(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）透光性の第１の基板と、
（ｂ）エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記第１の基板の第１の面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、
（ｃ）該ＬＥＤ積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、
（ｄ）前記ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、
（ｅ）前記第１の基板の第１の面に形成され、前記アノードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、
（ｆ）前記第１の基板の第１の面と対向する第２の面に形成された蛍光体と、
（ｇ）透光性の第２の基板と、
（ｈ）該第２の基板の第１の面に形成された反射層とを有し、
（ｉ）前記第２の基板の第１の面と対向する第２の面と、前記第１の基板の第１の面とを対向配置することを特徴とするＬＥＤバックライト装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、分子間力によって前記第１の基板の第１の面に固着され、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を発光する請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項３】
前記蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を吸収すると、波長６２０〜７１０ナノメートルの赤色光を発光する蛍光体、波長５００〜５８０ナノメートルの緑色光を発光する蛍光体、及び、波長４５０〜５００ナノメートルの青色光を発光する蛍光体を混合して塗布することによって形成される請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項４】
前記第１の基板の第１の面は、有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、平坦化されている請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項５】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板とは異なる母材に積層された犠牲層上に、エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記犠牲層をエッチング除去することによって前記母材から剥離され、前記第１の基板の第１の面に分子間力によって固着された後、エッチングによって複数に分割されることにより形成される請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板の第１の面に行列方向に間隔を空けて固着される請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項７】
前記アノードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、前記カソードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線、及び、各列におけるＬＥＤ積層薄膜を直列接続する連結配線を有する請求項１に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項８】
（ａ）透光性の第１の基板と、
（ｂ）エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記第１の基板の第１の面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、
（ｃ）該ＬＥＤ積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、
（ｄ）前記ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、
（ｅ）前記第１の基板の第１の面に形成され、前記アノードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、
（ｆ）前記第１の基板の第１の面と対向する第２の面に形成された蛍光体と、
（ｇ）第２の基板と、
（ｈ）該第２の基板の第１の面の、前記第１の基板の第１の面に形成される前記ＬＥＤ積層薄膜と所定の距離だけ離れた周囲部分の位置に対向する位置に、傾斜を有する突起部を形成し、該突起部を含む表面全体に固着された反射層とを有し、
（ｉ）前記第１の基板の第１の面と、前記第２の基板の第１の面とを対向配置することを特徴とするＬＥＤバックライト装置。
【請求項９】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、分子間力によって前記第１の基板の第１の面に固着され、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を発光する請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１０】
前記蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を吸収すると、波長６２０〜７１０ナノメートルの赤色光を発光する蛍光体、波長５００〜５８０ナノメートルの緑色光を発光する蛍光体、及び、波長４５０〜５００ナノメートルの青色光を発光する蛍光体を混合して塗布することによって形成される請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１１】
前記第１の基板の第１の面は、有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、平坦化されている請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１２】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板とは異なる母材に積層された犠牲層上に、エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記犠牲層をエッチング除去することによって前記母材から剥離され、前記第１の基板の第１の面に分子間力によって固着された後、エッチングによって複数に分割されることにより形成される請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１３】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板の第１の面に行列方向に間隔を空けて固着される請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１４】
前記アノードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、前記カソードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線、及び、各列におけるＬＥＤ積層薄膜を直列接続する連結配線を有する請求項８に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１５】
（ａ）透光性の第１の基板と、
（ｂ）エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記第１の基板の第１の面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、
（ｃ）該ＬＥＤ積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、
（ｄ）前記ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、
（ｅ）前記第１の基板の第１の面に形成され、前記アノードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、
（ｆ）前記ＬＥＤ積層薄膜と所定の距離だけ離れた周囲部分の前記第１の基板の第１の位置に、反射材で形成された傾斜を有する突起部分と、
（ｇ）前記第１の基板の第１の面と対向する第２の面に形成された蛍光体と、
（ｈ）透光性の第２の基板と、
（ｉ）前記第１の基板の第１の面に形成された反射層とを有し、
（ｊ）前記第２の基板の第１の面と対向する第２の面と、前記第１の基板の第１の面とを対向配置することを特徴とするＬＥＤバックライト装置。
【請求項１６】
前記第２の基板の第１の面の、前記第１の基板の第１の面に形成される前記ＬＥＤ積層薄膜と所定の距離だけ離れた周囲部分の位置に対向する位置に、傾斜を有する凹部を形成し、該凹部を含む表面全体に固着させる請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１７】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、分子間力によって前記第１の基板の第１の面に固着され、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を発光する請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１８】
前記蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルである近紫外光又は紫外光を吸収すると、波長６２０〜７１０ナノメートルの赤色光を発光する蛍光体、波長５００〜５８０ナノメートルの緑色光を発光する蛍光体、及び、波長４５０〜５００ナノメートルの青色光を発光する蛍光体を混合して塗布することによって形成される請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項１９】
前記第１の基板の第１の面は、有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、平坦化されている請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項２０】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板とは異なる母材に積層された犠牲層上に、エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記犠牲層をエッチング除去することによって前記母材から剥離され、前記第１の基板の第１の面に分子間力によって固着された後、エッチングによって複数に分割されることにより形成される請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項２１】
前記ＬＥＤ積層薄膜は、前記第１の基板の第１の面に行列方向に間隔を空けて固着される請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項２２】
前記アノードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、前記カソードドライバＩＣと各列における一端に位置するＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線、及び、各列におけるＬＥＤ積層薄膜を直列接続する連結配線を有する請求項１５に記載のＬＥＤバックライト装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載のＬＥＤバックライト装置と、液晶パネルとを有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤバックライト装置、及び、該ＬＥＤバックライト装置を有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般に、液晶表示装置は、光源から受けた光を液晶パネルに照射し、該液晶パネルに配置された液晶の配位を位置選択的に変えて、液晶パネルを透過した光を用いて表示する構造になっている。
【０００３】
このような液晶表示装置の光源は、表示面に対して液晶パネルの裏側に位置することによってバックライトと呼ばれ、光源自体には冷陰極管や半導体発光素子を用いたものが知られている。また、近年は、寿命が長く、消費電力も抑えられることから、半導体発光素子を用いたものが増えてきている。
【０００４】
ここで、前述された半導体発光素子としてＬＥＤ（発光ダイオード：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いて面光源装置としたものは、導光板又は拡散板と呼ばれる板状部材の端面からＬＥＤで発生した光を導くとともに、入射光を板状部材の面に対して垂直方向に反射、拡散させることによって面状の光源としている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−２３２９２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来のバックライトにおいては、導光板又は拡散板の内部で拡散される光が、入射位置から遠くなるに従って反射し、拡散することによって減衰してしまうので、面全体に均一な光量を得るためには、導光板又は拡散板の構造が複雑になってしまう。
【０００６】
本発明は、前記従来のバックライトの問題点を解決して、第１の面にＬＥＤ積層薄膜が固着され、第２の面に蛍光体を形成した透光性を備える第１の基板と、第１の面に反射層を形成した透光性を備える第２の基板とを対向して配置することによって、極めて薄く、かつ、発光光量が大きいＬＥＤバックライト装置及び該ＬＥＤバックライト装置を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そのために、本発明のＬＥＤバックライト装置においては、透光性の第１の基板と、エピタキシャル成長法によって無機材料がｐｎ接合デバイスとして積層形成され、前記第１の基板の第１の面に固着されたＬＥＤ積層薄膜と、該ＬＥＤ積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、前記ＬＥＤ積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、前記第１の基板の第１の面に形成され、前記アノードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣとＬＥＤ積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、前記第１の基板の第１の面と対向する第２の面に形成された蛍光体と、透光性の第２の基板と、該第２の基板の第１の面に形成された反射層とを有し、前記第２の基板の第１の面と対向する第２の面と、前記第１の基板の第１の面とを対向配置する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＬＥＤバックライト装置は、第１の面にＬＥＤ積層薄膜が固着され、第２の面に蛍光体が固着された透光性を備える第１の基板と、第１の面に反射層が形成された透光性を備える第２の基板を対向配置する。これにより、極めて薄くすることができ、かつ、発光光量を大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
図１は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図２は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図、図３は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第２の面から観た斜視図、図４は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図、図５は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置の側断面図である。
【００１１】
図において、１００は本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置、２００は本実施の形態における液晶パネルであり、全体で液晶表示装置を構成している。前記ＬＥＤバックライト装置１００は、前記液晶表示装置の表示面に対して液晶パネル２００の裏側に配設されて光源として機能する。
【００１２】
そして、前記ＬＥＤバックライト装置１００は、平板状の第１の基板としての基板１０と、基板１０の第１の面（図１における上側の面）、すなわち、表面上に固着されたＬＥＤ積層薄膜としてのＬＥＤ１１と、基板１０の第２の面（図１における下側の面）、すなわち、裏面上に固着された蛍光体３０とを有し、かつ、平板状の第２の基板としての基板４０と、基板４０の第１の面（図４における上側の面）、すなわち、表面上の全面に固着された反射層４１とを有する。そして、基板１０の第１の面と、基板４０の第２の面（図４における下側の面）、すなわち、裏面とが対向配置されている。複数のＬＥＤ１１は、図２に示されるように、基板１０の第１の面に配列されてアレイとなっており、ＬＥＤ１１の数及び配列の仕方は任意に設定することができるが、ここでは、図示の都合上、３行３列の正方格子状に等間隔に９個を配設したものとして説明する。
【００１３】
また、基板１０の表面上には、ＬＥＤ１１を駆動するためのアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２が配設されている。そして、アノードドライバＩＣ３１には、各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に接続されるアノード配線１２の一端が接続される。また、カソードドライバＩＣ３２には、各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５に接続されるカソード配線１３の一端が接続されている。さらに、各列において隣接するＬＥＤ１１のアノード電極１４とカソード電極１５とは連結配線２１によって接続されている。すなわち、ＬＥＤ１１は連結配線２１を介して各列毎に直列接続され、各列の両端に位置するＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５はアノード配線１２及びカソード配線１３を介してアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続されている。
【００１４】
ここで、基板１０及び基板４０は、透光性を有する石英基板若しくはガラス基板、又は、透光性を有するアクリル等の樹脂基板から成る。また、反射層４１は、近紫外光又は紫外光を反射する真空蒸着法、メッキ法等によって形成された金属膜（例えば、アルミニウム膜）又は多層反射膜から成る。さらに、３０は、近紫外線又は紫外線の光が照射されることによって白に発光する蛍光体であり、基板１０の表面に塗布されたものである。
【００１５】
なお、蛍光体３０は、近紫外線又は紫外線の光が照射されることによって赤に発光する蛍光体、例えば、Ｙ2 Ｏ2 ：Ｅｕ又は（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3 ：Ｅｕと、緑に発光する蛍光体、例えば、ＬａＰＯ4 ：Ｃｅ、Ｔｂ又はＺｎ2 ＳｉＯ：Ｍｎと、青に発光する蛍光体、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）5 （ＰＯ4 ）3 Ｃｌ：Ｅｕ又はＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕとを混合し、透光性を有するシリコーン系樹脂から成る封止材中に撹拌（かくはん）して、塗布、乾燥することによって得ることができる。
【００１６】
ここで、前記赤に発光する蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を照射することによって波長６２０〜７１０ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。また、前記緑に発光する蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を照射することによって波長５００〜５８０ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、前記青に発光する蛍光体は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を照射することによって波長４５０〜５００ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、前記蛍光体の塗布方法も前記蛍光体の形態に応じて任意好適に選択することができ、前記材質及び方法に限定されるものではない。
【００１７】
また、基板１０の第１の面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦（たん）化されている。そして、ＬＥＤ１１は、後述する工程によって別の基板から剥（はく）離され、基板１０上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。
【００１８】
前記ＬＥＤ１１は、近紫外発光又は紫外発光する薄膜ＬＥＤであって、窒化ガリウム若しくは窒化インジュウムガリウム、又は、窒化アルミガリウム若しくは窒化アルミ等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記ＬＥＤ１１の材質は、近紫外光又は紫外光の帯域、好ましくは、波長３００〜４５０ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
【００１９】
そして、各ＬＥＤ１１と蛍光体３０とは、基板１０の第１の面上と第２の面上とにおいて、互いに対向するように配設され、かつ、各ＬＥＤ１１と反射層４１とは、基板１０の第１の面上と基板４０の第２の面上とにおいて、互いに対向するように配設される。
【００２０】
これにより、各ＬＥＤ１１を中央にして、基板１０及び４０をそれぞれ介して、前記蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置される。そのため、図１に示されるように、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、蛍光体３０を照射する。また、前記ＬＥＤ１１から基板４０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００２１】
したがって、各ＬＥＤ１１が、その両面から、それぞれ、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、前記ＬＥＤ１１及び反射層４１に対向する蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層４１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受け、矢印Ｂで示されるように、白色の光を発光する。
【００２２】
また、アノード電極１４及びカソード電極１５は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属電極であり、各ＬＥＤ１１のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。
【００２３】
そして、アノード配線１２及びカソード配線１３は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５にそれぞれ接続されている。なお、アノード配線１２は一端がアノードドライバＩＣ３１に接続され、カソード配線１３は一端がカソードドライバＩＣ３２に接続されているので、これにより、ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５は、アノード配線１２及びカソード配線１３を介してアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続される。
【００２４】
前記アノードドライバＩＣ３１は、点灯信号に応じてＬＥＤ１１に電流を供給する機能を有し、例えば、シフトレジスタ回路、ラッチ回路、定電流回路、増幅回路等の回路が集積されている。そして、ＬＥＤ１１のアノード電極１４に接続されたアノード配線１２は、アノードドライバＩＣ３１の駆動素子に接続されている。図に示される例においては、アノードドライバＩＣ３１が基板１０上に実装されているが、アノードドライバＩＣ３１は、必ずしも基板１０上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
【００２５】
また、前記カソードドライバＩＣ３２は、ＬＥＤ１１からの電流を吸い込む機能を有し、トランジスタ等のスイッチ回路が集積されている。そして、ＬＥＤ１１のカソード電極１５に接続されたカソード配線１３がカソードドライバＩＣ３２に接続されている。図に示される例においては、カソードドライバＩＣ３２が基板１０上に実装されているが、カソードドライバＩＣ３２は、必ずしも基板１０上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
【００２６】
次に、ＬＥＤ１１を形成する工程について説明する。
【００２７】
図６は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図７は本発明の第１の実施の形態における保護膜にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す図、図８は本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤを複数に分割する工程を示す図である。
【００２８】
図において、１８はＬＥＤ積層薄膜であり、細長い帯状又は短冊状の形状を備え、後述されるように、基板１０上に一体的に付着された後、複数に分割されてＬＥＤ１１となる。そして、前記ＬＥＤ積層薄膜１８は、近紫外発光又は紫外発光する薄膜であり、窒化ガリウム若しくは窒化インジュウムガリウム、又は、窒化アルミガリウム若しくは窒化アルミ等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。
【００２９】
また、１７は犠牲層であり、前記ＬＥＤ積層薄膜１８を母材１６から剥離させるため、後述される剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒（ひ）素層の膜であり、母材１６とＬＥＤ積層薄膜１８との間に形成される。
【００３０】
さらに、母材１６は、例えば、ガリウム砒素若しくは窒化ガリウム、又は、サファイヤ等の材質から成り、前記母材１６上に、ＭＯＣＶＤ法等の気相成長法によって、ＬＥＤ積層薄膜１８を構成する材質をエピタキシャル成長させる。
【００３１】
次に、エピタキシャル成長させたＬＥＤ積層薄膜１８を母材１６から剥離する工程について説明する。
【００３２】
例えば、各ＬＥＤ１１の形状が一辺の長さが２ミリメートルの正方形であるとすると、２ミリメートル以上の幅を備え、かつ、ＬＥＤアレイの１列分の長さ、すなわち、３つのＬＥＤ１１から成る１列の長さ以上の長さを備える短冊状のＬＥＤ積層薄膜１８を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐（りん）酸過水等を用いて、母材１６上のＬＥＤ積層薄膜１８を短冊形に形成する。
【００３３】
その後、弗（ふっ）化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、前記ＬＥＤ積層薄膜１８が形成された母材１６を浸漬（しんし）させる。これにより、犠牲層１７がエッチングされ、ＬＥＤ積層薄膜１８が母材１６から剥離する。
【００３４】
そして、剥離されたＬＥＤ積層薄膜１８を表面が平坦化された基板１０の第１の面上に押し付け、水素結合等の分子間力によって、基板１０とＬＥＤ積層薄膜１８とを固着して一体化する。
【００３５】
ここで、基板１０の第１の面の最表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜が形成され、好ましくは、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された表面となっている。このように、基板１０の第１の面の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、前記ＬＥＤ１１との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。
【００３６】
このような工程を繰り返し行うことによって、図７に示されるように、複数列、例えば、３列のＬＥＤ積層薄膜１８が基板１０の第１の面に固着されて一体化される。
【００３７】
続いて、基板１０の第１の面上に一体化された各ＬＥＤ積層薄膜１８を、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって複数に分割し、ＬＥＤ素子を形成する。本実施の形態においては、各ＬＥＤ積層薄膜１８を３つずつのＬＥＤ素子に分割するものとする。
【００３８】
これにより、図８に示されるように、基板１０の第１の面上に、ＬＥＤ１１が３列３行の正方格子状に等間隔に配列されたＬＥＤアレイを得ることができる。
【００３９】
続いて、各ＬＥＤ１１のアノード及びカソードに接続されるアノード電極１４及びカソード電極１５、並びに、各アノード電極１４及びカソード電極１５に接続されるアノード配線１２及びカソード配線１３並びに連結配線２１を、真空蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。なお、アノード電極１４及びカソード電極１５は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料を薄膜積層して形成された金属電極である。また、アノード配線１２、カソード配線１３及び連結配線２１は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料を薄膜積層して形成された金属配線である。これにより、各ＬＥＤ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５は、アノード配線１２、カソード配線１３及び連結配線２１を介してアノードドライバＩＣ３１及びカソードドライバＩＣ３２に接続される。
【００４０】
次に、前記構成のＬＥＤバックライト装置１００の動作について説明する。
【００４１】
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、該アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から定電流がアノード配線１２を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、該カソードドライバＩＣ３２が、大容量のスイッチ回路によって接続されたカソード配線１３を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込むように動作する。
【００４２】
これにより、各列において、連結配線２１によって直列接続されているＬＥＤ１１に電流が流れ、各ＬＥＤ１１が発光する。
【００４３】
このように、点灯信号に応じてＬＥＤ１１が波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、前記ＬＥＤ１１を中央にして、基板１０及び４０をそれぞれ介して、前記蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置されているので、図１に示されるように、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、直接蛍光体３０を照射し、各ＬＥＤ１１から基板４０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。したがって、各ＬＥＤ１１が、その両面から、それぞれ、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、前記ＬＥＤ１１及び反射層４１に対向する蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層４１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受けて励起され、矢印Ｂで示されるように、白色の光を放射する。
【００４４】
そして、該光は、図５に示されるように、ＬＥＤバックライト装置１００に対向して配設されている液晶パネル２００を裏側から照射する。
【００４５】
なお、本実施の形態においては、各列におけるＬＥＤ１１を直列接続した場合について説明したが、各行におけるＬＥＤ１１を直列接続してもよいし、斜め方向に並んだＬＥＤ１１を直列接続してもよい。また、該ＬＥＤ１１を直列接続の最小個数となる１個で、個々に駆動してもよいし、さらに、各列、各行、斜め方向等、色々な配置で直列接続したものを組み合わせてもよい。
【００４６】
また、ＬＥＤ１１が固着される基板１０の第１の面と、基板４０の第２の面を対向配置して固定する際に、基板１０及び４０の間に透光性の高いシリコーン系樹脂等を充填（てん）し、脱泡後、乾燥、固定してもよい。
【００４７】
さらに、蛍光体３０の酸化や劣化を防止するために、ＬＥＤバックライト装置１００と液晶パネル２００との間の空間を不活性ガス雰囲気としてもよいし、ほぼ真空にしてもよい。
【００４８】
このように、本実施の形態においては、半導体プロセスによってＬＥＤ１１、アノード配線１２及びカソード配線１３を透光性の基板１０上に形成することができ、また、ＬＥＤ１１とアノード配線１２及びカソード配線１３とを接続することができるので、超薄型で、大面積のＬＥＤバックライト装置１００を提供することができる。
【００４９】
また、複数のＬＥＤ１１を所望の大きさ及び形状に形成して、基板１０の表面の所望の位置に配設することができ、かつ、各ＬＥＤ１１を中央にして、基板１０及び４０をそれぞれ介して、蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置されるので、ＬＥＤ１１の形状及び位置を調整したり、基板１０及び４０の厚さを調整したりすることによって、明るさのばらつきを抑制することができ、かつ、ＬＥＤ１１の表面及び裏面から発光した光を使用することができるので、全体的に明るくすることを期待することができる。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
【００５１】
図９は本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図１０は本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図である。
【００５２】
本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置３００は、平板状の第１の基板としての基板１０と平板状の第２の基板としての基板５０とを有する。基板１０の第１の面には複数のＬＥＤ１１が配列されている。一方、基板５０の第１の面には、傾斜面を備える突起が複数形成されており、突起の表面を含む第１の面全体に反射層５１が固着されている。そして、図９に示されるように、基板１０の第１の面と、基板５０の第１の面とは対向配置されている。また、基板５０の突起は、基板１０の第１の面上の互いに隣接するＬＥＤ１１間の中央部付近と対向する位置に配置されており、突起の先端は、基板１０の第１の面に当接されている。
【００５３】
そして、各ＬＥＤ１１と蛍光体３０とは、基板１０の第１の面上と第２の面上とにおいて、互いに対向するように配設され、かつ、各ＬＥＤ１１と反射層５１とは、基板１０の第１の面と基板５０の第１の面の平坦部とにおいて、互いに対向するように配設される。
【００５４】
これにより、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０と基板５０の第１の面の平坦部上の反射層５１とがそれぞれ対向配置される。そのため、図９に示されるように、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、蛍光体３０を照射する。また、前記ＬＥＤ１１から基板５０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、基板５０の第１の面の平坦部上の反射層５１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００５５】
また、反射層５１が固着された前記突起には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起の傾斜面上の反射層５１で、前記傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて出射し、蛍光体３０を照射する。
【００５６】
なお、各ＬＥＤ１１から出射される光、すなわち、矢印Ａ、Ｃ及びＤで示される光は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光である。
【００５７】
そして、前記蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層５１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受け、矢印Ｂで示されるように、白色の光を発光する。
【００５８】
なお、ＬＥＤバックライト装置３００のその他の点の構成については、前記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５９】
次に、本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置３００の動作について説明する。
【００６０】
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、該アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から定電流がアノード配線１２を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、該カソードドライバＩＣ３２が、大容量のスイッチ回路によって接続されたカソード配線１３を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込むように動作する。
【００６１】
これにより、各列において、連結配線２１によって直列接続されているＬＥＤ１１に電流が流れ、各ＬＥＤ１１が発光する。
【００６２】
このように、点灯信号に応じて各ＬＥＤ１１が波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層５１がそれぞれ対向配置されているので、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、直接蛍光体３０を照射し、各ＬＥＤ１１から基板５０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、反射層５１で反射されて蛍光体３０を照射する。さらに、反射層５１が固着された前記突起には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起の傾斜面上の反射層５１で、前記傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて蛍光体３０を照射する。
【００６３】
したがって、各ＬＥＤ１１が、その両面及び側端面から、それぞれ、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層５１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受けて励起され、矢印Ｂで示されるように、白色の光を放射する。
【００６４】
また、ＬＥＤ１１が固着される基板１０の第１の面と、基板５０の第１の面とを対向配置し、かつ、反射層５１が固着された突起の先端とＬＥＤ１１間の中央部付近の基板１０の第１の面とを当接させて固定する際に、基板１０及び５０間に透光性の高いシリコーン系樹脂等を充填し、脱泡後、乾燥、固定してもよい。
【００６５】
このように、本実施の形態においては、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層５１がそれぞれ対向配置されるとともに、隣接するＬＥＤ１１間の中央部付近にその先端が当接され、かつ、反射層５１が固着された突起には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の表面及び裏面から出射する光だけでなく、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光を前記突起上の反射層５１で反射して、蛍光体３０に供給することができる。これにより、更に明るく、低消費電力な超薄型で大面積のＬＥＤバックライト装置を提供することができる。
【００６６】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１及び第２の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
【００６７】
図１１は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図１２は本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図である。
【００６８】
本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置４００は、平板状の第１の基板１０と平板状の第２の基板４０とを有する。そして、基板１０の第１の面と、基板４０の第２の面とが対向配置されている。なお、基板１０の第１の面上には複数のＬＥＤ１１が配列され、基板４０の第１の面の全面には反射層４１が固着されている。さらに、基板１０の第１の面上には、基板４０に向けて突出するとともに、傾斜面を備える突起部１９が複数形成されている。そして、該突起部１９は、互いに隣接するＬＥＤ１１間の中央部付近に位置し、図１１に示されるように、基板１０及び４０を対向配置させた状態で、前記突起部１９の先端は、基板４０の第２の面に当接する。なお、前記突起部１９は反射材から成る。
【００６９】
そして、各ＬＥＤ１１と蛍光体３０とは、基板１０の第１の面上と第２の面上とにおいて、互いに対向するように配設され、かつ、各ＬＥＤ１１と反射層４１とは、基板１０の第１の面と基板４０の第２の面とにおいて、互いに対向するように配設される。
【００７０】
これにより、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置される。そのため、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、蛍光体３０を照射する。
【００７１】
また、前記ＬＥＤ１１から基板４０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、基板４０の第１の面の反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００７２】
さらに、前記突起部１９には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起部１９の傾斜面で、該傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて出射し、基板４０の第１の面の反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００７３】
なお、各ＬＥＤ１１から出射される光、すなわち、矢印Ａ、Ｃ及びＤで示される光は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光である。
【００７４】
そして、前記蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層４１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受け、矢印Ｂで示されるように、白色の光を発光する。
【００７５】
なお、ＬＥＤバックライト装置４００のその他の点の構成については、前記第１及び第２の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００７６】
次に、本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置４００の動作について説明する。
【００７７】
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、該アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から定電流がアノード配線１２を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、該カソードドライバＩＣ３２が、大容量のスイッチ回路によって接続されたカソード配線１３を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込むように動作する。
【００７８】
これにより、各列において、連結配線２１によって直列接続されているＬＥＤ１１に電流が流れ、各ＬＥＤ１１が発光する。
【００７９】
このように、点灯信号に応じて各ＬＥＤ１１が波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置されているので、図１１に示されるように、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、直接蛍光体３０を照射し、各ＬＥＤ１１から基板４０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。さらに、前記突起部１９には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起部１９の傾斜面で、該傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射された後、反射層４１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００８０】
したがって、各ＬＥＤ１１が、その両面及び側端面から、それぞれ、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層４１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受けて励起され、矢印Ｂで示されるように、白色の光を放射する。
【００８１】
また、ＬＥＤ１１が固着される基板１０の第１の面と、基板４０の第２の面とを対向配置し、かつ、前記突起部１９の先端と基板４０の第２の面とを当接させて固定する際に、基板１０及び４０間に透光性の高いシリコーン系樹脂等を充填し、脱泡後、乾燥、固定してもよい。
【００８２】
このように、本実施の形態においては、各ＬＥＤ１１を中央にして、蛍光体３０及び反射層４１がそれぞれ対向配置され、かつ、隣接するＬＥＤ１１間の中央部付近に形成された突起部１９には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の表面及び裏面から出射する光だけでなく、側端面から出射する光を前記突起部１９で反射して、前記蛍光体３０に供給することができる。これにより、更に明るく、低消費電力な超薄型で大面積のＬＥＤバックライト装置を提供することができる。
【００８３】
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、第１〜第３の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１〜第３の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
【００８４】
図１３は本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図、図１４は本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図、図１５は本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図である。
【００８５】
本実施の形態において、ＬＥＤバックライト装置５００は、平板上の第１の基板としての基板１０と、平板上の第２の基板としての基板６０とをを有する。基板１０の第１の面上には複数のＬＥＤ１１が配設され、さらに、図１４に示されるように、傾斜面を備える突起部２０が各ＬＥＤを取り囲むように形成されている。
【００８６】
一方、基板６０の第１の面には、その第２の面に向けて突出するとともに傾斜面を備える凹部６２が複数形成されており、該凹部６２の表面を含む第１の面の表面全体に反射層６１が固着されている。そして、図１３に示されるように、基板１０の第１の面と基板６０の第２の面（裏面）とが対向配置されている。また、凹部６２は基板１０の第１の面上の互いに隣接するＬＥＤ１１間の中央付近と対向する位置に配置され、突起部２０の先端は基板６０の第２の面に当接されている。ここで、突起部２０は光（ここでは近紫外光又は紫外光）を反射する材料（例えば、アルミニウム）から成る。
【００８７】
そして、各ＬＥＤ１１と蛍光体３０とは、基板１０の第１の面上と第２の面上とにおいて、互いに対向するように配設され、かつ、各ＬＥＤ１１と反射層６１とは、基板１０の第１の面と基板６０の第２の面とにおいて、互いに対向するように配設される。
【００８８】
これにより、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層６１がそれぞれ対向配置される。そのため、図１３に示されるように、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、蛍光体３０を照射する。また、前記ＬＥＤ１１から基板６０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、基板６０の第１の面の反射層６１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００８９】
また、前記突起部２０には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起部２０の傾斜面で、該傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて出射し、基板６０の第１の面の反射層６１で反射されて蛍光体３０を照射する。
【００９０】
さらに、前記ＬＥＤ１１から基板６０方向に出射する光の一部は、矢印Ｅで示されるように、凹部６２の傾斜面上の反射層６１で、前記傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて出射し、蛍光体３０を照射する。
【００９１】
なお、各ＬＥＤ１１から出射される光、すなわち、矢印Ａ、Ｃ、Ｄ及びＥで示される光は、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光である。
【００９２】
そして、蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層６１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受け、矢印Ｂで示されるように、白色の光を発光する。
【００９３】
なお、ＬＥＤバックライト装置５００のその他の点の構成については、前記第１〜第３の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００９４】
次に、本実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置５００の動作について説明する。
【００９５】
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバＩＣ３１に入力されると、該アノードドライバＩＣ３１の増幅回路から定電流がアノード配線１２を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１に近接したＬＥＤ１１のアノード電極１４に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバＩＣ３２に入力されると、該カソードドライバＩＣ３２が、大容量のスイッチ回路によって接続されたカソード配線１３を介してＬＥＤアレイの各列の中で最もアノードドライバＩＣ３１から離間したＬＥＤ１１のカソード電極１５から電流を吸い込むように動作する。
【００９６】
これにより、各列において、連結配線２１によって直列接続されているＬＥＤ１１に電流が流れ、各ＬＥＤ１１が発光する。
【００９７】
このように、点灯信号に応じて各ＬＥＤ１１が波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層６１がそれぞれ対向配置されているので、各ＬＥＤ１１から基板１０方向に出射する光は、矢印Ａで示されるように、直接蛍光体３０を照射し、各ＬＥＤ１１から基板６０方向に出射する光は、矢印Ｃで示されるように、反射層６１で反射されて蛍光体３０を照射する。また、前記突起部２０には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の側端面から出射する光は、矢印Ｄで示されるように、前記突起部２０の傾斜面で、該傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射された後、反射層６１で反射されて蛍光体３０を照射する。さらに、反射層６１が固着された凹部６２には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１から基板６０方向に出射する光の一部は、矢印Ｅで示されるように、凹部６２の傾斜面上の反射層６１で、前記傾斜面の傾斜角度に応じた角度に反射されて出射し、蛍光体３０を照射する。
【００９８】
したがって、各ＬＥＤ１１が、その両面及び側端面から、それぞれ、波長３００〜４５０ナノメートルの近紫外光又は紫外光を発光すると、蛍光体３０は、ＬＥＤ１１から直接の、又は、反射層６１で反射された近紫外光又は紫外光の照射を受けて励起され、矢印Ｂで示されるように、白色の光を放射する。
【００９９】
また、ＬＥＤ１１が固着される基板１０の第１の面と、基板６０の第２の面とを対向配置し、かつ、前記突起部２０の先端と基板６０の第２の面とを当接させて固定する際に、基板１０及び６０間に透光性の高いシリコーン系樹脂等を充填し、脱泡後、乾燥、固定してもよい。
【０１００】
このように、本実施の形態においては、各ＬＥＤ１１を中央にして、前記蛍光体３０及び反射層６１がそれぞれ対向配置され、かつ、各ＬＥＤ１１を取り囲むように形成された突起部２０には傾斜が設けてあり、さらに、反射層６１が固着された凹部６２には傾斜が設けてあるので、各ＬＥＤ１１の表面及び裏面から出射する光だけでなく、側端面から出射する光を前記突起部２０で反射し、さらに、一部の光を凹部６２上の反射層６１で反射して、前記蛍光体３０に供給することができる。これにより、更に明るく、低消費電力な超薄型で大面積のＬＥＤバックライト装置を提供することができる。
【０１０１】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第２の面から観た斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置を用いた液晶表示装置の側断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤの積層薄膜を剥離する工程を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態における保護膜にＬＥＤの積層薄膜を一体化する工程を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態におけるＬＥＤを複数に分割する工程を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の側断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第１の基板を第１の面から観た斜視図である。
【図１５】本発明の第４の実施の形態におけるＬＥＤバックライト装置の第２の基板を第１の面から観た斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０、４０、５０、６０   基板
１１    ＬＥＤ
１２    アノード配線
１３    カソード配線
１４    アノード電極
１５    カソード電極
１６    母材
１７    犠牲層
１８    ＬＥＤ積層薄膜
１９、２０    突起部
２１    連結配線
３０    蛍光体
３１    アノードドライバＩＣ
３２    カソードドライバＩＣ
４１、５１、６１    反射層
６２    凹部
１００    ＬＥＤバックライト装置
２００    液晶パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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