い前記ランド又は前記グルーブについては前記データブロック識別マーク記録領域から漏れ込む前記データブロック識別マークのクロストーク信号を検出することにより前記データブロック識別マークを検出するデータブロック識別マーク検出部と、前記データ記録領域に記録されたデータを検出する第１の検出部と、前記データブロック識別マークを検出する第２の検出部とを有することを特徴とする光記憶装置によっても達成できる。本発明によれば、前記ランド及びグルーブの一方にのみ設けられたデータブロック識別マーク記録領域を有する光記録媒体から、前記データブロック識別マーク記録領域から漏れ込む前記データブロック識別マークのクロストーク信号を検出することにより前記データブロック識別マークを検出できる光記憶装置を得ることができると共に、データを検出する検出部と、前記データブロック識別マークを検出する検出部とを分離した光記憶装置を得ることができる。
【００２９】
上記光記憶装置において、前記第２の検出部は、前記光記録媒体のトラック方向及び/又はトラック横断方向に少なくとも２分割された光ビームの成分を検出する構成としても良い。この場合、前記データブロック識別マークを検出する検出部を分割した光記憶装置を得ることができる。又、隣接するデータブロック識別マークの位置ずれによる誤動作が無くデータブロック識別マークの検出ができる光記憶装置を得ることができる。更に、データブロック識別マーク検出回路の中の微分回路の回路数を低減した光記憶装置を得ることができる。更に、データブロック識別マークの検出方法を、光記録媒体からの信号の再生状況によって切り替えて、データブロック識別マークを検出することができる光記憶装置を得ることができる。
【００３０】
上記光記憶装置において、前記データブロック識別マーク検出部は、前記第２の検出部の前記光記録媒体のトラック方向に２分割した光ビーム検出成分から得られる２つの出力信号の和信号及び差信号のうちいずれか一方の信号により、前記データブロック識別マークを検出する構成としても良い。この場合、前記第２の検出部の２つの出力信号の和信号又は差信号により、前記データブロック識別マークを検出する光記憶装置を得ることができる。特に、前記第２の検出部の２つの出力信号の差信号により前記データブロック識別マークを検出する場合、データブロック識別マーク検出回路の中の微分回路の回路数を低減した光記憶装置を得ることができる。
【００３１】
上記光記憶装置において、前記データブロック識別マーク検出部は、前記第２の検出部の前記光記録媒体のトラック横断方向に２分割した光ビーム検出成分から得られる２つの出力信号の和信号及び差信号のうちいずれか一方の信号により、前記データブロック識別マークを検出する構成としても良い。この場合、前記第２の検出部の２つの出力信号の和信号又は差信号により、前記データブロック識別マークを検出する光記憶装置を得ることができる。特に、前記第２の検出部の２つの出力信号の差信号により前記データブロック識別マークを検出する場合、データブロック識別マーク検出回路の中の微分回路の回路数を低減した光記憶装置を得ることができる。
【００３２】
上記の課題は、トラック溝とピットが同じ深さで、且つ、トラック溝の深さがデータ再生に適した所定の深さに設定された光記録媒体が利用可能な光記憶装置であって、前記光記録媒体で反射された戻り光を検出する、該光記録媒体のトラック方向に少なくとも２分割した光ビームの成分を検出するフォトディテクタと、
該フォトディテクタで検出した、トラック方向に２分割した光ビームの成分の出力信号の差信号ＴＰＰを求めてＩＤ信号として出力するＩＤ信号検出部とを備えたことを特徴とする光記憶装置によっても達成できる。本発明によれば、エンボスピットが浅い場合でも、データ再生信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出することができる。
【００３３】
上記の課題は、光記録媒体から、エンボスピットで該光記録媒体上の位置を示すＩＤ信号を光学的に読み取る光記憶装置であって、該光記録媒体で反射された戻り光を検出する、該光記録媒体のトラック方向に対応する方向に少なくとも２分割された構成のフォトディテクタと、該フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、該トラック方向の差信号ＴＰＰを求めてＩＤ信号として出力するＩＤ信号検出部とを備えたことを特徴とする光記憶装置によっても達成できる。本発明によれば、エンボスピットが浅い場合でも、データ再生信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出することができる。
【００３４】
上記光記憶装置において、前記フォトディテクタは、前記光記録媒体のトラック方向に対応する方向に２分割した光ビームの成分と、トラック横断方向に対応する方向に２分割した光ビームの成分を検出するように分割されており、前記ＩＤ信号検出部は、該フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、該トラック横断方向の差信号を前記光再生信号として出力するようにしても良い。この場合、エンボスピットが浅い場合でも、データ再生信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出することができる。
【００３５】
上記光記憶装置において、前記戻り光を前記トラック方向に対応する方向に３分割して前記フォトディテクタに照射するフーコーユニットを更に備え、前記ＩＤ信号検出部は、該フォトディテクタで検出された戻り光の中央部分を除く部分の検出結果を用いて前記差信号ＴＰＰを求める構成とすることもできる。この場合、光学系の構成を簡単にすることができる。
【００３６】
上記光記憶装置において、前記ＩＤ信号検出部は、前記フォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、前記トラック方向に対応する方向の総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として出力する構成としても良い。この場合、２種類のＩＤ信号を得ることができるので、振幅の大きい方をＩＤ信号として使用し得る。
【００３７】
上記光記憶装置において、前記差信号ＴＰＰ及び前記総和信号ＳＵＭのいずれか一方を選択的に前記ＩＤ信号として出力する出力部を更に備えるようにしても良い。この場合、光記録媒体に応じて最適なＩＤ信号を選択的に得ることができる。
【００３８】
上記光記憶装置において、前記光記録媒体の種類又は容量に応じて自動的に前記出力部の切替を制御する制御部を更に備えるようにしても良い。この場合、光記録媒体に応じて、自動的に最適なＩＤ信号を得ることができる。
【００３９】
上記光記憶装置において、前記光記録媒体は光磁気記録媒体であり、前記出力部は、エンボスピットの深さが約８０ｎｍ以下の時に差信号ＴＰＰを選択的にＩＤ信号として出力するようにすることもできる。この場合、常に振幅の大きいＩＤ信号を得ることができる。
【００４０】
又、上記光記憶装置において、前記光記録媒体のトラック横断方向に２分割されている前記第２の検出部の一方の出力信号を選択する選択手段と、前記選択手段により選択した信号により、前記データブロック識別マークを検出するようにしても良い。この場合、検出部の出力レベルに応じて検出部を選択してデータブロック識別マークを検出することができる光記憶装置を得ることができる。
【００４１】
更に，上記光記憶装置において、前記光記録媒体のトラック横断方向に２分割されている前記第２の検出部の２つの出力信号の和信号又は一方の出力信号を選択する選択手段と、前記選択手段により選択した信号により、前記データブロック識別マークを検出するようにしても良い。この場合、データブロック識別マークの検出方法を、光記録媒体からの信号の再生状況によって切り替えて、データブロック識別マークを検出することができる光記憶装置を得ることができる。
【００４２】
上記光記憶装置において、前記選択手段の選択結果に従って、レーザーの発光量を変化させるようにしても良い。この場合、検出部の出力信号レベルによって、レーザーの発光量を変化させることができる光記憶装置を得ることができる。
【００４３】
上記光記憶装置において、レーザーの所定の発光量で前記データブロック識別マークの検出を行った結果に基づいて、レーザーの前記発光量を変化させる構成とすることもできる。この場合、光記録媒体毎に最適にレーザーの発光量を変化させることができる光記憶装置を得ることができる。
【００４４】
上記光記憶装置において、前記選択手段の選択結果に従って、対物レンズを前記光記録媒体のトラック横断方向にシフトさせるようにしても良い。この場合、隣接するデータブロック識別マークの位置ずれによる誤動作が無くデータブロック識別マークの検出ができる光記憶装置を得ることができる。
【００４５】
他方、上記光記憶装置において、前記戻り光を前記円周方向に対応する方向に分割して前記フォトディテクタに照射するフーコーユニットを更に備えた構成としても良い。この場合、光学系の構成を簡単にすることができる。
【００４６】
又、上記光記憶装置において、前記戻り光を２分割又は３分割して前記フーコーユニットに供給するウォラストンプリズムを更に備えた構成としても良い。この場合も、光学系の構成を簡単にすることができる。
【００４７】
更に、上記光記憶装置において、前記ＩＤ信号検出部は、単一のフォトディテクタの各分割部からの出力信号に基づいて、前記ＩＤ信号、再生データ信号、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を出力する構成とすることもできる。この場合、フォトディテクタの数を最小限にして光記憶装置の構成を簡単にすることができる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
本発明になる光記録媒体、データブロック識別マークの検出方法及び光記憶装置の各実施例を、以下に図８以降と共に説明する。
【００４９】
【実施例】
次に、本発明になる光記録媒体の第１実施例について説明する。本実施例では、本発明が光磁気ディスクに適用されている。
【００５０】
図８は、本発明の光記録媒体の第１実施例の光磁気ディスクのセクタ配置図である。光磁気ディスク８０１には、データの記録単位であるデータブロック、即ち、セクタの先頭を示すセクタマーク８０２が、データブロック識別マークとして図８に示すように記録されている。
【００５１】
図８に示した光磁気ディスク１０１は、ＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式で記録された実施例である。この場合には、外周ゾーンから内周ゾーンに行くに従って、ディスク１周に記録するセクタ数が減少する。
【００５２】
図９は、セクタマークをグルーブに配置した光ディスクの実施例を示したものである。図９（Ａ）は斜視図、図９（Ｂ）は平面図、図９（Ｃ）はＩＤ部をエンボスピットで形成した平面図、図９（Ｄ）はＩＤ部を光磁気で記録した平面図である。
【００５３】
本実施例では、グルーブピッチは１．２μｍ（トラックピッチ０．６μｍ）である。基板材料は、ガラス又はポリカーボネートのいずれで形成されていても良い。ランド９０１とグルーブ９０２がディスク半径方向に交互に配置され、グルーブ９０２において、グルーブを部分的に彫らない部分即ち、グルーブ上に形成したランドと略同じ高さの凸部にセクタマーク９０３を形成する。このセクタマーク９０３は、ランド及びグルーブの両方のトラックで共用する。図９（Ｂ）において、グルーブでは斜線部９０５、ランドでは斜線部９０６においてそれぞれフォトディテクタへの戻り光量が変化するため、セクタマークとして検出することができる。
【００５４】
なお、セクタマーク以外のＩＤ部分は、図９（Ｃ）に示すようにエンボスピットにてＩＤ信号９０７を形成しても良く、又、図９（Ｄ）に示すように光磁気記録や相変化記録でＩＤ信号９０８を記録しても良い。
【００５５】
次に、本発明になる光記録媒体の第２実施例について説明する。図１０は本発明になる光記録媒体の第２実施例を示す。図１０（Ａ）は斜視図、図１０（Ｂ）は平面図である。本実施例では、グルーブを完全に彫り込み、又、ランドにおいても部分的に彫り込んで、ランド上にグルーブと略同じ深さの凹部を形成する。この凹部にセクタマーク１００１を形成する。このセクタマーク１００１は、上記第１実施例と同様にランド及びグルーブの両方で共用する。
【００５６】
次に、本発明になる光記録媒体の第３実施例について説明する。図１１は、本発明になる光記録媒体の第３実施例を示す。本実施例は、ＩＤ信号を円周方向にずらすスタガＩＤ方式の場合である。図１１（Ａ）はゾーン内の境界以外の場合を示し、ランド９０１とグルーブ９０２がディスク半径方向に交互に配置され、グルーブ９０２において、グルーブ上に形成したランドと略同じ高さの凸部にセクタマーク１１０２を形成する。このセクタマーク１１０２は、ランド及びグルーブの両方で共用する。又、グルーブのＩＤ信号１１０３は、円周に沿ってセクタマーク１１０２のすぐ後に配置し、ランドのＩＤ信号１１０４は、円周に沿ってグルーブのＩＤ信号１１０３のすぐ後に配置する。
【００５７】
図１１（Ｂ）は、ゾーンの境界の部分を示す。図１１（Ｂ）に示すゾーン１及びゾーン２の配置では、ゾーンの境界部分では、セクタマーク１１０５とセクタマーク１１０６が円周方向にずれて配置される。このように配置された場合、セクタマークをクロストークにより検出するために、ゾーン１の最終ランドトラックＬ（Ｎ）にてセクタマーク１１０５を検出する際に、ゾーン２の先頭グルーブトラックのセクタマーク１１０６を誤検出してしまう。
【００５８】
そこで、本実施例では、図１１（Ｃ）に示すように、ゾーンの境界に、セクタマークやＩＤ情報のためのエンボスピットが無いトラックのみで構成されたバッファトラックＢ１，Ｂ２を設けて上記誤検出を回避する。バッファトラックＢ１，Ｂ２を、トラックのみで構成する理由は、ゾーン毎のピットが干渉し合うので、ピットがないトラックで構成する方が望ましいからである。この場合、実際にデータの書き込みに使用するトラックは、次の（１）又は（２）のいずれかとする。
【００５９】
（１）ゾーン１の最終グルーブトラックはＧ（Ｎ）で、最終ランドトラックはＬ（Ｎ−１）とする。
【００６０】
（２）ゾーン１の最終グルーブトラックはＧ（Ｎ−１）で、最終ランドトラックはＬ（Ｎ−１）とする。
【００６１】
（１）の方が有効にトラックを使用できるが、各ゾーンともグルーブで始まりグルーブで終わることになり、ゾーン内でのランドとグルーブのトラック数が異なることになる。ディスクの欠陥処理等を行うために、ゾーン内のランドトラックとグルーブトラックの数を一致させる必要がある場合には、（２）の方法を使用する。
【００６２】
次に、本発明になる光記録媒体の第４実施例について説明する。図１２は、セクタマークの高さ又は深さとセクタマーク再生信号の変調度との関係を示す。
図１２に示すように、グルーブ上に形成した凸部の高さ及びランド上に形成した凹部の深さが大きくなるに従って、セクタマーク再生信号の変調度は大きくなって行く。一方、光磁気信号を記録する領域においては、溝深さを深くすると、ＣＮＲ（キャリア対雑音比）が劣化する。特に、再生磁場を必要とする超磁気解像（ＭＳＲ）再生においては、グルーブの再生磁場を強くする必要がある。一例として、トラックピッチ０．６μｍ、最短マークの２Ｔ信号が０．３０μｍ程度のランド・グルーブ記録の光磁気ディスクの場合には、セクタマークとＩＤ部の溝深さ（ピット深さ）は５５ｎｍ程度、又、データ記録部の溝深さは４５ｎｍ程度が望ましい。
【００６３】
次に、本発明になる光記憶装置の実施例について説明する。
【００６４】
まず、光記憶装置の第１実施例について説明する。本実施例において光記憶装置を構成する光ディスク装置は、図４の従来の光学系を用い、２分割フォトディテクタ４０９の和信号（ａ＋ｂ）から、図６の従来のセクタマーク検出回路を用いて上記セクタマークを検出することができる。
【００６５】
次に、光記憶装置の第２実施例について説明する。図１３は、光記憶装置の第２実施例の光学系構成図であり、光磁気信号を検出するフォトディテクタとセクタマークを検出するフォトディテクタを分離した光ディスク装置の実施例である。図１３において、図４と同一の符号を付した構成要素は、同一の構成要素を表すものとする。図１３は、図４に示す従来の光学系構成に対し、ビームスプリッタ１３０１、集光レンズ１３０２、２又は４分割フォトディテクタ１３０３を設けて、セクタマークを検出する新たな光学系を設けたものである。第２のビームスプリッタ４０６により分離された光磁気信号の戻り光路中に配置されたビームスプリッタ１３０１により、反射された光は、集光レンズ１３０２により、フォトディテクタ１３０３上に集光される。フォトディテクタ１３０３は分割されていなくとも良いが、２分割以上に分割されていることが望ましい。２分割フォトディテクタ１３０３Ａ、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂ及び、４分割フォトディテクタ１３０３Ｃは、フォトディテクタ１３０３の例を示したものである。２分割フォトディテクタ１３０３Ａは光ディスクの円周方向に分割され、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂは光ディスクの半径方向に分割され、又、４分割フォトディテクタ１３０３Ｃは光ディスクの円周方向及び半径方向に４分割されている。図１４は、セクタマークとビーム及びフォトディテクタの位置関係を示す。図１４の各ディテクタは、図１３に示された同一符号を付した各ディテクタを示す。
【００６６】
先ず最初に、図１３において。２分割フォトディテクタ１３０３Ａを使用した場合の光ディスク装置の実施例について説明する。
【００６７】
図１５は、２分割フォトディテクタ１３０３Ａを使用した場合のセクタマークの検出回路を示す。図１５において、図６と同一符号を付した構成要素は同一の構成要素を表すものとする。図１５において、図６と異なる部分は、フォトディテクタ１３０３Ａの出力電流を、電流電圧変換器６０１，６０２により電圧に変換した後に、減算器１５０１により（ｃ−ｄ）の減算信号を生成する。図６の１階微分回路６０４を減算器１５０１で置き換え、又、２階微分回路６０５を１階微分回路１５０３で置き換える。即ち、図６においては、２分割フォトディテクタ４０９の和信号を１階微分回路６０４により１階微分してコンパレータ６０６、６０７に入力し、又、２分割フォトディテクタ４０９の和信号を２階微分回路６０５により２階微分してコンパレータ６０８に入力した。これに対し、本実施例の光ディスク装置では、減算器１５０１により２分割フォトディテクタ１３０３Ａの出力の差（ｃ−ｄ）を生成し、これを、コンパレータ６０６、６０７に入力し、又、２分割フォトディテクタ１３０３Ａの出力の差（ｃ−ｄ）を１階微分回路１５０３により１階微分して、コンパレータ６０８に入力する。
【００６８】
図１６は、セクタマークの検出波形を示したもので、図６のセクタマーク検出回路の１階微分波形６２２と図１５のセクタマーク検出回路の減算器１５０１の出力波形１５０３を比較したものである。図１６（Ａ）はグルーブの場合を示し、図１６（Ｂ）はランドの場合を示す。このように、図６のセクタマーク検出回路の１階微分波形６２２と図１５のセクタマーク検出回路の減算器１５０１の出力波形１５０３は等価である。これにより、コンパレータ６０６，６０７，６０８からフリップフロップ６１１までは、図６のセクタマーク検出回路と同様の動作を行い、セクタマークを検出する。従って、本実施例の光ディスク装置では、図６に示す従来のセクタマーク検出回路に対し、微分回路を１回路少なくすることができる。
【００６９】
次に、光記憶装置の第３実施例について説明する。本実施例の光記憶装置は、図１３において、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂを使用する場合の光ディスク装置である。
【００７０】
本実施例の光記憶装置は、ディスク製造過程で、セクタマークが位置ずれを起こした場合に特に好適な光ディスク装置の実施例である。まず最初に、セクタマークの位置ずれについて説明する。図１７は、セクタマークの位置ずれを示す図であり、光ディスク媒体の製作時のグルーブのカッティングにおいて、カッティングマシンのスピンドル回転数変動によるセクタマークの位置ずれが発生した場合を示したものである。図１７（Ａ）はディスク１周の先頭部分のセクタマークの配置を示したものであり、又、図１７（Ｂ）はディスク 1周の最後の部分のセクタマークの配置を示したものである。このように、図１７（Ａ）に示すようにディスク 1周の先頭部分のセクタマーク１７０１の配置を合わせても、図１７（Ｂ）に示すようにディスク１周の最後の部分のセクタマーク１７０２のようにずれを生じる。このように、隣接のセクタマークの配置にずれを生じた場合のセクタマークとビームの関係を示したのが、図１４において記載されているセクタマークずれ１４０１である。図１４に示すように、ランドは両端のグルーブからのクロストーク信号を読み取ることによりセクタマークを読み取るので、両隣接のセクタマークの位置が円周方向にずれていると検出したセクタマーク信号にジッタが生じる。そこで、本実施例の光記憶装置では、半径方向に２分割された２分割フォトディテクタ１３０３Ｂを使用し、セクタマークの検出には、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂのｅ部分又はｆ部分のどちらか一方の出力を用いて行う構成とした。
【００７１】
図１８は、光記憶装置の第３実施例のセクタマーク検出回路を示す。図１８において、図６と同一符号を付した構成要素は同一の構成要素を表すものとする。本実施例の光記憶装置では、図６の実施例の光ディスク装置に対し、加算器６０３の代わりに、比較器１８０１を用いたものである。比較器１８０１は、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂのｅ部分及びｆ部分の電流出力を電流電圧変換器６０１，６０２により電圧に変換した出力のうち、振幅の大きい方を選択して出力する。このように、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂのｅ部分及びｆ部分の一方を使用することにより、両端のグルーブのセクタマークずれによるジッタの影響を回避できる。比較器１８０１により選択された信号は、前述の和信号と等価の信号であるので、図６に示したのと同様に、１階微分回路６０４、２階微分回路６０５以下フリップフロップ６１１までの構成要素により同様にセクタマークを検出できる。
【００７２】
又、本実施例の光記憶装置においては、ランドにおけるセクタマークの検出時に、ｅ側のディテクタを選択して使用するのであればｅ側に、又、ｆ側のディテクタを選択して使用するのであればｆ側というように、対物レンズを半径方向にシフトさせても良い。
【００７３】
更に、本実施例の光記憶装置では、ｅ側又はｆ側の一方のディテクタを使用するので、ディテクタの和信号を使用する場合と比較して光量が低下するので、レーザの発光量を増加させても良い。
【００７４】
更に、光ディスクを光ディスク装置に挿入したときに、試験的に光ディスクを再生し、レーザの発光量の増加量及び、上記対物レンズシフト量を最適化しても良い。
【００７５】
次に、光記憶装置の第４実施例について説明する。本実施例の光記憶装置は、図１３において、４分割フォトディテクタ１３０３Ｃを使用する場合の光ディスク装置である。
【００７６】
図１９は、本実施例の光記憶装置のセクタマーク検出回路を示す。本検出回路は、４分割フォトディテクタ１３０３Ｃの各ディテクタｇ、ｈ、ｉ、ｊの各ディテクタの出力電流を電圧に変換する４つの電流電圧変換回路１９０１、１９０２、１９０３、１９０４と、マトリックス回路１９３０、比較器１９１２、１階微分回路６０４、１９１３及び、スイッチ１９１４、１９１５を有する。又、図１９において、図６と同一符号を付した構成要素は、同一の構成要素を表すものとする。  マトリックス回路１９３０は、電流電圧変換回路１９０１、１９０２、１９０３、１９０４、加算器１９０５、１９０６、１９０７、１９０８、１９０９、減算器１９１０及び、比較器１９１１より構成される。加算器１９０５は、電流電圧変換器１９０１と電流電圧変換器１９０２の出力を加算し、フォトディテクタｉとｊの出力の加算電圧値を生成する。加算器１９０６は、電流電圧変換器１９０１と電流電圧変換器１９０４の出力を加算し、フォトディテクタｉとｇの出力の加算電圧値を生成する。加算器１９０７は、電流電圧変換器１９０２と電流電圧変換器１９０３の出力を加算し、フォトディテクタｊとｈの出力の加算電圧値を生成する。加算器１９０８は、電流電圧変換器１９０３と電流電圧変換器１９０４の出力を加算し、フォトディテクタｇとｈの出力の加算電圧値を生成する。加算器１９０９は、加算器１９０５と加算器１９０８の出力を加算し、フォトディテクタｇ、ｈ、ｉ、ｊの出力の加算電圧値を生成する。減算器１９１０は、加算器１９０６の出力から加算器１９０７の出力を減算し、フォトディテクタｉとｇの出力の加算電圧値から、フォトディテクタｊとｈの出力の加算電圧値を減算した電圧値生成する。比較器１９１１は、加算器１９０５と加算器１９０８の出力を比較し、値の大きい方の電圧値を出力する。
【００７７】
比較器１９１２は、減算器１９１０の出力を出力端子１９２０に出力する。又、比較器１９１２は、加算器１９０９と比較器１９１１の出力を比較し、値の大きい方の電圧値を出力端子１９２１に出力する。更に、比較器１９１２は、出力端子１９２０の出力値と出力端子１９２１の出力値を比較し、どちらが大きいかを示す信号を、出力端子１９２２に出力する。
【００７８】
比較器１９１２により、出力端子１９２０の出力値の方が出力端子１９２１の出力値よりも大きいと判断された場合には、比較器１９１２の出力１９２２によってスイッチ１９１４及び１９１５が制御され、スイッチ１９１４及び１９１５ともにＡ側の入力が、スイッチ１９１４及び１９１５より出力される。これは、図１３において、２分割フォトディテクタ１３０３Ａを使用した場合の図１５に示すセクタマーク検出回路の構成と等しい。
【００７９】
又、比較器１９１２により、出力端子１９２１の出力値の方が出力端子１９２０の出力値よりも大きいと判断した場合には、比較器１９１２の出力１９２２によってスイッチ１９１４及び１９１５が制御され、スイッチ１９１４及び１９１５ともにＢ側の入力が、スイッチ１９１４及び１９１５より出力される。更に、比較器１９１２により、加算器１９０９と比較器１９１１の出力の比較を行った結果、比較器１９１１の出力が大きい場合には、比較器１９１２の出力から比較器１９１１の出力が、出力される。これは、図１３において、２分割フォトディテクタ１３０３Ｂを使用した場合の図１８に示すセクタマーク検出回路の構成と等しい。又、比較器１９１２により、加算器１９０９と比較器１９１１の出力の比較を行った結果、加算器１９０９の出力が大きい場合には、比較器１９１２の出力から加算器１９０９の出力が、出力される。これは、前述の光ディスク装置の第１実施例において説明した、図４の従来の光学系を用い、２分割フォトディテクタ４０９の和信号（ａ＋ｂ）から、図６の従来のセクタマーク検出回路を用いて上記光ディスク装置の実施例で説明したセクタマークを検出する図６に示したセクタマークの検出回路と等しい。
【００８０】
本実施例の光記憶装置では、上記のように、３つの検出方法を、ディスクからの信号の再生状況によって切り替えて、セクタマークを検出することができる。
【００８１】
次に、光記憶装置の第５実施例について説明する。本実施例の光記憶装置は、図４に示した、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を生成するための４分割フォトディテクタ４１２を用いて、セクタマークを検出する光ディスク装置である。
【００８２】
図２０は、光記憶装置の第５実施例のセクタマークの検出回路を示す。セクタマークの検出回路は、４分割フォトディテクタの各ディテクタｐ、ｑ、ｒ、ｓの各ディテクタの出力電流を電圧に変換する４つの電流電圧変換回路１９０１、１９０２、１９０３、１９０４と、広帯域信号処理部２０１０及び、狭帯域信号処理部２０１１よりなる。広帯域信号処理部２０１０は、図１９に示したセクタマーク検出回路と同一である。又、狭帯域信号処理部２０１１は、加算器２００１、２００２及び、減算器２００３、２００４より構成される。
【００８３】
狭帯域信号処理部２０１１を構成する加算器２００１は、電流電圧変換器１９０１と電流電圧変換器１９０３の出力を加算し、フォトディテクタｐとｓの出力の加算電圧値を生成する。加算器２００２は、電流電圧変換器１９０２と電流電圧変換器１９０４の出力を加算し、フォトディテクタｑとｒの出力の加算電圧値を生成する。減算器２００３は、加算器２００１の出力から、加算器２００２の出力を減算し、フォーカスエラー信号を生成する。又、減算器２００４は、加算器１９０５の出力から、加算器１９０８の出力を減算し、トラックエラー信号を生成する。このように、４分割ディテクタ４１４の出力から、フォーカスエラー信号及びトラックエラー信号が生成される。
【００８４】
一方、広帯域信号処理部２０１０は、図１９のセクタマーク検出回路と同一の動作を行い、セクタマークの検出を行う。
【００８５】
本実施例の光記憶装置によれば、サーボ制御を行うためのフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号を生成する４分割フォトディテクタ４１４を用いてセクタマークの検出を行うことができ、セクタマークの検出のための専用のフォトディテクタを必要としないので、簡単な光学系を構成できる。
【００８６】
次に、本発明の光記憶の第５実施例について説明する。本実施例は、光ディスクに形成するセクタマークの幅をグルーブ幅と同一あるいは、グルーブ幅より広くした場合の実施例である。図２１は、セクタマーク２１０２の幅がグルーブ２１０１の幅と等しくなるように形成したセクタマークを示し、図２２は、セクタマーク２２０１の幅がグルーブ２１０１の幅より広くなるように形成したセクタマークを示す。
【００８７】
図２３は、図２１及び図２２に示すようなセクタマークを形成した光ディスクから、図１９に示した光ディスク装置の実施例のセクタマーク検出回路によりセクタマークを検出したときのセクタマークの検出波形を示す。図２３（Ａ）はセクタマーク２１０２の幅がグルーブ２１０１の幅と等しい場合のセクタマークの検出波形を示し、図２３（Ｂ）はセクタマーク２２０１の幅がグルーブ２１０１の幅より広い場合の検出波形を示す。
【００８８】
図２３（Ａ）において、和信号波形（１）は、図１９の加算器１９０９の出力であり、和信号の１階微分波形（２）は、図１９の比較器１９１２により加算器１９０９の出力が選択された際に１階微分回路６０４により微分された波形であり、又、差信号波形（３）は、減算器１９１０の出力を示す。図２３（Ｂ）においも同様である。図２３（Ａ）と図２３（Ｂ）の各信号の振幅を比較すると、和信号波形（１）、和信号の１階微分波形（２）、差信号波形（３）すべて、セクタマーク２２０１の幅がグルーブ２１０１の幅より広い場合の方が、信号振幅は大きい。即ち、Ｓ１ＡよりＳ１Ｂ、Ｓ２ＡよりＳ２Ｂ、Ｓ３ＡよりＳ３Ｂの方が大きい。一方、図２３（Ｂ）の場合には、波形歪み３００１及び、３００２が現れる。本実施例は、トラックピッチ０．６μｍ、グルーブ深さ５５ｎｍの場合の例であるが、トラックピッチ、グルーブ幅、セクタマーク幅、グルーブ深さ等を最適化して、セクタマークの検出波形の振幅ができるだけ大きく、かつ歪みが無いように決定すれば良い。
【００８９】
上記の説明では、ＩＤ部の特にセクタマークに着目したが、次に、光ディスク上の位置を示すＩＤ信号の最適な検出方法について説明する。
【００９０】
図２４は、光記憶装置の第６実施例の内部構造を示す図である。又、図２５は、光記憶装置の第６実施例の光学系の要部を示す斜視図である。本実施例では、本発明が光磁気ディスクに適用されている。
【００９１】
図２４中、光磁気ディスク１は、カートリッジ２内に収納された状態で、スピンドルモータ３に装着されている。半導体レーザ４からの出射拡散光は、コリメートレンズ５で平行光に変換され、第１の偏光ビームスプリッタ６を経て、図２４では図示を省略して図２５に示す立ち上げミラー７により、紙面に垂直な方向に曲げられる。立ち上げミラー７からの光は、対物レンズ８を経て、紙面裏側より光磁気ディスク１上に集光される。このとき、図示を省略する周知の磁界発生装置により、紙面表側より光磁気ディスク１に磁界を印加すると、光磁気ディスク１上に記録マークが形成される。光磁気ディスク１からの反射光は、今度は対物レンズ８、立ち上げミラー７、第１の偏光ビームスプリッタ６を経て、第２の偏光ビームスプリッタ９以降に導かれる。
【００９２】
次に、光磁気信号、ＩＤ信号及びサーボ信号の検出方法について、図２６及び図２７と共に説明する。サーボ信号とは、トラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号を指す。図２６は、図２４及び図２５に示す光ディスク装置において、光磁気ディスク１からの反射光が戻る光学系のうち、第１の偏光ビームスプリッタ６以降の部分を示す斜視図である。又、図２７は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【００９３】
図２６において、第１の偏光ビームスプリッタ６で反射された光磁気ディスク１からの戻り光は、第２の偏光ビームスプリッタ９で光量分割される。第２の偏光ビームスプリッタ９を透過した光は、レンズ１０を経て第３の偏光ビームスプリッタ１１に入射する。第３の偏光ビームスプリッタ１１を透過した光は、フーコーユニット１２で光磁気ディスク１の円周方向に対応する方向（以下、単に光磁気ディスク１の円周方向と言う）に２分割されて、４分割フォトディテクタ１３上に集光される。図２７（ｂ）は、図２６においてＹ方向に見た場合の４分割フォトディテクタ１３上のビームスポットを示す。対物レンズ８の焦点が光磁気ディスク１上に正しく合っている場合には、フーコーユニット１２からの光ビームは、４分割フォトディテクタ１３の部分１３ａと部分１３ｂの中間及び部分１３ｃと部分１３ｄの中間に入るように、レンズ１０と４分割フォトディテクタ１３との間の距離が設定れている。
【００９４】
対物レンズ８の焦点距離が近いと、光ビームは部分１３ａ，１３ｄ側に照射され、遠いと部分１３ｂ，１３ｃ側に照射される。従って、４分割フォトディテクタ１３の各部１３ａ〜１３ｄからの信号から（１３ａ+１３ｄ）-（１３ｂ+１３ｃ）を求め、これをフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）とし、フォーカスエラー信号が０になるように対物レンズ８の位置を周知の方法にて制御する。
【００９５】
第３の偏光ビームスプリッタ１１で反射された光は、２分割フォトディテクタ１４上に照射される。図２７（ｃ）は、図２６においてＺ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１４上のビームスポットを示す。光磁気ディスク１上のグルーブからの±１次回折光の光量差、即ち、２分割フォトディテクタ１４の各部１４ａ，１４ｂからの信号から（１４ａ-１４ｂ）を求め、これをトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）とする。
【００９６】
他方、第２の偏光ビームスプリッタ９で反射された光は、ウォラストンプリズム１７及びレンズ１５に入射する。ここでは、ウォラストンプリズム１７及びレンズ１５は、第２の偏光ビームスプリッタ９に接着されている。ウォラストンプリズム１７から出射する際、光ビームはＰ偏光成分とＳ偏光成分に分割され、図２６中、矢印で示す方向に分かれて２分割フォトディテクタ１６上に照射される。図２７（ａ）は、図２６においてＸ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１６上のビームスポットを示す。２分割フォトディテクタ１６の各部１６ａ，１６ｂからの信号から（１６ａ-１６ｂ）を求め、これを光磁気信号（ＭＯ）とすると共に、（１６ａ+１６ｂ）を求め、これをＩＤ信号とする。つまり、ＩＤ信号は、２分割フォトディテクタ１６が受光する光量の総和として検出される。このように、エンボスピットで光磁気ディスク１上に形成されたＩＤ信号を再生する際、エンボスピットでの反射率の変化をＩＤ信号として検出する。このため、ＩＤ信号は、戻り光の光量の変化に対応し、検出するフォトディテクタの分割数に関係なく、総和信号として求めている。
【００９７】
図２８は、上記の如き総和信号から求めたＩＤ信号と、エンボスピット深さとの関係を示す図である。同図中、梨地の入った三角印はランド記録を行う６４０ＭＢの光磁気ディスクのランド記録特性を示し、黒丸印と梨地の入った四角印は夫々ランド・グルーブ記録を行う２ＧＢ超の光磁気ディスクのランド記録特性及びグルーブ記録特性を示す。ランド記録の場合、総和信号から求めたＩＤ信号は、十分大きな振幅を有する。これに対し、ランド・グルーブ記録の場合、グルーブにもデータを記録するため、グルーブの深さを浅くして光磁気信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を向上させており、これに伴いエンボスピットも浅くなる分、総和信号から求めたＩＤ信号の振幅も低減する。従って、ランド・グルーブ記録の場合には、Ｓ／Ｎ比と総和信号から求めたＩＤ信号の振幅とは、トレードオフの関係にある。つまり、ランド・グルーブ記録の場合には、グルーブの深さは浅い方が光磁気信号のＳ／Ｎ比が向上するが、総和信号から求めたＩＤ信号の振幅はグルーブが深い方が大きくなる。
【００９８】
尚、相変化型光ディスクの場合には、相変化信号もＩＤ信号も、共に反射率の違いに基づいて検出されるので、上記の如きトレードオフの問題は生じない。
【００９９】
そこで、ランド・グルーブ記録の場合でも、光磁気信号のＳ／Ｎ比を向上し、且つ、十分大きな振幅のＩＤ信号を検出可能とする実施例を、以下に説明する。以下の実施例では、ＩＤ信号をエンボスピットの光量の総和信号ではなく、エンボスピット端部における光量の変化、即ち、タンジェンシャル・プッシュ・プル（ＴＰＰ：Ｔａｎｇｅｎｔｉａｌ  Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ）信号として検出する。このＴＰＰ信号を得るため、ＩＤ信号検出用のフォトディテクタを、光磁気ディスクの円周方向に少なくとも２分割した構成とし、フォトディテクタの各部からの出力信号に基づいて差信号を求めてＩＤ信号とする。
【０１００】
図２９は、光記憶装置の第７実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図３０は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図２９及び図３０中、図２４〜図２７と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。以下の各実施例では、本発明が光磁気ディスクに適用されている。
【０１０１】
図２９において、第２の偏光ビームスプリッタ９を透過した光は、図２６の場合と同様に、サーボ信号検出用として使用される。他方、第２の偏光ビームスプリッタ９で反射された光は、ウォラストンプリズム１８に入射されるが、ウォラストンプリズム１８におけるＰ偏光成分及びＳ偏光成分の分割方向は、図２６の場合と比較して９０度回転されている。光磁気ディスクの表面を基準とすると、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分は、光磁気ディスクの半径方向に対応する方向（以下、単に光磁気ディスクの半径方向と言う）に分割する。このように偏光分割された光ビームは、レンズ１５を経て、４分割フォトディテクタ１９上に集光される。図３０（ａ）は、図２９においてＸ方向に見た場合の４分割フォトディテクタ１９上のビームスポットを示す。尚、図３０（ｂ）は、図２９においてＹ方向に見た場合の４分割フォトディテクタ１３上のビームスポットを示し、図３０（ｃ）は、図２９においてＺ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１４上のビームスポットを示す。
【０１０２】
４分割フォトディテクタ１９は、光ビームが偏光分割された方向、即ち、光磁気ディスクの半径方向のみならず、半径方向と直角である光磁気ディスクの円周方向にも２分割されている。光磁気信号（ＭＯ）は、偏光分割方向の差信号、即ち、４分割フォトディテクタ１９の各部分１９ａ〜１９ｄからの信号から（１９ａ+１９ｃ）-（１９ｃ+１９ｄ）を求めることで検出する。又、ＩＤ信号は、ＴＰＰ信号、即ち、（１９ａ+１９ｃ）-（１９ｂ+１９ｄ）を求めることで検出する。
【０１０３】
図３１は、光磁気ディスク上のＩＤ信号と検出されるＩＤ信号の波形との関係を説明する図である。同図中、（ａ）は光磁気ディスク１上にエンボスピット１Ａとして形成されたＩＤ信号を示し、ハッチングで示すＢＳは光ビームスポットを示す。又、同図中、（ｂ）は４分割フォトディテクタ１９の各部１９ａ〜１９ｄからの信号の総和信号（１９ａ+１９ｂ+１９ｃ+１９ｄ）から求めたＩＤ信号の波形を示し、（ｃ）は４分割フォトディテクタ１９の各部１９ａ〜１９ｄからの信号のＴＰＰ信号（１９ａ+１９ｃ）-（１９ｂ+１９ｄ）から求めたＩＤ信号の波形を示す。同図（ｂ）に示すように、総和信号から求めたＩＤ信号は、エンボスピット１Ａのある部分がエンボスピットのない部分より直流（ＤＣ）的に上下した波形を有する。これに対し、同図（ｃ）に示すように、ＴＰＰ信号から求めたＩＤ信号は、エンボスピット１Ａの端部で信号振幅が急峻に変化し、エンボスピット１Ａの中央部分等のビームスポットＢＳ内に収まる部分ではＤＣ電圧が理論的に０Ｖとなる波形を有する。同図（ｃ）に示す波形は、同図（ｂ）に示す波形を微分したものに対応する。尚、実際には、検出系の電気的オフセットにより、ＩＤ信号の振幅の中心は０Ｖにはならない。
【０１０４】
図３２は、ＴＰＰ信号から求めたＩＤ信号と、エンボスピット深さとの関係を示す図である。同図中、梨地の入った三角印はランド記録を行う６４０ＭＢの光磁気ディスクのランド記録特性を示し、黒丸印と梨地の入った四角印は夫々ランド・グルーブ記録を行う２ＧＢ超の光磁気ディスクのランド記録特性及びグルーブ記録特性を示す。ランド・グルーブ記録の場合、グルーブにもデータを記録するため、グルーブの深さを浅くして光磁気信号の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を向上させており、これに伴いエンボスピットも浅くなるが、ＴＰＰ信号から求めたＩＤ信号の振幅は、図２８に示す総和信号から求めたＩＤ信号のように低減することはなく、総和信号から求めたＩＤ信号の振幅の約２〜３倍程度の振幅を有する。これに対し、ランド記録の場合、ＴＰＰ信号から求めたＩＤ信号の振幅は、逆に、図２８に示す総和信号から求めたＩＤ信号と比較すると、低減する。
【０１０５】
従って、ＩＤ信号を検出する場合、ランド記録の光磁気ディスクを用いる場合には総和信号から求め、ランド・グルーブ記録の光磁気ディスクを用いる場合にはＴＰＰ信号から求めることが有効であることがわかる。つまり、図３３に示すような検出系を用い、用いる光磁気ディスクに応じてＩＤ信号を総和信号又はＴＰＰ信号から求めれば良い。
【０１０６】
図３３は、本実施例における検出系の一実施例を示すブロック図である。同図に示す検出系は、図示の如く接続された電流電圧変換回路３１ａ〜３１ｄ、加算器３２〜３６、減算器３７及びスイッチ３８からなる。電流電圧変換回路３１ａ〜３１ｄには、４分割フォトディテクタ１９の対応する部１９ａ〜１９ｄからの信号が入力され、加算器３６からは総和信号ＳＵＭ＝（１９ａ+１９ｂ+１９ｃ+１９ｄ）が出力され、減算器３７からはＴＰＰ信号ＴＰＰ＝（１９ａ+１９ｃ）-（１９ｂ+１９ｄ）が出力される。スイッチ３８は、用いる光磁気ディスク１がランド記録の場合は総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として出力し、ランド・グルーブ記録の場合はＴＰＰ信号をＩＤ信号として出力するように、切り替えられる。スイッチ３８の切替は、手動で行っても、後述するように、自動的に行っても良い。このようにして、用いる光磁気ディスクに応じて、最適なＩＤ信号検出系を切替て使用することができる。
【０１０７】
次に、フーコーユニット１２を用いてＴＰＰ信号を検出する実施例を説明する。
【０１０８】
図３４は、光ディスク装置の第８実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図３５は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図３４及び図３５中、図２４〜図２７と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１０９】
本実施例では、４分割フォトディテクタ１３の各部１３ａ〜１３ｄからの信号に基づいて求めたＴＰＰ信号をＩＤ信号として検出する。フーコーユニット１２において、戻り光は光磁気ディスク１の円周方向に２分割され、夫々４分割フォトディテクタ１３上に集光される。図３５（ｂ）は、図３４においてＹ方向に見た場合の４分割フォトディテクタ１３上のビームスポットを示す。尚、図３５（ａ）は、図３４においてＸ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１６上のビームスポットを示し、図３５（ｃ）は、図３４においてＺ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１４上のビームスポットを示す。
【０１１０】
従って、ＴＰＰ信号は、４分割フォトディテクタ１３の各部１３ａ〜１３ｄからの信号に基づき、ＩＤ（ＴＰＰ）＝（１３ａ+１３ｂ）-（１３ｃ+１３ｄ）から求められる。又、ＩＤ信号を総和信号から求める場合には、２分割フォトディテクタ１６の各部１６ａ，１６ｂからの信号に基づき、ＩＤ（ＳＵＭ）＝（１６ａ+１６ｂ）から求められる。尚、本実施例のように、４分割フォトディテクタ１３で数１０ｋＨｚのフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）と１０ＭＨｚのＩＤ信号とを同時に検出する場合には、４分割フォトディテクタ１３はこれらの信号帯域をカバーする構成を有する必要があり、又、検出系ではフォーカスエラー信号とＩＤ信号との帯域分離をする必要がある。
【０１１１】
フォーカスエラー信号は、ＦＥＳ＝（１３ａ+１３ｄ）-（１３ｂ+１３ｃ）から求められ、トラッキングエラー信号は、ＴＥＳ＝（１４ａ-１４ｂ）から求められ、光磁気信号は、ＭＯ＝（１６ａ-１６ｂ）から求められる。
【０１１２】
図３６は、光記憶装置の第９実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図３７は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図３６及び図３７中、図２４〜図２７と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１１３】
本実施例では、フーコーユニット２０が、光磁気ディスク１の円周方向に３分割されている点が、上記第８実施例と異なる。又、図３４に示す偏光ビームスプリッタ１１及び２分割フォトディテクタ１４が省略されている。フーコーユニット２０の両端部分２０ａ，２０ｂに挟まれた中央部分２０ｃは、球面レンズ形状となっており、戻り光のうち中央部分２０ｃを通過する光は、向きを変えずに６分割フォトディテクタ２１上に照射される。フーコーユニット２０の中央部分２０ｃを通過した光の焦点距離は、両端部分２０ａ，２０ｂを通過した光と焦点距離が異なるので、フォーカスエラー信号が０となるような制御を行うと、６分割フォトディテクタ２１上では中央部分２０ｃを通過した光のビームスポットが、両端部分２０ａ，２０ｂを通過した光のビームスポットより大きくなる。図３７（ｂ）は、図３６においてＹ方向に見た場合の６分割フォトディテクタ２１上のビームスポットを示す。尚、図３７（ａ）は、図３６においてＸ方向に見た場合の２分割フォトディテクタ１６上のビームスポットを示す。このようにして、本実施例では、戻り光の中央部を除いた部分によりＴＰＰ信号を検出する。
【０１１４】
従って、ＴＰＰ信号は、ＩＤ（ＴＰＰ）＝（２１ａ+２１ｂ）-（２１ｃ+２１ｄ）から求められ、総和信号は、ＩＤ（ＳＵＭ）＝（１６ａ+１６ｂ）から求められる。又、フォーカスエラー信号は、ＦＥＳ＝（２１ａ+２１ｄ）-（２１ｂ+２１ｃ）から求められ、トラッキングエラー信号は、ＴＥＳ＝（２１ｅ-２１ｆ）から求められる。
【０１１５】
図３８は、光記憶装置の第１０実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図３９は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図３８及び図３９中、図２４〜図２６及び図３６と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１１６】
本実施例では、ウォラストンプリズム２２をサーボ信号検出系と同一直線上に配置されている点が、上記第９実施例と異なる。このため、本実施例では、図３６に示す偏光ビームスプリッタ９、レンズ１５及び２分割フォトディテクタ１６が省略されている。図３８に示すウォラストンプリズム２２は、偏光ビームスプリッタ６に接着固定されており、ウォラストンプリズム２２を通過した光は、矢印の方向に、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分に２分割される。Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分は、図３６の場合と同様に、レンズ１０及びフーコーユニット２０を通過して、８分割フォトディテクタ２３上に照射される。つまり、図３６の場合と同様な３本の光ビームの組が、ウォラストンプリズム２２で分割された方向に２組存在する。図３９は、図３８においてＹ方向に見た場合の８分割フォトディテクタ２３上のビームスポットを示す。
【０１１７】
フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びＴＰＰ信号の検出原理は、図３６の場合と同様である。即ち、フォーカスエラー信号は、ＦＥＳ＝（２３ａ+２３ｄ）-（２３ｂ+２３ｃ）から求められ、トラッキングエラー信号は、ＴＥＳ＝（２３ｅ-２３ｆ）から求められる。ＴＰＰ信号は、ＩＤ（ＴＰＰ）＝（２３ａ+２３ｂ）-（２３ｃ+２３ｄ）から求めらる、又、総和信号は、ＩＤ（ＳＵＭ）＝２３ａ+２３ｂ+２３ｈ+２３ｃ+２３ｄ+２３ｇから求められ、光磁気信号は、ＭＯ＝（２３ａ+２３ｂ+２３ｈ）-（２３ｃ+２３ｄ+２３ｇ）から求められる。
【０１１８】
図４０は、光記憶装置の第１１実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図４１は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図４０及び図４１中、図２４〜図２６及び図３６と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１１９】
本実施例では、ウォラストンプリズム２４により戻り光の分割を３方向に行う点が、上記第１０実施例と異なる。つまり、ウォラストンプリズム２４から出力される光のうち、Ｐ偏光成分は図４０中矢印２４ａ，２４ｃの方向へ進み、Ｓ偏光成分は矢印２４ｂ，２４ｃの方向へ進む。これらのＰ偏光成分及びＳ偏光成分は、フーコーユニット２０を介して８分割フォトディテクタ２５上に照射される。従って、図３６の場合と同様な３本の光ビームの組が、ウォラストンプリズム２４で分割された方向に３組存在する。図４１は、図４０においてＹ方向に見た場合の８分割フォトディテクタ２５上のビームスポットを示す。
【０１２０】
フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＴＰＰ信号及び光磁気信号の検出原理は、図３８の場合と同様である。つまり、フォーカスエラー信号は、ＦＥＳ＝（２５ａ+２５ｄ）-（２５ｂ+２５ｃ）から求められ、トラッキングエラー信号は、ＴＥＳ＝（２５ｅ-２５ｆ）から求められる。ＴＰＰ信号は、ＩＤ（ＴＰＰ）＝（２５ａ+２５ｂ）-（２５ｃ+２５ｄ）から求めらる、又、総和信号は、ＩＤ（ＳＵＭ）＝２５ｇ+２５ｈから求められ、光磁気信号は、ＭＯ＝２５ｇ-２５ｈから求められる。
【０１２１】
図４２は、本実施例における検出系の一実施例を示すブロック図である。同図に示す検出系は、図示の如く接続された電流電圧変換回路４１ａ〜４１ｈ、加算器４３〜４７、減算器５１〜５４及びスイッチ５５からなる。電流電圧変換回路４１ａ〜４１ｈには、８分割フォトディテクタ２５の対応する部２５ａ〜２５ｈからの信号が入力され、加算器４３からは総和信号ＳＵＭ＝２５ｇ+２５ｈが出力され、減算器５３からはＴＰＰ信号ＴＰＰ＝（２５ａ+２５ｂ）-（２５ｃ+２５ｄ）が出力される。スイッチ５５は、用いる光磁気ディスク１がランド記録の場合は総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として出力し、ランド・グルーブ記録の場合はＴＰＰ信号をＩＤ信号として出力するように、制御信号ＣＮＴＬにより切り替えられる。スイッチ５５の切替は、手動で行っても、後述するように、自動的に行っても良い。このようにして、用いる光磁気ディスクに応じて、最適なＩＤ信号検出系を切替て使用することができる。尚、減算器５１からは光磁気信号ＭＯ＝２５ｇ-２５ｈが出力され、減算器５４からはフォーカスエラー信号ＦＥＳ＝（２５ａ+２５ｄ）-（２５ｂ+２５ｃ）が出力され、減算器５２からはトラッキングエラー信号ＴＥＳ＝（２５ｅ-２５ｆ）が出力される。
【０１２２】
図４３は、光記憶装置の第１２実施例の光学系の要部を示す斜視図である。又、図４４は、フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。図４３及び図４４中、図２４〜図２６及び図４０と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１２３】
本実施例では、光学系の構成は図４０の場合と同じであるが、８分割フォトディテクタ２５の代わりに１２分割フォトディテクタ２６を用いる点が、上記第１１実施例と異なる。この場合、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＩＤ信号及び光磁気信号を単一のフォトディテクタ上で分離することができる。図４４は、図４３においてＹ方向に見た場合の１２分割フォトディテクタ２６上のビームスポットを示す。
【０１２４】
フォーカスエラー信号は、ＦＥＳ＝（２６ａ+２６ｄ）-（２６ｂ+２６ｃ）から求められ、トラッキングエラー信号は、ＴＥＳ＝（２６ｅ-２６ｆ）から求められる。ＴＰＰ信号は、ＩＤ（ＴＰＰ）＝（２６ｉ+２６ｊ）-（２６ｋ+２６ｌ）から求めらる、又、総和信号は、ＩＤ（ＳＵＭ）＝２６ｉ+２６ｊ+２６ｋ+２６ｌから求められ、光磁気信号は、ＭＯ＝２６ｍ-２６ｎから求められる。
【０１２５】
図４５は、ＩＤ信号の振幅とエンボスピット深さとの関係を示す図である。同図中、縦軸はＩＤ信号の振幅を示し、横軸はエンボスピットの深さを示す。黒丸印はランド記録の場合に求められる総和信号ＳＵＭ、黒四角印はグルーブ記録の場合に求められる総和信号ＳＵＭ、白丸印はランド記録の場合に求められるＴＰＰ信号、白四角印はランド記録の場合に求められるＴＰＰ信号を示す。
【０１２６】
本発明者らの実験結果によると、図４５からもわかるように、６４０ＭＢ光磁気ディスクのようにエンボスピットが深い場合には、総和信号ＳＵＭからＩＤ信号を検出する方が有利であり、２ＧＢ超の光磁気ディスクのようにエンボスピットが浅い場合には、ＴＰＰ信号からＩＤ信号を検出する方が有利であることがわかる。ランド記録の場合の総和信号ＳＵＭの実測値に基づいて近似直線を求めると、同図中実線で示すようになり、ランド記録の場合のＴＰＰ信号の実測値に基づいて近似直線を求めると、同図中破線で示すようになる。同図からも明らかなように、この場合、エンボスピットの深さが約８０ｎｍの付近を境に、深い側では総和信号ＳＵＭの振幅の方が大きく、浅い側ではＴＰＰ信号の振幅の方が大きい。
【０１２７】
次に、総和信号ＳＵＭとＴＰＰ信号とを、使用する光磁気ディスクに応じて自動的に切り替えてＩＤ信号として検出する場合について、図４６と共に説明する。図４６は、ＩＤ信号の切替を説明するためのブロック図であり、上記第１２実施例に適用する場合を示す。尚、他の実施例にも同様に適用可能であることは、言うまでもない。
【０１２８】
図４６中、図２５及び図４０と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図４６に示す光ディスク装置は、大略ヘッド部６１と信号処理部６２とからなる。ヘッド部６１は、光磁気ディスク１を回転するモータ６３、磁界発生装置６４、対物レンズ８を駆動する駆動部６５、図４２に示す構成を有する検出系６６、半導体レーザ４を駆動するレーザダイオード（ＬＤ）ドライバ６７、ＲＦ増幅器６８、サーボ増幅器６９等を含む。検出系６６から出力される光磁気信号ＭＯ及びＩＤ信号は、ＲＦ増幅器６８に供給され、フォーカスエラー信号ＦＥＳ及びトラッキングエラー信号ＴＥＳはサーボ増幅器６９に供給される。検出系６６内のスイッチ５５には、信号処理部６２内のＭＰＵ８１から制御信号ＣＮＴＬが供給される。
【０１２９】
他方、信号処理部６２は、ＭＰＵ８１、フラッシュＲＯＭ８２、メカドライバ８３、リード増幅器８４、アナログＡＳＩＣ８５，８６、パワー増幅器８７等を含む。メカドライバ８３は、ＭＰＵ８１の制御下で、サーボ増幅器７９から得られるフォーカスエラー信号ＦＥＳ及びトラッキングエラー信号ＴＥＳに基づいたフォーカス制御及びトラッキング制御を、駆動部６５を制御することで行う。又、メカドライバ８３は、ＭＰＵ８１の制御下で、モータ６３の制御や、記録時の磁界発生装置６４の制御等も行う。ＭＰＵ８１は、リード増幅器８４を介して入力されるＩＤ信号及び光磁気信号ＭＯの処理を行い、例えば処理された光磁気信号ＭＯをＳＣＳＩインタフェース（Ｉ／Ｆ、図示せず）に出力して他の処理部へ供給する。
【０１３０】
光磁気ディスク１が光ディスク装置に挿入されると、半導体レーザ４からの光ビームは、光磁気ディスク１の内周又は外周のコントロールトラック１Ｂをシークして読むことにより、ＭＰＵ８１で光磁気ディスク１の種別を認識する。コントロールトラック１Ｂには、トラックピッチ、１トラック当たりのセクタ長、ランド記録を用いるか、或いは、ランド・グルーブ記録を用いるか等のディスクタイプ情報がエンボスピットにより記録されている。従って、コントロールトラックからこれらの情報を読み取ることで、挿入された光磁気ディスク１が１２８ＭＢ〜１.３ＧＢ、又は、２ＧＢ超のいずれの種別であるかを認識可能である。
【０１３１】
エンボスピットの深さのパラメータは、直接光磁気ディスク１に書き込まれていないが、フラッシュＲＯＭ８２には、どの種別の光磁気ディスクに対しては総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として使用し、どの種別の光磁気ディスクに対してはＴＰＰ信号をＩＤ信号として使用するかを示す情報が予め記憶されている。例えば、フラッシュＲＯＭ８２には、１２８ＭＢ〜１.３ＧＢまでのエンボスピットの深い光磁気ディスクの場合には総和信号ＳＵＭをＩＤ信号として出力し、２ＧＢ超のエンボスピットの浅い光磁気ディスクの場合にはＴＰＰ信号をＩＤ信号として出力する旨を示す情報が記憶されている。従って、ＭＰＵ８１は、コントロールトラック１Ｂから読み取られた情報に基づいてフラッシュＲＯＭ８２内の記憶情報を読み出すことにより、挿入された光磁気ディスク１に適したＩＤ信号を選択的に出力するよう検出系６６内のスイッチ５５を制御する制御信号ＣＮＴＬを、ヘッド部６１に対して出力する。
【０１３２】
尚、コントロールトラック１Ｂに記録されるディスクタイプ情報は、例えば１２８ＭＢの光磁気ディスク用の下位のディスク装置でも読み取れるように、光磁気ディスクの種別にかかわらず総和信号ＳＵＭで検出する必要がある。このため、例えば２ＧＢ超の光磁気ディスクでは、総和信号ＳＵＭの検出を容易にするため、コントロールトラック１Ｂ上のディスクタイプ情報は変調度の高いグルーブに記録したり、マーク長を長くする等の対策をとることが望ましい。
【０１３３】
ヘッド部６１及び信号処理部６２の構成は、勿論図４６に示す構成に限定されるものではなく、各種周知の構成を用いて総和信号ＳＵＭとＴＰＰ信号との切替を制御するための制御信号ＣＮＴＬを生成可能である。
【０１３４】
上記の如く、データ再生に良好なトラック溝深さに合わせてエンボスピットを浅くしても、データ再生信号のＳ／Ｎ比を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出することができる。特にＭＳＲ技術を使用した場合には、トラック深さを浅くλ/８に設定し、通常の光磁気記録ではトラック深さをλ/４に設定すると、良好なＩＤ信号を再生することができる。しかし、エンボスピットは深い方がＩＤ信号のを良好に再生できるものの、ＩＤ信号とトラック溝の深さを別々とすると、スタンパで光記録媒体の基板を形成するのが難しいので、スタンパを用いて基板を作成することを考慮すると、ＩＤ信号とトラック溝の深さは同じか略同じにすることが望ましい。
【０１３５】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【０１３６】
【発明の効果】
本発明によれば、ランド又はグルーブのどちらか一方のみにセクタマーク等のデータブロック識別マークが配置されるので、クロストークによりセクタマーク等のデータブロック識別マークを誤検出する可能性を少なくなくすることができる。
【０１３７】
又、データ記録領域を識別する情報を光磁気記録や相変化記録等の光学的記録方式で記録する光記録媒体に本発明を適用することにより、ランド・グルーブを形成するだけで、光ディスク、光カード等の各種光記録媒体を製作できる。
【０１３８】
更に、本発明によれば、ランド又はグルーブのどちらか一方のみにセクタマーク等のデータブロック識別マークが配置された光記録媒体より、高精度にセクタマーク等のデータブロック識別マークを検出するデータブロック識別マーク検出方法及び光記憶装置を提供することができる。
【０１３９】
又、位置ずれしたセクタマーク等のデータブロック識別マークを高精度に検出できる。
【０１４０】
他方、データ再生に良好なトラック溝深さに合わせてエンボスピットを浅くしても、データ再生信号のＳ／Ｎ比を犠牲にすることなく、十分高い振幅のＩＤ信号を検出することができる。特にＭＳＲ技術を使用した場合には、トラック深さを浅くλ/８に設定し、通常の光磁気記録ではトラック深さをλ/４に設定すると、良好なＩＤ信号を再生することができる。
【０１４１】
従って、高密度大容量で信頼性の高い光記憶装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のランド記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置を示す図である。
【図２】ランド・グルーブ記録の場合の光磁気ディスクのセクタマーク配置を示す図である。
【図３】スタガＩＤ方式のランド・グルーブ記録の場合のセクタマーク配置を示す図である。
【図４】従来の光磁気ドライブにおける光学系の構成図を示す図である。
【図５】ランド・グルーブとビーム及びディテクタの位置関係を示す図である。
【図６】従来のセクタマーク検出回路を示す図である。
【図７】従来のセクタマーク検出回路の各部の信号波形を示す図である。
【図８】本発明になる光記録媒体の第１実施例である光磁気ディスクのセクタ配置図である。
【図９】本発明になる光記録媒体の第１実施例のセクタマークをグルーブに配置した光磁気ディスクを示す図である。
【図１０】本発明になる光記録媒体の第２実施例を示す図である。
【図１１】本発明になる光記録媒体の第３実施例を示す図である。
【図１２】セクタマークの高さ又は深さとセクタマーク再生信号の変調度との関係を示す図である。
【図１３】光記憶装置の第２実施例の光学系構成図を示す図である。
【図１４】セクタマークとビーム及びフォトディテクタの位置関係を示す図である。
【図１５】光記憶装置の第２実施例のセクタマークの検出回路を示す図である。
【図１６】セクタマークの検出波形を示す図である。
【図１７】セクタマークの位置ずれを示す図である。
【図１８】光記憶装置の第３実施例のセクタマーク検出回路を示す図である。
【図１９】光記憶装置の第４実施例のセクタマーク検出回路を示す図である。
【図２０】光記憶装置の第５実施例のセクタマークの検出回路を示す図である。
【図２１】セクタマーク幅がグルーブ幅と等しい場のセクタマークを示す図である。
【図２２】セクタマーク幅がグルーブ幅より広い場合のセクタマークを示す図である。
【図２３】セクタマークの検出波形を示す図である。
【図２４】光記憶装置の第６実施例の内部構造を示す図である。
【図２５】光記憶装置の第６実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図２６】光磁気ディスクからの反射光が戻る光学系のうち、第１の偏光ビームスプリッタ以降の部分を示す斜視図である。
【図２７】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図２８】総和信号から求めたＩＤ信号と、エンボスピット深さとの関係を示す図である。
【図２９】光記憶装置の第７実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図３０】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図３１】光磁気ディスク上のＩＤ信号と検出されるＩＤ信号の波形との関係を説明する図である。
【図３２】総和信号から求めたＩＤ信号と、ＴＰＰ信号から求めたＩＤ信号と、エンボスピット深さとの関係を示す図である。
【図３３】第７実施例における検出系の一実施例を示すブロック図である。
【図３４】光記憶装置の第８実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図３５】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図３６】光記憶装置の第９実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図３７】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図３８】光記憶装置の第１０実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図３９】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図４０】光記憶装置の第１１実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図４１】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図４２】第１１実施例における検出系の一実施例を示すブロック図である。
【図４３】光記憶装置の第１２実施例の光学系の要部を示す斜視図である。
【図４４】フォトディテクタ上のビームスポットを示す図である。
【図４５】ＩＤ信号の振幅とエンボスピット深さとの関係を示す図である。
【図４６】ＩＤ信号の切替を説明するためのブロック図である。
【符号の説明】
４０１  半導体レーザ
４０２  コリメータ
４０３  偏光ビームスプリッタ
４０４  対物レンズ
４０５  光磁気ディスク
４０６  第２のビームスプリッタ
４０７  ウオラストンプリズム
４０８  集光レンズ
４０９  ２分割フォトディテクタ
４１０  平板ガラス
４１１  集光レンズ
４１２  ４分割フォトディテクタ
６０１，６０２  電流電圧変換器
６０３  加算器
６０４  １階微分回路
６０５  ２階微分回路
６０６，６０７，６０８  コンパレータ
６０９，６１０  ＡＮＤ回路
６１１  フリップフロップ
８０１  光磁気ディスク
８０２  セクタマーク
９０１  ランド
９０２  グルーブ
９０３  セクタマーク
９０７，９０８  ＩＤ信号
１００１  セクタマーク
１１０３，１１０４  ＩＤ信号
１３０１  ビームスプリッタ
１３０２  集光レンズ
１３０３  ２又は４分割フォトディテクタ
１３０３Ａ，１３０３Ｂ  ２分割フォトディテクタ
１３０３Ｃ  ４分割フォトディテクタ
１５０１  減算器
１５０３  １階微分回路
１９０１，１９０２，１９０３，１９０４  電流電圧変換器
１９０３  マトリックス回路
１９０５，１９０６，１９０７，１９０８，１９０９  加算器
１９１０  減算器
１９１１，１９１２  比較器
１９１３  １階微分回路
１９１４，１９１５  スイッチ
２０１０  広帯域信号処理部
２０１１  狭帯域信号処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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